(57)【要約】【課題】  モジュラプラグとの組合せにおいて、広周波数帯域に亘って漏話成分及び反射成分を低減させる高速伝送用のモジュラコネクタの提供。【解決手段】  複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台４に立設される複数の端子板８と、コンタクトピンと端子板８とを接続する接続導体９と、を有し、第１の接続導体９と、第２の接続導体９と、を平行近接させ誘導性結合による漏話補償機能を備えたモジュラコネクタ１において、前記プリント基板上に形成された、第１の接続導体対の第１の接続導体と、第２の接続導体対の第１の接続導体と接続されたスルーホールと、を近接させて配置したものである。【選択図】図１
2006040585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、プラグ挿入口の中に配列され１対の伝送線路を構成するチップ導体とリング導体が複数対交互に並んだモジュラプラグの接触子に接触可能な弾性体からなる複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台に立設される複数の端子板と、導体層が２層以上のプリント基板と、前記コンタクトピンと前記端子板とをプリント基板上でそれぞれ電気的に接続する接続導体及び前記コンタクトピンや前記端子板を挿入するスルーホールを備え、前記プリント基板上に形成された、チップ導体側に接続する接続導体とリング導体側に接続する接続導体とが２本で１対になった伝送対である第１の接続導体対の一方の第１の接続導体と、前記とは別のチップ導体側に接続する接続導体と前記とは別のリング導体側に接続する接続導体とが２組で１対になった伝送対である第２の接続導体対の一方の第１の接続導体と、がプリント基板上に部分的に近接させて誘導性結合を生じさせる誘導性結合手段を有するモジュラコネクタにおいて、
前記プリント基板上に形成された、第１の接続導体対の第１の接続導体と、第２の接続導体対の第１の接続導体と接続されたスルーホールと、を近接させて配置したモジュラコネクタ。
【請求項２】
モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、プラグ挿入口の中に配列され１対の伝送線路を構成するチップ導体とリング導体が複数対交互に並んだモジュラプラグの接触子に接触可能な弾性体からなる複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台に立設される複数の端子板と、導体層が２層以上のプリント基板と、前記コンタクトピンと前記端子板とをプリント基板上でそれぞれ電気的に接続する接続導体及び前記コンタクトピンや前記端子板を挿入するスルーホールを備え、前記プリント基板上に形成した伝送線路におけるコンタクトピン側の端部に伝送線路間で容量性結合を生じさせる容量性結合パターンが形成されるとともに、伝送線路と容量性結合パターンとの間には、伝送線路から分岐した引き出しパターンが形成されたモジュラコネクタにおいて、
前記プリント基板上に形成された、チップ導体側に接続する接続導体とリング導体側に接続する接続導体とが２本で１対になった伝送対である第１の接続導体対の一方の第１の接続導体と、前記とは別のチップ導体側に接続する接続導体と前記とは別のリング導体側に接続する接続導体とが２組で１対になった伝送対である第２の接続導体対の一方の第１の接続導体と接続されたスルーホールとを近接させて配置したことを特徴とするモジュラコネクタ。
【請求項３】
前記プリント基板上に構成された、第１の接続導体対の第１の接続導体と第２の接続導体対の第１の接続導体との間に付加した第１組の容量性結合パターンと、第１の接続導体対の第２接続導体と第２の接続導体対の第２接続導体との間に付加した第２組の容量性結合パターンを備え、第１の接続導体対の伝送線路から分岐して第１組の容量性結合パターンと接続する第１組の引出しパターンと、第２の接続導体対の伝送線路から分岐して第２組の容量性結合パターンと接続する第２組の引出しパターンと、を異なる長さに設定することを特徴とする請求項１又は請求項２記載のモジュラコネクタ。
【請求項４】
前記第１組の容量性結合パターンと前記第２組の容量性結合パターンの面積を異なる大きさに設定することを特徴とする請求項３記載のモジュラコネクタ。
【請求項５】
前記第１組の容量性結合パターンは、前記第２組の容量性結合パターンを上又は下の隣接した導体層に配置したことを特徴とする請求項３又は請求項４記載のモジュラコネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報通信に使用されるモジュラコネクタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報通信に使用する高周波伝送用のモジュラコネクタ１として、例えば図９に示すようなものがある。このモジュラコネクタ１は、モジュラプラグの接触子に弾接する８本のコンタクトピン６と、モジュラプラグ（図示せず）が挿入されるプラグ挿入口２が設けられたハウジング３と、ハウジング３においてプラグ挿入口２の背面側上部には端子台４と、端子台４の下部に配設されたプリント基板５と、備え、コンタクトピン６はプリント基板５に接続されている。ここで、コンタクトピン６はプラグ挿入口２内部の奥における下部に載置されたプリント基板５から下向きに延び前方へ曲がってプラグ挿入口２の下部を通過して上向きにＵ字状に曲がりプラグ挿入口２内部の入り口付近からプラグ挿入口２の奥に向かって上向きに互いに平行に延びた構造である。
【０００３】
モジュラコネクタ１と組み合わせて使用するモジュラプラグは複数の伝送線路が互いに接近して平行に並べられている（以降、伝送対と呼称）という構造上、回線間の静電容量不平衡（以降、容量性結合と呼称）及び相互誘導（以降、誘導性結合と呼称）によって回線を伝送する信号中に漏話成分が発生しやすい。そこで、モジュラプラグに発生した漏話成分を打ち消す漏話成分をモジュラコネクタにおいて意図的に発生させることが考えられる。具体的には、伝送線路間に容量性結合又は誘導性結合を発生させる構成をモジュラコネクタに組込むという手法が採用されている。例えば、図９のモジュラコネクタ１においては、図１０に示すようにプリント基板５上の配線を互いに近接させることにより誘導性結合を発生させて、モジュラプラグの誘導性結合を打ち消し、近端漏話減衰量を減少させている。
【０００４】
ここで漏話成分は大きさと位相で定義される電気信号成分であり、その特性は周波数に依存する。漏話成分には信号の伝播方向に現れる遠端漏話成分（以降、ＦＥＸＴと略称）と、その反対方向に現れる近端漏話成分（以降、ＮＥＸＴと略称）とがある。
【０００５】
また、モジュラプラグに発生した漏話成分を打ち消す漏話成分をモジュラコネクタにおいて意図的に発生させているモジュラコネクタとして、特開平０６−８４５６２号公報に記載するものがある。このものは、図１１に示すように、誘電体バネブロック（図示せず）に取付けた一対の金属リードフレーム１０１により相互接続される多数の入力および出力端子を有する。リードフレーム１０１には、細長い接続導体１０２ａ、１０２ｂを有している。接続導体１０２ａ、１０２ｂ間には、絶縁層があり、接続導体１０２ａ、１０２ｂ間は電気的に絶縁されている。そして、各接続導体は一端がバネ接点（図示せず）に接続され、他端がコネクタ１０３に接続されている。各接続導体１０２ａ、１０２ｂが互いに重複するように配置され、この重複は交差領域Ａで、交差領域内の導体の鈍角な曲げにより電気的接触を形成することなく行われる。交差位置および特定の交差パターンを選択することにより、誘導性結合、容量性結合を発生させて特定の導体間の漏話を減少させることができるようにしたものである。
【０００６】
しかしながら、図９で説明した従来技術及び特許文献１に記載している従来技術は、プリント基板上に構成した伝送線路を部分的に近接させて、伝送線路の漏話結合を補正しようとするものである。すなわち、誘導性結合のみを利用して補正する方法はＮＥＸＴまたはＦＥＸＴのいずれか一方を低減させるかわりもう一方を増大させるという問題があり、容量性結合のみを利用して補正する方法はＮＥＸＴを改善させる一方でＦＥＸＴを悪化させるという問題がある。また、誘導性結合のみを利用する方法は、近接させた導体線路間の離隔距離が大きく平行距離が長い場合に補償漏話の位相遅れが大きくなり、漏話性能が改善されない場合がある。
【０００７】
従って、これらの方法は、限られた面積のプリント基板上でおこなうために、モジュラプラグの漏話特性に対して所定の周波数帯域の大きさと位相を十分にコントロールできない場合がある。
【特許文献１】特開平０６−８４５６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、かかる事由に鑑みてなしたものであり、その目的とするところは、モジュラコネクタ内部の伝送対間に発生する漏話成分の大きさと位相と、モジュラプラグ内部の伝送対間に発生する漏話成分の大きさと位相と、が広周波数帯域にわたって対応し、モジュラプラグとの組合せにおける漏話を低減することができるモジュラコネクタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本願発明は、モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、プラグ挿入口の中に配列され１対の伝送線路を構成するチップ導体とリング導体が複数対交互に並んだモジュラプラグの接触子に接触可能な弾性体からなる複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台に立設される複数の端子板と、導体層が２層以上のプリント基板と、前記コンタクトピンと前記端子板とをプリント基板上でそれぞれ電気的に接続する接続導体及び前記コンタクトピンや前記端子板を挿入するスルーホールを備え、前記プリント基板上に形成された、チップ導体側に接続する接続導体とリング導体側に接続する接続導体とが２本で１対になった伝送対である第１の接続導体対の一方の第１の接続導体と、前記とは別のチップ導体側に接続する接続導体と前記とは別のリング導体側に接続する接続導体とが２組で１対になった伝送対である第２の接続導体対の一方の第１の接続導体と、がプリント基板上に部分的に近接させて誘導性結合を生じさせる誘導性結合手段を有するモジュラコネクタにおいて、前記プリント基板上に形成された、第１の接続導体対の第１の接続導体と、第２の接続導体対の第１の接続導体と接続されたスルーホールと、を近接させて配置したものである。
【００１０】
また、モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、プラグ挿入口の中に配列され１対の伝送線路を構成するチップ導体とリング導体が複数対交互に並んだモジュラプラグの接触子に接触可能な弾性体からなる複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台に立設される複数の端子板と、導体層が２層以上のプリント基板と、前記コンタクトピンと前記端子板とをプリント基板上でそれぞれ電気的に接続する接続導体及び前記コンタクトピンや前記端子板を挿入するスルーホールを備え、前記プリント基板上に形成した伝送線路におけるコンタクトピン側の端部に伝送線路間で容量性結合を生じさせる容量性結合パターンが形成されるとともに、伝送線路と容量性結合パターンとの間には、伝送線路から分岐した引き出しパターンが形成されたモジュラコネクタにおいて、前記プリント基板上に形成された、チップ導体側に接続する接続導体とリング導体側に接続する接続導体とが２本で１対になった伝送対である第１の接続導体対の一方の第１の接続導体と、前記とは別のチップ導体側に接続する接続導体と前記とは別のリング導体側に接続する接続導体とが２組で１対になった伝送対である第２の接続導体対の一方の第１の接続導体と接続されたスルーホールとを近接させて配置することが好ましい。
【００１１】
また、前記プリント基板上に構成された、第１の接続導体対の第１の接続導体と第２の接続導体対の第１の接続導体との間に付加した第１組の容量性結合パターンと、第１の接続導体対の第２接続導体と第２の接続導体対の第２接続導体との間に付加した第２組の容量性結合パターンを備え、第１の接続導体対の伝送線路から分岐して第１組の容量性結合パターンと接続する第１組の引出しパターンと、第２の接続導体対の伝送線路から分岐して第２組の容量性結合パターンと接続する第２組の引出しパターンと、を異なる長さに設定することが好ましい。
【００１２】
また、第１組の容量性結合パターンと第２組の容量性結合パターンの面積を異なる大きさに設定することが好ましい。
【００１３】
また、前記第１組の容量性結合パターンは、前記第２組の容量性結合パターンを上又は下の隣接した導体層に配置することが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本願発明のモジュラコネクタによれば、伝送線路に付加された容量性結合パターンのパターン面積、及び伝送線路と容量性パターンを接続する引出しパターンの長さを相互に調節し、所定の導体間に付加した容量性結合による補償漏話成分の大きさと位相をコントロールすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本願の請求項１から請求項５に対応した一実施形態のモジュラコネクタ１を図１から図８に基づいて説明する。図１は第１の実施形態を示す一部破断した平面図、図２は同上の側面断面図、図３は同上の要部の側面図、図４は同上の要部の平面図、図５は同上のプリント基板の第１層のパターン図、図６は同上のプリント基板の第２層のパターン図、図７は同上のプリント基板の第３層のパターン図、図８は同上のプリント基板の第４層のパターン図である。なお、図５から図８のパターン図は全て上面視である。
【００１６】
このモジュラコネクタ１は８極８心用であって、図１又は、図２に示すようにモジュラプラグ（図示せず）を挿入するプラグ挿入口２が開口するハウジング３を備えている。ハウジング３においてプラグ挿入口２の背面側上部には端子台４が設けられていて、端子台４の下部にはプリント基板５が配設されている。
【００１７】
プラグ挿入口２の内部には、モジュラプラグの接触子（図示せず）に弾接する４対のコンタクトピン６を備えている。コンタクトピン６は、図２、図３に示すようにプラグ挿入口２の背面側のプリント基板５上に設けられた支持部７に支持されている。端子台４にはコンタクトピン６と１対１対応した８個の端子板８が立設されている。
【００１８】
プリント基板５は、表面の部品面５ａと、裏面のハンダ面５ｂと、を有し、４層の導体層から構成されている。そして、プリント基板５には、各コンタクトピン６と電気的に接続された第１のスルーホール１２と、各端子板８と電気的に接続された第２のスルーホール１３と、が設けられている。また、プリント基板５は、第１のスルーホール１２と対応する第２のスルーホール１３とを電気的に接続する接続導体９が導体パターンによって形成されている。そして、プリント基板５は、望ましくない誘導性結合の発生を抑制するため接続導体９は部品面５ａとハンダ面５ｂとに分けて形成されている。
【００１９】
以下において、コンタクトピン６、接続導体９、第１のスルーホール１２、第２のスルーホール１３、の電気的に接続されたものについてはそれぞれ同じ符号ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈを番号の後に付すものとする。ここで、番号の後に付した符号においては、ａとｂ、ｃとｆ、ｄとｅ、ｇとｈが夫々伝送対を構成している。
【００２０】
コンタクトピン６は、図１乃至図４に示すように、コンタクトピン６のうちチップ導体側に接続される４本であるコンタクトピン６ａ、６ｃ、６ｅ、６ｇは支持部７に支持され支持部７から２mm程度後方において９０度下向きに曲げられてそれぞれ対応するスルーホール１２ａ、１２ｃ、１２ｅ、１２ｇに固定され、支持部７よりプラグ挿入口２の方向に伸びる片持ち梁構造になっている。また、コンタクトピン６のうちリング導体側に接続される４本であるコンタクトピン６ｂ、６ｄ、６ｆ、６ｈはコンタクトピン６ａ、６ｃ、６ｅ、６ｇより低い位置で支持部７に支持され支持部７近傍において９０度下向きに曲げられてそれぞれ対応するスルーホール１２ｂ、１２ｄ、１２ｆ、１２ｈに固定され、支持部７よりプラグ挿入口２の方向に伸びる片持ち梁構造になっている。従って、スルーホール１２は側面から見て千鳥状の配置になっており、チップ導体に対応するスルーホール１２ａ、１２ｃ、１２ｅ、１２ｇとリング導体に対応するスルーホール１２ｂ、１２ｄ、１２ｆ、１２ｈとが前後に離されている。
【００２１】
請求項１に対応した第１の実施形態を図５、図７、図８に基づいて説明する。この漏話の大きさと位相を設計するための基本構成について、一つの伝送対を構成する接続導体９ｄ、９ｅを第１の伝送対とし、このうちの接続導体９ｄを第１の接続導体とし、別の伝送対を構成する接続導体９ｇ、９ｈを第２の伝送対このうちの接続導体９ｇを第１の接続導体として、この関係を基に説明する。
【００２２】
接続導体９ｄは、図５に示すように、プリント基板５の第１層５ｃに配置されており、第１のスルーホール１２ｄから第１のスルーホール１２ｅと１２ｆの間、１２ｇと１２ｈの間、第２のスルーホール１３ｇの近傍を通って、第２のスルーホール１３ｄに接続されている。
【００２３】
接続導体９ｄは、図５に示すように、プリント基板５の第１層５ｃに配置されており、第１のスルーホール１２ｄから第１のスルーホール１２ｅと１２ｆの間、１２ｇと１２ｈの間、第２のスルーホール１３ｇの近傍を通って、第２のスルーホール１３ｄに接続されている。
【００２４】
接続導体９ｇは、図８に示すように、プリント基板５の第４層５ｆに配置されており、第１のスルーホール１２ｇから第２のスルーホール１３ｇに接続されている。
【００２５】
接続導体９ｈは、図７に示すように、第１のスルーホール１２ｈから第１のスルーホール１２ｇと第２のスルーホール１３ｇの間を通って第２のスルーホール１３ｈに接続されている。
【００２６】
従って、接続導体９ｄを接続導体９ｇが接続される第２のスルーホール１３ｇに近接して配置すれば、伝送対のリング導体である接続導体９ｄと伝送対のチップ導体である接続導体９ｇとの間における漏話結合の大きさ及び位相を所望の値にコントロールすることができる。
【００２７】
請求項２に対応した第２の実施形態を図６から図８に基づいて説明する。この漏話の大きさと位相を設計するための基本構成について、一つの伝送対を構成する接続導体９ｃ、９ｆを第１の伝送対とし、このうちの接続導体９ｃを第１の接続導体とし、別の伝送対を構成する接続導体９ａ、９ｂを第２の伝送対とし、このうちの接続導体９ａを第１の接続導体としてこの関係を基に説明する。
【００２８】
接続導体９ｃは、図６に示すように、第１のスルーホール１２ｃから第２のスルーホール１３ｃに接続されている。また、図８に示すように、第１のスルーホール１２ｃ、引出し線１９ｃを介して、第１のスルーホール１２ａと第１のスルーホール１２ｂとの間を通り容量結合パターン１０ｃに接続されている。すなわち、接続導体９ｃの伝送経路から分岐して容量結合パターン１０ｃに接続されている。
【００２９】
接続導体９ａは、図６に示すよう、第１のスルーホール１２ａから第２のスルーホール１３ａに接続されている。また、図７に示すように、第１のスルーホール１２ａ、引出し線１９ａを介して容量結合パターン１４ａに接続されている。すなわち、接続導体９ａの伝送経路から分岐して引き出し線１９ａ容量結合パターン１４ａに接続されている。この場合、容量結合パターン１４ａ、１４ｃは、同一形状で、異なる導体層（第３層５ｅと第４層５ｆ）で上下に重なるようになっている。
【００３０】
このうち、第８図に示すように、接続導体９ｃの伝送線路を構成する第１のスルーホール１２ａから分岐して容量結合パターン１４ｃに接続している引出し線１９ｃを、接続導体９ａの伝送線路を構成する第１のスルーホール１２ａを囲むように近接して配置されている。
【００３１】
従って、接続導体９ｃと接続導体９ａとの間における漏話結合の大きさと位相を、所望の値にコントロールすることができる。
【００３２】
請求項３から請求項５に対応した第３の実施形態を図５から図８に基づいて説明する。この漏話の大きさと位相を設計するための基本構成について、一つの伝送対を構成する接続導体９ｃ、９ｆを第１の伝送対とし、このうちの接続導体９ｆを第１の接続導体とし、別の伝送対を構成する接続導体９ｄ、９ｅを第２の伝送対とし、このうちの接続導体９ｄを第１の接続導体として、この関係を基に説明する。
【００３３】
接続導体９ｆは、第７図に示すように、第１のスルーホール１２ｅと第１のスルーホール１２ｇの間を通って第２のスルーホール１３ｇに接続されている。また、図５に示すように、第１のスルーホール１２ｆ、引出し線１９ｆを介して、容量結合パターン１０ｆに接続されている。すなわち、接続導体９ｆの伝送経路から分岐して容量結合パターン１６ａに接続されている。
【００３４】
接続導体９ｄは、図５に示すように、第１のスルーホール１２ｅと第１のスルーホール１２ｆの間、第１のスルーホール１２ｆと第１のスルーホール１２ｇの間を通って第２のスルーホール１３ｄに接続されている。また、図６に示すように、第１のスルーホール１２ｄ、引出し線１９ｄを介して、容量結合パターン１０ｄに接続されている。すなわち、接続導体９ｄの伝送経路から分岐して容量結合パターン１０ｄに接続されている。
【００３５】
この場合、容量結合パターン１０ｄ、１０ｆは、同一形状で、異なる導体層（第１層５ｃと第２層５ｄ）で上下に重なるようになっている。また、引出し線１９ｄと１９ｆとは、同一形状になっている。
【００３６】
接続導体９ｃは、図６に示すように、第１のスルーホール１２ｃから第２のスルーホール１３ｃに接続されている。また、図８に示すように、第１のスルーホール１２ｃを介して引出し線１９ｃに接続され、この引出し線１９ｃは第１のスルーホール１２ａと第１のスルーホール１２ｂとの間を通り容量結合パターン１０ｃに接続されている。すなわち、接続導体９ｃの伝送経路から分岐して容量結合パターン１０ｃに接続されている。
【００３７】
接続導体９ｅは、図５に示すように、第１のスルーホール１２ｅから第２のスルーホール１３ｅに接続されている。また、図７に示すように、第１のスルーホール１２ｅから引出し線１９ｅを介して、容量結合パターン１０ａに接続されている。すなわち、接続導体９ｅの伝送経路から分岐して容量結合パターン１０ｅに接続されている。
【００３８】
この場合、容量結合パターン１０ｃ、１０ｅは、同一形状で、異なる導体層（第３層５ｅと第４層５ｆ）で上下に重なるようになっている。また、引出し線１９ｃと１９ｅとは、同一形状になっている。
【００３９】
この接続導体９ｆ、９ｄとから分岐して接続されている容量結合パターン１０ｆ、１０ｄに接続されている引き出し線１９ｆ、１９ｄの長さと、接続導体９ｃ、９ｅとから分岐して接続されている容量結合パターン１０ｃ、１０ｅに接続されている引き出し線１９ｃ、１９ｅの長さと異なる長さに設定されている。
【００４０】
従って、接続導体９ｄと接続導体９ｆとの間における漏話結合の大きさと位相を、所望の値にコントロールすることができる。
【００４１】
また、図５から図８に示すように、伝送対である接続導体９ｃ、９ｆと、伝送対である接続導体９ｄ、９ｅのと、の間に付加する容量結合として、接続導体９ｆと接続導体９ｄの伝送経路から分離して接続されている容量結合パターン１０ｆ、１０ｄをそれぞれ、第１層５ｃ、第２層５ｄの異なる層に形成し、接続導体９ｅと接続導体９ｃの伝送経路から分離して接続されている容量結合パターン１０ｅ、１０ｃをそれぞれ、第３層５ｅ、第４層５ｆの異なる層に形成している。この接続導体９ｆと接続導体９ｄの伝送経路から分岐して接続されている容量結合パターン１０ｆ、１０ｄと、接続導体９ｅ、９ｃの伝送経路から分岐して接続されている容量結合パターン１０ｅ、１０ｃと、において、容量結合パターン１０ｆ、１０ｄと、容量結合パターン１０ｅ、１０ｃと、を異なる大きさに設定することにより、チップ導体である接続導体９ｃと接続導体９ｅとの間の漏話結合、及び、リング導体である接続導体９ｄと接続導体９ｆとのの間の漏話結合の大きさと位相を所望の値にコントロールすることができる。
【００４２】
また、図５、から図８に示すように、伝送対である接続導体９ｃ、９ｆと、伝送対である接続導体９ｄ、９ｅのと、の間に漏話補償を行うために付加する容量結合として、接続導体９ｆと接続導体９ｄの伝送経路から分岐して接続されている容量結合パターン１０ｆ、１０ｄを第１層５ｃと第２層５ｄの異なる層に形成し、接続導体９ｅと接続導体９ｃの伝送経路から分岐して接続されている容量結合パターン１０ｅ、１０ｃを第３層５ｅと第４層５ｆに形成している。この場合、第２層５ｄに形成している容量結合パターン１０ｄと第３層５ｅに形成している容量結合パターン１０ｅを上下に重ねて配置して容量結合を付加することにより、伝送対である接続導体９ｄ、９ｅにおける反射性能を向上させるために、インピーダンスの大きさを所望の値にコントロールすることができる。
【００４３】
なお、本実施形態の漏話補償は、接続導体の伝送対の組合せは、モジュラプラグの特性と従来の漏話補償とを組み合わせて漏話補償が最適になるように適宜決めればよい。
【００４４】
なお、本実施形態の漏話補償は、部品面５ａとハンダ面５ｂをもつ４層のプリント基板５であるが、導体層が３層以下又は５層以上の多層構造のプリント基板でも上記実施形態と同様の作用効果が生じる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す一部破断した平面図である。
【図２】同上の側面断面図である。
【図３】同上の要部の側面図である。
【図４】同上の要部の平面図である。
【図５】同上のプリント基板の第１層のパターン図である。
【図６】同上のプリント基板の第２層のパターン図である。
【図７】同上のプリント基板の第３層のパターン図である。
【図８】同上のプリント基板の第４層のパターン図である。
【図９】従来例の側面断面図である。
【図１０】同上の要部の平面図である。
【図１１】特開平０６−８４５６２号公報に記載された記載のリードフレームの平面図。
【符号の説明】
【００４６】
１    携帯無線通信端末装置
７    トリガ信号検知部
８    計時部
９    電源制御部
１１  公衆回線
【図１】
2006040585.tif 000003
【図２】
2006040585.tif 000004
【図３】
2006040585.tif 000005
【図４】
2006040585.tif 000006
【図５】
2006040585.tif 000007
【図６】
2006040585.tif 000008
【図７】
2006040585.tif 000009
【図８】
2006040585.tif 000010
【図９】
2006040585.tif 000011
【図１０】
2006040585.tif 000012
【図１１】
2006040585.tif 000013