(57)【要約】  【課題】  書き込み電圧低減のためにヒューズのジョイントを低抵抗化し又は溶断部を短くすると、書き込み電流増加のため、駆動用トランジスタのセル面積の増大が必要となり、チップ面積が大きくなる。  【解決手段】  ポリシリコンヒューズ１００は、電圧印加により溶断される溶断部１０１ａと、溶断部１０１ａの一端に接続された＋端子側ジョイント１０４ａと、溶断部１０１ａの他端に接続された−端子側ジョイント１０４ｂとを備え、前記電圧印加の際に高電圧となる＋端子側ジョイント１０４ａは、−端子側ジョイント１０４ｂに比べて低い抵抗と高い熱伝導性とを有している。  また、ポリシリコンヒューズ１００の＋端子側ジョイントに対して直列に電流制限抵抗を接続し、該電流制限抵抗を介して電圧パルスを印加することにより、溶断部１０１ａの溶断の際にポリシリコンヒューズ１００流れる電流を所定の範囲に制限しながら書き込みを行なう。【選択図】      図１
2006108413.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧印加によって溶断される溶断部と、
前記溶断部の一端に接続された＋端子側ジョイントと、
前記溶断部の他端に接続された−端子側ジョイントとを備え、
前記＋端子側ジョイントと前記−端子側ジョイントとは、構造及び性質の少なくとも一方が異なることを特徴とするヒューズ。
【請求項２】
前記＋端子側ジョイントは、前記−端子側ジョイントに比べて熱伝導性が高いことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ。
【請求項３】
前記＋端子側ジョイントは、前記−端子側ジョイントに比べて抵抗が低いことを特徴とする請求項１又は２に記載のヒューズ。
【請求項４】
前記＋端子側ジョイントの幅は、前記−端子側ジョイントの幅よりも広いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のヒューズ。
【請求項５】
前記＋端子側ジョイントの少なくとも前記溶断部との近傍領域における幅は、前記−端子側ジョイントの前記溶断部との近傍領域における幅よりも広いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のヒューズ。
【請求項６】
前記溶断部と、前記＋端子側ジョイントにおける前記溶断部との接続部である＋端子側接続部と、前記−端子側ジョイントにおける前記溶断部との接続部である−端子側接続部とは、同一のヒューズ層に設けられ、
前記＋端子側ジョイントは、前記＋端子側接続部と、前記＋端子側接続部の上方に形成された＋端子側配線層と、前記＋端子側接続部及び前記＋端子側配線層を接続する少なくとも１つの＋端子側コンタクトとを備えると共に、
前記−端子側ジョイントは、前記−端子側接続部と、前記−端子側接続部の上方に形成された−端子側配線層と、前記−端子側接続部及び前記−端子側配線層を接続する少なくとも１つの−端子側コンタクトとを備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のヒューズ。
【請求項７】
前記ヒューズ層はポリシリコンからなることを特徴とする請求項６に記載のヒューズ。
【請求項８】
前記＋端子側コンタクトは、前記−端子側コンタクトよりも広い面積を有していることを特徴とする請求項６又は７に記載のヒューズ。
【請求項９】
前記＋端子側ジョイントは、少なくとも前記＋端子側接続部表面に形成されたシリサイド層を更に備えることを特長とする請求項６〜８のいずれか１つに記載のヒューズ。
【請求項１０】
前記＋端子側配線層は２層以上形成されており、
前記−端子側配線層は、前記＋端子側配線層よりも少ない層数だけ形成されていることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１つに記載のヒューズ。
【請求項１１】
前記＋端子側ジョイントは、前記＋端子側接続部の上方に、放熱層を更に備えることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１つに記載のヒューズ。
【請求項１２】
前記放熱層を２層以上備えることを特徴とする請求項１１に記載のヒューズ。
【請求項１３】
電圧印加によって溶断される溶断部と、前記溶断部の一端に接続された＋端子側ジョイントと、前記溶断部の他端に接続された−端子側ジョイントとを備えるヒューズに対し、保護抵抗及びリレーを有する書き込み回路によって前記電圧印加を行なう工程を含み、
前記電圧印加を行なう工程において、前記ヒューズにおける＋端子側ジョイントと前記リレーとの間に直列に電流制限抵抗を接続し、前記電流制限抵抗を介して前記ヒューズに前記電圧印加を行なうことにより、前記溶断部に流れる電流を所定の範囲に制限しながら前記溶断部の溶断を行なうことを特徴とするヒューズの書き込み方法。
【請求項１４】
前記電流制限抵抗は、前記書き込み回路の内部に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載のヒューズの書き込み方法。
【請求項１５】
前記電流制限抵抗は、前記書き込み回路の外部且つ前記ヒューズと同一の回路領域に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載のヒューズの書き込み方法。
【請求項１６】
前記ヒューズにおける少なくとも前記溶断部はポリシリコンからなることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１つに記載のヒューズの書き込み方法。
【請求項１７】
前記電流の所定の範囲は、５０ｍＡ以上で且つ１００ｍＡ以下であることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれか１つに記載のヒューズの書き込み方法。
【請求項１８】
前記電流制限抵抗は、１０Ω以上で且つ６００Ω以下である抵抗値を有することを特徴とする請求項１３〜１７のいずれか１つに記載のヒューズの書き込み方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒューズに関するものであり、特に、書き込み電流及び書き込み電圧の低減されたヒューズと、書き込み電流を低減できるヒューズの書き込み方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来用いられているポリシリコンヒューズ等のヒューズは、電圧印加によって溶断される溶断部と、溶断部の一端に接続され、電圧の印加される＋端子側ジョイントと、溶断部の他端に接続された−端子側ジョイントとを備えており、＋端子側ジョイントと−端子側ジョイントとは同じ構造及び性質を有している。
【０００３】
ポリシリコンヒューズの場合に、＋端子側ジョイント及び−端子側ジョイント（以下、＋端子側ジョイント及び−端子側ジョイントを合わせて単にジョイントと呼ぶことにする）については、何種類かの構成が用いられている。例えば、溶断部と同じくポリシリコン層によって構成する構造及び溶断のための書き込み電圧を低減するためにポリシリコン層及びシリサイド層を用いて低抵抗化した構造等がある。また、ポリシリコン層、配線層及びポリシリコン層と配線層とを接続するコンタクトによって構成し、低抵抗化した構造も用いられている。
【０００４】
以下、従来のポリシリコンヒューズについて、図面を参照してより詳しく説明する。
【０００５】
図１１（ａ）及び（ｂ）は従来のポリシリコンヒューズを有する半導体装置の一例（以後、従来例１と呼ぶことにする）を示す図であり、図１１（ａ）はポリシリコンヒューズ１０のみを透視図として表した平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のXIｂ-XIｂ'線における断面図である。
【０００６】
図１１（ａ）に示したように、ポリシリコンヒューズ１０は、ヒューズ層１１と、ヒューズ層１１の一部の上に形成されている配線層１２と、ヒューズ層１１及び配線層１２を電気的に接続するコンタクト１３を備えている。
【０００７】
ヒューズ層１１は、電圧印加によって溶断される溶断部１１ａと、溶断部１１ａに接続された接続部１１ｂからなり、接続部１１ｂのうち少なくとも溶断部１１ａと反対側の一部は、配線層１２と接続するための配線領域（図示せず）として利用される。
【０００８】
また、接続部１１ｂと、接続部１１ｂ上の配線層１２と、コンタクト１３とによって、ジョイント１４が形成されている。ここで、配線１５によって電圧が印加される側のジョイント１４は＋端子側ジョイント１４ａ、もう一方のジョイント１４は−端子側ジョイント１４ｂである。
【０００９】
また、ポリシリコンヒューズ１０に対して配線（図示省略）が接続され、電圧印加等ができるようになっている。
【００１０】
また、接続部１１ｂは、溶断部１１ａと比較して例えば四倍以上の幅を有すると共に、溶断部１１ａとの近傍領域において、溶断部１１ａに向かって細くなるテーパー形状を有している。
【００１１】
次に、断面図である図１１（ｂ）に示したように、従来のポリシリコンヒューズ１０を有する半導体装置は、基板２１と、基板２１上に形成された熱酸化膜２２と、熱酸化膜２２上に形成されたヒューズ層１１と、ヒューズ層１１に電圧を印加するための配線層１２と、ヒューズ層１１と配線層１２とを接続するコンタクト１３とを有している。また、熱酸化膜２２上には、ヒューズ層１１、配線層１２及びコンタクト１３を覆う層間絶縁膜２３が形成されており、更に、層間絶縁膜２３上には表面保護層２４が形成されている。
【００１２】
また、図１２（ａ）及び（ｂ）には、従来のポリシリコンヒューズ２０を有する半導体装置の別の例（以後、従来例２と呼ぶことにする）を示している。ここで、従来例２の半導体装置の構造は、配線層１２が接続部１１ｂ全面の上に形成されている（言い換えると、接続部１１ｂ全面が配線領域として利用されている）点において、従来例１の半導体装置の構造と異なっている。
【００１３】
このような構造とすることにより、従来例２の半導体装置においては、電流はポリシリコンからなるヒューズ層１１に比べて低抵抗である配線層１２を流れることもできるため、配線層１２、接続部１１ｂ及びコンタクト１３からなるジョイント１４が低抵抗化している。
【００１４】
従来例２のその他の構造については、従来例１と同様であるため、図１１（ａ）及び（ｂ）と同じ符号を付すことにより、詳しい説明は省略する。
【００１５】
次に、図１３は、ポリシリコンヒューズ１０を用いて構成したＰＲＯＭ（Programmable Read Only Memory）回路３１と、ＰＲＯＭ回路３１の各ビットのポリシリコンヒューズ１０を溶断することによって書き込みを行なう書き込み回路３２との構成図である。
【００１６】
ＰＲＯＭ回路３１は、複数のポリシリコンヒューズ１０と、溶断するポリシリコンヒューズ１０を選択し、書き込み電流を印加させるための複数の駆動用トランジスター４１を備えている。
【００１７】
また、書き込み回路３２は、保護抵抗４２及びＰＲＯＭ回路３１と書き込み回路３２とを接続するリレー４３を備えており、リレー４３等に付随する浮遊容量４４を含んでいる
。通常、浮遊容量４４は１〜１０ｐＦ程度の容量を持ち、０にすることは極めて難しい。
【００１８】
次に、図１３に示した構成において、図１１（ａ）及び（ｂ）に示した従来例１のポリシリコンヒューズを溶断する際の動作を説明する。
【００１９】
ＰＲＯＭ回路３１中のポリシリコンヒューズ１０に対する書き込みは、駆動用トランジスター４１を用いて書き込むべきポリシリコンヒューズ１０を選択し、書き込み回路３２によって電圧パルスＰを印加することによって行なう。
【００２０】
ここで、電圧パルスＰは、所定の立ち上がり時定数、電圧値及びパルス時間等を有する。
【００２１】
従来のポリシリコンヒューズ１０の抵抗をＲ、Ｒのうちジョイント１４の抵抗をそれぞれＲｊ、溶断部１１ａの抵抗をＲｃとする。つまり、Ｒ＝２Ｒｊ＋Ｒｃである。
【００２２】
また、溶断の際にポリシリコンヒューズ１０の＋端子側ジョイントに印加されている電圧をＶｃとし、−端子側ジョイントは（駆動用トランジスター４１を介して）接地されているものとする。
【００２３】
このようにすると、ポリシリコンヒューズ１０に流れる電流Ｉｃは、Ｉｃ＝Ｖｃ／Ｒ＝Ｖｃ／（２・Ｒｊ＋Ｒｃ）となる。
【００２４】
電圧パルスＰを印加すると、電圧Ｖｃの上昇に伴って電流Ｉｃも上昇し、溶断部１１ａにおいてジュール発熱が起こる。これによって溶断部１１ａの内部温度が上昇する。
【００２５】
ジョイント１４の放熱効果が小さい場合及び溶断部１１が短い場合には、溶断部１１ａ内部における温度分布は、溶断部１１ａの中央よりも＋端子側ジョイント１４ａに偏った位置をピークとする温度分布になる。
【００２６】
これに対し、ジョイント１４の放熱効果が高い場合及び溶断部１１ａが長い場合には、溶断部１１ａ内部における温度分布は溶断部１１ａの中央をピークとする温度分布になる。
【００２７】
ここで、温度分布のピークの位置における温度がＳｉの融点である１４１０℃に到達すると、ヒューズ層１１を構成するポリシリコンの一部が溶融して液状となり、フィラメントと呼ばれる構造が溶断部１１ａの内部に形成される。溶断部１１ａの電気抵抗が例えば５００〜１０００Ω程度であるのに対し、フィラメントの電気抵抗は例えば数十Ω程度である。このため、フィラメントが形成されるとポリシリコンヒューズ１０の抵抗Ｒは急激に減少し、これに伴って電圧Ｖｃも一時的に減少する。この時の電圧Ｖｃの減少量をΔＶｃとすると、フィラメント形成時におけるポリシリコンヒューズ１０の抵抗Ｒの減少量が大きいほど、ΔＶｃは大きい。
【００２８】
電圧Ｖｃが低下すると、浮遊容量４４から電流が放電される。詳しくは、電圧ＶｃがΔＶｃ低下すると、放電電流ΔＩｃは、ΔＩｃ＝ΔＶｃ／Ｒ＝ΔＶｃ／（２・Ｒｊ＋Ｒｃ）となり、放電電流ΔＩｃがポリシリコンヒューズ１０に印加される。
【００２９】
つまり、溶断の際に印加されている電圧パルスから供給される電流Ｉｃ＝Ｖｃ／Ｒ＝Ｖｃ／（２・Ｒｊ＋Ｒｃ）に加えて、付加容量４４から放電電流ΔＩｃ＝ΔＶｃ／Ｒ＝ΔＶｃ／（２・Ｒｊ＋Ｒｃ）がポリシリコンヒューズ１０に印加される。
【００３０】
以上のように、フィラメント形成時にポリシリコンヒューズ１０に流れる電流は、Ｖｃ／（２・Ｒｊ＋Ｒｃ）＋ΔＶｃ／（２・Ｒｊ＋Ｒｃ）となり、フィラメント形成時において急激に上昇する。
【００３１】
溶断部１１ａにおいて形成されたフィラメントは、溶断部１１ａ内部において幅方向及び膜厚方向に成長する。最終的には、溶断部１１ａにおける温度分布のピーク位置において、フィラメント自身の表面張力とヒューズ層１１に加わる膜ストレスの影響によって分裂し、溶断される。
【００３２】
尚、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１、特許文献２及び非特許文献１が知られている。
【特許文献１】特許第３２３９４４８号  図１
【特許文献２】特開昭５７-１２０３６２  図１
【非特許文献１】A.Ito、E.W.(Pete)George、R.K.Lowry、H.A.Swasey、４名、“The Physics and Reliability of Fusing Polysilicon”、IEEE IRPS、(1984) 17
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
しかしながら、従来のポリシリコンヒューズには、次のような課題があった。
【００３４】
ポリシリコンヒューズによるＰＲＯＭを使用する場合、駆動トランジスター４１のＢＶＣＥＳ（Break down Voltage Collector Emitter short）耐圧は、書き込み電圧よりも大きくなければならない。このため、駆動トランジスター４１のＢＶＣＥＳ耐圧が低いプロセスでは、書き込み電圧を小さくしなければならない。しかし、従来のポリシリコンヒューズを用いる場合、書き込み電圧を小さくすると、書き込み電流が大きくなる。これについて以下に説明する。
【００３５】
従来例１のポリシリコンヒューズにおいて、二つのジョイント１４（つまり、＋端子側ジョイント１４ａ及び−端子側ジョイント１４ｂ）は、それぞれＲｊの抵抗を有する（抵抗Ｒｊの大きさは、ポリシリコンよりなるヒューズ層１１のシート抵抗の大きさに依存している）。
【００３６】
このため、溶断部１１ａを溶断するためにポリシリコンヒューズ１０に対して書き込み電圧が印加され、電流Ｉｃが流れる場合、二つのジョイント１４において、合わせて２・Ｒｊ・Ｉｃの電圧降下が生じる。言い換えると、ポリシリコンヒューズ１０に対して印加した書き込み電圧に対し、溶断部１１ａの両端に印加される電圧は２・Ｒｊ・Ｉｃ低下することになる。
【００３７】
前記のように、書き込み電圧は小さくする必要があるため、このような場合にも書き込みを可能とするためには、溶断部１１ａを短くすることが考えられる。しかし、そのようにすると、電圧印加時の溶断部１１ａにおける温度分布について、溶断部１１ａ中の＋端子側ジョイント１４ａに近い位置に温度ピークが位置するようになる。
【００３８】
ここで、ジョイント１４の幅が小さい等により、ジョイント１４の熱伝導性が低い場合、溶断部１１ａにおける発熱により＋端子側ジョイント１４ａの一部が溶融することがある。書き込みの際にポリシリコンヒューズ１０に流れる電流である書き込み電流は、溶融される部分の断面積に比例して大きくなる。このため、溶断部１１ａに比べて断面積の大きいジョイント１４において溶融が起こると、書き込み電流は大きくなってしまう。
【００３９】
次に、接続部１１ｂ全面の上に配線層１２を形成し、配線層１２と接続部１１ｂとをコンタクト１３によって接続した従来例２のポリシリコンヒューズ２０の場合を考える。
【００４０】
この場合、ジョイント１４の抵抗Ｒｊは、例えば数Ω程度に低減されており、溶断部１１の抵抗Ｒｃに比べて充分に小さくなっているため、ここでは０として近似することができる。このため、従来例１のポリシリコンヒューズとは異なり、溶断部１１ａを短くする必要は無い。また、接続部１１ｂ全面の上に、ヒューズ層１１よりも熱伝導率の高い配線層１２が形成されていることから、ジョイント１４からの放熱の効率は向上している。
【００４１】
これらのことから、従来例２のポリシリコンヒューズ２０に書き込み電圧を印加した場合、溶断部１１ａにおける温度分布のピークは溶断部１１ａの中央に位置し、溶断部１１ａだけが溶断される。しかし、ジョイント１４の抵抗Ｒｊが溶断部１１ａの抵抗Ｒｃに比べて０と近似できる程度の大きさであるため、フィラメントが形成された際、５００〜１０００Ωであったポリシリコンヒューズ２０の抵抗Ｒが数十Ω程度まで減少する。これと同時に、ポリシリコンヒューズ２０の＋端子側ジョイント印加される電圧Ｖｃが低下し、大きな電圧降下ΔＶｃが発生する。
【００４２】
この結果、従来例２のポリシリコンヒューズを溶断する際、浮遊容量４４からの放電電流ΔＶｃ／Ｒｃが大きくなり、ポリシリコンヒューズ２０に流れる電流Ｉｃが極端に大きくなる（例えば、ポリシリコンシート抵抗２００Ω／□であり且つポリシリコン幅０．８μｍであるとき、約１２０ｍＡとなる）。
【００４３】
以上のように、従来の構成においては、書き込み電圧を低減するためにジョイント１２を実質的に低抵抗化した場合及び溶断部８の長さを短くした場合には、書き込み電流が大きくなる。書き込み電流が大きくなると、駆動用トランジスター４１のセル面積を大きくする必要が生じる。つまり、ＢＶＣＥＳ耐圧の低いプロセスに対してポリシリコンヒューズによるＰＲＯＭを適用する場合、チップ面積が大きくなる。
【００４４】
以上のような課題があった。
【００４５】
また、図１３に示した書き込み回路３２及びＰＲＯＭ回路３１の構成においては、書き込み電圧及び書き込み電流は、ヒューズの構造によって決定される。つまり、書き込み回路３２の定数を調整する等によって書き込み電流を低減することができない。このような課題もあった。
【００４６】
以上の課題に鑑み、本発明に係るヒューズの目的は、書き込み電圧及び書き込み電流を共に低減することである。また、本発明に係るヒューズの書き込み方法の目的は、書き込み電流を低減することを目的とする。これらにより、ヒューズを用いたＰＲＯＭ回路等について、チップ面積の増加を防ぐ。
【課題を解決するための手段】
【００４７】
前記目的を達成するため、本発明のヒューズは、電圧印加によって溶断される溶断部と、溶断部の一端に接続された＋端子側ジョイントと、溶断部の他端に接続された−端子側ジョイントとを備え、＋端子側ジョイントと−端子側ジョイントとは、構造及び性質の少なくとも一方が異なるようになっている。
【００４８】
ここで、溶断部は、＋端子側ジョイント及び−端子側ジョイントよりも細くなっており、ヒューズに対して電圧を印加した際、溶断部において溶断が起こるようになっている。
【００４９】
本発明のヒューズによると、＋端子側ジョイント及び−端子側ジョイントの構造及び性質を個別に設定するようになっている。このため、ヒューズを溶断する際の溶断部における温度分布のピーク位置等を調節することが可能となる。この結果、温度ピーク位置を溶断部の中央に調節すること等により、＋端子側ジョイントの一部の溶融を伴うことなく溶断部のみを溶断することができるため、フィラメント形成時における書き込み電流の増大を防止することができる。具体的には、例えば、＋端子側ジョイントの構造を低抵抗である構造とすることによって実現する。また、書き込み電圧を低減するために溶断部を短くした場合でも、温度分布のピーク位置が＋端子ジョイント部の近傍にならないため、ジョイント部の溶断による書き込み電流の増大が防止され、本発明の効果が顕著に発揮される。
【００５０】
更に、書き込み電圧及び書き込み電流を共に低減することができるため、本発明のヒューズを例えばＰＲＯＭ回路等に用いると、駆動用トランジスターのセル面積の増大を防ぎ、このことからチップ面積の増加を防ぐことができる。
【００５１】
尚、＋端子側ジョイントは、−端子側ジョイントに比べて熱伝導性が高いことが好ましい。
【００５２】
ここでは、熱伝導性とは、＋端子側ジョイント全体及び−端子側ジョイント全体についての熱伝導性を言う。
【００５３】
このようにすると、＋端子側ジョイントにおける熱伝導性が高く、放熱の効果が高いことから、溶断の際に溶断部における温度分布について、ピーク位置が＋端子側ジョイント側に偏るのを確実に防ぐことができる。このため、先に説明したように、＋端子側ジョイントの溶融を防ぐことにより、書き込み電流の増大を防ぐことができる。
【００５４】
また、＋端子側ジョイントは、−端子側ジョイントに比べて抵抗が低いことが好ましい。
【００５５】
このようにすると、＋端子側ジョイントにおけるジュール発熱が低減され、溶断の際の溶断部における温度分布について、ピーク位置が＋端子側ジョイントに近い側に偏るのを防ぐことができる。このため、先に説明したように、書き込み電流の増大を防ぐことができる。また、−端子側ジョイントは＋端子側ジョイントよりも大きな一定の抵抗を有していることにより、＋端子側ジョイント及び−端子側ジョイントの両方の抵抗を低減させた従来の構造に比べ、溶断に際したフィラメント形成時に過大な電流が流れるのを防ぐことができる。
【００５６】
また、＋端子側ジョイントの熱伝導性を−端子側ジョイントに比べて高くすると共に、＋端子側ジョイントの抵抗を−端子側ジョイントに比べて低くすることにより、前記したそれぞれの効果を共に得ることができる。このため、書き込み電圧及び書き込み電流を低減する本発明の効果をより顕著に得ることができる。
【００５７】
また、＋端子側ジョイントの幅は、−端子側ジョイントの幅よりも広いことが好ましい。また、＋端子側ジョイントの面積は、−端子側ジョイントの面積よりも広いことが好ましい。
【００５８】
このようにすると、＋端子側ジョイントを−端子側ジョイントよりも低抵抗とすることができる。また、面積が大きい方が熱伝導性は高いから、＋端子側ジョイントの熱伝導性を−端子側ジョイントの熱伝導性に比べて高くすることができる。
【００５９】
これらから、本発明の効果を確実に得ることができる。
【００６０】
また、＋端子側ジョイントの少なくとも溶断部との近傍領域における幅は、−端子側ジョイントの溶断部との近傍領域における幅よりも広いことが好ましい。
【００６１】
このようにすることによっても、＋端子側ジョイント全体の幅を−端子側ジョイントの幅よりも広くした場合と同様に、＋端子側ジョイントを−端子側ジョイントに比べて低抵抗且つ高熱伝導性（高放熱性）とすることができる。このため、本発明の効果を確実に得ることができる。
【００６２】
具体的には、例えば、＋端子側ジョイントについては、溶断部から所定の距離だけ離れた位置から溶断部に向かって直線的に細くなるテーパー形状とする。これに対し、−端子側ジョイントについては、＋端子側ジョイントと同様のテーパー形状から、更に円弧状の領域を切り欠いて細くした形状とする等である。
【００６３】
また、溶断部と、＋端子側ジョイントにおける溶断部との接続部である＋端子側接続部と、−端子側ジョイントにおける溶断部との接続部である−端子側接続部とは、同一のヒューズ層に設けられ、＋端子側ジョイントは、＋端子側接続部と、＋端子側接続部の上方に形成された＋端子側配線層と、＋端子側接続部及び＋端子側配線層を接続する少なくとも１つの＋端子側コンタクトとを備えると共に、−端子側ジョイントは、−端子側接続部と、−端子側接続部の上方に形成された−端子側配線層と、−端子側接続部及び−端子側配線層を接続する少なくとも１つの−端子側コンタクトとを備えることが好ましい。
【００６４】
このようにすると、溶断部を含むヒューズ層と、ヒューズ層に対して電圧を供給するための配線層とを備えたヒューズにおいて、本発明の効果を得ることができる。
【００６５】
また、ヒューズ層はポリシリコンからなることが好ましい。。
【００６６】
このようにすると、ポリシリコンヒューズにおいて、本発明の効果を得ることができる。
【００６７】
また、＋端子側コンタクトは、前記−端子側コンタクトよりも広い面積を有していることが好ましい。例えば、それぞれ単数の＋端子側コンタクト及び−端子側コンタクトを形成し、＋端子側コンタクトの面積を−端子側コンタクトの面積よりも大きくしても良い。また、それぞれ複数であり且つ個々の面積については等しい＋端子側コンタクト及び−端子側コンタクトを形成し、＋端子側コンタクトの数を−端子側コンタクトの数よりも多くすることによって、＋端子側コンタクト全体の面積を−端子側コンタクト全体の面積よりも広くする構造とするようなこともできる。
【００６８】
このようにすると、＋端子側ジョイントの抵抗を−端子側ジョイントの抵抗に比べて低くすることが確実にできる。
【００６９】
更に、配線層及びコンタクトは、ヒューズを半導体装置に組み込んだ際にヒューズを覆うように形成される層間絶縁膜等に比べると一般に熱伝導率が高い材料を用いて形成されるため、＋端子側ジョイントの熱伝導性を−端子側ジョイントの熱伝導性よりも高くし、＋端子側ジョイントにおける放熱効果を−端子側ジョイントにおける放熱効果よりも高くすることができる。
【００７０】
以上から、前記の構造とすることにより、本発明の効果を確実に得ることができる。
【００７１】
また、＋端子側ジョイントは、少なくとも前記＋端子側接続部表面に形成されたシリサイド層を更に備えることが好ましい。
【００７２】
このようにすると、＋端子側ジョイントの抵抗は、シリサイド層が形成されていることによって低減されている。このため、＋端子側ジョイントを−端子側ジョイントよりも低抵抗とすることによって書き込み電流及び書き込み電圧を低減する本発明の効果が確実に得られる。ここで、−端子側ジョイントにはシリサイド層が形成されていない場合に、特に顕著に前記効果が得られる。
【００７３】
また、＋端子側配線層は２層以上形成されており、−端子側配線層は、＋端子側配線層よりも少ない数数だけ形成されていることが好ましい。
【００７４】
このようにすると、熱伝導性の高い配線層が＋端子側ジョイントにおいて−端子側ジョイントよりも多く形成されていることにより、＋端子側ジョイントの熱伝導性が−端子側ジョイントの熱伝導性よりも高くなっている。
【００７５】
このことから、本発明の効果が確実に得られる。
【００７６】
また、＋端子側ジョイントは、＋端子側接続部の上方に、放熱層を更に備えることが好ましい。
【００７７】
このようにすると、＋端子側ジョイントの熱伝導性を−端子側ジョイントの熱伝導性よりも高くすることが確実にできる。このため、本発明の効果が確実に得られる。
【００７８】
また、放熱層は、２層以上備えることをが更に好ましい。
【００７９】
このようにすると、より顕著に＋端子側ジョイントの熱伝導性を向上させることができ、本発明の効果をより顕著に得ることができる。
【００８０】
前記の目的を達成するため、本発明のヒューズの書き込み方法は、電圧印加によって溶断される溶断部と、溶断部の一端に接続された＋端子側ジョイントと、溶断部の他端に接続された−端子側ジョイントとを備えるヒューズに対し、保護抵抗及びリレーを有する書き込み回路によって電圧印加を行なう工程を含み、電圧印加を行なう工程において、ヒューズにおける＋端子側ジョイントとリレーとの間に直列に電流制限抵抗を接続し、電流制限抵抗を介してヒューズに電圧印加を行なうことにより、溶断部に流れる電流を所定の範囲に制限して溶断部の溶断を行なう。特に、＋端子側ジョイント及び−端子側ジョイントがいずれも低抵抗化されているヒューズを用いる。
【００８１】
本発明のヒューズの書き込み方法によると、書き込みを行なう際に、書き込み回路に過剰な電流が流れるのを防ぐための保護抵抗とは別に、ヒューズにおける＋端子側ジョイントと書き込み回路におけるリレーとの間に直列に電流制限抵抗を接続している。このようにして、適切な抵抗値を有する電流制限抵抗を介してヒューズに電圧を印加することにより、溶断部が溶断される際にヒューズに過剰な電流が流れるのを防ぐことができると共に、溶断に必要な電流が流れるようにすることができる。以下に更に説明する。
【００８２】
書き込みを行なうヒューズの抵抗をＲ、該ヒューズが備える溶断部の抵抗をＲｃとし、また、＋端子側ジョイント及び−端子側ジョイントについては低抵抗化されて抵抗値が０と近似できるものとする。つまり、Ｒ＝Ｒｃと近似できるものとする。また、ヒューズの＋端子側ジョイントと書き込み回路のリレーとの間に直列に接続された電流制限抵抗の抵抗をＲｇ、ヒューズの＋端子の印加電圧をＶｃ、フィラメント形成時におけるヒューズの＋端子の電圧降下をΔＶｃとすると、フィラメント形成時の電流ＩｃはＩｃ＝Ｖｃ／Ｒｃ＋ΔＶｃ／（Ｒｃ＋Ｒｇ）となる。
【００８３】
該電流Ｉｃは、制限抵抗Ｒｇが追加されていることから低減されている。但し、書き込み電圧については、Ｒｇ・Ｉｃだけ大きくなる。
【００８４】
ここで、−端子側ジョイントに直列に電流制限抵抗を接続した場合には、フィラメント形成時に−端子側ジョイントの電圧が上昇し、ヒューズの両端に印加される電圧が低下することから、溶断部における溶断が妨げられる。このため、電流制限抵抗は＋端子側ジョイントに接続するのが望ましい。
【００８５】
以上のように、電流制限抵抗をヒューズにおける＋端子側ジョイントと書き込み回路におけるリレーとの間に対して直列に接続し、電流制限抵抗を介して電圧を印加することによって書き込みを行なうことにより、書き込み電圧及び書き込み電流を共に制御することができる。更に、ＰＲＯＭ回路等において本発明の書き込み方法を用いた場合、駆動用トランジスターのセル面積の増大を防ぐことができる等により、チップ面積の増加を防ぐことができる。
【００８６】
尚、電流制限抵抗は、書き込み回路の内部に配置されていることが好ましい。
【００８７】
このようにすることによっても、電流制限抵抗を用いることの効果を確実に得ることができる。
【００８８】
また、電流制限抵抗は、書き込み回路の外部且つヒューズと同一の回路領域に配置されていることが好ましい。具体的には、例えば、書き込み回路とヒューズとが異なるチップに配置されている場合に、ヒューズが配置されているのと同一のチップに電流制限抵抗が配置されていることが好ましい。
【００８９】
このようにすると、ヒューズと電流制限抵抗とを直接に接続することができることから、寄生容量の発生等を防ぐことができるため、好ましい。
【００９０】
また、ヒューズにおける少なくとも溶断部はポリシリコンからなることが好ましい。
【００９１】
このようにすると、ポリシリコンヒューズを用いる場合に本発明の効果を得ることができる。
【００９２】
また、電流制限抵抗を用いることによって制限される電流の所定の範囲は、５０ｍＡ以上で且つ１００ｍＡ以下であることが好ましい。
【００９３】
このようにすると、チップ面積の増大を防ぐ本発明の書き込み方法の効果を確実に得ることができる。
【００９４】
また、電流制限抵抗は、１０Ω以上で且つ６００Ω以下である抵抗値を有することが好ましい。
【００９５】
このようにすると、書き込み電流を低減する効果が顕著に得られる。
【００９６】
ヒューズの−端子側ジョイントには配線が接続されており、該配線が有する配線抵抗は、例えば２Ω程度等の値を取る。この抵抗値は、溶断部、ジョイント及びフィラメントの抵抗値と比較すると無視しうる大きさである。これに対し、電流制限抵抗が配線抵抗の５倍程度以上（つまり、例えば１０Ω程度以上）の抵抗値を有すると、フィラメント形成時に過剰な電流が流れるのを防ぐ効果が確実に得られる。
【００９７】
ヒューズをＰＲＯＭ回路に用いる場合、駆動用トランジスタのＢＶＣＥＳ耐圧よりも低い電圧によって書き込みを行なう必要がある。また、ヒューズに対する書き込みを行なうための電流値には下限が存在する。このため、ＢＶＣＥＳ耐圧と等しい電圧を印加することによって、書き込みを行なうことができる最小値の電流がヒューズに流れる場合の電流制限抵抗の値が電流制限抵抗の最大値となる。溶断が起こる際のフィラメントの抵抗値は無視できるとすると、ＢＶＣＥＳ耐圧を書き込みを行なうことができる電流の最小値で割った値が電流制限抵抗の抵抗の最大値であり、例えば、ＢＶＣＥＳ耐圧を３０Ｖ、書き込み電流の最小値を５０ｍＡとすると、３０Ｖ／５０ｍＡから電流制限抵抗の最大値は６００Ωとなる。
【００９８】
以上のように、電流制限抵抗の値の範囲は、最小値については−端子側ジョイントに接続された配線が有する配線抵抗の５倍程度の値であり、最大値については、駆動用トランジスタのＢＶＣＥＳ耐圧とヒューズの書き込みに最低限必要な電流値とによって決定される。
【発明の効果】
【００９９】
本発明のヒューズによると、＋端子側ジョイントと−端子側ジョイントとは構造及び性質の少なくとも一方が異なる。特に、＋端子側ジョイントは、−端子側ジョイントに比べて高い熱伝導性（放熱性）を有すると共に、−端子側ジョイントと等しい又は−端子側ジョイントに比べて低い抵抗を有している。これによって、書き込み電圧及び書き込み電流を共に低減することができる。
【０１００】
また、ジョイントを低抵抗化したヒューズにおいて、ヒューズの＋端子側ジョイントと書き込み回路のリレーとの間に直列に電流制限抵抗を接続して書き込みを行なうことにより、書き込み電流を低減することができる。更に、電流制限抵抗の大きさを調整することにより、書き込み電流及び書き込み電圧を共に制御することが可能となる。
【０１０１】
また、ＰＲＯＭ回路等に本発明を適用すると、書き込み電流を低減できることからチップ面積の増大を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１０２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【０１０３】
（第１の実施形態）
図１（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係るポリシリコンヒューズを有する半導体装置を示す図であり、図１（ａ）はポリシリコンヒューズ１００のみを透視図として表した平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のIｂ-Iｂ'線における断面図である。
【０１０４】
図１（ａ）に示したように、ポリシリコンヒューズ１は、ヒューズ層１０１と、ヒューズ層１０１の上に形成されている配線層１０２と、ヒューズ層１０１及び配線層１０２を電気的に接続するコンタクト１０３を備えている。
【０１０５】
ヒューズ層１０１は、電圧印加によって溶断される溶断部１０１ａと、溶断部１０１ａの両端にそれぞれ接続された接続部１０１ｂからなり、接続部１０１ｂのうち少なくとも溶断部１０１ａと反対側の一部は、配線層１０２と接続するための配線領域（図示せず）として利用される。
【０１０６】
また、ポリシリコンヒューズ１００に対して配線（図示せず）が接続され、電圧印加等を行えるようになっている。
【０１０７】
また、接続部１０１ｂと、接続部１０１ｂ上の配線層１０２と、コンタクト１０３とによって、ジョイント１０４が形成されている。ここで、配線によって電圧が印加され、溶断を行なう際には高電圧となる側のジョイント１０４は＋端子側ジョイント１０４ａ、もう一方の溶断の際には低電圧となる側のジョイント１０４は−端子側ジョイント１０４ｂである。
【０１０８】
また、接続部１０１ｂは、溶断部１０１ａと比較して例えば四倍以上の幅を有する。このため、ポリシリコンヒューズ１００に対して電圧を印加した際、電流密度の高くなる溶断部１０１ａにおいて溶断が行なわれる。
【０１０９】
次に、断面図である図１（ｂ）に示したように、ポリシリコンヒューズ１００を有する半導体装置は、基板１１１と、基板１１１上に形成された熱酸化膜１１２と、熱酸化膜１１２上に形成されたヒューズ層１０１と、ヒューズ層１０１に電圧を印加するための配線層１０２と、ヒューズ層１０１と配線層１０２とを接続するコンタクト１０３とを有している。また、熱酸化膜１１２上には、ヒューズ層１０１、配線層１０２及びコンタクト１０３を覆う層間絶縁膜１１３が形成されており、更に、層間絶縁膜１１３上には表面保護層１１４が形成されている。
【０１１０】
ここで、本実施形態に係るポリシリコンヒューズは、＋端子側ジョイント１０４ａにおいては配線層１０２が接続部１０１ｂの全面の上に形成されているのに対し、−端子側ジョイントにおいては配線層１０２は接続部１０１ｂの一部の上にだけ形成されている。また、接続部１０１ｂと配線層１０２とを接続するコンタクト１０３は、＋端子側ジョイント１０４ａにおいて−端子側ジョイント１０４ｂよりも多く形成されている。但し、個々のコンタクト１０３は全て同じ面積を有するものとする。
【０１１１】
このようにすることにより、＋端子側ジョイント１０４ａの電気抵抗を低減している。また、配線層１０２及びコンタクト１０３は層間絶縁膜１１３よりも熱伝導率の高い材料で作られており、＋端子側ジョイント１０４ａは、−端子側ジョイント１０４ｂよりも熱伝導性が高くなっている。
【０１１２】
尚、層間絶縁膜１１３は例えばＳｉＯ2 、表面保護膜１１４は例えばＳｉＮ、等を用いて形成している。但し、これらの材料に限るものではない。また、熱酸化膜１１２に代えて、他の種類の絶縁膜を用いることもできる。
【０１１３】
次に、以上のような本実施形態に係るポリシリコンヒューズの書き込みについて、図面を参照して説明する。
【０１１４】
図２は、ポリシリコンヒューズ１００に対して電圧パルス２０１を印加し、書き込みを行なう様子を示している。
【０１１５】
図１（ａ）に示した詳しい構造の図示は図２では省略しているが、ポリシリコンヒューズ１００は、Ｒｊ+ の抵抗を有する＋端子側ジョイント１０４ａと、Ｒｃの抵抗を有する溶断部１０１ａと、Ｒｊ- の抵抗を有する−端子側ジョイント１０４ｂとからなる。また、ポリシリコンヒューズ１００の＋端子側ジョイントには配線が接続され、電圧パルス２０１が印加されるようになっていると共に、−端子側は接地されている。
【０１１６】
ここで、ポリシリコンヒューズ１００を例えばＰＲＯＭ回路等を構成するために用いられる場合、ＰＲＯＭ回路等には、書き込み電流を印加するための駆動用トランジスター等が備えられる（図示せず）。
【０１１７】
また、電圧パルスを供給する書き込み回路及びリレー等（図示せず）は一定の浮遊容量を有しており、浮遊容量２０２として示されている。通常、浮遊容量２０２は１〜１０ｐＦ程度の容量を持ち、０にすることは極めて難しい。
【０１１８】
溶断を行なう際には、所定の立ち上がり時定数、電圧値、パルス時間等を持った電圧パルス２０１をポリシリコンヒューズ１００に印加する。このときポリシリコンヒューズ１００の＋端子側の電圧をＶｃ、ポリシリコンヒューズ１００を流れる電流をＩｃとすれば、電圧Ｖｃの上昇に伴って電流Ｉｃも上昇し、溶断部１０１ａにおいて、ジュール発熱のために内部の温度が上昇する。
【０１１９】
前記したように、本実施形態のポリシリコンヒューズ１００の＋端子側ジョイント１０４ａは、熱伝導性が高い構造となっている。このため、書き込み電圧を低下させるために溶断部１０１ａを短くした場合等においても、溶断部１０１ａにおける温度分布のピークは＋端子側ジョイントの側に偏ることなく中央付近に位置する。このことから、温度の上昇によって溶断部１０１ａの溶断が起こる際に、＋端子側ジョイント１０４ａにおいて接続部１０１ｂが溶融するのを防止することができる。このため、書き込み電流の上昇を防止できる。
【０１２０】
次に、ポリシリコンヒューズ１００の溶断の過程を更に詳しく説明する。
【０１２１】
本実施形態のポリシリコンヒューズ１００は＋端子側ジョイント１０４ａの抵抗Ｒｊ+ が数Ωに低抵抗化され、−端子側ジョイント１０４ｂに比較すると十分に小さいことからＲｊ+ ＝０と近似できる。
【０１２２】
このようにすると、ポリシリコンヒューズ１００に流れる電流Ｉｃは、Ｉｃ＝Ｖｃ／（Ｒｃ＋Ｒｊ- ）と表される。
【０１２３】
前記のように溶断部１０１ａの中央付近に位置する温度ピークの温度がＳｉの融点である１４１０℃に到達すると、溶断部１０１ａを構成するポリシリコンが一部溶融し、溶断部１０１ａ中に溶融したポリシリコンからなるフィラメントが形成される。フィラメントの抵抗は数十Ω程度であり、溶断部１０１ａの抵抗に比べて大幅に小さいため、ポリシリコンヒューズ１００の抵抗Ｒは急激に低下することになる。これに伴い、電圧Ｖｃも一時的に低下するため、浮遊容量２０２から放電が行なわれる。電圧Ｖｃの降下量をΔＶｃとすると、ΔＶｃはポリシリコンヒューズ１００の抵抗Ｒの減少量が大きいほど大きい。例えば、ポリシリコンのシート抵抗２００Ω／□、溶断部１０１ａの幅０．８μｍであれば、ΔＶｃは約２Ｖとなる。
【０１２４】
これらの結果、電圧パルス２０１によって流れる電流に加え、放電電流ΔＩｃ＝ΔＶｃ／Ｒ＝ΔＶｃ／（Ｒｃ＋Ｒｊ- ）がポリシリコンヒューズ１００に印加される。つまり、フィラメント形成時には、ポリシリコンヒューズ１００に流れる電流はＶｃ／（Ｒｃ＋Ｒｊ- ）＋ΔＶｃ／（Ｒｃ＋Ｒｊ- ）となり、溶断前に比べて急激に上昇する。例えば、ポリシリコンのシート抵抗２００Ω／□、溶断部１０１ａの幅０．８μｍであれば、約５０ｍＡとなる。
【０１２５】
更に、形成されたフィラメントは溶断部１０１ａの幅方向及び膜厚方向に共に成長し、最終的には、フィラメント自身の表面張力と膜ストレスの効果によって分裂し、溶断される。
【０１２６】
この際、＋端子側ジョイント１０４ａが低抵抗化され、Ｒｊ+ ＝０と近似できるのであるから、図１１に示した従来のポリシリコンヒューズと比較して書き込み電圧がＲｊ+ ・Ｉｃだけ低減できる。
【０１２７】
また、−端子側ジョイント１０４ｂは低抵抗化されておらず、Ｒｊ- の抵抗を有している。このため、＋端子側ジョイント及び−端子側のジョイントの両方を低抵抗化した従来のポリシリコンヒューズ（図１２参照）の場合と比較すると、フィラメント形成の際に流れる書き込み電流が抵抗Ｒｊ- によって低減される。
【０１２８】
例えば、図１２に示した従来のポリシリコンヒューズでは、ポリシリコンのシート抵抗２００Ω／□、溶断部１１ａの幅０．８μｍとすると書き込み電流は約１２０ｍＡであった。これに対し、本実施形態のポリシリコンヒューズ１００の場合には、同様にポリシリコンのシート抵抗２００Ω／□、溶断部１０１ａの幅０．８μｍとすると、書き込み電流は約５０ｍＡとなる。
【０１２９】
以上のように、本実施形態のポリシリコンヒューズ１００によると、＋端子側ジョイント１０４ａと−端子側ジョイント１０４ｂの熱伝導性及び抵抗が異なることにより、書き込み電圧及び書き込み電流を共に低減することができる。
【０１３０】
また、ポリシリコンヒューズ１００によるＰＲＯＭ回路等を構成する場合、ポリシリコンヒューズ１００の書き込み電流が低減されていることから駆動用トランジスターのセル面積を縮小できる等により、半導体チップのチップ面積を縮小することができる。
【０１３１】
尚、本実施形態においては、コンタクト１０３は全て同じ面積を有するものとするとともに＋端子側ジョイント１０４ａにおいて−端子側ジョイント１０４ｂよりも多くのコンタクト１０３が形成されているものとした。しかし、＋端子側ジョイントにおけるコンタクト１０３の面積の合計が−端子側ジョイント１０４ｂにおける面積の合計よりも大きい構成となっていれば、本実施形態の効果は実現できる。例えば、＋端子側ジョイント１０４ａ及び−端子側ジョイント１０４ｂのいずれにおいてもそれぞれ単一のコンタクト１０３が形成されており、＋端子側ジョイント１０４ａにおけるコンタクト１０３が−端子側ジョイント１０４ｂにおけるコンタクト１０３の面積よりも大きくなっている構成であってもよい。
【０１３２】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係るポリシリコンヒューズについて説明する。
【０１３３】
図３（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係るポリシリコンヒューズ２００を有する半導体装置を示す図であり、図３（ａ）はポリシリコンヒューズ２００のみを透視図として表した平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のIIIｂ-IIIｂ'線における断面図である。
【０１３４】
ここで、図３（ａ）及び（ｂ）において、図１（ａ）及び（ｂ）に示した第１の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ符号を付すことによって詳しい説明を省略する。
【０１３５】
本実施形態のポリシリコンヒューズ２００は、−端子側ジョイント１０４ｂの幅が＋端子側ジョイント１０４ａの幅に比べて狭い構造となっている点において、第１の実施形態の場合と異なる。但し、本実施形態において、幅とは、＋端子側ジョイント１０４ａ及び−端子側ジョイント１０４ｂにおける溶断部１０１ａとの近傍領域を除いた部分の幅を言うものとする。
【０１３６】
抵抗は断面積が小さいほど大きくなるから、本実施形態に係る−端子側ジョイント１０４ｂは、第１の実施形態の場合に比べて抵抗が高い。
【０１３７】
また、放熱効果は面積が大きいほど大きくなるから、本実施形態に係る−端子側ジョイント１０４ｂは、第１の実施形態の場合に比べて放熱効果が低い。
【０１３８】
以上の結果、第１の実施形態において説明した、書き込み電圧及び書き込み電流を共に低減する効果をより確実に実現できる。
【０１３９】
尚、本実施形態の＋端子側ジョイント１０４ａにおいて、配線層１０２は接続部１０１ｂの全面上に亘って形成している。しかし、配線層１０２が接続部１０１ｂの一部分の上のみに形成されているような場合であっても、−端子側ジョイント１０４ｂについて、幅を狭くすることによって高抵抗化する効果は得られる。
【０１４０】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係るポリシリコンヒューズについて説明する。
【０１４１】
図４（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係るポリシリコンヒューズ３００を有する半導体装置を示す図であり、図４（ａ）はポリシリコンヒューズ３００のみを透視図として表した平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のIVｂ-IVｂ'線における断面図である。
【０１４２】
ここで、図４（ａ）及び（ｂ）において、図１（ａ）及び（ｂ）に示した第１の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ符号を付すことによって詳しい説明を省略する。
【０１４３】
本実施形態のポリシリコンヒューズ３００は、−端子側ジョイント１０４ｂが、溶断部１０１ａとの近傍領域において＋端子側ジョイント１０４ａよりも幅が細くなっているという点において、第１の実施形態の場合と異なる。以下に具体的に説明する。
【０１４４】
＋端子側ジョイント１０４ａは、溶断部１０１ａとの接続部分と一定の距離だけ離れた位置から溶断部１０１ａに向かって、直線的に幅の細くなるテーパー形状を有している。これに対し、例えば、−端子側ジョイント１０４ｂは、同じく溶断部１０１ａとの接続部分と一定の距離だけ離れた位置から溶断部１０１ａに向かって細くなるのであるが、直線的ではなく、＋端子側ジョイントと同様のテーパー形状１５０から更に円弧状の領域１５１を切り欠いて細くした構造とする。
【０１４５】
また、別の形状としては、＋端子側ジョイント１０４ａに比べて溶断部１０１ａとの距離が大きい位置から溶断部１０１ａに向かって細くなる形状とすることもできる。
【０１４６】
以上のようにして、少なくとも溶断部１０１ａとの近傍領域において、−端子側ジョイント１０４ｂの幅が＋端子側ジョイント１０４ａの幅よりも細くなっている構成とする。
【０１４７】
このようにすると、少なくとも溶断部１０１ａとの近傍領域において、第２の実施形態と同様に−端子側ジョイント１０４ｂは高い抵抗及び低い放熱効果を有するようになるから、本発明の効果を確実に実現することができる。
【０１４８】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態に係るポリシリコンヒューズについて説明する。
【０１４９】
図５（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係るポリシリコンヒューズ４００を有する半導体装置を示す図であり、図５（ａ）はポリシリコンヒューズ４００のみを透視図として表した平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のVｂ-Vｂ'線における断面図である。
【０１５０】
ここで、図５（ａ）及び（ｂ）において、図１（ａ）及び（ｂ）に示した第１の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ符号を付すことによって詳しい説明を省略する。
【０１５１】
本実施形態のポリシリコンヒューズ４００は、＋端子側ジョイント１０４ａにおけるヒューズ層１０１上（言い換えると、＋端子側接続部１０１ｂ上）に、シリサイド層１１５を形成しているという点において、第１の実施形態の場合と異なる。このため、コンタクト１０３は、配線層１０２とシリサイド層１１５とを接続している。
【０１５２】
このようにすると、シリサイド層１１５はポリシリコンからなるヒューズ層１０１よりも低抵抗である（シリサイド層１１５の抵抗率はポリシリコンからなるヒューズ層１０１の抵抗率よりも小さい）ため、第１の実施形態の場合よりも大幅な＋端子側ジョイント１０４ａの低抵抗化を行なうことができる。
【０１５３】
この結果、＋端子側ジョイント１０４ａを低抵抗化することによる本発明の効果をより顕著に実現できる。
【０１５４】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態に係るポリシリコンヒューズについて説明する。
【０１５５】
図６（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係るポリシリコンヒューズ５００を有する半導体装置を示す図であり、図６（ａ）はポリシリコンヒューズ５００のみを透視図として表した平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のVIｂ-VIｂ'線における断面図である。
【０１５６】
ここで、図６（ａ）及び（ｂ）において、図１（ａ）及び（ｂ）に示した第１の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ符号を付すことによって詳しい説明を省略する。
【０１５７】
本実施形態のポリシリコンヒューズ５００は、＋端子側ジョイント１０４ａにおけるヒューズ層１０１上に追加ヒューズ層１０１ｘを有していることと、配線層１０２上に追加配線層１０２ｘを有している点において、第１の実施形態の場合と異なる。ここで、コンタクト１０３は、追加ヒューズ層１０１ｘと配線層１０２とを接続すると共に、配線層１０２と追加配線層１０２ｘとを接続するようになっている。
【０１５８】
このような構造とすることにより、＋端子側ジョイント１０４ａを更に低抵抗且つ高熱伝導性にすることができる。このため、本発明の効果をより顕著に実現できる。
【０１５９】
（第６の実施形態）
次に、本発明の第６の実施形態に係るポリシリコンヒューズについて説明する。
【０１６０】
図７（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係るポリシリコンヒューズ６００を有する半導体装置を示す図であり、図７（ａ）はポリシリコンヒューズ６００のみを透視図として表した平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のVIIｂ-VIIｂ'線における断面図である。
【０１６１】
ここで、図７（ａ）及び（ｂ）において、図１（ａ）及び（ｂ）に示した第１の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ符号を付すことによって詳しい説明を省略する。
【０１６２】
図１（ａ）及び（ｂ）に示した第１の実施形態のポリシリコンヒューズ１００において、配線層１０２は、＋端子側ジョイント１０４ａの接続部１０１ｂ全面上に亘って形成されると共に、−端子側ジョイント１０４ｂの接続部１０１ｂの一部分（個別の図示は省略しているが、溶断部１０１ａと反対側の配線領域）の上のみに形成されている。
【０１６３】
これに対し、本実施形態のポリシリコンヒューズ６００において、配線層１０２は、＋端子側ジョイント１０４ａ及び−端子側ジョイント１０４ｂのいずれについても、接続部１０１ｂの一部分（配線領域）の上のみに形成されている。
【０１６４】
また、＋端子側ジョイント１０４ａにおいて、ヒューズ層１０１上に層間絶縁膜１１３を介して放熱層１１６を有している。ここで、放熱層１１６は、層間絶縁膜１１３よりも熱伝導性の高い材料を用いて形成する。また、放熱層１１６は、配線層１０２及びヒューズ層１０１に対する電気的な接続は有していない。
【０１６５】
このような構成を有しているため、本実施形態のポリシリコンヒューズ６００は、抵抗については＋端子側ジョイント１０４ａと−端子側ジョイント１０４ｂとにおいて等しい。また、熱伝導性については、＋端子側ジョイント１０４ａは−端子側ジョイント１０４ｂよりも高熱伝導性となっている。
【０１６６】
このような本実施形態のポリシリコンヒューズ６００の溶断は、第１の実施形態において説明したのと同様の過程によって行なわれる。
【０１６７】
図２に示した方法により、第１の実施形態のポリシリコンヒューズ１００に代えて、第６の実施形態のポリシリコンヒューズ６００を溶断する場合を考える。
【０１６８】
第１の実施形態の場合とは異なり、本実施形態のポリシリコンヒューズ６００においては、＋端子側ジョイント１０４ａは低抵抗化されていない。そのため、＋端子側ジョイント１０４ａの抵抗Ｒｊ+ は０と近似することができず、Ｒｊ- と等しい値を取る。
【０１６９】
この結果、Ｒｊ+ ＝Ｒｊ- ＝Ｒｊとすると、各種の電流の値は、第１の実施形態の場合のＲｊ- を２Ｒｊによって置き換えた値を取る。
【０１７０】
具体的には、ヒューズの＋端子における電圧をＶｃとした際に、ポリシリコンヒューズ６００に流れる電流はＶｃ／（Ｒｃ＋２Ｒｊ）、フィラメント形成時に浮遊容量２０２が放電する放電電流はΔＶｃ／（Ｒｃ＋２Ｒｊ）、フィラメント形成時に溶断部１０１ａに流れる電流はＶｃ／（Ｒｃ＋２Ｒｊ）＋ΔＶｃ／（Ｒｃ＋２Ｒｊ）となる。
【０１７１】
また、本実施形態において、放熱層１１６が形成されていることにより、＋端子側ジョイント１０４ａの熱伝導性は−端子側ジョイント１０４ｂよりも高くなっている。
【０１７２】
このため、本実施形態のポリシリコンヒューズ６００によると、第１の実施形態の場合と同様に、溶断を行なう際の溶断部１０１ａにおける温度分布のピークは＋端子側ジョイントの側に偏ることなく中央付近に位置する。このことから、本実施形態においても接続部１０１ｂの溶融を防ぐことができるため、書き込み電圧低減のために溶断部１０１ａと短くしている場合等においても、書き込み電流の上昇を防止できる。
【０１７３】
（第７の実施形態）
次に、本発明の第６の実施形態に係るポリシリコンヒューズについて説明する。
【０１７４】
図８（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係るポリシリコンヒューズを有する半導体装置を示す図であり、図８（ａ）はポリシリコンヒューズ７００のみを透視図として表した平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のVIIIｂ-VIIIｂ'線における断面図である。
【０１７５】
ここで、図８（ａ）及び（ｂ）において、図７（ａ）及び（ｂ）に示した第６の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ符号を付すことによって詳しい説明を省略する。
【０１７６】
本実施形態のポリシリコンヒューズ７００は、放熱層１１６上に追加放熱層１１６ｘが形成されて二層構造となっており、放熱層１１６と追加放熱層１１６ｘとはコンタクト１０３によって接続されているという点において、第６の実施形態の場合と異なる。
【０１７７】
このような構造となっていることにより、＋端子側ジョイント１０４ａの熱伝導性は第６の実施形態の場合と比べても更に高められており、書き込み電流を低減する効果がより顕著に発揮される。
【０１７８】
尚、本実施形態においては放熱層を２層構造としたが、３層以上の放熱層を備え、それぞれコンタクトによって接続した構造としても良い。また、＋端子側ジョイント１０４ａにおける放熱層の層数をより多くした構造をとっているのであれば、−端子側ジョイント１０４ｂにも放熱層を備えていてもよい。
【０１７９】
また、第１〜第７の実施形態において、ヒューズ層１０１はポリシリコンからなるものとし、ポリシリコンヒューズである場合を説明した。しかし、ヒューズ層１０１がシリサイド等であっても本発明の効果は実現できるし、更に他の種類のヒューズを用いることを特に除くものではない。
【０１８０】
また、第１〜第７の実施形態の構成は、組み合わせて使用することも当然に可能である。例えば、第２の実施形態のように−端子側ジョイント１０４ｂの幅を狭くすると共に、第５の実施形態のように＋端子側ジョイント１０４ａについてシリサイド層１１５を形成した構成等を使用することもできる。
【０１８１】
（第８の実施形態）
次に、第８の実施形態に係るポリシリコンヒューズの書き込み方法を説明する。
【０１８２】
図９は、書き込み回路２０３によって、半導体チップ２０４に搭載されたポリシリコンヒューズ８００に書き込みを行なう方法を説明する図である。
【０１８３】
ここで、ポリシリコンヒューズ８００は、＋端子側ジョイント１０４ａと、溶断部１０１ａと、−端子側ジョイント１０４ｂとからなる。また、詳しい構造の説明は省略するが、＋端子側ジョイント１０４ａ及び−端子側ジョイント１０４ｂがいずれも低抵抗化されており、溶断部１０１ａに対して無視できる値になっている。例えば、配線層が接続部全面上に形成され、コンタクトによって配線層と接続部とが接続されている図１２（ａ）及び（ｂ）に示した従来例２のポリシリコンヒューズであっても良い。
【０１８４】
また、書き込み回路２０３は、リレー２０５と、書き込み電流の変化に応じてヒューズの＋端子の電圧が変化するように保護抵抗２０６とを備え、リレー２０５等に付随する浮遊容量２０２を含んでいる。これらに加え、書き込み回路２０３は、ポリシリコンヒューズ８００に流れる電流を制限するための所定の抵抗値を有する電流制限抵抗２０７を備えている。電流制限抵抗２０７は、リレー２０５と＋端子側ジョイントとの間に接続されるようになっている。
【０１８５】
浮遊容量２０３は、例えば１〜１０ｐＦ程度の容量であり、０にするのは極めて難しい。
【０１８６】
このような回路構成を用いる本実施形態によるポリシリコンヒューズ８００に対する書き込みは、次のような点においては、ジョイントを低抵抗化したポリシリコンヒューズに対する従来の書き込み方法と同様に行なわれる。
【０１８７】
つまり、電圧パルスの印加によって溶断部１０１ａにおいてジュール発熱により温度が上昇し、Ｓｉの融点である１４１０℃に到達する。このとき、溶断部１０１ａを構成するポリシリコンが一部溶融し、溶断部１０１ａ中に溶融したポリシリコンからなるフィラメントが形成される。フィラメントは溶融していない状態における溶断部１０１ａよりも大幅に低抵抗であるため、ポリシリコンヒューズ８００の抵抗は急速に低下する。これに伴い、浮遊容量２０３から放電が行なわれ、このようにして発生する放電電流もポリシリコンヒューズ８００に流れる。形成されたフィラメントは溶断部１０１ａの幅方向及び膜厚方向に共に成長し、最終的には、フィラメント自身の表面張力と膜ストレスの効果によって分裂し、溶断される。
【０１８８】
以上のような溶断の過程については、従来の書き込み方法と同様である。
【０１８９】
しかし、本実施形態においては、電流制限抵抗２０７がポリシリコンヒューズ８００の＋端子側ジョイントに直列に接続されており、電圧パルス２０１は電流制限抵抗２０７を介してポリシリコンヒューズ８００に印加される。これによって、書き込み電流は所定の範囲に調節される。このことの効果について、以下に説明する。
【０１９０】
本実施形態のポリシリコンヒューズ８００においては、＋端子側ジョイント１０４ａ及び−端子側ジョイント１０４ｂがいずれも低抵抗化されて０と近似できるため、ポリシリコンヒューズ８００の抵抗Ｒは溶断部１０１ａの抵抗Ｒｃに等しいと近似できることになる。
【０１９１】
また、電流制限抵抗２０７の抵抗をＲｇ、電流制限抵抗２０７の＋端子における電圧をＶｇとする。
【０１９２】
以上から、ポリシリコンヒューズ８００の＋端子における電圧がＶｃであるとき、ポリシリコンヒューズ８００に流れる電流ＩｃはＶｃ／Ｒｃと表される。
【０１９３】
また、低抵抗であるフィラメントが溶断部１０１ａ中に形成された際、ポリシリコンヒューズ８００の抵抗Ｒｃが一時的に低下することにより電圧Ｖｃも一時的に降下する。この結果、更に電圧Ｖｇも降下し、浮遊容量２０３から放電が起こる。電圧Ｖｇの降下量をΔＶｇとすると、浮遊容量２０３から放電される放電電流はΔＶｇ／（Ｒｇ＋Ｒｃ）となり、このような放電電流はポリシリコンヒューズ８００に印加される。
【０１９４】
つまり、通常の電圧パルス２０１による電流Ｖｃ／Ｒｃに加えて、放電電流ΔＶｇ／（Ｒｇ＋Ｒｃ）がポリシリコンヒューズ８００に印加されることになる。結局、ポリシリコンヒューズ８００には（Ｖｃ／Ｒｃ）＋ΔＶｇ／（Ｒｇ＋Ｒｃ）の電流が流れることになり、フィラメント形成の際に急激に増加する。このような電流により、溶断部１０１ａが溶断され、書き込みが行なわれる。
【０１９５】
以上のように、第８の実施形態によると、ポリシリコンヒューズ８００の＋端子側ジョイントに直列に電流制限抵抗２０７を接続して書き込みを行なう。このため、電流制限抵抗２０７における電圧降下Ｉｃ・Ｒｇに相当するだけ書き込み電圧が上昇することになるが、フィラメントに流れる過度電流は低減されるため、書き込み電流は小さくなる。更に、電流制限抵抗２０７の抵抗値Ｒｇを適切に選択することにより、書き込み電流及び書き込み電圧を共に制御することが可能となる。
【０１９６】
ここで、電流制限抵抗２０７をポリシリコンヒューズ８００の−端子側ジョイントに直列に接続した場合には、ポリシリコンヒューズ８００は溶断されにくくなる。これは、フィラメント形成の際にポリシリコンヒューズ８００に過度電流が流れると、短時間のうちにポリシリコンヒューズ８００の−端子における電圧が上昇する。この結果、ポリシリコンヒューズ８００の＋端子側及び−端子側の間にかかる電圧が低下するため、溶断が妨げられる。このような理由によるものと考えられている。
【０１９７】
同様の理由から、ポリシリコンヒューズ８００の−端子側ジョイントに接続され、接地されるまでの間の配線等について、抵抗は小さいほど良い。例えば数Ω以下とするのが望ましい。
【０１９８】
以上のことから、ポリシリコンヒューズ８００の＋端子側ジョイントに所定の抵抗値を有する電流制限抵抗２０７を接続し、電流制限抵抗２０７を介してポリシリコンヒューズ８００に電圧パルス２０１を印加して溶断を行なうことにより、書き込み電圧及び書き込み電流を共に制御することができる。更に、ＰＲＯＭ回路等において本発明の書き込み方法を用いた場合、駆動用トランジスターのセル面積の増大を防ぐことができる等により、チップ面積の増加を防ぐことができる。
【０１９９】
具体的に、本実施形態において、例えばポリシリコンのシート抵抗２００Ω／□、溶断部１０１ａの幅０．８μｍ、電圧パルス２０１の電圧を１２Ｖ、保護抵抗２０６の抵抗を５１Ωとする。この場合、電流制限抵抗２０７の抵抗値Ｒｇを例えば１００Ωとすることにより、フィラメントが形成された際の電流が例えば７５ｍＡに制限され、過剰な電流が流れるのを防ぐことができる。
【０２００】
比較として、電流制限抵抗を用いずに溶断を行なった場合、フィラメント形成時に流れる電流は例えば１２０ｍＡ程度であった。
【０２０１】
また、ポリシリコンヒューズ８００の−端子側ジョイント１０４ｂに接続された配線が有する配線抵抗は、例えば２〜３Ω程度である。このため、電流制限抵抗２０７は配線抵抗値の５倍以上である抵抗、例えば１０Ω程度以上の抵抗値を有するものとすると、書き込み電流を制限する本発明の効果を確実に実現できる。このように、本発明の効果を実現するための電流制限抵抗２０７の値の下限が求まる。
【０２０２】
また、ＰＲＯＭ回路等における駆動用トランジスターのＢＶＣＥＳ耐圧（例えば、約３０Ｖ）よりも低い電圧によって書き込みを行なうために、電流制限抵抗２０７の抵抗値の上限が定まる。具体的には、例えば、溶断部１０１ａの溶断を行なうために最低限必要な電流を約５０ｍＡとし、数十Ωであるフィラメントの抵抗は無視し得ると考えると、３０Ｖ／５０ｍＡから６００Ωと求まる。溶断部１０１ａの溶断を行なうために最低限必要な電流の値及びＢＶＣＥＳ耐圧は、回路及びヒューズの構成に応じてそれぞれ異なるが、これらの値から、電流制限抵抗２０７の抵抗値について、上限が求まるのである。
【０２０３】
尚、本実施形態の書き込み方法は、＋端子側ジョイントと−端子側ジョイントとが同じ構造及び性質を有している従来のヒューズを用いる場合について説明したが、例えば、＋端子側ジョイントの熱伝導性を−端子側ジョイントの熱伝導性よりも高くしたようなヒューズを用いる場合にも適用できる。
【０２０４】
（第９の実施形態）
次に、第９の実施形態に係るポリシリコンヒューズの書き込み方法を説明する。
【０２０５】
図１０は、本実施形態のヒューズの書き込み方法を示す図である。ここで、第８の実施形態においては書き込み回路２０３中に備えられていた電流制限抵抗２０７が、本実施形態においてはポリシリコンヒューズ８００が配置されているのと同一の回路領域、ここでは半導体チップ２０４中の＋端子側ジョイント１０４ａ側に備えられている。その他の点においては図９に示したのと同様であるから、図９と同じ符号を付すことによって詳しい説明は省略する。
【０２０６】
このようにすることによっても、第８の実施形態と同様の効果が得られる。更に、半導体チップ２０４中に電流制限抵抗２０７を備えていることにより、ポリシリコンヒューズ８００と電流制限抵抗２０７と直接接続できるから、寄生容量等の影響を受けることなく更に安定に溶断を行なうことができる。
【産業上の利用可能性】
【０２０７】
本発明によると、ヒューズの書き込み電圧及び書き込み電流を低減することができ、チップサイズの小型化に貢献することから、書き込み可能なＰＲＯＭ回路等を有する半導体装置等の用途に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０２０８】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るポリシリコンヒューズを有する半導体装置を示す図であり、図１（ａ）はポリシリコンヒューズ１００のみを透視図として表した平面図、（ｂ）は図１（ａ）のIｂ-Iｂ'線における断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るポリシリコンヒューズについての書き込み方法を説明する図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係るポリシリコンヒューズを有する半導体装置を示す図であり、図３（ａ）はポリシリコンヒューズ２００のみを透視図として表した平面図、（ｂ）は図３（ａ）のIIIｂ-IIIｂ'線における断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係るポリシリコンヒューズを有する半導体装置を示す図であり、図４（ａ）はポリシリコンヒューズ３００のみを透視図として表した平面図、（ｂ）は図４（ａ）のIVｂ-IVｂ'線における断面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第４の実施形態に係るポリシリコンヒューズを有する半導体装置を示す図であり、図５（ａ）はポリシリコンヒューズ４００のみを透視図として表した平面図、（ｂ）は図５（ａ）のVｂ-Vｂ'線における断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第５の実施形態に係るポリシリコンヒューズを有する半導体装置を示す図であり、図６（ａ）はポリシリコンヒューズ５００のみを透視図として表した平面図、（ｂ）は図６（ａ）のVIｂ-VIｂ'線における断面図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第６の実施形態に係るポリシリコンヒューズを有する半導体装置を示す図であり、図７（ａ）はポリシリコンヒューズ６００のみを透視図として表した平面図、（ｂ）は図７（ａ）のVIIｂ-VIIｂ'線における断面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第７の実施形態に係るポリシリコンヒューズを有する半導体装置を示す図であり、図８（ａ）はポリシリコンヒューズ７００のみを透視図として表した平面図、（ｂ）は図８（ａ）のVIIIｂ-VIIIｂ'線における断面図である。
【図９】本発明の第８の実施形態に係るポリシリコンヒューズの書き込み方法を示す図である。
【図１０】本発明の第９の実施形態に係るポリシリコンヒューズの書き込み方法を示す図である。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、従来のポリシリコンヒューズを有する半導体装置を示す図であり、図１１（ａ）はポリシリコンヒューズ１０のみを透視図として表した平面図、（ｂ）は図１１（ａ）のXIｂ-XIｂ'線における断面図である。
【図１２】（ａ）及び（ｂ）は、従来のポリシリコンヒューズを有する半導体装置を示す図であり、図１２（ａ）はポリシリコンヒューズ２０のみを透視図として表した平面図、（ｂ）は図１２（ａ）のXIIｂ-XIIｂ'線における断面図である。
【図１３】従来のポリシリコンヒューズの書き込み方法を示す図である。
【符号の説明】
【０２０９】
１００      ポリシリコンヒューズ
１０１      ヒューズ層
１０１Ｘ    追加ヒューズ層
１０１ａ    溶断部
１０１ｂ    接続部
１０２      配線層
１０２ｘ    追加配線層
１０３      コンタクト
１０４      ジョイント
１０４ａ    ＋端子側ジョイント
１０４ｂ    −端子側ジョイント
１１１      基板
１１２      熱酸化膜
１１３      層間絶縁膜
１１４      表面保護層
１１５      シリサイド層
１１６      放熱層
１１６ｘ    追加放熱層
１５０      テーパー形状
１５１      円弧状領域
２００      ポリシリコンヒューズ
２０１      電圧パルス
２０２      浮遊容量
２０３      書き込み回路
２０４      半導体チップ
２０５      リレー
２０６      保護抵抗
２０７      電流制限抵抗
３００、４００、５００、６００、７００、８００  ポリシリコンヒューズ
【図１】
2006108413.tif 000003
【図２】
2006108413.tif 000004
【図３】
2006108413.tif 000005
【図４】
2006108413.tif 000006
【図５】
2006108413.tif 000007
【図６】
2006108413.tif 000008
【図７】
2006108413.tif 000009
【図８】
2006108413.tif 000010
【図９】
2006108413.tif 000011
【図１０】
2006108413.tif 000012
【図１１】
2006108413.tif 000013
【図１２】
2006108413.tif 000014
【図１３】
2006108413.tif 000015