(57)【要約】     【課題】  熱的に安定し、かつ、低歪で、低消費電力の電力増幅器を提供する。    【解決手段】  この電力増幅器は、第１のスイッチ回路ＳＷ１が導通状態で第２のスイッチ回路ＳＷ２がベースバイアス電圧を高くする場合に、第２のインピーダンス回路ＺＺ１による高周波成分に対するバイパス経路が形成される。これにより、大きな出力電力を要求される場合に、高周波成分についてのバイパス経路が形成され、電流集中の発生を抑えながら高い線形性を実現できる。一方、第１のスイッチ回路ＳＷ１が開放状態で第２のスイッチ回路ＳＷ２がベースバイアス電圧を低くする場合には、上記バイパス経路は直流的にも交流的にも開放となり、入力信号が増大した際のコレクタ電流の増加を抑制でき、消費電流を少なくすることができるので、バッテリーの消耗を抑えることが可能になる。【選択図】  図１
2006041996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号入力端子と、
信号出力端子と、
ベースバイアス電圧供給端子と、
コレクタ端子が上記信号出力端子に接続されたエミッタ接地バイポーラトランジスタと、
上記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベース端子と上記ベースバイアス電圧供給端子との間に接続された抵抗と、
上記ベースバイアス電圧供給端子と上記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベース端子との間に上記抵抗に対して並列に接続され、直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導通であるインピーダンス回路部と、
切替信号が入力され、この切替信号に応じて、直流成分と交流成分の両方に対して導通である導通状態と、直流成分と交流成分の両方に対して開放である開放状態とが切り替わると共に、上記導通状態のときに、上記信号入力端子から上記インピーダンス回路部を経由して、上記ベースバイアス電圧供給端子と上記抵抗との接続点へ至るバイパス経路を直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導通にする一方、上記開放状態のときに、上記バイパス経路を直流成分と交流成分の両方に対して開放にする第１のスイッチ回路と、
上記切替信号が入力され、この切替信号に応じて、上記エミッタ接地バイポーラトランジスタに供給されるベースバイアス電圧を高低に切り替える第２のスイッチ回路とを備え、
上記切替信号が上記第１のスイッチ回路を上記導通状態にする場合に、上記第２のスイッチ回路は上記切替信号に応じて上記ベースバイアス電圧を高くする一方、上記切替信号が上記第１のスイッチ回路を上記開放状態にする場合に、上記第２のスイッチ回路は上記切替信号に応じて上記ベースバイアス電圧を低くすることを特徴とする電力増幅器。
【請求項２】
請求項１に記載の電力増幅器において、
上記インピーダンス回路部は、
一方の端子が上記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベース端子に接続され、他方の端子が上記信号入力端子に接続された第１のインピーダンス回路と、
上記ベースバイアス電圧供給端子と上記抵抗との接続点と上記信号入力端子との間に接続されると共に、一方の端子が上記第１のスイッチ回路を介して上記信号入力端子に接続されているか、もしくは、他方の端子が上記第１のスイッチ回路を介して上記ベースバイアス電圧供給端子と上記抵抗との接続点に接続された第２のインピーダンス回路とを有し、
上記第１のインピーダンス回路または上記第２のインピーダンス回路の少なくとも一方が直流成分に対し開放であると共に交流成分に対し導通であることを特徴とする電力増幅器。
【請求項３】
請求項２に記載の電力増幅器において、
上記エミッタ接地バイポーラトランジスタと上記抵抗と上記第１のインピーダンス回路とが構成する増幅部を複数個備えたことを特徴とする電力増幅器。
【請求項４】
請求項１に記載の電力増幅器において、
上記第１のスイッチ回路は、１個のｐｎｐトランジスタまたは１個のｎｐｎトランジスタのいずれか一方を有し、
上記第２のスイッチ回路は、１個のｐｎｐトランジスタまたは１個のｎｐｎトランジスタのいずれか他方を有することを特徴とする電力増幅器。
【請求項５】
請求項１に記載の電力増幅器において、
上記第１のスイッチ回路は、１個のＰチャンネルＭＯＳトランジスタまたは１個のＮチャンネルＭＯＳトランジスタのいずれか一方を有し、
上記第２のスイッチ回路は、１個のＰチャンネルＭＯＳトランジスタまたは１個のＮチャンネルＭＯＳトランジスタのいずれか他方を有することを特徴とする電力増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電力増幅器に関し、一例として携帯電話や無線ＬＡＮシステムなど高周波帯で使用され、線形性と発熱に対して高い動作安定度が要求される電力増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今、携帯電話に代表される携帯無線通信や、無線ＬＡＮに代表されるワイヤレスデータ通信など、高周波帯域を利用した無線通信の応用製品が開発され、利用が増加している。これらの製品の信号送信部には高周波電力増幅器が必要となる。
【０００３】
増幅器を構成するデバイスとしては、高い動作周波数を持ち、高利得、高効率が得られる化合物半導体ＨＢＴ(ヘテロジャンクション・バイポーラ・トランジスタ)に代表されるバイポーラトランジスタが多く用いられている。
【０００４】
高周波電力増幅器の出力段トランジスタは、複数のバイポーラトランジスタを並列接続し配置したトランジスタ配列によって構成される。このように、複数のトランジスタを並列動作させた場合、トランジスタ間の温度差がベースバイアスにフィードバックされ、温度の高い部分のコレクタ電流Ｉｃが異常に増加して行き、複数のトランジスタの１点に電流が集中してしまうという現象が発生する。
【０００５】
このような状態になると、増幅率が劣化するばかりでなく、電流が集中したトランジスタは最後には破壊に至るので、増幅器としては使用できなくなる。これを防ぐために、ベース端子とベースバイアス電源との間に抵抗を挿入した回路が多く用いられている。
【０００６】
ところが、デジタル変調方式として採用されているＱＰＳＫ(４元位相偏移変調)やＱＡＭ(４元振幅変調)では、信号の振幅と位相の両方に情報を載せる方式であることから、信号波形の忠実な増幅が必要である。このため、増幅器としては、入力信号の電流振幅(ベース電流振幅)の増大に比例した出力電流振幅(コレクタ電流振幅)を出力する高い線形性が必要になる。
【０００７】
これに対し、上述の如く、上記電流集中を抑制するためにトランジスタのベース端子に抵抗を挿入した場合には、入力信号の増大に伴ってベース電流を増加させてコレクタ電流も入力信号の増大に比例して増加させる必要があるにも関わらず、上記抵抗がベース電流の増加を防ぐ働きをすることになる。
【０００８】
この対策として、線形性がいくらか悪化するが、入力信号の交流成分のみを部分的にベースバイアス電源端子にバイパスさせて、「直流的な電流集中」を抑制し、かつ、交流的なベース電流は増加させて熱的に安定かつ線形の高い増幅器を構成する工夫がなされている。
【０００９】
この工夫がなされた回路構成を適用した従来例の電力増幅器を図６に示す(特開２００３−３２４３２５号公報参照)。この電力増幅器では、バイポーラトランジスタＱ１のベース端子Ｂとベースバイアス電圧供給端子ＶＢの間に接続された抵抗ＲＢの両端には、第１および第２のインピーダンス回路Ｚ１、ＺＺを経由した高周波成分についてのバイパス経路が形成されている。
【００１０】
したがって、ベースバイアス電圧供給端子ＶＢから抵抗ＲＢに向かうベース電流の交流成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。したがって、抵抗ＲＢでの電圧降下の増大が実効的に抑制され、信号増幅度の低下を抑制することができ、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。また、第１および第２のインピーダンス回路Ｚ１、ＺＺの少なくとも一方は、そのインピーダンスが直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導通であるため、電力増幅器の温度が上昇することで発生する電流集中によるベース電流増大を抵抗ＲＢでの電圧降下によって抑制できる。このように、高周波成分についてのバイパス経路が形成された電力増幅器によれば、電流集中の発生を抑えながら高い線形性を持つ電力増幅器を実現できる。
【００１１】
しかし、上記従来例では、高出力時の線形性は高いが、線形性の確保のためにコレクタ電流は増加している。よって、増幅器で消費する電流は増えている。したがって、例えば、携帯電話や無線ＬＡＮシステムのように、出力電力をモニターして出力電力制御を行い、必要に応じてフルパワー出力から出力電力を下げた状態で使用する場合などでは、バッテリーの消耗が早くなり携帯端末の連続動作時間が短くなるという問題がある。
【００１２】
これに対しては、要求される出力電力レベルに応じてベースバイアス電源からの供給電圧を切り替えて、低出力時の消費電流を下げることも考えられる。
【００１３】
しかし、この場合でも、上記線形性の向上のためのバイパス回路の存在によって、バイパス回路が存在しない増幅器に比べて、入力信号の増加に伴って増加していくコレクタ電流の増加率は高いので、アイドル電流は同じであるものの、結果として消費電流は多くなる。
【００１４】
なお、ここで、アイドル電流とは、基本的には高周波入力信号が無い時に、出力部のバイポーラトランジスタで消費される直流的な電流をいう。出力信号が小さい時には個々のトランジスタで消費される電流は、ほぼこのアイドル電流に等しい。一方、出力信号が大きい時にはトランジスタでの消費電流はアイドル電流よりも増加する。
【特許文献１】特開２００３−３２４３２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
そこで、この発明の課題は、熱的に安定し、かつ、低歪で、低消費電力の電力増幅器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、この発明の電力増幅器は、信号入力端子と、信号出力端子と、ベースバイアス電圧供給端子と、
コレクタ端子が上記信号出力端子に接続されたエミッタ接地バイポーラトランジスタと、
上記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベース端子と上記ベースバイアス電圧供給端子との間に接続された抵抗と、
上記ベースバイアス電圧供給端子と上記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベース端子との間に上記抵抗に対して並列に接続され、直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導通であるインピーダンス回路部と、
切替信号が入力され、この切替信号に応じて、直流成分と交流成分の両方に対して導通である導通状態と、直流成分と交流成分の両方に対して開放である開放状態とが切り替わると共に、上記導通状態のときに、上記信号入力端子から上記インピーダンス回路部を経由して、上記ベースバイアス電圧供給端子と上記抵抗との接続点へ至るバイパス経路を直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導通にする一方、上記開放状態のときに、上記バイパス経路を直流成分と交流成分の両方に対して開放にする第１のスイッチ回路と、
上記切替信号が入力され、この切替信号に応じて、上記エミッタ接地バイポーラトランジスタに供給されるベースバイアス電圧を高低に切り替える第２のスイッチ回路とを備え、
上記切替信号が上記第１のスイッチ回路を上記導通状態にする場合に、上記第２のスイッチ回路は上記切替信号に応じて上記ベースバイアス電圧を高くする一方、上記切替信号が上記第１のスイッチ回路を上記開放状態にする場合に、上記第２のスイッチ回路は上記切替信号に応じて上記ベースバイアス電圧を低くすることを特徴としている。
【００１７】
この発明の電力増幅器によれば、上記切替信号が上記第１のスイッチ回路を上記導通状態にする場合に、上記第２のスイッチ回路は上記切替信号に応じて上記ベースバイアス電圧を高くする。これにより、大きな出力電力を要求される場合に対応して、上記インピーダンス回路部によって、上記抵抗の両端に、高周波成分についてのバイパス経路が形成される。したがって、ベースバイアス電圧供給端子から抵抗に向かうベース電流の交流成分の一部が上記バイパス経路へ割り振られる。したがって、抵抗での電圧降下の増大が実効的に抑制され、信号増幅度の低下を抑制することができ、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。また、上記インピーダンス回路部のインピーダンスは直流成分に対して開放であると共に交流成分に対して導通であるので、電力増幅器の温度が上昇することで発生する電流集中によるベース電流増大を抵抗での電圧降下によって抑制できる。このように、大きな出力電力を要求される場合に、高周波成分についてのバイパス経路が形成され、電流集中の発生を抑えながら高い線形性を実現できる。
【００１８】
一方、上記切替信号が上記第１のスイッチ回路を上記開放状態にする場合に、上記第２のスイッチ回路は上記切替信号に応じて上記ベースバイアス電圧を低くする。これにより、低い出力電力での動作が選択され、第１のスイッチ回路が開放状態になることで、上記バイパス経路は直流的にも交流的にも開放となる。したがって、入力信号が増大した際のコレクタ電流の増加を抑制でき、消費電流を少なくすることができるので、バッテリーの消耗を抑えることが可能になる。
【００１９】
さらに、この発明によれば、第１のスイッチ回路と第２のスイッチ回路の両方を、共通の切替信号つまり１つの制御信号で制御できるので、制御信号が１系統で済み、回路構成が簡単になり、部品点数の削減による小型化およびコストの低減を図ることが可能になる。
【００２０】
また、一実施形態の電力増幅器では、上記インピーダンス回路部は、
一方の端子が上記エミッタ接地バイポーラトランジスタのベース端子に接続され、他方の端子が上記信号入力端子に接続された第１のインピーダンス回路と、
上記ベースバイアス電圧供給端子と上記抵抗との接続点と上記信号入力端子との間に接続されると共に、一方の端子が上記第１のスイッチ回路を介して上記信号入力端子に接続されているか、もしくは、他方の端子が上記第１のスイッチ回路を介して上記ベースバイアス電圧供給端子と上記抵抗との接続点に接続された第２のインピーダンス回路とを有し、
上記第１のインピーダンス回路または上記第２のインピーダンス回路の少なくとも一方が直流成分に対し開放であると共に交流成分に対し導通である。
【００２１】
この実施形態によれば、第１のスイッチ回路が導通状態で第２のスイッチ回路がベースバイアス電圧を高くする場合に、第２のインピーダンス回路による高周波成分に対するバイパス経路が形成される。これにより、大きな出力電力を要求される場合に、高周波成分についてのバイパス経路が形成され、電流集中の発生を抑えながら高い線形性を実現できる。
【００２２】
一方、第１のスイッチ回路が開放状態で第２のスイッチ回路がベースバイアス電圧を低くする場合には、上記バイパス経路は直流的にも交流的にも開放となり、入力信号が増大した際のコレクタ電流の増加を抑制でき、消費電流を少なくすることができるので、バッテリーの消耗を抑えることが可能になる。
【００２３】
また、一実施形態の電力増幅器は、上記エミッタ接地バイポーラトランジスタと上記抵抗と上記第１のインピーダンス回路とが構成する増幅部を複数個備えた。
【００２４】
この実施形態では、例えば、携帯電話や無線ＬＡＮ(ローカルエリア・ネットワーク)等の通信装置に用いられる送信用電力増幅器のための所定の出力を得ることが可能となる。
【００２５】
また、一実施形態の電力増幅器は、上記第１のスイッチ回路は、１個のｐｎｐトランジスタまたは１個のｎｐｎトランジスタのいずれか一方を有し、上記第２のスイッチ回路は、１個のｐｎｐトランジスタまたは１個のｎｐｎトランジスタのいずれか他方を有する。
【００２６】
この実施形態によれば、第１、第２のスイッチ回路を、それぞれ、１個のバイポーラトランジスタで構成できるから、回路構成を簡素化できる。
【００２７】
また、一実施形態の電力増幅器は、上記第１のスイッチ回路は、１個のＰチャンネルＭＯＳトランジスタまたは１個のＮチャンネルＭＯＳトランジスタのいずれか一方を有し、上記第２のスイッチ回路は、１個のＰチャンネルＭＯＳトランジスタまたは１個のＮチャンネルＭＯＳトランジスタのいずれか他方を有する。
【００２８】
この実施形態の電力増幅器によれば、第１、第２のスイッチ回路を、それぞれ、１個のＭＯＳトランジスタで構成できるから、回路構成を簡素化できる。
【発明の効果】
【００２９】
この発明の電力増幅器によれば、第１のスイッチ回路が導通状態で第２のスイッチ回路がベースバイアス電圧を高くする場合に、インピーダンス回路部による高周波成分に対するバイパス経路が形成される。これにより、大きな出力電力を要求される場合に、高周波成分についてのバイパス経路が形成され、電流集中の発生を抑えながら高い線形性を実現できる。一方、第１のスイッチ回路が開放状態で第２のスイッチ回路がベースバイアス電圧を低くする場合には、上記バイパス経路は直流的にも交流的にも開放となり、入力信号が増大した際のコレクタ電流の増加を抑制でき、消費電流を少なくすることができるので、バッテリーの消耗を抑えることが可能になる。
【００３０】
したがって、この発明によれば、熱的に安定し、かつ、低歪で、低消費電力の電力増幅器を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３２】
(第１の実施の形態)
図１に、この発明の電力増幅器の第１の実施形態を示す。この第１の実施形態の電力増幅器は、ベース端子Ｂ、コレクタ端子Ｃｏを有したエミッタ接地型ｎｐｎバイポーラトランジスタＱ１を備える。
【００３３】
このｎｐｎバイポーラトランジスタＱ１のベース端子Ｂは、第１のインピーダンス回路Ｚ１を経由して、信号入力端子ＲＦＩＮに接続されている。また、コレクタ端子Ｃｏは信号出力端子ＲＦＯＵＴに接続されている。
【００３４】
また、ベースバイアス電圧供給端子ＶＢとベース端子Ｂとの間に、第２のスイッチ回路ＳＷ２と抵抗ＲＢとが順に直列に接続されている。この第２のスイッチ回路ＳＷ２がベースバイアス切替回路をなす。
【００３５】
また、上記ベースバイアス切替回路をなす第２のスイッチ回路ＳＷ２と抵抗ＲＢとの接続点Ｎ１と上記信号入力端子ＲＦＩＮと上記第１のインピーダンス回路Ｚ１との接続点Ｎ２との間に、第１のスイッチ回路ＳＷ１と第２のインピーダンス回路ＺＺ１とが順に直列に接続されている。上記第１のインピーダンス回路Ｚ１と第２のインピーダンス回路ＺＺ１とがインピーダンス回路部を構成している。また、上記第２のインピーダンス回路ＺＺ１と第１のスイッチ回路ＳＷ１とが、上記信号入力端子ＲＦＩＮから接続点Ｎ２を経由して、接続点Ｎ１へ至るバイパス経路ＢＰ１を構成している。また、第１のスイッチ回路ＳＷ１と第１,第２のインピーダンス回路Ｚ１,ＺＺ１とが抵抗ＲＢに対する並列回路部を構成している。
【００３６】
上記第１のインピーダンス回路Ｚ１は、２つの端子Ｐａ１、Ｐｂ１を有し、端子Ｐａ１が信号入力端子ＲＦＩＮに接続され、端子Ｐｂ１が上記ベース端子Ｂに接続されている。
【００３７】
また、上記第１のスイッチ回路ＳＷ１および第２のスイッチ回路ＳＷ２は、スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬに接続され、このスイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬから同一の切替信号が入力される。
【００３８】
上記第１のスイッチ回路ＳＷ１は、入力される切替信号に応じて、導通状態と開放状態に切り替わる。この導通状態とは直流成分と交流成分の両方に対して導通である状態であり、上記開放状態とは直流成分と交流成分の両方に対して開放である状態である。
【００３９】
また、上記第２のスイッチ回路ＳＷ２は、上記第１のスイッチ回路ＳＷ１に入力される切替信号と同じ切替信号が入力される。上記第１のスイッチ回路ＳＷ１を導通状態にする切替信号が、第２のスイッチ回路ＳＷ２に入力されると、この第２のスイッチ回路ＳＷ２は、高いバイアス電圧と低いバイアス電圧のうちの高いバイアス電圧をベース端子Ｂに供給する第１状態(オフ状態)に切り替わる。一方、上記第１のスイッチ回路ＳＷ１を開放状態にする切替信号が、第２のスイッチ回路ＳＷ２に入力されると、この第２のスイッチ回路ＳＷ２は、上記高いバイアス電圧と低いバイアス電圧のうちの低いバイアス電圧をベース端子Ｂに供給する第２状態(オン状態)に切り替わる。
【００４０】
なお、この第１実施形態では、上記第２のスイッチ回路ＳＷ２が第１状態である場合と第２状態である場合の両方の場合において、上記抵抗ＲＢは上記ベース端子Ｂと上記ベースバイアス電圧供給端子ＶＢとの間に直流的に接続されている。
【００４１】
したがって、温度上昇によるベース電流増大が上記抵抗ＲＢによって抑制され、エミッタ接地バイポーラトランジスタＱ１のコレクタ電流の増大を抑制できる。したがって、トランジスタＱ１は安定に動作できる。
【００４２】
また、この第１実施形態では、大きな出力電力が要求される場合には、スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬから入力される切替信号によって、第１のスイッチ回路ＳＷ１は導通状態になると共に、バイアス切り替えスイッチである第２のスイッチ回路ＳＷ２が第１状態(オフ状態)になる。これにより、ベースバイアス供給端子ＶＢから第２のスイッチ回路ＳＷ２と抵抗ＲＢを経由して、上記高いバイアス電圧がベース端子Ｂに供給される。したがって、第２のスイッチＳＷ２が第２状態である場合に比べて、トランジスタＱ１へのアイドル電流が多くなる。
【００４３】
また、この大きな出力電力が要求される場合には、第１のスイッチ回路ＳＷ１は導通状態になるから、先に述べた従来例のように信号入力端子ＲＦＩＮから高周波信号を入力することで、この高周波信号の一部が第２のインピーダンス回路ＺＺ１によりバイパスされて、抵抗ＲＢに加えられる。
【００４４】
したがって、第１のインピーダンス回路Ｚ１と第２のインピーダンス回路ＺＺ１とによって、抵抗ＲＢの両端に高周波信号が入力されることとなり、実効的に上記抵抗ＲＢでの電圧降下の増大が抑制される。したがって、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
【００４５】
一方、この第１実施形態では、信号出力電力が小さく、かつ、トランジスタＱ１の消費電流も少ないことが要求される動作条件の場合は、スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬから入力される切替信号によって、第１のスイッチ回路ＳＷ１は開放状態になると共に、バイアス切り替えスイッチである第２のスイッチ回路ＳＷ２が第２状態(オン状態)になる。これにより、ベースバイアス供給端子ＶＢの電圧を変えることなく、第２のスイッチ回路ＳＷ２は、トランジスタＱ１のベース端子Ｂへ供給するバイアス電圧を低くして、アイドル電流をより小さく設定する。また、この場合、スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬからの切替信号によって、上記第１のスイッチ回路ＳＷ１は開放状態になるから、信号入力端子ＲＦＩＮへ入力された高周波信号はインピーダンス回路ＺＺ１へバイパスされない。したがって、トランジスタＱ１のベース電流は抵抗ＲＢにより抑制されて、コレクタ電流も高周波信号がバイパスされる時に比べて増加しない。よって、信号出力電力が小さい場合は、トランジスタＱ１の消費電流が少ないままで動作することが可能になる。
【００４６】
したがって、この第１実施形態によれば、熱的に安定し、かつ、低歪で、低消費電力の電力増幅器となる。
【００４７】
なお、上記第１実施形態では、第１のスイッチ回路ＳＷ１を第２のインピーダンス回路ＺＺ１の端子Ｐｂと接続点Ｎ１との間に接続したが、第１のスイッチ回路ＳＷ１を第２のインピーダンス回路ＺＺ１の端子Ｐａと接続点Ｎ２との間に接続してもよい。
【００４８】
(第２の実施の形態)
次に、図２に、この発明の電力増幅器の第２の実施形態を示す。この第２の実施形態は、前述の第１の実施形態に比べて、具体的かつ簡素な実施形態の一例である。
【００４９】
すなわち、この第２実施形態では、前述の第１実施形態における第１のインピーダンス回路Ｚ１をキャパシタＣ１で構成し、第２のインピーダンス回路ＺＺ１をキャパシタＣａ１と抵抗Ｒａ１との直列接続回路で構成した。
【００５０】
また、第１のスイッチ回路ＳＷ１を１つのｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐと１つの抵抗ＲＳ１で構成した。この抵抗ＲＳ１は上記ｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐのベース端子とスイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬとの間に接続されている。また、このｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐのエミッタ端子が上記抵抗Ｒａ１に接続され、コレクタ端子が接続点Ｎ１に接続されている。
【００５１】
また、ベースバイアス切替回路をなす上記第２のスイッチ回路ＳＷ２を、１つのｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎと抵抗ＲＳ２１，ＲＳ２２、ＲＳ２３で構成している。このｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎはエミッタ接地であり、コレクタ端子は抵抗ＲＳ２２を介して上記接続点Ｎ１に接続されている。また、このｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎのベース端子Ｂは抵抗ＲＳ２３を介して上記スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬに接続されている。また、上記抵抗ＲＳ２１は上記接続点Ｎ１と上記ベースバイアス電圧供給端子ＶＢとの間に接続されている。
【００５２】
この第２実施形態によれば、直流に対して開放となると共に交流に対して導通となる第２のインピーダンス回路ＺＺ１をキャパシタＣａ１と抵抗Ｒａ１という簡素な素子で回路構成できる。また、第１のインピーダンス回路Ｚ１を１つのキャパシタＣ１で構成できる。
【００５３】
また、この第２実施形態によれば、ｐｎｐトランジスタとｎｐｎトランジスタと抵抗とによる簡素な構成でもって、同一の切替信号によって排他的に動作する第１のスイッチ回路と第２のスイッチ回路を実現できる。
【００５４】
すなわち、上記スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬからの切替信号が第１のスイッチ回路のｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐをオンさせる場合に、上記切替信号は第２のスイッチ回路のｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎをオフさせる。これにより、ベースバイアス供給端子ＶＢから第２のスイッチ回路ＳＷ２の抵抗ＲＳ２１と抵抗ＲＢを経由して、ｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎがオンである場合に比べて高いバイアス電圧がベース端子Ｂに供給される。したがって、ｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎがオンである場合(第２のスイッチＳＷ２が第２状態である場合)に比べてに比べて、トランジスタＱ１へのアイドル電流が多くなり、大きな出力電力が要求される場合に対応可能となる。
【００５５】
また、この大きな出力電力が要求される場合には、ｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐ(第１のスイッチ回路ＳＷ１)は導通状態になるから、信号入力端子ＲＦＩＮから高周波信号を入力することで、この高周波信号の一部が接続点Ｎ２からキャパシタＣａ１と抵抗Ｒａ１(第２のインピーダンス回路ＺＺ１)にバイパスされて、抵抗ＲＢに加えられる。
【００５６】
したがって、第１のインピーダンス回路Ｚ１をなすキャパシタＣ１と第２のインピーダンス回路ＺＺ１をなすキャパシタＣａ１と抵抗Ｒａ１によって、抵抗ＲＢの両端に高周波信号が入力されることとなり、実効的に上記抵抗ＲＢでの電圧降下の増大が抑制される。したがって、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
【００５７】
逆に、上記スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬからの切替信号が第１のスイッチ回路のｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐをオフさせる場合に、上記切替信号は第２のスイッチ回路のｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎをオンさせる。これにより、ベースバイアス供給端子ＶＢの電圧を変えることなく、ｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎがオフである場合に比べて、トランジスタＱ１のベース端子Ｂへ供給するバイアス電圧を低くして、アイドル電流をより小さく設定する。また、この場合、スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬからの切替信号によって、上記第１のスイッチ回路ＳＷ１のｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐは開放状態になるから、信号入力端子ＲＦＩＮへ入力された高周波信号はインキャパシタＣａ１(インピーダンス回路ＺＺ１)へバイパスされない。したがって、トランジスタＱ１のベース電流は抵抗ＲＢにより抑制されて、コレクタ電流も高周波信号がバイパスされる時に比べて増加しない。よって、信号出力電力が小さい場合は、トランジスタＱ１の消費電流が少ないままで動作することが可能になる。
【００５８】
したがって、この第１実施形態によれば、熱的に安定し、かつ、低歪で、低消費電力の電力増幅器となる。
【００５９】
なお、上記第２実施形態において、第１のスイッチ回路をｎｐｎトランジスタで構成し、第２のスイッチ回路をｐｎｐトランジスタで構成してもよい。また、第１のスイッチ回路をＮＭＯＳトランジスタで構成し、第２のスイッチ回路をＰＭＯＳトランジスタで構成してもよい。また、第１のスイッチ回路をＰＭＯＳトランジスタで構成し、第２のスイッチ回路をＮＭＯＳトランジスタで構成してもよい。
【００６０】
(第３の実施の形態)
図３に、この発明の電力増幅器の第３の実施形態を示す。この第３の実施形態の電力増幅器は、ベース端子Ｂ、コレクタ端子Ｃｏを有したエミッタ接地型バイポーラトランジスタＱ１を備える。
【００６１】
図３と図１を比較すれば分かるように、この第３実施形態は、第２のインピーダンス回路ＺＺ１の端子Ｐａが第１のインピーダンス回路Ｚ１の端子Ｐｂ１とベース端子Ｂとの接続点Ｍ２に接続された点が先述の第１実施形態と異なる。
【００６２】
この第３実施形態では、ベースバイアス切替回路をなす第２のスイッチ回路ＳＷ２と抵抗ＲＢとの接続点Ｍ１と上記ベース端子Ｂと上記第１のインピーダンス回路Ｚ１との接続点Ｍ２との間に、第１のスイッチ回路ＳＷ１と第２のインピーダンス回路ＺＺ１とが順に直列に接続されている。上記第１のインピーダンス回路Ｚ１と第２のインピーダンス回路ＺＺ１とがインピーダンス回路部を構成している。また、第１のスイッチ回路ＳＷ１と第２のインピーダンス回路ＺＺ１とが、上記信号入力端子ＲＦＩＮから上記接続点Ｍ２を経由して、上記接続点Ｍ１へ至るバイパス経路ＢＰ２を構成している。また、第１のスイッチ回路ＳＷ１と第２のインピーダンス回路ＺＺ１とが抵抗ＲＢに対する並列回路部を構成している。
【００６３】
この第３実施形態は、第１実施形態と同様、温度上昇によるベース電流増大が上記抵抗ＲＢによって抑制され、エミッタ接地バイポーラトランジスタＱ１のコレクタ電流の増大を抑制でき、トランジスタＱ１は安定に動作できる。
【００６４】
また、この第３実施形態は、第１実施形態と同様、大きな出力電力が要求される場合には、スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬから入力される切替信号によって、第１のスイッチ回路ＳＷ１は導通状態になると共に、バイアス切り替えスイッチである第２のスイッチ回路ＳＷ２が第１状態(オフ状態)になる。これにより、第２のスイッチ回路ＳＷ２が第２状態(オン状態)である場合に比べて、トランジスタＱ１へのアイドル電流が多くなる。
【００６５】
また、この大きな出力電力が要求される場合には、第１のスイッチ回路ＳＷ１は導通状態になるから、信号入力端子ＲＦＩＮから入力されて第１のインピーダンス回路Ｚ１を通過した高周波信号の一部が接続点Ｍ２から第２のインピーダンス回路ＺＺ１にバイパスされて、抵抗ＲＢに加えられる。
【００６６】
したがって、この第３実施形態では、信号入力端子ＲＦＩＮからの高周波信号は、第１のインピーダンス回路Ｚ１だけを経由する直接の経路と、第１のインピーダンス回路Ｚ１と第２のインピーダンス回路ＺＺ１の両方を経由するバイパス経路とによって、抵抗ＲＢの両端に入力される。したがって、実効的に上記抵抗ＲＢでの電圧降下の増大が抑制されて、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
【００６７】
一方、この第３実施形態では、信号出力電力が小さく、かつ、トランジスタＱ１の消費電流も少ないことが要求される動作条件の場合は、スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬから入力される切替信号によって、第１のスイッチ回路ＳＷ１は開放状態になると共に、バイアス切り替えスイッチである第２のスイッチ回路ＳＷ２が第２状態(オン状態)になる。
【００６８】
これにより、ベースバイアス供給端子ＶＢの電圧を変えることなく、第２のスイッチ回路ＳＷ２は、第１状態(オフ状態)である場合に比べて、トランジスタＱ１のベース端子Ｂへ供給するバイアス電圧を低くして、アイドル電流を小さく設定する。また、この場合、スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬからの切替信号によって、上記第１のスイッチ回路ＳＷ１は開放状態になるから、信号入力端子ＲＦＩＮへ入力された高周波信号はインピーダンス回路ＺＺ１へバイパスされない。したがって、トランジスタＱ１のベース電流は抵抗ＲＢにより抑制されて、コレクタ電流も高周波信号がバイパスされる時に比べて増加しない。よって、信号出力電力が小さい場合は、トランジスタＱ１の消費電流が少ないままで動作することが可能になる。
【００６９】
したがって、この第３実施形態によれば、熱的に安定し、かつ、低歪で、低消費電力の電力増幅器となる。
【００７０】
なお、この第３実施形態では、第１のスイッチ回路ＳＷ１を第２のインピーダンス回路ＺＺ１の端子Ｐｂと接続点Ｍ１との間に接続したが、第１のスイッチ回路ＳＷ１を第２のインピーダンス回路ＺＺ１の端子Ｐａと接続点Ｍ２との間に接続してもよい。
【００７１】
(第４の実施の形態)
次に、図４に、この発明の電力増幅器の第４の実施形態を示す。この第４の実施形態は、前述の第３の実施形態に比べて、具体的かつ簡素な実施形態の一例である。
【００７２】
すなわち、この第４実施形態では、前述の第３実施形態における第１のインピーダンス回路Ｚ１をキャパシタＣ１で構成し、第２のインピーダンス回路ＺＺ１をキャパシタＣａ１で構成した。
【００７３】
また、この第４実施形態では、前述の第３実施形態におけるスイッチ回路ＳＷ１をｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐと抵抗ＲＳ１で構成した。この抵抗ＲＳ１は、ｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐのベース端子とスイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬとの間に接続されている。また、ｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐのエミッタ端子はキャパシタＣａ１に接続され、ｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐのコレクタ端子は接続点Ｍ１に接続されている。
【００７４】
また、この第４実施形態では、前述の第３実施形態におけるバイアス切り替え用の第２のスイッチ回路ＳＷ２をｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎと抵抗ＲＳ２１，ＲＳ２２、ＲＳ２３で構成した。このｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎは、エミッタ端子が接地され、コレクタ端子が抵抗ＲＳ２２を介して上記接続点Ｍ１に接続され、ベース端子が抵抗ＲＳ２３を介してスイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬに接続されている。また、抵抗ＲＳ２１は上記接続点Ｍ１とベースバイアス供給端子ＶＢとの間に接続されている。
【００７５】
この第４実施形態によれば、直流に対して開放となると共に交流に対して導通となる第１,第２のインピーダンス回路Ｚ１,ＺＺ１をキャパシタＣ１,Ｃａ１のみの簡素な素子で回路構成できる。また、同一の切替信号で排他的に動作する第１,第２のスイッチ回路を１つのｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎと１つのｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐと４つの抵抗ＲＳ１,ＲＳ２１,ＲＳ２２,ＲＳ２３で簡素に構成できる。
【００７６】
すなわち、この第４実施形態では、上記スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬからの切替信号が第１のスイッチ回路のｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐをオンさせる場合に、上記切替信号は第２のスイッチ回路のｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎをオフさせる。これにより、ｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎがオンである場合に比べて、トランジスタＱ１へのアイドル電流が多くなる。また、ｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐがオンになるから、信号入力端子ＲＦＩＮからの高周波信号は、キャパシタＣ１だけを経由する経路と、キャパシタＣ１とキャパシタＣａ１の両方を経由するバイパス経路とによって、抵抗ＲＢの両端に入力される。したがって、実効的に上記抵抗ＲＢでの電圧降下の増大が抑制されて、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
【００７７】
逆に、上記スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬからの切替信号が第１のスイッチ回路のｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐをオフさせる場合に、上記切替信号は第２のスイッチ回路のｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎをオンさせる。これにより、ベースバイアス供給端子ＶＢの電圧を変えることなく、ｎｐｎトランジスタＱＳＷｎｐｎ(第２のスイッチ回路ＳＷ２)は、第１状態(オフ状態)である場合に比べて、トランジスタＱ１のベース端子Ｂへ供給するバイアス電圧を低くして、アイドル電流を小さく設定する。また、この場合、スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬからの切替信号によって、上記ｐｎｐトランジスタＱＳＷｐｎｐ(第１のスイッチ回路ＳＷ１)は開放状態になるから、信号入力端子ＲＦＩＮへ入力された高周波信号はインピーダンス回路ＺＺ１へバイパスされない。したがって、トランジスタＱ１のベース電流は抵抗ＲＢにより抑制されて、コレクタ電流も高周波信号がバイパスされる時に比べて増加しない。よって、信号出力電力が小さい場合は、トランジスタＱ１の消費電流が少ないままで動作することが可能になる。
【００７８】
なお、上記第４実施形態において、第１のスイッチ回路ＳＷ１をｎｐｎトランジスタで構成し、第２のスイッチ回路ＳＷ２をｐｎｐトランジスタで構成してもよい。また、第１のスイッチ回路をＮＭＯＳトランジスタで構成し、第２のスイッチ回路をＰＭＯＳトランジスタで構成してもよい。また、第１のスイッチ回路をＰＭＯＳトランジスタで構成し、第２のスイッチ回路をＮＭＯＳトランジスタで構成してもよい。
【００７９】
また、上記第１から４の実施形態においては、１つのバイポーラトランジスタＱ１を備えたが、上記信号入力端子ＲＦＩＮと信号出力端子ＲＦＯＵＴとの間に並列接続された複数のエミッタ接地バイポーラトランジスタを備えてもよい。
【００８０】
(第５の実施の形態)
次に、図５に、この発明の電力増幅器の第５の実施形態を示す。この第５実施形態は、エミッタ接地型のｎ個のバイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎを備える。エミッタ接地型バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎは、そのコレクタ端子Ｃo１〜Ｃoｎが信号出力端子ＲＦＯＵＴに接続され、エミッタが接地されている。
【００８１】
また、１番目のエミッタ接地型バイポーラトランジスタＱ１は、そのベース端子Ｂ１が第１のインピーダンス回路Ｚ１の端子Ｐｂ１および抵抗ＲＢ１に接続されている。また、上記インピーダンス回路Ｚ１の端子Ｐａ１は、信号入力端子ＲＦＩＮに接続され、抵抗ＲＢ１はベース端子Ｂ１と接続点Ｗ１との間に接続されている。
【００８２】
また、ｋ番目(ｋ＝２〜ｎ)のエミッタ接地型バイポーラトランジスタＱｋ(ｋ＝２〜ｎ)のベース端子Ｂｋは、ｋ番目の第１インピーダンス回路Ｚｋ(ｋ＝２〜ｎ)の端子Ｐｂｋ(ｋ＝２〜ｎ)およびｋ番目の抵抗ＲＢｋに接続されている。また、ｋ番目のインピーダンス回路Ｚｋ(ｋ＝２〜ｎ)の端子Ｐａｋ(ｋ＝２〜ｎ)は、信号入力端子ＲＦＩＮに接続されている。また、ｋ番目の抵抗ＲＢｋ(ｋ＝２〜ｎ)はｋ番目のトランジスタＱｋ(ｋ＝２〜ｎ)のベース端子Ｂｋと上記接続点Ｗ１との間に接続されている。
【００８３】
上記１番目のエミッタ接地型バイポーラトランジスタＱ１と第１のインピーダンス回路Ｚ１と抵抗ＲＢ１が１番目の増幅部Ｕ１を構成し、上記ｋ番目のエミッタ接地型バイポーラトランジスタＱｋと第１のインピーダンス回路Ｚｋと抵抗ＲＢｋがｋ番目の増幅部Ｕｋを構成している。したがって、この第５実施形態では、ｎ個のエミッタ接地型バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎとｎ個の抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎとｎ個の第１インピーダンス回路Ｚ１〜Ｚｎからなるｎ個の増幅部Ｕ１〜Ｕｎを備え、このｎ個の増幅部Ｕ１〜Ｕｎは、信号出力端子ＲＦＯＵＴと信号入力端子ＲＦＩＮ,ベースバイアス電圧供給端子ＶＢとの間に並列に接続されている。
【００８４】
また、上記接続点Ｗ１とベースバイアス電圧供給端子ＶＢとの間に第２のスイッチ回路ＳＷ２が接続されている。
【００８５】
また、この接続点Ｗ１と信号入力端子ＲＦＩＮとの間には、第１のスイッチ回路ＳＷ１と第２のインピーダンス回路ＺＺ１とが直列に接続されている。つまり、上記接続点Ｗ１と第２のインピーダンス回路ＺＺ１の端子Ｐｂとの間に第１のスイッチ回路ＳＷ１が接続され、第２のインピーダンス回路ＺＺ１の端子Ｐａは信号入力端子ＲＦＩＮに接続されている。
【００８６】
また、上記第１、第２のスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２はスイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬに接続され、このスイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬから入力された切替信号が入力される。
【００８７】
上記第１のスイッチ回路ＳＷ１は、入力される切替信号に応じて、導通状態と開放状態に切り替わる。この導通状態とは直流成分と交流成分の両方に対して導通である状態であり、上記開放状態とは直流成分と交流成分の両方に対して開放である状態である。
【００８８】
また、上記第２のスイッチ回路ＳＷ２は、上記第１のスイッチ回路ＳＷ１に入力される切替信号と同じ切替信号が入力される。上記第１のスイッチ回路ＳＷ１を導通状態にする切替信号が、第２のスイッチ回路ＳＷ２に入力されると、この第２のスイッチ回路ＳＷ２は、高いバイアス電圧と低いバイアス電圧のうちの高いバイアス電圧をベース端子Ｂ１〜Ｂｎに供給する第１状態(オフ状態)に切り替わる。一方、上記第１のスイッチ回路ＳＷ１を開放状態にする切替信号が、第２のスイッチ回路ＳＷ２に入力されると、この第２のスイッチ回路ＳＷ２は、上記高いバイアス電圧と低いバイアス電圧のうちの低いバイアス電圧をベース端子Ｂ１〜Ｂｎに供給する第２状態(オン状態)に切り替わる。
【００８９】
なお、この第５実施形態では、上記第２のスイッチ回路ＳＷ２が第１状態である場合と第２状態である場合の両方の場合において、上記抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎは上記ベース端子Ｂ１〜Ｂｎと上記ベースバイアス電圧供給端子ＶＢとの間に直流的に接続されている。
【００９０】
この第５実施形態では、ｎ個の第１インピーダンス回路(Ｚ１〜Ｚｎ)のすべてと、１個の第２インピーダンス回路ＺＺ１とのうちの少なくとも一方は、その２端子間が直流成分に対して開放状態にあるとともに交流成分に対して導通である。
【００９１】
この第５実施形態は、第１実施形態と同様、温度上昇によるベース電流増大が上記抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎによって抑制され、エミッタ接地バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑｎのコレクタ電流の増大を抑制でき、トランジスタＱ１〜Ｑｎは安定に動作できる。
【００９２】
また、この第５実施形態では、大きな出力電力が要求される場合には、スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬから入力される切替信号によって、第１のスイッチ回路ＳＷ１は導通状態になると共に、バイアス切り替えスイッチである第２のスイッチ回路ＳＷ２が第１状態(オフ状態)になる。これにより、ベースバイアス供給端子ＶＢから第２のスイッチ回路ＳＷ２と抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎを経由して、上記高いバイアス電圧がベース端子Ｂ１〜Ｂｎに供給される。したがって、第２のスイッチＳＷ２が第２状態である場合に比べて、トランジスタＱ１〜Ｑｎへのアイドル電流が多くなる。
【００９３】
また、この大きな出力電力が要求される場合には、第１のスイッチ回路ＳＷ１は導通状態になるから、信号入力端子ＲＦＩＮから高周波信号を入力することで、この高周波信号の一部が第２のインピーダンス回路ＺＺ１によりバイパスされて、抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎに加えられる。
【００９４】
したがって、第１のインピーダンス回路Ｚ１〜Ｚｎと第２のインピーダンス回路ＺＺ１とによって、抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎの両端に高周波信号が入力されることとなり、実効的に上記抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎでの電圧降下の増大が抑制される。したがって、電力増幅器の低歪み動作が可能となる。
【００９５】
一方、この第５実施形態では、信号出力電力が小さく、かつ、トランジスタＱ１〜Ｑｎの消費電流も少ないことが要求される動作条件の場合は、スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬから入力される切替信号によって、第１のスイッチ回路ＳＷ１は開放状態になると共に、バイアス切り替えスイッチである第２のスイッチ回路ＳＷ２が第２状態(オン状態)になる。これにより、ベースバイアス供給端子ＶＢの電圧を変えることなく、第２のスイッチ回路ＳＷ２は、トランジスタＱ１〜Ｑｎのベース端子Ｂ１〜Ｂｎへ供給するバイアス電圧を低くして、アイドル電流をより小さく設定する。また、この場合、スイッチ切替信号入力端子ＶＣＴＲＬからの切替信号によって、上記第１のスイッチ回路ＳＷ１は開放状態になるから、信号入力端子ＲＦＩＮへ入力された高周波信号はインピーダンス回路ＺＺ１へバイパスされない。したがって、トランジスタＱ１〜Ｑｎのベース電流は抵抗ＲＢ１〜ＲＢｎにより抑制されて、コレクタ電流も高周波信号がバイパスされる時に比べて増加しない。よって、信号出力電力が小さい場合は、トランジスタＱ１〜Ｑｎの消費電流が少ないままで動作することが可能になる。
【００９６】
したがって、この第５実施形態によれば、熱的に安定し、かつ、低歪で、低消費電力の電力増幅器となる。なお、この第５実施形態のごとく、複数のバイポーラトランジスタを並列に接続して増幅動作をする電力増幅器によれば、送信用電力増幅器に対応可能な所定の出力を得る場合の好ましい実施形態となる。したがって、例えば、携帯電話や無線ＬＡＮ(ローカルエリア・ネットワーク)等の通信装置のための電力増幅器としての好ましい実施形態となる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】この発明の電力増幅器の第１の実施形態を示す回路図である。
【図２】この発明の電力増幅器の第２の実施形態を示す回路図である。
【図３】この発明の電力増幅器の第３の実施形態を示す回路図である。
【図４】この発明の電力増幅器の第４の実施形態を示す回路図である。
【図５】この発明の電力増幅器の第５の実施形態を示す回路図である。
【図６】従来の電力増幅器を示す回路図である。
【符号の説明】
【００９８】
Ｑ１  エミッタ接地バイポーラトランジスタ
ＱＳＷｐｎｐ  ｐｎｐトランジスタ
ＱＳＷｎｐｎ  ｎｐｎトランジスタ
Ｚ１〜Ｚｎ  第１のインピーダンス回路
ＺＺ１  第２のインピーダンス回路
ＳＷ１  第１のスイッチ回路
ＳＷ２  第２のスイッチ回路
ＲＢ、ＲＳ１、ＲＳ２１、ＲＳ２２、ＲＳ２３、Ｒａ１  抵抗
Ｃ１、Ｃａ１  キャパシタ
Ｂ  ベース端子
Ｃｏ  コレクタ端子
ＲＦＩＮ  信号入力端子
ＲＦＯＵＴ  信号出力端子
ＶＣＴＲＬ  スイッチ切替信号入力端子
ＶＢ  ベースバイアス電圧供給端子
Ｐａ、Ｐｂ、Ｐａ１、Ｐｂ１  インピーダンス回路の端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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