(57)【要約】【課題】厚み方向に間隔を開けて配置された一対の電極層の間に磁気抵抗効果素子が配置された構造を有する磁気抵抗効果装置を精度よく形成する。【解決手段】磁気抵抗効果装置は、厚み方向に間隔を開けて配置された一対のシールド層３，８と、このシールド層３，８の間に配置されたＭＲ素子５と、ＭＲ素子５の両側において、シールド層３，８の間に配置された積層体３０とを備えている。積層体３０は、絶縁層３１とバイアス磁界印加層３２とを含んでいる。シールド層８は、シールド層３に対向する面８Ａを有している。この面８Ａは、ＭＲ素子５の上面５Ｂに接する第１の部分８Ａ１と、ＭＲ素子５のトラック幅方向の両側に配置された第２の部分８Ａ２とを含んでいる。第１の部分８Ａ１と第２の部分８Ａ２との間には、第２の部分８Ａ２が第１の部分８Ａ１よりもシールド層３に近づくような段差Ｄ１が形成されている。【選択図】図１
2006041120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向に間隔を開けて配置された第１および第２の電極層と、
前記第１の電極層に接する第１の面と前記第２の電極層に接する第２の面とを有し、前記第１の電極層と第２の電極層との間に配置された磁気抵抗効果素子とを備え、
前記磁気抵抗効果素子および第２の電極層は、前記第１の電極層に積層された磁気抵抗効果装置であって、
前記第２の電極層は、前記第１の電極層に対向する面を有し、この面は、前記磁気抵抗効果素子の第２の面に接する第１の部分と、前記磁気抵抗効果素子の両側に配置された第２の部分とを含み、
前記第１の部分と第２の部分との間には、第２の部分が第１の部分よりも前記第１の電極層に近づくような段差が形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果装置。
【請求項２】
更に、前記磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層と絶縁層とを含み、前記磁気抵抗効果素子の両側において、前記第１の電極層と第２の電極層との間に配置された積層体を備えたことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果装置。
【請求項３】
前記第２の部分と前記第１の電極層との間において、前記絶縁層は、前記バイアス磁界印加層と前記第１の電極層との間に配置されていることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果装置。
【請求項４】
前記積層体は、前記磁気抵抗効果素子の側面に隣接する隣接部を含み、前記隣接部において、前記絶縁層は、前記バイアス磁界印加層と前記磁気抵抗効果素子の側面との間に配置されていることを特徴とする請求項３記載の磁気抵抗効果装置。
【請求項５】
前記第２の部分と前記第１の電極層との間において、前記絶縁層は、前記バイアス磁界印加層と前記第２の電極層との間に配置されていることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果装置。
【請求項６】
前記積層体は、前記磁気抵抗効果素子の側面に隣接する隣接部を含み、前記隣接部において、前記バイアス磁界印加層は、前記絶縁層と前記磁気抵抗効果素子の側面との間に配置されていることを特徴とする請求項５記載の磁気抵抗効果装置。
【請求項７】
前記積層体は、前記絶縁層として第１および第２の絶縁層を含み、
前記バイアス磁界印加層は、前記第１および第２の絶縁層の間に配置され、
前記第２の部分と前記第１の電極層との間において、前記第１の絶縁層は、前記バイアス磁界印加層と前記第１の電極層との間に配置され、前記第２の絶縁層は、前記バイアス磁界印加層と前記第２の電極層との間に配置されていることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果装置。
【請求項８】
前記積層体は、前記磁気抵抗効果素子の側面に隣接する隣接部を含み、前記隣接部において、前記第１の絶縁層は、前記バイアス磁界印加層と前記磁気抵抗効果素子の側面との間に配置され、前記第２の絶縁層は、前記バイアス磁界印加層と前記第２の電極層との間に配置されていることを特徴とする請求項７記載の磁気抵抗効果装置。
【請求項９】
厚み方向に間隔を開けて配置された第１および第２の電極層と、
前記第１の電極層に接する第１の面と前記第２の電極層に接する第２の面とを有し、前記第１の電極層と第２の電極層との間に配置された磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の両側において、前記第１の電極層と第２の電極層との間に配置され、前記磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層と絶縁層とを含む積層体とを備え、
前記磁気抵抗効果素子、積層体および第２の電極層は、前記第１の電極層に積層され、
前記第２の電極層は、前記第１の電極層に対向する面を有し、この面は、前記磁気抵抗効果素子の第２の面に接する第１の部分と、前記磁気抵抗効果素子の両側に配置された第２の部分とを含み、
前記第１の部分と第２の部分との間には、第２の部分が第１の部分よりも前記第１の電極層に近づくような段差が形成されている磁気抵抗効果装置を製造する方法であって、
前記第１の電極層を形成する工程と、
前記第１の電極層の上に前記磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記第１の電極層および前記磁気抵抗効果素子を覆うように、前記バイアス磁界印加層となる膜と前記絶縁層となる絶縁膜とを含む積層膜を形成する工程と、
前記積層膜のうち前記磁気抵抗効果素子の上に存在する部分を除去して、残った積層膜によって前記積層体を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子および積層体の上に前記第２の電極層を形成する工程とを備え、
前記積層膜の厚みは、前記磁気抵抗効果素子の第２の面と、前記磁気抵抗効果素子の周辺における前記第１の電極層の上面との間の段差よりも小さいことを特徴とする磁気抵抗効果装置の製造方法。
【請求項１０】
前記積層体を形成する工程において、前記積層膜のうちバイアス磁界印加層となる膜はドライエッチングによって除去され、前記積層膜のうち絶縁膜はウェットエッチングまたはドライエッチングによって除去されることを特徴とする請求項９記載の磁気抵抗効果装置の製造方法。
【請求項１１】
前記積層膜を形成する工程において、前記バイアス磁界印加層となる膜は、前記絶縁膜の形成後に形成されることを特徴とする請求項９または１０記載の磁気抵抗効果装置の製造方法。
【請求項１２】
前記積層体は、前記磁気抵抗効果素子の側面に隣接する隣接部を含み、前記隣接部において、前記絶縁層は、前記バイアス磁界印加層と前記磁気抵抗効果素子の側面との間に配置されることを特徴とする請求項１１記載の磁気抵抗効果装置の製造方法。
【請求項１３】
前記積層膜を形成する工程において、前記絶縁膜は、前記バイアス磁界印加層となる膜の形成後に形成されることを特徴とする請求項９または１０記載の磁気抵抗効果装置の製造方法。
【請求項１４】
前記積層体は、前記磁気抵抗効果素子の側面に隣接する隣接部を含み、前記隣接部において、前記バイアス磁界印加層は、前記絶縁層と前記磁気抵抗効果素子の側面との間に配置されることを特徴とする請求項１３記載の磁気抵抗効果装置の製造方法。
【請求項１５】
前記積層体は、前記絶縁層として第１および第２の絶縁層を含み、
前記バイアス磁界印加層は、前記第１および第２の絶縁層の間に配置され、
前記積層膜は、前記絶縁膜として、前記第１の絶縁層となる第１の絶縁膜と前記第２の絶縁層となる第２の絶縁膜とを含み、
前記積層膜を形成する工程は、第１の絶縁膜、バイアス磁界印加層となる膜および第２の絶縁膜を、この順に形成することを特徴とする請求項９または１０記載の磁気抵抗効果装置の製造方法。
【請求項１６】
前記積層体は、前記磁気抵抗効果素子の側面に隣接する隣接部を含み、前記隣接部において、前記第１の絶縁層は、前記バイアス磁界印加層と前記磁気抵抗効果素子の側面との間に配置され、前記第２の絶縁層は、前記バイアス磁界印加層と前記第２の電極層との間に配置されることを特徴とする請求項１５記載の磁気抵抗効果装置の製造方法。
【請求項１７】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体からの信号磁界を検出するために前記媒体対向面の近傍に配置された請求項１ないし８のいずれかに記載の磁気抵抗効果装置と
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１８】
請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと
を備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１９】
請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、
前記スライダを記録媒体のトラック横断方向に移動させるためのアームと
を備え、前記サスペンションが前記アームに取り付けられていることを特徴とするヘッドアームアセンブリ。
【請求項２０】
請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを支持すると共に前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と
を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果装置およびその製造方法、ならびに、磁気抵抗効果装置を有する薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】
ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（Anisotropic Magnetoresistive）効果を用いたＡＭＲ素子や、巨大磁気抵抗（Giant Magnetoresistive）効果を用いたＧＭＲ素子や、トンネル磁気抵抗（Tunnel-type Magnetoresistive）効果を用いたＴＭＲ素子等がある。
【０００４】
再生ヘッドの特性としては、高感度および高出力であることが要求される。この要求を満たす再生ヘッドとして、既に、スピンバルブ型ＧＭＲ素子を用いたＧＭＲヘッドが量産されている。最近では、面記録密度の更なる向上に対応するために、ＴＭＲ素子を用いた再生ヘッドの開発が進められている。
【０００５】
従来のＧＭＲヘッドでは、磁気的信号検出用の電流（以下、センス電流という。）を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対して平行な方向に流す構造になっていた。このような構造は、ＣＩＰ（Current In Plane）構造と呼ばれる。このＣＩＰ構造のＧＭＲヘッドでは、ＧＭＲ素子と上下の各シールド層との間は絶縁膜によって絶縁される。そのため、ＣＩＰ構造のＧＭＲヘッドでは、線記録密度を高めるために上下のシールド層の間隔（以下、シールドギャップ長という。）を短くしていくと、上記絶縁膜が薄くなり、ＧＭＲ素子とシールド層との間の絶縁を保つことが難しくなるという問題点があった。
【０００６】
そこで、センス電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対して垂直な方向に流す構造のＧＭＲヘッドも提案されている。このような構造は、ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造と呼ばれる。ＣＰＰ構造のＧＭＲヘッドでは、ＧＭＲ素子とシールド層との間を絶縁する必要がない。そのため、ＣＰＰ構造のＧＭＲヘッドでは、上述の問題は生じない。また、ＣＰＰ構造のＧＭＲヘッドでは、トラック幅が小さくなったときに、ＣＩＰ構造のＧＭＲヘッドに比べて大きな出力が得られるという利点がある。なお、ＴＭＲ素子を用いたＴＭＲヘッドもＣＰＰ構造となる。
【０００７】
ＣＰＰ構造のヘッドでは、ＭＲ素子にセンス電流を流すための一対の電極層が、厚み方向に間隔を開けて配置され、この一対の電極層の間にＭＲ素子が配置される。電極層は、シールド層を兼ねていてもよい。その場合、一対の電極層の間隔がシールドギャップ長となる。また、一般的に、ＭＲ素子のトラック幅方向の両側には、ＭＲ素子にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加層が配置される。バイアス磁界は、ＭＲ素子に信号磁界が印加されていないときに、ＭＲ素子において信号磁界に応じて磁化の方向が変化する層の磁化の方向を所定の方向に揃える。
【０００８】
従来、ＣＰＰ構造のヘッドの製造方法としては、以下に示すような、いくつかの方法があった。
【０００９】
第１の方法は、特許文献１や特許文献２においてリフトオフ法として記載されている方法である。この方法では、まず、下部電極層の上に、ＭＲ素子となるＭＲ膜を形成する。次に、ＭＲ膜の上にマスクを形成し、このマスクを用いてＭＲ膜を選択的にエッチングしてＭＲ素子を形成する。次に、マスクを残したまま、ＭＲ素子、マスクおよび下部電極層を覆うように絶縁層を形成する。次に、マスクを除去する。これにより、ＭＲ素子の上面が露出する。次に、ＭＲ素子および絶縁層の上に、上部電極層を形成する。
【００１０】
第２の方法は、特許文献１や特許文献２においてコンタクトホール法として記載されている方法である。この方法を、図２７を参照して説明する。この方法では、まず、下部電極層１０１の上にＭＲ膜を形成する。次に、ＭＲ膜の上にマスクを形成し、このマスクを用いてＭＲ膜を選択的にエッチングしてＭＲ素子１０２を形成する。次に、マスクを除去した後、ＭＲ素子１０２および下部電極層１０１の上に絶縁層１０３を形成する。次に、絶縁層１０３のうち、ＭＲ素子１０２の上に存在している部分を選択的にエッチングして、コンタクトホール１０３ａを形成する。これにより、ＭＲ素子１０２の上面が露出する。次に、ＭＲ素子１０２および絶縁層１０３の上に、上部電極層１０４を形成する。
【００１１】
第３の方法は、特許文献１に記載されている、以下のような方法である。この方法を、図２８を参照して説明する。この方法では、まず、下部電極層１０１の上にＭＲ膜を形成する。次に、ＭＲ膜の上にマスクを形成し、このマスクを用いてＭＲ膜を選択的にエッチングしてＭＲ素子１０２を形成する。次に、マスクを除去した後、ＭＲ素子１０２および下部電極層１０１の上に絶縁層１０５を形成する。次に、イオンビームエッチングや化学機械研磨（以下、ＣＭＰという。）によって、絶縁層１０５のうち、図２８において符号１０６を付した二点鎖線で示すＭＲ素子１０２の上面のレベルよりも上側の部分を除去して、ＭＲ素子１０２の上面を露出させると共に、ＭＲ素子１０２および絶縁層１０５の上面を平坦化する。次に、ＭＲ素子１０２および絶縁層１０５の上に、上部電極層を形成する。
【００１２】
第４の方法は、特許文献２に記載されている、以下のような方法である。この方法では、まず、下部電極層の上にＭＲ膜を形成する。次に、ＭＲ膜の上にマスクを形成し、このマスクを用いてＭＲ膜を選択的にエッチングしてＭＲ素子を形成する。次に、マスクを残したまま、ＭＲ素子、マスクおよび下部電極層を覆うように絶縁層を形成する。次に、ＣＭＰによって、マスクが露出するまで、またはマスクが露出する手前まで絶縁層を研磨する。マスクが絶縁材料よりなる場合は、次に、マスクを除去する。マスクが導電材料よりなる場合は、マスクを除去してもよいし、マスクを残して保護層として使用してもよい。次に、ＭＲ素子またはマスクの上および絶縁層の上に上部電極層を形成する。
【００１３】
第５の方法は、特許文献３に記載されている、以下のような方法である。この方法を、図２９を参照して説明する。この方法では、まず、下部電極層１０１の上にＭＲ膜および導電性の保護膜を順に形成する。次に、保護膜の上にマスクを形成し、このマスクを用いて保護膜およびＭＲ膜を選択的にエッチングしてＭＲ素子１０２を形成する。ＭＲ素子１０２の上には、パターニングされた保護膜よりなる保護層１０７が配置されている。次に、マスクを除去した後、ＭＲ素子１０２、保護層１０７および下部電極層１０１を覆うように絶縁層１０８を形成する。次に、ＣＭＰによって、保護層１０７が露出するまで絶縁層１０８を研磨する。次に、保護層１０７および絶縁層１０８の上に上部電極層１０４を形成する。
【００１４】
【特許文献１】特開２００３−２０３３１３号公報
【特許文献２】特開２００３−１３２５０９号公報
【特許文献３】特開２００２−１２３９１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
上記の第１ないし第５の方法には、それぞれ、以下のような問題点がある。まず、第１の方法では、特許文献１や特許文献２に記載されているように、ＭＲ素子の上面において、マスクが存在していた位置の周辺部に、不要な堆積物よりなるバリが発生したり、絶縁層がＭＲ素子の上面にオーバーラップしたりする。いずれの場合にも、上部電極層を、所望の形状に精度よく形成することが困難になる。
【００１６】
第２の方法では、図２７に示したように、コンタクトホール１０３ａの周辺において、絶縁層１０３の一部が、ＭＲ素子１０２の上面よりも上方に突出する。この場合も、上部電極層１０４を、所望の形状に精度よく形成することが困難になる。
【００１７】
第３の方法では、絶縁層１０５のうち、ＭＲ素子１０２の上面のレベルよりも上側の部分だけを正確に除去することが難しいという問題点がある。そして、ＭＲ素子１０２の上面の上に絶縁層１０５が残ってしまうと、ＭＲ素子１０２と上部電極層１０４とを電気的に接続できなくなる。一方、ＭＲ素子１０２の一部が削られてしまうと、ＭＲ素子１０２の特性が変化してしまう。
【００１８】
第４の方法では、ＭＲ素子上のマスクを除去する場合には、ＭＲ素子の周辺において、絶縁層の一部が、ＭＲ素子の上面よりも上方に突出する。この場合には、上部電極層を、所望の形状に精度よく形成することが困難になる。また、第４の方法において、ＭＲ素子上のマスクを残しておく場合には、残るマスクの厚みを一定にすることが難しく、その結果、シールドギャップ長を一定にすることが難しいという問題点がある。
【００１９】
第５の方法では、絶縁層１０８の研磨後に残る保護層１０７の厚みを一定にすることが難しく、その結果、シールドギャップ長を一定にすることが難しいという問題点がある。
【００２０】
また、第２ないし第５の方法では、いずれも、ＭＲ素子の周囲に絶縁層を配置し、この絶縁層の上面とＭＲ素子あるいは保護層の上面とがほぼ同じ高さになるようにしている。そのため、第２ないし第５の方法では、ヘッドの製造過程において、一旦、ＭＲ素子あるいは保護層の上にも厚い絶縁層が形成され、この絶縁層がエッチングやＣＭＰによって除去される。このことが、上述の問題を引き起こしている。
【００２１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、厚み方向に間隔を開けて配置された一対の電極層の間に磁気抵抗効果素子が配置された構造を有する磁気抵抗効果装置であって、精度よく形成することができるようにした磁気抵抗効果装置およびその製造方法、ならびに、磁気抵抗効果装置を有する薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の磁気抵抗効果装置は、厚み方向に間隔を開けて配置された第１および第２の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間に配置された磁気抵抗効果素子とを備えている。磁気抵抗効果素子は、第１の電極層に接する第１の面と第２の電極層に接する第２の面とを有している。磁気抵抗効果素子および第２の電極層は、第１の電極層に積層されている。第２の電極層は、第１の電極層に対向する面を有し、この面は、磁気抵抗効果素子の第２の面に接する第１の部分と、磁気抵抗効果素子の両側に配置された第２の部分とを含んでいる。第１の部分と第２の部分との間には、第２の部分が第１の部分よりも第１の電極層に近づくような段差が形成されている。従って、本発明では、磁気抵抗効果素子の周囲に、上面が磁気抵抗効果素子の第２の面とほぼ同じ高さになるような絶縁層は配置されない。
【００２３】
本発明の磁気抵抗効果装置は、更に、磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層と絶縁層とを含み、磁気抵抗効果素子の両側において、第１の電極層と第２の電極層との間に配置された積層体を備えていてもよい。
【００２４】
また、本発明の磁気抵抗効果装置では、第２の部分と第１の電極層との間において、絶縁層は、バイアス磁界印加層と第１の電極層との間に配置されていてもよい。この場合、積層体は、磁気抵抗効果素子の側面に隣接する隣接部を含み、隣接部において、絶縁層は、バイアス磁界印加層と磁気抵抗効果素子の側面との間に配置されていてもよい。
【００２５】
また、本発明の磁気抵抗効果装置では、第２の部分と第１の電極層との間において、絶縁層は、バイアス磁界印加層と第２の電極層との間に配置されていてもよい。この場合、積層体は、磁気抵抗効果素子の側面に隣接する隣接部を含み、隣接部において、バイアス磁界印加層は、絶縁層と磁気抵抗効果素子の側面との間に配置されていてもよい。
【００２６】
また、本発明の磁気抵抗効果装置において、積層体は、絶縁層として第１および第２の絶縁層を含み、バイアス磁界印加層は、第１および第２の絶縁層の間に配置されていてもよい。この場合、第２の部分と第１の電極層との間において、第１の絶縁層は、バイアス磁界印加層と第１の電極層との間に配置され、第２の絶縁層は、バイアス磁界印加層と第２の電極層との間に配置されていてもよい。また、積層体は、磁気抵抗効果素子の側面に隣接する隣接部を含んでいてもよい。この場合、隣接部において、第１の絶縁層は、バイアス磁界印加層と磁気抵抗効果素子の側面との間に配置され、第２の絶縁層は、バイアス磁界印加層と第２の電極層との間に配置されていてもよい。
【００２７】
本発明の磁気抵抗効果装置の製造方法によって製造される磁気抵抗効果装置は、厚み方向に間隔を開けて配置された第１および第２の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間に配置された磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子の両側において、第１の電極層と第２の電極層との間に配置された積層体とを備えている。磁気抵抗効果素子は、第１の電極層に接する第１の面と第２の電極層に接する第２の面とを有している。積層体は、磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層と絶縁層とを含んでいる。磁気抵抗効果素子、積層体および第２の電極層は、第１の電極層に積層されている。第２の電極層は、第１の電極層に対向する面を有し、この面は、磁気抵抗効果素子の第２の面に接する第１の部分と、磁気抵抗効果素子の両側に配置された第２の部分とを含んでいる。第１の部分と第２の部分との間には、第２の部分が第１の部分よりも第１の電極層に近づくような段差が形成されている。
【００２８】
本発明の磁気抵抗効果装置の製造方法は、
第１の電極層を形成する工程と、
第１の電極層の上に磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
第１の電極層および磁気抵抗効果素子を覆うように、バイアス磁界印加層となる膜と絶縁層となる絶縁膜とを含む積層膜を形成する工程と、
積層膜のうち磁気抵抗効果素子の上に存在する部分を除去して、残った積層膜によって積層体を形成する工程と、
磁気抵抗効果素子および積層体の上に第２の電極層を形成する工程とを備えている。
【００２９】
本発明において、積層膜の厚みは、磁気抵抗効果素子の第２の面と、磁気抵抗効果素子の周辺における第１の電極層の上面との間の段差よりも小さい。
【００３０】
本発明の磁気抵抗効果装置の製造方法では、積層体を形成する工程において、積層膜のうちバイアス磁界印加層となる膜はドライエッチングによって除去され、積層膜のうち絶縁膜はウェットエッチングまたはドライエッチングによって除去されてもよい。
【００３１】
また、本発明の磁気抵抗効果装置の製造方法では、積層膜を形成する工程において、バイアス磁界印加層となる膜は、絶縁膜の形成後に形成されてもよい。この場合、積層体は、磁気抵抗効果素子の側面に隣接する隣接部を含み、隣接部において、絶縁層は、バイアス磁界印加層と磁気抵抗効果素子の側面との間に配置されてもよい。
【００３２】
また、本発明の磁気抵抗効果装置の製造方法では、積層膜を形成する工程において、絶縁膜は、バイアス磁界印加層となる膜の形成後に形成されてもよい。この場合、積層体は、磁気抵抗効果素子の側面に隣接する隣接部を含み、隣接部において、バイアス磁界印加層は、絶縁層と磁気抵抗効果素子の側面との間に配置されてもよい。
【００３３】
また、本発明の磁気抵抗効果装置の製造方法において、積層体は、絶縁層として第１および第２の絶縁層を含み、バイアス磁界印加層は、第１および第２の絶縁層の間に配置されてもよい。また、積層膜は、絶縁膜として、第１の絶縁層となる第１の絶縁膜と第２の絶縁層となる第２の絶縁膜とを含み、積層膜を形成する工程は、第１の絶縁膜、バイアス磁界印加層となる膜および第２の絶縁膜を、この順に形成してもよい。この場合、積層体は、磁気抵抗効果素子の側面に隣接する隣接部を含み、隣接部において、第１の絶縁層は、バイアス磁界印加層と磁気抵抗効果素子の側面との間に配置され、第２の絶縁層は、バイアス磁界印加層と第２の電極層との間に配置されてもよい。
【００３４】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体からの信号磁界を検出するために媒体対向面の近傍に配置された本発明の磁気抵抗効果装置とを備えたものである。
【００３５】
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、本発明の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを弾性的に支持するサスペンションとを備えたものである。
【００３６】
本発明のヘッドアームアセンブリは、本発明の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを弾性的に支持するサスペンションと、スライダを記録媒体のトラック横断方向に移動させるためのアームとを備え、サスペンションがアームに取り付けられているものである。
【００３７】
本発明の磁気ディスク装置は、本発明の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを支持すると共に記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを備えたものである。
【発明の効果】
【００３８】
本発明の磁気抵抗効果装置またはその製造方法、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、あるいは磁気ディスク装置では、磁気抵抗効果素子の周囲に、上面が磁気抵抗効果素子の第２の面とほぼ同じ高さになるような絶縁層は配置されない。そのため、本発明によれば、磁気抵抗効果装置の製造過程において、磁気抵抗効果素子の第２の面の上に、厚い絶縁層が形成されることもない。従って、本発明によれば、磁気抵抗効果装置を精度よく形成することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
始めに、図５および図６を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成および製造方法の概略について説明する。図５は薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面および基板に垂直な断面を示す断面図、図６は薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
【００４０】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１の上に、スパッタ法等によって、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料よりなる絶縁層２を、例えば１〜５μｍの厚みに形成する。次に、絶縁層２の上に、めっき法等によって、ＮｉＦｅ、ＦｅＡｌＳｉ等の磁性材料よりなる再生ヘッド用の第１のシールド層３を、所定のパターンに形成する。次に、図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１のシールド層３が露出するまで絶縁層を研磨して、第１のシールド層３および絶縁層の上面を平坦化する。
【００４１】
次に、第１のシールド層３の上に、再生用のＭＲ素子５を形成する。次に、ＭＲ素子５の周囲に配置される絶縁層３１と、この絶縁層３１を介してＭＲ素子５の２つの側部に隣接する２つのバイアス磁界印加層３２とを形成する。絶縁層３１は、アルミナ等の絶縁材料によって形成される。バイアス磁界印加層３２は、硬磁性層（ハードマグネット）や、強磁性層と反強磁性層との積層体等を用いて構成される。
【００４２】
次に、ＭＲ素子５、絶縁層３１およびバイアス磁界印加層３２の上に、磁性材料からなる、再生ヘッド用の第２のシールド層８を形成する。第２のシールド層８は、例えばめっき法またはスパッタ法によって形成される。次に、第２のシールド層８の上に、スパッタ法等によって、アルミナ等の非磁性材料よりなる分離層１８を形成する。次に、この分離層１８の上に、例えばめっき法またはスパッタ法によって、磁性材料よりなる、記録ヘッド用の下部磁極層１９を形成する。第２のシールド層８および下部磁極層１９に用いる磁性材料は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料である。なお、第２のシールド層８、分離層１８および下部磁極層１９の代わりに、下部磁極層を兼ねた第２のシールド層を設けてもよい。
【００４３】
次に、下部磁極層１９の上に、スパッタ法等によって、アルミナ等の非磁性材料よりなる記録ギャップ層９を、例えば５０〜３００ｎｍの厚みに形成する。次に、磁路形成のために、後述する薄膜コイルの中心部分において、記録ギャップ層９を部分的にエッチングしてコンタクトホール９ａを形成する。
【００４４】
次に、記録ギャップ層９の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第１層部分１０を、例えば２〜３μｍの厚みに形成する。なお、図５において、符号１０ａは、第１層部分１０のうち、後述する薄膜コイルの第２層部分１５に接続される接続部を表している。第１層部分１０は、コンタクトホール９ａの周囲に巻回される。
【００４５】
次に、薄膜コイルの第１層部分１０およびその周辺の記録ギャップ層９を覆うように、フォトレジスト等の、加熱時に流動性を有する有機絶縁材料よりなる絶縁層１１を所定のパターンに形成する。次に、絶縁層１１の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。この熱処理により、絶縁層１１の外周および内周の各端縁部分は、丸みを帯びた斜面形状となる。
【００４６】
次に、絶縁層１１のうちの後述するエアベアリング面２０側の斜面部分からエアベアリング面２０側にかけての領域において、記録ギャップ層９および絶縁層１１の上に、記録ヘッド用の磁性材料によって、上部磁極層１２のトラック幅規定層１２ａを形成する。上部磁極層１２は、このトラック幅規定層１２ａと、後述する連結部分層１２ｂおよびヨーク部分層１２ｃとで構成される。
【００４７】
トラック幅規定層１２ａは、記録ギャップ層９の上に形成され、上部磁極層１２の磁極部分となる先端部と、絶縁層１１のエアベアリング面２０側の斜面部分の上に形成され、ヨーク部分層１２ｃに接続される接続部とを有している。先端部の幅は記録トラック幅と等しくなっている。接続部の幅は、先端部の幅よりも大きくなっている。
【００４８】
トラック幅規定層１２ａを形成する際には、同時に、コンタクトホール９ａの上に磁性材料よりなる連結部分層１２ｂを形成すると共に、接続部１０ａの上に磁性材料よりなる接続層１３を形成する。連結部分層１２ｂは、上部磁極層１２のうち、下部磁極層１９に磁気的に連結される部分を構成する。
【００４９】
次に、磁極トリミングを行う。すなわち、トラック幅規定層１２ａの周辺領域において、トラック幅規定層１２ａをマスクとして、記録ギャップ層９および下部磁極層１９の磁極部分における記録ギャップ層９側の少なくとも一部をエッチングする。これにより、図６に示したように、上部磁極層１２の磁極部分、記録ギャップ層９および下部磁極層１９の磁極部分の少なくとも一部の各幅が揃えられたトリム（Trim）構造が形成される。このトリム構造によれば、記録ギャップ層９の近傍における磁束の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止することができる。
【００５０】
次に、全体に、アルミナ等の無機絶縁材料よりなる絶縁層１４を、例えば３〜４μｍの厚みに形成する。次に、この絶縁層１４を、例えばＣＭＰによって、トラック幅規定層１２ａ、連結部分層１２ｂおよび接続層１３の表面に至るまで研磨して平坦化する。
【００５１】
次に、平坦化された絶縁層１４の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第２層部分１５を、例えば２〜３μｍの厚みに形成する。なお、図５において、符号１５ａは、第２層部分１５のうち、接続層１３を介して薄膜コイルの第１層部分１０の接続部１０ａに接続される接続部を表している。第２層部分１５は、連結部分層１２ｂの周囲に巻回される。
【００５２】
次に、薄膜コイルの第２層部分１５およびその周辺の絶縁層１４を覆うように、フォトレジスト等の、加熱時に流動性を有する有機絶縁材料よりなる絶縁層１６を所定のパターンに形成する。次に、絶縁層１６の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。この熱処理により、絶縁層１６の外周および内周の各端縁部分は、丸みを帯びた斜面形状となる。
【００５３】
次に、トラック幅規定層１２ａ、絶縁層１４，１６および連結部分層１２ｂの上に、パーマロイ等の記録ヘッド用の磁性材料によって、上部磁極層１２のヨーク部分を構成するヨーク部分層１２ｃを形成する。ヨーク部分層１２ｃのエアベアリング面２０側の端部は、エアベアリング面２０から離れた位置に配置されている。また、ヨーク部分層１２ｃは、連結部分層１２ｂを介して下部磁極層１９に接続されている。
【００５４】
次に、全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７を形成する。最後に、上記各層を含むスライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５５】
このようにして製造される薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面２０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドは、本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置に対応する。この磁気抵抗効果装置の構成については、後で詳しく説明する。
【００５６】
記録ヘッドは、エアベアリング面２０側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層１９および上部磁極層１２と、この下部磁極層１９の磁極部分と上部磁極層１２の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層９と、少なくとも一部が下部磁極層１９および上部磁極層１２の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０，１５とを有している。この薄膜磁気ヘッドでは、図５に示したように、エアベアリング面２０から、絶縁層１１のエアベアリング面２０側の端部までの長さが、スロートハイトＴＨとなる。なお、スロートハイトとは、エアベアリング面２０から、２つの磁極層の間隔が開き始める位置までの長さ（高さ）をいう。
【００５７】
次に、図１を参照して、本実施の形態における再生ヘッド、すなわち本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の構成について詳しく説明する。図１は磁気抵抗効果装置のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
【００５８】
本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置は、ＣＰＰ構造である。この磁気抵抗効果装置は、厚み方向に間隔を開けて配置された第１のシールド層３および第２のシールド層８と、第１のシールド層３と第２のシールド層８との間に配置されたＭＲ素子５と、ＭＲ素子５の両側において、第１のシールド層３と第２のシールド層８との間に配置された積層体３０とを備えている。ＭＲ素子５、積層体３０および第２のシールド層８は、第１のシールド層３に積層されている。積層体３０は、絶縁層３１とバイアス磁界印加層３２とを含んでいる。本実施の形態では、第１のシールド層３は第１の電極層を兼ね、第２のシールド層８は第２の電極層を兼ねている。すなわち、第１のシールド層３と第２のシールド層８は、センス電流を、ＭＲ素子５に対して、ＭＲ素子５を構成する各層の面に対して垂直な方向に流す。なお、第１のシールド層３および第２のシールド層８とは別に、ＭＲ素子５の上下に一対の電極層を設けてもよい。
【００５９】
ＭＲ素子５は、第１のシールド層３に接する第１の面５Ａと、第２のシールド層８に接する第２の面５Ｂと、トラック幅方向（図１における左右方向）の外側に向いた２つの側面５Ｃ，５Ｄを有している。第２のシールド層８は、第１のシールド層３に対向する面（下面）８Ａを有している。この面８Ａは、ＭＲ素子５の第２の面５Ｂに接する第１の部分８Ａ１と、ＭＲ素子５のトラック幅方向の両側に配置された第２の部分８Ａ２とを含んでいる。第１の部分８Ａ１と第２の部分８Ａ２との間には、第２の部分８Ａ２が第１の部分８Ａ１よりも第１のシールド層３に近づくような段差Ｄ１が形成されている。
【００６０】
第２の部分８Ａ２と第１のシールド層３との間において、絶縁層３１は、バイアス磁界印加層３２と第１のシールド層３との間に配置されて第１のシールド層３に接し、バイアス磁界印加層３２は第２のシールド層８に接している。
【００６１】
また、積層体３０は、ＭＲ素子５の側面５Ｃ，５Ｄに隣接する隣接部３０Ｃ，３０Ｄを含んでいる。この隣接部３０Ｃ，３０Ｄにおいて、絶縁層３１は、バイアス磁界印加層３２とＭＲ素子５の側面５Ｃ，５Ｄとの間に配置され、側面５Ｃ，５Ｄに接している。隣接部３０Ｃ，３０Ｄにおいて、バイアス磁界印加層３２は、第２のシールド８に接している。
【００６２】
積層体３０の厚みは、ＭＲ素子５の第２の面５Ｂと、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面との間の段差Ｄ２よりも小さい。絶縁層３１の厚みは、例えば、５〜２０ｎｍの範囲内である。また、バイアス磁界印加層３２の厚みは、例えば、１０〜３０ｎｍの範囲内である。バイアス磁界印加層３２は、その磁気特性を向上させるため、下地膜の上に磁性層を配置した構造であってもよい。バイアス磁界印加層３２が発生するバイアス磁界の大きさは、バイアス磁界印加層３２の飽和磁束密度と厚みとの積に依存する。そのため、積層体３０の厚みが段差Ｄ２よりも小さくても、バイアス磁界印加層３２が十分なバイアス磁界を発生できるように、バイアス磁界印加層３２を構成する材料における不純物の混入量や、バイアス磁界印加層３２を構成する材料の組成を選択することが好ましい。
【００６３】
次に、図２を参照して、本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の変形例について説明する。図２は、変形例の磁気抵抗効果装置のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。図１に示した磁気抵抗効果装置では、ＭＲ素子５の第１の面５Ａと、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面との間には段差はない。図２に示した磁気抵抗効果装置では、ＭＲ素子５の第１の面５Ａと、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面との間には、後者の方が基板１に近づくように段差が形成されている。図２に示した磁気抵抗効果装置においても、第１の部分８Ａ１と第２の部分８Ａ２との間には、第２の部分８Ａ２が第１の部分８Ａ１よりも第１のシールド層３に近づくような段差Ｄ１が形成されている。また、図２に示した磁気抵抗効果装置においても、積層体３０の厚みは、ＭＲ素子５の第２の面５Ｂと、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面との間の段差Ｄ２よりも小さい。図２に示した磁気抵抗効果装置のその他の構成は、図１に示した磁気抵抗効果装置と同様である。
【００６４】
なお、シールド層３，８とは別に、ＭＲ素子５の上下に一対の電極層を設けた場合には、これらの電極層が、上述のシールド層３，８の形状面における特徴を有することになる。
【００６５】
ＭＲ素子５は、例えば、スピンバルブ型ＧＭＲ素子またはトンネル磁気抵抗効果を用いるＴＭＲ素子である。
【００６６】
図３は、ＭＲ素子５としてスピンバルブ型ＧＭＲ素子を用いたときのＭＲ素子５の層の構成の一例を示している。このＭＲ素子５は、下地層２１と、この下地層２１の上に順に積層された反強磁性層２２、ピンド層２３、非磁性導電層２４、フリー層２５および保護層２６を有している。ピンド層２３は磁化の方向が固定された層であり、反強磁性層２２はピンド層２３における磁化の方向を固定する層である。下地層２１は、その上に形成される各層の結晶性や配向性を向上させ、特に、反強磁性層２２とピンド層２３との交換結合を良好にするために設けられる。フリー層２５は、軟磁性層からなり、記録媒体からの信号磁界に応じて磁化の方向が変化する層である。保護層２６は、その下の各層を保護するための層である。
【００６７】
下地層２１の厚みは、例えば２〜６ｎｍである。下地層２１としては、例えばＴａ層とＮｉＦｅＣｒ層との積層体が用いられる。
【００６８】
反強磁性層２２の厚みは、例えば５〜３０ｎｍである。反強磁性層２２は、例えば、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｉｒ、ＣｒおよびＦｅからなる群のうちの少なくとも１種ＭIIと、Ｍｎとを含む反強磁性材料により構成されている。このうちＭｎの含有量は３５原子％以上９５原子％以下、その他の元素ＭIIの含有量は５原子％以上６５原子％以下であることが好ましい。この反強磁性材料には、熱処理しなくても反強磁性を示し、強磁性材料との間に交換結合磁界を誘起する非熱処理系反強磁性材料と、熱処理により反強磁性を示すようになる熱処理系反強磁性材料とがある。この反強磁性層２２は、そのどちらにより構成されていてもよい。
【００６９】
なお、非熱処理系反強磁性材料にはγ相を有するＭｎ合金等があり、具体的には、ＲｕＲｈＭｎ、ＦｅＭｎあるいはＩｒＭｎ等がある。熱処理系反強磁性材料には規則結晶構造を有するＭｎ合金等があり、具体的には、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎおよびＰｔＲｈＭｎ等がある。
【００７０】
ピンド層２３では、反強磁性層２２との界面における交換結合により、磁化の向きが固定されている。ピンド層２３は、例えば、反強磁性層２２側から順に、第１の強磁性層、結合層および第２の強磁性層を、この順に積層した構造を有している。第１の強磁性層および第２の強磁性層は、例えば、ＣｏおよびＦｅからなる群のうちの少なくともＣｏを含む強磁性材料により構成されている。特に、この強磁性材料の（１１１）面は積層方向に配向していることが好ましい。２つの強磁性層は、反強磁性結合し、磁化の方向が互いに逆方向に固定されている。２つの強磁性層の厚みは、それぞれ、例えば３〜７ｎｍである。
【００７１】
ピンド層２３における結合層の厚みは、例えば０．２〜１．２ｎｍである。結合層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｃｒ、ＺｒおよびＣｕからなる群のうち少なくとも１種を含む非磁性材料により構成されている。この結合層は、第１および第２の強磁性層の間に反強磁性交換結合を生じさせ、第１の強磁性層の磁化と第２の強磁性層の磁化とを互いに逆方向に固定するためのものである。なお、第１の強磁性層の磁化と第２の強磁性層の磁化が互いに逆方向というのは、これら２つの磁化の方向が互いに１８０°異なる場合のみならず、２つの磁化の方向が１８０°±２０°異なる場合を含む。
【００７２】
非磁性導電層２４の厚みは、例えば１．０〜３．０ｎｍである。非磁性導電層２４は、例えば、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇからなる群のうち少なくとも１種を８０重量％以上含む非磁性の導電性材料により構成されている。
【００７３】
フリー層２５の厚さは、例えば１．０〜８．０ｎｍである。フリー層２５は、単層で構成されていてもよいし、２つ以上の層によって構成されていてもよい。ここでは、フリー層２５が２つの軟磁性層で構成される場合の例を挙げる。２つの軟磁性層のうち、非磁性導電層２４側の層を第１の軟磁性層と呼び、保護層２６側の層を第２の軟磁性層と呼ぶ。
【００７４】
第１の軟磁性層の厚さは、例えば０．５〜３ｎｍである。第１の軟磁性層は、例えば、Ｎｉ、ＣｏおよびＦｅからなる群のうちの少なくともＣｏを含む磁性材料により構成されている。具体的には、第１の軟磁性層は、（１１１）面が積層方向に配向しているＣｏxＦｅyＮｉ100-(x+y)により構成されることが好ましい。式中、ｘ，ｙはそれぞれ原子％で７０≦ｘ≦１００、０≦ｙ≦２５の範囲内である。
【００７５】
第２の軟磁性層の厚さは、例えば０．５〜８ｎｍである。第２の軟磁性層は、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｈ、ＭｏおよびＮｂからなる群のうち少なくともＮｉを含む磁性材料により構成されている。具体的には、第２の軟磁性層は、［ＮｉxＣｏyＦｅ100-(x+y)］100-ZＭIZにより構成されることが好ましい。式中、ＭIは、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｈ、ＭｏおよびＮｂのうち少なくとも１種を表し、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ原子％で７５≦ｘ≦９０、０≦ｙ≦１５、０≦ｚ≦１５の範囲内である。
【００７６】
保護層２６の厚みは、例えば０．５〜１０ｎｍである。保護層２６の材料としては、例えばＴａが用いられる。また、保護層２６は、Ｔａ層、Ｒｕ層等の組み合わせの２積層構造や、Ｔａ層、Ｒｕ層、Ｔａ層等の組み合わせの３積層構造としてもよい。
【００７７】
フリー層２５と保護層２６との間には、Ｃｕ層等の非磁性導電層が設けられていてもよい。この非磁性導電層は、フリー層２５を通過した電子を、非磁性導電層と保護層２６との界面で反射させて、ＭＲ素子５の抵抗変化率を大きくすると共に特性の安定性を向上させるためのものである。
【００７８】
図４は、ＭＲ素子５としてＴＭＲ素子を用いたときのＭＲ素子５の層の構成の一例を示している。このＭＲ素子５は、図３に示したＭＲ素子５における非磁性導電層２４の代わりに、非磁性絶縁層よりなるトンネルバリア層２７が設けられた構成になっている。このトンネルバリア層２７は、トンネル効果によりスピンを保存した状態で電子が通過できる層である。トンネルバリア層２７の厚みは、例えば０．５〜２ｎｍである。トンネルバリア層２７の材料としては、例えばＡｌ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＧｄＯ、ＭｇＯ、Ｔａ2Ｏ5、ＭｏＯ2、ＴｉＯ2またはＷＯ2が用いられる。図４に示したＭＲ素子５のその他の構成は、図３に示したＭＲ素子５と同様である。
【００７９】
なお、ＭＲ素子５の層の構成は、図３または図４に示した構成と上下が逆の構成であってもよい。また、ＭＲ素子５の層の構成としては、図３におけるフリー層２５と保護層２６との間に、フリー層２５側から順に配置された非磁性導電層、ピンド層、反強磁性層を設けて、フリー層が１層で、非磁性導電層、ピンド層および反強磁性層がそれぞれ２層のデュアルスピンバルブの構成としてもよい。この場合にフリー層２５と保護層２６との間に設けられる非磁性導電層、ピンド層、反強磁性層の構成は、それぞれ非磁性導電層２４、ピンド層２３、反強磁性層２２と同様である。また、ＭＲ素子５の層の構成としては、上記のデュアルスピンバルブの構成におけるフリー層２５の代わりに、第１のフリー層、非磁性導電層、第２のフリー層からなる積層体を設け、フリー層が２層のデュアルスピンバルブの構成としてもよい。図３または図４に示したＭＲ素子５の厚みは、例えば２０〜５０ｎｍである。デュアルスピンバルブの構成のＭＲ素子５の厚みは、例えば２５〜６０ｎｍである。
【００８０】
次に、本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置および薄膜磁気ヘッドの作用について説明する。薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドである磁気抵抗効果装置によって、記録媒体に記録されている情報を再生する。
【００８１】
磁気抵抗効果装置において、バイアス磁界印加層３２によるバイアス磁界の方向は、エアベアリング面２０に垂直な方向と直交している。ＭＲ素子５において、信号磁界がない状態では、フリー層２５の磁化の方向は、バイアス磁界の方向に揃えられている。一方、ピンド層２３の磁化の方向は、エアベアリング面２０に垂直な方向に固定されている。
【００８２】
ＭＲ素子５では、記録媒体からの信号磁界に応じてフリー層２５の磁化の方向が変化し、これにより、フリー層２５の磁化の方向とピンド層２３の磁化の方向との間の相対角度が変化し、その結果、ＭＲ素子５の抵抗値が変化する。ＭＲ素子５の抵抗値は、シールド層３，８によってＭＲ素子５にセンス電流を流したときのシールド層３，８間の電位差より求めることができる。このようにして、磁気抵抗効果装置によって、記録媒体に記録されている情報を再生することができる。
【００８３】
次に、図１１ないし図１６を参照して、本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の製造方法について説明する。図１１ないし図１６は、それぞれ、本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の製造方法における一工程を示す断面図である。なお、図１１ないし図１６は、エアベアリング面に平行な断面を示している。
【００８４】
本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の製造方法では、まず、絶縁層２の上に、例えばめっき法やスパッタ法によって、所定のパターンの第１のシールド層３を形成する。図１１は、次の工程を示す。この工程では、まず、第１のシールド層３の上に、例えばスパッタ法によって、ＭＲ素子５となるＭＲ膜５Ｐを形成する。次に、このＭＲ膜５Ｐの上に、ＭＲ膜５Ｐをパターニングするためのマスク４１を形成する。マスク４１は、例えば、フォトレジスト層をパターニングすることによって形成される。図１１には、マスク４１として、側壁がＭＲ膜５Ｐの上面に対して垂直となる形状を有するものを示している。しかし、マスク４１は、以下のようなものであってもよい。すなわち、マスク４１は、積層された２つの有機膜からなるレジスト層をパターニングして形成され、下層の幅が上層の幅よりも小さい形状を有するものであってもよい。また、マスク４１は、底面の幅が上面の幅よりも小さくなるように、ＭＲ膜５Ｐの上面に垂直な方向に対して側壁が傾いた形状のものであってもよい。また、マスク４１は、底面の幅が上面の幅よりも大きくなるように、ＭＲ膜５Ｐの上面に垂直な方向に対して側壁が傾いた形状のものであってもよい。この形状のマスク４１を用いた場合には、他の形状のマスク４１を用いた場合に比べて、細いパターンのＭＲ素子５を形成することが可能になる。
【００８５】
次に、図１２に示したように、マスク４１を用い、例えばイオンミリングによって、ＭＲ膜５Ｐを選択的にエッチングしてＭＲ素子５を形成する。なお、イオンミリングによってＭＲ膜５Ｐをエッチングする場合、ＭＲ膜５Ｐから飛散した物質がＭＲ素子５の側壁に付着して、ＭＲ素子５の形状が所望の形状から崩れることを防止するために、以下のように、２段階のエッチングを行なってＭＲ素子５を形成してもよい。１段階目のエッチングでは、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を、０°、あるいは０°よりも大きいが比較的小さな角度とする。２段階目のエッチングでは、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を、１段階目のエッチング時よりも大きくして、ＭＲ素子５の側壁に付着した物質を除去する。
【００８６】
また、ＭＲ膜５ＰをエッチングしてＭＲ素子５を形成する工程では、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面もエッチングしてもよい。これにより、図２に示した構造の磁気抵抗効果装置を実現することができる。第１のシールド層３におけるエッチング深さは、５ｎｍ程度とする。なお、第１のシールド層３におけるエッチング深さが小さいと、ＭＲ素子５は、上面の幅よりも底面の幅の大きくなるように、ＭＲ素子５の側壁が、基板１の上面に垂直な方向に対して傾いた形状となる。第１のシールド層３におけるエッチング深さを大きくするほど、ＭＲ素子５の側壁を、基板１の上面に垂直な状態に近づけることができる。
【００８７】
図１３は、次の工程を示す。この工程では、まず、マスク４１を除去する。マスク４１の除去は、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の剥離剤を用いて行なう。その場合、マスク４１の表面近傍の部分をアッシングによって除去した後に、剥離剤を用いてマスク４１を除去することにより、マスク４１が剥離されずに残ることを防止することができる。また、剥離剤を用いてマスク４１を剥離する場合には、マスク４１を含む積層体に超音波を印加することにより、マスク４１の剥離を促進することができる。
【００８８】
次に、第１のシールド層３およびＭＲ素子５を覆うように、例えば化学的気相成長法（以下、ＣＶＤと記す。）やスパッタ法によって、絶縁層３１となる絶縁膜３１Ｐを形成する。次に、絶縁膜３１Ｐの上に、例えばスパッタ法によって、バイアス磁界印加層３２となる膜３２Ｐを形成する。絶縁膜３１Ｐおよび膜３２Ｐは、積層膜３０Ｐを構成する。積層膜３０Ｐの厚みは、ＭＲ素子５の第２の面５Ｂと、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面との間の段差Ｄ２よりも小さい。
【００８９】
次に、図１４に示したように、膜３２Ｐの上に、膜３１Ｐ，３２Ｐをパターニングするためのマスク４２を形成する。マスク４２は、積層膜３０ＰのうちのＭＲ素子５を覆う部分の上面を露出させる開口部４２ａを有している。
【００９０】
次に、図１５に示したように、ドライエッチングによって、膜３２Ｐのうち、マスク４２の開口部４２ａから露出する部分を除去する。ドライエッチングとしては、例えばイオンミリングや反応性イオンエッチングが用いられる。
【００９１】
次に、図１６に示したように、アルカリ溶剤を用いたウェットエッチング、またはイオンミリング等のドライエッチングによって、絶縁膜３１Ｐのうち、マスク４２の開口部４２ａから露出する部分を除去する。
【００９２】
図１５および図１６に示した工程により、積層膜３０Ｐのうち、ＭＲ素子５の上に存在する部分が除去され、残った積層膜３０Ｐによって積層体３０が形成される。
【００９３】
次に、マスク４２を除去した後、図１に示したように、例えばめっき法やスパッタ法によって、ＭＲ素子５および積層体３０の上に、第２のシールド層８を形成する。めっき法によって第２のシールド層８を形成する場合には、例えば、以下のようにして第２のシールド層８を形成する。まず、ＭＲ素子５および積層体３０の上に、めっき用の電極膜を形成し、次に、パターンめっき法を用いて、電極膜の上に第２のシールド層８を形成する。次に、電極膜のうち、第２のシールド層８の下に存在している部分以外の部分を除去する。電極膜は、非磁性導電膜と磁性膜との積層膜であってもよい。
【００９４】
以上説明したように、本実施の形態では、第２の電極層を兼ねた第２のシールド層８は、第１の電極層を兼ねた第１のシールド層３に対向する面８Ａを有している。この面８Ａは、ＭＲ素子５の第２の面（上面）５Ｂに接する第１の部分８Ａ１と、ＭＲ素子５のトラック幅方向の両側に配置された第２の部分８Ａ２とを含んでいる。第１の部分８Ａ１と第２の部分８Ａ２との間には、第２の部分８Ａ２が第１の部分８Ａ１よりも第１のシールド層３に近づくような段差Ｄ１が形成されている。また、本実施の形態では、ＭＲ素子５の両側において、第１のシールド層３と第２のシールド層８との間に、絶縁層３１とバイアス磁界印加層３２とを含む積層体３０が配置されている。この積層体３０の厚みは、ＭＲ素子５の第２の面５Ｂと、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面との間の段差Ｄ２よりも小さい。従って、本実施の形態では、ＭＲ素子５の周囲に、段差Ｄ２とほぼ等しい厚みを有する絶縁層は配置されない。そのため、本実施の形態によれば、磁気抵抗効果装置の製造過程において、ＭＲ素子５の第２の面５Ｂの上に、厚い絶縁層が形成されることもない。従って、本実施の形態によれば、磁気抵抗効果装置を精度よく形成することができる。本実施の形態によれば、特に、シールドギャップ長を正確に規定することができる。
【００９５】
本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の製造方法では、ＭＲ素子５の形成後、第１のシールド層３およびＭＲ素子５を覆うように、絶縁層３１となる絶縁膜３１Ｐとバイアス磁界印加層３２となる膜３２Ｐとを含む積層膜３０Ｐを形成する。次に、この積層膜３０Ｐのうち、ＭＲ素子５の上に存在する部分を除去して、残った積層膜３０Ｐによって積層体３０を形成する。次に、ＭＲ素子５および積層体３０の上に第２のシールド層８を形成する。積層膜３０Ｐの厚みは、ＭＲ素子５の第２の面５Ｂと、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面との間の段差Ｄ２よりも小さい。従って、磁気抵抗効果装置の製造過程において、積層膜３０Ｐのうち、ＭＲ素子５の上に存在する部分を除去することは容易である。また、本実施の形態によれば、ＭＲ素子５の上に不要な絶縁層が残ったり、ＭＲ素子５の一部が削られることを防止することができる。以上のことから、本実施の形態によれば、磁気抵抗効果装置を精度よく形成することができる。本実施の形態によれば、特に、シールドギャップ長を正確に規定することができる。
【００９６】
また、本実施の形態では、第２のシールド層８の面８Ａにおける第２の部分８Ａ２と第１のシールド層３の上面との間の距離は、ＭＲ素子５の厚みよりも小さくなる。これにより、本実施の形態によれば、ＭＲ素子５に対するシールド層３，８の機能が向上する。具体的には、本実施の形態によれば、トラック幅方向からＭＲ素子５へ、不要な磁界が印加されることを防止することができる。これにより、本実施の形態によれば、磁気抵抗効果装置の出力信号におけるノイズを低減することができる。
【００９７】
以下、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置について説明する。まず、図７を参照して、ヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダ２１０について説明する。磁気ディスク装置において、スライダ２１０は、回転駆動される円盤状の記録媒体である磁気ディスクに対向するように配置される。このスライダ２１０は、主に図５における基板１およびオーバーコート層１７からなる基体２１１を備えている。基体２１１は、ほぼ六面体形状をなしている。基体２１１の六面のうちの一面は、磁気ディスクに対向するようになっている。この一面には、エアベアリング面２０が形成されている。磁気ディスクが図７におけるｚ方向に回転すると、磁気ディスクとスライダ２１０との間を通過する空気流によって、スライダ２１０に、図７におけるｙ方向の下方に揚力が生じる。スライダ２１０は、この揚力によって磁気ディスクの表面から浮上するようになっている。なお、図７におけるｘ方向は、磁気ディスクのトラック横断方向である。スライダ２１０の空気流出側の端部（図７における左下の端部）の近傍には、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１００が形成されている。
【００９８】
次に、図８を参照して、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ２２０について説明する。ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、スライダ２１０と、このスライダ２１０を弾性的に支持するサスペンション２２１とを備えている。サスペンション２２１は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム２２２、このロードビーム２２２の一端部に設けられると共にスライダ２１０が接合され、スライダ２１０に適度な自由度を与えるフレクシャ２２３と、ロードビーム２２２の他端部に設けられたベースプレート２２４とを有している。ベースプレート２２４は、スライダ２１０を磁気ディスク２６２のトラック横断方向ｘに移動させるためのアクチュエータのアーム２３０に取り付けられるようになっている。アクチュエータは、アーム２３０と、このアーム２３０を駆動するボイスコイルモータとを有している。フレクシャ２２３において、スライダ２１０が取り付けられる部分には、スライダ２１０の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。
【００９９】
ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、アクチュエータのアーム２３０に取り付けられる。１つのアーム２３０にヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。また、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドスタックアセンブリと呼ばれる。
【０１００】
図８は、本実施の形態に係るヘッドアームアセンブリを示している。このヘッドアームアセンブリでは、アーム２３０の一端部にヘッドジンバルアセンブリ２２０が取り付けられている。アーム２３０の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２３１が取り付けられている。アーム２３０の中間部には、アーム２３０を回動自在に支持するための軸２３４に取り付けられる軸受け部２３３が設けられている。
【０１０１】
次に、図９および図１０を参照して、ヘッドスタックアセンブリの一例と本実施の形態に係る磁気ディスク装置について説明する。図９は磁気ディスク装置の要部を示す説明図、図１０は磁気ディスク装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、複数のアーム２５２を有するキャリッジ２５１を有している。複数のアーム２５２には、複数のヘッドジンバルアセンブリ２２０が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ２５１においてアーム２５２とは反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２５３が取り付けられている。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、磁気ディスク装置に組み込まれる。磁気ディスク装置は、スピンドルモータ２６１に取り付けられた複数枚の磁気ディスク２６２を有している。各磁気ディスク２６２毎に、磁気ディスク２６２を挟んで対向するように２つのスライダ２１０が配置される。また、ボイスコイルモータは、ヘッドスタックアセンブリ２５０のコイル２５３を挟んで対向する位置に配置された永久磁石２６３を有している。
【０１０２】
スライダ２１０を除くヘッドスタックアセンブリ２５０およびアクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応し、スライダ２１０を支持すると共に磁気ディスク２６２に対して位置決めする。
【０１０３】
本実施の形態に係る磁気ディスク装置では、アクチュエータによって、スライダ２１０を磁気ディスク２６２のトラック横断方向に移動させて、スライダ２１０を磁気ディスク２６２に対して位置決めする。スライダ２１０に含まれる薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって、磁気ディスク２６２に情報を記録し、再生ヘッドである磁気抵抗効果装置によって、磁気ディスク２６２に記録されている情報を再生する。
【０１０４】
本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置は、前述の本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の効果を奏する。
【０１０５】
［第２の実施の形態］
次に、図１７を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の構成について説明する。図１７は磁気抵抗効果装置のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置は、第１の実施の形態における積層体３０の代わりに積層体５０を備えている。積層体５０は、バイアス磁界印加層５１と絶縁層５２とを含んでいる。
【０１０６】
第２のシールド層８の面８Ａにおける第２の部分８Ａ２と第１のシールド層３との間において、バイアス磁界印加層５１は第１のシールド層３に接し、絶縁層５２は、バイアス磁界印加層５１と第２のシールド層８との間に配置されて第２のシールド層８に接している。
【０１０７】
また、積層体５０は、ＭＲ素子５の側面５Ｃ，５Ｄに隣接する隣接部５０Ｃ，５０Ｄを含んでいる。この隣接部５０Ｃ，５０Ｄにおいて、バイアス磁界印加層５１は、絶縁層５２とＭＲ素子５の側面５Ｃ，５Ｄとの間に配置され、側面５Ｃ，５Ｄに接している。隣接部５０Ｃ，５０Ｄにおいて、絶縁層５２は、第２のシールド８に接している。
【０１０８】
積層体５０の厚みは、ＭＲ素子５の第２の面５Ｂと、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面との間の段差Ｄ２よりも小さい。バイアス磁界印加層５１の厚みや材料は、第１の実施の形態におけるバイアス磁界印加層３２と同様である。また、絶縁層５２の厚みや材料は、第１の実施の形態における絶縁層３１と同様である。なお、シールド層３，８間におけるＭＲ素子５以外の部分の抵抗を大きくするために、バイアス磁界印加層５１の材料として、フェライトやアモルファス磁性材等のように、高抵抗の材料を用いてもよい。
【０１０９】
図２に示した第１の実施の形態における変形例と同様に、本実施の形態においても、ＭＲ素子５の第１の面５Ａと、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面との間に、後者の方が基板１に近づくように段差が形成されていてもよい。
【０１１０】
本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置のその他の構成は、第１の実施の形態と同様である。
【０１１１】
次に、図１８ないし図２１を参照して、本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の製造方法について説明する。図１８ないし図２１は、それぞれ、本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の製造方法における一工程を示す断面図である。なお、図１８ないし図２１は、エアベアリング面に平行な断面を示している。
【０１１２】
本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の製造方法では、ＭＲ素子５を形成した後、マスク４１を除去する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
【０１１３】
図１８は、次の工程を示す。この工程では、まず、第１のシールド層３およびＭＲ素子５を覆うように、例えばスパッタ法によって、バイアス磁界印加層５１となる膜５１Ｐを形成する。次に、膜５１Ｐの上に、例えばＣＶＤやスパッタ法によって、絶縁層５２となる絶縁膜５２Ｐを形成する。膜５１Ｐおよび絶縁膜５２Ｐは、積層膜５０Ｐを構成する。積層膜５０Ｐの厚みは、ＭＲ素子５の第２の面５Ｂと、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面との間の段差Ｄ２よりも小さい。
【０１１４】
次に、図１９に示したように、絶縁膜５２Ｐの上に、膜５１Ｐ，５２Ｐをパターニングするためのマスク６２を形成する。マスク６２は、積層膜５０ＰのうちのＭＲ素子５を覆う部分の上面を露出させる開口部６２ａを有している。
【０１１５】
次に、図２０に示したように、アルカリ溶剤を用いたウェットエッチング、またはイオンミリング等のドライエッチングによって、絶縁膜５２Ｐのうち、マスク６２の開口部６２ａから露出する部分を除去する。
【０１１６】
次に、図２１に示したように、ドライエッチングによって、膜５１Ｐのうち、マスク６２の開口部６２ａから露出する部分を除去する。ドライエッチングとしては、例えばイオンミリングや反応性イオンエッチングが用いられる。
【０１１７】
図２０および図２１に示した工程により、積層膜５０Ｐのうち、ＭＲ素子５の上に存在する部分が除去され、残った積層膜５０Ｐによって積層体５０が形成される。
【０１１８】
次に、マスク６２を除去した後、図１７に示したように、ＭＲ素子５および積層体５０の上に、第２のシールド層８を形成する。第２のシールド層８の形成方法は、第１の実施の形態と同様である。
【０１１９】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１２０】
［第３の実施の形態］
次に、図２２を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の構成について説明する。図２２は磁気抵抗効果装置のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置は、第１の実施の形態における積層体３０の代わりに積層体７０を備えている。積層体７０は、第１の絶縁層７１とバイアス磁界印加層７２と第２の絶縁層７３とを含んでいる。
【０１２１】
第２のシールド層８の面８Ａにおける第２の部分８Ａ２と第１のシールド層３との間において、第１の絶縁層７１は、バイアス磁界印加層７２と第１のシールド層３との間に配置されて第１のシールド層３に接している。第２の部分８Ａ２と第１のシールド層３との間において、第２の絶縁層７３は、バイアス磁界印加層７２と第２のシールド層８との間に配置されて第２のシールド層８に接している。
【０１２２】
また、積層体７０は、ＭＲ素子５の側面５Ｃ，５Ｄに隣接する隣接部７０Ｃ，７０Ｄを含んでいる。この隣接部７０Ｃ，７０Ｄにおいて、第１の絶縁層７１は、バイアス磁界印加層７２とＭＲ素子５の側面５Ｃ，５Ｄとの間に配置され、側面５Ｃ，５Ｄに接している。隣接部７０Ｃ，７０Ｄにおいて、第２の絶縁層７３は、バイアス磁界印加層７２と第２のシールド８との間に配置され、第２のシールド８に接している。
【０１２３】
積層体７０の厚みは、ＭＲ素子５の第２の面５Ｂと、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面との間の段差Ｄ２よりも小さい。絶縁層７１，７３の厚みや材料は、第１の実施の形態における絶縁層３１と同様である。また、バイアス磁界印加層７２の厚みや材料は、第１の実施の形態におけるバイアス磁界印加層３２と同様である。
【０１２４】
図２に示した第１の実施の形態における変形例と同様に、本実施の形態においても、ＭＲ素子５の第１の面５Ａと、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面との間に、後者の方が基板１に近づくように段差が形成されていてもよい。
【０１２５】
本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置のその他の構成は、第１の実施の形態と同様である。
【０１２６】
次に、図２３ないし図２６を参照して、本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の製造方法について説明する。図２３ないし図２６は、それぞれ、本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の製造方法における一工程を示す断面図である。なお、図２３ないし図２６は、エアベアリング面に平行な断面を示している。
【０１２７】
本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の製造方法では、ＭＲ素子５を形成した後、マスク４１を除去する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
【０１２８】
図２３は、次の工程を示す。この工程では、まず、第１のシールド層３およびＭＲ素子５を覆うように、例えばＣＶＤやスパッタ法によって、絶縁層７１となる絶縁膜７１Ｐを形成する。次に、絶縁膜７１Ｐの上に、例えばスパッタ法によって、バイアス磁界印加層７２となる膜７２Ｐを形成する。次に、膜７２Ｐの上に、例えばＣＶＤやスパッタ法によって、絶縁層７３となる絶縁膜７３Ｐを形成する。膜７１Ｐ，７２Ｐ，７３Ｐは、積層膜７０Ｐを構成する。積層膜７０Ｐの厚みは、ＭＲ素子５の第２の面５Ｂと、ＭＲ素子５の周辺における第１のシールド層３の上面との間の段差Ｄ２よりも小さい。
【０１２９】
次に、図２４に示したように、絶縁膜７３Ｐの上に、膜７１Ｐ，７２Ｐ，７３Ｐをパターニングするためのマスク８２を形成する。マスク８２は、積層膜７０Ｐのうち、ＭＲ素子５を覆う部分の上面を露出させる開口部８２ａを有している。
【０１３０】
図２５は、次の工程を示す。この工程では、まず、ドライエッチングによって、絶縁膜７３Ｐのうち、マスク８２の開口部８２ａから露出する部分を除去する。これにより、膜７２Ｐの一部がマスク８２の開口部８２ａから露出する。次に、ドライエッチングによって、膜７２Ｐのうち、マスク８２の開口部８２ａから露出する部分を除去する。ドライエッチングとしては、例えばイオンミリングや反応性イオンエッチングが用いられる。
【０１３１】
次に、図２６に示したように、アルカリ溶剤を用いたウェットエッチング、またはイオンミリング等のドライエッチングによって、絶縁膜７１Ｐのうち、マスク８２の開口部８２ａから露出する部分を除去する。
【０１３２】
図２５および図２６に示した工程により、積層膜７０Ｐのうち、ＭＲ素子５の上に存在する部分が除去され、残った積層膜７０Ｐによって積層体７０が形成される。
【０１３３】
次に、マスク８２を除去した後、図２２に示したように、ＭＲ素子５および積層体７０の上に、第２のシールド層８を形成する。第２のシールド層８の形成方法は、第１の実施の形態と同様である。
【０１３４】
本実施の形態では、バイアス磁界印加層７２を挟むように絶縁層７１，７３が設けられているので、シールド層３，８間におけるＭＲ素子５以外の部分における絶縁性を向上させることができる。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１３５】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、各実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【０１３６】
また、読み取り専用として用いる場合には、薄膜磁気ヘッドを、再生ヘッドだけを備えた構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１３７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る磁気抵抗効果装置のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における変形例の磁気抵抗効果装置のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態におけるＭＲ素子の層の構成の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態におけるＭＲ素子の層の構成の他の例を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面および基板に垂直な断面を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダを示す斜視図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係るヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ディスク装置の要部を説明するための説明図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ディスク装置の平面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１２】図１１に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図１３】図１２に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図１４】図１３に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図１５】図１４に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図１６】図１５に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る磁気抵抗効果装置のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図１９】図１８に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図２０】図１９に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図２１】図２０に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図２２】本発明の第３の実施の形態に係る磁気抵抗効果装置のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
【図２３】本発明の第３の実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の製造方法における一工程を示す断面図である。
【図２４】図２３に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図２５】図２４に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図２６】図２５に示した工程に続く工程を示す断面図である。
【図２７】ＣＰＰ構造のヘッドの製造方法の一例を示す断面図である。
【図２８】ＣＰＰ構造のヘッドの製造方法の他の例を示す断面図である。
【図２９】ＣＰＰ構造のヘッドの製造方法の更に他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１３８】
１…基板、２…絶縁層、３…第１のシールド層、５…ＭＲ素子、８…第２のシールド層、９…記録ギャップ層、１０…薄膜コイルの第１層部分、１２…上部磁極層、１５…薄膜コイルの第２層部分、１７…オーバーコート層、１９…下部磁極層、３０…積層体、３１…絶縁層、３２…バイアス磁界印加層。
【図１】
2006041120.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2006041120.tif 000006
【図５】
2006041120.tif 000007
【図６】
2006041120.tif 000008
【図７】
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【図８】
2006041120.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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