(57)【要約】【課題】  微細な配線を備えるとともに、フォトレジストやドライフィルムレジストの使用に起因した問題を伴うことのない配線基板を提供することにある。【解決手段】  基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板において、その配線パターン層が、基板の所定の位置に予め定められた深さで形成された溝に配線パターンの前駆体を堆積した後にその配線パターンの前駆体の過剰量を基板の表面側から除去することによって形成されたものであるように構成するとともに、配線基板が平坦な表面を有しているように構成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板であって、
前記配線パターン層が、前記基板の所定の位置に予め定められた深さで形成された溝に配線パターンの前駆体を堆積した後にその配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去することによって形成されたものであり、かつ
前記配線基板が、平坦な表面を有していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線パターン層が、セミアディティブ法を使用しないで形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記配線パターンの前駆体が、導体金属のめっき堆積物からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記溝が、前記配線パターン層の形成部位にそのパターン層の厚さと同じかもしくはそれよりも深く形成されたエッチング溝であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記溝が異方性エッチングによって形成されたものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
内層配線パターン層をさらに有していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板を製造する方法であって、
用意した基板の所定の位置に予め定められた深さで溝を形成する工程と、
前記基板の上に前記溝を含めて配線パターン形成材料を堆積して配線パターンの前駆体を形成する工程と、
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成する工程と
を含んでなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記配線パターン形成材料が導体金属からなり、前記配線パターンの前駆体をめっきによって形成することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記溝形成工程において、前記基板をエッチングして、前記配線パターン層の形成部位にそのパターン層の厚さと同じかもしくはそれよりも深くエッチング溝を形成することを特徴とする請求項７又は８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記エッチングが異方性エッチングであることを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記基板の表面側から研磨を行って、前記配線パターンの前駆体の過剰量を除去することを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
用意した基板の上に絶縁樹脂を積層し、
形成された絶縁樹脂層の上に導体金属からなるシード層を形成し、
前記基板から、前記配線パターン層の形成部位に形成された前記シード層を選択的に除去し、
前記シード層の存在下において、前記基板の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成し、
前記基板の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに前記溝に配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成し、そして
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成することを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記シード層の選択的除去工程を、レジスト材料の露光及び現像によって形成されたレジストマスクの存在下におけるソフトエッチングによって行うことを特徴とする請求項１２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
用意した基板の上に絶縁樹脂を積層し、
形成された絶縁樹脂層の上にレジスト層を形成し、
前記基板から、前記配線パターン層の形成部位に形成された前記レジスト層を選択的に除去し、
形成されたレジストパターン層の存在下において、前記基板の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成し、
前記基板の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに前記溝に配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成し、そして
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成することを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記レジスト層の選択的除去工程を、そのレジスト層の露光及び現像によって行うことを特徴とする請求項１４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１６】
用意した基板の上に導体金属からなる内層配線パターン層を形成し、
前記内層配線パターン層の上に絶縁樹脂を積層し、
形成された絶縁樹脂層のフィルドビア形成部位に貫通孔を形成し、
貫通孔が形成された絶縁樹脂層の上にレジスト層を形成し、
前記基板から、前記配線パターン層の形成部位に形成された前記レジスト層を選択的に除去し、
形成されたレジストパターン層の存在下において、前記基板の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成し、
前記基板の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに前記溝に配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成し、そして
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成することを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１７】
前記レジスト層の選択的除去工程を、そのレジスト層の露光及び現像によって行うことを特徴とする請求項１６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１８】
前記貫通孔の形成をレーザーにより行うことを特徴とする請求項１６又は１７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線基板と、その配線基板の表面及び（又は）内部に実装された少なくとも１種類の電子部品とを含んでなることを特徴とする電子装置。
【請求項２０】
前記電子部品が半導体素子であることを特徴とする請求項１９に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関し、さらに詳しく述べると、微細配線を表面に備え、かつ配線層の表面が平坦な配線基板と、従来一般的に使用されてきたセミアディティブ法を使用しないで本発明の配線基板を簡単かつ歩留まりよく製造する方法に関する。また、本発明は、本発明の配線基板を使用した半導体装置などの電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板は、周知のように、電気絶縁性の基板に電気良導体である金属（以下、「導体金属」という）で配線パターン（電気回路）を形成したものであり、半導体素子（例えば、ＬＳＩ）等の電子部品を実装し、支持するために使用されている。
【０００３】
現在、配線基板は、例えばアディティブ法やセミアディティブ法で形成されている。例えばセミアディティブ法は、特許文献１及び２において開示されている。特許文献２を参照すると、図１１に順を追って示すように、セミアディティブ法でプリント配線板を製造する方法が開示されている。この方法によると、まず、工程（Ａ）に示すように、絶縁基板１０１の上に下地金属層１０２を形成した後、配線パターンをめっきで形成するためのマスクパターン１０３をフォトレジストから形成する。次いで、工程（Ｂ）に示すように、マスクパターン１０３以外の下地金属層１０２が露出した溝の部分に電解めっき法でめっきパターン１０４を形成する。次いで、マスクパターン１０３を収縮させた後、工程（Ｃ）に示すように、めっきパターン１０４の全面にスパッタリングなどで金属保護膜１０５を形成する。引き続いて、工程（Ｄ）に示すように、使用済みとなったマスクパターン１０３を剥離液で除去する。最後に、不要となった下地金属層１０２をフラッシュエッチングによって除去すると、工程（Ｅ）に示すように、目的とするプリント配線板が得られる。
【０００４】
しかし、配線基板をこのようにセミアディティブ法を用いて製造したのでは、マスクパターンの形成に使用されるフォトレジストの解像度、密着性の問題から、微細配線の形成に限界が見えてきており、最近特に要求が著しい配線パターンの微細化に十分に対応することができない。なぜならば、セミアディティブ法で配線パターンを形成する場合には、めっきによって導体金属を積み上げる工程が必要であるので、マスクパターン、すなわち、フォトレジストには一定の厚さが必要であるからである。一方で、厚膜のフォトレジストの要件を満足させるため、一般には約２０〜２５μｍの膜厚を有するドライフィルムレジストが用いられている。ドライフィルムレジストは、取り扱い性がよく、高アスペクト比のマスクパターンを容易に形成することができるといったメリットがあるけれども、微細配線の形成において、ドライフィルムが途中で剥離する、レジストパターンが倒れる、線間でレジスト残りを生じる、といった問題が依然として発生する。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１０１１９４号公報（特許請求の範囲、図１）
【特許文献２】特開２００４−６３６４３号公報（特許請求の範囲、図１〜図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、したがって、微細な配線を備えるとともに、セミアディティブ法を使用しないので、フォトレジストやドライフィルムレジストの使用に起因した問題（例えば、解像度及び密着性の低下、レジストパターンの倒れ、レジスト残り、など）を伴うことのない配線基板を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の目的は、将来の高密度配線の要求に対応でき、配線パターン層の上に積層する絶縁樹脂等の厚さの管理が容易である配線基板を提供することにある。
【０００８】
さらに、本発明の目的は、上記のような本発明の配線基板を簡単にかつ歩留まりよく製造できる配線基板の改良された製造方法を提供することにある。
【０００９】
さらにまた、本発明の目的は、微細な配線を備えた本発明の配線基板に半導体素子等の電子素子を実装した小形で高性能な電子装置を提供することにある。
【００１０】
本発明の上記した目的やその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解することができるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、１つの面において、基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板であって、
前記配線パターン層が、前記基板の所定の位置に予め定められた深さで形成された溝に配線パターンの前駆体を堆積した後にその配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去することによって形成されたものであり、かつ
前記配線基板が、平坦な表面を有していることを特徴とする配線基板にある。
【００１２】
また、本発明は、もう１つの面において、基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板を製造する方法であって、
用意した基板の所定の位置に予め定められた深さで溝を形成する工程と、
前記基板の上に前記溝を含めて配線パターン形成材料を堆積して配線パターンの前駆体を形成する工程と、
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成する工程と
を含んでなることを特徴とする配線基板の製造方法にある。
【００１３】
さらに、本発明は、さらにもう１つの面において、本発明の配線基板と、その配線基板の表面及び（又は）内部に実装された少なくとも１種類の電子部品とを含んでなることを特徴とする電子装置にある。
【発明の効果】
【００１４】
以下の詳細な説明から理解されるように、本発明によれば、微細な配線を高密度で備えた配線基板を提供することができる。
【００１５】
本発明の配線基板は、その製造において従来一般的に使用されてきたセミアディティブ法を使用しなくても済むので、従来の技術では回避することができなかった、フォトレジストやドライフィルムレジストの使用に起因した問題を解消することができる。本発明の配線基板では、例えば、解像度や密着性の低下の問題が生じることがなく、また、厚いドライフィルムレジストを使用する必要がないので、高解像度でパターニングを行うことができ、レジストパターンの倒れやレジスト残りなどの問題も解消することができる。
【００１６】
また、本発明によれば、微細な銅配線からなる配線パターン層（例えば、幅：約１０μｍ、ピッチ：約２０μｍ）の形成が可能となるので、将来の高密度配線の要求に対応できる。
【００１７】
さらに、配線パターン層はその表面が平坦であるので、その配線パターン層の上にさらに例えば絶縁樹脂等の薄膜を積層する場合に、形成される絶縁膜の厚さの管理が容易であり、かつ膜の均一性を高めることができる。
【００１８】
さらにまた、本発明によれば、微細な配線を備えた本発明の配線基板を簡単にかつ歩留まりよく製造することができる。
【００１９】
また、本発明の配線基板の場合、好ましくはエッチングによって基板上の絶縁樹脂に形成された溝に導体金属を充填して配線パターン層を形成できるので、配線密度に応じて絶縁樹脂の厚さを変更するという煩雑な工程を省略することができる。
【００２０】
さらにまた、本発明によれば、微細な配線を備えた本発明の配線基板に半導体素子等の電子部品を実装した小形で高性能な電子装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明による配線基板及びその製造方法ならびに電子装置は、それぞれ、いろいろな形態で有利に実施することができる。以下、本発明をその好ましい実施形態について説明する。
【００２２】
本発明は、基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板にある。ここで、配線基板は、本発明の要件を満足させる限り、その構成が特に限定されるものではなく、以下に図示して示す一例のほか、常用の配線基板（回路基板、プリント回路板、プリント配線板などとも呼ばれる）で採用されているものに類似の構成を有することができる。また、本発明の配線基板は、各種の機能部品（以下、総称して「電子部品」という）を実装し、支持するためのものであり、実装可能な電子部品の典型例としては、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えばＩＣチップ、ＬＳＩチップなどの半導体素子や、コンデンサ素子、リアクタ素子、インダクタ素子などを挙げることができる。
【００２３】
本発明の配線基板において、その主体は基板である。基板は、配線基板の構成に応じていろいろな材料から形成されるけれども、通常、絶縁性の樹脂材料、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などから形成される。さもなければ、この技術分野で常用の、例えば銅張積層板、金属芯配線基板、コンポジット配線基板などを基板として使用してもよい。後者の場合、その基板の表面に導体金属である銅箔などがすでに積層されているので、配線基板の製造工程における導体金属層の形成を省略することができる。
【００２４】
本発明の配線基板において、その基板の上に形成された配線パターン層は、配線基板の表面において形成され、その表面から露出している。ここで、「配線パターン層」は、この技術分野において常用の用語である「配線回路」、「配線層」、「配線パターン」などと同義であり、したがって、任意の導体金属、例えば、銅、ニッケル、クロム、金、銀、アルミニウムなどあるいはその合金から有利に形成することができる。また、配線パターン層は、簡単な手法で厚膜に形成できるので、めっき、好ましくは電解めっきによって形成するのが有利であり、必要ならば、無電解めっきと電解めっきを組み合わせて実施してもよい。また、もしも許容し得るのであるならば、例えばスパッタリング、蒸着などの常用の薄膜形成法を使用して配線パターン層を形成してもよい。なお、必要ならば、上記した基板の内部に、任意の位置及びパターンで内層配線パターン層（配線回路）が予め作り込まれていてもよい。
【００２５】
本発明の配線基板において最初に留意されなければならないことは、その配線基板が、従来常用のセミアディティブ法によって形成されていないということ、すなわち、フォトレジストやドライフィルムレジストを使用して、めっきによる配線パターン層の積み上げのためのマスクパターン（めっき用溝）を形成していないことである。これによる作用効果は、先に説明した通りである。
【００２６】
本発明の配線基板は、したがって、その配線パターン層が、基板の所定の位置に予め定められた深さで形成された溝に配線パターンの前駆体を堆積した後にその配線パターンの前駆体の過剰量を基板の表面側から除去することによって形成されたものであることを特徴とする。
【００２７】
すなわち、本発明の配線基板の場合、基板の所定の位置に配線パターン層を形成するための溝を予め定められた深さで形成した後、その溝の部分に配線パターンの前駆体を配線パターン層に最終的に必要とされる厚さと少なくとも同じであり、好ましくはより大きな膜厚で堆積し（したがって、好ましくは、溝から溢れて基板上をある厚さで覆った状態で配線パターンの前駆体の層が形成される）、その後、配線パターンの前駆体の過剰量を基板の表面側から除去することによって配線パターン層を形成することができる。
【００２８】
上記のようにして配線パターン形成用の溝を形成する場合に、溝の形成は、基板そのものの選択的除去によって行ってもよいけれども、基板の上に絶縁樹脂を積層した後にその絶縁樹脂層の選択的除去によって行うのがより一般的であり、有利である。ここで、基板あるいは絶縁樹脂層の選択的除去は、いろいろな技法に従って行うことができるけれども、通常、エッチングによって行うことが好ましく、プラズマエッチングによって行うことがさらに好ましい。また、以下に図５を参照して説明するように、下方向にのみエッチングを行うことができるので、異方性のあるエッチングで溝を形成するのが好ましい。
【００２９】
エッチングによって基板の表面に溝を形成する場合に、その溝の深さは、目的とする配線パターン層の厚さに応じて広い範囲で変更することができる。溝の深さは、上記からも理解されるように、配線パターン層に最終的に必要とされる厚さと少なくとも同じ深さであることが必要であり、一般的には、後段の工程において配線パターンの前駆体の過剰量が基板の表面側から除去されることを考慮して、配線パターン層の厚さよりも認め得る程度に大きな深さであることが好ましい。溝の深さは、例えば、約１０〜１５μｍもしくはそれ以上とすることが推奨される。
【００３０】
溝の形成後、その溝の部分に充填するとともに基板の表面を覆う形で、配線パターン層の形成に好適な配線パターンの前駆体を堆積する。配線パターンの前駆体は、前記したように、銅などの導体金属であることが好ましく、また、その前駆体の堆積法は、電解めっき法が好ましい。
【００３１】
配線パターンの前駆体を所定の膜厚で堆積した後、その前駆体の堆積物を基板の表面側から所定の深さまで選択的に除去する。ここで、「所定の深さ」とは、この堆積物除去工程によって、目的とする配線パターン層が所定の厚さで得られるとともに、その配線バターン層の上面が露出するのに必要な深さを意味する。また、堆積物の選択的な除去のためにいろいろな技法を使用することができるけれども、堆積物が導体金属のめっきからなっているのが一般的であるので、研磨法を有利に使用することができる。適当な研磨法としては、例えば、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）、グラインディングなどを挙げることができる。
【００３２】
基板の表面部分を所定の深さまで研磨して除去した結果、露出した配線パターン層を表面に備えた配線基板が得られる。この配線基板は、その表面がほぼ平坦であり、配線パターン層の形成工程に由来する段差や凹凸を有していない。すなわち、配線パターン層の表面と、その周囲を取り囲む配線基板の表面とは同じレベルであり、全面的に平坦である。
【００３３】
本発明による配線基板は、いろいろな手法を使用して製造することができるけれども、従来常用のセミアディティブ法を使用しないで、下記のようにして製造するのが有利である。すなわち、本発明の配線基板の製造方法は、基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板を製造する方法であって、
用意した基板の所定の位置に予め定められた深さで溝を形成する工程と、
前記基板の上に前記溝を含めて配線パターン形成材料を堆積して配線パターンの前駆体を形成する工程と、
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成する工程と
を含んでなることを特徴とする配線基板の製造方法にある。
【００３４】
本発明方法のそれぞれの工程は、先に説明したようにして実施するのが有利である。
【００３５】
例えば、基板における溝形成工程は、基板あるいはその上に積層した絶縁樹脂層をエッチングして、配線パターン層の形成部位にその配線パターン層の厚さと少なくとも同じであり、好ましくはそれよりも深く、配線パターン層の形成のための溝をエッチングによって形成することによって有利に実施することができる。好適なエッチング法は、異方性を有するプラズマエッチングである。
【００３６】
また、配線パターン形成材料を堆積して配線パターンの前駆体を形成する工程は、配線パターン形成材料として例えば銅などの導体金属を使用して、その導体金属をめっきにより所定の厚さで堆積することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターン形成材料の堆積法として電解めっき法が特に好適である。
【００３７】
さらに、露出した配線パターン層の形成工程は、基板の表面側から研磨を行って、配線パターンの前駆体の過剰量を除去することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターンの前駆体の除去法としてＣＭＰ法が特に好適である。
【００３８】
本発明による配線基板の製造方法は、上記の各工程をベースとした上で、本発明の範囲内でいろいろに変更して実施することができる。
【００３９】
本発明の１形態によると、下記の工程：
用意した基板の上に絶縁樹脂を積層し、
形成された絶縁樹脂層の上に導体金属からなるシード層を形成し、
前記基板から、前記配線パターン層の形成部位に形成された前記シード層を選択的に除去し、
前記シード層の存在下において、前記基板の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成し、
前記基板の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに前記溝に配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成し、そして
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成すること
によって本発明の配線基板を有利に製造することができる。
【００４０】
この製造方法において、絶縁樹脂層の形成工程は、用意した基板の上に例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの絶縁性の樹脂材料を所定の厚さで塗布し、硬化させることによって実施することができる。なお、用意した基板が絶縁性の樹脂材料からなり、かつ本発明の要件を満足させているならば、この工程を省略してもよい。
【００４１】
引き続いて、形成された絶縁樹脂層の上に、めっきのための給電層としての働きをもったシード層を形成する。シード層の形成工程は、特に限定されるものではない。例えば、シード層は、任意の導体金属、例えば銅、ニッケル、クロム、金、銀、アルミニウムあるいはその合金を任意の薄膜形成法、例えば金属箔の積層、無電解めっき、スパッタリング、真空蒸着などを使用して所望の膜厚で形成することができる。具体的なシード層形成方法として、例えば、約１〜２μｍ厚の極薄銅箔の積層、無電解銅めっき、銅のスパッタリングなどを挙げることができる。
【００４２】
次いで、形成されたシード層において、配線パターン層の形成部位に形成されたシード層のみを基板から選択的に除去する。シード層の選択的除去工程は、いろいろな手法に従って行うことができるというものの、レジスト材料の露光及び現像によって形成されたレジストマスクの存在下におけるソフトエッチングによって有利に実施することができる。
【００４３】
最初に、絶縁樹脂層の上に全面的に形成されたシード層の上にレジスト材料を塗布するなどしてレジスト層を形成する。例えば、フォトレジストを例えば３μｍ前後で薄く塗布し、硬化させてレジスト層を形成してもよく、さもなければ、解像度を上げるために例えば１０μｍ前後の薄いドライフィルムレジストを積層してレジスト層を形成してもよい。
【００４４】
次いで、形成されたレジスト層にそのレジストについて規定された露光源で所定の条件下にパターン露光を施し、さらに所定の現像液で不要部分を溶解除去する。配線パターン層の形成部位において下地のシード層が露出したレジストパターンが得られる。
【００４５】
その後、レジストパターンをマスクとして、露出しているシード層をいわゆるソフトエッチング（フラッシュエッチング、ライトエッチングなどともいう）によって選択的に除去する。よって、配線パターン層の形成部位にあるシード層が通常のエッチングラインで除去される。
【００４６】
最後に、使用済みのレジストパターンを基板から剥離除去することによってこのシード層除去工程が完了する。
【００４７】
上記のようにしてシード層を選択的に除去した結果、配線パターン層の形成部位において下地の絶縁樹脂層が露出した状態となる。この状態において、シード層の存在下において、絶縁樹脂層の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成する。この溝形成工程は、前記したように、異方性を有するプラズマエッチングによって有利に実施することができる。
【００４８】
引き続いて、絶縁樹脂層の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに、その絶縁樹脂層に形成した溝の部分にも配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成する。この配線パターン前駆体形成工程は、前記したように、配線パターン形成材料として例えば銅などの導体金属を使用して、その導体金属をめっきにより所定の厚さで堆積することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターン形成材料の堆積法として電解めっきが好適であり、特に、無電解めっきと電解めっきを組み合わせることで、凹状の溝を導体金属で埋め尽くすことが推奨される。
【００４９】
最後に、配線パターンの前駆体の過剰量を基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ配線パターン層が露出した配線基板を形成する。この配線パターン層の形成工程は、前記したように、基板の表面側から深さ方向に研磨を行って、配線パターンの前駆体の過剰量を除去することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターンの前駆体の除去法としてＣＭＰ法が特に好適である。
【００５０】
本発明のもう１つの形態によると、下記の工程：
用意した基板の上に絶縁樹脂を積層し、
形成された絶縁樹脂層の上にレジスト層を形成し、
前記基板から、前記配線パターン層の形成部位に形成された前記レジスト層を選択的に除去し、
形成されたレジストパターン層の存在下において、前記基板の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成し、
前記基板の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに前記溝に配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成し、そして
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成すること
によって本発明の配線基板を有利に製造することができる。
【００５１】
この製造方法は、先に説明した形態の１変更例であり、プロセスの初期の段階でレジストパターン層を形成し、そのレジストパターン層を前述のシード層に代えてマスクとして使用し、そのマスクの存在下にエッチングを行って下地の基板（絶縁樹脂層）に凹状の溝を形成しようとするものである。この方法の場合、シード層の形成が不要となるので、工程を簡略化することができる。
【００５２】
この製造方法において、絶縁樹脂層の形成工程は、用意した基板の上に例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの絶縁性の樹脂材料を所定の厚さで塗布し、硬化させることによって実施することができる。なお、用意した基板が絶縁性の樹脂材料からなり、かつ本発明の要件を満足させているならば、この工程を省略してもよい。
【００５３】
引き続いて、形成された絶縁樹脂層の上にレジスト層を形成する。レジスト層は、例えば、フォトレジストを塗布し、硬化させて形成してもよく、さもなければ、ドライフィルムレジストを積層して形成してもよい。いずれの場合であっても、レジスト層は、後段のエッチング工程に耐え得る段差を確保するため、比較的に厚膜で形成することが好ましい。
【００５４】
次いで、配線パターン層の形成部位に形成されたレジスト層を基板から選択的に除去する。このレジスト層の選択的除去工程は、レジスト層の露光及び現像によって行うことができる。例えば、形成されたレジスト層にそのレジストについて規定された露光源で所定の条件下にパターン露光を施し、さらに所定の現像液で不要部分を溶解除去する。配線パターン層の形成部位において下地の絶縁樹脂層が露出したレジストパターン層が得られる。
【００５５】
その後、レジストパターン層をマスクとして、絶縁樹脂層の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成する。この溝形成工程は、前記したように、異方性を有するプラズマエッチングによって有利に実施することができる。溝の形成後、使用済みのレジストパターン層を剥離除去する。
【００５６】
引き続いて、絶縁樹脂層の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに、その絶縁樹脂層に形成した溝の部分にも配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成する。この配線パターン前駆体形成工程は、前記したように、配線パターン形成材料として例えば銅などの導体金属を使用して、その導体金属をめっきにより所定の厚さで堆積することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターン形成材料の堆積法として電解めっきが好適であり、特に、無電解めっきと電解めっきを組み合わせることで、凹状の溝を導体金属で埋め尽くすことが推奨される。
【００５７】
最後に、配線パターンの前駆体の過剰量を基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ配線パターン層が露出した配線基板を形成する。この配線パターン層の形成工程は、前記したように、基板の表面側から深さ方向に研磨を行って、配線パターンの前駆体の過剰量を除去することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターンの前駆体の除去法としてＣＭＰ法が特に好適である。
【００５８】
本発明のさらにもう１つの形態によると、下記の工程：
用意した基板の上に導体金属からなる内層配線パターン層を形成し、
前記内層配線パターン層の上に絶縁樹脂を積層し、
形成された絶縁樹脂層のフィルドビア形成部位に貫通孔を形成し、
貫通孔が形成された絶縁樹脂層の上にレジスト層を形成し、
前記基板から、前記配線パターン層の形成部位に形成された前記レジスト層を選択的に除去し、
前記レジスト層の存在下において、前記基板の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成し、
前記基板の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに前記溝に配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成し、そして
前記配線パターンの前駆体の過剰量を前記基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ前記配線パターン層が露出した配線基板を形成すること
によって本発明の配線基板を有利に製造することができる。
【００５９】
この製造方法は、上述の形態の１変更例であり、工程を簡略化することができることに加えて、予めビアを形成しておくことで、多層構造を備えた配線基板を製造することができる。
【００６０】
この製造方法において、用意した基板の上に導体金属からなる内層配線パターン層を形成する。ここで、基板は、通常、絶縁性の樹脂材料からなるけれども、必要ならば、その他の絶縁性材料からなっていてもよい。内層配線パターン層は、常用の手法に従って形成することができる。例えば、任意の導体金属、例えば銅、ニッケル、クロム、金、銀、アルミニウムあるいはその合金を任意の薄膜形成法、例えば金属箔の積層、無電解めっき、スパッタリング、真空蒸着などを使用して所望の膜厚で基板上に形成した後、所望とする配線パターンに応じてエッチングなどで選択的に除去することによって、目的とする内層配線パターン層（配線回路）を得ることができる。
【００６１】
絶縁樹脂層の形成工程は、内層配線パターン層を形成した後の基板の上に例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの絶縁性の樹脂材料を所定の厚さで塗布し、硬化させることによって実施することができる。なお、用意した基板が絶縁性の樹脂材料からなり、かつ本発明の要件を満足させているならば、この工程を省略してもよい。
【００６２】
次いで、形成された絶縁樹脂層のフィルドビア形成部位に貫通孔を形成する。貫通孔の形成は、例えばレーザードリリングなどの常用の技法を使用して有利に実施することができる。貫通孔のサイズは、目的とするフィルドビアの大きさに応じて任意に変更可能である。
【００６３】
その後、貫通孔を形成した絶縁樹脂層の上にレジスト層を形成する。レジスト層は、例えば、フォトレジストを塗布し、硬化させて形成してもよく、さもなければ、ドライフィルムレジストを積層して形成してもよい。いずれの場合であっても、レジスト層は、後段のエッチング工程に耐え得る段差を確保するため、比較的に厚膜で形成することが好ましい。
【００６４】
引き続いて、配線パターン層の形成部位に形成されたレジスト層を基板から選択的に除去する。このレジスト層の選択的除去工程は、レジスト層の露光及び現像によって行うことができる。例えば、形成されたレジスト層にそのレジストについて規定された露光源で所定の条件下にパターン露光を施し、さらに所定の現像液で不要部分を溶解除去する。配線パターン層の形成部位において下地の絶縁樹脂層が露出したレジストパターン層が得られる。
【００６５】
次いで、レジストパターン層をマスクとして、絶縁樹脂層の露出領域を選択的に除去して予め定められた深さで溝を形成する。この溝形成工程は、前記したように、異方性を有するプラズマエッチングによって有利に実施することができる。溝の形成後、使用済みのレジストパターン層を剥離除去する。
【００６６】
その後、絶縁樹脂層の上に配線パターン形成材料を堆積するとともに、その絶縁樹脂層に形成した溝の部分にも配線パターン形成材料を充填して配線パターンの前駆体を形成する。この配線パターン前駆体形成工程は、前記したように、配線パターン形成材料として例えば銅などの導体金属を使用して、その導体金属をめっきにより所定の厚さで堆積することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターン形成材料の堆積法として電解めっきが好適であり、特に、無電解めっきと電解めっきを組み合わせることで、凹状の溝を導体金属で埋め尽くすことが推奨される。
【００６７】
最後に、配線パターンの前駆体の過剰量を基板の表面側から除去して、平坦な表面を有しかつ配線パターン層が露出した配線基板を形成する。この配線パターン層の形成工程は、前記したように、基板の表面側から深さ方向に研磨を行って、配線パターンの前駆体の過剰量を除去することによって有利に実施することができる。この工程の場合、配線パターンの前駆体の除去法としてＣＭＰ法が特に好適である。
【００６８】
本発明は、さらに、本発明の配線基板と、その配線基板に実装された少なくとも１種類の電子部品とを含んでなることを特徴とする電子装置にある。ここで、配線基板に実装されるべき電子部品は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えば前記したように、ＩＣチップ、ＬＳＩチップなどの半導体素子や、コンデンサ素子、リアクタ素子、インダクタ素子などを包含する。もちろん、これらの電子部品は、配線基板の表面に実装してもよく、配線基板の内部に実装してもよく、あるいは表面と内部に組み合わせて実装してもよい。また、これらの電子部品は、所望とする機能に応じて、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。さらに、それぞれの電子部品は、フリップチップ法、ワイヤボンディング法などによって相互に電気的に接続したり、配線基板の配線パターン層や外部接続端子などと相互に電気的に接続することができる。
【実施例】
【００６９】
引き続いて、本発明のいくつかの実施例を添付の図面を参照して説明する。なお、本発明は、これらの実施例によって限定されるものでないことは言うまでもない。
【００７０】
図１は、本発明による配線基板の好ましい１形態を示した断面図である。配線基板１０は、フェノール樹脂積層板からなる基板１と、その基板の片面に積層されたエポキシ樹脂からなる絶縁樹脂層２とを備えている。絶縁樹脂層２は、図示されるように、上面が露出した配線パターン層（配線回路）６を備えている。配線パターン層６は、絶縁樹脂層２に形成された凹状の溝に電解めっきで銅を充填した後、余分に堆積された銅めっきを上部研磨によって除去することによって形成されたものである。配線基板１０の形成のために上部研磨が行われているので、絶縁樹脂層２の表面と配線パターン層６の表面とは同一レベルであり、したがって、配線基板１０は平坦な表面を有している。
【００７１】
図示の配線基板１０は、以下の説明から理解できるように、従来一般的に使用されているセミアディティブ法を使用しないで形成可能である。したがって、従来の方法で発生したフォトレジストの使用に原因する解像度、密着性の問題を解決してより微細な配線の形成が可能となり、レジストパターンの倒れや線間のレジスト残りなどの問題も解消できる。また、配線となる溝をエッチングで形成できるので、配線密度に応じて絶縁樹脂層の厚さを変更する必要性がなくなる。さらに、配線パターン層は平坦な表面を有しているので、その上にさらに絶縁樹脂層を積層する時など、その層の厚さの管理が容易となり、ひいては特性インピーダンスの改善が可能となる。
【００７２】
図１に図示した配線基板は、例えば、図３及び図４に順を追って示す方法によって有利に製造することができる。
【００７３】
まず、工程（Ａ）に示されるように、基板として用意したフェノール樹脂積層板１の片面にエポキシ樹脂を積層して絶縁樹脂層２を形成する。エポキシ樹脂の積層は、例えば、積層プレスで行うことができる。
【００７４】
次いで、工程（Ｂ）に示されるように、絶縁樹脂層２の上にシード層３を形成する。シード層３は、例えば金属箔の積層、無電解めっき、スパッタリング、真空蒸着などで形成することができるけれども、本例の場合、約１．５μｍ厚の極薄銅箔を積層することによってこのシード層３を形成した。
【００７５】
シード層３の形成後、そのパターン化工程に移行する。形成されたシード層３において、配線パターン層の形成部位に形成されたシード層のみを基板から選択的に除去するためである。
【００７６】
最初に、工程（Ｃ）に示されるように、シード層３の上にフォトレジストを約１０μｍ厚で塗布し、硬化させる。本例で使用したフォトレジストは、東京応化工業社製の「ＰＭＥＲ（商品名）」であった。シード層３の全面を覆った薄いレジスト層４が形成される。
【００７７】
次いで、形成されたレジスト層４にそのフォトレジストについて規定された露光源で所定の条件下にパターン露光を施し、さらに所定の現像液で不要部分を溶解除去する。工程（Ｄ）に示されるように、配線パターン層の形成部位１４において下地のシード層３が露出したレジストパターン４が得られる。レジスト層４が薄いので、微細なパターニングが可能である。
【００７８】
その後、レジストパターン４をマスクとして、露出しているシード層３をいわゆるソフトエッチングによって選択的に除去する。本例で使用したエッチング液は、メック社製の「ＶＥ−７１００（商品名）」であった。ソフトエッチングの結果、工程（Ｅ）に示されるように、配線パターン層の形成部位１４にあるシード層３が通常のエッチングラインで除去される。
【００７９】
最後に使用済みのレジストパターンを基板から剥離除去する。工程（Ｆ）に示されるように、パターン化されたシード層３を絶縁樹脂層２の上に備えた基板１が得られる。
【００８０】
上記のようにしてシード層を選択的に除去した後、工程（Ｇ）に示されるように、パターン化されたシード層３をマスクとして絶縁樹脂層２の露出領域を予め定められた深さまでエッチングして、凹状の溝１２を形成する。本例の場合、異方性を有するプラズマエッチングによって溝１２を形成した。プラズマエッチングの条件は、次の通りである。
【００８１】
反応性ガス：Ｏ２＝９００ｓｃｃｍ；ＣＦ４＝１００ｓｃｃｍ
出力：１，５００Ｗ
エッチング深さ（絶縁樹脂層）：約１０μｍ
【００８２】
本例の場合、異方性を有するプラズマエッチングを実施したので、凹状の溝１２を所望のプロファイルで形成することができた。参考までに図５を参照して説明すると、工程（Ａ）のように異方性を伴わないで矢印方向にエッチングを実施したとすると、エッチングの進行につれて、工程（Ｂ）に示されるように、形成される溝１２の底面ａが粗面化されるとともに、溝１２の側面ｂにおいてサイドエッチングが引き起こされる。換言すると、本発明に従い異方性を有するプラズマエッチングを実施することによって、線間が狭い微細な溝１２を正確に形成することができる。
【００８３】
配線パターン層の形成のための凹状溝を上記のようにして形成した後、めっきによって配線パターン形成材料を堆積し、配線パターンの前駆体を形成する。本例の場合、配線パターン形成材料として銅を使用してこの配線パターン前駆体形成工程を実施した。
【００８４】
まず、工程（Ｈ）に示されるように、溝１２を備えた絶縁樹脂層２の表面に約１μｍ厚で無電解銅めっき層５を形成する。本例で使用した無電解銅めっき液は、上村工業社製の「スルカップＰＥＡ（商品名）」であった。なお、簡略化のために図では省略されているが、無電解銅めっき層５の下には、先の工程で形成したパターン化されたシード層も残存している。
【００８５】
引き続いて、形成された無電解銅めっき層５を給電層として使用して電解銅めっきを実施する。この電解銅めっきの結果、工程（Ｉ）に示されるように、絶縁樹脂層２の凹状溝１２を充填した厚膜の電解銅めっき層６が形成される。なお、簡略化のために図では省略されているが、電解銅めっき層６の下には、先の工程で形成した無電解銅めっき層５も残存している。
【００８６】
最後に、工程（Ｊ）に示されるように、厚膜で形成された電解銅めっき層６の上方部分（過剰量の銅めっき；図では、点線で示される）を基板１の表面側から研磨によって除去する。本例で使用した研磨法は、ＣＭＰ法である。研磨の結果、平坦な表面を有しかつ配線パターン層６が露出した配線基板１０が得られる。
【００８７】
別法に従えば、図１に図示した配線基板は、図６及び図７に順を追って示す方法によっても有利に製造することができる。この方法の場合、フォトレジストをエッチングのマスクとして使用するので、図３及び図４を参照して先に説明した方法に比較して工程を短縮し、簡略化することができる。
【００８８】
まず、工程（Ａ）に示されるように、基板として用意したフェノール樹脂積層板１の片面にエポキシ樹脂を積層して絶縁樹脂層２を形成する。
【００８９】
次いで、工程（Ｂ）に示されるように、絶縁樹脂層２の上にレジスト層７を形成する。レジスト層７は、後段のエッチング工程に耐え得る段差を確保するため、比較的に厚膜で形成することが好ましいので、本例の場合、約１５μｍ厚のドライフィルムレジスト（ニチゴー・モートン社製の「ＡＬＰＨＯ（商品名）」）からレジスト層７を形成した。
【００９０】
次いで、工程（Ｃ）に示されるように、配線パターン層の形成部位１７に形成されたレジスト層７を基板から選択的に除去する。この工程では、レジスト層７にそのドライフィルムレジストについて規定された露光源で所定の条件下にパターン露光を施し、さらに所定の現像液で不要部分を溶解除去する。図示されるように、配線パターン層の形成部位１７において下地の絶縁樹脂層２が露出したレジストパターン層７が得られる。
【００９１】
上記のようにしてレジストパターン層を形成した後、工程（Ｄ）に示されるように、レジストパターン層７をマスクとして絶縁樹脂層２の露出領域を予め定められた深さまでエッチングして、凹状の溝１２を形成する。本例の場合、異方性を有するプラズマエッチングによって溝１２を形成した。プラズマエッチングの条件は、次の通りである。
【００９２】
反応性ガス：Ｏ２＝９００ｓｃｃｍ；ＣＦ４＝１００ｓｃｃｍ
出力：１，５００Ｗ
エッチング深さ（絶縁樹脂層）：約１０μｍ
【００９３】
プラズマエッチングの完了後、使用済みのレジストパターン層を剥離除去する。工程（Ｅ）に示されるように、配線パターン層の形成部位に凹状溝１２を備えた基板１が得られる。
【００９４】
配線パターン層の形成のための凹状溝を上記のようにして形成した後、めっきによって配線パターン形成材料を堆積し、配線パターンの前駆体を形成する。本例の場合、配線パターン形成材料として銅を使用してこの配線パターン前駆体形成工程を実施した。
【００９５】
まず、工程（Ｆ）に示されるように、溝１２を備えた絶縁樹脂層２の表面に約１μｍ厚で無電解銅めっき層５を形成する。本例で使用した無電解銅めっき液は、上村工業社製の「スルカップＰＥＡ（商品名）」であった。
【００９６】
引き続いて、形成された無電解銅めっき層５を給電層として使用して電解銅めっきを実施する。この電解銅めっきの結果、工程（Ｇ）に示されるように、絶縁樹脂層２の凹状溝１２を充填した厚膜の電解銅めっき層６が形成される。
【００９７】
最後に、工程（Ｈ）に示されるように、厚膜で形成された電解銅めっき層６の上方部分（過剰量の銅めっき；図では、点線で示される）を基板１の表面側から研磨によって除去する。本例で使用した研磨法は、ＣＭＰ法である。研磨の結果、平坦な表面を有しかつ配線パターン層６が露出した配線基板１０が得られる。
【００９８】
図２は、本発明による配線基板のもう１つの好ましい形態を示した断面図である。配線基板１０は、フェノール樹脂積層板からなる基板１と、その基板の片面に積層されたエポキシ樹脂からなる絶縁樹脂層２とを備えている。絶縁樹脂層２は、図示されるように、内層の配線パターン層（配線回路）８と、上面が露出した外層の配線パターン層（配線回路）６を備えている。配線パターン層６は、絶縁樹脂層２に形成された凹状の溝に電解めっきで銅を充填した後、余分に堆積された銅めっきを上部研磨によって除去することによって形成されたものである。配線基板１０の形成のために上部研磨が行われているので、絶縁樹脂層２の表面と配線パターン層６の表面とは同一レベルであり、したがって、配線基板１０は平坦な表面を有している。また、配線パターン層８と配線パターン層６がフィルドビア９を介して電気的に接続されている。容易に理解されるように、図２の配線基板１０は、先に説明した図１の配線基板１０と同様な構成を有しているけれども、配線パターン層８と配線パターン層６とがフィルドビア９を介して電気的に接続されているので、配線基板の多層構造化に寄与することができる。
【００９９】
図２に図示した配線基板は、図８及び図９に順を追って示す方法によって有利に製造することができる。
【０１００】
まず、工程（Ａ）に示されるように、基板として用意したフェノール樹脂積層板１の片面に内層の配線パターン層（配線回路）８及び絶縁樹脂層２を順次形成する。本例の場合、銅箔を基板１上に積層した後、所望とする配線パターンに応じて不要部分をエッチングすることによって内層配線パターン層８を得た。また、内層配線パターン層８を形成した後の基板１の上にエポキシ樹脂を塗布し、硬化させることによって絶縁樹脂層２を得た。
【０１０１】
引き続いて、工程（Ｂ）に示されるように、形成された絶縁樹脂層２のフィルドビア形成部位に貫通孔２２を形成する。本例の場合、レーザードリリングを使用して貫通孔２２を形成した。貫通孔２２は、図示されるように、内層配線パターン層８で終端している。
【０１０２】
次いで、工程（Ｃ）に示されるように、絶縁樹脂層２の上にレジスト層７を形成する。レジスト層７は、後段のエッチング工程に耐え得る段差を確保するため、比較的に厚膜で形成することが好ましいので、本例の場合、約１５μｍ厚のドライフィルムレジスト（ニチゴー・モートン社製の「ＡＬＰＨＯ（商品名）」）からレジスト層７を形成した。
【０１０３】
次いで、工程（Ｄ）に示されるように、配線パターン層の形成部位１７に形成されたレジスト層７を基板から選択的に除去する。この工程では、レジスト層７にそのドライフィルムレジストについて規定された露光源で所定の条件下にパターン露光を施し、さらに所定の現像液で不要部分を溶解除去する。図示されるように、配線パターン層の形成部位１７において絶縁樹脂層２又は内層配線パターン層８が露出したレジストパターン層７が得られる。
【０１０４】
上記のようにしてレジストパターン層を形成した後、工程（Ｅ）に示されるように、レジストパターン層７をマスクとして絶縁樹脂層２の露出領域を予め定められた深さまでエッチングして、凹状の溝１２及び凹状の段差付き溝１２を形成する。本例の場合、異方性を有するプラズマエッチングによってそれぞれの凹状溝を形成した。プラズマエッチングの条件は、次の通りである。
【０１０５】
反応性ガス：Ｏ２＝９００ｓｃｃｍ；ＣＦ４＝１００ｓｃｃｍ
出力：１，５００Ｗ
エッチング深さ（絶縁樹脂層）：約１０μｍ
【０１０６】
プラズマエッチングの完了後、使用済みのレジストパターン層を剥離除去する。工程（Ｆ）に示されるように、配線パターン層の形成部位に凹状の溝１２又は凹状の段差付き溝１２を備えた基板１が得られる。
【０１０７】
配線パターン層の形成のための凹状溝を上記のようにして形成した後、めっきによって配線パターン形成材料を堆積し、配線パターンの前駆体を形成する。本例の場合、配線パターン形成材料として銅を使用してこの配線パターン前駆体形成工程を実施した。
【０１０８】
まず、工程（Ｇ）に示されるように、溝１２を備えた絶縁樹脂層２の表面に約１μｍ厚で無電解銅めっき層５を形成する。本例で使用した無電解銅めっき液は、上村工業社製の「スルカップＰＥＡ（商品名）」であった。
【０１０９】
引き続いて、形成された無電解銅めっき層５を給電層として使用して電解銅めっきを実施する。この電解銅めっきの結果、工程（Ｈ）に示されるように、絶縁樹脂層２の凹状溝１２を充填した厚膜の電解銅めっき層６が形成される。
【０１１０】
最後に、工程（Ｉ）に示されるように、厚膜で形成された電解銅めっき層６の上方部分（過剰量の銅めっき；図では、点線で示される）を基板１の表面側から研磨によって除去する。本例で使用した研磨法は、ＣＭＰ法である。研磨の結果、平坦な表面を有しかつ配線パターン層６が露出した配線基板１０が得られる。また、配線パターン層６の一部は、銅を充填したフィルドビア９を介して内層配線パターン層８と電気的に接続されている。
【０１１１】
図１０は、図１の配線基板を使用して作製した本発明の半導体装置の１形態を示した断面図である。半導体装置２０は、配線基板１０を備え、その表面に２個の半導体素子（図では、ＬＳＩチップ）２１が実装されている。配線基板１０は、フェノール樹脂積層板からなる基板１と、その基板の片面に積層されたエポキシ樹脂からなる絶縁樹脂層２とを備えている。絶縁樹脂層２は、上面が露出した銅配線パターン層６を備えている。銅配線パターン層６を含む配線基板１０の表面は平坦であるので、ＬＳＩチップ２１は安定に搭載されている。また、それぞれのＬＳＩチップ２１は、ボンディングワイヤ２３を介して銅配線パターン層６に接続されている。図示しないが、ＬＳＩチップ２１は、絶縁性の樹脂で封止されている。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明による配線基板の好ましい１形態を示した断面図である。
【図２】本発明による配線基板のもう１つの好ましい形態を示した断面図である。
【図３】図１の配線基板の製造プロセス（前半）を順を追って示した断面図である。
【図４】図１の配線基板の製造プロセス（後半）を順を追って示した断面図である。
【図５】図１の配線基板の製造プロセスにおいて本発明以外の方法を使用した場合の欠点を示した断面図である。
【図６】図１の配線基板の別の製造プロセス（前半）を順を追って示した断面図である。
【図７】図１の配線基板の別の製造プロセス（後半）を順を追って示した断面図である。
【図８】図２の配線基板の製造プロセス（前半）を順を追って示した断面図である。
【図９】図２の配線基板の製造プロセス（後半）を順を追って示した断面図である。
【図１０】図１の配線基板を使用した本発明の半導体装置の１形態を示した断面図である。
【図１１】セミアディティブ法を使用してプリント配線板を製造する従来の製造プロセスを順を追って示した断面図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１    基板
２    絶縁樹脂層
３    シード層
４    レジスト層
５    無電解めっき層
６    電解めっき層
７    レジスト層
８    内層配線パターン層
９    フィルドビア
１０    配線基板
２０    半導体装置
【図１】
2006041029.tif 000003
【図２】
2006041029.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2006041029.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2006041029.tif 000012
【図１１】
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