(57)【要約】【課題】  多層ガラスセラミック基板を焼成する際、ガラスセラミックグリーンシートと配線導体を形成する低抵抗金属との収縮挙動の違いにより、基板が反るという問題があった。【解決手段】  配線導体が形成された、結晶化ガラスを含むガラスセラミックグリーンシートを複数枚積層して成るガラスセラミックグリーンシート積層体を、結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を１℃／分乃至９℃／分、結晶化ガラスのガラス転移点から焼成の最高温度までの昇温速度を１０℃／分乃至４０℃／分として焼成する。【選択図】  図１
2006093326.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶化ガラスを含むガラスセラミックグリーンシートを複数枚積層して成るガラスセラミックグリーンシート積層体を焼成して多層ガラスセラミック基板を製造する製造方法であって、前記結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度が１℃／分乃至９℃／分であり、前記結晶化ガラスのガラス転移点から焼成の最高温度までの昇温速度が１０℃／分乃至４０℃／分であることを特徴とする多層ガラスセラミック基板の製造方法。
【請求項２】
前記ガラスセラミックグリーンシート積層体を棚板上に載置するとともにマイクロ波吸収性の筐体内に配置し、前記ガラスセラミックグリーンシート積層体と、前記棚板および前記筐体とにマイクロ波を照射することにより有機成分を除去しつつ焼成することを特徴とする請求項１記載の多層ガラスセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、半導体チップ等を搭載し、それらを相互配線するための多層ガラスセラミック基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩ、半導体チップ等は小型化、軽量化が進んでおり、これらを実装する配線基板も小型化、軽量化が望まれている。このような要求に対して、基板内に内部電極等を配した多層セラミック基板は、要求される高密度配線が可能となり、かつ薄型化が可能なことから、今日のエレクトロニクス業界において重要視されている。
【０００３】
多層セラミック基板としては、アルミナ質焼結体からなり、表面または内部にタングステン、モリブデン等の高融点金属から成る配線導体が形成された配線基板が従来から広く用いられている。
【０００４】
一方、近年の高度情報化時代を迎え、使用される周波数帯域はますます高周波帯に移行しつつある。このような高周波信号の伝送を行なう高周波配線基板においては、高周波信号を高速で伝送する上で、配線導体を形成する導体の抵抗が小さいことが要求され、絶縁基板にもより低い誘電率が要求される。
【０００５】
しかし、従来のタングステン、モリブデン等の高融点金属は導体抵抗が大きく、高周波信号の伝播速度が遅く、また３０ＧＨｚ以上の高周波領域の信号伝播も困難であることから、タングステン、モリブデン等の金属に代えて銅、銀、金等の低抵抗金属を使用することが必要である。ところが、上記のような低抵抗金属は融点が低いため、８００℃乃至１０００℃程度の低温で焼成することが必要であることから、この低抵抗金属から成る配線導体は、高温焼成が必要なアルミナと同時焼成することができなかった。また、アルミナ基板は誘電率が高いため、高周波回路基板への適用は困難である。
【０００６】
このため、最近では、ガラスとセラミックス（無機質フィラー）との混合物を焼成して得られるガラスセラミックスを絶縁基板として用いることが注目されている。即ち、ガラスセラミックスは誘電率が低いため高周波用絶縁基板として好適であり、またガラスセラミックスは８００℃乃至１０００℃の低温で焼成することができることから、銅、銀、金等の低抵抗金属を配線導体として使用できるという利点がある。
【０００７】
例えば、配線導体として銅を用いた多層ガラスセラミック基板は、ガラスとフィラーとの混合物に有機バインダ、可塑剤、溶剤等を加えてスラリーとし、ドクターブレード等によりガラスセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を成形した後、銅の粉末を含有する導体ペーストを印刷するなどしてグリーンシート上に配線導体を形成し、次に複数枚のグリーンシートを積層して８００℃乃至１０００℃の温度で焼成して得られる。ここで、焼成雰囲気は銅が酸化されないように不活性ガスとして窒素ガスを用いた雰囲気とし、さらに水蒸気を加えて有機バインダの熱分解によって生成された不飽和炭化水素と水蒸気とを反応させて二酸化炭素や一酸化炭素等にガス化することにより、グリーンシート積層体の外部へ排出する脱バインダ法が用いられている。
【特許文献１】特開平１１−３４００３９号公報
【特許文献２】特開平１０−１３００６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、グリーンシートと配線導体を形成する低抵抗金属との収縮挙動の違いや、低抵抗金属がグリーンシートに含まれるガラス中に拡散することによる、配線導体まわりのガラスの収縮挙動の変化などにより、多層ガラスセラミック基板に反りなどの変形が生じるという問題があった。
【０００９】
このような問題を解決するために、グリーンシートに含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度で収縮を開始している配線導体用の低抵抗金属と、グリーンシートに含まれる結晶化ガラスのガラス転移点以上の温度で収縮を開始するグリーンシートとの収縮挙動の差を低減する目的で、グリーンシート積層体を焼成する際の昇温速度を速くすると、グリーンシート積層体中の有機バインダが分解して急激に体積膨張するという問題が生じる。その結果、グリーンシート積層体が層間で剥離したり、クラックが発生したりするといった問題点もあった。
【００１０】
本発明は、上記の問題点を解決するために完成されたものであり、その目的は、反りの少ない多層ガラスセラミック基板を短時間で焼成することが可能な多層ガラスセラミック基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の多層ガラスセラミック基板の製造方法は、結晶化ガラスを含むガラスセラミックグリーンシートを複数枚積層して成るガラスセラミックグリーンシート積層体を焼成して多層ガラスセラミック基板を製造する製造方法であって、前記結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度が１℃／分乃至９℃／分であり、前記結晶化ガラスのガラス転移点から焼成の最高温度までの昇温速度が１０℃／分乃至４０℃／分であることを特徴とする。
【００１２】
本発明の多層ガラスセラミック基板の製造方法は好ましくは、前記ガラスセラミックグリーンシート積層体を棚板上に載置するとともにマイクロ波吸収性の筐体内に配置し、前記ガラスセラミックグリーンシート積層体と、前記棚板および前記筐体とにマイクロ波を照射することにより有機成分を除去しつつ焼成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の多層ガラスセラミック基板の製造方法によれば、ガラスセラミックグリーンシートに含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域では昇温速度を１℃／分乃至９℃／分としたことから、ガラスセラミックグリーンシート積層体中の有機バインダが急激に熱分解して体積膨張することを防止することができる。その結果、ガラスセラミックグリーンシート積層体の層間での剥離や、クラックの発生を防止することができる。
【００１４】
さらに、ガラスセラミックグリーンシートに含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から焼成の最高温度までの昇温速度を１０℃／分乃至４０℃／分としたことから、ガラスセラミックグリーンシートに含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度で収縮を開始している配線導体を形成する低抵抗金属と、ガラスセラミックグリーンシートに含まれる結晶化ガラスのガラス転移点以上で収縮を開始するガラスセラミックグリーンシートとの収縮挙動の差を小さくすることができる。その結果、多層ガラスセラミック基板の反りなどの変形を防止することができる。
【００１５】
また、本発明の多層ガラスセラミック基板の製造方法は好ましくは、ガラスセラミックグリーンシート積層体を棚板上に載置するとともにマイクロ波吸収性の筐体内に配置し、ガラスセラミックグリーンシート積層体と、棚板および前記筐体とにマイクロ波を照射することにより有機成分を除去しつつ焼成することから、ガラスセラミックグリーンシート積層体、棚板、およびこれらを囲うマイクロ波吸収性の筐体がマイクロ波を吸収することによって自己発熱するので、ガラスセラミックグリーンシート積層体の外形寸法や厚みなどのサイズが大きくなった場合、焼成数量が増加してガラスセラミックグリーンシート積層体の数量が増えた場合、棚板を複数段積みした場合においても、ガラスセラミックグリーンシート積層体の昇温速度を均一にすることができる。さらに、マイクロ波によるガラスセラミックグリーンシート積層体の自己発熱効果により、ガラスセラミックグリーンシート積層体の内部が均一な温度になることから、ガラスセラミックグリーンシート積層体中の有機バインダを効率良く分解除去することが可能となる。
【００１６】
以上のことから、反りの小さい多層ガラスセラミック基板を短時間で焼成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の多層ガラスセラミック基板の製造方法を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００１８】
図１（ａ）は本発明の多層ガラスセラミック基板の製造方法の実施の形態の一例を示し、マイクロ波焼成炉の平面図である。また、図１（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。これらの図において、１はガラスセラミックグリーンシート積層体、２は棚板、３は筐体、４は断熱材、５は支柱、６は雰囲気ガス供給用ノズル、７は雰囲気ガス、８は排気用ノズル、９は排気ガス、１０は炉壁、１１はマイクロ波焼成炉である。
【００１９】
本発明におけるガラスセラミックグリーンシート（グリーンシート）は、ガラス粉末、フィラー粉末（セラミック粉末）、さらに有機バインダ、可塑剤、有機溶剤等を混合したものが用いられる。
【００２０】
ガラス成分としては、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は同一または異なってＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は上記と同じである）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３はＬｉ、ＮａまたはＫを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３は上記と同じである）、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００２１】
また、フィラーとしては、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、ＴｉＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１種を含む複合酸化物（例えばスピネル、ムライト、コージェライト）等が挙げられる。
【００２２】
上記ガラスとフィラーの混合割合は重量比で４０：６０乃至９９：１であるのが好ましい。
【００２３】
グリーンシートに配合される有機バインダとしては、従来からセラミックグリーンシートに使用されているものが使用可能であり、例えばアクリル系（アクリル酸、メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体、具体的にはアクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等）、ポリビニルブチラ−ル系、ポリビニルアルコール系、アクリル−スチレン系、ポリプロピレンカーボネート系、セルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。
【００２４】
グリーンシートは、上記ガラス粉末、フィラー粉末、有機バインダに必要に応じて所定量の可塑剤、溶剤（有機溶剤、水等）を加えてスラリーを得て、これをドクターブレード、圧延、カレンダーロール、金型プレス等により厚さ約５０μｍ乃至５００μｍに成形することによって得られる。
【００２５】
グリーンシート表面に導体パターンを形成するには、例えば導体材料粉末をペースト化したものをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷するか、あるいは所定パターン形状の金属箔を転写する等の方法が挙げられる。導体材料としては、例えば銅が挙げられる。
【００２６】
なお、グリーンシート表面の導体パターンには、上下の層間の導体パターン同士を接続するためのビア導体やスルーホール導体等の貫通導体が表面に露出した部分も含まれる。これら貫通導体は、パンチング加工等によりグリーンシートに形成した貫通孔に、導体材料粉末をペースト化したもの（導体ペースト）を印刷により埋め込む等の手段によって形成される。
【００２７】
グリーンシートの積層には、積み重ねたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダ、可塑剤、溶剤等から成る接着剤をグリーンシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。
【００２８】
ガラスセラミックスは、例えばアルミナセラミックスに比べ、焼成後の寸法精度の制御が困難とされる材料である。これは、ガラス成分の添加量が多いガラスセラミックスは、従来の焼成方法では焼成の際の熱が均一に伝わらないことから部分的にガラスの生成が起こってしまうからである。そのため、焼成の際に熱を均一に伝えることが可能なマイクロ波照射による本発明の製造方法は、ガラスセラミックスの焼成には適している。
【００２９】
これは、マイクロ波焼成の場合、導波管を通してマイクロ波焼成炉１１内に導入されたマイクロ波により、グリーンシート積層体１自体が自己発熱するとともに、マイクロ波焼成炉１１内に設けられた筐体３や棚板２も同時に自己発熱することにより、表面からの熱放散によって内部に比べて温度が低くなりがちなグリーンシート積層体１の表面と、グリーンシート積層体１の内部との温度勾配が極めて小さくなるためである。
【００３０】
また、筐体３および棚板２はマイクロ波吸収性を有している。その材質としては、誘電損失（ｔａｎδ）が大きくマイクロ波の吸収性が高いセラミック材料が好適である。そのような筐体３および棚板２を構成するセラミック材料としては、例えば炭化ケイ素系材料、アルミナ系材料等が挙げられる。
【００３１】
また、雰囲気ガス７が円筒状の雰囲気ガス供給用ノズルから筐体３内に供給されることにより、マイクロ波照射によりグリーンシート積層体１を構成する有機バインダが熱分解して発生した分解ガスが筐体３内に滞留することなく、対向する側面の排気用ノズル８から排気ガス９として連続的に排出される。
【００３２】
また、雰囲気ガス７としては、不活性ガスである窒素雰囲気を用いることが好ましい。また、銅を導体として使用する場合、低酸素分圧下で脱バインダするのに、有機バインダの熱分解生成物である不飽和炭化水素を二酸化炭素ガスに変化させる目的で露点が４０℃以上の雰囲気ガスを用いる。
【００３３】
グリーンシート積層体１にマイクロ波吸収性の筐体３やマイクロ波吸収性の棚板２を通してマイクロ波を照射することにより、有機バインダの熱分解生成物である不飽和炭化水素の水蒸気との反応による二酸化炭素ガス化およびセラミックスの焼結を行なう。この際、有機バインダの熱分解生成物である不飽和炭化水素の水蒸気との反応による二酸化炭素ガス化は、１００℃からグリーンシート積層体１に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点までの温度でグリーンシート積層体１を加熱することによって行なう。
【００３４】
本発明において、グリーンシート積層体１に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を１℃／分乃至９℃／分とすることが重要である。昇温速度が１℃／分未満であると、焼成に１０時間乃至１５時間という長い時間がかかるため、生産性が低下するうえ、長時間の加熱によるエネルギーの損失も大きくなる。また、昇温速度が９℃／分を超えると、グリーンシート積層体１中の有機バインダが急激に熱分解して体積膨張する。その結果、グリーンシート積層体１の層間が剥離したり、クラックが発生したりする。
【００３５】
次に、焼結温度はガラスセラミック組成により異なるが、通常はグリーンシート積層体１に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から１０００℃までの範囲内である。
【００３６】
また本発明において、グリーンシート積層体１に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から焼成の最高温度までの温度範囲での昇温速度を１０℃／分乃至４０℃／分とすることが重要である。昇温速度が１０℃／分未満であると、グリーンシートに含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度から収縮を開始している配線導体を形成する低抵抗金属と、グリーンシートに含まれる結晶化ガラスのガラス転移点以上で収縮を開始するグリーンシートとの収縮挙動の差が大きくなり、その結果、多層ガラスセラミック基板の反りなどの変形が発生する。また、昇温速度が４０℃／分を超えると、グリーンシート積層体１が急激な温度変化による収縮に耐えられずにクラックが発生する。
【００３７】
また、本発明の製造方法において用いるマイクロ波の周波数は、１ＧＨz乃至２０ＧＨzが好ましく、特に２.４５ＧＨｚが好ましい。この周波数が１ＧＨｚ未満では、波長が長くなりすぎるとともにグリーンシート積層体１および筐体３および棚板２のマイクロ波による発熱性が低下するため好ましくない。逆に、２０ＧＨｚを超える場合、マイクロ波発振器のコストが高くなり工業的な利用には不適である。特に、マイクロ波の周波数を２.４５ＧＨｚとした場合、発振器が工業的に安定して利用できるうえ、コスト的にも比較的安価である。
【００３８】
また、マイクロ波焼成炉１１としては、マイクロ波発振器および導波管を備えたバッチ炉であっても、あるいは大型の連続炉であっても何ら差し支えない。
【００３９】
マイクロ波焼成炉１１内の炉壁１０はマイクロ波を透過しない金属性の材質でできており、導波管を通してマイクロ波焼成炉１１内に導入されたマイクロ波は炉壁１０によって反射を繰り返す。また、マイクロ波低吸収性の断熱材４は、マイクロ波の透過性のあるアルミナファイバーや発泡アルミナ材料等から構成される。さらに、筐体３や棚板２は、マイクロ波吸収性の高い材料から適宜選択されるが、グリーンシート積層体１のマイクロ波吸収率と同じ程度かそれ以上のマイクロ波吸収率を有するものを用いることが好ましい。これにより、マイクロ波照射の際に、グリーンシート積層体１の表面と内部との温度勾配が極めて小さくなる。
【００４０】
本発明において、グリーンシート積層体１の上下面にさらに拘束グリーンシートを積層して焼成し、焼成後に拘束シートを除去するようにすれば、より高寸法精度の多層ガラスセラミック基板を得ることが可能となる。拘束グリーンシートは、Ａｌ２Ｏ３等の難焼結性無機材料を主成分とするグリーンシートであり、焼成時に収縮しないものである。この拘束グリーンシートが積層された積層体は、収縮しない拘束グリーンシートにより積層平面方向（ｘｙ平面方向）の収縮が抑制され、積層方向（ｚ方向）にのみ収縮するので、焼成収縮に伴う寸法ばらつきが抑制される。
【００４１】
また、拘束グリーンシートには難焼結性無機成分に加えて、焼成温度以下の軟化点を有するガラス成分、例えばグリーンシート中のガラスと同じガラスを含有させるとよい。焼成中にこのガラスが軟化してグリーンシートと結合することによりグリーンシートと拘束グリーンシートとの結合が全面にわたり強固となり、焼成前後で一貫して結合されるのでより確実な拘束力が得られる。このときのガラス量は難焼結性無機成分とガラス成分を合わせた無機成分に対して０．５質量％乃至１５質量％とすると拘束力が向上し、かつ拘束グリーンシートの焼成収縮が０．５％以下に抑えられる。
【００４２】
焼成後、拘束シートを除去する。除去方法としては、例えば研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト（砥粒と水とを空気圧により噴射させる方法）等が挙げられ、ウェットブラストが表面の導体パターンに対する衝撃等が小さいのでよい。
【００４３】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施の形態では、半導体素子、半導体チップ等を搭載し、それらを相互配線するための多層ガラスセラミック基板の製造方法に関するものであるが、他の用途に適用しても良い。
【実施例】
【００４４】
本発明の多層ガラスセラミック基板の製造方法の実施例について以下に説明する。
【００４５】
（実施例１）
ガラスセラミック成分として、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系ガラス粉末６０質量％、ＣａＺｒＯ３粉末２０質量％、ＳｒＴｉＯ３粉末１７質量％およびＡｌ２Ｏ３粉末３質量％を使用した。このガラスセラミック成分１００重量部に、有機バインダとしてアクリル樹脂１２重量部、フタル酸系可塑剤６重量部および溶剤としてトルエン３０重量部を加え、ボールミル法により混合しスラリーとした。このスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ３００μｍのグリーンシートを成形した。
【００４６】
次いで、このグリーンシート上に銅ペーストを用いて導体パターンをスクリーン印刷にて形成した。このとき、銅ペーストとして、銅粉末（平均粒径１.０μｍ）１００重量部に対して、Ａｌ２Ｏ３粉末２重量部および上記ガラスと同組成のガラス粉末２重量部、さらにビヒクル成分として所定量のエチルセルロース系樹脂、テルピネオールを加え、３本ロールにより適度な粘度になるように混合したものを用いた。
【００４７】
表面に導体パターンとガラスセラミック被覆層とを形成した表層用グリーンシートと、内層用グリーンシートの所定枚数を積み重ねてグリーンシート積層体を得た。
【００４８】
得られたグリーンシート積層体をマイクロ波によって自己発熱するアルミナ製の筐体内に載置し、この筐体内に露点６０℃の窒素ガスを供給するとともに、２.４５ＧＨｚのマイクロ波を連続照射し有機成分を除去しつつ、９００℃まで焼成した。この時、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から９００℃までの温度範囲での昇温速度を１０℃／分、グリーンシート積層体１に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を５℃／分とした。また、棚板は炭化珪素製のものを使用した。
【００４９】
焼成後、得られた多層ガラスセラミック基板の反りは８０μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。
【００５０】
（実施例２）
実施例１と同様にして得た多層ガラスセラミック基板を、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から９００℃までの温度範囲での昇温速度を２０℃／分、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を５℃／分とした以外は実施例１と同様の方法で焼成した。得られた多層ガラスセラミック基板の反りは７０μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。
【００５１】
（実施例３）
実施例１と同様にして得た多層ガラスセラミック基板を、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から９００℃までの温度範囲での昇温速度を３０℃／分、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を５℃／分とした以外は実施例１と同様の方法で焼成した。得られた多層ガラスセラミック基板の反りは５０μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。
【００５２】
（実施例４）
実施例１と同様にして得た多層ガラスセラミック基板を、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から９００℃までの温度範囲での昇温速度を４０℃／分、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を５℃／分とした以外は実施例１と同様の方法で焼成した。得られた多層ガラスセラミック基板の反りは５０μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。
【００５３】
（実施例５）
実施例１と同様にして得た多層ガラスセラミック基板を、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から９００℃までの温度範囲での昇温速度を３０℃／分、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を１℃／分とした以外は実施例１と同様の方法で焼成した。得られた多層ガラスセラミック基板の反りは４５μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。
【００５４】
（実施例６）
実施例１と同様にして得た多層ガラスセラミック基板を、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から９００℃までの温度範囲での昇温速度を３０℃／分、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を３℃／分とした以外は実施例１と同様の方法で焼成した。得られた多層ガラスセラミック基板の反りは５０μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。
【００５５】
（実施例７）
実施例１と同様にして得た多層ガラスセラミック基板を、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から９００℃までの温度範囲での昇温速度を３０℃／分、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を６℃／分とした以外は実施例１と同様の方法で焼成した。得られた多層ガラスセラミック基板の反りは５０μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。
【００５６】
（実施例８）
実施例１と同様にして得た多層ガラスセラミック基板を、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から９００℃までの温度範囲での昇温速度を３０℃／分、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を９℃／分とした以外は実施例１と同様の方法で焼成した。得られた多層ガラスセラミック基板の反りは５５μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かった。
【表１】
2006093326.tif 000003
【００５７】
（比較例１）
実施例１と同様にして得た多層ガラスセラミック基板を、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から９００℃までの温度範囲での昇温速度を５℃／分、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を５℃／分とした以外は実施例１と同様の方法で焼成した。得られた多層ガラスセラミック基板に層間の剥離やクラックは無かったが、反りが１６０μｍと大きかった。
【００５８】
（比較例２）
実施例１と同様にして得た多層ガラスセラミック基板を、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から９００℃までの温度範囲での昇温速度を４５℃／分、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を５℃／分とした以外は実施例１と同様の方法で焼成した。得られた多層ガラスセラミック基板の反りは５０μｍと良好であり、層間の剥離は無かったが、クラックが発生していた。
【００５９】
（比較例３）
実施例１と同様にして得た多層ガラスセラミック基板を、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から９００℃までの温度範囲での昇温速度を３０℃／分、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を０．５℃／分とした以外は実施例１と同様の方法で焼成した。得られた多層ガラスセラミック基板の反りは５０μｍと良好であり、層間の剥離やクラックは無かったが、焼成に３０時間以上もの長い時間を要した。
【００６０】
（比較例４）
実施例１と同様にして得た多層ガラスセラミック基板を、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点から９００℃までの温度範囲での昇温速度を３０℃／分、グリーンシート積層体に含まれる結晶化ガラスのガラス転移点よりも低い温度域での昇温速度を１０℃／分とした以外は実施例１と同様の方法で焼成した。得られた多層ガラスセラミック基板にクラックは無かったが、反りが１１０μｍと大きく、層間に剥離が発生した。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の多層ガラスセラミック基板の製造方法の実施の形態の一例を示し、（ａ）は多層ガラスセラミック基板の製造方法において使用するマイクロ波照射焼成炉の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１・・・ガラスセラミックグリーンシート積層体
２・・・棚板
３・・・筐体
６・・・雰囲気ガス供給用ノズル
７・・・雰囲気ガス
８・・・排気用ノズル
９・・・排気ガス
【図１】
2006093326.tif 000004