(57)【要約】【課題】リソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】パターン中の人為結果の可視性を小さくするためのリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、照明システムと、パターン形成機器と、投影システムと、変調機器とを備えている。照明システムによって放射のビームが供給され、パターン形成機器によってビームがパターン形成される。投影システムによってビームが基板の目標部分に投射される。変調機器によってビームが変調され、変調スキームを備えたパターンが付与される。【選択図】図１
2006165548.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射のビームを供給する照明システムと、
前記ビームをパターン形成するパターン形成機器と、
前記ビームを基板の目標部分に投射する投影システムと、
前記ビームを変調し、変調スキームを備えたパターンを付与する変調機器とを備えたリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記変調機器が前記照明システムの一部である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記パターン形成機器が個々に制御可能な複数の要素の配列を備えた、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記変調機器が、個々に制御可能な複数の要素の前記配列の要素に前記変調スキームを適用するようにされた、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記変調機器が個々に制御可能な複数の要素の配列を備えた、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記変調機器が、前記照明システムと前記基板との間の放射の前記ビームの光路に配置された、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記変調機器が、前記照明システムと前記パターン形成機器との間に配置された、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記変調機器が、前記パターン形成機器と前記基板との間に配置された、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記変調機器が放射の前記ビームに所定の変調スキームを適用する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記変調機器が放射の前記ビームに無作為変調スキームを適用する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記変調機器が放射の前記ビームの振幅を変調する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記変調機器が放射の前記ビームのパルス周波数を変調する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
放射の前記ビームのパターンに従って変調スキームを選択する制御器を
さらに備えた、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記変調機器が放射の前記ビームの断面の一部を変調するようにリソグラフィされた、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記変調機器が放射の前記ビームの周囲のみを変調するようにされた、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
放射のビームをパターン形成する工程と、
放射のパターン形成されたビームを基板の目標部分に投射する工程と、
放射の前記ビームを変調する工程と
を含むデバイス製造方法。
【請求項１７】
個々に制御可能な複数の要素の配列を使用して前記ビームにパターンが付与される、請求項１６に記載のデバイス製造方法。
【請求項１８】
パターンが付与される前に放射の前記ビームが変調される、請求項１６に記載のデバイス製造方法。
【請求項１９】
パターンが付与された後に放射の前記ビームが変調される、請求項１６に記載のデバイス製造方法。
【請求項２０】
放射の前記ビームを変調する前記工程が、放射の前記ビームの振幅を変調する工程を含む、請求項１６に記載のデバイス製造方法。
【請求項２１】
放射の前記ビームを変調する前記工程が、放射の前記ビームの周波数を変調する工程を含む、請求項１６に記載のデバイス製造方法。
【請求項２２】
放射のビームを供給する照明システムと、
前記放射と相互作用する個々に制御可能な複数の要素の配列と、
前記放射の複数のビームを基板に投射する投影システムと、
前記基板の走査方向が複数の方向に変化するよう、前記基板を放射の前記複数のビームに対して走査するようになされた基板テーブルと
を備えたリソグラフィ装置。
【請求項２３】
前記基板テーブルが、前記基板の縁に対して第１の角度をなす第１の方向に前記基板を走査し、次に前記基板の縁に対して第２の角度をなす第２の方向に前記基板を走査するようにされた、請求項２２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２４】
前記基板テーブルが、次に前記基板の縁に対して第３の角度をなす第３の方向に前記基板を走査するようにされた、請求項２３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２５】
前記基板テーブルが、次にもう一度前記第１の方向に前記基板を走査し、次にもう一度前記第２の方向に前記基板を走査するようにされた、請求項２３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２６】
放射のビームを供給する照明システムと、
前記放射と相互作用する個々に制御可能な複数の要素の配列と、
前記放射の複数のビームを基板に投射する投影システムと、
基板を受けるようにされた基板テーブルであって、前記基板テーブルの走査運動の方向に対して一定の角度で配置された基板を受け基板テーブルと
を備えたリソグラフィ装置。
【請求項２７】
個々に制御可能な複数の要素の配列に向けて放射のビームを誘導する工程と、
得られた放射を複数の放射ビームとして基板に投射するために投影システムを使用する工程と、
前記基板の走査方向が複数の方向に変化するよう、走査運動中に前記基板を移動させる工程と
を含むデバイス製造方法。
【請求項２８】
個々に制御可能な複数の要素の配列に向けて放射のビームを誘導する工程と、
得られた放射を複数の放射ビームとして基板に投射するために投影システムを使用する工程と、
放射のパターン形成されたビームが前記基板の縁に対して一定の角度で前記基板上を移動するように走査運動中に前記基板を移動させる工程と
を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板の目標部分に所望のパターンを適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）、フラット・パネル・ディスプレイ及び微細構造を必要とする他のデバイスの製造に使用することができる。従来のリソグラフィ装置では、マスク或いはレチクルとも呼ばれているパターン形成装置を使用して、ＩＣ（又は他のデバイス）の個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、生成されたパターンを放射線感応材料（例えばレジスト）の層を有する基板（例えばシリコン・ウェハ又はガラス板）上の目標部分（例えば部分的に１つ又は複数のダイからなっている）に画像化することができる。このパターン形成装置には、回路パターンを生成する個々に制御可能な複数の要素の配列をマスクの代わりに使用することも可能である。
【０００３】
通常、１枚の基板には、順次露光される目標部分に隣接する回路網が含まれている。公知のリソグラフィ装置には、パターン全体を１回で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射されるステッパと、パターンをビームで所与の方向（「走査」方向）に走査し、且つ、基板をこの方向に平行に、或いは逆平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射されるスキャナがある。
【０００４】
一連の露光即ちショットによって印刷パターンが形成される。マスクレス・リソグラフィの場合を考察すると、空間光変調器（ＳＬＭ）配列の画像から得られるショットの各々がウェハ基板などの感光性表面に投射され、それにより、その表面の特定の露光ゾーンに、一定の放射線量つまり光源からの一定量の照射が当てられる。露光ゾーンは、光源からの光の閃光によって基板表面を照射することによって生成される。パターンが単一のＳＬＭの露光境界を越えて展開されている場合、隣接する境界に沿って露光がつなぎされ、それにより完全なパターンが形成される。
【０００５】
印刷パターンのつなぎ誤差は、露光の幾何学的不整列と他の光学現象による外乱の両方によって、隣接する露光ゾーンと露光ゾーンとの間の境界付近に生じる。通常、印刷パターンに生じるつなぎ誤差は、ウェハ上の露光ゾーンのその期待位置からの空間不整列によるものである。また、完璧に整列している場合であっても、光学効果によってつなぎ誤差が生成されることがある。空間不整列の場合、ショットの空間不整列が小さくても、つなぎ線付近の印刷パターンが著しく摂動することになる。
【０００６】
上記光学効果は、個々の露光ゾーンの放射線量の分布が部分コヒーレント光による露光の結果であることによる場合もある。隣接する２つの露光ゾーンが露光される時間が異なっているため、事実上、露光が非干渉性であり、そのために望ましくない光学効果が生成される。基板を露光することによってフラット・パネル・ディスプレイ（ＦＰＤ）を形成する実施例の場合、使用されるピクセル格子画像化技法は、完全に非干渉性である。光学誤差は、異なる領域では光路の透過比率が異なることによるものであり、特定の領域が他の領域より明るくなることがある。
【０００７】
公知の技法は、隣接する露光ゾーンと露光ゾーンとの間のつなぎ線付近に生じる印刷パターンのつなぎ誤差を補償しようとしている。第１のこのような技法には、露光領域の重畳が利用されていないだけでなく、後続する第２の露光プロセスを実行している間、補助フィーチャを提供する必要がある。補助フィーチャは、感光性表面の照射に使用されるパターン・データに追加され、さもなければ十分な放射線量を受け取らない可能性のある領域が満杯になる。
【０００８】
代替技法は、隣接する露光ゾーンの重畳領域に及ぶ補償を含んでいる。例えば、感光性表面の重畳領域のための多重露光のうちの１つの露光の間に、その重畳領域に転写すべきフィーチャのみが印刷されるようにＳＬＭを調整することができる。つまり、フィーチャを露光するための所与の露光の間、さもなければスイッチ「オン」されることになるＳＬＭのピクセルが、同じくその領域をカバーする代替露光がそのフィーチャを代わりに露光することを決定した制御システムによってスイッチ「オフ」される。
【０００９】
しかしながら、つなぎ誤差を補償するためのこのような公知技法は、ディスプレイの非つなぎ領域に別の形で出現することになるつなぎ領域を必然的に生成している。また、これらの技法には、隣接する露光ゾーンを整列させるために極めて高い精度で基板を配置する必要がある。また、照明源によって提供される放射線量は極めて厳格に制御されなければならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、つなぎ領域の可視性を実質的に小さくし、場合によっては除去し、及び／又は基板の位置決めに対する制約及び照明源の放射線量の制御に対する制約を緩和するシステム並びに方法が必要である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施例によれば、照明システムと、パターン形成構造と、投影システムと、変調構造とを備えたリソグラフィ装置が提供される。照明システムによって放射のビームが供給され、パターン形成構造によってビームがパターン形成される。投影システムによってビームが基板の目標部分に投射される。変調構造によってビームの断面が変調され、変調スキームを備えたパターンが付与される。
【００１２】
一実施例では、変調構造を照明システムの一部にすることができる。
【００１３】
一実施例では、パターン形成構造は個々に制御可能な複数の要素の配列を備えることができる。他の実施例では、変調構造は個々に制御可能な複数の要素の配列を備えることができる。
【００１４】
一実施例では、変調構造は照明システムと基板との間の放射のビームの光路に配置された機器を備えることができる。他の実施例では、変調構造を照明システムとパターン形成構造との間に配置することができる。別法としては、変調構造をパターン形成構造と基板との間に配置することができる。
【００１５】
変調構造は放射のビームに所定の変調スキームを適用することができる。別法としては、変調構造は放射のビームに無作為変調スキームを適用することができる。
【００１６】
変調構造は放射のビームの振幅若しくは周波数を変調することができる。変調構造を個々に制御可能な複数の要素の配列の個々の要素に変調スキームを適用するように構成することができる。変調構造は放射のビームの断面パターンに従って変調スキームを選択するための制御手段を備えることができる。
【００１７】
変調構造を放射のビームの断面の一部を変調するように構成することができる。変調構造を放射のビームの周囲のみを変調するように構成することができる。
【００１８】
本発明の一実施例によれば、以下の工程を有したデバイス製造方法が提供される。ビームをあるパターンにパターン形成する工程。放射のパターン形成されたビームを基板の目標部分に投射する工程。放射のビームの断面を変調する工程。一実施例では、個々に制御可能な複数の要素の配列を使用してビームにパターンを付与することができる。
【００１９】
一実施例では、パターンを付与する前に放射のビームを変調することができる。他の実施例では、パターンを付与した後に放射のビームを変調することができる。
【００２０】
一実施例では、放射のビームの断面を変調するステップは放射のビームの振幅及び／又はパルス周波数を変調するステップを含むことができる。
【００２１】
本発明の代替実施例によれば、放射のビームを供給する照明システムと、放射と相互作用する個々に制御可能な複数の要素の配列と、放射の複数のビームを基板に投射する投影システムと、基板の走査方向が複数の方向に変化するように基板を放射の複数のビームに対して走査するようにされた基板テーブルとを備えたリソグラフィ装置が提供される。
【００２２】
一実施例では、基板の縁に対して第１の角度をなす第１の方向に基板を走査し、次に基板の縁に対して第２の角度をなす第２の方向に基板を走査するように、基板テーブルを構成することができる。この基板テーブルを、次に基板の縁に対して第３の角度をなす第３の方向に基板を走査するように構成することができる。別法としては、もう一度第１の方向に基板を走査し、次にもう一度第２の方向に基板を走査するように基板テーブルを構成することもできる。
【００２３】
本発明の他の代替実施例によれば、放射のビームを供給する照明システムと、放射と相互作用する個々に制御可能な複数の要素の配列と、放射の複数のビームを基板に投射する投影システムと、基板を受けるようにされた基板テーブルであって、該基板テーブルの走査運動方向に対して一定の角度で配置された基板を受ける基板テーブルとを備えたリソグラフィ装置が提供される。
【００２４】
本発明のさらに他の代替実施例によれば、個々に制御可能な複数の要素の配列に向けて放射のビームを誘導する工程と、得られた放射を複数の放射ビームとして基板に投射するために投影システムを使用する工程と、基板の走査方向が複数の方向に変化するよう、走査運動中に基板を移動させる工程とを含むデバイス製造方法が提供される。
【００２５】
本発明のさらに他の代替実施例によれば、個々に制御可能な複数の要素の配列に向けて放射のビームを誘導する工程と、得られた放射を複数の放射ビームとして基板に投射するために投影システムを使用する工程と、放射のパターン形成されたビームが基板の縁に対して一定の角度で基板上を移動するように、走査運動中に基板を移動させる工程とを含むデバイス製造方法が提供される。
【００２６】
本発明の他の実施例、特徴及び利点、並びに本発明の様々な実施例の構造及び動作について、以下、添付の図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
上記「発明の開示」では、１つ又は複数の例示的実施例が示されているが、必ずしも本発明のすべての実施例が示されているわけではなく、したがって上記例示的実施例を本発明若しくは特許請求の範囲を制限するものとして解釈してはならないことを理解されたい。
【００２８】
本明細書に組み込まれ、且つ、本明細書の一部をなしている添付の図面は、本発明を示したものであり、以下の説明と相俟って本発明の原理をより良く説明し、且つ、当業者による本発明の構築及び使用を可能にする役割を果している。
【００２９】
以下、本発明について、添付の図面を参照して説明するが、図中の同種の参照番号は、まったく同じ要素若しくは機能的に類似した要素を表している。
【００３０】
本明細書においては、とりわけ集積回路（ＩＣ）の製造におけるリソグラフィ装置の使用が言及されているが、本明細書において説明するリソグラフィ装置は、集積光学系、磁区メモリのための誘導及び検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、ミクロ及びマクロ液体デバイス等の製造などの他のアプリケーションを有することができることを理解されたい。このような代替アプリケーションの文脈においては、本明細書における「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において言及されている基板は、例えばトラック（例えば、通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール）或いは度量衡学ツール若しくは検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために複数回に渡って処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【００３１】
本明細書に使用されている「個々に制御可能な複数の要素の配列」という用語は、入射する放射ビームの断面をパターン形成し、それにより所望のパターンを基板の目標部分に生成するべく使用することができる任意の機器を意味するものとして広義に解釈されたい。この文脈の中では、「光バルブ」及び「空間光変調器」（ＳＬＭ）という用語を使用することも可能である。以下、このようなパターン形成機器の実施例について考察しておく。
【００３２】
プログラム可能ミラー配列は、粘弾性制御層及び反射表面を有するマトリックス・アドレス指定可能表面を備えている。そのような装置の基礎をなしている基本原理は、例えば、反射表面の処理領域が入射光を回折光として反射し、一方、未処理領域が入射光を非回折光として反射することである。適切な空間フィルタを使用することにより、非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、回折光のみを残して基板に到達させることができる。この方法によれば、マトリックス・アドレス指定可能表面の処理パターンに従ってビームがパターン形成される。
【００３３】
代替として、このフィルタは、回折光をフィルタ除去し、非回折光を残して基板に到達させることができることは理解されよう。同じく複数の回折型光超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）機器の配列を対応する方法で使用することができる。回折型光ＭＥＭＳ機器の各々は、互いに変形可能な複数の反射型リボンを備えており、入射する光を回折光として反射する回折格子を形成している。
【００３４】
他の代替実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーを使用したプログラム可能ミラー配列がある。微小ミラーの各々は、適切な局部電界を印加することによって、或いは圧電駆動手段を使用することによって、１つの軸の周りに個々に傾斜させることができる。この場合も、入射する放射ビームが反射する方向が、処理済みミラーと未処理ミラーとでそれぞれ異なるように微小ミラーをマトリックス処理することが可能であり、この方法によれば、マトリックス処理可能ミラーの処理パターンに従って反射ビームがパターン形成される。必要なマトリックス処理は、適切な電子手段を使用して実行される。
【００３５】
上で説明したいずれの状況においても、個々に制御可能な複数の要素の配列は、１つ又は複数のプログラム可能ミラー配列を備えることができる。上述したミラー配列に関する詳細な情報については、例えば、いずれも参照によりそのすべてが本明細書に援用されている米国特許第５，２９６，８９１号及び第５，５２３，１９３号、並びにＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７及びＷＯ９８／３３０９６を参照されたい。
【００３６】
また、プログラム可能ＬＣＤ配列を使用することも可能である。参照によりそのすべてが本明細書に援用されている米国特許第５，２２９，８７２号に、このような構造の実施例が記載されている。
【００３７】
フィーチャの予備バイアス化、光学近似補正フィーチャ、位相変分技法及び多重露光技法を使用する場合、例えば、個々に制御可能な複数の要素の配列上に「表示される」パターンは、基板の層若しくは基板上に最終的に転送されるパターンとは実質的に異なっていても良いことを理解されたい。同様に、基板上に最終的に生成されるパターンは、個々に制御可能な複数の要素の配列上に任意の瞬間に形成されるパターンに対応している必要はない。これは、基板の個々の部分に最終的に形成されるパターンが、所与の時間周期若しくは所与の露光回数で積み上げられ、その間に、個々に制御可能な複数の要素の配列上のパターン及び／又は基板の相対位置が変更される構造の場合がそうである。
【００３８】
本明細書においては、とりわけＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が言及されているが、本明細書において説明するリソグラフィ装置は、例えばＤＮＡチップ、ＭＥＭＳ、ＭＯＥＭＳ、集積光学系、磁区メモリのための誘導及び検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他の適用を有することができることを理解されたい。このような代替適用の文脈においては、本明細書における「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において言及されている基板は、例えばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール）或いは度量衡学ツール若しくは検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために複数回に亘って処理することができるため、本明細書に使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【００３９】
本明細書に使用されている「放射」及び「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（例えば波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの放射）、極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば波長の範囲が５〜２０ｎｍの放射）、及びイオン・ビーム或いは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
【００４０】
本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、例えば使用する露光放射に適した、或いは液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系及びカタディオプトリック光学系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
【００４１】
また、照明システムには、放射のビームを導き、整形し、或いは制御するための屈折光学部品、反射光学部品及びカタディオプトリック光学部品を始めとする様々なタイプの光学部品が包含されており、このような部品についても、以下、集合的若しくは個々に「レンズ」と呼ぶ。
【００４２】
リソグラフィ装置は、場合によっては２つ（例えば二重ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は複数のマスク・テーブル）を有するタイプの装置であってもよく、このような「多重ステージ」機械の場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つ又は複数のテーブルに対して予備工程を実行することができる。
【００４３】
また、リソグラフィ装置は、基板が比較的屈折率の大きい液体中（例えば水中）に浸され、それにより投影システムの最終要素と基板との間の空間が充填されるタイプの装置であっても良い。また、リソグラフィ装置内の他の空間、例えば基板と投影システムの第１の要素との間の空間に液浸液を充填することも可能である。液浸技法は、当分野においては、投影システムの開口数を大きくすることで良く知られている。
【００４４】
また、リソグラフィ装置には、液体と基板の照射部分との間の相互作用を可能にする（例えば基板に化学薬品を選択的に添加し、或いは基板の表面構造を選択的に修正する）ための液体処理セルを備えることができる。
【実施例】
【００４５】
リソグラフィ投影装置
図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置１００を略図で示したものである。装置１００は、少なくとも放射システム１０２、個々に制御可能な複数の要素１０４の配列、対物テーブル１０６（例えば基板テーブル）及び投影システム（レンズ）１０８を備えている。
【００４６】
放射システム１０２を使用して放射（例えばＵＶ放射）のビーム１１０を供給することができる。この特定の実施例では、放射システム１０２は、放射源１１２を備えることも可能である。
【００４７】
個々に制御可能な複数の要素１０４の配列（例えばプログラム可能ミラー配列）を使用してビーム１１０にパターンを適用することができる。通常、個々に制御可能な複数の要素１０４の配列の位置は、投影システム１０８に対して固定することができるが、代替構造では、個々に制御可能な複数の要素１０４の配列は、投影システム１０８に対して個々に制御可能な複数の要素１０４の配列を正確に位置決めするための位置決め機器（図示せず）に接続することができる。図に示すように、個々に制御可能な複数の要素１０４の配列は、反射型（例えば個々に制御可能な複数の要素の反射型配列を有する）タイプの配列である。
【００４８】
対物テーブル１０６は、基板１１４（例えばレジスト被覆シリコン・ウェハ若しくはガラス基板）を保持するための基板ホルダ（図には特に示されていない）を備えることができる。対物テーブル１０６は、投影システム１０８に対して基板１１４を正確に位置決めするための位置決め機器１１６に接続することができる。
【００４９】
投影システム１０８（例えば水晶及び／又はＣａＦ２レンズ系、或いはこのような材料でできたレンズ要素を備えたカタディオプトリック系、若しくはミラー系）を使用して、ビーム・スプリッタ１１８から受け取るパターン形成されたビームを基板１１４の目標部分１２０（例えば１つ又は複数のダイ）に投射することができる。投影システム１０８は、個々に制御可能な複数の要素１０４の配列の画像を基板１１４に投影することができる。別法としては、投影システム１０８は、個々に制御可能な複数の要素１０４の配列の要素がシャッタとして作用する二次ソースの画像を投影することができる。また、投影システム１０８は、二次ソースを形成し、且つ、基板１１４にマイクロスポットを投影するための微小レンズ配列（ＭＬＡ）を備えることができる。
【００５０】
放射源１１２（例えばエキシマ・レーザ）は、放射のビーム１２２を生成することができる。ビーム１２２は、照明システム（イルミネータ）１２４に直接供給されるか、或いは例えばビーム・エキスパンダなどの調整機器１２６を介して供給される。イルミネータ１２４は、ビーム１２２の強度分布の外部及び／又は内部ラジアル・エクステント（一般に、それぞれσ−アウター及びσ−インナーと呼ばれている）を設定するための調節機器１２８を備えることができる。また、イルミネータ１２４は、通常、インテグレータ１３０及びコンデンサ１３２などの他の様々な部品を備えている。この方法によれば、個々に制御可能な複数の要素１０４の配列に衝突するビーム１１０の断面に、所望する一様な強度分布を持たせることができる。
【００５１】
図１に関して、放射源１１２をリソグラフィ投影装置１００のハウジング内に配置する（放射源１１２が例えば水銀灯の場合にしばしば見られるように）ことができることに留意されたい。代替実施例では、放射源１１２をリソグラフィ投影装置１００から離して配置することも可能である。その場合は、放射ビーム１２２が装置１００に導かれることになる（例えば適切な誘導ミラーを使用して）。この後者のシナリオは、放射源１１２がエキシマ・レーザの場合にしばしば見られるシナリオである。本発明の範囲には、これらのシナリオの両方が意図されていることを理解されたい。
【００５２】
ビーム１１０は、次に、ビーム・スプリッタ１１８を使用して導かれた後、個々に制御可能な複数の要素１０４の配列で遮られる。個々に制御可能な複数の要素１０４の配列で反射したビーム１１０は、ビーム１１０を基板１１４の目標部分１２０に集束させる投影システム１０８を通過する。
【００５３】
基板テーブル１０６は、位置決め機器１１６（及びベース・プレート１３６上の、ビーム・スプリッタ１４０を介して干渉ビーム１３８を受け取る任意選択の干渉測定機器１３４）を使用して正確に移動させることができ、それにより異なる目標部分１２０をビーム１１０の光路内に配置することができる。使用されている場合、個々に制御可能な複数の要素１０４の配列のための位置決め機器を使用して、例えば走査中に、ビーム１１０の光路に対する個々に制御可能な複数の要素１０４の配列の位置を正確に修正することができる。通常、対物テーブル１０６の移動は、図１には明確に示されていないが、長ストローク・モジュール（粗位置決め）及び短ストローク・モジュール（精密位置決め）を使用して実現されている。また、同様のシステムを使用して、個々に制御可能な複数の要素１０４の配列を配置することも可能である。別法又は追加として、必要な相対移動を提供するために、ビーム１１０を移動させ、且つ、対物テーブル１０６及び／又は個々に制御可能な複数の要素１０４の配列に固定位置を持たせることができることは理解されよう。
【００５４】
この実施例の代替構成では、基板テーブル１０６を固定し、基板１１４を基板テーブル１０６上で移動させることができる。このような場合、基板テーブル１０６の一番上の平らな表面に多数の開口が設けられ、その開口を通して気体が供給され、それにより基板１１４を支持することができる気体クッションが提供される。これは、従来、空気軸受構造と呼ばれている。基板テーブル１０６上の基板１１４の移動は、基板１１４をビーム１１０の光路に対して正確に位置決めすることができる１つ又は複数のアクチュエータ（図示せず）を使用して実施される。別法としては、開口を通る気体の通過を選択的に開始及び停止することによって、基板１１４を基板テーブル１０６上で移動させることも可能である。
【００５５】
本明細書においては、本発明によるリソグラフィ装置１００は、基板上のレジストを露光するための装置として記述されているが、本発明はこのような使用に限定されないこと、また、レジストレス・リソグラフィに使用するために、パターン形成されたビーム１１０を装置１００を使用して投射することができることは理解されよう。
【００５６】
図に示す装置１００は、４つの好ましいモードで使用することができる。
１．ステップ・モード：個々に制御可能な複数の要素１０４の配列上のパターン全体が目標部分１２０に１回で投影される（即ち単一「フラッシュ」）。次に、基板テーブル１０６がｘ及び／又はｙ方向を異なる位置へ移動し、異なる目標部分１２０がパターン形成されたビーム１１０によって露光される。
２．走査モード：所与の目標部分１２０が単一フラッシュで露光されない点を除き、基本的にステップ・モードと同じである。走査モードでは、個々に制御可能な複数の要素１０４の配列を速度ｖで所与の方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に移動させることができるため、パターン形成されたビーム１１０を使用して個々に制御可能な複数の要素１０４の配列が走査される。同時に、基板テーブル１０６が速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向若しくは反対方向へ移動する。Ｍは投影システム１０８の倍率である。この方法によれば、解像度を犠牲にすることなく、比較的大きい目標部分１２０を露光することができる。
３．パルス・モード：個々に制御可能な複数の要素１０４の配列が基本的に静止状態に維持され、パルス放射システム１０２を使用してパターン全体が基板１１４の目標部分１２０に投影される。パターン形成されたビーム１１０を使用して基板１１４の両端間のラインを走査することができるように、基本的に一定の速度で基板テーブル１０６が移動する。必要に応じて、放射システム１０２のパルスとパルスとの間に、個々に制御可能な複数の要素１０４の配列上のパターンが更新される。パルスは、連続する目標部分１２０が基板１１４上の必要な位置で露光されるように調時されている。したがって、パターン形成されたビーム１１０は、基板１１４の両端間を走査することができ、それにより細長い基板１１４の完全なパターンが露光される。このプロセスは、基板１１４全体がライン毎に露光されるまで繰り返される。
４．連続走査モード：パルス・モードと基本的に同じであるが、実質的に一定の放射システム１０２が使用され、パターン形成されたビーム１１０が基板１１４の両端間を走査し、基板１１４を露光すると、個々に制御可能な複数の要素１０４の配列上のパターンが更新される点が異なっている。
【００５７】
上で説明した使用モードの組合せ及び／又はその変形形態若しくはまったく異なる使用モードを使用することも可能である。
【００５８】
図２は、本発明の一実施例による、隣接する露光ゾーンの境界即ちつなぎ線を横切って展開しているパターン・フィーチャの形成を示したものである。つなぎ露光ゾーン２００には、露光ゾーン２０１、２０２及び２０４が含まれている。これらの露光ゾーンの各々は、照明源、例えば図１に示すイルミネータ１２４からの単一光パルスによって生成された、感光性表面への放射線量を表している。例えば、単一パルスが持続している間、基板１１４などの感光性表面が所定の距離だけ移動し、露光ゾーン２０１、２０２及び２０４の各々に放射線量が適用される。
【００５９】
露光ゾーン２０２及び２０４の隣接する境界は、つなぎ線２０６を形成している。パターン・フィーチャ２０８は、露光ゾーン２０１、２０２及び２０４に形成されており、つなぎ線２０６を横切って配置されている。フィーチャ２０８の光学効果即ちひずみは、個々の露光ゾーンの放射線量の分布が部分コヒーレント光による露光の結果であることによって生じることがある。したがって、２つの露光ゾーン２０２及び２０４が露光される時間が異なっているため、これらの露光ゾーンは、事実上、非干渉性である。
【００６０】
図３は、本発明の一実施例による、コヒーレント照明が仮定されているシナリオにおける所望の一様なパターン中のつなぎ線（例えば、図３には線３０７で示されている図２のつなぎ線２０６）付近のつなぎ攪乱をグラフで示したものである。コヒーレント照明は、最も重大なつなぎ誤差を印刷パターンにもたらすと考えられるため、説明用としてコヒーレント照明の実施例が使用されているが、本発明は、このような適用に限定されない。
【００６１】
図３に示すグラフ３００は、一様な明視野が原点でつなぎされた２つの露光で画像化されていることを示している。第１の露光３０２は、物体平面内の原点の右側の絶対明状態にセットされたピクセルによるものであり、一方、原点の左側の物体平面視野はゼロである。像平面に得られる相対強度分布（相対放射線量変化とも呼ばれている）は、回折限界画像である。
【００６２】
第２の露光３０４は、原点に対する露光３０２の鏡像である。２つの露光に対する原点の相対放射線量値（即ち相対画像強度）は、コヒーレント照明の場合の相対放射線量値の約２５％であることが分かる。右側エッジ露光３０２と左側エッジ露光３０４を結合すると、つなぎ境界３０７に沿った相対局部放射線量値が約５０％の露光３０６が得られる。つなぎ線３０７における露光と約５０％の相対局部放射線値が相俟って、つなぎ人為結果即ち誤差３０８を形成している。
【００６３】
一実施例では、人為結果３０８などのつなぎ人為結果は、境界３０７などのつなぎ境界を横切って形成されるフィーチャ（例えば図２のフィーチャ２０８）の形態学を攪乱することになる。このような形態学攪乱の１つは、印刷パターンの形成に使用される線の線幅の変化に現われる。
【００６４】
図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｄ及び図４Ｅは、本発明の一実施例による、孤立暗線のつなぎ攪乱による影響を示したものである。これらの図は、本発明の一実施例によるつなぎ誤差補償技法を使用しない場合につなぎ誤差がもたらし得る線幅変化に対する影響を示している。図４は試験ケースを例証したもので、孤立暗線のつなぎ攪乱を示している。
【００６５】
図４Ａでは、例示的露光４０２に、明るい背景の上に長さが約２００ｎｍ（例えば約９λ／ＮＡ）の孤立水平暗線４０３が含まれている。λは光の波長であり、（ＮＡ）は開口数である。この水平暗線４０３は、物体平面の傾斜ミラー・ピクセルによって形成されている。
【００６６】
水平暗線４０３は、それぞれ、α０＝λ／２Ｌ及び−α０だけ傾斜した、隣接する２つの水平ミラー配列（列）によって形成されている。αは傾斜角である。これらの列のピクセルは、概ね絶対暗ピクセルとして作用している。背景は明るく、ミラーが平らなピクセルによって形成されている。水平暗線４０３を形成しているパターンは、それぞれ図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃに示すように、３つの露光４０２、４０４及び４０６で露光される。露光４０２は、基板の第１のパスの間に生じ、水平暗線４０３全体が露光される。露光４０４及び４０６は、基板の第２のパスの間に生じる２つの連続した露光である。この２つの露光４０４及び４０６は、それぞれ水平暗線４０３の半分を露光している。図４Ｂに示す放射線量分布４０４ａ及び図４Ｃに示す放射線量分布４０６ａは、それぞれ、３つの露光の各々によって生じるつなぎ線の近くに示されている。
【００６７】
図４Ｄは、３つの露光の和４０８を示したものである。この図には、つなぎ線４０９ａに沿った露光不足の領域４０９が含まれている。
【００６８】
図４Ｅはグラフ４１０を示したもので、つなぎ線４０９ａ付近の線幅の変化を示している。図４Ａ〜図４Ｅに示す実施例では、画像強度閾値を使用して線幅が計算され、７０ｎｍの線４１２が得られた。グラフ４１０に示すように、線幅の変化（線４１４で示す）は、正（＋）の２５ｎｍの大きさに達している。
【００６９】
つなぎ誤差は、印刷パターンを著しく劣化させることになる異常の原因になっているが、本発明の少なくとも１つの実施例によれば、これらの問題を解決する技法が提供される。
【００７０】
公知つなぎ技法では、つなぎ領域と非つなぎ領域とは目に見えて異なっている。公知技法は、非つなぎ領域の放射線量強度に対応させるように重畳領域の放射線量を漸減させることを含む。しかし、約１％を超える放射線量の差をパターン中の人為結果として目で見ることができ、また、例えば明るい線として漸減のわずかな変化を見ることができる。
【００７１】
上で考察したように、本発明の１つ又は複数の実施例によれば、放射線量を変調することによって目に見えるアーチファクトを除去することができる。放射の振幅及び／又は周波数を変調することができる。変調スキームは固定パターン（例えば調和関数、正方形、三角形等）であっても良いが、無作為変調（つまり光学パターンに無作為ノイズを追加する）を使用することによって、より良好な結果が得られる。放射は、例えば振幅を一定にして周波数変調することができ、或いは周波数を一定若しくは変化させて振幅を無作為に変化させることができる。ノイズを追加することによって、上で言及した直線などの目に見えるアーチファクトをぼかすことができる。変調スキームは、特定の領域に対して調整することができ、また、方向によって変化する成分を持たせることができる。
【００７２】
変調によって最適パターンが劣化するため、パターン信号に事実上ノイズを追加することになる変調の導入は、最初は反直観的であると思われるかもしれないが、人間の視覚の挙動により、微量のノイズを追加することによって、さもなければ目に見える人為結果の平滑化が促進される。
【００７３】
様々な実施例では、リソグラフィ・システム内の様々なポイントで変調を導入することができ、例えば照明源を変調することができる。照明源の変調を達成することができる方法の１つは、偏光を変化させるポッケルス・セルを光路に挿入し、且つ、その後段に偏光子を挿入することである。ポッケルス・セルによって切換え可能な電界が光に印加され、それにより偏光状態が変化する。通過する照明を後段の偏光子によって直接制御することができるため、光源の超短波変調が提供される。
【００７４】
照明源での変調を適用することができるのは、採用されているリソグラフィ・システムが、基板に照射されるすべての光学カラムに共通の照明源を使用している場合のみである。変調を照明源で実施する場合、変調システムをマスク・ベース・リソグラフィ・システムに適用することができる。
【００７５】
他の実施例では、光学カラム内の他の任意のポイントで変調を実施することができる。マスクレス・システムの場合を考察すると、変調はＳＬＭで実施される。ＳＬＭでの変調即ち物体平面での変調の場合、変調スキームが課された投影システムにパターンを提供することができる。ＳＬＭでの変調は、ＳＬＭの個々の要素の反射特性及び透過特性を変化させることによって達成され、例えばＳＬＭが複数のミラーの配列を備えている場合、変調スキームに従ってミラーの傾斜を変化させることによって達成される。ＳＬＭが、「オン」状態のみ、或いは「オフ」状態のみを有する複数のピクセルの配列を備えている場合、変調スキームを適用することによって、「オン」であるべき特定のピクセルを「オフ」にすることができ、或いは「オフ」であるべき特定のピクセルを「オン」にすることができる。
【００７６】
一実施例では、光学カラム中で変調が強制される。この実施例では、パターン全体に亘る変調が可能であり、或いは隣接するカラムと重畳するパターン領域のみの変調が可能である。他の実施例では、変調領域をより広くすることによって隣接するカラム間の目に見える差が小さくなるため、パターン全体に変調スキームを存在させることができる。
【００７７】
上に挙げた実施例のうちの少なくとも１つ又は複数の実施例では、重畳領域における放射線量の漸減を小さくすることができるため、変調技法を使用することによって重畳領域のサイズを小さくすることができる。ノイズによって導入されるぼやけは、印刷パターン中の人為結果についてシステムの耐性をより大きくしている。
【００７８】
一実施例では、実効のあるものにするために、変調スキームの周波数は照明の周波数より低く、約４０ｋＨｚである。照明にはパルス放射源若しくは連続放射源を使用することができる。連続放射源を使用する場合、パターン形成すべき細部の密度に対して十分に高い周波数であることを条件として、変調周波数は任意である。
【００７９】
パルス放射源を使用する場合、パルス周波数より高い変調周波数は、フィルタ除去するか、或いは放射源のパルス周波数の近辺へミラー・バックし、より低い周波数にすることができるが、一実施例では、ＳＬＭで生じる変調を使用して個々の領域を別様に変調することができる。一実施例では、放射源ビームが変調されると、すべてのスポットがパルス毎に同じ光パワーを有することができ、また、ピクセル−格子画像化の希薄な性質のため、さらに無作為変調効果が得られる。
【００８０】
一実施例では、パターン形成すべき細部が極めて微小である場合、個々のピクセル・レベルで変調を実施し、ＳＬＭ中の個々のピクセルの特性を独自の変調スキームに従って変化させることができる。そのためにはデータ・バスにノイズ信号を導入する必要があるが、データ・バスにノイズ信号を導入することにより、特定の品質、例えば形状、サイズ、組成による個々のピクセルに固有の特性「フィンガプリント」が除去される。フィーチャの縁若しくは微細細部のフィンガプリントは、通常、目で見ることができる。
【００８１】
図５は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置５００を示したものである。マスクレス・リソグラフィ装置５００は、基板に印刷すべきパターンをデータ経路５０４を介して変調器及び光学システム５０６に提供するＧＤＳ−ＩＩファイル５０２を備えている。ＧＤＳ−ＩＩは、二次元グラフ設計データを転送／所定期間保存するための標準ファイル・フォーマットである。ＧＤＳ−ＩＩには、複数の構造の階層が含まれており、個々の構造には、複数の層の上に置かれた複数の要素が含まれている。ＧＤＳ−ＩＩは、そのデータ・タイプに内部定義フォーマットを使用しているため、プラットホームに依存しない２進フォーマットである。パターン・データは、セルのライブラリに含めるべきであると考えられている。セルは、多角形（境界）、経路及び他のセルなどの幾何学対象を含むことができる。セル内の対象は、その設計の複数の層に割り当てられている。異なる層は、通常、個別マスク・プレートに露光するための異なる処理工程を表している。幾何学対象は、データ・タイプでタグをふることも可能である。このタグは、あらゆる目的に使用することができるが、近接効果を補償するために、同様のサイズの対象をまとめてグループ化するために最も一般的に使用されている。
【００８２】
この実施例では、変調器はＳＬＭであるが、マスク・リソグラフィ・システムの場合、変調器は、固定パターン要素及びレンズ倍率システムに置換される。マスクレス・リソグラフィ・システムの変調器は、提供されるデータ・ファイルに含まれている情報に従ってパターン形成構成を形成するようにされている。無作為抽出装置５０８は、ＳＬＭの要素の構成を変更するために、無作為にパターン・データを変更している。この無作為のデータ変更は、無作為データを生成するハードウェア、ソフトウェア或いはファームウェアを使用して実施することができる。生成された無作為データは、この説明を読み、且つ、理解することによって当業者に明らかになるように、ミキサによって受け取られ、データ経路５０４からのデータを無作為化するために使用される。この無作為化によって、基板５１２に印刷するための所望のパターンを若干変更することができ、それにより、事実上、ミキサを使用してデータ経路５０４からのデータ・ファイルに無作為ノイズ変調が適用される。照明源５１０はＳＬＭを照射し、ＳＬＭは、変調パターンを使用して基板５１２を照射する。
【００８３】
次に、図６〜図８を参照して、本発明の代替実施例について説明する。図６は、例えばフラット・パネル・ディスプレイの製造に使用することができる本発明による装置の一実施例を示したものである。図１に示す部品に対応する部品は、同じ参照数表示で示されている。
【００８４】
図６に示すように、この装置は、放射源１１２、ビーム搬送システム１２６、イルミネータ１２８及び投影システム１０８を備えている。投影システム１０８は、２つのレンズ６０１及び６０２を備えたビーム・エキスパンダを備えている。第１のレンズ６０１は、変調放射ビーム１１０を受け取り、受け取った変調放射ビーム１１０を開口絞り６０３の開口を通して集束させるようにされている。別のレンズ６０４を開口に配置することも可能である。開口絞り６０３を通過した後に発散する放射ビーム１１０は、第２のレンズ６０２（例えば視野レンズ）によって集束される。
【００８５】
投影システム１０８は、さらに、広がった変調放射１１０を受け取るようにされた複数のレンズ６０５の配列を備えている。パターン形成機器１０４の個々に制御可能な複数の要素のうちの１つ又は複数の要素に対応している変調放射ビーム１１０の異なる部分が、複数のレンズ６０５の配列中の対応する異なるレンズを通過する。個々のレンズ６０６は、変調放射ビーム１１０の対応する部分を基板１１４上の一点に集束させている。この方法によれば、複数の放射スポット６０７の配列が基板１１４に露光される。図には、複数のレンズ６０５の配列のうちの８つのレンズ６０６しか示されていないが、この複数のレンズの配列は、数千個のレンズを備えることができることは理解されよう（パターン形成機器１０４として使用される個々に制御可能な複数の要素の配列についても同様である）。
【００８６】
図７は、基板Ｗ上にパターンが生成される様子を略図で示したものである。塗りつぶされた円は、投影システム１０８の複数のレンズ６０５の配列（図６参照）によって基板に投影される複数のスポット６０７の配列を表している。基板は、一連の露光が基板に露光される際に、投影システムに対してｙ方向に移動する。空白の円は、基板に既に露光済みのスポット露光６１０を表している。図に示すように、投影システム１０８の複数のレンズの配列によって基板に投影される個々のスポットが、スポット露光の１列６１１を基板１１４に露光する。その基板に対する完全なパターンは、複数のスポット６０７の配列の個々のスポットによって露光されるスポット露光６１０のすべての列６１１を合わせることによって生成される。このような構造は、一般に「ピクセル格子描画」と呼ばれている。実際には、スポット６０７とスポット６０７との間には、基板１１４の表面の適切な露光を可能にするための重畳が存在していることは当業者には理解されよう。分かりやすくするために、この重畳は図７には示されていない。
【００８７】
複数の放射スポット６０７の配列は、基板１１４に対して角度θで配置されていることが分かる（基板の縁は、Ｘ及びＹ方向に平行に置かれている）。これは、基板が走査方向（Ｙ方向）に移動する際に、個々の放射スポットが基板の異なる領域を通過し、それにより複数の放射スポット６０７の配列によって基板全体がカバーされるようにするためである。一実施例では、この角度θは最大限でも２０°或いは１０°であり、例えば最大限でも５°、最大限でも３°、最大限でも１°、最大限でも０．５°、最大限でも０．２５°、最大限でも０．１０°、最大限でも０．０５°、最大限でも０．０１°である。一実施例では、角度θは少なくとも０．０００１°であり、例えば少なくとも０．００１°である。
【００８８】
図８は、フラット・パネル・ディスプレイ基板１１４全体が、複数の光エンジンを使用して単一走査で露光される様子を略図で示したものである。８つの光エンジン６２０が配置され、複数の放射スポットの配列（図示せず）を生成している。光エンジン６２０は、複数の放射スポットの一方の配列の縁と、隣接する複数の放射スポットの配列の縁がわずかに重畳する（ｘ方向に）よう、「チェス盤」構成で２列６２１及び６２２に配置されている。一実施例では、少なくとも３列、例えば４列若しくは５列の光エンジンが配置されている。
【００８９】
この方法によれば、基板１１４の幅全体に展開している放射の帯を、単一の走査で基板全体に露光することができる。適切な任意の数の光エンジンを使用することができることは理解されよう。一実施例では、光エンジンの数は少なくとも１個であり、例えば少なくとも２個、少なくとも４個、少なくとも８個、少なくとも１０個、少なくとも１２個、少なくとも１４個或いは少なくとも１７個である。一実施例では、光エンジンの数は４０個未満であり、例えば３０個未満或いは２０個未満である。
【００９０】
光エンジンの各々は、上で説明した個別のビーム搬送システム１２６、イルミネータ１２８、パターン形成機器１０４及び投影システム１０８を備えることができるが、ビーム搬送システム１２６、イルミネータ１２８、パターン形成機器１０４及び投影システム１０８のうちの１つ又は複数の少なくとも一部を複数の光エンジンで共有することができることを理解されたい。
【００９１】
例えば図６〜図８に関連して説明した装置を使用してフラット・パネル・ディスプレイを製造する際に生じる可能性のある問題は、複数のスポット６０７のパターンの非一様性が、基板１１４に投影されるパターンの非一様性の原因になることである。この非一様性は、Ｙ方向への基板１１４の全走査移動中、反復して生じることがあり、基板に非一様な縞が提供される原因になっている。また、同じスポット６０７を使用してすべて若しくはほとんどの特定アドレス線を書き込む場合、この非一様性によって、得られるフラット・パネル・ディスプレイ上のピクセルの列と列との間に特性の差がもたらされることがある。
【００９２】
本発明の実施例によれば、基板１１４をｙ方向へ移動させる代わりに、ジグザグ運動で移動させることによってこの問題が解決される。このジグザグ運動による効果は、所与のスポット６０７に起因する非一様性によって、線形非一様性ではなく、ジグザグ形態の非一様性が残されることである。例えば図５に関連して言及したように、データ経路は、基板１１４のジグザグ運動を考慮するために、パターン形成機器１０４に提供されるパターンを修正している。
【００９３】
ジグザグ形態を有する一様性は、人間の眼には線形非一様性よりもその知覚が困難であるため、得られるフラット・パネル・ディスプレイを見る使用者には、その一様性がそれほど目立つことはない。また、基板１１４をジグザグ運動させることにより、所与のスポット６０７ではなく、いくつかの異なるスポットを使用してアドレス線のほとんど若しくはすべてが形成されることが保証されるため、得られるフラット・パネル・ディスプレイ上のピクセルの列と列との間に特性の差が生じる可能性が減少する。
【００９４】
本発明の実施例によれば、所与のスポットに起因する非一様性の負の影響が緩和されるだけでなく、スポット６０７のグループに生じる非一様性の負の影響が緩和される。これは、スポットのグループによる非一様性を視覚する人間の眼の傾向が、単一のスポットによる非一様性を視覚する傾向より強いため、非一様性の目に見える影響の文脈においてとりわけ関連している。
【００９５】
基板をジグザグ運動で移動させる代わりに、走査方向（Ｙ方向）に対して一定の角度で基板を基板テーブル１０６に置くことも可能であり、それにより、特定のアドレス線のほとんど若しくはすべてを形成するために使用される所与のスポット６０７の問題が解決されることもあるが、得られるフラット・パネル・ディスプレイの使用者の観点からすると、非一様性の卓越性が緩和されることは期待できない。
【００９６】
ジグザグという用語は、基板を規則的な鋸歯パターンで移動させることを意味しているのではなく、露光の間、基板の走査方向が複数の方向に変化することを意味している。
【００９７】
結論
以上、本発明の様々な実施例について説明したが、以上の説明は単なる実施例を示したものにすぎず、本発明を何ら制限するものではないことを理解されたい。本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、本発明の形態及び細部に様々な変更を加えることができることは当業者には明らかであろう。したがって、本発明の見解及び範囲は、上で説明した例示的実施例によっては一切制限されず、唯一、特許請求の範囲の各請求項及びそれらの等価物によってのみ定義されるものとする。
【００９８】
特許請求の範囲の解釈に際しては、「発明の開示」及び「要約書」の節ではなく、「実施例」の節を使用するべく意図されていることを理解されたい。「発明の開示」及び「要約書」の節には、１人又は複数の発明者が意図している本発明の１つ又は複数の例示的実施例が示されているが、すべてが示されているわけではない。したがって「発明の開示」及び「要約書」の節には、本発明及び特許請求の範囲を制限することは一切意図されていない。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の一実施例による、複数の露光ゾーンへの放射線量の適用を示す図である。
【図３】本発明の一実施例による、所望する一様なパターン中のつなぎ線付近のつなぎ攪乱を示すグラフである。
【図４Ａ】本発明の一実施例による、孤立暗線のつなぎ攪乱の影響を示す図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施例による、孤立暗線のつなぎ攪乱の影響を示す他の図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施例による、孤立暗線のつなぎ攪乱の影響を示す他の図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施例による、孤立暗線のつなぎ攪乱の影響を示す他の図である。
【図４Ｅ】本発明の一実施例による、孤立暗線のつなぎ攪乱の影響を示す他の図である。
【図５】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置のブロック図である。
【図６】本発明の代替実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図７】図６に示すリソグラフィ装置の動作を示す略図である。
【図８】本発明の代替実施例の実施態様を示す略図である。
【図１】
2006165548.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006165548.tif 000005
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006165548.tif 000013
【図８】
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【外国語明細書】
2006165548000001.pdf