(57)【要約】【課題】  画像表示装置の表示パネルにおけるスペーサを固定するためのＰｂフリーの導電性接合材のための導電性ガラス組成物を提供する。【解決手段】  ＭＶｘＯｙ（M：Ａｇ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｌｉ，Ｓｒ，Ｃａ）、（x：１〜１０，y：２〜３０）を含有する。ＭＶｘＯｙとして、例えば、ＡｇＶ7Ｏ18またはＡｇ2Ｖ4Ｏ11を用いる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＶｘＯｙ（M：Ａｇ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｌｉ，Ｓｒ，Ｃａ）、（x：１〜１０，y：２〜３０）の粒子を分散したガラス。
【請求項２】
ＡｇＶ7Ｏ18またはＡｇ2Ｖ4Ｏ11の粒子分散したガラス。
【請求項３】
Ｖ2Ｏ5を主成分とするガラスと、ＡｇＶ7Ｏ18粒子またはＡｇ2Ｖ4Ｏ11粒子を分散したガラス。
【請求項４】
Ｖ2Ｏ5を主成分とするガラスに導電性化合物を含有し、該導電性化合物とその他のガラス成分とが共晶組織を形成していることを特徴とするガラス。
【請求項５】
Ｖ2Ｏ5を主成分とするガラスと、Ａｇ酸化物と、バインダーとを含む導電性接合材料。
【請求項６】
第1の方向に延在して第1の方向と交差する第2の方向に並設された多数の信号線と、前記信号線とは絶縁されて前記第2の方向に延在して前期第1の方向に並設された多数の走査線と、前記信号線と前記走査線との交差部近傍に設けられた電子源を有する多数の画素とを備えた表示領域が形成された背面基板からなる背面パネルと、
前記背面パネルの前記表示領域に有する前記電子源から取り出される電子の励起で発光する複数色の蛍光体層と陽極とが形成された前面基板からなる前面パネルと、
前記表示領域内で前記背面パネルと前記前面パネルとの間に導電性接合部材で接合されて両パネル間を所定間隔に保持する複数のスペーサと、
前記背面パネルと前記前面パネルとの周辺部に封着部材を介在させて気密封止する枠ガラスとを備えた画像表示装置であって、
前記導電性接合部材が、Ｖ2Ｏ5を含む無鉛低融点ガラスと、ＡｇＶ7Ｏ18粒子とＡｇ2Ｖ4Ｏ11粒子と、バインダーとから構成したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
前記スペーサは、ＳｉＯ2を主成分とし、Ｌａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕより選ばれた少なくとも一種を１〜２０重量％含有するガラス材の成形体からなることを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス、導電性接合材料、およびこの導電性接合材料を用いて構成した画像表示装置に係り、特に、真空中へ電子を放出する電子源を備えた背面パネルと、背面パネルから取り出された電子の励起で発光する複数色の蛍光体層と電子加速電極である陽極を備えた前面パネルとの間を所定間隔に保持するガラスからなる複数のスペーサ（間隔保持部材、隔壁とも称する）を配設して構成された表示パネルを具備した画像表示装置に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
高輝度、高精細に優れた画像表示装置（ディスプレイデバイス）として従来からカラー陰極線管が広く用いられている。しかし、近年の情報処理装置やテレビ放送の高画質化に伴い、高輝度，高精細の特性を有すると共に軽量、省スペース化の平面型（又はフラットパネル型）の画像表示装置の要求が高まっている。
【０００３】
平面型画像表示装置の典型例として、液晶表示装置やプラズマ表示装置などが実用化されている。また、特に高輝度化が可能なものとして、電子源から真空中への電子放出を利用した電子放出型画像表示装置または電界放出型画像表示装置や、低消費電力を特徴とする有機ＥＬディスプレイなど、種々の型式の平面型画像表示装置も実用化の段階にある。なお、補助的な照明光源を必要としないプラズマ画像表示装置、電子放出型画像表示装置または有機EL画像表示装置を自発光平面型画像表示装置と称するのが一般的である。
【０００４】
このような自発光平面型画像表示装置のうち、電界放出型の画像表示装置には、C．A． Spindtらにより発案されたコーン状の電子放出構造をもつもの、メタル−インシュレーターメタル（MIM）型の電子放出構造をもつもの、量子論的トンネル効果による電子放出現象を利用する電子放出構造（表面伝導型電子源とも称する）をもつもの、さらにはダイアモンド膜やグラファイト膜、カーボンナノチューブに代表されるナノチューブなどが持つ電子放出現象を利用するものなどが知られている。
【０００５】
自発光平面型画像表示装置の一例である電界放出型の画像表示装置を構成する表示パネルは、内面に電界放出型の電子源を有する電極線（通常はカソード線、信号線あるいはデータ線、以下信号線）と制御電極である電極線（通常はゲート線あるいは走査線、以下走査線）を形成した背面基板で構成された背面パネルと、この背面パネルと対向する内面に複数色の蛍光体層と加速電極（アノード電極、あるいは陽極とも称する）とを備えた前面基板で構成された前面パネルを有している。前面パネルを構成する前面基板は、ガラスを好適とする光透過性の材料で形成される。背面基板には、ガラスまたはアルミナ等を好適とする絶縁材が用いられる。
【０００６】
そして、両パネルの貼り合せ内周縁には封止枠（通常はガラス枠、枠ガラスとも称する）を介挿し、封着部材で封着して封止し、当該背面パネルと前面パネル及び封止枠とで形成される内部を真空にして構成される。
【０００７】
電子源は信号線と走査線との交差部の近傍に有し、信号線と走査線の間の電位差で電子源からの電子の放出量（放出のオン・オフを含む）を制御する。放出された電子は、前面パネルに有する陽極に印加される高電圧で加速され、同じく前面パネルに有する蛍光体層に射突し、これを励起することで当該蛍光体層の発光特性に応じた色光で発色する。
【０００８】
個々の電子源は、対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する、通常は、赤（R）、緑（G）、青（B）の三色の単位画素で一つの画素（カラー画素またはピクセルとも称する）が構成される、なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも称される。
【０００９】
背面パネルと前面パネルとの内周縁部には、枠ガラスがフリットガラスなどの封着部材により固着されている。背面パネルと前面パネルと枠ガラスとで形成される気密容器の内部の真空度は、例えば10-5〜10-7Ｔｏｒｒとされる。表示面のサイズが大きい表面パネルでは、背面パネルと前面パネルの間に複数のスペーサを介挿させて接合部材で接合固定し、両パネル間を所定の間隔に保持させている。このスペーサはガラスやセラミックスなどの絶縁部材の表面に若干の導電性を有する膜を塗布したもの、またはある程度の導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。
【００１０】
背面パネルと前面パネルとの間を所定間隔に保持するスペーサの設置においては、当該スペーサのチャージアップにより電子線の軌道が曲げられない構造、また、スペーサの配置を工夫して隔壁の欠損を防止する構造、更には放電を防止する構造などについて各種研究がなされている。
【００１１】
このようなスペーサの設置における接合部材として、特許文献1に記載されたようなPbO系ガラス、Bi2O3系ガラス、SiO2−Bi2O3系ガラス、ソーダガラス、シリカガラスにＳｉ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｍｇ等の少なくとも一種を含有させた導電性フリットガラスが知られている。また、Ｖ2Ｏ5，ＺｎＯ，Ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯから選択された1又は2以上を含有した回路保護用ガラスも特許文献2で公知である。なお、特許文献3には、銅（Cu）を好適とする導電性物質の微粉末を混入した低膨張性ガラスが開示されている。
【特許文献１】特開２００１−３３８５２８号公報
【特許文献２】特開平２−２８９４４５号公報
【特許文献３】特開昭６１−２８１０４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
電界放出型の画像表示装置の表示パネルにおけるスペーサは、チャージアップを抑制するために、その低抗率が１０8乃至１０10Ω・ｃｍ程度の導電性を持つようにされる。このようなスペーサを背面パネル（を構成する背面基板、通常はガラス基板）と前面パネル（を構成する前面基板、同じく通常はガラス基板）の間に植立し接合して固定するためには、低抗率が１０3乃至１０7Ω・cm程度の導電性を有する接合部材（ガラスペースト、フリットガラス）が必要である。
【００１３】
また、この導電性接合部材は、背面基板と前面基板を構成するガラス材との熱膨張係数の差が小さく、製造工程での最高温度（略450℃）以下の低融点での濡れ性が良好で接合できることが求められる。
【００１４】
なお、接合特性が良好なＰｂＯ系ガラスに導電性金属粒子として広く使用されるＡｇ粒子やＡｕ粒子を混合したものも考えられるが、所望の体積抵抗率を実現した場合でも、表面抵抗値が高かったり、表面は絶縁性を示す場合がある。表面抵抗値を含めて当該ガラス材に導電性を発現させるためにはＡｇ粒子やＡｕ粒子の含有量を多くする必要があり、その際、フリットの濡れ性は著しく損なわれる。またＰｂＯ含有ガラスは環境負荷の問題から西暦２００６年以降は使用不可となるので、他の代替材料の開発が求められている。
【００１５】
本発明の目的は、画像表示装置の構成に適したガラスと導電性接合材料およびこの導電性接合材料を用いて接合されたスペーサを備えた画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明のガラスである導電性ガラス組成物の典型例は、ＭＶｘＯｙ（M：Ａｇ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｌｉ，Ｓｒ， Ｃａ）、（x：１〜１０，y：２〜３０）を含有する。ＭＶｘＯｙとして、例えば、ＡｇＶ7Ｏ18やＡｇ2Ｖ4Ｏ11が好適である。
【００１７】
また、本発明の導電性接合材料は、Ｖ2Ｏ5を含む無鉛低融点ガラスと、ＡｇＶ7Ｏ18粒子またはＡｇ2Ｖ4Ｏ11粒子、及びバインダーとから構成される。
【００１８】
また、本発明の画像表示装置は、第1の方向に延在して第1の方向と交差する第2の方向に並設された多数の信号線と、前記信号線とは絶縁されて前記第2の方向に延在して前記第1の方向に並設された多数の走査線と、前記信号線と前記走査線との交差部近傍に設けられた電子源を有する多数の画素とを備えた表示領域が形成された背面基板からなる背面パネルと、前記背面パネルの前記表示領域に有する前記電子源から取り出される電子の励起で発光する複数色の蛍光体層と陽極とが形成された前面基板からなる前面パネルと、
前記表示領域内で前記背面パネルと前記前面パネルとの間に導電性接合材料で接合されて両パネル間を所定間隔に保持する複数のスペーサと、前記背面パネルと前記前面パネルとの周辺部に封着部材を介在させて気密封止する枠ガラスとを備えた画像表示装置である。
【００１９】
そして、前記導電性接合材料として、Ｖ2Ｏ5を主成分とするガラスと、ＡｇＶ7Ｏ18粒子またはＡｇ2Ｖ4Ｏ11粒子、及びバインダーとから構成されるものを用いたことを特徴とする。
【００２０】
なお、前記スペーサは、ＳｉＯ2を主成分とし、Ｌａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕより選ばれた少なくとも一種を１〜２０重量％含有するガラス材の成形体を用いることが望ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の導電性接合材料は、本発明のガラス組成物を用いたもので、この導電性接合材料で画像表示装置のスペーサを接合して背面基板と前面基板の間に植立させることで、スペーサにチャージアップしようとする電荷を基板側に吸収し、高品質な画像表示が可能な画像表示装置を提供できる。
【００２２】
なお、本発明は、前述した各構成及び後述する実施の形態に記載される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２４】
図1は、本発明による画像表示装置の一例を説明する図であり、図1（a）は斜視図、図1（b）は図1（a）のＡ−Ａ’線に沿って切断した概略断面図である。図1において、背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１の内面には信号線（データ線、カソード電極線）ＣＬと走査線（ゲート電極線）ＧＬを有し、信号線ＣＬと走査線ＧＬの交差部分に電子源ＥＬＳが形成されている。走査線ＧＬの端部には図示しない走査線引出線が形成され、信号線ＣＬの端部には図示しない信号線引出線が形成されている。
【００２５】
また、前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２の内面には、遮光膜（ブラックマトリクス）ＢＭ、陽極（メタルバック、アノード）ＡＤ及び蛍光体層PH等が形成されている。背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１と、前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２とは、その周縁部に封止枠（枠ガラス）ＭＦＬを介在させて封着部材ＦＧＭにより貼り合わされる。この貼り合わせた間隙を所定値に保持するため、背面基板ＳＵＢ１と前面基板ＰＮＬ２の間に上記したスペーサＳＰＣが導電性接合部材（図示せず）で接合されて植立される。
【００２６】
なお、背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２および封止枠ＭＦＬで密封された内部空間は、背面パネルＰＮＬ１の一部に設けた図示しない排気管から排気して所定の真空状態に保持される。これらの構成については後述する。
【００２７】
図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面の詳細構造を説明する模式図である。また、図 ３は、図2の要部拡大断面図である。図２、図３において、ＦＧＭは封止枠ＭＦＬを固定する封着部材、ＦＧＳはスペーサを接合する導電性接合材料、ＡＲは表示領域である。図1と同一符号は同機能部分に対応する。
【００２８】
このような構成において、背面基板ＳＵＢ１はガラス板またはアルミナ等のセラミック板を好適とし、前面基板ＳＵＢ２は透明なガラス板等を好適としている。なお、背面基板 ＳＵＢ１にも通常はガラス基板が用いられる。その内面に前記したブラックマトリクスＢＭ、蛍光体層ＰＨ、陽極ＡＤが形成されている。
【００２９】
また、背面基板ＳＵＢ１と前面基板ＳＵＢ２との間の周縁部に設置された外枠を兼ねた封止枠MFLは、背面基板ＳＵＢ１と前面基板ＳＵＢ２との間に封着部材ＦＧＭを介して固定され、当該背面基板ＳＵＢ１と前面基板ＳＵＢ２との間の周縁における間隔を所定寸法、例えば約３mm程度に保持する。
【００３０】
スペーサＳＰＣは、背面基板ＳＵＢ１の内面に形成された走査線ＧＬと前面基板ＳＵＢ ２の内面に形成されたブラックマトリクスＢＭ上の陽極ＡＤの間に導電性接合部材ＦＧＳ で接合固定されている。
【００３１】
図４は、本発明の画像表示装置の全体構造の一例をより具体的に説明する一部破断して示す斜視図である。また、図５は、図４のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図である。繰り返しの説明になるが、背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１の内面には信号線ＣＬと走査線ＧＬを有し、信号線ＣＬと走査線ＧＬの交差部近傍に電子源が形成されている。信号線ＣＬの端部には信号線引出線ＣＬＴが形成され、走査線ＧＬの端部には走査線引出線ＧＬＴが形成されている。
【００３２】
前記したように、前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２の内面には陽極ＡＤ と蛍光体層ＰＨが形成されている。背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１と前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２とは、その周縁に封止枠ＭＦＬを介在させて貼り合わされる。前記したが、この貼り合わせた間隙を所定値に保持するため、背面パネルＳＵＢ１と前面パネルＰＮＬ２の間にガラス板あるいはセラミックス板を好適とするスペーサＳＰＣを植立させている。図５はこのスペーサＳＰＣに沿った断面を示す。図５ には、走査線ＧＬの上に、当該走査線ＧＬに沿って３枚のスペーサを示してあるが、これはあくまで一例である。
【００３３】
なお、背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２および封止枠ＭＦＬで密封された内部空間は、背面パネルＰＮＬ１の一部に設けた排気管ＥＸＣから排気して所定の真空状態にする。
【００３４】
図６は、本発明の画像表示装置の１画素の構成例を説明する模式図である。背面基板ＳＵＢ１の主面（内側表面）にアルミニウム（Ａｌ）膜を好適とする電子源の下部電極を構成する信号線ＣＬ、下部電極のアルミニウムを陽極酸化した陽極酸化膜からなる第１の絶縁膜ＩＮＳ１、窒化シリコン膜ＳｉＮを好適とする第２の絶縁膜ＩＮＳ２、給電電極（接続電極）ＥＬＣ、クロムＣｒを好適とする走査線ＧＬ、走査線ＧＬに接続した画素の電子源を構成する上部電極ＡＥＤが形成されている。
【００３５】
電子源は、信号線ＣＬを下部電極とし、下部電極の上に位置する第１の絶縁膜ＩＮＳ１の一部を形成する薄膜部分ＩＮＳ３、前記薄膜部分ＩＮＳ３の上層に積層する上部電極ＡＥＤの部分とで構成される。上部電極ＡＥＤは、走査線ＧＬと給電電極ＥＬＣの一部とを覆って形成されている。薄膜部分ＩＮＳ３は、所謂トンネル膜である。この構成で、所謂ダイオード電子源が形成される。
【００３６】
一方、前面パネルＰＮＬ２は、透明なガラス基板を好適とする前面基板ＳＵＢ２の主面にブラックマトリクスＢＭで隣接画素と区画された蛍光体ＰＨ、アルミニウム蒸着膜を好適とする陽極ＡＤが形成されている。背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２の間の間隔は３ないし５mm前後であり、この間隔をスペーサＳＰＣで維持している。
【００３７】
この様な構成において、背面パネルＰＮＬ１の上部電極ＡＥＤと前面パネルＰＮＬ２の陽極ＡＤの間に加速電圧（１ｋＶ乃至１０ｋＶ程度、図６では約５ｋＶ）を印加すると、下部電極である信号線ＣＬに供給される表示データの大きさに応じた電子e-が出射し、加速電圧によって蛍光体ＰＨに射突し、これを励起して所定周波数の光Lを前面パネルＰＮＬ２の外部に出射する。なお、フルカラー表示の場合は、この単位画素はカラーの副画素（サブピクセル）であり、通常は赤（R）、緑（G）、青（B）の3つの副画素で 1カラー画素（カラーピクセル）を構成する。
【００３８】
図７は、本発明の画像表示装置の等価回路例を説明する図である。図７中に破線で示した領域は表示領域ＡＲであり、この表示領域ＡＲにｎ本の信号線ＣＬとｍ本の走査線ＧＬが互いに交差して配置されてn×mのマトリクスが形成されている。マトリクスの各交差部は副画素を構成し、図中の３つの単位画素（あるいは、副画素：サブピクセル） ''R"、''G"、"B"の1グループでカラー1画素（カラーピクセル）を構成する。信号線ＣＬは、信号線引出端子ＣＬＴで画像信号駆動回路ＤＤＲに接続され、走査線ＧＬは走査線引出端子ＧＬＴで走査信号駆動回路ＳＤＲに接続されている。画像信号駆動回路ＤＤＲには外部信号源から画像信号ＮＳが入力され、走査信号駆動回路ＳＤＲには同様に走査信号S  Sが入カされる。
【００３９】
これにより、順次選択される走査線ＧＬに交差する信号線ＣＬに画像信号を供給することで、二次元のフルカラー画像を表示することができる。本構成例の表示パネルを用いることにより、比較的低電圧で高効率の自発光平面表示装置が実現される。
【００４０】
次に、スペーサとその固定構造について説明する。図１から図６で説明した本実施例のスペーサＳＰＣの一例は、ＳｉＯ2を主成分とし、Ｌａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕより選ばれた少なくとも一種を１〜２０重量％含有するガラス材の成形体からなる。そして、このスペーサ本体の外周面に帯電防止用の導電性膜が被着されて形成されている。なお、スペーサ本体の外周面に帯電防止用の導電性膜を被着するものに代えて、スペーサ本体自体に導電性を有する材料を用いることもできる。
【００４１】
このスペーサＳＰＣを、前記の背面基板ＳＵＢ１と前面基板ＳＵＢ２とに挟まれて形成された表示領域ＡＲ内に両基板面に対して略垂直で、スペーサＳＰＣの長さ方向を一方向（図７のx方向）に一致させて複数枚を所定のピッチ間隔で整列して列とし、この列を上記方向に交差する他方向（図７のy方向）に複数列所定のピッチ間隔で走査線ＧＬの上に並設し、導電性接合部材ＦＧＳで接合して固定する（図3参照）。
【００４２】
導電性接合部材ＦＧＳは、本発明の導電性ガラス組成物を用いる。上記組成物はＭＶｘＯｙ（M：Ａｇ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｌｉ，Ｓｒ，Ｃａ）、（x：１〜１０，y： ２〜３０）を含有する。ＭＶｘＯｙとして、例えば、ＡｇＶ7Ｏ18やＡｇ2Ｖ4Ｏ11を好適とする。ガラスにＡｇＶ7Ｏ18粒子やＡｇ2Ｖ4Ｏ11粒子を混入し、好適なバインダーとしてニトロセルロースを混連して得る。
【００４３】
図８は、導電性接合部材のＶ2Ｏ5とＡｇ2Ｏの原料配合比と反応生成物であるＡｇＶｘＯｙの平衡状態を示す図である（セラミクスの平衡状態図データベース (The American Ceramic Society) より引用）。図８の横軸はＶ2Ｏ5とＡｇ2Ｏの配合量（mo1％）、縦軸は反応生成物であるＡｇＶｘＯｙの溶融温度を与える。
【００４４】
図８において、原料としてＶ2Ｏ5とＡｇ2Ｏの粉末を（A）、（B）、（C）、（D）の構成比となるように秤量し、自動メノウ乳鉢を用いて各３０分間混合した。こうして得た混合粉末を直径１０mm、高さ５mmに金型成型し、電気炉を用いて大気中、６５０℃で３０ 分焼成してテストピースを形成した。このテストピースについてＸ線回折法を用いて分析した結果、ほぼ目的とする化合物が生成されており、一部、異なるＡｇ−Ｖ−Ｏ化合物が生成していた。
【００４５】
（Ａ）、（B）、（C）、（D）のうち、（Ａ）のＡｇＶ7Ｏ18が最も電気抵抗率が低く、２６０Ω・cmであった。次いで、（B）のＡｇ2Ｖ4Ｏ11が３．８×１０3Ω・cmと低かったが、Ｖ2Ｏ5に対してＡｇ2Ｏの配合率が最も高い（D）のＡｇＶＯ3の電気抵抗率は非常に高く、５．２×１０5Ω・cmであった。なお、（C）の条件ではＡｇ2Ｖ4Ｏ11とＡｇＶＯ3の共晶組織が得られたが、その電気抵抗率は高く、８．９×１０6Ω・cmであった。
【００４６】
以上の結果から、ＡｇＶ7Ｏ18はバナジウム系ガラスに混合する導電担体として望ましいことが分る。ＡｇＶ7Ｏ18の熱膨張係数を評価したところ、２１．０×１０-7／℃と、バナジウム系ガラスに比較して低く、ＡｇＶ7Ｏ18はバナジウム系ガラスに対して低熱膨張係数のフイラーとして使用できることが分る。バナジウム系ガラスにＡｇ2Ｏ粉末を混合したものをバナジウムガラスの流動点付近まで加熱することにより、ガラス中のＶ2Ｏ5成分とＡｇ2Ｏがその場反応によりＡｇＶ7Ｏ18を生成させることも可能である。
【００４７】
図９は、本発明の実施例のAgV7O18混合バナジウム系ガラスの特性評価を説明する図であり、図9（A）は特性評価のためのテストピース、図9（B）は流動性と電気低抗の測定系、図9（C）はAgV7O18の混合比と特性をまとめて示す図である。母材（主成分）としたバナジウム系ガラスは、65 V2O5−20P2O5−5BaO−10Sb2O3（重量比：wt％）である。
【００４８】
上記の混合粉末を直径１0mm、高さ５mmに金型成型して図９（A）に示したボタンフロー試験用のテストピースを形成する。ボタンフロー試験は封着や接合に用いるガラス材の特性を試験する手法である。これを、電気炉を用いて大気中、４５０℃で３０分焼成して溶融する。図９（B）では溶融したテストピースＴＰの直径の広がり寸法（流動径） Ｄｍｍを測定する。また電極問隔を１０mmとしたプローブＰ１、Ｐ２間の電気低抗を測定器ＴＳＲで測定する。図９（C）にＡｇＶ7Ｏ18混合率３０wt％、４０wt％、５０ wt％についての特性を示した。ＡｇＶ7Ｏ18混合率３０wt％では良好な接着性を示し、４０wt％、５０wt％ではクラック発生や剥れが生じることが分る。
【００４９】
図１０は、ＡｇＶ7Ｏ18混合バナジウム系ガラスの各種の特性を測定した結果を表にまとめて示した図である。この表には、ＡｇＶ7Ｏ18混合比率を０wt％から４０wt％まで５wt％刻みで変化させたときの電気抵抗（Ω・cm）、表面抵抗値（Ω／□）、熱膨張係数（×１０-7／℃）、軟化点（℃）、４５０℃における流動径（mm）、各サンプルを粉砕、ペーストとし、ソーダガラスに厚さ１００μmで塗布したときのソーダガラスとの接着性（二重丸は良好に接着、界面の歪み小、丸は良好に接着、ただし界面に歪み残留を意味する）が示されている。この表からも、ＡｇＶ7Ｏ18混合率30wt％で良好な接着性が示される。
【００５０】
また、比較例として従来のＰｂ系ガラスにＡｕペーストを４：１の体積比で混合したサンプルの特性を示す。このサンプルは体積抵抗値が１．５×１０4（Ω・cm）程度と導通は良好であるが、表面抵抗値が（３．８×１０8）（Ω／□）と大きく、スペーサ固定した際にはチャージアップの原因になり得る。一方、本発明のＡｇＶ7Ｏ18混合したＶ系のガラスでは表面抵抗も低く抑えられており、スペーサ固定用接着剤として優れる。
【００５１】
これは、Ｐｂ系ガラスにＡｕペーストを混合した場合、Ｐｂ系ガラスとＡｕが全く独立に存在することから、ガラス混合物の最表面はＰｂ系ガラスのみとなり、Ａｕ粒子はガラスの内部に存在するようになるためと考えられる。一方、ＡｇＶ7Ｏ18混合バナジウム系ガラスの場合は、ＡｇＶ7Ｏ18とバナジウム系ガラスの濡れ性が良く、また比重差も小さいため、ガラス混合物の最表面にＡｇＶ7Ｏ18が存在し、表面の電気伝導も良好になる。これらの比較例は、図１０にまとめられている。
【００５２】
なお、上記の実施例では、電子源にＭＩＭ型を用いた構造を例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、前述した各種の電子源を用いた自発光型の画像表示装置に適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明による画像表示装置の例を説明する図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った断面の詳細構造を説明する模式図である。
【図３】図２の要部拡大断面図である。
【図４】本発明の画像表示装置の全体構造の一例をより具体的に説明する一部破断して示す斜視図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図である。
【図６】本発明の画像表示装置の1画素の構成例を説明する模式図である。
【図７】本発明の画像表示装置の等価回路例を説明する図である。
【図８】本実施例における導電性接合部材のＶ2Ｏ5とＡｇ2Ｏの原料配合比と反応生成物であるＡｇＶｘＯｙの溶融温度の一例を説明する図である。
【図９】本発明の実施例のＡｇＶ7Ｏ18混合バナジウム系ガラスの特性評価を説明する図である。
【図１０】ＡｇＶ7Ｏ18混合バナジウム系ガラスの各種の特性を測定した結果を表にまとめて示した図である。
【符号の説明】
【００５４】
ＰＮＬ１    背面パネル、
ＰＮＬ２    前面パネル、
ＳＵＢ１    背面基板、
ＳＵＢ２    前面基板、
ＣＬ    信号線、
ＣＬＴ    信号線引出端子、
ＧＬ    走査線、
ＧＬＴ    走査線引出端子、
SPC    スペーサ、
PH    蛍光体層、
BM     ブラックマトリクス、
AD    陽極、
MFL    枠ガラス、
FGS    導電性接合部材、
FGM    封着部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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