(57)【要約】【課題】  可動部の一部を湾曲させつつ、可動部の他の一部を精度良く湾曲していない状態にする。【解決手段】  可動部は、固定端が脚部６を介して固定された片持ち梁構造をなす梁部９から構成される。梁部１３は、固定端と自由端との間に、直列に接続された２つの梁構成部７，８を有する。ミラー２は、梁構成部８の自由端側に設けられる。梁構成部７は、下層のＳｉＮ膜１０、中間層のＡｌ膜１１及び上層のＳｉＮ膜１２からなる。梁構成部８は、下層のＳｉＮ膜１３、中間層のＡｌ膜１１及び上層のＳｉＮ膜１４からなる。固定端側の梁構成部７は板ばね部である。梁構成部７は、梁部９が力を受けない状態で、基板３と反対側に湾曲している。自由端側の梁構成部８は、基板３側にもその反対側にも湾曲していない。梁構成部８は、当該梁構成部８を基板３側及びその反対側に湾曲させようとする内部応力を保有しない。【選択図】  図２
2006187060.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部と、該固定部に対して固定端が固定された片持ち梁構造を持つ可動部とを備え、
前記可動部は、前記可動部の前記固定端と自由端との間に梁部を有し、
前記梁部は、前記固定端と前記自由端との間に直列に接続された複数の梁構成部を有し、
前記複数の梁構成部のうちの１つの梁構成部である第１の梁構成部は、前記可動部が力を受けない状態で、前記固定部とは反対側に湾曲し、
前記複数の梁構成部のうちの他の１つの梁構成部である第２の梁構成部は、前記可動部が力を受けない状態で、前記固定部側にもその反対側にも実質的に湾曲しないとともに当該第２の梁構成部を前記固定部側及びその反対側に湾曲させようとする内部応力を実質的に保有せず、
前記第１及び第２の梁構成部の各々が、２層以上の薄膜で構成され、
前記第１の梁構成部の全部又は大部分の領域の層構造と前記第２の梁構成部の全部又は大部分の領域の層構造との間で、積層順序で対応する各層の材料及び層数が同じであることを特徴とするマイクロアクチュエータ。
【請求項２】
前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における少なくとも１層と、これに積層順序で対応する前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における層とが、同時に成膜されて連続したものであり、
前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における他の少なくとも１層と、これに積層順序で対応する前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における層とが、別々に成膜されたものであることを特徴とする請求項１記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項３】
前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における全ての層と、前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における全ての層とが、積層順序で対応する層毎に、同時に成膜されて連続したものであり、
前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における少なくとも１層の厚さと、これに積層順序で対応する前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における層の厚さとが、異なることを特徴とする請求項１記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項４】
前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における層数が３つであり、
前記可動部が力を受けない状態で、前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における中間の第１の層に対する両側の第２及び第３の層の持つ応力が、両方とも、互いに略同じ値を持つ引っ張り応力であるか互いに略同じ値を持つ圧縮応力であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項５】
前記第２の梁構成部は、前記固定部側及びその反対側に対する撓みに対して剛性が高まるように形成された段差を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項６】
請求項２によるマイクロアクチュエータを製造する方法であって、
前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における前記他の少なくとも１層となるべき層を、当該層が所定の内部応力を持つ条件で成膜する第１の段階と、
前記第１の段階の前又は後に、前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における前記他の少なくとも１層に積層順序で対応する前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における前記層となるべき層を、当該層が前記所定の内部応力とは異なる内部応力を持つ条件で成膜する第２の段階と、
を備えたことを特徴とするマイクロアクチュエータの製造方法。
【請求項７】
請求項３によるマイクロアクチュエータを製造する方法であって、
前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における前記少なくとも１層及びこれに積層順序で対応する前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における前記層となるべき層を成膜する第１の段階と、
前記第１の段階で成膜された層の一部の領域を、その厚さが薄くなるように選択的にエッチングする第２の段階と、
を備えたことを特徴とするマイクロアクチュエータの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれかに記載のマイクロアクチュエータと、前記可動部に搭載された被駆動体とを備え、前記被駆動体が光学素子であることを特徴とする光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至５のいずれかに記載のマイクロアクチュエータと、前記可動部に搭載された被駆動体とを備え、前記被駆動体がミラーであることを特徴とする光スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロアクチュエータ、並びに、これを用いた光学装置及び光スイッチに関するものである。この光スイッチは、例えば、光通信装置や光伝送装置等で用いることができるものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロマシニング技術の進展に伴い、種々の分野においてマイクロアクチュエータの重要性が高まっている。マイクロアクチュエータが用いられている分野の一例として、例えば、光通信などに利用され光路を切り替える光スイッチを挙げることができる。このような光スイッチの一例として、下記の特許文献１に開示された光スイッチを挙げることができる。
【０００３】
マイクロアクチュエータは、固定部と、固定部に対して移動可能とされた可動部とを備えているが、可動部が片持ち梁構造を持つタイプのマイクロアクチュエータもある。
【０００４】
例えば、特許文献１の図２６、図３６〜図４０には、可動部が片持ち梁構造を持つマイクロアクチュエータの例が開示されている。この従来のマイクロアクチュエータでは、基板に対して固定された片持ち梁構造を持つ可動部は、その固定端と自由端との間に梁部を有している。該梁部は、前記固定端と前記自由端との間に機械的に直列に接続された板ばね部と剛性部とを有している。前記板ばね部は、前記剛性部に対して固定端側に配置されている。前記板ばね部の所定の領域及び前記剛性部の所定の領域は、下側のＳｉＮ（シリコン窒化膜）、中間のＡｌ膜及び上側のＳｉＮ膜の３層の薄膜で構成され、前記板ばね部における各層と前記剛性部における各層とは、積層順序が対応する層毎に、同時に成膜されて連続したものとなっている。前記剛性部にはその周囲等に段差が形成されることで前記剛性部の剛性が高められる一方、前記板ばね部にはそのような段差が形成されずに板ばねとして作用するようになっている。前記板ばね部は、可動部が力を受けない状態で、基板とは反対側に湾曲している。一方、前記剛性部は、基板の側にもその反対側にもほとんど湾曲していない。前記３層の薄膜は、可動部が力を受けない状態で、前記板ばね部が上方へ湾曲するような成膜条件で成膜されている。それにも拘わらずに前記３層の薄膜の前記剛性部の部分がほとんど湾曲しないのは、前記段差による補強によって、前記３層の薄膜の当該部分の内部応力による変形（湾曲）が抑えられているためである。
【０００５】
そして、特許文献１の図２６、図３６〜図４０に開示された光スイッチでは、被駆動体としてのミラーの主平面が前記剛性部の主平面に対して垂直をなすように、前記ミラーが前記マイクロアクチュエータの前記剛性部に搭載されている。この光スイッチでは、前記マイクロアクチュエータによりミラーが光路に対して進出及び退出することで、光路を切り替えるようになっている。
【特許文献１】国際公開第０３／０６０５９２号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記従来のマイクロアクチュエータでは、前記可動部の前記剛性部における薄膜の内部応力による変形が前記段差による補強によって抑えられているとは言え、わずかながら前記剛性部が湾曲してしまう。このため、前記従来の光スイッチでは、ミラーの前記剛性部に対する取り付け構造にもよるが、前記剛性部に搭載したミラーの角度がわずかながら所期の角度（例えば、垂直）からずれてしまう。その結果、光の反射方向が所期の方向からずれてしまい、光量損失が増大するなどの不都合が生ずる。
【０００７】
以上の説明では、マイクロアクチュエータを光スイッチに用いる場合を例に挙げて説明したが、マイクロアクチュエータの可動部における被駆動体を搭載する部分は、被駆動体に対する支持基体になるので、理想的には全く湾曲していないことが望まれる。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、可動部の一部を湾曲させつつ可動部の他の一部を精度良く湾曲していない状態にすることができるマイクロアクチュエータ、及び、これを用いた光学装置及び光スイッチを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため、本発明の第１の態様によるマイクロアクチュエータは、固定部と、該固定部に対して固定端が固定された片持ち梁構造を持つ可動部とを備え、前記可動部は、前記可動部の前記固定端と自由端との間に梁部を有し、前記梁部は、前記固定端と前記自由端との間に直列に接続された複数の梁構成部を有し、前記複数の梁構成部のうちの１つの梁構成部である第１の梁構成部は、前記可動部が力を受けない状態で、前記固定部とは反対側に湾曲し、前記複数の梁構成部のうちの他の１つの梁構成部である第２の梁構成部は、前記可動部が力を受けない状態で、前記固定部側にもその反対側にも実質的に湾曲しないとともに当該第２の梁構成部を前記固定部側及びその反対側に湾曲させようとする内部応力を実質的に保有せず、前記第１及び第２の梁構成部の各々が、２層以上の薄膜で構成され、前記第１の梁構成部の全部又は大部分の領域の層構造と前記第２の梁構成部の全部又は大部分の領域の層構造との間で、積層順序で対応する各層の材料及び層数が同じであるものである。
【００１０】
本発明の第２の態様によるマイクロアクチュエータは、前記第１の態様において、前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における少なくとも１層と、これに積層順序で対応する前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における層とが、同時に成膜されて連続したものであり、前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における他の少なくとも１層と、これに積層順序で対応する前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における層とが、別々に成膜されたものである。
【００１１】
本発明の第３の態様によるマイクロアクチュエータは、前記第１の態様において、前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における全ての層と、前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における全ての層とが、積層順序で対応する層毎に、同時に成膜されて連続したものであり、前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における少なくとも１層の厚さと、これに積層順序で対応する前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における層の厚さとが、異なるものである。
【００１２】
本発明の第４の態様によるマイクロアクチュエータは、前記第１乃至第３のいずれかの態様において、前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における層数が３つであり、前記可動部が力を受けない状態で、前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における中間の第１の層に対する両側の第２及び第３の層の持つ応力が、両方とも、互いに略同じ値を持つ引っ張り応力であるか互いに略同じ値を持つ圧縮応力であるものである。
【００１３】
本発明の第５の態様によるマイクロアクチュエータは、前記第１乃至第４のいずれかの態様において、前記第２の梁構成部は、前記固定部側及びその反対側に対する撓みに対して剛性が高まるように形成された段差を有するものである。
【００１４】
前記第１乃至第５の態様において、前記可動部は、磁界内に配置されて通電によりローレンツ力を生ずる電流経路を有してもよい。
【００１５】
また、前記第１乃至第５の態様において、前記固定部は第１の電極部を有し、前記可動部は、前記第１の電極部との間の電圧により前記第１の電極部との間に静電力を生じ得る第２の電極部を有してもよい。この場合も、前記可動部は、磁界内に配置されて通電によりローレンツ力を生ずる電流経路を有してもよい。
【００１６】
本発明の第６の態様によるマイクロアクチュエータの製造方法は、前記第２の態様によるマイクロアクチュエータを製造する方法であって、前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における前記他の少なくとも１層となるべき層を、当該層が所定の内部応力を持つ条件で成膜する第１の段階と、前記第１の段階の前又は後に、前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における前記他の少なくとも１層に積層順序で対応する前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における前記層となるべき層を、当該層が前記所定の内部応力とは異なる内部応力を持つ条件で成膜する第２の段階と、を備えたものである。
【００１７】
本発明の第７の態様によるマイクロアクチュエータの製造方法は、第３の態様によるマイクロアクチュエータを製造する方法であって、前記第１の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における前記少なくとも１層及びこれに積層順序で対応する前記第２の梁構成部の全部又は大部分の前記領域における前記層となるべき層を成膜する第１の段階と、前記第１の段階で成膜された層の一部の領域を、その厚さが薄くなるように選択的にエッチングする第２の段階と、を備えたものである。
【００１８】
本発明の第８の態様による光学装置は、前記第１乃至第５のいずれかの態様によるマイクロアクチュエータと、前記可動部に搭載された被駆動体とを備え、前記被駆動体が光学素子であるものである。
【００１９】
本発明の第９の態様による光スイッチは、前記第１乃至第５のいずれかの態様によるマイクロアクチュエータと、前記可動部に搭載された被駆動体とを備え、前記被駆動体がミラーであるものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、可動部の一部を湾曲させつつ可動部の他の一部を精度良く湾曲していない状態にすることができるマイクロアクチュエータ、及び、これを用いた光学装置及び光スイッチを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明によるマイクロアクチュエータ、並びに、これを用いた光学装置及び光スイッチについて、図面を参照して説明する。
【００２２】
［第１の実施の形態］
【００２３】
図１は、本発明の第１の実施の形態によるマイクロアクチュエータ１及びこれにより駆動されるミラー２を模式的に示す概略平面図である。図１では、基板３上に形成された固定電極５は、想像線で示している。図２は、図１中のＸ１−Ｘ２線に沿った概略断面図である。説明の便宜上、図１及び図２に示すように、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を定義する。また、Ｘ軸方向のうち矢印の向きを＋Ｘ方向又は、その反対の向きを−Ｘ方向と呼び、Ｙ軸方向及びＺ軸方向についても同様とする。ＸＹ平面は基板３の面と平行となっている。これらの点は、後述する各図についても同様である。なお、図２は、駆動信号が供給されていない状態（すなわち、可動部が力を受けていない状態）を示している。
【００２４】
本実施の形態によるマイクロアクチュエータ１は、シリコン基板やガラス基板等の基板３と、脚部６と、Ｚ軸方向から見た平面視でＸ軸方向に延びた１本の帯板状の梁部９と、固定電極５と、を備えている。
【００２５】
梁部９の固定端（−Ｘ方向の端部）は、基板３上のシリコン酸化膜等の絶縁膜４上に形成されたＡｌ膜からなる配線パターン１５（図１では省略）を介して基板３から立ち上がる立ち上がり部を持つ脚部６を介して、基板３に機械的に接続されている。梁部９の＋Ｘ方向の端部は自由端となっている。したがって、本実施の形態では、梁部９は片持ち梁となっており、梁部９が、片持ち梁構造を持つ可動部を構成している。また、本実施の形態では、基板３、絶縁膜４及び固定電極５が、固定部を構成している。
【００２６】
本実施の形態では、梁部９の自由端側の上部（すなわち、後述する梁構成部８の上部）には、被駆動体である光学素子としてのＡｕ、Ｎｉ又はその他の金属からなるミラー２が設けられている。本実施の形態では、ミラー２は、梁構成部８の上面に直立して、単に固定されているが、ミラー２をその支持基体となる梁構成部８により支持する支持構造は、これに限定されるものではなく、例えば、特許文献１に開示された支持構造を採用してもよい。
【００２７】
梁部９は、その固定端と自由端との間に機械的にＸ軸方向に直列に接続された２つの梁構成部７，８を、有している。梁構成部７，８は、いずれもＺ軸方向から見た平面視でＸ軸方向に延びた帯板状に構成されている。固定端側（−Ｘ側）の梁構成部７はＺ軸方向に撓み得る板ばね部となっているのに対し、自由端側（＋Ｘ側）の梁構成部８はＺ軸方向に対し、実質的に＋Ｚ方向及び−Ｚ方向に湾曲しない構造となっている。
【００２８】
梁構成部７は、中間層のＡｌ膜１１を下層のＳｉＮ膜１０と上層のＳｉＮ膜１２で挟み込む形で積層された３層の薄膜で、板ばねとして作用するように構成されている。膜厚２００ｎｍの下層のＳｉＮ膜１０は、膜厚２００ｎｍのＡｌ膜１１に対するストレスが−２００ＭＰａの圧縮応力になるようなプロセス条件で成膜されて積層されたものである。また、膜厚１５０ｎｍの上層のＳｉＮ膜１２は、Ａｌ膜１１に対するストレスが＋５０ＭＰａの引っ張り応力になるようなプロセス条件で成膜されて積層されたものである。したがって、この梁構成部７は、図２に示すように、外部から力を受けない状態で、自然に上方に湾曲する形状となる。ここでは、一例として、上記の膜厚及びストレス値（応力値）を挙げたが、これらの数値に限らず、これらの値は、梁構成部７が上方に湾曲し板バネ部となるような他の適当な条件を設定できる。
【００２９】
一方、梁構成部８は、梁構成部７と同様に、下層のＳｉＮ膜１３と上層のＳｉＮ膜１４で中間の膜厚２００ｎｍのＡｌ膜１１を挟み込む形で積層された３層の薄膜で構成されている。すなわち、梁構成部７の層構造と梁構成部８の層構造との間で、積層順序で対応する各層（すなわち、本実施の形態では、下層同士、中間層同士及び上層同士）の材料及び層数（本実施の形態では、３層）が同じである。梁構成部８を構成しているＡｌ膜１１は、梁構成部７からそのまま連続して延びて同時に成膜されたものである。膜厚２００ｎｍの下層ＳｉＮ膜１３は、Ａｌ膜１１に対するストレスが＋１００ＭＰａの引っ張り応力になるようなプロセス条件で成膜されて積層されたものであり、積層順序で対応する梁構成部７の下層のＳｉＮ膜１０とは別々に成膜されたものである。また、膜厚２００ｎｍの上層のＳｉＮ膜１４は、Ａｌ膜１１に対するストレスが＋１００ＭＰａの引っ張り応力になるようなプロセス条件で成膜されて積層されたものである。よって、梁構成部８では、梁構成部７とは異なり、上層のＳｉＮ膜１４と下層のＳｉＮ膜１３の応力が中間のＡｌ膜１１を介してちょうど釣り合う関係になり、梁構成部８は、当該梁構成部８を＋Ｚ方向及び−Ｚ方向に湾曲させようとする内部応力を実質的に保有せず、外部から力を受けない状態で、実質的に＋Ｚ方向及び−Ｚ方向に湾曲しない状態を保つことができる。なお、後述する第３の実施の形態におけるミラー搭載板３２及び支持板３２ｂのミラー搭載板３２ａ側の部分３２ｆと同様に、梁構成部８の剛性を高めるために、梁構成部８の周囲等に段差を形成してもよい。
【００３０】
なお、梁構成部８は、例えば、膜厚２００ｎｍの下層のＳｉＮ膜１３を、Ａｌ膜１１に対するストレスが−１００ＭＰａの圧縮応力になるようなプロセス条件で成膜して積層し、膜厚２００ｎｍの上層のＳｉＮ膜１４を、Ａｌ膜１１に対するストレスが−１００ＭＰａの圧縮応力になるようなプロセス条件で成膜して積層することも可能である。つまり、梁構成部８は、下層のＳｉＮ膜１３と上層のＳｉＮ膜１４を同一膜厚、同一ストレスによって積層することにより、Ａｌ膜１１を介して上下のストレスが釣り合うため、上方／下方いずれにも湾曲しない構造となる。
【００３１】
なお、梁構成部７，８の材料や層数は前述した例に限定されるものではなく、例えば、ＳｉＮ膜１０，１２に代えて他の絶縁膜を用いてもよいし、Ａｌ膜１１に代えて他の導電膜を用いてもよい。
【００３２】
以上説明したように、図２に示すように、梁構成部７は、駆動信号が供給されていない状態（外部からの力が印加されていない状態）において、梁構成部７を構成する薄膜１０，１１，１２の内部応力によって、上方（基板３と反対側、＋Ｚ方向）に湾曲している。一方、梁構成部８では、梁構成部７と同一面にあるのにも拘わらず、梁構成部７と異なり、梁構成部８を構成する薄膜１３，１１，１４のストレスが釣り合っていて、梁構成部８が当該梁構成部８をＺ軸方向に湾曲させるような応力を実質的に保有していないため、駆動信号の供給の有無に拘わらずＺ軸方向に実質的に湾曲しておらず、常に平板状の状態を維持する。
【００３３】
本実施の形態では、脚部６は、梁構成部７を構成するＳｉＮ膜１０，１２及びＡｌ膜１１がそのまま連続して延びることによって構成されている。Ａｌ膜１１は、脚部６においてＳｉＮ膜１０に形成された開口を介して配線パターン１５に電気的に接続されている。
【００３４】
本実施の形態では、静電力を駆動力として作動するように構成されている。具体的には、本実施の形態では、梁構成部８の自由端側の領域におけるＡｌ膜１１が可動電極として兼用され、梁構成部８の前記領域と対向する基板３上の絶縁膜４上の領域に、Ａｌ膜からなる固定電極５が形成されている。梁構成部８における下層のＳｉＮ膜１３は、Ａｌ膜１１と固定電極５とが電気的に接触しないようにするための絶縁層としても機能している。また、梁構成部７，８を構成する下層のＳｉＮ膜１０，１１及び上層のＳｉＮ膜１２，１４はＡｌ膜１１の酸化防止、腐食防止の保護膜としての機能も有する。なお、図面には示していないが、固定電極５を構成するＡｌ膜は配線パターンとしても延びており、前記配線パターン１５と共に利用することによって、固定電極５と可動電極として兼用された梁構成部８におけるＡｌ膜１１との間に電圧を、駆動信号として印加できるようになっている。
【００３５】
この電圧（駆動信号）を印加すると、固定電極５と梁構成部８における可動電極としてのＡｌ膜１１との間に静電力（駆動力）が作用し、梁構成部７のバネ力（内部応力）に抗して、梁構成部８が基板３側へ引き寄せられて、それに伴い梁構成部７が変形する。そして、梁構成部８が基板３側に当接した位置で停止し、それによりミラー２が基板３へ近接した位置へ移動した状態となる。一方、この電圧を印加しないと、固定電極５と梁構成部８における可動電極としてのＡｌ膜１１との間に静電力（駆動力）が作用しなくなり、梁構成部７のバネ力（内部応力）によって、図２に示す状態に戻り、ミラー２は基板３から離れた元の上方位置へ戻る。基板３には、外部からの制御信号に応じてこの駆動信号を生成する駆動回路を搭載しておいてもよく、この点は後述する各実施の形態についても同様である。
【００３６】
このように、本実施の形態では、駆動信号によって生ずる静電力によって駆動される。もっとも、本発明では、磁気力やローレンツ力など他の駆動力や任意の２種類以上を複合した駆動力により駆動されるように構成することもできる。また、例えば、異なる膨張係数を有する異なる物質の互いに重なった少なくとも２つの層の、熱膨張による変形を利用した駆動方式を採用してもよい。この場合、例えば、光や赤外線の吸収や電気抵抗部への通電などによって、前記変形のための熱を与えることができ、照射光量や通電量を駆動信号として用いることができる。
【００３７】
なお、基板３上の固定電極５は、本実施の形態では梁構成部８の自由端側の領域に対向する領域のみに設置されているが、固定電極５を固定端側の梁構成部７に対向する位置まで延長してもよい。その場合は、梁構成部８におけるＡｌ膜１１のみならず梁構成部７におけるＡｌ膜１１も、可動電極として作用する。
【００３８】
次に、本実施の形態によるマイクロアクチュエータ１の製造方法の一例について、図３及び図４を参照して説明する。図３及び図４は、この製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図であり、図２に対応している。
【００３９】
まず、シリコン基板３の上面に熱酸化によってシリコン酸化膜４を成膜し、その上にＡｌ膜を蒸着又はスパッタ法等によりデポした後に、フォトリソエッチング法により、そのＡｌ膜を固定電極５、配線パターン１５及びその他の配線パターンの形状にパターニングする（図３（ａ））。次いで、この状態の基板上に、犠牲層となるフォトレジスト１６を塗布し、このフォトレジスト１６に、脚部６のコンタクト部に応じた開口１６ａをフォトリソエッチング法により形成する（図３（ｂ））。
【００４０】
その後、脚部６及び梁部９のうちの梁構成部７となるべき膜厚２００ｎｍのＳｉＮ膜１０を、後に成膜するＡｌ膜１１に対するストレスが−２００ＭＰａの圧縮応力となるようにプラズマＣＶＤ法等により形成した後、フォトリソエッチング法によりパターニングし、それらの形状とする（図３（ｃ））。このとき、脚部６におけるコンタクト部には開口を形成しておく。
【００４１】
次に、梁構成部８となるべき膜厚２００ｎｍのＳｉＮ膜１３を、後に成膜するＡｌ膜１１に対するストレスが＋１００ＭＰａの引っ張り応力になるようにプラズマＣＶＤ法等により形成した後、フォトリソエッチング法によりパターニングする（図３（ｄ））。このとき、ＳｉＮ膜１３は、図３（ｄ）に示すように、梁構成部７を構成するＳｉＮ膜１０との間に隙間が発生しないように、ＳｉＮ膜１０に若干乗り上がるように積層する。それは、ＳｉＮ膜１３とＳｉＮ膜１０との境界を精度良く連続させることが難しいからである。
【００４２】
次いで、ＳｉＮ膜１０に乗り上がったＳｉＮ膜１３のＺ軸方向に盛り上がった余分な部分は、ＣＭＰ法により削り取る。もっとも、ＣＭＰ法により余分な部分を削り取らず、そのまま残すことも可能である。もしくは、ＳｉＮ膜１０とＳｉＮ膜１３との間の境界に一定の隙間を設けるようにフォトリソエッチングしてもよい。
【００４３】
引き続いて、脚部６及び梁部９（梁構成部７，８）となるべき、膜厚２００ｎｍのＡｌ膜１１を蒸着又はスパッタ法等によりデポした後に、フォトリソエッチング法によりパターニングし、それらの形状にする（図３（ｅ））。
【００４４】
次に、脚部６及び梁構成部７となるべき膜厚１５０ｎｍの上層ＳｉＮ膜１２を、Ａｌ膜１１に対するストレスが＋５０ＭＰａの引っ張り応力となるようにプラズマＣＶＤ法等により形成した後、フォトリソエッチング法によりパターニングし、それらの形状とする。次いで、梁構成部８となるべき膜厚２００ｎｍの上層ＳｉＮ膜１４を、Ａｌ膜１１に対するストレスが＋１００ＭＰａの引っ張り応力となるようにプラズマＣＶＤ法等により形成した後、フォトリソエッチング法によりパターニングする（図４（ａ））。このとき、ＳｉＮ膜１４は、図４（ａ）に示すように、梁構成部７を構成するＳｉＮ膜１２との間に隙間が発生しないように、ＳｉＮ膜１２に若干乗り上がるように積層する。
【００４５】
その後、ＳｉＮ膜１２に乗り上がったＳｉＮ膜１４のＺ軸方向に盛り上がった余分な部分は、ＣＭＰ法により削り取る（図４（ｂ））。もっとも、ＣＭＰ法により余分な部分を削り取らず、そのまま残すことも可能である。もしくは、ＳｉＮ膜１２とＳｉＮ膜１４との間の境界Ｋに一定の隙間を設けるようにフォトリソエッチングしてもよい。
【００４６】
次に、図４（ｂ）に示す状態の基板の全面に犠牲層となるレジスト１７を厚塗りし、レジスト１７を露光、現像してミラー２が成長される領域をレジスト１７に形成した後、電解メッキによりミラー２となるべきＡｕ、Ｎｉ又はその他の金属を成長させる（図４（ｃ））。最後に、レジスト１６，１７をプラズマアッシング法等により除去する。これにより、本実施の形態によるマイクロアクチュエータ１が完成する。
【００４７】
なお、前述したように梁構成部７は、ＳｉＮ膜１０及びＳｉＮ膜１２を前述したストレスになるような成膜することにより、レジスト１６，１７の除去によって、外部から力を受けないときに自然に上方に湾曲する。一方、梁構成部８は、ＳｉＮ膜１３、１４を前述したストレスになるように成膜することにより、Ａｌ膜１１を介して上層と下層のストレスが釣り合うため、Ｚ軸方向には湾曲せず平面状態を保つことができる。なお、Ａｌ膜に対するストレスは、ＳｉＮ膜あるいはＡｌ膜の膜質によっても制御可能であり、また膜厚によっても変えることが可能であるので、梁構成部７の湾曲状態と梁構成部８の平面状態を実現するために、適宜適当な条件を選択すればよい。
【００４８】
本実施の形態によれば、前述した従来技術と異なり、梁構成部７，８の層数及び対応する各層の材料が同じでありながら、梁部９が力を受けない状態で梁構成部７を湾曲させつつ梁構成部８を平板状態にした上で、梁構成部８は、＋Ｚ方向にも−Ｚ方向にも当該梁構成部８を湾曲させようとする内部応力を実質的に保有していない。したがって、本実施の形態によれば、梁構成部８を精度良く湾曲していない状態にすることができ、これにより、ミラー２の角度を精度良く梁構成部８の主平面に対して所期の角度（本実施の形態では、９０゜）にすることができる。よって、本実施の形態によれば、光の光路切り替えの際に、ミラー２による光の反射方向が所期の方向に対してずれるのを抑えることができ、光量損失を低減することができる。
【００４９】
また、本実施の形態では、梁部９が一様な板ばね部のみで構成されるのではなく、梁部９が、力を受けない状態で湾曲した固定端側の板ばね部である梁構成部７と、平板状態の梁構成部８とで構成されている。したがって、梁部９の固定端から自由端までの長さを長くし、かつ、梁部９が力を受けない図２に示す状態で梁部９の自由端側と基板３側との間の距離を短くすることができる。このため、自由端側の可動電極（本実施の形態では、梁構成部８におけるＡｌ膜１１）の位置を、梁部９の固定端から遠く、かつ、駆動信号を供給しない図２に示す状態において固定電極５に比較的近い位置に、配置することができる。よって、本実施の形態によれば、小さい駆動力で作動させることができ、当該マイクロアクチュエータ１を低電力で作動させることができる。
【００５０】
ところで、本実施の形態では、図１に示すように、梁構成部７の上層のＳｉＮ膜１２と梁構成部８の上層のＳｉＮ膜１４との間の境界Ｋは、Ｙ軸方向と平行に直線状に延びている。したがって、この境界Ｋにおいて、梁部９の曲げ応力耐性が低下する可能性がある。特に、前述したようにＳｉＮ膜１２とＳｉＮ膜１４との間の境界Ｋに一定の隙間を設けた場合には、その可能性が比較的高くなる。そこで、境界Ｋを、図５に示すようなジグザグ状にしたり、くの字状にしたり、曲線にしたりすることによって、境界Ｋでの曲げ応力耐性を高めることが好ましい。この点は、梁構成部７の下層のＳｉＮ膜１０と梁構成部８の下層のＳｉＮ膜１３との間の境界についても同様である。以上の点は、後述する第３の実施の形態についても同様である。なお、図５は、本実施の形態によるマイクロアクチュエータ１の変形例を模式的に示す概略平面図である。図５において、図１中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付している。
【００５１】
［第２の実施の形態］
【００５２】
図６は、本発明の第２の実施の形態によるマイクロアクチュエータ２１及びこれにより駆動されるミラー２を模式的に示す概略平面図である。図６では、基板３上に形成された固定電極５は、想像線で示している。図７は、図６中のＸ３−Ｘ４線に沿った概略断面図である。なお、図７は、駆動信号が供給されていない状態（すなわち、可動部が力を受けていない状態）を示している。図６及び図７において、図１及び図２中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００５３】
本実施の形態によるマイクロアクチュエータ２１が前記第１の実施の形態によるマイクロアクチュエータ１と異なる所は、以下に説明する点のみである。
【００５４】
前記第１の実施の形態では、梁構成部８の下層のＳｉＮ膜１３が梁構成部７の下層のＳｉＮ膜１０とは別々に成膜されたものであり、梁構成部８の上層のＳｉＮ膜１４が梁構成部７の上層のＳｉＮ膜１２とは別々に成膜されたものであった。これに対し、本実施の形態では、梁構成部８の下層のＳｉＮ膜１０は梁構成部７の下層のＳｉＮ膜１０と同時に成膜されて連続したものであり（両者は同時に成膜されたＳｉＮ膜が連続したものであるため、両者には同一符号１０を付している。）、梁構成部８の上層のＳｉＮ膜１２は梁構成部７の上層のＳｉＮ膜１２と同時に成膜されて連続したものである（両者は同時に成膜されたＳｉＮ膜が連続したものであるため、両者には同一符号１２を付している。）。
【００５５】
本実施の形態では、下層のＳｉＮ膜１０は、２００ｎｍの膜厚を有し、Ａｌ膜１１に対して−２００ＭＰａの圧縮応力を有している。上層のＳｉＮ膜１２は、梁構成部７の部分で、１００ｎｍの膜厚を有し、Ａｌ膜１１に対して−１００ＭＰａの圧縮応力を有している。また、上層のＳｉＮ膜１２は、梁構成部８の部分で、２００ｎｍの膜厚を有し、Ａｌ膜１１に対して−２００ＭＰａの圧縮応力を有している。
【００５６】
よって、本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様に、図６に示すように、梁構成部７は、駆動信号が供給されていない状態（外部からの力が印加されていない状態）において、梁構成部７を構成する薄膜１０，１１，１２の内部応力によって、上方（基板３と反対側、＋Ｚ方向）に湾曲している。一方、梁構成部８では、梁構成部７と異なり、梁構成部８を構成する薄膜１０，１１，１２のストレスが釣り合っていて、梁構成部８が当該梁構成部８をＺ軸方向に湾曲させるような応力を実質的に保有していないため、駆動信号の供給の有無に拘わらずＺ軸方向に実質的に湾曲しておらず、常に平板状の状態を維持する。
【００５７】
したがって、本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。また、本実施の形態によれば、後述するように、梁構成部７の下層及び梁構成部８の下層を同時に成膜するとともに、梁構成部７の上層及び梁構成部８の上層を同時に成膜するので、容易に製造することができる。
【００５８】
次に、本実施の形態によるマイクロアクチュエータ２１の製造方法の一例について、図８及び図９を参照して説明する。図８及び図９は、この製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図であり、図７に対応している。
【００５９】
まず、シリコン基板３の上面に熱酸化によってシリコン酸化膜４を成膜し、その上にＡｌ膜を蒸着又はスパッタ法等によりデポした後に、フォトリソエッチング法により、そのＡｌ膜を固定電極５、配線パターン１５及びその他の配線パターンの形状にパターニングする（図８（ａ））。次いで、この状態の基板上に、犠牲層となるフォトレジスト１６を塗布し、このフォトレジスト１６に、脚部６のコンタクト部に応じた開口１６ａをフォトリソエッチング法により形成する（図８（ｂ））。
【００６０】
その後、脚部６及び梁部９（梁構成部７，８）となるべき膜厚２００ｎｍのＳｉＮ膜１０を、後に成膜するＡｌ膜１１に対するストレスが−２００ＭＰａの圧縮応力となるようにプラズマＣＶＤ法等により形成した後、フォトリソエッチング法によりパターニングし、それらの形状とする（図８（ｃ））。このとき、脚部６におけるコンタクト部には開口を形成しておく。
【００６１】
引き続いて、脚部６及び梁部９（梁構成部７，８）となるべき、膜厚２００ｎｍのＡｌ膜１１を蒸着又はスパッタ法等によりデポした後に、フォトリソエッチング法によりパターニングし、それらの形状にする（図８（ｄ））。
【００６２】
次に、脚部６及び梁部９（梁構成部７，８）となるべき膜厚２００ｎｍのＳｉＮ膜１２を、Ａｌ膜１１に対するストレスが−２００ＭＰａの圧縮応力となるようにプラズマＣＶＤ法等により形成した後、フォトリソエッチング法によりパターニングし、それらの形状とする（図９（ａ））。
【００６３】
ＳｉＮ膜１２における梁構成部８以外の領域（梁構成部７の領域及び脚部６の領域）を、その厚さが１００ｎｍとなるように、選択的にドライエッチングする（図９（ｂ））。これにより、ＳｉＮ膜１２における梁構成部８の部分のＡｌ膜１１対するストレスが−２００ＭＰａの圧縮応力になったまま、ＳｉＮ膜１２における梁構成部７の部分のＡｌ膜１１対するストレスが−１００ＭＰａの圧縮応力となる。
【００６４】
次に、図９（ｂ）に示す状態の基板の全面に犠牲層となるレジスト１７を厚塗りし、レジスト１７を露光、現像してミラー２が成長される領域をレジスト１７に形成した後、電解メッキによりミラー２となるべきＡｕ、Ｎｉ又はその他の金属を成長させる（図９（ｃ））。最後に、レジスト１６，１７をプラズマアッシング法等により除去する。これにより、本実施の形態によるマイクロアクチュエータ１が完成する。
【００６５】
なお、前述したように梁構成部７は、ＳｉＮ膜１０及びＳｉＮ膜１２の梁構成部７の部分が前述したストレスを有しているので、レジスト１６，１７の除去によって、外部から力を受けないときに自然に上方に湾曲する。一方、梁構成部８は、ＳｉＮ膜１０及びＳｉＮ膜１２の梁構成部８の部分が前述したストレスを有しているので、Ａｌ膜１１を介して上層と下層のストレスが釣り合うため、Ｚ軸方向には湾曲せず平面状態を保つことができる。
【００６６】
［第３の実施の形態］
【００６７】
図１０は、本発明の第３の実施の形態によるマイクロアクチュエータ３１及びこれにより駆動されるミラー２を模式的に示す概略平面図である。図１１は、図１０中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。ただし、図１１は可動板３２の断面のみを示している。図１２は、図１０中の可動板３２を上から見たときの可動板３２の下層のＳｉＮ膜３３，３６のパターン形状を示す図である。図１３は、図１０中の可動板３２を上から見たときのＡｌ膜３４のパターン形状を示す図である。理解を容易にするため、図１３において、Ａｌ膜３４の部分にハッチングで示している。図１４は、図１０中の可動板３２を上から見たときの可動板３２の上層のＳｉＮ膜３５，３７のパターン形状を示す図である。図１５は、図１０、図１２乃至図１４中のＢ−Ｂ’線に沿った断面を＋Ｙ側から−Ｙ軸方向に見た概略断面図である。図１５は、ミラー２が上側に保持されて光路に進出した状態を示している。なお、図１５では、図面表記の便宜上、後述する凸部４４の図示を省略してそれによる段差がないものとして示している。
【００６８】
このマイクロアクチュエータ３１は、図１０及び図１５に示すように、シリコン基板等の基板５１と、可動部としての可動板３２とを有している。可動板３２には、被駆動体である光学素子としてのミラー２が搭載されている。
【００６９】
可動板３２は、薄膜で構成され、図１０乃至図１５に示すように、可動板３２の平面形状の全体をそれぞれ分担してカバーする下層のＳｉＮ膜３３，３６と、可動板３２の平面形状の全体をそれぞれ分担してカバーする上層のＳｉＮ膜３５，３７と、下層のＳｉＮ膜３３，３６と上層のＳｉＮ膜３５，３７との間において可動板３２の大部分の領域に形成された中間のＡｌ膜３４とから構成されている。すなわち、可動板３２は、下から順に下層のＳｉＮ膜３３又は３６と上層のＳｉＮ膜３５又は３７とを積層した２層膜からなる部分と、下から順に下層のＳｉＮ膜３３又は３６と中間のＡｌ膜３４と上層のＳｉＮ膜３５又は３７とを積層した３層膜からなる部分とを、併有している。ＳｉＮ膜３３，３６のパターン形状は図１２に示す通りであり、Ａｌ膜３４のパターン形状は図１３に示す通りであり、ＳｉＮ膜３５，３７のパターン形状は図１４に示す通りであるが、これらについては後述する。
【００７０】
可動板３２は、図１０に示すように、ミラー２を搭載するための搭載部（すなわち、ミラー２用の支持基体）としての長方形状のミラー搭載板３２ａと、ミラー搭載板３２ａの端部に接続された２本の帯状の支持板３２ｂとを含む。支持板３２ｂは、それぞれの端部に脚部３２ｃ及び脚部３２ｄを有している。脚部３２ｃ及び３２ｄはいずれも基板５１に固定されており、可動板３２は、脚部３２ｃ及び３２ｄを固定端として、図１５に示すように、ミラー搭載板３２ａ側が持ち上がるようになっている。このように、本実施の形態では、可動板３２は、脚部３２ｃ及び３２ｄを固定端とする片持ち梁構造を持つ可動部となっている。可動板３２は、全体として梁部となっており、２本の支持板３２ｂの脚部３２ｃ，３２ｄ側の部分３２ｅが板ばね部となる第１の梁構成部となり、２本の支持板３２ｂのミラー搭載板３２ａ側の部分３２ｆとミラー搭載板３２とが全体として平面状態に維持される第２の梁構成部となっている。本実施の形態では、基板５１及びこれに積層された後述する絶縁膜５３，５４，５５等が、固定部を構成している。
【００７１】
可動板３２には、図１０に示すように、可動板３２のミラー２を搭載している部分を含む領域を取り囲むように、凸部４４が設けられている。また、支持板３２ｂのミラー搭載板３２ａ側の部分３２ｆにも、凸部４４が設けられている。凸部４４は、図１１に示すように、可動板３２を構成する複層膜を凸型にすることにより形成されている。このように凸部４４を設けることにより、段差が生じるため、可動板３２のうち、凸部４４で囲まれた領域及び凸部４４が設けられた領域（すなわち、支持板３２ｂのミラー搭載板３２ａ側の部分３２ｆとミラー搭載板３２）は、剛性が高まる。もっとも、本実施の形態では、後述するように、ミラー搭載板３２及び支持板３２ｂの板ばね部３２ｅは、平面状態において、これらを＋Ｚ方向や−Ｚ方向に湾曲させようとする内部応力を実質的に保有していないので、凸部４４を必ずしも設ける必要はない。
【００７２】
一方、支持板３２ｂの板ばね部３２ｅには、凸部４４が設けられていない。これにより、板ばね部３２ｅの湾曲によって、可動板３２は、脚部３２ｃ，３２ｄを固定端として、図１５のように、ミラー搭載板３２ａ側が持ち上がるようになっている。
【００７３】
図１２に示すように、可動板３２の下層のＳｉＮ膜３３は、支持板３２ｂの板ばね部３２ｅ及び脚部３２ｃ，３２ｄの領域に形成されている。可動板３２の下層のＳｉＮ膜３６は、支持板３２ｂのミラー搭載板３２ａ側の部分３２ｆ及びミラー搭載板３２ａの領域に形成されている。
【００７４】
また、図１４に示すように、可動板３２の上層のＳｉＮ膜３５は、支持板３２ｂの板ばね部３２ｅ及び脚部３２ｃ，３２ｄの領域に形成されている。可動板３２の上層のＳｉＮ膜３７は、支持板３２ｂのミラー搭載板３２ａ側の部分３２ｆ及びミラー搭載板３２ａの領域に形成されている。
【００７５】
さらに、可動板３２の中間層のＡｌ膜３４は、図１３に示すように、支持板３２ｂの大部分の領域に形成されている。
【００７６】
本実施の形態では、膜厚２００ｎｍの下層のＳｉＮ膜３３は、膜厚２００ｎｍのＡｌ膜３４に対するストレスが−２００ＭＰａの圧縮応力になるようなプロセス条件で成膜されて積層されたものである。また、膜厚１５０ｎｍの上層のＳｉＮ膜３５は、Ａｌ膜３４に対するストレスが＋５０ＭＰａの引っ張り応力になるようなプロセス条件で成膜されて積層されたものである。したがって、支持板３２ｂの板ばね部３２ｅは、図１５に示すように、外部から力を受けない状態で、自然に上方に湾曲する形状となる。ここでは、一例として、上記の膜厚及びストレス値（応力値）を挙げたが、これらの数値に限らず、これらの値は、梁構成部７が上方に湾曲し板バネ部となるような他の適当な条件を設定できる。
【００７７】
一方、膜厚２００ｎｍの下層ＳｉＮ膜３６は、Ａｌ膜３４に対するストレスが＋１００ＭＰａの引っ張り応力になるようなプロセス条件で成膜されて積層されたものであり、積層順序で対応する下層のＳｉＮ膜３３とは別々に成膜されたものである。また、膜厚２００ｎｍの上層のＳｉＮ膜３７は、Ａｌ膜３４に対するストレスが＋１００ＭＰａの引っ張り応力になるようなプロセス条件で成膜されて積層されたものである。よって、支持板３２ｂのミラー搭載板３２ａ側の部分３２ｆ及びミラー搭載板３２ａでは、支持板３２ｂの板ばね部３２ｅとは異なり、上層のＳｉＮ膜３７と下層のＳｉＮ膜３６の応力が中間のＡｌ膜３４を介してちょうど釣り合う関係になり、支持板３２ｂのミラー搭載板３２ａ側の部分３２ｆ及びミラー搭載板３２ａは、これらを＋Ｚ方向及び−Ｚ方向に湾曲させようとする内部応力を実質的に保有せず、外部から力を受けない状態で、実質的に＋Ｚ方向及び−Ｚ方向に湾曲しない状態を保つことができる。
【００７８】
ここで、可動板３２の中間層のＡｌ膜３４の形状について、図１３を参照して説明する。本実施の形態では、駆動力としてローレンツ力と静電力の両方を用いて可動板３２を駆動するために、図１３に示すような形状に、Ａｌ膜３４をパターニングしている。Ａｌ膜３４のうちパターン３４ａは、２つの脚部３２ｄのそれぞれから、可動板３２の外周の縁に沿って延びて可動板３２の先端側（＋Ｘ側）まで延び、可動板３２の先端の一辺３２ｇに沿ってＹ軸方向に延びた直線状のパターン３４ｃに接続されている。パターン３４ｃは、磁界内に配置されて通電により駆動力としてのローレンツ力を生じる電流経路（ローレンツ力用電流経路）である。以下、パターン３４ｃをローレンツ力電流経路３４ｃと呼ぶ場合がある。パターン３４ｃもＡｌ膜３４のうちのパターンである。パターン３４ａは、ローレンツ力電流経路３４ｃに電流を供給するための配線パターンである。パターン３４ａは、図１５に示すように、＋Ｙ側の脚部３２ｄにおいて基板５１上の絶縁膜５５のスルーホール及びＳｉＮ膜２１のコンタクトホールを介してＡｌ膜等からなるローレンツ力用配線パターン５２ａに接続されるとともに、−Ｙ側の脚部３２ｄにおいて同様に別のローレンツ力用配線パターン５２ａ（図１５では図示せず）と接続され、脚部３２ｄを介してローレンツ力用配線パターン５２ａからローレンツ力用駆動信号としての電流が供給される。図示しない磁石によって、ローレンツ力用電流経路３４ｃがＸ軸方向の磁界内に置かれている。したがって、パターン３４ａを介してローレンツ力電流経路３４ｃに電流を供給すると、ローレンツ力用電流経路３４ｃに、その電流の向きに応じて、＋Ｚ方向又は−Ｚ方向のローレンツ力が生ずる。
【００７９】
なお、図１５に示すように、基板５１上には、基板５１側から順にシリコン酸化膜等の絶縁膜５３，５４，５５が積層され、ローレンツ力用配線パターン５２ａは、絶縁膜５４，５５間に形成されている。
【００８０】
また、Ａｌ膜３４のうちパターン３４ｂは、２つの脚部３２ｃのそれぞれから、可動板３２の内側の縁に沿って途中まで延び更に大きく拡がって可動板３２の先端側（＋Ｘ側）まで延び、先端のパターン３４ｄと一体的に接続されている。パターン３４ｄは、駆動力としての静電力を発生するための可動電極である。以下、パターン３４ｄを可動電極３４ｄと呼ぶ場合がある。パターン３４ｄもＡｌ膜３４のうちのパターンである。パターン３４ｂは、可動電極３４ｄの配線パターンである。パターン３４ｂは、脚部３２ｃにおいて、絶縁膜５５のスルーホール及びＳｉＮ膜２１のコンタクトホールを介して可動電極用配線パターン（図示せず）に接続され、Ａｌ膜からなる固定電極５１ａとの間に電圧（静電力用電圧、静電力用駆動信号）が印加される。固定電極５１ａは、基板５１上の絶縁膜５３，５４間に形成され、可動電極３４ｄと対向する位置に配置されている。可動電極３４ｄと固定電極３５との間に電圧が印加されると、両者の間に駆動力としての静電力が生じ、この静電力により可動板３２は基板５１に引き寄せられる。
【００８１】
本実施の形態では、可動電極３４ｄと固定電極５１ａとの間の静電力用電圧及びローレンツ力用電流経路３４ｃに流す電流を制御することで、ミラー２が上側（基板５１と反対側）に保持された状態（図１５）及びミラー２が下側（基板５１側）に保持された状態（図示せず）にすることができる。
【００８２】
図１５に示すように、前記静電力及び前記ローレンツ力が印加されていない状態では、支持板３２ｂの板ばね部３２ｅの応力によって＋Ｚ方向に湾曲した状態に復帰し、ミラー２が上側に保持される。これにより、ミラー２が光路（図示せず）に進出して、当該光路に入射した光を反射させる。この状態から、光路に入射した光をミラー２で反射させずにそのまま通過させる状態に切り替える場合には、例えば、まず、前記ローレンツ力を印加して、支持板３２ｂの板ばね部３２ｅの応力に抗してミラー２を下方へ移動させ、ミラー２が基板５１側に保持された後、前記静電力を印加してその保持を維持し、前記ローレンツ力の印加を停止させればよい。
【００８３】
なお、本発明では、駆動力付与手段は、例えば、可動電極３４ｄ及び固定電極５１ａと前記ローレンツ力用電流路のうちの一方のみで構成してもよい。駆動力付与手段を可動電極３４ｄ及び固定電極５１ａのみで構成する場合には、例えば、パターン３４ａを除去するかあるいは途中で断線させておけばよい。駆動力付与手段を前記ローレンツ力用電流路のみで構成する場合には、例えば、パターン３４ｂを除去するかあるいは途中で断線させるか、あるいは、可動電極３４ｄを除去すればよい。
【００８４】
本実施の形態では、ミラー搭載板３２ａに、被駆動体としてのＡｕ、Ｎｉ又はその他の金属からなるミラー２が設けられている。本実施の形態では、ミラー２は、梁構成部８の上面に直立して、単に固定されているが、ミラー２をその支持基体となるミラー搭載板３２ａにより支持する支持構造は、これに限定されるものではなく、例えば、特許文献１に開示された支持構造を採用してもよい。
【００８５】
本実施の形態によるマイクロアクチュエータ３１も、前記第１の実施の形態によるマイクロアクチュエータ１と同様に、例えば、膜の形成及びパターニング、エッチング、犠牲層の形成・除去などの半導体製造技術を利用して、製造することができる。
【００８６】
本実施の形態によれば、図１５に示すように、支持板３２ｂの板ばね部３２ｅは、駆動信号が供給されていない状態（外部からの力が印加されていない状態）において、これらを構成する薄膜３３，３４，３５の内部応力によって、上方（基板３と反対側、＋Ｚ方向）に湾曲している。一方、支持板３２ｂのミラー搭載板３２ａ側の部分３２ｆ及びミラー搭載板３２ａでは、支持板３２ｂの板ばね部３２ｅと異なり、部分３２ｆ及びミラー搭載板３２ａを構成する薄膜３６，３４，３７のストレスが釣り合っていて、部分３２ｆ及びミラー搭載板３２ａが当該部分３２ｆ及びミラー搭載板３２ａをＺ軸方向に湾曲させるような応力を実質的に保有していないため、駆動信号の供給の有無に拘わらずＺ軸方向に実質的に湾曲しておらず、常に平板状の状態を維持する。
【００８７】
したがって、本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。また、本実施の形態によれば、部分３２ｆ及びミラー搭載板３２ａは凸部４４の段差により補強されて剛性が高まっているので、平板状の状態を維持する上で、より好ましい。
【００８８】
本実施の形態は前記第１の実施の形態に準じて構成したマイクロアクチュエータの例であるが、本実施の形態を前記第２の実施の形態に準ずるように変形してもよい。
【００８９】
［第４の実施の形態］
【００９０】
図１６及び図１７は、それぞれ本発明の第４の実施の形態による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。図１６は駆動信号が供給されていない状態、図１７は駆動信号が供給されている状態を示している。なお、図１６及び図１７において、マイクロアクチュエータ１の構造は大幅に簡略化して示している。図１８は、図１６及び図１７中の光導波路基板１９０を模式的に示す概略斜視図である。
【００９１】
本実施の形態による光スイッチは、前記第１の実施の形態による図１及び図２に示すマイクロアクチュエータ１及びこれに搭載されたミラー２と、光導波路基板１９０とを備えている。
【００９２】
本実施の形態では、光導波路基板１９０は、図１８に示すように、切り替えるべき光を伝搬する４本の光導波路１９１〜１９４を有している。光導波路基板１９０は中央部に例えば幅数十μｍ程度の溝１９６を有し、溝１９６の側面に光導波路１９１〜１９４の端面１９１ａ，１９２ａ，１９３ｂ，１９４ｂが露出されている。端面１９１ａと端面１９２ａとの間隔、及び、端面１９３ｂと端面１９４ｂとの間隔は、図１６及び図１７に示すように、ミラー２の反射面で覆うことのできる間隔に設計されている。
【００９３】
図１６及び図１７に示すように、光導波路基板１９０が、マイクロアクチュエータ１の基板３上に設置され、導波路基板１９０と基板３との間の空間及びこれに連通する溝１９６内の空間内に、屈折率調整液２０２が封入されている。もっとも、屈折率調整液２０２は必ずしも封入しなくてもよい。なお、基板３と光導波路基板１９０とは、ミラー２が溝１９６内に挿入できるように位置合わせされている。
【００９４】
マイクロアクチュエータ１の固定電極５と可動電極（図１６及び図１７では図示せず）との間に電圧を印加している状態では、図１７に示すように、ミラー２が光導波路１９３，１９４の端面１９３ｂ，１９４ｂより下側に位置する。よって、例えば、光導波路１９３の端面１９３ａから光を入射した場合、光導波路１９３を伝搬した光は、端面１９３ｂから出射され、そのまま対向する光導波路１９２の端面１９２ａに入射し、光導波路１９２を伝搬して端面１９２ｂから出射される。また、例えば、光導波路１９１の端面１９１ｂから光を入射した場合、光導波路１９１を伝搬した光は、端面１９１ａから出射され、そのまま対向する光導波路１９４の端面１９４ｂに入射し、光導波路１９４を伝搬して端面１９４ａから出射される。
【００９５】
一方、マイクロアクチュエータ１の固定電極５と可動電極との間に電圧を印加していない状態では、図１６に示すように、ミラー２が光導波路１９３，１９４の端面１９３ｂ，１９４ｂを覆うように位置する。よって、例えば、光導波路１９３の端面１９３ａから光を入射した場合、光導波路１９３を伝搬した光は、端面１９３ｂから出射され、ミラー２で反射されて、光導波路１９４の端面１９４ｂに入射し、光導波路１９４を伝搬して端面１９４ａから出射される。また、例えば、光導波路１９１の端面１９１ｂから光を入射した場合、光導波路１９１を伝搬した光は、端面１９１ａから出射され、ミラー２で反射されて、光導波路１９２の端面１９２ａに入射し、光導波路１９２を伝搬して端面１９２ｂから出射される。
【００９６】
本実施の形態によれば、前記第１の実施の形態によるマイクロアクチュエータ１が用いられているので、ミラー２の角度が精度良く所期の角度（本実施の形態では、９０゜）となるので、図１６に示すようにミラー２が上側に位置した際に、ミラー２による光の反射方向が所期の方向に方向に対してずれるのを抑えることができ、光量損失を低減することができる。また、ミラー２が上下する際に、ミラー２が溝１９６の側壁に当たってしまうような事態も防止することができる。
【００９７】
本実施の形態において、マイクロアクチュエータ１を、前記第２及び第３の実施の形態によるマイクロアクチュエータ２１，３１のいずれのマイクロアクチュエータに置き換えてもよい。なお、これらのマイクロアクチュエータ３１を用いる場合には、例えば、前述した磁界を発生させるための永久磁石を光導波路基板１９０上に設ければよい。
【００９８】
本実施の形態は、光導波路基板１９０における光導波路の交差点が一つであり、これに応じて、ミラー２が１つでマイクロアクチュエータが１つの場合の例であった。しかしながら、例えば、光導波路基板１９０において光導波路を２次元マトリクス状に形成することにより、光導波路の交差点を２次元マトリクス状に配置し、これに応じて、基板３上に複数のマイクロアクチュエータを２次元状に配置し、光導波路の各交差点に位置するミラー２を個々のマイクロアクチュエータで駆動するように構成してもよい。
【００９９】
以上、本発明の各実施の形態とその変形例について説明したが、本発明はこれらの実施の形態や変形例に限定されるものではない。例えば、本発明によるマイクロアクチュエータは、光スイッチ以外の他の光学装置やその他の種々の用途に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるマイクロアクチュエータ及びこれにより駆動されるミラーを模式的に示す概略平面図である。
【図２】図１中のＸ１−Ｘ２線に沿った概略断面図である。
【図３】図１及び図２に示すマイクロアクチュエータの製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図である。
【図４】図３に示す工程に引き続く各工程を示す図である。
【図５】図１及び図２に示すマイクロアクチュエータの変形例を模式的に示す概略平面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態によるマイクロアクチュエータ及びこれにより駆動されるミラーを模式的に示す概略平面図である。
【図７】図６中のＸ３−Ｘ４線に沿った概略断面図である。
【図８】図６及び図７に示すマイクロアクチュエータの製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図である。
【図９】図８に示す工程に引き続く各工程を示す図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態によるマイクロアクチュエータ及びこれにより駆動されるミラーを模式的に示す概略平面図である。
【図１１】図１０中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。
【図１２】図１０中の可動板を上から見たときの可動板の下層のＳｉＮ膜のパターン形状を示す図である。
【図１３】図１０中の可動板を上から見たときのＡｌ膜のパターン形状を示す図である。
【図１４】図１０中の可動板を上から見たときの可動板の上層のＳｉＮ膜のパターン形状を示す図である。
【図１５】図１０、図１２乃至図１４中のＢ−Ｂ’線に沿った断面を＋Ｙ側から−Ｙ軸方向に見た概略断面図である。
【図１６】駆動信号が供給されていない状態における、本発明の第４の実施の形態による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。
【図１７】駆動信号が供給されている状態における、本発明の第４の実施の形態による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。
【図１８】図１６及び図１７中の光導波路基板を模式的に示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１，２１，３１  マイクロアクチュエータ
２  ミラー
３，５１  基板
５  固定電極
６，３２ｃ，３２ｄ  脚部
７，８  梁構成部
９  梁部
１０，１３，３３，３６  下層のＳｉＮ膜
１２，１４，３５，３７  上層のＳｉＮ膜
１１，３４  中間層のＡｌ膜
３２ａ  ミラー搭載板
３２ｅ  板ばね部
【図１】
2006187060.tif 000003
【図２】
2006187060.tif 000004
【図３】
2006187060.tif 000005
【図４】
2006187060.tif 000006
【図５】
2006187060.tif 000007
【図６】
2006187060.tif 000008
【図７】
2006187060.tif 000009
【図８】
2006187060.tif 000010
【図９】
2006187060.tif 000011
【図１０】
2006187060.tif 000012
【図１１】
2006187060.tif 000013
【図１２】
2006187060.tif 000014
【図１３】
2006187060.tif 000015
【図１４】
2006187060.tif 000016
【図１５】
2006187060.tif 000017
【図１６】
2006187060.tif 000018
【図１７】
2006187060.tif 000019
【図１８】
2006187060.tif 000020