(57)【要約】【課題】  半導体チップを配線基板に実装するダイボンディング工程の高速化と半導体パッケージの製造歩留まりの向上を図る。【解決手段】  ペースト塗布装置３０は、駆動部とこの駆動部に支持された可動部とで構成されている。可動部は、駆動部のモータ３１の回転により、主軸３６に沿って上下動するホルダ本体４０と、このホルダ本体４０にネジ止めされたノズルホルダ４１とを備えている。ノズルホルダ４１には、シリンジ４２の下端に取り付けられたノズル４３がネジ止めされている。ペースト塗布装置３０は、駆動部の主軸支持部３４に固定された高さセンサ３７を使用して、駆動部に対する可動部の経時的な位置ずれ量を検出し、この位置ずれ量に基づいて可動部の下降距離を補正する。【選択図】  図６
2006041031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上に複数の半導体チップが並列に実装されたベース基板をＸＹテーブル上に載置し、前記ＸＹテーブルの上方のペースト塗布装置に設置されたペーストを供給するノズルを前記複数の半導体チップのそれぞれの表面に順次近接させながら、ペーストを供給する工程を有し、
前記ペースト塗布装置は、前記ＸＹテーブルの上方で水平方向に移動される駆動部と、前記駆動部に支持され、かつ前記駆動部によって上下方向に移動される可動部と、前記可動部に支持された前記ノズルとを備え、
前記複数の半導体チップのそれぞれの表面に前記ペーストを供給する工程は、
（ａ）前記ペースト塗布装置の前記駆動部に設置された第１測定手段を、前記複数の半導体チップの中の第１半導体チップの上方に移動させ、前記第１半導体チップの表面と前記第１測定手段との距離（Ａ）を測定する工程と、
（ｂ）前記ペースト塗布装置の前記可動部に支持された前記ノズルを、前記第１半導体チップの上方の待機位置に移動させた後、前記可動部を下降させることによって、前記ノズルを前記待機位置から前記第１半導体チップの表面まで下降させる工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記可動部を上昇させることによって、前記ノズルを前記第１半導体チップの表面に近接した第１吐出位置まで上昇させる工程と、
（ｄ）前記ノズルを前記第１吐出位置から前記待機位置まで上昇させた後、前記ノズルが前記第１吐出位置から前記待機位置まで上昇する間に前記可動部が上昇した距離（Ｂ）を測定する工程と、
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記駆動部に設置された前記第１測定手段を、前記複数の半導体チップの中の第２半導体チップの上方に移動させ、前記第２半導体チップの表面と前記第１測定手段との距離（Ａ’）を測定する工程と、
（ｆ）前記駆動部に設置された第２測定手段を用いて、前記工程（ａ）から前記工程（ｅ）までの間に生じた、前記駆動部に対する前記可動部の上下方向のずれ量（Ｃ）を測定する工程と、
（ｇ）前記工程（ｆ）の後、前記工程（ｂ）で測定した前記距離（Ａ）と前記工程（ｅ）で測定した前記距離（Ａ’）との差（Ａ−Ａ’）、および前記工程（ｆ）で測定した前記ずれ量（Ｃ）に基づいて前記距離（Ｂ）を補正した距離（Ｂ’）を算出する工程と、
（ｈ）前記ノズルを、前記第２半導体チップの上方の待機位置に移動させた後、前記可動部を前記距離（Ｂ’）だけ下降させることによって、前記ノズルを前記待機位置から前記第２半導体チップの表面に近接した第２吐出位置まで下降させる工程と、
（ｉ）前記工程（ｈ）の後、前記第２吐出位置にある前記ノズルから前記第２半導体チップの表面にペーストを供給する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数の半導体チップのそれぞれの表面に前記ペーストを塗布した後、前記複数の半導体チップのそれぞれの上に半導体チップを積層する工程をさらに有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記複数の半導体チップはメモリチップであり、前記メモリチップの上に積層する半導体チップはマイコンチップであることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｉ）の後、前記工程（ｅ）〜前記工程（ｉ）を繰り返すことによって、前記複数の半導体チップのうち、前記第１および第２半導体チップを除いた全ての半導体チップの表面に、前記ペーストを供給することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ペーストの粘度は、８００ポイズ以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１半導体チップは、製品チップとして使用しないチップであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１測定手段は、前記第１半導体チップの表面に光を照射する手段と、前記第１半導体チップの表面に照射した前記光の反射光を検出することによって、前記距離（Ａ）を測定する手段を備えていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記可動部を上下動させる手段はモータであり、前記モータの回転数によって、前記距離（Ｂ）を測定することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１半導体チップの表面から前記第２吐出位置までの高さは、７０μｍ〜１３０μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１吐出位置にある前記ノズルの高さと、前記第２吐出位置にある前記ノズルの高さとの差（Ｓ）を測定する第３測定手段をさらに有し、前記（Ｓ）に基づいて前記工程（ｇ）で算出された前記距離（Ｂ’）を補正した距離（Ｂ’’）を算出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
表面に複数の被塗布領域を有する被塗布ベースが載置されるＸＹテーブルと、前記ＸＹテーブルの上方で水平方向に移動される駆動部と、前記駆動部に支持され、かつ前記駆動部によって上下方向に移動される可動部と、前記可動部に支持されたペースト供給用ノズルとを備え、
前記ＸＹテーブルの上方で前記可動部を上下方向に移動させ、前記ＸＹテーブル上に載置された前記被塗布ベースの表面に前記ノズルを近接、離間させることによって、前記複数の被塗布領域のそれぞれの表面に順次ペーストを供給するペースト塗布装置であって、
前記駆動部から、前記ＸＹテーブル上に載置された前記被塗布ベースまでの距離を測定する第１測定手段と、
前記可動部が上下方向に移動する距離を測定する距離測定手段と、
前記駆動部に対する前記可動部の経時的な位置ずれを測定する第２測定手段とを備えたことを特徴とするペースト塗布装置。
【請求項１２】
前記第１測定手段は、前記駆動部に設置されており、前記被塗布ベースの表面に照射した光の反射光を検出することによって、前記駆動部から前記被塗布ベースまでの距離を測定することを特徴とする請求項１１記載のペースト塗布装置。
【請求項１３】
前記可動部を上下動させる手段はモータであり、前記距離測定手段は、前記モータの回転数によって、前記可動部の移動距離を測定することを特徴とする請求項１１記載のペースト塗布装置。
【請求項１４】
前記第２測定手段は、前記駆動部に設置されており、前記可動部に設置された基準マークの位置の変化を検出することによって、前記駆動部に対する前記可動部の経時的な位置ずれを測定することを特徴とする請求項１１記載のペースト塗布装置。
【請求項１５】
前記ノズルを前記被塗布ベースの表面から７０μｍ〜１３０μｍの高さまで近接させて前記ペーストを塗布することを特徴とする請求項１１記載のペースト塗布装置。
【請求項１６】
前記ペーストの粘度は、８００ポイズ以上であることを特徴とする請求項１１記載のペースト塗布装置。
【請求項１７】
前記ノズルが前記被塗布ベースの表面に近接したときの高さを測定する第３測定手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１１記載のペースト塗布装置。
【請求項１８】
前記被塗布ベースは、配線基板であり、前記複数の被塗布領域のそれぞれには、半導体チップが実装されることを特徴とする請求項１１記載のペースト塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、接着ペーストを用いて半導体チップを配線基板などに接着するダイボンディング工程を有する半導体装置の製造に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルカメラ、携帯端末通信などの小型電子機器分野では、半導体装置の高密度実装を推進する目的で、小型配線基板上に複数の半導体チップを三次元的に実装する積層パッケージが実用化されている。
【０００３】
配線基板上に半導体チップを接着したり、半導体チップの上にさらに半導体チップを接着したりするダイボンディング方法としては、あらかじめ半導体チップの裏面にダイ・アタッチ・フィルム(Die Attach Film)と呼ばれる粘着剤付きテープを貼り付けておき、このダイ・アタッチ・フィルムを加熱して半導体チップを下地に接着する方法と、配線基板や半導体チップの表面にペースト塗布装置を使って接着ペースト（以下、単にペーストという）を塗布し、その上に半導体チップを接着する方法とが用いられている。
【０００４】
特許文献１（特開平８−５７３８２号公報）は、板状ワークの表面に液体材料を塗布するノズルに隣接して、ノズルと一体的に移動される複数の高さセンサを設け、反りのある板状ワークの表面に液体材料を正確に塗布できるようにした液体塗布ノズルの高さ検知装置およびそれを用いたノズル高さ制御方法を開示している。
【特許文献１】特開平８−５７３８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、半導体パッケージの組み立て工程は、装置の高性能化に伴って高速化が進んでいることから、ダイボンディング工程においてもその高速化が要求されている。ところが、上記した２種類のダイボンディング方法のうち、ダイ・アタッチ・フィルムと呼ばれる粘着剤付きテープを使用する方法は、ダイ・アタッチ・フィルムを貼り付けた半導体チップを加圧、加熱しながら粘着剤を硬化させるので、接着に時間がかかるという問題がある。また、ダイ・アタッチ・フィルムは、その製造コストが高価であるという問題もある。
【０００６】
一方、ペースト塗布装置は、ペーストを充填する容器であるシリンジとその下端部に取り付けられたノズルとを備えており、シリンジ内に充填されたペーストを空気圧などによってノズルの開口部から吐出する構造になっている。ペースト供給用のノズルには、シングルノズル、マルチノズル、幅広ノズルなど、形状の異なる種々のものが知られているが、特に、シングルノズルを複数個束ねたマルチノズルは、複数のノズルの開口部から同時にペーストを吐出するので、ペーストを広い面積に短時間で塗布することができる利点がある。
【０００７】
ペーストを用いて半導体チップを接着する方法の場合、半導体チップを短時間で接着させるためには、ペースト中の揮発分（溶剤）の含有量を減らした高粘度のペーストを使用する必要があるが、高粘度のペーストを配線基板や半導体チップの塗布面に迅速に供給するためには、ノズルの先端を塗布面から７０μｍ〜１３０μｍ程度の距離まで接近させて塗布しなければならない。
【０００８】
ところが、配線基板や半導体チップの表面には微小な反りや凹凸が存在する。また、ペースト塗布装置は、ネジを用いた組み付けによってシリンジやノズルホルダを装置本体に固定しているので、塗布作業を繰り返している間にネジの緩みなどが発生し、装置の可動部が固定部に対して位置ずれを引き起こす。
【０００９】
そのため、ノズルの先端と塗布面との隙間を常に７０μｍ〜１３０μｍ程度に維持することが困難である。特に、積層パッケージのダイボンディング工程では、配線基板上に実装された半導体チップの表面にペーストを供給するので、ノズルの先端が半導体チップの表面に接触すると、微細な欠けおよび亀裂(チッピング)が発生し、あるいは回路が損傷されてしまう。
【００１０】
本発明の目的は、ペーストを用いたダイボンディング工程の製造歩留まりを向上させる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、ペースト供給用ノズルと被塗布ベースとの隙間を高精度に制御することのできるペースト塗布装置を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、配線基板上にペーストを用いて半導体チップを積層する半導体パッケージの製造コストを低減することのできる技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法は、主面上に複数の半導体チップが並列に実装されたベース基板をＸＹテーブル上に載置し、前記ＸＹテーブルの上方のペースト塗布装置に設置されたペースト供給用ノズルを前記複数の半導体チップのそれぞれの表面に順次近接させながら、ペーストを供給する工程を有し、
前記ペースト塗布装置は、前記ＸＹテーブルの上方で水平方向に移動される駆動部と、前記駆動部に支持され、かつ前記駆動部によって上下方向に移動される可動部と、前記可動部に支持された前記ノズルとを備え、
前記複数の半導体チップのそれぞれの表面に前記ペーストを供給する工程は、
（ａ）前記ペースト塗布装置の前記駆動部に設置された第１測定手段を、前記複数の半導体チップの中の第１半導体チップの上方に移動させ、前記第１半導体チップの表面と前記第１測定手段との距離（Ａ）を測定する工程と、
（ｂ）前記ペースト塗布装置の前記可動部に支持された前記ノズルを、前記第１半導体チップの上方の待機位置に移動させた後、前記可動部を下降させることによって、前記ノズルを前記待機位置から前記第１半導体チップの表面まで下降させる工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記可動部を上昇させることによって、前記ノズルを前記第１半導体チップの表面に近接した第１吐出位置まで上昇させる工程と、
（ｄ）前記ノズルを前記第１吐出位置から前記待機位置まで上昇させた後、前記ノズルが前記第１吐出位置から前記待機位置まで上昇する間に前記可動部が上昇した距離（Ｂ）を測定する工程と、
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記駆動部に設置された前記第１測定手段を、前記複数の半導体チップの中の第２半導体チップの上方に移動させ、前記第２半導体チップの表面と前記第１測定手段との距離（Ａ’）を測定する工程と、
（ｆ）前記駆動部に設置された第２測定手段を用いて、前記工程（ａ）から前記工程（ｅ）までの間に生じた、前記駆動部に対する前記可動部の上下方向のずれ量（Ｃ）を測定する工程と、
（ｇ）前記工程（ｆ）の後、前記工程（ｂ）で測定した前記距離（Ａ）と前記工程（ｅ）で測定した前記距離（Ａ’）との差（Ａ−Ａ’）、および前記工程（ｆ）で測定した前記ずれ量（Ｃ）に基づいて前記距離（Ｂ）を補正した距離（Ｂ’）を算出する工程と、
（ｈ）前記ノズルを、前記第２半導体チップの上方の待機位置に移動させた後、前記可動部を前記距離（Ｂ’）だけ下降させることによって、前記ノズルを前記待機位置から前記第２半導体チップの表面に近接した第２吐出位置まで下降させる工程と、
（ｉ）前記工程（ｈ）の後、前記第２吐出位置にある前記ノズルから前記第２半導体チップの表面にペーストを供給する工程を含んでいる。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１７】
配線基板上にペーストを用いて半導体チップを積層する半導体パッケージの製造歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】
（実施の形態１）
本実施の形態は、配線基板上にシリコンチップを積み重ねて実装するスタック型ＢＧＡ(Ball Grid Array)の製造に適用したものである。
【００２０】
図１および図２に示すように、本実施の形態のＢＧＡは、一枚の配線基板（被塗布ベース）１の主面上にメモリチップ２Ａとマイコンチップ２Ｂとを重ねて実装し、これら２個のシリコンチップ（メモリチップ２Ａおよびマイコンチップ２Ｂ）をモールド樹脂３で封止したパッケージ構造を有している。
【００２１】
上記した２個のシリコンチップ（メモリチップ２Ａおよびマイコンチップ２Ｂ）のうち、下段のメモリチップ２Ａには、例えばフラッシュメモリが形成されている。フラッシュメモリが形成されたメモリチップ２Ａは、長方形の平面形状を有し、その主面（上面）の二つの短辺に沿って複数個のボンディングパッド４が形成されている。これらのボンディングパッド４は、Ａｕワイヤ６を介して配線基板１の電極８と電気的に接続されている。このメモリチップ２Ａは、ペースト（接着剤）１０によって配線基板１の表面に接着されている。
【００２２】
上記メモリチップ２Ａの上に積層されたマイコンチップ２Ｂには、例えばマイクロプロセッサ（ＭＰＵ：超小型演算処理装置）が形成されている。マイクロプロセッサが形成されたマイコンチップ２Ｂは、正方形の平面形状を有し、その主面（上面）の四辺に沿って複数個のボンディングパッド５が形成されている。これらのボンディングパッド５は、Ａｕワイヤ７を介して配線基板１の電極９と電気的に接続されている。このマイコンチップ２Ｂは、メモリチップ２Ａの中央部に配置され、ペースト（接着剤）１０によってメモリチップ２Ａの表面に接着されている。
【００２３】
上記２個のシリコンチップ（メモリチップ２Ａおよびマイコンチップ２Ｂ）は、モールド樹脂３によって封止されている。モールド樹脂３は、例えばシリコンフィラーが充填された熱硬化性エポキシ樹脂からなる。
【００２４】
上記２個のシリコンチップ（メモリチップ２Ａおよびマイコンチップ２Ｂ）が実装された配線基板１は、ガラス繊維を含んだエポキシ樹脂（ガラス・エポキシ樹脂）のような汎用樹脂を主体として構成され、その内層には、電極８または電極９と電気的に接続された複数層の配線１１が形成されている。また、配線基板１の下面には、これらの配線１１と電気的に接続された裏面電極１２が形成されている。裏面電極１２の表面には、ＢＧＡの外部接続端子を構成する半田バンプ１３が電気的に接続されている。図３は、配線基板１の下面に形成された裏面電極１２の配置を示す平面図である（半田バンプ１３の図示は省略）。
【００２５】
本実施の形態のＢＧＡは、上記半田バンプ１３を介して各種電子機器のマザーボードに実装される。すなわち、配線基板１は、メモリチップ２Ａとマイコンチップ２Ｂとをマザーボードに実装するための中継基板（インターポーザー）として機能する。配線基板１に形成された電極８、９、配線１１および裏面電極１２はＣｕからなる。また、電極８、９および裏面電極１２のそれぞれの表面には、例えばニッケル（Ｎｉ）などのメッキが施されている。配線基板１の上面および下面には、電極８、９および裏面電極１２の表面を除き、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂などからなるソルダレジスト１４がコーティングされている。
【００２６】
図４は、本実施の形態のＢＧＡの製造に用いるマルチ配線基板１００の主面（チップ実装面）を示す平面図、図５は、このマルチ配線基板１００の裏面を示す平面図である。
【００２７】
マルチ配線基板１００は、前記配線基板１の母体となる基板であり、図に示すダイシングラインＬに沿ってマルチ配線基板１００を格子状に切断（ダイシング）することにより、複数個の配線基板１が得られる。例えば図に示すマルチ配線基板１００は、その長辺方向が６個の配線基板領域に区画され、短辺方向が３個の配線基板領域に区画されているので、合計３×６＝１８個の配線基板１が得られる。各配線基板領域の主面には、前述した電極８、９が形成され、裏面には、前述した裏面電極１２が形成されている。また、図４および図５には示さないが、マルチ配線基板１００の内層には、前述した複数層の配線１１が形成されている。電極８、９および裏面電極１２は、マルチ配線基板１００に貼り付けたＣｕ箔をエッチングした後、その表面にメッキを施すことによって形成される。
【００２８】
なお、マルチ配線基板１００の製造工程では、上記配線基板領域単位で電極８、９および裏面電極１２と配線１１との導通試験を行ない、不良箇所がある配線基板領域の表面には、不良マーク（図示せず）を付ける。この不良マークは、それが付された配線基板領域にシリコンチップ（メモリチップ２Ａおよびマイコンチップ２Ｂ）を実装しないようにするための目印である。
【００２９】
図６は、上記マルチ配線基板１００の各配線基板領域にシリコンチップ（メモリチップ２Ａおよびマイコンチップ２Ｂ）を実装する工程（ダイボンディング工程）で使用するペースト塗布装置３０の主要部を示す概略図、図７は、図６に示すペースト塗布装置３０の可動部を示す概略図である。
【００３０】
ペースト塗布装置３０は、駆動部とこの駆動部に支持された可動部とで構成されている。駆動部は、可動部を上下方向に移動させるモータ３１と、高さ測定用のレーザ変位計（第１測定手段）３３とを備えており、モータ３１には主軸支持部３４が、レーザ変位計３３にはカメラ３５がそれぞれ固定されている。また、主軸支持部３４には、主軸３６および高さセンサ（第２測定手段）３７がそれぞれ固定されている。これらの部材で構成された駆動部は、ハンガー３８を介してガイドレール３９に吊り下げられており、図示しない移動機構により、ガイドレール３９に沿って水平方向に移動する。
【００３１】
ペースト塗布装置３０の可動部は、駆動部のモータ３１の回転により、主軸３６に沿って上下動するホルダ本体４０と、このホルダ本体４０にネジ止めされたノズルホルダ４１とを備えている。ホルダ本体４０は、主軸３６に固定されたＬブロック４４にネジ４６を介して固定されており、このネジ４６を外すことによって、可動部全体が駆動部から取り外せるようになっている。
【００３２】
可動部のノズルホルダ４１には、シリンジ４２の下端に取り付けられたノズル４３がネジ止めされている。図６および図７には示さないが、シリンジ４２の内部には、ペースト１０が充填されている。このペースト１０は、空気圧などによってノズル４３の先端から所定量が外部に吐出される。ペースト１０は、ダイボンディング工程において使用されている周知のエポキシ樹脂系ペースト、アクリル樹脂系ペースト、ビスマレイミド−トリアジン樹脂系ペーストなどである。ペースト１０は、マルチ配線基板１００とメモリチップ２Ａ、およびメモリチップ２Ａとマイコンチップ２Ｂを短時間で接着させるために、揮発分（溶剤）の含有量を少なくしてあるので、その粘度が非常に高い（例えば８００ポイズ〜１４００ポイズ）。このような高粘度のペースト１０を使用する場合、ノズル４３の先端がマルチ配線基板１００の表面から離れすぎていると、ペースト１０が吐出されても、ペースト１０がマルチ配線基板１００に触れず、高粘度であるペースト１０は表面張力によりノズル４３の先端に留まろうとする。この時、ノズル４３の先端からマルチ配線基板１００の表面までの距離は、１４０μｍ以上である。この結果、ペースト１０がマルチ配線基板１００の表面に塗布されるまで長時間を要するため、作業効率が低下する。このような高粘度のペースト１０をマルチ配線基板１００の表面に迅速に塗布するためには、高粘度のペースト１０が吐出された時、この吐出されたペースト１０がマルチ配線基板１００の表面に接触する距離まで、ノズル４３の先端を下降することが要求される。本実施の形態では、ノズル４３の先端をマルチ配線基板１００の表面から、例えば７０μｍ〜１３０μｍ程度の距離まで接近させて塗布する。これに対し、本実施の形態で使用するペースト１０よりも粘度は低く、かつ流動性のあるペーストを使用する場合、ノズル４３の先端からマルチ配線基板１００の表面までの距離が、例えば１４０μｍ以上離れていても塗布することは可能である。しかし、本実施の形態で使用するペースト１０よりも流動性があるため、ペーストがチップを搭載する領域からはみ出し、ボンディングパッドまで流出する恐れがある。ボンディングパッドにペーストが流出するとボンディング不良の原因となる。また粘度が低いと、ペーストの硬化時間は長くなるため、作業効率が低下する。
【００３３】
上記ペースト塗布装置３０の下方には、図示しない移動機構によって水平方向に移動するＸＹテーブル（載置台）４５が設置されている。
【００３４】
上記ペースト塗布装置３０を使って、マルチ配線基板１００にシリコンチップ（メモリチップ２Ａおよびマイコンチップ２Ｂ）を実装するには、まず、以下のような方法でマルチ配線基板１００の各配線基板領域にペースト１０を塗布する。
【００３５】
マルチ配線基板１００の表面にペースト１０を塗布するには、図８に示すように、ＸＹテーブル４５の上面にマルチ配線基板１００を載せる。マルチ配線基板１００は、その主面を上に向けた状態でＸＹテーブル４５の上に水平に位置決めされる。このとき、ペースト塗布装置３０は、ＸＹテーブル４５の上方の初期位置で待機している。
【００３６】
次に、図９に示すように、ペースト塗布装置３０の駆動部をマルチ配線基板１００の上方に水平移動させ、カメラ３５を使って不良マーク（図示せず）の位置と、最初にペースト１０を塗布する配線基板領域の位置とを検出する。カメラ３５によって検出された不良マークの位置情報は、ペースト塗布装置３０の制御部（図示せず）に入力され、不良マークが付された配線基板領域へのペースト１０の塗布が禁止される。
【００３７】
次に、図１０に示すように、カメラ３５によって検出された上記位置情報に基づいて駆動部を水平移動させ、最初にペースト１０を塗布する配線基板領域の上方にレーザ変位計３３を配置する。そして、レーザ変位計３３からこの配線基板領域にレーザ光を照射し、その反射光を検出することによって、レーザ変位計３３から配線基板領域までの垂直距離（Ｌ2）を測定する。
【００３８】
次に、ペースト塗布装置３０の駆動部を水平移動させ、上記配線基板領域の上方にノズル４３を位置決めする。そして、図１１に示すように、モータ３１を回転させることによって、可動部を下降させ、ノズル４３の先端を配線基板領域の表面に接触させる。そして、この位置からノズル４３の先端を７０μｍ〜１３０μｍ程度上昇させることによって、ノズル４３の吐出位置を決定した後、ノズル４３の先端から配線基板領域の表面にペースト１０を供給する。ここで、ノズル４３が前記図１０に示す待機位置から上記吐出位置まで下降した距離（Ｌ1）は、モータ３１の回転数に基づいて正確に測定される。そして、この距離（Ｌ1）と前述したレーザ変位計３３から配線基板領域までの距離（Ｌ2）とが、ペースト塗布装置３０の制御部に入力される。
【００３９】
次に、図１２に示すように、可動部を距離（Ｌ1）だけ上昇させて待機位置まで戻した後、駆動部を水平移動させ、ペースト１０が塗布された上記配線基板領域に隣接する第２の配線基板領域の上方にレーザ変位計３３を位置決めする。そして、レーザ変位計３３から第２の配線基板領域にレーザ光を照射し、その反射光を検出することによって、レーザ変位計３３から第２の配線基板領域までの垂直距離（Ｌ3）を測定する。
【００４０】
ここで、マルチ配線基板１００の表面が平坦であれば、この距離（Ｌ3）は、レーザ変位計３３から最初の配線基板領域までの距離（Ｌ2）に等しくなる（Ｌ3＝Ｌ2）。従って、この場合は、モータ３１を前回と同じ回転数だけ回転させ、可動部を距離（Ｌ1）だけ下降させることにより、ノズル４３の先端を第２の配線基板領域の表面から７０μｍ〜１３０μｍ程度の高さ（吐出位置）に移動させることができる。
【００４１】
しかしながら、通常、マルチ配線基板１００の表面には、製造工程で生じた反りが存在するので、距離（Ｌ3）と距離（Ｌ2）とは一致しない場合がある。例えば第２の配線基板領域の表面が最初の配線基板領域の表面よりもαだけ凹んでいる場合には、距離（Ｌ3）は、距離（Ｌ2）よりもαだけ大きくなる（Ｌ3＝Ｌ2＋α）。従って、この場合は、モータ３１の回転数を変え、可動部を距離（Ｌ1＋α）だけ下降させることにより、ノズル４３の先端を第２の配線基板領域の表面から７０μｍ〜１３０μｍ程度の高さ（吐出位置）に移動させることができる。このように、距離（Ｌ3）と距離（Ｌ2）との差に基づいて可動部の下降距離（Ｌ1）を補正することによって、ノズル４３の先端を吐出位置に移動させる。そして、図１３に示すように、ノズル４３の先端から第２の配線基板領域にペースト１０を供給する。以後、上記と同様の方法でレーザ変位計３３から各配線基板領域までの距離（Ｌm）を測定し、この距離（Ｌm）と基準の距離（Ｌ2）と差に基づいて可動部の下降距離（Ｌ1）を補正しながら、マルチ配線基板１００の各配線基板領域に順次ペースト１０を塗布していく。
【００４２】
次に、上記のような方法でペースト１０が塗布されたマルチ配線基板１００の各配線基板領域に、以下のような方法でメモリチップ２Ａを実装する。
【００４３】
まず、図１４に示すような単結晶シリコンからなるウエハ２００を用意する。このウエハ２００主面の各チップ形成領域２００Ａには、周知の半導体製造プロセスに従ってフラッシュメモリ回路を形成されている。各チップ形成領域２００Ａに形成されたフラッシュメモリ回路は、半導体製造プロセスの最終段階で行われる電気試験によって、その良否が判定される。
【００４４】
次に、図１５に示すように、上記ウエハ２００の主面（図の下面側）に回路保護用のバックグラインドテープ２０を貼り付ける。そして、この状態でウエハ２００の裏面（図の上面側）をグラインダで研削し、ウエハ２００の厚さを１００μｍ程度まで薄くする。
【００４５】
次に、バックグラインドテープ２０を除去した後、図１６に示すように、ウエハ２００の裏面にダイシングテープ２１を貼り付け、この状態でダイシングテープ２１の周辺部をウエハリング２２に固定する。ダイシングテープ２１は、ポリオレフィン（ＰＯ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などからなるテープ基材の表面に感圧粘着剤を塗布して粘着性(tackness)を持たせたＵＶ硬化型粘着テープを円形に裁断したものである。
【００４６】
次に、図１７に示すように、周知のダイシングブレード２３を使ってウエハ２００をダイシングすることにより、前記複数のチップ形成領域２００Ａのそれぞれを長方形のメモリチップ２Ａに分割する。このとき、ダイシンググラインドテープ２１は、その厚さ方向の半分程度だけ切断し、分割されたそれぞれのメモリチップ２Ａを円形のダイシングテープ２１上に残しておく。なお、ダイシングテープ２１としてＵＶ硬化型粘着テープを使用する場合は、メモリチップ２Ａをダイシングテープ２１から剥離する工程に先立ってダイシングテープ２１に紫外線を照射し、その表面に塗布された感圧粘着剤の粘着力を低下させておく。
【００４７】
次に、図１８（平面図）および図１９（断面図）に示すように、ウエハリング２２に固定したダイシングテープ２１の上方に押さえ板２４を配置すると共に、下方にエキスパンドリング２５を配置する。次に、図２０に示すように、ウエハリング２２の上面に押さえ板２４を押し付けると同時に、ダイシングテープ２１の裏面の周辺部をエキスパンドリング２５によって上方に押し上げる。このようにすると、ダイシングテープ２１は、その中心部から周辺部に向かう強い張力を受けるので、水平方向に弛みなく引き伸ばされる。
【００４８】
次に、この状態でエキスパンドリング２５を図２１に示すチップ剥離装置のステージ５１上に位置決めし、ダイシングテープ２１を水平に保持する。そして、図２２に示すように、剥離の対象となるメモリチップ２Ａの主面（上面）を吸着コレット５２で保持し、このメモリチップ２Ａが貼り付けられたダイシングテープ２１の下面に突き上げピン５３を押し当てることによって、メモリチップ２Ａをダイシングテープ２１から剥離する。
【００４９】
ダイシングテープ２１から剥離された上記メモリチップ２Ａは、図示しない移動機構により、吸着コレット５２に保持されたまま前記ペースト塗布装置３０のＸＹテーブル４５上に搬送される。そして、図２３に示すように、吸着コレット５２を下降させ、マルチ配線基板１００の配線基板領域に塗布されているペースト１０の表面にメモリチップ２Ａの下面を押し付けることによって、メモリチップ２Ａをマルチ配線基板１００の表面に接着する。以後、上記図２２および図２３に示した操作を繰り返すことによって、メモリチップ２Ａを一個ずつダイシングテープ２１から剥離し、マルチ配線基板１００の各配線基板領域にメモリチップ２Ａを一個ずつ実装していく（図２４）。
【００５０】
次に、上記のような方法でマルチ配線基板１００上に実装された各メモリチップ２Ａの表面に前記ペースト塗布装置３０を使ってペースト１０を塗布する。
【００５１】
メモリチップ２Ａの表面にペースト１０を塗布するには、まず、図２５に示すように、ペースト塗布装置３０の駆動部をマルチ配線基板１００の上方に水平移動させ、最初に距離を測定するメモリチップ２Ａ（図の左端のメモリチップ２Ａ）の位置をカメラ３５で検出する。
【００５２】
次に、図２６に示すように、カメラ３５によって検出された上記位置情報に基づいて駆動部を水平移動させ、最初に距離を測定するメモリチップ２Ａの上方にレーザ変位計３３を位置決めする。そして、レーザ変位計３３からこのメモリチップ２Ａの表面にレーザ光を照射し、その反射光を検出することによって、レーザ変位計３３からメモリチップ２Ａの表面までの垂直距離（Ｄ2、Ａ）を測定する。
【００５３】
次に、駆動部を水平移動させ、上記メモリチップ２Ａの上方にノズル４３を位置決めした後、図２７に示すように、モータ３１を回転させることによって、ペースト塗布装置３０の可動部を下降させ、ノズル４３の先端をメモリチップ２Ａの表面に接触させる。そして、この位置からノズル４３の先端を７０μｍ〜１３０μｍ程度上昇させることによって、ノズル４３の吐出位置を決定する。ここで、ノズル４３が前記図２６に示す待機位置から吐出位置まで下降した距離（Ｄ1）は、モータ３１の回転数に基づいて正確に測定される。そして、この距離（Ｄ1）と前述したレーザ変位計３３からメモリチップ２Ａまでの距離（Ｄ2）とが、ペースト塗布装置３０の制御部に入力される。
【００５４】
なお、上記した距離（Ｄ1）を測定する際には、ノズル４３の先端を一旦メモリチップ２Ａの表面に接触させるので、メモリチップ２Ａに形成された回路が損傷する。従って、基準の距離（Ｄ1、Ｄ2）の測定には、メモリチップ２Ａに変えてダミーチップ２Ａ’を使用するとよい。ダミーチップ２Ａ’は、例えば前記図１４に示すウエハ２００から得られた複数のメモリチップ２Ａのうち、電気試験で不良と判定され、製品チップとして適用しないメモリチップ２Ａを使用する。以下では、このようなダミーチップ２Ａ’を使用して基準の距離（Ｄ1、Ｄ2）を測定した場合について説明する。
【００５５】
次に、図２８に示すように、ペースト塗布装置３０の可動部を距離（Ｄ1、Ｂ）だけ上昇させて吐出位置から待機位置まで戻した後、駆動部を水平移動させ、距離（Ｄ1、Ｄ2）の測定に使用したダミーチップ２Ａ’に隣接する第２のメモリチップ２Ａの上方にレーザ変位計３３を位置決めする。そして、レーザ変位計３３からこのメモリチップ２Ａの表面にレーザ光を照射し、その反射光を検出することによって、レーザ変位計３３からメモリチップ２Ａの表面までの垂直距離（Ｄ3、Ａ’）を測定する。そして、前記図１２に示す工程で説明した方法に従い、距離（Ｄ3）と基準の距離（Ｄ2）との差に基づいて可動部の下降距離（Ｄ1）を補正した距離（Ｂ’）を算出する。
【００５６】
ところで、距離（Ｄ3）と距離（Ｄ2）との差に基づいて可動部の下降距離（Ｄ1）を補正する上記の方法は、レーザ変位計３３からダミーチップ２Ａ’までの距離（Ｄ2）を測定した時点におけるレーザ変位計３３からノズル４３までの距離と、レーザ変位計３３から第２のメモリチップ２Ａ（ダミーチップ２Ａ’に隣接するメモリチップ２Ａ）までの距離（Ｄ3）を測定した時点におけるレーザ変位計３３からノズル４３までの距離とが同一であることを前提にしている。すなわち、この補正方法は、ノズル４３がいずれのメモリチップ２Ａの吐出位置にある場合でも、駆動部に対する可動部の相対的な位置は一定であることを前提にしている。
【００５７】
ところが、前述したように、ペースト塗布装置３０の可動部は、Ｌブロック４４とホルダ本体４０、ホルダ本体４０とノズルホルダ４１、ノズルホルダ４１とノズル４３がそれぞれネジによって固定された状態で駆動部に支持されている。そのため、可動部が上下動を繰り返しながら、マルチ配線基板１００上の各メモリチップ２Ａの表面に順次ペースト１０を塗布していくと、ネジの緩みなどに起因して駆動部と可動部との間や、可動部を構成する部材同士の間で位置ずれが生じるので、可動部の最下端に位置しているノズル４３と駆動部との距離が次第に大きくなっていく。
【００５８】
そのため、レーザ変位計３３から各メモリチップ２Ａの表面までの距離（Ｄm）を測定し、この距離（Ｄm）と基準の距離（Ｄ2）と差に基づいて可動部の下降距離（Ｄ1）を補正しながら、各メモリチップ２Ａの表面に順次ペースト１０を塗布していくと、ノズル４３の吐出位置が次第にメモリチップ２Ａの表面に接近し、ついにはノズル４３の先端がメモリチップ２Ａの表面に接触するようになって、回路を傷つけてしまう。
【００５９】
上記したような駆動部に対する可動部の経時的な位置ずれは、マルチ配線基板１００の各配線基板領域に順次ペースト１０を塗布していく際にも生じ得る。しかし、マルチ配線基板１００の配線基板領域は、表面がソルダレジスト１４で被覆されているので、ノズル４３の先端が接触したとしても支障はない。これに対し、メモリチップ２Ａの場合は、その表面にノズル４３の先端が接触すると、回路が損傷を受ける。また、ノズル４３の先端がメモリチップ２Ａの表面に接触するのを避けるために、ノズル４３の先端をメモリチップ２Ａの表面から、例えば１４０μｍ以上遠ざけて塗布すると、本実施の形態で使用するような高粘度のペースト１０の場合、上記で説明したのと同様に、ペースト１０がメモリチップ２Ａの表面に塗布されるまで長時間を要するため、作業効率が低下する。
【００６０】
そこで、本実施の形態では、以下に説明するように、駆動部の主軸支持部３４に固定された高さセンサ３７を使用して、駆動部に対する可動部の経時的な位置ずれ量（Ｃ）を検出し、この位置ずれ量に基づいて可動部の下降距離（Ｄ1）を再度補正した距離（Ｂ’）を算出する。
【００６１】
高さセンサ３７による位置ずれ量（Ｃ）の検出は、配線基板領域毎に毎回行うことで、ノズル４３の先端がメモリチップ２Ａに接触することを常に監視でき、ずれが生じる度にノズル４３の高さ調節を行えるので、複数の配線基板領域に塗布されるペースト１０の塗布量は、ほぼ均一に制御できる。
【００６２】
また、毎回位置ずれ量（Ｃ）を検出するのではなく、例えば１０回塗布工程が完了したら位置ずれ量（Ｃ）を検出することで、毎回検出する場合よりも作業効率を向上できる。
【００６３】
図２９は、レーザ変位計３３からダミーチップ２Ａ’の表面までの垂直距離（Ｄ1）を測定した後、可動部を距離（Ｄ1）だけ上昇させて待機位置まで戻した時点（図２８参照）におけるペースト塗布装置３０の位置を示している。図に示すように、可動部のノズルホルダ４１の近傍には、高さセンサ３７が配置されている。高さセンサ３７は、駆動部の一部である主軸支持部３４に固定されているので、駆動部の他の一部であるレーザ変位計３３に対する経時的な位置ずれは無視できる。一方、ノズルホルダ４１の一部には、高さセンサ３７を使って可動部の高さを検出する際の基準マークとなる突起４７が設けられている。基準マークは、高さセンサ３７によって検知可能なものであれば、突起４７以外のもので構成してもよい。
【００６４】
高さセンサ３７は、主軸支持部３４に限定されず、駆動部の任意の箇所に配置することができる。また、突起４７（基準マーク）は、ノズルホルダ４１に限定されず、高さセンサ３７で検出できる箇所であれば、可動部の任意の箇所に配置することができる。しかし、高さセンサ３７と突起４７（基準マーク）は、なるべくノズル４３に近い箇所に配置することが望ましい。高さセンサ３７や突起４７がノズル４３から離れた箇所に配置されていると、可動部を構成する部材同士の間で位置ずれが生じた時、ノズル４３と突起４７との間で位置ずれが生じ得るので、ノズル４３の下降距離を補正する際の精度が低下することがある。例えば図３０に示すように、突起４７および高さセンサ３７を図２９に示す箇所よりもさらにノズル４３に近い箇所に配置することにより、ノズル４３の下降距離の補正精度をさらに向上させることができる。
【００６５】
次に、図３１に示すように、駆動部のモータ３１を回転させ、可動部の突起４７が高さセンサ３７と対向する位置（基準位置）に来るまで可動部を下降させる。このとき、可動部が図２９に示す待機位置から図３０に示す基準位置まで移動した距離（Ｄ4）は、モータ３１の回転数に基づいて正確に測定され、ペースト塗布装置３０の制御部に入力される。
【００６６】
次に、図３２に示すように、ペースト塗布装置３０の可動部を距離（Ｄ4）だけ上昇させて吐出位置から待機位置まで戻した後、駆動部を水平移動させ、ダミーチップ２Ａ’に隣接するメモリチップ２Ａの上方にレーザ変位計３３を位置決めする。そして、レーザ変位計３３からこのメモリチップ２Ａの表面にレーザ光を照射し、その反射光を検出することによって、レーザ変位計３３からメモリチップ２Ａの表面までの垂直距離（Ｄ3）を測定する。ここで、例えばメモリチップ２Ａの表面がダミーチップ２Ａ’の表面よりもαだけ凹んでいる場合、距離（Ｄ3）は基準の距離（Ｄ2）よりもαだけ大きくなる（Ｄ3＝Ｄ2＋α）。そこで、前述した第１の補正を行い、可動部の下降距離をＤ1から（Ｄ1＋α）に修正する。
【００６７】
次に、図３３に示すように、駆動部のモータ３１を回転させ、可動部の突起４７が高さセンサ３７と対向する位置に来るまで可動部を下降させる。そして、このときの可動部の下降距離（Ｄ5）をモータ３１の回転数に基づいて測定し、基準の距離（Ｄ4）との異同を調べる。その結果、例えば両者の差（Ｄ5−Ｄ4）がβであれば、基準の距離（Ｄ4）を測定してから距離（Ｄ5）を測定するまでの間に、可動部が駆動部に対してβだけ位置ずれを引き起こしたことになる。
【００６８】
この場合、前述した第１の補正に基づいて可動部を待機位置から距離（Ｄ1＋α）だけ下降させると、実際のノズル４３の位置は吐出位置よりもβだけ下がるので、βの値がメモリチップ２Ａの表面から吐出位置までの距離（７０μｍ〜１３０μｍ程度）よりも大きい場合は、ノズル４３の先端がメモリチップ２Ａの表面に当たってしまう。そこで、上記した駆動部に対する可動部の位置ずれ量（β）を考慮した第２の補正を行い、可動部の下降距離を（Ｄ1＋α）から（Ｄ1＋α−β）に修正する。その後、可動部を待機位置に戻し、この位置から第２の補正に基づいた距離（Ｄ1＋α−β）だけ下降させることにより、ノズル４３をメモリチップ２Ａ上の吐出位置に移動させる。
【００６９】
次に、ノズル４３の先端からメモリチップ２Ａの表面にペースト１０を供給した後、図３４に示すように、可動部を待機位置まで上昇させ、続いて駆動部を水平移動させることによって、メモリチップ２Ａに隣接する第３のメモリチップ２Ａの上方にレーザ変位計３３を位置決めする。以後、上記図３２および図３３に示した方法に従い、各メモリチップ２Ａ毎に可動部の下降距離を補正しながら、その表面にペースト１０を塗布していく。図３５は、すべてのメモリチップ２Ａ上にペースト１０が塗布された状態を示すマルチ配線基板１００の平面図である。
【００７０】
次に、図３６および図３７に示すように、上記のような方法でペースト１０が塗布された各メモリチップ２Ａの上にマイコンチップ２Ｂを積層する。マイコンチップ２Ｂの積層は、ペースト１０が塗布されたマルチ配線基板１００の各配線基板領域にメモリチップ２Ａを実装する前述の方法に準じて行えばよいので、その説明は省略する。
【００７１】
次に、図３８に示すように、マルチ配線基板１００の各配線基板領域に実装されたメモリチップ２Ａのボンディングパッド４とマルチ配線基板１００の電極８とをＡｕワイヤ６で結線し、各メモリチップ２Ａの上に積層されたマイコンチップ２Ｂのボンディングパッド５とマルチ配線基板１００の電極９とをＡｕワイヤ７で結線する。
【００７２】
次に、図３９に示すように、マルチ配線基板１００上に実装されたすべてのメモリチップ２Ａとマイコンチップ２Ｂとをモールド樹脂３で一括封止する。
【００７３】
その後、マルチ配線基板１００の下面に形成された裏面電極１２に半田バンプ１３を接続し、最後に、前記図４および図５に示すダイシングラインＬに沿ってマルチ配線基板１００を格子状に切断（ダイシング）することにより、前記図１および図２に示す本実施の形態のＢＧＡが完成する。
【００７４】
上記した本実施の形態の製造方法によれば、ダイ・アタッチ・フィルムと呼ばれる粘着剤付きテープを使って、配線基板１上にメモリチップ２Ａとマイコンチップ２Ｂとを重ねて実装する製造方法に比べて、ＢＧＡを安価、かつ迅速に製造することができる。また、メモリチップ２Ａの表面にペースト１０を塗布する際、ノズル４３の先端とメモリチップ２Ａとの接触を確実に防ぐことができるので、配線基板１上にメモリチップ２Ａとマイコンチップ２Ｂとを重ねて実装するＢＧＡの製造歩留まりを向上させることができる。
【００７５】
（実施の形態２）
図４０は、本実施の形態のペースト塗布装置３０の要部を示す概略図である。前記実施の形態１との相違は、マルチ配線基板１００を載せるＸＹテーブル４５を挟んで一対の第２高さセンサ（第３測定手段）３２を配置した点にある。この第２高さセンサ３２は、吐出位置まで下降したノズル４３の先端の高さをチップ毎に測定し、その値と基準の高さとの差をペースト塗布装置３０の制御部に入力するようになっている。
【００７６】
例えばノズル４３をノズルホルダ４１に固定しているネジに経時的な緩みが生じ、ノズル４３がノズルホルダ４１に対して位置ずれを引き起こしたような場合は、前述した第１および第２の補正を行っても、ノズル４３の先端とメモリチップ２Ａの表面との隙間が適正値（７０μｍ〜１３０μｍ程度）から外れてしまう。
【００７７】
そこで、この第２高さセンサ３２を使ってノズル４３の先端の高さをチップ毎に測定し、その値と基準値との差（Ｓ）を測定する。そして、前述した第１および第２の補正によって得られた可動部の下降距離に対して上記の差（Ｓ）を考慮した補正を行い、距離（Ｂ’’）を算出する。これにより、ノズル４３の吐出位置をさらに精度よく制御することが可能となるので、ノズル４３の先端がメモリチップ２Ａの表面に接触する確率をさらに低減することができる。
【００７８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００７９】
前記実施の形態では、ペースト塗布工程におけるノズルの高さチェックについて説明したが、本発明は、ペースト塗布装置を掃除した後、再びノズルを可動部に組み立ててから再びペースト塗布工程を行う前の高さチェックに適用しても、ノズルの高精度な高さ位置合わせが可能なため、有効である。
【００８０】
また、前記実施の形態では、ＢＧＡ型パッケージの製造に適用した場合について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、配線基板上にペーストを用いて半導体チップを積層する各種パッケージの製造に適用することができる。また、半導体チップを３層以上積層する場合にも適用できることは、勿論である。
【００８１】
また、前記実施の形態では、マルチ配線基板に実装する1段目の半導体チップは、複数のワイヤを介して配線基板の電極と電気的に接続されるワイヤボンディング品について説明したが、これに限定されるものではなく、1段目の半導体チップは突起状電極（半田バンプ）を介して配線基板の電極と電気的に接続されるフリップチップ品であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明は、配線基板上にペーストを用いて半導体チップを積層する各種パッケージの製造に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の製造方法によって得られたスタック型ＢＧＡの断面図である。
【図２】図１に示すスタック型ＢＧＡの内部構造を示す平面図である。
【図３】図１に示すスタック型ＢＧＡの裏面電極の配置を示す平面図である。
【図４】スタック型ＢＧＡの製造に用いるマルチ配線基板の主面を示す平面図である。
【図５】スタック型ＢＧＡの製造に用いるマルチ配線基板の裏面を示す平面図である。
【図６】本発明のペースト塗布装置の主要部を示す概略図である。
【図７】本発明のペースト塗布装置の可動部を示す概略図である。
【図８】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図９】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図１０】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図１１】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図１２】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図１３】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図１４】スタック型ＢＧＡの製造に用いる半導体ウエハの平面図である。
【図１５】スタック型ＢＧＡの製造に用いる半導体ウエハのダイシング工程を説明する概略図である。
【図１６】スタック型ＢＧＡの製造に用いる半導体ウエハのダイシング工程を説明する概略図である。
【図１７】スタック型ＢＧＡの製造に用いる半導体ウエハのダイシング工程を説明する概略図である。
【図１８】スタック型ＢＧＡの製造に用いる半導体ウエハのダイシング工程を説明する概略図である。
【図１９】スタック型ＢＧＡの製造に用いる半導体ウエハのダイシング工程を説明する概略図である。
【図２０】スタック型ＢＧＡの製造に用いる半導体ウエハのダイシング工程を説明する概略図である。
【図２１】スタック型ＢＧＡの製造に用いる半導体ウエハのダイシング工程を説明する概略図である。
【図２２】スタック型ＢＧＡの製造に用いる半導体ウエハのダイシング工程を説明する概略図である。
【図２３】スタック型ＢＧＡの製造に用いる半導体ウエハのダイシング工程を説明する概略図である。
【図２４】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明するマルチ配線基板の平面図である。
【図２５】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図２６】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図２７】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図２８】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図２９】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図３０】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図３１】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図３２】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図３３】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図３４】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明する概略図である。
【図３５】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明するマルチ配線基板の平面図である。
【図３６】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明するマルチ配線基板の側面図である。
【図３７】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明するマルチ配線基板の平面図である。
【図３８】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明するマルチ配線基板の要部平面図である。
【図３９】本発明のペースト塗布装置を用いたペースト塗布方法を説明するマルチ配線基板の要部断面図である。
【図４０】本発明のペースト塗布装置の他の態様を示す主要部概略図である。
【符号の説明】
【００８４】
１  配線基板
２Ａ  メモリチップ
２Ａ’  ダミーチップ
２Ｂ  マイコンチップ
３  モールド樹脂
４、５  ボンディングパッド
６、７  Ａｕワイヤ
８、９  電極
１０  ペースト（接着剤）
１１  配線
１２  裏面電極
１３  半田バンプ
１４  ソルダレジスト
２０  バックグラインドテープ
２１  ダイシングテープ
２２  ウエハリング
２３  ダイシングブレード
２４  押さえ板
２５  エキスパンドリング
３０  ペースト塗布装置
３１  モータ
３２  高さセンサ
３３  レーザ変位計
３４  主軸支持部
３５  カメラ
３６  主軸
３７  高さセンサ
３８  ハンガー
３９  ガイドレール
４０  ホルダ本体
４１  ノズルホルダ
４２  シリンジ
４３  ノズル
４４  Ｌブロック
４５  ＸＹテーブル
４６  ネジ
４７  突起
５１  ステージ
５２  吸着コレット
５３  突き上げピン
１００  マルチ配線基板
２００  ウエハ
２００Ａ  チップ形成領域
【図１】
2006041031.tif 000003
【図２】
2006041031.tif 000004
【図３】
2006041031.tif 000005
【図４】
2006041031.tif 000006
【図５】
2006041031.tif 000007
【図６】
2006041031.tif 000008
【図７】
2006041031.tif 000009
【図８】
2006041031.tif 000010
【図９】
2006041031.tif 000011
【図１０】
2006041031.tif 000012
【図１１】
2006041031.tif 000013
【図１２】
2006041031.tif 000014
【図１３】
2006041031.tif 000015
【図１４】
2006041031.tif 000016
【図１５】
2006041031.tif 000017
【図１６】
2006041031.tif 000018
【図１７】
2006041031.tif 000019
【図１８】
2006041031.tif 000020
【図１９】
2006041031.tif 000021
【図２０】
2006041031.tif 000022
【図２１】
2006041031.tif 000023
【図２２】
2006041031.tif 000024
【図２３】
2006041031.tif 000025
【図２４】
2006041031.tif 000026
【図２５】
2006041031.tif 000027
【図２６】
2006041031.tif 000028
【図２７】
2006041031.tif 000029
【図２８】
2006041031.tif 000030
【図２９】
2006041031.tif 000031
【図３０】
2006041031.tif 000032
【図３１】
2006041031.tif 000033
【図３２】
2006041031.tif 000034
【図３３】
2006041031.tif 000035
【図３４】
2006041031.tif 000036
【図３５】
2006041031.tif 000037
【図３６】
2006041031.tif 000038
【図３７】
2006041031.tif 000039
【図３８】
2006041031.tif 000040
【図３９】
2006041031.tif 000041
【図４０】
2006041031.tif 000042