(57)【要約】【課題】  不純物の少ない合金の金属薄膜を均一にしかも高速に作製する。【解決手段】  Ｆｅ製の被エッチング部材２１とＮｉ製の被エッチング部材２２とを備え、Ｃｌ2ガスをプラズマ化してそれぞれの被エッチング部材２１、２２をエッチングした前駆体の金属成分を基板９にそれぞれ吸着させ、その後、基板９を移動させてＦｅ薄膜とＮｉ薄膜を積層することで合金６０を作製し、緻密な多元層膜構造を形成する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が収容されるチャンバと、
基板に対向する位置におけるチャンバに配置可能に複数設けられそれぞれが異種の金属で形成される被エッチング部材と、
各被エッチング部材に対応して複数設けられ、チャンバの内部における被エッチング部材に対応する部位にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、
各被エッチング部材に対応して複数設けられ、チャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分との前駆体を生成するプラズマ発生手段と、
各被エッチング部材に対応して複数設けられ、基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低く制御することにより前駆体の金属成分を基板に成膜させる温度制御手段と、
それぞれの原料ガス供給手段、それぞれのプラズマ発生手段、それぞれの温度制御手段を個別に制御して複数の被エッチング部材の金属成分を基板に積層させる積層制御手段と
を備えたことを特徴とする薄膜作製装置。
【請求項２】
請求項１に記載の薄膜作製装置において、
基板は、各被エッチング部材に対応してそれぞれ設けられ、
基板をそれぞれの各被エッチング部材に対応する位置に移動させる移動手段を備え、
積層制御手段には、異種の金属をそれぞれの基板で同時に成膜した後に基板を異なる被エッチング部材に対応させるように移動手段を制御する機能が備えられている
ことを特徴とする薄膜作製装置。
【請求項３】
請求項１もしくは請求項２のいずれか一項に記載の薄膜作製装置において、
ハロゲンを含有する原料ガスは、塩素を含有する原料ガスである
ことを特徴とする薄膜作製装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の薄膜作製装置において、
被エッチング部材は、鉄及びニッケルであり、基板上には鉄とニッケルの合金であるパーマロイが作製される
ことを特徴とする薄膜作製装置。
【請求項５】
それぞれが異種の金属で形成される被エッチング部材が備えられたチャンバ内にハロゲンを含有する原料ガスを供給し、それぞれの被エッチング部材に対して個別に原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分と原料ガスとの前駆体を生成し、
基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすることにより前駆体の金属成分を基板に成膜させ、
その後、異なる金属の被エッチング部材に基板を対向させて、前駆体の生成、金属成分の成膜を行い、
異なる金属成分の成膜を繰り返すことにより異種の金属を基板に積層させる
ことを特徴とする薄膜作製方法。
【請求項６】
請求項５に記載の薄膜作製方法において、
各被エッチング部材に対応して基板が設けられ、
基板を移動させることで異なる金属の被エッチング部材に基板を対向させる
ことを特徴とする薄膜作製方法。
【請求項７】
請求項５もしくは請求項６のいずれか一項に記載の薄膜作製方法において、
ハロゲンを含有する原料ガスは、塩素を含有する原料ガスである
ことを特徴とする薄膜作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の薄膜作製方法において、
被エッチング部材は、鉄及びニッケルであり、基板には鉄とニッケルの合金であるパーマロイが作製される
ことを特徴とする薄膜作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一つのチャンバ内で合金の成膜を行うことができる薄膜作製装置及び薄膜作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体等の製造においては、プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置を用いた成膜が知られている。プラズマＣＶＤ装置とは、チャンバ内に導入した膜の材料となる有機金属錯体等のガスを、高周波アンテナから入射する高周波によりプラズマ状態にし、プラズマ中の活性な励起原子によって基板表面の化学的な反応を促進して金属薄膜等を成膜する装置である。
【０００３】
これに対し、本発明者等は、高蒸気圧ハロゲン化物を作る金属成分であって、成膜を望む金属成分からなる被エッチング部材をチャンバに設置し、前記被エッチング部材をハロゲンガスのプラズマによりエッチングすることで金属成分のハロゲン化物である前駆体を生成させるとともに、前駆体の金属成分のみを基板上に成膜するプラズマＣＶＤ装置（以下、新方式のプラズマＣＶＤ装置という）および成膜方法を開発した（例えば、下記、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１４７５３４号公報
【０００５】
上記新方式のプラズマＣＶＤ装置では、成膜される金属源となる被エッチング部材の温度に対して基板の温度が低くなるように制御して基板に当該金属膜を成膜している。例えば、被エッチング部材の金属をＭ、ハロゲンガスをＣｌ2とした場合、被エッチング部材を高温（例えば３００°Ｃ〜７００°Ｃ）に、また基板を低温（例えば２００°Ｃ程度）に制御することにより、前記基板にＭ薄膜を形成することができる。これは、次のような反応によるものと考えられる。
【０００６】
（１）プラズマの解離反応；Ｃｌ2→２Ｃｌ*
（２）エッチング反応；Ｍ＋Ｃｌ*→ＭＣｌ（ｇ）
（３）基板への吸着反応；ＭＣｌ（ｇ）→ＭＣｌ（ａｄ）
（４）成膜反応；ＭＣｌ（ａｄ）＋Ｃｌ* →Ｍ＋Ｃｌ2↑  ・・・（１）
ここで、Ｃｌ*はＣｌのラジカルであることを、（ｇ）はガス状態であることを、（ａｄ）は吸着状態であることをそれぞれ表している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記新方式のＣＶＤ装置においては、不純物の少ない金属薄膜を均一にしかも高速に作製することができる。この新方式のＣＶＤ装置を適用して合金の薄膜を作製することが検討されるようになってきている。金属の蒸気圧力の状態は種類によって様々であるため、合金の薄膜を作製するには成膜速度や成膜条件をきめ細かく制御する必要があり、確立された技術が存在しないのが現状である。
【０００８】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、上述の如き新方式のＣＶＤ装置において、不純物の少ない合金の金属薄膜を均一にしかも高速に作製することができる薄膜作製装置及び薄膜作製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するための請求項１に係る本発明の薄膜作製装置は、
基板が収容されるチャンバと、
基板に対向する位置におけるチャンバに配置可能に複数設けられそれぞれが異種の金属で形成される被エッチング部材と、
各被エッチング部材に対応して複数設けられ、チャンバの内部における被エッチング部材に対応する部位にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、
各被エッチング部材に対応して複数設けられ、チャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分との前駆体を生成するプラズマ発生手段と、
各被エッチング部材に対応して複数設けられ、基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低く制御することにより前駆体の金属成分を基板に成膜させる温度制御手段と、
それぞれの原料ガス供給手段、それぞれのプラズマ発生手段、それぞれの温度制御手段を個別に制御して複数の被エッチング部材の金属成分を基板に積層させる積層制御手段と
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
そして、請求項２に係る本発明の薄膜作製装置は、
請求項１に記載の薄膜作製装置において、
基板は、各被エッチング部材に対応してそれぞれ設けられ、
基板をそれぞれの各被エッチング部材に対応する位置に移動させる移動手段を備え、
積層制御手段には、異種の金属をそれぞれの基板で同時に成膜した後に基板を異なる被エッチング部材に対応させるように移動手段を制御する機能が備えられている
ことを特徴とする。
【００１１】
また、請求項３に係る本発明の薄膜作製装置は、
請求項１もしくは請求項２のいずれか一項に記載の薄膜作製装置において、
ハロゲンを含有する原料ガスは、塩素を含有する原料ガスである
ことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４に係る本発明の薄膜作製装置は、
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の薄膜作製装置において、
被エッチング部材は、鉄及びニッケルであり、基板上には鉄とニッケルの合金であるパーマロイが作製される
ことを特徴とする。
【００１３】
上記目的を達成するための請求項５に係る本発明の薄膜作製方法は、
それぞれが異種の金属で形成される被エッチング部材が備えられたチャンバ内にハロゲンを含有する原料ガスを供給し、それぞれの被エッチング部材に対して個別に原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分と原料ガスとの前駆体を生成し、
基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすることにより前駆体の金属成分を基板に成膜させ、
その後、異なる金属の被エッチング部材に基板を対向させて、前駆体の生成、金属成分の成膜を行い、
異なる金属成分の成膜を繰り返すことにより異種の金属を基板に積層させる
ことを特徴とする。
【００１４】
そして、請求項６に係る本発明の薄膜作製方法は、
請求項５に記載の薄膜作製方法において、
各被エッチング部材に対応して基板が設けられ、
基板を移動させることで異なる金属の被エッチング部材に基板を対向させる
ことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項７に係る本発明の薄膜作製方法は、
請求項５もしくは請求項６のいずれか一項に記載の薄膜作製方法において、
ハロゲンを含有する原料ガスは、塩素を含有する原料ガスである
ことを特徴とする。
【００１６】
また、請求項８に係る本発明の薄膜作製方法は、
請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の薄膜作製方法において、
被エッチング部材は、鉄及びニッケルであり、基板には鉄とニッケルの合金であるパーマロイが作製される
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１の本発明では、緻密な多元層膜構造が形成でき、各層の成膜条件が最適化でき、所望の特性の合金の金属薄膜を容易に得ることができる。このため、不純物の少ない合金の金属薄膜を均一にしかも高速に作製することができる薄膜作製装置となる。
【００１８】
請求項２の本発明では、移動手段により基板を移動させることで基板を異なる被エッチング部材に対向させるので、容易に基板を移動させて金属成分を積層させることができる薄膜作製装置となる。
【００１９】
請求項３の本発明では、ハロゲンガスを含有する原料ガスとして塩素を含有するガスを適用したので、安価な塩素ガスを用いて合金の金属薄膜を得ることができる薄膜作製装置となる。
【００２０】
請求項４の本発明では、鉄とニッケルの合金であるパーマロイを容易に作製することができる薄膜作製装置となる。
【００２１】
請求項５の本発明では、緻密な多元層膜構造が形成でき、各層の成膜条件が最適化でき、所望の特性の合金の金属薄膜を容易に得ることができる。このため、不純物の少ない合金の金属薄膜を均一にしかも高速に作製することができる薄膜作製方法となる。
【００２２】
請求項６の本発明では、移動手段により基板を移動させることで基板を異なる被エッチング部材に対向させるので、容易に基板を移動させて金属成分を積層させることができる薄膜作製方法となる。
【００２３】
請求項７の本発明では、ハロゲンガスを含有する原料ガスとして塩素を含有するガスを適用したので、安価な塩素ガスを用いて合金の金属薄膜を得ることができる薄膜作製方法となる。
【００２４】
請求項８の本発明では、鉄とニッケルの合金であるパーマロイを容易に作製することができる薄膜作製方法となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下本発明の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２６】
図１には本発明の一実施形態例に係る薄膜作製装置の概略平面、図２には本発明の一実施形態例に係る薄膜作製装置の概略側面、図３には原料ガスの供給状況を表すタイムチャート、図４には金属膜の積層状況を表す説明を示してある。
【００２７】
図１、図２に示すように、円筒状に形成された、例えば、セラミックス製(絶縁材製)のチャンバ１の底部には旋回テーブル２が備えられ、旋回テーブル２は駆動手段３によって割出旋回駆動される(移動手段)。チャンバ１の内部は仕切板４によって第１室５と第２室６とに仕切られている。尚、チャンバの形状は円筒状に限らず、例えば、矩形状のチャンバを適用することも可能である。
【００２８】
尚、第１室５と第２室６とを必ずしも仕切板４で仕切る必要はない。また、移動手段としては、旋回テーブル２に限らず基板を搬送する手段を適用することが可能である。
【００２９】
旋回テーブル２には第１室５に対応して第１支持台７が設けられると共に第２室６に対応して第２支持台８が設けられ、第１支持台７及び第２支持台８には基板(ガラス基板)９がそれぞれ載置される。第１支持台７及び第２支持台８にはヒータ１０及び冷媒流通手段１１を備えた温度制御手段１２がそれぞれ設けられ、第１支持台７及び第２支持台８は温度制御手段１２により所定温度(例えば、基板９が１００℃から３００℃に維持される温度)に制御される。
【００３０】
チャンバ１の上面は開口部とされ、開口部は、例えば、セラミックス製(絶縁材製)の板上の天井板１３によって塞がれている。密閉空間であるチャンバ１の内部は真空装置２０により真空引きして所定の低圧に維持するようになっている。
【００３１】
第１室５と第２室６にそれぞれ対応して天井板１３の上方にはプラズマアンテナ１４、１５がそれぞれ設けられ、プラズマアンテナ１４、１５によって第１室５及び第２室６の内部のガスがそれぞれプラズマ化される。プラズマアンテナ１４、１５はそれぞれ天井板１３の面と平行な平面リング状に形成されている。プラズマアンテナ１４、１５には整合器１６、１７及び電源１８、１９がそれぞれ接続されて高周波電流が供給される。プラズマアンテナ１４、１５及び整合器１６、１７及び電源１８、１９によりプラズマ発生手段が構成されている。
【００３２】
第１室５における基板９とプラズマアンテナ１４の間には、例えば、Ｆｅ製の被エッチング部材２１が設けられ、第２室６における基板９とプラズマアンテナ１５の間には、例えば、Ｎｉ製の被エッチング部材２２が設けられている。被エッチング部材２１、２２はプラズマアンテナ１４、１５の電気の流れに対して基板９と天井板１３の間に不連続状態で配置されている。
【００３３】
例えば、被エッチング部材２１、２２は棒状の突起部２３とチャンバ１への支持部２４とで構成され、突起部２４がプラズマアンテナ１４、１５と基板９の間に配されている。これにより、被エッチング部材２１、２２はプラズマアンテナ１４、１５の電気の流れ方向である周方向に対して構造的に不連続な状態とされている。尚、プラズマアンテナ１４、１５の電気の流れに対して不連続状態にする構成としては、被エッチング部材を格子状に形成したり網目状に構成することも可能である。
【００３４】
チャンバ１の筒部には第１室５と第２室６の内部にハロゲンガスとしての塩素を含有する原料ガス（Ｃｌ2 ガス）を供給するノズル２６、２７が接続され、ノズル２６、２７には流量制御器２８、２９を介してＣｌ2 ガスが送られる。尚、原料ガスに含有されるハロゲンとしては、フッ素、臭素及びヨウ素等を適用することができる。尚、ノズル２６、２７は第１室５と第２室６に対してそれぞれ１個づつ図示しているが、チャンバ１の大きさ等により適宜均等に複数個設けることも可能である。
【００３５】
駆動手段３による旋回テーブル２の駆動時期、流量制御器２８、２９を介して供給されるＣｌ2ガスの流量及び供給時期、プラズマアンテナ１４、１５への給電は、積層制御手段５１により個別に制御される。これにより、以下で説明する作用により、基板９にＦｅ及びＮｉが積層されて成膜され、基板９にＦｅとＮｉの合金であるパーマロイが作製される。
【００３６】
尚、被エッチング部材２１、２２の材料として、Ｆｅ及びＮｉを例に挙げて説明したが、Ｃｏ及びＮｉを用いてＣｏ／Ｎｉ合金を作製したり、Ｔａ及びＳｉＮを用いてＴａ／ＳｉＮ合金を作製してバリアメタルに適用することも可能である。また、被エッチング部材２１、２２の材料として、Ｔｉ及びＳｉＮを用いてＴｉ／ＳｉＮ合金を作製したり、Ｃｏ及びＳｉを用いてＣｏ／Ｓｉ合金を作製して集積回路のゲート電極に適用することも可能である。
【００３７】
上述した薄膜作製装置では、第１室５の内部にノズル２６からＣｌ2ガスを供給する。プラズマアンテナ１４から電磁波を第１室５の内部に入射することで、Ｃｌ2ガスをイオン化してＣｌ2 ガスプラズマを発生させる。プラズマは、ガスプラズマ５５で図示する領域に発生する。この時の反応式は次式で表すことができる。
Ｃｌ2→２Ｃｌ*          ・・・・（１）
ここで、Ｃｌ*は塩素ラジカルを表す。
【００３８】
ガスプラズマ５５がＦｅ製の被エッチング部材２１に作用することにより、被エッチング部材２１が加熱されると共に、Ｆｅにエッチング反応が生じる。この時の反応は、例えば、次式で表される。
Ｆｅ（ｓ）＋Ｃｌ* →ＦｅＣｌ（ｇ）        ・・・・（２）
ここで、ｓは固体状態、ｇはガス状態を表す。式（２）は、Ｆｅがガスプラズマ５５によりエッチングされ、前駆体５７とされた状態である。
【００３９】
ガスプラズマ５５を発生させることにより被エッチング部材２１を加熱し（例えば、３００℃〜７００℃）、更に、温度制御手段１２により基板９の温度を被エッチング部材２１の温度よりも低い温度（例えば、１００℃〜３００℃）に設定する。この結果、前駆体５７は基板９に吸着(成膜)される。この時の反応は、例えば、次式で表される。
ＦｅＣｌ（ｇ）→ＦｅＣｌ（ａｄ）        ・・・・（３）
【００４０】
基板９に吸着したＦｅＣｌは塩素ガスラジカルＣｌ*により還元されてＦｅ成分となることでＦｅ薄膜が作製可能となる。この時の反応式は、例えば、次式で表される。
ＦｅＣｌ（ａｄ）＋Ｃｌ*→Ｆｅ（ｓ）＋Ｃｌ2↑        ・・・・（４）
【００４１】
更に、上式（２）において発生したガス化したＦｅＣｌ（ｇ）の一部は、基板９に吸着する（上式（３）参照）前に、塩素ガスラジカルＣｌ*により還元されてガス状のＦｅとなる。この時の反応式は、例えば、次式で表される。
ＦｅＣｌ（ｇ）＋Ｃｌ*→Ｆｅ（ｇ）＋Ｃｌ2↑        ・・・・（５）
この後、ガス状態のＦｅ成分は、基板９に成膜されてＦｅ薄膜が作製可能となる。
【００４２】
この時のＣｌ2ガスの供給状況は、図３で示した時間Ｔ１からｔ１までのように制御される。
【００４３】
一方、第２室６では、第１室５と同一の原理で同時にＮｉの薄膜が成膜される。即ち、Ｃｌ2ガスの供給状況が、図３で示した時間Ｔ１からｔ１までのように制御される。
【００４４】
第２室６の内部にノズル２７からＣｌ2ガスを供給する。プラズマアンテナ１５から電磁波を第２室６の内部に入射することで、Ｃｌ2ガスをイオン化してＣｌ2 ガスプラズマを発生させる。プラズマは、ガスプラズマ５６で図示する領域に発生する。この時の反応式は次式で表すことができる。
Ｃｌ2→２Ｃｌ*          ・・・・（６）
ここで、Ｃｌ*は塩素ラジカルを表す。
【００４５】
ガスプラズマ５６がＮｉ製の被エッチング部材２２に作用することにより、被エッチング部材２２が加熱されると共に、Ｎｉにエッチング反応が生じる。この時の反応は、例えば、次式で表される。
Ｎｉ（ｓ）＋Ｃｌ* →ＮｉＣｌ（ｇ）        ・・・・（７）
ここで、ｓは固体状態、ｇはガス状態を表す。式（７）は、Ｎｉがガスプラズマ５６によりエッチングされ、前駆体５８とされた状態である。
【００４６】
ガスプラズマ５６を発生させることにより被エッチング部材２２を加熱し（例えば、３００℃〜７００℃）、更に、温度制御手段１２により基板９の温度を被エッチング部材２２の温度よりも低い温度（例えば、１００℃〜３００℃）に設定する。この結果、前駆体５８は基板９に吸着(成膜)される。この時の反応は、例えば、次式で表される。
ＮｉＣｌ（ｇ）→ＮｉＣｌ（ａｄ）        ・・・・（８）
【００４７】
基板９に吸着したＮｉＣｌは塩素ガスラジカルＣｌ*により還元されてＮｉ成分となることで、例えば、１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さのＮｉ薄膜が作製可能となる。この時の反応式は、例えば、次式で表される。
ＮｉＣｌ（ａｄ）＋Ｃｌ*→Ｎｉ（ｓ）＋Ｃｌ2↑        ・・・・（９）
【００４８】
更に、上式（７）において発生したガス化したＮｉＣｌ（ｇ）の一部は、基板９に吸着する（上式（８）参照）前に、塩素ガスラジカルＣｌ*により還元されてガス状のＮｉとなる。この時の反応式は、例えば、次式で表される。
ＮｉＣｌ（ｇ）＋Ｃｌ*→Ｎｉ（ｇ）＋Ｃｌ2↑        ・・・・（１０）
この後、ガス状態のＮｉ成分は、基板９に成膜されてＮｉ薄膜が作製可能となる。
【００４９】
上述した薄膜作製装置でのＦｅ層の成膜及びＮｉ層の成膜は同時に実施され、Ｆｅ及びＮｉの蒸気圧力特性に応じて第１室５及び第２室６の温度状況が個別に制御される。Ｆｅ層及びＮｉ層の成膜が終了した時点で、駆動手段３により旋回テーブル２を旋回駆動させてＦｅ層が成膜された基板９を第２室６に配置すると共に、Ｎｉ層が成膜された基板９を第１室５に配置する（図３で示した時間ｔ１からＴ２まで）。この状態で上述した成膜を実施する（図３で示した時間Ｔ２からｔ２まで）。Ｆｅ層及びＮｉ層の成膜と旋回テーブル２の旋回を繰り返すことにより、図４に示すように、基板９にＦｅ層とＮｉ層が積層された、例えば、膜厚が５０ｎｍの合金６０が作製される。
【００５０】
合金６０として、上述したパーマロイ（例えば、Ｆｅ：Ｎｉが２：８）を作製する場合には、Ｆｅ層及びＮｉ層のそれぞれの厚さを、例えば、２：８の割合にして成膜することが可能である。また、同一厚さのＦｅ層及びＮｉ層の層数を、例えば、２：８の割合にして成膜することが可能である。尚、Ｆｅ層とＮｉ層を積層する際に、適宜熱処理を実施して合金６０とすることも可能である。
【００５１】
上述した薄膜作製は、異種の金属製の被エッチング部材を備え、Ｃｌ2ガスをプラズマ化してそれぞれの被エッチング部材をエッチングした前駆体の金属成分を基板９に吸着させて金属薄膜を成膜し、基板を移動させて金属薄膜を積層することで合金を作製するようにしている。このため、蒸気圧特性が異なる異種金属であっても、それぞれ最適な条件を設定して薄膜を成膜して合金を作製することができる。
【００５２】
従って、緻密な多元層膜構造が形成でき、各層の成膜条件が最適化でき、所望の特性の合金の金属薄膜を容易に得ることができ、不純物の少ない合金の金属薄膜を均一にしかも高速に作製することが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は一つのチャンバ内で合金の薄膜を作製する産業分野で利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態例に係る薄膜作製装置の概略平面図である。
【図２】本発明の一実施形態例に係る薄膜作製装置の概略側面図である。
【図３】原料ガスの供給状況を表すタイムチャートである。
【図４】金属膜の積層状況を表す説明図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  チャンバ
２  旋回テーブル
３  駆動手段
４  仕切板
５  第１室
６  第２室
７  第１支持台
８  第２支持台
９  基板
１０  ヒータ
１１  冷媒流通手段
１２  温度制御手段
１３  天井板
１４、１５  プラズマアンテナ
１６、１７  整合器
１８、１９  電源
２０  真空装置
２１、２２  被エッチング部材
２３  突起部
２４  支持部
２６、２７  ノズル
２８、２９  流量制御手段
５１  積層制御手段
５５、５６  ガスプラズマ
５７、５８  前駆体
６０  合金
【図１】
2006169598.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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