(57)【要約】【課題】  ＭＶＡ方式の利点と半透過型液晶方式の利点を兼ね備えた液晶表示装置を低コストで提供する。【解決手段】  一対の基板間に挟持された液晶層４を有するとともに、透過表示部と反射表示部とを備え、液晶層４を構成する液晶分子が、電圧無印加状態で基板に対して略垂直方向に配向される液晶表示装置である。一対の基板のうちのいずれか一方の基板(例えば対向基板３)の対向面に、透過表示部に対応して配向分割用の誘電層１３が設けられるとともに、反射表示部に対応して液晶層４の厚さを制御する誘電層１４が設けられる。配向分割用の誘電層１３と液晶層４の厚さを制御する誘電層１４は、同一プロセスにより同時形成されている【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に挟持された液晶層を有するとともに、透過表示部と反射表示部とを備え、前記液晶層を構成する液晶分子が、電圧無印加状態で基板に対して略垂直方向に配向される液晶表示装置であって、
前記一対の基板のうちのいずれか一方の基板の対向面に、前記透過表示部に対応して配向分割用の誘電層が設けられるとともに、前記反射表示部に対応して液晶層の厚さを制御する誘電層が設けられ、
前記配向分割用の誘電層と前記液晶層の厚さを制御する誘電層は、同一プロセスにより同時形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記一対の基板は、画素電極が形成されるアレイ基板と、共通電極が形成される対向基板であり、
前記配向分割用の誘電層と前記液晶層の厚さを制御する誘電層は、前記対向基板上に形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記共通電極上に前記配向分割用の誘電層と前記液晶層の厚さを制御する誘電層が形成されていることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記透過表示部と反射表示部の境界部に遮光層が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記遮光層は、少なくとも前記対向基板に形成されていることを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素電極は、前記透過表示部に対応した透過電極と前記反射表示部に対応した反射電極とから構成され、これら境界部分にスリットが形成され、連結部分が幅狭とされていることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記反射電極は、表面に凹凸構造を有することを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記配向分割用の誘電層及び前記液晶層の厚さを制御する誘電層の誘電率は、少なくとも前記液晶層の誘電率異方性の垂直誘電率ε⊥よりも小であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記液晶層の厚さを制御する誘電層の形成により、電圧印加時の液晶層の光路換算による位相差値が、反射表示部と透過表示部とで略等しくされていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
一対の基板間に挟持された液晶層を有するとともに、透過表示部と反射表示部とを備え、前記液晶層を構成する液晶分子が、電圧無印加状態で基板に対して略垂直方向に配向される液晶表示装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうちのいずれか一方の基板の対向面に、前記透過表示部に対応する配向分割用の誘電層と、前記反射表示部に対応し液晶層の厚さを制御する誘電層とを、同一プロセスにより同時形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基板の対向面に誘電層を形成し、これをパターニングすることにより前記透過表示部に対応する配向分割用の誘電層と、前記反射表示部に対応し液晶層の厚さを制御する誘電層とを同時形成することを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関するものであり、特に、反射表示部と透過表示部を有し、垂直配向型の液晶モードを用いることで広視野角を実現した半透過型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶素子を用いた液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の特徴を有するために、ＯＡ機器、情報端末、時計、テレビ等、様々な分野に応用されている。特に、薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ素子）を用いた液晶素子は、応答性に優れることから、携帯電話、テレビやコンピュータ等、数多くの電子機器において表示装置として用いられている。
【０００３】
近年、携帯端末等の小型軽量化に伴い、前記液晶表示装置においては、高精細で視野角の広い表示が要求されている。ここで、高精細化については、ＴＦＴアレイ構造の微細化により対応がなされている。広視野角化については、ネマチック液晶を用いたＯＣＢ（Optically Compensated Bend）方式や、垂直配向を用いた視野角拡大技術であるＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）方式、横電界駆動を用いた視野角拡大技術であるＩＰＳ（In-Plane Switching）方式等が知られており、これら技術を用いた液晶表示装置が検討されている。
【０００４】
一方、携帯機器の屋外での使用頻度が高まりとともに、従来の透過表示方式に加え、部分的に反射表示を行うことが可能な半透過型液晶方式が実用化されている。この半透過型液晶方式では、外光強度が弱い屋内等の暗所ではバックライトによる透過表示を行い、外光照度の強い屋外等の明所ではバックライトを点灯せずに反射光表示を行う。これにより、暗所での視認性の良さと、明所でのバックライトを点灯しないことによる低消費電力という利点を有する。
【０００５】
したがって、これら広視野角の液晶モードと半透過表示液晶モードを組み合わせることにより、視野角が広く、屋外での視認性に優れた高性能液晶表示装置が実現されるものと考えられ、その実用化のための検討がなされている。
【０００６】
広視野角化について言えば、前記の中で、例えばＴＶ、モニター用途として透過型液晶表示装置での量産技術が確立されているＭＶＡ方式が有利であると考えられ、高性能な携帯電話向け広視野角半透過型液晶表示装置への展開が比較的容易であると考えられる。事実、例えば特許文献１等において、垂直配向モードの反射透過型液晶表示装置が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−１７７３８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ＭＶＡ方式では、一般に画素内にて液晶の配向を複数に分割し、広視野角を実現している。配向分割の手段としては、画素電極上にパターニングした誘電膜にて突起を付ける方法が一般的である。前記特許文献１記載の発明でも、対向基板に配向を制御する構造物（突起）を形成することにより、液晶分子の配向を制御するようにしている。
【０００８】
また、半透過型液晶表示装置は、画素内に反射表示用電極と透過表示用電極を備えている。反射表示、透過表示各々を最適化するためには、光路を等しくする方法、すなわち反射表示部と透過表示部でセルギャップを変える方式が一般的である。セルギャップを変える手段としては、反射領域に台地状の誘電膜を設ける等が挙げられる。この台地状誘電膜は、一般に反射電極下部、若しくは反射電極に対向する透明電極下部に配置されており、液晶に印加される電圧が透過領域と反射領域とで同じとなるような構造を採る。特許文献１記載の発明でも、レジストパターンよりなる凹凸パターンを設け、前記セルギャップを制御するようにしている。
【０００９】
このように、ＭＶＡ方式の半透過型液晶表示装置は、配向分割用の突起、セルギャップ調整用の台地状誘電膜を共に備え、これらを別々に形成する必要があるため、コスト上昇が懸念されている。
【００１０】
本発明は、このような従来のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示装置が有する欠点を解消することを目的とするとするものである。すなわち、本発明は、ＭＶＡ方式の利点と半透過型液晶方式の利点を兼ね備え、しかも低コストで提供することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とし、さらにはその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の問題を解決するために、本発明に係る液晶表示装置は、一対の基板間に挟持された液晶層を有するとともに、透過表示部と反射表示部とを備え、前記液晶層を構成する液晶分子が、電圧無印加状態で基板に対して略垂直方向に配向される液晶表示装置であって、前記一対の基板のうちのいずれか一方の基板の対向面に、前記透過表示部に対応して配向分割用の誘電層が設けられるとともに、前記反射表示部に対応して液晶層の厚さを制御する誘電層が設けられ、前記配向分割用の誘電層と前記液晶層の厚さを制御する誘電層は、同一プロセスにより同時形成されていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、一対の基板間に挟持された液晶層を有するとともに、透過表示部と反射表示部とを備え、前記液晶層を構成する液晶分子が、電圧無印加状態で基板に対して略垂直方向に配向される液晶表示装置の製造方法であって、前記一対の基板のうちのいずれか一方の基板の対向面に、前記透過表示部に対応する配向分割用の誘電層と、前記反射表示部に対応し液晶層の厚さを制御する誘電層とを、同一プロセスにより同時形成することを特徴とする。
【００１３】
本発明の液晶表示装置は、液晶層を構成する液晶分子が、電圧無印加状態で基板に対して略垂直方向に配向されるＭＶＡ方式の液晶表示装置である。したがって、広視野角が実現される。また、透過表示部と反射表示部とを備えるので、透過表示と反射表示の双方が可能であり、半透過型液晶方式の利点も備える。
【００１４】
前述の通り、ＭＶＡ方式の半透過型液晶表示装置では、配向分割用の誘電層と反射表示部において液晶の厚さを制御する誘電層とが必要である。本発明では、これら配向分割用の誘電層と反射表示部において液晶の厚さを制御する誘電層とが同一プロセスで同時形成されており、別々に形成する必要がないことから、製造プロセスが簡略化され、製造コストも削減される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の液晶表示装置によれば、ＭＶＡ方式の利点と半透過型液晶方式の利点を兼ね備え、しかも低コストでの作製が可能な液晶表示装置を提供することができる。また、本発明の製造方法によれば、ＭＶＡ方式の利点と半透過型液晶方式の利点を兼ね備えた液晶表示装置を、簡略化された製造プロセスで低コストで作製することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を適用した液晶表示装置及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
先ず、本発明を適用した半透過型液晶表示パネルの一例の断面構造を図１に示す。半透過型液晶表示パネル１も、基本的には通常の液晶表示パネルと同様の構成を有し、一対のガラス基板で液晶セルを構成し、その間隙に液晶材料を封入して液晶層が形成されている。本実施形態の半透過型液晶表示パネル１も例外ではなく、アレイ基板２と対向基板３との間に液晶層４が封入されている。
【００１８】
ここで、前記半透過型液晶表示パネルは、垂直配向モードの液晶表示パネルであり、したがって、液晶層４においては、電圧無印加時に液晶分子が前記各基板２，３に対してほぼ垂直に配向し、電圧印加時には、印加した電圧に応じて液晶分子が傾き、これによりリタデーションを生じさせ、階調表示が行われる。
【００１９】
前記アレイ基板２には、図２に示すように、各画素に対応して画素電極５，６が形成されるとともに、図示は省略するが、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）がマトリクス状に形成されている。画素電極は、透過表示部に対応する画素電極５と、反射表示部に対応する画素電極６とからなり、透過表示部に対応する画素電極５は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明電極とされ、反射表示部に対応する画素電極６は、金属薄膜等からなる反射電極とされている。反射表示部に対応する画素電極６は、表面に微細凹凸が形成されており、外光を反射する際に散乱により反射光が均一化される。また、アレイ基板２には、画素電極５，６に電気信号を送るための信号線７と、スイッチング素子である薄膜トランジスタに信号を供給するためのゲート線８とが、互いに直交して配線されている。
【００２０】
このように、本実施形態の半透過型液晶表示パネル１では、透明電極である画素電極５が形成された透過開口部Ａと、反射電極である画素電極６が形成された反射開口部Ｂとに面積的に分割されており、透過開口部Ａにおいては背面側に配されたバックライトを光源として、反射開口部Ｂにおいては外光を利用して画像表示が行われる。
【００２１】
一方、前記対向基板３の液晶層４側の面には、各画素に対応してカラーフィルタ層９が形成されるとともに、その表面を覆ってＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明電極１０が全面に形成されている。カラーフィルタ層９は、顔料や染料によって各色に着色された樹脂層であり、例えばＲ，Ｇ，Ｂの各色のフィルタ層が組み合わされて構成されている。また、各カラーフィルタ層の画素境界部分には、コントラスト向上等を目的として、いわゆるブラックマトリクス層が形成されている。
【００２２】
なお、アレイ基板２及び対向基板３の液晶層４と接する面には、液晶層４を構成する液晶分子を所定の方向、ここでは垂直方向に配向させる垂直配向膜１１，１２が形成される。垂直配向膜１１，１２としては、この種の液晶表示パネルに用いられる通常の垂直配向膜を用いることができ、ここではその説明は省略する。
【００２３】
以上が半透過型液晶表示パネル１の基本構成であるが、この半透過型液晶パネルでは、配向分割用の誘電層と、反射表示部において液晶の厚さを制御する誘電層とが必要である。配向分割用の誘電層は、液晶層４の液晶分子の配向を制御するために設けられるものであり、前記ＭＶＡ方式の液晶表示パネルにおいて、電圧印加時に液晶分子が倒れる方向を規定する役割を果たし、電圧印加時の液晶の配向を安定化し、視角特性を改善する。
【００２４】
また、反射表示部において液晶の厚さを制御する誘電層は、透過開口部Ａと反射開口部Ｂとの液晶層４の層厚（セルギャップ）の差を所定の値に調整する機能を有する。具体的には、電圧印加時の液晶層４の光路換算による位相差値が、反射表示部と透過表示部とで略等しくなるように調整する。透過開口部Ａでは透過光は液晶層４を１回だけ通過するのに対して、反射開口部Ｂでは外光が画素電極６で反射されて液晶層４を２回通過することになり、前記誘電層を形成することにより、例えば反射開口部Ｂにおけるセルギャップを透過開口部Ａにおけるセルギャップの１／２とする。
【００２５】
この場合、例えば特許文献１等において開示されるように、配向分割用の誘電層を対向基板３側に設け、反射表示部において液晶の厚さを制御する誘電層をアレイ基板２側に設けるのが一般的である。しかしながら、これらを別々の基板に形成することは、製造プロセスの増加を招き、コスト増に繋がる。そこで、本発明では、これら両者をいずれか一方の基板上に形成することとする。本実施形態では、図１及び図３に示すように、対向基板３側に、配向分割用の誘電層１３及び液晶層４の厚さを制御する誘電層１４の両者を設けている。ここでは、各画素の透過表示部（画素電極５）に対応して短冊状の誘電層１３が形成され、各画素の反射表示部（画素電極６）を横方向に連ねる形で帯状の誘電層１４が形成されている。
【００２６】
ただし、一方の基板にこれら誘電体層１３，１４の両者を形成する場合でも、それぞれ別のプロセスで形成し、別の材料により形成したのでは、一方の基板にこれらを一括形成するメリットが少ない。そこで、本発明では、配向分割用の誘電層１３及び液晶層４の厚さを制御する誘電層１４を同一プロセスで同一形成することとする。したがって、これら誘電層１３，１４は、同一材料により構成されることになる。
【００２７】
図４は、誘電層１３，１４の形成プロセスを示すものである。配向分割用の誘電層１３及び液晶層４の厚さを制御する誘電層１４を形成するには、図４（ａ）に示すように、対向基板３上にカラーフィルタ層９や透明電極１０を形成した後、感光性レジスト等からなる誘電層２１を全面に形成する。そして、図４（ｂ）に示すように、誘電層２１をマスク２２を介して露光、現像することにより、所定部分の誘電層２１を残存させ、図４（ｃ）に示すように、誘電層１３及び誘電層１４とする。
【００２８】
なお、形成される配向分割用の誘電層１３及び反射表示部において液晶層４の厚さを制御する誘電層１４の誘電率は、少なくとも前記液晶層４の誘電率異方性の垂直誘電率ε⊥よりも小であることが好ましく、したがって誘電層１３，１４には、例えばノボラック系樹脂等を用いることが好ましい。
【００２９】
以上により、透明電極１０上に配向分割用の誘電層１３及び反射表示部に対応して液晶層４の厚さを制御する誘電層１４が形成されるが、ここで、配向分割用の誘電層１３の形状としては、図３に示すような短冊状に限らず、例えば図５に示すように、円形突起状の誘電層１３を透過表示部の略中央部に形成してもよいし、図６に示すように、屈曲した形状（いわゆる「く」の字形）で誘電層１３を形成してもよい。「く」の字形の誘電層１３を形成することで、画素内で配向を４分割することができる。
【００３０】
また、図７に示すように、透過表示部の画素電極５と反射表示部の画素電極６の境界部分にスリット１５を設けてもよい。このスリット１５を設けることにより、配向分割用の誘電層１３と反射表示部の誘電層１４の双方によるフリンジフィールド（Fringe field）による斜め電界を所望の位置で分割することができ、配向不良域を固定することができる。さらに、図８に示すように、対向基板３の前記スリット１５と対向する領域に遮光層１６を設けることで、配向不良域の影響が表示に及ばなくなり、コントラストを向上させることができる。なお、前記遮光層１６は、先のブラックマトリクス層と同時に形成することができ、ブラックマトリクス層を形成する際のパターンを若干変更するだけで済み、特に工程を追加する必要はない。スリット１５の形成も同様であり、画素電極５，６をパターニングする際に同時に形成することができ、やはり工程の追加は不要である。
【００３１】
以上が本発明を適用した半透過型液晶表示装置の構成であるが、本発明の半透過型液晶表示装置は、このような構成を採用することにより、以下に述べるような様々な利点を有する。
【００３２】
先ず、本発明の液晶表示装置では、液晶表示モードとして誘電異方性が負の液晶材料を垂直に配向した垂直配向型液晶表示モードが用いられる。特に、ＭＶＡ（マルチドメイン垂直配向）と呼ばれる広視野角モードを採用することが好ましい。この表示モードは、従来から実用化されているＴＮモードやＩＰＳモード等に代表される水平配向型液晶表示装置の製造プロセスで行われているラビング処理（液晶と接する界面に高分子薄膜を塗布して布で一定方向に擦る処理）を必要とせず、プロセスでのゴミの発生や、ラビングムラ等の不良を回避できる点で生産性に優れている。
【００３３】
ＭＶＡモードでは、液晶分子配列を液晶と接する基板界面に形成した絶縁性の構造体や画素電極の切り欠き部で発生するフリンジフィールド（fringe-field）によってコントロールする。このため、反射表示部を構成するために形成された台地状構造(誘電層１４)によってもフリンジフィールドが発生し、不必要な液晶配列を誘起する問題がある。そこで、前記実施形態の半透過型液晶表示パネル１では、この問題を回避するため、誘電層１４をフリンジフィールドが発生し易い画素電極側（アレイ基板２側）から、フリンジフィールドが発生し難いベタ電極（共通電極）構造を持つ対向基板３側に配置した。
【００３４】
また、台地状構造（誘電層１４）が形成される領域以外の領域、すなわち透過表示を行う領域と向かい合う共通電極上に畝状の絶縁性構造物（誘電層１３）を形成しておくこともパネル全体としての特性を向上する上で重要である。この畝状構造によって透過表示部においてもＭＶＡ配向が形成されるため、反射／透過を問わずに広い視野角を実現することができる。
【００３５】
本実施形態の半透過型液晶表示パネル１では、台地状構造体である誘電層１４と配向分割用の畝状構造物である誘電層１３を対向基板３の共通電極（透明電極１０）上部に設置する構成を採用している。このような構造の採用により、台地状構造近傍でのフリンジフィールドによる不必要な配列を低減することができる。
【００３６】
また、台地状構造体(誘電層１４)が透明電極１０上部に配置されるということは、反射表示部における液晶層４に印加される電圧が、透過表示部に比べて実効的に低下することになる。そもそも、反射表示部に台地状構造である誘電層１４を形成するのは、電圧印加時の実効的な光路換算の位相差値の違いを補正するためである。この場合、台地状構造が透明電極１０の下部に配置されていると、液晶層４に印加される電圧は透過表示部と反射表示部とで等しいことから、実効的な光路換算の位相差値を等しくするためには、誘電層１４の厚さのみで調整しなければならない。これに対して、本実施形態の半透過型液晶表示パネル１では、台地状構造である誘電層１４は透明電極１０の上部に配置していることから、反射表示部の液晶層４に印加される電圧は透過表示部に比べて低くすることができる。
【００３７】
例えば、透過領域の印加電圧をＶとした場合を例示すると、反射領域における台地状の誘電層１４の誘電率をε１、高さをｄ１、電位差をＶ１とし、反射領域の液晶層４の誘電率をε２、セルギャップ値をｄ２、電位差をＶ２とした場合、
ε１・Ｖ１／ｄ１＝ε２・Ｖ２／ｄ２
となる。
【００３８】
また、Ｖ１＋Ｖ２＝Ｖであることから、反射領域の液晶層４に掛かる電圧は、
Ｖ２＝ε１・ｄ２・Ｖ／（ε１・ｄ２＋ε２・ｄ１）
となり、透過領域の印加電圧より下げることができる。したがって、透過領域と反射領域とで実効的な光路換算の位相差値を等しくするためには、台地状構造である誘電層１４の厚さ及び誘電率、液晶層４の厚さ及び誘電率を調整すればよい。
【００３９】
本実施形態の半透過型液晶表示パネル１では、このような構成で、台地状構造である誘電層１４と配向分割用の突起構造である誘電層１３の両者を透明電極１０の上部に配置し、同材料、同一プロセスで形成することで、加工工程を低減できるという大きなメリットがある。また、反射表示部の実効的な液晶印加電圧を低減できることから、従来構成に比べて台地状構造（誘電層１４）の厚さを薄くすることができ、それにより、液晶の注入時間を短縮することが可能となるというメリットもある。
【実施例】
【００４０】
次に、実際に液晶表示装置を組み立て、本発明の効果を確かめた。以下、この具体的な実施例について説明する。
【００４１】
先ず、図２に示すような画素電極５，６がマトリクス状に配置されたアレイ基板２を常法により作製した。
【００４２】
一方、対向基板３には、ＣｒＯｘ／Ｃｒを連続成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、図８に示すような遮光層１６を形成した。その上に顔料を分散させた感光性アクリル樹脂レジストをスピンナーにて全面塗布し、パターン露光、現像処理を３色分、すなわち３回施すことで、カラーフィルタ層９として、赤、青、緑からなるストライプパターンを形成した。
【００４３】
さらに、アレイ基板２の反射表示部の画素電極６と対向する位置に、感光性アクリルレジストを用いて対向基板３の透明電極１０上部に台地状の誘電層１４を形成し、同様にアレイ基板２の画素電極５と対向する位置に配向分割用の誘電層１３を同時形成した。これら誘電層１３，１４は、一般にＭＶＡ用の配向分割用突起に用いられる材料であり、誘電率は３〜３．５を有する。誘電層１３，１４の厚さは、透過領域における配向制御の観点から、１．２μｍ以上で最適化した。
【００４４】
アレイ基板３上の画素電極６は、台地状の誘電層１４と対向し、光を反射するための金属薄膜によって形成した。台地状の誘電層１４と対向しない領域にある画素電極５は、光を透過するため透明ＩＴＯ膜によって形成した。これら画素電極５と画素電極６の連結部には、スリット１５が形成され、細い連結となっている。
【００４５】
前記のようにスリット１５を設けることで、反射表示部の台地状の誘電層１４と、透過表示部の配向分割用の突起（誘電層１３）の双方のフリンジフィールドによる斜め電界を所望の位置で分割することができる。これにより、配向不良域を固定することができる。また、このスリット１５に対向する領域に遮光層１６を設けることで、配向不良域の影響が表示に及ばなくなり、コントラストを向上させることができる。
【００４６】
なお、画素電極５，６の下層には、透明性アクリル樹脂層を形成し、特に画素電極６の下部の透明性アクリル樹脂層にのみ表面に凹凸を形成した。この凹凸構造により、画素電極６に拡散機能を付与することができ、反射表示で広視野角を実現することができる。
【００４７】
アレイ基板２と対向基板３の液晶層４と接する面には、垂直配向膜を７０〜９０ｎｍ厚で塗布して配向処理層(垂直配向膜１１，１２)を形成した。その後、アレイ基板２と対向基板３を間隔が一定になるようスペーサーを介してシール材で貼り合せた。さらに、アレイ基板２と対向基板３によって構成される空間に液晶を充填することで、反射表示部と透過表示部を持つ液晶表示パネルを作製した。
【００４８】
作製された液晶表示パネルは、外光による反射表示とバックライトによる透過表示が可能で、ＭＶＡ方式であるため高視野角も実現された。また、作製に際しては、誘電層１３と誘電層１４を同一プロセスにより同時形成しているので、工程の追加は最小限で済み、視野角の広い半透過型液晶表示装置を低コストで提供できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】半透過型液晶表示パネルの構成例を示す概略断面図である。
【図２】アレイ基板の要部概略平面図である。
【図３】対向基板の要部概略平面図である。
【図４】誘電層の形成プロセスを示すものであり、（ａ）は誘電層の全面形成工程を示す要部概略断面図、（ｂ）は誘電層の露光工程を示す要部概略断面図、（ｃ）は誘電層のパターニング状態を示す要部概略断面図である。
【図５】配向分割用の誘電層の他の形状例を示す要部概略平面図である。
【図６】配向分割用の誘電層のさらに他の形状例を示す要部概略平面図である。
【図７】スリットを形成したアレイ基板の例を示す要部概略平面図である。
【図８】遮光層を形成した対向基板の例を示す要部概略平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  半透過型液晶表示パネル、２  アレイ基板、３  対向基板、４  液晶層、５，６  画素電極、７  信号線、８  ゲート線、９  カラーフィルタ層、１０  透明電極、１１，１２  垂直配向膜、１３  誘電層（配向分割用する誘電層）、１４  誘電層（反射表示部において液晶層の厚さを制御する誘電層）、１５  スリット、１６  遮光層
【図１】
2006065235.tif 000003
【図２】
2006065235.tif 000004
【図３】
2006065235.tif 000005
【図４】
2006065235.tif 000006
【図５】
2006065235.tif 000007
【図６】
2006065235.tif 000008
【図７】
2006065235.tif 000009
【図８】
2006065235.tif 000010