(57)【要約】【課題】積層板表面の導体層を厚くすることなくビア内が完全にめっき金属によって穴埋めされたフィルドビアを形成し、ファインな導体回路パターン形成を可能にすること。【解決手段】有底ビア１８内をめっき金属１９によって埋めるビアフィルめっき時には、有底ビア部分以外の積層板表面をめっきレジスト層１４によって被覆しておき、有底ビア部分以外の積層板表面のめっきを成長させることなく有底ビア１８内をめっき金属１９で充填する。【選択図】      図１
2006108554.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の一方の面に第１の導体層を、前記絶縁層の他方の面に第２の導体層を有するプリント配線板用両面導体層付き積層板の前記第１の導体層をめっきレジスト層によって被覆する工程と、
ビア形成予定部分の前記めっきレジスト層を開口する工程と、
前記ビア形成予定部分の前記第１の導体層と前記絶縁層とを貫通して前記第２の導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成する工程と、
前記第１の導体層上の前記めっきレジスト層を残したまま、前記第２の導体層をめっき給電用電極として電解めっきを行う工程とを有し、
当該電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成するプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
絶縁層の一方の面に第１の導体層を、前記絶縁層の他方の面に第２の導体層を有するプリント配線板用両面導体層付き積層板の前記第１の導体層上に感光性樹脂製のめっきレジスト層を形成し、その後、前記めっきレジスト層のパターニング露光・現像を行い、ビア形成予定部の前記めっきレジスト層を除去してビア形成予定部の前記めっきレジスト層に開口を形成する工程と、
前記ビア形成予定部の前記第１の導体層と前記絶縁層とを貫通し前記第２の導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成する工程と、
前記第１の導体層上の前記めっきレジスト層を残したまま、前記第２の導体層をめっき給電用電極として電解めっきを行う工程とを有し、
前記電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成するプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
絶縁層の一方の面に第１の導体層を、前記絶縁層の他方の面に第２の導体層を有するプリント配線板用両面導体層付き積層板に前記第１の導体層と前記絶縁層とを貫通して前記第２の導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成し、その後、前記第１の導体層上に感光性樹脂製のめっきレジスト層を形成する工程と、
前記めっきレジスト層のパターニング露光・現像を行い、前記有底ビア部分の前記めっきレジスト層を除去して有底ビア部分の前記めっきレジスト層に開口を形成する工程と、
前記第１の導体層上の前記めっきレジスト層を残したまま、前記第２の導体層をめっき給電用電極として電解めっきを行う工程とを有し、
前記電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成するプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記有底ビア内におけるめっき金属が前記一方の面の導体層に到達する高さまで成長した時点で前記電解めっきを終了し、その後に、前記めっきレジスト層を除去する請求項１〜３の何れか１項記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
絶縁層の片面に導体層を有するプリント配線板用片面導体層付き積層板に、前記絶縁層を貫通して前記導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成し、
前記プリント配線板用片面導体層付き積層板の前記絶縁層の前記導体層とは反対側の表面にめっき給電用の導電シード層を形成し、
前記有底ビア部分以外の前記導電シード層をめっきレジスト層によって被覆し、
前記めっきレジスト層を残したまま、ビア底側の前記導体層をめっき給電用電極とした電解めっきによって前記有底ビア内をめっき金属によって埋めるビアフィルめっきを行い、
前記有底ビア内におけるめっき金属が前記絶縁層表面に存在する前記導電シード層に到達する高さまで成長した時点で前記電解めっきを終了し、
その後に、前記めっきレジスト層を除去し、電解めっきによって前記導電シード層と前記ビアフィルめっき上に電解めっき層を形成するプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記有底ビア部分以外の前記導電シード層をめっきレジスト層によって被覆する工程は、前記導電シード層上に感光性樹脂製のめっきレジスト層を形成し、当該めっきレジスト層のパターニング露光・現像を行い、有底ビア部分のめっきレジスト層を除去して有底ビア部分のめっきレジスト層に開口を形成する工程である請求項５記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プリント配線板の製造方法に関し、特に、層間導通をフィルドビアにより行う両面あるいは多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
両面あるいは多層プリント配線板の層間導通を行うビア形成法として、絶縁層の片面に銅箔等による導体層を有するプリント配線板用片面導体層付き積層板の絶縁層に、導体層がビア底面に露呈した有底ビアをあけ、絶縁層の導体層とは反対側の表面にめっき給電用の導電シード層を形成し、有底ビア内が電解めっきによるめっき金属、例えば、電解めっき銅によって埋められたフィルドビアを形成し、更に電解めっきを続けて、導電シード層とフィルドビア上に電解めっき層、つまり、もう一方の導体層を形成するビアフィルめっき法がある（例えば、特許文献１）。
【０００３】
ビアフィルめっきは、硫酸銅めっき浴等のめっき浴中に、めっき成長を抑制する電析抑制剤を添加することにより、抑制剤が効果的に働いている積層板表面（基板表面）では、めっきがあまり成長せず、抑制剤が行き届いていないビア（有底ビア）内では、めっき成長が促進されることを利用して、ビアホール内部がめっき金属によってソリッドに埋められるビアフィル構造を形成する。
【０００４】
こういったビアフィルめっきによるビアフィル構造は、スルーホールめっきによるものに比して高いめっき接続信頼性を示し、ビア直上にビアを配置する設計が可能になると共に、ビア直上に電子部品等を実装することができるため、高密度多層プリント配線板への応用が検討されている。
【０００５】
ビアフィルめっき法では、ビア内においてはめっき成長が促進され、積層板表面においては抑制剤が作用しているため、めっきはあまり成長しないが、ビア内がめっき金属によって完全に充填されるころには、積層板表面においても、めっきはある程度成長している。このため、積層板表面で、もう一方の導体層をなすめっき層の厚さを薄くするには限界がある。
【０００６】
積層板表面のめっき厚が厚くなると、導体回路パターン形成におけるエッチング量が多くなるため、パターンの精度は低くなり、ファインな導体回路パターン形成が難しくなるといった問題点が生じる。
【０００７】
例えば、ビア直径１００μｍ、ビア深さ５０μｍのビアをビアフィルめっき法で完全に充填すると、積層板表面におけるめっき厚は２０〜２５μｍとなり、ファインパターン形成は、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０μｍ程度が限界となる。よって、ファインな導体回路を形成するには、ビア内を完全にめっきで充填でき、さらに積層板表面のめっき厚（導体層の厚さ）を薄くすることが可能なビアフィルめっき法が求められる。
【特許文献１】特開２００１−２９１９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明が解決しようとする課題は、積層板表面の導体層を厚くすることなくビア内が完全にめっき金属によって穴埋めされたフィルドビアを形成し、ファインな導体回路パターン形成を可能にすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明によるプリント配線板の製造方法は、絶縁層の一方の面に第１の導体層を、前記絶縁層の他方の面に第２の導体層を有するプリント配線板用両面導体層付き積層板の前記第１の導体層をめっきレジスト層によって被覆する工程と、ビア形成予定部分の前記めっきレジスト層を開口する工程と、前記ビア形成予定部分の前記第１の導体層と前記絶縁層とを貫通して前記第２の導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成する工程と、
前記第１の導体層上の前記めっきレジスト層を残したまま、前記第２の導体層をめっき給電用電極として電解めっきを行う工程とを有し、当該電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成する。
【００１０】
また、この発明によるプリント配線板の製造方法は、絶縁層の一方の面に第１の導体層を、前記絶縁層の他方の面に第２の導体層を有するプリント配線板用両面導体層付き積層板の前記第１の導体層上に感光性樹脂製のめっきレジスト層を形成し、その後、前記めっきレジスト層のパターニング露光・現像を行い、ビア形成予定部の前記めっきレジスト層を除去してビア形成予定部の前記めっきレジスト層に開口を形成する工程と、前記ビア形成予定部の前記第１の導体層と前記絶縁層とを貫通し前記第２の導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成する工程と、前記第１の導体層上の前記めっきレジスト層を残したまま、前記第２の導体層をめっき給電用電極として電解めっきを行う工程とを有し、前記電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成する。
【００１１】
また、この発明によるプリント配線板の製造方法は、絶縁層の一方の面に第１の導体層を、前記絶縁層の他方の面に第２の導体層を有するプリント配線板用両面導体層付き積層板に前記第１の導体層と前記絶縁層とを貫通して前記第２の導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成し、その後、前記第１の導体層上に感光性樹脂製のめっきレジスト層を形成する工程と、前記めっきレジスト層のパターニング露光・現像を行い、前記有底ビア部分の前記めっきレジスト層を除去して有底ビア部分の前記めっきレジスト層に開口を形成する工程と、前記第１の導体層上の前記めっきレジスト層を残したまま、前記第２の導体層をめっき給電用電極として電解めっきを行う工程とを有し、前記電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成する。
【００１２】
この発明によるプリント配線板の製造方法は、好ましくは、前記有底ビア内におけるめっき金属が前記一方の面の導体層に到達する高さまで成長した時点で前記電解めっきを終了し、その後に、前記めっきレジスト層を除去する。
【００１３】
また、この発明によるプリント配線板の製造方法は、絶縁層の片面に導体層を有するプリント配線板用片面導体層付き積層板に、前記絶縁層を貫通して前記導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成し、前記プリント配線板用片面導体層付き積層板の前記絶縁層の前記導体層とは反対側の表面にめっき給電用の導電シード層を形成し、前記有底ビア部分以外の前記導電シード層をめっきレジスト層によって被覆し、前記めっきレジスト層を残したまま、ビア底側の前記導体層をめっき給電用電極とした電解めっきによって前記有底ビア内をめっき金属によって埋めるビアフィルめっきを行い、前記有底ビア内におけるめっき金属が前記絶縁層表面に存在する前記導電シード層に到達する高さまで成長した時点で前記電解めっきを終了し、その後に、前記めっきレジスト層を除去し、電解めっきによって前記導電シード層と前記ビアフィルめっき上に電解めっき層を形成する。
【００１４】
この発明によるプリント配線板の製造方法は、好ましくは、前記有底ビア部分以外の前記導電シード層をめっきレジスト層によって被覆する工程は、前記導電シード層上に感光性樹脂製のめっきレジスト層を形成し、当該めっきレジスト層のパターニング露光・現像を行い、有底ビア部分のめっきレジスト層を除去して有底ビア部分のめっきレジスト層に開口を形成する工程である。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によるプリント配線板の製造方法では、有底ビア内をめっき金属によって埋めるビアフィルめっき時には、有底ビア部分以外の積層板表面がめっきレジスト層によって被覆されているから、有底ビア部分以外の積層板表面のめっきを成長させることなく有底ビア内をめっき金属で充填することができる。
【００１６】
これにより、ビアフィルめっきによってビア（有底ビア）内を完全にめっき金属で充填した上で、積層板表面における導体層を薄くすることができ、フィルドビアによるプリント配線板においてファインな導体回路パターン形成が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
この発明によるプリント配線板の製造方法の実施形態１を、図１（ａ）〜（ｈ）を参照して説明する。
【００１８】
図１（ａ）に示されているように、絶縁層をなすポリイミドフィルム１１の一方の面に第１の導体層としての銅箔１２を、ポリイミドフィルム１１の他方の面に第２の導体層としての銅箔１３を設けてある両面銅箔付きポリイミド基材（積層板）１０を出発材とし、図１（ｂ）に示されているように、両面銅箔付きポリイミド基材１０の銅箔１２上に、感光性樹脂フィルム１４をラミネートし、銅箔１２を感光性樹脂フィルム１４によって被覆する。感光性樹脂フィルム１４は、厚さが２０μｍ程度のアクリル・エポキシ系樹脂製のものであり、銅箔１２を被覆するめっきレジスト層をなす。
【００１９】
なお、両面銅箔付きポリイミド基材１０は、ポリイミドフィルム１１の厚さが２０μｍ程度で、銅箔１２、１３の厚さが５μｍ程度のものであり、ポリイミドフィルム１１の両面に銅箔１２、１３を貼り合わせられている。
【００２０】
つぎに、図１（ｃ）に示されているように、マスク１５を用いてめっきレジスト層である感光性樹脂フィルム１４のパターニング露光を行う。感光性樹脂フィルム１４はネガ型レジストであり、パターニング露光は、ビア形成予定部１６をマスク１５によって遮光して紫外線を照射することにより行う。
【００２１】
つぎに、図１（ｄ）に示されているように、パターニング露光後の感光性樹脂フィルム１４の現像処理を行う。この現像処理は、Ｎａ２ＣＯ３水溶液によって感光性樹脂フィルム１４の非露光部を除去する処理である。
【００２２】
これにより、ビア形成予定部１６の感光性樹脂フィルム１４が除去され、ビア形成予定部１６の感光性樹脂フィルム１４に開口１７が形成され、ビア形成予定部１６以外の部分の銅箔１２は感光性樹脂フィルム１４によって引き続き被覆された状態になる。
【００２３】
つぎに、図１（ｅ）に示されているように、ビア形成予定部１６の銅箔１２をエッチングによって除去し、ビア形成予定部１６の銅箔１２を貫通する貫通孔１８Ａを形成する。
【００２４】
この銅箔１２のエッチングは、ＦｅＣｌ３の水溶液により行うことができる。
【００２５】
つぎに、図１（ｆ）に示されているように、ビア形成予定部１６のポリイミドフィルム１１をＵＶ−ＹＡＧレーザ照射によって除去し、ビア形成予定部１６のポリイミドフィルム１１を貫通する貫通孔１８Ｂを形成する。貫通孔１８Ｂの加工後にデスミア処理を行う。
【００２６】
なお、貫通孔１８Ａと貫通孔１８Ｂの穴あけは、レーザ強度を調節されたレーザ照射によるレーザ加工やドリル加工等によって一括加工することもできる。
【００２７】
銅箔１２の貫通孔１８Ａとポリイミドフィルム１１の貫通孔１８Ｂは、ビア形成予定部１６において同心整合する同一孔径の孔であり、ビア底面に銅箔１３の裏面１３Ａが露呈した有底ビア１８をなす。この有底ビア１８の孔径（内径）は１００μｍ程度である。  感光性樹脂フィルム１４の開口１７もビア形成予定部１６において有底ビア１８と同心整合する同一孔径の孔である。
【００２８】
つぎに、銅箔１３をめっき給電用電極として電解めっきを行う。この電解めっきは、硫酸銅と硫酸と塩素イオンを含むめっき浴により行う。めっき浴は、硫酸銅１６０〜２４０ｇ／ｌ、硫酸４０〜８０ｇ／ｌ、塩素イオン３０〜７０ｍｇ／ｌ（３５％塩酸として０．０７５〜０．１７５ｍｌ／ｌ）、ポリマ濃度３〜１５ｍｌ／ｌ、ブライトナ濃度０．５〜３．０ｍｌ／ｌ、レベラ濃度０．３〜１．０ｍｌ／ｌ程度のものを使用できる。標準のめっき浴は、硫酸銅２００ｇ／ｌ、硫酸５０ｇ／ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／ｌ（３５％塩酸として０．１２５ｍｌ／ｌ）、ポリマ濃度８ｍｌ／ｌ、ブライトナ濃度１．５ｍｌ／ｌ、レベラ濃度０．５ｍｌ／ｌである。
【００２９】
この電解めっき工程では、有底ビア１８のビア底面にめっき給電用電極をなす銅箔１３が露呈してるから、有底ビア１８内におけるめっき成長は進行するが、ビア形成予定部１６以外の部分の銅箔１２がめっきレジスト層である感光性樹脂フィルム１４によって被覆されているので、銅箔１２の表面１２Ａにおいては、めっきは成長しない。
【００３０】
これにより、有底ビア１８部分以外の積層板表面のめっきを成長させることなく、有底ビア１８内を完全にめっき金属１９（図１（ｇ）参照）で充填することができる。
【００３１】
図１（ｇ）に示されているように、有底ビア１８内におけるめっき金属１９の上面１９Ａが銅箔１２の上面（表面）１２Ａに到達する高さまで成長した時点で、電解めっきを終了する。その後に、感光性樹脂フィルム１４を剥離する。感光性樹脂フィルム１４の剥離は、ＮａＯＨ水溶液等により行うことができる。
【００３２】
これにより、図１（ｈ）に示されているように、有底ビア１８内がめっき金属１９によって完全に埋められたフィルドビアが完成する。
【００３３】
このフィルドビア形成法では、有底ビア１８内の電解めっきがビア表面の銅箔１２にまで達しても、ビア表面の銅箔１２上においてはめっきが成長しないため、ビア上部、つまり、有底ビア１８のめっき金属１９と銅箔１２との境目に段差が生じることがなく、有底ビア１８の上面、つまり、めっき金属１９の上面１９Ａと銅箔１２の上面１２Ａとが平滑な基板表面を得ることができる。
【００３４】
これにより、ビア上においても部品の実装が可能になる。
【００３５】
この手法を用いると、ビア表面の銅箔１２上にめっきを成長させることがなく、銅箔１２の厚さは、出発材である両面銅箔付きポリイミド基材１０の銅箔１２の厚さ設定により決まる。よって、銅箔１２が薄い両面銅箔付きポリイミド基材１０を用いることで、たとえば、銅箔１２の厚さが５μｍのものを用いることで、従来法におけるファインパターン形成の限界であったＬ／Ｓ＝５０／５０μｍよりもファインなＬ／Ｓ＝２０／２０μｍの導体回路パターンを形成することができた。
【００３６】
これにより、ビアフィルめっきによって有底ビア１８内を完全にめっき金属１９で充填し、且つ積層板表面における導体層の厚さ、すなわち銅箔１２を薄くすることができるので、フィルドビアによるプリント配線板においてファインな導体回路パターン形成が可能になる。
【００３７】
また、必要に応じ、感光性樹脂フィルム１４の剥離後に、さらに、めっき金属１９の上面１９Ａと銅箔１２の上面１２Ａに電解めっきを施すことにより、任意のめっき厚を得ることも可能である。
【００３８】
この発明によるプリント配線板の製造方法の実施形態２を、図２（ａ）〜（ｈ）を参照して説明する。
【００３９】
図２（ａ）に示されているように、絶縁層をなすポリイミドフィルム２１の一方の面に第１の導体層としての銅箔２２を、ポリイミドフィルム２１の他方の面に第２の導体層としての銅箔２３を設けてある両面銅箔付きポリイミド基材（積層板）２０を出発材とし、図２（ｂ）に示されているように、ビア形成予定部２６の銅箔２２をエッチングによって除去し、ビア形成予定部２６の銅箔２２を貫通する貫通孔２８Ａを形成する。この銅箔２２のエッチングも、ＦｅＣｌ３の水溶液により行うことができる。
【００４０】
なお、両面銅箔付きポリイミド基材２０は、ポリイミドフィルム２１の厚さが２０μｍ程度で、銅箔２２、２３の厚さが５μｍ程度のものであり、ポリイミドフィルム２１の両面に銅箔２２、２３を貼り合わせられている。
【００４１】
つぎに、図２（ｃ）に示されているように、ビア形成予定部２６のポリイミドフィルム２１をＵＶ−ＹＡＧレーザ照射によって除去し、ビア形成予定部２６のポリイミドフィルム２１を貫通する貫通孔２８Ｂを形成する。貫通孔２８Ｂの加工後にデスミア処理を行う。
【００４２】
なお、貫通孔２８Ａと貫通孔２８Ｂの穴あけも、レーザ強度が調節されたレーザ照射によるレーザ加工やドリル加工等によって一括加工することもできる。
【００４３】
銅箔２２の貫通孔２８Ａとポリイミドフィルム２１の貫通孔２８Ｂも、ビア形成予定部２６において同心整合する同一孔径の孔であり、ビア底面に銅箔２３の裏面２３Ａが露呈した有底ビア２８をなす。この有底ビア２８の孔径（内径）は１００μｍ程度である。
【００４４】
つぎに、図２（ｄ）に示されているように、有底ビア２８を明けられた両面銅箔付きポリイミド基材２０の銅箔２２上に、感光性樹脂フィルム２４をラミネートし、銅箔２２を感光性樹脂フィルム２４によって被覆する。感光性樹脂フィルム２４は、厚さが２０μｍ程度のアクリル・エポキシ系樹脂製のものであり、銅箔２２を被覆するめっきレジスト層をなす。
【００４５】
つぎに、図２（ｅ）に示されているように、マスク２５を用いてめっきレジスト層である感光性樹脂フィルム２４のパターニング露光を行う。感光性樹脂フィルム２４はネガ型レジストであり、パターニング露光は、ビア形成予定部２６をマスク２５によって遮光して紫外線を照射することにより行う。
【００４６】
つぎに、図２（ｆ）に示されているように、パターニング露光後の感光性樹脂フィルム２４の現像処理を行う。この現像処理は、Ｎａ２ＣＯ３水溶液によって感光性樹脂フィルム２４の非露光部を除去する処理である。
【００４７】
これにより、ビア形成予定部２６の感光性樹脂フィルム２４が除去され、ビア形成予定部２６の感光性樹脂フィルム２４に開口２７が形成され、ビア形成予定部２６以外の部分の銅箔２２は感光性樹脂フィルム２４によって引き続き被覆された状態になる。なお、感光性樹脂フィルム２４の開口２７はビア形成予定部２６において有底ビア２８と同心整合する同一孔径の孔である。
【００４８】
つぎに、銅箔２３をめっき給電用電極として電解めっきを行う。この電解めっきは、硫酸銅と硫酸と塩素イオンを含むめっき浴により行う。めっき浴は、実施形態１のものと同等のものである。
【００４９】
この電解めっき工程では、有底ビア２８のビア底面にめっき給電用電極をなす銅箔２３が露呈してるから、有底ビア２８内におけるめっき成長は進行するが、ビア形成予定部２６以外の部分の銅箔２２は、めっきレジスト層である感光性樹脂フィルム２４によって被覆されているので、銅箔２２の表面２２Ａにおいては、めっきは成長しない。
【００５０】
これにより、有底ビア２８部分以外の積層板表面のめっきを成長させることなく、有底ビア２８内を完全にめっき金属２９（図２（ｇ）参照）で充填することができる。
【００５１】
図２（ｇ）に示されているように、有底ビア２８内におけるめっき金属２９の上面２９Ａが銅箔２２の上面（表面）２２Ａに到達する高さまで成長した時点で、電解めっきを終了する。その後に、感光性樹脂フィルム２４を剥離する。感光性樹脂フィルム２４の剥離は、ＮａＯＨ水溶液等により行うことができる。
【００５２】
これにより、図２（ｈ）に示されているように、有底ビア２８内がめっき金属２９によって完全に埋められたフィルドビアが完成する。
【００５３】
この実施形態でも、有底ビア２８内の電解めっきがビア表面の銅箔２２にまで達しても、ビア表面の銅箔２２上においてはめっきが成長しないため、ビア上部、つまり、有底ビア２８のめっき金属２９と銅箔２２との境目に段差が生じることがなく、有底ビア２８の上面、つまり、めっき金属２９の上面２９Ａと銅箔２２の上面２２Ａとが平滑な基板表面を得ることができる。
【００５４】
この実施形態でも、ビア表面の銅箔２２上にめっきを成長させることがなく、銅箔２２の厚さは、出発材である両面銅箔付きポリイミド基材１０の銅箔２２の厚さ設定により決まり、銅箔２２が薄い両面銅箔付きポリイミド基材１０を用いることで、たとえば、銅箔２２の厚さが５μｍのものを用いることで、従来法におけるファインパターン形成の限界であったＬ／Ｓ＝５０／５０μｍよりもファインなＬ／Ｓ＝２０／２０μｍ程度の導体回路パターンを形成することができる。
【００５５】
これにより、ビアフィルめっきによって有底ビア２８内を完全にめっき金属２９で充填した上で、積層板表面における導体層の厚さ、すなわち銅箔２２を薄くすることができ、フィルドビアによるプリント配線板においてファインな導体回路パターン形成が可能になる。
【００５６】
また、この実施形態でも、必要に応じ、感光性樹脂フィルム２４の剥離後に、さらに、めっき金属２９の上面２９Ａと銅箔２２の上面２２Ａに電解めっきを施すことにより、任意のめっき厚を得ることも可能である。
【００５７】
この発明によるプリント配線板の製造方法の実施形態３を、図３（ａ）〜（ｉ）を参照して説明する。
【００５８】
図３（ａ）に示されているように、絶縁層をなすポリイミドフィルム３１の片面に下面側の導体層としての銅箔３２を設けてある片面銅箔付きポリイミド基材（積層板）３０を出発材とし、図３（ｂ）に示されているように、ビア形成予定部３３のポリイミドフィルム３１をＵＶ−ＹＡＧレーザ照射によって除去し、ビア形成予定部３３のポリイミドフィルム３１を貫通する有底ビア３４を形成する。有底ビア３４の孔径（内径）は１００μｍ程度であり、有底ビア３４のビア底面には銅箔３２の裏面３２Ａが露呈している。なお、有底ビア３４の加工後にデスミア処理を行う。
【００５９】
なお、片面銅箔付きポリイミド基材３０は、ポリイミドフィルム３１の厚さが２０μｍ程度で、銅箔３２の厚さが５μｍ程度のものであり、ポリイミドフィルム３１の片面に銅箔３２を貼り合わせられている。
【００６０】
つぎに、図３（ｃ）に示されているように、プリント配線板用片面導体層付き積層板３０のポリイミドフィルム３１の銅箔３２とは反対側の表面（上面）３１Ａにめっき給電用の導電シード層３５を形成する。この導電シード層３５の形成は、スパッタリングによって厚さ４０ｎｍ程度のＣｒ層をポリイミドフィルム３１の表面３１Ａに形成し、その上に、無電解めっきによって１５０ｎｍ程度のＣｕ層を形成する。したがって、導電シード層３５は、Ｃｒ層とＣｕ層との２層構造になる。導電シード層３５は、その他、ニッケル、ダングステン、チタン等によって構成することもできる。
【００６１】
なお、導電シード層３５は、形成法上、有底ビア３４のビア底面に露呈している銅箔３２の裏面３２Ａ、有底ビア３４の内周面にも、同様に形成される。
【００６２】
つぎに、図３（ｄ）に示されているように、有底ビア３４を明けられ、導電シード層３５を形成された片面銅箔付きポリイミド基材３０の導電シード層３５（ポリイミドフィルム３１の表面３１Ａ上に形成された導電シード層３５）上に、感光性樹脂フィルム３６をラミネートし、ポリイミドフィルム３１の表面３１Ａ上に形成されている導電シード層３５を感光性樹脂フィルム３６によって被覆する。感光性樹脂フィルム３６は、厚さが２０μｍ程度のアクリル・エポキシ系樹脂製のものであり、導電シード層３５を被覆するめっきレジスト層をなす。
【００６３】
つぎに、図３（ｅ）に示されているように、マスク３７を用いてめっきレジスト層である感光性樹脂フィルム３６のパターニング露光を行う。感光性樹脂フィルム３６はネガ型レジストであり、パターニング露光は、ビア形成予定部（有底ビア部分）３３をマスク３７によって遮光して紫外線を照射することにより行う。
【００６４】
つぎに、図３（ｆ）に示されているように、パターニング露光後の感光性樹脂フィルム３６の現像処理を行う。この現像処理は、Ｎａ２ＣＯ３水溶液によって感光性樹脂フィルム３６の非露光部を除去する処理である。
【００６５】
これにより、ビア形成予定部（有底ビア部分）３３の感光性樹脂フィルム３６が除去され、ビア形成予定部３３の感光性樹脂フィルム３６に開口３８が形成され、有底ビア３４部分以外の部分の導電シード層３５は感光性樹脂フィルム３６によって引き続き被覆された状態になる。なお、感光性樹脂フィルム３６の開口３８は有底ビア３４と同心整合する同一孔径の孔である。
【００６６】
つぎに、銅箔３２をめっき給電用電極として電解めっきを行う。この電解めっきは、硫酸銅と硫酸と塩素イオンを含むめっき浴により行う。めっき浴は、実施形態１のものと同等のものである。
【００６７】
この電解めっき工程では、有底ビア３４のビア底面に、この部分の導電シード層３５を介してめっき給電用電極をなす銅箔３２があるから、有底ビア３４内におけるめっき成長は進行するが、有底ビア３４以外の部分の導電シード層３５がめっきレジスト層である感光性樹脂フィルム３６によって被覆されているので、ポリイミドフィルム３１の表面３１Ａ上の導電シード層３５においては、めっきは成長しない。
【００６８】
これにより、有底ビア３４部分以外の積層板表面のめっきを成長させることなく、有底ビア３４内をめっき金属３９（図３（ｇ）参照）で充填することができる。
【００６９】
図３（ｇ）に示されているように、有底ビア３４内におけるめっき金属３９の上面３１Ａがポリイミドフィルム３１の表面３１Ａ上の導電シード層３５に到達する高さまで成長した時点で、電解めっきを終了する。その後、図３（ｈ）に示されているように、感光性樹脂フィルム３６を剥離する。感光性樹脂フィルム３６の剥離は、ＮａＯＨ水溶液等により行うことができる。これにより、有底ビア３４内がめっき金属３９によって完全に埋められたフィルドビアが完成する。
【００７０】
つぎに、図３（ｉ）に示されているように、再び電解めっきによってポリイミドフィルム３１の表面３１Ａ上の導電シード層３５と、ビアフィルめっき上、つまり、有底ビア３４のめっき金属３９上に、電解めっき層４０を一様に形成する。この電解めっきは、銅箔３２と導通関係にある導電シード層３５をめっき給電用電極として、ビアフィルめっきと同等のめっき浴を用いて行うことができる。
【００７１】
この実施形態では、他方の導体層をなす電解めっき層４０の厚さを、感光性樹脂フィルム３６の剥離後の電解めっきにより、ビアフィルめっきとは別に設定できるから、ビアフィルめっきの条件に拘わらず、電解めっき層４０の厚さを自由に設定でき、たとえば、電解めっき層４０の厚さを５μｍに設定することで、従来法におけるファインパターン形成の限界であったＬ／Ｓ＝５０／５０μｍよりもファインなＬ／Ｓ＝２０／２０μｍ程度の導体回路パターンを形成することができる。
【００７２】
これにより、ビアフィルめっきによって有底ビア３４内を完全にめっき金属３９で充填した上で、積層板表面における導体層の厚さ、すなわち電解めっき層４０を薄くすることができ、フィルドビアによるプリント配線板においてファインな導体回路パターン形成が可能になる。
【００７３】
なお、この発明を用いるプリント配線板の製造方法は、液晶ポリマなどを絶縁層に用いたフレキシプルプリント基板、エポキシ樹脂などのプリプレグを絶縁層として使用したリジットプリント基板に適用できる。
【００７４】
また、この発明により製造したプリント配線板を複数積層することにより、多層プリント配線板の製造方法に適用できる。
【００７５】
電解めっき液としては、各種金属（金、ニッケル、はんだなど）のめっき液が使用可能である。
【００７６】
めっきレジストは、エポキシ樹脂フィルムなども使用可能であり、また、予めめっきレジストがラミネ−トされている基材を出発材料として用いる場合は、レジストラミネート工程を省略できる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
ビア直上に電子部品等を実装することができる高密度多層プリント配線板として、各種の電子機器に組み込むプリント配線板として適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】（ａ）〜（ｈ）は、この発明によるプリント配線板の製造方法の実施形態１を示す工程図である。
【図２】（ａ）〜（ｈ）は、この発明によるプリント配線板の製造方法の実施形態２を示す工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｉ）は、この発明によるプリント配線板の製造方法の実施形態３を示す工程図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０  両面銅箔付きポリイミド基材
１１  ポリイミドフィルム
１２、１３  銅箔
１４  感光性樹脂フィルム
１５  マスク
１６  ビア形成予定部
１７  開口
１８  有底ビア
１９  めっき金属
２０  両面銅箔付きポリイミド基材
２１  ポリイミドフィルム
２２、２３  銅箔
２４  感光性樹脂フィルム
２５  マスク
２６  ビア形成予定部
２７  開口
２８  有底ビア
２９  めっき金属
３０  片面銅箔付きポリイミド基材
３１  ポリイミドフィルム
３２  銅箔
３３  ビア形成予定部
３４  有底ビア
３５  導電シード層
３６  感光性樹脂フィルム
３７  マスク
３８  開口
３９  めっき金属
４０  電解めっき層
【図１】
2006108554.tif 000003
【図２】
2006108554.tif 000004
【図３】
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