(57)【要約】【課題】高温の薬液を用いる枚葉式洗浄装置において、大口径基板の処理効率の面内均一性の向上を図る。【解決手段】枚葉式洗浄装置において、被処理基板を洗浄処理するための薬液処理チャンバーと、被処理基板に高温の薬液を供給する薬液供給手段と、薬液処理チャンバー内にガスを導入するための配管と、配管内のガスを暖めるためのヒーターを備える。  用いる薬液と同程度の温度に加熱したガスを導入した薬液処理チャンバーにて、被処理基板を昇温し、洗浄を行うことで、被処理基板上の外周部における薬液の温度低下を防ぎ、大口径基板の処理効率の面内均一性の向上を図る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を洗浄処理するための薬液処理チャンバーと、前記被処理基板に高温の薬液を供給する薬液供給手段と、前記薬液処理チャンバー内にガスを導入するための第一の配管と、前記第一の配管には、前記ガスを暖めるための第一のヒーターとを備えたことを特徴とする枚葉式洗浄装置。
【請求項２】
前記薬液処理チャンバーの前に被処理基板を昇温させるための前処理チャンバーを備え、前記前処理チャンバーには、前記前処理チャンバー内にガスを導入するための第二の配管と、前記第二の配管には、前記ガスを暖めるための第二のヒーターとを備えたことを特徴とする請求項１に記載の枚葉式洗浄装置。
【請求項３】
前記ガスは、不活性ガスであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の枚葉式洗浄装置。
【請求項４】
高温の薬液を用いて被処理基板の薬液処理を行う枚葉式洗浄方法において、前記被処理基板を加熱したガス雰囲気下に放置し昇温する工程と、昇温した前記被処理基板を加熱したガス雰囲気下で薬液処理する工程とを含むことを特徴とする電子デバイスの洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの枚葉式洗浄装置及び洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスは急速に高速、高集積化が進められており、電子デバイスを作成するための半導体基板の大口径化も進んでいる。従来、半導体基板表面を清浄化するための半導体基板の洗浄工程では、薬液を貯留した洗浄槽に半導体基板を浸漬するバッチ式洗浄装置が用いられていたが、複数の半導体基板を同時に洗浄槽に浸漬するため、一枚の半導体基板が金属等で汚染されていた場合、他の清浄な半導体基板を汚染してしまうクロスコンタミネーションが起こる。よって、電子デバイス製造に求められる清浄度が上がるにつれ、クロスコンタミネーションの低減の必要性から、枚葉式洗浄装置への移行が図られている。
【０００３】
また、枚葉式洗浄装置は、常温のフッ酸を用いて半導体基板に形成した酸化膜のウエットエッチングを行う場合、バッチ式洗浄装置と比較して、半導体基板面内における処理均一性が向上することが知られている。電子デバイスの微細化に対応するという側面からも、枚葉式洗浄装置の重要性は増している。
【０００４】
ここで言う、ウエットエッチングは、その他の薬液による半導体基板処理と併せて洗浄工程に含まれるものとする。また、薬液を用いる薬液処理工程と、半導体基板上に残留する薬液を純水で洗い流す水洗工程をあわせて洗浄工程とする。
【０００５】
ところで、半導体基板上に存在するパーティクルやレジスト残渣等の除去は、下地の酸化膜（自然酸化膜を含む）をウエットエッチングすることによって行っているが、洗浄工程に用いる薬液としてアンモニア過酸化水素水混合液やポリマー洗浄液を用いる場合、用いる薬液の温度が室温程度であれば、下地膜である酸化膜のエッチングレートが低く、処理に長時間かかることになる。そこで、洗浄工程にかかる時間を短縮し、スループットを向上するために高温の薬液を使用する方法が取られている。
【０００６】
高温の薬液を用いた枚葉式洗浄装置の従来例が、例えば、特許文献１や特許文献２などに開示されている。
【０００７】
以下、図４を参照しながら、従来の枚葉式洗浄装置について説明する。
【０００８】
図４は従来の枚葉式洗浄装置の薬液処理チャンバー部分の概略断面図である。薬液処理チャンバー１内には、被処理体であるシリコン半導体基板２を保持するための回転保持手段９に接続された回転台６が設けられている。回転台６の周囲には、洗浄時に薬液がチャンバー１内に飛散するのを防ぐためのカップ４が設けられている。回転台６の上方には、シリコン半導体基板２の洗浄を行うための薬液を供給する薬液ノズル３及び、薬液洗浄後にシリコン半導体基板２上に残った薬液を水洗するための純水を供給する純水ノズル７が設けられている。さらに、薬液処理チャンバー１上部には加熱ランプ４１が固定されており、加熱ランプ４１の下部には、加熱ランプ４１が薬液によって汚染されることを防ぐための汚染防止板４０が設けられている。
【０００９】
このように構成された枚葉式洗浄装置において、シリコン半導体基板を洗浄する方法について説明する。
【００１０】
薬液処理チャンバー１内に搬送されたシリコン半導体基板２は、回転保持手段９上に設けられた回転台６に設置される。回転台６に設置されたシリコン半導体基板２は、回転台６に固定され、回転保持手段９が回転動作することにより、所定の速度で回転する。シリコン半導体基板２を洗浄するための薬液が薬液ノズル３から供給されるとともに加熱ランプ４１が作動し、シリコン半導体基板２及び薬液供給ノズル３から供給される薬液を加熱して、シリコン半導体基板２の薬液処理を行うものである。加熱ランプ４１は、汚染防止板４０によって洗浄に用いる薬液や純水の飛散からさえぎられており、汚染されることはない。また、加熱ランプ４１は紫外線ランプまたは赤外線ランプであり、加熱ランプのパワーを調節することにより、薬液及びシリコン半導体基板の温度を調節するものである。
【特許文献１】特開平５−１２１３８８号公報
【特許文献２】特開２００２−２３１６７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記構成の枚葉式洗浄装置では、半導体基板や薬液は、チャンバー上方に設置された加熱ランプによって、加熱されるものであり、薬液処理開始とともに半導体基板や薬液の加熱を開始したとしても、半導体基板面内で温度上昇にばらつきが生じ、半導体基板面内で温度分布が生じる事がある。薬液の温度変化は、酸化膜のエッチングレートの変化に非常に大きな影響を与えるため、被処理基板上における薬液の温度変化を低減することは、洗浄工程において非常に重要である。
【００１２】
半導体基板外周部における薬液温度の低下を防止するために、薬液供給ノズルを半導体基板の直径方向に対しスキャンさせる方法も考えられるが、半導体基板センター部において、薬液供給量が不足することによる洗浄残りが発生してしまう。今後、半導体基板が大口径化するとこの傾向はさらに顕著になると考えられる。
【００１３】
ここで、口径８インチの半導体基板における、薬液温度と洗浄効果の面内ばらつきの関係について、半導体基板表面のＰＳＬ（Poly Styrene Latex）除去率を比較した結果を説明する。
【００１４】
評価を行った条件を以下に示す。従来の枚葉式洗浄装置を使用し、洗浄に用いた薬液はＡＰＭである。ＡＰＭは、ＮＨ4ＯＨ（濃度２９ｗｔ％）、Ｈ2Ｏ2（濃度３１ｗｔ％）、Ｈ2Ｏを体積比１：１：４０の割合で混合した混合薬液である。薬液温度は５０℃と７０℃の２条件、半導体基板の薬液処理時間は、半導体基板上に形成された酸化膜を１．５Åエッチングするのに必要な時間とし、薬液温度が５０℃の場合は３分（評価条件１）、７０℃の場合は１分（評価条件２）とした。酸化膜のエッチング量評価は、酸化膜最表面の状態をそろえるために、酸化膜１０nmを形成したシリコン半導体基板を評価直前に希フッ酸で処理することにより、酸化膜表面を３nmライトエッチしてから行った。
【００１５】
次に、ＰＳＬ除去率の評価方法を説明する。まず表面にＣＶＤや熱酸化による酸化膜などを堆積していないシリコン半導体基板上に、粒径０．１５μmのＰＳＬを約５０００個強制的に付着させ、その付着数をレーザー式のパーティクルカウンターで測定した。その後、ＡＰＭを用いて洗浄し、もう一度、パーティクルカウンターで、シリコン半導体基板上に残留するＰＳＬ数を測定し、ＰＳＬ数の増減からＰＳＬ除去率を算出した。ＰＳＬ数は粒径０．１２μｍ以上の感度で測定した。
【００１６】
図５は評価条件と半導体基板面内のセンター部と周辺部における酸化膜エッチング量、及び、ＰＳＬ除去率をまとめた表である。
【００１７】
酸化膜エッチング量の比較評価は、センター部２５点（シリコン半導体基板センター部から６５ｍｍ以内）と外周部２４点（シリコン半導体基板エッジから５ｍｍ）で行った。評価条件１、評価条件２のいずれの場合も、シリコン半導体基板センター部は、当初の設定どおり、酸化膜を１．５Åエッチングすることができた。しかしながら、評価条件１ではシリコン半導体基板センター部と外周部でエッチング量の差が約６％、０．１Å弱しかないのに対し、評価条件２では外周部がセンター部に比べ約１８％、０．３Å弱エッチング量が少ないことがわかった。これは高温の７０℃処理ではシリコン半導体基板外周部の温度がセンター部に比べ約５℃低下したためと考えられる。
【００１８】
また、図５に示すように評価条件２におけるＰＳＬ除去率は、評価条件１に比較して９％低い結果となった。これは、評価条件１と評価条件２において、酸化膜のエッチング量が同程度になるように薬液処理時間を設定したにもかかわらず、評価条件２では、半導体基板外周部において、特異的にＰＳＬが除去されずに残留したためである。ＰＳＬ除去率は下地となった自然酸化膜のエッチング量に依存していることから、シリコン半導体基板外周部の自然酸化膜のエッチング量がセンター部に比べ、不足したことを反映しているためだと考えられる。
【００１９】
前記課題に鑑み、本発明は、大口径化する半導体基板に対して単位時間当たりの処理能力を落とすことなく、半導体基板面内の処理均一性を向上することの出来る枚葉式洗浄装置及び洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
前記の目的を達成するため、本発明の枚葉式洗浄装置は、高温の薬液と同じ高温雰囲気化で洗浄処理を行うことを特徴としている。
【００２１】
第一の発明は、被処理基板を洗浄するための薬液処理チャンバーと、被処理基板に高温の薬液を供給する薬液供給手段と、薬液処理チャンバー内にガスを導入するための第一の配管と、第一の配管には、第一の配管内のガスを暖めるための第一のヒーターとを備えていることを特徴とする枚葉式洗浄装置である。
【００２２】
第二の発明は、薬液処理チャンバーの前に被処理基板を昇温させるための前処理チャンバーを備え、前処理チャンバーには、前処理チャンバー内にガスを導入するための第二の配管と、前記第二の配管には、前記第二の配管内のガスを暖めるための第二のヒーターとを備えたことを特徴とする枚葉式洗浄装置である。
【００２３】
第一、第二の発明において、チャンバーに導入するガスは不活性ガスであることが好ましい。
【００２４】
第三の発明は、高温の薬液を用いて被処理基板の薬液処理を行う枚葉式洗浄方法において、被処理基板を加熱したガス雰囲気下に放置し昇温する工程と、昇温した被処理基板を加熱したガス雰囲気下で薬液処理する工程とを含むことを特徴とする電子デバイスの洗浄方法である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明は、用いる薬液と同程度の温度に予め昇温した薬液処理チャンバー内において、被処理基板を昇温し、洗浄を行うことで、常温の薬液を用いた場合と同程度の処理効率の基板面内均一性を得ながら、被処理基板の洗浄にかかる時間を短縮することが出来る。
【００２６】
また、被処理基板を前処理チャンバー内で、使用する薬液と同程度の温度まで昇温することにより、さらに、被処理基板の洗浄にかかる時間を短縮することが出来る。
【００２７】
被処理基板を昇温するために不活性ガスを用いることにより、被処理基板表面の酸化等の反応を引き起こすことがなくなるため、被処理基板表面に不要な生成物を生じることがなくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態にかかる枚葉式洗浄装置について、図面を参照しながら説明する。
【００２９】
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態における電子デバイスの枚葉式洗浄装置について、図１及び図２を用いて説明する。
【００３０】
図１は本発明の第１の実施形態における枚葉式洗浄装置の薬液処理チャンバー部分の概略断面図である。
【００３１】
薬液処理チャンバー１内には、被処理体である口径８インチのシリコン半導体基板２を保持するための回転保持手段９に接続された回転台６が設けられている。回転台６の周囲には、洗浄時に薬液が薬液処理チャンバー１内に飛散するのを防ぐためのカップ４が設けられている。回転台６の上方には、シリコン半導体基板２の洗浄を行うための薬液を供給する薬液ノズル３及び、薬液洗浄後にシリコン半導体基板上に残留する薬液を除去するための純水を供給する純水ノズル７が設けられている。薬液ノズル３は、薬液温度を制御し、必要量を被処理基板上に供給する薬液供給システム（図示せず）に接続されており、薬液供給システムから薬液供給ノズルまでを含めて、薬液供給手段と呼ぶ。
【００３２】
さらに、薬液処理チャンバー１上方には、薬液処理チャンバー１内にガスを供給するための第一の配管１０が設置されており、第一の配管１０にはガスを加熱する第一のヒーター１１が設置されている。薬液処理チャンバー１底部には、余剰のヘリウムガスを排気するための、第一の排気口１２が設けられている。
【００３３】
このように構成された枚葉式洗浄装置において、シリコン半導体基板を洗浄する方法について説明する。
【００３４】
第一の配管１０中にはヘリウムガスが流れており、このヘリウムガスは、第一の配管１０の途中に設置された第一のヒーター１１にて７０℃に加熱される。７０℃に加熱されたヘリウムガスは薬液処理チャンバー１内に３分間導入される。薬液理チャンバー内雰囲気８が７０℃に上昇した後に、シリコン半導体基板２を薬液処理チャンバー１内に導入する。薬液処理チャンバー１内に搬送されたシリコン半導体基板２は、回転保持手段９上に設けられた回転台６に設置され、固定される。ここで、シリコン半導体基板２は、昇温のため、回転台６上に１分間保持される。
【００３５】
回転台６に設置されたシリコン半導体基板２は、昇温後、回転保持手段９が回転動作することにより、所定の速度で回転する。シリコン半導体基板２を洗浄するための薬液が薬液ノズル３から供給され、シリコン半導体基板２の薬液処理を行う。用いた薬液はＡＰＭである。ＡＰＭは、ＮＨ4ＯＨ（濃度２９ｗｔ％）、Ｈ2Ｏ2（濃度３１ｗｔ％）、Ｈ2Ｏを体積比１：１：４０の割合で混合した混合薬液であり、薬液温度は７０℃である。
【００３６】
薬液処理を、１分間行った後、薬液の供給をやめ、回転台６の回転を維持したまま、シリコン半導体基板２上の薬液を振り切り除去する。その後、水洗ノズル７から純水を供給し、シリコン半導体基板２上に残留する薬液を十分に水洗する。次に、純水の供給をやめ、シリコン半導体基板２上の純水を振り切り乾燥し、半導体基板２の洗浄処理は終了する。
【００３７】
薬液処理、水洗を行っている間も７０℃に暖めたヘリウムガスを薬液処理ャンバー１内に導入し続ける。薬液処理チャンバー１に導入されたヘリウムガスは、薬液処理チャンバー１底部に設けられた第一の排気口１２から排気される。
【００３８】
後続のシリコン半導体基板２の処理を続けて行う場合、薬液処理チャンバー１内は十分に暖められているため、シリコン半導体基板２は、前のシリコン半導体基板の洗浄処理が終了すると、すぐに、薬液処理チャンバー内に導入することができる。シリコン半導体基板２を薬液処理チャンバー１に導入する前に、暖めたヘリウムガスを３分間導入する必要はない。
【００３９】
ここで、本実施形態を適用した場合の、口径８インチのシリコン半導体基板における洗浄効果の面内ばらつきについて、シリコン半導体基板表面のＰＳＬ（Poly Styrene Latex）除去率を用いて説明する。
【００４０】
評価を行った条件を以下に示す。用いた薬液はＡＰＭである。ＡＰＭは、ＮＨ4ＯＨ（濃度２９ｗｔ％）、Ｈ2Ｏ2（濃度３１ｗｔ％）、Ｈ2Ｏを体積比１：１：４０の割合で混合した混合薬液である。薬液温度は７０℃、シリコン半導体基板の薬液処理時間は酸化膜を１．５Åエッチングするのに必要な時間とし、１分（評価条件３）とした。酸化膜のエッチング量評価は、酸化膜最表面の状態をそろえるために、酸化膜１０nmを形成したシリコン半導体基板を評価直前に希フッ酸で処理することにより、酸化膜表面を３nmライトエッチしてから行った。
【００４１】
次に、ＰＳＬ除去率の評価方法を説明する。まず表面に酸化膜などを堆積していないシリコン半導体基板上に、粒径０．１５μmのＰＳＬを約５０００個強制的に付着させ、その付着数をレーザー式のパーティクルカウンターで測定した。その後、ＡＰＭを用いて洗浄し、もう一度、パーティクルカウンターで、シリコン半導体基板上に残留するＰＳＬ数を測定し、ＰＳＬ数の増減からＰＳＬ除去率を算出した。ＰＳＬ数は粒径０．１２μｍ以上の感度で測定した。
【００４２】
図２は、本実施形態における評価条件３の洗浄条件と口径８インチのシリコン半導体基板面内のセンター部と周辺部における酸化膜エッチング量、及び、ＰＳＬ除去率をまとめた表である。
【００４３】
酸化膜エッチング量の比較評価は、センター部２５点（シリコン半導体基板センター部から６５ｍｍ以内）と外周部２４点（シリコン半導体基板エッジから５ｍｍ）で行った。評価条件３の場合、シリコン半導体基板センター部は、当初の設定どおり、酸化膜を１．５Åエッチングすることができた。さらに、シリコン半導体基板センター部と外周部のエッチングレートの差が７％、０．１（Å/min）強であった。また、ＰＳＬ除去率は９２％であった。これは、従来の実施形態において、薬液温度５０℃で３分間、シリコン半導体基板処理を行った場合（評価条件１）と同等であった。
【００４４】
本発明により、枚葉式洗浄装置で、基板面内における処理均一性を落とすことなく、高温の薬液処理が可能となり、例えば  薬液にＡＰＭを用いて、薬液温度５０℃で、処理時間として３分かかっていた工程を、薬液温度を７０℃に上げて、シリコン半導体基板の昇温のため、保持時間を１分、薬液処理時間を１分とすることが可能となり、１枚あたり１分処理時間が短縮され枚葉式洗浄装置の生産性の向上が図れ、電子デバイスを安価に生産することが可能となる。
【００４５】
尚、本実施形態においては、薬液処理チャンバー内に導入するガスとしてヘリウムガスを用いたが、ヘリウムガスの代わりに、窒素ガスなどの不活性ガスを使用しても良い。また、薬液処理チャンバー内に導入するガスの温度は、洗浄に使用する薬液温度と同じ設定としたが、全く同じである必要はなく、薬液温度＋５〜薬液温度−５℃の範囲であれば、同様の効果が得られるものである。
【００４６】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの枚葉式洗浄装置について説明する。
【００４７】
図３は本発明の第２の実施形態における枚葉式洗浄装置の薬液処理チャンバー部分、及び、前処理チャンバー部分の概略断面図である。
【００４８】
薬液処理チャンバー１を構成する内容は、図１に示す第１の実施形態と同様である。
【００４９】
第１の実施形態と異なるのは、薬液処理チャンバー１に、基板搬送部１６を介して接続された前処理チャンバー２１を設けたことである。前処理チャンバー２１には、被処理体であるシリコン半導体基板２を保持するための基板保持台２６が設けられている。さらに、前処理チャンバー２１上方には、前処理チャンバー２１内にガスを供給するための第二の配管３０が設置されており、第二の配管３０にはガスを加熱する第二のヒーター３１が設置されている。前処理チャンバー２１底部には、余剰のヘリウムガスを排気するための、第二の排気口３２が設けられている。
【００５０】
前処理チャンバー２１と薬液処理チャンバー１は、シリコン半導体基板２を前処理チャンバー２１と薬液処理チャンバー１間で受け渡しをするための移載機構（図示せず）を設けた基板搬送部１６によって接続されている。
【００５１】
このように構成された枚葉式洗浄装置において、シリコン半導体基板を洗浄する方法について説明する。
【００５２】
第二の配管３０中にはヘリウムガスが流れており、このヘリウムガスは、第二の配管３０の途中に設置された第二のヒーター３１にて７０℃に加熱される。７０℃に加熱されたヘリウムガスは前処理チャンバー２１内に３分間導入される。前処理チャンバー２１内雰囲気が７０℃に上昇した後に、シリコン半導体基板２を前処理チャンバー２１内に導入する。前処理チャンバー２１内に搬送されたシリコン半導体基板２は、基板保持台２６上に設置され、シリコン半導体基板２の温度が７０℃に上昇するまで、１分間保持される。前処理チャンバー２１に導入されたヘリウムガスは、前処理チャンバー２１底部に設けられた第二の排気口３２から排気される。
【００５３】
前処理チャンバー２１内に加熱したヘリウムガスを導入すると同時に、薬液処理チャンバー１内にも、第一のヒーター１１で加熱し７０℃に暖めたヘリウムガスを、第一の配管１０を通じて導入し、予め、薬液処理チャンバー１内を暖めておく。
【００５４】
前処理チャンバー２１にて、暖められたシリコン半導体基板２は、基板搬送部１６にある移載機構により、暖められた薬液処理チャンバー１内に移される。薬液処理チャンバー１内に搬送されたシリコン半導体基板２は、回転保持手段９上に設けられた回転台６に設置される。
【００５５】
回転台６に設置されたシリコン半導体基板２は、回転台６に固定され、回転保持手段９が回転動作することにより、所定の速度で回転する。シリコン半導体基板２を処理するための薬液が薬液ノズル３から供給され、シリコン半導体基板２の薬液処理を行う。用いた薬液はＡＰＭである。ＡＰＭは、ＮＨ4ＯＨ（濃度２９ｗｔ％）、Ｈ2Ｏ2（濃度３１ｗｔ％）、Ｈ2Ｏを体積比１：１：４０の割合で混合した混合薬液であり、薬液温度は７０℃である。
【００５６】
薬液による洗浄を、１分間行った後、薬液の供給をやめ、回転台６の回転を維持したまま、シリコン半導体基板２上の薬液を振り切り除去する。その後、水洗ノズル７から純水を供給し、シリコン半導体基板２上に残留する薬液を十分に除去する。次に、純水の供給をやめ、シリコン半導体基板２上の純水を振り切り乾燥し、シリコン半導体基板２の洗浄処理は終了する。
【００５７】
薬液処理、水洗を行っている間も７０℃に暖めたヘリウムガスを薬液処理ャンバー１内に導入し続ける。薬液処理チャンバー１に導入されたヘリウムガスは、薬液処理チャンバー１底部に設けられた第一の排気口１２から排気される。
【００５８】
本実施形態では、前処理チャンバーにおいて薬液処理を開始するまでに十分にシリコン半導体基板を暖めているので、薬液処理チャンバー内においてシリコン半導体基板を昇温するための保持時間を設ける必要が無く、よって、さらなる処理時間の短縮を図ることができる。
【００５９】
尚、本実施形態においては、前処理チャンバー内、及び、薬液処理チャンバー内に導入するガスとしてヘリウムガスを用いたが、ヘリウムガスの代わりに、窒素ガスなどの不活性ガスを使用しても良い。また、薬液処理チャンバー内に導入するガスの温度は、洗浄に使用する薬液温度と同じ設定としたが、前処理チャンバーにて、半導体基板を十分に暖めているので、薬液温度＋５〜薬液温度−５℃の範囲であれば、同様の効果が得られるものである。
【００６０】
また、本実施形態においては、薬液処理チャンバーと前処理チャンバーに導入するヘリウムガスは、異なる配管と異なるヒーターを用いたが、１本の配管に１個のヒーターを備え、ヘリウムガスを加熱後、配管を分岐して、各チャンバー内に同一温度のヘリウムガスを導入してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
以上に説明したように、本発明は、電子デバイス製造に用いられる枚葉式洗浄装置、及び、洗浄方法に関し、特に、高温の薬液を洗浄に適用する場合、基板面内における処理効率の面内均一性を維持しつつ、洗浄処理にかかる時間を短縮し、生産性を向上できるという効果が得られ、非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施形態における枚葉式洗浄装置の処理チャンバー概略断面図
【図２】本発明の第１の実施形態における洗浄効果を示す図
【図３】本発明の第２の実施形態における枚葉式洗浄装置の処理チャンバー概略断面図
【図４】従来の枚葉式洗浄装置の処理チャンバー概略断面図
【図５】従来の枚葉式洗浄装置における洗浄効果を示す図
【符号の説明】
【００６３】
１  薬液処理チャンバー
２  シリコン半導体基板
３  薬液ノズル
４  カップ
６  回転台
７  純水ノズル
８  雰囲気
９  回転保持手段
１０  第一の配管
１１  第一のヒーター
１２  第一の排気口
１６  基板搬送部
２１  前処理チャンバー
２６  基板保持台
３０  第二の配管
３１  第二のヒーター
３２  第二の排気口
４０  汚染防止板
４１  加熱ランプ
【図１】
2006165372.tif 000003
【図２】
2006165372.tif 000004
【図３】
2006165372.tif 000005
【図４】
2006165372.tif 000006
【図５】
2006165372.tif 000007