(57)【要約】 【課題】  水蒸気の導入により処理室の圧力を上昇させる場合に、余分な水蒸気を導入する必要がなく、これにより大容量の蒸気発生手段を設ける必要がなく、コストを低減することができるとともに、処理室の昇圧速度を上昇させて昇圧時間を短縮でき、全体の処理時間を短縮して処理効率の向上を図ることができる水蒸気アニール装置とこの装置における水蒸気導入方法を提供する。【解決手段】  本発明の水蒸気アニール装置は、内部圧力を調整可能な圧力容器１０と、圧力容器１０内に設けられ内部に処理室２９を形成する処理容器２８と、圧力容器１０と処理容器２８との間に設けられ処理室２９を加熱するヒータ１６と、処理室２９に水蒸気を導入する水蒸気導入手段４２と、を備え、ヒータ１６の作動時であっても処理室２９に水の沸点以下の温度となる領域をもつ水蒸気アニール装置であって、処理室２９に水蒸気を導入する前に処理室２９の前記領域に水を供給する水供給手段５４と、処理室の水を排出する水排出手段６０と、を備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部圧力を調整可能な圧力容器と、該圧力容器内に設けられ内部に処理室を形成する処理容器と、前記圧力容器と前記処理容器との間に設けられ前記処理室を加熱するヒータと、前記処理室に水蒸気を導入する水蒸気導入手段と、を備え、前記ヒータの作動時であっても処理室に水の沸点以下の温度となる領域をもつ水蒸気アニール装置であって、
前記処理室に水蒸気を導入する前に処理室の前記領域に水を供給する水供給手段と、
前記処理室の水を排出する水排出手段と、を備える、
ことを特徴とする水蒸気アニール装置。
【請求項２】
前記水供給手段は、少なくとも前記領域が水で満たされるように、前記処理室に水を供給する、ことを特徴とする請求項１に記載の水蒸気アニール装置。
【請求項３】
前記水供給手段は、前記領域より高温の領域まで水を供給する、ことを特徴とする請求項２に記載の水蒸気アニール装置。
【請求項４】
内部圧力を調整可能な圧力容器と、該圧力容器内に設けられ内部に処理室を形成する処理容器と、前記圧力容器と前記処理容器との間に設けられ前記処理室を加熱するヒータと、前記処理室に水蒸気を導入する水蒸気導入手段と、を備え、前記ヒータの作動時であっても処理室に沸点以下の温度となる領域をもつ水蒸気アニール装置において前記処理室に水蒸気を導入する方法であって、
前記処理室の前記領域に水を供給した後、処理室に水蒸気を導入する、ことを特徴とする方法。
【請求項５】
前記処理室に水を供給するにあたり、少なくとも、前記領域が水で満たされるように、前記処理室に水を供給する、ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記処理室に水を供給するにあたり、前記領域より高温の領域まで水を供給する、ことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置や半導体装置用のトランジスタの製作工程等において被処理物を水蒸気で処理する際に使用される水蒸気アニール装置と、この装置における水蒸気導入方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイや半導体装置用のトランジスターの製作工程等では、被処理物を水蒸気で処理する際に水蒸気アニール装置が用いられる。水蒸気アニール装置における水蒸気の導入手段に関する従来技術が下記特許文献１に開示されている。
【０００３】
図５は、特許文献１に開示された水蒸気アニール装置の構成を示す図である。この水蒸気アニール装置は、上部圧力容器１００と下部圧力容器１０２とからなり内部圧力を調整可能な圧力容器１０３と、石英製の上部処理容器１０４と下部処理容器１０６とからなり内部に処理室１０７を形成する処理容器１０８と、圧力容器１０３と処理容器１０８との間に設けられたヒータ１１０とを備えて構成されている。処理容器１０８内には、例えばガラス基板等の被処理物１１２が収納されるようになっている。上部処理容器１０４と、下部処理容器１０６との間にはＯリング１１４が介装されており、処理室１０７からのガス漏れをシールしている。上部圧力容器１００と下部圧力容器１０２との間にはガスケット１１６が介装され内部ガスの漏れをシールしている。ヒータ１１０は、処理容器１０８の下方の一部を除き、処理容器１０８のほぼ全体を覆うように設置されている。また、この図に示すように、下部処理容器１０６は上方に突出するような形状をしており、その内側には、処理室１０７に導入するための水蒸気を発生させるボイラ１１８が設けられている。
【０００４】
また、上述したＯリング１１４は、そのままではヒータ作動時の高温に耐えられないため、これを保護するためにＯリング１１４の周辺に図示しない水冷式の冷却機構が設けられている。なお、符号１２０は、圧力容器１０３内に加圧用の空気を供給する空気供給ラインであり、符号１２２は、圧力容器内の空気を排気するための排気ラインであり、符号１２３は、処理室１０７のガスを排気する処理室排気ラインであり、符号１２４は、処理室１０７に窒素ガス等の不活性ガスを供給する不活性ガスラインであり、符号１２６は、ボイラに水蒸気発生用の純水を供給する水供給ラインであり、符号１２８は、ボイラ１１８で発生した水蒸気を処理室１０７に導入する水蒸気ラインであり、符号１３０は、ボイラ１１８を加熱するボイラ用ヒータである。
【０００５】
このように構成された水蒸気アニール装置では、被処理物１１２を処理室１０７に収納した後、ヒータ１１０により被処理物１１２を加熱するとともに、ボイラ１１８にて水蒸気を発生させこれを処理室１０７に導入して処理室１０７を昇圧し、処理室１０７の昇圧に伴い圧力容器１０３内に空気を供給して圧力容器１０３の内部圧力を昇圧する。これにより水蒸気アニール処理を行う。
【０００６】
また、下記特許文献２、３には、他の水蒸気発生手段を採用した水蒸気アニール装置が開示されているため、これらについても間単に説明する。
【０００７】
図６は、特許文献２に開示された水蒸気アニール装置の構成を示す図である。この水蒸気アニール装置では、不活性ガスをリアクタ２００に供給し、電気炉２０２により半導体基板２０４を所定温度に加熱した後、不活性ガスに代えて水蒸気同伴不活性ガスをリアクタに供給し、一定時間放置する。ここで、リアクタ２００は石英チャンバ２０６と電気炉２０２とを備えている。また、水蒸気同伴不活性ガスは、バブラ２０８内の純水２１０に不活性ガスを流入させてバブリングさせ、これによって発生した水蒸気と不活性ガスが同伴したものである。なお、この装置のように不活性ガスにより水のバブリングを行って水蒸気を発生させるものの他、酸素ガスにより水のバブリングを行って水蒸気を発生させるものもある。
【０００８】
図７は、特許文献３に開示された水蒸気アニール装置の構成を示す図である。この水蒸気アニール装置は、内部で半導体基板３００を処理する熱処理炉３０２と、水素ガスと酸素ガスを燃焼させる燃焼室３０４と、熱処理炉３０２と燃焼室３０４とを接続する配管３０６とを備えており、燃焼室３０４で酸素と水素を燃焼させて水蒸気を発生させ、発生した水蒸気を配管３０６を通して熱処理炉３０２に導入し、これにより半導体基板をパイロジェニック酸化する。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−１５２５６７号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８３３５号公報
【特許文献３】特開平１０−４１２９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述したように、特許文献１の水蒸気アニール装置においては、上部処理容器１０４と下部処理容器１０６との間にはＯリング１１４が介装されてシールされており、このＯリング１１４を保護するために冷却機構が設けられている。このため、ヒータ１１０の作動時であっても、冷却機構が設けられている部分やその周辺に位置する処理容器１０８下部の所定領域を加熱することが困難であり、その部分が水の沸点以下の温度となる。そして、この部分に処理室１０７内の水蒸気が接触すると、この水蒸気は凝縮して水となる。また、特許文献２，３の水蒸気アニール装置においても、処理容器下部に同様の冷却機構が設けられている場合には、処理室の水蒸気は凝縮して水となる。
【００１１】
このような水蒸気の凝縮時には、水蒸気（気体）が水（液体）に変化することで、その容積が１０００分の１以下となる容積変化が生じ、これにより処理室内が減圧される。このため、処理室への水蒸気の導入が、直ちに処理室圧力の上昇に結びつくことにはならない。したがって、従来、水蒸気にて処理室の圧力上昇を図る場合、この凝縮による減圧速度を超えるように水蒸気を導入する必要があり、このため、昇圧を実現するための大容量の蒸気発生手段が必要となりコストが増大するという問題があった。また、蒸気発生手段の蒸気発生能力が十分でない場合は、昇圧速度が遅くなるため、処理室の昇圧に長時間を要し、全体の処理時間が長くなり処理効率が悪いという問題があった。
【００１２】
本発明はかかる事情に鑑み、水蒸気の導入により処理室の圧力を上昇させる場合に、余分な水蒸気を導入する必要がなく、これにより大容量の蒸気発生手段を設ける必要がなく、コストを低減することができるとともに、処理室の昇圧速度を上昇させて昇圧時間を短縮でき、全体の処理時間を短縮して処理効率の向上を図ることができる水蒸気アニール装置とこの装置における水蒸気導入方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明は、内部圧力を調整可能な圧力容器と、該圧力容器内に設けられ内部に処理室を形成する処理容器と、前記圧力容器と前記処理容器との間に設けられ前記処理室を加熱するヒータと、前記処理室に水蒸気を導入する水蒸気導入手段と、を備え、前記ヒータの作動時であっても処理室に水の沸点以下の温度となる領域をもつ水蒸気アニール装置であって、前記処理室に水蒸気を導入する前に処理室の前記領域に水を供給する水供給手段と、前記処理室の水を排出する水排出手段と、を備える、ことを特徴としている（請求項１）。
【００１４】
また、上記本発明の水蒸気アニール装置において、前記水供給手段は、少なくとも前記領域が水で満たされるように、前記処理室に水を供給する（請求項２）。
【００１５】
また、上記本発明の水蒸気アニール装置において、前記水供給手段は、前記領域より高温の領域まで水を供給することが好ましい（請求項３）。
【００１６】
また、本発明は、内部圧力を調整可能な圧力容器と、該圧力容器内に設けられ内部に処理室を形成する処理容器と、前記圧力容器と前記処理容器との間に設けられ前記処理室を加熱するヒータと、前記処理室に水蒸気を導入する水蒸気導入手段と、を備え、前記ヒータの作動時であっても処理室に沸点以下の温度となる領域をもつ水蒸気アニール装置において前記処理室に水蒸気を導入する方法であって、前記処理室の前記領域に水を供給した後、処理室に水蒸気を導入する、ことを特徴としている（請求項４）。
【００１７】
また、上記本発明の方法において、前記処理室に水を供給するにあたり、少なくとも、前記領域が水で満たされるように、前記処理室に水を供給する（請求項５）。
【００１８】
また、上記本発明の方法において、前記処理室に水を供給するにあたり、前記領域より高温の領域まで水を供給することが好ましい（請求項６）。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の装置及び方法によれば、処理室下部の所定領域に水を供給し、その後に処理室に水蒸気を供給するので、処理室において水の沸点以下の温度となる領域があっても、水で満たされている部分では水蒸気の凝縮が起こらず、凝縮による減圧を抑制することができる。また、このとき、少なくとも、前記領域が水で満たされるように、処理室に水を供給すれば、処理室の水蒸気は水の沸点以下となる領域に全く接触することがないから、処理室において水蒸気の凝縮は起こりえない。このため、水蒸気の凝縮により処理室が減圧することがないから、従来のように処理室に余分な水蒸気を導入する必要がない。したがって、大容量の蒸気発生手段を必要としないため、コストの増大を抑制することができる。また、水蒸気の凝縮により処理室が減圧することがないから、処理室の昇圧速度を上昇させることができる。このため、昇圧時間を短縮でき、全体の処理時間を短縮して処理効率の向上を図ることができる。
【００２０】
さらに、処理室に水を供給するにあたり、前記領域より高温の領域まで水を供給すれば、この高温領域の水はヒータの加熱により蒸発して水蒸気になる。このため、この水蒸気が処理室の圧力上昇に寄与することになるから、処理室の圧力上昇速度が向上し、昇圧時間をより短縮することができる。
【００２１】
つまり、本発明の装置及び方法によれば、水蒸気の導入により処理室の圧力を上昇させる場合に、余分な水蒸気を導入する必要がなく、これにより大容量の蒸気発生手段を設ける必要がなく、コストを低減することができるとともに、処理室の昇圧速度を上昇させて昇圧時間を短縮でき、全体の処理時間を短縮して処理効率の向上を図ることができるという優れた効果が得られるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する。
【００２３】
本発明の実施形態では、被処理物として半導体基板に対し水蒸気アニール処理を行う装置や方法に関して説明するが、本発明は、その他の被処理物に水蒸気アニール処理を行う装置や方法についても同様に適用することができる。
【００２４】
図１は、本発明の実施形態による水蒸気アニール装置の概略図である。この水蒸気アニール装置により本発明の水蒸気供給方法を実施することができる。この水蒸気アニール装置は、高圧水蒸気雰囲気で熱処理を行うことができる装置であり、主要な構成要素として、圧力容器１０と、処理容器２８と、ヒータ１６と、水蒸気導入手段４２と、水供給手段５４と、水排出手段６０とを備えている。以下、各構成要素について説明する。
【００２５】
圧力容器１０は、圧力容器本体１２と圧力容器底部１４とから構成されており、これらの間にはガスケット１８が介装されていて容器内のガス漏れをシールしている。また、圧力容器１０には、圧力容器１０内に空気等のガスを供給するためのガス供給ライン２４と、圧力容器１０内のガスを排気するためのガス排気ライン２６が接続され、内部の圧力を調整可能に構成されている。なお、この例ではガス供給ライン２４とガス排気ライン２６は別々に構成されているが、これらの機能を兼ね備えた一体のガス供給排気ラインであってもよい。
【００２６】
処理容器２８は、圧力容器１０内に設置されるものであり、石英ガラス製の上部処理容器３０と下部処理容器３２とから構成され、内部にウエハ搭載ボード２２を収容できるようになった処理室２９を形成している。このエハ搭載ボード２２は、被処理物となる半導体基板２０を多数（例えば、１００〜１５０枚程度）縦に並べて搭載できるようになっている。上部処理容器３０は、空断面円形で上部がドーム状をなしており、下部処理容器３２は、上方に突出するドーム部３４を有し、ドーム部３４が上部処理容器３０の内部に挿入されるようになっている。上部処理容器３０と下部処理容器３２との間にはＯリング３６が介装されており処理室２９のガスの漏れをシールする。下部処理容器３２には、処理室２９に窒素等の不活性ガスを供給するための不活性ガスライン３８が接続されている。上部処理容器３０には、処理室２９のガスを排気する処理室排気ライン４０が接続されている。なお、処理容器２８は、この例のように上部処理容器３０と下部処理容器３２とからなる構成に限られず、後に説明する図２の（Ｂ）に示すように、上部処理容器３２と、この上部処理容器３２の下方開口部を閉じる処理容器底板３３とからなる構成であってもよい。
【００２７】
ヒータ１６は処理室２９を加熱し、半導体基板２０を加熱するための装置であり、圧力容器１０と処理容器２８との間に設置される。すなわち、このヒータ１６は円筒形状をなし、処理容器２８の下方の一部を除きほぼ全体を囲むように設置されている。
【００２８】
水蒸気導入手段４２は、この例では、水蒸気を発生させるボイラ４８と、ボイラを加熱するボイラ用ヒータ４４と、ボイラ４８に水蒸気発生用の純水を供給するための水供給ライン５０と、水を送給するためのポンプ５２と、ボイラ４８で発生した水蒸気を処理室２９まで導く水蒸気ライン５０とを含んでいる。ボイラ４８は、この例では、圧力容器１０の内部に設置されており、ボイラ用ヒータ４４の下方で、且つ下部処理容器３２のドーム部３４の内側に位置している。また、ボイラ４８は、この図には表れていないが、石英ガラス製のパイプを螺旋状に巻いて形成されており、パイプ内を流れる水がボイラ用ヒータ４４により加熱され蒸発することにより水蒸気を発生させるようになっている。なお、ボイラ４８はこの例のように圧力容器１０の内部に設置される形式のものに限られず、圧力容器１０の外部に設置される形式のものであってもよい。
【００２９】
水供給手段５４は、この例では、処理室２９に水を供給するための水供給ライン５６と、水を送給するためのポンプ５８とを含んでいる。水供給手段５４は、少なくとも、ヒータ１６の作動時であっても処理室２９下部において水の沸点以下の温度となる領域（以下、この領域を「低温領域」ということがある。）が水で満たされるように、処理容室２９に水を供給する。また、より好ましくは、水供給手段５４は、低温領域より高温の領域まで水を供給する。これについての詳細は後述する。水排出手段６０は、処理室２９の水を排出する水排出ライン６２を含んでいる。なお、この例では水供給ライン５６と水排気ライン６２は別々に構成されているが、これらの機能を兼ね備えた構成とし、これを一体の水供給排気手段としてもよい。つまり、本発明における水供給手段５４と水排出手段６０は、これらが別々の構成であるか一体の構成であるかは問わない。
【００３０】
なお、符号６４Ａ〜６４Ｇは、上述したそれぞれのラインに設けられた自動開閉バルブである。
【００３１】
また、この水蒸気アニール装置は、上部処理容器３０を支持するリング状の上部処理容器サポート部材６６と、下部処理容器３２を支持するリング状の下部処理容器サポート部材６８を備えている。この上部処理容器サポート部材６６と下部処理容器サポート６８には、図２を参照して分かるように、それぞれ、内部に冷却水を流すための冷却水流路７０が形成されており、これによりＯリング３６を高温から保護するための冷却機構が構成されている。なお、この冷却水の温度は例えば２０℃である。
【００３２】
次に、このように構成された本発明の実施形態に係る水蒸気アニール装置の作用について説明する。
【００３３】
図２のうち（Ａ）は、図１のＡ部拡大図であり、（Ｂ）は処理容器２８が上部処理容器３０と処理容器底板３３とから構成される場合における（Ａ）に相当する部分と同様の拡大図である。この図に示すように、ヒータ１６近傍は３００℃以上の加熱領域となる。一方、この図においてハッチングを施した部分は、ヒータ１６の加熱時においても水の沸点より温度が低い領域を示している。また、図中点線で示したラインＬは、水の沸点位置（沸点レベル）を示している。つまり、沸点レベルＬより下方の処理容器２８の内壁およびその近傍は、ヒータの作動時であっても水の沸点以下である低温領域となる。このような低温領域が生じるのは、上述した冷却機構により、処理容器２８下部においてこれと直接的に接触する部分とその周辺が冷却され、さらに、装置内のガスの対流によりその他の部分が冷却されるからである。また、この図に示すように、ヒータ１６に近いほど温度が高く、冷却機構に近いほど温度が低くなるため、矢印で示すような温度勾配ができる。なお、周知のように、水の沸点は周囲の気圧によって変化し、概ね、０．１ＭＰａで１００℃、０．５ＭＰａで１５１℃、１．０ＭＰａで１７９℃、２．０ＭＰａで２１１℃である。したがって、この水蒸気アニール装置の処理室２９における水の沸点も、そのときの処理圧力（つまり処理室２９の圧力）に応じて異なる。
【００３４】
さて、従来技術ではこの状態で処理室２９に水蒸気を供給していたため、ハッチングを施した低温領域に水蒸気が接触することにより、これが凝縮して水となり、処理室２９の減圧を引き起こしていた。
【００３５】
一方、本発明の装置および方法では、図３に示すように、処理室２９下部の低温領域（図２でハッチングを施した領域）に水を供給し、その後に処理室２９に水蒸気を供給する。図３でハッチングを施した部分が水で満たされている領域である。このため、処理室２９下部において水の沸点以下の温度となる領域があっても、水で満たされている部分では処理室２９において水蒸気の凝縮が起こらず、凝縮による減圧を抑制することができる。また、このとき、少なくとも、低温領域が水で満たされるように、処理室２９に水を供給するのが好ましい。つまり、沸点レベルまで水を供給するようにする。これにより、処理室２９の水蒸気は水の沸点以下となる領域に全く接触することがないから、処理室２９において水蒸気の凝縮は起こりえない。このため、水蒸気の凝縮により処理室２９が減圧することがないから、従来のように処理室に余分な水蒸気を導入する必要がない。したがって、大容量の蒸気発生手段を必要としないため、コストの増大を抑制することができる。また、水蒸気の凝縮により処理室２９が減圧することがないから、処理室２９の昇圧速度を上昇させることができる。このため、昇圧時間を短縮でき、全体の処理時間を短縮して処理効率の向上を図ることができる。
【００３６】
なお、このように沸点レベルまで水を供給し、低温領域が水で満たされるようにすれば処理室２９での水蒸気の凝縮を完全に防止することができるが、水の供給量が沸点レベルに達しない場合、つまり、水の沸点より温度の低い領域が水で完全に満たされない場合でも、水で満たされている部分については水蒸気の凝縮は起こらないから、水の供給が全く無い従来技術に比べれば、水蒸気の凝縮による減圧の抑制効果が発揮され、余分な水蒸気の導入量を削減することができるという効果が得られる。
【００３７】
また、図３に示すように、沸点レベルより上方、つまり低温領域より高温の領域まで水を供給してもよい。このようにすると、高温領域の水はヒータ１６により加熱され蒸発して水蒸気になり、この水蒸気が処理室２９の圧力上昇に寄与することになるから、処理室２９の圧力上昇速度が向上し、昇圧時間をより短縮することができる。
【００３８】
なお、上述した実施形態では、水の沸点以下の温度となる領域が処理室下部にある場合を説明したが、冷却機構が処理室下部以外の部分に設置されている場合には、その設置部分及びその近傍に水の沸点以下の温度となる領域が現れることになる。また、装置内の温度は、対流により上部が高くなり下部が低くなるため、水の沸点以下の温度となる領域も通常は下部にある。
【００３９】
次に、本発明の水蒸気アニール装置を用い、被処理物として半導体基板を対象とした水蒸気アニール処理を実施する場合について説明する。図４は、この水蒸気アニール処理を工程順に説明するフロー図である。また、図１から３も適宜参照される。
【００４０】
まず、半導体基板２０を処理室２９に装填し（Ｓ１）、上部処理容器３０と下部処理容器３２とを気密に接続して封止するとともに、圧力容器本体１２と圧力容器底部１４とを気密に接続して封止する（Ｓ２）。次に、図３を参照して説明したように、処理室２９に水を供給し、処理室２９下部の低温領域に水を充填し（Ｓ３）、ヒータ１６により処理室２９の加熱を開始する（Ｓ４）。次いで、ボイラ４８への注水を行い水蒸気を発生させ、発生した水蒸気を水蒸気ライン４６を介して処理室２９に供給する（Ｓ５）。この処理室２９への水蒸気の供給により処理室２９内の圧力は上昇するため、これに合わせてガス供給ライン２４により圧力容器１０内にガスを供給し、圧力容器１０内を昇圧する（Ｓ６）。そして、所定温度および所定圧力まで昇温・昇圧した後、必要な処理時間保持する（Ｓ７）。そして、基板処理が終了したならば（Ｓ８）、ボイラ４８の加熱および注水を停止し（Ｓ９）、ヒータ１６を停止して処理室２９の加熱を停止し（Ｓ１０）、処理室排気ガスライン４０およびガス排気ライン２６から、それぞれ処理室２９および圧力容器１０内のガスを排気して装置の降圧動作を行う（Ｓ１１）。次いで、水排出ライン６２から処理室２９の水を排出し（Ｓ１２）、処理容器２８と圧力容器１０を開放して半導体基板２０を取り出し（Ｓ１３、Ｓ１４）、これにより水蒸気アニール処理の全工程が終了する。
【００４１】
以上の説明から明らかなように、本発明の装置及び方法によれば、水蒸気の導入により処理容器の内部圧力を上昇させる場合に、余分な水蒸気を導入する必要がなく、これにより大容量の蒸気発生手段を設ける必要がなく、コストを低減することができるとともに、処理容器の昇圧速度を上昇させて昇圧時間を短縮でき、全体の処理時間を短縮して処理効率の向上を図ることができるという優れた効果が得られる。
【００４２】
なお、上述した本発明の実施形態では、被処理物として半導体基板を対象とした水蒸気アニール装置と水蒸気導入方法について説明したが、本発明は、その他、液晶用のトランジスタに対して処理を行う装置や、処理室に蒸気を導入して成膜を行う成膜装置、並びにそれらにおける水蒸気導入方法についても同様に適用することができる。
【００４３】
その他、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加え得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施形態に係る水蒸気アニール装置の概略図である。
【図２】（Ａ）は図１のＡ部拡大図であり、（Ｂ）は他の構成の場合における図１のＡ部拡大図に相当する図である。
【図３】本発明の水蒸気アニール装置において処理室に水を供給した状態を示す図である。
【図４】本発明の水蒸気アニール装置を用いた水蒸気アニール処理を工程順に説明する図である。
【図５】特許文献１に開示された従来技術を説明する図である。
【図６】特許文献２に開示された従来技術を説明する図である。
【図７】特許文献３に開示された従来技術を説明する図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０  圧力容器
１２  圧力容器本体
１４  圧力容器底部
１６  ヒータ
１８  ガスケット
２０  被処理物
２２  ウエハ搭載ボード
２４  ガス供給ライン
２６  ガス排気ライン
２８  処理容器
２９  処理室
３０  上部処理容器
３２  下部処理容器
３３  処理容器底板
３４  ドーム部
３６  Ｏリング
３８  不活性ガスライン
４０  処理室排気ライン
４２  水蒸気導入手段
４４  ボイラ用ヒータ
４６  水蒸気ライン
４８  ボイラ
５０  水供給ライン
５２  ポンプ
５４  水供給手段
５６  水供給ライン
５８  ポンプ
６０  水排出手段
６２  水排出ライン
６４Ａ〜Ｇ  自動開閉バルブ
６６  上部処理容器サポート部材
６８  下部処理容器サポート部材
７０  冷却水流路
【図１】
2006165304.tif 000003
【図２】
2006165304.tif 000004
【図３】
2006165304.tif 000005
【図４】
2006165304.tif 000006
【図５】
2006165304.tif 000007
【図６】
2006165304.tif 000008
【図７】
2006165304.tif 000009