(57)【要約】【課題】ラビングすじに起因した表示不良を生じ難くすること。【解決手段】本発明の液晶表示装置は、一主面内に四角形状の表示領域とこれを取り囲んだ周辺領域とが規定される絶縁基板ＩＳ１と、前記表示領域上に配置された画素電極群ＰＥＧと、前記周辺領域上に前記表示領域の互いに隣接する二辺に沿ってそれぞれ配置された第１及び第２帯状部ＢＰ１，ＢＰ２を含んだトランスファパッドＰＤ１と、前記画素電極群ＰＥＧを被覆した配向膜ＡＬ１とを備えたアレイ基板ＡＳを具備したことを特徴とする。【選択図】      図４
2006119207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面内に四角形状の表示領域とこれを取り囲んだ周辺領域とが規定される第１絶縁基板と、前記表示領域上に配置された画素電極群と、前記周辺領域上に前記表示領域の互いに隣接する二辺に沿ってそれぞれ配置された第１及び第２帯状部を含んだトランスファパッドと、前記画素電極群を被覆した第１配向膜とを備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記第１配向膜側の主面と対向した第２絶縁基板と、この第２絶縁基板に支持されるとともに前記画素電極群及び前記トランスファパッドと対向した共通電極と、この共通電極のうち前記画素電極群と対向した部分を被覆した第２配向膜とを備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に前記画素電極群を取り囲む枠を形成してこの枠の内部を前記トランスファパッドから隔離した接着剤層と、
前記アレイ基板と前記対向基板と前記接着剤層とに囲まれた空間を満たした液晶材料からなる液晶層と、
前記トランスファパッドと前記共通電極との間に介在してそれらを互いに電気的に接続したトランスファ電極とを具備したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１配向膜には、その前記第１帯状部側の縁から反対側の縁に向けてラビング処理が施されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
一主面内に四角形状の表示領域とこれを取り囲んだ周辺領域とが規定される第１絶縁基板と、前記表示領域上に配置された画素電極群と、前記周辺領域上に前記表示領域の三辺に沿ってそれぞれ配置された第１乃至第３帯状部を含んだトランスファパッドと、前記画素電極群を被覆した第１配向膜とを備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記第１配向膜側の主面と対向した第２絶縁基板と、この第２絶縁基板に支持されるとともに前記画素電極群及び前記トランスファパッドと対向した共通電極と、この共通電極のうち前記画素電極群と対向した部分を被覆した第２配向膜とを備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に前記画素電極群を取り囲む枠を形成してこの枠の内部を前記トランスファパッドから隔離した接着剤層と、
前記アレイ基板と前記対向基板と前記接着剤層とに囲まれた空間を満たした液晶材料からなる液晶層と、
前記トランスファパッドと前記共通電極との間に介在してそれらを互いに電気的に接続したトランスファ電極とを具備したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２帯状部は前記第１帯状部の一端に接続され、前記第３帯状部は前記第２帯状部の他端に接続され、
前記第１配向膜には、その前記第１帯状部側の縁から反対側の縁に向けてラビング処理が施されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記液晶材料をベンド配向させることを特徴とする請求項１又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
ＯＣＢモードで動作することを特徴とする請求項１又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
一主面内に四角形状の表示領域とこれを取り囲んだ周辺領域とが規定される絶縁基板と、前記表示領域上に配置された画素電極群と、前記周辺領域上に前記表示領域の互いに隣接する二辺に沿ってそれぞれ配置された第１及び第２帯状部を含んだトランスファパッドとを具備したことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びこれに使用するアレイ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence）モードには、ＴＮ（Twisted Nematic）モードと比較して、広視野角及び高速応答を実現し易いという特徴がある。そのため、近年、例えば、動画を表示する大画面の液晶表示装置などの動作モードとして、ＯＣＢモードを採用することが検討されている。
【０００３】
ＯＣＢモードの液晶表示装置では、誘電率異方性が正の液晶材料を使用するとともに、アレイ基板の配向膜のラビング方向と対向基板の配向膜のラビング方向とを同じ向きとする。これにより、液晶材料をＯＦＦ状態でベンド配向させ、ＯＮ状態で垂直配向させる。
【０００４】
このように、ＯＣＢモードの液晶表示装置を製造するには、ラビング処理が必要である。しかしながら、本発明者らは、ＯＣＢモードの液晶表示装置には、ラビングすじに起因した表示不良を生じ易いという問題があることを見出している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、ラビングすじに起因した表示不良を生じ難くすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１側面によると、一主面内に四角形状の表示領域とこれを取り囲んだ周辺領域とが規定される第１絶縁基板と、前記表示領域上に配置された画素電極群と、前記周辺領域上に前記表示領域の互いに隣接する二辺に沿ってそれぞれ配置された第１及び第２帯状部を含んだトランスファパッドと、前記画素電極群を被覆した第１配向膜とを備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記第１配向膜側の主面と対向した第２絶縁基板と、この第２絶縁基板に支持されるとともに前記画素電極群及び前記トランスファパッドと対向した共通電極と、この共通電極のうち前記画素電極群と対向した部分を被覆した第２配向膜とを備えた対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に前記画素電極群を取り囲む枠を形成してこの枠の内部を前記トランスファパッドから隔離した接着剤層と、前記アレイ基板と前記対向基板と前記接着剤層とに囲まれた空間を満たした液晶材料からなる液晶層と、前記トランスファパッドと前記共通電極との間に介在してそれらを互いに電気的に接続したトランスファ電極とを具備したことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２側面によると、一主面内に四角形状の表示領域とこれを取り囲んだ周辺領域とが規定される絶縁基板と、前記表示領域上に配置された画素電極群と、前記周辺領域上に前記表示領域の互いに隣接する二辺に沿ってそれぞれ配置された第１及び第２帯状部を含んだトランスファパッドとを具備したことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、ラビングすじに起因した表示不良を生じ難くすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本発明の第１態様に係る液晶表示装置を概略的に示す斜視図である。この液晶表示装置は、ＯＣＢモードの液晶表示装置であって、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルＤＰと、プリント回路基板ＰＣＢと、それらを電気的に接続したテープキャリアパッケージＴＣＰとを含んでいる。また、この液晶表示装置は、液晶表示パネルＤＰと向き合うように配置されたバックライトユニット（図示せず）をさらに含んでいる。
【００１１】
液晶表示パネルＤＰは、アレイ基板ＡＳと、対向基板ＣＳと、それらの間に介在した枠状の接着剤層（図示せず）と、アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳと接着剤層とに囲まれた空間を満たした液晶材料からなる液晶層（図示せず）と、アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳとを電気的に接続する複数のトランスファ電極（図示せず）とを含んでいる。また、図示しないが、この液晶表示パネルＤＰは、アレイ基板ＡＳの外面上に配置された偏光板と、対向基板ＣＳの外面上に順次配置された光学補償フィルム（二軸性フィルム）及び偏光板とをさらに含んでいる。
【００１２】
各テープキャリアパッケージＴＣＰは、フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣとこれに搭載された信号線ドライバＸＤＲとを含んでいる。ここでは、一例として、走査線ドライバ（図示せず）はアレイ基板ＡＳに形成しており、プリント回路基板ＰＣＢは、これら走査線ドライバ及び信号線ドライバを駆動する回路や電源回路を搭載している。
【００１３】
図２は、図１に示す液晶表示装置の液晶表示パネルＤＰを概略的に示す平面図である。図３は、図２に示す液晶表示パネルＤＰのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図２の液晶表示パネルＤＰのアレイ基板ＡＳを概略的に示す平面図である。図５は、図２の液晶表示パネルＤＰの対向基板ＣＳを概略的に示す平面図である。図６は、図２に示す液晶表示パネルＤＰの画素回路を示す等価回路図である。
【００１４】
なお、図２には対向基板ＣＳ側から見た液晶表示パネルＤＰを描いており、図４には対向基板ＣＳ側から見たアレイ基板ＡＳを描いており、図５にはアレイ基板ＡＳ側から見た対向基板ＣＳを描いている。
【００１５】
図３及び図４に示すように、アレイ基板ＡＳは、例えばガラス基板などの絶縁基板ＩＳ１を含んでいる。絶縁基板ＩＳ１上には、例えばＳｉＮx層及び／又はＳｉＯ2層などのアンダーコート層ＵＣが形成されている。
【００１６】
図３に示すように、アンダーコート層ＵＣ上には、チャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層などの半導体層ＳＣ、ゲート絶縁膜ＧＩ及び図６に示す走査線ＳＬが順次積層されている。この例では、走査線ＳＬの一部をゲート電極ＧＥとして利用しており、これら半導体層ＳＣ、ゲート絶縁膜ＧＩ及びゲート電極ＧＥは、図３及び図６に示す薄膜トランジスタＴＲを構成している。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲート電極ＧＥ及び走査線上には、図３に示すように、ＳｉＯ2などからなる層間絶縁膜ＩＩが設けられている。層間絶縁膜ＩＩ上にはソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥ並びに図６に示す信号線ＶＬが設けられており、それらは、ＳｉＮxなどからなるパッシベーション膜ＰＳで埋め込まれている。この例では、信号線ＶＬの一部をドレイン電極ＤＥとして利用している。また、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、それぞれ、層間絶縁膜ＩＩに設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタＴＲのソース及びドレインに電気的に接続されている。
【００１８】
パッシベーション膜ＰＳ上には、画素電極ＰＥが互いから離間して並置されている。各画素電ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けられたビアホールを介してソース電極ＳＥに電気的に接続されている。また、これら画素電極ＰＥは図４に示す四角形状の画素電極群ＰＥＧを構成しており、この画素電極群ＰＥＧが形成された領域として図２の表示領域ＡＡが規定され、これを取り囲む領域として周辺領域が規定される。画素電極ＰＥとしては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などからなる透明電極を使用することができる。
【００１９】
画素電極群ＰＥＧは、例えばポリイミドなどからなる配向膜ＡＬ１で被覆されている。この例では、配向膜ＡＬ１には、図６に示す信号線ＶＬに略平行な方向，図４では縦方向，にラビング処理が施されている。より具体的には、図４のアレイ基板ＡＳにおいて、配向膜ＡＬ１には、図中、上方から下方に向けてラビング処理が施されている。
【００２０】
図２に示す表示領域ＡＡの外側，すなわち周辺領域，には、図６に示す走査線ＳＬに接続された走査線ドライバ、アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳとを電気的に接続するためのトランスファパッドＰＤ１、アレイ基板ＡＳとテープキャリアパッケージＴＣＰとを電気的に接続するためのＯＬＢ（Outer Lead Bonding）パッドＰＤ２が配置されている。
【００２１】
この例では、図４に示すように、画素電極群ＰＥＧの両脇に、走査線ドライバＹＤＲを配置している。走査線ドライバＹＤＲは、例えば、上記の薄膜トランジスタＴＲとほぼ同様の構造を有する薄膜トランジスタで構成することができる。
【００２２】
トランスファパッドＰＤ１は、この例では、第１帯状部ＢＰ１と第２帯状部ＢＰ２とで構成しており、Ｌ形状を有している。このトランスファパッドＰＤ１は、例えば、画素電極ＰＥを形成するのと同一の工程で形成することができる。
【００２３】
第１帯状部ＢＰ１は、画素電極群ＰＥＧが形成された領域である表示領域ＡＡの四辺のうち、配向膜ＡＬ１のラビング方向に略垂直であり且つＯＬＢパッドＰＤ２からより遠くに位置した一辺に沿って配置されている。第２帯状部ＢＰ２は、画素電極群ＰＥＧが形成された領域である表示領域ＡＡの四辺のうち、配向膜ＡＬ１のラビング方向に略平行な一辺に沿って配置されている。また、第１帯状部ＢＰ１の一端と第２帯状部ＢＰ２の一端とは、互いに接続されている。
【００２４】
ＯＬＢパッドＰＤ２は、絶縁基板ＩＳ１の一辺に沿って配列している。ＯＬＢパッドＰＤ２の一部は信号線ＶＬに接続され、他の一部は走査線ドライバＹＤＲに接続され、さらに他の一部はトランスファパッドＰＤ１に接続されている。ＯＬＢパッドＰＤ２及びこれらと信号線ＶＬや走査線ドライバＹＤＲやトランスファパッドＰＤ１とを接続する配線は、信号線ＶＬを形成するのと同一の工程で形成することができる。なお、ＯＬＢパッドＰＤ２とトランスファパッドＰＤ１とを接続する配線は、通常、周辺領域内に配置する。
【００２５】
対向基板ＣＳは、図３及び図５に示すように、例えばガラス基板などの絶縁基板ＩＳ２を含んでいる。絶縁基板ＩＳ２は、アレイ基板ＡＳの配向膜ＡＬ１が形成された面と向き合うように配置されている。
【００２６】
この例では、対向基板ＣＳのアレイ基板ＡＳとの対向面には、表示領域ＡＡに略対応した位置にカラーフィルタＣＦが形成されている。カラーフィルタＣＦは、例えば、青、緑、赤色の着色層をストライプ状に配置するとともに、これら着色層の配列方向を配向膜ＡＬ１のラビング方向と略直交させた構造を有している。カラーフィルタＣＦは、対向基板ＣＳに設ける代わりに、アレイ基板ＡＳに設けてもよい。
【００２７】
カラーフィルタＣＦ上には、共通電極ＣＥが形成されている。共通電極ＣＥの一部は、画素電極群ＰＥＧと向き合っており、共通電極ＣＥの他の部分はトランスファパッドＰＤ１と向き合っている。共通電極ＣＥは、この例では、矩形状である。共通電極ＣＥとしては、例えば、ＩＴＯなどからなる透明電極を使用することができる。
【００２８】
共通電極ＣＥの画素電極群ＰＥＧと向き合っている部分は、例えばポリイミドなどからなる配向膜ＡＬ２で被覆されている。この配向膜ＡＬ２は、配向膜ＡＬ１とほぼ等しい向きにラビング処理されている。すなわち、ここでは、配向膜ＡＬ２のラビング方向を、配向膜ＡＬ２のラビング方向と平行であり且つ等しい向きとしている。
【００２９】
アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳとの間には、図２及び図３に示すように、接着剤層ＡＤ１が配置されている。この接着剤層ＡＤ１は、画素電極群ＰＥＧを取り囲む枠を形成している。また、配向膜ＡＬ１のうち画素電極ＰＥ上に位置した部分と配向膜ＡＬ２とは、図示しないスペーサによって互いから離間している。これにより、接着剤層ＡＤ１は、アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳとの間に、それらに囲まれた空間を形成している。
【００３０】
接着剤層ＡＤ１が形成している枠には、先の空間に液晶材料ＬＣを注入するための注入口として使用する開口部が設けられている。ここでは、一例として、接着剤層ＡＤ１が形成している枠には、アレイ基板ＡＳのＯＬＢパッドＰＤ２を設けた縁部とは反対側の縁部に開口部を設けている。
【００３１】
アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳと接着剤層ＡＤ１とによって囲まれた空間は、液晶材料ＬＣで満たされており、この液晶材料ＬＣは液晶層を形成している。この例では、液晶材料ＬＣとして、誘電率異方性が正の液晶材料を使用している。液晶材料ＬＣは、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の電圧の絶対値（＞０Ｖ）が小さい第１状態においてベンド配向し、この電圧の絶対値がより大きい第２状態において垂直配向する。この液晶表示装置では、例えば、これらの状態変化を利用して表示を行う。
【００３２】
なお、各画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥの先の画素電極ＰＥと対向した部分と、それらの間に介在した液晶材料ＬＣとは、図６の液晶表示素子ＬＣＤＥを構成している。各液晶表示素子ＬＣＤＥは、例えば、トランスファパッドＴＥと同電位の端子と薄膜トランジスタＴＲのソースとの間に、補助容量Ｃと並列に接続する。
【００３３】
接着剤層ＡＤ１が形成している枠の開口部，すなわち注入口，は、接着剤層ＡＤ２で閉じられている。接着剤層ＡＤ２の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂などを使用することができる。
【００３４】
トランスファパッドＰＤ１と共通電極ＣＥとの間には、図２に示すトランスファ電極ＴＥが介在している。トランスファ電極ＴＥは、トランスファパッドＰＤ１と共通電極ＣＥとを電気的に接続している。トランスファ電極ＴＥは、例えば、銀ペーストなどの導電ペーストを用いて形成することができる。
【００３５】
トランスファ電極ＴＥは、この例では、トランスファパッドＰＤ１とほぼ同じ形状に形成している。但し、トランスファ電極ＴＥは、上記の注入口及びその近傍には配置していない。これらトランスファ電極ＴＥは、接着剤層ＡＤ１によって、それが形成する枠の内部から隔離されている。
【００３６】
この液晶表示装置では、接着剤層ＡＤ１によってトランスファ電極ＴＥを液晶材料ＬＣから隔離している。そのため、トランスファ電極ＴＥと液晶材料ＬＣとの接触に起因して、それらの反応や液晶材料ＬＣ中への不純物の混入が生じることがない。
【００３７】
また、この液晶表示装置では、トランスファパッドＰＤ１を、表示領域ＡＡの互いに隣接する二辺に沿ってそれぞれ配置された第１帯状部ＢＰ１と第２帯状部ＢＰ２とで構成している。このような構造を採用すると、以下に説明するように、ラビングすじに起因した表示不良が生じ難くなる。
【００３８】
図７は、比較例に係る液晶表示装置の液晶表示パネルＤＰを概略的に示す平面図である。図８は、図７に示す液晶表示パネルＤＰのアレイ基板ＡＳを概略的に示す平面図である。なお、図８には対向基板ＣＳ側から見たアレイ基板ＡＳを描いている。
【００３９】
図７に示す液晶表示パネルＤＰは、トランスファパッドＰＤ１の形状が異なること以外は、図２及び図３に示す液晶表示パネルＤＰとほぼ同様の構造を有している。
【００４０】
すなわち、図７の液晶表示パネルＤＰでは、図８に示すように、アレイ基板ＡＳは複数のトランスファパッドＰＤ１を含んでいる。これらトランスファパッドＰＤ１は、画素電極群ＰＥＧを挟んで二列に並んでいる。
【００４１】
なお、図７の液晶表示パネルＤＰでは、共通電極ＣＥの輪郭は、トランスファ電極ＴＥに対応した位置で、対向基板ＣＳの縁に向けて突き出た形状を有している。トランスファ電極ＴＥは、トランスファパッドＰＤ１と対向基板ＣＳの突出部との間に介在している。
【００４２】
図９は、ＯＣＢモードの液晶表示装置の製造で行うラビング処理の例を概略的に示す斜視図である。図１０は、図９の方法でラビング処理を行った場合に図８に示すアレイ基板ＡＳの配向膜ＡＬ１に生じるラビングすじの例を概略的に示す平面図である。
【００４３】
図９に示すように、アレイ基板ＡＳの配向膜ＡＲ１のラビング処理では、通常、ラビング布ＲＣが巻きつけられたラビングロールＲＲを矢印ＡＲ１で示す方向に回転させながら、アレイ基板ＡＳを矢印ＡＲ２で示す方向に移動させる。すなわち、ラビングロールＲＲの回転軸に対し、アレイ基板ＡＳを斜めに移動させる。
【００４４】
この際、ラビング布ＲＣの周速度は、アレイ基板ＡＳの移動速度よりも遥かに速く設定する。こうすると、配向膜ＡＬ１はラビングロールＲＲの回転軸に略垂直な方向，すなわち矢印ＡＲ３で示す方向，にラビングされることとなる。
【００４５】
ここで、一例として、ラビング布ＲＣの表面に異物が付着していた場合を考える。この場合、先の異物に起因して、配向膜ＡＬ１の表面には、ラビングロールＲＲの１回転につき１本の割合で短いラビングすじが生じる。アレイ基板ＡＳの移動方向ＡＲ２をラビングロールＲＲの回転軸に対して垂直とすると、これら短いラビングすじは、ラビング方向ＡＲ３に沿って連なることとなる。ラビング布ＲＣの周速度はアレイ基板ＡＳの移動速度よりも遥かに速いので、ラビング方向ＡＲ３に隣り合うラビングすじ同士は重なり合う。そのため、このような方法では、配向膜ＡＬ１に深くて太いラビングすじが生じ易く、したがって、これに起因した表示不良が極めて発生し易い。
【００４６】
これに対し、図９に示すように、アレイ基板ＡＳの移動方向をラビングロールＲＲの回転軸に対して傾けると、図１０に示すように、ラビング布ＲＣの表面に付着した異物に起因して生じるラビングすじＲＬは、ラビング方向ＡＲ３に対して斜めに配列することとなる。個々のラビングすじＲＬはラビング方向ＡＲ３に平行であるので、隣り合うラビングすじＲＬ同士が重なり合うことはない。そのため、この方法では、アレイ基板ＡＳの移動方向ＡＲ２をラビングロールＲＲの回転軸に対して垂直とした場合と比較すれば、ラビングすじに起因した表示不良が発生し難い。
【００４７】
しかしながら、液晶材料ＬＣをベンド配向させるＯＣＢモードのように液晶分子を大きくプレチルトさせる表示モード，例えばプレチルト角を６°以上とする表示モード，では、ＴＮモードなどのように液晶分子を殆どプレチルトさせない表示モードと比較して、ラビングすじに起因した表示不良が発生し易い。すなわち、ＯＣＢモードの液晶表示装置では、その配向膜ＡＬ１に図９の方法でラビング処理を行った場合でも、ラビングすじＲＬに起因した表示不良が比較的発生し易い。
【００４８】
本発明者らは、図８に示すアレイ基板ＡＳの配向膜ＡＬ１に図９の方法でラビング処理を施し、この配向膜ＡＬ１に生じたラビングすじＲＬを詳細に観察した。その結果、図１０に示すように、ラビングすじＲＬが形成する列の多くは、それを配向膜ＡＬ１のラビング処理開始側に延長した場合にトランスファパッドＰＤ１を通過することを見出した。
【００４９】
本発明者らは、この事実から、ラビングすじＲＬの発生し易さは、トランスファパッドＰＤ１の形状と相関していると考えた。そして、これらの関係について調べたところ、図４に示すように、トランスファパッドＰＤ１を第１帯状部ＢＰ１と第２帯状部ＢＰ２とで構成してＬ形状とし、且つ、ラビング処理の際にアレイ基板ＡＳの方位を以下のように定めると、ラビングすじＲＬが発生し難くなることを見出した。
【００５０】
図１１は、図４のアレイ基板ＡＳに対して行うラビング処理の例を概略的に示す斜視図である。
【００５１】
図１１に示す方法では、トランスファパッドＰＤ１の角部側が先端側となるように及びトランスファパッドＰＤ１の第１部分ＢＰ１がラビングロールＲＲの回転軸に対して略平行になるように、アレイ基板ＡＲを矢印ＡＲ２で示す方向に移動させる。すなわち、この方法では、ラビング布ＲＣのうち、配向膜ＡＬ１上を摺動する部分の全ては、これに先立って、トランスファパッドＰＤ１上を摺動する。
【００５２】
ところで、配向膜ＡＬ１のラビング開始時におけるラビング布ＲＣのバフの状態は、その直前にラビング布ＲＣが摺動する表面形状の影響を受ける。例えば、ラビング布ＲＣの一部が凹部上を摺動し且つラビング布ＲＣの他の部分が凸部上を摺動した場合、ラビング布ＲＣには、先の凹部に対応した位置と凸部に対応した位置とでバフの状態に相違を生じる。このようなバフの状態の不均一さは、配向膜ＡＬ１にラビングすじＲＬを生じさせる可能性がある。
【００５３】
図８のアレイ基板ＡＳでは、複数のトランスファパッドＰＤ１を設けており、これらトランスファパッドＰＤ１は画素電極群ＰＥＧを挟んで二列に並んでいる。これらトランスファパッドＰＤ１は上記の凸部に相当し、隣り合うトランスファパッドＰＤ１間の部分は上記の凹部に相当する。このため、図８のアレイ基板ＡＳではラビングすじＲＬが発生し易いと考えられる。
【００５４】
これに対し、図４のアレイ基板ＡＳでは、トランスファパッドＰＤ１を第１帯状部ＢＰ１と第２帯状部ＢＰ２とで構成してＬ形状としている。また、その配向膜ＡＬ１のラビング処理は、図１１の方法で行う。すなわち、図４のアレイ基板ＡＳの配向膜ＡＬ１を図１１の方法でラビング処理する場合、上記の凹部に相当するものは存在し得ない。そのため、バフの状態が不均一になることがない。したがって、配向膜ＡＬ１に、ラビングすじＲＬが発生するのを抑制することができ、ラビングすじＲＬに起因した表示不良を生じ難くすることが可能となる。
【００５５】
次に、本発明の第２態様について説明する。本発明の第２態様に係る液晶表示装置は、以下の液晶表示パネルＤＰを使用すること以外は、第１態様に係る液晶表示装置と同様の構造を有している。
【００５６】
図１２は、本発明の第２態様に係る液晶表示装置の液晶表示パネルＤＰを概略的に示す平面図である。図１３は、図１２の液晶表示パネルＤＰのアレイ基板ＡＳを概略的に示す平面図である。図１４は、図１２の液晶表示パネルＤＰの対向基板ＣＳを概略的に示す平面図である。
【００５７】
なお、図１２には対向基板ＣＳ側から見た液晶表示パネルＤＰを描いており、図１３には対向基板ＣＳ側から見たアレイ基板ＡＳを描いており、図１４にはアレイ基板ＡＳ側から見た対向基板ＣＳを描いている。
【００５８】
図１２の液晶表示パネルＤＰは、トランスファパッドＰＤ１、トランスファ電極ＴＥ及び共通電極ＣＥの形状が異なること以外は、図２及び図３に示す液晶表示パネルＤＰとほぼ同様の構造を有している。
【００５９】
すなわち、この液晶表示パネルＤＰにおいて、トランスファパッドＰＤ１は、図１３に示すように、第１帯状部ＢＰ１と第２帯状部ＢＰ２と第３帯状部ＢＰ３とで構成しており、コ形状を有している。このトランスファパッドＰＤ１は、例えば、画素電極ＰＥを形成するのと同一の工程で形成することができる。
【００６０】
第１帯状部ＢＰ１は、画素電極群ＰＥＧが形成された領域である表示領域ＡＡの四辺のうち、配向膜ＡＬ１のラビング方向に略垂直であり且つＯＬＢパッドＰＤ２からより遠くに位置した一辺に沿って配置されている。
【００６１】
第２帯状部ＢＰ２及び第３帯状部ＢＰ３は、画素電極群ＰＥＧが形成された領域である表示領域ＡＡの四辺のうち、配向膜ＡＬ１のラビング方向に略平行な一組の辺に沿ってそれぞれ配置されている。また、第１帯状部ＢＰ１の一端には第２帯状部ＢＰ２の一端が接続され、第１帯状部ＢＰ１の他端には第３帯状部ＢＰ３の一端が接続されている。
【００６２】
共通電極ＣＥは、図１２及び図１４に示すように、矩形状である。但し、この液晶表示パネルＤＰでは、共通電極ＣＥの一部が第３帯状部ＢＰ３と向き合うように、この共通電極ＣＥは、図２の液晶表示パネルＤＰと比較して、より大きな寸法としている。
【００６３】
トランスファ電極ＴＥは、この例では、トランスファパッドＰＤ１とほぼ同じ形状に形成している。すなわち、トランスファパッドＰＤ１をコ形状としたのに伴い、トランスファ電極ＴＥもコ形状としている。
【００６４】
図１５は、図１３のアレイ基板ＡＳに対して行うラビング処理の例を概略的に示す斜視図である。
【００６５】
図１５に示す方法では、トランスファパッドＰＤ１の一方の角部側が先端側となるように及びトランスファパッドＰＤ１の第１部分ＢＰ１がラビングロールＲＲの回転軸に対して略平行になるように、アレイ基板ＡＲを矢印ＡＲ２で示す方向に移動させる。
【００６６】
アレイ基板ＡＳに図１３の構造を採用すると共に、配向膜ＡＬ１を図１５の方法でラビング処理した場合も、配向膜ＡＬ１にラビングすじＲＬが発生するのを抑制することができる。したがって、ラビングすじＲＬに起因した表示不良を生じ難くすることが可能となる。
【００６７】
また、図１２の液晶表示パネルＤＰでは、トランスファパッドＰＤ１をコ形状とし且つトランスファパッドＰＤ１の各辺にトランスファ電極ＴＥを配置している。そのため、この液晶表示パネルＤＰでは、図２の液晶表示パネルＤＰと比較して、共通電極ＣＥの電位について、より高い面内均一性を実現することができる。
【００６８】
第１及び第２態様では、トランスファ電極ＴＥをトランスファパッドＰＤ１とほぼ同一の形状としたが、それらの形状は異なっていてもよい。例えば、トランスファパッドＰＤ１上に、複数のトランスファ電極ＴＥを島状に配置してもよい。
【実施例】
【００６９】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００７０】
（実施例１）
図２及び図３に示すＯＣＢモードの液晶表示パネルＤＰを以下の方法により作製した。
【００７１】
まず、通常の方法により、図２乃至図４に示すアレイ基板ＡＳから配向膜ＡＬ１を除いた構造を作製した。次に、通常の方法により、図２、図３及び図５に示す対向基板ＣＳから配向膜ＡＬ２を除いた構造を作製した。
【００７２】
次いで、画素電極群ＰＥＧの上にポリイミドを印刷法により塗布し、このポリイミド膜を焼成した。続いて、図１１を参照しながら説明した方法により、このポリイミド膜にラビング処理を施して、配向膜ＡＬ１を得た。また、これと同様の方法により、対向電極ＣＥの上に配向膜ＡＬ２を形成した。
【００７３】
ここでは、絶縁基板ＩＳ１及びＩＳ２の矢印ＡＲ２で示す方向への移動速度は４０ｍｍ／ｓとし、ラビング布ＲＣの回転速度は６００ｒｐｍとした。また、絶縁基板ＩＳ１及びＩＳ２の移動方向ＡＲ２とラビングロールＲＲの回転軸とが為す角度は７０°とした。
【００７４】
その後、アレイ基板ＡＳの配向膜ＡＬ１側の主面に熱硬化性接着剤をディスペンスし、図２に示す形状の接着剤層ＡＤ１を形成した。次いで、接着剤層ＡＤ１を仮乾燥し、その後、トランスファパッドＰＤ１上に銀ペーストＴＥをディスペンスした。
【００７５】
次に、対向基板ＣＳの配向膜ＡＬ２側の主面に図示しない粒状スペーサを撒布した。続いて、アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳとを、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２が向き合い且つそれらのラビング方向が等しくなるように貼り合せ、これを加熱した。以上のようにして、空セルを得た。
【００７６】
次に、この空セルのアレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳと接着剤層ＡＤ１とに囲まれた空間内に、ディップ法により液晶材料ＬＣを注入した。ここでは、液晶材料ＬＣとして、誘電率異方性が正のネマチック液晶を使用した。
【００７７】
続いて、液晶注入口に紫外線硬化樹脂ＡＤ２をディスペンスし、これに紫外線を照射した。さらに、アレイ基板ＡＳの外面に図示しない偏光板を貼り付けるとともに、対向基板ＣＳの外面に図示しない光学補償フィルム及び偏光板を順次貼り付けた。以上のようにして、図２及び図３に示す液晶表示パネルＤＰを得た。
【００７８】
この液晶表示パネルＤＰで画像を表示したところ、表示ムラは視認されなかった。また、アレイ基板ＡＳの配向膜ＡＬ１を観察したところ、目立ったラビングすじは見られなかった。
【００７９】
（実施例２）
図１２及び図１４に示すＯＣＢモードの液晶表示パネルＤＰを実施例１で説明したのと同様の方法により作製した。
【００８０】
この液晶表示パネルＤＰで画像を表示したところ、表示ムラは視認されなかった。また、アレイ基板ＡＳの配向膜ＡＬ１を観察したところ、目立ったラビングすじは見られなかった。
【００８１】
（比較例）
図７に示すＯＣＢモードの液晶表示パネルＤＰを実施例１で説明したのと同様の方法により作製した。
【００８２】
この液晶表示パネルＤＰで画像を表示したところ、ラビングすじに起因したと考えられる表示ムラが視認された。また、アレイ基板ＡＳの配向膜ＡＬ１を観察したところ、先の表示ムラに対応した位置に、目立ったラビングすじが見られた。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の第１態様に係る液晶表示装置を概略的に示す斜視図。
【図２】図１に示す液晶表示装置の液晶表示パネルを概略的に示す平面図。
【図３】図２に示す液晶表示パネルのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図。
【図４】図２の液晶表示パネルのアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図５】図２の液晶表示パネルの対向基板を概略的に示す平面図。
【図６】図２に示す液晶表示パネルの画素回路を示す等価回路図。
【図７】比較例に係る液晶表示装置の液晶表示パネルＤＰを概略的に示す平面図。
【図８】図７に示す液晶表示パネルのアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図９】ＯＣＢモードの液晶表示装置の製造で行うラビング処理の例を概略的に示す斜視図。
【図１０】図９の方法でラビング処理を行った場合に図８に示すアレイ基板の配向膜に生じるラビングすじの例を概略的に示す平面図。
【図１１】図４のアレイ基板に対して行うラビング処理の例を概略的に示す斜視図。
【図１２】本発明の第２態様に係る液晶表示装置の液晶表示パネルＤＰを概略的に示す平面図。
【図１３】図１２の液晶表示パネルのアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図１４】図１２の液晶表示パネルの対向基板を概略的に示す平面図。
【図１５】図１３のアレイ基板に対して行うラビング処理の例を概略的に示す斜視図。
【符号の説明】
【００８４】
ＡＡ…表示領域、ＡＤ１…接着剤層、ＡＤ２…接着剤層、ＡＤ３…接着剤層、ＡＬ１…配向膜、ＡＬ２…配向膜、ＡＲ１…矢印、ＡＲ２…矢印、ＡＲ３…矢印、ＡＳ…アレイ基板、ＢＰ１…第１帯状部、ＢＰ２…第２帯状部、ＢＰ３…第３帯状部、Ｃ…補助容量、ＣＥ…共通電極、ＣＦ…カラーフィルタ、ＣＳ…対向基板、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＰ…液晶表示パネル、ＦＰＣ…フレキシブルプリント回路基板、ＧＥ…ゲート電極、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、ＩＳ１…絶縁基板、ＩＳ２…絶縁基板、ＬＣ…液晶材料、ＬＣＤＥ…液晶表示素子、ＰＣＢ…プリント回路基板、ＰＤ１…トランスファパッド、ＰＤ２…ＯＬＢパッド、ＰＥ…画素電極、ＰＥＧ…画素電極群、ＰＳ…パッシベーション膜、ＲＣ…ラビング布、ＲＬ…ラビングすじ、ＲＲ…ラビングロール、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ…走査線、ＴＣＰ…テープキャリアパッケージ、ＴＥ…トランスファ電極、ＴＲ…薄膜トランジスタ、ＵＣ…アンダーコート層、ＶＬ…信号線、ＸＤＲ…信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査線ドライバ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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