(57)【要約】  【課題】長期に亘って、輝尽性蛍光体と金属基板との、水分を介した反応による基板の腐食を抑制し、得られる放射線画像の特性劣化がない放射線像変換パネルおよびその製造方法を提供する。  【解決手段】本発明の放射線像変換パネルは、金属または合金により構成された基板と、この基板上に、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法などの気相堆積法により形成された酸化物層と、この酸化物層上に気相堆積法により形成された蛍光体層とを有するものである。【選択図】図１
2006119124.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属または合金により構成された基板と、
前記基板上に気相堆積法により形成された酸化物層と、
前記酸化物層上に気相堆積法により形成された蛍光体層とを有することを特徴とする放射線像変換パネル。
【請求項２】
前記気相堆積法により形成された酸化物層は、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法により形成されたものである請求項１に記載の放射線像変換パネル。
【請求項３】
前記酸化物層は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３またはＴｉＯ２からなるものである請求項１または２に記載の放射線像変換パネル。
【請求項４】
前記酸化物層の厚さは、０．５μｍ以上である請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線像変換パネル。
【請求項５】
前記基板の表面の算術平均粗さＲａは、０．００５〜０．１μｍである請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線像変換パネル。
【請求項６】
前記基板の表面の最大高さＲｚは、０．００５〜１μｍである請求項１〜５のいずれか１項に記載の放射線像変換パネル。
【請求項７】
前記基板は、アルミニウムからなるものである請求項１〜６のいずれか１項に記載の放射線像変換パネル。
【請求項８】
前記蛍光体層は、ＣｓＢｒ：Ｅｕからなるものである請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線像変換パネル。
【請求項９】
金属または合金により構成された基板上に気相堆積法により酸化物層を形成する工程と、
前記酸化物層上に蛍光体層を気相堆積法により形成する工程とを有することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、輝尽性蛍光体層によって放射線画像を記録、および再生する放射線像変換パネルおよびその製造方法に関し、特に、輝尽性蛍光体層の吸湿による基板の腐食を抑制し、特性劣化がない放射線像変換パネルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、および紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
一例として、この輝尽性蛍光体の膜（輝尽性蛍光体層）を有する放射線像変換パネルを利用する放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム社製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography）等として実用化されている。
この放射線画像情報記録再生システムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、放射線像変換パネル（輝尽性蛍光体層）に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、放射線像変換パネルをレーザ光等の励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴなどの表示装置、または写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。
【０００４】
放射線像変換パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末を、バインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスまたは樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作製される。
これに対し、真空蒸着またはスパッタリング等の真空成膜法（気相成膜法）によって、支持体に輝尽性蛍光体層（以下、蛍光体層ともいう）を形成してなる蛍光体パネルも知られている。真空成膜法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという優れた特性を有している。さらに、蛍光体層が蛍光体の柱状構造で形成されるため、鮮鋭度の高い良好な画質が得られる。
【０００５】
しかしながら、放射線像変換パネルは、輝尽性蛍光体層の吸湿性が高いという問題点がある。
輝尽性蛍光体層、特に、良好な特性を有するアルカリハライド系の輝尽性蛍光体層は、吸湿性が高く、通常（常温／常湿）の環境下であっても、容易に吸湿する。その結果、輝尽発光特性すなわち感度の低下、または輝尽性蛍光体の結晶性の低下（例えば、柱状構造をもつアルカリハライド系の輝尽性蛍光体であれば、結晶の柱状性の崩壊）による再生画像の鮮鋭性の低下等を生じてしまう。このため、放射線像変換パネルでは、輝尽性蛍光体層を防湿性の部材で封止することが行われている。
【０００６】
また、放射線像変換パネルにおいて、支持体として金属または合金からなる基板を用いることができる。この場合、輝尽性蛍光体層を防湿性の部材で封止しても、輝尽性蛍光体層の吸湿を完全に防止することができず、輝尽性蛍光体と金属基板との、水分を介した反応により、基板が腐食されてしまう。このため、輝尽性蛍光体層と基板を直接接触させないために、基板と輝尽性蛍光体層との間に層を形成することが行なわれている（特許文献１および特許文献２参照）。
【０００７】
特許文献１には、基板の表面および裏面に水分不透過層が形成され、基板の表面側の水分不透過層上に輝尽性蛍光体層が形成された放射線像変換パネルが開示されている。
この特許文献１の放射線像変換パネルにおいては、水分不透過層として、金属酸化物層、陽極酸化層、およびポリイミドからなる層が例示されている。
【０００８】
また、特許文献２には、輝尽性蛍光体を用いたＸ線画像変換シートが開示されている。この特許文献２におけるＸ線画像変換シートは、輝尽性蛍光体層とアルミニウムからなる支持体の間に、分解能などの画像特性を得るために白色の酸化物の膜を形成したものである。この酸化物としては、アルミナが例示されている。
【０００９】
【特許文献１】国際公開第０２／０８６５４０号パンフレット
【特許文献２】特開平４−１１８５９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に開示された放射線像変換パネルにおいては、水分不透過層として、金属酸化物層、陽極酸化層、およびポリイミドからなる層が例示されているものの、陽極酸化層以外については、具体的な製造方法の例示がない。特許文献１に開示されているように、水分不透過層として、単に金属酸化物層、陽極酸化層、およびポリイミドからなる層を形成しただけでは、水分不透過層として十分な厚さの均一な膜を得ることは難しい。このため、水分不透過性能にムラが生じたり、水分不透過層上に形成された輝尽性蛍光体層の表面にうねりなどが生じ、蛍光体層の膜厚均一性に影響を与え、分解能などの画像特性を得ることができないという問題点がある。
【００１１】
さらに、特許文献１および特許文献２において、陽極酸化膜を設けた場合、この陽極酸化膜は多孔質であるため、表面の微小な粗さが増える。このため、陽極酸化膜上に形成される輝尽性蛍光体層の柱状性の劣化、およびヒロック（点欠陥）が生じ、最終的に得られる画像特性が劣化するという問題点がある。
【００１２】
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、長期に亘って、輝尽性蛍光体と金属基板との、水分を介した反応による基板の腐食を抑制し、得られる放射線画像の特性劣化がない放射線像変換パネルおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、金属または合金により構成された基板と、前記基板上に気相堆積法により形成された酸化物層と、前記酸化物層上に気相堆積法により形成された蛍光体層とを有することを特徴とする放射線像変換パネルを提供するものである。
【００１４】
本発明においては、前記気相堆積法により形成された酸化物層は、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法により形成されたものであることが好ましい。
【００１５】
また、本発明においては、前記酸化物層は、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３またはＴｉＯ２からなるものである。
【００１６】
さらに、本発明においては、前記酸化物層の厚さは、０．５μｍ以上であることが好ましい。
【００１７】
また、本発明においては、前記基板の表面の算術平均粗さＲａは、０．００５〜０．１μｍであることが好ましい。
さらに、本発明においては、前記基板の表面の最大高さＲｚは、０．００５〜１μｍであることが好ましい。
【００１８】
また、本発明においては、前記基板は、アルミニウムからなるものであることが好ましい。
さらに、本発明においては、前記蛍光体層は、ＣｓＢｒ：Ｅｕからなるものであることが好ましい。
【００１９】
また、本発明の第２の態様は、金属または合金により構成された基板上に気相堆積法により酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に蛍光体層を気相堆積法により形成する工程とを有することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の第１の態様の放射線像変換パネルによれば、酸化物層は、金属または合金からなる基板上に気相堆積法により形成されたものであるため、この酸化物層は、膜厚均一性が高く平滑で、さらには緻密なものであり、ピンホールなどの欠陥がない。このため、高温、かつ高湿のような厳しい条件下に曝されても、長期に亘って、輝尽性蛍光体と金属または合金からなる基板との水分を介した反応による基板の腐食を抑制することができる。これにより、長期に亘って、放射線像の特性劣化を抑制することができる。
また、本発明における酸化物層は、膜厚均一性が高く平滑で、さらには緻密なものであるため、酸化物層上に形成される輝尽性蛍光体層の異常成長（ヒロック）が抑制され、最終的に得られる放射線像に、画素抜けなどの点欠陥が生じることがない。
【００２１】
さらに、本発明の第２の態様の放射線像変換パネルの製造方法によれば、金属または合金により構成された基板上に気相堆積法により酸化物層を形成することにより、膜厚均一性が高く、平滑であり、さらには緻密で、ピンホールなどの欠陥がない酸化物層を得ることができる。このため、高温、かつ高湿のような厳しい条件下に曝されても、長期に亘って、輝尽性蛍光体と金属または合金からなる基板との水分を介した反応による基板の腐食を抑制することができる。これにより、長期に亘って、放射線像の特性劣化を抑制することができる。
また、本発明における酸化物層は、膜厚均一性が高く平滑で、さらには緻密なものであり、ピンホールなどの点欠陥が形成されることがないため、酸化物層上に形成される輝尽性蛍光体層の異常成長（ヒロック）が抑制され、最終的に得られる放射線像に、画素抜けなどの点欠陥が生じることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の放射線像変換パネルおよびその製造方法を詳細に説明する。
図１は本発明の実施形態に係る放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【００２３】
図１に示すように、放射線像変換パネル（以下、蛍光体パネルともいう）１０は、基板１２と、この基板１２の表面１２ａに形成された酸化物層１４と、この酸化物層１４上に形成された輝尽性蛍光体層（以下、蛍光体層という）１６と、この蛍光体層１６上に形成された防湿保護層１８とを有するものである。
【００２４】
蛍光体パネル１０においては、基板１２は、金属または合金からなるものであり、例えば、薄い板状部材またはシート部材である。本発明においては、基板１２は、金属または合金であれば、特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、ステンレス鋼、銅、クロムまたはニッケルなどが挙げられる。本実施形態においては、基板１２は、アルミニウムまたはアルミニウム合金により構成されることが好ましい。
【００２５】
また、基板１２は、その表面１２ａの算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４）が０．００５〜０．１μｍであること、および表面１２ａの最大高さＲｚ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１）が０．００５〜１μｍであることの少なくとも一方を満たすことが好ましい。
基板１２は、表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．００５〜０．１μｍであること、最大高さ（Ｒｚ）が０．００５〜１μｍであることの少なくとも一方を満たすことにより、表面１２ａに気相堆積法により形成される酸化物層１４は膜厚均一性が更に優れ、ピンホールなどの欠陥がないものであり、酸化物層１４上に形成される蛍光体層１６の異常成長（ヒロック）を更に抑制することができる。さらには、蛍光体層１６を柱状性が優れたものとすることもできる。これにより、蛍光体パネル１０で得られる放射線像の画質が更に高画質なものとなる。
【００２６】
酸化物層１４は、蛍光体層１６が吸湿した水分に起因する基板１２の腐食を抑制するものであり、気相堆積法により形成されたものである。この酸化物層１４は、気相堆積法により形成されるものであれば、特に限定されるものではない。例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３またはＴｉＯ２からなるものとすることができる。
【００２７】
酸化物層１４を形成するための気相堆積法は、膜厚均一性が高く、ピンホールなどがなく平滑かつ緻密で、水分が不透過な膜を形成することができれば、その方法は、特に限定されるものではなく、各種の物理的気相成長法（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）、または化学的気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）を用いることができる。本実施形態においては、気相堆積法のうち、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法により形成することが好ましい。これは、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびイオンビームアシスト蒸着法は、成膜される粒子（分子）のエネルギが高いため、気相堆積法の中でも特に、膜厚均一性が高く、平滑かつ緻密で、水分が不透過な膜が得られるためである。
【００２８】
本実施形態のイオンビームアシスト蒸着法においては、例えば、プラズマ室が付設された成膜（蒸着）チャンバーの内部に蒸発源およびイオンガンが設置され、蒸発源に対向して基板が設置された構成の装置が用いられる。このイオンビームアシスト蒸着法（以下、単にイオンビームアシストともいう）とは、プラズマ室により生成されたプラズマを、イオンガンによりガスイオンとして基板表面に照射しながら、同時に蒸発源から飛翔してきた粒子を基板の表面に蒸着させて膜形成を行う一種の特殊な真空蒸着方法である。
【００２９】
また、酸化物層１４の厚さＡは、０．５μｍ以上であることが好ましい。酸化物層１４の厚さが０．５μｍ以上であると、蛍光体層１６と基板１２との水分を介した反応により、基板１２が腐食されることを抑制する効果が長期に亘って発現するからである。
なお、酸化物層１４の厚さの上限値は、１０μｍである。酸化物層１４の厚さが１０μｍを超えると、酸化物層１４による光の散乱が大きくなる虞があるためである。この酸化物層１４の厚さの上限値は、酸化物層１４の材質、および要求される画質によって変わるものであり、本実施形態の１０μｍに限定されるものではない。
【００３０】
蛍光体層１６は、上述の如く、放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギに応じた輝尽発光を示すものである。
【００３１】
本発明においては、蛍光体層１６を形成する輝尽性蛍光体として、各種のものが利用可能であるが、一例として、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。
例えば、米国特許第３、８５９、５２７号明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｓｍ」、「ＳｒＳ：Ｅｕ、Ｓｍ」、「ＴｈＯ2 ：Ｅｒ」、および、「Ｌａ2 Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｓｍ」。
【００３２】
特開昭５５−１２１４２号公報に開示される、「ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｐｂ」、「ＢａＯ・ｘＡｌ2Ｏ3：Ｅｕ（但し、０．８≦ｘ≦１０）」、および、一般式「ＭIIＯ・ｘＳｉＯ2：Ａ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、ＣｄおよびＢａからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔｌ、ＢｉおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０．５≦ｘ≦２．５である。）
【００３３】
特開昭５５−１２１４４号公報に開示される、一般式「ＬｎＯＸ：ｘＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｌｎは、Ｌａ、Ｙ、ＧｄおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種であり、Ａは、ＣｅおよびＴｂの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００３４】
特開昭５５−１２１４５号公報に開示される、一般式「（Ｂａ1-x、Ｍ2+x）ＦＸ：ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ2+は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、ＹｂおよびＥｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．６であり、０≦ｙ≦０．２である。）
【００３５】
特開昭５９−３８２７８号公報に開示される、一般式「ｘＭ3（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ」または「Ｍ3（ＰＯ4）2・ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭおよびＮは、それぞれ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｓｂ、Ｔｌ、ＭｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１である。）
【００３６】
一般式「ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ’2：ｘＥｕ」または「ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ’2：ｘＥｕ、ｙＳｍ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｒｅは、Ｌａ、Ｇｄ、ＹおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＸおよびＸ’は、それぞれ、Ｆ、Ｃｌ、およびＢｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０-4＜ｘ＜３×１０-1であり、１×１０-4＜ｙ＜１×１０-1であり、さらに、１×１０-3＜ｎ／ｍ＜７×１０-1である。）
【００３７】
特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式「ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ''3：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭI は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭIIは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭIIIは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ、ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。）
【００３８】
特開昭５６−１１６７７７号公報に開示される、一般式「（Ｂａ1-X、ＭIIX）Ｆ2・ａＢａＸ2：ｙＥｕ、ｚＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、ＺｒおよびＳｃの少なくとも一種である。また、０．５≦ａ≦１．２５であり、０≦ｘ≦１であり、１×１０-6≦ｙ≦２×１０-1であり、０＜ｚ≦１×１０-2である。）
【００３９】
特開昭５８−６９２８１号公報に開示される、一般式「ＭIIIＯＸ：ｘＣｅ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIIは、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００４０】
特開昭５８−２０６６７８号公報に開示される、一般式「Ｂａ1-xＭaＬaＦＸ：ｙＥｕ2+」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｌは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０-2≦ｘ≦０．５であり、０≦ｙ≦０．１であり、さらに、ａはｘ／２である。）
【００４１】
特開昭５９−７５２００号公報に開示される、一般式「ＭIIＦＸ・ａＭIＸ’・ｂＭ’IIＸ''2・ｃＭIIIＸ3・ｘＡ：ｙＥｕ2+」で示される輝尽性蛍光体。（上記式においてＭIIは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種であり、ＭIは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ’IIは、ＢｅおよびＭｇの少なくとも一方の二価の金属であり、ＭIIIは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ａは、金属酸化物であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、それぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、およびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ≦２であり、０≦ｂ≦１×１０-2であり、０≦ｃ≦１×１０-2であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ≧１０-6であり、さらに、０＜ｘ≦０．５であり、０＜ｙ≦０．２である。）
【００４２】
特に、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭５９−３８２７８号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、ＭIが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００４３】
蛍光体層１６は、このような輝尽性蛍光体からなり真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等の各種の気相堆積法により形成されるものである。また、本発明において、蛍光体層１６は、酸化物層１４とは、例えば、異なる成膜装置により製造される。
中でも、生産性等の点で真空蒸着により形成された蛍光体層１６が好ましく、特に、蛍光体成分の材料と、付活剤（賦活剤：activator)成分の材料とを別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着により形成された蛍光体層１６が好ましい。例えば、前記「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」の蛍光体層１６であれば、蛍光体成分の材料として臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を、付活剤成分の材料として臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒx（ｘは、通常、２〜３））を、それぞれ用いて、別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着により形成されることが好ましい。
真空蒸着における加熱方法にも、特に限定はなく、例えば、電子銃等を用いる電子線加熱、または、抵抗加熱で形成されたものでもよい。さらに、多元の真空蒸着による形成される場合には、全ての材料を同様の同じ加熱手段（例えば、電子線加熱）で加熱蒸発してもよく、あるいは、蛍光体成分の材料は電子線加熱で、微量である付活剤成分の材料は抵抗加熱で、それぞれ加熱蒸発して形成されてもよい。
【００４４】
蛍光体層１６は、特に限定された成膜条件はなく、成膜方法または形成する蛍光体層１６の組成等に応じて、適宜、決定された成膜条件によって形成され、得られる蛍光体層１６であればよい。一例として、真空蒸着であれば、１×１０-5Ｐａ〜１×１０-2Ｐａの真空度で、０．０５μｍ／分〜３００μｍ／分の成膜速度で成膜し、得られる蛍光体層１６が好ましい。なお、多元の真空蒸着により形成される場合には、母体成分と付活剤成分の量比が目的範囲となるように、両材料の蒸発速度が制御される。
【００４５】
また、本件出願人の検討によれば、前述した各種の蓄積性蛍光体、特にアルカリハライド系蓄積性蛍光体、中でも特にＣｓＢｒ：Ｅｕを真空蒸着で成膜する場合には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、アルゴンガスまたは窒素ガス等を系内に導入して、０．０１Ｐａ〜３Ｐａ程度の中真空度とし、この中真空下で抵抗加熱による真空蒸着を行なうことにより、得られる蛍光体層１６が好ましい。前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ等のアルカリハライド系の蛍光体層は、柱状結晶構造を有するが、このような中真空下で成膜して得られる蛍光体層１６は、特に良好な柱状の結晶構造を有し、輝尽発光特性画像の鮮鋭性等の点で好ましい。
【００４６】
また、基板１２の加熱等によって、成膜中に、形成された蛍光体層１６を３００℃以下、好ましくは２００℃以下で加熱してもよい。
さらに、蛍光体層１６は、厚さＣも、特に限定されるものではないが、５０μｍ以上、特に、２００μｍ以上の蛍光体層１６が好ましい。
【００４７】
このようにして形成された蛍光体層１６は、輝尽発光特性を良好に発現させ、かつ、輝尽発光特性を向上させるために、加熱処理（アニール）が施される。
蛍光体層１６のアニール条件は、特に限定はないが、一例として、窒素ガス雰囲気等の不活性雰囲気下で、５０℃〜６００℃、特に、１００℃〜３００℃で、１０分〜１０時間、特に、３０分〜３時間行なうのが好ましい。
蛍光体層１６の加熱処理は、焼成炉を用いる方法等の公知の方法で実施すればよく、また、基板１２の加熱手段を有する真空蒸着装置であれば、これを利用して加熱処理を実施してもよい。
【００４８】
防湿保護層１８は、例えば、真空蒸着によって形成された蛍光体層１６を封止して、吸湿を防止するために、蛍光体層１６を覆って封止するために設けられるものである。この防湿保護層１８による封止には、例えば、熱ラミネーション法が用いられる。
【００４９】
また、本発明においては、防湿保護層１８は、十分な防湿性を有するものであれば、各種のものが利用可能であり、特に限定されるものではない。
一例として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、ＳｉＯ２膜とＳｉＯ２とＰＶＡ（ポリビニルアルコール）とのハイブリット層とＳｉＯ２膜との３層を形成してなる防湿保護層１８が例示される。これ以外にも、ガラス板（フィルム）、ポリエチレンテレフタレートまたはポリカーボネート等の樹脂フィルム、樹脂フィルムにＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣなどの無機物質が堆積したフィルム等も好ましく例示される。なお、ＰＥＴフィルム上に、ＳｉＯ２膜／ＳｉＯ２とＰＶＡとのハイブリット層／ＳｉＯ２膜の３層を形成した防湿保護層１８において、例えば、ＳｉＯ２膜は、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ２とＰＶＡのハイブリット膜は、ＰＶＡとＳｉＯ２の比率が１：１となるようにゾル・ゲル法を用いて、それぞれ形成すればよい。また、防湿保護層１８は、４０℃の温度で相対湿度が９０％の環境下において、透湿度が０．２〜０．６（ｇ／（ｍ２・ｄａｙ））であることが好ましい。
【００５０】
本実施形態においては、基板１２と蛍光体層１６との間に気相成長法により形成された膜厚均一性が優れ、かつ表面が平滑であるとともに膜質が緻密な酸化層１４が設けられている。この酸化物層１４は、膜質が緻密であり、陽極酸化膜の如くマイクロポーラスなどがなく、蛍光体層１６で吸湿された水分が酸化物層１４から基板１２への浸透を抑制することができる。このため、蛍光体と基板との水分を介した化学反応による基板１２の腐食を長期に亘り抑制することができる。ひいては、蛍光体パネル１０の放射線像の特性劣化を長期に亘り抑制できる。
【００５１】
さらに、酸化物層１４が、膜厚均一性が高く平滑、かつ緻密な構造であり、ピンホールなどの点欠陥がないため、その上に形成される蛍光体層１６は、柱状性が高い組織とすることができ、点欠陥などがなく膜質が優れたものとなる。
このように、本実施形態の蛍光体パネル１０においては、欠陥が少ない膜質が優れた蛍光体層１６を形成することができる。このため、画像の記録および再生に際して、得られる画像は、画素抜けなどの点欠陥がなく、長期に亘り良好な放射線像を得ることができる。
【００５２】
また、本実施形態の蛍光体パネル１０においては、蛍光体層１６の上に防湿保護層１８を設けることにより、非常に優れた耐湿性を発現し、高温、かつ高湿のような厳しい条件下でも、長期に亘って蛍光体層１６の吸湿を抑止し、良好な画像記録特性を維持することができる。
これにより、蛍光体層１６を形成する輝尽性蛍光体、特に、アルカリハライド系の輝尽性蛍光体は、吸湿性を有し、通常の環境下でも、容易に吸湿して、その結果、感度または再生画像の鮮鋭性の低下等を生じてしまう。このような不都合を防止することもできる。
【００５３】
次に、本実施形態の蛍光体パネル１０の製造方法について説明する。
先ず、金属または合金からなる基板１２（図１参照）を用意する。この基板１２は、例えば、アルミニウムからなるものであり、厚さＢが１ｍｍである。
次に、基板１２の表面１２ａ（図１参照）に、例えば、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法などの気相成長法により酸化物層１４（図１参照）を形成する。この酸化物層１４は、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、またはＴｉＯ２からなり、厚さＡが０．５μｍ以上である。なお、酸化物層１４の厚さＡの調整は、例えば、成膜速度を調整することにより行われる。
【００５４】
次に、真空蒸着法により、上述の組成を有する蛍光体層１６（図１参照）を形成する。
次に、蛍光体層１６に輝尽発光特性を良好に発現させ、かつ、輝尽発光特性を向上させるために、加熱処理（アニール）を施す。
【００５５】
次に、蛍光体層１６の上に、例えば、ディスペンサー等を用いて接着剤を塗布する。
次いで、例えば、ロール状に巻回された防湿保護フィルム（図示せず）を引き出し、熱ラミネーション法により、蛍光体層１６の上に防湿保護フィルムを貼り付けて防湿保護層１８（図１参照）を形成する。
このようにして、蛍光体パネル１０を製造することができる。
なお、防湿保護層１８は、予め接着剤が塗布された保護フィルムを用いて形成することもできる。
【００５６】
なお、本発明の蛍光体パネル１０の製造方法においては、上述のように酸化物層１４を形成する前に、反射膜またはバリア膜等を形成してもよい。これらの膜が表面に形成されたものを基板としてもよい。
【００５７】
また、封止接着層（図示せず）で防湿保護層１８と基板１２とを接着するときの接着強度を向上させ、かつ、熱ラミネーションを１回だけで、良好な接着強度が得られるように、防湿保護層１８による蛍光体層１６の封止に先立ち、蛍光体層１６を接着剤の軟化温度より３０℃低い温度から１５０℃までの範囲の温度に加熱しておくことが好ましい。この範囲の温度には、例えば、基板１２の加熱により行なうことができる。
【００５８】
以上、本発明の放射線像変換パネルおよびその製造方法について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良または変更を行ってもよいのは、もちろんである。
【実施例】
【００５９】
以下、本発明の具体的な実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないのは言うまでもない。
本実施例においては、下記表１に示す実施例１〜２０の放射線像変換パネル、比較例１、２の放射線像変換パネルおよび基準となる放射線像変換パネルを作製し、これらの各放射線像変換パネルについて以下に示す条件で画像評価を行った。
【００６０】
本実施例においては、実施例１〜２０の放射線像変換パネルの構成は、図１に示す蛍光体パネル１０の防湿保護層１８が設けられていない構成とした。また、比較例１、２の放射線像変換パネルの構成は、図１に示す蛍光体パネル１０の酸化物層１４および防湿保護層１８が設けられていない構成とした。
【００６１】
実施例１〜２０および比較例１、２の放射線像変換パネルにおいては、基板として、圧延の表面程度を異ならせた以下に示す３種類のアルミニウム基板（圧延成形品、住友軽金属工業株式会社製）を用いた。なお、アルミニウム基板には、純度が９５質量％のものを用い、基板の大きさは２００ｍｍ×２００ｍｍである。
基板の種類としては、第１に、厚さが１ｍｍで、比較的粗い品種（ＭＦ：算術平均粗さＲａが０．１９６μｍ）のものを用いた。また、第２に、厚さが１ｍｍで、比較的滑らかな元基板（ＳＬ：算術平均粗さＲａが０．０７４μｍ）に電解研磨を施して表面を滑らかにした品種（ＳＬ電解研磨：算術平均粗さＲａが０．０４８μｍ）のものを用いた。さらに、第３に、厚さが１０ｍｍのアルミニウム基板にラッピング研磨を施した品種（圧延ラッピング研磨：算術平均粗さＲａが０．０８３μｍ）のものを用いた。第３の基板だけ、厚さが１０ｍｍである。
【００６２】
次に、下記表１に示す実施例１〜２０の蛍光体パネルの製造方法について説明する。
先ず、各種基板について、界面活性剤を含む弱アルカリ性洗浄液にて脱脂、脱イオン水による水洗、および乾燥を行なった。
次に、各基板の表面に、下記表１に示すように、スパッタリングまたはイオンプレーティング、イオンビームアシストにより、材質がＳｉＯ２、またはＡｌ２Ｏ３からなる酸化物層を、その厚さＡ（図１参照）を変えて形成した。なお、酸化物層の厚さＡは、成膜速度が予め決定されているので、成膜時間により調整して、所定の厚さになるように形成した。
【００６３】
本実施例において、スパッタリングには、高周波（ＲＦ）スパッタ法を用いた。また、スパッタターゲットには、下記表１に示すＳｉＯ２、およびＡｌ２Ｏ３と略同じ組成を有する酸化物を用いた。このスパッタターゲットは、スパッタによる酸素欠損に対応するため、酸素の組成比を高くしたものであり、一方向に長く伸びたものである。また、導入ガスには、Ａｒガスを用い、チャンバー内の圧力（真空度）を０．５Ｐａとした。
なお、本実施例においては、スパッタリングによる成膜レートを２ｎｍ／秒とし、酸化物層の成膜時には、スパッタターゲットの長さ方向と交差するように、基板を移動させて、厚さが均一な酸化物層を形成した。
【００６４】
また、イオンプレーティングにおいては、プラズマ室が付設された成膜（蒸着）チャンバーを用いた。成膜チャンバーは、その内部の下方に、ＥＢ蒸発ハースが設けられている。このＥＢ蒸発ハースに対向した位置に基板ホルダーが回転可能に設置されている。
この成膜チャンバー内で、下記表１に示すＳｉＯ２、およびＡｌ２Ｏ３と略同じ組成を有する酸化物（成膜物質）を電子銃（ＥＢ）方式により蒸発させた。また、導入ガスには、Ａｒガスを用い、プラズマ室の圧力（真空度）を０．１Ｐａとした。さらに、成膜チャンバー内の圧力（真空度）は０．０１Ｐａ以下とした。
酸化物層の形成に際しては、プラズマ室で、Ａｒプラズマを生成し、蒸着チャンバー内の酸化物の蒸発流付近にＡｒプラズマを照射した。これにより、酸化物の蒸発粒子のエネルギを高めることができ、形成される酸化物層の緻密性および密着性が高められる。なお、イオンプレーティングによる成膜レートを２ｎｍ／秒とし、酸化物層の成膜時には、基板を基板ホルダーにより回転させながら、厚さが均一な酸化物層を形成した。
【００６５】
さらに、イオンビームアシストにおいては、プラズマ室が付設された成膜（蒸着）チャンバーを用いた。成膜チャンバーは、その内部の下方に、ＥＢ蒸発ハースおよびイオンガンが設けられている。このＥＢ蒸発ハースに対向した位置に基板ホルダーが回転可能に設置されている。また、イオンガンは、プラズマ室で生成されたプラズマをガスイオンとして、基板ホルダーに取付けられた基板に照射するものである。
イオンビームアシスト蒸着法によれば、成膜チャンバー内で、下記表１に示すＳｉＯ２と略同じ組成を有する酸化物（成膜物質）を電子銃（ＥＢ）方式により蒸発させた。また、導入ガスには、Ａｒガスを用い、プラズマ室の圧力（真空度）を０．１Ｐａとした。さらに、成膜チャンバー内の圧力（真空度）は０．０１Ｐａ以下とした。
酸化物層の形成に際しては、プラズマ室で、Ａｒプラズマを生成し、イオンガンにより、Ａｒ＋イオンを蒸着チャンバー内の基板に照射した。
イオンビームアシストにおいては、Ａｒ＋イオンの運動エネルギにより、形成される酸化物層の緻密性および密着性が高められる。なお、イオンビームアシストによる成膜レートを０．８ｎｍ／秒とし、酸化物層の成膜時には、基板を基板ホルダーにより回転させながら、厚さが均一な酸化物層を形成した。
【００６６】
次に、蛍光体層の形成方法について説明する。
先ず、蛍光体層の形成装置である真空蒸着装置について説明する。なお、本実施例において、蛍光体層の形成装置は、酸化物層の形成装置とは異なるものを用いた。本実施例においては、図２に示すように、基板Ｐを搬送方向に直線搬送しつつ真空蒸着を行なう真空蒸着装置を用いた。
真空蒸着装置においては、真空チャンバ（図示せず）内の下方に加熱蒸発部１００が配置されている。また、本実施例の真空蒸発装置は、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）および臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ2）を成膜材料として用い、これらを個々に加熱蒸発させる二元の真空蒸着を行なうものである。このため、加熱蒸発部１００は、ユーロピウム蒸発部（以下、Ｅｕ蒸発部という）１０２ｂと、セシウム蒸発部（以下、Ｃｓ蒸発部という）１０２ａとを有している。
【００６７】
加熱蒸発部１００（Ｃｓ蒸発部１０２ａおよびＥｕ蒸発部１０２ｂ）は、基板Ｐの搬送方向と直交する方向に、Ｃｓ蒸発部１０２ａおよびＥｕ蒸発部１０２ｂがそれぞれ６つ配列されている。また、加熱蒸発部１００の上方には、それぞれ、Ｃｓ蒸発部１０２ａおよびＥｕ蒸発部１０２ｂに対応するシャッタ（図示せず）が配置されている。
【００６８】
Ｅｕ蒸発部１０２ｂは、抵抗加熱装置（図示せず）によって、蒸発位置（ルツボ容器）に収容した臭化ユーロピウム（付活剤材料）を、抵抗加熱して蒸発させる機能を有する。
また、Ｃｓ蒸発部１０２ａは、抵抗加熱装置（図示せず）によって、蒸発位置（ルツボ容器）に収容した臭化セシウム（母体結晶材料）を、抵抗加熱して蒸発させる機能を有する。
また、真空チャンバ内には、基板Ｐを保持する基板ホルダー（図示せず）が設けられている。この基板ホルダーは、基板Ｐを搬送方向（ルツボの配列方向と直交する方向）に直線搬送可能な搬送機構に取り付けられている。これにより、基板Ｐは、直線状に複数回往復搬送することができる。さらに、この真空チャンバには真空排気装置が接続されている。このような構成の真空蒸着装置を用いて蛍光体層を形成した。
【００６９】
次に、蛍光体層の形成方法について説明する。
本実施例においては、蒸発源として、純度が４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末、および純度が３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）の溶融品を用意した。ＥｕＢｒ２溶融品は、酸化を防ぐため十分なハロゲン雰囲気としたチューブ炉中にて、白金製るつぼに粉体を入れ、温度８００℃に加熱して溶融、冷却後、炉から取り出して作製した。各原料中の微量元素をＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析−質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ）はそれぞれ１０質量ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）などの他の元素は、２質量ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒ２中のＥｕ以外の希土類元素は各々２０質量ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０質量ｐｐｍ以下であった。これらの原料は、吸湿性が高いので、露点−２０℃以下の乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に取り出すようにした。
【００７０】
蛍光体層の形成に際しては、先ず、表面に酸化物層が形成された基板を真空蒸着装置内の基板ホルダーに設置した。なお、基板Ｐと加熱蒸発部１００との距離は１５ｃｍとした。
ＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒ２蒸発源を装置内の抵抗加熱用ルツボ容器に充填した後、メイン排気バルブを開いて装置内を排気して、１×１０−３Ｐａの真空度とした。
このとき、真空排気装置としては、ロータリーポンプ、メカニカルブースター、およびディヒュージョンポンプの組み合わせたものを用いた。さらに、水分除去のため、水分排気用のクライオポンプを使用した。その後、排気をメイン排気バルブからバイパスに切り換え、装置内にＡｒガスを導入して、０．５Ｐａの真空度とし、プラズマ発生装置（イオンガン）によりＡｒプラズマを発生させ、酸化物層の表面の洗浄を行なった。
【００７１】
その後、排気をメイン排気バルブに切り換えて１×１０−３Ｐａの真空度まで排気後、再度排気をバイパスに切り換え、Ａｒガスを導入して１Ｐａの真空度とした。
【００７２】
基板Ｐと加熱蒸発部１００（Ｃｓ蒸発部１０２ａおよびＥｕ蒸発部１０２ｂ）との間に設けられたシャッタを閉じた状態で、各蒸発源（ＣｓＢｒおよびＥｕＢｒ2）をそれぞれ抵抗加熱装置で加熱溶融した後、まず、Ｃｓ蒸発部１０２ａ側のシャッタだけを開けて、基板Ｐの表面にＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させた。
次いで、シャッタを開けた３分後にＥｕ蒸発部１０２ｂ側のシャッタも開いて、ＣｓＢｒ蛍光体母体の上にＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。
このとき、形成される蛍光体層の厚さを均一にするため、基板Ｐを周期的に、２００ｍｍ／秒の搬送速度で直線搬送した。
【００７３】
なお、堆積速度は８μｍ／分とした。また、加熱蒸発部１００の各々の抵抗加熱装置の抵抗電流を調整して、輝尽性蛍光体層におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が、０．００１／１となるように制御した。
蒸着終了後、装置内を大気圧にし、装置から基板を取り出した。次に、熱処理炉に基板を入れて、熱処理炉の内部を窒素ガス雰囲気にし、温度２００℃で２時間、熱処理を行なった。
【００７４】
これにより、基板の酸化物層上には、蛍光体の柱状結晶が略垂直方向に延びた密に林立した構造の蛍光体層が形成された。なお、蛍光体層の厚さＣは、６００μｍであり、蛍光体層が形成されている面積は、２００ｍｍ×２００ｍｍであった。
このようにして、共蒸着により基板と、酸化物層と、蛍光体層とからなる実施例１〜２０の放射線像変換パネルを作製した。なお、比較例１、２は、酸化物層を形成せずに、基板表面に直接蛍光体層を形成したものである。
【００７５】
また、評価の基準となるものとして、図３に示すようなガラス基板２２と、ガラス基板２２の表面２２ａに形成された蛍光体層２４とからなる放射線像変換パネル２０（以下、基準パネルという）を作製した。この基準パネル２０における蛍光体層２４は、実施例１〜２０と同様に形成し、その厚さｓは６００μｍであった。なお、基準パネル２０においても、防湿保護層は形成していない。
なお、ガラス基板には、コーニング社製の「Ｅａｇｌｅ２０００（商品名）」を用いた。このガラス基板は、厚さが０．６３ｍｍ、大きさが２００ｍｍ×２００ｍｍである。
【００７６】
また、基板の表面粗さは、以下に示すように測定した。先ず、キーエンス社製の超深度形状測定顕微鏡（ＶＫ−８５５０）により、各品種の基板の表面形状を観察し、それぞれ各品種の基板の表面形状のデータを得た。なお、表面粗さの測定条件としては、高さ測定ピッチ（測定分解能）を０．０１μｍとし、測定領域を１００μｍ四方とした。
次に、各品種の基板の表面形状のデータを基に画像計測・解析ソフト（ＶＫ−Ｈ１Ａ７）を用いて算術平均粗さＲａを求めた。なお、算術平均粗さＲａの計算式は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４に準じている。
【００７７】
本実施例においては、作製した各放射線像変換パネルについて、下記表１に示す「蛍光体層／基板湿度劣化」の評価方法による評価を行った。この「蛍光体層／基板湿度劣化」について説明する。
先ず、恒温恒湿環境に曝す前に、作製した各放射線像変換パネルの表面に、タングステン管球を用い、管電圧が８０ｋＶｐのＸ線を線量１０ｍＲ（２．５８×１０−６Ｃ／ｋｇ）で照射した後、波長が６６０ｎｍの半導体レーザ光を５Ｊ／ｍ２の励起エネルギで放射線像変換パネルに照射し、放射線像変換パネルの表面から放射された輝尽発光光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電子倍増管）にて受光した。この受光した光を電気信号に変換し、これに基づいて、電気信号をデジタル信号にし、画像として構成する画像再生装置によって画像を得、読み取った画像をレーザプリンタによりフィルム上に可視像として出力した。
【００７８】
次に、作製した各放射線像変換パネルを、温度が３２℃、相対湿度が８０％の恒温恒湿槽の中に２４時間放置した。その後、恒温恒湿槽から取り出し、上述の画像を得た方法と同じ条件および方法により湿度劣化後の画像を得、読み取った画像をレーザプリンタによりフィルム上に可視像として出力した。
【００７９】
各蛍光体パネルについて試験前の画像と試験後の画像との変化について評価した。評価については、基準パネルの変化と比較し、目視により各放射線像変換パネルの画質についてＡ〜Ｅの５段階で評価した。これらの結果を下記表１に示す。
なお、基準パネルの変化は、蛍光体層の湿度劣化により、粒状性の変化が極僅かに見られるものであった。
【００８０】
評価基準は、試験前に対して試験後の粒状性の変化が基準パネルと同等の場合を「Ａ」とし、試験後の粒状性の変化が基準パネルに対して注意深く見て僅かに劣る場合を「Ｂ」とし、試験後の粒状性の変化が基準パネルに対してはっきりと劣る場合を「Ｃ」とし、試験後の粒状性の変化が基準パネルに対して大きく劣るものの、１ｍｍ以上の長周期のアーティファクトが見られない場合を「Ｄ」とし、試験後の粒状性の変化が明確なアーティファクトが見られ、医療画像として不可である場合を「Ｅ」とした。
なお、本実施例においては、評価の基準として、基板の腐食が生じないガラス基板のものを用いており、全て同じ蛍光体層を形成しているため、基板の腐食の影響を調べることができる。
【００８１】
【表１】
2006119124.tif 000003
【００８２】
上記表１に示すように、実施例１〜実施例２０は、いずれも医療画像として十分な画質が得られた。
実施例１〜実施例３は、酸化物層の厚さが０．５μｍ未満であり、好ましい範囲から外れていたため、実施例の中では、評価が低かった。実施例４〜実施例２０は、酸化物層の厚さが０．５μｍ以上であり、好ましい範囲にあるため、評価が相対的に高いものであった。
【００８３】
また、実施例４〜２０においては、基板の表面粗さが同じであれば、酸化物層の厚さが厚いものの方が、評価が良かった。また、実施例４〜２０においては、酸化物層の材質が同じであれば、厚さが厚い方が評価は良い傾向にあった。
さらに、基板の表面粗さが好ましい範囲（算術平均粗さＲａが０．００５〜０．１μｍ）にある実施例１０、１１、１４〜２０は、基板の表面粗さが好ましい範囲を超える実施例８、９、１２、１３よりも評価が良い傾向にあった。
【００８４】
一方、酸化物層が形成されていない比較例１および比較例２は、いずれも蛍光体層／基板湿度変化の評価が「Ｅ」であり、医療画像として十分な画質が得られなかった。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施形態に係る放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。
【図２】本発明の実施例の放射線像変換パネルの作製に用いた真空蒸着装置の概略構成を示す模式的平面図である。
【図３】本発明の実施例の基準となる放射線像変換パネル（基準パネル）を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００８６】
１０、２０  放射線像変換パネル（蛍光体パネル）
１２  基板
１２ａ、２２ａ  表面
１４  酸化物層
１６、２４  輝尽性蛍光体層（蛍光体層）
１８  防湿保護層
２２  ガラス基板
【図１】
2006119124.tif 000004
【図２】
2006119124.tif 000005
【図３】
2006119124.tif 000006