(57)【要約】 【課題】  フェライトめっき法によって形成されたフェライト膜において、生成速度を向上して工業的な生産性を増し、フェライト膜の組成および組織を制御し、２６０℃程度の温度で熱処理した後も高比抵抗でかつ軟磁気特性が優れたフェライト薄膜およびその製造方法を得る。【解決手段】  フェライトめっきにて形成されたＦｅ，Ｎｉ，Ｚｎ系のフェライト薄膜において、Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が２．０／３以下であって、約２６０℃で熱処理した後の、表面抵抗率（Ω）と膜厚（ｃｍ）の積が１０6Ωｃｍ以上であるフェライト薄膜とする。            【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、前記反応液、酸化液の内フェライト膜の生成に寄与しない残分を基体から除去する工程とからなるフェライト膜の製造方法にて形成されるＦｅ，Ｎｉ，Ｚｎ系のフェライト薄膜において、Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が２．０／３以下であり、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．２／３以上であり、Ｚｎ含有量がモル比でＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．７／３以下であることを特徴とするフェライト薄膜。
【請求項２】
前記フェライト薄膜は、約２６０℃で熱処理した後の、表面抵抗率（Ω）と膜厚（ｃｍ）の積が１０6Ωｃｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のフェライト薄膜。
【請求項３】
少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、前記反応液、酸化液の内フェライト膜の生成に寄与しない残分を基体から除去する工程とからなるフェライト膜の製造方法にて形成されるＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｏ系のフェライト薄膜において、Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が２．０／３以下であり、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０．２／３以上であり、Ｚｎ含有量がモル比でＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０．７／３以下であり、Ｃｏ有量がモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０／３より大きく０．３／３以下であることを特徴とするフェライト薄膜。
【請求項４】
前記フェライト薄膜は、約２６０℃で熱処理した後の、表面抵抗率（Ω）と膜厚（ｃｍ）の積が１０6Ωｃｍ以上であることを特徴とする請求項３に記載のフェライト薄膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スピネル型フェライト膜に関し、特にインダクタンス素子、インピーダンス素子、磁気ヘッド、マイクロ波素子、磁歪素子、及び高周波領域において不要電磁波の干渉によって生じる電磁障害を抑制するために用いられる電磁干渉抑制体などに好適なスピネル型のフェライト薄膜およびその製造方法に関する。          
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化の進展により、それを構成する電子部品への小型化の要求は、年々高まってきている。その要求に伴い、たとえば、インダクタンス素子、インピーダンス素子、磁気ヘッド、マイクロ波素子、磁歪素子、及び高周波領域において不要電磁波の干渉によって生じる電磁障害を抑制するための電磁干渉抑制体等に用いられる軟磁気特性を有する材料には、応用されるデバイスに適した軟磁気特性および小型化（シート化または薄膜化）が求められている。また、小型化が進むに従い、デバイスの高密度実装化が進んでおり、上記の軟磁気特性を有する材料には、高信頼性のため高比抵抗化が求められている。
【０００３】
フェライトめっきとは、例えば特許文献１に示されているように、固体表面に、金属イオンとして少なくとも第１鉄イオンを含む水溶液を接触させ、固体表面にＦｅ2+またはこれと他の水酸化金属イオンを吸着させ、続いて吸着したＦｅ2+を酸化させることによりＦｅ3+を得、これが水溶液中の水酸化金属イオンとの間でフェライト結晶化反応を起こし、これによって固体表面にフェライト膜を形成することをいう。フェライトめっきでは、膜を形成しようとする基体として、前述した水溶液に対して耐性があらゆる材質を用いることができる。また更に、水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温（常温〜水溶液の沸点以下）でスピネル型フェライト膜を形成できるという特徴がある。そのため、上記のような磁気デバイスへの応用が期待される技術の一つである。                    
【０００４】
従来、この技術を基にフェライト膜の均質化、反応速度の向上を図ったものが特許文献２であり、また、特許文献３には、固体表面に界面活性を付与して種々の固体にフェライト膜を形成する内容が記載されている。また、特許文献４、特許文献５、特許文献６には、フェライト膜の形成速度の向上に関することが記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特許第１４７５８９１号
【特許文献２】特許第１８６８７３０号
【特許文献３】特開昭６１−０３０６７４号
【特許文献４】特許第１７７４８６４号
【特許文献５】特許第１９７９２９５号
【特許文献６】特開平０２−１１６６３１号
【０００６】
フェライトめっきは、膜を形成しようとする固体が前述した水溶液に対して耐性があれば何でも良い。更に、水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温（常温〜水溶液の沸点以下）でスピネル型フェライト膜を形成できるという特徴がある。そのため、他のフェライト膜の作製技術に比べて、固体の限定範囲が小さい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のようにインダクタンス素子、インピーダンス素子、磁気ヘッド、マイクロ波素子、磁歪素子、及び高周波領域における電磁干渉抑制体等への応用という観点からみると、それに用いられる磁性体は優れた軟磁気特性および高比抵抗化が求められており、さらには、これらの特性が高温環境下におかれても劣化が少ないことが求められている。上記フェライトめっきにより得られる膜の比抵抗（おおよそ表面抵抗率と膜厚の積に等しい）と軟磁気特性を制御するためには、その膜の組成および組織制御が不可欠である。        
【０００８】
しかしながら、上記のような従来技術では高特性は得られなかった。さらには、約２６０℃程度の温度で熱処理をすると比抵抗が劣化するため、他の電子部品と共にリフローはんだ付け工程を通すと絶縁性・信頼性が劣化する問題があった。
【０００９】
そこで、本発明における目的は、フェライトめっき法によって形成されたフェライト膜において、懸かる従来の欠点を解消し、生成速度を向上して工業的な生産性を増し、フェライト膜の組成および組織を制御し、２６０℃程度の温度で熱処理した後も高比抵抗で、かつ軟磁気特性が優れたフェライト薄膜およびその製造方法を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明では、フェライト薄膜の製造方法を、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、前記反応液、酸化液の内フェライト膜生成に寄与しない残分を基体から除去する工程とすることによって、フェライト薄膜の組成を、Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が２．０／３以下であり、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．２／３以上であり、Ｚｎ含有量がモル比でＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．７／３以下であるフェライト薄膜とするものである。
【００１１】
また、本発明は、前記と同じ製造方法にて、フェライト薄膜の組成を、Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が２．０／３以下であり、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０．２／３以上であり、Ｚｎ含有量がモル比でＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０．７／３以下であり、Ｃｏ有量がモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０／３より大きく０．３／３以下であるフェライト薄膜とするものである。
【００１２】
即ち、本発明は、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、前記反応液、酸化液の内フェライト膜生成に寄与しない残分を基体から除去する工程とからなるフェライト膜の製造方法にて形成されるＦｅ，Ｎｉ，Ｚｎ系のフェライト薄膜において、Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が２．０／３以下であり、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．２／３以上であり、Ｚｎ含有量がモル比でＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．７／３以下であるフェライト薄膜である。
【００１３】
また、本発明は、前記フェライト薄膜が、約２６０℃で熱処理した後の、表面抵抗率（Ω）と膜厚（ｃｍ）の積が１０6Ωｃｍ以上であるフェライト薄膜である。            
【００１４】
また、本発明は、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、前記反応液、酸化液の内フェライト膜生成に寄与しない残分を基体から除去する工程とからなるフェライト膜の製造方法にて形成されるＦｅ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃｏ系のフェライト薄膜において、Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が２．０／３以下であり、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０．２／３以上であり、Ｚｎ含有量がモル比でＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０．７／３以下であり、Ｃｏ有量がモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０／３より大きく０．３／３以下であるフェライト薄膜である。
【００１５】
また、本発明は、前記フェライト薄膜が、約２６０℃で熱処理した後の、表面抵抗率（Ω）と膜厚（ｃｍ）の積が１０6Ωｃｍ以上のフェライト薄膜である。            
【００１６】
また、本発明は、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｎ系、あるいはＦｅ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃｏ系のフェライト薄膜の製造方法であって、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、前記反応液、酸化液の内フェライト膜生成に寄与しない残分を基体から除去する工程とからなるフェライト薄膜の製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、前記反応液、酸化液のＦｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が２．０／３以下であり、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．２／３以上でありかつＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．７／３以下であるか、または前記フェライト薄膜が更にＣｏを含有し、その含有量がモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０／３以上０．３／３以下であるフェライト薄膜が表面抵抗率×膜厚の値が熱処理後も高くかつ優れた軟磁気特性を有することが分かる。
【００１８】
内フェライト膜の生成に寄与しない残分を基体から除去する工程とからなることを特徴とするフェライト膜の製造方法により、フェライト膜の生成速度を向上して工業的な生産性を増すことが可能となり、工業的な利用価値は大である。さらに、上記製造方法により、Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が２．０／３以下であり、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．２／３以上であり、かつＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．７／３以下であるか、または前記フェライト薄膜が更にＣｏを含有し、その含有量がモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０／３より大きく０．３／３以下であるフェライト薄膜が表面抵抗率×膜厚の値が熱処理後も高くかつ優れた軟磁気特性を有するフェライト薄膜が得られ、例えばインダクタンス素子、インピーダンス素子、磁気ヘッド、マイクロ波素子、磁歪素子、及び高周波領域における電磁干渉抑制体等への応用が期待できる。
【００１９】
本発明によれば、生成速度が向上し、工業的な生産性が増し、かつフェライト膜の組成および組織が制御された、２６０℃程度の温度で熱処理した後も高比抵抗で、かつ軟磁気特性が優れたフェライト薄膜およびその製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のフェライト薄膜は、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、前記反応液、酸化液の内フェライト膜生成に寄与しない残分を基体から除去する工程とからなるフェライト膜の製造方法にて形成されるＦｅ，Ｎｉ，Ｚｎ系のフェライト薄膜、あるいはＦｅ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃｏ系のフェライト薄膜である。  
【００２１】
ここで、本発明では、フェライト薄膜の組成を、Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が２．０／３以下であり、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．２／３以上であり、Ｚｎ含有量がモル比でＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．７／３以下であるフェライト薄膜とするものである。        
【００２２】
ここで、Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が２．０／３を越えると、フェライト薄膜の比抵抗が、低下する不具合が発生し、また、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．２／３未満であると、フェライト薄膜の比抵抗が低下する不具合が発生し、また、Ｚｎ含有量がモル比でＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．７／３を越えると、フェライト薄膜のＭｓが低下する不具合が発生する。
【００２３】
また、本発明では、フェライト薄膜の組成をＦｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が２．０／３以下であり、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０．２／３以上であり、Ｚｎ含有量がモル比でＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０．７／３以下であり、Ｃｏ有量がモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０／３より大きく０．３／３以下であるフェライト薄膜とするものである。  
【００２４】
ここで、Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が２．０／３を越えると、フェライト薄膜の比抵抗が低下する不具合が発生し、また、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．２／３未満であると、フェライト薄膜の比抵抗が低下する不具合が発生し、また、Ｚｎ含有量がモル比でＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．７／３を越えると、同じくフェライト薄膜のＭｓが低くなる不具合が発生する。また、Ｃｏ含有量がモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０．３／３を越えると、フェライト薄膜の保磁力が高くなる不具合が発生する。
【００２５】
かつ、上記２種類の組成のフェライト薄膜共に、約２６０℃で熱処理した後の、表面抵抗率（Ω）と膜厚（ｃｍ）の積が１０6Ωｃｍ以上のフェライト薄膜となる。
【００２６】
本発明において、Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が２．０／３以下であるフェライト薄膜が２６０℃程度の温度で熱処理した後も表面抵抗率と膜厚の積が高い原因は、フェライト中のＦｅ2+が従来の材料よりも少ないため、Ｆｅ2+とＦｅ3+の間で生じる電気伝導が阻害されているためと推定される。
【００２７】
また、本発明においてＦｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が２．０／３以下であり、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．２／３以上であり、かつＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．７／３以下であるか、または前記フェライト薄膜が更にＣｏを含有し、その含有量がモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０／３より大きく０．３／３以下であるフェライト薄膜が優れた軟磁気特性を有する原因は、フェライト中のＦｅ2+、Ｆｅ3+、Ｎｉ2+、Ｃｏ2+等のイオンによって生じるトータルの磁気異方性が比較的小さく、かつキュリー温度が比較的高いためと推定される。
【００２８】
本発明における反応液、酸化液を除去する工程が、フェライトめっき膜の生成速度を向上し、かつ均質な柱状結晶とすることの原因の詳細は明らかとなっていない。しかし、反応液、酸化液を除去する工程が、固体表面以外での副次的なフェライト微粒子の形成を抑制し、また固体表面に均一にＦｅ2+を吸着させるものと考えられる。
【００２９】
以下、本発明のフェライト薄膜の製造方法について詳細に説明する。図１に、本製造方法で用いるフェライト薄膜の製造装置の概略を示す。４はフェライト膜を形成する基体であり、回転台３の上に設置される。５，６はめっきに必要な液を貯蔵するためのタンクである。前述しためっき工程における反応液、酸化液の除去を効率よく行うために必要な液は幾つかに分けて準備する方が良い。
【００３０】
図１では、めっきに必要な液を二つに分けた場合を示す。タンク５，６に貯蔵された溶液は、ノズル１，２を介して基体４に供給される。その際、例えば、ノズル１を介して基体４に溶液が供給された後、供給された溶液が回転による遠心力で除去され、ノズル２を介して基体４に供給された溶液が、回転による遠心力で除去されることを繰り返す。
【００３１】
図１では、反応液、及び酸化液を基体から除去する際、遠心力を用いているが、重力によって反応液、酸化液に付与される流動性によって除去しても構わない。
【実施例】
【００３２】
図１に示すような装置の回転板の上にプラズマ処理により親水化処理をしたガラス製基板を設置し、１５０ｒｐｍで回転させながら脱酸素イオン交換水を供給しながら９０℃まで加熱した。ついで、装置内にＮ2ガスを導入し脱酸素雰囲気を形成した。反応液はＦｅＣｌ2・４Ｈ2Ｏ、ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ、ＺｎＣｌ2、ＣｏＣｌ2・６Ｈ2Ｏをそれぞれ所定の量、溶かしたものを用いた。また、脱酸素イオン交換水中にＮａＮＯ2とＣＨ3ＣＯＯＮＨ4をそれぞれ０．３，５．０ｇ／リットル溶かしたものを酸化液とした。
【００３３】
前記反応液および酸化液をノズルにより、それぞれ５０ｍｌ／ｍｉｎの流量で供給した。取り出したガラス基板の板上には黒色鏡面膜が形成されており、Ｎｉ，Ｚｎ，ＦｅおよびＯ、またはＮｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，ＣｏおよびＯからなるフェライトであることを確認した。ＳＥＭを用いた組織観察の結果、膜厚が均一である組織が形成されていた。表１に、反応液の組成と得られた膜の組成を示す。
【００３４】
【表１】
2006108557.tif 000003
【００３５】
表２に、膜の組成と成膜上がりおよび２００℃で３分間、大気中で熱処理した後の表面抵抗率×膜厚の値、飽和磁化Ｍｓおよび保磁力Ｈｃを示す。
【００３６】
【表２】
2006108557.tif 000004
【００３７】
ここで、Ｃｏを添加した発明材５と６では、表面抵抗率（Ω）と膜厚（ｃｍ）の積が１０8Ωｃｍ以上得られている。          
【００３８】
Ｆｅの含有量がモル比でＦｅ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が２．０／３以下であり、Ｎｉ含有量がモル比でＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．２／３以上であり、かつＺｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ）の値が０．７／３以下であるか、または前記フェライト薄膜が更にＣｏを含有し、その含有量がモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０／３より大きく０．３／３以下であるフェライト薄膜が、表面抵抗率×膜厚の値が熱処理後も高く、かつ優れた軟磁気特性を有することが分かる。
【００３９】
（比較例）
図１に示すような装置の回転板の上にプラズマ処理により親水化処理をしたガラス製基板を設置し、テーブルの回転数以外は実施例と同一の条件で製膜した。回転数は３ｒｐｍとした。その後、取り出した基板の板上には膜が形成されており、ＳＥＭを用いた組織観察の結果、膜厚の均一性が著しく劣化しており、また軟磁気特性は実施例で得られたものよりも著しく劣化していた。
【００４０】
図１において、テーブルの回転は基体表面に遠心力を加える効果を持つ。従って、本比較例の結果は、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程、反応液を基体から除去する工程、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程、酸化液を基体から除去する工程の繰り返しからなる製造方法が均一な組織を有するフェライト膜の製造に不可欠であることを示していると思われる。
【００４１】
このように、本発明によれば、表面抵抗率×膜厚の値が、熱処理後も高いフェライト薄膜が得られ、例えば、インダクタンス素子、インピーダンス素子、磁気ヘッド、マイクロ波素子、磁歪素子、及び高周波領域における電磁干渉抑制体等への応用が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施例に用いたフェライト薄膜の製造装置の概略図。
【符号の説明】
【００４３】
１，２    ノズル  
３    回転台  
４    基体    
５，６    タンク
【図１】
2006108557.tif 000005