(57)【要約】【課題】切断面からの腐食を防止したサーマルヘッドを安価に提供する。【解決手段】多面取り基板４０を切断部４２で切り離して、多数個のサーマルヘッドに切り分ける。多面取り基板４０の切断部４２が位置する部分に島状パターン３６を形成する。島状パターン３６を、アルミ電極層を円形に残したパターン５０を多数個並べて構成する。島状パターン３６に近接させてその内側に、アルミ電極層のベタパターンからなるダミー電極部３４を形成する。島状パターン３６内で多面取り基板４０を切断することにより、切断後のサーマルヘッド端面３２におけるアルミ電極層の腐食をそのパターン５０内に留めることができ、腐食が広がることがなく、保護膜剥がれが無くなる。パターン５０とダミー電極部３４とにより、グレーズ層１４と保護膜３７との密着強度を高めることができる。切断面に保護膜を形成する工程が不要になり低コストになる。【選択図】      図３
2006326936.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の回路パターンを形成した基板を、前記回路パターン毎に切断線で切り離して前記回路パターンを有する電子デバイスを製造する電子デバイスの製造方法において、
前記切断線で切り離された切断端面に、腐蝕し易い材質からなる層が露呈するときに、この露呈する層であって、前記切断線が位置する部分を島状パターンとすることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
複数の回路パターンを形成した基板に保護膜を形成し、前記回路パターン毎に前記基板を切断線で切り離して前記回路パターンを有する電子デバイスを製造する電子デバイスの製造方法において、
腐蝕し易い材質からなり、前記基板の保護膜と接して前記基板と保護膜との密着強度を高める層であって、前記切断線が位置する部分を島状パターンとすることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
複数の回路パターンを形成した基板を、前記回路パターン毎に切断線で切り離して製造される前記回路パターンを有する電子デバイスにおいて、
前記切断線で切り離された切断端面に、腐蝕し易い材質からなる層が露呈するときに、この露呈する層であって、前記切断線が位置する部分を島状パターンとすることを特徴とする電子デバイス。
【請求項４】
複数の回路パターンを形成した基板に保護膜を形成し、前記回路パターン毎に前記基板を切断線で切り離して製造される前記回路パターンを有する電子デバイスにおいて、
腐蝕し易い材質からなり、前記基板の保護膜と接して前記基板と保護膜との密着強度を高める層であって、前記切断線が位置する部分を島状パターンとすることを特徴とする電子デバイス。
【請求項５】
基板上の部分グレーズの表面に抵抗体層を形成し、前記抵抗体層上にアルミ電極層をパターニングし、一方に個別電極及びコモン電極を交互に形成するとともに、他方に折り返し電極を形成してサーマルヘッド本体を構成し、前記サーマルヘッド本体を前記基板上に複数個配置し、前記アルミ電極層、抵抗体層を覆う保護膜を形成した後に、前記各サーマルヘッド本体の間の切断線で切り分けてなるサーマルヘッドの製造方法において、
前記切断線により切り分けたときに、切断端面に現れる前記アルミ電極層に対して、前記切断線に沿って島状パターンを形成し、この島状パターン部分に前記切断線を位置させることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記島状パターンと前記折り返し電極との間にベタパターンからなるダミー電極部が形成されることを特徴とする請求項５記載のサーマルヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記サーマルヘッド本体を前記基板に複数個配置する際に、前記折り返し電極が互いに接近するように向かい合わせで配置し、これら各折り返し電極間に前記切断線を位置させることを特徴とする請求項５または６記載のサーマルヘッドの製造方法。
【請求項８】
基板上の部分グレーズの表面に抵抗体層を形成し、前記抵抗体層上にアルミ電極層をパターニングし、一方に個別電極、他方にコモン電極を形成してサーマルヘッド本体を構成し、前記サーマルヘッド本体を前記基板上に複数個配置し、前記アルミ電極層、抵抗体層を覆う保護膜を形成した後に、前記各サーマルヘッド本体の間の切断線で切り分けてなるサーマルヘッドの製造方法において、
前記切断線により切り分けたときに、切断端面に現れる前記アルミ電極層に対して、前記切断線に沿って島状パターンを形成し、この島状パターン部分に前記切断線を位置させることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記島状パターンと前記コモン電極との間にベタパターンからなるダミー電極部が形成されることを特徴とする請求項８記載のサーマルヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記サーマルヘッド本体を前記基板に複数個配置する際に、前記コモン電極が互いに接近するように向かい合わせで配置し、これら各コモン電極間に前記切断線を位置させることを特徴とする請求項８または９記載のサーマルヘッドの製造方法。
【請求項１１】
基板上の部分グレーズの表面に抵抗体層を形成し、前記抵抗体層上にアルミ電極層をパターニングし、一方に個別電極及びコモン電極を交互に形成するとともに、他方に折り返し電極を形成してサーマルヘッド本体を構成し、前記サーマルヘッド本体を前記基板上に複数個配置し、前記アルミ電極層、抵抗体層を覆う保護膜を形成した後に、前記各サーマルヘッド本体の間の切断線で切り分けて構成されるサーマルヘッドにおいて、
前記切断線により切り分けたときに、切断端面に現れる前記アルミ電極層に対して、前記切断線に沿って島状パターンが形成されていることを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項１２】
前記島状パターンと前記折り返し電極との間にベタパターンからなるダミー電極部が形成されていることを特徴とする請求項１１記載のサーマルヘッド。
【請求項１３】
基板上の部分グレーズの表面に抵抗体層を形成し、前記抵抗体層上にアルミ電極層をパターニングし、一方に個別電極、他方にコモン電極を形成してサーマルヘッド本体を構成し、前記サーマルヘッド本体を前記基板上に複数個配置し、前記アルミ電極層、抵抗体層を覆う保護膜を形成した後に、前記各サーマルヘッド本体の間の切断線で切り分けて構成されるサーマルヘッドにおいて、
前記切断線により切り分けたときに、切断端面に現れる前記アルミ電極層に対して、前記切断線に沿って島状パターンが形成されていることを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項１４】
前記島状パターンと前記コモン電極との間にベタパターンからなるダミー電極部が形成されていることを特徴とする請求項１３記載のサーマルヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子デバイス及びサーマルヘッド、並びにこれらの製造方法に関するものである。
【０００２】
各種サーマルプリンタに用いられるサーマルヘッドの製造に係るコストダウン手法の一つに、１枚の基板に多数のサーマルヘッド本体を形成した多面取り基板を形成し、この多面取り基板から各サーマルヘッド本体を切り離して製造する手法がある。さらに、１枚の多面取り基板からのサーマルヘッド本体の取り数を増やすために、個々のサーマルヘッド本体の小型化や、その集積密度を上げることが考えられる。
【０００３】
集積密度を上げるためには、特許文献１及び２に示されるように、部分グレーズ上に抵抗体層及び電極層からなる発熱素子を形成する際に、発熱素子となる抵抗体層の一方側にコモン電極及び個別電極を形成し、他方側にコモン電極及び個別電極に対向する位置で折り返し電極を形成する。これにより、部分グレーズの一方側に面積の大きなコモン電極を設ける必要が無くなり、その集積密度を上げることができる。
【特許文献１】特開２００２−４６２９７号公報
【特許文献２】特開２００５−７７０９号公報
【０００４】
また、５０〜３００μｍ程度の厚みのダイヤモンドブレードを高速で回転させ、基板を正確に切断する加工方法であるダイシングにより、サーマルヘッド基板からサーマルヘッド本体を切り出すことにより、部分グレーズの頂点からサーマルヘッド基板端面までの距離を短くすることができ、サーマルヘッドのサイズをより一層小さくすることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ダイシングなどによる切断後のサーマルヘッド本体の切断面には、アルミ電極層が露呈し、この部分から腐蝕が始まることがある。この腐蝕によって、アルミ電極層を覆う保護膜が切断面から剥がれる保護膜剥がれが発生する。この保護膜剥がれ対策として、切断面からアルミ電極層が露呈しないように、アルミ電極層を切断面から遠ざけることが考えられる。しかしながら、アルミ電極層を切断面から遠ざけ、保護膜とグレーズ層が隣り合う領域で切断を行うと、切断面近傍にチッピングが発生する。このチッピングの発生が、保護膜材料として一般的に使用される窒化珪素系材料とグレーズ層との弱い密着強度に起因することは知られており、切断時に切断面近傍に発生したチッピングが、経時変化による保護膜剥がれを誘発し、サーマルヘッド本体の歩留まりを悪化させる。このチッピング発生の対策として、切断後のサーマルヘッド本体にチッピングの影響を与えないために、切断面をサーマルヘッド本体から遠ざける方法があげられる。しかし、この方法ではサーマルヘッド本体とサーマルヘッド切断面までの間に必要なスペースが増えるため、多面取り基板からの取り数減となり、結果的に、大きなコストダウン効果を期待できない。
【０００６】
一方、保護膜とグレーズ層との間にアルミ電極層を挟むことで、前述した保護膜とグレーズ層との密着強度を補強できることが知られている。このことを利用して、サーマルヘッド基板上の保護膜とグレーズ層との間にアルミ電極層を形成させて、密着強度の強い領域で多面取りサーマルヘッド基板の切断を行なうことで、前述したチッピングの発生を抑制することができる。しかし、この方法では、多面取りサーマルヘッド基板からサーマルヘッド基板を切り出した直後のダイシング切断面にアルミ電極層が露呈するため、前述した切断面におけるアルミ電極層の腐蝕が懸念される。この切断面に露呈したアルミ電極層の防蝕対策として、切断後のサーマルヘッド本体の切断面に保護膜を形成させて、切断面に露呈したアルミ電極層の腐蝕を防ぐという方法が挙げられるが、切断面への保護膜形成という新しい工程が増えてしまうこと、製造作業が煩雑になること、及び、保護膜形成時の切断面へのゴミなどの付着による保護膜欠陥の増加が歩留まりの悪化につながること、というデメリットの要素が多く、コストダウンとしての効果を期待できない。
【０００７】
本発明は、１枚の多面取り基板から切り出され、その切断面に腐蝕しやすい層が露呈する電子デバイスについて、腐蝕による影響を最小限に抑えるようにした電子デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、多面取りサーマルヘッド基板の切断時において、切断面近傍の保護膜とグレーズ層の密着強度を強化し、切断面近傍でのチッピング発生を抑制すると同時に、切断面からのアルミ電極等の腐蝕を最小限に抑えるようにしたサーマルヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明では、複数の回路パターンを形成した基板を、前記回路パターン毎に切断線で切り離して前記回路パターンを有する電子デバイスを製造する電子デバイスの製造方法において、前記切断線で切り離された切断端面に、腐蝕し易い材質からなる層が露呈するときに、この露呈する層であって、前記切断面が位置する部分を島状パターンとすることを特徴とする。また、本発明では、腐蝕し易い材質からなり、基板の保護膜と接して基板と保護膜との密着強度を高める層であって、前記切断線が位置する部分を島状パターンとすることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明では、複数の回路パターンを形成した基板を、前記回路パターン毎に切断線で切り離して製造される前記回路パターンを有する電子デバイスにおいて、前記切断線で切り離された切断端面に腐蝕し易い材質からなる層が露呈するときに、この露呈する層であって、前記切断線が位置する部分を島状パターンとすることを特徴とする。また、本発明では、腐蝕し易い材質からなり、基板の保護膜と接して基板と保護膜との密着強度を高める層であって、前記切断線が位置する部分を島状パターンとすることを特徴とする。
【００１０】
本発明のサーマルヘッドの製造方法は、基板上の部分グレーズの表面に抵抗体層を形成し、前記抵抗体層上にアルミ電極層をパターニングし、一方に個別電極及びコモン電極を交互に形成するとともに他方に折り返し電極を形成して、若しくは、一方に個別電極他方にコモン電極を形成して、サーマルヘッド本体を構成し、前記サーマルヘッド本体を前記基板上に複数個配置し、前記アルミ電極層、抵抗体層を覆う保護膜を形成した後に、前記各サーマルヘッド本体の間の切断線で切り分けるもので、前記切断線により切り分けたときに、切断端面に現れる前記アルミ電極層に対して、前記切断線に沿って島状パターンを形成し、この島状パターン部分に前記切断線を位置させることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明のサーマルヘッドは、基板上の部分グレーズの表面に抵抗体層を形成し、前記抵抗体層上にアルミ電極層をパターニングし、一方に個別電極及びコモン電極を交互に形成するとともに他方に折り返し電極を形成して、若しくは、一方に個別電極他方にコモン電極を形成して、サーマルヘッド本体を構成し、前記サーマルヘッド本体を前記基板上に複数個配置し、前記アルミ電極層、抵抗体層を覆う保護膜を形成した後に、前記各サーマルヘッド本体の間の切断線で切り分けて構成されるもので、前記切断線により切り分けたときに、切断端面に現れる前記アルミ電極層に対して、前記切断線に沿って島状パターンが形成されていることを特徴とする。
【００１２】
なお、前記サーマルヘッド本体を前記基板に複数個配置する際に、前記サーマルヘッドの前記折り返し電極が互いに接近するように向かい合わせて配置し、これら各折り返し電極間に前記切断線を位置させることが好ましい。また、前記島状パターンと前記折り返し電極、若しくはコモン電極との間にベタパターンからなるダミー電極部を形成させることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、腐蝕し易い材質からなる層の島状パターン上を切断するため、切断後の電子デバイスの切断面にこの腐蝕し易い層の島状パターンが露呈する。この島状パターン内でのみ腐蝕が発生するが、腐蝕がそれ以上進行することはなく、電子デバイスの切断面からの腐蝕が最小限に抑えられ、内部パターンの腐蝕が防止される。また、切断後の切断面への防蝕処理が不要となるので、電子デバイスの製造コストを抑えることができる。
【００１４】
また、この島状パターンが電子デバイス切断時の切断面近傍におけるチッピング発生を抑制することができる。その結果、切断後の切断面への防蝕処理が不要となるだけでなく、ダイシングなどの基板に強いストレスがかかる切断方法を用いて取り数を向上させることができるので、電子デバイスの製造コストを抑えることができる。
【００１５】
更に、本発明では、基板上の部分グレーズの表面に抵抗体層を形成し、前記抵抗体層上にアルミ電極層をパターニングし、一方に個別電極及びコモン電極を交互に形成するとともに、他方に折り返し電極を形成してサーマルヘッド本体を構成し、前記サーマルヘッド本体を前記基板上に複数個配置し、前記アルミ電極層、抵抗体層を覆う保護膜層を形成した後に、前記各サーマルヘッド本体の間の切断線で切り分けるサーマルヘッドの製造方法において、前記切断線により切り分けたときに切断端面に現れる前記アルミ電極層に対して、前記切断線に沿って島状パターンを形成し、この島状パターン部分に前記切断線を位置させることを特徴とする。また、前述した一方に個別電極及びコモン電極を交互に形成し、他方に折り返し電極を形成するものに代えて、一方に個別電極、他方にコモン電極を形成したものに本発明を適用してもよい。なお、前記サーマルヘッド本体を前記基板に複数個配置する際に、前記コモン電極または折り返し電極が互いに接近するように向かい合わせで配置し、これら各コモン電極または折り返し電極間に前記切断線を位置させることが好ましい。この場合には、サーマルヘッド本体を小さく切り出すことができ、１枚の多面取り基板からの切出可能なサーマルヘッド本体の総数が多くなり、製造コストを抑えることができる。
【００１６】
また、本発明のサーマルヘッドでは、切断線により切り分けたときに切断端面に現れるアルミ電極層に対して、前記切断線に沿って島状パターンが形成されている。なお、前記島状パターンと折り返し電極またはコモン電極との間に、ベタパターンからなるダミー電極を設けることが好ましく、この場合には、ダミー電極部が基板の保護膜と接して基板と保護膜との密着強度が上がるため、切断時の切断面近傍におけるチッピングの発生を抑制することができ、しかもサーマルヘッドの切断面からの腐蝕を最小限に抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
サーマルヘッドの概略の断面を示す図１において、サーマルヘッド１０は、アルミナ基板１２上に、グレーズ層１４、部分グレーズ１６、抵抗体層１８を順次形成し、この抵抗体層１８上にアルミ電極層からなる個別電極２０、コモン電極２１（図２参照）、折り返し電極２２を形成し、さらに、抵抗体層１８、各電極２０〜２２上を保護膜２３で覆って構成されている。グレーズ層１４及び部分グレーズ１６は、二酸化珪素を主成分としたガラスや合成樹脂などの蓄熱性に優れた素材が用いられる。前記各電極２０〜２２は、抵抗体層１８上にアルミ電極層を層設し、このアルミ電極層をマスキングした後にエッチング処理することにより、所定のパターンで形成される。そして、個別電極２０及びコモン電極２１と折り返し電極２２とに挟まれた抵抗体層エリアが発熱エリア２４ａとなり、これら抵抗体層１８、各電極２０〜２２によって発熱素子２４が構成される。なお、個別電極２０、コモン電極２１、折り返し電極２２などの各電極パターンを総称して内部パターン３０という。
【００１８】
図１及び図３に示すように、部分グレーズ１６と部分グレーズ１６のプリント方向側のサーマルヘッド端面３２の間には、アルミ電極層３３のベタパターンからなるダミー電極部３４と島状パターン３６が形成されている。島状パターン３６は、サーマルヘッド１０の切断面であるサーマルヘッド端面３２近傍に形成され、ダミー電極部３４は島状パターン３６と内部パターン３０の間に形成されている。更に、ダミー電極部３４や島状パターン３６の上には保護膜２３が形成されている。
【００１９】
記録紙３７は、サーマルヘッド１０とプラテンローラ３８との間で狭持され、プリント時には図中矢印方向に搬送される。個別電極２０及びコモン電極２１に通電すると、折り返し電極２２を介し、これら電極に挟まれた抵抗体層１８の発熱エリア２４ａが発熱する。この発熱素子２４への供給電力を制御することによって、記録紙３７が発色して所望の階調レベル（濃度）の画素が記録される。なお、各発熱素子２４の位置やサイズは、画素密度、サーマルヘッド１０の接触圧力、部分グレーズ１６の曲率半径及びプラテンローラ３８の径に応じて適宜決定される。
【００２０】
図４は、多面取りサーマルヘッド基板４０の平面図であり、図２は図４中の切断部４２近傍のII部を拡大した平面図である。図４中の多面取りサーマルヘッド基板４０には、４個のサーマルヘッド１０が設けられており、多面取りサーマルヘッド基板４０上の３つの切断部４２上を切断することにより、４個のサーマルヘッド１０を切り出すことができる。１枚の多面取りサーマルヘッド基板４０からのサーマルヘッド１０の取り数を増加させるために、サーマルヘッド１０の部分グレーズ１６上の折り返し電極２２が切断部４２を介して対向するように多面取りサーマルヘッド基板４０上に配置されている。折り返し電極２２が対向する側の切断部４２にはそれぞれ島状パターン３６が設けられており、それぞれの島状パターン３６両側にはダミー電極部３４が形成されている。
【００２１】
図３（Ａ）は図２のIII部を拡大した平面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）中のＢ−Ｂ線断面図である。図３（Ａ）、（Ｂ）に示すような基板を製造するための工程を簡単に説明する。まず、アルミナ基板１２の上に、グレーズ層１４、部分グレーズ１６（図１参照）、抵抗体層１８、アルミ電極層３３が順次に形成される。次に、エッチングにより多面取りサーマルヘッド基板４０にサーマルヘッド１０を構成する個別電極２０、コモン電極２１や折り返し電極２２等の内部パターン３０、ダミー電極部３４や島状パターン３６が形成される。最後に、所定のパターンが形成された多面取りサーマルヘッド基板４０上に保護膜２３が形成される。
【００２２】
島状パターン３６は、多数の円形のパターン５０を適当なピッチで分配配置して形成されている。なお、ダミー電極部３４と島状パターン３６との間、及び、ダミー電極部３４と折り返し電極２２の間には、適正な間隙が設けられている。ダミー電極部３４と折り返し電極２２との間隙Ｇ１は好ましくは１０μｍ以上であり、ダミー電極部３４のパターン幅Ｗ１は好ましくは１００μｍ以上である。なお、ダミー電極部３４と島状パターン３６の間隙Ｇ２は好ましくは１０μｍ以上である。また、パターン５０の直径Ｄ１は好ましくは２０〜３０μｍであり、パターン５０が島状パターン３６の領域面積の略５０％を占有していることが好ましい。また、切断部４２の切断によって現れるサーマルヘッド端面３２から島状パターン３６までの幅Ｗ２は、好ましくは１００μｍ以上である。
【００２３】
次に、本発明の第１の実施形態の作用について説明する。図２に示すような多面取りサーマルヘッド基板４０の島状パターン３６上において、切断後のサーマルヘッド端面３２から島状パターン３６までの幅Ｗ２を１００μｍ以上確保するように切断部４２を選択して、多面取りサーマルヘッド基板４０を切断する。多面取りサーマルヘッド基板４０の切断後、サーマルヘッド端面３２には島状パターン３６の断面が露呈し、その断面には島状パターン３６を形成するパターン５０の断面が露呈する領域と、パターン５０が切断面に露呈しない領域との２つの領域が存在する。
【００２４】
サーマルヘッド端面３２にパターン５０の断面が露呈する領域において、サーマルヘッド端面３２に露呈したパターン５０は防蝕対策が施されていないため腐蝕する。しかし、このパターン５０は折り返し電極２２などの内部パターン３０やダミー電極部３４と接続していないため、切断面からの腐蝕の進行をこのパターン５０内で終息させることができる。また、このサーマルヘッド端面３２に露呈して腐蝕するパターン５０の面積は、保護膜２３とグレーズ層１４とを強い力で密着させている内部パターン３０、ダミー電極部３４や内部に埋もれているパターン５０に比べて極めて小さいため、パターン５０の腐蝕による保護膜剥がれもパターン５０内で終息する。このことから、サーマルヘッド端面３２のパターン５０がアルミ電極層３３の腐蝕を最小限に抑えると同時に、サーマルヘッド１０の保護膜剥がれを最小限にすることができる。
【００２５】
一方、サーマルヘッド端面３２においてパターン５０が露呈せずに内部に埋もれている領域では、サーマルヘッド端面３２近傍にて保護膜２３とグレーズ層１４とが弱い力で密着しているため、切断時のチッピング発生により保護膜剥がれを起こしやすい。しかし、サーマルヘッド１０の内部に埋もれているパターン５０、及び、ダミー電極部３４により保護膜２３とグレーズ層１４が強い力で密着されているため、切断面でのチッピングの発生が抑制され、保護膜剥がれがダミー電極部３４まで及ぶことはない。
【００２６】
以上のことから、切断後のサーマルヘッド端面３２に規定の幅の島状パターン３６が形成されるように、多面取りサーマルヘッド基板４０上の島状パターン３６上に切断部４２を選択することで、切断後のサーマルヘッド１０内のアルミ電極層３３の腐蝕を最小限に抑えることができる。また、サーマルヘッド端面３２近傍のアルミ電極層の島状パターン３６が保護膜２３とアルミナ基板１２との密着強度を強化するため、サーマルヘッド端面３２近傍のチッピングの発生を抑え、歩留まりを向上させることができる。その結果、サーマルヘッドを安価に製造することが可能になる。また、保護膜２３とアルミナ基板１２との密着強度を強化させるダミー電極部３４を設けることで、チッピングの発生を更に抑え、安価で品質の安定したサーマルヘッドを提供することができる。
【００２７】
また、サーマルヘッド端面３２でのチッピング発生が抑制されるため、ダイシングなどの切断方法が利用可能になる。また、多面取りサーマルヘッド基板４０上にて、サーマルヘッド１０上の折り返し電極２２が互いに接近するように向かい合わせて配置し、これら各折り返し電極２２間に切断部４２を位置させることで、多面取りサーマルヘッド基板４０から切り出すサーマルヘッド１０の取り数を増やすことが可能になり、安価なサーマルヘッドを提供することができる。
【００２８】
上記実施形態は、多面取りサーマルヘッド基板４０からの個々のサーマルヘッド１０を切り出すための切断について記載したが、これに限らず、捨て基板を切り出す場合など基板を切断する場合にも本発明を利用することができる。
【００２９】
上記実施形態ではダイシングによりサーマルヘッド１０を切り分けたが、これに限らず、基板に溝やミシン目を形成し、これらの溝またはミシン目に沿って基板を割るブレイク法や、切削刃及び研磨材を用いて切断しても良い。
【００３０】
上記実施形態では、ダミー電極部３４や島状パターン３６の材料としてアルミ電極層３３を例に記載したが、これに限らず、保護膜２３とグレーズ層１４との密着強度を補える材料であれば、同様の効果を得ることができる。
【００３１】
部分グレーズ１６の頂点からサーマルヘッド端面３２の距離を従来以上に短くすることができるため、直接感熱方式のサーマルヘッドに本発明を適用することで、下流平坦部と記録材料の干渉がなくなり、印画後の記録材料の表面がより平滑になり、光沢感がよくなる。なお、本発明のサーマルヘッドは直接感熱方式に限らず、熱溶融型や昇華型のサーマルプリンタにも用いることができる。
【００３２】
上記実施形態では、パターンが形成されていない領域に抵抗体層１８が形成されているが、これに限らず、エッチングによりパターンの形成されていない領域の抵抗体層１８の一部を除去しても良い。
【００３３】
上記実施形態では、部分グレーズ１６を有するサーマルヘッド１０について記載したが、平面グレーズなど、他のサーマルヘッドに本発明を適用することで同様の効果を得ることができる。
【００３４】
上記実施形態ではＧ１をダミー電極部３４と折り返し電極２２の間隙として記載したが、これに限らず、Ｇ１を内部パターン３０とダミー電極部３４の間隙としても同様の効果を得ることができる。
【００３５】
上記実施形態ではパターン５０の形状を円形としたが、これに限らず、多角形や楕円、その他の各種形状であっても良い。
【００３６】
上記実施形態では、図２に示すように、一方に個別電極２０およびコモン電極２１が交互に形成され、他方に折り返し電極２２が形成されたサーマルヘッド１０について記載したが、これに限らず、図５に示すような個別電極６１、コモン電極６２、及び、個別電極６１とコモン電極６２の間に形成される発熱エリア６３ａから構成される発熱素子６３を有するサーマルヘッド６４についても適用することができる。その場合には、コモン電極６２が切断部６５を介して対向するように多面取りサーマルヘッド基板６６上に配置され、コモン電極６２が対向する側の切断部６５にはそれぞれ島状パターン３６上が設けられ、それぞれの島状パターン３６両側にはダミー電極部３４が形成される。こうして多面取りサーマルヘッド基板６６を切断部６５によって複数のサーマルヘッド６４に切り分けることができる。
【００３７】
次に、図６を用いて第３の実施形態について説明する。図６は、複数の電子デバイス７０が形成され、所定の切断部７２を選択することにより複数の電子デバイス７０を切り出すことができる多面取り基板７４の平面図である。図６に示す多面取り基板７４には１２個の形成エリア７６が設けられ、１つの形成エリア７６には１つの電子デバイス７０が設けられている。形成エリア７６の内部には、電子デバイス７０を構成するアルミや銅など外部に露呈すると腐蝕するような材料で形成されるパターン及び絶縁層が形成されている。また、パターンや絶縁層の上には多面取り基板７４との密着強度が低い保護膜が形成されている。
【００３８】
電子デバイス７０の形成エリア７６の外周には、ベタパターンからなるダミー電極部７７が形成され、更にダミー電極部７７の外周には島状パターン７８が設けられている。ダミー電極部７７及び島状パターン７８には、例えばアルミや銅などが用いられる。これらは、多面取り基板７４と保護膜との間の密着強度を高めることができるが、切断後の端面に露出すると腐蝕しやすい。しかし、その腐蝕は島状パターン７８内で終息するため、保護膜などの剥がれにつながらなくなる。
【００３９】
図７は、図６中のVII部を拡大した平面図である。島状パターン７８は所定の形状をした腐蝕しやすい材質からなるパターン８０の集合体で形成されており、パターン８０は、島状パターン７８の領域内にて、均等に、適当な占有率で配置されている。島状パターン７８は、材料、コスト、製造方法などにより若干の違いはあるが、パターン８０の形状が製造上安定して形成できるものであること、電子デバイス７０を形成する内部パターンと隔離すること、及び、電子デバイス７０の切り出した後に端面８２露呈するパターン８０で発生した腐蝕が他のパターンへ転移しないようパターン８０と周囲のパターンとの間隙を十分に確保することが好ましい。更に、多面取り基板７４から切り出した電子デバイス７０の端面８２近傍において適正な幅の島状パターン７８が形成されるように、切断部７２を選択することが好ましい。
【００４０】
次に、第３の実施形態についての作用について説明する。多面取り基板７４上において、前述した条件に基づき切断部７２を選択することで、複数の電子デバイス７０を切り出す。切断後の電子デバイス７０の端面８２に露呈したパターン８０は、外気に触れることで腐蝕しやすくなるが、パターン８０と周囲のパターンとに十分な間隙が確保されているため、パターン８０で発生した腐蝕は内部のパターンへ転移せずに、パターン８０内部で終息する。このため、切断後の端面８２に防蝕対策を施さなくても、端面８２での腐蝕が内部パターンに影響を及ぼすことは無い。また、切断部７２近傍に、多面取り基板７４と保護膜との間の密着強度の補強する材料からなるダミー電極部７７と島状パターン７８が形成されているため、多面取り基板７４の切断時に、多面取り基板７４へ加えられるストレスなどに起因する保護膜の剥がれや欠陥の発生を防ぐことができる。
【００４１】
以上のことから、複数の電子デバイス７０が形成される多面取り基板７４上の島状パターン７８上で、切断後の端面８２に規定の幅の島状パターン７８が形成されるように切断部７２を選択することで、切断後の電子デバイス７０内の電極層の腐蝕を最小限に抑えることができる。これにより防蝕対策といった後処理が不要となると同時に、端面８２近傍の電極層の島状パターン７８が保護膜と基板との密着強度が強化される。また、端面８２近傍の欠陥や保護膜剥がれの発生が抑えられ、歩留まりが向上する。その結果、電子デバイスを安価に製造することが可能になる。また、ダイシングなどのような基板にストレスのかかる切断方法を適用できるため、多面取り基板７４からの面取り数が向上し、結果的に、安価な電子デバイスを提供することができる。
【００４２】
上記実施形態ではダミー電極部７７を形成エリア７６の外周に設けたが、これに限らず、多面取り基板７４と保護膜との密着強度が高い場合、または、保護膜を設けない場合は、ダミー電極部７７を設けなくてもよい。
【００４３】
上記実施形態では多面取り基板７４の材料として電子デバイスの基板として記載したが、これに限らず、プリント板などの樹脂基板などへも適用可能であり、保護膜と基板の密着強度が弱いなどの対策のために、大気中にさらされると腐蝕しやすい補強材の層を保護膜と基板の間に形成させる場合に、本発明を利用することで同様の効果が得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】個別電極、コモン電極及び折り返し電極から構成されるサーマルヘッドの概略を示す断面図である。
【図２】個別電極、コモン電極及び折り返し電極から構成されるサーマルヘッドが設けられている多面取りサーマルヘッド基板の概略を示す平面図である。
【図３】（Ａ）は図２の多面取りサーマルヘッド基板の切断部近傍のIII部を拡大した平面図であり、（Ｂ）は図３（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】多面取りサーマルヘッド基板の概略を示す平面図である。
【図５】個別電極とコモン電極から構成されるサーマルヘッドが設けられている多面取りサーマルヘッド基板の切断部近傍を拡大した平面図である。
【図６】多面取り基板の概略を示す平面図である。
【図７】図６の多面取り基板の切断部近傍のVII部を拡大した平面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０    サーマルヘッド
１２    アルミナ基板
１４    グレーズ層
１６    部分グレーズ
１８    抵抗体層
２０    個別電極
２１    コモン電極
２２    折り返し電極
２３    保護膜
２４    発熱素子
２４ａ  発熱エリア
３０    内部パターン
３２    サーマルヘッド端面
３３    アルミ電極層
３４    ダミー電極部
３６    島状パターン
３７    記録紙
３８    プラテンローラ
４０    多面取りサーマルヘッド基板
４２    切断部
５０    パターン
６１    個別電極
６２    コモン電極
６３    発熱素子
６３ａ  発熱エリア
６４    サーマルヘッド
６５    切断部
６６    多面取りサーマルヘッド基板
７０    電子デバイス
７２    切断部
７４    多面取り基板
７６    形成エリア
７７    ダミー電極部
７８    島状パターン
８０    パターン
８２    端面
【図１】
2006326936.tif 000003
【図２】
2006326936.tif 000004
【図３】
2006326936.tif 000005
【図４】
2006326936.tif 000006
【図５】
2006326936.tif 000007
【図６】
2006326936.tif 000008
【図７】
2006326936.tif 000009