(57)【要約】      （修正有）【課題】ドライエッチング時にチャージアップやレジスト焼けなどの不具合を生じさせずに、ラテラル構造の非線形素子の絶縁膜を厚膜化して液晶容量を減少させる。【解決手段】ＴＦＤ素子の製造方法は、スパッタ法などの気相法にて下部電極６２ａ上にＴａＯｘ膜からなる第１の絶縁膜６３ａを形成する。これにより、第１の絶縁膜６３ａの誘電率及び抵抗を小さくできる。次に、第１の絶縁膜６３ａと第１の金属膜をドライエッチングして下部電極６２ａ及び第１の絶縁膜６３ａを形成する。次に、露出した下部電極６２ａの側面に液相法で第２の絶縁膜６３ｂを形成し、第１の絶縁膜６３ａ等の上に上部電極６４ａを形成する。第１の絶縁膜６３ａを気相法で形成したことで、チャージアップやレジストが焦げるような不具合は生じさせずに第１の絶縁膜６３ａを厚膜化でき、ＴＦＤ素子容量を小さくできる。【選択図】図３
2006093555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と、当該下部電極の上面を覆う第１の絶縁膜と、前記下部電極の側面を覆う第２の絶縁膜と、前記第１及び前記第２の絶縁膜を介して各々前記下部電極の上面及び側面に対向する上部電極とを備える非線形素子であって、
前記第１の絶縁膜は、気相法によって形成された酸化膜からなることを特徴とする非線形素子。
【請求項２】
前記第１の絶縁膜の膜厚は、前記第２の絶縁膜の膜厚より厚いことを特徴とする請求項１に記載の非線形素子。
【請求項３】
前記第２の絶縁膜は、前記下部電極の側面に液相法により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の非線形素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の非線形素子を備える電気光学装置。
【請求項５】
下部電極と、当該下部電極の上面を覆う第１の絶縁膜と、前記下部電極の側面を覆う第２の絶縁膜と、前記第１及び前記第２の絶縁膜を介して各々前記下部電極の上面及び側面に対向する上部電極とを有する非線形素子の製造方法であって、
第１の金属膜を形成する第１の金属膜形成工程と、
前記第１の金属膜の表面に前記第１の絶縁膜を気相法によって形成する第１の絶縁膜形成工程と、
前記第１の金属膜を前記第１の絶縁膜とともにパターニングして前記下部電極を形成する第１の金属膜パターニング工程と、
前記第１の金属膜パターニング工程で露出した前記下部電極の側面に、前記第２の絶縁膜を液相法によって形成する第２の絶縁膜形成工程と、
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜の表面側に第２の金属膜を形成する第２の金属膜形成工程と、
前記第２の金属膜をパターニングして前記上部電極を形成する第２の金属膜パターニング工程と、を備えることを特徴とする非線形素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜に比較して前記第１の絶縁膜を厚く形成することを特徴とする請求項５に記載の非線形素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非線形素子、非線形素子の製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電気光学装置の一例としての二端子素子型アクティブマトリクス、あるいはＴＦＤ(Thin Film Diode)と呼ばれる液晶パネルにおいては、相互に対向する２枚の基板のうち一方の基板に走査線が、他方の基板に信号線（データ線）及び画素電極が形成され、両基板間に液晶が封入されている。そして、他方の基板には、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）などの電流−電圧特性が非線形な素子が設けられ、その素子は画素電極及び信号線に夫々接続されている。このような非線形素子として、例えば、ラテラル構造を有する非線形素子が他方の基板に設けられることがある。そのようなラテラル構造を有する非線形素子の構成等が特許文献１に記載されている。
【０００３】
また、そのようなラテラル構造を有する非線形素子の他の例として、電気的特性のばらつきを解消するため、下部電極の側面に対して、水蒸気などを含む雰囲気中で高圧アニール処理（「High Pressure Wet Anneal」、以下、「ＨＰＡ法」と略記する）を行い、この高圧アニール処理により、下部電極の表面を酸化させて第２の絶縁膜を形成してなる、ラテラル構造を有する非線形素子が知られている（特許文献２を参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平４−７０６２３号公報
【特許文献２】特開２００４−１４５７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このようなラテラル構造を有する非線形素子では、その素子部がＨＰＡ法にて形成されているため、その非動作時等にその素子部において電流がリークするなど素子性能に問題が生じている。このため、歩留まりの低下につながる等の問題がある。
【０００６】
そこで、このような不具合を改善するために、上記の非線形素子の製造過程において、第１の絶縁膜（以下、「バリア部」とも称する）、及び素子部の位置に形成される第２の絶縁膜の両方を陽極酸化法にて形成したところ、素子特性に改善が見られた。ところが、下部電極（第１電極）の表面にバリア部を形成し、そのバリア部上にレジストを塗布してその後ドライエッチングするときに、レジスト焼けが生じ易くなるという新たな問題が生じた。これは、スパッタ法にて形成されたバリア部（スパッタ膜）に比べて、陽極酸化法にて形成されたバリア部（陽極酸化膜）の方が、高密度、高誘電率及び高抵抗の特性を示すため、エッチングレート（エッチングされる割合）が小さくドライエッチングに時間がかかること、及び、バリア部が電荷を蓄積し易くチャージアップし易くなっていること等が主な原因と考えられる。
【０００７】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、ドライエッチング時にチャージアップやレジスト焦げなどの不具合を生じさせずに、いわゆるラテラル構造の非線形素子の絶縁膜（バリア部）の厚膜化を図り、液晶容量を向上することが可能な非線形素子及びその製造方法、並びに電気光学装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの観点では、下部電極と、当該下部電極の上面を覆う第１の絶縁膜と、前記下部電極の側面を覆う第２の絶縁膜と、前記第１及び前記第２の絶縁膜を介して各々前記下部電極の上面及び側面に対向する上部電極とを備える非線形素子において、前記第１の絶縁膜は、気相法によって形成された酸化膜からなる。
【０００９】
上記の非線形素子は、下部電極と、その下部電極の上面を覆う第１の絶縁膜と、その下部電極の側面を覆う第２の絶縁膜と、第１の絶縁膜を介して下部電極の上面に対向する上部電極と、第２の絶縁膜を介して下部電極の側面に対向する上部電極とを備えており、いわゆるラテラル構造を有している。この非線形素子では、特に第１の絶縁膜は、スパッタ法などの気相法によって形成された酸化膜、例えば酸化タンタル（ＴａＯＸ）膜からなっている。このため、その第１の絶縁膜は、それを陽極酸化法により形成した酸化膜と比べて、誘電率及び抵抗が夫々小さくなっている。また、好適な例では、前記第１の絶縁膜の膜厚を、前記第２の絶縁膜の膜厚より厚く形成することができると共に、前記第１の絶縁膜を、約２０００Åの厚さに形成することができる。これらにより非線形素子の容量を小さくすることができる。第２の絶縁膜は下部電極の側面に液相法により形成することができる。
【００１０】
上記の非線形素子を備える電気光学装置を構成することができる。この電気光学装置では、非線形素子の容量に対して、その非線形素子に接続された画素電極の容量、即ち液晶容量が大きく設定されている。よって、高いコントラスト及び低消費電力の電気光学装置を得ることができる。
【００１１】
本発明の他の観点では、下部電極と、当該下部電極の上面を覆う第１の絶縁膜と、前記下部電極の側面を覆う第２の絶縁膜と、前記第１及び前記第２の絶縁膜を介して各々前記下部電極の上面及び側面に対向する上部電極とを有する非線形素子の製造方法は、第１の金属膜を形成する第１の金属膜形成工程と、前記第１の金属膜の表面に前記第１の絶縁膜を気相法によって形成する第１の絶縁膜形成工程と、前記第１の金属膜を前記第１の絶縁膜とともにパターニングして前記下部電極を形成する第１の金属膜パターニング工程と、前記第１の金属膜パターニング工程で露出した前記下部電極の側面に、前記第２の絶縁膜を液相法によって形成する第２の絶縁膜形成工程と、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜の表面側に第２の金属膜を形成する第２の金属膜形成工程と、前記第２の金属膜をパターニングして前記上部電極を形成する第２の金属膜パターニング工程と、を備える。
【００１２】
上記の非線形素子の製造方法によれば、先ず、第１の金属膜形成工程によりクロムなどよりなる第１の金属膜を形成する。次の第１の絶縁膜形成工程により、第１の金属膜の表面に第１の絶縁膜を、スパッタ法などの気相法によって形成する。これにより、第１の絶縁膜が気相成長することにより形成されるため、第１の絶縁膜を陽極酸化法により形成した場合に比べて、第１の絶縁膜の誘電率及び抵抗値を夫々小さくすることができる。
【００１３】
次の第１の金属膜パターニング工程により、第１の金属膜を第１の絶縁膜とともにパターニングして下部電極を形成する。その具体的な方法例としては、例えば、第１の絶縁膜上にレジストを塗布して、第１の絶縁膜とともに第１の金属膜をドライエッチングによってパターニングし、レジストを剥離して下部電極を形成する。これにより、下部電極の側面は露出した状態となる。
【００１４】
ところで、上記した第１の絶縁膜形成工程において陽極酸化法により第１の絶縁膜を形成した場合には、陽極酸化膜たる第１の絶縁膜が高い誘電率及び高い抵抗値を夫々示すため、エッチングレート（エッチングされる割合）が小さくドライエッチングの実行時間が長くなると共に、第１の絶縁膜が電荷を蓄積し易くチャージアップしてしまうなどの不具合が生じる。また、ドライエッチングの実行時間が長くなることにより、第１の絶縁膜上に塗布したレジストが焦げてしまうなどの不具合も生じる。よって、このような陽極酸化法によると、上記の第１の絶縁膜形成工程において第１の絶縁膜を厚膜化するのは困難であり、非線形素子の容量を小さくするのは難しい。
【００１５】
この点、本発明では、上記した第１の絶縁膜形成工程において陽極酸化法でなく気相法により第１の絶縁膜を形成しているので、スパッタ膜たる第１の絶縁膜は誘電率及び抵抗が夫々小さくなっている。このため、エッチングレートが大きくドライエッチングの実行時間を短縮することができると共に、ドライエッチング時に第１の絶縁膜がチャージアップするような不具合は生じない。また、ドライエッチングの実行時間を短縮することができるので、レジストが焦げるような不具合も生じない。よって、上記した第１の絶縁膜形成工程において第１の絶縁膜をより一層厚膜化することができ、非線形素子の容量を小さくすることができる。また、歩留まりの向上及びタクトタイムの短縮化を図ることができる。好適な例では、前記第１の絶縁膜を、約２０００Åの厚さに形成することができる。これにより、非線形素子の容量に対して、その非線形素子に接続される画素電極の容量、即ち液晶容量を大きくすることができる。加えて、第１の金属膜パターニング工程では、レジストの剥離性も良好となり、歩留まりの向上を図ることができる。
【００１６】
次の第２の絶縁膜形成工程により、上記第１の金属膜パターニング工程で露出した下部電極の側面に、第２の絶縁膜を、例えば陽極酸化法などの液相法によって形成する。好適な例では、前記第１の絶縁膜の膜厚を、前記第２の絶縁膜の膜厚より厚く形成することができる。これにより、非線形素子の容量を小さくすることができる。
【００１７】
次の第２の金属膜形成工程により、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜の表面側に、クロム等からなる第２の金属膜を形成し、次の第２の金属膜パターニング工程により、第２の金属膜をパターニングして上部電極を形成する。こうして、小容量で高性能な、本発明のラテラル構造を有する非線形素子が形成される。
【００１８】
上記の非線形素子を用いて電気光学装置を製造することができる。上記の非線形素子を用いて製造された電気光学装置は、非線形素子の容量に対して、その非線形素子に接続された画素電極の容量、即ち液晶容量が大きく設定されているので、高いコントラスト及び低い消費電力を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の実施形態は、本発明を電気光学装置の一例としての液晶装置、及びその製造方法に適用したものである。本実施形態は、いわゆるラテラル構造のＴＦＤ素子の要素であり第１金属膜上に形成される絶縁膜をスパッタ法などの気相法により形成する。これにより、ドライエッチング時にチャージアップやレジスト焦げなどの不具合を生じさせずに、上記絶縁膜の厚膜化を図り、その素子に接続された画素電極の容量、即ち液晶容量を向上して高品位な表示画像を得る。
【００２０】
[液晶装置の構成]
まず、本発明の液晶装置１の構成について説明する。液晶装置１は、いわゆるラテラル構造を有するＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置である。図１は、液晶装置１の電気的構成を模式的に示すブロック図である。図１において、紙面視右方向はＸ方向を示し、紙面視上方向はＹ方向を夫々示す。図２は、この液晶装置の構成を示す分解斜視図である。図３（ａ）は、素子基板における１画素分の部分平面図を示す。図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＩＩＩ−ＩＩＩ′に沿った断面図を示す。図３（ｃ）は、画素毎に形成されたＴＦＤ素子付近の部分斜視図である。
【００２１】
図１に示すように、液晶装置１では、複数の配線としての走査線５１が行方向（Ｘ方向）に形成される一方、複数のデータ線５２が列方向（Ｙ方向）に形成されている。走査線５１とデータ線５２との各交差点に対応する位置には画素５３が形成される。この画素５３では、液晶層５４と、画素スイッチング用のラテラル構造をなすＴＦＤ素子５６（非線形素子）とが直列に接続されている。各走査線５１は走査線駆動回路５７によって駆動される一方、各データ線５２はデータ線駆動回路５８によって駆動される。
【００２２】
このような構成を有するアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置１は、図２に示すように、液晶６を保持する透明な一対の基板のうち、素子基板２０では、複数本の走査線５１が所定の方向に延在しており、各走査線５１は、ＴＦＤ素子５６を介して画素電極６６と電気的に接続されている。これに対して、対向基板１０には、素子基板２０の走査線５１と交差する方向に延在してなる複数列の帯状のデータ線５２が形成されている。また、データ線５２の下層には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ層２Ｒ、２Ｇ、２Ｂが形成されている。
【００２３】
従って、素子基板２０の走査線５１の各々に、走査線駆動回路５７を通じて走査信号を供給する一方、対向基板１０のデータ線５２にデータ線駆動回路５８を通じてデータ信号を供給すると、画素電極６６とデータ線５２とが対向する部分において、そこに保持されている液晶６を駆動することができる。それ故、バックライト装置３から出射された光は、素子基板２０および画素電極６６を透過して液晶６の層に入射した後、この液晶６によって画素毎に光変調され、この変調された光は、矢印Ｌで示すように、データ線５２および対向基板１０を透過して出射される。この際、光は、カラーフィルタ層２Ｒ、２Ｇ、２Ｂによって着色されるので、カラー表示を行うことができる。なお、液晶６として通常のＴＮモードの液晶を用いた場合、この種の液晶６は、光の偏光方向を変えることにより光変調を行うので、対向基板１０および素子基板２０の各外側表面には偏光板８、９が重ねて配置される。なお、ここに示す例では、素子基板２０に走査線５１を形成し、対向基板１０にデータ線５２を形成したが、素子基板２０側にデータ線を形成し、対向基板１０に走査線を形成してもよい。
【００２４】
ＴＦＤ素子５６は、図３（ａ）乃至（ｃ）に示すように、素子基板２０の表面に成膜された下地層６１の上に形成された第１のＴＦＤ素子５６ａ、および第２のＴＦＤ素子５６ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。このため、ＴＦＤ素子５６は、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層６１は、酸化タンタル（ＴａＯＸ）によって形成されている。
【００２５】
第１のＴＦＤ素子５６ａ、および第２のＴＦＤ素子５６ｂは、いずれもラテラル構造を有しており、側面が斜め上向きのテーパ面になっている下部電極６２ａと、この下部電極６２ａの上面に形成された第１の絶縁膜６３ａと、下部電極６２ａの側面部に形成された第２の絶縁膜６３ｂと、絶縁膜６３ａ、６３ｂの表面に互いに離間して形成された上部電極６４ａ、６４ｂとによって構成されている。即ち、このＴＦＤ素子５６の場合、第２の絶縁膜６３ｂが第１の絶縁膜６３ａより薄く形成されており、この構成により、第２の絶縁膜６３ｂを介して下部電極６２ａと、上部電極６４ａ及び６４ｂとが夫々対向する領域（図３（ｃ）の破線にて囲まれた部分、即ち第１のＴＦＤ素子５６ａ及び第２のＴＦＤ素子５６ｂ）が実質的に素子として動作する、ラテラル構造のＴＦＤ素子５６となっている。
【００２６】
下部電極６２ａは、Ｔａ単体膜、あるいはＴａ−Ｗ（タングステン）合金膜などのＴａ合金膜によって形成されている。上部電極６４ａ、６４ｂは、クロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって形成されている。上部電極６４ａは、そのまま走査線５１となり、他方の上部電極６４ｂは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等といった透明導電材からなる画素電極６６に接続されている。
【００２７】
ここで、画素電極６６は、Ａｌ（アルミニウム）等といった光反射性材料によって形成されることもある。また、画素電極６６が素子基板２０上に光反射性材料によって形成される場合、この画素中に光を透過させるスリットを構成する、もしくは画素電極６６の膜厚を薄くすることで、光の反射と透過の両方の性質を持たせることもある。このように構成した反射型、あるいは半透過・半反射型の液晶装置では、対向基板側から入射した光を、素子基板に形成されている画素電極で対向基板に向けて反射する。
【００２８】
また、画素電極６６を透明導電材で構成する一方、画素電極６６の構成されている基板（素子基板）に対向する基板（対向基板）に、Ａｌ（アルミニウム）等といった光反射性材料による光反射板を形成し、画素電極６６の構成されている素子基板側から入射した光を対向基板で素子基板に向けて反射するように構成することもある。この場合、光反射板に光を透過させるスリットを構成する、もしくは光反射板の膜厚を薄くすることで、光の反射と透過の両方の性質を持たせることもある。
【００２９】
（ＴＦＤ素子の特徴点）
本実施形態において、ＴＦＤ素子５６（第１のＴＦＤ素子５６ａ、および第２のＴＦＤ素子５６ｂ）の第１の絶縁膜６３ａは、下部電極６２ａの表面をスパッタ法などの気相法を用いて形成された酸化タンタル（ＴａＯＸ）からなる。このように、本発明では、特に、気相法によって第１の絶縁膜６３ａを形成するようにしているので、第１の絶縁膜６３ａは、低誘電率及び低抵抗、即ち誘電率及び抵抗が夫々小さくなっている。好適な例では、その膜厚は、例えば約２０００Å（＝２００ｎｍ）程度に形成することができる。これにより、第１の絶縁膜６３ａ等を素子として機能させずに、第１のＴＦＤ素子５６ａ及び第２のＴＦＤ素子５６ｂのみを素子として適正に機能させることができる。一方、第２の絶縁膜６３ｂは、下部電極６２ａの側面を陽極酸化法（液相法）を用いて酸化することにより形成された薄い酸化膜であり、その膜厚は、第１の絶縁膜６３ａの膜厚より小さく設定されている。
【００３０】
以上の構成を有するＴＦＤ素子５６では、上部電極６４ａ、６４ｂが第１の絶縁膜６３ａ、および第２の絶縁膜６３ｂを介して下部電極６２ａと対向しているが、第１の絶縁膜６３ａは厚膜化されているので、その部分に寄生する容量は、無視できるほど小さくなっている。これに対して、第２の絶縁膜６３ｂは薄膜化されており、上部電極６４ａ、６４ｂが第２の絶縁膜６３ｂを介して下部電極６２ａと対向しているのは、下部電極６２ａの側面だけであり、対向面積が極めて狭い。それ故、ＴＦＤ素子５６（第１のＴＦＤ素子５６ａ、および第２のＴＦＤ素子５６ｂ）の電気容量は極めて小さくなっている。
【００３１】
これにより、ＴＦＤ素子５６の容量に対して、そのＴＦＤ素子５６に接続された画素電極６６の容量（液晶容量）が大きく設定されるため、高いコントラスト及び低消費電力を有する液晶装置１が得られる。
【００３２】
[液晶装置の製造方法]
次に、図４乃至図８を参照して、本発明の実施形態に係る液晶装置１の製造方法について説明する。図４は、液晶装置１の製造方法を示すフローチャートである。図５は、図４における工程Ｓ１に対応するフローチャートであり、具体的には素子基板２０の製造方法を示すフローチャートである。特に、本発明は、図５のフローチャートにおける工程Ｐ３に特徴を有している。図６乃至図８は、図５のフローチャートの各工程に対応する部分断面図及びその部分断面図に対応する部分平面図を示している。なお、図６乃至図８の部分平面図において、矩形状の破線領域は１つのサブ画素領域ＳＧを示している。
【００３３】
先ず、素子基板２０を作製する（工程Ｓ１）。ここで、図５乃至図８を参照して、素子基板２０の製造方法について詳述する。まず、図６（ａ）に示すように、素子基板２０の表面にＴａＯＸ（タンタル酸化膜）を一様な厚さに成膜して下地層６１を形成する（下地層形成工程Ｐ１）。図６（ａ）の部分平面図において、一点鎖線は下地層６１を示している。
【００３４】
次に、図６（ｂ）に示すように、例えば、Ｔａ等からなる第１の金属膜６２を一様な厚さに成膜する（第１の金属膜形成工程Ｐ２）。図６（ｂ）の部分平面図において、二点鎖線は第１の金属膜６２を示している。
【００３５】
次に、図６（ｃ）に示すように、スパッタ法等の気相法によって第１の金属膜６２上にＴａＯＸよりなる第１の絶縁膜６３ａを厚く形成する。好適な例では、その膜厚を、約２００ｎｍ程度とすることができる（第１の絶縁膜形成工程Ｐ３）。図６（ｃ）の部分平面図において、破線は第１の絶縁膜６３ａを示している。このように、本発明では、第１の絶縁膜６３ａを形成する方法として、陽極酸化法ではなく気相法を適用することにしている。これにより、第１の絶縁膜６３ａが気相成長することにより形成されるため、第１の絶縁膜６３ａを陽極酸化法により形成した場合に比べて、第１の絶縁膜６３ａの誘電率及び抵抗値を夫々小さくすることができる。
【００３６】
次に、図７（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー法を用いて、下部電極６２ａ及び第１の絶縁膜６３ａを形成する（第１の金属膜等パターニング工程Ｐ４）。具体的には、第１の絶縁膜６３ａ上にレジストを塗布して、第１の絶縁膜６３ａとともに第１の金属膜６２をドライエッチングによってパターニングし、レジストを剥離して下部電極６２ａおよび第１の絶縁膜６３ａを形成する。これにより、下部電極６２ａの側面６２ｘは露出した状態となる。なお、走査線５１の第１層と下部電極６２ａとはブリッジ部６９でつながっている。
【００３７】
ところで、上記の工程Ｐ３において陽極酸化法により第１の絶縁膜６３ａを形成した場合には、陽極酸化膜たる第１の絶縁膜６３ａが高い誘電率及び高い抵抗値を夫々示すため、エッチングレート（エッチングされる割合）が小さくドライエッチングの実行時間が長くなると共に、第１の絶縁膜６３ａが電荷を蓄積し易くチャージアップしてしまうなどの不具合が生じる。また、ドライエッチングの実行時間が長くなることにより、第１の絶縁膜６３ａ上に塗布したレジストが焦げてしまい剥離性が低下するなどの不具合も生じる。よって、このような陽極酸化法によると、上記の工程Ｐ３において第１の絶縁膜６３ａを厚膜化するのは難しい。
【００３８】
これに対して、本発明では、上記の工程Ｐ３において陽極酸化法でなく気相法により第１の絶縁膜６３ａを形成しているので、スパッタ膜たる第１の絶縁膜６３ａは上記したように低い誘電率及び低い抵抗値を夫々示すため、そのような不具合は生じない。即ち、本発明では、第１の絶縁膜６３ａが低誘電率及び低抵抗になっているため、エッチングレートが大きくドライエッチングの実行時間を短縮することができると共に、ドライエッチング時に第１の絶縁膜６３ａがチャージアップするような不具合は生じない。また、ドライエッチングの実行時間を短縮することができるので、レジストが焦げるような不具合も生じない。よって、上記の工程Ｐ３において第１の絶縁膜６３ａをより一層厚膜化することができ、ＴＦＤ素子の容量を小さくすることができる。さらに、陽極酸化法で形成した場合より誘電率が低いので、それ自体でもＴＦＤ素子の容量を低下させる効果がある。加えて、工程Ｐ４では、レジストの剥離性も良好となり、歩留まりの向上及びタクトタイムの短縮化を図ることができる。
【００３９】
次に、図７（ｂ）に示すように、陽極酸化法（液相法）によって、上記の工程Ｐ４で露出した下部電極６２ａの側面６２ｘに第２の絶縁膜６３ｂを所定の厚さにて形成する（第２の絶縁膜形成工程Ｐ５）。このとき、第２の絶縁膜６３ｂの膜厚は、第１の絶縁膜６３ａの膜厚より小さくなっている。その後、フォトリソグラフィー技術を利用して、ブリッジ部６９を除去し、第１のＴＦＤ素子５６ａ及び第２のＴＦＤ素子５６ｂの下部電極６２ａを走査線５１から島状に分断する（なお、図７（ｂ）は分断後を示す）。
【００４０】
なお、工程Ｐ５において陽極酸化法を行うためには基板上に端子となる金属面を露出させる必要がある。このためには、陽極酸化を行う前に基板上の一部にドライエッチングを行い、走査線５１及び下部電極６２ａに導通した金属面を露出させればよい。また、別の方法としては、第１の絶縁膜６３ａを形成する工程Ｐ３においてその金属面のみをマスクしてスパッタ法を行うことにより、陽極酸化法において端子として使用する金属面を形成することとしてもよい。
【００４１】
次に、図７（ｃ）に示すように、クロム（Ｃｒ）膜６４を一様な厚さに成膜する（第２の金属膜形成工程Ｐ６）。図７（ｃ）の部分平面図において、二点鎖線はクロム膜６４を示している。続いて、図８（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、上部電極６４、６４ｂを夫々形成する（第２の金属膜パターニング工程Ｐ７）。こうして、第１のＴＦＤ素子５６ａ及び第２のＴＦＤ素子５６ｂを有し、ラテラル構造をなすＴＦＤ素子５６が形成される。
【００４２】
次に、図８（ｂ）に示すように、画素電極６６を形成する予定の領域Ｅ１の下地層６１を除去する（下地層除去工程Ｐ８）。続いて、ＩＴＯをスパッタ法等によって一様な厚さに成膜し、さらに、フォトリソグラフィー法により、１画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極６６を領域Ｅ１付近に形成する（画素電極形成工程Ｐ９）。これにより、画素電極６６の一部分は、上部電極６４ｂの一部分と重なり合い、画素電極６６とＴＦＤ素子５６とが電気的に接続される。
【００４３】
次に、素子基板２０の内面上に、ポリイミド、ポリビニルアルコール等を一様な厚さに形成することによって配向膜を形成しラビング処理を施すと共に（図示略）、素子基板の外面に偏光板８及びバックライト装置１５等を実装する（工程Ｐ１０）。こうして、図２に示される、本発明の素子基板２０が作製される。
【００４４】
図４に戻り、次に、図２に示されるカラーフィルタ層２等を有する対向基板１０を既知の方法により作製し（工程Ｓ２）、素子基板９１と対向基板１０とをシール部材（図示略）を介して貼り合せる（工程Ｓ３）。次に、素子基板９１と対向基板１０との間に形成された開口（図示略）より液晶をその内部に注入して当該開口の封止処理をする（工程Ｓ４）。次に、その他の構成要素を実装することにより、図２に示される液晶装置１が製造される。
【００４５】
こうして製造された液晶装置１は、ＴＦＤ素子５６の容量に対して、それに接続される画素電極６６の容量、即ち液晶容量が大きく設定されているので、高いコントラスト及び低い消費電力を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図。
【図２】本発明の液晶装置の構成を示す分解斜視図。
【図３】本発明の素子基板におけるＴＦＤ素子の平面図、断面図及び斜視図を示す。
【図４】本発明の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図５】本発明の素子基板の製造方法を示すフローチャート。
【図６】本発明の素子基板の製造工程を示す部分断面図及び部分平面図。
【図７】本発明の素子基板の製造工程を示す部分断面図及び部分平面図。
【図８】本発明の素子基板の製造工程を示す部分断面図及び部分平面図。
【符号の説明】
【００４７】
１  液晶装置、  ６  液晶、  １０  対向基板、  ２０  素子基板、  ５６  ＴＦＤ素子、  ５６ａ  第１のＴＦＤ素子、  ５６ｂ  第２のＴＦＤ素子、  ６２ａ  下部電極、  ６３ａ  第１の絶縁膜、  ６３ｂ  第２の絶縁膜、  ６４ａ、６４ｂ  上部電極、  ６６  画素電極
【図１】
2006093555.tif 000003
【図２】
2006093555.tif 000004
【図３】
2006093555.tif 000005
【図４】
2006093555.tif 000006
【図５】
2006093555.tif 000007
【図６】
2006093555.tif 000008
【図７】
2006093555.tif 000009
【図８】
2006093555.tif 000010