(57)【要約】【課題】  電気的特性の変動を抑制することが可能な樹脂封止型電子装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  相対向する第１および第２主面部を有する配線基板１０と、配線基板１０の第１主面部に設けられた外部キャビティ４１と、外部キャビティ４１と配線基板１０の第２主面部との間に外部キャビティ４１と連接して設けられ、且つ側壁の少なくとも一部が外部キャビティ４１の側壁より外側に位置する内部キャビティ４２と、配線基板１０の第１主面部に搭載された電子部品３０と、配線基板１０の第１主面部および前記電子部品３０を覆い、外部および内部キャビティ４１、４２内に一部が埋設された封止樹脂５０とを具備し、外部キャビティ４１の側壁より外側に位置する内部キャビティ４２部分により封止樹脂５０の剥がれを防止する。【選択図】  図１
2006093465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板の主面部に設けられたキャビティと、
前記支持基板の主面部に搭載された電子部品と、
前記支持基板の主面部および前記電子部品を覆い、前記キャビティ内に一部が埋設された封止樹脂と、
前記キャビティに設けられ、且つ前記封止樹脂の剥がれを防止する剥がれ防止部と
を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
前記剥がれ防止部は、前記キャビティの側壁に設けられた凸部であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
前記剥がれ防止部は、前記キャビティの側壁に設けられた凹部であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
相対向する第１および第２主面部を有する支持基板と、
前記支持基板の第１主面部に設けられた外部キャビティと、
前記外部キャビティと前記支持基板の第２主面部との間に前記外部キャビティと連接して設けられ、且つ側壁の少なくとも一部が前記外部キャビティの側壁より外側に位置する内部キャビティと、
前記支持基板の第１主面部に搭載された電子部品と、
前記支持基板の第１主面部および前記電子部品を覆い、前記外部および内部キャビティ内に一部が埋設された封止樹脂と
を具備し、前記外部キャビティの側壁より外側に位置する前記内部キャビティ部分により前記封止樹脂の剥がれを防止することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
第１基板の主面部に、基板を貫通した内部キャビティを有する第２基板を載置し、且つ
前記第２基板の主面部に、基板を貫通した外部キャビティを有する第３基板を前記外部キャビティの側壁の少なくとも一部が前記内部キャビティの側壁より内側に位置するように載置して支持基板を形成する工程と、
前記支持基板の前記第３基板の主面部に電子部品を搭載する工程と、
前記第３基板の主面部および前記電子部品を覆い、且つ前記外部および内部キャビティ内に樹脂の一部が埋設するように封止樹脂を形成する工程と
を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型電子装置、特に半導体チップおよび／または他の電子部品を搭載する樹脂封止型のハイブリッド電子装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高周波用パワーアンプ等の半導体チップ、および、コンデンサや抵抗等のチップ部品等を組み込んだハイブリッド電子装置は、これらを実装する携帯機器等の小型化および高性能化に伴い、小面積化された配線基板の上に、小型化された半導体チップおよび／またはチップ部品等の電子部品を高密度に実装したり、あるいはより多くの数の電子部品を搭載することが要求されている。
【０００３】
これらの電子部品の耐湿性等を確保するために、配線基板表面および電子部品等を封止樹脂で封止することが一般に行われているが、配線基板に対する電子部品の実装面積の比率が増加し、ますます、封止樹脂の配線基板表面への接触面積が減少している。その結果、封止樹脂と多層配線基板との密着を長期間にわたって安定させることが、難しくなって来ている。その上、高周波用パワーアンプ等を搭載するハイブリッド電子装置では、発生する熱等によって、封止樹脂の温度上昇が起こる傾向にあり、封止樹脂と配線基板との接着を確保することがより一層難しくなっている。
【０００４】
この配線基板と封止樹脂との密着性を向上させるために、配線基板（回路基板）と封止樹脂との間に、封止樹脂よりも配線基板との密着性の良い密着用樹脂を介在させた樹脂封止型電子装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
しかし、この樹脂封止電子装置では、密着用樹脂の膜厚を一定に保つことが難しく、密着用樹脂の実効誘電率がバラツキ、電子部品の特性が膜厚に敏感な場合には、高周波特性を一定に保つことが難しいという問題がある。また、封止樹脂とは別に密着用樹脂を形成する工程が必要であり、コストアップを招くという問題がある。
【特許文献１】特開２００２−３７３９６１号公報（第３〜４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電気的特性の変動を抑制することが可能な樹脂封止型電子装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の樹脂封止型電子装置は、支持基板と、前記支持基板の主面部に設けられたキャビティと、前記支持基板の主面部に搭載された電子部品と、前記支持基板の主面部および前記電子部品を覆い、前記キャビティ内に一部が埋設された封止樹脂と、前記キャビティに設けられ、且つ前記封止樹脂の剥がれを防止する剥がれ防止部とを有することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の別の態様の樹脂封止型電子装置の製造方法は、第１基板の主面部に、基板を貫通した内部キャビティを有する第２基板を載置し、且つ前記第２基板の主面部に、基板を貫通した外部キャビティを有する第３基板を前記外部キャビティの側壁の少なくとも一部が前記内部キャビティの側壁より内側に位置するように載置して支持基板を形成する工程と、前記支持基板の前記第３基板の主面部に電子部品を搭載する工程と、前記第３基板の主面部および前記電子部品を覆い、且つ前記外部および内部キャビティ内に樹脂の一部が埋設するように封止樹脂を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様の樹脂封止型電子装置によれば、電気的特性の変動を抑制することが可能である。また、本発明の別の態様の樹脂封止型電子装置の製造方法によれば、電気的特性の変動の抑制、並びに製造コストを低減することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付す。
【実施例１】
【００１１】
本発明の実施例１に係る樹脂封止型のハイブリッド電子装置について、図１および図２を参照しながら説明する。図１はハイブリッド電子装置の構造を模式的に示すもので、図１（ａ）は封止樹脂を除去した状態の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面で、封止樹脂を有する状態の断面図、図２は図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面で、封止樹脂を有する状態の断面図である。なお、垂直方向および水平方向とは、それぞれ、図１（ａ）の上下方向および左右方向を示す。
【００１２】
図１および図２に示すように、本実施例のハイブリッド電子装置１は、支持基板、例えば配線基板１０と、配線基板１０の主面部に搭載された電子部品３０と、この配線基板１０の主面部に設けられたキャビティ４０と、配線基板１０の主面部および電子部品３０を覆い、キャビティ４０内に一部が埋設された封止樹脂５０とを有している。また、キャビティ４０は、封止樹脂５０の剥がれを防止する剥がれ防止部４３を有している。
【００１３】
配線基板１０は、ここでは、例えば、第１乃至第３基板１１〜１３で構成され、第１基板１１は、第４乃至第６基板１４〜１６の３層の基板を有しており、第１乃至第６基板１１〜１６は、例えば、セラミック系の絶縁材料からなる。また、配線基板１０の主面、例えば上面には、所定パターンのＣｕ箔等の配線層２１が形成されている。ここでは、配線基板１０の中央部には、半導体チップ３１を搭載および電気的接続するため第１の配線層２１ａが設けられ、図面の左右の配線基板１０の周辺部には、チップ部品３２を搭載するための第２の配線層２１ｂが設けられている。
【００１４】
また、第１乃至第６基板１１〜１６には、ビア２５およびビア配線２６がそれぞれ形成され、第１基板１１の下面、すなわち第４基板１４の下面には、所定パターンのＣｕ箔等の裏面電極２３が形成され、配線層２１と裏面電極２３とが適宜接続されている。そして、裏面電極２３は、ハイブリッド電子装置１を実装基板（図示略）に接続する外部端子として機能する。
【００１５】
電子部品３０である半導体チップ３１は、第１の配線層２１ａに、例えば、導電性接着剤（図示略）で固着され、その周辺の第１の配線層２１ａとＡｕワイヤ３３を介して電気的接続されている。また、抵抗、キャパシタ等のチップ部品３２は、配線基板１０の左右の周辺部に設けられた第２の配線層２１ｂに、例えば、半田（図示略）で直接固着されている。
【００１６】
キャビティ４０は、配線基板１０の上面側に開口を有し、基板内部に底部を有する構造に設けられており、且つ水平方向の上部側の内法が同方向の底面側の内法より小さく形成され、キャビティ４０内に埋設される封止樹脂５０の上方への移動を阻止し、配線基板１０の上面からの封止樹脂５０の剥がれを防止するようにしている。ここでは、キャビティ４０は、内側壁の相対向する部分に外側方向に食込んだ凹部４２ａを２個設けることにより、水平方向の上部側の内法が同方向の底面側の内法より小さく形成され、この凹部４２ａによってキャビティ４０内に埋設された封止樹脂５０の上方への移動が阻止される。
【００１７】
また、ここでは、キャビティ４０は、配線基板１０の上面部に水平方向に設けられた長方形状の外部キャビティ４１と外部キャビティ４１と配線基板１０の下面部と間に垂直方向に外部キャビティ４１と交差して設けられた長方形状の内部キャビティ４２とからなり、外部キャビティ４１と内部キャビティ４２とは互いに連接している。
【００１８】
そして、内部キャビティ４２は、外部キャビティ４１の短手方向（図面の垂直方向）の幅より長い長方形状を有し、長手方向（図面の垂直方向）の両側部が外部キャビティ４１の短手方向の両側部を超えて外側に位置するように設けられている。これにより、外部キャビティ４１の短手方向の両側壁の下部に外側方向に食込んだ凹部４２ａがそれぞれ形成されている。
【００１９】
配線基板１０の表面からの封止樹脂５０の剥がれは、温度サイクルによる配線基板１０の反りに起因し、その配線基板１０の反りは、表面の配線層２１および裏面の裏面電極２３のＣｕ材と基板のセラミック材料の熱膨張の差によって決まり、配線基板１０に対する配線層２１および裏面電極２３の占有面積比、および配線パターンによって近似的には予測できる。例えば、通常のように、裏面の裏面電極２３の面積が表面の配線層２１の面積より大きくて、図１（ａ）に示すように、配線基板１０の左右の周辺部に島状に配線層２１を有する場合には、配線基板１０の左右の両端側が配線基板１０の上面方向に反ると予測される。
【００２０】
従って、ここでは、キャビティ４０は、配線基板１０の上下の周辺部で、且つ第２の配線層２１間には、それぞれ４個設けている。配線層２１が配線基板１０の上下の周辺部に設けられ、配線基板１０の上下の両端部が反る場合には、配線基板１０の左右の周辺部で、且つ配線層２１の間に設けることが好ましい。
【００２１】
封止樹脂５０は、例えばエポキシ系樹脂からなり、半導体チップ３１、チップ部品３２およびＡｕワイヤ３３を覆って配線基板１０の表面に形成され、更に、封止樹脂５０の一部が、キャビティ４０内に埋め込まれている。
【００２２】
次に、上記構造のハイブリッド電子装置１の製造方法について、図３を参照して説明する。図３はハイブリッド電子装置１の製造工程示す工程断面図である。
【００２３】
まず、図３（ａ）に示すように、第１乃至第６基板１１〜１６に、周知技術により第１の配線層２１ａ（図示略）、第２の配線層２１ｂ、ビア２５、ビア配線２６または、裏面電極２３をそれぞれ形成する。そして、更に、第２基板１２の所定位置に、８個の垂直方向に細長い長方形で、基板を貫通する内部キャビティ４２を形成する。この内部キャビティ４２は外部キャビティ４１の幅より大きい長さを有する。また、第３基板１３には、内部キャビティ４２に対応する位置に、８個の水平方向に細長い長方形で、基板を貫通する外部キャビティ４１を形成する。この後、第１基板１１を構成する第４乃至第６基板１４〜１６をこの順に積層し、更にこの第６基板１６上に第２基板１２および第３基板１３をこの順に積層して互いに強固に接着させ、配線基板１０を形成する。第６基板１６が内部キャビティ４２の底部を形成する。
【００２４】
この配線基板１０の形成において、内部キャビティ４２は、外部キャビティ４１と交差し、且つ内部キャビティ４２の長手方向の両側部が外部キャビティ４１の短手方向の両側部を超えて外側に位置し、外部キャビティ４１の短手方向の側壁の下部に外側方向に食込んだ凹部４２ａを有する（図２参照）。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、第３基板１３の周縁部に設けられた第２の配線層２１ｂ表面に半田印刷を行った後、その第２の配線層２１ｂにチップ部品３２を搭載する。そして、周知のリフロー実装により、第２の配線層２１ｂにチップ部品３２を半田（図示略）接続し、洗浄・乾燥、プラズマクリーニング後に、第３基板１３の中央部に設けられた第１の配線層２１ａ上に導電性接着剤を介して半導体チップ３１を固着し、半導体チップ３１の電極と第１の配線層２１ａとをＡｕワイヤ３３によってボンディング接続する。
【００２６】
その後、図３（ｃ）に示すように、周知の印刷法により流動性のある封止樹脂５０を矢印で示す水平方向の樹脂供給方向５６に沿って第３基板１３の表面上に塗布し、半導体チップ３１、チップ部品３２およびＡｕワイヤ３３を覆う。
【００２７】
流動性の封止樹脂５０は、第３基板１３の表面に沿って一端部側（図面の左側）から他端部側（図面の右側）に向かって、チップ部品３２を覆いながら進み、外部キャビティ４１の内側壁に沿って降下し、第２基板１２の表面に到達した後、第２基板１２の内部キャビティ４２の内側壁に沿って降下し、内部キャビティ４２内を満たした後、外部キャビティ４１内を満たしながら、再び第３基板１３の内側壁面を上昇して第３基板１３の表面に達した後、表面に沿って進んで最終的に他端部に達する。
【００２８】
ここで、樹脂供給方向５６を、垂直方向にした場合、外部キャビティ４１の内側壁下部の内部キャビティ４２の外側方向に食込んだ凹部４２ａに封止樹脂５０が充填されない場合がある。従って、封止樹脂５０は内部キャビティ４２の凹部４２ａに沿う方向から供給することが好ましい。
【００２９】
そして、図３（ｄ）に示すように、封止樹脂５０を固化させることにより、図１に示すハイブリッド電子装置１が得られる。
【００３０】
次に、上述のハイブリッド電子装置１について、リフロー耐熱試験を行った結果を示す。このリフロー耐熱試験としては、温度３０℃、湿度６０％の環境に１６８時間放置した後、ピーク温度２５０℃でリフロー処理を３回行った。そして、このリフロー耐熱試験後、超音波探傷装置で、配線基板１０の表面と封止樹脂５０との界面の密着状態を観察した。その結果、配線基板１０の表面からの封止樹脂５０の剥がれは、１０００個中、ゼロであった。
【００３１】
上述した実施例のハイブリッド電子装置１によれば、上述のリフロー耐熱試験の結果からも明らかなように、内部キャビティ４２の凹部４２ａにより、封止樹脂５０の上方への移動が阻止されるため、配線基板１０の表面における封止樹脂５０の剥がれが防止され、配線基板１０の表面と封止樹脂５０との密着性を十分に確保できる。
【００３２】
従って、従来のように配線基板と封止樹脂との密着性を向上させるための密着用樹脂を介在させることはないので、電子部品の特性が膜厚に敏感な場合でも、高周波特性を一定に保つことが可能である。
【００３３】
また、本実施例のハイブリッド電子装置の製造方法によれば、従来の密着用樹脂を形成する工程が不要となり、低コスト化が可能となる。
【実施例２】
【００３４】
本発明の実施例２に係るハイブリッド電子装置について、図４および図５を参照しながら説明する。図４はハイブリッド電子装置の構造を模式的に示すもので、封止樹脂を除去した状態の平面図、図５はハイブリッド電子装置の断面構造を模式的に示すもので、図５（ａ）は図４のＣ−Ｃ線に沿った断面で、封止樹脂を有する状態の断面図、図５（ｂ）は図４のＤ−Ｄ線に沿った断面で、封止樹脂を有する状態の断面図、図５（ｃ）は図４のＥ−Ｅ線に沿った断面で、封止樹脂を有する状態の断面図、図５（ｄ）は図４のＦ−Ｆ線に沿った断面で、封止樹脂を有する状態の断面図である。なお、垂直方向および水平方向とは、それぞれ、図４の上下方向および左右方向を示す。
【００３５】
本実施例２と上記実施例１とは、キャビティの個数、配置場所、形状が異なる。以下、本実施例の説明においては、上記実施例１と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。
【００３６】
図４および図５に示すように、本実施例のハイブリッド電子装置２では、８個の第１キャビティ６０と４個の第２キャビティ７０とが設けられている。第１キャビティ６０は、上記実施例１と同様に、配線基板１０の上側周辺部の中央部に４個、下側周辺部の中央部に４個、それぞれ設けられている。第２キャビティ７０は、配線基板１０の左側周辺部のチップ部品４３間に２個、右側周辺部のチップ部品４３間に２個、それぞれ設けられている。
【００３７】
第１キャビティ６０は、上記実施例１では内側壁の相対向する部分に凹部４１ａを２個設けたが、本実施例では内側壁に凹部６２ａを１個設けている。ここでは、第１キャビティ６０は、実施例１と同様に外部キャビティ６１と内部キャビティ６２で構成されるが、内部キャビティ６２の長手方向の一端部が外部キャビティ６１の短手方向の一側壁面と一致し、他端部が外部キャビティ６１の他側壁面を超えて外側に位置し、外部キャビティ６１の他側壁の下部にのみ外側方向に食込んだ凹部６２ａを有する。すなわち、この凹部６２ａ部分において、外部キャビティ６１の垂直方向の内法が内部キャビティ６２の同方向の内法より小さくなっている。
【００３８】
そして、この凹部６２ａによって、キャビティ６０内に埋設された封止樹脂５０の上方への移動が阻止され、配線基板１０の上面からの封止樹脂５０の剥がれが防止される。
【００３９】
一方、第２キャビティ７０は、隣接するチップ部品３２間に設けられ、上記実施例１と同様に、長方形状の外部キャビティ７１が水平方向に設けられ、この外部キャビティ７１と配線基板１０の下面部との間に長方形状の外部キャビティ７２が外部キャビティ７１と交差して垂直方向に設けられ、内部キャビティ７２は、外部キャビティ７１の短手方向の幅より長い長方形状を有し、長手方向の両側部が外部キャビティ７１の短手方向の両側部を超えて外側に位置するように設けられている。これにより、外部キャビティ７１の短手方向の両側壁の下部に外側方向に食込んだ凹部７２ａを有する。すなわち、この凹部７２ａ部分において、外部キャビティ７１の垂直方向の内法が内部キャビティ７２の同方向の内法より小さくなっている。
【００４０】
そして、この凹部７２ａによって、キャビティ７０内に埋設された封止樹脂５０の上方への移動が阻止され、配線基板１０の上面からの封止樹脂５０の剥がれが防止される。
【００４１】
上述した構造の実施例２のハイブリッド電子装置２によれば、上下側周辺部に凹部６２ａを有する第１キャビティ６０を設け、左右の周辺部に凹部７２ａを有する第２キャビティ７０を設けているので、上下、左右の周辺部において封止樹脂５０の上方への移動が阻止されるため、上記実施例１に比べて配線基板１０の表面における封止樹脂５０の剥がれがより防止され、配線基板１０の表面と封止樹脂５０との密着性をより確実に確保できる。
【００４２】
従って、従来のように配線基板と封止樹脂との密着性を向上させるための密着用樹脂を介在させることはないので、電子部品が高周波に敏感な場合でも、高周波特性を一定に保つことが可能である。
【００４３】
本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々、変形して実施することができる。
【００４４】
また、上記実施例においては、配線基板は、セラミック系の絶縁材料からなる基板を積層した場合について説明したが、ガラス布あるいはガラス繊維にエポキシ系樹脂を含浸させた材料、アラミド繊維にエポキシ系樹脂を含浸させた材料、または、他の無機／有機材料を芯にしてエポキシ系樹脂あるいは他の樹脂を含浸させた材料を積層してなるものでも良い。
【００４５】
また、配線基板は、多数の基板を積層した多層構造である必要はなく、単層構造であっても良い。
【００４６】
更に、支持基板として、配線基板を用いたが、配線を持たず、電子部品を支持するための絶縁性基板、導電性基板、放熱板などの基板であっても差し支えない。この場合には、実装基板に接続するための外部端子としてのリードを基板の周囲に配置し、電子部品とリードとをボンディング接続すれば良い。
【００４７】
更にまた、キャビティは、矩形状に限らず、円形、楕円形、菱形等の形状でも良い。
【００４８】
更にまた、キャビティは、電子部品と配線基板の表面との間に間隙があり、その間隙に封止樹脂を供給することが可能であれば、電子部品の下方の配線基板部分に設けても良い。
【００４９】
更にまた、キャビティにおける、封止樹脂の剥がれを防止する剥がれ防止部は、実施例の凹部に限らず、キャビティの内側壁の一部を内方に突出させた凸部で良い。また、キャビティを台形状に形成し、傾斜面を封止樹脂の剥がれを防止する剥がれ防止部として用いても良い。
【００５０】
更にまた、半導体チップは、Ａｕワイヤを介して配線層に電気的接続したが、例えば、Ａｕあるいは半田等の導電性材料からなるバンプを介して配線層に電気的接続しても差し支えない。この場合、半導体チップの電極を配線層側に向けたフリップチップボンディングとなり、半導体チップの配線基板への搭載と配線層への電気的接続が同時になされる。
【００５１】
更にまた、封止樹脂は、印刷法で塗布される例を示した。しかしながら、その他の塗布法を採用することが可能であるし、塗布法以外の、例えば、トランスファーモールド法等を採用することは差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施例１に係るハイブリッド電子装置の構造を模式的に示すもので、図１（ａ）は封止樹脂を除去した状態の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面で、封止樹脂を有する状態の断面図。
【図２】本発明の実施例１に係るハイブリッド電子装置の断面構造を模式的に示すもので、図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面で、封止樹脂を有する状態の断面図。
【図３】本発明の実施例１に係るハイブリッド電子装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図４】本発明の実施例２に係るハイブリッド電子装置の構造を模式的に示すもので、封止樹脂を除去した状態の平面図。
【図５】本発明の実施例２に係るハイブリッド電子装置の断面構造を模式的に示すもので、図５（ａ）は図４のＣ−Ｃ線に沿った断面で、封止樹脂を有する状態の断面図、図５（ｂ）は図４のＤ−Ｄ線に沿った断面で、封止樹脂を有する状態の断面図、図５（ｃ）は図４のＥ−Ｅ線に沿った断面で、封止樹脂を有する状態の断面図、図５（ｄ）は図４のＦ−Ｆ線に沿った断面で、封止樹脂を有する状態の断面図。
【符号の説明】
【００５３】
１、２  ハイブリッド電子装置
１０  配線基板
１１  第１基板
１２  第２基板
１３  第３基板
１４  第４基板
１５  第５基板
１６  第６基板
２１  配線層
２１ａ  第１の配線層
２１ｂ  第２の配線層
２３  裏面電極
２５  ビア
２６  ビア配線
３０  電子部品
３１  半導体チップ
３２  チップ部品
３３  Ａｕワイヤ
４０  キャビティ
４１、６１、７１  外部キャビティ
４２、６２、７２  内部キャビティ
４２ａ、６２ａ、７２ａ  凹部
４３  剥がれ防止部
５０  封止樹脂
５６  樹脂供給方向
６０  第１キャビティ
７０  第２キャビティ
【図１】
2006093465.tif 000003
【図２】
2006093465.tif 000004
【図３】
2006093465.tif 000005
【図４】
2006093465.tif 000006
【図５】
2006093465.tif 000007