(57)【要約】【課題】  温度変化の生じる環境下において高精度に磁界強度が検出可能な磁気センサ回路を提供する。【解決手段】  パルス発生回路１１、パルス電流供給回路１２、遅延回路１３、サンプルホールド回路１４、増幅回路１５、温度検出回路１６、および温度補償回路１８から構成し、ＭＩ素子２０から磁界強度に対応した検出信号が供給される。温度検出回路１６により磁気センサの温度を検出し、温度補償回路１８により温度に対応する温度信号により、検出信号がサンプルホールド回路１４で保持されたほぼ直流のホールド信号に対して温度補償を行う。温度検出回路１６には、温度信号極性切換回路１７が設けられる。温度信号極性切換回路１７は、磁気センサ回路１０の温度変化方向に対してホールド信号の電圧値の変化方向に応じて温度信号の電圧値の増減方向を設定する。【選択図】  図３
2006184122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＩ素子に励磁電流を供給し、該励磁電流に基づいて該ＭＩ素子から磁界強度に対応する検知信号が供給される磁気センサ回路であって、
前記ＭＩ素子にパルス電流を供給するパルス電流供給回路と、
前記検知信号の略ピーク値を保持してホールド信号を出力するサンプルホールド回路と、
当該磁気センサ回路の温度を検出し、該温度に対応する温度信号に基づいて、前記ホールド信号に対して当該磁気センサ回路の温度特性を補償する温度補償手段とを備え、
前記温度補償手段は、前記温度の変化方向と温度信号の変化方向との関係を切換える温度信号極性切換部を有することを特徴とする磁気センサ回路。
【請求項２】
前記温度補償手段は、
当該磁気センサ回路の温度を検出し、該温度に対応する温度信号を出力する温度検出回路と、
前記温度信号に基づいて、前記ホールド信号の電圧値を補正する温度補償回路からなり、
前記温度信号極性切換部は温度検出回路に設けられてなることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ回路。
【請求項３】
前記ＭＩ素子はアモルファスワイヤと、検知コイルからなり、
前記サンプルホールド回路は、前記パルス電流がアモルファスワイヤに流通された際に検知コイルに誘起される検知信号が供給されることを特徴とする請求項１または２記載の磁気センサ回路。
【請求項４】
前記サンプルホールド回路は、スイッチ回路とホールド用コンデンサからなり、
前記スイッチ回路は、前記パルス電流のタイミングに基づいて開閉制御信号が供給されることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の磁気センサ回路。
【請求項５】
前記サンプルホールド回路と温度補償回路との間に増幅回路を更に備え、
前記増幅回路は、温度補償回路よりも増幅率が高いことを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の磁気センサ回路。
【請求項６】
前記温度補償回路は、前記温度信号を基準電圧値としてホールド信号を補正することを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載の磁気センサ回路。
【請求項７】
前記温度信号は、前記温度に対応した電圧値を有することを特徴とする請求項１〜６のうち、いずれか一項記載の磁気センサ回路。
【請求項８】
前記温度検出回路は、
カソード側が互いに同電位に設定され、第１のＰＮ接合素子と、該第１のＰＮ接合素子よりも小さい電流密度の電流が供給される第２のＰＮ接合素子と、
前記第１および第２のＰＮ接合素子のアノード側の各々に接続され、それらのアノード側の電位差に対応する電圧値を有する温度信号を出力する減算回路とを備え、
前記温度信号極性切換部は、第１または第２のＰＮ接合素子のアノード側の各々と減算回路の２つの入力の各々とを互いに接続する極性スイッチ回路からなることを特徴とする請求項１〜７のうち、いずれか一項記載の磁気センサ回路。
【請求項９】
前記極性スイッチ回路は、前記温度の変化方向と温度信号の変化方向との関係を制御する切換信号が供給されることを特徴とする請求項８記載の磁気センサ回路。
【請求項１０】
前記温度検出回路は、前記温度に対する温度信号の電圧値の比例係数を制御する比例係数制御回路をさらに備えることを特徴とする請求項１〜９のうち、いずれか一項記載の磁気センサ回路。
【請求項１１】
前記ＭＩ素子に印加される磁界強度が略零の状態で比例係数の制御を行うことを特徴とする請求項１０記載の磁気センサ回路。
【請求項１２】
前記第１および第２のＰＮ接合素子は、互いに素子面積の異なる第１および第２のトランジスタからなり、
前記第１および第２のトランジスタの各々のコレクタおよびベースが互いに接続されると共に、そのエミッタに略同等の大きさの電流が供給され、該エミッタの各々が極性スイッチ回路に接続されてなることを特徴とする請求項８〜１１のうち、いずれか一項記載の磁気センサ回路。
【請求項１３】
ＭＩ素子に励磁電流を供給し、該励磁電流に基づいて該ＭＩ素子から磁界強度に対応する検知信号が供給される半導体装置であって、
請求項１〜１２のうちいずれか一項記載の磁気センサ回路を備える半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微弱な磁場を検知可能なＭＩ（ｍａｇｎｅｔｏ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  ｅｆｆｅｃｔ、磁気インピーダンス効果型）センサに用いられる磁気センサ回路および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型で高性能な磁気センサとして、磁気インピーダンス（ＭＩ）効果を利用した磁気インピーダンス効果型センサ（ＭＩセンサ）が提案されている。ＭＩセンサは、感磁素子としてＭＩ素子を用いており、ＭＩ素子の軟磁性アモルファスワイヤに印加された磁界強度を検出する。ＭＩ効果は、軟磁性アモルファスワイヤに短時間幅のパルス電流を流した際に、軟磁性アモルファスワイヤに印加された磁界強度に比例してインピーダンスが大きく変化する現象である。
【０００３】
ＭＩセンサには、軟磁性アモルファスワイヤのインピーダンスを検出するインピーダンス検出方式と、軟磁性アモルファスワイヤのインダクタンス成分だけを検出するインダクタンス検出方式がある。
【０００４】
インピーダンス検出方式は、ＭＩ素子がアモルファスワイヤのみからなるのでＭＩ素子の構造が単純である点で有利である。しかし、零磁界を境に出力特性が対称となるため、磁界の方向を別に検出する必要があり、正負両磁界を測定する場合は回路構成が繁雑になる。
【０００５】
一方、インダクタンス検出方式はＭＩ素子がアモルファスワイヤに検出コイルを巻回した構造を有するので構造が複雑になる。しかし、零磁界を挟んで負から正の磁界に対し直線的な出力が得られるため回路構成が比較的単純であるので、電子コンパス等への利用が盛んに検討されている（例えば、特許文献１および２、非特許文献１参照。）。
【０００６】
図１は、従来のＭＩセンサの回路図である。図１を参照するに、ＭＩ素子１０１、１０２は各々、Ｘ軸とＹ軸の２軸に沿った磁界を測定し出力している。ＭＩセンサ１００は、パルス発生回路１０３で生成したパルス信号をタイミング信号生成回路１０４でＸ軸のＭＩ素子１０１およびＹ軸のＭＩ素子１０２に交互に供給する。そして、各々のＭＩ素子１０１、１０２の検出コイルに誘起された検出信号をサンプルホールド回路１０５により保持して検出し、差動増幅回路１０６で増幅して出力する。
【０００７】
ところでＭＩセンサは、携帯電話機のような携帯端末機や自動車等に搭載され屋外で用いられる。そのため、ＭＩセンサが使用される環境の温度範囲は氷点下から４０℃程度の環境下で使用されることが予想される。
【０００８】
このため温度補償回路を搭載し、温度が変化する環境下においても磁界強度の検出誤差が少ないＭＩセンサが提案されている（特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００４−１１９５１７号公報
【特許文献２】特開２０００−１９２３５号公報
【非特許文献１】日本応用磁気学会誌、Ｖｏｌ．２７、Ｎｏ．１１  （２００３）ｐ１０６３−ｐ１０６８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献２のＭＩセンサでは、図２に示すように、ピークホールド回路１１０に用いたショットキーバリアダイオード１１１の温度特性を補償するため、オペアンプ１１２を用いてフィードバックをかけている。しかし、この温度補償の手法では、特許文献２に記載されているようにフィードバックに用いるオペアンプ１１２のユニティゲインバンド幅が１００ＭＨｚ以下では急速に出力が低下する。そのため、高速のオペアンプが必要になるという問題がある。さらに、それが故に温度が急激に変化する環境下では磁界強度の検出安定性が不十分となるおそれがある。
【００１０】
さらに、ＭＩセンサは小型化のためＭＩ素子以外の回路はほぼＩＣチップに形成される。ＭＩセンサの温度特性は、ＩＣチップ内の回路配置や個々の素子の設計が影響する。このような温度特性に対して温度補償するために素子定数や回路変更により対応することは開発期間の長期間化を生じ、製造コストに影響する。
【００１１】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、温度変化の生じる環境下において高精度に磁界強度を測定可能な磁気センサ回路および半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に記載の如く、ＭＩ素子に励磁電流を供給し、該励磁電流に基づいて該ＭＩ素子から磁界強度に対応する検知信号が供給される磁気センサ回路であって、前記ＭＩ素子にパルス電流を供給するパルス電流供給回路と、前記検知信号の略ピーク値を保持してホールド信号を出力するサンプルホールド回路と、当該磁気センサ回路の温度を検出し、該温度に対応する温度信号に基づいて、前記ホールド信号に対して当該磁気センサ回路の温度特性を補償する温度補償手段とを備え、前記温度補償手段は、前記温度の変化方向と温度信号の変化方向との関係を切換える温度信号極性切換部を有することを特徴とする磁気センサ回路が提供される。
【００１３】
請求項１に記載の発明によれば、サンプルホールド回路の出力側に、温度変化に起因するホールド信号の電圧変動を補償する温度検出回路および温度補償回路を接続する。温度検出回路には、温度変化に対して温度信号の変化方向を切換える温度信号極性切換回路が設けられている。温度信号極性切換回路を設けることで、温度変化方向に対してホールド信号の電圧値の変化方向に応じて温度信号の電圧値の増減方向を設定できるので、磁気センサ回路の温度特性に応じて確実に温度補償が可能となる。
【００１４】
また、本発明に係る磁気センサ回路は、ホールド信号がほぼ直流の信号なので温度補償が容易となり、かつ高精度の温度補償が可能となる。
【００１５】
請求項２に記載の如く、請求項１記載の磁気センサ回路において、前記温度補償手段は、当該磁気センサ回路の温度を検出し、該温度に対応する温度信号を出力する温度検出回路と、前記温度信号に基づいて、前記ホールド信号の電圧値を補正する温度補償回路からなり、前記温度信号極性切換部は温度検出回路に設けられてなる。
【００１６】
請求項２に記載の発明によれば、磁気センサ回路の温度を検出する温度検出回路を設け、温度検出回路に温度信号極性切換部を設けることにより、ホールド信号の電圧値に対して磁気センサ回路の温度に確実に対応した補正を行うことができる。
【００１７】
請求項３に記載の如く、請求項１または２記載の磁気センサ回路において、前記ＭＩ素子はアモルファスワイヤと、検知コイルからなり、前記サンプルホールド回路は、前記パルス電流がアモルファスワイヤに流通された際に検知コイルに誘起される検知信号が供給される。
【００１８】
請求項３に記載の発明によれば、インダクタンス方式のＭＩ素子の検出信号は、零磁界を挟んで負から正の磁界に対し直線的な出力が得られるため、インピーダンス検出方式よりも磁気センサ回路の構成を単純化できる。
【００１９】
請求項４に記載の如く、請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の磁気センサ回路において、前記サンプルホールド回路は、スイッチ回路とホールド用コンデンサからなり、前記スイッチ回路は、前記パルス電流のタイミングに基づいて開閉制御信号が供給される。
【００２０】
請求項４に記載の発明によれば、サンプルホールド回路のスイッチ回路の温度特性を温度補償手段により補償できる。
【００２１】
請求項５に記載の如く、請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の磁気センサ回路において、前記サンプルホールド回路と温度補償回路との間に増幅回路を更に備え、前記増幅回路は、温度補償回路よりも増幅率が高い。
【００２２】
請求項５に記載の発明によれば、微弱なホールド信号を先に増幅回路で比較的大きな電圧に増幅することで、温度補償回路におけるノイズ等の混入によるＳ／Ｎ比の低下を抑制できる。また、温度補償回路の増幅率を低く設定することで温度補償量を細かく設定できるので微調整が容易に行え、その結果、ホールド信号の温度変化による変動量を高精度に補正することができる。
【００２３】
請求項６に記載の如く、請求項１〜５のうち、いずれか一項記載の磁気センサ回路において、前記温度補償回路は、前記温度信号を基準電圧値としてホールド信号を補正する。
【００２４】
請求項６に記載の発明によれば、温度に対応する温度信号を用いてホールド信号を補正することで、ホールド信号の温度変化による変動量を補償することができる。
【００２５】
請求項７に記載の如く、請求項１〜６のうち、いずれか一項記載の磁気センサ回路において、前記温度信号は、前記温度に対応した電圧値を有する。
【００２６】
請求項７に記載の発明によれば、温度に対応する温度信号を用いてホールド信号を補正することで、ホールド信号の温度変化による変動量を高精度に補正することができる。
【００２７】
請求項８に記載の如く、請求項１〜７のうち、いずれか一項記載の磁気センサ回路において、前記温度検出回路は、カソード側が互いに同電位に設定され、第１のＰＮ接合素子と、該第１のＰＮ接合素子よりも小さい電流密度の電流が供給される第２のＰＮ接合素子と、前記第１および第２のＰＮ接合素子のアノード側の各々に接続され、それらのアノード側の電位差に対応する電圧値を有する温度信号を出力する減算回路とを備え、前記温度信号極性切換部は第１または第２のＰＮ接合素子のアノード側の各々と減算回路の２つの入力の各々とを互いに接続する極性スイッチ回路からなる。
【００２８】
請求項８に記載の発明によれば、第１および第２のＰＮ接合素子のアノード側の電位差を用いて磁気センサ回路の温度を検出しているので、温度を確実に検出できる。さらに、かかる電位差に対応する電圧値を温度信号としているので、磁気センサ回路の温度に対応した温度補償を行うことができる。
【００２９】
請求項９に記載の如く、請求項８記載の磁気センサ回路において、前記極性スイッチ回路は、前記温度の変化方向と温度信号の変化方向との関係を制御する切換え信号が供給される。
【００３０】
請求項９に記載の発明によれば、切換え信号により容易に温度の変化方向と温度信号の変化方向との関係を制御できる。さらに、磁気センサ回路の設計変更や回路素子の変更を伴わず磁気センサ回路のホールド信号の電圧変動を確実に補正できる。
【００３１】
請求項１０に記載の如く、請求項９記載の磁気センサ回路において、前記温度検出回路は、前記温度に対する温度信号の電圧値の比例係数を制御する比例係数制御回路をさらに備える。
【００３２】
請求項１０に記載の発明によれば、磁界強度に対する検知信号の電圧値が異なるＭＩ素子を接続しても、比例係数を制御することで温度補償が可能となる。また、所定の温度変化に対するホールド信号の電圧値の変動量が変化する場合に、比例係数を制御することで、確実に補正することができる。
【００３３】
請求項１１に記載の如く、請求項１０記載の磁気センサ回路において、前記ＭＩ素子に印加される磁界の磁界強度が略零の状態で比例係数の制御を行う。
【００３４】
請求項１１に記載の発明によれば、磁界強度が零の状態で比例係数の設定を行うことにより、容易に比例係数を設定できる。
【００３５】
請求項１２に記載の如く、請求項８〜１１のうち、いずれか一項記載の磁気センサ回路において、前記第１および第２のＰＮ接合素子は、互いに素子面積の異なる第１および第２のトランジスタからなり、前記第１および第２のトランジスタの各々のコレクタおよびベースが互いに接続されると共に、そのエミッタに略同等の大きさの電流が供給され、該エミッタの各々が極性スイッチ回路に接続されてなる。
【００３６】
請求項１３に記載の如く、ＭＩ素子に励磁電流を供給し、該励磁電流に基づいて該ＭＩ素子から磁界強度に対応する検知信号が供給される半導体装置であって、請求項１〜１２のうちいずれか一項記載の磁気センサ回路を備える半導体装置が提供される。
【００３７】
請求項１３に記載の発明によれば、上記いずれかの磁気センサ回路はその温度特性に応じて確実に温度補償が可能であるので、温度変化の激しい屋外の環境下であっても高精度に磁界強度を検出可能な半導体装置を実現できる。さらに、半導体装置は小型化が可能であるので、磁気センサ回路を搭載する携帯端末機等の小型化を図れる。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、サンプルホールド回路の出力側に、温度変化に起因するホールド信号の電圧変動を補償する温度検出回路および温度補償回路を接続し、温度検出回路には、温度変化に対して温度信号の変化方向を切換える温度信号極性切換回路が設けられている。温度信号極性切換回路を設けることで、温度変化方向に対してホールド信号の電圧値の変化方向に応じて温度信号の電圧値の増減方向を容易に設定できるので、磁気センサ回路の特性に応じて確実に温度補償が可能となり、高精度の温度補償が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００４０】
（第１の実施の形態）
図３は、本発明の第１の実施の形態に係る磁気センサ回路のブロック図である。図３の磁気センサ回路は、半導体装置、例えば、一つのＩＣチップに搭載されるのが好ましいものである。図３は、半導体装置に接続されるＭＩ素子を合わせて示している。
【００４１】
図３を参照するに、本実施の形態に係る磁気センサ回路１０は、パルス発生回路１１、パルス電流供給回路１２、遅延回路１３、サンプルホールド回路１４、増幅回路１５、温度検出回路１６、および温度補償回路１８から構成される。磁気センサ回路１０にはＭＩ素子２６が接続されている。ＭＩ素子２６は、その入力側がパルス電流供給回路１２の出力側に接続され、その出力側がサンプルホールド回路１４に接続されている。
【００４２】
パルス発生回路１１は、パルス信号をパルス電流供給回路１２に定期的に出力する。パルス発生回路１１は、例えばマルチバイブレータや水晶発振器を用いた発振回路等から構成される。パルス信号は、パルス幅が数十ｎｓｅｃ程度であり、パルス間隔は所望の応答速度に応じて適宜設定される。
【００４３】
パルス電流供給回路１２は、パルス信号を電流増幅し、半導体装置に接続されたＭＩ素子２６のアモルファスワイヤ２７に励磁電流を供給する。励磁電流は、パルス信号と同じ時間幅のパルス状の電流である。また、パルス電流供給回路１２は、励磁電流と同時に遅延回路１３にタイミング信号を出力する。
【００４４】
ＭＩ素子２６は、アモルファスワイヤ２７と、その回りを巻回する検知コイル２８から構成される。ＭＩ素子２６は、いわゆるインダクタンス方式によりアモルファスワイヤ２７に印加された磁界強度を検出する。アモルファスワイヤ２７は、長さ約数ｍｍ、直径数十μｍの軟磁性のアモルファス磁性体から構成される。アモルファス磁性体には、例えば、ＦｅＢや、ＣｏＢ、ＦｅＮｉＳｉＢ等を用いることができる。アモルファスワイヤ２７に替えて軟磁性薄膜あるいは軟磁性薄体を用いてもよい。検知コイル２８は、アモルファスワイヤ２７の回りに、例えば１０ターン〜１００ターン巻回される。
【００４５】
アモルファスワイヤ２７に励磁電流が流れるとＭＩ効果により検知コイル２８に検知信号が誘起される。検知信号の波高値は、アモルファスワイヤ２７に印加される磁界のうち、アモルファスワイヤ２７の長手方向に沿った成分の強度に比例する。後述するように、検知信号は、励磁電流の立ち上がりと立ち下がりの各々に対応するピークを有する。いずれのピークを用いてもよいが、波高値が大きなピークを用いることがＳ／Ｎ比が良好な点でよい。本実施の形態では、励磁電流の立ち上がりに対応する検知信号のピークを用いる。
【００４６】
一方、遅延回路１３では、タイミング信号を所定の遅延時間だけ遅らせて、スイッチ回路２０の制御入力部２０ａに出力する。遅延時間は、例えば、数ｎｓｅｃ〜数十ｎｓｅｃに設定する。
【００４７】
サンプルホールド回路１４は、スイッチ回路２０と、基準電圧源２１と、ホールド用のコンデンサ２２から構成される。スイッチ回路２０は、制御入力部２０ａに入力されたタイミング信号によりオン−オフ動作を行い検知信号をコンデンサ２２に出力する。
【００４８】
コンデンサ２２は一端が基準電圧源２１および検知コイルの一端に接続され、他端がスイッチ回路２０に接続されている。コンデンサ２２は検知信号を保持する機能を有する。
【００４９】
図４（Ａ）〜（Ｄ）は、動作タイミングおよび波形を示す図である。図４（Ａ）は励磁電流、図４（Ｂ）は遅延回路により遅延されたタイミング信号、図４（Ｃ）は検知コイルに誘起された検知信号、図４（Ｄ）はホールド信号を示す。
【００５０】
図４（Ａ）〜（Ｄ）を参照するに、図４（Ａ）に示す励磁電流に対して、図４（Ｂ）に示すタイミング信号は、励磁電流の立ち上がりから所定時間Δｔだけ遅延されて“Ｈｉｇｈ”から“Ｌｏｗ”になる。スイッチ回路２０はタイミング信号の状態に応じてオン−オフが制御される。すなわち、タイミング信号が“Ｈｉｇｈ”の状態で、スイッチ回路２０がオン（導通）となり、タイミング信号が“Ｈｉｇｈ”の間は、検知コイル２８から、図４（Ｃ）に示す検知信号がコンデンサ２２に供給されコンデンサ２２の電位が上昇する。
【００５１】
そして、タイミング信号が“Ｌｏｗ”になると、スイッチ回路がオフとなり、図４（Ｄ）に示すように、その時点の検知コイル２８の電圧がコンデンサ２２に保持される。コンデンサ２２は、他方の電極が基準電圧（ＶDD／２）に設定されているので、コンデンサ２２の電圧は、（検知信号の保持された波高値）＋ＶDD／２となる（以下、コンデンサ２２の電圧を「ホールド信号」という。）。
【００５２】
ところで、スイッチ回路２０のオン抵抗やオンオフの閾値が温度特性により変化する場合、ホールド信号の電圧変動が生じ、磁気センサ回路の出力信号が変動するおそれがある。このような場合、磁気センサ回路の磁界強度や方位の検出精度が低下する。さらに、励磁電流の大きさや立ち上がり時間等も温度変化により変動するおそれがあり、高精度の磁界強度の検出を行うためには、磁気センサ回路を構成する素子の温度特性を総合的に補償する必要がある。磁気センサ回路１０をＩＣ、例えばＣＭＯＳ型ＩＣあるいはＣＭＯＳトランジスタとバイポーラトランジスタの混載型ＩＣ等に形成した場合もかかる温度特性が問題になるおそれがある。
【００５３】
本実施の形態に係る磁気センサ回路１０は、サンプルホールド回路１４の出力側に温度検出回路１６および温度補償回路１８を設け、ホールド信号の電圧変動を補償することで、上記の問題点を解決したものである。磁気センサ回路１０の温度検出回路１６および温度補償回路１８は、スイッチ回路２０をＩＣにアナログスイッチとして搭載した場合に特に有効である。
【００５４】
ホールド信号は増幅回路１５に供給され、所定の増幅率で増幅される。増幅回路１５は、増幅率を１としたボルテージフォロワをコンデンサ２２の出力側に接続した構成としてもよい。増幅回路１５は、設けてもよく、設けなくともよい。
【００５５】
温度検出回路１６は、磁気センサ回路１０の温度を検出し、温度に対応する電圧値を有する温度信号を温度補償回路１８に供給する。温度信号は、温度の上昇に対して、温度信号の電圧値が増加あるいは減少する設定とする。温度信号の電圧値Ｖ（Ｔ）は、温度Ｔと正値、あるいは負値の比例係数αの積、すなわちＶ（Ｔ）＝α×（Ｔ−Ｔ0）＋βで表される。ここでＴ0は基準温度、βは基準温度Ｔ0における基準電圧である。比例係数αが正値の場合は、温度の上昇にしたがって温度信号の電圧値Ｖ（Ｔ）は増加し、温度の低下にしたがってＶ（Ｔ）は減少する。他方、比例係数αが負値の場合は、温度の上昇にしたがって温度信号の電圧値Ｖ（Ｔ）は減少し、温度の低下にしたがってＶ（Ｔ）は増加する。
【００５６】
温度検出回路１６は、さらに、比例係数αの符号の切換え、つまりαの正値と負値とを切換える温度信号極性切換回路１７を有する。温度信号極性切換回路１７は、αの正値と負値とを切換えて、温度の上昇に対して温度信号の電圧値Ｖ（Ｔ）を増加させる場合と減少させる場合とを切換える。この切換えは、切換信号を温度信号極性切換回路１７に供給して行う。切換信号は、磁気センサ回路内に切換信号設定回路を設けて供給してもよく、外部から供給してもよい。
【００５７】
温度補償回路１８は、増幅回路１５で増幅されたホールド信号に対して温度信号により補正し、出力信号として出力する。温度補償回路１８は、具体的には、温度補償量として、温度信号の電圧値を、ホールド信号に加算等する。なお、温度補償回路１８の出力側にさらに増幅回路を設けてもよい。
【００５８】
温度補償量は、温度と温度信号の電圧値との関係、すなわち上述した比例係数αの設定と磁気センサ回路１０の温度により決定される。比例係数αの設定は、例えば、ＭＩ素子２６に印加される磁界強度を零に設定し、磁気センサ回路１０の温度を変化させる。この際、出力信号の電圧値が所望の基準電圧値とほぼ同等でかつ一定になるように比例係数αを選択する。比例係数αの選択は、αの絶対値は、例えば、温度検出回路内の演算増幅器の増幅率により設定し、αの符号は温度信号極性切換回路１７により行う。
【００５９】
磁気センサ回路１０は、その温度特性、例えば磁気センサ回路のスイッチ回路２０のオン抵抗の温度特性やスイッチ回路２０のオンオフの閾値の温度特性等によりホールド信号の電圧変動が生じることがある。本実施の形態に係る磁気センサ回路１０は、このような場合であっても、温度変化に起因するホールド信号の電圧変動を、サンプルホールド回路１４の出力側に接続した温度検出回路１６および温度補償回路１８により温度補償する。温度検出回路１６には、温度変化に対して、出力する温度信号の変化方向を切換える温度信号極性切換回路１７が設けられている。温度信号極性切換回路１７を設けることで、温度変化方向に対してホールド信号の電圧値の変化方向に応じて温度信号の電圧値の増減方向を設定できるので、磁気センサ回路の特性に応じて確実に温度補償が可能となる。
【００６０】
また、本実施の形態に係る磁気センサ回路１０は、ホールド信号がほぼ直流の信号なので温度補償が容易となり、かつ高精度の温度補償が可能となる。次に本実施の形態に係る実施例を説明する。
【００６１】
［実施例］
図５は、本発明の第１の実施の形態に係る実施例の磁気センサ回路の回路図である。図５の磁気センサ回路は、半導体装置、例えば一つのＩＣチップに搭載されるのが好ましいものである。図５は、磁気センサ回路のうち、サンプルホールド回路から下流の回路を示しており、磁気センサ回路に接続されたＭＩ素子を合わせて示している。図５に示す磁気センサ回路は、温度上昇にしたがって、ホールド信号の電圧が増加する場合の設定になっている。
【００６２】
図５を参照するに、２つのＭＩ素子ＭＩx、ＭＩyは、アモルファスワイヤが２次元直交座標系のｘ軸、ｙ軸に沿って配置される。すなわち、２つのＭＩ素子ＭＩx、ＭＩyは互いに垂直に配置され、磁界のｘ軸およびｙ軸成分が検出される。
【００６３】
ｘ軸およびｙ軸のＭＩ素子ＭＩx、ＭＩyの各々の検知コイルの一端は２つのアナログスイッチＳＷx、ＳＷyの各々に接続され、他端は基準電圧源に接続される。アナログスイッチＳＷx、ＳＷyの各々の制御入力部にはタイミング信号が時系列に供給される。タイミング信号は、図３および図４で説明したように、励磁電流から所定の時間だけ遅延される。アナログスイッチＳＷx、ＳＷyは、タイミング信号により開閉が行われる。各々のアナログスイッチＳＷx、ＳＷyの出力側は共通接続され、コンデンサＣ１４に接続される。コンデンサＣ１４にｘ軸およびｙ軸のＭＩ素子ＭＩx、ＭＩyの検知信号が時系列に保持される（ホールド信号）。
【００６４】
基準電圧源４５は、一端が電源に接続され、他端が接地された直列接続された抵抗Ｒ２４とＲ２５からなる。抵抗Ｒ２４およびＲ２５の抵抗値を等しく設定し、抵抗Ｒ２４とＲ２５の交点からは電源電圧ＶDDの１／２の電圧を取り出し、各検出コイルの共通接続点に接続される。なお、抵抗Ｒ２４とＲ２５の抵抗値を正確に一致させるため、抵抗Ｒ２４またはＲ２５のどちらか一方、または両方にトリミング手段を設けている。
【００６５】
コンデンサＣ１４の電圧（ホールド信号）は、抵抗Ｒ２６を介して演算増幅器Ａ１２の非反転入力端子に出力される。
【００６６】
増幅回路４２は、演算増幅器Ａ１１、Ａ１２、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４から構成される。演算増幅器Ａ１２は、反転入力端子が抵抗Ｒ１３を介して演算増幅器Ａ１１の出力端子に接続されている。演算増幅器Ａ１１の非反転入力端子は、直列抵抗Ｒ１１とＲ１２の接続点に接続されている。直列に接続された抵抗Ｒ１１とＲ１２は一端が電源に接続され他端が接地されている。抵抗Ｒ１１とＲ１２は抵抗値を同等に設定しているので、演算増幅器Ａ１１の非反転入力端子には電源電圧ＶDDの１／２の電圧が印加される。演算増幅器Ａ１１の反転入力端子と出力端子は短絡されているので、演算増幅器Ａ１１の出力端子には電源電圧ＶDDの１／２の電圧が出力される。演算増幅器Ａ１１の出力端子は抵抗Ｒ１３を介して、演算増幅器Ａ１２の反転入力端子に接続される。
【００６７】
演算増幅器Ａ１２の反転入力端子と出力端子間には抵抗Ｒ１４が接続されている。したがって、演算増幅器Ａ１２は、電源電圧ＶDDの１／２の電圧を基準電圧として、ホールド電圧をＲ１４／Ｒ１３で決まる増幅率で差動増幅する。演算増幅器Ａ１２の出力端子は、演算増幅器Ａ１３の非反転入力端子に接続される。
【００６８】
なお、抵抗Ｒ１１とＲ１２の抵抗値を正確に一致させるため、抵抗Ｒ１１またはＲ１２のどちらか一方、または両方にトリミング手段を設けている。
【００６９】
温度検出回路４３は、カレントミラー回路を構成する２つのＰＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２と、ダイオード接続された２つのＰＮＰトランジスタＱ１、Ｑ２、演算増幅器Ａ１５〜Ａ１８、抵抗１８〜２３、および温度信号極性切換回路４７から構成される。
【００７０】
ＰＮＰトランジスタＱ１とＱ２はそれらの素子面積が異なるように選択する。例えばＰＮＰトランジスタＱ２の素子面積をＱ１の１０倍程度にする。ＰＮＰトランジスタＱ１とＱ２の各々のエミッタに流れる電流値は、カレントミラー回路を構成するＰＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２のドレイン電流なのでほぼ等しい。そのため、ＰＮＰトランジスタＱ１とＱ２の各々のＰＮ接合における電流密度が互いに異なり、ＰＮＰトランジスタＱ１のエミッタ電圧はＱ２のエミッタ電圧よりも高くなる。異なる電流密度でバイアスされた２つのＰＮ接合の電位差は絶対温度に対し比例するので、ＰＮＰトランジスタＱ１とＱ２のエミッタ電圧の差電圧は温度に対し比例した電圧となる。ＰＮＰトランジスタＱ１とＱ２のエミッタ電極は演算増幅器Ａ１５、演算増幅器Ａ１６の各々の非反転入力端子に接続される。
【００７１】
演算増幅器Ａ１５、演算増幅器Ａ１６の各々はボルテージフォロワを構成する。演算増幅器Ａ１５、演算増幅器Ａ１６の出力端子は各々、温度信号極性切換回路４７に接続される。
【００７２】
温度信号極性切換回路４７は、４つのスイッチ回路ＳＷ１〜ＳＷ４、およびインバータＩＮＶから構成される。スイッチ回路ＳＷ１とＳＷ２、スイッチ回路ＳＷ３とＳＷ４は各々連動して同じ開閉状態となる。さらに、極性切換信号がスイッチ回路に制御信号として供給され、極性切換信号の状態に応じてスイッチ回路の開閉動作が行われる。例えば極性切換信号が“Ｈｉｇｈ”の場合は、スイッチ回路ＳＷ１とＳＷ２が閉じ、スイッチ回路ＳＷ３とＳＷ４は開く。他方、極性切換信号が“Ｌｏｗ”の場合は、スイッチ回路ＳＷ１とＳＷ２が開き、スイッチ回路ＳＷ３とＳＷ４は閉じるようになっている。
【００７３】
温度信号極性切換回路４７の出力側は、可変抵抗Ｒ１８あるいはＲ２０を介して演算増幅器Ａ１７の入力端子に接続される。極性切換信号が“Ｈｉｇｈ”の場合、スイッチ回路ＳＷ１とＳＷ２が閉じる。この状態では、Ａ１５の出力端子とＡ１７の反転入力端子が接続され、Ａ１６の出力端子とＡ１７の非反転入力端子が接続される。この接続状態では、温度の上昇に対して、トランジスタＱ２のエミッタ電圧がトランジスタＱ１のエミッタ電圧よりも電圧減少分が大きいので、Ａ１７の非反転入力端子の電圧Ｖ+と反転入力端子の電圧Ｖ-との差（＝Ｖ+−Ｖ-）は増加する。その結果、Ａ１７の出力電圧は増加する。すなわち、この接続状態は上述した比例係数αの符号が正値に設定されている状態である。
【００７４】
一方、極性切換信号が“Ｌｏｗ”の場合、スイッチ回路ＳＷ３とＳＷ４が閉じている場合は、Ａ１５の出力端子とＡ１７の非反転入力端子が接続され、Ａ１６の出力端子とＡ１７の反転入力端子が接続される。この接続状態では、温度の上昇に対して、トランジスタＱ２のエミッタ電圧がトランジスタＱ１のエミッタ電圧よりも電圧減少分が大きいので、Ａ１７の反転入力端子の電圧Ｖ-と非反転入力端子の電圧Ｖ+との差（＝Ｖ-−Ｖ+）は増加する。その結果、Ａ１７の出力電圧は減少する。すなわち、この接続状態は上述した比例係数αの符号が負値に設定されている状態である。
【００７５】
演算増幅器Ａ１８は、先に説明した演算増幅器Ａ１１と同様に電源電圧ＶDDの１／２の電圧を出力する。すなわち、演算増幅器Ａ１８の非反転入力端子は、直列抵抗Ｒ２２とＲ２３の接続点に接続されている。直列に接続された抵抗Ｒ２２とＲ２３は一端が電源に接続され、他端が接地されている。抵抗Ｒ２２またはＲ２３のどちらか一方、または両方にトリミング手段を設けている。これは、基準温度において、抵抗Ｒ２２またはＲ２３をトリミングすることにより、零磁界におけるサンプルホールド電圧を電源電圧ＶDDの１／２に調整するオフセット調整を行うためである。このため、演算増幅器Ａ１８の出力電圧は電源電圧ＶDDの１／２の電圧にオフセット電圧が加わった電圧となる。演算増幅器Ａ１８の出力端子は抵抗Ｒ２１を介して、演算増幅器Ａ１７の反転入力端子に接続される。
【００７６】
演算増幅器Ａ１７の入力端子には、上述した温度信号極性切換回路４７の接続状態に応じてＡ１５およびＡ１６が接続される。演算増幅器Ａ１７は、抵抗Ｒ１８とＲ１９との比、および抵抗Ｒ２０とＲ２１との比で決まる増幅率で増幅し、演算増幅器Ａ１３の反転入力端子に出力する。
【００７７】
なお、抵抗Ｒ１８とＲ２０にはトリミングによる調整手段が設けられており、演算増幅器Ａ１７の増幅率を制御できるようにしている。なお、トリミングによる抵抗値の調整手段は、抵抗Ｒ１９とＲ２１に設けてもよく、両方に設けてもよい。この増幅率を制御することで、温度に対する温度信号との比例係数を制御する。したがって、磁界強度に対して検知信号の電圧値が異なるＭＩ素子を接続しても、比例係数を制御することで温度補償が可能となる。また、所定の温度変化に対するホールド信号の電圧値の変化量が変動する場合に、比例係数を制御することで、ホールド信号の電圧値を補正することができる。
【００７８】
また、演算増幅器Ａ１７の出力、すなわち温度信号を磁気センサ回路４０の外部に出力してもよい。温度検出回路４３の動作チェックや、磁気センサ回路４０が搭載される電子装置に温度情報を供給できる。
【００７９】
温度補償回路４４は、演算増幅器Ａ１３と抵抗Ｒ１５、Ｒ１６からなる。演算増幅器Ａ１３は、非反転入力端子にホールド信号が供給され、ホールド信号に対しては非反転増幅回路として動作する。また、演算増幅器Ａ１３は、反転入力端子には温度信号が供給され、温度信号に対しては反転増幅回路として動作する。この反転増幅回路の増幅率は−Ｒ１６／Ｒ１５で表され、抵抗Ｒ１５とＲ１６とが同一抵抗値の場合は、増幅率が−１となる。なお、この場合、ホールド信号に対しては増幅率が２となる。
【００８０】
このようにして、演算増幅器Ａ１３は、ホールド信号と温度信号との差動増幅器として機能し、ホールド信号と温度信号との差信号とする出力信号が出力される。このようにして、演算増幅器Ａ１３において磁気センサ回路の温度特性によるホールド信号の電圧変動が補正される。その結果、温度補償された出力信号が磁気センサ回路から出力される。
【００８１】
ここで、演算増幅器Ａ１７は、抵抗Ｒ１８とＲ１９との比、および抵抗Ｒ２０とＲ２１との比で決まる比例係数αの絶対値を制御する比例係数制御回路を構成している。比例係数制御回路は、演算増幅器Ａ１７の増幅率を制御することで、温度変化による零磁界におけるホールド信号の電圧値の変動量を補償する。抵抗Ｒ１８〜Ｒ２１は以下のようにして設定する。
【００８２】
演算増幅器Ａ１３における温度信号の電圧値に対する増幅率を上述したように−１に設定したとする。次いで、ＭＩ素子に印加される磁界強度が零（零磁界）の状態で、所定の温度変化に対するホールド信号の電圧変化分と、温度補償回路４３の出力電圧変化分の絶対値を同じになるように演算増幅器Ａ１７の増幅率を設定する。演算増幅器Ａ１７の増幅率は抵抗Ｒ１８〜Ｒ２１により設定する。このように設定することで、温度変化による、零磁界におけるホールド信号の電圧値の変動量を補正することができる。その結果、磁気センサ回路４０は、通常の磁界強度を検出する状態において、温度変化による出力信号の電圧変動が抑制される。
【００８３】
また、演算増幅器Ａ１２の増幅率を演算増幅器Ａ１３の増幅率よりも高く設定することが好ましい。例えば演算増幅器Ａ１２での増幅率を８倍、演算増幅器Ａ１３での増幅率を２倍とする。このように設定することで、微弱なホールド信号を先に演算増幅器Ａ１２で比較的大きな電圧に増幅することで、演算増幅器Ａ１３におけるノイズ等の混入によるＳ／Ｎ比の低下を抑制できる。また、演算増幅器Ａ１３の増幅率を低く設定することで、温度補償量を細かく設定できるので、微調整が容易に行え、高精度に補償できる。
【００８４】
磁気センサ回路４０の温度補償動作は、以下のようにして行われる。なお、温度信号極性切換回路４７は、スイッチ回路ＳＷ１とＳＷ２が閉じ、スイッチ回路ＳＷ３とＳＷ４が開いた状態とする。
【００８５】
磁気センサ回路４０の温度が上昇して零磁界におけるホールド信号の電圧値が増加したとする。そうすると、そうすると温度補償動作が行われない場合は、演算増幅器Ａ１３の出力電圧値も増加する。
【００８６】
しかし、温度が上昇すると、温度検出回路４３のＰＮＰトランジスタＱ２のエミッタ電圧はＱ１のエミッタ電圧よりも減少し、その差は大きくなる。ＰＮＰトランジスタＱ１のエミッタ電圧は、スイッチ回路ＳＷ２を介して演算増幅器Ａ１７の非反転入力端子に、ＰＮＰトランジスタＱ２のエミッタ電圧は、スイッチ回路ＳＷ１を介して演算増幅器Ａ１７の反転入力端子に供給される。したがって、演算増幅器Ａ１７の出力電圧値は増加し、そして演算増幅器Ａ１３の出力が低下する。以上により、温度補償動作により温度上昇によるホールド信号の電圧値の低下を補正することができる。なお、温度が低下する場合は、温度が上昇する場合の逆の補償動作が行われる。
【００８７】
また、磁気センサ回路４０の温度が上昇して零磁界におけるホールド信号の電圧値が減少した場合は、温度信号極性切換回路４７は、スイッチ回路ＳＷ１とＳＷ２を開き、スイッチ回路ＳＷ３とＳＷ４を閉じた状態に設定する。
【００８８】
本実施例によれば、サンプルホールド回路４１の出力側に、増幅回路４２と、温度変化に起因して生じるホールド信号の電圧変動を補償する温度検出回路４３および温度補償回路４４とを設ける。温度検出回路４３は温度を検出し、温度に対応する温度信号を出力する。そして、温度信号によりホールド信号の電圧変動を補償する。温度検出回路４３には、温度変化に対して、出力する温度信号の変化方向を切換える温度信号極性切換回路４７が設けられている。温度信号極性切換回路４７を設けることで、温度変化方向に対してホールド電圧の変化方向に応じて温度信号の増減方向を設定できるので、磁気センサ回路の特性に応じて確実に温度補償が可能となる。さらに、ホールド信号はほぼ直流信号であるので、温度信号により容易に温度補償が可能である。また、温度補償回路４４に使用する演算増幅器には特に優れた高周波特性は必要なく、それ故に高精度の温度補償が可能である。
【００８９】
（第２の実施の形態）
図６（Ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る電子装置の一例としての携帯電話機を示す図、（Ｂ）は磁気センサの拡大図である。
【００９０】
図６（Ａ）および（Ｂ）を参照するに、携帯電話機５０は、表示部５１と、操作部５２と、アンテナ５３と、スピーカ５４と、マイク５５と、電子基板５６と、電子基板５６に搭載されＭＩセンサ５８等から構成されている。
【００９１】
ＭＩセンサ５８は、上述した第１の実施の形態の磁気センサ回路（図示されず。）が形成された半導体装置５９と、半導体装置５９に接続された２つのＭＩ素子から構成される。２つのＭＩ素子ＭＩx、ＭＩyは、電子基板面に沿って互いに直交するように配置される。ＭＩ素子ＭＩx、ＭＩyの各々は、ワイヤ等の配線を介して半導体装置５９の磁気センサ回路に接続される。
【００９２】
ＭＩセンサ５８は、地磁気の方向に基づいて携帯電話機５０の向いている方位・角度、例えば、操作部５２の長手方向が指している方位・角度を検出する。携帯電話機５０の表示部５１には、現在地付近の地図が操作部５２の長手方向が指している方位・角度が上になるように表示される。
【００９３】
上述したように、携帯電話機５０は、ＭＩセンサ５８が、第１の実施の形態に係る磁気センサ回路を半導体装置に搭載している。磁気センサ回路は温度変化が生じても高精度に磁界強度を検出できるので、方位・角度の検出が正確かつ信頼性が高い。また、半導体装置５９は、一つの半導体チップからなるので磁気センサ回路の小型化が可能である。その結果、半導体装置５９を用いることで携帯電話機５０を小型化できる。
【００９４】
なお、携帯電話機５０の通信機能を有する基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。本実施の形態の電子装置を、携帯電話機を一例として説明したが、携帯電話機に限定されるわけではない。例えば、携帯端末機、カーナビゲーション装置等に適用できる。
【００９５】
以上本発明の好ましい実施の形態および実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施の形態あるいは実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】従来のＭＩセンサの回路図である。
【図２】従来の他のＭＩセンサの回路図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る磁気センサ回路のブロック図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、動作タイミングおよび波形を示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係る実施例の磁気センサ回路の回路図である。
【図６】（Ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る電子装置の一例としての携帯電話機を示す図、（Ｂ）は磁気センサの拡大図である。
【符号の説明】
【００９７】
１０、４０    磁気センサ回路
１１    パルス発生回路
１２    パルス電流供給回路
１３    遅延回路
１４    サンプルホールド回路
１５    増幅回路
１６    温度検出回路
１７、４７    温度信号極性切換回路
１８    温度補償回路
２０    スイッチ回路
２０ａ  制御入力部
２１    基準電圧源
２２    コンデンサ
２６    ＭＩ素子
２７    アモルファスワイヤ
２８    検知コイル
５０    携帯電話機
５８    磁気センサ
５９    半導体装置
ＭＩ1、ＭＩ2、ＭＩx、ＭＩy    ＭＩ素子
【図１】
2006184122.tif 000003
【図２】
2006184122.tif 000004
【図３】
2006184122.tif 000005
【図４】
2006184122.tif 000006
【図５】
2006184122.tif 000007
【図６】
2006184122.tif 000008