(57)【要約】【課題】  反射率が低くて透過率が高く、透過色が無色であり、反射色が適度な有彩色であり、入射角変化に伴い反射色が多色化せず、耐久性、帯電防止性に優れ、放電の発生が抑えられた反射防止フィルム、およびこれが設けられたディスプレイ装置を提供する。【解決手段】  基材１０上に、第１の酸化物層２１、第２の酸化物層２２、第３の酸化物層２３を有する反射防止層２０が設けられた反射防止フィルム１であって、第１の酸化物層２１が、ＳｎＯ2 とＳｉＯ2 とを合計で９０質量％以上含有する層であり、第２の酸化物層２２が、Ｇａ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 を合計で９０質量％以上含有する層、または、ＳｎＯ2 を９０質量％以上含有する層であり、第３の酸化物層２３が、ＳｉＯ2 を９０質量％以上含有する層である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に反射防止層が設けられた反射防止フィルムであって、
前記反射防止層が、前記基材側から、第１の酸化物層、第２の酸化物層、および第３の酸化物層を有し、
前記第１の酸化物層が、酸化物換算でＳｎＯ2 とＳｉＯ2 とを合計で９０質量％以上含有し、Ｓｉを、ＳｎとＳｉとの合計（１００原子％）中２０〜５０原子％含有する層であり、
前記第２の酸化物層が、酸化物換算でＧａ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 およびＳｎＯ2 を合計で９０質量％以上含有し、Ｇａを、ＧａとＩｎとＳｎとの合計（１００原子％）中２〜１５原子％含有し、Ｉｎを、ＧａとＩｎとＳｎとの合計（１００原子％）中２〜１５原子％含有する層、または、ＳｎＯ2 を９０質量％以上含有する層であり、
前記第３の酸化物層が、ＳｉＯ2 を９０質量％以上含有する層であることを特徴とする反射防止フィルム。
【請求項２】
前記第１の酸化物層が、Ｓｉを、ＳｎとＳｉとの合計（１００原子％）中２５〜４５原子％含有する層である、請求項１に記載の反射防止フィルム。
【請求項３】
表面抵抗値が、１０4 〜１０11Ω／□である、請求項１または請求項２に記載の反射防止フィルム。
【請求項４】
画像を表示するためのディスプレイ画面と、該ディスプレイ画面の視認側に設けられた請求項１〜３のいずれか一項に記載の反射防止フィルムとを具備するディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射防止フィルムおよびこれを具備するディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ディスプレイ装置の視認性を向上させるため、ディスプレイ画面上に反射防止フィルムを設けることが行われている。この反射防止フィルムとしては、たとえば、基材上に、基材側から順に中屈折率層、高屈折率層および低屈折率層からなる反射防止層が設けられたフィルムが知られており、可視光領域全体にわたって反射を減じるように設計されている。また、反射防止フィルムには、可視光領域全体にわたって反射率が低いこと、透過率が高いこと、耐擦傷性、耐水性等の耐久性に優れること、ほこり等が付着しないように帯電防止性を有すること等が要求される。
【０００３】
反射防止フィルムとしては、基材上に、ＳｎとＳｉとの合金の酸化物からなる中屈折率層、Ｉｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との混合物（以下、ＩＴＯと記す。）からなる高屈折率層、ＳｉＯ2 からなる低屈折率層からなる反射防止層を設けたフィルムが、特許文献１に開示されている。
特許文献１に記載の反射防止フィルムは、導電性に優れたＩＴＯからなる層を有するため、ほこり等の付着を抑制する帯電防止性に優れる。しかし、ＩＴＯからなる層を有する反射防止フィルムは、表面抵抗値が低くなりすぎるため、帯電した物体が反射防止フィルムに接近すると、帯電した物体と反射防止フィルムとの間で放電が起こりやすい問題を有する。さらに、裏面に電磁波遮蔽用の金属フィルム等の低抵抗層が形成されたガラス等の誘電体に反射防止フィルムを貼合し、ディスプレイの前面フィルターとした場合、フィルター全体の静電容量が大きくなるため、ディスプレイから放出される電磁波の影響で、フィルム表面が帯電しやすくなり、接近した物体と反射防止フィルムとの間で放電が発生しやすくなるという問題を有する。
【特許文献１】特開２００３−９４５４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、可視光領域全体にわたって反射率が低くて透過率が高く、耐久性、帯電防止性に優れ、かつ放電の発生を抑制できる反射防止フィルム、およびこれが設けられたディスプレイ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の反射防止フィルムは、基材上に反射防止層が設けられた反射防止フィルムであって、前記反射防止層が、前記基材側から、第１の酸化物層、第２の酸化物層、および第３の酸化物層を有し、前記第１の酸化物層が、酸化物換算でＳｎＯ2 とＳｉＯ2 とを合計で９０質量％以上含有し、Ｓｉを、ＳｎとＳｉとの合計（１００原子％）中２０〜５０原子％含有する層であり、前記第２の酸化物層が、酸化物換算でＧａ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 およびＳｎＯ2 を合計で９０質量％以上含有し、Ｇａを、ＧａとＩｎとＳｎとの合計（１００原子％）中２〜１５原子％含有し、Ｉｎを、ＧａとＩｎとＳｎとの合計（１００原子％）中２〜１５原子％含有する層、または、ＳｎＯ2 を９０質量％以上含有する層であり、前記第３の酸化物層が、ＳｉＯ2 を９０質量％以上含有する層であることを特徴とする。
前記第１の酸化物層は、Ｓｉを、ＳｎとＳｉとの合計（１００原子％）中２５〜４５原子％含有することが好ましい。
表面抵抗値は、１０4 〜１０11Ω／□であることが好ましい。
本発明のディスプレイ装置は、画像を表示するためのディスプレイ画面と、該ディスプレイ画面の視認側に設けられた本発明の反射防止フィルムとを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の反射防止フィルムは、可視光領域全体にわたって反射率が低くて透過率が高く、耐久性、帯電防止性に優れ、かつ放電の発生が抑えられる。
また、第１の酸化物層が、Ｓｉを、ＳｎとＳｉとの合計（１００原子％）中２５〜４５原子％含有すれば、透過色が無色に近く、反射色が適度な有彩色であり、入射角変化に伴う反射色の多色化が抑えられる。
本発明のディスプレイ装置は、表示される画像の視認性が高く、帯電防止性を有し、かつ放電を起こしにくい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
＜反射防止フィルム＞
図１は、本発明の反射防止フィルムの一例を示す概略断面図である。該反射防止フィルム１は、基材１０と、基材１０上に設けられた透明な反射防止層２０と、この反射防止層２０上に設けられた防汚層３０とを有して構成される。
【０００８】
（基材）
基材１０は、平滑で、可視光領域の波長の光を透過し得るプラスチックフィルムであればよい。
プラスチックとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、ポリエーテルスルホン、ポリメチルメタクリレート等が挙げられる。
基材１０の厚さは、用途に応じて適宜選定され、５０〜２００μｍが好ましい。基材１０は、単一の層で構成されていてもよく、複数の層からなる積層体であってもよい。
【０００９】
（反射防止層）
反射防止層２０は、基材１０側から、第１の酸化物層２１と、第２の酸化物層２２と、第３の酸化物層２３とから構成される。
【００１０】
第１の酸化物層２１は、酸化物換算でＳｎＯ2 （酸化スズ）とＳｉＯ2 （二酸化ケイ素）とを合計で、第１の酸化物層２１（１００質量％）中、９０質量％以上含有する層である。第１の酸化物層２１が、酸化物換算でＳｎＯ2 とＳｉＯ2 とを合計で９０質量％以上含有することにより、反射防止フィルム１において、基材１０と第１の酸化物層２１との界面での密着性が良好となり、耐擦傷性、耐水性が向上する。
【００１１】
第１の酸化物層２１層は、酸化物換算でＳｎＯ2 （酸化スズ）とＳｉＯ2 （二酸化ケイ素）とを合計で、第１の酸化物層２１（１００質量％）中、９５質量％以上含有することが好ましく、９９質量％以上含有することがより好ましい。
【００１２】
第１の酸化物層２１において、Ｓｎ（スズ）とＳｉ（ケイ素）とは、ＳｎＯ2 、ＳｉＯ2 、およびこれらの複合酸化物が混合した形で存在すると考えられる。したがって、第１の酸化物層２１における酸化物の含有量は、ＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光法）またはラザフォード後方散乱法により測定して求められた酸化物換算（ＳｎＯ2 およびＳｉＯ2 ）の含有量として表すこととする。ＥＳＣＡは、アルバック・ファイ社製、装置名：ＥＳＣＡ５５００を用い、Ｘ線源：単色化Ａｌ、Ｘ線：Ｋα線の条件で、検出器を試料面に対して４５°の角度にして測定する。
【００１３】
第１の酸化物層２１には、物性を損なわない範囲で、ＳｎおよびＳｉ以外の、他の金属が酸化物として適宜必要に応じて含まれていてもよい。たとえば、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｇ（マグネシウム）等が含まれていてもよい。
【００１４】
第１の酸化物層２１におけるＳｉの比率は、ＳｎとＳｉとの合計（１００原子％）中、２０〜５０原子％であり、２５〜４５原子％が好ましい。第１の酸化物層２１におけるＳｉの比率をこの範囲内とすることにより、第１の酸化物層２１が適度な屈折率を有するようになり、可視光透過率、可視光反射率等において良好な光学特性を有する反射防止フィルム１が得られる。
【００１５】
第１の酸化物層２１の物理的膜厚（以下、単に「膜厚」と記す。）は、４５〜６５ｎｍが好ましく、５０〜６０ｎｍが特に好ましい。本発明における「膜厚」は、触針式表面粗さ測定機により測定される膜厚である。
【００１６】
第１の酸化物層２１の屈折率（ｎ）は、１．７４〜１．８８が好ましい。本発明における「屈折率（ｎ）」とは、波長５５０ｎｍの光における屈折率である。
【００１７】
第２の酸化物層２２は、酸化物換算でＧａ2 Ｏ3 （酸化ガリウム）、Ｉｎ2 Ｏ3 （酸化インジウム）およびＳｎＯ2 を合計で、第２の酸化物層２２（１００質量％）中、９０質量％以上含有する層（以下、ＧＩＴ層と記す。）、または、ＳｎＯ2 を、第２の酸化物層２２（１００質量％）中、９０質量％以上含有する層（以下、ＳｎＯ2 層と記す。）である。第２の酸化物層２２が、酸化物換算でＧａ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 およびＳｎＯ2 を合計で９０質量％以上含有する、または、ＳｎＯ2 を９０質量％以上含有することにより、反射防止フィルム１の表面抵抗値を適性な範囲とすることができ、帯電防止性を有し、さらには、放電現象を抑えることができる。
【００１８】
ＧＩＴ層は、酸化物換算でＧａ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 およびＳｎＯ2 を合計で、第２の酸化物層２２（１００質量％）中、９５質量％以上含有することが好ましく、９９質量％以上含有することがより好ましい。
【００１９】
ＧＩＴ層において、Ｇａ、ＩｎおよびＳｎは、Ｇａ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 、およびこれらの複合酸化物が混合した形で存在すると考えられる。したがって、ＧＩＴ層における酸化物の含有量は、ＥＳＣＡまたはラザフォード後方散乱法により測定して求められた酸化物換算（Ｇａ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、およびＳｎＯ2 ）の含有量として表すこととする。
【００２０】
ＧＩＴ層には、物性を損なわない範囲で、Ｇａ、ＩｎおよびＳｎ以外の、他の金属が酸化物として適宜必要に応じて含まれていてもよい。たとえば、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ等が含まれていてもよい。
【００２１】
ＧＩＴ層におけるＧａの比率は、ＧａとＩｎとＳｎとの合計（１００原子％）中、２〜１５原子％である。また、ＧＩＴ層におけるＩｎの比率は、ＧａとＩｎとＳｎとの合計（１００原子％）中、２〜１５原子％である。ＧＩＴ層におけるＧａおよびＩｎの比率をこの範囲内とすることにより、反射防止フィルム１における帯電防止性と放電抑制とのバランスが良好となる。
【００２２】
ＳｎＯ2 層は、ＳｎＯ2 を９０質量％以上含有することにより、反射防止フィルム１における帯電防止性と放電抑制とのバランスが良好となる。ＳｎＯ2 層は、ＳｎＯ2 を、第２の酸化物層２２（１００質量％）中、９５質量％以上含有することが好ましく、９９質量％以上含有することがより好ましい。ＳｎＯ2 層における酸化物の含有量は、ＥＳＣＡまたはラザフォード後方散乱法により測定して求められた酸化物換算（ＳｎＯ2 ）の含有量として表す。
【００２３】
ＳｎＯ2 層には、物性を損なわない範囲で、Ｓｎ以外の、他の金属が酸化物として適宜必要に応じて含まれていてもよい。たとえば、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ等が含まれていてもよい。
【００２４】
第２の酸化物層２２の膜厚は、９０〜１１０ｎｍが好ましく、９５〜１００ｎｍが特に好ましい。
第２の酸化物層２２の屈折率（ｎ）は、１．９〜２．１が好ましい。第２の酸化物層２２の屈折率（ｎ）をこの範囲内とすることにより、可視光透過率、可視光反射率等において、光学特性を所望の範囲内に収めることができる。
【００２５】
第３の酸化物層２３は、ＳｉＯ2 を、第３の酸化物層２３（１００質量％）中、９０質量％以上含有する層である。第３の酸化物層２３が、ＳｉＯ2 を９０質量％以上含有することにより、第３の酸化物層２３が適度な屈折率を有するようになり、得られる反射防止フィルム１の可視光透過率、可視光反射率等の光学特性を所望の範囲内に収めることができる。
第３の酸化物層２３の屈折率（ｎ）は、１．４８以下が好ましい。
【００２６】
第３の酸化物層２３は、ＳｉＯ2 を、第３の酸化物層２３（１００質量％）中、９５質量％以上含有することが好ましく、９９質量％以上含有することがより好ましい。第３の酸化物層２３における酸化物の含有量は、ＥＳＣＡまたはラザフォード後方散乱法により測定して求められた酸化物換算（ＳｉＯ2 ）の含有量として表す。
【００２７】
ＳｉＯ2 層には、物性を損なわない範囲で、Ｓｎ以外の、他の金属が酸化物として適宜必要に応じて含まれていてもよい。たとえば、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｎ等が含まれていてもよい。
【００２８】
第３の酸化物層２３の膜厚は、８０〜１１０ｎｍが好ましく、８５〜９５ｎｍが特に好ましい。
各酸化物層を、各々所定の光学的膜厚（屈折率×物理的膜厚）で構成することにより、目的の光学特性（透過率、反射率）を有する反射防止フィルム１を得ることができる。
【００２９】
各酸化物層の形成方法としては、真空蒸着法、反応性蒸着法、イオンビームアシスト蒸着法、スパッタ法、イオンプレート法等の物理気相析出法；プラズマＣＶＤ法等の化学気相析出法等が挙げられる。大面積で均一膜厚が得られやすい理由からスパッタ法が特に好ましい。
【００３０】
（防汚層）
防汚層３０は、反射防止層２０を保護し、防汚染性能を高めるために、反射防止層２０上に必要に応じて設けられるものである。
この防汚層３０を設けることにより、反射防止層２０の機能が阻害されることなく、また、最表面に指紋等の汚れがついた場合に容易に拭き取れる。
防汚層３０としては、パーフルオロシラン、フルオロカーボン等を含む撥油性の膜が好ましい。
【００３１】
防汚層３０の形成方法としては、適宜必要に応じて蒸着法、スパッタ法、塗布乾燥法等が挙げられる。
防汚層３０の膜厚は、５ｎｍ以下が好ましく、２ｎｍ以下がより好ましい。
【００３２】
本発明により得られる反射防止フィルム１の表面抵抗値は、１０4 〜１０11Ω／□が好ましい。反射防止フィルム１の表面抵抗値は、放電の発生を抑える点から、１０4 Ω／□以上が好ましく、帯電防止性の点から、１０11Ω／□以下が好ましい。
【００３３】
本発明の反射防止フィルムは、基材１０と反射防止層２０との間に、反射防止フィルム１に所望の硬さを付与するため、ハードコート層を有していてもよい。
ハードコート層としては、透明性があり、基材１０の屈折率（ｎ）と等しいか、または、基材１０の屈折率（ｎ）に対し±０．１以内の屈折率である材料が好ましい。ハードコート層の材料としては、紫外線硬化型のアクリル樹脂、シリコーン樹脂、または、これらに添加剤を含有させたもの等が挙げられる。
【００３４】
ハードコート層の形成方法としては、バーコート法、ドクターブレード法、リバースロールコート法、グラビアロールコート法等の公知の塗布方法が挙げられる。
ハードコート層の膜厚は、１０μｍ以下が好ましい。
【００３５】
さらに、基材１０と第１の酸化物層２１との間、各酸化物層間の全部または一部に、成膜時の酸化を防ぎ、密着性を向上させるため、酸化バリア層を設けてもよい。
酸化バリア層は、その下に形成されている別の層の酸化を防ぐために形成される薄膜であり、光学的には意味を持たないものである。酸化バリア層としては、各種の金属または窒化シリコン等の金属窒化物が挙げられる。
【００３６】
酸化バリア層の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。
酸化バリア層の膜厚は、５ｎｍ以下が好ましい。
【００３７】
＜ディスプレイ装置＞
本発明のディスプレイ装置は、画像を表示するためのディスプレイ画面と、このディスプレイ画面の視認側に設けられた反射防止フィルムとを有して構成されている。
【００３８】
このようなディスプレイ装置としては、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）、陰極管表示装置（ＣＲＴ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）等が挙げられる。
よって、画像を表示するためのディスプレイ画面としては、ＰＤＰの画面、ＬＣＤの画面、ＥＬＤの画面、ＣＲＴの画面、ＦＥＤの画面等が挙げられる。
【００３９】
ディスプレイ画面の視認側は、通常、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板で構成されている。本発明のディスプレイ装置においては、ディスプレイ画面の視認側表面に粘着剤等を用いて本発明の反射防止フィルムを直接貼着してもよいし、ディスプレイ画面との間に隙間を置いて本発明の反射防止フィルムを設置してもよい。
【００４０】
また、ディスプレイ画面の視認側に、新たにガラス、プラスチック等からなる前面板を設置し、この前面板の視認側またはディスプレイ側に本発明の反射防止フィルムを直接貼着してもよい。また、前面板の視認側またはディスプレイ側に、前面板との間に隙間を置いて、本発明の反射防止フィルムを設置してもよい。
【実施例】
【００４１】
〔実施例１〕
まず、イオンビームによる乾式洗浄によって、基材１０である厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム表面の洗浄を行った。イオンビームによる乾式洗浄は、アルゴンガス１００ｓｃｃｍと酸素ガス５０ｓｃｃｍとの混合ガスをスパッタリング装置内に導入し、４０Ｗの電力が投入されたイオンビームソースによりイオン化されたアルゴンイオンおよび酸素イオンを基材１０表面に照射して行った。
【００４２】
アルゴンガスを１１５ｓｃｃｍ、酸素ガスを８５ｓｃｃｍで導入しながら、Ｓｎ−Ｓｉ合金ターゲット［Ｓｎ：Ｓｉ ＝６０：４０（原子比）］を用い、圧力０．５５Ｐａ、周波数１００ｋＨｚ、電力密度３．９Ｗ／ｃｍ2 、反転パルス幅２．５μ秒の条件でＤＣパルススパッタリングを行い、基材１０表面に厚さ５５ｎｍ、屈折率（ｎ）１．８１の第１の酸化物層２１を形成した。ラザフォード後方散乱法により測定したところ、第１の酸化物層２１において、ＳｎとＳｉとの合計（１００原子％）中、Ｓｉは３４原子％であった。また、第１の酸化物層２１において、全原子合計（１００原子％）中、Ｓｎは１９．９原子％、Ｓｉは１０．１原子％、Ｏは６９．７原子％、Ａｒは０．３原子％であった。これをＳｎＯ2 とＳｉＯ2 の酸化物に換算すると、９５．６質量％であった。
【００４３】
アルゴンガスを９０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１１０ｓｃｃｍで導入しながら、Ｓｎターゲットを用い、圧力０．６２Ｐａ、周波数１００ｋＨｚ、電力密度３．２Ｗ／ｃｍ2 、反転パルス幅２．５μ秒の条件でＤＣパルススパッタリングを行い、第１の酸化物層２１表面に厚さ９６ｎｍ、屈折率（ｎ）２．０の第２の酸化物層２２を形成した。アルバックファイ社製、ＥＳＣＡ５５００で測定したところ、第２の酸化物層２２において、全原子合計（１００原子％）中、Ｓｎは３１．９原子％、Ｏは６８．１原子％であった。これをＳｎＯ2 の酸化物に換算すると、９８．６質量％であった。
【００４４】
アルゴンガスを１５０ｓｃｃｍ、酸素ガスを５０ｓｃｃｍで導入しながら、ターゲットとしてＢドープ多結晶シリコンターゲット（抵抗率０．００４Ω・ｃｍ）を用い、圧力０．９Ｐａ、周波数１００ｋＨｚ、電力密度４．１Ｗ／ｃｍ2 、反転パルス幅２．５μ秒の条件でＤＣパルススパッタリングを行い、第２の酸化物層２２表面に厚さ１００ｎｍ、屈折率（ｎ）１．４７の第３の酸化物層２３を形成した。ラザフォード後方散乱法により測定したところ、第３の酸化物層２３において、全原子合計（１００原子％）中、Ｓｉは３２．５原子％、Ｏは６７．１原子％、Ａｒは０．４原子％であった。これをＳｉＯ2 の酸化物に換算すると、９７．５質量％であった。
【００４５】
第３の酸化物層２３の上に、フッ素系撥油剤（ダイキン工業社製、商品名「オプツールＤＳＸ」）を塗布して厚さ５ｎｍの防汚層３０を形成し、反射防止フィルム１を得た。該反射防止フィルム１について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
【００４６】
（視感透過率）
カラーアナライザー（東京電色社製、形式「ＴＣ−１８００」）により透過率を測定し、その透過率から視感透過率（ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１において規定されている透過の刺激値Ｙ）を求めた。
（視感反射率）
分光光度計（島津製作所社製、形式「ＵＶ３１５０ＰＣ」）により反射率を測定し、その反射率から視感反射率（ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１において規定されている反射の刺激値Ｙ）を求めた。フィルムの裏面反射を打ち消すために、反射防止層２０とは反対側の基材１０の表面を黒色に塗って実施した。
【００４７】
（透過色）
カラーアナライザー（東京電色社製、形式「ＴＣ−１８００」）により透過率を測定し、その透過率から透過色（ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１において規定されている色度座標ｘ，ｙ）を求めた。光源としては標準の光Ｃを用いた。
（反射色）
分光光度計（島津製作所社製、形式「ＵＶ３１５０ＰＣ」）により反射率を測定し、その反射率から反射色（ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１において規定されている色度座標ｘ，ｙ）を求めた。光源としては標準の光Ｃを用いた。フィルムの裏面反射を打ち消すために、反射防止層２０とは反対側の基材１０の表面を黒色に塗って実施した。
【００４８】
（反射色の入射角依存性）
分光光度計（分光計器社製、型式「ＡＲＴ２５ＧＴ」）により反射率を測定し、その反射率から反射色（ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１において規定されている色度座標ｘ，ｙ）を求めた。光源としては標準の光Ｃを用いた。フィルムの裏面反射を打ち消すために、反射防止層２０とは反対側の基材１０の表面を黒色に塗って実施した。反射測定角を３０°、４５°、６０°とした。
【００４９】
反射防止フィルム１の基材１０表面に粘着剤層を設け、該粘着剤層を介して反射防止フィルム１とガラスとを貼り合わせ、反射防止体を作製した。該反射防止体について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
（耐擦傷性）
エタノールを染み込ませた布を防汚層側の表面に当てて、垂直方向に５×１０4 Ｐａの圧力をかけながら、４分間で５０回往復させた後の外観を目視で観察して耐擦傷性を調べた。試験前と試験後とで外観変化がない場合を○とし、変化した場合を×とした。
（耐水性）
６０℃の温水に２４時間浸漬し、２４時間後の外観を目視で観察して耐水性を調べた。浸漬前と浸漬後とで、浸漬部分が変色していない場合を○とし、変色した場合を×とした。
【００５０】
（放電抑制性）
反射防止フィルム１の防汚層側遠方から、プローブ先端に３ｋＶの電圧を印加したピンホールテスター（ニッカ電測社製、型式「ＴＹＰＥ  Ｈ」）を０．５ｍ／秒の速度でフィルムに近づけ、フィルムとプローブ先端が接触するまでの間に放電によりフィルムが損傷を受けたか否かを目視で判断し、放電抑制性を調べた。フィルムが損傷を受けなかった場合を○とし、受けた場合を×とした。
（表面抵抗値）
ＪＩＳ  Ｋ６９１１に準拠した電極を有するアドバンテスト社製、デジタル超高抵抗／微小電流計により測定した。抵抗値の低いものについては非接触測定方式を採用し、ＮＡＧＹ社製、Ｓｈｅｅｔ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ  Ｍｅｔｅｒ  ＳＲＭ−１２を用いて測定した。
【００５１】
〔実施例２〕
実施例１と同様にして基材１０の洗浄を行い、基材１０表面に厚さ５５ｎｍの第１の酸化物層２１を形成した。
【００５２】
アルゴンガスを１８０ｓｃｃｍ、酸素ガスを２０ｓｃｃｍで導入しながら、ＧＩＴターゲット［Ｇａ2 Ｏ3 ：Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＳｎＯ2 ＝４：５：９１質量％］を用い、圧力０．８８Ｐａ、周波数１００ｋＨｚ、電力密度３．０Ｗ／ｃｍ2 、反転パルス幅２．５μ秒の条件でＤＣパルススパッタリングを行い、第１の酸化物層２１表面に厚さ９６ｎｍ、屈折率（ｎ）２．０の第２の酸化物層２２を形成した。アルバックファイ社製、ＥＳＣＡ５５００で測定したところ、第２の酸化物層２２において、ＧａとＩｎとＳｎとの合計（１００原子％）中、Ｇａは３．７原子％、Ｉｎは５．４原子％、Ｓｎは９０．９原子％であった。また、第２の酸化物層２２において、全原子合計（１００原子％）中、Ｇａは１．２１原子％、Ｉｎは１．７５原子％、Ｓｎは２９．７２原子％、Ｏは６７．３２原子％であった。これをＧａ2 Ｏ3 とＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 の酸化物に換算すると、９８．９質量％であった。
【００５３】
実施例１と同様にして第２の酸化物層２２表面に厚さ１００ｎｍの第３の酸化物層２３を形成し、第３の酸化物層２３の上に厚さ５ｎｍの防汚層３０を形成し、反射防止フィルム１を得た。実施例１と同様にして反射防止体を作製し、該反射防止フィルム１および反射防止体について、実施例１と同様に評価を行った。結果を表１に示す。
【００５４】
〔実施例３〕
実施例１と同様にして基材１０の洗浄を行った。
アルゴンガスを１１０ｓｃｃｍ、酸素ガスを９０ｓｃｃｍで導入しながら、Ｓｎ−Ｓｉ合金ターゲット［Ｓｎ：Ｓｉ ＝７０：３０（原子比）］を用い、圧力０．８８Ｐａ、周波数１００ｋＨｚ、電力密度３．９Ｗ／ｃｍ2 、反転パルス幅２．５μ秒の条件でＤＣパルススパッタリングを行い、基材１０表面に厚さ５５ｎｍ、屈折率（ｎ）１．８６の第１の酸化物層２１を形成した。アルバックファイ社製、ＥＳＣＡ５５００で測定したところ、第１の酸化物層２１において、ＳｎとＳｉとの合計（１００原子％）中、Ｓｎは８０原子％、Ｓｉは２０原子％であった。また、第１の酸化物層２１において、全原子合計（１００原子％）中、Ｓｎは２４．４原子％、Ｓｉは６．４原子％、Ｏは６９．２原子％であった。これをＳｎＯ2 とＳｉＯ2 の酸化物に換算すると、９７．１質量％であった。
【００５５】
実施例１と同様にして第１の酸化物層２１表面に厚さ９６ｎｍの第２の酸化物層２２を形成し、さらに、第２の酸化物層２２表面に厚さ９０ｎｍの第３の酸化物層２３を形成した。
【００５６】
実施例１と同様にして第３の酸化物層２３の上に厚さ５ｎｍの防汚層３０を形成し、反射防止フィルム１を得た。実施例１と同様にして反射防止体を作製し、該反射防止フィルム１および反射防止体について、実施例１と同様に評価を行った。結果を表１に示す。
【００５７】
〔実施例４〕
実施例１と同様にして基材１０の洗浄を行った。
アルゴンガスを１２０ｓｃｃｍ、酸素ガスを８０ｓｃｃｍで導入しながら、Ｓｎ−Ｓｉ合金ターゲット［Ｓｎ：Ｓｉ ＝５０：５０（原子比）］を用い、圧力０．５５Ｐａ、周波数１００ｋＨｚ、電力密度３．９Ｗ／ｃｍ2 、反転パルス幅２．５μ秒の条件でＤＣパルススパッタリングを行い、基材１０表面に厚さ５５ｎｍ、屈折率（ｎ）１．７６の第１の酸化物層２１を形成した。アルバックファイ社製、ＥＳＣＡ５５００で測定したところ、第１の酸化物層２１において、ＳｎとＳｉとの合計（１００原子％）中、Ｓｎは６０原子％、Ｓｉは４０原子％であった。また、第１の酸化物層２１において、全原子合計（１００原子％）中、Ｓｎは１８．５原子％、Ｓｉは１３．０原子％、Ｏは６８．５原子％であった。これをＳｎＯ2 とＳｉＯ2 の酸化物に換算すると、９７．６質量％であった。
【００５８】
実施例１と同様にして第１の酸化物層２１表面に厚さ９６ｎｍの第２の酸化物層２２を形成した。
実施例３と同様にして第２の酸化物層２２表面に厚さ９０ｎｍの第３の酸化物層２３を形成した。
実施例１と同様にして第３の酸化物層２３の上に厚さ５ｎｍの防汚層３０を形成し、反射防止フィルム１を得た。実施例１と同様にして反射防止体を作製し、該反射防止体について、実施例１と同様に評価を行った。結果を表１に示す。
【００５９】
〔比較例１〕
実施例１と同様にして基材１０の洗浄を行った。
アルゴンガス９８体積％と酸素ガス２体積％とを混合した混合ガスを導入しながら、ＩＴＯターゲット［Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＳｎＯ2 ＝９０：１０（質量比）］を用い、圧力０．３５Ｐａ、周波数１００ｋＨｚ、電力密度１．５Ｗ／ｃｍ2 、反転パルス幅１．０μ秒の条件でＤＣパルススパッタリングを行い、基材１０表面に厚さ２０ｎｍ、屈折率（ｎ）２．０６のＩＴＯ層を形成した。
【００６０】
アルゴンガス６０体積％と酸素ガス４０体積％とを混合した混合ガスを導入しながら、ＳｉＣターゲット［旭硝子セラミックス社製、炭化ケイ素、商品名：ＳＣ］を用い、圧力０．３５Ｐａ、周波数１００ｋＨｚ、電力密度３．５Ｗ／ｃｍ2 、反転パルス幅４．５μ秒の条件でＤＣパルススパッタリングを行い、ＩＴＯ層表面に厚さ３０ｎｍ、屈折率（ｎ）１．４６の第１のＳｉＯ2 層を形成した。
【００６１】
アルゴンガス９５体積％と酸素ガス５体積％とを混合した混合ガスを導入しながら、ＡＺＯターゲット［５質量％のＡｌ2 Ｏ3 がドープされたＺｎＯ］を用い、圧力０．３５Ｐａ、周波数１００ｋＨｚ、電力密度３．７Ｗ／ｃｍ2 、反転パルス幅１．０μ秒の条件でＤＣパルススパッタリングを行い、第１のＳｉＯ2 層表面に厚さ１２５ｎｍ、屈折率（ｎ）１．９３のＡＺＯ層を形成した。
【００６２】
アルゴンガス６０体積％と酸素ガス４０体積％とを混合した混合ガスを導入しながら、多結晶シリコンをターゲットとして用い、圧力０．２５Ｐａ、周波数１００ｋＨｚ、電力密度５．０Ｗ／ｃｍ2 、反転パルス幅４．５μ秒の条件でＤＣパルススパッタリングを行い、ＡＺＯ層表面に厚さ９０ｎｍ、屈折率（ｎ）１．４６の第２のＳｉＯ2 層を形成した。
【００６３】
実施例１と同様にして第２のＳｉＯ2 層の上に厚さ５ｎｍの防汚層３０を形成し、反射防止フィルムを得た。実施例１と同様にして反射防止体を作製し、該反射防止体について、実施例１と同様に評価を行った。結果を表１に示す。
【００６４】
【表１】
2006289901.tif 000003
【００６５】
実施例１、２の反射防止フィルムは、視感反射率が低く、視感透過率が高く、透過色が無色であり、反射色が適度な有彩色であり、入射角変化に伴い反射色が多色化しなかった。また、耐久性、帯電防止性、放電抑制性に優れていた。
実施例３の反射防止フィルムは、第１の酸化物層におけるＳｉ含有量が少ないため、若干、反射色の青味が薄くなったものの、実用上は問題なかった。
実施例４の反射防止フィルムは、第１の酸化物層におけるＳｉ含有量が多いため、若干、入射角変化に伴い反射色が青色から赤色へと変化したものの、実用上は問題なかった。
比較例１の反射防止フィルムは、ＩＴＯ層を有するため、表面抵抗値が低く、帯電防止性に優れていたが、放電抑制性に劣っていた。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明の反射防止フィルムは、可視光領域全体にわたって反射率が低くて透過率が高く、透過色が無色であり、反射色が適度な有彩色であり、入射角変化に伴い反射色が多色化せず、耐久性、帯電防止性に優れ、かつ放電の発生が抑えられているため、ＰＤＰ、ＬＣＤ、ＥＬＤ、ＣＲＴ、ＦＥＤ用の反射防止フィルムとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の反射防止フィルムの一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  反射防止フィルム
１０  基材
２０  反射防止層
２１  第１の酸化物層
２２  第２の酸化物層
２３  第３の酸化物層
【図１】
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