(57)【要約】      （修正有）【課題】ＳＴＩ加工のための二酸化ケイ素および窒化ケイ素のケミカルメカニカルポリッシングのための、改善されたディッシング性を有する組成物および方法を提供する。【解決手段】カルボン酸ポリマー０．０１〜５重量％、砥粒０．０２〜６重量％、ポリビニルピロリドン０．０１〜１０重量％、カチオン性化合物０〜５重量％、双性イオン化合物０〜５重量％及び残余としての水を含み、ポリビニルピロリドンが１００g/mole〜１，０００，０００g/moleの平均分子量を有する半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するのに有用な水性組成物を使用する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するのに有用な水性組成物であって、カルボン酸ポリマー０．０１〜５重量％、砥粒０．０２〜６重量％、ポリビニルピロリドン０．０１〜１０重量％、カチオン性化合物０〜５重量％、双性イオン化合物０〜５重量％及び残余としての水を含み、前記ポリビニルピロリドンが１００g/mole〜１，０００，０００g/moleの平均分子量を有する組成物。
【請求項２】
ポリビニルピロリドンを０．０２〜１重量％含む、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記ポリビニルピロリドンが１，５００g/mole〜１０，０００g/moleの平均分子量を有する、請求項１記載の組成物。
【請求項４】
前記双性イオン化合物が、以下の構造
【化１】
2006041535.tif 000006
（式中、ｎは整数であり、Ｙは水素又はアルキル基からなり、Ｚはカルボキシル、スルフェート又は酸素からなり、Ｍは窒素、リン又は硫黄原子からなり、Ｘ1、Ｘ2及びＸ3は、独立して、水素、アルキル基及びアリール基からなる群より選択される置換基からなる）
を有する、請求項１記載の組成物。
【請求項５】
前記カルボン酸ポリマーがポリアクリル酸である、請求項１記載の組成物。
【請求項６】
前記カチオン性化合物が、アルキルアミン、アリールアミン、第四級アンモニウム化合物及びアルコールアミンからなる群より選択される、請求項１記載の組成物。
【請求項７】
前記砥粒がセリアである、請求項１記載の組成物。
【請求項８】
４〜９のｐＨを有する、請求項１記載の組成物。
【請求項９】
半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨する方法であって、
前記ウェーハ上の前記シリカ及び窒化ケイ素を、カルボン酸ポリマー０．０１〜５重量％、砥粒０．０２〜６重量％、ポリビニルピロリドン０．０１〜１０重量％、カチオン性化合物０〜５重量％、双性イオン化合物０〜５重量％及び残余としての水を含み、前記ポリビニルピロリドンが１００g/mole〜１，０００，０００g/moleの平均分子量を有する研磨組成物と接触させることと、
前記シリカ及び窒化ケイ素を研磨パッドで研磨することと
を含む方法。
【請求項１０】
前記組成物がポリビニルピロリドンを０．０２〜１重量％含む、請求項９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ材料のケミカルメカニカルプラナリゼーション（ＣＭＰ）に関し、より具体的には、ＳＴＩ（浅いトレンチ分離）加工において半導体ウェーハからシリカ及び窒化ケイ素を研磨するためのＣＭＰ組成物及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子の寸法を減らし、マイクロ電子回路の集積密度を高めるには、絶縁構造のサイズを相応に減らすことが必要になってきた。この小型化は、効果的な絶縁を提供しながらも基板表面を最小限しか占有しない構造の再現可能な形成を奨励する。
【０００３】
ＳＴＩ技術は、集積回路中に形成される種々の活動部品を電気的に絶縁するための絶縁構造を形成するために広く使用される半導体製造法である。従来のＬＯＣＯＳ（ケイ素の局所酸化）技術に対するＳＴＩ技術を使用する一つの大きな利点は、サブミクロンレベルの集積で製造するための、ＣＭＯＳ（相補型金属酸化物半導体）ＩＣ素子への高いスケーラビリティである。もう一つの利点は、ＳＴＩ技術が、絶縁構造を形成するためのＬＯＣＯＳ技術に特徴的である、いわゆるバーズビーク浸食の発生を防ぐのに役立つということである。
【０００４】
ＳＴＩ技術では、第一工程は、通常は異方性エッチングによる、基板中の既定の場所における複数のトレンチの形成である。次に、これらのトレンチそれぞれにシリカを付着させる。そして、そのシリカを、ＣＭＰにより、窒化ケイ素（停止層）に達するまで研磨してＳＴＩ構造を形成する。効率的な研磨を達成するためには、研磨スラリーが、窒化ケイ素に対するシリカの高い除去速度を伴う高い選択性（「選択比」）を提供しなければならない。
【０００５】
Kidoらは、米国特許出願第２００２／００４５３５０号公開公報で、半導体素子を研磨するための、酸化セリウム及び水溶性有機化合物を含む公知の砥粒組成物を開示している。場合によっては、組成物は、粘度調節剤、緩衝剤、界面活性剤及びキレート化剤を含有してもよいが、いずれも特定されていない。Kidoの組成物は十分なディッシング性能を提供するが、マイクロ電子回路における集積密度のさらなる増大は、改良された組成物及び方法を要望する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、要望されているものは、ＳＴＩ加工のための二酸化ケイ素（「シリカ」）及び窒化ケイ素のケミカルメカニカルポリッシングのための、改善されたディッシングを有する組成物及び方法である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第一の態様で、本発明は、半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するのに有用な水性組成物であって、カルボン酸ポリマー０．０１〜５重量％、砥粒０．０２〜６重量％、ポリビニルピロリドン０．０１〜１０重量％、カチオン性化合物０〜５重量％、双性イオン化合物０〜５重量％及び残余としての水を含み、ポリビニルピロリドンが１００g/mole〜１，０００，０００g/moleの平均分子量を有する組成物を提供する。
【０００８】
第二の態様で、本発明は、半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨する方法であって、ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を、カルボン酸ポリマー０．０１〜５重量％、砥粒０．０２〜６重量％、ポリビニルピロリドン０．０１〜１０重量％、カチオン性化合物０〜５重量％、双性イオン化合物０〜５重量％及び残余としての水を含み、ポリビニルピロリドンが１００g/mole〜１，０００，０００g/moleの平均分子量を有する研磨組成物と接触させることと、シリカ及び窒化ケイ素を研磨パッドで研磨することとを含む方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
組成物及び方法は、ＳＴＩ加工の場合に、半導体ウェーハ上の二酸化ケイ素の除去を予想外に抑制する。組成物は、有利には、研磨加工中の改善された選択比及び制御性のためにポリビニルピロリドンを含む。特に、本発明は、半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するのに有用な、ポリビニルピロリドン、カルボン酸ポリマー、砥粒及び残余としての水を含む水性組成物を提供する。場合によっては、本発明の化合物は、平坦化を促進し、ウェーハ浄化時間及びシリカ除去を調整するためのカチオン性化合物を含有することができる。また、組成物は、場合によっては、平坦化を促進し、窒化物除去に対する抑制剤として働くための双性イオン化合物を含有する。
【００１０】
有利には、新規な研磨組成物は、酸化物除去中に圧力しきい応答を提供するためにポリビニルピロリドンを約０．０１〜１０重量％含有する。好ましくは、ポリビニルピロリドンは０．０１５〜５重量％の量で存在する。より好ましくは、ポリビニルピロリドンは０．０２〜０．５重量％の量で存在する。加えて、高めの数平均分子量のポリビニルピロリドンと低めの数平均分子量のポリビニルピロリドンとのブレンドを使用することもできる。
【００１１】
また、ポリビニルピロリドンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって決定した場合で１００〜１，０００，０００g/moleである。好ましくは、ポリビニルピロリドンは５００〜５００，０００g/moleの重量平均分子量を有する。より好ましくは、ポリビニルピロリドンの重量平均分子量は約１，５００〜約１０，０００g/moleである。
【００１２】
ポリビニルピロリドンに加えて、組成物は、有利には、砥粒（以下に論じる）の分散剤として働くためのカルボン酸ポリマーを０．０１〜５重量％含有する。好ましくは、組成物はカルボン酸ポリマーを０．０５〜１．５重量％含有する。また、ポリマーは、好ましくは、４，０００〜１，５００，０００の数平均分子量を有する。加えて、高めの数平均分子量のカルボン酸ポリマーと低めの数平均分子量のカルボン酸ポリマーとのブレンドを使用することもできる。これらのカルボン酸ポリマーは一般に溶液状態であるが、水性分散系であってもよい。カルボン酸ポリマーは、有利には、砥粒（以下に論じる）のための分散剤として働くことができる。前述のポリマーの数平均分子量はＧＰＣによって決定される。
【００１３】
カルボン酸ポリマーは、好ましくは、不飽和モノカルボン酸及び不飽和ジカルボン酸から形成される。典型的な不飽和モノカルボン酸モノマーは、炭素原子３〜６個を含み、アクリル酸、オリゴマーアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸及びビニル酢酸がある。典型的な不飽和ジカルボン酸は、炭素原子４〜８個を含み、それらの酸無水物を含み、たとえばマレイン酸、マレイン酸無水物、フマル酸、グルタル酸、イタコン酸、イタコン酸無水物及びシクロヘキセンジカルボン酸である。加えて、前述の酸の水溶性塩を使用することもできる。
【００１４】
特に有用なものは、約１，０００〜１，５００，０００、好ましくは３，０００〜２５０，０００、より好ましくは２０，０００〜２００，０００の数平均分子量を有する「ポリ（メタ）アクリル酸」である。本明細書で使用する「ポリ（メタ）アクリル酸」は、アクリル酸のポリマー、メタクリル酸のポリマー又はアクリル酸とメタクリル酸とのコポリマーと定義される。異なる数平均分子量のポリ（メタ）アクリル酸のブレンドが特に好ましい。ポリ（メタ）アクリル酸のこれらのブレンド又は混合物においては、１，０００〜１００，０００、好ましくは４，０００〜４０，０００の数平均分子量を有する低めの数平均分子量のポリ（メタ）アクリル酸が、１５０，０００〜１，５００，０００、好ましくは２００，０００〜３００，０００の数平均分子量を有する高めの数平均分子量のポリ（メタ）アクリル酸と組み合わせて使用される。通常、低めの数平均分子量のポリ（メタ）アクリル酸と高めの数平均分子量のポリ（メタ）アクリル酸との重量比は、約１０：１〜１：１０、好ましくは５：１〜１：５、より好ましくは３：１〜２：３である。好ましいブレンドは、約２０，０００の数平均分子量を有するポリ（メタ）アクリル酸と、約２００，０００の数平均分子量を有するポリ（メタ）アクリル酸とを重量比２：１で含む。
【００１５】
加えて、カルボン酸成分がポリマーの５〜７５重量％を含むカルボン酸含有コポリマー及びターポリマーを使用することができる。このようなポリマーの典型的なものは、（メタ）アクリル酸とアクリルアミド又はメタクリルアミドとのポリマー、（メタ）アクリル酸とスチレン及び他のビニル芳香族モノマーとのポリマー、アルキル（メタ）アクリレート（アクリル酸又はメタクリル酸のエステル）とモノ又はジカルボン酸、たとえばアクリル酸もしくはメタクリル酸又はイタコン酸とのポリマー、置換基、たとえばハロゲン（すなわち塩素、フッ素、臭素）、ニトロ、シアノ、アルコキシ、ハロアルキル、カルボキシ、アミノ、アミノアルキルを有する置換ビニル芳香族モノマーと不飽和モノ又はジカルボン酸及びアルキル（メタ）アクリレートとのポリマー、窒素環を含有するモノエチレン性不飽和モノマー、たとえばビニルピリジン、アルキルビニルピリジン、ビニルブチロラクタム、ビニルカプロラクタムと不飽和モノ又はジカルボン酸とのポリマー、オレフィン、たとえばプロピレン、イソブチレン又は炭素原子１０〜２０個の長鎖アルキルオレフィンと不飽和モノ又はジカルボン酸とのポリマー、ビニルアルコールエステル、たとえば酢酸ビニル及びステアリン酸ビニル又はハロゲン化ビニル、たとえばフッ化ビニル、塩化ビニル、フッ化ビニリデン又はビニルニトリル、たとえばアクリロニトリル及びメタクリロニトリルと不飽和モノ又はジカルボン酸とのポリマー、アルキル基中に炭素原子１〜２４個を有するアルキル（メタ）アクリレートと不飽和モノカルボン酸、たとえばアクリル酸又はメタクリル酸とのポリマーである。これらは、本発明の新規な研磨組成物に使用することができる多様なポリマーのごくいくつかの例である。また、生分解性、光分解性又は他の手段によって分解可能であるポリマーを使用することも可能である。生分解性であるこのような組成物の一例は、ポリ（アクリレート共メチル２−シアノアクリレート）のセグメントを含むポリアクリル酸ポリマーである。
【００１６】
有利には、研磨組成物は、シリカ除去を促進するため、砥粒を０．２〜６重量％含有する。この範囲内で、砥粒は、０．５重量％以上の量で存在させることが望ましい。同じくこの範囲内で望ましいものは、２．５重量％以下の量である。
【００１７】
砥粒は、平均粒度が５０〜２００ナノメートル（nm）である。本明細書に関して、粒度とは、砥粒の平均粒度をいう。より好ましくは、平均粒度が８０〜１５０nmである砥粒を使用することが望ましい。砥粒の粒度を８０nm以下に減らすことは、研磨組成物の平坦化を改善する傾向を示すが、除去速度を下げる傾向をも示す。
【００１８】
典型的な砥粒としては、無機酸化物、無機水酸化物、金属ホウ化物、金属炭化物、金属窒化物、ポリマー粒子及び前記の少なくとも一つを含む混合物がある。適切な無機酸化物としては、たとえば、シリカ（ＳｉＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、セリア（ＣｅＯ2）、酸化マンガン（ＭｎＯ2）又は前記酸化物の少なくとも一つを含む組み合わせがある。望むならば、これらの無機酸化物の改変形態、たとえばポリマー被覆無機酸化物粒子及び無機被覆粒子を使用してもよい。適切な金属炭化物、ホウ化物及び窒化物としては、たとえば、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）、炭化ホウ素、炭化タングステン、炭化ジルコニウム、ホウ化アルミニウム、炭化タンタル、炭化チタン又は前記金属炭化物、ホウ化物及び窒化物の少なくとも一つを含む組み合わせがある。望むならば、ダイアモンドを砥粒として使用してもよい。代替砥粒はまた、ポリマー粒子及び被覆ポリマー粒子を含む。好ましい砥粒はセリアである。
【００１９】
化合物は、残余として水を含有する溶液中、広いｐＨ範囲で効力を提供する。この溶液の有効ｐＨ範囲は少なくとも４〜９である。加えて、溶液は、有利には、偶発的な不純物を制限するため、残余として脱イオン水に依存する。本発明の研磨流体のｐＨは、好ましくは４．５〜８、より好ましくは５．５〜７．５である。本発明の組成物のｐＨを調節するために使用される酸は、たとえば、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸などである。本発明の組成物のｐＨを調節するために使用される典型的な塩基は、たとえば、水酸化アンモニウム及び水酸化カリウムである。
【００２０】
場合によっては、組成物は、有利には、平坦化を促進し、窒化物除去に対する抑制剤として働くための双性イオン化合物を０〜５重量％含有する。有利には、組成物は、双性イオン化合物を０．０１〜１．５重量％含有する。本発明の双性イオン化合物は、有利には、平坦化を促進し、窒化物除去を抑制することができる。
【００２１】
「双性イオン化合物」とは、物理的架橋、たとえばＣＨ2基によって結合されたカチオン性置換基とアニオン性置換基とをほぼ等しい割合で含有し、その結果、全体として正味中性である化合物をいう。本発明の双性イオン化合物は以下の構造を含む。
【００２２】
【化２】
2006041535.tif 000002
【００２３】
式中、ｎは整数であり、Ｙは水素又はアルキル基からなり、Ｚはカルボキシル、スルフェート又は酸素からなり、Ｍは窒素、リン又は硫黄原子からなり、Ｘ1、Ｘ2及びＸ3は、独立して、水素、アルキル基及びアリール基からなる群より選択される置換基からなる。
【００２４】
本明細書で定義する「アルキル」（又はアルキル−もしくはアルク−）とは、好ましくは炭素原子１〜２０個を含む置換又は非置換の直鎖状、分岐鎖状又は環式の炭化水素鎖をいう。アルキル基には、たとえば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、tert−ブチル、sec−ブチル、シクロブチル、ペンチル、シクロペンチル、ヘキシル及びシクロヘキシルがある。
【００２５】
「アリール」とは、好ましくは炭素原子６〜２０個を含む置換又は非置換の芳香族炭素環式基をいう。アリール基は、単環式であることもできるし、多環式であることもできる。アリール基には、たとえば、フェニル、ナフチル、ビフェニル、ベンジル、トリル、キシリル、フェニルエチル、ベンゾエート、アルキルベンゾエート、アニリン及びＮ−アルキルアニリノがある。
【００２６】
好ましい双性イオン化合物としては、たとえばベタインがある。本発明の好ましいベタインは、以下の構造
【００２７】
【化３】
2006041535.tif 000003
【００２８】
によって表されるＮ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニオアセテートである。
【００２９】
場合によっては、本発明の組成物は、カチオン性化合物を０〜５重量％含むことができる。好ましくは、組成物は、場合によっては、カチオン性化合物を０．０１〜１．５重量％含む。本発明のカチオン性化合物は、有利には、平坦化を促進し、ウェーハ浄化時間を調整し、酸化物除去を抑制するように働くことができる。好ましいカチオン性化合物としては、アルキルアミン、アリールアミン、第四級アンモニウム化合物及びアルコールアミンがある。典型的なカチオン性化合物としては、メチルアミン、エチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、アニリン、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、エタノールアミン及びプロパノールアミンがある。
【００３０】
したがって、本発明は、ＳＴＩ加工の場合に半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するのに有用な組成物を提供する。組成物は、有利には、改善されたディッシング性能のためにポリビニルピロリドンを含む。特に、本発明は、半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するのに有用な水性組成物であって、カルボン酸ポリマー０．０１〜５重量％、砥粒０．０２〜６重量％、ポリビニルピロリドン０．０１〜１０重量％、カチオン性化合物０〜５重量％、双性イオン化合物０〜５重量％及び残余としての水を含み、ポリビニルピロリドンが１００g/mole〜１，０００，０００g/moleの平均分子量を有する組成物を提供する。組成物は、４〜９のｐＨ範囲で特に改善されたしきい圧応答を示す。
【００３１】
加えて、本発明は、ウェーハトラックの中心又はその近くで摩耗速度を低下させる研磨パッドとともに使用される場合に特に有用である。ＳＴＩスラリーはしばしば、「中心高速化」現象（すなわち、ウェーハの他の区域に対してウェーハトラックの中心又その近くをより高速で研磨する）を示す。本発明者らは、本発明の組成物を用いる研磨が、ウェーハにとって比較的弱い摩耗速度を有する研磨パッドととも使用される場合に、ウェーハトラックの中心又はその近くで、中心高速化現象の改善された減少を提供するということを見いだした。換言するならば、研磨パッドは、ウェーハトラックの中心近くの研磨を減らすように設計された溝を有する。研磨パッドは、多孔性、非孔性又はそれらの組み合わせであることができる。また、研磨パッドは、所望のいかなる溝形状又は設計、たとえばらせん、円形、放射状、斜交平行線模様又はそれらの組み合わせを有してもよい。特に有用な溝設計は、らせん−放射状−らせん設計である。
【実施例】
【００３２】
実施例では、数字が本発明の例を表し、文字が比較例を表す。すべての実施例溶液は、セリア１．８重量％、ポリアクリル酸０．２７重量％、ベタイン０．５重量％及びエタノールアミン０．１５重量％を含有した。本発明の実施例は、ポリビニルピロリドンを０．１重量％含有した。スラリーは、砥粒パッケージを薬品パッケージと合わせることによって調製した。砥粒パッケージは、ブレードミキサを使用してポリアクリル酸濃縮物を脱イオン水に溶解させ、そのポリアクリル酸溶液にセリア濃縮物を加えることによって製造した。そして、セリア−ポリアクリル酸−水の混合物を硝酸又は水酸化アンモニウムを使用して滴定した。そして、混合物を高剪断Kadyミルに供給した。薬品パッケージは、残りの薬品すべてを脱イオン水に適量で溶解し、ブレードミキサで混合し、硝酸又は水酸化アンモニウムを使用して所望の最終ｐＨまで滴定することによって調製した。最終スラリーは、砥粒パッケージを薬品パッケージと混合し、所望のｐＨまで滴定することによって調製した。
【００３３】
実施例１
この実験は、二酸化ケイ素除去のしきい圧応答に対する本スラリーの影響を計測した。特に、二酸化ケイ素除去のしきい圧応答に対するポリビニルピロリドンの影響を試験した。IPEC 472 DE 200mm研磨機により、IC1000（商標）ポリウレタン研磨パッド（Rohm and Haas Electronic Materials CMP社）を、３〜９psiのダウンフォース条件下、１５０cc/minの研磨溶液流量、５２rpmのプラテン速度及び５０rpmのキャリヤ速度で使用して、試料を平坦化した。研磨溶液は、硝酸又は水酸化アンモニウムによってｐＨを６．５に調節した。すべての溶液は残余として脱イオン水を含有した。
【００３４】
【表１】
2006041535.tif 000004
【００３５】
上記表１に示すように、ポリビニルピロリドンの添加が二酸化ケイ素の場合の組成物のしきい圧応答を改善した。特に、ポリビニルピロリドンの添加は、二酸化ケイ素の除去におけるスラリーのしきい圧応答を改善した。たとえば試験ＡスラリーはＴＥＯＳを１２９６Å/minで除去したが、それに比べ、試験１はＴＥＯＳを１００Å/minでしか除去しなかった。さらに、圧力を４psiから６psiに高めると、ＴＥＯＳ除去速度は、試験Ｂ〜試験Ｄの場合には１９９４Å/minから２９７１Å/minまで増大したが、試験２〜試験４の場合には１００Å/minから２０９３Å/minまでしか増大しなかった。
【００３６】
実施例２
この実験は、酸化物除去のしきい圧応答に対する本スラリーの影響を計測した。特に、１０％トレンチ酸化物におけるディッシングに対するポリビニルピロリドンの影響を試験した。本明細書中、１０％トレンチ酸化物は、有効幅／（トレンチ幅＋有効幅）×１００％＝１０％である反復構造のアレイ中のトレンチと定義する。たとえば、トレンチ幅＋有効幅＝１００ミクロンであるならば、１０％トレンチは幅９０ミクロンである。ダウンフォースを５psiで維持したことを除き、すべての条件は上記実施例１の条件と同じであった。
【００３７】
【表２】
2006041535.tif 000005
【００３８】
上記表２に示すように、ポリビニルピロリドンの添加がトレンチ酸化物の組成物の圧力依存応答を提供した。特に、ポリビニルピロリドンの添加は、ＴＥＯＳの厚さを維持することによってスラリーのディッシング性能を改善した。換言するならば、組成物は、広いオーバーポリッシュ範囲を提供する。典型的なトレンチが厚さ約５０００Åであることを記しておく。たとえば、試験Ｈスラリーは、６０秒の研磨で、トレンチ酸化物の厚さを６１００Åから５３７９Åまで減らしたが、試験８スラリーは、６０秒の研磨で、トレンチ酸化物の厚さを６１００Åから５７４６Åまでしか減らさなかった。さらには、試験Ｈスラリーは、１５０秒の研磨で、トレンチ酸化物の厚さを６１００Åから４５３９Åまで減らしたが、試験９スラリーは、１８０秒の研磨で、トレンチ酸化物の厚さを６１００Åからわずか５５６８Åまでしか減らさなかった。
【００３９】
したがって、本発明は、ＳＴＩ加工の場合に半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するのに有用な組成物を提供する。組成物は、有利には、研磨加工中の改善された選択比及び制御性のためにポリビニルピロリドンを含む。特に、本発明は、半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するのに有用な、ポリビニルピロリドン、カルボン酸ポリマー、砥粒及び残余としての水を含む水性組成物を提供する。場合によっては、本発明の化合物は、平坦化を促進し、ウェーハ浄化時間及びシリカ除去を調整するためのカチオン性化合物を含有することができる。また、組成物は、場合によっては、平坦化を促進し、窒化物除去に対する抑制剤として働くための双性イオン化合物を含有する。
【外国語明細書】
1. Title of Invention
2006041535.tif 000007
2. Detailed Description of Invention
2006041535.tif 000008
2006041535.tif 000009
2006041535.tif 000010
2006041535.tif 000011
2006041535.tif 000012
2006041535.tif 000013
2006041535.tif 000014
2006041535.tif 000015
2006041535.tif 000016
2006041535.tif 000017
2006041535.tif 000018
1.Claims
2006041535.tif 000019
2006041535.tif 000020
1. Abstract
2006041535.tif 000021
2. Representative Drawing
None