(57)【要約】【課題】この発明は半導体ウエハの周縁部を確実にエッチングすることができるようにしたエッチング装置を提供することにある。【解決手段】半導体ウエハＷをデバイス面ｄ２  が傾斜方向下側になるよう傾斜させて保持して周方向に回転駆動する保持駆動機構１と、この保持駆動機構に保持された半導体ウエハの下端部に対応する位置に設けられ基板の外周面に対向するとともにエッチング液が供給される液受け部２４ａ及び基板のデバイス面の周辺部に対向し液受け部に供給されたエッチング液を表面張力によって半導体ウエハのデバイス面ｄ２  の周縁部に導く導液部２４ｂを有する制御用部材２４とを具備する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円盤状の基板をエッチング液によってエッチングするエッチング装置であって、
上記基板をデバイス面が傾斜方向下側になるよう傾斜させて保持して周方向に回転駆動する保持駆動手段と、
この保持駆動手段に保持された基板の下端部に対応する位置に設けられ基板の外周面に対向するとともに上記エッチング液が供給される液受け部及び基板のデバイス面の周辺部に対向し上記液受け部に供給されたエッチング液を表面張力によって上記基板のデバイス面の周縁部に導く導液部を有する制御用部材と
を具備したことを特徴とするエッチング装置。
【請求項２】
上記制御用部材は、上記導液部が上記基板のデバイス面の周縁部の径方向に沿って対向する長さの調整可能に設けられていることを特徴とする請求項１記載のエッチング装置。
【請求項３】
上記基板のデバイス面と反対側の非デバイス面の径方向中心部に対応する位置には、この中心部に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給手段が設けられ、
上記非デバイス面の上記制御用部材よりも基板の回転方向下流側に対応する部位には、その部位の径方向に沿って気体を噴射し上記エッチング液供給手段によって非デバイス面に供給されたエッチング液が回転する基板とともに上記制御用部材よりも基板の回転方向下流側に持ち込まれるのを阻止して上記制御用部材の液受け部に案内する第１のエアーナイフが設けられていることを特徴とする請求項１記載のエッチング装置。
【請求項４】
上記基板の非デバイス面の径方向中心部に対応する位置には、この中心部に向けてリンス液を供給するリンス液供給手段が設けられていることを特徴とする請求項３記載のエッチング装置。
【請求項５】
上記基板のデバイス面の上記制御用部材よりも基板の回転方向下流側の部分には、その部位に気体を噴射し上記制御用部材の導液部によってこの導液部が対向する上記デバイス面の周縁部に導かれたエッチング液が基板の周縁部から径方向内方へ上昇するのを阻止する第２のエアーナイフが設けられていることを特徴とする請求項１記載のエッチング装置。
【請求項６】
上記基板のデバイス面には円盤が所定の間隔で対向して配置され、
この円盤の中心部には上記デバイス面と円盤との間に気体を供給する気体用ノズルが設けられていることを特徴とする請求項１記載のエッチング装置。
【請求項７】
円盤状の基板をエッチング液によってエッチングするエッチング方法であって、
上記基板をデバイス面が傾斜方向下側になるよう傾斜させて保持し周方向に回転駆動する工程と、
上記基板の下端部の外周面にエッチング液を供給する工程と、
上記基板の下端部の外周面に供給されたエッチング液を上記デバイス面の周縁部に導いてその周縁部をエッチングする工程と
を具備したことを特徴とするエッチング方法。
【請求項８】
上記基板のデバイス面の周縁部に気体を噴射し、この周縁部に導かれたエッチング液が径方向内方へ上昇するのを阻止する工程を備えていることを特徴とする請求項７記載のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は円盤状の基板の周縁部をエッチングするエッチング装置及びエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、基板としての半導体ウエハに回路パターンを形成する場合、この半導体ウエハに導電膜や絶縁膜などの複数の薄膜からなる積層膜を成膜する工程がある。半導体ウエハに対する成膜は、たとえばＣＶＤ装置などによって行なわれる。半導体ウエハに積層膜を形成した場合、その積層膜が半導体ウエハの周縁部にも形成されてしまうということがある。図５（ａ）は半導体ウエハＷの周縁部に複数の薄膜からなる積層膜Ｍが形成された断面図である。
【０００３】
積層膜Ｍが形成された半導体ウエハＷはスピン処理装置などによって洗浄処理される。その場合、半導体ウエハＷの周縁部をスピン処理装置によってクランプすると、その周縁部の積層膜Ｍが剥離する虞があり、剥離した積層膜Ｍはその半導体ウエハＷや他の半導体ウエハに付着し、汚染の原因になる。
【０００４】
そこで、従来は半導体ウエハＷに積層膜Ｍを形成したならば、図４（ｂ）にｄで示すようにその周縁部を数ｍｍ、たとえば５ｍｍ程度にわたってエッチングし、その周縁部に形成された積層膜Ｍを除去するということが行なわれている。半導体ウエハＷの周縁部をエッチングする方法としては、ノズルによってエッチング液を半導体ウエハＷの周縁部に噴射するということが行なわれていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
エッチング液をノズルによって半導体ウエハの周縁部に噴射してエッチングを行なう方法によると、周縁部に噴射されたエッチング液が半導体ウエハのデバイス面に飛散し、デバイス面に不要なエッチングを行なってしまうという虞がある。
【０００６】
しかも、ノズルによって半導体ウエハの周縁部にエッチング液を噴射する場合、半導体ウエハの周縁部をスピン処理装置によって保持し、この半導体ウエハを回転させながら行なうことになる。しかしながら、半導体ウエハの周縁部をスピン処理装置に保持して回転させながらエッチングする場合、その保持部分を確実にエッチングすることができないということもある。
【０００７】
この発明は、半導体ウエハの周縁部を確実にエッチングすることができ、しかもデバイス面に不要なエッチングをすることがないようにした基板のエッチング装置及びエッチング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、円盤状の基板をエッチング液によってエッチングするエッチング装置であって、
上記基板をデバイス面が傾斜方向下側になるよう傾斜させて保持して周方向に回転駆動する保持駆動手段と、
この保持駆動手段に保持された基板の下端部に対応する位置に設けられ基板の外周面に対向するとともに上記エッチング液が供給される液受け部及び基板のデバイス面の周辺部に対向し上記液受け部に供給されたエッチング液を表面張力によって上記基板のデバイス面の周縁部に導く導液部を有する制御用部材と
を具備したことを特徴とするエッチング装置にある。
【０００９】
上記制御用部材は、上記導液部が上記基板のデバイス面の周縁部の径方向に沿って対向する長さの調整可能に設けられていることが好ましい。
【００１０】
上記基板のデバイス面と反対側の非デバイス面の径方向中心部に対応する位置には、この中心部に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給手段が設けられ、
上記非デバイス面の上記制御用部材よりも基板の回転方向下流側に対応する部位には、その部位の径方向に沿って気体を噴射し上記エッチング液供給手段によって非デバイス面に供給されたエッチング液が回転する基板とともに上記制御用部材よりも基板の回転方向下流側に持ち込まれるのを阻止して上記制御用部材の液受け部に案内する第１のエアーナイフが設けられていることが好ましい。
【００１１】
上記基板の非デバイス面の径方向中心部に対応する位置には、この中心部に向けてリンス液を供給するリンス液供給手段が設けられていることが好ましい。
【００１２】
上記基板のデバイス面の上記制御用部材よりも基板の回転方向下流側の部分には、その部位に気体を噴射し上記制御用部材の導液部によってこの導液部が対向する上記デバイス面の周縁部に導かれたエッチング液が基板の周縁部から径方向内方へ上昇するのを阻止する第２のエアーナイフが設けられていることが好ましい。
【００１３】
上記基板のデバイス面には円盤が所定の間隔で対向して配置され、
この円盤の中心部には上記デバイス面と円盤との間に気体を供給する気体用ノズルが設けられていることが好ましい。
【００１４】
この発明は、円盤状の基板をエッチング液によってエッチングするエッチング方法であって、
上記基板をデバイス面が傾斜方向下側になるよう傾斜させて保持し周方向に回転駆動する工程と、
上記基板の下端部の外周面にエッチング液を供給する工程と、
上記基板の下端部の外周面に供給されたエッチング液を上記デバイス面の周縁部に導いてその周縁部をエッチングする工程と
を具備したことを特徴とするエッチング方法にある。
【００１５】
上記基板のデバイス面の周縁部に気体を噴射し、この周縁部に導かれたエッチング液が径方向内方へ上昇するのを阻止する工程を備えていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、エッチング液を基板の周縁部に導くことができるため、その周縁部だけを確実にエッチングすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、この発明の一実施の形態を図１乃至図４を参照しながら説明する。
【００１８】
図１はこの発明の一実施の形態に係るエッチング装置の概略的構成図である。このエッチング装置は、円盤状の基板としての半導体ウエハＷを保持して周方向に回転させるための保持駆動機構１を備えている。この保持駆動機構１はベース板２を有する。このベース板２の上面には一対の支柱３が所定間隔で立設されている。
【００１９】
図２に示すように、一対の支柱３の上端には角柱状の取り付け部材４が下端面を固定して設けられている。この取り付け部材４の一側面は所定の角度で傾斜した傾斜面５に形成されている。傾斜面５の水平面に対する傾斜角度は７５度以下が好ましく、この実施の形態では７５度に設定されている。
【００２０】
上記傾斜面５には矩形状の設置板６が一側面を接触固定されて設けられている。つまり、設置板６は７５の角度で傾斜して設けられている。この設置板６の他側面、つまり傾斜方向の上側となる面の幅方向両端部には、一対のローラ取り付け板１１が幅方向に沿って移動可能に設けられている。すなわち、設置板６の上面の幅方向両端部には高さ方向に所定間隔で離間した一対のガイドレール１２が幅方向に沿って水平に設けられている。
【００２１】
上記ローラ取り付け板１１の裏面には、図２に示すように上記ガイドレールにスライド可能に係合する一対の受け部材１３が設けられている。それによって、一対のローラ取り付け板１１は設置板６の幅方向に沿って移動させることができるようになっている。
【００２２】
各ローラ取り付け板１１の一端部と他端部とにはそれぞれ駆動ロ−ラ１４が回転可能に設けられている。図２に示すように、駆動ローラ１４の外周面にはＶ字状の保持溝１４ａが形成されている。４つの駆動ローラ１４のうちの少なくとも１つは、上記ローラ取り付け板１１の裏面に設けられた駆動源としての駆動モータ１５によって回転駆動される。
【００２３】
図１に示すように、一対のローラ取り付け板１１には、軸線をほぼ水平にして上記可動体４に取付けられたシリンダ１６のロッド１７が連結されている。上記ロッド１７が駆動されることで、一対のローラ取り付け板１１はガイドレール１２に沿って移動する。つまり、一対のローラ取り付け板１１は接離する方向に駆動される。
【００２４】
したがって、一対のローラ取り付け板１１を離間した状態から接近方向に駆動すれば、４つの駆動ローラ１４の外周面に形成されたＶ字状の保持溝１４ａ（図２に示す）によって半導体ウエハＷの外周縁を保持することができる。
【００２５】
つまり、半導体ウエハＷは４つの駆動ローラ１４によって設置板６と同じ傾斜角度である、７５度の傾斜角度で保持することができる。このとき、半導体ウエハＷは、回路パターンが形成されるデバイス面ｄ１  を傾斜方向の下側である、設置板６側に向けて保持される。
【００２６】
駆動ローラ１４によって半導体ウエハＷを保持した後、駆動モータ１５を作動させて４つの駆動ローラ１４のうちの１つの駆動ローラ１４を図２に矢印で示す時計方向に回転すれば、上記半導体ウエハＷを矢印で示す反時計方向に回転させることができる。
【００２７】
図１と図３に示すように、所定の角度で傾斜して保持された上記半導体ウエハＷの上面、つまりデバイス面ｄ１  と反対側の非デバイス面ｄ２  の径方向中心部には、この非デバイス面ｄ２  にエッチング液を供給するエッチング用ノズル２１と、エッチング液を洗浄除去するリンス液を供給するリンス用ノズル２２とが配置されている。
【００２８】
各ノズル２１，２２から回転する半導体ウエハＷの非デバイス面ｄ２  に供給されたエッチング液やリンス液などの液体は、半導体ウエハＷの径方向下方に向かって流れる。半導体ウエハＷの径方向下方に向かって流れた液体は、径方向に沿って配置された第１のエアーナイフ２３からカーテン状に噴射される気体の圧力によって回転する半導体ウエハＷとともにこの半導体ウエハＷの回転方向下流側に持ち込まれるのを阻止する。
【００２９】
それによって、各ノズル２１，２２から非デバイス面ｄ２  の中心部に供給されたエッチング液或いはリンス液は、第１のエアーナイフ２３から噴射される気体の圧力によって回転する半導体ウエハＷとともに回転方向に流れることなく、図４（ａ）に矢印Ｘで示すように径方向下方へ流れる。
【００３０】
上記第１のエアーナイフ２３よりも半導体ウエハＷの回転方向に対してわずかに上流側で、しかも半導体ウエハＷの周縁部に対応する位置には、側面形状がＬ字状をなした制御用部材２４が設けられている。この制御用部材２４は、図３（ｂ）に示すように上記半導体ウエハＷの外周面に対向する液受け部２４ａと、上記半導体ウエハＷのデバイス面ｄ１  の周縁部の径方向に沿って対向位置する導液部２４ｂとを有する。
【００３１】
上記制御用部材２４はリニアモータなどのアクチュエータ２６によって半導体ウエハＷの径方向に沿って駆動可能に設けられている。それによって、制御部材２４を図３（ｂ）に実線で示す位置と鎖線で示す位置との間で駆動し、同図にＹで示す制御用部材２４の導液部２４ｂが半導体ウエハＷのデバイス面ｄ１  の周縁部に対向する長さ寸法をミリ単位で調整することができるようになっている。
【００３２】
制御用部材２４は図３（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷの傾斜角度と同じ角度で傾斜して設けられている。それによって、液受け部２４ａは半導体ウエハＷの非デバイス面ｄ２  からデバイス面ｄ１  に向かって低くなるよう傾斜している。また、導液部２４ｂは図７に示すようにデバイス面ｄ２  とわずかな間隔２７を介してほぼ平行に対向している。なお、液受け部２４ａの上面は平面であってもよいが、凹状の曲面であってもよい。
【００３３】
上記第１のエアーナイフ２３から噴射される気体の圧力によって非デバイス面ｄ２  の径方向下方に沿って流れてきたエッチング液或いはリンス液は上記制御用部材２４の液受け部２４ａが受ける。
【００３４】
液受け部２４ａによって受けられた液体は、この液受け部２４の上面を導液部２４ｂに向かって流れる。導液部２４ｂに流れた液体は、この導液部２４ｂがデバイス面ｄ２  の下端周縁部とわずかな間隔２７を介して対向しているため、表面張力によってその間隔２７を上昇する。図３（ｂ）はエッチング液或いはリンス液などの液体Ｌが上記間隔２７を表面張力で上昇している状態を示している。
【００３５】
上記半導体ウエハＷのデバイス面ｄ２  の下端部の、上記制御用部材２４よりも半導体ウエハＷの回転方向下流側には、図４（ｂ）に示すように第２のエアーナイフ２８が設けられている。この第２のエアーナイフ２８は上記第１のエアーナイフ２３に比べて短く、気体の噴射方向を径方向下方、つまり半導体ウエハＷの外周縁に向け、しかも半導体ウエハＷの回転方向上流側にわずかに傾斜させて配置される。
【００３６】
それによって、上記制御用部材２４の液受け部２４ａに供給されて導液部２４ｂを上昇した液体Ｌは第２のエアーナイフ２８から噴射される気体の圧力によって導液部２４ｂの上端よりも径方向内方へ上昇するのが阻止され、図４（ｂ）に矢印Ｚで示すように半導体ウエハＷの回転に伴ってその回転方向の下流側に位置する上記導液部２４ｂの一側端から滴下することになる。
【００３７】
上記半導体ウエハＷのデバイス面ｄ２  には、半導体ウエハＷよりもわずかに小径に形成された円盤３１がデバイス面ｄ２  とわずかな間隔を介して対向して配置されている。この円盤３１の中心部には上記デバイス面ｄ２  に窒素などの不活性ガスを噴射する気体用ノズル３２が接続されている。この気体用ノズル３２からデバイス面ｄ２  の中心部に噴射された不活性ガスは、デバイス面ｄ２  と円盤３１との隙間を径方向外方へ向かって流れる。それによって、上記デバイス面ｄ２  の円盤３１と対向する部分に汚れが付着するのが防止されるようになっている。
【００３８】
つぎに、上記構成のエッチング装置によって半導体ウエハＷをエッチング処理する場合の作用について説明する。  
一対のローラ取り付け板１１をシリンダ１６によって離間する方向に駆動した状態で、これらローラ取り付け板１１間に半導体ウエハＷを図示せぬロボットなどによってデバイス面ｄ２  を設置板６側に向けて供給する。ついで、一対のローラ取り付け板１１を接近する方向に駆動すれば、各ローラ取り付け板１１に設けられた一対の駆動ローラ１４によって半導体ウエハＷの外周縁が保持される。つまり、半導体ウエハＷはデバイス面ｄ２  が傾斜方向下側に向けれ上記駆動ローラ１４によって保持される。
【００３９】
半導体ウエハＷを保持したならば、駆動モータ１５を作動させ、この半導体ウエハＷを図１に矢印で示す反時計方向に回転させる。それとともに、エッチング用ノズル２１から半導体ウエハＷの非デバイス面ｄ１  の中心部にエッチング液を供給する。
【００４０】
半導体ウエハＷの非デバイス面ｄ１  に供給されたエッチング液は所定の角度で傾斜した非デバイス面ｄ１  の径方向外方である、下方に向かって流れるとともに、第１のエアーナイフ２３から半導体ウエハＷの径方向に沿って噴射される気体の圧力によってこの第１のエアーナイフ２３よりも半導体ウエハＷの回転方向上流側に流れるのが阻止される。
【００４１】
つまり、半導体ウエハＷの中心部に供給されたエッチング液は、半導体ウエハＷが回転しているにも係わらず、図４（ａ）に矢印Ｘで示すように第１のエアーナイフ２３から噴射される気体の圧力によって半導体ウエハＷの径方向外方に沿ってほぼ直線状に流れ、下端に配置された制御用部材２４の液受け部２４ａに到達する。
【００４２】
半導体ウエハＷが回転しているにも係わらず、エッチング液が図４（ａ）に矢印Ｘで示すように半導体ウエハＷの中心部から径方向外方に向かって直線状に流れることで、半導体ウエハＷの非デバイス面ｄ１  は全体がエッチングされることになる。つまり、非デバイス面ｄ１  の汚れを除去することができる。
【００４３】
上記制御用部材２４の液受け部２４ａに到達したエッチング液は、図３（ｂ）に示すように表面張力によって導液部２４ｂに沿って上昇する。導液部２４ｂを上昇したエッチング液は、第２のエアーナイフ２８から噴射される気体の圧力を受けるから、上記導液部２４ｂの上端から半導体ウエハＷの径方向内方へ流れたり、回転する半導体ウエハＷとともに第２のエアーナイフ２８よりも上流側へ流れるのが阻止される。
【００４４】
しかも、半導体ウエハＷはデバイス面ｄ２  を下側にして７５度の角度で傾斜している。そのため、エッチング液が制御用部材２４の導液部２４ｂの先端からデバイス面ｄ２  の径方向内方に向かって上昇する際の抵抗となるから、そのことによってもエッチング液が制御用部材２４の導液部２４ｂよりも上方である、半導体ウエハＷの径方向内方へ流入するのが阻止される。
【００４５】
それによって、上記液受け部２４ａに供給されたエッチング液は、半導体ウエハＷのデバイス面ｄ２  の周縁部の上記導液部２４ｂに対向する部位だけをエッチングすることになり、デバイス面ｄ２  の上記導液部２４ｂよりも径方向内方の部分をエッチングすることがない。
【００４６】
図３（ｂ）に示す、上記導液部２４ｂがデバイス面ｄ２  と対向する長さ寸法Ｙは、アクチュエータ２６によって調整することができる。それによって、エッチング液によりエッチングする半導体ウエハＷのデバイス面ｄ２  の外周面から径方向内方への長さ寸法、つまり周縁部の径方向に沿うエッチング長さを精密に設定することが可能となる。
【００４７】
一方、デバイス面ｄ２  には円盤３１が所定の間隔で対向して設けられ、この円盤３１の中心部には気体用ノズル３２が接続されていて、このノズル３２からデバイス面ｄ２  には気体が噴射される。デバイス面ｄ２  に噴射された気体はデバイス面ｄ２  の中心部から径方向外方に向かって流れる。
【００４８】
そのため、デバイス面ｄ２  の周縁部をエッチングしたエッチング液が第２のエアーナイフ２８から噴射される気体の圧力で制御用部材２４の導液部２４ｂからミスト状になって飛散しても、そのミストが円盤３１とデバイス面ｄ２  と間に入り込むことがないから、デバイス面ｄ２  にエッチング液が付着してデバイス面ｄ２  を汚染することもない。
【００４９】
このように、エッチング液によって半導体ウエハＷのデバイス面ｄ２  の周縁部をエッチングしたならば、エッチング液の供給を停止してリンス用ノズル２２から半導体ウエハＷの非デバイス面ｄ１  の中心部にリンス液を供給する。
【００５０】
非デバイス面ｄ１  に供給されたリンス液は、エッチング液と同様に流れる。つまり、半導体ウエハＷの非デバイス面ｄ１  全体をリンスするとともに、第１のエアーナイフ２３から噴射される基体の圧力でこの第１乎エアーナイフ２３に沿って半導体ウエハＷの径方向に沿って流れ、制御用部材２４の液受け部２４ａに供給される。
【００５１】
ついで、上記液受け部２４ａから表面張力によって導液部２４ｂに導かれる。したがって、半導体ウエハＷのエッチング液によってエッチングされた部分はリンス液によってリンス処理されることになる。つまり、リンス液はエッチング液と同じ経路で流れるから、エッチング液によって半導体ウエハＷのエッチングされた箇所を確実にリンス処理することができる。
【００５２】
半導体ウエハＷをリンス処理したならば、リンス液の供給を停止し、第１のエアーナイフ２３と第２のエアーナイフ２８とから気体を噴射する。第１のエアーナイフ２３から噴射される気体は、半導体ウエハＷの非デバイス面ｄ１  全体を乾燥処理する。第２のエアーナイフ２８から噴射される気体は半導体ウエハＷのデバイス面ｄ２  の周縁部を乾燥処理する。それによって、半導体ウエハＷはリンス液によってリンス処理された箇所が乾燥処理されることになる。
【００５３】
すなわち、この発明のエッチング装置によれば、半導体ウエハＷのデバイス面の周縁部をエッチング処理するだけでなく、エッチング処理に続いてリンス処理及び乾燥処理を連続して行なうことが可能である。
【００５４】
この発明は上記一実施の形態に限定されるものでない。たとえば、上記一実施の形態では非デバイス面ｄ１  をエッチングするため、エッチング液をエッチング用ノズルによって非デバイス面ｄ１  の中心部から噴射して制御用部材２４の液受け部２４ａに供給したが、非デバイス面ｄ１  をエッチングする必要がないときには、エッチング液を上記液受け部２４ａに直接、供給するようにしてもよい。その場合、リンス液も同様に液受け部２４ａに直接供給すればいよい。
【００５５】
また、半導体ウエハＷの傾斜角度は７５度に限定されず、それ以下、つまり半導体ウエハＷの傾斜を７５度からさらに水平方向に傾斜させてもよい。半導体ウエハＷの傾斜角度を小さくすれば、表面張力によって導液部２４ｂを上昇する液体がこの導液部２４ｂよりも径方向内方へ流れ難くなるから、半導体ウエハＷの周縁部が導液部２４ｂに対向する寸法以上にエッチングされるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】この発明の一実施の形態のエッチング装置の概略的構成を示す正面図。
【図２】図１に示すエッチング本発明の側面図。
【図３】（ａ）は半導体ウエハ、第１、第２のエアーナイフ及び制御用部材の配置関係を示す側面図、（ｂ）は制御用部材が設けられた半導体ウエハ下端部の拡大図。
【図４】（ａ）は第１のエアーナイフから噴射される気体によってエッチング用ノズルから供給されるエッチング液の流れを説明するための図、（ｂ）は第２のエアーナイフから噴射される気体によって制御用部材の導液部に上昇したエッチング液の流れを説明するための図。
【図５】（ａ）はエッチングされる前の半導体ウエハの端部の拡大断面図、（ｂ）エッチングされた後の半導体ウエハの端部の拡大断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１…保持駆動機構（保持駆動手段）、１１…ローラ取り付け板、１４…駆動ローラ、２１…エッチング用ノズル、２２…リンス用ノズル、２３…第１のエアーナイフ、２４…制御用部材、２４ａ…液受け部、２４ｂ…導液部、２６…アクチュエータ、２８…第２のエアーナイフ、３１…円盤、３２…気体用ノズル、Ｗ…半導体ウエハ（基板）、ｄ１  …非デバイス面、ｄ２  …デバイス面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006040957.tif 000005
【図４】
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【図５】
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