(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置の光の取り出し効率を高めること。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置１は、絶縁基板１０と、前記絶縁基板１０上に形成されると共に、第１領域３１とこれから相分離した複数の第２領域３２とを備えた光取り出し層３０と、前記光取り出し層３０上に形成された有機ＥＬ素子４０とを具備し、前記光取り出し層３０は、前記絶縁基板１０上に複数の材料を含んだ膜を形成し、この膜中で相分離を生じさせてなり、前記第１領域３１の屈折率と前記第２領域３２の屈折率との差の絶対値は０．０５以上であることを特徴とする。【選択図】      図１
2006093019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されると共に、第１領域とこれから相分離した複数の第２領域とを備えた光取り出し層と、
前記光取り出し層上に形成された有機ＥＬ素子とを具備し、
前記光取り出し層は、前記絶縁基板上に複数の材料を含んだ膜を形成し、この膜中で相分離を生じさせてなり、
前記第１領域の屈折率と前記第２領域の屈折率との差の絶対値は０．０５以上であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第１及び第２領域の材料は有機物であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記複数の第２領域のそれぞれは前記光取り出し層をその主面に略垂直な方向から観察した場合に略円形であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記複数の第２領域のそれぞれは略球形であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第１領域と前記複数の第２領域とは前記光取り出し層をその主面に略垂直な方向から観察した場合にストライプを形成していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記第１領域と前記複数の第２領域とは前記光取り出し層をその主面に略垂直な方向から観察した場合にシュリーレン状の模様を形成していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記複数の第２領域のそれぞれは層状であり、その主面は前記光取り出し層の主面に略垂直であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
絶縁基板上に複数の材料を含んだ膜を形成し、この膜中で相分離を生じさせることにより、第１領域とこれから相分離した複数の第２領域とを備え、前記第１領域の屈折率と前記第２領域の屈折率との差の絶対値は０．０５以上である光取り出し層を形成する工程と、
前記光取り出し層上に有機ＥＬ素子を形成する工程とを含んだことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は自己発光表示装置であるため、視野角が広く、応答速度が速い。また、バックライトが不要であるため、薄型軽量化が可能である。これらの理由から、近年、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の主要部である有機ＥＬ素子は、光透過性の前面電極と、これと対向した光反射性または光透過性の背面電極と、それらの間に介在するとともに発光層を含んだ有機物層とで構成されている。有機ＥＬ素子は、有機物層に電気を流すことにより発光する電荷注入型の自発光素子である。
【０００４】
ところで、有機ＥＬ素子の輝度は、これに流す電流の大きさに応じて増加する。しかしながら、電流密度を高めると、消費電力が大きくなるのに加え、有機ＥＬ素子の寿命が著しく短くなる。したがって、高輝度、低消費電力、長寿命を同時に実現するには、有機ＥＬ素子が放出する光を有機ＥＬ表示装置の外部へとより効率的に取り出すこと，すなわち光の取り出し効率を向上させること，が重要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、有機ＥＬ表示装置の光の取り出し効率を高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されると共に、第１領域とこれから相分離した複数の第２領域とを備えた光取り出し層と、前記光取り出し層上に形成された有機ＥＬ素子とを具備し、前記光取り出し層は、前記絶縁基板上に複数の材料を含んだ膜を形成し、この膜中で相分離を生じさせてなり、前記第１領域の屈折率と前記第２領域の屈折率との差の絶対値は０．０５以上であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２側面によると、絶縁基板上に複数の材料を含んだ膜を形成し、この膜中で相分離を生じさせることにより、第１領域とこれから相分離した複数の第２領域とを備え、前記第１領域の屈折率と前記第２領域の屈折率との差の絶対値は０．０５以上である光取り出し層を形成する工程と、前記光取り出し層上に有機ＥＬ素子を形成する工程とを含んだことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、有機ＥＬ表示装置の光の取り出し効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図である。図２は、図１の有機ＥＬ表示装置で使用可能な光取り出し層の例を概略的に示す平面図である。なお、図１では、有機ＥＬ表示装置１を、その表示面，すなわち前面または光出射面，が上方を向き、背面が下方を向くように描いている。
【００１１】
図１に示す有機ＥＬ表示装置１は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置１は、例えば、ガラス基板などの絶縁基板１０を含んでいる。
【００１２】
絶縁基板１０上では、複数の画素がマトリクス状に配列している。各画素は、画素回路と有機ＥＬ素子４０とを含んでいる。
【００１３】
画素回路は、例えば、一対の電源端子間で有機ＥＬ素子４０と直列に接続された駆動制御素子（図示せず）及び出力制御スイッチ２０と、画素スイッチ（図示せず）とを含んでいる。駆動制御素子は、その制御端子が画素スイッチを介して映像信号線（図示せず）に接続されており、映像信号線から供給される映像信号に対応した大きさの電流を出力制御スイッチ２０を介して有機ＥＬ素子４０へ出力する。また、画素スイッチの制御端子は走査信号線（図示せず）に接続されており、走査信号線から供給される走査信号によりスイッチング動作が制御される。なお、これら画素には、他の構造を採用することも可能である。
【００１４】
基板１０上には、アンダーコート層１２として、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯx層とが順次積層されている。アンダーコート層１２上には、例えばチャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層１３、例えばＴＥＯＳ（TetraEthyl OrthoSilicate）などを用いて形成され得るゲート絶縁膜１４、及び例えばＭｏＷなどからなるゲート電極１５が順次積層されており、それらはトップゲート型の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）を構成している。この例では、これらＴＦＴは、画素スイッチ２０、出力制御スイッチ、駆動制御素子のＴＦＴとして利用している。また、ゲート絶縁膜１４上には、ゲート電極１５と同一の工程で形成可能な走査信号線（図示せず）がさらに配置されている。
【００１５】
ゲート絶縁膜１４及びゲート電極１５は、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯxなどからなる層間絶縁膜１７で被覆されている。層間絶縁膜１７上にはソース・ドレイン電極２１が配置されており、それらは、例えばＳｉＮxなどからなるパッシベーション膜１８で埋め込まれている。ソース・ドレイン電極２１は、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有しており、層間絶縁膜１７に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴのソース・ドレインに電気的に接続されている。また、層間絶縁膜１７上には、ソース・ドレイン電極２１と同一の工程で形成可能な映像信号線（図示せず）がさらに配置されている。
【００１６】
パッシベーション膜１８上には、平坦化層１９が形成されている。平坦化層１９上には、反射層７０が配置されている。平坦化層１９の材料としては、例えば、硬質樹脂を使用することができる。反射層７０の材料としては、例えば、Ａｌなどの金属材料を使用することができる。
【００１７】
平坦化層１９及び反射層７０は、光取り出し層３０で被覆されている。光取り出し層３０は、第１部分３１と、これから相分離した複数の第２部分３２とを含んでいる。第１部分３１及び第２部分３２は光透過性であり、それらは屈折率が異なっている。
【００１８】
図１及び図２に示す例では、光取り出し層３０をその膜面に垂直な方向から観察した場合、第２部分３２は、略格子状の配列構造，例えば図２に示すような略三角格子状の配列構造，を形成しており、通常、各々は略円形である。また、図１及び図２に示す例では、各第２部分３２は、略球形である。
【００１９】
光取り出し層３０上には、光透過性の第１電極４１が互いから離間して並置されている。各第１電極４１は、反射層７０と向き合うように配置されている。また、各第１電極４１は、パッシベーション膜１８と平坦化層１９と光取り出し層３０とに設けた貫通孔を介して、ドレイン電極２１に接続されている。
【００２０】
第１電極４１は、この例では陽極である。第１電極４１の材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）のような透明導電性酸化物を使用することができる。
【００２１】
光取り出し層３０上には、さらに、隔壁絶縁層５０が配置されている。この隔壁絶縁層５０には、第１電極４１に対応した位置に貫通孔が設けられている。隔壁絶縁層５０は、例えば、有機絶縁層であり、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００２２】
隔壁絶縁層５０の貫通孔内で露出した第１電極４１上には、発光層４２ａを含んだ有機物層４２が配置されている。発光層４２ａは、例えば、発光色が赤色、緑色、または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層４２は、発光層４２ａ以外の層をさらに含むことができる。例えば、有機物層４２は、第１電極４１から発光層４２ａへの正孔の注入を媒介する役割を果たすバッファ層４２ｂをさらに含むことができる。また、有機物層４２は、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００２３】
隔壁絶縁層５０及び有機物層４２は、光透過性の第２電極４３で被覆されている。第２電極４３は、この例では、各画素共通に連続して設けられた陰極である。第２電極４３は、パッシベーション膜１８と平坦化層１９と光取り出し層３０と隔壁絶縁層５０とに設けられたコンタクトホール（図示せず）を介して、映像信号線と同一の層上に形成された電極配線に電気的に接続されている。それぞれの有機ＥＬ素子４０は、これら第１電極４１、有機物層４２、及び第２電極４３で構成されている。
【００２４】
なお、図１に示す有機ＥＬ表示装置１では、通常、水分や酸素などとの接触により有機ＥＬ素子４０が劣化するのを防止するために、ガラス封止又は保護膜封止を行う。また、この有機ＥＬ表示装置１では、通常、有機ＥＬ素子４０の前面側に偏光板を配置する。
【００２５】
上記の通り、この有機ＥＬ表示装置１では、光取り出し層３０を、有機ＥＬ素子４０と隣接するように配置している。このような構造を採用すると、以下に説明するように、有機ＥＬ素子４０の発光層４２ａが放出する光を、有機ＥＬ表示装置１の外部へと、より高い効率で取り出すことができる。
【００２６】
発光層４２ａが放出する光の一部は、第１電極４１と有機物層４２との積層体内で反射を繰り返しながら膜面方向に伝播する。この膜面方向に伝播する光は、先の積層体の主面に対する入射角が大きいと、外部に取り出すことができない。
【００２７】
光取り出し層３０を有機ＥＬ素子４０と隣接して配置すると、発光層４２ａが放出する光の進行方向を変えることができる。そのため、発光層４２ａが放出する光を、有機ＥＬ表示装置１の外部へと、より高い効率で取り出すことが可能となる。
【００２８】
この効果は、第１部分３１の屈折率と第２部分３２の屈折率との差の絶対値が小さい場合、顕著には得られない。したがって、本態様では、第１部分３１の屈折率と第２部分３２の屈折率との差の絶対値は０．０５以上とする。
【００２９】
第１部分３１の屈折率は、第２部分３２の屈折率よりも大きくてもよい。或いは、第１部分３１の屈折率は、第２部分３２の屈折率よりも小さくてもよい。どちらの場合でも、上記の効果を得ることができる。
【００３０】
この有機ＥＬ表示装置１で使用する光取り出し層３０は、例えば、以下の方法により形成することができる。
【００３１】
まず、平坦化層１９上に、有機物層を形成する。この有機物層は、例えば、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）とのジブロックコポリマーをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）などの溶媒中に溶解してなる塗工液を平坦化層１９上に塗布し、それにより得られる塗膜から溶媒を除去することにより形成する。
【００３２】
次いで、相分離を生じさせるべく、先の有機物層をアニールする。このアニールは、先のブロックコポリマーのガラス転移温度乃至秩序無秩序転移温度の範囲内で行う。こうすると、ブロックコポリマーを構成しているＰＭＭＡ同士が近づき合い、有機物層内にＰＭＭＡからなる島状領域とＰＳからなる海状領域とが生じる。このようにして、海状領域である第１領域３１と島状領域である第２領域３２とを含んだ光取り出し層３０が得られる。
【００３３】
なお、先のブロックコポリマーとして、ＰＭＭＡ分子量のばらつきの少ないものを使用すると、島状領域は略球状或いは略円柱状となるとともに、その寸法はほぼ一定となる。また、島状領域の寸法はＰＭＭＡ分子量に応じて制御可能であり、それらの配列ピッチはＰＭＭＡ分子量及びＰＳ分子量に応じて制御可能である。ＰＭＭＡ及びＰＳの分子量やそれらの比を適宜設定すると、略球状或いは略円柱状の島状領域を、規則的に配列させること，典型的にはそれらの中心同士を結んだ線が略正三角形を形成するように配列させること，ができる。
【００３４】
この方法によると、上記のように、第２領域３２の寸法やそれらの中心間距離は、ＰＭＭＡやＰＳの分子量に応じて制御することができる。すなわち、第２領域３２の寸法やそれらの配列は、分子レベルでの制御が可能である。
【００３５】
また、この方法では、フォトマスクなどは利用せず、ブロックコポリマーの自己組織化を利用する。極めて微細なパターンを形成する場合、フォトマスクを利用する方法では、フォトマスクの製造自体が困難である。また、極めて微細なパターンを形成する場合、フォトマスクを利用する方法では、フォトマスクのパターンを高精度に転写することが難しい。特に、大型基板では微細パターンの大型マスク形成自体が困難である。これに対し、ブロックコポリマーの自己組織化を利用する方法では、それら問題を回避することができる。
【００３６】
また、通常、有機ＥＬ素子は薄膜多層構造のため、光取り出し層に凹凸があると、この凹凸に起因して電極間ショートが発生することがある。それゆえ、上記の方法で形成していない光取り出し層と有機ＥＬ素子との間には、平坦化層を設ける必要がある。これに対し、先の方法で得られる光取り出し層３０は、平坦性に優れている。したがって、光取り出し層３０と有機ＥＬ素子４０との間に、平坦化層を配置する必要がない。
【００３７】
また、光取り出し層３０と有機ＥＬ素子４０との間に平坦化層を配置すると、この平坦化層の厚さのばらつきに起因して、光取り出し効率のばらつきを生じる可能性がある。それゆえ、光取り出し層３０上への平坦化層の配置が不要であることは、この点でも有利である。
【００３８】
上記態様では、光取り出し層３０に図１及び図２の構造を採用したが、光取り出し層３０には、他の構造を採用してもよい。
【００３９】
図３乃至図５は、光取り出し層の変形例を概略的に示す斜視図である。図６は、図５の光取り出し層の平面図である。図７は、光取り出し層の他の変形例を概略的に示す平面図である。
【００４０】
図３の光取り出し層３０では、第２領域３２は、第１領域３１中でランダムに配列している。また、各第２領域３２は、略球形であり、したがって、光取り出し層３０をその主面に略垂直な方向から観察した場合に略円形である。このような光取り出し層３０は、光散乱層として機能する。
【００４１】
図４の光取り出し層３０では、各第２領域３２は、略円柱形であり、したがって、光取り出し層３０をその主面に略垂直な方向から観察した場合に略円形である。この光取り出し層３０では、第２領域３２は、第１領域３１中で略格子状の配列構造，例えば図２に示すような略三角格子状の配列構造，を形成していてもよく、或いは、ランダムに配列していてもよい。第２領域３２が略格子状の配列構造を形成している場合、光取り出し層３０は回折格子として機能する。他方、第２領域３２がランダムに配列している場合、光取り出し層３０は光散乱層として機能する。
【００４２】
図５及び図６の光取り出し層３０では、各第２領域３２は層状であり、その主面は光取り出し層３０の主面に略垂直である。第１領域３１と第２領域３２とは、光取り出し層３０をその主面に略垂直な方向から観察した場合にストライプを形成している。この光取り出し層３０は回折格子として機能する。
【００４３】
図７の光取り出し層３０では、第１領域３１と第２領域３２とは、光取り出し層３０をその主面に略垂直な方向から観察した場合にシュリーレン状の模様を形成している。この光取り出し層３０は回折格子及び／又は光散乱層として機能する。
【００４４】
光取り出し層３０の構造は、例えば、上述した塗工液の組成とアニール温度及び時間とに応じて変更可能である。例えば、図３の構造を得るのに使用した塗工液中に含まれる第１領域３１の材料を増やすと、図４の構造を得ることができ、第１領域３１の材料をさらに増やすと、図５の構造が得られる。
【００４５】
上記態様では、有機ＥＬ表示装置１を上面発光型としたが、有機ＥＬ表示装置１は下面発光型でもよい。例えば、反射層７０を省略すると共に、第２電極４３を光反射性としてもよい。
【００４６】
また、発光色が赤、緑、青色の有機ＥＬ素子４０を用いてフルカラー表示を行う構成を採用する場合、赤、緑、青の輝度バランスを考慮し、一部の色の画素部にのみ光取り出し層３０を設けてもよい。
【００４７】
白色発光の有機ＥＬ素子４０とカラーフィルタとを組み合わせてフルカラー表示を行う構成を採用する場合、全画素部に光取り出し層３０を設けてもよく、或いは、一部の色の画素部にのみ光取り出し層３０を設けてもよい。
【００４８】
また、有機ＥＬ素子４０に高分子材料を使用する場合、そのガラス転移温度は１３０度以上と低分子材料と比較して高いため、有機ＥＬ素子４０の上に光取り出し層を設けてもよい。
【実施例】
【００４９】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００５０】
（実施例）
本例では、以下の方法により、図１に示す有機ＥＬ表示装置１を作製した。
【００５１】
まず、ガラス基板１０のアンダーコート層１２が形成された面に対し、通常のＴＦＴ形成プロセスと同様に成膜とパターニングとを繰り返し、ＴＦＴ２０、層間絶縁膜１７、電極配線（図示せず）、ソース・ドレイン電極２１、及びパッシベーション膜１８を形成した。
【００５２】
次に、図３に示すように、パッシベーション膜１８上に、硬質樹脂からなる平坦化層１９を形成した。続いて、この平坦化層１９上に、マスクスパッタリング法により、Ａｌからなる反射層７０を形成した。
【００５３】
次いで、平坦化層１９上に、ＰＳとＰＭＭＡとのジブロックコポリマーをＰＧＭＥＡ中に溶解してなる塗工液をスピンコートした。ここでは、ＰＧＭＥＡ中のブロックコポリマーの濃度は２重量％とした。その後、１１０℃でベークすることにより、塗膜から溶媒を除去した。さらに、このようにして得られた有機物層を、窒素雰囲気中、２１０℃で４時間アニールし、続いて、１３５℃で４０時間アニールした。これにより、図２に示す光取り出し層３０を得た。なお、この光取り出し層３０において、第１領域３１の屈折率と第２領域３２の屈折率との差の絶対値は約０．０９である。
【００５４】
次に、光取り出し層３０上に、マスクスパッタリング法を用いてＩＴＯを堆積させることにより第１電極４１を得た。
【００５５】
次いで、基板１１の第１電極４１を形成した面に、感光性樹脂を塗布し、得られた塗膜をパターン露光及び現像することにより、各画素の発光部に対応して開口を有する撥水性の隔壁絶縁層５０を形成した。この隔壁絶縁層５０を形成した基板１０にはＣＦ4／Ｏ2プラズマガスを用いた表面処理を施し、隔壁絶縁層５０の表面をフッ素化した。
【００５６】
次に、隔壁絶縁層５０が形成するそれぞれの液溜めに、インクジェット法によりバッファ層形成用インクを吐出して液膜を形成した。続いて、これら液膜を１２０℃の温度に３分間加熱することによりバッファ層４２ｂを得た。
【００５７】
その後、バッファ層４２ｂ上に発光層形成用インクをインクジェット法により吐出して液膜を形成した。続いて、これら液膜を９０℃の温度に１時間加熱することにより発光層４２ａを得た。
【００５８】
次いで、基板１１の発光層４２ａを形成した面に、Ｍｇ及びＡｇを順次真空蒸着し、続いてＩＴＯをスパッタリング法により堆積させた。これにより、多層構造の第２電極４３を得た。さらに、封止工程等を実施することにより、図１に示す有機ＥＬ表示装置１を完成した。
【００５９】
この有機ＥＬ表示装置１の光取り出し層３０を、その膜面に垂直な方向から観察した。その結果、光取り出し層３０は、第１領域３１とその中で分散した複数の第２領域３２とで構成されており、これら第２領域３２は略格子状の配列構造を形成していることを確認することができた。また、光取り出し層３０をその膜面に垂直な方向から観察したときの各第２領域３２の形状は、略円形であった。
【００６０】
（比較例）
光取り出し層３０を設けなかったこと以外は、上記実施例で説明したのと同様の方法により有機ＥＬ表示装置１を作製した。
【００６１】
次に、実施例及び比較例に係る有機ＥＬ表示装置１について、同一条件のもと、それらの外部に取り出される光量を測定した。その結果、実施例に係る有機ＥＬ表示装置１で得られた光量は、比較例に係る有機ＥＬ表示装置１で得られた光量の約１．４倍であった。すなわち、実施例に係る有機ＥＬ表示装置１は、比較例に係る有機ＥＬ表示装置１と比較して、発光効率がより高いことを確認することができた。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図。
【図２】図１の有機ＥＬ表示装置で使用可能な光取り出し層の例を概略的に示す平面図。
【図３】光取り出し層の変形例を概略的に示す斜視図。
【図４】光取り出し層の変形例を概略的に示す斜視図。
【図５】光取り出し層の変形例を概略的に示す斜視図。
【図６】図５の光取り出し層の平面図。
【図７】光取り出し層の他の変形例を概略的に示す平面図。
【符号の説明】
【００６３】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…絶縁基板、１２…アンダーコート層、１３…半導体層、１４…ゲート絶縁膜、１５…ゲート電極、１７…層間絶縁膜、１８…パッシベーション膜、１９…平坦化層、２０…出力制御スイッチ、２１…ソース・ドレイン電極、３０…光取り出し層、３１…第１部分、３２…第２部分、４０…有機ＥＬ素子、４１…第１電極、４２…有機物層、４２ａ…発光層、４２ｂ…バッファ層、４３…第２電極、５０…隔壁絶縁層、７０…反射層。
【図１】
2006093019.tif 000003
【図２】
2006093019.tif 000004
【図３】
2006093019.tif 000005
【図４】
2006093019.tif 000006
【図５】
2006093019.tif 000007
【図６】
2006093019.tif 000008
【図７】
2006093019.tif 000009