(57)【要約】【課題】高出力化することができる半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置は、基準面２となる平面を有する板形状のステム本体１と、ステム本体１と一体に設けられ、基準面２に対して略垂直な搭載面１１を有するステムブロック８と、ステムブロック８の搭載面１１に固定されたサブマウント７と、サブマウント７におけるステムブロック８とは反対側の表面に固定された半導体レーザチップ５と、半導体レーザチップ５を覆うキャップ３とを備えている。半導体レーザチップ５の共振器長はサブマウント７のレーザ出射方向の長さと同じである。【選択図】図１
2006041085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準面となる平面を有するステム本体と、
上記ステム本体と一体に設けられ、上記基準面に対して略垂直な搭載面を有するステムブロックと、
上記ステムブロックの搭載面に固定されたサブマウントと、
上記サブマウントにおける上記ステムブロックとは反対側の表面に固定された半導体レーザチップと、
上記半導体レーザチップを覆うキャップと
を備え、
上記半導体レーザチップの共振器長は、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さと同じ、または、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さよりも長いことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザチップの共振器長は、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さよりも長いことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記キャップは、上記半導体レーザチップから出射されたレーザ光が通過する中空の開口を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記ステム本体には、上記半導体レーザチップの一部が入る凹部が設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザチップにおける上記サブマウントとは反対側の表面は、ＡｕとＮｉとのうちの少なくとも一方を含む金属で覆われていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項６】
請求項３に記載の半導体レーザ装置において、
上記ステム本体には、上記凹部内の空間と上記キャップ外の空間とを連通する溝が設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体レーザ装置を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ装置としては、特許文献１（特開２００１−３３２８０４号公報）に記載されたものがある。
【０００３】
以下、上記特許文献１と同様の構造を有する５．６Φ半導体レーザ装置の概略を図１１を参照して説明する。
【０００４】
上記半導体レーザ装置は、ステム本体１０１、キャップ１０３、半導体レーザチップ１０５およびサブマウント１０７を備えている。
【０００５】
上記ステム本体１０１は低融点ガラスなどで接着されたリードピン１０９を２〜４本有している。また、上記ステム本体１０１には一体成型または銀ロウ等で後付けでステムブロック１０８が形成されている。
【０００６】
上記キャップ１０３は、ステム本体１０１とは反対側の端部に窓１１０を有している。この窓１１０には、厚さ０．２５ｍｍのキャップガラス１０４を低融点ガラスなどの接着剤で取り付けられている。
【０００７】
上記半導体レーザチップ１０５のレーザ出射方向の長さはサブマウント１０７のレーザ出射方向の長さより短くなっている。つまり、上記半導体レーザチップ１０５は、サブマウント１０７のレーザ出射方向の長さよりも短い共振器長を有している。
【０００８】
なお、図１１において、１０２はステム基準面であり、１０６は半導体レーザチップ発光点である。また、図１１中においては簡略化のため、ステムリードピン１０９と半導体レーザチップ１０５及びサブマウント１０７とを電気的に結合するワイヤは省略してある。
【０００９】
上記構成の５．６Φ半導体レーザ装置によれば、ステム基準面１０２と半導体レーザチップ発光点１０６との間においてＺ軸方向の距離は１．２７ｍｍで標準化されている。つまり、図１１の発光点高さＨ0が１．２７ｍｍとなっている。
【００１０】
ところで、上記半導体レーザチップ１０５及びサブマウント１０７をステムステムブロック１０８にダイボンドする際のダイボンド精度は０ｍｍ〜０．０５ｍｍの範囲内である。また、上記半導体レーザチップ１０５を製造すると、半導体レーザチップ１０５の共振器長は０ｍｍ〜０．０３ｍｍの範囲内でばらつく。このようなダイボンド精度や共振器長ばらつきが存在するため、半導体レーザチップ１０５の共振器長は最長でも１．１９ｍｍ（＝１．２７ｍｍ−０．０５ｍｍ−０．０３ｍｍ）にしかできない。したがって、上記半導体レーザチップ１０５を高出力化することができないという問題がある。
【００１１】
また、他の従来の半導体レーザ装置としては図１２に示すようなものがある。この半導体レーザ装置は、基準面２０２となる平面を有する板形状のステム本体２０１を備えている。このステム本体２０１には凹部２３４が設けられている。また、上記凹部２３４の底面にはステムステムブロック２０８が設けられている。
【００１２】
なお、図１２において、図１１に示した構成部と同一構成部は、図１１における構成部の参照番号と同一参照番号を付して説明を省略する。
【００１３】
また、他の従来の半導体レーザ装置としては図１３に示すようなものもある。この半導体レーザ装置は、基準面３０２となる平面を有する板形状のステム本体３０１を備えている。このステム本体３０１には凹部３３４が設けられている。また、上記ステム本体３０１に関して凹部３３４とは反対側には凸部３３６が設けられている。
【００１４】
なお、図１３において、図１１に示した構成部と同一構成部は、図１１における構成部の参照番号と同一参照番号を付して説明を省略する。
【特許文献１】特開２００１−３３２８０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
そこで、本発明の課題は、半導体レーザチップを高出力化することができる半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ装置は、
基準面となる平面を有するステム本体と、
上記ステム本体と一体に設けられ、上記基準面に対して略垂直な搭載面を有するステムブロックと、
上記ステムブロックの搭載面に固定されたサブマウントと、
上記サブマウントにおける上記ステムブロックとは反対側の表面に固定された半導体レーザチップと、
上記半導体レーザチップを覆うキャップと
を備え、
上記半導体レーザチップの共振器長は、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さと同じ、または、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さよりも長いことを特徴としている。
【００１７】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記半導体レーザチップの共振器長をサブマウントのレーザ出射方向の長さと同じまたはその長さより長くするので、半導体レーザチップを高出力化することができる。
【００１８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザチップの共振器長は、上記サブマウントのレーザ出射方向の長さよりも長い。
【００１９】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記キャップは、上記半導体レーザチップから出射されたレーザ光が通過する中空の開口を有する。
【００２０】
上記実施形態の半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に用いる場合、上記半導体レーザチップから出射されたレーザ光がキャップにおける中空の開口を通過するので、ステム本体の基準面に対する半導体レーザチップの発光点の高さを高くしても、光ピックアップ装置の光学系の設計変更を行わなくてもよい。したがって、上記光ピックアップ装置の製造コストの増大を防止できる。
【００２１】
より詳しく説明すると、レーザ光がある厚みのガラスを通過した場合と、レーザ光がそのガラスと同じ厚みの空気を通過した場合とを比較すると、ガラスの屈折率が空気の屈折率よりも大きいため、光学的距離は、レーザ光がガラスを通過したときの方が、レーザ光が空気を通過したときよりも長くなる。
【００２２】
光学的距離がどの程度長くなるかは下記式によって求まる。
光学的距離差＝Ｌ｛１−(１／ｎ)｝
【００２３】
ここで、Ｌはガラスの厚さ、ｎはガラスの屈折率である。
【００２４】
例えば５．６Φ半導体レーザ装置において、厚さが０．２５ｍｍ、屈折率が１．４９のキャップガラスをキャップの窓に取り付ける場合と、そのようなキャップガラスをキャップの窓に取り付けない場合（キャップの窓が開口である場合）とを比べると、光学的距離差は０．０８２ｍｍとなる。
【００２５】
したがって、上記５．６Φ半導体レーザ装置では、厚さが０．２５ｍｍ、屈折率が１．４９のキャップガラスをキャップの窓に取り付ける場合の発光点高さは１．２７ｍｍであるが、キャップガラスをキャップの窓に取り付けない場合の発光点高さは１．３５ｍｍである。
【００２６】
すなわち、上記窓を開口にした場合は、窓にキャップガラスを取り付けたときよりも、ステム本体の基準面と半導体レーザチップの発光点との距離が高くなるので、半導体レーザチップの共振器長をより長くすることができる。
【００２７】
また、上記半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に用いる場合、窓を中空の開口にすることにより、ステム本体の基準面に対する半導体レーザチップの発光点の高さが高くなっても、光ピックアップ装置の光学系の設計変更を引き起こさない。したがって、上記光ピックアップ装置の製造コストの増大を防止できる。
【００２８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記ステム本体には、上記半導体レーザチップの一部が入る凹部が設けられている。
【００２９】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記半導体レーザチップの一部が入る凹部をステム本体に設けることにより、半導体レーザチップの共振器長をより長くすることができる。
【００３０】
また、上記半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に用いる場合、上記半導体レーザチップの一部が入る凹部をステム本体に設けることにより、光ピックアップ装置の光学系の設計変更を引き起こさない。したがって、上記光ピックアップ装置の製造コストの増大を防止できる。
【００３１】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザチップにおける上記サブマウントとは反対側の表面は、Ａｕ（金）とＮｉ（ニッケル）とのうちの少なくとも一方を含む金属で覆われている。
【００３２】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記半導体レーザチップにおけるサブマウントとは反対側の表面を、ＡｕとＮｉとのうちの少なくとも１つを含む金属で覆うことにより、キャップの窓が開口であっても、その表面が酸化するのを防止できる。
【００３３】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記ステム本体には、上記凹部内の空間と上記キャップ外の空間とを連通する溝が設けられている。
【００３４】
上記実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記凹部内の空間とキャップ外の空間とを連通する溝をステム本体に設けることにより、キャップ内の熱をキャップ外に効率よく放出することができる。
【００３５】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記ステムブロックと上記サブマウントとの固定は第１のロウ材で行われている。
【００３６】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１のロウ材はＡｇペーストまたはＡｕＳｎ合金である。
【００３７】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記サブマウントと上記半導体レーザチップとの固定は第２のロウ材で行われている。
【００３８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第２のロウ材はＡｇペーストまたはＡｕＳｎ合金である。
【００３９】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記サブマウントは誘電体または半導体から成っている。
【００４０】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記ステム基準面に対する上記半導体レーザチップの発光点の高さは略１．３５ｍｍである。
【００４１】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザチップの共振器長が１．２０ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲内である。
【００４２】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記キャップの材質がＦｅ（鉄）を主成分とする金属である。
【００４３】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記凹部の深さは０．４ｍｍ以下である。
【００４４】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザチップから出射されたレーザ光は上記窓で略遮光されない。
【００４５】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記キャップの形状は円筒形状である。
【００４６】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記ステム本体の形状はＤカット形状である。
【００４７】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記ステム本体の形状はＩカット形状である。
【００４８】
本発明の光ピックアップ装置は、上記発明の半導体レーザ装置を備えたことを特徴としている。
【００４９】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、上記本発明の半導体レーザ装置を備えているから、例えば光ディスクに対して情報の記録を高速に行うことができる。
【発明の効果】
【００５０】
本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザチップの共振器長をサブマウントのレーザ出射方向の長さと同じまたはその長さより長くするので、半導体レーザチップを高出力化することができる。
【００５１】
また、本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザチップによるレーザ光が中空の開口を通過するか、または、半導体レーザチップの一部が入る凹部をステム本体に設けることにより、１．１９ｍｍを超える長さの共振器長のレーザチップを用いながらも、外径寸法や光学的距離を変更することなく、５．６Φ標準パッケージの半導体レーザ装置と置き換えることができる。
【００５２】
また、本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザチップによるレーザ光が中空の開口を通過するか、または、半導体レーザチップの一部が入る凹部をステム本体に設けることにより、特殊な専用生産装置を用いなくても生産することができ、短いタクトでの生産ができる。
【００５３】
本発明の光ピックアップ装置は、上記発明の半導体レーザ装置を備えているから、例えば光ディスクに対して情報の記録を高速に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５４】
以下、本発明の半導体レーザ装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００５５】
（第１実施形態）
図１に、本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置の概略断面図を示す。
【００５６】
上記半導体レーザ装置は、基準面２となる平面を有する板形状のステム本体１と、このステム本体１と一体に設けられ、基準面２に対して略垂直な搭載面１１を有するステムブロック８と、このステムブロック８の搭載面１１に固定されたサブマウント７と、このサブマウント７におけるステムブロック８とは反対側の表面に固定された半導体レーザチップ５と、この半導体レーザチップ５、サブマウント７およびステムブロック８を覆う円筒形状のキャップ３とを備えている。
【００５７】
上記ステム本体１には２〜４本のリードピン９が接着されている。このステム本体１とリードピン９との接着は低融点ガラスなどが用いられる。
【００５８】
上記キャップ３は、Ｆｅを主成分とする金属から成って、ステム本体１とは反対側の端部に窓１０を有している。この窓１０は中空の開口であり、キャップガラスなどの光学部品が取り付けられていない。つまり、上記半導体レーザ装置のパッケージはいわゆるオープンパッケージ（開口を有するキャップを用いたパッケージ）である。また、上記キャップ３のステム本体１側の端部には、ステム本体１に固定するためのフランジを設けている。
【００５９】
上記半導体レーザチップ５は、窓１０側の端面に半導体レーザチップ発光点６を有している。この半導体レーザチップ発光点６は、ステム本体１の基準面２に対する高さＨ1が略１．３５ｍｍとなっている。上記半導体レーザチップ発光点６の高さＨ1は、キャップガラスを有する標準の半導体レーザチップ発光点の高さ略１．２７ｍｍと光学位置が合致している。つまり、上記半導体レーザチップ発光点６と、図１１の従来の半導体レーザチップ発光点１０６とは、光学的な位置が一致している。
【００６０】
図２に、上記サブマウント７および半導体レーザチップ５の拡大図を示す。
【００６１】
上記半導体レーザチップ５の共振器長はサブマウント７のレーザ出射方向の長さと同じになっている。また、上記半導体レーザチップ５の窓１０側の端部はサブマウント７の窓１０側の端部から突出している。つまり、上記半導体レーザチップ５の窓１０側の端面はサブマウント７の窓１０側の端面よりも窓１０の近くに位置している。
【００６２】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザチップ発光点６の高さＨ1が略１．３５ｍｍであるから、ダイボンド精度０ｍｍ〜０．０５ｍｍ及び半導体レーザチップ５の共振器長ばらつき０ｍｍ〜０．０３ｍｍを考慮して、最長で略１．２７ｍｍ（＝略１．３５ｍｍ−０．０５ｍｍ−０．０３ｍｍ）の共振器長の半導体レーザチップをステムブロック８に搭載することができる。したがって、上記半導体レーザチップ５の共振器長を例えば１．２０ｍｍ〜１．２７ｍｍにして、半導体レーザチップ５を高出力化することができる。
【００６３】
また、上記半導体レーザチップ発光点６の高さＨ1を変えることにより、半導体レーザチップ５の共振器長を１．２８ｍｍ以上にすることができる。
【００６４】
上記窓１０が中空の開口であることによって、ステム本体１及びキャップ３は、図１１の従来のステム本体１０１及びキャップ１０３と同じ大きさにしても、半導体レーザチップ５を高出力化することができる。
【００６５】
本実施形態の半導体レーザ装置は、これと同様の光出力を有する従来の半導体レーザ装置よりも実質的に小型化することができる。
【００６６】
キャップガラスを有するキャップは、熱膨張係数の観点から、高価なコバールで形成されるが、キャップガラスを有さないキャップ３は、安価なＦｅを含む金属で形成することができる。
【００６７】
本実施形態の半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に組み込む場合、半導体レーザチップ発光点６の高さＨ1が、キャップガラスを有する標準の半導体レーザチップ発光点の高さ略１．２７ｍｍと光学位置が合致しているので、光ピックアップ装置の光学系の設計に変更を加えなくてもよい。したがって、上記光ピックアップ装置の製造コストの増大を防止できる。
【００６８】
また、上記半導体レーザ装置でオープンパッケージを用いる場合、半導体レーザチップ５、サブマウント７およびステムブロック８が空気にさらされるため、次の点を考慮する必要がある。
【００６９】
本発明の半導体レーザ装置が備える半導体レーザチップの電極の材料としては、Ａｌ（アルミ）等のように酸化しやすい物質を使用せずに、ＡｕやＮｉ等のように酸化しにくい物質を使用する。例えば、ＡｕとＮｉのうちの少なくとも一方を含む物質を本発明の半導体レーザ装置における半導体レーザチップの電極の材料として使用する。本実施形態では半導体レーザチップ５の電極の材料としてＡｕを使用した。
【００７０】
また、上記半導体レーザチップ５及びサブマウント７のダイボンドには、Ｉｎ等のロウ材を用いるのではなく、ＡｇペーストやＡｕＳｎ合金等の酸化しないロウ材を用いる。本実施形態ではＡｇペーストによるダイボンド方式を採用した。
【００７１】
上記第１実施形態では、半導体レーザチップ５をサブマウント７に取り付けていたが、図３に示すように、半導体レーザチップ４５をサブマウント７に取り付けてもよい。この半導体レーザチップ４５は、図４に示すように、サブマウント７のレーザ出射方向の長さよりも長い共振器長を有している。また、上記半導体レーザチップ４５は、両端部がサブマウント７から突出するようにサブマウント７の表面に固定されている。
【００７２】
なお、図３において、４６は半導体レーザチップ発光点である。
【００７３】
（第２実施形態）
図５に、本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置の概略断面図を示す。図５において、図１に示した第１実施形態の構成部と同一構成部は、図１における構成部の参照番号と同一参照番号を付している。
【００７４】
上記半導体レーザ装置は、基準面２２となる平面を有する板形状のステム本体２１と、このステム本体２１と一体に設けられ、基準面２２に対して略垂直な搭載面３１を有するステムブロック２８と、このステムブロック２８の搭載面３１に固定されたサブマウント２７と、このサブマウント２７におけるステムブロック２８とは反対側の表面に固定された半導体レーザチップ２５と、この半導体レーザチップ２５、サブマウント２７およびステムブロック２８を覆う円筒形状のキャップ３とを備えている。
【００７５】
上記ステム本体２１には、低融点ガラスなどによって２〜４本のリードピン９が接着されている。また、上記ステム本体２１には凹部３４が設けられていて、半導体レーザチップ２５およびサブマウント２７のリードピン９側の端部が凹部３４内に入っている。
【００７６】
上記ステムブロック２８は凹部３４の底面から窓１０へ向かって延びている。
【００７７】
上記半導体レーザチップ２５は、窓１０側の端面に半導体レーザチップ発光点２６を有している。この半導体レーザチップ発光点２６は、ステム本体２１の基準面２２に対する高さＨ2が略１．３５ｍｍとなっている。上記半導体レーザチップ発光点２６の高さＨ2は、キャップガラスを有する標準の半導体レーザチップ発光点の高さ略１．２７ｍｍと光学位置が合致している。つまり、上記半導体レーザチップ発光点２６と、図１１の従来の半導体レーザチップ発光点１０６とは、光学的な位置が一致している。また、上記半導体レーザチップ２５の共振器長はサブマウント２７のレーザ出射方向の長さよりも長くなっている。
【００７８】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザチップ発光点２６の高さＨ2が略１．３５ｍｍであることによって、特殊な製造装置を用いなくても、サブマウント２７をステムブロック２８に容易にダイボンドすることができる。
【００７９】
上記半導体レーザチップ２６の共振器長が１．２７ｍｍを超えた場合にも、オープンパッケージによるダイボンド位置の変更は有効である。つまり、上記オープンパッケージを用いることによって、半導体レーザチップ発光点２６の高さを高くできるから、サブマウント２７をステムブロック２８に容易にダイボンドすることができる。
【００８０】
図１１の従来の５．６Φ半導体レーザ装置において、例えば、放熱特性に悪影響が出ないようにステム本体１０１の厚さを１．２ｍｍとし、ステム本体１０１に、深さ０．３ｍｍの凹部を設けたとしても、半導体レーザチップ１０５の共振器長は最長で１．４９ｍｍ（＝１．１９ｍｍ＋０．３ｍｍ）にしかできない。
【００８１】
これに対して、本実施形態の半導体レーザ装置は、凹部３４の深さを０．３ｍｍに設定すると、半導体レーザチップ２５の共振器長は最長で１．５７ｍｍ（＝１．２７ｍｍ＋０．３ｍｍ）にすることができる。
【００８２】
したがって、上記半導体レーザチップ２５は図１１の従来の半導体レーザチップ１０５よりも高出力化することができる。
【００８３】
本実施形態の半導体レーザ装置を小型化するためには、図６に示すように、Ｄカット形状のステム本体６１を用いたり、または、図７に示すように、Ｉカット形状のステム本体７１を用いるのが好ましい。
【００８４】
本発明の半導体レーザ装置は、図１１の従来の５．６Φ半導体レーザ装置と外形を全く同一にすることができるので、図１１の従来の５．６Φ半導体レーザ装置と材料を共用することができると共に、図１１の従来の５．６Φ半導体レーザ装置の製造ラインで製造することできる。
【００８５】
上記第２実施形態では、半導体レーザチップ発光点２６の高さＨ2を略１．３５ｍｍにしていたが、半導体レーザチップ発光点２６の高さＨ2を略１．３５ｍｍ未満にしてもよい。
【００８６】
上記第２実施形態では、ステム本体２１を用いていたが、図８に示すようなステム４１を用いてもよい。このステム本体４１は基準面４２となる平面を有している。また、上記ステム本体４１には、半導体レーザチップ２５およびサブマウント２７のリードピン９側の端部が入る凹部３４が設けられている。さらに、上記ステム本体４１には、凹部３４内の空間とキャップ３外の空間とを連通する溝３５が設けられている。
【００８７】
上記ステム４１を用いた場合であっても、半導体レーザチップ２５のリードピン９側の端部を凹部３４に入れることにより、半導体レーザチップ２５の共振器長を例えば１．２０ｍｍ以上にして、半導体レーザチップ２５を高出力化することができる。
【００８８】
なお、図８において、図５に示した第１実施形態の構成部と同一構成部は、図５における構成部の参照番号と同一参照番号を付している。
【００８９】
図９に、本発明の一実施の形態の光ピックアップの概略構成図を示す。
【００９０】
上記光ピックアップ装置は本発明の一実施の形態の半導体レーザ装置８１を備えている。この半導体レーザ装置８１から出射されたレーザ光は、コリメータレンズ８２により平行光にされた後、光軸変換ミラー（立ち上げミラー）８２で立ち上げられて、対物レンズ（可動レンズ）８４により光ディスク８５の表面に集光される。
【００９１】
上記光ピックアップ装置は、半導体レーザ装置８１として第１，第２実施形態の半導体レーザ装置を用いることにより、従来の光ピックアップ装置と同じ光学系を使用できる。
【００９２】
上記半導体レーザ装置８１のステム本体として、図６に示すようなＤカット形状のステム本体６１を用いたり、または、図７に示すようなＩカット形状のステム本体７１を用いることにより、光ピックアップ装置のＹ軸方向の厚さを薄くすることができるので好ましい。特に、上記光ピックアップ装置が光軸変換ミラー８２を備えている場合は、Ｄカット形状のステム本体６１を用いたり、または、図７に示すようなＩカット形状のステム本体７１を用いるのが好ましい。
【００９３】
本発明の半導体レーザ装置が備える半導体レーザチップとしては、図１０に示すように、発光層より１μｍ程度のところに電極金属が設けられていることにより、放熱性を高くしたものが好ましい。
【００９４】
図１０の半導体レーザチップは、ｎ型ＧａＡｓ基板１００１上に順次積層されたｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１００２、ＧａＡｌＡｓ活性層１００３、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１００４およびｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層１００５を備えている。上記ＧａＡｌＡｓ活性層１００３のＡｌの割合はクラッド層１００２，１００４のＡｌの割合よりも少ない。つまり、上記ＧａＡｌＡｓクラッド層１００２，１００４はＧａＡｌＡｓ活性層１００３よりも多くのＡｌを含んでいる。
【００９５】
また、上記エッチング停止層１００５上には、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１０１４とｐ型ＧａＡｓキャップ層１００６とから成るストライプ状のリッジ部１０１１を設けている。そして、上記リッジ部１０１１の両側には、リッジ部１０１１が受ける機械的ダメージを軽減するためにストライプ状のテラス部１０１２を設けている。このテラス部１０１２は、リッジ部１０１１と同様に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ層とｐ型ＧａＡｓ層とから成っている。このようなリッジ部１０１１及びテラス部１０１２は図１０の紙面に対して垂直方向に延びている。
【００９６】
また、上記リッジ部１０１１の側面は誘電体膜１０２１で覆っている。また、上記リッジ部１０１１上には、ＡｕおよびＺｎでストライプ状のｐ側電極金属１０３１を設けている。このｐ側電極金属１０３１の材料はｐ型ＧａＡｓキャップ層１００６に対してオーミックコンタクできる材料であればＡｕやＺｎに限定されない。
【００９７】
また、上記誘電体膜１０２１及びｐ側電極金属１０３１上には、Ｍｏ膜とＡｕ膜とから成る厚さ〜０．１μｍのバリアメタル層１０３２を設けている。さらに、上記バリアメタル層１０３２上にはＡｕから成る厚さ〜数μｍＡｕ電極層１０３３を設けている。上記バリアメタル層１０３２は、Ａｕ電極層１０３３のＡｕがリッジ部１０１１やこれより下層に拡散するのを防ぐことができる。
【００９８】
上記バリアメタル層１０３２は、１回目Ｍｏ／Ａｕ膜１０３２ａおよび２回目Ｍｏ／Ａｕ膜１０３２ｂから成っている。上記１回目Ｍｏ／Ａｕ膜１０３２ａは、リッジ部１０１１の左斜め上方から金属粒子をリッジ部１０１１に向けて照射して得られる。上記２回目Ｍｏ／Ａｕ膜１０３２ｂは、１回目Ｍｏ／Ａｕ膜１０３２ａを得た後、リッジ部１０１１の右斜め上方から金属粒子をリッジ部１０１１に向けて照射して得られる。
【００９９】
また、ｎ型ＧａＡｓ基板１００１下には、Ａｕ、ＧｅおよびＮｉ等から成るｎ側電極１０３４を設けている。
【０１００】
上記構成の半導体レーザチップは、発熱源である発光部（ＧａＡｌＡｓ活性層３においてリッジ部１０１１下に位置する部分）からＡｕ電極層１０３３までの距離が近く、また、Ａｕ電極層１０３３の厚みが厚いので、良好な放熱性を得ている。
【０１０１】
また、上記Ａｕ電極層１０３３内での熱の拡散が早いので、サブマウントから外れたレーザ出射端面近傍で発生した熱も、速やかにサブマウントに接触している内部側に拡散させることができる。
【０１０２】
図１０に示すような半導体レーザチップを第１，第２実施形態で用いるのが好ましい。
【０１０３】
本発明の光ピックアップ装置は、光ディスクに対して情報の記録を高速に行うことができる。
【０１０４】
上記第１実施形態において、Ｄカット形状またはＩカット形状のステム本体を使用してもよいのは言うまでもない。
【０１０５】
上記第１，第２実施形態では、ステムブロックの全部がキャップで覆われていたが、ステムブロックの一部が入る切欠きをキャップの側壁に設けて、その切欠きからステムブロックの一部を露出させてもよい。
【０１０６】
本発明の半導体レーザ装置が備えるステムブロックは、ステム本体と一体成型で形成されたものであってもよいし、または、ステム本体に銀ロウなどで後付けされたものでもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】図１は本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置の概略断面図である。
【図２】図２は上記第１実施形態の半導体レーザ装置の要部の拡大図である。
【図３】図３は上記第１実施形態の半導体レーザ装置の変形例の概略断面図である。
【図４】図４は上記第１実施形態の半導体レーザ装置の変形例の要部の拡大図である。
【図５】図５は上記第２実施形態の半導体レーザ装置の概略断面図である。
【図６】図６は上記第２実施形態の半導体レーザ装置に使用可能なステム本体を裏面側から見た図である。
【図７】図７は上記第２実施形態の半導体レーザ装置に使用可能なステム本体を裏面側から見た図である。
【図８】図８は上記第２実施形態の半導体レーザ装置の変形例の概略断面図である。
【図９】図９は本発明の一実施の形態の光ピックアップの概略構成図である。
【図１０】図１０は上記第１，第２実施形態の半導体レーザ装置に搭載可能な半導体レーザチップの概略断面図である。
【図１１】図１１は従来の５．６Φ半導体レーザ装置の概略断面図である。
【図１２】図１２は他の従来の半導体レーザ装置の概略断面図である。
【図１３】図１３は他の従来の半導体レーザ装置の概略断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１，２１，４１，６１，７１  ステム本体
２，２２，４２  基準面
３  キャップ
５，２５，４５，４６  半導体レーザチップ
６，２６  半導体レーザチップ発光点
７  サブマウント
８，２８  ステムブロック
９  リードピン
１０  窓
１１，３１  搭載面
３４  凹部
３５  溝
８１  半導体レーザ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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