(57)【要約】【課題】  エキスパンドブレイクによる分割の際に、基材に設定された全ての切断予定線を残すこと無く切断して分割残りを防止することが可能な基材の分割方法、及び、液体噴射ヘッドを提供する。【解決手段】  シリコンウェハーの表面３７に切断予定線Ｌ１を設定し、該切断予定線に沿って貫通孔４０を複数開設して隣り合う貫通孔４０の間を脆弱部４８とし、シリコンウェハーの外側に位置する切断予定線ほど、内側に位置する切断予定線よりも脆弱部４８の切断予定線方向の幅Ｗを短くし、エキスパンドブレイクの際に、外側の切断予定線Ｌ１から優先的に切断されていくようにした。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面に切断予定線を設定し、該切断予定線に沿って貫通孔を複数開設して隣り合う貫通孔の間を脆弱部とし、該脆弱部を破断することで切断予定線に沿って前記基材を切断して複数のパーツに分割する基材の分割方法であって、
前記基材の外側に位置する切断予定線ほど、内側に位置する切断予定線よりも脆弱部の切断予定線方向の幅を短くしたことを特徴とする基材の分割方法。
【請求項２】
切断予定線における外側の脆弱部の幅を、当該切断予定線の中心側の脆弱部の幅よりも短くしたことを特徴とする請求項１に記載の基材の分割方法。
【請求項３】
前記切断予定線において、他の切断予定線との交点を境にして脆弱部の幅を異ならせたことを特徴とする請求項２に記載の基材の分割方法。
【請求項４】
液体を吐出するノズル開口に通ずる圧力発生室又は共通液体室の少なくとも一方の液体流路となる部分が形成された流路形成部材が、請求項１から請求項３の何れかに記載の基材の分割方法で分割して得られたパーツにより構成されていることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばシリコンウェハー等の基材に切断予定線を設定し、この切断予定線に沿って基材を切断して複数のパーツに分割する基材の分割方法、及び、この基材を利用した液体噴射ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、インクジェット記録ヘッド（以下、単に記録ヘッドという）を代表とする液体噴射ヘッドの構成部材などは、加工密度や加工精度の向上が要求される。そのため、これらの基材としては、エッチングによって微細な形状を寸法精度良く形成可能な、シリコン等が好適に用いられる。
【０００３】
上記記録ヘッドの場合を例に挙げると、基材としての略円形状のシリコンウェハー上に、切断予定線を縦横に設定することで構成部材（パーツ）となる領域を複数区画し、切断予定線上にエッチングによって複数の小さな貫通孔を開設してブレイクパターンを形成する。このブレイクパターンにおける隣り合う貫通孔同士を隔てる部分が脆弱部となり、この脆弱部を破断することでシリコンウェハーを切断予定線に沿って切断し、複数のパーツに分割する。シリコンウェハーを分割する方法としては、伸張性を有するシート部材（ダイシングテープ）をシリコンウェハーの表面に貼着し、このシート部材をシリコンウェハーの面方向に放射状に伸張させることでブレイクパターンで切断させる所謂エキスパンドブレイクという方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】実開平５−１１４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記エキスパンドブレイクにおけるシート部材では、シリコンウェハーに密着していない部分が主に伸張し、シリコンウェハーと密着している部分の伸張は少ない。そのため、例えば、シリコンウェハーに設定された切断予定線のうち、シリコンウェハーの内側（中心寄り）の切断予定線が、外側のものよりも先に切断されてしまうと、その後シート部材を伸張させても、切断部分に対応する部分ばかりが伸張してしまい、切断された部分よりも外側の切断予定線にはシート部材の張力が殆ど作用しなくなる。その結果、この外側の切断予定線が切断されず、シリコンウェハーに分割されない部分が生じてしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、エキスパンドブレイクによる分割の際に、基材に設定された全ての切断予定線に沿って、より確実に切断して分割残りを防止することが可能な基材の分割方法、及び、液体噴射ヘッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基材の分割方法は、上記目的を達成するために提案されたものであり、基材の表面に切断予定線を設定し、該切断予定線に沿って貫通孔を複数開設して隣り合う貫通孔の間を脆弱部とし、該脆弱部を破断することで切断予定線に沿って前記基材を切断して複数のパーツに分割する基材の分割方法であって、
前記基材の外側に位置する切断予定線ほど、内側に位置する切断予定線よりも脆弱部の切断予定線方向の幅を短くしたことを特徴とする。
【０００８】
上記構成によれば、より外側の切断予定線ほど、より切断され易くなるので、エキスパンドブレイクによる分割の際に、外側の切断予定線から優先的に切断されるようにすることができる。そのため、内側の切断予定線が外側の切断予定線よりも先に切断されてこの外側の切断予定線が切断されないといった不具合を防止することができ、その結果、基材をより確実に分割することが可能となる。
【０００９】
上記構成において、切断予定線における外側の脆弱部の幅を、当該切断予定線の中心側の脆弱部の幅よりも短くすることが望ましい。
【００１０】
この構成によれば、切断予定線において、より外側の脆弱部ほど脆弱になるので、エキスパンドブレイクによる分割の際に、外側の脆弱部から順次破断されるようにすることができる。これにより、比較的長い切断予定線でも、先に外側の脆弱部を破断させることで、その後は内側の脆弱部に応力を集中させることができ、同一長さの切断予定線を一遍に切断するより場合よりも確実に切断させることが可能となる。
【００１１】
上記構成において、他の切断予定線との交点を境にして脆弱部の幅を異ならせるのが望ましい。
【００１２】
また、本発明の液体噴射ヘッドは、液体を吐出するノズル開口に通ずる圧力発生室又は共通液体室の少なくとも一方の液体流路となる部分が形成された流路形成部材が、上記の何れかの構成の分割方法で分割して得られたパーツにより構成されていることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、添付図面等を参照して説明する。なお、以下に述べる実施の形態では、本発明の好適な具体例として種々の限定がされているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。また、以下の説明は、本発明の液体噴射ヘッドとして、インクジェット式記録装置（液体噴射装置の一種。以下、単にプリンタという）に搭載されるインクジェット式記録ヘッド（以下、単に記録ヘッドという）を例に挙げて行う。
【００１４】
図１は、本実施形態における記録ヘッド１の概略斜視図、図２は、記録ヘッド１の要部断面図である。例示した記録ヘッド１は、カートリッジ基台２（以下、「基台」という）、駆動用基板５、ケース１０、流路ユニット１１、及び、アクチュエータユニット１３を主な構成要素としている。基台２は、例えば、エポキシ系樹脂等の合成樹脂によって成型されており、その上面にはフィルタ３を介在させた状態でインク導入針４が複数取り付けられている。これらのインク導入針４には、インクを貯留したインクカートリッジ（図示せず）が装着されるようになっている。
【００１５】
駆動用基板５は、図示せぬプリンタ本体側からの駆動信号を圧電振動子１９へ供給するための配線パターンが形成されると共に、プリンタ本体側との接続のためのコネクタ６や抵抗やコンデンサ等の電子部品８等を実装している。コネクタ６にはＦＦＣ（フレキシブルフラットケーブル）等の配線部材が接続され、駆動用基板５は、このＦＦＣを介してプリンタ本体側から駆動信号を受けるようになっている。そして、この駆動用基板５は、パッキンとして機能するシート７を介在させた状態で、インク導入針４とは反対側の基台２の底面側に配置される。
【００１６】
ケース１０は、合成樹脂製の中空箱体状部材であり、先端面（下面）には流路ユニット１１を接合し、内部に形成された収容空部１２内にはアクチュエータユニット１３を収容し、流路ユニット１１側とは反対側の基板取付面１４には駆動用基板５を取り付けるようになっている。また、このケース１０の先端面側には、金属製の薄板部材によって作製されたヘッドカバー１６が、流路ユニット１１の外側からその周縁部を包囲するように取り付けられる。このヘッドカバー１６は、流路ユニット１１やケース１０を保護すると共に、流路ユニット１１のノズルプレート２５を接地電位に調整し、記録紙等から発生する静電気によるノイズ等の障害を防止する機能を果たす。
【００１７】
上記アクチュエータユニット１３は、櫛歯状に列設された複数の圧電振動子１９（圧力発生素子の一種）と、この圧電振動子１９が接合される固定板２０と、駆動用基板５からの駆動信号を圧電振動子１９に伝達するための、ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）等の配線部材２１等から構成される。各圧電振動子１９は、固定端部側が固定板２０上に接合され、自由端部側が固定板２０の先端面よりも外側に突出している。即ち、各圧電振動子１９は、所謂片持ち梁の状態で固定板２０上に取り付けられている。また、各圧電振動子１９を支持する固定板２０は、例えば厚さ１ｍｍ程度のステンレス鋼によって構成されている。そして、アクチュエータユニット１３は、固定板２０の背面を、収納空部１２を区画するケース内壁面に接着することで収納空部１２内に収納・固定されている。
【００１８】
流路ユニット１１は、弾性板２３、流路形成基板２４（本発明における流路形成部材に相当）、及びノズルプレート２５を積層した状態で接着剤等で接合して一体化することにより作製されており、共通インク室２７（本発明における共通液体室に相当）からインク供給口２８及び圧力発生室２９を通り、インクが吐出されるノズル開口３０に至るまでの一連のインク流路（本発明における液体流路に相当）が形成された部材である。流路形成基板２４は、インク流路となる部分、具体的には、共通インク室２７となる空部、インク供給口２８となる溝部、及び、ノズル開口３０に通ずる圧力発生室２９となる空部を隔壁で区画した状態で、ノズルプレート２５に開設されたノズル開口３０に対応させて複数形成した板状の部材である。本実施形態において、流路形成基板２４は、基材であるシリコンウェハーをエッチング処理することによって作製されている。
【００１９】
上記の圧力発生室２９は、ノズル開口３０の列設方向（ノズル列方向）に対して直交する方向に細長い室として形成されている。また、共通インク室２７は、インクカートリッジに挿入されたインク導入針４側からのインクが導入される室である。そして、この共通インク室２７に導入されたインクは、インク供給口２８を通じて各圧力発生室２９に供給される。弾性板２３は、ステンレス鋼等の金属製の支持板上に弾性フィルムをラミネート加工した二重構造の複合板材である。この弾性板２３の圧力発生室２９に対応する部分には、圧電振動子１９の自由端部の先端を接合するための島部３２が形成されており、この部分がダイヤフラム部として機能する。また、弾性板２３は、共通インク室２７となる空部の一方の開口面を封止し、コンプライアンス部３３としても機能する。このコンプライアンス部３３に相当する部分については弾性フィルムだけにしている。
【００２０】
そして、この記録ヘッド１において、上記駆動用基板５から配線部材２１を通じて駆動信号が供給されると、圧電振動子１９が素子長手方向に伸縮し、これに伴い島部３２が圧力発生室２９に近接する方向或いは離隔する方向に移動する。これにより、圧力発生室２９の容積が変化し、圧力発生室２９内のインクに圧力変動が生じる。この圧力変動によってノズル開口３０からインク滴（液滴の一種）が吐出される。
【００２１】
図３は、上記流路形成基板２４の基材となるシリコンウェハー３５の平面図である。このシリコンウェハー３５は、表面３７が結晶方位面（１１０）面に設定され、厚さが流路形成基板２４の厚さに等しい４００μｍに設定されたシリコン単結晶基板である。このシリコンウェハー３５の表面３７上に、流路形成基板２４となる基板領域２４´を複数（本実施形態では１０箇所）区画し、各領域２４´に上記インク流路となる部分をエッチングによって形成する。また、同じくエッチングによって細長く小さな貫通孔４０（図４参照）を横方向の切断予定線Ｌ１上に複数穿設してブレイクパターンが形成されている。また、この切断予定線Ｌ１に直交する縦方向の切断予定線Ｌ２上にも、同様にして貫通孔を複数列設することでブレイクパターンが形成されている。
【００２２】
図３における切断予定線Ｌ１は、（１１０）面上であって、この（１１０）面に直交する第１の（１１１）面の面方向に設定されている。この切断予定線Ｌ１は、本実施形態においては、シリコンウェハー３５における最も外側に位置する第１切断予定線Ｌ１ａ、この第１切断予定線Ｌ１ａに対して平行且つ１つ内側（シリコンウェハー３５の中心Ｃ寄り）に位置する第２切断予定線Ｌ１ｂ、及び、最も内側、即ち、シリコンウェハー３５の中心Ｃを通り、切断予定線Ｌ１ａ，Ｌ１ｂに平行な第３切断予定線Ｌ１ｃから構成されている。また、縦方向の切断予定線Ｌ２は、第１の（１１１）面に垂直な軸方向に設定されている。なお、第１の（１１１）面は、エッチング処理における基準面となるオリエンテーションフラット（所謂オリフラ）ＯＦを構成している。
【００２３】
図４は、シリコンウェハー３５における切断予定線Ｌ１上に形成されたブレイクパターンの構成を説明する一部拡大図である。なお、同図では、切断予定線Ｌ１のうち、第２切断予定線Ｌ１ｂの場合を例示している。
本実施形態においては、ブレイクパターンの周囲を、シリコンウェハー３５の厚さ方向の途中までエッチング（所謂ハーフエッチング）することで、他の部分よりも薄い薄肉部４１を設けている。そして、切断予定線Ｌ１において隣り合う貫通孔４０同士を隔てる部分が脆弱部４８となり、この脆弱部４８と貫通孔４０とを交互に複数配置してブレイクパターンが構成されている。このブレイクパターンにおける貫通孔４０は、第１の（１１１）面４２を長辺とし、該第１の（１１１）面４２に交差すると共に（１１０）面に直交する第２の（１１１）面４３を短辺とした、細長い平行四辺形状に形成されている。上記第２の（１１１）面４３は、第１の（１１１）面４２に対して（１１０）面（表面３７）上で約７０°の角度で交差する。なお、この貫通孔４０の形状は一例であって、例示したものには限定されない。
【００２４】
そして、このようなブレイクパターンが形成されたシリコンウェハー３５に外力を加えると、脆弱部４８が破断する。これによりシリコンウェハー３５は、切断予定線に沿って切断され、個々のパーツ、即ち、流路形成基板２４に分割されるようになっている。本実施形態では、シリコンウェハー３５を分割する方法としては、伸張性を有するシート部材（ダイシングテープ）を分割前のシリコンウェハー３５の表面に貼着し、このシート部材をシリコンウェハー３５の面方向に放射状に伸張させることでブレイクパターンを破断させる所謂エキスパンドブレイクが採用されている。
【００２５】
ところで、上記エキスパンドブレイクによってシリコンウェハー３５を分割する際、例えば、各切断予定線Ｌ１ａ〜Ｌ１ｃのうちの第２切断予定線Ｌ１ｂが、これよりも外側の第１切断予定線Ｌ１ａよりも先に切断されてしまうと、その後シート部材をいくら伸張させても、切断部分に対応する部分ばかりが伸びてしまう。その結果、第１切断予定線Ｌ１ａにはシート部材の張力が作用し難くなり、この第１切断予定線Ｌ１ａが切断できなくなるという問題が生じる。
【００２６】
そこで、上記シリコンウェハー３５の外側に位置する切断予定線ほど、内側の切断予定線よりも脆弱部４８の切断予定線方向の幅Ｗ（図４参照）を短く設定することで、外側の切断予定線ほど脆弱にし、エキスパンドブレイクの際に、外側の切断予定線から優先的に切断されるようにしている。そして、本実施形態においては、貫通孔４０の形状を工夫することで脆弱部４８の幅を調整するようにしている。具体的には、シリコンウェハー３５の表面３７、つまり（１１０）面をエッチングによって浸食させると、この（１１０）面に対して傾斜した第３の（１１１）面４４が出現するが、この第３の（１１１）面４４を利用して脆弱部４８の幅を調整する。以下、この点について、より詳細に説明する。なお、以下では、横方向の切断予定線Ｌ１を例に挙げて説明するが、縦方向の切断予定線Ｌ２についても本発明を適用することができる。
【００２７】
図５（ａ）〜（ｅ）は、第２切断予定線Ｌ１ｂにおける貫通孔４０の形成過程を説明する状態遷移図、図６（ａ）〜（ｅ）は、図５の各状態におけるＡ−Ａ´線断面図である。切断予定線に沿って貫通孔４０を開設してブレイクパターンを作製するためには、まず、熱酸化処理によって、シリコンウェハー３５の表面３７（表側と裏側の（１１０）面）に、厚さ１μｍ〜２μｍ程度のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）４９（以下、単に酸化膜４９という。）を形成する。酸化膜４９を形成する方法としては、例示したものには限らず、他の方法、例えば、ＣＶＤ（化学蒸着法）やイオン注入法などを採用することもできる。また、シリコン酸化膜には限らず、ホウ素やガリウム原子を添加した所謂ｐ型シリコン膜や、ヒ素やアンチモン原子を添加したｎ型シリコン膜などを形成しても良い。
【００２８】
その後、樹脂レジストを用いて、貫通孔４０に対応する部分が開口したレジストパターンを設け、フッ化水素酸（所謂フッ酸）水溶液などのエッチング溶液によって、開口部に露出した酸化膜４９を除去することで、図５（ａ）、図６（ａ）に示すように、エッチングに対するマスクパターンを形成する。
【００２９】
酸化膜４９によるマスクパターンを形成したならば、例えば、温度７８℃、濃度２０重量％に調整された水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液からなるエッチング溶液を用いて、シリコンウェハー３５の表面３７（表側と裏側の（１１０）面）を異方性エッチングする（第１エッチング工程）。この第１エッチング工程を開始すると、図５（ｂ）、図６（ｂ）に示すように、表面３７（（１１０）面）に対して約３０度傾斜した第３の（１１１）面４４が出現する。エッチングの浸食は、この第３の（１１１）面４４に垂直な方向に、表側と裏側から同時に進行していき、しばらくするとシリコンウェハー３５の厚さ方向を貫通する（図５（ｃ）、図６（ｃ））。本実施形態において、この第１エッチング工程は、１６０〜１８０分程度行われる。
【００３０】
次に、貫通孔４０の周囲に薄肉部４１を、貫通孔４０の形成と同時進行で形成する。そのため、図５（ｄ）、図６（ｄ）に示すように、薄肉部４１を形成する部分の酸化膜４９を除去した後、さらにエッチングを進める（第２エッチング工程）。この第２エッチング工程では、温度７８℃、濃度３７重量％に調整された水酸化カリウム水溶液が用いられ、薄肉部４１における表面３７からの深さが８０μｍになるまで行われる。この例では、薄肉部４１の深さが８０μｍに達した時点でエッチングを停止させると、図５（ｅ）、図６（ｅ）に示すように、第３の（１１１）面４４の縁ＥＧが鋭角部４６の頂点に至る前に浸食が止まる。これにより、貫通孔４０が形成されると共に、その鋭角部４６には、第３の（１１１）面４４から成る残存部４７が形成される。例示した第２切断予定線Ｌ１ｂの場合、残存部４７の大きさは、脆弱部４８の幅Ｗ（図４参照）が２５０μｍとなるように設定されている。なお、本実施形態において、脆弱部４８の幅Ｗとは、貫通孔４０における第２の（１１１）面４３と残存部４７の縁とが成す角の頂点Ｖと、隣の貫通孔４０の頂点Ｖとの間の切断予定線Ｌ１方向の距離である（図４参照）。
【００３１】
上記残存部４７の大きさは、上記第１エッチング工程のエッチング時間を変更することで調整することができる。つまり、第１エッチング工程におけるエッチング時間をより長く設定することで残存部４７をより小さくすることができ、最終的には第３の（１１１）面４４を全て浸食して残存部４７を設けないようにすることもできる。また、逆に、第１エッチング工程におけるエッチング時間をより短くすることで残存部４７の大きさをより大きくすることができる。なお、残存部４７の大きさは、例示したエッチング時間のみに限らず、エッチング溶液の濃度や温度を変更することによっても調整することができる。
【００３２】
そして、第２切断予定線Ｌ１ｂよりも外側に位置する第１切断予定線Ｌ１ａでは、図７（ａ）に示すように、第２切断予定線Ｌ１ｂよりも残存部４７を小さく調整することで、脆弱部４８の幅Ｗを最も短い２１０μｍに設定する。また、第２切断予定線Ｌ１ｂよりも内側に位置する第３切断予定線Ｌ１ｃでは、図７（ｂ）に示すように、第２切断予定線Ｌ１ｂよりも残存部４７をより大きくすることで、脆弱部４８の幅Ｗを最も長い３００μｍに設定する。このようにして、シリコンウェハー３５の外側に位置する切断予定線ほど、内側の切断予定線よりも脆弱部４８の切断予定線方向の幅を短く設定すると、外側の切断予定線ほど脆弱になる。これにより、エキスパンドブレイクの際に、外側の切断予定線から優先的に切断されるようにすることができる。これにより、全ての切断予定線を残すことなく切断することができ、より確実にシリコンウェハー３５を個々のパーツに分割することが可能となる。
【００３３】
ここで、図８は、図３における領域Ａの拡大図である。本実施形態においては、切断予定線の外側に位置する脆弱部４８の幅Ｗを、この切断予定線の中心側の脆弱部４８の幅Ｗよりも短くしている。例えば、図８に例示した第２切断予定線Ｌ１ｂの場合、縦方向の切断予定線Ｌ２との交点Ｐを境にして外側（図における左側）では、脆弱部４８の幅Ｗを２３０μｍに設定し、交点Ｐよりも中心側（図における右側）では、脆弱部４８の幅Ｗを２５０μｍに設定している。このようにすると、より外側の脆弱部４８ほど脆弱になるので、エキスパンドブレイクによるシリコンウェハー３５の分割時に、切断予定線の外側の脆弱部４８から順次破断していく。これにより、比較的長い切断予定線でも、先に外側の脆弱部を破断させることで、その後は内側の脆弱部に応力を集中させることができ、同一長さの切断予定線を一度に切断する場合よりも確実に切断させることが可能となる。
【００３４】
以上の工程を経てブレイクパターンを形成したならば、次にエキスパンドブレイクによってシリコンウェハー３５をブレイクパターンで切断し、個々のパーツ（流路形成基板２４）に分割する（エキスパンドブレイク工程）。
図９は、このエキスパンドブレイク工程を説明する模式図である。エキスパンドブレイク工程では、まず、ブレイクパターンが形成されたシリコンウェハー３５の表面に、伸張性を有するシート部材５１（ダイシングテープ）を貼着する。このシート部材５１の周縁部には、内径がシリコンウェハー３５の外径（例えば、１５０ｍｍ）よりも大きく（例えば、１８０ｍｍ）設定された輪状の保持リング５２が取り付けられている。
【００３５】
そして、シート部材５１が貼着された状態のシリコンウェハー３５は、図９（ａ）に示すように、テーブル５３の上に載置され、その上方には、内径が保持リング５２と揃えられたエキスパンドリング５４が配置される。この状態でエキスパンドリング５４を下方に降下させると、エキスパンドリング５４が保持リング５２に当接する。その後、エキスパンドリング５４をさらに降下させると、これに伴って、図９（ｂ）に示すように、シート部材５１が伸張し、シリコンウェハー３５は、中心から放射状に引っ張られる。これにより、シリコンウェハー３５の外側の切断予定線から優先的に切断されていき、その結果、シリコンウェハー３５は、全ての切断予定線で確実に切断され、個々のパーツに分割される。
【００３６】
ところで、本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて種々の変形が可能である。
【００３７】
以上においては、記録ヘッド１の流路形成基板２４が、シリコンウェハー３５を分割して得られたパーツにより構成された例を示したが、これには限らず、例えば、シリコンウェハーを用いて半導体素子等を作製する場合においても、本発明を適用することができる。
また、流路形成基板２４の基材としては、シリコンウェハー３５に限らず、他の基材を用いることも可能である。
【００３８】
また、以上では、液体噴射ヘッドとして、インクジェット式記録ヘッド１を例に挙げて説明したが、本発明は他の液体噴射ヘッドにも適用することができる。例えば、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材噴射ヘッド、バイオチップ（生物化学素子）の製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】記録ヘッドの構成を説明する分解斜視図である。
【図２】記録ヘッドの構成を説明する要部断面図である。
【図３】流路形成基板の基材となるシリコンウェハーの平面図である。
【図４】第２切断予定線に沿って形成されたブレイクパターンの構成を説明する拡大図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、図４のブレイクパターンにおける貫通孔の形成過程を説明する状態遷移図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、図５の各状態におけるＡ−Ａ´線断面図である。
【図７】（ａ）は、第１切断予定線に沿って形成されたブレイクパターンの構成を説明する拡大図、（ｂ）は、第３切断予定線に沿って形成されたブレイクパターンの構成を説明する拡大図である。
【図８】図３における領域Ａの拡大図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、エキスパンドブレイクについて説明する模式図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  記録ヘッド，２  カートリッジ基台，３  フィルタ，４  インク導入針，５  駆動用基板，６  コネクタ，７  シート，８  電子部品，１０  ケース，１１  流路ユニット，１２  収容空部，１３  アクチュエータユニット，１４  基板取付面，１６  ヘッドカバー，１９  圧電振動子，２０  固定板，２１  フレキシブルケーブル，２３  弾性板，２４  流路形成基板，２５  ノズルプレート，２７  共通インク室２８  インク供給口，２９  圧力発生室，３０  ノズル開口，３２  島部，３５  シリコンウェハー，３７  シリコンウェハーの表面，４０  貫通孔，４２  第１の（１１１）面，４３  第２の（１１１）面，４４  第３の（１１１）面，４６  鋭角部，４７  残存部，４８  脆弱部，４９  酸化膜，５１  シート部材，５２  保持リング，５３  テーブル，５４  エキスパンドリング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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