(57)【要約】【課題】  簡単な設備で短時間で精度よく、しかも低コストで実現できるレゾネータの振動周波数調整方法と、レゾネータを提供する。【解決手段】  半導体製造プロセスによって成形される可動部３０にバイアス電圧が印加され振動するレゾネータ１０の振動周波数調整方法であって、可動部３０の基部５０から放射状に延出される複数の支持梁３１〜４２を備え、複数の支持梁３１〜４２の幅がそれぞれ異なって形成されると共に、複数の支持梁３１〜４２の基部５０との境界部に電気抵抗が大きい部位としての切欠き部３１Ａ〜３４Ａ等を設け、複数の支持梁３１〜４２のうちの選択された支持梁に電流を印加し、前記切欠き部を溶断することによって、可動部３０の質量ｍ及びばね定数ｋを変えて、レゾネータ１０の振動周波数を調整する。また、このように調整されたレゾネータ１０は、精度よく安定した振動周波数が得られ、しかも低コストで実現できる。【選択図】      図３
2006074650.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造プロセスによって成形される可動部にバイアス電圧が印加され振動するレゾネータの振動周波数調整方法であって、
前記可動部の基部から放射状に延出される複数の支持梁を備え、該複数の支持梁の幅がそれぞれ異なって形成されると共に、前記複数の支持梁の前記基部との境界部に電気抵抗が大きい部位を設け、前記複数の支持梁のうちの選択された支持梁に電流を印加し、前記電気抵抗が大きい部位を溶断することによって、前記可動部の質量及びばね定数を変えて、前記レゾネータの振動周波数を調整することを特徴とするレゾネータの振動周波数調整方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレゾネータの振動周波数調整方法において、
前記可動部の重心位置から前記電気抵抗が大きい部位までの距離が、前記複数の支持梁それぞれ等距離であり、前記複数の支持梁のうちの選択された支持梁に電流を印加し、前記電気抵抗が大きい部位を溶断することによって、前記レゾネータの振動周波数を調整することを特徴とするレゾネータの振動周波数調整方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のレゾネータの振動周波数調整方法において、
前記電気抵抗が大きい部位は、前記複数の支持梁の前記基部との境界部の断面積が減縮されて電気抵抗が大きい部位が形成され、選択された前記支持梁に電流を印加して支持梁を溶断することによって、前記レゾネータの振動周波数を調整することを特徴とするレゾネータの振動周波数調整方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のレゾネータの振動周波数調整方法において、
前記複数の支持梁は、前記基部との境界部の幅が減縮されて電気抵抗が大きい部位が形成され、選択された前記支持梁に電流を印加して支持梁を溶断することによって、前記レゾネータの振動周波数を調整することを特徴とするレゾネータの振動周波数調整方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のレゾネータの振動周波数調整方法において、
前記支持梁は、前記基部との境界部の厚みが減縮されて電気抵抗が大きい部位が形成され、選択された前記支持梁に電流を印加して支持梁を溶断することによって、前記レゾネータの振動周波数を調整することを特徴とするレゾネータの振動周波数調整方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のレゾネータの振動周波数調整方法において、
前記支持梁は、前記基部との境界部に絶縁性物質がイオン注入されることによって電気抵抗が大きい部位が形成され、選択された前記支持梁に電流を印加して支持梁を溶断することによって、前記レゾネータの振動周波数を調整することを特徴とするレゾネータの振動周波数調整方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載のレゾネータの振動周波数調整方法において、
前記可動部の重心位置を移動しないように、選択された前記支持梁を溶断し、前記レゾネータの振動周波数を調整することを特徴とするレゾネータの振動周波数調整方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載のレゾネータの振動周波数調整方法によって、振動周波数が調整されることを特徴とするレゾネータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レゾネータの振動周波数調整方法と、この振動周波数調整方法によって振動周波数が調整されるレゾネータに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、振動型素子（レゾネータ）の可動部表面に予め加工用物質を付着形成しておき、この加工用物質にレーザービームまたは集束イオンビームを当てて加工用物質をスパッタ除去する工程と、振動型素子の可動部表面に成膜物質の蒸着または成膜物質の集束イオンビーム照射によって成膜物質を付着する工程とを適宜繰り返すことによって振動型素子の振動周波数を調整する振動型素子の振動周波数調整方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−１１４４６０号公報（第３，４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような特許文献１では、振動型素子の振動周波数調整を行なうために、振動型素子の可動部表面に予め加工用物質を付着しておき、この加工用物質をスパッタ除去し、または、振動型素子の可動部表面に成膜物質を蒸着あるいは集束イオンビームを照射しているが、このような方法においては、予め加工用物質を付着成形する工程を要している。また、振動周波数調整を行なうために、レーザービーム装置や集束イオンビーム等の加工装置が必要とされ、これらの装置は高価であり、その結果、振動型装置の製造コストが高くなるという課題がある。
さらには、前述した加工装置は真空中や、特定のガス雰囲気中で行なわれるため、製造装置全体として大型化するという課題もある。
【０００５】
本発明の目的は、レゾネータの振動周波数調整を、簡単な設備で短時間で精度よく、しかも低コストで実現できるレゾネータの振動周波数調整方法と、この調整方法で製造されるレゾネータを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のレゾネータの振動周波数調整方法は、半導体製造プロセスによって成形される可動部にバイアス電圧が印加され振動するレゾネータの振動周波数調整方法であって、前記可動部の基部から放射状に延出される複数の支持梁を備え、該複数の支持梁の幅がそれぞれ異なって形成されると共に、前記複数の支持梁の前記基部との境界部に電気抵抗が大きい部位を設け、前記複数の支持梁のうちの選択された支持梁に電流を印加し、前記電気抵抗が大きい部位を溶断することによって、前記可動部の質量及びばね定数を変えて、前記レゾネータの振動周波数を調整することを特徴とする。
ここで、半導体製造プロセスとしては、例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）を含む。
【０００７】
この発明によれば、レゾネータの支持梁に電気抵抗が大きい部位を設け、支持梁に電流を印加することで、電気抵抗が大きい部位に抵抗熱が発生し支持梁が溶断されるために、溶断される支持梁の分だけ可動部の質量が小さくなり、また、可動部を支持する支持梁の数が減少するためにばね定数が小さくなることから、質量とばね定数を変更して所定の振動周波数に調整することができる。また、複数設けられた支持梁それぞれの幅が異なるので、所望のばね定数を有する支持梁を選択すれば、所定の振動周波数に容易に調整することができる。
【０００８】
さらに、複数の支持梁、及び支持梁の電気抵抗が大きい部位は、半導体製造プロセスで形成し、所定の電流を支持梁に印加することで溶断し、振動周波数を調整することができるため、前述した従来技術のようなレーザービーム装置や集束イオンビーム等の高価な設備を必要としないので、低コストのレゾネータを提供することができる。
【０００９】
また、支持梁に溶断のための電流を印加するだけで振動周波数調整が可能であるため、短時間で振動周波数調整を行なうことができる。
さらに、レゾネータの振動周波数は、支持梁溶断後の形状だけで規制されるので、正確で、且つ安定した振動周波数を長期間にわたって維持することができる。
【００１０】
また、前述したレゾネータの振動周波数調整方法では、前記可動部の重心位置から前記電気抵抗が大きい部位までの距離が、前記複数の支持梁それぞれ等距離であり、前記複数の支持梁のうちの選択された支持梁に電流を印加し、前記電気抵抗が大きい部位を溶断することによって、前記レゾネータの振動周波数を調整することが好ましい。
【００１１】
このようにすれば、支持梁は、重心から溶断されるまでの位置が等距離で且つ、基部との境界部に設けられているため、溶断後の可動部の形状は、基部と可動部の支持部材としての支持梁とから構成される単純形状なので、安定した振動周波数を得ることができる。
【００１２】
また、前記電気抵抗が大きい部位は、前記複数の支持梁の前記基部との境界部の断面積が減縮されて電気抵抗が大きい部位が形成され、選択された前記支持梁に電流を印加して支持梁を溶断することによって、前記レゾネータの振動周波数を調整することが好ましい。
【００１３】
電気抵抗は、同じ材料の場合、断面積に反比例することが知られている。従って、支持梁の断面積を減縮した部位は電気抵抗が高まり、所定の電流を印加することによって抵抗熱が発生し、支持梁を溶断することができる。
【００１４】
また、前記複数の支持梁は、前記基部との境界部の幅が減縮されて電気抵抗が大きい部位が形成され、選択された前記支持梁に電流を印加して支持梁を溶断することによって、前記レゾネータの振動周波数を調整することが好ましい。
【００１５】
ここで、支持梁の幅を減縮する方法としては、例えば、支持梁の幅方向両側から切欠き部を形成し、支持梁の断面積を小さくする方法を採用することができる。
【００１６】
このようにすれば、切欠き部を設けることで支持梁の幅を減縮して断面積を小さくすることで、他の部分よりも電気抵抗が大きい部位を容易に形成することができ、そこに電流を印加することで抵抗熱を発生し、支持梁を溶断することができる。このように切欠き部を設けて支持梁の幅をを小さくする工程は、可動部を半導体製造プロセスで成形する際に同じ工程で成形できるため、レゾネータ製造時間を短縮できると共に、電気抵抗が大きい部位を形成するための特別な製造設備も必要としない効果もある。
【００１７】
また、前記支持梁は、前記基部との境界部の厚みが減縮されて電気抵抗が大きい部位が形成され、選択された前記支持梁に電流を印加して支持梁を溶断することによって、前記レゾネータの振動周波数を調整することが好ましい。
ここで、厚みを減縮する手段としては、例えば、エッチング等の加工手段で、支持梁の幅方向に溝を形成することで実現できる。
【００１８】
支持梁に電気抵抗が大きい部位を形成する方法としては、支持梁の厚みを薄くすることで支持梁の断面積を小さくし、その部位の電気抵抗を高め溶断しやすくすることができる。このように、支持梁の厚みを薄くする場合には、溶断されない支持梁は、前述した幅方向に切欠きを設ける方法にくらべ、可動部が駆動（振動）された際に、支持梁に捩じれ等の複合振動が発生しにくくなるため、安定した振動周波数を得ることができる。また、厚みを減縮する手段としてエッチングを採用すれば、半導体製造プロセスの中で加工することができ、特別な加工設備等を必要としない。
【００１９】
また、前記支持梁は、前記基部との境界部に絶縁性物質がイオン注入されることによって電気抵抗が大きい部位が形成され、選択された前記支持梁に電流を印加して支持梁を溶断することによって、前記レゾネータの振動周波数を調整することが好ましい。
【００２０】
このようにすれば、複数備えられる支持梁の溶断される部位が、切欠き部や溝が必要ないため、可動部を支持する支持部材は、単純形状の梁であるため、振動周波数調整要素としてのばね定数は、単純梁の振動として算出することができ、周波数の調整量設定のための溶断支持梁の選択、組み合わせが容易になるという効果がある。
さらに、絶縁性物質のイオン注入は、半導体製造プロセスにおいて汎用的に用いられるプロセスであるために、容易に電気抵抗が大きい部位を形成することができる。
【００２１】
また、前述した構成のレゾネータは、前記可動部の重心位置を移動しないように、選択された前記支持梁を溶断し、前記レゾネータの振動周波数を調整することが好ましい。
【００２２】
前述したように、支持梁を溶断して可動部の質量、ばね定数を変更して振動周波数調整を調整する方法においては、溶断後の支持梁の形状が異なり、溶断する支持梁の選択によって重心位置が溶断前から移動することが考えられる。このような場合、可動部が振動する際に複合的な振動になり、振動周波数が安定しない。従って、支持梁を溶断する際には、重心が移動しないように溶断する支持梁を選択することで安定した振動周波数を得ることができる。
【００２３】
本発明のレゾネータは、前述したレゾネータの振動周波数調整方法によって、振動周波数が調整されることを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、短時間で精度よく振動周波数の調整ができるとともに、長期間にわたって安定した振動周波数を有する低コストのレゾネータを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１〜図５は本発明の実施形態１に係るレゾネータが示され、図６〜図７には実施形態１の変形例が示されている。
（実施形態１）
【００２６】
図１〜図５は実施形態１に係るレゾネータが示されている。
図１は、本実施形態１のレゾネータ１０の断面図を示す。図１において、レゾネータ１０は、基本構成として、半導体基板２０上に形成される固定部としてのシリコン層（Ｓｉ層）２１と可動部３０とから構成されている。半導体基板２０は、シリコン層２１内に、図示しない駆動回路や検出回路等の機能回路素子が備えられている。シリコン層２１は、外周部に壁部２３が形成されており、この壁部２３に囲まれた内側には、可動部３０が形成される空間６１が形成されている。
【００２７】
半導体基板２０のシリコン層２１の空間６１の底部には、図示しない絶縁層が形成され、その上面には出力電極としての固定電極２５が形成されている。この固定電極２５は半導体基板２０の機能回路素子（図示せず）に接続されている。前記絶縁層の上面に、可動部３０が形成されている。
【００２８】
可動部３０は、ポリシリコン層で形成され、固定電極２５と所定の間隙を有するように立ち上げ部４５に連続して１２本の支持梁３１〜４２を有している（図２、参照）。支持梁３１〜４２は、可動部の円形状の基部５０からそれぞれ円周方向に等間隔で放射状に延出されている。可動部３０は、ＭＥＭＳ等の手段によって半導体基板２０と一体で形成される。可動部３０は、一方がバイアス電圧を供給する駆動回路のパッド７０に接続され、他方が支持梁を溶断するための電流供給端子７１に接続されている。なお、駆動回路のパッド７０は半導体基板２０に設けられ、電流供給端子７１に電流を供給する電源部は、図示しない振動周波数調整装置に備えられる。
【００２９】
空間６１は、シリコン層２１の周縁の壁部２３に封止部材６０を接着等の固着手段によって密閉封止され、外部の湿気や塵埃が可動部３０に付着することを防止している。
可動部３０の形状は、図２を参照して詳しく説明する。
【００３０】
図２は、可動部３０を平面上方から視認して模式的に示す平面図である。円盤状の基部５０からそれぞれ円周方向に等間隔で放射状に延出された支持梁３１〜４２は、この可動部３０の重心Ｇから端部まで同じ長さの弾性を有する梁である。また、各支持梁は、重心Ｇを中心として点対称の関係にある。支持梁３１〜４２の先端部は、図１で示した立ち上げ部４５であり、図２では省略しているが、全ての支持梁に同形状で形成されている。支持梁３１〜４２の基部５０と支持梁３１〜４２の境界部には、それぞれ、支持梁の幅方向両側から切欠き部３１Ａ〜３４Ａ等が形成されている。これらの切欠き部は、徐徐に幅が減縮され境界部の幅が最も小さく形成される。この幅が減縮された部位は、他の減縮されない部位よりも断面積が小さくなり、支持梁に電流を印加したときに、他の部位よりも電気抵抗が大きいので発熱し、所定の電流を印加すると切欠き部で溶断される。
【００３１】
支持梁３１の幅はＡ、支持梁３２の幅はＢ、支持梁３３の幅はＣ、に設定され、それぞれの幅はＡ＞Ｂ＞Ｃの関係にある。そして、支持梁３１とは直角方向にある支持梁３４の幅はＡに設定され、支持梁３５の幅はＢ、支持梁３６の幅はＣというように、他の支持梁も同じ順列で幅が設定されている。また、切欠き部の最小幅は、所定の電流を印加した際に、これら最小幅の部位で溶断できる電気抵抗を有する断面積にするとともに、可動部３０が振動するときに切欠き部の構造的強度が保たれる大きさに設定されるが、概ね、各支持梁の幅の７０％程度の幅に設定されることが好ましい。
【００３２】
次に、本発明のレゾネータ１０の駆動方法について説明する（図１、参照）。可動部３０にバイアス電圧が供給されると、可動部３０と固定電極２５との間に静電力が発生し、この静電力で可動部３０が縦方向（厚み方向）に振動する。
【００３３】
ところで、レゾネータの振動に大きく関係する要素である可動部３０の質量ｍと、ばね定数ｋと、振動周波数ｆｒと、の関係は、（２πｆｒ）2＝ｋ／ｍで表される。この式によれば、質量ｍを小さくすれば振動周波数ｆｒは高くなり、ばね定数ｋが小さくなれば振動周波数ｆｒは低くなる。
本発明は、この質量ｍ、または、ばね定数ｋの大きさを構造的に変更することでレゾネータ１０の振動周波数ｆｒを調整する振動周波数調整方法として、支持梁に電流を印加して選択された支持梁を溶断することで実現することを要旨としている。
【００３４】
続いて、レゾネータ１０の振動周波数調整方法について説明する。
図３は、実施形態１に係るレゾネータ１０の振動周波数調整方法の１例を示す可動部３０を平面視した説明図である。図１、図３を参照して説明する。
まず、可動部３０の支持梁３１〜４２を切断しない状態で、可動部３０にバイアス電圧を供給し、可動部３０を振動させながら振動周波数を測定し、所定の周波数（設計値）との差を検出する。所定の振動周波数との差を確認し、所定の振動周波数に一致させるために、どの支持梁を溶断すればよいか周波数調整装置（図示せず）において演算処理し、その組み合わせを選択し、選択された支持梁に溶断に必要な電流を印加する。
【００３５】
支持梁溶断の方法としては、選択された溶断すべき支持梁は、必要な電流を印加する図示しない振動数周波数調整装置に備えられる電源部、他の溶断されない支持梁は、ＧＮＤに接続され、予め設定された溶断に必要な電流が選択された支持梁に印加される。
【００３６】
なお、振動周波数調整工程としては、基本となる支持梁溶断前の振動周波数の測定工程、修正量の演算、支持梁の溶断による振動周波数の調整、再測定（検査）等、必要があれば再度前述の工程を繰り返す。これらの一連の工程は連続して行なうことができる。
【００３７】
図３においては、支持梁３２，３３，３５，３６，３８，３９，４１，４２が溶断されている。従って、支持梁３１，３４，３７，４０の４本の十字方向に延出された支持梁で可動部３０は支持されている。ここで、全ての支持梁が溶断される前に比べ、溶断後では、可動部３０の質量ｍは小さくなり、振動周波数は高い方向に変化する。また、このとき、可動部３０を支持している支持梁の数が減少しているので、ばね定数ｋは小さくなり振動周波数は低い方向に変化する。この質量ｍとばね定数ｋと振動周波数ｆｒとの関係をテーブルに設定し、そのテーブルから溶断する支持梁の組み合わせを選択し所定の振動周波数に調整することができる。
【００３８】
なお、図３において、溶断された後の可動部３０の形状は、３１，３４，３７，４０の幅と長さが等しく、切欠き部の位置、大きさもそれぞれ等しく、また、延出される位置が十字方向等間隔であるため、可動部の重心Ｇも支持梁溶断前と変わらないので振動モードは変わらない。溶断する支持梁の組み合わせは、幾通りも選択できるが、図４、図５においてその組み合わせを例示する。
【００３９】
図４、図５は、可動部３０を平面視して支持梁の溶断の組み合わせを模式的に示す平面図である。図４においては、支持梁３１，３３，３４，３６，３７，３９，４０，４２が溶断され、十字状に４本の支持梁３２，３５，３８，４１が半導体基板２０に接続されている。従って、前述した図３の例示に比べ、溶断された支持梁の質量ｍが大きく、また、可動部を支持する支持梁の幅が小さくなるためばね定数ｋが小さい方向に変化しており、異なった振動周波数に設定することができる。このような支持梁の溶断の組み合わせにおいても、重心Ｇの位置は移動しない。
【００４０】
また、図５においては、支持梁３１，３２，３４，３５，３７，３８，４０，４１が溶断され、十字状に４本の支持梁３３，３６，３９，４２が半導体基板２０に接続されている。従って、前述した図３及び図４における例示に比べ、質量ｍ、ばね定数ｋともに小さい方向に変化しており、図３、図４に例示した構成とは異なった振動周波数に調整することができる。
【００４１】
なお、支持梁は、前述した実施形態１（図３、図４、図５、参照）では、１２本で構成されているが、支持梁の数は１２本に限定されるのもではなく、振動周波数の調整範囲や１本毎の調整量に応じて任意に設定することができる。
また、支持梁の幅もＡ，Ｂ，Ｃの３段階の設定に限らず支持梁の数に対応して増減することができ、さらには、幅Ａ，Ｂ，Ｃの差や順列を任意に設定することができる。
【００４２】
また、図３、図４、図５では、ともに溶断しない支持梁を十字状の４本を備えた例を示しているが、４本に限らず２本または３本でもよく、溶断することによって重心Ｇの位置が移動せず、安定した振動が得られるという条件を満たせば何本でもよく、その配置も任意に設定することができる。
【００４３】
従って、前述した実施形態１によれば、可動部３０の支持梁３１〜４２に電気抵抗が大きい切欠き部を設け、これらの支持梁に電流を印加することで、電気抵抗が大きい部位に抵抗熱が発生し支持梁が溶断され、溶断された支持梁の分だけ可動部の質量ｍが小さくなり、また、可動部を支持する支持梁の数が減少するとともに、支持梁の幅が変更されるためにばね定数ｋが小さくなることから、所定の振動周波数に調整することができる。また、複数設けられた支持梁それぞれの幅が異なるので、所望のばね定数を有する支持梁を選択すれば、所定の振動周波数に容易に調整することができる。
【００４４】
さらに、複数の支持梁、及び切欠き部は、半導体製造プロセスで形成し、所定の電流を支持梁に印加することで溶断し、振動周波数を調整することができるため、前述した従来技術のようなレーザービーム装置や集束イオンビーム等の高価な設備を必要としないので、低コストのレゾネータを提供することができる。
【００４５】
また、支持梁３１〜４２に溶断のための電流を印加するだけで振動周波数調整が可能であるため、短時間で振動周波数調整を行なうことができる。
さらに、レゾネータの振動周波数は、支持梁溶断後の形状だけで規制されるので、正確で、且つ安定した振動周波数を長期間にわたって維持することができる。
【００４６】
また、支持梁３１〜４２は、重心Ｇから溶断されるまでの位置が等距離で且つ、基部５０との境界部に設けられているため、溶断後の可動部３０の形状は、基部５０と可動部３０の支持部材としての支持梁とから構成される単純形状であるので、安定した振動周波数を得ることができる。
【００４７】
さらに、実施形態１による振動周波数調整工程は、基本となる支持梁溶断前の振動周波数の測定工程、修正量の演算、支持梁の溶断による振動周波数の調整、再測定（検査）等の工程が連続して行なうことができるので、振動周波数調整を短時間で行なうことができるうえ、このことによって、低コストのレゾネータを提供することができる。
（変形例１）
【００４８】
続いて、実施形態１の変形例１について図面を参照して説明する。変形例１は、実施形態１に対して、電気抵抗を大きくする部位の形状を支持梁の厚みを減縮することで実現したことを特徴としている。
図６（ａ）は、変形例１に係る可動部３０の平面図、図６（ｂ）は、その部分断面図を示している。図６（ａ），（ｂ）において、支持梁３１は幅がＡ、支持梁３２は幅がＢ、支持梁３３は幅がＣというように実施形態１と同様に構成されている。基部５０と支持梁３１〜４２のそれぞれの境界部には、溝が設けられ、支持梁の厚みが減縮されている。支持梁３１を例示して詳しく説明する。
【００４９】
支持梁３１の基部５０との境界部には、幅方向に溝３１Ｂが形成されている。溝３１Ｂの端部は、基部５０の端部に一致する位置であり、図６では、説明を分かりやすくするために幅を広く表示しているが、溝幅は、溝深さと略同じ程度に設定することが好ましい。これは、溶断する際に、溶断位置がばらつかないようにすることを目的としている。また、溝３１Ｂによって形成される支持梁３１の残肉部の断面積は、実施形態１で説明した切欠き部の残肉部と同じ大きさに設定されている。
【００５０】
このようにすれば、溝３１Ｂ部分の断面積が周辺の断面積よりも小さくなるため、電気抵抗が大きくなり、所定の電流を印加すれば、この溝３１Ｂ部で支持梁３１を溶断することができ、前述した実施形態１と同様な効果を得ることができる。また、各支持梁の溝３１Ｂの幅、厚みを一定にすれば、可動部３０が振動する際に、捻り力が発生し難いために、安定した振動モードが得られるという効果がある。
なお、図６（ｂ）では、溝３１Ｂは、厚み方向上面のみに設けられているが、溝は、支持梁の表裏両面に形成することもできる。
（変形例２）
【００５１】
続いて、変形例２について図面を参照して説明する。変形例２は、前述した実施形態１における支持梁に電気抵抗を大きくする部位を形成するという技術思想を基本として、形状として支持梁の断面積を減ずることなく、電気抵抗を大きくする部位を構成することを特徴とする。
図７は、変形例２の支持梁の構成を示す。図７（ａ）は、その部分断面図、図７（ｂ）は他の変形例を示す部分断面図である。支持梁３１を例示して説明する。図７（ａ）において、支持梁３１には、絶縁性物質がイオン注入された絶縁層３１Ｃが形成されている。絶縁物質としては酸素（Ｏ2）等を採用し、絶縁層として酸化シリコン（ＳｉＯ2）を形成することができる。絶縁層３１Ｃの幅、深さは、溶断するために必要な大きさに設定される。
【００５２】
図７（ｂ）は、図７（ｂ）で示した例示に対して絶縁層のイオン注入範囲を変えたもので、絶縁層３１Ｃは、基部５０との境界部が深く、支持梁の先端方向は浅くなるように形成されている。
このようにすれば、溶断する際に、最も絶縁層が深く形成されている部分の電気抵抗が高い部位が形成されるので、基部５０の周縁部で溶断することができる。
【００５３】
なお、絶縁物質は、イオン注入する際に、イオン注入量を適宜調整することで、完全な絶縁層にせずに、周辺よりも電気抵抗が高い部位を形成することができる。このようにすれば、絶縁層３１Ｃは、支持梁３１の厚み全体にわたって形成してもよい。
【００５４】
従って、このような変形例２によれば、前述した実施形態１、及び変形例１のように、切欠き部、溝等を設ける構造に比べ、構造的強度が低い部位を設けることなく、電気抵抗が大きい部位を形成することができ、より一層安定した振動周波数を得ることができる。振動周波数調整においても、ばね定数ｋの算出において、単純梁の計算によって算出が可能で、振動周波数調整のためのテーブル作成も単純化することができる。
また、支持梁に応力集中する部位がなくなるため、長期間にわたって正確な振動周波数を維持することができるという効果がある。
【００５５】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前述した実施形態では、レゾネータ１０は、機能回路素子が備えられる半導体基板２０上に形成されているが、機能回路素子を備えない半導体基板上に形成することができる。
【００５６】
また、実施形態１のように切欠き部を設ける構造と、切欠き部に加えて、変形例１のように溝を設ける構造や、切欠き部と変形例２で説明した絶縁層を設ける構造とを組み合わることもできる。
【００５７】
従って、前述の実施形態１、及び変形例１，２によれば、レゾネータの振動周波数調整を、簡単な設備で短時間で精度よく、しかも低コストで実現できるレゾネータの振動周波数調整方法と、この調整方法で製造されるレゾネータを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に係る実施形態１のレゾネータの概略構成を示す断面図。
【図２】本発明に係る実施形態１の可動部を模式的に示す平面図。
【図３】本発明に係る実施形態１のレゾネータの振動周波数調整方法の１例を示す平面図。
【図４】本発明に係る実施形態１の支持梁溶断の組み合わせを模式的に示す平面図。
【図５】本発明に係る実施形態１の支持梁溶断の組み合わせを模式的に示す平面図。
【図６】本発明に係る変形例１の可動部を模式的に示す図面。（ａ）は平面図、（ｂ）は部分断面図。
【図７】本発明に係る変形例２の可動部を模式的に示す図面。（ａ）は部分断面図、（ｂ）は他の変形例を示す部分断面図。
【符号の説明】
【００５９】
１０…レゾネータ、２０…半導体基板、３０…可動部、３１〜４２…支持梁、３１Ａ〜３４Ａ…電気抵抗が大きい部位としての切欠き部、５０…基部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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