(57)【要約】【課題】  アンテナの占めていた基板平面の面積を減らし、小型化を図ることができる電子デバイス、パッケージ型電気回路装置、及び電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の電子デバイス１０は、基板１１、絶縁層１２，２２、接続電極１４、外部接続電極１５、接続部である配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃ、アンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃ、回路２０および接続配線２１から構成されている。この電子デバイス１０のアンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃは、基板１１の側面１７上に形成されている。【選択図】      図１
2006165287.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の表層部に回路部が形成された基板と、
前記回路部と接続され、前記基板の側面に形成された無線通信の送受信を行うアンテナとを有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の電子デバイスにおいて、
さらに、前記基板の少なくとも一方の表面に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の表面に設けられた圧電体薄膜、及び前記圧電体薄膜の表裏の少なくとも一面に設けられた電極層によって形成された薄膜弾性表面波素子とを有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスにおいて、
前記アンテナと前記基板との間に、絶縁層が形成されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電子デバイスにおいて、
前記アンテナは、液滴吐出法を用いて描画された導電性薄膜によって形成されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項５】
保持器と、
前記保持器に実装された請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電子デバイスとを有することを特徴とするパッケージ型電気回路装置。
【請求項６】
基板の少なくとも一方の表層部に回路部が形成された電子デバイスの製造方法であって、
前記基板の少なくとも一方の表層部に回路部を形成する工程と、
前記基板の側面に無線通信の送受信を行うアンテナを形成する工程と、
前記基板の表面及び側面に、前記回路部と前記アンテナとを接続する接続部を形成する工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電子デバイスの製造方法において、
前記アンテナ、または／および前記接続部の形成は、それぞれの材料を含む液滴を吐出ノズルから吐出し、前記基板に着弾した前記材料を所望の形状に描画させる液滴吐出法を用いて行うことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同一基板上に電気回路およびアンテナなどの電気回路素子を備えた電子デバイス、当該電子デバイスを用いたパッケージ型電気回路装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子デバイスの一例としての薄膜弾性表面波デバイスを、図面を用いて説明する。図１１は、従来の薄膜弾性表面波デバイスの平面図である。弾性表面波デバイス１０００は、シリコンなどの基板１１０１の表面に薄膜弾性表面波素子１１０２と、その駆動回路も含む回路部１１０３と、電気回路素子の一例としての無線通信の送受信を行うアンテナ１１０４とが形成されている（例えば、特許文献１）。薄膜弾性表面波素子１１０２およびアンテナ１１０４は、スパッタリング法、フォトエッチング法などによって形成されている。また、回路部１１０３は、通常のモノリシック半導体回路の製造プロセス技術やハイブリッド回路の製造プロセス技術を用いて形成されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１２９１８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述の薄膜弾性表面波デバイス１０００は、基板１１０１上に、薄膜弾性表面波素子１１０２、回路部１１０３及びアンテナ１１０４が平面的に形成されている。そのため、薄膜弾性表面波デバイス１０００の平面の面積が大きくなってしまうという問題点があった。
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、アンテナの占めていた基板平面の面積を減らすことにより小型化を図ることができる電子デバイス、パッケージ型電気回路装置、及び電子デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
かかる問題を解決するために、本発明の電子デバイスは、少なくとも一方の表層部に回路部が形成された基板と、前記回路部と接続され、前記基板の側面に形成された無線通信の送受信を行うアンテナとを有することを特徴とする。
【０００７】
本発明の電子デバイスによれば、従来、基板の表面に形成されていたアンテナが当該基板の側面に形成され、当該基板の一方の表層部（基板の表面に近い領域或いは基板の表面上）に形成された回路部と接続されている。従って、従来、アンテナが占有していた基板表面の領域が不要となり、その占有領域を無くすことができる。即ち、基板の面積を小さくすることが可能となり、従来に増して小型の電子デバイスを提供することが可能となる。
【０００８】
また、さらに、前記基板の少なくとも一方の表面に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に設けられた圧電体薄膜、及び前記圧電体薄膜の表裏の少なくとも一面に設けられた電極層によって形成された薄膜弾性表面波素子とを有することが望ましい。
【０００９】
このようにすれば、従来は基板表面上に設けられている薄膜弾性表面波素子とアンテナのうちのアンテナが基板の側面に設けられている。従って、従来、アンテナが占有していた基板表面の領域が不要となり、その占有領域を無くすことができるため基板の面積を小さくすることが可能となり、小型の薄膜弾性表面波素子を有した電子デバイスを提供することが可能となる。
【００１０】
また、前記アンテナと前記基板との間には、絶縁層が形成されていることが望ましい。
【００１１】
このようにすれば、アンテナと基板との間の絶縁性を確保することができるため、電気的短絡を防止することができる。
【００１２】
また、前記アンテナは、液滴吐出法を用いて描画された導電性薄膜によって形成されていることが望ましい。
【００１３】
このようにすれば、アンテナを形成する導電性材料を含む液滴を必要な箇所に必要な量だけ吐出することにより、導電性薄膜のアンテナを形成することが可能となる。よって、廃棄材料を生じることなくアンテナの形成を行うことができる。また、液滴吐出法は、液滴の着弾部と吐出ノズルとの間に空隙を持って所望の形状を描画することができるため凹凸のある部分や垂直方向に曲がる部分を有する形状を形成することができ、基板側面へのアンテナの形成を行うことが可能となる。
【００１４】
本発明のパッケージ型電気回路装置は、保持器と、前記保持器に実装された前述の電子デバイスと、を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明のパッケージ型電気回路装置によれば、前述した平面面積の小さな電子デバイスを保持器の中に収納しているため、従来のパッケージ型電気回路装置より平面面積の小さな、小型のパッケージ型電気回路装置を提供することが可能となる。
【００１６】
本発明の電子デバイスの製造方法は、基板の少なくとも一方の表層部に回路部が形成された電子デバイスの製造方法であって、前記基板の少なくとも一方の表層部に回路部を形成する工程と、前記基板の側面に無線通信の送受信を行うアンテナを形成する工程と、前記基板の表面及び側面に、前記回路部と前記アンテナとを接続する接続部を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
本発明の電子デバイスの製造方法によれば、従来、基板の表面に形成されていた、アンテナを当該基板の側面に形成することができるため、アンテナの基板平面の占有領域を無くした電子デバイスを製造することができる。よって、従来と比較して平面の面積を小さくしたより小型の電子デバイスの製造が可能となる。なお、それぞれの工程の工順は問わない。
【００１８】
また、前記アンテナ、または／および前記接続部の形成は、それぞれの材料を含む液滴を吐出ノズルから吐出し、前記基板に着弾した前記材料を所望の形状に描画させる液滴吐出法を用いて行うことが望ましい。
【００１９】
このようにすれば、アンテナ、または／および接続部のそれぞれを形成する材料を含む液滴を必要な箇所に必要な量だけ吐出することにより、アンテナ、または／および接続部を形成することが可能となる。よって、廃棄材料を生じることなくアンテナ、または／および接続部の形成を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明に係る電子デバイスの最良の形態について、以下に図面を用いて説明する。なお、本発明は、後述の実施形態に限定されるものではない。
【００２１】
（第一実施形態）
本発明に係る電子デバイスの第一実施形態を図１、図２、及び図３を用いて説明する。図１は、第一実施形態の電子デバイスの概略構造を示す斜視図である。図２は、第一実施形態の電子デバイスの概略を示し、図１のＡ−Ａ´断面図である。図３は、第一実施形態の電子デバイスの概略を示し、図１のＰ視図である。
【００２２】
図１、図２、及び図３に示すように、電子デバイス１０は、基板１１、絶縁層１２，２２、接続電極１４、外部接続電極１５、接続部である配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃ、アンテナ１８ａ，１８ｂ、アンテナ１８ｃ（図２参照）、回路２０（図２参照）、および接続配線２１（図２参照）から構成されている。なお、回路２０、接続電極１４、外部接続電極１５、接続配線２１などにより回路部が構成されている。
【００２３】
基板１１は、シリコン（Ｓｉ）や化合物半導体（ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＰ，ＳｉＧｅ，ＺｎＳなど）などで構成される半導体基板、ガラス基板、石英基板、セラミック基板などによって形成される。本第一実施形態では、一例としてシリコン（Ｓｉ）基板が用いられている。
【００２４】
図２に示すように、基板１１の上面の表層部（基板１１の表面、或いは表面に近い部分）には、回路２０が形成されている。回路２０は、モノリシック集積回路や表面上に構成されたハイブリッド集積回路やそれらの回路を結ぶ配線などで構成されている。回路２０は、前述のように種々の回路、配線などで形成されており図では表現しきれないため、図１には二点鎖線で回路２０の形成領域１３を示している。図１に示す形成領域１３は、一例としての領域であり、例えば、接続電極１４或いは外部接続電極１５などの下層に回路２０が形成されていてもよい。
【００２５】
複数設けられた回路２０と回路２０との間、および回路２０と接続電極１４、外部接続電極１５などとの間の接続は、接続配線２１により行われている。接続配線２１は、アルミニウム、アルミニウム合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｕ、Ａｕ合金、Ｃｒ、Ｃｒ合金などの導電材料で形成される。本第一実施形態では、一例としてアルミニウムが用いられている。
【００２６】
絶縁層１２，２２は、基板１１の表面および側面１７に形成されている。絶縁層１２は、基板１１の表面に設けられ、基板１１とその表層部に形成された回路２０、接続配線２１などを覆い、それらと接続電極１４、外部接続電極１５、配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃなどとの間を絶縁する。絶縁層２２は、基板１１の側面１７に設けられ、基板１１の側面１７に形成されるアンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃ、配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃなどと基板１１とを絶縁する。絶縁層１２，２２は、ＳｉＯ2、ＰＳＧ（リンドープガラス）、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などの金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4などの窒化シリコン、アクリル樹脂などの合成樹脂などによって形成される。本第一実施形態では、一例としてＳｉＯ2が用いられている。絶縁層１２，２２は、基板１１が導電体基板である場合や半導体基板であるときに、基板１１と、その上層の導電体との間を絶縁するためのものである。従って、基板１１が導電体、或いは半導体であって、或る程度の導電性を有する場合は絶縁層１２，２２が必要となる。また、基板１１が絶縁性を有する場合には、絶縁層１２，２２は必ずしも必要ないが、基板１１の表面上に配線パターンなどの導電膜が形成されている場合には、上層との絶縁を確保するために絶縁層１２，２２が必要となる場合がある。
【００２７】
接続電極１４は、アンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃなどと回路２０とを接続するために、絶縁層１２の上面に形成されている。接続電極１４は、一方が回路２０と接続され、他方が配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃと接続されている。
【００２８】
配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃは、基板１１の表面側から側面側にわたり形成されている。図２に示すように、配線層１６ａは、一端が接続電極１４に接続され、他端がアンテナ１８ａの一端と接続されている。配線層１６ｂは、一端が接続電極１４に接続され、他端がアンテナ１８ｂの一端と接続されている。配線層１６ｃは、一端が接続電極１４に接続され、他端がアンテナ１８ｃの一端と接続されている。配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃは、アルミニウム、アルミニウム合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｕ、Ａｕ合金、Ｃｒ、Ｃｒ合金などの導電材料を用いて形成することができる。本第一実施形態における配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃは、一例としてアルミニウム層で形成されている。
【００２９】
アンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃは、基板１１の側面１７上に形成された絶縁層２２の上面に形成されている。アンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃは、それぞれ矩形クロック波形様のジグザグ形状をなしており、アンテナ１８ａは、Ｙ方向に沿って延在し、アンテナ１８ｂはＺ方向に沿って延在し、アンテナ１８ｃは、Ｘ方向に沿って延在している。アンテナ１８ｃは、配線層１６ｃからＸ方向に向いて延びた後、Ｙ方向にずれて反転し、−Ｘ方向に向いて延びる形状となっている。なお、アンテナ１８ｃは、反転せず一方向（Ｘ方向）のみに延びる形状でもよい。
【００３０】
アンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃの一端は、配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃと接続されており、配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃによって図２に示す接続電極１４を介し回路２０、接続配線２１などと接続されている。アンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃは、回路２０などの回路部と外部回路との無線通信の送受信を行う機能を有している。
【００３１】
なお、配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃとアンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃとの接続は、それぞれの一端で行なうと説明したが、この位置に限らず、それぞれ端部以外の位置で接続されていてもよい。
【００３２】
アンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃの形成は、一例として液滴吐出法を用いて行うことができる。吐出ノズルを基板１１の側面１７に向け、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に随意に移動させながら導電材料を吐出して所望のアンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃの形状にパターニングする。着弾した導電材料を高温処理、紫外線照射などによって硬化を行いアンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃを形成する。アンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃを形成するための導電材料には、例えば、溶媒に粒径５ｎｍ程度の銀粒を混在させた真空冶金（株）製：商品名パーフェクトシルバー、ハリマ化成（株）製：商品名ナノペースト（インクジェット用）などを用いることができる。なお、導電材料として、アルミニウム、アルミニウム合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｕ、Ａｕ合金、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ａｇ合金などを混在させたものを用いることも可能である。
【００３３】
外部接続電極１５は、回路２０と外部に構成される電源、電気回路などとの接続を行うために設けたものであり、例えば、外部接続電極１５と外部の電源、電気回路などとワイヤーボンディングなどを用いて接続を行う（図示せず）。なお、外部接続電極１５と回路２０とは、接続電極１４と同じように接続配線２１により接続されている。
【００３４】
第一実施形態によれば、基板１１の側面１７に形成されたアンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃが、接続電極１４、接続配線２１、および配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃを介して回路２０と接続されている。従来使用されていなかった基板１１の側面１７に、アンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃを設けることで、従来基板平面上に載置されていたアンテナが占有していた領域が不要となる。従って、従来アンテナが占有していた領域の分の基板平面面積を小さくすることが可能となり、小型の電子デバイス１０を提供することが可能となる。
【００３５】
また、アンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃが、基板１１のそれぞれの側面１７において、Ｘ、Ｙ、Ｚの各方向に沿って設けられているため、本発明の電子デバイスを実装する際の載置性を向上することができる。例えば、本発明の電子デバイスを用いる電子機器の回路基板等に実装する際に、アンテナの方向を考慮せずに載置することが可能となり、実装姿勢の自由度を著しく高めることが可能となる。
【００３６】
また、アンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃを液滴吐出法を用いて形成すれば、アンテナを形成する材料を含む液滴を必要な箇所に必要な量だけ吐出することにより、アンテナを形成することが可能となる。よって、廃棄材料を生じることなくアンテナの形成を行うことができる。さらに、液滴の着弾部と吐出ノズルとの間に空隙を持って所望の形状を描画することができるため凹凸のある部分や垂直方向に曲がる部分を有する配線も簡単に形成することができる。また、必要に応じて再吐布を簡単に行うことができるため、例えば、所望のアンテナの特性を得ることができない場合などに、再吐布によってアンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃの形状を修正してアンテナの特性を向上することが簡単にできる。さらに、複数の吐出ノズルを用いるなどして、アンテナの材料を用途に応じて変更する、あるいは、異なった材料を重ね塗りするなどを簡単に行うことも可能となる。
【００３７】
（第二実施形態）
本発明に係る電子デバイスの一例としての薄膜弾性表面波装置を第二実施形態として、図４及び図５を用いて説明する。図４は、第二実施形態の薄膜弾性表面波装置の概略構造を示す斜視図である。図５は、第二実施形態の薄膜弾性表面波装置の概略を示すＡ−Ａ´断面図である。
【００３８】
図４、および図５に示すように、薄膜弾性表面波装置３０は、基板３１、絶縁層３２，４２ａ，４２ｂ、接続電極３４、外部接続電極３５、接続部である配線層３６ａ，３６ｂ，３６ｃ、アンテナ３８ａ，３８ｂ，３８ｃ、回路４０、接続配線４１，５１、圧電体薄膜５２、電極層としての励振電極４６ａ，４６ｂと反射電極４７ａ，４７ｂ、およびスルーホール４８などから構成されている。
【００３９】
詳述すると、基板３１の表面（上面）に形成された絶縁層３２の上面に圧電体薄膜５２が形成され、その上面に励振電極４６ａ，４６ｂ、および反射電極４７ａ，４７ｂが形成されている。基板３１の表層部（基板３１の表面、或いは表面に近い部分）には複数の回路４０が形成されている。それぞれの回路４０間、および回路４０と接続電極３４、外部接続電極３５などとの間の接続は、接続配線４１，５１により接続が行われている。励振電極４６ａ，４６ｂ、および反射電極４７ａ，４７ｂは、スルーホール４８を介して接続配線５１と接続されている。基板３１の側面３７に形成された絶縁層４２ａ，４２ｂの上面には、アンテナ３８ａ，３８ｂ，３８ｃが形成されている。アンテナ３８ａ，３８ｂ，３８ｃは、接続電極３４と配線層３６ａ，３６ｂ，３６ｃとによって回路４０と接続されている。
【００４０】
以下に第二実施形態の構成要素について詳細に説明するが、第一実施形態と同様である構成要素の説明は省略する。説明を省略する構成要素は、基板３１、絶縁層３２，４２ａ，４２ｂ、接続電極３４、外部接続電極３５、接続部である配線層３６ａ，３６ｂ，３６ｃ、アンテナ３８ａ，３８ｂ，３８ｃ、回路４０、および接続配線４１，５１である。
【００４１】
先ず、基板３１上面の絶縁層３２の上面に形成されている圧電体薄膜５２について説明する。圧電体薄膜５２は、ＺｎＯ、ＡｌＮ、ＰＺＴ（Ｐｂ−Ｚｒ−Ｔｉ）、ＣｄＳ、ＺｎＳ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｏ、ＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3、ＴａＮｂＯ3、ＫＮｂＯ3などの、弾性表面波を励振可能な圧電体で形成される。本第二実施形態では、ＺｎＯが用いられており、ＭＯＣＶＤ法（有機金属原料を用いたＣＶＤ法）などのＣＶＤ法、ＲＦスパッタリング法（ＲＦ高周波電界を印加して行うもの）などのスパッタリング法などによって成膜することができる。
【００４２】
圧電体薄膜５２は、その材質や結晶性に応じて適宜の厚さとされる。例えば、一般的には０．１〜５μｍ程度の厚さであり、特に、０．５〜１．５μｍ程度の厚さであることが好ましい。圧電体薄膜５２が薄すぎると弾性表面波の伝播態様が下層の影響を受けやすくなるとともに、圧電体薄膜５２の表面（図示例では上面）の結晶性が不十分となる場合がある。通常、圧電体薄膜５２の厚さは励起される弾性表面波の１波長以上の厚さとされることが望ましい。逆に、圧電体薄膜５２が厚すぎると、製造工程に時間がかかり、製造コストが増大するため、薄膜弾性表面波素子としたメリットが薄くなる。
【００４３】
励振電極４６ａ，４６ｂ、および反射電極４７ａ，４７ｂは、圧電体薄膜５２の表面（上面）に形成されている。励振電極４６ａ，４６ｂ、および反射電極４７ａ，４７ｂは、蒸着法やスパッタリング法などにより成膜された、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金などの電極膜を、フォトリソグラフィ法などによってパターニングすることにより形成する。励振電極４６ａ，４６ｂは、それぞれが複数設けられて櫛歯状に構成されるとともに、互いに接続されている。励振電極４６ａと励振電極４６ｂは、交互に一定間隔で弾性表面波の伝播方向（基板３１の長辺方向）に配列されている。なお、励振電極４６ａ，４６ｂは、ＩＤＴ（インタディジタル電極）とも呼ばれ弾性表面波を励振するための電極である。反射電極４７ａ，４７ｂは、反射器を構成するための電極である。複数の反射電極４７ａ，４７ｂが上記伝播方向に一定間隔にて配列され、それぞれの反射電極４７ａ，４７ｂが接続されることにより反射器（いわゆるグレーティング反射器）が構成されている。これらの反射電極４７ａ，４７ｂは、励振電極４６ａ，４６ｂの配列領域の上記伝播方向両側にそれぞれ配置されている。励振電極４６ａ，４６ｂ、および反射電極４７ａ，４７ｂは、スルーホール４８によって接続配線５１を介して回路４０と接続されている。
【００４４】
なお、前述の圧電体薄膜５２と励振電極４６ａ，４６ｂ、および反射電極４７ａ，４７ｂとによって、薄膜弾性表面波素子が構成される。
【００４５】
第二実施形態の薄膜弾性表面波装置３０によれば、基板３１の側面３７に形成されたアンテナ３８ａ，３８ｂ，３８ｃが、接続電極３４、接続配線４１、および配線層３６ａ，３６ｂ，３６ｃを介して回路４０と接続されている。従来使用されていなかった基板３１の側面３７に、アンテナ３８ａ，３８ｂ，３８ｃを設けることで、従来基板平面上に載置されていたアンテナが占有していた領域が不要となる。従って、従来アンテナが占有していた領域の分の基板平面面積を小さくすることが可能となり、小型の薄膜弾性表面波装置３０を提供することが可能となる。
【００４６】
（第三実施形態）
本発明に係る電子デバイスの一例としての薄膜弾性表面波装置を第三実施形態として、図６を用いて説明する。図６は、第三実施形態の薄膜弾性表面波装置の概略を示す正断面図である。
【００４７】
図６に示すように、薄膜弾性表面波装置３０は、基板３１、絶縁層３２，４２ａ，５０、接続電極３４、外部接続電極（図６では図示せず）、接続部である配線層３６ａ，３６ｃ、アンテナ３８ａ，３８ｃ（図６では図示しないが、基板３１の別の側面には第二実施形態を説明する図４に示すアンテナ３８ｂと同様なアンテナが設けられている。）、回路４０、接続配線５１、圧電体薄膜５２、電極層としての励振電極４６ａ，４６ｂと反射電極４７ａ，４７ｂ、およびスルーホール４８，４９などから構成されている。
【００４８】
詳述すると、基板３１の表面（上面）に形成された絶縁層３２の上面に圧電体薄膜５２が形成され、その上面に励振電極４６ａ，４６ｂ、および反射電極４７ａ，４７ｂが形成されている。基板３１の下面（すなわち、圧電体薄膜５２が形成されている側とは反対側の面）の表層部には、複数の回路４０が形成されている。それぞれの回路４０間は、回路４０と同じ下面の表層部に形成された接続配線５１により接続が行われている。回路４０と接続電極３４などとの間の接続は、スルーホール４９により行われている。絶縁層５０は、基板３１の下面を覆う状態で形成されている。この絶縁層５０により回路４０および接続配線５１も覆われる。励振電極４６ａ，４６ｂ、および反射電極４７ａ，４７ｂは、スルーホール４８を介して回路４０と接続されている。基板３１の側面に形成された絶縁層４２ａの上面には、アンテナ３８ａ，３８ｃが形成されている。アンテナ３８ａ，３８ｃは、接続電極３４と配線層３６ａ，３６ｃによって接続されている。
【００４９】
第三実施形態のそれぞれの構成要素については、前述の第一実施形態、および第二実施形態と同様であるため詳細な説明は省略する。
【００５０】
第三実施形態の薄膜弾性表面波装置３０によれば、アンテナ３８ａ，３８ｃが基板３１の側面３７に形成されている。このアンテナ３８ａ，３８ｃと当該基板３１の一方の表層部に形成された回路４０とが接続電極３４、スルーホール４９、および配線層３６ａ，３６ｃを介して接続されている。従来基板の側面は使用されておらず、この側面にアンテナ３８ａ，３８ｃを設けることで、従来基板平面に並べて載置されていたアンテナが占有していた領域が不要となり、その占有領域を無くすことができる。即ち、基板平面の面積を小さくすることが可能となり、小型の薄膜弾性表面波装置３０を提供することが可能となる。
【００５１】
また、圧電体薄膜５２および電極層としての励振電極４６ａ，４６ｂと反射電極４７ａ，４７ｂからなる薄膜弾性表面波素子と回路４０が基板３１を挟み表裏に設けられている。このことから、薄膜弾性表面波素子と回路４０とを、平面構造を重ねて形成することができるため、電気回路装置の平面の面積をさらに小さくすることが可能となる。さらに、弾性表面波素子と回路４０の互いの形成による互いの特性への影響を受けにくくする効果も有している。
【００５２】
なお、前述の実施形態では、複数の回路を用いた構成で説明したが、回路の数は、複数でなくてもよく、一つの回路で構成されていてもよい。
【００５３】
また、アンテナは、図７（ａ）、（ｂ）に示すような形状でもよい。図７（ａ）、（ｂ）は、アンテナの形状の応用例を示す電子デバイスの正面図である。
図７（ａ）に示すように、基板１１の側面に形成された絶縁層２２の上面にアンテナ１８ｂが形成されている。アンテナ１８ｂの両端は、配線層１６ｂと接続されて本図では図示しない接続電極と接続されている。アンテナ１８ｂは、基板１１の底面２８に対して所定の傾きを持った形状に形成されている。
【００５４】
また、図７（ｂ）に示すように、基板１１の側面に形成された絶縁層２２の上面に形成されたアンテナ１８ｂは、基板１１の底面２８に向かってジグザグに形成されたブロック１８Ｘと、底面２８に沿った方向にジグザグに形成されたブロック１８Ｚを接続した形状をなしている。アンテナ１８ｂの両端は、配線層１６ｂと接続されて本図では図示しない接続電極と接続されている。
【００５５】
図７（ａ）、（ｂ）で示すような形状のアンテナ１８ｂを用いることにより、アンテナ１８ｂは、基板１１の厚み方向（Ｘ方向）と横方向（Ｚ方向）に対する方向成分を有したアンテナ形状となる。従って、一つのアンテナ１８ｂにより、２つの方向に対してのアンテナを形成することができる。
【００５６】
また、図８（ａ）、（ｂ）に示すような形状のアンテナを形成してもよい。図８（ａ）、（ｂ）は、電子デバイスの概略構造を示す斜視図であり、アンテナ形状の応用例を示している。
【００５７】
図８（ａ）に示すように、基板１１の複数の側面に跨ってアンテナ１８ａが２本の直線的な形状で設けられている。アンテナ１８ａは、基板１１の側面２２ａ内で配線層１６ａに接続された一端から延伸されて側面２２ｂ、側面２２ｃを通り側面２２ｄに達し、側面２２ｄ内で他端が設けられている。
【００５８】
また、図８（ｂ）にはジグザグ形状のアンテナを示している。図８（ｂ）に示すように、アンテナ１８ａは、前述の図８（ａ）と同様に、基板１１の複数の側面に跨ってアンテナ１８ａが設けられている。アンテナ１８ａは、基板１１の側面２２ａ内で配線層１６ａに接続された一端からジグザグ形状を成しながら延伸されて側面２２ｂ、側面２２ｃを通り側面２２ｄに達し、側面２２ｄ内で他端が設けられている。
【００５９】
図８（ａ）、（ｂ）で示すような形状のアンテナ１８ａを用いることにより、アンテナの長さを長く形成することができるため、アンテナ利得を大きく取ることが可能となる。
【００６０】
（第四実施形態）
図９を用いて第四実施形態について説明する。図９は、本発明に係るパッケージ型電気回路装置の一例としてのパッケージ型薄膜弾性表面波装置の概略構造を示す正断面図である。
【００６１】
図９に示すように、本発明のパッケージ型薄膜弾性表面波装置６０は、保持器としてのパッケージ６１の凹部内に電子デバイスの一例としての薄膜弾性表面波装置３０が収納されている。パッケージ６１の開口部は、接合材７４を介して蓋板７５を固着させることによって封止されている。なお、薄膜弾性表面波装置３０とパッケージ６１とは、接続材としての金バンプ７３によって接続されている。
【００６２】
セラミック等で形成されたパッケージ６１の凹部底面に、パッケージ電極７６が形成されている。パッケージ電極７６は少なくとも表面に金層が設けられており、金バンプ７３により薄膜弾性表面波装置３０の外部接続電極７２と接合されている。薄膜弾性表面波装置３０は、基板の一例としてのＳｉ（シリコン）基板６２、Ｓｉ基板６２の表面に形成された絶縁層６３、絶縁層６３上に形成された圧電体薄膜の一例としてのＺｎＯ（酸化亜鉛）薄膜６５、ＺｎＯ薄膜６５の表面に形成された励振電極６６と反射電極６７などから形成されている。さらに薄膜弾性表面波装置３０の側面には、絶縁層６９が形成され、その上面にアンテナ７０ａ，７０ｂ，７０ｃが形成されている。アンテナ７０ａは、配線層７１ａにより基板上面に形成されている接続電極６８に接続されている。アンテナ７０ｂは、配線層７１ｂにより接続電極（図示せず）と接続されている。アンテナ７０ｃは、配線層７１ｃにより基板上面に形成されている接続電極６８に接続されている。励振電極６６と反射電極６７は、例えばＡｌ（アルミ）薄膜で形成されている。なお、パッケージ電極７６は、パッケージ６１の外側に設けられた図示しない外部端子に接続されている。パッケージ６１の凹部の開口部には、接合材７４を介して載置された蓋板７５が、例えばシーム溶接、金属加熱融着などを用いて封止されている。
【００６３】
第四実施形態によれば、アンテナ７０ａ，７０ｂ，７０ｃを基板６２の側面に形成することにより小型化された薄膜弾性表面波装置３０をパッケージ６１に収納している。従って、パッケージ６１の形状を小さくすることが可能となることから、小型のパッケージ型薄膜弾性表面波装置６０を提供することが可能となる。
【００６４】
なお、前述ではパッケージ６１のパッケージ電極７６と薄膜弾性表面波装置３０との接続に金バンプ７３を用いて接続する方法で説明したが、接続方法はこれに限らない。例えば、金バンプ７３に替わり、図４に示すような薄膜弾性表面波装置３０の表面に形成された外部接続電極３５を用い、ワイヤボンディングなどによってパッケージ６１のパッケージ電極７６と接続してもよい。
【００６５】
また、本発明の薄膜弾性表面波装置３０は、前述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態のＩＤＴ（インタディジタル電極）は、シングル電極構造として描いてあるが、ダブル（スプリット）電極構造を有するものなど、種々の電極構造を用いることができる。また、上記実施形態では、１端子対形共振子構造やトランスバーサル型フィルタ構造を有するものとして説明してあるが、２端子対形共振子構造などの種々の弾性表面波デバイスの構造を採用することができる。
【００６６】
＜電気回路装置の製造方法＞
次に、本発明に係る電子デバイスの製造方法について説明する。図１０（ａ）〜（ｃ）は、先述した第一実施形態の電子デバイスにおける概略の製造工程を示す工程説明図である。
【００６７】
先ず、図１０（ａ）に示すように、基板１１の一方の表層部に回路２０、絶縁層１２、および接続電極１４を形成する。この回路２０は、通常のモノリシック半導体回路の製造プロセス技術やハイブリッド回路の製造プロセス技術を用いて容易に形成することができる。回路２０の表面には絶縁層１２を形成し、この絶縁層１２上に接続電極１４を形成する。絶縁層１２には、絶縁層１２を貫通するようにアルミニウムなどの接続配線２１を形成し、回路２０と接続電極１４とを導電接続する。絶縁層１２、および接続電極１４は、回路２０と同様に通常のモノリシック半導体回路の製造プロセス技術やハイブリッド回路の製造プロセス技術を用いて容易に形成することができる。
【００６８】
次に、基板１１の側面に、絶縁層２２を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）を用いて形成する。吐出ノズルを液滴の着弾面である基板１１の側面に対向させた吐出ヘッド８０を、絶縁層２２の領域に対して図示のＸ軸方向、Ｙ軸方向に随意に移動させながら絶縁材料である、例えばエポキシ系樹脂８１を図示のＺ軸方向に向けて隙間なく吐出する。着弾したエポキシ系樹脂を高温処理、紫外線照射などによって硬化させ絶縁層２２を形成する。
【００６９】
次に、図１０（ｂ）に示すように、絶縁層２２の上面にアンテナ１８ｃを形成する。アンテナ１８ｃの形成は、液滴吐出法を用いる。詳述すると、吐出ノズルを液滴の着弾面である基板１１の側面に対向させた吐出ヘッド８０を、アンテナ１８ｃの領域に対して図示のＸ軸方向、Ｙ軸方向に随意に移動させながら吐出ノズルから導電材料８２を吐出して所望の形状にパターニングする。着弾した導電材料８２を高温処理、紫外線照射などによって硬化を行いアンテナ１８ｃを形成する。アンテナ１８ｃを形成するための導電材料８２には、例えば、溶媒に粒径５ｎｍ程度の銀粒を混在させた真空冶金（株）製：商品名パーフェクトシルバー、ハリマ化成（株）製：商品名ナノペースト（インクジェット用）などを用いることができる。
【００７０】
次に、図１０（ｃ）に示すように、接続電極１４とアンテナ１８ｃとを接続する配線層１６ｃを形成する。配線層１６ｃの形成は、液滴吐出法を用いる。詳述すると、液滴の着弾面が基板１１の上面と側面に跨るため、吐出ヘッド８０を、図示のＹ軸方向回りに任意の角度回転させて位置させる。吐出ヘッド８０は、Ｚ´軸方向、Ｙ軸方向に随意に移動させながら吐出ノズルから導電材料８２を吐出して所望の形状にパターニングする。着弾した導電材料８２を高温処理、紫外線照射などによって硬化を行い配線層１６ｃを形成する。
【００７１】
本実施形態の電子デバイスの製造方法によれば、絶縁層２２、アンテナ１８ｃ、および配線層１６ｃを液滴吐出法により形成する。液滴吐出法によれば、液滴の着弾部と吐出ノズルとの間に空隙を持って所望の形状を描画することができるため凹凸のある部分や垂直方向に曲がる部分を有する配線も簡単に形成することができる。
【００７２】
さらに、液滴吐出法は、必要な部分にのみ吐出を行って所望の形状を形成することから、形成の際に廃棄処理の必要な材料、例えばフォトリソグラフィではエッチングにより溶解された金属などを発生させることなく所望の形状を形成することができる。従って、廃棄処理などによる環境への影響を防止することが可能となり、環境を保全するという効果も併せて有している。
【００７３】
なお、絶縁層１２，２２は、基板１１が半導体或いは導電体である場合に、基板１１と配線層１６ａ，１６ｂ，１６ｃ、アンテナ１８ａ，１８ｂ，１８ｃなどとの短絡を防ぐために設ける。従って、基板１１が絶縁性の材料である場合には、絶縁層１２，２２は設けなくともよい場合もある。
【００７４】
また、図１０（ｃ）の説明では、吐出ヘッド８０を任意の角度傾けて移動させる方法で説明したが、吐出ノズルを、着弾面である基板１１の上面と側面にそれぞれ向けて個別（片方ずつ）に導電材料８２を吐出してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】第一実施形態の電子デバイスの概略構造を示す斜視図。
【図２】電子デバイスの概略を示すＡ−Ａ´断面図。
【図３】電子デバイスの概略を示すＰ視図。
【図４】第二実施形態の薄膜弾性表面波装置の概略構造を示す斜視図。
【図５】薄膜弾性表面波装置の概略を示すＡ−Ａ´断面図。
【図６】第三実施形態の薄膜弾性表面波装置の概略を示す正断面図。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、アンテナの形状の応用例を示す電子デバイスの正面図。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、アンテナの形状の応用例を示す電子デバイスの斜視図。
【図９】第四実施形態のパッケージ型薄膜弾性表面波装置の概略構造を示す正断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、第一実施形態の電子デバイスにおける概略の製造工程を示す工程説明図。
【図１１】従来の電子デバイスの一例としての薄膜弾性表面波デバイスの平面図。
【符号の説明】
【００７６】
１０…電子デバイス、１１，３１…基板、１２，２２，３２，２２ａ，２２ｂ，４２ａ，４２ｂ，５０，６３，６９…絶縁層、１３，３３…回路の形成領域、１４，１４ａ，１４ｂ，３４，６８…回路部としての接続電極、１５，３５，７２…回路部としての外部接続電極、１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，７１，７１ａ，７１ｂ…接続部としての配線層、１７，３７…基板側面、１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，３８ａ，３８ｂ，３８ｃ…アンテナ、２０，４０…回路部としての回路、２１，４１，５１…回路部としての接続配線、２８…底面、３０…電子デバイスの一例としての薄膜弾性表面波装置、４６ａ，４６ｂ，６６…励振電極、４７ａ，４７ｂ，６７…反射電極、４８，４９…スルーホール、５２…圧電体薄膜、６０…パッケージ型薄膜弾性表面波装置、６１…パッケージ、６２…基板の一例としてのＳｉ（シリコン）基板、６５…圧電体薄膜の一例としてのＺｎＯ（酸化亜鉛）薄膜、７３…金バンプ、７４…接合材、７５…蓋板、７６…パッケージ電極、８０…吐出ヘッド、８１…エポキシ系樹脂、８２…導電材料。
【図１】
2006165287.tif 000003
【図２】
2006165287.tif 000004
【図３】
2006165287.tif 000005
【図４】
2006165287.tif 000006
【図５】
2006165287.tif 000007
【図６】
2006165287.tif 000008
【図７】
2006165287.tif 000009
【図８】
2006165287.tif 000010
【図９】
2006165287.tif 000011
【図１０】
2006165287.tif 000012
【図１１】
2006165287.tif 000013