(57)【要約】【課題】  配線パターン上の残渣を抑制した配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】  少なくとも１種類の溶液を使用して、基板４上に配線パターン１８を形成する。基板４上に残る溶液を洗浄する。洗浄は、インクジェット方式で洗浄液を吐出して行う。溶液は、エッチング液を含む。配線パターン１８の形成は、基板４上に設けられた金属膜６を、エッチング液によってエッチングしてパターニングすることを含む。溶液は、メッキ液を含む。配線パターン１８の形成は、基板４上に設けられた金属パターン１０を、メッキ液によってメッキすることを含む。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種類の溶液を使用して、基板上に配線パターンを形成すること、及び、
前記基板上に残る前記溶液を洗浄すること、
を含み、
前記洗浄は、インクジェット方式で洗浄液を吐出して行う配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板の製造方法において、
前記溶液は、エッチング液を含み、
前記配線パターンの形成は、前記基板上に設けられた金属膜を、前記エッチング液によってエッチングしてパターニングすることを含む配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の配線基板の製造方法において、
前記溶液は、メッキ液を含み、
前記配線パターンの形成は、前記基板上に設けられた金属パターンを、前記メッキ液によってメッキすることを含む配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記洗浄は、前記配線パターンの配線間の中央部分に線を引くように洗浄液を吐出する配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高集積化に伴い、配線基板上への微小な金属・レジスト等の残渣の付着が半導体装置の特性及び歩留りに対し大きな悪影響を及ぼしている。これに対し、各製造工程において半導体基板の洗浄を行うことにより、配線基板上の金属・レジスト等の残渣を低減している。配線基板の洗浄方法は、単純に洗浄槽で純水等に浸ける、あるいは純水等を吐出しながらブラシ等で配線基板をこするなどすることにより、金属・レジスト等の残渣を除去していた。
【特許文献１】特開平１０−３０３５３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、今後配線がさらに微細化すると、このような方法では配線間の残渣の除去が難しい。
【０００４】
本発明の目的は、配線パターン上の残渣を抑制した配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明に係る配線基板の製造方法は、少なくとも１種類の溶液を使用して、基板上に配線パターンを形成すること、及び、
前記基板上に残る前記溶液を洗浄すること、
を含み、
前記洗浄は、インクジェット方式で洗浄液を吐出して行う。本発明によれば、洗浄液をインクジェット方式で配線パターンが形成される基板上に吐出することで、その基板上に残る溶液を効率よく抑制した配線基板の製造方法を提供することができる。
（２）この配線基板の製造方法において、
前記溶液は、エッチング液を含み、
前記配線パターンの形成は、前記基板上に設けられた金属膜を、前記エッチング液によってエッチングしてパターニングすることを含んでもよい。
（３）この配線基板の製造方法において、
前記溶液は、メッキ液を含み、
前記配線パターンの形成は、前記基板上に設けられた金属パターンを、前記メッキ液によってメッキすることを含んでもよい。
（４）この配線基板の製造方法において、
前記洗浄は、前記配線パターンの配線間の中央部分に線を引くように洗浄液を吐出してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００７】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図２（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。本実施の形態では、金属膜６（例えば銅）が設けられた基板４（例えばポリイミド樹脂）を用意する。基板４は、可撓性基板であってもよく、リジット基板であってもよい。基板４は、有機系又は無機系のいずれの材料で形成されていてもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。金属膜６は、基板４の一方の面の全体に、例えば接着剤で貼り付けられている。そして、金属膜６上に感光性を有するレジスト８を形成し（図１（Ａ））、レジスト８を所定のパターニング形状のマスクを介して露光し、現像する（図１（Ｂ））。その後、少なくとも１種類の溶液（エッチング液）を使用して、基板４上に金属パターン１０を形成する。金属パターン１０の形成は、基板４上に設けられた金属膜６を、エッチング液によってエッチングしてパターニングする。詳しくは、金属膜６におけるレジスト８から露出する部分にエッチング液を進行させ、エッチングを行う。こうして、基板４上には、金属パターン１０が形成される。基板４上には、金属膜６をエッチングする際に発生した残渣が銅残渣１２として残る。金属パターン１０上には、レジスト８が残る（図１（Ｃ））。
【０００８】
次に、金属パターン１０上のレジスト８を溶解させるための溶液（アルカリ性の溶液）をレジスト８に供給する。レジスト８にアルカリ性の溶液を供給することによって、金属パターン１０上のレジスト８は、溶解する。基板４上には、溶解したレジスト８の一部がレジスト残渣１４として残る（図１（Ｄ））。
【０００９】
次に、インクジェット方式によって、基板４を洗浄し、基板４上に残る銅残渣１２及びレジスト残渣１４をほぼ完全に除去する。詳しくは、銅残渣１２は、インクジェット方式で洗浄液（酸系溶剤（硫酸、塩酸）もしくは水）を金属パターン１０の金属間の中央部分に線を引くように吐出することによって、金属パターン１０の金属間の銅残渣１２をほぼ完全に除去する。また、レジスト残渣１４は、インクジェット方式で洗浄液（アルカリ系溶剤）を金属パターン１０の金属間の中央部分に線を引くように吐出することによって、金属パターン１０の金属間のレジスト残渣１４をほぼ完全に除去する（図１（Ｅ））。
【００１０】
次に、少なくとも１種類の溶液（メッキ液）を使用して、基板４上に配線パターン１８を形成する。配線パターン１８の形成は、基板４上に設けられた金属パターン１０を、メッキ液によってメッキする。金属パターン１０にメッキ液を接触させる。金属パターン１０の表面には、メッキ１６が形成される。基板４上には、メッキ液の一部がメッキ残渣２０及びメッキ液残渣２２として残る（図２（Ａ））。
【００１１】
次に、インクジェット方式によって、基板４を洗浄し、基板４上に残るメッキ残渣２０及びメッキ液残渣２２をほぼ完全に除去する。詳しくは、メッキ残渣２０は、インクジェット方式で洗浄液（酸系溶剤もしくは湯）を配線パターン１８の配線間の中央部分に線を引くように吐出することによって、配線パターン１８の配線間のメッキ残渣２０をほぼ完全に除去する。また、メッキ液残渣２２は、インクジェット方式で洗浄液（湯）を配線パターン１８の配線間の中央部分に線を引くように吐出することによって、配線パターン１８の配線間のメッキ液残渣２２をほぼ完全に除去する（図２（Ｂ））。こうして、基板４に配線パターン１８を形成し、配線基板２を製造することができる。
【００１２】
本実施の形態によれば、洗浄液をインクジェット方式で配線パターンが形成される基板上に吐出することで、その基板上に残る溶液を効率よく抑制した配線基板の製造方法を提供することができる。
【００１３】
（第２の実施の形態）
図３（Ａ）〜図４（Ｄ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。本実施の形態では、金属膜（シード層５４）（例えばＮｉＣｒ又は銅）が設けられた基板４を用意する。シード層５４は、基板４の一方の面の全体に、例えば、スパッタにより形成されている（図３（Ａ））。そして、シード層５４上に感光性を有するレジスト５６を形成し（図３（Ｂ））、レジスト５６を所定のパターニング形状のマスクを介して露光し、現像する（図３（Ｃ））。
【００１４】
次に、メッキ液を使用して、シード層５４上に第１の金属パターン６０を形成する。第１の金属パターン６０の形成は、シード層５４におけるレジスト５６の所定のパターニング形状から露出する部分にメッキ液を接触させ、シード層５４上にメッキを形成する（図３（Ｄ））。
【００１５】
次に、シード層５４上のレジスト５６を溶解させるための液体（例えばアルカリ性の溶液）をレジスト５６に供給する。レジスト５６に液体を供給することによって、シード層５４上のレジスト５６は、溶解する。基板４上には、溶解したレジスト５６の一部がレジスト残渣１４として残る（図３（Ｅ））。その後、少なくとも１種類の溶液（エッチング液）を使用して、シード層５４をパターニングし、第２の金属パターン６２を形成する。詳しくは、シード層５４における第１の金属パターン６０から露出する部分にエッチング液を進行させ、エッチングしてパターニングする。基板４上に第２の金属パターン６２を形成する。こうして、基板４上には、第１の金属パターン６０と第２の金属パターン６２とが積層した金属パターン５８が形成される。基板４上には、シード層５４をエッチングする際に発生した残渣がＮｉＣｒ残渣６６（又は銅残渣１２）として残る（図４（Ａ））。
【００１６】
次に、インクジェット方式によって、基板４を洗浄し、基板４上に残るレジスト残渣１４及びＮｉＣｒ残渣６６（又は銅残渣１２）をほぼ完全に除去する。詳しくは、レジスト残渣１４は、インクジェット方式で洗浄液（アルカリ系溶剤）を金属パターン５８の金属間の中央部分に線を引くように吐出することによって、金属パターン５８の金属間のレジスト残渣１４をほぼ完全に除去する。また、ＮｉＣｒ残渣６６は、インクジェット方式で洗浄液（酸系溶剤（硫酸、塩酸））を金属パターン５８の金属間の中央部分に線を引くように吐出することによって、金属パターン５８の金属間のＮｉＣｒ残渣６６をほぼ完全に除去する。或いは、銅残渣１２は、インクジェット方式で洗浄液（酸系溶剤（硫酸、塩酸）もしくは水）を金属パターン５８の金属間の中央部分に線を引くように吐出することによって、金属パターン５８の金属間の銅残渣１２をほぼ完全に除去する（図４（Ｂ））。
【００１７】
次に、少なくとも１種類の溶液（メッキ液）を使用して、基板４上に配線パターン６８を形成する。配線パターン６８の形成は、基板４上に設けられた金属パターン５８を、メッキ液によってメッキする。金属パターン５８にメッキ液を接触させる。金属パターン５８の表面には、メッキ６４が形成される。基板４上には、メッキ液の一部がメッキ残渣２０及びメッキ液残渣２２として残る（図４（Ｃ））。
【００１８】
次に、インクジェット方式によって、基板４を洗浄し、基板４上に残るメッキ残渣２０及びメッキ液残渣２２をほぼ完全に除去する。詳しくは、メッキ残渣２０は、インクジェット方式で洗浄液（酸系溶剤もしくは湯）を配線パターン６８の配線間の中央部分に線を引くように吐出することによって、配線パターン６８の配線間のメッキ残渣２０をほぼ完全に除去する。また、メッキ液残渣２２は、インクジェット方式で洗浄液（湯）を配線パターン６８の配線間の中央部分に線を引くように吐出することによって、配線パターン６８の配線間のメッキ液残渣２２をほぼ完全に除去する（図４（Ｄ））。こうして、基板４に配線パターン６８を形成し、配線基板５２を製造することができる。その他の製造方法については、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００１９】
本実施の形態によれば、洗浄液をインクジェット方式で配線パターンが形成される基板上に吐出することで、その基板上に残る溶液を効率よく抑制した配線基板の製造方法を提供することができる。
【００２０】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。さらに、本発明は、実施の形態で説明した技術的事項のいずれかを限定的に除外した内容を含む。あるいは、本発明は、上述した実施の形態から公知技術を限定的に除外した内容を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図２】第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図３】第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図４】第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【００２２】
２…配線基板  ４…基板  ６…金属膜  ８…レジスト  １０…金属パターン  １２…銅残渣  １４…レジスト残渣  １６…メッキ  １８…配線パターン  ２０…メッキ残渣  ２２…メッキ液残渣  ５２…配線基板  ５４…シード層  ５６…レジスト  ５８…金属パターン  ６０…第１の金属パターン  ６２…第２の金属パターン  ６４…メッキ  ６６…ＮｉＣｒ残渣  ６８…配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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