(57)【要約】【課題】  ソケットのコンタクト部への電圧印加に起因する接触抵抗の増加を適切に推測することができるＬＳＩアダプタおよびその制御方法を実現する。【解決手段】  本発明のＬＳＩアダプタおよびその制御方法は、半導体装置の着脱が可能なソケット１５と、ソケット１５に装着されるＯＴＰマイコン１３の外部端子に接触するようソケット１５に設けられたコンタクト部１４と、外部端子との間で授受される信号がコンタクト部１４を流れる累積時間を計測して、当該累積時間の状態を外部に通知するモニタ部１６を有する。【選択図】  図１
2006119102.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の着脱が可能な装着手段と、
前記装着手段に装着される半導体装置の外部端子に接触するよう前記装着手段に設けられたコンタクト手段と、
前記外部端子との間で授受される信号が前記コンタクト手段を流れる累積時間を計測して、当該累積時間の状態を外部に通知する監視手段を有することを特徴とするＬＳＩアダプタ。
【請求項２】
前記監視手段は、
前記信号の論理レベルの変化をカウントする計数手段と、
前記計数手段でカウントされたカウント値の状態を外部に通知する通知手段を有することを特徴とする請求項１に記載のＬＳＩアダプタ。
【請求項３】
前記装着手段は、
装着される半導体装置に、外部制御機器との間で授受される信号を前記コンタクト手段を介して伝達することを特徴とする請求項１に記載のＬＳＩアダプタ。
【請求項４】
前記装着手段に装着される半導体装置のアドレスが前記信号として供給され、
前記計数手段は、前記アドレスの論理レベルの変化をカウントすることを特徴とする請求項２に記載のＬＳＩアダプタ。
【請求項５】
半導体装置の着脱が可能で、装着される半導体装置の外部端子に接触するよう設けられたコンタクト手段を備えたＬＳＩアダプタの制御方法であって、
前記外部端子との間で授受される信号が前記コンタクト手段を流れる累積時間を計測する計数ステップと、
前記計数ステップで計測された前記累積時間の状態を判定する判定ステップと、
前記判定ステップで前記累積時間があらかじめ定められた所望の状態である場合に、当該累積時間の状態を外部に通知する通知ステップを有することを特徴とするＬＳＩアダプタの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の着脱が可能なＬＳＩアダプタおよびその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、コネクタなどでは、着脱を繰り返すことに起因するコンタクト部（接触部位）の接触不良の発生を回避するために、コネクタの着脱回数をカウントしコネクタの交換時期を管理する方法（例えば、特許文献１を参照。）が用いられていた。この従来の方法は、コンタクト部の機械的な摩耗をある程度予測でき、コネクタの交換時期を簡便に管理する方法として用いられていた。
【０００３】
ところで、ワンチップマイコンなどの半導体装置にデータを書き込むにはＥＰＲＯＭライタが使用される。ＥＰＲＯＭライタは、汎用のＥＰＲＯＭへのデータ書込みを前提としているので、ＤＩＰ３２（ 32pin Dual In-line Package ）またはＤＩＰ４８（ 48pin Dual In-line Package ）用のソケットが実装されている。しかし、データが書き込まれる半導体装置のパッケージがＤＩＰ３２およびＤＩＰ４８でない場合、あるいは、ピン配置が異なる場合は、パッケージ変換機能およびピン配置の変換機能を持つＬＳＩアダプタが半導体装置とＥＰＲＯＭライタとの間に必要になる。
【０００４】
量産時に多数の半導体装置にデータ書き込みを繰り返す場合、このＬＳＩアダプタに実装されたソケットへの半導体装置の着脱および書き込み電圧の印加により、ソケットのコンタクト部にダメージ、つまり、機械的な摩耗および絶縁物の付着等が発生する。このため、上述のコネクタと同様に、ＬＳＩアダプタまたはソケットの交換が必要になる。
【０００５】
しかしながら、ＬＳＩアダプタのソケットの場合には、上述の従来方法では必ずしも適切な交換時期を予測できないという問題があった。すなわち、コネクタは、一般的に、オス、メスともにコンタクト部が金メッキされているが、半導体装置の外部端子は、従来、Ｓｎ−Ｐｂ（スズ−鉛）メッキが施されていた。このため、半導体装置の着脱によってその外部端子から剥離したメッキ材がソケットのコンタクト部に付着し、これがコンタクト部への電圧印加によって酸化し、コンタクト部の接触抵抗を増大させるという問題があった。
【０００６】
特に、データ書き込みが１回（再利用不可。）しか許されないＯＴＰ（ One Time Programmable ）マイコンなどの場合、書き込み不良の発生は、生産計画（生産数量、顧客納期など。）への影響が甚大で製造コストを著しく増加させるという問題もあった。
【０００７】
近年、環境に配慮して鉛フリー化が進められており、Ｓｎ−Ｐｂメッキの代わりにＳｎ−Ａｇ（スズ−銀）メッキまたはＳｎ−Ｂｉ（スズ−ビスマス）メッキなどが使用されるようになっている。しかし、電圧印加による酸化については、これらは必ずしもＳｎ−Ｐｂメッキより優れているとはいえず、コンタクト部への付着物の酸化による接触抵抗の増大という問題は、今後、ますます重要になっていくと思われる。
【特許文献１】特開平１１−１６２５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、コンタクト部への電圧印加に起因する接触抵抗の増加を適切に推測することができるＬＳＩアダプタおよびその制御方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、半導体装置の着脱が可能な装着手段と、前記装着手段に装着される半導体装置の外部端子に接触するよう前記装着手段に設けられたコンタクト手段と、前記外部端子との間で授受される信号が前記コンタクト手段を流れる累積時間を計測して、当該累積時間の状態を外部に通知する監視手段を有することを特徴とするＬＳＩアダプタが提供される。
【００１０】
本発明の別の一態様によれば、半導体装置の着脱が可能で、装着される半導体装置の外部端子に接触するよう設けられたコンタクト手段を備えたＬＳＩアダプタの制御方法であって、前記外部端子との間で授受される信号が前記コンタクト手段を流れる累積時間を計測する計数ステップと、前記計数ステップで計測された前記累積時間の状態を判定する判定ステップと、前記判定ステップで前記累積時間があらかじめ定められた所望の状態である場合に、当該累積時間の状態を外部に通知する通知ステップを有することを特徴とするＬＳＩアダプタの制御方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ＬＳＩアダプタまたはそのソケットの交換時期を適切に判定することができるので、コンタクト部の接触抵抗増大に起因する不良品の発生を抑制でき、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施例を説明する。
【実施例】
【００１３】
図１は、本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタを示すシステム図である。ここでは、外部制御機器であるＥＰＲＯＭライタ１２とＯＴＰマイコン１３の間に介在して、パッケージタイプの変換機能およびピン接続の変換機能を持つＬＳＩアダプタ１１を示した。また、説明のため、一例として、ＯＴＰマイコン１３は、対向するパッケージ側面に外部端子が設けられたＤＩＰタイプを示した。
【００１４】
本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタ１１は、ＯＴＰマイコン１３の外部端子を押圧する複数のコンタクト部１４、ＯＴＰマイコン１３を着脱可能なソケット１５、およびＯＴＰマイコン１３へのデータ書き込み回数をカウントするモニタ部１６を備えている。
【００１５】
ソケット１５は、ＯＴＰマイコン１３の外部端子に対応して複数のコンタクト部１４が設けられ、それらコンタクト部１４は、それぞれＯＴＰマイコン１３の外部端子に接触するよう対向して２列に配置されている。また、ソケット１５は、ＬＳＩアダプタ１１のベースとなるプリント基板上に固定されており、同じ基板上にモニタ部１６が実装されている。
【００１６】
さらに、ソケット１５には、ＥＰＲＯＭライタ１２からの電源（以下、「ＶＤＤ」という。）、１６ビットのアドレスバス（以下、「ＡＢＵＳ」という。）、１６ビットのデータバス（以下、「ＤＢＵＳ」という。）、およびコントロールバス（以下、「ＣＢＵＳ」という。）が接続されている。
【００１７】
これらの信号線は、ソケット１５中で、それぞれの対応するコンタクト部１４に電気的に接続されている。
【００１８】
そして、モニタ部１６の第１の入力にはＶＤＤが接続され、モニタ部１６の第２の入力にはＡＢＵＳの最下位ビット（以下、「Ａ０」という。）が接続されている。
【００１９】
コンタクト部１４は、弾性に富む導電材料で形成され、その表面には金（Ａｕ）メッキが施されている。そして、その弾性によってＯＴＰマイコン１３の外部端子を押圧し、十分低い接触抵抗で電気的な接続を確保するとともに、ＯＴＰマイコン１３をソケット１５上に固定する。
【００２０】
ソケット１５に装着されたＯＴＰマイコン１３にプログラムなどのデータを書き込むＥＰＲＯＭライタ１２は、汎用ＥＥＰＲＯＭなどの書き込みに使用されるものである。
【００２１】
このため、ＶＤＤ、ＡＢＵＳ、ＤＢＵＳ、およびＣＢＵＳの配線は、ＥＰＲＯＭライタ１２上にあるＥＥＰＲＯＭソケット（ＤＩＰ３２またはＤＩＰ４８に対応した形状。）に変換コネクタによって接続されている。
【００２２】
モニタ部１６は、入力されたＶＤＤおよびＡ０に基づいて、ＥＰＲＯＭライタ１２が実行するＯＴＰマイコン１３へのデータ書き込み回数をカウントする。これにより、モニタ部１６は、コンタクト部１４を流れる信号の累積時間を計測する。そして、累積時間が所定の値に達すると表示器２６を用いて警告を外部に通知する。
【００２３】
ここで重要なことは、量産時におけるＯＴＰマイコン１３への１回のデータ書き込み時間が、ＯＴＰマイコン１３の種類と書き込むデータ量、すなわち、例えば、書き込まれるプログラムのバージョンなどによってほぼ一定であるということである。
【００２４】
したがって、モニタ部１６でＯＴＰマイコン１３へのデータ書き込み回数をカウントすることで、コンタクト部１４を流れる信号の累積時間をほぼ正確に計測することができる。
【００２５】
図２は、本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタ１１におけるモニタ部１６の構成を示す回路ブロック図である。
【００２６】
本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタ１１におけるモニタ部１６は、６つの制御信号（以下、「Ｓ１〜Ｓ６」という。）を生成するシーケンサ２１、カウントアップ信号（以下、「Ｃｎｔ」という。）を生成するＤラッチ２２、書き込み回数をカウントするカウンタ２３、書き込み回数を記憶するメモリ２４、内部データバス（以下、「Ｄａｔａ」という。）をドライブするバスバッファ２５、およびエラーを外部へ通知する表示器２６を備えている。
【００２７】
シーケンサ２１のクロック入力端子ＣＬＫにはＡ０が接続され、シーケンサ２１の第１の出力端子にはＳ１が接続され、シーケンサ２１の第２の出力端子にはＳ２が接続され、シーケンサ２１の第３の出力端子にはＳ３が接続され、シーケンサ２１の第４の出力端子にはＳ４が接続され、シーケンサ２１の第５の出力端子にはＳ５が接続され、シーケンサ２１の第６の出力端子にはＳ６が接続されている。
【００２８】
Ｄラッチ２２のクロック入力端子ＣＫにはＡ０が接続され、Ｄラッチ２２の電源端子およびデータ入力端子ＤにはＶＤＤが接続され、Ｄラッチ２２のデータ出力端子ＱにはＣｎｔが接続され、Ｄラッチ２２のリセット端子／ＣＬＲ（以下、負論理の端子は端子名の先頭に“／”をつけて表す。）にはシーケンサ２１からのＳ５が接続されている。
【００２９】
カウンタ２３の１６ビットのデータ入力端子ＤＩにはＤａｔａが接続され、カウンタ２３の１６ビットのデータ出力端子ＤＯには別の内部データバスＤＡが接続され、カウンタ２３の第１の制御端子／ＬＯＡＤにはシーケンサ２１からのＳ４が接続され、カウンタ２３の第２の制御端子ＵＰにはＤラッチ２２からのＣｎｔが接続され、カウンタ２３の電源端子にはＶＤＤが接続されている。
【００３０】
メモリ２４の読み出し制御端子／ＲＤにはシーケンサ２１からのＳ１が接続され、メモリ２４の書き込み制御端子／ＷＲにはシーケンサ２１からのＳ２が接続され、メモリ２４の選択制御端子／ＣＥにはシーケンサ２１からのＳ３が接続され、メモリ２４の１６ビットのデータ端子ＤＱにはＤａｔａが接続され、メモリ２４のアドレス端子ＡＤには基準電位ＧＮＤが接続され、メモリ２４の電源端子にはＶＤＤが接続されている。
【００３１】
バスバッファ２５の１６ビットのデータ入力端子Ａにはカウンタ２３からのＤＡが接続され、バスバッファ２５の１６ビットのデータ出力端子ＢにはＤａｔａが接続され、バスバッファ２５の制御端子／Ｇにはシーケンサ２１からのＳ６が接続され、バスバッファ２５の電源端子にはＶＤＤが接続されている。
【００３２】
そして、Ｄａｔａの１５ビット目（以下、「Ｄａｔａ＿Ｄ１４」という。）が表示器２６のデータ入力へ接続されている。
【００３３】
Ｄラッチ２２は、／ＣＬＲに入力される“Ｌ”レベルによってＱが“Ｌ”に初期化され、／ＣＬＲが“Ｈ”レベルになった後、ＣＫに入力されるＡ０の最初の立ち上がりでＱが“Ｈ”に遷移する。そして、再度／ＣＬＲに“Ｌ”が入力されるまでＱはその状態を維持する。
【００３４】
カウンタ２３は、１６ビットパラレル入力付きのバイナリアップカウンタであり、／ＬＯＡＤに入力される“Ｌ”レベルでＤＩから１６ビットデータを取り込み、ＵＰに入力される“Ｈ”パルスの立ち上がりで、取り込んだデータを１６ビットの２進数としてカウントアップする。
【００３５】
ＤＯには、１６ビットのデータが常にパラレルに出力されている。また、電源ＯＮ直後の出力は初期化されず、出力値は不定である。
【００３６】
バスバッファ２５は、１６ビットのトライステート出力を持ち、／Ｇに“Ｌ”レベルが入力されている間、Ａに入力されている１６ビットのデータをＢへ出力する。／Ｇが“Ｈ”の間は、Ｂの出力はＨｉ−Ｚ（高インピーダンス状態）となり、ＢはＤａｔａから電気的に切り離される。
【００３７】
メモリ２４は、１６ビットワード長の電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ（以下、「ＥＥＰＲＯＭ」という。）であり、／ＲＤ、／ＷＲ、および／ＣＥに入力されるＳ１〜Ｓ３に基づいて、ＤＱを介してＤａｔａとの間で１６ビットデータを入出力する。
【００３８】
ＡＤにはＧＮＤが接続されているため、アクセスされるアドレスは常に“００００ｈ”（以下、１６進数は数字の最後に“ｈ”をつけて表す。）である。
【００３９】
メモリ２４は、ＥＥＰＲＯＭであるので、ＶＤＤが切れても記憶されたデータが失われることはない。また、メモリ２４は、モニタ部１６が書き込み回数のモニタをはじめる前に、専用のリセット回路（図示していない。）によって初期化（データが“００００ｈ”になる。）されている。
【００４０】
表示器２６は、図２に示したように、抵抗Ｒ、発光ダイオード２７（以下、「ＬＥＤ２７」という。）、およびドライバで構成され、抵抗Ｒの一端はＶＤＤに接続され、抵抗Ｒの他端はＬＥＤ２７のアノードに接続され、ＬＥＤ２７のカソードはドライバの出力に接続され、ドライバの入力は表示器２６のデータ入力としてＤａｔａ＿Ｄ１４に接続されている。
【００４１】
ドライバは、オープンドレイン出力のインバータであり、Ｄａｔａ＿Ｄ１４が“Ｈ”になるとＬＥＤ２７のカソードを“Ｌ”レベルにしてＬＥＤ２７を点灯させる。また、抵抗Ｒは、ＬＥＤ２７が点灯した時の順方向電流を制限する。
【００４２】
シーケンサ２１は、ＣＬＫに入力されるＡ０に基づいてＳ１〜Ｓ６を生成する。Ｓ１は、メモリ２４の／ＲＤへ供給され、メモリ２４の読み出し動作を制御する。Ｓ２は、メモリ２４の／ＷＲへ供給され、メモリ２４の書き込み動作を制御する。
【００４３】
Ｓ３は、メモリ２４の／ＣＥへ供給され、メモリ２４の選択を制御する。Ｓ４は、カウンタ２３の／ＬＯＡＤへ供給され、カウンタ２３でのＤａｔａ取り込み動作を制御する。Ｓ５は、Ｄラッチ２２の／ＣＬＲへ供給され、Ｄラッチ２２のリセット動作を制御する。
【００４４】
そして、Ｓ６は、バスバッファ２５の／Ｇへ供給され、バスバッファ２５のトライステート出力を制御する。
【００４５】
図には示していないが、シーケンサ２１は、Ａ０をカウントアップするバイナリカウンタと、そのパラレル出力から所望のカウント値をそれぞれ抽出し論理演算を行うロジック回路とから構成されている。シーケンサ２１の詳細な動作は、図５を用いて後述する。
【００４６】
次に、ＬＳＩアダプタ１１におけるモニタ部１６の動作について説明する。
【００４７】
図３は、本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタ１１におけるモニタ部１６の動作の一例を示すタイミング図である。ここでは、ＥＰＲＯＭライタ１２が１回目の書き込み動作を行う時のモニタ部１６の動作タイミングを示した。
【００４８】
図３上部に示したｔ０〜ｔ１６は、ＶＤＤの立ち上がりを起点（ｔ０）として、Ａ０の周期を単位とする時刻を表している。
【００４９】
ここで、クロック信号の代替としてＡ０を用いているのは、Ａ０がＡＢＵＳの最下位ビットであり、ＯＴＰマイコン１３へのデータ書き込み時には、ＡＢＵＳの１６ビットの中で一番短い周期でその論理レベルが変化しているためである。
【００５０】
また、図３で、各信号名についている（）内には、その信号が主に接続されている回路ブロックの端子名が記されている。例えば、“Ａ０（ＣＬＫ，ＣＫ）”は、Ａ０がシーケンサ２１のＣＬＫおよびＤラッチ２２のＣＫに接続されていることを示している。
【００５１】
さらに、信号波形中のハッチング部分は、その信号が不定であることを示し、Ｃｎｔ中にある矢印は、カウンタ２３のＵＰがエッジトリガで動作することを示している。
【００５２】
ソケット１５にＯＴＰマイコン１３が装着され、プログラムデータの書き込みが開始されると、まず、ＥＰＲＯＭライタ１２からＶＤＤが供給（ｔ０）される。そして、次のＡ０の立ち下がり（ｔ１）で、シーケンサ２１からのＳ３およびＳ５が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへ遷移すると、書き込み回数の読み出し動作とカウントアップ動作が開始される。
【００５３】
すなわち、ｔ１で、Ｓ３の“Ｌ”を受けてメモリ２４が選択され、Ｓ５の“Ｌ”を受けてＤラッチ２２が初期化され、Ｃｎｔに“Ｌ”が出力される。
【００５４】
次に、ｔ２で、Ｓ１が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移すると、メモリ２４が読み出し動作を開始する。書き込み回数の最初の読み出しでは、メモリ２４の初期データである“００００ｈ”が、ｔ３で、Ｄａｔａへ出力される。
【００５５】
次に、ｔ４で、Ｓ４が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへ遷移すると、Ｄａｔａに読み出された“００００ｈ”が、カウンタ２３にロードされ、それがＤＯを介してＤＡへ出力される。
【００５６】
次に、ｔ６で、Ｓ１が“Ｌ”レベルから“Ｈ”へ遷移すると、メモリ２４の出力ＤＱはＤａｔａから電気的に切り離され、ＤａｔａはＨｉ−Ｚ状態になる。ここで、Ｓ４は、ｔ５で、“Ｈ”レベルに戻っているので、ＤａｔａがＨｉ−Ｚ状態になっても、カウンタ２３の出力であるＤＡの値が変化することはない。
【００５７】
次に、ｔ７で、Ｓ５が“Ｈ”レベルへ復帰すると、Ｄラッチ２２のリセットが解除されるので、次のＡ０の立ち上がりでＣｎｔが“Ｈ”レベルへ遷移する。そして、このＣｎｔの立ち上がりでカウンタ２３がカウントアップされ、ＤＡが“００００ｈ”から“０００１ｈ”へ変化する。
【００５８】
次に、ｔ９で、Ｓ６が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへ遷移すると、バスバッファ２５によってＤＡの“０００１ｈ”がＤａｔａへ出力される。
【００５９】
このようにして、カウントアップされた書き込み回数がＤａｔａに出力されると、これを記憶しておくために、メモリ２４への書き込み動作が開始される。すなわち、ｔ１０で、Ｓ２が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへ遷移すると、Ｄａｔａ上の“０００１ｈ”がメモリ２４へ書き込まれる。
【００６０】
そして、ｔ１４で、Ｓ２およびＳ３が“Ｈ”レベルに遷移すると、メモリ２４へのアクセスが終了する。
【００６１】
図３に示した１回目のカウントアップでは、Ｄａｔａ＿Ｄ１４は“Ｌ”のままなので、表示器２６のＬＥＤ２７は点灯しない。
【００６２】
ＯＴＰマイコン１３へのプログラムデータの書き込みが終了し、ＯＴＰマイコン１３がソケット１５から外されると、書き込み回数の１回目のモニタが終了する。
【００６３】
ＯＴＰマイコン１３にプログラムデータを書き込むたびに、このようなモニタ動作が繰り返され、メモリ２４に記憶される書き込み回数がカウントアップされていく。
【００６４】
図４は、本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタ１１におけるモニタ部１６の動作の一例を示す別のタイミング図である。ここでは、図１に示したコンタクト部１４の使用可能な許容範囲が１６３８４回の書き込み時間に相当する場合、すなわち、ＥＰＲＯＭライタ１２が１６３８４（４０００ｈ）回目の書き込み動作を行う場合を示した。
【００６５】
図４上部に示したｔ０〜ｔ１６は、図３と同様に、時刻を表している。また、信号名および波形の記法についても、図３と同様である。
【００６６】
図４に示したＶＤＤからＳ６までの波形およびそれらにかかわる各部の回路動作は、図３と同様なので詳しい説明は省略する。
【００６７】
図３との違いは、書き込み回数が異なる、すなわち、メモリ２４から読み出されてカウントアップされる書き込み回数が“００００ｈ”ではなく“３ＦＦＦｈ”になっており、カウントアップされメモリ２４へ書き込まれる書き込み回数が“０００１ｈ”ではなく“４０００ｈ”になっていることと、ｔ９でＬＥＤ２７が点灯することである。
【００６８】
図４に示したように、ｔ９で、Ｓ６が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへ遷移しＤａｔａに“４０００ｈ”が出力されると、Ｄａｔａの１５ビット目であるＤａｔａ＿Ｄ１４が“Ｈ”レベルに遷移し、ドライバがＬＥＤ２７のカソードを“Ｌ”にドライブしてＬＥＤ２７を点灯させる。
【００６９】
これにより、ＯＴＰマイコン１３への書き込み回数、つまり、ソケット１５のコンタクト部１４を流れる信号の累積時間が所定の値に達したことが外部へ通知される。
【００７０】
図５は、本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタ１１のモニタ部１６におけるシーケンサ２１の動作を示すタイミング図である。ここでは、主に、１回のモニタ動作にかかわる部分を示した。
【００７１】
図５上部に示したｔ０〜ｔ１６は、図３と同様に、時刻を表している。また、信号名の記法についても、図３と同様である。さらに、信号名の下にある［］内には、その信号を生成するための論理式が示されている。
【００７２】
はじめに、シーケンサ２１の内部信号Ｔ１〜Ｔ１４について説明する。Ｔ１〜Ｔ１４は、それぞれ、所定の時刻でその出力レベルが遷移する信号である。すなわち、Ｔ１はｔ１で“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへ立ち下がる信号であり、Ｔ２はｔ２で“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへ立ち下がる信号であり、Ｔ４はｔ４で“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへ立ち下がる信号であり、Ｔ５はｔ５で“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルへ立ち上がる信号であり、Ｔ６はｔ６で“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルへ立ち上がる信号であり、Ｔ７はｔ７で“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルへ立ち上がる信号であり、Ｔ９はｔ９で“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへ立ち下がる信号であり、Ｔ１０はｔ１０で“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルへ立ち下がる信号であり、Ｔ１４はｔ１４で“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベルへ立ち上がる信号である。
【００７３】
これらの信号は、Ａ０をカウントアップするバイナリカウンタとその出力であるカウント値を所定の値と比較するコンパレータにより容易に生成することができる。
【００７４】
Ｓ１〜Ｓ６は、図５に示したように、Ｔ１〜Ｔ１４の所望の組み合わせで論理演算することにより生成される。すなわち、Ｓ１はＴ２とＴ６の論理和で生成され、Ｓ２はＴ１０とＴ１４の論理和で生成され、Ｓ３はＴ１とＴ１４の論理和で生成され、Ｓ４はＴ４とＴ５の論理和で生成され、Ｓ５はＴ１とＴ７の論理和で生成される。
【００７５】
また、Ｓ６はＴ９を演算せずにそのまま出力する。ここで、論理演算は正論理、つまり、“Ｈ”レベルが論理値“１”に対応し、“Ｌ”レベルが論理値｀０”に対応している。
【００７６】
次に、上述した構成を持つＬＳＩアダプタ１１の制御方法について説明する。
【００７７】
図６は、本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタ１１の制御方法を示すフロー図である。ここでは、主に、モニタ部１６の動作にかかわる部分を示した。
【００７８】
本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタ１１の制御方法は、装着ステップ６１、累積時間の計数ステップ６２、累積時間の判定ステップ６３、外部への通知ステップ６４、および取り外しステップ６５とから構成される。
【００７９】
装着ステップ６１では、プログラムなどのデータを書き込むべきＯＴＰマイコン１３がＬＳＩアダプタ１１のソケット１５に装着され、ＥＰＲＯＭライタ１２からＶＤＤが供給される。
【００８０】
計数ステップ６２では、モニタ部１６は、メモリ２４に書き込まれている書き込み回数を読み出し、これをカウントアップする。これにより、モニタ部１６は、コンタクト部１４を流れる信号の累積時間を計測する。カウントアップされた書き込み回数は、次の書き込み動作に備えて、メモリ２４へ書き戻される。
【００８１】
判定ステップ６３では、モニタ部１６は、計数ステップ６２でカウントアップした書き込み回数を判定する。書き込み回数が１６３８４（４０００ｈ）より小さく、コンタクト部１４を流れる信号の累積時間が許容範囲内であれば、ＬＳＩアダプタ１１の制御は取り外しステップ６５へ移行する。
【００８２】
書き込み回数が１６３８４（４０００ｈ）に達し、累積時間が許容範囲を超えた場合には、モニタ部１６は、通知ステップ６４へ移行する。
【００８３】
通知ステップ６４で、モニタ部１６は、ＬＥＤ２７を点灯させて、コンタクト部１４を流れる信号の累積時間が許容範囲の上限に達したことを外部へ警告する。そして、ＬＳＩアダプタ１１の制御は取り外しステップ６５へ移行する。
【００８４】
取り外しステップ６５では、ＯＴＰマイコン１３がソケット１５から取り外され、一連の書き込み動作が終了する。
【００８５】
上記実施例によれば、ＯＴＰマイコン１３への書き込み回数をモニタすることにより、ＬＳＩアダプタ１１またはそのソケット１５の交換時期を適切に判定することができるので、コンタクト部１４の接触抵抗増大に起因するデータの書き込み不良を事前に抑止でき、ＯＴＰマイコン１３の製造コストを大幅に低減することができる。
【００８６】
上述の実施例では、ＬＳＩアダプタ１１は外部制御機器であるＥＰＲＯＭライタ１２とＯＴＰマイコン１３の間に介在するとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、原理的にはパッケージの変換機能またはピン接続の変換機能を持つＬＳＩアダプタに広く適用することができる。
【００８７】
例えば、ワンチップマイコンやＥＥＰＲＯＭなど同じ種類のＬＳＩに同一のデータを書き込む生産工程、あるいは、同一のテスト内容で同じ種類のＬＳＩを繰り返し検査するテスト工程などで使用するＬＳＩアダプタに応用することができる。
【００８８】
また、上述の実施例では、ソケット１５は、コンタクト部１４の弾性を利用したＤＩＰタイプ対応品であるとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、いわゆるゼロプレッシャータイプでも良い。さらには、対応するパッケージもＤＩＰタイプに限られるものではない。
【００８９】
さらに、上述の実施例では、メモリ２４は１６ビットワード長のＥＥＰＲＯＭであるとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、バックアップ電源を持つＳＲＡＭを使用することもできる。また、データ入出力がシリアルタイプのメモリを使用しても良い。
【００９０】
さらに、上述の実施例では、モニタ部１６は、ＶＤＤ立ち上がり後のＡ０のレベル変化に基づいて書き込み回数をカウントするとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、他の信号を使用して、その論理レベルの変化に基づいてカウントするようにしても良い。
【００９１】
さらに、上述の実施例では、表示器２６は、Ｄａｔａ＿Ｄ１４がドライブするとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、Ｄａｔａのカウント値そのものを表示するようにしても良い。また、表示の代わりに警告音を発して外部にカウント値の状態を通知するようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタを示すシステム図。
【図２】本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタにおけるモニタ部の構成を示す回路ブロック図。
【図３】本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタにおけるモニタ部の動作の一例を示すタイミング図。
【図４】本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタにおけるモニタ部の動作の一例を示す別のタイミング図。
【図５】本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタのモニタ部におけるシーケンサの動作を示すタイミング図。
【図６】本発明の実施例に係わるＬＳＩアダプタの制御方法を示すフロー図。
【符号の説明】
【００９３】
１１  ＬＳＩアダプタ
１２  ＥＰＲＯＭライタ
１３  ＯＴＰマイコン
１４  コンタクト部
１５  ソケット
１６  モニタ部
２１  シーケンサ
２２  Ｄラッチ
２３  カウンタ
２４  メモリ
２５  バスバッファ
２６  表示器
２７  発光ダイオード（ＬＥＤ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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