(57)【要約】【課題】複数の半導体素子を積み重ねて形成する半導体素子の半導体素子間等の隙間に均等にアンダーフィル剤を注入することができると共に、硬化後のアンダーフィル剤の層間の界面の形成を防止する手段を提供する。【解決手段】基板に複数の半導体素子を積み重ねて形成する半導体装置の製造方法が、基板に複数の半導体素子を積み重ねて複数の段を形成する工程と、基板を略垂直に設置し、積み重ねた半導体素子の側面の上方からノズルにより基板と半導体素子の間の隙間、および積み重ねた半導体素子の間の隙間にアンダーフィル剤を充填する工程と、充填したアンダーフィル剤を硬化させる工程とを備える。【選択図】        図１
2006108588.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に複数の半導体素子を積み重ねて形成する半導体装置の製造方法であって、
前記基板に複数の半導体素子を積み重ねて複数の段を形成する工程と、
前記基板を略垂直に設置し、前記積み重ねた半導体素子の側面の上方から前記基板と半導体素子の間の隙間、および前記積み重ねた半導体素子の間の隙間に液状樹脂を充填する工程と、
前記充填した液状樹脂を硬化させる工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板を略垂直に設置するときに、前記積み重ねた半導体素子の一の側面を水平に設置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記基板を略垂直に設置するときに、前記積み重ねた半導体素子の一の側面を水平から傾けて設置する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１、請求項２または請求項３において、
前記液状樹脂を充填する工程で、前記各隙間に前記液状樹脂を同時に注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１、請求項２または請求項３において、
前記液状樹脂を充填する工程で、前記各隙間毎に前記液状樹脂を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項４または請求項５において、
前記液状樹脂を注入する前に、前記液状樹脂を注入する側面の反対側の側面の近傍に、その側面に沿うように液状樹脂の流出を防ぐダム部材を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項４または請求項５において、
前記液状樹脂を注入する側面の反対側の側面に当接する当接面と、該当接面に開口して前記各隙間の空気を排出する排出孔とを備えた治具を設け、
前記液状樹脂を注入する前に、前記治具の当接面を前記反対側の側面に当接させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に複数の半導体素子を積み重ねて形成する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の製造方法は、キャリアに設けた電極に一つの半導体素子をその突起電極によりフェースダウンで接合し、キャリアを水平から１５度程度傾けて電極の接合により形成されたキャリアと半導体素子の隙間に熱硬化性の液状樹脂を注入し、その後に硬化させて電極の接合により形成された隙間を封止している（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１１−３５４５５２号公報（第３頁段落００２２−段落００２４、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、基板に複数の半導体素子を積み重ねてこれらを電気的に接合し、半導体装置の大規模化、高機能化を安価に図ることが行われるようになってきている。
しかしながら、上述した従来の技術を用いて、複数の半導体素子を積み重ねたことにより形成される複数の隙間を封止しようとすると、基板に最下段の半導体素子の電極を接合し、その隙間に液状樹脂を注入して硬化させた後に、その半導体の上に次の段の半導体素子の電極を接合して半導体素子の間に形成された隙間に液状樹脂を注入して硬化させ、これを順に繰返して半導体装置を製造することになる。
【０００４】
このような製造方法によれば隙間からはみ出た液状樹脂を硬化させた後に次の隙間からはみ出た液状樹脂を重ねて硬化させることになり、これらの層間に界面が形成され、その界面に剥離が生じると、剥離した界面からの吸湿により電極等の腐食が発生するという問題がある。
また、剥離した界面に溜まった水分が半導体装置の２次実装の際のリフロー工程での加熱により膨張して電極の接合部を破損させるという問題がある。
【０００５】
更に、剥離した界面には拘束力がないために、半導体装置の発熱に伴う熱により金属材料と硬化した液状樹脂の熱膨張差に起因する応力が電極の接合部に生じ、熱サイクルにより電極の接合部が破損するという問題がある。
更に、隙間からはみ出た液状樹脂を硬化させた上に順に液状樹脂を重ねて半導体素子間等の隙間を封止するので、はみ出た液状樹脂が基板上に順に広がり、はみ出た液状樹脂を載置するための比較的大きな面積が必要になって半導体装置の小型化を図ることが困難になるという問題がある。
【０００６】
このような問題点に対処するため、複数の隙間に一度に液状樹脂を注入しようとすると、水平から１５度程度傾けているといえども各隙間に液体樹脂を均等に注入することは困難であり、注入量が不足した隙間に封止不良が発生するという問題がある。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、複数の半導体素子を積み重ねて形成する半導体素子の半導体素子間等の隙間に均等に液状樹脂を注入することができると共に、硬化後の液状樹脂の層間の界面の形成を防止する手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するために、基板に複数の半導体素子を積み重ねて形成する半導体装置の製造方法であって、前記基板に複数の半導体素子を積み重ねて複数の段を形成する工程と、前記基板を略垂直に設置し、前記積み重ねた半導体素子の側面の上方から前記基板と半導体素子の間の隙間、および前記積み重ねた半導体素子の間の隙間に液状樹脂を充填する工程と、前記充填した液状樹脂を硬化させる工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
これにより、本発明は、液状樹脂を一つの工程で全ての隙間に一度に注入することができ、全ての隙間に液状樹脂を均等に充填することができると共に、硬化後の液状樹脂に界面が形成されることを防止することができるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、図面を参照して本発明による半導体装置およびその製造方法の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１は実施例１の半導体装置の製造工程を示す説明図、図２は実施例１の半導体装置を示す説明図である。
図２において、１は半導体装置である。本実施例では基板上に半導体素子を２段に積み重ねて形成した半導体装置である。
２は基板であり、回路基板または半導体素子等であって、そのおもて面にニッケル等をメッキした複数のボールパッド３が設けられている。
【００１１】
４は第１の半導体素子であり、中間段に配置する略四角形の半導体素子であって、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔に金属、例えば銅を埋め込んで形成した貫通電極５のおもて面（半導体素子４の能動回路が形成されている側の面をいう。）側の端部に半田等を融着して形成したバンプ６および裏面側の端部にニッケル等をメッキして形成したボールパッド７が設けられ、バンプ６とボールパッド７とは貫通電極５により電気的に導通した状態で設置されている。
【００１２】
また、バンプ６およびボールパッド７は第１の半導体素子４に形成された図示しない能動回路の所定の部位に内部接続している。
前記のように中間段に配置する第１の半導体素子４には、そのおもて面と裏面に電極が形成される。
８は第２の半導体素子であり、最上段に配置する略四角形の半導体素子であって、そのおもて面（半導体素子８の能動回路が形成されている側の面をいう。）に半田等を融着して形成した複数のバンプ９が設けられ、バンプ９は第２の半導体素子８に形成された図示しない能動回路の所定の部位に内部接続している。
【００１３】
前記のように最上段に配置する第２の半導体素子８には、そのおもて面にのみ電極が形成される。
１０はアンダーフィルであり、基板２のボールパッド３と第１の半導体素子４のバンプ６との接合により形成された第１の隙間１１および第１の半導体素子４のボールパッド７と第２の半導体素子８のバンプ９の接合により形成された第２の隙間１２に注入した熱硬化性の比較的粘度の低い液状樹脂（アンダーフィル剤という。）を硬化させて形成され、第１の隙間１１および第２の隙間１２を封止する。
【００１４】
図１において、１５はノズルであり、図示しないアンダーフィル剤供給装置から供給されるアンダーフィル剤を吐出する吐出口を備えており、図示しない移動機構によりＸ−Ｙ−Ｚ方向に移動する。
ノズル１５の吐出口の大きさは、アンダーフィル剤が第２の半導体素子８、つまり最上段の半導体素子の裏面に回りこまない範囲で全ての隙間（本実施例では第１および第２の隙間１１、１２の２箇所の隙間）に同時に注入できるように設定されている。
【００１５】
以下に、図１を用いてＰで示す工程に従って本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。
Ｐ１、基板２のおもて面に第１の半導体素子４のおもて面を対向させて基板２のボールパッド３に第１の半導体素子４のおもて面のバンプ６を接合して基板２上に第１の半導体素子４をフリップチップで接合する。これにより基板２のおもて面と第１の半導体素子４のおもて面との間に第１の隙間１１が形成される。
【００１６】
Ｐ２、基板２に第１の半導体素子４を接合した後に、第１の半導体素子４の裏面に第２の半導体素子８のおもて面を対向させて第１の半導体素子４のボールパッド７に第２の半導体素子８のおもて面のバンプ９を接合して第１の半導体素子４上に第２の半導体素子８をフリップチップで接合する。これにより第１の半導体素子４の裏面と第２の半導体素子８のおもて面との間に第２の隙間１２が形成される。
【００１７】
Ｐ３、基板２に第１の半導体素子４と第２の半導体素子８とを接合して積み重ね２段に形成した状態で、図１に示すように基板２を垂直に設置して半導体素子４、８の一の側面を水平に設置する。
そして、ノズル１５により、第１および第２の半導体素子４、８のそれぞれの水平となった２つの側面の上方の一の側面の側からノズル１５を垂直にしてその一の側面の一方の端部を始点として他方の端部の終点に向けてその側面に沿うように水平に移動させながら図１に網掛けで示すアンダーフィル剤を第１および第２の隙間１１、１２へ注入し、アンダーフィル剤の自重等を利用して第１および第２の隙間１１、１２に侵入させ、上方の一の側面とは反対側の側面から少しはみ出させてアンダーフィル剤を第１および第２の隙間１１、１２に充填する。
【００１８】
アンダーフィル剤の充填後は、基板２を水平に設置してインラインまたはバッチ処理で加熱等によりアンダーフィル剤を硬化させ、アンダーフィル１０を形成する。
上記のようにして、本実施例の半導体装置１を製造する。このように液状のアンダーフィル剤をその硬化工程の前に全ての隙間に注入し、その後に硬化させるようにすれば硬化後のアンダーフィルに界面が形成されることがなくなり、界面の形成に伴う、吸湿による腐食やそこに溜まった水分の膨張による電極、つまりボールパッドとバンプとの接合部の破損、電極の金属材料とアンダーフィルの熱膨張差に起因する電極の接合部の破損を防止することができる。
【００１９】
以上説明したように、本実施例では、予め基板上に２段に積み重ねた半導体素子側面の上方から基板と第１の半導体素子の間および第１と第２の半導体素子の間の隙間にアンダーフィル剤を充填し、その後にアンダーフィル剤を硬化させるようにしたことによって、アンダーフィル剤を一つの工程で２箇所の隙間に一度に注入することができ、２箇所の隙間にアンダーフィル剤を均等に充填することができると共に、硬化後のアンダーフィルに界面が形成されることを防止することができる。
【００２０】
また、各隙間から同時にアンダーフィル剤を注入し、隙間からはみ出たアンダーフィル剤を順に硬化させながら積層することがないので、はみ出たアンダーフィル剤を載置するための面積を小さくすることが可能になり、半導体装置の小型化を図ることができる。
更に、アンダーフィル剤を全て（本実施例では２箇所）の隙間に同時に注入するようにしたことによって、アンダーフィル剤の注入工程に要する時間を短縮して半導体装置の製造の効率化を図ることができる。
【００２１】
上記に加えて、本実施例では、基板を垂直に設置して積み重ねた半導体素子の一の側面を水平に設置し、その上方に配置される一の側面の側からアンダーフィル剤を注入するようにしたことによって、アンダーフィル剤を一の側面の側から２箇所の隙間に同条件で注入することができ、２箇所の隙間にアンダーフィル剤を均等に充填することができると共に、硬化後のアンダーフィルに界面が形成されることを防止することができる。
【実施例２】
【００２２】
図３は実施例２の半導体装置の製造工程を示す説明図である。
なお、上記実施例１と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施例の半導体装置１は実施例１と同様であり、ノズル１５の構成も実施例１と同様である。
以下に、図３を用いてＰＡで示す工程に従って本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。
【００２３】
本実施例のＰＡ１、ＰＡ２の工程は、上記実施例１のＰ１、Ｐ２の工程と同様であるのでその説明を省略する。
ＰＡ３、基板２に第１の半導体素子４と第２の半導体素子８とを接合して積み重ね２段に形成した状態で、図３に示すように基板２を垂直に設置して半導体素子４、８の一の側面を水平から傾けて設置する。
【００２４】
この場合の第１および第２の半導体素子４、８の傾き角は略四角形の半導体素子の対角線が垂直（略正四角形であれば略４５度）となるように設置することが望ましい。
そして、ノズル１５により、第１および第２の半導体素子４、８のそれぞれの水平から傾いた４つの側面の上方の２つの側面の側からノズル１５を垂直にしてその２つの側面の一方の側面の端部を始点として他方の側面の端部の終点に向けて水平に移動させながら図３に網掛けで示すアンダーフィル剤を第１および第２の隙間１１、１２へ注入し、アンダーフィル剤の自重等を利用して第１および第２の隙間１１、１２に侵入させ、上方の２つの側面とは反対側の２つの側面から少しはみ出させてアンダーフィル剤を第１および第２の隙間１１、１２に充填する。
【００２５】
アンダーフィル剤の充填後は、実施例１と同様にしてアンダーフィル剤を硬化させ、アンダーフィル１０を形成する。
上記のように液状のアンダーフィル剤をその硬化工程の前に全ての隙間に注入して本実施例の半導体装置１を製造する。
以上説明したように、本実施例では、上記実施例１と同様の効果に加えて、積み重ねた半導体素子の２つの側面を傾けてその上方に配置される２つの側面の側からアンダーフィル剤を注入するようにしたことによって、アンダーフィル剤を半導体素子の２つの側面から一度に２箇所の隙間に注入することができ、アンダーフィル剤の注入時間の短縮化を図ることができる。
【００２６】
なお、本実施例では、ノズルを上方の２つの側面の一方の端部から水平に移動させながらアンダーフィル剤を注入するとして説明したが、ノズルを上方の２つの側面の一方の端部からこれらの側面に沿うように移動させながらアンダーフィル剤を注入するようにしてもよい。この場合にノズルの吐出口の方向は垂直でも、移動させる側面に対向させても、その中間の方向であってもよい。
【実施例３】
【００２７】
図４は実施例３の半導体装置の製造工程−１を示す説明図、図５は実施例３の半導体装置の製造工程−２を示す説明図である。
なお、上記実施例１と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施例の半導体装置１は実施例１と同様であり、ノズル１５の構成は実施例２と同様である。
【００２８】
図４において、２０はダム部材であり、アンダーフィル剤の注入工程でアンダーフィル剤のはみ出しによる流出を防止する堤状部材であって、基板２に第１および第２の半導体素子４、８を接合して積み重ね２段に形成した状態で基板２を水平に設置し、アンダーフィル剤の注入工程でアンダーフィル剤がはみ出す側の側面の近傍に、その側面に沿うようにダム用ノズル２１により熱硬化性の比較的粘度の高い液状樹脂（ダム剤という。）を盛り上げて塗布し、積み重ねた半導体素子（本実施例では第１および第２の半導体素子４、８）の積み重ね後の高さと略同等になる高さに硬化させて形成する。
【００２９】
例えば、図４に示す上記実施例２の製造工程に用いるダム部材２０の場合は、傾けた上方の２つの側面の反対側、つまり傾けた下方の２つの側面の近傍に、その２つの側面に沿うようにダム剤を略Ｌ字状に盛り上げて塗布した後に硬化させて形成する。
なお、上記実施例１の製造工程に用いるダム部材２０の場合は、半導体素子の水平とした上方の一の側面の反対側、つまり水平な下方の側面の近傍に、その側面に沿うようにダム剤を略一文字に盛り上げて塗布した後に硬化させて形成する。
【００３０】
以下に、図４、図５を用いてＰＢで示す工程に従って本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。
本実施例のＰＢ１、ＰＢ２の工程は、上記実施例１のＰ１、Ｐ２の工程と同様であるのでその説明を省略する。
ＰＢ３、基板２に第１および第２の半導体素子４、８を接合して積み重ね２段に形成した状態で、図４に示すように基板２を水平に設置し、次工程であるアンダーフィル剤の注入工程で傾ける下方の２つの側面の近傍に、その２つの側面に沿うようにダム用ノズル２１の吐出口を基板２に対向させて水平面上で移動させ、ダム剤を略Ｌ字状に盛り上げて塗布した後に硬化させて略Ｌ字状のダム部材２０を形成する。
【００３１】
ＰＢ４、上記実施例２のＰＡ３の工程と同様にして基板２に第１および第２の半導体素子４、８を接合して積み重ね２段に形成した状態で、第１および第２の半導体素子４、８の一の側面を水平から傾け、傾けた下方の２つの側面の近傍に略Ｌ字状のダム部材２０が形成された状態で設置する。
そして、ノズル１５により実施例２のＰＡ３の工程と同様にして、傾いた上方の２つの側面の側からノズル１５を水平に移動させながら図５に網掛けで示すアンダーフィル剤を第１および第２の隙間１１、１２へ注入し、アンダーフィル剤を下方の２つの側面の略Ｌ字状のダム部材２０に到達させてアンダーフィル剤を第１および第２の隙間１１、１２に充填する。
【００３２】
アンダーフィル剤の充填後は、実施例１と同様にしてアンダーフィル剤を硬化させ、アンダーフィル１０を形成する。
上記のようにダム部材２０を形成した後に、液状のアンダーフィル剤をその硬化工程の前に全ての隙間に注入して本実施例の半導体装置１を製造する。本実施例の半導体装置１のアンダーフィル１０のはみ出し部は上記の２つの側面（実施例１の場合は１つの側面）に相当する部位がダム部材２０により形成されている。
【００３３】
以上説明したように、本実施例では、上記実施例１、実施例２と同様の効果に加えて、アンダーフィル剤の注入工程の前に、アンダーフィル剤を注入する側面の反対側の側面の近傍に、その側面に沿うようにアンダーフィル剤の流出を防ぐダム部材を形成するようにしたことによって、アンダーフィル剤が下方に垂れるのを防止して基板の裏面にアンダーフィル剤が回り込むことを防止することができる。
【実施例４】
【００３４】
図６は実施例４の半導体装置の製造工程を示す説明図である。
なお、上記実施例１と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施例の半導体装置１は実施例１と同様であり、ノズル１５の構成は実施例２と同様である。
図６において、２５は治具であり、金属材料やセラミック材等で製作され、積み重ねた半導体素子（本実施例では第１および第２の半導体素子４、８）の積み重ね後の高さと略同等になる厚さを有する板状部材であって、アンダーフィル剤の注入工程でアンダーフィル剤がはみ出す側の側面に当接する当接面２６が形成されており、その当接面で各隙間（本実施例では第１および第２の隙間１１、１２）に開口し、それぞれ外部に連通する排出孔２７が各隙間毎に設けられている。
【００３５】
例えば、図６に示す上記実施例２の製造工程に用いる治具２５の場合は、傾けた上方の２つの側面の反対側、つまり傾けた下方の２つの側面に当接する略Ｖ字状の当接面２６が形成され、その角部の近傍の当接面２６に、第１および第２の隙間１１、１２に開口してそれぞれの隙間の空気を外部に排出する排出孔２７が設けられる。
なお、上記実施例１の製造工程に用いる治具２５の場合は、半導体素子の水平とした上方の一の側面の反対側、つまり水平な下方の一の側面に当接する当接面２６が形成され、その当接面２６に、第１および第２の隙間１１、１２に開口してそれぞれの隙間の空気を外部に排出する排出孔２７が一つまたは複数設けられる。
【００３６】
以下に、図６を用いてＰＣで示す工程に従って本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。
本実施例のＰＣ１、ＰＣ２の工程は、実施例１のＰ１、Ｐ２の工程と同様であるのでその説明を省略する。
ＰＣ３、上記実施例２のＰＡ３の工程と同様にして基板２に第１および第２の半導体素子４、８を接合して積み重ね２段に形成した状態で、第１および第２の半導体素子４、８の一の側面を水平から傾けて設置し、傾けた下方の２つの側面に治具２５の当接面２６を当接させ、治具２５の底面２８を基板２に当接させて設置する。
【００３７】
そして、ノズル１５により実施例２のＰＡ３の工程と同様にして、傾いた上方の２つの側面の側からノズル１５を水平に移動させながら図６に網掛けで示すアンダーフィル剤を第１および第２の隙間１１、１２へ注入する。
このとき、アンダーフィル剤が自重等により下方に押しのける空気がそれぞれの隙間に開口する治具２５の排出孔２７から外部に排出され、治具２５の当接面２６により第１および第２の半導体素子４、８の下方の２つの側面の面が覆われていても、アンダーフィル剤の下降速度に差があったとしてもアンダーフィル剤への空気の混入が防がれ、硬化後のアンダーフィルのボイドの発生を防止することができる。
【００３８】
このようにして、アンダーフィル剤が第１および第２の隙間１１、１２へ侵入し、上方の２つの側面とは反対側の２つの側面に当接する治具２５の当接面２６に達し、アンダーフィル剤が第１および第２の隙間１１、１２に充填される。
アンダーフィル剤の充填後は、治具２５の取外し後に実施例１と同様にしてアンダーフィル剤を硬化させ、アンダーフィル１０を形成する。
【００３９】
なお、アンダーフィル剤の注入工程で用いた治具２５は、その排出孔２７をその都度または必要に応じて超音波洗浄や加圧空気により洗浄して繰り返し使用される。
上記のように、治具２５を積み重ねられた半導体素子に当接させた後に、液状のアンダーフィル剤をその硬化工程の前に全ての隙間に注入して本実施例の半導体装置１を製造する。
【００４０】
以上説明したように、本実施例では、上記実施例１、実施例２と同様の効果に加えて、アンダーフィル剤の注入工程の前に、積み重ねられた半導体素子に下方の側面に当接させる治具に排出孔を設けたことによって、アンダーフィル剤の注入工程でのアンダーフィル剤への空気の混入を防止することができ、アンダーフィルのボイドの発生を防止することができる。
【００４１】
なお、上記各実施例においては、ノズルの移動は半導体素子の上方の一の側面または２つの側面の側から１回のみ移動させてアンダーフィル剤を注入するとして説明したが、ノズルを往復移動させてアンダーフィル剤を注入するようにしても、１回移動させた後にアンダーフィル剤の吐出を一旦停止させ、始点に戻して再度アンダーフィル剤を注入しながら移動（間欠移動という。）させるようにしてもよい。
【００４２】
また、基板は垂直に設置するとして説明したが、略垂直、つまり装置誤差等により設定角度に多少のずれがあっても差し支えない。この場合には第２の半導体素子の裏面にアンダーフィル剤が流れないように垂直に対して基板の方向（例えば図１（Ｐ３）の左側の図において反時計方向）に少し傾けるようにするとよい。
更に、ノズルによるアンダーフィル剤の吐出方向は垂直として説明したが、基板に向かう方向に傾けるようにしてもよい。
【００４３】
更に、ノズルの吐出口の大きさは、全ての隙間に同時に注入できるように設定するとして説明したが、一つの隙間のみに注入できる大きさに設定し、隙間毎に往復移動または次の隙間の始点に相当する位置に戻して間欠移動させながら全ての隙間にアンダーフィル剤を注入するようにしても、上記各実施例と同様の効果を得ることができる。
要は、アンダーフィル剤の硬化工程の前に全ての隙間にアンダーフィル剤を充填することおよび最上段の半導体素子の裏面にアンダーフィル剤が回りこまないようにすることが重要であり、そのようにできる方法であればどのような方法を用いても、上記各実施例と同様の効果を得ることができる。
【００４４】
上記各実施例においては、基板上に２段に半導体素子を積み重ねた半導体装置を例に説明したが、半導体素子を３段以上に積み重ねた半導体装置に本発明を適用しても上記各実施例と同様の効果を奏することができる。この場合に最上段となる半導体素子のみ第２の半導体素子とし、基板との間に配置する複数の半導体素子は第１の半導体素子として３段以上に積み重ねた半導体装置を構成する。
【００４５】
また、第１の半導体素子のバンプとボールパッドの接続は貫通電極を用いて接続するとして説明したが、第１の半導体素子のバンプとボールパッドの接続は前記に限らず、第１の半導体素子のバンプとボールパッドを電気的に導通させることができるものであればどのようなものであってもよい。
更に、第１の半導体素子はバンプを基板側に向けて接合するとして説明したが、バンプを基板とは反対側に向けて接合してもよい。
【００４６】
更に、第１の半導体素子にはバンプとボールパッドを形成するとして説明したが、第１の半導体素子のおもて面と裏面にバンプを設けて他の第１の半導体素子のバンプとのバンプ同士の接合としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施例１の半導体装置の製造工程を示す説明図
【図２】実施例１の半導体装置を示す説明図
【図３】実施例２の半導体装置の製造工程を示す説明図
【図４】実施例３の半導体装置の製造工程を示す説明図−１
【図５】実施例３の半導体装置の製造工程を示す説明図−２
【図６】実施例４の半導体装置の製造工程を示す説明図
【符号の説明】
【００４８】
１    半導体装置
２    基板
３、７  ボールパッド
４    第１の半導体素子
５    貫通電極
６、９    バンプ
８    第２の半導体素子
１０  アンダーフィル
１１  第１の隙間
１２  第２の隙間
１５  ノズル
２０  ダム部材
２１  ダム用ノズル
２５  治具
２６  当接面
２７  排出孔
２８  底面
【図１】
2006108588.tif 000003
【図２】
2006108588.tif 000004
【図３】
2006108588.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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