(57)【要約】【課題】画素電極を細長形状に形成して高精細化をはかるとともに、各画素の液晶分子を電圧の印加により安定に倒れ配向させ、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示し、しかも充分な開口率を得ることができる垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子を提供する。【解決手段】細長形状の複数の画素電極３にそれぞれ、画素電極３をその長手方向に並ぶ複数の電極部３ａ，３ｂ，３ｃに区分するスリット４を設け、画素電極３を設けた基板１の基板面と画素電極形成面との間に、複数の画素電極３のスリット４に対応させて、他方の基板の対向電極と対向し、前記対向電極との間に予め定めた値の電界を形成する補助電極１３を設けた。【選択図】図１
2006184334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め定めた間隙を存して対向する一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する内面のうち、一方の基板の内面に設けられ、行方向及び列方向にマトリックス状に配列する細長形状の複数の画素電極と、前記一方の基板の内面に前記複数の画素電極にそれぞれ対応させて設けられ、対応する画素電極にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタと、前記一方の基板の内面に各画素電極行の一側及び各画素電極列の一側にそれぞれ沿わせて設けられ、その行及び列の前記薄膜トランジスタにゲート信号及びデータ信号を供給する複数のゲート配線及びデータ配線と、他方の基板の内面に形成され、前記複数の画素電極とそれぞれ対向する領域により複数の画素を形成する対向電極と、前記前側基板と後側基板の内面にそれぞれ前記電極を覆って設けられた垂直配向膜と、前記前側基板と後側基板との間の間隙に封入された負の誘電異方性を有する液晶層とからなり、
前記複数の画素電極にそれぞれ、前記画素電極をその長手方向に並ぶ複数の電極部に区分するスリットが設けられ、
前記一方の基板の基板面と前記画素電極の形成面との間に、前記複数の画素電極の前記スリットに対応させて、前記他方の基板の対向電極と対向し、前記対向電極との間に予め定めた値の電界を形成する補助電極が設けられていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
画素電極のスリットにより区分された各電極部は、実質的に正方形の形状を有していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】
補助電極は、画素電極のスリットにより区分された各電極部の全ての縁部に沿わせて設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
補助電極の電位は、対向電極の電位と実質的に同じ値に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
補助電極は、画素電極との間に補償容量を形成する容量電極と一体的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
対向電極が設けられた他方の基板の内面に、一方の基板の複数の画素電極のスリットにより区分された各電極部の中心にそれぞれ対応する複数の突起が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）をアクティブ素子とした垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子は、予め定めた間隙を存して対向する一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する内面のうち、一方の基板の内面に設けられ、行方向及び列方向にマトリックス状に配列する複数の画素電極と、前記一方の基板の内面に前記複数の画素電極にそれぞれ対応させて設けられ、対応する画素電極にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタと、前記一方の基板の内面に各画素電極行の一側及び各画素電極列の一側にそれぞれ沿わせて設けられ、その行及び列の前記薄膜トランジスタにゲート信号及びデータ信号を供給する複数のゲート配線及びデータ配線と、他方の基板の内面に形成され、前記複数の画素電極とそれぞれ対向する領域により複数の画素を形成する対向電極と、前記前側基板と後側基板の内面にそれぞれ前記電極を覆って設けられた垂直配向膜と、前記前側基板と後側基板との間の間隙に封入された負の誘電異方性を有する液晶層とからなっている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第２５６５６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
垂直配向型の液晶表示素子は、複数の画素電極と対向電極とが互いに対向する領域からなる複数の画素毎に、前記電極間への電圧の印加により液晶分子を垂直配向状態から倒れ配向させて画像を表示するものであり、各画素の液晶分子は、前記電圧の印加により、画素の周縁部から画素中心に向かって倒れ込むように配向する。
【０００４】
ところで、液晶表示素子は、高精細化のために、複数の画素電極を細長形状に形成し、画素密度を高くすることが望まれている。
【０００５】
しかし、従来の垂直配向型液晶表示素子は、画素電極を細長形状に形成すると、電圧の印加による液晶分子の倒れ配向が不安定になり、各画素の液晶分子の倒れ配向状態がばらついて、表示にざらつき感を生じる。
【０００６】
この発明は、画素電極を細長形状に形成して高精細化をはかるとともに、各画素の液晶分子を電圧の印加により安定に倒れ配向させ、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示し、しかも充分な開口率を得ることができる垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の液晶表示素子は、予め定めた間隙を存して対向する一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する内面のうち、一方の基板の内面に設けられ、行方向及び列方向にマトリックス状に配列する細長形状の複数の画素電極と、前記一方の基板の内面に前記複数の画素電極にそれぞれ対応させて設けられ、対応する画素電極にそれぞれ接続された複数の薄膜トランジスタと、前記一方の基板の内面に各画素電極行の一側及び各画素電極列の一側にそれぞれ沿わせて設けられ、その行及び列の前記薄膜トランジスタにゲート信号及びデータ信号を供給する複数のゲート配線及びデータ配線と、他方の基板の内面に形成され、前記複数の画素電極とそれぞれ対向する領域により複数の画素を形成する対向電極と、前記前側基板と後側基板の内面にそれぞれ前記電極を覆って設けられた垂直配向膜と、前記前側基板と後側基板との間の間隙に封入された負の誘電異方性を有する液晶層とからなり、前記複数の画素電極にそれぞれ、前記画素電極をその長手方向に並ぶ複数の電極部に区分するスリットが設けられ、前記一方の基板の基板面と前記画素電極の形成面との間に、前記複数の画素電極の前記スリットに対応させて、前記他方の基板の対向電極と対向し、前記対向電極との間に予め定めた値の電界を形成する補助電極が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
この液晶表示素子において、前記画素電極のスリットにより区分された各電極部は、実質的に正方形の形状を有しているのが好ましい。
【０００９】
この液晶表示素子において、前記補助電極は、前記画素電極のスリットにより区分された各電極部の全ての縁部に沿わせて設けるのが望ましい。
【００１０】
また、前記補助電極の電位は、前記対向電極の電位と実質的に同じ値に設定するのが望ましい。
【００１１】
さらに、前記補助電極は、前記画素電極との間に補償容量を形成する容量電極と一体的に形成するのが好ましい。
【００１２】
この液晶表示素子においては、対向電極が設けられた他方の基板の内面に、一方の基板の複数の画素電極のスリットにより区分された各電極部の中心にそれぞれ対応する複数の突起を設けるのが望ましい。
【発明の効果】
【００１３】
この発明の液晶表示素子は、複数の画素電極を細長形状に形成しているため、画素密度を高くして高精細化をはかることができる。
【００１４】
そして、この液晶表示素子は、前記複数の画素電極にそれぞれ、前記画素電極をその長手方向に並ぶ複数の電極部に区分するスリットを設け、前記複数の画素電極を設けた一方の基板の基板面と前記画素電極の形成面との間に、前記複数の画素電極の前記スリットに対応させて、他方の基板の対向電極と対向し、前記対向電極との間に予め定めた値の電界を形成する補助電極を設けているため、各画素の液晶分子を、前記画素電極と対向電極との間への電圧の印加により、前記画素電極のスリットにより区分された各電極部に対応する各領域毎に、その周縁部から前記領域の中心に向かって倒れ込むように安定に倒れ配向させ、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示し、しかも充分な開口率を得ることができる。
【００１５】
この液晶表示素子において、前記画素電極のスリットにより区分された各電極部は、実質的に正方形の形状を有しているのが好ましく、このようにすることにより、前記画素電極の各電極部に対応する各領域の液晶分子を、前記各領域毎に、その周縁部から中心に向かってバランス良く倒れ配向させることができる。
【００１６】
この液晶表示素子において、前記補助電極は、前記画素電極のスリットにより区分された各電極部の全ての縁部に沿わせて設けるのが望ましく、このようにすることにより、このようにすることにより、液晶分子を、前記画素電極の各電極部に対応する各領域毎にさらに安定に倒れ配向させることができる。
【００１７】
また、この液晶表示素子においては、前記補助電極の電位を前記対向電極の電位と実質的に同じ値に設定するのが望ましく、このようにすることにより、前記補助電極と対向電極との間に実質的に電界が印加されない領域を形成し、各画素の液晶分子を、前記各領域毎にさらに安定に倒れ配向させることができる。
【００１８】
さらに、前記補助電極は、前記画素電極との間に補償容量を形成する容量電極と一体的に形成するのが好ましく、このようにすることにより、液晶表示素子の製造を容易にすることができる。
【００１９】
この液晶表示素子においては、対向電極が設けられた他方の基板の内面に、一方の基板の複数の画素電極のスリットにより区分された各電極部の中心にそれぞれ対応する複数の突起を設けるのが望ましく、このようにすることにより、各画素の液晶分子を、前記電圧の印加により、前記画素電極の各電極部に対応する各領域毎に、その周縁部から前記領域の中心に向かってより安定に倒れ配向させ、さらに良好な品質の画像を表示することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１〜図６はこの発明の一実施例を示しており、図１は液晶表示素子の一方の基板の一部分の平面図、図２及び図３は図１のII−II線及びIII−III線に沿う液晶表示素子の断面図である。
【００２１】
この液晶表示素子は、ＴＦＴをアクティブ素子とした垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子であり、図１〜図３に示したように、予め定めた間隙を存して対向する一対の透明基板１，２と、前記一対の基板１，２の互いに対向する内面のうち、一方の基板、例えば表示の観察側とは反対側の基板（以下、後基板という）１の内面に設けられ、行方向（図１において左右方向）及び列方向（図１において上下方向）にマトリックス状に配列する複数の透明な画素電極３と、前記後基板１の内面に前記複数の画素電極３にそれぞれ対応させて設けられ、対応する画素電極３にそれぞれ接続された複数のＴＦＴ５と、前記後基板１の内面に各画素電極行の一側及び各画素電極列の一側にそれぞれ沿わせて設けられ、その行及び列の前記ＴＦＴ５にゲート信号及びデータ信号を供給する複数のゲート配線１１及びデータ配線１２と、他方の基板、つまり観察側の基板（以下、前基板という）２の内面に形成され、前記複数の画素電極３とそれぞれ対向する領域により複数の画素を形成する透明な対向電極１６と、前記一対の基板１，２の内面にそれぞれ前記電極３，１６を覆って設けられた垂直配向膜１５，２０と、前記一対の基板１，２間の間隙に封入された負の誘電異方性を有する液晶層２１とからなっている。
【００２２】
前記複数のＴＦＴ５は、前記後基板１の基板面に形成されたゲート電極６と、前記ゲート電極６を覆って前記画素電極３の配列領域の全域に形成された透明なゲート絶縁膜７と、前記ゲート絶縁膜７の上に前記ゲート電極６と対向させて形成されたｉ型半導体膜８と、前記ｉ型半導体膜８の一側部と他側部の上に図示しないｎ型半導体膜を介して形成されたドレイン電極９及びソース電極１０とからなっている。
【００２３】
なお、前記ゲート配線１１は、前記後基板１の基板面に前記ＴＦＴ５のゲート電極６と一体に形成されており、前記データ配線１２は、前記ゲート絶縁膜７の上に前記ＴＦＴ５のドレイン電極９と一体に形成されている。
【００２４】
また、前記複数の画素電極３は、前記ゲート絶縁膜７の上に、列方向（データ配線１２に沿った方向）に長い細長形状に形成されており、前記ＴＦＴ５は、前記細長形状の画素電極３の長手方向の一方の端側の一側部に対応させて設けられ、そのソース電極１０を前記画素電極３の端縁部に接続されている。
【００２５】
そして、前記複数の画素電極３にはそれぞれ、前記画素電極３をその長手方向に並ぶ複数の電極部に区分するスリット４が設けられている。
【００２６】
この実施例では、前記画素電極３をその電極幅が電極長さの約１／３の細長形状に形成し、その長さを実質的に３等分する２箇所にそれぞれ行方向に沿うスリット４を設けて、画素電極３を、実質的に正方形の形状を有する３つの電極部３ａ，３ｂ，３ｃを形成している。
【００２７】
また、この実施例では、前記スリット４を、画素電極３の幅方向の中間部を避けてその両側にスリット端を画素電極３の両側縁に開放させて設け、前記幅方向の中間部に、各電極部３ａ，３ｂ，３ｃのつながり部４ａを形成している。
【００２８】
さらに、前記後基板１の内面には、この後基板１の基板面と前記画素電極３の形成面との間に、前記複数の画素電極３の前記スリット４に対応させて、前記前基板２の対向電極１６と対向し、前記対向電極１６との間に予め定めた値の電界を形成する補助電極１３が設けられている。
【００２９】
この実施例では、前記補助電極１３を、前記画素電極３のスリット４により区分された各電極部３ａ，３ｂ，３ｃの全ての縁部に沿わせて設けている。なお、図１では、図を見やすくするために、前記補助電極１３に対応する部分に平行斜線を施している。
【００３０】
前記補助電極１３は、前記画素電極３との間に補償容量を形成する容量電極を兼ねている。
【００３１】
すなわち、前記補助電極１３は、前記後基板１の基板面に、前記画素電極３のＴＦＴ接続部を除く周縁部と前記スリット４とに対応させて、前記画素電極３の周縁部に対応する枠状部の内周縁部が前記画素電極３の周縁部に対向し、前記枠状部の外周縁部が画素電極３の外方に張出すとともに、前記スリット４とに対応する部分の両側縁部が前記画素電極３の各電極部３ａ，３ｂ，３ｃの縁部に対向する幅に形成された金属膜からなっており、この金属膜の画素電極３に対向する部分が、前記画素電極３との間に前記ゲート絶縁膜７を誘電体層とする補償容量を形成する容量電極部とされ、前記画素電極３の外方に張出す部分及び前記スリット４内に対応する部分が、前記対向電極１６との間に前記予め定めた値の電界を形成する補助電極部とされている。
【００３２】
前記複数の画素電極３にそれぞれ対応する補助電極１３は、各画素電極行毎に、前記画素電極３のＴＦＴ接続側とは反対側において一体につながっており、さらに、各行の補助電極１３は、前記複数の画素電極３の配列領域の外側の一端または両端に前記データ配線１２と平行に設けられた図示しない補助電極接続配線に共通接続されている。
【００３３】
また、前記後基板１の内面には、前記複数の画素電極３に対応する部分を除いて、前記複数のＴＦＴ５及びデータ配線１２を覆うオーバーコート絶縁膜１４（図１には図示せず）が設けられており、その上に前記垂直配向膜１５が形成されている。
【００３４】
一方、前基板２の内面には、前記後基板１の内面に設けられた複数の画素電極３と前基板２の内面に設けられた対向電極１６とが互いに対向する領域からなる複数の画素の間の領域に対向する格子膜状のブラックマスク１７と、各画素列にそれぞれ対応する赤、緑、青の３色のカラーフィルタ１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂが設けられており、前記カラーフィルタ１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの上に前記対向電極１６が形成されている。
【００３５】
さらに、この前基板２の内面には、前記後基板１の複数の画素電極３のスリット４により区分された各電極部３ａ，３ｂ，３ｃの中心にそれぞれ対応する位置に誘電体からなる複数の突起１９が設けられている。
【００３６】
前記複数の突起１９は、前記対向電極１６の上に、感光性樹脂等の誘電性材料により、例えば突出端に向かって径が小さくなる裁頭円錐状に形成されており、その上に、これらの突起１９及び対向電極１６を覆って垂直配向膜２０が形成されている。
【００３７】
前記後基板１と前基板２は、前記複数の画素電極３の配列領域を囲む図示しない枠状のシール材を介して接合されている。
【００３８】
また、前記後基板１は、図示しないが、その行方向の一端と列方向の一端とにそれぞれ、前基板２の外方に突出する張出部を有しており、その行方向の張出部に複数のゲート側ドライバ接続端子が配列形成され、列方向の張出部に複数のデータ側ドライバ接続端子が配列形成されている。
【００３９】
そして、前記複数のゲート配線１１は、前記行方向の張出部に導出されて前記複数のゲート側ドライバ接続端子にそれぞれ接続され、前記複数のデータ配線１２は、前記列方向の張出部に導出されて前記複数のデータ側ドライバ接続端子にそれぞれ接続されており、前記補助電極接続配線は、前記行方向と列方向の張出部の一方または両方に導出され、その張出部の複数のドライバ接続端子と共に配列された対向電極端子に接続されている。
【００４０】
さらに、前記後基板１の内面には、前記シール材による基板接合部の角部付近から前記行方向と列方向の張出部の一方または両方に導出され、前記ドライバ接続端子と並べて配列された前記対向電極端子（補助電極接続配線が接続された端子と同じ端子でも別の端子でもよい）に接続された対向電極接続配線が設けられており、前記前基板２の内面に設けられた対向電極１６は、前記基板接合部において前記対向電極接続配線に接続され、この対向電極接続配線を介して前記対向電極端子に接続されている。
【００４１】
すなわち、前記複数の補助電極１３の電位は、前記対向電極１６の電位と同じ値に設定されている。
【００４２】
そして、前記液晶層２１は、前記後基板１と前基板２との間の前記シール材で囲まれた領域に封入されており、この液晶層２１の液晶分子２１ａは、両基板１，２の内面にそれぞれ設けらた垂直配向膜１５，２０の垂直配向性により、前記突起１９に対応する部分以外の領域において、基板１，２面に対して実質的に垂直に配向し、前記突起１９に対応する部分においては、前基板２側の前記突起１９の近傍の液晶分子２１ａが前記突起１９の表面（裁頭円錐の頂面及び周面）に対して実質的に垂直な方向に分子長軸を向けて配向し、後基板１の近傍の液晶分子２１ａが前記後基板１面に対して実質的に垂直に配向した状態に配向している。
【００４３】
また、前記後基板１と前基板２の外面にはそれぞれ、偏光板２２，２３がその透過軸を予め定めた方向に向けて配置されている。なお、この実施例では、前記偏光板２２，２３をそれぞれの透過軸を実質的に互いに直交させて配置し、液晶表示素子にノーマリーブラックモードの表示を行なわせるようにしている。
【００４４】
この液晶表示素子は、複数の画素電極３を細長形状に形成しているため、画素密度を高くして高精細化をはかることができる。
【００４５】
そして、この液晶表示素子は、前記複数の画素電極３にそれぞれ、前記画素電極３をその長手方向に並ぶ複数の電極部３ａ，３ｂ，３ｃに区分するスリット４を設け、前記複数の画素電極３を設けた後基板１の基板面と前記画素電極３の形成面との間に、前記複数の画素電極３の前記スリット４に対応させて、前基板２の対向電極１６と対向し、前記対向電極１６との間に予め定めた値の電界を形成する補助電極１３を設けているため、各画素の液晶分子２１ａを、前記画素電極３と対向電極１６との間への電圧の印加により、前記画素電極３のスリット４により区分された各電極部３ａ，３ｂ，３ｃに対応する各領域毎に、その周縁部から前記領域の中心に向かって倒れ込むように安定に倒れ配向させ、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示し、しかも充分な開口率を得ることができる。
【００４６】
すなわち、垂直配向型の液晶表示素子は、各画素の液晶分子を電圧の印加により画素の周縁部から画素中心に向かって倒れ配向させて表示するが、高精細化のために画素電極を細長形状に形成すると、前記電圧の印加による液晶分子の倒れ配向が不安定になり、各画素の液晶分子の倒れ配向状態がばらついて、表示にざらつき感を生じる。
【００４７】
それに対して、上記実施例の液晶表示素子は、細長形状に形成された複数の画素電極３をそれぞれ前記スリット４により画素電極３の長手方向に並ぶ複数の電極部３ａ，３ｂ，３ｃに区分しているため、各画素の液晶分子２１ａを、前記電圧の印加により、前記画素電極３のスリット４により区分された各電極部３ａ，３ｂ，３ｃに対応する各領域毎に、その周縁部から前記領域の中心に向かって倒れ込むように安定に倒れ配向させ、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示することができる。
【００４８】
しかも、この液晶表示素子は、前記画素電極３のスリット４により区分された各電極部３ａ，３ｂ，３ｃが、実質的に正方形の形状を有しているため、前記各電極部３ａ，３ｂ，３ｃに対応する各領域の液晶分子２１ａを、前記各領域毎に、その周縁部から中心に向かってバランス良く倒れ配向させることができる。
【００４９】
さらに、この液晶表示素子は、対向電極１６が設けられた前基板２の内面に、後基板１の複数の画素電極３のスリット４により区分された各電極部３ａ，３ｂ，３ｃの中心にそれぞれ対応する複数の突起１９を設けているため、前記各電極部３ａ，３ｂ，３ｃに対応する各領域毎に、その周縁部から前記領域の中心に向かってより安定に倒れ配向させることができる。
【００５０】
図４及び図５は前記液晶表示素子の１つの画素の電圧印加時の液晶分子配向状態を模式的に示す平面図及び断面図であり、この液晶表示素子は、画素電極３と対向電極１６との間に電圧を印加したときに、前記画素電極３の各電極部３ａ，３ｂ，３ｃに対応する各領域の液晶分子２１ａがそれぞれ、前記突起１９の近傍の分子配向により誘導され、図のように、前記突起１９に向かって、つまり前記各領域の中心に向かって倒れ込むように配向するため、さらに良好な品質の画像を表示することができる。
【００５１】
また、この液晶表示素子は、前記複数の画素電極３のスリット４に対応させて、前基板２の対向電極１６と対向し、前記対向電極１６との間に予め定めた値の電界を形成する補助電極１３を設けているため、前記スリット４の幅が小さくても、前記画素電極３の各電極部３ａ，３ｂ，３ｃに対応する各領域の液晶分子２１ａを前記電圧の印加により安定に倒れ配向させることができる。
【００５２】
すなわち、図６は、画素電極３のスリット幅及び前記補助電極１３の有無による電圧印加時の各電極部３ａ，３ｂ，３ｃの境界部における液晶分子２１ａの倒れ配向状態を示しており、（ａ），（ｂ）は、前記補助電極１３が無い場合のスリット幅を大きくしたときと前記スリット幅を小さくしたときの配向状態、（ｃ）は、画素電極３のスリット幅を小さくし、前記補助電極１３を設けたときの配向状態を示している。
【００５３】
まず、画素電極３のスリット４の幅を大きくしたときの液晶分子２１ａの倒れ配向状態を説明すると、このときは、前記画素電極３の各電極部３ａ，３ｂ，３ｃに対応する各領域毎に、電圧が印加され、図６（ａ）のように、各電極部３ａ，３ｂの間のスリット４に対応する部分の液晶層に電界が印加されない領域が生じ、液晶分子２１ａは、前記各領域毎に図に破線で示した等電位線に沿って倒れ配向する。
【００５４】
しかし、このように画素電極３のスリット４の幅を大きくすると、前記画素電極３のスリット４により区分された各電極部３ａ，３ｂ，３ｃの面積が小さくなり、開口率が低下する。
【００５５】
一方、画素電極３のスリット４の幅を小さくすれば、充分な開口率を得ることができるが、前記補助電極１３が無い場合は、前記スリット４の幅を小さくすると、前記画素電極３の各電極部３ａ，３ｂ，３ｃに対応する各領域間の電気的な境界がはっきりしなくなり、液晶分子２１ａが図６（ｂ）のように配向するため、画素電極３をスリット４により複数の電極部３ａ，３ｂ，３ｃに区分した効果が失われ、画素全体の液晶分子２１ａの倒れ配向が不安定になる。
【００５６】
それに対し、画素電極３のスリット４に対応させて前記補助電極１３を設けたときは、この補助電極１３と対向電極１６との間に予め定めた値の弱い電界が形成されるため、前記画素電極３のスリット４の幅が小さくても、前記画素電極３の各電極部３ａ，３ｂ，３ｃに対応する各領域毎に、電圧が印加が形成され、図６（ｃ）のように、液晶分子２１ａが、前記各領域毎に倒れ配向する。
【００５７】
したがって、上記実施例の液晶表示素子は、各画素の液晶分子２１ａを電圧の印加により安定に倒れ配向させ、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示し、しかも充分な開口率を得ることができる。
【００５８】
なお、前記画素電極３のスリット４の幅は４．０μｍ以下が好ましく、このようにすることにより、充分な開口率を得ることができる。
【００５９】
また、前記画素電極３のスリット４で区分された各電極部３ａ，３ｂ，３ｃのつながり部４ａの幅は、画素電極３の幅の１３％程度以下で、且つ電気抵抗値が許容範囲を越えない寸法に設定するのが好ましく、このようにすることにより、各画素の液晶分子２１ａを、前記画素電極３の各電極部３ａ，３ｂ，３ｃに対応する各領域毎に、その領域の周縁部から中心に向かって安定に倒れ配向させることができる。
【００６０】
さらに、この液晶表示素子は、前記補助電極１３を、前記画素電極３のスリット４により区分された各電極部３ａ，３ｂ，３ｃの全ての縁部に沿わせて設けているため、液晶分子２１ａを、前記画素電極３の各電極部３ａ，３ｂ，３ｃに対応する各領域毎にさらに安定に倒れ配向させることができる。
【００６１】
また、この液晶表示素子は、前記補助電極１３の電位を対向電極１６の電位と実質的に同じ値に設定しているため、前記補助電極１３と対向電極１６との間を実質的に無電界状態にし、その部分の液晶分子２１ａを図４，５及び図６（ｃ）のように実質的に垂直に配向させることができ、したがって、各画素の液晶分子２１ａを前記各領域毎にさらに安定に倒れ配向させることができる。
【００６２】
さらに、前記補助電極は、前記画素電極との間に補償容量を形成する容量電極と一体的に形成するのが好ましく、このようにすることにより、前記補助電極とは別に前記補償容量を形成するための電極を設ける場合に比べて液晶表示素子の製造を容易にすることができる。
【００６３】
なお、上記実施例では、画素電極３をその電極幅が電極長さの約１／３の細長形状に形成し、その長さを実質的に３等分する２箇所にスリット４を設けて、前記画素電極３を、その長手方向に並ぶ３つの電極部３ａ，３ｂ，３ｃに区分しているが、前記画素電極３の幅と長さの比と、その区分数は任意でよい。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】この発明の一実施例を示す液晶表示素子の一方の基板の一部分の平面図。
【図２】図１のII−II線に沿う液晶表示素子の断面図。
【図３】図１のIII−III線に沿う液晶表示素子の断面図。
【図４】前記液晶表示素子の１つの画素の電圧印加時の液晶分子配向状態の模式的に示す平面図。
【図５】前記１つの画素の電圧印加時の液晶分子配向状態を模式的に示す断面図。
【図６】画素電極のスリット幅及び補助電極の有無による電圧印加時の各電極部の境界部における液晶分子の倒れ配向状態を示す図。
【符号の説明】
【００６５】
１，２…基板、３…画素電極、３ａ，３ｂ，３ｃ…電極部、４…スリット、４ａ…つながり部、５…ＴＦＴ、１１…ゲート配線、１２…データ配線、１３…補助電極、１５…垂直配向膜、１６…対向電極、１７…ブラックマスク、１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ…カラーフィルタ、１９…突起、２０…垂直配向膜、２１…液晶層、２１ａ…液晶分子、２２，２３…偏光板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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