(57)【要約】【課題】素子内蔵プリント配線板において、従来の方法より、抵抗値のばらつきが少なく、安価な抵抗素子を有する素子内蔵プリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に配線パターン５１ａ及び素子電極５１ｃを形成する工程と、素子電極５１ｃ上に開口部（抵抗体形成領域）４３ｂを有するレジストパターン４３ａを形成する工程と、開口部（抵抗体形成領域）４３ｂを含むレジストパターン４３ａ全面に抵抗層６１を形成する工程と、レジストパターン４３ａを剥離処理し、配線パターン５１ａの素子電極５１ｃ間に抵抗体６１ａを形成し、抵抗素子６０とする工程とを具備する受動素子内蔵プリント配線板の製造方法である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受動素子として、抵抗体と素子電極からなる抵抗素子を内蔵する多層プリント配線板の製造方法において、少なくとも以下の（ａ）〜（ｄ）の工程を具備することを特徴とする受動素子内蔵プリント配線板の製造方法。
（ａ）基板上に配線パターン及び素子電極を形成する工程。
（ｂ）開口部（抵抗体形成領域）を有するレジストパターンを形成する工程。
（ｃ）前記開口部（抵抗体形成領域）を含むレジストパターン全面に抵抗層を形成する工程。
（ｄ）前記レジストパターンを剥離処理し、前記配線パターンの前記素子電極間に抵抗体を形成し、抵抗素子とする工程。
【請求項２】
受動素子として、抵抗体と素子電極からなる抵抗素子を内蔵する多層プリント配線板の製造方法において、少なくとも以下の（ａ）〜（ｅ）の工程を具備することを特徴とする受動素子内蔵プリント配線板の製造方法。
（ａ）基板上に配線パターン及び素子電極を形成する工程。
（ｂ）前記基板上に抵抗層を形成する工程。
（ｃ）前記抵抗層上にレジストパターンを形成する工程。
（ｄ）前記レジストパターンをマスクにして前記抵抗層をエッチングし、除去する工程。（ｅ）前記レジストパターンを剥離処理し、前記配線パターンの前記素子電極間に抵抗体を形成し、抵抗素子とする工程。
【請求項３】
前記抵抗層はめっきにより形成されることを特徴とする請求項１または２記載の受動素子内蔵プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記抵抗層はニッケル・リン二元系合金またはニッケル・リン三元系合金であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の受動素子内蔵プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は受動素子が内蔵された各種電子機器のプリント配線板に係わり、さらに詳しくは素子定数が安定し、安価に製造できる受動素子（特に、抵抗素子）内蔵プリント配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やデジタルカメラなどの機器の小型化と軽量化が進むにつれて、部品の小型化や部品の間隔の削減といった従来の実装技術では対応が難しくなり、部品を内蔵したプリント配線基板製造技術への期待が高まっている。受動部品（キャパシタ、抵抗、インダクタ）は既存の部品を用いれば機器メーカーが必要とする特性を比較的容易に満たすことができるが、部品を内蔵した基板が厚くなってしまうという問題点がある。
小型、薄型の部品で十分に特性を満たすことができる材料の開発が急がれている。
【０００３】
プリント配線板に抵抗素子を形成する方法としては、銅箔上に金属薄膜で抵抗層を形成する方法、絶縁性基板上にめっきで形成する方法、導電性粒子を樹脂に混ぜて印刷・焼成する方法などがある。
抵抗値精度、形状、価格などから用途に応じて形成方法を選択していく必要がある。厚膜ポリマーを印刷する方法では、高抵抗なものを形成できるが、微細な寸法になると形成が困難であり、また温度や吸湿などによる抵抗値変化が大きく、高精度の抵抗素子を得るのが困難である。金属材料を用いた薄膜タイプは、厚膜タイプに比べ、抵抗値範囲が低抵抗に制約されるが、小さいサイズで高精度に形成できる。
【０００４】
また、携帯電話に代表されるモバイル機器においては、様々な環境で使用することが想定され、温度変化や湿度変化などに左右されない精度の高い素子であることが望まれる。
【０００５】
銅箔上に金属薄膜で抵抗層を形成する方法として、Ohmega ElectoronicsよりOhmega-Plyという方法が提案されている（例えば、特許文献1参照。）。
これは、銅箔上に電解ニッケル・リンめっきにより薄膜抵抗層を形成したものを絶縁材料に積層成形したもので、配線パターンの形成はサブトラクティブ法に限られる。この工法では素子を形成するまでに、抵抗体であるニッケル・リン皮膜をエッチング液にさらす工程が入るため、そのエッチングの状態によって抵抗値にばらつきが発生する問題がある。また、配線パターンの形成がセミアディティブ法でできないため、高密度配線の基板に用いるのは困難であるという問題も有している。
【特許文献１】米国特許４８０８９６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、素子内蔵プリント配線板において、従来の方法より、抵抗値のばらつきが少なく、安価な抵抗素子を有する素子内蔵プリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を達成するために、まず請求項１においては、受動素子として、抵抗体と素子電極からなる抵抗素子を内蔵する多層プリント配線板の製造方法において、少なくとも以下の（ａ）〜（ｄ）の工程を具備することを特徴とする受動素子内蔵プリント配線板の製造方法としたものである。
（ａ）基板上に配線パターン及び素子電極を形成する工程。
（ｂ）開口部（抵抗体形成領域）を有するレジストパターンを形成する工程。
（ｃ）前記開口部（抵抗体形成領域）を含むレジストパターン全面に抵抗層を形成する工程。
（ｄ）前記レジストパターンを剥離処理し、前記配線パターンの前記素子電極間に抵抗体を形成し、抵抗素子とする工程。
また、請求項２においては、受動素子として、抵抗体と素子電極からなる抵抗素子を内蔵する多層プリント配線板の製造方法において、少なくとも以下の（ａ）〜（ｅ）の工程を具備することを特徴とする受動素子内蔵プリント配線板の製造方法としたものである。
（ａ）基板上に配線パターン及び素子電極を形成する工程。
（ｂ）前記基板上に抵抗層を形成する工程。
（ｃ）前記抵抗層上にレジストパターンを形成する工程。
（ｄ）前記レジストパターンをマスクにして前記抵抗層をエッチングし、除去する工程。（ｅ）前記レジストパターンを剥離処理し、前記配線パターンの前記素子電極間に抵抗体を形成し、抵抗素子とする工程。
【０００８】
また、請求項３においては、前記抵抗層はめっきにより形成されることを特徴とする請求項１または２記載の受動素子内蔵プリント配線板の製造方法としたものである。
【０００９】
さらにまた、請求項４においては、前記抵抗層はニッケル・リン二元系合金またはニッケル・リン三元系合金であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の受動素子内蔵プリント配線板の製造方法としたものである。
【００１０】
本願の受動素子内蔵プリント配線板の製造方法では、配線パターンを形成した後に、抵抗層をめっきで全面に形成し、不要部を取り除く製造方法である。そのため、めっき膜の酸化や腐食を起こすような工程を通さずにすみ、抵抗体形状や膜厚、つまりは抵抗値の変動を抑えることができる。また、抵抗層を無電解めっきにて全面に形成するため、抵抗素子の面積によるめっき厚みのばらつきを抑えることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、配線パターンを形成した後、抵抗素子をめっきによって絶縁性基板上の配線パターン間に形成するので、抵抗層の酸化や腐食を起こすような工程を通さずにすむため、抵抗値の変動を抑えることができる。
また、めっきにて抵抗層を全面に形成するため、抵抗素子の面積によるめっき厚みばらつき、つまり抵抗値の変動を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１（ａ）〜（ｅ）及び図２（ｆ）〜（ｊ）は、請求項1に係わる受動素子内蔵配線基板の製造方法の一実施例を示す模式構成断面図である。
まず、絶縁基材１１の両面に配線パターン２１ａ、２１ｂを形成し、両面配線板１０を作製する（図１（ａ）参照）。
配線パターンの形成方法は、サブトラクティブ法、めっきによるセミアディティブ法やフルアディティブ法のいずれでもかまわない。
【００１３】
次に、両面配線板１０の両面に樹脂フィルムを積層、加熱する等の方法で絶縁層３１を形成する（図１（ｂ）参照）。
次に、レーザー加工等により孔明け加工して、絶縁層３１の所定位置にビア用孔３２を形成する（図１（ｃ）参照）。
【００１４】
次に、ビア用孔３２内のデスミア処理及び活性化処理を行って、無電解銅めっき等により絶縁層３１上及びビア用孔３２内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する。さらに、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４１及び４２を形成する（図１（ｄ）参照）。
【００１５】
次に、めっき下地導電層をカソードにして電解銅めっきを行って、所定厚の導体層５１及びビア５２を形成する（図１（ｅ）参照）。
【００１６】
次に、レジストパターン４１及び４２を専用の剥離液で剥離し、レジストパターン４１及び４２の下部にあっためっき下地導電層をフラッシュエッチングにて除去して、一方の面に配線パターン５１ａ及び素子電極５１ｃを、他方の面にパッド電極５１ｂを形成する（図２（ｆ）参照）。
ここで、配線パターン５１ａの先端部の抵抗体形成領域を素子電極５１ｃと呼ぶ。
【００１７】
次に、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層４３を形成する（図２（ｇ）参照）。
さらに、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、感光層４３の所定位置に開口部（抵抗体形成領域）４３ｂが形成されたレジストパターン４３ａ及びレジスト４３ｃを形成する（図２（ｈ）参照）。
【００１８】
次に、レジストパターン４３ａ上及び開口部（抵抗体形成領域）４３ｂ内を活性化処理し、無電解めっきにてレジストパターン４３ａ上及び開口部（抵抗体形成領域）４３ｂ内にニッケル・リン二元系合金またはニッケル・リン三元系合金被膜からなる抵抗層６１を形成する（図２（ｉ）参照）。
【００１９】
次に、レジストパターン４３ａ及び４３ｃを専用の剥離液で剥離し、配線パターン５１ａの先端部の素子電極５１ｃ間に抵抗体６１ａが形成された抵抗素子６０を作製し、配線基板の一方の面に配線パターン５１ａ及び抵抗素子６０が、他方の面にパッド電極５１ｂが形成された４層の受動素子内蔵配線基板１００を得る（図２（ｊ）参照）。
ここでは、受動素子内蔵配線基板の一例として、４層の多層配線基板を例にして説明したが、配線基板の配線パターンの層数に限定されるものではない。
【００２０】
図３（ａ）〜（ｅ）及び図４（ｆ）〜（ｊ）は、請求項２に係わる受動素子内蔵配線基板の製造方法の一実施例を示す模式構成断面図である。
まず、絶縁基材１１の両面に配線パターン２１ａ、２１ｂを形成し、両面配線板１０を作製する（図３（ａ）参照）。
配線パターンの形成方法は、サブトラクティブ法、めっきによるセミアディティブ法やフルアディティブ法のいずれでもかまわない。
【００２１】
次に、両面配線板１０の両面に樹脂フィルムを積層、加熱する等の方法で絶縁層３１を形成する（図３（ｂ）参照）。
次に、レーザー加工等により孔明け加工して、絶縁層３１の所定位置にビア用孔３２を形成する（図３（ｃ）参照）。
【００２２】
次に、ビア用孔３２内のデスミア処理及び活性化処理を行って、無電解銅めっき等により絶縁層３１上及びビア用孔３２内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する。さらに、ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４１及び４２を形成する（図３（ｄ）参照）。
【００２３】
次に、めっき下地導電層をカソードにして電解銅めっきを行って、所定厚の導体層５１及びビア５２を形成する（図３（ｅ）参照）。
次に、レジストパターン４１及び４２を専用の剥離液で剥離し、レジストパターン４１及び４２の下部にあっためっき下地導電層をフラッシュエッチングにて除去して、一方の面に配線パターン５１ａ及び素子電極５１ｃを、他方の面にパッド電極５１ｂを形成する（図４（ｆ）参照）。
ここで、配線パターン５１ａの先端部の抵抗体形成領域を素子電極５１ｃと呼ぶ。
【００２４】
次に、配線パターン５１ａ及び絶縁層３１上への触媒付与、活性化処理を行って、無電解めっきにて配線パターン５１ａ及び絶縁層３１上にニッケル・リン二元系合金またはニッケル・リン三元系合金被膜からなる抵抗層６２を形成する（図４（ｇ）参照）。
【００２５】
次に、抵抗層６２上にドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層４５を形成し（図４（ｈ）参照）、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４５ａを形成する（図４（ｉ）参照）。
【００２６】
次に、レジストパターン４５ａをマスクにして、抵抗層６２をエッチングで除去する。抵抗層６２のエッチング液はレジストパターン４５ａが耐えるように、酸性系のニッケルエッチング液が望ましい。
さらに、レジストパターン４５ａ及びレジスト４４を専用の剥離液で剥離処理して、配線パターン５１ａの先端部の素子電極５１ｃ間に抵抗体６２ａが形成された抵抗素子６０を作製し、配線基板の一方の面に配線パターン５１ａ及び抵抗素子６０が、他方の面にパッド電極５１ｂが形成された４層の受動素子内蔵配線基板２００を得る（図２（ｊ）参照）。
ここでは、受動素子内蔵配線基板の一例として、４層の多層配線基板を例にして説明したが、配線基板の配線パターンの層数に限定されるものではない。
【実施例１】
【００２７】
まず、厚さ０．４ｍｍ厚のＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁基材１１の両面に１８μｍ厚の銅箔を積層した両面銅張り積層板を用い、銅箔表面を１５０ｇ／Ｌの過硫酸アンモニウム水溶液と１０vol％の硫酸水溶液で処理し、水洗、乾燥を行った。次に、ネガ型ドライフィルムレジスト（ＲＹ−３２１５：日立化成工業製）をラミネートして感光層を形成し、フォトマスクにてパターン露光を行い、３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液からなる現像液を用いて現像処理してレジストパターンを形成した。さらに、レジストパターンをマスクにして銅箔を塩化第二鉄液(45℃、比重1.4)にてエッチングし、レジストパターンを剥離液(３％水酸化ナトリウム水溶液、４０℃)にて剥離し、配線パターン２１ａ及び２１ｂを形成し、両面配線板１０を作製した（図１（ａ）参照）。
【００２８】
次に、両面配線板１０の両面にエポキシ系の絶縁樹脂シートを真空加圧ラミネートし、絶縁層３１を形成した（図１（ｂ）参照）。
次に、レーザー加工により孔明け加工して、絶縁層３１の所定位置にビア用孔３２を形成し、ビア用孔３２内のデスミア処理及び活性化処理を行って、無電解銅めっきにより絶縁層３１上及びビア用孔３２内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成した（図１（ｃ）参照）。
【００２９】
次に、ネガ型ドライフィルムレジスト（ＲＹ−３２１５：日立化成工業製）をラミネートして感光層を形成し、フォトマスクを通してパターン露光を行い、３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液からなる現像液を用いて現像処理してレジストパターン４１及び４２を形成した（図１（ｄ）参照）。
【００３０】
次に、めっき下地導電層をカソードにして、電解銅めっきを行って、１５μｍ厚の導体層５１及びビア５２を形成した（図１（ｅ）参照）。
【００３１】
次に、レジストパターン４１及び４２を専用の剥離液で剥離し、レジストパターン４１及び４２の下部にあっためっき下地導電層をフラッシュエッチングにて除去して、一方の面に配線パターン５１ａ及び素子電極５１ｃを、他方の面にパッド電極５１ｂを形成した（図２（ｆ）参照）。
【００３２】
次に、ネガ型ドライフィルムレジスト（ＲＹ−３２１５：日立化成工業製）をラミネートして感光層４３を形成した（図２（ｇ）参照）。
さらに、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、感光層４３の所定位置に開口部（抵抗体形成領域）４３ｂが形成されたレジストパターン４３ａ及びレジスト４３ｃを形成した（図２（ｈ）参照）。
【００３３】
次に、レジストパターン４３ａ上及び開口部（抵抗体形成領域）４３ｂ内をＰｄ-Ｓｎコロイド溶液（ＯＰＣ８０キャタリスト：奥野製薬工業製）でＰｄ触媒を付与し、活性化剤（ＯＰＣ５５５アクセレーターＭ：奥野製薬工業製）を用いて活性化処理した。さらに、無電解ニッケル・リン合金めっき液（トップニコロンＮＡＣ：奥野製薬工業製）にてレジストパターン４３ａ上及び開口部（抵抗体形成領域）４３ｂ内に無電解めっきして、０．３μｍ厚のニッケル・リン二元系合金被膜からなる抵抗層６１を形成した（図２（ｉ）参照）。
【００３４】
次に、レジストパターン４３ａ及び４３ｃを４０℃に加熱した３％水酸化ナトリウム水溶液で剥離し、配線パターン５１ａの先端部の素子電極５１ｃ間に抵抗体６１ａが形成された抵抗素子６０を作製し、配線基板の一方の面に配線パターン５１ａ及び抵抗素子６０が、他方の面にパッド電極５１ｂが形成された４層の受動素子内蔵配線基板１００を得た（図２（ｊ）参照）。
【実施例２】
【００３５】
まず、厚さ０．４ｍｍ厚のＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁基材１１の両面に１８μｍ厚の銅箔を積層した両面銅張り積層板を用い、銅箔表面を１５０ｇ／Ｌの過硫酸アンモニウム水溶液と１０vol％の硫酸水溶液で処理し、水洗、乾燥を行った。次に、ネガ型ドライフィルムレジスト（ＲＹ−３２１５：日立化成工業製）をラミネートして感光層を形成し、フォトマスクにてパターン露光を行い、３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液からなる現像液を用いて現像処理してレジストパターンを形成した。さらに、レジストパターンをマスクにして銅箔を塩化第二鉄液(45℃、比重1.4)にてエッチングし、レジストパターンを剥離液(３％水酸化ナトリウム水溶液、４０℃)にて剥離し、配線パターン２１ａ及び２１ｂを形成し、両面配線板１０を作製した（図３（ａ）参照）。
【００３６】
次に、両面配線板１０の両面にエポキシ系の絶縁樹脂シートを真空加圧ラミネートし、絶縁層３１を形成した（図３（ｂ）参照）。
次に、レーザー加工により孔明け加工して、絶縁層３１の所定位置にビア用孔３２を形成し、ビア用孔３２内のデスミア処理及び活性化処理を行って、無電解銅めっきにより絶縁層３１上及びビア用孔３２内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成した（図３（ｃ）参照）。
【００３７】
次に、ネガ型ドライフィルムレジスト（ＲＹ−３２１５：日立化成工業製）をラミネートして感光層を形成し、フォトマスクを通してパターン露光を行い、３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液からなる現像液を用いて現像処理してレジストパターン４１及び４２を形
成した（図３（ｄ）参照）。
【００３８】
次に、めっき下地導電層をカソードにして、電解銅めっきを行って、１５μｍ厚の導体層５１及びビア５２を形成した（図３（ｅ）参照）。
【００３９】
次に、レジストパターン４１及び４２を専用の剥離液で剥離し、レジストパターン４１及び４２の下部にあっためっき下地導電層をフラッシュエッチングにて除去して、一方の面に配線パターン５１ａ及び素子電極５１ｃを、他方の面にパッド電極５１ｂを形成した（図４（ｆ）参照）。
【００４０】
次に、配線パターン５１ａ及び絶縁層３１上をンディショニングクリーナー（ＯＰＣ−３８０コンディクリーンＭ：奥野製薬工業製）で洗浄し、Ｐｄ-Ｓｎコロイド溶液（ＯＰＣ−８０キャタリスト：奥野製薬工業製）でＰｄ触媒を付与し、活性化剤（ＯＰＣ−５５５アクセレーターＭ：奥野製薬工業製）を用いて活性化処理した。
さらに、無電解ニッケル・リン合金めっき液（トップニコロンＮＡＣ：奥野製薬工業製）にて配線パターン５１ａ及び絶縁層３１上に無電解めっきして、０．３μｍ厚のニッケル・リン二元系合金被膜からなる抵抗層６２を形成した（図４（ｇ）参照）。
【００４１】
次に、抵抗層６２上にネガ型ドライフィルムレジスト（ＲＹ−３２１５：日立化成工業製）をラミネートして感光層４５を形成した（図４（ｈ）参照）。
さらに、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４５ａを形成した（図２（ｈ）参照）。
【００４２】
次に、レジストパターン４５ａをマスクにして、抵抗層６２を酸性系のニッケルエッチング液にてエッチングした。
さらに、レジストパターン４５ａ及びレジスト４４を４０℃に加熱した３％水酸化ナトリウム水溶液で剥離処理して、配線パターン５１ａの先端部の素子電極５１ｃ間に抵抗体６２ａが形成された抵抗素子６０を作製し、配線基板の一方の面に配線パターン５１ａ及び抵抗素子６０が、他方の面にパッド電極５１ｂが形成された４層の受動素子内蔵配線基板２００を得た（図２（ｊ）参照）。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、受動素子内蔵配線基板１００の本発明の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図２】（ｆ）〜（ｊ）は、受動素子内蔵配線基板１００の本発明の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、受動素子内蔵配線基板２００の本発明の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図４】（ｆ）〜（ｊ）は、受動素子内蔵配線基板２００の本発明の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０……両面配線基板
１１……絶縁基材
２１ａ、２１ｂ……配線パターン
３１……絶縁層
３２……ビア用孔
４１、４２、４３ａ、４５ａ……レジストパターン
４３……感光層
４３ｂ……開口部（抵抗体形成領域）
４３ｃ、４４……レジスト
５１……導体層
５２……ビア
５１ａ……配線パターン
５１ｂ……パッド電極
５１ｃ……素子電極
６０……抵抗素子
６１、６２……抵抗層
６１ａ、６２ａ……抵抗体
１００、２００……受動素子内蔵配線基板
【図１】
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【図２】
2006165083.tif 000004
【図３】
2006165083.tif 000005
【図４】
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