(57)【要約】【課題】低コストでアルカリエッチングに起因するシリコンウェーハへのＮｉ汚染を低減し得る、アルカリエッチング液及び該エッチング液を用いたエッチング方法を提供する。アルカリエッチングに起因するシリコンウェーハへのＣｕ汚染を防止できるとともに、Ｎｉ汚染を更に低減し得る、アルカリエッチング液及び該エッチング液を用いたエッチング方法を提供する。【解決手段】本発明のシリコンウェーハ用のアルカリエッチング液は、水酸化カリウム水溶液にジエチレントリアミン５酢酸を０．１ｇ／Ｌ〜０．５ｇ／Ｌ添加したことを特徴とする。また水酸化カリウム水溶液中のＦｅ濃度が５０ｐｐｂ以下である。更に、本発明のエッチング方法は、上記エッチング液を用いて比抵抗が１Ω・ｃｍ以下のシリコンウェーハをエッチングすることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸化カリウム水溶液にジエチレントリアミン５酢酸を０．１ｇ／Ｌ〜０．５ｇ／Ｌ添加したことを特徴とするシリコンウェーハ用のアルカリエッチング液。
【請求項２】
水酸化カリウム水溶液中のＦｅ濃度が５０ｐｐｂ以下である請求項１記載のアルカリエッチング液。
【請求項３】
請求項１又は２記載のアルカリエッチング液を用いて比抵抗が１Ω・ｃｍ以下のシリコンウェーハをエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低い比抵抗のシリコンウェーハに対してアルカリエッチングを施してもＮｉ汚染の低減効果やＣｕ汚染の防止効果が得られるアルカリエッチング液及び該エッチング液を用いたエッチング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般にシリコンウェーハの製造では、図５に示すように、単結晶引上装置によって引上げたシリコン単結晶インゴット１を一定範囲のブロックに切断し、更に外径研削を施し、このインゴットブロックにウェーハ切断（スライシング）工程２を施して薄円盤状のウェーハを得る。このスライシング工程では内周刃ソーやバンドソー、ワイヤーソー等が使用される。続いて、得られた薄円盤状のウェーハを洗浄した後、薄円盤状のウェーハの外周端部を面取りする面取り（ベベリング）工程３が施され、ウェーハ端部から発生するカケやチップを起因とするパーティクルや、生産されたウェーハにエピタキシャル成長させたときにウェーハ周辺部で異常成長が起こる、いわゆるクラウン現象を防止する。次に、ウェーハ表面を平坦化する機械研磨（ラッピング）工程４を施して、スライシング工程２によって生じたウェーハ表面の凹凸層を削り、表面の平坦度とウェーハの平行度を高める。次に、ウェーハにエッチング工程５を施すことにより、ブロック切断、外径研削、スライシング、ラッピング等の機械加工プロセスによりウェーハ表面に形成された加工変質層を取除く。続いてエッチングされたウェーハ表面研磨（ポリッシング）工程６により研磨し、研磨されたウェーハに付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程７を施して、高精度の平坦度を有するシリコンウェーハ８として生産される。これらの工程は目的により、その一部の工程が入替えられたり、複数回繰返されたり、或いは熱処理、研削等他の工程が付加、置換されたりして種々の工程が行われる。
ブロック切断、外径研削、スライシング、ラッピング等の機械加工プロセスを経たシリコンウェーハは表面にダメージ層即ち加工変質層を有している。加工変質層はデバイス製造プロセスにおいてスリップ転位等の結晶欠陥を誘発したり、ウェーハの機械的強度を低下させ、また電気的特性に悪影響を及ぼすので完全に除去しなければならない。この加工変質層を取除くため、エッチング処理が行われる。エッチング処理には、混酸等の酸エッチング液を用いる酸エッチングと、ＮａＯＨ等のアルカリエッチング液を用いるアルカリエッチングとがある。酸エッチングはエッチング速度が速いため、ウェーハを均一にエッチングすることが難しいため、ラッピングで得られた平坦度を悪化させる問題があった。そのため、均一なエッチングができ、ウェーハの平坦度を悪化させないアルカリエッチング液が多く用いられている。
【０００３】
しかしこのアルカリエッチング液に使用される電子工業用グレードのアルカリ溶液には、数十ｐｐｂ〜数ｐｐｍの金属不純物が含まれている。アルカリ溶液に含まれる金属不純物としては、ニッケル、クロム、鉄、銅が挙げられるが、アルカリ溶液の製造工程で使われているステンレスの材料であるニッケル、クロム、鉄が特に多く含まれている。上記金属不純物が含まれるアルカリ溶液をそのままアルカリエッチング液として使用すると、エッチング中に金属不純物の金属イオンがウェーハ表面に付着したり、ウェーハ内部に拡散して、ウェーハ品質を劣化させるため、このウェーハによって形成された半導体デバイスの特性を著しく劣化させる問題があった。アルカリエッチング液に起因するウェーハ品質の劣化を防ぐための対策としては、高純度のアルカリ溶液を用いることが考えられる。しかし、市販のアルカリ溶液で高純度のものは、極めて高価な分析用グレードのアルカリ溶液だけであり、これを工業用として用いることはコスト的に全く見合わないものであった。
【０００４】
このような問題点を解決する方策として、金属シリコンやシリコン化合物をアルカリ溶液中に溶解し、このとき発生する反応生成物によりアルカリ溶液中の金属イオンを非イオン化するか、或いは水素ガスをアルカリ溶液中に溶解することによってアルカリ溶液中の金属イオンを非イオン化することを特徴とするアルカリ溶液の純化方法が、またアルカリ溶液中の金属イオンを非イオン化することによりアルカリ溶液の純化処理を行い、この純化処理を受けたアルカリ溶液を用いて半導体ウェーハをエッチングすることを特徴とする半導体ウェーハのエッチング方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。また、アルカリ溶液中に存在している金属イオンの可逆電位に比べ、卑な酸化電位を持つ還元剤を溶解することにより、アルカリ溶液中に存在する金属イオンを非イオン化することを特徴とするアルカリ溶液の純化方法が、またアルカリ溶液中に存在している金属イオンの可逆電位に比べ、卑な酸化電位を持つ還元剤を溶解することにより、アルカリ溶液中に存在する金属イオンの非イオン化処理を行い、この非イオン化処理を受けたアルカリ溶液を用いて半導体ウェーハをエッチングすることを特徴とする半導体ウェーハのエッチング方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。特許文献１及び２に示される方法によれば、アルカリ溶液中の金属イオンが簡単な操作によって低コストで大幅に低減されるという効果が得られる。また金属イオン濃度の低下したアルカリ溶液によるエッチングを行うことにより半導体ウェーハのエッチングによる金属汚染量が大幅に低減され、ウェーハ品質の劣化もなく、半導体デバイスの特性の劣化もなくなるという効果が達成される。
更に、アルカリ水溶液にステンレス鋼を１０時間以上浸漬して調製されることを特徴とする半導体材料のエッチング液が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。特許文献３に示されるエッチング液によれば、半導体シリコンウェーハの金属汚染が効果的に防止できる。
【特許文献１】特開平０９−１２９６２４号公報（請求項１、請求項６、請求項９、段落［００４９］）
【特許文献２】特開平１０−３１０８８３号公報（請求項１、請求項５、段落［００３９］）
【特許文献３】特開２００１−２５０８０７号公報（請求項１、段落［００３３］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１〜３に示されるエッチング方法、エッチング液によってもなお、エッチングされたウェーハ内部に拡散する金属汚染量の低減は未だ十分とは言えず、更なる低減が求められている。特に比抵抗が１Ω・ｃｍ以下のシリコンウェーハをアルカリエッチングした後のウェーハ内部に拡散するＮｉ汚染やＣｕ汚染の低減が求められていた。
【０００６】
本発明の目的は、低コストでアルカリエッチングに起因するシリコンウェーハへのＮｉ汚染を低減し得る、シリコンウェーハ用のアルカリエッチング液及び該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、アルカリエッチングに起因するシリコンウェーハへのＣｕ汚染を防止できるとともに、Ｎｉ汚染を更に低減し得る、シリコンウェーハ用のアルカリエッチング液及び該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に係る発明は、水酸化カリウム（以下、ＫＯＨという。）水溶液にジエチレントリアミン５酢酸（Diethylene Triamine Pentaacetic Acid；以下、ＤＴＰＡという。）を０．１ｇ／Ｌ〜０．５ｇ／Ｌ添加したことを特徴とするシリコンウェーハ用のアルカリエッチング液である。
請求項１に係る発明では、主成分としてＫＯＨ水溶液を用い、このＫＯＨ水溶液にＤＴＰＡを上記割合で添加したアルカリエッチング液は、半導体ウェーハのエッチングに用いられる電子工業用グレードのＫＯＨ水溶液中に不可避不純物として含まれる数十ｐｐｂ〜数百ｐｐｂのＮｉがＤＴＰＡの水酸基やアミノ基と結合することにより、ＮｉがＤＴＰＡに吸着する。このため、本発明のアルカリエッチング液を用いてシリコンウェーハ等をエッチングしても、ＫＯＨ水溶液中のＮｉイオンがウェーハ表面に残留したり、ウェーハ内部に拡散することがなく、アルカリエッチングに起因するシリコンウェーハへのＮｉ汚染を大幅に低減することができる。
【０００８】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、ＫＯＨ水溶液中のＦｅ濃度が５０ｐｐｂ以下であるアルカリエッチング液である。
請求項２に係る発明では、ＫＯＨ水溶液中に含まれるＦｅ濃度を上記範囲にまで低減したエッチング液を用いてシリコンウェーハ等をエッチングすると、シリコンウェーハへのＣｕ汚染を防止できるとともに、Ｎｉ汚染を更に低減する効果が得られる。
【０００９】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２記載のアルカリエッチング液を用いて比抵抗が１Ω・ｃｍ以下のシリコンウェーハをエッチングすることを特徴とするエッチング方法である。
請求項３に係る発明では、Ｎｉがウェーハ内部に拡散し易い比抵抗が１Ω・ｃｍのシリコンウェーハであっても、本発明のアルカリエッチング液を用いることで、ＫＯＨ水溶液中のＮｉイオンやＣｕイオンがウェーハ表面に残留したり、ウェーハ内部に拡散することを大幅に抑制することができるため、アルカリエッチングに起因するシリコンウェーハへのＮｉ汚染を低減し、Ｃｕ汚染を防止することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のシリコンウェーハ用のアルカリエッチング液は、主成分としてＫＯＨ水溶液を用い、このＫＯＨ水溶液にＤＴＰＡを所定の割合で添加したエッチング液である。半導体ウェーハのエッチングに用いられる電子工業用グレードのＫＯＨ水溶液中に不可避不純物として含まれる数十ｐｐｂ〜数百ｐｐｂのＮｉがＤＴＰＡに吸着された状態で存在するので、本発明のアルカリエッチング液を用いてシリコンウェーハ等をエッチングする際には、ＫＯＨ水溶液中のＮｉイオンがウェーハ表面に残留したり、ウェーハ内部に拡散することを大幅に抑制することができ、アルカリエッチングに起因するシリコンウェーハへのＮｉ汚染を低減することができる。また、ＫＯＨ水溶液中に含まれるＦｅ濃度を上記範囲にまで低減したアルカリエッチング液を用いてシリコンウェーハ等をエッチングすると、シリコンウェーハへのＣｕ汚染を防止できるとともに、Ｎｉ汚染を更に低減する効果が得られる。更に、本発明のエッチング方法は、Ｎｉが内部に拡散し易い比抵抗が１Ω・ｃｍのシリコンウェーハであっても、本発明のアルカリエッチング液を用いることで、ＫＯＨ水溶液中のＮｉイオンやＣｕイオンがウェーハ表面に残留したり、ウェーハ内部に拡散することを大幅に抑制することができるため、アルカリエッチングに起因するシリコンウェーハへのＮｉ汚染を低減し、Ｃｕ汚染を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に本発明を実施するための最良の形態を説明する。
本発明のシリコンウェーハ用のアルカリエッチング液は、ＫＯＨ水溶液にＤＴＰＡを０．１ｇ／Ｌ〜０．５ｇ／Ｌ添加したことを特徴とする。主成分としてＫＯＨ水溶液を用い、このＫＯＨ水溶液にＤＴＰＡを上記割合で添加したアルカリエッチング液は、半導体ウェーハのエッチングに用いられる電子工業用グレードのＫＯＨ水溶液中に不可避不純物として含まれる数十ｐｐｂ〜数百ｐｐｂのＮｉがＤＴＰＡの水酸基やアミノ基と結合することにより、ＮｉがＤＴＰＡに吸着する。このため、本発明のアルカリエッチング液を用いてシリコンウェーハ等をエッチングしても、ＫＯＨ水溶液中のＮｉイオンがウェーハ表面に残留したり、ウェーハ内部に拡散することがなく、アルカリエッチングに起因するシリコンウェーハへのＮｉ汚染を大幅に低減することができる。ＤＴＰＡの添加量を０．１ｇ／Ｌ〜０．５ｇ／Ｌとしたのは、０．１ｇ／Ｌ未満であるとＮｉの汚染低減効果が十分に得られず、０．５ｇ／Ｌを越えてもその効果は変わらないからである。このうち特に好ましいＤＴＰＡの添加量は、０．１ｇ／Ｌ〜０．３ｇ／Ｌである。
【００１２】
また、本発明のアルカリエッチング液では、ＤＴＰＡを添加することにより、Ｎｉイオン拡散を防止することはできるが、このＤＴＰＡ添加によりＣｕがウェーハ表面から内部汚染する傾向が見られる。そこで、本発明のアルカリエッチング液では、ＫＯＨ水溶液中のＦｅ濃度を５０ｐｐｂ以下にすることが好ましい。ＫＯＨ水溶液中に含まれるＦｅ濃度を上記範囲にまで低減したエッチング液を用いてシリコンウェーハ等をエッチングすると、シリコンウェーハへのＣｕ汚染を防止できるとともに、Ｎｉ汚染を更に低減する効果が得られる。特に好ましいＦｅ濃度は５ｐｐｂ〜３０ｐｐｂの範囲内である。
【００１３】
本発明のエッチング方法は、前述した本発明のアルカリエッチング液を用いて比抵抗が１Ω・ｃｍ以下のシリコンウェーハをエッチングすることを特徴とする。Ｎｉがウェーハ内部に拡散し易い比抵抗が１Ω・ｃｍのシリコンウェーハであっても、本発明のアルカリエッチング液を用いることで、ＫＯＨ水溶液中のＮｉイオンやＣｕイオンがウェーハ表面に残留したり、ウェーハ内部に拡散することを大幅に抑制することができるため、アルカリエッチングに起因するシリコンウェーハへのＮｉ汚染を低減し、Ｃｕ汚染を防止することができる。このうち、特に比抵抗が０．００５Ω・ｃｍ〜０．１Ω・ｃｍのシリコンウェーハに対してエッチングを行うと特にＮｉ汚染の低減効果に優れる。なお、本発明のアルカリエッチング液は、ＫＯＨ水溶液の濃度や、エッチングする際のエッチング液の温度に関係なく、アルカリエッチング液に起因するＮｉ汚染を低減し、Ｃｕ汚染を防止することができる。
【実施例】
【００１４】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
＜実施例１＞
４０重量％ＫＯＨ水溶液を用意した。ＫＯＨ水溶液には、Ｎｉが１０ｐｐｂ含まれていた。このＫＯＨ水溶液にＤＴＰＡを０．１ｇ／Ｌの割合で添加混合して、アルカリエッチング液を調製した。
【００１５】
＜比較例１＞
ＤＴＰＡに代えてホスホン酸をＫＯＨ水溶液に添加した以外は実施例１と同様にしてアルカリエッチング液を調製した。
＜比較例２＞
ＤＴＰＡに代えてトリエチレンテトラミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ''，Ｎ'''，Ｎ'''−６酢酸（以下、ＴＴＨＡという。）をＫＯＨ水溶液に添加した以外は実施例１と同様にしてアルカリエッチング液を調製した。
＜比較例３＞
ＤＴＰＡの添加量を０．０２ｇ／Ｌとした以外は実施例１と同様にしてアルカリエッチング液を調製した。
【００１６】
＜比較例４＞
実施例１で用意したＫＯＨ水溶液をそのままアルカリエッチング液とした。即ち、このアルカリエッチング液にはＤＴＰＡを添加していない。
【００１７】
＜比較試験１＞
ラッピングを終えた、比抵抗が０．００５〜０．０１０Ω・ｃｍのシリコンウェーハを８枚用意し、実施例１及び比較例１〜４でそれぞれ調製されたアルカリエッチング液を用いて、各アルカリエッチング液ごとに２枚ずつシリコンウェーハにエッチングを施した。続いて、アルカリエッチングが施されたシリコンウェーハを以下に示す方法によりウェーハ表面Ｎｉ汚染濃度及びウェーハ内部に含まれるＮｉ汚染濃度をそれぞれ測定した。図１にウェーハ表面Ｎｉ汚染濃度の分析結果を、図２にウェーハ内部に含まれるＮｉ汚染濃度の分析結果をそれぞれ示す。なお、図２中の「Ｄ．Ｌ．」は分析装置の検出限界を示す。
（１）ウェーハ表面金属汚染濃度測定方法
先ず、シリコンウェーハをピンセット等の保持具でＨＦ溶液の入ったビーカー上に間隔をあけて保持し、ウェーハ表面をＨＦ蒸気に晒すことにより、ウェーハ表面を分解させた。次いで、プレート上にウェーハを載置して、ウェーハ表面に対して赤外線ランプを照射して、ウェーハ表面に存在するシリコン成分と水分を除去した。次に、ＨＣｌとＨ2Ｏ2の混合溶液を用意し、ウェーハ表面に上記溶液の液滴を滴下して、液滴を表面全体に行きわたらせて表面全体に残留する金属不純物を液滴内に溶解させ、金属不純物を溶解した液滴を回収した。この回収液をＩＣＰ−ＭＳ分析装置により測定し、Ｎｉの定量分析を行った。
（２）ウェーハ内部に含まれる金属不純物濃度測定方法
先ず、耐酸性の収容容器と蓋から構成され、内部に支持台を配置した反応容器を用意した。支持台はスタンド部とテーブルから構成され、テーブルの周縁の大部分にはフランジが突設されている。また、ＨＦとＨＮＯ3とＨ2ＳＯ4を所定の割合で均一に混合して調製された分解液を用意した。次いで、分解液を収容容器内に貯え、テーブルの上面にシリコンウェーハを水平に置き、更に収容容器に蓋を被せて反応容器を密閉状態にし、常温で約１２時間放置することで、シリコンウェーハを分解昇華させて支持台のテーブル上に残渣を得た。次に反応容器をあけて残渣の入った支持台を取出し、ＨＣｌとＨＮＯ3を所定の割合で混合した混酸を残渣１ｇ当たり１ｍｌの割合で滴下して残渣を溶解した溶解液をビーカに集め、ビーカを８０℃に加熱して残渣を分解昇華させた。ＨＦとＨＮＯ3の混合希薄水溶液で微量不純物を回収し、回収した液をＡＡＳ分析装置により測定し、Ｎｉの定量分析を行った。
【００１８】
図１より明らかなように、比較例１のホスホン酸を添加したアルカリエッチング液及び比較例２のＴＴＨＡを添加したアルカリエッチング液は、０．０７×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2とウェーハ表面に多くのＮｉが存在している結果となった。また、比較例３のＤＴＰＡの添加量が少ないアルカリエッチング液では、０．５×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2と十分なＮｉの汚染低減効果が得られていない結果となった。更に、比較例４のＫＯＨ水溶液に何も添加していないＫＯＨ水溶液のみからなるアルカリエッチング液では、５×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2とＫＯＨ水溶液中に含まれるＮｉ不純物がウェーハ表面に残留している結果となった。一方、ＤＴＰＡを添加した実施例１のアルカリエッチング液では、０．０１×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2と十分なＮｉの汚染低減効果が得られていた。
【００１９】
また図２より明らかなように、比較例１のホスホン酸を添加したアルカリエッチング液では、エッチング後のウェーハ内部に含まれるＮｉ汚染濃度が６．９×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ3と十分なＮｉの汚染低減効果が得られていない結果となった。また、比較例２のアルカリエッチング液では、Ｎｉ汚染濃度が分析装置の検出限界以下となった。しかしながら、前述したように、ＴＴＨＡを添加したアルカリエッチング液はウェーハ表面Ｎｉ汚染濃度が高く、またＴＴＨＡはＤＴＰＡに比べて市場価格が高いため、コスト高となってしまう問題がある。また、ＫＯＨ水溶液にＤＴＰＡを添加しているが、０．０２ｇ／Ｌと添加量の少ない比較例３では、Ｎｉ汚染濃度が１．７×１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ3と１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ3を越える結果となり、ＤＴＰＡを添加していても、その添加量が少ないと、Ｎｉの汚染低減効果が得られないことが判った。更に、比較例４のＫＯＨ水溶液に何も添加していないＫＯＨ水溶液のみからなるアルカリエッチング液では、Ｎｉ汚染濃度が１０13ａｔｏｍｓ／ｃｍ3を越える結果となり、ＫＯＨ水溶液中に含まれるＮｉ不純物がウェーハ内部に拡散している結果となった。これに対して、実施例１のアルカリエッチング液では、比較例２のアルカリエッチング液と同様に分析装置の検出限界以下と優れた結果が得られた。
【００２０】
なお、ＤＴＰＡの添加量を実施例１で添加した０．１ｇ／Ｌから、０．５ｇ／Ｌ、１ｇ／Ｌ、３ｇ／Ｌ及び５ｇ／Ｌと徐々に増加させて、実施例１と同様にしてウェーハにエッチングを施したが、エッチング後のウェーハ内部に含まれるＮｉ汚染濃度は１×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下と実施例１と同レベルであった。このことから、ＤＴＰＡの添加量は０．１ｇ／Ｌ以上であれば、Ｎｉ汚染低減効果が得られることが判った。
【００２１】
＜比較試験２＞
実施例１と同様の４０重量％ＫＯＨ水溶液を用意し、このＫＯＨ水溶液中に含まれるＦｅ濃度を２０ｐｐｂ、５０ｐｐｂ、１００ｐｐｂにそれぞれ調整した。調整したＫＯＨ水溶液には、Ｎｉが１０ｐｐｂ、Ｃｕが１０ｐｐｂそれぞれ含まれていた。これらＫＯＨ水溶液にＤＴＰＡを０．１ｇ／Ｌ添加混合して、アルカリエッチング液を調製した。続いて比較試験１と同様に、ラッピングを終えた、比抵抗が０．００５〜０．０１０Ω・ｃｍのシリコンウェーハを６枚用意した。次にＦｅ濃度を調整したアルカリエッチング液を用いて、各アルカリエッチング液ごとに２枚ずつシリコンウェーハにエッチングを施した。アルカリエッチングが施されたシリコンウェーハを前述した比較試験１と同様の方法によりウェーハ表面に存在するＮｉ汚染濃度、Ｃｕ汚染濃度及びウェーハ内部に含まれるＮｉ汚染濃度、Ｃｕ汚染濃度をそれぞれ測定した。図３にウェーハ表面Ｎｉ汚染濃度及びＣｕ汚染濃度の分析結果を、図４にウェーハ内部に含まれるＮｉ汚染濃度及びＣｕ汚染濃度の分析結果をそれぞれ示す。
【００２２】
図３及び図４より明らかなように、ＫＯＨ水溶液中のＦｅ濃度が高くなるにつれて、Ｃｕ汚染濃度が高くなることが確認された。また、ＫＯＨ水溶液中のＦｅ濃度が低くなると、内部に拡散するＮｉの汚染低減効果が高まることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施例１、比較例１〜３のアルカリエッチング液を用いてエッチングを施したシリコンウェーハ表面におけるＮｉ汚染濃度を示す図。
【図２】実施例１、比較例１〜３のアルカリエッチング液を用いてエッチングを施したシリコンウェーハ内部に含まれるＮｉ汚染濃度を示す図。
【図３】Ｆｅ濃度を調整したアルカリエッチング液を用いてエッチングを施したシリコンウェーハ表面におけるＮｉ汚染濃度、Ｃｕ汚染濃度を示す図。
【図４】Ｆｅ濃度を調整したアルカリエッチング液を用いてエッチングを施したシリコンウェーハ内部に含まれるＮｉ汚染濃度、Ｃｕ汚染濃度を示す図。
【図５】本発明のエッチング方法を含むシリコンウェーハの製造方法を示す工程図。
【符号の説明】
【００２４】
１  単結晶インゴット
２  スライシング工程
３  面取り工程
４  ラッピング工程
５  アルカリエッチング工程
６  ポリッシング工程
７  洗浄工程
８  シリコンウェーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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