(57)【要約】      （修正有）【課題】ＬＥＤにおいて用いられるコンタクトを改善して、光取り出しを低下させることなくこの偏流注入問題を低減させること。【解決手段】発光デバイスは、基板、ドープされた基板層、ドープされた基板層の上にある第１導電型層、第１導電型層の上にある発光層、発光層の上にある第２導電型層を含む。例えば酸化インジウム・スズからなる透明導電層及び金属反射層は、第２導電型層の上あり、第２導電型層と電気的接触を形成する。複数のバイアは、金属反射層及び透明導電層、並びに第２導電型層、ドープされた基板層に至るまでの層内に形成することが可能である。複数のコンタクトがバイア内に形成され、ドープされた基板層と電気的接触を形成する。金属反射層の上に形成された絶縁層は、複数のコンタクトを透明導電層及び金属反射層から絶縁する。【選択図】図２
2006108698.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上にある第１導電型層と、
前記第１導電型層の上にある発光層と、
前記発光層の上にある第２導電型層と、
前記第２導電型層の上にある透明導電層と、
前記透明導電層の上にある金属反射層と、
を含み、
前記透明導電層及び金属反射層が前記第２導電型層と電気的接触を形成することを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
前記透明導電層が酸化インジウム・スズを含む請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記透明導電層の厚さが、前記発光層が生成する光の波長のおよそ４分の１である請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記透明導電層が約１０％より小さい単一パスロスを有する請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記第１導電型がｐ型であり、前記第２導電型がｎ型である請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記第１導電型層及び前記第２導電型層がアルミニウム、インジウム、及びリンを含む請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記第１導電型層及び前記第２導電型層がガリウム及び窒素を含む請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記第１導電型層及び前記第２導電型層がガリウム及び砒素を含む請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記金属反射層が銀及び金のうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記第１導電型層の下にある前記第１導電型のドープされた基板層と、
前記金属反射層、前記透明導電層、前記第２導電型層、前記発光層及び前記第１導電型層内に形成され、前記ドープされた基板層まで延びる複数のバイアと、
前記複数のバイアを通じて前記ドープされた基板層と電気的接触を形成する複数のコンタクトと、
を更に含む請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記複数のバイアの各々が、約２μｍ〜約１００μｍの範囲にある直径を有する請求項１０に記載の発光デバイス。
【請求項１２】
前記複数のバイアの各々が約１０μｍ〜約５０μｍの範囲にある直径を有する請求項１０に記載の発光デバイス。
【請求項１３】
前記複数のバイアの各々が、他のバイアから約５０μｍ〜約１０００μｍ離れて配置される請求項１０に記載の発光デバイス。
【請求項１４】
前記複数のバイアの各々が、他のバイアから約５０μｍ〜約２５０μｍ離れて設けられている請求項１０に記載の発光デバイス。
【請求項１５】
前記複数のバイアが、長方形、六角形、菱面形、面心立方形、及び任意の形状からなるグループから選択された配列で形成される請求項１０に記載の発光デバイス。
【請求項１６】
前記金属反射層の上に形成され、前記複数のバイアと位置合わせされた第１の複数の開口を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成され、前記複数のコンタクトを接続する複数の相互接続部と、
を更に含む請求項１０に記載の発光デバイス。
【請求項１７】
前記絶縁層が、前記金属反射層の上に第２の複数の開口を有する請求項１６に記載の発光デバイス。
【請求項１８】
発光デバイスを形成する方法であって、
基板を準備する段階と、
前記基板の上にある第１導電型層を形成する段階と、
前記第１導電型層の上にある活性領域を形成する段階と、
前記活性領域の上にある第２導電型層を形成する段階と、
前記第２導電型層の上にある透明導電層を形成する段階と、
前記透明導電層の上にある金属反射層を形成する段階と、
を含み、
前記透明導電層及び前記金属反射層が前記第２導電型層と電気的接触を形成するようにすることを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記透明導電層が酸化インジウム・スズを含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記透明導電層は、前記発光層によって生成される光の波長のおよそ４分の１の厚さで形成する請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板と前記第１導電型層との間に前記第１導電型のドープされた基板層を形成する段階と、
ドープされた基板層の前記層に接触する複数のバイアを、前記金属反射層、前記透明導電層、前記第２導電型層、前記発光層及び前記第１導電型層内に形成する段階と、
前記バイアを通じて前記ドープされた基板層と接触する複数のコンタクトを形成する段階と、
を更に含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記金属反射層の上にあり且つ前記複数のコンタクトが上に形成されている絶縁層を形成して、前記複数のバイアと位置合わせされた第１の複数の開口を生成する段階と、
前記絶縁層の上にあり、前記複数のコンタクトを接続する複数の相互接続部を形成する段階と、
を更に含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記複数のバイアを形成する段階が、前記第２導電型層、前記発光層及び前記第１導電型層の一部をエッチング除去する段階を含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
基板と、
前記基板の上にある第１導電型のドープされた基板層と、
前記ドープされた基板層の上にある前記第１導電型の層と、
前記第１導電型層の上にある発光層と、
前記発光層の上にある第２導電型層と、
前記第２導電型層の上にある透明導電層と、
前記透明導電層の上にあり、該透明導電層と共に前記第２導電型層との電気的接触を形成する金属反射層と、
前記金属反射層、前記透明導電層、前記第２導電型層、前記発光層及び前記第１導電型層内に形成され、前記ドープされた基板層まで延びる複数のバイアと、
前記金属反射層の上に形成され、前記複数のバイアに位置合わせされた第１の複数の開口と前記金属反射層の上にある第２の複数の開口とを有する絶縁層と、
前記複数のバイアを通じて前記ドープされた基板層と電気的に接触する複数のコンタクトと、
を含む発光デバイス。
【請求項２５】
前記絶縁層の上に形成され、前記複数のコンタクトを接続する複数の相互接続部を更に含む請求項２４に記載の発光デバイス。
【請求項２６】
前記透明導電層が酸化インジウム・スズを含む請求項２４に記載の発光デバイス。
【請求項２７】
前記透明導電層が、前記発光層が生成する光の波長のおよそ４分の１の厚さを有する請求項２６に記載の発光デバイス。
【請求項２８】
前記金属反射層が銀及び金のうちの少なくとも１つを含む請求項２４に記載の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に発光ダイオードに関し、より詳細には発光ダイオード用コンタクトに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光デバイスは、現在利用可能な最も効率的な発光源のうちの１つである。可視スペクトル全体で動作可能な高輝度ＬＥＤの製造において重要な現行の材料系には、ＩＩＩ〜Ｖ族半導体、特にＩＩＩ族窒化物材料とも呼ばれるガリウム、アルミニウム、インジウム、及び窒素の２元、３元、及び４元合金；並びにＩＩＩ族リン化物材料とも呼ばれるガリウム、アルミニウム、インジウム、及びリンの２元、３元、及び４元合金がある。多くの場合、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）又は他のエピタキシャル技術により、ＩＩＩ族窒化物デバイスは、サファイア、炭化シリコン、すなわちＩＩＩ族窒化物基板上にエピタキシャル成長し、ＩＩＩ族リン化物デバイスは、ガリウム砒素上にエピタキシャル成長する。これらのＬＥＤデバイス構造はまた、ウェハ接合によって透明基板に移すことができる。多くの場合、ｎ型の層（又は複数の層）が基板上に堆積され、次いで活性領域がｎ型層の上に堆積されて、次にｐ型の層（又は複数の層）が活性領域の上に堆積される。層の順番は、エピタキシャル成長又はウェハ接合のいずれによっても、ｐ型層が基板に隣接するように逆にすることが可能である。
【０００３】
図１は、従来型の発光ダイオード（ＬＥＤ）１０の断面図である。図１に示されているように、基板１２の上に１つ又はそれ以上のｐ型層が形成される。例証として、ｐ−ＡｌＩｎＰ層１６は、ウェハ接合によってＧａＰ基板１２のｐドープ領域１４の上に形成することができ、ｐコンタクト１８は、ｐドープ領域１４上に形成される。活性領域２０は、ｐ型層１６の上に形成され、例えばｎ−ＡｌＩｎＰ層であるｎ型層２２は、活性領域２０の上に形成される。ｎコンタクト２４は、ｎ型層２２の上に形成されるが、基板１２を通じて光をより良好に取り出すために反射ミラー２６の領域の面積を増大させるようにするため、該コンタクト領域は最小化される。従って、ＬＥＤ１０はフリップチップ構成において用いることができ、サブマウント上にフリップチップ接続されるときにｐコンタクト１８及びｎコンタクト２４がデバイスの同じ側に形成され、本明細書では、デバイスの最上部に存在する基板１２を通じて光が取り出される。
【０００４】
フリップチップＬＥＤ１０の設計方法では、横方向電流注入を加え、この結果、図１の矢印で示されているようにｎコンタクト２４の下で且つｐコンタクト１８の近傍において電流集中が生じる。縦方向注入型ＬＥＤと比べて、この電流集中は、偏流注入、並びに高い直列抵抗及び高い順電圧Ｖｆを生じることになる。
【０００５】
ｎ側における偏流注入問題を解決する１つの方法は、全面ｎ金属コンタクトを使用することである。しかしながら、良好なオーミックコンタクトを得るためには、ｎ金属コンタクトは高温下（例えば４２０℃より高い温度）でアニールする必要があるので、金属表面は粗くなる。結果として、全面ｎ金属コンタクトの反射率が不十分になり、光取り出しが低くなる。
従って、ＬＥＤにおいて用いられるコンタクトを改善し、光取り出しを低下させることなくこの偏流注入問題を低減させることが極めて望ましい。
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開番号２００３／０２３０７５４公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの実施形態によれば、発光デバイスは、基板と、ドープされた基板層と、該ドープされた基板層の上にある第１導電型層と、第１導電型層の上にある発光層と、発光層の上にある第２導電型層とを含む。酸化インジウム・スズなどの透明導電フィルム及び金属反射層が第２導電型層の上にあり、第２導電型層と電気的接触を形成する。１つの実施形態では、複数のバイアは、金属反射層及び透明導電フィルム、並びに第２導電型層、発光層、及び第１導電型層、などドープされた基板層に至るまでの層内に形成することが可能である。金属反射層の上に形成される絶縁層が、透明導電フィルム及び金属反射層から複数のコンタクトを絶縁する。
【０００８】
酸化インジウム・スズ層などの透明導電フィルム及び金属反射層の併用は、入射角全体にわたって高い光反射をもたらすので特に有利である。更に、透明導電フィルムは、活性領域の一方側からの均一な電流注入をもたらし、従来のデバイスに見られるｎ層の電流集中問題を排除する。その上、透明導電フィルム及び金属反射層、第２導電型層、発光層及び第１導電型層を貫通し、下にあるドープされた基板層に至るバイア及びコンタクトの分散アレイは、活性領域の他方の側からの電流拡散を改善するとともにデバイスの接合面積を増大させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図２は、全方向性高反射ミラー（ＯＤＲＭ）構造体１０１を備えた全面コンタクトを使用した本発明の１つの実施形態による発光デバイス（ＬＥＤ）１００の断面図である。
【００１０】
図２に示されているように、ＬＥＤ１００は、基板１０２の上に形成された１つ又はそれ以上のｐ型層１０６を含む。ｐ型層１０６は、例えば、非ドープのＧａＰ基板１０２に接合されたｐドープされたＧａＰ層１０４の上に形成されるＰ−ＡｌＩｎＰとすることができる。例えば、ＡｕＺｎから形成することができるｐコンタクト１０５は、ｐドープされたＧａＰ層１０４の上に形成される。活性領域１０８は、ｐ型層１０６の上に形成され、例えば、ｎ−ＡｌＩｎＰ等のｎ型層１１０は、活性領域１０８の上に形成される。ＬＥＤ１００は、１つ又はそれ以上のキャップ層１１２（例えばｎ＋ＧａＡｓ及び／又はｎ＋ＩｎＧａＰ）をｎ型層１１０の上に含むことができる。
【００１１】
ＯＤＲＭ構造体１０１は、キャップ層１１２の上において、例えば酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）からなる全面透明導電フィルム１１４と、例えばＡｇ又はＡｕからなる高反射ミラー１１６とから形成される。本明細書で使用される用語「透明」とは、「透明フィルム」、「透明層」、又は「透明基板」のように記載されている光学要素が、ＬＥＤの発光波長の光を約５０％より小さい、好ましくは約１０％より小さい吸収又は散乱による単一パスロスで透過することを表す。当業者であれば、「５０％より小さい単一パスロス」及び「１０％より小さい単一パスロス」という条件は、伝達経路長及び吸収定数の様々な組み合わせによって満たすことができることが理解されるであろう。透明導電フィルム１１４は、本明細書ではＩＴＯ層１１４と呼ばれる場合もあるが、他の導電性の透明なフィルムを用いてもよいことを理解されたい。透明導電フィルム１１４は、ＬＥＤ１００用のｎコンタクトとして機能し、ミラー１１６は透明導電フィルム１１４を覆う。本明細書では酸化インジウム・スズが透明導電フィルム１１４として用いられており、ＩＴＯ層１１４は、例えばＬＥＤ１００によって生成される４分の１波長の厚さを有する。例として、波長６１５ｎｍではＩＴＯ層１１４は厚さがおよそ７３ｎｍであり、屈折率は２．１である。ＩＴＯ層１１４のコンタクト抵抗は、１．５ｅ−５Ωｃｍ2又はこれより小さいことが予想され、６００ｎｍ付近でおよそ９５％又はそれ以上の透過となる。
【００１２】
ＯＤＲＭ構造体１０１は、ＯＤＲＭ構造体１０１に到達する光に対して全入射角にわたって高い反射性をもたらす。例えば、４分の１波長のＩＴＯ層１１４及びＡｇミラー１１６を備えるＯＤＲＭ構造体１０１は、幅広い範囲の入射角に対して９０％を超える反射率を有することが予想される。更に、ＩＴＯ層１１４を全面ｎコンタクトとして使用することにより、ｎ側から活性領域１０８への均一な電流注入が可能となり、従来のデバイスで見られるｎ層１１０での電流集中問題が排除される。従って、ＯＤＲＭ構造体１０１は、従来型のデバイスに比べてＬＥＤ１００の取り出し効率を向上させながら、順電圧Ｖｆ及び直列抵抗を減少させる。
【００１３】
本実施形態のＬＥＤ１００はフリップチップＡｌＩｎＧａＰ型デバイスとして説明されたが、本発明のＯＤＲＭ構造体は、要求に応じて他のデバイスに用いることができる点を理解されたい。例えば、ＯＤＲＭ構造体はフリップチップＩｎＧａＮ・ＬＥＤデバイスに使用することができる。ＩＴＯ層１１４はｐ−ＧａＮ層上の透明コンタクトとして使用することができることが示されてきた。ＩＴＯ層１１４はまた、ｐ−ＧａＡｓ又はｐ−ＩｎＧａＮコンタクト層の最上部に施工することもできる。
【００１４】
ＯＤＲＭ構造体１０１の使用によって、活性領域のｎ側において均一な電流注入が得られる。しかしながら活性領域のｐ側の電流注入は、図２に示されているように幅広のメサ構造体における横方向コンタクト方法であるために依然として問題となる可能性がある。例証として、１ｍｍ×１ｍｍ正方形の赤色フリップチップ・ダイに対して、ｐ−ＧａＰコンタクト層に対しエッチングすることによって４つのメサが形成される。このような構造に対するｐコンタクトとメサ中心との間隔は１００μｍを上回る。ｐ−ＧａＰの低い導電率に起因して、活性領域のｐ側の正孔注入はメサ全体で均一ではない。従って、メサの縁部周辺で電流集中が発生する可能性がある。
【００１５】
このため、本発明の他の実施形態によれば、電流拡散を改善してＬＥＤの接合面積を増大させるために、ＯＤＲＭ構造体１０１と共に分散ｐコンタクトのアレイが用いられる。分散コンタクトのアレイは、２００２年６月１３日に出願されたダニエルＡ．シュタイガーヴァルトらによる、表題「大小面積半導体発光フリップチップ・デバイス用コンタクト・スキーム」の米国特許出願公開番号２００３／０２３０７５４において開示されているものに類似するものとすることができ、これは発明の譲受人が本開示と同一であり、引用により本明細書に組み込まれる。
【００１６】
図３は、本発明の実施形態による、ｎコンタクトとして機能するＯＤＲＭ構造体２０１、及び分散ｐコンタクトのアレイを備えたＬＥＤ２００の平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ線に沿って取られたＬＥＤ２００の部分断面図である。
【００１７】
図４に見られるように、ＬＥＤ２００の構成は、図２に示されているＬＥＤ１００の構成に類似している。例えば、ＬＥＤ２００は、ｐドープされた層２０４の上に形成された１つ又はそれ以上のｐ型層２０６を含み、該ｐドープされた層２０４は基板２０２に接合される。ｐドープされた層２０４は、良好な電流拡散を得るように最適化された例えば２〜２０μｍのｐ−ＧａＰとすることができる。一般的に、均一な電流拡散を得るために、ｐドープされた層２０４が厚くなるにつれて、ｐコンタクトのアレイの間隔を大きくすることができる。しかしながら、ｐドープされた層２０４が厚くなると、光吸収損失が増すことになる。従って、ｐドープされた層２０４は、均一な電流拡散を得るために小さなｐコンタクトのアレイピッチでできる限り薄く維持される必要がある。ｐ型層２０６の上には活性領域２０８及びｎ層２１０が形成される。例えば、ｎ＋ＧａＡｓ及び／又はｎ＋ＩｎＧａＰのキャップ層２１２は、ｎ層２１０の上に形成される。ＯＤＲＭ２０１は、４分の１波長の厚さのＩＴＯ層２１４などの透明導電フィルム２１４、及びＩＴＯ層２１４の上に形成されるＡｇ又はＡｕの反射ミラー２１６として、キャップ層２１２の上に形成される。ＬＥＤ２００は、シリコン又はセラミックのサブマウント（示されていない）上にマウントすることができ、ＬＥＤ２００のカソード及びアノードは、ハンダバンプ又はＡｕ−Ａｕスタッドバンプを通じてサブマウント上の対応するコンタクトパッドに接続することができる。
【００１８】
しかしながら、図３及び図４に示されているように、ｐコンタクト２０５は、例えば、ｐドープされた層２０４に至るまで幾つかのバイア２１７をエッチングし、例えば反応性イオンエッチングを用いてＯＤＲＭ２０１、キャップ層２１２、ｎ型層２１０、活性領域２０８、及びｐ型層２０６をエッチング除去し、イオン注入し、ドーパント拡散し、又は層を選択的成長させることによって分散アレイ１１６として形成される。このようにして、ｐドープされた層２０４は、ｐコンタクト２０５において露出される。ＳｉＮX又はＳｉＯ2などの誘電体層２１８は、ＬＥＤのエピ構造、すなわち層２０６、２０８、２１０、２１２、及び２０１の上に形成される。例えばＡｕＺｎからなるｐコンタクト層２２０は、誘電体層２１８の上に形成され、下にあるｐドープされた層２０４と電気的に接触して、ｐコンタクト２０５を形成する。分散アレイ２１６のｐコンタクト２０５は、図３に示されているように、ｐコンタクト層２２０によって形成される相互接続２２２によって互いに接続される。誘電体層２１８は、ｐコンタクト層２２０をＯＤＲＭ２０１の反射ミラー２１６及びＩＴＯ層２１４から絶縁する。
【００１９】
例証として、５００μｍ×５００μｍの正方形ＬＥＤチップにおいて、図３に示されているような４×４の分散ｐコンタクトアレイは、バイア２１７をデバイスを通りｐ−ＧａＰ層２０４までエッチングして、バイア２１７内へＡｕＺｎ・ｐコンタクト層２２０を堆積させることによって形成される。バイアピッチ（図３の寸法Ｐ）は、例えば約５０μｍ〜１０００μｍとすることができ、通常は約５０μｍ〜約２００μｍである。バイア径（図３の直径Ｄ）は、例えば約２μｍと約１００μｍとの間とすることができ、通常は約１０μｍと約５０μｍとの間である。本明細書では、バイアピッチは１００μｍ、バイア径は２５μｍ、孔に対する最遠の電流導電路はおよそ３７．５μｍ（これはｐコンタクト２０５の縁部から２つの隣接するｐコンタクト２０５の中心までの距離）であり、対角のｐコンタクト２０５間では５８μｍである。更に、全接合面積はおよそ９６パーセントである。比較として、メサ幅をおよそ２１０μｍ、メサの周囲のｐコンタクト線を幅２０μｍ、ハンダ金属パッドを直径５０μｍと仮定すると、２つのメサ及び剥離ｐコンタクトを備えた同じ寸法の従来型ＬＥＤでは、７５パーセントの接合を有する。
【００２０】
必要であれば、本発明では異なる寸法又は異なる材料を使用できることを理解されたい。更に、図３に示されているデバイスは、４×４の長方形のバイアアレイを有するが、異なるサイズ（例えば、６×６又は９×９）の長方形アレイも使用することができ、同様に、六角形アレイ、菱面形アレイ、面心立方形アレイ、任意の配置、又は他のあらゆる好適な配置であってもよい。
【００２１】
図５Ａ〜図５Ｄは、製造中の種々の段階における本発明の実施形態を示している。図５Ａで示されている層２１２、２１０、２０８、２０６、及び２０４は、ｎ−ＧａＡｓ基板（図示せず）上でエピタキシャル成長し、次いで、ＧａＰ基板２０２に接合される。従って、例えばｎ＋ＧａＡｓ又はｎ＋ＩｎＧａＰからなるキャップ層２１２は、ｎ−ＧａＡｓ基板の上に形成される。１つ又はそれ以上のｎ型層２１０は、キャップ層２１２上に形成される。ｎ型層２１０は、例えば、バッファ層、コンタクト層、非ドープ結晶層、及び様々な組成及びドーパント濃度のｎ型層を含むことができる。次いで、活性領域２０８が、ｎ型層２１０上に形成される。活性領域２０８は、例えばバリア層のセットにより離隔された量子井戸層のセットを含むことができる。１つ又はそれ以上のｐ型層２０６は、活性領域２０８上に形成される。ｐ型層２０６は、例えばキャリア閉じ込め層、コンタクト層、並びに様々な組成及びドーパント濃度の他のｐ型層を含むことができる。様々な層は、例えばＭＯＣＶＤ又は他の適切な公知の技術によって堆積することができる。次に、ｐ型層２０６は、ＧａＰ基板２０２に接合され、ｎ−ＧａＡｓ基板は選択的に除去される。ＩＴＯ層２１４は、キャップ層２１２の上に堆積され、例えばＡｇ又はＡｕからなる反射ミラー層２１６は、ＩＴＯ層２１４の上に堆積され、結果として図５Ａで示されている構造をもたらす。ＩＴＯ層２１４及び反射ミラー層２１６は、例えば電子ビーム蒸着法又はスパッタリング法によって堆積することができる。
【００２２】
ＩＴＯ層２１４、ミラー層２１６及びキャップ層２１２は、例えばエッチングを伴うフォトリソグラフィ、又はリフトオフプロセスを用いて、図５Ｂに示されているようにパターン形成される。パターン形成は、ｎコンタクトとして使用されないＩＴＯ層２１４、ミラー層２１６及びキャップ層２１２のいずれかを除去する。このように、パターン形成は、図３及び図４で示されているバイア２１７を覆うｎコンタクトのいずれかを除去する。次に、図５Ｃに示されているように、１つ又はそれ以上のエッチング段階が実行されてバイア２１７を形成する。
【００２３】
例えばシリコン窒化物又はシリコン酸化物などの誘電体層２１８は、図５Ｄで示されているように堆積されて、ｎコンタクトとして機能するＩＴＯ層２１４及びミラー層２１６をバイア２１７に堆積されることになるｐ金属から電気的に絶縁する。誘電体層２１８は、該誘電体層２１８のいずれかの側部にある２つの材料を電気的に絶縁する何らかの材料とすることができる。誘電体層２１８は、バイア２１７の底部にあるｐ層２０４及びミラー層２１６の上面の一部を覆う誘電体材料の一部を除去するようにパターン形成される。ｐコンタクトとｎコンタクトとの間の短絡を防ぐため、誘電体層２１８は低密度のピンホールを有する必要がある。幾つかの実施形態では、誘電体層２１８は複数の誘電体層である。
【００２４】
次に、ｐコンタクト層２２０は、誘電体層２１８の上で且つバイア２１７の中に堆積される。各バイア２１７内の堆積されたｐ−金属を接続する相互接続部２２２もまた、この時に堆積することができる。ｐコンタクト層２２０は、図４に示されているようにミラー層２１６を覆っている材料の一部を除去するようにパターン形成される。
【００２５】
本発明は、教示の目的で特定の実施形態に関連して示されているが、本発明ははこれに限定されない。種々の適用及び修正を本発明の範囲から逸脱することなく行うことが可能である。従って、添付の請求項の精神及び範囲は、上述の説明に限定されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】従来型の発光デバイスの断面図である。
【図２】本発明の１つの実施形態による全方向性高反射ミラー（ＯＤＲＭ）を備えた全面コンタクトを使用した発光デバイスの断面図である。
【図３】本発明の別の実施形態による、ＯＤＲＭ構造体及び分散ｐコンタクトアレイを備えた発光デバイスの平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿って取られた発光デバイスの部分断面図である。
【図５Ａ】製造の間の様々な段階における本発明の実施形態の図である。
【図５Ｂ】製造の間の様々な段階における本発明の実施形態の図である。
【図５Ｃ】製造の間の様々な段階における本発明の実施形態の図である。
【図５Ｄ】製造の間の様々な段階における本発明の実施形態の図である。
【符号の説明】
【００２７】
１０  ＬＥＤ
１２  基板
１８  ｐコンタクト層
２４  ｎコンタクト層
２６  反射ミラー層
【図１】
2006108698.tif 000003
【図２】
2006108698.tif 000004
【図３】
2006108698.tif 000005
【図４】
2006108698.tif 000006
【図５Ａ】
2006108698.tif 000007
【図５Ｂ】
2006108698.tif 000008
【図５Ｃ】
2006108698.tif 000009
【図５Ｄ】
2006108698.tif 000010
【外国語明細書】
2006108698.tif 000011
2006108698.tif 000012
2006108698.tif 000013
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