(57)【要約】【課題】ＬＣＯＳチップの対向基板として適当な電気抵抗値と可視光透過率を有するＩＴＯ付きガラス基板を得ること。【解決手段】ガラス基板１の裏面に反射防止膜７を成膜した後、ガラス基板１の表面に厚さ８０〜２００オングストロームの酸化チタン膜２、厚さ１５０〜３００オングストロームの二酸化珪素膜３、厚さ１０００〜１２００オングストロームの酸化チタン膜４および厚さ２００〜４００オングストロームの二酸化珪素膜５を順に成膜する。そして、チャンバー内真空度および温度をそれぞれ１０-6Ｔｏｒｒオーダーおよび１２５〜２３０℃に保持し、チャンバー内に酸素およびアルゴンをそれぞれ１．５〜３．５ｓｃｃｍおよび１５０〜４５０ｓｃｃｍの流量で流入させ、スパッタリングを行って、最上層の酸化膜５の表面に１００〜３５０オングストロームの厚さのＩＴＯ膜６を成膜する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と、
前記ガラス基板の表面上に積層された少なくとも二層の酸化膜と、
前記酸化膜上に積層された１００オングストローム以上３５０オングストローム以下の厚さのＩＴＯ膜と、
を備えることを特徴とするＩＴＯ付きガラス基板。
【請求項２】
前記酸化膜は、酸化チタンよりなる酸化膜層と二酸化珪素よりなる酸化膜層を含むことを特徴とする請求項１に記載のＩＴＯ付きガラス基板。
【請求項３】
前記酸化膜は、前記ガラス基板側から順に、酸化チタンよりなる酸化膜層、二酸化珪素よりなる酸化膜層、酸化チタンよりなる酸化膜層、および二酸化珪素よりなる酸化膜層の四層構造であることを特徴とする請求項２に記載のＩＴＯ付きガラス基板。
【請求項４】
前記酸化膜は、酸化タンタルよりなる酸化膜層と二酸化珪素よりなる酸化膜層を含むことを特徴とする請求項１に記載のＩＴＯ付きガラス基板。
【請求項５】
前記ＩＴＯ膜のシート抵抗値が２００Ω／□以上３１０Ω／□以下、好ましくは３００Ω／□以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のＩＴＯ付きガラス基板。
【請求項６】
前記ガラス基板の裏面に反射防止膜が設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載のＩＴＯ付きガラス基板。
【請求項７】
可視光の波長領域の全域において光の透過率が９０％以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のＩＴＯ付きガラス基板。
【請求項８】
ガラス基板の表面に少なくとも二層の酸化膜を積層する工程と、
スパッタリング装置のチャンバー内の真空度を１０-6Ｔｏｒｒオーダーにした後、前記チャンバー内の温度を１２５℃以上２３０℃以下に保持し、前記チャンバー内に酸素を１．５ｓｃｃｍ以上３．５ｓｃｃｍ以下の流量で流入させるとともに、前記チャンバー内にアルゴンを１５０ｓｃｃｍ以上４５０ｓｃｃｍ以下の流量で流入させ、スパッタリングを行って前記酸化膜の上にＩＴＯ膜を成膜する工程と、
を含むことを特徴とするＩＴＯ付きガラス基板の製造方法。
【請求項９】
前記ＩＴＯ膜を１００オングストローム以上３５０オングストローム以下の厚さに成膜することを特徴とする請求項８に記載のＩＴＯ付きガラス基板の製造方法。
【請求項１０】
前記酸化膜として、一層以上の酸化チタンよりなる酸化膜層と一層以上の二酸化珪素よりなる酸化膜層を積層することを特徴とする請求項８または９に記載のＩＴＯ付きガラス基板の製造方法。
【請求項１１】
前記酸化膜として、前記ガラス基板側から順に、酸化チタンよりなる酸化膜層、二酸化珪素よりなる酸化膜層、酸化チタンよりなる酸化膜層、および二酸化珪素よりなる酸化膜層を積層することを特徴とする請求項１０に記載のＩＴＯ付きガラス基板の製造方法。
【請求項１２】
前記酸化膜として、前記ガラス基板側から順に、酸化タンタルよりなる酸化膜層および二酸化珪素よりなる酸化膜層を積層することを特徴とする請求項８または９に記載のＩＴＯ付きガラス基板の製造方法。
【請求項１３】
前記ガラス基板の表面に前記酸化膜を積層する前に、前記ガラス基板の裏面に反射防止膜を成膜することを特徴とする請求項８〜１２のいずれか一つに記載のＩＴＯ付きガラス基板の製造方法。
【請求項１４】
予め前記ガラス基板を略円形状に加工することを特徴とする請求項８〜１３のいずれか一つに記載のＩＴＯ付きガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＩＴＯ付きガラス基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、リアプロジェクション・テレビなどの大画面テレビや大画面のディスプレイに用いられるマイクロディスプレイとして、ＬＣＯＳ（リキッド・クリスタル・オン・シリコン）技術が注目されている。一般に、ＬＣＯＳチップは、半導体製造技術により作製されたＭＯＳＦＥＴ（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）などを有する単結晶シリコン基板と、透明電極を有するガラス基板とを対向させ、それらの間に液晶を封入した構造を有する。ＬＣＯＳチップに用いられる透明電極付きガラス基板には、電気抵抗値を制御しながら、光透過率が１％でも高いことが要求される。
【０００３】
透明電極を有するガラス基板として、ガラス基板上に絶縁膜を形成した基板の上に、真空蒸着法によりＩＴＯ膜とＳｎＯ膜を交互に積層した透光性導電膜が公知である（例えば、特許文献１参照。）。また、ガラス基板上にＴｉＯ2膜を積層し、その上にＺｒＳｉxＯy膜を積層し、さらにその上にイオンプレーティング法によりＩＴＯ膜を積層した透明導電性積層体が公知である（例えば、特許文献２参照。）。また、高い可視光透過率を有する熱線遮蔽板として、ガラス基板上にＴｉＯ2膜とＳｉＯ2膜を交互に積層したものが公知である（例えば、特許文献３参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開昭６０−２０５９０９号公報（表１）
【特許文献２】特開平４−１５４６４７号公報（実施例１）
【特許文献３】特開平１−１３８１５９号公報（実施例４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示された透光性導電膜では、５００ｎｍの波長以外の波長領域での光の透過率が不明であるだけでなく、５００ｎｍの波長の光の透過率が高くても８４％であるため、ＬＣＯＳチップの透明電極を有するガラス基板として用いるには、光の透過率が低過ぎるという問題点がある。また、上記特許文献２に開示された透明導電性積層体では、電気抵抗値や光透過率が不明であり、ＬＣＯＳチップの透明電極を有するガラス基板には適さない。また、上記特許文献３に開示された熱線遮蔽板では、電気抵抗値が不明であるだけでなく、可視光の透過率が高くても８１％程度であるため、ＬＣＯＳチップの透明電極を有するガラス基板として用いるには、光の透過率が低過ぎるという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、例えばＬＣＯＳチップの対向基板として適当な電気抵抗値と可視光透過率を有するＩＴＯ付きガラス基板を提供することを目的とする。また、この発明は、そのような特性を有するＩＴＯ付きガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかるＩＴＯ付きガラス基板は、ガラス基板と、ガラス基板の表面上に積層された少なくとも二層の酸化膜と、酸化膜上に積層された１００オングストローム以上３５０オングストローム以下の厚さのＩＴＯ膜と、を備えることを特徴とする。この発明において、酸化膜は、酸化チタンよりなる酸化膜層と二酸化珪素よりなる酸化膜層を含んでいてもよい。例えば、酸化膜が、ガラス基板側から順に、酸化チタンよりなる酸化膜層、二酸化珪素よりなる酸化膜層、酸化チタンよりなる酸化膜層、および二酸化珪素よりなる酸化膜層の四層構造であってもよい。
【０００８】
あるいは、酸化膜は、酸化タンタルよりなる酸化膜層と二酸化珪素よりなる酸化膜層を含んでいてもよい。そして、ＩＴＯ膜のシート抵抗値は、２００Ω／□以上３１０Ω／□以下、好ましくは３００Ω／□以下であるとよい。また、ガラス基板の裏面に反射防止膜が設けられていてもよい。さらに、可視光の波長領域の全域において光の透過率が９０％以上であるとよい。この発明によれば、電気抵抗値が低く、かつ可視光透過率が高いＩＴＯ付きガラス基板が得られる。
【０００９】
また、上述した課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかるＩＴＯ付きガラス基板の製造方法は、ガラス基板の表面に少なくとも二層の酸化膜を積層する工程と、スパッタリング装置のチャンバー内の真空度を１０-6Ｔｏｒｒオーダーにした後、チャンバー内の温度を１２５℃以上２３０℃以下に保持し、チャンバー内に酸素を１．５ｓｃｃｍ以上３．５ｓｃｃｍ以下の流量で流入させるとともに、チャンバー内にアルゴンを１５０ｓｃｃｍ以上４５０ｓｃｃｍ以下の流量で流入させ、スパッタリングを行って酸化膜の上にＩＴＯ膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。この発明において、ＩＴＯ膜を１００オングストローム以上３５０オングストローム以下の厚さに成膜するとよい。
【００１０】
また、酸化膜として、一層以上の酸化チタンよりなる酸化膜層と一層以上の二酸化珪素よりなる酸化膜層を積層してもよい。例えば、酸化膜として、ガラス基板側から順に、酸化チタンよりなる酸化膜層、二酸化珪素よりなる酸化膜層、酸化チタンよりなる酸化膜層、および二酸化珪素よりなる酸化膜層を積層してもよい。あるいは、酸化膜として、ガラス基板側から順に、酸化タンタルよりなる酸化膜層および二酸化珪素よりなる酸化膜層を積層してもよい。
【００１１】
また、ガラス基板の表面に酸化膜を積層する前に、ガラス基板の裏面に反射防止膜を成膜してもよいし、さらに予めガラス基板を略円形状に加工しておいてもよい。この発明によれば、電気抵抗値が低く、かつ可視光透過率が高いＩＴＯ付きガラス基板が、ＣＶＤ（化学気相成長）法によりＩＴＯ膜を成膜する場合よりも安価に得られる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、低い電気抵抗値と高い可視光透過率を有するＩＴＯ付きガラス基板が得られる。特に、ＬＣＯＳチップの対向基板として適当な電気抵抗値と可視光透過率を有するＩＴＯ付きガラス基板が得られるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかるＩＴＯ付きガラス基板およびその製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明にかかるＩＴＯ付きガラス基板の一例を示す断面図である。図１に示すように、ガラス基板１の表面に、該表面側から順に、第１の酸化チタン（ＴｉＯx）膜２、第１の二酸化珪素（ＳｉＯ2）膜３、第２の酸化チタン（ＴｉＯx）膜４、第２の二酸化珪素膜５およびＩＴＯ膜６が積層されている。ガラス基板１は、特に限定しないが、例えば５５０ｎｍの波長の光に対する屈折率が１．５５である無アルカリガラスの板である。
【００１５】
第１の酸化チタン膜２の厚さは、８０〜２００オングストロームである。第１の二酸化珪素膜３の厚さは、１５０〜３００オングストロームである。第２の酸化チタン膜４の厚さは、１０００〜１２００オングストロームである。第２の二酸化珪素膜５の厚さは、２００〜４００オングストロームである。ＩＴＯ膜６の厚さは、１００〜３５０オングストロームである。
【００１６】
また、ガラス基板１の裏面には、反射防止膜（ＡＲ膜）７が設けられている。反射防止膜７は、ガラス基板１の裏面側から順に、二酸化珪素膜７１、二酸化チタン（ＴｉＯ2）膜７２、二酸化珪素膜７３、二酸化チタン膜７４および二酸化珪素膜７５が積層された構成となっている。
【００１７】
上述した構成のＩＴＯ付きガラス基板は、次の特性を有する。すなわち、ＩＴＯ膜６のシート抵抗値は、２００〜３１０Ω／□である。好ましくは、シート抵抗値が２００〜３００Ω／□であるとよい。また、可視光の波長領域、具体的には４１０〜７５０ｎｍの波長領域において、光の透過率は９０％以上である。
【００１８】
次に、本発明にかかるＩＴＯ付きガラス基板の製造方法について説明する。図２は、製造方法の一例を示す工程図である。図２に示すように、まず、四角形状のガラス基板１を略円形状に加工する（ステップＳ１）。次いで、ガラス基板１を洗浄した後、ガラス基板１の裏面に反射防止膜７を成膜する（ステップＳ２）。次いで、ガラス基板１を洗浄した後、ガラス基板１の表面に第１の酸化チタン膜２、第１の二酸化珪素膜３、第２の酸化チタン膜４および第２の二酸化珪素膜５を順次成膜する（ステップＳ３）。これら４層の酸化膜２，３，４，５を成膜するにあたっては、電子ビーム物理蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。
【００１９】
次いで、４層の酸化膜付きのガラス基板１を洗浄した後、最上層の第２の二酸化珪素膜５の表面にＩＴＯ膜６をスパッタリング法により成膜する（ステップＳ４）。このときのスパッタ条件は、次の通りである。インラインスパッタリング装置を用いる。ターゲットには、インジウムとスズを用いる。スパッタリング装置のチャンバー内の真空度は、１０-6Ｔｏｒｒオーダーである。また、チャンバー内の温度は、１２５〜２３０℃である。
【００２０】
そして、チャンバー内をこの真空度と温度に保持した後に、チャンバー内に酸素を１．５〜３．５ｓｃｃｍの流量で流入させるとともに、チャンバー内にキャリアガスとしてアルゴンを１５０〜４５０ｓｃｃｍの流量で流入させる。酸素とアルゴンが流入しているときのチャンバー内は、真空度が１×１０-1Ｔｏｒｒのオーダーまで低下する。ターゲット電流の電流値および基板搬送速度については、ＩＴＯ膜６の膜厚に応じて適宜制御する。換言すれば、ターゲット電流の電流値および基板搬送速度を制御することによって、ＩＴＯ膜６の膜厚を制御することができる。ＩＴＯ膜６の膜厚は、光の透過率および電気抵抗値を考慮して、上述した範囲で適宜選択される。
【００２１】
ここで、ＩＴＯ膜６の下の４層の酸化膜２，３，４，５をスパッタリング法により成膜する場合には、チャンバー内にガラス基板１を設置した状態のまま、ＩＴＯ膜６の下の４層の酸化膜２，３，４，５とＩＴＯ膜６を連続して成膜することができるので、ＩＴＯ膜６を成膜する前の基板洗浄は不要である。この場合のスパッタリング装置のターゲットには、インジウムとスズの他に、珪素とチタンも用いられる。
【００２２】
次に、本発明者らが上述したスパッタ条件を導き出した過程について説明する。本発明者らが欲するＩＴＯ膜６の特性は、可視光領域における光透過率が高いことと、電気抵抗値が低いことである。光透過率を高くするには、ＩＴＯ膜６を薄くすればよい。しかし、ＩＴＯ膜６が薄いと、電気抵抗値が高くなってしまう。つまり、ＩＴＯ膜６の光透過率と電気抵抗値とはトレードオフの関係にある。そこで、本発明者らは、ＩＴＯ膜６の可視光領域における光透過率が高い状態で、電気抵抗値を低くすることができるスパッタ条件を求めるため、以下のような実験を行った。
【００２３】
まず、従来の厚いＩＴＯ膜（シート抵抗値：１０〜３０Ω／□）をスパッタリング法により作製する際の一般的なスパッタ条件を用いて、ガラス基板上に２２０オングストロームの厚さのＩＴＯ膜を成膜した。ターゲット直流電力は０．４ｋＷであり、チャンバー内の真空度を６×１０-6Ｔｏｒｒとした後、酸素とアルゴンを流入した。アルゴンの流量は７８０ｓｃｃｍであった。酸素の流量を２．５ｓｃｃｍ、３．０ｓｃｃｍ、３．５ｓｃｃｍ、４．０ｓｃｃｍおよび４．５ｓｃｃｍに変化させたときのシート抵抗値の変化の様子を図３に示す。図３に示すように、酸素の流量が３．０ｓｃｃｍのときにシート抵抗値が最も小さくなることが分かった。これより、本発明者らは、暫定的に酸素の流量を３．０ｓｃｃｍに定めた。
【００２４】
次に、酸素の流量を３．０ｓｃｃｍに固定し、アルゴンの流量を変化させて、スパッタリング法によりガラス基板上に２２０オングストロームの厚さのＩＴＯ膜を成膜した。ターゲット直流電力は０．４ｋＷであり、チャンバー内の真空度を６×１０-6Ｔｏｒｒとした後、酸素とアルゴンを流入した。チャンバー内温度は２００℃であった。アルゴンの流量を５０ｓｃｃｍ、１５０ｓｃｃｍ、３００ｓｃｃｍ、４５０ｓｃｃｍ、６００ｓｃｃｍ、７８０ｓｃｃｍおよび９００ｓｃｃｍに変化させたときのシート抵抗値の変化の様子を図４に示す。図４に示すように、アルゴンの流量が３００ｓｃｃｍのときにシート抵抗値が最も小さくなり、１５０〜４５０ｓｃｃｍの範囲でシート抵抗値が比較的小さくなることが分かった。これより、本発明者らは、アルゴンの流量を１５０〜４５０ｓｃｃｍに定めた。
【００２５】
次に、アルゴンの流量を３００ｓｃｃｍに固定し、酸素の流量を変化させて、スパッタリング法によりガラス基板上に２２０オングストロームの厚さのＩＴＯ膜を成膜した。ターゲット直流電力は０．４ｋＷであり、チャンバー内の真空度を６×１０-6Ｔｏｒｒとした後、酸素とアルゴンを流入した。チャンバー内温度は２００℃であった。酸素の流量を１．０ｓｃｃｍ、１．５ｓｃｃｍ、２．５ｓｃｃｍ、３．０ｓｃｃｍ、３．５ｓｃｃｍおよび４．５ｓｃｃｍに変化させたときのシート抵抗値の変化の様子を図５に示す。図５に示すように、酸素の流量が１．５〜３．５ｓｃｃｍの範囲でシート抵抗値が比較的小さくなり、２．５ｓｃｃｍのときにシート抵抗値が最も小さくなることが分かった。これより、本発明者らは、酸素の流量を１．５〜３．５ｓｃｃｍに定めた。
【００２６】
次に、酸素およびアルゴンの流量をそれぞれ２．５ｓｃｃｍおよび３００ｓｃｃｍに固定し、チャンバー内温度を変化させて、スパッタリング法によりガラス基板上に１４０〜１６０オングストロームの厚さのＩＴＯ膜を成膜した。ターゲット直流電力は０．２ｋＷであった。チャンバー内温度を１００℃、１２５℃、１５０℃、１７０℃、１９０℃、２００℃、２１０℃、２３０℃および３００℃に変化させたときのシート抵抗値の変化の様子を図６に示す。図６に示すように、チャンバー内温度が１２５〜２３０℃の範囲でシート抵抗値が比較的小さな値（３１０Ω／□以下）となり、１９０℃のときにシート抵抗値が最も小さくなることが分かった。これより、本発明者らは、チャンバー内温度を１２５〜２３０℃に定めた。なお、チャンバー内温度を変化させた各試料について光の透過率を測定したところ、変化はなかった。つまり、光の透過率は、チャンバー内温度に依存しないことが分かった。
【００２７】
次に、酸素およびアルゴンの流量をそれぞれ２．５ｓｃｃｍおよび３００ｓｃｃｍに固定し、ターゲット直流電力を変化させて、スパッタリング法によりガラス基板上にＩＴＯ膜を成膜した。ターゲット直流電力を０．２０ｋＷ、０．２５ｋＷ、０．３０ｋＷおよび０．３５ｋＷに変化させたときのシート抵抗値の変化の様子を図７に示す。図７に示すように、ターゲット直流電力が大きくなるとＩＴＯ膜が厚くなり、それに伴ってシート抵抗値が小さくなることが確認された。また、ターゲット直流電力を変化させたときの青色光（波長：４５０ｎｍ）、緑色光（波長：５５０ｎｍ）および赤色光（波長：６６０ｎｍ）の各透過率の変化の様子を図８に示す。図８に示すように、ターゲット直流電力が大きくなるとＩＴＯ膜が厚くなるため、透過率が低くなることが分かる。以上の実験結果に基づいて、本発明者らは、上述したスパッタ条件が適当であると判断した。
【００２８】
以上説明したように、実施の形態によれば、電気抵抗値が低く、かつ可視光透過率が高いＩＴＯ付きガラス基板が得られる。特に、ＬＣＯＳチップの対向基板として適当な電気抵抗値と可視光透過率を有するＩＴＯ付きガラス基板が得られる。また、ＩＴＯ膜６をスパッタリング法により成膜することによって、ＩＴＯ膜６をＣＶＤ法により成膜する場合よりも安価に成膜することができる。
【実施例】
【００２９】
本発明者らは、上述した製造方法に従ってＩＴＯ付きガラス基板を作製した。ガラス基板１には、５５０ｎｍの波長の光に対する屈折率が１．５５である無アルカリガラス板を用いた。第１の酸化チタン膜２、第１の二酸化珪素膜３、第２の酸化チタン膜４、第２の二酸化珪素膜５およびＩＴＯ膜６の厚さは、それぞれ１００オングストローム、２００オングストローム、１１００オングストローム、２５０オングストロームおよび１８０オングストロームであった。また、ガラス基板１の裏面に反射防止膜７を設けた。
【００３０】
ＩＴＯ膜６の下の４層の酸化膜２，３，４，５については、電子ビーム物理蒸着法により成膜した。また、ＩＴＯ膜６を成膜する際のスパッタ条件は、以下の通りであった。日電アネルバ株式会社製のインラインスパッタリング装置（型番：ＩＬＣ−３９３９Ｓ）を用い、ターゲットにインジウムとスズを用いた。チャンバー内の真空度を６×１０-6Ｔｏｒｒとした後、酸素とアルゴンを流入した。そのときの酸素の流量を２．５ｓｃｃｍとし、アルゴンの流量を３００ｓｃｃｍとした。また、基板搬送速度を１８０ｍｍ／分とした。作製したＩＴＯ付きガラス基板の光の透過率を測定した結果を図９に示す。図９に示すように、４１０〜７５０ｎｍの波長領域において、光の透過率が９０％以上であることが確認された。
【００３１】
以上において本発明は、上述した実施の形態および実施例に限らず、種々変更可能である。例えば、ガラス基板１の屈折率や材質、各膜２，３，４，５，６の厚さ、シート抵抗値および光透過率などの値は一例であり、本発明はそれらの数値に限定されるものではない。また、ＩＴＯ膜６の下の酸化膜の層数は４層に限らず、偶数層であればよい。さらに、ＩＴＯ膜６の下の酸化膜２，３，４，５は、二酸化珪素と酸化チタンに限らない。例えば、ＩＴＯ膜６の下の酸化膜の層数が２層である場合、ガラス基板１の表面側から順に、酸化タンタルおよび二酸化珪素を積層した構成としてもよい。
【００３２】
また、ＩＴＯ膜６を成膜する際のチャンバー内の真空度および温度や、酸素およびアルゴンの流量などの値は一例であり、本発明はそれらの数値に限定されるものではない。また、本発明にかかるＩＴＯ付きガラス基板の用途は、ＬＣＯＳチップ用の対向基板に限らない。本発明は、可視光領域全般、特に青色光の波長領域においても高透過率を示すので、青色光を応用する液晶パネルの基板としても好適である。例えば、液晶に印加する電圧の、液晶の面内分布を変化させることにより液晶の面内の屈折率分布を変化させてレンズ効果を持たせる液晶レンズや、その他、周知の反射型や半透過型ＴＦＴ液晶デバイスなどにも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
以上のように、本発明にかかるＩＴＯ付きガラス基板およびその製造方法は、ディスプレイなどの画像表示デバイスに有用であり、特に、ＬＣＯＳチップの対向基板に適している。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明にかかるＩＴＯ付きガラス基板の一例を示す断面図である。
【図２】本発明にかかるＩＴＯ付きガラス基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【図３】スパッタ条件を導出するために行った実験の結果を示す特性図である。
【図４】スパッタ条件を導出するために行った実験の結果を示す特性図である。
【図５】スパッタ条件を導出するために行った実験の結果を示す特性図である。
【図６】スパッタ条件を導出するために行った実験の結果を示す特性図である。
【図７】スパッタ条件を導出するために行った実験の結果を示す特性図である。
【図８】スパッタ条件を導出するために行った実験の結果を示す特性図である。
【図９】実施例の光透過率特性を示す特性図である。
【符号の説明】
【００３５】
１  ガラス基板
２，４  酸化チタン膜
３，５  二酸化珪素膜
６  ＩＴＯ膜
７  反射防止膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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