(57)【要約】【課題】ウエハをダイシングテープにマウントし、半導体素子を切り出すウエハのダイシング方法において、ダイシング後に粘着性を有する切削屑が半導体素子の表面に残留するのを防ぐ。【解決手段】ウエハ１を切断ライン１ｂに沿ってダイシングブレードＢにより切断し、各半導体素子１ａに分離するダイシング工程の前に、ウエハ１をダイシングテープ１０にマウントし、ウエハ内の各切断ライン１ｂと、ウエハ外のダイシングテープ１０の空き領域に延在する切断ライン１ｂの延長部に、それぞれ対応するライン状のパターン開口Ｍ1 を有する遮光マスクＭを介して紫外線Ｐ1 を照射し、ダイシングテープ１０の粘着力を選択的に低下させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子を配列したウエハを切断ラインに沿って各素子に分離するウエハのダイシング方法であって、
光硬化型粘着ダイシングテープにウエハをマウントする工程と、
ウエハをマウントしたダイシングテープの粘着力を、ウエハ上の切断ラインおよびウエハ上からダイシングテープの空き領域に延在する切断ラインの延長部にそれぞれ対応して、同一の露光工程によって、選択的に低減するダイシングテープ処理工程と、
粘着力を選択的に低減したダイシングテープ上のウエハを切断ラインに沿って切断するダイシング工程と、を有することを特徴とするウエハのダイシング方法。
【請求項２】
それぞれ表面側に液体を吐出する吐出手段を有する複数の吐出素子を配列したウエハを切断ラインに沿って各素子に分離するウエハのダイシング方法であって、
光硬化型粘着ダイシングテープにウエハの裏面側をマウントする工程と、
ウエハをマウントしたダイシングテープの粘着力を、ウエハ上の切断ラインおよびウエハ上からダイシングテープの空き領域に延在する切断ラインの延長部にそれぞれ対応して、同一の露光工程によって、選択的に低減するダイシングテープ処理工程と、
粘着力を選択的に低減したダイシングテープ上のウエハを切断ラインに沿って切断するダイシング工程と、を有することを特徴とするウエハのダイシング方法。
【請求項３】
請求項２記載のウエハのダイシング方法によって分離された吐出素子と、前記吐出素子に液体を供給する液体供給手段を有することを特徴とする液体吐出ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハから半導体素子を分離するためのウエハのダイシング方法に関し、特に、素子表面のオリフィスからインク等液体を吐出する液体吐出ヘッドの吐出素子のように、開口部を有する半導体素子が複数配列されたウエハのダイシング方法および液体吐出ヘッドに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に各種半導体デバイスは、ウエハ上に複数個の半導体素子を同時に形成し、ダイシング工程で個別の素子に分離し、パッケージ封入などの工程を経て製造されている。
【０００３】
図８は一従来例によるダイシング工程を示すもので、同図の（ａ）に示すように、シリコン基材に複数の半導体素子１０１ａを形成したウエハ１０１の裏面側を、リング状のフレームＫに支持されたダイシングテープ１１０に貼着する。その後、図示しないダイシング装置上のチャックテーブル上にフレームＫを載置固定し、アライメント装置により位置決めした後に、図８の（ｂ）に示すようにダイシングブレードＢにより、ウエハ１０１のＸ、Ｙ方向の切断ライン（ダイシングストリート）１０１ｂに沿って切断分割（ダイシング）する。
【０００４】
図８の（ｃ）に示す工程では、ウエハ１０１のダイシング後に、ダイシング装置から取り外されたウエハ１０１とダイシングテープ１１０とフレームＫの一体物に、ダイシングテープ１１０の裏面側から紫外線Ｐを照射して、ダイシングテープ１１０の粘着剤を硬化させることにより被着体であるウエハ１０１との粘着力を低下させ、各半導体素子１０１ａをダイシングテープ１１０から剥離し易くする。続いて、図８の（ｄ）に示すように、個々の半導体素子１０１ａがピックアップされる。
【０００５】
図９は、特許文献１に開示されたように、ウエハ１０１の半導体素子１０１ａが、表面に液滴を吐出するオリフィスを有し、裏面側からオリフィスへインク等液体を供給する液体吐出ヘッドの吐出素子である場合のダイシングを示す。図９の（ａ）は、ウエハ１０１がダイシングテープ１１０にマウントされた状態を示し、（ｂ）は切断ライン１０１ｂに沿ってダイシングする工程を示し、（ｃ）はウエハ１０１の表面の洗浄工程を示し、（ｄ）は各半導体素子１０１ａをダイシングテープ１１０から剥離しピックアップした状態を示す。
【０００６】
ダイシングの被切削物であるウエハ１０１の各半導体素子１０１ａは、それぞれオリフィスを形成したオリフィス層１０２と裏面側へ連通する開口部１０３を有し、ウエハ１０１の裏面には同図の（ａ）に示すようにダイシングテープ１１０が貼着され、ダイシングテープ１１０はフィルム状基材１１１を有し、その表面に粘着剤１１２が層状に形成されている。
【０００７】
図９の（ｂ）に示すようにダイシングブレードＢによりダイシングを行うダイシング工程においては、通常のダイシングマシンを使用する場合、直径がおよそ５０ｍｍから７５ｍｍの回転ブレードを使用することが一般的である。特に、ダイシングによって個々の素子を完全に切断分離する場合においては、ダイシングブレードＢの先端は、ダイシングテープ１１０に数十μｍ切り込んで加工する。このためダイシング時には図１０に示すように、ウエハ１０１の切り込みによって発生する切削屑Ｈ1 と、ダイシングテープ１１０のフィルム状基材１１１や粘着剤１１２から発生する切削屑Ｈ2 がダイシングブレードＢの回転力により同時に飛散し、これらが切断中のウエハ１０１の表面に付着する。
【０００８】
ウエハ１０１とフレームＫの間の空き領域には、ダイシングテープ１１０の粘着剤１１２による粘着面が露出する。通常、ダイシングブレードＢによる加工領域は、ウエハ１０１のサイズ（外径）よりも数ミリから十数ミリ大きく設定し、ダイシングブレードＢが完全にウエハ１０１の外縁を通り過ぎてから次の切断ラインに移動するように構成されるため、ダイシングブレードＢがダイシングテープ１１０のみを切断する、いわゆるワーク外加工部１１０ａが、ウエハ１０１上の各切断ライン１０１ｂの切り始めと切り終わりに生じることになる。
【０００９】
すなわち、ウエハ１０１の各切断ライン１０１ｂ毎に、ダイシングブレードＢの最下端は、切断ライン１０１ｂの延長部に沿ってダイシングテープ１１０の空き領域に延在するワーク外加工部１１０ａを数十ミクロン切り込みながら移動する。このため、ダイシングテープ１１０のワーク外加工部１１０ａからも粘着剤が混入した微細な切削屑Ｈ2 が発生し、ウエハ１０１の表面に付着する。
【００１０】
ウエハ１０１に付着した切削屑Ｈ1 、Ｈ2 のうちで、ウエハ１０１から生じたシリコンの切削屑Ｈ1 は図９の（ｃ）に示す洗浄工程により除去することが可能であるが、粘着剤が混入した切削屑Ｈ2 は一度付着すると単なる洗浄では除去することができない。
【００１１】
切断ライン１０１ｂに沿ったダイシング後は、ウエハ１０１の裏面側からダイシングテープ１１０に対して紫外線照射を行ったうえで、図９の（ｄ）に示すようにダイシングテープ１１０から各半導体素子１０１ａを剥離しピックアップを行うが、ウエハ１０１の表面のオリフィス層１０２に付着した粘着剤を含む切削屑Ｈ2 はピックアップ後も粘着力を維持する。また実装以降の熱工程にて加熱された場合、さらに粘着力が増加して除去することが困難となる。
【００１２】
その結果、図９の（ｅ）に示すように、オリフィス層１０２のオリフィス１０２ａの周囲に付着した粘着剤を含む切削屑Ｈ2 は、オリフィス１０２ａからインク等液滴を飛翔させると、液滴が切削屑Ｈ2 のほうに引かれて、液滴が真っ直ぐ飛ばないことによる、いわゆる「よれ」の原因となり、プリンタ等の画質を大幅に低下させる。
【００１３】
このようなダイシングテープの粘着剤付着を防止する手段としては、特許文献２に開示された、切断ライン上のみ選択的にダイシングテープの粘着剤を硬化させる方法や、特許文献３に開示されたように、フレームとウエハ間のダイシングテープの空き領域全面の粘着剤を予め硬化させてダイシングする方法があげられる。
【特許文献１】特開平１１−１７９９２６号公報
【特許文献２】特開昭６２−７９６４９号公報
【特許文献３】特開２００２−２９９２９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、ダイシングテープの空き領域に露出する粘着剤は、ダイシングによって発生した切削屑を付着保持させ、そこからさらに移動してウエハ表面に再付着することを防ぐ効果があり、特許文献３に開示されるような、空き領域全面の粘着剤を硬化させることは好ましい方法ではない。
【００１５】
また、液体吐出ヘッドの吐出素子のように開口部を有する場合、特許文献２に開示される方法をそのまま使うことはできない。すなわち、切断ラインから開口部までの距離が短いため、図１１に示すように、切断ラインに沿って粘着剤１１２を硬化させた場合には、硬化領域１１２ａの広がりによっては開口部１０３へオーバーラップし、開口部１０３から切断ラインにかけてのダイシングテープ１１０の接着力を低下させてしまう。このような状態でダイシングを行うと、ダイシングテープ１１０とウエハ１０１の隙間に切削水Ｗが浸入し、開口部１０３内を切削屑で汚染する危険がある。
【００１６】
従って、切断ライン付近のみを精度良く硬化させるために切断ラインと遮光マスクの位置合わせが必要となるが、ダイシングブレードとの位置合わせのためにウエハ表面側に設けられるアライメント装置に加えて、ウエハ裏面側の位置合わせのためのアライメント装置が必要となり、いわゆる両面アライナーのような複雑な機構を持つことになる。
【００１７】
本発明は上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、ダイシングによる切削屑のウエハ表面等への付着残りのない半導体素子を安定して製造できるウエハのダイシング方法および液体吐出ヘッドを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明のウエハのダイシング方法は、複数の半導体素子を配列したウエハを切断ラインに沿って各素子に分離するウエハのダイシング方法であって、光硬化型粘着ダイシングテープにウエハをマウントする工程と、ウエハをマウントしたダイシングテープの粘着力を、ウエハ上の切断ラインおよびウエハ上からダイシングテープの空き領域に延在する切断ラインの延長部にそれぞれ対応して、同一の露光工程によって、選択的に低減するダイシングテープ処理工程と、粘着力を選択的に低減したダイシングテープ上のウエハを切断ラインに沿って切断するダイシング工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
ダイシング前に、切断ラインに対応して選択的にダイシングテープの粘着力を低減するとともに、ダイシングテープの空き領域に延在する切断ラインの延長部であるワーク外加工部に対応するライン状部位のダイシングテープの粘着力を選択的に低減しておくことで、半導体素子表面における切削屑の好ましくない付着残りを完全に防止する。
【００２０】
ウエハのダイシングによって発生する切削屑による性能劣化を防ぐことで、安定性能を有し、かつ信頼性の高い半導体素子を製造することが可能となり、半導体素子を搭載した半導体装置の高品質化を大幅に促進できる。
【００２１】
ウエハから切り出される半導体素子が液体吐出ヘッドの吐出素子である場合は、切削屑のオリフィス周囲の付着が基点となる吐出方向のよれがなく、液滴の安定吐出が可能で画像品位の高い液体吐出ヘッドおよびプリンタ等を実現することができる。
【００２２】
また、遮光マスクには、切断ラインとともにワーク外加工部の露光パターンが設けられているため、ウエハ表面側から、ウエハ上の切断ラインと遮光マスクのワーク外加工部の露光パターンとの高精度の位置合わせを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１の（ａ）に示すように、複数の半導体素子１ａが形成されたウエハ１から個別の半導体素子１ａをダイシングブレードＢにて切断分離するダイシング方法において、まず、粘着力を有するダイシングテープ１０をリング状のフレームＫの開口部を塞ぐように貼着し、ダイシングテープ１０の中央部に、ウエハ１の裏面側を貼着する。このように、ウエハ１の裏面側をダイシングテープ１０にマウントし、図１の（ｂ）に示す露光工程（ダイシングテープ処理工程）により、ウエハ１の切断ライン１ｂとダイシングテープ１０の空き領域に延在する切断ライン１ｂの延長部にそれぞれ対応して、ダイシングテープ１０の粘着力を選択的に低下させたえうで、（ｃ）に示すように、ダイシングブレードＢによってウエハ１の表面側からダイシングして個々の素子に分割する。
【００２４】
ダイシングに先立って、ウエハ１の切断ライン１ｂに対応する部位におけるダイシングテープ１０の粘着力を低減するとともに、ダイシングテープ１０の空き領域に延在する切断ライン１ｂの延長部に対応する部位におけるダイシングテープ１０の粘着力をも選択的に低下させておくことにより、ダイシングにより生じる切削屑が洗浄後もウエハ表面に付着・残留して半導体素子１ａの性能劣化を起こすのを確実に回避できる。
【実施例】
【００２５】
図１および図２は、一実施例によるウエハのダイシング方法を示す工程図である。ダイシング装置でウエハ１をダイシングする際は、チャックテーブルの位置においてウエハ１を保持し、切断ライン１ｂをダイシング装置に組み込まれているアライメント装置で認識し位置合わせを行う。従って、最初にチャックテーブルにウエハ１を載せた際にある程度の位置が出ていないと画像処理エラーとなってしまうため、図１の（ａ）に示すように、位置合わせが行いやすいように外周の一部を切り欠いたリング状のフレームＫの裏面にダイシングテープ１０を貼着して、フレームＫの開口に露出するダイシングテープ１０の粘着面にウエハ１を貼着する。このとき、ウエハ１の外周とオリエンテーションフラットでフレームＫとの位置合わせを行って貼着することにより、ウエハ１がダイシングテープ１０を介してフレームＫと一体になった状態となる。
【００２６】
なお、ウエハ１をダイシングテープ１０にマウントする工程では、フレームＫの裏面側が上になるように載置するとともに、その開口にウエハ１を裏面側が上になるように載置し、ダイシングテープ１０をフレームＫおよびウエハ１に同時に貼着し、カッターを回転させながらダイシングテープ１０をフレームＫの裏面にあてがって円形にカットする、いわゆるテープマウンターを用いるのが一般的である。
【００２７】
本実施例では、図２に示すように、ダイシングテープ１０として、フィルム基材１１上に紫外線硬化型の所定の接着力を備えたラジカル重合型アクリル系の粘着剤１２が塗工されたリンテック株式会社製Ｄ−１０５Ｖを使用した。テープ厚は、粘着剤１２の厚さ１０μｍ、フィルム基材１１の厚さ８０μｍである。
【００２８】
また、ウエハ１には、インクジェット記録装置（プリンタ）に搭載される液体吐出ヘッドの吐出素子を構成する半導体素子１ａが面付けされた厚さ約０．６ｍｍのシリコンウエハを用いた。図２の（ａ）に示すように、各半導体素子１ａの表面には、液体であるインクを吐出させる吐出手段である複数のオリフィスを有するオリフィス層２が形成されており、裏面側には、表面のオリフィスにインクを供給するための開口部３が設けられている。開口部３は、各オリフィスに常に一定のインクを安定的に供給するため、表面のパターンを基準に、異方性エッチングで高精度に加工されている。
【００２９】
図２の（ｂ）に示す工程では、まず、ウエハ１をダイシングテープ１０を介してフレームＫと一体化したものを、ダイシングテープ１０の裏面側が上になるように反転させ、その上にパターン開口Ｍ1 を有する遮光マスクＭを重ねて位置合わせを行う。
【００３０】
両面アライナーのような装置を備えていれば、ウエハ表面のパターンを認識しながら裏面にマスク位置合わせすることができるが、ここでは、両面アライナーを用いることなく位置合わせを行う方法について図３および図４を用いて説明する。図３の（ａ）はウエハ１の複数の半導体素子１ａのうちで、遮光マスクＭとの位置合わせに用いる位置合わせ用チップ１ｃの位置を示す。図４の（ａ）は位置合わせ用チップ１ｃの開口部３を、図４の（ｂ）は遮光マスクＭに設けられた位置合わせ用の開口Ｍ2 を示し、図４の（ｃ）は双方の位置関係が一致した状態を示す。また、図４の（ｄ）は位置合わせ時のウエハ１と遮光マスクＭの状態を示し、図４の（ｅ）は、（ｄ）の円Ａで囲んだ部分の拡大図である。
【００３１】
図３の（ａ）に示すようにウエハ１内の４箇所に位置合わせ用チップ１ｃが配置されているが、位置合わせ用チップ１ｃの配置はこれに限定する必要はなく、少なくとも２チップ以上をウエハ１の周辺部へ配置すればよい。位置合わせは、図４の（ｄ）に示すようにウエハ１の裏面側を上に向けて遮光マスクＭに対向させ、同図の（ａ）に示す位置合わせ用チップ１ｃの開口部３と（ｂ）に示す遮光マスクＭの位置合わせ用の開口Ｍ2 とを、（ｃ）に示すように一致させることにより行う。
【００３２】
ここで、本実施例に用いた遮光マスクＭは、図３の（ｂ）に示すように、ウエハ１の開口部３と位置合わせするための位置合わせ用の開口Ｍ2 と、各切断ライン１ｂに沿った透光部であるパターン開口Ｍ1 が形成されているが、パターン開口Ｍ1 は、各切断ライン１ｂに沿ったウエハ内領域だけでなく、ウエハ１の外縁からダイシングテープ１０の空き領域に延長してライン状に形成された開口であり、この延長ラインの終端を結ぶ仮想線は、図３の（ｂ）に示すような略円形としてもよいし、また、同図の（ｃ）に示すようにパターン開口Ｍ1 をマスク端部まで延長した格子状としてもよい。
【００３３】
ウエハ１と遮光マスクＭの位置合わせは、ウエハ表面側から見て行ってもよい。遮光マスクＭには、ウエハ１の切断ライン１ａ、１ｂの延長上の、ワーク外加工部を同時に露光するための直線状のパターンが設けられているため、ウエハ表面側からの、遮光マスクＭとウエハ１との位置合わせ確認ができる。つまり、遮光マスクには、切断ラインとともにワーク外加工部の露光パターンが設けられているため、ウエハ表面側から、ウエハ上の切断ラインと遮光マスクのワーク外加工部の露光パターンとの高精度の位置合わせを行うことができる。
【００３４】
いずれの方法であっても、両面アライナーのような特殊な装置を用いることなく、切断ラインに沿った領域と、その延長上のダイシングテープ空き領域の粘着剤を精度よく硬化させることができる。
【００３５】
以上のように、遮光マスクＭとウエハ１との位置合わせを行った後、図１の（ｂ）および図２の（ｃ）に示すように、紫外線照射装置により紫外線Ｐ1 を照射する。ダイシングテープ１０の粘着剤１２は、フィルム基材１１側から約４００ｍＪ／ｃｍ2 （波長３６５ｎｍ）の紫外線照射で表面が硬化し、ウエハ１のシリコン裏面に対してタックフリーの状態になる。ここで、紫外線照射に際し、大気中の酸素によるラジカルの失活を防ぐため、ダイシングテープ１０の露光面は窒素パージなどにより酸素濃度を低下させておく必要がある。本実施例では、ウエハ１をダイシングテープ１０を介してフレームＫと一体となった状態のものに対し遮光マスクＭを位置合わせした状態で、図２の（ｃ）に示すようにチャンバーＣ内に設置し、チャンバーＣ内の酸素濃度が２％未満になるように保った。これによって、フレームＫとウエハ１間のダイシングテープ１０の空き領域における粘着剤１２のラジカル重合の失活は回避される。
【００３６】
このようにして紫外線を照射することによって、ウエハ１の切断ライン１ｂとその延長部に対応してダイシングテープ１０の粘着剤１２をライン状に硬化させ、ダイシングブレードＢによって切り込まれる部位の粘着力を低減する。
【００３７】
続いて図１の（ｃ）および図２の（ｄ）に示すようにダイシングが行われ、半導体素子１ａが分離される。ダイシングの条件として、ダイシング装置に東京精密（株）製ダイシングマシンＡ−ＷＤ５０００Ａを用い、回転数５０００ｒｐｍ、加工速度３０ｍｍ／秒で行った。ダイシングブレードＢは、株式会社ディスコ製の製品型番ＮＢＣ−ＺＨ２０５０（刃厚５０μｍ）を使用した。
【００３８】
図５はダイシングの際におけるダイシングブレードＢとウエハ１およびダイシングテープ１０の関係を示す。ダイシングブレードＢの先端はダイシングテープ１０に５０μｍまで切り込むように切り残し量を４０μｍに設定している。ダイシングブレードＢはダイシングテープ１０を粘着剤１２の層よりもさらに下方まで４０μｍだけ切断しているので、ダイシングブレードＢの先端付近の先細り状部分はウエハ１の切断部分にはかからず、ウエハ１の切断面を平面にすることができる。
【００３９】
図６は、ウエハ１のダイシング工程を説明する立面図であり、ウエハ１をダイシングするときのダイシングブレードＢと、ウエハ１の外縁から露出するダイシングテープ１０の空き領域にのびる切断ライン１ｂの延長上のワーク外加工部１０ａに切り込むダイシングブレードＢを示すものである。ここでは、ダイシングブレードＢとして直径２インチ（５０．８ｍｍ）のものを用い、厚さ０．６ｍｍのウエハ１を加工するとき、ダイシングブレードＢがウエハ１から完全に通過するためのワーク外加工部１０ａの長さは約５．５ｍｍ必要となる。同様にダイシングブレードＢの切り初めに際しても、同じ量のワーク外加工部１０ａが必要となる。
【００４０】
従って、ダイシング工程でダイシングテープ１０に切り込む切断長１０ｂは、ウエハ１の切断ライン１ｂの長さ＋約１１ｍｍとなり、一般にダイシング装置は、ダイシングブレードＢの直径、ウエハサイズ、ウエハ厚さを入力するとマージンを加味してダイシングテープ１０の切断長１０ｂを設定するようになっている。
【００４１】
ダイシングの前にダイシングテープ１０の粘着剤１２をライン状に硬化させる工程では、ウエハ１上の切断ライン１ｂの長さに、両側のワーク外加工部１０ａの長さを加えた実際の切断長１０ｂ以上を硬化させることが望ましい。
【００４２】
図６に示すように、ダイシング工程では、ウエハ１から発生する切削屑Ｈ1 とダイシングテープ１０から発生する切削屑Ｈ2 が回転するダイシングブレードＢの回転力により同時に飛散し、これらが切断中のウエハ１の表面に付着する。このように付着した切削屑Ｈ1 、Ｈ2 のうちで、ウエハ１の切削屑Ｈ1 はシリコン屑であるから図２の（ｅ）に示す洗浄工程により除去することが可能である。またダイシングテープ１０の切削屑Ｈ2 も既に硬化反応が進み粘着力が低下しているため、同様に洗浄工程にて除去することが可能である。
【００４３】
図１の（ｄ）に示す工程では、ダイシング、洗浄が終了したウエハ１をフレームＫごとダイシング装置から取り外し、ダイシングテープ１０の裏面から紫外線Ｐ2 を全面に照射し、ダイシングテープ１０の粘着剤１２をすべて硬化させることにより被着体であるウエハ１との粘着力を低下させる。
【００４４】
これにより、図１の（ｅ）および図２の（ｆ）に示すように、各半導体素子１ａをウエハ１およびダイシングテープ１０から容易にピックアップすることができる。
【００４５】
図７は、本実施例のダイシング方法により得られた半導体素子である吐出素子を実装した液体吐出ヘッドであるインクジェット記録ヘッドを示すもので、その組み立ては以下の工程で行われる。
【００４６】
（１）２種類のウエハから分離された、吐出素子であるブラック用、カラー用素子５２Ａ、５２Ｂをマウント基板５６にマウントする工程。
（２）フレキシブル基板５７の電極端子と各素子５２Ａ、５２Ｂの電極部との位置合わせとフレキシブル基板５７への接合。
（３）フレキシブル基板５７の電極端子と、各素子５２Ａ、５２Ｂの電極部との接続と封止。
（４）上記の素子実装部と、インクタンク５０、インク供給ユニット５８、タンクホルダー５９等の液体供給手段であるインク供給部材との組み立て。
【００４７】
以上の工程で作製したインクジェット記録装置は、液滴の「よれ」のない、安定した液滴形成が可能であった。また長期の使用にあたってオリフィス詰まりや吐出不良のない優れた信頼性を得ることができた。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
液体吐出ヘッドの吐出素子の切り出しに限らず、各種半導体デバイスに搭載される半導体素子をウエハから分離するダイシングに幅広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】一実施例によるウエハのダイシング方法を斜視図で説明する工程図である。
【図２】図１のダイシング方法を断面図で説明する工程図である。
【図３】ウエハの位置合わせ用チップと、遮光マスクの位置合わせ用の開口を説明する図である。
【図４】ウエハと遮光マスクの位置合わせを説明する図である。
【図５】ダイシングブレードによる切り込みを説明する図である。
【図６】ダイシング工程における切削屑の発生を説明する図である。
【図７】液体吐出ヘッドの組み立て工程を説明する図である。
【図８】一従来例によるダイシング方法を斜視図で説明する工程図である。
【図９】図８のダイシング方法を断面図で説明する工程図である。
【図１０】図８のダイシング工程における切削屑の発生を説明する図である。
【図１１】図８のダイシング工程においてウエハの開口部に切削水が侵入する状況を説明する図である。
【符号の説明】
【００５０】
１    ウエハ
１ａ    半導体素子
１ｂ    切断ライン
１ｃ    位置合わせ用チップ
２    オリフィス層
３    開口部
１０    ダイシングテープ
１０ａ    ワーク外加工部
１１    フィルム基材
１２    粘着剤
５０    インクタンク
５２Ａ    ブラック用素子
５２Ｂ    カラー用素子
５６    マウント基板
５７    フレキシブル基板
５８    インク供給ユニット
５９    タンクホルダー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2006165359.tif 000006
【図５】
2006165359.tif 000007
【図６】
2006165359.tif 000008
【図７】
2006165359.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006165359.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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