(57)【要約】【課題】  デバイスの品質を低下することなくウエーハを個々のデバイスに分割することができるウエーハの分割方法および分割装置を提供する。【解決手段】  表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数のデバイスが形成されたウエーハを、チャックテーブルに保持し切削ブレードを回転しつつ切削液を供給しながら該分割予定ラインに沿って切断するウエーハの分割方法であって、切削液の温度より高い温度の凝固点を有する被膜液をウエーハの表面に被覆し、該被膜液を該凝固点以下の温度で固化して該ウエーハの表面に保護被膜を形成する保護被膜形成工程と、表面に保護被膜が形成されたウエーハをチャックテーブルに保持した状態で、切削ブレードを回転しつつ該凝固点以下の温度の切削液を供給しながら分割予定ラインに沿って切断する切断工程とを含む。【選択図】        図７
2006041399.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数のデバイスが形成されたウエーハを、チャックテーブルに保持し切削ブレードを回転しつつ切削液を供給しながら該分割予定ラインに沿って切断するウエーハの分割方法であって、
切削液の温度より高い温度の凝固点を有する被膜液を該ウエーハの表面に被覆し、該被膜液を該凝固点以下の温度で固化して該ウエーハの表面に保護被膜を形成する保護被膜形成工程と、
表面に該保護被膜が形成された該ウエーハを該チャックテーブルに保持した状態で、該切削ブレードを回転しつつ該凝固点以下の温度の切削液を供給しながら該分割予定ラインに沿って切断する切断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
【請求項２】
該切断工程を実施した後に、該保護被膜に該凝固点より高い温度の洗浄水を供給して該保護被膜を溶解して除去する保護被膜除去工程を実施する、請求項１記載のウエーハの分割方法。
【請求項３】
該被膜液は、エチレンカーボネートを主成分とする化合物からなっている、請求項１または２記載のウエーハの分割方法。
【請求項４】
該被膜液は、シリコンオイルを主成分とする化合物からなっている。請求項1又は２記載のウエーハの分割方法。
【請求項５】
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削手段と、該切削手段による切削部に切削液を供給する切削液供給手段と、を具備するウエーハの分割装置において、
切削加工前のウエーハの表面に切削液の温度より高い温度の凝固点を有する被膜液を該ウエーハの表面に被覆し、該被膜液を該凝固点以下の温度で固化して該ウエーハの表面に保護被膜を形成す保護被膜形成手段を備えている、
ことを特徴とするウエーハの分割装置。
【請求項６】
該保護被膜形成手段は、該ウエーハを保持し回転するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに保持された該ウエーハの表面に該被膜液を供給する被膜液供給手段とを具備している、請求項５記載のウエーハの分割装置。
【請求項７】
該保護被膜形成手段は、該スピンナーテーブルに保持された該ウエーハの表面に該凝固点を超える温度の洗浄水を供給する洗浄水供給手段を具備している、請求項６記載のウエーハの分割装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ、マイクロマシーン（MEMS）等のデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法および分割装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ、マイクロマシーン（MEMS）等のデバイスを形成する。このように形成された半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより個々のデバイスを製造している。
【０００３】
上述した半導体ウエーハの分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび該切削ブレードによる切削部に切削液を供給する切削液供給ノズルを具備し、切削ブレードを回転しつつ切削液供給ノズルから切削液を供給しながらウエーを相対移動して分割予定ラインに沿って切断する。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２００２−３５９２１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
而して、切削ブレードによって半導体ウエーハを切断すると、切削屑がＩＣ、ＬＳＩ等のボンディングパッドに付着し、ワイヤーボンディング等の配線に支障をきたすという問題がある。また、マイクロマシーンが形成されたウエーハを切削ブレードによって切削すると、マイクロマシーンは微細で繊細な構造をしていることから供給される切削液の勢いによって損傷したり、微細な構造の中に切削屑が侵入して品質が著しく低下するという問題がある。
【０００５】
上述した問題を解消すべく本発明者は、ウエーハの表面に保護テープを貼着し、表面または裏面から切削することを試みたが、保護テープの粘着糊がボンディングパッドに残存し、ワイヤーボンディング等の配線に支障をきたすという従来と似た問題が生じた。また、マイクロマシーンが形成されたウエーハの表面に保護テープを貼着して切削した場合には、保護テープを剥離する際にマイクロマシーンが破損したり、保護テープの粘着糊がボンディングパッドに残存し、ワイヤーボンディング等の配線に支障をきたすという従来と似た問題が生じた。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、デバイスの品質を低下することなくウエーハを個々のデバイスに分割することができるウエーハの分割方法および分割装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数のデバイスが形成された半導体ウエーハを、チャックテーブルに保持し切削ブレードを回転しつつ切削液を供給しながら該分割予定ラインに沿って切断するウエーハの分割方法であって、
切削液の温度より高い温度の凝固点を有する被膜液を該ウエーハの表面に被覆し、該被膜液を該凝固点以下の温度で固化して該ウエーハの表面に保護被膜を形成する保護被膜形成工程と、
表面に該保護被膜が形成された該ウエーハを該チャックテーブルに保持した状態で、該切削ブレードを回転しつつ該凝固点以下の温度の切削液を供給しながら該分割予定ラインに沿って切断する切断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
【０００８】
上記切断工程を実施した後に、上記保護被膜に上記凝固点より高い温度の洗浄水を供給して保護被膜を溶解して除去する保護被膜除去工程を実施する。
【０００９】
上記被膜液は、エチレンカーボネートを主成分とする化合物またはシリコンオイルを主成分とする化合物からなっている。
【００１０】
また、本発明によれば、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削手段と、該切削手段による切削部に切削液を供給する切削液供給手段と、を具備するウエーハの分割装置において、
切削加工前のウエーハの表面に切削液の温度より高い温度の凝固点を有する被膜液を該ウエーハの表面に被覆し、該被膜液を該凝固点以下の温度で固化して該ウエーハの表面に保護被膜を形成す保護被膜形成手段を備えている、
ことを特徴とするウエーハの分割装置が提供される。
【００１１】
上記保護被膜形成手段は、ウエーハを保持し回転するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに保持されたウエーハの表面に上記被膜液を供給する被膜液供給手段とを具備している。また、上記保護被膜形成手段は、上記スピンナーテーブルに保持されたウエーハの表面に上記凝固点を超える温度の洗浄水を供給する洗浄水供給手段を具備していることが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、切削液の温度より高い温度の凝固点を有する被膜液をウエーハの表面に被覆して保護被膜を形成し、表面に保護被膜が形成されたウエーハを切削ブレードを回転しつつ上記凝固点以下の切削液を供給しながら分割予定ラインに沿って切断するので、ＩＣ、ＬＳＩ等の回路のボンディングパッドに切削屑が付着することはない。また、マイクロマシーンが形成されたウエーハであっても、ウエーハの表面が保護被膜によって保護されているので、切削液の勢いによって損傷することもなく、切削屑が侵入して品質を低下することもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明によるウエーハの分割方法および分割装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１には、本発明に従って構成されたウエーハの分割装置の斜視図が示されている。
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。この装置ハウジング２内には、被加工物を保持する被加工物保持手段としてのチャックテーブル３が切削送り方向である矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設されている。チャックテーブル３は、吸着チャック支持台３１と、該吸着チャック支持台３１上に装着された吸着チャック３２を具備しており、該吸着チャック３２の表面である載置面上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によって回動可能に構成されている。このように構成されたチャックテーブル３の吸着チャック支持台３１には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ機構３４が配設されている。
【００１５】
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置は、切削手段としてのスピンドルユニット４を具備している。スピンドルユニット４は、図示しない移動基台に装着され割り出し方向である矢印Ｙで示す方向および切り込み方向である矢印Ｚで示す方向に移動調整されるスピンドルハウジング４１と、該スピンドルハウジング４１に回転自在に支持された回転スピンドル４２と、該回転スピンドル４２の前端部に装着された回転工具である切削ブレード４３とを具備している。上記スピンドルハウジング４１の前端部には、切削ブレード４３の上半部を覆うブレードカバー４４が取り付けられている。このブレードカバー４４には、切削ブレード４３の両側に配設された切削液供給ノズル４５が装着されている。
【００１６】
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置は、上記チャックテーブル３を構成する吸着チャック３２上に保持された被加工物の表面を撮像し、上記切削ブレード４３によって切削すべき領域を検出したり、切削溝の状態を確認したりするための撮像機構５を具備している。この撮像機構５は顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。また、図示のウエーハの分割装置は、撮像機構５によって撮像された画像を表示する表示手段６を具備している。
【００１７】
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置は、切削加工前の被加工物であるウエーハの表面に保護被膜を被覆するとともに、切削加工後のウエーハの表面に被覆された保護被膜を除去する保護被膜形成兼洗浄手段７を具備している。この保護被膜形成兼洗浄手段７について、図２乃至図４を参照して説明する。
図示の実施形態における保護被膜形成兼洗浄手段７は、スピンナーテーブル機構７１と、該スピンナーテーブル機構７１を包囲して配設された洗浄水受け手段７２を具備している。スピンナーテーブル機構７１は、スピンナーテーブル７１１と、該スピンナーテーブル７１１を回転駆動する電動モータ７１２と、該電動モータ７１２を上下方向に移動可能に支持する支持機構７１３を具備している。スピンナーテーブル７１１は多孔性材料から形成された吸着チャック７１１ａを具備しており、この吸着チャック７１１ａが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナーテーブル７１１は、吸着チャック７１１ａに被加工物であるウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用せしめることにより吸着チャック７１１上にウエーハを保持する。なお、スピンナーテーブル７１１には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ機構７１４が配設されている。電動モータ７１２は、その駆動軸７１２ａの上端に上記スピンナーテーブル７１１を連結する。上記支持機構７１３は、複数本（図示の実施形態においては３本）の支持脚７１３ａと、該支持脚７１３ａをそれぞれ連結し電動モータ７１２に取り付けられた複数本（図示の実施形態においては３本）のエアシリンダ７１３ｂとからなっている。このように構成された支持機構７１３は、エアシリンダ７１３ｂを作動することにより、電動モータ７１２およびスピンナーテーブル７１１を図３に示す上方位置である被加工物搬入・搬出位置と、図４に示す下方位置である作業位置に位置付ける。
【００１８】
上記洗浄水受け手段７２は、洗浄水受け容器７２１と、該洗浄水受け容器７２１を支持する３本（図２には２本が示されている）の支持脚７２２と、上記電動モータ７１２の駆動軸７１２ａに装着されたカバー部材７２３とを具備している。洗浄水受け容器７２１は、図３および図４に示すように円筒状の外側壁７２１ａと底壁７２１ｂと内側壁７２１ｃとからなっている。底壁７２１ｂの中央部には上記電動モータ７１２の駆動軸７１２ａが挿通する穴７２１ｄが設けられおり、この穴７２１ｄの周縁から上方に突出する内側壁７２１ｃが形成されている。また、図２に示すように底壁７２１ｂには排液口７２１ｅが設けられており、この排液口７２１ｅにドレンホース７２４が接続されている。上記カバー部材７２３は、円盤状に形成されており、その外周縁から下方に突出するカバー部７２３ａを備えておる。このように構成されたカバー部材７２３は、電動モータ７１２およびスピンナーテーブル７１１が図４に示す作業位置に位置付けられると、カバー部７２３ａが上記洗浄水受け容器７２１を構成する内側壁７２１ｃの外側に隙間をもって重合するように位置付けられる。
【００１９】
図示の実施形態における保護被膜形成兼洗浄手段７は、上記スピンナーテーブル７１１に保持された切削加工前の被加工物であるウエーハの表面に、上記切削ブレード４３の両側に配設された切削液供給ノズル４５から供給される切削液の温度より高い温度の凝固点を有する液体化合物からなる被膜液を供給する被膜液供給手段７４を具備している。被膜液供給手段７４は、スピンナーテーブル７１１に保持された切削加工前のウエーハの表面に向けて液状の被膜液を供給する被膜液供給ノズル７４１と、該被膜液供給ノズル７４１を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ７４２を備えており、被膜液供給ノズル７４１が図示しない被膜液供給源に接続されている。被膜液樹脂供給ノズル７４１は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部７４１ａと、該ノズル部７４１ａの基端から下方に延びる支持部７４１ｂとからなっており、支持部７４１ｂが上記洗浄液回収容器７２１を構成する底壁７２１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しない被膜液供給源に接続されている。なお、図示しない被膜液供給源は、被膜液を該被膜液の凝固点以上の温度に保持し、被膜液を液体に保持するための加熱手段を備えている。また、上記被膜液供給ノズル７４１の支持部７４１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７４１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。
【００２０】
図示の実施形態における保護被膜形成兼洗浄手段７は、上記スピンナーテーブル７１１に保持された切削加工後の被加工物であるウエーハを洗浄するための洗浄水供給手段７５およびエアー供給手段７６を具備している。洗浄水供給手段７５は、スピンナーテーブル７１１に保持された切削加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル７５１と、該洗浄水ノズル７５１を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ７５２を備えており、該洗浄水ノズル７５１が図示しない洗浄水供給源に接続されている。洗浄水ノズル７５１は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部７５１ａと、該ノズル部７５１ａの基端から下方に延びる支持部７５１ｂとからなっており、支持部７５１ｂが上記洗浄液回収容器７２１を構成する底壁７２１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しない洗浄水供給源に接続されている。なお、洗浄水ノズル７５１の支持部７５１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７５１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。
【００２１】
上記エアー供給手段７６は、スピンナーテーブル７１１に保持された洗浄後のウエーハに向けてエアーを噴出するエアーノズル７６１と、該エアーノズル７６１を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ（図示せず）を備えており、該エアーノズル７６１が図示しないエアー供給源に接続されている。洗浄水ノズル７６１は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部７６１ａと、該ノズル部７６１ａの基端から下方に延びる支持部７６１ｂとからなっており、支持部７６１ｂが上記洗浄液回収容器７２１を構成する底壁７２１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しないエアー供給源に接続されている。なお、エアーノズル７６１の支持部７６１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７６１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。
【００２２】
図1に戻って説明を続けると、図示の実施形態におけるウエーハの分割装置は、被加工物である半導体ウエーハ１０を収容するカセットが載置されるカセット載置部１３ａを備えている。カセット載置部１３ａには図示しない昇降手段によって上下に移動可能にカセットテーブル１３１が配設されており、このカセットテーブル１３１上にカセット１３が載置される。半導体ウエーハ１０は、環状のフレーム１１に装着された保護テープ１２の表面に貼着されており、保護テープ１２を介してフレーム１１に支持された状態で上記カセット１３に収容される。なお、半導体ウエーハ１０は、図５に示すように表面１０ａに格子状に配列された複数の分割予定ライン１０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０は、図1に示すように環状のフレーム１１に装着された保護テープ１２に表面１０ａ即ちストリート１０１およびデバイス１０２が形成されている面を上側にして裏面が貼着される。
【００２３】
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置は、上記カセット１３に収納された切削加工前の半導体ウエーハ１０を仮置き部１４ａに配設された位置合わせ手段１４に搬出するとともに切削加工後の半導体ウエーハ１０をカセット１３に搬入する被加工物搬出・搬入手段１５と、位置合わせ手段１４に搬出された切削加工前の半導体ウエーハ１０を保護被膜形成兼洗浄手段７に搬送するとともに保護被膜形成兼洗浄手段７によって表面に保護被膜が被覆された半導体ウエーハ１０を上記チャックテーブル３６上に搬送する被加工物搬送手段１６と、チャックテーブル３６上で切削加工された半導体ウエーハ１０を保護被膜形成兼洗浄手段７に搬送する洗浄搬送手段１８を具備している。
【００２４】
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置は以上のように構成されており、以下図示の分割装置を用いてウエーハを分割予定ラインに沿って切断するウエーハの分割方法について説明する。
図１に示すように環状のフレーム１１に保護テープ１２を介して支持された切削加工前の半導体ウエーハ１０（以下、単に半導体ウエーハ１０という）は、表面１０ａ即ちストリート１０１およびデバイス１０２が形成されている面を上側にしてカセット１３の所定位置に収容されている。カセット１３の所定位置に収容された切削加工前の半導体ウエーハ１０は、図示しない昇降手段によってカセットテーブル１３１が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、被加工物搬出・搬入手段１５が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ１０を仮置き部１４ａに配設された位置合わせ手段１４に搬出する。位置合わせ手段１４に搬出された半導体ウエーハ１０は、位置合わせ手段１４によって所定の位置に位置合せされる。次に、位置合わせ手段１４によって位置合わせされた切削加工前の半導体ウエーハ１０は、被加工物搬送手段１６の旋回動作によって保護被膜形成兼洗浄手段７を構成するスピンナーテーブル７１１の吸着チャック７１１ａ上に搬送され、該吸着チャック７１１ａに吸引保持される。また、環状のフレーム１１がクランプ機構７１４によって固定される。このとき、スピンナーテーブル７１１は図３に示す被加工物搬入・搬出位置に位置付けられており、樹脂供給ノズル７４１と洗浄水ノズル７５１およびエアーノズル７６１は図２および図３に示すようにスピンナーテーブル７１１の上方から離隔した待機位置に位置付けられている。
【００２５】
切削加工前の半導体ウエーハ１０が保護被膜形成兼洗浄手段７のスピンナーテーブル７１１上に保持されたならば、半導体ウエーハ１０の表面１０ａに保護被膜を被覆する保護被膜形成工程を実行する。保護被膜形成工程を実施するには、先ず、スピンナーテーブル７１１を図４に示すように作業位置に位置付けるとともに、被膜液供給手段７４の電動モータ７４２を駆動して被膜供給ノズル７４１のノズル部７４１ａの噴出口を図において２点鎖線で示すようにスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハ１０の中心部上方に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を例えば１００ｒｐｍの回転速度で回転しつつノズル部７４１ａの噴出口から液状の被膜液を半導体ウエーハ１０の表面１０ａ中心部に滴下することにより、液状の被膜液が遠心力によって外周部まで流動し半導体ウエーハ１０の表面を被覆する。
【００２６】
この液状の被膜液は、上記切削液供給ノズル４５から供給される切削液の温度より高い温度の凝固点を有する液体化合物からなっている。このように凝固温度が高い液体化合物としては、凝固温度が略３５℃のエチレンカーボネートを主成分とする化合物や、凝固温度が略１７℃のシリコンオイルを主成分とする化合物を用いることができる。なお、エチレンカーボネートを主成分とする化合物としては電気化学工業（株）が製造販売する商品名：D-Fix、シリコンオイルを主成分とする化合物としては（株）エミネントサプライが製造販売する商品名：マジックウオーターを挙げることができる。エチレンカーボネートを主成分とする化合物を用いる場合には３５℃以上に加熱して液状にし、シリコンオイルを主成分とする化合物を用いる場合には常温（２５℃）で液状のものを上記ノズル部７４１ａの噴出口から滴下する。
【００２７】
以上のようにして半導体ウエーハ１０の表面を被覆した被膜液は、エチレンカーボネートを主成分とする化合物を使用した場合には、常温（２５℃）で経時的に凝固して図６に示すように半導体ウエーハ１０の表面１０ａに保護被膜１０３を形成する。また、シリコンオイルを主成分とする化合物を使用した場合には、ウエーハの分割装置が配置されたクリーンルームの温度を１７℃以下にすることにより、経時的に凝固して図６に示すように半導体ウエーハ１０の表面１０ａに保護被膜１０３を形成することができる。なお、半導体ウエーハ１０の表面１０ａに形成される保護被膜１０３の厚さは、１００μm程度でよい。
【００２８】
上述した保護被膜形成工程によって半導体ウエーハ１０の表面１０ａに保護被膜１０３が形成されたならば、スピンナーテーブル７１１を図３に示す被加工物搬入・搬出位置に位置付るとともに、スピンナーテーブル７１１に保持されている半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除するとともに、クランプ機構７１４による環状のフレーム１１の固定を解除する。そして、スピンナーテーブル７１１上の半導体ウエーハ１０は、被加工物搬送手段１６によってチャックテーブル３の吸着チャック３２上に搬送され、該吸着チャック３２に保護テープ１２側が吸引保持される。また、環状のフレーム１１がクランプ機構３４によって固定される。このようにして半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３は、撮像機構５の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル３が撮像機構５の直下に位置付けられると、撮像機構５によって半導体ウエーハ１０に形成されている切断ライン１０１が検出され、スピンドルユニット４を割り出し方向である矢印Ｙ方向に移動調節して切断ラインと切削ブレード４３との精密位置合わせ作業が行われる。
【００２９】
次に、切削ブレード４３を回転しつつ上記切削液供給ノズル４５から上記保護被膜１０３を形成する化合物の凝固点以下の切削液を供給しながら半導体ウエーハ１０を分割予定ラインに沿って切断する切断工程を実施する。即ち、切削ブレード４３を矢印Ｚ（図１参照）で示す方向に所定量切り込み送りし、図７に示すように切削ブレード４３の下端がチャックテーブル３に保持された保護テープ１２に達する位置に位置付ける。そして、回転スピンドル４２即ち切削ブレード４３を図７において矢印で示す方向に回転させつつ、図７において紙面に垂直な方向（図１において矢印Ｘで示す方向）に所定の切削送り速度で移動することにより、チャックテーブル３に保持された半導体ウエーハ１０は切削ブレード４３により所定の切断ライン１０１に沿って切断される。なお、切削ブレード４３による切断時においては、切削水供給ノズル４５、４５から切削ブレード４３による切削部に切削液が供給される。この切削水供給ノズル４５、４５から供給される切削液の温度は、上記保護被膜１０３を形成する化合物の凝固温度以下に設定されている。即ち、保護被膜１０３がエチレンカーボネートを主成分とする化合物（凝固温度が３５℃）によって形成されている場合には、切削液の温度は一般に設定されている２２℃でよい。また、保護被膜１０３がシリコンオイルを主成分とする化合物（凝固温度が１７℃）によって形成されている場合には、切削液の温度は例えば１５℃以下に設定する。このように切削液の温度を設定することにより、切削ブレード４３による切削部に切削液を供給しても保護被膜１０３が溶解することはない。
【００３０】
上述した切断工程においては、切削ブレード４３の切削による切削屑が発生するが、半導体ウエーハ１０の表面には保護被膜１０３が形成されているので、ＩＣ、ＬＳＩ等の回路１０２のボンディングパッドに切削屑が付着することはない。また、上記切断工程においては切削水供給ノズル４５、４５から切削ブレード４３による切削部に切削液が相当な流速で供給される。しかるに、ウエーハの表面には保護被膜１０３が形成されているので、マイクロマシーンが形成されたウエーハであっても、切削液の勢いによって損傷することもなく、切削屑が侵入して品質を低下することもない。
【００３１】
以上のようにして、半導体ウエーハ１０に形成された所定の切断ライン１０１に沿って切断工程を実行したら、切削手段としてのスピンドルユニット４を図７において矢印Ｙで示す方向に切断ライン１０１の間隔だけ割り出し移動し（割り出し工程）、上記切断工程を遂行する。このようにして所定方向に延在する全ての切断ライン１０１について切断工程と割り出し工程を遂行したならば、チャックテーブル３、従ってこれに保持されている半導体ウエーハ１０を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリートに沿って上記切断工程と割り出し工程を実行することにより、半導体ウエーハ１０は個々のデバイスに分割される。分割されたデバイスは、保護テープ１２の作用によってバラバラにはならず、環状のフレーム１２に支持された半導体ウエーハ１０の状態が維持されている。
【００３２】
このようにして、半導体ウエーハ１０を個々のデバイスに分割したら、半導体ウエーハ１０を保持しているチャックテーブル３は、最初に半導体ウエーハ１０を吸引保持した位置に戻され、ここで半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除するとともに、クランプ機構３４による環状のフレーム１１の固定を解除する。そして、半導体ウエーハ１０は、洗浄搬送手段１８によって保護被膜形成兼洗浄手段７を構成するスピンナーテーブル７１１の吸着チャック７１１ａ上に搬送され、該吸着チャック７１１ａに吸引保持される。また、環状のフレーム１１がクランプ機構７１４によって固定される。このとき樹脂供給ノズル７４１と洗浄水ノズル７５１およびエアーノズル７６１は、図２および図３に示すようにスピンナーテーブル７１１の上方から離隔した待機位置に位置付けられている。
【００３３】
切削加工後の半導体ウエーハ１０が保護被膜形成兼洗浄手段７のスピンナーテーブル７１１上に保持されたならば、保護被膜を溶解して除去する保護被膜除去工程を実行する。即ち、図４に示すようにスピンナーテーブル７１１を作業位置に位置付けるとともに、洗浄水供給手段７５の電動モータ７５２を駆動して洗浄水供給ノズル７５１のノズル部７５１ａの噴出口を図において２点鎖線で示すようにスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハ１０の中心部上方に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を例えば３００ｒｐｍの回転速度で回転しつつノズル部７５１ａの噴出口から純水でよい洗浄水を噴出する。この洗浄水は、温度が上記保護被膜１０３を形成する化合物の凝固温度より高い例えば５０〜６０℃に設定されており、１分間に２リットル程度供給する。このとき、電動モータ７５２が駆動して洗浄水供給ノズル７５１のノズル部７５１ａの噴出口から噴出された洗浄水がスピンナーテーブル７１１に保持された半導体ウエーハ１０の中心に当たる位置から外周部に当たる位置までの所要角度範囲で揺動せしめられる。この結果、半導体ウエーハ１０の表面１０ａに被覆された保護被膜１１は、溶解し切断工程において付着した切削屑とともに洗い流され、除去される。
【００３４】
上述した保護被膜除去工程が終了したら、乾燥工程を実行する。即ち、洗浄水供給ノズル７４１を待機位置に位置付けるとともに、エアー供給手段７６のエアーノズル７６１を構成するノズル部７６１ａの噴出口をスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハ１０の中心部上方に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を例えば２０００ｒｐｍの回転速度で回転しつつノズル部７６１ａの噴出口からエアーを１５秒程度噴出する。このとき、エアーノズル７６１をノズル部７６１ａの噴出口されたエアーがスピンナーテーブル７１１に保持された半導体ウエーハ１０の中心に当たる位置から外周部に当たる位置までの所要角度範囲で揺動せしめられる。この結果、半導体ウエーハ１０の表面が乾燥される。なお、マイクロマシーンが形成されたウエーハの場合には、スピンナーテーブル７１１の回転速度は、１０００ｒｐｍ程度に下げて乾燥工程を実施することが望ましい。
【００３５】
上述したようにして、保護被膜除去工程および乾燥工程を実施したならば、スピンナーテーブル７１１の回転を停止するとともに、エアー供給手段７６のエアーノズル７６１を待機位置に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を図３に示す被加工物搬入・搬出位置に位置付るとともに、スピンナーテーブル７１１に保持されている半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。次に、スピンナーテーブル７１１上の加工後の半導体ウエーハ１０は、被加工物搬送手段１６によって仮置き部１４ａに配設された位置合わせ手段１４に搬出する。位置合わせ手段１４に搬出された加工後の半導体ウエーハ１０は、被加工物搬出手段１５によってカセット１３の所定位置に収納される。
【００３６】
以上のように図示の実施形態における保護被膜形成兼洗浄手段７は、スピンナーテーブル機構７１と被膜液供給手段７４と洗浄水供給手段７５およびエアー供給手段７６を備えているので、切削加工前の半導体ウエーハ１０の表面に保護被膜１０３を被覆する保護被膜形成工程と切削加工後の保護被膜除去工程および乾燥工程を実施することができる。
【００３７】
なお、上述した実施形態においては、保護被膜形成工程を保護被膜形成兼洗浄手段７によって実施する例を示したが、保護被膜形成工程はチャックテーブル３上で実施してもよい。この場合、保護被膜形成兼洗浄手段７は洗浄機能を備えたものであればよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明に従って構成されたウエーハの分割装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に装備される保護被膜形成兼洗浄手段の一部を破断して示す斜視図。
【図３】図２に示す保護被膜形成兼洗浄手段のスピンナーテーブルを被加工物搬入・搬出位置に位置付けた状態を示す説明図。
【図４】図２に示す保護被膜形成兼洗浄手段のスピンナーテーブルを作業位置に位置付けた状態を示す説明図。
【図５】本発明に従って分割される半導体ウエーハの斜視図。
【図６】本発明によるウエーハの分割方法における保護被膜除去工程が実施された状態を示す説明図。
【図７】本発明によるウエーハの分割方法における切断工程の説明図。
【符号の説明】
【００３９】
２：装置ハウジング
３：チャックテーブル
４：スピンドルユニット
４１：スピンドルハウジング
４２：回転スピンドル
４３：切削ブレード
４４：ブレードカバー
４５：切削水供給ノズル
５：撮像機構
６：表示手段
７：保護被膜形成兼洗浄手段
７１：スピンナーテーブル機構
７１１：スピンナーテーブル
７１２：電動モータ
７２：洗浄水受け手段
７２１：洗浄水受け容器
７２３：カバー部材
７４：被膜液供給手段
７４１：被膜供給ノズル
７４２：電動モータ
７５：洗浄水供給手段
７５１：洗浄水ノズル
７５２：電動モータ
７６：エアー供給手段
７６１：エアーノズル
１０：半導体ウエーハ
１０１：ストリート
１０２：回路
１０３：保護被膜
１１：環状のフレーム
１２：保護テープ
１３：カセット
１４：位置合わせ手段
１５：被加工物搬出・搬入手段
１６：被加工物搬送手段
１８：洗浄搬送手段
【図１】
2006041399.tif 000003
【図２】
2006041399.tif 000004
【図３】
2006041399.tif 000005
【図４】
2006041399.tif 000006
【図５】
2006041399.tif 000007
【図６】
2006041399.tif 000008
【図７】
2006041399.tif 000009