(57)【要約】【課題】  共振抑圧性に優れ、しかも小型のパッケージ内の基板に十分な素子搭載領域を確保することができるパッケージ共振抑圧回路，発振器，高周波モジュール，通信機装置及びパッケージ共振抑圧方法を提供する。【解決手段】  発振器１は、パッケージ２と高周波回路基板３とパッケージ共振抑圧回路４とを備えている。パッケージ共振抑圧回路４は、スルーホール４１，４２を高周波回路基板３の接地導体３２に接続し、パターン４３，４４をスルーホール４１，４２と１対１対応で接続すると共に、抵抗体４６をパターン４３，４４間に接続することにより形成され、閉回路Ｃを構成する。好ましくは、抵抗体４６の向きを空洞共振による磁界Ｈと直交するように設定する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波回路基板を収納したパッケージの空洞共振を抑圧するパッケージ共振抑圧回路であって、
双方の一方端が共に上記高周波回路基板の裏面の接地導体に接続した状態で、当該高周波回路基板に設けられた１対のスルーホールと、
上記高周波回路基板の表面に設けられ且つ上記１対のスルーホールの他方端と１対１対応で接続された１対のパターンと、
これら１対のパターン間に接続された抵抗体と
を具備することを特徴とするパッケージ共振抑圧回路。  
【請求項２】
上記１対のパターン間を結ぶ直線が上記空洞共振による磁界と直交するように、上記１対のパターンを形成した、ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ共振抑圧回路。
【請求項３】
上記接地導体，１対のスルーホール，１対のパターン及び抵抗体でなる閉回路を含む平面が、上記空洞共振による磁界と直交するように設定した、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパッケージ共振抑圧回路。
【請求項４】
上記抵抗体は、上記１対のパターン間にパターン印刷にて形成した抵抗体である、ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のパッケージ共振抑圧回路。  
【請求項５】
上記抵抗体は、上記１対のパターン間に実装されたチップ型の抵抗体である、ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のパッケージ共振抑圧回路。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のパッケージ共振抑圧回路を備える、
ことを特徴とする発振器。
【請求項７】
請求項６に記載の発振器を備える、
ことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項８】
請求項６に記載の発振器を備える、
ことを特徴とする通信機装置。
【請求項９】
１対のスルーホールの双方の一方端を、パッケージに収納された高周波回路基板の裏面に設けられている接地導体に接続し、上記高周波回路基板の表面に設けた１対のパターンを、上記１対のスルーホールの他方端と１対１対応で接続すると共に、抵抗体を、上記１対のパターン間に接続して、上記接地導体，１対のスルーホール，１対のパターン及び抵抗体でなる閉回路を形成することにより、
空洞共振時にパッケージ内に生じる磁界とこの閉回路との電磁結合とによって誘起された高周波電流を、上記抵抗体で損失させることで、パッケージの空洞共振を抑圧する、
ことを特徴とするパッケージ共振抑圧方法。  
【請求項１０】
上記１対のパターン間を結ぶ直線が上記空洞共振による磁界と直交するように設定した、ことを特徴とする請求項９に記載のパッケージ共振抑圧方法。
【請求項１１】
上記閉回路を含む平面が上記空洞共振による磁界と直交するように設定した、ことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のパッケージ共振抑圧方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高周波で動作する集積回路などを搭載した基板を収納したパッケージの空洞共振を抑圧することができるパッケージ共振抑圧回路，発振器，高周波モジュール，通信機装置及びパッケージ共振抑圧方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波で動作する集積回路などを搭載した基板においては、基板から外部への電磁放射を防止するためや外部からの電磁放射からこの基板を保護するために、基板を金属製のパッケージに収納して電磁遮蔽を行っている。
このようなパッケージでは、ある周波数において、空洞共振を起こす。そして、その共振時の電磁界が、基板上の集積回路などに結合すると、異常発振や内部回路破壊を招き、外部の回路等にも悪影響を与えることがあった。
このため、空洞共振を抑圧する各種の技術が、例えば、特許文献１及び特許文献２に開示されているように、提案されている。
【０００３】
特許文献１の共振抑圧技術は、板状の大きな４枚の電波吸収体または抵抗体をパッケージの内側と集積回路などの素子が搭載された基板との間に設けて、電波吸収体で電磁波を吸収しまたは抵抗体で高周波電流を損失させることにより、パッケージの共振状態を減衰させる技術である。しかし、かかる技術は４枚の大きな電波吸収体や抵抗体を取り付けるため、部品コストや作業コストが高くつき、コスト面で問題がある。
【０００４】
これに対して、特許文献２の共振抑圧技術は、図１２に示すように、多数の大きな電波吸収体や抵抗体を必要としないので、コスト面で優れている。すなわち、集積回路などの素子を搭載する誘電体基板１１１と枠状の誘電体基板１１２〜１１５とをベース１００の上に積層して、パッケージの周壁を構成し、第１のスルーホール群１２０によって等価的に金属壁を形成する。さらに、このパッケージをシールリング１３０とキャップ１４０とで封止することで、気密構造とする。そして、抵抗体２００を誘電体基板１１１上に配置し、抵抗体２００の一方端部を第１のスルーホール群１２０に接続すると共に、他方端部を第２のスルーホール群１２１に接続することにより、パッケージ内を流れる高周波電流を損失させて、共振を抑圧するようにしている。
【特許文献１】実開平０９−０８２８５５号公報
【特許文献２】特開２００１−１９６５０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、図１２に示した従来の技術では、次のような問題がある。
集積回路などの素子を搭載することができるスペースＳは、誘電体基板１１１の上面であって且つ誘電体基板１１２〜１１５の内側である。したがって、多くの素子をこのスペースＳに搭載するためには、誘電体基板１１２〜１１５の幅Ｄと抵抗体２００の幅Ｌの双方を狭くする必要がある。しかしながら、誘電体基板１１２〜１１５の幅Ｄは小さくすることができるが、共振を抑圧可能な抵抗値を得るためには、抵抗体２００の幅長Ｌを小さくすることはできない。このため、多くの素子を搭載するに十分なスペースＳを得ることができない。かといって、誘電体基板１１１全体を大きくして、十分なスペースＳを確保しようとすると、パッケージ全体が大型化してしまう。
【０００６】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、共振抑圧性に優れ、しかも小型のパッケージ内の基板に十分な素子搭載領域を確保することができるパッケージ共振抑圧回路，発振器，高周波モジュール，通信機装置及びパッケージ共振抑圧方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、高周波回路基板を収納したパッケージの空洞共振を抑圧するパッケージ共振抑圧回路であって、双方の一方端が共に高周波回路基板の裏面の接地導体に接続した状態で、高周波回路基板に設けられた１対のスルーホールと、高周波回路基板の表面に設けられ且つ１対のスルーホールの他方端と１対１対応で接続された１対のパターンと、これら１対のパターン間に接続された抵抗体とを具備する構成とした。
かかる構成により、接地導体と１対のスルーホールと１対のパターンと抵抗体とによって、閉回路が形成されているので、高周波回路基板を収納したパッケージが空洞共振すると、共振時にパッケージ内に生じた磁界とこの閉回路とが電磁結合して、閉回路中に高周波電流を誘起させる。ところが、閉回路に抵抗体を組み込んであるので、閉回路に誘起された高周波電流が損失を受け、この結果、磁界も減衰して、共振が抑圧される。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１に記載のパッケージ共振抑圧回路において、１対のパターン間を結ぶ直線が空洞共振による磁界と直交するように、１対のパターンを形成した構成とする。
かかる構成により、１対のパターンに接続された抵抗体の向きが、空洞共振による磁界と直交するので、磁界と閉回路とがより効果的に電磁結合する。
【０００９】
請求項３は、請求項１または請求項２に記載のパッケージ共振抑圧回路において、接地導体，１対のスルーホール，１対のパターン及び抵抗体でなる閉回路を含む平面が、空洞共振による磁界と直交するように設定した構成とする。
かかる構成により、閉回路を含む平面が、空洞共振による磁界と直交するように設定されているので、磁界と閉回路とがより効果的に電磁結合する。
【００１０】
請求項４は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のパッケージ共振抑圧回路において、抵抗体は、１対のパターン間にパターン印刷にて形成した抵抗体である構成とする。
【００１１】
請求項５は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のパッケージ共振抑圧回路において、抵抗体は、１対のパターン間に実装されたチップ型の抵抗体である構成とした。
【００１２】
請求項６は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のパッケージ共振抑圧回路を備える発振器とした。
【００１３】
請求項７は、請求項６に記載の発振器を備える高周波モジュールとした。
【００１４】
請求項８は、請求項６に記載の発振器を備える通信機装置とした。
【００１５】
請求項９の発明に係るパッケージ共振抑圧方法は、１対のスルーホールの双方の一方端を、パッケージに収納された高周波回路基板の裏面に設けられている接地導体に接続し、高周波回路基板の表面に設けた１対のパターンを、１対のスルーホールの他方端と１対１対応で接続すると共に、抵抗体を、１対のパターン間に接続して、接地導体，１対のスルーホール，１対のパターン及び抵抗体でなる閉回路を形成することにより、空洞共振時にパッケージ内に生じる磁界とこの閉回路との電磁結合とによって誘起された高周波電流を、抵抗体で損失させることで、パッケージの空洞共振を抑圧する構成とした。
【００１６】
請求項１０の発明は、請求項９に記載のパッケージ共振抑圧方法において、１対のパターン間を結ぶ直線が空洞共振による磁界と直交するように設定した構成とする。
【００１７】
請求項１１の発明は、請求項９または請求項１０に記載のパッケージ共振抑圧方法において、閉回路を含む平面が空洞共振による磁界と直交するように設定した構成とする。
【発明の効果】
【００１８】
以上詳しく説明したように、請求項１ないし請求項５の発明に係るパッケージ共振抑圧回路、及び請求項９ないし請求項１１の発明に係るパッケージ共振抑圧方法によれば、高周波回路基板を収納したパッケージの空洞共振に生じた磁界によって閉回路に誘起される高周波電流を抵抗により損失させて、パッケージの空洞共振を抑圧することができるので、広い周波数範囲での高周波信号の取り扱いが可能となる。
さらに、パッケージ共振抑圧回路が、接地導体と１対のスルーホールと１対のパターンと抵抗体とで構成されるので、各パッケージ共振抑圧回路の占有面積が非常に小さくて済み、このため、高周波回路基板の空いている小さなスペースに自由に取り付けることができる。この結果、高周波回路基板を大きくすることなく、高周波回路基板に十分な素子搭載領域を確保することができる。
【００１９】
特に、請求項２，請求項３，請求項１０及び請求項１１の発明によれば、磁界と閉回路とをより効果的に電磁結合させることができるので、パッケージの空洞共振に対する抑圧効率をさらに高めることができる。
【００２０】
また、請求項４及び請求項５の発明によれば、抵抗体を安価且つ容易に形成及び実装することができるので、ほとんどコストアップさせることなく、パッケージ共振抑圧回路を付設して、共振抑圧効果が得ることができる。
【００２１】
また、請求項６ないし請求項８の発明によれば、パッケージ共振抑圧回路によってパッケージ共振が効果的に抑圧されるので、安定した特性を有する発振器，高周波モジュール及び通信機装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００２３】
図１は、この発明の第１実施例に係るパッケージ共振抑圧回路を備えた発振器を示す分解斜視図であり、図２は、パッケージの蓋部を取って内部を示す平面図であり、図３は、図２のパッケージに蓋部を取り付けた状態で示す矢視Ａ−Ａ断面図であり、図４は、図２のパッケージに蓋部を取り付けた状態で示す矢視Ｂ−Ｂ断面図である。
図１に示すように、この実施例の発振器１は、パッケージ２内に高周波回路基板３を収納したもので、高周波回路基板３に、パッケージ２の空洞共振を抑圧するパッケージ共振抑圧回路４を備える。
【００２４】
パッケージ２は、アルミナ等のセラミックで形成され且つシーリング部２２が上面に固着される周壁部２１をコバール等の金属製の底壁部２０上に固定し、この周壁部２１を、シーリング部２２を介してコバール等の金属製の蓋部２３で上から塞いだ構造になっている。具体的には、パッケージ２は、図２に示すように、平面視において矩形状をなし、図３に示すように、端子２１ａ，２１ｂが周壁部２１に形成されている。
【００２５】
高周波回路基板３は、このようなパッケージ２の内部に収納されて、電磁遮蔽されている。
高周波回路基板３は、発振器１の本体であり、共振回路３０と能動回路３１とをその表面に有している。
共振回路３０と能動回路３１は、周知の回路であり、その詳細は省略する。また、この実施例の要部の理解を容易にするため、これら共振回路３０と能動回路３１を、二点鎖線で示すように、ブロックで簡略表示した。
このような高周波回路基板３は、接地導体３２をその裏面に有し、この接地導体３２をパッケージ２の底壁部２０に接触させた状態で、底壁部２０上に載置固定されている。そして、高周波回路基板３の共振回路３０と能動回路３１が、ワイヤ３３，３３によって周壁部２１の端子２１ａ，２１ｂと電気的に接続されている。
【００２６】
パッケージ共振抑圧回路４は、パッケージ２の空洞共振を抑圧するための回路であり、図１に示すように、上記高周波回路基板３の共振回路３０と能動回路３１の搭載領域を避けた４個所に設けられている。この実施例では、図２に示すように、高周波回路基板３の両縁部のスペースに２個ずつ設けられている。
【００２７】
各パッケージ共振抑圧回路４は、図４に示すように、高周波回路基板３の接地導体３２と、高周波回路基板３に形成された１対のスルーホール４１，４２と、高周波回路基板３の表面にパターン形成された１対のパターン４３，４４と、抵抗体４６とで構成されている。
【００２８】
図５は、各パッケージ共振抑圧回路４を拡大して示す部分拡大断面図である。
図５に示すように、各パッケージ共振抑圧回路４の１対のスルーホール４１，４２は、双方の下端部（一方端）４１ａ，４２ａが接地導体３２に共に電気的に接続した状態で形成されている。１対のパターン４３，４４は、１対のランドであり、１対のスルーホール４１，４２の上端部（他方端）４１ｂ，４２ｂと１対１対応で電気的に接続されている。そして、このような１対のパターン４３，４４上に、チップ型の抵抗体４６が半田付け等で実装されている。
すなわち、このように、抵抗体４６を１対のパターン４３，４４間に接続することで、接地導体３２と１対のスルーホール４１，４２と１対のパターン４３，４４とこの抵抗体４６とでなる閉回路Ｃを形成する。
【００２９】
図６は、閉回路Ｃと空洞共振による磁界Ｈとの位置関係を示す概略図である。
図６に示すように、１対のパターン４３，４４などで構成される閉回路Ｃは、パッケージ２の空洞共振時に生じる磁界Ｈと直交するように形成されている。すなわち、１対のパターン４３，４４間を結ぶ直線が磁界Ｈと直交するように、１対のパターン４３，４４を配設することで、閉回路Ｃ全体を含む平面Ｐ１を平面Ｐ２上の磁界Ｈと直交させる。これにより、抵抗体４６が磁界Ｈと直交することになる。
【００３０】
次に、この実施例の発振器１が有するパッケージ共振抑圧回路４の作用及び効果について説明する。
図７は、空洞共振時に生じる磁界Ｈの分布を示す平面図であり、図８は、誘起された高周波電流を示す部分拡大断面図である。また、図９は、発振器１における空洞共振の有無を示す特性線図であり、図９（ａ）は発振器１にパッケージ共振抑圧回路４を設けない場合の特性線図であり、図９（ｂ）は発振器１にパッケージ共振抑圧回路４を設けた場合の特性線図である。なお、図９（ａ）及び図９（ｂ）において、反射係数Ｓ１１の曲線Ｓ１はリターンロスに対応し、伝達係数Ｓ２１の曲線Ｓ２は挿入損失に対応する。
【００３１】
図１〜図６に示した発振器１において、高周波回路基板３の共振回路３０と能動回路３１を駆動して、発振信号を出力すると、例えばＴＭ２２０モードにおいて、図７に示すように、４つの磁界Ｈがパッケージ２内に生じる。パッケージ２内の回路をマイクロストリップラインの線路に置き換えてパッケージの端子に接続し、その伝送特性を計算したところ、図９（ａ）に示す結果を得た。すなわち、３２．５ＧＨｚ付近でパッケージ２の空洞共振が見られ、発振器の内部回路を実装した場合に、この周波数付近ではかかるパッケージ２の空洞共振によって、十分な動作特性を得ることができない。
しかし、この実施例の発振器１では、図７に示すように、各パッケージ共振抑圧回路４を、高周波回路基板３の両縁部のスペース即ち各磁界Ｈの発生するスペースにそれぞれ設け、しかも、接地導体３２と１対のスルーホール４１，４２と１対のパターン４３，４４と抵抗体４６とでなる閉回路Ｃを磁界Ｈと直交するように設定してある（図５及び図６参照）。このため、共振時の磁界Ｈと閉回路Ｃを構成する１対のパターン４３，４４とが電磁結合して、図８の矢印で示すように、大きな高周波電流Ｉを１対のスルーホール４１，４２等に誘起させる。ところが、閉回路Ｃに抵抗体４６を組み込んであるので、誘起された高周波電流Ｉは、この抵抗体４６によって損失を受ける。この結果、共振時の磁界Ｈも減衰して、図９（ｂ）に示すように、パッケージ２の空洞共振が抑圧され、良好な動作特性を得ることができる。特に、図６に示したように、１対のパターン４３，４４に接続された抵抗体４６の向きを磁界Ｈと直交させた状態で、閉回路Ｃ全体が、磁界Ｈと直交するように設定しているので、磁界Ｈとの電磁結合がより効果的に行われ、共振抑圧効果が極めて高くなる。この結果、パッケージ共振抑圧に優れ、安定した動作特性を有する発振器１を提供することができる。
【００３２】
以上のように、この実施例の発振器１が有するパッケージ共振抑圧回路４が、パッケージ２の空洞共振をより効果的に抑圧するので、パッケージ２の空洞共振の発生を懸念することなく、発振器１を用いて、広い周波数範囲での高周波信号の発振が可能となる。
また、パッケージ共振抑圧回路４を、接地導体３２と１対のスルーホール４１，４２と１対のパターン４３，４４と抵抗体４６とで構成するので、各パッケージ共振抑圧回路４の占有面積は非常に小さくて済み、このため、各パッケージ共振抑圧回路４を高周波回路基板３の空いているスペースに自由に取り付けることができる。すなわち、パッケージ共振抑圧回路４の取付自由度が高いので、多くの素子を搭載した小さな高周波回路基板３においても、パッケージ共振抑圧回路４を小さなスペースに配設することができ、この結果、発振器１の小型化を阻害することなく、共振抑圧が可能となっている。
さらに、チップ型の抵抗体４６は、安価且つ容易に形成及び実装することができるので、パッケージ共振抑圧回路４の形成によるコストアップは僅かである。
【実施例２】
【００３３】
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図１０は、この発明の第２実施例に係る高周波モジュール及び通信機装置を示すブロック図である。
この実施例の特徴は、上記発振器１を用いて高周波モジュール及び通信機装置を構成したことにある。
【００３４】
この通信機装置は、信号処理回路５と、信号処理回路５に接続され高周波の信号を出力または入力する高周波モジュール６と、高周波モジュール６に接続して設けられアンテナ共用器７０（デュプレクサ）を介して高周波の信号を送信または受信するアンテナ７とによって構成されている。
【００３５】
そして、高周波モジュール６は、信号処理回路５とアンテナ共用器７０との間に接続された帯域通過フィルタ６１、増幅器６２、ミキサ６３、帯域通過フィルタ６４、電力増幅器６５によって送信側が構成されると共に、アンテナ共用器７０と信号処理回路５の入力側に接続された帯域通過フィルタ８１、低雑音増幅器８２、ミキサ８３、帯域通過フィルタ８４、増幅器８５によって受信側が構成されている。そして、ミキサ６３，８３には上記第１実施例の発振器１が接続されている。
【００３６】
かかる構成により、送信時には、信号処理回路５からの中間周波信号（ＩＦ信号）が、帯域通過フィルタ６１で不要な信号が除去された後、増幅器６２によって増幅されてミキサ６３に入力される。このとき、ミキサ６３は、この中間周波信号と発振器１からの搬送波とを掛け合わせて高周波信号（ＲＦ信号）にアップコンバートする。そして、ミキサ６３から出力された高周波信号が、帯域通過フィルタ６４で不要な信号が除去された後、電力増幅器６５によって送信電力に増幅された後、アンテナ共用器７０を介してアンテナ７から送信される。
【００３７】
また、受信時には、アンテナ７で受信された高周波信号が、アンテナ共用器７０を介して帯域通過フィルタ８１に入力される。これにより、高周波信号が、帯域通過フィルタ８１で不要な信号が除去された後、低雑音増幅器８２によって増幅されてミキサ８３に入力される。このとき、ミキサ８３は、この高周波信号と発振器１からの搬送波とを掛け合わせて中間周波信号にダウンコンバートする。そして、ミキサ８３から出力された中間周波信号が、帯域通過フィルタ８４で不要な信号が除去された後、増幅器８５によって増幅された後、信号処理回路５に入力される。
【００３８】
そして、上記送受信時に、発振器１において空洞共振が抑圧されるので、発振器１からミキサ６３，８３に搬送波が安定して出力される。この結果、この通信機装置において、安定した動作特性の送受信が行われることとなる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【００３９】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施例では、１対のパターン４３，４４に接続された抵抗体４６の向きを磁界Ｈと直交するように設定したり、接地導体３２と１対のスルーホール４１，４２と１対のパターン４３，４４と抵抗体４６とでなる閉回路Ｃを磁界Ｈと直交するように設定したパッケージ共振抑圧回路４を例示して説明したが、抵抗体４６の向きを磁界Ｈと直交しないように設定したパッケージ共振抑圧回路や、閉回路Ｃを磁界Ｈと直交しないように設定したパッケージ共振抑圧回路を、この発明の範囲から除外する意ではない。
【００４０】
また、上記実施例では、抵抗体として、チップ型の抵抗体４６を用いたが、これに限らず、抵抗体として、１対のパターン４３，４４間にパターン印刷にて形成した抵抗体を用いても良い。このような抵抗体においても、抵抗体４６と同様に、パッケージ共振抑圧回路のコストダウンが可能である。
【００４１】
また、上記実施例では、パッケージ共振抑圧回路４を高周波回路基板３の両縁部のスペースに２個ずつ設けた例を示したが、これは、共振回路３０と能動回路３１の実装領域が、図２に示したように、高周波回路基板３の中央大半部を占めていたことによるものである。しかし、パッケージ共振抑圧回路４の配設個所は、共振回路３０と能動回路３１の実装態様によって自由に決めることができるものであり、例えば、図１１に示すように、高周波回路基板３の中央部に空いたスペースがある場合には、２つのパッケージ共振抑圧回路４を高周波回路基板３の中央部に配設し、各パッケージ共振抑圧回路４を２種の磁界Ｈに渡るようにすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】この発明の第１実施例に係るパッケージ共振抑圧回路を備えた発振器を示す分解斜視図である。
【図２】パッケージの蓋部を取って内部を示す平面図である。
【図３】図２のパッケージに蓋部を取り付けた状態で示す矢視Ａ−Ａ断面図である。
【図４】図２のパッケージに蓋部を取り付けた状態で示す矢視Ｂ−Ｂ断面図である。
【図５】各パッケージ共振抑圧回路を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図６】閉回路と空洞共振による磁界との位置関係を示す概略図である。
【図７】空洞共振時に生じる磁界の分布を示す平面図である。
【図８】誘起された高周波電流を示す部分拡大断面図である。
【図９】発振器における空洞共振の有無を示す特性線図であり、図９（ａ）は発振器にパッケージ共振抑圧回路を設けない場合の特性線図であり、図９（ｂ）は発振器にパッケージ共振抑圧回路を設けた場合の特性線図である。
【図１０】この発明の第２実施例に係る高周波モジュール及び通信機装置を示すブロック図である。
【図１１】パッケージ共振抑圧回路の配設に関する変形例を示す平面図である。
【図１２】従来の技術を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…発振器、  ２…パッケージ、  ３…高周波回路基板、  ４…パッケージ共振抑圧回路、  ２０…底壁部、  ２１…周壁部、  ２３…蓋部、  ３０…共振回路、  ３１…能動回路、  ３２…接地導体、  ４１，４２…スルーホール、  ４３，４４…パターン、  ４６…抵抗体、  Ｃ…閉回路、  Ｈ…磁界、  Ｉ…高周波電流。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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