(57)【要約】【課題】  半導体発光装置において、フリップチップ方式で実装される半導体発光素子とその実装基板との隙間にアンダーフィル樹脂を充填し、このアンダーフィル樹脂が半導体発光素子の側面に付着することを防止する。【解決手段】  透明基板で形成され、裏面側から光を放射する半導体発光素子１１を、フリップチップ方式で、バンプＢと熱硬化性樹脂３１とによって、照射開口部２の底面に固着しなる半導体発光装置Ｍにおいて、半導体発光素子１１の表面１３と、照射開口部２の底面の少なくとも一方に、熱硬化樹脂３１のはみ出しを防止する樹脂止め部１を形成して、半導体発光素子１１の透明基板の周面部１４に熱硬化性樹脂３１が付着するのを防止した。【選択図】図１Ｂ
2006093632.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板で形成され、裏面側から光を放射する半導体発光素子を、フリップチップ方式で、バンプと熱硬化性樹脂とによって、照射開口部の底面に固着してなる半導体発光装置において、
上記半導体発光素子の表面と、上記照射開口部の底面の少なくとも一方に、上記熱硬化樹脂のはみ出しを防止する樹脂止め部を形成して、上記半導体発光素子の透明基板の周面部に上記熱硬化性樹脂が付着するのを防止する構造にした半導体発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記樹脂止め部は、上記半導体発光素子の表面を一巡するようにして突出形成された囲い壁である半導体発光装置。
【請求項３】
請求項１において、
上記樹脂止め部は、上記半導体発光素子が実装される照射開口部の底面を一巡するようにして突出形成された囲い壁である半導体発光装置。
【請求項４】
請求項１において、
上記樹脂止め部は、上記半導体発光素子の表面を一巡するようにして形成された囲い溝である半導体発光装置。
【請求項５】
請求項１において、
上記樹脂止め部は、上記半導体発光素子が実装される照射開口部の底面を一巡するようにして形成された囲い溝である半導体発光装置。
【請求項６】
請求項１において、
上記樹脂止め部は、上記半導体発光素子が実装される照射開口部の底面に形成された凹所である半導体発光装置。
【請求項７】
請求項２または３において、
上記囲い壁は、上記バンプで形成されている半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明な基板で形成された半導体発光素子を、バンプを用いて実装基板に実装する構成の半導体発光装置に関し、とりわけその実装部分の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
透明なサファイヤ基板の表面側に発光部となるＧａＮ層等を逐次成膜し、金属の電流拡散層を光反射層として、サファイヤ基板の裏面側から光を放射するフェイスダウン構造のＬＥＤチップを、フリップチップ方式で実装基板に実装した半導体発光装置は既に公知であり、そのような半導体発光装置では、ＬＥＤチップまたは実装基板のいずれか一方の側に、スタッドバンプ法などでバンプを形成し、このバンプを他方側へ熱圧着することにより、両者を電気的、物理的に接合させた構成となっている。
【０００３】
また、ＬＥＤチップは発光に伴って発熱するが、ＬＥＤチップの熱膨張係数と、実装基板の熱膨張係数とには差異があるため、両者の接合部には応力が加わる。そのため、そのような半導体発光装置を長期に使用すると、バンプ接合部にクラックが入ってしまい、性能の悪化、ひいては故障を引き起こすという問題があった。
そこで、そのような問題に対応すべく、ＬＥＤチップと実装基板との接合部の隙間にアンダーフィル樹脂を充填し、バンプの接合部に加わる応力をアンダーフィル樹脂によって分担して軽減した半導体発光装置が開発されている。
【０００４】
一方、本発明の先行技術には、下記の特許文献などがある。
これら特許文献のうちで、特許文献４では発光ダイオードの対リフロー性、耐熱サイクル等の信頼性を向上させるために、フェイスダウン構成の発光ダイオード素子のバンプ面を含む１面以上をアンダーフィル樹脂によって覆った発光ダイオードが開示されている。また、特許文献５には、放熱性や信頼性のために、フリップチップボンディングされたＬＥＤ素子とパッケージ底面との間にアンダーフィル樹脂を充填した表面実装型発光ダイオードが開示されている。
【特許文献１】特開２００２−９８８６３号
【特許文献２】特開２００２−５７３７４号
【特許文献３】特開平６−４５６５８号
【特許文献４】特開２００３−１５８３０１号
【特許文献５】特開２００３−１６３３７８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、フェイスダウン構造のＬＥＤチップでは、光は透明なサファイヤ基板の裏面側から放射されるだけでなく、サファイヤ基板の４方の側面からも放射される。半導体発光装置では高輝度が要望されており、側面から放射される光も半導体発光装置の外部へ放射できることが望ましい。
【０００６】
しかしながら、引用文献４で開示された発光ダイオードでは、発光ダイオード素子の側面もアンダーフィル樹脂で覆われるために、側面から放射される光を外部へ放射することができず、発光ダイオード素子の発光を完全に生かすことができない。
【０００７】
また、引用文献５で開示された表面実装型発光ダイオードでは、発光ダイオード素子の側面がアンダーフィル樹脂で覆われてはいないものの、アンダーフィル樹脂の側面への付着を積極的に防止する手段は講じられていないので、量産された表面実装型発光ダイオードの製品には、アンダーフィル樹脂が側面に付着したものも含まれることになり、照度低下の問題が発生することが考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、そのような問題を解決すべく、フリップチップ方式で実装される半導体発光素子とその実装基板との隙間にアンダーフィル樹脂を充填する構成であり、しかもそのアンダーフィル樹脂が半導体発光素子の側面に付着することを防止した構造の半導体発光装置を提案するものである。
【０００９】
すなわち、本発明の請求項１では、透明基板で形成され、裏面側から光を放射する半導体発光素子を、フリップチップ方式で、バンプと熱硬化性樹脂とによって、照射開口部の底面に固着しなる半導体発光装置において、半導体発光素子の表面と、照射開口部の底面の少なくとも一方に、熱硬化樹脂のはみ出しを防止する樹脂止め部を形成して、半導体発光素子の透明基板の周面部に熱硬化性樹脂が付着するのを防止する構造にした半導体発光装置を提案している。ここで熱硬化性樹脂は、半導体発光素子の実装時に、半導体発光素子と、照射開口部の底面、すなわち実装基板の半導体発光素子に対する実装部との隙間に充填された状態で、樹脂止め手段によって半導体発光素子の周囲へのはみ出しが抑止され硬化させられるのである。
【００１０】
上記樹脂止め部は、請求項２では、半導体発光素子の表面を一巡するようにして突出形成された囲い壁とされており、請求項３では、半導体発光素子が実装される照射開口部の底面を一巡するようにして突出形成された囲い壁とされている。
【００１１】
また、上記樹脂止め部は、請求項４では、半導体発光素子の表面を一巡するようにして形成された囲い溝とされ、請求項５では、半導体発光素子が実装される照射開口部の底面を一巡するようにして形成された囲い溝とされている。
【００１２】
また、請求項６では、樹脂止め部を、上記半導体発光素子が実装される照射開口部の底面に形成した凹所としている。また、請求項７では、囲い壁をバンプで形成している。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１〜７では、半導体発光素子の発光時の発熱に起因するバンプの接合部への応力が、半導体発光素子と実装基板との接合部の隙間に充填されたアンダーフィル樹脂によって分担されて軽減され、半導体発光装置の信頼性が向上する。更に、アンダーフィル樹脂が半導体発光素子の周面部に付着しないので、半導体発光素子の周面部から放射される光も有効に取り出すことができ、半導体発光装置の照度が高くなる。
【００１４】
また、特に請求項７では、バンプで形成された囲い壁が樹脂止め部として用いられるので、囲い壁や囲い溝を個別に形成するための工程が不要であり、ローコストで同様の効果を期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は、透明なサファイヤ基板の表面に発光層となるＧａＮ層などを逐次成膜して形成され、発光層で発生した光をサファイヤ基板の裏面側から照射するようにしたフェイスダウン構成の半導体発光チップを用いた半導体発光装置に好適に実施される。
【００１６】
図１Ａ、図１Ｂのそれぞれは、本発明の基本構成を説明するための、半導体発光装置Ｍの平面図および縦方向切断図である。図１Ａでは、見易すくするために、半導体発光素子１１を破線の輪郭線として表している。
【００１７】
図中、１１は照射面をサファイヤ基板の裏面１２とした半導体発光素子、２１は、半導体発光素子１１が実装された実装基板、２２は、開口の一方が他方より広い反射面２３となる貫通孔を設けた反射部材を示している。この反射部材２２は、実装基板２１の所定の位置に照射開口部２が形成されるように、貫通孔の開口が広い側を上にして樹脂貼着されている。
【００１８】
半導体発光素子１１のプラス側であるアノード電極Ｔａと、マイナス側であるカソード電極Ｔｋは、実装基板２１のそれぞれに対応した導電パターンＴ１、Ｔ２と、バンプＢを介して接合されている。バンプＢは、Ａｕ、Ｃｕ、半田合金を用いたスタッドバンプ法、メッキ法などで形成でき、半導体発光素子１１と実装基板２１側のいずれか一方側に設ければよい。導電パターンＴ１、Ｔ２は、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ又はＲｈを用いたＦＩＢ（収束イオンビーム）法、スパッタリング法、エッチング法などで形成できる。
【００１９】
半導体発光素子１１と照射開口部２の底面との接合部、すなわち実装基板２１の半導体発光素子１１に対する実装部の空間に充填されたアンダーフィル樹脂３１は、硬化して収縮し、半導体発光素子１１を実装基板２１の実装部へ強固に固着する。アンダーフィル樹脂３１としては、例えば、ヤング率が比較的小さく、かつ熱膨張係数が半導体発光素子１１と実装基板２１の中程にある熱硬化性エボキシ樹脂などが利用されるが、熱硬化性エボキシ樹脂だけに限定されない。このアンダーフィル樹脂３１は、半導体発光素子１１の発光に伴う発熱による熱膨張と実装基板２１の熱膨張との差に起因する応力を低減させるので、応力によるバンプ接合部付近のクラックを防止でき、半導体発光装置Ｍの長期信頼性を向上させるものである。
【００２０】
半導体発光素子１１の実装では、実装基板２１の照射開口部２の底面に、未硬化のアンダーフィル樹脂３１を予め付着させ、そこに半導体発光素子１１を、表面１３を下にするフリップチップ方式で被せ、それから半導体発光素子１１を接合方向へ加圧加熱して、バンプＢを接合させると共にアンダーフィル樹脂３１を硬化させる。その実装過程中で半導体発光素子１１が加圧加熱されている間に、アンダーフィル樹脂３１は硬化しつつ、半導体発光素子１１と照射開口部２の底面との隙間に広がっていく。
【００２１】
本発明は、このときのアンダーフィル樹脂３１の広がりに着目し、半導体発光素子１１と照射開口部２の底面との隙間を囲うように樹脂止め部１を形成して、アンダーフィル樹脂３１がその隙間からはみ出さないように均一に広がらせ、かつ透明な半導体発光素子１１の周面部１４に付着するのを防止するようにするものである。
【００２２】
樹脂止め部１は、そのために、半導体発光素子１１の表面１３と、照射開口部２の底面の少なくともいずれか一方に形成すればよく、実装過程中でアンダーフィル樹脂３１はかなりの粘性を有するので、半導体発光素子１１と照射開口部２の底面の接合部との隙間を塞ぐ壁としても、溝としても構成できる。なお、樹脂止め部１を壁として構成した場合には、壁は必ずしも連続している必要はなく、アンダーフィル樹脂３１が通過してはみ出ない程度の間隙を有したものでもよい。また、溝として構成した場合には、その溝には、はみ出てしまう分量のアンダーフィル樹脂３１を貯留させればよい。
【００２３】
従って本発明では、このような樹脂止め部１の作用により、アンダーフィル樹脂３１が半導体発光素子１１の周面部１４に付着しないので、そこから放射される光も吸収阻害されず、反射面２３で上方に反射されて外部へ放射され、有効に利用されるのである。
以下、この樹脂止め部１の実施例を図面に従って説明する。なお、各実施例で共通の構成要素には同一の参照符号を与え、その説明は割愛する。
【実施例１】
【００２４】
ここで図２Ａ〜図２Ｄに従って説明される半導体発光装置Ｍは、樹脂止め部１として、半導体発光素子１１の表面１３、すなわち実装面を一巡するようにして突出形成された囲み壁１ａを形成したものである。囲み壁１ａの形成方法は特に限定されないが、例えば、囲み壁１ａの形状に成形された樹脂を貼着したものでもよいし、メッキ法やＦＩＢ法によって堆積形成された金属の突条でもよい。
【００２５】
図２Ａは、上述した半導体発光素子１１の表面１３を上にした平面図である。図に示すように、半導体発光素子１１の表面１３の周縁に沿って、囲み壁１ａが突出形成させている。
【００２６】
図２Ｂは、半導体発光素子１１を実装する前の照射開口部２の平面図である。図に示すように、照射開口部２の底面の導電パターンＴ１、Ｔ２に形成された２つのバンプＢの中間に、未硬化のアンダーフィル樹脂３１が付着されている。
【００２７】
図２Ｃ（Ａ）、（Ｂ）は、半導体発光素子１１の実装過程を説明するために、半導体発光素子１１と照射開口部２とを示す断面図である。図２Ｃ（Ａ）は、半導体発光素子１１を実装する前の状態、図２Ｃ（Ｂ）は、半導体発光素子１１を実装した後の状態を示し、図２Ｃ（Ａ）で示された未硬化のアンダーフィル樹脂３１が、図２Ｃ（Ｂ）では、半導体発光素子１１と照射開口部２の底面との隙間で均一に広がって硬化し、アンダーフィル樹脂３１のはみ出しは、囲み壁１ａで規制されている。
【００２８】
次に、この囲み壁１ａをバンプＢによって形成した構成の半導体発光装置Ｍを、図２Ｄ（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。
【００２９】
すなわち、図２Ｄ（Ａ）では、複数のバンプＢが半導体発光素子１１の表面を一巡するように略等間隔で連設され、その１つはカソード電極ＴｋのバンプＢであり、それ以外の全ては、アノード電極ＴａのバンプＢとなっている。
【００３０】
図２Ｄ（Ｂ）では、アノード電極ＴａのバンプＢが半導体発光素子１１の表面を一巡するように略等間隔に連設され、更にカソード電極ＴｋのバンプＢが中央部にも形成されている。このようにバンプＢを配置するためには、半導体発光素子１１に金属層を更に形成して、その金属層を用いてアノード電極Ｔａ、カソード電極Ｔｂを再配置しておけばよい。
【００３１】
なお、図２Ｄ（Ａ）、（Ｂ）のいずれの場合であっても、これらのバンプＢに対応する形状の導電パターンＴ１、Ｔ２が実装基板２１に形成される（導電パターンＴ１、Ｔ２の形状については、図３Ｃ（Ａ）、（Ｂ）を参照）。
【実施例２】
【００３２】
図３Ａ〜図３Ｃに示す半導体発光装置Ｍは、樹脂止め部１として、照射開口部２の底部、即ち実装基板２１上の半導体発光素子１１に対する実装部を一巡するようにして突出形成された囲み壁１ｂを形成したものである。囲み壁１ｂの形成方法は特に限定されないが、例えば、囲み壁１ａの形状に成形された樹脂を貼着したものでもよいし、メッキ法やＦＩＢ法によって堆積形成された金属の突条でもよい。
【００３３】
図３Ａは、半導体発光素子１１を実装する前の照射開口部２の平面図である。図に示すように、照射開口部２の底部を一巡するように突出形成された囲み壁１ｂの内側の導電パターンＴ１、Ｔ２に形成された２つのバンプＢの中間に、未硬化のアンダーフィル樹脂３１が付着されている。
【００３４】
図３Ｂ（Ａ）、（Ｂ）は、半導体発光素子１１の実装過程を説明する断面図である。図３Ｂ（Ａ）は、半導体発光素子１１を実装する前の状態、図３Ｂ（Ｂ）は、半導体発光素子１１を実装した後の状態を示しており、図３Ｂ（Ａ）で示された未硬化のアンダーフィル樹脂３１が、図３Ｂ（Ｂ）では、半導体発光素子１１と照射開口部２の底面との隙間で均一に広がって硬化し、アンダーフィル樹脂３１のはみ出しは、囲み壁１ｂで規制されている。
【００３５】
次に、この囲み壁１ｂをバンプＢによって形成した構成の半導体発光装置Ｍを、図３Ｃ（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。
【００３６】
すなわち、図３Ｃ（Ａ）では、複数のバンプＢが照射開口部２の底部を一巡するように、導電パターンＴ１、Ｔ２上で略等間隔に連設され、その１つは半導体発光素子１１のカソード電極Ｔｋに接合されるバンプＢであり、それ以外の全ては、アノード電極Ｔａに接合されるバンプＢとなっている。
【００３７】
図３Ｃ（Ｂ）では、半導体発光素子１１のアノード電極Ｔａに接合されるバンプＢが照射開口部２の底部を一巡するように導電パターンＴ１上に略等間隔で形成され、更に中央部にも１つのカソード電極Ｔｋに接合されるバンプＢが形成されている。このようなバンプＢの配置とするためには、導電パターンＴ１を外側にして、内部の導電パターンＴ２が導電パターンＴ１を跨ぐために、スルーホール等を用いて実装基板２１の裏側を経由するようにしてもよい。
【００３８】
なお、図３Ｃ（Ａ）、（Ｂ）のいずれの場合であっても、これらのバンプＢの配置に対応する形状のアノード電極Ｔａ、カソード電極Ｔｋが半導体発光素子１１の表面に形成される（アノード電極Ｔａ、カソード電極Ｔｋの形状については、図２Ｄ（Ａ）、（Ｂ）を参照）。
【実施例３】
【００３９】
図４Ａ〜図４Ｃに示す半導体発光装置Ｍは、樹脂止め部１として、半導体発光素子１１の表面１３、すなわち実装面を一巡するようにして刻設された囲み溝１ｃを形成したものである。囲み溝１ｃは、異方性エッチング法、ＲＩＥ法（反応性イオンエッチング）等で刻設することができるが、はみ出すはずの分量のアンダーフィル樹脂を貯留可能な横断面積が必要である。
【００４０】
図４Ａは、上述した半導体発光素子１１の実装面を上にした平面図である。図に示すように、半導体発光素子１１の表面１３の周縁に沿って、囲み溝１ｃが刻設されている。
【００４１】
図４Ｂは、半導体発光素子１１を実装する前の照射開口部２の平面図である。図に示すように、照射開口部２の底面の導電パターンＴ１、Ｔ２に形成された２つのバンプＢの中間に、未硬化のアンダーフィル樹脂３１が付着されている。
【００４２】
図４Ｃ（Ａ）、（Ｂ）は、その半導体発光素子１１の実装過程を説明する断面図である。図４Ｃ（Ａ）は、半導体発光素子１１を実装する前の状態、図４Ｃ（Ｂ）は、半導体発光素子１１を実装した後の状態を示しており、図４Ｃ（Ａ）で付着されている未硬化のアンダーフィル樹脂３１が、図４Ｃ（Ｂ）では、均一に広がり、はみ出すはずの分量のアンダーフィル樹脂３１は、囲み溝１ｃに貯留され硬化している。
【実施例４】
【００４３】
図５Ａ〜図５Ｂに示す半導体発光装置Ｍは、樹脂止め部１として、照射開口部２の底部、即ち実装基板２１上の半導体発光素子１１に対する実装部を一巡するようにして刻設された囲み溝１ｄを形成したものである。囲み溝１ｄは、異方性エッチング法、ＲＩＥ法（反応性イオンエッチング）等で刻設することができるが、はみ出すはずの分量のアンダーフィル樹脂３１を貯留可能な横断面積が必要である。なお導電パターンＴ１、Ｔ２は、囲み溝１ｄを刻設したあとに形成すれば、囲み溝１ｄによって切断されることがない。
【００４４】
図５Ａは、半導体発光素子１１を実装する前の照射開口部２の平面図である。図に示すように、照射開口部２の底面の導電パターンＴ１、Ｔ２に形成された２つのバンプＢの中間に、未硬化のアンダーフィル樹脂３１が付着されている。
【００４５】
図５Ｂ（Ａ）、（Ｂ）は、その半導体発光素子１１の実装過程を説明する断面図である。図５Ｂ（Ａ）は、半導体発光素子１１を実装する前の状態、図５Ｂ（Ｂ）は、半導体発光素子１１を実装した後の状態を示しており、図５Ｂ（Ａ）で付着されている未硬化のアンダーフィル樹脂３１が、図５Ｂ（Ｂ）では、均一に広がり、はみ出すはずの分量のアンダーフィル樹脂３１は、分囲み溝１ｄに貯留され硬化している。
【実施例５】
【００４６】
ここで図６Ａ〜図６Ｂに示す半導体発光装置Ｍは、樹脂止め部１として、照射開口部２の底部、即ち実装基板２１上の半導体発光素子１１に対する実装部の中央に、凹所１ｅを形成したものである。凹所１ｅは、異方性エッチング法、ＲＩＥ法（反応性イオンエッチング）等で形成することができるが、広がったアンダーフィル樹脂３１を貯留できる体積が必要である。
【００４７】
図６Ａは、半導体発光素子１１を実装する前の照射開口部２の平面図である。図に示すように、照射開口部２の底部の中央に形成された凹所１ｅに、未硬化のアンダーフィル樹脂３１が付着されている。
【００４８】
図６Ｂ（Ａ）、（Ｂ）は、そのような半導体発光素子１１の実装過程を説明する断面図である。図６Ｂ（Ａ）は、半導体発光素子１１を実装する前の状態、図６Ｂ（Ｂ）は、半導体発光素子１１を実装した後の状態を示しており、図６Ｂ（Ａ）で凹所１ｅから盛り上げて付着されている未硬化のアンダーフィル樹脂３１が、図６Ｂ（Ｂ）では、凹所１ｅに均一に広がって硬化し、半導体発光素子１１の周囲へのはみ出しが防止されている。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１Ａ】本発明の基本構成を説明する半導体発光装置の平面図。
【図１Ｂ】本発明の基本構成を説明する半導体発光素子と照射開口部との縦方向断面図。
【図２Ａ】樹脂止め部として囲い壁を形成した半導体発光素子の表面の平面図。
【図２Ｂ】図２Ａの半導体発光素子を実装する照射開口部の平面図。
【図２Ｃ】（Ａ）、（Ｂ）  図２Ａの半導体発光素子と照射開口部とを示す縦方向の断面図。
【図２Ｄ】（Ａ）、（Ｂ）  囲み壁をバンプによって形成した半導体発光素子の平面図。
【図３Ａ】樹脂止め部として囲い壁を形成した照射開口部の平面図。
【図３Ｂ】（Ａ）、（Ｂ）  半導体発光素子と図３Ａの照射開口部とを示す縦方向の断面図。
【図３Ｃ】囲み壁をバンプによって形成した照射開口部の平面図。
【図４Ａ】樹脂止め部として囲い溝を形成した半導体発光素子の表面の平面図。
【図４Ｂ】図３Ａの半導体発光素子を実装する照射開口部の平面図。
【図４Ｃ】（Ａ）、（Ｂ）  図４Ａの半導体発光素子と照射開口部とを示す縦方向の断面図。
【図５Ａ】樹脂止め部として囲い溝を形成した照射開口部２の平面図。
【図５Ｂ】（Ａ）、（Ｂ）  半導体発光素子と図５Ａの照射開口部とを示す縦方向の断面図。
【図６Ａ】樹脂止め部として凹所を形成した照射開口部２の平面図。
【図６Ｂ】（Ａ）、（Ｂ）  半導体発光素子と図６Ａの照射開口部とを示す縦方向の断面図。
【符号の説明】
【００５０】
１          樹脂止め部
１ａ、１ｂ  囲い壁
１ｃ、１ｄ  囲い溝
１ｅ        凹所
１１        半導体発光素子（透明基板）
１２        半導体発光素子の裏面
１３        半導体発光素子の側面部
１４        半導体発光素子の表面
２          照射開口部
３１        アンダーフィル樹脂（熱硬化性樹脂）
Ｂ          バンプ
Ｍ          半導体発光装置
【図１Ａ】
2006093632.tif 000003
【図１Ｂ】
2006093632.tif 000004
【図２Ａ】
2006093632.tif 000005
【図２Ｂ】
2006093632.tif 000006
【図２Ｃ】
2006093632.tif 000007
【図２Ｄ】
2006093632.tif 000008
【図３Ａ】
2006093632.tif 000009
【図３Ｂ】
2006093632.tif 000010
【図３Ｃ】
2006093632.tif 000011
【図４Ａ】
2006093632.tif 000012
【図４Ｂ】
2006093632.tif 000013
【図４Ｃ】
2006093632.tif 000014
【図５Ａ】
2006093632.tif 000015
【図５Ｂ】
2006093632.tif 000016
【図６Ａ】
2006093632.tif 000017
【図６Ｂ】
2006093632.tif 000018