(57)【要約】【課題】本発明は、低ＥＳＬの固体電解コンデンサに関するものであり、低ＥＳＬを保ったまま、コンデンサ陽極とコンデンサ陰極とを対向位置に配置する構造を実現し、低ＥＳＬのコンデンサの大容量化を目的とするものである。【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、陰極１０５と対向位置に配置させた陽極１０１を、中心部に形成したスルーホール電極１０６により、陰極１０５側に引き出した構造としたものである。【選択図】図１
2006165152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状の陽極と、この陽極上面に形成された誘電体被膜と、この誘電体被膜上面の一部に形成された絶縁層と、この絶縁層外周の誘電体上面に形成された固体電解質層と、この固体電解質層上面に形成された陰極とを備え、前記絶縁層部分には、この絶縁層とその下側の前記誘電体被膜、前記陽極とを貫通する貫通孔を設け、前記絶縁層上面から前記陰極との間を隔てて、前記貫通孔の前記絶縁層、前記誘電体被膜、前記陽極部分に達するスルーホール電極を設けたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】
絶縁層が誘電体被膜上面の中心部に形成されたことを特徴とする請求項１記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
陽極と陰極とが略平行に設けられたことを特徴とする請求項１記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
請求項１記載の固体電解コンデンサを内蔵する第２の絶縁層と、この第２の絶縁層に形成された配線パターンとを備えた固体電解コンデンサ内蔵基板において、前記固体電解コンデンサにおけるスルーホールが前記第２の絶縁層を貫通していることを特徴とする固体電解コンデンサ内蔵基板。
【請求項５】
陽極の少なくとも片面に多孔質部を形成し、次に、前記陽極の多孔質部に誘電体被膜を形成し、そして、この誘電体被膜の上面の中央部に絶縁層を形成し、さらに、この絶縁層形成部を除く前記誘電体被膜の上面に固体電解質層を形成し、その後、この固体電解質層の上面に前記陽極と略平行に配置された陰極を形成し、さらに、前記陽極と前記誘電体被膜と前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成し、その後、前記陽極と電気接続するスルーホール電極を形成する固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項６】
配線パターンとなる金属箔の上に、未硬化の第２の絶縁層、請求項１記載の固体電解コンデンサを順に積層し、次に、前記第２の絶縁層を硬化することで前記金属箔と、前記第２の絶縁層と、前記固体電解コンデンサとを一体化することで固体電解コンデンサ内蔵基板体を形成し、その後、この固体電解コンデンサ内蔵基板体に貫通孔を形成し、さらに、この貫通孔にスルーホール電極を形成して前記固体電解コンデンサ内の陽極あるいは陰極と電気接続し、その後、前記金属箔をパターニングして配線パターンを形成してなる固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
配線パターンとなる金属箔の上に、未硬化の第２の絶縁層、請求項２記載の固体電解コンデンサを順に積層し、次に、前記第２の絶縁層を硬化することで前記金属箔と、前記第２の絶縁層と、前記固体電解コンデンサとを一体化することで固体電解コンデンサ内蔵基板体を形成し、その後、この固体電解コンデンサ内蔵基板体に貫通孔を形成し、さらに、この貫通孔にスルーホール電極を形成して前記固体電解コンデンサ内の陽極あるいは陰極と電気接続し、その後、前記金属箔をパターニングして配線パターンを形成してなる固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
配線パターンとなる金属箔の上に、未硬化の第２の絶縁層、請求項３記載の固体電解コンデンサを順に積層し、次に、前記第２の絶縁層を硬化することで前記金属箔と、前記第２の絶縁層と、前記固体電解コンデンサとを一体化することで固体電解コンデンサ内蔵基板体を形成し、その後、この固体電解コンデンサ内蔵基板体に貫通孔を形成し、さらに、この貫通孔にスルーホール電極を形成して前記固体電解コンデンサ内の陽極あるいは陰極と電気接続し、その後、前記金属箔をパターニングして配線パターンを形成してなる固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
電子機器のデジタル化に伴い電源の駆動周波数が上昇しているため、高周波領域までノイズを低減できる低等価直列インダクタンス（以下、低ＥＳＬとする）の固体電解コンデンサが求められている。
【０００２】
本発明は、この低ＥＳＬの固体電解コンデンサ及び、低ＥＳＬの固体電解コンデンサを内蔵した固体電解コンデンサ内蔵基板及びそれらの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
従来、この種の固体電解コンデンサは、断面図１７に示されるような構成をしていた。
【０００４】
図において、陽極箔１Ａと陰極箔１Ｂとが水平方向に離間して配置され、貫通孔２Ａ、貫通孔２Ｂに通された導電性ペースト３等により、陽極箔１Ａと三端子コンデンサ陽極４Ａ、陰極箔１Ｂと三端子コンデンサ陰極４Ｂとが電気的に接合されている。
【０００５】
このような構成により、固体電解コンデンサが構成されていた。
【０００６】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００３−１５８０４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このような従来の低ＥＳＬの固体電解コンデンサは、大容量に適さないことが問題となっていた。
【０００８】
すなわち、上記従来の構成においては、低ＥＳＬの実現のため陰極リード線の長さを短くすることを目的とし、陽極箔１Ａと陰極箔１Ｂとを水平方向に離間して配置していた。そのため、三端子コンデンサ陽極４Ａと三端子コンデンサ陰極４Ｂとを対向位置に存在させることができず、大容量化に適さない構造となっていた。
【０００９】
そこで本発明は、低ＥＳＬを保ったまま、コンデンサ陽極とコンデンサ陰極とを対向位置に配置する構造を実現し、低ＥＳＬのコンデンサの大容量化を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そして、この目的を達成するために本発明は、陰極と対向位置に配置させた陽極を、中心部に形成したスルーホール電極により陰極側に引き出した構造としたものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の固体電解コンデンサは、中心に陽極を取り出すスルーホールを設けたため、高周波電流を相殺し、且つリード線の長さを実質上ゼロにすることができるため低ＥＳＬを保っており、その上で、コンデンサ陽極とコンデンサ陰極とを対向位置に設けることができるため、低ＥＳＬのコンデンサの大容量化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における固体電解コンデンサについて図面を参照しながら説明する。
【００１３】
図１は本実施形態における固体電解コンデンサの断面図、図２は本実施形態における固体電解コンデンサの上面図である。
【００１４】
図１に示す平面状の陽極１０１には、少なくとも片面に多孔質部（図示せず）が形成されており、その表面に誘電体被膜１０２を形成する。そして、この誘電体被膜１０２の中央部に絶縁層１０３を形成し、この誘電体被膜１０２上の絶縁層１０３形成部を除いた部分に、固体電解質層１０４を形成する。次に固体電解質層１０４の表面に、陰極１０５を設けることで、固体電解コンデンサとして機能する。そして、この固体電解コンデンサの中心部には貫通孔１０９があり、この貫通孔１０９の内周面にはスルーホール電極１０６を陽極１０１と電気接続するように形成している。
【００１５】
ここで、陽極１０１が弁金属であれば、酸などのエッチングにより、容易に多孔質部（図示せず）を形成することができる。多孔質部（図示せず）を形成することで、固体電解コンデンサとして機能する面積を拡大し、容量の更なる拡大を図ることができる。あるいは、タンタル、ニオブ、チタンなどの粉末を陽極１０１の片面に多孔質の焼結膜として形成することもできる。また、陽極１０１として箔形状の材料を用いることで、固体電解コンデンサの薄型化を図ることができる。さらに、陽極１０１の片面に金、銀、銅、ニッケル、半田、スズ等をメッキ等の手段によって形成しておくことで、陽極１０１をスルーホール電極１０６や基板（図示せず）に実装しやすくなる。また、適度な厚みを持たせることで、取り扱い性・加工性を向上させることができる。
【００１６】
ここで、誘電体被膜１０２は、陽極１０１の表面を酸化することにより形成すると、薄く形成することができるため、容量の増加を図ることができる。
【００１７】
ここで、絶縁層１０３は、スルーホール電極１０６を、固体電解質層１０４及び陰極１０５から電気的に絶縁する機能を有する。この絶縁層１０３としては、樹脂または樹脂と補強材との混合物などを用いることができる。樹脂としては、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等を用いることができ、補強材としては、シリカやアルミナ、水酸化アルミナの様なフィラ形状のものや、ガラスクロス、アラミド不織布といった構造体を用いることで強度の向上を図ることができる。また、絶縁層１０３の厚みを制御することで固体電解コンデンサの形状を安定・制御させることができ、厚みの精度よく固体電解コンデンサを形成することで、基板に対する内蔵の容易化を図ることができる。
【００１８】
なお、樹脂や補強材は、上記の種類に限定されない。
【００１９】
ここで、固体電解質層１０４は、誘電体被膜１０２の上に導電性高分子材料を用いて形成することができる。この固体電解質層１０４はポリピロール、ポリチオフェン、ポリアリニン等の機能性高分子層を化学重合や電解重合によって形成したり、硝酸マンガン溶液を含浸させて熱分解したりすることによって二酸化マンガン層を形成することができる。高い誘電率を持つので固体電解コンデンサとして有利である。
【００２０】
ここで、陰極１０５は、固体電解質層１０４の表面に、カーボン、銀ペーストまたは、金属箔などを用いて形成することができ、外部への電極取り出しを容易にしている。
【００２１】
ここで、スルーホール電極１０６は、陽極１０１を陰極１０５が形成されている面に図２のごとく電気的に引き出している。そうすることで、片面実装が可能となる上に、配線長を短くできることによる配線抵抗の低下を図ることができる。また、陽極１０１表面が酸化した場合にプリント基板（図示せず）への実装抵抗の上昇が懸念されるが、スルーホール電極１０６は陽極１０１の貫通孔１０９に形成されるため表面酸化の影響を受けず、このスルーホール電極１０６に低抵抗の金属を用いれば、低抵抗で陽極を実装することができる。さらに、このスルーホール電極１０６を固体電解コンデンサの中心部に形成しているため対称構造となっており、電圧変動などでコンデンサに流れる高周波電流が互いに打ち消し合い、実際に流れる電流量を減少させることができるため低ＥＳＬを実現できる。
【００２２】
なお、固体電解質層１０４は絶縁層１０３上に形成されていても、スルーホール電極１０６と絶縁されていればよい。
【００２３】
なお、陰極１０５は絶縁層１０３上に形成されていても、スルーホール電極１０６と絶縁されていればよい。
【００２４】
なお、スルーホール電極１０６はフィルドメッキされていてもよく、樹脂が充填されていてもよい。
【００２５】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２における固体電解コンデンサについて図面を参照しながら説明する。
【００２６】
図３は本実施形態における固体電解コンデンサの断面図である。なお、実施の形態１の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。
【００２７】
図３において、実施の形態１と相違する点は、陽極１０１の片面ではなく、両面に誘電体被膜１０２、絶縁層１０３、固体電解質層１０４、陰極１０５をそれぞれ図３のごとく形成し、スルーホール電極１０６が２層の絶縁層１０３を貫通している点である。なお、スルーホール電極１０６は実施の形態１と同様に陽極１０１と電気的に接続されている。
【００２８】
この構成により、小さな体積で２倍の容量を得ることができる。
【００２９】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３における固体電解コンデンサについて図面を参照しながら説明する。
【００３０】
図４は本実施形態における固体電解コンデンサの断面図、図６は本実施形態におけるアレイ状固体電解コンデンサの上面図である。なお、実施の形態１の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。
【００３１】
図４において、実施の形態１と相違する点は、切断面用絶縁層１０３Ａを設けた点である。
【００３２】
例えば図６のようなアレイ状の固体電解コンデンサを切断して、一つずつの固体電解コンデンサにする場合、切断面の歪みにより固体電解質層１０４と陽極１０１とが接触してしまうことがある。
【００３３】
しかし、この構成により、切断面用絶縁層１０３Ａ部で切断すれば、切断面に歪みが生じても切断面には固体電解質層１０４が存在しないため、固体電解質層１０４と陽極１０１との接触を防ぐことができる。
【００３４】
（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４における固体電解コンデンサについて図面を参照しながら説明する。
【００３５】
図５は本実施形態における固体電解コンデンサの断面図である。なお、実施の形態１の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。
【００３６】
図５において、実施の形態１と相違する点は、陽極１０１の多孔質部（図示せず）が設けられていない面に、陽極１０１と電気的に接続しているメッキ層１０７を設けた点である。メッキ層１０７には、金、銀、銅、半田、ニッケル、スズから選ばれる一つ以上の材料から形成されることが望ましい。
【００３７】
この構成により、スルーホール電極１０６と陽極１０１との電気接続が容易となる。
【００３８】
なお、メッキ層１０７の材料は以上のものに限定しない。
【００３９】
（実施の形態５）
以下、本発明の実施の形態５における固体電解コンデンサについて図面を参照しながら説明する。
【００４０】
図７は本実施形態における固体電解コンデンサの断面図、図８は本実施形態における固体電解コンデンサの上面図である。なお、実施の形態４の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。
【００４１】
図７、図８において、実施の形態４と相違する点は、図８に示すように貫通孔１０９中心部に対して対称位置に複数の貫通孔１０９Ａを設け、その内周に図７のごとく第２のスルーホール１０８と、第２のスルーホール用絶縁層１０３Ｂを設けた点である。ここで第２のスルーホール１０８は陰極１０５と電気接続されており、第２のスルーホール用絶縁層１０３Ｂは第２のスルーホール１０８と固体電解質層１０４、誘電体被膜１０２、陽極１０１とを絶縁する役目を果たしている。
【００４２】
この構成により、陽極１０１側からの陰極１０５の電気引き出しを可能としている。
【００４３】
（実施の形態６）
以下、本発明の実施の形態６における固体電解コンデンサについて図面を参照しながら説明する。
【００４４】
図９は本実施形態における固体電解コンデンサの断面図である。なお、実施の形態４の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。
【００４５】
図９において、実施の形態４と相違する点は、メッキ層１０７を覆う形で外部絶縁層１０３Ｃを形成し、絶縁層１０３から外部絶縁層１０３Ｃを貫通するようにスルーホール電極１０６が形成されている点である。
【００４６】
この構成により、物理的な強度が上がるため、コンデンサの取り扱いが向上するとともに、湿度や物理的な接触による影響を低減することができる。
【００４７】
（実施の形態７）
以下、本発明の実施の形態７における固体電解コンデンサ内蔵基板について図面を参照しながら説明する。
【００４８】
図１１は本実施形態における固体電解コンデンサ内蔵基板の断面図である。なお、実施の形態６の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。
【００４９】
図１１において、実施の形態６と相違する点は、絶縁層１０３とスルーホール電極１０６との間に第２の絶縁層１１０Ａと、外部絶縁層１０３Ｃの代わりに第２の絶縁層１１０Ｂと、陰極１０５の上面に導電性材料１１２と、さらにその導電性材料１１２の上面や第２の絶縁層１１０Ｂの表面に配線パターン１１１を形成した点である。
【００５０】
ここで、第２の絶縁層１１０Ａ、第２の絶縁層１１０Ｂとしては、一般に、プリント配線基板に用いられる樹脂およびその混合物を用いることができる。例えば、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂や、補強剤としてフィラや、ガラスクロス、アラミド不織布等を含む樹脂混合物を用いることができる。絶縁層１０３と同じ材料を用いた場合、熱膨張などが同じであり、信頼性が向上する。
【００５１】
ここで、配線パターン１１１は、電気伝導性を有する物質からなり、例えば、金属箔や導電性樹脂組成物、金属板を加工したリードフレームを用いることができる。金属箔やリードフレームを用いることにより、エッチング等により微細な配線パターンの形成も可能となる。また、金属箔においては、離型フィルムを用いた転写などによる配線パターンの作成も可能となる。特に銅箔は値段も安く、電気伝導性も高いため好ましい。また、離型フィルム上に配線パターンを形成することにより、電気抵抗の低い、厚みのある金属を使用できる。また、エッチングによる微細パターン化や打ち抜き加工などの簡易な製造法を使うことができる。また、これらの配線パターン１１１は表面にメッキ処理をすることにより、耐食性や電気伝導性を向上させることができる。また、配線パターン１１１の第２の絶縁層１１０Ｂとの接触面を粗化することで、第２の絶縁層１１０Ｂとの接着性を向上させることができる。配線パターン１１１は、表層側に半導体や電子部品を実装することも可能である。
【００５２】
固体電解コンデンサ２００Ａは、陰極１０５によって、導電性材料１１２を解し、配線パターン１１１に実装されている。導電性材料１１２としては、銀ペーストなどの導電性接着剤や、半田などを用いることができる。また、超音波接合による実装であってもよい。
【００５３】
スルーホール電極１０６は、第２の絶縁層１１０Ａから第２の絶縁層１１０Ｂを貫通しており、陰極１０５が形成されている面、及びその対面に陽極１０１を電気的に引き出しており、実施の形態１と同様に低ＥＳＬを実現できる。また、スルーホール電極１０６は配線パターン１１１の一部と接続していてもよい。
【００５４】
このような構成により、本発明の固体電解コンデンサを第２の絶縁層１１０Ａ、第２の絶縁層１１０Ｂ、及び配線パターン１１１を有する回路基板に内蔵している。
【００５５】
（実施の形態８）
以下、本発明の実施の形態８における固体電解コンデンサ内蔵基板について図面を参照しながら説明する。
【００５６】
図１２は本実施形態における固体電解コンデンサ内蔵基板の断面図である。なお、実施の形態７の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。
【００５７】
図１２において、実施の形態７と相違する点は、実施の形態７で用いた図１１における第２の絶縁層１１０Ｂ部に、第３のスルーホール電極１１３を設けた点である。
【００５８】
このような構成により、配線パターン１１１の回路設計を容易に行うことができる。
【００５９】
なお、第３のスルーホール電極１１３は配線パターン１１１の一部と接続していてもよい。
【００６０】
なお、この第３のスルーホール電極１１３はスルーホール以外にインナービアを用いてもよい。
【００６１】
なお、固体電解コンデンサ２００Ａは導電性材料１１２として、ビアペーストによる接続でも配線パターン１１１に実装することができる。
【００６２】
（実施の形態９）
以下、本発明の実施の形態９における固体電解コンデンサ内蔵基板について図面を参照しながら説明する。
【００６３】
図１３は本実施形態における固体電解コンデンサ内蔵基板の断面図である。なお、実施の形態８、及び実施の形態５の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。
【００６４】
図１３において、実施の形態８と相違する点は、導電性材料（図１２の１１２）を用いずに、陰極１０５と第２のスルーホール電極１０８とを電気接続させた点である。
【００６５】
このような構成により、導電性材料（図１２の１１２）による実装を行わずに固体電解コンデンサ２００Ｂと配線パターン１１１とを電気接続することが可能となる。
【００６６】
（実施の形態１０）
以下、本発明の実施の形態１０における固体電解コンデンサ内蔵基板について図面を参照しながら説明する。
【００６７】
図１４は本実施形態における固体電解コンデンサ内蔵基板の断面図である。なお、実施の形態５の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。
【００６８】
図１４において、実施の形態５と相違する点は、実施の形態５に記載の固体電解コンデンサ２００Ｂに第２の絶縁層１１０及び配線パターン１１１を多層配線板状に形成し、第２の絶縁層１１０には第３のスルーホール電極１１３を設けた点である。
【００６９】
このような多層配線板状構造にすることにより、より複雑な回路を形成することができる。
【００７０】
なお、固体電解コンデンサ２００Ｂは、第２の絶縁層１１０において、どの層にあってもよい。
【００７１】
（実施の形態１１）
以下、本発明の実施の形態１１における固体電解コンデンサ内蔵基板について図面を参照しながら説明する。
【００７２】
図１５は本実施形態における固体電解コンデンサ内蔵基板の断面図である。なお、実施の形態５の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。
【００７３】
図１５において、実施の形態５と相違する点は、実施の形態５に記載の固体電解コンデンサ２００Ｂに第２の絶縁層１１０及び配線パターン１１１を多層配線板状に形成し、いくつかの配線パターン１１０に電気接続するインナービア１１４を形成した点である。
【００７４】
このような多層配線板状構造にすることにより、より複雑な回路を形成することができ、さらに、このインナービア１１４を用いることで、より複雑な回路を形成することができる。
【００７５】
なお、固体電解コンデンサは、第２の絶縁層１１０において、どの層にあってもよい。
【００７６】
（実施の形態１２）
以下、実施の形態１記載の固体電解コンデンサの製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００７７】
図１０（ａ）〜（ｈ）は本発明の実施の形態１記載の固体電解コンデンサの製造方法を示す断面工程図である。なお、実施の形態１の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。
（ａ）まず、陽極１０１表面に多孔質部（図示せず）を形成する。形成方法としては酸などによるエッチングを用いてもよいし、また、溶剤中に陽極１０１を浸漬し、電界をかけてもよい。
（ｂ）次に、陽極１０１の一表面に誘電体被膜１０２を酸化処理などによって形成する。弁金属の場合においては、この酸化による誘電体被膜１０２の形成は（ａ）の工程によって自然にできる。
（ｃ）さらに、誘電体被膜１０２の中央部に絶縁層１０３を形成する。絶縁層１０３は、樹脂の塗布やディスペンス、印刷、シートの積層、露光、現像によるパターニングなどによって形成できる。なお、この貫通孔１０９は陽極１０１側から形成しても絶縁層１０３側から形成してもかまわないが、陽極１０１側からであると、その形成によって絶縁層１０３の端が貫通孔１０９にかぶさるということが無いため、スルーホール電極１０６と陽極１０１との電気的接合性が良いというメリットがある。一方、貫通孔１０９を絶縁層１０３側からの形成であると、上面から位置を確認して作業を行いやすいというメリットを持つ。
（ｄ）そして、絶縁層１０３形成部を除く誘電体被膜１０２の上面に固体電解質層１０４を形成する。固体電解質層１０４は重合法を用いて形成することができ、多孔質状態となった誘電体被膜１０２の表面に対して化学重合法を用いて、機能性高分子の核付けを行った後、電解重合法によって導電性高分子であるポリチオフェンの層を形成することができる。この方法によれば多孔質部の深部まで固体電解質層１０４を形成することができるために固体電解コンデンサの容量を大きくすることができる。
（ｅ）その後、固体電解質層１０４の上に陰極１０５を、例えばカーボンペースト、銀ペースト、ニッケルペーストなどの印刷や、金属の蒸着または、金属箔の積層などにより形成することができる。
（ｆ）そして、陰極１０５、絶縁層１０３、誘電体被膜１０２、陽極１０１を貫通する貫通孔１０９を形成する。貫通孔１０９の形成は、ドリル加工や、レーザ加工、パンチ加工といった方法を用いることができる。
（ｇ）さらに、貫通孔１０９にスルーホール電極１０６を形成する。形成方法として、無電解メッキ後、電解メッキを行えば、抵抗値を低くすることができる。また、貫通孔１０９の内壁はデスミア処理などをすることによって接続信頼性が向上する。本実施の形態においては、陰極１０５を電解メッキの給電部としても利用している。
（ｈ）その後、スルーホール電極１０６と陰極１０５とを分離する。方法としてはレジスト形成−露光−現像−エッチングといった配線パターン形成の工程を利用することができる。
【００７８】
この製造方法により、実施の形態１に記載の固体電解コンデンサを製造することができる。
【００７９】
（実施の形態１３）
以下、実施の形態９記載の固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００８０】
図１６（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施の形態９記載の固体電解コンデンサ内蔵基板の製造方法を示す断面工程図である。なお、実施の形態９の構成と同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明を省略する。なお、実施の形態１２で示した工程については、その説明を省略する。
（ａ）まず、金属箔の配線パターン１１１Ａの上面に未硬化の第２の絶縁層１１０Ｃ、さらにその上面に固体電解コンデンサ２００Ｂ、さらにその上面に未硬化の第２の絶縁層１１０Ｄ、さらにその上に金属箔の配線パターン１１１Ｂを位置あわせして積層する。
（ｂ）次に、加熱あるいは加圧により、第２の絶縁層１１０Ｃ、第２の絶縁層１１０Ｄを硬化させ、一体に成型する。加圧方法としては、ラミネータやプレス機を用いることができる。
（ｃ）そして、配線パターン１１１Ａ、配線パターン１１１Ｂ間を貫通する貫通孔１０９、１０９Ａを図１６（ｃ）のごとく形成する。なお、この貫通孔１０９は配線パターン１１１Ａ側から形成しても配線パターン１１１Ｂ側から形成してもかまわないが、配線パターン１１１Ａ側からであると、その形成によって絶縁層１０３の端が貫通孔１０９にかぶさるということが無いため、スルーホール電極１０６と陽極１０１との電気的接合性が良いというメリットがある。一方、貫通孔１０９を配線パターン１１１Ｂ側からの形成であると、上面から位置を確認して作業を行いやすいというメリットを持つ。
（ｄ）さらに、貫通孔１０９にスルーホール電極１０６、貫通孔１０９Ａに第２のスルーホール電極１０８を形成する。本実施の形態においては、配線パターン１１１Ａ、配線パターン１１１Ｂを電解メッキの給電部としても利用している。
（ｅ）配線パターン１１１Ａ、配線パターン１１１Ｂをパターニングする。方法としては、レジスト形成−露光−現像−エッチングの工程を利用することができる。
【００８１】
この製造方法により、実施の形態９に記載の固体電解コンデンサを製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明の固体電解コンデンサは、低ＥＳＬと大容量の両立を可能にするという効果を有し、ノイズ対策を有する回路または、回路基板として有用である。特に、高周波ノイズを発生するスイッチング電源周辺部、高速動作するＬＳＩなどに用いることができ、インターポーザ基板としても応用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施の形態１における固体電解コンデンサの断面図
【図２】本発明の実施の形態１における固体電解コンデンサの上面図
【図３】本発明の実施の形態２における固体電解コンデンサの断面図
【図４】本発明の実施の形態３における固体電解コンデンサの断面図
【図５】本発明の実施の形態４における固体電解コンデンサの断面図
【図６】本発明の実施の形態３及び実施の形態４における固体電解コンデンサの上面図
【図７】本発明の実施の形態５における固体電解コンデンサの断面図
【図８】本発明の実施の形態５における固体電解コンデンサの上面図
【図９】本発明の実施の形態６における固体電解コンデンサの断面図
【図１０】（ａ）〜（ｈ）は本発明の実施の形態１２における固体電解コンデンサの製造方法工程を示す断面図
【図１１】本発明の実施の形態７における固体電解コンデンサの断面図
【図１２】本発明の実施の形態８における固体電解コンデンサの断面図
【図１３】本発明の実施の形態９における固体電解コンデンサの断面図
【図１４】本発明の実施の形態１０における固体電解コンデンサの断面図
【図１５】本発明の実施の形態１１における固体電解コンデンサの断面図
【図１６】（ａ）〜（ｅ）本発明の実施の形態１３における固体電解コンデンサの製造方法工程を示す断面図
【図１７】従来の固体電解コンデンサの断面図
【符号の説明】
【００８４】
１０１  陽極
１０２  誘電体被膜
１０３  絶縁層
１０３Ａ  切断面用絶縁層
１０３Ｂ  第２のスルーホール用絶縁層
１０３Ｃ  外部絶縁層
１０４  固体電解質層
１０５  陰極
１０６  スルーホール電極
１０７  メッキ層
１０８  第２のスルーホール
１０９  貫通孔
１０９Ａ  貫通孔
１１０  第２の絶縁層
１１０Ａ  第２の絶縁層
１１０Ｂ  第２の絶縁層
１１０Ｃ  第２の絶縁層
１１０Ｄ  第２の絶縁層
１１１  配線パターン
１１１Ａ  配線パターン
１１１Ｂ  配線パターン
１１２  導電性材料
１１３  第３のスルーホール電極
１１４  インナービア
２００Ａ  固体電解コンデンサ
２００Ｂ  固体電解コンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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