(57)【要約】【課題】  ナノインプリント技術により記録媒体を製造する方法において、モールドとディスク基板との位置合わせが、モールドに突起物を取り付けなくても行えるようにする。【解決手段】  凹凸パターン２が形成されたモールド１に、ディスク基板４と位置合わせするときに使用するアライメントマーク３を形成しておく。このアライメントマークを利用して、モールド１とディスク基板４との位置合わせを行い、その後、レジストが塗布されたディスク基板にモールドを押し付けて、レジスト膜８にモールド１の凹凸パターンを転写する。以降、このレジストパターンをマスクとするエッチング工程を経て、ディスク基板の記録面に記録層を形成する。本発明により、アライメントマークを利用した、モールドとディスク基板との位置合わせ方法を確立できた。【選択図】図１
2006040321.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト膜を有するディスク基板に凹凸パターンを有するモールドを押し付けて前記レジスト膜に凹凸パターンを転写するようにした転写工程を含む記録媒体の製造方法において、前記モールドの前記ディスク基板の外円周近傍又は内円周近傍に相当する位置に、前記ディスク基板の回転中心と同じ中心をもつ同芯円の少なくとも一部をなし直径の異なる複数の線によって構成されるアライメントマークを形成し、前記アライメントマークを用いて前記モールドと前記ディスク基板の位置を合わせ、その後、前記ディスク基板に前記モールドを押し付けて前記モールドの凹凸パターンを前記レジスト膜に転写するようにしたことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記アライメントマークを構成する複数の線のうち、少なくとも１つを他の線と異なる状態にしたことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、前記アライメントマークを構成する複数の線がいずれも円をなしていることを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、前記アライメントマークを構成する複数の線がいずれも円の一部をなしていることを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、前記円の一部をなす複数の線によって構成されるアライメントマークを複数の個所に設けたことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項１において、前記アライメントマークを構成する複数の線のうちで前記ディスク基板の外円周端或いは内円周端に最も近い線を基準線に選んで、この基準線と前記ディスク基板の外円周端或いは内円周端を位置合わせするようにしたことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、前記位置合わせを行う際にカメラを用い、前記カメラで観察される基準線と前記ディスク基板の外円周端或いは内円周端との相対位置が等しくなるように調整することを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、前記モールドの中央に穴をあけ、この穴と前記ディスク基板の中央に設けられている穴に支柱を通した後、前記アライメントマークを用いて前記モールドと前記ディスク基板の位置を調整するようにしたことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項１において、前記モールドの中央に前記ディスク基板の中央に設けられる穴の径よりも小さい突起部を設け、この突起部を前記ディスク基板の穴に通した後、前記アライメントマークを用いて前記モールドと前記ディスク基板の位置を調整するようにしたことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、前記モールドの凹凸パターンを前記レジスト膜に転写した後に前記レジスト膜をマスクとしてエッチングを行い、前記レジスト膜に転写された凹凸パターンを前記ディスク基板の記録面に形成し、その後、前記ディスク基板の前記凹凸パターンを有する記録面に記録層を形成するようにしたことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１において、前記モールドの凹凸パターンを前記レジスト膜に転写した後に、前記レジスト膜に転写された凹凸パターンの凹部底のレジストを除去して前記ディスク基板の記録面を露出させ、そこに記録層を形成した後、前記レジスト膜を除去するようにしたことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１において、前記モールドに形成された凹凸パターンにおける凹パターンの底面部を上面部よりも狭くし、凸パターンの底面部を上面部よりも広くしたことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
レジスト膜を有するディスク基板に凹凸パターンが形成されたモールドを押し付けるナノインプリント方法によって前記モールドに形成されている凹凸パターンを前記レジスト膜に転写し、その後、前記レジスト膜をマスクとするエッチングを行って前記凹凸パターンを前記ディスク基板の記録面に形成することにより得られた記録媒体であって、前記モールドの凹凸パターンにおける凹パターンの底面部を上面部よりも狭くし、凸パターンの底面部を上面部よりも広くすることによって前記ディスク基板に形成された凹凸パターンのうち凸パターンの底面部が上面部よりも広くなり、凹パターンの底面部が上面部よりも狭くなるように構成したことを特徴とする記録媒体。
【請求項１４】
レジスト膜を有するディスク基板に凹凸パターンが形成されたモールドを押し付けるナノインプリント方法によって前記モールドに形成されている凹凸パターンを前記レジスト膜に転写した後、前記レジスト膜の凹部底のレジスト膜を除去して前記ディスク基板の記録面を露出させ、その露出面に記録層を形成し、前記レジスト膜を除去して得られた記録媒体。
【請求項１５】
請求項１４において、前記モールドの凹凸パターンにおける凹パターンの底面部を上面部よりも狭くし、凸パターンの底面部を上面部よりも広くすることによって前記レジスト膜に転写される凹凸パターンの凹部底面が上面よりも狭くなるようにし、このレジスト膜の凹部底面を除去した部分に形成された凸形状の記録層の底面部が上面部よりも狭くなるようにしたことを特徴とする記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリント技術を利用した記録媒体の製造方法に係り、また、この製造方法により得られた記録媒体に関する。本発明により得られた記録媒体は、磁気記録媒体或いは光記録媒体として使用するのに適する。
【背景技術】
【０００２】
大容量磁気録媒体の１つとして知られているパターンドメディアでは、微細な凹凸パターンがディスク基板の記録面に形成されている。市販されている一般のディスク基板には、基板中央部に回転駆動部と固定するための穴が形成されており、この孔の中心を軸として回転する。そのため、凹凸パターンは、基板中央の穴と同芯円をなす幾周もの円周上に配列されている。直径１０ナノメートルの円形パターンをピッチ間隔（隣り合う円形パターンの中心間距離）が２５ナノメートルになるように配列すると、記録密度が１テラビット／平方インチの記録媒体を構成できる。
【０００３】
従来、１００ナノメートル以下の微細構造加工は、半導体デバイスなどの製造工程で周知の電子線ビーム描画技術により行われている。この方法では、基板上に塗布されたレジスト膜に電子線ビームでレジストパターンが形成され、このレジストパターンをマスクとしてエッチングが行われ、ディスク基板上に微細パターンが加工される。
【０００４】
他方、電子線ビーム描画技術に比べて低コスト、短時間で微細加工できる技術として、基板上に塗布されたレジスト膜に微細凹凸パターンを形成したモールドを押し付けるナノインプリント技術がある(例えば、特許文献１，２参照)。特許文献１では、ナノインプリント技術を磁気記録媒体用レジストパターンの作製に利用している。このナノインプリント技術を利用して、微細な凹凸パターンをディスク基板の回転中心と同芯円をなす幾周もの円周上に配列する場合、モールドとディスク基板の相対位置合わせ技術が重要になる。
【０００５】
モールドとディスク基板との位置合わせ手段として、特許文献１ではナノインプリント技術で被転写基板上に微細凹凸パターンと共に位置決め用パターンも形成した後、位置決め用パターンを用いて回転中心軸を決定している。ところが、本技術ではディスク基板表面に凹凸パターンを形成した後、ディスク基板に穴を加工する必要が生じる。そのため、購入時に基板の回転中心軸が決められて穴が加工されている従来のディスク基板を使用することができない。さらに、本来であれば記録層を形成する前に加工されている穴を、記録層を形成した後に加工する場合もあり、製造工程を大幅に変更する必要が生じる。他方、特許文献２ではモールド中央にディスク基板中央の穴径とほぼ同じ径の突起物を取り付け、その突起物にディスク基板をはめ込むことで位置合わせを行っている。しかし、この方法では、突起物の加工に高い精度が必要とされる。また、ディスク基板中央の穴径も加工時の誤差により変化することから、突起物のみでモールドとディスク基板の位置合わせを行う場合、位置合わせ精度は使用するディスク基板ごとに変化する。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１５７５２０号公報（要約）
【特許文献２】特開平１０−２６１２４６号公報（要約）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来技術で説明したように、ナノインプリント技術は、電子線ビーム描画技術に比べて、ディスク基板表面への微細凹凸パターン加工を低コスト、短時間で行えるという利点があるものの、ディスク基板とモールドとの位置合わせに高度な技術が要求されるという問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、ナノインプリント技術を利用する記録媒体の製造において、モールドに突起物を取り付けなくてもモールドとディスク基板の位置合わせを行えるようにし、位置合わせに高度の加工技術を必要としなくて済むようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、モールドに複数の線によって構成されるアライメントマークを形成し、このアライメントマークを用いてディスク基板とモールドとの位置合わせを行うようにしたことにある。
【００１０】
アライメントマークは、モールドのディスク基板の外円周近傍又は内円周近傍に相当する位置に設けられ、かつ、ディスク基板の中央孔と同芯円をなし直径の異なる複数の線によって構成される。アライメントマークを構成する複数の線のうちで１つを基準線に選び、例えばディスク基板の外円周端に最も近い線を基準線に選び、この基準線とディスク基板の外円周端とが一致するようにカメラ等を用いて微調整し位置合わせを行う。
【００１１】
このようにしてモールドとディスク基板との位置合わせを行ったのち、モールドをディスク基板に押し付けて、モールドに形成されている凹凸パターンをディスク基板の記録面に塗布されているレジスト膜に転写する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、ナノインプリント技術を利用する記録媒体の製造において、モールドとディスク基板との位置合わせを高精度の加工技術を必要とせずに行うことが可能になった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
アライメントマークを構成する複数の線は、直径の異なる複数の円にしても良いし、また円周上の一部をなすようにしても良い。いずれの場合でも、複数の線は、ディスク基板の中央孔と同芯円をなすように形成される。複数の線が円周上の一部をなすように短い線で形成される場合には、アライメントマークを複数の箇所に設けるのがよい。
【００１４】
アライメントマークは、モールドのディスク基板の外円周近傍に相当する位置又は内円周近傍に相当する位置に設けられる。
【００１５】
このアライメントマークを構成する複数の線のうち１つ或いは任意の数本或いは全部を他の線と違う状態にしておけば、観察している線が判別しやすくなる。この一例としては、線の太さが異なるようにすること、或いは実線と点線のように線の形を変えることが考えられる。
【００１６】
本発明では、モールドの凹凸パターンをディスク基板に塗布されたレジスト膜に転写する転写工程と、レジスト膜をマスクとするエッチングによりレジスト膜に転写された凹凸パターンをディスク基板の記録面に形成するエッチング工程及び、ディスク基板の凹凸パターンを有する記録面に記録層を形成する工程とにより記録媒体が製造される。
【００１７】
また、モールドの凹凸パターンをレジスト膜に転写する転写工程と、レジスト膜に転写された凹凸パターンの凹部底のレジストを除去してディスク基板の記録面を露出させる工程と、露出面に記録層を形成する工程及び、残りのレジスト膜を除去する工程とにより記録媒体が製造される。
【００１８】
モールドに形成される凹凸パターンの形を、凹パターンの底面部が上面部よりも狭く、凸パターンの底面部が上面部よりも広くなるようにしておくと、レジスト膜に凹凸パターンを転写した後のモールドの取り外しが容易になり、かつレジスト膜に欠けが生じにくくなるので望ましい。このようにすることによって、ディスク基板の記録面には、凸パターンの底面部が上面部よりも広く、凹パターンの底面部が上面部よりも狭くなっている凹凸パターンが形成される。
【００１９】
また、前述のレジスト膜に転写された凹凸パターンの凹部底のレジストを除去してディスク基板の記録面を露出させる工程を含む記録媒体製造方法では、凹部底のレジスト膜を除去した部分に記録層を有する記録媒体が得られる。この方法において、モールドの凹凸パターンにおける凹パターンの底面部を上面部よりも狭くし凸パターンの底面部を上面部よりも広くしておけば、レジスト膜の凹部底面を除去した部分に形成される凸形状の記録層は、底面部が上面部よりも狭い形にすることができる。
【００２０】
本発明によれば、底面又は上面の直径が５ナノメートル〜１００ナノメートルの円形断面を有する柱状構造、或いは底面又は上面の少なくとも１辺の長さが５ナノメートル〜１００ナノメートルの矩形断面を有する柱状構造、或いは底面又は上面の幅が５ナノメートル〜３００ナノメートルのトラック構造を有する凹凸パターンが容易に作製できる。この結果、３００ギガビット／平方インチ〜１０テラビット／平方インチの記録密度を有する記録媒体の作製が可能である。
【００２１】
以下、図２を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００２２】
シリコン基板等の表面に微小な凹パターンを有するモールド１を作製する。モールドは凹パターンの底面部が上面部よりも狭く加工された抜きテーパ構造である。ガラス等のディスク基板４上にレジスト膜８をスピンコート法で形成する（ａ）。図示しない加熱加圧機構を有するプレス装置を用い、微細な凹ターンを形成したモールド１とディスク基板４を所望の相対位置関係になるよう位置合わせを行った後、レジスト材のガラス転移温度以上の温度で、所定の圧力でレジスト膜８にモールド１を押し付ける（ｂ）。図示しないモールド剥離装置を用いてレジスト膜８に押し付けたモールド１を剥離し、レジストパターンを形成する。この状態ではレジスト膜８の凹部底にレジストベース層が残っている（ｃ）。レジストパターンをマスクとして利用するエッチング技術により、ディスク基板４上に微細な凸パターンを形成する（ｄ）。微細な凸パターンを加工したディスク基板上に、スパッタ技術等を用いて記録層例えば磁性層９を形成する。磁性層の表面に保護膜、潤滑膜を形成することで磁気記録媒体が作製される（ｅ）。
【００２３】
本発明では、レジスト材料は特に限定されていないが、基板表面の所望する微細加工精度が得られるものが好ましい。また、熱可塑性の樹脂のみでなく、光硬化性の樹脂を使用してもよい。好適な熱可塑性のレジスト材料には、主成分がシクロオレフィンポリマー、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート(ＰＥＴ)、ポリ乳酸、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリビニルアルコール等である熱可塑性樹脂がある。また、感光性物質を添加した光硬化性の材料がある。
【００２４】
本発明で使用されるモールドは転写されるべき微細な凹凸パターンを有するものであり、凹凸パターンを形成する方法は特に制限されない。例えばフォトリソグラフィ、集束イオンビームリソグラフィ或いは電子ビーム描画法等が所望する加工精度に応じて選択される。モールドの材料にはシリコン、ガラス、ニッケル、樹脂等が使用可能であり、強度と要求される加工性を有するものであればよい。
【００２５】
前述の実施形態の説明では、凹パターンを有するモールドを用いて凸パターンをディスク基板表面に加工したが、底面部が上面部よりも広い抜きテーパ構造の凸パターンを有するモールドを用いて凹パターンをディスク基板表面に加工してもよい。
【００２６】
また、ディスク基板に使用される材料も特に限定されないが、記録媒体用基板としての基準を満たすものが望ましい。例えばガラス、アルミニウム合金、樹脂等の各種材料を加工して使用することができる。
【００２７】
レジストパターンをマスクとして利用するエッチング技術も特に限定されない。所望の加工精度が得られる方法であれば良く、ドライエッチング技術、ウエットエッチング技術等が適用可能である。
【００２８】
記録層を形成する手段も特に限定されない。ディスク基板上に所望の厚みで均一に成膜できる方法であればよく、例えばスパッタ技術、真空蒸着技術或いは化学的気相成長技術等が適用可能である。
【実施例１】
【００２９】
図１に本実施例で使用したモールド１の平面図を示す。モールド１はシリコン基板で作製されており、厚さ７００マイクロメートル、直径１２５ｍｍの円盤である。シリコン基板は半導体デバイスに広く応用されているため入手しやすく、かつ半導体デバイスでの微細加工技術を利用できる利点がある。周知の電子線ビーム描画技術を利用することで、１００ナノメートル以下の微小凹凸パターン２をモールド１の表面に容易に加工できる。
【００３０】
モールド１の表面に形成される微小凹凸パターン２は、ディスク基板の中央穴と同芯円を成す幾周もの円周上に配列された。この凹凸パターン２は、まず電子線ビーム描画技術でレジストパターンを形成し、その後、レジストパターンをマスクとして利用して周知のドライエッチング技術によってモールド１上に凹部を形成することによって作製された。なお、レジストパターンの凹部の底面部が上面部よりも狭くなる抜きテーパ構造に加工したため、モールド１表面の凹凸パターン２は、Ａ−Ｂ断面を見て分かるように凹部底面が凹部上面よりも狭く加工された。ここで作製した凹凸パターン２は、凹部上面の直径が３５ナノメートル、凹部底面の直径が２０ナノメートル、深さが１００ナノメートルの円形断面を有する柱状構造を有しており、これがパターン中心間隔４０ナノメートルで並べられている。
【００３１】
被転写基板となるディスク基板には、厚さ０．８ミリメートル、外円の直径６５ミリメートル、中心穴の直径２０ミリメートルに加工された、記録媒体用に製造販売されているガラス基板を用いた。
【００３２】
微細な凹凸パターン２が形成されたモールド１を図２に示すようにディスク基板４の記録面に塗布されたレジスト膜８に押し付けてレジストパターンを形成する際、モールド１の凹凸パターンがディスク基板の中央穴と同芯円を成すように、ディスク基板４とモールド１の相対位置を精度よく一致させる必要がある。そこで、本発明で実施したアライメントマークの形成方法及びディスク基板とモールドとの位置合わせ方法を以下に説明する。
【００３３】
モールド１の表面には、凹凸パターン２と共に、ディスク基板４の外円周部近傍に相当する位置に、ディスク基板４の中央穴と同芯円をなし且つ直径の異なる複数の線によって構成されるアライメントマーク３を形成した。ディスク基板４の外円周部近傍に相当する位置にアライメントマークを形成するために、モールド１の表面積はディスク基板の表面積よりもやや大きくしておくことが望ましい。本実施例では、ディスク基板の外径が６４．９５ミリメートル〜６５．１ミリメートルの加工精度で作製されていたため、直径６４．９５ミリメートル〜６５．１ミリメートルの範囲内に０．００５ミリメートル間隔で３１本の線を設けてアライメントマークとした。アライメントマーク３の深さは凹凸パターン２と同程度の１００ナノメートルとした。また、線幅は２マイクロメートルに設定した。この線幅にすることで、後述するモールドとディスク基板との位置合わせ時に使用するカメラの倍率を、入手の容易な３０００倍に選ぶことができる。アライメントマーク３は、凹凸パターン２を形成するときと同様に、電子線ビーム描画技術とドライエッチング技術を利用してモールド１上に形成された。
【００３４】
アライメントマーク３は以下の手順によって、モールド１とディスク基板４の相対位置の調整時に用いられた。図３に、アライメントマーク３を利用して、モールド１とディスク基板４を位置合わせするときの概略図を示す。図３には、平面から見た状態と側面から見た状態を示した。
【００３５】
ディスク基板４には中央穴７が設けられており、また記録面には膜厚１００ナノメートルのレジスト膜８がスピンコート法で塗布されている。レジスト材には、ポリスチレンを主成分とする熱可塑性樹脂を用いた。ディスク基板４のレジスト塗布面を、凹凸パターン２とアライメントマーク３が加工されているモールド１の表面と向き合うように設定した。このとき、ディスク基板４を稼動ステージに保持し、モールド１を固定されたステージ上に保持した。
【００３６】
ディスク基板４の上部には、ディスク基板４の外円周のエッジと、モールド１上のアライメントマーク３を同時に観察できるように２台のカメラ５，６を設置した。カメラ５，６で観察される画像を利用して、始めにディスク基板４を大まかに動かしながら、複数の線で構成されるアライメントマーク３の中からディスク基板の外円周端に最も近い線を１つ選び出し、この線を基準線とした。次に、カメラ５で観察される基準線とディスク基板のエッジとの相対位置と、カメラ６で観察される基準線とディスク基板のエッジとの相対位置とが等しくなるようにディスク基板４の位置を微調整した。
【００３７】
アライメントマーク３を用いた位置合わせにより、偏芯量を１０マイクロメートル以下に抑えてモールド１の凹凸パターン２をレジスト膜８に転写できた。
【００３８】
位置合わせ終了後、ディスク基板４とモールド１との相対位置を維持したまま、図示しない加熱加圧機構を有するプレス機械を用いて、モールド１をレジスト材のガラス転移温度以上に加熱し、ディスク基板４をモールド１に押し付けた。ディスク基板４にモールド１が押し付けられた状態で、ディスク基板４を室温まで冷却した後、図示しない剥離装置を用いてディスク基板４からモールド１を引き剥がした。これにより、レジスト膜８には、凸部底面部の直径が３５ナノメートル、凸部上面部の直径が２５ナノメートル、高さ１００ナノメートルの円形断面を有する柱状構造がパターン中心間隔４０ナノメートルで並べられているレジストパターンが作製された。
【００３９】
このレジストパターンは、ドライエッチングを利用した加工プロセスでマスクとして利用された。ドライエッチングを用いた加工プロセスの終了後、ディスク基板上には凸部底面部の直径が３０ナノメートル、凸部上面部の直径が２０ナノメートル、高さ２０ナノメートルの円形断面を有する柱状構造がパターン中心間隔４０ナノメートルで並べられている微細な凹凸パターンが形成された。この凹凸パターンが形成されたディスク基板上に、スパッタ技術を用いて厚さが約５０ナノメートルの磁性層を形成した後、その磁性層を覆うように保護膜及び潤滑膜を形成した。以上により、凸部上の磁性層が記録ビットとして動作する、記録密度が約３００ギガビット／平方インチの磁気記録媒体を作製できた。
【００４０】
本実施例では、アライメントマーク３をディスク基板の中央穴７と同芯円を成す円状に作製したが、図４に示すように、ディスク基板の中央穴と同芯円を成す円周上の一部に作製することも出きる。ただし、その場合には、図４においてアライメントマークが対角位置を含む４箇所に設けられているように、複数の箇所にアライメントマークを設けることが望ましい。
【００４１】
また、直径６４．９５ミリメートル〜６５．１ミリメートルの範囲内に０．００５ミリメートル間隔で形成されている複数の円のうち、直径が６４．９５ミリメートル、６５ミリメートル、６５．０５ミリメートル、及び６５．１ミリメートルの計４つの円を点線等で描いてもよい。
【００４２】
本実施例では、アライメントマークをディスク基板の外径近傍に相当する位置に設けたが、ディスク基板の内径近傍即ち中央穴近傍に相当する位置に設けて、アライメントマークとディスク基板の中央穴のエッジとを一致させるようにしてもよい。例えば、中央穴の直径が２０ミリメートル〜２０．０５ミリメートルの加工精度で作製されている場合、直径が２０ミリメートル〜２０．５ミリメートルの範囲内に０．００５ミリメートル間隔で形成した１１本の線で構成したアライメントマークを設けてもよい。
【００４３】
本実施例では，モールド１の表面に形成した凹凸パターン２を、円形断面を有する抜きテーパ構造としたが、矩形断面を有する抜きテーパ構造或いは溝がトラック状に加工されたテーパ構造にしてもよい。
【００４４】
また、２つのカメラを用いて、アライメントマークとディスク基板のエッジとの相対位置を２箇所で観測したが、カメラを３台以上設置して３箇所以上で観測してもよい。
【００４５】
モールドとディスク基板との位置合わせにおいて、図５に示すように、モールド中央にディスク基板の中央穴と同じ径の穴１０を開けておき、そこに位置決め用支柱１１を通すようにすると、位置合わせが容易になる。図５は、中央に穴１０を有するモールドを使用して、ディスク基板とモールドの位置を合わせるときの概略図を示したものであり、平面から見た状態と側面から見た状態を示している。モールド中央の穴１０とディスク基板の中央穴７に、この２つの穴径よりも小さい径の位置決め用支柱１１を通して、ディスク基板とモールドの相対位置を大まかに決めた後、アライメントマークにより位置を調整することで、モールドとディスク基板との位置合わせを容易かつ精度よく行うことが可能になる。
【００４６】
また、図６に示すようにモールド中央にディスク基板の中央穴の径よりも小さい径の突起部１２を取り付けることによっても、図５の場合と同様に位置合わせを容易に行えるようになり、かつ精度を高めることができる。モールド中央に取り付けられた突起部１２をディスク基板の中央穴に通してディスク基板とモールドの相対位置を大まかに決めた後、アライメントマークを用いて位置を調整する。
【００４７】
本実施例では、ディスク基板４を稼動ステージに保持させたが、モールド１を稼動ステージに保持させるようにしてもよい。
【００４８】
なお、本実施例では磁気記録媒体を作製する場合について説明したが、光記録媒体の作製にも適用できる。
【実施例２】
【００４９】
図７に、本実施例で使用したモールド１を示す。このモールド１は、厚さ７００マイクロメートル、直径１２５ｍｍのシリコン基板で作製されている。まず、電子線ビーム描画技術でレジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクに用いて周知のドライエッチング技術によって、モールド１上に微小な凸部を形成した。この凸部は、ディスク基板４の中央穴７と同芯円を成す幾周もの円周上に配列された。なお、レジストパターンの凸部の底面部が上面部よりも広くなる抜きテーパ構造に加工したため、モールド１の表面の凸部は底面部が上面部よりも広く加工された。ここで作製した凹凸パターン２は、図７にＡ−Ｂ断面を示すように底面の直径が３５ナノメートル、上面の直径が２０ナノメートル、深さが１００ナノメートルの円形断面を有する柱状構造の凸部を有しており、これがパターン中心間隔４０ナノメートルで並べられている。
【００５０】
ディスク基板には厚さ０．８ミリメートル、外円の直径６５ミリメートル、中央穴７の直径２０ミリメートルに加工された、記録媒体用に製造販売されているガラス基板を用いた。
【００５１】
モールド１には実施例１のときと同様の方法でアライメントマークを形成した。モールド１とディスク基板４の位置合わせ方法、その後のディスク基板記録面に塗布されたレジスト膜への凹凸パターン転写方法は、実施例と同様の方法で行った。この方法により、レジスト膜８には、凹部底面部の直径が２５ナノメートル、凹部上面部の直径が３５ナノメートル、深さ１００ナノメートルの円形断面を有する穴がパターン中心間隔４０ナノメートルで並べられているレジストパターンが作製された。
【００５２】
図８は、ディスク基板４の記録面に塗布されたレジスト膜８に凹凸パターンが転写された状態から、ディスク基板記録面に記録層として磁性層を形成するまでの工程を示したものである。モールドに形成された凹凸パターンがディスク基板４に塗布されたレジスト膜８に転写された状態では、レジスト膜８の凹部底には厚さ１０ナノメートルのレジストベース層が残っている（ａ）。この状態からドライエッチングでレジストベース層のみを除去することで、凹部底にはディスク基板の記録面が現れた（ｂ）。この状態で、スパッタ技術を用いてレジストパターン及びディスク基板表面に厚さ５０ナノメートルの磁性層９を形成した（ｃ）。その後、残っているレジスト膜及びレジスト膜上に形成されている磁性層をリフトオフ技術で取り除いた（ｄ）。
【００５３】
以上の方法により、ディスク基板４の記録面には、底面部の直径が２０ナノメートル、上面部の直径が２５ナノメートル、高さ５０ナノメートルの円形断面を有する柱状構造の磁性層がパターン中心間隔４０ナノメートルで並べられている微細な凹凸パターンが形成された。磁性層及びディスク基板表面を覆うように保護膜および潤滑膜を形成して、ディスク基板上の凸部が記録ビットとして動作する、記録密度が約３００ギガビット／平方インチの磁気記録媒体を作製した。
【００５４】
なお、本実施例においても、実施例１のときに述べたように、モールドに中央穴を設けたもの或いは突起物を設けたものを使用する等、種々の変形が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明による記録媒体製造方法は、ナノインプリント技術を用いて高記録密度の磁気記録媒体或いは光記録媒体の製造する場合に極めて有効な方法である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施例で使用したモールドを平面から見た概略図である。
【図２】本発明による記録媒体製造方法の実施例を示す工程図である。
【図３】モールドとディスク基板を位置合わせする例を示す概略図である。
【図４】アライメントマークを有するモールドの他の例を示す平面図である。
【図５】中央に穴を有するモールドを使用してディスク基板と位置合わせする例を示す概略図である。
【図６】突起物があるモールドを使用してディスク基板と位置合わせする例を示す概略図である。
【図７】本発明の多の実施例で使用したモールドを平面から見た概略図である。
【図８】本発明の他の実施例による記録媒体製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００５７】
１…モールド、２…凹凸パターン、３…アライメントマーク、４…ディスク基板、５…カメラ、６…カメラ、７…中央穴、８…レジスト膜、９…磁性層、１０…穴、１１…位置決め用支柱、１２…突起部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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