(57)【要約】【課題】従来の技術においては、Ａｕ−Ｓｎ等のＡｕ系板材とコバール複合材の基材とはオーバーレイタイプのクラッド材であり、このクラッド材は、それを構成するＡｕ−Ｓｎ合金板材の膨張率α１とコバール複合材の膨張率α２は、α１＞α２のため、間接加熱によるクラッド加工時の膨張およびクラッド加工後の収縮により、図２に示す如く、クラッド材の幅方向における反りが大きく、これを材料にしてプレスで型抜きして封止材を形成した場合に反りが大きく、密封性の悪い封止材となるという問題がある。【解決手段】Ａｕ−Ｓｎ合金板材とＡｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕからなる複合板材とのクラッド材の製造方法において、Ａｕ−Ｓｎ合金板材の幅Ｗ１に対し、Ａｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕからなる複合板材の幅Ｗ２が、Ｗ１＜Ｗ２で、しかも、（Ｗ２−Ｗ１）≧Ｗ２×０．１を満たし、幅方向にＡｕ−Ｓｎ合金板材がＡｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕの中央に位置させてクラッド加工を施すことを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｕ−Ｓｎ合金板材とＡｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕからなる複合板材の基材とのクラッド材の製造方法において、
Ａｕ−Ｓｎ合金板材の幅Ｗ１に対し、Ａｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕからなる複合板材の基材の幅Ｗ２が、Ｗ１＜Ｗ２で、しかも、Ｗ２−Ｗ１≧Ｗ２×０．１を満たし、幅方向にＡｕ−Ｓｎ合金板材をＡｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕの基材の中央に位置させてクラッド加工を施すことを特徴とするＡｕ−Ｓｎ合金クラッド材の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、基材がＡｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉであることを特徴とするＡｕ−Ｓｎ合金クラッド材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品保護パッケージのシール用封止材等に用いるクラッド材の製造方法に係るもので、Ａｕ−Ｓｎ合金板材とＡｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕからなる複合板材とを間接加熱により加熱しながら、Ａｕ層を介してクラッド加工するクラッド材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５および図６のような電子部品保護パッケージ１０１のシール用の封止材１０２に用いるクラッド材の製造方法としては、例えば、図７に示す如く、Ａｕ−Ｓｎ等のＡｕ系板材１０３をＫｏｖａｒ等の基材１０４とを重ねて下型１０５と上型１０６との間に挟んで押圧固定し、その状態で電気炉で加熱して上記両材を融着してクラッド材としている（例えば、特許文献１参照、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−３１３１３公報
【特許文献２】特許第３４６２３９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述した従来の技術においては、Ａｕ−Ｓｎ等のＡｕ系板材とＫｏｖａｒ複合材の基材とはオーバーレイタイプのクラッド材であり、このクラッド材は、それを構成するＡｕ−Ｓｎ合金板材の膨張率α１とコバール複合材の膨張率α２は、α１＞α２のため、間接加熱によるクラッド加工時の膨張およびクラッド加工後の収縮により、図２に示す如く、クラッド材の幅方向における反りが大きく、これを材料にしてプレスで型抜きして封止材を形成した場合に反りが大きく、密封性の悪い封止材となるという問題がある。そのために、下型と上型で押圧固定した状態のままで電気炉内に入れて加熱融着させて変形を少なくしなければならず、異常に大きな状態で電気炉内に納めなければならないために大きな炉が必要となるものであった。
【０００４】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、クラッド加工時の反りを少なくするようにしたクラッド手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで本発明は、Ａｕ−Ｓｎ合金板材と、Ａｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕからなる複合板材を基材とするクラッド材の製造方法において、Ａｕ−Ｓｎ合金板材の幅Ｗ１に対し、Ａｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕからなる複合板材による基材の幅Ｗ２が、Ｗ１＜Ｗ２で、しかも、（Ｗ２−Ｗ１）≧Ｗ２×０．１を満たし、幅方向にＡｕ−Ｓｎ合金板材がＡｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕの中央に位置させてクラッド加工を施すことを特徴とする。
【０００６】
なお、基材は、Ａｕ−Ｓｎ合金板材とのクラッド面にはＡｕ層が必要であるが、クラッド面ではない方の面にはＡｕ層がなくてもよく、Ａｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉからなる複合板材でもよい。
さらに、Ａｕ−Ｓｎ合金板材を挟む両側部は、Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉからなる複合板材でもよい。
【発明の効果】
【０００７】
これにより、本発明は、クラッド加工時の膨張および加工後の収縮に対する変形の影響が少なく反りの少ないＡｕ−Ｓｎ合金クラッド材を得ることができる。これによって、このクラッド材から型抜きして得られた半導体パッケージ用の封止材として用いた場合、反りに起因する不良を生じさせない材料となる。
これは、クラッド材の板幅方向において、両側に中央部のＡｕ−Ｓｎ合金板材より低い膨張率のＡｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／ＡｕやＮｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉを配置することによって、Ａｕ−Ｓｎ合金板材がオーバーレイでクラッドされた板材より反りが軽減されることを発明者等は見出し、実際においてその効果を得た。
【０００８】
また、製造過程において、長尺材として供された場合、両側部は、封止材を型抜きするプレス加工時のガイドとして利用することができ、製品品質を向上させることができる効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
８０％Ａｕ−Ｓｎからなる板材として板幅５０ｍｍ、板厚０．０５ｍｍの板材１をつくる。
Ａｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕからなる板幅６０ｍｍ、板厚０．２ｍｍの基材２をつくる。
【００１０】
上記Ａｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕ基材２の中心を通るように８０％Ａｕ−Ｓｎ板材１を図２の如く重ねて間接加熱により圧延してクラッド加工を施し、図１に示すような８０％Ａｕ−Ｓｎ部幅５０ｍｍ、総板幅６０ｍｍ、板厚０．１ｍｍからなるクラッド材を得た。
なお、８０％Ａｕ−Ｓｎの板材やＡｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕの基材が上記のような板厚でなく、もっと厚さがあって図３に示す如く、Ａｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕの基材に溝を形成することが可能である場合には、所定深さの溝を形成し、その溝に８０％Ａｕ−Ｓｎの板材を嵌めて上記と同様に間接加熱により圧延してクラッド加工を施してもよく、これにより、クラッドの寸法精度を上げることができる。接合強度を重視する場合には図２に示す重ね方のほうが望ましい。
【００１１】
比較として、８０％Ａｕ−Ｓｎからなる板幅６０ｍｍ、板厚０．０５ｍｍの板材１と、Ａｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕからなる板幅６０ｍｍ、板厚０．２ｍｍからなる複合基材２とを重ねて圧延加工して一体にし、間接加熱によりクラッド加工を施し、総板幅６０ｍｍ、板厚０．１ｍｍからなるオーバーレイクラッド材を得た。
このようにして得た実施例の製品と従来技術の比較例の製品とを反りの度合いＳをもって比較した。
【００１２】
さらに、実施例および比較例のそれぞれを電子部品パッケージの封止材の形状にプレス加工を施し、電子部品パッケージに実装して密封性の不良数をもって比較した。これらの結果を表１に示す。
【００１３】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施例を示す説明図
【図２】板材と基材を重ねた状態の説明図
【図３】板材と基材を重ねた状態の説明図
【図４】比較例としての従来例を示す説明図
【図５】電子部品パッケージの斜視説明図
【図６】電子部品パッケージの断面説明図
【図７】従来例を示すクラッド材の製造方法の説明図
【符号の説明】
【００１５】
１  ８０％Ａｕ−Ｓｎからなる板材
２  Ａｕ／Ｎｉ／Ｋｏｖａｒ／Ｎｉ／Ａｕからなる基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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