(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ装置の画質を低下させることなく、単位回路に含まれる各素子が静電破壊されることを低減する。【解決手段】  Ｘ側保護回路１１ａは、電流供給線２５の途中に設けられロジック電源配線１６及び１７に電気的に接続されたダイオードＥＳＤ１、データ線２６の途中に設けられロジック電源配線１６及び１７に電気的に接続されたダイオードＥＳＤ２を備える。ダイオードＥＳＤ１及びＥＳＤ２は、電流供給線及びデータ線で発生した静電気をロジック電源配線に放出し、単位回路２０に含まれる駆動ＴＦＴ２３及びスイッチング用ＴＦＴ２２が静電破壊されることを低減する。【選択図】  図２
2006065284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上における素子形成領域に配列された複数の単位回路の各々において、
第１電極と第２電極を有する発光素子と、
該発光素子に流れる電流を制御するトランジスタと、
を備え、
前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域に配線されており相異なる電位の電源を供給する複数の電源線と、
前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記単位回路において前記トランジスタを介して前記第１電極に電気的に接続される電流供給線と、
を有する発光装置であって、
前記周辺領域において、前記電流供給線と前記複数の電源線との間に接続された保護素子からなる電流供給線用保護回路を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
基板上における素子形成領域に配列された複数の単位回路の各々において、
第１電極と第２電極を有する発光素子と、
該発光素子に流れる電流を制御するトランジスタと、
を備え、
前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域に配線されており相異なる電位の電源を供給する複数の電源線と、
前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記単位回路において前記トランジスタを介して前記第１電極に電気的に接続される電流供給線と、
前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており前記単位回路にデータ信号を供給するデータ線と、
を有する発光装置であって、
前記周辺領域において、前記データ線と前記複数の電源線との間に接続された保護素子からなるデータ線用保護回路を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
前記周辺領域において、前記単位回路に走査線を介して走査信号を供給する走査線駆動回路、あるいは、前記単位回路にデータ線を介してデータ信号を供給するデータ線駆動回路を有しており、
前記走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路は、相補型トランジスタからなり、
前記複数の電源線は、前記走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路に電源を供給する複数の電源線であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記周辺領域において、前記データ線と前記データ線駆動回路の間、もしくは、前記走査線と前記走査線駆動回路の間に、抵抗素子を設けたことを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており前記単位回路に走査信号を供給する走査線を更に備えており、
前記周辺領域において、前記走査線と前記複数の電源線との間に接続された保護素子からなる走査線用保護回路を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項６】
前記データ線用保護回路は、互いに直列に接続された複数のダイオードであり、前記複数のダイオードは、前記電流供給線と前記データ線とが交差する領域を挟むように配置されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項７】
前記走査線用保護回路は、互いに直列に接続された複数のダイオードであり、前記複数のダイオードは、前記複数の電源線の一と前記走査線とが交差する領域を挟むように配置されていることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項８】
前記周辺領域において、前記電流供給線は、
前記素子形成領域を囲むように延設された本線と、
前記本線から前記素子形成領域内に延設された複数の支線とを含み、
前記複数の支線は前記素子形成領域内で互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項９】
基板上における素子形成領域は、発光領域と、該発光領域の周辺に形成された非発光領域とからなり、
前記発光領域に配列された複数の単位回路の各々において、
第１電極と第２電極を有する発光素子と
該発光素子に流れる電流を制御する第１のトランジスタと、
を備え、
前記非発光領域に設けられた複数のダミー単位回路の各々において、
第２のトランジスタ
を備え、
前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記単位回路において前記第１のトランジスタを介して第１電極に電気的に接続される電流供給線と、
を有する発光装置であって、
前記ダミー単位回路には、前記電流供給線が接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
基板上における素子形成領域は、発光領域と、該発光領域の周辺に形成された非発光領域とからなり、
前記発光領域に配列された複数の単位回路の各々において、
第１電極と第２電極を有する発光素子と
該発光素子に流れる電流を制御する第１のトランジスタと、
を備え、
前記非発光領域に設けられた複数のダミー単位回路の各々において、
第２のトランジスタと、
を備え、
前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域に配線されており前記単位回路に対して相異なる電位の電源を供給する複数の電源線と、
前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記単位回路において前記第１のトランジスタを介して第１電極に電気的に接続される電流供給線と、
を有する発光装置であって、
前記ダミー単位回路には、前記複数の電源線のうち何れか一の電源線が接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
前記ダミー単位回路と前記複数の電源線のうち何れか一の電源線との間に設けられた保護素子からなるダミー単位回路用保護回路を更に備えたこと
を特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【請求項１２】
基板上における素子形成領域に配列された複数の単位回路の各々において、
第１電極と第２電極を有する発光素子と、
発光素子に流れる電流を制御するトランジスタと、
を備え、
前記素子形成領域の周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記トランジスタを介して前記第１電極に電気的に接続される第１電流供給線と、
前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記第２電極に電気的に接続される第２電流供給配線と、
前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており前記単位回路にデータ信号を供給するデータ線と、
を有し、
前記第２電極は前記複数の単位回路に共通に設けられる発光装置であって、
前記周辺領域において、前記データ線と前記第１電流供給線の間に接続された第１の保護素子と、前記データ線と前記第２電流供給配線に接続された第２の保護素子とからなるデータ線用保護回路を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１、２、９、１０、１２のいずれか一項に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、及び発光装置を具備する電子機器の技術分野に関する。特に、発光装置の保護回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、該複数の走査線と該複数のデータ線との交差に応じて設けられた発光素子と、発光素子に電流を供給する電流供給線と、電流供給線から発光素子への電流経路に設けられ発光素子への電流を制御する駆動トランジスタとから構成される。少なくとも発光素子と駆動トランジスタを含む単位回路は、一列に、もしくは、マトリクス状に複数形成され、走査線からの選択信号、及び、データ線からのデータ信号に応じて発光素子はそれぞれ発光する。
【０００３】
このような発光装置において、選択信号を走査線に供給する走査線駆動回路やデータ信号をデータ線に供給するデータ線駆動回路などの駆動回路の一部もしくは全部は、発光素子が設けられた基板に内蔵回路として作り込まれたり、或いは外付けＩＣ回路として該基板に後付けされたりする。走査線駆動回路やデータ線駆動回路の劣化又は破壊の要因としては、特に発光装置の製造時又は運搬時に問題となる静電気放電のストレスによる破壊、即ち静電破壊が挙げられる。
【０００４】
また、走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路の少なくとも一方の駆動回路を基板上に内蔵し、これらに電源を供給する駆動電源回路やタイミング制御回路などの回路を外付けＩＣ回路として構成し、基板の走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路の少なくとも一方と外付けＩＣ回路とを接続する場合がある。このような場合には、基板と外付けＩＣ回路とを接続する製造工程において静電気が、基板上に形成した走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路の少なくとも一方の回路に流入して、これらの回路を破壊する虞がある。また、このような場合には、基板の走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路の少なくとも一方と外付けＩＣ回路とを接続する接続端子が基板に設けられており、この接続端子を通じて静電気が発光装置内に流入する虞がある。このような静電気が駆動回路に接続された配線に印加されると、駆動回路が劣化又は破壊されかねない。
【０００５】
そこで、このような静電気による駆動回路の劣化又は破壊を防止するために、保護回路が、駆動回路の信号入出力に関係する信号経路に設けられる（例えば、特許文献１及び２参照。）。より具体的には、保護回路は、例えば駆動回路外部からクロック信号、反転クロック信号、スタートパルス等の各種信号が入力される入力端子に対して入力保護回路として設けられる。或いは、走査信号、エンドパルス等の駆動回路外部への各種信号が出力される出力端子に対して出力保護回路として設けられる。
【０００６】
また、絶縁ゲート型トランジスタ回路装置の内部において、フローティング状態の回路部分に蓄積された静電気を効果的に放電することによって、静電気による素子の破壊を防止する技術も提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【０００７】
さらに、上述した内容の技術に限定されず、各種表示装置を静電気から保護するための技術が、数多く提案されている（例えば、特許文献４〜７参照。）。
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−２９４３８３号公報
【特許文献２】特開２００３−３０８０５０号公報
【特許文献３】特開２０００−９８３３８号公報
【特許文献４】特開平９−８０４６９号公報
【特許文献５】特開平１０−３９３２５号公報
【特許文献６】特開平１１−７２８０６号公報
【特許文献７】特開２０００−８９６８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
発光装置は、上述のように、例えば、複数の走査線と、複数のデータ線と、該複数の走査線と該複数のデータ線との交差に応じて設けられた発光素子と、発光素子に電流を供給する電流供給線と、電流供給線から発光素子への電流経路に設けられ発光素子への電流を制御する駆動トランジスタとから構成される。特に、電流供給線は発光素子に電流を供給するため、他の配線に比べて太くなっており電流供給源と発光素子とは低抵抗で接続される。特に単位回路は少なくとも発光素子と駆動トランジスタとから構成され、一列に、もしくは、マトリクス状に複数の単位回路が形成されている場合には、このような複数の単位回路を均一に発光させるため、電流供給線を低抵抗とする必要がある。
【００１０】
しかしながら、このように電流供給線を低抵抗とするが故に、電流供給線を通じて単位回路に静電気が到達し、単位回路が静電気破壊により劣化もしくは破壊される虞がある。特に、２つの導電層とその間の誘電体膜を用いた素子を単位回路に備える場合には、誘電体膜が絶縁破壊を起こし、単位回路が劣化もしくは破壊される。２つの導電層とその間の誘電体膜を用いた素子としては、例えば、ＭＯＳ電界効果型トランジスタや容量素子である。
【００１１】
また、電流供給線からデータ線に電流を流すことにより、駆動トランジスタのゲートに所定の電位を書き込み、この電圧に応じた電流を発光素子に流す単位回路が提案されている。このような方式を電流プログラム方式と称する。この際、単位回路の駆動トランジスタを介して電流を流すことにより駆動トランジスタのゲートに所定の電位を書き込む方式と、駆動トランジスタに対してミラー状に形成されたミラートランジスタを介して電流を流すことにより駆動トランジスタのゲートに所定の電位を書き込む方式がある。このような電流プログラム方式では、電流供給線を低抵抗とするとともに、所定の電位を正確に書き込むためデータ線も同様に低抵抗とする必要がある。このような場合には、データ線を介して静電気が単位回路に到達する虞がある。
【００１２】
特に、電流供給線に電流を供給する電流供給回路やデータ線駆動回路を外付けＩＣ回路として構成し、基板の発光素子と外付けＩＣ回路とを接続する場合があるが、このような場合には基板の発光素子と外付けＩＣ回路とを接続する接続端子から静電気が単位回路に到達する虞がある。
【００１３】
このように電流供給線及びデータ線で発生した静電気に起因する不慮の電圧によって、単位回路に含まれる各種トランジスタを静電破壊することがあり、発光装置の製造プロセスにおける歩留まりの低下を招く原因になる。特に、有機ＥＬ素子は電流駆動型の発光素子であることから、駆動電流やデータ信号を単位回路に供給する経路を確保しながら、電流供給線やデータ線で発生した静電気に起因する不慮の電圧が単位回路に印加されることを抑制することが重要である。
【００１４】
このように、発光装置は、静電気によって単位回路に含まれる素子が静電破壊されることを低減することによって製造プロセスにおける発光装置の歩留まりを向上させること、及び、駆動電流やデータ信号を単位回路に供給するための電流経路を確保して高品質の画像表示を行うことの２点を両立させることは困難であるが、上述した特許文献１〜７には、電流駆動型である発光装置に関して上述した２点の両方について認識した記載はみられない。
【００１５】
よって、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、静電破壊から保護する保護回路を設けた発光装置を提供することを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、基板上における素子形成領域に配列された複数の単位回路の各々において、第１電極と第２電極を有する発光素子と、該発光素子に流れる電流を制御するトランジスタと、を備え、前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域に配線されており相異なる電位の電源を供給する複数の電源線と、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記単位回路において前記トランジスタを介して前記第１電極に電気的に接続される電流供給線と、を有する発光装置であって、前記周辺領域において、前記電流供給線と前記複数の電源線との間に接続された保護素子からなる電流供給線用保護回路を有することを特徴とする。
【００１７】
本発明に係る発光装置によれば、例えば製造時や運搬時等に或いは動作時に電流供給線及びその接続端子で発生した静電気を放出するための電流供給線用保護回路が電流供給線に設けられており、電流供給線及びその接続端子で発生した静電気を、電流供給線用保護保護回路によって複数の電源線に放出することができる。したがって、電流供給線及びその接続端子で発生した静電気に起因する不慮の電圧が単位回路に印加されることを抑制することが可能である。さらに、素子形成領域における電流供給線は、単位回路における発光素子の発光する領域、即ち、開口率を制限するものであり、周辺領域に形成された複数の電源線は電流供給線と比して抵抗が低い。したがって、電流供給線及びその接続端子で発生した静電気を複数の電源線に放出することができる。
【００１８】
また、上記課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、基板上における素子形成領域に配列された複数の単位回路の各々において、第１電極と第２電極を有する発光素子と、該発光素子に流れる電流を制御するトランジスタと、を備え、前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域に配線されており相異なる電位の電源を供給する複数の電源線と、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記単位回路において前記トランジスタを介して前記第１電極に電気的に接続される電流供給線と、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており前記単位回路にデータ信号を供給するデータ線と、を有する発光装置であって、前記周辺領域において、前記データ線と前記複数の電源線との間に接続された保護素子からなるデータ線用保護回路を有することを特徴とする。
【００１９】
本発明に係る発光装置によれば、例えば製造時や運搬時等に或いは動作時にデータ線及びその接続端子で発生した静電気を放出するためのデータ線用保護回路がデータ線に設けられており、データ線及びその接続端子で発生した静電気を、データ線用保護保護回路によって複数の電源線に放出することができる。したがって、データ線及びその接続端子で発生した静電気に起因する不慮の電圧が単位回路に印加されることを抑制することが可能である。さらに、素子形成領域におけるデータ線は、単位回路における発光素子の発光する領域、即ち、開口率を制限するものであり、周辺領域に形成された複数の電源線はデータ線と比して抵抗が低い。したがって、データ線及びその接続端子で発生した静電気を複数の電源線に放出することができる。
【００２０】
特に、電流供給線からデータ線に電流を流すことにより、駆動トランジスタのゲートに所定の電位を書き込み、この電圧に応じた電流を発光素子に流す電流プログラム方式の発光装置に適用することが好ましい。電流プログラム方式の発光装置では、単位回路とデータ線とが低抵抗で接続され、データ信号を供給するデータ線駆動回路とデータ線との接続部分において発生した静電気が単位回路に到達する虞があるが、データ線用保護回路を設けることによりこのような静電気が単位回路に到達するのを未然に防止することができる。
【００２１】
また、本発明の発光装置は、先に記載の発光装置であり、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており前記単位回路に走査信号を供給する走査線を更に備えており、前記周辺領域において、前記走査線と前記複数の電源線との間に接続された保護素子とからなる走査線用保護回路を有することを特徴とする。
【００２２】
この態様によれば、走査線用保護回路によって、走査線及びその接続端子で発生した静電気を複数の電源線に放出することが可能である。さらに、走査線用保護回路は素子形成領域の周辺領域に設けられており、過剰な電流が素子形成領域に流れ込むことを抑制することができる。したがって、電流供給線及びデータ線のみならず、走査線を介して過剰な電流が素子形成領域に流れ込むことを抑制することも可能であり、電流供給線用保護回路及びデータ線用保護回路を電流供給線及びデータ線に設けた場合に比べて、さらに確実に単位回路を保護することができる。
【００２３】
本発明に係る発光装置の、電流供給線用保護回路、データ線用保護回路保護回路、及び走査線用保護回路などの保護回路は、複数の電源線と電流供給線もしくはデータ線との間に設けられた保護素子により構成されることが好ましい。この保護素子は、ダイオードから構成される。発光装置を発光させる際使用する電源線を用いて、かつ、発光させる際に印加される電源線の電位と電流供給線もしくはデータ線の電位を鑑みて、ダイオードの２つの端子に、それぞれ低電位が印加される電源線と高電位が印加される電源線とが接続される。ダイオードのこのようにすると、電流供給線やデータ線に保護抵抗を設ける場合に比べて、電流供給線やデータ線の電気抵抗を増大させることがない。よって、電流供給線用保護回路及びデータ線用保護回路は、駆動電流が単位回路に供給されることを阻害しないため、発光装置の動作時において、発光装置の各単位回路に所要の駆動電流を供給することができる。このように、電流供給線用保護回路を電流供給線の途中に設けた場合やデータ線用保護回路をデータ線の途中に設けた場合であっても、電流供給線用保護回路及びデータ線用保護回路は駆動電流に対して抵抗素子として機能しないため、発光素子の発光に必要な駆動電流を電流供給線もしくはデータ線から供給することができ、発光装置の発光を低下させることがない。
【００２４】
以上の結果、本発明に係る発光装置によれば、電流駆動型の発光素子の画質を低下させることなく、電流供給線もしくはデータ線、及びその接続端子で発生した静電気に起因する不慮の電圧が素子形成領域領域に印加されることを抑制することができる。これにより、発光装置に要求される、製造プロセスにおける歩留まりの低下の抑制と、高品質の発光という２つの課題を同時に解決することが可能である。
【００２５】
ここで、本発明に係る「複数の電源線」とは、発光素子を駆動するための各種素子に電源を供給するための配線であり、発光装置に通常設けられるものである。発光素子を駆動するための各種素子とは、走査線駆動回路、データ線駆動回路、単位回路等に含まれる各素子を指す。したがって、発光装置の配線仕様を大きく変更することなく、静電気を放出するための電流経路を確保することができる。さらに、例えば、複数の電源線は素子形成領域を囲むように設けられている場合には、各単位回路に延在する電流供給線及びデータ線から静電気を放出することができる。したがって、各単位回路に不慮の電圧が印加されることを抑制することができ、素子形成領域全体を静電破壊から保護することが可能である。また、複数の電源線は素子形成領域を囲むように設けられていることが望ましいが、電流供給線は周辺領域から素子形成領域にかけて配線されており、電源は素子形成領域を除く領域において電流供給線に接続されており、電流供給線用保護回路は素子形成領域の周辺領域において電流供給線と電源との間に少なくとも設けられていればよい。ここで、素子形成領域を除く領域とは、素子形成領域の周辺の領域、もしくは、外付けＩＣを指している。同様に、データ線用保護回路あるいは走査線駆動回路は、素子形成領域に形成されたデータ線とデータ線駆動回路との間、あるいは、素子形成領域に形成された走査線と走査線駆動回路との間に少なくとも設けられていればよい。
【００２６】
また、本発明の発光装置は、先に記載の発光装置であり、前記周辺領域において、前記単位回路に走査線を介して走査信号を供給する走査線駆動回路、あるいは、前記単位回路にデータ線を介してデータ信号を供給するデータ線駆動回路を有しており、前記走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路は、相補型トランジスタからなり、前記複数の電源線は、前記走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路に電源を供給する複数の電源線であることを特徴とする。
【００２７】
本発明に係る発光装置によれば、前記周辺領域において、走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路が設けられており、走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路に電源を供給する複数の電源線を用いるため、別途複数の電源線を配線する必要がない。特に、走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路は、素子形成領域に形成された走査線あるいはデータ線にそれぞれ接続されるものであり、素子形成領域に近接して設けられるものである。したがって、走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路に電源を供給する複数の電源線を保護回路に接続することが容易である。また、走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路と複数の電源線との間には、さらに保護回路を設けることが望ましい。
【００２８】
また、本発明の発光装置は、先に記載の発光装置であり、前記周辺領域において、前記データ線と前記データ線駆動回路の間、もしくは、前記走査線と前記走査線駆動回路の間に、抵抗素子を設けたことを特徴とする。
【００２９】
この態様によれば、抵抗素子は、過剰な電流がデータ線及び走査線を介して単位回路に流れ込むことを抑制することができ、単位回路を静電破壊から保護することが可能である。
【００３０】
本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記データ線用保護回路は、互いに直列に接続された複数のダイオードであり、前記複数のダイオードは、前記電流供給線と前記データ線とが交差する領域を挟むように配置されていることを特徴とする。
【００３１】
この態様によれば、電流供給線及びデータ線が交差する領域、で静電気が溜まり易く、データ線用保護回路とされる複数のダイオードを電流供給線及びデータ線が交差する領域を挟むように配置することによって、この領域に溜まった静電気を重点的に電源線に放出することができる。したがって、電流供給線及びデータ線が交差する領域に溜まった静電気に起因する過剰な電流が単位回路に流れ込むことを抑制することが可能である。
【００３２】
本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記走査線用保護回路は、互いに直列に接続された複数のダイオードであり、前記複数のダイオードは、前記複数の電源線の一と前記走査線とが交差する領域を挟むように配置されていることを特徴とする。
【００３３】
この態様によれば、複数の電源線の一と前記走査線とが交差する領域で静電気が溜まり易く、走査線用保護回路とされる複数のダイオードを複数の電源線の一と前記走査線とが交差する領域を挟むように配置することによって、この領域に溜まった静電気を重点的に電源線に放出することができる。したがって、例えば、複数の電源線の一と前記走査線が交差する領域に溜まった静電気に起因する過剰な電流がダミー単位回路或いは単位回路に流れ込むことを抑制することが可能である。
【００３４】
本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記発光素子の第２電極側と電気的に接続された第２電極用配線を更に備えており、前記電流供給線及び前記データ線の少なくとも一方で発生した静電気を前記第２電極用配線に放出するための電流経路を更に備える。
【００３５】
この態様によれば、発光素子の第２電極側と電気的に接続された第２電極用配線を介して、電流供給線及びデータ線の少なくとも一方で発生した静電気を第２電極用配線に放出することができる。第２電極用配線は発光素子を駆動するために設けられた配線であり、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることなく静電気を放出することができる。
【００３６】
本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記周辺領域において、前記電流供給線は、前記素子形成領域を囲むように延設された本線と、前記本線から前記素子形成領域内に延設された複数の支線とを含み、前記複数の支線は前記素子形成領域内で互いに電気的に接続されていることを特徴とする。
【００３７】
この態様では、例えば、素子形成領域内に複数の単位回路が１列もしくはマトリクス状に配置されており、各単位回路に含まれる発光素子をアクティブ制御により駆動する形態を含む。この態様によれば、電流供給線の本線が素子形成領域の周辺領域において前記素子形成領域を囲むように延設されており、さらに素子形成領域内で互いに電気的に接続された複数の支線が設けられている。したがって、素子形成領域内で互いに電気的に接続された支線を介して素子形成領域内の何れかの支線で発生した静電気をこれら支線及び本線を介して素子形成領域の外部に放出することができる。これにより、素子形成領域全体を静電破壊から保護することができる。
【００３８】
また、上記課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、基板上における素子形成領域は、発光領域と、該発光領域の周辺に形成された非発光領域とからなり、前記発光領域に配列された複数の単位回路の各々において、第１電極と第２電極を有する発光素子と、該発光素子に流れる電流を制御する第１のトランジスタと、を備え、前記非発光領域に設けられた複数のダミー単位回路の各々において、第２のトランジスタを備え、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記単位回路において前記第１のトランジスタを介して第１電極に電気的に接続される電流供給線と、を有する発光装置であって、前記ダミー単位回路には、前記電流供給線が接続されていることを特徴とする。
【００３９】
本発明に係る発光装置によれば、静電気が単位回路に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、発光装置を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。
【００４０】
また、上記課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、基板上における素子形成領域は、発光領域と、該発光領域の周辺に形成された非発光領域とからなり、前記発光領域に配列された複数の単位回路の各々において、第１電極と第２電極を有する発光素子と、該発光素子に流れる電流を制御する第１のトランジスタと、を備え、前記非発光領域に設けられた複数のダミー単位回路の各々において、第２のトランジスタと、を備え、前記素子形成領域の周辺に位置する周辺領域に配線されており前記単位回路に対して相異なる電位の電源を供給する複数の電源線と、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記単位回路において前記第１のトランジスタを介して第１電極に電気的に接続される電流供給線と、を有する発光装置であって、前記ダミー単位回路には、前記複数の電源線のうち何れか一の電源線が接続されていることを特徴とする。
【００４１】
本発明に係る発光装置によれば、静電気が単位回路に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、発光装置を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。
【００４２】
本発明に係る発光装置の他の態様においては、前記ダミー単位回路と前記複数の電源線のうち何れか一の電源線との間に設けられた保護素子からなるダミー単位回路用保護回路を更に備えたことを特徴とする。
【００４３】
この態様によれば、ダミー単位回路で発生した静電気を複数の電源線のうち何れか一の電源線に放出することができる。単位回路で発生した静電気はダミー単位回路用保護回路を介して電源線に放出されるため、単位回路が静電破壊されることを抑制することができる。尚、ダミー単位回路は駆動されないことから、発光装置の動作時において、複数の電源線のうち低電位の電源を供給する電源線に静電気を放出しても単位回路の駆動には何ら支障が生じない。
【００４４】
また、上記課題を解決するため、本発明に係る発光装置は基板上における素子形成領域に配列された複数の単位回路の各々において、第１電極と第２電極を有する発光素子と、
発光素子に流れる電流を制御するトランジスタと、を備え、前記素子形成領域の周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記トランジスタを介して前記第１電極に電気的に接続される第１電流供給線と、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており、前記第２電極に電気的に接続される第２電流供給配線と、前記周辺領域から前記素子形成領域にかけて配線されており前記単位回路にデータ信号を供給するデータ線と、を有し、前記第２電極は前記複数の単位回路に共通に設けられる発光装置であって、前記周辺領域において、前記データ線と前記第１電流供給線の間に接続された第１の保護素子と、前記データ線と前記第２電流供給配線に接続された第２の保護素子とからなるデータ線用保護回路を有することを特徴とする。
【００４５】
本発明に係る発光装置によれば、データ線の途中に設けられるデータ線用保護回路によって、データ線及びその接続端子で発生した静電気を第１電流供給線又は第２電流供給線に放出することができる。したがって、より確実に静電気を放出することができ、単位回路の静電破壊をより効果的に抑制することができる。
【００４６】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した発光装置を具備してなる。
【００４７】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明の発光装置を具備してなるので、静電気に対する耐性を向上させることが可能となるため、電子機器の製造における歩留まりを向上させ、出荷後における装置故障を防止することができる。さらに、発光素子に所要の駆動電流を供給することが可能であり、発光素子の十分な発光を確保することによって画質を低下させることもない。さらに、歩留まりが高く且つ故障し難く、高品位の表示が可能な、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００４８】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。尚、以下の実施形態は、本発明に係る発光装置の一例としてアクティブマトリクス駆動有機ＥＬ装置を用いた発光装置を説明する。
【００５０】
[第１実施形態]
（有機ＥＬ装置の構成）
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示した図である。
【００５１】
図１において、有機ＥＬ装置１は、本発明に係る「電気光学パネル」の一例である有機ＥＬパネル１０、及び有機ＥＬパネル１０を保護する保護回路１１を備える。尚、本実施形態では、特に、有機ＥＬパネル１０は、駆動回路内蔵型であり、その素子基板ＳＵＢ上にデータ線駆動回路１２ａ（Ｘドライバともいう）及び走査線駆動回路１２ｂ（Ｙドライバともいう）が設けられており、併せて保護回路１１が設けられている。データ線駆動回路１２ａ、走査線駆動回路１２ｂ、及び保護回路１１は、好ましくは、素子形成領域１４に作り込まれる各単位回路に含まれるトランジスタ（以下、ＴＦＴと称す。）の如き半導体素子と共に、素子基板の周辺領域に作り込まれる。または、データ線駆動回路１２ａ及び走査線駆動回路１２ｂの如き駆動回路の一部又は全部は、外付けＩＣとして構築されて、素子基板に対して外付け又は後付けされる。このような場合には、外付けＩＣと有機ＥＬパネルとを接続する駆動回路用接続端子（図示せず）が設けられる。
【００５２】
有機ＥＬパネル１０は、走査線駆動回路１２ｂ、データ線駆動回路１２ａ、プリチャージ回路１５、素子形成領域１４の周辺に延設された２本のロジック電源配線１６及び１７、第１電源配線１８Ｒ、１８Ｇ、及び１８Ｂを備えて構成される第１電源配線１８、第１電源配線１９を備える。さらに、有機ＥＬパネル１０は、図２において示される単位回路２０、電流供給線Ｌ２、及び本発明の「データ線」の一例であるデータ線Ｌ１を備える。
【００５３】
第１電源配線１８は、各色の光を発光する有機ＥＬ素子の第１電極（陽極）に夫々電気的に接続される第１電源配線１８Ｒ、１８Ｇ、及び１８Ｂを備えて構成されている。第１電極電源線１８のうち１本の第１電極電源線が、図２において図示する電流供給線Ｌ２に相当し、有機ＥＬ素子２９に駆動電流を供給する。有機ＥＬパネル１０が備える各単位回路２０は、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の各色の波長の光を発光する発光素子の１例である有機ＥＬ素子を備えており、有機ＥＬ装置１はカラー発光可能な発光装置である。尚、図２においては、説明を簡略化するため、これら各色の有機ＥＬ素子に対応した電流供給線Ｌ２を１本のみ図示している。
【００５４】
第２電源配線１９は、本発明に係る「第２電極用配線」の一例であり、各単位回路２０が備える有機ＥＬ素子２９の第２電極側と電気的に接続されている。
【００５５】
保護回路１１は、素子形成領域１４を囲むように有機ＥＬパネル１０に設けられており、矩形状の素子形成領域１４の周辺に位置する周辺領域において素子形成領域１４を挟むように夫々一対ずつ設けられたＸ側保護回路１１ａ及びＹ側保護回路１１ｂを含む。一方のＸ側保護回路１１ａは、データ線駆動回路１２ａと素子形成領域１４との間にあり、一方のＹ側保護回路１１ｂは、走査線駆動回路１２ｂと素子形成領域１４との間に延在する。Ｘ側保護回路１１ａ及びＹ側保護回路１１ｂは、素子形成領域１４の周辺領域において素子形成領域１４を囲むように延設されたロジック電源配線１６及び１７と電気的に接続されている。Ｘ側保護回路１１ａ及びＹ側保護回路１１ｂは、電流供給線Ｌ２で発生した静電気によって単位回路２０に含まれる各種素子が静電破壊されることを抑制する。
【００５６】
図１及び図２において、走査線駆動回路１２ｂは、書き込み選択信号線Ｌ６に対し、走査信号の一例たる書き込み選択信号Ｓ１を供給する回路である。書き込み選択信号Ｓ１は、スイッチング用ＴＦＴ２２をアクティブな状態又は非アクティブな状態に切り換えるための信号であり、後述するスイッチング用ＴＦＴ２２のゲートに供給される。
【００５７】
データ線駆動回路１２ａは、画像信号生成回路７１から送られた画像信号を所定のタイミングでサンプリングするサンプリング回路及びデータ線Ｌ１に対し画像信号に対応するデータ信号Ｉ１を供給する回路を備え、スイッチング用ＴＦＴ２２の導通状態に応じて、データ線Ｌ１にデータ信号Ｉ１を供給する。
【００５８】
走査線駆動回路１２ｂの動作及びデータ線駆動回路１２ａの動作は、制御回路７２から夫々供給されるクロック信号の如き同期信号によって相互に同期が図られ、アクティブマトリクス方式による発光が行われる。
【００５９】
次に、図２を参照しながら、単位回路２０について詳細に説明する。図２は、図１に示す有機ＥＬパネル１０の四隅の一部を拡大して示した平面図であって、有機ＥＬパネル１０における保護回路１１、単位回路２０、及びダミー単位回路２８の構成を示した平面図である。
【００６０】
図２において、素子形成領域１４には、単位回路２０及び複数のダミー単位回路２８が設けられている。単位回路２０は素子形成領域１４においてマトリクス状に複数配列され、ダミー単位回路２８は素子形成領域１４の周縁に設けられている。ここで、単位回路２０を形成した領域を発光領域と称し、ダミー単位回路を形成した領域を非発光領域と称する。尚、図２においては、有機ＥＬパネル１０の四隅の一部に設けられた一の単位回路２０を含む領域Ａのみを示している。
【００６１】
本実施形態における単位回路２０は、スイッチング用ＴＦＴ２２、駆動ＴＦＴ２３、蓄積容量２４、及び本発明に係る「発光素子」の一例である有機ＥＬ素子２９を備えて構成される。
【００６２】
駆動ＴＦＴ２３のゲートは、蓄積容量２４の一端に電気的に接続されると共に、スイッチング用ＴＦＴ２２のドレインと電気的に接続されている。駆動ＴＦＴ２３のソースは電流供給線Ｌ２に、ドレインは有機ＥＬ素子２９の第１電極（陽極）に夫々接続されている。スイッチング用ＴＦＴ２２のゲートは書き込み選択信号線Ｌ６に、ソースは、データ線Ｌ１に夫々接続されている。
【００６３】
本発明に係る「走査線」の一例である書き込み選択信号線Ｌ６は、走査線駆動回路１２ｂから供給される書き込み選択信号Ｓ１をスイッチング用ＴＦＴ２２のゲートに供給し、スイッチング用ＴＦＴ２２を非アクティブな状態からアクティブな状態に切り換える。ここで、アクティブな状態とは、スイッチング用ＴＦＴ２２のソース及びドレイン間が導通可能な状態を意味する。アクティブな状態に切り換えられたスイッチング用ＴＦＴ２２は、データ線Ｌ１から供給されるデータ信号Ｉ１を、スイッチング用ＴＦＴのソース及びドレイン間に流し、蓄積容量２４に電荷を蓄積する。蓄積容量２４に蓄積された電荷によって、駆動ＴＦＴ２３のゲートにデータ電圧が印加され、駆動ＴＦＴ２３はゲートに印加されたデータ電圧に応じた動作状態となる。駆動ＴＦＴ２３は、電流供給線Ｌ２から有機ＥＬ素子２９にデータ電位に応じた駆動電流を供給し、有機ＥＬ素子２９を所定の輝度で発光させる。データ線駆動回路１２ａ及び走査線駆動回路１２ｂを同期させて各単位回路２０に含まれる有機ＥＬ素子２９を発光させることによって、有機ＥＬ装置１は画像を表示することができる。
【００６４】
本発明の有機ＥＬ装置はプリチャージ回路１５を備えていてもよい。プリチャージ回路１５は、データ信号の書き込み不足を防止するためにデータ線を充電もしくは放電させ、予めデータ線Ｌ１の電位をデータ信号電位に近づける。したがって、データ線Ｌ１へのデータ信号の書き込み能力不足は、殆ど又は実践上全く問題となることは無くなる。そして、相対的に十分な書き込み能力で書き込まれたデータ信号によって高品位の画像表示が可能となる。
【００６５】
有機ＥＬパネル１０は、Ｘ側検査回路５ａ及びＹ側検査用５ｂを備えてもよい。Ｘ側検査回路５ａ及びＹ側検査用５ｂは、製造プロセスにおいて有機ＥＬパネルに静電気が蓄積されているか否かを検査するために用いられる。
【００６６】
（保護回路の構成）
次に、図２を参照しながら、保護回路１１について詳細に説明する。
【００６７】
ロジック電源用配線１６及び１７は、本発明に係る「複数の電源線」の一例であり、素子形成領域１４の周辺に位置する周辺領域において素子形成領域１４を囲むようにＸ方向及びＹ方向に夫々延設されている。ロジック電源用配線１６及び１７は、素子形成領域１４を囲むように形成されているが、素子形成領域１４の少なくとも１辺に形成されるものであってもよい。尚、素子形成領域１４を囲むように形成されているのであれば、静電気が単位回路に及ぶのを未然に防止することが容易である。
【００６８】
図１１に示すように、ロジック電源用配線１６及び１７は、各単位回路２０に含まれる有機ＥＬ素子２９を駆動するための素子、より具体的にはデータ線駆動回路１２ａ及び走査線駆動回路１２ｂに含まれ各種信号を単位回路２０に供給する素子に電源を供給する。ここで、ロジック電源配線１６は高電位側の電源Ｖ２を有機ＥＬパネル１０に供給し、ロジック電源配線１７は低電位側の電源Ｖ３を有機ＥＬパネル１０に供給し、ロジック電源配線１６ａは、電源Ｖ２より低く電源Ｖ３より高い中間電位の電源Ｖ４を有機ＥＬパネル１０に供給する。図１１は、走査線駆動回路１２ｂ、Ｙ側保護回路１１ｂ、及び素子形成領域１４を示す図である。走査線駆動回路１２ｂは、例えば、クロック信号に応じてシフトパルスを転送するシフト転送回路１２１ｂ、シフト転送回路からの出力を所定の電圧とするレベルシフト回路１２２ｂ、及び、バッファ回路１２３ｂとからなる。これらに用いられる素子は、インバータ、クロックドインバータなどのように、高電位側の電源Ｖ２を供給するロジック電源配線１６と低電位側の電源Ｖ３を供給するロジック電源配線１７との間に設けられたスイッチング素子から構成される。このスイッチング素子は一般的に相補型スイッチング素子から構成される。図１１のように、ロジック電源配線１６、１６ａ、１７が、走査線駆動回路１２ｂ内において、素子形成領域１４に沿って配線されており、各走査線Ｌ６毎に形成された走査線駆動回路１２ｂの単位回路毎にそれぞれの電源が供給されている。シフト転送回路１２１ｂには、ロジック電源配線１６ａ及び１７より、中間電位の電源Ｖ４及び低電位側の電源Ｖ３が供給され、レベルシフト回路１２２ｂ及びバッファ回路１２３ｂには、ロジック電源配線１７及び１６より、低電位側の電源Ｖ３及び高電位側の電源Ｖ２が供給されている。また、同様に、Ｙ側保護回路１１ｂにおいて、ロジック電源配線１６及び１７により、高電位側の電源Ｖ２及び低電位側の電源Ｖ３が供給されている。Ｙ側保護回路１１ｂに接続される電源は、高電位側の電源Ｖ２及び低電位側の電源Ｖ３を選んだが、電源Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４の中から、一番高電位の電源と一番低電位の電源を選んで接続される。また、走査線駆動回路１２ｂ及びＹ側保護回路１１ｂにおいて、ロジック電源配線１６及び１７はそれぞれ配線したが、配線を共通化することがレイアウトの観点から好ましい。さらに、図１１では走査線駆動回路１２ｂ及びＹ側保護回路１１ｂについて記載したが、データ線駆動回路１２ａ及びＸ側保護回路１１ａも同様である。データ線駆動回路１２ａは、例えば、シフト転送回路、レベルシフト回路、バッファ回路、及び、サンプリング回路とを備えており、ロジック電源配線１６及び１７はデータ線駆動回路１２ａ及びＸ側保護回路１１ａにおいて同様に接続される。
【００６９】
Ｘ側保護回路１１ａは、電流供給線Ｌ２の途中に設けられロジック電源配線１６及び１７に電気的に接続された静電保護回路ＥＳＤ２、データ線Ｌ１の途中に設けられロジック電源配線１６及び１７に電気的に接続された静電保護回路ＥＳＤ１を備える。電流供給線Ｌ２は、単位回路２０に含まれる有機ＥＬ素子２９に駆動電流を供給する配線であり、単位回路２０に含まれる駆動ＴＦＴ２３のソースと接続されている。データ線Ｌ１は、単位回路２０にデータ信号を供給するデータ線であり、単位回路２０に含まれるスイッチング用ＴＦＴ２２のソースと接続されている。
【００７０】
電流供給線Ｌ２の途中に設けられた静電保護回路ＥＳＤ２は、本発明に係る「電流供給線用保護回路」の一例であり、低電位の電源Ｖ３を供給するロジック電源配線１７及び高電位の電源Ｖ２を供給するロジック電源配線１６と電気的に接続されている。静電保護回路ＥＳＤ２は、例えば、直列接続された２個のダイオードＤａ及びＤｂを備える。ダイオードＤａのアノードは低電位の電源Ｖ３を供給するロジック電源配線１７に接続され、ダイオードＤｂのカソードは高電位の電源Ｖ２を供給するロジック電源配線１６に接続されている。ダイオードＤａのカソード及びダイオードＤｂのアノードは素子形成領域１４の周辺領域に延在する電流供給線Ｌ２と接続されている。
【００７１】
高電位のロジック電源配線１６より高電位の静電気が電流供給線Ｌ２に発生した場合には、ダイオードＤｂを介して静電気が高電位のロジック電源配線１６に放出され、低電位のロジック電源配線１７より低電位の静電気が電流供給線Ｌ２に発生した場合には、ダイオードＤａを介して静電気が低電位のロジック電源配線１７に放出される。したがって、静電保護回路ＥＳＤ２は、電流供給線Ｌ２で発生した静電気に起因する不慮の電圧が駆動ＴＦＴ２３に印加されることを抑制することができ、駆動ＴＦＴ２３が静電破壊されることを低減することができる。
【００７２】
静電保護回路ＥＳＤ２は、電流供給線Ｌ２から有機ＥＬ素子２９に駆動電流を供給する経路の途中に設けられているが、駆動電流に対して電気抵抗として機能しないことから有機ＥＬ素子２９の発光を妨げることがなく、有機ＥＬ装置１の画質を低下させることがない。
【００７３】
データ線Ｌ１の途中に設けられた静電保護回路ＥＳＤ１は、本発明に係る「データ線用保護回路」の一例である。静電保護回路ＥＳＤ１は、静電保護回路ＥＳＤ２と同様に２本のロジック電源配線１６及び１７に接続されている。静電保護回路ＥＳＤ１は、電流供給線Ｌ２に設けられた静電保護回路ＥＳＤ２と同様に直列接続された２つのダイオードを備え、データ線Ｌ１に発生した静電気の電位に応じてこの静電気をロジック電源配線１６又は１７の一方に放出する。すなわち、静電保護回路ＥＳＤ１は、電流供給線Ｌ２に設けられた静電保護回路ＥＳＤ２によって放出することが困難である静電気を放出することができる。したがって、静電保護回路ＥＳＤ１は、データ線Ｌ１に接続されたスイッチング用ＴＦＴ２２に静電気に起因する不慮の電圧が印加されることを抑制することができ、スイッチング用ＴＦＴ２２が静電破壊されることを低減することができる。
【００７４】
尚、本実施形態においては、データ線Ｌ１の途中に抵抗素子Ｒ１１が設けられており、単位回路２０をより確実に静電気から保護することが可能である。
【００７５】
このように、静電保護回路ＥＳＤ１及びＥＳＤ２によれば、有機ＥＬ素子２９を発光させる際に必要な各種電流の流れを阻害することなく、電流供給線Ｌ２及びデータ線Ｌ１で発生した静電気から単位回路２０を保護することが可能であると共に、有機ＥＬパネル１０の画質を低下させることがない。したがって、静電保護回路ＥＳＤ１及びＥＳＤ２によれば、単位回路２０が静電破壊されることを低減すること及び有機ＥＬ装置１の画質を低下させないことを両立することができる。
【００７６】
Ｙ側保護回路１１ｂは、本発明に係る「走査線」の一例である書き込み選択信号線Ｌ６の途中に設けられロジック電源配線１６及び１７に電気的に接続された静電保護回路ＥＳＤ６と、配線Ｌ５の途中に設けられた静電保護回路ＥＳＤ５を備える。
【００７７】
静電保護回路ＥＳＤ６は、本発明に係る「走査線用保護回路」の一例であり、上述した静電保護回路ＥＳＤ１及びＥＳＤ２と同様に直列接続された２つのダイオードを備える。静電保護回路ＥＳＤ６は、書き込み選択信号線Ｌ６で発生した静電気の電位に応じてこの静電気をロジック電源配線１６又は１７の一方に放出する。したがって、静電保護回路ＥＳＤ６は、書き込み選択信号線Ｌ６で発生した静電気からスイッチング用ＴＦＴ２２が静電破壊されることを低減する。尚、本実施形態においては、書き込み選択信号線Ｌ６の途中に抵抗素子Ｒ６１及びＲ６２が設けられており、単位回路２０をより確実に静電気から保護することが可能である。
【００７８】
このように、本実施形態に係る保護回路１１によれば、電流供給線Ｌ２、データ線Ｌ１、及び書き込み選択信号線Ｌ６で発生した静電気から単位回路２０を保護すること可能であり、単位回路２０に含まれるスイッチング用トランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３の如き素子が静電破壊されることを抑制することができる。さら、電流供給線Ｌ２、データ線Ｌ１、及び書き込み選択信号線Ｌ６で発生した静電気は、例えば、データ線駆動回路１２ａ及び走査線駆動回路１２ｂに含まれ有機ＥＬ素子２９を駆動するために駆動される各種素子に電源を供給するロジック電源配線１６及び１７に放出されるため、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることもない。
【００７９】
したがって、本実施形態に係る有機パネル１０の保護回路１１によれば、設計を大きく変更することなく有機パネル１０の静電気に対する耐性を高めることができ、製造プロセスにおける有機ＥＬパネル１０の歩留まりを向上させることが可能である。さらに有機ＥＬ装置１の画質を低下させることもないため、製造プロセスにおける歩留まりの向上させること及び画質を低下させないことを両立することができる高品質の有機ＥＬ装置１を提供することができる。
【００８０】
（ダミー単位回路の構成）
ダミー単位回路２８は、有機ＥＬ素子を備えていないことを除き、単位回路２０に含まれる各種素子と同様の素子を含み、これら素子の接続は単位回路２０における各種素子の接続と同様である。ダミー単位回路２８に含まれるＴＦＴ３３は、単位回路２０に含まれる駆動ＴＦＴ２３に相当し、ＴＦＴ３３のソースは、電流供給線Ｌ２に駆動電流を供給する電源と接続された配線Ｌ４と接続されている。ダミー単位回路２８に含まれるＴＦＴ３２のソースは、配線Ｌ３と接続されている。また、ダミー単位回路２８は、ダミー単位回路２８と接続されていない有機ＥＬ素子を備えていてもよい。ダミー単位回路２８に形成された有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ素子製造における素子形成領域周辺部における製造不良を回避するために設けられる。
【００８１】
さらに、ダミー単位回路２８は、単位回路２０と同様に、有機ＥＬ素子と接続されていてもよい。このようにすることにより、単位回路２０を静電気から保護することができる。
【００８２】
素子形成領域１４の周辺領域の保護回路１１において、配線Ｌ３及びＬ４の途中には夫々静電保護回路ＥＳＤ３及びＥＳＤ４が設けられている。静電保護回路ＥＳＤ３及びＥＳＤ４は、ロジック電源配線１６及び１７と接続されており、配線Ｌ３及びＬ４で発生した静電気をロジック電源配線１６又は１７に放出し、ダミー単位回路２８及び単位回路２０に含まれる各素子が静電気によって静電破壊されることを抑制する。尚、本実施形態においては、配線Ｌ３及びＬ４に抵抗素子Ｒ３１、Ｒ３２及びＲ４１が夫々設けられていることにより、ダミー単位回路２８をより確実に静電気から保護することが可能である。
【００８３】
素子形成領域１４の周辺領域の保護回路１１において、静電保護回路ＥＳＤ５は、本発明に係る「ダミー単位回路用保護回路」の一例であり、上述した静電保護回路ＥＳＤ１及びＥＳＤ２と同様の構成を備え、素子形成領域１４の周辺に位置する周辺領域において、配線Ｌ５の途中に設けられている。静電保護回路ＥＳＤ５は、ダミー単位回路２８で発生した静電気を配線Ｌ５を介して受け取り、この静電気をロジック電源配線１６及び１７の一方に放出する。したがって、静電保護回路ＥＳＤ５は、ダミー単位回路２８で発生した静電気を素子形成領域１４の外側に放出することができ、ダミー単位回路２８が静電破壊されることを抑制することができる。尚、本実施形態においては、配線Ｌ５の途中に抵抗素子Ｒ５１及びＲ５２が設けられており、ダミー単位回路２８をより確実に静電気から保護することが可能である。
【００８４】
配線Ｌ５は、低電位の電源Ｖ３をダミー単位回路２８に供給する。配線Ｌ５は、書き込み選択信号線Ｌ６と平行してダミー単位回路２８内に延在する。このようにすることにより、静電気が単位回路２０に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、有機ＥＬ装置１を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。また、配線Ｌ３及びＬ４には、それぞれ同一電位が供給されている。ここでは、電源Ｖ１がともに接続されている。図２では、電流供給線Ｌ２、配線Ｌ３、及び配線Ｌ４は共通の電源Ｖ１を夫々供給されている。電流供給線Ｌ２と配線Ｌ３とは同電位となっているため、トランジスタ３３、トランジスタ３２などにより消費電力が消費されない。静電気が単位回路２０に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、有機ＥＬ装置１を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。
【００８５】
[第２実施形態]
次に、他の実施形態について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第１実施形態の各部と同様の要素については、１及び図２と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図１２は、第２実施形態に係る有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示した図である。
【００８６】
図１２において、有機ＥＬ装置１は、データ線駆動回路１２ａ、走査線駆動回路１２ｂ、及び保護回路１１、単位回路２０が形成された素子形成領域１４を備える。
【００８７】
走査線駆動回路１２ｂは、書き込み選択信号線Ｌ６に対し、走査信号の一例たる書き込み選択信号Ｓ１を供給する回路である。書き込み選択信号Ｓ１は、スイッチング用ＴＦＴ２２をアクティブな状態又は非アクティブな状態に切り換えるための信号であり、後述するスイッチング用ＴＦＴ２２のゲートに供給される。
【００８８】
データ線駆動回路１２ａは、画像信号生成回路７１から送られた画像信号を所定のタイミングでサンプリングするサンプリング回路及びデータ線Ｌ１に対し画像信号に対応するデータ信号Ｉ１を供給する回路を備え、スイッチング用ＴＦＴ２２の導通状態に応じて、データ線Ｌ１にデータ信号Ｉ１を供給する。
【００８９】
走査線駆動回路１２ｂの動作及びデータ線駆動回路１２ａの動作は、制御回路７２から夫々供給されるクロック信号の如き同期信号によって相互に同期が図られ、アクティブマトリクス方式による発光が行われる。また、ロジック電源用配線１６及び１７は、駆動電源回路７３からデータ線駆動回路１２ａ及びに走査線駆動回路１２ｂに電源を供給する。ここで、ロジック電源配線１６は高電位側の電源Ｖ２を供給し、ロジック電源配線１７は低電位側の電源Ｖ３を供給する。また、ロジック電源用配線１６及び１７は、保護回路１１に接続されている。
【００９０】
単位回路２０は、図２と同様に、スイッチング用ＴＦＴ２２、駆動ＴＦＴ２３、蓄積容量２４、及び本発明に係る「発光素子」の一例である有機ＥＬ素子２９を備えて構成される。また、データ線駆動回路１２ａと各単位回路２０とはデータ線Ｌ１により接続され、走査線駆動回路１２ｂと各単位回路２０とは書き込み選択信号線Ｌ６により接続されている。
【００９１】
ここで、有機ＥＬ素子２９は、第１電極と、第２電極と、該第１電極と第２電極との間に挟持された発光層とからなり、第１電極は単位回路２０に対応して設けられており、第２電極はマトリクス状に設けられた複数の単位回路２０に対して共通に設けられている。単位回路２０に設けられた各第１電極は、電流供給線Ｌ２及び第１電源配線１８を介して、第１電源配線接続端子２００により発光電源回路７４と接続されている。素子形成領域１４に設けられた第２電極は、第２電源配線１９を介して、第２電源配線接続端子２０１により発光電源回路７４と接続されている。発光電源回路７４は、第１電源配線接続端子２００と第２電源配線接続端子２０１との間に電源を供給する。ここで、図２と同様に、第１電源配線１８は、各色の光を発光する有機ＥＬ素子の第１電極（陽極）に夫々電気的に接続される第１電源配線１８Ｒ、１８Ｇ、及び１８Ｂを備えて構成されているが、説明を簡略化するため、これら各色の有機ＥＬ素子に対応した電流供給線Ｌ２を１本のみ図示している。
【００９２】
第２実施形態に係る保護回路１１は、電流供給線Ｌ２に応じて、「電流供給線用保護回路」の一例としての静電保護回路ＥＳＤ２を備える。静電保護回路ＥＳＤ２は、第１電源配線１８と素子形成領域１４に形成された電流供給線Ｌ２との間に設けられている。
【００９３】
このように、静電保護回路ＥＳＤ２によれば、電流供給線Ｌ２、あるいは、第１電源配線接続端子で発生した静電気から単位回路２０を保護すること可能であり、単位回路２０に含まれるスイッチング用トランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３の如き素子が静電破壊されることを抑制することができる。さらに、保護回路１１は、図２の静電保護回路ＥＳＤ２と同様に、静電保護回路を介してロジック電源用配線１６及び１７と接続されている。データ線駆動回路１２ａ及び走査線駆動回路１２ｂに含まれるロジック電源配線１６及び１７に放出されるため、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることもない。
【００９４】
また、図２と同様に、データ線Ｌ１の途中に静電保護回路（図示せず）を設けてもよい。これは、本発明に係る「データ線用保護回路」の一例である。このようにすることにより、データ線Ｌ１からスイッチング用ＴＦＴ２２を介して流入した静電気から単位回路２０を保護することができ、駆動ＴＦＴ２３や蓄積容量２４内で静電破壊が発生するのを未然に防止することができる。
【００９５】
[第２実施形態の変形例１]
次に、第２実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第２実施形態の各部と同様の要素については図１２と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図１３は、第２実施形態の変形例１に係る有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示した図である。
【００９６】
単位回路２０は、図２と同様に、スイッチング用ＴＦＴ２２、駆動ＴＦＴ２３、蓄積容量２４、及び本発明に係る「発光素子」の一例である有機ＥＬ素子２９を備えて構成される。また、データ線駆動回路１２ａと各単位回路２０とはデータ線Ｌ１により接続され、走査線駆動回路１２ｂと各単位回路２０とは書き込み選択信号線Ｌ６により接続されている。
【００９７】
ここで、有機ＥＬ素子２９は、第１電極と、第２電極と、該第１電極と第２電極との間に挟持された発光層とからなり、第１電極は単位回路２０に対応して設けられており、第２電極はマトリクス状に設けられた複数の単位回路２０に対して共通に設けられている。単位回路２０に設けられた各第１電極は、電流供給線Ｌ２及び第１電源配線１８を介して、第１電源配線接続端子２００により発光電源回路７４と接続されている。素子形成領域１４に設けられた第２電極は、配線Ｌ７及び第２電源配線１９を介して、第２電源配線接続端子２０１により発光電源回路７４と接続されている。第２電極と配線Ｌ７とは、素子形成領域において単位回路と接続されている。発光電源回路７４は、第１電源配線接続端子２００と第２電源配線接続端子２０１との間に電源を供給する。ここで、図２と同様に、第１電源配線１８は、各色の光を発光する有機ＥＬ素子の第１電極（陽極）に夫々電気的に接続される第１電源配線１８Ｒ、１８Ｇ、及び１８Ｂを備えて構成されているが、説明を簡略化するため、これら各色の有機ＥＬ素子に対応した電流供給線Ｌ２を１本のみ図示している。
【００９８】
第２実施形態を変形した態様に係る保護回路１１は、第１電源配線１８と素子形成領域１４に形成された電流供給線Ｌ２との間に設けられた静電保護回路ＥＳＤ７を備える。静電保護回路ＥＳＤ７は第１電源配線１８と第２電源配線１９との間に設けられた保護素子からなる。保護素子は、例えば静電保護回路ＥＳＤ２と同様、ダイオードから構成される。第１電極は陽極であり第２電極は陰極であり、このような発光素子にて発光動作を行う際、配線７及び第２電源配線１９は、電流供給線Ｌ２及び第１電源配線１８に対して低電位であるため、静電保護回路ＥＳＤ７は、入力端子が電流供給線Ｌ２に接続され、出力端子は配線Ｌ７に接続されたダイオードから構成される。第１電極は陰極であり第２電極は陽極である場合には、ダイオードの入力端子と出力端子とは逆に接続される。
【００９９】
かかる保護回路１１によれば、電流供給線Ｌ２あるいは第１電源配線接続端子で発生した静電気を第２電源配線１９に放出できる。したがって、単位回路２０に含まれるＴＦＴの如き素子が静電破壊されることを抑制する。したがって、素子形成領域１４内で静電気が発生した場合でも、単位回路２０に含まれる素子に静電気に起因する不慮の電圧が印加される前に素子形成領域１４の外側に静電気を放出することができ、単位回路２０に含まれる素子の静電破壊を抑制することができる。
【０１００】
[第２実施形態の変形例２]
次に、第２実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第２実施形態の各部と同様の要素については図１２と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図１４は、第２実施形態の変形例２に係る有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示した図である。
【０１０１】
素子形成領域１４には、単位回路２０が形成された発光領域２０２と、発光領域２０２の周辺にダミー単位回路２８が設けられた非発光領域とが設けられている。図２と同様に、単位回路２０には、スイッチング用ＴＦＴ２２、駆動ＴＦＴ２３、蓄積容量２４、及び本発明に係る「発光素子」の一例である有機ＥＬ素子２９を備えて構成される。また、ダミー単位回路２８は、有機ＥＬ素子を備えていなくてもよいし、ダミー単位回路２８と接続されていない有機ＥＬ素子を備えていてもよい。また、ダミー単位回路２８に形成された有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ素子製造における素子形成領域周辺部における製造不良を回避するために設けられる。さらに、ダミー単位回路２８は、単位回路２０と同様に、有機ＥＬ素子と接続されていてもよい。このようにすることにより、単位回路２０を静電気から保護することができる。
【０１０２】
さらに、ダミー単位回路２８は、矩形に形成された発光領域２０２の周辺それぞれ１個ずつ設けられているが、複数個のダミー単位回路２８が設けられてもよい。また、発光領域２０２を囲うようにダミー単位回路２８を設けたが、発光領域２０２の少なくとも１辺に沿って形成されていればよい。
【０１０３】
ダミー単位回路２８に接続された配線Ｌ３及びＬ４は、それぞれ同一電位の配線がされている。ここでは、第１電源配線１８と接続されている。このようにすることにより、静電気が単位回路２０に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、有機ＥＬ装置１を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。
【０１０４】
また、配線Ｌ３及びＬ４の途中には夫々静電保護回路ＥＳＤ４及びＥＳＤ２が設けられていることが好ましい。静電保護回路ＥＳＤ３及びＥＳＤ４は、ロジック電源配線１６及び１７と接続されており、配線Ｌ３及びＬ４で発生した静電気をロジック電源配線１６又は１７に放出し、ダミー単位回路２８及び単位回路２０に含まれる各素子が静電気によって静電破壊されることを抑制する。尚、図２と同様に、配線Ｌ３及びＬ４に抵抗素子Ｒ３１、Ｒ３２及びＲ４１が夫々設けられていることにより、単位回路２０及びダミー単位回路２８をより確実に静電気から保護することが可能である。
【０１０５】
[第２実施形態の変形例３]
次に、第２実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第２実施形態の各部と同様の要素については図１２と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図１５は、第２実施形態の変形例３に係る有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示した図である。
【０１０６】
素子形成領域１４には、単位回路２０が形成された発光領域２０２と、発光領域２０２の周辺に設けられたダミー単位回路２８とが設けられている。さらに、ダミー単位回路２８に接続された配線Ｌ５は、配線１７ａを介してロジック電源配線１７に接続されている。配線Ｌ５は、書き込み選択信号線Ｌ６と平行してダミー単位回路２８内に延在する。このようにすることにより、静電気が単位回路２０に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、有機ＥＬ装置１を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。
【０１０７】
[第３実施形態]
次に、図３乃至図６を参照しながら、本発明に係る電気光学パネルの保護回路の他の実施形態について説明する。図３は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００が備える単位回路１２０の構成を示す図であり、図４は、有機ＥＬパネル１１０の四隅の一部を拡大して示した図であって、保護回路１１１の構成を示した図である。
【０１０８】
図３及び図４において、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、有機ＥＬパネル１１０、有機ＥＬ素子１２９に駆動電流を供給する電流供給線Ｌ２２、単位回路１２０にデータ信号を供給するデータ線Ｌ２１、単位回路１２０に走査信号を供給する走査線Ｌ２６、図示しないデータ線駆動回路及び走査線駆動回路、及び、データ線駆動回路及び走査線駆動回路に電源を供給するロジック電源配線１１６及び１１７を備える。尚、本実施形態及び第３実施形態に係る有機ＥＬ装置においては、有機ＥＬ装置内の有機ＥＬパネル及び有機ＥＬパネルの周辺領域に設けられる保護回路のレイアウトは第１実施形態で説明した有機ＥＬ装置と同様であり、詳細な説明は省略する。以下の実施形態においては、単位回路の構成及び保護回路の構成について主に説明する。
【０１０９】
（単位回路の構成）
図３及び図４において、単位回路１２０は、駆動ＴＦＴ１２３、スイッチング用ＴＦＴ１２２ａ、１２２ｂ、１３０、蓄積容量１２４及び有機ＥＬ素子１２９を備えて構成される。
【０１１０】
駆動ＴＦＴ１２３のソースは、有機ＥＬ素子１２９に駆動電流を供給する電流供給線Ｌ２２に電気的に接続されており、他方、ドレインは、スイッチング用ＴＦＴ１３０のドレイン、スイッチング用ＴＦＴ１２２ａのドレイン、及びスイッチング用ＴＦＴ１２２ｂのソースに夫々電気的に接続されている。
【０１１１】
スイッチング用ＴＦＴ１２２ａのゲート及びスイッチング用ＴＦＴ１２２ｂのゲートは電気的に共通化されており、走査線Ｌ２６に含まれる書き込み選択信号線Ｌ２６ｂ又はＬ２６ｃに電気的に接続されている。
【０１１２】
スイッチング用ＴＦＴ１２２ａのソースはデータ線Ｌ２１に電気的に接続されており、ドレインは、スイッチング用ＴＦＴ１２２ｂのソースに電気的に接続されている。また、スイッチング用ＴＦＴ１２２ｂのドレインは、蓄積容量１２４の一端に電気的に接続されている。スイッチング用ＴＦＴ１２２ａ及び１２２ｂは、書き込み選択信号線Ｌ２６ａから供給される書き込み選択信号Ｓ１が高電位、即ちＨレベルとなった際にアクティブとなる。
【０１１３】
蓄積容量１２４は、一方の端がスイッチング用ＴＦＴ１２２ｂのドレインに電気的に接続されると共に、他端が電流供給線Ｌ２２と電気的に接続されている。蓄積容量１２４は、駆動ＴＦＴ１２３によって有機ＥＬ素子１２９に供給される電流を規定する電荷を蓄積する。
【０１１４】
スイッチング用ＴＦＴ１３０は、そのゲートに電気的に接続された選択信号線Ｌ２６ｂ又はＬ２６ｃに供給される選択信号Ｓ２或いはＳ３がＨレベルとなった時のみアクティブとなり、有機ＥＬ素子１２９に電流を供給する。スイッチング用ＴＦＴ１３０のソースは、有機ＥＬ素子１２９の第１電極（陽極）に電気的に接続されており、ドレインは、駆動ＴＦＴ１２３のドレインに電気的に接続されている。
【０１１５】
有機ＥＬ素子１２９は、第１電極（陽極）及び第２電極（陰極）間に有機ＥＬ層が挟持されてなり、第１電極から第２電極に向かう順方向電流に応じた輝度で発光する自発光素子である。また、有機ＥＬ素子１２９の第１電極は、スイッチング用ＴＦＴ１３０のソースに接続される。一方、有機ＥＬ素子１２９の第２電極は、全ての単位回路１２０において共通であり、図示しない電源における低位側の電位（即ち、基準電位）に接続されている。
【０１１６】
電流供給線Ｌ２２は、第１実施形態と同様に単位回路１２０に有機ＥＬ素子１２９の駆動電流を供給する。データ線Ｌ２１は、Ｘドライバと電気的に接続されており、各単位回路１２０にデータ信号に対応したデータ信号Ｉ１を供給する。
【０１１７】
走査線Ｌ２６は、Ｘドライバに電気的に接続された書き込み選択信号線Ｌ２６ａと、選択信号線Ｌ２６ｂ及びＬ２６ｃとを備えて構成される。書き込み選択信号線Ｌ２６ａは、後述するプログラミングステージにおいて各画素の蓄積容量１２４に電荷を蓄積するための電圧をスイッチング用ＴＦＴ１２２ａ及び１２２ｂのゲートに印加するために設けられた配線であり、選択信号線１２６ｂ及び１２６ｃは各単位回路１２０が備えるスイッチング用ＴＦＴ１３０をアクティブな状態又は非アクティブな状態に切り換えるための信号を供給するための配線である。
【０１１８】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の各色の波長の光を発光する有機ＥＬ素子を備えたカラー表示可能な表示装置である。選択信号線Ｌ２６ｃは緑色の光を発光する有機ＥＬ素子を含む単位回路に選択信号ＧＥＬＧを供給する選択信号線であり、選択信号線Ｌ２６ｂは赤色の光を発光する有機ＥＬ素子に選択信号Ｓ２を供給すると共に青色の光を発光する有機ＥＬ素子に選択信号Ｓ２を供給する。
【０１１９】
次に、上記構成を有する有機ＥＬ装置１００の動作について説明する。
【０１２０】
走査線駆動回路が書き込み選択信号線Ｌ２６ａにＨレベルの書き込み選択信号Ｓ１を供給すると、この書き込み選択信号Ｓ１に対応する単位回路１２０（画素行）におけるスイッチング用ＴＦＴ１２２ａ及び１２２ｂの両方のゲートに電圧が印加され、これらスイッチング用ＴＦＴ１２２ａ及び１２２ｂがアクティブとなる。
【０１２１】
スイッチング用ＴＦＴ１２２ｂがアクティブとなると、スイッチング用ＴＦＴ１２２ｂのドレインとソースとの間が導通するので、駆動ＴＦＴ１２３のゲートとドレインとが導通状態となって、駆動ＴＦＴ１２３は単なるダイオードとして機能するようになる。
【０１２２】
一方、Ｈレベルの書き込み選択信号Ｓ１が供給されるに伴い、スイッチング用ＴＦＴ１２２ａとゲート電圧が共通化されたスイッチング用ＴＦＴ１２２ｂもアクティブとなる。結局、書き込み選択信号Ｓ１がＨレベルにある期間では、データ線駆動回路内にある電流源によって供給されるデータ信号Ｉ１は、電流供給線Ｌ２２、駆動ＴＦＴ１２３、スイッチング用ＴＦＴ１２２ａ、データ線Ｌ２１を順次通過する経路で電流として流れることになる。この期間において、蓄積容量１２４には、駆動ＴＦＴ１２３のゲートの電位と電流供給線Ｌ２２の電位との電位差に対応する電荷が蓄積される。蓄積容量１２４に蓄積された電荷は、駆動ＴＦＴ１２３によって有機ＥＬ素子１２９に供給される電流を規定する電荷であることから、この期間は、「プログラミングステージ」と称される。
【０１２３】
走査線駆動回路が書き込み選択信号Ｓ１を低電位（即ち、Ｌレベル）に制御すると、単位回路１２０を含む画素行のプログラミングステージは終了する。プログラミングステージの終了（即ち、Ｌレベルの書き込み選択信号Ｓ１の供給）に伴って、スイッチング用ＴＦＴ１２２ａ及び１２２ｂは非アクティブ状態となる。しかしながら、蓄積容量１２４には電荷が蓄積されているので、駆動ＴＦＴ１２３のゲートの電位は従前の値に保持される。
【０１２４】
走査線駆動回路は、プログラミングステージが終了した単位回路１２０の選択信号線Ｌ２６ｂ或いはＬ２６ｃに対し、所定のタイミングでＨレベルの選択信号Ｓ２或いはＳ３を供給する。選択信号Ｓ２或いはＳ３の供給時には、スイッチング用ＴＦＴ１３０がアクティブとなる。駆動ＴＦＴ１２３のソースとドレインとの間には、このゲートが基準電位との間に有する電圧に基づいた電流が流れることとなる。この電流の経路は、電流供給線Ｌ２２、駆動ＴＦＴ１２３、スイッチング用ＴＦＴ１３０、有機ＥＬ素子１２９を順次通過する経路で流れ、有機ＥＬ素子１２９が発光する。有機ＥＬ素子１２９の発光は、前段階のプログラミングステージで予めプログラミングされた電流値に基づいて行なわれるため、この有機ＥＬ素子１２９の発光期間は、「リプロダクションステージ」とも称される。
【０１２５】
走査線駆動回路は、素子形成領域１１４において、画素行単位でプログラミングステージを実行すると共に、順次このプログラミングステージを実行する画素行を切り替えて走査を行っている。プログラミングステージが終了した画素行は、所定の遅延時間を隔ててリプロダクションステージに移行する。このプログラミングステージとリプロダクションステージとの切り替えタイミングは、走査線駆動回路によって適切に、例えば、ある画素行について、プログラミングステージとリプロダクションステージとが同時に実行されないように制御されている。
【０１２６】
このようにして、有機ＥＬ装置１００は、駆動ＴＦＴ１２３、スイッチング用ＴＦＴ１２２ａ及び１２２ｂ、スイッチング用ＴＦＴ１３０、蓄積容量１２４によって有機ＥＬ素子１２９を電流プログラム方式で駆動し、画像表示を行う。特に、電流供給線Ｌ２２及びデータ線Ｌ２１は、電流によるデータ信号Ｉ１のプログラミングを精密に行うため、低抵抗で電源もしくは電流源と単位回路１２０とを接続している。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、電流供給線Ｌ２２に接続された駆動ＴＦＴ１２３、及びデータ線Ｌ２１に接続されたスイッチング用ＴＦＴ１２２ａが静電破壊されることが多いため、電流供給線Ｌ２２及びデータ線Ｌ２１に接続された電流の経路であってプログラミングする際に電流が流れる経路、及び有機ＥＬ素子１２９が発光する際に駆動電流が流れる経路に静電気に起因する不慮の電圧が印加されることを低減することが重要になる。
【０１２７】
（保護回路の構成）
図３及び図４において、有機ＥＬ装置１００は、有機ＥＬパネル１１０の単位回路１２０及びダミー単位回路１２８を含む素子形成領域１１４の周辺領域に設けられた保護回路１１１を備える。
【０１２８】
本実施形態に係る保護回路１１１は、素子形成領域１１４の周辺に位置する周辺領域において素子形成領域１１４を挟むように夫々一対ずつ設けられたＸ側保護回路１１１ａ及びＹ側保護回路１１１ｂを含む。
【０１２９】
Ｘ側保護回路１１１ａは、電流供給線Ｌ２２の途中に設けられロジック電源配線１１６及び１１７と電気的に接続された静電保護回路ＥＳＤ２２とデータ線Ｌ２１の途中に設けられロジック電源配線１１６及び１１７と電気的に接続された静電保護回路ＥＳＤ２１とを備える。電流供給線Ｌ２２は、単位回路１２０に含まれる有機ＥＬ素子１２９に駆動電流を供給する配線であり、単位回路１２０に含まれる駆動ＴＦＴ１２３のソースと接続されている。データ線Ｌ２１は、単位回路１２０にデータ信号に対応する電流Ｉ１を供給する信号線であり、単位回路１２０に含まれるスイッチング用ＴＦＴ１２２ａのソースと接続されている。
【０１３０】
電流供給線Ｌ２２の途中に設けられた静電保護回路ＥＳＤ２２は、本発明に係る「電流供給線用保護回路」の一例であり、低電位の電源Ｖ３を供給するロジック電源配線１１７及び高電位の電源Ｖ２を供給するロジック電源配線１１６と電気的に接続されている。静電保護回路ＥＳＤ２２は、第１実施形態と同様に電流供給線Ｌ２２に発生した静電気の電位に応じてこの静電気をロジック電源配線１１６及び１１７の一方に放出する。したがって、静電保護回路ＥＳＤ２２は、電流供給線Ｌ２２で発生した静電気をロジック電源配線１１６或いは１１７に放出することによって、単位回路１２０に含まれる駆動ＴＦＴ１２３が静電破壊されることを抑制する。静電保護回路ＥＳＤ２２は、電流供給線Ｌ２２から有機ＥＬ素子１２９に供給される駆動電流に対して電気抵抗として機能しないことから有機ＥＬ素子１２９の発光を妨げることがなく、有機ＥＬ装置１００の画質を低下させることがない。
【０１３１】
データ線Ｌ２１の途中に設けられた静電保護回路ＥＳＤ２１は、本発明に係る「データ線用保護回路」の一例である。静電保護回路ＥＳＤ２１と同様に２本のロジック電源配線１１６及び１１７に接続されている。静電保護回路ＥＳＤ２１は、静電保護回路ＥＳＤ２２と同様にしてデータ線Ｌ２１で発生した静電気をロジック電源配線１１６或いは１１７に放出し、単位回路１２０に含まれるスイッチング用ＴＦＴ１２２ａが静電破壊されることを低減する。
【０１３２】
静電保護回路ＥＳＤ２１は、電流供給線Ｌ２２に設けられた静電保護回路ＥＳＤ２２が放出することが困難な静電気、即ちデータ線Ｌ２１で発生した静電気を放出することが可能であり、単位回路１２０をデータ線Ｌ２１で発生した静電気から保護することができる。尚、本実施形態においては、データ線Ｌ２１の途中に抵抗素子Ｒ２１が設けられており、単位回路１２０をより確実に静電気から保護することが可能である。
【０１３３】
静電保護回路ＥＳＤ２１及びＥＳＤ２２によれば、有機ＥＬ素子１２９を発光させる際に必要な各種電流の流れを阻害することなく、電流供給線Ｌ２２及びデータ線Ｌ２１で発生した静電気から単位回路１２０を保護することが可能である。よって、単位回路１２０を静電気から保護すること及び有機ＥＬ装置１００の画質を低下させないことを両立することができる。
【０１３４】
Ｙ側保護回路１１１ｂは、書き込み選択信号線Ｌ２６ａ、選択信号線Ｌ２６ｂ及びＬ２６ｃの夫々の途中に設けられロジック電源配線１１６及び１１７に電気的に接続された静電保護回路ＥＳＤ２６ａ、ＥＳＤ２６ｂ及びＥＳＤ２６ｃ、Ｙ方向に延在する電流供給線Ｌ２２および素子形成領域１１４間に設けられた静電保護回路ＥＳＤ２５、ロジック電源配線１１７とダミー単位回路１２８との間に設けられた静電保護回路ＥＳＤ２７を備える。
【０１３５】
静電保護回路ＥＳＤ２６ａ、ＥＳＤ２６ｂ及びＥＳＤ２６ｃは、本発明に係る「走査線用保護回路」の夫々一例であり、上述した静電保護回路ＥＳＤ１１及び１２と同様に直列接続された２つのダイオードを備えて構成される。静電保護回路ＥＳＤ２６ａ、ＥＳＤ２６ｂ及びＥＳＤ２６ｃは、走査線Ｌ２６で発生した静電気の電位に応じて静電気をロジック電源配線１１６及び１１７の一方に放出する。したがって、静電保護回路ＥＳＤ２６ａ、ＥＳＤ２６ｂ及びＥＳＤ２６ｃは、走査線Ｌ２６で発生した静電気からスイッチング用ＴＦＴ１２２ａ及び１２２ｂ、さらにスイッチング用ＴＦＴ１３０を保護することができる。尚、本実施形態においては、走査線１２６の途中に抵抗素子Ｒ２６が設けられており、単位回路１２０をより確実に静電気から保護することが可能である。
【０１３６】
配線１１８は、低電位のロジック電源配線１１７に電気的に接続されている。
【０１３７】
静電保護回路ＥＳＤ２７は、本発明に係る「ダミー単位回路用保護回路」の一例であり、素子形成領域１１４の周辺に位置する周辺領域に延在する配線１１８と素子形成領域１１４の間に設けられ、ダミー単位回路１２８で発生した静電気を配線１１８に放出する。尚、ダミー単位回路１２８及び配線１１８の間には、図中Ｙ方向に延在する電流供給線Ｌ２２ａが延在する。電流供給線Ｌ２２ａは、他の配線と比べて太い配線であるうえ、配線が交差した領域には静電気が蓄積され易い。よって、電流供給線Ｌ２２ａより素子形成領域１１４側に静電保護回路ＥＳＤ２７を設けることにより、素子形成領域１１４に静電気に起因する不慮の電圧が印加されることを抑制することができると共に、ダミー単位回路１２８で発生した静電気を配線１１８に放出することが可能である。尚、本実施形態においては、配線１１８及び素子形成領域１１４の間に抵抗素子Ｒ２７が設けられており、ダミー単位回路１２８をより確実に静電気から保護することが可能である。
【０１３８】
本実施形態においては、電流供給線Ｌ２２は、素子形成領域１１４の周辺領域においてＸ方向及びＹ方向の夫々に延在する本線Ｌ２２ａと、各本線Ｌ２２ａから素子形成領域１１４内に延在する支線Ｌ２２ｂとを含んで構成される。単位回路１２０は素子形成領域１１４においてマトリクス状に配列されていることから、支線Ｌ２２ｂは、単位回路１２０の各行及び各列に沿って素子形成領域１１４内に延設されている。支線Ｌ２２ｂは、素子形成領域１１４内で互いに電気的に接続されており、各単位回路１２０に有機ＥＬ素子１２９の駆動電流を供給すると共に素子形成領域１１４内で発生した静電気を外部に放出するための電流経路を構成する。このような支線Ｌ２２ｂのレイアウトによれば、素子形成領域１１４に電流経路が張り巡らされていることになり、支線Ｌ２２ｂを介して静電気を外部に容易に放出することができる。
【０１３９】
Ｙ側保護回路１１１ｂが備える静電保護回路ＥＳＤ２５は、静電保護回路ＥＳＤ２２と同様にＹ方向に延在する電流供給線Ｌ２２の本線Ｌ２２ａで発生した静電気をロジック電源配線１１６或いは１１７に放出し、ダミー単位回路１２８を静電気から保護する。
【０１４０】
本実施形態に係る保護回路１１１によれば、第１実施形態に係る保護回路１１と同様に、設計を大きく変更することなく有機パネル１１０の静電気に対する耐性を高めることができ、製造プロセスにおける有機ＥＬパネル１１０の歩留まりを向上させることが可能である。さらに有機ＥＬ装置１００の画質を低下させることもないため、製造プロセスにおける歩留まりの向上させること及び画質を低下させないことを両立することができる高品質の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【０１４１】
[第３実施形態の変形例１]
次に、第３実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第３実施形態の各部と同様の要素については図３及び図４と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図５は、本発明に係る「データ線用保護回路」の一例を説明するための図であり、図６は、データ線及び電流供給線間に接続された保護ダイオードを説明するための図である。
【０１４２】
図５において、トランジスタＴ１及びＴ２は、本発明に係る「データ線用保護回路」の一例を構成する。トランジスタＴ１は、有機ＥＬ素子２９の第２電極（陰極）側ＣＶＴに電気的に接続された配線Ｌ２９とデータ線Ｌ２１とに電気的に接続されている。トランジスタＴ２は、データ線Ｌ２１及び電流供給線Ｌ２２の支線Ｌ２２ｂに電気的に接続されている。トランジスタＴ１及びＴ２は静電保護回路ＥＳＤ１００を構成し、データ線２１で発生した静電気を電流供給線Ｌ２２ｂ及び配線Ｌ２９の少なくとも一方に逃がす。静電保護回路ＥＳＤ１００は、例えば、ダミー単位回路１２８内に延在する支線Ｌ２２ｂ及びデータ線Ｌ２１を接続するように配設されている。ここで、配線Ｌ２９は接地側と接続されていてもよい。
【０１４３】
また、図６に示すように、素子形成領域１１４に含まれる単位回路１２０´に延在されるデータ線Ｌ２１´及び電流供給線Ｌ２２´の間に静電保護回路ＥＳＤ１０１を接続しておくこともできる。ＥＳＤ１０１は複数のトランジスタから構成され、データ線２１´及び電流供給線Ｌ２２´の一方で発生した静電気を他方に逃がすことができる。これにより、より確実に単位回路１２０´を静電気から保護することが可能である。
【０１４４】
[第３実施形態の変形例２]
次に、第３実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第３実施形態の各部と同様の要素については図３及び図４と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図１６は、第３実施形態を変形した態様に係る有機ＥＬ装置１００の構成を模式的に示した図である。
【０１４５】
図１６において、有機ＥＬ装置１００は、データ線駆動回路１１２ａ、走査線駆動回路１１２ｂ、及び保護回路１１１、単位回路１２０が形成された素子形成領域１１４を備える。
【０１４６】
走査線駆動回路１１２ｂは、選択信号線Ｌ２６ａ、Ｌ２６ｂ、Ｌ２６ｃに対し、走査信号の一例たる選択信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を供給する回路である。
【０１４７】
データ線駆動回路１２ａは、画像信号生成回路７１から送られた画像信号を所定のタイミングでサンプリングするサンプリング回路及びデータ線Ｌ２１に対し画像信号に対応するデータ信号Ｉｄａｔａを供給する回路を備える。
【０１４８】
走査線駆動回路１１２ｂの動作及びデータ線駆動回路１１２ａの動作は、制御回路７２から夫々供給されるクロック信号の如き同期信号によって相互に同期が図られ、アクティブマトリクス方式による発光が行われる。また、ロジック電源用配線１１６及び１１７は、駆動電源回路７３からデータ線駆動回路１１２ａ及びに走査線駆動回路１１２ｂに電源を供給する。ここで、ロジック電源配線１１６は高電位側の電源Ｖ２を供給し、ロジック電源配線１１７は低電位側の電源Ｖ３を供給する。また、ロジック電源用配線１１６及び１１７は、保護回路１１１に接続されている。
【０１４９】
単位回路１２０は、図４と同様に、駆動ＴＦＴ１２３、スイッチング用ＴＦＴ１２２ａ、１２２ｂ、１３０、蓄積容量１２４及び有機ＥＬ素子１２９を備えて構成される。
【０１５０】
ここで、有機ＥＬ素子２９は、第１電極と、第２電極と、該第１電極と第２電極との間に挟持された発光層とからなり、第１電極は単位回路１２０に対応して設けられており、第２電極はマトリクス状に設けられた複数の単位回路１２０に対して共通に設けられている。単位回路１２０に設けられた各第１電極は、電流供給線Ｌ２２ｂ及び第１電源配線１１８を介して、第１電源配線接続端子２００により発光電源回路７４と接続されている。素子形成領域１１４に設けられた第２電極は、第２電源配線１１９を介して、第２電源配線接続端子２０１により発光電源回路７４と接続されている。発光電源回路７４は、第１電源配線接続端子２００と第２電源配線接続端子２０１との間に電源を供給する。ここで、図２と同様に、第１電源配線１８は、各色の光を発光する有機ＥＬ素子の第１電極（陽極）に夫々電気的に接続される第１電源配線１８Ｒ、１８Ｇ、及び１８Ｂを備えて構成されているが、説明を簡略化するため、これら各色の有機ＥＬ素子に対応した電流供給線Ｌ２を１本のみ図示している。
【０１５１】
本発明に係る発光装置は、「電流供給線用保護回路」の一例としての静電保護回路ＥＳＤ２２を備える。静電保護回路ＥＳＤ２２は、単位回路１２０に接続される電流供給線Ｌ２２ｂと第１電源配線１１８との間に設けられている。
【０１５２】
このように、第３実施形態を変形した態様に係る保護回路１１１によれば、第１電源配線１１８、電流供給線Ｌ２２ｂ、あるいは、第１電源配線接続端子２００で発生した静電気から単位回路１２０を保護すること可能であり、単位回路１２０に含まれるスイッチング用トランジスタ１２２ａ及び駆動トランジスタ１２３の如き素子が静電破壊されることを抑制することができる。さらに、保護回路１１１は、図２の静電保護回路ＥＳＤ２と同様に、静電保護回路を介してロジック電源用配線１１６及び１１７と接続されている。データ線駆動回路１１２ａ及び走査線駆動回路１１２ｂに含まれるロジック電源配線１１６及び１１７に放出されるため、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることもない。
【０１５３】
また、本発明に係る発光装置は、「データ線用保護回路」の一例としての静電保護回路ＥＳＤ２１を備える。静電保護回路ＥＳＤ２１は、データ線駆動回路１１２ａとデータ線Ｌ２１との間に設けられている。このように、第３実施形態を変形した態様に係る保護回路１１１によれば、データ線Ｌ２１で発生した静電気から単位回路１２０を保護すること可能であり、単位回路１２０に含まれるスイッチング用トランジスタ１２２ａ及び駆動トランジスタ１２３の如き素子が静電破壊されることを抑制することができる。さらに、保護回路１１１は、図２の静電保護回路ＥＳＤ２と同様に、静電保護回路ＥＳＤ２１を介してロジック電源用配線１１６及び１１７と接続されている。データ線駆動回路１１２ａ及び走査線駆動回路１１２ｂに含まれるロジック電源配線１１６及び１１７に放出されるため、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることもない。
【０１５４】
また、素子形成領域１４には、単位回路１２０を形成した発光領域２０２と、発光領域２０２の周辺に設けられたダミー単位回路１２８とが設けられている。
【０１５５】
ダミー単位回路１２８に接続された配線Ｌ２１及びＬ２２ｂは、それぞれ同一電位の配線がされている。ここでは、第１電源配線１１８と接続されている。このようにすることにより、静電気が単位回路１２０に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、有機ＥＬ装置１００を発光させる時にダミー単位回路で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。
【０１５６】
また、配線Ｌ２１及びＬ２２ｂの途中には夫々静電保護回路ＥＳＤ２４及びＥＳＤ２３が設けられていることが好ましい。静電保護回路ＥＳＤ２４及びＥＳＤ２３は「ダミー単位回路用保護回路」の一例である。静電保護回路ＥＳＤ２４及びＥＳＤ２３は、ロジック電源配線１１６及び１１７と接続されており、配線Ｌ２１及びＬ２２ｂで発生した静電気をロジック電源配線１１６又は１１７に放出し、ダミー単位回路１２８及び単位回路２０に含まれる各素子が静電気によって静電破壊されることを抑制する。尚、図２と同様に、配線Ｌ２１及びＬ２２ｂに抵抗素子が夫々設けられていることにより、単位回路２０及びダミー単位回路１２８をより確実に静電気から保護することが可能である。
【０１５７】
さらに、ダミー単位回路１２８に接続された配線Ｌ２７は、配線１１７ａを介してロジック電源配線１１７に接続されている。このようにすることにより、静電気が単位回路１２０に到達し単位回路が破損するのを防止するとともに、有機ＥＬ装置１００を発光させる時にダミー単位回路１２８で発光したりリーク電流が流れたりするのを防止することができる。
【０１５８】
[第３実施形態の変形例３]
次に、第３実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第３実施形態の各部と同様の要素については図３及び図４と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図１７は、第３実施形態を変形した態様に係る有機ＥＬ装置１００の構成を模式的に示した図である。
【０１５９】
図１７において、有機ＥＬ装置１００は、データ線駆動回路１１２ａ、走査線駆動回路１１２ｂ、及び保護回路１１１、単位回路１２０が形成された素子形成領域１１４を備える。
【０１６０】
また、ロジック電源用配線１１６及び１１７は、駆動電源回路７３からデータ線駆動回路１１２ａ及びに走査線駆動回路１１２ｂに電源を供給する。ここで、ロジック電源配線１１６は高電位側の電源Ｖ２を供給し、ロジック電源配線１１７は低電位側の電源Ｖ３を供給する。また、ロジック電源用配線１１６及び１１７は、保護回路１１１に接続されている。
【０１６１】
単位回路１２０は、図４と同様に、駆動ＴＦＴ１２３、スイッチング用ＴＦＴ１２２ａ、１２２ｂ、１３０、蓄積容量１２４及び有機ＥＬ素子１２９を備えて構成される。
【０１６２】
ここで、有機ＥＬ素子２９は、第１電極と、第２電極と、該第１電極と第２電極との間に挟持された発光層とからなり、第１電極は単位回路１２０に対応して設けられており、第２電極はマトリクス状に設けられた複数の単位回路１２０に対して共通に設けられている。単位回路１２０に設けられた各第１電極は、電流供給線Ｌ２２及び第１電源配線１１８を介して、第１電源配線接続端子２００により発光電源回路７４と接続されている。素子形成領域１１４に設けられた第２電極は、配線２９及び第２電源配線１１９を介して、第２電源配線接続端子２０１により発光電源回路７４と接続されている。発光電源回路７４は、第１電源配線接続端子２００と第２電源配線接続端子２０１との間に電源を供給する。ここで、図２と同様に、第１電源配線１８は、各色の光を発光する有機ＥＬ素子の第１電極（陽極）に夫々電気的に接続される第１電源配線１８Ｒ、１８Ｇ、及び１８Ｂを備えて構成されているが、説明を簡略化するため、これら各色の有機ＥＬ素子に対応した電流供給線Ｌ２を１本のみ図示している。
【０１６３】
本発明に係る発光装置は、「データ線用保護回路」の一例である静電保護回路ＥＳＤ１００を備える。静電保護回路ＥＳＤ１００は、データ線Ｌ２１に接続されており、第１電源配線１１８とデータ線Ｌ２１との間に設けられたダイオードと第２電源配線１１９とデータ線Ｌ２１との間に設けられたダイオードとからなる。
【０１６４】
かかる保護回路１１１によれば、データ線Ｌ２１で発生した静電気から単位回路１２０を保護すること可能であり、単位回路１２０に含まれるスイッチング用トランジスタ１２２ａ及び駆動トランジスタ１２３の如き素子が静電破壊されることを抑制することができる。さらに、保護回路１１１は、電流供給線Ｌ２２と配線２９と接続されている。電流供給線Ｌ２２と配線２９に放出されるため、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることもない。また、素子形成領域１１４に形成された電流供給線Ｌ２２と第１電源配線１１８との間、及び、素子形成領域１１４に形成された配線２９と第２電源配線１１９との間にそれぞれダイオードが形成されている。ここで、第１電源配線１１８は複数の電流供給線Ｌ２２に電流を供給し、第２電源配線１１９は複数の配線２９に電流を供給している。したがって、第１電源配線１１８は電流供給線Ｌ２２の１本分と比して抵抗が低くなっている。同一の配線を用いるのであれば、第１電源配線１１８の配線幅は電流供給線Ｌ２２より太くなっている。同様に、第２電源配線１１９は配線２９の１本分と比して抵抗が低くなっている。同一の配線を用いるのであれば、第２電源配線１１９の配線幅は配線２９より太くなっている。仮に、データ線Ｌ２１で静電気が蓄積されても、第１電源配線１１８あるいは第２電源配線１１９から静電気を瞬く解消することができる。
【０１６５】
[第４実施形態]
次に、図７及び図８を参照しながら、本発明に係る発光装置の他の実施形態について説明する。図７は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００が備える単位回路２２０の構成を示す図であり、図８は、有機ＥＬパネル２１０の四隅の一部を拡大して示した図であって、保護回路２１１の構成を示した図である。
【０１６６】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、有機ＥＬパネル２１０、並びに有機ＥＬ素子２２９に駆動電流を供給する電流供給線Ｌ３２、単位回路２２０にデータ信号を供給するデータ線Ｌ３１、単位回路２２０に走査信号を供給する走査線Ｌ３６、図示しないデータ線駆動回路及び走査線駆動回路、及びデータ線駆動回路及び走査線駆動回路に電源を供給するロジック電源配線２１６及び２１７を備える。
【０１６７】
（単位回路の構成）
図７及び図８において、単位回路２２０は、第１〜第４のスイッチング素子として機能するＴＦＴ２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、及び２２３、駆動ＴＦＴ２３０、容量素子として機能する蓄積容量２２４、有機ＥＬ素子２２９を備えて構成される。
【０１６８】
駆動ＴＦＴ２３０のソースは、有機ＥＬ素子２２９の第１電極（陽極）に接続される一方、スイッチング用ＴＦＴ２２３のソースは、駆動ＴＦＴ２３０のドレイン、及びスイッチング用ＴＦＴ２２２ｃの一端（ドレイン）に夫々接続されている。ここで、スイッチング用ＴＦＴ２２３のゲートは、選択信号線Ｌ３６ｂ或いはＬ３６ｃに接続されている。このため、スイッチング用ＴＦＴ２２３は、選択信号Ｓ２或いはＳ３がＨレベルであればアクティブな状態となり、Ｌレベルであれば非アクティブな状態となる。
【０１６９】
駆動ＴＦＴ２３０のソースは、有機ＥＬ素子２２９の第１電極（陽極）と接続される。一方、有機ＥＬ素子２２９は、電流供給線Ｌ３２及び有機ＥＬ素子２２９の第２電極側（ＣＶＴ）の間の経路に、スイッチング用ＴＦＴ２２３及び駆動ＴＦＴ２３０と共に電気的に介挿された構成となっている。
【０１７０】
駆動ＴＦＴ２３０のゲートは、蓄積容量２２４の一端及びスイッチング用ＴＦＴ２２２ｃのソースに夫々接続されている。
【０１７１】
スイッチング用ＴＦＴ２２２ｃは、駆動ＴＦＴ２３０のドレイン及びゲート間に電気的に介挿されると共に、スイッチング用ＴＦＴ２２２ｃのゲートは、制御線２３６に接続されている。このため、スイッチング用ＴＦＴ２２２ｃは、制御信号ＧＩＮＩＴがＨレベルとなったときにオンして、駆動ＴＦＴ２３０をダイオードとして機能させる。
【０１７２】
一方、スイッチング用ＴＦＴ２２２ｂの一端（ドレイン）は、給電線２３７に接続される一方、その他端（ソース）は、ＴＦＴ２２２ａの一端（ドレイン）及び容量２２４の他端に夫々接続されている。スイッチング用ＴＦＴ２２２ｂのゲートは、制御線２３６に接続されている。このため、スイッチング用ＴＦＴ２２２ｂは、制御信号ＧＩＮＩＴがＨレベルとなったときにアクティブな状態になる。
【０１７３】
さらに、ＴＦＴ２２２ａの他端（ソース）は、データ線Ｌ３１に接続され、そのゲートは、走査線Ｌ３６に含まれる書き込み信号線Ｌ３６ａに接続されている。このため、ＴＦＴ２２２ａは、書き込み選択信号Ｓ１がＨレベルとなったときにアクティブな状態になり、データ線Ｌ３１に供給されるデータ信号を容量２２４の他端に供給する。
【０１７４】
単位回路２２０は、ＴＦＴ２２２ｂ及び２２２ｃのアクティブな状態及び非アクティブな状態に切り換える切り換え動作を、制御線２３６に供給される制御信号ＧＩＮＩＴによって共通に制御する構成としたものである。単位回路２２０は、第２実施形態と同様に電圧プログラム方式によって有機ＥＬ素子２２９を発光させることができ、さらに、駆動ＴＦＴ２３０の閾値電圧のばらつきに依存することなく、有機ＥＬ素子２２９に所要の駆動電流を流すことが可能である。単位回路２２０においては、駆動ＴＦＴ２３０のゲートに印加する電圧を保持させる前に、制御信号ＧＩＮＩＴがＨレベルとしてスイッチング用ＴＦＴ２２２ｂ及び２２２ｃをアクティブな状態として、蓄積容量２２４の両端を初期化する。これとともに、駆動ＴＦＴ２３０をダイオードとして機能させ、駆動ＴＦＴ２３０のゲート電位を駆動ＴＦＴ２３０の閾値電圧に応じた値とする。制御信号ＧＩＮＩＴをＬレベルとしてスイッチング用ＴＦＴ２２２ｂ及び２２２ｃを非アクティブな状態とした後、スイッチング用ＴＦＴ２２２ａをアクティブ状態として、データ線Ｌ３１からデータ信号を駆動ＴＦＴ２３０のゲート電に電圧として保持させる。有機ＥＬ素子２２９を発光させる際には、駆動ＴＦＴ２３０のゲートに、蓄積容量２２４に保持された電荷の電位に応じて電圧が印加され、有機ＥＬ素子２２９に駆動電流が流れる。有機ＥＬ装置２００においては、電流供給線Ｌ３２に静電気が発生し易いため、電流供給線Ｌ３２に接続されたスイッチングＴＦＴ２２３、駆動トランジスタ２３０及びデータ線Ｌ３１に接続されたスイッチング用ＴＦＴ２２２ａが静電破壊されることを抑制することが重要になる。
【０１７５】
（保護回路の構成）
図７を参照しながら、有機ＥＬ装置２００が備える保護回路２１１について詳細に説明する。
【０１７６】
図７において、有機ＥＬ装置２００は、単位回路２２０及びダミー単位回路２２８を含む素子形成領域２１４の周辺領域に設けられた保護回路２１１を備える。
【０１７７】
本実施形態に係る保護回路２１１は、素子形成領域２１４の周辺に位置する周辺領域において素子形成領域２１４を挟むように夫々一対ずつ設けられたＸ側保護回路２１１ａ及びＹ側保護回路２１１ｂを含む。なお、保護回路２１１のうち有機ＥＬパネル２１０の四隅の一部について詳細に説明する。
【０１７８】
Ｘ側保護回路２１１ａは、電流供給線Ｌ３２の途中に設けられロジック電源配線２１６及び２１７と電気的に接続された静電保護回路ＥＳＤ３２と、データ線Ｌ３１の途中に設けられロジック電源配線２１６及び２１７と電気的に接続された静電保護回路ＥＳＤ３１ａ及びＥＳＤ３１ｂとを備える。
【０１７９】
電流供給線Ｌ３２は、単位回路２２０に含まれるスイッチング用ＴＦＴ２２３のソースと接続され、単位回路２２０に含まれる有機ＥＬ素子２２９に駆動電流を供給する。データ線Ｌ３１は、単位回路２２０にデータ信号を供給するデータ線であり、単位回路２２０に含まれるスイッチング用ＴＦＴ２２２ａのソースと接続されている。
【０１８０】
電流供給線Ｌ３２の途中に設けられた静電保護回路ＥＳＤ３２は、本発明に係る「電流供給線用保護回路」の一例であり、低電位の電源を供給するロジック電源配線２１７及び高電位の電源を供給するロジック電源配線２１６と電気的に接続されている。静電保護回路ＥＳＤ３２は、直列接続された２個のダイオードを備えており、第１実施形態及び第３実施形態で説明した静電保護回路と同様に、電流供給線Ｌ３２に発生した静電気の電位に応じてこの静電気をロジック電源配線２１６及び２１７の一方に放出する。したがって、静電保護回路ＥＳＤ３２によれば、スイッチング用ＴＦＴ２２３及び駆動ＴＦＴ２３０が静電破壊されることを低減することができる。静電保護回路ＥＳＤ３２は、電流供給線Ｌ３２から有機ＥＬ素子２２９に供給される駆動電流に対して電気抵抗として機能しないことから有機ＥＬ素子２２９の発光を妨げることがなく、有機ＥＬ装置２００の画質を低下させることもない。
【０１８１】
データ線Ｌ３１の途中に設けられた静電保護回路ＥＳＤ３１ａ及びＥＳＤ３１ｂは、本発明に係る「データ線用保護回路」の夫々一例である。静電保護回路ＥＳＤ３１ａ及び３１ｂは、夫々ロジック電源配線２１６及び２１７に接続されている。静電保護回路ＥＳＤ３１ａ及び３１ｂの夫々は、第１実施形態及び第２実施形態と同様に、データ線Ｌ３１で発生した静電気をロジック電源配線２１６及び２１７の一方に放出し、単位回路２２０に含まれるスイッチング用ＴＦＴ２２２ａが静電破壊されることを低減することができる。
【０１８２】
２つの静電保護回路ＥＳＤ３１ａ及び３１ｂは、データ線Ｌ３１の途中であって素子形成領域２１４の周辺領域においてＸ方向に沿って延在する電流供給線Ｌ３２及びＹ方向に延在するデータ線Ｌ３１が交差する領域Ｂを挟み込む位置に設けられている。電流供給線Ｌ３２及びデータ線Ｌ３１が交差する領域Ｂは静電気が蓄積され易い領域であり、２つの静電保護回路ＥＳＤ３１ａ及びＥＳＤ３１ｂによれば、この領域に蓄積された静電気をロジック電源配線２１６或いは２１７に放出することができ、単位回路２２０に含まれるスイッチング用ＴＦＴ２２３及びスイッチング用ＴＦＴ２２２ａが静電破壊されることを抑制することが可能である。尚、本実施形態においても、データ線Ｌ３１の途中に抵抗素子Ｒ３１ａ及びＲ３１ｂが設けられており、単位回路２２０をより確実に静電気から保護することが可能である。
【０１８３】
静電保護回路ＥＳＤ３２、ＥＳＤ３１ａ及びＥＳＤ３１ｂによれば、有機ＥＬ素子２２９を発光させる際に必要な各種電流の流れを阻害することなく、電流供給線Ｌ３２及びデータ線Ｌ３１で発生した静電気から単位回路２２０を保護することが可能であると共に、有機ＥＬ装置２００の画質を低下させることもない。
【０１８４】
Ｙ側保護回路２１１ｂは、書き込み選択信号線Ｌ３６ａ、選択信号線Ｌ３６ｂ及びＬ３６ｃの夫々の途中に設けられロジック電源配線２１６及び２１７に電気的に接続された静電保護回路ＥＳＤ３６ａ１、ＥＳＤ３６ａ２、ＥＳＤ３６ｂ１、ＥＳＤ３６ｂ２、ＥＳＤ３６ｃ１、ＥＳＤ３６ｃ２、電流供給線Ｌ３２と素子形成領域２１４との間に設けられた静電保護回路ＥＳＤ３５、及び低電位側電源線２１７とダミー単位回路２２８との間に設けられた静電保護回路ＥＳＤ３４を備える。
【０１８５】
静電保護回路ＥＳＤ３６ａ１、ＥＳＤ３６ａ２、ＥＳＤ３６ｂ１、ＥＳＤ３６ｂ２、ＥＳＤ３６ｃ１、ＥＳＤ３６ｃ２は、本発明に係る「走査線用保護回路」の夫々一例である。静電保護回路ＥＳＤ３６ａ１及び３６ａ２は、書き込み選択信号線Ｌ３６ａで発生した静電気からスイッチング用ＴＦＴ２２２ａを保護することができる。同様に、静電保護回路ＥＳＤ３６ｂ１、ＥＳＤ３６ｂ２、ＥＳＤ３６ｃ１、ＥＳＤ３６ｂは、選択信号線Ｌ３６ｂ及びＬ３６ｃで発生した静電気をロジック電源配線２１６及び２１７の一方に放出する。したがって、静電保護回路ＥＳＤ３６ａ１、ＥＳＤ３６ａ２、ＥＳＤ３６ｂ１、ＥＳＤ３６ｂ２、ＥＳＤ３６ｃ１、ＥＳＤ３６ｃ２によれば、単位回路２２０に含まれる各素子が静電破壊されることを低減することができる。尚、本実施形態においては、走査線Ｌ３６の途中に抵抗素子Ｒ３６が設けられており、単位回路２２０をより確実に静電気から保護することが可能である。
【０１８６】
静電保護回路ＥＳＤ３６ａ１及びＥＳＤ３６ａ１は、静電保護回路ＥＳＤ３６ａ１及びＥＳＤ３６ａ１の間の書き込み選択信号線Ｌ３６ａと、電流供給線Ｌ３２とが交差する領域Ｃを挟むように配置されている。同様に、静電保護回路ＥＳＤ３６ｂ１、ＥＳＤ３６ｂ２、ＥＳＤ３６ｃ１、及びＥＳＤ３６ｃ２も選択信号線Ｌ３６ｂ及びＬ３６ｃが交差する領域Ｃを挟むように配置されている。静電保護回路ＥＳＤ３６ａ１、ＥＳＤ３６ａ２、ＥＳＤ３６ｂ１、ＥＳＤ３６ｂ２、ＥＳＤ３６ｃ１、ＥＳＤ３６ｃ２は、電流供給線Ｌ３２及び走査線Ｌ３６が交差する領域Ｃには溜まった静電気に起因する不慮の電圧が単位回路２２０、或いはダミー単位回路２２８に印加されないように静電気を逃がすことが可能である。
【０１８７】
低電位のロジック電源配線２１７と接続された静電保護回路ＥＳＤ３４は、ダミー単位回路２２８で発生した静電気をロジック電源配線２１７に放出し、ダミー単位回路２２８が静電破壊されることを抑制する。尚、ダミー単位回路２２８及び配線２１７の間には、図中Ｙ方向に延在する電流供給線Ｌ３２が延在する。電流供給線Ｌ３２は、他の配線と比べて太い配線であるうえ、配線が交差した領域には静電気が蓄積され易い。よって、電流供給線Ｌ３２より素子形成領域２１４側に静電保護回路ＥＳＤ３４を設けることにより、素子形成領域２１４に静電気に起因する不慮の電圧が印加されることを抑制することができると共に、ダミー単位回路２２８で発生した静電気をロジック電源配線２１６又は２１７に放出することが可能である。
【０１８８】
本実施形態においては、電流供給線Ｌ３２は、第２実施形態と同様に素子形成領域２１４の周辺領域において、電流供給線Ｌ３２の本線と、この本線から素子形成領域２１４に延在する支線を含む。したがって、素子形成領域２１４内で発生した静電気を外部に放出するための電流経路を構成し、素子形成領域２１４で発生した静電気によって単位回路２２０が静電破壊されることを抑制することができる。
【０１８９】
本実施形態に係る保護回路２１１によれば、第１実施形態及び第２実施形態に係る保護回路と同様に、設計を大きく変更することなく有機ＥＬパネルの静電気に対する耐性を高めることができ、製造プロセスにおける有機ＥＬパネルの歩留まりを向上させることが可能である。さらに有機ＥＬ装置の画質を低下させることもないため、製造プロセスにおける歩留まりの向上させること及び画質を低下させないことを両立することができる高品質の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【０１９０】
[第４実施形態の変形例]
次に、第４実施形態を変形した態様について説明する。なお、以下に例示する各態様を適宜に組み合わせてもよい。また、以下の各態様のうち第３実施形態の各部と同様の要素については図７及び図８と共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。図１８は、第４実施形態を変形した態様に係る有機ＥＬ装置２００の構成を模式的に示した図である。
【０１９１】
図１８において、有機ＥＬ装置２００は、データ線駆動回路１２ａ、走査線駆動回路１２ｂ、及び保護回路２１１、単位回路２２０が形成された素子形成領域２１４を備える。
【０１９２】
また、ロジック電源用配線２１６及び２１７は、駆動電源回路７３からデータ線駆動回路１２ａ及びに走査線駆動回路１２ｂに電源を供給する。ここで、ロジック電源配線２１６は高電位側の電源Ｖ２を供給し、ロジック電源配線２１７は低電位側の電源Ｖ３を供給する。また、ロジック電源用配線２１６及び２１７は、保護回路２１１に接続されている。
【０１９３】
単位回路２２０は、図８と同様に、第１〜第４のスイッチング素子として機能するＴＦＴ２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、及び２２３、駆動ＴＦＴ２３０、容量素子として機能する蓄積容量２２４、有機ＥＬ素子２２９を備えて構成される。
【０１９４】
ここで、有機ＥＬ素子２２９は、第１電極と、第２電極と、該第１電極と第２電極との間に挟持された発光層とからなり、第１電極は単位回路２２０に対応して設けられており、第２電極はマトリクス状に設けられた複数の単位回路２２０に対して共通に設けられている。単位回路２２０に設けられた各第１電極は、電流供給線Ｌ３２及び第１電源配線２１８を介して、第１電源配線接続端子２００により発光電源回路７４と接続されている。素子形成領域２１４に設けられた第２電極は、第２電源配線２１９を介して、第２電源配線接続端子２０１により発光電源回路７４と接続されている。発光電源回路７４は、第１電源配線接続端子２００と第２電源配線接続端子２０１との間に電源を供給する。また、配線２３７も同様に、第３電源配線接続端子２０３により発光電源回路７４と接続されており、電源ＶＩＮＩＴが供給されている。ここで、図２と同様に、第１電源配線１８は、各色の光を発光する有機ＥＬ素子の第１電極（陽極）に夫々電気的に接続される第１電源配線１８Ｒ、１８Ｇ、及び１８Ｂを備えて構成されているが、説明を簡略化するため、これら各色の有機ＥＬ素子に対応した電流供給線Ｌ３２を１本のみ図示している。
【０１９５】
本発明に係る発光装置は、「データ線用保護回路」の一例である静電保護回路ＥＳＤ１０１を備える。静電保護回路ＥＳＤ１０１は、データ線Ｌ３１に接続されており、電流供給線Ｌ３２とデータ線Ｌ３１との間に設けられたダイオードと配線２３７とデータ線Ｌ２１との間に設けられたダイオードとからなる。
【０１９６】
かかる保護回路２１１によれば、データ線Ｌ３１で発生した静電気から単位回路２２０を保護すること可能であり、単位回路２２０に含まれるスイッチング用トランジスタ２２２ａ及び駆動トランジスタ２３０の如き素子が静電破壊されることを抑制することができる。さらに、保護回路２１１は、電流供給線Ｌ３２と配線２３７と接続されている。電流供給線Ｌ３２と配線２３７に放出されるため、別途新たに静電気を放出するための配線を設けることもない。
【０１９７】
尚、図１乃至図１８を参照して説明した画素回路の構成の他にも、例えば電圧プログラム型の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を有する有機ＥＬパネル等に対して、本実施形態と同様或いは類似の保護回路を適用することが可能となる。
【０１９８】
尚、図１乃至図１８では、有機ＥＬ装置を用いて説明したが、無機ＥＬ素子、フィールド・エミッション（ＦＥ）素子、表面導電型エミッション（ＳＥ）素子、弾道電子放出（ＢＳ）素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子など他の自発光素子を利用した発光装置にも本発明は適用される。また、マトリクス状に単位回路が設けられた発光装置について説明したが、１列に単位回路が設けられた発光装置に適用してもよい。さらに、本発明は表示装置に限定されるものではなく、光書込み型のプリンタや電子複写機の書き込みヘッド（ラインヘッド）などの発光装置にも実施形態と同様に本発明が適用される。
【０１９９】
（電子機器）
次に、上述した有機ＥＬ装置が搭載された各種電子機器について説明する。以下で説明する各種電子機器は、第１実施形態から第３実施形態に係る電気光学パネルの保護回路のうち何れかの保護回路を含む。
【０２００】
＜Ａ：モバイル型コンピュータ＞
モバイル型のパーソナルコンピュータに、上述した有機ＥＬ装置を適用した例について、図９を参照しながら説明する。図９は、コンピュータ１２００の構成を示す斜視図である。
【０２０１】
図９において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、図示しない有機ＥＬ装置を用いて構成された表示部１００５を有する表示ユニット１２０６とを備えている。表示部１００５は、製造プロセスで発生した静電気による各素子の静電破壊が低減されており、装置全体の信頼性も高められている。さらに、高品質の画像を表示することができる。また、表示部１００５が備える複数の有機ＥＬ装置に赤、緑、青の光の三原色の光を発光する有機ＥＬ素子を形成しておくことによって、該表示部１００５はフルカラー表示で画像表示を行うことができる。
【０２０２】
＜Ｂ：携帯型電話機＞
更に、上述した有機ＥＬ装置を携帯型電話機に適用した例について、図１０を参照して説明する。図１０は、携帯型電話機１３００の構成を示す斜視図である。
【０２０３】
図１０において、携帯型電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２と共に、本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置を有する表示部１３０５を備えるものである。
【０２０４】
表示部１３０５は、上述の表示部１００５と同様に高品質の画像を表示することができると共に信頼性が高められている。表示部１３０５が備える有機ＥＬパネルの歩留まりが向上していることから、携帯型電話機１３００全体の価格が抑制できると共に、携帯型電話機１３００の耐久性も高められている。また、表示部１３０５が備える複数の有機ＥＬ素子が夫々赤、緑、青の光の三原色の光を発光することによって、該表示部１３０５はフルカラー表示で画像表示を行うこともできる。
【０２０５】
尚、本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子並びに電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０２０６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を模式的に示した図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の保護回路及び単位回路の構成を説明するための図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ装置が備える単位回路の構成を示す図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の保護回路を説明するための図である。
【図５】本発明に係る発光装置の一例を説明するための図である。
【図６】本発明の第３実施形態のデータ線及び電流供給線間に接続された保護ダイオードの一例を説明するための図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ装置が備える単位回路の構成を示す図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ装置の保護回路を説明するための図である。
【図９】本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の他の例を示す斜視図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の保護回路、駆動回路及び単位回路の構成を説明するための図である。
【図１２】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を模式的に示した図である。
【図１３】第２実施形態の変形例１に係る有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示した図である。
【図１４】第２実施形態の変形例２に係る有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示した図である。
【図１５】第２実施形態の変形例３に係る有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示した図である。
【図１６】第３実施形態を変形した態様に係る有機ＥＬ装置１００の構成を模式的に示した図である。
【図１７】第３実施形態を変形した態様に係る有機ＥＬ装置１００の構成を模式的に示した図である。
【図１８】第４実施形態を変形した態様に係る有機ＥＬ装置２００の構成を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【０２０７】
有機ＥＬパネル  １０，１１０，２１０、保護回路  １１，１１１，２１１、素子形成領域１４，１１４，２１４、単位回路２０，１２０，２２０。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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