(57)【要約】【課題】ビアホールの内部回路の中断現象なしで微細な回路パターンを形成することができるプリント基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層と、前記絶縁層を貫通するように形成される少なくとも一つのビアホールと、前記ビアホールの内壁および前記絶縁層の少なくとも一面に所定のパターンに形成され、前記所定のパターンの角部に対する角部が、形成厚さに比例する大きさにエッチングされている第１無電解メッキ層と、前記第１無電解メッキ層上に形成される第２無電解メッキ層と、前記第２無電解メッキ層上に形成され、前記第１無電解メッキ層の厚さに比例する大きさに角部がエッチングされている電解メッキ層とを含む。【選択図】図４ｊ
2006108613.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層を貫通するように形成される少なくとも一つのビアホールと、
前記ビアホールの内壁および前記絶縁層の少なくとも一面に所定のパターンに形成され、前記所定のパターンの角部に対する角部が、形成厚さに比例する大きさにエッチングされている第１無電解メッキ層と、
前記第１無電解メッキ層上に形成される第２無電解メッキ層と、
前記第２無電解メッキ層上に形成され、前記第１無電解メッキ層の厚さに比例する大きさに角部がエッチングされている電解メッキ層とを含むことを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記第１無電解メッキ層が前記第２無電解メッキ層より薄いことを特徴とする請求項１記載のプリント基板。
【請求項３】
前記第１無電解メッキ層の厚さは約０．１〜０．５μｍであり、前記第２無電解メッキ層の厚さは約１〜５μｍであることを特徴とする請求項２記載のプリント基板。
【請求項４】
前記第１無電解メッキ層、前記第２無電解メッキ層および前記電解メッキ層がそれぞれＣｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｓｎおよびこれらの合金からなる群より選択される物質を主成分とすることを特徴とする請求項１記載のプリント基板。
【請求項５】
（Ａ）回路パターンが形成された原板上に絶縁層を積層し、前記回路パターンに連結されるように前記絶縁層を貫通するビアホールを形成する段階と、
（Ｂ）前記回路パターンの露出部、前記絶縁層および前記ビアホールの内壁に第１無電解メッキ層を形成する段階と、
（Ｃ）前記第１無電解メッキ層上に所定のメッキレジストパターンを形成し、前記メッキレジストパターンが形成されていない前記第１無電解メッキ層上に第２無電解メッキ層を形成する段階と、
（Ｄ）前記第２無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成した後、前記メッキレジストパターンを除去する段階と、
（Ｅ）前記第２無電解メッキ層および前記電解メッキ層が形成されていない前記第１無電解メッキ層部分を除去する段階とを含むことを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記（Ｂ）段階の前記第１無電解メッキ層が触媒析出方式により形成されることを特徴とする請求項５記載のプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記（Ｂ）段階の前記第１無電解メッキ層がスパッタリング方式により形成されることを特徴とする請求項５記載のプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記（Ｃ）段階の前記第２無電解メッキ層が前記第１無電解メッキ層を自己触媒として用いて形成されることを特徴とする請求項５記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ｄ）段階の前記電解メッキ層が前記第１無電解メッキ層をメッキ引込線として用いて形成されることを特徴とする請求項５に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ｂ）段階の前記第１無電解メッキ層が前記（Ｃ）段階の前記第２無電解メッキ層より薄く形成されることを特徴とする請求項５記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１無電解メッキ層の厚さは約０．１〜０．５μｍであり、前記第２無電解メッキ層の厚さは約１〜５μｍであることを特徴とする請求項１０記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１無電解メッキ層、前記第２無電解メッキ層および前記電解メッキ層がそれぞれＣｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｓｎおよびこれらの合金からなる群より選択される物質を主成分とすることを特徴とする請求項５記載のプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント基板およびその製造方法にかかわり、より詳しくは無電解銅メッキを２回実施することにより、ビアホールの内部回路の中断現象を防止し、微細な回路パターンを形成するプリント基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体チップの高密度化および信号伝達速度の高速化に対応するための技術として、ＣＳＰ（Chip-Sized Package）実装またはワイヤボンディング実装に代わって、半導体チップをプリント基板に直接実装する技術に対する要求が増大している。プリント基板に半導体チップを直接実装するため、半導体の高密度化に対応し得る高密度および高信頼性のプリント基板の開発が必要である。
【０００３】
高密度および高信頼性のプリント基板に対する要求仕様は半導体チップの仕様に密接に連関し、回路の微細化、高度な電気特性、高速信号伝達構造、高信頼性、高機能性などの多くの課題がある。このような要求仕様に応える微細回路パターンおよびマイクロビアホールの形成が可能なプリント基板技術が要求されている。
【０００４】
通常、プリント基板の回路基板を形成する方法としては、サブトラクティブプロセス（subtractive process）、フルアディティブプロセス（full additive process）、およびセミアディティブプロセス（semi-additive process）などがある。このような方法のうち、回路パターンの微細化が可能なセミアディティブプロセスが現在注目を浴びている。
【０００５】
図１ａないし図１ｇは従来のプリント基板の製造方法の流れを示す断面図で、セミアディティブプロセスを示すものであり、図２ａおよび図２ｂは図１ａないし図１ｇの方法により形成されたビアホールの断面図である。これら図面には、プリント基板の一面のみが示されているが、実際にはプリント基板の両面に施される。
【０００６】
図１ａに示すように、絶縁樹脂層１１１に回路パターン１１２およびビアホールの下部ランド１１３が形成された銅張積層板１００を用意した後、銅張積層板１００上に絶縁層１２０を積層する。
【０００７】
図１ｂに示すように、絶縁層１２０をレーザで加工することにより、各層間の回路連結のためのビアホールａを形成する。
【０００８】
図１ｃに示すように、各層間の電気的連結を行い、絶縁層１２０の表面に回路パターンを形成するため、絶縁層１２０、ビアホールの内壁１２１および下部ランド１１３に厚さが約１μｍ以上の無電解銅メッキ層１３０を形成する。
【０００９】
図１ｄに示すように、無電解銅メッキ層１３０にドライフィルム１５０を塗布した後、露光および現像を行うことにより、ドライフィルム１５０に、回路パターン１３１、ビアホールの内壁１３２、上部ランド１３３および下部ランド１３４の部分が現像されたメッキレジストパターンを形成する。
【００１０】
図１ｅに示すように、メッキレジストパターンが形成されていない回路パターン１３１、ビアホールａの内部、上部ランド１３３および下部ランド１３４に厚さ約１０〜２０μｍの電解銅メッキ層１４１、１４２を形成する。
【００１１】
図１ｆに示すように、ドライフィルム１５０を剥離して除去する。
【００１２】
図１ｇに示すように、無電解銅メッキ層１３０および電解銅メッキ層１４１、１４２にエッチング液を噴霧することにより、回路パターン１３１、１４１およびビアホール領域１３２、１３３、１３４、１４２を除いた部分の無電解銅メッキ層１３０を除去する。
【００１３】
このような従来のセミアディティブプロセスを用いて製造したプリント基板は、図１ｃの過程において、ビアホールａの内部１２１での無電解メッキ液の流れがよくない。このため、図２ａに示すように、ビアホールａの内壁１２１に形成された無電解銅メッキ層１３２が絶縁層１２０に形成された無電解銅メッキ層１３３より薄く形成されるか、若しくは形成されていない部分が生じる。このため、図２ｂに示すように、電解銅メッキ層１４２を形成した後、ビアホールａの内部回路がオープンされて中断される問題点が発生する。
【００１４】
このようなビアホールａの中断現象を防止するため、図１ｃの過程で無電解銅メッキ層１３０を厚く形成することができる。しかし、図１ｇの過程で不要な無電解銅メッキ層１３０を除去するため、比較的長時間のエッチング工程を行うため、形成された回路パターン１３１、１４１（特に、回路パターン１３１、１４１の角部）がオーバーエッチング（over-etching）される問題点が発生する。このため、回路パターン１３１、１４１がデラミネーション（delamination）されるか、またはモーフォロジー（morphology）の均等でない回路パターン１３１、１４１が形成される問題点があった。
【００１５】
このような問題点を克服するため、次のような方案が提案された（例えば、特許文献１参照）。
【００１６】
図３ａないし図３ｅは従来のプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。図１ａないし図１ｇの製造方法と同様に、図３ａないし図３ｅにもプリント基板の一面のみが示されているが、実際にはプリント基板の両面に施される。
【００１７】
図３ａに示すように、ガラス繊維で補強されたエポキシ樹脂層の表面に回路パターン１２が形成された両面銅張積層１１にエポキシ樹脂層１３を積層した後、レーザ加工でビアホール１５を形成する。その後、両面銅張積層板１１を１０％のＨ2ＳＯ4＋１０％のＨ2Ｏ2混合溶液に浸漬させることで、活性化領域１７を形成する。
【００１８】
図３ｂに示すように、活性化領域１７上に、自己触媒（self-catalyst）により無電解銅メッキ層１８を形成する。
【００１９】
図３ｃに示すように、両面銅張積層板１１の回路パターンおよびエポキシ樹脂層１３の露出した表面にＰｄ触媒１９を付着させる。
【００２０】
図３ｄに示すように、両面銅張積層板１１を硫酸銅系無電解銅メッキ溶液に浸漬させることにより、回路パターンおよびエポキシ樹脂層１３の露出した表面に無電解銅メッキ層２０を形成する。
【００２１】
図３ｅに示すように、両面銅張積層板１１の無電解銅メッキ層２０上に電解銅メッキ層２１を形成する。
【００２２】
前記特許文献１に開示されたプリント基板は、活性化領域１７を用いて無電解銅メッキ層１８を形成することにより、ビアホール１５の内部の回路が中断される現象を防止することができる。
【００２３】
しかし、前記特許文献１に開示されたプリント基板は、サブトラクティブプロセスにより無電解銅メッキ層２０および電解銅メッキ層２１に回路パターンを形成するため、セミアディティブプロセスに比べ、回路パターンを微細化し難い問題点がある。
【００２４】
このような問題点を解決するため、前記特許文献１に開示されたプリント基板の製造方法において、セミアディティブ法により回路パターンを形成する場合、厚い無電解銅メッキ層２０（約１０μｍ／ｈの成長速度で３０分間成長させる）をエッチングしなければならないため、形成された回路パターンがオーバーエッチングされる問題点が依然として残っている。
【００２５】
【特許文献１】特開２００２−２５２４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
したがって、本発明はこのような問題点を解決するためになされたもので、その技術的課題は、ビアホールの内部回路の中断現象が発生しないプリント基板およびその製造方法を提供することにある。
【００２７】
本発明のほかの技術的課題は、微細な回路パターンを形成することができるプリント基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
前記のような技術的課題を解決するため、本発明は、絶縁層と、前記絶縁層を貫通するように形成される少なくとも一つのビアホールと、前記ビアホールの内壁および前記絶縁層の少なくとも一面に所定のパターンに形成され、前記所定のパターンの角部に対する角部が、形成厚さに比例する大きさにエッチングされている第１無電解メッキ層と、前記第１無電解メッキ層上に形成される第２無電解メッキ層と、前記第２無電解メッキ層上に形成され、前記第１無電解メッキ層の厚さに比例する大きさに角部がエッチングされている電解メッキ層とを含むプリント基板を提供する。
【００２９】
前記第１無電解メッキ層は前記第２無電解メッキ層より薄いことが好ましい。
【００３０】
前記第１無電解メッキ層の厚さは約０．１〜０．５μｍであり、前記第２無電解メッキ層の厚さは約１〜５μｍであることが好ましい。
【００３１】
前記第１無電解メッキ層、前記第２無電解メッキ層および前記電解メッキ層はそれぞれＣｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｓｎおよびこれらの合金からなる群より選択される物質を主成分とすることが好ましい。
【００３２】
また、本発明は、前記技術的課題を解決するため、（Ａ）回路パターンが形成された原板上に絶縁層を積層し、前記回路パターンに連結されるように前記絶縁層を貫通するビアホールを形成する段階と、（Ｂ）前記回路パターンの露出部、前記絶縁層および前記ビアホールの内壁に第１無電解メッキ層を形成する段階と、（Ｃ）前記第１無電解メッキ層上に所定のメッキレジストパターンを形成し、前記メッキレジストパターンが形成されていない前記第１無電解メッキ層上に第２無電解メッキ層を形成する段階と、（Ｄ）前記第２無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成した後、前記メッキレジストパターンを除去する段階と、（Ｅ）前記第２無電解メッキ層および前記電解メッキ層が形成されていない前記第１無電解メッキ層部分を除去する段階とを含むプリント基板の製造方法を提供する。
【００３３】
前記（Ｂ）段階の前記第１無電解メッキ層は触媒析出方式により形成されることが好ましい。
【００３４】
前記（Ｂ）段階の前記第１無電解メッキ層はスパッタリング方式により形成されることが好ましい。
【００３５】
前記（Ｃ）段階の前記第２無電解メッキ層は前記第１無電解メッキ層を自己触媒として用いて形成されることが好ましい。
【００３６】
前記（Ｄ）段階の前記電解メッキ層は前記第１無電解メッキ層をメッキ引込線として用いて形成されることが好ましい。
【００３７】
前記（Ｂ）段階の前記第１無電解メッキ層は前記（Ｃ）段階の前記第２無電解メッキ層より薄く形成されることが好ましい。
【００３８】
前記第１無電解メッキ層の厚さは約０．１〜０．５μｍであり、前記第２無電解メッキ層の厚さは約１〜５μｍであることが好ましい。
【００３９】
前記第１無電解メッキ層、前記第２無電解メッキ層および前記電解メッキ層はそれぞれＣｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｓｎおよびこれらの合金からなる群より選択される物質を主成分とすることが好ましい。
【発明の効果】
【００４０】
以上のような本発明によるプリント基板およびその製造方法は、第１無電解銅メッキ層の厚さが非常に薄いので、回路パターンの銅メッキ層エッチングの量を最少にすることができる効果がある。
【００４１】
また、本発明によるプリント基板およびその製造方法は、銅メッキ層エッチングの量が減少するので、オーバーエッチングによる回路パターンのデラミネーション現象を防止し、より微細な回路パターンを形成することができる効果がある。
【００４２】
また、本発明によるプリント基板およびその製造方法は、銅メッキ層エッチングの量が減少するので、モーフォロジーがより平らで均等な回路パターンを形成することができる効果がある。
【００４３】
また、本発明によるプリント基板およびその製造方法は、第２無電解銅メッキ層がビアホールの内部に十分な厚さにメッキされるので、電解銅メッキ層を形成した後、ビアホールの内部回路が中断されない効果がある。
【００４４】
また、本発明によるプリント基板およびその製造方法は、内部回路が中断されない微細なビアホールの形成ができるので、高密度のプリント基板を提供することができる効果もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、図面に基づき本発明によるプリント基板およびその製造方法を詳細に説明する。
【００４６】
図４ａないし図４ｊは本発明の一実施例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図、図５は図４ｊに点線円で示すＢ部の部分拡大図である。これら図にはプリント基板の一面が示されているが、実際にはプリント基板の両面に施される。
【００４７】
図４ａに示すように、絶縁樹脂層１１１０上に第１回路パターン１１２０および下部ランド１１３０などが形成された銅張積層板の原板１１００を用意した後、原板１１００上に絶縁層１２００（例えば、プレプレッグ）を積層する。
【００４８】
ここで、原板１１００として使用された銅張積層板の種類としては、その用途に応じて、ガラス／エポキシ銅張積層板、耐熱樹脂銅張積層板、紙／フェノール銅張積層板、高周波用銅張積層板、フレキシブル銅張積層板（flexible copper clad laminate）、複合銅張積層板など、いろいろがある。しかし、プリント基板の製造には、主に使用される絶縁樹脂層の両面に銅箔層が形成されたガラス／エポキシ銅張積層板を使用することが好ましい。
【００４９】
また、この実施例においては、原板１１００の一面に回路層が形成された構造を使用しているが、使用目的または用途に応じて、内層に所定の回路パターンおよびビアホールなどが形成された多層構造の原板を使用することもできる。
【００５０】
図４ｂに示すように、絶縁層１２００をレーザ加工することで、各層間の回路連結のためのビアホールＡを形成する。
【００５１】
この際、レーザとしては、ＹＡＧレーザ（Yttrium Aluminum Garnet laser）、二酸化炭素レーザ（ＣＯ2 laser）などを用いることができる。
【００５２】
本発明の好ましい実施例によると、レーザ加工でビアホールＡを形成した後、ビアホールＡの形成時に発生する熱により絶縁層１２００が溶けてビアホールＡの内壁１２１０で発生するスミア（smear）を除去するデスミア（desmear）工程を行うことが好ましい。
【００５３】
図４ｃに示すように、各層間の電気的連結を行い、絶縁層１２００の表面に回路パターンを形成するため、絶縁層１２００、ビアホールＡの内壁１２１０および下部ランド１１３０に非常に薄い第１無電解銅メッキ層１３３０を形成する。
【００５４】
ここで、第１無電解銅メッキ層１３００の厚さは約０．１〜０．５μｍが好ましい。第１無電解銅メッキ層１３００の厚さが約０．１μｍより薄い場合、第１無電解銅メッキ層１３００が形成されない部分が発生するため、以後の電解銅メッキ工程に影響を及ぼすおそれがある。一方、第１無電解銅メッキ層１３００の厚さが約０．５μｍより厚い場合、厚い第１無電解銅メッキ層１３００の厚さにより、以後のエッチング工程でオーバーエッチングが生じるおそれがある。
【００５５】
一実施例として、無電解銅メッキ工程は、脱脂過程、ソフト腐食（soft etching）過程、予備触媒処理（pre-catalyst）過程、触媒処理過程、活性化過程、無電解銅メッキ過程、および酸化防止処理過程を含む触媒析出方式を用いることができる。
【００５６】
脱脂過程において、絶縁層１２００、ビアホールＡの内壁１２１０および下部ランド１１３０の表面に存在する酸化物または異物、特に油脂分などを酸またはアルカリ界面活性剤の含まれた薬品で除去した後、界面活性剤を完全に水洗する。
【００５７】
ソフト腐食過程において、絶縁層１２００、ビアホールＡの内壁１２１０および下部ランド１１３０の表面に微細な粗さ（例えば、約１〜２μｍ）を与えて、無電解銅メッキ段階で銅粒子が均一に密着するようにし、脱脂過程で処理されていない汚染物を除去する。
【００５８】
予備触媒処理過程において、低濃度の触媒薬品に原板１１００を浸漬することにより、触媒処理段階で使用される薬品が汚染するかまたは濃度が変化することを防止する。さらに、同種成分の薬品槽に原板１１００を浸漬するので、触媒処理がより活性化される効果がある。このような予備触媒処理過程は、１〜３％に希釈された触媒薬品を使用することが好ましい。
【００５９】
触媒処理過程において、絶縁層１２００、ビアホールＡの内壁１２１０および下部ランド１１３０の表面に触媒粒子を被せる。触媒粒子はＰｄ−Ｓｎ化合物を使用することが好ましく、このＰｄ−Ｓｎ化合物はメッキされる粒子のＣｕ2+とＰｄ2-が結合してメッキを促進する役割をする。
【００６０】
無電解銅メッキ過程において、絶縁層１２００、ビアホールＡの内壁１２１０および下部ランド１１３０に第１無電解銅メッキ層１３００を形成する。この時に使用されるメッキ液は、ＣｕＳＯ4、ＨＣＨＯ、ＮａＯＨおよびそのほかの安定剤からなることが好ましい。メッキ反応を持続させるためには、化学反応が均衡をとらなければならなく、このため、メッキ液の組成を制御することが重要である。組成を維持するためには、不足した成分の適切な供給、機械的撹拌、メッキ液の純化システムをよく運営しなければならない。反応の結果として発生する副産物のための濾過装置が必要であり、これを活用することによりメッキ液の使用時間を延長することができる。
【００６１】
酸化防止処理過程において、無電解銅メッキ後に残存するアルカリ成分によりメッキ膜が酸化することを防止するため、酸化防止膜を全面に被覆する。
【００６２】
ほかの実施例として、第１無電解銅メッキ層１３００の形成工程は、プラズマなどにより発生する気体のイオン粒子（例えば、Ａｒ+）を銅ターゲットに衝突させることにより、絶縁層１２００、ビアホールＡの内壁１２１０および下部ランド１１３０に第１無電解銅メッキ層１３００を形成するスパッタリング方式を用いることができる。
【００６３】
図４ｄに示すように、第１無電解銅メッキ層１３００にドライフィルム２０００を塗布する。
【００６４】
ここで、ドライフィルム２０００は、カバーフィルム、フォトレジストフィルム、およびマイラーフィルム（Mylar film）の３層からなり、実質的にレジストの役割をする層はフォトレジストフィルムである。
【００６５】
図４ｅに示すように、所定のパターンが印刷されたアートワークフィルム３０００をドライフィルム２０００上に密着させた後、紫外線を照射する。この際、アートワークフィルム３０００の所定のパターンが印刷された黒い部分３１００は紫外線が透過し得なく、印刷されていない部分３２００は紫外線が透過して、アートワークフィルム３０００の下側のドライフィルム２０００を硬化させる。
【００６６】
ここで、所定のパターンは、以後の工程で形成される第２回路パターン、ビアホールＡの内部およびビアホールＡの上部ランドを含む。
【００６７】
図４ｆに示すように、アートワークフィルム３０００を除去した後、原板１１００を現像液に浸漬させることにより、第２回路パターン１３１０、ビアホールＡの内壁１３２０、上部ランド１３３０および下部ランドなどの無電解銅メッキ層１３００上に硬化していないドライフィルム２０００を現像液で除去し、硬化したドライフィルム２０００部分のみが残ってメッキレジストパターンを形成する。
【００６８】
ここで、現像液としては、炭酸ナトリウム（Ｎａ2ＣＯ3）または炭酸カリウム（Ｋ2ＣＯ3）の水溶液などを使用する。
【００６９】
図４ｇに示すように、所定のパターンが形成されたドライフィルム２０００をメッキレジストとして使用し、第２回路パターン１３１０、上部ランド１３３０、ビアホールＡの内壁１３２０および下部ランド１３４０などに第２無電解銅メッキ層１４１０、１４２０、１４３０、１４４０を形成する。
【００７０】
ここで、第２無電解銅メッキ層１４１０、１４２０、１４３０、１４４０の厚さは約１〜５μｍが好ましい。第２無電解銅メッキ層１４１０、１４２０、１４３０、１４４０の厚さが約１μｍより薄い場合、ビアホールＡの内部での無電解メッキ液の流れが良くないため、ビアホールＡの内壁に第２無電解銅メッキ層１４２０が形成されていない部分が発生し得る。この場合、以後の電解銅メッキ層を形成した後、ビアホールＡの内部回路がオープンされて中断される問題点が発生する。一方、第２無電解銅メッキ層１４１０、１４２０、１４３０、１４４０の厚さが約５μｍより厚い場合、第２無電解銅メッキ層１４１０、１４２０、１４３０、１４４０を形成する工程時間が長くなる問題点が発生する。また、無電解銅メッキ層は電解銅メッキ層に比べて物理的特性に劣るので、ビアホールＡの内部回路が中断されない範囲内でできるだけ薄く形成することが好ましい。
【００７１】
好ましい実施例において、第２無電解銅メッキ層１４１０、１４２０、１４３０、１４４０の形成工程は、第１無電解銅メッキ層１３１０、１３２０、１３３０、１３４０を自己触媒として使用し得るので、触媒処理過程なしで、第２回路パターン、ビアホールＡの内壁、上部ランドおよび下部ランドの第１無電解銅メッキ層１３１０、１３２０、１３３０、１３４０上に直接第２無電解銅メッキ層１４１０、１４２０、１４３０、１４４０を形成することができる。これは、第２無電解銅メッキ層１４１０、１４２０、１４３０、１４４０の形成工程で多くの前処理過程を行わなくてもよいことを意味する。
【００７２】
第２無電解銅メッキ層１４１０、１４２０、１４３０、１４４０の形成工程において、第２回路パターン１３１０、ビアホールＡの内壁１３２０、上部ランド１３３０および下部ランド１３４０に、ＣｕＳＯ4、ＨＣＨＯ、ＮａＯＨおよびそのほかの安定剤からなるメッキ液を用いて、第２無電解銅メッキ層１４１０、１４２０、１４３０、１４４０を形成する。前述した第１無電解銅メッキ層１３００の形成工程と同様、第２銅メッキ層形成工程においても、メッキ反応が持続するためには化学反応が均衡を取らなければならなく、このため、メッキ液の組成を制御することが重要である。組成を維持するため、不足した成分の適切な供給、機械的撹拌、メッキ液のサイクリングシステム(cycling system)などを円滑に操作しなければならない。反応の結果として発生する副産物のための濾過装置が必要であり、これを活用することで、メッキ液の使用時間を延長することができる。
【００７３】
図４ｈに示すように、ドライフィルム２０００のメッキレジストパターンが形成されていない第２回路パターン、ビアホールＡの内部、上部ランドおよび下部ランドなどの第２無電解銅メッキ層１４１０、１４２０、１４３０、１４４０に電解銅メッキ層１５１０、１５２０を形成する。
ここで、電解銅メッキ層１５１０、１５２０を形成する方法は、原板１１００を銅メッキ作業槽に浸漬させた後、直流整流器を用いて電解銅メッキを行う。このような電解銅メッキは、メッキすべき面積を計算し、直流整流器に適切な電流を供給して銅を析出する方式を使用することが好ましい。
【００７４】
電解銅メッキ工程は、銅メッキ層の物理的特性が無電解銅メッキ層に比べて優れ、厚い銅メッキ層を形成し易い利点がある。
【００７５】
このような電解銅メッキ層１５１０、１５２０を形成するための銅メッキ引込線としては、別に形成された銅メッキ引込線を使用し得るが、本発明の好ましい実施例において、電解銅メッキ層１５１０、１５２０を形成するための銅メッキ引込線としては、第１無電解銅メッキ層１３００を使用することが好ましい。
【００７６】
図４ｉに示すように、原板１１００に塗布されたドライフィルム２０００を剥離して除去する。
【００７７】
この際、ドライフィルム２０００は、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）または水酸化カリウム（ＫＯＨ）などが含まれた剥離液(stripping solution)を使用して除去する。
【００７８】
図４ｄないし図４ｉの過程においては、メッキレジストとしてドライフィルム２０００を使用したが、液状の感光材をメッキレジストとして使用することもできる。
【００７９】
この場合、紫外線に感光する液状の感光材を絶縁層１２００に塗布した後、乾燥させる。次いで、第２回路パターンおよびビアホールＡ領域などの上部ランドなどを含む所定のパターンが形成されたアートワークフィルム３０００を介して感光材を露光および現像することにより、感光材に所定のパターンを形成する。その後、所定のパターンが形成された感光材をメッキレジストとして使用し、無電解銅メッキ工程および電解銅メッキ工程を順次行うことにより、第２回路パターン１３１０、ビアホールＡの内壁１３２０、上部ランド１３３０および下部ランド１３４０などに、第２無電解銅メッキ層１４１０、１４２０、１４３０、１４４０および電解銅メッキ層１５１０、１５２０を形成する。その後、感光材を除去する。ここで、液状の感光材を被覆する方式としては、ディップコーティング（dip coating）方式、ロールコーティング（roll coating）方式、電気蒸着（electro-deposition）方式などがある。
【００８０】
このような液状の感光材を用いる方式は、ドライフィルム２０００より薄く塗布することができるので、より微細な回路パターンを形成し得る利点がある。また、絶縁層１２００の表面に凹凸がある場合、絶縁層の凹部を充填して表面を平坦にし得る利点もある。
【００８１】
図４ｊに示すように、原板１１００にエッチング液を噴霧することにより、第１回路パターン、ビアホール領域および上部ランドなどの除いた部分の第１無電解銅メッキ層１３００を除去する。
【００８２】
図５に示すように、第１無電解銅メッキ層１３００のエッチングとともに、第２回路パターンの第１無電解銅メッキ層１３１０および電解銅メッキ層１５１０のエッチングされる角部の大きさＥ１およびＥ２は第１無電解銅メッキ層１３００の厚さに比例する。したがって、本発明によると、第１無電解銅メッキ層１３００の厚さ（約０．１〜０．５μｍ）が非常に薄いので、第２回路パターンの第１無電解銅メッキ層１３１０および電解銅メッキ層１５１０の角部のエッチング量は非常に少ない。
【００８３】
その後、絶縁層を積層し、ビアホールを形成し、第１無電解銅メッキ層、第２無電解銅メッキ層および電解銅メッキ層を形成する過程を、所望の層数だけ繰り返し行う。次いで、ソルダレジスト形成工程、ニッケル／金メッキ工程および外郭形成工程を行うことにより、本発明によるプリント基板１０００を製造する。
【００８４】
図４ｊに示すように、本発明によるプリント基板１０００は、銅メッキ引込線として使用される第１無電解銅メッキ層１３００の厚さが非常に薄く形成されるので（約０．１〜０．５μｍ）、第１無電解銅メッキ層エッチング過程で、第２回路パターン１３１０、１４１０、１５１０（特に、第２回路パターン１３１０、１４１０、１５１０の角部）が殆どエッチングされない。このことから、微細な回路パターン（約１０μｍ以下の線幅）の形成工程において、回路パターンのデラミネーションが発生しなく、回路パターンのモーフォロジーが均等に形成できることが分かる。
【００８５】
また、本発明によるプリント基板１０００は、ビアホールＡの内部の第２無電解銅メッキ層１４２０、１４４０を十分な厚さに形成するので（約１〜５μｍ）、電解銅メッキ層１５１０、１５２０を形成した後、ビアホールＡの内部回路が中断されないことが分かる。
【００８６】
本発明の好ましい実施例によると、本発明によるプリント基板１０００の第１回路パターン、ビアホールＡの内壁、上部ランドおよび下部ランドなどに順次形成された第１無電解銅メッキ層１３１０、１３２０、１３３０、１３４０、第２無電解銅メッキ層１４１０、１４２０、１４３０、１４４０および電解銅メッキ層１５１０、１５２０は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のような分析装備でその切断面を観測することにより、銅メッキ層の３層構造を確認することができる。
【００８７】
また、本発明の好ましい実施例において、本発明によるプリント基板１０００の３層構造の銅メッキ層は純粋銅メッキ層に限られるものではなく、銅を主成分とするメッキ層を意味する。これは、走査電子顕微鏡に通常備えられたＥＤＡＸ（Energy Dispersive Analysis of X-rays）のような分析装備でその化学的組成を分析することで確認することができる。
【００８８】
ほかの好ましい実施例において、本発明によるプリント基板１０００の３層構造のメッキ層は銅に限られるものではなく、使用目的および用途に応じて、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）などの導電性物質主成分とする３層構造のメッキ層を形成することができる。
【００８９】
以上本発明について説明したが、これは本発明の一実施例に過ぎないもので、本発明の技術的思想を外れない範囲内で多様な変形および修正が可能なことは本発明の技術分野の当業者に明らかなものであろう。このような本発明の変形および修正も本発明の範囲内に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１ａ】従来のプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｂ】従来のプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｃ】従来のプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｄ】従来のプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｅ】従来のプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｆ】従来のプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｇ】従来のプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図２ａ】図１ａないし図１ｇの方法により形成されたビアホールの断面図である。
【図２ｂ】図１ａないし図１ｇの方法により形成されたビアホールの断面図である。
【図３ａ】従来のほかのプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図３ｂ】従来のほかのプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図３ｃ】従来のほかのプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図３ｄ】従来のほかのプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図３ｅ】従来のほかのプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ａ】本発明の一実施例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｂ】本発明の一実施例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｃ】本発明の一実施例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｄ】本発明の一実施例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｅ】本発明の一実施例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｆ】本発明の一実施例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｇ】本発明の一実施例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｈ】本発明の一実施例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｉ】本発明の一実施例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｊ】本発明の一実施例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５】図４ｊに点線で示すＢ部の部分拡大図である。
【符号の説明】
【００９１】
１０００  プリント基板
１１００  原板
１１１０  絶縁樹脂層
１１２０  第１回路パターン
１１３０  下部ランド
１２００  絶縁層
１２１０  ビアホールの内壁
１３００  第１無電解銅メッキ層
１３１０  第２回路パターンの第１無電解銅メッキ層
１３２０  ビアホール内壁の第１無電解銅メッキ層
１３３０  上部ランドの第１無電解銅メッキ層
１３４０  下部ランドの第１無電解銅メッキ層
１４１０  第２回路パターンの第２無電解銅メッキ層
１４２０  ビアホール内壁の第２無電解銅メッキ層
１４３０  上部ランドの第２無電解銅メッキ層
１４４０  下部ランドの第２無電解銅メッキ層
１５１０  第２回路パターンの電解銅メッキ層
１５２０  ビアホール領域の電解銅メッキ層
２０００  ドライフィルム
３０００  アートワークフィルム
３１００  アートワークフィルムの印刷された黒い部分
３２００  アートワークフィルムの印刷されていない部分
Ａ  ビアホール
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図１ｅ】
2006108613.tif 000007
【図１ｆ】
2006108613.tif 000008
【図１ｇ】
2006108613.tif 000009
【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【図３ｅ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
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【図４ｅ】
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【図４ｆ】
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【図４ｇ】
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【図４ｈ】
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【図４ｉ】
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【図４ｊ】
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【図５】
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