(57)【要約】【課題】  薄膜磁気ヘッドとハードディスクとの接触を抑止しつつ薄膜磁気ヘッドとハードディスクとの距離の十分な低減が可能なスライダの製造方法の提供。【解決手段】  導電性の基板上に複数の薄膜磁気ヘッド１０が一列に並設されたバー３０を用意するＡ工程と、バー３０における側面ＳをラッピングするＢ工程とを備える。各薄膜磁気ヘッド１０は、読取素子４０及び書込素子６０と、これらを覆う被覆部１００と、第一ヒータ７０及び第二ヒータ８０と、をそれぞれ有する。バー３０は、各薄膜磁気ヘッド１０の第一ヒータ７０同士を電気的に直列に接続する第一接続線７５、及び、各薄膜磁気ヘッド１０の第二ヒータ８０と基板とを電気的に接続する第二接続線８８を有している。Ｂ工程では、第一接続線７５を介して各第一ヒータ７０に対して直列に電流を流しつつ側面Ｓのラッピングを行う。【選択図】  図４
2006040447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の基板上に複数の薄膜磁気ヘッドが一列に並設された積層体を用意する工程と、
前記積層体における前記並設方向に沿う側面をラッピングする工程とを備え、
前記各薄膜磁気ヘッドは、読取素子及び／又は書込素子と、前記書込素子及び／又は読取素子を覆う被覆部と、通電により発熱する第一ヒータ及び第二ヒータと、をそれぞれ有し、
前記積層体は、さらに前記各薄膜磁気ヘッドの第一ヒータ同士を電気的に直列に接続する第一接続線、及び、前記各薄膜磁気ヘッドの第二ヒータの一端と前記基板とを電気的に接続する第二接続線を有し、
前記ラッピングする工程では、前記第一接続線を介して前記各第一ヒータに対して直列に通電しつつ前記側面のラッピングを行うスライダの製造方法。
【請求項２】
前記積層体における基板はアルミナ及び炭化チタンを含む焼結体から形成されている請求項１に記載のスライダの製造方法。
【請求項３】
前記積層体において、前記第一ヒータ及び前記第二ヒータは、前記基板の表面と平行な同一面上に設けられている請求項１又は２に記載のスライダの製造方法。
【請求項４】
前記積層体において、前記第一ヒータは、前記第二のヒータよりも前記側面に近い位置に設けられた請求項１〜３のいずれかに記載のスライダの製造方法。
【請求項５】
前記薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第一ヒータは、前記読取素子及び前記書込素子よりも前記基板から離れている請求項１〜４のいずれかに記載のスライダの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するスライダの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクにおいては、書込素子や読取素子のトラック幅の狭小化が進んでおり、これに伴って、書込素子の書込能力や読取素子の読取能力の更なる向上が求められている。これらを向上するためには、記録媒体上を浮上するスライダのエアベアリング面（Air Bearing Surface）と記録媒体との間隔、特に、書込素子や読取素子の露出部と記録媒体との間隔を十分に低下させる必要がある。ここで、スライダは、基板上に薄膜磁気ヘッドが設けられたものであり、薄膜磁気ヘッドは、書込素子、読取素子及びこれらを覆う被覆部を有している。
【０００３】
そして、最近では、スライダのエアベアリング面（Air Bearing Surface）と記録媒体との間隔を十分に低下させるべく、例えば、特許文献１〜４に記載されているように、薄膜磁気ヘッドを加熱するためのヒータを設けたスライダが知られている。このようなスライダにおいては、ヒータの発熱によって読取時や書込時に薄膜磁気ヘッドを熱膨張させ、これによって書込素子や読取素子と記録媒体との間隔をより小さく制御している。
【特許文献１】特開２００３−１６８２７４号公報
【特許文献２】特開２００３−２７２３３５号公報
【特許文献３】米国特許５，９９１，１１３号明細書
【特許文献４】特開２０００−３０６２１５号広報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述のヒータを有するスライダでは、ヒータにより薄膜磁気ヘッドを熱膨張させると、書込素子や読取素子以外の部分の突出量、典型的には、被覆部における基板から遠い部分（特に被覆部の先端部分）の突出量が、書込素子や読取素子の突出量よりも大きくなる場合があることが判明した。薄膜磁気ヘッドの書込素子や読取素子以外の部分、例えば、被覆部の先端部分が突出しすぎるとこの部分が記録媒体と接触しやすくなる。したがって、ヒータを発熱させることによって十分に書込素子や読取素子と、記録媒体との間隔を狭めることが実際上困難である。
【０００５】
本発明の目的は、上記課題に鑑みてなされたものであり、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとの接触を抑止しつつ薄膜磁気ヘッドとハードディスクとの距離の十分な低減が可能なスライダの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らが鋭意研究を進めたところ、薄膜磁気ヘッドのヒータに通電させた状態でエアベアリング面の形成、すなわち、スライダの側面のラッピング（研磨）をすることにより、あらかじめ薄膜磁気ヘッドにおいて書込素子や読取素子に比べて突出しやすい部分を選択的に除去できることを見出した。このように、あらかじめ薄膜磁気ヘッドのける突出しやすい部分を除去しておくと、読取や書込時にヒータにより薄膜磁気ヘッドをヒータにより加熱しても、書込素子や読取素子以外の部分が記録媒体と接触しにくくなり、書込素子や読取素子と、記録媒体との間隔を十分に近づけることができる。
【０００７】
そこで本発明に係る薄膜磁気ヘッドのラッピング方法は、導電性の基板上に複数の薄膜磁気ヘッドが一列に並設された積層体を用意するＡ工程と、積層体における薄膜磁気ヘッドの並設方向に沿う側面をラッピングするＢ工程とを備えている。
【０００８】
ここで、各薄膜磁気ヘッドは、読取素子及び／又は書込素子と、書込素子及び／又は読取素子を覆う被覆部と、通電により発熱する第一ヒータ及び第二ヒータと、をそれぞれ有している。
【０００９】
また、積層体は、各薄膜磁気ヘッドの第一ヒータ同士を電気的に直列に接続する第一接続線、及び、各薄膜磁気ヘッドの第二ヒータの一端と基板とを電気的に接続する第二接続線を有している。
【００１０】
そして、ラッピングを行うＢ工程では、第一接続線を介して各第一ヒータに対して直列に電流を流しつつ上記側面のラッピングを行う。
【００１１】
本発明によれば、各薄膜磁気ヘッドは、第一ヒータ、及びこの第一ヒータとは異なる第二ヒータをそれぞれ有している。
【００１２】
そして、エアベアリング面を形成する際には第一ヒータに通電をする。第一ヒータの通電によって第一ヒータが発熱すると薄膜磁気ヘッドが加熱により熱膨張し、積層体における薄膜磁気ヘッドの並設方向に沿う側面における読取素子及び／又は書込素子とは異なる部分、典型的には、側面における被覆部の先端（最も基板から遠い部分）が読取素子及び／又は書込素子に比べて突出する。したがって、この状態でこの側面の研磨を行ってエアベアリング面を形成すると、読取素子及び／又は書込素子よりも突出しやすい部分が他の部分に比べて選択的に除去されることとなる。したがって、その後、この薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面をハードディスクに対向させて読取や書込をする際に、読取素子や書き込み素子とハードディスクとの距離を低減させるべく第二ヒータに通電して薄膜磁気ヘッドを加熱させても、読取素子及び書込素子以外の部分の突出量が従来に比して十分に抑制される。これにより、被覆部の先端等の突出量を殆ど気にすることなく、読取素子や書込素子を十分に突出させてハードディスクに近づけることができる。
【００１３】
また、各第二ヒータの一端は第二接続線により導電性の基板に電気的に接続されている。アルティック等の導電性の基板を用いたスライダを用いてハードディスクに対する情報の書込やハードディスクからの情報の読取を行う際には、基板の電荷を逃がすべく基板を接地する必要がある。そして、従来はスライダとこのスライダを支持するフレクシャ（サスペンション）とを銀ペースト等で接着することにより接地を行っていた。しかしながら、本発明では、第二ヒータの一端と基板とが電気的に接続されているため、第二ヒータへの通電のために外部から第二ヒータの一端に接続する配線を、基板の接地用として共用することができる。したがって、基板とサスペンションとを銀ペーストとで接着することなく、基板の確実な接地を可能とすることができる。
【００１４】
そして、本発明の積層体は、上述の事情により各第二ヒータの一端が第二接続線によって基板にそれぞれ電気的に接続されている一方、各第一ヒータは第一接続線によって互いに直列に接続されている。そして、ラッピング時に薄膜磁気ヘッドを加熱する時には、第二ヒータではなく第一接続線を利用して第一ヒータに直列に電流を流している。これにより、各第一ヒータに流す電流を同一として各第一ヒータにおける発熱量、すなわち、各薄膜磁気ヘッドの膨張量をそろえることを可能としている。したがって、各薄膜磁気ヘッドの研磨量の制御が容易となり、ラッピングにより所望の形状のエアベアリング面が形成されたスライダを効率よく製造することできる。
【００１５】
なお、ラッピング時に第一ヒータではなく第二ヒータに通電することにより薄膜磁気ヘッドを加熱する場合には、各薄膜磁気ヘッドの膨張量を精度良く制御することが困難である。
【００１６】
例えば、各第二ヒータの一端同士が基板及び各第二接続線を介して電気的に接続されているため、各第二ヒータに対して直列に通電するのは困難である。また、あらかじめ積層体に各第二ヒータの他端同士を電気的に接続する第三接続線を設けて、第二接続線と第三接続線との間に電圧を印加して、各第二ヒータに並列に電流を流すことも考えられるが、第三接続線の長さが各第二ヒータの位置ごとに変わってしまい、さらに各第三接続線の抵抗も無視できないので、このような並列方式による通電では、各第二ヒータに印加される電圧がばらつく。したがって、積層体における各薄膜磁気ヘッドの膨張量の制御が困難である。
【００１７】
ここで、積層体における基板はアルミナ及び炭化チタンを含む焼結体から形成されていると好ましい。このような基板は特に薄膜磁気ヘッドを形成するための導電性の基板として好適である。
【００１８】
また、積層体において、第一ヒータ及び第二ヒータは、基板の表面と平行な同一面上に設けられていることが好ましい。
【００１９】
このような構成の積層体は、第一ヒータ及び第二ヒータを、一回のフォトリソグラフィー工程により同時に形成することができ、低コストでの製造が可能である。
【００２０】
また、積層体において、第一ヒータは、第二のヒータよりも上記の側面に近い位置に設けられることが好ましい。
【００２１】
このような積層体を用いると、ラッピング時に第一ヒータの通電により薄膜磁気ヘッドを突出させるときに、第二ヒータに通電する場合に比べて少ない電力で被覆部の先端部をより多く突出させることができる。
【００２２】
さらに、薄膜磁気ヘッドにおいて、第一ヒータは、読取素子及び書込素子よりも基板から離れていることが好ましい。このような構成では、第一ヒータに通電することよって、被覆部の先端部をより効率よく突出させることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとの接触を抑止しつつ薄膜磁気ヘッドとハードディスクとの距離の低減が可能なスライダを製造する方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態に係るスライダの製造方法について詳細に説明する。尚、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【００２５】
まず、図１に示すように、多数の薄膜磁気ヘッド１０が基板１３上に複数形成された積層基板２０を用意する。この積層基板２０は、アルティック、すなわち、Ａｌ2Ｏ3及びＴｉＣを含む焼結体から形成された一枚の基板１３上に、薄膜磁気ヘッド１０が多数行列状に設けられたものである。なお、基板１３の材料としては、Ａｌ2Ｏ3及びＴｉＣに対して、さらにＴｉＯ２やＭｇＯ等を含んでも良く、また、これ以外の導電性のセラミック材料等を用いても良い。
【００２６】
続いて、図２に示すように、積層基板２０を図１の点線に沿って薄膜磁気ヘッド１０の行方向又は列方向に切断して、複数本のバー（積層体）３０を形成する。バー３０は、棒状の基板１３上に、多数の薄膜磁気ヘッド１０が一列に配置されたものである。
【００２７】
続いて、図２に示すバー３０における薄膜磁気ヘッド１０が並ぶ方向に沿う側面Ｓに対してＭＲハイト等を調整するためのラッピング加工を行う。尚、ＭＲハイトとは側面Ｓから見た再生用の読出素子における奥行き方向の距離をいう。ラッピング加工によって、この側面Ｓには後述する読取素子や書込素子が露出し、最終的には、ハードディスクの記録面と対向するエアベアリング面（Air Bearing Surface）となる。
【００２８】
そして、本実施形態では、ＭＲハイト等を調整するための側面Ｓのラッピング加工の前後又は最中において、ヒータ（詳しくは後述）に通電しながらののラッピングを行う。ここでは、一例として、ＭＲハイトを概ね調節した後に、ヒータに通電しながらバー３０の側面Ｓをラッピングする場合について説明する。
【００２９】
ここで、ＭＲハイトの調節が完了した状態のバー３０について詳しく説明する。図３はバー４の長さ方向に垂直な断面図、図４はバー３０の上面図、図５はバー３０を図３のＩＶ方向から見た部分破断図である。
【００３０】
上述のように、バー３０は、細長形状の基板１３上に、多数の薄膜磁気ヘッド１０が一列に設けられたものである。
【００３１】
基板１３上に設けられた薄膜磁気ヘッド１０は、ハードディスクに記録された磁気情報を読み取る読取素子４０と、ハードディスクに対して磁気情報を書込む誘導型の書込素子６０と、通電により発熱する第一ヒータ７０及び第二ヒータ８０と、これらを覆う被覆部１００と、を主として有する複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。
【００３２】
基板１３は、上述のようにアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等の導電性材料からなる。
【００３３】
読取素子４０としては、例えば、巨大磁気抵抗効果を利用するＧＭＲ(Giant Magneto Resistive)素子、異方性磁気抵抗効果を利用するＡＭＲ（Anisotropy Magneto Resistive）素子、トンネル接合で生じる磁気抵抗効果を利用するＴＭＲ（Tunnel-type Magneto Resistive）素子等を利用できる。このような読取素子４０は、図示は省略するが多層構造を有し、その一部がエアベアリング面Ｓに露出しており、磁気抵抗効果に基づいてハードディスクからの磁界の変化を検出し、磁気情報を読み出す。
【００３４】
読取素子４０の上下には、読取素子４０を上下から挟み込む一対のシールド層４１，４２が設けられている。シールド層４１，４２は、ＮｉＦｅ等の軟磁性材料により形成されてている。また、シールド層４１，４２の端面は側面Ｓに露出している。
【００３５】
書込素子６０は、いわゆる面内記録方式を採用したものであり、基板１３側から順に下部磁極６１及び上部磁極６４を備えると共に、さらに薄膜コイル６６を備えている。
【００３６】
下部磁極６１及び上部磁極６４のエアベアリング面Ｓ側の端面はエアベアリング面Ｓに露出し、下部磁極６１及び上部磁極６４の各露出部は所定距離離間されていて記録ギャップＧを形成している。一方、上部磁極６４におけるエアベアリング面Ｓとは離れた側の端部６４Ｂは下部磁極６１に向かって折り曲げられており、この端部６４Ｂは下部磁極６１におけるエアベアリング面Ｓとは離れた側の端部と磁気的に連結している。これにより、上部磁極６４と下部磁極６１とによってギャップＧをはさむ磁気回路が形成される。
【００３７】
薄膜コイル６６は、上部磁極６４の端部６４Ｂを取り囲むように配置されており、電磁誘導により記録ギャップＧ間に磁界を発生させ、これによりハードディスクの記録面に磁気情報を記録させる。
【００３８】
図４に示すように、バー３０におけるエアベアリング面Ｓとは異なる面（上面）Ａ上には、薄膜磁気ヘッド１０毎に、一対の読取用電極パッド９３，９３、一対の書込用電極パッド９４，９４がそれぞれ設けられている。そして、図示は省略するが、読取素子４０は読取用電極パッド９３，９３に対して電気的に接続され、書込素子６０のコイルの両端は書込用電極パッド９４，９４に電気的に接続されている。
【００３９】
第一ヒータ７０及び第二ヒータ８０は、図３に示すように、基板１３からほぼ同じ高さに並んで配置されている薄膜コイルである。より具体的には、第一ヒータ７０及び第二ヒータ８０は、書込素子６０よりも基板１３から遠い位置に配置されている。さらに、第一ヒータ７０は、第二ヒータ８０よりも側面Ｓに近い位置に配置されている。そして、第一ヒータ７０は書込素子６０やシールド層４１，４２を基板１３との間に挟む位置に配置されているが、第二ヒータ８０は書込素子６０やシールド層４１，４２を基板１３との間に挟んでいない。
【００４０】
具体的には、例えば、側面Ｓから第一ヒータ７０までの距離７０Ｄは５〜５０μｍ程度、側面Ｓから第二ヒータ８０までの距離８０Ｄは４０〜１００μｍ程度、書込素子６０の上部磁極６４から第一ヒータ７０及び第二ヒータ８０までの薄膜磁気ヘッドの積層方向の距離８０Ｈは２〜１０μｍ程度とすることができる。
【００４１】
第一ヒータ７０及び第二ヒータ８０は、Ｃｕ，ＮｉＦｅ，ＮｉＣｕ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｏＮｉＦｅ合金，ＦｅＡｌＳｉ合金等で形成されている。これらの第一ヒータ７０、第二ヒータ８０は、通電により発熱し、その周囲を熱膨張させる。
【００４２】
より具体的には、図５に示すように、第一ヒータ７０及び第二ヒータ８０は、それぞれ一本のラインを蛇行させた構造となっている。各第一ヒータ７０の抵抗値は互いに同一であることが好ましく、例えば、３０〜１３０Ω程度の抵抗値であることが好ましい。また各第二ヒータ８０の抵抗値も互いに同一であることが好ましく、例えば、３０〜１３０Ω程度の抵抗値であることが好ましい。
【００４３】
隣り合う第一ヒータ７０の端部同士は第一接続線７５により電気的に接続されており、これらの第一接続線７５は、図４及び図５に示すように、各薄膜磁気ヘッド１０の第一ヒータ７０同士を電気的に直列に接続する。バー３０の両端の薄膜磁気ヘッド１０に配置された第一ヒータ７０の端部には、それぞれ接続線７６が電気的に接続されている。
【００４４】
図４に示すように、バー３０における上面Ａ上の両端部には、第一ヒータ用電極パッド９１がそれぞれ設けられている。そして、各接続線７６は図３に詳しく示す導電部材７８によってそれぞれ第一ヒータ用電極パッド９１に電気的に接続されている（図３及び図５参照）。
【００４５】
一方、図５に示すように、各第二ヒータ８０の両端には、それぞれ接続線８５が接続されている。図４に示すように、バー３０における上面Ａ上には、各薄膜磁気ヘッド１０毎、すなわち、第二ヒータ８０毎に一対の第二ヒータ用電極パッド９２，９２が設けられている。そして、各接続線８５は図３〜図５に示す導電部材８６によってそれぞれ第二ヒータ用電極パッド９２に電気的に接続されている（図３及び図４参照）。
【００４６】
さらに、図３に示すように、接続線８５と基板１３とは導電部材８７によって電気的に接続されている。すなわち、第二ヒータ８０の一端は、接続線８５及び導電部材８７からなる第二接続線８８によって基板１３に電気的に接続されている。
【００４７】
そして、これら読取素子４０、シールド層４１，４２、書込素子６０、第一ヒータ７０及び第二ヒータ８０等は絶縁性の被覆部１００によって覆われ、被覆部１００の内部に埋め込まれている。ここで、被覆部１００において、読取素子４０及び書込素子６０を挟んで基板１３と反対側の部分を被覆部１００ａとする。
【００４８】
ここで、この被覆部１００は、具体的には、シールド層４２と書込素子６０との間、上部磁極６４と下部磁極６１との間、読取素子４０とシールド層４１，４２との間を離間させている。被覆部１００の材料としては、主として、アルミナ等の絶縁材料があげられる。
【００４９】
このような状態のバー３０は、このバー３０の如き積層構造を有する薄膜磁気ヘッド１０が多数行列状に形成された積層基板２０を作成し、前述のように、積層基板２０を列又は行に沿って切断してバー３０を得、このバーの側面Ｓを所望のＭＲハイトとなるように公知の研磨器でラッピングすれば形成できる。
【００５０】
また、このような積層構造を有する積層基板２０における薄膜磁気ヘッド１０は、例えば、基板１３上に、シールド層４１、読取素子４０、シールド層４２、及び書込素子６０及びこれらを被覆する絶縁材料層を積層し、さらに、絶縁材料層上に第一ヒータ７０、第二ヒータ８０、第一接続線７５、接続線７６、及び接続線８５をフォトリソグラフィー法により形成し、さらにこれらを絶縁材料層で被覆して被覆部１００を形成するすることにより容易に製造できる。各膜の積層には、公知のスパッタリング法やフレームメッキ法を採用することができる。
【００５１】
このように、第一ヒータ７０、第二ヒータ８０、第一接続線７５、接続線７６、及び接続線８５を、基板１３の表面と平行な同一面上に配置する場合には、第一ヒータ７０や第二ヒータ８０等を適切なフォトリソグラフィー法により同時に形成できるので好ましい。なお、第一ヒータ７０や第二ヒータ８０の基板１３の表面からの高さを異ならせても良いのは言うまでもない。
【００５２】
次に、このような状態のバー３０の側面Ｓを、第一ヒータ７０に通電した状態でラッピングする。
【００５３】
ここでは、例えば、図６に示すようなラッピング装置１９０によってこのようなラッピングを行うことができる。ラッピング装置１９０は、バー３０を保持するバー保持器１５１と、研磨器１６１とを有する。
【００５４】
バー保持器１５１は、本体部１５２と、該本体部１５２の下部に備えられバー３０を保持するための保持ラバー部１５３と、一対の端子１３２ａ，１３２ｂを有する電源１３２と、電源１３２の各端子１３２ａ，１３２ｂにそれぞれの一端が接続された配線１５５，１５５と、を備えている。また、研磨器１６１は、上面に回転研磨面Ｒを形成するものである。
【００５５】
バー３０の側面Ｓをラッピングする場合は、まず、バー３０の側面Ｓが外側、すなわち、回転研磨面Ｒに対向するようにしてバー３０をバー保持器１５１の保持ラバー部１５３に取り付ける。
【００５６】
次いで、一方の配線１５５の他端を、バー３０の一方の第一ヒータ用電極パッド９１に電気的に接続すると共に、他方の配線１５５の他端を、バー３０の他方の第一ヒータ用電極パッド９１に電気的に接続する。そして、電源１３２により端子１３２ａ，１３２ｂ間に所定の電圧を印加する。
【００５７】
そうすると、電源１３２からの電力が配線１５５を通じてバー３０の各第一ヒータ７０に直列に供給される。これにより、各第一ヒータ７０が発熱し、各第一ヒータ７０及びその近傍の部分が加熱されて各薄膜磁気ヘッド１０が熱膨張する。
【００５８】
これにより、図７に２点鎖線で示すように、薄膜磁気ヘッド１０が熱膨張により突出し、側面Ｓは図中の側面Ｓ１のような状態となる。すなわち、第一ヒータ７０の発熱によって、薄膜磁気ヘッド１０のうち、基板１３から遠い被覆部１００ａ、特に、被覆部１００ａの先端Ｔが最も突出する。
【００５９】
このような突出の傾向は、ラッピング時ではなく、実際にハードディスクに対して書込や読取をする場合に第一ヒータ７０や第二ヒータ８０を発熱させたときも同様となる。そして、このような傾向を示すと、この薄膜磁気ヘッド１０を磁気情報の読取や書込に用いる場合に、この先端Ｔがハードディスクの記録面Ｄに接触する可能性が高くなり、第一ヒータ７０や第二ヒータ８０を発熱させることによって書込素子６０や読取素子４０とハードディスクとの距離を十分に低減させることを困難としていた。
【００６０】
ところが、本実施形態では、このようにして第一ヒータ７０への通電によって薄膜磁気ヘッド１０を加熱し、被覆部１００を突出させた状態で、バー保持器１５１を降下させ、研磨器１６１における回転研磨面Ｒにバー４の側面Ｓを当接させる。そして、図７に示す被覆部１００の角部Ｔから点線Ｌで示す部位までを研磨する。そして、この研磨後の側面がハードディスクに対向するエアベアリング面（Air Bearing Surface）となる。
【００６１】
このようなラッピング工程後、薄膜磁気ヘッド１０が十分に冷却された状態のバー３０の断面を図８に示す。図８において、二点鎖線は、本実施形態の通電しながらラッピングすることによって削り取られた部分を示している。また、Ｓ２は形成されたエアベアリング面を示している。尚、図９は、ラッピング後の形状の一例を示しており、場合によっては、被覆部１００の角部Ｔから書込素子６０或いは読取素子４０まで研磨される。
【００６２】
ここまでが、通電しながらバー３０の側面Ｓをラッピングする工程である。
【００６３】
この後、バー３０を薄膜磁気ヘッド１０が並ぶ方向に対して垂直に切断して、各薄膜磁気ヘッド１０を分離することにより、図９内に示すようなスライダ３５が完成する。ここで、必要に応じて、エアベアリング面Ｓに溝３４等を形成することができる。
【００６４】
そして、このようなスライダ３５は、ヘッドジンバルアセンブリ２００を構成することができる。このヘッドジンバルアセンブリ２００は、ロードビーム２１１と、このロードビーム２１１に固定されると共に弾性を有するフレクシャ２１２と、ロードビーム２１１の基部に設けられたベースプレート２１３と、フレクシャ２１２に設けられた配線部材２１４と、フレクシャ２１２の先端に固定されたスライダ３５と、を有する。
【００６５】
配線部材２１４はフレクシャ２１２に沿って設けられており、フレクシャ２１２のベースプレート２１３側の端部に設けられた合計６つの電極パッド２１５、及び、各電極パッド２１５からそれぞれ、フレクシャ２１２に沿ってスライダ３５まで延在し、スライダ３５に形成された各電極パッド９２，９４，９４，９３，９３，９２に電気的に接続されたリード導体２１６を有している。
【００６６】
なお、図示されていないが、フレクシャ２１２の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００６７】
このようなヘッドジンバルアセンブリは公知の方法によりハードディスクドライブに適用することができる。
【００６８】
続いて、本実施形態に係るスライダの製造方法の作用について説明する。本実施形態によれば、側面Ｓのラッピングによってエアベアリング面を形成する際に第一ヒータ７０に通電がなされる。第一ヒータ７０への通電によって第一ヒータ７０が発熱すると薄膜磁気ヘッド１０が加熱され、バー３０における薄膜磁気ヘッド１０の側面Ｓ、特に、被覆部１００ａの先端（最も基板から遠い部分）が他の部分に比べて突出する。したがって、この状態でこの側面Ｓの研磨を行ってエアベアリング面を形成すると、被覆部１００ａの先端が他の部分に比べてより多く除去されることとなる。したがって、その後、この薄膜磁気ヘッド１０のエアベアリング面Ｓをハードディスクに対向させて読取や書込をする際に、読取素子４０や書込素子６０とハードディスクとの距離を低減させるべく第二ヒータ８０に通電して薄膜磁気ヘッド１０を熱膨張させても、被覆部１００ａの先端の突出量が従来に比して十分に抑制される。これにより、被覆部１００ａの先端の突出量を殆ど気にすることなく、読取素子４０や書込素子６０を十分に突出させてハードディスクに近づけることができる。
【００６９】
また、各第二ヒータ８０の一端は第二接続線８８によって導電性の基板１３に電気的に接続されている。アルティック等の導電性の基板１３を用いたスライダ３５を用いてハードディスクに対する情報の書込やハードディスクからの情報の読取を行う際には、基板１３の電荷を逃がすべく基板１３を接地する必要がある。そして、従来はスライダ３５とこのスライダ３５を支持するフレクシャ２１２とを銀ペースト等で接着することにより接地を行っていた。しかしながら、本実施形態では、第二ヒータ８０と基板１３とが第二接続線８８によって電気的に接続されているため、第二ヒータ８０への通電のために外部から第二ヒータ８０の一端側に接続する配線２１６（図９参照）を、基板１３の接地用として共用することができる。したがって、基板１３とフレクシャ２１２とを銀ペーストとで接着することなく、基板１３の確実な接地が容易に可能となる。
【００７０】
そして、本実施形態では、バー３０は、上述の事情により各第二ヒータ８０が第二接続線８８によって基板１３にそれぞれ電気的に接続されている一方、各第一ヒータ７０は第一接続線７５によって互いに直列に接続されている。そして、ラッピング時に薄膜磁気ヘッド１０を加熱する時には、第二ヒータ８０ではなく、第一接続線７５を利用して第一ヒータ７０に直列に電流を流している。これにより、各第一ヒータ７０に流す電流を同一として各第一ヒータに７０おける発熱量、すなわち、各薄膜磁気ヘッド１０の膨張量をそろえることを可能としている。したがって、バー３０において各薄膜磁気ヘッド１０の研磨量の制御が容易となる。これにより、ラッピングにより所望の形状のエアベアリング面が形成されたスライダ３５を効率よく製造することできる。
【００７１】
さらに、本実施形態によれば、エアベアリング面の形成を、基板１３上に複数の薄膜磁気ヘッド１０が一列に並設されたバー３０に対して行っているので、大量の薄膜磁気ヘッド１０のラッピングが迅速に効率よく行うことができ好ましい。
【００７２】
また、薄膜磁気ヘッド１０において、第一ヒータ７０が、第二ヒータ８０よりも側面Ｓに近い位置に設けられているので、ラッピング時に第一ヒータ７０への通電により薄膜磁気ヘッド１０を熱膨張させるときに、第二ヒータ８０に供給して膨張させる際よりも少ない電力で被覆部１００ａの先端部をより多く突出させることができる。なお、第二ヒータ８０が、側面Ｓから見て書込素子６０や読込素子４０よりも後方にあると、読込時や書込み時に第二ヒータ８０によって、被覆部１００ａの先端部よりも書込素子６０や読込素子４０を好適に突出させ得る。
【００７３】
さらに、薄膜磁気ヘッド１０において、第一ヒータ７０が、読取素子４０及び書込素子６０よりも基板１３から離れているので、これによっても，第一ヒータ７０に通電することよって、被覆部１００ａの先端部をより効率よく突出させることができる。
【００７４】
なお、以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
【００７５】
例えば、上記実施形態では、薄膜磁気ヘッド１０の被覆部１００内に第一ヒータ７０及び第二ヒータ８０を設けているが、図１０に示すように、被覆部１００の上面Ａ上にヒータ７０，８０、第一接続線７５、接続線７６、接続線８５を設けても動作は可能である。
【００７６】
更に、上記実施形態では、第一ヒータ７０や第二ヒータ８０は、薄膜磁気ヘッド１０につき一つずつ設けられているが、図１１に示すように、第一ヒータ７０や第二ヒータ８０につき複数ずつ配置してもよい。
【００７７】
また、上記実施形態では、書込素子６０及び読取素子４０を備えた薄膜磁気ヘッドであったが、これらの素子のうちのいずれかを備えたヘッドであっても同様の作用効果を奏することはいうまでもない。
【００７８】
また、上記実施形態では、薄膜磁気ヘッドを面内記録方式としているが、もちろん垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。
【００７９】
さらに、第一ヒータ用電極パッド９１，９１、第二ヒータ用電極パッド９２，９２、読取用電極パッド９３，９３、書込用電極パッド９４，９４の配置も任意である。
【実施例】
【００８０】
続いて、バーのヒータに通電した場合の薄膜磁気ヘッドの突出動作について、実施例を参照してより具体的に説明する。
【００８１】
（実施例１〜３）
まず、側面Ｓから第一ヒータ７０までの距離７０Ｄを２０μｍ、側面Ｓから第二ヒータ８０までの距離８０Ｄを５０μｍ、書込素子６０の上部磁極６４から第一ヒータ７０及び第二ヒータ８０までの積層方向の距離８０Ｈを８μｍとし、図３〜図５のような構造のバー３０を形成した。ここで、基板１００の材料をアルティック（Al2O3−TiC）、被覆部１００の材料を主としてAl2O3、シールド層４１及び上部シールド層４２の材料をNiFe（厚み２．０μｍ）、MR素子４０をGMR素子（厚み３０ｎｍ）、下部磁極層６１及び上部磁極層６４の材料をNiFe（厚み２．５μｍ）、コイル７０の材料をCu（厚み２μｍ）、第一ヒータ７０及び第二ヒータ８０の材料をＮｉＦｅ、第一ヒータ７０及び第二ヒータ８０の厚みを３００ｎｍ、薄膜磁気ヘッド１１０の厚みを４０μｍとした。
【００８２】
そして、実施例１では、第一ヒータ用電極パッド９１、９１間に電圧を印加することによりバー３０の各第一ヒータ７０に対して直列に通電し、読取素子４０の温度上昇及び通電したヒータの温度上昇を測定すると共に、読取素子４０、書込素子（ギャップ位置）６０及び被覆部（先端位置）の突出量を測定した。ここで、各第１ヒータ７０あたり１００ｍＷの電力が供給されるように通電を制御した。
【００８３】
実施例２，３では、各第一ヒータ７０あたり、それぞれ、５０ｍＷ、２５ｍＷの電力を供給する以外は実施例１と同様に通電を制御した。
【００８４】
(比較例１)
比較例１では、実施例１で作成したバーを用い、第一ヒータ７０に通電せず、第二ヒータ８０に通電した。ところで、このバーにおいては第二ヒータ８０の一端同士が第二接続線８５及び基板１３によって電気的に接続されているので、各第二ヒータ８０に対して直列に通電することは困難である。また、各薄膜磁気ヘッド１０の第二ヒータ用電極パッド９２，９２に接続線をそれぞれ接続して電圧を印加することは極めて煩雑であり現実的ではない。さらに、各第二ヒータの他端同士を電気的に接続する第三接続線を設け、この第三接続線と、例えば基板と、の間に電圧を印加し各第二ヒータ８０に対して並列に電圧を印加しようとしても、各第二ヒータ毎の位置の違いにより第三接続線の長さが各第二ヒータごとに変わってしまい、さらに第三接続線の抵抗も無視できないので、各第二ヒータに印加される電圧がばらつき発熱量もばらつく。したがって、バーの各薄膜磁気ヘッドの膨張量を揃えることが困難である。
【００８５】
そこで、比較例１では、バーの内の一つの薄膜磁気ヘッド１０を選択し、この薄膜磁気ヘッド１０の第二ヒータ８０に対して通電を行った。具体的には、この薄膜磁気ヘッド１０の第二ヒータ用電極パッド９２，９２間に、通電量が１００ｍＷとなるように電圧を印加した。そして、当該薄膜磁気ヘッド１０について、読取素子４０の温度上昇及び通電したヒータの温度上昇を測定すると共に、読取素子４０、書込素子（ギャップ位置）６０及び被覆部（先端位置）の突出量を測定した。
【００８６】
実施例１〜３及び比較例１における、読取素子４０の温度上昇、通電したヒータの温度上昇、読取素子４０の突出量、書込素子６０の突出量、及び被覆部（先端）１００の突出量を図１２に示す。実施例１〜３については、一つの薄膜磁気ヘッドの値を示している。また、実施例１〜３及び比較例１について、一つの薄膜磁気ヘッドの側面Ｓにおいて薄膜磁気ヘッドの厚み方向に沿った突出量のプロファイルを図１３に示す。ここで、図１２及び図１３において、突出量は、バーの側面Ｓにおける所定位置（基板及び薄膜磁気ヘッドの界面から基板に向かって５０μm離れた位置）を基準とした時の値である。また、図１３における縦線Ａは、書込素子のギャップの位置を示す。
【００８７】
実施例１〜３では、各第一ヒータ７０に直列に通電がなされることにより、各薄膜磁気ヘッドの膨張量(突出量)が概ね揃った。したがって、側面Ｓのラッピングにおける各薄膜磁気ヘッド１０の研磨量をそろえることが容易であり、薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面を所望の形状に揃えることが容易である。
【００８８】
また、実施例１と比較例１との比較により明らかなように、実施例１では、第一ヒータ７０が第二ヒータ８０よりも側面Ｓに近い位置に配置されているため、同じ電力を第二ヒータに供給した比較例１よりも突出量が大きくなっている。そして、比較例１の突出量は、この比較例１の約半分の電力を供給した実施例２の突出量とほぼ同等となっている。したがって、実施例１〜３のようなヒータ配置では、少ない電力でラッピング時の薄膜磁気ヘッドの突出を効率よく行える。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係るスライダの製造方法において用いる積層基板を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１の積層基板を切断して、薄膜磁気ヘッドが一列に配置された複数本のバーを作製した状態を示す斜視図である。
【図３】図３は、ＭＲハイト調整後のバーを示す断面図である。
【図４】図４は、図３に示すバー４の上面図である。
【図５】図５は、図４における第一ヒータ及び第二ヒータ近傍の部分破断図である。
【図６】図６は、図３のバーの側面を、第一ヒータに通電しながらラッピングする様子を示す説明図である。
【図７】図７は、図６のバーの断面図である。
【図８】図８は、図６の工程終了後のバーの断面図である。
【図９】図９は、図８のバーを切断したスライダを備えるヘッドジンバルアセンブリの概略斜視図である。
【図１０】バーの他の実施形態の一例を示す上面図である。
【図１１】バーのさらに他の実施形態の一例を示す上面図である。
【図１２】実施例１〜３及び比較例１における、読取素子の温度上昇、コイルの温度上昇、読取素子の突出量、書込素子の突出量、及び被覆部（先端）の突出量を示す表である。
【図１３】実施例１〜３及び比較例１について、一つの薄膜磁気ヘッドの側面Ｓにおいて薄膜磁気ヘッドの厚み方向に沿ったプロファイルを示すグラフである。
【符号の説明】
【００９０】
１０…薄膜磁気ヘッド、２０…基板、３０…バー(積層体)、３５…スライダ、４０…読取素子、６０…書込素子、１００…被覆部、７０…第一ヒータ、８０…第二ヒータ、７５…第一接続線、８８…第二接続線、Ｓ…側面（エアベアリング面）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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