(57)【要約】    【課題】  磁気シールドを用いずに、地磁気の影響を受けることなく電流値を測定できる電流計測装置を提供する。    【解決手段】  地磁気検出用磁気センサ１８により検出した地磁気成分ｈを用いて、磁界検出用磁気センサ１６により検出される地磁気成分hをキャンセルする。このため、磁気シールドを用いずに、地磁気の影響を受けることなくバスバー１２を流れる電流Ｉの値を正確に測定できる。【選択図】  図１
2006038518.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流路に流れる電流を検出する電流計測装置であって、
前記電流路を流れる電流によって発生する磁束方向に沿って磁界検出用の磁気センサと、地磁気検出用の磁気センサとを設け、
前記地磁気検出用の磁気センサにより検出した地磁気を用いて、前記磁界検出用の磁気センサにより検出される地磁気成分をキャンセルすることを特徴とする電流計測装置。
【請求項２】
前記電流路は、断面に直角部を有し、
前記磁界検出用の磁気センサは、前記電流路の直角部の一辺に垂直な上部に配置され、
前記地磁気検出用の磁気センサは、前記電流路の直角部の一辺に垂直な上部から外れた位置に配置されることを特徴とする請求項１の電流計測装置。
【請求項３】
前記磁界検出用の磁気センサと前記地磁気検出用の磁気センサとが１のセンサチップ上に配置され、
前記磁界検出用の磁気センサと前記地磁気検出用の磁気センサからの信号を処理する回路チップが、前記磁界検出用の磁気センサと前記地磁気検出用の磁気センサとを結ぶ直線に対して平行に配置されることを特徴とする請求項１又は請求項２の電流計測装置。
【請求項４】
前記磁界検出用の磁気センサと前記地磁気検出用の磁気センサとが、当該磁界検出用の磁気センサ及び地磁気検出用の磁気センサからの信号を処理する回路チップ上に搭載されていることを特徴とする請求項１又は請求項２の電流計測装置。
【請求項５】
前記電流路の周囲にギャップを備える磁性体コアが配置され、
前記磁界検出用の磁気センサは、前記磁性体コアのギャップ内に配置され、
前記地磁気検出用の磁気センサは、前記磁性体コアのギャップ外に配置されることを特徴とする請求項１の電流計測装置。
【請求項６】
電流路に流れる電流を検出する電流計測装置であって、
前記電流路を流れる電流によって発生する磁束方向に沿って磁気センサを２個、検出方向が逆方向に成るように設け、
前記２個の磁気センサの出力差から地磁気成分を検出し、検出した地磁気成分をキャンセルすることを特徴とする電流計測装置。
【請求項７】
前記２個の磁気センサの少なくとも一方は、２個の磁気センサからの信号を処理する回路チップ上にＭＯＳ製造プロセスにより製造されていることを特徴とする請求項６の電流計測装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流路に流れる電流を、電流によって生じる磁束を磁気センサで検出することにより求める電流計測装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、車両用のバッテリの電流は、電装機器の増加に伴い非常に大きくなり、瞬間的に数百Ａのオーダに達している。一方で、車両の燃料消費を低減するために、加速中は発電機による発電を中止し、減速中に発電量を増やす等のエンジン−充電制御が行われるようになっている。係るエンジン−充電制御においても、バッテリの容量を低下させないよう適切に充電を行うために、バッテリの放電電流−充電電流を正確に検出することが要求されるようになっている。
【０００３】
一般的に、バッテリ電流のような大電流を検出するための電流計測装置では、電流路に流れる電流を、電流によって生じる磁束を磁気センサによって検出することにより求めている。係る電流計測装置では、上述したように高い検出精度が要求される際に、誤差原因となる地磁気の影響を受けないようにするため磁気シールドが設けられる。磁気シールドを備える電流計測装置としては、例えば特許文献１がある。
【特許文献１】特開２００１−３３４９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、磁気シールドは、パーマアロイ等からなり製造原価が高いのに加えて、組み付けの工程が必要になり、電流計測装置の製造コストを押し上げる原因となっていた。
【０００５】
従来から磁気センサを用いる電流計測装置では、Ｃ字型の磁性体コアが用いられ、その磁性体コアの中心に置かれた電流路に電流を流した際に、電流に比例した磁束密度をギャップに挿入した磁気センサで検出している。かかる磁性体コアを用いる際には、磁束の大部分が磁性体コア内を通るため、磁気シールドは、磁性体コアを覆う磁気シールド部材を製造することで対応できた。しかし、磁性体コアを用いずに、磁気センサにより直接電流路により生じる磁束を検出する際には、効果的な磁気シールドが行えず、地磁気の影響をキャンセルすることが困難で、検出精度が低下した。このために、磁気シールドが行い易い磁性体コアを用いざるを得なかった。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、磁気シールドを用いずに、地磁気の影響を受けることなく電流値を測定できる電流計測装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、電流路１２に流れる電流を検出する電流計測装置１０であって、
前記電流路１２を流れる電流Ｉによって発生する磁束Ｂ方向に沿って磁界検出用の磁気センサ１６と、地磁気検出用の磁気センサ１８とを設け、
前記地磁気検出用の磁気センサ１８により検出した地磁気成分ｈを用いて、前記磁界検出用の磁気センサ１６により検出される地磁気成分をキャンセルすることを技術的特徴とする。
【０００８】
また、請求項６の発明は、電流路１２に流れる電流を検出する電流計測装置１０であって、
前記電流路１２を流れる電流Ｉによって発生する磁束方向に沿って２個の磁気センサ１６Ａ、磁気センサ１６Ｂを検出方向が逆方向に成るように設け、
前記２個の磁気センサ１６Ａ、磁気センサ１６Ｂの出力差から地磁気成分hを検出し、検出した地磁気成分をキャンセルすることを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１の電流計測装置では、電流路１２を流れる電流Ｉによって発生する磁束Ｂ方向に沿って磁界検出用の磁気センサ１６と、地磁気検出用の磁気センサ１８とを設ける。そして、地磁気検出用の磁気センサ１８により検出した地磁気成分ｈを用いて、磁界検出用の磁気センサ１６により検出される地磁気成分hをキャンセルする。このため、磁気シールドを用いずに、地磁気の影響を受けることなく電流路１２を流れる電流Ｉの値を正確に測定できる。更に、Ｃ字型の磁性体コアを用いなくとも、地磁気の影響をキャンセルして電流Ｉの値を正確に測定することが可能になる。
【００１０】
請求項２の電流計測装置では、磁界検出用の磁気センサ１６を断面の一部に直角部を形成した電流路１２の一辺に垂直な上部に配置する。このため、電流路１２に発生する磁束Ｂを感度良く検出することができる。一方、地磁気検出用の磁気センサ１８を電流路１２の一辺に垂直な上部から外れた位置に配置する。このため、電流路１２に発生する磁束Ｂの影響を大きく受けずに地磁気成分ｈを検出できる。即ち、地磁気検出用の磁気センサ１８の検出出力は、磁束Ｂの影響を大きく受けていないため、地磁気検出用の磁気センサ１８の検出出力を磁界検出用の磁気センサ１６の検出出力から減じた際に、磁界検出用の磁気センサ１６の検出出力値が減じられないので、電流路１２を流れる電流値を正確に測定できる。
【００１１】
請求項３の電流計測装置では、磁界検出用の磁気センサ１６と地磁気検出用の磁気センサ１８とが１のセンサチップ１４上に配置され、回路チップ２０が、磁界検出用の磁気センサ１６と地磁気検出用の磁気センサ１８とを結ぶ直線Ｌに対して平行に配置される。ここで、地磁気検出用の磁気センサ１８が磁束Ｂの影響を受けないように、当該地磁気検出用の磁気センサ１８を磁界検出用の磁気センサ１６から離して配置するため、センサチップ１４が細長くなる。請求項３では、回路チップ２０を平行に配置することで、センサチップ１４と回路チップ２０との配線長を短くすることができる。
【００１２】
請求項４の電流計測装置では、磁界検出用の磁気センサ１６と地磁気検出用の磁気センサ１８とが、当該磁界検出用の磁気センサ１６及び地磁気検出用の磁気センサ１８からの信号を処理する回路チップ２０上に搭載されている。このため、構造を簡略化できると共に、ボンディング等によるチップ間の結線が不要になる。
【００１３】
請求項５の電流計測装置では、磁界検出用の磁気センサ１６は磁性体コア３０のギャップＧ内に配置され、地磁気検出用の磁気センサ１８は磁性体コア３０のギャップＧ外に配置される。このため、地磁気検出用の磁気センサ１８は、電流路１２に発生する磁束Ｂの影響を大きく受けずに地磁気成分ｈを検出できる。即ち、地磁気検出用の磁気センサ１８の検出出力は、磁束Ｂの影響をほとんど受けていないため、地磁気検出用の磁気センサ１８の検出出力を磁界検出用の磁気センサ１６の検出出力から減じた際に、磁界検出用の磁気センサ１６の検出出力のゲインが減じられないので、電流路１２を流れる電流Ｉの値を非常に正確に測定できる。
【００１４】
請求項６の電流計測装置では、電流路１２を流れる電流によって発生する磁束Ｂ方向に沿って２個の磁気センサ１６Ａ、磁気センサ１６Ｂを検出方向が逆方向に成るように設け、２個の磁気センサ１６Ａ、磁気センサ１６Ｂの出力差から地磁気成分hを検出し、検出した地磁気成分をキャンセルする。磁気センサ１６Ａの磁束Ｂによる出力分と磁気センサ１６Ｂの逆方向磁束Ｂによる出力分とが等しいので、両出力を加算（又は減算）することで、正確に地磁気成分hのみを検出できる。この地磁気成分hをキャンセルすることで、ゲインを減ずることなく磁束分を検出することが可能になり、磁気シールドを用いずに、地磁気の影響を受けることなく電流値Ｉを非常に正確に測定できる。
【００１５】
請求項７の電流計測装置では、２個の磁気センサ１６Ａ、１６Ｂの少なくとも一方は、２個の磁気センサからの信号を処理する回路チップ２０上にＭＯＳ製造プロセスにより製造されている。回路形成のＭＯＳプロセスで磁気センサを同時に形成するため、廉価に製造できる。ここで、ＭＯＳプロセスで磁気センサ（例えば、ホール素子）を形成すると感度が低下するが、磁気センサ１６Ａ、磁気センサ１６Ｂの出力差から地磁気成分ｈのみを正確に検出できるので、感度の低いＭＯＳ製造プロセスの磁気センサを用いて正確に電流値Ｉを非常に測定できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下本発明の実施形態に係る電流計測装置について図を参照して説明する。
[第１実施形態]
図１及び図２を参照して本発明の第１実施形態に係る電流計測装置について説明する。図１（Ａ）は、第１実施形態に係る電流計測装置の構成を示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、電流計測装置の平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のｂ矢視図に相当する。
【００１７】
電流計測装置１０は、車両用のバッテリの放電電流−充電電流を測定するためのものであり、バッテリに接続されたバスバー１２と、該バスバー１２を流れる電流Ｉによって発生する磁束Ｂを検出する磁界検出用磁気センサ１６と、地磁気を検出する地磁気検出用磁気センサ１８と、磁界検出用磁気センサ１６及び地磁気検出用磁気センサ１８を搭載するセンサチップ１４と、磁界検出用磁気センサ１６及び地磁気検出用磁気センサ１８からの出力電位差から地磁気成分を補正すると共に温度補償を行い電流値Ｉを演算する回路チップ２０と、センサチップ１４と回路チップ２０とを接続するボンディングワイヤ２２とからなる。磁界検出用磁気センサ１６及び地磁気検出用磁気センサ１８は、同一のホール素子からなり、センサチップ上面に平行な磁束Ｂ方向、即ち、バスバー１２の軸線方向と垂直方向の磁束を検出するように配置されている。バスバー１２、センサチップ１４及び回路チップ２０は、図示しないケーシング内に収容されている。
なお、各磁気センサには磁気を検出できる方向があり、各図の磁界検出用磁気センサ１６及び地磁気検出用磁気センサ１８上に示す矢印は検出方向を表している。また本願のいう地磁気成分とは地磁気ベクトルの検出方向成分を指す。
【００１８】
図２は、第１実施形態に係る電流計測装置で発生する磁束の説明図であり、図１（Ｂ）中のｃ矢視図に相当する。
バスバー１２は、黄銅等の良導電性金属からなり、幅Ｗ１は２０mm、厚みＨ１は２mmに形成されている。バスバー１２とセンサチップ１４との間のギャップＧ１は１mmに設定されている。バスバー１２の端面と地磁気検出用磁気センサ１８とは、水平距離でギャップを２mm以上設けることが、磁界検出用磁気センサ１６での磁束の影響を低減させる上で望ましい。ここで、磁界検出用磁気センサ１６は断面矩形状のバスバー１２の上面に垂直な上方に配置されている。地磁気検出用磁気センサ１８は、バスバー１２の上面に垂直な上方から外れ、且つ、図中でバスバー１２の右側端に水平な位置から外れた位置に配置されている。
【００１９】
磁束Ｂは、断面矩形のバスバー１２の各辺に沿ってほぼ平行に流れる。図中に示すようにバスバー１２の上面に垂直な上方に置かれた磁界検出用磁気センサ１６では、磁束の水平成分Ｈixと地磁気成分hとが検出される。そして、出力電位差Ｖ1として、磁束成分Ｈixによる電圧Ｖhに地磁気成分hによる電圧Ｖhhが嵩上げされた（Ｖh＋Ｖhh）を出力する。
【００２０】
一方、バスバー１２の上面に垂直な上方から外れた位置に置かれた地磁気検出用磁気センサ１８では、距離が離れているため、磁界検出用磁気センサ１６で検出される磁束の水平成分Ｈixよりも小さな磁束Ｈβが発生している。地磁気検出用磁気センサ１８ではその水平成分Ｈix’と地磁気成分hとが検出される。そして、出力電位差Ｖ2として、磁束成分Ｈix’による電圧Ｖh’に地磁気成分hによる電圧Ｖhhが嵩上げされた（Ｖh’＋Ｖhh）を出力する。なお、磁界検出用磁気センサ１６で検出される地磁気成分hと地磁気検出用磁気センサ１８で検出される地磁気成分hは等しい。ここで、磁束の水平成分Ｈixに比較して、磁束Ｈix’、地磁気成分hは小さいため、出力電位差Ｖ1＞出力電位差Ｖ2となる。
【００２１】
上述した回路チップ２０は、磁界検出用磁気センサ１６の出力電位差Ｖ1から地磁気検出用磁気センサ１８の出力電位差Ｖ2を減算することで、地磁気成分h分をキャンセルさせる。
すなわち、
Ｖ1−Ｖ2＝（Ｖh＋Ｖhh）−（Ｖh’＋Ｖhh）＝Ｖh−Ｖh’
ここで、磁界検出用磁気センサ１６の出力電位差Ｖ1は、地磁気検出用磁気センサ１８で検出される磁束成分Ｈix’による電圧Ｖh’分減算されることになるが、磁束の水平成分Ｈixと磁束成分Ｈix’とは完全な比例関係が成り立っているので、感度の低下が若干有っても後段での増幅率を上げることで本質的に検出精度が低下することはない。
【００２２】
第１実施形態の電流計測装置では、地磁気検出用磁気センサ１８により検出した地磁気成分ｈを用いて、磁界検出用磁気センサ１６により検出される地磁気成分hをキャンセルする。このため、磁気シールドを用いずに、地磁気の影響を受けることなくバスバー１２を流れる電流Ｉの値を正確に測定できる。更に、Ｃ字型の磁性体コアを用いなくとも、地磁気の影響をキャンセルして電流Ｉの値を正確に測定することが可能になる。
【００２３】
また、第１実施形態の電流計測装置では、磁界検出用磁気センサ１６をバスバー１２の上面に垂直な上部に配置する。このため、バスバー１２に発生する磁束Ｂを感度良く検出することができる。一方、地磁気検出用磁気センサ１８をバスバー１２の上面に垂直な上部、及び、バスバー１２の側端に水平な位置から外して配置する。このため、バスバー１２に発生する磁束Ｂの影響を大きく受けずに地磁気成分ｈを検出できる。即ち、地磁気検出用磁気センサ１８の出力電位差Ｖ2は、磁束Ｂの影響を大きく受けていないので、地磁気検出用磁気センサ１８の出力電位差Ｖ2を磁界検出用磁気センサ１６の出力電位差Ｖ1から減じた際に、磁界検出用磁気センサ１６の出力電位差Ｖ1が大きく減じられないので、バスバー１２を流れる電流値を正確に測定できる。
【００２４】
[第２実施形態]
本発明の第２実施形態に係る電流計測装置について、第２実施形態の電流計測装置の平面図である図３（Ａ）を参照して説明する。
図１（Ｂ）を参照して上述したように、第１実施形態では、バスバー１２の電流方向に対して、回路チップ２０がセンサチップ１４の側方に配置された。これに対して、第２実施形態では、回路チップ２０が、磁界検出用磁気センサ１６と地磁気検出用磁気センサ１８とを結ぶ直線Ｌに対して平行に配置される。
【００２５】
地磁気検出用磁気センサ１８が磁束Ｂの影響を受けないように、当該地磁気検出用磁気センサ１８を磁界検出用磁気センサ１６から離して配置するため、センサチップ１４が細長くなる。第２実施形態では、回路チップ２０をセンサチップ１４に対して平行に配置することで、センサチップ１４上の磁界検出用磁気センサ１６及び地磁気検出用磁気センサ１８からのボンディングワイヤ２２を含む配線長を均等に短くすることができる。
【００２６】
[第３実施形態]
本発明の第３実施形態に係る電流計測装置について、第３実施形態の電流計測装置の平面図である図３（Ｂ）を参照して説明する。
図１（Ｂ）を参照して上述したように、第１実施形態では、磁界検出用磁気センサ１６及び地磁気検出用磁気センサ１８がセンサチップ１４上に配置された。これに対して、第３実施形態では、磁界検出用磁気センサ１６及び地磁気検出用磁気センサ１８が、信号を処理する回路チップ２０上に搭載されている。このため、構造を簡略化できると共に、ボンディング等によるチップ間の結線が不要になる。なお、磁界検出用磁気センサ１６及び地磁気検出用磁気センサ１８は、回路チップ２０上に回路素子を形成するＭＯＳ半導体製造工程とは異なる専用の半導体製造工程により製造することが、検出精度を高めるためには望ましい。
【００２７】
[第４実施形態]
本発明の第４実施形態に係る電流計測装置について、第４実施形態の電流計測装置の説明図である図４を参照して説明する。
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）を参照して上述したように、第１実施形態では、磁界検出用磁気センサ１６がバスバー１２上に直接配置された。これに対して、第４実施形態では、Ｃ字型磁性体コア３０を用い、該Ｃ字型磁性体コア３０のギャップＧ内に磁界検出用磁気センサ１６を配置している。地磁気検出用磁気センサ１８はＣ字型磁性体コア３０のギャップＧ外に配置される。また、第１〜３実施形態および第５実施形態での磁気センサはセンサチップ14の表面に平行な磁気成分を検出するものであるが、図４ではセンサチップの表面に垂直な磁気成分を検出するものを想定した図となっている。
【００２８】
第４実施形態では、地磁気検出用磁気センサ１８は、バスバー１２に発生する磁束Ｂの影響を大きく受けずに地磁気成分ｈを検出できる。即ち、バスバー１２に発生する磁束の大部分は、Ｃ字型磁性体コア３０内及びギャップＧ間を通るため、地磁気検出用磁気センサ１８の出力電位差は、磁束Ｂの影響をほとんど受けていない。このため、地磁気検出用磁気センサ１８の出力電位差を磁界検出用磁気センサ１６の出力電位差から減じた際に、磁界検出用磁気センサ１６の出力値が減じられないので、バスバー１２を流れる電流Ｉの値を非常に正確に測定できる。
【００２９】
[第５実施形態]
本発明の第５実施形態に係る電流計測装置について、第５実施形態の電流計測装置の説明図である図５を参照して説明する。
図２を参照して上述したように、第１実施形態では、地磁気検出用磁気センサ１８がバスバー１２から離して配置された。これに対して、第５実施形態では、２個の磁気センサ１６Ａ、１６Ｂを用い、共にバスバー１２に近接して配置する。即ち、第５実施形態の電流計測装置では、バスバー１２を流れる電流によって発生する磁束Ｂ方向に沿って２個の磁気センサ１６Ａ、磁気センサ１６Ｂを検出方向が逆方向に成るように、磁気センサ１６Ａをバスバー１２の上面に沿って、磁気センサ１６Ｂをバスバー１２の下面に沿って設ける。
【００３０】
図中に示すようにバスバー１２の上面側に置かれた磁気センサ１６Ａでは、磁束の水平成分Ｈi+x（ここで、図５中で磁束の右方向水平成分を＋ｘとする）と地磁気成分hとが検出され、出力電位差Ｖ1として、磁束成分Ｈi+xによる電圧Ｖhに地磁気成分hによる電圧Ｖhhが嵩上げされた（Ｖh＋Ｖhh）を出力する。
【００３１】
一方、バスバー１２の下面側に置かれた磁気センサ１６Ｂでは、磁束の水平成分Ｈi-x（ここで、図５中で磁束の左方向水平成分を−ｘとする）と地磁気成分hとが検出され、出力電位差Ｖ2として、磁束成分Ｈi-xによる電圧−Ｖhに地磁気成分hによる電圧Ｖhhが嵩上げされた（−Ｖh＋Ｖhh）を出力する。
【００３２】
ここで、上述した回路チップ２０では、磁気センサ１６Ａの出力電位差Ｖ1と磁気センサ１８の出力電位差Ｖ2とを減算することで、地磁気成分h分をキャンセルする。
すなわち、
Ｖ1−Ｖ2＝（Ｖh＋Ｖhh）−（−Ｖh＋Ｖhh）＝２Ｖh
【００３３】
磁気センサ１６Ａの磁束Ｂによる出力分と磁気センサ１６Ｂの磁束Ｂによる出力分とが等しいので、両出力を減算することで、地磁気成分hをキャンセルすることが可能になり、磁気シールドを用いずに、地磁気の影響を受けることなく電流値Ｉを非常に正確に測定できる。
【００３４】
また、第５実施形態の電流計測装置１０において、磁気センサ１６Ｂは、例えばホール素子とすることで信号を処理する回路チップ２０上にＭＯＳ半導体製造プロセスにより製造されている。同様に、磁気センサ１６ＡもＭＯＳ半導体製造プロセスにより製造することができる。第５実施形態では、回路形成のＭＯＳ半導体製造プロセスで磁気センサ１６Ｂを同時に形成するため、廉価に製造できる。ここで、ＭＯＳプロセスでホール素子を形成すると一般的に感度が低いが、第５実施形態では、磁気センサ１６Ａ、磁気センサ１６Ｂの出力差から電流Ｉによる磁束のみを正確に検出できるので、感度の低いＭＯＳ製造プロセスのホール素子を用いても正確に電流値Ｉを測定できる。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
なお、上述した実施形態では、磁気センサとしてホール素子を用いる例を挙げたが、ＭＲ素子を用いて本発明の電流計測装置を構成し得ることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係る電流計測装置の構成を示す斜視図であり、図１（Ｂ）は電流計測装置の平面図である。
【図２】第１実施形態に係る電流計測装置の磁界検出用磁気センサ及び地磁気検出用磁気センサにて検出する磁束の説明図である。
【図３】図３（Ａ）は第２実施形態に係る電流計測装置の構成を示す平面図であり、図３（Ｂ）は第３実施形態に係る電流計測装置の構成を示す平面図である。
【図４】本発明の第４実施形態に係る電流計測装置の説明図である。
【図５】本発明の第５実施形態に係る電流計測装置の説明図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０  電流計測装置
１２  バスバー
１４  センサチップ
１６  磁界検出用磁気センサ
１６Ａ、１６Ｂ  磁気センサ
１８  地磁気検出用磁気センサ
２０  回路チップ
２２  ボンディングワイヤ
３０  Ｃ字型磁性体コア
Ｉ  電流
Ｂ  磁束
Ｇ  ギャップ
【図１】
2006038518.tif 000003
【図２】
2006038518.tif 000004
【図３】
2006038518.tif 000005
【図４】
2006038518.tif 000006
【図５】
2006038518.tif 000007