(57)【要約】【課題】発光素子が有する性質により、環境温度が変化したり、経時変化が生じたりすると、輝度にバラツキが生じてしまう。上記の実情を鑑み、本発明は、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による影響を抑制する表示装置の提供を課題とする。【解決手段】本発明は、定電流駆動するモニター素子を設け、モニター素子に発生する電圧を検出し、その電圧を発光素子に印加する。つまり、モニター素子は定電流駆動をさせ、そのモニター素子に発生する電圧を発光素子に印加し、発光素子は定電圧駆動させる。また、ある条件を満たしたら、モニター素子に発生する電圧をサンプリングし、サンプリングした電圧変化から数式化した電圧を生成する外挿電源回路から発光素子に電圧を供給する。【選択図】  図１
2006065319.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子に発生する電圧と概略同電圧を出力するアンプと、
前記モニター素子に発生する電圧変化をサンプリングし、サンプリングした電圧変化を数式化し、その数式に基づいて電圧を生成する外挿電源回路と、
発光素子と、
前記発光素子に電圧を供給する電圧源として、前記アンプ、または前記外挿電源回路の出力のいずれかを選択する手段と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
モニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子に発生する電圧変化をサンプリングし、サンプリングした電圧変化を数式化し、その数式に基づいて電圧を生成する外挿電源回路と、
発光素子と、
入力された電圧と概略同電圧を、前記発光素子に供給するアンプと、
前記アンプに入力する電圧として、前記モニター素子に発生する電圧、または前記外挿電源回路により生成された電圧のいずれかを選択する手段と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記モニター素子は複数が並列接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記モニター素子は前記発光素子の発光色毎に設けられ、前記モニター素子と前記発光素子は同一の材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記アンプはボルテージフォロワ回路であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記選択する手段は、設定された表示装置の点灯時間が経過すると選択が切り替わることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記表示装置を表示部に備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
モニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子の陽極の電位と概略同電位を出力するアンプと、
前記モニター素子の陽極の電位変化をサンプリングし、サンプリングした電位変化を数式化し、数式に基づいて電位を生成する外挿電源回路と、
発光素子と、
前記発光素子の駆動を制御するトランジスタと、
前記トランジスタのソース端子又はドレイン端子が、前記アンプ又は前記外挿電源回路のいずれかの出力端子に接続されるように切り替わるスイッチと、を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項９】
モニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子の陽極の電位変化をサンプリングし、サンプリングした電位変化を数式化し、数式に基づいて電位を生成する外装電源回路と、
入力された電圧と概略同電圧を出力するアンプと、
前記アンプの入力端子が、前記モニター素子の陽極、または前記外挿電源回路の出力端子のいずれかに接続されるように制御するスイッチと、
発光素子と、
前記発光素子の駆動を制御するトランジスタと、を有し、
前記アンプの出力端子は前記トランジスタのソースまたはドレイン端子と接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１０】
請求項８または９において、前記モニター素子は複数が並列接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一項において、前記モニター素子の陰極と前記発光素子の陰極が接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１２】
カラム信号線と、ロウ信号線とがマトリクスに配置され、複数の発光素子を備えた画素部と、
モニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子の陽極の電位と概略同電位を出力するアンプと、
前記モニター素子の陽極の電位変化をサンプリングし、サンプリングした電位変化を数式化し、数式に基づいて電位を生成する外挿電源回路と、
前記カラム信号線が、前記アンプの出力端子又は前記外挿電源回路の出力端子に接続されるように切り替わるスイッチと、を有することを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項１３】
カラム信号線と、ロウ信号線とがマトリクスに配置され、複数の発光素子を備えた画素部と、
モニター素子と、
前記モニター素子に電流を供給する電流源と、
前記モニター素子の陽極の電位変化をサンプリングし、サンプリングした電位変化を数式化し、数式に基づいて電位を生成する外装電源回路と、
アンプと、
前記アンプの入力端子が、前記モニター素子の陽極、または前記外挿電源回路の出力端子のいずれかに接続されるように制御するスイッチと、を有し、
前記アンプにより前記カラム信号線の電位が設定されることを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項１４】
請求項１２または１３において、前記モニター素子は複数が並列接続されていることを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項１５】
請求項１４において、前記モニター素子はロウ信号線と接続されていることを特徴とするパッシブマトリクス型表示装置。
【請求項１６】
モニター素子と、電流源と、外挿電源回路と、アンプと、発光素子とを有し、
前記電流源は前記モニター素子に電流を供給し、
前記外挿電源回路は前記モニター素子の電圧変化をサンプリングし、サンプリングした電圧変化を数式化し、数式に基づいて電圧を生成し、
前記アンプは、前記モニター素子に発生する電圧をインピーダンス変換し、
設定された条件を満たすまでは前記アンプにより出力される電圧を発光素子に印加し、設定された条件を満たしたら前記外挿電源回路により出力される電圧を発光素子に印加し、発光素子への電圧供給源を切り替えることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
モニター素子と、電流源と、外挿電源回路と、アンプと、発光素子とを有し、
前記電流源は前記モニター素子に電流を供給し、
前記外挿電源回路は前記モニター素子の電圧変化をサンプリングし、サンプリングした電圧変化を数式化し、数式に基づいて電圧を生成し、
前記アンプは、前記モニター素子に発生する電圧または前記外挿電源回路の生成した電圧をインピーダンス変換し、
設定された条件を満たすまでは前記アンプの入力端子を、前記モニター素子の陽極と接続し、設定された条件を満たしたら前記アンプの入力端子を前記外挿電源回路の出力端子に接続し、発光素子に供給する電圧源を切り替えることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は負荷に供給する電流をトランジスタで制御する機能を設けた半導体装置に係り、特に電流によって輝度が変化する電流駆動型発光素子で形成された画素や、その信号線駆動回路を含む半導体装置に関する。また、上記の半導体装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素を発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子で形成した、いわゆる自発光型の表示装置が注目を浴びている。このような自発光型の表示装置に用いられる発光素子としては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ素子、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子などとも言う）が注目を集めており、有機ＥＬディスプレイなどに用いられるようになってきている。
【０００３】
ＯＬＥＤなどの発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べて画素の視認性が高く、バックライトが不要で応答速度が速い等の利点がある。また発光素子の輝度は、そこを流れる電流値によって制御される。よって、階調を正確に表現するために、当該発光素子に一定の電流を流す定電流駆動を採用する表示装置がある（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３２３１５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発光素子中の発光層は、周囲の温度（以下環境温度と表記）により、その抵抗値（内部抵抗値）が変化する性質を有する。具体的には、室温を通常の温度としたとき、環境温度が通常の温度よりも高くなると抵抗値が低下し、環境温度が通常よりも低くなると抵抗値が上昇する。そのため、定電圧駆動によって一定の電圧を発光素子に印加しているにも関わらず、環境温度が高くなると電流値が増加して所望の輝度よりも高い輝度となり、環境温度が低くなると電流値が低下して所望の輝度よりも低い輝度となる。また、発光素子は、経時的にその電流値が減少する性質を有する。つまり、発光素子に電流を流し始めた初期の状態に比べ、電流を流し続けて時間がたった後の発光素子の抵抗値は高くなる。よって、一定の電圧を発光素子に印加しているにも関わらず、発光素子に流れる電流値は経時的に減少してくる。
【０００５】
上述したような発光素子が有する性質により、環境温度が変化したり、経時劣化が生じたりすると、輝度にバラツキが生じてしまう。上記の実情を鑑み、本発明は、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による影響を抑制する表示装置の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の表示装置はモニター素子と、モニター素子に電流を供給する電流源と、アンプと、発光素子と、を有し、モニター素子の電圧をアンプが検出し、概略同電圧を発光素子に印加している。
【０００７】
本発明の表示装置はモニター素子と、モニター素子に電流を供給する電流源と、アンプと、発光素子と、を有し、モニター素子及び発光素子の一方の電極の電位は定電位電源に接続され、発光素子の他方の電極はアンプによりモニター素子の他方の電極と等電位に設定されている。
【０００８】
また、本発明の表示装置は上記構成において、モニター素子に発生する電圧をサンプリングし、サンプリングした電圧の変化を数式化し、数式に基づいて電圧を生成する外挿電源回路を有し、設定された条件を満たしたら、外挿電源回路により生成した電圧を発光素子に印加するようにする。ここで数式化とは、
【０００９】
本発明の表示装置は、
モニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子に発生する電圧と同電圧又は概略同電圧を出力するアンプと、
モニター素子に発生する電圧をサンプリングし、サンプリングした電圧の変化を数式化し、その数式に基づいて電圧を生成する外挿電源回路と、
発光素子と、
発光素子に電圧を供給する電圧源として、アンプ、または外挿電源回路の出力のいずれかを選択する手段と、を有する。
【００１０】
また、本発明の表示装置は、
モニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子に発生する電圧をサンプリングし、サンプリングした電圧の変化を数式化し、その数式に基づいて電圧を生成する外挿電源回路と、
発光素子と、
入力された電圧と同電圧又は概略同電圧を、発光素子に供給するアンプと、
アンプに入力する電圧として、モニター素子に発生する電圧、または外挿電源回路により生成された電圧のいずれかを選択する手段と、を有する。
【００１１】
また、本発明の表示装置は、
上記構成において、モニター素子は複数が並列接続されている。
【００１２】
また、本発明の表示装置は、
上記構成において、モニター素子は発光素子の発光色毎に設けられ、モニター素子の発光層と発光素子の発光層は同一の材料で形成されている。
【００１３】
また、本発明の表示装置は、
上記構成において、アンプはボルテージフォロワ回路である。
【００１４】
また、本発明の表示装置は、
上記構成において、選択する手段は、設定されたモニター素子の点灯時間が経過すると選択が切り替わる。
【００１５】
また、本発明の電子機器は、
上記構成において、表示装置を表示部に備えている。
【００１６】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、
モニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子の陽極の電位と同電位又は概略同電位を出力するアンプと、
モニター素子の陽極の電位をサンプリングし、サンプリングした電位の変化を数式化し、数式に基づいて電位を生成する外挿電源回路と、
発光素子と、
発光素子の駆動を制御するトランジスタと、
トランジスタのソース端子又はドレイン端子が、アンプ又は外挿電源回路のいずれかの出力端子に接続されるように切り替わるスイッチと、を有する。
【００１７】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、
モニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子の陽極の電位をサンプリングし、サンプリングした電位の変化を数式化し、数式に基づいて電位を生成する外装電源回路と、
入力された電圧と同電圧又は概略同電圧を出力するアンプと、
アンプの入力端子が、モニター素子の陽極、または外挿電源回路の出力端子のいずれかに接続されるように制御するスイッチと、
発光素子と、
発光素子の駆動を制御するトランジスタと、を有し、
アンプの出力端子はトランジスタのソースまたはドレイン端子と接続されている。
【００１８】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、
上記構成において、モニター素子は複数が並列接続されている。
【００１９】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、
上記構成において、モニター素子の陰極と発光素子の陰極が接続されている。
【００２０】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、
カラム信号線と、ロウ信号線とがマトリクス状に配置され、複数の発光素子を備えた画素部と、
モニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子の陽極の電位と同電位又は概略同電位を出力するアンプと、
モニター素子の陽極の電位をサンプリングし、サンプリングした電位の変化を数式化し、数式に基づいて電位を生成する外挿電源回路と、
カラム信号線が、アンプの出力端子又は外挿電源回路の出力端子に接続されるように切り替わるスイッチと、を有する。
【００２１】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、
カラム信号線と、ロウ信号線とがマトリクスに配置され、複数の発光素子を備えた画素部と、
モニター素子と、
モニター素子に電流を供給する電流源と、
モニター素子の陽極の電位をサンプリングし、サンプリングした電位の変化を数式化し、数式に基づいて電位を生成する外装電源回路と、
アンプと、
アンプの入力端子が、モニター素子の陽極、または外挿電源回路の出力端子のいずれかに接続されるように制御するスイッチと、を有し、
アンプによりカラム信号線の電位が入力される。
【００２２】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、
上記構成において、複数のモニター素子が並列接続されている。
【００２３】
また、本発明のパッシブマトリクス型表示装置は、
上記構成において、モニター素子はロウ信号線と接続されている。
【００２４】
また、本発明の表示装置の駆動方法は、
モニター素子と、電流源と、外挿電源回路と、アンプと、発光素子とを有し、
電流源はモニター素子に電流を供給し、
外挿電源回路はモニター素子の電圧をサンプリングし、サンプリングした電圧の変化を数式化し、数式に基づいて電圧を生成し、
アンプは、モニター素子に発生する電圧をインピーダンス変換し、
設定された条件を満たすまではアンプにより出力される電圧を発光素子に印加し、設定された条件を満たしたら外挿電源回路により出力される電圧を発光素子に印加し、発光素子への電圧供給源を切り替える。
【００２５】
また、本発明の表示装置の駆動方法は、
モニター素子と、電流源と、外挿電源回路と、アンプと、発光素子とを有し、
電流源はモニター素子に電流を供給し、
外挿電源回路はモニター素子の電圧をサンプリングし、サンプリングした電圧の変化を数式化し、数式に基づいて電圧を生成し、
アンプは、モニター素子に発生する電圧または外挿電源回路の生成した電圧をインピーダンス変換し、
設定された条件を満たすまではアンプの入力端子を、モニター素子の陽極と接続し、設定された条件を満たしたらアンプの入力端子を外挿電源回路の出力端子に接続し、発光素子に供給する電圧源を切り替える。
【発明の効果】
【００２６】
環境温度の変化に起因した発光素子の輝度の変動を低減し、かつ見かけ上の発光素子の劣化を抑制した表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２８】
（実施の形態１）
本発明の表示装置の有する温度及び劣化補償回路（以下単に補償回路という）の基本原理について図１を用いて説明する。
【００２９】
基本電流源１０１はモニター素子１０２に定電流を供給する。つまり、モニター素子１０２は定電流駆動させる。よってモニター素子１０２に流れる電流値は常に一定である。この状態で環境温度が変化すると、モニター素子１０２自体の抵抗値が変化する。そして、モニター素子１０２の抵抗値が変化すると、当該モニター素子１０２に流れる電流値は一定であることから、モニター素子１０２の両電極間の電位差が変化する。このモニター素子１０２の両電極間の電位差を検出することで環境温度の変化を検出する。より詳しくは、モニター素子１０２の一定の電位に保たれている側の電極の電位、つまり図１では陰極の電位は変わらないので、電流源１０１に接続されている側の電位、つまり図１では陽極１０３側の電位の変化を検出する。
【００３０】
ここで、モニター素子１０２の電圧・電流特性の温度依存性について図１１を用いて説明する。室温（例えば２５℃）、低温（例えば−２０℃）、高温（例えば７０℃）でのモニター素子１０２の電圧・電流特性をそれぞれ線１１０１、線１１０２、線１１０３に示す。基本電流源１０１からモニター素子１０２へ流れる電流値がＩ0であるとき、室温ではモニター素子にはＶ0の電圧が発生していることになる。そして、低温時ではＶ1の電圧となり、高温時ではＶ2の電圧となる。つまり、電流値Ｉ0の電流が室温のモニター素子１０２に流れると電圧降下はＶ0となり、低温のモニター素子１０２では電圧降下はＶ1となり、高温のモニター素子１０２では電圧降下はＶ2となる。よって、低温になったときには発光素子１１５に電圧Ｖ1を、高温になったときには発光素子１１５に電圧Ｖ2を加えるようにすると温度補償をすることができる。
【００３１】
また、図１２はモニター素子１０２の電圧・電流特性の経時変化を説明する図である。モニター素子１０２の初期特性を線１２０１、劣化後の特性を線１２０２で示している。なお、初期特性と劣化後の特性は同じ温度条件（室温）で測定したものとする。初期特性の状態でモニター素子１０２に電流Ｉ0が流れるとモニター素子１０２に発生する電圧はＶ0、劣化後のモニター素子１０２に発生する電圧はＶ3となる。よって、このＶ3の電圧を、同様に劣化した発光素子１１５に印加するようにすれば、見かけ上の発光素子１１５の劣化を低減することができる。
【００３２】
本発明はこれらの環境温度及び経時変化の情報を元に生成した電圧を発光素子１１５に印加するようにする。つまり、環境温度の変化及び経時変化に起因した発光素子１１５の抵抗値の変化に合わせて電圧値を設定する。こうして、環境温度の変化及び経時変化に起因した発光素子１１５の輝度のバラツキを抑制する。また、ある条件を設定し、条件を満たしたら電圧供給源を切り替える。こうして、安定した電圧供給源を提供することができる。
【００３３】
さらに、具体的に説明する。まず、スイッチ１０６の端子ａと端子ｃを接続する。このとき、モニター素子１０２の陽極１０３の電位がアンプ１０４に入力され、インピーダンス変換が行われる。そして、アンプ１０４から陽極１０３の電位と同じ電位が出力され、駆動トランジスタ１１４のソース端子に入力される。よって、駆動トランジスタ１１４がオンすると、モニター素子１０２に発生している電圧が発光素子１１５に印加される。よって、表示装置は定電圧駆動を行うことにより、見かけ上は定電流駆動を行うことができる。つまり、温度変化及び経時変化に起因した電流値の変動を抑制することができる。なお、図１ではモニター素子１０２と発光素子１１５の陰極は接地電位ＧＮＤに接続されているが、モニター素子１０２と発光素子１１５の陰極の電位は同じであればこれに限られない。
【００３４】
また、このときモニター素子１０２に発生する電圧を含むアナログ情報はＡ／Ｄ変換回路１０７でデジタル情報に変換され、電圧・数式化回路１０８に入力される。また、温度特性検出モニター回路１１１は温度センシングを行い、検出した温度情報を電圧・数式化回路１０８に入力する。また、カウンタ回路１１３によりカウントされたモニター素子１０２の点灯期間の情報が電圧・数式化回路１０８に入力される。これらの情報から電圧・数式化回路１０８は温度条件毎に電圧・数式化を行う。そして、数式化したデータはメモリ回路１１２に保存される。
【００３５】
そして、メモリ回路１１２に保存された、モニター素子１０２に発生する電圧変化を数式化したデータと、温度特性検出モニター回路１１１によってセンシングした温度条件と、カウンタ回路１１３により入力される経時条件から、電圧・数式化回路１０８により発光素子１１５に印加する電圧を計算する。そして計算により得られた電圧のデジタルデータをＤ／Ａ変換回路１０９に入力する。そしてＤ／Ａ変換回路１０９によりアナログ電圧に変換する。さらに、アナログ電圧のデータをアンプ１１０でインピーダンス変換する。こうして、スイッチ１０６の端子ｂにも、温度変化及び経時変化に起因した、電流値の変化を補正した電位が入力される。
【００３６】
次に、ある設定条件を満たしたときにスイッチ１０６の接続を切り替えるようにする。つまり、スイッチ１０６の端子ａと端子ｃの接続を切断し、端子ｂと端子ｃを接続する。こうして、発光素子１１５にかかる電圧は、モニター素子１０２の電位を検出し、アンプ１０４でインピーダンス変換をして入力された電圧から、外挿電源回路１０５により生成された電圧に切り替えられる。
【００３７】
図２（ａ）は発光素子１１５に発生する電圧の変化を示す図である。線２０１ａは室温での電圧の変化を示しており、線２０１ｂは低温での電圧の変化を示し、線２０１ｃは高温での電圧の変化の様子を示している。そして、ｌｏｇｔ0から実線が点線に変わっているのは、ｌｏｇｔ0までの実線はモニター素子１０２の陽極１０３の電位の実測値を表し、ｌｏｇｔ0からはサンプリングした陽極１０３の電位から、経時的に変化するモニター素子１０２の電圧を予測し、数式化したものである。つまり、ｌｏｇｔ0までは外挿電源回路１０５はモニター素子１０２の陽極１０３の電位をサンプリングし、補間法等により数式化、即ちモニター素子１０２の累積点灯時間とモニター素子１０２に印加される電圧の関係を表す数式の導出を行う。ｌｏｇｔ0後からは、数式から得られる電圧を外挿電源回路１０５が生成している。また、図２（ａ）の場合にはｌｏｇｔ0まで、実測のデータを測定し、その後の電圧の変化を予測し、数式化している。また、温度条件毎に実測値データを測定し、数式化を行っている。つまり、温度特性検出モニター回路１１１の温度センシングにより温度条件毎にモニター素子１０２の陽極１０３の電位変化を数式化している。
【００３８】
また、図２（ｂ）に示すように、ある電圧ＶＤＤ２に達するまでモニター素子１０２の陽極１０３の電位の実測値データを測定し、電圧の変化を数式化してもよい。なお、線２０２ａは常温での電圧の変化を示しており、線２０２ｂは低温での電圧の変化を示し、線２０２ｃは高温での電圧の変化の様子を示している。
【００３９】
本発明のように電圧の供給手段を切り替えることで、モニター素子１０２が経時的に使用していて破壊されたとしても、発光素子に電圧を供給することができる。また、各温度条件毎の経時変化に合わせた電圧を供給することができるため、温度及び劣化の補償を行うことができる。
【００４０】
また、アンプ１０４とアンプ１１０は共通とすることが可能であり、図３に示すようにアンプ３０１の入力端子側にスイッチ１０６を配置することで実現することができる。また、アンプ１０４やアンプ１１０にはアンプ３０１のように、オペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出力インピーダンスであるため、出力端子からは入力端子と同電位又は概略同電位を出力し、基本電流源１０１の電流がボルテージフォロワ回路に流れ込むことなく出力端子からは電流を供給することができるからである。つまりインピーダンス変換を行うことができる。よって、このような機能を有する回路であればボルテージフォロワ回路に限られないことはいうまでもない。また、入力端子に入力される電位と同電位又は概略同電位を出力端子から出力するアンプであれば、アンプ１０４やアンプ１１０やアンプ３０１によりインピーダンス変換を行わなくても構わない。よって、アンプ１０４やアンプ１１０やアンプ３０１には電圧帰還型アンプや、電流帰還型アンプを適宜用いることができる。
【００４１】
また、補償機能を有する表示装置の具体的な構成の一例を図４を用いて説明する。表示装置はソース信号線駆動回路４０１、ゲート信号線駆動回路４０２及び画素部４０３を備え、画素部４０３は複数の画素４１３で構成されている。また、モニター素子群４０４、基本電流源４０５、外挿電源回路４０６、アンプ４０７及びスイッチ４０８を有する。基本電流源４０５からモニター素子群４０４に電流が供給される。すると、モニター素子群４０４に含まれる各モニター素子では電圧降下が生じる。つまり、モニター素子群４０４が有する各モニター素子には抵抗値が存在するため、電圧降下が生じる。そして、モニター素子群４０４の陰極はＧＮＤに接続されているため、陽極４０９の電位を検出することで、モニター素子群４０４に発生する電圧の情報を得ることができる。なお、図４に示すようにモニター素子を複数設けることで、モニター素子の抵抗値のバラツキに起因する電圧降下のバラツキを平均化することができる。また、ある一定の条件（電圧変化や時間変化など）によってスイッチ４０８の接続が切り替わり、外挿電源回路４０６によって、モニター素子群４０４に発生する電圧変化を数式化したデータに基づき電源線Ｖ１〜Ｖｍへ供給する電位が決定される。この詳しい動作については図１及び図３を用いて説明したので省略する。
【００４２】
ソース信号線駆動回路４０１はパルス出力回路４１０、第１のラッチ回路４１１、第２のラッチ回路４１２を有する。パルス出力回路４１０にＳＣＫ信号、ＳＣＫＢ信号、ＳＳＰ信号が入力され、パルス出力回路４１０の出力信号はソース信号線Ｓ１〜Ｓｍに対応する各段のラッチ回路４１１に順次入力される。そして、第１のラッチ回路４１１にはＤＡＴＡ信号がシリアルに入力される。このシリアルなＤＡＴＡ信号を、パルス出力回路４１０から順次入力される信号にしたがって各段の第１のラッチ回路４１１がパラレルにラッチしていく。そして、パラレルにラッチされたＤＡＴＡ信号をＳＬＡＴ信号の入力タイミングで第２のラッチ回路４１２に転送する。そして、パラレルに保持されたＤＡＴＡ信号を、選択されているゲート信号線に接続された画素に書き込む。
【００４３】
次に図１及び図３で示した３端子のスイッチ１０６や図４で示したスイッチ４０８として用いることができるスイッチの構成と動作原理について説明する。
【００４４】
ある一定の期間が経過したら電源を切り替える場合のスイッチの例を図５に示す。スイッチ５０１はアナログスイッチ５０２、アナログスイッチ５０３、インバータ５０４で構成されている。スイッチ５０１を制御する制御信号は判別回路５０６により生成される。クロック信号をカウンタ回路５０５がカウントし、その情報が判別回路５０６に信号として入力される。そして判別基準値メモリ５０７に記録された信号とカウンタ回路５０５からの信号を判別回路５０６で比較し、判別基準値メモリ５０７の信号値がカウンタ回路５０５からの信号値よりも大きいときには判別回路５０６からはＬレベルの信号が出力されアナログスイッチ５０２はオフし、アナログスイッチ５０３がオンする。つまり、あらかじめ記憶された判別基準値メモリ５０７の値をカウンタ回路５０５からの信号値が超えるまで（つまりある一定の時間が経過するまでは）はスイッチ５０１は端子ａと端子ｃが接続されている。そして、カウンタ回路５０５からの信号値が判別基準値メモリ５０７に記憶された値より大きくなると判別回路５０６からはＨレベルの信号が出力され、アナログスイッチ５０２がオンし、アナログスイッチ５０３はオフする。つまり、ある一定の時間が経過したらスイッチ５０１の端子ｂと端子ｃが接続されるようになる。こうして、ある設定された時間が経過したら、発光素子への電圧の供給源を外挿電源回路１０５や４０６に切り替えることができる。
【００４５】
また、入力電位がある電圧値を超えたら電源を切り替える動作を行う場合についての３端子のスイッチの動作について図６及び図７を用いて説明する。スイッチ５０１の構成については図５の構成と同様であるので説明は省略する。この場合は制御信号を生成する手段としてオペアンプ６０１を用いることができる。モニター素子の陽極の電位を入力電位としてオペアンプ６０１の非反転入力端子に入力する。そして、反転入力端子には基準電位を入力する。ここでは基準電位として、図２で示したＶＤＤ２の電位を入力している。よって、入力電位がＶＤＤ２より低い場合には、オペアンプ６０１からはＬレベルの信号が出力され、アナログスイッチ５０２はオフし、アナログスイッチ５０３はオンする。つまりスイッチ５０１の端子ａと端子ｃが接続される。入力電位がＶＤＤ２より高くなると、オペアンプ６０１からはＨレベルの信号が出力され、アナログスイッチ５０２はオンし、アナログスイッチ５０３はオフする。つまりスイッチ５０１の端子ｂと端子ｃが接続される。こうして、入力電位がある設定された電位（図６ではＶＤＤ２）を超えたら、発光素子への電圧供給源を外挿電源回路１０５や４０６に切り替えることができる。
【００４６】
また、図７に示すように図６のオペアンプの代わりにチョッパーインバータコンパレータを用いて制御信号を生成することもできる。まず、スイッチ７０４をオンにし、インバータ７０５の入力端子と出力端子を短絡する。すると、インバータ７０５は、オフセットキャンセルされ、入力端子と出力端子が同電位となる。この状態で、続いてスイッチ７０１をオンにする。すると、容量素子７０３には、インバータ７０５がオフセットキャンセルされたときの電位と、基準電位ＶＤＤ２との電位差分の電荷が蓄積される。そして、スイッチ７０１をオフさせると、容量素子７０３は先ほどの電位差を保持する。そして、スイッチ７０４をオフにしてその後スイッチ７０２をオンにする。すると入力電位が設定電位のＶＤＤ２より低い場合には、先ほどの電位差を容量素子７０３が保持しているため、インバータ７０５の入力端子の電位はオフセットキャンセルされたときの電位より低くなる。つまりインバータ７０５の入力端子にはＬレベルの信号が入力されることになり、出力端子からはＨレベルの信号が出力され、さらにインバータ７０６で反転され制御信号としてはＬレベルの信号がスイッチ５０１に入力される。このときにはアナログスイッチ５０２はオフし、アナログスイッチ５０３はオンする。よってスイッチ５０１の端子ａと端子ｃが接続される。一方、入力電位に基準電位ＶＤＤ２よりも大きな電位が入力されると、容量素子７０３は先ほどの電位差を保持しているため、インバータ７０５の入力端子はオフセットキャンセルされたときの電位よりも高くなり、インバータ７０５にはＨレベルの信号が入力される。するとインバータ７０６により信号が反転され、制御信号としてＨレベルの信号がスイッチ５０１に入力される。するとアナログスイッチ５０２がオンし、アナログスイッチ５０３はオフする。こうしてスイッチ５０１の端子ｂと端子ｃが接続される。こうして、モニター素子の電位が、ある設定された電位（図７ではＶＤＤ２）より高くなると発光素子への電圧供給源を外挿電源回路１０５や４０６に切り替えることができる。
【００４７】
また、本発明のように温度及び劣化補償の機能を備えた駆動方法のことをコンスタントブライトネスともいう。
【００４８】
また、モニター素子の数は適宜選択することができる。もちろん、一個でも構わないし、図４のように複数配置しても構わない。モニター素子を一つだけ用いるときには基本電流源１０１に流す電流値は各画素の発光素子に流したい電流値を設定すればよいため消費電力の低減を図ることができる。
【００４９】
また、図４の構成に限られず、モニター素子をソース信号線駆動回路側に配置しても構わないし、画素部を挟んでゲート信号線駆動回路とは反対側に配置しても構わないし、画素部を挟んでソース信号線駆動回路とは反対側に配置しても構わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択することができる。
【００５０】
また、モニター素子と発光素子は同一基板上に同一の材料で同時に形成することが好ましい。そうすることで、モニター素子と発光素子の電流電圧特性のばらつきを低減することができるからである。
【００５１】
なお、図４の構成のように電源線Ｖ１〜Ｖｍに入力する電位が共通とする構成は、単色の表示装置や、白色発光が得られる発光素子とカラーフィルターとを組み合わせることによりフルカラー表示可能な表示装置に適用するとよい。
【００５２】
また、ＲＧＢの画素毎に電源線の電位を設定することもできる。その一例を図８に示す。
図８の表示装置はソース信号線駆動回路８０１、ゲート信号線駆動回路８０２、画素部８０３を備え、画素部８０３は複数の画素８０９より構成されている。
【００５３】
ここで、Ｒ（赤）の発光をする画素に接続されているソース信号線はソース信号線Ｓｒ１〜Ｓｒｍで示している。Ｇ（緑）の発光をする画素に接続されているソース信号線はソース信号線Ｓｇ１〜Ｓｇｍで示している。Ｂ（青）の発光をする画素に接続されているソース信号線はソース信号線Ｓｂ１〜Ｓｂｍで示している。
【００５４】
ここで、電流源８０５ｒはモニター素子８０４ｒ１〜８０４ｒｎに電流を供給し、ボルテージフォロワ回路８０７ｒがモニター素子８０４ｒ１〜８０４ｒｎの陽極の電位を検出し、この電位を電源線Ｖｒ１〜Ｖｒｍに入力する。電流源８０５ｇがモニター素子８０４ｇ１〜８０４ｇｎに電流を供給し、ボルテージフォロワ回路８０７ｇがモニター素子８０４ｇ１〜８０４ｇｎの陽極の電位を検出し、この電位を電源線Ｖｇ１〜Ｖｇｍに入力する。電流源８０５ｂはモニター素子８０４ｂ１〜８０４ｂｎに電流を供給し、ボルテージフォロワ回路８０７ｂがモニター素子８０４ｂ１〜８０４ｂｎの陽極の電位を検出し、この電位を電源線Ｖｂ１〜Ｖｂｍに入力する。
【００５５】
こうして、ＲＧＢ毎に電位を設定することができるため、例えば、ＲＧＢ毎のＥＬ材料によって温度特性や劣化特性が異なるときに、所望の電位をそれぞれの発光素子に入力することができる。つまりＲＧＢ毎に電源線の電位を設定し、温度及び経時劣化に起因して変動する発光素子に流れる電流値の補正をすることができる。また、ある条件を設定し、その条件を満たすとき外挿電源回路８０６ｒからＶｒ１〜Ｖｒｍに電位を入力し、外挿電源回路８０６ｇからＶｇ１〜Ｖｇｍに電位を入力し、外挿電源回路８０６ｂからＶｂ１〜Ｖｂｍに電位を入力するようにスイッチ８０８ｒ、スイッチ８０８ｇ、スイッチ８０８ｂが切り替わる。こうして、継続的に表示装置を使用することで、モニター素子８０４ｒ１〜８０４ｒｎ、モニター素子８０４ｇ１〜８０４ｇｎ、モニター素子８０４ｂ１〜８０４ｂｎが破壊されても、外挿電源回路８０６ｒ、８０６ｇ、８０６ｂから電源線Ｖｒ１〜Ｖｒｍ、電源線Ｖｇ１〜Ｖｇｍ、電源線Ｖｂ１〜Ｖｂｍに電位が入力されるため表示装置が正常に動作することができる。また、外挿電源回路８０６ｒ、８０６ｇ、８０６ｂにより電位を入力することで温度及び経時劣化に起因して変動する発光素子の電流値の補正をすることもできる。
【００５６】
次に、本実施の形態の表示装置に用いることのできる画素構成について説明する。なお、画素構成としては図４や図８に示した構成に限られず、画素トランジスタに電圧駆動型を適用した他の画素構成を用いることができる。つまり、発光素子の駆動トランジスタとして、線形領域で動作するトランジスタを用いている画素構成を有する表示装置に本発明を適用することができる。
【００５７】
まず、図１４（Ａ）に図４及び図８で示した表示装置の画素構成の動作について説明する。スイッチング用トランジスタ１４０１と、容量素子１４０２と、駆動トランジスタ１４０３と、発光素子１４０４と、ゲート信号線１４０５と、ソース信号線１４０６と、電源線１４０７とを有する。スイッチング用トランジスタ１４０１のゲート端子はゲート信号線１４０５に接続されている。スイッチング用トランジスタ１４０１のソース端子はソース信号線１４０６に接続され、ドレイン端子は駆動トランジスタ１４０３のゲート端子に接続されている。また、容量素子１４０２は一方の端子が駆動トランジスタ１４０３のゲート端子に接続され、他方の端子が電源線１４０７に接続されている。駆動トランジスタ１４０３のソース端子も電源線１４０７に接続され、ドレイン端子が発光素子１４０４の陽極に接続されている。そして、ゲート信号線１４０５により入力される信号によってスイッチング用トランジスタ１４０１がオン状態になると、ソース信号線１４０６よりデジタルの映像信号が駆動トランジスタ１４０３のゲート端子に入力される。入力されたデジタルの映像信号の電圧は容量素子１４０２において保持される。この入力されたデジタルの映像信号によって、駆動トランジスタ１４０３のオンオフが選択され、電源線１４０７により入力される電位を発光素子１４０４の陽極に入力するかどうかを制御する。本発明により電源線１４０７の電位を設定することで、温度及び経時劣化に起因して変動する発光素子１４０４の電流値の補正をすることができる。また、安定した電圧供給源を提供することができる。
【００５８】
また、図１４（Ｂ）に示したような画素構成を有する表示装置に本発明を適用することもできる。図１４（Ｂ）の構成は図１４（Ａ）の構成に消去用トランジスタ１４０８と、消去用信号線１４０９を追加したものに相当する。よって図１４（Ａ）と共通のところは共通の符号を用いている。この構成においては、消去用信号線１４０９に消去信号が入力され、消去用トランジスタ１４０８がオンすると容量素子１４０２に保持された電荷が放電され、駆動トランジスタ１４０３がオフ状態となり、発光素子１４０４を非発光とすることができる。この構成においても、本発明により電源線１４０７の電位を設定することで、温度及び経時劣化に起因して変動する発光素子１４０４の電流値の補正をすることができる。また、安定した電圧供給源を提供することができる。
【００５９】
また、これらの構成に限られず、適宜画素内のトランジスタの極性を変更したり、接続を変更したり、新たなトランジスタを追加した画素構成においても本発明を適用することができる。
【００６０】
（実施の形態２）
実施の形態１ではアクティブマトリクス型表示装置（アクティブ型表示装置ともいう）を用いて説明したが、本発明はパッシブマトリクス型表示装置（パッシブ型表示装置ともいう）にも適用することが可能である。そこで、本実施の形態では、本発明の補償回路をパッシブマトリクス型表示装置に適用した場合について説明する。
【００６１】
図９を用いてカラム信号線駆動回路及び補償回路の構成と動作について説明する。図９に示すカラム信号線駆動回路９１３は、温度及び劣化補償回路（以下単に補償回路という。）から入力された電位をカラム信号線Ｓ１、Ｓ２・・・へ出力する期間を制御して時間階調表示を行うことができる。
【００６２】
まず、スイッチ９０６の端子ａと端子ｃを接続する。そして電流源９０１はモニター素子９０２に定電流を供給する。つまりモニター素子９０２は定電流駆動を行う。そして、モニター素子９０２の陽極９０３側の電位をアンプ９０４により検出し、カラム信号線Ｓ１、Ｓ２・・・へ出力する。なお、アンプ９０４としては例えばボルテージフォロワ回路を用いることができる。
【００６３】
また、パルス出力回路９１４からパルスが出力され、そのパルスにしたがって第１のラッチ回路９１５に順々にＤＡＴＡ信号が保持される。そして第１のラッチ回路９１５で保持されたデータはＳＬＡＴ信号の入力タイミングにより第２のラッチ回路９１６に転送される。そして、第２のラッチ回路９１６に保持されたデータがスイッチ９１７ａ１、９１７ａ２・・・のオンの期間を制御し、カラム信号線Ｓ１〜Ｓｎへ電位を供給する期間を設定する、つまり発光素子へ電位を供給する期間を設定する。こうして時間階調表示を行うことができる。
【００６４】
なお、実際には例えば３ビットの階調を行う場合には第１のラッチ回路９１５及び第２のラッチ回路９１６は各カラム信号線に対応した段毎に３つのラッチ回路を有する。そして第２のラッチ回路９１６から出力された３ビットのデータを８階調で階調を行う場合のパルス幅を有する信号に変換し、そのパルス幅の期間スイッチ９１７ａ１、９１７ａ２・・・をオンさせるようにする。こうして８階調の表示を行うことができる。
【００６５】
また、ある設定された条件によってスイッチ９０６の接続が切り替わり、外挿電源回路９０５によって生成された電圧がアンプ９０４によりインピーダンス変換され、カラム信号線に電位が入力される。
【００６６】
なお、モニター素子９０２に発生する電圧を含むアナログ情報はＡ／Ｄ変換回路９０７でデジタル情報に変換され、電圧・数式化回路９０８に入力される。また、温度特性検出モニター回路９１０は温度センシングを行い、検出した温度情報を電圧・数式化回路９０８に入力する。また、カウンタ回路９１２によりカウントされたモニター素子９０２の点灯時間の情報が電圧・数式化回路９０８に入力される。これらの情報から電圧・数式化回路９０８は温度条件毎に電圧・数式化を行う。そして、数式化したデータはメモリ回路９１１に保存される。そして、メモリ回路９１１に保存された、モニター素子９０２に発生する電圧変化を数式化したデータと、温度特性検出モニター回路９１０によってセンシングした温度条件と、カウンタ回路９１２により入力される経時条件から、電圧・数式化回路９０８によりカラム信号線Ｓ１、Ｓ２・・・に設定する電圧を計算する。そして計算により得られた電圧のデジタルデータをＤ／Ａ変換回路９０９によりアナログ電圧に変換する。こうして、外挿電源回路９０５によって、温度変化及び経時変化に起因して発光素子に流れる電流値が変化するのを低減させることができる。
【００６７】
次に、図９のカラム信号線駆動回路を表示装置に適用した一例を図１０に示す。表示装置はカラム信号線駆動回路１００１、ロウ信号線駆動回路１００２、画素部１００３を有する。ロウ信号線駆動回路１００２により、ロウ信号線Ｖ１〜Ｖｍから一つのロウ信号線が選択される。つまり、カラム信号線に入力された電位との電位差により発光素子１００９に電流が流れるように一つのロウ信号線の電位が設定される。そして、選択されたロウ信号線とカラム信号線に入力された電位との電位差がロウ信号線とカラム信号線に挟まれた発光素子１００９に印加される。そして、電流が流れると発光素子１００９が発光する。このとき、カラム信号線Ｓ１〜Ｓｎに入力される電位の大きさは各カラム信号線で同じように設定されるが、電位が入力される期間が異なる。こうして時間階調表示を行うことができる。
【００６８】
本発明は、電流源１００４から、モニター素子１００７に定電流を流す。つまり定電流駆動を行う。そして、ある設定された条件（時間や電圧など）を満たすまではスイッチ１００８は端子ａと端子ｃを接続する。そして、このモニター素子１００７の陽極１０１０の電位を検出し、ボルテージフォロワ回路１００６によりカラム信号線に供給する電位を設定する。こうして、温度及び劣化補償の機能を備えた表示装置を提供することができる。
【００６９】
そして、設定された条件を満たしたときには、スイッチ１００８の接続が切り替わり、端子ｂと端子ｃが接続される。すると、外挿電源回路１００５により生成された電位がボルテージフォロワ回路１００６によりカラム信号線Ｓ１〜Ｓｎに入力される。
【００７０】
こうして、電圧供給手段を切り替えることで、モニター素子１００７が継続的な使用によって破壊されても表示素子を正常に動作させることができる。また、モニター素子１００７に発生する電圧の経時的な電圧変化を温度条件毎に数式化し、その式にしたがって外挿電源回路１００５により電位が生成されるため、温度による変化及び劣化の補償をすることができる。
【００７１】
なお、モニター素子の数は適宜選択することができる。もちろん、図１０のように一個でも構わないし、複数配置しても構わない。モニター素子を一つだけ用いるときには基本電流源１００４に流す電流値は各画素の発光素子１００９に流したい電流値を設定すればよいため消費電力の低減を図ることができる。
【００７２】
また  複数のモニター素子を並列に接続してもいいし、モニター素子をロウ信号線の数と同数設け、モニター素子の陰極をロウ信号線に接続する構成としてもよい。そしてモニター素子はロウ信号線駆動回路側又はカラム信号線駆動回路側に配置しても構わないし、画素部を挟んでロウ信号線駆動回路とは反対側に配置しても構わないし、画素部を挟んでカラム信号線とは反対側に配置しても構わない。温度補償の機能を効果的に発揮するため適宜モニター素子の配置を選択することができる。
【００７３】
また、モニター素子と発光素子は同一基板上に同一の材料で同時に形成することが好ましい。そうすることで、モニター素子と発光素子の電流電圧特性のばらつきを低減することができるからである。
【００７４】
なお、図１０の構成のように各カラム信号線に入力する電位を共通とする場合には、単色の表示装置や、白色発光が得られる発光素子とカラーフィルターとを組み合わせることによりフルカラー表示可能なに表示装置に適用するとよい。
【００７５】
また、ＲＧＢの色毎に画素に接続する電源線の電位を設定することもできる。その一例を図１３に示す。
【００７６】
図１３に示す表示装置は、カラム信号線駆動回路１３０１、ロウ信号線駆動回路１３０２、画素部１３０３を有し、さらに画素部１３０３は、Ｒ（赤）の画素１３０９ｒ、Ｇ（緑）の画素１３０９ｇ、Ｂ（青）の画素１３０９ｂを有している。
【００７７】
ここで、Ｒ（赤）の発光をする画素に接続されている信号線は信号線Ｓｒ１〜Ｓｒｎで示している。Ｇ（緑）の発光をする画素に接続されている信号線は信号線Ｓｇ１〜Ｓｇｎで示している。Ｂ（青）の発光をする画素に接続されている信号線は信号線Ｓｂ１〜Ｓｂｎで示している。
【００７８】
図１３のカラム信号線の動作について簡単に説明する。パルス出力回路１３１０からパルスが出力され、そのパルスにしたがって第１のラッチ回路１３１１に順々にＤＡＴＡ信号が入力される。そして第１のラッチ回路１３１１で保持されたデータはＳＬＡＴの信号の入力タイミングにより第２のラッチ回路１３１２に転送される。そして、第２のラッチ回路１３１２に保持されたデータがスイッチ１３１３のオンの期間を制御し、ボルテージフォロワ回路１３０７ｒ、１３０７ｇ、１３０７ｂの出力をそれぞれカラム信号線Ｓｒ１〜Ｓｒｎ、信号線Ｓｇ１〜Ｓｇｎ、信号線Ｓｂ１〜Ｓｂｎへ供給する期間（つまり１水平期間中の発光素子の発光期間）を設定する。こうして時間階調表示を行うことができる。
【００７９】
本発明は、電流源１３０４ｒからモニター素子群１３０８ｒ、電流源１３０４ｇからモニター素子群１３０８ｇ、電流源１３０４ｂからモニター素子群１３０８ｂに定電流を流す。つまりモニター素子群１３０８ｒ、１３０８ｇ、１３０８ｂは定電流駆動を行う。そして、ある設定された条件（時間や電圧など）を満たすまではスイッチ１３０６ｒ、スイッチ１３０６ｇ、スイッチ１３０６ｂはそれぞれ端子ａと端子ｃを接続する。そして、モニター素子群１３０８ｒ、モニター素子群１３０８ｇ、モニター素子群１３０８ｂの陽極の電位をそれぞれ検出し、ボルテージフォロワ回路１３０７ｒ、ボルテージフォロワ回路１３０７ｇ、ボルテージフォロワ回路１３０７ｂによりカラム信号線に供給する電位を設定する。こうして、温度及び劣化補償の機能を備えた表示装置を提供することができる。
【００８０】
また、ＲＧＢ毎に電位を設定することができるため、例えば、ＲＧＢ毎のＥＬ材料によって温度特性や劣化特性が異なるときに、所望の電位を発光素子に入力することができる。つまりＲＧＢ毎にカラム信号線の電位を設定し、補正することができる。
【００８１】
そして、設定された条件を満たしたときには、スイッチ１３０６ｒ、１３０６ｇ、１３０６ｂの接続が切り替わり、端子ｂと端子ｃが接続される。すると、外挿電源回路１３０５ｒ、１３０５ｇ、１３０５ｂにより生成された電位がボルテージフォロワ回路１３０７ｒ、１３０７ｇ、１３０７ｂによりカラム信号線Ｓｒ１〜Ｓｒｎ、Ｓｇ１〜Ｓｇｎ、Ｓｂ１〜Ｓｂｎにそれぞれ入力される。
【００８２】
こうして電圧供給手段を切り替えることで、モニター素子群１３０８ｒ、１３０８ｇ、１３０８ｂが継続的な使用により破壊されても表示装置を正常に動作させることができる。また、モニター素子群１３０８ｒ、１３０８ｇ、１３０８ｂに発生する電圧の経時的な電圧変化を温度条件毎に数式化し、その式にしたがって外挿電源回路１３０５ｒ、外挿電源回路１３０５ｇ、外挿電源回路１３０５ｂにより電圧が生成されるため、温度及び劣化の補償をすることができる。
【００８３】
また、図１３の構成はモニター素子群１３０８ｒ、１３０８ｇ、１３０８ｂが各ロウ信号線ごとに１つのモニター素子を有し、これらのモニター素子の陰極はロウ信号線に接続されており、ＲＧＢ毎に一つづつしかモニター素子が発光しないが、モニター素子群１３０８ｒ、１３０８ｇ、１３０８ｂの有する各モニター素子をＲＧＢ毎に並列に接続することで、ＲＧＢ毎のモニター素子に発生する電圧を平均化することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では実施の形態１及び２で示した表示装置のパネル構造について説明する。
【００８４】
まず、実施の形態１で示した表示装置のパネル構造の一例について図１５を用いて説明する。なお、図１５（Ａ）は、表示装置を示す上面図、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）をＡ−Ａ’−Ａ”で切断した断面図である。点線で示したように表示装置は駆動回路部（ソース信号線駆動回路）１５０１、画素部１５０２、モニター素子部１５０３、駆動回路部（ゲート信号線駆動回路）１５０４を有する。また、封止基板１５０５とシール材１５０６で囲まれた内側は、空間１５０７になっている。
【００８５】
なお、配線１５０９はソース信号線駆動回路１５０１又はゲート信号線駆動回路１５０４に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１５１０からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。また、ＦＰＣ１５１０上にはＩＣチップ（半導体集積回路）１５１１がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）で接続されている。なお、ＩＣチップ１５１１をＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて接続してもよい。
【００８６】
次に、断面構造について図１５（Ｂ）を用いて説明する。基板１５０８上にはソース信号線駆動回路部１５０１、画素部１５０２、モニター素子部１５０３及びゲート信号線駆動回路１５０４が形成されている。
【００８７】
なお、ソース信号線駆動回路１５０１はｎチャネル型ＴＦＴ１５１２とｐチャネル型ＴＦＴ１５１３とを組み合わせたＣＭＯＳ回路により形成される。またＴＦＴ１５２５はゲート信号線駆動回路１５０４を構成するＴＦＴを示している。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【００８８】
また、画素部１５０２はスイッチング用ＴＦＴ１５１４と、電流制御用ＴＦＴ１５１５とそのドレインに電気的に接続された第１の電極１５１６とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極１５１６の端部を覆って絶縁物１５１７が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【００８９】
また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物１５１７の上端部または下端部に曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物１５１７の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物１５１７の上端部のみに０．２μｍ〜３μｍの曲率半径を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１５１７として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【００９０】
第１の電極１５１６上には、電界発光層１５１８、および第２の電極１５１９がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極１５１６に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【００９１】
また、電界発光層１５１８は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって形成される。電界発光層１５１８には、元素周期律第４族金属錯体をその一部に用いても良く、その他、組み合わせて用いることのできる材料としては、低分子系材料であっても高分子系材料であっても良い。また、電界発光層に用いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本発明においては、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。さらに、公知の三重項発光材料を用いることも可能である。
【００９２】
さらに、電界発光層１５１８上に形成される第２の電極１５１９に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、又はこれらの化合物ＣａＦ2、またはＣａＮ）を用いればよい。なお、ここでは、上面出射型であるので、第２の電極１５１９として１ｎｍ〜１０ｎｍのアルミニウム膜、Ｌｉを微量に含むアルミニウム膜、若しくは、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
【００９３】
また、画素部１５０２において電流制御用ＴＦＴ１５１５のドレインに電気的に接続された第１の電極１５１６と同一の材料で形成された配線１５２１と、その配線１５２１に接続された陽極１５２２と、第２の電極１５１９に電界発光層１５１８が挟まれた構造のモニター素子１５２３が形成されている。なお、このモニター素子１５２３からの発光は遮光するように、モニター素子部１５０３の上面には遮光膜１５２４が形成されている。
【００９４】
さらにシール材１５０６で封止基板１５０５を素子基板１５０８と貼り合わせることにより、素子基板１５０８、封止基板１５０５、およびシール材１５０６で囲まれた空間１５０７に電界発光素子１５２０及びモニター素子１５２３が備えられた構造になっている。なお、空間１５０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１５０６で充填される構成も含むものとする。
【００９５】
なお、シール材１５０６にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１５０５に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【００９６】
以上のようにして、アクティブマトリクス型表示装置を得ることができる。
【００９７】
なお、図１５では上面出射型構造の表示装置のパネルについて示したが、もちろん下面出射型構造でも、両面出射型構造でも構わない。
【００９８】
両面出射型構造の発光素子について図１７（Ａ）を用いて説明する。
【００９９】
基板１７００上に電流制御用ＴＦＴ１７０１が形成され、電流制御用ＴＦＴ１７０１のドレイン電極に接して第１の電極１７０２が形成され、その上に有機化合物を含む層１７０３と第２の電極１７０４が形成されている。
【０１００】
また、第１の電極１７０２は発光素子の陽極である。そして第２の電極１７０４は発光素子の陰極である。つまり、第１の電極１７０２と第２の電極１７０４とで有機化合物を含む層１７０３が挟まれているところが発光素子となる。
【０１０１】
また、ここで、陽極として機能する第１の電極１７０２に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
【０１０２】
また、陰極として機能する第２の電極１７０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、インジウム亜鉛酸化物（In2O3-ZnO）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陰極を形成することができる。
【０１０３】
こうして、図１７（Ａ）の矢印に示すように発光素子からの光を両面に取り出すことが可能になる。つまり、図１５の表示装置のパネルに適用した場合には、基板１５０８側と封止基板１５０５側に光が出射することになる。従って両面出射型構造の発光素子を表示装置に用いる場合には基板１５０８および封止基板１５０５は、ともに光透過性を有する基板を用いる。
【０１０４】
また、光学フィルムを設ける場合には、基板１５０８および封止基板１５０５の両方に光学フィルムを設ければよい。
【０１０５】
また下面出射型構造の発光素子について図１７（Ｂ）を用いて説明する。
【０１０６】
基板１７１０上に電流制御用ＴＦＴ１７１１が形成され、電流制御用ＴＦＴ１７１１のドレイン電極に接して第１の電極１７１２が形成され、その上に有機化合物を含む層１７１３と第２の電極１７１４が形成されている。
【０１０７】
また、第１の電極１７１２は発光素子の陽極である。そして第２の電極１７１４は発光素子の陰極である。つまり、第１の電極１７１２と第２の電極１７１４とで有機化合物を含む層１７１３が挟まれているところが発光素子となる。
【０１０８】
また、ここで、陽極として機能する第１の電極１７１２に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。
【０１０９】
また、陰極として機能する第２の電極１７０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、化合物ＣａＦ2、またはＣａＮ）を用いることができる。こうして、光を反射する金属膜を用いることで光が透過しない陰極を形成することができる。
【０１１０】
こうして、図１７（Ｂ）の矢印に示すように発光素子からの光を下面に取り出すことが可能になる。つまり、図１５の表示装置のパネルに適用した場合には、基板１５０８側に光が出射することになる。従って下面出射型構造の発光素子を表示装置に用いる場合には基板１５０８は光透過性を有する基板を用いる。
【０１１１】
また、光学フィルムを設ける場合には、基板１５０８に光学フィルムを設ければよい。
【０１１２】
また、白色の発光素子とカラーフィルターを用いてフルカラー表示を実現する表示装置にも本発明を適用することが可能である。
【０１１３】
図１８に示すように、基板１８００上に下地膜１８０２を介して電流制御用ＴＦＴ１８０１が形成され、電流制御用ＴＦＴ１８０１のドレイン電極に接して第１の電極１８０３が形成され、その上に有機化合物を含む層１８０４と第２の電極１８０５が形成されている。なお、下地膜１８０２は有していなくとも良い。
【０１１４】
また、第１の電極１８０３は発光素子の陽極である。そして第２の電極１８０５は発光素子の陰極である。つまり、第１の電極１８０３と第２の電極１８０５とで有機化合物を含む層１８０４が挟まれているところが発光素子となる。図１８の構成では白色光を発光する。そして、発光素子の上部に赤色のカラーフィルター１８０６Ｒ、緑色のカラーフィルター１８０６Ｇ、青色のカラーフィルター１８０６Ｂを設けられており、フルカラー表示を行うことができる。また、これらのカラーフィルターを隔離するブラックマトリクス（ＢＭともいう）１８０７が設けられている。
【０１１５】
また、図１８の構成は、実施の形態１で説明した表示装置において、ソース信号線の電位を共通の電位とする場合に適用することができる。画素部の発光素子は白色の発光素子のみであるため、モニター素子も同様の材料で形成することで、素子特性をそろえることができるため補償機能の精度をより高めることができる。
【０１１６】
次に、実施の形態２で示した表示装置のパネル構造の一例について図１６を用いて説明する。なお、図１６（Ａ）は、表示装置を示す上面図、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）をＢ−Ｂ’−Ｂ”で切断した断面図である。点線で示したように表示装置はＩＣチップ１６０１、画素部１６０２に形成された駆動回路部（カラム信号線駆動回路）、モニター素子部１６０３、ＩＣチップ１６０４に形成された駆動回路部（ロウ信号線駆動回路）を有する。また、基板１６０８、封止基板１６０５とシール材１６０６で囲まれた内側は、空間１６０７になっている。
【０１１７】
なお、配線１６０９はカラム信号線駆動回路又はロウ信号線駆動回路に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１６１０からビデオ信号、クロック信号、スタート信号等を受け取る。また、ＦＰＣ上にはＩＣチップ（半導体集積回路）１６１１がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）で接続されている。なお、ＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて接続してもよい。
（チ）
【０１１８】
次に、断面構造について図１６（Ｂ）を用いて説明する。基板１６０８上には画素部１６０２及びモニター素子部１６０３が形成されている。そして、カラム信号線駆動回路部及びロウ信号線駆動回路部はそれぞれＩＣチップ１６０１、ＩＣチップ１６０４上に形成されＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）で基板１６０８に接続されている。
【０１１９】
基板１６０８上には下地絶縁膜１６１２が設けられ、その上には積層からなるカラム信号線が形成されている。下層１６１３は反射性を有する金属膜であり、上層１６１４は透明な酸化物導電膜である。上層１６１４は仕事関数の高い導電膜を用いることが好ましく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の他、例えば、Ｓｉを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）や酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料、もしくはこれらを組み合わせた化合物を含む膜を用いることができる。中でもＩＴＳＯは、ベークを行ってもＩＴＯのように結晶化せず、アモルファス状態のままである。従って、ＩＴＳＯは、ＩＴＯよりも平坦性が高く、有機化合物を含む層が薄くとも陰極とのショートが生じにくく、発光素子の陽極として適している。
【０１２０】
また、下層１６１３は、Ａｇ、Ａｌ、またはＡｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜を用いる。中でもＡｌ（Ｃ＋Ｎｉ）膜（炭素及びニッケル（１〜２０ｗｔ％）を含むアルミニウム合金膜）は、通電、或いは熱処理後もＩＴＯやＩＴＳＯとのコンタクト抵抗値に大きな変動がない材料であり、好ましい。
【０１２１】
隣り合うカラム信号線同士を絶縁化するための隔壁１６１８は黒色樹脂であり、異なる着色層（封止基板側に設けられる）との境界、或いは隙間と重なるブラックマトリクス（ＢＭ）の役目を果たしている。黒い隔壁で囲まれた領域が発光領域と対応して同一面積になっている。
【０１２２】
有機化合物を含む層１６１５はカラム信号線（陽極）側から順に、ＨＩＬ（ホール注入層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＩＬ（電子注入層）の順に積層されている。なお、有機化合物を含む層は、積層構造以外に単層構造、又は混合構造をとることができる。
【０１２３】
ロウ信号線（陰極）１６１６は、カラム信号線（陽極）と交差するように形成されている。ロウ信号線（陰極）１６１６は、ＩＴＯや、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）や、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯなどの透明導電膜を用いる。本実施の形態の構成では、発光が封止基板１６０５を通過する上面出射型の表示装置の例であるのでロウ信号線１６１６は透明であることが重要である。なお、隣り合うロウ信号線同士を絶縁化するための隔壁１６１９はフォトリソグラフィー法に従い、未露光部分がパターンとして残存するポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節すことによって形成する。
【０１２４】
こうして、発光素子１６１７が形成される。
【０１２５】
また、水分や脱ガスによるダメージから発光素子１６１７を保護するため、ロウ信号線１６１６を覆う透明な保護膜を設けてもよい。透明な保護膜としては、ＰＣＶＤ法による緻密な無機絶縁膜（ＳｉＮ、ＳｉＮＯ膜など）、スパッタ法による緻密な無機絶縁膜（ＳｉＮ、ＳｉＮＯ膜など）、炭素を主成分とする薄膜（ＤＬＣ膜、ＣＮ膜、アモルファスカーボン膜）、金属酸化物膜（ＷＯ2、ＣａＦ2、Ａｌ2Ｏ3など）などを用いることが好ましい。透明とは、可視光の透過率が８０〜１００％であることを指す。
【０１２６】
また、モニター素子１６２６が形成されているモニター素子部１６０３上には、遮光膜１６２０を設け、モニター素子部１６０３からの発光が外部に漏れないようにしている。
【０１２７】
また、発光素子を含む画素部１６０２は、シール材１６０６及び封止基板１６０５で封止され、囲まれた空間１６０７を密閉なものとしている。
【０１２８】
シール材１６０６としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることが可能である。また、シール材はフィラー（棒状またはファイバー状のスペーサ）や球状のスペーサを添加したものであっても良い。
【０１２９】
また、封止基板１６０５としてガラス基板またはプラスチック基板を用いる。プラスチック基板としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を板状もしくはフィルム状にして用いることができる。
【０１３０】
一方、基板１６０８の端部には端子電極が形成され、この部分で外部回路と接続するＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１６１０を貼り合わせる。端子電極は、反射性を有する金属膜である下層１６１３と、透明な酸化物導電膜である上層１６１４との積層で構成しているが、特に限定されない。
【０１３１】
また、画素部の周辺には、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたＩＣチップ１６０１、ＩＣチップ１６０４及び外挿電源回路が形成されたＩＣチップ１６１１が異方導電性材料１６２１を介して表示パネルに電気的に接続している。また、カラー表示に対応した画素部を形成するためには、ＸＧＡクラスでカラム信号線の本数が３０７２本でありロウ信号線が７６８本必要となる。このような数で形成されたカラム信号線及びロウ信号線は画素部の端部で数ブロック毎に区分して引出線を形成し、ＩＣの出力端子のピッチに合わせて集める。
【０１３２】
以上に示す表示装置は、上面出射型の表示装置であり、黒い隔壁１６１８及び１６１９によってコントラストが向上されている。
【０１３３】
図１６では上面出射型構造の表示装置のパネルについて示したが、もちろん両面出射型構造でも、下面出射型構造でも構わない。
【０１３４】
両面出射型構造の発光素子について図１９（Ａ）を用いて説明する。
【０１３５】
両面出射型構造の発光素子は、透明な酸化物導電膜からなるカラム信号線（陽極）１９０２と、有機化合物を含む層１９０４と、透明な酸化物導電膜からなるロウ信号線１９０５とで構成している。また、隔壁１９０３は遮光性を有する材料で構成されている。
【０１３６】
発光素子からの発光は図１９（Ａ）中の矢印に示す方向、即ち、第１の基板１９０１を通過する方向と、第２の基板１９０６を通過する方向との両方で取り出される。従って、第１の基板１９０１および第２の基板１９０６は、ともに光透過性を有する基板を用いる。
【０１３７】
また、光学フィルムを設ける場合には、第１の基板１９０１および第２の基板１９０６の両方に光学フィルムを設ければよい。
【０１３８】
また、下面出射型構造の発光素子について図１９（Ｂ）を用いて説明する。
【０１３９】
下面出射型構造の発光素子は、透明な酸化物導電膜からなるカラム信号線（陽極）１９１２と、有機化合物を含む層１９１４と、反射性を有する導電膜からなるロウ信号線１９１５とで構成している。また、隔壁１９１３は遮光性を有する材料で構成されている。
【０１４０】
発光素子からの発光は図１９（Ｂ）中の矢印に示す方向、即ち、第１の基板１９１１を通過する方向に取り出される。従って、第２の基板１９１７は特に光透過性を有する必要はなく、金属板でもよい。また、発光素子の信頼性を向上させるために膜厚の厚い保護膜１９１６を形成しても光の取り出し効率が低下しないので好ましい。
【０１４１】
また、光学フィルムを設ける場合には、第１の基板１９１１に光学フィルムを設ければよい。
【０１４２】
また、隔壁が逆テーパ形状ではなく、順テーパ形状の例を図２０を用いて説明する。なお、図２０は、白色の発光素子とカラーフィルターを用いてフルカラー表示を実現する。
【０１４３】
第１の基板２００１上にストライプ状の第１の電極２００２を形成する。本構成では、第１の電極２００２上に開口部を有する隔壁２００３が設けられ、その上に第１のスペーサ２００６、及び第１のスペーサ２００６上の幅の大きい第２のスペーサ２００７で構成される隔壁を形成する。
【０１４４】
第１のスペーサ２００６はポリイミドなどの有機樹脂膜を用い、第２のスペーサ２００７は、レジストなどの感光性樹脂膜を用いる。まず、ポリイミドなどの有機樹脂膜を成膜して、その部分にレジストなどの感光性樹脂膜を成膜する。そして、分離したい電極の間にレジストなどの感光性樹脂膜のパターンを残す。そして、露出した有機樹脂膜をエッチングする。このエッチングする際に感光性樹脂のパターンの下方にアンダーカットを発生させるようにエッチング条件を調節する。これらの工程により素子分離体構造、即ち隔壁が形成できる。
【０１４５】
図２０では、開口部を有する隔壁２００３、第１のスペーサ２００６、または第２のスペーサ２００７を遮光性を有する材料で構成し、コントラストを向上させる。
【０１４６】
隔壁を形成した後、有機化合物を含む層および透明導電膜を形成すれば、分離された有機化合物を含む層２００４および第２の電極２００５を形成することができる。
【０１４７】
また、図２０では、有機化合物を含む層２００４は積層とし、Ａｌｑ3にクマリン６をドープした緑色発光層と、ＴＰＤにルブレンをドープした黄色発光層とを積層したものを用いて２層発光を用いた白色発光素子とする。本構成においては、発光色ごとに塗り分ける工程を省略できるため、パッシブマトリクス型発光装置の作製時間を短縮することができる。
【０１４８】
また、フルカラー表示とするため、白色発光素子の画素に対向する位置に着色層２００８Ｒ、着色層２００８Ｇ、着色層２００８Ｂのみからなるカラーフィルタを第２の基板２００９に設けている。また、これらのカラーフィルターを隔離するブラックマトリクス（ＢＭともいう）２０１０が設けられている。
【０１４９】
また、図２０の構成は、実施の形態２で説明した表示装置において、各カラム信号線の電位を共通の電位とする場合に適用することができる。画素部の発光素子は白色の発光素子のみであるため、モニター素子も同様の材料で形成することで、素子特性をそろえることができるため補償機能の精度をより高めることができる。
【０１５０】
（実施の形態３）
本発明は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。
【０１５１】
図２１（Ａ）はディスプレイであり、筐体１３００１、支持台１３００２、表示部１３００３、スピーカー部１３００４、ビデオ入力端子１３００５等を含む。本発明を表示部１３００３に用いたディスプレイは、環境温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。なお、ディスプレイは、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
【０１５２】
図２１（Ｂ）はカメラであり、本体１３１０１、表示部１３１０２、受像部１３１０３、操作キー１３１０４、外部接続ポート１３１０５、シャッター１３１０６等を含む。本発明を表示部１３１０２に用いたカメラは環境温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０１５３】
図２１（Ｃ）はコンピュータであり、本体１３２０１、筐体１３２０２、表示部１３２０３、キーボード１３２０４、外部接続ポート１３２０５、ポインティングマウス１３２０６等を含む。本発明を表示部１３２０３に用いたコンピュータは環境温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０１５４】
図２１（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体１３３０１、表示部１３３０２、スイッチ１３３０３、操作キー１３３０４、赤外線ポート１３３０５等を含む。本発明を表示部１３３０２に用いたモバイルコンピュータは環境温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０１５５】
図２１（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体１３４０１、筐体１３４０２、表示部Ａ１３４０３、表示部Ｂ１３４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部１３４０５、操作キー１３４０６、スピーカー部１３４０７等を含む。表示部Ａ１３４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ１３４０４は主として文字情報を表示することができる。本発明を表示部Ａ１３４０３や表示部Ｂ１３４０４に用いた画像再生装置は環境温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０１５６】
図２１（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体１３５０１、表示部１３５０２、アーム部１３５０３を含む。本発明を表示部１３５０２に用いたゴーグル型ディスプレイは環境温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０１５７】
図２１（Ｇ）はビデオカメラであり、本体１３６０１、表示部１３６０２、筐体１３６０３、外部接続ポート１３６０４、リモコン受信部１３６０５、受像部１３６０６、バッテリー１３６０７、音声入力部１３６０８、操作キー１３６０９、接眼部１３６１０等を含む。本発明を表示部１３６０２に用いたビデオカメラは環境温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０１５８】
図２１（Ｈ）は携帯電話機であり、本体１３７０１、筐体１３７０２、表示部１３７０３、音声入力部１３７０４、音声出力部１３７０５、操作キー１３７０６、外部接続ポート１３７０７、アンテナ１３７０８等を含む。本発明を表示部１３７０３に用いた携帯電話は環境温度変化に起因する輝度変化を抑制し、見かけ上の輝度劣化を低減することができる。
【０１５９】
このように本発明は、あらゆる電子機器に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】アクティブマトリクス型表示装置に適用可能な補償回路を説明する図。
【図２】発光素子に印加される電圧の経時変化を示す図。
【図３】アクティブマトリクス型表示装置に適用可能な補償回路を説明する図。
【図４】補償回路を有するアクティブマトリクス型表示装置の模式図。
【図５】電源供給源を切り替えるスイッチを説明する図。
【図６】電源供給源を切り替えるスイッチを説明する図。
【図７】電源供給源を切り替えるスイッチを説明する図。
【図８】補償回路を有するアクティブマトリクス型表示装置の模式図。
【図９】パッシブマトリクス型表示装置に適用可能な補償回路を説明する図。
【図１０】補償回路を有するパッシブマトリクス型表示装置の模式図。
【図１１】発光素子のＩＶ特性の温度依存性を示す図。
【図１２】発光素子の経時劣化によるＩＶ特性の変化を示す図。
【図１３】補償回路を有するパッシブマトリクス型表示装置の模式図。
【図１４】本発明のアクティブマトリクス型表示装置に適用可能な画素構成の例。
【図１５】アクティブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。
【図１６】パッシブマトリクス型表示装置のパネル構成を説明する図。
【図１７】アクティブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の例。
【図１８】アクティブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の例。
【図１９】パッシブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の例。
【図２０】パッシブマトリクス型表示装置に適用可能な発光素子の例。
【図２１】表示部に本発明の表示装置を適用可能な電子機器の例。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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