(57)【要約】    【課題】  アルミニューム配線より成るシャント抵抗を所望の抵抗値に調整し得る集積回路を提供する。    【解決手段】  アルミニューム合金からなるシャント抵抗Ｒｓに調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２を直列に接続し、調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２を短絡させる短絡用回路配線Ｌ１、Ｌ２を設ける。そして、電界効果型トランジスタＭＯＳ１、ＭＯＳ２をオンすることにより短絡用回路配線Ｌ１、Ｌ２によって調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２を短絡させ、シャント抵抗Ｒｓと調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２とにより構成される抵抗値を調整する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路配線と同じ素材からなる抵抗を備える集積回路において、
前記抵抗に直列に接続された抵抗値調整用の抵抗と、
前記抵抗値調整用の抵抗に並列に配線され、該抵抗値調整用の抵抗を短絡させる短絡用の回路配線と、
前記短絡用の回路配線を接・断させるスイッチング素子と、を備え、
該スイッチング素子をオンすることにより前記短絡用の回路配線によって前記抵抗値調整用の抵抗を短絡させ、前記抵抗と前記抵抗値調整用の抵抗とにより構成される抵抗値を調整したことを特徴とする集積回路。
【請求項２】
回路配線と同じ素材からなる抵抗を備える集積回路において、
前記抵抗に直列に接続された抵抗値調整用の抵抗と、
前記抵抗値調整用の抵抗に並列に配線され、該抵抗値調整用の抵抗を短絡させる短絡用の回路配線と、
前記短絡用の回路配線を断線させることで、前記抵抗と前記抵抗値調整用の抵抗とにより構成される抵抗値を調整したことを特徴とする集積回路。
【請求項３】
前記回路配線を構成する素材は、アルミニウム合金であること特徴とする請求項１又は請求項２の集積回路。
【請求項４】
前記抵抗はシャント抵抗であることを特徴とする請求項３の集積回路。
【請求項５】
前記シャント抵抗は、ＭＯＳトランジスタのエミッタに接続されていることを特徴とする請求項４の集積回路。
【請求項６】
定電流制御回路を構成することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１の集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線と同じ素材からなる抵抗を備える集積回路に関し、特に、アルミニウムより成るシャント抵抗を備える集積回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図５は、シャント抵抗を用いる従来技術の定電流制御回路を示している。定電流制御回路１０は、トランジスタＱ１〜Ｑ１１と、電界効果型トランジスタＬＤＭＯＳと、シャント抵抗Ｒｓとを備える。定電流制御回路１０では、負荷Ｒｒを流れる電流Ｉがシャント抵抗Ｒｓに流れ、該シャント抵抗Ｒｓでの電圧降下をトランジスタＱ９で検出し、電流Ｉが一定になるように電界効果型トランジスタＬＤＭＯＳを制御する。
【０００３】
一般的に、シャント抵抗には、負荷回路の電流が流れるため低抵抗に設定される。集積回路上に形成される定電流制御回路、過電流検出回路では、シャント抵抗は、低抵抗値（１Ω以下）を実現するため、回路配線と同様にアルミニウムで形成される。
特許文献１には、シャント抵抗の抵抗値の調整方法に関して開示がなされている。
【特許文献１】特開２００３−７５１０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、アルミニウムから成るシャント抵抗は、プロセスバラツキなどにより抵抗値が大きくばらつくが、アルミニウム細線からなるため、抵抗値のトリミングが出来ないという問題点があった。
【０００５】
アルミニウムから成るシャント抵抗を用いる回路において、シャント抵抗値がプロセスバラツキなどでばらつくと所望の特性が得られなくなる。例えば、定電流制御回路においては、制御電流のバラツキが大きくなる。シャント抵抗のばらつきを回路側で補償、例えば、定電流制御回路中のトランジスタの増幅率を変えることで補償することも可能であるが、回路的に補償できるシャント抵抗のバラツキには限度がある。さらに、回路的に補償すると、所望の特性（例えば、電流特性）以外の特性（例えば、温度特性）において劣化する可能性がある。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、回路配線より成る抵抗を所望の抵抗値に調整し得る集積回路を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の目的は、アルミニウム配線より成るシャント抵抗を所望の抵抗値に調整し得る集積回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、回路配線と同じ素材からなる抵抗Ｒｓを備える集積回路において、
前記抵抗Ｒｓに直列に接続された抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２と、
前記抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２に並列に配線され、該抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２を短絡させる短絡用の回路配線Ｌ１、Ｌ２と、
前記短絡用の回路配線Ｌ１、Ｌ２を接・断させるスイッチング素子ＭＯＳ１、ＭＯＳ２と、を備え、
該スイッチング素子ＭＯＳ１、ＭＯＳ２をオンすることにより前記短絡用の回路配線Ｌ１、Ｌ２によって前記抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２を短絡させ、前記抵抗Ｒｓと前記抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２とにより構成される抵抗値を調整したことを技術的特徴とする。
【０００９】
請求項２の発明は、回路配線と同じ素材からなる抵抗Ｒｓを備える集積回路において、  前記抵抗Ｒｓに直列に接続された抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２と、
前記抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２に並列に配線され、該抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２を短絡させる短絡用の回路配線Ｌ１、Ｌ２と、
前記短絡用の回路配線Ｌ１、Ｌ２を断線させることで、前記抵抗Ｒｓと前記抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２とにより構成される抵抗値を調整したことを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１の集積回路は、回路配線と同じ素材からなる抵抗Ｒｓに回路配線と同じ素材からなる抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２を直列に接続し、抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２を短絡させる短絡用の回路配線Ｌ１、Ｌ２を設ける。また、該短絡用の回路配線Ｌ１、Ｌ２を接・断させるスイッチング素子ＭＯＳ１、ＭＯＳ２を設ける。そして、スイッチング素子ＭＯＳ１、ＭＯＳ２をオンすることにより短絡用の回路配線Ｌ１、Ｌ２によって抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２を短絡させ、抵抗Ｒｓと抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２とにより構成される抵抗値を調整する。これにより、回路配線より成る抵抗Ｒｓに基づく抵抗値を所望の値に調整することが可能になる。更に、スイッチング素子ＭＯＳ１、ＭＯＳ２を用いるため、オン、オフ自在であり、抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２の接続、分離を繰り返し行うことができる。このため、集積回路を動作させながら測定を行い、抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２の接続、分離を繰り返し行うことで、抵抗を最適な抵抗値に調整することが可能になる。
【００１１】
請求項２の集積回路は、回路配線と同じ素材からなる抵抗Ｒｓに回路配線と同じ素材からなる抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２を直列に接続し、抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２を短絡させる短絡用の回路配線Ｌ１、Ｌ２を設ける。そして、短絡用の回路配線Ｌ１、Ｌ２をレーザトリーミング等により断線させることで、抵抗Ｒｓと抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２とにより構成される抵抗値を調整する。これにより、回路配線より成る抵抗Ｒｓに基づく抵抗値を所望の値に調整することが可能になる。請求項２の集積回路は、スイッチング素子を用いないため廉価に製造することができる。
【００１２】
請求項３の集積回路では、回路配線を構成する素材は、アルミニウム合金である。このため、回路配線と同じアルミニウム合金による抵抗Ｒｓは、非常に低抵抗値に製造できる反面、抵抗値の調整がレーザトリーミング等により行えない。しかし、請求項３では、スイッチング素子ＭＯＳ１、ＭＯＳ２をオンすることにより短絡用の回路配線Ｌ１、Ｌ２によって抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２を短絡させ、または、短絡用の回路配線Ｌ１、Ｌ２をレーザトリーミング等により断線させることで、抵抗Ｒｓと抵抗値調整用の抵抗Ｒ１、Ｒ２とにより構成される抵抗値を調整する。これにより、アルミニウム合金より成る抵抗Ｒｓに基づく抵抗値を所望の値に調整することが可能になる。
【００１３】
請求項４の集積回路では、回路配線と同じアルミニウム合金による抵抗はシャント抵抗Ｒｓである。このため、シャント抵抗Ｒｓを１Ω以下の低抵抗値に製造できると共に、シャント抵抗Ｒｓの抵抗値を所望の値に調整することができる。
【００１４】
請求項５では、アルミニウム合金から成るシャント抵抗Ｒｓは、ＭＯＳトランジスタＱ９のエミッタに接続されている。ここで、アルミニウム合金の抵抗は３５００ppm程度の温度特性を有し、ＭＯＳトランジスタは、エミッタ側からの入力に対して−３５００ppm程度の温度特性を有する。このため、シャント抵抗をアルミニウム合金で構成することで、シャント抵抗に接続されるＭＯＳトランジスタの温度補償が不要になる。
【００１５】
請求項６では、集積回路が定電流制御回路１０を構成する。ここで、定電流制御回路１０のシャント抵抗Ｒｓの抵抗値を所望の値に設定することで、定電流制御回路１０の制御電流のバラツキを最小限に抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係る集積回路について図１を参照して説明する。
図１は、集積回路上に形成された定電流制御回路１０の構成を示す回路図である。
第１実施形態の定電流制御回路１０は、図５を参照して上述した従来技術の定電流制御回路と同様に、トランジスタＱ１〜Ｑ１１と、電界効果型トランジスタＬＤＭＯＳと、回路配線と同じアルミニウム合金から成るシャント抵抗Ｒｓとを備える。更に、シャント抵抗Ｒｓの抵抗値を調整するためのアルミニウム合金から成る調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２が、シャント抵抗Ｒｓへ直列に接続されている。
【００１７】
調整用抵抗Ｒ１には、当該調整用抵抗Ｒ１を短絡させるための短絡用回路配線Ｌ１が並列に接続されている。該短絡用回路配線Ｌ１には、当該短絡用回路配線Ｌ１を接状態・断状態とするスイッチング素子を構成する電界効果型トランジスタＭＯＳ１が接続されている。
【００１８】
同様に、調整用抵抗Ｒ２には、当該調整用抵抗Ｒ２を短絡させるための短絡用回路配線Ｌ２が並列に接続されている。該短絡用回路配線Ｌ２には、当該短絡用回路配線Ｌ２を接状態・断状態とするスイッチング素子を構成する電界効果型トランジスタＭＯＳ２が接続されている。
【００１９】
ここで、シャント抵抗Ｒｓは、目標の抵抗値（例えば、０．０４８Ω）よりも低めに設定されている（例えば、０．０４６Ω）。調整用抵抗Ｒ１は、シャント抵抗Ｒｓの抵抗値を微調整可能なように、例えば、０．０２Ωを目標に設定されている。また、調整用抵抗Ｒ２は、調整用抵抗Ｒ１の抵抗値の半分、例えば、０．０１Ωを目標に設定されている。
【００２０】
ここで、シャント抵抗の抵抗値のみを調整する際には、電界効果型トランジスタＭＯＳ１、ＭＯＳ２をオフにした状態で、シャント抵抗Ｒｓ、調整用抵抗Ｒ１及び調整用抵抗Ｒ２を直列接続した抵抗値（以下直列抵抗値として参照する）を測定し、測定値を元に、シャント抵抗Ｒｓ、調整用抵抗Ｒ１及び調整用抵抗Ｒ２の直列抵抗値が目標値０．０４８Ωになるように、電界効果型トランジスタＭＯＳ１、ＭＯＳ２をオン・オフする。
【００２１】
具体的には、
（１）直列抵抗値が、目標値０．０４８Ω以下の場合には、電界効果型トランジスタＭＯＳ１及び電界効果型トランジスタＭＯＳ２をオフ状態とする。
（２）直列抵抗値が、目標値０．０４８Ωよりも０．０１Ω程度高い場合には、電界効果型トランジスタＭＯＳ１をオン状態及び電界効果型トランジスタＭＯＳ２をオフ状態として、調整用抵抗Ｒ１を短絡させる。
（３）直列抵抗値が、目標値０．０４８Ωよりも０．０２Ω程度高い場合には、電界効果型トランジスタＭＯＳ１をオフ状態及び電界効果型トランジスタＭＯＳ２をオン状態として、調整用抵抗Ｒ２を短絡させる。
（４）直列抵抗値が、目標値０．０４８Ωよりも０．０３Ω以上（或いは、０．０２５Ω以上）高い場合には、電界効果型トランジスタＭＯＳ１をオン状態及び電界効果型トランジスタＭＯＳ２をオン状態として、０．０２Ωの調整用抵抗Ｒ１及び０．０１Ωの調整用抵抗Ｒ２を短絡させる。
【００２２】
一方、定電流制御回路１０の制御電流Ｉの値が目標電流値になるように、電界効果型トランジスタＭＯＳ１及び電界効果型トランジスタＭＯＳ２のオン・オフを制御することも可能である。この場合には、制御電流Ｉを測定しながら、
（１）電界効果型トランジスタＭＯＳ１：オフ、電界効果型トランジスタＭＯＳ２：オフ（２）電界効果型トランジスタＭＯＳ１：オフ、電界効果型トランジスタＭＯＳ２：オン（３）電界効果型トランジスタＭＯＳ１：オン、電界効果型トランジスタＭＯＳ２：オフ（４）電界効果型トランジスタＭＯＳ１：オン、電界効果型トランジスタＭＯＳ２：オンの各組み合わせで、制御電流Ｉの値が目標電流値に最も近づく組み合わせを採用する。
【００２３】
第１実施形態では、アルミニウム合金からなるシャント抵抗Ｒｓに同じくアルミニウム合金からなる調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２を直列に接続し、調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２を短絡させる短絡用回路配線Ｌ１、Ｌ２を設ける。そして、電界効果型トランジスタＭＯＳ１、ＭＯＳ２をオンすることにより短絡用回路配線Ｌ１、Ｌ２によって調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２を短絡させ、シャント抵抗Ｒｓと調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２とにより構成される抵抗値を調整する。これにより、回路配線と同じプロセスでアルミニウム合金で成形され、バラツキの大きなシャント抵抗Ｒｓに基づく抵抗値（即ち、上記直列抵抗値）を所望の抵抗値に調整することが可能になる。更に、電界効果型トランジスタＭＯＳ１、ＭＯＳ２を用いるため、オン、オフ自在であり、調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２の接続、分離を繰り返し行うことができる。このため、集積回路を動作させながら測定を行い、調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２の接続、分離を繰り返し行うことで、シャント抵抗Ｒｓに基づく直列抵抗値を最適な抵抗値に調整することが可能になる。更に、第１実施形態では、直接シャント抵抗値を変更することができるため、回路的にシャント抵抗値の補正をするよりも集積回路の規模の縮小が可能であり、さらにシャント抵抗値の高精度化を実現することができる。このことにより集積回路の製造コストの大幅な削減が可能になる。
【００２４】
図１中に示すように第１実施形態の定電流制御回路１０では、アルミニウム合金から成るシャント抵抗Ｒｓは、ＭＯＳトランジスタＱ９のエミッタに接続されている。ここで、アルミニウム合金の抵抗は３５００ppm程度の温度特性を有し、ＭＯＳトランジスタは、エミッタ側からの入力に対して−３５００ppm程度の温度特性を有する。このため、シャント抵抗Ｒｓをアルミニウム合金で構成することで、シャント抵抗に接続されるＭＯＳトランジスタの温度補償が不要になる。
【００２５】
第１実施形態では、定電流制御回路１０のシャント抵抗に基づく直列抵抗値を所望の値に設定できるので、定電流制御回路１０の制御電流Ｉのバラツキを最小限に抑制することが可能である。
【００２６】
図２は、第１実施形態の改変例に係る定電流制御回路１０を示している。
図１を参照して上述した定電流制御回路１０では、シャント抵抗Ｒｓの抵抗値調整のために、２個の調整用抵抗Ｒ１、調整用抵抗Ｒ２を設けた。これに対して、第１実施形態の改変例では、３個の調整用抵抗Ｒ１、調整用抵抗Ｒ２、調整用抵抗Ｒ３を設ける。そして、調整用抵抗Ｒ３に、当該調整用抵抗Ｒ３を短絡させるための短絡用回路配線Ｌ３を並列に接続する。該短絡用回路配線Ｌ３には、当該短絡用回路配線Ｌ３を接状態・断状態とするスイッチング素子を構成する電界効果型トランジスタＭＯＳ３を設ける。
【００２７】
シャント抵抗Ｒｓは、目標の抵抗値（例えば、０．０４８Ω）よりも低めに設定されている（例えば、０．０４５Ω）。調整用抵抗Ｒ３は抵抗値０．０３Ωを目標に、調整用抵抗Ｒ２は抵抗値０．０２Ωを目標に、調整用抵抗Ｒ１は抵抗値０．０１Ωを目標に設定されている。この第１実施形態の改変例では、図１に示す構成よりもより正確にシャント抵抗Ｒｓに基づく直列抵抗値を調整できる利点がある。
【００２８】
[第２実施形態]
図３（Ａ）は、第２実施形態に係る定電流制御回路１０の回路構成を示している。
図１を参照して上述した第１実施形態では、調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２を短絡する短絡用回路配線Ｌ１、Ｌ２に電界効果型トランジスタＭＯＳ１、ＭＯＳ２を設けた。これに対して、第２実施形態では、短絡用回路配線Ｌ１、Ｌ２をレーザトリーミングにより断線させることで、シャント抵抗Ｒｓに基づく直列抵抗値を調整する。
【００２９】
第１実施形態と同様に、第２実施形態に係る定電流制御回路１０のシャント抵抗Ｒｓは、目標の抵抗値（例えば、０．０４８Ω）よりも低めに設定されている（例えば、０．０４６Ω）。調整用抵抗Ｒ１は、シャント抵抗Ｒｓの抵抗値を微調整可能なように、例えば、０．０２Ωを目標に設定されている。また、調整用抵抗Ｒ２は、調整用抵抗Ｒ１の抵抗値の半分、例えば、０．０１Ωを目標に設定されている。
【００３０】
レーザトリーミングは、シャント抵抗Ｒｓの抵抗値を測定し、測定値を元に、シャント抵抗Ｒｓ、調整用抵抗Ｒ１及び調整用抵抗Ｒ２の直列抵抗値が目標値０．０４８Ωになるように短絡用回路配線Ｌ１、Ｌ２を断線させる。
【００３１】
具体的には、
（１）シャント抵抗Ｒｓの抵抗値が、目標値０．０４８Ωよりも０．０３Ω以上（或いは、０．０２５Ω以上）低い場合には、短絡用回路配線Ｌ１及び短絡用回路配線Ｌ２を断とし、シャント抵抗Ｒｓに調整用抵抗Ｒ１及び調整用抵抗Ｒ２を直列に接続させる（図３（Ｂ））。
（２）シャント抵抗Ｒｓの抵抗値が、目標値０．０４８Ωよりも０．０１Ω程度低い場合には、短絡用回路配線Ｌ２を断として、短絡用回路配線Ｌ１で０．０２Ωの調整用抵抗Ｒ１を短絡させ、シャント抵抗Ｒｓに０．０１Ωの調整用抵抗Ｒ２を直列に接続させる（図３（Ｃ））。
（３）シャント抵抗Ｒｓの抵抗値が、目標値０．０４８Ωよりも０．０２Ω程度低い場合には、短絡用回路配線Ｌ１を断として、短絡用回路配線Ｌ２で０．０１Ωの調整用抵抗Ｒ２を短絡させ、シャント抵抗Ｒｓに０．０２Ωの調整用抵抗Ｒ１を直列に接続させる（図３（Ｄ））。
（４）シャント抵抗Ｒｓの抵抗値が、目標値０．０４８Ω以上の場合には、短絡用回路配線Ｌ１及び短絡用回路配線Ｌ２を断にせず、調整用抵抗Ｒ１及び調整用抵抗Ｒ２を短絡させる（図３（Ｅ））。
【００３２】
図４（Ａ）は、第２実施形態の改変例に係る定電流制御回路１０の回路構成を示している。
図３（Ａ）を参照して上述した第２実施形態では、調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２をそれぞれ短絡する短絡用回路配線Ｌ１、Ｌ２を設けた。図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）に示すように、第２実施形態の改変例では、調整用抵抗Ｒ１を短絡する短絡用回路配線Ｌ１と、調整用抵抗Ｒ１及び調整用抵抗Ｒ２を短絡する短絡用回路配線Ｌ２とを設けた。
【００３３】
第２実施形態の改変例では、シャント抵抗Ｒｓは、目標の抵抗値（例えば、０．０４８Ω）よりも低めに設定されている（例えば、０．０４６Ω）。調整用抵抗Ｒ１及び調整用抵抗Ｒ２は、共に０．０２Ωを目標に設定されている。
【００３４】
レーザトリーミングは、シャント抵抗Ｒｓの抵抗値を測定し、測定値を元に、シャント抵抗Ｒｓ、調整用抵抗Ｒ１及び調整用抵抗Ｒ２の直列抵抗値が目標値０．０４８Ωになるように短絡用回路配線Ｌ１、Ｌ２を断線させる。
【００３５】
具体的には、
（１）シャント抵抗Ｒｓの抵抗値が、目標値０．０４８Ωよりも０．０４Ω以上（或いは、０．０３５Ω以上）低い場合には、短絡用回路配線Ｌ１及び短絡用回路配線Ｌ２を断とし、シャント抵抗Ｒｓに調整用抵抗Ｒ１及び調整用抵抗Ｒ２を直列に接続させる（図４（Ｂ））。
（２）シャント抵抗Ｒｓの抵抗値が、目標値０．０４８Ωよりも０．０２Ω程度低い場合には、短絡用回路配線Ｌ２を断として、短絡用回路配線Ｌ１で０．０２Ωの調整用抵抗Ｒ１を短絡させ、シャント抵抗Ｒｓに０．０２Ωの調整用抵抗Ｒ２を直列に接続させる（図４（Ｃ））。
（３）シャント抵抗Ｒｓの抵抗値が、目標値０．０４８Ω以上の場合には、短絡用回路配線Ｌ１及び短絡用回路配線Ｌ２を断にせず、調整用抵抗Ｒ１及び調整用抵抗Ｒ２を短絡させる（図４（Ｄ））。
【００３６】
第２実施形態の集積回路では、アルミニウム合金からなるシャント抵抗Ｒｓに調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２を直列に接続し、調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２を短絡させる短絡用回路配線Ｌ１、Ｌ２を設ける。そして、短絡用回路配線Ｌ１、Ｌ２をレーザトリーミング等により断線させることで、シャント抵抗Ｒｓと調整用抵抗Ｒ１、Ｒ２とにより構成される直列抵抗値をを調整する。これにより、アルミニウム合金からなるシャント抵抗Ｒｓに基づく直列抵抗値を調整することが可能になる。第２実施形態の集積回路は、スイッチング素子を用いないため廉価に製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
上述した実施形態では、シャント抵抗を用いる回路として定電流制御回路を例示したが、本発明の構成は、過電流検出回路等にも適用可能であり、更に、回路配線と同じ素材からなる抵抗としては、シャント抵抗に限定されず、種々の目的の抵抗に応用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る定電流制御回路の回路図である。
【図２】第１実施形態の改変例に係る定電流制御回路の回路図である。
【図３】図３（Ａ）本発明の第２実施形態に係る定電流制御回路の回路図であり、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図３（Ｄ）、図３（Ｅ）は第２実施形態でのレーザトリーミングの説明図である。
【図４】図４（Ａ）本発明の第２実施形態の改変例に係る定電流制御回路の回路図であり、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）、図４（Ｄ）は第２実施形態の改変例でのレーザトリーミングの説明図である。
【図５】従来技術に係る定電流制御回路の回路図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０  定電流制御回路
Ｒｓ  シャント抵抗
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２  調整用抵抗
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３  短絡用回路配線
ＭＯＳ１、ＭＯＳ２、ＭＯＳ３  電界効果型トランジスタ
【図１】
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【図２】
2006041341.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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