(57)【要約】  【課題】  放射線の照射によって電荷を発生して蓄積し、読取用の電磁波の照射によって上記蓄積された電荷が読み出される放射線固体検出器であって、上記読取用の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と上記読取用の電磁波を遮光する第２ストライプ電極とが交互に配列された交互ストライプ電極を有する放射線固体検出器において、上記電荷を読み出す際に第１ストライプ電極の各線状電極に印加される基準電圧のバラツキを防止する。  【解決手段】  第１ストライプ電極の各線状電極の端部を接続した共通電極とする。【選択図】          図６
2006093702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の電磁波を透過する支持体の上面に形成された前記所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、前記所定の電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とを有し、前記第１ストライプ電極と前記第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極において、
前記第１ストライプ電極の各前記線状電極の端部が接続されて共通電極になっていることを特徴とする交互ストライプ電極。
【請求項２】
画像を担持した記録用の電磁波を受けて電荷を発生する電荷発生部と、
該電荷発生部において発生した電荷を読み出す、請求項１記載の交互ストライプ電極とを備えたことを特徴とする画像検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、該電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極およびその交互ストライプ電極を備えた画像検出器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、医療用放射線撮影等において、被験者の受ける被爆線量の減少、診断性能の向上等のために、Ｘ線等の放射線に感応するセレン板等の光導電体を有する放射線固体検出器（静電記録体）を感光体として用い、該検出器にＸ線を照射し、照射された放射線の線量に応じた量の電荷を検出器内の蓄電部に蓄積せしめることにより、放射線画像情報を静電潜像として記録すると共に、レーザビーム或いはライン光源で放射線画像情報が記録された検出器を走査することにより、前記検出器から放射線画像情報を読み取る方法が知られている（例えば、特許文献１等）。
【０００３】
本願出願人は、特許文献２において読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しを両立させることを可能ならしめる放射線固体検出器を提案している。この特許文献２に記載の放射線固体検出器は、記録用の放射線または放射線の励起により発せられる光に対して透過性を有する第１の電極層、記録用の放射線または前記光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層、照射された放射線の線量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部、読取用の電磁波の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取用の電磁波が照射される第２の電極層を、この順に有して成り、第２の電極層が、読取用の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、読取用の電磁波を遮光する第２ストライプ電極とを有し、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなるものである。
【０００４】
上記放射線固体検出器においては、被写体を透過した放射線が上記放射線固体検出器の第１の電極層に照射され、第１の電極層を透過した放射線の照射により記録用光導電層において放射線の線量に応じた電荷対が発生し、このとき、第１の電極層に負の電圧、第２の電極層に正の電圧が印加されると、負の電荷が蓄電部に潜像電荷として蓄積され、放射線画像が静電潜像として記録される。また、このとき、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とを接続して記録を行うと潜像電荷は両電極に対応する位置の蓄電部に蓄積される。そして、上記放射線固体検出器の第２の電極層に読取用の電磁波が照射されると、この電磁波は第１ストライプ電極を透過して読取用光導電層に照射され、読取用光導電層において電荷対が発生し、この電荷対のうち正の電荷は蓄電部に蓄積された負の電荷と結合し、負の電荷は第１ストライプ電極および第２ストライプ電極に帯電された正電荷と結合することによって潜像電荷の読出しが行なわれる。
【０００５】
上記放射線固体検出器では、上記のように記録によって蓄電部に蓄積せしめられた潜像電荷と逆極性の輸送電荷を第１ストライプ電極だけでなく第２ストライプ電極にも帯電させることが可能となるので、検出器から外部に取り出し得る信号電荷の量を多くして読取効率を向上させることが可能となる。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第４５３５４６８号明細書
【特許文献２】特開２０００−２８４０５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、上記交互ストライプ電極を有する放射線固体検出器において、上記のような潜像電荷の読み出しを行なう際には、第１ストライプ電極または第２ストライプ電極のいずれか一方に電流検出アンプなどを接続し、他方のストライプ電極の電位を基準電位として読み出しが行われるが、このとき他方のストライプ電極の各線状電極の基準電圧がバラツキをもつと読み出される電気信号にも影響が及ぶ。
【０００８】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、上記基準電圧にバラツキを生じることのない交互ストライプ電極およびその交互ストライプ電極を備えた画像検出器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の交互ストライプ電極は、所定の電磁波を透過する支持体の上面に形成された上記所定の電磁波を透過する多数の線状電極からなる第１ストライプ電極と、所定の電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とを有し、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極において、第１ストライプ電極の各線状電極の端部が接続されて共通電極になっていることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の画像検出器は、画像を担持した記録用の電磁波を受けて電荷を発生する電荷発生部と、その電荷発生部において発生した電荷を読み出す、上記本発明の交互ストライプ電極とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の交互ストライプ電極および画像検出器によれば、第１ストライプ電極の各線状電極の端部が接続されていて共通電極となるようにしたので、上記した基準電圧のバラツキを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の交互ストライプ電極製造方法の具体的な実施の形態を図面を参照して説明する。図１から図５は本発明の交互ストライプ電極製造方法の第１の実施の形態について、その製造過程をそれぞれ説明する図であり、図６は本実施の形態により製造された交互ストライプ電極を示す図である。
【００１３】
本実施の形態の交互ストライプ電極製造方法は、まず、ガラス基板１０上に多数の線状電極１２ａからなる第２ストライプ電極１２を形成する。その製造過程は一般的なフォトリソグラフィ法を利用するものであり、以下にその説明する。図１（１）に示すようにガラス基板１０の上面にＣｒ膜１３を略０．１μｍの厚さで蒸着により形成する。そして、そのＣｒ膜１３の上面全体にレジスト１４を塗布し（図１（２））、第２ストライプ電極１２の形状に応じたマスク１６を使用して紫外線を露光する（図１（３））し、現像、洗浄（リンス）処理を施してＣｒ膜１３の上面に第２ストライプ電極１２の形状に応じたレジストパターン１４ａを形成する（図１（４））。そして、Ｃｒ膜１３にエッチング処理を施し（図１（５））、レジストを除去することにより、第２ストライプ電極１２がガラス基板１０上に形成される（図１（６））。なお、上記のようにして形成される第２ストライプ電極１２の各線状電極１２ａの幅は１５μｍ程度、各線状電極１２ａの間隔は３５μｍ程度にするのが望ましい。また、図２に示すように各線状電極１２ａはそれぞれ接続されることなく個別の電極として形成され、その一端にはコンタクト部１２ｂが設けられるよう形成される。
【００１４】
次に、この第２ストライプ電極１２が形成されたガラス基板１０の上面に図３（Ａ）に示すように各線状電極１２ａのコンタクト部１２ｂを避けるようにして透明導電膜（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ））１６を一様に形成する。図３（Ａ）においてコンタクト部１２ｂを除いて透明導電膜１６が形成された部分の断面図を図３（Ｂ）に示す。透明導電膜１６を形成する方法としては真空蒸着法やディップ法などがある。コンタクト部１２ｂを避けて透明導電膜１６を形成するには、真空蒸着法（ＥＢ（電子ビーム）蒸着、抵抗加熱蒸着など）を用いる場合には、蒸着マスクを利用しコンタクト部１２ｂをマスクして形成すればよく、また、ガラス基板全面に透明導電膜１６を形成した後、コンタクト部１２ｂのみ透明導電膜１６をエッチングして除去するようにしてもよい。
【００１５】
そして、図４（１）に示すように透明導電膜１６の上面にネガレジスト１８を一様に塗布する。次に、図４（２）に示すようにガラス基板１０の下面から紫外線を照射して露光する。このとき、ガラス基板１０の下面に照射された紫外線は第２ストライプ電極１２には遮光されて透明導電膜１６は透過してネガレジスト１８に露光される。感光されたネガレジスト１８に現像処理、洗浄処理が施されることにより第２ストライプ電極１２の形状に応じたレジストパターン１８ａが形成される（図４（３））。さらに、このレジストパターン１８ａに熱処理が施され、図４（４）に示すようにレジストパターン１８ａは収縮して円弧状に形成される。なお、このレジストパターン１８ａに施される熱処理は、後述するアンダーエッチングの効果をより得るために施されるものである。
【００１６】
次に、第２ストライプ電極１２の各線状電極１２ａと透明導電膜１６とが分離するまで透明導電膜１６のエッチング処理を行なう。なお、このとき施されるエッチング処理はアンダーエッチングを利用したものであり、アンダーエッチングとは、図５に示すようにレジストパターン１８ａがない部分の縁からエッチング液がレジストパターン１８ａの下へ回り込んで、横方向にもエッチングが進む現象である。このアンダーエッチングは一般的には集積回路の微細化に伴って生じる現象であり、集積回路の製造には寸法精度を悪化させるため好ましくない現象であるが、本実施の形態においては、第２ストライプ電極１２の線状電極１２ａと透明導電膜１６とを分離させるため積極的にこの現象を利用している。
【００１７】
さらに、レジスト除去処理を施すことにより図６に示すように第２ストライプ電極１２と透明導電膜１６からなる第１ストライプ電極１６が交互に略平行に配列された交互ストライプ電極が自己整合的に形成される。なお、図６に示すように第１ストライプ電極１６はその一端が接続され共通電極となって形成される。
【００１８】
本発明による第１の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体１０の上面に第２ストライプ電極１２を形成し、支持体１０の上面および第２ストライプ電極１２の上面に透明導電膜１６を一様に形成し、透明導電膜１６の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜１８を一様に形成し、所定の電磁波を支持体１０の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極１２には遮光され透明導電膜１８は透過してレジスト膜１８が感光されることにより、第２ストライプ電極１２に応じたレジストパターン１８ａを形成し、レジストパターン１８ａに応じて透明導電膜１６をエッチングすることにより第２ストライプ電極１２と透明導電膜１６を分離して第１ストライプ電極を形成するようにしたので、高精度なマスク合わせを行なう大型な露光装置を必要とせず、１枚のストライプ電極用マスクから自己整合的に（マスク合わせなしに）ショート欠陥のない高精度な交互ストライプ電極を製造することができ、また、多面取りも可能で歩留りの向上、コストの低減を図ることができる。
【００１９】
次に、本発明の交互ストライプ電極製造方法の第２の実施の形態を図面を参照して説明する。図７から図１０は本発明の交互ストライプ電極製造方法の第２の実施の形態について、その製造過程をそれぞれ説明する図であり、図１１は本実施の形態により製造された交互ストライプ電極を示す図である。なお、第１の実施の形態と同様の処理についてはその詳細は省略して説明を行なう。
【００２０】
まず、第１の実施の形態における図１の（１）から（６）までに示した処理と同様の処理を施すことにより、ガラス基板５０上に多数の線状電極１２ａからなる第２ストライプ電極５２を形成する。なお、上記のようにして形成される第２ストライプ電極５２の各線状電極５２ａの幅は１５μｍ程度、各線状電極１２ａの間隔は３５μｍ程度にするのが望ましい。また、図７に示すように各線状電極５２ａはそれぞれ接続されることなく個別の電極として形成され、その一端にはコンタクト部５２ｂが設けられるよう形成される。
【００２１】
次に、この第２ストライプ電極５２が形成されたガラス基板１０の上面に図７（Ａ）に示すように各線状電極５２ａのコンタクト部５２ｂを避けるようにして透明絶縁膜（ＳｉＯ２）５４を一様に形成する。図７（Ａ）においてコンタクト部５２ｂを除いて透明絶縁膜５４が形成された部分の断面図を図７（Ｂ）に示す。透明絶縁膜５４を形成する方法としては真空蒸着法やディップ法などがある。コンタクト部５２ｂを避けて透明絶縁膜５４を形成するには、真空蒸着法（ＥＢ（電子ビーム）蒸着、抵抗加熱蒸着など）を用いる場合には、蒸着マスクを利用しコンタクト部５２ｂをマスクして形成すればよく、また、ガラス基板全面に透明絶縁膜５４を形成した後、コンタクト部５２ｂのみ透明絶縁膜５４をエッチングして除去するようにしてもよい。
【００２２】
そして、上記のようにして形成された透明絶縁膜５４の表面に透明導電膜５６を一様に形成する（図８（Ａ）は斜視図、図８（Ｂ）は断面図である）。このとき、図８（Ａ）に示すように透明導電膜５６の一端と透明絶縁膜５４の一端は間隔ａを空けてずらして形成される。
【００２３】
次に、図９（１）に示すように透明導電膜５６の上面にネガレジスト５８を一
様に塗布する。次に、図９（２）に示すようにガラス基板５０の下面から紫外線を照射して露光する。このとき、ガラス基板５０の下面に照射された紫外線は第２ストライプ電極５２には遮光されて透明絶縁膜５４および透明導電膜５６は透過してネガレジスト５８に露光される。感光されたネガレジスト５８に現像処理、洗浄処理が施されることにより第２ストライプ電極５２の形状に応じたレジストパターン５８ａが形成される（図９（３））。さらに、このレジストパターン５８ａに熱処理が施され、図９（４）に示すようにレジストパターン５８ａは収縮して円弧状に形成される。なお、このレジストパターン５８ａに施されれる熱処理は、後述するアンダーエッチングの効果をより得るために施されるものである。
【００２４】
次に、透明導電膜５６が各線状電極に分離するまで透明導電膜５６のエッチング処理を行なう。なお、このとき施されるエッチング処理はアンダーエッチングを利用したものである（図１０）。
【００２５】
さらに、レジスト除去処理を施すことにより図１１に示すように第２ストライプ電極と透明導電膜１６からなる第１ストライプ電極が交互に略平行に配列され、かつ第２ストライプ電極５２および第１ストライプ電極５６の各線状電極が透明絶縁膜５４により電気的に絶縁された交互ストライプ電極が自己整合的に形成される。なお、図１１に示すように第１ストライプ電極５６はその一端が接続され共通電極となって形成される。
【００２６】
本発明による第２の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体５０の上面に第２ストライプ電極５２を形成し、支持体５０の上面および第２ストライプ電極５２の上面に透明絶縁膜５４を一様に形成し、透明絶縁膜５４の上面に透明導電膜５６を一様に形成し、透明導電膜５６の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜５８を一様に形成し、所定の電磁波を支持体５０の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極５２には遮光され透明絶縁膜５４および透明導電膜５６は透過してレジスト膜５８が感光されることにより、第２ストライプ電極５２に応じたレジストパターン５８ａを形成し、レジストパターン５８ａに応じて透明導電膜５６をエッチングすることにより第１ストライプ電極５２を形成するようにしたので、上記第１の交互ストライプ電極製造方法と同様の効果が得られるとともに、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との絶縁性をさらに向上することができる。
【００２７】
次に、本発明の交互ストライプ電極製造方法の第３の実施の形態を図面を参照して説明する。図１２から図１６は本発明の交互ストライプ電極製造方法の第３の実施の形態について、その製造過程をそれぞれ説明する図である。なお、第１の実施の形態と同様の処理についてはその詳細は省略して説明を行なう。
【００２８】
本実施の形態の交互ストライプ電極製造方法は、まず、ガラス基板２０上に透明導電膜（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ））２２を形成する（図１２（１））。そして、第１の実施の形態における図１の（１）から（６）までに示した処理と同様の処理を施すことにより、透明導電膜２２の上面に第２ストライプ電極２４が形成される（図１２（２））。なお、第１の実施の形態と同様に、第２ストライプ電極２４の各線状電極２４ａの幅は１５μｍ程度、各線状電極２４ａの間隔は３５μｍ程度にするのが望ましい。また、図１３に示すように各線状電極２４ａはそれぞれ接続されることなく個別の電極として形成され、その一端にはコンタクト部２４ｂが設けられるよう形成される。
【００２９】
次に、この第２ストライプ電極２４の各線状電極２４ａのコンタクト部２４ｂのみを露出し、それ以外を覆うようにテープ等でマスクをし、更に、コンタクト部２４ｂのＣｒパターンをマスクとして透明導電膜２２のエッチング処理を施すことにより、図１４に示すようにコンタクト部２４ｂの周辺の透明導電膜２２を除去する（なお、このとき第１の実施の形態に示したアンダーエッチングは行なわないようにエッチング処理を施す）。
【００３０】
そして、図１５（１）に示すように透明導電膜２２および第２ストライプ電極２４の上面にネガレジスト２６を一様に塗布する。次に、図１５（２）に示すようにガラス基板２０の下面から紫外線を照射して露光する。このとき、ガラス基板２０の下面に照射された紫外線は第２ストライプ電極２４には遮光されて透明導電膜２２は透過してネガレジスト２６に露光される。ネガレジスト２６に現像処理、洗浄処理を施すことにより第２ストライプ電極２４の形状に応じたレジストパターン２６ａが形成される（図１５（３））。さらに、このレジストパターン２６ａに熱処理が施され、図１５（４）に示すようにレジストパターン２６ａは収縮して円弧状に形成され、レジストパターン２６ａと第２ストライプ電極２４との間に間隔が設けられることにより、透明導電膜２２が露出し、透明導電膜２２のエッチングが可能となる。
【００３１】
次に、第２ストライプ電極２４の各線状電極２４ａと透明導電膜２２とが分離するまで透明導電膜２２のエッチング処理を行なう。なお、このとき施されるエッチング処理はアンダーエッチングを利用したものである（図１６）。
【００３２】
さらに、レジスト除去処理を施すことにより第２ストライプ電極と透明導電膜１６からなる第１ストライプ電極が交互に略平行に配列された交互ストライプ電極が自己整合的に形成される。なお、本実施の形態により製造された交互ストライプ電極は断面は図１６に示すようになるが、上面図は第１の実施の形態と同様に図６に示すようになる。
【００３３】
本発明による第３の交互ストライプ電極製造方法によれば、支持体２０の上面に透明導電膜２２を一様に形成し、透明導電膜２２の上面に第２ストライプ電極２４を形成し、透明導電膜２２の上面および第２ストライプ電極２４の上面に所定の電磁波に対してネガ型のレジスト膜２６を一様に形成し、所定の電磁波を支持体２０の下面から露光し、この所定の電磁波が第２ストライプ電極２４には遮光され透明導電膜２２は透過してレジスト膜２６が感光されることにより、第２ストライプ電極２４に応じたレジストパターン２６ａを形成し、レジストパターン２６ａと第２ストライプ電極２４との間に間隔を設け、透明導電膜２２を露出させる間隔生成処理を施し、レジストパターン２６ａに応じて透明導電膜２２をエッチングすることにより第２ストライプ電極２４と透明導電膜２２を分離して第１ストライプ電極を形成するようにしたので、上記第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３４】
なお、上記第１から第３の実施の形態により製造される交互ストライプ電極の第２ストライプ電極の材料は、導電性を有するものであればよく、金、銀、白金等の単一金属や、酸化インジウム等の合金などでもよい。
【００３５】
また、透明導電膜のとしてはＩＴＯ膜の他にも、例えば、ネサ皮膜（ＳｎＯ２）、アモルファス状光透過性酸化膜であるＩＺＯ（ＩＤＩＸＯ（Ｉｄｅｍｉｔｓｕ Ｉｎｄｉｕｍ Ｘ−ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ ：出光興産（株）など））などを５０〜２００ｎｍ厚にして用いることができる。また、上記のようにＩＺＯ（ＩＤＩＸＯ（Ｉｄｅｍｉｔｓｕ Ｉｎｄｉｕｍ Ｘ−ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ）：出光興産（株）など）のような完全アモルファスな材料を利用した場合には、アンダーエッチングを透明導電膜の全体において均一な進行速度で行なうようにすることができる。また、上記のようにアンダーエッチングを透明導電膜の全体において均一な進行速度で行なうようにすることができるので、深いアンダーエッチング（例えば、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間を１０μｍの距離で分離する）も可能となる。また、第１ストライプ電極のエッジがスムーズになり、電極エッジからの電荷注入を低減することができる。さらに、ＩＺＯではなく、例えば、スパッタガスはＨ２Ｏを精密添加して作成して完全アモルファスな組成としたＩＴＯ膜を利用して透明導電膜を形成した場合には、アルカリにも強い第１ストライプ電極を作成することができる。
【００３６】
また、上記のようにアンダーエッチングを行う場合には、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極との間に１μｍ以上７μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上５μｍ以下の間隔を形成するようにすればよい。このような間隔で形成することにより、第１ストライプ電極と第２ストライプ電極とがショートしたり、第１および第２ストライプ電極間でノイズなどの悪影響を及ぼすことを回避することができ、また、アンダーエッチングの過度の進行による断線などの弊害を回避することができる。なお、上記間隔とは、第１の実施の形態においては図５に示す間隔Ａ、第２の実施の形態においては図１０に示す間隔Ｂ、第３の実施の形態にいては図１６に示す間隔Ｃのことをいう。
【００３７】
また、支持体としては有機ポリマー材料を使用することができ、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などを使用することができる。
【００３８】
また、上記第１から第３の実施の形態により製造された交互ストライプ電極は、図１７に示すようにラインセンサ用の電極として使用することができる。図１７に示すラインセンサ４０は、本発明による交互ストライプ電極の上面に光導電層３２を形成したものである。なお、このラインセンサ４０の１画素ラインは図１７に示すように１本の第１ストライプ電極の線状電極と１本の第２ストライプ電極の線状電極から構成されているが、これに限らず、１画素ラインをそれぞれ複数の線状電極から構成するようにしてもよい。
【００３９】
このラインセンサ４０はガラス基板３０の下面からの光学像の入射により光導電層３２内で電荷対が発生する。交互ストライプ電極の第１ストライプ電極に所定の電圧を印加し、第２ストライプ電極に電流検出アンプ３８を接続することにより、光導電層３２内で発生した電荷対を画像信号として読み出すことができる。
【００４０】
また、上記第１から第３の実施の形態により製造された交互ストライプ電極は、特開２０００−２８４０５６号公報に記載の放射線固体検出器の交互ストライプ電極として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板上に第２ストライプ電極を形成する過程を示す図
【図２】図１の過程によりガラス基板上に形成された第２ストライプ電極を示す図
【図３】本発明の第１の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板および第２ストライプ電極上に形成された透明導電膜を示す図
【図４】本発明の第１の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法において透明導電膜上に第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを形成する過程を示す図
【図５】第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを利用してアンダーエッチングにより分離された第２ストライプ電極と透明導電膜を示す図
【図６】本発明の第１の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法により製造された交互ストライプ電極を示す図
【図７】本発明の第２の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板および第２ストライプ電極上に形成された透明絶縁膜を示す図
【図８】本発明の第２の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法において透明絶縁膜上に形成された透明導電膜を示す図
【図９】本発明の第２の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法において透明導電膜上に第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを形成する過程を示す図
【図１０】第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを利用してアンダーエッチングにより分離された透明導電膜の各線状電極を示す図
【図１１】本発明の第２の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法により製造された交互ストライプ電極を示す図
【図１２】本発明の第３の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板上に形成された透明導電膜および透明導電膜上に形成された第２ストライプ電極を示す断面図
【図１３】本発明の第３の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板上に形成された透明導電膜および透明導電膜上に形成された第２ストライプ電極を示す斜視図
【図１４】本発明の第３の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法においてガラス基板上に形成され、線状電極のコンタクト部について除去された透明導電膜を示す斜視図
【図１５】本発明の第３の実施の形態による交互ストライプ電極製造方法において透明導電膜上に第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを形成する過程を示す図
【図１６】第２ストライプ電極の形状に応じたレジストパターンを利用してアンダーエッチングにより分離された第２ストライプ電極と透明導電膜を示す図
【図１７】本発明による交互ストライプ電極を利用したラインセンサを示す図
【符号の説明】
【００４２】
１０，２０，３０，５０    ガラス基板
１２，２４，３６，５２    第２ストライプ電極
１２ａ，２４ａ，５２ａ    線状電極
１２ｂ，２４ｂ，５２ｂ    コンタクト部
１３    Ｃｒ膜
１４    レジスト
１４ａ    レジストパターン
１５    マスク
１６，２２，５６    透明導電膜
１８，２６，５８    ネガレジスト
１８ａ，２６ａ，５８ａ    レジストパターン
３４    第１ストライプ電極
３８    電流検出アンプ
４０    ラインセンサ
５４    透明絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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