(57)【要約】      （修正有）【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】基板１０１上に第１の膜１０２を形成する工程と、前記第１の膜１０２上にマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜１０２上にマスク１０３を形成する工程と、前記マスク１０３を用いて前記第１の膜１０２をパターニングして前記基板１０１上に塗れ性の低い領域１０４と塗れ性の高い領域１０５を形成する工程と、前記マスク１０３を除去する工程と、前記塗れ性の低い領域１０４に挟まれた前記塗れ性の高い領域１０５に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液１０６を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上にマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記基板上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に界面活性剤とマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記基板上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上にマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記基板上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程と、を有し、
前記マスク材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角は、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角よりも小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に界面活性剤とマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記基板上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程と、を有し、
前記マスク材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角は、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角よりも小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一において、前記パターニングによって第１の膜が存在している領域が塗れ性の低い領域であり、第１の膜が除去された領域が塗れ性の高い領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一において、前記塗れ性に低い領域における、前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液の接触角は、前記塗れ性の高い領域における、前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液の接触角よりも大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記塗れ性の低い領域における接触角と、前記塗れ性の高い領域における接触角の差は３０度以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一において、前記第１の膜は、フッ化炭素鎖を有する化合物からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一において、前記マスク材料を含有する溶液を、前記基板を加熱した状態で吐出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記第１のマスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に界面活性剤と第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記第１のマスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記第１のマスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする工程と、を有し、
前記第１のマスク材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角は、前記第２のマスク材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角よりも小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に界面活性剤と第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記第１のマスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする工程と、を有し、
前記第１のマスク材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角は、前記第２のマスク材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角よりも小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０から１３のいずれか一において、前記パターニングによって第１の膜が存在している領域が塗れ性の低い領域であり、第１の膜が除去された領域が塗れ性の高い領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０から１４のいずれか一において、前記塗れ性に低い領域における、前記第２のマスク材料を含有する溶液の接触角は、前記塗れ性の高い領域における、前記第２のマスク材料を含有する溶液の接触角よりも大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、前記塗れ性の低い領域における接触角と、前記塗れ性の高い領域における接触角の差は３０度以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１０から１６のいずれか一において、前記第１の膜は、フッ化炭素鎖を有する化合物からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１０から１７のいずれか一において、前記第１のマスク材料を含有する溶液を、前記基板を加熱した状態で吐出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット法に代表される液滴吐出法を用いて形成した半導体素子を有する半導体装置の作製方法、また半導体素子の各部位の膜、マスクパターン及びコンタクトホールを形成する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の作製において、設備の低コスト化、工程の簡略化を目的として、半導体素子に用いられる薄膜や配線のパターン形成に、液滴吐出装置を用いることが検討されている。
【０００３】
液滴吐出法にて吐出した溶液は塗れ広がってしまうという問題があった。また基板上における塗れ広がりにはばらつきが生じやすかった。金属微粒子を含有する溶液を液滴吐出法にて吐出して配線を形成した場合、配線同士がショートするなど問題が発生した。このため配線間の距離が狭い場合には、塗れ性の低い材料からなるパターンを形成し、このパターンではじかせることにより配線間のショートを防止する方法が用いられている。
【０００４】
このパターンの形成方法としては、フルオロアルキル基を含有する有機材料膜を形成した後、いわゆる通常のフォトリソグラフィー工程で使用されているフォトマスクのパターンを用いてＵＶ照射する方法など（例えば、特許文献１参照）が用いられてきた。
【特許文献１】特開２００２−１６４６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら上記の方法においては、通常のフォトリソグラフィー工程で使用されているフォトマスクを用いているので設備の低コスト化、工程の簡略化等を図ることができなかった。
【０００６】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は通常のフォトリソグラフィー工程（レジスト形成、フォトマスクを用いて露光、現像）を経ることなく、塗れ性の異なる領域を形成し、該領域を用いて、すなわち、この塗れ性の差を移用して、絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成することを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の一は基板上に第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上にマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記基板上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の一は基板上に第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に界面活性剤とマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記基板上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の一は基板上に第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上にマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記基板上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程と、を有し、
前記マスク材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角は、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角よりも小さいことを特徴とする。
【００１１】
本発明の一は基板上に第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に界面活性剤とマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記基板上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程と、を有し、
前記マスク材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角は、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角よりも小さいことを特徴とする。
【００１２】
また前記パターニングによって第１の膜が存在している領域が塗れ性の低い領域であり、第１の膜が除去された領域が塗れ性の高い領域であることを特徴とする。
また前記塗れ性に低い領域における、前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液の接触角は、前記塗れ性の高い領域における、前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液の接触角よりも大きいことを特徴とする。
また前記塗れ性の低い領域における接触角と、前記塗れ性の高い領域における接触角の差は３０度以上であることを特徴とする。
また前記第１の膜は、フッ化炭素鎖を有する化合物からなることを特徴とする。
また前記マスク材料を含有する溶液を、前記基板を加熱した状態で吐出することを特徴とする。
【００１３】
本発明の一は基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記第１のマスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングすることを特徴とする。
【００１４】
本発明の一は基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に界面活性剤と第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記第１のマスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングすることを特徴とする。
【００１５】
本発明の一は基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記第１のマスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする工程と、を有し、
前記第１のマスク材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角は、前記第２のマスク材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角よりも小さいことを特徴とする。
【００１６】
本発明の一は基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に界面活性剤と第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクを用いて前記第１の膜をパターニングして前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、
前記第１のマスクを除去する工程と、
前記塗れ性の低い領域に挟まれた前記塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする工程と、を有し、
前記第１のマスク材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角は、前記第２のマスク材料を含有する溶液の前記第１の膜に対する接触角よりも小さいことを特徴とする。
【００１７】
また前記パターニングによって第１の膜が存在している領域が塗れ性の低い領域であり、第１の膜が除去された領域が塗れ性の高い領域であることを特徴とする。
また前記塗れ性に低い領域における、前記第２のマスク材料を含有する溶液の接触角は、前記塗れ性の高い領域における、前記第２のマスク材料を含有する溶液の接触角よりも大きいことを特徴とする。
また前記塗れ性の低い領域における接触角と、前記塗れ性の高い領域における接触角の差は３０度以上であることを特徴とする。
また前記第１の膜は、フッ化炭素鎖を有する化合物からなることを特徴とする。
また前記第１のマスク材料を含有する溶液を、前記基板を加熱した状態で吐出することを特徴とする。
【００１８】
第１の膜を形成する方法としては、第１の膜の材料を希釈した溶液を基板上に塗布したり、当該材料を希釈した溶液と基板とを同一密閉容器に入れて当該材料の蒸気を基板に吸着させてもよい。
【００１９】
マスク材料を含有する溶液には、界面活性剤を添加してもよい。これにより当該溶液の表面張力を下げることができ、断線などの問題を生じることなくマスク（第１のマスク）を形成することができる。
【００２０】
マスク（第１のマスク）は、マスク材料を含有する溶液を用いて液相法又は印刷法によって形成する。液相法の代表例としては、液滴吐出法、インクジェット法、スピンコート法、ロールコート法、スロットコート法等が挙げられる。
【００２１】
絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料や第２のマスク材料は、これらの材料を含有する溶液を用いて液相法によって形成する。液相法の代表例としては、液滴吐出法、インクジェット法、スピンコート法、ロールコート法、スロットコート法等が挙げられる。
【００２２】
塗れ性の低い領域では液体の接触角が大きく、塗れ性の高い領域では液体の接触角が小さい。塗れ性の低い領域の接触角と塗れ性の高い領域の接触角の差は、３０度、望ましくは４０度以上であることが好ましい。
このように接触角が異なる二つの領域上に溶液を塗布又は吐出した場合、溶液は塗れ性の高い領域の表面に塗れ広がり、塗れ性の低い領域との界面で半球状にはじかれ、自己整合的に各マスクパターンを形成することが可能である。
【００２３】
したがって塗れ性の低い領域における、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液の接触角、第２のマスク材料を含有する溶液の接触角は、塗れ性の高い領域における、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液の接触角、第２のマスク材料を含有する溶液の接触角よりも大きいことが望ましい。また塗れ性の低い領域における接触角と、塗れ性の高い領域における接触角の差は３０度以上であることが望ましい。
【００２４】
絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料や第２のマスク材料を含有する溶液は、第１の膜に対して弾かれるとよい。一方、マスク（第１のマスク）材料を含有する溶液は、断線等が生じないようにする必要がある。そこでマスク（第１のマスク）材料を含有する溶液の第１の膜に対する接触角は、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料や第２のマスク材料を含有する溶液の第１の膜に対する接触角よりも小さくするとよい。
【００２５】
絶縁膜、半導体膜又は導電膜や第２のマスクを形成してから残存する第１の膜を完全に除去してもよい。
【００２６】
また上記のようにして形成された第２のマスクを用いて、基板上に設けられた絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングしてパターンを形成することができる。
【００２７】
膜パターンとしては１〜５００μｍの線幅を有するパターンを形成しているが、これに限定されることはなく、１μｍ以下の細線パターンを形成することもできる。
【００２８】
本発明によると、所望の形状を有する絶縁膜、半導体膜、及び導電膜、並びにコンタクトホールが形成された絶縁膜を形成できる。代表的には、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、保護膜、コンタクトホールが形成された絶縁膜等の絶縁膜、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域等の半導体膜、及びソース電極、ドレイン電極、配線、ゲート電極、画素電極、アンテナ等の導電膜が挙げられる。
【００２９】
半導体素子としては、ＴＦＴ、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、有機半導体トランジスタ、ＭＩＭ素子、記憶素子、ダイオード、光電変換素子、容量素子、抵抗素子等が挙げられる。
【００３０】
半導体装置としては、半導体素子で構成された集積回路、表示装置、無線タグ、ＩＣタグ、ＩＣカード等が挙げられる。表示装置としては、代表的には液晶表示装置、発光表示装置、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ；デジタルマイクロミラーデバイス）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ；プラズマディスプレイパネル）、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ；フィールドエミッションディスプレイ）、電気泳動表示装置（電子ペーパー）等の表示装置があげられる。なお、ＴＦＴは、順スタガ型ＴＦＴ、逆スタガ型ＴＦＴ（チャネルエッチ型ＴＦＴ又はチャネル保護型ＴＦＴ）、トップゲートのコプレナー型ＴＦＴ、ボトムゲートのコプレナー型ＴＦＴ等である。
【００３１】
上記表示装置とは、表示素子を用いたデバイス、即ち画像表示デバイスを指す。また、表示パネルにコネクター、例えばフレキシブルプリント配線（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）やＣＰＵが直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によると、所望の形状を有する膜パターンを所望の箇所に形成することができる。また層間絶縁膜、平坦化膜、ゲート絶縁膜等として機能する膜を、所望の箇所に選択的に形成することができる。しかもレジストマスクパターンやフォトマスクパターンを用いた露光・現像プロセス等を経ることなく膜パターンを形成でき、またコンタクトホールを有する絶縁膜を形成できるため、従来と比較して、工程を大幅に簡略化することができる。さらに任意の場所、任意に形状の膜パターンを形成することができる。
【００３３】
このように本発明を用いることによってレジストマスクパターンやフォトマスクパターンを用いた露光・現像プロセス等を経ることなく半導体素子、及び半導体装置を、簡単な工程で精度良く形成することができ、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体素子、半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００３４】
またプラズマ処理を行わないため、例えば下地膜がシリコン膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜などの場合にはダメージを与えることがない。
【００３５】
またマスクを形成する際や、導電膜等を形成する際に、液滴吐出法を用いることによって、それらの膜の材料を含む液滴の吐出口であるノズルと基板との相対的な位置を変化させることで任意の場所に液滴を吐出でき、ノズル径、液滴の吐出量及びノズルと吐出物が形成される基板との移動速度の相対的な関係によって、形成するパターンの厚さや太さを調整できるため、それらの膜を所望の箇所に精度良く吐出形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３７】
（第１実施形態）
本実施形態においては、基板上に形成された第１の膜をパターニングし、このパターンを用いて所望の形状を有する膜パターンを形成する工程を、図１を用いて示す。
【００３８】
図１（Ａ）に示すように、基板１０１上に第１の膜１０２を形成する。
【００３９】
基板１０１としては、ガラス基板、石英基板、アルミナなど絶縁物質で形成される基板、後工程の処理温度に耐え得る耐熱性を有するプラスチック基板、シリコンウェハ、金属板等を用いることができる。この場合、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）など、基板側から不純物などの拡散を防止するための絶縁膜を形成しておいてもよい。またステンレスなどの金属または半導体基板などの表面に酸化シリコンや窒化シリコンなどの絶縁膜を形成した基板なども用いることができる。また、基板１０１として、３２０ｍｍ×４００ｍｍ、３７０ｍｍ×４７０ｍｍ、５５０ｍｍ×６５０ｍｍ、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍのような大面積基板を用いることができる。ここでは、基板１０１としてガラス基板を用いる。
【００４０】
なお、基板１０１にプラスチック基板を用いる場合、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＳ（ポリエチレンサルファイル）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等のガラス転移点が比較的高いものを用いることが好ましい。
【００４１】
第１の膜１０２は、第１の膜を形成する材料を塗布又は吐出して形成することができる。また当該材料と基板とを同一の密閉容器中に入れておくことで基板上に形成できる。
【００４２】
第１の膜の形成材料の代表例としては、フッ化炭素鎖を有する化合物が挙げられる。フッ化炭素鎖を有する化合物の組成物の一例としては、Ｒn−Ｓｉ−Ｘ4-n（ｎ＝１、２、３）の化学式で表されるシランカップリング剤が挙げられる。ここで、Ｒは、アルキル基などの比較的不活性な基を含む物である。また、Ｘはハロゲン、メトキシ基、エトキシ基又はアセトキシ基あるいは水酸基からなる。
【００４３】
また、シランカップリング剤としては、Ｒにフルオロアルキル基を有するフッ素系シランカップリング剤（フルオロアルキルシラン（ＦＡＳ））を用いることにより、塗れ性を低下させることができる。ＦＡＳのＲは、（ＣＦ3）（ＣＦ2）x（ＣＨ2）y（ｘ：０以上１０以下の整数、ｙ：０以上４以下の整数）で表される構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでも良いし、異なっていてもよい。代表的なＦＡＳとしては、ヘプタデフルオロテトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロテトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロテトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下、ＦＡＳという。）が挙げられる。
【００４４】
また第１の膜の形成材料の組成物の一例として、フッ化炭素鎖を有する材料（フッ素系樹脂）を用いることができる。フッ素系樹脂として、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ；四フッ化エチレン樹脂）、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ；四フッ化エチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂）、パーフルオロエチレンプロペンコーポリマー（ＰＦＥＰ；四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合樹脂）、エチレン−テトラフルオロエチレンコポリマー（ＥＴＦＥ；四フッ化エチレン−エチレン共重合樹脂）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ；フッ化ビニリデン樹脂）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ；三フッ化塩化エチレン樹脂）、エチレン−クロロトリフルオロエチレンコポリマー（ＥＣＴＦＥ；三フッ化塩化エチレン−エチレン共重合樹脂）、ポリテトラフルオロエチレン−パーフルオロジオキソールコポリマー（ＴＦＥ／ＰＤＤ）、ポリビニルフルオライド（ＰＶＦ；フッ化ビニル樹脂）等を用いることができる。
【００４５】
フッ化炭素鎖を有しないものであっても第１の膜に用いることができる。例えば有機シランとしてオクタデシルトリメトキシシラン等を用いることができる。
【００４６】
当該材料に用いる溶媒としては、ｎーペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ジシクロペンタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、デュレン、インデン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、スクワランなどの炭化水素系溶媒又はテトラヒドロフランなどを用いる。
【００４７】
その他、第１の膜の形成方法としては、例えばフッ化炭素鎖を有しない膜を形成し、その表面にフッ素プラズマを照射して形成することができる。
また別途、誘電体が設けられた電極を用意し、誘電体が空気、酸素又は窒素を用いたプラズマに曝されるようにプラズマを発生させてプラズマ処理を行うことができる。この場合、誘電体は電極表面全体を覆う必要はない。誘電体としては、フッ素系樹脂を用いることができる。フッ素系樹脂を用いる場合、第１の膜表面にＣＦ2結合が形成されることにより表面改質が行われ、前記フッ化炭素鎖を有する化合物と同様の特性を与えることが可能である。
フッ化炭素鎖を有しない膜としては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）のような水溶性樹脂を、Ｈ2Ｏ等の溶媒に混合した材料を用いることができる。また、ＰＶＡと他の水溶性樹脂を組み合わせて使用してもよい。また、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアセタール、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリアミド（ナイロン）、フラン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、レジスト材料等の有機樹脂などを用いることができる。
【００４８】
次に第１の膜１０２の上にマスク材料を含有する溶液を液滴吐出法にて吐出する。
【００４９】
マスク材料としては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）のような水溶性樹脂を用いることができる。またＰＶＡと他の水溶性樹脂を組み合わせて使用してもよい。またアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアセタール、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリアミド（ナイロン）、フラン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、レジスト材料等の有機樹脂などを用いることができる。またホットメルトインクを用いることもできる。ホットメルトインクは室温で固形状をなしている熱可塑性ポリマーがベースになっているので溶媒を除去するだけでマスクを形成することが可能である。
【００５０】
マスク材料を含有する溶液には界面活性剤を添加することもできる。界面活性剤を添加することによって溶液の表面張力を下げることができ、第１の膜１０２上において断線などの問題を生じさせることなく溶液を塗布することができるからである。
【００５１】
界面活性剤としてはフッ素系の界面活性剤を用いることができる。例えばフルオロアルキル基等を有する界面活性剤を用いることができる。もちろんこれに限定されるものではない。
【００５２】
また溶媒としては水、アルコール系、エーテル系、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルホスファミド、クロロホルム、塩化メチレン等の極性溶媒を用いた溶液を用いることができる。
【００５３】
液滴吐出法に用いるノズルの径は、０．１〜５０μｍ（好適には０．６〜２６μｍ）に設定し、ノズルから吐出される組成物の吐出量は０．００００１ｐｌ〜５０ｐｌ（好適には０．０００１〜１０ｐｌ）に設定する。この吐出量は、ノズルの径の大きさに比例して増加する。また、被処理物とノズル吐出口との距離は、所望の箇所に滴下するために、できる限り近づけておくことが好ましく、好適には０．１〜２ｍｍ程度に設定する。
【００５４】
液滴吐出法に用いる組成物の粘度は３００ｍＰａ・ｓ以下が好適であり、これは、乾燥が起こることを防止し、吐出口から組成物を円滑に吐出できるようにするためである。なお、用いる溶媒や用途に合わせて、組成物の粘度、表面張力等は適宜調整するとよい。
【００５５】
また基板を加熱しながら溶液を吐出することもできる。これにより塗布後、直ちに溶媒を除去することができ、マスク１０３を形成することが可能である。
【００５６】
マスク間の幅は最終的に形成する膜パターンの幅に依存する。本明細書では膜パターンとして１〜５００μｍの幅のものを形成しているが、これに限定されないことはいうまでもない。
【００５７】
次に溶媒が除去できていない場合には、マスク材料を含有する溶液の溶媒を乾燥してマスク１０３を形成する。また必要に応じて加熱、焼成してマスク１０３を形成してもよい。
【００５８】
次にマスク１０３が形成されていない部分の第１の膜１０２を除去して島状の第１の膜１１０を形成する。除去する方法は構成する材料に依存するが、紫外線等の照射、ドライエッチング、ウエットエッチングによって除去することができる。
【００５９】
次にマスク１０３を剥離液、アッシング等によって除去する。これによって基板上に塗れ性の高い領域１０５と塗れ性の低い領域１０４を形成することができる。
【００６０】
次に塗れ性の高い領域１０５上であって、且つ塗れ性の低い領域に挟まれた領域１０５の間に、絶縁膜、半導体膜、及び導電膜材料を含有する溶液を塗布する。
【００６１】
ここで、図１５を用いて塗れ性の低い領域１０４と塗れ性の高い領域１０５の関係について示す。塗れ性の低い領域とは、図１５に示すように、液体の接触角θ１が大きい領域である。この表面上では液体は半球状にはじかれる。一方、塗れ性の高い領域は、表面において液体の接触角θ２が小さい領域である。この表面上では、液体は塗れ広がる。
【００６２】
このため、接触角の異なる二つの領域が接している場合、相対的に接触角の小さい領域が塗れ性が高い領域となり、接触角の大きい方の領域が塗れ性が低い領域となる。このように接触角が異なる二つの領域上に溶液を塗布又は吐出した場合、溶液は塗れ性の高い領域の表面に塗れ広がり、塗れ性の低い領域との界面で半球状にはじかれ、自己整合的に各マスクパターンを形成することが可能である。
【００６３】
塗れ性の低い領域の接触角θ１と塗れ性の高い領域の接触角θ２の差は、３０度以上、望ましくは４０度以上であることが好ましい。この結果、塗れ性の低い領域の表面で溶液が半球状にはじかれ、塗れ性の高い領域に自己整合的に各マスクパターンを形成することが可能である。このため、第１の膜の形成方法及び材料で列挙されたものの中で、互いの接触角の差が３０度以上、望ましくは４０度以上の場合、接触角の小さい材料で形成された領域は塗れ性の高い領域となり、接触角の大きい材料で形成された領域は塗れ性の低い領域となりうる。同様に、後に絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液１０６として列挙されるものの中で、互いの接触角の差が３０度以上、望ましくは４０度以上の場合、接触角の小さい材料で形成された領域は塗れ性の高い領域となり、接触角の大きい材料で形成された領域は塗れ性の低い領域となりうる。
【００６４】
したがって塗れ性の低い領域における、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液の接触角は、塗れ性の高い領域における、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液の接触角よりも大きいことが望ましい。また塗れ性の低い領域における接触角と、塗れ性の高い領域における接触角の差は３０度以上であることが望ましい。
【００６５】
また絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液１０６は、第１の膜に対して弾かれるとよい。一方、マスク材料を含有する溶液は、断線等が生じないようにする必要がある。そこでマスク材料を含有する溶液の第１の膜に対する接触角は、絶縁膜、半導体膜、及び導電膜材料を含有する溶液の第１の膜に対する接触角よりも小さくするとよい。
【００６６】
なお、表面が凹凸を有する場合、所望のパターンを形成することが難しい。しかし表面が凹凸を有する場合、塗れ性が低い領域ではさらに接触角が増大する。即ち、塗れ性がより低下する。一方、塗れ性が高い領域では、さらに接触角が低くなる。即ち、塗れ性がより向上する。したがって凹凸を有する各表面上に塗れ性の低い材料と塗れ性の高い材料を塗布又は吐出し、焼成すると、たとえ凹凸を有していても所望のパターンを形成することができる。
【００６７】
塗れ性の高い領域に吐出する材料１０６としては、絶縁材料、導電材料、及び半導体材料を適宜用いることができる。絶縁材料の代表例として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアセタール、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリアミド（ナイロン）、フラン樹脂、ジアリルフタレート樹脂等の有機樹脂、シロキサンポリマー、ポリシラザン、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、を用いることができる。
【００６８】
また、水、アルコール系、エーテル系、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルホスファミド、クロロホルム、塩化メチレン等の極性溶媒を用いた溶液を用いることもできる。
【００６９】
また、導電材料の代表例として、導電体を溶媒に溶解又は分散させたものを用いることができる。導電体としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａ等の金属、ハロゲン化銀の微粒子等、又は分散性ナノ粒子を用いることができる。または、透明導電膜として用いられるＩＴＯ、酸化珪素を含むＩＴＯ、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ：Ｔｉｔａｎｉｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）等を用いることができる。
【００７０】
また、半導体材料の代表例として、有機半導体材料を用いることもできる。有機半導体材料としては、その骨格が共役二重結合から構成されるπ電子共役系の有機材料や高分子材料が望ましい。代表的には、ポリチオフェン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリチオフェン誘導体、ペンタセン等の可溶性の有機材料や高分子材料を用いることができる。
【００７１】
前記材料を含有する溶液を塗布する方法としては、液滴吐出法、インクジェット法、スピンコート法、ロールコート法、スロットコート法等を用いることができる。
【００７２】
次に、図１（Ｃ）に示すように、前記絶縁材料、導電材料又は半導体材料を含有する溶液を塗布した後、乾燥、焼成して所望の形状を有する膜パターン１０６を形成する。この結果、前記材料が絶縁材料の場合、膜パターンは所望の形状を有する絶縁層となる。また導電材料の場合、膜パターンは所望の形状を有する導電層となる。また半導体材料の場合、膜パターンは所望の形状を有する半導体層となる。その後図１（Ｄ）に示すように、第１の膜を除去してもよい。
【００７３】
以上の工程により、公知のフォトリソグラフィー工程を全く用いずとも、所望の形状を有する膜パターンを形成することができる。このため、作製工程数、作製コストを大幅に削減することが可能である。
【００７４】
（第２実施形態）
本実施形態においては、絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に第１の膜をパターニングし、このパターンを用いて絶縁膜、半導体膜又は導電膜を所望の形状にパターニングする工程を、図２を用いて示す。
【００７５】
図２（Ａ）に示すように、基板１０１上に絶縁膜、半導体膜又は導電膜２０１を形成する。
【００７６】
基板１０１は第１実施形態で示したようなものを用いることができる。また酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）など、基板側から不純物などの拡散を防止するための絶縁膜を形成してもよい。
【００７７】
前記絶縁膜、半導体膜又は導電膜２０１は、所望の形状にパターニングすることができる。すなわち絶縁膜、半導体膜又は導電膜を所望の形状に形成することができる。
【００７８】
絶縁膜２０１としては、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、窒化珪素膜等の半導体の酸化物や窒化物、無機絶縁物や有機絶縁物等が挙げられる。形成方法としては公知のＣＶＤ法、スパッタ法、塗布法、蒸着法等を用いることができる。
【００７９】
半導体膜２０１としては、シリコン、ゲルマニウム、ＧａＡｓ、有機半導体膜等が挙げられる。形成方法としては公知のＣＶＤ法、スパッタ法、塗布法、蒸着法等を用いることができる。また非晶質であっても結晶性を有してもいてもよい。
【００８０】
導電膜２０１としては、金属膜、透明導電膜（ＩＴＯ、酸化珪素を含むＩＴＯ、ＩＺＯ等）などが挙げられる。
【００８１】
次に絶縁膜、半導体膜又は導電膜２０１上に、第１の膜１０２を形成する。第１の膜を形成する材料、溶媒、形成方法は実施形態１で示したものを用いることができる。
【００８２】
次に、図２（Ａ）に示すように、第１の膜１０２上に第１のマスク材料を含有する溶液を液滴吐出法にて吐出して第１のマスク１０３を形成する。
【００８３】
第１のマスク材料としては、第１実施形態のマスク材料を含有する材料で示したようなものを用いることができる。また界面活性剤を添加してもよい。さらに溶媒も第１実施形態で示したものを用いることできる。
【００８４】
次にマスク１０３が形成されていない部分の第１の膜１０２を除去する。その後マスク１０３を除去する。これによって絶縁膜、半導体膜又は導電膜２０１上に塗れ性の高い領域１０５と塗れ性の低い領域１０４を形成することができる（図２（Ｂ））。
【００８５】
次に、図２（Ｃ）に示すように、塗れ性の高い領域１０５上であって、且つ塗れ性の低い領域に挟まれた領域の間に、第２のマスク材料を含有する溶液を塗布、焼成等をして第２のマスク２０２を形成する。図２（Ｃ）に示すように第１の膜２１０が形成されていない領域、すなわち塗れ性の高い領域に第２のマスク材料を含有する溶液を塗布する。塗布する方法としては、液滴吐出法、インクジェット法、スピンコート法、ロールコート法、スロットコート法等を用いることができる。
第２のマスク材料としては、第１実施形態のマスク材料として示したものを用いることができる。溶媒も第１実施形態で示したものを用いることできる。
【００８６】
また第１実施形態にて示したように塗れ性の低い領域における、第２のマスク材料を含有する溶液の接触角は、塗れ性の高い領域における、第２のマスク材料を含有する溶液の接触角よりも大きいことが望ましい。また塗れ性の低い領域における接触角と、塗れ性の高い領域における接触角の差は３０度以上であることが望ましい。これにより自己整合的にマスクパターンを形成することができる。
【００８７】
第２のマスク材料を含有する溶液は、第１の膜に対して弾かれるとよい。一方、第１のマスク材料を含有する溶液は、断線等が生じないようにする必要がある。そこで第１のマスク材料を含有する溶液の第１の膜に対する接触角は、第２のマスク材料を含有する溶液の第１の膜に対する接触角よりも小さくするとよい。
【００８８】
この後、必要に応じて乾燥し焼成する。この結果、エッチング用マスクパターンである第２のマスク２０２を形成することができる。
【００８９】
次に、図２（Ｄ）に示すように、第２のマスクを用いて第１の膜２１０を除去する。本実施形態では、アッシングにより除去する。この後、基板上の絶縁膜、半導体膜又は導電膜の露出した領域をドライエッチング、ウエットエッチング等の公知の手法によりエッチングして、所望の形状を有する膜パターン２０３を形成することができる。なお、第２のマスクパターンが柱状又は円柱状である場合、膜パターンは、コンタクトホールを有する膜となる。
【００９０】
なお、図２（Ｅ）に示すように、第２のマスク２０２を除去し、所望の形状を有する膜パターン２０３を露出してもよい。
【００９１】
以上の工程により、公知のフォトリソグラフィー工程を用いずとも、マスクパターンを形成することができる。このため、従来より少ない工程数で膜を所望の形状にエッチングすることが可能である。また、従来より少ない工程数で、膜パターン又は良好なコンタクトホールを形成することも可能である。
【００９２】
（第３実施形態）
以下、半導体素子の作製方法について示す。なお、以下の実施形態では、半導体素子としてＴＦＴを用いて説明するが、これに限定されるものではなく、有機半導体トランジスタ、ダイオード、ＭＩＭ素子、記憶素子、ダイオード、光電変換素子、容量素子、抵抗素子等を用いることができる。
【００９３】
本実施形態では、本発明を用いて半導体素子として逆スタガ型ＴＦＴの代表例としてチャネルエッチ型ＴＦＴを形成する工程を、図３を用いて説明する。
【００９４】
図３（Ａ）に示すように、基板１０１上にゲート電極３０１を形成する。なお基板には必要に応じて酸化珪素膜や窒化珪素膜等を形成しておく。ゲート電極の形成方法としては、液滴吐出法、印刷法、電界メッキ法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法を用いて導電層を形成する。ここでは第１実施形態に示した方法を用いて、基板１０１上にゲート電極を形成する。この場合、マスクパターンを用いたエッチング工程が不要となるので、作製工程を大幅に簡略化することができる。
【００９５】
まず基板上に第１の膜を形成し、マスク材料を含有する溶液を第１の膜の上に液滴吐出法にて吐出して第１のマスクを形成する。その後、紫外線照射等の方法により第１のマスクが形成されていない部分の第１の膜を除去して、基板上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する。その後第１のマスクを除去する。第１の膜、第１のマスク材料を含有する溶液は第１実施形態、第２実施形態で記載したものを用いることができる。
【００９６】
次に塗れ性の低い領域（島状の第１のマスクが形成された領域）に挟まれた塗れ性の高い領域（島状の第１のマスクが形成されていない領域）に第１実施形態で記載した導電体を溶媒に溶解又は分散させたものを液滴吐出法にて吐出する。その後塗れ性の低い領域を形成する第１の膜を除去する。そしてゲート電極３０１を形成することができる。
【００９７】
なお、吐出口から吐出する組成物は、比抵抗値を考慮して、金、銀、銅のいずれかの材料を溶媒に溶解又は分散させたものを用いることが好ましい。より好ましくは、低抵抗且つ安価な銀又は銅を用いるとよい。但し、銅を用いる場合には、不純物対策のため、合わせてバリア膜を設けるとよい。溶媒は、酢酸ブチル、酢酸エチル等のエステル類、イソプロピルアルコール、エチルアルコール等のアルコール類、メチルエチルケトン、アセトン等の有機溶剤等を用いればよい。
【００９８】
ここで、銅を配線として用いる場合のバリア膜としては、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化タンタル（ＴａＮ：Ｔａｎｔａｌｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）など窒素を含む絶縁性又は導電性の物質を用いると良く、これらを液滴吐出法で形成しても良い。
【００９９】
なお、液滴吐出法に用いる組成物の粘度は５〜２０ｍＰａ・ｓが好適であり、これは、乾燥が起こることを防止し、吐出口から組成物を円滑に吐出できるようにするためである。また、表面張力は４０ｍＮ／ｍ以下が好ましい。なお、用いる溶媒や用途に合わせて、組成物の粘度等は適宜調整するとよい。一例として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ、有機スズを溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は５〜２０ｍＰａ・ｓ、銀を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は５〜２０ｍＰａ・ｓ、金を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は１０〜２０ｍＰａ・ｓである。
【０１００】
各ノズルの径や所望のパターン形状などに依存するが、ノズルの目詰まり防止や高精細なパターンの作製のため、導電体の粒子の径はなるべく小さい方が好ましく、好適には粒径０．１μｍ以下が好ましい。組成物は、電解法、アトマイズ法又は湿式還元法等の公知の方法で形成されるものであり、その粒子サイズは、一般的に約０．５〜１０μｍである。ただし、ガス中蒸発法で形成すると、分散剤で保護されたナノ分子は約７ｎｍと微細であり、またこのナノ粒子は、被覆剤を用いて各粒子の表面を覆うと、溶剤中に凝集がなく、室温で安定に分散し、液体とほぼ同じ挙動を示す。したがって、被覆剤を用いることが好ましい。
【０１０１】
組成物を吐出する工程は、減圧下で行っても良い。これは、組成物を吐出して被処理物に着弾するまでの間に、該組成物の溶媒が揮発し、後の乾燥と焼成の工程を省略又は短くすることができるためである。溶液の吐出後は、溶液の材料により、常圧下又は減圧下で、レーザ光の照射や瞬間熱アニール、加熱炉等により、乾燥と焼成の一方又は両方の工程を行う。乾燥と焼成の工程は、両工程とも加熱処理の工程であるが、例えば、乾燥は１００℃で３分間、焼成は２００〜３５０℃で１５分間〜１２０分間で行うもので、その目的、温度と時間が異なるものである。乾燥と焼成の工程を良好に行うためには、基板を加熱しておいてもよく、そのときの温度は、基板等の材質に依存するが、１００〜８００℃（好ましくは２００〜３５０℃）とする。本工程により、溶液中の溶媒の揮発又は化学的に分散剤を除去し、周囲の樹脂が硬化収縮することで、融合と融着を加速する。雰囲気は、酸素雰囲気、窒素雰囲気又は空気で行う。但し、金属元素を分解又は分散している溶媒が除去されやすい酸素雰囲気下で行うことが好適である。
【０１０２】
なお、液滴吐出法により形成した導電層は、導電体である微粒子が３次元に不規則に重なり合って形成されている。即ち、３次元凝集体粒子で構成されている。このため、表面は微細な凹凸を有する。また、光吸収層の熱及びその帯熱時間により、微粒子が焼成され粒子の粒径が増大するため、表面の高低差が大きい層となる。
【０１０３】
レーザ光の照射は、連続発振またはパルス発振の気体レーザ又は固体レーザを用いれば良い。前者の気体レーザとしては、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられ、後者の固体レーザとしては、Ｃｒ、Ｎｄ等がドーピングされたＹＡＧ、ＹＶＯ4等の結晶を使ったレーザ等が挙げられる。なお、レーザ光の吸収率の関係から、連続発振のレーザを用いることが好ましい。また、パルス発振と連続発振を組み合わせた所謂ハイブリッドのレーザ照射方法を用いてもよい。但し、基板の耐熱性に依っては、レーザ光の照射による加熱処理は、数マイクロ秒から数十秒の間で瞬間に行うとよい。瞬間熱アニール（ＲＴＡ）は、不活性ガスの雰囲気下で、紫外光乃至赤外光を照射する赤外ランプやハロゲンランプなどを用いて、急激に温度を上昇させ、数マイクロ秒から数分の間で瞬間的に熱を加えて行う。この処理は瞬間的に行うために、実質的に最表面の薄膜のみを加熱することができ、下層の膜には影響を与えないという利点がある。
【０１０４】
次に、ゲート電極３０１上にゲート絶縁膜３０２を形成する。ゲート絶縁膜３０２はプラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法などの薄膜形成法を用い、窒化シリコン、酸化シリコン、その他の珪素を含む絶縁膜の単層又は積層構造で形成する。また、ゲート絶縁膜をゲート電極層に接する側から、窒化珪素膜（窒化酸化珪素膜）、酸化珪素膜、及び窒化珪素膜（窒化酸化珪素膜）の積層構造とすることが好ましい。この構造では、ゲート電極が、窒化珪素膜と接しているため、酸化による劣化を防止することができる。
【０１０５】
次に、ゲート絶縁膜３０２上に、第１の半導体膜３０３を形成する。第１の半導体膜３０３としては、非晶質半導体、非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体（ＳＡＳとも表記する）、非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結晶半導体、及び結晶性半導体から選ばれたいずれの状態を有する膜で形成する。特に、０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶を粒観察することができる微結晶状態はいわゆるマイクロクリスタル（μｃ）と呼ばれている。いずれも、シリコン、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等を主成分とする膜厚は、１０〜６０ｎｍの半導体膜を用いることができる。
【０１０６】
ＳＡＳは、非晶質構造と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）との中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体である。また短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいる。そして少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０ｎｍの結晶領域を観測することができ、珪素を主成分とする場合にはラマンスペクトルが５２０ｃｍ-1よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折では珪素結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。また未結合手（ダングリングボンド）の終端のため、ＳＡＳは水素或いはハロゲンを１原子％、又はそれ以上含んでいる。
【０１０７】
ＳＡＳは、珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化物気体としては、ＳｉＨ4であり、その他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＳｉＦ4などを用いることができる。珪化物気体を水素、水素とヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種又は複数種の希ガス元素で希釈して用いることによりＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。このとき希釈率が１０倍〜１０００倍の範囲となるように、珪化物気体を希釈すると好ましい。またＳｉ2Ｈ6及びＧｅＦ4を用い、ヘリウムガスで希釈する方法を用いてＳＡＳを形成することができる。グロー放電分解による被膜の反応生成は減圧下で行うと好ましく、圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲で行えばよい。グロー放電を形成するための電力は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚの高周波電力を供給すればよい。基板加熱温度は３００℃以下が好ましく、１００〜２５０℃の基板加熱温度が推奨される。
【０１０８】
また結晶性半導体膜は、非晶質半導体膜を加熱又はレーザ照射により結晶化して形成することができる。また、直接、結晶性半導体膜を形成してもよい。この場合、ＧｅＦ4、又はＦ2等のフッ素系ガスと、ＳｉＨ4、又はＳｉ2Ｈ6等のシラン系ガスとを用い、熱又はプラズマを利用して直接、結晶性半導体膜を形成することができる。
【０１０９】
その他、非晶質半導体膜を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜し、そして例えば珪素の結晶化を助長するような金属元素（ニッケル等）を含む溶液を非晶質半導体膜上に保持させ、この非晶質半導体膜に脱水素化（５００℃、１時間）を行なった後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を行なって結晶質半導体膜を形成することもできる。この後レーザー光を照射してさらに結晶性を高めてもよい。
【０１１０】
また、レーザー結晶化法で結晶性半導体膜を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ3レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザー等を用いることができる。パルス発光型ではＭＨｚの周波数を有するものを用いることも可能である。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザービームを光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択することができる。
【０１１１】
なお、第１の半導体膜３０３を、有機半導体材料を用い、印刷法、スプレー法、液滴吐出法などで直接島状に形成することができる。この場合エッチング工程が必要ないため、工程数を削減することが可能である。本発明に用いる有機半導体材料としては、その骨格が共役二重結合から構成されるπ電子共役系の有機材料や高分子材料が望ましい。代表的には、ポリチオフェン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリチオフェン誘導体、ペンタセン等の可溶性の高分子材料を用いることができる。
【０１１２】
その他にも本発明に用いることができる有機半導体材料としては、可溶性の前駆体を成膜した後で処理することにより第１の半導体膜を形成することができる材料がある。なお、このような前駆体を経由する有機半導体材料としては、ポリチエニレンビニレン、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）、ポリアセチレン、ポリアセチレン誘導体、ポリアリレンビニレンなどがある。
【０１１３】
前駆体を有機半導体に変換する際には、加熱処理だけではなく塩化水素ガスなどの反応触媒を添加することがなされる。また、これらの可溶性有機半導体材料を溶解させる代表的な溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、アニソール、クロロホルム、ジクロロメタン、γブチルラクトン、ブチルセルソルブ、シクロヘキサン、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、シクロヘキサノン、２−ブタノン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）または、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）などを適用することができる。
【０１１４】
次に、（ｐ型、ｎ型の）一導電型を有する第２の半導体膜３０４を成膜する。導電性を有する第２の半導体膜３０４はｎチャネル型のＴＦＴを形成する場合には、１５属の元素、代表的にはリンまたはヒ素を添加する。また、ｐチャネルＴＦＴを形成する場合には、１３属の元素、代表的にはボロンを添加する。第２の半導体膜は、珪化物気体にボロン、リン、ヒ素のような１３属又は１５属の元素を有する気体を加えたプラズマＣＶＤ法で成膜する。
【０１１５】
第２の半導体膜３０４を形成した後、加熱処理を施してもよい。例えば第１の半導体膜３０３が金属元素（ニッケル等）を用いて結晶化させたようなものである場合には、この加熱処理により第１の半導体膜に含有する金属元素が第２の半導体膜にゲッタリングされる。
【０１１６】
次に、導電性を有する第２の半導体膜３０４及び第１の半導体膜３０３をエッチングして所望の形状にする。ここでは第２実施形態の手法によって、第２の半導体膜３０４上にマスクパターンを形成し、所望の形状にエッチングする。
【０１１７】
まず第２の半導体膜３０４上に第１の膜を形成する。第１の膜はゲート電極を形成する際に用いた第１の膜と同じ役割を果たす。すなわち第２の半導体膜上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成するものである。第１の膜は第１実施形態、第２実施形態において記載したものを用いることができる。
【０１１８】
次に第１の膜上に第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する。第２のマスク材料及び溶媒は、第１実施形態、第２実施形態においてマスク材料及び溶媒として記載したものを用いることができる。
【０１１９】
第２のマスクを用いて第１の膜をパターニングして第２の半導体膜３０４上に塗れ性の低い領域（島状の第１の膜１１０が形成されている領域）と塗れ性の高い領域（島状の第１の膜１１０が形成されていない領域）を形成する。その後、第２のマスクを除去する。
【０１２０】
塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、第３のマスク材料を含有する溶液を吐出して第３のマスク３０５を形成する。この第３のマスク３０５は、第１のマスク、第２のマスクに用いたものと同じものを用いることができるが、耐熱性高分子材料を用いて形成してもよく、芳香環、複素環を主鎖にもち、脂肪族部分が少なく高極性のヘテロ原子基を含む高分子を用いることができる。そのような高分子物質の代表例としてはポリイミド又はポリベンゾイミダゾールなどが挙げられる。
【０１２１】
第３のマスク３０５を用いて、パターニングされた第１の膜及び第２の半導体膜及び第１の半導体膜を所望の形状にエッチングする。これにより所望の形状を有する第１の半導体領域３１２及び第２の半導体領域３１３を形成する。エッチング用ガスとしては、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4もしくはＣＣｌ4などを代表とする塩素系ガス、ＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3、ＣＨＦ3などを代表とするフッ素系ガス、あるいはＯ2を用いることができる。第３のマスク３０５は、エッチング後に除去する。
【０１２２】
次に、第２の半導体領域３１３上に、ソース電極及びドレイン電極３１４を、導電材料を用いて形成する。導電材料としては、ゲート電極３０１に用いた材料と同様の材料を、溶媒に溶解又は分散させたものを用いることができる。ここでは、Ａｇを含む組成物（以下「Ａｇペースト」という。）を用い、ゲート電極を形成したときのように第１実施形態に示した工程を経て膜厚６００〜８００ｎｍの各電極を形成する。
【０１２３】
なお、Ａｇペーストの焼成をＯ2雰囲気中で行うと、Ａｇペースト内に含まれているバインダ（熱硬化性樹脂）などの有機物が分解され、有機物をほとんど含まないＡｇ膜を得ることができる。また、膜表面を平滑にすることができる。さらに、Ａｇペーストを減圧下で吐出することにより、ペースト中の溶媒が揮発するため、後の加熱処理を省略、又は加熱処理時間を短縮することができる。
【０１２４】
なお、ソース電極及びドレイン電極３１４は、導電膜を予めスパッタ法等によって成膜しておき、第２実施形態に示したような工程によってマスクを形成した後に、エッチングして形成してもよい。このマスクも上述した材料を用いて形成することができる。
【０１２５】
次に、図３（Ｃ）に示すように、ソース電極及びドレイン電極３１４をマスクとして、第２の半導体領域をエッチングして第１の半導体領域３１２を露出する。ここでは、エッチングして分断された第２の半導体領域を第３の半導体領域３２１と示す。
【０１２６】
なお、第１の半導体領域３１２に有機半導体を用いた場合、第３の半導体領域３２１の代わりに、ポリアセチレン、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｌｙｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎ）、ＰＳＳ（ｐｏｌｙ−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｐｈｏｎａｔｅ）のような有機導電性材料で形成される導電層を形成することができる。導電層は、コンタクト層、又はソース電極及びドレイン電極として機能する。
【０１２７】
また、第３の半導体領域３２１の代わりに、金属元素で形成される導電層を用いることができる。この場合、多くの有機半導体材料が電荷を輸送する材料がキャリアとして正孔を輸送するｐ型半導体であることからその半導体層とオーミック接触を取るために仕事関数の大きい金属を用いることが望ましい。
【０１２８】
具体的には、金や白金、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、ニッケル等の金属又は合金等が望ましい。これらの金属又は合金材料を用いた導電性ペーストを用いて上述の実施形態１又は２に記載の方法により形成することができる。
【０１２９】
さらには、有機半導体材料で形成される第１の半導体領域、有機導電性材料で形成される導電層、及び金属元素で形成される導電層を積層してもよい。
【０１３０】
次に、ソース電極及びドレイン電極３１４上に、パッシベーション膜３２３を成膜することが好ましい。パッシベーション膜は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法などの薄膜形成法を用い、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化窒化アルミニウム、または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素（ＣＮ）、その他の絶縁性材料を用いて形成することができる。
【０１３１】
次に、パッシベーション膜にコンタクトホールを形成し、その後ソース電極及びドレイン電極と電気的に接続する配線又は画素電極３３１を形成する。
【０１３２】
コンタクトホールの形成は実施形態２に示した方法によって、パッシベーション膜上の、コンタクトホールを形成する部分以外の領域にマスクを形成し、そのマスクを用いてパッシベーション膜をエッチングすることにより形成することが可能である。
【０１３３】
次に、ソース電極及びドレイン電極それぞれに接続する導電膜３３１を形成する。ここでは、第１実施形態に示した方法により導電材料を溶媒に溶解又は分散したペーストを吐出して導電膜を形成する。導電膜の導電材料としては、ソース電極及びドレイン電極と同様の材料を用いることができる。なお、導電膜３３１は、接続配線又は画素電極として機能する。
【０１３４】
以上の工程により、チャネルエッチ型ＴＦＴを作製することができる。なお本実施形態ではチャネルエッチ型ＴＦＴを作製する方法を示したが、本願発明はこのタイプのＴＦＴに限定されるものではないことは明らかである。すなわち本願発明を用いてチャネル保護型のＴＦＴを形成することもできる。
【０１３５】
チャネル保護型の場合は、第１の半導体膜を形成した後、チャネル保護用の絶縁膜を形成することになる。このときゲート電極を形成の際に使用した方法によって、当該絶縁膜を形成することができる。すなわち第１の半導体膜上に第１の膜を形成し、その上にマスク材料を含有する溶液を吐出してマスクを形成する。
【０１３６】
その後、当該マスクを用い、マスクされていない部分の第１の膜を除去して第１の半導体膜上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する。この場合、塗れ性の高い領域がチャネル保護用の絶縁膜を形成する領域となる。絶縁膜材料を含有する溶液を塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に液滴吐出法にて吐出する。
【０１３７】
次に焼成してチャネル保護用の絶縁膜を形成する。第１の膜を形成する材料、マスクを形成する材料及びその溶媒、チャネル保護用の絶縁膜等は上述したものや第１実施形態、第２実施形態に示したものを用いることができる。
【０１３８】
その後第２の半導体膜を形成し、第１の半導体膜、第２の半導体膜を所望の形状に上述の方法によりパターニングする。上述の方法によりソースドレイン電極を形成し、ソースドレイン電極をマスクにして第２の半導体膜をエッチングすることで形成することができる。
【０１３９】
（第４実施形態）
本実施形態においては、トップゲートのコプレナー構造のＴＦＴの作製工程について図４を用いて示す。
【０１４０】
図４（Ａ）に示すように、基板１０１に第１の絶縁膜４０２を成膜する。第１の絶縁膜としては、基板１０１からの不純物が後に形成されるＴＦＴに侵入するのを防止するためのものであり、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜等の膜を、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等の公知の手法により成膜する。なお、基板１０１から不純物がＴＦＴに侵入しない材料、代表的には石英等で形成されている場合には、第１の絶縁膜４０２を成膜する必要はない。
【０１４１】
次に、第１の絶縁膜４０２上に半導体膜４０３を形成する。半導体膜４０３は、第３実施形態で示される第１の半導体膜３０３を、第１実施形態又は第２実施形態に示した方法により所望の形状に形成する。
【０１４２】
次に、半導体膜４０３のソース領域及びドレイン領域となる部分の上に１３属又は１５属の不純物を有する溶液４０４を第１実施形態の方法を用い、液滴吐出法で吐出した後、レーザ光４０５を照射する。この工程により、図４（Ｂ）に示されるように、導電性を有する半導体領域（ソース領域及びドレイン領域）４１１を形成することができる。このため、１３属又は１５属の不純物を有する溶液は、後のソース領域及びドレイン領域となる半導体領域上に吐出する。また半導体膜４０３が非晶質珪素膜等の場合にはいわゆるチャネル領域に相当する部分が結晶化される場合がある。
【０１４３】
次に、図４（Ｂ）に示すように、ソース領域及びドレイン領域４１１上に島状の第１の膜４１２を形成する。第１の膜４１２は、後に形成されるゲート絶縁膜及び層間絶縁膜の形成を妨げるためのものであるので、後のコンタクトホール及び接続配線を形成する領域に吐出する。第１の膜４１２は、第１実施形態、第２実施形態又は第３実施形態で示される第１の膜と同様の材料及び形成方法を適宜用いることができる。すなわち全面に第１の膜を形成し、その後上述のコンタクトホール及び接続配線を形成する領域にマスクを形成し、当該マスクで覆われていない領域の第１の膜を除去する。これにより除去されずに残った部分が第１の膜４１２となる。第１の膜４１２上のマスクは除去する。
【０１４４】
次に、シロキサンポリマー、ポリシラザン等の有機ＳＯＧ、無機ＳＯＧ等の塗れ性の高い材料を液滴吐出法又は塗布法により形成し、乾燥及び焼成を行ってゲート絶縁膜４１３を形成する。なお、有機ＳＯＧ、無機ＳＯＧ等は第１の膜で弾かれ、第１の膜４１２に挟まれた領域に形成される。
【０１４５】
次に半導体膜４０３上において、ソース領域及びドレイン領域４１１の間であって、ゲート絶縁膜４１３上にゲート電極４２１を形成する。ゲート電極４２１は、第３実施形態に示されるゲート電極３０１と同様の材料及び作製方法を適宜用いる。
【０１４６】
次に、絶縁材料を含有する溶液を塗布して層間絶縁膜３２３を形成する。第１の膜４１２が設けられた領域は塗れ性が低いため、前記絶縁材料を含有する溶液ははじかれる。このため第１の膜４１２に挟まれた領域に選択的に層間絶縁膜３２３を形成することができる。
【０１４７】
次に第１の膜を除去する（図４（Ｃ））。次に、第２の実施形態に示した方法を用いて導電膜３３１を形成する（図４（Ｄ））。
【０１４８】
以上の工程により、トップゲートのコプレナー構造のＴＦＴを形成することができる。
【０１４９】
（第５実施形態）
本実施形態では、上記実施形態におけるパターン形成に用いることができる液滴吐出装置について説明する。図１６において、基板１９００上において、１つのパネル１９３０が形成される領域を点線で示す。
【０１５０】
図１６には、配線等のパターンの形成に用いる液滴吐出装置の一態様を示す。液滴吐出手段１９０５は、ヘッドを有し、ヘッドは複数のノズルを有する。本実施の形態では、十個のノズルが設けられたヘッドを三つ（１９０３ａ、１９０３ｂ、１９０３ｃ）有する場合で説明するが、ノズルの数や、ヘッドの数は処理面積や工程等により設定することができる。
【０１５１】
ヘッドは、制御手段１９０７に接続され、制御手段がコンピュータ１９１０により制御することにより、予め設定されたパターンを描画することができる。描画するタイミングは、例えば、ステージ１９３１上に固定された基板１９００等に形成されたマーカー１９１１を基準点として行えばよい。また、基板１９００の縁を基準点として行ってもよい。これら基準点をＣＣＤなどの撮像手段１９０４で検出し、画像処理手段１９０９にてデジタル信号に変換させる。デジタル変化された信号をコンピュータ１９１０で認識して、制御信号を発生させて制御手段１９０７に送る。このようにパターンを描画するとき、パターン形成面と、ノズルの先端との間隔は、０．１ｃｍ〜５ｃｍ、好ましくは０．１ｃｍ〜２ｃｍ、さらに好ましくは０．１ｃｍ前後とするとよい。このように間隔を短くすることにより、液滴の着弾精度が向上する。
【０１５２】
このとき、基板１９００上に形成されるパターンの情報は記憶媒体１９０８に格納されており、この情報を基にして制御手段１９０７に制御信号を送り、各ヘッド１９０３ａ、１９０３ｂ、１９０３ｃを個別に制御することができる。すなわち、ヘッド１９０３ａ、１９０３ｂ、１９０３ｃが有する各ノズルから異なる材料を有する液滴を吐出することができる。例えばヘッド１９０３ａ、１９０３ｂが有するノズルは絶縁膜材料を有する液滴を吐出し、ヘッド１９０３ｃが有するノズルは導電膜材料を有する液滴を吐出することができる。
【０１５３】
さらに、ヘッドが有する各ノズルを個別に制御することもできる。ノズルを個別に制御することができるため、特定のノズルから異なる材料を有する液滴を吐出することができる。例えば同一ヘッド１９０３ａに、導電膜材料を有する液滴を吐出するノズルと、絶縁膜材料を有する液滴を吐出するノズルとを設けることができる。
【０１５４】
また、層間絶縁膜の形成工程のように大面積に対して液滴吐出処理を行う場合、層間絶縁膜材料を有する液滴を全ノズルから吐出させるとよい。さらに、複数のヘッドが有する全ノズルから、層間絶縁膜材料を有する液滴を吐出するとよい。その結果、スループットを向上させることができる。もちろん、層間絶縁膜形成工程において、一つのノズルから層間絶縁膜材料を有する液滴を吐出し、複数走査することにより大面積に対して液滴吐出処理を行ってもよい。
【０１５５】
そしてヘッドをジグザグ又は往復させ、大型マザーガラスに対するパターン形成を行うことができる。このとき、ヘッドと基板を相対的に複数回走査させればよい。ヘッドを基板に対して走査するとき、進行方向に対してヘッドを斜めに傾けるとよい。
【０１５６】
ヘッドの幅は、大型マザーガラスから複数のパネルを形成する場合、ヘッドの幅は１つのパネルの幅と同程度とすると好ましい。１つのパネル１９３０が形成される領域に対して一回の走査でパターン形成することができ、高いスループットが期待できるからである。
【０１５７】
また、ヘッドの幅は、パネルの幅より小さくしてもよい。このとき、複数の幅の小さなヘッドを直列に配置し、１つのパネルの幅と同程度としてもよい。複数の幅の小さなヘッドを直列に配置することにより、ヘッドの幅が大きくなるにつれて懸念されるヘッドのたわみの発生を防止することができる。もちろん、幅の小さなヘッドを複数回走査することにより、パターン形成を行ってもよい。
【０１５８】
このような液滴吐出法により溶液の液滴を吐出する工程は、減圧下で行うと好ましい。溶液を吐出して被処理物に着弾するまでの間に、該溶液の溶媒が蒸発し、溶液の乾燥と焼成の工程を省略することができるからである。また、減圧下で行うと、導電体の表面に酸化膜などが形成されないため好ましい。また溶液を滴下する工程は、窒素雰囲気中や有機ガス雰囲気中で行ってもよい。
【０１５９】
また、液滴吐出法として、ピエゾ方式を用いることができる。ピエゾ方式は、液滴の制御性に優れインク選択の自由度の高いことからインクジェットプリンターでも利用されている。なお、ピエゾ方式には、ＭＬＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｌａｙｅｒ  Ｐｉｅｚｏ）タイプとＭＬＣｈｉｐ（Ｍｕｌｔｉ  Ｌａｙｅｒ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｈｙｐｅｒ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｐｉｅｚｏ  Ｓｅｇｍｅｎｔｓ）タイプがある。また溶液の溶媒によっては、発熱体を発熱させ気泡を生じさせ溶液を押し出す、いわゆるサーマル方式を用いた液滴吐出法でもよい。
【実施例１】
【０１６０】
次に、銀配線を形成する方法について図５〜図７を用いて説明する。
【０１６１】
図５（Ａ）に示すように、基板５０１表面に窒化珪素膜５０２を形成する。基板５０１には、旭硝子社製ＡＮ１００ガラス基板を用いた。
【０１６２】
次に窒化珪素膜５０２上に、ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン（ＧＥ  東芝シリコーン製ＴＳＬ８２３３）層５０３を吸着させた（以下、本実施例において「第１の膜」という）。ここではヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを希釈した溶液を酸化珪素膜上に塗布して吸着させた。
【０１６３】
第１の膜５０３上に、第１のマスクパターン５０４を形成した。第１のマスクパターンはポリイミド溶液（東レ製、ＤＬ１６０２（６５ｗｔ％））とヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン（５ｗｔ％）とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（３０ｗｔ％）とを混合したものを液滴吐出法にて吐出して線幅６０μｍのパターンを形成した。第１のマスク間の距離は１００μｍとした。ここでは界面活性剤としてヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを添加した。このときの表面張力は２０．５ｍＮ／ｍ、静的接触角は３５°であった。また溶媒を除去してポリイミドの増粘を高めるために、基板温度を６０℃にした（図６）。
【０１６４】
これにより第１のマスクパターン５０４が形成されていない領域は第１の膜が露出することになる（図５（Ａ））。
【０１６５】
次にＵＶオゾンクリーナーにて１０分間処理し、第１のマスクパターンが形成されていない領域の第１の膜５０３を分解して除去した。その後第１のマスクパターン５０４を剥離液によって剥離して島状の第１の膜５１０を形成した。これにより基板内に塗れ性の高い領域５０６（第１の膜が形成されていない領域）と塗れ性の低い領域５０５（第１の膜が形成されている領域）が形成される（図５（Ｂ））。
【０１６６】
この島状の第１の膜に挟まれた領域５０６に銀ペースト（ハリマ化成製）を液滴吐出法にて吐出した。第１の膜に対する静的接触角は５５°であった。その後オーブンで２３０℃で焼成した。これにより線幅１００μｍの銀の配線５０７を形成できた（図５（Ｃ）、図７）。島状の第１の膜はその後ＵＶオゾンクリーナー処理して除去した（図５（Ｄ））。
【０１６７】
ここでは第１の膜を形成し、その上に界面活性剤を添加して接触角を低くした溶液を用いて第１のマスクパターンを形成して第１の膜をパターニングして塗れ性の低い領域（第１の膜が形成されている領域）と高い領域（第１の膜が形成されていない領域）を形成した。その後塗れ性の高い領域に第１の膜に対して接触角が高い溶液（ここでは銀ペースト）を吐出した。この方法によりいわゆるフォトリソグラフィー工程を経ることなく、また基板にダメージを与えることなく、簡便に細線パターンを形成することができた。
【実施例２】
【０１６８】
次に、透明電極をパターニングする方法について説明する。
【０１６９】
図２（Ａ）に示すように、透明電極（ＩＴＯ、酸化珪素を含むＩＴＯ、ＩＺＯ等）２０１が形成された基板１０１上にヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン（ＧＥ  東芝シリコーン製ＸＣ９８−Ａ５３８２）膜１０２を吸着させた（以下、本実施例において「第１の膜」という）。ここではヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを希釈した溶液を透明電極上に塗布して吸着させた。
【０１７０】
第１の膜１０２上に、第１のマスクパターン１０３を形成した。第１のマスクパターンはポリビニルアルコール（クラレ製、ＬＭ２５Ｓ０（１０ｗｔ％））をメチルエチルケトンとジプロピレングリコールモノメチルエーテル（メチルエチルケトン：ジプロピレングリコールモノメチルエーテル＝１：１）を溶媒とし、界面活性剤としてヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン（ＸＣ９８−Ａ５３８２（１ｗｔ％））を混合したものを液滴吐出法にて吐出した。これにより線幅６０μｍのパターンを形成した。また間隔は５００μｍとした。このときの表面張力は１８ｍＮ／ｍであり、第１の膜に対する静的接触角は３６°であった。また吐出時には基板温度を５０℃にした。
【０１７１】
これにより第１のマスクパターンが形成されていない領域は第１の膜が露出することになる（図２（Ａ）、図８）。
【０１７２】
次にＵＶオゾンクリーナーにて１０分間処理し、第１のマスクパターンが形成されていない領域の第１の膜１０２を分解して除去した。その後第１のマスクパターンをエタノール液によって剥離して島状の第１の膜２１０を形成した。これにより基板内にぬれ性の高い領域１０５（第１の膜が形成されていない領域）とぬれ性の低い領域１０４（第１の膜が形成されている領域）が形成される（図２（Ｂ））。
【０１７３】
その後、第１の膜が形成されていない領域１０５上に、第２のマスクパターン２０２を形成した（図２（ｃ））。第２のマスクパターン２０２は島状の第１の膜が形成された基板の全面にポリイミド溶液（東レ製ＤＬ１６０２、溶媒：ブチロラクトン：乳酸エチル＝１：１）を液滴吐出法にて吐出して形成した。基板内には塗れ性の高い領域１０５と塗れ性の低い領域１０４が形成されているから、塗れ性の高い領域１０５にポリイミド溶液が塗布された。第１の膜に対する表面張力は３１ｍＮ／ｍであり、第１の膜に対する静的接触角は６８°であった。なおポリイミド溶液を塗布する際に基板は加熱しなかった（図９）。この後焼成工程を入れても構わない。
【０１７４】
図２（Ｄ）に示すように第２のマスクパターン２０２を用いて、島状の第１の膜及びその下の透明電極をエッチングしてパターニングした。これにより間隔５００μｍで隣の透明電極との間隔が６０μｍの透明電極パターンを形成できた。その後第２のマスクパターンは除去した（図２（Ｅ））。
【０１７５】
ここでは透明電極上に第１の膜を形成し、その上に界面活性剤を添加して接触角を低くした溶液を用いて第１のマスクパターンを形成して第１の膜をパターニングして塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成した。その後塗れ性の高い領域に第１の膜に対して接触角が高い溶液（ここではポリイミド溶液）を吐出して第２のマスクを形成し、このマスクを用いて透明電極をエッチングした。この方法によりいわゆるフォトリソグラフィー工程を経ることなく、また基板にダメージを与えることなく、簡便に透明電極をパターニングすることができた。
【実施例３】
【０１７６】
次に、絶縁膜をパターニングする方法について説明する。
【０１７７】
図２（Ａ）に示すように、酸化珪素膜２０１が形成された基板１０１上にオクタデシルトリメトキシシラン膜１０２を吸着させる（以下、本実施例において「第１の膜」という）。ここではオクタデシルトリメトキシシラン膜を希釈した溶液を酸化珪素膜上に塗布して吸着させる。
【０１７８】
第１の膜１０２上に、第１のマスクパターン１０３を形成する。第１のマスクパターンはポリイミド溶液（東レ製、ＤＬ１６０２（６５ｗｔ％））とヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン（５ｗｔ％）とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（３０ｗｔ％）とを混合したものを液滴吐出法にて吐出して線幅１０μｍのパターンを形成した。ここでは界面活性剤としてヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを添加した。
【０１７９】
これにより第１のマスクパターンが形成されていない領域は第１の膜が露出することになる。
【０１８０】
次にＵＶオゾンクリーナーにて１０分間処理し、第１のマスクパターンが形成されていない領域の第１の膜１０２を分解して除去する。その後第１のマスクパターンを剥離して島状の第１の膜２１０を形成する。これにより基板内に塗れ性の高い領域１０５（第１の膜が形成されていない領域）と塗れ性の低い領域１０４（第１の膜が形成されている領域）が形成される。
【０１８１】
その後、島状の第１の膜が形成されていない領域１０５上に、第２のマスクパターンを形成した。第２のマスクパターン２０２は第１の膜２１０が形成された基板の全面にポリイミド溶液を液滴吐出法にて吐出する。基板内には塗れ性の高い領域１０５と塗れ性の低い領域１０４が形成されているから、塗れ性の高い領域にポリイミド溶液が塗布される。次にポリイミドを焼成することもできる。
【０１８２】
第２のマスクパターン２０２を用いて、第１の膜２１０及びその下の酸化珪素膜２０１をエッチングしてパターニングする（図２（Ｄ）（Ｅ））。
【実施例４】
【０１８３】
次に図１０等を用いて逆スタガ型のＴＦＴを形成する実施例を示す。
【０１８４】
酸化珪素膜１００２が形成されたガラス基板１００１上にヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン（ＧＥ  東芝シリコーン製ＸＣ９８−Ａ５３８２）膜１００３を塗布して吸着させる（以下、本実施例において「第１の膜」という）。
【０１８５】
第１の膜１００３上に、第１のマスクパターン１００４を形成する。第１のマスクパターンはポリイミド溶液（東レ製、ＤＬ１６０２（６５ｗｔ％））とヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン（５ｗｔ％）とジプロピレングリコールモノメチルエーテル（３０ｗｔ％）とを混合したものを液滴吐出法にて吐出して線幅１０μｍのパターンを形成する。ここでは界面活性剤としてヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを添加する。
【０１８６】
これにより第１のマスクパターンが形成されていない領域は第１の膜が露出することになる（図１０（Ａ））。
【０１８７】
次にＵＶオゾンクリーナーにて５〜１５分間処理し、第１のマスクパターンが形成されていない領域の第１の膜１００３を分解して除去する。その後第１のマスクパターンを剥離液によって剥離して島状の第１の膜１０１０を形成する。これにより基板内に塗れ性の高い領域１００６（第１の膜が形成されていない領域）と塗れ性の低い領域１００５（第１の膜が形成されている領域）が形成される（図１０（Ｂ））。
【０１８８】
この第１の膜に挟まれた領域１００６に銀の微粒子を溶媒に分散した溶液を液滴吐出法にて吐出する。その後オーブンで２００〜２５０℃で焼成する。これにより線幅１０μｍのゲート電極１００７を形成できる（図１０（Ｃ））。島状の第１の膜１０１０はその後ＵＶオゾンクリーナーにて処理して除去する（図１０（Ｄ））。
【０１８９】
次に、ゲート電極１００７上にゲート絶縁膜１００８を形成する。ゲート絶縁膜１００８はプラズマＣＶＤ法を用い、窒化酸化珪素膜と酸化窒化珪素膜の積層膜を形成する。ゲート電極層に接する側から、窒化酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜の積層構造とする。膜厚は５０〜１００ｎｍとする。
【０１９０】
次に、ゲート絶縁膜１００８上に、プラズマＣＶＤ法により非晶質珪素膜１００９を形成する。膜厚は１００〜２００ｎｍとする。
【０１９１】
次にニッケルを含む酢酸溶液を非晶質半導体膜上にスピンコート法にて塗布して保持させ、この非晶質半導体膜に脱水素化（５００℃、１時間）を行なった後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を行なって結晶性珪素膜１０１１を形成する。この後パルス発光型でＭＨｚの周波数を有するレーザー光１０５０を照射してさらに結晶性を高める（図１１（Ａ））。
【０１９２】
次に、珪化物気体にリンの元素を有する気体を加えたプラズマＣＶＤ法で第２の非晶質珪素膜１０１２を成膜する。
【０１９３】
第２の非晶質珪素膜１０１２を形成した後、再度５５０℃で加熱処理を施す。これにより結晶性珪素膜１０１１に含まれるニッケルが第２の非晶質珪素膜１０１２にゲッタリングされる。なおこの加熱処理により第２の非晶質珪素膜も結晶化され、第２の結晶質珪素膜になる場合がある。
【０１９４】
次に、第２の非晶質珪素膜又は第２の結晶性珪素膜１０１２及び結晶性珪素膜１０１１をエッチングして島状にする。まず第２の非晶質珪素膜又は第２の結晶性珪素膜１０１２上に第１の膜１０１３を吸着させる。
【０１９５】
次に第１の膜上にポリビニルアルコールをメチルエチルケトンとジプロピレングリコールモノメチルエーテル（メチルエチルケトン：ジプロピレングリコールモノメチルエーテル＝１：１）を溶媒とし、界面活性剤としてヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを混合したものを液滴吐出法にて吐出して第２のマスク１０１４を形成する（図１１（Ｂ））。
【０１９６】
第２のマスク１０１４を用いて第１の膜１０１３をパターニングして第２の非晶質珪素又は結晶性珪素膜１０１２上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する。その後、第２のマスク１０１４を除去する。
【０１９７】
塗れ性の低い領域１０１５に挟まれた塗れ性の高い領域に、ポリイミドを含有する溶液を吐出して第３のマスク１０１６を形成する（図１１（Ｃ））。この後焼成工程を入れてもよい。
【０１９８】
第３のマスク１０１６を用いて、パターニングされた第１の膜１０１３及び第２の非晶質珪素膜又は結晶性珪素膜１０１２及び結晶性珪素膜１０１１をドライエッチングして島状にする。第３のマスク１０１６は、このエッチング後に除去する（図１１（Ｄ））。
【０１９９】
次に、第２の非晶質珪素膜又は結晶性珪素膜１０１２上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する。ここでは導電膜１０１７としてＴｉ膜、Ａｌ膜、Ｔｉ膜をそれぞれスパッタ法にて形成する（図１２（Ａ））。
【０２００】
次に、最表面のＴｉ膜上に第１の膜１０１８を吸着させる（図１２（Ｂ））。第１の膜上にポリビニルアルコールをメチルエチルケトンとジプロピレングリコールモノメチルエーテル（メチルエチルケトン：ジプロピレングリコールモノメチルエーテル＝１：１）を溶媒とし、界面活性剤としてヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを混合したものを液滴吐出法にて吐出して第４のマスク（図示しない）を形成する。
【０２０１】
第４のマスクを用いて第１の膜をパターニングしてＴｉ膜上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する。その後、第４のマスクを除去する。
【０２０２】
塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、ポリイミドを含有する溶液を吐出して第５のマスクを形成する（図示しない）。
【０２０３】
第５のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜及びＴｉ膜、Ａｌ膜、Ｔｉ膜をドライエッチングしてソース電極及びドレイン電極１０２１を形成する。第５のマスクは、このエッチング後に除去する（図１２（Ｃ））。
【０２０４】
次に、ソース電極及びドレイン電極１０２１をマスクとして、第２の非晶質珪素膜又は結晶性珪素膜１０１２をエッチングして結晶性珪素膜１０２２を露出させる。このとき結晶珪素膜表面の一部もエッチングされる。
【０２０５】
次に、ソース電極及びドレイン電極１０２１上に、パッシベーション膜１０２３を成膜する（図１２（Ｄ））。
【０２０６】
次に第１の膜１０２４を吸着させる。第１の膜上にポリビニルアルコールをメチルエチルケトンとジプロピレングリコールモノメチルエーテル（メチルエチルケトン：ジプロピレングリコールモノメチルエーテル＝１：１）を溶媒とし、界面活性剤としてヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを混合したものを液滴吐出法にて吐出して第６のマスク１０２５を形成する（図１２（Ｅ））。
【０２０７】
次に第６のマスクが形成されていない部分の第１の膜を除去する。この第６のマスクが形成された部分には、後にコンタクトホールが形成される。その後、第６のマスクを除去する（図示しない）。
【０２０８】
第１の膜１０２４が形成された領域は塗れ性の低い領域となり、その他の領域は塗れ性の高い領域となる。次に層間絶縁膜を含有する溶液を吐出すると、層間絶縁膜１０２６は塗れ性の高い領域に形成され、第１の膜が形成された塗れ性の低い領域には形成されない（図１３（Ａ））。その後、第１の膜１０２４を除去する。また続けてパッシベーション膜１０２３を除去してソース電極又はドレイン電極の一部を露出させる（図１３（Ｂ））。
次に画素電極１０２７をスパッタ法等により形成する（図１３（Ｃ））。
【０２０９】
次に、画素電極１０２７上に第１の膜を吸着させる。第１の膜上にポリビニルアルコールをメチルエチルケトンとジプロピレングリコールモノメチルエーテル（メチルエチルケトン：ジプロピレングリコールモノメチルエーテル＝１：１）を溶媒とし、界面活性剤としてヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを混合したものを液滴吐出法にて吐出して第７のマスクを形成する（図示しない）。
【０２１０】
第７のマスクを用いて第１の膜をパターニングして画素電極上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する。その後、第７のマスクを除去する（図示しない）。
【０２１１】
塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、ポリイミドを含有する溶液を吐出して第８のマスクを形成する（図示しない）。
【０２１２】
第８のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜及び画素電極をエッチングする。第８のマスクは、このエッチング後に除去する。以上の工程により、チャネルエッチ型ＴＦＴを作製することができる（図示しない）。
【実施例５】
【０２１３】
本実施例では、実施例４で示したＴＦＴの作製方法を用いて、アクティブマトリクス装置を作製した例について説明する。ここでは表示パネルとして液晶表示パネルを用いて説明する。
【０２１４】
図１４は、画素部１４２０及び接続端子部１４２１の縦断面構造を模式的に示したものである。ＴＦＴは実施例４で示した方法で作製でき、また補助容量は実施例４で示した方法を用いることによりＴＦＴと同時に作製できることは言うまでもない。
【０２１５】
１４０１は基板、１４１２は対向基板を示す。１４０３はゲート電極又はゲート配線、１４０４はゲート絶縁膜、１４０５は半導体膜、１４０６はｎ型又はｐ型の半導体膜、１４０７はソース電極、ドレイン電極又はソース線を示す。１４０８、１４０９はパッシベーション膜、層間絶縁膜、１４１０は画素電極、１４１１は配向膜、１４１４は接続端子、１４１５は異方性導電膜、１４１６は液晶材料を示している。
【０２１６】
画素電極１４１０はインジウム錫酸化物、酸化亜鉛、酸化スズなどを含む組成物により形成してもよい。また反射型の液晶表示パネルを作製する場合は銀、金、銅、タングステン、アルミニウム等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。
【０２１７】
配向膜１４１１は印刷法やスピンコート法により、絶縁膜を成膜し、ラビングを行って形成する。また斜方蒸着法により形成することもできる。
【０２１８】
また基板周辺部には封止材を液滴吐出法、ディスペンサ法、印刷法等により形成する（図示しない）。
【０２１９】
液晶材料１４１６はディスペンサ式（滴下式）により、シール材で形成された閉ループ内側に、液晶材料を滴下する。
【０２２０】
液晶材料としてはネマチック液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。また液晶モードとしてはＯＣＢ、ＭＶＡ等のモードを用いることもできる。
【０２２１】
ゲート配線層１４０３、ソース配線層（図示しない）それぞれには異方性導電層１４１５を介して接続端子（ゲート配線層に接続される接続端子１４１４、ソース配線層に接続される接続端子は図示せず。）を貼り付けられている。
【０２２２】
なお、静電破壊防止のための保護回路、代表的にはダイオードなどを、接続端子とソース配線（ゲート配線）の間または画素部に設けてもよい。この場合、上記したＴＦＴと同様の工程で作製し、画素部のゲート配線層とダイオードのドレイン又はソース配線層とを接続することにより、ダイオードとして動作させることができる。
【０２２３】
なお、第１実施形態乃至第５実施形態のいずれをも本実施例に適応することができる。また、本実施例では、表示パネルとして液晶表示パネルの作製方法を示したが、これに限られるものではなく、有機材料又は無機材料で形成された発光物質を発光層として有する発光表示装置、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ；デジタルマイクロミラーデバイス）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ；プラズマディスプレイパネル）、ＦＥＤ（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ；フィールドエミッションディスプレイ）、電気泳動表示装置（電子ペーパー）等のアクティブ型表示パネルに適宜適応することができる。
【実施例６】
【０２２４】
本実施例では、パッシブマトリクス基板を用いる表示パネルについて、図１７を用いて説明する。本実施例では、表示パネルとして、ＥＬ表示パネル（発光表示パネル）を用いて説明する。
【０２２５】
図１７（Ａ）に示すように、透光性を有する基板１７０１上に、透光性導電膜で形成される第１の画素電極１７０２を形成する。
【０２２６】
まず基板１７０１上に第１の膜を形成する。次に第１の膜上にマスク材料を含有する溶液を液滴吐出法にて吐出してマスクを形成する。このマスクを用い、第１の膜をＵＶオゾン処理をしてマスクされていない部分の第１の膜を除去する。これにより基板上に塗れ性の低い領域と高い領域を形成できる。次に塗れ性の高い領域にＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ2を組成物として有する溶液を液滴吐出法にて吐出し、焼成して第１の画素電極を形成する。なお平行に描画しながら吐出して、第１の画素電極を形成する（図示しない）。
【０２２７】
次に、第１の画素電極１７０２上に、等間隔で第１の電極と直交した複数の第１の絶縁膜１７０３を形成する。第１の絶縁膜としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等の絶縁膜を成膜し、平行にエッチングして形成する。ここでは実施形態２に示した方法により形成することができる。
【０２２８】
次に、図１７（Ｂ）に示すように、後に有機ＥＬ材料層が形成される領域、即ち隣り合う第１の絶縁膜１７０３間の領域に、マスクパターン１７１１を形成する。まず第１の膜を全面に形成し、その上にマスク材料を含有する溶液を液滴吐出法にて吐出してマスクを形成する。そしてこのマスクを用いて第１の膜をＵＶオゾン処理にてパターニングして形成する。第１の膜上のマスクは除去して第１の膜からなるマスクパターンを形成する。
【０２２９】
次に、マスクパターンが形成されていない領域、即ちマスクパターンの外縁に、絶縁膜材料を含有する溶液を吐出し、乾燥及び焼成をして第２の絶縁膜１７１２を形成する。本実施例では、ポリイミドを吐出する。
【０２３０】
なお、当該溶液の組成、粘度、表面張力等により図１７（Ｂ）に示すような、断面が逆テーパー形状の第２の絶縁膜１７１２を形成することができる。
【０２３１】
また、当該溶液の組成、粘度、表面張力等により図１８に示すように、断面が順テーパ形状の第２の絶縁膜１７３１を形成することができる。
【０２３２】
次に、図１７（Ｃ）に示すように、酸素を用いたアッシングにより、マスクパターン１７１１を除去する。次に、有機ＥＬ材料を蒸着して、即ち隣り合う第１の絶縁膜１７０３間の領域に、有機ＥＬ材料層１７２１を形成する。この工程において、第２の絶縁膜１７１２上にも、有機ＥＬ材料１７２２が蒸着される。
【０２３３】
次に、図１７（Ｄ）に示すように、導電材料を蒸着し、第２の画素電極１７２３を形成する。なお、この工程において、第２の絶縁膜１７１２上に形成された有機ＥＬ材料１７２２上に、第２の導電材料１７２４が蒸着される。本実施例では、第２の画素電極はＡｌ、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ａｇ−Ｍｇ合金等で形成されている。
【０２３４】
なお、第２の絶縁膜１７１２の断面が逆テーパー形状の場合、有機ＥＬ材料層１７２１及び第２の画素電極１７２３は、第２の絶縁膜１７１２の頭部によって蒸着が妨げられる。
このため、公知のフォトリソグラフィー工程を用いずとも、第２の絶縁膜１７１２ごとに分断することができる。
【０２３５】
また、第２の絶縁膜１７３１が順テーパー形状の場合、液滴吐出法により、図１８（Ｂ）に示すように、各第２の絶縁膜１７３１の間に、有機ＥＬ材料及び導電材料を有する溶液をそれぞれ吐出して、有機ＥＬ材料１７３２及び第２の画素電極１７３３を形成することができる。
【０２３６】
この後、保護膜を成膜して有機ＥＬ表示パネルを作製することができる。
【０２３７】
なお、第１実施形態乃至第５実施形態のいずれをも本実施例に適応することができる。また、本実施例では、表示パネルとして有機ＥＬ表示パネルの作製方法を示したが、これに限られるものではなく、液晶表示装置、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ；デジタルマイクロミラーデバイス）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ；プラズマディスプレイパネル）、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ；フィールドエミッションディスプレイ）、電気泳動表示装置（電子ペーパー）等のパッシブ型表示パネルに適宜適応することができる。
【０２３８】
本実施例によって公知のフォトリソグラフィーを用いずとも、有機ＥＬ表示装置を形成することができる。
【実施例７】
【０２３９】
本実施例では、上記実施例に示した表示パネルへの駆動回路（信号線駆動回路１５０２及び走査線駆動回路１５０３ａ、１５０３ｂ）の実装について、図１９を用いて説明する。
【０２４０】
図１９（Ａ）に示すように、画素部１５０１の周辺に信号線駆動回路１５０２、及び走査線駆動回路１５０３ａ、１５０３ｂを実装する。図１９（Ａ）では、信号線駆動回路１５０２、及び走査線駆動回路１５０３ａ、１５０３ｂ等として、ＣＯＧ方式により、基板１５００上にＩＣチップ１５０５を実装する。そして、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１５０６を介して、ＩＣチップと外部回路とを接続する。
【０２４１】
また、図１９（Ｂ）に示すように、ＳＡＳや結晶性半導体でＴＦＴを形成する場合、画素部１５０１と走査線駆動回路１５０３ａ、１５０３ｂ等を基板上に一体形成し、信号線駆動回路１５０２等を別途ＩＣチップとして実装する場合がある。図１９（Ｂ）において、信号線駆動回路１５０２として、ＣＯＧ方式により、基板１５００上にＩＣチップ１５０５を実装する。そして、ＦＰＣ１５０６を介して、ＩＣチップと外部回路とを接続する。
【０２４２】
またさらに図１９（Ｃ）に示すように、ＣＯＧ方式に代えて、ＴＡＢ方式により信号線駆動回路１５０２等を実装する場合がある。そして、ＦＰＣ１５０６を介して、ＩＣチップと外部回路とを接続する。図１９（Ｃ）において、信号線駆動回路をＴＡＢ方式により実装しているが、走査線駆動回路をＴＡＢ方式により実装してもよい。
【０２４３】
ＩＣチップをＴＡＢ方式により実装すると、基板に対して画素部を大きく設けることができ、狭額縁化を達成することができる。
【０２４４】
ＩＣチップは、シリコンウェハを用いて形成するが、ＩＣチップの代わりにガラス基板上にＩＣを形成したＩＣ（以下、ドライバＩＣと表記する）を設けてもよい。ＩＣチップは、円形のシリコンウェハからＩＣチップを取り出すため、母体基板形状に制約がある。一方ドライバＩＣは、母体基板がガラスであり、形状に制約がないため、生産性を高めることができる。そのため、ドライバＩＣの形状寸法は自由に設定することができる。例えば、ドライバＩＣの長辺の長さを１５〜８０ｍｍとして形成すると、ＩＣチップを実装する場合と比較し、必要な数を減らすことができる。その結果、接続端子数を低減することができ、製造上の歩留まりを向上させることができる。
【０２４５】
ドライバＩＣは、基板上に形成された結晶質半導体を用いて形成することができ、結晶質半導体は連続発振型のレーザ光を照射することで形成するとよい。連続発振型のレーザ光を照射して得られる半導体膜は、結晶欠陥が少なく、大粒径の結晶粒を有する。その結果、このような半導体膜を有するトランジスタは、移動度や応答速度が良好となり、高速駆動が可能となり、ドライバＩＣに好適である。
【実施例８】
【０２４６】
本実施例では、上記実施例に示した表示パネルへの駆動回路（信号線駆動回路１５０２及び走査線駆動回路１５０３ａ、１５０３ｂ）の実装方法について、図２０を用いて説明する。この実装方法としては、異方性導電材を用いた接続方法やワイヤボンディング方式等を採用すればよく、その一例について図２０を用いて説明する。なお、本実施例では、信号線駆動回路１５０２及び走査線駆動回路１５０３ａ、１５０３ｂにドライバＩＣを用いた例を示す。ドライバＩＣの代わりに、適宜ＩＣチップを用いることができる。
【０２４７】
図２０（Ａ）はアクティブマトリクス基板２００１に、ドライバＩＣ２００３が異方性導電材を用いて実装された例を示す。アクティブマトリクス基板２００１上には、ソース配線又はゲート配線等の各配線（図示しない。）と該配線の取り出し電極である電極パッド２００２ａ、２００２ｂが形成されている。
【０２４８】
ドライバＩＣ２００３表面には、接続端子２００４ａ、２００４ｂが設けられ、その周辺部には保護絶縁膜２００５が形成される。
【０２４９】
アクティブマトリクス基板２００１上には、ドライバＩＣ２００３が異方性導電接着剤２００６で固定されており、接続端子２００４ａ、２００４ｂと電極パッド２００２ａ、２００２ｂはそれぞれ、異方性導電接着剤中に含まれる導電性粒子２００７で電気的に接続されている。異方性導電接着剤は、導電性粒子（粒径３〜７μｍ程度）を分散、含有する接着性樹脂であり、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、導電性粒子は、金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた一元素、若しくは複数の元素の合金粒子で形成される。また、これらの元素の多層構造を有する粒子でも良い。さらには、樹脂粒子に金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた一元素、若しくは複数の元素の合金がコーティングされた粒子でもよい。
【０２５０】
また、異方性導電接着剤の代わりに、ベースフィルム上にフィルム状に形成された異方性導電フィルムを転写して用いても良い。異方性導電フィルムも、異方性導電接着剤と同様の導電性粒子が分散されている。異方性導電接着剤２００６中に混入された導電性粒子２００７の大きさと密度を適したものとすることにより、このような形態でドライバＩＣをアクティブマトリクス基板に実装することができる。本実装方法は、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）のドライバＩＣの実装方法に適している。
【０２５１】
図２０（Ｂ）は有機樹脂の収縮力を用いた実装方法の例であり、ドライバＩＣの接続端子表面にＴａやＴｉなどでバッファ層２０１１ａ、２０１１ｂを形成し、その上に無電解メッキ法などによりＡｕを約２０μｍ形成しバンプ２０１２ａ、２０１２ｂとする。ドライバＩＣとアクティブマトリクス基板との間に光硬化性絶縁樹脂２０１３を介在させ、光硬化して固まる樹脂の収縮力を利用して電極間を圧接して実装することができる。本実装方法は、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）のドライバＩＣの実装方法に適している。
【０２５２】
また、図２０（Ｃ）で示すように、アクティブマトリクス基板２００１にドライバＩＣ２００３を接着剤２０２１で固定して、ワイヤ２０２２ａ、２０２２ｂによりドライバＩＣの接続端子と配線基板上の電極パッド２００２ａ、２００２ｂとを接続しても良い。そして有機樹脂２０２３で封止する。本実装方法は、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）のドライバＩＣの実装方法に適している。
【０２５３】
また、図２０（Ｄ）で示すように、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）２０３１上の配線２０３２と、導電性粒子２００８を含有する異方性導電接着剤２００６を介してドライバＩＣ２００３を設けてもよい。この構成は、携帯端末等の筐体の大きさが限られた電子機器に用いる場合に大変有効である。本実装方法は、図１９（Ｃ）のドライバＩＣの実装方法に適している。
【０２５４】
なお、ドライバＩＣの実装方法は、特に限定されるものではなく、公知のＣＯＧ方法やワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法、半田バンプを用いたリフロー処理を用いることができる。なお、リフロー処理を行う場合は、ドライバＩＣ又はアクティブマトリクス基板に用いられる基板が耐熱性の高いプラスチック、代表的にはポリイミド基板、ＨＴ基板（新日鐵化学社製）、極性基のついたノルボルネン樹脂からなるＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ製）等を用いることが好ましい。
【実施例９】
【０２５５】
本実施例では、表示モジュールについて説明する。ここでは、表示モジュールの一例として、液晶モジュールを、図２１を用いて示す。
【０２５６】
図２１に示す液晶モジュールにおいて、アクティブマトリクス基板１６０１と対向基板１６０２とが、封止材１６００により固着され、それらの間には画素部１６０３と液晶層１６０４とが設けられ表示領域を形成している。
【０２５７】
着色層１６０５は、カラー表示を行う場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応した着色層が各画素に対応して設けられている。アクティブマトリクス基板１６０１と対向基板１６０２との外側には、偏光板１６０６、１６０７が配設されている。また、偏光板１６０６の表面には、保護膜１６１６が形成されており、外部からの衝撃を緩和している。
【０２５８】
アクティブマトリクス基板１６０１に設けられた接続端子１６０８には、ＦＰＣ１６０９を介して配線基板１６１０が接続されている。ＦＰＣ又は接続配線には画素駆動回路（ＩＣチップ、ドライバＩＣ等）１６１１が設けられ、配線基板１６１０には、コントロール回路や電源回路などの外部回路１６１２が組み込まれている。
【０２５９】
冷陰極管１６１３、反射板１６１４、及び光学フィルム１６１５はバックライトユニットであり、これらが光源となって液晶表示パネルへ光を投射する。液晶パネル、光源、配線基板、ＦＰＣ等は、ベゼル１６１７で保持及び保護されている。
【実施例１０】
【０２６０】
本実施例では、表示モジュールの一例として、発光表示モジュールの外観について、図２２を用いて説明する。図２２（Ａ）は、第１の基板と、第２の基板との間を第１の封止材１２０５及び第２の封止材１２０６によって封止されたパネルの上面図であり、図２２（Ｂ）は、図２２（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図に相当する。
【０２６１】
図２２（Ａ）において、点線で示された１２０１は信号線（ソース線）駆動回路、１２０２は画素部、１２０３は走査線（ゲート線）駆動回路である。本実施例において、信号線駆動回路１２０１、画素部１２０２、及び走査線駆動回路１２０３は第１の封止材及び第２の封止材で封止されている領域内にある。第１の封止材としては、フィラーを含む粘性の高いエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第２の封止材としては、粘性の低いエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第１の封止材１２０５及び第２の封止材はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【０２６２】
また、画素部１２０２と封止材１２０５との間に、乾燥剤を設けてもよい。さらには、画素部において、走査線又は信号線上に乾燥剤を設けてもよい。乾燥剤としては、酸化カルシウム（ＣａＯ）や酸化バリウム（ＢａＯ）等のようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水（Ｈ2Ｏ）を吸着する物質を用いるのが好ましい。但し、これに限らずゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水を吸着する物質を用いても構わない。
【０２６３】
また、透湿性の高い樹脂に乾燥剤の粒状の物質を含ませた状態で第１の基板を第２の基板１２０４に固定することができる。ここで、透湿性の高い樹脂としては、例えば、エステルアクリレート、エーテルアクリレート、エステルウレタンアクリレート、エーテルウレタンアクリレート、ブタジエンウレタンアクリレート、特殊ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、アミノ樹脂アクリレート、アクリル樹脂アクリレート等のアクリル樹脂を用いることができる。この他、ビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固形樹脂、含ブロムエポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、フェノール型樹脂、クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹脂、グリシジルエステル樹脂、グリジシルアミン系樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。また、この他の物質を用いても構わない。また、例えばシロキサンポリマー、ポリイミド、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、等の無機物等を用いてもよい。
【０２６４】
乾燥剤を走査線と重畳する領域に設けることで、また、透湿性の高い樹脂に乾燥剤の粒状の物質を含ませた状態で第２の基板に固定することで、開口率を低下せずに表示素子への水分の侵入及びそれに起因する劣化を抑制することができる。
【０２６５】
なお、１２１０は、信号線駆動回路１２０１及び走査線駆動回路１２０３に入力される信号を伝送するための接続領域であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリント配線）１２０９から、接続配線１２０８を介してビデオ信号やクロック信号を受け取る。
【０２６６】
次に、断面構造について図２２（Ｂ）を用いて説明する。第１の基板１２００上には駆動回路及び画素部が形成されており、ＴＦＴを代表とする半導体素子を複数有している。駆動回路として信号線駆動回路１２０１と画素部１２０２とを示す。なお、信号線駆動回路１２０１はｎチャネル型ＴＦＴ１２２１とｐチャネル型ＴＦＴ１２２２とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。
【０２６７】
本実施例においては、同一基板上に信号線駆動回路、走査線駆動回路、及び画素部のＴＦＴが形成されている。このため、発光表示装置の容積を縮小することができる。
【０２６８】
また、画素部１２０２はスイッチング用ＴＦＴ１２１１と、駆動用ＴＦＴ１２１２とそのドレインに電気的に接続された反射性を有する導電膜からなる第１の画素電極（陽極）１２１３を含む複数の画素により形成される。
【０２６９】
また、これらのＴＦＴ１２１１、１２１２、１２２１、１２２２の層間絶縁膜１２２０としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、有機材料（ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、またはシロキサンポリマー）を主成分とする材料を用いて形成することができる。また、層間絶縁膜の原料としてシロキサンポリマーを用いると、シリコンと酸素を骨格構造に有し、側鎖に水素又は／及びアルキル基を有する構造の絶縁膜となる。
【０２７０】
また、第１の画素電極（陽極）１２１３の両端には絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）１２１４が形成される。絶縁物１２１４に形成する膜の被覆率（カバレッジ）を良好なものとするため、絶縁物１２１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。絶縁物１２１４の材料としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、有機材料（ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、またはシロキサンポリマー）を主成分とする材料を用いて形成することができる。また、絶縁物の原料としてシロキサンポリマーを用いると、シリコンと酸素を骨格構造に有し、側鎖に水素又は／及びアルキル基を有する構造の絶縁膜となる。また、絶縁物１２１４を窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、炭素を主成分とする薄膜、または窒化珪素膜からなる保護膜（平坦化層）で覆ってもよい。また、絶縁物１２１４として、黒色顔料、色素などの可視光を吸収する材料を溶解又は分散させてなる有機材料を用いることで、後に形成される発光素子からの迷光を吸収することができる。この結果、各画素のコントラストが向上する。また、層間絶縁膜１２２０も遮光性を有する絶縁物で設けることによって、絶縁物１２１４とのトータルで遮光の効果を得ることができる。
【０２７１】
また、第１の画素電極（陽極）１２１３上には、有機化合物材料の蒸着を行い、発光物質を含む層１２１５を選択的に形成する。
【０２７２】
発光物質を含む層１２１５は公知の構造を適宜用いることができる。ここで、発光物質を含む層の構造を、図２３を用いて示す。
【０２７３】
図２３（Ａ）は第１の画素電極１１を透光性の酸化物導電性材料で形成した例であり、酸化珪素を１〜１５原子％の濃度で含む酸化物導電性材料で形成している。その上に正孔注入層若しくは正孔輸送層４１、発光層４２、電子輸送層若しくは電子注入層４３を積層した発光物質を含む層１６を設けている。第２の画素電極１７は、ＬｉＦやＭｇＡｇなどアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む第１の電極層３３とアルミニウムなどの金属材料で形成する第２の電極層３４で形成している。この構造の画素は、図中に矢印で示したように第１の画素電極１１側から光を放射することが可能となる。
【０２７４】
図２３（Ｂ）は第２の画素電極１７から光を放射する例を示し、第１の画素電極１１はアルミニウム、チタンなどの金属、又は該金属と化学量論的組成比以下の濃度で窒素を含む金属材料で形成する第１の電極層３５と、酸化珪素を１〜１５原子％の濃度で含む酸化物導電性材料で形成する第２の電極層３２で形成している。その上に正孔注入層若しくは正孔輸送層４１、発光層４２、電子輸送層若しくは電子注入層４３を積層した発光物質を含む層１６を設けている。第２の画素電極１７は、ＬｉＦやＣａＦなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む第３の電極層３３とアルミニウムなどの金属材料で形成する第４の電極層３４で形成するが、いずれの層も１００ｎｍ以下の厚さとして光を透過可能な状態としておくことで、第２の画素電極１７から光を放射することが可能となる。
【０２７５】
図２３（Ｅ）は、両方向、即ち第１の電極及び第２の電極から光を放射する例を示し、第１の画素電極１１に、透光性を有し且つ仕事関数の大きい導電膜を用い、第２の画素電極１７に、透光性を有し且つ仕事関数の小さい導電膜を用いる。代表的には、第１の画素電極１１を、酸化珪素を１〜１５原子％の濃度で含む酸化物導電性材料で形成し、第２の画素電極１７を、それぞれ１００ｎｍ以下の厚さのＬｉＦやＣａＦなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む第３の電極層３３とアルミニウムなどの金属材料で形成する第４の電極層３４で形成すればよい。
【０２７６】
図２３（Ｃ）は第１の画素電極１１から光を放射する例を示し、かつ、発光物質を含む層を電子輸送層若しくは電子注入層４３、発光層４２、正孔注入層若しくは正孔輸送層４１の順に積層した構成を示している。第２の画素電極１７は、発光物質を含む層１６側から酸化珪素を１〜１５原子％の濃度で含む酸化物導電性材料で形成する第２の電極層３２、アルミニウム、チタンなどの金属、又は該金属と化学量論的組成比以下の濃度で窒素を含む金属材料で形成する第１の電極層３５で形成している。第１の画素電極１１は、ＬｉＦやＣａＦなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む第３の電極層３３とアルミニウムなどの金属材料で形成する第４の電極層３４で形成するが、いずれの層も１００ｎｍ以下の厚さとして光を透過可能な状態としておくことで、第１の画素電極１１から光を放射することが可能となる。
【０２７７】
図２３（Ｄ）は第２の画素電極１７から光を放射する例を示し、かつ、発光物質を含む層を電子輸送層若しくは電子注入層４３、発光層４２、正孔注入層若しくは正孔輸送層４１の順に積層した構成を示している。第１の画素電極１１は図２３（Ｃ）と同様な構成とし、膜厚は発光物質を含む層で発光した光を反射可能な程度に厚く形成している。第２の画素電極１７は、酸化珪素を１〜１５原子％の濃度で含む酸化物導電性材料で構成している。この構造において、正孔注入層４１を無機物である金属酸化物（代表的には酸化モリブデン若しくは酸化バナジウム）で形成することにより、第２の電極層３２を形成する際に導入される酸素が供給されて正孔注入性が向上し、駆動電圧を低下させることができる。
【０２７８】
図２３（Ｆ）は、両方向、即ち第１の画素電極及び第２の画素電極から光を放射する例を示し、第１の画素電極１１に、透光性を有し且つ仕事関数の小さい導電膜を用い、第２の画素電極１７に、透光性を有し且つ仕事関数の大きい導電膜を用いる。代表的には、第１の画素電極１１を、それぞれ１００ｎｍ以下の厚さのＬｉＦやＣａＦなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む第３の電極層３３とアルミニウムなどの金属材料で形成する第４の電極層３４で形成し、第２の画素電極１７を、酸化珪素を１〜１５原子％の濃度で含む酸化物導電性材料で形成すればよい。
【０２７９】
こうして、図２２（Ｂ）に示すように、第１の画素電極（陽極）１２１３、発光物質を含む層１２１５、及び第２の画素電極（陰極）１２１６からなる発光素子１２１７が形成される。発光素子１２１７は、第２の基板１２０４側に発光する。
【０２８０】
また、発光素子１２１７を封止するために保護積層膜１２１８を形成する。保護積層膜は、第１の無機絶縁膜と、応力緩和膜と、第２の無機絶縁膜との積層膜からなっている。次に、保護積層１２１８と第２の基板１２０４とを、第１のシール材１２０５及び第２のシール材１２０６で接着する。なお、第２のシール材は液晶を滴下する装置のように、シール材を滴下する装置を用いて滴下することが好ましい。シール材をディスペンサから滴下、又は吐出させてシール材をアクティブマトリクス基板上に塗布した後、真空中で、第２の基板とアクティブマトリクス基板とを貼り合わせ、紫外線硬化を行って封止することができる。
【０２８１】
なお、第２の基板１２０４表面には、偏光板１２２５が固定され、偏光板１２２５表面には、１／２λ又は１／４λの位相差板１２２９及び反射防止膜１２２６が設けられている。また、第２の基板１２０４から順に、１／４λ板の位相差板及び１／２λ板の位相差板１２２９、偏光板１２２５を順次設けてもよい。位相差板及び偏光板を設けることにより、外光が画素電極で反射することを防止することが可能である。なお、第１の画素電極１２１３及び第２の画素電極１２１６を透光性又は半透光性を有する導電膜で形成し、層間絶縁膜１２２０を可視光を吸収する材料、又は可視光を吸収する材料を溶解又は分散させてなる有機材料を用いて形成すると、各画素電極で外光が反射しないため、位相差板及び偏光板を用いなくとも良い。
【０２８２】
接続配線１２０８とＦＰＣ１２０９とは、異方性導電膜又は異方性導電樹脂１２２７で電気的に接続されている。さらに、各配線層と接続端子との接続部を封止樹脂で封止することが好ましい。この構造により、断面部からの水分が発光素子に侵入し、劣化することを防ぐことができる。
【０２８３】
なお、第２の基板１２０４と、保護積層１２１８との間には、不活性ガス、例えば窒素ガスを充填した空間を有してもよい。水分や酸素の侵入の防止を高めることができる。
【０２８４】
画素部１２０２と偏光板１２２５の間に着色層を設けることができる。この場合、画素部に白色発光が可能な発光素子を設け、ＲＧＢを示す着色層を別途設けることでフルカラー表示することができる。また、画素部に青色発光が可能な発光素子を設け、色変換層などを別途設けることによってフルカラー表示することができる。さらには、各画素部、赤色、緑色、青色の発光を示す発光素子を形成し、且つ着色層を用いることもできる。このような表示モジュールは、各ＲＢＧの色純度が高く、高精細な表示が可能となる。
【０２８５】
また、第１の基板１２００又は第２の基板１２０４の一方、若しくは両方にフィルム又は樹脂等の基板を用いて発光表示モジュールを形成してもよい。このように対向基板を用いず封止すると、表示装置の軽量化、小型化、薄膜化を向上させることができる。
【０２８６】
なお、第１実施形態乃至第５実施形態のいずれをも本実施例に適応することができる。また、本実施例では、表示モジュールとして発光表示モジュールを示したが、これに限られるものではなく、発光表示装置、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ；デジタルマイクロミラーデバイス）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ；プラズマディスプレイパネル）、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ；フィールドエミッションディスプレイ）、電気泳動表示装置（電子ペーパー）等の表示モジュールに適宜適応することができる。
【実施例１１】
【０２８７】
前述した実施例に示される表示モジュールを筺体に組み込むことによって様々な電子機器を作製することができる。電子機器としては、テレビジョン装置、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。ここでは、これらの電子機器の代表例としてテレビジョン装置を及びそのブロック図をそれぞれ図２４及び図２５に、デジタルカメラを図２６に示す。
【０２８８】
図２４は、アナログのテレビジョン放送を受信するテレビジョン装置の一般的な構成を示す図である。図２４において、アンテナ１１０１で受信されたテレビ放送用の電波は、チューナ１１０２に入力される。チューナ１１０２は、アンテナ１１０１より入力された高周波テレビ信号を希望受信周波数に応じて制御された局部発振周波数の信号と混合することにより、中間周波数（ＩＦ）信号を生成して出力する。
【０２８９】
チューナ１１０２により取り出されたＩＦ信号は、中間周波数増幅器（ＩＦアンプ）１１０３により必要な電圧まで増幅された後、映像検波回路１１０４によって映像検波されると共に、音声検波回路１１０５によって音声検波される。映像検波回路１１０４により出力された映像信号は、映像系処理回路１１０６により、輝度信号と色信号とに分離され、さらに所定の映像信号処理が施されて映像信号となり、本発明の半導体装置である液晶表示装置、発光表示装置、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ；デジタルマイクロミラーデバイス）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ；プラズマディスプレイパネル）、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ；フィールドエミッションディスプレイ）、電気泳動表示装置（電子ペーパー）等の映像系出力部１１０８に出力される。
【０２９０】
また、音声検波回路１１０５により出力された信号は、音声系処理回路１１０７により、ＦＭ復調などの処理が施されて音声信号となり、適宜増幅されてスピーカ等の音声系出力部１１０９に出力される。
【０２９１】
なお、本発明を用いたテレビジョン装置は、ＶＨＦ帯やＵＨＦ帯などの地上波放送、ケーブル放送、又はＢＳ放送などのアナログ放送に対応するものに限らず、地上波デジタル放送、ケーブルデジタル放送、又はＢＳデジタル放送に対応するものであっても良い。
【０２９２】
図２５はテレビジョン装置を前面方向から見た斜視図であり、筐体１１５１、表示部１１５２、スピーカ部１１５３、操作部１１５４、ビデオ入力端子１１５５等を含む。また、図２４に示すような構成となっている。
【０２９３】
表示部１１５２は、図２４の映像系出力部１１０８の一例であり、ここで映像を表示する。
【０２９４】
スピーカ部１１５３は、図２４の音声系出力部の一例であり、ここで音声を出力する。
【０２９５】
操作部１１５４は、電源スイッチ、ボリュームスイッチ、選局スイッチ、チューナースイッチ、選択スイッチ等が設けられており、該ボタンの押下によりテレビジョン装置の電源のＯＮ／ＯＦＦ、映像の選択、音声の調整、及びチューナの選択等を行う。なお、図示していないが、リモートコントローラ型操作部によって、上記の選択を行うことも可能である。
【０２９６】
ビデオ入力端子１１５５は、ＶＴＲ、ＤＶＤ、ゲーム機等の外部からの映像信号をテレビジョン装置に入力する端子である。
【０２９７】
本実施例で示されるテレビジョン装置を壁掛け用テレビジョン装置の場合、本体背面に壁掛け用の部位が設けられている。
【０２９８】
テレビジョン装置の表示部に本発明の半導体装置の一例である表示装置を用いることにより、低コストで、スループットや歩留まり高くテレビジョン装置を作製することができる。また、テレビジョン装置の映像検波回路、映像処理回路、音声検波回路、音声処理回路を制御するＣＰＵに本発明の半導体装置を用いることにより、低コストで、スループットや歩留まり高くテレビジョン装置を作製することができる。このため、壁掛けテレビジョン装置、鉄道の駅や空港などにおける情報表示板や、街頭における広告表示板など特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。
【０２９９】
図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）は、デジタルカメラの一例を示す図である。図２６（Ａ）は、デジタルカメラの前面方向から見た斜視図、図２６（Ｂ）は、後面方向から見た斜視図である。図２６（Ａ）において、デジタルカメラには、リレーズボタン１３０１、メインスイッチ１３０２、ファインダー窓１３０３、フラッシュ１３０４、レンズ１３０５、鏡胴１３０６、筐体１３０７が備えられている。
【０３００】
また、図２６（Ｂ）において、ファインダー接眼窓１３１１、モニター１３１２、操作ボタン１３１３が備えられている。
【０３０１】
リレーズボタン１３０１は、半分の位置まで押下されると、焦点調整機構および露出調整機構が作動し、最下部まで押下されるとシャッターが開く。
【０３０２】
メインスイッチ１３０２は、押下又は回転によりデジタルカメラの電源のＯＮ／ＯＦＦを切り替える。
【０３０３】
ファインダー窓１３０３は、デジタルカメラの前面のレンズ１３０５の上部に配置されており、図２６（Ｂ）に示すファインダー接眼窓１３１１から撮影する範囲やピントの位置を確認するための装置である。
【０３０４】
フラッシュ１３０４は、デジタルカメラの全面上部に配置され、被写体輝度が低いときに、レリーズボタンが押下されてシャッターが開くと同時に補助光を照射する。
【０３０５】
レンズ１３０５は、デジタルカメラの正面に配置されている。レンズは、フォーカシングレンズ、ズームレンズ等により構成され、図示しないシャッター及び絞りと共に撮影光学系を構成する。また、レンズの後方には、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）等の撮像素子が設けられている。
【０３０６】
鏡胴１３０６は、フォーカシングレンズ、ズームレンズ等のピントを合わせるためにレンズの位置を移動するものであり、撮影時には、鏡胴を繰り出すことにより、レンズ１３０５を手前に移動させる。また、携帯時は、レンズ１３０５を沈銅させてコンパクトにする。なお、本実施例においては、鏡胴を繰り出すことにより被写体をズーム撮影することができる構造としているが、この構造に限定されるものではなく、筐体１３０７内での撮影光学系の構成により鏡胴を繰り出さずともズーム撮影が可能なデジタルカメラでもよい。
【０３０７】
ファインダー接眼窓１３１１は、デジタルカメラの後面上部に設けられており、撮影する範囲やピントの位置を確認する際に接眼するために設けられた窓である。
【０３０８】
操作ボタン１３１３は、デジタルカメラの後面に設けられた各種機能ボタンであり、セットアップボタン、メニューボタン、ディスプレイボタン、機能ボタン、選択ボタン等により構成されている。
【０３０９】
本発明の半導体装置の一実施例である表示装置をモニターに用いことにより、低コストで、スループットや歩留まり高くデジタルカメラを作製することが可能である。また、各種機能ボタン、メインスイッチ、リレーズボタン等の操作入力を受けて関連した処理を行うＣＰＵ、自動焦点動作及び自動焦点調整動作を行う回路、ストロボ発光の駆動制御、ＣＣＤの駆動を制御するタイミング制御回路、ＣＣＤ等の撮像素子によって光電変換された信号から画像信号を生成する撮像回路、撮像回路で生成された画像信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換回路、メモリへの画像データの書き込み及び画像データの読み出しを行うメモリインターフェース等の各回路を制御するＣＰＵ等に本発明の半導体装置の一例であるＣＰＵを用いることにより、低コストで、スループットや歩留まり高くデジタルカメラを作製することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０３１０】
【図１】本発明に係る膜パターンを形成する工程を説明する断面図。
【図２】本発明に係る膜パターンを形成する工程を説明する断面図。
【図３】本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図４】本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図５】本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図６】本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する図。
【図７】本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する図。
【図８】本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する図。
【図９】本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する図。
【図１０】本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図１１】本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図１２】本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図１３】本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図１４】本発明に係る半導体装置の断面図。
【図１５】塗れ性の低い領域及び塗れ性の高い領域の接触角を説明する図。
【図１６】本発明に適応することのできる液滴吐出装置の構成を説明する図。
【図１７】本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図１８】本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図１９】本発明に係る表示装置の駆動回路の実装方法を説明する上面図。
【図２０】本発明に係る表示装置の駆動回路の実装方法を説明する断面図。
【図２１】本発明に係る液晶表示モジュールの構成を説明する図。
【図２２】本発明に係る発光表示モジュールの構成を説明する図。
【図２３】本発明に適応可能な発光素子の形態を説明する図。
【図２４】電子機器の構成を説明するブロック図。
【図２５】電子機器の一例を説明する図。
【図２６】電子機器の一例を説明する図。
【符号の説明】
【０３１１】
１１    第１の画素電極
１６    発光物質を含む層
１７    電極
３２    電極層
３３    電極層
３４    電極層
３５    電極層
４１    正孔注入層若しくは正孔輸送層
４２    発光層
４３    電子輸送層若しくは電子注入層
１０１    基板
１０２    第１の膜
１０３    マスク
１０４    塗れ性の低い領域
１０５    塗れ性の高い領域
１０６    溶液又は膜パターン
１１０    第１の膜
２０１    絶縁膜、半導体膜又は導電膜
２０２    マスク
２０３    膜パターン
２１０    第１の膜
３０１    ゲート電極
３０２    ゲート絶縁膜
３０３    第１の半導体膜
３０４    第２の半導体膜
３０５    マスク
３１２    第１の半導体領域
３１３    第２の半導体領域
３１４    ソース電極及びドレイン電極
３２１    第３の半導体領域
３２３    層間絶縁膜
３３１    配線又は画素電極
４０２    第１の絶縁膜
４０３    半導体膜
４０４    溶液
４０５    レーザ光
４１１    ソース領域及びドレイン領域
４１２    第１の膜
４１３    ゲート絶縁膜
４２１    ゲート電極
５０１    基板
５０２    窒化珪素膜
５０３    第１の膜
５０４    マスク
５０５    塗れ性の低い領域
５０６    塗れ性の高い領域
５０７    配線
５１０    第１の膜
１００１    基板
１００２    酸化珪素膜
１００３    第１の膜
１００４    マスク
１００５    塗れ性の低い領域
１００６    塗れ性の高い領域
１００７    ゲート電極
１００８    ゲート絶縁膜
１００９    非晶質珪素膜
１０１０    第１の膜
１０１１    結晶性珪素膜
１０１２    第２の非晶質珪素膜又は第２の結晶性珪素膜
１０１３    第１の膜
１０１４    マスク
１０１５    塗れ性の低い領域
１０１６    マスク
１０１７    導電膜
１０１８    第１の膜
１０２１    ソース電極及びドレイン電極
１０２２    結晶性珪素膜
１０２３    パッシベーション膜
１０２４    第１の膜
１０２５    マスク
１０２６    層間絶縁膜
１０２７    画素電極
１０５０    レーザー光
１１０１    アンテナ
１１０２    チューナ
１１０３    中間周波数増幅器
１１０４    映像検波回路
１１０５    音声検波回路
１１０６    映像系処理回路
１１０７    音声系処理回路
１１０８    映像系出力部
１１０９    音声出力部
１１５１    筐体
１１５２    表示部
１１５３    スピーカ部
１１５４    操作部
１１５５    ビデオ入力端子
１２００    第１の基板
１２０１    信号線駆動回路
１２０２    画素部
１２０３    走査線駆動回路
１２０４    基板
１２０５    封止材
１２０６    封止材
１２０８    接続配線
１２０９    ＦＰＣ
１２１０    接続領域
１２１１    スイッチング用ＴＦＴ
１２１２    駆動用ＴＦＴ
１２１３    第１の画素電極
１２１４    絶縁物
１２１５    発光物質を含む層
１２１６    第２の画素電極
１２１７    発光素子
１２１８    保護積層膜
１２２０    層間絶縁膜
１２２１    ｎチャネル型ＴＦＴ
１２２２    ｐチャネル型ＴＦＴ
１２２５    偏光板
１２２６    反射防止膜
１２２７    異方性導電樹脂
１２２９    位相差板
１３０１    リレーズボタン
１３０２    メインスイッチ
１３０３    ファインダー窓
１３０４    フラッシュ
１３０５    レンズ
１３０６    鏡胴
１３０７    筐体
１３１１    ファインダー接眼窓
１３１２    モニター
１３１３    操作ボタン
１４０１    基板
１４０３    ゲート電極又はゲート配線
１４０４    ゲート絶縁膜
１４０５    半導体膜
１４０６    ｎ型又はｐ型の半導体膜
１４０７    ソース電極
１４０８    パッシベーション膜
１４０９    層間絶縁膜
１４１０    画素電極
１４１１    配向膜
１４１２    対向基板
１４１４    接続端子
１４１５    異方性導電膜
１４１６    液晶材料
１４２０    画素部
１４２１    接続端子部
１５００    基板
１５０１    画素部
１５０２    信号線駆動回路
１５０３ａ  走査線駆動回路
１５０３ｂ  走査線駆動回路
１５０５    ＩＣチップ
１５０６    ＦＰＣ
１６００    封止材
１６０１    基板
１６０２    基板
１６０３    画素部
１６０４    液晶層
１６０５    着色層
１６０６    偏光板
１６０７    偏光板
１６０８    接続端子
１６０９    ＦＰＣ
１６１０    配線基板
１６１１    画素駆動回路
１６１２    外部回路
１６１３    冷陰極管
１６１４    反射板
１６１５    光学フィルム
１６１６    保護膜
１６１７    ベゼル
１７０１    基板
１７０２    画素電極
１７０３    絶縁膜
１７１１    マスク
１７１２    絶縁膜
１７２１    有機ＥＬ材料
１７２２    有機ＥＬ材料
１７２３    画素電極
１７２４    導電材料
１７３１    絶縁膜
１７３２    有機ＥＬ材料
１７３３    画素電極
１９００    基板
１９０３ａ  ヘッド
１９０３ｂ  ヘッド
１９０３ｃ  ヘッド
１９０４    撮像手段
１９０５    液滴吐出手段
１９０７    制御手段
１９０８    記憶媒体
１９０９    画像処理手段
１９１０    コンピュータ
１９１１    マーカー
１９３０    パネル
１９３１    ステージ
２００１    基板
２００２ａ  電極パッド
２００２ｂ  電極パッド
２００３    ドライバＩＣ
２００４ａ  接続端子
２００４ｂ  接続端子
２００５    保護絶縁膜
２００６    異方性導電接着剤
２００７    導電性粒子
２００８    導電性粒子
２０１１ａ  バッファ層
２０１１ｂ  バッファ層
２０１２ａ  バンプ
２０１２ｂ  バンプ
２０１３    光硬化性絶縁樹脂
２０２１    接着剤
２０２２ａ  ワイヤ
２０２２ｂ  ワイヤ
２０２３    有機樹脂
２０３１    ＦＰＣ
２０３２    配線
【図１】
2006093667.tif 000003
【図２】
2006093667.tif 000004
【図３】
2006093667.tif 000005
【図４】
2006093667.tif 000006
【図５】
2006093667.tif 000007
【図１０】
2006093667.tif 000008
【図１１】
2006093667.tif 000009
【図１２】
2006093667.tif 000010
【図１３】
2006093667.tif 000011
【図１４】
2006093667.tif 000012
【図１５】
2006093667.tif 000013
【図１６】
2006093667.tif 000014
【図１７】
2006093667.tif 000015
【図１８】
2006093667.tif 000016
【図１９】
2006093667.tif 000017
【図２０】
2006093667.tif 000018
【図２１】
2006093667.tif 000019
【図２２】
2006093667.tif 000020
【図２３】
2006093667.tif 000021
【図２４】
2006093667.tif 000022
【図２５】
2006093667.tif 000023
【図２６】
2006093667.tif 000024
【図６】
2006093667.tif 000025
【図７】
2006093667.tif 000026
【図８】
2006093667.tif 000027
【図９】
2006093667.tif 000028