(57)【要約】【課題】基板のコストをアップさせることなく、基板の撓み強度を向上させて不良の発生を抑止することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】矩形状に形成された基板２に半導体素子３を搭載した表面実装型の半導体装置１において、基板２の両端部に断面がコ字状に形成された一対の電極４，５と、半導体素子３を搭載した搭載面の反対面に、外形が矩形状で一対の電極４，５に両端部が重なるように形成されたレジスト膜６とを備え、電極４，５とレジスト膜６との重なる面の幅を、基板２の幅と略等しくしたことを特徴とする。【選択図】図１
2006040924.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状に形成された基板に半導体素子を搭載した表面実装型の半導体装置において、
前記基板の両端部に断面がコ字状に形成された一対の電極と、前記半導体素子を搭載した搭載面の反対面に、外形が矩形状で前記一対の電極に両端部が重なるように形成されたレジスト膜とを備え、前記電極と前記レジスト膜との重なる面の幅を、前記基板の幅と略等しくしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記レジスト膜の中央部に、前記基板が露出するような露出部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の両端部にそれぞれ電極が設けられた表面実装型の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装型の半導体装置は、基板に搭載された半導体素子と、この基板の両端部に設けられた一対の電極とを有している。この半導体装置は、リフロー工程で他の基板へ実装する際に、基板の実装面の両端部に形成された電極同士が半田などで短絡しないように、実装面側の電極間にレジスト膜が設けられている。
【０００３】
従来の半導体装置を図２に示す。図２（ａ）は従来の半導体装置の半導体素子の搭載面側の図、（ｂ）は実装面側の図である。
【０００４】
図２（ａ）および同図（ｂ）に示すように、従来の半導体装置１０は、発光ダイオード１１が基板１２に搭載されており、基板１２の実装面側の両端部に形成された断面コ字状の電極１３，１４の２つの突出部１５に重なるように、レジスト膜１６が設けられている。このようにレジスト膜１６を設けることで、他の基板に搭載する際に、電極１３，１４を短絡するように半田が付着することを防止している。なお、図示の例では、レジスト膜１６の外形をダイオードの回路記号を模した形状に形成して、部品の極性を容易に判別することができるようにしている。
【０００５】
また、図３に他の従来の半導体装置を示す。図３は他の従来の半導体装置の底面図である。
【０００６】
図３に示すように、他の従来の半導体装置２０は、基板２１の実装面側の両端部に形成された略Ｔ字状に形成された電極２２に重ならないように、また電極２３に重なるようにレジスト膜２４が設けられている。レジスト膜２４の外形を電極２２側と電極２３側で異なるものとすることで、この従来の半導体装置の極性を表している。このようなレジスト膜が形成された半導体装置が特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００１−３５２１０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、図２（ａ）および同図（ｂ）に示される従来の半導体装置は、他の基板へ実装する工程にて、基板１２が撓むような応力がかかり、基板１２の短手方向に割れが発生したり、基板１２に形成された配線パターンの剥離が生じたりすることがある。これは、基板１２の撓みに対して、基板１２の強度が耐えられないからである。図２（ｂ）に示される従来の半導体装置１０の基板１２の実装面側には、基板１２の長手方向の撓みを抑止する効果があると思われる電極１３と電極１４と、この電極１３，１４のそれぞれの突出部１５を接続するレジスト膜１６とが設けられているが、これではまだ基板１２の割れや、配線パターンの剥離などを防止するには、強度不足である。
【０００８】
図３に示される特許文献１に記載の半導体装置２０のレジスト膜２４は、電極２３には重なっているが、電極２２には重なっていないため、基板２１の長手方向の撓みに対する強度は、図２に示される従来の半導体装置より弱いものと思われる。
【０００９】
このように従来の半導体装置を他の基板へ実装する工程にて、基板の割れや配線パターンの剥離が発生すると、半導体素子が正常に動作しないこともあるため、半導体装置は不良品として扱われることとなる。撓みの応力に対する強度の高い基板を採用することも考えられるが、基板のコストアップになる。
【００１０】
そこで本発明は、基板のコストをアップさせることなく、基板の撓み強度を向上させて不良の発生を抑止することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、矩形状に形成された基板に半導体素子を搭載した表面実装型の半導体装置において、前記基板の両端部に断面がコ字状に形成された一対の電極と、前記半導体素子を搭載した搭載面の反対面に、外形が矩形状で前記一対の電極に両端部が重なるように形成されたレジスト膜とを備え、前記電極と前記レジスト膜との重なる面の幅を、前記基板の幅と略等しくしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体装置は、矩形状に形成された基板に半導体素子を搭載した表面実装型の半導体装置において、基板の両端部に断面がコ字状に形成された一対の電極と、半導体素子を搭載した搭載面の反対面に、外形が矩形状で前記一対の電極に両端部が重なるように形成されたレジスト膜とを備え、電極とレジスト膜との重なる面の幅を、基板の幅と略等しくしたことにより、レジスト膜が基板の片側面を補強するように形成されているので、基板の撓みに対する強度がアップする。よって、不良の発生を抑止することが可能である。
【００１３】
また、このレジスト膜は、従来の半導体装置に形成されたレジスト膜の外形の形状を変更するだけなので、製造工程を変更する必要が無い。よってコストアップせずに対策を施すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本願の第１の発明は、矩形状に形成された基板に半導体素子を搭載した表面実装型の半導体装置において、基板の両端部に断面がコ字状に形成された一対の電極と、半導体素子を搭載した搭載面の反対面に、外形が矩形状で一対の電極に両端部が重なるように形成されたレジスト膜とを備え、電極とレジスト膜との重なる面の幅を、基板の幅と略等しくしたことを特徴とするものである。
【００１５】
レジスト膜が基板の両端部に形成された一対の電極に両端部が重なるように接続しているので、基板の厚みをレジスト膜により厚くしたことと同じ効果を得ることができる。
【００１６】
また、図２（ｂ）に示される従来の半導体装置のレジスト膜１６のように徐々にレジスト膜１６の幅が細くなるように窪んだ部分があると、撓みの応力に対してはレジスト膜１６の最も狭くなった箇所の幅しか基板を補強することができない。基板の電極が形成されていない両端辺部分は、撓みに対して補強するものがないため基板の割れや配線パターンが剥離しやすい。本発明の半導体発光装置のレジスト膜は、その外形を矩形状とし、電極とレジスト膜との重なる面の幅を基板の幅と略等しくしている。従って、電極が形成されていない両端辺部分を補強するために、レジスト膜の外形を矩形状とし、電極とレジスト膜との重なる面の幅を基板の幅と略等しくすることで、電極が形成されていない両端辺部分を補強することができる。
【００１７】
また、電極が矩形状に形成された基板の両端部に断面コ字状に形成され、レジスト膜がこの両端部の電極に重なるように形成されているので、レジスト膜の形成面である実装面が反る撓みに対して、レジスト膜が一対の電極をそれぞれ引っ張るようにして反発する。従って、基板の撓みに対する強度がアップする。
【００１８】
また、このレジスト膜は、従来の半導体装置に形成されたレジスト膜の外形の形状を変更するだけなので、製造工程を変更する必要が無い。
【００１９】
本願の第２の発明は、レジスト膜の中央部に、基板が露出するような露出部が形成されていることを特徴としたものであり、基板が撓む応力に対しては、基板の中央部分であれば基板が露出するようにレジスト膜を形成しても、その露出部分を除いたレジスト膜により撓み強度が確保できる。また、レジスト膜を形成する樹脂の量を節約することができる。
【００２０】
本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成を、半導体発光装置を例に図１に基づいて説明する。図１は本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成を説明する図であり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は底面図である。
【００２１】
図１に示すように、本発明の実施の形態に係る半導体装置の一例である半導体発光装置１は、表面実装型であり、矩形状に形成された基板２と、半導体発光素子３と、一対の電極４，５と、レジスト膜６とを備えている。
【００２２】
基板２には、半導体素子３の搭載面に配線パターン７，８が形成されている。配線パターン７は、半導体発光素子３と導通搭載し、電極４と接続することで、半導体発光素子３と電極４とを導通している。配線パターン８は、ワイヤ９を介して半導体発光素子３と接続され、電極５に接続されることで、半導体発光素子３と電極５とを導通している。
【００２３】
半導体発光素子３は、樹脂モールド１７により封止されている。
【００２４】
電極４，５は、基板２の両端部に形成されている。この電極４，５は、他の基板である実装基板に設けられた電極と接続して半導体発光素子３と導通するために、断面コ字状に形成されている。電極４，５の幅は、基板２の短手方向の幅と等しく形成される。これは、この半導体発光装置１を製造する場合に、複数の半導体発光素子を一列に搭載した基板に電極を形成した後に、基板を切断して個々の半導体発光装置としているからである。
【００２５】
レジスト膜６は、半導体発光素子３の搭載面の反対面である実装面に形成されている。このレジスト膜６により、基板２の厚みを厚くしたことと同じ効果を得ることができる。
【００２６】
レジスト膜６は、その外形を矩形状とし、電極４，５とレジスト膜６との重なる面の幅を基板の幅と略等しくしている。基板２は電極４，５が形成されていない両端辺２ａ，２ｂ部分は、撓みに対して補強するものがないため基板２の割れや配線パターン７，８が剥離しやすい。従って、電極４，５が形成されていない両端辺部分を補強するために、レジスト膜６の外形を矩形状とし、電極４，５とレジスト膜６との重なる面の幅を基板２の幅と略等しくすることで、電極４，５が形成されていない両端辺２ａ，２ｂ部分を補強することができる。
【００２７】
また、電極４，５が矩形状に形成された基板２の両端部に断面コ字状に形成され、レジスト膜６がこの両端部の電極４，５に重なるように形成されているので、レジスト膜６の形成面である実装面が反る撓みに対して、レジスト膜６が一対の電極４，５をそれぞれ引っ張るようにして反発する。従って、基板２の撓みに対する強度がアップする。
【００２８】
また、レジスト膜６には、中央部を基板２が三角形状に露出する露出部１８を設けている。この露出部１８を三角形状とすることで、半導体発光装置１の電極４，５のアノード側またはカソード側の方向を表すことができる。また、レジスト膜６を形成する樹脂を節約することができる。
【００２９】
この露出部１８は、基板２の中央部分に形成されているので、電極が形成されていない両端辺部分を補強するために外形を矩形状とした形状には影響しない。従って、その露出部１８部分を除いたレジスト膜６により撓み強度が確保できる。また、レジスト膜６を形成する樹脂の量を節約することができる。本実施の形態では露出部１８を三角形状としたが、四角形状、多角形状または異形状としてもよい。
【００３０】
レジスト膜６は、図２に示される半導体装置に形成されたレジスト膜１６や、図３に示される半導体装置のレジスト膜２４の外形の形状を変更し、露出部１８を設けただけなので、製造工程を変更する必要が無い。よってコストアップせずに対策を施すことができる。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明は、基板の撓み強度を向上させて不良の発生を抑止することが可能なので、基板の両端部にそれぞれ電極が設けられた表面実装型の半導体装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成を説明する図であり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は底面図
【図２】（ａ）は従来の半導体装置の半導体素子の搭載面側の図、（ｂ）は実装面側の図
【図３】他の従来の半導体装置の底面図
【符号の説明】
【００３３】
１  半導体発光装置
２  基板
３  半導体発光素子
４，５  電極
６  レジスト膜
７，８  配線パターン
９  ワイヤ
１７  樹脂モールド
１８  露出部
【図１】
2006040924.tif 000003
【図２】
2006040924.tif 000004
【図３】
2006040924.tif 000005