(57)【要約】【課題】膜厚の異なる絶縁膜に対してテーパー形状を有するコンタクトホールを一定の底部幅で形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１のレジスト１３ａ及び第２のレジスト１３ｂをマスクにして、第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂをそれぞれ垂直にエッチングし、第１のコンタクトホール上部領域１５ａ及び第２のコンタクトホール上部領域１５ｂを形成する。このとき、第１の層間絶縁膜１２ａの残膜厚Ｄ２ａと第２の層間絶縁膜１２ｂの残膜厚Ｄ２ｂとが同じ膜厚になるようにする。その後、残存している第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂをそれぞれテーパーエッチングし、第１のコンタクトホール下部領域１６ａ及び第２のコンタクトホール下部領域１６ｂを形成する。【選択図】図１
2006093533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された絶縁膜にコンタクトホールを有する半導体装置において、
前記コンタクトホールは、側面が基板面に対して垂直な角度で形成されたコンタクトホール上部領域と、側面が基板面に対して傾斜角度を持って形成されたコンタクトホール下部領域とで構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記コンタクトホール下部領域は、前記コンタクトホール上部領域下に連続して設けられており、前記コンタクトホール下部領域の底部の幅は、前記コンタクトホール上部領域の幅に比べて狭くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の基板上に第１の絶縁膜を形成する工程（ａ）と、
第２の基板上に前記第１の絶縁膜とは膜厚の異なる第２の絶縁膜を形成する工程（ｂ）と、
前記第１の絶縁膜を第１の深さまでエッチングして、側面が基板面に対して垂直な角度を有する第１のコンタクトホール上部領域を形成し、前記第１のコンタクトホール上部領域下に第１の膜厚を有する前記第１の絶縁膜を残存させる工程（ｃ）と、
前記第２の絶縁膜を第２の深さまでエッチングして、側面が基板面に対して垂直な角度を有する第２のコンタクトホール上部領域を形成し、前記第２のコンタクトホール上部領域下に第２の膜厚を有する前記第２の絶縁膜を残存させる工程（ｄ）と、
前記工程（ｃ）の後に、前記第１のコンタクトホール上部領域下に残存する前記第１の絶縁膜をエッチングして、側面が基板面に対して傾斜角度を持つ第１のコンタクトホール下部領域を形成する工程（ｅ）と、
前記工程（ｄ）の後に、前記第２のコンタクトホール上部領域下に残存する前記第２の絶縁膜をエッチングして、側面が基板面に対して傾斜角度を持つ第２のコンタクトホール下部領域を形成する工程（ｆ）とを備え、
前記工程（ｃ）における前記第１のコンタクトホール上部領域下に残存する前記第１の絶縁膜の第１の膜厚と、前記工程（ｄ）における前記第２のコンタクトホール上部領域下に残存する前記第２の絶縁膜の第２の膜厚とが同じ膜厚になるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｅ）における前記第１の絶縁膜のエッチングと前記工程（ｆ）における前記第２の絶縁膜のエッチングは、同一のエッチング条件でテーパーエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１の基板上に第１の絶縁膜を形成する工程（ａ）と、
第２の基板上に前記第１の絶縁膜とは膜厚の異なる第２の絶縁膜を形成する工程（ｂ）と、
前記第１の絶縁膜に第１の傾斜角度を有する第１のコンタクトホールを形成する工程（ｃ）と、
前記第２の絶縁膜に第２の傾斜角度を有する第２のコンタクトホールを形成する工程（ｄ）とを備え、
前記第２のコンタクトホールの底部の幅は、前記第１のコンタクトホールの底部の幅と同じ幅になるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｂ）において、前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記第１の絶縁膜の膜厚に比べて薄く形成され、
前記工程（ｄ）では、第２のコンタクトホールの第２の傾斜角度は、前記第１のコンタクトホールの第１の傾斜角度よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に多層配線構造を有する半導体装置において上下配線間などに形成された層間絶縁膜に設けるコンタクトホールの構造及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体基板上または下層配線上に形成された層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する場合、後工程において該コンタクトホールに形成する上層配線あるいはコンタクトプラグにおけるコンタクト不良や断線を防止することが重要である。
【０００３】
そこで、従来からコンタクトホールの形状を順テーパー形状に形成することで、上層配線あるいはコンタクトプラグ用導体膜のステップカバレッジを向上させ、コンタクト不良や断線を防止する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
以下、従来のコンタクトホールの形成方法について説明する。図４（ａ）〜（ｃ）は、従来の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【０００５】
まず、図４（ａ）に示す工程で、半導体基板１０１上に酸化シリコン膜１０２を形成する。その後、酸化シリコン膜１０２上に、コンタクト形成領域に開口１０３ａを有するレジスト１０３を形成する。
【０００６】
次に、図４（ｂ）に示す工程で、レジスト１０３をマスクにして、ドライエッチング技術を用いて酸化シリコン膜１０２のエッチングを行い、半導体基板１０１に到達するコンタクトホール１０２ａを形成する。このとき、コンタクトホール１０２ａを形成する際、レジスト１０３の側壁及び酸化シリコン膜１０２のエッチング側面に堆積物１０４を堆積しながら酸化シリコン膜１０２をエッチングする。
【０００７】
次に、図４（ｃ）に示す工程で、レジスト１０３及び堆積物１０４を除去する。これにより、酸化シリコン膜１０２には、角度αの順テーパー形状を有し、半導体基板１０１に到達するコンタクトホール１０２ａを形成することができる。
【特許文献１】特開平１−１２７６８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のような従来の方法では、酸化シリコン膜の膜厚によってコンタクトホールの底部の幅が異なるという不具合がある。すなわち、膜厚の厚い酸化シリコン膜にコンタクトホールを形成した場合、膜厚の薄い酸化シリコン膜に形成したコンタクトホールに比べて、コンタクトホールの底部の幅が狭く形成される。そのため、複数の半導体基板上に形成された酸化シリコン膜などからなる絶縁膜にコンタクトホールを形成した場合、絶縁膜の堆積膜厚のばらつきや堆積後の化学機械研磨（ＣＭＰ）法による平坦化によるばらつきにより、各半導体基板によって絶縁膜の膜厚が異なるため、各半導体基板によってコンタクトホールの底部の幅にばらつきが生じる。この結果、コンタクト抵抗の変動やコンタクトオープン不良が発生するという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、膜厚の異なる絶縁膜に対してテーパー形状を有するコンタクトホールを一定の底部幅で形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体装置は、基板上に形成された絶縁膜にコンタクトホールを有する半導体装置において、コンタクトホールは、側面が基板面に対して垂直な角度で形成されたコンタクトホール上部領域と、側面が基板面に対して傾斜角度を持って形成されたコンタクトホール下部領域とで構成されていることを特徴とする。
【００１１】
上記半導体装置において、コンタクトホール下部領域は、コンタクトホール上部領域下に連続して設けられており、コンタクトホール下部領域の底部の幅は、コンタクトホール上部領域の幅に比べて狭くなっている。
【００１２】
本発明の第１の半導体装置の製造方法は、第１の基板上に第１の絶縁膜を形成する工程（ａ）と、第２の基板上に前記第１の絶縁膜とは膜厚の異なる第２の絶縁膜を形成する工程（ｂ）と、第１の絶縁膜を第１の深さまでエッチングして、側面が基板面に対して垂直な角度を有する第１のコンタクトホール上部領域を形成し、第１のコンタクトホール上部領域下に第１の膜厚を有する第１の絶縁膜を残存させる工程（ｃ）と、第２の絶縁膜を第２の深さまでエッチングして、側面が基板面に対して垂直な角度を有する第２のコンタクトホール上部領域を形成し、第２のコンタクトホール上部領域下に第２の膜厚を有する第２の絶縁膜を残存させる工程（ｄ）と、工程（ｃ）の後に、第１のコンタクトホール上部領域下に残存する第１の絶縁膜をエッチングして、側面が基板面に対して傾斜角度を持つ第１のコンタクトホール下部領域を形成する工程（ｅ）と、工程（ｄ）の後に、第２のコンタクトホール上部領域下に残存する第２の絶縁膜をエッチングして、側面が基板面に対して傾斜角度を持つ第２のコンタクトホール下部領域を形成する工程（ｆ）とを備え、工程（ｃ）における第１のコンタクトホール上部領域下に残存する第１の絶縁膜の第１の膜厚と、工程（ｄ）における第２のコンタクトホール上部領域下に残存する第２の絶縁膜の第２の膜厚とが同じ膜厚になるように形成することを特徴とする。
【００１３】
上記第１の半導体装置の製造方法において、工程（ｅ）における第１の絶縁膜のエッチングと工程（ｆ）における第２の絶縁膜のエッチングは、同一のエッチング条件でテーパーエッチングする。
【００１４】
本発明の第２の半導体装置の製造方法は、第１の基板上に第１の絶縁膜を形成する工程（ａ）と、第２の基板上に第１の絶縁膜とは膜厚の異なる第２の絶縁膜を形成する工程（ｂ）と、第１の絶縁膜に第１の傾斜角度を有する第１のコンタクトホールを形成する工程（ｃ）と、第２の絶縁膜に第２の傾斜角度を有する第２のコンタクトホールを形成する工程（ｄ）とを備え、第２のコンタクトホールの底部の幅は、第１のコンタクトホールの底部の幅と同じ幅になるように形成することを特徴とする。
【００１５】
上記第２の半導体装置の製造方法において、工程（ｂ）において、第２の絶縁膜の膜厚は、第１の絶縁膜の膜厚に比べて薄く形成され、工程（ｄ）では、第２のコンタクトホールの第２の傾斜角度は、第１のコンタクトホールの第１の傾斜角度よりも小さい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、テーパー形状を持ったコンタクトホールの形成工程において、被エッチング膜である絶縁膜の膜厚に依存することなく、コンタクトホールの底部の幅を一定に形成することができるため、コンタクト抵抗値の安定化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。図中において、左側は第１の半導体基板におけるコンタクトホール形成領域Ｓｕｂ１を示し、右側は第２の半導体基板におけるコンタクトホール形成領域Ｓｕｂ２を示している。
【００１９】
まず、図１（ａ）に示す工程で、ＭＩＳ型トランジスタなどの半導体素子が形成されている第１の半導体基板１１ａ及び第２の半導体基板１１ｂの上に、それぞれ厚さ８００ｎｍの酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜を形成する。その後、層間絶縁膜の上面を平坦化するために、化学機械研磨（ＣＭＰ）法を用いて、層間絶縁膜の上部領域を厚さ３００ｎｍ程度研磨除去する。このとき、各半導体基板間においては、層間絶縁膜の堆積膜厚ばらつきやＣＭＰ法による研磨膜厚のばらつきによって、ＣＭＰ後において各半導体基板上に残存する層間絶縁膜の膜厚にばらつきが生じる。そこで、ＣＭＰ後の第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂの膜厚をそれぞれ測定する。本実施形態では、例えば、ＣＭＰ後において、第１の半導体基板１１ａ上には厚さ５７０ｎｍの第１の層間絶縁膜１２ａが残存し、第２の半導体基板１１ｂ上には厚さ４３０ｎｍの第２の層間絶縁膜１２ｂが残存している。
【００２０】
次に、図１（ｂ）に示す工程で、第１の半導体基板１１ａにおける第１の層間絶縁膜１２ａ上に、コンタクト形成領域に第１の開口１４ａを有する第１のレジスト１３ａを形成する。同様に、第２の半導体基板１１ｂにおける第２の層間絶縁膜１２ｂ上に、コンタクト形成領域に第２の開口１４ｂを有する第２のレジスト１３ｂを形成する。その後、第１のレジスト１３ａ及び第２のレジスト１３ｂをマスクにして、フルオロカーボンガスと酸素ガスの混合ガスを使用した公知のドライエッチング技術を用い、フルオロカーボンガスに対する酸素ガスの混合比を大きくした条件で第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂをそれぞれ垂直にエッチングし、第１のコンタクトホール上部領域１５ａ及び第２のコンタクトホール上部領域１５ｂを形成する。このとき、第１のコンタクトホール上部領域１５ａ下の第１の層間絶縁膜１２ａの残膜厚Ｄ２ａと、第２のコンタクトホール上部領域１５ｂ下の第２の層間絶縁膜１２ｂの残膜厚Ｄ２ｂとが同じ膜厚になるように、第１の層間絶縁膜１２ａのエッチング膜厚Ｄ１ａと第２の層間絶縁膜１２ｂのエッチング膜厚Ｄ１ｂを変えて行なう。例えば、第１の層間絶縁膜１２ａのエッチング膜厚Ｄ１ａを２２０ｎｍとし、第２の層間絶縁膜１２ｂのエッチング膜厚Ｄ１ｂを８０ｎｍとすることにより、第１の層間絶縁膜１２ａの残膜厚Ｄ２ａと第２の層間絶縁膜１２ｂの残膜厚Ｄ２ｂがそれぞれ３５０ｎｍと同一膜厚となる。
【００２１】
次に、図１（ｃ）に示す工程で、第１のレジスト１３ａ及び第２のレジスト１３ｂをマスクにして、フルオロカーボンと酸素の混合ガスを使用した公知のドライエッチング技術を用いて、フルオロカーボンガスと酸素ガスの混合ガスを使用した公知のドライエッチング技術を用い、酸素ガスに対するフルオロカーボンガスの混合比を大きくした条件で、第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂをそれぞれテーパーエッチングし、第１のコンタクトホール下部領域１６ａ及び第２のコンタクトホール下部領域１６ｂを形成する。この結果、第１の半導体基板１１ａにおける第１の層間絶縁膜１２ａには、第１のコンタクトホール下部領域１６ａと第１のコンタクトホール上部領域１５ａからなる第１のコンタクトホール１７ａが形成される。また、第２の半導体基板１１ｂにおける第２の層間絶縁膜１２ｂには、第２のコンタクトホール下部領域１６ｂと第２のコンタクトホール上部領域１５ｂからなる第２のコンタクトホール１７ｂが形成される。
【００２２】
次に、図１（ｄ）に示す工程で、第１のレジスト１３ａ及び第２のレジスト１３ｂを除去した後、第１のコンタクトホール１７ａを含む第１の層間絶縁膜１２ａ上、及び、第２のコンタクトホール１７ｂを含む第２の層間絶縁膜１２ｂ上に、それぞれタングステンなどの導体膜を形成する。その後、ＣＭＰ法を用いて、第１の層間絶縁膜１２ａ上、及び、第２の層間絶縁膜１２ｂ上の導体膜をそれぞれ研磨除去することによって、第１のコンタクトホール１７ａ内に第１のコンタクトプラグ１８ａを形成し、第２のコンタクトホール１７ｂ内に第２のコンタクトプラグ１８ｂを形成する。
【００２３】
この第１の実施形態によれば、図１（ｂ）に示す工程で、垂直なドライエッチングにより、第１の層間絶縁膜１２ａの残膜厚Ｄ２ａと第２の層間絶縁膜１２ｂの残膜厚Ｄ２ｂとが同じ膜厚になるように、第１のコンタクトホール上部領域１５ａ及び第２のコンタクトホール上部領域１５ｂを形成する。このとき、第１のコンタクトホール上部領域１５ａと第２のコンタクトホール上部領域１５ｂは、第１のレジスト１３ａの第１の開口１４ａと第２のレジスト１３ｂの第２の開口１４ｂによって決まり、実質的に同一な直径で形成される。その後、図１（ｃ）に示す工程では、第１の層間絶縁膜１２ａの残膜厚Ｄ２ａと第２の層間絶縁膜１２ｂの残膜厚Ｄ２ｂが同じ膜厚でテーパーエッチングするため、第１のコンタクトホール下部領域１６ａの底部の直径Ｒ１と第２のコンタクトホール下部領域１６ｂの底部の直径Ｒ２とは同じ幅で形成することができる。
【００２４】
従って、コンタクトホール底部の直径を一定で形成することができるため、コンタクト抵抗の変動やコンタクトオープン不良を抑制することができる。
【００２５】
なお、本実施形態では、半導体基板上へのコンタクトホールの形成方法を用いて説明したが、多層配線構造における下層配線上にも同様な方法によってコンタクトホールを形成しても同様な効果を得ることができる。
【００２６】
また、コンタクトホール内に形成する導体膜としてタングステンを用いて説明したが、銅膜やアルミ合金膜などでもよい。
【００２７】
また、本実施形態では、コンタクトホール内のみに導体膜を埋め込んだコンタクトプラグを用いて説明したが、層間絶縁膜上に形成する上部配線の一部をコンタクトホール内に埋め込んでコンタクトを形成してもよい。
【００２８】
（実施形態２）
図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。図中において、左側は第１の半導体基板におけるコンタクトホール形成領域Ｓｕｂ１を示し、右側は第２の半導体基板におけるコンタクトホール形成領域Ｓｕｂ２を示している。
【００２９】
まず、図２（ａ）に示す工程で、ＭＩＳ型トランジスタなどの半導体素子が形成されている第１の半導体基板１１ａ及び第２の半導体基板１１ｂの上に、それぞれ厚さ８００ｎｍの酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜を形成する。その後、層間絶縁膜の上面を平坦化するために、化学機械研磨（ＣＭＰ）法を用いて、層間絶縁膜の上部領域を厚さ３００ｎｍ程度研磨除去する。このとき、各半導体基板間においては、層間絶縁膜の堆積膜厚ばらつきやＣＭＰ法による研磨膜厚のばらつきによって、ＣＭＰ後において各半導体基板上に残存する層間絶縁膜の膜厚にばらつきが生じる。そこで、ＣＭＰ後の第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂの膜厚をそれぞれ測定する。本実施形態では、例えば、ＣＭＰ後において、第１の半導体基板１１ａ上には厚さ５７０ｎｍの第１の層間絶縁膜１２ａが残存し、第２の半導体基板１１ｂ上には厚さ４３０ｎｍの第２の層間絶縁膜１２ｂが残存している。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示す工程で、第１の半導体基板１１ａにおける第１の層間絶縁膜１２ａ上に、コンタクト形成領域に第１の開口１４ａを有する第１のレジスト１３ａを形成する。同様に、第２の半導体基板１１ｂにおける第２の層間絶縁膜１２ｂ上に、コンタクト形成領域に第２の開口１４ｂを有する第２のレジスト１３ｂを形成する。その後、第１のレジスト１３ａをマスクにして、フルオロカーボンと酸素の混合ガスを使用した公知のドライエッチング技術を用いて、第１の層間絶縁膜１２ａをテーパーエッチングして、テーパー角度θ１を有する第１のコンタクトホール１９ａを形成する。次に、第２のレジスト１３ｂをマスクにして、フルオロカーボンと酸素の混合ガスを使用した公知のドライエッチング技術を用いて、第２の層間絶縁膜１２ｂをテーパーエッチングして、テーパー角度θ２を有する第２のコンタクトホール１９ｂを形成する。このとき、第１のコンタクトホール１９ａの底部の直径Ｒ１と第２のコンタクトホール１９ｂの底部の直径Ｒ２とが等しくなるように、第１の層間絶縁膜１２ａの膜厚と第２の層間絶縁膜１２ｂの膜厚に対して、第１のコンタクトホール１９ａのテーパー角度θ１と第２のコンタクトホール１９ｂのテーパー角度θ２を適切に設定する。図３は、フルオロカーボンガス（Ｃ4Ｆ6：ＣＦ4＝２：１）に対する酸素ガスの分圧とコンタクトホールの傾斜角度との関係を示した図である。図３に示すように、酸素分圧を高くすると傾斜角度が大きくなり、酸素分圧を低くすると傾斜角度が小さくなる。従って、膜厚の厚い第１の層間絶縁膜１２ａに第１のコンタクトホール１９ａを形成するときに比べて、膜厚の薄い第２の層間絶縁膜１２ｂに第２のコンタクトホール１９ｂを形成するときの酸素分圧を低くすることにより、テーパー角度θ１に比べてテーパー角度θ２を小さくする。これにより、第１のコンタクトホール１９ａの底部の直径Ｒ１と第２のコンタクトホール１９ｂの底部の直径Ｒ２とを等しく形成することができる。
【００３１】
次に、図２（ｃ）に示す工程で、第１のレジスト１３ａ及び第２のレジスト１３ｂを除去した後、第１のコンタクトホール１９ａを含む第１の層間絶縁膜１２ａ上、及び、第２のコンタクトホール１９ｂを含む第２の層間絶縁膜１２ｂ上に、それぞれタングステンなどの導体膜を形成する。その後、ＣＭＰ法を用いて、第１の層間絶縁膜１２ａ上、及び、第２の層間絶縁膜１２ｂ上の導体膜をそれぞれ研磨除去することによって、第１のコンタクトホール１９ａ内に第１のコンタクトプラグ２０ａを形成し、第２のコンタクトホール１９ｂ内に第２のコンタクトプラグ２０ｂを形成する。
【００３２】
この第２の実施形態によれば、図２（ｂ）に示す工程で、膜厚の異なる第１の層間絶縁膜１２ａと第２の層間絶縁膜１２ｂに対して、コンタクトホールのテーパー角度が異なるエッチング条件で行うことにより、第１のコンタクトホール１９ａの底部の直径Ｒ１と第２のコンタクトホール１９ｂの底部の直径Ｒ２とが等しくなるように形成することができる。
【００３３】
従って、コンタクトホール底部の直径を一定で形成することができるため、コンタクト抵抗の変動やコンタクトオープン不良を抑制することができる。
【００３４】
なお、本実施形態では、半導体基板上へのコンタクトの形成方法を用いて説明したが、多層配線構造における下層配線上にも同様な方法によってコンタクトを形成しても同様な効果を得ることができる。また、コンタクトホール内に形成する導体膜としてタングステンを用いて説明したが、銅膜やアルミ合金膜などでもよい。
【００３５】
また、本実施形態では、コンタクトホール内のみに導体膜を埋め込んだコンタクトプラグを用いて説明したが、層間絶縁膜上に形成する配線の一部をコンタクトホール内に埋め込んでコンタクトを形成してもよい。
【００３６】
なお、第１の実施形態および第２の実施形態では、コンタクトホールの底部の幅を直径としているが、これは微細なコンタクトホールの形成では、ほぼ円形に近い形状で形成されるためであり、完全な円形における直径を示すものではなく、楕円形なども含むものである。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
以上説明したように、本発明は、膜厚の異なる絶縁膜へのコンタクトホールの形成等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図
【図３】本発明の第２の実施形態に係るエッチング条件を説明するためのフルオロカーボンガスに対する酸素ガスの分圧とコンタクトホールの傾斜角度との関係を示した図
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、従来の半導体装置の製造工程を示す断面図
【符号の説明】
【００３９】
１１ａ  第１の半導体基板
１１ｂ  第２の半導体基板
１２ａ  第１の層間絶縁膜
１２ｂ  第２の層間絶縁膜
１３ａ  第１のレジスト
１３ｂ  第２のレジスト
１４ａ  第１の開口
１４ｂ  第２の開口
１５ａ  第１のコンタクトホール上部領域
１５ｂ  第２のコンタクトホール上部領域
１６ａ  第１のコンタクトホール下部領域
１６ｂ  第２のコンタクトホール下部領域
１７ａ  第１のコンタクトホール
１７ｂ  第２のコンタクトホール
１８ａ  第１のコンタクトプラグ
１８ｂ  第２のコンタクトプラグ
１９ａ  第１のコンタクトホール
１９ｂ  第２のコンタクトホール
２０ａ  第１のコンタクトプラグ
２０ｂ  第２のコンタクトプラグ
【図１】
2006093533.tif 000003
【図２】
2006093533.tif 000004
【図３】
2006093533.tif 000005
【図４】
2006093533.tif 000006