(57)【要約】【課題】  誘電体層を薄型化して高静電容量化を図った場合であっても、十分な絶縁抵抗を維持できる積層セラミックコンデンサを提供すること。【解決手段】  本発明のコンデンサ１０（積層セラミックコンデンサ）は、内部電極１２と誘電体層１４が交互に積層されたコンデンサ素体１１と、その端面に設けられた外部電極１５とを備えている。コンデンサ素体１１においては、内部電極１２と誘電体層１４との間に、高抵抗層２４が設けられている。この高抵抗層２４は、セラミック材料、並びに、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素、及び／又は、希土類元素を含有するものである。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、
前記一対の電極間に配置され、セラミック材料を含む誘電材料から構成される誘電体層と、
前記電極と前記誘電体層との間に配置され、セラミック材料及び所定の元素を含む高抵抗層と、を備え、
前記誘電体層は、前記誘電材料の粒子を含み、且つ、その厚さ方向において一つの該粒子のみから構成される部位を有しており、
前記高抵抗層は、前記所定の元素として、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含有するものである、
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
一対の電極と、
前記一対の電極間に配置され、セラミック材料を含む誘電材料から構成される誘電体層と、
前記電極と前記誘電体層との間に配置され、セラミック材料及び所定の元素を含む高抵抗層と、を備え、
前記誘電体層は、前記誘電材料の粒子を含み、且つ、その厚さ方向において一つの該粒子のみから構成される部位を有しており、
前記高抵抗層は、前記所定の元素として、希土類元素を含有するものである、
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
一対の電極と、
前記一対の電極間に配置され、セラミック材料を含む誘電材料から構成される誘電体層と、
前記電極と前記誘電体層との間に配置され、セラミック材料及び所定の元素を含む高抵抗層と、を備え、
前記誘電体層は、前記誘電材料の粒子を含み、且つ、その厚さ方向において一つの該粒子のみから構成される部位を有しており、
前記高抵抗層は、前記所定の元素として、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素、並びに、希土類元素を含有するものである、
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記希土類元素は、Ｙ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ及びＴｍからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であることを特徴とする請求項２又は３記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記高抵抗層に含まれる前記セラミック材料は、前記誘電体層に含まれる前記セラミック材料の構成元素と同じ元素を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記誘電材料は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素、及び／又は、希土類元素を更に含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記誘電材料は、前記高抵抗層に含まれる前記所定の元素と同じ元素を含有しており、
前記高抵抗層中の前記元素の含有割合は、前記誘電材料の前記粒子中の当該元素の含有割合よりも大きいことを特徴とする請求項６記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項８】
前記誘電材料は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも一種であって、前記高抵抗層に含まれるものと同じ元素を含有しており、
前記高抵抗層中の前記元素の含有割合は、前記誘電材料の前記粒子中の当該元素の含有割合の２倍以上であることを特徴とする請求項１又は３記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項９】
前記誘電材料は、希土類元素であって前記高抵抗層に含まれるものと同じ元素を含有しており、
前記高抵抗層中の前記元素の含有割合は、前記誘電材料の粒子中の当該元素の含有割合の１．５倍以上であることを特徴とする請求項２又は３記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項１０】
前記誘電材料に含まれる前記セラミック材料は、Ｂａ及びＴｉを主成分とする複合酸化物であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項１１】
前記高抵抗層に含まれる前記所定の元素は、Ｍｎ及びＹであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、積層セラミックコンデンサは、セラミック材料からなる誘電体層と内部電極とが交互に積層された構造を有している。近年、このような積層セラミックコンデンサとしては、小型で且つ静電容量が大きいという特性を有するものが求められている。かかる要求特性を満たすため、積層セラミックコンデンサにおいては、誘電体層を薄型化するとともに積層数を増加することが行われている。
【０００３】
ところが、積層セラミックコンデンサには、静電容量が大きいことに加えて、高い絶縁抵抗を有していることも求められる。しかし、この絶縁抵抗は、誘電体層の厚さに比例する値であるため、上述したように誘電体層を薄型化すると、大きな静電容量が得られるようになる反面、絶縁抵抗が低下する傾向にあった。
【０００４】
そこで、誘電体層の薄型化による絶縁抵抗の低下を抑制し得る積層セラミックコンデンサとして、誘電体層が、当該層を構成しているセラミック材料一粒子のみからなる構造、すなわち一層一粒子構造を有するものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３３７０９３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術のような一層一粒子構造を含む誘電体層を備える積層セラミックコンデンサによっても、未だ十分な絶縁抵抗を得ることが困難な傾向にあった。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、誘電体層を薄型化して高静電容量化を図った場合であっても、十分な絶縁抵抗を維持できる積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らが詳細な検討を行ったところ、上記従来の積層セラミックコンデンサにおいて絶縁抵抗が不十分となるのは、以下の原因によるためであることが判明した。すなわち、誘電体層において、セラミック材料の結晶粒子内は抵抗が低いのに対し、粒界は比較的高い抵抗を有している。このため、積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体層の絶縁性は、このような高抵抗の粒界によって維持される傾向が大きい。ところが、上述した一層一粒子構造を含む誘電体層では、この高抵抗の粒界が極めて少なくなっている。そのため、一粒子構造を含む誘電体層を備える積層セラミックコンデンサは、絶縁性が不十分となり易いことを見出した。
【０００８】
本発明者らは、このような知見に基づいて更に研究を行った結果、誘電体層と内部電極との間に特定の層を設けることによって、一層一粒子構造を含む誘電体層を有する積層セラミックコンデンサであっても、十分な絶縁抵抗が得られるようになることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、本発明の積層セラミックコンデンサは、一対の電極と、一対の電極間に配置され、セラミック材料を含む誘電材料から構成される誘電体層と、電極と誘電体層との間に配置され、セラミック材料及び金属元素を含む高抵抗層とを備え、誘電体層は、誘電材料の粒子を含み、且つ、その厚さ方向において一つの当該粒子のみから構成される部位を有しており、さらに、高抵抗層は、金属元素として、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を含有することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の他の積層セラミックコンデンサは、一対の電極と、一対の電極間に配置され、セラミック材料を含む誘電材料から構成される誘電体層と、電極と誘電体層との間に配置され、セラミック材料及び金属元素を含む高抵抗層とを備え、誘電体層は、誘電材料の粒子を含み、且つ、その厚さ方向において一つの当該粒子のみから構成される部位を有しており、さらに、高抵抗層は、金属元素として、希土類元素を含有することを特徴とする。
【００１１】
これらの積層セラミックコンデンサは、電極（内部電極）と誘電体層との間に、セラミック材料及び所定の金属元素を含む高抵抗層を備えている。この高抵抗層は、誘電体層を構成する誘電材料に比して絶縁性が高いものである。したがって、上記構成を有する積層セラミックコンデンサは、一層一粒子構造を含んであり、そのため高抵抗な粒界部分が少なくされた誘電体層を備えるものであるにもかかわらず、絶縁抵抗が十分なレベルに維持されたものとなる。
【００１２】
高抵抗層は、所定の元素として上述した２種の両方を含有していると、より優れた絶縁性を発揮し得るため好ましい。すなわち、本発明の積層セラミックコンデンサは、一対の電極と、一対の電極間に配置され、セラミック材料を含む誘電材料から構成される誘電体層と、電極と誘電体層との間に配置され、セラミック材料及び所定の元素を含む高抵抗層とを備え、誘電体層は、誘電材料の粒子を含み、且つ、その厚さ方向において一つの当該粒子のみから構成される部位を有しており、高抵抗層は、所定の元素として、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素、並びに、希土類元素を含有するものであることを特徴としてもよい。
【００１３】
希土類元素としては、Ｙ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ及びＴｍからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が好適である。
【００１４】
また、高抵抗層に含まれるセラミック材料は、誘電体層に含まれるセラミック材料の構成元素と同じ元素を含むものであると好ましい。こうすれば、誘電体層に比して優れた絶縁性を有する高抵抗層が得られ易い。
【００１５】
さらに、本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、上記誘電材料が、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素、及び／又は、希土類元素を更に含むものであると好ましい。これらの元素を含む誘電材料からなる誘電体層は、セラミック材料の安定性を高める効果を有している。このため、これらの元素を含む誘電材料により、従来、セラミック材料の経時的な劣化に起因して生じていた絶縁抵抗の低下を抑制することも可能となる。
【００１６】
このように誘電材料が上記元素を含有する場合、誘電材料は、高抵抗層に含まれている所定の元素と同じ元素を含有しており、しかも、高抵抗層中のこの元素の含有割合が、誘電材料の粒子中におけるこれと同じ元素の含有割合よりも大きいことが好ましい。こうすれば、誘電体層に比して顕著に優れた絶縁性を有する高抵抗層が得られるようになり、その結果、積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗が更に高められる。
【００１７】
より具体的には、所定の元素としてＭｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有する場合、高抵抗層に含まれるこの元素の含有割合は、誘電材料の粒子中に含まれる同じ元素の含有割合の２倍以上であると好ましい。また、所定の元素として、希土類元素を含有する場合、高抵抗層中におけるこの元素の含有割合は、誘電材料から構成される粒子中に含まれる同じ元素の含有割合の１．５倍以上であると好ましい。
【００１８】
こうすることで、誘電体層に比して優れた絶縁性を有する高抵抗層が良好に得られるようになる。なお、誘電材料は、所定の元素として、上記２種の元素を両方含んでいてもよく、この場合、各種の元素がそれぞれ上述した条件を満たしていることが好ましい。
【００１９】
また、誘電材料に含まれるセラミック材料としては、Ｂａ及びＴｉを主成分とする複合酸化物が好ましい。こうすれば、優れた静電容量及び絶縁抵抗を有するセラミックコンデンサが得られるようになる。
【００２０】
さらに、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素としては、Ｍｎが好ましく、また、希土類元素としては、Ｙが好ましい。すなわち、高抵抗層に含まれる所定の元素としては、Ｍｎ及びＹが特に好ましい。これにより、静電容量及び絶縁抵抗が更に向上するだけでなく、誘電体層の劣化が一層低減される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、一層一粒子構造を含むような薄型の誘電体層を形成し、これにより高静電容量化を図った場合であっても、十分な絶縁抵抗を維持することが可能であり、実用性に極めて優れる積層セラミックコンデンサを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２３】
図１は、実施形態の積層セラミックコンデンサの断面構造を模式的に示す図である。コンデンサ１０（積層セラミックコンデンサ）は、内部電極１２と誘電体層１４とが交互に積層された直方体形状のコンデンサ素体１１と、このコンデンサ素体１１の対向する端面にそれぞれ設けられた外部電極１５とを備えている。
【００２４】
図２は、図１に示した積層セラミックコンデンサの内部電極１２と誘電体層１４との界面近傍を拡大して示す模式図である。図示されるように、誘電体層１４は、多数の結晶粒子２２（粒子）が配列した構成を有している。また、各結晶粒子２２（誘電体層１４）と内部電極１２との間には、高抵抗層２４が形成されている。
【００２５】
コンデンサ１０において、内部電極１２は、一方の端部がコンデンサ素体１１の対向する端面に露出するように形成されており、しかも、この端部が交互に異なる端面に露出するようにして積層された状態となっている。内部電極１２の構成材料としては、通常積層型の電気素子の内部電極として用いられる導電材料であれば特に制限なく適用できる。このような導電材料としては、例えばＮｉやＮｉ合金が挙げられる。Ｎｉ合金としては、９５質量％以上のＮｉと、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ等の少なくとも一種を含有するものが好ましい。
【００２６】
外部電極１５は、コンデンサ素体１１において内部電極１２の端部が露出した端面にそれぞれ設けられている。これにより、内部電極１２と外部電極１５とが接続され、両者の導通が図られる。外部電極１５としては、ＣｕやＣｕ合金、ＮｉやＮｉ合金、ＡｇやＡｇ合金（例えばＡｇ−Ｐｄ合金）、ＳｎやＳｎ合金等からなるものが挙げられる。なお、コンデンサ１０の製造コストを低減する観点からは、比較的安価なＣｕやＮｉ、或いはこれらの合金を用いることが好ましい。
【００２７】
高抵抗層２４は、内部電極１２と誘電体層１４との間に形成された層であり、セラミック材料及び所定の元素、より詳しくは金属元素を含有している。高抵抗層２４に含まれる金属元素は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ及びＶからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素（以下、「第１の元素」という）又は希土類元素（以下、「第２の元素」という）、或いはこれらの組み合わせである。
【００２８】
第１の元素としては、Ｍｎ又はＣｒが好ましく、Ｍｎがより好ましい。また第２の元素としては、Ｙ、Ｄｙ、Ｇｄ又はＨｏが好ましく、Ｙがより好ましい。高抵抗層２４が、第１及び第２の元素を組み合わせて含有していると、極めて優れた絶縁性を示すようになるため特に好ましい。この好適な組み合わせとしては、第１の元素がＭｎであり、第２の元素がＹである組み合わせが挙げられる。
【００２９】
また、高抵抗層２４に含まれるセラミック材料は、誘電体層１４の特性を損なわないものであれば特に制限なく適用可能である。このセラミック材料としては、例えば、後述する誘電体層１４を形成しているセラミック材料の構成元素と同じ元素を含有するものが挙げられる。なお、高抵抗層２４は、上述した金属元素やセラミック材料に加え、その他の不純物を更に含有していてもよい。
【００３０】
誘電体層１４は、セラミック材料を含む誘電材料から構成されるものである。また、誘電体層１４は、結晶粒子２２が配列した構成を有しており、この結晶粒子２２の周囲には、当該粒子２２と同様の元素を含むセラミック材料からなる領域２６が形成されている。そして、上述した高抵抗層２４は、主として結晶粒子２２と内部電極１２との間に形成された上記領域が連なって形成される。このような構成を有する高抵抗層２４において、上記金属元素は、例えば、セラミック材料の構成元素と置換した状態で存在している。
【００３１】
誘電材料に含まれるセラミック材料としては、通常、セラミックコンデンサに適用され得る公知の高誘電率セラミック材料が適用できる。例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系材料、鉛複合ペロブスカイト化合物系材料、チタン酸ストロンチウム系（ＳｒＴｉＯ３）系材料等が例示できる。なお、誘電材料は、これらのセラミック材料のほか、焼結助剤等の他の成分を更に含有していてもよい。
【００３２】
セラミック材料としては、上述したなかでも、優れた誘電率を有しており、高静電容量を達成することが可能であることから、Ｂａ及びＴｉを主成分とする複合酸化物であるＢａＴｉＯ３系材料が好ましい。このようなＢａＴｉＯ３系材料によると、高抵抗層２４による絶縁性向上効果が特に良好に得られる傾向にある。
【００３３】
ＢａＴｉＯ３系材料としては、基本組成がＢａＴｉＯ３であり、この組成中のＢａやＴｉが他の金属元素等により適宜置換された材料が好ましい。例えば、Ｂａの一部がＣａやＳｒにより置換された材料や、Ｔｉの一部がＺｒにより置換された材料が挙げられる。具体的には、ＢａＴｉＯ３系材料としては、［（Ｂａ１−ｘ−ｙＣａｘＳｒｙ）Ｏ］ｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ２が好適である。ここで、ｘはそれぞれ独立に０〜０．２５、好ましくは０．０５〜０．１０、ｙは０〜０．０５、好ましくは０〜０．０１、ｚは０．１〜０．３、好ましくは０．１５〜０．２０、ｍは１．０００〜１．０２０、好ましくは１．００２〜１．０１５である。
【００３４】
誘電体層１４は、上述の如く、誘電材料からなる結晶粒子２２が配列して構成されたものである。実施形態のコンデンサ１０においては、この誘電体層１４は、その厚さ方向において、一つの結晶粒子２２のみから形成された部位（一層一粒子構造）を有している。この一層一粒子構造は、誘電体層１４の幅方向において、その全長に対して１０〜８０％程度形成されていると好ましく、４０％程度形成されているとより好ましい。なお、この一層一粒子構造の割合は、以下に示すようにして算出することができる。すなわち、まず、コンデンサ１０を、内部電極１２に対して垂直な方向で切断する。次いで、この切断面を観察し、この面に露出している各結晶粒子２２の粒径を測定した後、これらの平均粒径を算出する。それから、この切断面に、上記平均粒径の間隔で内部電極１２と垂直な直線を引き、これらのうち、一層一粒子構造にかかっている直線の数を数える。そして、全ての直線の数に対する、一層一粒子構造にかかっていた直線の数の割合を算出し、これを、誘電体層１４における一層一粒子構造の割合とする。
【００３５】
誘電体層１４を構成する誘電材料は、上述したセラミック材料に加え、高抵抗層２４に含まれる金属元素と同様の金属元素を含有するものであると好ましい。すなわち、誘電材料は、第１の元素又は第２の元素、或いはこれらを組み合わせて含有していると好ましい。これらの元素を含有することにより誘電体層１４が安定化され、これによりコンデンサ１０の経時的な絶縁抵抗の低下等を抑制することが可能となる。
【００３６】
このように誘電材料が金属元素を含有する場合には、誘電材料中の金属元素は、高抵抗層２４中の金属元素と同じものであると更に好ましい。この場合、高抵抗層２４中の金属元素の含有割合が、結晶粒子２２中の金属元素の含有割合よりも大きいと特に好ましい。このような条件を満たす高抵抗層２４は、結晶粒子２２（誘電体層１４）に比して大幅に絶縁性に優れるものとなる。その結果、コンデンサ１０の絶縁抵抗が極めて良好となる。
【００３７】
具体的には、高抵抗層２４及び結晶粒子２２が第１の元素を含む場合、高抵抗層２４における当該元素の含有割合は、結晶粒子２２中における同じ元素の含有割合の２倍以上であると好ましく、２〜１５倍であるとより好ましく、２〜１０倍であると更に好ましく、２〜５倍であると一層好ましい。高抵抗層２４中の当該元素の含有割合が、結晶粒子２２内部に対して２倍以上であると、誘電体層１４に比して絶縁性に優れる高抵抗層２４が得られ易い傾向にある。一方、１５倍を超えると、過剰の金属元素（第１の元素）により高抵抗層２４の絶縁性が低下する恐れがある。
【００３８】
また、第２の元素を含む場合、高抵抗層２４における当該元素の含有割合は、結晶粒子２２中における同じ元素の含有割合の１．５倍以上であると好ましく、１．５〜５倍であるとより好ましく、１．５〜３倍であると更に好ましい。高抵抗層２４中の当該元素の含有割合が、結晶粒子２２内部に対して１．５倍以上であると、誘電体層１４に比して絶縁性に優れる高抵抗層２４が得られ易い傾向にある。一方、５倍を超えると、過剰の希土類元素により高抵抗層２４の絶縁性が低下する恐れがある。
【００３９】
さらに、高抵抗層２４が第１及び第２の元素を組み合わせて含有する場合には、両方の元素がそれぞれ上述した条件を満たすことが好ましい。なお、高抵抗層２４又は結晶粒子２２中の金属元素の含有割合は、例えば、高抵抗層２４又は結晶粒子２２の所定体積の全質量に対する、当該体積中に含まれる金属元素の質量の割合（質量％）として表すことができる。このような金属元素の含有割合は、例えば、公知の組成分析を適用して算出することができる。組成分析法としては、例えば、エネルギー分散型Ｘ線分光（ＥＤＳ）が挙げられる。
【００４０】
好適な実施形態のコンデンサ１０は、長さ１．５〜１．７ｍｍ×幅０．７〜０．９ｍｍ程度のサイズを有するものである。このようなサイズのコンデンサ１０において、内部電極１２の厚みは、好ましくは１〜５μｍ、より好ましくは１〜３μｍ程度であり、外部電極の厚みは、好ましくは１０〜５０μｍ程度である。また、誘電体層１４の厚みは、１〜６μｍであると好ましく、１〜４μｍであるとより好ましい。さらに、高抵抗層２４の厚みが、誘電体層１４の厚みに対して０．００１〜５％程度であると更に好ましい。
【００４１】
上述した構成を有するコンデンサ１０は、例えば、以下に示すような公知の積層セラミックコンデンサの製造方法を適用することにより製造可能である。すなわち、まず、誘電材料を構成するセラミック材料の原料を準備し、秤量する。次いで、この原料混合物に、上述した第１及び／又は第２の元素の原料、その他の成分を添加し、ボールミル等により湿式混合する。この混合物を乾燥した後、８００〜１３００℃程度で仮焼成する。
【００４２】
その後、得られた仮焼成物を、ジェットミルやボールミルにより所望の粒径となるまで粉砕する。この粉砕物に、バインダー、可塑剤等を混合して誘電体ペーストを調製する。また、これとともに、内部電極１２用の導電材料と、バインダー及び溶剤を含む有機ビヒクル等を混合して、内部電極ペーストを調製する。
【００４３】
この誘電体ペースト及び内部電極ペーストを交互に塗布して積層することにより、誘電体ペースト層及び内部電極ペースト層が交互に積層された積層体を得る。その後、この積層体を所望のサイズに切断してグリーンチップを得た後、このグリーンチップを加熱する等して脱バインダー処理を行う。それから、Ｎ２やＨ２等の不活性ガス雰囲気下で、１２００〜１４００℃程度で本焼成を行い、コンデンサ素体１１を得る。そして、得られたコンデンサ素体１１の両端部に、外部電極１５用のペーストを焼き付け、コンデンサ１０を得る。
【００４４】
このようなコンデンサ１０の製造方法において、高抵抗層２４を形成する方法としては、例えば、誘電体ペーストを塗布する前後に、高抵抗層２４用の原料を含むペーストを塗布する方法が挙げられる。あるいは、上述したように誘電材料が金属元素を含む場合には、この金属元素の原料の添加量を通常よりも多くし、これにより結晶粒子２２中に固溶しきれなくなった金属元素を、上述した結晶粒子２２の周囲の領域、特に、内部電極１２と誘電体層１４との間に形成される領域に存在させることによって、セラミック材料及び金属元素を含む高抵抗層２４を形成することもできる。
【００４５】
以上説明したように、実施形態に係る積層セラミックコンデンサであるコンデンサ１０は、内部電極１２と誘電体層１４との間に高抵抗層２４を有することを特徴とするものである。このコンデンサ１０は、一層一粒子構造を含む薄い誘電体層１４を有していることから、極めて静電容量が大きいものとなる。
【００４６】
また、好適な場合、高抵抗層２４は、誘電体層１４と同様の元素を含むセラミック材料、及び、誘電体層１４に含まれるのと同じ金属元素を含んでおり、しかも、この高抵抗層２４における金属元素の含有割合は、誘電体層１４における結晶粒子２２の内部よりも大きくなっている。このような高抵抗層２４は、誘電体層１４に比して優れた絶縁性を有するものである。したがって、上記構成を有するコンデンサ１０は、同様の高抵抗層を有しない従来の一層一粒子構造を含む積層セラミックコンデンサに比して、優れた絶縁抵抗を有するものとなる。
【実施例】
【００４７】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［積層セラミックコンデンサの製造］
【００４８】
まず、セラミック材料の原料としてＢａＴｉＯ３、ＢａＺｒＯ３及びＣａＴｉＯ３、金属元素の原料としてＭｎＣＯ３及びＹ２Ｏ３を準備し、これらをボールミルにより湿式混合した後、１０００℃、３時間の仮焼成を行った。この仮焼成物に、バインダー、可塑剤、分散剤及び溶剤を加え、誘電体ペーストを調製した。また、これと並行して、導電材料としてＮｉを用い、これとバインダー、溶剤、分散剤及び可塑剤を加えて、内部電極ペーストを調製した。
【００４９】
次に、これらの誘電体ペースト及び内部電極ペーストを交互に積層した後、得られた積層体を所望の形状及びサイズに切断して、グリーンチップを得た。その後、グリーンチップを、加湿したＮ２及びＨ２を含む雰囲気下、１３００℃、２時間で本焼成してコンデンサ素体を得た。さらに、このコンデンサ素体に対し、Ｎ２雰囲気下、１０００℃、３時間の熱処理を施すことにより、誘電体層の再酸化処理を行った。そして、得られたコンデンサ素体の対向する端面に、素体側からＣｕ層、Ｎｉ層及びＳｎ層を順に有する３層構造の外部電極を形成して、図１に示す構造の積層セラミックコンデンサを得た。
［組成分析］
【００５０】
得られた積層セラミックコンデンサを、内部電極に対して垂直な方向で切断して薄い膜状とした。そして、得られた薄膜の表面を透過型顕微鏡（ＴＥＭ）により観察した。図３は、内部電極と誘電体層との界面近傍の透過型電子顕微鏡写真を示す図である。図３において、１２、１４及び２４は、それぞれ内部電極、誘電体層及び高抵抗層を示している。図３より、得られた積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極と誘電体層との間に高抵抗層が形成されていることが確認された。
【００５１】
また、上述のＴＥＭ観察と同時に、誘電体層における結晶粒子内の領域、及び、内部電極と誘電体層との間に形成された高抵抗層の領域における任意の各点において、エネルギー分散型Ｘ線分光（ＥＤＳ）により組成分析を行った。結晶粒子内の領域における各点で得られた結果を表１に、高抵抗層の領域における各点で得られた結果を表２にそれぞれ示した。なお、表１及び表２においては、各元素の組成を、その酸化物に換算した値（単位：質量％）によって示してある。
【００５２】
【表１】
2006041392.tif 000003
【００５３】
【表２】
2006041392.tif 000004
【００５４】
表１及び表２より、実施例で得られた積層セラミックコンデンサにおいては、セラミック材料中のＭｎ及びＹは、結晶粒子内よりも高抵抗層に多く含まれることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】実施形態の積層セラミックコンデンサの断面構造を模式的に示す図である。
【図２】図１に示した積層セラミックコンデンサの内部電極１２と誘電体層１４との界面近傍を拡大して示す模式図である。
【図３】内部電極と誘電体層との界面近傍の透過型電子顕微鏡写真を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０…コンデンサ、１１…コンデンサ素体、１２…内部電極、１４…誘電体層、１５…外部電極、２２…結晶粒子、２４…高抵抗層、２６…粒界。
【図１】
2006041392.tif 000005
【図２】
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【図３】
2006041392.tif 000007