(57)【要約】【課題】エッジカールがほとんど発生せず，かつ高解像度の微細パターン化が可能なプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物を提供する。【解決手段】本発明によれば，導電性粉末，無機系バインダー，および有機バインダーと光酸発生剤と，溶媒と，添加剤とからなる感光性ビヒクルを含むプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物が提供される。上記の有機バインダーは，４種類のメタクリレート誘導体モノマーもしくはアクリレート誘導体モノマーを重合して得られる共重合体である。上記のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物を用いることで，アンダーカットがほとんど発生じないプラズマディスプレイパネル用電極を製造することが可能となる。【選択図】図４
2006108072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性粉末と；
無機系バインダーと；
有機系バインダーを含む感光性ビヒクルと；
を含むことを特徴とする，プラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項２】
前記感光性ビヒクルは，光酸発生剤，溶媒，および添加剤を含むことを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項３】
前記有機系バインダーは，下記の化学式１で表される化合物を含むことを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【化１】
2006108072.tif 000012
ここで，前記化学式１中，
Ｒ１はＨまたはＣＨ３であり，
Ｒ２はＣ１〜Ｃ６の飽和アルキル基もしくはＣ２〜Ｃ６の不飽和アルキル基，またはエーテル基，カルボニル基またはエステル基を含むＣ１〜Ｃ６の官能基であり，
Ｒ３は置換基内にヒドロキシル基を有するＣ１〜Ｃ６のヒドロキシアルキル基であり，
Ｒ４は水素，または置換基内にカルボキシル基を有するＣ１〜Ｃ６のカルボキシアルキル基であり，
Ｒ５は保護基であって，ｔ−ブチル基，テトラヒドロフラニル基，１−エトキシ−１−メチルエチル基であり，
前記ａ，ｂ，ｃ，およびｄは，重合体合成時の各単量体のモル比（％）であって，ａは１０〜６０，ｂは０〜３０，ｃは０〜１０，ｄは１０〜６０であり，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である。
【請求項４】
前記化学式１中，Ｒ２はＣ１〜Ｃ６の置換または非置換のアルキル基であり，
Ｒ３はＣ１〜Ｃ６のヒドロキシアルキル基であり，
Ｒ４はＣ１〜Ｃ６のカルボキシアルキル基であり，
Ｒ５はｔ−ブチル基，テトラヒドロフラニル基，または１−エトキシ−１−メチルメチル基であることを特徴とする，請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項５】
前記感光性ビヒクルの含量は，前記導電性粉末１００質量部を基準として２０質量部〜１００質量部であることを特徴とする，請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項６】
前記光酸発生剤は，ジフェニルヨードヘキサフルオロフォスフェート，ジフェニルヨードヘキサフルオロアルセナート，ジフェニルヨードヘキサフルオロアンチモナート，ジフェニルパラメトキシフェニルトリフラート，ジフェニルパラトリエチルトリフラート，ジフェニルパライソブチルフェニルトリフラート，ジフェニルパラｔ−ブチルフェニルトリフラート，トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロフォスフェート，トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセナート，トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナート，トリフェニルスルホニウムトリフラート，およびジブチルナフチルスルホニウムトリフラートからなる群より選択された少なくとも一つであることを特徴とする，請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項７】
前記光酸発生剤は，有機系バインダー１００質量部を基準として０．１〜２０質量部であることを特徴とする，請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項８】
前記溶媒は，エチルカルビトール，ブチルカルビトール，エチルカルビトールアセテート，ブチルカルビトールアセテート，テキサノール，テルピン油，ジプロピレングリコールメチルエーテル，ジプロピレングリコールエチルエーテル，ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，γ−ブチロラクトン，セロソルブアセテート，ブチルセロソルブアセテート，およびトリプロピレングリコールからなる群より選択された少なくとも一つであることを特徴とする，請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項９】
前記感光性ビヒクルは，増減剤，重合禁止剤，酸化防止剤，紫外線吸光剤，消泡剤，分散剤，レベリング剤，および可塑剤からなる群より選択された少なくとも一つの添加剤をさらに含むことを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項１０】
前記導電性粉末は，銀，金，銅，白金，パラジウム，アルミニウム，ニッケル，もしくはこれらの合金，または銅，ニッケル，アルミニウム，タングステン，もしくはモリブデン粉末を銀もしくは金でコートした粉末のうちの少なくとも一つであることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項１１】
前記導電性粉末粒子の平均粒径は，０．１μｍ〜１０．０μｍであることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項１２】
前記組成物は，平均粒径１ｎｍ〜１００ｎｍのナノ粒子をさらに含むことを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項１３】
前記ナノ粒子は，導電性を有する金，銀，銅，白金，パラジウム，アルミニウム，ニッケル，タングステン，モリブデン，もしくはこれら元素の合金，または導電性のないシリカ，アルミナ，もしくは無機系バインダーとして用いられるガラスのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする，請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項１４】
前記無機系バインダーは，鉛，ケイ素，ホウ素，アルミニウム，亜鉛，ナトリウム，カリウム，マグネシウム，バリウム，またはビスマスの複合酸化物であることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項１５】
前記無機系バインダーは，ＰｂＯ−ＳｉＯ２系，ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系，ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系，ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＢａＯ系，ＰｂＯ−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−ＢａＯ系，ＺｎＯ−ＳｉＯ２系，ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系，ＺｎＯ−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＢａＯ系，Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２系，Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系，Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＢａＯ系，およびＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＢａＯ−ＺｎＯ系からなる群より選択された少なくとも一つであることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物。
【請求項１６】
前記無機系バインダーは，軟化温度が４００℃〜６００℃であり，平均粒径が０．１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用感光性ペースト組成物。
【請求項１７】
前記無機系バインダーの含量は，前記導電性粉末１００質量部を基準として０．１０質量部〜１０．０質量部であることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル電極形成用感光性ペースト組成物。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載されているプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物を用いて製造されることを特徴とする，フィルム。
【請求項１９】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載されているプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物を用いて製造されることを特徴とする，プラズマディスプレイパネルの電極。
【請求項２０】
前記電極は，前記電極の基板と接する面の面積が，前記電極の基板と接する面と反対側の面の面積よりさらに広い梯形形状であることを特徴とする，請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネルの電極。
【請求項２１】
請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネルの電極を含むことを特徴とする，プラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ，以下ＰＤＰと略記）の製造における電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物，およびこれを用いて製造されたフィルム，プラズマディスプレイパネル電極，プラズマディスプレイパネルに係り，より詳しくは，エッジカールが殆ど発生せず，かつ高解像度の微細パターン化が可能なポジ型感光性ペースト組成物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に，ＰＤＰの電極は，導電性成分を有する感光性ペーストを用いてフォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）法によって形成されている。図１は感光性ペーストのフォトリソグラフィ法を用いた電極形成工程を示す。上記工程によれば，まず，感光性ペースト２を基板１の一面に塗布およびプリントした後，所定の乾燥工程によって基板の一面に乾燥膜３を形成し，フォトマスク４の付いている紫外線露光装置を用いて露光させた後，フォトマスクで遮光されて硬化していない部分を所定の現像液で現像して除去する。その後，硬化して残っている膜５を所定の温度で焼成することにより，パターン化された電極６を形成する。
【０００３】
図２は従来のネガ型感光性ペーストの現像後のパターン断面を示す。上記工程において，現像後のパターン化された硬化膜の断面は，底部が過現像になった逆梯形（以下，「アンダーカット（ｕｎｄｅｒ−ｃｕｔ）」という）の形状を持つ。図２の（ａ）は，露光した部位を示し，（ｂ）は露光していない部位を示す。このようなアンダーカットの原因は，乾燥したペースト膜の殆どが，光を反射および散乱させる導電性物質で構成されているため，露光の際に（ａ）部分を介して乾燥膜の上部に到達する光の量と，乾燥膜の底部に到達する光の量とが異なることにある。このような原因から，ペーストによってアンダーカットの大きさ（ｃ）は異なるものの，アンダーカットは全ての場合に発生する。このように形成したアンダーカットは，焼成工程後のエッジカール（ｅｄｇｅ−ｃｕｒｌ，電極のエッジ部分が巻き上がる現象）の発生，残渣（ｒｅｓｉｄｕｅ，周縁部が綺麗でなく汚い状態）の発生，パターン直進性の損傷，耐サンディング性の減少といった問題点を発生させる主要原因として働く。このような問題点は，電極の重要な特性が耐電圧特性，抵抗，耐サンディング性などに悪影響を及ぼすので，アンダーカットを最小化するために様々な方法が模索されていたが，根本的にアンダーカットを無くすことはできなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで，本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので，その目的は，アンダーカットが発生しない，新規かつ改良されたＰＤＰ電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物，およびこれを用いて製造されたフィルム，ＰＤＰ電極，ＰＤＰを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，導電性粉末，無機系バインダー，および有機系バインダーを含む感光性ビヒクルを含む，ＰＤＰ電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物が提供される。
【０００６】
上記の感光性ビヒクルは，光酸発生剤，溶媒，および添加剤を含むことができる。
【０００７】
上記の有機バインダーは，下記の化学式１で表される化合物を含むことが可能である。
【化１】
2006108072.tif 000003
ここで，上記の化学式１中，Ｒ１はＨまたはＣＨ３であり，Ｒ２はＣ１〜Ｃ６の飽和アルキル基またはＣ２〜Ｃ６の不飽和アルキル基，あるいはエーテル基，カルボニル基またはエステル基を含むＣ１〜Ｃ６の官能基であり，好ましくはＣ１〜Ｃ６の飽和アルキル基であり，Ｒ３は置換基内にヒドロキシル基を有し，好ましくはＣ１〜Ｃ６のヒドロキシアルキル基であり，Ｒ４は水素，または置換基内にカルボキシル基を有し，好ましくはＣ１〜Ｃ６のカルボキシルアルキル基であり，Ｒ５は保護基であって，ｔ−ブチル基，テトラヒドロフラニル基，１−エトキシ−１−メチルエチル基であり，上記ａ，ｂ，ｃ，およびｄは，重合体合成時の各単量体のモル比（％）であって，ａは１０〜６０，ｂは０〜３０，ｃは０〜１０，ｄは１０〜６０であり，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である。
【０００８】
また，上記の化学式１において，Ｒ２はＣ１〜Ｃ６の置換または非置換のアルキル基であり，Ｒ３はＣ１〜Ｃ６のヒドロキシアルキル基であり，Ｒ４はＣ１〜Ｃ６のカルボキシアルキル基であり，Ｒ５はｔ−ブチル基，テトラヒドロフラニル基，または１−エトキシ−１−メチルメチル基であることも可能である。
【０００９】
ここで，上記感光性ビヒクルの含量は，導電性粉末１００質量部を基準として２０質量部〜１００質量部とすることができる。
【００１０】
また，上記の光酸発生剤は，ジフェニルヨードヘキサフルオロフォスフェート，ジフェニルヨードヘキサフルオロアルセナート，ジフェニルヨードヘキサフルオロアンチモナート，ジフェニルパラメトキシフェニルトリフラート，ジフェニルパラトリエチルトリフラート，ジフェニルパライソブチルフェニルトリフラート，ジフェニルパラｔ−ブチルフェニルトリフラート，トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロフォスフェート，トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセナート，トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナート，トリフェニルスルホニウムトリフラート，およびジブチルナフチルスルホニウムトリフラートからなる群より選択された少なくとも一つとすることが可能である。
【００１１】
また，光酸発生剤は，有機系バインダー１００質量部を基準として０．１質量部〜２０質量部とすることができる。
【００１２】
また，上記の溶媒は，エチルカルビトール，ブチルカルビトール，エチルカルビトールアセテート，ブチルカルビトールアセテート，テキサノール，テルピン油，ジプロピレングリコールメチルエーテル，ジプロピレングリコールエチルエーテル，ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，γ−ブチロラクトン，セロソルブアセテート，ブチルセロソルブアセテート，およびトリプロピレングリコールからなる群より選択された少なくとも一つを用いることが可能である。
【００１３】
なお，上記感光性ビヒクルは，増減剤，重合禁止剤，酸化防止剤，紫外線吸光剤，消泡剤，分散剤，レベリング剤，および可塑剤からなる群より選択された少なくとも一つの添加剤をさらに含むことができる。
【００１４】
導電性粉末は，銀（Ａｇ），金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），アルミニウム（Ａｌ），ニッケル（Ｎｉ），あるいはこれらの合金，または銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ），アルミニウム（Ａｌ），タングステン（Ｗ），あるいはモリブデン（Ｍｏ）粉末を銀（Ａｇ）あるいは金（Ａｕ）でコートした粉末のうちの少なくとも一つを使用することが可能である。
【００１５】
さらに，この導電性粉末粒子の平均粒径は，０．１μｍ〜１０．０μｍとすることができる。
【００１６】
また，上記の組成物は，平均粒径１ｎｍ〜１００ｎｍのナノ粒子をさらに含むことが可能である。
【００１７】
ここで，ナノ粒子は，導電性を有する銀（Ａｇ），金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），アルミニウム（Ａｌ），ニッケル（Ｎｉ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）もしくはこれら元素の合金，または導電性のないシリカ，アルミナ，あるいは無機系バインダーとして用いられるガラスのうちの少なくとも一つを含むことができる。
【００１８】
また，上記の無機系バインダーは，鉛（Ｐｂ），ケイ素（Ｓｉ），ホウ素（Ｂ），アルミニウム（Ａｌ），亜鉛（Ｚｎ），ナトリウム（Ｎａ），カリウム（Ｋ），マグネシウム（Ｍｇ），バリウム（Ｂａ），またはビスマス（Ｂｉ）の複合酸化物とすることが可能である。
【００１９】
加えて，無機系バインダーは，ＰｂＯ−ＳｉＯ２系，ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系，ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系，ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＢａＯ系，ＰｂＯ−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−ＢａＯ系，ＺｎＯ−ＳｉＯ２系，ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系，ＺｎＯ−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＢａＯ系，Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２系，Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系，Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＢａＯ系，およびＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＢａＯ−ＺｎＯ系からなる群より選択された少なくとも一つとすることも可能である。
【００２０】
また，上記の無機系バインダーとして，軟化温度（ｓｏｆｔｅｎｉｎｇ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）が４００℃〜６００℃であり，平均粒径が０．１μｍ〜１０μｍであるものを用いることが可能である。
【００２１】
ここで，無機系バインダーの含量は，導電性粉末１００質量部を基準として０．１０質量部〜１０．０質量部とすることができる。
【００２２】
上記課題を解決するために，本発明の第２の観点によれば，上記のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物を用いて製造されるフィルムが提供される。
【００２３】
上記課題を解決するために，本発明の第３の観点によれば，上記のプラズマディスプレイパネル電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物を用いて製造されるプラズマディスプレイパネルの電極が提供される。
【００２４】
ここで，上記の電極は，上記電極の基板と接する面の面積が，基板と接する面と反対側の面の面積よりさらに広い，梯形形状とすることが可能である。
【００２５】
上記課題を解決するために，本発明の第４の観点によれば，上記のプラズマディスプレイパネルの電極を用いて製造されるプラズマディスプレイパネルが提供される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば，現像の後にアンダーカットが発生しない，ＰＤＰ電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物，およびこれを用いて製造されたフィルム，ＰＤＰ電極，ＰＤＰを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２８】
図３は本発明の一実施形態に係るポジ型感光性ペースト組成物の，フォトリソグラフィ法を用いた電極形成工程を示す図である。図３に示すように，ポジ型感光性ペースト組成物のフォトリソグラフィ法を用いた電極形成用工程と，従来の方式との差異点は，熱処理工程がさらに必要であることにある。感光性ペースト１２を基板１１の一面に塗布およびプリントした後，所定の乾燥工程によって基板の一面に乾燥膜１３を形成し，フォトマスク１４の付いている紫外線露光装置を用いて露光させた後，熱処理工程を行う。熱処理工程は，露光した部位から発生した強酸成分が脱保護反応を起こして露光部位がアルカリ水溶液により現像されるようにする。現像後，硬化して残っている膜１５を所定の温度で焼成することにより，パターン化された電極１６を形成する。
【００２９】
本発明の一実施形態に係るＰＤＰの電極形成に用いられるポジ型感光性ペースト組成物は，現像工程で紫外線などの光を受けた部分が現像されて除去される。したがって，図４のように形成されたパターン形状は，逆梯形ではなく梯形の形状になる。すなわち，電極は，この電極の基板と接する面である下部の面積が，基板と接しない面である上部の面積よりさらに広い，梯形の形状を持つ。
【００３０】
本発明の一実施形態により，導電性粉末，無機系バインダーおよび感光性ビヒクルを含むＰＤＰ電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物が提供される。
【００３１】
上記の感光性ビヒクルは，有機系バインダー，光酸発生剤（ｐｈｏｔｏａｃｉｄ  ｇｅｎｅｒａｔｏｒ），溶媒およびその他の添加剤を含むことができる。感光性ビヒクルの含量は，導電性粉末１００質量部に対し２０〜１００質量部であることが好ましい。感光性ビヒクルの含量が２０質量部未満の場合には，ペーストの印刷性が不良であり且つ露光感度が低下するので好ましくなく，感光性ビヒクルの含量が１００質量部超過の場合には，相対的に導電性粉末の含量比が低くなり，焼成の際に導電膜の線幅収縮が激しく，かつ断線が発生することとなるので好ましくない。
【００３２】
上記の有機系バインダーは，下記化学式１で表わされる化合物である。
【化２】
2006108072.tif 000004
【００３３】
【化３】
2006108072.tif 000005
【００３４】
ここで，上記の化学式１および化学式２において，Ｒ１はＨまたはＣＨ３である。Ｒ２はＣ１〜Ｃ６の飽和アルキル基またはＣ２〜Ｃ６の不飽和アルキル基，あるいはエーテル基，カルボニル基またはエステル基を含むＣ１〜Ｃ６の官能基であり，好ましくはＣ１〜Ｃ６の飽和アルキル基である。Ｒ３は置換基内にヒドロキシル基を有し，好ましくはＣ１〜Ｃ６のヒドロキシアルキル基である。Ｒ４は水素，または置換基内にカルボキシル基を有し，好ましくはＣ１〜Ｃ６のカルボキシアルキル基である。Ｒ５は保護基（ｐｒｏｔｅｃｔｉｎｇ  ｇｒｏｕｐ）であって，ｔ−ブチル基，テトラヒドロフラニル基，１−エトキシ−１−メチルエチル基である。また，上記の化学式１において，ａ，ｂ，ｃ，およびｄは，重合体合成の際の，上記化学式２で表わされたＡ，Ｂ，ＣおよびＤ各単量体のモル比（％）であって，ａは１０〜６０，ｂは０〜３０，ｃは０〜１０，ｄは１０〜６０であり，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である。
【００３５】
上記の化学式１は，化学式２の単量体（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）および（Ｄ）を重合して形成できる。化学式１の共重合体は，反応容器に化学式２の単量体と２，２−アゾビスイソブチロニトリル，ベンゾイルペルオキシド，ｔ−ブチルペルオキシドなどのラジカル重合開始剤を仕込み，溶媒に溶解した後，所定の温度で加熱してラジカル重合反応を起こすことにより製造できる。
【００３６】
上記の共重合体の質量平均分子量は，５０００ｇ／ｍｏｌ〜５００００ｇ／ｍｏｌであることが好ましい。共重合体の質量平均分子量が５０００ｇ／ｍｏｌ未満の場合にはペーストの印刷性が低下し，共重合体の質量平均分子量が５００００ｇ／ｍｏｌ超過の場合には現像の際に非露光部が綺麗に除去されないため，焼成の後に直線性が低下し，かつ残渣が発生するという問題点があって，好ましくない。
【００３７】
また，有機系バインダーとしては，上記の化学式１の共重合体を単独で使用することもできるが，膜レベリングの向上または揺変性の向上などの目的でメチルセルロース，エチルセルロース，ニトロセルロース，ヒドロキシメチルセルロース，ヒドロキシエチルセルロース，ヒドロキシプロピルセルロース，カルボキシメチルセルロース，カルボキシエチルセルロース，およびカルボキシエチルメチルセルロースからなる群より選択された少なくとも一つの物質を混合して使用することもできる。
【００３８】
また，感光性ビヒクルは，光酸発生剤，溶媒およびその他の添加剤を含むことができる。
【００３９】
上記の光酸発生剤とは，紫外線，Ｘ線および電子線の照射を含む照射方法に応じて強酸を発生させうる化合物であって，例えば，ジフェニルヨードヘキサフルオロフォスフェート，ジフェニルヨードヘキサフルオロアルセナート，ジフェニルヨードヘキサフルオロアンチモナート，ジフェニルパラメトキシフェニルトリフラート，ジフェニルパラトリエチルトリフラート，ジフェニルパライソブチルフェニルトリフラート，ジフェニルパラｔ−ブチルフェニルトリフラート，トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロフォスフェート，トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセナート，トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナート，トリフェニルスルホニウムトリフラート，およびジブチルナフチルスルホニウムトリフラートからなる群より選択された少なくとも一つである。
【００４０】
上記の光酸発生剤の含量は，有機系バインダー１００質量部を基準として０．１〜２０質量部であることが好ましい。光酸発生剤の含量が０．１質量部未満の場合には，露光部の現像が正しく実現されず，光酸発生剤の含量が２０質量部超過の場合には，光酸発生剤の照射光線の吸収によって露光感度が減少するので好ましくない。
【００４１】
上記の溶媒は，特に制限されるわけではないが，有機系バインダーおよび開始剤を溶解させることができ，架橋剤およびその他の添加剤とよく混合され，かつ沸点が１５０℃以上であるものを使用することが好ましい。沸点が１５０℃未満の場合には，組成物の製造過程，特に３−ロールミル工程で，溶媒が揮発する傾向が大きくなるため，問題である。また，プリントの際に溶媒があまり速く揮発しすぎてプリント状態が悪くなるので好ましくない。
【００４２】
好ましい溶媒としては，エチルカルビトール，ブチルカルビトール，エチルカルビトールアセテート，ブチルカルビトールアセテート，テキサノール，テルピン油，ジプロピレングリコールメチルエーテル，ジプロピレングリコールエチルエーテル，ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，γ−ブチロラクトン，セロソルブアセテート，ブチルセロソルブアセテート，およびトリプロピレングリコールからなる群より選択された少なくとも一つが使用できるが，上記のものに制限されるわけではない。
【００４３】
上記溶媒の含量は，有機バインダー１００質量部を基準として１００〜５００質量部であることが好ましいが，溶媒の含量が１００質量部未満の場合には，ペーストの粘度があまりに高くなり，プリントが碌にされないため好ましくなく，溶媒の含量が５００質量部超過の場合には，粘度があまり低くなりすぎ，プリントできないため好ましくない。
【００４４】
また，感光性ビヒクルは，感度を向上させる増減剤，組成物の保存性を向上させる重合禁止剤および酸化防止剤，解像度を向上させる紫外線吸光剤，組成物内の気泡を減らす消泡剤，分散性を向上させる分散剤，プリントの際に膜の平坦性を向上させるレベリング剤，および揺変特性を与える可塑剤などの添加剤をさらに含むこともできる。
【００４５】
本発明の一実施形態に係るＰＤＰ電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物は，導電性粉末および無機系バインダーを含むことができる。
【００４６】
導電性粉末は，焼成の際に焼結が起こることにより焼成膜に導電性を与えるためのもので，好ましい導電性粉末としては，銀（Ａｇ），金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），アルミニウム（Ａｌ），ニッケル（Ｎｉ），もしくはこれらの合金，または銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ），アルミニウム（Ａｌ），タングステン（Ｗ），もしくはモリブデン（Ｍｏ）粉末を銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）でコートした粉末のうちの少なくとも一つを使用することができる。
【００４７】
また，導電性粉末は粒子形状が球形であることが好ましい。これは，球形の粒子が板状または無定形の粒子より優れた充填率および紫外線透過度の特性を持つためである。平均粒径は０．１〜１０．０μｍであることが好ましい。平均粒径が１０．０μｍ超過の場合には，焼成膜パターンの直進性が不良であり且つ焼成膜の抵抗が高くなるという欠点が発生し，平均粒径が０．１μｍ未満の場合には，ペーストの分散性および露光感度が不良になるので好ましくない。
【００４８】
導電性粉末の含量は，ペースト１００質量部に対し５０質量部〜８０質量部であることが好ましく，無機系バインダーは，導電性粉末１００質量部に対し０．１質量部〜１０．０質量部，感光性ビヒクルは，導電性粉末１００質量部に対し２０質量部〜１００質量部であることが好ましい。
【００４９】
導電性粉末の含量が上記の範囲を超過する場合には，プリント性の不良および感度の低下による所望の線幅のパターンを得ることができず，好ましくない。また，導電性粉末の含量が上記の範囲未満の場合には，焼成の際に導電膜の線幅の収縮が激しく且つ断線が起こる恐れがあり，好ましくない。
【００５０】
本発明の一実施形態に係るＰＤＰ電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物は，導電性粒子の平均粒径が非常に小さいナノ粒子をさらに含むことができる。ナノ粒子を少量添加して有機固形分の含量を減らすことができて乾燥膜の厚さが薄くなることにより，露光感度が向上し，焼成時の収縮率が小さいため，形成される電極の線幅および厚さが均一になるうえ，エッジカール現象が最小化されることにより耐電圧特性が向上する。
【００５１】
ナノ粒子の成分としては，導電性を有する銀（Ａｇ），金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），アルミニウム（Ａｌ），ニッケル（Ｎｉ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），もしくはこれらの合金，または導電性のないシリカ，アルミナ，あるいは無機系バインダーとして用いられるガラスなどを使用することができる。
【００５２】
本発明の一実施形態に係るナノ粒子は，上記の導電性粉末と同一もしくは異なるものであってもよい。粒子の形状は，比表面積や紫外線透過などを考慮して球形が好ましい。また，ナノ粒子の平均粒径は１ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましい。平均粒径が１００ｎｍ超過の場合には，ペーストの粘度上昇効果がわずかであり，平均粒径が１ｎｍ未満の場合には，ペーストの分散性および粘度の上昇が急激であって粘度の調節が難しいので，好ましくない。ペースト内のナノ粒子の含量は，導電性粉末１００質量部を基準として０．１質量部〜１０．０質量部であることが好ましい。ペースト内のナノ粒子の含量が０．１質量部未満であれば，ペーストの粘度上昇効果が微弱であり，ペースト内のナノ粒子の含量が１０．０質量部超過であれば，粘度が高くてプリント性が不良になり且つ露光感度が低下するので好ましくない。
【００５３】
本発明の一実施形態に係るペースト組成物は，無機系バインダーを含み，この無機系バインダーは，焼成の工程で導電性粉末の焼結特性を向上させ，かつ導電性粉末とガラス基板との間に接着力を与える役割をする。無機系バインダーとしては，Ｐｂ，Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｎａ，Ｋ，Ｍｇ，ＢａおよびＢｉの複合酸化物が使用できる。好ましくは，これに制限されるものではないが，ＰｂＯ−ＳｉＯ２系，ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系，ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系，ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＢａＯ系，ＰｂＯ−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−ＢａＯ系，ＺｎＯ−ＳｉＯ２系，ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系，ＺｎＯ−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＢａＯ系，Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２系，Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系，Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＢａＯ系，およびＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＢａＯ−ＺｎＯ系からなる群より選択された少なくとも一つが使用できる。
【００５４】
無機系バインダーの粒子形状は，特に限定されないが，球形が好ましく，無機系バインダーの粒子の平均粒径は，０．１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。平均粒径が０．１μｍ未満の場合には，露光感度が低下して好ましくなく，平均粒径が１０μｍ超過の場合には，焼成膜が不均一で電極の直進性が悪くなるので好ましくない。
【００５５】
また，無機系バインダーの軟化温度（ｓｏｆｔｅｎｉｎｇ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）は４００℃〜６００℃であることが好ましい。軟化温度が４００℃未満であれば，電極の周辺に流下して広がってしまうか，有機物の分解を妨害し，軟化温度が６００℃超過であれば，焼成温度が６００℃を超過する温度ではガラス基板が撓むため，焼成温度を６００℃以上にすることができないため，無機系バインダーの軟化が起こることができなくて好ましくない。
【００５６】
上記の無機系バインダーの含量は，導電性粉末１００質量部を基準として０．１０質量部〜１０．０質量部が好ましい。無機系バインダーの含量が０．１０質量部未満の場合は，導電性粉末の焼結が碌に起こらず，導電膜とガラス基板間の接着力が低下して好ましくなく，無機系バインダーの含量が１０．０質量部を超過する場合には，電極の抵抗が増加して好ましくない。
【００５７】
本発明の一実施形態は，上記感光性ペースト組成物を用いて電極を製造することにより，基板と接する下部の面積が基板と接しない上部の面積よりさらに広い梯形形状のプラズマディスプレイパネルの電極を提供する。
【００５８】
図４は本発明の一実施形態に係るポジ型感光性ペーストの現像後のパターン断面を示す。（ｄ）は露光していない部位，（ｅ）露光した部位，（ｆ）はオーバーカットの大きさをそれぞれ示す。本発明に係るＰＤＰ電極形成用ポジ型感光性ペーストは，アンダーカットと同様にオーバーカットを発生する。梯形形状の両端の傾斜角は反応によって変更できる。オーバーカットは，根本的に発生するものであるが，オーバーカットの大きさ（ｆ）は，電極の形状と関係するものに過ぎず，電極特性とは関係ないため，このオーバーカットを減らそうと努力する必要はない。
【００５９】
図５は本発明の一実施形態に係るＰＤＰ電極を含むＰＤＰの具体的な構造を示す。本発明に係るペースト組成物は，直接電極を形成するのに利用することもでき，フィルムを製造して利用することもできる。製造されたＰＤＰ電極は，下記ＰＤＰ構造のうちバス電極の白色（ｗｈｉｔｅ）電極およびアドレス電極などの製造に使用できる。
【００６０】
本発明の一実施形態によって製造されたＰＤＰは，前方パネル２１０および後方パネル２２０を含む構造となっている。前方パネル２１０は，前面基板２１１，前面基板の背面２１１ａに形成されたＹ電極２１２とＸ電極２１３を備えた維持電極対２１４，維持電極対を覆う前方誘電体層２１５，および前方誘電体層を覆う保護膜２１６を備える。Ｙ電極２１２とＸ電極２１３は，それぞれ，ＩＴＯなどで形成された透明電極２１２ｂ，２１３ｂ，および明暗向上のための黒色電極（図示せず）および導電性を与える白色電極（図示せず）からなるバス電極２１２ａ，２１３ａを備える。バス電極２１２ａ，２１３ａは，ＰＤＰの左右側に配置された連結ケーブルと接続される。
【００６１】
後方パネル２２０は，背面基板２２１，背面基板の前面２２１ａに維持電極対と交差するように形成されたアドレス電極２２２，アドレス電極を覆う後方誘電体層２２３，後方誘電体層上に形成されて発光セル２２６を区画する隔壁２２４，および発光セル内に配置された蛍光体層２２５を備える。アドレス電極２２２は，ＰＤＰの上下側に配置された連結ケーブルと接続される。
【００６２】
以下，本発明の好適な実施例および比較例を説明する。これらの実施例は，本発明をより明確に示す目的で記載されたものに過ぎず，本発明を限定するものではない。
【実施例】
【００６３】
（実施例１）重合体の合成
前記化学式２の単量体を用いてラジカル重合法によって重合体を合成した。重合反応において，開始剤としては２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）を使用し，溶媒としてはエチルカルビトールアセテート（ＥＣＡ）またはテキサノール（Ｔｅｘａｎｏｌ）を使用した。合成の際，単量体と溶媒との割合は４０：６０（質量％）とした。
【００６４】
（重合体＃１〜＃６の合成）
反応容器に溶媒としてエチルカルビトールアセテートを，単量体としてメチルメタクリレート，ヒドロキシエチルメタクリレート，メタクリル酸，ｔ−ブチルメタクリレートを，開始剤としてＡＩＢＮを投入した後，攪拌して混合した。攪拌状態の反応容器に窒素ガスを注入して窒素雰囲気に作った後，反応容器の温度を６０℃まで上昇させて重合反応を行った。重合過程中に重合体の粘度を随時点検して粘度が２００００ｃｐｓ（６０℃基準）を超えると，反応容器に窒素の代わりに酸素ガスを注入して重合反応を中断させた後，反応容器を冷却させて常温に維持することにより，重合反応を完了した。合成された重合体は，粘度計を用いて粘度を測定した。
【００６５】
その後，単量体別の重合体の合成は，溶媒および単量体成分以外は，上記重合体＃１の合成と同様の方法で行った。その結果を表１に示した。
【００６６】
【表１】
2006108072.tif 000006
【００６７】
上記の表１において，ａ〜ｇはそれぞれ各単量体の成分を表しており，ａはメチルメタクリレート，ｂは２−ヒドロキシエチルメタクリレート，ｃはメタクリル酸，ｄはｔ−ブチルメタクリレート，ｅはｎ−ブチルメタクリレート，ｆはアクリル酸，ｇは２−ヒドロキシエチルアクリレートである。
【００６８】
（実施例２）ペーストの製造
下記表２の組成を用いて次のようにペーストを製造した。
【００６９】
ａ）重合体，光酸発生剤，溶媒および添加剤よりなる有機化合物を混合器に共に仕込んだ後，攪拌によってよく溶解させてビヒクルを製造する。
ｂ）無機系バインダーおよび導電性粒子をＰＬＭ（ＰLａｎｅｔａｒｙ  Ｍｉｘｅｒ）に仕込んだ後，攪拌しながらビヒクルを徐々に加える。
ｃ）上記のペーストを，３−ｒｏｌｌ  ｍｉｌｌを用いて機械的に混合する。
ｄ）フィルタリングによって大きい粒子および塵などの不純物を除去する。
ｅ）脱泡装置を用いてペースト内の気泡を除去する。
【００７０】
【表２】
2006108072.tif 000007
【００７１】
上記の表２において，各数字は質量％を表している。
【００７２】
上記の表２において，重合体は，実施例１で合成した重合体であり（溶媒が含まれた合成物自体），ペースト＃２は，導電性粉末にナノ粒子を含ませたものであり，ペースト＃３と＃４は，バインダーとして重合体とヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）を混合して使用したものであり，ペースト＃５は，導電性粉末に金属コーティング銅粉末が含まれたものである。表２の成分に対する説明を表３に示した。
【００７３】
【表３】
2006108072.tif 000008
【００７４】
（実施例３）フィルムの製造
上記の実施例２で製造されたペーストを用いて直接電極を形成するのに利用することもでき，下記の方法でフィルムを作った後利用することもできる。
【００７５】
ａ）支持体フィルムにスクリーンプリント法によってペーストをプリントする。
ｂ）乾燥装置を用いて乾燥させて感光層を形成する。
ｃ）乾燥したペースト上に保護フィルムをラミネーションさせる。
【００７６】
＜フィルム＃１＞
ペースト＃１を厚さ４０μｍのＰＥＴフィルムにＳＵＳ＃３２５スクリーンを用いてスクリーンプリント法によってプリントした後，ＩＲ乾燥装置を用いて８５℃で１５分間乾燥させて感光層を形成した。乾燥した感光層上に膜厚３０μｍのＰＥフィルムをラミネータを用いて保護フィルムとして形成してドライフィルムを製造した。
【００７７】
＜フィルム＃２〜＃６＞
それぞれのペースト（ペースト＃２〜＃６）を上記のフィルム＃１の製造と同様の方法で行って，それぞれのフィルム（フィルム＃２〜＃６）を製造した。
【００７８】
（実施例４）ペーストの評価（１）
上記の実施例２で製造されたポジ型感光性ペーストは，下記方法のような工程を経て評価した。また，従来のペーストとの特性比較のために，現在生産工程で使用されているペーストもあわせて評価した。
【００７９】
（１）ガラス基板上にスクリーンプリント法でペーストをプリントした。
（２）ＩＲ（赤外線）乾燥装置を用いて１００℃で１５分間乾燥させた。
（３）高圧水銀ランプ付き紫外線露光装置を用いて５００ｍＪ／ｃｍ２で照射した。
（４）ＩＲ乾燥装置を用いて１２０℃で５分間熱処理した。（比較ペーストの場合，この過程は省略する。）
（５）３０℃の０．４質量％の炭酸ナトリウム水溶液を１．５ｋｇｆ／ｃｍ２（約１４．７１Ｎ／ｃｍ２）のノズル圧力で噴射して現像させた。
（６）電気焼成炉を用いて５８０℃で１５分間焼成した。
（７）膜厚測定装置を用いて焼成後の膜厚を測定した。
（８）走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）を用いて焼成膜の断面を観察してエッジカールを測定した。
（９）焼成膜上に誘電体をプリント，乾燥，焼成して誘電体膜を形成した。
（１０）耐電圧評価装置を用いて耐電圧値を測定した。
（１１）サンディング装置を用いて耐サンディング性を評価した。
【００８０】
上記の評価過程で得た電極特性評価結果を表４に示した。
【００８１】
【表４】
2006108072.tif 000009
耐サンディング性の評価：サンディング回数によって電極端子部が損傷する程度を評価することで，３回以上とは，３回サンディング後にも電極端子部が損傷していないことを示す。
【００８２】
上記表４の評価結果より，比較ペーストは，エッジカールが激しく発生して抵抗や耐電圧特性が悪い一方，ポジ型感光性ペーストを用いたペースト＃１〜＃６の場合は，エッジカールがわずかに発生しているのみで，比較ペーストに比べ，抵抗および耐電圧特性が優れることが分かる。
【００８３】
（実施例５）ペーストの評価（２）
上記の実施例４のポジ型感光性ペースト＃３と比較ペーストを用いて，下記方法のように解像度特性を比較評価した。
【００８４】
（１）ガラス基板上にスクリーンプリント法でペーストをプリントした。
（２）ＩＲ（赤外線）乾燥装置を用いて１００℃で１５分間乾燥させた。
（３）Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ（Ｌ／Ｓ）がそれぞれ１０，３０，５０，１００μｍであるフォトマスクを高圧水銀ランプに装着した後，５００ｍＪ／ｃｍ２で露光させた。
（４）ＩＲ乾燥装置を用いて１２０℃で５分間熱処理した。（比較ペーストの場合，この過程は省略する。）
（５）３０℃の０．４質量％の炭酸ナトリウム水溶液を１．５ｋｇｆ／ｃｍ２（約１４．７１Ｎ／ｃｍ２）のノズル圧力で噴射して現像させた。
（６）光学顕微鏡を用いて，パターン化された膜を評価した。
【００８５】
上記の評価過程で得られた結果を表５に示した。
【００８６】
【表５】
2006108072.tif 000010
【００８７】
上記の表５のペースト解像度評価結果より，ポジ型感光性ペーストである＃３の解像度が優れていることが分かる。これは，半導体ＤＲＡＭの生産の際に，フォトレジストの解像度を良くするためにポジ型フォトレジストが使用されるのと同一の理由からである。
【００８８】
（実施例６）フィルムの評価
上記の実施例３で製造されたフィルムは，下記の方法のような工程を経て評価した。
【００８９】
（１）ラミネータを用いてフィルムの保護フィルムを剥がしながら，ラミネータの速度を１．０ｍ／ｍｉｎとし，温度を１００℃とし，加熱ローラの圧力を５０ｐｓｉ（約０．３４５ＭＰａ）として感光層を基板にラミネーションさせた。
（２）ラミネーション工程を済ませた基板は，１５分程度放置して温度が常温に下がるようにした。
（３）回路パターンの形成されたフォトマスクおよび紫外線露光装置を用いて５００ｍＪ／ｃｍ２で露光させた。
（４）ＩＲ乾燥装置を用いて１２０℃で５分間熱処理した。
（５）熱処理の後，４０℃の０．４質量％炭酸ナトリウム水溶液をノズルを介して１．２ｋｇｆ／ｃｍ２（約１１．７７Ｎ／ｃｍ２）の噴射圧力で２０秒間現像して非露光部位を除去した。
（６）現像の後，パターン化された感光層を５８０℃で１５分間焼成させた。
（７）膜厚測定装置を用いて焼成後の膜厚を測定した。
（８）走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）を用いて焼成膜の断面を観察してエッジカールを測定した。
（９）焼成膜上に誘電体をプリント，乾燥，焼成して誘電体膜を形成した。
（１０）耐電圧評価装置を用いて耐電圧値を測定した。
（１１）サンディング装置を用いて耐サンディング性を評価した。
【００９０】
上記の評価過程で得た結果を表６に示した。
【００９１】
【表６】
2006108072.tif 000011
【００９２】
上記の表６の評価結果を表４の結果と比較すると，ポジ型感光性ペーストをフィルムに製作して電極の形成に利用しても，電極の特性に問題がないことが分かる。
【００９３】
上記のように，本実施形態に係るポジ型感光性ペーストは，従来のネガ型感光性ペースト使用の際に発生するエッジカール，残渣，パターン直進性の損傷といった問題点が解消され，結果として電極の耐サンディング性，耐電圧，抵抗などの特性を改善することができる。
【００９４】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明は，プラズマディスプレイパネルの製造における電極形成用ポジ型感光性ペースト組成物に適用可能であり，より詳しくは，エッジカールが殆ど発生せず，かつ高解像度の微細パターンが可能なポジ型感光性ペースト組成物に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】従来の感光性ペーストのフォトリソグラフィ法を用いた電極形成工程を説明するための説明図である。
【図２】従来のネガ型感光性ペーストの現像後のパターン断面を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るポジ型感光性ペーストのフォトリソグラフィ法を用いた電極形成工程を説明するための説明図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るポジ型感光性ペーストの現像後のパターン断面を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態によって製造されたＰＤＰ電極を含むプラズマディスプレイパネルを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９７】
１１      基板
１２      感光性ペースト
１３      乾燥膜
１４      フォトマスク
１５      現像後の硬化残留膜
１６      パターン化された電極
２１０      前方パネル
２１１      前面基板
２１１ａ      前面基板の背面
２１２      Ｙ電極
２１２ａ      バス電極
２１２ｂ      透明電極
２１３      Ｘ電極
２１３ａ      バス電極
２１３ｂ      透明電極
２１４      維持電極対
２１５      前方誘電体層
２１６      保護膜
２２０      後方パネル
２２１      背面基板
２２１ａ      背面基板の前面
２２２      アドレス電極
２２３      後方誘電体層
２２４      隔壁
２２５      蛍光体層
２２６      発光セル
【図１】
2006108072.tif 000013
【図２】
2006108072.tif 000014
【図３】
2006108072.tif 000015
【図４】
2006108072.tif 000016
【図５】
2006108072.tif 000017