(57)【要約】【課題】  電子線レジスト膜が途中で剥離することを防止すると共に、長時間の電子線照射であっても、コア層パターンを電子線レジスト膜における所望の位置に安定して描画する。【解決手段】  ガラス基板上の高屈折率ガラス層に電子線描画法によりコア層パターンを形成する光導波路の製造方法において、高屈折率ガラス層上にヘキサメチルジシラザン液等の密着性強化液を塗布（工程２）した後に所定温度で熱処理（工程３）し、その上に電子線レジストを塗布（工程４）した後に所定温度で熱処理（工程５）し、その上に帯電防止剤液を塗布（工程６）し、その上に電子線を照射（工程７）してコア層パターンを描画し、次いで帯電防止剤液を純水洗浄により剥離（工程８）し、これを所定温度で熱処理（工程９）すると共に、現像（工程１０）後に純水洗浄及び乾燥（工程１１）して電子線レジストのコア層パターンを形成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上の高屈折率ガラス層に電子線描画法によりコア層パターンを形成する光導波路の製造方法において、
高屈折率ガラス層上にヘキサメチルジシラザン液等の密着性強化液を塗布した後に熱処理し、その上に電子線レジストを塗布した後に熱処理し、その上に帯電防止剤液を塗布し、その上に電子線を照射してコア層パターンを描画し、次いで帯電防止剤液を純水洗浄により剥離し、これを熱処理すると共に、現像液に入れた後に純水洗浄及び乾燥して電子線レジストのコア層パターンを形成することを特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項２】
ガラス基板上の高屈折率ガラス層に電子線描画法によりコア層パターンを形成する光導波路の製造方法において、
高屈折率ガラス層上にＷＳｉ等からなるメタル膜を形成し、その上に電子線レジストを塗布した後に熱処理し、その上に電子線を照射してコア層パターンを描画し、これを熱処理すると共に、現像液に入れた後に純水洗浄及び乾燥して電子線レジストのコア層パターンを形成することを特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項３】
上記電子線レジストを上記メタル膜上に塗布する前に、予め上記メタル膜上にヘキサメチルジシラザン液等の密着性強化液を塗布した後に熱処理し、その後、その上に電子線レジストを塗布する請求項２記載の光導波路の製造方法。
【請求項４】
上記ガラス基板と上記高屈折率ガラス層との間に、予め低屈折率ガラス層を形成する請求項１〜３いずれか記載の光導波路の製造方法。
【請求項５】
上記電子線レジストのコア層パターンをマスクにして、上記高屈折率ガラス層をドライエッチングにより断面略矩形状に加工する請求項１〜４いずれか記載の光導波路の製造方法。
【請求項６】
上記ガラス基板が、石英系ガラス或いは多成分系ガラスからなる請求項１〜５いずれか記載の光導波路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板上の高屈折率ガラス層に電子線描画法によりコア層パターンを形成する光導波路の製造方法に係り、特に、側面荒れが極めて少なく且つ超高寸法精度のコア層パターンをマスクレスで形成する光導波路の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、埋め込み型光導波路の構造として、図８に示すものが知られている。石英系ガラス或いは多成分系ガラスからなるガラス基板３０上には、ガラス或いはポリマからなる低屈折率のクラッド層３１が形成されている。クラッド層３１中には、ガラス或いはポリマからなる高屈折率のコア層３２が設けられている。このコア層３２は、断面略矩形状に形成されている。
【０００３】
上記の光導波路の製造方法を、図９により説明する。
【０００４】
まず、ガラス基板上にクラッド層及びコア層を順次形成する（工程９１）。次いで、コア層を断面略矩形状に加工する。コア層を断面略矩形状に加工する方法としては、フォトリソグラフィ法或いは電子線描画法がある。
【０００５】
フォトリソグラフィ法においては、コア層上にフォトレジスト膜を形成した後、そのフォトレジスト膜の上にフォトマスクを置き、そのフォトマスクの上から紫外線を照射してフォトレジスト膜を露光する。そして、フォトレジスト膜をパターニングして、フォトレジストパターンを形成する（工程９２ａ）。
【０００６】
電子線描画法においては、コア層上に電子線レジスト膜を形成し、電子線を電子線レジスト膜上に直接照射する。そして、電子線レジスト膜をパターニングして、電子線レジストパターンを形成する（工程９２ｂ）。
【０００７】
次に、フォトレジストパターン或いは電子線レジストパターンをマスクにして、コア層をドライエッチングする（工程９３）。これにより、コア層が、断面略矩形状に加工される。その後、フォトレジストパターン或いは電子線レジストパターンを剥離する（工程９４）。最後に、断面略矩形状に加工されたコア層を全面的に覆うようにクラッド層を形成する（工程９５）。これにより、埋め込み型光導波路を得ることができる。
【０００８】
ところで、フォトリソグラフィ法において、フォトレジスト膜をパターニングすると、フォトレジスト膜を露光した際の紫外線の干渉の影響を受けてフォトレジストパターンに側面荒れが発生する。この側面荒れが生じたフォトレジストパターンをマスクにしてコア層をドライエッチングすると、フォトレジストパターンの側面荒れが益々増大してコア層に転写されてしまう。コア層の側面荒れは、光導波路の散乱損失増大の要因となる。
【０００９】
また、フォトリソグラフィ法に用いる高寸法精度のフォトマスクは非常に高価であり、このフォトマスクの使用が光導波路のコストを増大させていた。
【００１０】
さらには、フォトリソグラフィ法においては、紫外線の波長（例えば３２０ｎｍ）よりも細かい寸法のパターンの露光は本質的に精度がでないため、超微細且つ高寸法精度のコア層パターンを実現することが困難であった。
【００１１】
これに対して、電子線描画法においては、電子線の波長（例えば加速電圧を３０ｋＶとすると０．０７オングストローム）は紫外線の波長に比べて極めて短波長であるため、電子線レジストパターンに側面荒れはほとんど生じない。そのため、コア層の側面荒れはほとんど生じることがなく、散乱損失が極めて低い光導波路を実現することが可能となる。
【００１２】
また、電子線描画法においては、上記のフォトマスクのようなマスクを用いないので、低コストで光導波路を製造することが可能となる。そのため、特に研究用の導波路型光回路や少量多品種の導波路型光回路の製造に有効である。
【００１３】
さらに、電子線描画法においては、紫外線の波長に比べて極めて短波長の電子線を照射するので、超微細且つ高寸法精度のコア層パターンを実現することが可能となる。
【００１４】
【特許文献１】特開平２−３３１０６号公報
【特許文献２】特開平３−２８４７０７号公報
【特許文献３】特開平５−１５０１３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、従来、ガラス或いはポリマとの密着性に適した電子線レジストがなかった。従って、電子線レジスト膜をガラス或いはポリマからなるコア層に対して密着性良く形成することが困難であるという問題があった。電子線レジスト膜をコア層に対して密着性良く形成しないと、電子線レジスト膜が途中で剥離してしまう。
【００１６】
また、ガラス基板に対し、長時間にわたって電子線を照射しようとすると、ガラス基板が帯電（チャージアップ）してしまうという問題があった。ガラス基板が帯電すると電子線が偏向してしまい、コア層パターンを電子線レジスト膜における所望の位置に描画できなくなってしまう。
【００１７】
そこで、本発明の目的は、電子線レジスト膜が途中で剥離することを防止すると共に、長時間の電子線照射であっても、コア層パターンを電子線レジスト膜における所望の位置に安定して描画することができる光導波路の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、ガラス基板上の高屈折率ガラス層に電子線描画法によりコア層パターンを形成する光導波路の製造方法において、高屈折率ガラス層上にヘキサメチルジシラザン液等の密着性強化液を塗布した後に熱処理し、その上に電子線レジストを塗布した後に熱処理し、その上に帯電防止剤液を塗布し、その上に電子線を照射してコア層パターンを描画し、次いで帯電防止剤液を純水洗浄により剥離し、これを熱処理すると共に、現像液に入れた後に純水洗浄及び乾燥して電子線レジストのコア層パターンを形成することを特徴とする光導波路の製造方法である。
【００１９】
請求項２の発明は、ガラス基板上の高屈折率ガラス層に電子線描画法によりコア層パターンを形成する光導波路の製造方法において、高屈折率ガラス層上にＷＳｉ等からなるメタル膜を形成し、その上に電子線レジストを塗布した後に熱処理し、その上に電子線を照射してコア層パターンを描画し、これを熱処理すると共に、現像液に入れた後に純水洗浄及び乾燥して電子線レジストのコア層パターンを形成することを特徴とする光導波路の製造方法である。
【００２０】
請求項３の発明は、上記電子線レジストを上記メタル膜上に塗布する前に、予め上記メタル膜上にヘキサメチルジシラザン液等の密着性強化液を塗布した後に熱処理し、その後、その上に電子線レジストを塗布する請求項２記載の光導波路の製造方法である。
【００２１】
請求項４の発明は、上記ガラス基板と上記高屈折率ガラス層との間に、予め低屈折率ガラス層を形成する請求項１〜３いずれか記載の光導波路の製造方法である。
【００２２】
請求項５の発明は、上記電子線レジストのコア層パターンをマスクにして、上記高屈折率ガラス層をドライエッチングにより断面略矩形状に加工する請求項１〜４いずれか記載の光導波路の製造方法である。
【００２３】
請求項６の発明は、上記ガラス基板が、石英系ガラス或いは多成分系ガラスからなる請求項１〜５いずれか記載の光導波路の製造方法である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、電子線レジスト膜が途中で剥離することを防止すると共に、長時間の電子線照射であっても、コア層パターンを電子線レジスト膜における所望の位置に安定して描画することができるという優れた効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の光導波路の製造方法は、ガラス基板上の高屈折率ガラス層に電子線描画法によりコア層パターンを形成するものである。
【００２６】
以下、本発明の好適な一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００２７】
まず、第一実施形態について、図１及び図２により説明する。
【００２８】
図１は、第一実施形態に係る光導波路の製造方法を示すフローチャートである。図２は、第一実施形態に係る光導波路の製造方法を示す概略図である。
【００２９】
まず、図２（ａ）に示すように、石英系ガラス等からなるガラス基板１０上に、コア層となる高屈折率ガラス層１１をプラズマＣＶＤ法により形成した後に、その高屈折率ガラス層１１を所定温度で熱処理する（工程１）。高屈折率ガラス層１１は、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2系ガラス等からなる。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すように、高屈折率ガラス層１１上にヘキサメチルジシラザン液等の密着性強化液を塗布し（工程２）、その密着性強化液を所定温度で熱処理（プリベーク）する（工程３）ことで、高屈折率ガラス層１１上に密着性強化膜１２を形成する。次いで、密着性強化膜１２上に電子線ネガレジスト等の電子線レジストを塗布し（工程４）、その電子線レジストを所定温度で熱処理（プリベーク）する（工程５）ことで、密着性強化膜１２上に電子線レジスト膜１３を形成する。
【００３１】
次に、図２（ｃ）に示すように、電子線レジスト膜１３上に帯電防止剤液を塗布する（工程６）ことで、電子線レジスト膜１３上に帯電防止膜１４を形成する。
【００３２】
次に、帯電防止膜１４上に電子線を照射して、所望のコア層パターンを描画する（工程７）。描画終了後、帯電防止膜１４を純水洗浄により電子線レジスト膜１３上から剥離し（工程８）、これを所定温度で熱処理する（工程９）。次いで、熱処理したものを現像液に入れることで現像処理を行う（工程１０）と共に、これを純水洗浄及び乾燥する（工程１１）。これにより、図２（ｄ）に示すように、電子線レジスト膜１３がパターニングされて、電子線レジスト膜１３のコア層パターンである電子線レジストパターン１５が形成される。
【００３３】
次に、電子線レジストパターン１５をマスクにして、高屈折率ガラス層１１をドライエッチングする（工程１２）。これにより、図２（ｅ）に示すように、高屈折率ガラス層１１がパターニングされて、断面略矩形状のコアパターン１６が形成される。
【００３４】
次に、図２（ｆ）に示すように、電子線レジストパターン１５を剥離する（工程１３）。
【００３５】
次に、図２（ｇ）に示すように、コアパターン１６を全面的に覆うように、クラッド層となる低屈折率ガラス層１７をプラズマＣＶＤ法により形成し（工程１４）、その低屈折率ガラス層１７を所定温度で熱処理する（工程１５）。これにより、光導波路１８を得ることができる。
【００３６】
このように、本実施形態においては、高屈折率ガラス層１１上に密着性強化膜１２を介して電子線レジスト膜１３を形成し、その電子線レジスト膜１３上に帯電防止膜１４を形成している。従って、密着性強化膜１２により電子線レジスト膜１３が高屈折率ガラス層１１に対して強固に密着した状態となり、電子線レジスト膜１３が途中で剥離することを防止することができる。また、帯電防止膜１４により電子線レジスト膜１３表面の電気抵抗を小さくすることで、長時間の電子線照射であってもガラス基板１０が帯電することはなく、コア層パターンを電子線レジスト膜１３の所望の位置に安定して描画することができる。さらには、電子線レジスト膜１３を高屈折率ガラス層１１に対して密着性良く形成したため、現像処理及びその後の純水洗浄の際に、電子線レジスト膜１３が剥離することはない。
【００３７】
次に、第二実施形態について、図３及び図４により説明する。
【００３８】
図３は、第二実施形態に係る光導波路の製造方法を示すフローチャートである。図４は、第二実施形態に係る光導波路の製造方法を示す概略図である。
【００３９】
まず、図４（ａ）に示すように、石英系ガラス等からなるガラス基板２０上に、コア層となる高屈折率ガラス層２１をプラズマＣＶＤ法により形成した後に、その高屈折率ガラス層２１を所定温度で熱処理する（工程１）。高屈折率ガラス層２１は、ＳｉＯ2−ＧｅＯ2系ガラス等からなる。
【００４０】
次に、図４（ｂ）に示すように、高屈折率ガラス層２１上にＷＳｉ等からなるメタル膜２２をスパッタリング法により形成する（工程３１）。
【００４１】
次に、図４（ｃ）に示すように、メタル膜２２上にヘキサメチルジシラザン液等の密着性強化液を塗布し（工程２）、その密着性強化液を所定温度で熱処理（プリベーク）する（工程３）ことで、メタル膜２２上に密着性強化膜２３を形成する。次いで、密着性強化膜２３上に電子線ネガレジスト等の電子線レジストを塗布し（工程４）、その電子線レジストを所定温度で熱処理（プリベーク）する（工程５）ことで、密着性強化膜２３上に電子線レジスト膜２４を形成する。
【００４２】
次に、電子線レジスト膜２４上に電子線を照射して、所望のコア層パターンを描画する（工程７）。描画終了後、これを熱処理する（工程９）。次いで、熱処理したものを現像液に入れることで現像処理を行う（工程１０）と共に、これを純水洗浄及び乾燥する（工程１１）。これにより、図４（ｄ）に示すように、電子線レジスト膜２４がパターニングされて、電子線レジスト膜２４のコア層パターンである電子線レジストパターン２５が形成される。
【００４３】
次に、電子線レジストパターン２５をマスクにして、メタル膜２２をドライエッチングする（工程３２）。これにより、図４（ｅ）に示すように、メタル膜２２がパターニングされて、断面略矩形状のメタルパターン２６が形成される。
【００４４】
次に、メタルパターン２６をマスクにして、高屈折率ガラス層２１をドライエッチングする（工程１２）。これにより、図４（ｆ）に示すように、高屈折率ガラス層２１がパターニングされて、断面略矩形状のコアパターン２７が形成される。
【００４５】
次に、図４（ｇ）に示すように、メタルパターン２６をドライエッチングにより剥離する（工程３３）。
【００４６】
次に、図４（ｈ）に示すように、コアパターン２７を全面的に覆うように、クラッド層となる低屈折率ガラス層２８をプラズマＣＶＤ法により形成し（工程１４）、その低屈折率ガラス層２８を所定温度で熱処理する（工程１５）。これにより、光導波路２９を得ることができる。
【００４７】
このように、本実施形態においては、高屈折率ガラス層２１上にメタル膜２２及び密着性強化膜２３を介して電子線レジスト膜２４を形成している。従って、メタル膜２２及び密着性強化膜２３により電子線レジスト膜２４が高屈折率ガラス層２１に対して強固に密着した状態となり、電子線レジスト膜２４が途中で剥離することを防止することができる。また、メタル膜２２により電子線レジスト膜２４に照射された電子がメタル膜２２へ流れるようにすることで、長時間の電子線照射であってもガラス基板２０が帯電することはなく、コア層パターンを電子線レジスト膜２４の所望の位置に安定して描画することができる。さらには、電子線レジスト膜２４を高屈折率ガラス層２１に対して密着性良く形成したため、現像処理及びその後の純水洗浄の際に、電子線レジスト膜２４が剥離することはない。
【００４８】
次に、第三実施形態について説明する。
【００４９】
本実施形態は、上述の第二実施形態に基づくものであり、メタル膜２２上へのヘキサメチルジシラザン液等の密着性強化液の塗布（工程２）と、その後の密着性強化液の熱処理（工程３）とを省略する点が第二実施形態とは異なる。その他は、第二実施形態と同様であるので、その説明は省略する。
【００５０】
本実施形態によれば、上述の第二実施形態とは異なり、メタル膜上に密着性強化膜を形成していない。従って、電子線レジスト膜の密着性が第二実施形態に比べてやや低下するが、密着性強化液の塗布及びその後の密着性強化液の熱処理に要する時間を削減することができる。そのため、全体の所要時間を短縮化して、加工のスループットをあげることが可能となる。
【００５１】
本発明は以上説明した実施形態には限定されない。
【００５２】
例えば、密着性強化液としては、ヘキサメチルジシラザン液に特に限定するものではない。例えば、高屈折率ガラス層と電子線レジスト膜との密着性を高めることができ、ヘキサメチルジシラザン液と略同等或いは同等以上の密着度が得られるものであれば、適用可能である。
【００５３】
また、ガラス基板が、多成分系ガラスからなっても良い。
【００５４】
また、電子線レジスト及び帯電防止剤液には、種々のものを用いることができる。
【００５５】
また、電子線レジストが、電子線ポジレジストであっても良い。
【００５６】
また、ガラス基板と高屈折率ガラス層との間に、予め低屈折率ガラス層を形成しておいても良い。
【００５７】
また、高屈折率ガラス層には、ＳｉＯ2に、Ｇｅ、Ｐ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ａｌ等の屈折率制御用添加物が少なくとも一種添加されたものを用いることができる。
【００５８】
また、低屈折率ガラス層には、ＳｉＯ2、或いは、ＳｉＯ2に、Ｆ、Ｂ等の屈折率制御用添加物が少なくとも一種添加されたものを用いることができる。
【実施例１】
【００５９】
本実施例は、上述の第一実施形態に基づくものである。本実施形態においては、図５に示すような方向性結合器のパターンＡを複数（図示例では五つ）並列に形成する。各パターンＡにおいて、所定の幅Ｗを有する二つのコアＢ、Ｃが所定の長さＬにわたって所定の間隔Ｓを保って並列に配置される。本実施例では、上記幅Ｗを２μｍとし、上記長さＬを１，５００μｍとし、上記間隔Ｓを０．５μｍとした。
【００６０】
まず、ガラス基板は、直径φ４インチ、厚さ１ｍｍとした。高屈折率ガラス層の厚さは、４μｍとした。高屈折率ガラス層の熱処理は、ホットプレートを用い、温度１１００℃で行った。この段階で、高屈折率ガラス層とガラス基板との比屈折率差Δが、２．５％となるように調合した。
【００６１】
次に、密着性強化液の熱処理は、ホットプレートを用い、温度７０℃〜１００℃で５分〜１０分間行った。
【００６２】
次に、電子線レジスト膜の形成は、高屈折率ガラス層上に電子線ネガレジスト（例えば、シプレイ・ファーイースト社製のＳＡＬ６０１−ＳＲ７）を塗布し、これをスピンナーで回転（一回目：回転数５００ｒｐｍで３秒間、二回目：回転数２０００ｒｐｍで９０秒間）させて、約１μｍの厚さに形成することにより行った。電子線ネガレジストの熱処理は、ホットプレートを用い、温度１０５℃で６０秒間行った。
【００６３】
次に、帯電防止膜の形成は、電子線レジスト膜上に帯電防止剤液（例えば、昭和電工社製のエスペイサー（登録商標）３００Ｚ）を塗布し、これをスピンナーで回転（一回目：回転数５００ｒｐｍで１０秒間、二回目：回転数２０００ｒｐｍで７０秒間）させることにより行った。
【００６４】
次に、電子線の照射は、電子線描画装置を用いて行った。描画条件は、加速電圧３０ｋＶ、ドーズ量０．０６μｓ、ビーム電流１００ＰＡ、描画フィールドサイズ５００μｍ角で６０，０００ドットとした。描画方式は、ベクタースキャン方式とした。
【００６５】
次に、帯電防止膜を剥離した後の熱処理は、ホットプレートを用い、温度１１３℃で６０秒間行った。
【００６６】
次に、現像処理は、電子線レジスト膜を温度２３℃に管理された現像液（例えば、シプレイ・ファーイースト社製のＭＦＣＤ−２６）の中に１０分間入れることで行った。
【００６７】
次に、高屈折率ガラス層のドライエッチングは、ドライエッチング装置を用いて行った。ドライエッチング条件は、高周波電力パワー２５０Ｗ、圧力６Ｐａとした。ドライエッチングは、エッチングガスＣＨＦ3を、５ｓｃｃｍ（３×１０-4ｍ3／ｈ）流しながら、４６分間行った。
【００６８】
次に、低屈折率ガラス層の熱処理は、ホットプレートを用い、温度１１００℃で行った。
【００６９】
以上の条件で作成した光導波路のコア層のつなぎづれは、直径φ４インチのガラス基板上で４０ｎｍ以下であった。また、図６に示すように、コア層に側面荒れはほとんど生じなかった。これに対して、図７に示すように、フォトリソグラフィ法では、コア層に側面荒れが生じた。この結果より、コア層の側面荒れが大幅に改善されること分かった。
【００７０】
また、以上の条件で作成した光導波路の散乱損失を、波長１．５５μｍで測定した結果、その散乱損失は０．０５ｄＢ／ｃｍであった。これに対して、フォトリソグラフィ法で作成した光導波路の散乱損失は、０．１２ｄＢ／ｃｍであった。この結果より、光導波路の散乱損失が向上されることが分かった。
【００７１】
また、電子線レジスト膜を高屈折率ガラス層に対して密着性良く形成することができた。これに対して、密着性強化液を塗布しないで形成した電子線レジスト膜は、現像処理或いはその後の純水洗浄で剥離してしまった。
【００７２】
さらに、約二時間と長時間の電子線照射中に、ガラス基板が帯電することはなかった。これに対して、帯電防止膜を形成しないで電子線レジスト膜上に電子線を直接照射すると、ガラス基板が帯電して所望のコア層パターンを描画することができなかった。
【実施例２】
【００７３】
本実施例は、上述の第二実施形態に基づくものである。本実施例においても、図５に示した方向性結合器のパターンＡを複数（図示例では五つ）並列に作成する。パターンＡの仕様は、実施例１と同様であるので、その説明は省略する。
【００７４】
まず、ガラス基板は、直径φ４インチ、厚さ１ｍｍとした。高屈折率ガラス層の厚さは、４μｍとした。高屈折率ガラス層の熱処理は、ホットプレートを用い、温度１１００℃で行った。この段階で、高屈折率ガラス層とガラス基板との比屈折率差Δが、２．５％となるように調合した。
【００７５】
次に、メタル膜の厚さは、メタル膜を用いて高屈折ガラス層をドライエッチングすることを考慮して比較的厚膜にすべく、約１μｍとした。
【００７６】
次に、密着性強化液の熱処理は、ホットプレートを用い、温度７０℃〜１００℃で５分〜１０分間行った。
【００７７】
次に、電子線レジスト膜の形成は、メタル膜上に電子線ネガレジスト（例えば、シプレイ・ファーイースト社製のＳＡＬ６０１−ＳＲ７）を塗布し、これをスピンナーで回転（一回目：回転数５００ｒｐｍで３秒間、二回目：回転数２０００ｒｐｍで９０秒間）させて、約１μｍの厚さに形成することで行った。電子線ネガレジストの熱処理は、ホットプレートを用い、温度１０５℃で６０秒間行った。
【００７８】
次に、電子線の照射は、電子線描画装置を用いて行った。描画条件は、加速電圧３０ｋＶ、ドーズ量０．０６μｓ、ビーム電流１００ＰＡ、描画フィールドサイズ５００μｍ角で６０，０００ドットとした。描画方式は、ベクタースキャン方式とした。電子線を照射した後の熱処理は、ホットプレートを用い、温度１１３℃で６０秒間行った。
【００７９】
次に、現像処理は、電子線レジスト膜を温度２３℃に管理された現像液（例えば、シプレイ・ファーイースト社製のＭＦＣＤ−２６）の中に１０分間入れることで行った。
【００８０】
次に、メタル膜のドライエッチングは、ドライエッチング装置を用いて行った。ドライエッチング条件は、高周波電力パワー１０Ｗ、圧力２Ｐａとした。ドライエッチングは、エッチングガスＣＨＦ3とエッチングガスＳＦ6とを、それぞれ３ｓｃｃｍ（１．８×１０-4ｍ3／ｈ）、６ｓｃｃｍ（３．６×１０-4ｍ3／ｈ）流しながら、２３分間行った。
【００８１】
次に、高屈折率ガラス層のドライエッチングは、ドライエッチング装置を用いて行った。ドライエッチング条件は、高周波電力パワー２５０Ｗ、圧力６Ｐａとした。ドライエッチングは、エッチングガスＣＨＦ3を、５ｓｃｃｍ（３×１０-4ｍ3／ｈ）流しながら、４６分間行った。
【００８２】
次に、低屈折率ガラス層の熱処理は、ホットプレートを用い、温度１１００℃で行った。
【００８３】
以上の条件で作成した光導波路の散乱損失を、波長１．５５μｍで測定した結果、その散乱損失は０．０４２ｄＢ／ｃｍであり、実施例１に比べてより低損失性を実現することができた。
【００８４】
さらに、実施例１に比べて長時間の電子線照射に対しても、ガラス基板が帯電することなく、コア層パターンを安定して描画することができた。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】第一実施形態に係る光導波路の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】第一実施形態に係る光導波路の製造方法を示す概略図である。
【図３】第二実施形態に係る光導波路の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】第二実施形態に係る光導波路の製造方法を示す概略図である。
【図５】方向性結合器のパターンを示す概略図である。
【図６】実施例１により形成した光導波路のコア層の表面構造を示すＳＥＭ観察図である。
【図７】従来のフォトリソグラフィ法により形成した光導波路のコア層の表面構造を示すＳＥＭ観察図である。
【図８】一般的な光導波路の構造図である。
【図９】従来の光導波路の製造方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００８６】
１０、２０  ガラス基板
１１、２１  高屈折率ガラス層（コア層）
１２、２３  密着性強化膜
１３、２４  電子線レジスト膜
１４  帯電防止膜
１５、２５  電子線レジストパターン
１６、２７  コアパターン
１７、２８  低屈折率ガラス層（クラッド層）
１８、２９  光導波路
２２  メタル膜
２６  メタルパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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