(57)【要約】  【課題】  層数が多くても表面が平坦で、電子部品の搭載に支障を来すおそれのない多層配線基板を提供し、更に、多層配線基板を構成する配線板間の必要な電気的接続の信頼度を高くし、更には、製造工数の低減を図る。  【解決手段】層間絶縁膜４の表側に複数の配線膜６、６ａをこれらの面が面一になるように埋め込み状に形成し、少なくとも一部の配線膜６の裏側にそこから層間絶縁膜４の裏側の面に延びて露出するように層間接続ピラー８を形成し、層間接続ピラー８の露出する面に接続性向上用低融点金属層１０を形成した配線板２を複数枚一括（同時）積層して多層配線基板１２を得る。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間絶縁膜の一方の主表面に、金属からなる複数の配線膜が該配線膜の一方の主表面と該層間絶縁膜の上記一方の主表面とが面一となるように埋め込み状に形成され、
上記複数の配線膜の少なくとも一部の配線膜の他方の主表面にそこから上記層間絶縁膜の他方の主表面に延びて露出するように該層間絶縁膜を貫通するように金属からなる層間接続ピラーが形成され、
上記層間接続ピラーの上記露出する面に接続性向上用低融点金属層が形成された
ことを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記配線膜の前記一方の主表面にボンディング性を向上させる金属膜が形成されてなる
ことを特徴とする請求項１記載の配線板。
【請求項３】
キャリア層上にボンディング性を向上させる金属膜をパターニングされたマスク膜をマスクとしてメッキにより形成した後、同じマスク膜をマスクとして金属を電解メッキすることにより配線膜を形成し、
その後、上記マスク膜を除去した後、配線膜形成側の面に別のマスク膜を形成し、そのマスク膜をマスクとして金属をメッキすることにより層間接続ピラーを形成し、
その後、層間絶縁膜及び上記層間接続ピラーの露出面上の接続性向上用低融点金属層を形成する
ことを特徴とする請求項２記載の配線板の製造方法。
【請求項４】
前記配線膜の前記層間接続ピラーが形成された部分が、その層間接続ピラーよりも小面積に形成され、該層間接続ピラーとその該配線膜との間にエッチングバリア層が介在せしめられてなる
ことを特徴とする請求項１又は２記載の配線板。
【請求項５】
層間絶縁膜の一方の主表面に金属からなる複数の配線膜が該配線膜の一方の主表面と該層間絶縁膜の上記一方の主表面と面一となるように埋め込み状に形成され、上記複数の配線膜の少なくとも一部の配線膜の他方の主表面にそこから上記層間絶縁膜の他方の主表面に延びて露出するよう該層間絶縁膜を貫通するように金属からなる層間接続ピラーが形成され、該層間接続ピラーの上記層間絶縁膜の他方の主表面に露出する面に接続性向上用低融点金属層が形成された複数の配線板からなり、
一つの配線板の配線膜と他の配線板の層間接続ピラーとを、あるいは一つの配線板と他の配線板との層間接続ピラーどうしを、上記接続性向上用低融点金属層を介して接続し、且つ配線板の層間接続ピラーどうしを溶融一体化することにより各隣接配線板間を一体化して上記複数の配線板を積層してなる
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項６】
前記一又は複数の配線板は、配線膜形成側が上を向き、層間接続ピラーの層間絶縁膜と面一に露出する面側が下を向く向きを有し、
残りの一つ又は複数の配線板は、配線膜形成側が下を向き、層間接続ピラーの層間絶縁膜と面一に露出する面側が上を向く向きを有し、
層間接続ピラーの層間絶縁膜どうしが接続された部分を有する態様で、複数の配線板が積層されてなる
ことを特徴とする請求項５記載の多層配線基板。
【請求項７】
層間絶縁膜の一方の主表面に金属からなる複数の配線膜が該配線膜の一方の主表面と該層間絶縁膜の上記一方の主表面と面一となるように埋め込み状に形成され、上記複数の配線膜の少なくとも一部の配線膜の他方の主表面にそこから上記層間絶縁膜の他方の主表面に延びて露出するよう該層間絶縁膜を貫通するように金属からなる層間接続ピラーが形成され、該層間接続ピラーの上記層間絶縁膜の他方の主表面に露出する面に接続性向上用低融点金属層が形成された複数の配線板を複数個用意し、
その用意した複数の配線板を、一つの配線板の配線膜と他の配線板の層間接続ピラーとを、あるいは一つの配線板と他の配線板との層間接続ピラーどうしを、上記層間接続ピラーを介して接するように位置合わせした状態で、加熱および加圧により、上記接続性向上用低融点金属層を介して接するところの一つの配線板の配線膜と他の配線板の層間接続ピラーとが、あるいは層間接続ピラーどうしが接続性向上用低融点金属層を介して接続されるとともに、隣接配線板の層間絶縁膜どうしが溶融一体化されるようにして、積層する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線板、詳しくは例えば樹脂からなる層間絶縁膜の一方の表面に複数の配線膜が形成され、更にその配線膜の少なくとも一部の配線膜に対応して例えば銅等の金属からなる層間接続ピラーを層間接続手段として備えた配線板と、その配線板を複数枚用いた多層配線基板と、その多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層配線基板の配線膜間接続を行なう手法の一つとして、例えば銅から成るバンプを使用する手法があり、それにより相当に配線層の層数の多い、即ち相当に多層の多層配線基板を売ることができ、配線基板の高集積化に寄与している。
そのような技術は、例えば特開平８−１９５５６１号等により紹介されている。その紹介された多層化技術の一例を示すと、次の通りである。
【０００３】
即ち、一つの金属層の一部の一方の表面に金属バンプを形成したものと、層間絶縁膜となる絶縁性樹脂と、上記金属層とは別の金属層とを用意し、上記金属バンプのある金属層を、その金属バンプで上記絶縁性樹脂を貫通して上記別の金属層に接続されるようにこれらの部材を加圧及び加熱積層して一体化し、その後、その両面の金属層を選択的エッチングにより所定の形状にパターニングすることにより配線膜を形成した配線板を複数枚つくり、一方の配線板の一方の主表面に金属バンプを形成し、その金属バンプが別途用意した層間絶縁膜を貫通して他方の配線板の配線膜に接続されるようにしてその二つの配線板を積層して配線板積層体をつくるというのがその一例である。
【特許文献１】特開平０８−１９５５６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記従来の技術において、絶縁性樹脂として用いるのは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂であり、コアとなる配線板は硬化反応後配線をパターニングされ、硬化した基板にしっかり保持されているので、さらに未反応のエポキシプリプレグ等で積層してもエポキシプリプレグが流動し、変形できる。従って、配線がよじれたり、切れたりすることはなかった。
しかし、この方法で熱可塑性樹脂を絶縁基材とする配線板を製造する場合はその使用する熱可塑性樹脂の溶融温度に近いところまで昇温し、融着する必要があるので、従来の方法を熱可塑性の基材を用いた多層基板を積層しようとした場合、配線がよじれたり、隣りの配線とショートしたり、断線したり、するという不具合があった。
【０００５】
そして、配線膜が層間絶縁膜の表面から突出していることから、出来上がった、配線板の表面に凹凸が残りやすかった。そのような配線板を複数枚積層して多層配線基板をつくると、積層枚数が増える程多層配線基板の表面の凹凸が大きくなってしまうことになる。
すると、配線板として内層のパターンのよじれたり、となりの配線とショートしたり、断線したりし、これ等は致命的欠陥であり、また多層配線基板に搭載される電子部品、特に、ＩＣ（半導体集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等は、微細で、多端子なため、配線板のコプラナリティを強く要求されるので、多層配線基板の電子部品を搭載する面にある凹凸は、高信頼度の搭載を阻害する要因になる。
従って、その多層配線基板表面の凹凸は看過できない問題をもたらすので、なくすようにする必要があった。
【０００６】
第２に、上記従来の技術によれば、一つの多層配線基板をつくるのに、配線板と別の配線板を積層し、その積層によりできた積層体に更に別の配線板を積層するというように積層を複数回行う必要があり、そのため、多層配線基板の製造工数が多くなり、製造コストの低減が難しいという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような問題を解決すべく為されたものであり、層数が多くても内層のパターンがよじれたり、隣接配線間でショートが生じたり、断線したりということがなく、且つ表面が平坦で、電子部品の搭載に支障を来すおそれのない多層配線基板を提供し、更に、多層配線基板を構成する配線板間の必要な電気的接続の信頼度を高くし、更には、製造工数の低減を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の配線板は、層間絶縁膜の一方の主表面に金属からなる複数の配線膜が該配線膜の一方の主表面と該層間絶縁膜の上記一方の主表面と面一となるように埋め込み状に形成され、上記複数の配線膜の少なくとも一部の配線膜の他方の主表面にそこから上記層間絶縁膜の他方の主表面に延びて露出するよう該層間絶縁膜を貫通するように金属からなる層間接続ピラーが形成され、該層間接続ピラーの上記露出する面に接続性向上用低融点金属層が形成されたことを特徴とする。
請求項２の配線板は、請求項１記載の配線板において、前記配線膜の前記一方の主表面にボンディング性を向上させる金属膜が形成されてなることを特徴とする。
【０００９】
請求項３の配線板の製造方法は、請求項２記載の配線板の製造方法であって、導電性を有するキャリア層上にボンディング性を向上させる金属膜をパターニングされたマスク膜をマスクとしてメッキにより形成した後、同じマスク膜をマスクとして金属をメッキすることにより配線膜を形成し、その後、上記マスク膜を除去した後、配線膜形成側の面に別のマスク膜を形成し、そのマスク膜をマスクとして金属をメッキすることにより層間接続ピラーを形成し、その後、層間絶縁膜及び接続性向上用低融点金属層を形成することを特徴とする。
請求項４の配線板は、請求項１又は２記載の配線板において、前記配線膜の前記層間接続ピラーが形成された部分が、その層間接続ピラーよりも小面積に形成され、該層間接続ピラーとその該配線膜との間にエッチングバリア層が介在せしめられてなることを特徴とする。
【００１０】
請求項５の多層配線基板は、層間絶縁膜の一方の主表面に金属からなる複数の配線膜が該配線膜の一方の主表面と該層間絶縁膜の上記一方の主表面と面一となるように埋め込み状に形成され、上記複数の配線膜の少なくとも一部の配線膜の他方の主表面にそこから上記層間絶縁膜の他方の主表面に延びて露出するよう該層間絶縁膜を貫通するように金属からなる層間接続ピラーが形成され、該層間接続ピラーの上記層間絶縁膜の他方の主表面に露出する面に接続性向上用低融点金属層が形成された複数の配線板からなり、一つの配線板の配線膜と他の配線板の層間接続ピラーとを、あるいは一つの配線板と他の配線板との層間接続ピラーどうしを、上記接続性向上用低融点金属層を介して接続し、且つ配線板の層間接続ピラーどうしを溶融一体化することにより各隣接配線板間を一体化して上記複数の配線板を積層してなることを特徴とする。
【００１１】
請求項６の多層配線基板は、請求項４記載の多層配線基板において、前記一つ又は複数の配線板は、配線膜形成側が上を向き、前記層間接続ピラーの前記層間絶縁膜と面一に露出する面側が下を向く向きを有し、残りの一つ又は複数の配線板は、配線膜形成側が下を向き、層間接続ピラーの層間絶縁膜と面一に露出する面側が上を向く向きを有し、層間接続ピラーの層間絶縁膜どうしが接続された部分を有する態様で、積層されてなることを特徴とする。
【００１２】
請求項７の多層配線基板の製造方法は、層間絶縁膜の一方の主表面に金属からなる複数の配線膜が該配線膜の一方の主表面と該層間絶縁膜の上記一方の主表面と面一となるように埋め込み状に形成され、上記複数の配線膜の少なくとも一部の配線膜の他方の主表面にそこから上記層間絶縁膜の他方の主表面に延びて露出するよう該層間絶縁膜を貫通するように金属からなる層間接続ピラーが形成され、該層間接続ピラーの上記層間絶縁膜の他方の主表面に露出する面に接続性向上用低融点金属層が形成された複数の配線板を複数個用意し、その用意した複数の配線板を、一つの配線板の配線膜と他の配線板の層間接続ピラーとを、あるいは一つの配線板と他の配線板との層間接続ピラーどうしを、上記層間接続ピラーを介して接するように位置合わせした状態で、加熱および加圧により、上記接続性向上用低融点金属層を介して接するところの一つの配線板の配線膜と他の配線板の層間接続ピラーとが、あるいは層間接続ピラーどうしが接続性向上用低融点金属層を介して接続されるとともに、隣接配線板の層間絶縁膜どうしが溶融一体化されるようにして、積層することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の配線板によれば、各配線膜の表面及び層間接続ピラーの裏面が層間絶縁膜の表裏面に面一になっているので、このような配線板を複数枚積層して配線基板の多層化を図っても表面の平坦性を高くすることが可能となる。
従って、表裏両面の平坦性の高い多層配線基板の製造に大きく寄与することができる。
そして、層間接続ピラーの露出面に接続性向上用低融点金属層があるので、配線板と他の配線板を積層する場合、層間接続ピラーと他の配線板の配線膜或いは層間接続ピラーとの間の接続性が接続性向上用低融点金属層によって高めることができる。
【００１４】
請求項２の配線板によれば、配線膜の表面にボンディング性を向上させる金属膜例えば金膜を形成したので、ワイヤボンディング或いはフリップチップボンディング等によりＩＣ、ＬＳＩ等を良好で信頼性の高い接続性を以て搭載することができる。
請求項３の配線板の製造方法によれば、導電性のあるキャリア層上にボンディング性を向上させる金属膜を形成し、その後もそのキャリア層のあるうちに配線膜、層間接続ピラー等を形成するので、その金属膜をキャリア層を電気的経路としてメッキできる。
従って、引き出し線等をわざわざ設けなくても電解メッキができ、延いては、ボンディング性を向上させる膜質が良好な金属膜を形成することができる。
【００１５】
請求項４の配線板によれば、配線膜の層間接続ピラーと接する部分を、層間接続ピラーよりも小面積にすることができるので、配線膜の高集積化ができる。
請求項５の多層配線基板によれば、多層配線基板を構成する各配線板は、層間絶縁膜の一方の主表面に配線膜が該配線膜の一方の主表面と該層間絶縁膜の上記一方の主表面とが面一（ツライチ：同一平面上に位置すること）であり、また、層間接続ピラーの層間絶縁膜の他方の主表面に露出する面が該層間絶縁膜の該他方の主表面とが面一なので、両主表面が平坦である。
【００１６】
そして、このように平坦な配線板を積層することによって多層配線基板を構成するので、配線板の積層数を増やしても多層配線基板の両主表面を平坦にすることが可能であり、電子部品の搭載に支障を来すおそれのない層数の多い、故に集積度の高い多層配線基板を提供することができる。
そして、互いに重なる隣接配線板間の電気的接続は、配線膜と層間接続ピラーとの間、あるいは層間接続ピラーどうしの間に介在する接続性向上用低融点金属層により信頼度の高いものにすることができ、電気的特性の安定した高信頼度で不良率の低い多層配線基板を提供することができる。
【００１７】
請求項６の多層配線基板によれば、片面にのみ配線膜がある上述した共通した構造を有する複数の配線板を一部と残りとの向きを変えて積層するので、両面に配線膜のある多層配線基板を得ることができる。
従って、両面に配線膜のある多層配線基板を得るために、両面に配線膜のある配線板を用意することは必要としなくなる。
請求項７の多層配線基板の製造方法によれば、請求項１に示す多層配線基板が得られるのみならず、複数枚の配線板を一回の加熱、加圧により積層して多層配線基板をつくるので、従来におけるように積層を何回か繰り返す製造方法に比較して、多層配線基板の製造工数を低減し、製造コストの低減を図り、延いては多層配線基板の低価格化を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明において、各配線板の層間絶縁膜は、熱可塑性樹脂が好適であり、例えばＰＥＥＫ樹脂、ＰＥＳ樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＥＮ樹脂、ＰＥＥＫ−ＰＥＳ樹脂のポリマーブレンド、液晶ポリマーが好適な樹脂の具体例である。そして、厚さは例えば数十〜百数十μｍが好ましい。
また、配線膜及び層間接続ピラーは、銅、特に純度の高い銅で形成するのが最適である。配線膜の厚さは十数〜数十μｍが、そして、層間接続ピラーの高さは例えば数十〜百数十μｍが好ましい。該層間接続ピラーの層間絶縁膜の主表面（他方の主表面）に露出する面に形成する接続性向上用低融点金属層は、融点が１５０〜３５０℃、厚さが２〜１０μｍが好ましい。材料は、具体的には錫、亜鉛、リチウム  ビスマス、鉛、アンチモン、銀、銅、金、アルミニウムなどを成分とする低融点の合金等が好適である。
【００１９】
なお、配線板の積層時の加熱温度は、例えば１５０〜３５０℃が好適であり、また、加圧力は２０〜１００ｋｇ/ｃｍ２が好ましい。
また、配線膜の表面にボンディング性を高める金属が形成された配線板を少なくとも多層配線基板の表裏両面部に配置することとすれば、ＩＣ等の微細ピツチでかつ多端子の電子部品の搭載にきわめて便利である。その金属膜としては、金が好適である。
【実施例１】
【００２０】
以下、本発明の詳細を図示実施例に基いて説明する。
図１（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１の実施例を示すもので、（Ａ）は積層される複数（本例では８）枚の配線板の積層される前の状態を、（Ｂ）は積層されてできた多層配線基板を、（Ｃ）は多層配線基板を構成する一つの配線板をそれぞれ示す断面図である。
【００２１】
先ず、図１（Ｃ）を参照して配線板についての説明をする。４は例えば熱可塑性樹脂からなる層間絶縁膜で、例えばＰＥＥＫ樹脂、ＰＥＳ樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＥＮ樹脂、ＰＥＥＫ樹脂−ＰＥＳ樹脂のポリマーブレンド、液晶ポリマーからなる。６、６ａは該層間絶縁膜４の一方の主表面（表側の面）に形成された配線膜で、該配線膜６、６ａの一方の主表面（表側の面）が上記層間絶縁膜４の表側の面と面一になって露出するように埋め込み状に形成されている。配線膜６は次に述べる層間接続ピラー（８）が他方の主表面（裏側の面）に形成された配線膜、配線膜６ａは裏側の面に層間接続ピラー（８）が形成されていない配線膜である。該配線膜６、６ａは、例えば銅からなり、その厚さは十数〜数十μｍである。
【００２２】
８は配線膜６の裏側の面から延びて層間絶縁膜４の他方の主表面（裏側の面）に露出するように層間絶縁膜４内に設けられた層間接続ピラーで、その露出した面が層間絶縁膜４の裏側の面と面一になるように形成されており、材料は配線膜６と同じ銅である。
１０は上記層間接続ピラーの上記層間絶縁膜４の裏側の面に露出した表面に形成した接続性向上用低融点金属層で、例えば、融点が１５０〜３５０℃、厚さが２〜１０μｍが好ましい。材料は、具体的には錫、錫、亜鉛、リチウム  ビスマス、鉛、アンチモン、銀、銅、金、アルミニウムなどを成分とする低融点の単体ないし合金等が好適である。
【００２３】
次に、多層配線基板の製造方法について、図１（Ａ）、（Ｂ）参照して説明する。
図１（Ｃ）に示す配線板２を複数枚（本実施例では８枚）用意し、図１（Ａ）に示すように位置合わせして重ねる。尚、位置合わせし単に重ねた状態であって積層した状態とは違うことを印象づけるため、各隣接配線板２・２間を離間させて示した。
尚、８枚の配線板２、２、・・・のうち上の４枚の配線板２、２、２は、配線膜６、６ａが上を、層間接続ピラー８の層間絶縁膜４の裏側の面に露出する面（そこには接続性向上用低融点金属層１０が形成されている。）が下を向く向きにされ、下の４枚の配線板２、２、２は、その逆の層間接続ピラー８の裏側の面に露出する面が上を、配線膜６、６ａが下を向く向きにされている。その中間の高さを１点鎖線で示し、それより上側をＡとし、下側をＢとした。
【００２４】
このように、ＡとＢとで向きを変えたのは、積層により形成される多層配線基板が、両面に配線膜６、６ａが配置されてＩＣ等の電子部品が良好な搭載を可能になるようにするためである。
従って、ＡとＢとの境界においては、配線板２、２の層間接続ピラー８・８どうしが層間接続ピラー１０・１０を介して接することになる。尚、Ａ側とＢ側の配線板２の枚数が同じであるが、必ずしもそのようにすることは必要ではなく、Ａ側の配線板２の枚数が１枚で、Ｂ側の配線板２が残り全部とか、その逆にＢ側の配線板２の枚数が１枚で、Ａ側の配線板２が残り全部というようにしても良い等種々の態様があり得る。
しかし、図１（Ｃ）に示す配線板２を複数枚重ね、その一番下に両面に配線膜６、６ａを有する両面配線板（図示しない）を重ねて積層するようにしても良い。但し、この場合には、片面にのみ配線膜６、６ａのある図１（Ｃ）に示す配線板２と、両面に配線膜６、６ａのある両面配線板との構造の異なる配線板を用意しなければならず、生産効率の面からは図１に示すように同じ構造の配線板２のみから多層配線基板を構成するようにした方が好ましいといえる。
【００２５】
図１（Ａ）に示すように、位置合わせし、重ねた状態で加熱、加圧することにより、上記接続性向上用低融点金属層１０を介して接するところの一つの配線板の配線膜６と他の配線板の層間接続ピラー８とを、あるいは層間接続ピラー８・８どうしを接続性向上用低融点金属層１０を介して接続すると共に、隣接配線板２・２の層間絶縁膜４・４どうしを溶融一体化する。加熱温度は、例えば１５０〜３５０℃であり、樹脂の種類によって、適切な温度を選定する。加圧力は、例えば２０〜１００ｋｇ/ｃｍ２が好ましい。
すると、各隣接配線板２・２間は樹脂が積層一体化され、図１（Ｂ）に示すように複数（本例では８枚）の配線板２、２、・・・を積層した８層の多層配線基板１２が出来上がる。
【００２６】
本実施例によれば、多層配線基板１２を構成する各配線板２が、層間絶縁膜４の表側の面に配線膜６、６ａが該配線膜６、６ａの表側の面と該層間絶縁膜４の表側の面とが面一（ツライチ：同一平面上に位置すること）であり、また、層間接続ピラー１０の層間絶縁膜４の裏側の面に露出する面が該層間絶縁膜４の裏側の面と面一なので、両主表面が平坦である。ここで接続性向上用低融点金属層１０は面一よりわずかに突出しているが、積層によりこの部分は潰されて脇に広がり、そして、その部分の面積は基板の全体面積から見れば極小面積であるので、基板の平坦性に配線の変形などに影響は無視することができる。
従って、このように平坦な配線板２・２を積層することによって多層配線基板１２を構成するので、配線板２の積層数を増やしても多層配線基板１２の両主表面を平坦にすることが可能であり、電子部品の搭載に支障を来すおそれのない多層配線基板１２を提供することができる。
【００２７】
そして、互いに重なる隣接配線板２・２間の電気的接続は、配線膜６と層間接続ピラー８との間、あるいは層間接続ピラー８・８どうしの間に介在する接続性向上用低融点金属層１０を加熱加圧することにより、配線膜と金属結合が形成され、接続の信頼度の高いものにすることができ、電気的特性の安定した高信頼度で不良率の低い多層配線基板１２を提供することができる。
そして、複数枚の配線板２、２、・・・を一回の加熱、加圧により一括積層して多層配線基板１２をつくるので、従来におけるように積層を何回か繰り返す製造方法に比較して、多層配線基板１２の製造工数を低減し、製造コストの低減を図り、延いては多層配線基板１２の低価格化を可能にする。
【００２８】
図２（Ａ）〜（Ｋ）は図１（Ｃ）に示す配線板２の製造方法の一例を行程順に示す断面図であり、（Ｌ）はその製造方法の変形例を説明するための断面図である。
先ず、図２（Ａ）〜（Ｋ）を参照して配線板２の製造方法の一例を説明する。
（Ａ）図１（Ａ）に示すように、例えば銅（樹脂でも良い。）からなるキャリア層（厚さ例えば数十〜数百μｍ）２０の両主表面（表と裏側の面）にレジスト膜２２を形成する。
（Ｂ）次に、図２（Ｂ）に示すように、一方の面のレジスト膜２２を露光、現像によりパターニングして配線膜６、６ａ形成用のマスクとする。
【００２９】
（Ｃ）次に、上記レジスト膜２２をマスクとして先ず、例えばニッケルからなるエッチングバリア層２４（厚さ例えば０．５〜５μｍ）をメッキにより形成し、その後、銅からなる配線層６、６ａをメッキにより形成する。図２（Ｃ）はその配線膜６、６ａ形成後の状態を示す。尚、エッチングバリア層２４は後にキャリア層２０をエッチングにより除去するときに配線層６、６ａがエッチングされるのを阻む役割を果たす。
（Ｄ）次に、図２（Ｄ）に示すように、上記レジスト膜２２を除去する。  
（Ｅ）次に、図２（Ｅ）に示すようにレジスト膜２６を選択的に形成し、層間接続ピラー形成用のマスクとする。該レジスト膜２６の形成は、レジストの塗布形成後、露光、現像することにより為される。
【００３０】
（Ｆ）次に、図２（Ｆ）に示すように、上記レジスト膜２６をマスクとして銅をメッキすることにより層間接続ピラー８を形成する。尚、この層間接続ピラー８の形成は、オーバーメッキ（所定厚さより高い、即ち、レジスト膜２６の高さよりも稍高くなるまでメッキ）し、その後、層間接続ピラー８を必要であればエッチング或いは研磨することにより所定の高さになるようにすることにより行う。
（Ｇ）次に、図２（Ｇ）に示すようにレジスト膜２６を除去する。
（Ｈ）次に、図２（Ｈ）に示すように、層間絶縁膜４を塗布形成或いはフィルム状の樹脂を圧着する。この層間絶縁膜４の厚さは、上記層間接続ピラー８を越えるような厚さにする。
【００３１】
（Ｉ）次に、図２（Ｉ）に示すように、上記層間絶縁膜４を、上記層間接続ピラー８の表面が露出し、該表面と層間絶縁膜の表面とが面一になるように研磨する。
（Ｊ）次に、図２（Ｊ）に示すように、上記層間接続ピラー８の露出面上に接続性向上用低融点金属層１０を例えばメッキにより形成する。
（Ｋ）次に、図２（Ｋ）に示すように、例えば銅からなるキャリア層２０をエッチングにより除去する。その際に、上記エッチングバリア層２４が銅からなる配線膜６、６ａのエッチング液による侵食を阻む役割を果たす。
尚、そのニッケル等からなるエッチングバリア層２４を完全に除去する処理をするようにしても良いが、僅かに残るようにしても良い。
（変形例）
【００３２】
尚、上記工程（Ｉ）に示すように、層間接続ピラー８の表面を層間絶縁膜４の表面と面一にした後、図２（Ｌ）に示すように、層間絶縁膜４をマスクとして層間接続ピラー８の表面を薄くエッチングすることにより層間接続ピラー８の表面高さを後の工程（Ｊ）で形成する接続性向上用低融点金属層１０の厚さ分低くし、接続性向上用低融点金属層１０形成後におけるその接続性向上用低融点金属層１０の露出面が層間絶縁膜４の面と面一になるようにしても良い。その後、工程（Ｊ）、（Ｋ）を行うことになる。
また、図２に示す配線板の製造方法においては、層間接続ピラー形成用のマスク用として形成したレジスト膜２６を層間接続ピラー８の選択的メッキ後、除去し、改めて層間絶縁膜４を形成することとしていたが、そのレジスト膜２６を除去することなく、そのまま層間絶縁膜として使用するようにしても良い。
【００３３】
図３（Ａ）〜（Ｃ）は、図２に示した配線板の製造方法の変形例を示す断面図である。
（Ａ）図３（Ａ）に示すように、銅からなるキャリア層２０と、ニッケルからなるエッチングバリア層３０と、配線層（６、６ａ）となる銅層３２とを圧延により積層した三層構造の金属板２２を用意する。
（Ｂ）その金属板３０の両面にレジスト膜３４を塗布し、該レジスト膜３４の銅層３２上を覆う部分を、露光、現像によりパターニングし、配線膜６、６ａをエッチングにより形成するためのマスクとする。図３（Ｂ）はそのレジスト膜３４のパターニング後の状態を示す。
【００３４】
（Ｃ）その後、図３（Ｃ）に示すように、上記レジスト膜３４をマスクとして上記銅層３２を選択的にエッチングすることにより配線膜６、６ａを形成する。
その後は、図２（Ｄ）に示す工程（Ｄ）以降の一連の工程に移る。
この配線板の製造方法は、三層構造の金属板３０を出発部材として配線板を製造する方法であり、このような態様も採り得る。
【００３５】
図４（Ａ）〜（Ｄ）は、図２に示した配線板の製造方法の別の変形例を示す断面図である。
（Ａ）上記の図２（Ａ）〜（Ｄ）に示す工程を終えた後、配線膜６、６ａが形成された側の面上に、例えばニッケルからなるエッチングバリア層３６を形成し、その後、層間接続ピラーとなる例えば銅層３８をメッキにより形成する。図４（Ａ）はその銅層３８形成後の状態を示す。
（Ｂ）次に、図４（Ｂ）に示すように、上記銅層３８の表面にレジスト膜４０を選択的に形成する。これは、レジスト膜４０の塗布形成後、露光、現像することにより行う。
【００３６】
（Ｃ）次に、図４（Ｃ）に示すように、上記選択的に形成したレジスト膜４０をマスクとして上記銅層３８をエッチングすることにより層間接続ピラー８を形成する。そのエッチングの際に、上記例えばニッケルからなるエッチングバリア層３６が配線膜６、６ａのエッチング液による侵食を阻む役割を果たす。
（Ｄ）その後、図４（Ｄ）に示すように、上記レジスト膜４０を除去し、更に、層間接続ピラー８をマスクとして上記エッチングバリア層４０を除去する。
この図４（Ｄ）に示す工程の終了後、図２（Ｈ）に示す工程以降の一連の工程に移る。
このような変形例も採り得るのである。
【００３７】
図５（Ａ）、（Ｂ）は、図２に示した技術の一部を活かして金等によるスタッドバンプ４４或いは半田バンプ４６を形成する技術の説明図である。
図２（Ｄ）に示す工程の終了後、配線膜６の表面に、図５（Ａ）に示すように金等によるスタッドバンプ４４、或いは図５（Ｂ）に示すように半田バンプ４６を形成するのである。
その後、図２に示す配線板の製造方法では、めっきのピラーの代わりに金等によるスタッドバンプ４２或いは半田バンプ４４を接続ピラーとするものであり、その後、層間絶縁膜を形成するようにするのである。このような変形例を採り得る。
【００３８】
図６（Ａ）〜（Ｈ）は配線板の製造方法の更に別の例を工程順に示す断面図である。
（Ａ）先ず、図６（Ａ）に示すように、５層構造の金属板６０を用意する。この５層構造を具体的に説明すると、該金属板６０の最下層は銅からなるキャリア層２０、その次の層はニッケルからなるエッチングバリア層６２、その次の層は配線膜６、６ａとなる銅層６４、その次の層はニッケルからなるエッチングバリア層６６、最上層は層間接続ピラー８となる銅層６８からなる。
（Ｂ）次に、図６（Ｂ）に示すように、層間接続ピラー８となる銅層６８の表面にレジスト膜７０を選択的に形成する。
【００３９】
（Ｃ）次に、図６（Ｃ）に示すように、上記レジスト膜７０をマスクとして上記銅層６８を選択的にエッチングすることにより層間接続ピラー８を形成する。その際に、エッチングバリア層６６が配線膜６、６ａになる銅層６４のエッチング液による侵食を阻む役割を果たす。
（Ｄ）次に、図６（Ｄ）に示すように、上記レジスト膜７０を除去する。
（Ｅ）次に、図６（Ｅ）に示すように、上記層間接続ピラー８をマスクとしてエッチングバリア層６６を除去する。
（Ｆ）次に、図６（Ｆ）に示すように、表面上にレジスト膜７２を全面的に形成する。
【００４０】
（Ｇ）次に、上記レジスト膜７２を露光、現像によりパターニングする。
（Ｈ）次に、そのパターニングしたレジスト膜７２をマスクとして上記銅層６４をエッチングすることにより配線膜６、６ａを形成し、しかる後、そのレジスト膜７２を除去する。図６（Ｈ）はレジスト膜７２除去後の状態を示す。
その後、図２（Ｈ）に示す工程（Ｈ）以降の一連の工程に移行する。
このような態様でも配線板２を製造することができる。
【００４１】
図７（Ａ）、（Ｂ）は銅からなるキャリア層２０をエッチングにより除去する時の好ましい状態を示す断面図である。
即ち、上記配線板の製造方法によれば、銅からなるキャリア層２０をエッチングにより除去する必要性があるが、その場合、層間接続ピラー８の層間絶縁膜４の裏側の面（図７における上側の面）上に形成されている接続性向上用低融点金属層１０を侵食されないように保護することが好ましい。
そこで、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、層間接続ピラー８の表面の接続性向上用低融点金属層１０を保護フィルム１１（波線で示す）で保護した状態にし、その状態でキャリア層２０のエッチングを行うと良い。
【００４２】
図８（Ａ）〜（Ｃ）は配線膜６の層間接続ピラー８が形成される部分をランドレス構造にする場合における層間接続ピラー８の製造方法を工程順に示す断面図である。ランドレス構造にするのは、配線膜６の層間接続ピラー８を形成する部分の面積を小さくすることによりより配線密度の高集積化を図るためである。
（Ａ）図８（Ａ）に示すように、銅からなるキャリア層２０上に配線膜６を形成した状態にする。６２は配線膜６とキャリア層２０との間に介在するエッチングバリア層で、例えばニッケル膜からなる。
尚、この場合、ランドレス構造するには当然に配線膜６の層間接続ピラー８が形成されるべき部分が層間接続ピラー８より小さくなるように寸法設定することが必要である。
【００４３】
（Ｂ）次に、図８（Ｂ）に示すように、形成すべき層間接続ピラー８に対してネガのパターンを有するレジスト膜２６を形成し、更に、そのレジスト膜２６をマスクとして例えばニッケルからなるエッチングバリア層３７をメッキにより形成する。
（Ｃ）次に、上記レジスト膜２６をマスクとして、銅をメッキすることにより層間接続ピラー８を形成し、その後、そのレジスト膜２６を除去する。図８（Ｃ）はそのレジスト膜２６除去後の状態を示す。
その後、銅からなるキャリア層２０を除去する必要があるが、その除去のためのエッチングにおいて、エッチングバリア層６２が配線膜６を保護し、エッチングバリア層３７が層間接続ピラー８を保護する役割を果たす。従って、ランドレスが支障なく実現することができる。
【００４４】
図９（Ａ）〜（Ｄ）は配線板の製造方法の更に別の例を工程順に示す断面図である。本例は、各配線層６、６ａの表面に金、銀、ニッケル等、ワイヤボンディング性等、ボンディング性を向上させる金属膜８２を形成した配線板２を提供しようとするものである。
（Ａ）銅からなるキャリア層２０上に例えば選択的にメッキすることによりニッケル、金、ニッケルからなる三層下地膜を下地とする配線膜６、６ａを形成する。図９（Ａ）はその配線膜６、６ａ形成後の状態を示す。
下地膜は、ニッケル膜８０と金膜８２とニッケル膜８４からなる。この下地膜８０、８２、８４を含めた配線膜６、６ａの形成は、例えばレジスト膜を塗布した後、それを露光、現像することによりパターニングし、その後、そのレジスト膜をマスクとして、ニッケル膜８０、金膜８２、ニッケル膜８４及び銅をこの順でメッキすることにより行うことができる。
【００４５】
（Ｂ）その後、図９（Ｂ）に示すように、上記配線膜６上に層間接続ピラー８を形成する。この層間接続ピラー８の形成も選択的に形成したレジスト膜をマスクとして銅をメッキすることにより行うことができる。
（Ｃ）次に、図９（Ｃ）に示すように、上記配線膜６、６ａ、層間接続ピラー８等が形成された側に層間絶縁膜４を形成し、その層間接続ピラー８の層間絶縁膜４の面と面一になって露出する面上に接続性向上用低融点金属層１０をメッキにより形成する。
（Ｄ）次に、図９（Ｄ）に示すように、銅からなるキャリア層２０を除去する。
そして、ニッケル膜８４を薄くエッチングして金膜８２を露出させる。このニッケル膜８４は金膜８２を保護する役割を果たす。
【００４６】
このような方法によれば、各配線膜６、６ａ上に金膜８２を電解メッキにより容易に形成することができる。というのは、キャリア層２０が各配線膜６、６ａに対する電解メッキにおける電気導通経路となるからである。
因みに、図１に示す配線板の各配線膜６、６ａの表面に金膜をメッキにより形成する場合、各配線膜６、６ａは独立しているので、電気導通経路を形成するために引き出し線を形成するというきわめて面倒な作業が必要となる。しかし、図９に示す方法によれば、そのような面倒な作業を要することなく、電解メッキが可能である。
【００４７】
図１０（Ａ）、（ａ）〜（Ｃ）は配線板の製造方法の更に別の例を工程順に示す断面図である。本例は、層間接続ピラー形成用のマスクとなる樹脂のマスクパターンの形成方法として、レーザービームを選択的に照射する方法を採用したものである。
（Ａ）図１（Ａ）に示すように、レーザビームによりパターニング済みの樹脂フィルム９２を、配線膜６、６ａが形成済みの銅からなるキャリア層２０上に位置合わせしてあてがう。９２はレーザビームにより形成された孔であり、この孔９２内に層間接続ピラーが形成されることになる。
（Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように、樹脂フィルム９２を上記キャリア層２０上に貼り付ける。
【００４８】
（Ｃ）次に、上記樹脂フィルム９２をマスクとして、上記配線膜６上に層間接続ピラー８をメッキにより形成し、更に、接続性向上用低融点金属層１０をメッキにより形成する。図１０（Ｃ）はその接続性向上用低融点金属層１０形成後の状態を示す。
尚、その後、樹脂フィルム９０を除去して層間絶縁膜を形成するようにしても良いし、その樹脂フィルム９０をそのまま層間絶縁膜として用いるようにしても良い。
尚、図１０（ａ）に示すように、液状の樹脂９４を塗布形成し、充分に乾燥させた後、この樹脂９４を、レーザビームの選択的照射によりパターニングし、以て、図１０（Ｂ）の状態にし、後は、図１０（Ｃ）に示す工程に移る。このようにしても良い。
【００４９】
図１１（Ａ）〜（Ｆ）は配線板の製造方法の別の例を工程順に示す断面図である。
本例は、キャリアとして銅箔付きの樹脂フィルムを用いることに特徴がある。
（Ａ）図１１（Ａ）に示すように、銅箔付き樹脂フィルム８０を用意する。８２はフィルム部で、樹脂からなり、その一方の表面に接着剤８４を介して銅層８６が接着されている。
（Ｂ）次に、図１１（Ｂ）に示すように、銅層８６を選択的エッチングによりパターニングすることにより配線膜６、６ａを形成する。
【００５０】
（Ｃ）次に、図１１（Ｃ）に示すように、層間接続ピラー形成用のマスクとなるレジスト膜８８を形成する。
（Ｄ）次に、図１１（Ｄ）に示すように、上記レジスト膜８８をマスクとして銅をメッキすることにより層間接続ピラー８を形成する。
（Ｅ）次に、上記レジスト膜８８を除去し、層間絶縁膜８９を形成し、更に、銅メッキにより層間接続ピラー８を形成し、その後、接続性向上用低融点金属層１０をメッキにより形成する。図１１（Ｅ）はその接続性向上用低融点金属層１０を形成した後の状態を示す。
【００５１】
（Ｆ）その後、図１１（Ｆ）に示すように、上記樹脂フィルム８２を剥離する。すると、配線板ができ上がる
このように、本発明に係る配線板の製造方法に種々の方法がある。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、例えば樹脂からなる層間絶縁膜の一方の表面に複数の配線膜が形成され、更にその配線膜の少なくとも一部の配線膜に対応して例えば銅等の金属からなる層間接続ピラーを層間接続手段として備えた配線板と、複数の配線板を用いた多層配線基板と、その多層配線基板の製造方法に、広く利用可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の一つの実施例を示す断面図で、（Ａ）は積層される複数（本例では８）枚の配線板の積層される前の状態を、（Ｂ）は積層されてできた多層配線基板を、（Ｃ）は多層配線基板を構成する一つの配線板をそれぞれ示す断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｋ）は図１（Ｃ）に示す配線板の製造方法の一例を行程順に示す断面図であり、（Ｌ）はその製造方法の変形例を説明するための断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は図１に示した配線板の製造方法の変形例を工程順に示す断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は図１に示した配線板の製造方法の別の変形例を工程順に示す断面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は図１に示した配線板の製造技術をスタッドバンプ或いは半田バンプの製造に応用した応用例の一つを示す断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｈ）は本発明の配線板の更に別の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は銅からなるキャリア層をエッチングにより除去するに先立つ接続性向上用低融点金属層の保護方法を説明する断面図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の更に別の実施例（ランドレス構造の配線板）の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図９】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の更に別の実施例（ボンディング性向上用金属層を備えた配線板）の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１０】（Ａ）、（ａ）〜（Ｃ）は本発明の配線板の製造方法の更に別の例を工程順に示す断面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の配線板の製造方法の更に別の例を工程順に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
２・・・配線板、４・・・層間絶縁膜、６、６ａ・・・配線膜、
８・・・層間接続ピラー、１０・・・接続性向上用低融点金属層、
１２・・・多層配線基板、２０・・・キャリア層（銅）、８０・・・キャリア層（樹脂）、
８２・・・ボンディング性向上用金属層。
【図１】
2006108211.tif 000003
【図２】
2006108211.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006108211.tif 000009
【図８】
2006108211.tif 000010
【図９】
2006108211.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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