(57)【要約】【課題】スピンコーターカップ、半導体ウェハ、液晶ガラス基板等の被洗浄物に被着した有機被膜を、短時間で除去するとともに、洗浄剤を代えずに多数回にわたり繰り返し洗浄できる生産性、経済性の優れた洗浄装置を提供する。【解決手段】複数の噴射口を備えた洗浄液噴射アーム及びすすぎ液噴射アームを、被洗浄物の上下に噴射口を前記被洗浄物に向けて回転可能に配設して、洗浄液としての炭酸アルキレン、すすぎ液としての純水を順に、高速で吹き付けて洗浄及びすすぎを行う。炭酸アルキレンによる洗浄、純水によるすすぎの後に、被洗浄物に向けて高速気体を噴射して液切りする。洗浄後の炭酸アルキレンは、ヒーターを備えた洗浄液再生槽でオゾンで汚染物質を分解して循環再使用する。【選択図】図１
2006150291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機皮膜の付着した被洗浄物を保持する保持部材を内装した密閉可能な洗浄・すすぎ室
と、
複数の噴射口が管体の長手方向に直線的に穿設された洗浄液噴射アーム及びすすぎ液噴
射アームが、それぞれ前記洗浄・すすぎ室の保持部材の上下にほぼ水平に、かつ前記噴射
口を前記被洗浄物に向けて回転可能に配設された洗浄・すすぎ装置と、
前記洗浄・すすぎ室の底部に開口する開閉可能な洗浄液排出口及びすすぎ液排出口と、
前記洗浄・すすぎ室内の上部に配設され前記被洗浄物に向けて高速気体を噴射する液切
り装置と、
前記洗浄液排出口と接続され底部にオゾン放出装置を配設した洗浄液再生槽と、
少なくとも前記洗浄液再生槽の空間に開口する気体排出口と、
前記洗浄液再生槽内の洗浄液を前記洗浄液噴射ノズルに供給する洗浄液供給手段と、
すすぎ液を前記すすぎ液噴射ノズルに供給するすすぎ液供給手段と、
前記洗浄液の温度を所定の温度に保持する温度調節装置と
を有することを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
前記洗浄液供給手段は、前記洗浄液再生槽内からの洗浄液と別に補給される洗浄液が導
入される洗浄液貯槽を介して、前記洗浄液再生槽の洗浄液を前記洗浄液噴射ノズルに供給
することを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記洗浄液が炭酸アルキレンまたは炭酸アルキレン溶液であることを特徴とする請求項
１又は２載の洗浄装置。
【請求項４】
前記すすぎ液が比抵抗値が１ＭΩ・cm以上の純水であることを特徴とする請求項１乃至
３のいずれか１項記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記気体排出口には、排出される気体中に含まれるオゾンガスを分解するオゾン分解手
段が連設されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の洗浄装置。
【請求項６】
前記液切り装置の吸気口が前記洗浄・すすぎ室の下方空間に開口していることを特徴と
する請求項１乃至５のいずれか１項記載の洗浄装置。
【請求項７】
前記洗浄室と前記洗浄液再生槽が別体とされ、前記洗浄室と前記洗浄液再生槽が配管に
より接続されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、洗浄時間を短縮し、洗浄液の洗浄可能回数を向上させた有機皮膜の付着した
被洗浄物の洗浄装置に係り、特に、洗浄液として炭酸アルキレンを用いた洗浄装置におい
て、炭酸アルキレンを効率的に被洗浄物と接触させて洗浄時間を短縮するとともに、洗浄
により炭酸アルキレン中に溶解した有機物質を分解して炭酸アルキレンの洗浄効果を長時
間持続するようにした洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、各工程ごとに半導体ウェハ全体面へのレジストの塗
布が繰り返される。
【０００３】
半導体ウェハへのレジストの塗布は、スピンコーターによりウェハを回転しながらウェ
ハ中央部に滴下されたレジストを遠心力により振り切って、所定の膜厚のレジスト膜をウ
ェハ表面に形成することによって行われる。
【０００４】
このようなスビンコート方式によるレジストの塗布に際して、振り切られたレジストは
ドレーン用のカップ（スピンコーターカップ）に落ちて回収され、ドレーンから排出され
て別の処理槽に導かれる。
【０００５】
このような処理工程が繰り返されると、スピンコーターカップにはドレーンから排出さ
れずに残留したレジストが徐々に皮膜となって堆積していくため、定期的にスピンコータ
ーカップをエチレングリコールやシンナー系の有機溶剤あるいはオゾン水によって洗浄す
ることが行われている（特許文献１）。
【０００６】
また、半導体ウェハ上の酸化膜やポリシリコン膜の微細加工に使用したフォトレジスト
等の有機被膜の除去・洗浄する技術としては、ピラニア処理と呼ばれる110〜140℃に加熱
した硫酸（3容又は4容）/過酸化水素(1容)の混合液に半導体ウェハを10〜20分浸漬する方
法、ｎ-メチルピロリドン（NMP）やジメチルスルホキシド（DMSO）あるいはアミン類のよ
うな有機溶剤に半導体ウェハを浸漬し、イソプロピルアルコール（IPA）で該溶剤を置換
した後、純水を用いてリンスする方法、オゾン水あるいは高濃度オゾンガスを水蒸気とと
もに半導体ウェハに接触させる方法、炭酸エチレン及び炭酸エチレンを主体とする炭酸ア
ルキレン洗浄液に浸漬する方法、更に本出願人が開発した被洗浄物を炭酸アルキレン洗浄
液で洗浄し、この炭酸アルキレン洗浄液中にオゾンガスを吹き込み、洗浄液中へ移行した
フォトレジスト等の有機被膜を有機酸に分解処理して除去・洗浄性能を向上させる方法等
が知られている。
【０００７】
一方、洗浄を促進する方法としては、洗浄液や被洗浄物を揺動する方法、被洗浄物に超
音波を照射する方法、洗浄液や被洗浄物の揺動と超音波照射とを組み合わせる方法が一般
的に用いられている。
【特許文献１】特開２００２−２０５０２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の洗浄方法は、いずれも洗浄に時間がかかり生産性が低い上に、同
一洗浄液による洗浄可能回数が少ないという問題があった。  
本発明は、かかる従来の難点を解消すべくなされたもので、スピンコーターカップ、半
導体ウェハ、液晶ガラス基板等の被洗浄物に被着したレジストのような樹脂皮膜をはじめ
とする油膜や塗膜等の有機被膜を、短時間で除去するとともに、洗浄剤を代えずに多数回
にわたり繰り返し洗浄できる生産性、経済性の優れた洗浄装置を提供することを目的とす
る。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の洗浄装置は、有機皮膜の付着した被洗浄物を保持する保持部材を内装した密閉
可能な洗浄・すすぎ室と、複数の噴射口が管体の長手方向に直線的に穿設された洗浄液噴
射アーム及びすすぎ液噴射アームが、それぞれ前記洗浄・すすぎ室の保持部材の上下にほ
ぼ水平に、かつ前記噴射口を前記被洗浄物に向けて回転可能に配設された洗浄・すすぎ装
置と、前記洗浄・すすぎ室の底部に開口する開閉可能な洗浄液排出口及びすすぎ液排出口
と、前記洗浄・すすぎ室内の上部に配設され前記被洗浄物に向けて高速気体を噴射する液
切り装置と、前記洗浄液排出口と接続され底部にオゾン放出装置を配設した洗浄液再生槽
と、少なくとも前記洗浄液再生槽の空間に開口する気体排出口と、  前記洗浄液再生槽内
の洗浄液を前記洗浄液噴射ノズルに供給する洗浄液供給手段と、すすぎ液を前記すすぎ液
噴射ノズルに供給するすすぎ液供給手段と、前記洗浄液の温度を所定の温度に保持する温
度調節装置とを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明における洗浄液供給手段は、洗浄液再生槽内から直接、再生した洗浄液を洗浄液
噴射アームへ供給してもよいが、一旦、別の洗浄液を補給可能な洗浄液貯槽へ貯留し、こ
の洗浄液貯槽から洗浄液噴射アームへ洗浄液を供給するようにしてもよい。
【００１１】
このような洗浄液貯槽を介して洗浄液を洗浄液噴射アームへ供給することにより、洗浄
液の洗浄作用が低下したときに、新しい洗浄液を追加したり、あるいは古い洗浄液を新し
い洗浄液と代えて洗浄を続けることにより、常に迅速に洗浄作業を行うことが可能となる
。
【００１２】
本発明に使用する洗浄液としては、炭酸エチレンのような炭酸アルキレンが適している
。また、炭酸エチレンに炭酸プロピレンを溶解させた混合洗浄液も優れた洗浄作用を発揮
する。
【００１３】
炭酸エチレンは、融点が３７℃であるので、洗浄液再生槽は、洗浄液を融点以上に保持
するとともに、洗浄力を向上させるために温度調節器を配設することが望ましい。  
また、すすぎ液としては、比抵抗値が１ＭΩ・cm以上の純水が適している。
【００１４】
気体排出口には、排出される洗浄液再生槽から放出されて気体（空気）中に含まれるオ
ゾンガスを接触分解するオゾン分解手段を配設することが望ましい。
【００１５】
なお、洗浄室と洗浄液再生槽とは一体である必要はなく、これらを別体として、洗浄室
の底部と洗浄液再生槽を配管により接続して、洗浄室で噴射された洗浄液をポンプ等で洗
浄液再生槽へ移送するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の洗浄装置によれば、洗浄対象物に付着している有機被膜を効率良く剥離、溶解
することができる。また、この有機被膜を溶解して汚染された洗浄液は、洗浄液再生槽に
おいて分解されて低分子量化されるので、洗浄液を交換することなく多数回にわたり繰り
返し洗浄しても強い洗浄力を保持することができる。
【００１７】
また、本発明の洗浄装置によれば、洗浄、すすぎ、液切り、乾燥を同一装置で行うこと
ができるので、作業スペースを広くとらずに高い生産性を挙げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図1は、本発明に係る洗浄装置の実施形態を概略的に示した図である。  
この洗浄装置は、洗浄・すすぎ室１と、この洗浄・すすぎ室１の下に、仕切り板２を介
して一体的に形成された洗浄液再生槽３とから本体部分が構成されている。
【００１９】
洗浄・すすぎ室１のほぼ中央には、被洗浄物（スピンコーターカップ）４を保持するラ
ック５が配設されている。
【００２０】
ラック５の上下には、それぞれ洗浄液噴射アーム６ａ，６ｂとすすぎ液噴射アーム７ａ
，７ｂが設置されている。各洗浄液噴射アーム６ａ，６ｂとすすぎ液噴射アーム７ａ，７
ｂは、それぞれ中空管で構成され、各中空管の被洗浄物４と対向する側には、それぞれ直
線状に配列されて複数の噴射口８，９が形成されている。
【００２１】
洗浄液噴射アーム６ａとすすぎ液噴射アーム７ａ、洗浄液噴射アーム６ｂとすすぎ液噴
射アーム７ｂとは、同軸の回転軸により、それぞれ互いに独立に回転可能とされている。
【００２２】
図２は、洗浄液噴射アーム又はすすぎ液噴射アームの他の形態を示したもので、洗浄液
噴射アーム（すすぎ液噴射アーム）１０の回転軸１１を中心にして１２０°の角度で放射
状に開く３本の中空管１２で構成され、各中空管１２の被洗浄物４と対向する側には、そ
れぞれ直線状に配列された３個の配列方向に長いスリット状の噴射口１３が形成されてい
る。
【００２３】
図３は、洗浄液噴射アーム又はすすぎ液噴射アームのさらに他の形態を示したもので、
洗浄液噴射アーム（すすぎ液噴射アーム）１４の回転軸１５を中心にして直交する４本の
中空管１６で構成されている。４本の中空管１６は、それぞれ延長線上の中空管１６どう
しは同じ長さ、隣接する中空管１６どうしは異なる長さとされており、それぞれ中空管１
６の先端部に中空管１６の長手方向に長い楕円状の噴射口１７が形成されている。
【００２４】
図１の洗浄液噴射アーム６ａ，６ｂ、すすぎ液噴射アーム７ａ，７ｂの噴射口８，９に
は、回転軸に沿って形成される矢印で示した管路を介してポンプ１８，１９により洗浄液
又はすすぎ液が供給される。２０は、すすぎ液（純水）の供給管路である。
【００２５】
仕切り板２には、開閉可能な洗浄液排出口２１とすすぎ液排出口２２が形成されており
、洗浄液排出口２１は、洗浄液再生槽３に連通しており、すすぎ液排出口２２は、ドレン
配管２３を介して、すすぎ液が純水の場合には、一次純水装置に連通している。
【００２６】
洗浄液再生槽３の底部には、オゾン放出装置２４が配設されている。このオゾン放出装
置２４は、中空管に多数のオゾン放出口を形成したもので、オゾン発生装置に連通するオ
ゾン供給管２５から供給されるオゾンを洗浄液再生槽３の洗浄液Ｓ中に放出する。洗浄液
再生槽３中には、洗浄液を適温（炭酸エチレンの場合、融点の３７℃以上、４０℃前後）
に加温する温度調節装置（ヒーター）２６が配置されている。
【００２７】
この実施形態では、洗浄液再生槽３中の洗浄液の洗浄力が低下した場合には、底部に設
けたドレン配管２７のバルブ２８を開放して廃洗浄液が廃洗浄液タンク２９に落とされる
。
【００２８】
また、洗浄・すすぎ室１内の頂部には、スリット状の開口を有する液切り装置（エアカ
ッター）３０が配置されている。この液切り装置３０は、洗浄・すすぎ室１の下方空間に
開口する吸気口とポンプ３１を介して連通しており、液切り工程において、洗浄・すすぎ
室１の下方で吸気し、スリットから被洗浄物に向けて高速の循環気流を吹き付けることに
より被洗浄物の表面に付着した洗浄液またはすすぎ液を下方に吹き飛ばし急速に被洗浄物
を液切りする。
【００２９】
なお、洗浄・すすぎ室１及び洗浄液再生槽３の空間部には、排気管３２が開口しており
、洗浄・すすぎ室１と洗浄液再生槽３の空間のオゾンを含んだ空気を抽気してオゾンガス
処理塔３３でオゾンを分解して大気中に放出する。
【００３０】
被洗浄物の洗浄は、次の洗浄工程、洗浄液液切り工程、すすぎ工程、すすぎ液液切り工
程、洗浄液のオゾン処理工程によって行われる。
【００３１】
〈洗浄工程〉
洗浄液再生槽３で温度調節装置（ヒーター）２６により加温された洗浄液をポンプ１８
により洗浄液噴射アーム６ａ，６ｂの噴射口８から噴出する。洗浄液噴射アーム６ａ，６
ｂは回転しながら洗浄液をラック５に収容された有機被膜の付着した被洗浄物４全体に噴
射して洗浄する。このとき加温の条件は、洗浄液として炭酸エチレン単独を用いる場合は
炭酸エチレンの融点の３７℃以上であることが好ましく、特に、液循環中に固化すること
を防ぐために４０℃以上、また被洗浄物４の熱による変形を防止するために８０℃以下で
あることがより好ましい。被洗浄物４に噴射された洗浄液は、洗浄・すすぎ室１より洗浄
液再生槽３へ戻り循環噴射される。
【００３２】
被洗浄物４をラック５に保持する際、被洗浄物４がレジスト塗布スピンコーターカップ
のようなお椀型の形状である場合には洗浄の効率を上げるために、重なりあわないように
配置し、さらに液切れが良いように垂直より約５°〜３０°程度傾けて液が自然に流れて
切れるような配置にすることが望ましい。
【００３３】
洗浄時間は被洗浄物４に付着した有機被膜の付着状態により変わってくる。通常は１分
〜５分間で洗浄可能であるが、洗浄時間は有機皮膜の被着の程度に応じて変えることが望
ましい。有機被膜の付着量も少なく、付着してから洗浄を行うまでの時間が短い場合には
、短時間で洗浄することが可能であるが、有機被膜が付着してから洗浄を行うまでに時間
が経って有機被膜が乾燥固化していたり、有機被膜の付着量が多い場合には洗浄時間を長
くする必要がある。
【００３４】
通常、炭酸エチレンを用いて揺動洗浄を行う従来の場合には、最低でも２０分間程度の
洗浄時間を必要とするが、本発明によれば５分以下で同等以上の洗浄が可能である。
【００３５】
〈洗浄液液切り工程〉
洗浄液による洗浄が終了後、洗浄・すすぎ室１内面や被洗浄物４に付着した洗浄液を除
去し洗浄液の持ち出し量を減らすために、洗浄・すすぎ室１内面や被洗浄物４に空気を吹
きつけ洗浄液の液切りを行う。液切り用の空気噴きつけ用配管には天井側の壁際に下向き
にスリット状の噴射口の形成された液切り装置(エアーカッター)３０が接続されている。
この液切り装置３０により洗浄液の持ち出し量が減少し繰り返し洗浄による液の減少を抑
えることができる。
【００３６】
〈すすぎ工程〉
洗浄液の液切りが完了した後、純水によるすすぎを行う。装置外より供給された純水を
ポンプ１９によりすすぎ液噴射アーム７ａ，７ｂの噴射口９から噴出させ、すすぎ液噴射
アーム７ａ，７ｂを回転させながらすすぎ液(純水)をラック５に収容された洗浄液の付着
した被洗浄物４全体に噴射してすすぎを行う。すすぎによる排水が洗浄液再生槽３に入っ
て洗浄液にすすぎ液が混入するのを防止するために洗浄・すすぎ室１と洗浄液再生槽３の
あいだの仕切り板２に切り替え弁を有するすすぎ液排出口２２を設け、排水を洗浄・すす
ぎ室１外へ排出する。すすぎには、比抵抗値が１ＭΩ・cm以上の純水を用い、１０Ｌ/min
で約１０分間行うことが望ましい。このとき、すすぎ水温度は、高ければ洗浄液の置換効
率が上がり、さらには次の液切り工程のときに有利であるが被洗浄物４の熱による変形が
起こらない温度でなければならない。そのためすすぎ水の温度は２５℃〜８０℃の範囲と
することが好ましい。
【００３７】
〈すすぎ液液切り工程〉
すすぎ液(純水)によるすすぎが完了後、温風により被洗浄物４の乾燥を行う。尚、温風
吹き込み配管は洗浄液液切り工程の液切り装置３０で使用するものを兼用する。
【００３８】
〈洗浄液のオゾン処理工程〉
洗浄液再生槽３は洗浄液を保持するとともに、洗浄液再生槽３の底部に設置されたオゾ
ン放出装置(オゾン散気管)２４により洗浄液に溶け込んだ有機物をオゾン発生器で発生さ
せたオゾンで分解処理する。オゾン処理は、すすぎ工程、液切り工程の間に行い、オゾン
処理の済んだ洗浄液は洗浄工程で再び洗浄液として再利用する。
【００３９】
オゾン放出装置２４は洗浄液に溶け込んだ有機物を効率よく分解するために洗浄液再生
槽３の底部に配置され、できるだけ広い面積に均等に気泡を放出するものであることが好
ましい。
【００４０】
オゾン発生器で発生したオゾンガスは、オゾン放出装置２４から放出され洗浄液再生槽
３中の洗浄液に含まれる有機皮膜成分を分解処理して、且つ、余剰なオゾンガスは排気系
の配管を通り、オゾンガス処理塔３３でオゾンガスを分解処理して大気中へ無害な物質と
して放出される。オゾン分解には、活性炭吸着分解法、加熱分解法、接触分解法(二酸化
マンガン・酸化第一鉄・酸化ニッケル等)、薬液洗浄法(水酸化ナトリウム水溶液等)、薬
液還元法(還元性薬剤)等の種々の方法があり特に制限されるものではないが、取扱いや、
コスト面から接触分解法を用いることが好ましい。
【００４１】
以上の各工程は、予めコンピュータにプログラムされており、シーケンシャルに自動ま
たは半自動でこれらの工程が順に行われる。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。  
実施例の装置は、図１に示した構成であり、洗浄・すすぎ室１は前面に被洗浄物４を出
し入れする４８０ｍｍ×４１０ｍｍの扉のついた密閉構造の６００ｍｍ×６００ｍｍ×５
６０Hmmの箱型で、内部に８インチ用のレジスト塗布用スピンコーターカップを２セット
収容できる５５０ｍｍ×５５０ｍｍ×１９０Ｈｍｍのラック５が設けられており、上下に
洗浄液噴射アーム６ａ，６ｂ、すすぎ液噴射アーム７ａ，７ｂが設置されている。洗浄液
再生槽３は６００mm×３９０mm×２８０Ｈmm(内容積：約６５L)でSUS‐３０４材の厚み１
ｍｍのSUS板を用いて製作されている。
【００４３】
（実施例１）
５０℃に加温溶解した炭酸エチレン４６Ｌ(約６０ｋｇ)を洗浄液再生槽３に注入した。
これをヒーター２６により６０℃まで昇温させた。約４０ｇのノボラック型レジストが付
着した８インチ用のレジスト塗布スピンコーターカップ１セットをラック５に収容し、３
０秒間ポンプ１８にて洗浄液噴射アーム６ａ，６ｂの噴射口８より噴出してカップの洗浄
を行った。このときの洗浄液の噴射量は４０L/minであった。
【００４４】
炭酸エチレンでの洗浄後、洗浄・すすぎ室１の壁面や、カップ等の被洗浄物４、ラック
５、ノズルアーム６a，６ｂ及び７ａ，７ｂ等に付着した炭酸エチレン溶液の液切りを行
うために１０m3/hrのエアーにて液の吹き飛ばしを５分間行った。その後、すすぎポンプ
より比抵抗値１ＭΩ・cmの純水を１０Ｌ/minで１０分間被洗浄物４を中心に噴射してすす
ぎを行った。
【００４５】
すすぎ後、洗浄・すすぎ室1の壁面や、カップ等の被洗浄物４、ラック５、ノズルアー
ム６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂ等に付着した純水を乾燥させるために洗浄・すすぎ室１内に
、６０℃の温風を１m3/minで３０分間供給した。これにより、洗浄・すすぎ室より取り出
した被洗浄物４は付着していたノボラック型レジストは完全に除去され、すすぎでの純水
も乾燥して取り出すことができた。
【００４６】
すすぎ工程、すすぎ液液切り工程中に洗浄液再生槽３では洗浄工程で炭酸エチレン中に
溶け込んだノボラック型レジストを分解するために、オゾン放出装置２４より８Ｌ/minで
６０g/Nm3で４０分間供給した。これによりレジストの溶解により赤褐色になった炭酸エ
チレンが淡黄色透明の液になり、レジストのオゾンによる分解が確認された。
【００４７】
（実施例２）
実施例１で使用した炭酸エチレン溶液を５０℃に加温溶解し、４６Ｌ(約６０ｋｇ)を洗
浄液再生槽３に注入した。これをヒーター２６により６０℃まで昇温した。約４０ｇのノ
ボラック型レジストが付着した８インチ用のレジスト塗布スピンコーターカップ１セット
をラック５に収容し、３０秒間洗浄ポンプ１８にて洗浄ノズル８より噴出、カップの洗浄
を行った。このときの洗浄液の噴射量は４０Ｌ/minで行った。
【００４８】
炭酸エチレン溶液での洗浄後、洗浄・すすぎ室１の壁面や、カップ等の被洗浄物４、ラ
ック５、ノズルアーム６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂ等に付着した炭酸エチレン溶液の液切り
を行うために１０m3/hrのエアーにて液の吹き飛ばしを５分間行った。その後、すすぎポ
ンプ１９より１ＭΩ・cmの純水を１０Ｌ/minで１０分間被洗浄物４に噴射し、すすぎを行
った。
【００４９】
すすぎ後、洗浄・すすぎ室１の壁面や、カップ等の被洗浄物４、ラック５、各噴射アー
ム６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂ等に付着した純水を乾燥させるために洗浄・すすぎ室１内に
、６０℃の温風を１m3/minで３０分間供給した。これにより、洗浄・すすぎ室より取り出
した被洗浄物４は付着していたノボラック型レジストは完全に除去され、すすぎでの純水
も乾燥して取り出すことができた。
【００５０】
すすぎ工程、液切り工程中に洗浄液再生槽３では洗浄工程で炭酸エチレン中に溶け込ん
だノボラック型レジストを分解するために、オゾン放出装置２４よりオゾンガスを８Ｌ/m
inで６０g/Nm3で４０分間供給した。これによりレジストの溶解により赤褐色になった炭
酸エチレン溶液が淡黄色透明の液になり、レジストのオゾンによる分解が確認できた。
【００５１】
（実施例３）
ノボラック型レジストを６．４ｋｇ溶解し３０ｇ/ｈｒで４８０ｈｒオゾン処理を行っ
た炭酸エチレン溶液６０ｋｇを５０℃に加温溶解し、洗浄液再生槽３に注入した。これを
ヒーター２６により６０℃まで昇温した。約４０ｇのノボラック型レジストが付着した８
インチ用のレジスト塗布スピンコーターカップ１セットをラック５に収容し、９０秒間洗
浄ポンプ１８にて洗浄ノズル８より噴出、カップの洗浄を行った。このときの洗浄液の噴
射量は４０L/minで行った。
【００５２】
炭酸エチレン溶液での洗浄後、洗浄・すすぎ室1の壁面や、カップ等の被洗浄物４、ラ
ック５、ノズルアーム６ａ，６，ｂ及び７ａ，７ｂ等に付着した炭酸エチレン溶液の液切
りを行うために１０m3/hrのエアーにて液の吹き飛ばしを５分間行った。その後、すすぎ
ポンプ１９より比抵抗値１ＭΩ・cmの純水を１０Ｌ/minで１０分間カップに噴射し、すす
ぎを行った。
【００５３】
すすぎ後、洗浄・すすぎ室1の壁面や、カップ、カップ等の被洗浄物４、各噴射アーム
６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂ等に付着した純水を乾燥させるために洗浄・すすぎ室１内に、
６０℃の温風を１m3/minで３０分間供給した。これにより、洗浄・すすぎ室１より取り出
したカップ等の被洗浄物４に付着していたノボラック型レジストはに完全に除去され、す
すぎでの純水も乾燥して取り出すことができた。
【００５４】
すすぎ工程、すすぎ液液切り工程中に洗浄液再生槽３では洗浄工程で炭酸エチレン溶液
中に溶け込んだノボラック型レジストを分解するために、オゾン放出装置２４よりオゾン
ガスを８Ｌ/minで６０g/Nm3で４０分間供給した。これによりレジストの溶解により赤褐
色になった炭酸エチレン溶液が淡黄色透明となった。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の洗浄装置を概略的に示す図。
【図２】本発明に係る洗浄液噴射アーム又はすすぎ液噴射アームの他の実施形態を示す平面図。
【図３】本発明に係る洗浄液噴射アーム又はすすぎ液噴射アームのさらに他の実施形態を示す平面図。
【符号の説明】
【００５６】
１…洗浄・すすぎ室、２…仕切り板、３…洗浄液再生槽、４…被洗浄物、５…ラック、
６ａ，６ｂ…洗浄液噴射アーム、７ａ，７ｂ…すすぎ液噴射アーム、８，９…噴射口、１
８，１９，３１…ポンプ、２０…すすぎ液（純水）の供給管路、２１…洗浄液排出口、２
２…すすぎ液排出口、２３…ドレン配管、２４…オゾン放出装置、２５…オゾン供給管、
２６…温度調節装置、２７…ドレン配管、２８…バルブ、２９…廃洗浄液タンク、３０…
液切り装置（エアーカッター）、３２…排気管、３３…オゾンガス処理塔。
【図１】
2006150291.tif 000003
【図２】
2006150291.tif 000004
【図３】
2006150291.tif 000005