(57)【要約】【課題】ガス室のガスが透過して油室の油に混入することを防止できるショックアブソーバ及びガス室形成部材を提供する。【解決手段】内部に油が充満した油室を形成するシリンダ１２と、シリンダ１２の内部を摺動するピストン２４と、内部にガスが充満したガス室Ｇを区画形成しピストン２４の摺動に応じて膨張又は収縮するガス室形成部材３４と、ガス室形成部材３４に形成されガスがガス室形成部材３４を透過して油に混入することを防止するガス透過防止膜３５と、を有する構成とした。【選択図】      図１
2006070950.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に油が充満した油室を形成するシリンダと、
前記シリンダの内部を摺動するピストンと、
内部にガスが充満したガス室を区画形成し前記ピストンの摺動に応じて膨張又は収縮するガス室形成部材と、
前記ガス室形成部材に形成され前記ガスが前記ガス室形成部材を透過して前記油に混入することを防止するガス透過防止膜と、
を有することを特徴とするショックアブソーバ。
【請求項２】
前記ガス透過防止膜は、非晶質炭素膜であることを特徴とする請求項１に記載のショックアブソーバ。
【請求項３】
前記ガス透過防止膜は、前記ガス室形成部材の前記油と接触する表面又は前記ガスと接触する表面の少なくとも一方に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のショックアブソーバ。
【請求項４】
シリンダの内部の油室に配置されたピストンの摺動によって発生する減衰力特性を安定させるショックアブソーバのガス室を区画形成するガス室形成部材であって、
前記ガス室形成部材には、前記ガス室のガスが透過して前記油室の油に混入することを防止するガス透過防止膜が形成されていることを特徴とするガス室形成部材。
【請求項５】
前記ガス透過防止膜は、非晶質炭素膜であることを特徴とする請求項４に記載のガス室形成部材。
【請求項６】
前記ガス透過防止膜は、前記ガス室形成部材の前記油と接触する表面又は前記ガスと接触する表面の少なくとも一方に形成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載のガス室形成部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車両等に用いられるショックアブソーバ及びショックアブソーバの内部にガス室を形成するガス室形成部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来からショックアブソーバにガス室を設けたものが知られている。
例えば、従来のショックアブソーバは、油を充満させた油室を内部に備えたシリンダと、シリンダ内部の油室を摺動するピストンと、ガスを充満させたガス室を内部に備えた蛇腹状部材と、を有している（下記特許文献１参照）。
このショックアブソーバは、その伸行程時にピンストが油室を退出するとその退出分だけ不足することとなる油量を補うために蛇腹状部材が膨張してガス室の容積を増加させ、その圧行程時にピストンが油室に進入するとその進入分だけ増加することとなる油量との調整を図るために蛇腹状部材が収縮してガス室の容積を減少させ、ガス室の容積の調整によってピストンの摺動の際に発生する減衰力特性を安定化させるものである。
【０００３】
【特許文献１】実公平２−２０５１１号公報
【特許文献２】特許第３１４７６９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記ガス室を形成する蛇腹状部材は通常、ゴムで構成されているものであるが、ゴムの性質上、ガス室のガスが蛇腹状部材を透過して油室の油に混入してしまうことがある。ガス室のガスが油室の油に混入すると、キャビテーションが発生し易くなり、ショックアブソーバの性能が低下し、ひいてはショックアブソーバの製品寿命も低下する問題が生じる。
一方、蛇腹状部材を構成する物質としては、サスの応答性などの性能上、ゴムで構成することが好ましいが、ガスの透過を少なくするゴムの開発は現状困難である。
【０００５】
そこで、本発明は、上記事情を考慮し、ガス室のガスが透過して油室の油に混入することを防止できるショックアブソーバ及びガス室形成部材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、内部に油が充満した油室を形成するシリンダと、前記シリンダの内部を摺動するピストンと、内部にガスが充満したガス室を区画形成し前記ピストンの摺動に応じて膨張又は収縮するガス室形成部材と、前記ガス室形成部材に形成され前記ガスが前記ガス室形成部材を透過して前記油に混入することを防止するガス透過防止膜と、を有することを特徴とする。
【０００７】
請求項１に記載の発明によれば、シリンダの内部をピストンが摺動することによりガス室形成部材が膨張又は収縮し、ピストンの摺動によって発生する減衰力特性を安定化させる。
ここで、ガス室形成部材にはガス透過防止膜が形成されているため、ガス室のガスがガス室形成部材を透過してシリンダ内部の油室の油に混入してしまうことを防止できる。これにより、キャビテーションの発生を防止できるため、ショックアブソーバの性能の低下を防止でき、ひいてはショックアブソーバの製品寿命の低下を防止できる。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のショックアブソーバにおいて、前記ガス透過防止膜は、非晶質炭素膜であることを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の発明によれば、ガス透過防止膜が非晶質炭素膜であるため、ガスの透過を効果的に抑制することができる。また、従来のプラズマＣＶＤ装置により非晶質炭素膜を容易に形成することができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載のショックアブソーバにおいて、前記ガス透過防止膜は、前記ガス室形成部材の前記油と接触する表面又は前記ガスと接触する表面の少なくとも一方に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に記載の発明によれば、ガス透過防止膜をガス室形成部材の油と接触する表面又はガスと接触する表面の少なくとも一方に形成するだけで足りるため、ガス室形成部材の材質を変えることなく従来のガス室形成部材をそのまま利用することができる。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、シリンダの内部の油室に配置されたピストンの摺動によって発生する減衰力特性を安定させるショックアブソーバのガス室を区画形成するガス室形成部材であって、前記ガス室形成部材には、前記ガス室のガスが透過して前記油室の油に混入することを防止するガス透過防止膜が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項４に記載の発明によれば、ガス室形成部材にはガス透過防止膜が形成されているため、ガス室のガスがガス室形成部材を透過してシリンダ内部の油室の油に混入してしまうことを防止できる。これにより、キャビテーションの発生を防止できるため、ショックアブソーバの性能の低下を防止でき、ひいてはショックアブソーバの製品寿命の低下を防止できる。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載のガス室形成部材において、前記ガス透過防止膜は、非晶質炭素膜であることを特徴とする。
【００１５】
請求項５に記載の発明によれば、ガス透過防止膜が非晶質炭素膜であるため、ガスの透過を効果的に抑制することができる。また、従来のプラズマＣＶＤ装置により非晶質炭素膜を容易に形成することができる。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、請求項４又は５に記載のガス室形成部材において、前記ガス透過防止膜は、前記ガス室形成部材の前記油と接触する表面又は前記ガスと接触する表面の少なくとも一方に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項６に記載の発明によれば、ガス透過防止膜をガス室形成部材の油と接触する表面又はガスと接触する表面の少なくとも一方に形成するだけで足りるため、ガス室形成部材の材質を変えることなく従来のガス室形成部材をそのまま利用することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ガス室のガスが透過して油室の油に混入することを防止することにより、ショックアブソーバの性能が低下し、ひいてはショックアブソーバの製品寿命の低下を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、本発明の一実施形態に係るショックアブソーバについて、図面を参照して説明する。
【００２０】
図１に示すように、ショックアブソーバ１０は、円筒状のシリンダ１２を備えている。このシリンダ１２の内部には、油が充満された油室Ａが形成されている。このシリンダ１２の一方の端部には、ブラケット１４が取り付けられたキャップ１６が装着されている。また、シリンダ１２の他方の端部には、Ｃピン１８とシール部材２０とで位置決めされたベアリング２２が設けられている。
【００２１】
また、ベアリング２２には、ピストン２４が所定の方向（図１中矢印Ｘ方向）に移動可能となるように支持されている。このピストン２４は、ベアリング２２に支持されているピストンロッド２４Ａと、ピストンロッド２４Ａの先端部にナット２６で取り付けられ油室Ａを区画すると共にシリンダ１２の内周面を摺動するピストン本体２４Ｂと、を有している。このピストン本体２４Ｂがシリンダ１２の内周面を摺動することにより、所定の減衰力が発生するように構成されている。
また、ピストン本体２４Ｂには、ピストン本体２４Ｂを厚み方向に貫通する複数のオリフィス２４Ｃが形成されている。また、ピストンロッド２４Ａには、オリフィス２４Ｃの開口に隣接するように、リーフバルブ２８が設けられている。このリーフバルブ２８は、スペーサ３０を介してバルブストッパ３２によりピストンロッド２４Ａ上で位置決めされている。
【００２２】
また、シリンダ１２の一方の端部に装着されたキャップ１６の近傍には、袋状のブラダ３４が設けられている。このブラダ３４の内部にはガスが充満したガス室Ｇが形成されている。ブラダ３４の端部には、シリンダ１２の内周面に圧接されるシール部３４Ａが一体形成されている。このブラダ３４は、ゴム材料で構成されており、油室Ａに位置している。また、シール部３４Ａの内周側にはリング状金具３６が装着されており、このリング状金具３６によりシール部３４Ａがシリンダ１２の内周面に固定されている。
【００２３】
上記ショックアブソーバ１０によれば、ピンスト２４をシリンダ１２の他方の端部側に位置させて伸切り状態にし、油室Ａ内に油を充満させた後、キャップ１６側から高圧ガスをブラダ３４の内部に注入し、ブラダ３４の内部のガス圧が所定値となったところでキャップ１６にプラグ３８が圧入されてガス封入される。
ガス室Ｇにガスが封入されると、ピストン２４が伸切り状態にあるときにブラダ３４が膨張しガス室Ｇの体積が上昇しているが、ピストン２４がシリンダ１２の一方の端部側に移動する圧行程に入ると、ブラダ３４が収縮しガス室Ｇの体積が減少する。このようにブラダ３４の膨張、収縮によって、ピストン２４の摺動時に発生する減衰力特性が安定される。
【００２４】
ここで、上記ショックアブソーバ１０のガス室Ｇを構成するブラダ３４の外側表面ＯＦ及び内側表面ＩＦには、非晶質炭素膜３５がそれぞれ形成されている。
なお、この非晶質炭素膜３５は、ブラダ３４の外側表面ＯＦ及び内側表面ＩＦの両方に形成されていることが好ましいが、ブラダ３４の外側表面ＯＦ又は内側表面ＩＦの一方に形成されていればよい。
【００２５】
このように、本実施形態のショックアブソーバ１０によれば、ブラダ３４の外側表面ＯＦ及び内側表面ＩＦの両方に非晶質炭素膜３５が形成されているため、ガス室Ｇのガスがブラダ３４を透過して油室Ａの油に混入してしまうことを防止できる。これにより、キャビテーションの発生を防止できるため、ショックアブソーバ１０の性能の低下を防止でき、ひいてはショックアブソーバ１０の製品寿命の低下を防止できる。このことは、ガスの透過を防止できるゴムの開発が困難な今日の技術において、非常に有意義な効果と言える。
特に、ブラダ３４の外側表面ＯＦ及び内側表面ＩＦに非晶質炭素膜３５を形成するだけで足りるため、ブラダ３４の材質を変えることなく既存のブラダ３４をそのまま利用することができる。
なお、ブラダ３４の外側表面ＯＦ又は内側表面ＩＦのいずれか一方に非晶質炭素膜３５が形成されている場合でも、ガス室Ｇのガスがブラダ３４を透過して油室Ａの油に混入してしまうことを防止できるため、ショックアブソーバ１０の性能の低下を防止でき、ひいてはショックアブソーバ１０の製品寿命の低下を防止できる。
【００２６】
次に、ブラダ３４の外側表面ＯＦ及び内側表面ＩＦに非晶質炭素膜３５を形成するためのプラズマＣＶＤ装置について説明する。
なお、このプラズマＣＶＤ装置及びこの装置を用いた非晶質炭素膜３５の形成方法は、従来から周知の技術であり、例えば、特許第３１４７６９５号公報で詳細に説明されている。
【００２７】
図２に示すように、プラズマＣＶＤ装置４０は、成膜室として用いられる真空容器４２と、ブラダ３４を載置するホルダを兼ねる第１電極４４と、第１電極４４に対向する位置に設けられた第２電極４６と、を有している。
【００２８】
第１電極４４は、接地電極とされており、この第１電極４４に載置されたブラダ３４を成膜温度に加熱するためのヒータ４８が付設されている。なお、輻射熱でブラダ３４を加熱するときは、ヒータ４８は第１電極４４から分離される。
【００２９】
第２電極４６は、第１電極４４との間に導入される成膜用ガスに高周波電力や直流電力を印加してプラズマ化させるための電力印加電極であり、マッチングボックス４８を介して高周波電力発生装置５０と接続されている。この高周波電力発生装置５０には、マッチングボックス４８に接続されたＲＦ（radio frequency）パワーアンプ５０Ａと、ＲＥパワーランプ５０Ａに接続された高周波信号発生器５０Ｂを備えている。
【００３０】
高周波電力発生装置５０は、図３（Ａ）に示すように１０ＭＨｚ以上２００ＭＨｚ以下の所定周波数のサイン波連続高周波電力に図３（Ｂ）に示すような周波数の１００００分の１以上、１０分の１以下の変調周波数で第１の振幅変調を施し、オン時間Ｔ１、オフ時間Ｔ２が順次繰り返される状態の高周波電力を発生するように設定されている。オン時におけるピークツーピーク電力は一定である。
【００３１】
また、真空容器４２には、弁５２を介して排気ポンプ５４が接続されているとともに、成膜用原料ガスのガス供給部５６が配管により接続されている。このガス供給部５６は、１又は２以上のマスフローコントローラ５６Ａと、弁５６Ｂと、成膜用原料ガスを供給するガス源５６Ｃと、で構成されている。
ガス供給部５６は、非晶質炭素膜３５を形成するための炭化水素化合物のガス単体、又は炭化水素化合物のガス及びこれと共に非晶質炭素膜３５を形成するための炭化水素化合物のガスとは異なる種類の異種ガス（例えば水素ガス）を成膜用原料ガスとして供給できるものである。
【００３２】
ここで、炭化水素化合物としては、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ブタン（Ｃ４Ｈ１０）等のアルカン、シクロプロパン（Ｃ３Ｈ６）、シクロブタン（Ｃ４Ｈ８）等のシクロアルカン、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロペン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン（Ｃ４Ｈ８）等のアルケン、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）等のアルキンを挙げることができ、そのうち１又は２以上のものを用いることができる。これらは単独で炭素膜の形成に用いることができるが、Ｈ２ガスや不活性ガス（ヘリウムガス（Ｈｅ）、ネオンガス（Ｎｅ）、アルゴンガス（Ａｒ）又はクリプトンガス（Ｋｒ）等）等の異種ガスとともに用いて炭素膜を形成することもできる。
【００３３】
次に、ブラダ３４に非晶質炭素膜３５を形成する方法について説明する。
【００３４】
図２に示すように、先ず、ブラダ３４が真空容器４２内の第１電極４４上に載置され、ヒータ４８で所定温度に加熱される。また、このとき、真空容器４２内が弁５２の操作と排気ポンプ５４の作動により所定成膜真空度とされ、ガス供給部５６から所定量の成膜用原料ガスが導入される。そして、第２電極４６に高周波電力発生装置５０から上述の通り振幅変調を施した状態の高周波電力が印加され、それによって導入された成膜用原料ガスがプラズマ化され、このプラズマの下でブラダ３４の表面に非晶質炭素膜３５が形成される。
【００３５】
ここで、ブラダ３４の外側表面ＯＦと内側表面ＩＦの両方にそれぞれ非晶質炭素膜３５を形成する場合には、一方の表面（例えば、外側表面ＯＦ）に非晶質炭素膜３５を形成した後、ブラダ３４の表裏を変えて他方の表面（例えば、内側表面ＩＦ）を表にした状態で再度同様の処理を行うことにより内側表面ＩＦにも非晶質炭素膜３５を形成することができる。
【００３６】
また、例えば、ブラダ３４のガス室Ｇのガスが接触する内側表面ＩＦに非晶質炭素膜３５を形成する場合には、先ず、図４（Ａ）に示すように、従来品のブラダと同様にシール部３４Ａが外側に突出するような形状のブラダ３４を成形型により成形し、その後、図４（Ｂ）に示すように、ブラダ３４の表裏をひっくり返して外側表面ＯＦが内側に位置し、内側表面ＩＦが外側に位置するようにし、この状態で、図４（Ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤ装置４０により内側表面ＩＦに非晶質炭素膜３５を形成し、その後、図４（Ｄ）に示すように、さらにブラダ３４の表裏をひっくり返して外側表面ＯＦが外側に位置し、内側表面ＩＦが内側に位置するようにすることにより、ブラダ３４の内側表面ＩＦに非晶質炭素膜３５を形成することができる。
【００３７】
なお、図５（Ａ）に示すように、当初から、外側表面ＯＦが内側に位置し、内側表面ＩＦが外側に位置するようなブラダ３４を新たな成形型を用いて成形し、その後、図５（Ｂ）に示すように、外側に位置する内側表面ＩＦにプラズマＣＶＤ装置４０により非晶質炭素膜３５を形成し、さらに、図５（Ｃ）に示すように、ブラダ３４の表裏をひっくり返して外側表面ＯＦが外側に位置し、内側表面ＩＦが内側に位置するようにすることにより、図４（Ａ）から図４（Ｂ）に至るブラダ３４の表裏をひっくり返す工程を省略することができ、ブラダ３４に非晶質炭素膜３５を形成する工程に要する時間を大幅に短縮することができる。
【００３８】
（試験例）
次に、非晶質炭素膜３５が形成されたブラダ３４と同様の材料を用いて気体透過度試験を行った。
試験は、ガス透過防止を狙った袋形状のニトリルゴム（以下、適宜「比較例」とする。）と、非晶質炭素膜等の被膜が形成されていない（いかなるコーティングもされていない）袋形状のニトリルゴム（以下、適宜「従来例」とする。）と、外側表面に非晶質炭素膜が形成された袋形状のニトリルゴム（以下、適宜「発明品Ａ」とする。）と、内側表面に非晶質炭素膜が形成された袋形状のニトリルゴム（以下、適宜「発明品Ｂ」とする。）と、を用いて行った。
【００３９】
また、試験は、使用する試験装置（図６参照）の仕様範囲内のあらゆる気体の透過度を測定する方法で、試験片（上記各ゴム）によって隔てられた一方（低圧側）を真空に保ち、もう一方（高圧側）に試験気体を導入し、低圧側の圧力の増加によって気体透過度を測定するいわゆる差圧法で行った。
試験片として、ガス透過防止を狙った袋形状のニトリルゴム（比較例）と、非晶質炭素膜等の被膜が形成されていない（いかなるコーティングもされていない）袋形状のニトリルゴム（従来例）と、外側表面に非晶質炭素膜が形成された袋形状のニトリルゴム（発明品Ａ）と、内側表面に非晶質炭素膜が形成された袋形状のニトリルゴム（発明品Ｂ）と、を用意した。また、各試験片の厚みは均一となるように設定した。各試験片の厚みは、各試験片の異なる部位を均等に３箇所測定し、その平均値を算出して決定した。
【００４０】
ここで、試験で用いた試験装置について説明する。
図６に示すように、試験装置６０は、従来から用いられているものであり、試験片８０に気体を透過させるための透過セル６０と、セル容積可変器６４と、透過した気体による圧力変化を検知する圧力検出器６６と、透過セル６０に気体を供給するための試験気体供給器６８と、真空ポンプ７０と、試験気体収容容器７２と、各配管７４に適宜設けたストップバルブ７６と、で構成されている。
透過セル６２は、上部セルと下部セルとから構成され、これに各試験片８０を取り付けたとき透過面積が一定となるものである。上部セルは試験気体の導入口が形成され、下部セルは圧力検出器に接続されている。上部セルの試験片８０と接触する部位と下部セルの試験片８０と接触する部位は、それぞれリークが起こらないように滑らかで、かつ平らとなるように形成されている。
圧力検出器６６は、低圧側の圧力変化を５Ｐａ以下の精度で測定できるものである。圧力検出器６６には、水銀を用いた真空計、その他のマノメータ、隔膜型電子センサなどが使用される。水銀を用いた圧力検出器を使用する場合には、水銀は３回まで蒸留し直して使用することができるが、絶えず汚れをチェックし、必要があれば新しいものに取り替える。
試験気体供給器６８は、試験気体をためておくタンクであり、上部セルと接続されており、高圧側セルに気体を供給するものである。試験気体供給器６８として、タンク内の圧力を測定するために、１００Ｐａ以下の精度の圧力計をもち、透過によって高圧側の圧力が低下することを防止できる容量のものを用いた。
セル容積可変器６４として、透過度の測定範囲を広げるために、増量タンクやセルアアダプタなどのセル容器可変器を使用し、低圧側の容積を調節してもよい。
真空ポンプ７０は、測定系内を１０Ｐａ以下の圧力に排気できるものである。
試験気体は、Ｎ２ガスである。
試験温度は、２５℃である。
【００４１】
次に、試験方法について説明する。
先ず、透過面積と同じ大きさのろ紙７８を、透過セル６２を構成する下部セルに敷く。上部セル及び下部セルの試験片装着面に真空グリースを薄く均一に塗り、その装着面に試験片８０をしわ及びたるみが生じないように装着する。このとき、試験片８０の内側表面が試験気体（Ｎ２ガス）側（高圧側）となるようにセットする。次に、試験片８０の上にパッキンをセットして、空気漏れが生じないように均一な圧力で固定する。次に、真空ポンプ７０を作動させ、初めに低圧側、次に高圧側を排気する。そして、低圧側の排気を止め、真空に保つ。次に、試験気体を高圧側に約１気圧導入する。このときの高圧側の圧力Ｐｕを記録する。これにより、低圧側の圧力が上昇し始め、透過が確認される。次に、透過曲線を描き、透過の定常状態を示す直線部分が確認されるまで測定を続ける。次に、透過曲線の傾きから単位時間における耐圧側の圧力変化（ｄｐ／ｄｔ）を求める。
この試験の測定結果に基づいて、以下に示す数式１を用いて気体透過度ＧＴＲを算出する。
なお、気体透過度ＧＴＲとは、単位分圧差で単位時間に単位面積の試験片８０を通過する気体の体積である。
【数１】
2006070950.tif 000003
ＧＴＲ：気体透過度（ｍｏｌ／ｍ２・ｓ・Ｐａ）
Ｖｃ：低圧側容積（ｌ）
Ｔ：試験温度（Ｋ）
Ｐｕ：供給気体の差圧（Ｐａ）
Ａ：透過面積（ｍ２）
ｄｐ／ｄｔ：単位時間（ｓ）における低圧側の圧力変化（Ｐａ）
Ｒ：８．３１×１０３（ｌ・Ｐａ／Ｋ・ｍｏｌ）
数式１により気体透過度ＧＴＲを算出後、以下の数式２を用いて気体透過係数Ｐを算出する。
なお、気体透過係数Ｐとは、気体透過度ＧＴＲに試験片８０の厚さを乗じて、単位厚さ当たりの透過量に換算したものである。
【数２】
2006070950.tif 000004
Ｐ：気体透過係数（ｍｏｌ・ｍ／ｍ２・ｓ・Ｐａ）
ＧＴＲ：気体透過度（ｍｏｌ／ｍ２・ｓ・Ｐａ）
ｄ：試験片の厚さ（ｍ）
上記数式２により気体透過係数Ｐを算出した。この算出結果は、下記の表１に示す。気体透過係数Ｐは、その値が小さいほど、気体が透過し難いことを意味する。
【００４２】
【表１】
2006070950.tif 000005
上記表１の試験結果に示す通り、発明品Ａと発明品Ｂである非晶質炭素膜が形成されたニトリルゴムは、従来例である何もコーティングされていないニトリルゴムと比較して気体透過係数が大幅に低下し、ニトリルゴムを透過するＮ２ガスの透過量が大幅に低減できていることが判明した。
また、ガス透過防止を狙った比較例のニトリルゴムと比較しても、発明品Ａと発明品ＢのニトリルゴムのＮ２ガス透過量が少なく、ゴムの材質、配合等を変える場合よりも有利であることが判明した。この結果から、既存のニトリルゴムの外側表面又は／及び内側表面に非晶質炭素膜を形成するだけで足りるため、既存のニトリルゴムの材質、配合等を変えることなくそのまま有効に利用することができる。
さらに、発明品Ａと発明品Ｂとを比較すると、内側表面に非晶質炭素膜を形成する方が外側表面に非晶質炭素膜を形成する場合と比較して、効果的であることが判明した。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態に係るショックアブソーバの部分断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るショックアブソーバを構成するガス室形成部材に非晶質炭素膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図３】（Ａ）は基本高周波電力波形の概略を示す概略図であり、（Ｂ）は（Ａ）の高周波電力に第１の振幅変調を施した状態の高周波電力波形の概略を示す概略図である。
【図４】ブラダに非晶質炭素膜を形成する工程を示した分図である。
【図５】図４に示す工程とは別の工程でブラダに非晶質炭素膜を形成する工程を示した分図である。
【図６】気体透過度を測定するための装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０        ショックアブソーバ
１２        シリンダ
２４        ピストン
３４        ブラダ（ガス室形成部材）
３５        非晶質炭素膜（ガス透過防止膜）
Ａ          油室
Ｇ          ガス室
【図１】
2006070950.tif 000006
【図２】
2006070950.tif 000007
【図３】
2006070950.tif 000008
【図４】
2006070950.tif 000009
【図５】
2006070950.tif 000010
【図６】
2006070950.tif 000011