(57)【要約】【課題】  折り曲げ、湾曲や振動等の外力が加えられた場合も、配線の断線によるデバイス機能の喪失を避けることができるフレキシブルデバイスを提供する。【解決手段】  フレキシブル基板を用いたフレキシブルデバイスおいて、前記フレキシブル基板１が金属又は炭素を含む第一の導電層３と、導電性有機材料からなる第二の導電層４を含む配線層９を有するフレキシブルデバイス。外力等を加えてフレキシブルデバイスを湾曲することで、前記第一の導電層３が断線部１１で破断する場合でも、第二の導電層４は破断しないので導通できる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板を用いたフレキシブルデバイスおいて、前記フレキシブル基板が金属又は炭素を含む第一の導電層と、導電性有機材料からなる第二の導電層を含む配線層を有することを特徴とするフレキシブルデバイス。
【請求項２】
前記第一の導電層と、第二の導電層が少なくとも１つ以上からなり、第一の導電層の両側に第二の導電層が積層されていることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルデバイス。
【請求項３】
前記第一の導電層の厚さが５０ｎｍ以上であり、前記第二の導電層の厚さが１０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載のフレキシブルデバイス。
【請求項４】
前記第二の導電層の導電性有機材料の電気導電率が、１Ｓ／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載のフレキシブルデバイス。
【請求項５】
前記第二の導電層が導電性高分子からなる請求項１乃至４のいずれかの項に記載のフレキシブルデバイス。
【請求項６】
フレキシブル基板、第１の導電層、及び第２の導電層を含み構成され、且つ前記第１の導電層は、第１の電気導電率と第１の曲げ強度を有し、前記第２導電層は、前記第１の電気伝導率より小さい第２の電気伝導率と前記第１の曲げ強度より強い第２の曲げ強度を有することを特徴とする基板。
【請求項７】
前記基板に電子回路が設けられているデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフレキシブルデバイスに関し、特にプラスチックなどのフレキシブル基板上に回路や機能素子を形成することにより得られる、例えば液晶表示デバイス、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ；エレクトロルミネッセンス）表示デバイス、マトリックスセンサ、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ−Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ；無線周波数）タグ等のフレキシブルデバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、持ち運びを可能にする為に、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のディスプレイデバイスをプラスチック等のフレキシブル基板上に形成し、折り曲げたり、丸めたりすることを可能とするほど堅牢で、かつ軽量なフレキシブルデバイスを作製することが求められている。
【０００３】
前記フレキシブルデバイスを実現する為には、フレキシブル基板上に形成される回路や、回路を構成する機能素子が、通常の使用状態や持ち運び時に、折り曲げ、湾曲、振動、落下による衝撃などの外力が与えられても、回路並びに機能を保持する必要がある。
【０００４】
回路並びに機能を保持する為には、フレキシブル基板上のトランジスタやダイオード等に加え、配線、容量、抵抗、インダクタンス等も前記外力に対し、接続や機能を保持する必要がある。前記トランジスタやダイオードは有機材料にて形成することで、従来のＳｉを材料とする素子に比べ、より外力に対し堅牢にすることができる。
【０００５】
一方、低抵抗な配線材としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属や、前記金属を含む導電性ペーストが知られているが、それらは有機材料に比べ、外力に対し弱く、外力の大きさによっては、断線の可能性がある。
【０００６】
これに対し、液晶ディスプレイ基板とドライバＩＣを繋ぐ際に用いられるフレキシブル多層配線基板において、金属配線の切断を避け、配線の折り曲げを可能にするため、折り曲げ部の配線層（Ａｌ）の厚さをそれ以外の領域よりも薄くするという方法が、特許文献１において提案されている。
【特許文献１】特開２００１−２４３３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記フレキシブル多層配線基板では、折り曲げ部が通常１ヶ所であり、その位置が既定されている為、その部分の配線層厚を薄くしても全体の抵抗を下げることが可能である。
フレキシブルデバイスでは、折り曲げ、湾曲、振動、落下による衝撃等の外力が、基板上の広い領域に加えられる可能性が有り、その位置も予想できないことがある。特許文献１に従って解決しようとするならば、全ての配線層厚を薄くする必要があり、配線抵抗が高くなる。また、フレキシブルデバイスは、従来のフレキシブル多層配線基板に比べ大きいため、外力が大きくなり、金属配線では断線する可能性があるという課題がある。
【０００８】
本発明は、この様な背景技術に鑑みてなされたものであり、配線層を有するフレキシブル基板を用いたフレキシブルデバイスにおいて、折り曲げ、湾曲や振動等の外力が加えられた場合も、配線の断線によるデバイス機能の喪失を避けることができるフレキシブルデバイスを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち、本発明は、フレキシブル基板を用いたフレキシブルデバイスおいて、前記フレキシブル基板が金属又は炭素を含む第一の導電層と、導電性有機材料からなる第二の導電層を含む配線層を有することを特徴とするフレキシブルデバイスである。
【００１０】
前記第一の導電層と、第二の導電層が少なくとも１つ以上からなり、第一の導電層の両側に第二の導電層が積層されていることが好ましい。
前記第一の導電層の厚さが５０ｎｍ以上であり、前記第二の導電層の厚さが１０ｎｍ以上であることが好ましい。
【００１１】
前記第二の導電層の導電性有機材料の電気導電率が、１Ｓ／ｃｍ以上であることが好ましい。
前記第二の導電層が導電性高分子からなることが好ましい。
【００１２】
また、本発明は、フレキシブル基板、第１の導電層、及び第２の導電層を含み構成され、且つ前記第１の導電層は、第１の電気導電率と第１の曲げ強度を有し、前記第２導電層は、前記第１の電気伝導率より小さい第２の電気伝導率と前記第１の曲げ強度より強い第２の曲げ強度を有することを特徴とする基板である。
【００１３】
さらに、本発明は、前記基板に電子回路が設けられているデバイスである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のフレキシブルデバイスは、フレキシブル基板上に、導電性の元素、例えば、金属や炭素を主構成要素とする第一の導電層と、導電性有機材料層による第二の導電層を積層したものを、外力を加えられる可能性がある領域の配線層として用いてデバイスを形成することで、折り曲げ、湾曲や振動等の外力が加えられた場合も、配線の断線によるデバイス機能の喪失を避けることができる。
【００１５】
また、本発明のフレキシブルデバイスは、配線層をすべて導電性有機材料で構成した場合に比べ、低抵抗な配線層を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明のフレキシブルデバイスについて、詳細に説明する。
本発明は、配線層を有するフレキシブル基板を用いたフレキシブルデバイスおいて、前記配線層の少なくとも一部が、構成材料として金属又は炭素を含み前記金属又は炭素により導電性を有する第一の導電層と、導電性有機材料による第二の導電層とを積層した層で構成されるフレキシブルデバイスを提供する。
【００１７】
本発明において、配線とは、基板上の素子（例えば、トランジスタ、ダイオード、入力パッド、出力パッド等）の端子間を電気的に接続、つまり端子間に電気的な信号を伝達する為の回路素子であり、すべての電子デバイスが備えている素子である。理想的には、前記配線は、前記素子の端子間の電圧差を０とする回路素子であるが、現実には、有限の抵抗、容量、インダクタンスの値を有しており、前記素子並びに基板上の回路を期待通りに動作させるには、配線の電気的特性を考慮して、設計・作製する必要がある。
【００１８】
さらに、前記配線は、上記のように電気的信号を伝達するだけでなく、前記配線間に絶縁性の材料を備えることで容量素子を作製することや、前記配線の配置によっては、電磁場を電圧、電流という電気的な信号に変換し、また、その逆に、電圧、電流信号を電磁場に変換するコイルやアンテナといった素子としても用いられる。
【００１９】
ただし、前記配線と前記トランジスタやダイオードの端子である半導体層との間で電気的接続を行う素子をコンタクトとし、前記配線と区別する。
本発明において、配線層とは、前記配線の機能を果たす層構造を示す。
【００２０】
また、フレキシブル基板の対向する端部間を結んだ直線に対し、少しでも基板中央部の位置が異なる場合でもフレキシブルと表現する場合があるが、本発明において、フレキシブルデバイスとは、図６に示すフレキシブルデバイスにおいて、少なくとも、基板の対向する端部間を結んだ直線上に基板中央部が存在する際の前記端部間距離をＡ（図６（ａ）参照）として、前記基板上の対向する前記端部間の距離ＲをＲ＝Ａ／π（πは円周率）となるように湾曲した場合（図６（ｂ）参照）でも、機能が維持されるデバイスとする。
【００２１】
図１は本発明のフレキシブルデバイスの一実施態様を示す概略図である。本発明は、図１に示すように、配線層９を有するフレキシブル基板１を用いたフレキシブルデバイスにおいて、配線層９の少なくとも一部が、構成材料として導電性の金属又は炭素を含み前記金属又は炭素により導電性を有する第一の導電層３と、導電性有機材料からなる第二の導電層４とを積層した層で構成される。
【００２２】
上記のように構成することで、図２に示すように、フレキシブル基板１が湾曲し、前記第一の導電層３が断線部１１で断線した場合でも、前記第二の導電層４は断線しない。この時、電気的信号は、前記第一の導電層３が断線した部分では、前記第二の導電層４を経由して伝達する為、前記配線層全体が断線することを防ぐことができ、前記フレキシブルデバイスの機能を維持することができる。
【００２３】
前記第一の導電層の厚さは５０ｎｍ以上で、好ましくは５０〜３００ｎｍである。
第二の導電層の厚さは１０ｎｍ以上で、好ましくは１０〜２００ｎｍである。
前記第二の導電層は、少なくとも、前記第一の導電層の断線部において、前記第一の導電層の断線した両端の電気的信号を伝達すれば良いため、前記第一の導電層に比べ、低い電気導電率でよい。従って、前記第二の導電層の厚さを薄くでき、湾曲や折り曲げ、振動等に対し、堅牢に構成できる。
【００２４】
前記第二の導電層は、電気導電率が１Ｓ／ｃｍ以上で、好ましくは１〜２０Ｓ／ｃｍである。
また、第二の導電層は導電性高分子で構成されていることが好ましい。
【００２５】
図３は本発明のフレキシブルデバイスの他の実施態様を示す概略図である。本発明のフレキシブルデバイスは、図３に示すように、配線層の少なくとも一部が、構成材料として導電性の金属又は炭素を含み前記金属又は炭素により導電性を有する第一の導電層３と、前記第一の導電層３の両側に、導電性有機材料からなる２つの第二の導電層４ａ、４ｂを積層した層で構成されることが好ましい。
【００２６】
上記のように構成することで、図４に示すように、基板が湾曲し、前記第一の導電層が断線した場合でも、前記第二の導電層４ａ、４ｂは断線しない。この時、電気的信号は、前記第一の導電層が断線した部分では、前記第二の導電層４ａ、４ｂを経由して伝達する為、前記配線層全体が断線することを防ぐことができ、前記フレキシブルデバイスの機能を維持することができる。
【００２７】
上記の配線層を有するフレキシブル基板を用いることで、前記配線層は、湾曲や折り曲げ、振動等に対し、より堅牢に構成できる。
前記第二の導電層４ａ、４ｂは同じ導電性有機材料により構成しても良い。
【００２８】
また、フレキシブル基板上の全ての配線を本発明の前記配線層にて構成する必要は無く、湾曲や折り曲げ、外力が加わる位置が分かっているような場合には、その部分のみ前記配線層を適用しても良い。
【００２９】
また、本発明において、前記配線層は、前記基板上のトランジスタ、ダイオード、入力パッド、出力パッド間を接続するだけでなく、前記配線層を２重に重ね、間に絶縁性材料を設けることで容量素子を形成することができる。さらに、前記配線は、配置によって、コイルや電子タグ（ＲＦ−ＩＤ）向けのアンテナ等にも使用できる。
【００３０】
また、前記配線層は、結晶Ｓｉトランジスタ、アモルファスＳｉトランジスタ、ポリＳｉトランジスタ、有機トランジスタ等のトランジスタと同じフレキシブル基板上に形成することも可能である。図５に、有機トランジスタと同じフレキシブル基板上に形成した場合の例を示す。同様に、ダイオードや入出力パッド等、他の機能素子とも同じフレキシブル基板上に形成することが可能である。
【００３１】
本発明で用いられる第一の導電層の材料として、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ等の金属材料、炭素粒子、金粒子、銀粒子等を分散した導電性インク等を用いることができる。第一の導電層の形成方法は特に限定はされないが、真空蒸着法、ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法、電解重合法、キャスティング法、スピンコート法、浸漬コート法、スクリーン印刷法、マイクロモールド法、マイクロコンタクト法、ロール塗布法、ＩＪ法、ＬＢ法等で形成することができる。また、これらはフォトリソグラフ法およびエッチング法により所望の形状にパターニングすることができる。その他、ソフトリソグラフ、ＩＪ法も有効なパターニング方法である。
【００３２】
本発明の第二の導電層で用いられる導電性有機材料は、共役二重結合を有する共役化合物であれば特に限定されない。例えば以下に示す化合物が好適である。ポリアセチレン誘導体、チオフェン環を有するポリチオフェン誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン）誘導体、ポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ベンゼン環を有するポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、窒素原子を有するポリピリジン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリキノリン誘導体等の共役高分子化合物：ジメチルセクシチオフェン、クオータチオフェンに代表されるオリゴマー：ペリレン、テトラセン、ペンタセンに代表されるアセン類、銅フタロシアニン誘導体に代表される堆積有機分子、トリフェニレン誘導体に代表されるディスコチック液晶、フェニルナフタレン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体に代表されるスメクチック液晶、ポリ（９、９−ジアルキルフルオレン−ビチオフェン）共重合体に代表される液晶ポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３３】
また、導電性高分子材料として、上記の共役構造を有する高分子化合物が好適である。例えば以下に示す構造の化合物が挙げられる。
【００３４】
【化１】
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【００３５】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はＨ、Ｆまたは炭素原子数が１から２０のアルキル基またはアルコキシ基を示す。ｎは正の整数を示す。）
前記第二の導電層として、本発明で用いる導電性有機材料層の形成方法は特に限定はされないが、前記第一の導電層と同様に、真空蒸着法、ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法、電解重合法、キャスティング法、スピンコート法、浸漬コート法、スクリーン印刷法、マイクロモールド法、マイクロコンタクト法、ロール塗布法、ＩＪ法、ＬＢ法等で形成することができる。また、これらはフォトリソグラフ法およびエッチング法により所望の形状にパターニングすることができる。その他、ソフトリソグラフ、ＩＪ法も有効なパターニング方法である。さらに、第一の導電層上に、前記第二の導電層として上記高分子化合物を積層する場合、電界反応にて、金属上のみ積層すれば、層形成とパターニングを同時に行うことが可能である。
【００３６】
これらの共役高分子化合物の重量平均分子量は特に限定はされないが、溶媒に対する可溶性、成膜性等を考慮すると５、０００から５００、０００が好ましい。
また、本発明で用いられる前記導電性有機材料はその電気導電率を調整する為に適当なドーパントを含有することが好ましい。ドーパントの種類としてアクセプター性のＩ2 、Ｂｒ2 、Ｃｌ2 、ＢＦ3 、ＰＦ5 、Ｈ2 ＳＯ4 、ＦｅＣｌ3 、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、ドナー性のＬｉ、Ｋ、Ｎａ、Ｅｕ、界面活性剤であるアルキルスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩等があげられる。
【００３７】
本発明に用いるフレキシブル基板は特に限定されないが、例えば、薄くすることでフレキシブル性を実現したガラス、石英等の無機材料のほか、アクリル系、ビニル系、エステル系、イミド系、ウレタン系、ジアゾ系、シンナモイル系等の感光性高分子化合物、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン等の有機材料、有機無機ハイブリッド材料を用いることができる。また、これらの材料を２層以上積層させて用いることもでき、絶縁耐圧を上げる目的で効果がある。
【００３８】
また、本発明に係る基板は、フレキシブル基板、第１の導電層、及び第２の導電層を含み構成され、且つ前記第１の導電層は、第１の電気導電率と第１の曲げ強度を有し、前記第２導電層は、前記第１の電気伝導率より小さい第２の電気伝導率と前記第１の曲げ強度より強い第２の曲げ強度を有する。ここで、曲げ強度とは、同じ層厚で比較した時に、曲げられることにより破断したり、導電性が無くなったり低下したりする度合いである。本発明においては、第１の導電層／第２の導電層／第１の導電層としたり、第２の導電層／第１の導電層／第２の導電層とすることが可能である。第１の導電層よりも第２の導電層を厚くしておくことも好ましい。
【００３９】
なお、前記基板に電子回路が設けてもよい。
【実施例】
【００４０】
実施例１
図１に実施例１のフレキシブルデバイスを示す。
本実施例は、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙ−Ｅｔｈｙｌｅｎｅ−Ｔｅｌｅｐｈｔｈａｌａｔｅ；ポリエチレンテレフタレート）からなる絶縁性フレキシブル基板１上に、第一の導電層３であるＡｌ層、第二の導電層４であるチオフェン系導電性高分子（ポリ−３、４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸；ｐｏｌｙ（３、４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ  ｓｕｌｐｈｏｎｉｃ  ａｃｉｄ：以下、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）層を積層し、さらに、絶縁性カバー層２として、絶縁性材料であるポリイミドの層を積層した部分を含むフレキシブルデバイスである。
【００４１】
本実施例に、前記デバイスを湾曲することで外力等を加え、前記Ａｌ層が破断する場合でも、前記ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層は破断しない（図２）。このため、前記Ａｌ層の破断部の両端間では、前記ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層を通して電気信号が伝導されることが可能となり、デバイスが機能を保つことができる。
【００４２】
例えば、前記Ａｌ層の厚さを５０ｎｍ、幅を１０μｍ、前記ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層の厚さを１０ｎｍ、電気導電率を１Ｓ／ｃｍとし、前記Ａｌ層の破断間隔を１ｎｍとすれば、前記破断間隔は抵抗値１００Ωで接続される。
【００４３】
実施例２
図３に実施例２のフレキシブルデバイスを示す。
本実施例は、絶縁性フレキシブル基板１上に、第二の導電層４ｂのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層、第一の導電層３のＡｌ層、第二の導電層４ａのＰＤＯＴ／ＰＳＳ層を積層し、さらに、絶縁性カバー層２として、絶縁性材料であるポリイミドの層を積層した部分を含むフレキシブルデバイスである。
【００４４】
本実施例に、前記デバイスを湾曲させる外力、振動させる外力等を加え、前記Ａｌ層が破断する場合でも、前記ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層は破断しない（図４）。このため、前記Ａｌ層の破断部の両端間では、前記ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層を通して電気信号が伝導されることが可能となり、デバイスが機能を保つことができる。また、前記Ａｌ層の両側に２つの前記第二の導電層であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層が在るため、破断間の抵抗を抑えることができる。
【００４５】
例えば、前記Ａｌ層の厚さを５０ｎｍ、幅を１０μｍ、２つの前記第二の導電層４ａ、４ｂであるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層の厚さを１０ｎｍ、電気導電率を１Ｓ／ｃｍとし、前記Ａｌ層の破断間隔を１ｎｍとすれば、前記破断間隔は抵抗値５０Ωで接続される。
【００４６】
実施例３
図５に実施例３のフレキシブルデバイスを示す。
本実施例は、絶縁性フレキシブル基板１上に、有機薄膜トランジスタを形成したもので、ゲート配線層としてＡｌ層３ｇとＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層４ｇ、ゲート絶縁層としてポリイミド絶縁層６、ドレイン配線層としてＡｌ層３ｄとＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層４ｄ、ソース配線層としてＡｌ層３ｓとＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層４ｓ、半導体層７としてポリチオフェン層、層間絶縁層８としてポリイミド絶縁層、さらに、絶縁性カバー層２としてポリイミド絶縁層を備える。
【００４７】
本実施例では、Ａｌ層３ｇ、３ｄ、３ｓとＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層４ｇ、４ｄ、４ｓが積層されているため、配線層は前記実施例１と同様に、湾曲や振動等の外力に対し、機能を有する。さらに、他の材料がすべて高分子材料で形成されているため、本フレキシブルデバイス全体として、湾曲や振動等の外力に対し、機能を保持することができる。
【００４８】
また、本実施例は、有機薄膜トランジスタに限定するものではなく、アモルファスＳｉトランジスタやポリＳｉトランジスタ等、他の材料によるトランジスタでも可能である。
さらに、本実施例のようなフレキシブルデバイスを、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のディスプレイデバイスの基板部として用いたり、電子タグを構成するのに用いたりすることで、湾曲や振動等に対し堅牢であり、多機能なフレキシブルデバイスを構成することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明のフレキシブルデバイスは、折り曲げ、湾曲や振動等の外力が加えられた場合も、配線の断線によるデバイス機能の喪失を防止することができるので、フレキシブル基板上に形成される液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電気泳動型ディスプレイ等のディスプレイデバイスや、圧力センサ等のセンサデバイス、あるいは、ＲＦタグの構成要素として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明のフレキシブルデバイスの一実施態様を示す概略図である。
【図２】図１のフレキシブルデバイスが湾曲された場合の構成を示す概略図である。
【図３】本発明のフレキシブルデバイスの他の実施態様を示す概略図である。
【図４】図３のフレキシブルデバイスが湾曲された場合の構成を示す概略図である。
【図５】本発明の実施例３のフレキシブルデバイスの構成を示す概略図である。
【図６】本発明のフレキシブルデバイスの湾曲された構成を示す概略図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  フレキシブル基板
２  絶縁性カバー層
３  第一の導電層
３ｇ  ゲート配線層（第一の導電層）
３ｄ  ドレイン配線層（第一の導電層）
３ｓ  ソース配線層（第一の導電層）
４、４ａ、４ｂ  第二の導電層
４ｇ  ゲート配線層（第二の導電層）
４ｄ  ドレイン配線層（第二の導電層）
４ｓ  ソース配線層（第二の導電層）
６  ゲート絶縁層
７  有機半導体層
８  層間絶縁層
９  配線層
１０  フレキシブルデバイス
１１  断線部
【図１】
2006165124.tif 000004
【図２】
2006165124.tif 000005
【図３】
2006165124.tif 000006
【図４】
2006165124.tif 000007
【図５】
2006165124.tif 000008
【図６】
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