(57)【要約】      （修正有）【課題】導体ポストと接続パッドとの間の接続信頼性に優れ、内層回路の歪みおよび回路基板の波打ちの少ない回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】一方の面側に第１導体回路が設けられた第１基材と、前記第１導体回路と導通し、かつ前記第１基材を貫通する孔内に設けられ、先端部にろう材を有する導体ポストと、前記第１基材の前記第１導体回路が設けられた面と反対側の面に設けられた接着剤層と、を備える第１基板と、第２基材の一方の面側に第２導体回路が設けられた第２基板と、を電気的に接合する回路基板の製造方法であって、少なくとも１枚の前記第１基板と少なくとも１枚の前記第２基板とを重ね、これらを実質的に無加圧または０．５Ｍｐａ以下の低圧での加圧状態で加熱してろう材を溶融し、前記導体ポストと前記第２導体回路とをろう材を介して接合する接合工程を有する。【選択図】図１
2006165397.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面側に第１導体回路が設けられた第１基材と、
前記第１導体回路と導通し、かつ前記第１基材を貫通する孔内に設けられ、先端部にろう材を有する導体ポストと、
前記第１基材の前記第１導体回路が設けられた面と反対側の面に設けられた接着剤層と、を備える第１基板と、
第２基材の一方の面側に第２導体回路が設けられた第２基板と、を電気的に接合する回路基板の製造方法であって、
少なくとも１枚の前記第１基板と少なくとも１枚の前記第２基板とを重ね、これらを実質的に無加圧または０．５Ｍｐａ以下の低圧での加圧状態で加熱してろう材を溶融し、前記導体ポストと前記第２導体回路とをろう材を介して接合する接合工程を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
一方の面側に第１導体回路が設けられた第１基材と、
前記第１導体回路と導通し、かつ前記第１基材を貫通する孔内に設けられ、先端部にろう材を有する導体ポストと、
前記第１基材の前記第１導体回路が設けられた面と反対側の面に設けられた接着剤層と、を備える第１基板と、
第２基材の一方の面側に第２導体回路が設けられた第２基板と、を電気的に接合する回路基板の製造方法であって、
前記第１基板と前記第２基板とを重ねたものを２組以上重ね、これらを実質的に無加圧または０．５Ｍｐａ以下の低圧での加圧状態で加熱してろう材を溶融し、前記導体ポストと前記第２導体回路とをろう材を介して接合する接合工程を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記接合工程後に、さらに前記接着剤層を硬化する硬化工程を有するものである請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記加熱は、前記接着剤層および前記ろう材の双方が溶融する溶融温度まで急速に加熱するものである請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記急速加熱は、昇温速度２０℃／分以上である請求項４に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記加熱は、予め目的温度までに加熱した熱板を用いて行なうものである請求項１ないし５のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記加熱した後、さらに前記溶融温度以上で所定時間保持するものである請求項１ないし６のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記接合工程において前記導体ポストと前記第２導体回路との接合は、真空中で行うものである請求項１ないし７のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記導体ポストと前記第２導体回路との接合は、前記ろう材がフィレットを形成することによりなされるものである請求項１ないし８のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１０】
前記回路基板は、ダミー回路部を有しているものである請求項１ないし９のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の回路基板の製造法により得られたことを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法および回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高密度化に伴い、これに用いられるフレキシブルプリント配線板等の回路基板の多層化が進んでいる。このような多層の回路基板を積層する技術として、ビルドアップ法が採用されている。ビルドアップ法とは、樹脂のみで構成される樹脂層と導体層とを積み重ねながら、単層間で層間接続をする方法である。
【０００３】
このビルドアップ法は、樹脂層にビアホールを形成してから層間接続する方法と、層間接続部を形成してから樹脂層を積層する方法とに大別される。また、層間接続部は、ビアホールをメッキで形成する場合と、導電性ペーストで形成する場合等とに分けられる。
【０００４】
スタックドビアが可能で、かつ高密度化および配線設計の簡易化できる技術として、樹脂層に層間接続用の微細ビアホールをレーザーで形成し、該ビアホールを銅ペースト等の導電性接着剤で穴埋めし、この導電性接着剤により電気的に接続を得る方法が開示されている。（例えば特許文献１参照）。
しかし、この方法では、層間の電気的接続を導電性接着剤で行っているため、信頼性が十分でない場合がある。また、微細なビアホールに導電性接着剤を埋め込む高度な技術も必要となり、配線パターンの更なる微細化に対応することが困難である。
【０００５】
そこで、導電性接着剤をビアホールに埋め込む手法に代わって、金属製の突起物（導体ポスト）を使用する技術が使用されている。しかし、導体ポストを使用する場合でも、層間接続する際に導体ポストが、層間接着剤を物理的に排除して接続パッドと接続する方法が開示されている（例えば特許文献２参照）。
しかし、この方法では、導体ポストと接続パッドとの間の層間接着剤を完全に除去することは難しく、信頼性が不十分となる場合があった。
【０００６】
また、先端部に半田層を形成した前記導体ポストを用いて、前記半田の溶融温度より低温で未硬化の樹脂層および未硬化の接着剤層に該導体ポストを貫通させて、接続パッドに２．５ＭＰａ程度で加圧した後、該接着剤層を硬化させ、更に前記半田を溶融・冷却することで半田接合を形成する方法もある（例えば特許文献３参照）。
しかし、このように加圧により層間接続を行って回路基板を製造する際には、内層回路が歪んだり、内層回路の歪みに起因して回路基板が波打つ形になったりする現象があった。特に、内層回路を重ねる枚数が多いほど、前記歪みや波打ちは顕著となる傾向があった。
【０００７】
【特許文献１】特開平８−３１６５９８号公報
【特許文献２】特開平１１−５４９３４号公報
【特許文献３】特開平８−１９５５６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、導体ポストと接続パッドとの間の接続信頼性に優れ、内層回路の歪みおよび回路基板の波打ちの少ない回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記（１）〜（１１）に記載の本発明により達成される。
（１）一方の面側に第１導体回路が設けられた第１基材と、前記第１導体回路と導通し、かつ前記第１基材を貫通する孔内に設けられ、先端部にろう材を有する導体ポストと、前記第１基材の前記第１導体回路が設けられた面と反対側の面に設けられた接着剤層と、を備える第１基板と、第２基材の一方の面側に第２導体回路が設けられた第２基板と、を電気的に接合する回路基板の製造方法であって、少なくとも１枚の前記第１基板と少なくとも１枚の前記第２基板とを重ね、これらを実質的に無加圧または０．５Ｍｐａ以下の低圧での加圧状態で加熱してろう材を溶融し、前記導体ポストと前記第２導体回路とをろう材を介して接合する接合工程を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
（２）一方の面側に第１導体回路が設けられた第１基材と、前記第１導体回路と導通し、かつ前記第１基材を貫通する孔内に設けられ、先端部にろう材を有する導体ポストと、前記第１基材の前記第１導体回路が設けられた面と反対側の面に設けられた接着剤層と、を備える第１基板と、第２基材の一方の面側に第２導体回路が設けられた第２基板と、を電気的に接合する回路基板の製造方法であって、前記第１基板と前記第２基板とを重ねたものを２組以上重ね、これらを実質的に無加圧または０．５Ｍｐａ以下の低圧での加圧状態で加熱してろう材を溶融し、前記導体ポストと前記第２導体回路とをろう材を介して接合する接合工程を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
（３）前記接合工程後に、さらに前記接着剤層を硬化する硬化工程を有するものである上記（１）または（２）に記載の回路基板の製造方法。
（４）前記加熱は、前記接着剤層および前記ろう材の双方が溶融する溶融温度まで急速に加熱するものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（５）前記急速加熱は、昇温速度２０℃／分以上である上記（４）に記載の回路基板の製造方法。
（６）前記加熱は、予め目的温度までに加熱した熱板を用いて行なうものである上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（７）前記加熱した後、さらに前記溶融温度以上で所定時間保持するものである上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（８）前記接合工程において前記導体ポストと前記第２導体回路との接合は、真空中で行うものである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（９）前記導体ポストと前記第２導体回路との接合は、前記ろう材がフィレットを形成することによりなされるものである上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の回路基板。
（１０）前記回路基板は、ダミー回路部を有しているものである上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（１１）上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の回路基板の製造法により得られたことを特徴とする回路基板。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、導体ポストと接続パッドとの間の接続信頼性に優れ、内層回路の歪みおよび回路基板の波打ちの少ない回路基板の製造方法を提供することができる。
また、前記接合工程における前記加熱を、前記接着剤層および前記ろう材の双方が溶融する溶融温度まで急速に加熱した場合、特に４層以上の多層回路基板での内層回路の歪みおよび回路基板の波打ちを少なくすることができる。
また、前記導体ポストと前記第２導体回路との接合が、前記ろう材がフィレットを形成することによりなされる場合、特に接続信頼性に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の回路基板の製造方法および回路基板について説明する。
本発明の回路基板の製造方法は、一方の面側に第１導体回路が設けられた第１基材と、前記第１導体回路と導通し、かつ前記第１基材を貫通する孔内に設けられ、先端部にろう材を有する導体ポストと、前記第１基材の前記第１導体回路が設けられた面と反対側の面に設けられた接着剤層と、を備える第１基板と、第２基材の一方の面側に第２導体回路が設けられた第２基板と、を電気的に接合する回路基板の製造方法であって、少なくとも１枚の前記第１基板と少なくとも１枚の前記第２基板とを重ね、これらを実質的に無加圧または０．５Ｍｐａ以下の低圧での加圧状態で加熱してろう材を溶融し、前記導体ポストと前記第２導体回路とをろう材を介して接合する接合工程を有することを特徴とする。
また、本発明の回路基板は、上記に記載の回路基板の製造方法により得られたことを特徴とする。
【００１２】
図１は、本発明の回路基板の製造方法の温度−圧力プロファイルの一例を示す模式図である。図２は、第１基板の一例を示す側面図である。図３は、第１基板と第２基板とを積層した状態の一例を示す側面図である。図４は、導体ポストと第２導体回路とをろう材を介して接合している状態の一例を示す側面図である。図５は、ダミー回路を有する３層構造の回路基板の一例を示す側面図である。図６は、６層構造の回路基板の一例を示す側面図である。
図１に示すように本発明の回路基板の製造方法では、前記第１基板に前記接着剤層をラミネートするラミネート工程（１Ａ）と、前記第１基板と前記第２基板とを積層する積層工程（２Ａ）と、前記導体ポストと前記第２導体回路とをろう材を介して接合する接合工程（３Ａ）と、前記接着剤層を硬化する硬化工程（４Ａ）と、を有している。
【００１３】
以下、各工程について説明する。
【００１４】
ラミネートする工程（１Ａ）では、先端部にろう材１３１を有する導体ポスト１３を備える第１基材１２の片面側に接着剤層１４を設ける。
そして、図２に示すような第１導体回路１１が設けられた第１基材１２と、第１導体回路１１と導通し、かつ第１基材１２を貫通する孔内に設けられ先端部にろう材１３１を有する導体ポスト１３と、第１基材１２の第１導体回路１１が設けられた面と反対側の面に設けられた接着剤層１４とを備えている第１基板１を得る。
ラミネートする方法としては、第１基材１２の第１導体回路１１が設けられた面と反対側の面にフィルム状の接着剤成分を貼り合わせる方法等が挙げられる。
ラミネートする温度（Ｔ１）は、特に限定されないが、６０〜１２０℃が好ましく、特に８０〜１００℃が好ましい。
【００１５】
第１基材１２としては、例えばポリイミドフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、液晶ポリマーフィルム等の樹脂フィルム、エポキシ樹脂積層板、フェノール樹脂積層板、シアネート樹脂積層板等の積層板等が挙げられる。これらの中でもポリイミドフィルムに代表される樹脂フィルムが好ましい。これにより、耐熱性を向上することができる。さらに、フレキシブル性を発揮することもできる。
第１基材１２の厚さは、特に限定されないが、９〜１００μｍが好ましく、特に１２〜２５μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、導体ポスト１３を形成するためのメッキ時間を短縮することができる。
【００１６】
第１導体回路１１を構成する材料としては、例えば銅箔、アルミニウム等が挙げられる。これらの中でも銅箔が好ましい。これにより、任意の配線パターンを容易に形成することができる。
第１導体回路１１の厚さは、特に限定されないが、５〜７０μｍが好ましく、特に９〜３５μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特にエッチング処理による回路形成性に優れる。さらに、第１導体回路１１を形成した後の第１基材１２のハンドリング性（取り扱い性）にも優れる。
【００１７】
接着剤層１４を構成する材料としては、例えばエポキシ樹脂系接着剤、アクリル樹脂系接着剤等が挙げられる。これらの中でもフラックス活性を有するエポキシ樹脂系接着剤が好ましい。これにより、前記ポリイミドフィルム等の第１基材１２との密着性が特に優れる。
接着剤層１４の厚さは、特に限定されないが、５〜５０μｍが好ましく、特に１０〜３０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に密着性および接着剤の染み（しみ）出し抑制の双方に優れる。
【００１８】
導体ポスト１３は、例えばペーストまたはメッキ法などで、銅ポストを形成する。引き続き、ろう材１３１である金属または合金にて被覆する。導体ポスト１３の高さは、特に限定されないが、第１基材１２の第１導体回路１１が形成されている面と反対側の面から２〜３０μｍ突出させることが好ましく、特に５〜１５μｍ突出させることが好ましい。高さが前記範囲内であると、特に導体ポスト１３と第２導体回路２１との接続の安定性に優れる。さらに作業時間を短縮することもできる。
【００１９】
ろう材１３１は、例えば金属または合金で構成されている。前記金属としては、例えば錫で構成されていることが好ましい。前記合金としては錫、鉛、銀、亜鉛、ビスマス、アンチモン、銅から選ばれた少なくとも２種類以上の金属で構成されるろう材１３１であることが好ましい。例えば錫−鉛系、錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−ビスマス系、錫−アンチモン、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系等があるが、金属組合せや組成に限定されず、最適なものを選択すればよい。ろう材１３１の被覆厚さは、特に限定されないが、２μｍ以上が好ましく、特に３〜２０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、導体ポスト１３と第２導体回路２１との接続の安定性に優れ、それによって信頼性がさらに向上する。
【００２０】
なお、ラミネートする工程（１Ａ）と、後述する積層工程（２Ａ）とは、連続して行なう必要は無く、予め第１基板１を形成しておいても良い。
【００２１】
次に、積層工程（２Ａ）では、第１基板１と、第２基板２とを積層（仮接合）する。具体的には、図３に示すように、第１基板１の導体ポスト１３の先端部のろう材１３１の一部と、第２基板２の第２導体回路２１の一部とが接触している状態となっている。
積層工程（２Ａ）では、第１基板１と、第２基板２とを重ね、所定温度（Ｔ２）および所定圧力（Ｐ２）でプレスする。プレスの雰囲気としては、真空中、不活性ガス雰囲気下または大気下でも特に限定されない。
前記所定温度（Ｔ２）は、接着剤層１４が軟化する温度であれば特に限定されず、具体的には８０〜１８０℃が好ましく、特に１００〜１６０℃が好ましい。温度が前記範囲内であると、特に第１基板１と第２基板２との接着性に優れる。
また、前記所定圧力（Ｐ２）は、溶融状態の接着剤層１４が第２導体回路２１の周囲に埋め込まれる圧力であれば特に限定されず、具体的には０．３〜１．５ＭＰａが好ましく、特に０．５〜１．０ＭＰａが好ましい。圧力が前記範囲内であると、特に接着剤層１４の回路への埋め込み性に優れる。
前記プレスしている時間（Ｓ２）は、特に限定されないが、０．５〜１０分間が好ましく、特に１〜３分間が好ましい。
【００２２】
積層工程（２Ａ）では、第１基板１と、第２基板２とを上述のようにプレスした後、加熱を止め、圧力を開放して積層した積層体を取り出し、後述する接合工程（３Ａ）を行なう。積層工程（２Ａ）と、接合工程（３Ａ）とは連続して行なうことが好ましいが、別々の工程で行なわれても良い。
【００２３】
次に、接合工程（３Ａ）では、導体ポスト１３の先端部のろう材１３１を溶融して第２導体回路２１と層間接続を行なう。
接合工程（３Ａ）では、第１基板１と、第２基板２とを重ね、これらを実質的に無加圧または０．５ＭＰａ以下の低圧での加圧状態（Ｐ３）で加熱してろう材１３１を溶融し、導体ポスト１３と第２導体回路２１とをろう材１３１を介して接合する。
ここで、接合工程（３Ａ）を実質的に無加圧または０．５ＭＰａ以下の低圧での加圧状態で加熱して行なうのは以下の理由からである。
従来、導体ポストと内層回路との層間接続は、２．５ＭＰａ以上の高圧で行なわれていた。しかし、このように高圧で層間接続を行なうと導体ポストと内層回路との接触部に圧力が集中してかかるため、内層回路が歪んだり、この内層回路の歪みに起因して回路基板全体が撓んだり、波打ったりして変形する場合があった。
これに対して、本発明では第１基板１と第２基板２とを重ね、これらを実質的に無加圧または０．５ＭＰａ以下の低圧の加圧状態で加熱して導体ポスト１３と第２導体回路２１との接合を行なうので、第２基板２の一点に圧力が集中するのを防止することができる。これにより、回路基板が変形するのを防止することができる。
【００２４】
さらに、本発明では、接合工程（３Ａ）を実質的に無加圧または０．５ＭＰａ以下の低圧での加圧状態で加熱して行なうので、接着剤層１４の染み出しを防止することもできる。これにより、層間厚さのばらつきがより少ない回路基板を得ることができる。
【００２５】
前記実質的に無加圧とは、例えばプレス機等の当板の自重以外に外部応力を与えない状態または当板を用いない状態をいう。
また、無加圧でなくても０．５ＭＰａ以下の低圧での加圧状態であれば、前記内層回路の歪みに至らない。前記低圧での加圧状態の上限値は、０．４ＭＰａ以下がより好ましく、０．０５〜０．３ＭＰａが最も好ましい。圧力が前記範囲内であると、層間厚さのばらつきの小さい回路基板を得ることができる。
【００２６】
前記加熱温度（Ｔ３ａ）は、ろう材１３１が溶融する温度であれば特に限定されないが、具体的には２３０℃以上が好ましく、特に２４０〜２７０℃が好ましい。温度が前記範囲内であると、ろう材１３１を介した導体ポスト１３と第２導体回路２１との接続信頼性に優れる。すなわち、図４に示すようにろう材１３１がフィレットの形状を示すようになる。
【００２７】
また、前記加熱は、特に限定されないが、接着剤層１４およびろう材１３１の双方が溶融する温度まで急速に加熱することが好ましい。これにより、４層以上の多層の回路基板に対して、内層回路の歪みを特に防止することができる。
従来は、接合工程において昇温速度１０℃／分程度でろう材の溶融温度付近まで加熱し、ろう材を溶融させて、導体ポストと内層回路との接合を行なっていた。しかし、この方法によると、加熱している間（ろう材の溶解温度に到達しない間）に接着剤層は軟化するのに対し、ろう材は固いままである（固形状態）。そのため、この加熱している間に基板に付与された圧力がろう材を介して導体ポスト部分に集中して内層回路にかかってしまい、内層回路の歪みが大きくなる場合があった。さらに１５０℃付近を越える時点からは接着剤層の硬化反応が急速に進み、ろう材が溶融を開始した時には接着剤層の硬化がほぼ完了しているため、層間接続が不安定になる場合があった。
これに対して、接着剤層１４およびろう材１３１の双方が溶融する温度まで急速に加熱すると、接着剤層１４が溶融（軟化）すると共にろう材１３１が溶融するため、内層回路への応力集中を防ぐことができる。すなわち、接着剤層１４とろう材１３１が共に溶融状態であるため、導体ポスト１３の応力が分散されると考えられる。そのため、内層回路の歪みを小さくすることができ、その結果として回路基板が変形するのを防止することができる。
【００２８】
前記急速加熱の昇温速度は、特に限定されないが、２０℃／分以上が好ましく、特に５０℃／分以上が好ましく、最も６０〜２００℃／分が好ましい。昇温速度が前記範囲内であると、ろう材１３１の溶融と接着剤層１４の溶融とが共に起こるため導体ポスト１３と、第２導体回路２１との接続性が優れる。
【００２９】
前記加熱は、特に限定されないが、予め溶融温度（Ｔ３）までに加熱した熱板を用いて行なうものであっても良い。これによっても、ろう材１３１を介して導体ポスト１３と第２導体回路２１とを接続することができる。前記目的温度は、ろう材１３１が溶融する温度であれば特に限定されないが、１８５〜２８０℃が好ましく、特に２３０〜２７０℃が好ましい。温度が前記範囲内であると、接着剤層１４が硬化する前にろう材１３１が溶融しろう材１３１がフィレットを形成し、それによって導体ポスト１３と第２導体回路２１との接続性信頼性に優れる。
なお、予め溶融温度まで加熱する前に、所定の目的温度に一度加熱し、それから前記溶融温度まで加熱しても良い（２段階での加熱であっても良い）。
【００３０】
前記加熱した後、さらに前記溶融温度以上の温度（Ｔ３）で所定時間（Ｓ３）保持することが好ましい。これにより、ろう材１３１が均一に広がり、導体ポスト１３と第２導体回路２１との接続信頼性が向上した。
また、第１基板１と第２基板２との層間の密着性を向上させることができる。さらに、接着剤層１４を、層全体がある程度安定する程度まで半硬化（仮硬化）させることもできる。
前記溶融温度以上の温度（Ｔ３）は、特に限定されないが、２４０〜２８０℃が好ましく、特に２５０〜２７０℃が好ましい。
前記所定時間（Ｓ３）は、特に限定されないが、０．２５〜１０分間が好ましく、特に０．５〜８分間が好ましい。
【００３１】
前記所定時間（Ｓ３）保持した後に、本実施の形態では次の硬化工程を別に行なうために一度常温程度まで冷却する。そして、次に半硬化している接着剤層１４を硬化させる硬化工程（４Ａ）を行なう。硬化工程（４Ａ）で接着剤層１４を硬化させる条件は、特に限定されないが、硬化温度（Ｔ４）×硬化時間（Ｓ４）は、１５０〜２２０℃×３０〜１５０分間が好ましく、特に１６０〜１８０℃×４５〜１２０分間が好ましい。硬化条件が前記範囲内であると、接着剤層１４を十分に硬化することができる。
【００３２】
このような方法で本発明の回路基板を得ることができる。
上記の実施の形態では、回路基板は、図４に示すように２層構造であるが、本発明はこれに限定されず、図５に示すように導体回路３１を有する３層構造の回路基板３、図６に示すように６層構造の回路基板４等の多層構造を有する回路基板（フレキシブル回路基板）であっても良い。
また、本発明の回路基板３は、図５に示すような導体回路３１以外にダミー回路３２を有していても良い。ダミー回路３２とは、信号の伝達には関与しない回路のことである。ダミー回路３２により、内層回路が変形するのをさらに防止することができる。
また、図示しないが、導体回路との接続に関与しないダミー導体ポストを有していても良い。
【００３３】
上記の実施形態では、接着剤層１４をラミネートする方法で形成したが、これに限定されず、例えば溶剤に溶解した接着剤成分を塗布する方法等が挙げられる。
上記の実施形態では、第２基板２は、第２導体回路２１と、第２基材２２とで構成されるものであったが、これに限定されず、例えば第２基板２が多層回路基板の内層回路を構成する場合、多層回路基板のコア層を構成する場合等が挙げられる。このように内層回路またはコア層を構成する場合、第２基板２には、第２導体回路２１および第２基材２２に加えて、導体ポストや他の導体回路を有していても良い。また、さらにダミー回路、ダミー導体ポストを有していも良い。
また、第１基板１もダミー回路またはダミー導体ポストを有していても良い。
【００３４】
次に本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
（第１基板−外層プリント配線板の作製−）
厚さ２５μｍのポリイミド樹脂の絶縁基材に厚さ１２μｍの銅箔が付いた第１基材（宇部興産製  ユピセル  ＳＥ１３１０）の絶縁基材側の面から、ＵＶレーザーにより５０μｍ径の開口部を形成し、ドライデスミア装置によりデスミアを行った。この開口部内に電解銅メッキを施し銅ポストを銅箔のある反対面側の絶縁層表面より高さ１０μｍとした後、ろう材（半田メッキ、錫−鉛共晶）を厚さ１５μｍで施し、導体ポストを形成した。次いで銅箔をエッチングし、配線パターンを形成した。次に、厚さ２５μｍの熱硬化性のフラックス機能付き接着剤シート（住友ベークライト製  層間接着シート）を真空ラミネーターにてラミネートした後、積層サイズ（１２０×１７０ｍｍ）に外形加工して、第１基板（外層プリント配線板）を得た。
【００３５】
（第２基板ａ−内層プリント配線板の作製−）
厚さ２５μｍのポリイミド樹脂の絶縁基材に厚さ１２μｍの銅箔が付いた第２基材ａ（宇部興産製  ユピセル  ＳＥ１３１０）の絶縁基材側の面から、ＵＶレーザーにより５０μｍ径の開口部を形成し、ドライデスミアによるデスミアを施した。この開口部内に電解銅メッキを施し、銅ポストを銅箔のある反対面側の絶縁基材表面より高さ１０μｍとした後、ろう材（半田メッキ、錫−鉛共晶）を厚さ１５μｍで施し、導体ポストを形成した。次いで、銅箔をエッチングし、配線パターンと、第１基板の導体ポストを受けるパッドを形成した。次に、厚さ２５μｍの熱硬化性のフラックス機能付き接着剤シート（住友ベークライト製  層間接着シート）真空ラミネーターにてラミネートすることにより形成した後、積層部サイズ（１２０×１７０ｍｍ）に外形加工して、第２基板ａ（内層プリント配線板）を得た。
【００３６】
（第２基板ｂ−コア層フレキシブル配線板の作製−）
厚さ２５μｍポリイミド樹脂フィルムの絶縁基材の両面に厚さ１２μｍの銅箔が付いた第２基材ｂ（コア基材）（三井化学製  ＮＥＸ２３ＦＥ（２５Ｔ））を、ドリルによって穴明けしてスルーホールを形成した後、ダイレクトメッキおよび電解銅メッキにより表裏の電気的導通を行なった。次に、銅箔をエッチングすることにより、配線パターンおよび導体ポストを受けるパッドを形成した。
次に、フレキシブル部に相当する部分の配線パターンに、厚さ１２．５μｍのポリイミドに厚さ２５μｍのエポキシ樹脂系接着剤が予め塗布されたカバーレイフィルム（有沢製作所製  ＣＶＡ０５２５）により表面被覆層を形成した。最後に、積層サイズ（１２０×１７０ｍｍ）に切断し、第２基板ｂ（コア層フレキシブル配線板）を得た。
【００３７】
（多層フレキシブル回路基板の製造）
１．積層工程
第１基板（外層プリント配線板）と、第２基板ａ（内層プリント配線板）と、第２基板ｂ（コア層フレキシブル配線板）と、第２基板ａ（内層プリント配線板）と、第１基板（外層プリント配線板）とをこの順に、位置合わせ用のピンガイド付き治具を用いてレイアップした。その後、スポットヒーターで部分的に２５０℃となるように加熱して、前記第１基板、前記第２基板ａおよび前記第２基板ｂを部分的に仮接着して、位置決めを行なった。
次に、真空式プレスで１５０℃、０.５ＭＰａで６０秒間加熱・加圧成形し、導体ポストが導体パッドに接するまでプレス成形を行なった。この際、導体パッドがある第２基板ａ（内層プリント配線板）の回路の周囲が気泡無く、接着剤が充填されるようにした。
【００３８】
２．接合工程
次いで、得られた積層体をリフロー装置で次のような条件で加熱して導体ポストと、第２導体回路とを半田を介して接合した。
加熱の条件は、積層体の温度が常温〜２６０℃までにおいて、昇温速度が１００℃／分となるようにした。また、最高温度は２６５℃となるようにし、２６０℃以上で６０秒間保持した。
また、実質的に無加圧の状態で接合するために、２枚の当て板（約８２ｇ、当て板のサイズ１３０ｍｍ×１８０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）で積層体の上下に配置し、積層体を挟み、リフロー装置に投入した。
これにより、リフロー装置内で半田を介して、導体ポストと内層プリント配線板のパッドと、導体ポストとコア層フレキシブル配線板のパッドとが接合された。ここで、半田を介した導体ポストとパッドとの接合は、半田が溶融接合し、半田フィレットを形成していた。
【００３９】
３．硬化工程
次に、フラックス機能付き接着剤を硬化させるために、１８０℃で６０分間加熱し、接着剤層を硬化した。
【００４０】
４．最外層の表面処理
外層の両表面に、液状レジスト（日立化成製  ＳＲ９０００Ｗ）を印刷し、露光、現像することにより表面被膜を施し、開口部もあわせて形成した。次に、開口部に表面処理として金メッキを施し最終的に６層の多層フレキシブル回路基板を得た。
【００４１】
（実施例２）
第２基板ａを用いずに、かつ接合工程における加熱条件を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
リフロー装置の代わりに、ホットプレート上で、積層体の温度が常温から２６０℃までは昇温速度が１０℃／分となるように当て板（約８２ｇ、当て板のサイズ１３０ｍｍ×１８０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）で積層体を挟み、実質的に無加圧の状態で加熱・加圧した。
【００４２】
（実施例３）
接合工程における加圧条件を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
リフロー装置の代わりに、プレスにて昇温スピード１００℃／分で２６０℃まで加熱し、圧力０．２ＭＰａの低圧状態で加圧した。
【００４３】
（実施例４）
第２基板ａを用いずに、かつ接合工程における加熱・加圧条件を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
リフロー装置の代わりに、プレスにて昇温スピード１０℃／分で常温から２６０℃まで加熱し、圧力０．２ＭＰａの低圧状態で加圧した。
【００４４】
（実施例５）
プレスにおける昇温速度を以下のようにした以外は、実施例３と同様にした。
プレスの昇温速度を５０℃／分にした。
【００４５】
（実施例６）
外層プリント配線板、内層プリント配線板、コア層フレキシブル配線板に、ダミー回路（信号配線部以外の残銅率が５０％となるようにダミー回路を形成した）およびダミー導体ポストを配置した以外は、実施例３と同様にした。
【００４６】
（比較例１）
接合工程における加熱・加圧条件を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
リフロー装置に代わり、プレスにて昇温速度１５℃／分とし、圧力を２．５ＭＰａで加圧した。
【００４７】
（比較例２）
接合工程における加熱条件を以下のようにした以外は、比較例１と同様にした。
プレスにて昇温速度１００℃／分とし、圧力を２．５ＭＰａで加圧した。
【００４８】
各実施例および比較例で得られた回路基板について、以下の評価を行なった。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．内層回路の歪み
内層回路の歪みは、断面を作製し、顕微鏡にて観察し評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：層の歪み、うねりは全くなく、導通および、層間接続には問題なし。
○：層の歪み、うねりは若干あるが、導通および、層間接続には問題なし。
△：層の歪み、うねりがあり、導通の取れていない場所が、全体の１％未満。
×：層の歪み、うねりがあり、導通の取れていない場所が、全体の１％以上。
【００４９】
２．耐熱性
耐熱性は、リフロー処理（２６０℃以上１５秒、最高２６５℃）を２回通し、その外観を観察し評価した。
◎：基板全体に膨れ、剥がれ等の異常が無かった。
○：基板周辺部の製品部分以外に、剥がれが発生した。
△：基板の製品部分に１ｍｍ未満の大きさの膨れ、剥がれが発生した。
×：基板の製品部分に１ｍｍ以上の大きさの膨れ、剥がれ等の異常が発生した。
【００５０】
３．接続信頼性
接続信頼性は、熱衝撃試験（ホットオイル２６０℃１０秒⇔常温２０秒  １００サイクル）を行い、その外観、及び導通抵抗を測定し、評価した。
◎：外観に異常がなく、導通抵抗の初期値からの変化率が、±５％未満である。
○：外観に異常がなく、導通抵抗の初期値からの変化率が、±５％以上で±８％未満である。
△：外観に異常がなく、導通抵抗の初期値からの変化率が、±８％以上で±１０％未満である。
×：外観に膨れ、剥がれ等の異常がある、または導通抵抗の初期値からの変化率が±１０％以上である。
【００５１】
４．密着性
密着性は、層間のピール強度ＪＩＳ  Ｃ  ５０１６に準拠して評価した。
【００５２】
５．接着剤層の染み出し量
接着剤層の染み出し量は、測長顕微鏡にて接着剤層の染み出し長さを評価した。
【００５３】
【表１】
2006165397.tif 000003
【００５４】
表１から明らかなように、実施例１〜６で得られた多層回路基板は、内層回路の歪みが少なかった。これにより、回路基板の波打ちが少なかったことも示された。特に実施例１および６は、６層の多層回路基板であっても内層回路の歪みが小さかった。
また、実施例１〜６は、ピール強度に優れ、かつ接着剤成分の染み出し量も少なかった。
また、実施例３および６で得られた多層回路基板は、特に接続信頼性に優れていた。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明によれば、内層回路の歪みおよび回路基板の波打ちが少ない回路基板を得ることができる。本発明の回路基板の製造方法は、回路基板の中でもフレキシブル回路基板の製造に用いることが好ましく、特に多層フレキシブル回路基板の製造方法に用いることが好ましいものである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の回路基板の製造方法の温度−圧力プロファイルの一例を示す模式図である。
【図２】第１基板の一例を示す側面図である。
【図３】第１基板と第２基板とを積層した状態の一例を示す側面図である。
【図４】導体ポストと第２導体回路とをろう材を介して接合している状態の一例を示す側面図である。
【図５】ダミー回路を有する３層構造の回路基板の一例を示す側面図である。
【図６】６層構造の回路基板の一例を示す側面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１      第１基板
１１    第１導体回路
１２    第１基材
１３    導体ポスト
１３１  ろう材
１４    接着剤層
２      第２基板
２１    第２導体回路
２２    第２基材
３      ３層構造の回路基板
３１    導体回路
３２    ダミー回路
４      ６層構造の回路基板
【図１】
2006165397.tif 000004
【図２】
2006165397.tif 000005
【図３】
2006165397.tif 000006
【図４】
2006165397.tif 000007
【図５】
2006165397.tif 000008
【図６】
2006165397.tif 000009