(57)【要約】【課題】２層以上の情報層を有する光記録媒体において、半透過情報層に対して、レーザーパワーを過大とすることなく、且つ、アモルファスマークの熱安定性を損なうことなく高速記録ができるようにする。【解決手段】光記録媒体１０は、基板１２と、この基板１２の光入射側に設けられた第１の情報層１４と、これよりも更に光入射側に設けられた半透過情報層である第２の情報層１６とを有してなり、前記第２の情報層１６は、記録膜１８及びこの記録膜１８の光入射側に隣接して設けられたＣｒ2Ｏ3からなる界面層２０を含んで構成されている。又、記録膜１８は、レーザービームに対する光透過率が３０〜８０％とされ、且つ、Ｓｂ、Ｇｅを主成分とし、対物レンズの開口数をＮＡ、レーザービームの波長をλとしたときλ／ＮＡ≦６５０ｎｍの光学系により書換え可能な相変化材料から形成されている。【選択図】図１
2006277839.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板におけるレーザービームの光入射側に設けられた第１の情報層と、この第１の情報層よりも更に光入射側に設けられた少なくとも１層の半透過情報層と、を有してなり、
前記半透過情報層は、記録膜及びこの記録膜の光入射側に隣接して設けられた界面層を含んで構成されると共に、前記レーザービームに対する光透過率が３０〜８０％とされ、且つ、Ｓｂ、Ｇｅを主成分とし、対物レンズの開口数をＮＡ、レーザービームの波長をλとしたときλ／ＮＡ≦６５０ｎｍの光学系により書換え可能な相変化材料で形成され、前記界面層はＣｒ2Ｏ3から形成されていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
請求項１において、
前記記録膜は、Ｓｂが７０at％以上９４at％以下、Ｇｅが５at％以上２１at％以下とされたことを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記記録膜は、Ｍｇを添加成分として１at％以上１０at％以下を含むことを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】
請求項１、２又は３において、
前記界面層の膜厚が、０．２ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項５】
請求項１、２又は３において、
前記界面層の膜厚が、０．２ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、次世代ＤＶＤ（ディジタル・バーサタイル・ディスク）と称される光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代ＤＶＤとして、レーザー波長が４０５ｎｍ（青色）、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．８５の光学系を利用するものが提案されていて、片面に２層の情報層を有し、書換え速度が１倍速（線速度約５．０ｍ／ｓ）の書換え型光記録媒体が製品化されている。
【０００３】
このような次世代ＤＶＤにおいて、更なる記憶容量の増大、高速記録化が要求されている。
【０００４】
上記のような、片面に２層、あるいは、更に多くの情報層を有する光記録媒体では、レーザービームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層は、光入射面から最も遠い情報への記録及び再生を可能とするために半透過としている。
【０００５】
この場合、情報層に含まれる相変化記録膜の膜厚を薄くする必要があるが、この膜厚を薄くしていくと、結晶化速度及び消去率が低下し、記録マーク（アモルファス）の消去（結晶化）が困難になり、書換え速度が低下してしまうという問題点を生じる。
【０００６】
又、上記消去率の低下は、レーザービームのスポットサイズが相変化記録膜のある一点を通過する時間が短くなるほど顕著となる。即ち、線速度が速いほど消去率が低下してしまう。従って、光記録媒体が高密度大容量であるほど書換え速度を向上させることが困難となる。
【０００７】
上記のような相変化記録膜の結晶化速度を向上させる手段としては、例えば、特許文献１に記載されるように、Ｇｅ4Ｓｂ2Ｔｅ7等の化合物系相変化材料からなる相変化記録膜の界面層としてＣｒ2Ｏ3を用いることが開示されていて、記録膜中へのＺｎＳの拡散防止による書換え回数の向上、結晶化速度の向上という効果が得られるとされている。
【０００８】
しかしながら、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＢｉＴｅ等の化合物系相変化材料は、融点が６００℃以上と非常に高く、これに対して、多層光記録媒体における半透過情報層では、膜厚が薄いことからレーザービームの熱を吸収し難くなっていて、この半透過情報層における相変化記録膜を溶融させるために必要なレーザーパワーが大きくなってしまう。更に、光記録媒体における書換え速度が速くなるに連れて、前述のように、レーザービームが相変化記録膜を通過する時間が短くなることから、記録膜と溶融するためにレーザーパワーをより大きくしなければならない。
【０００９】
しかしながら、上記の波長４０５ｎｍのレーザービームを出力する半導体レーザーは、実用化されたばかりであって、高出力タイプの半導体レーザーは未だ実用化されず、従って、次世代ＤＶＤの分野において、半透過情報層における相変化膜として、前記のような融点が高いＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＢｉＴｅ等の化合物系材料を用いて高速記録をすることができなかった。
【００１０】
これに対して、相変化記録膜として、Ｓｂを主成分とするＳｂＴｅ共晶系材料を用いると、Ｓｂの含有量により結晶化速度を制御することができ、又、融点が、化合物系材料よりも低く６００℃以下であるので、アモルファスマークを形成するためのレーザービームのパワーを小さくすることができる。
【００１１】
しかしながら、このＳｂＴｅ共晶系材料を記録膜として用いた場合に、高速記録に対応させるためにＳｂ含有量を増加していくと、結晶化・活性化エネルギーが低下してアモルファスマークの熱安定性が損なわれるという問題点を生じる。
【００１２】
【特許文献１】特開２００３−２２８８８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、アモルファスマークを形成するためのレーザーパワーを大きくすることなく、且つ、アモルファスマークの熱安定性が損なわれることなく高速記録ができる光記録媒体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者は鋭意研究の結果、半透過情報層における相変化材料の記録膜を、ＳｂとＧｅを主成分、Ｍｇを添加成分として形成し、且つ、この記録膜に対して、レーザービームの光入射側に隣接する界面層を、Ｃｒ2Ｏ3から形成することによって、レーザーパワーを過大とすることなく、且つ、アモルファスマークの熱安定性を損なうことなく、高速記録をすることができることを見出した。
【００１５】
即ち、以下の本発明により上記課題を解決するものである。
【００１６】
（１）基板と、この基板におけるレーザービームの光入射側に設けられた第１の情報層と、この第１の情報層よりも更に光入射側に設けられた少なくとも１層の半透過情報層と、を有してなり、前記半透過情報層は、記録膜及びこの記録膜の光入射側に隣接して設けられた界面層を含んで構成されると共に、前記レーザービームに対する光透過率が３０〜８０％とされ、且つ、Ｓｂ、Ｇｅを主成分とし、対物レンズの開口数をＮＡ、レーザービームの波長をλとしたときλ／ＮＡ≦６５０ｎｍの光学系により書換え可能な相変化材料で形成され、前記界面層はＣｒ2Ｏ3から形成されていることを特徴とする光記録媒体。
【００１７】
（２）前記記録膜は、Ｓｂが７０at％以上９４at％以下、Ｇｅが５at％以上２１at％以下とされたことを特徴とする（１）に記載の光記録媒体。
【００１８】
（３）前記記録膜は、Ｍｇを添加成分として１at％以上１０at％以下を含むことを特徴とする（１）又は（２）に記載の光記録媒体。
【００１９】
（４）前記界面層の膜厚が、０．２ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする（１）、（２）又は（３）に記載の光記録媒体。
【００２０】
（５）前記界面層の膜厚が、０．２ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする（１）、（２）又は（３）に記載の光記録媒体。
【発明の効果】
【００２１】
この発明の光記録媒体においては、記録膜をＳｂＧｅ共晶系材料により形成し、且つそのレーザービーム入射側にＣｒ2Ｏ3からなる界面層を形成することによって、推測ではあるが、Ｃｒ2Ｏ3の界面層により、記録膜界面からの結晶核生成が促進され、この生成された結晶核から急速に結晶成長が行われ、結晶化時間が短縮され、レーザーパワーを大きくすることなく、且つ、アモルファスマークの熱安定性を損なうことなく、高速記録が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
最良の形態に係る光記録媒体は、基板と、この基板におけるレーザービームの光入射側に設けられた第１の情報層と、この第１の情報層よりも更に光入射側に設けられた半透過情報層と、を有してなり、前記半透過情報層は、記録膜及びこの記録膜の光入射側に隣接して設けられた界面層を含んで構成されると共に、前記レーザービームに対する光透過率が３０〜８０％とされ、且つ、Ｓｂ、Ｇｅを主成分とし、且つ、対物レンズの開口数をＮＡ、レーザービームの波長をλとしたときλ／ＮＡ≦６５０ｎｍの光学系により書換え可能な相変化材料で形成され、前記界面層はＣｒ2Ｏ3から形成されている。
【００２３】
前記半透過情報層の構成例としては、基板上に、第１誘電体層、反射層、第２誘電体層、記録膜（層）、界面層、第３誘電体層、放熱層を順次積層したものが挙げられる。
【００２４】
第１誘電体層は反射層の保護及び光透過率調整のために設けられ、材料は特に限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｎｂ等から選ばれる少なくとも１種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいはこれらの複合物等が用いられる。最良の実施形態では酸化ジルコニウムを主成分として含む材料によって形成される。ここでの主成分とは、全体に占めるモル比が６０％以上のことである。第１誘電体層の膜厚Ｄ１は、１ｎｍ≦Ｄ１≦６０ｎｍが好ましい。１ｎｍ未満では反射層の保護が不十分であり、６０ｎｍより厚いと光透過率が好ましい範囲を外れる。
【００２５】
反射層は、放熱と光干渉効果のために設けられ、材料として好ましくはＡｇ合金が用いられ、その膜厚Ｔｒは、半透過構造とするために０＜Ｔｒ＜３０ｎｍである。より好ましくは０＜Ｔｒ＜２０ｎｍである。記録膜（層）の好ましい膜厚Ｔｒｅｃは、２ｎｍ≦Ｔｒｅｃ≦１２ｎｍであり、好ましくは２．５ｎｍ≦Ｔｒｅｃ≦８ｎｍである。
【００２６】
これらにより、半透過情報層全体の記録波長における光透過率が３０％以上８０％以下となるようにされている。半透過情報層の光透過率が３０％未満であると、レーザービームの光入射面から最も遠い情報層への記録が困難となり、８０％を越えると半透過情報層への記録が困難となるためである。
【００２７】
記録膜（層）は、少なくともＳｂ及びＧｅから構成される。又Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｉｎ等から選ばれる少なくとも１種の添加成分を含んでも良い。
【００２８】
Ｓｂの好ましい原子重量比は、７０≦Ｓｂ≦９４であり、より好ましくは、７７≦Ｓｂ≦９０である。Ｓｂが７０at％未満では、結晶化速度が低下してしまい、マークの消去が困難となる。又、マークの熱安定性が損なわれてしまう。Ｇｅの好ましい原子重量比は、５≦Ｇｅ＜２２であり、より好ましくは８≦Ｇｅ≦２１である。Ｇｅが５at％未満では、マークの熱安定性が損なわれてしまう。又、２２at％以上では、結晶化速度が低下して消去困難となる。Ｍｇ等から選ばれる少なくとも１種の添加成分の好ましい原子重量比は、１≦Ｍｇ≦１０である。Ｍｇが１at％未満ではノイズ低減効果が得られない。又、１０at％より多いと、結晶化速度が低下し消去困難となる。
【００２９】
第２誘電体層は、記録層と反射層の保護及び記録層から反射層への放熱性を制御する。材料は特に限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｎｂ等から選ばれる少なくとも１種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいはこれらの複合物等が用いられる。本発明の実施形態では酸化ジルコニウムを主成分として含む材料によって形成される。主成分とは、全体に占めるモル比が６０％以上のことである。膜厚Ｄ２は、２ｎｍ≦Ｄ２≦２０ｎｍが好ましい。２ｎｍ未満では記録層及び反射層の保護が不十分であり、２０ｎｍより厚いと記録層からの熱が速やかに反射層へと逃げることができず、冷却速度が低下して正確にアモルファスマークを形成することが困難となる。
【００３０】
界面層は、結晶化速度の制御を行なう。界面層としてＣｒ2Ｏ3を用いることで、結晶化速度を向上させることができる。界面層の膜厚Ｔｉは、０．２ｎｍ≦Ｔｉ≦８ｎｍである。界面層の膜厚が０．２ｎｍ未満では書換え可能な最大線速度は得られず、また８ｎｍより厚いと書換え可能な最大線速度は向上するが、Ｃｒ2Ｏ3膜による光吸収により半透過情報層の光透過率を減少させてしまう。
【００３１】
第３誘電体層は、光学特性の調整及び記録層から放熱層への放熱性の制御を行なう。材料は特に限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｎｂ等から選ばれる少なくとも１種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいはこれらの複合物等が用いられる。好ましくは、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物によって形成される。好ましいＺｎＳとＳｉＯ2のモル比は、５０：５０から９５：５である。この範囲を外れると、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物の屈折率が変化し、光学特性の調整が困難となる。第３誘電体層の膜厚Ｄ３は、５ｎｍ≦Ｄ３≦５０ｎｍが好ましい。５ｎｍより薄いと記録層の保護及び光学特性の調整が困難となり、５０ｎｍより厚いと記録層から放熱層への放熱性が低下する。
【００３２】
放熱層は、記録層からの放熱を制御し、記録層の冷却効果を高めて正確にアモルファスマークを形成し易くするためのものである。材料は特に限定されないが、第３誘電体層の材料よりも熱伝導率の高い材料が好ましく、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＢＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2等が好ましい。最良の実施形態では、ＡｌＮによって形成される。放熱層の好ましい膜厚Ｔｈｅａｔは、１５≦Ｔｈｅａｔ＜１５０ｎｍであり、更に好ましくは２０≦Ｔａｌｎ＜１２０ｎｍである。放熱層の膜厚が１５ｎｍ未満であると、記録層からの放熱効果が小さくなり、又、１５０ｎｍ以上になると成膜に要する時間が長くなり生産性の低下を引き起こす。
【００３３】
なお、第１、第２、第３誘電体層は、単層でも２層以上の複数の誘電体層から構成されても良い。
【実施例１】
【００３４】
以下図１を参照して、本発明の実施例１に係る光記録媒体１０について詳細に説明する。
【００３５】
この光記録媒体１０は、基板１２と、この基板１２におけるレーザービームの光入射側（図１において上側）に設けられた第１の情報層１４と、この第１の情報層１４よりも更に光入射側に設けられた半透過情報層である第２の情報層１６と、を有してなり、前記第２の情報層１６は、記録膜１８及びこの記録膜１８の光入射側に隣接して設けられた界面層２０を含んで構成されている。
【００３６】
前記第１の情報層１４と第２の情報層１６との間にはスペーサ層２２が設けられ、又、前記第２の情報層１６の光入射側には光透過層２４が設けられている。
【００３７】
前記第２の情報層１６は、スペーサ層２２側から、例えば膜厚５ｎｍのＺｒＯ2膜からなる第１誘電体層２６と、例えば膜厚１０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ（９８：１：１at％）膜からなる反射層２８と、例えば膜厚４ｎｍのＺｒＯ2膜からなる第２誘電体層３０と、膜厚６ｎｍの前記記録膜１８と、例えば膜厚５ｎｍのＣｒ2Ｏ3膜からなる前記界面層２０と、例えば膜厚１０ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ2（８０：２０mol％）膜からなる第３誘電体層３２と、例えば膜厚５０ｎｍのＡｌＮ膜からなる放熱層３４とをこの順でスパッタリングにより形成して構成されている。
【００３８】
又、前記基板１２は厚さ１．１ｍｍのポリカーボネートからなり、スペーサ層２２は厚さが２５μｍとされ、前記光透過層２４は、紫外線硬化型樹脂を用いてスピンコート法により７５μｍの厚さで形成されている。この光透過層２４は、前記第２の情報層を初期化機により結晶化させた後に形成される。
【００３９】
この実施例１において、前記記録膜１８の材料は、ＳｂＧｅＭｇ（８４．０：１４．０：２．０at％）を用いている。
【００４０】
この実施例１に係る光記録媒体１０に対して、波長４０５ｎｍのレーザービームにより、ＮＡ＝０．８５の光学系を用い、記録信号（１，７）ＲＬＬ変調信号の条件で記録をし、サンプル評価をした。ここで、記録・消去の線速度は、各サンプルにおいて最適な線速度で行ない、再生は線速度５．３ｍ／ｓで行なった。
【００４１】
上記実施例１の光記録媒体１０に対して、記録膜と第３誘電体層（ＺｎＳ：ＳｉＯ2膜）との間に界面層を設けない比較例の光記録媒体を用意し、これにも、前記と同様の条件で記録し、サンプル評価をした。上記実施例１の光記録媒体１０と比較例の光記録媒体について、次のように、消去特性の比較を行ない、界面層による結晶化速度の変化を調べた。
【００４２】
まず、線速度１０．５ｍ／ｓで、８Ｔ信号を記録した後、線速度を変えながら、各線速度でＤＣ消去を１回行ない、キャリアレベルの変化を測定して、各線速度での消去率を測定した。このとき、８Ｔ信号記録のパワーは、Ｐｗ（記録パワー）／Ｐｅ（消去パワー）／Ｐｂ（バイアスパワー）＝９．６／３．２／０．３ｍＷ、ＤＣ消去の消去パワーは３．５ｍＷとした。
【００４３】
測定された、線速度と消去率との関係を、図２において、実施例１の光記録媒体の場合を実線、比較例の場合を一点鎖線でそれぞれ示している。
【００４４】
この図２からは、界面層をＣｒ2Ｏ3から形成することにより、高い線速度においても高い消去率を得ることができ、記録膜材料の組成を変えずに結晶化速度を増大できることが分かる。
【００４５】
又、前記実施例１の光記録媒体１０と、比較例の情報層の光透過率を分光測定器により測定したところ、実施例１で４１％、比較例の第３誘電体層（ＺｎＳ：ＳｉＯ2膜）では４３．５％であった。
【００４６】
なお、実施例１の光記録媒体１０において、記録膜１８の基板１２側にＣｒ2Ｏ3からなる基板側界面層を設けた場合は、消去率に変化はなかった。これは、基板側と比較して、光入射側の界面層２０での記録・消去時の到達温度が高いためと考えられる。
【００４７】
又、他の比較例として、ＩｎＳｂＴｅＧｅ（１．０：７６．０：１８．０：５．０at％）記録膜と、ＩｎＳｂＴｅＧｅＭｎ（０．９：７２．６：１７．２：４．８：４．５at％）記録膜を用い、且つそれぞれにＣｒ2Ｏ3の界面層を形成した光記録媒体を作成し、Ｃｒ2Ｏ3界面層による結晶化速度向上の効果が得られるかを確認した結果を、図３及び図４にそれぞれ示す。
【００４８】
この図３、４から、ＳｂＴｅ共晶系記録膜材料では、Ｃｒ2Ｏ3界面層による結晶化速度向上効果は見られず、ＩｎＳｂＴｅＧｅＭｎ記録膜では逆に結晶化速度が低下していることが分かる。
【００４９】
以上のことから、Ｓｂを主成分とする共晶系記録膜材料であっても、ＳｂＧｅ共晶系材料ではＣｒ2Ｏ3界面層により結晶化速度が向上し、これに対して、ＳｂＴｅ共晶系材料では、結晶化速度に変化が見られないか、逆に低下することが分かる。又、Ｃｒ2Ｏ3界面層による結晶化速度向上効果は、この界面層に接する相変化記録膜の材料に大きく依存することが分かる。
【００５０】
前記結晶化速度の向上効果の理由の１つとしては、明確ではないが、次のように推測することができる。
【００５１】
Ｃｒ2Ｏ3界面層により、相変化記録膜の界面からの結晶核生成が促進され、これにより生成された結晶核から急速に結晶成長が行なわれ、結晶化時間が短縮されたと考えられる。上記のＳｂＧｅ共晶系材料では、結晶成長のみでなく、結晶核生成も生じていると考えられ、従って、相変化記録膜の結晶核生成の効率が、Ｃｒ2Ｏ3界面層により大きく促進され、結晶化速度が向上すると考えられる。
【００５２】
他方、ＳｂＴｅ共晶系材料では、結晶化においては、結晶核生成がほとんど見られず、結晶成長が支配的であることが分かっていて、Ｃｒ2Ｏ3界面層を設けても、ＳｂＴｅ共晶系の相変化記録膜材料では、結晶核生成を促進することができず、これにより結晶化速度が向上しないと考えられる。
【００５３】
なお、上記実施例１に係る光記録媒体での、線速度２１．０ｍ／ｓの条件で記録パワーを変化させたときのジッター値測定の結果を、図５に示す。
【００５４】
ここで、消去パワーと記録パワーの比率（Ｐｅ／Ｐｗ）は０．３と一定にして記録パワーと消去パワーを変化させて記録を行ない、ジッター値測定を行なった。又、バイアスパワーＰｂは０．５ｍＷとした。図５からは、線速度２１．０ｍ／ｓの高線速において、実用的なジッター値１０％以下の良好なジッター特性を得ることができた。更に、最適記録パワーは約１０〜１１ｍＷと、十分に低いパワーで高速記録が可能であったことが分かる。
【実施例２】
【００５５】
次に、前記実施例１におけると同様の構成の光記録媒体（サンプル１〜７）であって、記録膜の材料として、ＳｂＧｅＭｇ（８５．０：１３．０：２．０at％）を用いて、Ｃｒ2Ｏ3界面層の膜厚を０．０ｎｍ、０．２ｎｍ、０．５ｎｍ、０．９ｎｍ、３ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍとしたときの消去率変化を線速度との関係において測定した結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
2006277839.tif 000003
【００５７】
条件としては、サンプル１〜７の光記録媒体に、８Ｔマーク信号の記録を行ない、消去パワー４ｍＷで消去の線速度を変えながらＤＣ消去を行ない、消去率測定を行なった。Ｃｒ2Ｏ3の膜厚０ｎｍと０．２ｎｍの場合は、記録線速度を９．８ｍ／ｓとし、膜厚０．５〜８ｎｍでは、記録線速度を１９．６ｍ／ｓとした。消去率測定を行なった後、消去率２５ｄＢとなる最大の線速度を求め、これを書換え可能な線速度とした。
【００５８】
この結果、Ｃｒ2Ｏ3の好ましい膜厚は０．２ｎｍ以上８ｎｍ以下である。０．２ｎｍよりも薄いと、書換え可能な最大線速度向上の効果が得られず、又８ｎｍよりも厚いと書換え可能な最大線速度は大きく向上するが、Ｃｒ2Ｏ3膜による光吸収により情報層の光透過率が減少してしまうからである。更に、Ｃｒ2Ｏ3はスパッタレートが遅いため薄い方が生産性が高く、この生産性の観点と最大線速度とのバランスからは５ｎｍ以下（５ｎｍを越えると最大線速度の増加率が小さくなる）が望ましく、情報層を含めた全体の層厚を薄くするためには、Ｃｒ2Ｏ3膜の膜厚は０．９ｎｍ以下が好ましい。
【００５９】
上記表１に示される結果を、Ｃｒ2Ｏ3の膜厚毎に消去線速度と消去率との関係を図６に示す。又、Ｃｒ2Ｏ3膜厚と書換え可能な最大線速度との関係を図７にそれぞれ示す。
【実施例３】
【００６０】
実施例３は、ＳｂＧｅＭｇ記録膜の組成を変化させた実施例１と同様の光記録媒体（サンプル８〜１５）を作成し、前記と同様に、８Ｔマークを記録後、線速度を変えながらＤＣ消去パワー４ｍＷで１回消去したときの消去率を測定した。又、この消去線速度と消去率との関係から、消去可能の目安である消去率２５ｄＢが得られる線速度を求めた。この消去可能な最大線速度が、書換え可能な最大線速度となり、数値が大きいほど高速記録可能となる。
【００６１】
測定結果を、表２に示す。表２から分かるように、サンプル８は、線速度４０ｍ／ｓでも消去可能であったが、記録マーク形成後の信号再生マークが一部結晶化していき、再生劣化を起していた。これは、結晶化速度が速すぎるために、アモルファスの熱安定性が低下した結果と考えられる。
【００６２】
【表２】
2006277839.tif 000004
【００６３】
又、サンプル１５では、マークの消去ができなかった。これは結晶化速度が著しく低下していた結果と考えられる。以上の結果から、Ｓｂ、Ｇｅの好ましい組成範囲は、Ｓｂが７７at％以上９０at％以下、Ｇｅが８at％以上２１at％以下となる。
【００６４】
又、本発明者の実験によれば、Ｍｇが１at％未満ではノイズ低減効果が得られず、１０at％より多いと結晶化速度が低下するので、Ｍｇの組成は１at％以上１０at％以下となる。
【００６５】
[比較例]
比較例は、記録膜組成をＧｅＳｂＴｅおよびＧｅＢｉＴｅの化合物組成として、実施例１と同様に光記録媒体を作成したものであり、この光記録媒体に、８Ｔマークを記録後、線速度を変えながらＤＣ消去パワー４ｍＷで１回消去を行い、Ｃｒ2Ｏ3界面層有無による消去可能な最大線速度を求めた。
【００６６】
結果を表３に示す。なお、記録膜組成の数値は各元素の比率を示している。
【００６７】
【表３】
2006277839.tif 000005
【００６８】
以上より、短波長・高ＮＡによる高密度記録では、化合物記録膜組成のみの場合、これとＣｒ2Ｏ3界面層とを組み合わせた場合のいずれも、高速結晶化が得られず、高速記録を実現することが困難なことがわかった。これは、アモルファスの結晶化過程が、核生成のみに依存しており、核生成後の結晶成長が起きないために界面層による核生成促進効果が、結晶化速度向上に寄与できないためだと推測される。
【００６９】
なお、上記実施例は、情報層が２層の光記録媒体についてのものであるが、本発明はこれに限定されるものでなく、情報層が３層以上の光記録媒体についても適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施例１に係る光記録媒体を模式的に示す断面図
【図２】同実施例１に係る光記録媒体と、Ｃｒ2Ｏ3界面層の無い比較例に係る光記録媒体のそれぞれの、消去特性を示す線図
【図３】実施例１の光記録媒体と、実施例１における記録膜をＩｎＳｂＴｅＧｅに変えた光記録媒体における消去特性を示す線図
【図４】実施例１の光記録媒体と、この光記録媒体の記録膜をＩｎＳｂＴｅＧｅＭｎとした比較例の消去特性をそれぞれ示す線図
【図５】実施例１の光記録媒体における記録パワーとジッター値との関係を示す線図
【図６】実施例２の光記録媒体におけるＣｒ2Ｏ3膜の膜厚を変化させた場合の消去特性を膜厚毎に比較して示す線図
【図７】実施例２の光記録媒体におけるＣｒ2Ｏ3膜厚と書換え可能な最大線速度との関係を示す線図
【符号の説明】
【００７１】
１０…光記録媒体
１２…基板
１４…第１の情報層
１６…第２の情報層（半透過情報層）
１８…記録膜
２０…界面層
２２…スペーサ層
２４…光透過層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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