(57)【要約】      （修正有）【課題】ＩＣコンポーネントのような基体表面から物質を除去する方法および装置を提供する。【解決手段】チャンバー１０内の電極１２ａに電力を加えて、プラズマを真空チャンバー内に生成する工程、および基体２２の表面２４にプラズマのイオン、原子またはフリーラジカルの１以上と接触させる工程を含む。好ましくはＤＣである電力は、可変電圧として、好ましくはパルス電圧として、アーキングを避けるために電源１４から供給される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体表面から物質を除去する方法であって、
電力を使用してプラズマを提供する工程、および
基体表面とプラズマのイオン、原子またはフリーラジカルの１以上と接触させる工程、
を含み、電力が可変電圧として供給される方法。  
【請求項２】
基体表面から物質を除去する方法であって、
基体を、内部に電極を有する真空にすることのできるチャンバー内に置く工程、
可変電圧を電極に供給し、電極と気体の間に、チャンバー内でプラズマを供給する工程、
基体表面とプラズマのイオン、原子またはフリーラジカルの１以上と接触させ、表面上の物質の少なくとも一部を除去する工程、
を含む方法。
【請求項３】
可変電圧がパルス電圧である、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
電圧が、連続する３−３０ｋＨｚ周期あたり、１回のパルスである、請求項１から３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
可変電圧が、０Ｖから、−３００Ｖと−１０００Ｖの間でパルスされる、請求項１から４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
可変電圧が、０Ｖから、−３８０Ｖと−６００Ｖの間でパルスされる、請求項１から５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
電圧が、３から２０マイクロ秒のパルスで加えられる、請求項１から６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
２つの相対する電極を含み、電力が１つの電極に加えられ、他の電極がフローティングされ、基体はフローティングされた電極の上にある、請求項１から７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
２つの相対する電極を含み、電力が１つの電極に加えられ、他の電極がアースされ、基体はアースされた電極の上にある、請求項１から７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
２つの相対する電極を含み、電力が１つの電極に加えられ、他の電極がフローティングされ、基体は電力が加えられる電極の上にある、請求項１から７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
２つの相対する電極を含み、電力が１つの電極に加えられ、他の電極がアースされ、基体は電力が加えられる電極の上にある、請求項１から７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
２つの相対する電極を含み、電力が２つの電極に加えられ、他の電極がフローティングされ、基体は１つの電極の上にある、請求項１から７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
プラズマが酸素環境中で供給される、請求項１から１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
プラズマがＯ２／ＣＦ４環境中で供給される、請求項１から１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
プラズマが約８０から１５００ｍＴｏｒｒに減圧されたチャンバー内で供給される、請求項１から１４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
それぞれの電極の上に位置する２つの基体を含む、請求項８から１５のいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
複数の離隔した電極を有し、少なくともそれらのいくつかは、複数の基体の１つをそれぞれ支持する、請求項８から１５のいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも１つの電極が少なくとも２つの基体を、その相対する面の１つまたは両方の上に支持する、請求項１８記載の方法。
【請求項１９】
基体は、ＩＣ、ＩＣコンポーネント、ＩＣモールド、ダイ、ウエハ、ボールグリッドアレイ、ＩＣパッケージ、リードフレーム、ＰＣＢ、マイクロビア、ディスクホルダー、リーダーアームあるいはハードディスクのうちの１つである、請求項１から１８のいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
物質が、有機物質、有機不純物、残留溶剤、またはエポキシ樹脂である、請求項１から１９のいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
基体表面から物質を取り除くための装置であって、
真空チャンバー；
真空チャンバー中の電極；および
電極に可変電圧を提供するための電源；を含み、
プラズマがチャンバー内で形成可能であり、プラズマのイオン、原子またはフリーラジカルの１以上と基体表面とが接触するようにし、
電源は可変電圧として供給される、装置。
【請求項２２】
可変電圧がパルス電圧として提供されるように構成される、請求項２１記載の装置。
【請求項２３】
２つの相対する電極を含み、電力が１つの電極に加えられ、他の電極がフローティングされ、基体はフローティングされた電極の上にある、請求項２１または２２記載の装置。
【請求項２４】
２つの相対する電極を含み、電力が１つの電極に加えられ、他の電極がアースされ、基体はアースされた電極の上にある、請求項２１または２２記載の装置。
【請求項２５】
２つの相対する電極を含み、電力が１つの電極に加えられ、他の電極がフローティングされ、基体は電力が加えられる電極の上にある、請求項２１または２２記載の装置。
【請求項２６】
２つの相対する電極を含み、電力が１つの電極に加えられ、他の電極がアースされ、基体は電力が加えられる電極の上にある、請求項２１または２２記載の装置。
【請求項２７】
２つの相対する電極を含み、電力が２つの電極に加えられ、他の電極がフローティングされ、基体は１つの電極の上にある、請求項２１または２２記載の装置。
【請求項２８】
複数の離隔した電極を有し、少なくともそれらのいくつかは、複数の基体の１つをそれぞれ支持する、請求項２１から２７のいずれか１項記載の装置。
【請求項２９】
コンベアの表面と密閉したアバットメントを作るように適合された開口を有し、基体はコンベア上に位置する、請求項２１から２８のいずれか１項記載の装置。
【請求項３０】
基体は、ＩＣ、ＩＣコンポーネント、ＩＣモールド、ダイ、ウエハ、ボールグリッドアレイ、ＩＣパッケージ、リードフレーム、ＰＣＢ、マイクロビア、ディスクホルダー、リーダーアームあるいはハードディスクのうちの１つである、請求項２１から２９のいずれか１項記載の装置。
【請求項３１】
物質が、有機物質、有機不純物、残留溶剤、またはエポキシ樹脂である、請求項２１から３０のいずれか１項記載の装置。
【請求項３２】
明細書および図面に実質的に記載された方法または装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基体表面から物質を取り除くための方法および装置に関し、特にはエレクトロニクスコンポーネントおよびそれらの製造に関連するコンポーネントの表面の清浄化あるいはエッチングのための方法および装置に関する。しかしながら、熟練した当業者には理解されるように、本発明はそのような用途に制限されるものではない。製造中に経験される問題によるエレクトロニクス回路の不良は一般的である。問題にはいくつかの原因があるであろうが、典型的な問題は一般に、たとえば汚れ、指紋などのような、表面上の残留有機不純物の存在、または残留溶剤およびエポキシのブリードアウトのような、異なる製造段階からの残留物資に起因する。
【０００２】
集積回路（ＩＣｓ）は、モールディングと構成部分のボンディングの多層プロセスにより製造される。ボンディングは典型的にはワイヤーボンディングを含み、２つの隣接したＩＣコンポーネントが、隣接したコンポーネントのマウンティングパッド間でワイヤを融合させることにより接合される。マウンティングパッドが清潔でない場合、問題がボンディングプロセスで生じる場合があり、不完全なまたは弱い結合をもたらし、したがって欠陥のあるＩＣに帰着する。
【０００３】
ワイヤーボンディングを改善するための提案された１つの解決法は、ボンディングプロセスに先立ってマウンティングパッドを清浄にすることである。２つの洗浄法が知られている：ラジオ波（ＲＦ）電源を使用するキャパシティブ洗浄；および１５００ｅＶで、Ａｒ／Ｏ２環境中でイオンビームを使用するイオン洗浄。ＲＦ洗浄は、表面洗浄が必要とされるコンポーネントを含む真空チャンバー中の電極にＲＦを適用することにより達成される。Ａｒ源はチャンバー内へ導入され、プラズマが形成される。プラズマイオンは、化学的にコンポーネントの表面物質と反応する。ＲＦ洗浄に伴ういくつかの問題がある。第１には、ＲＦ洗浄システムへの入力パワーをコントロールすることのみが可能である。第２には、高出力のＲＦ装置においては重要な健康および安全上の要求があり、さらにＲＦ漏出が近くの人々および設備に影響しないことを保証する必要がある。第３には、ＲＦ発生器は、洗浄の耐性においてより大きな柔軟性を認めるために、複雑な整合回路網を必要とする。異なる整合回路網が、異なる用途または異なる運転圧力において必要である。ＲＦおよびイオン洗浄の両方とも、電圧放電またはアーク形成により、洗浄されるコンポーネントに損傷を与えることがある。
【０００４】
他の問題が、ＩＣの製造に関係する部品の清浄性の不足により生じることがある。例えば、モールディングプロセスの間に使用されるモールドには、最終的にはモールドから洗浄されなければならない、残留エポキシフィルムがある場合がある。モールドの現在の洗浄プロセスは、ワイヤーブラシあるいは化学薬品浴の使用を含んでいる。しかしながら、ワイヤ浴掃除はモールドを破損しそのライフサイクルを短くする。また、化学薬品浴は比較的遅い。モールド寿命を伸ばす、提案された１つの方法は、３−１０ミクロンのＣｒＮまたは「ハードクロム」でモールド表面をコーティングし、ワイヤーブラシ洗浄からの損傷に対する抵抗性を増大させることである。耐摩耗性を増加させることによりモールドの寿命を伸ばすが、そのようなコーティングは意図したモールド寸法の正確さを低減するという欠点を持っている。
【０００５】
本発明の少なくともつの実施態様の目的は、先行技術に伴う上記の問題の少なくとも１つを改善するかまたは克服するか、あるいは少なくとも適当な代案を提供することである。
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、以下の工程を含む、基体表面から物質を取り除く方法が提供される：
電源を使用して、プラズマを提供する工程；および、
プラズマのイオン、原子またはフリーラジカルの１以上と基体表面とを接触させる工程、ここで電源は可変電圧として供給される。
【０００７】
本発明の第２の態様によれば、、以下の工程を含む、基体表面から物質を取り除く方法が提供される：
内部に電極を有する、真空にすることのできるチャンバー内に基体をおく工程；
電極に可変電圧を供給し、チャンバー内で電極と基体の間にプラズマを提供する工程；および、
プラズマのイオン、原子またはフリーラジカルの１以上と基体表面とを接触させ、表面上の物質の少なくとも一部を取り除く工程。
有利には、可変電圧として動力源を供給することによって、アーキングの問題が防止される。したがって、基体は不必要に損傷されない。好ましくは、可変電圧はパルス電圧である。また、より好ましくは、電圧は連続する３−３０ｋＨｚの周期でパルスにされる。パルスとして電圧を提供することによって、物質の除去方法が提供される環境中に、アークおよび不必要な加熱を起こすことなくプラズマを形成することができる。
【０００８】
好ましくは、可変電圧は０Ｖから、−３００Ｖおよび−１０００Ｖの間の電圧まででパルスとされ、より好ましくは０Ｖから、−３８０Ｖおよび−６００Ｖの間の電圧まででパルスとされる。好ましくは、電圧は３〜２０マイクロ秒のパルスとして印加される。好ましくは、パルスは、３−３０ｋＨｚ周期につき１回提供される。あるいは、１周期あたり１回よりも多く提供されることができる。たとえば、３−３０ｋＨｚの周期あたり、５マイクロ秒離れた１対の３マイクロ秒のパルスを提供することができる。
【０００９】
好ましくは、２つの相対する電極があり、電源は１つの電極に提供され、他の電極はフローティングされ、基体はフローティング電極上にある。あるいは、他の電極はアースされる。あるいは、他の電極はアースされるか、フローティングされるか、または一般に１つの電極と同じポテンシャルにされ、基体は１つの電極上にある。
【００１０】
好ましくは、プラズマはＯ２環境の中で提供される。また、より好ましくは、プラズマはＯ２／ＣＦ４環境の中で提供される。好ましくは、プラズマは、約８０〜１５００ｍＴｏｒｒに減圧されたチャンバー内に提供される。
【００１１】
あるいは、２つの基体がそれぞれの電極上に提供される。別の代替配置では、複数の離隔して配置された電極があり、少なくともそれらのうちのいくらかは、複数の基体のそれぞれ１つをそれぞれ支持する。別の代替配置では、少なくとも１つの電極は、少なくとも２つの基体を、その相対する面の片面または両面に支持する。
【００１２】
好ましくは、基体は、ＩＣ、ＩＣコンポーネント、ＩＣモールド、ダイ、ウエハ、ボールグリッドアレイ、ＩＣパッケージ、リードフレーム、ＰＣＢ、マイクロビア、ディスクホルダー、リーダーアームあるいはハードディスクのうちの１つである。さらに好ましくは、物質は、有機物質、有機汚染物質、残留溶剤あるいはエポキシ樹脂のうちの１つである。
【００１３】
本発明の第３の態様によれば、以下を含む、基体表面から物質を取り除くための装置が提供される：
真空チャンバー；
真空チャンバー中の電極；および、
電極に可変電圧を提供するための電源、プラズマはチャンバー内で形成可能であり、プラズマのイオン、原子またはフリーラジカルの１以上と基体表面とが接触するようにし、ここで電源は可変電圧として供給される。
【００１４】
好ましくは、可変電圧はパルス電圧として提供される。好ましくは、２つの相対する電極があり、電源は１つの電極に提供され、他の電極はフローティングされ、基体はフローティング電極上にある。 あるいは、他の電極はアースされる。あるいは、他の電極はアースされるか、フローティングされるか、または一般に１つの電極と同じポテンシャルにされ、基体は１つの電極上にある。好ましくは、チャンバーはコンベアの表面と密閉したアバットメントを作るための開口を有し、基体はコンベア上に配置される。本明細書において用語「洗浄」および「エッチング」が使用される時は、本明細書において使用される「物質除去」あるいは「物質の除去」と同じと考えられる。
【００１５】
本発明の好ましい実施例が、添付図面を参照しながら、例示のためのみに記載される。図１は、本発明による装置についての単純化された概要図である；図２は、本発明の中で使用されるパルス電圧の例を表わすグラフである；図３および４は、本発明による装置の代替実施態様の単純化された概要図である；また、図５ａおよび５ｂは、本発明による装置の別の代替実施態様の単純化された概要図であり、チャンバーはそれぞれ引っ込んだ位置と、使用される位置にある。
【００１６】
図１を参照すると、本発明の好ましい実施態様は、基体表面から物質を取り除くための方法および装置である。網羅的なリストであるとは意図されないが、基体の例としてはＩＣ、ＩＣパッケージ、ボールグリッドアレイあるいはＩＣまたはＩＣのパッケージのコンポーネントのような電子コンポーネントがあげられる。そのようなコンポーネントには、ウエハ、チップ、ダイまたはモールドされた部品が包含される。その表面が本発明によって清浄化されることができる基体のタイプの異なる例としては、先行技術との関連で上述され、ＩＣパッケージ製造、あるいはハードディスクなどを保持するためのメディアホルダーの製造において使用される、製造コーティングプロセス中のモールド表面を包含する。
【００１７】
装置の好ましい実施態様は、真空チャンバー１０および、ＤＣ電源１４の形態の電源に接続されている、電極１２ａをその内部に含む。第２の電極１２ｂはフローティング配置で提供される。チャンバー中へのガスを導入するために、入り口ポート１６がチャンバー１０に設けられる。出口ポート１８もチャンバー１０に設けられ、外部の真空ポンプへ接続される。コントローラ（図示せず）が電源１４と接続して提供され、電源の出力を制御する。以下に詳細に説明され、図２に示されるような、マイナス電圧のパルスの形態で可変電圧を提供する。異なる配置では、可変電圧を提供するために任意の電源構成を使用することができる。例えば、整流されたＡＣ電源あるいは単安定マルチバイブレータ回路は、コントローラとして、あるいはコントローラの一部として使用されることができる。
【００１８】
使用する際には、基体２２はチャンバー１０内で、電極１２に洗浄される表面２４を向けて、第２の電極１２ｂ上に置かれる。図の中で模式的に示された、表面２４から洗浄される物質２６としては、Ｃ−ＨおよびＣ−Ｃ結合を有する一般的な有機物質、表面有機汚染物質、溶剤残留物あるいはエポキシ樹脂があげられる。
【００１９】
この実施態様では、電極１２ａおよび１２ｂの間の距離は約５ｍｍであるが、清潔にされる基体および洗浄方法に依存して、他の実施態様中では３〜１００ｍｍまで変動する場合がある。
【００２０】
その後、チャンバー１０は出口ポート１８を介して、約１０−５０ｍＴｏｒｒまで減圧にされ、ついで入り口ポート１６を介してチャンバー１０内にガスが導入され、圧力は約１５０ｍＴｏｒｒまで増加される。ただし、異なる態様においては、増加された圧力は８０から１５００ｍＴｏｒｒまでの範囲であることができる。導入されたガスは典型的には、比率４：１のＯ２：ＣＦ４の混合ガスである。ＣＦ４はプラズマの形成を改善するための触媒の役割をする。異なる実施態様では、比率は異なることができ、あるいはＣＦ４は存在しない場合がある。さらなる異なる実施態様において、ガスはＡｒであることができる。
【００２１】
この実施態様では、洗浄プロセスの間、ガスはチャンバー１０を２００ｓｃｃｍの流量で連続的に通過するが、異なる実施態様では、流量は５０から１０００ｓｃｃｍの範囲で変化する場合がある。チャンバー１０内で、ガスの品質、したがってチャンバー１０内のプラズマの品質を比較的一定に保つことに加えて、ガスの流れは洗浄プロセスの間に基体表面２４から除去されたすべての物質残さ２６を押し流し、または追い出すために作用する。
【００２２】
ついで、コントローラは電源１４を作動させ、電極１２にパルス電圧を供給する。図２は、使用されるパルス電圧波形の例を示し、１０ｋＨｚの周期の間に５マイクロ秒で一度、−８００Ｖのパルスが加えられる。パルス電圧は、電極１２ａ、１２ｂおよび基体表面２４の間とのキャパシタンスタイプのチャージを起こし、プラズマが形成される。プラズマの原子およびラジカルは基体表面と接触し、その上の物質２６と化学的に反応する。化学反応は物質２６を分解する。例えば、プラズマ形成中に、チャンバーの中に存在するＯ２ガスから形成されたプラズマ原子およびラジカルは、例えば、望ましくない物質２６のＣ−Ｃ結合およびＣ−Ｈ結合と接触し、壊す。さらに、プラズマのイオンは、基体表面２４を攻撃し、基体表面２４からの望ましくない物質２６をさらに除去する。
【００２３】
電極１２ａ、１２ｂおよび基体２２との間のアーク放電の危険を低減することは重要である。なぜなら、放電は第２の電極１２ｂの上の基体２２の表面２４に損傷を与え、基体２２を使用不可能にすることがあるからである。一方、電圧が低すぎる場合には、プラズマが形成されず、または基体表面から物質２６を取り除くために十分なエネルギーを有する種を提供しない。したがって、パルス電圧の使用は、放電の危険を低減しつつ、清浄化のための十分なエネルギーを有するイオンを含むプラズマを形成することができるという点で有利である。更に、放電のリスクが低減されるので、電極をより近く配置することができ、これはより効率的な洗浄、およびチャンバー１０内のより効率的な空間の使用に帰着する。更に、プロセスを制御するために出力のみを変更することができる従来のＲＦ洗浄とは異なり、本発明においては電圧、周波数、およびパルス幅を独立に制御し、清浄化プロセスを最適化することができる。
【００２４】
上記の実施態様では、第２の電極１２ｂはフローティングされている。電極をフローティングにすることによって、基体表面２４を損傷する、電極１２ａと１２ｂとの間の放電の危険は、比較的低減される。しかしながら、プラズマの洗浄有効性も、比較的低減される。この理由のために、上記のように、この実施態様はより敏感なコンポーネントの表面を洗浄することに適する。異なる実施態様では、基体は第２の電極の上に置かれるが、第２の電極がアースされる。第２の電極をアースすることによって、放電のリスクは増大するが、電圧の大きさおよびパルシングパラメータを、比較的より効率的でより積極的な洗浄のために調節することができる。従って、この実施態様は、上に詳細に記述された実施態様を使用して洗浄されるものよりも、より敏感でないコンポーネントにより適する。前述された実施態様よりも、より攻撃的な洗浄条件を提供する異なる実施態様では、基体は第１の電極１２ａ上に置かれる。また、第２の電極１２ｂはフローティング電極であるか、あるいはアースされる。さらなる異なる実施態様において、基体は第１の電極１２ａの上にあり、第２の電極１２ｂは第１の電極に対して一般に等しい負の電位を持っている。
【００２５】
この実施態様は、例えばＩＣモールド、メディアホルダーあるいは関連するツールの洗浄のために最適化されることができる。この実施態様では、コンポーネントと相対する電極の間のギャップは、最低３ｍｍから８ｍｍであることができ、より均一なプラズマ分布を許容する。例えば、この実施態様においては、従来の化学的方法における１時間と比較して、１０分未満でモールド表面から２０ミクロンから１００ミクロンのエポキシモールディング化合物を除去することが可能であり、またメディアホルダーから１０秒未満で３ｎｍのダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）コーティングを除去することが可能である。
【００２６】
図３および図４は本願発明の異なる実施態様を示し、同じ参照数字は同じ部分を示し、複数の基体および／または電極が使用される。図３では、２つの基体２２ａおよび２２ｂが、それぞれアースされた電極１２ｂの上で、チャンバー１０内に置かれる。それらは、それらの間の電極１２ａに面するように配置され、先の実施態様に関連して述べられたように、パルスの負電圧をそれらに提供することにより電極１２ａは負電圧にバイアスされる。図４は、２つの負電圧にバイアスされた電極１２ａと、３つのフローティング電極１２ｂと、その上に配置された基体２２ａ−ｄを有する異なる実施態様を例示する。これらの実施態様の洗浄方法は、図１において例示された実施態様に関して上述されたように行なわれる。
【００２７】
ＩＣパッケージはいくつかの段階で製造され、バッチアレイまたはコンベヤラインで製造される場合がある。１つあるいはいくつかのダイが、パッケージ基体、たとえば、ウエハー、プリント基板（ＰＣＢ）、リードフレーム、またはフレックス回路基板に取り付けられる。ダイはその後、パッケージ基体上のそれぞれ対応するマウンティングパッドとダイとの間にワイヤストランドを取り付けることにより、パッケージ基体にワイヤボンディングされる。その後、エポキシの層がダイ、ワイヤボンド、およびパッケージ基体の上にモールドされ、ＩＣパッケージを形成する。第２の層も、第２のワイヤーボンディングマウンティングパッドを介して、パッケージに取り付けられ、ワイヤボンディングされる。
【００２８】
本発明の好ましい実施態様は、次のものを清浄にするために使用されることができる：
・ダイを取り付ける前のパッケージ基体；
・ワイヤーボンディング前のマウンティングパッド（例えば、導入ガスとしてＯ２のみが存在し、基体がフローティング電極上に配置された、１００−２００ｍＴｏｒｒの圧力のチャンバー内）；
・ワイヤーボンディングの後で、モールディングの前のパッケージについて、モールド接着を改良するため（たとえば、導入ガスとしてＯ２のみが存在し、基体がフローティング電極上に配置された、約１００ｍＴｏｒｒの圧力のチャンバー内）；
・第２のワイヤーボンディングパッドを覆うことのある、モールディングプロセスからブリードするエボキシを清浄にするための、第２の層を付着させる前のモールドされたパッケージ（たとえば、導入ガスとして９：１のＯ２：ＣＦ４が存在し、基体がフローティング電極上に配置された、７００−８００ｍＴｏｒｒの圧力のチャンバー内）；
・１回のマウンティングプロセス後、またはより典型的には６００−１０００回の使用の後のモールド自身（たとえば、導入ガスとして９：１のＯ２：ＣＦ４が存在し、基体が相対する２つの電極の１つの上に配置された、約２００ｍＴｏｒｒの圧力のチャンバー内、ここでどちらの電極にもパルスの負電圧が提供される）
【００２９】
図５ａおよび５ｂは本願発明の他の実施態様を示し、同じ数字は同じ部分を示す。この実施態様は、上記に記載されたプロセスにおいて、ＩＣパッケージの製造中におけるインライン基体表面清浄のために構成される。この実施態様では、チャンバー１０ａは開放端２８を有し、これはチャンバー１０ａがコンベヤ３０と接触すると、密閉される。チャンバー１Ｏａのリーディングエッジ３２は、たとえば、シリコンまたはゴムのシールのようなシールでライニングされ、コンベアと密閉されたシールを作るのを助ける。この実施態様では、真空ポンプ、ガスおよび電源（図示されない）は、典型的には、チャンバー１０ａの上部のサイドウォール３４の外側表面上に置かれるだろう。
【００３０】
コンベヤ３０は、洗浄される基体２２を運ぶ。図５ｂの中で例証されるように、一旦基体が洗浄される位置にくると、チャンバー１０は機械的に、水力あるいは空気圧により、基体２２上に下げられ、コンベヤ３０と真空にすることが可能な真空チャンバーを形成する。その後、洗浄プロセスは上記のように進行する。しかし第２の電極を使用することなく、したがって基体２２はコンベヤ３０上に電気的にフローティングされる。
【００３１】
この装置は、上述されたＩＣパッケージ製造工程の任意のまたは各工程の後に、清浄化するために使用することができる。装置は新しい生産設備中にビルトインされるか、あるいはその小さなサイズのため、既存の設備で使用するために改造されることができる。チャンバー１０ａの寸法の例は以下のとおりである：
８０ｍｍ（奥行き）×２５０ｍｍ（幅）×２０ｍｍ（高さ）。
同じチャンバー１０ａの設計は、例えば、インラインＩＣパッケージのモールドの清浄化のために使用することができるそのような用途においては、型キャビティーは相対的に下に向いているので、チャンバー１０ａの開放面は相対的に上に向き、清浄化されるモールド表面の周囲に、上向きに動いてモールドと真空チャンバーを形成する。
【００３２】
図５ａおよび５ｂの実施態様は、洗浄される２つの基体を示す。明白ではあるが、異なる実施態様では、チャンバー１０ａは２つ以下または２つよりも多い基体を同時に清浄化するように適合されることができる。
【００３３】
別の異なる実施態様では、電源が基体に接続され、チャンバー内に位置する電極が基体表面に相対し、電極はアースされているか又はフローティングされている。
【００３４】
熟練した当業者によって理解されるように、本発明は、先行技術に対していくつかの長所を持つ。
例えば：
・アークを形成する危険が低減される；
・操作温度が最小限に抑えられ、それにより、コンポーネントの熱損傷の危険を減らす；
・先行技術ＲＦ洗浄システムと比較して、システムは単純である。整合回路網が不要であり、健康、安全、および近接する装置への影響はない；
・ＲＦシステムと比較して、より広範でより容易なパラメータ制御ができる；
・モールドを清浄化するために使用された時、モールドへの損傷が少ないためモールドの耐用年数が増大する。またモールド表面上により薄く硬いニッケル保護皮膜を使用することができるので、成形されたコンポーネントの品質が改善される。
・クリーニング時間は、先行技術のものと比較して速い；
・運転費用は、既知の洗浄システムと比較してより小さい；
・少ない運転コストおよび運転の簡単さのため、本発明はＩＣパッケージの製造の間のより多くの工程で使用することができ、したがって全体としてのパッケージ製造収率が向上する。
【００３５】
好ましい実施態様は、主としてＩＣコンポーネントおよびそれらの製造に関して記述されているが、本発明がそのような製品の洗浄に制限されないことが理解されるだろう。例えば、本発明は以下を清浄化するために使用されてもよい；ハードディスク表面；保護層または他の層によってコーティングされる前のディスクドライブの磁気リーダーアーム；マイクロビア；ＰＣＢドリルホールのサイドウォールなど。更に、本発明はポリイミド表面のようなコンポーネントの表面を改質し、それらの接着性を改善するために使用されてもよい。
【００３６】
発明はその好ましい実施態様に関して記述されているが、使用された言葉は制限的に使用されたものではなく、特許請求の範囲に使用された本発明の技術的範囲を離れることなく変更を行うことができる。
【００３７】
従って、ＩＣコンポーネントのような基体から物質を取り除く方法と装置が示される。本発明方法は、チャンバー内の電極に電力を供給し、基体表面をプラズマのイオン、原子およびフリーラジカルの少なくとも１つと接触により、真空にすることのできるチャンバー中にプラズマを作成することを含んでいる。動力源、好ましくはＤＣは、アーキングを防ぐため、変化可能な、好ましくはパルス電圧として電極に供給される。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明による装置についての単純化された概要図である。
【図２】本発明の中で使用されるパルス電圧の例を表わすグラフである。
【図３】本発明による装置の代替実施態様の単純化された概要図である。
【図４】本発明による装置の代替実施態様の単純化された概要図である。
【図５】本発明による装置の代替実施態様の単純化された概要図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
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