(57)【要約】【課題】エピタキシャル成長によって生じる基板の反りの影響を低減して歩留まりを向上させることができる発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】発光素子の製造方法として、基板の表面にエピタキシャル成長によって膜付けを行うエピタキシャル成長工程と、このエピタキシャル成長工程の後に基板の裏面を研磨によって平坦化する平坦化工程と、この平坦化工程の後に基板の表面に所定の処理を行う基板処理工程とを有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にエピタキシャル成長によって膜付けを行うエピタキシャル成長工程と、
前記エピタキシャル成長工程の後に前記基板の裏面を平坦化する平坦化工程と、
前記平坦化工程の後に前記基板の表面に所定の処理を行う基板処理工程と
を有することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項２】
基板の表面にエピタキシャル成長によって膜付けを行うエピタキシャル成長工程と、
前記エピタキシャル成長工程の前に、前記エピタキシャル成長によって生じる基板の反りと反対方向に前記基板の裏面を変形させる加工処理を行う基板加工工程と
を有することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記平坦化工程では、前記基板の裏面を研磨加工によって平坦化する
ことを特徴とする請求項１記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記基板加工工程では、前記基板の裏面を研磨加工によって変形させる
ことを特徴とする請求項２記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード、レーザダイオード等の発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードなどの発光素子が形成される発光素子用基板には、例えばサファイア基板が用いられる。この基板の表面には、通常、III-Ｖ族の窒化物系化合物半導体であるＧａＮ系材料がＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition;有機金属気相成長)法によって数μｍ〜数十μｍ厚に成長される。これにより、基板の表面にはエピタキシャル成長によって窒化物半導体層が順に形成される。この種の発光素子の製造方法としては、下記特許文献１に記載されたものが知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３１３４２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、基板の表面にエピタキシャル成長によって膜付けを行う場合は、種々の材料のエピタキシャル成長時の膜応力や熱応力、さらには膜同士の熱膨張係数などの影響により、基板が反ってしまう。そのため、エピタキシャル成長時の反りによる基板裏面の平坦度は、例えば直径が２インチのもので数〜数十μｍ程度となっている。
【０００５】
基板裏面の平坦度は、発光素子を製造する一連の工程のなかで歩留まりに大きく影響する。例えば、エピタキシャル成長工程の後に行われるフォトリソグラフィー工程では、フォトリソグラフィー装置のステージとその上に載置される基板との間に隙間が生じ、これが原因でレジストの塗布厚ムラや基板面内でのパターン寸法の変化が発生するため、パターン精度の低下を招く。また、スパッタリング、蒸着等の成膜工程やエッチング工程では、各々の処理装置のステージと基板との間に隙間が生じることにより、基板冷却効果の低減につながるという問題が発生する。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、エピタキシャル成長によって生じる基板の反りの影響を低減して歩留まりを向上させることができる発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１に係る発光素子の製造方法は、基板の表面にエピタキシャル成長によって膜付けを行うエピタキシャル成長工程と、このエピタキシャル成長工程の後に基板の裏面を平坦化する平坦化工程と、この平坦化工程の後に基板の表面に所定の処理を行う基板処理工程とを有するものである。
【０００８】
この請求項１に係る発光素子の製造方法においては、エピタキシャル成長工程の後に基板の裏面を平坦化し、その後の基板処理工程で基板の表面に所定の処理を行うため、エピタキシャル成長によって基板に反りが生じても、この反りによる基板裏面の変形が、その後の平坦化工程で解消される。これにより、基板の裏面が平坦な状態となるため、エピタキシャル成長工程の後で基板の表面に所定の処理を行う場合に、各々の処理装置のステージに基板を隙間なく密着させて載置することが可能となる。
【０００９】
本発明の請求項２に係る発光素子の製造方法は、基板の表面にエピタキシャル成長によって膜付けを行うエピタキシャル成長工程と、このエピタキシャル成長工程の前に、エピタキシャル成長によって生じる基板の反りと反対方向に基板の裏面を変形させる加工処理を行う基板加工工程とを有するものである。
【００１０】
この請求項２に係る発光素子の製造方法においては、基板加工工程で予め基板の裏面を変形させてから、エピタキシャル成長工程を行うため、エピタキシャル成長によって生じる基板の反りにより、それ以前の基板裏面の変形が解消される。これにより、基板の裏面が平坦な状態となるため、エピタキシャル成長工程の後で基板の表面に所定の処理を行う場合に、各々の処理装置のステージに基板を隙間なく密着させて載置することが可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の発光素子の製造方法によれば、エピタキシャル成長工程で基板に反りが生じても、その影響を受けずに、エピタキシャル成長工程の後で各々の処理装置に基板を隙間なく密着させて載置することができる。これにより、エピタキシャル成長工程の後でフォトリソグラフィー工程を行う場合は、レジストの塗布厚ムラや基板面内でのパターン寸法の変化を防止し、パターン精度を向上させることができる。また、スパッタリング、蒸着等の成膜工程やエッチング工程を行う場合は、各々の処理装置のステージと基板との間に隙間が生じなくなるため、基板冷却効果を高めることができる。その結果、発光素子を製造する際の歩留まりを向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１３】
図１〜図５は発光素子の基本的な製造工程の一例を示す図である。まず、図１（Ａ）に示すように、発光素子のベースとなる基板１を用意する。基板１には、例えばサファイア基板を用いる。次に、基板１をＭＯＣＶＤ結晶成長装置の反応室に入れ、そこでＭＯＣＶＤ法によってエピタキシャル成長させることにより、図１（Ｂ）に示すように、基板１の表面（一面）に、バッファ層２、ｎ型クラッド層（ＧａＮ：Ｓｉ）３、活性層（ＩｎＧａＮ）４及びｐ型クラッド層（ＧａＮ：Ｍｇ）５の順で膜付けを行う。このうち、ｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５は、ダブルヘテロ構造を構成するもので、いずれの層もＧａＮ系材料によって形成されている。例えば、ｎ型クラッド層３はＧａＮ：Ｓｉによって形成され、活性層４はＩｎＧａＮによって形成され、ｐ型クラッド層５はＧａＮ：Ｍｇによって形成されている。次いで、基板１を上記反応室から取り出した後、熱処理によってＰ型−活性化を行う。
【００１４】
続いて、ＧａＮをエッチングするためのマスクを作製するために、図１（Ｃ）に示すように、上記ｐ型クラッド層５の上にＳｉＯ2層６を例えば６００ｎｍの厚みで成膜する。その後、図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、上記ＳｉＯ2層６の上にフォトリスグラフィー工程でレジスト７のパターンを形成し、さらにこのレジスト７のパターンを用いてＳｉＯ２層６をエッチングした後、レジスト７を除去する。これにより、ｐ型クラッド層５の上にＳｉＯ２層６からなるエッチングマスクが形成される。
【００１５】
次に、ＳｉＯ2層６からなるエッチングマスクを用いて、図２（Ｃ）に示すように、ＧａＮ系材料からなるｐ型クラッド層５、活性層４及びｎ型クラッド層３を順にエッチングするとともに、ｎ型クラッド層３の途中でエッチングをとめる。次いで、図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、ＳｉＯ2層６からなるエッチングマスクを除去した後、ｐ型クラッド層５の上からパッシベーション膜８を成膜する。パッシベーション膜８は、例えば基板２の表面側に蒸着法によってＳｉＯ2を２００ｎｍの厚みで成膜することにより形成されるものである。これにより、ｐ型クラッド層５の上面と上記エッチングによって露出した各層（３，４，５）の側面、並びにｎ型クラッド層３の上面がパッシベーション膜８によって覆われた状態になる。
【００１６】
続いて、ｐ型電極を形成するために、図３（Ｃ）に示すように、上記パッシベーション膜８の上にレジスト９のパターンを形成した後、このレジスト９を用いてパッシベーション膜８をエッチングすることにより、ｐ型クラッド層５上で窓明け（開口部の形成）を行う。続いて、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、レジスト９の上からＰｄ／Ａｕの透明電極層１０を蒸着によって成膜した後、リフトオフによってレジスト９と一緒に不要な電極材料を除去する。
【００１７】
続いて、ｎ型電極兼パッド電極を形成するために、図４（Ｃ）に示すように、パッシベーション膜８の上にレジスト１１のパターンを形成した後、このレジスト１１のパターンを用いてパッシベーション膜８をエッチングすることにより、透明電極層１０上とＮ型クラッド層３上でそれぞれ窓明け（開口部の形成）を行う。続いて、図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、レジスト１１の上からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの電極層１２を蒸着によって成膜した後、リフトオフによってレジスト１１と一緒に不要な電極材料を除去する。
【００１８】
以上ような発光素子の基本的な製造工程においては、ＭＯＣＶＤ法によるエピタキシャル成長によって基板１上にｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５からなるダブルヘテロ構造を形成する際に、ＭＯＣＶＤ結晶成長装置の反応室に投入した基板１が高周波コイルやヒータで加熱され、結晶成長に適した温度（例えば、８００℃程度）に保持される。そのため、エピタキシャル成長時の膜応力や熱応力、膜同士の熱膨張係数などの影響で基板１に反りが生じ、その後の工程に悪影響を与える恐れがある。
【００１９】
図６は本発明の第１実施形態に係る発光素子の製造方法を示す工程フロー図である。本発明の第１施形態においては、エピタキシャル成長工程の後でかつ基板処理工程の前に、平坦化工程を設けている。エピタキシャル成長工程とは、上述のようにＭＯＣＶＤ法によるエピタキシャル成長によって基板１上にｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５からなるダブルヘテロ構造を形成する工程をいう。また、エピタキシャル成長工程よりも後に行われる基板処理工程とは、ＧａＮのエッチングマスクとなるＳｉＯ2層６を形成する工程以降（図１（Ｄ）〜図５（Ｂ））の基板処理工程をいう。平坦化工程は、エピタキシャル工程と基板処理工程との間に行われるものである。平坦化工程では、エピタキシャル成長面と反対側になる基板１の裏面（他面）を平坦化するための加工処理を行う。この平坦化工程では、基板１の裏面を研磨加工によって平坦化する。
【００２０】
図７は基板の研磨加工に用いられる研磨装置の平面図であり、図８は当該研磨装置の正面図である。この研磨装置は、主として、研磨盤として機能する研磨定盤２１と、この研磨定盤２１上に載置される被加工基板２２を左右方向に揺動させる揺動機構２３とから構成される。研磨定盤２１は、例えば銅と金属粒子を高分子材料で固めることにより円盤形状として形成したもので、平面略矩形状をなす装置本体２４の略中央部分に、図中矢印Ａ方向に回転可能に設けられている。この研磨定盤２１の研磨面は、被加工基板２２の形に応じた形状とされている。例えば、被加工基板２２の研磨される面が凸状であれば、研磨定盤２１の研磨面は凹状とされる。逆に、被加工基板２２の研磨される面が凹状であれば、研磨定盤２１の研磨面は凸状とされる。
【００２１】
また、研磨定盤２１の表面には、例えばポリエステル不織布や発泡ポリウレタン（人工皮革）或いは硬軟質二重構造等の弾性ポリッシャ等よりなる研磨布２５が設けられている。さらに、この研磨定盤２１の上には、ほぼ円形の被加工基板２２が載置されるが、この被加工基板２２をガイドし又は研磨レートをかせぐために加圧する目的で、当該被加工基板２２を覆って治具２６が設けられる。
【００２２】
治具２６は、外形形状が円形となされ、上記研磨定盤２１と対向する面に被加工基板２２を嵌合させる円形状をなす凹部２７を有している。上記凹部２７の深さ寸法は、治具２６が研磨定盤２１によって研磨されないように、被加工基板２２の板厚寸法よりも小となっている。したがって、上記凹部２７に被加工基板２２を嵌合させて研磨定盤２１上に載置した状態では、被加工基板２２のみが研磨定盤２１に接触することになる。
【００２３】
一方、揺動機構２３は、上記一対の治具２６を回転可能に保持するキャリア２８と、このキャリア２８を研磨定盤２１の中心線上に沿って図中矢印Ｂで示す左右方向に揺動させる駆動源として機能する駆動モータ２９と、この駆動モータ２９の回転運動を揺動運動に変換するカム３０とクランクシャフト３１と、一対のスライダー３２，３３とから構成される。キャリア２８は、上記一対の治具２６を回転可能に収納保持する円形状の治具収納部３４，３５を有した平面形状がいわゆるメガネ形状をなす支持体として形成されている。そして、このキャリア２８には、上記治具収納部３４，３５に収納される治具２６を回転可能に収納保持するために、センターローラ３６とガイドローラ３７，３８が設けられている。
【００２４】
センターローラ３６は、上記一対の治具収納部３４，３５の間に円盤体として回転可能に設けられている。また、ガイドローラ３７，３８は、上記センターローラ３６と反対側の治具収納部３４，３５の外周囲に円柱状をなすローラとして回転可能に設けられている。そして、上記キャリア２８の両側には、該キャリア２８を左右方向に揺動させるためのスライダー３２，３３が設けられている。すなわち、上記キャリア２８の両端部には、円柱状をなす連結部材３９，４０を介して装置本体２４上をスライド自在とされるスライダー３２，３３が設けられている。これらスライダー３２，３３のうち一方のスライダー３２には、駆動モータ２９の回転運動を揺動運動に変換するためのカム３０とクランクシャフト３１が設けられている。
【００２５】
したがって、上記駆動モータ２９の回転運動は、カム３０に伝達され、該カム３０と係合するクランクシャフト３１によって揺動運動に変換される。これにより、キャリア２８が左右方向に揺動する。なお、上記キャリア２８の揺動速さは、装置本体２４上に設けられる制御装置４１によって適宜調整可能となされている。また、この研磨装置には、研磨定盤２１にスラリー等の研磨液を供給するための研磨液供給タンク４２が設けられている。この研磨液供給タンク４２にはノズル４３が接続され、そのノズル４３の先端より研磨定盤２１上に研磨液が供給されるようになっている。
【００２６】
続いて、上記構成からなる研磨装置の動作について説明する。まず、研磨定盤２１の上に被加工基板２２を載せる。このとき、被加工基板２２の研磨される面が下向きとなるように研磨定盤２１にセットする。次に、被加工基板２の上に治具２６を落とし込む。すると、治具２６に設けられた凹部２７に被加工基板２２が嵌合し、当該被加工基板２２の位置が決まる。同時に、被加工基板２２に治具２６による荷重が加わる。なお、被加工基板２２と治具２６とは、ワックスや接着剤による接着がなされていないため、接着歪みによる基板の反りやうねりが発生することがない。また、必要に応じて、治具２６の上に重りを載せて加工圧を高くし、研磨レートを大きくするようにしてもよい。
【００２７】
次に、これら治具２６をキャリア２８に設けられた治具収納部３４，３５内にセットする。この結果、治具２６は、センターローラ３６とガイドローラ３７，３８とによって回転可能に保持される。次に、研磨定盤２１を回転させるとともに、駆動モータ２９のスイッチを入れる。すると、駆動モータ２９の回転がカム３０に伝達され、このカム３０と連結されるクランクシャフト３１によって揺動運動に変換される。そして、クランクシャフト３１に連結された一方のスライダー３２と他方のスライダー３３とによって、上記キャリア２８が左右方向に揺動する。
【００２８】
この結果、キャリア３８に回転可能に保持された治具２６及び被加工基板２２もこれらと一緒に揺動する。そして、研磨液供給タンク４２に接続されるノズル４３の先端より、上記研磨定盤２１上に研磨液（スラリー）を供給する。すると、被加工基板２２が研磨定盤２１の回転運動とキャリア２８による揺動運動とにより基板全体に亘って研磨される。
【００２９】
次に、研磨定盤２１の研磨面に関して詳述する。エピタキシャル成長工程ではエピタキシャル成長時の熱応力や膜の内部応力等により、基板１が、エピタキシャル成長面を上向きにした状態で、下に凸状又は上に凸状に反る。そこで、エピタキシャル成長工程で生じる基板１の反りを改善するために、エピタキシャル成長面とは反対側になる基板１の裏面を上記研磨装置で研磨する。このとき、研磨面が平坦（フラット）な研磨定盤２１を用いて、上述のように反った基板１を研磨すると、基板１の反りによる偏摩耗の影響や、研磨定盤２１の内外周の周速差による研磨速度差、揺動範囲等の影響により、研磨後の基板裏面が必ずしも平坦にならない。そのため、研磨定盤２１の研磨面には適度な傾斜を形成しておく必要がある。
【００３０】
研磨定盤２１の研磨面は、当該研磨定盤２１の表面（上面）に研磨布２５を貼り付けることで形成される。そのため、研磨面に所望の傾斜をつけるには、当該傾斜に合わせて研磨定盤２１の表面（研磨布２５の貼着面）を加工する必要がある。研磨定盤２１を加工する場合は、表面にダイヤモンドが電着されたダイヤモンド電着リングを使用する。具体的には、研磨定盤２１の上に、当該研磨定盤２１の表面に接触する状態でダイヤモンド電着リングを取り付け、このダイヤモンド電着リングを研磨定盤２１の上で回転させる。これにより、ダイヤモンド電着リングが接触する部分で研磨定盤２１の表面が研磨によって削り取られる。したがって、研磨定盤２１の外周側を相対的に高くしたい場合には、ダイヤモンド電着リングを研磨定盤２１の内周側に取り付け、研磨定盤２１の内周側を相対的に高くしたい場合には、ダイヤモンド電着リングを研磨定盤２１の外周側に取り付ける。また、研磨定盤２１の表面（研磨面）をきれいなスロープに仕上げるには、ダイヤモンド電着リングを少しずつ内周側から外周側、又は外周側から内周側へとスライドさせればよい。ただし、ダイヤモンド電着リングをスライドさせるときの移動速度は、所望する研磨量に応じて適宜可変する必要がある。
【００３１】
図９は基板の平坦度と研磨定盤内外周の高低差との関係を示す図である。図示した関係は、予め研磨定盤の表面に内外周で高低差を設けたものを幾つか用意し、その高低差の違う数種類の研磨定盤にそれぞれ研磨布を貼り付けて実際に基板を研磨したときに得られたデータに基づくものである。図中、横軸の定盤内外周の高低差は、図１０（Ａ），（Ｂ）に示すように、定盤直径Ｒ１を１９０．１ｍｍとした研磨定盤２1の中心から半径方向に距離Ｒ３＝９７．５ｍｍとした位置と、同じく定盤中心から半径方向に距離Ｒ２＝１８０．０ｍｍとした位置との高低差Ｈ（μｍ）を表している。研磨定盤２１の高低差は外周側を０μｍとして基準をとっている。したがって、研磨定盤２１の外周側が内周側よりも高い形状（下に凹状）となる場合は、定盤内外周の高低差がマイナスの値となり、これと逆に、研磨定盤２１の外周側が内周側よりも低い形状（上に凸状）となる場合は、定盤内外周の高低差がプラスの値となる。
【００３２】
一方、縦軸の基板の平坦度は、研磨後の基板の平坦度（反りの度合い）を表している。基板の平坦度とは、図１１（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、基板の直径方向の両端部（再外周部）Ｐ１，Ｐ２を通る平面を平坦度０μｍの基準平面とし、この基準平面から基板の中心部で基板面の最大湾曲部Ｐ３に垂直に引き下ろしたときの垂直距離、又は垂直に引き上げたときの垂直距離をいう。また、図１１（Ａ）に示すように、基板が上に凸状に反っている状態（基板の裏面が上に凹状にへこんでいる状態）では、基板面の最大湾曲部Ｐ３が基準平面より高い位置に存在するため、基板の平坦度がプラスの値をとり、図１１（Ｂ）に示すように、基板が下に凸状に反っている状態（基板の裏面が下に凹状にへこんでいる状態）では、基板面の最大湾曲部Ｐ３が基準平面よりも低い位置に存在するため、基板の平坦度がマイナスの値をとる。また、図１１（Ｃ）に示すように、基板が平坦な状態であれば、基板面の最大湾曲部Ｐ３が基準平面と同じ高さに存在するため、基板の平坦度は０μｍとなる。なお、基板の平坦度の測定は、接触式の形状測定器を用いて直接測定することができる。
【００３３】
基板１の裏面を研磨後に平坦に仕上げたい場合は、上記図９の関係から、基板の平坦度が０μｍの条件に合わせて、研磨面の内外周の高低差が−７μｍ程度となるように研磨定盤２１の表面加工を行い、この研磨定盤２１を用いて基板１の裏面研磨を行う。
【００３４】
このようにエピタキシャル成長工程後に基板１の裏面研磨を行い、これによって基板１の裏面を平坦化することにより、その後の基板処理工程、例えば、フォトリソグラフィー工程では、フォトリソグラフィー装置のステージの上に基板１を隙間なく密着させた状態で載置することができる。したがって、レジストの塗布厚ムラや基板面内でのパターン寸法の変化を防止し、パターン精度を向上させることができる。また、スパッタリング、蒸着等の成膜工程やエッチング工程では、各々の処理装置のステージと基板との間に隙間が生じなくなるため、基板冷却効果を高めることができる。
【００３５】
図１２は本発明の第２実施形態に係る発光素子の製造方法を示す工程フロー図である。本発明の第２実施形態においては、エピタキシャル成長工程の前に基板加工工程を設けている。基板加工工程では、エピタキシャル成長によって生じる基板の反りと反対方向に基板を変形させる加工処理を行う。また、基板加工工程では、基板の裏面を研磨加工によって変形させる。基板の研磨加工には、上記図７及び図８に示す研磨装置を用いる。
【００３６】
エピタキシャル成長工程で生じる基板１の反りは、エピタキシャル条件に左右されるため、その反り量はエピタキシャル条件ごとに異なるものとなる。したがって、エピタキシャル成長工程で基板１が反ったときに、この反りによって基板１の裏面が平坦になるように基板１を研磨するには、エピタキシャル成長工程で生じる基板１の反り量に応じて研磨定盤２１の研磨面の形状を適宜選定し、それに合わせて研磨定盤２１の表面を加工する必要がある。研磨面の形状選定は上記図９の関係に基づいて行う。エピタキシャル成長工程で生じる基板１の反り量については、上記接触式の形状測定器を用いて予め実験的に測定すればよい。その際、実際の測定で得られた基板１の反り量が、例えば上に１μｍの凸形状であった場合は、この分をエピタキシャル成長工程で解消するために、エピタキシャル成長工程よりも前の段階で、エピタキシャル成長によって基板に生じる反りと反対方向、つまり下に１μｍだけ凸形状となるように基板１を変形させておく必要がある。そのため、この場合は、研磨面の内外周の高低差が＋１０μｍとなるように研磨定盤２１の表面加工を行い、この研磨定盤２１を用いて基板１の裏面研磨を行う。
【００３７】
このようにエピタキシャル成長工程前に基板１の裏面研磨を行い、これによって基板１の裏面を所望の平坦度で変形させておくことにより、その後のエピタキシャル成長工程においては、エピタキシャル成長によって生じる基板１の反りによって基板裏面の変形（凹凸形状）が解消されて平坦な状態になる。したがって、その後の基板処理工程、例えば、フォトリソグラフィー工程では、フォトリソグラフィー装置のステージの上に基板１を隙間なく密着させた状態で載置することができる。したがって、レジストの塗布厚ムラや基板面内でのパターン寸法の変化を防止し、パターン精度を向上させることができる。また、スパッタリング、蒸着等の成膜工程やエッチング工程では、各々の処理装置のステージと基板との間に隙間が生じなくなるため、基板冷却効果の高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】発光素子の基本的な製造工程の一例を示す図（その１）である。
【図２】発光素子の基本的な製造工程の一例を示す図（その２）である。
【図３】発光素子の基本的な製造工程の一例を示す図（その３）である。
【図４】発光素子の基本的な製造工程の一例を示す図（その４）である。
【図５】発光素子の基本的な製造工程の一例を示す図（その５）である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る発光素子の製造方法を示す工程フロー図である。
【図７】基板の研磨加工に用いられる研磨装置の平面図である。
【図８】基板の研磨加工に用いられる研磨装置の正面図である。
【図９】基板の平坦度と研磨定盤内外周の高低差との関係を示す図である。
【図１０】定盤内外周の高低差について説明する図である。
【図１１】基板の平坦度について説明する図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る発光素子の製造方法を示す工程フロー図である。
【符号の説明】
【００３９】
１…基板、２…バッファ層、３…ｎ型クラッド層、４…活性層、５…ｐ型クラッド層、２１…研磨定盤、２２…被加工基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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