(57)【要約】【課題】  本発明は、基板上に実装された電子部品を電磁波から保護することのできる半導体装置及びその製造方法に関し、小型化ができると共に、生産性を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】  グラウンド端子５７を露出すると共に、電子部品である個別部品６７及び半導体チップ７０を覆うトランスファーモールド樹脂７５を設け、トランスファーモールド樹脂７５の表面にグラウンド端子５７と電気的に接続される金属層７７を設ける。【選択図】  図４
2006165109.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板に設けられたグラウンド端子と、
前記基板に実装された少なくとも１つの電子部品とを備えた半導体装置において、
前記グラウンド端子が露出された状態で前記少なくとも１つの電子部品を覆う樹脂と、
該樹脂の表面に設けられ、前記グラウンド端子と電気的に接続された金属層とを設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記樹脂は、トランスファーモールド樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
グラウンド端子を有し、少なくとも１つの電子部品が実装される基板を備えた半導体装置の製造方法において、
前記少なくとも１つの電子部品が実装された基板に、前記グラウンド端子を露出した状態で前記少なくとも１つの電子部品を覆うようトランスファーモールド樹脂を形成するトランスファーモールド樹脂形成工程と、
前記トランスファーモールド樹脂の表面に、前記グラウンド端子と電気的に接続される金属層を設ける金属層配設工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特に基板上に実装された電子部品を電磁波から保護することのできる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、基板上に実装された電子部品を電磁波から保護するためのシールドケースを備えたものがある。図１及び図２は、シールドケースを備えた従来の半導体装置の断面図である。なお、図１において、Ｈ１はポッティング樹脂３５の高さ（以下、「高さＨ１」とする）、Ｈ２は半導体装置１０の高さ（以下、「高さＨ２」とする）、Ｃ１はポッティング樹脂３５とシールドケース３６との間の隙間（以下、「隙間Ｃ１」とする）をそれぞれ示している。また、図２において、Ｈ３は半導体装置４０の高さ（以下、「高さＨ３」とする）、Ｃ２はポッティング樹脂３５とシールドケース４４との間の隙間（以下、「隙間Ｃ２」とする）をそれぞれ示している。さらに、図２において、図１と同一構成部分には同一符号を付す。
【０００３】
図１に示すように、半導体装置１０は、大略すると、基板１１と、電子部品である個別部品２６及び半導体チップ３１と、ポッティング樹脂３５と、シールドケース３６とを有した構成とされている。基板１１は、大略すると基材１２と、貫通ビア１３と、接続部１４，１５と、グラウンド端子１６と、絶縁層１７と、配線２１と、ソルダーレジスト２３と、はんだボール２５とを有した構成とされている。貫通ビア１３は、基材１２を貫通するよう配設されている。貫通ビア１３は、接続部１４，１５と配線２１との間を電気的に接続するためのものである。
【０００４】
接続部１４，１５は、基材１２の上面に設けられており、貫通ビア１３と電気的に接続されている。接続部１４は、金ワイヤ３４を介して半導体チップ３１と電気的に接続されている。接続部１５は、個別部品２６と電気的に接続されている。グラウンド端子１６は、個別部品２６及び半導体チップ３１が実装される領域よりも外側に位置する基材１２上に設けられている。グラウンド端子１６は、グラウンド電位とされた導体であり、シールドケース３６と電気的に接続されている。絶縁層１７は、接続部１４，１５間を隔てるよう基材１２の上面に設けられている。
【０００５】
配線２１は、はんだボール２５が接続される接続パッド２２を有した構成とされている。配線２１は、基材１２の下面に設けられており、貫通ビア１３と電気的に接続されている。ソルダーレジスト２３は、接続パッド２２を露出すると共に、接続パッド２２以外の配線２１を覆うよう基材１２の下面側に設けられている。はんだボール２５は、接続パッド２２と電気的に接続されている。はんだボール２５は、半導体装置１０をマザーボード等の他の基板に接続するための外部接続端子である。
【０００６】
個別部品２６は、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の基本となる電気的素子の１つの機能が１つの部品となっているものである。個別部品２６は、はんだペースト２７により接続部１５と電気的に接続されている。
【０００７】
半導体チップ３１は、接着剤２４により基材１２上に配設されている。半導体チップ３１は、電極パッド３３を有しており、電極パッド３３と接続部１４との間は金ワイヤ３４により電気的に接続されている。半導体チップ３１は、金ワイヤ３４を保護するポッティング樹脂３５（ポッティング法により形成された樹脂）により覆われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
シールドケース３６は、個別部品２６及び半導体チップ３１を覆うと共に、はんだペースト３７によりグラウンド端子１６と電気的に接続されている。このようなシールドケース３６を設けることで、電磁波から個別部品２６及び半導体チップ３１を保護することができる。
【０００９】
また、図２に示すように、基材４１の側面にグラウンド端子４２を設けて、はんだペースト３７によりグラウンド端子４２とシールドケース４４とを電気的に接続した半導体装置４０がある。
【特許文献１】特開２００１−２６７６２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、ポッティング法を用いた場合には、ポッティング樹脂３５の高さＨ１の制御が難しいという問題や、半導体装置１０，４０の生産性が低下するという問題があった。また、ポッティング樹脂３５の凸形状がシールドケース３６，４４に転写されることを防止するため、ポッティング樹脂３５とシールドケース３６，４４との間に隙間Ｃ１，Ｃ２を設ける必要がある。そのため、半導体装置１０，４０の高さＨ２，Ｈ３が大きくなってしまい、半導体装置１０，４０を小型化することができないという問題があった。
【００１１】
さらに、シールドケース３６，４４を用いた場合、半導体装置１０，４０毎に用意したシールドケース３６，４４とグラウンド端子１６，４２との間をはんだにより電気的に接続する必要があるため、半導体装置１０，４０の生産性が低下してしまうという問題があった。
【００１２】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、小型化ができると共に、生産性を向上することのできる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１４】
請求項１記載の発明では、基板と、該基板に設けられたグラウンド端子と、前記基板に実装された少なくとも１つの電子部品とを備えた半導体装置において、前記グラウンド端子が露出された状態で前記少なくとも１つの電子部品を覆う樹脂と、該樹脂の表面に設けられ、前記グラウンド端子と電気的に接続された金属層とを設けたことを特徴とする半導体装置により、解決できる。
【００１５】
上記発明によれば、樹脂の表面にグラウンド端子と電気的に接続される金属層を設けることにより、シールドケースを用いた従来の半導体装置と比較して、半導体装置を小型化することができる。
【００１６】
請求項２記載の発明では、前記樹脂は、トランスファーモールド樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置により、解決できる。
【００１７】
上記発明によれば、樹脂としてトランスファーモールド樹脂を用いることで、ポッティング法による樹脂を用いた従来の半導体装置と比較して、半導体装置の生産性を向上することができる。
【００１８】
請求項３記載の発明では、グラウンド端子を有し、少なくとも１つの電子部品が実装される基板を備えた半導体装置の製造方法において、前記少なくとも１つの電子部品が実装された基板に、前記グラウンド端子を露出した状態で前記少なくとも１つの電子部品を覆うようトランスファーモールド樹脂を形成するトランスファーモールド樹脂形成工程と、前記トランスファーモールド樹脂の表面に、前記グラウンド端子と電気的に接続される金属層を設ける金属層配設工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法により、解決できる。
【００１９】
上記発明によれば、トランスファーモールド樹脂の表面にグラウンド端子と電気的に接続される金属層を設けることで、シールドケースを用いた従来の半導体装置と比較して、半導体装置を小型化することができる。また、トランスファーモールド樹脂は、複数の半導体装置に対して一括して樹脂を形成することが可能なため、トランスファーモールド樹脂に覆われた複数の半導体装置に対して一括して金属層を設けることで、半導体装置の生産性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、小型化ができると共に、生産性を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に、図面に基づいて本発明の実施例を説明する。
（実施例）
始めに、図３及び図４を参照して、本発明の実施例による半導体装置５０について説明する。図３は、本発明の本実施例による半導体装置の斜視図であり、図４は、図３に示した半導体装置のＡ−Ａ線方向の断面図である。なお、図３において、Ｗはグラウンド端子５７の幅（以下、「幅Ｗ」とする）、Ｌ１はグラウンド端子５７の長さ（以下、「長さＬ１」とする）、Ｊは金属層７７の厚さ（以下、「厚さＪ」とする）をそれぞれ示している。また、図４に示したＨ４は、半導体装置５０の高さ（以下、「高さＨ４」とする）、Ｋは基材５２の上面５２Ａを基準とした際のトランスファーモールド樹脂７５の厚さ（以下、「厚さＫ」とする）をそれぞれ示している。
【００２２】
半導体装置５０は、大略すると基板５１と、個別部品６７と、半導体チップ７０と、トランスファーモールド樹脂７５と、金属層７７とを有した構成とされている。基板５１は、大略すると基材５２と、貫通ビア５３と、第１の接続部５５と、第２の接続部５６と、グラウンド端子５７と、絶縁層５９と、配線６１と、ソルダーレジスト６３と、はんだボール６５とを有した構成とされている。貫通ビア５３は、基材５２を貫通するように設けられている。貫通ビア５３は、第１及び第２の接続部５５，５６と配線６１との間を電気的に接続するためのものである。
【００２３】
第１及び第２の接続部５５，５６は、それぞれ貫通ビア５３と電気的に接続された状態で基材５２の上面５２Ａに設けられている。第１の接続部５５は、ワイヤ７４を介して半導体チップ７５と電気的に接続されるものである。ワイヤ７４には、例えば、Ａｕ、Ａｌ等を用いることができる。また、第２の接続部５６は、個別部品６７と電気的に接続されるものである。
【００２４】
グラウンド端子５７は、グラウンド電位とされた導体である。グラウンド端子５７の上面は、トランスファーモールド樹脂７５に形成された切欠き部７８により露出されている。グラウンド端子５７は、基材５２の外周縁近傍に位置する基材５２の上面５２Ａに２つ設けられている。グラウンド端子５７は、例えば、幅Ｗを０．３ｍｍ、長さＬ１を０．３ｍｍとすることができる。
【００２５】
絶縁層５９は、第１及び第２の接続部５５，５６間を隔てるように基材５２の上面５２Ａに設けられている。配線６１は、接続パッド６２を有した構成とされている。接続パッド６２は、はんだボール６５が接続されるものである。配線６１は、基材５２の下面５２Ｂに貫通ビア５３と接続されるよう設けられている。ソルダーレジスト６３は、接続パッド６２を露出すると共に、接続パッド６２以外の配線６１を覆うよう基材５２の下面５２Ｂ側に設けられている。はんだボール６５は、接続パッド６２に配設されている。はんだボール６５は、半導体装置５０をマザーボード等の他の基板に接続するための外部接続端子である。
【００２６】
電子部品である個別部品６７は、電極６８を有した構成とされている。電極６８は、はんだペースト６９により第２の接続部５６と電気的に接続されている。個別部品６７は、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の基本となる電気的素子の１つの機能が１つの部品となっているものである（「ディスクリート部品」ともいう）。
【００２７】
電子部品である半導体チップ７０は、半導体チップ本体７１と、電極パッド７２とを有した構成とされている。電極パッド７２が設けられていない側の半導体チップ本体７１は、接着剤７３により基材５２上に接着されている。半導体チップ７０は、電極パッド７２と第１の接続部５５との間を接続するワイヤ７４により基板５１と電気的に接続されている。
【００２８】
なお、請求項に記載の「少なくとも１つの電子部品」とは、本実施例の個別部品６７及び半導体チップ７０のことである。
【００２９】
トランスファーモールド樹脂７５は、グラウンド端子５７を露出させた状態で、基板５１に実装された個別部品６７及び半導体チップ７０を覆う（封止する）よう基材５２の上面５２Ａ側に設けられている。トランスファーモールド樹脂７５には、グラウンド端子５７の上面を露出する切欠き部７８が形成されている。また、トランスファーモールド樹脂７５の上面７５Ａは、平坦な面とされている。
【００３０】
このように、トランスファーモールド樹脂７５の上面７５Ａを平坦な面とすることで、自動部品装着機により半導体装置５０をマザーボート等の他の基板に実装する際、自動部品装着機のハンドリング性能を向上させて、半導体装置５０をマザーボート等の他の基板に対して精度良く実装することができる。また、トランスファーモールド樹脂７５の厚さＫは、トランスファーモールド樹脂７５によりワイヤ７４を保護することの可能な厚さとすることができる。トランスファーモールド樹脂７５の厚さＫは、例えば、０．８ｍｍとすることができる。トランスファーモールド樹脂７５には、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。
【００３１】
なお、トランスファーモールド樹脂７５とは、トランスファーモールド法により形成された樹脂のことである。トランスファーモールド法とは、封止したい部材（本実施例の場合、個別部品６７及び半導体チップ７０が配設された基板５１）を金型成型機にセットし、温度を上げて流動性を持たせたモールド樹脂に圧力をかけて、金型内に流し込んで（圧送）、金型の形に樹脂を成型する方法である。このようなトランスファーモールド法により形成されたトランスファーモールド樹脂７５で、個別部品６７及び半導体チップ７０の封止を行うことで、ポッティング樹脂を用いて封止した場合と比較して、封止工程に要する時間を短縮して、半導体装置５０の生産性を向上させることができる。
【００３２】
金属層７７は、トランスファーモールド樹脂７５の上面７５Ａと、切欠き部７８に対応するトランスファーモールド樹脂７５の面と、切欠き部７８により露出されたグラウンド端子５７の上面とに設けられている。金属層７７は、グラウンド端子５７と電気的に接続されており、従来のシールドケース３６，４４に相当する機能（シールド効果）を有するものである。
【００３３】
金属層７７は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、めっき法等により形成することができる。また、スパッタ法、真空蒸着法を用いる場合、金属層７７の材料としては、例えば、Ａｌを用いることができる。めっき法を用いる場合には、金属層７７の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。また、金属層７７の厚さＪは、例えば、５μｍ〜４０μｍとすることができる。なお、請求項に記載の「樹脂の表面」とは、本実施例の場合、トランスファーモールド樹脂７５の上面７５Ａ、及び切欠き部７８に対応するトランスファーモールド樹脂７５の面のことである（以下、「トランスファーモールド樹脂７５の表面」とする）。
【００３４】
このように、グラウンド端子５７を露出した状態で、基板５１に実装された個別部品６７及び半導体チップ７０を覆うようトランスファーモールド樹脂７５を設け、トランスファーモールド樹脂７５の表面にグラウンド端子５７と接続される金属層７７を設けてシールド効果を得る構成としたことにより、ポッティング樹脂３５とシールドケース３６，４４とを併用した従来の半導体装置１０，４０よりも半導体装置５０の高さＨ４を小さくして、半導体装置５０を小型化することができる。また、従来の半導体装置１０，４０のように、はんだを用いてグラウンド端子５７と金属層７７との間を接続する必要がないため、製造工程を簡略化して、半導体装置５０の生産性を向上させることができる。
【００３５】
なお、グラウンド端子５７には、例えば、基板５１に設けられたインデックスマーク（図示せず）やワイヤボンディング用の認識マーク（図示せず）をグラウンド電位としたものを用いることができる。インデックスマーク（図示せず）は、個別部品６７や半導体チップ７０を基板５１に実装する際に必要な位置合わせ用のマークである。このように、インデックスマークや認識マークをグラウンド端子５７として流用することで、基材５２上にグラウンド端子５７を配設するための領域を別途設ける必要がなくなり、半導体装置５０をさらに小型化することができる。また、金属層７７には、例えば、金属箔を用いても良い。この場合には、トランスファーモールド樹脂７５の表面に、グラウンド端子５７と電気的に接続される金属箔を導電性接着剤により貼り付けることで、本実施例と同様な効果を得ることができる。
【００３６】
図５は、本実施例の基板が製造される基材の平面図である。なお、図５において、Ｅは基板５１が形成される領域（以下、「基板形成領域Ｅ」とする）を示している。図５に示すように、基板５１は、複数の基板形成領域Ｅを有した板状の基材５２に形成される。
【００３７】
次に、図６乃至図１３を参照して、めっき法により金属層７７を形成する場合を例に挙げて、本実施例の半導体装置５０の製造方法について説明する。図６乃至図１３は、本実施例の半導体装置の製造工程を示した図である。なお、図６乃至図１３において、Ｄは半導体装置５０を個片化する際にダイサーが基材５２を切断する位置（以下、「ダイシング位置Ｄ」とする）を示している。また、図６乃至図１３において、図４に示した半導体装置５０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００３８】
始めに、図６に示すように、複数の基板形成領域Ｅを有した基材５２に貫通ビア５３を形成し、続いて、基材５２の上面５２Ａに第１及び第２の接続部５５，５６とグラウンド端子用部材８１とを一度に形成する。グラウンド端子用部材８１は、ダイシング位置Ｄを境に略二等分されるような基材５２上の位置に配設されている。グラウンド端子用部材８１は、ダイサーにより基材５２を切断して半導体装置５０を個片化する際、２分割されて、２つのグラウンド端子５７となる。したがって、グラウンド端子用部材８１の長さＬ２は、グラウンド端子５７の長さＬ１の略２倍とされている。また、グラウンド端子用部材８１の幅は、グラウンド端子５７の幅Ｗと略等しい大きさとされている。続いて、基材５２の下面５２Ｂに、接続パッド６２を備えた配線６１を形成し、その後、基材５２の上面５２Ａに絶縁層５９を形成する。なお、図６に示したＦは、半導体チップ７０が配設される基材５２上の領域（以下、「半導体チップ配設領域Ｆ」とする）を示している。
【００３９】
次に、図７に示すように、電子部品である個別部品６７及び半導体チップ７０を基板５１に実装する。個別部品６７の電極６８は、はんだペースト６９により第２の接続部５６と電気的に接続される。半導体チップ７０は、接着剤７３により基材５２上の半導体チップ配設領域Ｆに接着され、電極パッド７２と第１の接続部５５とがワイヤ７４を介して電気的に接続される。
【００４０】
次に、図８に示すように、凸部８６を有した金型８５を、凸部８６がグラウンド端子用部材８１と接触するように基材５２上に配置させ、トランスファーモールド法により、複数の基板形成領域Ｅを有した基材５２と金型８５との間にトランスファーモールド樹脂７５を充填する。トランスファーモールド樹脂７５には、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。なお、基材５２と対向する金型８５の面８５Ａは、平坦な面とされている。凸部８６は、トランスファーモールド樹脂７５にグラウンド端子用部材８１を露出する開口部８８を形成するためのものであり、グラウンド端子用部材８１と対向する凸部８６の面８６Ａは平坦な面とされている。
【００４１】
その後、図９に示すように、金型８５を取り外すことで、上面７５Ａが平坦な面とされ、かつグラウンド端子用部材８１を露出する開口部８８を有したトランスファーモールド樹脂７５が形成される（トランスファーモールド樹脂形成工程）。図１４は、図９に示した構造体を平面視した図である。
【００４２】
このようなトランスファーモールド法を用いることで、複数の基板形成領域Ｅに存在する個別部品６７及び半導体チップ７０をトランスファーモールド樹脂７５により一括して封止することができ、ポッティング法を用いた従来の半導体装置１０，４０と比較して、半導体装置５０の生産性を向上させることができる。
【００４３】
次に、図１０に示すように、基材５２の下面５２Ｂ側に配線６１を覆うレジスト層９１を形成する。レジスト層９１は、めっき法により金属層７７を形成した際、配線６１にめっき膜が形成されることを防止するための保護層である。なお、金属層７７をスパッタ法、真空蒸着法、金属箔の貼り付け等により形成する場合には、レジスト層９１を設ける必要はない。
【００４４】
次に、図１１に示すように、トランスファーモールド樹脂７５の表面に対してデスミア処理及びパラジウム活性化処理等の前処理を行った後、無電解めっき法により、無電解めっき膜（図示せず）を析出させ、続いて、無電解めっき膜をシード層として電解めっき法により、電解めっき膜（図示せず）を析出、成長させて、グラウンド端子用部材８１の上面及びトランスファーモールド樹脂７５の表面に無電解めっき膜と電解めっき膜とよりなる金属層７７を形成する（金属層配設工程）。無電解めっき膜としては、例えば、Ｃｕ膜を用いることができ、無電解めっき膜の厚さは、例えば、０．２μｍとすることができる。また、電解めっき膜としては、例えば、Ｃｕ膜を用いることができる。金属層７７の厚さＪは、例えば、５μｍ〜４０μｍとすることができる。レジスト層９１は、電解めっき膜形成後に、レジスト剥離液により除去される。図１５は、図１１に示した構造体を平面視した図である。
【００４５】
このように、グラウンド端子用部材８１を露出した状態で、複数の基板形成領域Ｅに対し一括して形成されたトランスファーモールド樹脂７５の表面に、グラウンド端子用部材８１と電気的に接続される金属層７７を設けることで、従来の半導体装置１０，４０で行っていたグラウンド端子１６，４２とシールドケース３６，４４とをはんだ付けする作業が不要となり、半導体装置５０の生産性を向上させることができる。また、金属層７７をトランスファーモールド樹脂７５に直接設けることで、従来の半導体装置１０，４０よりも半導体装置５０の高さＨ４（図１３参照）を小さくして、半導体装置５０を小型化することができる。
【００４６】
次に、図１２に示すように、接続パッド６２を露出させると共に、接続パッド６２以外の配線６１を覆うソルダーレジスト６３を形成し、続いて、接続パッド６２にはんだボール６５を配設する。その後、図１３に示すように、ダイサーによりダイシング位置Ｄに沿って基材５２を切断して、半導体装置５０を個片化することで、複数の半導体装置５０が製造される。図１６は、個片化された半導体装置の平面図である。この際、図１６に示すように、グラウンド端子用部材８１は、ダイサーにより略二等分され、１つの半導体装置５０に対して２つのグラウンド端子５７が形成される。また、グラウンド端子５７の上方には、開口部８８が２分割されることで切欠き部７８が形成される。
【００４７】
以上説明したように、グラウンド端子５７を露出すると共に、基板５１上に実装された個別部品６７及び半導体チップ７０を覆うようトランスファーモールド樹脂７５を設け、トランスファーモールド樹脂７５の表面にグラウンド端子５７と電気的に接続される金属層７７を設けることで、半導体装置５０を小型化できると共に、生産性を向上させることができる。
【００４８】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。なお、本実施例では、２つの基板形成領域Ｅに亘って、グラウンド端子用部材８１を設けたが、４つの基板形成領域Ｅに亘るよう、基板形成領域Ｅの角部にグラウンド端子用部材８１を設けても良い。また、基板形成領域Ｅ毎に、基板形成領域Ｅの外形よりも内側の領域にグラウンド端子５７を設けた構成としても良い。図１７は、トランスファーモールド樹脂の上面及び側面に金属層を設けた半導体装置の断面図である。さらに、図１７に示した半導体装置１００ように、トランスファーモールド樹脂７５を形成後、基材５２を切断して、トランスファーモールド樹脂７５の上面及び側面に金属層７７を設けても良い。また、本発明は、基材５２の側面にグラウンド端子を設けた半導体装置にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明によれば、小型化ができると共に、生産性を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】シールドケースを備えた従来の半導体装置の断面図（その１）である。
【図２】シールドケースを備えた従来の半導体装置の断面図（その２）である。
【図３】本発明の本実施例による半導体装置の斜視図である。
【図４】図３に示した半導体装置のＡ−Ａ線方向の断面図である。
【図５】本実施例の基板が製造される基材の平面図である。
【図６】本実施例の半導体装置の製造工程を示した図（その１）である。
【図７】本実施例の半導体装置の製造工程を示した図（その２）である。
【図８】本実施例の半導体装置の製造工程を示した図（その３）である。
【図９】本実施例の半導体装置の製造工程を示した図（その４）である。
【図１０】本実施例の半導体装置の製造工程を示した図（その５）である。
【図１１】本実施例の半導体装置の製造工程を示した図（その６）である。
【図１２】本実施例の半導体装置の製造工程を示した図（その７）である。
【図１３】本実施例の半導体装置の製造工程を示した図（その８）である。
【図１４】図９に示した構造体を平面視した図である。
【図１５】図１１に示した構造体を平面視した図である。
【図１６】個片化された半導体装置の平面図である。
【図１７】トランスファーモールド樹脂の上面及び側面に金属層を設けた半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０，４０，５０，１００  半導体装置
１１，５１  基板
１２，４１，５２  基材
１３，５３  貫通ビア
１４，１５  接続部
１６，４２，５７  グラウンド端子
１７，５９  絶縁層
２１，６１  配線
２２，６２  接続パッド
２３，６３  ソルダーレジスト
２４，７３  接着剤
２５，６５  はんだボール
２６，６７  個別部品
２７，３７，６９  はんだペースト
３１，７０  半導体チップ
３３，７２  電極パッド
３４  金ワイヤ
３５  ポッティング樹脂
３６，４４  シールドケース
５２Ａ，７５Ａ  上面
５２Ｂ  下面
５５  第１の接続部
５６  第２の接続部
６８  電極
７１  半導体チップ本体
７４  ワイヤ
７５  トランスファーモールド樹脂
７７  金属層
７８  切欠き部
８１  グラウンド端子用部材
８５  金型
８５Ａ，８６Ａ  面
８６  凸部
８８  開口部
９１  レジスト層
Ｃ１，Ｃ２  隙間
Ｄ  ダイシング位置
Ｅ  基板形成領域
Ｆ  半導体チップ配設領域
Ｈ１〜Ｈ４  高さ
Ｊ，Ｋ  厚さ
Ｌ１，Ｌ２  長さ
Ｗ  幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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