(57)【要約】【課題】主に記録型の光ヘッドにおいてはパルス発光を実施するためにレーザ駆動ＩＣを光ヘッド上に搭載するが、レーザ駆動ＩＣの発熱を光学基台へ誘導すると光学基台上の半導体レーザの温度が上昇し、寿命の短縮ならびに性能の劣化へ繋がるという課題がある。【解決手段】レーザ駆動ＩＣ３をフレキシブル基板４の先端のコネクタ端子８近傍に配置することで、レーザ駆動ＩＣ３の発熱が光ヘッドならびに半導体レーザ２に伝導することを抑制できる。ことのき、光ヘッドの軸１４ａ及び１４ｂに沿った移動にかかわらず、レーザ駆動ＩＣ３の位置が変化しないため、レーザ駆動ＩＣ３に放熱部材を取付けることで効果的に放熱できる。また、レーザ駆動ＩＣ３と半導体レーザ２との間にコネクタが介在しないので良好なパルス発光波形が得られる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動筺体となる光学基台と、前記光学基台に搭載した半導体レーザと、前記半導体レーザに駆動電流を供給するレーザ駆動ＩＣと、前記半導体レーザならびに前記レーザ駆動ＩＣを電気的に接続するフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板端部に外部回路との接続部位となるコネクタ端子部とを備えるとともに、前記レーザ駆動ＩＣは前記フレキシブル基板上の前記コネクタ端子部近傍に配置したことを特徴とする光ヘッド。
【請求項２】
前記半導体レーザに供給する駆動電流に対して１００ＭＨｚ以上の高周波発振電流を重畳する高周波重畳回路を、前記半導体レーザ近傍に配置することを特徴とする請求項１記載の光ヘッド。
【請求項３】
放熱部材をレーザ駆動ＩＣに取り付けて空気中に熱を拡散することを特徴とする請求項１または２いずれか１項に記載の光ヘッド。
【請求項４】
放熱部材をレーザ駆動ＩＣに取り付けるとともに、前記放熱部材を光学基台以外の外部部材に接触させることにより、レーザ駆動ＩＣの熱を空気中に拡散することに加えて熱伝導による熱移動を発生させることを特徴とする請求項１または２いずれか１項に記載の光ヘッド。
【請求項５】
コネクタ端子部は、フレキシブル基板の一方の面に電極を露出させるとともに、前記電極の裏側に補強板を設けてなり、レーザ駆動ＩＣは前記フレキシブル基板上の前記電極を形成した面と同一面に配置され、前記補強板は前記電極および前記レーザ駆動ＩＣが搭載される領域にわたって前記フレキシブル基板に設けられたことを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載の光ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザ駆動ＩＣ有する光ヘッドに関し、特にレーザ駆動ＩＣによる発光素子の温度上昇を抑制する構造をもつ光ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に光ヘッドは、発光素子である半導体レーザの発するレーザ光を記録媒体であるディスク上に集光・照射して信号の記録あるいは再生を行う。光ヘッドはディスクの半径方向に移動し、ディスクの回転位置ならびに光ヘッドの位置によってディスク上の任意の位置での信号の読み書きが可能となる。光ヘッドにはその可動筺体である光学基台と光学基台に搭載された半導体レーザや光検出器、集光のためのレンズといった光学系を有している。特に記録を行うための光ディスク装置では、半導体レーザの発する光はパルス状に高速に変調され、そのために専用のレーザ駆動ＩＣを用いることが多い。
【０００３】
レーザ駆動ＩＣと半導体レーザは発熱体であり、動作時には数十から数百ミリワットの電力を消費するため放熱が十分でないと非常に高温となる。このようにレーザ駆動ＩＣや半導体レーザが高温になると、レーザ回路の性能低下や半導体レーザの寿命の短縮といった悪影響が懸念される。このため、レーザ駆動ＩＣの温度上昇を抑制する技術として従来より、特許文献１や特許文献２に記載されたものがあった。
【０００４】
特許文献１では、レーザ駆動ＩＣとレーザ駆動ＩＣを覆うシールドケースとの間に熱伝導部材を介在させる構造としていた。すなわち、レーザ駆動ＩＣの発する熱をシールドケースに伝達させ、シールドケースから空気中ならびに光学基台へ熱を誘導する構造とすることでレーザ駆動ＩＣの温度上昇を抑制するものとなっている。このようにシールドケースを放熱手段とした構成としたため、放熱のための部材を新たに用意することなく安価に放熱構造を実現する。
【０００５】
特許文献２では、レーザ駆動ＩＣの背面と、光学基台との間を熱伝導部材で接続した構造としたものである。このような構成としたため、レーザ駆動ＩＣの背面から光学基台へ効果的に熱を誘導することが出来、レーザ駆動ＩＣ自信の温度上昇を抑制しようとするものである。
【特許文献１】特開平１１−１８５２７３号公報  （第２−３頁、第３図）
【特許文献２】特開２００２−１２４０７５号公報  （第３−４頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら上記した特許文献１および特許文献２に開示のいずれの技術においても、レーザ駆動ＩＣで発生した熱は、一部は空気中に放出されるものもあるが大部分は光ヘッド筐体となる光学基台へと伝える構成となっており、光学基台が温度上昇し、それによって生ずる半導体レーザの温度上昇が避けられないという課題が残されていた。
【０００７】
つまり、レーザ駆動ＩＣは光学基台に比べれば極めて小型であり、レーザ駆動ＩＣの熱を光学基台へ移動することはレーザ駆動ＩＣ自身の温度低下には効果がある。一方で光学基台の温度を上昇せしめるため、レーザ駆動ＩＣの影響で光学基台に搭載された半導体レーザの温度を上昇させることになる。半導体レーザ自身も発熱体であるため、半導体レーザの発熱により光学基台の温度が上昇するだけでなく、半導体レーザ自身の温度も上昇する。
【０００８】
半導体レーザは高温に弱く、温度が高い状態で使用すると温度が低い状態で使用する場合に比べ、寿命の短縮や性能の劣化を引き起こすことが知られている。一般に、半導体レーザの使用温度上限は６０〜７０℃程度とされており、この値は通常の電子部品に要求される温度条件よりも低い値である。そのため、たとえ少しであっても温度上昇を抑えることが好ましく、半導体レーザの温度上昇を抑制することが強く求められることになる。
【０００９】
つまり上述した従来の技術では、レーザ駆動ＩＣの温度上昇を抑えるためにレーザ駆動ＩＣで発生した熱を光学基台へ誘導する構成であるために、光学基台および光学基台に搭載した半導体レーザの温度を上昇させることとなり、半導体レーザの寿命の短縮や性能の劣化引き起こす可能性を有するという課題があった。
【００１０】
特に、より高密度な記録再生を行うために波長の短い青紫色発光の半導体レーザを用いる場合、赤色や赤外色の半導体レーザに比べて原理的に動作電圧が２倍程度に高くなるため、比例して消費電力も大きくなる。すなわち半導体レーザ自身の発熱量が大きく温度上昇も大きい。このことは、レーザ駆動ＩＣが半導体レーザに及ぼす温度上昇がさらに深刻となることを意味する。
【００１１】
一方、再生専用の光ヘッドにおいては、レーザへ駆動電流を供給する電流供給源を光ヘッド外部に配置することが多い。このよう構成とした場合、電流供給源すなわちレーザ駆動ＩＣが光ヘッド外部に搭載されることで、レーザ駆動ＩＣの発熱が光学基台へ伝導することを抑制できるためである。この構成は、一般的に再生動作時はレーザにＤＣ電流を供給し、一定光量で発光させれば済むために採用可能である。このような構成をとるとき、光ヘッドはコネクタ部品によって外部回路と接続されることとなり、電流供給源となるレーザ駆動ＩＣと光ヘッドの間にはコネクタ部品が介在する。
【００１２】
ところが、記録用光ヘッドの熱対策のため上記の構成を適用すると、次のような課題が顕在化する。記録動作時はパルス状のレーザ発光を行うことが一般的であり、この場合発光波形の形状が記録特性に影響を及ぼすため、パルス発光波形が矩形になるように配慮される必要がある。すなわち、半導体レーザに供給される電流波形を矩形形状とするべきであるが、これはレーザ駆動ＩＣと半導体レーザ間の電気的特性に影響を受ける。
【００１３】
つまり、上述した再生専用の光ヘッドに多く見られる構成のように、レーザ駆動ＩＣと半導体レーザとの間に機械的接点を有するコネクタ部品を介在させると、電気的特性の安定性がコネクタのない場合に比べて不安定になる場合があるため、発光波形に「なまり」や「リンギング」が発生し、矩形形状から崩れてしまう課題を有している。
【００１４】
システムによって異なるが、高速記録を達成するために記録発光パルスの繰り返し周波数は数十メガヘルツから百メガヘルツ近い値にも達する。波形にはその基本周波数に対する高調波が含まれ、例えば５倍高調波の周波数までは伝送しようとすれば、数百メガヘルツの伝送帯域が求められる。
【００１５】
このような高周波数領域の電流を伝送しようとすれば、接点を有するコネクタ部分の容量成分、インダクタンス成分等の電気特性が障害となる可能性がでてくることで、記録ヘッドに採用すると光波形が劣化し、十分な形状を得られないという課題が発生する。すなわち、高速の矩形波形を伝送するには、光ヘッドにレーザ駆動ＩＣを搭載し、コネクタ部品の影響を排除することが望まれるが、このような場合には従来の技術の引用例で説明したようにレーザ駆動ＩＣの発熱が光学基台ならびに半導体レーザの温度を上昇させ、寿命の短縮や性能の劣化を起こしうるという課題があった。
【００１６】
本発明は上記課題を解決するためになされ、レーザ駆動ＩＣで発生する熱による半導体レーザの温度上昇を抑制するとともに、記録時のパルス波形の劣化を抑制した光ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために本発明の光ヘッドは、可動筺体となる光学基台と、前記光学基台に搭載した半導体レーザと、半導体レーザに駆動電流を供給するレーザ駆動ＩＣと、半導体レーザならびにレーザ駆動ＩＣ電気的に接続するフレキシブル基板と、フレキシブル基板端部に外部回路との接続部位となるコネクタ端子とを備えるとともに、レーザ駆動ＩＣはコネクタ端子近傍に配置してなるものである。
【００１８】
また、上記構成に加え、空気中に熱を拡散する放熱部材をレーザ駆動ＩＣに取り付けてなるものである。
【００１９】
さらに、コネクタ端子はフレキシブル基板の一方の面に電極を露出させるとともに、電極の裏側に補強板を設けてなり、レーザ駆動ＩＣはフレキシブル基板上の電極形成面と同一面に配置され、補強板は電極およびレーザ駆動ＩＣが搭載される領域にわたってフレキシブル基板に設けられてなるものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の光ヘッドは、レーザ駆動ＩＣ３をコネクタ端子８近傍に配置したため、発熱体であるレーザ駆動ＩＣの熱エネルギーが熱伝導によって光ヘッド本体ならびに光ヘッド上の発光素子である半導体レーザの温度を上昇させることを抑制することができ、半導体レーザの寿命の短縮や性能の劣化を抑制することが可能となるとともに、コネクタ部の電気的特性の影響を受けない良好なパルス発光波形を得ることが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に本発明の好ましい実施形態を、図面を用いて説明する。図１は光ヘッド全体の斜視図であり、図２は図１の左下方向から見たときの側面図である。図１および図２において、１は光学基台、２は半導体レーザ、３はレーザ駆動ＩＣであり、半導体レーザ２とレーザ駆動ＩＣ３は共通のフレキシブル基板４上に搭載され、電気的に接続する。レーザ駆動ＩＣ３がフレキシブル基板４を介して半導体レーザ２に電流を供給すると、その電流に応じて半導体レーザ２はレーザ光を発する。また、フレキシブル基板４には、高周波重畳回路５が半導体レーザ２の近傍に搭載されている。高周波重畳回路５は半導体レーザ２に供給される電流に、数百メガヘルツの発振電流を重畳することでノイズ抑制効果を発揮するものである。この高周波重畳回路５はフレキシブル基板４を折り畳んで半導体レーザの背面に配置され、シールドカバー６が覆い被せられる。シールドカバー６は高周波重畳回路５の発振による不要輻射を防止するためのものである。
【００２２】
フレキシブル基板４には、外部の回路基板７に接続するためのコネクタ端子８が形成されており、コネクタ端子８部のおもて面には回路基板７に設けたメスコネクタ１５と接続するための電極が形成され、裏側には強度を確保するための補強板９が貼り付けられている。また、レーザ駆動ＩＣ３は、図１に示すようにフレキシブル基板４のコネクタ端子８の傍に配置されており、フレキシブル基板４にはレーザ駆動ＩＣ３搭載部のうら側にも補強版９が貼り付けられており、これはコネクタ端子８の裏側に設けた補強版９と共通である。すなわち、補強板９はコネクタ端子８からレーザ駆動ＩＣ３搭載部にわたる大きさとなっている。
【００２３】
このほか光学基台１には、記録媒体であるディスク１０に対して対物レンズ１１をフォーカシング方向ならびにトラッキング方向に駆動する２軸アクチュエータ１２が搭載されている。さらに、光学基台１内部には、ディスク１０からの反射光を検出するフォトディテクタ（図示せず）、及び半導体レーザ２で発光したレーザ光を対物レンズ１１を介してディスク１０に導き、ディスク１０からの反射光をフォトディテクタへ導くミラーやプリズムといった光学素子（図示せず）等を有している。
【００２４】
ここで、光学基台１や２軸アクチュエータ１２、光学素子やフォトディテクタ、半導体レーザ２、高周波重畳回路５、シールドカバー６をあわせて光ヘッド本体１３と呼ぶこととし、光ヘッド本体１３にはフレキシブル基板４およびレーザ駆動ＩＣ３を含めないものとする。
【００２５】
光ヘッド本体１３は、ガイド軸１４ａ、１４ｂに沿ってディスク１０の半径方向に移動可能に支持され、光ヘッド本体１３の位置と、ディスク１０の回転位置によってディスク１０の任意の位置にアクセス可能となっている。
【００２６】
また、図２に示すようにフレキシブル基板４のコネクタ端子８は、回路基板７に設けられたメスコネクタ１５に嵌入して電気的に接続し、物理的には固定される。コネクタ端子８が回路基板７に対して固定されるので、同時にレーザ駆動ＩＣ３の位置も固定される。そして、レーザ駆動ＩＣ３の表面にはヒートシンク１６が取り付けられ、レーザ駆動ＩＣ３で発生した熱を効率的に空気中へ放出する。
【００２７】
フレキシブル基板４は柔軟であるため、略円弧状に変形して光ヘッド本体１３へ到達する。光ヘッド本体１３がディスク１０半径方向に移動してもフレキシブル基板４自体が変形して移動に追従できるため、コネクタ端子８が固定されていても光ヘッド本体１３の移動を妨げることはない。逆に光ヘッド本体１３が移動してもコネクタ端子８の位置は固定されたままであり、同様にレーザ駆動ＩＣ３の位置も変化しない。レーザ駆動ＩＣ３の位置が変化しないため、ヒートシンク１６の設置が可能となっている。
【００２８】
回路基板７にはレーザ駆動ＩＣ３に制御信号を送るレーザ制御機能や高周波重畳回路の入り切り制御を行う機能、２軸アクチュエータを制御してフォーカシング、トラッキングの追従を行う機能をはじめさまざまな機能を有する電子回路が搭載されており、フレキシブル基板４を介してそれぞれの制御対象と接続されている。
【００２９】
つづいて、以上のような構成の本実施の形態での動作時における熱の伝達状態について説明する。まず、再生動作時について説明する。再生動作時は、半導体レーザ２を一定光量で発光させつつ高速発振させる。すなわち、レーザ駆動ＩＣ３はＤＣ電流を半導体レーザ２に供給し、高周波重畳回路５によって数百メガヘルツの発振を重畳する。高周波を重畳したレーザ光はノイズが抑制されるという効果がある。一方、重畳周波数は再生信号に比べて高いので、検出側の周波数特性を適切に設定することで再生信号が妨害されることはない。レーザ光は対物レンズ１１によってディスク１０上に集光され、反射光が光ヘッド内に戻されて図示しないフォトディテクタによって所望の信号が読み取られる。先述したように、ディスク１０の回転と光ヘッド本体１３の半径方向への移動によってディスク１０上の任意の位置にアクセスできる。
【００３０】
上記のように動作するため、再生動作時は少なくともレーザ駆動ＩＣ３、高周波重畳回路５、半導体レーザ２が電力を消費し発熱することになる。このとき、半導体レーザ２の温度上昇を引き起こす熱源は主に半導体レーザ２自身とその近傍に配置された高周波重畳回路５である。レーザ駆動ＩＣ３はフレキシブル基板４を介して半導体レーザ２と電気的、物理的に結合しているが、フレキシブル基板に用いる導体は典型的には３５μｍや１８μｍという非常に薄いものであるから、十数ミリメートル程度の距離があれば熱的結合は極めて小さい。すなわち、レーザ駆動ＩＣ３での発熱が熱伝導によって直接半導体レーザ２へ到達することはほとんどない。計算例として、レーザ駆動ＩＣ３から半導体レーザ２までの導体長さを２０ｍｍ、配線幅を１ｍｍ、配線の厚さ３５μｍとして、２本の配線で結合しているとした場合、配線部の熱抵抗はおよそ７００Ｋ／Ｗと大きな値となり、熱伝導によってはエネルギーをほとんど伝えられないことがわかる。ここで、配線材料を銅として熱伝導率は４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）とした。
【００３１】
一方、レーザ駆動ＩＣ３の熱の一部は、回路基板７へ熱伝導によって伝わるとともに、残りはヒートシンク１６へと伝導し、そこから熱伝達によって周囲空気へ、放射によって周囲部材（図示せず）へと伝達される。ヒートシンク１６を通じて温められた空気を介して半導体レーザ２の温度が上昇することが考えられるが、空気は光ディスク装置全体（図示せず）を温めることになるので、光ヘッド本体１３およびその中の半導体レーザ２へ及ぼす影響は、レーザ駆動ＩＣ３から空気へ伝えられた熱エネルギーの一部であって極めて限定的である。すなわち、レーザ駆動ＩＣ３の発熱が空気を介して半導体レーザ２の温度上昇へ与える影響はわずかといえる。
【００３２】
以上のように、本発明の光ヘッドではレーザ駆動ＩＣ３をフレキシブル基板４の端部に設けたコネクタ端子８の近傍に配置した構成としたため、レーザ駆動ＩＣ３の発熱が直接光学基台１や半導体レーザ２の温度上昇を引き起こすことがなく、空気を介しての間接的な温度上昇も小さいため、従来のようにレーザ駆動ＩＣ３の発熱を光学基台１へ誘導していた場合に比べ、半導体レーザ２の温度上昇を著しく抑制することが可能となった。
【００３３】
以上は、再生動作時の説明であるが、記録動作時であっても基本的な部分については全く同様である。以下、差異のある部分を中心に記録動作時の熱的挙動について説明する。まず、記録動作時は発光状態がパルス発光であり、高周波重畳回路５を動作させないという点で再生動作時と異なるものである。さらに、記録動作時は再生動作時に比べるとレーザ発光の発光パワーが著しく大きく数倍から十数倍に達するという点においても大きく異なる。高周波重畳回路５が非動作で発熱がないため、ここでは熱的に有利であるが、一方で発光パワーが大きいという点は半導体レーザ２への供給電流が多くなり、その分の発熱も多くなる。一般に半導体レーザ２の発光効率は数パーセントであるため、半導体レーザ２へ供給される電力の大半が熱エネルギーとなって温度の上昇を招く。したがって、発光パワーの増大は半導体レーザ２自身の発熱増となるため、高周波重畳回路５での発熱が無いことを考慮しても記録動作時の半導体レーザ２の温度上昇は再生動作時より大きくなることは容易に推定できる。
【００３４】
レーザ駆動ＩＣ３は半導体レーザ２に矩形のパルス電流を供給するために、内部にトランジスタ等を用いたスイッチ回路（図示せず）を有しており、回路基板７側から指示された内容に応じて所望のパルス電流を発生する。先述のように、記録動作時は再生動作時よりも多くの電流を供給する必要があるため、レーザ駆動ＩＣ３自身の消費電力も大きくなり、多くの熱を発生することになる。レーザ駆動ＩＣ３で発生する熱が半導体レーザに及ぼす影響については再生動作時と全く同様に考えることが出来る。つまり、レーザ駆動ＩＣ３の熱が熱伝導によって直接半導体レーザ２へ到達することはほとんどない。途中のフレキシブル基板４の熱抵抗が大きいためである。空気を介しての熱の伝達も、再生動作時と同様にわずかである。すなわち、レーザ駆動ＩＣ３の発熱が光ヘッド本体１３およびその中の半導体レーザ２の温度上昇に及ぼす影響はわずかであるため、レーザ駆動ＩＣ３の発熱が再生動作時に比べて増大したとしても、その影響はわずかである。
【００３５】
すなわち、従来のようにレーザ駆動ＩＣ３の発熱を光学基台１へ誘導していた場合にはレーザ駆動ＩＣの発熱増は直接半導体レーザ２の温度上昇へ影響していたが、本発明の構成では従来の構成に比べて半導体レーザ２の温度上昇を著しく抑制することが可能となった。特に記録動作時には、上述したように半導体レーザ２およびレーザ駆動ＩＣ３それぞれで発生する熱エネルギーが大きいため、本発明の効果は顕著である。加えて、レーザ駆動ＩＣ３と半導体レーザ２の間にコネクタを介さない構成としたため、コネクタ部の持つ容量成分やインダクタンス成分などの電気的特性の影響を受けないパルス発光波形が得られる。
【００３６】
なお、上記した実施の形態においては高周波重畳回路５を半導体レーザ２の近傍に置いたため、高周波重畳回路５自身の発熱が半導体レーザー２の温度上昇を招くことになる。しかし、高周波重畳回路５の消費電力は数ミリから数十ミリワットと小さく、数百ミリワットの電力を消費するレーザ駆動ＩＣ３に比べれば著しく小さい。このため、高周波重畳回路５の発熱が半導体レーザ２に及ぼす影響は限定的なものであり、レーザ駆動ＩＣ３の発熱の影響を抑制した本発明の効果を損なうものではない。
【００３７】
なお、上記した本実施の形態においてはレーザ駆動ＩＣ３にヒートシンク１６を設けて発熱を効果的に空気中へ放出する構成としたが、これは必ずしも必要ではない。ヒートシンク１６を用いない場合はレーザ駆動ＩＣ３の表面から空気中へ直接熱が放出されることになり、ヒートシンク１６がある場合に比べて温度上昇が大きくなるが、レーザ駆動ＩＣ３の温度条件以下にとどまるのであればヒートシンク１６を設置しなくてもよいのは言うまでもない。
【００３８】
また、上記した本実施の形態においては、ヒートシンク１６は熱を空気中へ放出する構成としたが、これは例えばヒートシンクとメカニズムシャーシあるいは外装筺体等へ熱伝導により熱を移動する構成としてもよい。ヒートシンク１６はレーザ駆動ＩＣ３の熱を別の部位に移動し、レーザ駆動ＩＣの温度上昇を抑制することが可能であれば必ずしも本実施の形態で示した形態に限定されるものではない。
【００３９】
また、上記の本実施の形態においては、ヒートシンク１６は独立した部材としたが、必ずしも独立でなくてもよい。例えば回路基板７をヒートシンク１６に兼用してもよい。図３のようにレーザ駆動ＩＣ３の背面側が回路基板７に接触する構成とすることでレーザ駆動ＩＣ３の発熱を回路基板７に熱伝導によって移動する構成をとれば、回路基板７をヒートシンク１６として作用させることができる。あるいは、図４のようにフレキシブル基板４の一部を延長し、導体である銅箔を露出させてレーザ駆動ＩＣ３に密着させることで、フレキシブル基板の一部をヒートシンク１６とするような構成としてもよい。
【００４０】
また、本発明の適用においては特定サイズの光ディスクに限定するものではないが、特に小型サイズのものについてはより顕著な効果が得られる。ディスク１０の径が小さければ、ディスク１０を記録及び／または再生する記録再生装置は小型化を要請され、そのため等価的に光ヘッドも小さいサイズが求められる。光ヘッド本体１３内で発生する熱量が同一であれば、表面積が大きいほど温度上昇は小さい。光ヘッド本体１３から空気への放出熱量は周囲空気との温度差と表面積の積に比例するためである。したがって、表面積の小さな小型光ヘッドでは、内部の発熱による温度上昇が大きくなりやすい。つまり、小型であるほど内部の発熱を少なくする必要がある。本発明では、従来は光ヘッド本体１３内の熱源となっていたレーザ駆動ＩＣ３を、フレキシブル基板４のコネクタ端子８近傍に配置して光ヘッド本体１３の温度上昇に寄与しにくい構成としたため、光ヘッド本体１３内部での発熱量を減少できる硬化は、小型ヘッドにおいて顕著である。
【００４１】
一方、ディスク１０の径が小さい小型光ディスクシステムでは、光ヘッド本体１３がディスク１０の半径方向に移動すべき移動距離は短くなる。たとえば、半径３０ｍｍのディスク１０を想定した場合、最内周位置をディスク中心から１５ｍｍ、最外周位置を２９ｍｍとすれば、必要な移動距離は高々１４ｍｍである。この場合、フレキシブル基板４の長さを短くすることができ、例えばヘッド移動に伴って変形する柔軟部分の長さは移動距離の１／２に厚さ方向の長さと余裕分を加えればよく、せいぜい２０ｍｍもあればよい。すると、レーザ駆動ＩＣ３から半導体レーザ２までの配線長も長く見積って３０ｍｍ程度と短くできる。パルス状の駆動電流を流す場合、配線長が長いと配線部の浮遊容量やインダクタンスの影響で波形にひずみを生じることも起こりうるが、上記のように３０ｍｍ程度の長さであればその影響は無視できる。上記のように、本発明は小型の光ディスクシステムにより適した構成である。なお、本発明はいずれのサイズのディスクであっても適用可能であり、上記説明が本発明の範囲を制限するものではない。
【００４２】
なお、本実施の形態においては記録時に矩形状のパルス発光を行うものとして説明したがこれは必ずしも矩形でなくてもよい。一般的には矩形とすることが多いが、システムに応じて必要な波形形状であればよく、矩形でなくても本発明の有効性を制限するものではない。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の光ヘッドは、記録及び／または再生特性に優れるディスク装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施形態の構成を示す要部斜視図
【図２】同実施形態の要部側面図
【図３】本発明の他の実施形態の構成を示す要部側面図
【図４】本発明の別の実施形態の構成を示す要部斜視図
【符号の説明】
【００４５】
１  光学基台
２  半導体レーザ
３  レーザ駆動ＩＣ
４  フレキシブル基板
５  高周波重畳回路
６  シールドカバー
７  回路基板
８  コネクタ端子
９  補強板
１０  ディスク
１１  対物レンズ
１２  ２軸アクチュエータ
１３  光ヘッド本体
１４ａ、１４ｂ  ガイド軸
１５  メスコネクタ
１６  ヒートシンク
【図１】
2006065950.tif 000003
【図２】
2006065950.tif 000004
【図３】
2006065950.tif 000005
【図４】
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