(57)【要約】【課題】  処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】  真空引き可能になされた縦型の処理容器２２内に、複数段に支持された被処理体Ｗを収容し、前記被処理体を加熱しつつ前記処理容器内に成膜用ガスを流して減圧雰囲気中で前記被処理体に薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記処理容器内を常圧復帰させる際に、前記処理容器内に前記成膜用ガスの流れ方向とは逆方向になるように常圧復帰用ガスを流すようにする。これにより、処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空引き可能になされた縦型の処理容器内に、複数段に支持された被処理体を収容し、前記被処理体を加熱しつつ前記処理容器内に成膜用ガスを流して減圧雰囲気中で前記被処理体に薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、
前記処理容器内を常圧復帰させる際に、前記処理容器内に前記成膜用ガスの流れ方向とは逆方向になるように常圧復帰用ガスを流すようにしたことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記処理容器内に、成膜処理時に前記成膜用ガスは下方より上方に向けて流れ、常圧復帰時に前記常圧復帰用ガスは上方より下方に向けて流れるようにしたことを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
前記常圧復帰用ガスは不活性ガスよりなることを特徴とする請求項１または２記載の成膜方法。
【請求項４】
被処理体を収容することができる縦型の処理容器と、
前記被処理体を複数段に亘って支持する保持手段と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記処理容器内へ成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、
成膜時に前記処理容器内を真空引きする成膜時真空排気手段と、
装置全体の動作を制御する制御手段と、
を有する成膜装置において、
前記処理容器内を常圧復帰させる際に前記処理容器内に前記成膜用ガスの流れ方向とは逆方向になるように常圧復帰用ガスを流すための常圧復帰用ガス供給手段と常圧復帰用ガス排気手段とを設けるように構成したことを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
前記処理容器は単管構造であり、前記成膜用ガス供給手段のガスノズルのガス噴射口及び前記常圧復帰用ガス排気手段が接続される排気口は前記処理容器の下部に位置され、前記成膜時真空排気手段が接続される排気口及び前記常圧復帰用ガス供給手段のガスノズルのガス噴射口は前記処理容器の上部に位置されることを特徴とする請求項４記載の成膜装置。
【請求項６】
前記処理容器は単管構造であり、前記成膜用ガス供給手段のガスノズルのガス噴射口及び前記常圧復帰用ガス排気手段が接続される排気口は前記処理容器の上部に位置され、前記成膜時真空排気手段が接続される排気口及び前記常圧復帰用ガス供給手段のガスノズルのガス噴射口は前記処理容器の下部に位置されることを特徴とする請求項４記載の成膜装置。
【請求項７】
前記処理容器は所定の間隔を隔てて同心円状に配置された内筒と外筒とよりなる２重管構造であり、前記成膜用ガス供給手段のガスノズルのガス噴射口及び常圧復帰用ガス供給手段が接続される排気口は前記処理容器の下部であって前記内筒と外筒を臨むように設けられ、前記成膜時真空排気手段が接続される排気口及び前記常圧復帰用ガス供給手段のガスノズルのガス噴射口は前記処理容器の下部であって前記内筒と前記外筒との間の間隙を臨むように設けられることを特徴とする請求項４記載の成膜装置。
【請求項８】
前記常圧復帰用ガスは不活性ガスよりなることを特徴とする請求項４乃至７のいずれかに記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体の表面に薄膜を堆積させる成膜方法及び成膜装置に係り、特に処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止するようにした成膜方法及び成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路を製造するためにはシリコン基板等よりなる半導体ウエハに対して、成膜処理、エッチング処理、酸化処理、拡散処理、改質処理等の各種の処理が行われる。上記各種の処理の中で、例えば成膜処理を例にとれば、この種の成膜処理は、例えば特許文献１や特許文献２に開示されているような例えばバッチ式の成膜装置内で行われる。具体的には、図４に示すように、縦型の処理容器２内に、被処理体である半導体ウエハＷをウエハボート４に多段に支持させた状態でこれを収容し、上記処理容器２を囲むようにして設けた加熱手段６でウエハＷを所定の温度、例えば６００〜８００℃程度に加熱する。そして、成膜用ガス供給手段８よりジクロロシラン（以下、「ＤＣＳ」とも称す）やＮＨ３ ガス等の成膜用ガスを処理容器２内へこの下部より供給しつつ処理容器２の天井部に設けた排気口１０より真空排気系１２で処理容器２内を真空引きし、所定の圧力に内部雰囲気を維持して成膜処理を行う。
【０００３】
上記した成膜処理が終了すると、ＮＨ３ ガスやＤＣＳガス等の成膜用ガスの供給を停止し、次に、処理済みのウエハをアンロードするために真空状態の処理容器２内に常圧復帰用ガスとして不活性ガス、例えばＮ２ ガス供給手段１４よりＮ２ ガスを供給しつつ残留ガスを排気し、これと同時にウエハ温度をアンロードする温度、例えば６００℃程度まで冷却する。そして、処理容器２内の圧力が常圧まで戻って、ウエハ温度もハンドリングが可能な温度まで低下したならば、ウエハボート４を下方へ降下させてアンロードし、処理済みのウエハＷを処理容器２内から取り出すことになる。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２４６２５７号公報
【特許文献２】特開２００２−９００９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、成膜処理が完了すると、処理容器２内に常圧復帰用ガスとしてＮ２ ガスを供給するが、この時のＮ２ ガスはスループット向上のために迅速に常圧復帰を行う必要から、かなり短時間で大流量供給される。この場合、処理容器２内の底部は、容器中央部と比べて比較的温度が低いことからウエハボート４を支持する保温筒１６の表面や処理容器２の内壁面等に不要な膜や反応副生成物が付着しており、この不要な膜や反応副生成物が上記常圧復帰用ガスの導入時にこの導入ガスの勢いに追随して巻き上げられて、処理容器２内にパーティクルとなって飛散して残留し、ウエハＷに付着してしまう、という問題があった。特に、この種の不要な膜や反応副生成物には、成膜処理の繰り返しによって、昇降温が繰り返されて大きな熱ストレスが加わり、比較的膜剥がれが生じ易くなってるので、上記問題点の早期な解決が望まれている。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止することが可能な成膜方法及び成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係る発明は、真空引き可能になされた縦型の処理容器内に、複数段に支持された被処理体を収容し、前記被処理体を加熱しつつ前記処理容器内に成膜用ガスを流して減圧雰囲気中で前記被処理体に薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記処理容器内を常圧復帰させる際に、前記処理容器内に前記成膜用ガスの流れ方向とは逆方向になるように常圧復帰用ガスを流すようにしたことを特徴とする成膜方法である。
このように、処理容器内を常圧復帰させる際に、処理容器内に成膜用ガスの流れ方向とは逆方向になるように常圧復帰用ガスを流すようにしたので、不要な膜や反応副生成物等が付着する傾向にある部分に常圧復帰用ガスが吹き付けられることがなくなり、従って、処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止することができる。
【０００７】
この場合、例えば請求項２に規定するように、前記処理容器内に、成膜処理時に前記成膜用ガスは下方より上方に向けて流れ、常圧復帰時に前記常圧復帰用ガスは上方より下方に向けて流れるようにする。
また例えば請求項３に規定するように、前記常圧復帰用ガスは不活性ガスよりなる。
請求項４に係る発明は、被処理体を収容することができる縦型の処理容器と、前記被処理体を複数段に亘って支持する保持手段と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記処理容器内へ成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、成膜時に前記処理容器内を真空引きする成膜時真空排気手段と、装置全体の動作を制御する制御手段と、を有する成膜装置において、前記処理容器内を常圧復帰させる際に前記処理容器内に前記成膜用ガスの流れ方向とは逆方向になるように常圧復帰用ガスを流すための常圧復帰用ガス供給手段と常圧復帰用ガス排気手段とを設けるように構成したことを特徴とする成膜装置である。
【０００８】
この場合、例えば請求項５に規定するように、前記処理容器は単管構造であり、前記成膜用ガス供給手段のガスノズルのガス噴射口及び前記常圧復帰用ガス排気手段が接続される排気口は前記処理容器の下部に位置され、前記成膜時真空排気手段が接続される排気口及び前記常圧復帰用ガス供給手段のガスノズルのガス噴射口は前記処理容器の上部に位置される。
或いは例えば請求項６に規定するように、前記処理容器は単管構造であり、前記成膜用ガス供給手段のガスノズルのガス噴射口及び前記常圧復帰用ガス排気手段が接続される排気口は前記処理容器の上部に位置され、前記成膜時真空排気手段が接続される排気口及び前記常圧復帰用ガス供給手段のガスノズルのガス噴射口は前記処理容器の下部に位置される。
【０００９】
また例えば請求項７に規定するように、前記処理容器は所定の間隔を隔てて同心円状に配置された内筒と外筒とよりなる２重管構造であり、前記成膜用ガス供給手段のガスノズルのガス噴射口及び常圧復帰用ガス供給手段が接続される排気口は前記処理容器の下部であって前記内筒と外筒を臨むように設けられ、前記成膜時真空排気手段が接続される排気口及び前記常圧復帰用ガス供給手段のガスノズルのガス噴射口は前記処理容器の下部であって前記内筒と前記外筒との間の間隙を臨むように設けられる。
また例えば請求項８に規定するように、前記常圧復帰用ガスは不活性ガスよりなる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る成膜方法及び成膜装置によれば、次のような優れた作用効果を発揮することができる。
処理容器内を常圧復帰させる際に、処理容器内に成膜用ガスの流れ方向とは逆方向になるように常圧復帰用ガスを流すようにしたので、不要な膜や反応副生成物等が付着する傾向にある部分に常圧復帰用ガスが吹き付けられることがなくなり、従って、処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明に係る成膜方法及び成膜装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
＜第１実施例＞
図１は本発明方法を実施するための成膜装置の第１実施例を示す構成図である。まずこの成膜装置について説明する。図示するように、この成膜装置２０は下端が開放されて上下方向に所定の長さを有して円筒体状になされた縦型の処理容器２２を有している。この処理容器２２は、例えば耐熱性の高い石英を用いることができる。
この処理容器２２の下方より複数枚の被処理体としての半導体ウエハＷを複数段に亘って所定のピッチで載置した保持手段としてのウエハボート２４が昇降可能に挿脱自在になされている。このウエハボート２４は例えば石英よりなり、これには、例えば５０〜１００枚程度の直径が３００ｍｍのウエハＷを略等ピッチで多段に支持できるようになっている。
【００１２】
またウエハボート２４の挿入時には、上記処理容器２２の下端の開口部は、例えば石英やステンレス板よりなる蓋部２６により塞がれて密閉される。この際、処理容器２２の下端部と蓋部２６との間には、気密性を維持するために例えばＯリング等のシール部材２８が介在される。このウエハボート２４は、石英製の保温筒３０を介してテーブル３２上に載置されており、このテーブル３２は、処理容器２２の下端開口部を開閉する蓋部２６を貫通する回転軸３４の上端部に支持される。そして、この回転軸３４の貫通部には、例えば磁性流体シール３６が介設され、この回転軸３４を気密にシールしつつ回転可能に支持している。上記した回転軸３４は、例えばボートエレベータ等の昇降機構３８に支持されたアーム４０の先端に取り付けられており、ウエハボート２４及び蓋部２６等を一体的に昇降できるようになされている。尚、上記テーブル３２を上記蓋部２６側へ固定して設け、ウエハボート２４を回転させることなくウエハＷの処理を行うようにしてもよい。
【００１３】
上記処理容器２２の側部には、これを取り囲むようにしてた例えばカーボンワイヤ製のヒータよりなる加熱手段４２が設けられており、この内側に位置する処理容器２２及びこの中の上記半導体ウエハＷを加熱し得るようになっている。またこの加熱手段４２の外周には、断熱材４４が設けられており、この熱的安定性を確保するようになっている。また上記処理容器２２の下部には、この側壁を気密に貫通させて例えば石英よりなる第１、第２及び第３のガスノズル４６、４８、５０がそれぞれ設けられている。上記第１及び第２のガスノズル４６、４８の各ガス噴射口４６Ａ、４８Ａは、それぞれ処理容器２２内の下部に臨ませて設けられる。また第３のガスノズル５０は、上方へ屈曲されて容器側壁に沿って上方向へ延び、そのガス噴射口５０Ａは処理容器２２内の天井部に臨ませて設けられている。また上記処理容器２２の天井部には、横方向へＬ字状に屈曲させた第１の排気口５２が設けられると共に、この処理容器２２の下部の側壁には、第２の排気口５４が設けられている。
【００１４】
そして、この第１実施例では、上記第１及び第２のガスノズル４６、４８に成膜用ガス供給手段６０が接続され、上記第３のガスノズル５０には常圧復帰用ガス供給手段６２が接続される。具体的には、上記成膜用ガス供給手段６０は、ＤＣＳガス供給系６４とＮＨ３ ガス供給系６６とよりなり、上記ＤＣＳガス供給系６４のガス通路６４ＡとＮＨ３ ガス供給系６６のガス通路６６Ａは、それぞれ上記第１及び第２のガスノズル４６、４８へ接続されると共に、各ガス通路６４Ａ、６６Ａには、マスフローコントローラのような流量制御器６４Ｂ、６６Ｂ及び開閉弁６４Ｃ、６６Ｃがそれぞれ順次介設されており、必要に応じてＤＣＳガス及びＮＨ３ ガスを共に流量制御しつつ供給できるようになっている。
これに対して、上記常圧復帰用ガス供給手段６２は、不活性ガスとして例えばＮ２ ガスを供給するＮ２ ガス供給系６８よりなり、このＮ２ ガス供給系６８のガス通路６８Ａは上記第３のガスノズル５０へ接続されると共に、このガス通路６８Ａはマスフローコントローラのような流量制御器６８Ｂ及び開閉弁６８Ｃがそれぞれ順次介設されており、必要に応じてＮ２ ガスを流量制御しつつ供給できるようになっている。尚、不活性ガスとして、Ｎ２ ガスの他に、Ａｒガス、Ｈｅガス等を用いるようにしてもよい。
【００１５】
また上記第１の排気口５２には、成膜時に真空引きする成膜時真空排気手段７０が接続され、これに対して、上記第２の排気口５４には常圧復帰時に排気する常圧復帰用ガス排気手段７２が接続される。具体的には、上記成膜時真空排気手段７０のガス通路７０Ａ及び上記常圧復帰用ガス排気手段７２のガス通路７２Ａには、開閉弁７０Ｂ、７２Ｂ、バタフライ弁のような圧力制御弁７０Ｃ、７２Ｃ及び真空ポンプ７０Ｄ、７２Ｄがそれぞれ順次介設されている。尚、上記開閉弁７０Ｂ、７２Ｂよりも下流側のガス通路７０Ａ、７２Ａを合流させ、圧力制御弁と真空ポンプを共用するようにしてもよい。そして、この装置全体の動作は、例えばマイクロコンピュータ等よりなる制御手段８０により制御される。
【００１６】
次に、以上のように構成された成膜装置２０を用いて行なわれる成膜方法について説明する。
まず、例えばシリコンウエハよりなる半導体ウエハＷがアンロード状態で成膜装置２０が待機状態の時には、処理容器２２はプロセス温度より低い温度に維持されており、常温の多数枚、例えば５０枚のウエハＷが載置された状態のウエハボート２４をホットウォール状態になされた処理容器２２内にその下方より上昇させてロードし、蓋部２６で処理容器２２の下端開口部を閉じることにより処理容器２２内を密閉する。
そして、処理容器２２内を真空引きして所定のプロセス圧力に維持すると共に、加熱手段４２への供給電力を増大させることにより、ウエハ温度を上昇させて成膜処理用のプロセス温度まで昇温して安定させ、その後、成膜処理工程を行なうに必要とされる所定の処理ガス、すなわちここでは成膜用ガス供給手段６０のＤＣＳガス供給系６４及びＮＨ３ ガス供給系６６よりＤＣＳガスとＮＨ３ ガスとを流量制御しつつ第１及び第２のガスノズル４６、４８よりそれぞれ処理容器２２内へ供給する。尚、この成膜処理時には常圧復帰用ガス供給手段６２の開閉弁６８Ｃは閉じてＮ２ ガスは供給せず、また常圧復帰用ガス排気手段７２の駆動は停止して、成膜時真空排気手段７０のみを駆動している。
【００１７】
このＤＣＳとＮＨ３ の両ガスは処理容器２２内を矢印８２に示すように上昇しつつ真空雰囲気下にて反応してこの雰囲気が回転しているウエハボート２４に収容されているウエハＷと接触してウエハ表面に対してシリコン窒化膜（ＳｉＮ）が堆積されることになる。そして、この処理ガス、或いは反応により生成したガスは処理容器２２の天井部の第１の排気口５２から成膜時真空排気手段７０により系外へ排気される。このように成膜時には成膜用ガスを処理容器２２内に、その下方より上方向に向けて流すようにする。所定の時間の成膜処理が完了したならば、成膜用ガス制御手段６０の各開閉弁６４Ｃ、６６Ｃを閉じてＤＣＳガス及びＮＨ３ ガスの両ガスの供給を停止すると共に、成膜時真空排気手段７０の開閉弁７０Ｂを閉じてこの駆動を停止する。
【００１８】
これと共に、処理容器２２内の残留ガスを排除し、且つウエハ温度をアンロード温度まで低下させるために、常圧復帰用ガス供給手段６２の開閉弁６８Ｃを開き、第３のガスノズル５０より処理容器２２の天井部にＮ２ ガスを流量制御しつつ供給する。これと同時に、上記処理容器２２の下部に接続した常圧復帰用ガス排気手段７２を駆動すると共に、この開閉弁７２Ｂを開き、第２の排気口５４から処理容器２２内の雰囲気に排気する。これにより、処理容器２２内には白抜き矢印８４に示すように上方より下方に向けて雰囲気ガスが流れ、処理容器２２内は常圧復帰されると共に、ウエハ温度もアンロード温度まで低下されることになる。
このようにして、処理容器２２内が常圧復帰し、ウエハ温度も低下したならば、常圧復帰用ガスの供給を停止すると共に、常圧復帰用ガス排気手段７２の駆動も停止し、その後、ウエハボート２４を降下させてアンロードすることにより、処理済みのウエハＷを処理容器２２外へ取り出すことになる。
【００１９】
以上のように、この第１実施例においては、成膜用ガスを処理容器２２内の下部より供給して上方へ流すようにしていることから、比較的低温になる処理容器２２内の下部近傍に不要な膜や反応副生成物が付着することになるが、比較的勢い良く供給される常圧復帰用ガス（Ｎ２ ）は処理容器２２内の上部より導入して下方へ流すようになっているので、上記不要な膜や反応副生成物が比較的剥がれることが少なくなり、その分、パーティクルを巻き上げることがなくなって、パーティクルの発生を抑制することができる。
【００２０】
＜第２実施例＞
次に本発明装置の第２実施例について説明する。
図２は本発明装置の第２実施例を示す構成図である。尚、図１に示す第１実施例と同一構成部分については同一符号を付してその説明を省略する。
この第２実施例においては、成膜用ガスの流れ方向と常圧復帰用ガスの流れ方向とをそれぞれ第１実施例の場合とは互いに逆に設定する。すなわち、ここでは第２のガスノズル４８を第３のガスノズル５０と同様に、上方へ屈曲させて処理容器２２の内壁に沿って上方へ立ち上げてそのガス噴射口４８Ａを処理容器２２内の天井部に位置させる。
第２及び第３のガスノズル４８、５０には、成膜用ガス供給手段６０のＮＨ３ ガス供給系６６及びＤＣＳガス供給系６４をそれぞれ接続し、ＮＨ３ ガス及びＤＣＳガスを処理容器２２内の天井部に供給するようになっている。
【００２１】
また第１のガスノズル４６には常圧復帰用ガス供給手段６２のＮ２ ガス供給系６８を接続し、Ｎ２ ガスを処理容器２２内の下部に供給するようになっている。また、上記処理容器２２の下部の第２の排気口５４には、成膜時真空排気手段７０を接続し、これに対して、処理容器２２の天井部の第１の排気口５２には、常圧復帰用ガス排気手段７２を接続する。
これにより、処理容器２２内に成膜用ガスは矢印８２に示すように上方より下方に向けて流れ、これに対して、常圧復帰用ガスは白抜き矢印８４に示すように下方より上方に向けて流れるようになる。この場合にも、第１実施例の場合と同様に、不要な膜や反応副生成物が比較的剥がれることが少なくなり、その分、パーティクルを巻き上げることがなくなって、パーティクルの発生を抑制することができる。
【００２２】
＜第３実施例＞
次に本発明装置の第３実施例について説明する。
図３は本発明装置の第３実施例を示す構成図である。尚、図１に示す第１実施例と同一構成部分については同一符号を付してその説明を省略する。
この第３実施例においては、処理容器を内筒と外筒とよりなる２重管構造にしており、上記内筒内を流れる成膜用ガスの流れ方向と常圧復帰用ガスの流れ方向とはそれぞれ第１実施例の場合と同じになるように設定している。すなわち、この第３実施例においては、処理容器２２は、所定の間隔を隔てて同心円状に配置された内筒２２Ａと外筒２２Ｂとよりなる。そして、処理容器２２の下端部は、円筒体状に成形された例えばステンレスよりなるマニホールド８６がＯリング等のシール部材９０を介して接続されている。上記内筒２２Ａの下端部は、上記マニホールド８６より突き出た支持凸部８８により支持されている。
【００２３】
そして、第１及び第２のノズル４６、４８は、上記マニホールド８６を貫通するようにしてそれぞれ設けられており、そのガス噴射口４６Ａ、４８Ａは上記内筒２２Ａの内側を臨むように設置されている。そして、上記第１及び第２のノズル４６、４８に、それぞれＤＣＳガス供給系６４及びＮＨ３ ガス供給系６６がそれぞれ接続される。また第２の排気口５４も上記マニホールド８６に設けられて上記内筒２２Ａの内側を臨むように設置されている。そして、この第２の排気口５４に常圧復帰用ガス排気手段７２が接続される。
【００２４】
これに対して、第１の排気口５２は、上記処理容器２２の下部であって上記内筒２２Ａと外筒２２Ｂとの間の間隙９２を臨むようにして設けられており、この第１の排気口５２に成膜時真空排気手段７０が接続される。同様に、第３のガスノズル５０は、上記処理容器２２の下部であって上記内筒２２Ａと外筒２２Ｂとの間の間隙９２を臨むようにして設けられており、この第３のガスノズル５０に常圧復帰用ガス供給手段６２のＮ２ ガス供給系６８が接続される。
この第３実施例の場合には、成膜用ガスは矢印８２に示すようにウエハＷが収容されている内筒２２Ａ内を下方より上方に向かって流れ、処理容器２２の天井部で折り返して内筒２２Ａと外筒２２Ｂとの間の間隙９２を下方に向けて流れ、第１の排気口５２より容器外へ真空引きされる。
【００２５】
これに対して、常圧復帰用ガスであるＮ２ ガスは、内筒２２Ａと外筒２２Ｂとの間の間隙９２内を白抜き矢印８４に示すように、下方より上方に向かって流れ、処理容器２２の天井部で折り返し、内筒２２Ａ内を上方より下方に向かって流れて第２の排気口５４より容器外へ排出される。この場合にも、第１実施例の場合と同様に、不要な膜や反応副生成物が比較的剥がれることが少なくなり、その分、パーティクルを巻き上げることがなくなって、パーティクルの発生を抑制することができる。
尚、以上の各実施例においては、成膜用ガスとしてＤＣＳガスとＮＨ３ ガスとを用いてシリコン窒化膜を形成する場合を例にとって説明したが、成膜用ガス及び堆積させる膜種はこれらに限定されず、どのような種類の成膜用ガス及び膜種に対しても本発明を適用できるのは勿論である。
また被処理体としては半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤ基板、ガラス基板等に対しても本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明方法を実施するための成膜装置の第１実施例を示す構成図である。
【図２】本発明装置の第２実施例を示す構成図である。
【図３】本発明装置の第３実施例を示す構成図である。
【図４】従来のバッチ式の成膜装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００２７】
２０  成膜装置
２２  処理容器
２４  ウエハボート（保持手段）
４２  加熱手段
４６  第１のガスノズル
４６Ａ  ガス噴射口
４８  第２のガスノズル
４８Ａ  ガス噴射口
５０  第３のガスノズル
５０Ａ  ガス噴射口
５２  第１の排気口
５４  第２の排気口
６０  成膜用ガス供給手段
６２  常圧復帰用ガス供給手段
６４  ＤＣＳガス供給系
６６  ＮＨ３ ガス供給系
６８  Ｎ２ ガス供給系
７０  成膜時真空排気手段
７２  常圧復帰用ガス排気手段
８０  制御手段
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
2006041200.tif 000003
【図２】
2006041200.tif 000004
【図３】
2006041200.tif 000005
【図４】
2006041200.tif 000006