(57)【要約】【課題】  高周波特性に優れるとともに小型化に適した中継基板を提供する。【解決手段】  信号用として機能する接続手段２２Ｂのスパイラル接触子３６の数を、グランド用として機能する接続手段２２Ａ，２２Ｃスパイラル接触子３０よりも多くすると、信号ライン上のインダクタンス値が小さくなり、中継基板２０の特性インピーダンスＺ０を低減することが可能となる。前記特性インピーダンスＺ０を、信号源および負荷のインピーダンスＺｓおよびＺＬに整合させることにより、反射の問題を解消し高周波特性に優れた中継基板２０とすることができる。またコイルやコンデンサなどの別部材を要せずにインピーダンス整合を図ることができるため、中継基板２０を小型化することが可能となる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の面上に電子部品に設けられた外部接続電極に対向して配置された弾性接触子と、を備えた中継基板であって、
前記外部接続電極がグランド用と信号用とに分けられており、一つの信号用の外部接続電極に対し、２つ以上の弾性接触子が接触可能とされていることを特徴する中継基板。
【請求項２】
前記基板上には、信号用の弾性接触子とグランド用の弾性接触子とが隣接して配置されており、前記信号用の弾性接触子を固定するランド部と前記グランド用の弾性接触子を固定するランド部とが対向する部分に静電容量が形成されている請求項１記載の中継基板。
【請求項３】
前記基板にスルーホールが形成されており、前記ランド部が前記スルーホールの周縁部に形成されている請求項２記載の中継基板。
【請求項４】
前記弾性接触子が前記基板の表裏両面に設けられている請求項３記載の中継基板。
【請求項５】
前記基板の表面側に設けられたランド部と前記基板の裏側に設けられたランド部とが、前記スルーホールを介して導通接続されている請求項３または４記載の中継基板。
【請求項６】
前記信号用の弾性接触子が、グランド用の弾性接触子に比較して小型である請求項１ないし５のいずれか記載の中継基板。
【請求項７】
前記弾性接触子が有するインダクタンスおよび前記ランド間に形成される静電容量とによって規定される特性インピーダンスと、信号源側のインピーダンスおよび負荷側のインピーダンスとの間でインピーダンス整合が図られている請求項１ないし６のいずれか記載の中継基板。
【請求項８】
前記弾性接触子がスパイラル接触子で形成されている請求項１ないし７のいずれか記載の中継基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体などの電子部品と基板とを接続する中継基板、あるいは基板どうしを接続する中継基板に係わり、特に高周波特性に優れるとともに小型化に適した中継基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明に関連する先行技術としては、例えば以下の特許文献１に記載された電子コネクタなどが存在している。
【０００３】
特許文献１に記載された電子コネクタ１では、中心側に設けられた信号用の端子をその外周に設けられたグランド用の端子で取り囲む構成としたものであり、その結果、グランド用の端子が信号用の端子を電磁遮蔽することができるため、信号用の端子に重畳しやすいノイズを遮断することが可能となるというものである。
【特許文献１】特開２００４−２４１３０４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記実施の形態に記載された電子コネクタは、電磁シールドとして機能、すなわち外部で発生した高周波ノイズが信号ラインに重畳しないように防御したり、あるいは信号ライン上を伝送する高周波信号がノイズとして外部に放出させないようにしたりすることができるものの、インピーダンスマッチングによる高周波特性までをも考慮した構成ではない。
【０００５】
すなわち、ＣＰＵなど半導体の動作周波数は今後益々高速化されて行くが、このとき信号源の出力インピーダンス、伝送線路（ケーブルや配線パターンなど）のインピーダンスおよび負荷のインピーダンスとの間の整合が不十分であると、信号源と伝送線路との接続点、および伝送線路と負荷との接続点で反射が生じ、信号が単発の場合には進行波と反射波との合成によって信号の振幅レベルが一時的に２倍に達したり、また連続波の場合には進行波と反射波とが伝送線路上のすべての点で干渉し、前記伝送線路上の各点で振幅が異なる定在波を作り出したりするという問題が発生するが、上記電子コネクタではこのような反射などの高周波特性について何ら対応できる構成ではなかった。
【０００６】
通常、このような反射の問題については、所定の規定値（例えば５０[Ω]）を設定し、各インピーダンスが前記規定値となるようにすることで対応している。
【０００７】
ところで、前記伝送線路は分布定数回路であり、その特性インピーダンスＺ０の大きさは信号源の出力インピーダンスや負荷のインピーダンスとは異なり、前記分布定数回路の形と寸法とによって決まるものであり、線路の単位長さ（１ｍ）当たりの自己インダクタンスをＬ、静電容量をＣとすると、以下の数１となる。
【０００８】
【数１】
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【０００９】
しかし、基板上の配線パターン（伝送線路）の形や寸法は基板ごとに異なるため、前記配線パターン（伝送線路）の特性インピーダンスＺ０を基板ごとに前記規定値に設定することは煩雑であるという問題がある。
【００１０】
また基板上にコイル（Ｌ）とコンデンサ（Ｃ）を設けることにより、前記伝送線路の特性インピーダンスＺ０を前記規定値に設定することも考えられるが、単にコイルやコンデンサを別部材として設けることは、部品点数の増大によるコストの高騰、あるいは配置スペースの確保による基板小型化の困難性などの問題を招くおそれがある。
【００１１】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、基板上の伝送線路についてインピーダンス整合を図ることにより高周波特性に優れた中継基板を提供することを目的としている。
【００１２】
また本発明は、別部材を設けることなくインピーダンス整合を図ることができるとともに小型化に適した中継基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、基板と、前記基板の面上に電子部品に設けられた外部接続電極に対向して配置された弾性接触子と、を備えた中継基板であって、
前記外部接続電極がグランド用と信号用とに分けられており、一つの信号用の外部接続電極に対し、２つ以上の弾性接触子が接触可能とされていることを特徴するものである。
【００１４】
上記において、前記基板上には、信号用の弾性接触子とグランド用の弾性接触子とが隣接して配置されており、前記信号用の弾性接触子を固定するランド部と前記グランド用の弾性接触子を固定するランド部とが対向する部分に静電容量が形成されているものが好ましい。
【００１５】
また前記基板にスルーホールが形成されており、前記ランド部が前記スルーホールの周縁部に形成されているものである。
さらには、前記弾性接触子が前記基板の表裏両面に設けられているものである。
【００１６】
そして、前記基板の表面側に設けられたランド部と前記基板の裏側に設けられたランド部とが、前記スルーホールを介して導通接続されている構成である。
【００１７】
上記においては、前記信号用の弾性接触子が、グランド用の弾性接触子に比較して小型であるものが好ましい。
【００１８】
さらには、前記弾性接触子が有するインダクタンスおよび前記ランド間に形成される静電容量とによって規定される特性インピーダンスと、信号源側のインピーダンスおよび負荷側のインピーダンスとの間でインピーダンス整合が図られているものが好ましい。
【００１９】
上記のいずれの手段においても、前記弾性接触子がスパイラル接触子で形成されているものが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、信号ライン上に複数のインダクタンスを並列接続することにより、伝送線路を形成する中継基板の特性インピーダンスの調整をすることができる。このため、特性インピーダンスと信号源および負荷のインピーダンスとをマッチング（整合）させることが可能となるため、信号を受信する際に生じやすい反射の問題を解消し高周波特性に優れた中継基板を提供することができる。
【００２１】
しかもインピーダンスマッチングを図るための専用のコイルやコンデンサを必要としないため、中継基板を小型化することができるとともに、部品点数の増加およびコストの高騰を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は本発明の中継基板を用いた実施の形態として、半導体デバイスの検査システムの一部を構成する接続装置を示す斜視図、図２は図１に示す接続装置の２−２線における断面図、図３は中継基板から基板を取り除いた状態を示す接続手段の分解斜視図、図４は接続手段を拡大して示す中継基板の部分断面図である。
【００２３】
また図５は本発明の実施の形態としての中継基板を部分的に示す斜視図、図６は接続状態の一例を示す中継基板の側面図、図７は図５および図６の接続状態に対応する電気回路図、図８は図７の電気回路を等価的に示す等価回路図である。なお、図３および図５ではスパイラル接触子を平面的な形状として示しているが、本来のスパイラル接触子は図２、図４および図６に示すように立体成形された凸形状である。
【００２４】
図１および図２に示す接続装置１０は、基台１１と、この基台１１の一方の縁部に設けられたひんじ部１３を介して回動自在に支持された蓋体１２とを有している。前記基台１１および蓋体１２は絶縁性の樹脂材料などで形成されており、前記基台１１の中心部には図示Ｚ２方向に凹となる装填領域１１Ａが形成されている。そして、前記装填領域１１Ａ内に半導体デバイスなどの電子部品１が装着される中継基板２０が設けられている。
【００２５】
前記蓋体１２の内側には加圧部１２ａが設けられている。前記蓋体１２の内側と前記加圧部１２ａとの間にはコイルスプリング（図示せず）などが設けられており、後述するように装填領域１１Ａ内に装着された電子部品１の表面をＺ２方向に加圧することが可能とされている。なお、基台１１の他方の縁部には被ロック部１４が形成され、これに対応する蓋体１２にはロック部１５が形成されている。
【００２６】
この接続装置１０は、例えば接続面１Ａに多数の外部接続電極１ａが配置された電子部品１などを検査の対象とするものである。
【００２７】
前記外部接続電極１ａは、例えば前記接続面１Ａの外側に縦横方向に沿って２列に配置されたもの、あるいは前記接続面１Ａの全面にマトリックス状（格子状または碁盤の目状ともいう）に配置されたものなどであり、例えばピン状電極（ＰＧＡ；Ｐｉｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、薄板状に形成された平面状電極（ＬＧＡ；Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、あるいは球状電極（ＢＧＡ；Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）などである。なお、図２に示す電子部品１の外部接続電極１ａは平面状電極（ＬＧＡ）である。
【００２８】
図２に示すように、前記装填領域１１Ａには中継基板２０が設けられている。中継基板２０には、複数の接続手段２２が前記電子部品１の外部接続電極１ａに対向して配置されている。なお、図２では各接続手段２２を丸印で示している。
【００２９】
前記中継基板２０を形成する基板２１は、例えばガラスエポキシなどのような可撓性の低い硬質な材料で形成された基板であってもよいし、ポリイミドなどのフレキシブル性の高い基板であってもよいが、いずれにしても高い絶縁性を有する樹脂材料などで形成されている。
【００３０】
図２および図４に示すように、前記基板２１には複数のスルーホール２３Ａが前記電子部品１の接続面１Ａに設けられた複数の外部接続電極１ａに対応して設けられている。このスルーホール２３Ａの上下の縁部周辺には、図３に示すような四角い枠状の上ランド部２５Ａと下ランド部２５Ｂがそれぞれ設けられている。
【００３１】
前記上ランド部２５Ａと下ランド部２５Ｂとの間には、筒状の導通部２５Ｃが前記スルーホール２３Ａの内壁に沿うように形成されている。前記上ランド部２５Ａ、下ランド部２５Ｂおよび前記導通部２５Ｃは銅メッキなどで形成されており、上ランド部２５Ａと下ランド部２５Ｂとが前記導通部２５Ｃを介して導通接続されている。
【００３２】
前記上ランド部２５Ａの上面（Ｚ１側の面）、および下ランド部２５Ｂの下面（Ｚ２側の面）には、弾性接触子としてスパイラル接触子３０がそれぞれ固定されている。個々のスパイラル接触子３０は外周側に設けられた支持部３１と、その内部に設けられた渦巻き状の接触片３２とを有する構造であり、前記支持部３１が上ランド部２５Ａの上面および下ランド部２５Ｂの下面に導電性接着剤２４などを介して固着されている。前記接触片３２は前記支持部３１と一体で形成されており、外周側の巻き始端３２ａから内周中心側の巻き終端３２ｂに向かって螺旋状または渦巻き状に延びている。前記接触片３２は前記巻き始端３２ａ側において前記支持部３１に対し片持ち状態で支持されており、前記導通部２５Ｃの内側にいて図示Ｚ１およびＺ２方向に弾性変形できるようになっている。なお、前記スパイラル接触子３０の接触片３２は図３および図５に示すような平面型であってもよいが、図２および図４に示すように予め前記巻き終端３２ｂ側が巻き始端３２ａ側よりも凸状に突出成形されたものが好ましい。特に下ランド部２５Ｂ側の前記スパイラル接触子３０は、図示Ｚ２方向に突出するようにフォーミングされていることが必須である。
【００３３】
前記接続装置１０は母基板（マザーボード）５０の上に設けられている。前記母基板５０の表面には、前記複数のスルーホール２３Ａに対応して形成された導電性の接続パッド５１が複数設けられている。下ランド部２５Ｂ側に設けられた個々のスパイラル接触子３０は、内周中心側の巻き終端３２ｂが前記各接続パッド５１上に載置されている。そして、前記中継基板２０は、前記スパイラル接触子３０が有する弾性力によって母基板５０上に支持される。
【００３４】
図２に示すように、前記電子部品１が装填領域１１Ａ内の中継基板２０に載置され、前記蓋体１２が閉じられて前記被ロック部１４とロック部１５との間のロックが完了すると、電子部品１の外部接続電極１ａが中継基板２０の上部側に設けられた各スパイラル接触子３０を図示Ｚ２方向に弾圧するため、各外部接続電極１ａと各スパイラル接触子３０とが導通接続させられる。
【００３５】
同時に、中継基板２０全体が図示Ｚ２方向に加圧されるため、中継基板２０の下部側に設けられた各スパイラル接触子３０が母基板５０の各接続パッド５１を弾圧するため、この間の導通が確保される。すなわち、電子部品１の各外部接続電極１ａと母基板５０の各接続パッド５１との間が電気的に接続される。
【００３６】
前記接続パッド５１には配線パターンの一端が接続されており、前記配線パターンの他端は、母基板５０の表面または裏面などを介して引き出されており、母基板５０上に設けられた外部回路４０（図８参照）などに接続されている。
【００３７】
次に、本発明の実施の形態について主として図５および図６を参照しつつ説明する。
図５および図６に本発明の実施の形態として示す中継基板２０は、中継基板２０の両面にそれぞれ大型のスパイラル接触子３０を備えた接続手段２２Ａ，２２Ｃと、前記スパイラル接触子３０に比較して１／４程度の大きさからなる小型のスパイラル接触子３６（個別に３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄで示す。）を４つ備えた接続手段２２Ｂを有している。前記接続手段２２Ｂは、接続手段２２Ａと接続手段２２Ｃとの間に配置されている。
【００３８】
前記小型のスパイラル接触子３６を有する前記接続手段２２Ｂ全体の縦寸法および横寸法と、大型のスパイラル接触子３０を有する接続手段２２Ａ，２２Ｃの縦寸法および横寸法とは共にＷｘ，Ｗｙと同じ大きさに設定されている。また前記接続手段２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃの縦寸法Ｗｘおよび横寸法Ｗｙは、各接続手段２２に対向する電子部品１側の外部接続電極１ａの縦横の寸法にも対応している。
【００３９】
すなわち、前記接続手段２２Ｂの４つのスパイラル接触子３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄは、これに対向する電子部品１の外部接続電極１ａの領域内に収まるとともに、すべてのスパイラル接触子３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄが外部接続電極１ａに接触することができる大きさで形成されている。
【００４０】
図４および図６に示すように、前記接続手段２２Ｂを構成する各スパイラル接触子３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄは、それぞれ別個に設けられた４つの上ランド部２６Ａに固定されている。前記基板２１には、前記スルーホール２３Ａよりも小径の寸法からなる４つのスルーホール２３Ｂが、各上ランド部２６Ａに対応して設けられている。各スルーホール２３Ｂ内には導電部２６Ｃが形成されており、基板２１の下面側で前記４つのスルーホール２３Ｂの縁部には下ランド部２６Ｂがそれぞれ設けられている。そして、４つの下ランド部２６Ｂの下面（Ｚ２側の面）には図示Ｚ２方向に凸状に成形された小型のスパイラル接触子３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄがそれぞれ固定されている。すなわち、接続手段２２Ｂは、前記接続手段２２Ａ，２２Ｃと同様の構成であり、上ランド部２６Ａと下ランド部２６Ｂとは前記導電部２６Ｃを介して導通接続されている。
【００４１】
したがって、前記中継基板２０の上面側と下面側に設けられた２組のスパイラル接触子３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄの各巻き終端３２ｂは、それぞれ分離されたオープンな状態にある。ただし、前記中継基板２０の上面側に設けられた４つのスパイラル接触子３６の各支持部３１と前記中継基板２０の下面側に設けられた４つのスパイラル接触子３６の各支持部３１とは、前記上ランド部２６Ａおよび下ランド部２６Ｂを介して前記導電部２６Ｃにおいて全て導通接続されている状態にある。
【００４２】
図５および図６に示すように、中継基板の上側（Ｚ１側）では、前記接続手段２２Ａの上ランド部２５Ａの側面と前記接続手段２２Ｂの図示Ｘ２側（接続手段２２Ａ側）に設けられた２つの上ランド部２６Ａ，２６Ａの側面とが所定のギャップ長ｄを介して対向させられている。同様に、前記接続手段２２Ｃの上ランド部２５Ａの側面と前記接続手段２２Ｂの図示Ｘ１側（接続手段２２Ｃ側）に設けられた２つの上ランド部２６Ａ，２６Ａとが所定のギャップ長ｄを介して対向させられている。
【００４３】
また中継基板の下側（Ｚ２側）では、前記接続手段２２Ａの下ランド部２５Ｂの側面と前記接続手段２２Ｂの図示Ｘ２側（接続手段２２Ａ側）に設けられた２つの下ランド部２６Ｂ，２６Ｂの側面とが所定のギャップ長ｄを介して対向させられている。同様に、前記接続手段２２Ｃの下ランド部２５Ｂの側面と前記接続手段２２Ｂの図示Ｘ１側（接続手段２２Ｃ側）に設けられた２つの下ランド部２６Ｂ，２６Ｂとが所定のギャップ長ｄを介して対向させられている。
【００４４】
ここで、前記上ランド部２５Ａの側面と、ギャップ長ｄを介して対向する２つの上ランド部２６Ａ，２６Ａのうち一方の側面との間の対向面積をＳ、真空の誘電率をε０、空気の比誘電率をεｒとすると、上ランド部２５Ａの側面と一方の上ランド部２６Ａの側面との間は平行平板型のコンデンサとみなすことができる。そして、この間の静電容量をＣ１とすると、静電容量Ｃ１は以下の数２で表すことができる。
【００４５】
【数２】
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【００４６】
同様に、上ランド部２５Ａの側面と他方の上ランド部２６Ａの側面との間の静電容量もＣ１である。この静電容量Ｃ１は、前記上ランド部２５Ａの側面と、これにギャップ長ｄを介して対向するすべての上ランド部２６Ａとの間に形成され。また以上のことは、中継基板２０の下側（Ｚ２側）においても同様である。
【００４７】
次に、中央に位置する前記接続手段２２Ｂを信号用、その両端に位置する接続手段２２Ａ，２２Ｃをグランド（接地）用とすると、図５および図６の中継基盤２０は図７の電気回路図として示すことができる。なお、Ｌ１は前記スパイラル接触子３０，３６が元来有しているインダクタンス値である。
【００４８】
電子部品１を負荷側、母基板５０側に設けられた外部回路４０を信号源Ｖｓとすると、図７の回路は図８に示す等価回路で表すことができる。すなわち、等価的に前記インダクタンスは信号ラインａ１−ｂ１間に挿入され、静電容量は信号ラインとグランドとの間に挿入される。なお、図８では負荷側のインピーダンスをＺＬ、前記信号源Ｖｓの出力インピーダンスをＺｓで示している。
【００４９】
ここで中継基板２０は外部回路と電子部品１との間を接続する伝送経路に相当する。そして、前記中継基板２０の特性インピーダンスをＺ０とすると、この実施の形態に示すものでは前記各インピーダンスＺｓ，Ｚ０，ＺＬとの間に以下の数３の関係が保たれている。
【００５０】
【数３】
2006165289.tif 000005
【００５１】
このように、伝送線路（中継基板２０）の特性インピーダンスＺ０を外部回路４０側の信号源ＶｓのインピーダンスＺｓと電子部品１側の負荷インピーダンスＺＬに整合させると、前記信号源Ｖｓと中継基板２０との接続点ａ１−ａ２（図８参照）および中継基板２０と負荷との接続点ｂ１−ｂ２（図８参照）との間での反射の発生を抑制することが可能となる。
【００５２】
すなわち、前記中継基板２０を介して電子部品１と母基板５０側に設けられた信号源Ｖｓを有する外部回路４０とを接続し、例えば信号源Ｖｓを数百ＭＨｚ以上の高い動作周波数として前記電子部品１を駆動したときに、伝送線路側に相当する中継基板２０の特性インピーダンスＺ０を信号源Ｖｓ側に相当する母基板５０の外部回路４０のインピーダンスＺｓと、負荷側に相当する電子部品１のインピーダンスＺＬに一致させ、あるいは近似させてインピーダンス整合を図ることにより、前記母基板５０の外部回路４０と前記中継基板２０との接続点、および前記中継基板２０と前記負荷（電子部品１）との接続点で発生しやすい信号反射の問題を解消することができる。すなわち、高周波特性に優れた中継基板２０とすることができる。
【００５３】
ここで、伝送線路（中継基板２０）の特性インピーダンスＺ０を信号源のインピーダンスＺｓと負荷のインピーダンスＺＬに一致させてインピーダンス整合を図る一手段としては、インダクタンスＬを調整する方法があるが、この実施の形態では、前記４つのスパイラル接触子３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄが並列接続された状態で信号ライン（ａ１−ｂ１間）に挿入されている。このため、前記信号ラインに１つのスパイラル接触子を挿入する場合に比較してインダクタンス値をほぼ１／４に低減することができる。
【００５４】
すなわち、４つのスパイラル接触子３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄの並列接続後のインダクタンス値をＬとすると、個々のインダクタンス値Ｌ１との間には以下の数４の関係が成立する。
【００５５】
【数４】
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【００５６】
これを上記数１に代入して、中継基板（伝送経路）２０の特性インピーダンスＺ０を求めると以下の数５となる。
【００５７】
【数５】
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【００５８】
すなわち、信号ラインａ１−ｂ１間に４つのスパイラル接触子を挿入することにより、中継基板（伝送経路）２０の特性インピーダンスＺ０を１／２に低減することができる。
【００５９】
これを一般化すると、信号ラインａ１−ｂ１間にｎヶ（ただし、ｎは２以上の整数）のスパイラル接触子を挿入すると、１ヶのスパイラル接触子を挿入した場合に比較してインダクタンス値は１／ｎになるため、前記中継基板（伝送経路）２０の特性インピーダンスＺ０を１／√（ｎ）（＝１／ｎ１／２）倍に低減することができる。
【００６０】
したがって、特性インピーダンスＺ０の低減を図りたい場合には、信号ラインａ１−ｂ１間に複数のスパイラル接触子を挿入することにより、特性インピーダンスＺ０の大きさを減少させることができる。あるいは複数のスパイラル接触子を有する場合において特性インピーダンスＺ０の増大を図りたい場合には、複数のスパイラル接触子からその数を減らすことにより、特性インピーダンスＺ０の大きさを増大させることが可能となる。
【００６１】
また静電容量Ｃの値を変えることにより、特性インピーダンスＺ０の大きさを調整することも可能である。すなわち、上記数２から明らかなように、対向面積Ｓ、ギャップ長ｄを変えることにより静電容量Ｃの値の調整が可能である。あるいは、互いに対向し合う上記ランド部２５Ａの側面と上記下部ランド部２６Ａの側面との間に誘電体を挿入することによっても静電容量Ｃの値を調整することが可能である。
【００６２】
以上のように、本願発明では信号用として機能する接続手段２２Ｂのスパイラル接触子３６の数の増減を図ることにより、信号ライン上に等価回路的に接続されるインダクタンスＬの値を変更することが可能となる。このため、このインダクタンスＬと前記信号ラインとグランドとの間に形成される静電容量Ｃとにより規定される中継基板２０の特性インピーダンスＺ０を、信号源および負荷のインピーダンスＺｓおよびＺＬにマッチング（整合）させることにより、信号を受信する際に生じやすい反射の問題を解消し高周波特性に優れた中継基板２０とすることができる。
【００６３】
しかも、本願発明では電子部品１の外部接続電極１ａと接続するための接続手段２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃであるスパイラル接触子が元来有するインダクタンスを利用してインピーダンスマッチングを図ることができるため、専用のコイルやコンデンサを不要とすることができる。よって、中継基板２０に前記コイルやコンデンサを搭載するための専用のスペースを確保する必要がなく、中継基板２０を小型化することができるとともに、部品点数の増加およびコストの高騰を抑制することができる。
【００６４】
なお、上記実施の形態では、中継基板２０が半導体などの電子部品１と外部回路４０を有する母基板５０とを接続するため部材とした構成で説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、中継基板２０は基板どうしを直接接続するものであってもよいし、また基板間を間接的に接続する平面型のコネクタに設けられる構成であってもよい。
【００６５】
また上記実施の形態では、中継基板２０の上下両面に、インダクタンスを形成するスパイラル接触子が形成され、且つ静電容量Ｃが形成された構成を示して説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、スパイラル接触子は中継基板２０の上部側の面にのみ形成される構成であってもよい。
【００６６】
この場合、中継基板２０の下面側では、前記スパイラル接触子３０，３６の代わりに、例えば銅などで形成され、且つ図示Ｚ２方向に凸状に突出する凸型パッドを前記下ランド部２５Ｂの下面に固着し、この凸型パッドと母基板５０の接続パッド５１とを導電性接着剤などで固定することにより導通接続された構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の中継基板を用いた実施の形態として、半導体デバイスの検査システムの一部を構成する接続装置を示す斜視図、
【図２】図１に示す接続装置の２−２線における断面図、
【図３】中継基板から基板を取り除いた状態を示す接続手段の分解斜視図、
【図４】接続手段を拡大して示す中継基板の部分断面図、
【図５】本発明の実施の形態としての中継基板を部分的に示す斜視図、
【図６】接続状態の一例を示す中継基板の側面図、
【図７】図５および図６の接続状態に対応する電気回路図、
【図８】図７の電気回路を等価的に示す等価回路図、
【符号の説明】
【００６８】
１  電子部品
１ａ  外部接続電極
１０  接続装置
１１  基台
１１Ａ  装填領域
１２  蓋体
２０  中継基板
２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ  接続手段
２３Ａ，２３Ｂ  スルーホール
２５Ａ，２６Ａ  上ランド部
２５Ｂ，２６Ｂ  下ランド部
２５Ｃ  導通部
２５ａ，２５ｂ  側面
３０，３６，３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ  スパイラル接触子（弾性接触子）
３１  支持部
３２  接触片
４０  外部回路
５０  母基板（マザーボード）
５１  接続パッド
Ｃ，Ｃ１  静電容量
ｄ  ギャップ長
Ｓ  対向面積
Ｌ，Ｌ１  インダクタンス
Ｚ０  伝送経路（中継基板）の特性インピーダンス
Ｚｓ  信号源のインピーダンス
ＺＬ  負荷のインピーダンス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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