(57)【要約】【課題】  ワイヤボンディングをすることなく、しかもチップサイズ程度の非常に小型で、製造するのが容易な構造のチップ型ホトリフレクタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  四角形状の一面が発光面１ａとされ、その発光面１ａを挟んだ側面に一対の電極が設けられる発光素子１と、四角形状の一面が受光面２ａとされ、その受光面２ａを挟んだ側面に一対の電極が設けられる受光素子２とが、発光面１ａおよび受光面２ａを同じ方向に向け、かつ、一対の電極がそれぞれ同じ方向に現れるように一定間隔を設けて配置され、その発光面１ａおよび受光面２ａに、光透過性基板３が貼り付けられている。そして、発光素子１および受光素子２の一対の電極のぞれぞれに接続して金属板４１、４２１、４２２が設けられ、発光素子１および受光素子２の光透過性基板３および金属板４が設けられる部分以外の周囲は、光不透過性樹脂５により被覆されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
四角形状の一面が発光面とされ、該発光面を挟んで対向する側面に一対の電極が設けられる発光素子と、四角形状の一面が受光面とされ、該受光面を挟んで対向する側面にそれぞれ延出する一対の電極が設けられる受光素子と、前記発光素子および受光素子が、前記発光面および受光面を同じ方向に向け、かつ、前記発光素子および受光素子の一対の電極がそれぞれ同じ方向に現れるように一定間隔を設けて配置され、前記発光面および受光面に貼り付けられる光透過性基板と、前記発光素子および受光素子の一対の電極のぞれぞれに接続するように、前記発光面および受光面を挟んで対向する前記側面に設けられる金属板と、前記発光素子および受光素子の前記光透過性基板および金属板が設けられる部分以外の周囲を被覆する光不透過性樹脂とを具備するチップ型ホトリフレクタ。
【請求項２】
四角形状の発光面を挟んで対向する側面に一対の電極を形成し、また四角形状の受光面に、該受光面を挟んで対向する側面にそれぞれ延出する一対の電極を形成し、前記対向する側面に形成する前記電極の間隔と前記電極が延出する前記側面の間隔とが等しくなるように発光素子および受光素子を形成する工程と、
光透過性材料からなり、前記間隔と同じ幅を有する帯状の光透過性基板を準備する工程と、
前記発光素子および受光素子を、前記発光面および受光面が前記光透過性基板に面し、かつ、前記それぞれの一対の電極が帯状の光透過性基板の側面側に電極の極性が揃うように所定の間隔を設けて複数組交互に配列し、前記光透過性基板に貼着することにより第１の組立体を形成する工程と、
前記第１の組立体を第１の金属板上に複数個並べて前記発光素子および受光素子の一対の電極のそれぞれの一方と電気的に接続するように貼着し、さらに第２の金属板を前記一対の電極のそれぞれの他方と電気的に接続するように貼り付けて第２の組立体を形成する工程と、
前記第２の組立体の前記第１および第２の金属板の間に形成される空隙を埋めるように光不透過性の樹脂を流し込み、硬化させることにより第３の組立体を形成する工程と、
前記第３の組立体を、前記発光素子および受光素子の１組が含まれるように前記第１の金属板、前記光不透過性の樹脂および前記第２の金属板を切断すると共に、前記第２の金属板を発光素子と受光素子との間で切断して電気的に分離することにより個片化する工程
とを有することを特徴とするチップ型ホトリフレクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子と受光素子とを具備し、発光素子からの光が対象物により反射した光を受光素子により受光することにより、対象物の有無などの状態を検出するホトリフレクタおよびその製造方法に関する。さらに詳しくは、回路基板上に表面実装することができると共に、チップマウンターによって簡単に取り付ける場合に好適なチップ型ホトリフレクタおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の軽薄短小化に伴い、ホトリフレクタにおいても小型化、特に薄型化がより一層要求されてきている。このような要求に基づいて、ホトリフレクタも従来の樹脂モールドした発光素子と受光素子とを並べて不透光性樹脂により２次モールドする構造のものに代えて、図１０に断面説明図が示されるようなリードレスパッケージのものが採用されてきている。すなわち、図１０において、表裏面に接続された配線６４を有するプリント配線基板６１の表面に、発光素子６２と受光素子６３とが配線６４と接続されるようにダイボンディングされ、他方の電極はワイヤ６５を介して図示しない配線とワイヤボンディングされ、それぞれの発光素子６２、受光素子６３の周囲に光不透過性のダム樹脂を塗布して硬化させることにより遮光壁６６を設け、遮光壁６６で区切られた空間に光透過性の樹脂６７を塗布して硬化させることにより形成されている。なお、６８はダイボンディング剤である。
【０００３】
このように発光素子６２や受光素子６３のチップを直接プリント配線基板６１上にダイボンディングする構造にしても、ワイヤボンディングをしなければならないため、チップ上に一定の空間を必要とし、薄くするためにはプリント配線基板６１や発光素子６２および受光素子６３を薄くする程度しかなく、薄型を充分に達成することができないと共に、プリント配線基板６１を薄くすると、プリント配線基板６１の撓みによるパッケージ厚の不均一が生じたり、発光素子６２および受光素子６３のチップを薄くすると、チップの割れや欠けが生じ、歩留りが低下するという問題が生じる。
【０００４】
一方、発光素子では、このようなワイヤボンディングの問題を解決するため、図１１に示されるように、発光素子チップ７１のｎ側電極７２およびｐ側電極７３に直接チップより大きい面積の電極板７４、７５を接合し、その隙間に透光性の樹脂７６を充填する構造のものも知られている。この構成にすることにより、大きな電極板に複数個の発光素子チップ７１を並べて樹脂７６の充填後に個片化することにより、大量生産をすることができると共に、図１１に示されるようにプリント回路基板７７に設けられる配線膜７８に簡単にハンダ７９で接続することができる（たとえば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−４５９６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述のように、従来のホトリフレクタでは、発光素子をチップのまま基板上にマウントすることにより小型化を図っても、ワイヤボンディングのための空間を確保しなければならず、充分な小型化を図ることができない。また、発光素子や受光素子のチップの両電極に電極板を直接接合して、その隙間に樹脂を充填する構造にする場合、発光素子または受光素子単体であれば、透光性樹脂の充填で形成することができるが、ホトリフレクタのように、発光素子および受光素子として機能するように光を透過させながら、相互間で直接光の授受が行われないように、また、外来ノイズの光が受光素子に入らないように遮光する必要のある場合に、非常に小型で、しかも容易に製造することができる構造のチップ型
ホトリフレクタは得られていない。
【０００６】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、ワイヤボンディングをすることなく、しかも殆どチップサイズ程度の非常に小型で、製造するのが容易な構造のチップ型ホトリフレクタおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によるチップ型ホトリフレクタは、四角形状の一面が発光面とされ、該発光面を挟んで対向する側面にそれぞれ延出する一対の電極が設けられる発光素子と、四角形状の一面が受光面とされ、該受光面を挟んで対向する側面に一対の電極が設けられる受光素子と、前記発光素子および受光素子が、前記発光面および受光面を同じ方向に向け、かつ、前記発光素子および受光素子の一対の電極がそれぞれ同じ方向に現れるように一定間隔を設けて配置され、前記発光面および受光面に貼り付けられる光透過性基板と、前記発光素子および受光素子の一対の電極のぞれぞれに接続するように、前記発光面および受光面を挟んで対向する前記側面に設けられる金属板と、前記発光素子および受光素子の前記光透過性基板および金属板が設けられる部分以外の周囲を被覆する光不透過性樹脂とを具備している。
【０００８】
本発明によるチップ型ホトリフレクタの製造方法は、四角形状の発光面を挟んで対向する側面に一対の電極を形成し、また四角形状の受光面に、該受光面を挟んで対向する側面にそれぞれ延出する一対の電極を形成し、前記対向する側面に形成する前記電極の間隔と前記電極が延出する前記側面の間隔とが等しくなるように発光素子および受光素子を形成する工程と、
光透過性材料からなり、前記間隔と同じ幅を有する帯状の光透過性基板を準備する工程と、
前記発光素子および受光素子を、前記発光面および受光面が前記光透過性基板に面し、かつ、前記それぞれの一対の電極が帯状の光透過性基板の側面側に電極の極性が揃うように所定の間隔を設けて複数組交互に配列し、前記光透過性基板に貼着することにより第１の組立体を形成する工程と、
前記第１の組立体を第１の金属板上に複数個並べて前記発光素子および受光素子の一対の電極のそれぞれの一方と電気的に接続するように貼着し、さらに第２の金属板を前記一対の電極のそれぞれの他方と電気的に接続するように貼り付けて第２の組立体を形成する工程と、
前記第２の組立体の前記第１および第２の金属板の間に形成される空隙を埋めるように光不透過性の樹脂を流し込み、硬化させることにより第３の組立体を形成する工程と、
前記第３の組立体を、前記発光素子および受光素子の１組が含まれるように前記第１の金属板、前記光不透過性の樹脂および前記第２の金属板を切断すると共に、前記第２の金属板を発光素子と受光素子との間で切断して電気的に分離することにより個片化する工程
とを有することを特徴としている。
【０００９】
ここに「電極の極性が揃うように」とは、アースまたは電源端子で発光素子と受光素子とで共通にできる側の電極が同じ方向に揃うことを意味する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のチップ型ホトリフレクタによれば、発光素子および受光素子のそれぞれの一対の電極を発光面および受光面を挟んで対向する側面で、金属板に接続することにより外部接続電極としているため、ワイヤボンディングをすることなくそれぞれの一対の電極を、発光面および受光面を挟んだ対向する両側に形成することができる。また、発光素子および受光素子の発光面および受光面に１枚の光透過性基板を貼り付け、それ以外の部分は光不透過性の樹脂により被覆する構造になっているため、光透過性樹脂で被覆する必要もなく、発光素子および受光素子のチップサイズを足した大きさに殆ど近い、非常に小型のホトリフレクタが得られる。その結果、近年の電子機器の軽薄短小化により小型、薄型が要求されるホトリフレクタを殆どチップサイズ程度で形成することができ、たとえば縦×横×高さ（厚さ）が、従来の図１０に示される構造では２.４ｍｍ×１.６ｍｍ×０.８ｍｍであったものが、１.２ｍｍ×０.７ｍｍ×０.５ｍｍ程度の大きさで形成することができる。さらに、両側面に設けられる金属板を外部電極として使用できるため、回路基板などにチップマウンターなどにより載置してハンダリフローなどにより簡単に回路基板に実装することができる。
【００１１】
また、本発明のチップ型ホトリフレクタの製造方法によれば、帯状の１枚の光透光性基板上に発光素子と受光素子との組を複数組並べて第１の組立体を形成し、その第１の組立体を複数個、２枚の金属板間に挟持して樹脂を流し込むため、樹脂による被覆が非常に簡単で、しかもその後切断して個片化することができるため、一度に非常にたくさんのホトリフレクタを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
つぎに、図面を参照しながら本発明のチップ型ホトリフレクタおよびその製造方法について説明をする。本発明によるチップ型ホトリフレクタは、図１にその一実施形態の斜視およびそのＢ−Ｂ断面の説明図が示されるように、四角形状の一面が発光面１ａとされ、その発光面１ａを挟んで対向する側面にそれぞれ一対の電極が設けられる発光素子１と、四角形状の一面が受光面２ａとされ、その受光面２ａを挟んで対向する側面にそれぞれ延出する一対の電極が設けられる受光素子２とが、発光面１ａおよび受光面２ａを同じ方向に向け、かつ、一対の電極がそれぞれ同じ方向に現れるように一定間隔を設けて配置され、その発光面１ａおよび受光面２ａに、光透過性基板３が貼り付けられている。そして、発光素子１および受光素子２の一対の電極のぞれぞれに接続して金属板４（４１、４２１、４２２）が設けられ、発光素子１および受光素子２の光透過性基板３および金属板４が設けられる部分以外の周囲は、光不透過性樹脂５により被覆されている。
【００１３】
発光素子１は、たとえば図２（ａ）に斜視説明図が示されるように、ｎ型半導体基板１１上にｐ型半導体層１２が形成されることにより、ｐｎ接合１３が形成され、その半導体基板１１の裏面にｎ側電極１５、ｐ型半導体層１２の表面にｐ側電極１６が形成され、半導体積層部の端面（半導体積層方向と垂直な面）が発光面１ａとされている。すなわち、発光素子はｐｎ接合の近傍で発光した光がほぼ全方向に進むが、この例では、半導体層の積層部と垂直な一端面から放射される光のみを利用するもので、その一端面が発光面１ａとされている。この発光素子１の大きさは、たとえば縦Ａ×横Ｂ×高さＣが、０.３ｍｍ×０.３ｍｍ×０.３ｍｍ程度の大きさに形成される。図２（ａ）に示される例では、発光素子１が最も単純な構造で示されているが、半導体積層部は種々の半導体層が積層されたり、ホモｐｎ接合ではなく、ヘテロ接合やダブルへテロ接合に形成されたものでもよい。
【００１４】
受光素子２は、たとえば図２（ｂ）にその一例の斜視説明図が示されるように、ｎ型半導体基板２１上にｎ型半導体層２２が成長され、拡散によりｐ型領域からなるベース領域２３、さらに拡散によりｎ型領域からなるエミッタ領域２４が形成され、エミッタ領域２４に接続してエミッタ電極２５が、ｎ型半導体層２２をコレクタ領域とし、ｎ型半導体層に接続してコレクタ電極２６が形成されることによりホトトランジスタが形成されている。この両電極２５、２６は、半導体層の表面からチップの側面に至るように形成されている。図２（ｂ）に示される例では、ホトトランジスタの例が示され、半導体層の積層表面側を受光面２ａとしているが、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とを積層したホトダイオードにして、前述の発光素子と同様に、半導体層の表面および半導体基板裏面にそれぞれ一対の電極を形成し、積層方向と垂直方向の１つの端面を受光面とすることもできる。この受光素子２の大きさは、たとえば縦Ｄ×横Ｅ×高さＦが、０.３ｍｍ×０.３ｍｍ×０.２ｍｍ程度の大きさに形成される。
【００１５】
光透過性基板３は、たとえば厚さが０.１ｍｍ程度のポリイミドテープを使用することができるが、厚さや材料はこの例に限定されず、光を透過させることができ、実装時のハンダリフローなどの温度に耐え得るものであれば自由に選定することができる。発光素子の発光波長が赤外光の場合には、ポリイミドに赤外光検知のために紫外線カット用の染料を混ぜたものが好ましい。この光透過性基板３は、発光素子１の発光面１ａおよび受光素子２の受光面２ａに光透過性の接着剤により貼り付けられている。具体的には、後述するように、光透過性基板３表面に発光素子１および受光素子２がその発光面１ａおよび受光面２ａを光透過性基板３と対面させ、かつ、それぞれの一対の電極の極性が、その極性を揃えて同じ方向に向くように一定間隔を設けて配置することにより接着されている。
【００１６】
金属板４（４１、４２１、４２２）は、たとえば銅、４２アロイ（Ｆｅ-Ｎｉ合金で４２％Ｎｉ）、Ｆｅ-Ｎｉ合金に、錫メッキまたは金メッキしたものなどのリードフレームと同じ材料で、０.５ｍｍ程度の厚さのものを用いることができる。この金属板４は、たとえば発光素子１と受光素子２の一対の電極の一方、たとえば図２に示される発光素子１のｐ側電極１６と受光素子２のコレクタ電極２６とが同じ方向になるように発光素子１および受光素子２が配列され、１枚の金属板４１で両素子の電極に図示しない銀ペーストなどの導電性ペーストなどにより接続され、一対の電極の他方の電極、たとえばｎ側電極１５とエミッタ電極２５は、電気的に分離された金属板４２１、４２２により接続されている。この金属板４２１、４２２の電気的分離は、後述するように、１枚の金属板で組み立てておいてから、光不透過性樹脂を充填した後に、切断することが樹脂充填の際には金属板４で閉塞されているため光不透過性樹脂５を充填しやすい。
【００１７】
光不透過性樹脂５は、たとえばカーボンを混入したエポキシ系樹脂が用いられ、発光素子１および受光素子２の光透過性基板３および金属板４が設けられている部分以外の部分を被覆するように設けられている。具体的には、後述するように、金属板４で挟まれた空隙内に光不透過性樹脂を滴下し、真空吸引することにより充填される。実際には、発光素子および受光素子の多数の組を並べて一度に樹脂を充填した後に切断により個片化されるため、図１に示されるように、発光素子１および受光素子２の発光面１ａなどと反対側にも樹脂が充填されて四角柱状（金属板４が切断により削られた分だけ不透過性樹脂５が突出する）に形成される。
【００１８】
このチップ型ホトリフレクタは、エンボステープなどに収容されて実装工程に搬送され、チップマウンターにより回路基板などに実装される。具体的には、プリント配線基板上の配線パターンの接続部に、予めハンダペーストを塗布しておき、その接続部にホトリフレクタの金属板４が当接するようにチップマウンターによりホトリフレクタをマウントし、その後ハンダリフローすることにより実装することができる。すなわち、本発明のチップ型ホトリフレクタでは、金属板４が外部電極として作用する。
【００１９】
本発明によれば、発光素子１および受光素子２は、それぞれの一面１ａ、２ａのみに光透過性基板３が貼り付けられ、その他の面は全て光不透過性樹脂５または金属板４により被覆されているため、発光素子１の光は一方向のみに進み、受光素子２もその一方向からくる光のみを受光する。したがって、発光素子１から受光素子２へ直接光が入射して誤動作することはなく、発光素子１から出射して、その一方向に設けられる対象物により反射する光のみが受光素子２により検出され、対象物の有無や状態などを検出することができる。
【００２０】
つぎに、このチップ型ホトリフレクタの製造方法について、大量生産するのに適した例で、図２〜９を参照しながら説明する。
【００２１】
まず、図２に示されるように、四角形状の発光面１ａ挟んで対向する側面に一対の電極１５、１６を有する発光素子１と、四角形状の受光面２ａを挟んで対向する側面側にそれぞれ延出する一対の電極２５、２６を有する受光素子２を形成する。この際、一対の電極のそれぞれの間隔Ｂと間隔Ｅがほぼ等しくなるように発光素１子および受光素子２を形成する。この発光素子１および受光素子２は、通常の発光素子や受光素子を製造するプロセスにより製造することができる。また、間隔Ｂと間隔Ｅを等しくするには、図２（ａ）に示される発光素子１の半導体基板１１の厚さを研磨などにより所定の寸法にしたり、図２（ｂ）の間隔Ｅが所定の寸法になるようにウェハからのダイシングの際の寸法を調整したりすることにより合せることができる。
【００２２】
つぎに、光透過性材料からなり、前述の間隔（Ｂ、Ｅ）と同じ幅を有する帯状の光透過性基板３を準備する。そして、発光素子１および受光素子２を、発光面１ａおよび受光面２ａが光透過性基板３に面し、かつ、それぞれの一対の電極１５、１６と２５、２６が帯状の光透過性基板３の側面に電極の極性が揃うように所定の間隔を設けて複数組交互に配列し、光透過性基板３に貼着することにより第１の組立体６を形成する。
【００２３】
具体的には、図３に示されるようなマウント装置９０を用いることが効率的である。すなわち、このマウント装置９０は、載置台９１、支持棒９２、ガイド板９３、９４、収納壁９５からなっている。ガイド板は各ホトリフレクタの発光素子１と受光素子２との間には薄いガイド板９３が用いられ、ホトリフレクタ同士の間には厚いガイド板９４が用いられている。また、載置台９１とガイド板９３、９４は、図示しない動力源により昇降可能になっている。ガイド板９３、９４は、発光素子１および受光素子２が所定の間隔でマウントされるように、吸着ノズル９６に吸着された発光素子１および受光素子２を光透過性基板３にガイドする役目をする。収納壁９５は、光透過性基板３にマウントされた発光素子１と受光素子２との組（第１の組立体６）がばらばらにならないように一まとめに収納するためのもので、図では断面図で示されているが、実際には矩形管状になっている。
【００２４】
このマウント装置９０を用いて前述の第１の組立体６を製造するには、まず図３に示されるように、載置台９１上に光透過性基板３を載置し、発光素子１および受光素子２を吸着ノズル９６により吸着して所定の載置場所の上方に待機させる。この際、発光素子１および受光素子２は、発光面１ａおよび受光面２ａがそれぞれ光透過性基板３側を向き、図示しないそれぞれの一対の電極の極性が揃うような向きに吸着されている。すなわち、発光素子１および受光素子２の吸着面は、発光面１ａおよび受光面２ａと反対側になっている。また、図示されていないが、光透過性基板３の表面（発光素子１および受光素子２が貼り付けられる面）には透明なエポキシ樹脂系の接着剤を塗布し、その反対側の裏面には、後述する光不透過性樹脂５との剥離を容易にするためのシリコーン剥離コーティング剤を予め塗布しておく。
【００２５】
つぎに、図４に示されるように、発光素子１および受光素子２を吸着した吸着ノズル９６を下げて、発光素子１および受光素子２を光透過性基板３上にマウントする。その後、図５に示されるように、吸着ノズル９６を発光素子１および受光素子２から離し、さらにガイド板９３、９４と載置台９１とを連動して降下させることにより、光透過性基板３を切断し、光透過性基板３に複数組の発光素子１と受光素子２とが貼着された第１の組立体６が形成される。
【００２６】
つぎに、長尺状（帯状）の光透過性基板３を左右方向に移動して、前述と同様に発光素子１および受光素子２をマウントし、同様に第１の組立体６を形成し、図６に示されるように、収納壁９５内に第１の組立体６を積み重ねていく。
【００２７】
その後、図７に示されるように、第１の組立体６を横倒しにして第１の金属板４１上に複数個並べて、発光素子１および受光素子２の一対の電極のそれぞれの一方と電気的に接続するように貼着する。この際、第１の組立体６同士は、所定の間隔、たとえば０.２ｍｍ程度の間隔を設けて第１の金属板４１上に並べる。また、図示されていないが、第１の金属板４１の表面には、たとえば銀ペーストなどの導電性接着剤を塗布しておいてから、第１の組立体６を配置することにより電気的接続と固着を同時にすることができる。
【００２８】
ついで、図８に示されるように、その上面に第２の金属板４２を前述の一対の電極の他方と電気的に接続するように貼り付けて第２の組立体７を形成する。この際にも、図示されていないが、第２の金属板４２の貼り付け面側に銀ペーストなどの導電性接着剤を予め塗布しておく。
【００２９】
その後、前記第２の組立体７の第１および第２の金属板４１、４２の間に形成される空隙を埋めるように光不透過性樹脂５を流し込み、硬化させることにより第３の組立体８を形成する。具体的には、図８に示される第２の組立体７の端部に漏れ止め用のゴムパッキングをつけ、縦にして光不透過性樹脂（カーボン混入エポキシ系液状樹脂）を滴下し、脱泡機に入れて真空引きをする。その後、オーブンに入れて光不透過樹脂５を硬化させることにより、図９に示されるように、第１および第２の金属板４１、４２間の空隙に光不透過性樹脂５が充填された第３の組立体８が形成される。
【００３０】
最後に、第３の組立体８を、発光素子１および受光素子２の１組が含まれるように第１の金属板４１、光不透過性樹脂５、第２の金属板４２を切断すると共に、第２の金属板４２を発光素子１と受光素子２との間で切断して溝４３（図１参照）を形成し、電気的に分離して個片化することにより、図１に示されるホトリフレクタが得られる。具体的には、第２の金属板４２の表面から発光素子１と受光素子２との間に、第２の金属板のみが切断される程度のハーフダイシングを図９のｘ方向に沿って行い、さらに各ホトリフレクタに個片化するため、各光透過性基板３の近傍を図９のｙ方向に沿って（光透過性基板３に沿って）第１の金属板４１および第２の金属板４２の両面から、第１の金属板４１、第２の金属板４２の部分をハーフダイシングする。その後、個片化のため、光透過性基板３に沿って並ぶ発光素子１と受光素子２との１組ごとの境界を、ｘ方向に沿って、フルダイシングをする。その結果、光不透過性樹脂５で繋がった短冊状になり、短冊状の各ホトリフレクタ間はハーフダイシングされて第１の金属板４１、第２の金属板４２が切断されているため、僅かな外力で個片化することができ、光透過性基板３に付着している不透過性樹脂を除去することにより、図１に示される構造のホトリフレクタが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明によるホトリフレクタの一実施形態を示す斜視および断面の説明図である。
【図２】図１に示されるホトリフレクタに用いられる発光素子および受光素子の斜視説明図である。
【図３】図１に示されるホトリフレクタの製造工程を説明する図である。
【図４】図１に示されるホトリフレクタの製造工程を説明する図である。
【図５】図１に示されるホトリフレクタの製造工程を説明する図である。
【図６】図１に示されるホトリフレクタの製造工程を説明する図である。
【図７】図１に示されるホトリフレクタの製造工程を説明する図である。
【図８】図１に示されるホトリフレクタの製造工程を説明する図である。
【図９】図１に示されるホトリフレクタの製造工程を説明する図である。
【図１０】従来のホトリフレクタの構成例を示す図である。
【図１１】従来の発光素子の場合のワイヤレス構造の例を示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１    発光素子
１ａ  発光面
２    受光素子
２ａ  受光面
３    光透過性基板
４    金属板
５    光不透過性樹脂
６    第１の組立体
７    第２の組立体
８    第３の組立体
４１    第１の金属板
４２    第２の金属板
【図１】
2006108294.tif 000003
【図２】
2006108294.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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