(57)【要約】【課題】処理槽内での処理液の淀みをなくし、均一な基板処理を可能とし、更にパーティクルの除去を容易にした基板処理装置を提供すること。【解決手段】  四方を側壁２ｂ〜２ｅで囲まれ上部が開口した有底の容器からなる処理槽１と、この処理槽１に処理液を供給する第１、第２供給ノズル管１０ａ〜１０ｄとを備えた基板処理装置において、前記第１、第２供給ノズル管１０ａ〜１０ｄは、それぞれ中空筒状体の長手方向の側面に所定間隔で１列に配列された複数個の噴射口１１を有する供給ノズル管からなり、このうち第１供給ノズル管（１０ｂ、１０ｄ）は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め下方に傾斜させ、第２供給ノズル管（１０ａ、１０ｃ）は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め上方に傾斜させて、前記処理槽１の一側壁面２ｂに所定間隔をあけてほぼ水平に設けた。【選択図】      図１
2006108512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
四方を側壁で囲まれ上部が開口した有底の容器からなる処理槽と、この処理槽に処理液を供給する第１、第２供給ノズル管とを備えた基板処理装置において、
前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ中空筒状体で長手方向の側面に所定間隔で１列に配列された複数個の噴射口を有する供給ノズル管からなり、このうち第１供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め下方に傾斜させ、第２供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め上方に傾斜させて、前記処理槽の一側壁面に所定間隔をあけてほぼ水平に配設されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ複数本の供給ノズル管で構成され、前記第１供給ノズル管と第２供給ノズル管とは所定間隔をあけて交互に配設されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ複数本の供給ノズル管で構成され、このうち第１供給ノズル管は、前記処理槽内に垂直に配設された被処理基板の中心部を通る水平線を境にして、該水平線の上方に、第２供給ノズル管は該水平線の下方に位置させたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ複数本の供給ノズル管で構成され、このうち第１供給ノズル管は、前記処理槽内に垂直に配設された被処理基板の中心部を通る水平線を境にして、該水平線の下方に、第２供給ノズル管は該水平線の上方に位置させたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１、第２供給ノズル管は、前記処理槽の一側壁面の外側に設けられており、側面に配列された複数個の噴射口は、前記処理槽の内側に連通していることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理槽は、前記第１、第２供給ノズル管が設けられた側壁を背高に、それ以外の側壁を背低にして内槽を形成し、この内槽の外周囲に前記内槽からオーバーフローする処理液を収容する外槽を設けたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記背低側壁の上端面には複数の切欠溝が刻設されていることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理槽は、その底壁の外壁面に超音波発生器が取付けられていることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
さらに、前記第１、第２供給ノズル管から前記処理槽に処理液を所定時間間隔で交互に切換えて供給するように制御する制御手段を設け、前記制御手段により前記処理槽内で互いに異なる方向の渦流を発生させて、この渦流によって基板の表面処理を行うようにしたことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
さらに、前記第１、第２供給ノズル管から前記処理槽に処理液を所定時間間隔で交互に切換えて供給するように制御し、かつ前記超音波発生器を制御する制御手段を有し、前記制御手段により前記処理槽内で互いに異なる方向の渦流を発生させ、この渦流及び前記超音波発生器からの超音波を適宜組み合わせることによって基板の表面処理を行うようにしたことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
周囲が側壁で囲まれ上部が開口し有底の容器からなる処理槽と、この処理槽に処理液を供給する第１、第２供給ノズル管とを備えた基板処理装置において、
前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ中空筒状体で長手方向の側面に所定間隔で少なくとも１列に配列された複数個の噴射口を有する供給ノズル管からなり、前記処理槽の対向する各側壁面に所定間隔をあけてほぼ水平に配設され、更に、一側壁面に配設された前記第１供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め下方に傾斜させ、同じく一側壁面に配設された前記第２供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め上方に傾斜させ、対向する他の側壁面に配設された前記第１供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め上方に傾斜させ、同じく対向する他の側壁面に配設された前記第２供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め下方に傾斜させて配設されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ複数本の供給ノズル管で構成され、前記第１供給ノズル管と第２供給ノズル管とは所定間隔をあけて交互に配設されていることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ複数本の供給ノズル管で構成され、このうち第１供給ノズル管は、前記処理槽内に垂直に配設された被処理基板の中心部を通る水平線を境にして、一側面では該水平線の上方に、対向する他側面では該水平線の下方に位置させ、第２供給ノズル管は一側面では該水平線の下方に、対向する他側面では該水平線の上方に位置させたことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ複数本の供給ノズル管で構成され、このうち第１供給ノズル管は、前記処理槽内に垂直に配設された被処理基板の中心部を通る水平線を境にして、一側面では該水平線の下方に、対向する他側面では該水平線の上方に位置させ、第２供給ノズル管は一側面では該水平線の上方に、対向する他側面では該水平線の下方に位置させたことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記第１、第２供給ノズル管は、前記処理槽の対向する両側壁面の外側に設けられており、側面に配列された複数個の噴射口は、前記処理槽の内側に連通していることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記処理槽は被処理基板が収容される内槽と、前記内槽の外周囲に前記内槽からオーバーフローする処理液を収容するための外槽とからなり、前記内槽の上端面には複数の切欠溝が刻設されていることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記処理槽は、その底壁の外壁面に超音波発生器が取付けられていることを特徴とする請求項１１〜１６の何れかに記載の基板処理装置。
【請求項１８】
さらに、前記第１、第２供給ノズル管から前記処理槽に処理液を所定時間間隔で交互に切換えて供給するように制御する制御手段を設け、前記制御手段により前記処理槽内で互いに異なる方向の渦流を発生させて、この渦流によって基板の表面処理を行うようにしたことを特徴とする請求項１１〜１６の何れかに記載の基板処理装置。
【請求項１９】
さらに、前記第１、第２供給ノズル管から前記処理槽に処理液を所定時間間隔で交互に切換えて供給するように制御し、かつ前記超音波発生器を制御する制御手段を有し、前記制御手段により前記処理槽内で互いに異なる方向の渦流を発生させ、この渦流及び前記超音波発生器からの超音波を適宜組み合わせることによって基板の表面処理を行うようにしたことを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ、液晶表示装置用基板、記録ディスク用基板、あるいはマスク用基板や、その他の各種基板を処理するための基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種基板の製造工程、例えば半導体の製造工程において、半導体ウェーハ（以下、ウェーハという）の表面に付着している汚染物質の除去、あるいは不要な酸化膜、レジスト膜の剥離等は、各種薬液による薬液処理及びリンス液による洗浄処理によって行われている。
このような処理は、単一の処理槽で行う場合、処理槽内に複数枚のウェーハを横並びに立設して収容し、処理槽の底部から薬液及びリンス液を供給し、これらの液を槽内で循環させて薬液及び洗浄による処理を行っている。
ところが、供給された薬液及びリンス液が槽内で淀んだりあるいは乱流となったりすると、ウェーハ表面に付着している汚染物質等の不要物を除去することができず、しかも一度除去した不要物が再度ウェーハ表面に付着するという問題点がある。
そこで、このような不都合を回避するために、槽内での処理液の淀みあるいは乱流の発生を防止した基板処理装置が開発されてきており、このような処理装置は広く使用され、また特許文献でも多く紹介されている。（例えば、下記特許文献１、２、３参照）。
【０００３】
図９は、公知の基板処理装置に設けられた処理槽の一例を示す断面図であり、図１０は、図９の基板処理装置を説明する図であり、図１０（ａ）は処理槽内に形成される流路を示した図、図１０（ｂ）はこの基板処理装置により処理が行われた基板を示す図である。
【０００４】
この処理槽２０は、図９、図１０に示すように、処理液中に複数枚の円板形基板Ｗを一定間隔で並立状態に浸漬させて処理するための四方が側壁で囲まれた内槽２１と、この内槽２１の外周に設けられ、内槽２１からオーバーフローする処理液を収容する外槽（図示省略）と、内槽２１内に処理液を供給するための複数本の供給ノズル管２２ａ〜２２ｅとを備え、各供給ノズル管２２ａ〜２２ｅは、それぞれ筒状体の側面に複数個の噴射口２２ａ'〜２２ｅ'を有したもので構成されている。
これらの供給ノズル管２２ａ〜２２ｅは、内槽２１の底部２１ａ付近の中央部とその両側部、及び両傾斜面２１ｂ付近に設けられ、内槽２１内を横断するように配設され、各供給ノズル管２２ａ〜２２ｅから被処理基板Ｗの中心に向けて処理液を噴射させ、内槽２１内で処理液を循環させて、被処理基板Ｗの表面処理を行っている。
【０００５】
また、複数本の供給ノズル管を処理槽の底部でなく側壁面に設けた基板処理装置も知られている。（例えば、下記特許文献１参照）。
図１１は、下記特許文献１に記載された処理槽を示す断面図である。
この処理槽３０は、処理槽の左上方、左下方、右上方及び右下方に４本の供給ノズル管３１ａ〜３１ｄが配設され、各供給ノズル管は、それぞれバルブ３２ａ〜３２ｄを介して、処理液の供給源３３ａ〜３３ｄに接続された構成を有している。
各供給ノズル管３１ａ〜３１ｄからの処理液は、被処理基板Ｗに対してそれぞれ所定の方向に向けて供給されるようになっている。すなわち、供給管３１ａからは、基板Ｗの左上方へ、供給管３１ｂからは左下方、供給管３１ｃからは右上方、及び供給管３１ｄからは右下方へ向けてそれぞれ所定の順序で供給されるようになっている。また、処理槽３０の底部には、排液口が形成され、この排液口はバルブ３４を介して排液処理部３５へ配管により接続されている。
【０００６】
さらに、処理槽内で処理液を単に循環させるのでなく、渦流を発生させて、この渦流によって表面処理を行う基板処理装置も知られている（例えば、下記特許文献２参照）。
図１２は、下記特許文献２に記載された処理槽を示す断面図である。
この処理槽４０は、槽内壁面が全体で螺旋形状をした凹凸で形成され、処理液の供給部が処理槽の底部領域に設けられ、この供給部に螺旋形状に沿って処理液の吐出を方向付ける２個の供給口４１、４２を設けられた構成を有している。また、各供給口４１、４２の周辺には、処理液の吐出方向を制御する整流フィン４３、４４が付加されている。
そして、各供給口４１、４２から供給される処理液の吐出力によって、積極的に貯留槽内に所定方向の流れを有する処理液の渦流を発生させて、被処理基板の表面処理を行っている。
さらに、処理槽内で渦流を発生させる代わりに基板を回転させて処理する基板処理装置も知られている。（例えば、下記特許文献３参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２７４１３３号公報（図３、段落［００２９］、［００３５］〜［００３８］）
【特許文献２】特開２００３−２８２５１２号公報（図１、段落［００２２］〜［００２５］）
【特許文献３】特開２０００−１１４２３３号公報（図３、段落［００２７］、［００２８］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記図９及び図１０に示した公知の処理槽２０によれば、各供給ノズル管２２ａ〜２２ｅから供給される処理液によって、図１０（ａ）に示す矢印Ａ〜Ｃの水流が形成され、被処理基板Ｗの表面処理が行われる。
すなわち、傾斜面２１ｂに設けられた各供給ノズル管２２ｄ、２２ｅの噴射口２２ｄ'、２２ｅ'からは、矢印Ａのように被処理基板Ｗのほぼ中心部を通り、内槽２１の側壁面に沿った渦流となった水流が形成され、内槽２１底部の両端の噴射口２２ａ'、２２ｃ'からは、被処理基板Ｗの中心部に向けた水流（矢印Ｂ）、さらに内槽２１の底部の中央部に位置する噴射口２２ｂ'からは、被処理基板Ｗの底部に当たる水流（矢印Ｃ）がそれぞれ形成される。
【０００９】
ところが、このような処理槽２０では、図１０（ｂ）に示すように、被処理基板Ｗの外周囲付近の部分Ｗａ〜Ｗｃにおいて、パーティクルや反応生成物が滞留し易く、また、処理液の濃度分布が均一にならずユニフォーミティーが悪くなる傾向があることが判明した。
その原因は、種々あると推測されるが、その主な原因は、被処理基板Ｗの上部Ｗａにあっては、処理槽内の水流が届ききらずに左右に逃げてしまうため、所望の洗浄効果を得られていないこと、また、被処理基板の下部Ｗｂでは、噴射口の角度が上向き過ぎて水流から外れ、洗浄効果が半減あるいは消滅していること、さらに、被処理基板の両側部Ｗｃでは、水流が渦となり、その中心付近に淀みができてしまっていること、にあるものと推定される。
【００１０】
また、図１１に示した上記特許文献１に記載された処理槽３０では、供給ノズル管３１ａ〜３１ｄは４つのノズル管の何れかから処理液が供給されている時でも同じ向きの渦流を発生するのみで、渦の流れ方向を変えることはしていない。このため、処理液が淀む位置はおおよそ決まってしまい、その淀みにパーティクルが集中して図１０などと比べて大きな効果は得られない。また、対向する側壁面に供給ノズル管３１ａ〜３１ｄが配設されているため、両サイドの供給ノズル管から同時に処理液を供給することが難しく、したがって、処理液の供給量が限定され流速を高めることができない。また、処理槽３０の側壁の高さがほぼ同じになっているので、処理液の供給を増やし流速を高めようとすると、処理液が槽から外へ飛散する恐れがある。さらに、処理槽３０の底部に排液口が形成されているため、他の付属設備、例えば超音波発生器等を付設することが難しくなっている。
【００１１】
さらに、図１２に示した上記特許文献２に記載された装置のように渦流を発生させる処理槽４０は、その構造が複雑であり、また、上記特許文献３に記載された装置のように処理槽内で基板を回転させるとなるとさらに構造が複雑であり、何れも使用及び保守等が面倒であって、しかも上記の課題を解決するのに充分でない。
【００１２】
近年、このような基板処理装置においては、大口径化した基板を大量に一度に処理することが要求されてきている。例えば基板直径が３００ｍｍ以上の基板を一度に大量、例えば５０枚以上を扱うようになり、そのための処理槽も大型化しているので、このような処理槽内での流速は、これまで以上の流速が必要になり、しかも比重の大きい異物等を除去するためには、これもまた相当の流速が必要になる。
一方、このような流速を確保するためには、大量の処理液が必要になり、処理費用が嵩むことになる。
【００１３】
そこで、本願の発明者は、上記各処理槽は、何れも槽内で処理液が循環ないし渦流となっていることに着眼し、この渦流の流速をさらに速めるようにすると共に、その渦流の方向を所定サイクルで変更させることによって、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至ったものである。
【００１４】
すなわち、本発明の目的は、処理槽内での処理液の淀みをなくし、均一な基板処理を可能とした基板処理装置を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の他の目的は、上記目的に加え、パーティクルの除去を容易にした基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の基板処理装置は、四方を側壁で囲まれ上部が開口した有底の容器からなる処理槽と、この処理槽に処理液を供給する第１、第２供給ノズル管とを備えた基板処理装置において、
前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ中空筒状体で長手方向の側面に所定間隔で１列に配列された複数個の噴射口を有する供給ノズル管からなり、このうち第１供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め下方に傾斜させ、第２供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め上方に傾斜させて、前記処理槽の一側壁面に所定間隔をあけてほぼ水平に設けたことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置に係り、前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ複数本の供給ノズル管で構成され、前記第１供給ノズル管と第２供給ノズル管とは所定間隔をあけて交互に配設されていることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置に係り、前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ複数本の供給ノズル管で構成され、このうち第１供給ノズル管は、前記処理槽内に垂直に配設された被処理基板の中心部を通る水平線を境にして、該水平線の上方に、第２供給ノズル管は該水平線の下方に位置させたことを特徴とする。
【００１９】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置に係り、前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ複数本の供給ノズル管で構成され、このうち第１供給ノズル管は、前記処理槽内に垂直に配設された被処理基板の中心部を通る水平線を境にして、該水平線の下方に、第２供給ノズル管は該水平線の上方に位置させたことを特徴とする。
【００２０】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置に係り、前記第１、第２供給ノズル管は、前記処理槽の一側壁面の外側に設けられており、側面に配列された複数個の噴射口は、前記処理槽の内側に連通していることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置に係り、前記処理槽は、前記第１、第２供給ノズル管が設けられた側壁を背高に、それ以外の側壁を背低にして内槽を形成し、この内槽の外周囲に前記内槽からオーバーフローする処理液を収容する外槽を設けたことを特徴とする。
【００２２】
また、請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の基板処理装置に係り、前記背低な側壁の上端面には複数の切欠溝が刻設されていることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項８に記載の発明は、請求項１〜７の何れかに記載の基板処理装置に係り、前記処理槽は、その底壁の外壁面に超音波発生器が取付けられていることを特徴とする。
【００２４】
また、請求項９に記載の発明は、請求項１〜７の何れかに記載の基板処理装置に係り、さらに、前記第１、第２供給ノズル管から前記処理槽に処理液を所定時間間隔で交互に切換えて供給するように制御する制御手段を設け、前記制御手段により前記処理槽内で互いに異なる方向の渦流を発生させて、この渦流によって基板の表面処理を行うようにしたことを特徴とする。
【００２５】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項８に記載の基板処理装置に係り、さらに、前記第１、第２供給ノズル管から前記処理槽に処理液を所定時間間隔で交互に切換えて供給するように制御し、かつ前記超音波発生器を制御する制御手段を有し、前記制御手段により前記処理槽内で互いに異なる方向の渦流を発生させ、この渦流及び前記超音波発生器からの超音波を適宜組み合わせることによって基板の表面処理を行うようにしたことを特徴とする。
【００２６】
請求項１１に記載の基板処理装置は、周囲が側壁で囲まれ上部が開口し有底の容器からなる処理槽と、この処理槽に処理液を供給する第１、第２供給ノズル管とを備えた基板処理装置において、
前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ中空筒状体で長手方向の側面に所定間隔で少なくとも１列に配列された複数個の噴射口を有する供給ノズル管からなり、前記処理槽の対向する各側壁面に所定間隔をあけてほぼ水平に配設され、更に、一側壁面に配設された前記第１供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め下方に傾斜させ、同じく一側壁面に配設された前記第２供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め上方に傾斜させ、対向する他の側壁面に配設された前記第１供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め上方に傾斜させ、同じく対向する他の側壁面に配設された前記第２供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め下方に傾斜させて配設されていることを特徴とする。
【００２７】
また、請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の基板処理装置に係り、前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ複数本の供給ノズル管で構成され、前記第１供給ノズル管と第２供給ノズル管とは所定間隔をあけて交互に配設されていることを特徴とする。
【００２８】
また、請求項１３に記載の発明は、請求項１１に記載の基板処理装置に係り、前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ複数本の供給ノズル管で構成され、このうち第１供給ノズル管は、前記処理槽内に垂直に配設された被処理基板の中心部を通る水平線を境にして、一側面では該水平線の上方に、対向する他側面では該水平線の下方に位置させ、第２供給ノズル管は一側面では該水平線の下方に、対向する他側面では該水平線の上方に位置させたことを特徴とする。
【００２９】
また、請求項１４に記載の発明は、請求項１１に記載の基板処理装置に係り、前記第１、第２供給ノズル管は、それぞれ複数本の供給ノズル管で構成され、このうち第１供給ノズル管は、前記処理槽内に垂直に配設された被処理基板の中心部を通る水平線を境にして、一側面では該水平線の下方に、対向する他側面では該水平線の上方に位置させ、第２供給ノズル管は一側面では該水平線の上方に、対向する他側面では該水平線の下方に位置させたことを特徴とする。
【００３０】
また、請求項１５に記載の発明は、請求項１１に記載の基板処理装置に係り、前記第１、第２供給ノズル管は、前記処理槽の対向する両側壁面の外側に設けられており、側面に配列された複数個の噴射口は、前記処理槽の内側に連通していることを特徴とする。
【００３１】
また、請求項１６に記載の発明は、請求項１１に記載の基板処理装置に係り、前記処理槽は被処理基板が収容される内槽と、前記内槽の外周囲に前記内槽からオーバーフローする処理液を収容するための外槽とからなり、前記内槽の上端面には複数の切欠溝が刻設されていることを特徴とする。
【００３２】
また、請求項１７に記載の発明は、請求項１１〜１６の何れかに記載の基板処理装置に係り、前記処理槽は、その底壁の外壁面に超音波発生器が取付けられていることを特徴とする。
【００３３】
また、請求項１８に記載の発明は、請求項１１〜１６の何れかに記載の基板処理装置に係り、さらに、前記第１、第２供給ノズル管から前記処理槽に処理液を所定時間間隔で交互に切換えて供給するように制御する制御手段を設け、前記制御手段により前記処理槽内で互いに異なる方向の渦流を発生させて、この渦流によって基板の表面処理を行うようにしたことを特徴とする。
【００３４】
また、請求項１９に記載の発明は、請求項１７に記載の基板処理装置に係り、さらに、前記第１、第２供給ノズル管から前記処理槽に処理液を所定時間間隔で交互に切換えて供給するように制御し、かつ前記超音波発生器を制御する制御手段を有し、前記制御手段により前記処理槽内で互いに異なる方向の渦流を発生させ、この渦流及び前記超音波発生器からの超音波を適宜組み合わせることによって基板の表面処理を行うようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３５】
本発明は上記構成を備えることにより、以下に示す効果を奏する。すなわち、請求項１に記載の発明によれば、第１供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め下方に傾斜させ、また、第２供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め上方に傾斜させて、処理槽の一側壁面に所定間隔をあけてそれぞれ水平に設けたので、第１、第２供給ノズル管の何れか一方から処理液を供給することにより、処理槽内で時計方向及び反時計方向の何れかの渦流を発生させることができる。
また、第１、第２供給ノズル管は、処理槽の一側壁面に設けることで渦流を発生させることができるので、従来技術のように処理槽を複雑な形状にすることなく、処理槽を簡単な構造で安価に製作できる。
【００３６】
請求項２〜４に記載の発明によれば、供給ノズル管の本数を増やすことにより、処理槽内において異なるパターンの渦流が形成され易くなり、またその流速を増大させることが可能になる。したがって、このような流速の速い渦流によって、処理効率を上げることができるとともに、大口径の基板を大量に処理することが可能になる。また、第１、第２供給ノズル管の取付位置を種々変更することにより、より望ましい基板処理を行うことができるようになる。
【００３７】
請求項５に記載の発明によれば、供給ノズル管を処理槽側壁の外側に設けたことにより、供給ノズル管によって処理槽内の処理液の流れを妨げることがなくなると共に、処理槽内に供給ノズル管が設けられていないことにより処理槽の容積を減らすことができ、以って基板処理に用いる処理液を節約することができるようになる。
【００３８】
請求項６、７に記載の発明によれば、内槽の側壁の内の一面が背低になっているので、内槽からオーバーフローする処理液は、スムーズに外槽に収容できる。また、背高の側壁面に供給ノズル管が配設されているので、処理液の飛散を少なくして渦流を発生させることが可能になる。
すなわち、渦流は背高側壁から背低側壁に向かって形成される。このとき内槽からオーバーフローする処理液は、その殆どが背低側壁面の外槽へ流れ込み、背高側壁へ流れることが殆どなくなる。このように、外槽へ流れ出す液の方向が決められることにより、渦の回転方向から渦の軸方向への流れが抑制されてより均一な渦にすることができ、槽の中心部に位置する基板と槽の端に位置する基板との差をなくすることができる。また、この背高の側壁部分からの処理液の流出を阻止できるので、排液処理を考慮した処理槽の設置が容易になる。また、側壁上端面に複数の切欠溝を設けることにより、内槽からオーバーフローする処理液を１箇所に偏ることなく均一に排出するようになり、処理液が１箇所から外槽へ一度に大量に流れ出ることがなくなり、処理液の飛散を防止できる。
【００３９】
請求項８に記載の発明によれば、従来技術では、一般に底壁に供給ノズル管等が設けられているので、この底壁に超音波発生器を取付けると、供給ノズル管が超音波の伝播障害、いわゆる影ができてしまうが、この発明は側壁面に供給ノズル管を設けることにより、底壁を利用して超音波発生器を取付けることができ、効率よく基板に超音波を照射することが可能になる。
この超音波発生器の取付けにより、処理槽内では、被処理基板に対して処理液による化学的処理に加えて、超音波振動による物理的な処理も可能になり、高品質の処理ができるようになる。
【００４０】
請求項９に記載の発明によれば、第１、第２供給ノズル管の何れか一方から処理液を供給することにより、処理槽内で時計方向及び反時計方向の何れかの渦流を発生させることができる。
また、第１、第２供給ノズル管からの処理液の供給を所定サイクルで切換えて行うことにより、処理槽内での処理液の渦流の方向を交互に反転させることができる。
その結果、これらの渦流により、処理槽内での処理液の淀みがなくなり、効率よく均一な基板表面の処理が可能になる。
【００４１】
請求項１０に記載の発明によれば、被処理基板に対して処理液による化学的処理に加えて、超音波振動による物理的な処理も可能になり、これらの処理を組み合わせることにより、より高品質の処理ができるようになる。
【００４２】
請求項１１に記載の発明によれば、一側壁面に配設させた第１供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め下方に傾斜させ、同じく一側壁面に配設させた第２供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め上方に傾斜させ、他の側壁面に配設させた第１供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め上方に傾斜させ、同じく他の側壁面に配設させた第２供給ノズル管は、その噴射口を水平方向に対して所定角度で斜め下方に傾斜させて、処理槽の対向する両側壁面に所定間隔をあけてそれぞれ水平に設けたので、両側壁面に設けられた第１、第２供給ノズル管のうちの一方から処理液を供給することにより、処理槽内で時計方向及び反時計方向の何れかの渦流を発生させることができる。
【００４３】
請求項１２〜１４に記載の発明によれば、供給ノズル管の本数を増やすことにより、処理槽内において異なるパターンの渦流が形成され易くなり、またその流速を増大させることが可能になる。したがって、このような流速の速い渦流によって、処理効率を上げることができるとともに、大口径の基板を大量に処理することが可能になる。また、第１、第２供給ノズル管の取付位置を種々変更することにより、より望ましい基板処理を行うことができるようになる。
【００４４】
請求項１５に記載の発明によれば、供給ノズル管を処理槽側壁の外側に設けたことにより、供給ノズル管によって処理槽内の処理液の流れを妨げることがなくなると共に、処理槽内に供給ノズル管が設けられていないことにより処理槽の容積を減らすことができ、以って基板処理に用いる処理液を節約することができるようになる。
【００４５】
請求項１６に記載の発明によれば、処理槽が内槽と外槽とにより構成し、内槽の上端面に複数の切欠溝を設けることにより、内槽からオーバーフローする処理液を１箇所に偏ることなく均一に排出するようになり、１箇所から外槽へ処理液が一度に大量に流れ出ることがなくなり、オーバーフロー時の処理液の飛散を防止できる。
【００４６】
請求項１７に記載の発明によれば、従来技術では、一般に底壁に供給ノズル管等が設けられているので、この底壁に超音波発生器を取付けると、供給ノズル管が超音波の伝播障害、いわゆる影ができてしまうが、この発明は側壁面に供給ノズル管を設けることにより、底壁を利用して超音波発生器を取付けることが可能になる。
この超音波発生器の取付けにより、処理槽内では、被処理基板に対して処理液による化学的処理に加えて、超音波振動による物理的な処理も可能になり、高品質の処理ができるようになる。
【００４７】
請求項１８に記載の発明によれば、両側壁面に設けられた第１、第２供給ノズル管から処理液を供給することにより、処理槽内で時計方向及び反時計方向の何れかの渦流を発生させることができる。
また、第１、第２供給ノズル管からの処理液の供給を所定サイクルで切換えて行うことにより、処理槽内での処理液の渦流の方向を交互に反転させることができる。
その結果、これらの渦流により、処理槽内での処理液の淀みがなくなり、効率よく均一な基板表面の処理が可能になる。
【００４８】
請求項１９に記載の発明によれば、被処理基板に対して処理液による化学的処理に加えて、超音波振動による物理的な処理も可能になり、これらの処理を組み合わせることにより、より高品質の処理ができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための基板処理装置を例示するものであって、本発明をこの基板処理装置に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
【実施例１】
【００５０】
図１は本発明の実施例１に係る基板処理装置に使用される処理槽を示し、図１（ａ）は側断面図、図１（ｂ）は上面図、図２は図１の処理槽内に配設される供給ノズル管の側面図、図３は各供給ノズル管から供給される処理液の噴射方向の一形態を示す説明図、図４は処理槽内での処理液の流れを説明する説明図、図５は各供給ノズル管から供給される処理液の噴射方向の変更例を示す説明図である。
この基板処理装置は、例えば半導体ウェーハ、液晶表示装置用基板、記録ディスク用基板、あるいはマスク用基板等の各種基板の表面処理を薬液及び洗浄に至る一連の処理を１つの槽で行うことができる処理槽１を備えている。以下、各種基板を代表して、半導体ウェーハ（以下、ウェーハという）について説明する。また、以下の説明で用語「処理液」は、ウェーハ表面をエッチング処理等する薬液及び前記薬液の洗浄を行う洗浄液を含んだ総称として使用する。
【００５１】
この処理槽１は、図１に示すように、ほぼ四角形の底壁２ａと、この底壁２ａの外周囲から立設した四方を囲む側壁２ｂ〜２ｅとを有し、上部が開口した箱状容器で内槽２が形成され、この内槽２の外周囲に所定の幅をあけて側壁３ｂ〜３ｅで囲まれた底壁３ａを有する外槽３が形成された構成を有している。
【００５２】
各側壁２ｂ〜２ｅのうち、後述する供給ノズル管が設けられる側壁２ｂは、対向する側壁２ｃより背高であって、対向する側壁２ｂ、２ｃの両側端は、側壁２ｄ、２ｅで連結される。したがって、各側壁２ｄ、２ｅの上端部は、背高の側壁２ｂから背低の側壁２ｃに向かって傾斜している。
また、各側壁２ｂ〜２ｅのうち、背高の側壁２ｂ以外の側壁２ｃ〜２ｅには、図１（ｂ）に示すように、上端部にＶ字状の切欠溝４が複数形成される。この切欠溝４を設けることにより、内槽２からオーバーフローする処理液が、偏ることなく外槽３内へ収容され、外部へ飛散することがなくなる。
また、処理槽１の底壁２ａと側壁面２ｃとの接合部に排液口５が形成され、この排液口５は、配管により排液処理設備（図示省略）に接続される。
【００５３】
処理槽１の底部２ａには、底浅の箱状容器６を介して超音波発生器７が取付けられる。
箱状容器６は、内槽２の底壁面より若干広い底壁６ａと、背低の側壁６ｂ〜６ｅを有するものからなり、内槽２の底壁面と容器６の底部との間に若干の隙間を設けて内槽２に装着される。この容器６には、超音波伝達媒体、例えば水が貯留される。また、超音波発生器７は、所定周波数、例えば１０ＫＨｚ〜数ＭＨｚを発する発生器が使用される。
処理槽１の底部２ａに超音波発生器７を装着することにより、発生器から放射された超音波は、水及び内槽２の底部２ａを透過して処理液へ伝達される。そして、この超音波は、処理液を振動させ、ウェーハの表面へ物理的な力として作用し、ウェーハ表面に付着している異物、汚染物質等のパーティクルを除去する。
【００５４】
また、背高の側壁２ｂの内側には、管状のパイプからなる複数本（図では４本）の供給ノズル管１０ａ〜１０ｄが所定の間隔をあけて水平に取付けられる。この４本の供給ノズル管１０ａ〜１０ｄは、図２に示すように、それぞれ１本のパイプに複数個の穴からなる処理液噴射口１１が所定ピッチで１列に形成されていて同じ形状を有している。また、各供給ノズル管１０ａ〜１０ｄは、例えば、直径２０ｍｍのパイプに直径１．２ｍｍの穴（噴射口）を５ｍｍ間隔で設けたものを使用する。
ちなみに、本実施例においては供給ノズル管１０ａ〜１０ｄを側壁２ｂの内側に取り付けたが、側壁２ｂの外側に取り付け、噴射口１１のみを内槽２へ連通するようにしても良い。このようになせば、供給ノズル管１０ａ〜１０ｄ自体が内槽２内に形成される渦流の妨げになることがなくなると共に、供給ノズル管１０ａ〜１０ｄを取り付けるスペースを内槽２内に設ける必要がなくなり、内槽２の容量を小さくでき、以って処理液の使用量を削減することができる。
【００５５】
４本の供給ノズル管１０ａ〜１０ｄは、それぞれの噴射口１１が所定方向を向くようにして側壁２ｂに面してほぼ等間隔でほぼ水平に取付けられる。例えば、最上段に設ける供給ノズル管１０ａの噴射口１１は、図２（ａ）に示すように、水平線に対して上方に５°、供給ノズル管１０ａの下方に設ける供給ノズル管１０ｂの噴射口１１は、図２（ｂ）に示すように、水平線に対して下方に２０°、また、供給ノズル管１０ｂの下方に設ける供給ノズル管１０ｃの噴射口１１は、図２（ｃ）に示すように、水平線に対して上方に２０°、供給ノズル管１０ｃの下方に設ける最下段の供給ノズル管１０ｄの噴射口１１は、図２（ｄ）に示すように、水平線に対して下方に５°それぞれ傾斜させて背高の側壁２ｂの面に所定間隔をあけて水平に取付けられる。これにより、供給ノズル管１０ａ〜１０ｄのうち、上方に向けて噴射口が設けられた２本の第２供給ノズル管１０ａ、１０ｃ（図中では、上から奇数段目の供給ノズル管）と、下方に向けて噴射口が設けられた２本の第１供給ノズル管１０ｂ、１０ｄ（図中では、上から偶数段目の供給ノズル管）が交互に配設されるようになる。
【００５６】
したがって、４本の供給ノズル管１０ａ〜１０ｄのうち、奇数段に位置する第２供給ノズル管１０ａ、１０ｃの噴射口１１を水平線に対して上方に所定角度傾斜させて設け、また、偶数段に位置する第１供給ノズル管１０ｂ、１０ｄの噴射口１１を水平線に対して下方に所定角度傾斜させて設けることにより、第１又は第２供給ノズル管に処理液を供給すると、内槽２内に反時計方向又は時計方向の渦流を発生させることができる。
各供給ノズル管１０ａ〜１０ｄは、処理液供給源にバルブを介して配管により接続され、各供給ノズル管への処理液の供給は、制御手段（図示省略）により、バルブ（図示省略）の開閉制御によって行われる。
【００５７】
この処理槽では、各種薬液によるウェーハに付着している汚染物質の除去、酸化膜のエッチング処理、レジスト膜の剥離処理、及びリンス液で行う洗浄処理が行われる。
各種薬液には、エッチング処理では、例えばフッ酸を用い、また、レジスト膜の剥離処理では、オゾンを純水に溶解したオゾン水、オゾン水と炭酸水素ナトリウムなどの重炭酸イオンを含む添加物との混合物、硫酸と過酸化水素との混合液、硫酸とオゾンとの混合液等を用いる。さらに、リンス液には純水を用いる。したがって、各供給ノズル管は、これらの薬液供給源及び洗浄液供給源に接続され、各種処理液を供給する。
【００５８】
以下に、図３、図４を参照して、処理槽内に各供給ノズル管１０ａ〜１０ｄから処理液を供給し、渦流によってウェーハ表面処理を行う方法を説明する。
【００５９】
Ｉ、処理液供給による処理
４本の供給ノズル管１０ａ〜１０ｄのうち、偶数段の２本の第１供給ノズル管１０ｂ、１０ｄと奇数段の２本の第２供給ノズル管１０ａ、１０ｃから、交互に処理液を供給する。
【００６０】
（ｉ）第１供給ノズル管１０ｂ、１０ｄからの処理液供給
先ず、図３（ａ）に示すように、偶数段に位置する２本の第１供給ノズル管１０ｂ、１０ｄから内槽２内に処理液を供給する。すると、供給ノズル管１０ｂの噴射口１１が水平方向に対して下方に２０°、供給ノズル管１０ｄの噴射口１１が水平方向に対して下方に５°傾斜しているので、内槽２内では、図４（ａ）に示すように、反時計方向の渦流Ａが発生する。この渦流Ａは、所定の流速を有し、この反時計方向の渦流によりウェーハＷの表面の処理がなされる。
【００６１】
（ii）第２供給ノズル管１０ａ、１０ｃからの処理液供給
次いで、第１供給ノズル管１０ｂ、１０ｄからの処理液の供給を例えば１０秒間継続した後に、この処理液の供給を停止し、奇数段に位置する２本の第２供給ノズル管１０ａ、１０ｃから処理液を供給する。すると、供給ノズル管１０ａの噴射口１１は水平方向に対して上方に５°、供給ノズル管１０ｃの噴射口１１は水平方向に対して上方に２０°傾斜しているので、第２供給ノズル管１０ａ、１０ｃから供給される処理液で、内槽２内の渦流は、時計方向回りの渦流（図４（ｃ）符号Ｆ参照）に変わろうとする。
このとき、第２供給ノズル管１０ａ、１０ｃからの上向きの噴射が第１供給ノズル管１０ｂ、１０ｄによって生成された反時計方向の渦流Ａ'（残存渦流）に影響され、第２供給ノズル管１０ａ、１０ｃからの供給直後は、下向きの噴射に変更される（図４（ｂ）符合Ｂ参照）。この状態が数秒続き、その後は、この噴射の流れが変化し、上向きに徐々に戻り（図４（ｂ）符号Ｃ〜Ｅ参照）、時計方向の渦流Ｆが形成される。これにより、流れが徐々に変化すると同時に淀み部（図示省略）も徐々に移動する。よってパーティクルが付着しやすい淀み部は１箇所に留まることがなくなるのでパーティクルの付着を防止することができる。
【００６２】
（iii）上記（ｉ）、（ii）の切換え供給
その後、上記（ｉ）、（ii）の供給を切換えて、時計方向の渦流Ｆから反時計方向の渦流Ａ、さらに渦流Ｆへの切換えを繰り返し、所定の時間、例えば１分間行う。
この方法によると、約１分強の洗浄でウェーハＷの表面にパーティクルや反応性生物が滞留することなく、効率よく洗浄することができる。
【００６３】
上記４本の供給ノズル管１０ａ〜１０ｄは、第１、第２供給ノズル管が上方から下方へ交互に配設されているが、この角度及び順序を変更して、槽内で所定方向の渦流を発生させて処理することもできる。
【００６４】
以下には処理槽に取り付けられる第１、第２供給ノズルの取付位置及び取付方向を変更した基板処理装置について説明する。図５は各供給ノズルの取付位置の変更例を示す説明図である。
【００６５】
先ず、図５（ａ）に示す変更例においては、４本の供給ノズル管１０ａ〜１０ｄは、それぞれの噴射口角度を以下のように変更して背高の側壁２ｂに配設される。
内槽上段で隣接する２本の供給ノズル管１０ａ、１０ｂは、水平線に対してそれぞれ上方に５°、２０°、同様に下段で隣接する２本の供給ノズル管１０ｃ、１０ｄは、水平線に対してそれぞれ下方に２０°、５°傾斜させる。すなわち、上段で隣接する２本の供給ノズル管１０ａ、１０ｂを第２供給ノズル管とし、下段で隣接する２本の供給ノズル管１０ｃ、１０ｄを第１供給ノズル管としたものである。そして、前記第１、第２供給ノズル管ごとに処理液を供給し、内槽２内で渦流を発生させ、ウェーハＷの表面処理及び洗浄等を行う。
【００６６】
また、図５（ｂ）に示す変更例は、内槽上段で隣接する２本の供給ノズル管１０ａ、１０ｂは、水平線に対してそれぞれ下方に４５°、４０°、同様に下段で隣接する２本の供給ノズル管１０ｃ、１０ｄは、水平線に対してそれぞれ上方に４０°、４５°傾斜させる。すなわち、上段で隣接する２本の供給ノズル管１０ａ、１０ｂを第１供給ノズル管とし、下段で隣接する２本の供給ノズル管１０ｃ、１０ｄを第２供給ノズル管としたものである。そして、前記第１、第２供給ノズル管ごとに処理液を供給し、内槽２内で渦流を発生させ、ウェーハＷの表面処理及び洗浄等を行う。
なお、供給ノズル管の本数及び取付け時の噴射口の角度は、上述のものに限定されず、任意の本数及び角度を選択できる。
【００６７】
II、超音波による処理
次に超音波による基板の表面処理について説明する。
この処理は、先ず超音波発生器７を作動させる。すると、この発生器７から放射された超音波は、容器６内の水及び内槽２の底部２ａを透過して処理液へ伝達させ処理液を振動させる。この処理液の振動により、ウェーハＷの表面へ物理的な力が作用した処理がなされる。本実施例においてこの超音波処理は、処理槽内にアンモニア及び過酸化水素を供給して、ウェーハＷに付着している異物、汚染物質等のパーティクル除去する処理、及び各種薬液による処理が終了した後の最終の洗浄工程において、前記Ｉの工程と同時に行うことが好ましい。
【００６８】
上述の処理を行うことにより、処理液による化学的処理に加えて、超音波振動による物理的な処理も可能になり、これらの処理を組み合わせることにより、より高品質の基板処理を実現できる。
【実施例２】
【００６９】
上記実施例１の基板処理装置では、内槽の一側面に複数本の供給ノズル管が配設されたものであるが、対向する両側壁に複数本の供給ノズル管を設けてもよい。
図６は、本発明の実施例２に係る基板処理装置に使用される処理槽を示し、図６（ａ）は側断面図、図６（ｂ）は上面図、図７、図８は各供給ノズル管から供給される処理液の噴射方向を示す説明図である。
【００７０】
この処理槽１Ａは、実施例１の処理槽１と共通の構成を備えているので、共通する部分には、同じ符号を付し、その説明を引用して重複説明を省略し、主に異なる構成について詳述する。
処理槽１Ａは、図６に示すように、内槽２を構成する各側壁２ｂ'〜２ｅ'の高さが同じ高さに形成され、内槽２に収容されるウェーハＷ表面に直行し、対向する側壁２ｂ'、２ｃ'にそれぞれ複数本（図中では両側壁に４本ずつ）の供給ノズル管１０ａ〜１０ｄ、１０ａ'〜１０ｄ'が装着される。そして、各側壁２ｂ'、２ｃ'に装着される供給ノズル管１０ａ〜１０ｄ、１０ａ'〜１０ｄ'は、それらの噴射口が内槽の内側に向かって所定方向に向くように装着される。例えば、図７（ａ）に示すように、対向する一側壁２ｂ'には、奇数段に位置する２本の供給ノズル管１０ａ、１０ｃが、水平方向に対して上方へ５°、２０°、偶数段に位置する供給ノズル管１０ｂ、１０ｄが、水平方向に対して下方へ２０°、５°それぞれ傾斜して設けられる。また、対向する他の側壁２ｃ'にも、同様に奇数段の２本の供給ノズル管１０ａ'、１０ｃ'が、水平方向に対して上方へ５°、２０°、偶数段の２本の供給ノズル管１０ｂ'、１０ｄ'が、水平方向に対して下方へ２０°、５°それぞれ傾斜して設けられる。
したがって、各側壁２ｂ'、２ｃ'に、それぞれ４本の供給ノズル管１０ａ〜１０ｄ、１０ａ'〜１０ｄ'を各噴射口の角度が上記の角度に設定され、互いに対向させて装着することにより、各４本の供給ノズル管１０ａ〜１０ｄと１０ａ'〜１０ｄ'とは、対向する側壁の中間の垂直線に対して左右対称に配設されることになる。
【００７１】
各側壁２ｂ'、２ｃ'の４本の供給ノズル管１０ａ〜１０ｄ、１０ａ'〜１０ｄ'は、例えば図７（ａ）に示すように、側壁２ｂ'の偶数段に位置する２本の供給ノズル管１０ｂ、１０ｄ及び側壁２ｃ'の奇数段に位置する２本の供給ノズル管１０ａ'、１０ｃ'を第１供給ノズル管として処理液の供給タイミングを同期させ、同じく側壁２ｂ'の奇数段に位置する２本の供給ノズル管１０ａ、１０ｃ及び側壁２ｃ'の偶数段に位置する２本の供給ノズル管１０ｂ'、１０ｄ'を第２供給ノズル管として処理液の供給タイミングを同期させて処理液を供給することにより内槽２内に渦流を発生させる。具体的には、例えば先ず第２供給ノズル管１０ａ、１０ｃ、１０ｂ'、１０ｄ'から同時に処理液を所定時間供給して、内槽内で時計方向の渦流を発生させ、所定時間後に前記第２供給ノズル管からの供給を停止し、続けて第１供給ノズル管１０ｂ、１０ｄ及び供給ノズル管１０ａ'、１０ｃ'から同時に処理液を供給して、内槽内で反時計方向の渦流を発生させる。そして、前述の供給ノズル管の切換を複数回行うことにより、ウェーハＷの処理が良好に行われる。上述によれば、実施例１と同様に流れが徐々に変化し、パーティクルが付着しやすい淀み部も徐々に移動する。これにより淀み部が１箇所に留まらないので、パーティクルの付着を防止できる。
【００７２】
本実施例においては上述のような供給ノズル管及び処理液の供給角度に限定されるものではなく、種々変更が可能である。以下には本実施例の基板処理装置に設けられる供給ノズル管の変更例を説明する。
【００７３】
先ず、図７（ｂ）に示した変更例では、対向する一側壁２ｂ'には、上段に位置する２本の供給ノズル管１０ａ、１０ｂが、水平方向に対して上方へ５°、２０°、下段に位置する供給ノズル管１０ｃ、１０ｄが、水平方向に対して下方へ２０°、５°それぞれ傾斜して設けられ、対向する他の側壁２ｃ'にも、同様に上段の２本の供給ノズル管１０ａ'、１０ｂ'が、水平方向に対して上方へ５°、２０°、下段の２本の供給ノズル管１０ｃ'、１０ｄ'が、水平方向に対して下方へ２０°、５°がそれぞれ傾斜して設けられる。
【００７４】
そして、各側壁の４本の供給ノズル管１０ａ〜１０ｄ、１０ａ'〜１０ｄ'は、図７（ｂ）に示すように側壁２ｂ'の下段に位置する２本の供給ノズル管１０ｃ、１０ｄ及び側壁２ｃ'の上段に位置する２本の供給ノズル管１０ａ'、１０ｂ'を第１供給ノズル管として処理液の供給タイミングを同期させ、同じく側壁２ｂ'の上段に位置する２本の供給ノズル管１０ａ、１０ｂ及び側壁２ｃ'の下段に位置する２本の供給ノズル管１０ｃ'、１０ｄ'を第２供給ノズル管として処理液の供給タイミングを同期させて処理液を供給することにより内槽２内に渦流を発生させる。具体的には、例えば、先ず第２供給ノズル管１０ａ、１０ｂ、１０ｃ'、１０ｄ'から同時に処理液を所定時間供給して、内槽内で時計方向の渦流を発生させ、所定時間後に、第２供給ノズル管からの供給を停止し、第１供給ノズル管１０ｃ、１０ｄ、１０ａ'、１０ｂ'から同時に処理液を供給して、内槽内で反時計方向の渦流を発生させる。そして、前述の供給ノズル管の切換を複数回行うことにより、ウェーハＷの処理が良好に行われる。
【００７５】
さらに、図８に示した更に他の変更例では、対向する一側壁２ｂ'には、上段に位置する２本の供給ノズル管１０ａ、１０ｂが、水平方向に対して下方へ４５°、４０°、下段に位置する２本の供給ノズル管１０ｃ、１０ｄが、水平方向に対して上方へ４０°、４５°それぞれ傾斜して設けられ、対向する他の側壁２ｃ'にも、同様に上段の２本の供給ノズル管１０ａ'、１０ｂ'が、水平方向に対して下方へ４５°、４０°、下段の２本の供給ノズル管１０ｃ'、１０ｄ'が、水平方向に対して上方へ４０°、４５°それぞれ傾斜して設けられる。
【００７６】
そして、各側壁の４本の供給ノズル管１０ａ〜１０ｄ、１０ａ'〜１０ｄ'は、図８に示すように、側壁２ｂ'の上段に位置する２本の供給ノズル管１０ａ、１０ｂ及び側壁２ｃ'の下段に位置する２本の供給ノズル管１０ｃ'、１０ｄ'を第１供給ノズル管として処理液の供給タイミングを同期させ、同じく側壁２ｂ'の下段に位置する２本の供給ノズル管１０ｃ、１０ｄ及び側壁２ｃ'の上段に位置する２本の供給ノズル管１０ａ'、１０ｂ'を第２供給ノズル管として処理液の供給タイミングを同期させて処理液を供給することにより内槽２内に渦流を発生させる。具体的には、例えば、先ず第２供給ノズル管１０ｃ、１０ｄ、１０ａ'、１０ｂ'から同時に処理液を所定時間供給して、内槽内で時計方向の渦流を発生させ、所定時間後に、第２供給ノズル管からの供給を停止し、第１供給ノズル管１０ａ、１０ｂ、１０ｃ'、１０ｄ'から同時に処理液を供給して、内槽内で反時計方向の渦流を発生させる。そして、前述の供給ノズル管の切換を複数回行うことにより、ウェーハＷの処理が良好に行われ、パーティクル付着防止効果を得る。
【００７７】
なお、供給ノズル管の本数及び取付け時の噴射口の角度は、上記の本数及び角度に限定されず、任意の本数及び角度を選択してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施例１に係る基板処理装置に使用される処理槽を示し、図１（ａ）は側断面図、図１（ｂ）は上面図、
【図２】図１の処理槽内に配設される供給ノズル管の側面図、
【図３】各供給ノズル管から供給される処理液の噴射方向の一形態を示す説明図、
【図４】処理槽内での処理液の流れを説明する断面図、
【図５】各供給ノズル管から供給される処理液の噴射方向の変更例を示す説明図、
【図６】本発明の実施例２に係る基板処理装置に使用される処理槽を示し、図６（ａ）は側断面図、図６（ｂ）は上面図、
【図７】各供給ノズル管から供給される処理液の噴射方向の一形態及び変更例を示す説明図、
【図８】各供給ノズル管から供給される処理液の噴射方向の他の変更例を示す説明図、
【図９】公知の基板処理装置に使用されている処理槽の断面図、
【図１０】図９の基板処理装置を説明する図であり、図１０（ａ）は処理槽内に形成される流路を示した図、図１０（ｂ）はこの基板処理装置により処理が行われた基板を示す図、
【図１１】先行技術の基板処理装置に使用されている処理槽の断面図、
【図１２】先行技術の基板処理装置に使用されている処理槽の断面図。
【符号の説明】
【００７９】
１、１Ａ            処理槽
２                  内槽
２ａ                底壁
２ｂ〜２ｅ          側壁
３                  外槽
４                  （Ｖ字状の）切欠溝
５                  排液口
６                  容器
７                  超音波発生器
１０ａ〜１０ｄ      供給ノズル管
１０ａ'〜１０ｄ'  供給ノズル管
１１                噴射口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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