(57)【要約】      （修正有）【課題】ポリフェニレンエーテルの優れた特性を維持しながら、低沸点の汎用溶剤に可溶で、配線基板のプロセス加工性に優れた低誘電損失樹脂組成物を提供する。【解決手段】式（１）の繰り返し単位からなる共重合体である多層配線基板用低誘電損失樹脂。また、これを用いた多層配線基板。2006093690.tif 000016  ここで、Ｘは特定式の繰り返し単位であり、Ｒ１、Ｒ２が炭素数１の炭化水素基であり、ｎ、ｍ、は重合度を表す１以上の整数である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）の繰り返し単位からなる共重合体である多層配線基板用低誘電損失樹脂。
【化１】
2006093690.tif 000010
ここで、Ｘは式（２）及び／又は式（３）の繰り返し単位であり、Ｒ１、Ｒ２が炭素数１の炭化水素基であり、Ｒ３〜Ｒ８は炭素数３から９の炭化水素基であって、ｎ、ｍ、ｐ、ｒ、ｓは重合度を表す１以上の整数である。Ｒ１〜Ｒ８の少なくとも１つは重合性不飽和結合を持っていてもよい。
【化２】
2006093690.tif 000011
【化３】
2006093690.tif 000012
【請求項２】
式（１）の繰り返し単位からなるランダム共重合体である多層配線基板用低誘電損失樹脂。
【化４】
2006093690.tif 000013
ここで、Ｘは式（２）及び／又は式（３）の繰り返し単位であり、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１の炭化水素基であって、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７は同一または異なって、炭素数２から９の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基を有しており、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８は同一または異なって、炭素数１から９の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基又は芳香族炭化水素基を有しており、ｍ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓは重合度を表す１以上の整数である。
【化５】
2006093690.tif 000014
【化６】
2006093690.tif 000015
【請求項３】
上記共重合体の分子量が５，０００から３０，０００である請求項１または請求項２に記載の多層配線基板用低誘電損失樹脂。
【請求項４】
Ｘが式（２）の繰り返し単位である請求項１または請求項２に記載の多層配線基板用低誘電損失樹脂。
【請求項５】
Ｘが式（２）及び式（３）の繰り返し単位である請求項１または請求項２に記載の多層配線基板用低誘電損失樹脂。
【請求項６】
上記共重合体が、沸点が１５０℃以下の非ハロゲン系有機溶剤に２０重量％以上可溶であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多層配線基板用低誘電損失樹脂。
【請求項７】
上記共重合体のガラス転移点が２２０℃以上である請求項１または請求項２に記載の多層配線基板用低誘電損失樹脂。
【請求項８】
上記式（１）、式（２）及び／又は式（３）のＲ１〜Ｒ８は不飽和結合を持たない熱可塑性樹脂である請求項１または請求項２に記載の多層配線基板用低誘電損失樹脂。
【請求項９】
上記式（１）、式（２）及び／又は式（３）のＲ１〜Ｒ８の少なくとも１つは不飽和結合を有する熱硬化性樹脂である請求項１または請求項２に記載の多層配線基板用低誘電損失樹脂。
【請求項１０】
沸点１５０℃以下の非ハロゲン系有機溶剤と、該有機溶剤に溶解した請求項１〜９のいずれかに記載の低誘電損失樹脂を含む多層配線基板用低誘電損失樹脂組成物。
【請求項１１】
更にゴム成分を含有する請求項１０に記載の多層配線基板用低誘電損失樹脂組成物。
【請求項１２】
架橋促進剤として過酸化物を０．０１〜１ｗｔ％含有する請求項１０または請求項１１に記載の低誘電損失樹脂を含む多層配線基板用低誘電損失樹脂組成物。
【請求項１３】
絶縁層に難燃剤を含有している請求項１０〜１２のいずれかに記載の低誘電損失樹脂を含む多層配線基板用低誘電損失樹脂組成物。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれかに記載の多層配線基板用樹脂組成物の絶縁層が、平均粒径０．１〜１００μｍの低誘電率樹脂粒子、中空樹脂粒子、中空ガラスバルーンおよび空隙から選ばれる少なくとも１種類の低誘電率相を含有していることを特徴とする多層配線基板用低誘電損失樹脂組成物。
【請求項１５】
請求項１０〜１４のいずれかに記載の多層配線基板用樹脂組成物が、高誘電率絶縁体としてセラミック粒子を添加した絶縁層を有することを特徴とする多層配線基板用低誘電損失樹脂組成物。
【請求項１６】
請求項１０又は１１記載の低誘電損失樹脂組成物を用いて製造された多層配線基板用プリプレグ。
【請求項１７】
請求項１６記載の多層配線基板用プリプレグを用いて製造された多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波用実装材料に好適な低誘電損失樹脂、それを含む樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いた多層配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＰＨＳ、携帯電話等の情報通信機器の信号帯域、コンピューターのＣＰＵクロックタイムはＧＨｚ帯に達し、高周波化が進められている。電気信号の伝送損失は誘電正接及び周波数の積に比例する。そのため使用される信号の周波数が高いほど伝送損失は大きくなる。伝送損失の増大は信号の減衰を招き、信号伝送の信頼性低下を生じさせる。そのため高周波領域では誘電正接の極めて小さい絶縁材料が強く望まれる。
【０００３】
絶縁材料の低誘電正接（誘電損失）化には分子構造中の極性基の除去が有効である。そして、フッ素樹脂、硬化性ポリオレフィン、シアネートエステル系樹脂、硬化性ポリフェニレンエーテル、ジビニルベンゼンまたはジビニルナフタレンで変性したポリエーテルイミド等数多くの構造が提案されている。しかしフッ素樹脂は一般に熱可塑性樹脂で多層化には限界がある。また汎用溶剤に溶けないため、配線基板作製時に高温、高圧のプロセスを要する。硬化性ポリオレフィンは誘電特性に優れているが耐熱的には十分な特性が得られない。シアネートエステル及びポリエーテルイミドは耐熱性が優れているが、誘電特性に限界がある。
【０００４】
これに対して硬化性ポリフェニレンは耐熱性、誘電特性を両立できる材料として開発されており、例えば特許文献１や特許文献２が報告されている。しかし、特許文献１に記載の樹脂はどのような分野に用いられるものか記載がない。また、特許文献２には、ポリフェニレン樹脂と共役芳香族ジエン化合物等との混合物を反応させることが記載されている。しかし、一般のポリフェニレンエーテルは一般的な低沸点の汎用溶剤にはほとんど溶けず、配線基板製造工程におけるワニス作製時にクロロホルム（ハロゲン系溶剤）や熱トルエン等を使用することが多く、環境、安全面に関して課題が残されている。
【０００５】
特許文献３においては、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂と架橋剤を含む組成物を多層配線基板に用いることが開示されている。また、特許文献４には、ポリフェニレン樹脂と不飽和カルボン酸又はその無水物との反応物をプリント基板に使用することが記載されている。
【０００６】
非特許文献１においては、熱硬化性感光性のポリフェニレンエーテル樹脂が記載されており、この樹脂はアリル基を含むことが記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平７−１３３３４７号公報
【特許文献２】特開２００１−３０２７９１号公報
【特許文献３】特開２００３−１７８６１号公報
【特許文献４】特開２００４−１０６２７４号公報
【非特許文献１】高分子学会年会予稿集，ｖｏｌ．５３，Ｎｏ．１（２００４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、ポリフェニレンエーテルの優れた特性を維持し、低沸点の汎用溶剤に可溶で、配線基板のプロセス加工性に優れた低誘電損失樹脂、それを含む樹脂組成物、その塑性物を用いたプリプレグ、及び多層配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、式（１）の繰り返し単位からなる共重合体である多層配線基板用低誘電損失樹脂が提供される。
【００１０】
【化１】
2006093690.tif 000002
【００１１】
ここで、Ｘは式（２）及び／又は式（３）の繰り返し単位であり、Ｒ１、Ｒ２が炭素数１の炭化水素基であり、Ｒ３〜Ｒ８は炭素数３から９の炭化水素基であって、ｎ、ｍ、ｐ、ｒ、ｓは重合度を表す１以上の整数である。Ｒ１〜Ｒ８の少なくとも１つは重合性不飽和結合を持っていてもよい。
【００１２】
【化２】
2006093690.tif 000003
【００１３】
【化３】
2006093690.tif 000004
【発明の効果】
【００１４】
本発明の低誘電損失共重合体を用いることにより、低誘電損失の特性を維持しながら、耐熱性に優れ、さらに非ハロゲン系で、沸点が１５０℃以下の有機溶剤に可溶な樹脂組成物を得ることができる。これを絶縁層のマトリックス樹脂に用いた配線基板はエポキシ樹脂等の従来品と同じ加工性、成形性で製造でき、かつ電気特性は従来のエポキシ樹脂に比べて誘電損失の極めて低い性能を有している。また、はんだ耐熱性に代表される熱的性質も従来のエポキシ配線基板と同等か、それ以上の特性を有している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
特許文献４においては、ポリフェニレンエーテルの末端の水酸基を利用した変性物が開示されているが、本発明のようにある程度の機械的強度を得るために高分子量体（分子量５，０００以上、特に１万以上が望ましい）を用いるとき、末端だけでの変性では本発明が目的としている耐熱性、低沸点溶剤への溶解性に対する改善が十分でないと考えられる。これに対して本発明はポリフェニレンエーテルの主鎖の一部を特性改良に必要な分だけ共重合体により変性を試みたものである。そのため公知例と異なり、基板作成時のワニスを作るために必要な溶解性が確保され、かつ基板として実装信頼性を確保するのに必要不可欠なはんだ耐熱性において、従来のポリフェニレンエーテルに比べて飛躍的に優れた特性を得ることができた。
【００１６】
本発明の実施形態の１つとして、式（１）の繰り返し単位からなるランダム共重合体である多層配線基板用低誘電損失樹脂が提供される。
【００１７】
【化４】
2006093690.tif 000005
【００１８】
ここで、Ｘは式（２）及び／又は式（３）の繰り返し単位であり、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１の炭化水素基であって、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７は同一または異なって、炭素数２から９の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基を有しており、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８は同一または異なって、炭素数１から９の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基を有しており、ｍ、ｎ、ｐ、ｒ、ｓは重合度を表す１以上の整数である。
【００１９】
【化５】
2006093690.tif 000006
【００２０】
【化６】
2006093690.tif 000007
【００２１】
上記共重合体の分子量は、好ましくは５、０００から３０、０００である。本発明により、Ｘが式（２）の繰り返し単位である二元共重合体が提供される。また、Ｘが式（３）の繰り返し単位である三元共重合体が提供される。
【００２２】
また、本発明における電子部品の製造方法は従来の一般的な手法を用いることができる。代表的な溶剤としてはハロゲン系化合物、芳香族炭化水素系化合物などがあるが、特にこれに限定せず用いることができる。ハロゲン系化合物としてはジクロロメタン、クロロホルム、四塩化メチル等がある。また芳香族炭化水素系ではトルエン、キシレン等がある。それ以外の溶剤としてはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサノン等が挙げられる。このような溶剤に共重合体は溶解あるいは均一分散させてワニスを作製することができる。
【００２３】
上記に挙げた溶媒のうち、本発明において、上記共重合体が、沸点が１５０℃以下の非ハロゲン系有機溶剤に２０重量％以上可溶である多層配線基板用低誘電損失樹脂がより好ましい。従って、沸点１５０℃以下の非ハロゲン系有機溶剤と、該有機溶剤に溶解した上記低誘電損失樹脂を含む多層配線基板用樹脂組成物が提供される。この樹脂組成物は、必要に応じて着色剤、触媒（ラジカル架橋促進剤など）等を含んでもよい。
【００２４】
ワニス作製にあたっては、上記溶剤に本発明の共重合体を所定量溶解あるいは均一分散させ、さらに必要に応じて第二成分、第三成分を加えることが可能である。また熱硬化物の架橋反応を促進するため、触媒ないしは促進剤を添加することができる。不飽和結合を架橋させる架橋反応触媒としては、カチオンまたはラジカル活性種が挙げられる。その他必要に応じて、フィラー等の充填剤、着色剤、難燃剤、接着付与剤、カップリング剤、消泡剤、レベリング剤、イオントラッパー、重合禁止剤、酸化防止剤、粘度調整剤等を添加することができる。
【００２５】
実際に多層配線基板に本発明の低誘電損失樹脂を適用するには、有機溶剤に溶解してワニスを調整し、これをガラスクロスなどの繊維基材に含浸し、乾燥し、プリプレグを作成する。上記式（１）、式（２）及び／又は式（３）のＲ１〜Ｒ８は不飽和結合を持たない場合、熱可塑性樹脂である多層配線基板用低誘電損失樹脂が提供される。
【００２６】
上記式（１）、式（２）及び／又は式（３）のＲ１〜Ｒ８の少なくとも１つは不飽和結合を有する場合、熱硬化性樹脂である多層配線基板用低誘電損失樹脂が提供される。この熱硬化性樹脂は、硬化させる前には溶剤に可溶で、ワニスを調整することが可能であり、又それを用いてプリプレグを作ることが出来る。プリプレグは、ガラスクロス等の基材にワニスを含浸し、乾燥して用いる。これを公知の方法で、配線層と積層して多層配線基板を作る。
【００２７】
本発明は前記熱硬化性樹脂に誘電率が異なる種々の絶縁材料を分散した絶縁層を有する電気部品を包含する。このような構成にすることによって、絶縁層の誘電正接の増加を抑制しつつ、誘電率を容易に調整することができる。本発明の樹脂組成物ではブレンドする高分子量体の種類，添加量にて１ＧＨｚにおける誘電率を２．３〜３．０程度の範囲で調整することができる。更に絶縁層に１ＧＨｚにおける誘電率が１．０〜２．２の低誘電率絶縁体を分散した高周波用電気部品では、絶縁層の誘電率を１．５〜２．２程度に調整することが可能である。
【００２８】
一方、本発明では絶縁層中に１ＧＨｚにおける誘電率が３．０〜１０、０００の高誘電率絶縁体を分散することによって誘電正接の増大を抑制しつつ、誘電率が３．１〜２０の高誘電率絶縁層を有する高周波用電気部品を作成することができる。
【００２９】
代表的なポリフェニレンエーテルとしてはＲ１〜Ｒ８が全て炭素数１の炭化水素基である２，６−ジメチルフェノールの重合体がある。この２，６−ジメチルフェノールの重合体の誘電特性は優れた値を示すが、熱可塑性樹脂で融点が２００℃付近であり、これを用いた配線基板は部品実装におけるリフロー工程（最高２６０℃付近）で絶縁層の変形、流動が起き、耐熱的に問題がある。また配線基板として機械的強度（強靭性）が必要であり、分子量は１万以上であることが望ましい。それより分子量が低いと、樹脂の十分な強度を得ることが難しくなる。しかし２，６−ジメチルフェノールの重合体は分子量が１万以上になると溶剤に溶けにくくなり、クロロホルム（ハロゲン系溶剤）や熱トルエン（５０℃以上）等の扱いが困難な溶剤を用いなければない。そのため従来の基板作製に一般的に用いられている非ハロゲン系で、かつ沸点が１５０℃以下の有機溶剤の適用は困難である。
【００３０】
本発明では共重合体構造におけるＲ１、Ｒ２が炭素数１の炭化水素基であり、Ｒ３〜Ｒ８の一部に炭素数が３〜９の置換基を導入することにより、耐熱性に優れ、かつ溶剤に対して溶解性に優れた材料を提供することができる。本発明の置換基はメチル基よりも嵩高であり、樹脂の汎用有機溶媒に対する溶解性が向上し又耐熱性も向上する。
【００３１】
また、本発明の他の方法として、以下の構成がある。すなわち、ランダム共重合体構造におけるＲ１、Ｒ２は炭素数１の炭化水素基であって、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７は同一または異なってもよい。また、炭素数２から９の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基を有しており、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８は同一または異なってもよい。更に、炭素数１から９の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基を有することにより、耐熱性に優れ、かつ溶剤に対して溶解性に優れた材料を提供することができる。本発明の置換基はメチル基よりも嵩高であり、樹脂の汎用有機溶媒に対する溶解性が向上し又耐熱性も向上する。
【００３２】
置換基のひとつとしては不飽和結合を有する炭化水素基が挙げられる。具体的な例としてはビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基等の炭素数２〜９の様々な炭化水素基で不飽和結合を有する置換基である。これらの不飽和結合は熱により架橋反応が起き、配線基板の耐熱性向上に寄与する。すなわち配線基板において部品実装時のリフロー工程（最高２６０℃付近）で絶縁層の変形、流動を抑制できる。またメチル基に比べて分子鎖を長くした置換基を導入することにより、溶剤に対する溶解性も向上させることができる。
【００３３】
他の置換基としては、芳香族炭化水素を含む炭化水素基が挙げられる。具体的な例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、シンナミル基等がある。これらの芳香族炭化水素基の導入は得られる共重合体の耐熱性を向上させ、かつバルキーな置換基の効果で溶剤に対する溶解性も向上させることができる。
【００３４】
さらに三元共重合体にすることにより、耐熱性、溶解性を一層向上させることができる。これらの置換基の導入量としては、５〜３０モル％程度が望ましい。５モル％以下であると置換基導入の効果が少なく、耐熱性、溶解性に対する改善の効果が十分でないことがある。また３０モル％以上では不飽和結合を有する置換基の場合、架橋密度が高くなりすぎ、得られる硬化物の靭性が低下する可能性がある。芳香族炭化水素の置換基の場合、嵩高い置換基が多くなりすぎ、ワニス作製時の溶液粘度の増加、得られる硬化物の密度の低下による機械的強度の低下などを生じる可能性が懸念される。本発明による共重合体は熱可塑性及び熱硬化性樹脂であり、そのガラス転移点は２２０℃以上である。
【００３５】
本発明において用いられる共重合体としては、以下に挙げるような物質がある。例えば不飽和結合を有する炭化水素基としては、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２−ビニル−６−メチルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２−アリル−６−メチルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジビニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジアリルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジイソプロペニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジブテニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジイソブテニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジペンテニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジイソペンテニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジノネニルフェニルエーテル）の共重合体等が挙げられる。
【００３６】
一方、芳香族炭化水素基を有する共重合体としては、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２−フェニル−６−メチルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２−トリル−６−メチルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジフェニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジトリルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジキシリルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジクメニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジメシチルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジベンジルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジフェネチルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジスチリルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジシンナミルフェニルエーテル）の共重合体が挙げられる。
【００３７】
また、三元共重合体としては、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２−アリル−６−メチルフェニルエーテル）と（２，６−ジフェニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２−アリル−６−メチルフェニルエーテル）と（２−フェニル−６−メチルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジビニルフェニルエーテル）と（２，６−ジフェニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジアリルフェニルエーテル）と（２，６−ジフェニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジプロペニルフェニルエーテル）と（２，６−ジフェニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジブテニルフェニルエーテル）と（２，６−ジフェニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジイソブテニルフェニルエーテル）と（２，６−ジフェニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジペンテニルフェニルエーテル）と（２，６−ジフェニルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジアリルフェニルエーテル）と（２，６−ジトリルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジアリルフェニルエーテル）と（２，６−ジキシリルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジブテニルフェニルエーテル）と（２，６−ジトリルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジブテニルフェニルエーテル）と（２，６−ジキシリルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジイソブテニルフェニルエーテル）と（２，６−ジトリルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジイソブテニルフェニルエーテル）と（２，６−ジキシリルフェニルエーテル）の共重合体、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジイソペンテニルフェニルエーテル）と（２，６−ジフェニルフェニルエーテル）の共重合体等が挙げられる。
【００３８】
本発明では、共重合体成分と相溶性のよいスチレン残基を含むゴム成分をブレンドすることにより、本発明の樹脂組成物からなる硬化物にさらなるフィルム形成能，柔軟性及び接着性を付与できる。これにより絶縁層と導体層との剥離が生じにくい、すなわち信頼性の高い各種の配線板の作製が可能となる。ゴム成分の例としては、スチレン−ブタジエン，スチレン−イソプレン，スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン，スチレン−エチレン−プロピレン−スチレン，スチレン−マレイン酸−ブタジエン，アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン，アクリロニトリル−エチレン−プロピレン−スチレンなどが挙げられる。ゴム成分の分子量は、５、０００以上である。より好ましくは５、０００〜１００、０００であることが望ましい。
【００３９】
分子量が小さいと、フィルム形成能，柔軟性，接着性が不十分になる場合がある。また、分子量が大きすぎると樹脂組成物をワニス化した際に粘度が高くなり、混合攪拌，成膜，含浸が困難になる可能性がある。ゴム成分の種類に特に制限はなく、２種類以上混合して用いてもよい。ゴム成分の配合量としては５〜５０重量％が望ましい。５０重量％を超えると本発明の共重合体成分の特徴を十分に生かせなくなる。
【００４０】
また、ゴム成分の構成元素全体に対して炭素原子及び水素原子の割合が９９％以上のゴム成分を用いることにより、より一層の低誘電正接化を図ることが出来る。好ましい例としてはスチレン−ブタジエンが挙げられる。スチレン−ブタジエンは本発明の共重合体成分との相溶性が高く、誘電率が低い。これにより、共重合体成分の誘電特性を損なうことなく、樹脂組成物に柔軟性・接着性を付与することが出来る。一分子あたりのスチレン部位とブタジエン部位との比率については、スチレン部位の比率が３０〜８０ｗｔ％となることが望ましい。スチレン部位の比率が小さすぎると共重合体成分への相溶性が低下し、樹脂組成物の成膜性，強度，柔軟性が不十分となる。また、スチレン部位の比率が大きすぎると樹脂組成物の柔軟性，接着性が低下し、ピール強度が小さくなる。
【００４１】
ワニス作製にあたっては、上記溶剤に本発明の共重合体を所定量溶解あるいは均一分散させ、さらに必要に応じて第二成分、第三成分を加えることが可能である。また熱硬化物の架橋反応を促進するため、触媒ないしは促進剤を添加することができる。添加量は特に制限はないが共重合体１００重量部に対して０．０００５〜１０重量部程度が望ましい。添加量が多すぎると誘電損失等電気特性に悪影響を及ぼす可能性がある。また添加量がすくないと、促進効果が十分でなくなる。架橋反応触媒ないしは促進剤を添加することにより、低温で架橋反応が進み、耐熱性に優れた絶縁材料を得ることができる。
【００４２】
不飽和結合を架橋させる架橋反応触媒として、カチオンまたはラジカル活性種を以下に示す。カチオン触媒としてはＢＦ４―、ＰＦ６―、ＡｓＦ６―、ＳｂＦ６―を対アニオンとするジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩及び脂肪族スルホニウム塩が挙げられる。ラジカル触媒としてはベンゾイン及びベンゾインメチルに代表されるベンゾイン系化合物、アセトフェノン及び２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンに代表されるアセトフェノン系化合物、チオキサントン及び２，４−ジエチルチオキサントンに代表されるチオキサントン系化合物、４，４’−ジアジドカルコン、２，６−ビス（４’−アジドベンザル）シクロヘキサノン及び４，４’−ジアジドベンゾフェノンに代表されるビスアジド化合物、アゾビスイソブチロニトリル、２，２−アゾビスプロパン、ｍ，ｍ’−アゾキシスチレン、ヒドラジン等のアゾ化合物、２，５−ジメチル−２，５−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、２，５−ジメチル−２，５−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジクミルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド等の有機過酸化物が挙げられる。その他必要に応じて、フィラー等の充填剤、着色剤、難燃剤、接着付与剤、カップリング剤、消泡剤、レベリング剤、イオントラッパー、重合禁止剤、酸化防止剤、粘度調整剤等を添加することができる。
【００４３】
ここで配線基板の製造方法としては二仕様に分けることができる。ひとつは得られたワニスを補強材に含浸塗工して、プリプレグを作製する方法である．さらにもうひとつは銅箔等に直接塗り、絶縁層としては補強材のない樹脂のみの基板である。本発明では特に限定はないが、多くの実装部品を搭載するリジッド基板の場合は補強材を用いることが多い。またフレキシブル基板ないしはビルドアップ基板を構成するときは補強材を用いないことが多い。補強材としては現在配線基板として一般に適用されている織布、不織布、不織紙、フィルム等を用いることができる。代表的なものとしてはＥガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、シリカガラス、Ａガラス等の無機酸化物、ポリイミド、ポリアラミド等の有機物等が挙げられる。本発明では絶縁層に高分子量体を分散させることによって、絶縁層に強度，伸び，導体配線への接着力，フィルム形成能を付与することができる。これによって多層配線板の作成に必要なプリプレグ，導体箔とプリプレグを積層して硬化した導体箔付き積層板（以下、積層板と略す）の作製が可能となるほか、薄膜形成プロセスによる高密度多層配線基板の作成も可能となる。
【００４４】
前記高分子量体は分子量が５、０００以上であることが好ましく、より好ましくは６、０００〜１００、０００、更に好ましくは１０、０００〜６０、０００であることが好ましい。分子量が小さい場合は、機械強度の改善が不十分になる場合があり、分子量が大きすぎる場合は樹脂組成物をワニス化した際に粘度が高くなり、混合攪拌，成膜が困難になる。
【００４５】
高分子量体の例としては、ブタジエン，イソプレン，スチレン，エチルスチレン，ジビニルベンゼン，Ｎ−ビニルフェニルマレイミド，アクリル酸エステル，アクリロニトリルから選ばれるモノマーの単独或いは共重合体，置換基を有していてもよいポリフェニレンオキサイド，環状ポリオレフィン，ポリシロキサン，ポリエーテルイミド等が挙げられる。中でもポリフェニレンオキサイド，環状ポリオレフィンは高強度で誘電正接性が低いので好ましい。
【００４６】
実際に多層配線基板に本発明の樹脂を適用するには、有機溶剤に溶解してワニスを調整し、これをガラスクロスなどの繊維基材に含浸し、乾燥し、プリプレグを作成する。上記
式（１）、式（２）及び／又は式（３）のＲ１〜Ｒ８は不飽和結合を持たない場合、熱可塑性樹脂である多層配線基板用低誘電損失樹脂が提供される。
【００４７】
上記式（１）、式（２）及び／又は式（３）のＲ１〜Ｒ８の少なくとも１つが不飽和結合を有する場合、熱硬化性樹脂である多層配線基板用低誘電損失樹脂が提供される。この熱硬化性樹脂は、硬化させる前には溶剤に可溶で、ワニスを調整することが可能であり、又それを用いてプリプレグを作ることが出来る。プリプレグは、ガラスクロス等の基材にワニスを含浸し、乾燥して用いる。これを公知の方法で、配線層と積層して多層配線基板を作る。
【００４８】
本発明は前記熱硬化性樹脂に誘電率が異なる種々の絶縁材料を分散した絶縁層を有する電気部品に適用することができる。このような構成にすることによって、絶縁層の誘電正接の増加を抑制しつつ、誘電率を容易に調整することができる。本発明の樹脂組成物ではブレンドする高分子量体の種類，添加量により１ＧＨｚにおける誘電率を２．３〜３．０程度の範囲で調整することができる。更に絶縁層に１ＧＨｚにおける誘電率が１．０〜２．２の低誘電率絶縁体を分散した高周波用電気部品では、絶縁層の誘電率を１．５〜２．２程度に調整することが可能である。絶縁層の誘電率を低減することにより、電気信号の一層の高速伝送が可能となる。これは電気信号の伝送速度が誘電率の平方根の逆数と比例関係にあるためであり、絶縁層の誘電率が低いほど伝送速度は高くなる。
【００４９】
前記低誘電率絶縁体としては低誘電率樹脂粒子，中空樹脂粒子，中空ガラスバルーンおよび空隙（空気）の１つ以上が好ましく、その粒子サイズは絶縁層の強度，絶縁信頼性の観点から、平均粒径０．２〜１００μｍ、より好ましくは０．２〜６０μｍであることが好ましい。低誘電率樹脂粒子の例としてはポリテトラフルオロエチレン粒子，ポリスチレン−ジビニルベンゼン架橋粒子等が挙げられ、中空粒子としては中空スチレン−ジビニルベンゼン架橋粒子，シリカバルーン，ガラスバルーン，シラスバルーン等が挙げられる。低誘電率絶縁層は高速伝送性が要求される半導体装置の封止樹脂及びチップ間を電気的に接続するＭＣＭ基板等の配線，高周波用チップインダクタ等の回路の形成に適している。
【００５０】
一方、本発明では絶縁層中に１ＧＨｚにおける誘電率が３．０〜１０、０００の高誘電率絶縁体を分散することによって誘電正接の増大を抑制しつつ、誘電率が３．１〜２０の高誘電率絶縁層を有する高周波用電気部品を作成することができる。絶縁層の誘電率を高くすることによって回路の小型化，コンデンサの高容量化が可能となり高周波用電気部品の小型化等に寄与できる。高誘電率，低誘電正接絶縁層はキャパシタ，共振回路用インダクタ，フィルター，アンテナ等の形成に適している。
【００５１】
本発明に用いる高誘電率絶縁体としては、セラミック粒子または絶縁処理施した金属粒子が挙げられる。具体的には、シリカ，アルミナ，ジルコニア、セラミックス粒子；例えばＭｇＳｉＯ４、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＴｉＯ３、ＺｎＴｉＯ３、ＺｎＴｉＯ４、ＴｉＯ２、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３，ＳｒＺｒＯ３，ＢａＴｉ２Ｏ５，ＢａＴｉ４Ｏ９，Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０、Ｂａ（Ｔｉ，Ｓｎ）９Ｏ２０、ＺｒＴｉＯ４、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ４、ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４、ＢａＳｍＴｉＯ１４、Ｂｉ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＢａＴｉＯ３、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３系等の高誘電率絶縁体を挙げることができ、同様に絶縁処理を施した金属微粒子；例えば金，銀，パラジウム，銅，ニッケル，鉄，コバルト，亜鉛，Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系，Ｎｉ−Ｚｎ系，Ｍｎ−Ｚｎ系，カルボニル鉄，Ｆｅ−Ｓｉ系，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系，Ｆｅ−Ｎｉ系等を挙げることができる。
【００５２】
高誘電率絶縁体の粒子は破砕，造粒法または熱分解性金属化合物を噴霧，熱処理して金属微粒子を製造する噴霧熱分解法（特公昭６３−３１５２２号公報，特開平６−１７２８０２号公報，特開平６−２７９８１６号公報）等で作製される。噴霧熱分解法では出発材料である金属化合物、例えばカルボン酸塩，リン酸塩，硫酸塩等と、形成された金属と反応してセラッミク化するホウ酸，珪酸，リン酸あるいは、酸化後にセラミック化する各種金属塩を混合して噴霧熱分解処理する。これによって表面に絶縁層を有する金属粒子を形成することができる。高誘電率絶縁体の平均粒径は０．２〜１００μｍ程度が好ましく、絶縁層の強度，絶縁信頼性の観点から、平均粒径０．２〜６０μｍが一層好ましい。粒径が小さくなると樹脂組成物の混練が困難となり、大きすぎると分散が不均一となり、絶縁破壊の起点となり、絶縁信頼性の低下を招く場合がある。高誘電率粒子の形状は、球形，破砕，ウイスカ状のいずれでもよい。以下、本発明を実施例、比較例により詳細に説明する。
【００５３】
（実施例１）（共重合体１の合成）
撹拌子を入れた二口フラスコにニトロベンゼン４０ｍｌ、硫酸マグネシウム２．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、塩化第一銅０．２６ｇ（２．７ｍｍｏｌ）、ピリジン２１．６ｍｌ（０．２７ｍｏｌ）を入れ、５０ｍｌ／分の酸素気流下、２５℃で３０分撹拌した。ニトロベンゼン２５ｍｌに溶解させた２，６−ジメチルフェノール４．４ｇ（３６ｍｍｏｌ）と２−アリル−６−メチルフェノール０．５９ｍｌ（４．０ｍｍｏｌ）を反応器に加え、引き続き５０ｍｌ／分の酸素気流下、２５℃で９０分間撹拌した。反応終了後、大過剰の塩酸／メタノールに沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、クロロホルムに溶解させ、不溶物を濾別した。再び大過剰の塩酸／メタノールに再沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、８０℃／６時間真空乾燥して白色の固形物を得た。
【００５４】
（実施例２）（共重合体２の合成）
撹拌子を入れた二口フラスコにニトロベンゼン４０ｍｌ、硫酸マグネシウム２．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、塩化第一銅０．２６ｇ（２．７ｍｍｏｌ）、ピリジン２１．６ｍｌ（０．２７ｍｏｌ）を入れ、５０ｍｌ／分の酸素気流下、２５℃で３０分撹拌した。ニトロベンゼン２５ｍｌに溶解させた２，６−ジメチルフェノール３．９ｇ（３２ｍｍｏｌ）と２，６−ビス（３−メチル−２−ブテニル）フェノール１．８ｇ（８．０ｍｍｏｌ）を反応器に加え、引き続き５０ｍｌ／分の酸素気流下、２５℃で９０分間撹拌した。反応終了後、大過剰の塩酸（１０ｍｌ）／メタノール（７００ｍｌ）に沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、クロロホルムに溶解させ、不溶物を濾別した。再び大過剰の塩酸／メタノールに再沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、８０℃／１２時間真空乾燥して白色の固形物を得た。
【００５５】
（実施例３）（共重合体３の合成）
撹拌子を入れた二口フラスコにニトロベンゼン４０ｍｌ、硫酸マグネシウム２．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、塩化第一銅０．２６ｇ（２．７ｍｍｏｌ）、ピリジン２１．６ｍｌ（０．２７ｍｏｌ）を入れ、５０ｍｌ／分の酸素気流下、２５℃で３０分撹拌した。ニトロベンゼン２５ｍｌに溶解させた２，６−ジメチルフェノール４．４ｇ（３６ｍｍｏｌ）と２，６−ジフェニルフェノール０．９８ｇ（４．０ｍｍｏｌ）を反応器に加え、引き続き５０ｍｌ／分の酸素気流下、２５℃で９０分間撹拌した。反応終了後、大過剰の塩酸（１０ｍｌ）／メタノール（７００ｍｌ）に沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、クロロホルムに溶解させ、不溶物を濾別した。再び大過剰の塩酸／メタノールに再沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、８０℃／１２時間真空乾燥して白色の固形物を得た。
【００５６】
（実施例４）（共重合体４の合成）
撹拌子を入れた二口フラスコにニトロベンゼン４０ｍｌ、硫酸マグネシウム２．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、塩化第一銅０．２６ｇ（２．７ｍｍｏｌ）、ピリジン２１．６ｍｌ（０．２７ｍｏｌ）を入れ、５０ｍｌ／分の酸素気流下、２５℃で３０分撹拌した。ニトロベンゼン２５ｍｌに溶解させた２，６−ジメチルフェノール３．９ｇ（３２ｍｍｏｌ）と２，６−ジフェニルフェノール０．９８ｇ（４．０ｍｍｏｌ）と２−アリル−６−メチルフェノール０．５９ｍｌ（４．０ｍｍｏｌ）を反応器に加え、引き続き５０ｍｌ／分の酸素気流下、２５℃で９０分間撹拌した。反応終了後、大過剰の塩酸（１０ｍｌ）／メタノール（７００ｍｌ）に沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、クロロホルムに溶解させ、不溶物を濾別した。再び大過剰の塩酸／メタノールに再沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、８０℃／１２時間真空乾燥して白色の固形物を得た。
【００５７】
（実施例５）（共重合体５の合成）
撹拌子を入れた二口フラスコにニトロベンゼン４０ｍｌ、硫酸マグネシウム２．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、塩化第一銅０．２６ｇ（２．７ｍｍｏｌ）、ピリジン２１．６ｍｌ（０．２７ｍｏｌ）を入れ、５０ｍｌ／分の酸素気流下、２５℃で３０分撹拌した。ニトロベンゼン２５ｍｌに溶解させた２，６−ジメチルフェノール３．９ｇ（３２ｍｍｏｌ）と２−メチル−６−（３−メチル−２−ブテニル）フェノール０．６４８ｇ（４．０ｍｍｏｌ）と２−アリル−６−メチルフェノール０．５９ｍｌ（４．０ｍｍｏｌ）を反応器に加え、引き続き５０ｍｌ／分の酸素気流下、２５℃で９０分間撹拌した。反応終了後、大過剰の塩酸（１０ｍｌ）／メタノール（７００ｍｌ）に沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、クロロホルムに溶解させ、不溶物を濾別した。再び大過剰の塩酸／メタノールに再沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、８０℃／１２時間真空乾燥して白色の固形物を得た。
【００５８】
実施例１〜５に関してそれぞれ、上記共重合体１００ｇを表１に示す溶剤に溶解して、固形分量４０重量％のワニスを作製した。さらに架橋反応促進剤として、２，５−ジメチル−２，５―（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（日本油脂製、パーヘキシン２５Ｂ）を０．０５重量％添加した。
【００５９】
硬化物特性は上記ワニスをポリエステルのフィルムに塗り、１２０℃、１０分で溶剤を除去して、架橋前の樹脂粉体を得た。得られた粉体を厚さ１ｍｍのスペーサを用いて、プレスで加圧、加熱成形することにより樹脂板硬化物を得た。成形条件は２ＭＰａの圧力で
１３０℃／３０分、さらに昇温して、１８０℃／６０分加熱した。
【００６０】
基板特性は上記ワニスをＥガラスクロス（日東紡、厚さ５０μｍ）に含浸塗工し、１２０℃、１０分で溶剤を除去して、プリプレグを得た。得られたプリプレグを３枚重ね、その上下に銅箔（日本電解、厚さ１８μｍ）を置き、プレスで加圧、加熱成形することにより銅張積層板を得た。成形条件は２ＭＰａの圧力で１３０℃／３０分、さらに昇温して、１８０℃／６０分加熱した。
【００６１】
実施例１〜５及び比較例の樹脂組成及び硬化物及び基板の特性を表１に示す。
【００６２】
（比較例）
２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテルの重合体として、アルドリッチ社製の市販品を用いた。
（比誘電率及び誘電正接の測定）
空洞共振法（アジレントテクノロジー社製８７２２ＥＳ型ネットワークアナライザー、関東電子応用開発製空洞共振器）によって１０ＧＨｚで測定した。
（ガラス転移温度）
粘弾性測定装置（アイティー計測制御製ＤＶＡ−２００）を用いてｔａｎδのピーク位置を転移温度とした。測定昇温速度は５℃／分とした。
（はんだ耐熱性）
ＪＩＳ規格Ｃ６４８１に順じ、２５ｘ２５ｍｍ角の両面銅張積層板を２６０℃のはんだ浴に１２０秒間浮かべ、取り出した試料の膨れ、はがれ、変形、反りなどを調べた。
【００６３】
（実施例６）
撹拌子を入れた二口フラスコにニトロベンゼン４０ｍｌ、硫酸マグネシウム２．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、塩化第一銅０．２６ｇ（２．７ｍｍｏｌ）、ピリジン２１．６ｍｌ（０．２７ｍｏｌ）を入れ、５０ｍｌ／分の酸素気流下、２５℃で３０分撹拌した。ニトロベンゼン２５ｍｌに溶解させた２，６−ジメチルフェノール３．９ｇ（３２ｍｍｏｌ）と２，６−ジフェニルフェノール０．９８ｇ（４．０ｍｍｏｌ）  と２，６−ビス（３−メチル−２−ブテニル）メチルフェノール０．９ｇ（４．０ｍｍｏｌ）を反応器に加え、引き続き５０ｍｌ／分の酸素気流下、２５℃で９０分間撹拌した。
【００６４】
反応終了後、大過剰の塩酸（１０ｍｌ）／メタノール（７００ｍｌ）に沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、クロロホルムに溶解させ、不溶物を濾別した。再び大過剰の塩酸／メタノールに再沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、８０℃／１２時間真空乾燥して白色の固形物、（２，６−ジメチルフェニルエーテル）と（２，６−ジイソペンテニルフェニルエーテル）と（２，６−ジフェニルフェニルエーテル）の共重合体を得た。
【００６５】
上記共重合体８０ｇとスチレン−ブタジエン成分２０ｇ（分子量４万、スチレン含量４０％、日本ゼオン社製）をメチルエチルケトンに溶解して、固形分量４０重量％のワニスを作製した。さらに架橋反応促進剤として、２，５−ジメチル−２，５―（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（日本油脂製、パーヘキシン２５Ｂ）を０．０５重量％添加した。
【００６６】
硬化物特性は上記ワニスをポリエステルのフィルムに塗り、１２０℃、１０分で溶剤を除去して、架橋前の樹脂粉体を得た。得られた粉体を厚さ１ｍｍのスペーサを用いて、プレスで加圧、加熱成形することにより樹脂板硬化物を得た。成形条件は２ＭＰａの圧力で１３０℃／３０分、さらに昇温して、１８０℃／６０分加熱した。
【００６７】
基板特性は上記ワニスをＥガラスクロス（日東紡、厚さ５０μｍ）に含浸塗工し、１２０℃、１０分で溶剤を除去して、プリプレグを得た。得られたプリプレグを３枚重ね、その上下に銅箔（日本電解、厚さ１８μｍ）を置き、プレスで加圧、加熱成形することにより銅張積層板を得た。成形条件は２ＭＰａの圧力で１３０℃／３０分、さらに昇温して、
１８０℃／６０分加熱した。
【００６８】
第二成分として、スチレン−ブタジエン成分を添加することにより、得られた銅張積層板の銅ピール強度は１．５ｋＮ／ｍと非常に高い値を示した。これは第二成分としてゴム成分をブレンドすることによりフィルム形成能，柔軟性及び接着性を付与できた効果によるものである。
【００６９】
測定法；（銅ピール強度）ＪＩＳ規格Ｃ６４８１に準じて、９０度引き剥がし強度を測定した。
【００７０】
【表１】
2006093690.tif 000008
【００７１】
以下、各電子部品に要求される要求特性に基づいて本発明の電子部品について説明する。
（１）半導体装置
従来、高周波用半導体素子は、高周波動作の障害となる配線間静電容量を低減するために、図１に記載のように、基材１によって形成された空間内に搭載された半導体チップ３をシール材５とカバー４とにより密封された、空気層を絶縁層とするハーメチックシール型の気密パッケージにて製造されてきた。基材１の側面からワイヤー配線７に接続され半導体チップの端子６を露出させる。
【００７２】
本発明では所定の配合比とした架橋成分，低誘電率絶縁体粒子，必要により高分子量体，難燃剤及び第二の架橋成分，離型剤，着色剤等を含有する低誘電率かつ低誘電正接な樹脂組成物を有機溶媒中あるいは無溶剤状態で混合分散する。そして、該低誘電率、低誘電正接樹脂組成物で半導体チップを被覆し、必要により乾燥し、硬化することによって、低誘電率，低誘電正接樹脂層で絶縁，保護された半導体装置を作製する。該低誘電率，低誘電正接樹脂組成物の硬化は１２０℃〜２４０℃の加熱で行うことができる。
【００７３】
図２に本発明の高周波用半導体装置の一例を示すが、その形状は特に限定されるものではない。図２において、半導体チップ３はワイヤー配線７によってリードフレーム９に電気的に接続される。半導体チップ３、ワイヤー配線７および半導体チップ３を搭載したリードフレーム９の部分は、低誘電損失樹脂８により封止される。
【００７４】
本発明によれば安価なモールド成型法より、伝送速度が高く、誘電損失が小さい高効率な高周波用半導体装置を作製することができる。本発明の低誘電率，低誘電正接な絶縁層の形成方法としては、トランスファープレス，ポッティング等があり、半導体装置の形状に応じて適宜選択される。半導体装置の形態は特に限定されないが例えば、テープキャリア型パッケージ，半導体チップが配線基板上にベアチップ実装された半導体装置などを例として挙げることができる。
（２）多層基板
従来の熱硬化性樹脂組成物に比べて誘電正接が低い。従って本架橋成分を絶縁層に使用した配線基板は誘電損失が少ない高周波特性の優れた配線基板となる。以下、多層配線基板の作成方法について説明する。
【００７５】
本発明において、多層配線基板の出発材となるプリプレグ或いは絶縁層付導体箔は、以下のようにして作成する。まず、所定の配合比とした架橋成分、高分子量体、必要により低誘電率絶縁体粒子又は高誘電率絶縁体粒子、難燃剤及び第二の架橋成分、着色剤等を配合した低誘電正接樹脂組成物を溶剤中で混練してスラリー化する。その後、ガラスクロス、不織布，導体箔等の基材に塗布、乾燥して作成する。プリプレグは積層板のコア材、積層板と積層板或いは導体箔との接着層兼絶縁層として使用できる。
【００７６】
一方、絶縁層付導体箔はラミネート、プレスによってコア材表面に導体層を形成する際に使用される。本発明のコア材とは、絶縁層付導体箔を担持し、補強する基材であり、ガラスクロス、不織布、フィルム材、セラミック基板、ガラス基板、エポキシ等の汎用樹脂板，汎用積層板等を例としてあげることができる。スラリー化に使用する溶剤は、配合する架橋成分、高分子量体、難燃剤等の溶媒であることが好ましく、その例としてはジメチルホルムアミド、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、トルエン、クロロホルム等を上げることができる。プリプレグ、絶縁層付導体箔の乾燥条件（Ｂステージ化）は用いた溶媒、塗布した樹脂層の厚さによって調整する。例えばトルエンを用いて、乾燥膜厚約５０μｍの絶縁層を形成する場合には８０〜１３０℃で３０〜９０分乾燥するとよい。必要に応じて好ましい絶縁層の厚さは５０〜３００μｍであり、その用途や要求特性（配線パターンサイズ，直流抵抗）によって調整する。
【００７７】
以下、多層配線基板の作成例を示す。図３に第一の例を示す。図３（Ａ）；所定の厚さのプリプレグ１０と導体箔１１を重ねる。使用する導体箔は金，銀，銅，アルミニウム等導電率の良好な物の中から任意に選択する。その表面形状はプリプレグとの接着力を高くする必要がある場合には凹凸の大きな箔を用い、高周波特性を一層向上する必要がある場合には比較的平滑は表面を有する箔を用いる。導体箔の厚さは９〜３５μｍ程度のものがエッチング加工性の観点から好ましい。図３（Ｂ）；プリプレグと導体箔を圧着しながら加熱するプレス加工によって接着，硬化し、表面に導体層を有する積層板１３が得られる。加熱条件は１２０〜２４０℃、１．０〜１０ＭＰａ、１〜３時間とすることが好ましい。また、プレス加工の温度、圧力は上記範囲内で多段階としてもよい。本発明で得られる積層板は絶縁層の誘電正接が非常に低いことに起因して優れた高周波伝送特性を示す。
【００７８】
次いで両面配線基板の作成例を説明する。図３（Ｃ）；先に作成した積層板の所定の位置にドリル加工によってスルーホール１４を形成する。図３（Ｄ）；めっきによってスルーホール内にめっき膜１５を形成して、表裏の導体箔を電気的に接続する。図３（Ｅ）；両面の導体箔をパターンニングして導体配線１６を形成する。
【００７９】
次いで多層配線基板の作成例を説明する。図４（Ａ）；所定の厚さのプリプレグと導体箔を用いて積層板１３を作成する。図４（Ｂ）；積層板の両面に導体配線１６を形成する。図４（Ｃ）；パターン形成後の積層板に所定の厚さのプリプレグ１０と導体箔１１を重ね合わせる。図４（Ｄ）；加熱加圧して外層に導体箔を形成する。図４（Ｅ）；所定の位置にドリル加工によってスルーホール１４を形成する。図４（Ｆ）；スルーホール内にめっき膜１５を形成し、層間を電気的に接続する。図４（Ｇ）；外層の導体箔にパターンニングを施し、導体配線１６を形成する。
【００８０】
次いで絶縁層付銅箔を用いた多層配線基板の作成例を示す。図５（Ａ）；導体箔１１に本発明の樹脂組成物のワニスを塗布，乾燥して未硬化の絶縁層１７を有する絶縁層付導体箔１８を作成する。図５（Ｂ）；リード端子１９と絶縁層付導体箔１８を重ねる。図５（Ｃ）；プレス加工によってリード端子１９と絶縁層付導体箔１８を接着し、積層板１３を形成する。予めコア材の表面をカップリング処理或いは粗化処理することによってコア材と絶縁層の接着性を向上させることができる。図５（Ｄ）；積層板１３の導体箔１８をパターンニングして導体配線１６を形成する。図５（Ｅ）；配線形成された積層板１３に絶縁層付導体箔を重ねる。図５（Ｆ）；プレス加工によって積層板１３と絶縁層付導体箔を接着する。図５（Ｇ）；所定の位置にスルーホール１４を形成する。図５（Ｈ）；スルーホール１４にめっき膜１５を形成する。図５（Ｉ）；外層の導体箔１１をパターンニングして導体配線１６を形成する。
【００８１】
次いでスクリーン印刷による多層基板の作成例を示す。図６（Ａ）；積層板１３の導体箔をパターンニングし、導体配線１６する。図６（Ｂ）；本発明の樹脂組成物のワニスをスクリーン印刷によって塗布，乾燥して絶縁層１７を形成する。このとき、スクリーン印刷によって部分的に誘電率の異なる樹脂組成物を塗布し、異なる誘電率を有する絶縁層を絶縁層１７と同一面内に形成することができる。図６（Ｃ）；絶縁層１７に導体箔１１を重ね合わせ、プレス加工によって接着する。図６（Ｄ）；所定の位置にスルーホール１４を形成する。図６（Ｅ）；スルーホール内にめっき膜１５を形成する。図６（Ｆ）；外層の導体箔１１をパターンニングして導体配線１６を形成する。
【００８２】
本発明では、前述の例に限らず、種々の配線基板を形成することができる。例えば、配線形成を施した複数の積層板を、プリプレグを介して一括積層し、高多層化したり、レーザー加工またはドライエッチング加工によって形成されるブラインドビアホールによって層間を電気的に接続してビルドアップ多層配線基板を作成したりすることもできる。多層配線基板の作製にあたっては、各絶縁層の誘電率，誘電正接は任意に選択でき、異なる特性の絶縁層を混載して、低誘電損失、高速伝送、小型化、低価格化等の目的に応じて組み合わせることができる。
【００８３】
本発明の低誘電正接樹脂組成物を絶縁層として用いることによって誘電損失が小さく高周波特性に優れた高周波用電子部品を得ることができる。更に前述のような多層配線基板の作成方法により導体配線内に素子パターンを組み込むことによって種々の機能を有する高性能な高周波用電気部品が得られる。一例としては、キャパシタ、インダクタ、アンテナの少なくとも一つの機能を有する多層配線基板が作製できる。
【００８４】
以下、本発明と他の電子部品用材料を組み合わせた電子部品の実施例を示す。表２に本発明に用いた樹脂組成物の組成及びその特性を示す。表中の組成比は重量比を表す。以下に実施例で使用した試薬の名称、ワニスの調製方法及び樹脂の電子材料として必要な性能の評価方法を説明する。なお、高分子量体として、実施例１，４の条件で合成した共重合ポリマーを例に挙げたが、これによって本特許の範囲が限定されるものではない。
（難燃剤）
ヒシガード：日本化学工業製，赤燐粒子（ヒシガードＴＰ−Ａ１０），平均粒径２０μｍ
（低誘電率絶縁体）
Ｚ−３６：東海工業製，硼珪酸ガラスバルーン（平均粒径５６μｍ）
（高誘電率絶縁体）
Ｂａ−Ｔｉ系：１ＧＨｚにおける誘電率が７０、密度＝５．５ｇ／ｃｍ３、平均粒子１．５μｍのチタン酸バリウム系の無機フィラー
（ワニスの調製方法）
所定量の組成とした樹脂組成物をトルエンで混合，分散することによって樹脂組成物のワニスを作製した。
（比誘電率及び誘電正接の測定）
空洞共振法（アジレントテクノロジー製８７２２ＥＳ型ネットワークアナライザー、関東電子応用開発製空洞共振器）によって１０ＧＨｚで測定した。
（難燃性）
難燃性はサンプルサイズ７０×３×１．５ｍｍ３の試料を用いてＵＬ−９４規格に従って評価した。
（実施例７，８）
実施例７，８は実施例１，４に難燃剤として赤燐粒子を添加した樹脂組成物の例である。難燃剤を添加することによって樹脂組成物が難燃化でき、電気部品の安全性が向上する。
（実施例９，１０，１１）
実施例９，１０，１１は実施例１，４に低誘電率絶縁体としてガラスバルーン（Ｚ３６）を添加した例である。Ｚ３６の添加量の増加に伴い誘電率は２．８から２．０に低下した。本樹脂組成物を絶縁層に用いた電気部品は誘電損失が小さく、高速伝送性が高くなる。
（実施例１２，１３）
実施例１２，１３は実施例４に高誘電率絶縁体としてセラミック粒子（Ｂａ−Ｔｉ系）を添加した例である。Ｂａ−Ｔｉ系の含有率が増すにつれて誘電率は２．８〜１２．１に増加した。本樹脂組成物を絶縁層に用いた電気部品は誘電損失が小さく、小型の高周波用電気部品となる。
【００８５】
【表２】
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【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】従来の高周波用半導体装置の構造例を示す断面図である。
【図２】本発明の高周波用半導体装置の構造例を示す断面図である。
【図３】本発明の多層配線基板の作成例を示すフロー図である。
【図４】本発明による多層配線基板の他の作成例を示すフロー図である。
【図５】本発明の多層配線基板の更に他の作成例を示すフロー図である。
【図６】本発明による多層配線基板の別の作成例を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００８７】
１…基材、２…凹部、３…半導体チップ、４…カバー、５…シール材、６…端子、７…ワイヤー配線、８…低誘電率絶縁層、９…リードフレーム、１０…プリプレグ、１１…導体箔、１３…積層板、１４…スルーホール、１５…めっき膜、１６…導体配線、１７…絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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