(57)【要約】【課題】単結晶シリコンにより構成された基板を用いても透過性を有し、かつ基板上にキャリアの移動度が高い半導体素子を形成することができ、信頼性を高めた電気光学装置を提供する。【解決手段】単結晶シリコンにより形成され、該単結晶シリコンのバンドギャップエネルギに相当する光の波長より長い波長の赤外光を透過し、半導体素子が形成されたＴＦＴ基板１０と、前記ＴＦＴ基板１０の前記赤外光の出射側に配設された前記赤外光を可視光に変換する赤外可視波長変換ガラス１４０と、を有し、前記可視光により画像表示を行うことを特徴とする。【選択図】図２
2006119240.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコンにより形成され、該単結晶シリコンのバンドギャップエネルギに相当する光の波長より長い波長の赤外光を透過し、半導体素子が形成された基板と、
前記基板の前記赤外光の出射側に配設された前記赤外光を可視光に変換する赤外可視波長変換手段と、
を有し、
前記可視光により画像表示を行うことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
表示領域に複数のスイッチング素子及び画素が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置される対向基板とを有し、前記基板は、前記素子基板または前記対向基板であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
透過性または半透過性を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
一対の基板が対向配置された電気光学装置において、
前記一対の基板のうちの第１の基板は、単結晶シリコンにより形成され、前記第１の基板を構成する前記単結晶シリコンのバンドギャップエネルギに相当する光の波長より長い波長の赤外光を透過し、前記半導体素子が形成されており、
前記一対の基板のうち第２の基板は、前記第１の基板に対向配置され、前記第１の基板側から入射した前記赤外光を可視光に変換する赤外可視波長変換手段を備え、
前記可視光により画像表示を行うことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
前記第１の基板は表示領域に複数のスイッチング素子及び画素が形成された素子基板であることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記赤外可視波長変換手段は、前記赤外光を、赤色、緑色、青色のいずれかの波長帯の可視光に変換する材料であること特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記赤外可視波長変換手段は、前記赤外光をそれぞれ、各赤色の波長帯の可視光に変換する材料、緑色の波長帯の可視光に変換する材料、及び青色の波長帯の可視光に変換する材料により構成されていること特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記波長変換材料は、前記画素に対応して設けられていることを特徴とする請求項２、３、５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の電気光学装置と、前記基板を構成する前記単結晶シリコンのバンドギャップエネルギに相当する光の波長より長い波長の赤外光を発生する赤外光発生手段と有することを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
前記電気光学装置と、
前記電気光学装置の出射側に配設された透過型または反射型のスクリーンと、
を有することを特徴とする請求項９に記載の電子機器。
【請求項１１】
単結晶シリコンにより形成された赤外光を透過する基板により構成された透過型または半透過型の電気光学装置と、
前記電気光学装置の前記赤外光の入射側に配設され、前記素子基板及び前記対向基板を構成する前記単結晶シリコンのバンドギャップエネルギに相当する光の波長より長い波長の赤外光を発生する赤外光発生手段と、
前記電気光学装置の前記赤外光の出射側に配設された前記赤外光を可視光に変換する赤外可視波長変換手段と、
前記電気光学装置の出射側に配設された透過型または反射型のスクリーンと、
を有し、
前記赤外可視波長変換手段は、前記スクリーンに配設されていることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
前記赤外可視波長変換手段は、前記赤外光を、赤色、緑色、青色のいずれかの波長帯の可視光に変換する材料であること特徴とする請求項１１に記載の電子機器。
【請求項１３】
前記赤外可視波長変換手段は、前記赤外光をそれぞれ、各赤色の波長帯の可視光に変換する材料、緑色の波長帯の可視光に変換する材料、及び青色の波長帯の可視光に変換する材料により構成されていること特徴とする請求項１１に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶シリコンを基板に用いた電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば液晶装置は、２枚の基板間に液晶を封入して液晶パネルとして構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
ところで、半透過反射型を含む透過型の液晶装置では、バックライトに可視光を用いているため、液晶パネルの基板に、可視光を透過するガラス基板が用いられるのが一般的である。
【０００４】
また、ＴＦＴが配設されたアクティブマトリクス型の液晶装置では、液晶パネルのガラス基板上に半導体素子を形成する必要がある。該半導体素子の材料に、非結晶シリコンまたは多結晶シリコンが用いることが知られているが、該非結晶シリコンまたは多結晶シリコンは、単位時間当たりのキャリア（電子、正孔）の移動度が低いため、キャリアの移動度を高く求める半導体素子、例えば画素電極を駆動するドライバ回路等の場合、基板上に搭載することが難しい。
【０００５】
さらには、ＣＰＵや画像処理プロセッサ等の処理能力の高い回路を基板上に搭載することは困難である。このためドライバ回路等は、キャリアの移動度が高い単結晶シリコンを用いた半導体集積回路（ＬＳＩ）で構成されることが多い。
【０００６】
しかしながら、特に投写型液晶表示装置では、画素電極を構成する画素素子の微細化が要求されるため、ドライバ回路等をＬＳＩで構成した場合、画素素子のピッチでＬＳＩと液晶パネルとを電気的に接続することが困難である。
【０００７】
該電気的接続は、ピッチ１００μｍ程度の直視型向け液晶装置では可能であるが、ピッチ１０μｍ〜２０μｍ程度の投写型向け液晶装置となると困難であるといった問題がある。よって、特に投写型液晶表示装置においては、液晶パネルの基板上に従来ＬＳＩに構成されていた機能を搭載することが要求されていた。また、直視型液晶表示装置においても同様の要求があった。
【０００８】
このような事情に鑑み、例えば非特許文献１では、従来ＬＳＩに委ねられていたドライバ回路等の機能を、キャリアの移動度が高い連続粒界結晶シリコン（ＣＧ）により構成された基板上に集積することによって、従来よりもキャリアの移動度を高くした半導体素子の多結晶シリコンプロセスが開示されており、該多結晶シリコンプロセスにより、液晶パネルの基板上に、ドライバ回路等の機能の搭載を実現した高性能な投写型液晶表示装置向け液晶パネル等が開示されている。
【非特許文献１】シャープ技術第８５号、２００３年４月“ＣＧ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  ＴＦＴを用いたガラス基板上のＣＰＵ開発”
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、非特許文献１に開示された連続粒界結晶シリコン（ＣＧ）により構成された基板上におけるキャリアの移動度は、多結晶よりは高いが、ＬＳＩを構成する単結晶シリコンによりは低い。
【００１０】
よって、液晶パネルを構成する基板に、単結晶シリコンにより構成された基板を用いることができれば、キャリアの移動度がＬＳＩの移動度と同一の状態となるため、液晶装置を高性能化することができる。
【００１１】
しかしながら、単結晶シリコンは、可視光（波長；約４００ｎｍ〜８００ｎｍ）に対する透過性を有しないため、透過性を必要とする液晶パネルを構成する基板に用いることができない。
【００１２】
本発明は上記事情に着目してなされたものであり、その目的は、単結晶シリコンにより構成された基板を用いても透過性を有し、かつ基板上にキャリアの移動度が高い半導体素子を形成することができ、信頼性を高めた電気光学装置、及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、単結晶シリコンにより形成され、該単結晶シリコンのバンドギャップエネルギに相当する光の波長より長い波長の光を透過し、半導体素子が形成された基板と、前記基板の前記赤外光の出射側に配設された前記赤外光を可視光に変換する赤外可視波長変換手段と、を有し、前記可視光により画像表示を行うことを特徴とする。
【００１４】
本発明の電気光学装置によれば、単結晶シリコンを透過した該単結晶シリコンのバンドギャップエネルギに相当する光の波長より長い波長の赤外光は、基板の出射側に配設された赤外光を可視光に変換する赤外可視波長変換手段により可視光に変換されるため、単位時間当たりのキャリアの移動度が高い単結晶シリコンを電気光学装置の基板に用いることができ、これまでＬＳＩが担っていた表示素子のドライバコントローラ及び画像処理プロセッサ等を、電気光学装置の基板上に形成することができることから、デバイス−デバイス間の機械的接続が不要となり、電気光学装置の信頼性を向上させることができるという効果を有する。
【００１５】
また、電気光学装置の基板上のトランジスタのｐｎ接合部分で光励起電流が流れなくなり、さらに、基板を透過する光は赤外光であることから、ｐｎ接合部の上層及び下層に遮光膜を形成する必要がなくなるため、電気光学装置の基板の開口率を向上させることができるという効果を有する。
【００１６】
また、表示領域に複数のスイッチング素子及び画素が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置される対向基板とを有し、前記基板は、前記素子基板または前記対向基板であることを特徴とする。さらに、透過性または半透過性を有することを特徴とする。
【００１７】
本発明の電気光学装置によれば、単結晶シリコンを透過した赤外光は、素子基板または対向基板の出射側に配設された、赤外光を可視光に変換する赤外可視波長変換手段により可視光に変換されるため、単位時間当たりのキャリアの移動度が高い単結晶シリコンを電気光学装置の素子基板または対向基板に用いることができ、これまでＬＳＩが担っていた表示素子のドライバコントローラ及び画像処理プロセッサ等を、電気光学装置の素子基板または対向基板上に形成することができることから、デバイス−デバイス間の機械的接続が不要となり、電気光学装置の信頼性を向上させることができるという効果を有する。
【００１８】
また、電気光学装置の素子基板上のトランジスタのｐｎ接合部分で光励起電流が流れなくなり、さらに、素子基板を透過する光は赤外光であることから、ｐｎ接合部の上層及び下層に遮光膜を形成する必要がなくなるため、電気光学装置の素子基板の開口率を向上させることができるという効果を有する。
【００１９】
さらに、素子基板上に形成していた透明電極（ＩＴＯ）を多結晶シリコンなどのシリコン系材料に変更できるため、パターンニングが容易になり、製造プロセスが容易になるという効果を有する。
【００２０】
また、高価なＩＴＯの代わりに多結晶シリコンなどのシリコン系材料による電極が使えることで、製造コスト削減も図ることができる。
【００２１】
また、一対の基板が対向配置された電気光学装置において、前記一対の基板のうちの第１の基板は、単結晶シリコンにより形成され、前記第１の基板を構成する前記単結晶シリコンのバンドギャップエネルギに相当する光の波長より長い波長の赤外光を透過し、前記半導体素子が形成されており、前記一対の基板のうち第２の基板は、前記第１の基板に対向配置され、前記第１の基板側から入射した前記赤外光を可視光に変換する赤外可視波長変換手段を備え、前記可視光により画像表示を行うことを特徴とする電気光学装置。さらに、前記第１の基板は表示領域に複数のスイッチング素子及び画素が形成された素子基板であることを特徴とする。
【００２２】
本発明の電気光学装置によれば、単結晶シリコンを透過した赤外光は、素子基板の出射側に配設された、赤外光を可視光に変換する赤外可視波長変換手段により可視光に変換されるため、単位時間当たりのキャリアの移動度が高い単結晶シリコンを電気光学装置の素子基板に用いることができ、これまでＬＳＩが担っていた表示素子のドライバコントローラ及び画像処理プロセッサ等を、電気光学装置の素子基板上に形成することができることから、デバイス−デバイス間の機械的接続が不要となり、電気光学装置の信頼性を向上させることができるという効果を有する。
【００２３】
また、電気光学装置の素子基板上のトランジスタのｐｎ接合部分で光励起電流が流れなくなり、さらに、素子基板を透過する光は赤外光であることから、ｐｎ接合部の上層及び下層に遮光膜を形成する必要がなくなるため、電気光学装置の素子基板の開口率を向上させることができるという効果を有する。
【００２４】
さらに、素子基板上に形成していた透明電極（ＩＴＯ）を多結晶シリコンなどのシリコン系材料に変更できるため、パターンニングが容易になり、製造プロセスが容易になるという効果を有する。
【００２５】
また、高価なＩＴＯの代わりに多結晶シリコンなどのシリコン系材料による電極が使えることで、製造コスト削減も図ることができる。
【００２６】
また、前記赤外可視波長変換手段は、前記赤外光を、赤色、緑色、青色のいずれかの波長帯の可視光に変換する材料であること特徴とする。
【００２７】
本発明の電気光学装置によれば、基板にカラーフィルタを設けなくとも、電気光学装置を用いてモノカラー表示を行うことができるという効果を有する。
【００２８】
さらに、前記赤外可視波長変換手段は、前記赤外光をそれぞれ、各赤色の波長帯の可視光に変換する材料、緑色の波長帯の可視光に変換する材料、及び青色の波長帯の可視光に変換する材料により構成されていること特徴とする。
【００２９】
本発明の電気光学装置によれば、基板にカラーフィルタを設けなくとも、電気光学装置を用いてカラー表示を行うことができるという効果を有する。
【００３０】
また、前記波長変換材料は、前記画素に対応して設けられていることを特徴とする。
【００３１】
本発明の電気光学装置によれば、確実に、赤外光を可視光に変換し、電気光学装置を用いてカラー表示を行うことができるという効果を有する。
【００３２】
本発明に係る電子機器は、請求項１〜８のいずれかに記載の電気光学装置と、前記基板を構成する前記単結晶シリコンのバンドギャップエネルギに相当する光の波長より長い波長の赤外光を発生する赤外光発生手段と有することを特徴とする。
【００３３】
本発明の電子機器によれば、信頼性が向上され、基板の開口率が向上され、また製造プロセスが容易であって、かつ製造コストを削減でき、カラーフィルタを設けなくとも、モノカラーまたはカラー表示ができる電気光学装置が配設された電子機器を提供することができるという効果を有する。
【００３４】
また、前記電気光学装置と、前記電気光学装置の出射側に配設された透過型または反射型のスクリーンと、を有することを特徴とする。
【００３５】
本発明の電子機器によれば、信頼性が向上され、基板の開口率が向上され、また製造プロセスが容易であって、かつ製造コストを削減でき、カラーフィルタを設けなくとも、モノカラーまたはカラー表示ができる電気光学装置が配設された投写型の表示装置である電子機器を提供することができるという効果を有する。
【００３６】
本発明に係る電子機器は、単結晶シリコンにより形成された赤外光を透過する基板により構成された透過型または半透過型の電気光学装置と、前記電気光学装置の前記赤外光の入射側に配設され、前記素子基板及び前記対向基板を構成する前記単結晶シリコンのバンドギャップエネルギに相当する光の波長より長い波長の赤外光を発生する赤外光発生手段と、前記電気光学装置の前記赤外光の出射側に配設された前記赤外光を可視光に変換する赤外可視波長変換手段と、前記電気光学装置の出射側に配設された透過型または反射型のスクリーンと、を有し、前記赤外可視波長変換手段は、前記スクリーンに配設されていることを特徴とする。
【００３７】
本発明の電子機器によれば、電気光学装置に赤外可視波長変換手段を設けなくとも、信頼性が向上され、基板の開口率が向上され、製造プロセスが容易であって、かつコストを削減できる投写型の表示装置である電子機器を提供することができるという効果を有する。
【００３８】
また、前記赤外可視波長変換手段は、前記赤外光を、赤色、緑色、青色のいずれかの波長帯の可視光に変換する材料であること特徴とする。
【００３９】
本発明の電子機器によれば、電気光学装置にカラーフィルタまたは赤外可視波長変換手段を設けなくとも、モノカラー表示を行うことができ、また電気光学装置を３つ用いればカラー表示を行うことができる電子機器を提供することができるという効果を有する。
【００４０】
さらに、前記赤外可視波長変換手段は、前記赤外光をそれぞれ、各赤色の波長帯の可視光に変換する材料、緑色の波長帯の可視光に変換する材料、及び青色の波長帯の可視光に変換する材料により構成されていること特徴とする。
【００４１】
本発明の電子機器によれば、電気光学装置にカラーフィルタまたは赤外可視波長変換手段を設けなくとも、カラー表示を行うことができる電子機器を提供することができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施の形態においては、電気光学装置は、透過性を有する、即ち透過型の電気光学装置、例えば第１の基板である素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）と第２の基板である該ＴＦＴ基板に対向する基板（以下、対向基板と称す）との間に電気光学物質を挟持した液晶装置を例に挙げて説明する。
【００４３】
（第１実施の形態）
図１は、本発明の第１実施の形態を示す液晶装置の平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【００４４】
同図に示すように、液晶装置１は、単結晶シリコンのバンドギャップエネルギに相当する光の波長より長い波長の赤外光を透過する単結晶シリコンにより構成された厚さ５０〜１００ミクロンの基板を用いたＴＦＴ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板２０との間に電気光学物質である液晶５０が封入されてパネルとして構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００４５】
尚、ＴＦＴ基板１０を構成する上記単結晶シリコンを透過する赤外光の波長は、波長λ＝１．２４／１．１ｅＶ（シリコンのバンドギャップエネルギ）＝１１００ｎｍより長波長の波長であることが知られている。
【００４６】
ＴＦＴ基板１０の対向面であって透過された赤外光の出射側である表面１０ａに、画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ及び該画素電極９ａに接続された図示しないＴＦＴ等が画素毎にマトリクス状に配置されている。また、対向基板２０の対向面である表面２０ａの全面に、液晶装置１を出射する光を、該光の三原色である赤色に変換する、緑色に変換する、または青色に変換するカラーフィルタ２８のいずれかが設けられており、該カラーフィルタ２８上の全面に、対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられている。
【００４７】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、後述する赤外可視波長変換手段である赤外可視波長変換ガラス１４０が設けられている。また、赤外可視波長変換ガラス１４０上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられている。一方、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２２が設けられている。各配向膜１６，２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００４８】
さらに、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａの裏面であって、赤外光の入射側の面に、偏光板１１１が設けられており、また、対向基板２０の表面２０ａの裏面にも、偏光板１２１が設けられている。
【００４９】
対向基板２０に、表示領域４０を区画する額縁としての遮光膜５３が設けられている。また、遮光膜５３の外側の領域に、液晶を封入するシール材５２が、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材５２は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを相互に固着する。
【００５０】
シール材５２は、ＴＦＴ基板１０の１辺の一部において欠落しており、その結果、液晶５０を注入するための液晶注入口１０８が形成されている。貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０相互の間隙に、液晶注入口１０８より液晶５０が注入される。液晶５０の注入後に、液晶注入口１０８が封止材１０９で封止されるようになっている。
【００５１】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給することにより前記データ線を駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００５２】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の図示しない走査線及びゲート電極に走査信号を所定のタイミングで供給することにより前記ゲート電極を駆動する走査線駆動回路１０４が設けられている。
【００５３】
走査線駆動回路１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置においてＴＦＴ基板１０上に形成される。また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００５４】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナ部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成される。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し、上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００５５】
ここで、ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に形成される赤外可視波長変換ガラス１４０について説明する。赤外可視波長変換ガラス１４０は、単結晶シリコンを透過する、波長１１００ｎｍより長波長の赤外光を可視光に変換するものであり、例えば特開平９−８６９５８号公報に、アップコンバージョン機構を利用して、１５００ｎｍの波長を有する赤外光を、光の３原色の内、波長５１０〜５６０ｎｍの緑の波長帯、または波長４１０ｎｍ〜４５０ｎｍの青の波長帯の可視光に変換するガラス材が開示されている。
【００５６】
尚、アップコンバージョン機構とは、赤外光のように一光子のエネルギが小さい励起光であっても、アップコンバージョン材料（赤外可視波長変換材料）中のイオンが多くの光子を吸収することによってエネルギ状態に励起され、これが再び下位の準位や基底状態に遷移することによって結果的に励起光より高いエネルギ光、すなわち可視光を放出する機構である。
【００５７】
また、特公平６−２９１５０号公報に、９００〜１１００ｎｍの波長を有する赤外光を、光の３原色の内、波長６５０ｎｍの赤の波長帯の可視光に変換する波長変換ガラス材が開示されている。
【００５８】
本実施の形態においては、赤外可視波長変換ガラス１４０に、上述した波長変換ガラス材のいずれかを用いる。尚、特開平９−８６９５８号公報に開示された波長変換ガラス材は、精製乾燥した原料のハロゲン化物が所定量調合された混合粉末を、アルゴン雰囲気下または真空下で加熱溶融し、該加熱溶融した融液を急冷して得る、または加熱溶融した融液を約１ｍｍの並行間隔をもったグラファイト板の間に流し込んで急冷し、急冷体を得ることで、波長変換ガラス材を得ると示されている。
【００５９】
よって、本実施の形態において、ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、赤外可視波長変換ガラス１４０を形成するに際し、アルゴン雰囲気中において、ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、加熱融解した上記混合粉末をスピンコートで塗布し、急冷することにより赤外可視波長変換ガラス１４０を形成する。このように形成すると、赤外可視波長変換ガラス１４０の膜厚は、１ｕｍ〜１０ｕｍとなる。尚、該形成方法は、上記変換ガラス材が、赤外光から可視光への変換効率が高く透過率が低い場合に適している。
【００６０】
一方、上記変換ガラス材が、赤外光から可視光への変換効率が低く透過率が高い場合には、加熱融解した上記混合粉末を、約１ｍｍの並行間隔をもったグラファイト板の間に流し込んで急冷し、急冷体、即ち赤外可視波長変換ガラス１４０を得た後、該赤外可視波長変換ガラス１４０を、ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に貼着することにより形成する。
【００６１】
尚、特公平６−２９１５０号公報における、９００〜１１００ｎｍの波長を有する赤外光を光の３原色の内、波長６５０ｎｍの赤の波長帯の可視光に変換する赤外可視波長変換ガラス１４０Ｒを、ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に形成する場合、１１００ｎｍの波長は、単結晶シリコンを透過する境界の波長であるが、シリコンは間接遷移のため、境界の波長でもある程度は透過するので、また透過率はシリコンの膜厚によるので、ＴＦＴ基板１０を薄く形成すれば、波長１１００ｎｍであっても透過することができる。
【００６２】
このように、ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、波長１１００ｎｍ以上の赤外光を、光の３原色である、緑、青、赤の波長帯に対応する可視光に変換する赤外可視波長変換ガラスのいずれかが形成される。
【００６３】
次に、このように構成された液晶装置１の作用について説明する。図３は、液晶装置１の作用を説明する液晶装置１の断面図である。
【００６４】
同図に示すように、液晶装置１の入射側であるＴＦＴ基板１０側から、図示しない赤外光発生手段により１１００ｎｍより長波長の赤外光が入射されると、該赤外光は、単結晶シリコンにより構成されたＴＦＴ基板１０を透過し、該透過直後に、赤外可視波長変換ガラス１４０により、緑、青、赤の波長帯に対応するいずれかの可視光に変換される。
【００６５】
変換された可視光は、液晶５０を透過した後、カラーフィルタ２８で、緑色、青色、赤色いずれかの可視光となり、対向基板２０を透過して、液晶装置１の出射側である対向基板２０から出射される。赤外可視波長変換ガラス１４０により、緑、青、赤の波長帯に対応するいずれかの可視光に、さらにカラーフィルタ２８を通すことで、赤外可視波長変換ガラス１４０で調整しきれない不要な波長域をカットでき、色調の補正を行ことができる。このような色調調整が不要な場合は、カラーフィルタは不要である。尚、この際の液晶５０の駆動動作は、可視光を用いた従来の場合と同じであるため、その説明は省略する。
【００６６】
このように構成された液晶装置１は、電子機器、例えば光投写型表示装置、具体的には、プロジェクタに用いられる。図４は、図１〜図３の液晶装置１が１つ配設されたプロジェクタの構成を示す図、図５は、図１〜図３の液晶装置１が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。
【００６７】
液晶装置１を１つ用いる場合は、図４に示すように、液晶装置１は、プロジェクタ１１００に、各々ＲＧＢ用のいずれかのライトバルブとして１つ配設されている。以下、「液晶装置」を「ライトバルブ」と読みかえる。この際、ライトバルブ１のＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、９００〜１１００ｎｍの波長を有する赤外光を、波長６５０ｎｍの赤の波長帯の可視光に変換する赤外可視波長変換ガラス１４０Ｒ、または１５００ｎｍの波長を有する赤外光を、波長５１０〜５６０ｎｍの緑の波長帯の可視光に変換する赤外可視波長変換ガラス１４０Ｇ、もしくは、１５００ｎｍの波長を有する赤外光を、波長４１０ｎｍ〜４５０ｎｍの青の波長帯の可視光に変換する赤外可視波長変換ガラス１４０Ｂが形成されている。
【００６８】
また、ライトバルブ１の対向基板２０の表面２０ａの全面に、波長６５０ｎｍの赤の波長帯の可視光に変換された光が、赤色としてライトバルブ１から出射されるよう赤色のカラーフィルタ２８、または波長５１０〜５６０ｎｍの緑の波長帯の可視光に変換された光が、緑色としてライトバルブ１から出射されるよう緑色のカラーフィルタ２８、若しくは波長４１０ｎｍ〜４５０ｎｍの青の波長帯の可視光に変換された光が、青色としてライトバルブ１から出射されるよう青色のカラーフィルタ２８が設けられている。
【００６９】
また、プロジェクタ１１００に、波長１１００ｎｍより長波長の赤外光を発する赤外光発生手段である赤外光発生ユニット１１０２と、該赤外光発生ユニット１１０２から発せられた赤外光を、ライトバルブ１に導くための手段と、ライトバルブ１から投写された画像を表示するスクリーン１１２０とが配設されている。
【００７０】
プロジェクタ１１００では、赤外光発生ユニット１１０２から１１００ｎｍより長波長の赤外光が発せされると、該赤外光は、２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ライトバルブ１に導かれる。
【００７１】
そして、ライトバルブ１により、図３に示したように、可視光に変換され、さらに変調された３原色のいずれかに対応する光成分は、投写レンズ１１１４を介して反射型のスクリーン１１２０にモノカラー画像として投写される。
【００７２】
液晶装置１を３つ用いる場合は、図５に示すように、液晶装置１は、プロジェクタ１２００に、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１Ｒ，１Ｇ，１Ｂ）配設されている。この際、ライトバルブ１ＲのＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、赤外可視波長変換ガラス１４０Ｒが形成されており、また対向基板２０の表面２０ａの全面に、赤の可視光に変換された光が、赤色としてライトバルブ１Ｒから出射されるよう赤色のカラーフィルタ２８が設けられている。
【００７３】
また、ライトバルブ１ＧのＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、赤外可視波長変換ガラス１４０Ｇが形成されており、また対向基板２０の表面２０ａの全面に、緑の可視光に変換された光が、緑色としてライトバルブ１Ｇから出射されるよう緑色のカラーフィルタ２８が設けられている。
【００７４】
さらに、ライトバルブ１ＢのＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、赤外可視波長変換ガラス１４０Ｂが形成されており、また対向基板２０の表面２０ａの全面に、青の可視光に変換された光が、青色としてライトバルブ１Ｂから出射されるよう青色のカラーフィルタ２８が設けられている。
【００７５】
また、プロジェクタ１２００に、１１００ｎｍより長波長の赤外光を発する赤外光発生ユニット１１０２と、該赤外光発生ユニット１１０２から発せられた赤外光を、各ライトバルブ１Ｒ、１Ｇ、１Ｂにそれぞれ導くための手段と、ライトバルブ１Ｒ、１Ｇ、１Ｂから合成されて投写された画像を表示するスクリーン１１２０とが配設されている。
【００７６】
プロジェクタ１２００では、赤外光発生ユニット１１０２から１１００ｎｍより長波長の赤外光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１Ｒ，１Ｇ，１Ｂに各々導かれる。
【００７７】
この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【００７８】
そして、ライトバルブ１Ｒ，１Ｇ，１Ｂにより、図３に示したように、各々可視光に変換され、変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介して反射型のスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【００７９】
また、液晶装置１は、光投写型表示装置であるリアプロジェクタに用いられる。図６は、図１〜図３の液晶装置１が配設されたリアプロジェクタの構成を示す図である。
【００８０】
同図に示すように、リアプロジェクタ１３００は、筐体１３０１の下部に、プロジェクタ部１３０２が配設され、また、上部背面側に投射ミラー１３０３が配設され、更に、投射ミラー１３０３の反射方向である筐体１３０１の前面に、透過型のスクリーン１３０４が配設されている。
【００８１】
プロジェクタ部１３０２は、筐体１３０１の下部両側に配設されている冷却用ファン１３０５と、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、液晶装置１を３つ（１Ｒ，１Ｇ，１Ｂ）有するユニット１２００Ａ（図５参照）が配設された投射光学系１３０７と、プロジェクタ部１３０２の各回路部を制御するメイン駆動部１３０９とを備えている。尚、ユニット１２００Ａの構成は、図５に示したプロジェクタ１２００と同じであるのでその説明は省略する。
【００８２】
投写光学系１３０７におけるライトバルブ１Ｒ，１Ｇ，１Ｂにより、図３に示したように、波長１１００ｎｍ以上の赤外光が各々の波長帯の可視光に変換され、変調された光の３原色に対応する光成分は、再度合成された後、矢印で示すように、投射レンズ１３０７ｃから出射される。
【００８３】
投射レンズ１３０７ｃから出射された可視光である投射光１３１０は、投射ミラー１３０３に反射されてスクリーン１３０４側へ導かれ、該スクリーン１３０４を透過する。スクリーン１３０４を透過した可視光によるカラー画像は、観察者Ａにより観察される。尚、リアプロジェクタ１３００に、液晶装置１を１つ有するユニット１１００Ａ（図４参照）を配設し、モノカラー表示を行う場合も、上述した構成と略同様である。
【００８４】
このように、本発明の第１実施の形態を示す液晶装置、及び電子機器においては、液晶装置１の単結晶シリコンから構成されるＴＦＴ基板１０を透過した波長１１００ｎｍより長波長の赤外光は、ＴＦＴ基板１０上の画素電極９ａ上に配設された赤外可視波長変換ガラス１４０により可視光に変換されるため、単位時間当たりのキャリアの移動度が高い単結晶シリコンを液晶装置１のＴＦＴ基板１０に用いることができ、これまでＬＳＩが担っていた表示素子のドライバコントローラ及び画像処理プロセッサ等を、液晶装置１のＴＦＴ基板１０上に形成することができることから、デバイス−デバイス間の機械的接続が不要となり、液晶装置１の信頼性を向上させることができる。
【００８５】
また、液晶装置１のＴＦＴ基板１０上のトランジスタ（ＴＦＴ）のｐｎ接合部分で光励起電流が流れなくなり、さらに、ＴＦＴ基板１０を透過する光は赤外光であることから、ｐｎ接合部の上層及び下層に、図示しない遮光膜を形成する必要がなくなるため、液晶装置１の基板の開口率を向上させることができる。
【００８６】
また、ＴＦＴ基板１０を透過する光は赤外光であることから、該ＴＦＴ基板１０上に形成していた画素電極（ＩＴＯ）９ａを多結晶シリコンなどのシリコン材料に変更できるためパターンニングが容易になり、製造プロセスが容易となる。さらに、ＴＦＴ基板１０に形成された画素電極９ａは、材料、製造プロセスともに高価なＩＴＯの代わりに多結晶シリコンなどのシリコン系材料による電極が使えるようになるため、製造コスト削減を図ることができる。
【００８７】
以下、変形例を示す。本実施の形態においては、赤外可視波長変換ガラス１４０は、単結晶シリコンから形成されたＴＦＴ基板１０の出射側の面である表面１０ａ上の画素電極９ａ上に形成されると示したが、これに限らず、単結晶シリコンから形成された基板を透過した後であれば、どこに形成しても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８８】
例えば、図７に示すように、上述した手法により、対向基板２０の対向面２０ａの裏面に形成しても良い。この場合、液晶装置１の入射側であるＴＦＴ基板１０側から波長１１００ｎｍより長波長の赤外光が入射されると、該赤外光は、単結晶シリコンにより構成されたＴＦＴ基板１０を透過し、液晶５０を透過した後、対向基板２０を透過した後、即ち、液晶装置１を完全に透過した後、赤外可視波長変換ガラス１４０により、緑、青、赤の波長帯に対応するいずれかの可視光に変換され、液晶装置１の出射側である対向基板２０から出射される。図7の例は、カラーフィルタによる色調補正が不要な場合に適用するのが好ましいが、必要に応じて赤外可視波長変換ガラス１４０の上層にカラーフィルタを形成しても良い。
【００８９】
また、図７の例では対向基板２０も単結晶シリコンにより形成することが可能である。この場合、対向基板２０に電源回路や画像処理回路などに用いる単結晶シリコンにより形成される回路素子を形成することができる。
【００９０】
このように、赤外可視波長変換ガラス１４０を形成しても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００９１】
また、以下、さらに別の変形例を示す。本実施の形態においては、１つの液晶装置１に、光の３原色の内、赤外光を赤、緑、青のいずれか波長帯の可視光に変換する赤外可視波長変換ガラス１４０が配設されていると示した。よって、図５に示したように、プロジェクタ１２００を用いてカラー画像を表示するに際し、液晶装置１は、プロジェクタ１２００に、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応するよう３つ配設されると示した。
【００９２】
これに限らず、１つの液晶装置であってもカラー画像を表示することができる。尚、カラーフィルタ２８を、ＴＦＴ基板１０のＴＦＴが形成された各画素に対応するよう、対向基板２０の表面２０ａに、Ｒ，Ｇ，Ｂ別にマトリクス状に形成することにより、１つの液晶装置であってもカラー画像を表示できることは周知であるが、本実施の形態においては、赤外光を用いているため、カラーフィルタ２８を、Ｒ、Ｇ、Ｂ別にマトリクス状に形成することだけでは、カラー画像を実現できない。よって、カラーフィルタ２８を用いないカラー画像表示を実現する。
【００９３】
図８は、図２の液晶装置１の構成の変形例を示す断面図、図９は、図８中の赤外可視波長変換ガラスの構成を示す図、図１０は、図９の赤外可視波長変換ガラスの配列を示す図８の対向基板の正面図である。
【００９４】
図８に示すように、対向基板２０の表面２０ａに、赤外可視波長変換手段である赤外可視波長変換ガラス１４０が形成されている。赤外可視波長変換ガラス１４０は、図９に示すように、赤外可視波長変換ガラス１４０Ｒと、赤外可視波長変換ガラス１４０Ｇと、赤外可視波長変換ガラス１４０Ｂとにより構成されている。
【００９５】
また、図１０に示すように、赤外可視波長変換ガラス１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂは、ＴＦＴ基板１０のＴＦＴが形成された各画素に対応するよう、あたかもカラーフィルタのように、対向基板２０の表面２０ａにマトリクス状に形成されている。
【００９６】
尚、赤外可視波長変換ガラス１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂは、対向基板２０の表面２０ａに、カラーフィルタの形成方法と同様に、インクジェット法あるいは写真製版を用いて形成される。
【００９７】
インクジェット法で形成される場合は、スパッタ法で製膜されたクロム（金属）からなる対向基板２０の遮光膜５３（ＢＭ）の開口部に、精製乾燥した原料のハロゲン化物が所定量調合された混合粉末をアルゴン雰囲気下または真空下で加熱溶融し、該加熱融解したもの（波長変換ガラス材）をインクジェット法で注入し急冷することにより、赤外可視波長変換ガラス１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂをマトリクス状に形成する。
【００９８】
一方、写真製版で作製する場合は、精製乾燥した原料のハロゲン化物が所定量調合された混合粉末をアルゴン雰囲気下または真空下で加熱溶融し、該加熱溶融されたもの（波長変換ガラス材）をスピンコートで塗布し急冷した後、写真製版を用いて赤外可視波長変換ガラス１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂをマトリクス状にパターンニングすることにより形成する。
【００９９】
このように形成された液晶装置１は、上述した図４に示すように、例えばプロジェクタ１１００に、１つ配設される。液晶装置１に、赤外可視波長変換ガラス１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂのいずれかを形成した場合は、モノカラー表示しかできなかったが、液晶装置１に、赤外可視波長変換ガラス１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂをマトリクス状に形成した場合には、赤外光を用いたとしても、またカラーフィルタ２８を用いなくともスクリーン１１２０に、１つの液晶装置でカラー表示を行うことができる。
【０１００】
尚、カラーフィルタ２８を用いない例を示したが、上述した構成に加え、液晶装置１に、カラーフィルタ２８を、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応するようマトリクス状に形成すれば、より正確に色調補正を行うことができる。
【０１０１】
（第２実施の形態）
図１１は、本発明の第２実施の形態を示す液晶装置の構成の概略を示す断面図、図１２は、図１１の液晶装置が１つ配設されたプロジェクタの構成を示す図、図１３は、図１１の液晶装置１が配設されたリアプロジェクタの構成を示す図、図１４は、図１２、図１３の赤外可視波長変換ガラスの配列を示すスクリーンの正面図である。
【０１０２】
本実施の形態の液晶装置２０１、プロジェクタ２１００，２２００、リアプロジェクタ２３００の構成は、上記図１〜図１０に示した第１実施の形態の液晶装置１、プロジェクタ１１００，１２００、リアプロジェクタ１３００と比して、赤外可視波長変換ガラスを、液晶装置に配設せずに、スクリーンに配設した点が異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【０１０３】
図１１に示すように、液晶装置２０１は、赤外光を透過する単結晶シリコンにより構成された厚さ５０〜１００ミクロンの基板を用いたＴＦＴ基板２１０と、これに対向配置される、赤外光を透過する単結晶シリコンにより構成された厚さ５０〜１００ミクロンの基板を用いた対向基板２２０との間に液晶５０が封入されてパネルとして構成される。対向配置されたＴＦＴ基板２１０と対向基板２２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【０１０４】
尚、ＴＦＴ基板２１０及び対向基板２２０を構成する上記単結晶シリコンを透過する赤外光の波長は、波長λ＝１．２４／１．１ｅＶ（シリコンのバンドギャップエネルギ）＝１１００ｎｍより長波長の波長であることが知られている。
【０１０５】
ＴＦＴ基板２１０の対向面であって透過された赤外光の出射側である表面２１０ａに、画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ及び該画素電極９ａに接続された図示しないＴＦＴ等がマトリクス状に配置されている。
【０１０６】
また、対向基板２２０の対向面である表面２２０ａの全面であって、ＴＦＴ基板２１０のＴＦＴが形成された各画素に対応する位置に、対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられている。
【０１０７】
ＴＦＴ基板２１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられている。一方、対向基板２２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２２が設けられている。各配向膜１６，２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【０１０８】
さらに、ＴＦＴ基板２１０の表面２１０ａの裏面であって、赤外光の入射側の面に、偏光板１１１が設けられており、また、対向基板２２０の表面２２０ａの裏面にも、偏光板１２１が設けられている。
【０１０９】
尚、その他の構成は、上述した第１実施の形態の液晶装置１と同一であるため、その説明は省略する。
【０１１０】
このように構成された液晶装置２０１は、電子機器、例えば光投写型表示装置、具体的には、プロジェクタに用いられる。
【０１１１】
図１２に示すように、液晶装置２０１は、プロジェクタ２１００に、ＲＧＢ用のライトバルブとして１つ配設されている。尚、以下、「液晶装置」は、「ライトバルブ」と読み替える。また、スクリーン１１２０上に、９００〜１１００ｎｍの波長を有する赤外光を、波長６５０ｎｍの赤の波長帯の可視光に変換する赤外可視波長変換ガラス２４０Ｒ、または１５００ｎｍの波長を有する赤外光を、波長５１０〜５６０ｎｍの緑の波長帯の可視光に変換する赤外可視波長変換ガラス２４０Ｇ、もしくは、１５００ｎｍの波長を有する赤外光を、波長４１０ｎｍ〜４５０ｎｍの青の波長帯の可視光に変換する赤外可視波長変換ガラス２４０Ｂが、図１４に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂに各々対応するよう、上述した手法により、マトリクス状に形成されている。
【０１１２】
尚、その他のプロジェクタ２１００の構成は、図４において上述したプロジェクタ１１００の構成と同じであるため、その詳しい説明は省略する。
【０１１３】
プロジェクタ２１００では、赤外光発生ユニット１１０２から１１００ｎｍより長波長の赤外光が発せされると、該赤外光は、２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ライトバルブ２０１に導かれる。
【０１１４】
そして、ライトバルブ２０１により、変調された３原色に対応する光成分は、投写レンズ１１１４を介して反射型のスクリーン１１２０に投写され、その後、スクリーン１１２０上の赤外可視波長変換手段である赤外可視波長変換ガラス２４０において、赤の波長帯の可視光、緑の波長帯の可視光、青の波長帯の可視光にそれぞれ変換され、その可視光による画像が観察者により観察されるようになっている。
【０１１５】
また、液晶装置２０１は、光投写型表示装置であるリアプロジェクタに用いられる。図１３に示すように、リアプロジェクタ２３００のスクリーン１３０４に、赤外可視波長変換ガラス２４０Ｒ、または赤外可視波長変換ガラス２４０Ｇ、もしくは赤外可視波長変換ガラス２４０Ｂが、上述した手法により、図１４に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂに各々対応するよう、マトリクス状に形成されている。
【０１１６】
また、プロジェクタ部１３０２に、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、液晶装置１を１つ有するユニット２１００Ａ（図１２参照）が配設された投射光学系１３０７を備えている。尚、ユニット２１００Ａの構成は、図１２に示したプロジェクタ２１００と同じであるのでその説明は省略する。
【０１１７】
尚、その他のリアプロジェクタ２３００の構成は、図６において上述したリアプロジェクタ１３００の構成と同じであるため、その詳しい説明は省略する。
【０１１８】
投射レンズ１３０７ｃから出射された赤外光２３１０は、投射ミラー１３０３に反射されてスクリーン１３０４側へ導かれ、その後、スクリーン１１２０上の赤外可視波長変換ガラス２４０において、赤の波長帯の可視光、緑の波長帯の可視光、青の波長帯の可視光１３１０にそれぞれ変換され、該可視光１３１０は、スクリーン１１２０を透過する。可視光１３１０による画像は、観察者により観察されるようになっている。
【０１１９】
このように、本実施の形態の液晶装置２０１、プロジェクタ２１００，２２００、リアプロジェクタ２３００においては、赤外可視波長変換ガラス２４０をスクリーン上に、マトリクス上に設けた。
【０１２０】
よって、液晶装置１に赤外可視波長変換ガラスを形成する必要がなくなるので、液晶装置１の製造プロセスが容易となる。尚、その他の効果は、上述した第１実施の形態と同一である。
【０１２１】
さらに、本発明により製造される電気光学装置は、透過型の液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、半透過性を有する、即ち半透過型の各種の電気光学装置に適用できることは勿論である。
【０１２２】
例えば、図２の構成を応用した場合の半透過型の液晶装置１の構成を説明する。この場合、液晶装置１の光源としては、内部光源としての赤外光発生手段と、外部から入射される可視光が挙げられる。
【０１２３】
まず、画素領域には透過領域と反射領域が設けられる。そして、ＴＦＴ基板１０における反射領域には外部光を反射するための反射層が設けられる。
【０１２４】
一方ＴＦＴ基板１０の透過領域にはＲＧＢの各色の可視光に変換を行う赤外可視波長変換ガラス１４０がそれぞれ画素毎に設けられている。なお、ＴＦＴ基板１０の反射領域には赤外可視波長変換ガラス１４０は設ける必要がない。
【０１２５】
一方対向基板２０には、ＲＧＢのカラーフィルタ２８のそれぞれが画素毎に設けられている。
【０１２６】
なお、赤外可視波長変換ガラス１４０の変換光率の低さが原因で、透過領域の可視光の強度は反射領域のそれよりも低くなる。そこで、出射する光の強度を均等にするために、透過領域と反射領域とでカラーフィルタ２８の強度を異ならせても良い。すなわち、反射領域でのカラーフィルタ濃度が、透過領域でのカラーフィルタ濃度よりも高くなるように設定しても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１２７】
また、本発明により製造される電気光学装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールにも適用することができる。
【０１２８】
さらに、本発明により製造される液晶装置が用いられる電子機器としては、光投写型表示装置のプロジェクタ、またはリアプロジェクタを例に挙げて示したが、これに限らず、直視型の電子機器に適用してもよい。
【０１２９】
例えば、本実施の形態に示した液晶装置を携帯型のコンピュータに適用した例について説明する。図１５は、このコンピュータの構成を示す斜視図である。同図において、コンピュータ３１００は、キーボード３１０２を備えた本体部３１０４と、液晶装置１または２０１が配設された表示部３１０１とから構成されている。
【０１３０】
尚、この際、配設する液晶装置に赤外可視波長変換ガラスを設けない場合、即ち第２実施の形態の液晶装置２０１の場合は、赤外可視波長変換ガラス２４０を、透過型のスクリーン（画面）を有する表示部３１０１に設ければ、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１３１】
次に、本実施の形態に示した液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１６はこの携帯電話の構成を示す斜視図である。同図において、携帯電話４２００は、複数の操作ボタン４２０２のほか、受話口４２０４、送話口４２０６とともに、液晶装置１または２０１が配設された表示部４２０１とから構成されている。
【０１３２】
尚、この際、配設された液晶装置に赤外可視波長変換ガラスを設けない場合、即ち第２実施の形態の液晶装置２０１の場合は、赤外可視波長変換ガラス２４０を、透過型のスクリーン（画面）表示部４２０１に設ければ、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１３３】
また、図１５、図１６を参照して説明した電子機器の他にも、本実施の形態に示した液晶装置には、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）と呼ばれる携帯型情報機器や、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等が挙げられる。したがって、これらの電子機器においても、本発明が適用可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１３４】
【図１】本発明の第１実施の形態を示す液晶装置の平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図３】図１、図２の液晶装置の作用を説明する液晶装置の断面図。
【図４】図１〜図３の液晶装置が１つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【図５】図１〜図３の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【図６】図１〜図３の液晶装置が配設されたリアプロジェクタの構成を示す図。
【図７】赤外可視波長変換ガラスを対向基板に形成した変形例を示す液晶装置の断面図。
【図８】図２の液晶装置の構成の変形例を示す断面図。
【図９】図８中の赤外可視波長変換ガラスの構成を示す図。
【図１０】図９の赤外可視波長変換ガラスの配列を示す図８の対向基板の正面図。
【図１１】本発明の第２実施の形態を示す液晶装置の構成の概略を示す断面図。
【図１２】図１１の液晶装置が１つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【図１３】図１１の液晶装置が配設されたリアプロジェクタの構成を示す図。
【図１４】図１２、図１３の赤外可視波長変換ガラスの配列を示すスクリーンの正面図。
【図１５】電子機器である携帯型のコンピュータの構成を示す斜視図。
【図１６】電子機器である携帯電話の構成を示す斜視図。
【符号の説明】
【０１３５】
１…液晶装置、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、２０…対向基板、５０…液晶、１４０…赤外可視波長変換ガラス、２０１…液晶装置、２１０…ＴＦＴ基板、２２０…対向基板、２４０…赤外可視波長変換ガラス、１１００…プロジェクタ、１１０２…赤外光発生ユニット、１１２０…スクリーン、１２００…プロジェクタ、１３００…リアプロジェクタ、１３０４…スクリーン、２１００…プロジェクタ、２３００…リアプロジェクタ、３１００…携帯型パソコン、３１０１…スクリーン、４２００…携帯電話、４２０１…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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