(57)【要約】【課題】  劣化物や金属成分の析出に起因した表面平坦性の悪化がなく、長手方向の厚み斑の小さい、出力、ドロップアウト特性、エラーレート特性に優れた蒸着型磁気記録媒体が得られるポリアルキレンナフタレートフィルムおよびそれを用いた磁気記録媒体の提供。【解決手段】  主たる触媒がチタン化合物で、全酸成分のモル数を基準として、フィルム中の該チタン化合物のチタン元素量が２〜１５ｍｍｏｌ％の範囲にあり、かつ安定剤として含有するリン化合物のリン元素量（Ｐ）と該チタン元素量の比（Ｐ／Ｔｉ）が０．１〜２の範囲にあるポリアルキレンナフタレートからなり、長手方向のヤング率（ＹＭＤ）が４．５ＧＰａ以上、幅方向のヤング率（ＹＴＤ）が９ＧＰａ以上、厚みが２〜７μｍ、かつフィルムの長手方向２ｍの範囲における厚み斑（最大厚みと最小厚みの差）が０．６μｍ以下である蒸着型磁気記録媒体用ポリアルキレンナフタレートフィルム。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリアルキレンナフタレートからなるフィルムであって、
該ポリアルキレンナフタレートは、主たる触媒がチタン化合物で、ポリアルキレンナフタレートの全酸成分を基準として、フィルム中の該チタン化合物のチタン元素量（Ｔｉ）が２〜１５ｍｍｏｌ％の範囲にあり、かつ安定剤としてリン化合物を含有し、該リン化合物のリン元素量（Ｐ）と該チタン元素量のモル比（Ｐ／Ｔｉ）が０．１〜２の範囲にあり、
該ポリアルキレンナフタレートフィルムは、長手方向のヤング率（ＹＭＤ）が４．５ＧＰａ以上、幅方向のヤング率（ＹＴＤ）が９ＧＰａ以上、厚みが２〜７μｍの範囲、かつ長手方向の厚み斑（最大厚みと最小厚みの差）が０．６μｍ以下であることを特徴とする蒸着型磁気記録媒体用ポリアルキレンナフタレートフィルム。
【請求項２】
該ポリアルキレンナフタレートが、ポリアルキレンナフタレートの全酸成分のモル数を基準として、０．０１〜１０ｍｍｏｌ％の割合でスルホン酸４級ホスホニウム塩化合物を含有する請求項１に記載の蒸着型磁気記録媒体用ポリアルキレンナフタレートフィルム。
【請求項３】
ポリアルキレンナフタレートフィルムの一方の表面（表面Ａ）が、平均突起高さ５〜５０ｎｍの突起を１〜５０個／μｍ２の範囲で有する請求項１に記載の蒸着型磁気記録媒体用ポリアルキレンナフタレートフィルム。
【請求項４】
ポリアルキレンナフタレートフィルムが、一方の表面に不活性粒子と有機樹脂とからなる皮膜層が形成されており、該皮膜層が表面Ａを形成している請求項３に記載の蒸着型磁気記録媒体用ポリアルキレンナフタレートフィルム。
【請求項５】
ポリアルキレンナフタレートフィルムが実質的に不活性粒子を含有しておらず、かつ両表面に不活性粒子と有機樹脂とからなる皮膜層が形成されている請求項３に記載の蒸着型磁気記録媒体用ポリアルキレンナフタレートフィルム。
【請求項６】
ポリアルキレンナフタレートフィルムが、実質的に不活性粒子を含有していないポリアルキレンナフタレートフィルム層と平均粒径０．０１〜０．８μｍの不活性粒子を含有するポリアルキレンナフタレートフィルム層とが積層された積層ポリアルキレンナフタレートフィルムであって、表面Ａ側に実質的に不活性粒子を含有していないポリアルキレンナフタレートフィルム層が位置する請求項３に記載の蒸着型磁気記録媒体用ポリアルキレンナフタレートフィルム。
【請求項７】
デジタル記録方式の磁気記録テープのベースフィルムに用いる請求項１〜６のいずれかに記載の蒸着型磁気記録媒体用ポリアルキレンナフタレートフィルム。
【請求項８】
請求項１に記載のポリアルキレンナフタレートフィルムとその一方の表面に蒸着によって形成された強磁性金属薄膜層とからなることを特徴とする蒸着型磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着型磁気記録媒体のベースフィルムに用いるポリアルキレンナフタレートフィルムおよびそれを用いて製造された磁気記録テープに関する。さらに詳しくは、触媒に起因する表面析出異物が少なく、製膜安定性に優れ、データストレージテープなどのデジタルデータを大量に記録する強磁性金属薄膜型磁気記録媒体のベースフィルムとして好適な磁気記録媒体用ポリアルキレンナフタレートフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体の記録容量は飛躍的に増大しており、例えば、強磁性金属薄膜を真空蒸着やスパッタリング等の物理沈着法またはメッキ法により非磁性支持体上に形成せしめた金属薄膜型磁気記録媒体、またメタル粉や酸化鉄粉等の針状磁性粉体を２μｍ以下に塗布した薄層塗布型磁気記録媒体の開発実用化が進められている。前者の例としては、例えば、Ｃｏの蒸着テープ（特開昭５４−１４７０１０号公報）、Ｃｏ−Ｃｒ合金からなる垂直磁気記録媒体（特開昭５２−１３４７０６号公報）が知られている。また、後者の例としては、例えば、極薄層塗布型磁気記録媒体による高密度磁気記録（電子通信学会技術報告ＭＲ９４−７８（１９９５−０２））等が知られている。
【０００３】
記録容量を大きくするには、記録密度を高めることと記録される領域を増やすこととがある。前者としては、磁性層の厚みを薄くして、記録波長を短くすることが有効であり、後者としては記録媒体の厚みを薄くして、同一サイズのカートリッジ内に納められる記録できる面積を増やすことが有効である。
【０００４】
ところで、このように磁性層を薄くすることで記録密度を高めた高密度磁気記録媒体では、非磁性支持体（ベースフィルム）の表面状態が磁性層の表面性に大きな影響を及ぼしやすく、特に金属薄膜型の磁気記録媒体では、非磁性支持体の表面状態がそのまま磁性層（磁気記録層）表面の凹凸として発現し、それが記録・再生信号の雑音の原因となる。従って、非磁性支持体の表面はできるだけ平坦であることが望ましく、触媒に起因する異物が無いことが望ましい。
【０００５】
ベースフィルムを構成するポリエステルは、その製造において、重合反応を円滑に進行させるために重合触媒を用いる。この重合触媒としては種々の金属化合物が知られており、中でも三酸化アンチモンの如きアンチモン（Ｓｂ）化合物が安価でかつ高い重合活性を持つことから、広く使用されている。しかし、Ｓｂ化合物は、その一部が反応中に還元されて金属Ｓｂやその他の異物を生成して粗大な突起を発生させて磁気記録媒体としたときに電磁変換特性の低下やドロップアウトを引き起こしたりして成形品の品質を悪化させるといった問題を抱えている。更には、フィルムの製膜において、生産性を高めて製造コストを低減することは、フィルム品質の向上とともに重要な課題であるが、Ｓｂ化合物では製膜を長時間継続すると経時でフィルム表面に筋状欠点が発生してくる。そして、このような筋状欠点（以下、ダイ筋と略す）が発生するとフィルムの厚み斑が悪化して製品化が困難になるとともに、口金部分の清掃作業が必要となり大幅な生産性悪化を惹起する。ダイ筋の大きな原因は、口金部分及びその周辺に発生する異物であり、主な異物因は、ポリエステルの熱劣化物、ポリエステル中の金属成分の経時に伴う蓄積物またはこれらの複合である。したがって、フィルムの生産性向上や製造コスト低減といった点から、ポリエステルの熱劣化物やポリエステル中金属成分の蓄積物発生を抑制することが求められてきている。
【０００６】
このような問題を解決する手段として、例えば特開平７−２９２０８７号公報（特許文献１）において、マグネシウム、カルシウム触媒の併用が検討されている。これらを用いたフィルムでは、触媒金属化合物に起因する突起物やダイ筋を減らす事は出来るものの、要求品質を完全に満たすには至っていない。また、特開２００３−２７６１４１号公報（特許文献２）では、チタン化合物を触媒として、リン化合物と特定の割合で使用することが提案されている。該公報によれば、アンチモン化合物に比べ、触媒金属化合物に起因する突起物を減らす事は出来るものの、近年の蒸着型磁気記録媒体のベースフィルムへの要求はさらに厳しくなっており、こちらもまだ要求品質を完全に満たすには至っていない。
【０００７】
一方、記録再生の長時間化のためにテープ厚みを薄くすると、ベースフィルムの強度が不足することからテープのヘッド当たりが悪化する。このため、ポリエチレンテレフタレートに比べより高ヤング率化が可能なポリアルキレンナフタレートフィルムを用いることが有効である。しかし、近年の磁気記録媒体の薄膜化の要求は凄まじく、ベースフィルムの厚みは７μｍ以下にまで薄くなってきており、ポリアルキレンナフタレートフィルムでもフィルムの剛性不足による磁気ヘッドとの接触力不足、走行時のテープの折れ、磁気記録媒体製造時の工程通過性悪化の問題などが発生した。この問題を解決しようと鋭意研究した結果、ベースフィルムの厚みが薄くなるに連れて、ベースフィルムの長手方向の厚み斑が非常に影響してきていることが判明した。従来から塗布型磁気記録媒体は磁性層を塗布する際の塗布斑が発生するため、ベースフィルムの厚み斑は小さいことが要求され、例えば特開２００４−３０８０９号公報（特許文献３）などで、シート状物を溶融押出する際のスリットの幅と押し出されたシート状物の厚みの比を特定の範囲とし、かつ押し出されたシート状物がを冷却する冷却ドラムと密着しやすいように細いワイヤー電極を用いることが提案されている。しかしながら、蒸着型磁気記録媒体では塗布斑などの問題がないことから、それほど厳しい厚み斑の要求はこれまでなく、また長手方向の厚み斑はベースフィルムの長手方向の延伸倍率を高くするほど小さくできるが、塗布型磁気記録媒体に比べ、蒸着型磁気記録媒体は幅方向に非常に大きなヤング率が求められることから、ベースフィルムの長手方向に施す延伸の倍率は小さく、該公報と同様な方法だけでは、十分に厚み斑を小さくすることはできていなかったのが現状である。
【０００８】
【特許文献１】特開平７−２９２０８７号公報
【特許文献２】特開２００３−２７６１４１号公報
【特許文献３】特開２００４−３０８０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、熱劣化物や金属成分の析出に起因した表面平坦性の悪化を抑制し、且つ長手方向の厚み斑が少ない、エラーレート特性に優れた蒸着型磁気記録媒体、、特にデジタルビデオカセットテープ用、データストレージテープ用等のデジタルデータを記録する強磁性金属薄膜型磁気記録媒体を高品質で製造するのに適した磁気記録媒体用ポリアルキレンナフタレートフィルムおよびそれを用いた磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
かくして本発明によれば、本発明の目的は、ポリアルキレンナフタレートからなるフィルムであって、
該ポリアルキレンナフタレートは、主たる触媒がチタン化合物で、ポリアルキレンナフタレートの全酸成分を基準として、フィルム中の該チタン化合物のチタン元素量（Ｔｉ）が２〜１５ｍｍｏｌ％の範囲にあり、かつ安定剤としてリン化合物を含有し、該リン化合物のリン元素量（Ｐ）と該チタン元素量のモル比（Ｐ／Ｔｉ）が０．１〜２の範囲にあり、
該ポリアルキレンナフタレートフィルムは、長手方向のヤング率（ＹＭＤ）が４．５ＧＰａ以上、幅方向のヤング率（ＹＴＤ）が９ＧＰａ以上、厚みが２〜７μｍの範囲、かつフィルムの長手方向の厚み斑（最大厚みと最小厚みの差）が０．６μｍ以下である蒸着型磁気記録媒体用ポリアルキレンナフタレートフィルムによって達成される。
【００１１】
さらにまた、本発明によれば、該ポリアルキレンナフタレートが、ポリアルキレンナフタレートの全酸成分のモル数を基準として、０．０１〜１０ｍｍｏｌ％の割合でスルホン酸４級ホスホニウム塩化合物を含有すること、ポリアルキレンナフタレートフィルムの一方の表面（表面Ａ）が、高さ５〜５０ｎｍの突起を１〜５０個／μｍ２の範囲で有すること、ポリアルキレンナフタレートフィルムが、一方の表面に不活性粒子と有機樹脂とからなる皮膜層が形成されており、該皮膜層が表面Ａを形成していること、ポリアルキレンナフタレートフィルムが実質的に不活性粒子を含有しておらず、かつ両表面に不活性粒子と有機樹脂とからなる皮膜層が形成されていること、ポリアルキレンナフタレートフィルムが、実質的に不活性粒子を含有していないポリアルキレンナフタレートフィルム層と不活性粒子を含有するポリアルキレンナフタレートフィルム層とが積層された積層ポリアルキレンナフタレートフィルムであって、表面Ａ側に実質的に不活性粒子を含有していないポリアルキレンナフタレートフィルム層が位置すること、ポリアルキレンナフタレートフィルムの他方の表面（表面Ｂ）が、平均粒径０．０１〜０．８μｍの不活性粒子を含有するポリアルキレンナフタレートフィルム層からなること、ならびにデジタル記録方式の磁気記録テープのベースフィルムに用いることのいずれかを具備する蒸着型磁気記録媒体用ポリアルキレンナフタレートフィルムも提供され、さらに本発明のポリアルキレンナフタレートフィルムとその一方の表面に蒸着によって形成された強磁性金属薄膜層とからなる蒸着型磁気記録媒体も提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の蒸着型磁気記録媒体用ポリアルキレンナフタレートフィルムは、熱劣化物や金属成分の析出に起因した表面平坦性の悪化が抑制されており、また長手方向の厚み斑が少ないことから、薄膜化してもフィルムの剛性不足による磁気ヘッドとの接触力不足、走行時のテープのシワ、折れなどがなく、出力、ドロップアウト特性、エラーレート特性に優れた蒸着型磁気記録媒体が得られ、その工業的価値はきわめて高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の蒸着型磁気記録媒体用ポリアルキレについて説明する。
本発明のポリアルキレンナフタレートフィルムを構成するポリアルキレンナフタレートは、ナフタレンジカルボン酸を主たる酸成分とし、脂肪族グリコールを主たるグリコール成分とする、実質的に線状でフィルム形成性、特に溶融成形に対するフィルム形成性を有するポリエステルである。なお、ここでいう、主たるとは、それぞれ７０ｍｏｌ％以上、好ましくは８０ｍｏｌ％以上がナフタレンジカルボン酸成分または脂肪族グリコール成分であることを意味する。
【００１４】
前述のポリアルキレンナフタレートを構成する具体的な酸成分は、２，６−ナフタレンジカルボン酸成分および２，７−ナフタレンジカルボン酸成分が好ましく例示でき、特に優れた機械的および化学的特性が得られる２，６−ナフタレンジカルボン酸成分が好ましい。なお、エステル交換法によってポリアルキレンナフタレートを製造する場合は、これらのジカルボン酸のエステル形成性誘導体（例えば、低級アルキルエステル）を原料として用いればよい。このエステル形成性誘導体としては、例えば２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチル、２，６−ナフタレンジカルボン酸ジエチル、２，７−ナフタレンジカルボン酸ジメチル等を挙げることができ、中でも工業的に容易に入手できることから、２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチルが好ましい。
【００１５】
また、前述のポリアルキレンナフタレートを構成する具体的なグリコール成分は、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオールなどの炭素数２〜１０のポリメチレングリコール、あるいは１，４−シクロヘキサンジメタノールなどの脂環族ジオールを例示することができ、中でも優れた機械的および化学的特性が得られることからエチレングリコールが好ましい。
【００１６】
本発明におけるポリアルキレンナフタレートは、表面平坦性や耐熱劣化性などの物性を損なわない範囲で、少量の共重合成分（第三成分）を共重合したコポリマーでもよい。好ましい第三成分としては、グリコール成分がエチレングリコールを主成分とする場合、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、１，６−ヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノールなどを、酸成分が２，６−ナフタレンジカルボン酸を主成分とする場合、テレフタル酸、イソフタル酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、トリメリット酸、ピロメリット酸などを例示できる。これらのコポリマーの中では、テレフタル酸またはイソフタル酸成分を、全酸成分のモル数を基準として、２０ｍｏｌ％以下、さらには１０ｍｏｌ％以下の範囲で共重合したものが好ましい。また、これらの第３成分以外に、ヒドロキシ安息香酸の如き芳香族オキシ酸、ω−ヒドロキシカプロン酸の如き脂肪族オキシ酸など、オキシカルボン酸に由来する成分も、表面平坦性や耐熱劣化性などの物性を損なわない限り、含んでいてもかまわない。もちろん、本発明におけるポリアルキレンナフタレートは、表面平坦性や耐熱劣化性などの物性を損なわない限り、光安定剤、酸化防止剤、遮光剤などの機能性を付与するための各種添加剤を含有させてもよい。
【００１７】
本発明におけるポリアルキレンナフタレートは、ｏ−クロロフェノール中の溶液として、３５℃で測定した固有粘度が、０．４〜０．９ｄｌ／ｇの範囲にあるものが、優れた機械的および化学的特性を有するフィルムを得られることから好ましい。なお、特に断らない限り、本発明における固有粘度は、ｏ−クロロフェノール中の溶液として３５℃で測定した値を意味する。
【００１８】
本発明におけるポリアルキレンナフタレートは、それ自体公知であるポリエステルの製造方法で製造できる。例えば、ナフタレンジカルボン酸エステルとグリコールとをエステル交換反応させた後、重縮合反応を行う方法、または、ナフタレンジカルボン酸とグリコールとを脱水反応、いわゆる直接エステル化反応させた後、重縮合反応を行う方法を採用すればよい。本発明において好ましいのは前者の製造方法であり、特にナフタレンジカルボン酸のエステル形成性誘導体と脂肪族グリコールとをエステル交換触媒の存在下で加熱してエステル交換反応を行い、次いで重縮合反応触媒の存在下で重縮合反応を行う方法である。
【００１９】
ところで、本発明のポリアルキレンナフタレ−トフィルムの特徴のひとつは、フィルムを構成するポリアルキレンナフタレートがチタン化合物を主たる触媒として製造されたもので、該フィルム中の触媒としてのチタン化合物および安定剤としてのリン化合物の含有量が、特定の範囲にあることである。具体的には、該チタン化合物の割合は、ポリアルキレンナフタレ−トの全酸成分のモル数を基準として、チタン元素量（以下、Ｔｉと称することがある。）で、２〜１５ｍｍｏｌ％の範囲、好ましくは２〜１２ｍｍｏｌ％の範囲、特に好ましくは２〜９ｍｍｏｌ％の範囲である。該チタン元素量が上限を超えると、ポリアルキレンナフタレートの合成時に副生するジエチレングリコール量が増加したり、ポリマーを溶融した時の固有粘度が著しく低下するといった問題を生じる。他方、チタン元素量が下限未満だと、チタン化合物の触媒としての効果がほとんど発現されず、所望の重合度のポリアルキレンナフタレートを効率的に製造できない。
【００２０】
なお本発明において、チタン化合物を主たる触媒とするとは、エステル交換反応や重縮合反応に用いた全触媒中の金属元素のモル数を基準として、触媒として用いたチタン化合物中のチタン元素のモル数が、５０モル％以上であることを意味する。すなわち、本発明は、エステル交換反応や重縮合反応に用いる全触媒の５０モル％以上（金属元素量換算）を、析出を抑制しやすいチタン化合物とすることで、フィルムにしたときに触媒の析出による表面の平坦性悪化を抑制したものである。そのため、エステル交換反応や重縮合反応に用いる全触媒の５０モル％以上（金属元素量換算）がチタン化合物以外の触媒である場合は、フィルムにしたときに、触媒の析出による表面の平坦性悪化を抑制する効果がほとんど発現されない。全触媒におけるチタン化合物の割合は、好ましくは、上述の金属元素量換算で７０モル％以上、特に９０モル％以上である。
【００２１】
本発明におけるポリアルキレンナフタレートは、重合終了時の吐出や製膜の際の溶融によるポリマー分解や固有粘度の低下を抑制する目的、すなわち安定剤としてリン化合物を含有する。また、安定剤としてのリン化合物の割合は、ポリアルキレンナフタレ−トの全酸成分のモル数を基準としたときのリン元素量（以下、Ｐと称することがある。）と上記チタン元素量（Ｔｉ）とのモル比（以下、Ｐ／Ｔｉと称することがある。）が、０．１〜２の範囲、好ましくは０．３〜１．８、さらに好ましくは０．５〜１．８、特に好ましくは１．０〜１．７の範囲である。該モル比（Ｐ／Ｔｉ）が上限を超えると、触媒の失活が大きく所望の重合度のポリアルキレンナフタレートを効率的に製造できなかったり、またフィルム表面に触媒残渣が析出しやすくなる。一方、該モル比が下限に満たない場合は、ポリマー溶融時の固有粘度の低下しやすくなったり、厚み斑が大きくなりやすい。
【００２２】
本発明におけるチタン化合物としては、チタニウムテトラブトキサイド，チタンイソプロポキサイド，トリメリット酸チタン，テトラエトキシチタン，硫酸チタン，塩化チタンなどが好ましく挙げられる。また、本発明におけるリン化合物としては、リン酸、リン酸トリメチル、リン酸トリエチル、リン酸トリフェニル、酸性リン酸メチルエステル、亜リン酸、亜リン酸トリメチル、メチルホスホン酸、フェニルホスホン酸、ベンジルホスホン酸、メチルホスホン酸メチルエステル、フェニルホスホン酸エチルエステル、ベンジルホスホン酸フェニルエステル、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリ−ｎ−ブチルホスフェートなどが好ましく挙げられる。なお、これらのチタン化合物およびリン化合物は、グリコールに可溶なものが好ましく、それぞれ２種類以上併用してもよい。
【００２３】
本発明におけるチタン化合物の添加時期は、製造するポリマーの固有粘度が０．２ｄｌ／ｇに到達するまでの間であり、エステル交換反応を経由して重縮合反応を行なうエステル交換法では、エステル交換反応の開始前に、エステル交換反応触媒として添加してもよい。また、エステル交換反応触媒としてチタン化合物を添加する場合は、反応を加圧下で行うことが、チタン化合物の添加量を少なくできる点から好ましい。なお、チタン化合物は、一括でも何段階かに分割して添加してもよい。
【００２４】
本発明における安定剤としてのリン化合物の添加時期は、エステル交換反応またはエステル化反応が実質的に終了した後であればいつでもよく、例えば、重縮合反応を開始する以前の大気圧下でも、重縮合反応を開始した後の減圧下でも、重縮合反応の末期でもまた、重縮合反応の終了後、すなわちポリマーを得た後に添加してもよい。なお、リン化合物は重縮合反応触媒の重合活性を失活させることから、重縮合反応に必要な時間を短縮させる場合には、リン化合物の添加時期を遅らせることが好ましい。また、リン化合物は、一括でも何段階に分割して添加してもよい。
【００２５】
つぎに、本発明におけるポリアルキレンナフタレートの好ましい態様について、詳述する。
本発明において、フィルムを構成するポリアルキレンナフタレートは、析出物による突起の形成を抑制しつつ、回転冷却ドラムとの密着性を高められることから、スルホン酸４級ホスホニウム塩化合物を含有し、その含有量が、ポリアルキレンナフタレートの全酸成分のモル数を基準として、イオウ元素量（Ｓ）で０．０１〜１０ｍｍｏｌ％を満足することが好ましい。なお、上述の安定剤としてのリン化合物には、スルホン酸4級ホスホニウム塩は該当しない。
【００２６】
ポリアルキレンナフタレート組成物が含有するスルホン酸４級ホスホニウム塩化合物の含有量が上限を超える場合、製膜工程における静電ワイヤー部分での汚れが発生しやすくなり、他方、下限未満の場合、フィルム状溶融物の回転冷却ドラム面への静電密着性の向上効果が乏しくなりやすい。本発明におけるポリアルキレンナフタレート組成物が含有するスルホン酸４級ホスホニウム塩化合物の含有量は、より好ましくは０．２〜８ｍｍｏｌ％の範囲、特に好ましくは０．５〜５ｍｍｏｌ％の範囲である。また、本発明におけるスルホン酸４級ホスホニウム塩化合物は、ポリアルキレンナフタレートと化学的結合を有する、すなわち、共重合したものでも、ポリアルキレンナフタレートに化学的結合を介さずに混合されたものでもよい。なお、ポリアルキレンナフタレートと共重合させるスルホン酸４級ホスホニウム塩化合物としては、エステル形成性官能基を有するものが好ましく、具体的には３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸エチルトリブチルホスホニウム塩、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ベンジルトリブチルホスホニウム塩、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸フェニルトリブチルホスホニウム塩、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニウム塩、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ブチルトリフェニルホスホニウム塩、３，５−ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、３，５−ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸エチルトリブチルホスホニウム塩、３，５−ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸ベンジルトリブチルホスホニウム塩、３，５−ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸フェニルトリブチルホスホニウム塩、３，５−ジ（β−ヒドロキシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、３，５−ジ（β−ヒドロキシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニウム塩、３−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、３−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニウム塩、３−ジ（β−ヒドロキシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、３−ジ（β−ヒドロキシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニウム塩、４−ジ（β−ヒドロキシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ビスフェノールＡ−３，３−ジ（スルホン酸テトラブチルホスホニウム塩）、２，６−ジカルボキシナフタレン−４−スルホン酸テトラブチルホスホニウム塩などを挙げることができる。なお、これらのスルホン酸４級ホスホニウム塩は、二種以上を併用してもよい。
【００２７】
また、スルホン酸４級ホスホニウム塩をポリアルキレンナフタレートに含有させる方法としては、効率良く含有させる方法であればどのようなものでも採用できる。中でも、スルホン酸４級ホスホニウム塩を均一に分散できることから、ポリアルキレンナフタレートの合成が終了する迄の任意の段階で添加する方法が好ましく、特にポリアルキレンナフタレートの重縮合反応開始前に添加するのが好ましい。もちろん、スルホン酸４級ホスホニウム塩を高濃度で含有するポリアルキレンナフタレートとスルホン酸４級ホスホニウム塩成分を含有しないポリアルキレンナフタレートとをブレンドした後に、溶融押出してフィルムなどに成形してもよく、またスルホン酸４級ホスホニウム塩を低濃度で含有するかもしくは含有しないポリアルキレンナフタレートに、溶融押出直前にスルホン酸４級ホスホニウム塩をドライブレンドして所定の含有量とした後に、溶融押出してフィルムなどに成形する方法であってもよい。
【００２８】
本発明におけるポリアルキレンナフタレートは、含有するオリゴマー量が０．６重量％以下であることが好ましく、特に０．５重量％以下であることが好ましい。ポリアルキレンナフタレート中のオリゴマー量が０．６重量％を超えると、フィルム製膜時の熱固定工程などで、フィルム表面にオリゴマーが多量にブリードアウトする場合がある。ポリアルキレンナフタレート中のオリゴマー量を減らす方法としては、重縮合反応によって得られたポリアルキレンナフタレートのペレットを、固相重合した後水処理する方法が好ましく挙げられ、該方法によると溶融時に再生するオリゴマー量を抑制することができる。また、本発明におけるポリアルキレンナフタレートは、酸化防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、ピンニング剤等の添加剤を必要に応じて含有してもよい。
【００２９】
次いで、ポリアルキレンナフタレートを製造する方法について、エステル交換反応を経由する方法を一例に挙げて、以下に詳述する。
本発明におけるポリアルキレンナフタレートは、原料として用いる酸成分の７０ｍｏｌ％以上が２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチルである、エステル交換反応を経由する製造方法によって得られ、製造方法としては特に制限はなく、従来公知の技術を用いることが出来る。
【００３０】
ポリアルキレンナフタレート組成物の製造方法の一例を挙げると、まず、エステル交換反応開始前に２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチルを全ジカルボン酸成分の７０ｍｏｌ％以上含むナフタレン酸ジアルキルエステル、グリコール成分とともにエステル交換反応触媒を添加して徐々に昇温し、発生するアルコールを除去させながらエステル交換反応を実施し、エステル交換反応の終了時点でエステル交換反応失活剤であるリン化合物を添加して実質的にエステル交換反応を完了させる。なお、エステル交換反応触媒としてチタン化合物を用いた場合は、加圧下で反応を実施することが好ましい。
【００３１】
その後、反応生成物を減圧装置が設けられた重合反応器に移し変え、高真空下での重縮合反応を行う。得られたポリエチレンナフタレート組成物は、通常溶融状態で押出しながら、冷却後、粒状(チップ状)のものとする。この際、得られたポリエチレンナフタレート組成物の固有粘度は、０．４０〜０．９０ｄｌ／ｇであることが望ましい。
【００３２】
つぎに、本発明のポリアルキレンナフタレートフィルムについて、詳述する。
本発明のポリアルキレンナフタレートフィルムは、前述のポリアルキレンナフタレートからなる層を少なくとも一方の表面に有するものである。具体的には、前述のポリアルキレンナフタレート組成物からなる単層のフィルム、一方の表面が前述のポリアルキレンナフタレート組成物からなるように、該組成物とは異なる他の熱可塑性樹脂組成物を積層した２層以上の積層フィルム、または、両方の表面が前述のポリアルキレンナフタレート組成物からなるように、該組成物とは異なる他の熱可塑性樹脂組成物からなる層を積層した３層以上の積層フィルなどが挙げられる。
【００３３】
本発明のポリアルキレンナフタレートフィルムは、前述の触媒に基因するポリマーに不溶な析出物が無いか、その量が極めて少なくしたものであることから、外部添加粒子や内部析出粒子等の不活性粒子を含有しないことが好ましく、また２つ以上の層からなる場合は、一方の表面を構成する層は外部添加粒子や内部析出粒子等の不活性粒子を含有しないことが、得られる磁気記録媒体の出力を向上できることから好ましい。また、該ポリアルキレンナフタレート組成物は、高温で保持した際のポリマー起因による劣化物が発生しにくいという特性を有することから、生産性よくフィルムに製膜することができ、製膜中にダイ筋などのフィルム表面の平坦性を乱す工程不良も抑制されたものである。したがって本発明のポリアルキレンナフタレートフィルムは、ベースフィルムに特に平坦な表面を要求する磁気記録媒体に好適に使用でき、かつ、そのような要求に答えるフィルムを高い生産性で製造することができる。
【００３４】
本発明において、ポリアルキレンナフタレートフィルムの長手方向の厚み斑は、０．６μｍ以下、好ましくは０．４μｍ以下、さらに好ましくは０．３μｍ未満である。この厚み斑が上限を超えると、磁気記録媒体としたときに磁気ヘッドとの接触力不足や走行時のテープの折れ、磁気記録媒体製造時の工程通過性が低下したりする。なお、ここでいう長手方向の厚み斑とは、フィルムの幅方向における中央部を長手方向に３０ｍｍ幅でスリットして試料を採取し、アンリツ(株)製連続電子マイクロメータでフィルムの幅方向における中央部の位置で、フィルムの長手方向に厚みを２ｍの範囲に亘って測定し、得られた厚みの値の中から最大厚みと最小厚みの差を求め、その測定を５回繰り返し、その５回の平均値である。このように優れた厚み斑は、前述のチタン化合物とリン化合物を特定の割合で有するポリアルキレンナフタレートを採用して触媒起因の析出物による突起の形成を抑えつつ、最初に行なう延伸、すなわち縦方向に延伸する温度を比較的低温にすることが有効であり、また前述のスルホン酸4級ホスホニウム塩を含有させることも有効である。
【００３５】
本発明において、ポリアルキレンナフタレートフィルムの厚さは、２〜７μｍである必要があり、好ましくは３〜６μｍである。下限未満であるとフィルムの強度的な問題があり、一方で上限を上回るとテープの長尺化上、好ましくない。
【００３６】
また、本発明のポリアルキレンナフタレートフィルムは、長手方向のヤング率が４．５ＧＰａ以上であることが必要であり、５．０ＧＰａ以上であることが好ましい。また幅方向のヤング率は９ＧＰａ以上であることが必要であり、１０ＧＰａ以上であることが好ましい。長手方向のヤング率が下限未満であると、得られる磁気記録テープがハード装置内で伸びやすくなったり、長手方向の厚み斑が大きくなる。なお、長手方向のヤング率の上限は、生産工程の安定化などの観点から、高々１０ＧＰａ、さらに８ＧＰａ以下、特に７ＧＰａ以下であることが好ましい。また幅方向のヤング率が下限未満であると、本ポリアルキレンナフタレートフィルムから作成された磁気記録テープをハード装置内で記録、再生する際、ヘッドの当たりが不足することで出力が下がり易くなる。なお、幅方向のヤング率の上限は、生産工程の安定化などの観点から、高々１９ＧＰａ、さらに１８ＧＰａ以下、特に１７ＧＰａ以下であることが好ましい。また、長手方向のヤング率に対して、幅方向のヤング率は、少なくとも１ＧＰａ、さらに２ＧＰａ以上、特に３ＧＰａ以上大きいことが、ヘッドの当たりを高めつつ製膜工程も安定化できることから好ましい。
【００３７】
本発明のポリアルキレンナフタレートフィルムは、磁気記録層が設けられる側の表面（以下、表面Ａと称することがある。）に平均突起高さが５〜５０ｎｍの微細突起を有することが好ましい。なお、ここでいう該微細突起とは、突起高さが１ｎｍ以上の突起を意味する。好ましい微細突起の平均突起高さは１０〜３０ｎｍである。該微細突起の平均突起高さが下限未満であると、ハード装置内において、磁気テープを多数回にわたって繰返し記録および再生したときに、該強磁性金属薄膜層が平滑すぎて、磁気テープの強磁性薄膜の耐久性が低下しやすい。一方、該微細突起の平均突起高さが上限を超えると、該強磁性金属薄膜層が粗面になりすぎて、磁気テープのエラーレートが増大する。また、微細突起の頻度は、１〜５０個／μｍ2であることが好ましく、更に好ましくは３〜３０個／μｍ2であることが好ましい。突起高さが５〜５０ｎｍ微細突起の頻度が下限未満であると、ハード装置内において、磁気テープを多数回にわたって繰返し記録および再生したときに、該強磁性金属薄膜層が平滑すぎて、磁気テープの強磁性薄膜の耐久性が低下しやすい。一方、微細突起の頻度が上限を超えると、表面Ａ上に真空蒸着により形成される強磁性金属薄膜層が粗面すぎて、磁気テープの出力特性が低下し好ましくない。
【００３８】
本発明のポリアルキレンナフタレートフィルムは、上記の表面特性を有するものであれば、どのような方法で製造されたフィルムであってもよいが、好ましくはポリアルキレンナフタレートフィルムとその表面Ａ側に設けられた皮膜層とからなり、該皮膜層が表面Ａを形成するコーティングフィルムであることが好ましい。該ポリアルキレンナフタレートフィルムは、ひとつの層からなる場合は、外部添加粒子や内部析出粒子等の不活性粒子を含有しないことが好ましく、２つ以上の層からなる場合は、表面Ａ側に位置するポリアルキレンナフタレートフィルム層は外部添加粒子や内部析出粒子等の不活性粒子を含有しないことが、得られる磁気記録媒体の出力を向上できることから好ましく、他方の表面（以下、表面Ｂと称することがある。）は、得られるポリアルキレンナフタレートフィルムの走行性を向上させるために不活性粒子を含有することが好ましい。
【００３９】
上述のポリアルキレンナフタレートフィルムの表面に形成される皮膜層は、平均粒径が３〜５０ｎｍ、より好ましくは５〜３０ｎｍの微細粒子を含むことが好ましい。皮膜層に含有させる微細粒子としては、それ自体公知のものを使用でき、例えばシリカ、炭酸カルシウム、アルミナ、ポリアクリル、ポリスチレンおよび内外部がそれぞれの性質の異なる物質からなる多層構造のコアシェル型粒子などを使用できる。また、該皮膜層は、微細粒子のほかにバインダー樹脂からなる。バインダー樹脂としては、ポリエステル、アクリル、ポリビニルアルコール、トラガントゴム、カゼイン、ゼラチン、セルロース誘導体、ポリウレタン等の有極性高分子およびこれらの共重合体、ブレンド体が使用できる。これらの中でも、ポリアルキレンナフタレートフィルムとの接着性、平坦性、微粒子の保持力、耐ブロッキング性の観点から、ポリエステル、アクリル及びこれらの共重合体が好ましい。被膜層の厚みは、１〜２０ｎｍが好ましい。なお、前述の表面Ａの微細突起の高さ、頻度は、被膜層に含まれる微細粒子の粒径、頻度、バインダーの材質、被膜層の厚みによって調整できる。
【００４０】
本発明において、ポリアルキレンナフタレートフィルムの表面Ａ側とは異なる側の面（以下、表面Ｂと称することがある。）は、フィルムのハンドリング性を付与するために易滑化することが好ましい。易滑化の方法は特に制限されず、例えば、不活性粒子や延伸追随性の悪いセルロースなどの樹脂を含ませて粗面化した被膜層を、表面Ｂ側に設けてもよい。なおここで用いられる不活性粒子としてはシリカ、アクリル、ポリスチレン、炭酸カルシウム、アルミナ等が例示される。この粒子の平均粒子径は好ましくは１０〜１００ｎｍ、より好ましくは２０〜８０ｎｍであり、含有量としては好ましくは１〜３０重量％、より好ましくは３〜２５重量％以下％である。また、他の方法としては、ポリアルキレンナフタレートフィルムを２層以上の層が共押出成形によって積層させた積層ポリエステルとし、表面Ｂ側の最表層を不活性粒子を含有するポリアルキレンナフタレートフィルム層とすることが挙げられる。最表層に含有させる不活性粒子としては、炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ、ポリスチレン等が例示でき、その平均粒子径は、０．０１〜０．８μｍ、さらに０．０５〜０．５μｍであることが好ましく、またその添加量は０．０５〜０．８重量％、さらに０．１〜０．５重量％であることが好ましい。なお、前者と後者の方法は、それぞれ単独で使用してもよいし、また組み合わせでもよい。
【００４１】
本発明の磁気記録媒体は、上述の本発明のポリアルキレンナフタレートフィルム表面Ａ上に真空蒸着により形成される強磁性金属薄膜層を設けてなる。使用する金属薄膜は公知のものを使用でき、特に限定されないが、例えば、鉄、コバルト、ニッケルまたはそれらの合金の強磁性体からなるものが好ましい。金属薄膜層の厚さは２０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であることが好ましい。また、この金属薄膜層の上に、厚さ１０ｎｍ程度のダイヤモンド状カーボン膜をコーティングし、更に該ダイヤモンド状カーボン膜の露出面を、潤滑剤で処理することが好ましい。
【００４２】
本発明の磁気記録媒体は、ポリアルキレンナフタレートフィルムの表面Ｂ上に固体微粒子および結合剤からなり、必要に応じて各種添加剤を加えた溶液を塗布することにより形成されるバックコート層を設けることが好ましい。なお、ここでいう固体微粒子、結合剤、添加剤は公知のものを使用でき、特に限定されない。バックコート層の厚さは０．３μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましい。
【００４３】
次に、本発明のポリアルキレンナフタレートフィルム及び磁気記録媒体を製造するのに適した製造方法について説明する。
【００４４】
まず前述の方法で製造されたポリアルキレンナフタレートを口金よりフィルム状に融点Ｔｍ℃〜（Ｔｍ＋７０）℃の温度で回転している表面温度が４０〜９０℃の冷却ドラム上に押出し、急冷固化して未延伸フィルムを得る。このとき、冷却ドラムとフィルム状物との密着性を高めるために、ワイヤー電極によりフィルム状物表面に電価を付与する。その後、該未延伸フィルムを常法に従って一軸縦方向に（Ｔｇ＋１５）〜（Ｔｇ＋５０）℃の温度（但し、Ｔｇ：ポリエステルのガラス転移温度）、好ましくは（Ｔｇ＋２５）〜（Ｔｇ＋４５）℃の温度において、２．０〜５．０倍の倍率、好ましくは２．５〜４．０倍の倍率で延伸する。この縦延伸温度が、下限未満であると、触媒などの析出物による突起が形成されやすくなったり、表面が粗らくなりやすく、一方上限を超えると二軸延伸後のフィルムの長手方向の厚み斑が０．６μｍを超えやすくなり、好ましくない。従来のアンチモン触媒系のポリマーやチタン触媒系のポリマーでは、触媒などの析出物によってフィルム表面が粗くなるのを防ぐために前述の上限を超える温度で製膜し、長手方向の厚み斑を犠牲にせざるを得なかったが、本発明のポリアルキレンナフタレートフィルムは、極めて特定の割合でチタン化合物とリン化合物とを含有するので、フィルムの平面性と長手方向の厚み斑を両立することができる。次いで、縦延伸後のフィルムに、必要に応じて皮膜層を形成する塗液をフィルムに塗布し、横方向に（Ｔｇ＋２０）〜（Ｔｇ＋９０）℃の温度において４．０〜８．０倍の倍率、好ましくは５．０〜７．５倍の倍率で延伸する。更に必要に応じて縦方向及び／又は横方向に再度延伸してもよい。即ち、２段、３段、４段、或いは更に多段の延伸を行うとよい。全延伸倍率は、面積延伸倍率として通常９倍以上、好ましくは１２〜３５倍、更に好ましくは１５〜３２倍である。更に引き続いて、二軸配向フィルムを（Ｔｇ＋７０）〜（Ｔｍ−１０）℃の温度、例えば１８０〜２５０℃で熱固定結晶化することによって優れた寸法安定性が付与される。なお、熱固定時間は１〜６０秒間が好ましい。共押出法の場合、２種のポリエステルを押出口金内又は口金以前で溶融状態にて積層複合し、好適な厚み比となして共押出をして２層積層の未延伸フィルムとし、その後は前記単層法と同様に行う。
【００４５】
このようにして得られた本発明のポリアルキレンナフタレートフィルムは、磁気記録媒体のベースフィルムとして、特に大容量のデータストレージテープ用途に、また長時間記録用のデジタルビデオテープ用途に使用すると優れた結果を得ることができ好適である。
【００４６】
続いて、本発明の磁気テープの製造法例を示す。本発明のポリエステルベースフィルムの片側表面ＡにＣｏ等の強磁性金属薄膜を真空蒸着により膜厚み５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下として形成し、この金属薄膜上に１０ｎｍ程度の厚みのダイヤモンド状カーボン膜をコーティングし、更にその上に潤滑剤処理し、片側表面Ｂに固体微粒子および結合剤からなり、必要に応じて各種添加剤を加えた溶液を塗布することによりバックコート層を設けて作成する。
【実施例】
【００４７】
本発明を、さらに実施例によってより具体的に説明する。なお、実施例で用いた各物性および特性値は、下記の方法で測定および評価した。
【００４８】
（１）ポリアルキレンナフタレートフィルム中の、金属元素およびリン元素の測定
フィルムのフレークス５ｇをホットプレート上で３１０℃にまで加熱して融解し、平板状のディスクを作成する。そして、該ディスクを、理学電気（株）製の蛍光Ｘ線３２７０Ｅ型を用いて測定し、該ディスクに含有される各元素量を測定した。なお、マグネシウムの含有量については、ポリアルキレンナフタレートフィルムをオルトクロロフェノールに溶解した後、０．５規定塩酸で抽出操作を行った。この抽出液について日立製作所製Ｚ−６１００形偏光ゼーマン原子吸光光度計を用いてマグネシウムの定量を行った。
【００４９】
（２）皮膜層中の不活性粒子の平均粒径
基材フィルムの皮膜層の表面に、白金スパッター装置により白金薄膜蒸着層を厚み２〜３ｎｍで設け、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジース  Ｓ−４７００）により倍率１０万倍程度で観測し、少なくとも３００個の粒子について面積円相当径を求め、それらの平均値を平均粒径とした。
【００５０】
（３）ポリアルキレンナフタレートフィルム中の不活性粒子の平均粒径
ポリアルキレンナフタレートフィルムを製膜方向に直交する方向にカッティングして、０．２μｍ厚みの超薄切片にとし、透過型電子顕微鏡（日本電子（株）製ＪＥＭ２０１０）で超薄切片を観察し、それぞれの表面を形成する層中の１００個の粒子について、面積円相当径（μｍ）を算出し、それらの平均値を平均粒径（μｍ）とした。不活性粒子が２成分以上含まれる場合でも数平均し、平均粒径を求めた。
【００５１】
（４）フィルム厚み
基材フィルムを層間の空気を排除しながら１０枚重ね、ＪＩＳ規格のＣ２１５１に準拠し、（株）ミツトヨ製ダイヤルゲージＭＤＣ−２５Ｓを用いて、１０枚重ね法にて厚みを測定し、１枚当りのフィルム厚みを計算する。この測定を１０回繰り返して、その平均値を１枚あたりのフィルム厚みとした。
【００５２】
（５）突起の高さ、頻度
Digital Instruments 社製の原子間力顕微鏡 NanoScopeIII、ＡＦＭのＪスキャナーを使用し、以下の条件で２μｍ×２μｍの範囲を１０ヶ所測定し、突起高さが１ｎｍ以上の各々の突起の数をカウントし、その平均値を面積換算により個／ｍｍ２当たりの突起個数として算出する。またＡＦＭ像から各々の突起をランダムに１００個選定し、突起１個ずつの高さを測定し、その平均値をもって突起の平均高さとする。
深針：単結晶シリコンナイトライド
走査モード：タッピングモード
面素数：２５６×２５６データポイント
スキャン速度：２．０Ｈｚ
測定環境：室温、大気中
【００５３】
（６）ヤング率
フィルムを試料幅１０ｍｍ、長さ１５ｃｍに切り、チャック間１００ｍｍにして引張速度１０ｍｍ／分、チャート速度５００ｍｍ／分でインストロンタイプの万能引張試験装にて引張り、得られる荷重―伸び曲線の立ち上がり部の接線よりヤング率を計算する。
【００５４】
（７）製膜安定性
製膜開始から７２時間経過後の未延伸フィルムを観察し、下記基準により評価を行った。
○：ダイ筋は全く認められなかった。
△：ダイ筋は僅かに認められたが、実用上問題とならない程度であった。
×：ダイ筋が散見され、商品化値が低いものであった。
【００５５】
（８）溶融ポリマーの劣化評価
樹脂組成物のサンプルを、１８０℃で３時間、熱風乾燥機内で予備乾燥する。予備乾燥したサンプルを約４０ｇ採取して精秤した後、ガラス製フラスコに入れる。サンプルはガラスフラスコごと、３００℃のソルトバスに２０分間浸漬し完全に溶融させた後、窒素雰囲気下、１００Ｐａ以下の高真空下で２０分間攪拌保持し、得られたサンプルをフラスコから取り出し、０．１８ｍｇ精秤後、溶解液（オルトクロロフェノール）中、３５℃の測定条件で、固有粘度を測定する。得られた値と予備乾燥直後の固有粘度差から劣化の度合いを算出し、下記の基準で評価する。
○：劣化の度合いが０．０８ｄｌ／ｇ以下の場合
△：劣化の度合いが０．０８ｄｌ／ｇを超え、０．１２ｄｌ／ｇ以下の場合
×：劣化の度合いが０．１２ｄｌ／ｇを超える場合
【００５６】
（９）厚み斑
フィルムの幅方向における中央部を長手方向に３０ｍｍ幅でスリットして試料を採取し、アンリツ(株)製連続電子マイクロメータで幅方向における中央部の位置における厚みを２ｍの範囲に亘って測定し、得られた厚みの値の中から最大厚みと最小厚みの差を求め、その測定を５回繰り返して５回の平均値を厚み斑（μｍ）とした。
【００５７】
（１０）エラーレート
市販のＥｘａｂｙｔｅ社製データ８ｍｍ装置、マンモス２を用い、５ＧＢのデータをハードディスクよりテープにバックアップ記録した時の記録ミスの割合、読み取った時の読み取りミスの割合を求め測定した。エラーレートはデータストレージの観点からは小さい値の方が好ましい。
【００５８】
［実施例１］
２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチルエステル１００部、エチレングリコール６０部およびチタン化合物（トリメリット酸チタンを表１に示す元素量となるように添加）を加圧反応が可能なＳＵＳ製容器に仕込み、０．０５ＭＰａの加圧を行い１４０℃から２４０℃に昇温しながらエステル交換反応させた後、安定剤としてのリン化合物（トリメチルホスフェートを表１に元素量となるように添加）を添加し、エステル交換反応を終了させた。
【００５９】
次に、スルホン酸４級ホスホニウム塩化合物（３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩）を表１に示す量となるように添加した後、反応混合物を重合反応器に移し、２９５℃まで昇温し、３０Ｐａ以下の高真空下にて重縮合反応させ、固有粘度０.６ｄｌ／ｇのポリエチレンナフタレートを得た。なお、トリメチルホスフェート添加から重縮合での減圧開始までの時間は２０分間で、この間の温度は２４０℃〜２６５℃で行った。
【００６０】
次にこのポリエチレンナフタレートのペレットを１７０℃で６時間乾燥した後、押出機ホッパーに供給し、溶融温度２９５℃で１ｍｍのスリット状ダイを通して厚み１００μｍのフィルム状溶融物として溶融押出し、表面温度４０℃の回転冷却ドラム上に密着固化させた。続いてこの未延伸フィルムを１２０℃の予熱ロールにて予熱し、低速、高速のロール間でフィルム温度が１６０℃になるようにＩＲヒータを加熱し、３．６倍に延伸し、急冷して縦延伸フィルムを得た。次いで縦延伸フィルムの両面に下記に示す組成（固形分換算）の水性塗液を塗布した。
【００６１】
表面Ａ側の被膜層の組成：
（１）アクリル―ポリエステル樹脂（Ａ）                    ８５重量％
・ポリエステル成分：テレフタル酸（７０モル％）、イソフタル酸（１８モル％）、５―ナトリウムスルホイソフタル酸（１２モル％）／エチレングリコール（９２モル％）、ジエチレングリコール（８モル％）
・アクリル樹脂成分：メチルメタクリレート（８０モル％）、グルシジルメタクリレート（１５モル％）、ｎ―ブチルアクリレート（５モル％）
・ポリエステル成分／アクリル樹脂成分の重量比＝５／５
（２）アクリル樹脂微粒子（平均粒径２４ｎｍ）                ５重量％
（３）界面活性剤
・三洋化成製  ノニポールソフトＳＳ９０                    １０重量％
塗液濃度；１．０ｗｔ％      被膜層厚み（乾燥後）：４．８ｎｍ
【００６２】
表面Ｂ側の被膜層の組成：
（１）アクリル―ポリエステル樹脂（Ｂ）                    ６０重量％  
・ポリエステル成分：イソフタル酸（９５モル％）、５―ナトリウムスルホイソフタル酸（５モル％）／エチレングリコール（９２モル％）、ジエチレングリコール（８モル％）
・アクリル樹脂成分：メチルメタクリレート（９０モル％）、グルシジルメタクリレート（１０モル％）、
・ポリエステル成分／アクリル樹脂成分の重量比＝５／５
（２）メチルセルロース                                      １５重量％
（３）アクリル微粒子  （平均粒径４０ｎｍ）                  １０重量％
（４）シリコーン化合物共重合の水溶性ポリエステル（Ａ）        ５重量％
（テレフタル酸７０モル％、５−ナトリウムスルホイソフタル酸、１０モル％、ポリジメチルシロキサン基置換イソフタル酸２０モル％の酸成分とエチレングリコールとの１：１の共重合体）
（５）界面活性剤（Ａ）
・三洋化成製  ノニポールソフトＳＳ９０                    １０重量％
塗液濃度；２．５ｗｔ％      被膜層厚み（乾燥後）：２０ｎｍ
【００６３】
続いて、ステンターに供給し、１５０℃にて横方向に４．８倍に延伸し、更に２１０℃で１．１７倍横延伸しながら熱処理し、厚み４．７μｍの二軸配向フィルムを得た。
得られたポリアルキレンナフタレートフィルムの表面Ａ、すなわち皮膜層の表面に真空蒸着によりコバルト―酸素薄膜を１１０ｎｍの厚みで形成した。次にコバルト―酸素薄膜層上に、スパッタリング法によりダイヤモンド状カーボンを１０ｎｍの厚みで形成させた。続いて、カーボンブラック、ポリウレタン、シリコーンからなるバックコート層を得られたポリアルキレンナフタレートフィルムの表面Ｂ、すなわち被膜層の上に５００ｎｍ設けた。その後、スリッターにより幅８ｍｍにスリットし、リールに巻取り、磁気記録テープを作成した。
得られたポリアルキレンナフタレートフィルム及び磁気テープの特性を表１に示す。
【００６４】
［実施例２］
実施例１のポリアルキレンナフタレートフィルムの製造において、実施例１の実質的に不活性粒子を含有しないポリエチレン―２，６―ナフタレンジカルボキシレートのペレットＡと、実質的に不活性粒子を含有しないポリエチレンテレフタレートに平均粒径２００ｎｍのシリコーン粒子を０．２０重量％含有させた原料Ｂとを厚み比３：２の割合で共押出し、またペレットＡを原料とする側の表面に実施例１の被膜層Ａ用の塗液を塗布し、他方の表面には皮膜層を設けなかった以外は実施例１と同様にして、ポリアルキレンナフタレートフィルムと磁気記録テープを得た。
得られたポリアルキレンナフタレートフィルム及び磁気記録テープの特性を表１に示す。
【００６５】
［実施例３、比較例３］
実施例１のポリアルキレンナフタレートフィルムの製造において、触媒化合物、リン化合物を表１記載の種類、ならびに含有量となるよう添加する以外は、実施例１と同様にして、ポリアルキレンナフタレートフィルムと磁気記録テープを得た。
得られたポリアルキレンナフタレートフィルム及び磁気記録テープの特性を表１に示す。
【００６６】
［比較例１］  
エステル交換触媒として酢酸カルシウム１水塩及び酢酸マグネシウム４水塩をそれぞれ表１に示す含有量となるように加え、２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチルエステル１００部、エチレングリコール６０部とを、１４０℃から２４０℃に昇温しながらエステル交換反応させた後、三酸化アンチモンおよびトリメチルホスフェートをそれぞれ表１に示す含有量となるように添加し、実質的にエステル交換反応を終了させた。その後、反応混合物を重合反応器に移し、２９５℃まで昇温し、３０Ｐａ以下の高真空下にて重縮合反応させて固有粘度０.６２のポリエチレン−２，６−ナフタレートを得た。フィルムの製膜は実施例１と同様にして、ポリアルキレンナフタレートフィルムと磁気記録テープを得た。得られたポリアルキレンナフタレートフィルム及び磁気記録テープの特性を表１に示す。
【００６７】
［比較例２］
実施例１のポリアルキレンナフタレートフィルムの製造において、縦延伸のフィルム温度を１９０℃になるようにＩＲヒータを加熱する以外は、実施例１と同様にして、ポリアルキレンナフタレートフィルムと磁気記録テープを得た。
得られたポリアルキレンナフタレートフィルム及び磁気記録テープの特性を表１に示す。
【００６８】
［比較例４］
実施例１のポリアルキレンナフタレートフィルムの製造において、縦延伸のフィルム温度を１９０℃になるようにＩＲヒーターを加熱し、縦延伸倍の倍率を５．４倍とし、次いで縦延伸フィルムの実施例１と同様の水性塗液を塗布し、続いて、ステンターに供給し、１５０℃にて横方向に５．０倍に延伸した後、２１０℃で熱固定する以外は実施例１と同様にして、ポリアルキレンナフタレートフィルムと磁気記録テープを得た。
得られたポリアルキレンナフタレートフィルム及び磁気記録テープの特性を表１に示す。
【００６９】
【表１】
2006040404.tif 000002
【００７０】
ここで、表１中の、Ｔｉは触媒であるチタン化合物のチタン元素量、Ｐは安定剤であるリン化合物のリン元素量、Ｍはチタン以外の触媒として用いた金属化合物の金属元素量、Ｓはスルホン酸ホスホニウム塩化合物のイオウ元素量、ＹＭＤは長手方向のヤング率、ＹＴＤは幅方向のヤング率を意味する。