(57)【要約】【課題】  上下のバンプが安定して接合可能な多段バンプを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  半導体チップＣＨＩＰの主表面に電極パッドＰＡＤが所定数設けられている。多段バンプＭＢＰは、この電極パッドＰＡＤ上にそれぞれ設けられている。多段バンプＭＢＰ個々のバンプ電極ＭＢ１，ＭＢ２，ＭＢ３は、それぞれの接続部が平らな中央領域ＣＡで占められた金属バンプである。従って、多段バンプＭＢＰの先端であるバンプ電極ＭＢ３も、接続部として平らな中央領域ＣＡを有する。半導体チップＣＨＩＰは、対応する接続領域Ｑにフリップチップ接続されている。多段バンプＭＢＰ先端の平らな中央領域ＣＡは、接続領域Ｑと異方性導電部材ＡＣＦを介しての接続、あるいは金属接合により接続されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップに所定数設けられ、接続部を平らな中央領域で占めるバンプ電極が２個以上重ねられた構成の多段バンプと、
を含む半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップは、対応する接続領域と前記多段バンプ先端の平らな中央領域が異方性導電部材を介して接続されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップは、対応する接続領域と前記多段バンプ先端の平らな中央領域が金属接合により接続されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体チップにおける接続部として金属バンプを複数重ねる多段バンプを形成する半導体装置の製造方法において、
ワイヤボンディング用のキャピラリより導出されたワイヤの先端をボール状にして金属ボールを形成する工程と、
前記金属ボールを前記接続部側と前記キャピラリ先端で挟んで潰し前記接続部側に接合する工程と、
前記キャピラリ先端を前記接続部上から水平方向に移動して前記ワイヤを分離することにより、前記金属バンプとして前記ワイヤの断面より広い上面領域を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属ボールを形成する工程は放電作用を利用し、前記キャピラリ先端を水平方向に移動して前記ワイヤを分離した際に、前記キャピラリ先端から前記ワイヤにおける放電用のテールが現出される請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属ボールの前記接続部側への接合は、熱圧着接合、超音波接合のうち少なくともいずれか一つの接合技術を伴う請求項４または５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ワイヤボンディング用のキャピラリより導出されたワイヤの先端をボール状にして第１の金属ボールを形成する工程と、
前記キャピラリの移動によって前記第１の金属ボールを、半導体チップの電極パッド上に置いて前記キャピラリ先端で潰し、前記半導体チップの電極パッドに接合する工程と、
前記キャピラリ先端を前記接続部上から水平方向に移動して前記ワイヤを分離させ、前記ワイヤの断面より広い上面領域を有する第１の金属バンプを形成する工程と、
前記キャピラリより導出されたワイヤの先端をボール状にして第２の金属ボールを形成する工程と、
前記キャピラリの移動によって前記第２の金属ボールを、前記第１の金属バンプの上面領域上に置いて前記キャピラリ先端で潰し、前記第１の金属バンプに接合する工程と、
前記キャピラリ先端を前記第１の金属バンプ上から水平方向に移動して前記ワイヤを分離させ、前記第１の金属バンプ上に前記ワイヤの断面より広い上面領域を有する第２の金属バンプを形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の金属バンプは、熱圧着と超音波の作用を利用して前記半導体チップの電極パッドへの接合がなされ、前記第２の金属バンプ以降の、金属バンプどうしの接合は、熱圧着の作用のみを利用する請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記キャピラリは、前記半導体チップの所定数の電極パッド上にそれぞれ所定順序で一様に前記第１の金属バンプを配し、次いで、所定数の前記第１の金属バンプ上にそれぞれ所定順序で一様に前記第２の金属バンプを配するように移動制御される請求項７または８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の金属バンプを形成する工程の後において、
前記キャピラリより導出されたワイヤの先端をボール状にして第３の金属ボールを形成する工程と、
前記キャピラリの移動によって前記第３の金属ボールを、前記第２の金属バンプの上面領域上に置いて前記キャピラリ先端で潰し、前記第２の金属バンプに接合する工程と、
前記キャピラリ先端を前記第２の金属バンプ上から水平方向に移動して前記ワイヤを分離させ、前記第２の金属バンプ上に前記ワイヤの断面より広い上面領域を有する第３の金属バンプを形成する工程と、
をさらに含む請求項７〜９いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプを複数重ねることによって高さを稼ぐ多段のバンプ電極を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯機器等、製品の小型化、多機能化が進み、製品内部における半導体部品は小型化され、実装面積も限られる。配線基板における省スペース実装には、半導体パッケージの小型化が不可欠である。小型化が可能な半導体パッケージの一つとしてＣＳＰ（chip size package）が知られている。ＣＳＰは、ＩＣチップが基板にフリップチップ接続される形態を有する。ＩＣチップの主表面にはフリップチップ接続のためのバンプ電極が形成される。バンプ電極の形成方法として、多段バンプ形成が知られている。
【０００３】
多段バンプは、ワイヤボンディング用のツールを利用してバンプを重ね、所望のバンプ電極の高さを得る。すなわち、キャピラリ先端において、導出される金線をスパーク放電させることによりイニシャルボールが形成される。イニシャルボールは、キャピラリ先端によってＩＣチップのパッド上に圧着される。次いで超音波を利用しつつ押圧し、接合される。その後、キャピラリを上昇させて金線を切断する（プルカット方式）。これにより、１段目の金バンプが形成される。以降、同様に１段目の金バンプ上に２段目の金バンプを重ねる。なお、超音波印加出力または時間は、１段目の金バンプ形成時より小さくする（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１００７９１号公報（第３頁、図１、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の多段バンプはプルカット方式のため、重ねられる下側のバンプ（例えば１段目の金バンプ）には切断した金線の先端がツノとして存在する。上側のバンプ（例えば２段目の金バンプ）は、上記ツノを押し潰して重ねていく。ツノは長さにばらつきが生じる恐れがある。上側のバンプは、下側のバンプのツノを真上から均等に押し潰せないことがあり、上下のバンプがずれて（偏心）接合される懸念がある。最悪、下側のバンプのツノが水平方向に倒れると、隣接バンプとのショートを招く危険性がある。
【０００５】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、上下のバンプが安定して接合可能な多段バンプを有する半導体装置及びその製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップに所定数設けられ、接続部を平らな中央領域で占めるバンプ電極が２個以上重ねられた構成の多段バンプと、
を含む。
【０００７】
上記本発明に係る半導体装置によれば、多段バンプを構成する各バンプ電極は、接続部が平らな中央領域で占められ、ずれまたは偏心の抑えられた安定性の高いバンプの積み重ねが実現される。多段バンプの先端も接続部として平らな中央領域を有し、接続の安定性に寄与する。
【０００８】
上記本発明に係る半導体装置において、次のようないずれかの特徴を有することにより半導体パッケージとして、安定した接続、実装に寄与する。
前記半導体チップは、対応する接続領域と前記多段バンプ先端の平らな中央領域が異方性導電部材を介して接続されていることを特徴とする。
前記半導体チップは、対応する接続領域と前記多段バンプ先端の平らな中央領域が金属接合により接続されていることを特徴とする。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップにおける接続部として金属バンプを複数重ねる多段バンプを形成する半導体装置の製造方法において、ワイヤボンディング用のキャピラリより導出されたワイヤの先端をボール状にして金属ボールを形成する工程と、前記金属ボールを前記接続部側と前記キャピラリ先端で挟んで潰し前記接続部側に接合する工程と、前記キャピラリ先端を前記接続部上から水平方向に移動して前記ワイヤを分離することにより、前記金属バンプとして前記ワイヤの断面より広い上面領域を形成する工程と、を含む。
【０００９】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、キャピラリ先端を接続部上から水平方向に移動してワイヤを分離する。これにより、ワイヤの断面より広い上面領域を形成する。この金属バンプの上面領域によって、次に重ねられる金属バンプを安定して接合できるだけの配置領域ができる。この金属バンプの上面領域はキャピラリ先端径に依存する。
【００１０】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記金属ボールを形成する工程は放電作用を利用し、前記キャピラリ先端を水平方向に移動して前記ワイヤを分離した際に、前記キャピラリ先端から前記ワイヤにおける放電用のテールが現出される。ワイヤの分離は、常に金属バンプにつながる根元から達成され、金属ボールを形成するためのワイヤ導出の安定化に寄与する。
【００１１】
また、上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記金属ボールの前記接続部側への接合は、熱圧着接合、超音波接合のうち少なくともいずれか一つの接合技術を伴う。接続部側へのダメージが軽減され、かつ安定した接合技術を選ぶことが重要である。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワイヤボンディング用のキャピラリより導出されたワイヤの先端をボール状にして第１の金属ボールを形成する工程と、前記キャピラリの移動によって前記第１の金属ボールを、半導体チップの電極パッド上に置いて前記キャピラリ先端で潰し、前記半導体チップの電極パッドに接合する工程と、前記キャピラリ先端を前記接続部上から水平方向に移動して前記ワイヤを分離させ、前記ワイヤの断面より広い上面領域を有する第１の金属バンプを形成する工程と、前記キャピラリより導出されたワイヤの先端をボール状にして第２の金属ボールを形成する工程と、前記キャピラリの移動によって前記第２の金属ボールを、前記第１の金属バンプの上面領域上に置いて前記キャピラリ先端で潰し、前記第１の金属バンプに接合する工程と、前記キャピラリ先端を前記第１の金属バンプ上から水平方向に移動して前記ワイヤを分離させ、前記第１の金属バンプ上に前記ワイヤの断面より広い上面領域を有する第２の金属バンプを形成する工程と、を含む。
【００１３】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、第１の金属バンプ、第２の金属バンプとも、キャピラリ先端を接続部上から水平方向に移動してワイヤを分離する。これにより、ワイヤの断面より広い上面領域を形成する。この金属バンプの上面領域によって、第１の金属バンプ上には、次に重ねられる第２の金属バンプを安定して接合できるだけの配置領域ができる。第２の金属バンプ上には、接続部として都合のよい平面領域が得られる。また、第２の金属バンプ上に次のバンプを重ねる場合には、その金属バンプを安定して接合できるだけの配置領域が形成される。これら金属バンプの上面領域はキャピラリ先端径に依存する。
【００１４】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記第１の金属バンプは、熱圧着と超音波の作用を利用して前記半導体チップの電極パッドへの接合がなされ、前記第２の金属バンプ以降の、金属バンプどうしの接合は、熱圧着の作用のみを利用する。金属バンプどうしの接合は、超音波技術を用いなくても熱圧着技術で十分な接合が得られる。これにより、第１の金属バンプの電極パッドとの接合部のダメージを軽減する。
【００１５】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記キャピラリは、前記半導体チップの所定数の電極パッド上にそれぞれ所定順序で一様に前記第１の金属バンプを配し、次いで、所定数の前記第１の金属バンプ上にそれぞれ所定順序で一様に前記第２の金属バンプを配するように移動制御される。キャピラリの移動において、隣り合う金属バンプとキャピラリの接触防止に寄与する。
【００１６】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法で、前記第２の金属バンプを形成する工程の後において、前記キャピラリより導出されたワイヤの先端をボール状にして第３の金属ボールを形成する工程と、前記キャピラリの移動によって前記第３の金属ボールを、前記第２の金属バンプの上面領域上に置いて前記キャピラリ先端で潰し、前記第２の金属バンプに接合する工程と、前記キャピラリ先端を前記第２の金属バンプ上から水平方向に移動して前記ワイヤを分離させ、前記第２の金属バンプ上に前記ワイヤの断面より広い上面領域を有する第３の金属バンプを形成する工程と、をさらに含む。３個以上金属バンプを重ねても安定した多段バンプ構成が得られる。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の第１実施形態に係る半導体装置の要部を示す概観図及び断面図である。
図１（ａ）に示すように、半導体チップＣＨＩＰの主表面に電極パッドＰＡＤが所定数設けられている。多段バンプＭＢＰは、この電極パッドＰＡＤ上にそれぞれ設けられている。多段バンプＭＢＰ個々のバンプ電極ＭＢ１，ＭＢ２，ＭＢ３は、それぞれの接続部が平らな中央領域ＣＡで占められた金属バンプである。従って、多段バンプＭＢＰの先端であるバンプ電極ＭＢ３も、接続部として平らな中央領域ＣＡを有する。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように、半導体チップＣＨＩＰは、対応する接続領域Ｑにフリップチップ接続されている。接続領域Ｑは、ハードな多層配線基板、フレキシブルな配線基板、ＣＳＰのための外部端子を有する変換基板（回路基材）等、様々な構成が考えられる。このような接続領域Ｑに、多段バンプＭＢＰ先端の平らな中央領域ＣＡが、異方性導電部材ＡＣＦを介して接続されている。その他、接続領域Ｑと多段バンプＭＢＰ先端の平らな中央領域ＣＡとの電気的接続形態として、金属接合、例えばはんだ接合が考えられる。また、接続領域Ｑと多段バンプＭＢＰが互いに金である場合、超音波作用を利用した金属接合が考えられる。接合部を保護するため樹脂材等の保護部材ＰＲＯＴが設けられることも考えられる。
【００１９】
上記各実施形態の構成によれば、多段バンプＭＢＰを構成する各バンプ電極（ＭＢ１〜ＭＢ３）は、接続部が平らな中央領域で占められ、ずれまたは偏心の抑えられた安定性の高いバンプの積み重ねが実現される。また、多段バンプＭＢＰの先端も接続部として平らな中央領域ＣＡを有し、フリップチップ接続の安定性に寄与する。
なお、多段バンプＭＢＰは、バンプ電極ＭＢ１〜ＭＢ３の３段構成に限らず、バンプ電極ＭＢ１，ＭＢ２の２段構成でもよい。また、３段以上のバンプ電極を積み重ねる構成であっても構わない。
【００２０】
図２〜図８は、それぞれ本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を工程順に示す断面図である。前記図１の構成に準じ、半導体チップにおける接続部として金属バンプを複数重ねる多段バンプを形成する方法を示す。前記第１実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明する。
【００２１】
図２に示すように、ワイヤボンディング用のキャピラリ１１より導出された金ワイヤ１２の先端を、トーチ電極１３とのスパーク放電を利用しボール状にする（スパークボール１２１）。スパークボール１２１と金ワイヤ１２の境目付近は熱の影響により最も変形、分離され易くなっている。キャピラリ１１のワイヤ導出口１１１は管径より大きい。キャピラリ１１は、その先端周縁１１２から外周縁１１３に至る傾斜角度θが４°〜１１°の範囲の適当な角度を有する。また、クランパ１１４は、キャピラリ１１内部に設けられ、金ワイヤ１２のテンションを制御する。
【００２２】
次に、図３に示すように、キャピラリ１１が接続部側である半導体チップＣＨＩＰにおける所定の電極パッドＰＡＤ上に移動する。半導体チップＣＨＩＰは、図示しないジグで固定され、所定温度で加熱されている。スパークボール１２１を電極パッドＰＡＤとキャピラリ１１先端で挟んで潰し電極パッドＰＡＤ上に圧着する。潰れたスパークボール１２１は、さらに超音波が印加されながらキャピラリ１１先端で押圧され、電極パッドＰＡＤ上に接合される。
【００２３】
次に、図４に示すように、キャピラリ１１を僅かに上昇させ、キャピラリ１１先端の押圧を解く。その際、キャピラリ１１内部におけるクランパ１１４が働き、金ワイヤ１２が引っ張られる。従って、キャピラリ１１を僅かに上昇させたときに金ワイヤ１２の根元近傍が分断寸前になる。その後、キャピラリ１１先端は電極パッドＰＡＤ上から水平方向に移動する。これにより、金ワイヤ１２は根元近傍から分離され、電極パッドＰＡＤ上に金ワイヤ１２の断面より広い上面領域ＵＡを有するバンプ電極ＭＢ１が形成される。
【００２４】
図５に示すように、水平方向に移動したキャピラリ１１は、その先端から分離されたワイヤの放電用のテール１２２が現出される。次に、このキャピラリ１１より導出された金ワイヤ１２の先端を、再びトーチ電極１３とのスパーク放電を利用しボール状にする。これにより、前記図２に示すようなスパークボール１２１が形成される。
このような図２〜図５の動作を、所定数の電極パッドＰＡＤ上各々に対応して所定順序で一様に実施する。これにより、所定数の電極パッドＰＡＤ上それぞれに、金ワイヤ１２の断面より広い上面領域ＵＡを有するバンプ電極ＭＢ１が形成される。
【００２５】
次のスパークボール１２１形成後（図２参照）、図６に示すように、キャピラリ１１が接続部側である所定のバンプ電極ＭＢ１上に移動する。スパークボール１２１をバンプ電極ＭＢ１の上面領域ＵＡとキャピラリ１１先端で挟んで潰しバンプ電極ＭＢ１上に圧着する。その際、バンプ電極ＭＢ１の上面領域ＵＡは、平らで金ワイヤ１２の径より広いので、キャピラリ１１はスパークボール１２１を乗せ易い。潰れたスパークボール１２１は、さらにキャピラリ１１先端で押圧され、電極パッドＰＡＤ上に接合される。このとき、潰れたスパークボール１２１は、電極パッドＰＡＤの上面領域ＵＡの広い平面と密着領域を増やし、超音波を印加しなくても接合は容易である。
【００２６】
次に、図７に示すように、キャピラリ１１を僅かに上昇させ、キャピラリ１１先端の押圧を解く。その際、キャピラリ１１内部におけるクランパ１１４が働き、金ワイヤ１２が引っ張られる。従って、キャピラリ１１を僅かに上昇させたときに金ワイヤ１２の根元近傍が分断寸前になる。その後、キャピラリ１１先端は電極パッドＰＡＤ上から水平方向に移動する。これにより、金ワイヤ１２は根元近傍から分離され、バンプ電極ＭＢ１上に２段目のバンプ電極ＭＢ２が形成される。バンプ電極ＭＢ２は、もちろんバンプ電極ＭＢ１と同様に、金ワイヤ１２の断面より広い上面領域ＵＡを有する。
【００２７】
その後は、前記図５と同様である。水平方向に移動したキャピラリ１１は、その先端から分離されたワイヤの放電用のテールが現出される。次いで、このキャピラリ１１より導出された金ワイヤ１２の先端を、再びトーチ電極１３とのスパーク放電を利用しボール状にする。これにより、前記図２に示すようなスパークボール１２１が形成される。
このような図２→図６→図７→図５の動作を、所定数の電極パッドＰＡＤ上各々に対応して所定順序で一様に実施する。これにより、所定数の電極パッドＰＡＤ上それぞれに、金ワイヤ１２の断面より広い上面領域ＵＡを有するバンプ電極ＭＢ１、ＭＢ２の多段バンプ形態（多段バンプＭＢＰ）が実現される。
【００２８】
図８は、多段バンプ形態を前記図１と同様の３段構成にする場合の、工程途中の要部である。すなわち、前記図７と同様であり、キャピラリ１１がバンプ電極ＭＢ２上に移動し、スパークボール１２１を潰してバンプ電極ＭＢ２上に圧着、接合する。そして、キャピラリ１１は僅かに上昇させ、キャピラリ１１先端の押圧を解く。その後、キャピラリ１１先端は電極パッドＰＡＤ上から水平方向に移動する。これにより、金ワイヤ１２は根元近傍から分離され、バンプ電極ＭＢ２上に３段目のバンプ電極ＭＢ３が形成される。バンプ電極ＭＢ３は、もちろんバンプ電極ＭＢ１やＭＢ２と同様に、金ワイヤ１２の断面より広い上面領域ＵＡを有する。所定数の電極パッドＰＡＤ上それぞれに、バンプ電極ＭＢ１、ＭＢ２、ＭＢ３の多段バンプ形態を形成すれば、前記図１の多段バンプＭＢＰの構成が得られる。
【００２９】
上記実施形態の方法によれば、バンプ電極ＭＢ１、ＭＢ２、ＭＢ３とも、キャピラリ１１先端を接続部上から水平方向に移動して金ワイヤ１２を分離する。これにより、金ワイヤ１２の断面より広い上面領域ＵＡを形成する。この上面領域ＵＡは、前記図１の中央領域ＣＡと同様箇所である。バンプ電極ＭＢ１上には、次に重ねられるバンプ電極ＭＢ２を安定して接合できるだけの配置領域、すなわち上面領域ＵＡ（または中央領域ＣＡ）ができる。バンプ電極ＭＢ２上に次のバンプ電極ＭＢ３を重ねる場合も上記と同様である。また、最終段のバンプ電極上には、接続部として都合のよい平面領域が得られる。これらバンプ電極ＭＢ１、ＭＢ２，ＭＢ３の各上面領域ＵＡは、キャピラリ１１の先端径（先端周縁１１２）に依存する。
【００３０】
また、上記実施形態の方法において、キャピラリ１１は、半導体チップＣＨＩＰの所定数の電極パッドＰＡＤ上にそれぞれ所定順序で一様にバンプ電極ＭＢ１を配するよう制御され、次いで、所定数のバンプ電極ＭＢ１上にそれぞれ所定順序で一様にバンプ電極ＭＢ２を配するように移動制御される。バンプ電極ＭＢ３を配する場合も上記同様である。このようなキャピラリ１１の移動制御は、隣り合うバンプ電極とキャピラリ１１の接触防止に寄与する。
【００３１】
また、上記実施形態の方法において、バンプ電極ＭＢ１は、熱圧着と超音波の作用を利用して半導体チップＣＨＩＰの電極パッドＰＡＤへの接合がなされ、バンプ電極ＭＢ２以降の、金属バンプどうしの接合は、熱圧着の作用のみを利用した。金属バンプどうしの接合は、超音波技術を用いなくても熱圧着技術で十分な接合が得られる。これにより、バンプ電極ＭＢ１の電極パッドＰＡＤとの接合部のダメージを軽減する。その他、金属バンプどうしの接合にも、印加出力または時間を調整した超音波を利用する方法も考えられる。
【００３２】
以上説明したように本発明によれば、多段バンプを構成する各バンプ電極は、接続部が平らな中央領域で占められ、ずれまたは偏心の抑えられた安定性の高いバンプの積み重ねが実現される。このような構成の製造方法としては、キャピラリ先端を接続部上から水平方向に移動してワイヤを分離する。これにより、ワイヤの断面より広い上面領域を形成する。この金属バンプの上面領域によって、次に重ねられる金属バンプを安定して接合できるだけの配置領域ができる。また、多段バンプの先端も接続部として平らな中央領域を有し、接続の安定性に寄与する。この結果、上下のバンプが安定して接合可能な多段バンプを有する半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の要部を示す概観図及び断面図。
【図２】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す第１断面図。
【図３】図２に続く第２断面図。
【図４】図３に続く第３断面図。
【図５】図４に続く第４断面図。
【図６】図５に続く第５断面図。
【図７】図６に続く第６断面図。
【図８】図７に続く第７断面図。
【符号の説明】
【００３４】
ＣＨＩＰ…半導体チップ、ＰＡＤ…電極パッド、ＭＢＰ…多段バンプ、ＭＢ１、ＭＢ２，ＭＢ３…バンプ電極、ＣＡ…平らな中央領域、Ｑ…接続領域、ＰＲＯＴ…保護部材、ＵＡ…上面領域、１１…キャピラリ、１１１…ワイヤ導出口、１１２…先端周縁、１１３…外周縁、１１４…クランパ、１２…金ワイヤ、１２１…スパークボール、１２２…テール、１３…トーチ電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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