(57)【要約】【課題】画素の配列として、有効画素領域に対してオプティカルブラック領域が上下・左右対称に作られていると、上下反転、左右反転のいずれの駆動モードでも、オプティカルブラック領域および有効画素領域共に同じ数だけ画素の信号が出力されるために、出力信号として通常の駆動モードの場合と識別できないことになる。【解決手段】有効画素領域１２２およびＯＰＢ領域１２３からなる画素アレイ部１２の物理イメージでの対称性が保たれているＣＭＯＳイメージセンサにおいて、ＯＰＢ不問領域１２３Ｂ中の一部の画素（電荷注入画素部１２３Ｃ）に電荷を注入し、当該電荷に基づく信号を出力させるようにすることで、画素アレイ部１２の物理イメージでの対称性を崩して、上下反転、左右反転のいずれの駆動モードでも、出力信号として通常の駆動モードと識別できるようにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換して得られる電荷を電気信号に変換して出力する画素が行列状に配置されてなる有効画素領域と、画素が遮光された状態で前記有効画素領域の上下、左右に対称的に配置されてなるオプティカルブラック領域とを含む画素アレイ部を有し、上下反転、左右反転の少なくとも一方の駆動モードでの動作が可能な固体撮像装置であって、
前記画素アレイ部の上下方向の一方でかつ左右方向の一方の端部側における前記オプティカルブラック領域中の一部の画素に電荷を注入し、当該電荷に基づく信号を出力させる駆動手段
を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記オプティカルブラック領域は、画素の信号が黒レベルの基準として用いられる第１の領域と、画素の信号が黒レベルの基準として用いられない第２の領域とを有し、
前記一部の画素は、前記第２の領域中の画素である
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記一部の画素と同じ行の残りの画素は、前記画素アレイ部の画素列ごとに配線される信号線に対して信号を出力しない
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】
光電変換して得られる電荷を電気信号に変換して出力する画素が行列状に配置されてなる有効画素領域と、画素が遮光された状態で前記有効画素領域の上下、左右に対称的に配置されてなるオプティカルブラック領域とを含む画素アレイ部を有し、上下反転、左右反転の少なくとも一方の駆動モードでの動作が可能な固体撮像装置の駆動方法であって、
前記画素アレイ部の上下方向の一方でかつ左右方向の一方の端部側における前記オプティカルブラック領域中の一部の画素に電荷を注入し、当該電荷に基づく信号を出力させる
ことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法に関し、特に上下反転、左右反転の駆動モードを持つ固体撮像装置および当該固体撮像装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置は、ＣＣＤ(Charge Coupled Device)イメージセンサに代表される電荷転送型固体撮像装置と、ＣＭＯＳ(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサに代表されるＸ−Ｙアドレス型固体撮像装置とに大別される。
【０００３】
ＣＣＤイメージセンサの場合、画素が行列状に２次元配置されてなる画素アレイ部の各画素から電荷を読み出す際に、各画素から決まった順序で電荷を読み出すことになる。したがって、撮像画像の上下を反転させる上下反転や、左右を反転させる左右反転の駆動モードでも、出力される画素の信号（電荷）の順番は常に同じとなるため、後段の信号処理系で上下反転や左右反転に対応した信号の反転処理を行うようにしている。
【０００４】
これに対して、ＣＭＯＳイメージセンサでは、画素アレイ部の任意の画素を選択し、その選択した任意の画素から信号を読み出すことができるため、画素アレイ部の各画素から信号を読み出す段階で、画素の選択によって上下反転や左右反転に対応した信号の反転処理を行うことができるというメリットがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
ところで、ＣＭＯＳイメージセンサの場合、上下反転、左右反転の駆動モードを実現するために、画素の配列として、オプティカルブラック領域（光学的黒画素領域）が有効画素領域に対して上下・左右共に対称的に作られている。これにより、上下反転、左右反転のいずれの駆動モードでも、出力画素の選択により、上下反転や左右反転に対応した信号の反転処理を行うことによって通常の絵（正像）の撮像信号として取り出すことができるようになっている。
【０００６】
ここで、有効画素領域とは、画素の信号が実際に撮像した信号として用いられる画素領域を言う。また、オプティカルブラック領域とは、有効画素領域の周辺に遮光されて設けられて、遮光された画素の信号が黒レベルの基準となる信号として用いられる画素領域を言う。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１６３８４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、従来技術に係るＣＭＯＳイメージセンサでは、画素の配列として、有効画素領域に対してオプティカルブラック領域が上下・左右対称に作られているため、上下反転、左右反転のいずれの駆動モードでも、出力画素の選択によって正像の撮像信号として取り出すことができる。
【０００９】
しかしその反面、上下反転、左右反転のいずれの駆動モードでも、オプティカルブラック領域および有効画素領域共に同じ数だけ画素の信号が出力されるために、出力信号として上下反転や左右反転を行わない通常の駆動モードの場合と識別できないという課題がある。つまり、一定の光の照射（または、ダーク）状態では、出力信号中には駆動モードを示す情報が含まれていないため、実際に上下反転（または、左右反転）の駆動モードでの出力信号であるか否かを識別できないことになる。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、上下反転、左右反転のいずれの駆動モードでも、出力信号として通常の駆動モードと識別できるようにした固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明では、光電変換して得られる電荷を電気信号に変換して出力する画素が行列状に配置されてなる有効画素領域と、画素が遮光された状態で前記有効画素領域の上下、左右に対称的に配置されてなるオプティカルブラック領域とを含む画素アレイ部を有し、上下反転、左右反転の少なくとも一方の駆動モードでの動作が可能な固体撮像装置において、前記画素アレイ部の上下方向の一方でかつ左右方向の一方の端部側における前記オプティカルブラック領域中の一部の画素に電荷を注入し、当該電荷に基づく信号を出力させる構成を採っている。
【００１２】
上下反転、左右反転の少なくとも一方の駆動モードでの動作を可能とするために、有効画素領域およびオプティカルブラック領域からなる画素アレイ部の物理イメージでの対称性が保たれている固体撮像装置において、上下反転あるいは左右反転の駆動モード時に、オプティカルブラック領域および有効画素領域共に同じ数だけ画素の信号が出力されるとしても、オプティカルブラック領域中の一部の画素に電荷を注入し、当該電荷に基づく信号を出力させることで、画素アレイ部の物理イメージでの対称性が崩れる。
【００１３】
そして、出力信号の時間軸上におけるオプティカルブラック領域中の一部の画素に対応した位置に、本来の黒レベルではなく、注入された電荷に対応したレベルの特定の信号が現れる。この特定の信号の時間軸上における位置は、上下反転や左右反転を行わない通常の駆動モードでは、画素アレイ部に対する垂直走査および水平走査の各走査タイミングによって決まる。
【００１４】
一方、上下反転や左右反転の駆動モードでは、垂直走査および水平走査の各方向が変わることから、上記特定の信号の時間軸上における出力位置が通常の駆動モード時の場合と変わる。これにより、出力信号中に含まれる上記特定の信号の時間軸上における出力位置から、通常の駆動モードであるか、上下反転あるいは左右反転の駆動モードであるかを識別できる。ただし、上記一部の画素をオプティカルブラック領域の上下方向の端部に設定した場合は、上下反転の駆動モードでは上記特定の信号は出力されない。この場合は、当該特定の信号が出力されるか否かによって、通常の駆動モードから上下反転の駆動モードかを簡単に識別できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、上下反転、左右反転の少なくとも一方の駆動モードでの動作が可能なＸ−Ｙアドレス型の固体撮像装置において、画素アレイ部の上下方向の一方でかつ左右方向の一方の端部側におけるオプティカルブラック領域中の一部の画素に電荷を注入し、当該電荷に基づく信号を出力させることで、画素アレイ部の物理イメージでの対称性が崩れるため、上下反転、左右反転のいずれの駆動モードでも、出力信号として通常の駆動モードと識別できることになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明が適用されるＸ−Ｙアドレス型固体撮像装置、例えばＣＭＯＳイメージセンサの構成の一例を示すブロック図である。図１に示すように、本例に係るＣＭＯＳイメージセンサは、光電変換素子を含む画素１１、当該画素１１が行列状に２次元配置されてなる画素アレイ部１２、垂直選択回路１３、信号処理回路であるカラム回路１４、水平選択回路１５、水平信号線１６、出力回路１７およびタイミングジェネレータ（ＴＧ）１８等を有する構成となっている。画素アレイ部１２には、垂直画素列ごとに垂直信号線１２１が配線されている。
【００１８】
図２は、ある１つの画素１１についての画素回路の構成の一例を示す回路図である。図２から明らかなように、画素１１は、光電変換素子、例えばフォトダイオード１１１に加えて、例えば転送トランジスタ１１２、リセットトランジスタ１１３、増幅トランジスタ１１４および選択トランジスタ１１５の４つのトランジスタを有する画素回路となっている。ここでは、これらトランジスタ１１２〜１１５として、例えばＮｃｈＭＯＳトランジスタを用いている。
【００１９】
転送トランジスタ１１２は、フォトダイオード１１１で光電変換され、ここに蓄積された信号電荷（ここでは、電子）を、ゲートに転送パルスＴＲＧが与えられることによってＦＤ（フローティングディフュージョン）部１１６に転送する。リセットトランジスタ１１３は、ＦＤ部１１６と電源電圧ＶＤＤの電源ラインとの間に接続され、フォトダイオード１１１からの信号電荷の転送に先立って、ゲートにリセットパルスＲＳＴが与えられることによってＦＤ部１１６の電位をリセットする。
【００２０】
増幅トランジスタ１１４は、リセットトランジスタ１１３によるリセット後のＦＤ部１１６の電位をリセットレベルとして、さらに転送トランジスタ１１２による転送後のＦＤ部１１６の電位を信号レベルとして出力する。選択トランジスタ１１５は、ゲートに選択パルスＳＥＬが与えられることによって画素１１を選択し、増幅トランジスタ１１４から順に供給されるリセットレベルおよび信号レベルを垂直信号線１２１に出力する。
【００２１】
なお、ここでは、画素１１が転送トランジスタ１１２、リセットトランジスタ１１３、増幅トランジスタ１１４および選択トランジスタ１１５の４つのトランジスタを有する画素構成の場合を例に挙げて説明したが、画素１１としては４トランジスタ構成のものに限られるものではなく、増幅トランジスタ１１４に選択トランジスタの機能を持たせた３トランジスタ構成のものを用いることも可能である。
【００２２】
画素アレイ部１２は、図３に示すように、画素の信号が実際に撮像した信号として用いられる有効画素領域１２２と、画素が遮光された状態で有効画素領域１２２の周辺に設けられ、画素の信号が黒レベルの基準となる信号として用いられるオプティカルブラック領域（以下、「ＯＰＢ領域」と記す）１２３とから構成されている。このＯＰＢ領域１２３は、撮像画像の上下を反転させる上下反転や、左右を反転させる左右反転の駆動を実現するために、図３から明らかなように、有効画素領域１２２の上下、左右に対称的に配されている。すなわち、画素アレイ部１２は、物理イメージとして対称性を持っている。
【００２３】
また、ＯＰＢ領域１２３は、画素の信号が黒レベルの基準として用いられる複数行分のＯＰＢ有効領域（第１の領域）１２３Ａと、画素の信号が黒レベルの基準として用いられない複数行分のＯＰＢ不問領域（第２の領域）１２３Ｂとを有する構成となっている。ＯＰＢ領域１２３内のＯＰＢ不問領域１２３Ｂは、有効画素領域１２２の左右においてはＯＰＢ有効領域１２３Ａよりも有効画素領域１２２側に設けられ、有効画素領域１２２の上下においてはＯＰＢ有効領域１２３Ａを挟んで上下に設けられている。
【００２４】
再び図１において、垂直選択回路１３は、シフトレジスタなどによって構成され、画素１１の転送トランジスタ１１２を駆動する転送信号や、リセットトランジスタ１１３を駆動するリセット信号などの制御信号を行単位で順次出力することによって画素アレイ部１２の各画素１１を行単位で選択駆動する。カラム回路１４は、画素アレイ部１２の水平方向の画素ごと、即ち垂直信号線１２１ごとに配される信号処理回路であり、例えばＳ／Ｈ（サンプルホールド）回路およびＣＤＳ(Correlated Double Sampling;相関二重サンプリング)回路などによって構成される。
【００２５】
水平選択回路１５は、シフトレジスタなどによって構成され、カラム回路１４を通して出力される各画素１１の信号を順次選択して水平信号線１６に出力させる。なお、図１では、図面の簡略化のため、水平選択スイッチについては図示を省略している。この水平選択スイッチは、水平選択回路１５によって列単位で順次オン／オフ駆動される。
【００２６】
水平選択回路１５による選択駆動により、カラム回路１４が列ごとに順次出力される画素１１の信号は、水平信号線１６を通して出力回路１７に供給され、当該出力回路１７で増幅などの信号処理が施された後、デバイス外部へ出力される。タイミングジェネレータ１８は、各種のタイミング信号を生成し、これら各種のタイミング信号を基に垂直選択回路１３、カラム回路１４および水平選択回路１５などの駆動制御を行う。
【００２７】
上記構成のＣＭＯＳイメージセンサにおいて、本実施形態では、上下反転、左右反転のいずれの駆動モードでも、出力信号として通常の駆動モードと識別できるようにすることを目的として、画素アレイ部１２の上下方向の一方でかつ左右方向の一方の端部側におけるＯＰＢ領域１２３の一部の画素に電荷を注入し、当該電荷に基づく信号を出力させることを特徴としている。
【００２８】
具体的には、ＣＭＯＳイメージセンサの場合、特定の行のリセット、転送および選択の駆動を独立に行えることから、それらの駆動タイミングおよび電源電圧ＶＤＤの電位制御により、特定の行に電荷を注入できることに着目し、例えば図３に示すように、画素アレイ部１２の例えば左下のＯＰＢ領域１２３、好ましくはＯＰＢ領域１２３内の最下端のＯＰＢ不問領域１２３Ｂにおける１行分の画素数の半分よりも少ない複数の画素（画素数は任意）に電荷を注入するようにしている。
【００２９】
電荷を注入する電荷注入画素部１２３Ｃとして、ＯＰＢ不問領域１２３Ｂ内の画素が好ましいのは次の理由による。すなわち、ＯＰＢ有効領域１２３Ａ内の各画素の信号は、ＣＭＯＳイメージセンサの後段の信号処理系において黒レベルの基準として用いられるものであることから、ＯＰＢ有効領域１２３Ａ以外のＯＰＢ不問領域１２３Ｂ内の複数の画素を電荷注入画素部１２３Ｃとして設定することで、ＯＰＢ有効領域１２３Ａからは黒レベルの基準となる情報量を十分に確保できることになるからである。
【００３０】
以下に、ＯＰＢ不問領域１２３Ｂ内の一部の画素（電荷注入画素部１２３Ｃの各画素）に電荷を注入するための具体的な手法について説明する。
【００３１】
先ず、画素１１の構造について説明する。最下端のＯＰＢ不問領域１２３Ｂ内のある行ｉにおいて、左端側の複数の画素に電荷を注入するとした場合、残りの画素、即ち右端側の画素については、垂直信号線１２１に対して信号を出力できないように、垂直信号線１２１へつながる信号経路を途中で切った構造とする。一例として、図４に示すように、増幅トランジスタ１１４と選択トランジスタ１１５との間の電気的接続をしない（コンタクトなし）ことで、垂直信号線１２１に対して信号を出力できないようにする。
【００３２】
このように、最下端のＯＰＢ不問領域１２３Ｂ内のある行ｉにおいて、右側の複数の画素については信号を出力させない画素構造とすることにより、当該行ｉの画素に電荷を注入した際に、垂直信号線１２１に対して電気的な接続がなされている左側の複数の画素のみから、注入した電荷に基づく信号が垂直信号線１２１に対して出力され、右側の複数の画素からは全く信号が出力されないことになる。このような画素構造とすることにより、物理的な左右の区別が可能になる。
【００３３】
次に、電荷の注入の方法について説明する。ここでは、電源電圧ＶＤＤを例えば３．３Ｖに設定した場合を例に挙げて説明するものとする。ただし、ＶＤＤ＝３．３Ｖに限られるものではない。
【００３４】
一例として、図５のタイミングチャートに示すように、電荷を注入する行、即ちＯＰＢ不問領域１２３Ｂのｉ行に対するシャッタ動作期間で電源電圧ＶＤＤを３．３Ｖから０Ｖに切り替えるとともに、転送パルスＴＲＧおよびリセットパルスＲＳＴを高レベル（本例では、３．３Ｖ）にする。このシャッタ動作期間において、ｉ行以外の行では、リセットパルスＲＳＴおよび転送パルスＴＲＧを低レベル（本例では、０Ｖ）にする。
【００３５】
ただし、電源電圧ＶＤＤを行単位で制御可能な構成を採った場合には、ｉ行についてのみ電源電圧ＶＤＤを０Ｖにし、ｉ行以外の行については電源電圧ＶＤＤを３．３Ｖのままにすれば良い。
【００３６】
ｉ行の画素に電荷を注入する際の動作について、図６のポテンシャルイメージ図を用いてより具体的に説明する。図６において、（Ａ）はＶＤＤ＝０Ｖで、転送トランジスタ１１２およびリセットトランジスタ１１３がオンのときの状態を、（Ｂ）はＶＤＤ＝３．３Ｖで、かつ転送トランジスタ１１２およびリセットトランジスタ１１３がオフのときの状態をそれぞれ示している。
【００３７】
先ず、ｉ行に対するシャッタ動作期間で電源電圧ＶＤＤを０Ｖにするとともに、転送パルスＴＲＧおよびリセットパルスＲＳＴを高レベルにすることにより、転送トランジスタ１１２およびリセットトランジスタ１１３がオン状態となるため、フォトダイオード（ＰＤ部）１１１に電源から電子が流入し、図６（Ａ）に示すように、フォトダイオード１１１およびＦＤ部１１６が電子（電荷）で満たされる。
【００３８】
その後、転送パルスＴＲＧおよびリセットパルスＲＳＴを低レベルにすることで、転送トランジスタ１１２およびリセットトランジスタ１１３がオフ状態となり、しかる後、電源電圧ＶＤＤを３．３Ｖに戻すことで、図６（Ｂ）に示すように、フォトダイオード１１１に電荷が残り、結果的に、ｉ行の画素１１に電荷が注入されたことになる。
【００３９】
なお、他の行については、シャッタ動作期間で転送トランジスタ１１２およびリセットトランジスタ１１３をオフ状態のままにすることで、電荷が注入されることはない。電源電圧ＶＤＤを行単位で制御可能な構成を採る場合には、ｉ行以外の行については電源電圧ＶＤＤを３．３Ｖのままにすることで、電荷が注入されることはない。
【００４０】
ｉ行の各画素において、注入された電荷は、後の読出し動作期間における読出し動作によってＦＤ部１１６に読み出される。そして、増幅トランジスタ１１４で注入された電荷に対応したレベルの特定の信号（本例では、白レベルに近い信号）に変換された後、選択トランジスタ１１５を介して垂直信号線１２１に出力される。
【００４１】
このとき、ｉ行の全画素から特定の信号が出力される訳ではない。何故ならば、図４から明らかなように、ｉ行の右側の複数の画素については、増幅トランジスタ１１４と選択トランジスタ１１５との間がコンタクトなしとなっていることから、ｉ行の左側の複数の画素についてのみ特定の信号が出力されることになる。
【００４２】
すなわち、ＯＰＢ領域１２３（１２３Ａ，１２３Ｂ）についてはいずれの行についても各画素からの出力信号として黒レベルの信号が出力されるのであるが、ＯＰＢ不問領域１２３Ｂのｉ行においては、左側の複数の画素については特定の信号が出力され、右側の複数の画素については全く信号が出力されないことになる。これにより、画素アレイ部１２の物理イメージでの対称性が崩れる。
【００４３】
上述したように、上下反転、左右反転の少なくとも一方の駆動モードでの動作を可能とするために、有効画素領域１２２およびＯＰＢ領域１２３からなる画素アレイ部１２の物理イメージでの対称性が保たれているＣＭＯＳイメージセンサにおいて、上下反転あるいは左右反転の駆動モード時に、有効画素領域１２２およびＯＰＢ領域１２３共に同じ数だけ画素の信号が出力されるとしても、ＯＰＢ領域１２３中の一部の画素に電荷を注入し、当該電荷に基づく信号を出力させることで、画素アレイ部１２の物理イメージでの対称性が崩れるため、上下反転、左右反転のいずれの駆動モードでも、出力信号として通常の駆動モードと識別できることになる。
【００４４】
すなわち、ＯＰＢ領域１２３中の一部の画素に電荷を注入し、当該電荷に基づく信号を出力させることで、出力信号の時間軸上におけるオＯＰＢ領域１２３中の一部の画素に対応した位置に、本来の黒レベルではなく、注入された電荷に対応したレベルの特定の信号が現れる。この特定の信号の時間軸上における位置は、上下反転や左右反転を行わない通常の駆動モードでは、画素アレイ部１２に対する垂直選択回路１３による垂直走査および水平選択回路１５による水平走査の各走査タイミングによって決まる。
【００４５】
一方、上下反転や左右反転の駆動モードでは、垂直走査および水平走査の各方向が変わることから、上記特定の信号の時間軸上における出力位置が通常の駆動モード時の場合と変わる。これにより、出力信号中に含まれる上記特定の信号の時間軸上における出力位置から、通常の駆動モードであるか、上下反転あるいは左右反転の駆動モードであるかを識別できる。
【００４６】
具体的には、電荷注入画素部１２３Ｃを画素アレイ部１２の左下のＯＰＢ不問領域１２３Ｂに設定した場合（図３参照）を想定すると、通常の駆動モードでは、図７に示すように、画素の信号を読み出す領域が一点鎖線で示す左下隅を基準とした領域となり、また垂直走査での読出し方向が下から上へ、水平走査での読出し方向が左から右へとなる。これにより、出力信号中には先頭部分に電荷注入に伴う特定の信号が含まれることになる。
【００４７】
したがって、この特定の信号を先頭部分に含む出力信号から、駆動モードが通常の駆動モードであることを識別できることになる。この出力信号（撮像信号）に基づいて画像表示を行うと、図８に示すように、表示領域２０外の左上に電荷注入に伴う特定の信号２１が現れることになる。
【００４８】
次に、上下反転の駆動モードでは、図９に示すように、画素の信号を読み出す領域が一点鎖線で示す左上隅を基準とした領域となり、また垂直走査での読出し方向が上から下へとなり、水平走査での読出し方向が左から右へとなる。これにより、電荷注入画素部１２３Ｃが読出し領域外となるため、出力信号中には電荷注入に伴う特定の信号が含まれないことになる。
【００４９】
したがって、この特定の信号を含まない出力信号から、駆動モードが上下反転の駆動モードであることを識別できることになる。この出力信号（撮像信号）に基づいて画像表示を行うと、図１０に示すように、表示領域２０外のいずれの箇所にも電荷注入に伴う特定の信号が現れないことになる。
【００５０】
最後に、左右反転の駆動モードでは、図１１に示すように、画素の信号を読み出す領域が一点鎖線で示す右下隅を基準とした領域となり、また垂直走査での読出し方向が下から上へとなり、水平走査での読出し方向が右から左へとなる。これにより、出力信号中には先頭部分が無信号状態となり、それに引き続いて電荷注入に伴う特定の信号が含まれることになる。
【００５１】
したがって、この無信号状態および特定の信号を出力信号から、駆動モードが左右反転の駆動モードであることを識別できることになる。この出力信号（撮像信号）に基づいて画像表示を行うと、図１２に示すように、表示領域２０外の右上に電荷注入に伴う特定の信号２１が現れることになる。
【００５２】
なお、上記実施形態では、ＣＭＯＳイメージセンサに適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はＣＭＯＳイメージセンサへの適用に限られるものではなく、ＭＯＳイメージセンサに代表されるＸ−Ｙアドレス型固体撮像装置全般に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明が適用されるＣＭＯＳイメージセンサの構成の一例を示すブロック図である。
【図２】画素回路の構成の一例を示す回路図である。
【図３】画素アレイ部の構成の一例を示す概略構成図である。
【図４】ｉ行についての画素回路の一例を示す回路図である。
【図５】電荷注入の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図６】電荷注入の動作説明に供するポテンシャルイメージ図である。
【図７】通常の駆動モードの場合の動作説明図である。
【図８】通常の駆動モードでの画像の表示状態を示す図である。
【図９】上下反転の駆動モードの場合の動作説明図である。
【図１０】上下反転の駆動モードでの画像の表示状態を示す図である。
【図１１】左右反転の駆動モードの場合の動作説明図である。
【図１２】左右反転の駆動モードでの画像の表示状態を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１１…画素、１２…画素アレイ部、１３…垂直選択回路、１４…カラム回路、１５…水平選択回路、１６…水平信号線、１７…出力回路、１８…タイミングジェネレータ、１１１…フォトダイオード、１１２…転送トランジスタ、１１３…リセットトランジスタ、１１４…増幅トランジスタ、１１５…選択トランジスタ、１１６…フローティングディフュージョン（ＦＤ）部、１２１…垂直信号線、１２２…有効画素領域、１２３…ＯＰＢ（オプティカルブラック）領域、１２３Ａ…ＯＰＢ有効領域、１２３Ｂ…ＯＰＢ不問領域、１２３Ｃ…電荷注入画素部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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