(57)【要約】【課題】  半導体装置の異常部分からの発光がプローブ針と重なる位置関係にあったとしても、異常個所の位置を特定することが可能な半導体検査装置を提供する。【解決手段】  検査装置２１は、プローブカード２３と、エミッション顕微鏡２４とを有する。プローブカード２３は、プローブカード本体２５と、プローブ針２６とを有する。プローブカード本体２５には、エミッション顕微鏡２４によって半導体装置１１の像を撮像するための開口部２７が形成されている。プローブ針２６は、半導体装置１１に形成されたパッド電極１３に電流を流すために用いられる。エミッション顕微鏡２４は、撮像素子３１によって、半導体装置１１における異常個所から発生する微弱光５１像の撮像を行う。プローブ針２６は、軸を中心に回動可能に設けられており、プローブ針２６によって微弱光５１が隠れることを回避するための湾曲部４３を有する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置上に形成されたパッド電極と電気的に導通接続された前記パッド電極の周囲に形成された素子に電流を流すべく、前記パッド電極と電気的に導通させることが可能な前記素子の上方に配置されるプローブ針と、
前記プローブ針及び前記半導体装置の上方に配置され、前記プローブ針から前記パッド電極に電流を流した状態で、前記素子における正規の状態ではない部分から発光する発光位置を検出することが可能な光検出部と、を有し、
前記プローブ針は、前記プローブ針と前記発光とが前記光検出部側からみて重なることを回避すべく前記プローブ針の一部分が直線軸上にない形状部を有することを特徴とする半導体検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体検査装置であって、
前記プローブ針は、前記プローブ針の軸を中心に回動可能に設けられており、
前記プローブ針の回動動作により、前記光検出部側から前記プローブ針をみて前記形状部が前記直線軸上にある第１の状態、又は、前記形状部が前記直線軸上にない第２の状態に変位することを特徴とする半導体検査装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体検査装置であって、
前記半導体装置は、複数の半導体チップを有し、
前記パッド電極は、前記半導体チップの中央近傍に形成されていることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体検査装置であって、
前記光検出部は、前記発光の像を撮像することが可能な撮像素子を有するエミッション顕微鏡であることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体検査装置であって、
前記プローブ針は、プローブカードに設けられていることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体検査装置であって、
前記形状部は、湾曲状又は鍵形状に形成されていることを特徴とする半導体検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体装置における異常個所を特定するための半導体検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体検査装置１０１は、図５（ａ）に示すように、プローブカード１０２と、エミッション顕微鏡１０３とを有する。プローブカード１０２は、例えば、特許文献１に記載のように、半導体装置１０４に形成された配線を含む素子と接続されたパッド電極１０５と電気的に導通させることが可能なプローブ針１０６を有する。プローブカード１０２は、半導体装置１０４の上方に配置される。
【０００３】
エミッション顕微鏡１０３は、半導体装置１０４における異常部分の位置を特定するために用いられる。エミッション顕微鏡１０３は、半導体装置１０４における異常部分に起因して発光する発光像を撮像するために、レンズ１０７を介して配置された図示しない撮像素子を有する。レンズ１０７は、プローブ針１０６の上方に配置される。異常の内容は、例えば、半導体装置１０４におけるリーク電流などである。エミッション顕微鏡１０３は、プローブ針１０６からパッド電極１０５に電流を流さないときの半導体装置１０４のパターン像と、電流を流して異常部分が発光した発光像とを重ね合わせることにより、半導体装置１０４の異常部分の位置を特定する。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１１４３２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図５（ｂ）に示すように、異常部分から発光する微弱光１０８上にプローブ針１０６が重なるような配置になる場合、例えば、パッド電極１０５が半導体装置１０４の中央付近にあり、パッド電極１０５周辺に形成された素子領域１０９などがプローブ針１０６によって隠れ、これにより、素子領域１０９における微弱光１０８がプローブ針１０６によって隠れてしまい、その結果、異常部分の位置が特定できないという問題があった。
【０００６】
本発明の目的は、半導体装置の異常部分からの発光がプローブ針と重なる位置関係にあったとしても、異常個所の位置を特定することが可能な半導体検査装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体検査装置は、半導体装置上に形成されたパッド電極と電気的に導通接続された前記パッド電極の周囲に形成された素子に電流を流すべく、前記パッド電極と電気的に導通させることが可能な前記素子の上方に配置されるプローブ針と、前記プローブ針及び前記半導体装置の上方に配置され、前記プローブ針から前記パッド電極に電流を流した状態で、前記素子における正規の状態ではない部分から発光する発光位置を検出することが可能な光検出部と、を有し、前記プローブ針は、前記プローブ針と前記発光とが前記光検出部側からみて重なることを回避すべく前記プローブ針の一部分が直線軸上にない形状部を有する。
【０００８】
この構成によれば、プローブ針からパッド電極に電流を流したとき、プローブ針の軸を結ぶ直線軸上の下方に発光する部分があったとしても、形状部のようにプローブ針における直線軸上にない部分があることにより、プローブ針の上方に配置された光検出部によって、半導体装置における正常ではない部分から発光する発光位置を検出することができる。よって、検出した発光位置を基に、半導体装置における正常ではない部分の位置を特定することができる。
【０００９】
本発明に係る半導体検査装置は、前記プローブ針は、前記プローブ針の軸を中心に回動可能に設けられており、前記プローブ針の回動動作により、前記光検出部側から前記プローブ針をみて前記形状部が前記直線軸上にある第１の状態、又は、前記形状部が前記直線軸上にない第２の状態に変位することが望ましい。
【００１０】
この構成によれば、プローブ針の軸を中心に回動させることにより、第１の状態又は第２の状態に変えることができるので、第１の状態又は第２の状態のときにプローブ針の軸の下方に発光があったとしても、第１の状態又は第２の状態に変えることにより、光検出部側から発光が観測可能な状態となり発光を検出することが可能となる。よって、発光を見過ごすことなく検出でき、その結果、半導体装置における正常ではない部分の位置を特定することができる。
【００１１】
本発明に係る半導体検査装置は、前記半導体装置は、複数の半導体チップを有し、前記パッド電極は、前記半導体チップの中央近傍に形成されていてもよい。
【００１２】
この構成によれば、周辺に素子が形成されたパッド電極が半導体チップの中央近傍に形成されていることにより、プローブ針とパッド電極とを接触させた際、素子における正常ではない発光の位置がプローブ針によって隠れるような配置になったとしても、形状部によって、プローブ針と発光とが重なることを回避することができる。よって、光検出部によって発光を検出することができる。
【００１３】
本発明に係る半導体検査装置は、前記光検出部は、前記発光の像を撮像することが可能な撮像素子を有するエミッション顕微鏡であることが望ましい。
【００１４】
この構成によれば、エミッション顕微鏡を用いた半導体検査装置に適用することが可能となる。
【００１５】
本発明に係る半導体検査装置は、前記プローブ針は、プローブカードに設けられていることが望ましい。
【００１６】
この構成によれば、プローブカードにプローブ針が設けられていることにより、半導体装置に形成されたパッド電極の配置パターンに合わせてプローブ針を接触させて、半導体装置における正常ではない部分からの発光を観測することができる。
【００１７】
本発明に係る半導体検査装置は、前記形状部は、湾曲状又は鍵形状に形成されていることが望ましい。
【００１８】
この構成によれば、プローブ針の一部が、湾曲状又は鍵形状に形成されているので、例えば、プローブ針を軸を中心に回動させることにより、軸の位置を他の位置に移動させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る半導体検査装置の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図１は、半導体装置の構造を示す模式図である。図１（ａ）は、半導体装置及び半導体チップを模式的に示す斜視図である。図１（ｂ）は、半導体チップの構造を模式的に示す側面図である。以下、半導体装置の構造を、図１を参照しながら説明する。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、半導体装置１１には、複数の半導体チップ１２が形成されている。半導体チップ１２の表面には、複数のパッド電極１３が形成されている。パッド電極１３は、例えば、半導体チップ１２上における略中央に形成されている。
【００２２】
半導体チップ１２には、図１（ｂ）に示すように、パッド電極１３と電気的に接続された、配線や素子を含む素子領域１４が形成されている。配線は、例えば、アルミ電極である。素子は、例えば、トランジスタである。パッド電極１３に電圧を印加することにより、配線を介して素子に電流を流すことが可能となっている。また、素子は、製品として用いられる製品用素子に限定されず、例えば、評価用素子（ＴＥＧ：Test Element Group）であってもよい。
【００２３】
素子に電流を流したとき、素子領域１４における異常が生じた部分（例えば、リーク電流など）に電界が集中することによってホットエレクトロンが生じ、このホットエレクトロンに起因して微弱光が発生する。異常部分であるリーク電流は、例えば、ゲート電極と絶縁膜との部分で発生したり、ソース電極又はドレイン電極にコンタクトプラグを接続する接続部に発生したりする。微弱光は、目視では難しいため、顕微鏡などによって拡大することにより観測することが可能となっている。
【００２４】
図２は、半導体検査装置の構造を模式的に示す側面図である。以下、半導体検査装置である検査装置の構造を、図２を参照しながら説明する。
【００２５】
図２に示すように、検査装置２１は、載置台２２と、プローブカード２３と、光検出部としてのエミッション顕微鏡２４とを有する。
【００２６】
載置台２２は、半導体装置１１を載置して固定するために用いられる。載置台２２は、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、及びθ方向に移動させることが可能となっており、半導体装置１１を所定の位置に移動させることができる。載置台２２は、エミッション顕微鏡２４に備えられていてもよいし、単体の載置台を使用するようにしてもよい。
【００２７】
プローブカード２３は、半導体装置１１の上面（パッド電極１３が形成されている側）と対向する側に配置されている。本実施形態のプローブカード２３は、例えば、半導体チップ１２に形成されたパッド電極１３の数量が比較的に少ない場合に用いられる、汎用性のプローブカードである。プローブカード２３は、プローブカード本体２５と、プローブ針２６とを有する。
【００２８】
プローブカード本体２５は、プローブカード２３を固定するために、図示しないステージに取り付けられている。プローブカード本体２５の略中央には、半導体装置１１に照明光を照射したり、半導体装置１１からの反射像を撮像したりするための開口部２７が形成されている。
【００２９】
プローブ針２６は、パッド電極１３を介して、半導体装置１１に形成された素子に電流を流すために用いられる。プローブ針２６は、プローブ針２６をパッド電極１３に接触させたときに受ける力を、プローブ針２６が有する弾性力によって吸収させるために、プローブカード本体２５の上下面に対し傾斜した姿勢で取り付けられている。プローブ針２６の材質は、例えば、タングステン銅である。
【００３０】
エミッション顕微鏡２４は、半導体装置１１の不良解析に用いられており、プローブカード２３の上方に配置される。エミッション顕微鏡２４は、半導体装置１１に接触することなく非接触で不良解析を行うことができる。エミッション顕微鏡２４は、第１レンズ２８と、第２レンズ２９と、光源部３０と、撮像素子３１とを有する。
【００３１】
第１レンズ２８は、光源部３０からの照明光を半導体装置１１に照射するとともに、半導体装置１１の像を観測倍率に拡大するために用いられる。拡大された像は、例えば、図示しない表示部に表示される。
【００３２】
第２レンズ２９は、光源部３０から照射された照射光を、半導体装置１１の方向に光路を変更させるために用いられる。
【００３３】
光源部３０は、半導体装置１１に照明光を照射するために用いられる。光源部３０から照明光を照射する（ＯＮにする）ことにより、半導体装置１１のパターン像を観測することが可能となり、光源部３０からの照明光をＯＦＦにすることにより、半導体装置１１から発光する発光像を観測することが可能となる。
【００３４】
撮像素子３１は、半導体装置１１の像（パターン像、発光像など）を撮像するために用いられる。撮像素子３１は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラである。撮像素子３１は、半導体装置１１に反射した反射像や、半導体装置１１における異常個所から発光した微弱光を高感度で撮像を行う。撮像した画像は、例えば、図示しない記憶部に記憶される。また、撮像した複数の画像は、図示しない画像処理部において、例えば、画像の合成処理が行われる。
【００３５】
図３は、プローブカードの構成を示す模式断面図である。図３（ａ）は、プローブカード全体の構造を示す模式断面図である。図３（ｂ）は、プローブ針周辺の構造を模式的に拡大して示す拡大断面図である。以下、プローブカードの構成を、図３を参照しながら説明する。
【００３６】
図３に示すように、プローブカード本体２５には、例えば、１本のプローブ針２６が設けられている。プローブカード本体２５には、プローブカード本体２５におけるプローブ針２６が回動する部分に、絶縁性を有する弾性部材４１が設けられている。プローブ針２６は、プローブ針２６を所定の位置に回動させたとき、弾性部材４１によって密着させることができることから、所定の位置で回動可能に固定することが可能になっている。
【００３７】
プローブ針２６は、図３（ｂ）に示すように、先端部４２と、形状部としての湾曲部４３と、第１〜第３軸部４４〜４６と、レバー４７とを有する。
【００３８】
先端部４２は、パッド電極と電気的に導通させるために、プローブ針２６における先端に形成されている。先端部４２の直径は、例えば、２５μｍである。
【００３９】
湾曲部４３は、先端部４２に隣接して形成されている。湾曲部４３は、プローブ針２６によって半導体装置１１から発光する微弱光が隠れたとしても、プローブ針２６を軸中心に回動させることによって、プローブ針２６における軸上の一部分にプローブ針２６が無い領域をつくるために設けられている。
【００４０】
第１軸部４４は、湾曲部４３と第２軸部４５との間に形成されている。
第２軸部４５は、第１軸部４４と第３軸部４６との間に隣接して形成されている。第２軸部４５は、プローブカード本体２５の中に設けられた弾性部材４１の中に挿入されて配置される。
第３軸部４６は、第２軸部４５とレバー４７との間に形成されている。第３軸部４６は、プローブカード本体２５から落下することを防止するために、例えば、第２軸部４５の直径と比較して太い直径に形成されている。
【００４１】
レバー４７は、プローブ針２６における最上部に形成されている。レバー４７は、例えば、板状に形成されており、プローブ針２６を軸中心に回動させるために用いられる。レバー４７が板状に形成されていることにより、湾曲部４３の向きが容易に視認できるとともに、湾曲部４３の方向を調整しやすくすることが可能になっている。レバー４７は、例えば、指先で摘むことが可能な大きさになっている。
【００４２】
プローブカード本体２５の上面には、プローブ針２６と電気的に導通接続された配線４８が形成されている。配線４８は、プローブ針２６に電流を流すための、図示しない電源に接続されている。
【００４３】
図４は、半導体装置に発生する微弱光の位置を特定する方法を示す模式図である。（ａ）は、プローブ針を第１の状態で接触させたときの検査装置を模式的に示す側面図であり、（ｂ）は、プローブ針を第１の状態で接触させたときの検査装置を示す模式平面図である。（ｃ）は、プローブ針を第２の状態で接触させたときの検査装置を模式的に示す側面図であり、（ｄ）は、プローブ針を第２の状態で接触させたときの検査装置を示す模式平面図である。以下、微弱光の位置を特定する方法を、図４を参照しながら説明する。
【００４４】
まず工程１では、半導体装置１１を載置台２２に載置して固定する。次に、プローブカード２３を、図示しないステージに固定する。
【００４５】
工程２では、プローブ針２６の先端部４２を、パッド電極１３に接触させる（図４（ａ）、（ｂ）参照）。なお工程２では、プローブ針２６とパッド電極１３とを接触させるものの電流は流さない。まず、エミッション顕微鏡２４の光源部３０から照明光を照射する。次に、載置台２２を、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、θ方向に移動させることによって、先端部４２とパッド電極１３との位置合わせを行う。そのあと、先端部４２を、パッド電極１３に接触させる。このとき、半導体装置１１に照明光を照射しているので、半導体装置１１のパターン像を取得することが可能な状態となっている。
【００４６】
工程３では、素子に電流を流さない状態の半導体装置１１のパターン像を取得する。まず、照明光によって反射した半導体装置１１の反射光像を、撮像素子３１によって撮像する。撮像素子３１によって撮像した反射光像は、第１画像として、図示しない記憶部に記憶される。第１画像には、半導体装置１１における基準位置データが記録されており、後工程で取得する画像との位置合わせに用いられる。
【００４７】
工程４では、図４（ａ）に示すように、半導体装置１１における微弱光５１の像を取得するために素子に電流を流す。まず、プローブ針２６に接続された、図示しない電源をＯＮにして、プローブ針２６からパッド電極１３に電流を流す。次に、光源部３０から照射する照明光をＯＦＦにする。検査装置２１は、例えば、暗箱の中に配置されていることから、半導体装置１１及びその周囲に亘って暗くなる。これにより、半導体装置１１に正常ではない異常部分があった場合（例えば、リーク電流が発生している場合）、半導体装置１１から発光される微弱光５１像を取得することが可能な状態となる。このときのプローブ針２６は、湾曲部４３が上側に起き上がった第１の状態になっており（図４（ａ）参照）、上方から見たとき、図４（ｂ）に示すように、プローブ針２６が直線状になっている。
【００４８】
工程５では、半導体装置１１から発光された微弱光５１像（第２画像）を第１の状態で取得する。まず、第１レンズ２８によって観測倍率に拡大された半導体装置１１における微弱光５１像を、エミッション顕微鏡２４に備えられた撮像素子３１によって撮像する。撮像した微弱光５１像は、第２画像として、図示しない記憶部に記憶される。第２画像には、第１画像と同様に、半導体装置１１における基準位置データを有する。プローブ針２６が第１の状態のとき、図４（ｂ）に示すように、半導体装置１１における異常個所から発光される微弱光５１像が、プローブ針２６と重なることによって隠れている場合がある。
【００４９】
工程６では、プローブ針２６を回動させて、第１の状態（湾曲部４３を立てた状態）から第２の状態（湾曲部４３を倒した状態）にする。詳しくは、まず、電源をＯＦＦにしたあと、プローブ針２６を右方向又は左方向に９０°回動させる。これにより、図４（ｄ）に示すように、上方からみて直線状のプローブ針２６の状態（第１の状態）から、湾曲部４３が見える状態（第２の状態）になる。次に、電源をＯＮにして、プローブ針２６から素子に電流を流す。その結果、工程５において、プローブ針２６によって隠れていた微弱光５１を観測することが可能な状態となる。
【００５０】
工程７では、プローブ針２６を第２の状態にしたときの微弱光５１像である第３画像を取得する。まず、撮像素子３１によって、微弱光５１像を撮像する。撮像した微弱光５１像は、第３画像として、図示しない記憶部に記憶される。第３画像には、第２画像におけるプローブ針２６によって隠れていた微弱光５１が記録されている。第３画像には、第１及び第２画像と同様に、半導体装置１１における基準位置データが記録されている。
【００５１】
工程８では、半導体装置１１における異常部分の位置を特定する。まず、記憶部に記憶された、半導体装置１１のパターン像が撮像された第１画像と、プローブ針２６が第１の状態のときの微弱光５１が撮像された第２画像と、プローブ針２６が第２の状態のときの微弱光５１が撮像された第３画像とを画像処理部に受け渡す。次に、画像処理部において、それぞれの画像に有する基準位置データを基に、３つの画像（第１〜第３画像）を重ね合わせる。第１〜第３画像を重ね合わせる処理を行うことにより、半導体装置１１のパターン像のどの部分に微弱光５１が発生しているかを観測することができる。重ね合わせた第１〜第３画像は、例えば、表示部に表示される。
次に、パターン像における微弱光５１の位置と、例えば、ＣＡＤデータの回路の位置とを比較して、異常個所を特定する。半導体装置１１における異常個所が特定されたあと、例えば、半導体装置１１を剥離するなどして、異常原因を究明する。
【００５２】
以上詳述したように、本実施形態の半導体検査装置によれば、以下に示す効果が得られる。
（１）本実施形態によれば、プローブ針２６をパッド電極１３に接触させたとき、プローブ針２６の直線軸上の下方に配置された半導体装置１１における発光する微弱光５１があったとしても、湾曲部４３のようにプローブ針２６における直線軸上にない部分を設け、プローブ針２６の軸を中心に回動させて湾曲部４３の位置をずらすことにより、プローブ針２６の上方に配置されたエミッション顕微鏡２４の撮像素子３１により、微弱光５１を撮像することができる。これにより、半導体装置１１における異常個所から発光する発光位置を観測することができる。その結果、検出した発光位置を基に、半導体装置１１における異常個所の位置を特定することができる。
【００５３】
（２）本実施形態によれば、プローブ針２６を軸中心に回動させることにより、第１の状態（湾曲部４３を立てた状態）又は第２の状態（湾曲部４３を倒した状態）に変位させることが可能となるので、プローブ針２６の形状を変えるために、その都度、プローブカード２３を作り変えることなく対応が可能となる。よって、かかるコストを抑えることができる。
【００５４】
（変形例１）上記したように、プローブカード２３に１本のプローブ針２６が設けられていることに代えて、複数本のプローブ針が設けられるような構成になっていてもよい。これによれば、半導体装置１１に比較的多くのパッド電極が設けられている場合であっても、一度に複数のパッド電極に電流を流すことが可能となる。
【００５５】
（変形例２）上記したように、プローブ針２６の軸上から逃がす部分の形状が湾曲（湾曲部４３）であることに限定されず、例えば、鍵形状やそれ以外の形状であってもよい。
【００５６】
（変形例３）上記したように、プローブ針２６を回動及び固定させる機構は、プローブカード本体２５に設けられた弾性部材４１を介して行っていたことに限定されず、これ以外の方法によってプローブ針２６を回動及び固定させるようにしてもよい。
また、プローブ針２６を手動で回動させていたことに代えて、例えば、電気的に回動させるようにしてもよい。
また、プローブカード本体２５にプローブ針２６を取り付ける方法は、上記に限定されない。
【００５７】
（変形例４）上記したように、プローブ針２６における湾曲部４３の位置を固定していたことに代えて、プローブ針２６の軸方向にスライド可能に設けるようにし、半導体装置１１の素子領域の位置に合わせて湾曲部４３を軸方向にスライドさせるようにしてもよい。これによれば、プローブ針２６によって隠れる素子領域をより少なくすることが可能となり、その結果、異常個所を見過ごすことを少なくすることができる。
【００５８】
（変形例５）上記したように、湾曲部４３を有するプローブ針２６をプローブカード本体２５に固定していたことに代えて、プローブカード本体２５からプローブ針２６が着脱可能に設けられており、プローブカード２３の用途に応じて、湾曲部を有するプローブ針と、直線状のプローブ針とを交換して使用するようにしてもよい。
【００５９】
（変形例６）上記したように、エミッション顕微鏡２４によって、半導体装置１１におけるリーク電流が発生している発光場所を特定していたことに限定されず、他の異常原因によって発生する発光場所を特定するようにしてもよい。例えば、断線している場所などがある。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】一実施形態における、半導体装置及び半導体チップの構造を示す模式図であり、（ａ）は、半導体装置及び半導体チップを模式的に示す斜視図、（ｂ）は、半導体チップの構造を模式的に示す側面図。
【図２】検査装置の構造を模式的に示す側面図。
【図３】プローブカードの構造を示す模式断面図であり、（ａ）は、プローブカード全体の構造を示す模式断面図、（ｂ）は、プローブ針周辺の構造を拡大して示す拡大断面図。
【図４】半導体装置の検査方法を示す模式図であり、（ａ）、（ｃ）は、検査装置を模式的に示す側面図、（ｂ）、（ｄ）は、パッド電極周辺を拡大して示す模式平面図。
【図５】従来の半導体検査装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は、半導体検査装置の全体の構造を模式的に示す側面図、（ｂ）は、半導体装置のパッド電極周辺を拡大して示す模式平面図。
【符号の説明】
【００６１】
１１…半導体装置、１２…半導体装置を構成する半導体チップ、１３…パッド電極、１４…素子領域、２１…半導体検査装置としての検査装置、２２…載置台、２３…プローブカード、２４…光検出部としてのエミッション顕微鏡、２５…プローブカードを構成するプローブカード本体、２６…プローブカードを構成するプローブ針、２７…開口部、２８…第１レンズ、２９…第２レンズ、３０…光源部、３１…撮像素子、４１…弾性部材、４２…先端部、４３…形状部としての湾曲部、４４…第１軸部、４５…第２軸部、４６…第３軸部、４７…レバー、４８…配線、５１…発光としての微弱光。
【図１】
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【図２】
2006329911.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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