(57)【要約】【課題】超臨界状態の媒体の自然対流を抑制することができ、被処理基板の成膜面に均一に成膜することのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。【解決手段】処理容器１０内には、被処理基板である半導体ウエハＷを、その成膜面が下向きになるように保持する基板保持機構１１が設けられている。基板保持機構１１には、同心状の領域に複数に分割されたヒータ１２及びこれらの各領域に配置された複数の温度センサ１３が設けられ、制御装置１４によって、複数の領域毎に温度制御することができるよう構成されている。処理容器１０内の底部には、処理容器１０内に、超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を、複数の供給口１６から供給する処理媒体供給機構１５が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を収容した処理容器内に、超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を供給し、前記被処理基板の成膜面に成膜する成膜装置であって、
前記処理容器内に設けられ、前記被処理基板を前記成膜面が下向きになるように保持する被処理基板保持機構と、
前記処理基板保持機構に保持された前記被処理基板を前記成膜面の裏面側から加熱する加熱機構と
を具備したことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１記載の成膜装置であって、
前記超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を、前記処理容器の下部から供給し、前記処理容器の上部から排出するよう構成されたことを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
請求項２記載の成膜装置であって、
前記超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を供給する処理媒体供給口が、前記被処理基板保持機構に保持された前記被処理基板と対向するように複数配置されたことを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項１記載の成膜装置であって、
前記超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を、前記処理容器の上部から供給し、前記処理容器の下部から排出するよう構成されたことを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載の成膜装置であって、
前記加熱機構が複数の領域毎に温度を制御する温度制御機構を具備したことを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
被処理基板を収容した処理容器内に、超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を供給し、前記被処理基板の成膜面に成膜する成膜方法であって、
前記処理容器内で前記被処理基板を前記成膜面が下向きになるように保持し、当該被処理基板を前記成膜面の裏面側から加熱しつつ成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
請求項６記載の成膜方法であって、
前記超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を、前記処理容器の下部から供給し、前記処理容器の上部から排出することを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
請求項６記載の成膜方法であって、
前記超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を、前記処理容器の上部から供給し、前記処理容器の下部から排出することを特徴とする成膜方法。
【請求項９】
請求項６〜８いずれか１項記載の成膜方法であって、
前記被処理基板を、複数の領域毎に温度制御しつつ前記成膜面の裏面側から加熱することを特徴とする成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超臨界状態の媒体と成膜原料物質を含む処理媒体を用いて被処理基板の成膜面に成膜する成膜装置及び成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、微細パターンを効率良く成膜する方法として、超臨界状態の媒体を用いた成膜方法が知られている。この方法では、超臨界状態のＣＯ2 を用いてＣｕ成膜のためのＣｕを含む前駆体化合物（プリカーサ）を溶解し、微細パターンへのＣｕの成膜を行っている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００３】
ここで、上記の超臨界状態とは、物質の温度・圧力が当該物質固有の値（臨界点）以上となったときに、当該物質が気体と液体の特徴を併せ持つ状態になることを言う。例えば、ＣＯ2 の超臨界状態の媒体では、Ｃｕを含む前駆体化合物であるＣｕ成膜プリカーサの溶解度が高い一方で粘性が低く、拡散性が高いため、アスペクト比が高い微細なパターンにＣｕ成膜が可能となる。
【非特許文献１】「Deposition of Conformal Copper and Nickel Films from Super   critical Carbon Dioxide」SCIENCE vol.294 2001  10月5 日
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来から使用されている一般的な成膜装置では、処理容器内に、被処理基板をその成膜面を上に向けた状態で載置するための載置台が設けられ、この載置台の上方に、載置台と対向するようにシャワーヘッドが設けられている。そして、シャワーヘッドから載置台上に載置された被処理基板の成膜面に向かって処理媒体を供給するようになっている。また、載置台の内部には、被処理基板を加熱するためのヒータ等が設けられており、被処理基板を成膜面の裏面側から加熱するようになっている。
【０００５】
しかしながら、超臨界状態の媒体は、小さな温度変化で大きな密度差を生じる。このため、シャワーヘッドから下方の載置台に向けて供給された超臨界状態の媒体は、載置台近傍で加熱されて密度が変化し、上方に向かって流れるため、シャワーヘッドと載置台との間で強い自然対流が発生する。このため、被処理基板の温度を面内で均一に制御することが困難であるとともに、超臨界状態の媒体が局所的に加速されて被処理基板に供給され、膜厚が面内で不均一になるという課題がある。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、超臨界状態の媒体の自然対流を抑制することができ、被処理基板の成膜面に均一に成膜することのできる成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、請求項１の成膜装置は、被処理基板を収容した処理容器内に、超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を供給し、前記被処理基板の成膜面に成膜する成膜装置であって、前記処理容器内に設けられ、前記被処理基板を前記成膜面が下向きになるように保持する被処理基板保持機構と、前記処理基板保持機構に保持された前記被処理基板を前記成膜面の裏面側から加熱する加熱機構とを具備したことを特徴とする。
【０００８】
請求項２の成膜装置は、請求項１記載の成膜装置であって、前記超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を、前記処理容器の下部から供給し、前記処理容器の上部から排出するよう構成されたことを特徴とする。
【０００９】
請求項３の成膜装置は、請求項２記載の成膜装置であって、前記超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を供給する処理媒体供給口が、前記被処理基板保持機構に保持された前記被処理基板と対向するように複数配置されたことを特徴とする。
【００１０】
請求項４の成膜装置は、請求項１記載の成膜装置であって、前記超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を、前記処理容器の上部から供給し、前記処理容器の下部から排出するよう構成されたことを特徴とする。
【００１１】
請求項５の成膜装置は、請求項１〜４いずれか１項記載の成膜装置であって、前記加熱機構が複数の領域毎に温度を制御する温度制御機構を具備したことを特徴とする。
【００１２】
請求項６の成膜方法は、被処理基板を収容した処理容器内に、超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を供給し、前記被処理基板の成膜面に成膜する成膜方法であって、前記処理容器内で前記被処理基板を前記成膜面が下向きになるように保持し、当該被処理基板を前記成膜面の裏面側から加熱しつつ成膜を行うことを特徴とする。
【００１３】
請求項７の成膜方法は、請求項６記載の成膜方法であって、前記超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を、前記処理容器の下部から供給し、前記処理容器の上部から排出することを特徴とする。
【００１４】
請求項８の成膜方法は、請求項６記載の成膜方法であって、前記超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を、前記処理容器の上部から供給し、前記処理容器の下部から排出することを特徴とする。
【００１５】
請求項９の成膜方法は、請求項６〜８いずれか１項記載の成膜方法であって、前記被処理基板を、複数の領域毎に温度制御しつつ前記成膜面の裏面側から加熱することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、超臨界状態の媒体の自然対流を抑制することができ、被処理基板の成膜面に均一に成膜することのできる成膜装置及び成膜方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す図である。図１に示すように、成膜装置１は、耐圧容器からなる処理容器１０を具備している。
【００１８】
上記処理容器１０内には、その天井部に位置するように、基板保持機構１１が設けられている。この基板保持機構１１は、被処理基板である半導体ウエハＷを、その成膜面が下向きになるように保持するよう構成されている。この基板保持機構１１における半導体ウエハＷの保持は、例えば、静電チャック、メカニカルチャック、或いは、真空チャックのように圧力差を利用したチャック、等の保持機構により行うことができる。
【００１９】
また、基板保持機構１１には、同心状の領域に複数（図１では３つ）に分割されたヒータ１２及びこれらの各領域に配置された複数（図１では３つ）の温度センサ１３が設けられている。そして、制御装置１４によって、温度センサ１３で測定される温度に応じて、複数の領域毎に温度制御することができるよう構成されている。このように、複数の領域毎に温度制御することにより、半導体ウエハＷの各部の温度を精度良く所定温度に制御することができ、成膜の面内均一性を向上させることができる。
【００２０】
一方、処理容器１０内の底部には、処理容器１０内に、超臨界状態の媒体と成膜原料物質とを含む処理媒体を供給するための処理媒体供給機構１５が設けられている。この処理媒体供給機構１５には、基板保持機構１１に保持された半導体ウエハＷと対向するように、複数の供給口１６が設けられており、これらの供給口１６から、上部に設けられた半導体ウエハＷの成膜面に向けて処理媒体を供給するよう構成されている。
【００２１】
また、処理容器１０の基板保持機構１１の周囲には、処理容器１０内に供給された処理媒体を排出するための排出口１７が複数設けられている。これらの排出口１７と処理媒体供給機構１５とは、処理容器１０の外側に設けられた配管１８によって接続されており、この配管１８には、処理媒体供給部１９が介挿されている。そして、処理媒体供給部１９から処理媒体供給機構１５の供給口１６を介して処理容器１０内に処理媒体を導入し、この処理媒体を排出口１７から排出して再度処理媒体供給部１９内に導入し、処理媒体を循環して使用することができるように構成されている。
【００２２】
処理媒体供給部１９には、この処理媒体供給部１９内に成膜原料物質（プリカーサ）を熔解した媒体（処理媒体）を導入するための処理媒体導入ライン２０が接続されている。この処理媒体導入ライン２０には、バルブ２１が介挿されている。
【００２３】
処理媒体としては、超臨界状態の媒体とプリカーサとを含む処理媒体が使用される。本実施形態では、プリカーサとして、ビス−ヘキサフルオロアセチルアセトナート銅（II）（以下、Ｃｕ2+（ｈｆａｃ）2 と表記する。）を使用し、プリカーサを溶解させる超臨界状態の媒体として、ＣＯ2 を使用し、Ｃｕを成膜する場合について説明する。
【００２４】
ＣＯ2 の場合、臨界点（超臨界状態となる点）は、温度３１．０℃、圧力７．３８ＭＰａであり、この臨界点以上の温度、圧力でＣＯ2 は超臨界状態となる。処理媒体導入ライン２０には、図示しないＣＯ2 供給源と、圧縮（昇圧）手段、プリカーサとＣＯ2 を混合するための混合機構が設けられている。
【００２５】
また、処理媒体供給部１９には、還元剤導入ライン２２が接続されており、この還元剤導入ライン２２にはバルブ２３が介挿されている。この還元剤導入ライン２２には、図示しないＣＯ2 供給源と、還元剤供給源が接続されている。バルブ２３を開くことによってこの還元剤導入ライン２２から処理媒体供給部１９にＣＯ2 またはプリカーサを還元するための還元剤が供給される。プリカーサにＣｕ2+（ｈｆａｃ）2 を用いる場合、還元剤としては、例えばＨ2 が使用される。また、１価の銅イオンを含む有機金属錯体付加物をプリカーサに用いる場合には、還元剤は不要となる場合がある。
【００２６】
配管１８の処理媒体供給部１９の出口側にはバルブ２４が介挿され、入口側にはバルブ２５が介挿されている。そして、これらのバルブ２４、２５が開かれることによって、処理媒体が処理容器１０内に導入、循環される。
【００２７】
処理媒体供給部１９には、内部の処理媒体の温度を制御するための処理媒体温度調節機構２６が設けられている。また、処理容器１０にも、その内壁部の温度を制御するための処理容器温度調節機構２７が設けられている。これらの温度調節機構は、例えば、フロロカーボン系の流体等からなる熱媒体を温度制御して循環させること等により、処理媒体供給部１９内の処理媒体の温度及び処理容器１０の内壁部の温度を制御するようになっている。ＣＯ2 を媒体として用いた場合、これらの部分の温度は、ＣＯ2 の臨界点（３１℃）以上の温度とする必要がある。また、温度を上昇させ過ぎると、プリカーサの熱による分解反応により処理容器１０の内壁等に成膜されてしまうため、このような化学反応が生じる温度以下に制御する必要がある。処理媒体温度調節機構２６の制御温度の一例は４０℃であり、処理容器温度調節機構２７の制御温度の一例は６０℃である。
【００２８】
また、処理容器１０には、ＣＯ2 を導入するための二酸化炭素導入ライン２８が接続され、この二酸化炭素導入ライン２８には、バルブ２９が介挿されている。この二酸化炭素導入ライン２８には、図示しないＣＯ2 供給源と圧縮手段が接続されている。そして、例えば、処理容器１０内に処理媒体を導入する前にバルブ２９を開いてＣＯ2 を導入し、処理容器１０内の圧力を高めておく、または、成膜が終了した後に、超臨界状態のＣＯ2 を用いて処理容器１０内をパージすることができるようになっている。
【００２９】
配管１８には、背圧弁（保圧弁）３０が介挿された排出ライン３１が接続されている。この背圧弁３０を開くことによって、成膜処理が終了した後に処理容器１０内や処理媒体供給部１９内に残留する処理媒体や、副生成物を、排出ライン３１から排出することができるようになっている。
【００３０】
また、配管１８には、配管内部の圧力を測定するための圧力計３２が設けられており、この圧力計３２の測定信号は、圧力制御装置３３に入力されるようになっている。そして、圧力制御装置３３が、圧力計３２の測定信号に基づき、背圧弁３０の開度を調整することによって、処理容器１０、処理媒体供給部１９等の内部の圧力を所定圧力に制御できるようになっている。
【００３１】
上記構成の成膜装置１では、処理容器１０に設けられた図示しない開閉機構を開き、図示しない搬送機構等により半導体ウエハＷを、処理容器１０内に搬入する。そして、成膜面が下を向いた状態で基板保持機構１１によってこの半導体ウエハＷを保持する。
【００３２】
搬送機構等を処理容器１０外に退避させ、処理容器１０の開閉機構を閉じて内部を封止した後、処理容器１０内及び処理媒体供給部１９内を排出ライン３１から真空排気する。この後、バルブ２９を開いて二酸化炭素導入ライン２８から処理容器１０内にＣＯ2 を導入して処理容器１０内の圧力を上昇させる。この場合、予め超臨界状態としたＣＯ2 を導入してもよく、また、例えば液体のＣＯ2 を処理容器１０内に連続的に導入することによって圧力を上昇させるとともに、ＣＯ2 の温度を上昇させることによって処理容器１０内でＣＯ2 が超臨界状態の媒体となるようにしてもよい。この時の処理容器１０内の圧力は、例えば１５ＭＰａ程度である。処理容器１０の内壁部分の温度は、処理容器温度調節機構２７によって、例えば６０℃程度に制御する。また、基板保持機構１１の温度は、制御装置１４によって、例えば２５０℃程度に制御する。これによって、処理容器１０の内壁面付近におけるＣＯ2 の密度は１３．７ｍｏｌ／ｌ程度、基板保持機構１１付近におけるＣＯ2 の密度は３．７ｍｏｌ／ｌ程度となる。
【００３３】
次に、バルブ２１を開き、処理媒体導入ライン２０から処理媒体供給部１９内に、プリカーサとしてのＣｕ2+（ｈｆａｃ）2 と、プリカーサを溶解させる媒体として、ＣＯ2 を導入する。この時のＣＯ2 は、超臨界状態もしくは液体の状態とする。また、プリカーサは媒体に一定濃度、例えば、飽和状態で熔解していることが好ましい。
【００３４】
この時、処理媒体を処理媒体供給部１９に充填する前に、還元剤導入ライン２２からＣＯ2 を導入して処理媒体供給部１９内の圧力を上昇させておくことも可能である。この場合、還元剤であるＨ2 は、処理媒体が充填される前に、予め処理媒体供給部１９内に充填しておくことができる。
【００３５】
そして、処理媒体供給部１９内の圧力を所定圧力（例えば１５ＭＰａ）、処理媒体の温度を所定温度（例えば４０℃）に調節した後、バルブ２４，２５を開き、処理媒体を処理容器１０内に供給する。処理媒体は、処理媒体供給機構１５に設けられた複数の供給口１６から基板保持機構１１に下向きに保持された半導体ウエハＷの成膜面に向けて均一に供給される。
【００３６】
このようにして半導体ウエハＷの近傍に供給された処理媒体は、半導体ウエハＷの成膜面近傍でヒータ１２からの熱によって略２５０℃程度に加熱される。これによって、以下に示す反応が生じて処理媒体中のプリカーサが熱分解し半導体ウエハＷ上にＣｕ膜が成膜される。
Ｃｕ2+（ｈｆａｃ）2 ＋Ｈ2 →Ｃｕ＋２Ｈ（ｈｆａｃ）
【００３７】
この時、上記圧力下にある超臨界状態のＣＯ2 は、成膜に用いるプリカーサの溶解度が高く、かつプリカーサが溶解した処理媒体は拡散性が高い特徴があるため、成膜速度が高く、かつ微細パターンへのカバレッジが良好な成膜を行うことが可能となる。例えば、絶縁膜で形成された線幅０．１μｍ以下の微細なパターンに、ボイド等の空間を形成することなく、良好な被覆性と埋め込み性と高い速度でＣｕ膜を形成することができる。
【００３８】
また、この時、処理媒体供給部１９からは、例えば４０℃に温度制御された温度が低く密度の高い処理媒体が供給される。一方、基板保持機構１１のヒータ１２によって半導体ウエハＷは、例えば２５０℃等の比較的高い温度とされているため、半導体ウエハＷの近傍に到達した処理媒体は加熱されて温度が高く密度が低い状態となる。
【００３９】
このため、処理媒体供給機構１５と基板保持機構１１との間の空間において、高温で密度の低い処理媒体が上方に存在し、低温で密度の高い処理媒体が下方に存在する状態となり、処理媒体の加熱による自然対流がほとんど生じない。このため、処理媒体の流れが穏やかになり、半導体ウエハＷの成膜面に形成される膜の膜厚の面内均一性を良好にすることができる。
【００４０】
ここで、仮に図１の実施形態とは反対に、基板保持機構１１が下方に配置され、処理媒体供給機構１５が上方に配置されていると、上方から供給された処理媒体が、半導体ウエハＷの近傍で加熱され、上方へ向かって上昇するため、これらの間において、激しい自然対流が生じる。そして、この自然対流による処理媒体の急速な流れのため、半導体ウエハＷの成膜面に形成される膜の面内均一性が悪化してしまう。例えば、温度の低い処理媒体が直接当たる供給口１６の直下に相当する位置では膜厚が薄く、その他の位置では膜厚が厚くなる等の膜厚の不均一性が生じる。
【００４１】
上記のようにして、半導体ウエハＷの近傍に到達し、成膜に使用された処理媒体は、基板保持機構１１の周囲に形成された複数の排出口１７から処理容器１０外へ排出される。そして、処理容器１０外へ排出された処理媒体は、配管１８によって再度処理媒体供給部１９内に導入され、循環されて使用される。これによってプリカーサの利用効率を高めることができる。なお、処理媒体の循環速度を上げるため、配管１８等に処理媒体を圧縮する圧縮手段を設けてもよい。
【００４２】
成膜処理が終了すると、バルブ２４，２５を閉じて、処理媒体の供給を停止する。そして、背圧弁３０を開いて排出ライン３１から処理媒体を排出するとともに、ＣＯ2 供給ライン２８から超臨界状態のＣＯ2 をパージして、処理媒体をＣＯ2 に置換する。この後、背圧弁３０の開度を調節して徐々に処理容器１０内等の圧力を大気圧に戻す。
【００４３】
以上のとおり、本実施形態によれば、成膜速度が高く、かつ微細パターンへのカバレッジが良好な成膜を行うことが可能となる。また、処理媒体供給機構１５と基板保持機構１１との間の空間において、自然対流がほとんど生じないため、処理媒体の流れが穏やかになり、半導体ウエハＷの成膜面に形成される膜の膜厚の面内均一性を良好にすることができる。
【００４４】
なお、上記の実施形態では、プリカーサとしてＣｕ2+（ｈｆａｃ）2 を使用した場合について説明したが、プリカーサはこれに限られるものではない。Ｃｕの成膜を行う場合は、プリカーサとしては、例えば、２価の銅イオンにベータ・ジケトナート（β−diketonato）配位子が２つ配位した金属錯体や１価の銅イオンにベータ・ジケトナート配位子が１つ配位した金属錯体、電子供与性の結合を持つ有機シラン、もしくは炭水化物を含むグループのうち少くとも１つを含む分子が付加した金属錯体付加物（アダクト）を用いることができる。また、２価の銅イオン、１価の銅イオンのうち、少くとも一方を含む有機金属錯体、もしくは有機金属錯体付加物や、有機金属錯体、有機金属錯体付加物のうち少くとも一方を含む有機混合物などを用いることができる。具体的には、例えば、Ｃｕ2+（ａｃａｃ）2 、Ｃｕ2+（ｔｍｈｄ）2 、Ｃｕ+ （ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）等を用いることができる。
【００４５】
また、成膜する膜は、Ｃｕ膜に限定されるものではなく、タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン等の金属膜、金属化合物膜を形成することができる。さらに、超臨界状態として用いる媒体は、ＣＯ2 に限らず、例えば、ＮＨ3 等を用いることが可能であり、ＮＨ3 を用いた場合には金属窒化膜を形成することができる。例えば、Ｔａ膜、ＴａＮ膜を形成する場合、プリカーサとしては、ＴａＦ5 、ＴａＣｌ5 、ＴａＢｒ5 、ＴａＩ5 、（Ｃ5 Ｈ5 ）2 ＴａＨ3 、（Ｃ5 Ｈ5 ）2 ＴａＣｌ3 、ＰＤＭＡＴ（Pentakis(dimethylamino)Tantalum ，［（ＣＨ3 ）2 Ｎ］5 Ｔａ）およびＰＤＥＡＴ（Pentakis(diethylamino)Tantalum，［（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ］5 Ｔａ）のいずれかを用いることができる。
【００４６】
図２は、他の実施形態にかかる成膜装置の構成を示すものである。この実施形態の成膜装置では、処理容器１０の天井部に処理媒体を導入するための処理媒体供給機構４０が設けられ、処理容器１０の底部に処理媒体を排出するための処理媒体排出機構４２が設けられている。処理媒体供給機構４０は、基板保持機構１１の周囲に設けられた複数の供給口４１から構成されており、処理媒体排出機構４２は、半導体ウエハＷに対向するように配置された複数の排出口４３から構成されている。そして、図中矢印で示すように、図１に示した実施形態とは反対方向に処理媒体を循環するようになっており、処理媒体は処理容器１０の上部から下部に向かって流れるようになっている。このように、処理媒体の流れる方向を逆にしても、前述した実施形態と同様な効果を奏することができる。
【００４７】
なお、処理媒体の処理容器１０への供給位置、排出位置は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、どのようなものでもよい。また、上記の各実施形態では、処理媒体を循環させる場合について説明したが、処理媒体を循環させずに使用する成膜装置についても同様にして適用することができる。さらに、半導体ウエハＷの温度制御は、分割した領域毎に温度制御するものに限られず、全体を１つの領域として温度制御するものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す図。
【図２】本発明の他の実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す図。
【符号の説明】
【００４９】
Ｗ……半導体ウエハ、１……成膜装置、１０……処理容器、１１……基板保持機構、１２……ヒータ、１３……温度センサ、１４……制御装置、１５……処理媒体供給機構、１６……供給口、１７……排出口、１８……配管、１９……処理媒体供給部、２０……処理媒体導入ライン、２１……バルブ、２２……還元剤導入ライン、２３，２４，２５……バルブ、２６……処理媒体温度調節機構、２７……処理容器温度調節機構、２８……二酸化炭素導入ライン、２９……バルブ、３０……背圧弁、３１……排出ライン、３２……圧力計、３３……圧力制御装置。
【図１】
2006169601.tif 000003
【図２】
2006169601.tif 000004