(57)【要約】【課題】ＣＺ法による単結晶引上時においてリング状ＯＳＦ領域が形成された場合でもＢＭＤ密度の面内均一化を図ったウェーハを得る。【解決手段】チョクラルスキー法により窒素濃度が２．９×１０１４〜５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度が１．２７×１０１８〜３．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲で育成されたリング状ＯＳＦ領域を含むシリコンウェーハを、還元性ガス又は不活性ガス雰囲気下、１０００〜１２００℃の熱処理温度に至るまで０．５〜２．０℃／ｍｉｎの昇温レートで昇温し、熱処理を施す。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法により窒素濃度が２．９×１０１４〜５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度が１．２７×１０１８〜３．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲で育成されたリング状ＯＳＦ領域を含むシリコンウェーハを、還元性ガス又は不活性ガス雰囲気下で炉内温度が６００〜８００℃に保持された熱処理炉内に投入し、１０００〜１２００℃で熱処理を施す際、熱処理温度に至るまで０．５〜２．０℃／ｍｉｎの昇温レートを維持することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
チョクラルスキー法により窒素濃度が４．４×１０１４〜５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度が１．１５×１０１８〜３．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲で育成されたリング状ＯＳＦ領域を含むシリコンウェーハを、還元性ガス又は不活性ガス雰囲気下で炉内温度が６００〜８００℃で保持された熱処理炉内に投入し、１０００〜１２００℃で熱処理を施す際、熱処理温度に至るまで０．５〜２．０℃／ｍｉｎの昇温レートを維持することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
チョクラルスキー法により窒素濃度が８．０×１０１４〜５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度が１．３５×１０１８〜３．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲で育成されたリング状ＯＳＦ領域を含むシリコンウェーハを、還元性ガス又は不活性ガス雰囲気下で炉内温度が６００〜８００℃で保持された熱処理炉内に投入し、１０００〜１２００℃で熱処理を施す際、熱処理温度に至るまで０．５〜２．５℃／ｍｉｎの昇温レートを維持することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハの製造方法に関し、特に、チョクラルスキー法による単結晶育成においてリング状ＯＳＦ領域が形成された場合でも、シリコンウェーハ内部のＢＭＤ（Bulk Micro Defect）密度の面内均一化を図ることができるシリコンウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子形成用基板として用いられるシリコンウェーハ（以下、単にウェーハという）を育成する場合は、坩堝内で加熱、溶融された融液に種結晶を浸漬して坩堝と種結晶を回転させながら種結晶を引上げるチョクラルスキー法（以下、単にＣＺ法という）が一般的に使用されている。ＣＺ法では、例えば、酸素濃度の結晶特性を、均一になるように育成することは非常に困難である。
【０００３】
ウェーハの結晶表面に存在する重金属などの不純物をゲッタリングするＩＧ（Intrinsic Gettering）効果を得るために、ＣＺ法により育成された単結晶をウェーハ状にスライスして、平坦化させた後、還元性、又は、不活性ガス雰囲気中で、高温熱処理を施すことにより、ウェーハ表面から２０μｍ程度までの表層に無欠陥層を形成するとともに、ウェーハのＢＭＤ密度を高める技術が一般的に用いられている。
【０００４】
近年、半導体素子の高集積化、微細化等に伴い、ウェーハのＢＭＤ密度の面内均一化の要望が高まっている。
【０００５】
ＣＺ法により単結晶を育成する場合、結晶成長速度Ｖと融点直下の結晶内温度勾配Ｇの比（Ｖ／Ｇ）により、欠陥種の存在領域（ボイド欠陥発生領域、リング状ＯＳＦ（Oxidation −Induced Stacking Fault:酸化起因積層欠陥）領域、無欠陥領域、転位クラスタ発生領域）が決まることが知られている。欠陥種の領域のうちリング状ＯＳＦ領域が形成された場合、ＢＭＤ高密度領域であるリング状ＯＳＦ領域と、その近傍には酸素析出物の密度が著しく低下するＢＭＤ低密度領域が形成されることも知られている。このため、単結晶育成時にリング状ＯＳＦ領域が形成されたウェーハは、ＢＭＤ高密度領域とＢＭＤ低密度領域の二領域がウェーハ面内に存在することになり、高温熱処理を施しても、ウェーハ面内でＢＭＤ密度が不均一となる。このようなＢＭＤ低密度領域の存在は、ライフタイムや、酸化膜耐圧を低下させ、半導体デバイス歩留を低下させる要因となる。
【０００６】
ＢＭＤ密度の面内不均一を改善する方法としては、リング状ＯＳＦ領域を、ウェーハの外周に排除、あるいは、ウェーハ中心部に収縮するようにＶ／Ｇを制御する方法がある。しかしながら、このようなＶ／Ｇの制御は、ホットゾーンの形状や引上速度の厳密な適正化を行わなければならず、非常に、煩雑で、製造コストがかかり管理が難しい。
【０００７】
なお、ウェーハ内部のＢＭＤ密度を高める技術としては、ＣＺ法を用いて引上げたシリコン単結晶内の窒素濃度を０．０１×１０１５〜５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度を０．７×１０１８〜１．４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３として、１０００〜１４００℃の温度領域で１０分以上熱処理を行うことが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
さらに、シリコン単結晶内の窒素濃度を１×１０１０〜５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度を１．２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下として、９００℃乃至シリコンの融点以下の温度で熱処理を行うことも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−２８４３６２号公報
【特許文献２】特開平１１−３２２４９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、これらの特許文献は、ＢＭＤ密度を高め、十分なＩＧ効果を有するシリコン単結晶ウェーハを製造することを目的としているが、ウェーハ面内にリング状ＯＳＦ領域が形成された場合のウェーハ面内のＢＭＤ密度の均一化を図る手段については開示されておらず、示唆もされていない。
【００１０】
本発明は、上記問題を解決し、ＣＺ法による単結晶育成においてリング状ＯＳＦ領域が形成された場合でも、ウェーハのＢＭＤ密度の面内均一化を図ることができるため、高品質で、かつ、高い歩留で製造することができるシリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様によれば、チョクラルスキー法により窒素濃度が２．９×１０１４〜５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度が１．２７×１０１８〜３．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲で育成されたリング状ＯＳＦ領域を含むシリコンウェーハを、還元性ガス又は不活性ガス雰囲気下で炉内温度が６００〜８００℃に保持された熱処理炉内に投入し、１０００〜１２００℃で熱処理を施す際、熱処理温度に至るまで０．５〜２．０℃／ｍｉｎの昇温レートを維持することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法が提供される。
【００１２】
また、本発明の別の一態様によれば、チョクラルスキー法により窒素濃度が４．４×１０１４〜５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度が１．１５×１０１８〜３．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲で育成されたリング状ＯＳＦ領域を含むシリコンウェーハを、還元性ガス又は不活性ガス雰囲気下で炉内温度が６００〜８００℃で保持された熱処理炉内に投入し、１０００〜１２００℃で熱処理を施す際、熱処理温度に至るまで０．５〜２．０℃／ｍｉｎの昇温レートを維持することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法が提供される。
【００１３】
さらに、本発明の別の一態様によれば、チョクラルスキー法により窒素濃度が８．０×１０１４〜５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度が１．３５×１０１８〜３．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲で育成されたリング状ＯＳＦ領域を含むシリコンウェーハを、還元性ガス又は不活性ガス雰囲気下で炉内温度が６００〜８００℃で保持された熱処理炉内に投入し、１０００〜１２００℃で熱処理を施す際、熱処理温度に至るまで０．５〜２．５℃／ｍｉｎの昇温レートを維持することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ＣＺ法による単結晶育成時においてリング状ＯＳＦ領域が形成された場合でも、ＢＭＤ密度の面内均一化を図ることができるため、高品質で、かつ、高い歩留でウェーハを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
本発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、例えば、図１に示すように、単結晶引上装置１のチャンバ２内の石英坩堝３に単結晶育成の原料となるポリシリコンと、窒素をドープするための窒化珪素、及び、酸素をドープするための二酸化珪素を所望の窒素濃度、酸素濃度になるように所定量充填して、ヒータ４により加熱溶融して融液５とする。次に、融液５に種結晶６を浸漬してシードチャック７および石英坩堝３を回転させながら、シードチャック７を引き上げ、シリコン単結晶８を育成する。
【００１７】
次に、育成されたシリコン単結晶８を周知の方法で、ウェーハ状にスライスする。さらに、スライスしたウェーハに、ラッピング、エッチング、ポリッシングを施して平坦化させる。
【００１８】
次に、一般的に用いられている熱処理炉、例えば、縦型ボートにウェーハを積載して熱処理を行う。熱処理条件としては、還元性ガス、又は、不活性ガス雰囲気下、特定の昇温レートにて昇温し、１０００〜１２００℃の温度範囲で１０分以上の熱処理を行う。
【００１９】
このようにして製造されたウェーハのＢＭＤ密度を評価する場合は、特有のＢＭＤ析出熱処理を施して、ＢＭＤを析出、顕在化させた後に、赤外線トモグラフで測定する方法が一般的であり、現状の流動品の品質評価に広く用いられている。また、よりＢＭＤを高精度に、特に、赤外線トモグラフでは検出することができない微小なＢＭＤを検出する方法として、ウェーハにＸ線を透過させて、その透過光をＯＨＰフィルムに焼き付けて、目視にて欠陥の有無を判断するＸ線トポグラフ法が用いられている。このＸ線トポグラフ法は、一枚一枚の評価時間が長いため、生産の効率上、流動品の品質評価には適さず、主に、研究開発における品質評価用として広く用いられている。
【００２０】
上記ＣＺ法により育成するシリコン単結晶８の窒素濃度は、２．９×１０１４〜５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度は、１．２７×１０１８〜３．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲とすることが好ましい。この窒素濃度、及び、酸素濃度の範囲で育成されたウェーハに、還元性ガス又は不活性ガス雰囲気下の熱処理炉で、０．５〜２．０℃／ｍｉｎの範囲の昇温レートで昇温して、１０００〜１２００℃で熱処理を行うことで、単結晶育成時において、リング状ＯＳＦ領域が形成された場合でも、ＢＭＤ密度を面内均一に形成することができる。
【００２１】
なお、シリコン単結晶８の窒素濃度が２．９×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満だと、単結晶育成時にリング状ＯＳＦ領域が形成された場合、熱処理後にＢＭＤ密度を面内均一に形成することができない。また、窒素濃度が５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超えると、シリコン単結晶育成の際の単結晶化が阻害されてしまうため、単結晶が育成できず好ましくない。シリコン単結晶８の酸素濃度が１．２７×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満だと単結晶育成時にリング状ＯＳＦ領域が形成された場合、熱処理後にＢＭＤ密度を面内均一に形成することができない。また、酸素濃度が３．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超えると、近年における半導体デバイスの集積化、微細化に伴い要求されるシリコン単結晶の低酸素化に対応することができず、実用性に乏しい。
【００２２】
この窒素濃度、及び、酸素濃度の範囲で育成されたシリコン単結晶８をスライスしてウェーハ状に加工して、ラッピング、エッチング、ポリッシングを施してウェーハを平坦化させる。
【００２３】
この平坦化させたウェーハを、例えば、縦型熱処理炉内に投入する。なお、熱処理炉内に投入する際、その投入時の熱処理炉内温度は、６００〜８００℃の範囲で保持されていることが好ましい。
【００２４】
投入時の熱処理炉内の温度が６００℃未満だと、ウェーハ内にサーマルドナーが形成されてしまうため好ましくない。また、８００℃を超えると、炉内投入時における温度差が大きくなりすぎるため、その急激な熱変動によりウェーハ等が変形し、熱処理後、スリップが発生するため好ましくない。
【００２５】
次に、該ウェーハを熱処理炉に投入後、還元性ガス、又は、不活性ガス雰囲気中、０．５〜２．０℃／ｍｉｎの範囲の昇温レートで、１０００〜１２００℃まで昇温して熱処理を行う。
【００２６】
なお、昇温レートが０．５℃／ｍｉｎ未満だと、生産性が非常に悪く、また、長時間熱処理炉内にウェーハを保持するため、炉内汚染等の副次的な不具合が発生してしまう。昇温レートが２．０℃／ｍｉｎを超えると、単結晶育成時にリング状ＯＳＦ領域が形成された場合、ＢＭＤ密度を面内均一に形成することができない。更に、熱処理温度が１０００℃未満だと、ウェーハ表面から２０μｍ程度までの表層を十分に無欠陥層とすることができない。さらに、１２００℃を超えると、熱処理時においてウェーハを保持する保持部材が熱変形し、スリップ等の発生の原因となるため好ましくない。
【００２７】
以上の方法によりウェーハを製造することで、ＢＭＤ密度を面内均一に形成することができる。
【００２８】
なお、該シリコン単結晶８の窒素濃度が、４．４×１０１４〜５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度が、１．１５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜３．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲であっても、上述した窒素濃度、酸素濃度の範囲で育成した場合と同様な効果を得ることができる。すなわち、窒素濃度を４．４×１０１４〜５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲とすることで、酸素濃度を、１．１５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３まで、低くしても、上記熱処理を施すことにより、ＢＭＤ密度を面内均一に形成することができる。
【００２９】
該シリコン単結晶８の窒素濃度は、８．０×１０１４〜５．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度は、１．３５×１０１８〜３．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であることがより好ましい。この窒素濃度、及び、酸素濃度の範囲で育成されたウェーハに、６００〜８００℃で保持された熱処理炉内に投入し、還元性ガス又は不活性ガス雰囲気下で、０．５〜２．５℃／ｍｉｎの範囲の昇温レートで昇温して、１０００〜１２００℃で熱処理を行うことで、単結晶育成時において、リング状ＯＳＦ領域が形成された場合でも、赤外線トモグラフによる評価でＢＭＤ密度の面内均一化がはかれるのはもちろんのこと、より評価精度が高いＸ線トポグラフ法でもＢＭＤ密度の面内均一化が達成できるため、より高品質なウェーハを製造することができる。
【００３０】
なお、前述した還元性ガスとは、水素ガス、窒素ガス、塩酸ガス等、また、不活性ガスとは、ヘリウムガス、アルゴンガス等がそれぞれ含まれる。
【００３１】
以上の方法により、単結晶育成時にリング状ＯＳＦ領域が形成された場合でも、ＢＭＤ密度が面内均一に形成された高品質なウェーハを製造することができる。これは、上記窒素濃度、酸素濃度の範囲にて育成されたウェーハに上記熱処理を行うことで、ＢＭＤ高密度領域に存在している酸素原子が、ＢＭＤ低密度領域に十分に拡散されてウェーハ面内で酸素濃度が均一になり、結果、ＢＭＤ密度が面内で均一化されたものと考えられる。また、このとき窒素原子は、酸素原子をＢＭＤ高密度領域から低密度領域に拡散させる触媒的な作用をもっており、窒素濃度を４．４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上とすることで、酸素濃度が低くてもその作用を十分に発揮することができると考えられる。
【００３２】
なお、本発明の単結晶育成に用いられる装置は、図１に示した装置に限定されるものではない。
【実施例】
【００３３】
以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明するが、本発明は下記の実施例により限定されるものではない。
【００３４】
（実施例１〜７、比較例１）
直径２２インチの石英坩堝を用い、窒素濃度、酸素濃度が表１に示す所定の濃度となるように、窒化珪素、及び、二酸化珪素を投入して調整し、シリコン単結晶（最終狙い直径３００ｍｍ）をそれぞれ育成した。なお、シリコン単結晶の育成の際には、ウェーハ面内にリング状ＯＳＦ領域が形成されるようにＶ／Ｇを制御した。
【００３５】
次に、このシリコン単結晶をウェーハ状に加工して、反応室内が温度６００℃に保持された縦型熱処理炉内に投入し、アルゴンガス雰囲気下で１．０℃／ｍｉｎの昇温レートで１２００℃まで昇温後、６０分間熱処理を行った。
【００３６】
以上の熱処理を行ったウェーハにＢＭＤ評価のためのＢＭＤ析出熱処理（７８０℃×３時間＋１０００℃×１６時間）を施した後、赤外線トモグラフとＸ線トポグラフを用いて、それぞれＢＭＤの面内均一性を評価した。赤外線トモグラフ法では、ウェーハ中心から外周に向けて多点測定をおこない、ＢＭＤ密度面内比（ウェーハ半径方向５ｍｍピッチで計３０点測定によるＭＡＸ値／ＭＩＮ値）を算出して比較した。更に、Ｘ線トポグラフ法では、得られたＸ線写真においてリング状ＯＳＦ領域にともなうＢＭＤ面内均一性（図２参考）を目視にて評価して比較した。結果を表１に示す。
【表１】
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【００３７】
表１に示すように窒素濃度が２．９×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、かつ、酸素濃度が１．２７×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である場合、比較例１に比べて赤外線トモグラフにおけるＢＭＤ密度面内比が大きく良化する。さらに、窒素濃度が４．４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上の場合、比較例１の酸素濃度以下、すなわち、酸素濃度が１．１５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３でも、比較例１に比べてＢＭＤ密度面内比が大きく良化する。すなわち、窒素濃度が４．４×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上の場合、酸素濃度が１．１５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上でＢＭＤ密度の面内均一化を図ることができる。
【００３８】
なお、窒素濃度が８．０×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、かつ、酸素濃度が１．３５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である場合は、Ｘ線トポグラフにおける評価結果でも、図２（ａ）に見られるようなリング状ＯＳＦ領域にともなうＢＭＤ低密度領域が、図２（ｂ）に示されているように確認されなくなるため、より高いＢＭＤ密度の面内均一化が図れていることが確認できる。
【００３９】
（実施例８〜１１、比較例２〜４）
次に、実施例１と同じ窒素濃度、酸素濃度を有するウェーハを、炉内が温度６００℃に保持された縦型熱処理炉内に投入し、アルゴンガス雰囲気下で昇温レートを、０．５℃／ｍｉｎから０．５℃／ｍｉｎ毎に最大、３．５℃／ｍｉｎまで条件を振り、それぞれ熱処理を行って、試料を作成した。このときの熱処理条件は、実施例１〜７と同様に、１２００℃で６０分間である。
【００４０】
以上の熱処理を行ったウェーハに実施例１〜７と同様に、ＢＭＤ析出熱処理を施した後、赤外線トモグラフ法によりＢＭＤ密度面内比を評価した。その結果を表２に示す。また、図３には、実施例９、比較例３、及び、熱処理前のウェーハのウェーハ中心から外周におけるＢＭＤ密度プロファイルをそれぞれ示す。
【表２】
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【００４１】
表２に示すように、昇温レートが、０．５〜２．０℃／ｍｉｎの範囲では、赤外線トモグラフ法によるＢＭＤ密度面内比が４．５以下となり、比較例２〜４に比べて、大幅にＢＭＤ密度の面内均一化を図ることができる。なお、２．５℃／ｍｉｎ以上では、図３の比較例３に示すように、ＢＭＤ低密度領域で熱処理前のウェーハのＢＭＤ密度と比べると若干高くなるが、実施例９の結果と比較して、依然として、ＢＭＤ密度の面内均一化が図れていないことが確認できる。
【００４２】
（比較例５〜１１）
次に、比較例１と同じ窒素濃度、酸素濃度を有するウェーハを、炉内が温度６００℃に保持された縦型熱処理炉内に投入し、アルゴンガス雰囲気下で昇温レートを、０．５℃／ｍｉｎから、０．５℃／ｍｉｎ毎に最大、３．５℃／ｍｉｎまで条件を振って、それぞれ熱処理を行い、試料を作成した。このときの熱処理条件は、実施例１〜７と同様に、１２００℃で６０分間である。
【００４３】
以上の熱処理を行ったウェーハに実施例１〜７と同様に、ＢＭＤ析出熱処理を施した後、赤外線トモグラフ法により、ＢＭＤ密度面内比を評価した。その結果を表３に示す。
【表３】
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【００４４】
表３に示すように、比較例１の窒素濃度、酸素濃度のウェーハを熱処理した場合は、昇温レートを０．５℃／ｍｉｎまで遅くしても、ＢＭＤ密度の面内均一化を図ることができない。
【００４５】
（実施例１２〜１６、比較例１２〜１３）
実施例５と同じ窒素濃度、酸素濃度を有するウェーハを、炉内が温度６００℃に保持された縦型熱処理炉内に投入し、アルゴン雰囲気下で昇温レートを、０．５℃／ｍｉｎから、０．５℃／ｍｉｎ毎に最大３．５℃／ｍｉｎまで条件を振って、それぞれ熱処理を行い、試料を作成した。このときの熱処理条件は、実施例１〜７と同様に、１２００℃で６０分間である。
【００４６】
以上の熱処理を行ったウェーハに実施例１〜７と同様に、ＢＭＤ析出熱処理を施した後、Ｘ線トポグラフ法によりリング状ＯＳＦ領域にともなうＢＭＤ面内均一性を目視にて評価した。その結果を表４に示す。
【表４】
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【００４７】
表４に示すように、窒素濃度、酸素濃度が実施例５の濃度の場合は、昇温レートが、０．５〜２．５℃／ｍｉｎの範囲で熱処理を行うことで、Ｘ線トポグラフ法による測定で評価しても、ＢＭＤ密度を面内均一に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態に係るシリコン単結晶育成に用いられる単結晶引上装置の概念図。
【図２】本発明の一実施形態に係る製造方法により製造されたシリコンウェーハのＸ線トポグラフ法における評価写真。
【図３】本発明に係る実施例、及び、比較例におけるＢＭＤ密度の面内分布を示すグラフ図。
【符号の説明】
【００４９】
１・・・単結晶引上装置、  ２・・・チャンバ、  ３・・・石英坩堝、  ４・・・ヒータ、
５・・・融液、  ６・・・種結晶、  ７・・・シードチャック、  ８・・・  シリコン単結晶。
【図１】
2006093645.tif 000007
【図２】
2006093645.tif 000008
【図３】
2006093645.tif 000009