(57)【要約】【課題】  試験環境を実使用環境に近い環境とし、より高い寿命予測精度を実現可能とした耐光性試験機を提供する。【解決手段】  本発明の耐光性試験機３００は、光学装置に用いられる光学素子のサンプル１００に試験光Ｌを連続的に集光照射してサンプル１００の耐光性を加速評価する耐光性試験機であって、前記光学装置の実使用時の光源と同等の発光波長特性を有する光源３１０と、サンプル１００に照射される試験光Ｌの光量を調節する遮光シャッター３２０と、試験光Ｌの照度分布を均一化するインテグレータ光学系３５０と、試験光Ｌを集光してサンプル１００の受光面に照射する集光レンズ３７０とを有することを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学装置に用いられる光学素子のサンプルに試験光を連続的に集光照射して前記サンプルの耐光性を加速評価する耐光性試験機であって、
前記光学装置の実使用時の光源と同等の発光波長特性を有する光源と、
前記サンプルに照射される試験光の光量を調節する遮光シャッターと、
前記試験光の照度分布を均一化するインテグレータ光学系と、
前記試験光を集光して前記サンプルの受光面に照射する集光レンズとを有することを特徴とする、耐光性試験機。
【請求項２】
前記サンプルに入射される試験光の光量を検出する光検出手段と、前記光検出手段により検出される前記試験光の光量が試験期間中常に一定となるように前記遮光シャッターを制御する制御部とを有することを特徴とする、請求項１記載の耐光性試験機。
【請求項３】
前記サンプルの温度を調節する温度調節機能を備えたサンプルホルダを有することを特徴とする、請求項１又は２記載の耐光性試験機。
【請求項４】
前記サンプルホルダは、前記サンプルの光射出側を冷却する液冷式の冷却機構を有することを特徴とする、請求項３記載の耐光性試験機。
【請求項５】
前記サンプルホルダは、該サンプルホルダによって遮光される部分を加熱する加熱機構を有することを特徴とする、請求項３又は４記載の耐光性試験機。
【請求項６】
前記サンプルは液晶装置であり、前記液晶装置の誘電率変化をＬＣＲメータによって測定した結果から算出した前記液晶装置の受光面の温度に基づいて前記サンプルの温度を調節する制御部を有することを特徴とする、請求項３〜５のいずれかの項に記載の耐光性試験機。
【請求項７】
前記制御部は、前記サンプルホルダの冷却機構を制御することにより前記液晶装置の温度を調節することを特徴とする、請求項６記載の耐光性試験機。
【請求項８】
前記光源と前記サンプルとの間に、前記試験光から所望の色光を分離する色分離光学系を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかの項に記載の耐光性試験機。
【請求項９】
前記光源と前記サンプルとの間に、前記試験光に含まれる紫外線領域若しくは赤外線領域の少なくともいずれかの波長領域の光を除去する光学フィルタを有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれかの項に記載の耐光性試験機。
【請求項１０】
光学装置に用いられる光学素子のサンプルに試験光を連続的に集光照射して前記サンプルの耐光性を加速評価する耐光性試験方法であって、
前記光学装置の実使用時の光源と同等の発光波長特性を有する光源と、前記サンプルに照射される試験光の光量を調節する遮光シャッターと、前記試験光の照度分布を均一化するインテグレータ光学系と、前記試験光を集光して前記サンプルの受光面に照射する集光レンズとを用い、前記サンプルに照射される前記試験光の照射面積、入射角度分布及び照射面内の照度分布が一定としながら、光量調節された前記試験光を前記サンプルに照射することにより前記加速評価を行なうことを特徴とする、耐光性試験方法。
【請求項１１】
前記サンプルに入射される試験光の光量を検出する光検出手段を用い、前記光検出手段により検出される前記試験光の光量が試験期間中常に一定となるように前記遮光シャッターを制御しながら前記加速評価を行なうことを特徴とする、請求項１０記載の耐光性試験方法。
【請求項１２】
前記サンプルを温度調節機能を備えたサンプルホルダに保持し、前記サンプルホルダによって前記サンプルの温度を調節しながら前記加速評価を行なうことを特徴とする、請求項１０又は１１記載の耐光性試験方法。
【請求項１３】
前記サンプルホルダとして、該サンプルホルダによって遮光される部分を加熱する加熱機構を有するものを用い、前記加熱機構によって前記遮光される部分の温度が試験期間中常に実使用時における温度と同一の温度範囲となるように調節しながら前記加速評価を行なうことを特徴とする、請求項１２記載の耐光性試験方法。
【請求項１４】
前記サンプルは液晶装置であり、前記サンプルホルダは、前記液晶装置の誘電率変化をＬＣＲメータによって測定した結果から算出した前記液晶装置の受光面の温度に基づいて前記サンプルの温度を調節することを特徴とする、請求項１２又は１３記載の耐光性試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐光性試験機および耐光性試験方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクタの耐光性向上を目的とする研究開発では、加速試験による耐光性試験が必須となる。従来の耐光性試験機においては、サンプルを適宜装着可能な槽の中にキセノンランプやカーボンアークランプなどの光源が設けられ、また、この槽内の雰囲気を調整する温度調節手段、湿度調節手段などが設けられており、様々な条件下における評価試験を行なえるように構成されている。
【０００３】
しかしながら、キセノンランプやカーボンアークランプの発光波長分布は、プロジェクタ用に一般的に用いるメタルハライドランプや超高圧水銀ランプ（ＵＨＥランプ）の発光波長分布と異なっており、耐光性劣化のメカニズムが実際の使用環境によるものと異なるという問題があった。また、従来の耐光性試験機では、光を集光せずに試験を行なうため、サンプルに照射される光量が実使用時よりも低くなり、光量に対する加速試験にならないという問題もある。温度を調節して劣化の速度を速めることもできるが、温度による劣化のメカニズムは光による劣化のメカニズムとは異なるため、温度による加速試験の結果をそのまま光による加速試験の結果として利用することはできない。また、キセノンランプやカーボンアークランプは紫外線領域の光を含んでおり、これが劣化を加速させる加速要因としての意義を有しているが、プロジェクタで使用する場合には可視光領域の光しか利用しないため、これをＵＶフィルタ等によって除去して、より実機に近い条件で試験を行なおうとすると、加速試験としての加速性が低くなってしまう。
【０００４】
そこで、特許文献１では、実使用時の光源と同一又は近似した特性を有する光源を用い、この光源からの光を集光レンズによって集光することにより、加速試験の加速性を向上させる技術が開示されている。この耐光性試験機では、照射光量を変える方法として、集光レンズの焦点位置を移動する方法や、集光レンズの交換による集光面積の拡大，縮小する方法等が挙げられている。また、これと並行して、電源レベルの制御により光源の光量を調節する方法も開示されている。これらの方法によれば、実使用時と同様の光源により、用途に合致した耐光性試験を行なうことができ、実使用環境での寿命予測精度も改善することができる（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−４５２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、集光レンズの移動や交換によって集光率を変えると、サンプルへの入射角度が変わったり、受光面積の変化によりサンプルの温度分布が変わったりすることがある。液晶パネルの場合には、通常、各画素の周囲にブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜が設けられており、パネルに平行に入射した光が遮光膜の裏側の部分に当たらないようになっているが、集光レンズによって入射角度が変わると、遮光膜の裏側に光が入射されるようになるため、実際の使用とは異なるメカニズムで劣化が促進される可能性がある。また、電源レベルの制御によって光量を調節することも可能であるが、プロジェクタで一般的に使用されるＵＨＥランプ等においては、電源で制御できる光量の範囲はせいぜい１０％程度であり、それ以上調節しようとすると動作が不安定になる。
【０００６】
また、特許文献１の耐光性試験機では、機内の温度を空冷によって調節しているが、空冷では集光によって生じた熱を十分に処理しきれず、実使用時よりも照射部の温度が上昇してしまう。水冷も可能との記載もあるが、水冷はセッティングが困難であり、また、光が冷却水を透過することによって、入射光の波長特性が変わってしまう可能性もある。また、液晶パネルの場合には、シール材の劣化が信頼性に大きく影響するため、このようなシール材の影響も実使用時と同等とすることが望ましいが、特許文献１の耐光性試験機では、液晶パネル全体を空冷等によって冷却しているため、光の照射されないシール材部分の温度が実使用時の温度よりも低くなってしまい、シール材を含む液晶パネル全体の耐光性について正確な評価を行なうことができない可能性があった。
【０００７】
さらに、特許文献１の耐光性試験機では、パネルの温度を熱電対によって測定し、この結果に基づいて温度制御を行っているが、熱電対の設置されるガラスの表面は熱伝導率が低いため、実際の液晶の温度と測定される温度との間に誤差が生じる場合がある。温感液晶による測定も可能との記載もあるが、温感液晶の場合はサンプルを取り外してチェックする必要があり、非常に手間がかかる上、サンプルの取り外し等の別の要因により測定誤差を生じる可能性もある。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、試験環境を実使用環境に近い環境とし、より高い寿命予測精度を実現することのできる耐光性試験機及び耐光性試験方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明の耐光性試験機は、光学装置に用いられる光学素子のサンプルに試験光を連続的に集光照射して前記サンプルの耐光性を加速評価する耐光性試験機であって、前記光学装置の実使用時の光源と同等の発光波長特性を有する光源と、前記サンプルに照射される試験光の光量を調節する遮光シャッターと、前記試験光の照度分布を均一化するインテグレータ光学系と、前記試験光を集光して前記サンプルの受光面に照射する集光レンズとを有することを特徴とする。
この構成によれば、光量の調節を行なっても、サンプルに照射される前記試験光の照射面積、入射角度分布及び照射面内の照度分布を一定に保つことができるので、従来のように集光率の変化によってサンプルへの入射角度等が変化するものに比べて、より正確な評価を行なうことができる。例えば、液晶装置の耐光性試験を行なう場合には、試験光の光量調節の度合いによって遮光膜の裏側に試験光が当たったり当たらなかったりすると、遮光膜の裏側の構造によっては劣化のメカニズムが変わってしまう場合があるが、本発明においてはこのような集光率の変化による照射面積、入射角度分布及び照射面内の照度分布の変化が生じないため、より寿命予測精度の高い評価結果を得ることができる。
【００１０】
本発明においては、前記サンプルに入射される試験光の光量を検出する光検出手段と、前記光検出手段により検出される前記試験光の光量が試験期間中常に一定となるように前記遮光シャッターを制御する制御部とを有することが望ましい。
この構成によれば、光源の個体差及び経時劣化による照度低下の影響を受けることなく、安定して試験を行なうことができる。また、遮光シャッターによって光量を調節するので、特許文献１の耐光性試験機のように電源レベルの制御によって光量を調節する場合に比べて、光量の調節範囲が広く且つ安定した出力を得ることができる。
【００１１】
本発明においては、前記サンプルの温度を調節する温度調節機能を備えたサンプルホルダを有することが望ましい。
この構成によれば、サンプルの温度を実使用時の温度に制御することで、より精度の高い評価結果を得ることができる。また、温度を変化させながら耐光性試験を行なった場合には、温度と寿命との相関を調べることができるため、この相関関係を調べることで、より用途に合致した適切な光学設計を行なうことが可能になる。
【００１２】
本発明においては、前記サンプルホルダは、前記サンプルの光射出側を冷却する液冷式の冷却機構を有することが望ましい。ここで、冷却方式としては、冷媒によるものであっても良いし、水冷によるものであっても良い。
この構成によれば、空冷式のものに比べて試験光に起因する発熱を効率よく処理することができる。また、温度の調節範囲が空冷式のものより広いので、温度と寿命との相関についてより詳細な検討を行なうことができる。
【００１３】
本発明においては、前記サンプルホルダは、該サンプルホルダによって遮光される部分を加熱する加熱機構を有するものとすることができる。
この構成によれば、光が照射されない部分においても実使用時と同様の環境を構築することができる。例えば、液晶装置の耐光性試験を行なう場合には、液晶装置をサンプルホルダで固定することによって、シール材の形成されている液晶装置の周辺部が遮光されるが、液晶装置の場合にはシール材の劣化が信頼性に大きく影響するため、このようなシール材の影響を排除してしまうと劣化のメカニズムが変わってしまい、正確な評価結果が得られなくなってしまう。本発明においては、サンプルホルダによって生じる遮光部の温度を適切に制御しているので、より実使用環境に近い環境を構築でき、これにより高い寿命予測精度を実現することができる。
【００１４】
本発明においては、前記サンプルは液晶装置であり、前記液晶装置の誘電率変化をＬＣＲメータによって測定した結果から算出した前記液晶装置の受光面の温度に基づいて前記サンプルの温度を調節する制御部を有するものとすることができる。また、前記制御部は、前記サンプルホルダの冷却機構を制御することにより前記液晶装置の温度を調節するものとすることができる。
この構成によれば、液晶装置の温度をリアルタイムで正確に測定できるため、試験を中断することなく効率的に温度管理を行なえるようになる。
【００１５】
本発明においては、前記光源と前記サンプルとの間に、前記試験光から所望の色光を分離する色分離光学系を有するものとすることができる。
この構成によれば、色分離光学系によって必要な色光のみを取り出して試験することができるので、３板式のプロジェクタのように、赤，緑，青の各色毎に耐光性試験を行なう場合に、簡単な構成で汎用的な試験を行なうことができる。
この場合、色分離光学系としては、反射型のカラーフィルタであるダイクロイックミラー等を用いることが望ましい。この構成によれば、色分離光学系が光の吸収によって劣化しないので、長時間の試験にも十分に耐えることができる。
【００１６】
本発明においては、前記光源と前記サンプルとの間に、前記試験光に含まれる紫外線領域若しくは赤外線領域の少なくともいずれかの波長領域の光を除去する光学フィルタを有するものとすることができる。
この構成によれば、紫外線又は赤外線の影響を排除することで、より正確な評価結果を得ることができる。
【００１７】
本発明の耐光性試験方法は、光学装置に用いられる光学素子のサンプルに試験光を連続的に集光照射して前記サンプルの耐光性を加速評価する耐光性試験方法であって、前記光学装置の実使用時の光源と同等の発光波長特性を有する光源と、前記サンプルに照射される試験光の光量を調節する遮光シャッターと、前記試験光の照度分布を均一化するインテグレータ光学系と、前記試験光を集光して前記サンプルの受光面に照射する集光レンズとを用い、前記サンプルに照射される前記試験光の照射面積、入射角度分布及び照射面内の照度分布が一定としながら、光量調節された前記試験光を前記サンプルに照射することにより前記加速評価を行なうことを特徴とする。
この方法によれば、光量の調節を行なっても受光面内の照度の均一性や入射角度等を一定に保てるので、従来のように集光率の変化によってサンプルへの入射角度等が変化するものに比べて、より寿命予測精度の高い試験を行なうことができる。
【００１８】
本発明においては、前記サンプルに入射される試験光の光量を検出する光検出手段を用い、前記光検出手段により検出される前記試験光の光量が試験期間中常に一定となるように前記遮光シャッターを制御しながら前記加速評価を行なうことが望ましい。
この方法によれば、光源の個体差及び経時劣化による照度低下の影響を受けることなく、安定して試験を行なうことができる。
【００１９】
本発明においては、前記サンプルを温度調節機能を備えたサンプルホルダに保持し、前記サンプルホルダによって前記サンプルの温度を調節しながら前記加速評価を行なうことが望ましい。前記サンプルホルダとしては、前記サンプルの光射出側を冷却する液冷式の冷却機構を有するものを用いることができ、この冷却機構によりサンプルの温度を調節することができる。
この方法によれば、サンプルの温度を実使用時の温度に制御することで、より精度の高い評価結果を得ることができる。また、温度を変化させながら耐光性試験を行なった場合には、温度と寿命との相関を調べることができるため、この相関関係を調べることで、より用途に合致した適切な光学設計を行なうことが可能になる。
【００２０】
本発明においては、前記サンプルホルダとして、該サンプルホルダによって遮光される部分を加熱する加熱機構を有するものを用い、前記加熱機構によって前記遮光される部分の温度が試験期間中常に実使用時における温度と同一の温度範囲となるように調節しながら前記加速評価を行なうものとすることができる。
この方法によれば、光が照射されない部分においても実使用時と同様の環境を構築することができ、これにより高い寿命予測精度を実現することができる。
【００２１】
本発明においては、前記サンプルは液晶装置であり、前記サンプルホルダは、前記液晶装置の誘電率変化をＬＣＲメータによって測定した結果から算出した前記液晶装置の受光面の温度に基づいて前記サンプルの温度を調節するものとすることができる。
この方法によれば、液晶装置の温度をリアルタイムで正確に測定できるため、試験を中断することなく効率的に温度管理を行なえるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の耐光性試験機及び耐光性試験方法について説明する。
本明細書において、光学装置とはＵＨＥ（超高圧水銀ランプ）等の高強度の光源を用いるデバイスをいい、光学素子とはその光学装置で使用される高強度の光を照射される環境にあって一定の光学的特性を維持することを要求される素子をいう。このような光学素子として、以下の実施形態では、液晶プロジェクタのライトバルブとして用いる液晶装置を例として説明する。本発明の耐光性試験機は、このような光学素子のサンプルに高強度の試験光を連続的に集光照射して前記サンプルの耐光性を加速評価するものである。評価対象となるのは主に、液晶装置に含まれる配向膜、液晶材料、シール材である。これらの部材は有機材料によって構成される場合が多く、また高強度の光を直接照射されることから、長時間の使用によって経時劣化を生じ易く、より信頼性の高いものが要求されるためである。
【００２３】
［第１の実施の形態］
図１は本発明の第１の実施形態に係る耐光性試験機の概略構成を示す模式図、図２はそのサンプルホルダの構成を示す平面図及び断面図である。また、図３は評価対象となる液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図、図４は図３のＨ−Ｈ’線に沿う断面図、図５は液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を示す図、図６はＴＦＴアレイ基板に形成された複数の画素の平面図、図７は図６のＡ−Ａ’線における断面図である。
以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２４】
[液晶装置の全体構成]
まず、図３〜図７を用いて、評価対象となる光学素子のサンプルである透過型の液晶装置１００の構成について説明する。
図３および図４に示すように、本実施の形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶層５０が封入されている。シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１および外部回路実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０の角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００２５】
なお、データ線駆動回路２０１および走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
また、液晶装置１００においては、使用する液晶モードの種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ(Vertical Alignment)モード、ＯＣＢ(Optically Compensated Bend)モード、ＩＰＳ(In Plain Switching)モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００２６】
（等価回路）
このような構造を有する液晶装置１００の画像表示領域においては、図５に示すように、複数のドット１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらのドット１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図４に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。また、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。符号３ｂは蓄積容量６０を構成する容量線である。
【００２７】
（平面構造）
次に、図６に基づいて、液晶装置１００の平面構造について説明する。本実施形態の液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板上に、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide、以下ＩＴＯという）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極９（破線９ａによりその輪郭を示す）が、マトリクス状に配列形成されいる。また、画素電極９の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。本実施形態では、各画素電極９ならびに各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂ等の形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素ごとに表示を行うことが可能な構造になっている。
【００２８】
ＴＦＴ素子３０は、ポリシリコン膜等からなる半導体層１ａを中心として形成されている。半導体層１ａのソース領域（後述）には、コンタクトホール５を介して、データ線６ａが電気的に接続されている。また、半導体層１ａのドレイン領域（後述）には、コンタクトホール８を介して、画素電極９が電気的に接続されている。一方、半導体層１ａにおける走査線３ａとの対向部分には、チャネル領域１ａ’が形成されている。なお、走査線３ａは、チャネル領域１ａ’との対向部分においてゲート電極として機能する。
【００２９】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に伸びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａとの交点からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とによって構成されている。また、図２中に右上がりの斜線で示した領域には、第１遮光膜１１ａが形成されている。そして、容量線３ｂの突出部と第１遮光膜１１ａとが、コンタクトホール１３を介して電気的に接続されている。
【００３０】
（断面構造）
次に、図７を用いて、本実施形態の液晶装置の断面構造について説明する。なお、図７は図６のＡ−Ａ’線における断面図である。図７に示すように、本実施形態の液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０と、これらの間に挟持される液晶層５０とによって構成されている。
【００３１】
ＴＦＴアレイ基板１０は、石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａと、その内側に形成されたＴＦＴ素子３０や画素電極９、配向膜４０などとを主体として構成されている。一方、対向基板２０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａと、その内側に形成された共通電極２１や配向膜６０などとを主体として構成されている。さらに、液晶層５０はＴＮ液晶によって構成されている。
【００３２】
ＴＦＴアレイ基板１０の表面には、後述する第１遮光膜１１ａおよび第１層間絶縁膜１２が形成されている。そして、第１層間絶縁膜１２の表面に半導体層１ａが形成され、この半導体層１ａを中心としてＴＦＴ素子３０が形成されている。半導体層１ａにおける走査線３ａとの対向部分にはチャネル領域１ａ’が形成され、その両側にソース領域およびドレイン領域が形成されている。なお、ＴＦＴ素子３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用するため、ソース領域およびドレイン領域に、それぞれ不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と、相対的に低い低濃度領域（ＬＤＤ領域）とが形成されている。すなわち、ソース領域には低濃度ソース領域１ｂと高濃度ソース領域１ｄとが形成され、ドレイン領域には低濃度ドレイン領域１ｃと高濃度ドレイン領域１ｅとが形成されている。
【００３３】
半導体層１ａの表面には、ゲート絶縁膜２が形成されている。そして、ゲート絶縁膜２の表面に走査線３ａが形成され、走査線３ａはゲート電極を構成している。また、ゲート絶縁膜２および走査線３ａの表面には、第２層間絶縁膜４が形成されている。そして、第２層間絶縁膜４の表面にデータ線６ａが形成され、第２層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール５を介して、データ線６ａが高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。さらに、第２層間絶縁膜４およびデータ線６ａの表面には、第３層間絶縁膜７が形成されている。そして、第３層間絶縁膜７の表面に画素電極９が形成され、第２層間絶縁膜４および第３層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール８を介して、画素電極９が高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。一方、第３層間絶縁膜７および画素電極９の表面には、ポリイミド等からなる配向膜４０が形成されている。
【００３４】
なお、本実施形態では、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆが形成されている。また、ゲート絶縁膜２を延設して誘電体膜とし、その表面に容量線３ｂを形成して第２蓄積容量電極とすることにより、上述した蓄積容量７０が構成されている。
【００３５】
また、ＴＦＴ素子３０の形成領域に対応するＴＦＴアレイ基板１０の表面に、第１遮光膜１１ａが形成されている。第１遮光膜１１ａは、対向基板２０側から入射し、ＴＦＴアレイ基板１０の外面（ＴＦＴアレイ基板１０と空気との界面）で反射されて液晶層５０へと戻る光が、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ'、低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに入射することを防止するものである。なお、第１遮光膜１１ａは、第１層間絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１３を介して、前段あるいは後段の容量線３ｂと電気的に接続されている。これにより、第１遮光膜１１ａは第３蓄積容量電極として機能し、第１層間絶縁膜１２を誘電体膜として、第１蓄積容量電極１ｆとの間に新たな蓄積容量が形成される。
【００３６】
一方、データ線６ａ、走査線３ａおよびＴＦＴ素子３０の形成領域に対応する対向基板２０の表面には、第２遮光膜２３が形成されている。第２遮光膜２３は、対向基板２０側からの入射光が、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを防止するものである。
また、対向基板２０および第２遮光膜２３の表面には、ほぼ全面に渡ってＩＴＯ等からなる共通電極２１が形成されている。さらに、共通電極２１の表面には、ポリイミド等からなる配向膜６０が形成されている。
【００３７】
［耐光性試験機］
次に、図１及び図２を用いて、液晶装置１００の耐光性試験を行なう耐光性試験機３００について説明する。
耐光性試験機３００は、耐光性試験用の高強度の光（試験光）Ｌを射出する光源３１０、試験光Ｌの光量を調節する遮光シャッター３２０、試験光Ｌを集光する第１集光レンズ３３０、試験光Ｌから所望の色光を分離する色分離光学系であるダイクロイックミラー３４０、試験光Ｌの照度分布を均一化するインテグレータ光学系であるロッドレンズ３５０、試験光Ｌに含まれる不要な波長領域の光を除去する光学フィルタ３６０、試験光Ｌを集光してサンプルである液晶装置１００の受光面に照射する第２集光レンズ３７０、液晶装置１００を固定するサンプルホルダ３８０、によって概略構成されている。
【００３８】
光源３１０には、実際の光学装置（本実施形態では液晶プロジェクタ）で使用される光源（実使用時の光源）と同等の発光波長特性を有する光源が用いられる。これは、実使用環境に対する加速性を評価するために、なるべく試験環境を実際の使用環境に近いものとするためである。本実施形態では、プロジェクタの光源として一般的に使用されるメタルハライドランプやＵＨＥランプ等がそのまま用いられている。実使用時の光源と同じ光源を単に使用するだけでは加速試験としての効果は得られないが、本実施形態では、このような光源からの光を第１集光レンズ３３０及び第２集光レンズ３７０によって集光しているので、十分な加速性が得られるものとなっている。
【００３９】
遮光シャッター３２０は、光源３１０から射出された光を部分的に遮光し、その光量を調節する機能を有する。この遮光シャッター３２０は、その主面と平行な方向に移動可能に構成された遮光板からなり、遮光板の移動量により光量が調節可能とされたものを例示することができる。この遮光板の移動方式は、スライド式でもアイリス式でもよい。また、このような可動式以外の遮光方式を用いた遮光シャッターを用いてもよい。
【００４０】
遮光シャッター３２０で絞られた試験光Ｌは、第１集光レンズ３３０によって集光され、ダイクロイックミラー３４０を透過してロッドレンズ３５０に入射される。ダイクロイックミラー３４０は必須の構成要素ではないが、３板式のプロジェクタのように赤，緑，青の各色毎に耐光性試験を行なう場合には、ダイクロイックミラー３４０によって所望の色光のみを選択的に分離することによって、より簡単な構成で汎用的な試験を行なうことができる。なお、ダイクロイックミラー３４０の代わりに光吸収型のカラーフィルタを用いてもよいが、光吸収型のものでは照射される光又は光吸収による熱によりカラーフィルタ自体が劣化してしまう可能性があるため、高強度の光により長時間試験を行なう場合には、反射型のカラーフィルタであるダイクロイックミラーを用いることが望ましい。
【００４１】
ロッドレンズ３５０はインテグレータ光学系として機能するものである。第１集光レンズ３３０によって集光された光は、このロッドレンズ３５０によって照度を均一化された状態で、評価対象である液晶装置１００に向けて射出される。なお、インテグレータ光学系としては、ロッドレンズ以外にもフライアイレンズ等の他の光学素子を用いることもできる。
【００４２】
ロッドレンズ３５０の射出側には光学フィルタ３６０が配置されている。この光学フィルタ３６０は、例えばＵＶ／ＩＲカットフィルタである。試験光Ｌは、この光学フィルタ３６０によって、不要な波長領域の光である紫外線領域若しくは赤外線領域の少なくともいずれかの波長領域の光が除去される。プロジェクタには通常このような光学フィルタが設置されているので、本実施形態の耐光性試験機３００にも、これに対応させて実使用時に用いられるような光学特性を有する光学フィルタ３６０を設けているのである。ただし、プロジェクタ以外の光学装置においては光学フィルタは必ずしも必須の構成要素ではないので、そのような場合には、当該光学装置の実使用環境に対応させるために、耐光性試験機においても光学フィルタを省略することが望ましい。なお、光学フィルタ３６０においては、紫外線領域若しくは赤外線領域の光の透過率を変える調節することで、加速試験としての加速性を高めることも可能である。しかし、このような操作は、実使用環境との相関をとる場合には加速係数の誤差として現われるため、第１集光レンズ３３０及び第２集光レンズ３７０によって十分に加速度を上げることができる場合には、敢えてこのような手段を採る必要はない。
【００４３】
光学フィルタ３６０を透過した試験光Ｌは第２集光レンズ３７０に入射され、ここで集光された後、照度分布の均一な光として液晶装置１００に入射される。本実施形態においては、遮光シャッター３２０、第１集光レンズ３３０、ロッドレンズ３５０及び第２集光レンズ３７０によって、集光度を可変調節可能な集光光学系が構成される。この集光光学系は、サンプルである液晶装置１００に照射される試験光Ｌの照射面積、入射角度分布及び照射面内の照度分布が一定で且つ前記試験光Ｌの光量を可変調節可能な光学系である。なお、実機のプロジェクタにおいて液晶装置の光入射側に光を平行化するコリメート光学系が配置される場合には、これに対応させて、当該耐光性試験機３００においても液晶装置１００の光入射側に同様のコリメート光学系を配置することが望ましい。
【００４４】
液晶装置１００は、サンプルホルダ３８０に固定されている。
図２に示すように、サンプルホルダ３８０は、プレート状に形成されたホルダ本体部３８１と、サンプルの外周部をホルダ本体部上に保持するサンプル保持部３８４とを有する。サンプル保持部３８４は、その外周部をなすホルダ接続部３８４Ｂと、その内側部分であってサンプルの形状に対応した矩形の形状を有するサンプル把持部３８４Ａとからなる。サンプル把持部３８４Ａの中央部には試験光Ｌを通過させるための開口部３８４ａが設けられており、この開口部３８４ａを介して試験光Ｌが照射されるようになっている。また、ホルダ接続部３８４Ｂの四隅には、ネジ止め又はピン止め用の穴が設けられており、この穴にネジ又はピン３８６を嵌合させることによって、ホルダ本体部３８１に固定される。ホルダ接続部３８４Ｂには、その四辺中の一辺が開口した状態となっており、この開口部３８７を介して液晶装置１００の外部回路実装端子２０２に外部配線を接続できるようになっている。このため、この外部配線を通じて液晶装置１００を駆動すれば、液晶装置１００をサンプルホルダ３８０から取り外さなくても、その光学特性を評価することが可能である。
【００４５】
液晶装置１００は、ホルダ本体部３８１とサンプル把持部３８４Ａとの間に挿入された後、サンプル保持部３８４をホルダ保持部３８１にネジ止め又はピン止めすることによってホルダ本体部３８１上に固定され、耐光性試験機３００に設置される。
なお、サンプル保持部３８４はアルミニウム等の金属部材によって形成されており、液晶装置１００の中央部以外の部分、すなわち液晶装置１００のシール材５２の部分及びその周辺部分はサンプル保持部３８４によって遮光された状態となる。試験期間中に液晶装置１００をサンプルホルダ３８０から取り外して試験する場合には、常に同一の箇所に光を照射するために、サンプルホルダ３８０には液晶装置１００を位置決めするための位置決め機構を設けることが望ましい。
【００４６】
ホルダ本体部３８１は、その内部に冷却水３８５を流通させるための流路３８２を備えている。この流路は図示しない媒体供給部に接続されており、この媒体供給部から供給される冷却水３８５によって液晶装置１００の光射出側が冷却されるようになっている。このホルダ本体部３８１は、液晶装置１００の設置される部分３８３のみガラス等の透光性の部材によって形成されており、それ以外の部分は、冷却効果を高めるために、アルミニウム等の熱伝導率の高い金属製の部材によって形成されている。
【００４７】
液晶装置１００の温度は、媒体供給部から供給される冷却水の温度や流通量等によって制御可能であり、通常の耐光性試験においては液晶装置１００の温度は実使用時と同じ一定の温度範囲に制御されるが、温度と寿命との相関を調べる場合には、液晶装置１００の温度を積極的に変化させて、複数の温度で耐光性試験を行なうことも可能である。上述のような液冷式の冷却機構においては、空冷式のものに比べて試験光Ｌに起因する発熱を効率よく処理することができ、温度の調節範囲も広いので、温度と寿命との相関についてより詳細な検討を行なうことができる。このような温度と寿命との相関に関するデータは、光学装置（本実施形態の場合は液晶装置１００）を設計する上での有効な判断材料となる。
【００４８】
この構成において、光源３１０から射出された試験光Ｌは、遮光シャッター３２０によって光量を調節された後、第１集光レンズ３３０によってロッドレンズ３５０に向けて集光される。試験光Ｌの一部はダイクロイックミラー３４０を透過してロッドレンズ３５０に達し、ここで照度を均一化される。そして、光学フィルタ３６０によって不要な波長成分が除去された後、第２集光レンズ３７０によって集光され、照度が均一な光として液晶装置１００に照射される。
【００４９】
第２集光レンズ３７０から射出された試験光Ｌは、サンプル保持部３８４の開口部３８４ａを通過し、透過型の液晶装置１００を透過した後、透光性部材３３０を透過してホルダ本体部３８１の裏面側（液晶装置１００が設置される側とは反対側）へ射出される。この際、試験光Ｌの一部は液晶装置１００に吸収され、液晶装置１００の温度を上昇させるが、液晶装置１００はホルダ本体部３８１の流路３８２を流通する冷却水３８５によって冷却されているので、液晶装置１００の温度が実使用時よりも高温になることはない。また、冷却機構が液晶装置１００の光射出側に設けられているので、冷却機構自体によって試験光が阻害されることはない。例えば、液晶装置１００の前面側まで冷却するようにすると、試験光Ｌが冷却水を透過する際に試験光Ｌの入射波長分布が変わってしまったり、冷却水中の気泡によって試験光が散乱されたりする場合があるが、本実施形態では冷却機構が液晶装置１００の光射出側のみに配置されているので、このような問題は生じず、常に正確な評価を行なうことができる。
【００５０】
液晶装置１００は、このような試験光Ｌに一定期間曝された後、サンプルホルダ３８０から取り出され、その光学的特性が測定される。或いは、サンプルホルダ３８０に装着したままの状態で、外部回路実装端子２０２に接続された外部配線を通して駆動電圧を供給され、その光学特性が測定される。そして、測定が終了したら、再び耐光性試験機に戻される。
【００５１】
このような測定は長期間にわたって行なわれ、この結果に基づいて、光の照射量と光学特性の劣化との相関関係が測定される。試験は、プロジェクタに要求される耐久年数に相当する光の照射量が得られるまで行なわれるが、光の照射量は単位面積あたりの試験光Ｌの光量と照射時間との積で計算されるため、試験光Ｌの集光率を高くするほど試験時間は短くなる。
【００５２】
液晶装置１００の光学特性は、液晶を駆動したときのコントラストの大きさや液晶の保持率等の大きさによって評価される。これらの大きさは、配向膜等の劣化によって生じる不純物によって変化するため、その変化量によって、劣化の度合いを判断することができる。耐光性評価の対象となるのは、主に、液晶層５０に含まれる液晶材料や配向膜４０，６０の耐光性である。これらは有機物で構成される場合が多く、無機材料で構成される他の部材よりも劣化が大きいと予想されるからである。
【００５３】
以上説明したように、本実施形態の耐光性試験機３００においては、実使用時と同じ光源３１０と、遮光シャッター３２０，第１集光レンズ３３０，インテグレータ光学系３５０及び第２集光レンズ３７０からなる集光光学系との組み合わせによって、実使用時と同等の発光波長特性を備え且つ受光面内の照度の均一性を保ちつつ、実使用時の数倍から十数倍の光束密度を得ることができる。この集光光学系では、遮光シャッター３２０によって試験光Ｌの光量を変えても液晶装置１００に対する入射角度分布が変わらないので、従来のように試験光Ｌの光量調節の度合いによって遮光膜２３や遮光膜２３の裏側に試験光Ｌが当たったり当たらなかったりするといった問題が生じない。すなわち、遮光膜の裏側の部分は、実使用時には光が照射されないので、このような部分に試験光Ｌが照射されると、その部分の構成要素の劣化が誤差となって、正確な耐光性評価を得られなくなるが、本実施形態においてはこのような集光率の変化による照射面積、入射角度分布及び照射面内の照度分布の変化が生じないため、より寿命予測精度の高い評価結果を得ることができる。
【００５４】
また、本実施形態では、サンプルホルダ３８０に液冷式の冷却機構を設けて、光吸収によって生じた熱を除去しているので、サンプルの温度上昇による加速係数の誤差がなく、得られた結果をそのまま補正せずに利用することが可能である。また、光学フィルタ３６０によって不要な光成分が排除されているので、例えば紫外線による劣化の影響がなく、純粋に可視光のみの劣化の大きさについて調べることができる。このように本実施形態では、従来に比べて、より実使用環境に近い環境が構築されており、これにより、いっそう正確な評価結果が得られるものとなっている。
【００５５】
なお、本実施形態では液晶装置１００を透過型の液晶装置としたが、反射型の液晶装置の場合にも同様の耐光性試験機で耐光性試験を行なうことができる。この場合、液晶装置１００の設置される部分３８３は必ずしも透光性の部材で構成される必要はなく、ホルダ本体部３８１全体をアルミニウム等の金属製部材で構成することもできる。この場合、液晶装置１００の設置される部分の熱伝導率が高くなるので、図２の場合よりも冷却効率はよくなる。また、このような構成では液冷によって液晶装置１００を冷却する必要もなくなり、例えばペルチェ素子等を用いた冷却機構によって冷却することも可能になる。
【００５６】
［第２の実施の形態］
図８は、本発明の第２の実施形態に係る耐光性試験機４００の概略構成を示す模式図である。耐光性試験機４００の基本構図は第１実施形態の耐光性試験機３００と同じであり、異なるのは、サンプルホルダ３８０の光射出側に光検出手段であるフォトディテクタ３２３を設け、このフォトディテクタ３２３の検出結果に基づいて、遮光シャッター３２０の遮光量を制御するようにした点のみである。したがって、第１実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５７】
フォトディテクタ３２３は、液晶装置１００を透過した試験光の光量を検出する。液晶装置１００の透過光量は、液晶装置１００が光劣化してもそれ程大きくは変化しないので、液晶装置１００の透過光量を調べれば、液晶装置１００に入射される試験光の光量についての情報が得られる。フォトディテクタ３２３で検出された光量の情報は制御部に出力され、ここで試験光の光量変化が検出される。制御部３２２は、遮光シャッター３２０を駆動する駆動用モータ３２１に接続されており、この駆動用モータ３２１を介して、試験光が試験期間中常に一定となるように遮光シャッター３２０を制御する。
【００５８】
この構成によれば、光源３１０の個体差及び経時劣化による照度低下の影響を受けることなく、安定して試験を行なうことができる。また、遮光シャッター３２０によって光量を調節するので、特許文献１の耐光性試験機のように電源レベルの制御によって光量を調節する場合に比べて、光量の調節範囲が広く且つ安定した出力を得ることができる。
【００５９】
なお、図８では、液晶装置１００の透過光量を測定することによって、液晶装置１００に入射される試験光の光量（入射光量）を間接的に測定したが、入射光量を測定する方法としてはこのようなものに限定されない。例えば、サンプルホルダ３８０によって反射又は散乱された光を検出することによって、入射光量を直接測定することも可能である。また、図８に示した遮光シャッター３２０の駆動機構は一例であり、これ以外の構成を用いることも可能である。
【００６０】
［第３の実施の形態］
図９は、本発明の第３の実施形態に係る耐光性試験機５００の概略構成を示す模式図である。耐光性試験機５００の基本構図は第１実施形態の耐光性試験機３００と同じであり、異なるのは、サンプルホルダ３８０に加熱機構であるヒータ３８８を設け、このヒータ３８８によって試験光の遮光される液晶装置１００の外周部分を加熱しながら耐光性試験を行なうようにした点のみである。したがって、第１実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６１】
図１０は、サンプルホルダ３８０の構成を示す平面図及び断面図であり、第１実施形態の図２に対応する図である。
ヒータ３８８は、液晶装置１００の外周部分、特にシール材５２の配置される部分に対応して矩形枠状に設置されている。ヒータ３８８は、液晶装置１００を把持するサンプル把持部３８４Ａの内部に埋め込まれており、サンプルホルダ３８０によって遮光される部分を選択的に加熱できるようになっている。ヒータ３８８の両端部はサンプル保持部３８４の外部に取り出されており、図示しないヒータ加熱装置に接続されている。なお、ヒータ３８８は加熱機構の一例であり、これ以外の加熱機構によって液晶装置１００の遮光部を選択的に加熱することも可能である。
【００６２】
この構成によれば、試験光Ｌが照射されない部分においても実使用時と同様の環境を構築することができる。液晶装置１００の耐光性試験を行なう場合には、液晶装置１００をサンプルホルダ３８０で固定することによって、シール材５２の形成されている液晶装置１００の周辺部が遮光されるが、液晶装置１００の場合にはシール材５２の劣化が信頼性に大きく影響するため、このようなシール材５２の影響を排除してしまうと、正確な評価結果が得られなくなってしまう。本実施形態においては、サンプルホルダ３８０によって生じる遮光部の温度を適切に制御しているので、シール材を含めた液晶装置全体の耐光性をより正確に評価することができ、これにより、より高い寿命予測精度を実現することができる。
【００６３】
［第４の実施の形態］
図１１は、本発明の第４の実施形態に係る耐光性試験機６００の概略構成を示す模式図である。耐光性試験機６００の基本構図は第３実施形態の耐光性試験機５００と同じであり、異なるのは、液晶装置１００の誘電率変化をＬＣＲメータ３９２によって測定し、この測定結果から算出した液晶装置１００の受光面の温度に基づいて冷却水３８５の流通量等を制御するようにした点のみである。したがって、第３実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６４】
図１１に示すように、サンプルホルダ３８０のホルダ本体部３８１には、その流路３８２に接続された外部流路３９３を介してチラー３９０が接続されている。チラー３９０は流路３８２，３９３内を流れる冷却水の温度や流通量等を調節するものであり、このチラー３９０の動作は、これに接続された制御部３９１によって制御される。制御部３９１にはＬＣＲメータ３９２が接続されており、このＬＣＲメータ３９２によって液晶装置１００の液晶の温度が検出される。ＬＣＲメータ３９２は非接触式のセンサであるため、液晶装置１００をサンプルホルダ３８０から取り外さなくてもリアルタイムで正確に液晶装置１００の温度を検出することができ、特に温度を一定に制御するような場合には好適である。制御部３９１は、このＬＣＲメータ３９２から出力される温度情報に基づいて、液晶装置１００の温度が試験期間中常に実使用時における液晶装置１００の温度と同一の温度範囲となるように冷却水３８５の流通量等を制御する。
【００６５】
この構成によれば、液晶装置１００の温度をリアルタイムで正確に測定できるため、試験を中断することなく効率的に温度管理を行なうことができる。このため、特に温度を一定に制御して安定した測定を行なう場合に有効である。
また制御部３９１は、チラー３９０を制御すると共にヒータ３８８を同時に制御することも可能である。このようにすることで、液晶装置１００の温度調整を更に正確に行うことができる。
【００６６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】第１実施形態に係る耐光性試験機の概略構成を示す模式図である。
【図２】（ａ）は耐光性試験機に備えられるサンプルホルダの平面図、（ｂ）はそのＤ−Ｄ′線に沿う断面図である。
【図３】評価対象である液晶装置の平面図である。
【図４】図３のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図５】同、液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図６】同、液晶装置のＴＦＴアレイ基板の平面図である。
【図７】同、液晶装置の部分断面図である。
【図８】第２実施形態に係る耐光性試験機の概略構成を示す模式図である。
【図９】第３実施形態に係る耐光性試験機の概略構成を示す模式図である。
【図１０】（ａ）は耐光性試験機に備えられるサンプルホルダの平面図、（ｂ）はそのＤ−Ｄ′線に沿う断面図である。
【図１１】第４実施形態に係る耐光性試験機の概略構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６８】
１００…液晶装置（光学素子のサンプル）、３００，４００，５００，６００…耐光性試験機、３１０…光源、３２０…遮光シャッター、３２２…制御部、３２３…フォトディテクタ（光検出手段）、３３０…第１集光レンズ、３４０…ダイクロイックミラー（色分離光学系）、３５０…ロッドレンズ（インテグレータ光学系）、３６０…ＵＶ／ＩＲフィルタ（光学フィルタ）、３７０…第２集光レンズ、３８０…サンプルホルダ、３８２…流路、３８５…冷却水、３８８…ヒータ（加熱機構）、３９２…ＬＣＲメータ、Ｌ…試験光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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