(57)【要約】【課題】  グランド端子実装用ランドと内蔵グランド電極との電気的接続を充分に行うことができる多層配線基板および多層モジュールを得る。【解決手段】  グランド強化部２０は、表面弾性波フィルタ２の搭載部分の空き領域で、かつ、グランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３の間に、ランドＧ１〜Ｇ３に近接させた状態で形成されている。グランド強化部２０は、グランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３と比較して面積が広く、複数のビアホール３０を形成することができる。表面弾性波フィルタ２は、そのグランド端子がグランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３とグランド強化部２０に跨ってはんだ付けされている。従って、グランド強化部２０とグランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３とは、フィルタ２のグランド端子によって電気的に接続され、かつ、ビアホール３０を介して内蔵グランド電極１５に電気的に接続されることになる。【選択図】  図1
2006108303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が搭載部品の実装面となっている基板本体と、
前記基板本体に内蔵されている内蔵グランド電極と、
前記基板本体の表面に形成され、前記搭載部品のグランド端子に電気的に接続されると共に、前記基板本体に設けたビアホールを介して前記内蔵グランド電極に電気的に接続されている、前記搭載部品のグランド端子実装用ランドと、
前記基板本体の表面に形成され、前記グランド端子実装用ランドに直接的、もしくは前記搭載部品のグランド端子を介して間接的に電気的に接続されると共に、前記基板本体に設けた少なくとも一つのビアホールを介して前記内蔵グランド電極に電気的に接続されているグランド強化部と、
を備えたことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記グランド端子実装用ランドが複数形成されており、前記グランド強化部が、前記グランド端子実装用ランドのうち少なくとも二つに直接的、もしくは前記搭載部品のグランド端子を介して間接的に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記基板本体の表面に、前記搭載部品の信号線入力端子実装用ランドおよび信号線出力端子実装用ランドが形成されており、前記グランド強化部が、前記信号線入力端子実装用ランドと前記信号線出力端子実装用ランドとの間に配設されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の多層配線基板と、
前記グランド端子実装用ランド、もしくは、前記グランド端子実装用ランドおよび前記グランド強化部にグランド端子が電気的に接続されている搭載部品と、
を備えたことを特徴とする多層モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板、特に、表面弾性波フィルタなどの電子部品を表面に実装する多層配線基板および多層モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
多層配線基板において、表面に実装する電子部品のグランド端子は、多層配線基板表面に形成されたグランド端子実装用ランドを介して、多層配線基板に内蔵されているグランド電極に電気的に接続されている。このグランド端子実装用ランドと内蔵グランド電極とは異なる層に形成されているため、通常、多層配線基板に設けたビアホールを介して電気的に接続されている。
【０００３】
しかしながら、このビアホールによる接続は、ビアホールの横断面積が小さいため、多層配線基板上に理想的なグランド端子実装用ランドを形成することができない場合があった。グランド端子実装用ランドは、電子部品のグランド端子の大きさに合わせて形成されているため、必要数のビアホールを形成するための十分な面積を取れず、内蔵グランド電極との電気的接続が充分に行えないためである。特に、表面弾性波フィルタのように、グランド端子と信号端子が並んで配置して、その間隔が小さい電子部品の場合に、その傾向がある。
【０００４】
例えば、特許文献１には、入出力グランドをスルーホールで分断して、フィルタの帯域外での信号抑圧レベルを改善しているフィルタ実装多層基板が記載されている。また、特許文献２には、グランドで挟まれた異なる層に入出力信号線を配設して、入出力間のアイソレーションを確保している高周波増幅器回路多層基板が記載されている。しかしながら、入出力端子間のアイソレーションやフィルタの帯域外の信号抑圧レベルは、グランド電極の形状および形成位置や、信号線の配置によって影響される。特に多層配線基板においては、前述したように、理想的なグランド端子実装用ランドが取れないため、残留インダクタンス成分が発生し、アイソレーションの劣化や帯域外の抑圧レベルを悪化させる要因となっていた。
【特許文献１】特開平１０−２２４０４４号公報
【特許文献２】特開平６−３３４４４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、グランド端子実装用ランドと内蔵グランド電極との電気的接続を充分に行うことができる多層配線基板および多層モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明に係る多層配線基板は、
（ａ）表面が搭載部品の実装面となっている基板本体と、
（ｂ）基板本体に内蔵されている内蔵グランド電極と、
（ｃ）基板本体の表面に形成され、搭載部品のグランド端子に電気的に接続されると共に、基板本体に設けたビアホールを介して内蔵グランド電極に電気的に接続されている、搭載部品のグランド端子実装用ランドと、
（ｄ）基板本体の表面に形成され、グランド端子実装用ランドに直接的、もしくは搭載部品のグランド端子を介して間接的に電気的に接続されると共に、基板本体に設けた少なくとも一つのビアホールを介して内蔵グランド電極に電気的に接続されているグランド強化部と、
を備えたことを特徴とする。
【０００７】
以上の構成により、グランド端子実装用ランドが、電子部品のグランド端子の大きさに合わせて小さく形成されたとしても、グランド強化部に必要数のビアホールを形成するための十分な面積が確保される。
【０００８】
また、本発明に係る多層配線基板は、グランド端子実装用ランドが複数形成されており、グランド強化部が、グランド端子実装用ランドのうち少なくとも二つに直接的、もしくは搭載部品のグランド端子を介して間接的に電気的に接続されていることを特徴とする。これにより、グランド端子実装用ランドと内蔵グランド電極との電気的接続箇所が増える。
【０００９】
さらに、本発明に係る多層配線基板は、基板本体の表面に、前記搭載部品の信号線入力端子実装用ランドおよび信号線出力端子実装用ランドが形成されており、前記グランド強化部が、前記信号線入力端子実装用ランドと前記信号線出力端子実装用ランドとの間に配設されていることを特徴とする。これにより、信号線とグランド強化部との間で電磁結合するようになり、信号線間の電磁結合が防止される。
【００１０】
また、本発明に係る多層モジュールは、前述の特徴を有する多層配線基板と、グランド端子実装用ランド、もしくは、グランド端子実装用ランドおよびグランド強化部にグランド端子が電気的に接続されている搭載部品とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、グランド強化部を基板本体の表面に形成したので、グランド端子実装用ランドが、電子部品のグランド端子の大きさに合わせて小さく形成されたとしても、グランド強化部に必要数のビアホールを形成するための十分な面積を確保することができる。この結果、理想的な接地状態が取れ、アイソレーションの劣化や帯域外の抑圧レベルを改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明に係る多層配線基板および多層モジュールの実施例について添付の図面を参照して説明する。
【００１３】
図１に示すように、多層モジュール１は、多層配線基板１２、この多層配線基板１２の表面に搭載されている表面弾性波フィルタ２、コンデンサやインダクタなどのチップ部品３〜７などにて構成されている。なお、図１において、多層配線基板１２は、一部の層と一部のパターンが省略されている。
【００１４】
多層配線基板１２は、実装用ランド２１〜２９，Ｇ１〜Ｇ３やグランド強化部２０を表面に設けたセラミックグリーンシート４１、内蔵グランド電極１５を表面に設けたセラミックグリーンシート４２、内蔵信号線１６〜１９を表面に設けたセラミックグリーンシート４３などからなる。セラミックグリーンシート４１〜４３は、例えば誘電体セラミック粉末を結合剤などと一緒に混練したものを、ドクターブレード法などの方法でシート状にしたものである。
【００１５】
実装用ランド２１〜２９，Ｇ１〜Ｇ３のうち、グランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３は、セラミックグリーンシート４１に設けたビアホール３０を介して内蔵グランド電極１５に電気的に接続される。グランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３はそれぞれ、実装用ランド２２と２３の間、実装用ランド２１と２５の間および実装用ランド２４と２９の間に配設されており、ランド面積を広く確保することができない。信号線入力端子実装用ランド２２，２３は、セラミックグリーンシート４１，４２に設けたビアホール３０を介して内蔵信号線１６，１７に電気的に接続されている。信号線出力端子実装用ランド２６，２８は、セラミックグリーンシート４１，４２に設けたビアホール３０を介して内蔵信号線１８，１９に電気的に接続されている。
【００１６】
また、グランド強化部２０は、表面弾性波フィルタ２の搭載部分の空き領域で、かつ、グランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３の間に、ランドＧ１〜Ｇ３に近接させた状態で形成されている。グランド強化部２０は、グランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３と比較して面積が広く、複数のビアホール３０を形成することができる。すなわち、グランド強化部２０は、複数のビアホール３０を介して内蔵グランド電極１５に電気的に接続されている。
【００１７】
グランド強化部２０、実装用ランド２１〜２９，Ｇ１〜Ｇ３、内蔵グランド電極１５および内蔵信号線１６〜１９は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などからなり、スクリーン印刷の方法により形成される。また、層間接続用ビアホール３０は、レーザビームなどを用いてセラミックグリーンシート４１，４２に貫通孔を形成し、この貫通孔にＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電ペーストを充填することによって形成される。
【００１８】
各シート４１，４２，４３等は積み重ねられて圧着された後、一体的に焼成されて多層配線基板１２とされる。
【００１９】
以上の構成からなる多層配線基板１２の表面に、表面弾性波フィルタ２やチップ部品３〜７がはんだ付けされる。特に表面弾性波フィルタ２は、図２に示すように、そのグランド端子２ａがグランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３とグランド強化部２０に跨ってはんだ付けされている。従って、グランド強化部２０とグランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３とは、フィルタ２のグランド端子２ａによって電気的に接続され、かつ、ビアホール３０を介して内蔵グランド電極１５に電気的に接続されることになる。
【００２０】
以上の構成により、グランド強化部２０を多層配線基板１２の表面に形成したので、グランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３が、表面弾性波フィルタ２のグランド端子２ａの大きさに合わせて小さく形成されたとしても、グランド強化部２０に必要数のビアホール３０を形成するための十分な面積を確保することができる。この結果、理想的な接地状態が取れ、アイソレーションの劣化や帯域外の抑圧レベルを改善することができる。
【００２１】
さらに、多層配線基板１２は、表面に表面弾性波フィルタ２の信号線入力端子実装用ランド２２，２３および信号線出力端子実装用ランド２６，２８が形成されており、グランド強化部２０が、信号線入力端子実装用ランド２２，２３と信号線出力端子実装用ランド２６，２８との間に配設されている。これにより、図３（Ａ）に示すように、従来、信号線入出力端子間で結合容量Ｃｓが発生していたものが、図３（Ｂ）に示すように、グランド強化部２０との間で容量Ｃｓが発生するようになり、信号線入出力端子間の電磁結合を防止することができる。
【００２２】
図４（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ、図３（Ａ），（Ｂ）の電気等価回路図である。なお、図４において、符号Ｌｓは表面弾性波フィルタ２のグランド端子２ａから内蔵グランド電極１５に到るまでの残留インダクタンス、Ｌは内蔵グランド電極１５の自己インダクタンスである。
【００２３】
なお、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。特に、グランド強化部２０は、表面弾性波フィルタ２のグランド端子２ａを介して、間接的にグランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３に電気的に接続される以外に、図５に示すようにグランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３に直接的に一体接続されるものであってもよい。この場合、グランド端子２ａは、グランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３とグランド強化部２０とを跨ぐ必要はなく、グランド端子実装用ランドＧ１〜Ｇ３のみにはんだ付けされればよい。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る多層配線基板および多層モジュールの一実施例を示す一部分解斜視図。
【図２】図１に示した多層モジュールの実装状態を説明するための一部断面図。
【図３】図１に示したグランド強化部の効果を説明するための平面図。
【図４】図１に示したグランド強化部の効果を説明するための電気等価回路図。
【図５】他の実施例を説明するための平面図。
【符号の説明】
【００２５】
１…多層モジュール
２…表面弾性波フィルタ
１２…多層配線基板
１５…内蔵グランド電極
１６〜１９…内蔵信号線
２０…グランド強化部
２２，２３…信号線入力端子実装用ランド
２６，２８…信号線出力端子実装用ランド
３０…ビアホール
Ｇ１〜Ｇ３…グランド端子実装用ランド
【図１】
2006108303.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006108303.tif 000005
【図４】
2006108303.tif 000006
【図５】
2006108303.tif 000007