(57)【要約】【課題】  電子部品を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る電子部品収納用パッケージおよび電子装置を提供すること。【解決手段】  上側主面に回路基板３が載置される載置部１ａが形成された四角平板状の金属製の基体１と、基体１の上側主面の外周部に載置部１ａを取り囲むように取着され、側部に貫通孔２ｂを有する四角枠状の金属製の枠体２と、筒状の外周導体１０ａおよびその中心軸に絶縁体１０ｃを介して設置された中心導体１０ｂから成るとともに貫通孔２ｂに挿着された同軸コネクタ１０と、載置部１ａに載置固定され、上面に線路導体３ａを有する回路基板３とを具備しており、基体１および枠体２は、セラミック粉末を含有した、銅または銅を主成分とする合金から成る。【選択図】  図１
2006093611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側主面に回路基板が載置される載置部が形成された四角平板状の金属製の基体と、該基体の前記上側主面の外周部に前記載置部を取り囲むように取着され、側部に貫通孔を有する四角枠状の金属製の枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に絶縁体を介して設置された中心導体から成るとともに前記貫通孔に挿着された同軸コネクタと、前記載置部に載置固定され、上面に線路導体を有する前記回路基板とを具備しており、前記基体および前記枠体は、セラミック粉末を含有した、銅または銅を主成分とする合金から成ることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品収納用パッケージと、前記回路基板に搭載されるとともに前記中心導体に前記線路導体を介して電気的に接続された電子部品と、前記枠体の上面に前記載置部を覆うように取着された蓋体とを具備していることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を収納するための電子部品収納用パッケージおよび電子装置に関し、高周波信号の伝送特性に優れるとともに熱放散性に優れた電子部品収納用パッケージおよび電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光通信に使用される電気信号を光信号に変換する半導体レーザ（ＬＤ）や光信号を電気信号に変換するフォトダイオード（ＰＤ）等の電子部品を収納する電子部品収納用パッケージ（以下、パッケージともいう）には、電子部品と外部電気回路基板とを電気的に接続するための入出力端子として同軸コネクタが用いられている。
【０００３】
この同軸コネクタを具備したパッケージとしてＬＤやＰＤを収納するものの例を図２に断面図で示す。同図において、21は基体、22は枠体、23は回路基板、25は蓋体、30は同軸コネクタである。基体21は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）等の金属から成る四角形状の板状体であり、その上面の中央部には、ＬＤ，ＰＤ等の電子部品28を搭載して成る回路基板23を載置する載置部21ａが形成されている。載置部21ａには、電子部品28が、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）セラミックス等から成る回路基板23に搭載された状態で載置固定される。
【０００４】
なお、回路基板23に搭載された電子部品28は、その電極が、回路基板23に被着形成されている線路導体23ａにボンディングワイヤ29等を介して電気的に接続されている。
【０００５】
また、基体21の上面の外周部には載置部21ａを囲繞するようにして枠体22が設けられており、枠体22は基体21とともにその内側に電子部品28を収容する空所を形成する。この枠体22は、基体21と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ等から成り、基体21と一体成形される、または基体21に銀（Ａｇ）ろう等のろう材を介してろう付けされる、またはシーム溶接等の溶接法により接合されることによって基体21の上面の外周部に設けられる。
【０００６】
この枠体22の側部には同軸コネクタ30が嵌着される円形の貫通孔22ｂが形成されている。また図２においては、電子部品28がＬＤやＰＤであるため、電子部品28と外部との間で光信号を授受するための光ファイバ27を必要とする。そのため、光ファイバ27を枠体22内外を挿通させ枠体22の側部に保持するための円筒状の保持部材26が嵌着される円形の貫通孔22ａが形成されている。そして、貫通孔22ａに保持部材26を、貫通孔22ｂに同軸コネクタ30をそれぞれ嵌め込んで半田等の封着材を貫通孔22ａと保持部材26との隙間、および貫通孔22ｂと同軸コネクタ30との隙間にそれぞれ挿入し、しかる後、加熱して封着材を溶融させ、溶融した封着材を毛細管現象により、保持部材26と貫通孔22ａ内面との隙間全体に、および同軸コネクタ30と貫通孔22ｂ内面との隙間全体にそれぞれ充填させることにより、保持部材26が貫通孔22ａに、同軸コネクタ30が貫通孔22ｂに封着材を介してそれぞれ嵌着接合される。
【０００７】
同軸コネクタ30は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状の外周導体30ａの中心軸部分に、信号線路としてＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る棒状の中心導体30ｂが絶縁体30ｃを介して固定されて成る。そして、接地導体としての外周導体30ａが封着材を介して枠体22に電気的に接続されており、特性インピーダンスに整合された同軸線路モードの信号線路を形成している。また、中心導体30ｂが半田等から成る導電性接着材を介して回路基板23の線路導体23ａに電気的に接続される。線路導体23ａは、所定の特性インピーダンスに整合されたマイクロストリップ線路となっている。
【０００８】
そして、枠体22の上面に蓋体25をろう付け法やシームウエルド法等の溶接法によって接合し、基体21、枠体22および蓋体25から成る容器内部に電子部品28を収容し気密に封止することによって製品としての光半導体装置となる。この光半導体装置は、電子部品28に同軸コネクタ30を介して外部電気回路から供給される駆動信号を印加し、電子部品28に光を励起させ、励起した光を光ファイバ27で伝送させることによって、あるいは光ファイバ27を伝送する光を電子部品28に受光させ、電子部品28で受光された光に対応する電気信号を発生させるとともに発生した電気信号を同軸コネクタ30を介して取り出すことによって光通信に使用される（例えば、下記の特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−６４２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、このようにして電子部品28から発生する熱を効率良く放散させるためにＣｕから成る基体21および枠体22を用いた場合、基体21および枠体22の熱膨張係数が回路基板23の熱膨張係数よりも非常に大きな値となり、その熱膨張の差によって応力が発生して、回路基板23にクラック等の破損が生じる場合があった。
【００１０】
また、Ｃｕから成る基体21および枠体22を用いた場合、枠体22と回路基板23との熱膨張差が大きくなり、枠体22に取着された同軸コネクタ30の位置と回路基板23の位置とがずれ易くなる。よって中心導体30ｂと線路導体23ａとの接続位置を所望の位置とすることが困難となる。このようにして中心導体30ｂと線路導体23ａとの接続位置がずれると、枠体22の内側にある中心導体30ｂの先端から電子部品28までの距離が長くなって、中心導体30ｂ中を伝送する高周波信号に反射損失や透過損失等の伝送損失が生じやすくなり、高周波信号を効率よく伝送できなくなるという問題があった。
【００１１】
さらには、Ｃｕから成る基体21および枠体22を用いるため、基体21および枠体22の剛性はロウ付け時に焼鈍されて低くなり、基体21および枠体22が変形し易い状態となる。そのため、載置部21ａに電子部品28を載置した後、枠体22の上面に蓋体25をロウ付け法やシームウエルド法等の溶接法によって取着すると、枠体22および蓋体25に接合時の熱によってそれぞれ熱膨張し、枠体22と蓋体25との間に熱膨張差が生じる。そして、剛性が低くなって変形し易い枠体22に蓋体25との熱膨張差による応力が大きく作用して枠体22が大きく変形することとなる。その結果、同軸コネクタ30の位置がずれて、中心導体30ｂが線路導体23ａから離れたり、中心導体30ｂが回路基板23を押し付けて、中心導体30ｂが折れてしまったり、回路基板23にクラック等の破損が生じたりする場合があった。そして、線路導体23ａまたは中心導体30ｂに断線が生じ、電子部品28に高周波信号を入出力させることができなくなり、電子部品28を駆動させることができなくなるという問題もあった。
【００１２】
また、枠体22が変形していると、蓋体25の接合時に基体21にひずみが生じて反り変形が生じやすくなる。そしてこの変形のために基体21の下面を外部電気回路基板に密着できなくなり、電子部品28から発生する熱を効率よく外部電気回路基板へ放散させることができず、ついには電子部品28が温度上昇して誤作動するという問題があった。また、基体21の反り変形により、回路基板23にクラック等の破損がさらに生じさせ易くなるという問題もあった。
【００１３】
従って、本発明は上記従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、回路基板にクラック等の破損が発生することがなく、また同軸コネクタと回路基板とが位置ずれすることなく、電子部品に高周波信号を良好に入出力することができ、電子部品から発生する熱を効率よく外部へ放散させて電子部品の温度上昇を抑制し、電子部品を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る電子部品収納用パッケージおよび電子装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の電子部品収納用パッケージは、上側主面に回路基板が載置される載置部が形成された四角平板状の金属製の基体と、該基体の前記上側主面の外周部に前記載置部を取り囲むように取着され、側部に貫通孔を有する四角枠状の金属製の枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に絶縁体を介して設置された中心導体から成るとともに前記貫通孔に挿着された同軸コネクタと、前記載置部に載置固定され、上面に線路導体を有する前記回路基板とを具備しており、前記基体および前記枠体は、セラミック粉末を含有した、銅または銅を主成分とする合金から成ることを特徴とする。
【００１５】
本発明の電子装置は、上記本発明記載の電子部品収納用パッケージと、前記回路基板に搭載されるとともに前記中心導体に前記線路導体を介して電気的に接続された電子部品と、前記枠体の上面に前記載置部を覆うように取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電子部品収納用パッケージは、上側主面に回路基板が載置される載置部が形成された四角平板状の金属製の基体と、基体の上側主面の外周部に載置部を取り囲むように取着され、側部に貫通孔を有する四角枠状の金属製の枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に絶縁体を介して設置された中心導体から成るとともに貫通孔に挿着された同軸コネクタと、載置部に載置固定され、上面に線路導体を有する回路基板とを具備しており、基体および枠体は、セラミック粉末を含有した、銅または銅を主成分とする合金から成ることにより、金属製の基体および枠体の熱膨張係数が小さくなるので、基体および枠体の熱膨張係数と回路基板の熱膨張係数が近い値となり、熱膨張差によって大きな応力が作用するのを抑制できるため、回路基板にクラック等の破損が生じにくくなる。
【００１７】
また、基体および枠体は、セラミック粉末を含有した、銅または銅を主成分とする合金から成ることにより、枠体と回路基板の熱膨張差が小さくなり、枠体に取着された同軸コネクタの位置と回路基板の位置とがずれにくくなり、中心導体と線路導体との接続位置を所望の位置とすることができる。よって、中心導体と線路導体との接続位置がずれて、枠体の内側にある中心導体の先端から電子部品までの距離が長くなるのを有効に防止し、中心導体中を伝送する高周波信号に生じる反射損失や透過損失等の伝送損失を有効に抑制でき、高周波信号を効率よく伝送させることができる。
【００１８】
また、基体および枠体をロウ付けするときに銅または銅を主成分とする合金が焼鈍されても、基体および枠体はセラミック粉末を含有した銅または銅を主成分とする合金から成ることから、基体および枠体の剛性は低下しにくくなり変形し難くなる。よって枠体の上面に蓋体を接合するときでも、枠体と蓋体に熱膨張差が生じにくくなり応力も発生しにくい。よって、応力による基体および枠体の変形が起こりにくくなり、その結果同軸コネクタの位置をずれにくくして中心導体が線路導体から離れるのを有効に防止するとともに、中心導体が回路基板を押し付けるのを防止できるため、中心導体が折れることも防止できる。また回路基板にクラック等の破損が生じることも有効に防止でき、線路導体および中心導体に断線を生じさせることなく、確実に電子部品に高周波信号を入出力させることができ、電子部品を正常かつ安定に駆動させることができる。
【００１９】
また、このように枠体の変形が抑制されるため基体の反り変形が小さくなり、基体の下面を外部電気回路基板に密着させることができる。従って、電子部品から発生する熱を効率よく外部電気回路基板へ放散させて電子部品の温度上昇を抑制し、電子部品を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る。また、基体の反り変形が小さくなることにより回路基板にクラック等の破損を生じさせにくくすることができる。
【００２０】
これらの結果、本発明の電子部品収納用パッケージは、回路基板にクラック等の破損が発生することがなく、また同軸コネクタと回路基板とが位置ずれすることなく、電子部品に高周波信号を良好に入出力することができ、電子部品から発生する熱を効率よく外部へ放散させて電子部品の温度上昇を抑制し、電子部品を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得るものとすることができる。
【００２１】
本発明の電子装置は、上記本発明の電子部品収納用パッケージと、回路基板に搭載されるとともに中心導体に線路導体を介して電気的に接続された電子部品と、枠体の上面に載置部を覆うように取着された蓋体とを具備していることにより、上記本発明の電子部品収納用パッケージによって電子部品の放熱性に優れるとともに電子部品の動作信頼性の高いものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の電子部品収納用パッケージについて以下に詳細に説明する。図１は本発明のパッケージの実施の形態の一例として、電子部品としてＬＤやＰＤを収納するものの例を示す断面図である。この図において、１は基体、２は枠体、３は回路基板、５は蓋体、８は電子部品、10は同軸コネクタである。基体１，枠体２と蓋体５とで内部に電子部品８を収容するための容器が基本的に構成される。
【００２３】
本発明の電子部品収納用パッケージは、図１に示すように、上側主面に回路基板３を介して電子部品８が載置される載置部が形成された四角平板状の金属製の基体１と、基体１の上側主面の外周部に載置部を取り囲むように取着され、一つの側部の所定の位置に設けられた貫通孔２ｂを有する四角枠状の金属製の枠体２と、貫通孔２ｂに嵌着された、枠体２の内外を電気的に導通する筒状の外周導体10ａおよびその中心軸に設置された中心導体10ｂならびにそれらの間に介在させた絶縁体10ｃから成る同軸コネクタ10と、載置部１ａに載置固定された上面に線路導体３ａを有する回路基板３とを具備し、基体１および枠体２は、セラミック粉末を含有した、銅または銅を主成分とする合金から成る。
【００２４】
本発明の基体１および枠体２は、ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金の金属から成り、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体，炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体，窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）質焼結体等のセラミック粉末を含有している。この構成により、基体１および枠体２の熱伝導率が高く、電子部品８の発した熱を外部や大気中に良好に放散させることができ、さらに、基体１および枠体２がセラミック粉末を含有していることにより基体１および枠体２の剛性が増すとともに、基体１および枠体２の熱膨張係数が回路基板３の熱膨張係数に近づき、基体１および枠体２との熱膨張差により回路基板３に作用する応力が低減されるので、回路基板３にクラック等の破損が生じにくくなる。
【００２５】
また、基体１および枠体２と回路基板３との熱膨張差が小さくなることにより基体１に生じる歪みも小さくなるので、基体１の上側主面の中央部に設けられた載置部１ａを平坦に保つことができる。その結果、パッケージは、回路基板３が基体１に良好に密着されるため電子部品８の発した熱を外部や大気中に良好に放散することができ、また内部の気密信頼性も高くなり、電子部品８を長期間にわたり正常かつ安定に作動できるものとなる。
【００２６】
また、基体１および枠体２は、セラミック粉末を含有した、銅または銅を主成分とする合金から成ることにより、枠体２と回路基板３との熱膨張差が小さくなり、枠体２に取着された同軸コネクタ10の位置と回路基板３の位置とがずれにくくなり、中心導体10ｂと線路導体３ａとの接続位置を所望の位置とすることができる。その結果、中心導体10ｂと線路導体３ａとの接続位置を常に所望の位置として、中心導体３ａを伝送する高周波信号に反射損失や透過損失等の伝送損失が生じるのを防止して、高周波信号を効率よく伝送させることができる。
【００２７】
また、基体１および枠体２がロウ付け時に焼鈍されても、基体１および枠体２の剛性が低下しにくくなり、枠体２の上面に蓋体５を接合するときに基体１および枠体２に変形を生じさせ難く出来る。従って、基体１に反り変形が生じることがなくなり、基体１の下面を外部電気回路基板（図示せず）に良好に密着させることができる。そして、電子部品８から発生する熱を効率よく外部電気回路基板へ放散させて電子部品８の温度上昇を抑制し、電子部品８を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る。
【００２８】
基体１および枠体２は、ＣｕまたはＣｕの含有率が70質量％以上の、Ｃｕを主成分とする合金にＡｌ２Ｏ３質焼結体，ＡｌＮ質焼結体，ＳｉＣ質焼結体，Ｓｉ３Ｎ４質焼結体等のセラミック粉末を含有している。ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金にセラミック粉末を含有させることにより、高熱伝導性であるとともに、含有されるセラミックスに熱膨張係数を近い値とすることができ、例えば、銅に0.1〜２質量％のＡｌ２Ｏ３質焼結体を含有させて成る場合は、熱伝導率が350Ｗ／ｍ・Ｋ〜360Ｗ／ｍ・Ｋ，熱膨張係数が16×10-6〜17×10-6／℃の基体１や枠体２が得られる。Ａｌ２Ｏ３質焼結体の含有量を増やせば、さらに熱膨張係数の低い基体１や枠体２が得られ、例えば10質量％含有させることによって熱膨張係数が14×10-6／℃程度のＣｕにＡｌ２Ｏ３質焼結体を含有させた基体１や枠体２が得られる。
【００２９】
ＣｕまたはＣｕ合金にセラミック粉末を含有させるには、例えば、Ａｌ２Ｏ３質焼結体を含有して成る場合は、Ａｌ２Ｏ３，酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤等を混合添加して顆粒状の混合物と成し、約1600℃で焼成して得られたセラミック粉末の表面にセラミック粉末同士を結合させるとともにＣｕの濡れ性に優れる金属層を被着させた後に、これを加圧成形して基体１および枠体２の所定形状にしたセラミックス多孔体を得、しかる後に、このセラミックス多孔体に非酸化雰囲気下において約1100℃で銅または銅を主成分とする合金を含浸させることによって、基体１および枠体２のＣｕまたはＣｕを主成分とする合金が５〜70質量％の基体１および枠体２を得ることができる。
【００３０】
このセラミック粉末を含有するＣｕまたはＣｕを主成分とする合金は、セラミックス同士が結合した間にＣｕまたはＣｕを主成分とする合金が含浸した構造となるため、熱膨張しにくくなり、基体１および枠体２の熱膨張係数を回路基板３の熱膨張係数により近い値にすることができる。
【００３１】
あるいは、約1600℃で焼成して得られたセラミック粉末と、ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金の金属粉末と、有機バインダおよび溶剤とを混練し、これを加圧成形して基体１および枠体２の所定形状にしたものを得、しかる後に、非酸化雰囲気下において約800℃で有機バインダおよび溶剤とを熱分解させて除去し、その後に、非酸化雰囲気下において約1100℃でＣｕまたはＣｕを主成分とする合金を溶融させて有機バインダおよび溶剤が熱分解されて形成された空孔を埋めこむことで、基体１および枠体２の銅または銅を主成分とする合金の質量比が70〜99.9質量％の基体１および枠体２を得ることができる。
【００３２】
このセラミック粉末を含有するＣｕまたはＣｕを主成分とする合金により、基体１および枠体２の熱膨張係数を回路基板３の熱膨張係数に近い値にするとともに、基体１および枠体２の熱伝導率を高いものに維持することが可能となる。
【００３３】
なお、基体１がその他のセラミック粉末を含有して成る場合も同様にして得ることができる。
【００３４】
基体１の上側主面には、電子部品８を載置する載置部１ａが設けられている。この基体１は、電子部品８が作動時に発する熱を外部に放熱させる放熱板の役割をも果たす。
【００３５】
なお、基体１の表面には、酸化腐食の防止や電子部品８のロウ付け等による接合を良好にするために、厚さ0.5〜９μｍのＮｉ層や厚さ0.5〜５μｍの金（Ａｕ）層から成る金属層をめっき法等により被着させておくとよい。また、電子部品８の熱を効率よく外部へ放熱させるために、電子部品８がペルチェ素子等の熱電冷却素子（図示せず）に搭載された状態で載置部１ａに載置されていてもよい。
【００３６】
また、基体１の上側主面の外周部には、載置部１ａを取り囲むようにしてＡｇ−Ｃｕロウ等のロウ材を介して取着された枠体２が立設されており、枠体２は基体１とともにその内側に電子部品８を収容する空所を形成する。枠体２は、基体１と同様、ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金の金属から成り、Ａｌ２Ｏ３質焼結体，ＡｌＮ質焼結体，ＳｉＣ質焼結体，Ｓｉ３Ｎ４質焼結体等のセラミック粉末を含有している枠状体であり、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施したり、上記の形成方法によって所定形状に製作され、基体１にＡｇ−Ｃｕロウ等のロウ材を介して接続される。また、枠体２の表面には、酸化腐食の防止や貫通孔２ｂに回路基板３のロウ付け等による嵌着を良好にするために、厚さ0.5〜９μｍのＮｉ層や厚さ0.5〜５μｍのＡｕ層から成る金属層をめっき法等により被着させておくとよい。なお、基体１と枠体２とを一体のものとして上記の形成方法によって製作することもできる。
【００３７】
好ましくは、枠体２のセラミック粉末の含有量を基体１のセラミック粉末の含有量よりも多くするのがよい。この構成により枠体２の剛性を高くし、枠体２の上面に蓋体５を接合する際に、枠体２が大きく変形するのをより確実に防止することができる。
【００３８】
枠体２がセラミック粉末を含有したＣｕまたはＣｕを主成分とする合金から成ることにより、枠体２の熱伝導率も良好となり、基体１の熱を枠体２を経由して蓋体５に良好に放散させることができる。なお、枠体２の外側表面や蓋体５の上面に放熱用のフィン構造とするための凹凸を設けたり、蓋体５の上面に、放熱用のフィンを取り付けたりするとさらに効果的である。
【００３９】
また、枠体２には、一つの側部の所定の位置に同軸コネクタ10を取り付けるための貫通孔２ｂが形成されている。そして、同軸コネクタ10が枠体２の貫通孔２ｂにＡｇ−Ｃｕロウ等のロウ材を介してロウ付けされる。なお、貫通孔２ｂの位置は、一つの側部に限る必要はなく、必要に応じ一つの側部とそれに隣接する側部に設けたり、３方向の側部や４方向の全側部に設けてもよい。
【００４０】
また、図１においては、電子部品８としてＬＤやＰＤを収納することから、電子部品８と外部との間で光信号を授受するための光ファイバ７を必要とする。そのため光ファイバ７を、枠体２内外を挿通させて枠体２の側部に保持するための円筒状の保持部材６が嵌着される、円形の貫通孔２ａが形成されている。そして、貫通孔２ａに保持部材６を、貫通孔２ｂに同軸コネクタ10をそれぞれ嵌め込んで半田等の封着材を貫通孔２ａと保持部材６との隙間、および貫通孔２ｂと同軸コネクタ10との隙間にそれぞれ挿入し、しかる後、加熱して封着材を溶融させ、溶融した封着材を毛細管現象により、保持部材６と貫通孔２ａ内面との隙間全体に、および同軸コネクタ10と貫通孔２ｂ内面との隙間全体にそれぞれ充填させることにより、保持部材６が貫通孔２ａに、同軸コネクタ10が貫通孔２ｂに封着材を介してそれぞれ嵌着接合される。
【００４１】
保持部材６は円筒状等の筒状であり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成り、内側に光ファイバ７が挿通されている。例えば、保持部材６は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成るインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状、寸法に形成される。
【００４２】
同軸コネクタ10は、パッケージ内部に収容する電子部品８を外部電気回路に電気的に接続するものであり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状の外周導体10ａの中心軸に同じくＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る中心導体10ｂが絶縁体10ｃを介して固定された構造をしている。
【００４３】
中心導体10ｂは、電子部品８へ駆動信号を外部から伝送する、あるいは外部に電気信号を電子部品８に伝送するための高周波信号の伝送線路として作用する。枠体２の内側にある中心導体10ｂの先端は、回路基板３の線路導体３ａに半田等の導電性接着材を介して電気的に接続され、線路導体３ａの中心導体10ｂに接続されない側の一端がボンディングワイヤ等の電気的接続手段９を介して電子部品８の電極に接続されることにより、電子部品８に接続される。また、中心導体10ｂの枠体２の外側に突出する端部を外部電気回路に電気的に接続させることによって、電子部品８の各電極は中心導体10ｂを介し外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００４４】
枠体２がセラミック粉末を含有するＣｕまたはＣｕを主成分とする合金から成ることにより、枠体２と回路基板３との熱膨張差が小さくなるので、枠体２に取着された保持部材６の位置と回路基板３の位置とがずれにくくなり、保持部材６と電子部品８との位置を所望の位置とすることができる。その結果、保持部材６と電子部品８とを正確に光結合させることができ、保持部材６の貫通孔に光ファイバ７を挿通させることによって、光ファイバ７を電子部品８に正確に対向させ、光ファイバ７と電子部品８の光結合効率を良好なものとできる。
【００４５】
また、同軸コネクタ10を枠体２の所定の位置に固定し、枠体２の内側にある中心導体10ｂの先端から電子部品８までの距離が長くなるのを防止でき、中心導体10ｂを伝送する高周波信号の伝送損失を最小限に抑え、高周波信号を効率よく伝送させることができる。
【００４６】
線路導体３ａおよび中心導体10ｂは、その露出する表面に良導電性で耐蝕性に優れたＮｉや金（Ａｕ）等の金属をめっき法により所定厚み（１〜20μｍ）に被着させておくのがよく、線路導体３ａおよび中心導体10ｂの酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに、線路導体３ａおよび中心導体10ｂを伝送する高周波信号に伝送損失が発生するのを有効に防止して、高周波信号の伝送効率をより良好なものとさせることが可能となる。
【００４７】
そして保持部材６に光ファイバ７を挿通させ、光ファイバ７の枠体２の内側にある先端を電子部品８に対向させた状態で固定し、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等から成る樹脂接着材やＡｕ−Ｓｎ半田等の半田を貫通孔内面と光ファイバ外周面との間に充填し固化させることによって、光ファイバ７を保持部材６に取着する。この光ファイバ７は、一端を電子部品８の光出射部または受光部に対向させた状態で保持部材６に固定され保持されることによって、電子部品８が発する光信号を外部に伝送する、あるいは外部から伝送されてきた光信号を電子部品８に受光させるための光伝送路として機能する。
【００４８】
回路基板３は、上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体３ａを有する四角平板状に構成され、基体１の載置部１ａにＡｇ−Ｃｕロウ等のロウ材を介してロウ付けされる。
【００４９】
また回路基板３となる基板は、Ａｌ２Ｏ３質焼結体、ＡｌＮ質焼結体等のセラミックスから成り、セラミックグリーンシートを打ち抜き加工し、これらのセラミックグリーンシートを多層積層し焼成することによって形成される。回路基板３の上面に設けられた線路導体３ａは、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等の導体ペーストを焼成することにより形成されている。
【００５０】
上記構成のパッケージの載置部１ａに載置した回路基板３上に電子部品８を載置した後、電子部品８の電極と回路基板３の線路導体３ａとをボンディングワイヤで電気的に接続し、枠体２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体５をシーム溶接法等の溶接法やロウ付け法等により取着し、電子部品８を気密に封止することにより、製品としての電子装置となる。
【００５１】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等支障ない。例えば、パッケージの平面視形状は上記した四角形状である他に、八角形等の多角形や円形等であってもよく、種々の平面視形状とし得る。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】従来の電子部品収納用パッケージの断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１：基体
１ａ：載置部
２：枠体
２ｂ：貫通孔
３：回路基板
３ａ：線路導体
５：蓋体
８：電子部品
10：同軸コネクタ
10ａ：外周導体
10ｂ：中心導体
10ｃ：絶縁体
【図１】
2006093611.tif 000003
【図２】
2006093611.tif 000004