(57)【要約】  【課題】  高密度ディスクに形成された最小ピットのピット形状をお碗型とすることによって再生時のアシンメトリを良好とする。  【解決手段】  １−７ＰＰ変調方式の場合では、チャンネルクロック周期をＴとすると、最小ピットは、最短ピット長２Ｔを有する。図４Ａは、最小ピット以外のピットを径方向で切断した断面の形状を示す。所定のピット上部幅Ｗ１および所定のピット深さｄ１を有する。図４Ｂは、ピット上部幅をＷ２（＜Ｗ１）と小さくしたものを示す。図４Ｃは、ピット上部幅Ｗ２を有し、ピット深さをｄ２（＜ｄ１）と浅くしたものを示す。図４Ｃに示すお碗型のピット形状の変調度および平均振幅が最長ピット（例えば８Ｔピット）の変調度および平均振幅とバランスがとれたものとなり、再生信号波形のアシンメトリを小とすることができる。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のトラックピッチで、且つ複数の離散的な長さのピットの組み合わせで形成されたピット列として情報が記録され、対物レンズを介して光ビームがピット列に対して照射されることによって情報が再生される光ディスクを作製するための光ディスク原盤において、
チャンネルクロック周期Ｔのｎ倍（ｎは、０以外の整数）でもってピット長が規定され、
アシンメトリを小とするように、最小ピットのピット長および最小ピットのピット深さの少なくとも一方を規定の値よりも小さくしたことを特徴とする光ディスク原盤。
【請求項２】
請求項１において、
上記最小ピット以外のピットが底面、上部開口および上記底面から上記上部開口に向かう傾斜面とを有するピット形状であり、上記最小ピットがお椀型の形状を呈していることを特徴とする光ディスク原盤。
【請求項３】
請求項１において、
基板に対して無機レジストが塗布されたレジスト原盤に対して可視光あるいは紫外光で情報を記録し、
露光後の上記レジスト原盤を現像し、
現像後の上記レジスト原盤に対して電鋳処理を行うことによって形成された光ディスク原盤。
【請求項４】
所定のトラックピッチで、且つ複数の離散的な長さのピットの組み合わせで形成されたピット列として情報が記録され、対物レンズを介して光ビームがピット列に対して照射されることによって情報が再生される光ディスクにおいて、
チャンネルクロック周期Ｔのｎ倍（ｎは、０以外の整数）でもってピット長が規定され、
アシンメトリを小とするように、最小ピットのピット長および最小ピットのピット深さの少なくとも一方を規定の値よりも小さくしたことを特徴とする光ディスク。
【請求項５】
請求項４において、
上記最小ピット以外のピットが底面、上部開口および上記底面から上記上部開口に向かう傾斜面とを有するピット形状であり、上記最小ピットがお椀型の形状を呈していることを特徴とする光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高密度光ディスクに対して適用可能な光ディスク原盤および光ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクとして、ＣＤ（Compact Disc)やＤＶＤ(Digital Versatile Disc)Video等の読み出し専用ディスクが知られている。これらの光ディスクでは、記録ディジタル信号に対応して所定のトラックピッチでピット列が形成されている。チャンネルクロック周期をＴで表すと、ＣＤの場合では、ＥＦＭ（Eight to Fourteen Modulation)変調が使用され
、（３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ，６Ｔ，７Ｔ，８Ｔ，９Ｔ，１０Ｔ，１１Ｔ）の９種類の離散的な長さのピットが形成される。ＤＶＤの場合では、ＥＦＭPlus変調が使用され、９種類の長さに加えて１４Ｔの長さのピットが形成される。これらの複数種類のピット長の中で、最短ピット長を持つピットが最小ピットまたは最短ピットと称される。例えばＣＤの場合では、線速度が１．２５ｍ／ｓの場合で、最小ピットが０．８７μｍのピット長となる。ピット幅は、０．５μｍである。
【０００３】
図１は、ＤＶＤのディスク基板を射出成型で成形するためのニッケルスタンパのピットを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した写真を示す。倍率は、５万倍である。
【０００４】
従来から光ディスク上のピットの形は、図２に示すように、いわゆるサッカースタジアム形状で近似されている。すなわち、ピット上面の開口と、ピット底面と、底面から開口に向かって広がる傾斜部とからなる。図２は、ピット列の延長方向、すなわち、トラックの延長方向をｘ方向とし、ディスクの径方向をｙ方向としている。ｙ方向でピットを切断した断面において、上部ピット幅Ｗｕと下部ピット幅Ｗｌが規定され、ｘ方向において、ピット長Ｌｐが規定される。また、ピット深さｄが再生レーザ光の波長をλとしたときに、λ／４とされている。したがって、ピットからの戻り光は、ランドからの戻り光に比して強度がより低いものとなる。
【０００５】
下記の特許文献１には、ＤＶＤにおいて、再生用光ビームのビームスポット径よりトラックピッチやピットピッチを小さく設定しても隣接トラック間のクロストークを小さくできるように、ピッチの上部幅および下部幅を所定のものに規定することが記載されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平７−２１０８７２号公報
【０００７】
従来のＣＤ、ＤＶＤ程度の記録密度のピットでは、ピット形状をいわゆるサッカースタジアム形状で近似したときに、ピット列を構成する全てのピット長において、ピット幅とピット深さ、ピットの傾斜を同一として、ピット長のみを違えることが普通であった。ピット長のバラツキは、ディスク再生時のジッタ（時間軸変動）の原因となるので、各ピット長のバラツキを抑えるようになされていた。
【０００８】
最近では、トラックピッチと最小ピット長の両者を小さくして、さらなる高密度を目指した次世代高密度光ディスクが提案され、実用化されるに至っている。その一つであるＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（商品名、以下、ＢＤディスクと適宜表記する）は、片面単層で約２５Ｇバイト、片面２層で約５０Ｇバイトの記録容量を有する高密度光ディスクである。ＢＤ規格では、ビームスポット径を小とするために、光源波長を４０５ｎｍとし、対物レンズの開口数ＮＡ(Numerical Aperture)を０．８５と大きくしている。
【０００９】
ＣＤ規格では、光源波長：７８０ｎｍ、ＮＡ：０．４５、スポット径：２．１１μｍであり、ＤＶＤ規格では、光源波長：６５０ｎｍ、ＮＡ：０．６、スポット径：１．３２μｍである。ＢＤ規格では、スポット径を０．５８μｍまで絞ることができ、ＤＶＤと比して、約１／５とすることができる。
【００１０】
ＢＤ規格では、記録符号化方式として１−７ＰＰ(Parity Preserve/Prohibit RMTR)と
呼ぶ方式が使用されている。この方式では、"1"と"1"の間に"0"を１つ以上含むというル
ールにしたがって符号化がなされる。上述したＥＦＭまたはＥＦＭPlusでは、"1"と"1"の間に"0"を２つ以上含むというルールにしたがって符号化がなされる。したがって、ＢＤ
規格では、ピット長として、（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ，６Ｔ，７Ｔ，８Ｔ）と、一部で存在する９Ｔの８種類の長さのピットが形成される。
【００１１】
ここで、変調度およびアシンメトリの定義について図３を参照して説明する。図３Ａに示す曲線１００は、光ピックアップで検出した再生信号波形を示す。この再生信号波形は、図３Ｂに示すように、１−７ＰＰ変調方式でディスク上に記録されたパターンにレーザ光を照射したときの反射光に対応するものである。
【００１２】
記録パターンは、８Ｔピット、２Ｔランド、２Ｔピット、８Ｔランド、３Ｔピット、３Ｔランド、４Ｔピットがこの順で形成されているものである。再生信号において、Ｉ8Hは、最長ランド、すなわち、８Ｔランドの戻り光量に対応するレベルであり、Ｉ8Lは、最長ピット、すなわち、８Ｔピットの戻り光量に対応するレベルであり、Ｉ2Hは、最短ランド、すなわち、２Ｔランドの戻り光量に対応するレベルであり、Ｉ2Lは、最短ピット、すなわち、２Ｔピットの戻り光量に対応するレベルである。
【００１３】
再生信号波形において、ピットレベルは、ランドレベルに比してより低いレベルとなる。（ランドレベル−ピットレベル）が変調振幅と呼ばれる。変調度は、（Ｉ8H−Ｉ8L）／Ｉ8Hで定義される。アシンメトリは、光ディスクの再生波形における最長ピットのランド／ピットの変調レベルの平均値（Ｉ8H＋Ｉ8L）／２と最短ピットのランド／ピットの変調レベルの平均値（Ｉ2H＋Ｉ2L）／２の差を最長ピットの変調振幅で規格化したパラメータのことであり、下記の式で定義される。
【００１４】
〔（Ｉ8H＋Ｉ8L）−（Ｉ2H＋Ｉ2L）〕／〔２×（Ｉ8H−Ｉ8L）〕
【００１５】
最短ピットのサイズが大きくてその変調レベルの平均値が最長ピットの変調レベルの平均値より低くなる方向を、アシンメトリ（＋）と定義する。勿論、これらの平均値が等しくてアシンメトリが０であることが好ましい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
ＢＤディスクのような高密度光ディスクの場合、全ての長さのピットにおいてピット幅とピット深さを同一とすると、再生装置においてピットを読み出したときに、最短ピット長（２Ｔ）のピットの変調度が実効的に大きくなり、再生信号のいわゆるアシンメトリが大きくなり、正しく信号を再生できなくなるという問題が生じる。これは、ピット幅と最小ピット長のバランスの問題である。
【００１７】
高密度ディスクの最小ピットのピットサイズでは、実効的なピット幅よりも最短ピット長が小さくなるケースが起こりうる。光ディスク記録装置は、ビームスポットでレジストに光を照射して行うので限界に近い最短ピット長のピット形状は上部から見ると円形に近くなる。よって最短ピット長が短いということは、このピット幅も最短ピット長と同等とならざるを得ない。さらに、この状態で最短ピット長のピットの底（サッカースタジアムの競技場部分に相当）が表れている状態であれば、最短ピット長の変調度が大きくなるので、アシンメトリも大きくなってしまう。ある程度のアシンメトリは、再生装置が備えるアシンメトリ補正装置によって補正可能であるが、アシンメトリが大きすぎると補正することができなくなり、良好な再生ができなくなる。
【００１８】
したがって、この発明の目的は、高密度ディスクにおいて、最小ピットのピット幅および／またはピット長を他のピット長のピットに比して小とすることによって、アシンメトリが増大することを防止することが可能な光ディスク原盤および光ディスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上述した課題を解決するために、この発明の第１の態様は、所定のトラックピッチで、且つ複数の離散的な長さのピットの組み合わせで形成されたピット列として情報が記録され、対物レンズを介して光ビームがピット列に対して照射されることによって情報が再生される光ディスクを作製するための光ディスク原盤において、
チャンネルクロック周期Ｔのｎ倍（ｎは、０以外の整数）でもってピット長が規定され、
アシンメトリを小とするように、最小ピットのピット長および最小ピットのピット深さの少なくとも一方を規定の値よりも小さくしたことを特徴とする光ディスク原盤である。
【００２０】
この発明の第２の態様は、所定のトラックピッチで、且つ複数の離散的な長さのピットの組み合わせで形成されたピット列として情報が記録され、対物レンズを介して光ビームがピット列に対して照射されることによって情報が再生される光ディスクにおいて、
チャンネルクロック周期Ｔのｎ倍（ｎは、０以外の整数）でもってピット長が規定され、
アシンメトリを小とするように、最小ピットのピット長および最小ピットのピット深さの少なくとも一方を規定の値よりも小さくしたことを特徴とする光ディスクである。
【発明の効果】
【００２１】
この発明によれば、最短ピット長を有する最小ピットのピットサイズ（幅および深さの少なくとも一方）を規定の値よりも小さく形成することで、アシンメトリを小とできる。最小ピット長以外のピット形状はいわゆるサッカースタジアム形状であるが、最小ピット形状はサイズが小さいためお椀型となる。光ディスクの成型の際にスタンパから射出成型されてピット形状が転写されるときは、ピット深さが浅い方が、また、サッカースタジアム型よりもお椀型の方が転写しやすいので、成型が容易となる。最小ピットは、出現頻度が最も高く、また変調度が小さいので、Ｓ／Ｎ比が一番小さくなる。したがって、ディスク再生信号の品質は最小ピットの出来具合が寄与する割合が高いので、ピット深さが浅くてお椀型の最短ピット形状は、トータルにディスク品質を向上させるのに非常に効果的である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、この発明の一実施形態について図面を参照して説明する。図４は、最小ピットのピット形状を説明するものである。１−７ＰＰ変調方式の場合では、チャンネルクロック周期をＴとすると、最小ピットは、最短ピット長２Ｔを有するものである。図４Ａは、最小ピット以外のピットを径方向で切断した断面の形状を示す。一例として、トラックピッチが０．３２μｍとすると、ピット上部幅Ｗ１が所定の幅（約１６０ｎｍ）とされ、ピット深さｄ１がλ／４に対応する値に選定されている。
【００２３】
最小ピットのピット上部幅が図４Ｂに示すように、Ｗ１より小のＷ２とされる。このようにすると、ピットに対応する戻り光の強度がＷ１の上部幅の場合に比して低下する程度が小となり、変調度が低下し、また、変調レベルの平均値〔（Ｉ2H＋Ｉ2L）／２〕が上昇する。さらに、変調度を小とし、変調レベルの平均値を上昇させるために、図４Ｃに示すように、ピット深さをｄ１より小のｄ２とする。この場合の最少ピットの形状がお碗型となる。このピットサイズにおける変調度および平均振幅が最長ピット（例えば８Ｔピット）の変調度および平均振幅とバランスがとれたものとなり、再生信号波形のアシンメトリを小とすることができる。
【００２４】
図５および図６を参照して、光ディスク製造用原盤および光ディスクの製造工程の一例を説明する。
【００２５】
図５Ａにおいて、参照符号１は、例えばシリコンからなる基板を示し、厚みが０．７２５mmとされている。図５Ｂに示すように、先ず、単結晶シリコンを焼結して作ったターゲットを用いて、スパッタリングによってアモルファスシリコン層２を例えば８０ｎｍの厚みに基板１上に成膜する。次に遷移金属の不完全酸化物を焼結して作ったターゲットを用いて、スパッタリングによってレジスト層３を例えば７０ｎｍの厚みに成膜し、レジスト原盤４を得る。これらの厚みは、一例であり、レジスト層３の露光ビームに対する感度やディスクピット、グルーブの変調度などを考慮して各層の最適な厚みを選べばよい。
【００２６】
レジスト層３のレジストは、遷移金属の不完全酸化物を含み、該不完全酸化物は、酸素の含有量が遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さいものであるようなレジスト材からなる。アモルファスシリコン層２は、レジスト層３の記録感度の改善のために設けられた中間層である。
【００２７】
次に、レーザ露光装置にてカッティングが行われる。図７は、露光装置の一例の概略を示す。レジスト原盤４がスピンドルテーブル２１上にチャッキングされ、スピンドルモータ２２によって、スピンドルテーブル２１およびレジスト原盤４が回転される。レジスト原盤４に対して、ピックアップユニット２３からのレーザ光が照射される。
【００２８】
スピンドルテーブル２１およびスピンドルモータ２２は、スライダ２４に取り付けられている。スライダ２４は、スライダ送り軸２５の回転によって移動し、水平な一方向に精度良く位置制御される。
【００２９】
ピックアップユニット２３は、光源、フォトディテクタ、フォーカス機構等を有し、対物レンズを介してレーザ光をレジスト原盤４上に照射する。原盤４にフォーカシングしながら記録信号に対応してレーザ光のレーザパワーを切り替えることが可能とされている。露光光源は、４０５ｎｍの波長の青色半導体レーザで構成される。対物レンズの開口率ＮＡ＝０．８５とされる。
【００３０】
レーザ露光装置は、内側から外側へのスパイラル状トラックにより半径位置Ｒ＝２４mmから５８mmのエリア（データエリア）にカッティングを行う。所定の変調によるピットを線速度一定（４．９２ｍ／ｓ）で、トラックピッチ（０．３２μｍ）で書き込む。変調方式は、１−７ＰＰとし、チャンネルクロック周波数を６６ＭHzとした。１−７ＰＰ変調は、チャンネルクロック周期をＴとするとき、２Ｔ〜８Ｔの長さのピットと、２Ｔ〜８Ｔの長さのランドの組合せによりなる変調方式である。この条件で２５ＧＢ相当の密度が得られる。最短ピットである２Ｔの長さは１５０ｎｍである。
【００３１】
レジスト層３を露光するためのレーザ変調信号として間欠パルスを用いられる。ｎＴの長さのピットを記録するときに、（ｎ−１）個のパルスによってレーザ光源を直接変調により発光させて露光を行う。いわゆるライトストラテジと呼ぶ方式である。再生信号が最適になるようにレーザ変調信号の各パルスの高さ（レーザパワーに相当）と各パルス幅（発光時間に相当）を最適化する。
【００３２】
図８は、例えば５Ｔの長さのピットを形成する場合のレーザ変調信号を示し、４個のパルス信号が発生する。図８中で、Ｐｐは、ピークパワー値を示し、Ｐｉは、中間パワー値を示し、Ｐｂは、ボトムパワー値を示す。例えばＰｐ＝１０．０ｍＷ、Ｐｉ＝１．０ｍＷ、Ｐｂ＝０．５ｍＷに設定される。
【００３３】
各パルスの調整において、特に最短ピット長２Ｔの最小ピットを形成する場合において注意を要する。２Ｔの露光には、１個のパルスによるレーザ発光を用いるが、光ディスクの再生波形において、最短ピットと最長ピットのバランスが取れるようにパルス高さと幅を調整する。すなわち、図４を参照して説明したように、最小ピットのピットサイズが規定のものより小となるようにされる。
【００３４】
レーザ光が照射されると、無機レジストがアモルファス状態から結晶状態へ遷移するが、このとき露光部分が変形して膨張する。この膨張ピットを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope)で観察した写真を図９に示す。
【００３５】
この膨張の度合いを、低いレーザパワーの反射光でモニタすることができる。カッティング装置において、所定の回転数でスピンドルモータ２２を回転させて、送り軸２５による送りを静止させた状態で、スピンドルモータの１回転分の時間だけ書き込み（カッティング）を行い、そのまま、十分に低いレーザパワー（リードパワー）にて膨張ピットからの反射光をフォトディテクタでモニタすることで、露光された膨張ピットの状態を読み出すことができる。
【００３６】
このようにして得られたモニタ信号のアイパターンの波形をみて、十分な開口を有する綺麗なアイパターンが得られるように、且つ、アシンメトリ＝０％となるように、ライトストラテジを調整することが望ましい。すなわち、最小ピットを形成する場合のレーザ変調信号のパルスの高さ（レーザパワーに相当）とパルス幅（発光時間に相当）が調整される。高周波重畳をかけて平均パワー０．５ｍＷにてモニタしたときのアイパターンを図１０の写真に示す。
【００３７】
このようにカッティングを行うと、現像、メッキ、成型の工程を経て作製されたディスクのアシンメトリが５〜１０％となるように露光状態すなわちピット形状が最適化される。アシンメトリとは、上述したように、光ディスク再生波形における最長ピットのランド／ピットの変調レベルの平均値から、最短ピットのランド／ピットの変調レベルの平均値の差を、最長ピットの変調振幅で規格化したパラメータのことである。
【００３８】
最長ピット形状は、いわゆるサッカースタジアム形状を呈している。各ピット長のピットは、最長ピットと同様のピット幅とピット深さを有してピット傾斜（サッカースタジアムの観客席の傾斜角度）も同等となり、ピット長のみが異なる。しかしながら、最小ピットのみは、図４Ｃを参照して説明したように、ピット傾斜がよりなだらかになり、いわゆるサッカースタジアムの競技場部分が現れず、お椀型の形状となることから、ピット上部幅およびピット深さが他のピットよりも小さくなる。
【００３９】
レーザ露光装置によって、記録信号に対応して記録用レーザ光による選択的露光を行うと、レジスト材を構成する遷移金属の不完全酸化物は、紫外線または可視光に対して吸収を示し、紫外線または可視光が照射されることで、アモルファス状態から結晶状態へ変化する。
【００４０】
露光を行ったレジスト原盤４を現像する。アルカリ溶液の現像液で１０分間の現像を行う。図５Ｄに示すように、所定の凹凸パターンが形成されたマスター原盤５が得られる。例えばレジスト層３として、いわゆるポジ型のレジストを用いたので、露光された部分が溶解して位相ピットが形成される。このピットを走査型電子顕微鏡で観察した写真を図１１に示す。
【００４１】
次に、図５Ｅに示すように、電鋳法によって、マスター原盤５の凹凸パターン上に金属ニッケルメッキ層６が形成される。
【００４２】
図６Ａに示すように、メッキ層６をマスター原盤５から剥離し、所定の加工を施すことによって、マスター原盤５の凹凸パターンが転写された厚さ0.3 ｍｍのニッケルスタンパ７が得られる。ニッケルスタンパ７のピットを走査型電子顕微鏡で観察した写真を図１２に示す。
【００４３】
図６Ｂおよび図６Ｃに示すように、成型用ニッケルスタンパ７を用いて射出成型法を行いて、表面にピット形状が転写された厚さ１．１ｍｍのポリカーボネートからなるディスク基板８が成型される。なお、厚みは１．１ｍｍに限られない。
【００４４】
次に、図６Ｄに示すように、ディスク基板８に対して例えば銀合金の反射膜９が４０ｎｍの厚みで成膜される。
【００４５】
さらに、図６Ｅに示すように、反射膜９上に０．１ｍｍ厚さの透明な保護カバー１０が配されて光ディスクが作製される。保護カバー１０は、厚み９０μｍのポリカーボネートシートを紫外線硬化樹脂層１０μｍを介して貼り合わせることで形成される。また、保護カバー１０は、紫外線硬化樹脂のみをスピンコートして形成しても良い。さらに、基板表面上に紫外線硬化型シートの中間層を配し、別のスタンパからピットを転写して、半透明反射膜をつけてから、さらに保護カバーを配するような２層構造にしてもよい。また、３層以上の多層構造としても良い。また、０．１ｍｍ程度のシート状の樹脂たとえばポリカーボネートシートにスタンパからピットを直接転写して反射膜をつけたものを、１．１ｍｍの基板に貼り合わせて積層構造としても良い。
【００４６】
上述したレジスト層３に適用されるレジスト材料は、遷移金属の不完全酸化物である。ここで、遷移金属の不完全酸化物とは、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のこと、すなわち、遷移金属の不完全酸化物における酸素の含有量が上記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さい化合物と定義する。この材料からなるレジスト層３は、その遷移金属の完全酸化物の状態では透過してしまう紫外線または可視光の光エネルギーを吸収することが可能となり、無機レジスト材料の化学的な状態変化を利用した信号パターンの記録が可能となる。また、光エネルギーによって熱的な記録がなされるので、記録用レーザビームのスポットの中心部の比較的温度が高い部分のみが記録に寄与し、スポット径より微細な記録を行うことができる。
【００４７】
レーザ材料を構成する具体的な遷移金属としては、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｂ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ，Ｒｕ，Ａｇ等が挙げられる。この中でも、Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｂを用いることが好ましく、紫外線または可視光により大きな化学的変化が得られるといった点からは、特に、Ｍｏ，Ｗを用いることが好ましい。
【００４８】
以上のようにして作製された光ディスクが再生装置で再生される。再生装置の光学系は、対物レンズのＮＡ＝０．８５であり、光源の波長が４０５ｎｍの青色半導体レーザを用いた構成とされる。読み取りのレーザは、高周波重畳を行い、平均パワー＝０．３５ｍＷとした。
【００４９】
このように試作した単層光ディスクを再生した結果、図１３の写真で示すアイパターンの波形と以下のような十分に良好な結果を得た。
【００５０】
変調度（Ｉ8H−Ｉ8L）／Ｉ8H＝０．７４
最短ピットの解像度（Ｉ2H−Ｉ2L）／（Ｉ8H−Ｉ8L）＝０．０７
アシンメトリ〔（Ｉ8H＋Ｉ8L）−（Ｉ2H＋Ｉ2L）〕／〔２×（Ｉ8H−Ｉ8L）〕＝０．０９
ジッター  ＝  ５．７％
（ジッター測定には、リミットイコライザを使用し、ブーストゲイン＝５．１ｄＢとした。）
【００５１】
この発明は、上述したこの発明の実施形態に限定されるものでは無く、この発明の要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や応用が可能である。例えば、ポジ型の無機レジストに限らず、ネガ型の無機レジストを使用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】ＤＶＤの作製に使用されるスタンパの顕微鏡写真である。
【図２】ピット形状を説明するための略線図である。
【図３】変調度およびアシンメトリを説明するための略線図である。
【図４】この発明の一実施形態における最小ピットのピットサイズを説明するための略線図である。
【図５】この発明が適用された光ディスクの製造工程の一部を示す部分拡大断面図である。
【図６】この発明が適用された光ディスクの製造工程の一部を示す部分拡大断面図である。
【図７】この発明が適用された光ディスクの製造工程で使用されるカッティング装置の構成を示す略線図である。
【図８】カッティング装置におけるレーザ変調信号を説明するための波形図である。
【図９】露光後のレジスト原盤の顕微鏡写真である。
【図１０】カッティング装置における露光後のモニター時のアイパターンの写真である。
【図１１】現像後のレジスト原盤の顕微鏡写真である。
【図１２】ニッケルスタンパの顕微鏡写真である。
【図１３】作製された光ディスクを再生した時のアイパターンの写真である。
【符号の説明】
【００５３】
１・・・シリコン基板
３・・・レジスト層
４・・・レジスト原盤
５・・・露光後のレジスト原盤
７・・・ニッケルスタンパ
８・・・ディスク基板
９・・・反射膜
１０・・・保護カバー
２２・・・スピンドルモータ
２３・・・ピックアップユニット
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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