(57)【要約】【課題】  電子部品をプリント基板に実装する際、電子部品の製造工数を増加させたり、あるいは電子部品に対する強度を低下させることなく、溶融した半田を、スルーホールとリードピンとの間隙における所期の位置まで上昇させ、半田上がり性を向上させるようにしたプリント基板を提供する。【解決手段】  導体パターン３４，３８，４２に接続される第１のスルーホール１６ａと第１のリードピン１４ａの間隙３０ａを、前記導体パターン３４，３８，４２より面積において小さい導体パターン４４，４０に接続される第２および３のスルーホール１６ｂ，１６ｃと第２および３のリードピン１４ｂ，１４ｃの間隙３０ｂ，３０ｃに比して大きくする。【選択図】図３
2006165425.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１の導体パターン、前記第１の導体パターンより面積において小さい第２の導体パターンが形成され、少なくとも第１、第２のリードピンを備える電子部品が実装されるプリント基板において、前記プリント基板に穿設され、前記第１の導体パターンに接続されると共に、前記第１のリードピンが挿入されるべき第１のスルーホールと、前記プリント基板に穿設され、前記第２の導体パターンに接続されると共に、前記第２のリードピンが挿入されるべき第２のスルーホールとを備える一方、前記第１のスルーホールと前記第１のリードピンの間隙を前記第２のスルーホールと前記第２のリードピンのそれに比して大きくすることを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記プリント基板は複数の導体層が積層されてなり、前記複数の導体層にそれぞれ形成された前記第１の導体パターンを前記第１のスルーホールに接続する複数個のサーマルランド部を備えると共に、前記複数個のサーマルランド部は、前記複数の導体層のうちの外側に位置する導体層においてのみティアドロップ部が形成されることを特徴とする請求項１記載のプリント基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はプリント基板に関し、より具体的にはスルーホールおよびサーマルランド部を備えたプリント基板の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、リードピンを備えた電子部品（トランジスタモジュールなど）をプリント基板に実装する場合、挿入実装方式による半田付けが広く行われている。具体的には、電子部品のリードピンがプリント基板のスルーホールに挿入された状態のプリント基板を、溶融した半田に接触させて半田付けを行う、いわゆるフローソルダリングが広く行われている。尚、環境への配慮から近年、前記した半田は無鉛半田（Ｐｂフリー半田）であることが多い。
【０００３】
上記したフローソルダリングは、スルーホールとリードピンとの間隙において、溶融した無鉛半田が下方から上昇する（充填する）ことで半田付けするものであるが、その半田付けの際、溶融した無鉛半田の熱が、スルーホールに接続された導体パターンを介して逃げてしまうという事象が生じていた。即ち、半田の熱が逃げることで、スルーホールとリードピンとの間隙が半田によって充填される前に、別言すれば半田が所期の位置まで上昇する前に、半田の温度が凝固点を下回り、半田が固まってしまうという不都合が生じていた。
【０００４】
そこで、スルーホールと導体パターンとの間にサーマルランド部を形成し、これによって熱が逃げ難くするようにした技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、導体パターンの熱容量は面積に比例して増加するので、サーマルランド部に接続された導体パターンが比較的面積の大きい場合（例えば電源を供給したり、グラウンド電位にするための導体パターンなどのいわゆる幅広パターンである場合）、導体パターンへ逃げる半田の熱量も増加するため、半田が所期の位置まで上昇する前に固まるという不都合は依然として発生していた。従って、スルーホールと導体パターンとの間にサーマルランド部を形成するだけでは、半田上がり性の点で必ずしも満足できるものではなかった。尚、半田の熱が導体パターンへ逃げ難くするため、特許文献１の図４から６に記載される如く、サーマルランド部の線状部の本数を減らしたり、あるいはその幅を狭く設定することも考えられるが、スルーホールと導体パターンとの必要通電容量を考慮すると困難である場合が多い。
【０００６】
そこで、屈曲させたリードピンをスルーホールのランド部に接触させることにより、リードピンの熱をランド部に伝え、ランド部を加熱し、溶融した半田の温度が急速に下がるのを防止する技術が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平９−８４４３号公報（段落０００５，００３０〜００３２、図４〜６、図９）
【特許文献２】特開２００２−２１７５３３号公報（段落００１６，００１７、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、プリント基板のスルーホールの孔径は一般に、リードピンの径に比して僅かに大きくなるように設定されている。従って、スルーホールおよびリードピンが複数あって各リードピンの径が略同一であるとすると、各スルーホールの孔径も略同一となり、よって各スルーホールとリードピンの間隙も略同一の値、具体的には０．３［ｍｍ］程度になるように設定（統一）される。
【０００８】
従って、特許文献２の如く、リードピンを屈曲させてスルーホールのランド部に接触させるように構成すると、スルーホールにある僅かな大きさの開口部（スルーホールとリードピンの間隙の出口付近）の一部を塞ぐこととなり、その開口面積が減少してしまう。これにより、半田付けの際に発生するガス、具体的にはスルーホールにある空気、あるいはプリント基板に含まれる水分が蒸発することで発生する水蒸気などが開口部から放出され難くなり、溶融した半田が所期の位置まで上昇しないといった不具合が生じてしまう。
【０００９】
また、リードピンを屈曲させるリードフォーミングの工数（即ち、製造工数）が増加するといった不都合も生じる。
【００１０】
さらに、ランド部において屈曲させたリードピンと接触する部位にはフィレットが形成されず、よってフィレット全体の半田の量が少なくなる。これにより、実装される電子部品が比較的大型である場合、その電子部品に対して十分な強度を得ることが難しく、接続不良の原因になるおそれがあった。
【００１１】
従って、この発明の目的は上記した課題を解決し、電子部品をプリント基板に実装する際、電子部品の製造工数を増加させたり、あるいは電子部品に対する強度を低下させることなく、溶融した半田を、スルーホールとリードピンとの間隙における所期の位置まで上昇させるようにした、即ち、半田上がり性を向上させるようにしたプリント基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、請求項１にあっては、少なくとも第１の導体パターン、前記第１の導体パターンより面積において小さい第２の導体パターンが形成され、少なくとも第１、第２のリードピンを備える電子部品が実装されるプリント基板において、前記プリント基板に穿設され、前記第１の導体パターンに接続されると共に、前記第１のリードピンが挿入されるべき第１のスルーホールと、前記プリント基板に穿設され、前記第２の導体パターンに接続されると共に、前記第２のリードピンが挿入されるべき第２のスルーホールとを備える一方、前記第１のスルーホールと前記第１のリードピンの間隙を前記第２のスルーホールと前記第２のリードピンのそれに比して大きくするように構成した。
【００１３】
また、請求項２にあっては、前記プリント基板は複数の導体層が積層されてなり、前記複数の導体層にそれぞれ形成された前記第１の導体パターンを前記第１のスルーホールに接続する複数個のサーマルランド部を備えると共に、前記複数個のサーマルランド部は、前記複数の導体層のうちの外側に位置する導体層においてのみティアドロップ部が形成されるように構成した。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に係るプリント基板にあっては、プリント基板に穿設され、第１の導体パターン（例えば電源を供給したり、グラウンド電位にするための導体パターンなどの比較的面積の大きい導体パターン（幅広パターン））に接続されると共に、第１のリードピンが挿入されるべき第１のスルーホールと、プリント基板に穿設され、第１の導体パターンより面積において小さい第２の導体パターン（例えば信号を送信するための導体パターンなど）に接続されると共に、第２のリードピンが挿入されるべき第２のスルーホールとを備え、第１のスルーホールと第１のリードピンの間隙を第２のスルーホールと第２のリードピンのそれに比して大きくするように構成したので、電子部品をプリント基板に実装する（半田付けする）際、第１のスルーホールと第１のリードピンとの間隙に充填される半田の量を増加させることができる。即ち溶融した半田から、第１のスルーホール（正確には第１のスルーホールを覆うように形成されるランド部）に伝達される熱量を増加させることができ、よって製造工数を増加させたり、あるいは電子部品に対する強度を低下させたりすることなく、溶融した半田を、第１のスルーホールと第１のリードピンとの間隙における所期の位置まで上昇させるようにすることができ、半田上がり性を向上させることができる。
【００１５】
また、請求項２に係るプリント基板にあっては、プリント基板は複数の導体層が積層されてなり、複数の導体層にそれぞれ形成された第１の導体パターンを第１のスルーホールに接続する複数個のサーマルランド部を備えると共に、複数個のサーマルランド部は、複数の導体層のうちの外側に位置する導体層においてのみティアドロップ部が形成される、逆にいえば内側に位置する導体層のサーマルランド部においてはティアドロップ部を除去する（備えない）ように構成したので、上記した効果に加え、電子部品をプリント基板に半田付けする際、第１の導体パターンへ逃げる半田の熱量を減少させることができ、よって溶融した半田をスルーホールとリードピンとの間隙における所期の位置まで上昇させるようにすることができて半田上がり性を一層向上させることができる。
【００１６】
また、複数個のサーマルランド部は、複数の導体層のうちの外側に位置する導体層においてのみティアドロップ部が形成されるように構成したので、外側に形成される導体パターンにおいて発生しやすい導体パターンの破断（クラック）、正確にはサーマルランド部を構成するランド部と線状部の接続部位における破断を効果的に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面に即してこの発明に係るプリント基板を実施するための最良の形態について説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１は、この発明の第１実施例に係るプリント基板および電子部品を示す説明部分断面図である。
【００１９】
図１で符号１０は、プリント基板を示す。プリント基板１０はガラスエポキシ樹脂などの絶縁部材から製作されると共に、導体パターンが形成される複数の層（後述）が積層されてなる多層プリント基板である。
【００２０】
プリント基板１０の実装面１０Ａには、トランジスタモジュールなどの電子部品（ディスクリート部品）１２が搭載される。以下、電子部品１２としてトランジスタモジュールを例にとって説明する。尚、プリント基板１０に搭載される残余の電子部品については、図示を省略する。
【００２１】
電子部品１２には、プリント基板１０に接続されるべきリードピン１４が複数本、具体的には１０本形成される（図１において左側から第１のリードピン１４ａ、第２のリードピン１４ｂ、第３のリードピン１４ｃ、・・、第１０のリードピン１４ｊと示す）。第１および１０のリードピン１４ａ，１４ｊはエミッタ端子、第２，４，６および８のリードピン１４ｂ，１４ｄ，１４ｆ，１４ｈはベース端子、第３，５，７および９のリードピン１４ｃ，１４ｅ，１４ｇ，１４ｉはコレクタ端子となるように構成される。
【００２２】
プリント基板１０には、第１から１０のリードピン１４ａ〜１４ｊが挿通されるべきスルーホール１６が複数個（１０個）穿設される。図１において、第１のリードピン１４ａが挿通されるべき第１のスルーホールを符号１６ａで示すと共に、第２から１０のリードピン１４ｂ〜１４ｊについても同様に、それらに対応する第２から１０のスルーホールを符号１６ｂ〜１６ｊで示す。尚、第１から１０のスルーホール１６ａ〜１６ｊについては後に詳説する。
【００２３】
このように構成されたプリント基板１０と電子部品１２は、フローソルダリングによって半田付けされる。図２を参照して簡単に説明すると、溶融した無鉛半田２０が、矢印で示す如く、ポンプ２２によって噴出されて循環するように構成された噴流半田槽２４が、プリント基板１０と電子部品１２の下方に配置される。また噴流半田槽２４の適宜位置には、無鉛半田２０の温度を所期の値で保持するためのヒータ２６が配置される。
【００２４】
第１から１０のリードピン１４ａ〜１４ｊは、第１から１０のスルーホール１６ａ〜１６ｊに挿入され、電子部品１２がプリント基板１０の実装面１０Ａに仮実装される。その後プリント基板１０は、図２の矢印Ａ方向に移動させられ、プリント基板１０の半田面１０Ｂは、噴出した無鉛半田２０の液面２０Ａに接触させられる。それにより、無鉛半田２０が各スルーホール１６、正確には各スルーホール１６と各リードピン１４の間隙３０に充填され、所期の位置まで上昇する。尚、第１のスルーホール１６ａに形成される間隙を符号３０ａで示すと共に、第２から１０のスルーホール１６ｂ〜１６ｊについても同様に、それぞれに形成される間隙を符号３０ｂ〜３０ｊで示す。
【００２５】
溶融した無鉛半田２０は、間隙３０ａ〜３０ｊにおいて実装面１０Ａ近傍まで充填（上昇）させられると共に、実装面１０Ａに形成されるランド部（後述）上にフィレットを形成するのに十分な量だけ塗布される。その後プリント基板１０は、矢印Ａ方向にさらに移動させられ、噴流半田槽２４から離隔して冷却される。そして、間隙３０ａ〜３０ｊに充填された無鉛半田２０の温度が低下して凝固点を下回ると、溶融した無鉛半田２０が固まる（凝固する）。このようなフローソルダリングが行われることで、電子部品１２はプリント基板１０に実装される。尚、前記したフィレットは、実装面１０Ａおよび半田面１０Ｂのランド部上にそれぞれ形成される。
【００２６】
以下、図３以降を参照してプリント基板１０の特徴について説明する。
【００２７】
図３は、この発明の第１実施例に係るプリント基板１０の第１から３のスルーホール１６ａ，１６ｂ，１６ｃに、電子部品１２の第１から３のリードピン１４ａ，１４ｂ，１４ｃが挿入された状態を示す拡大部分断面図であり、図４は、図３に示す第１から３のスルーホール１６ａ，１６ｂ，１６ｃとそれに接続される導体パターンを説明するための模式図である。
【００２８】
プリント基板１０は、前述したように、導体パターンが形成される層（導体層）が積層されてなる多層プリント基板である。具体的に説明すると、プリント基板１０の図３および４における上方には、第１のリードピン１４ａであるエミッタ端子と接続されてグラウンド電位にするための導体パターン（パワーグラウンド）３４が形成される第１の導体層Ｌ１が配置され、その下方には、図示しない他の電子部品のリードピンと接続されるべき導体パターン３６が形成される第２の導体層Ｌ２が配置される。
【００２９】
さらに、第２の導体層Ｌ２の下方には、第１のリードピン１４ａと接続され、前記した導体パターン３４と同様な導体パターン３８と、第３のリードピン１４ｃであるコレクタ端子と接続されて信号を送信するための導体パターン４０とが形成される第３の導体層Ｌ３が配置されると共に、第３の導体層Ｌ３の下方には、第１のリードピン１４ａと接続され、前記した導体パターン３４あるいは導体パターン３８と同様な導体パターン４２と、第２のリードピン１４ｂであるベース端子と接続されて信号を送信するための導体パターン４４とが形成される第４の導体層Ｌ４が配置される。また、第１の導体層Ｌ１と第２の導体層Ｌ２、第２の導体層Ｌ２と第３の導体層Ｌ３、第３の導体層Ｌ３と第４の導体層Ｌ４の間にはそれぞれ、各層間を絶縁するための絶縁層Ｌ５が配置される。尚、各導体パターン３４，３６，３８，４０，４２，４４は銅箔からなる。
【００３０】
第１，３および４の導体層Ｌ１，Ｌ３，Ｌ４に形成される導体パターンのうち、第１のリードピン１４ａに接続される導体パターン３４，３８，４２は、図４によく示すように、その面積が比較的大きく、いわゆる幅広パターンとして形成される。
【００３１】
一方、第３および４の導体層Ｌ３，Ｌ４に形成される導体パターンのうち、第２および３のリードピン１４ｂ，１４ｃに接続される導体パターン４４，４０の面積は、上記した導体パターン３４，３８，４２のそれに比して小さく形成される。従って、各層に形成される複数種の導体パターンは、面積が比較的大きい導体パターン、即ち幅広パターン（第１の導体パターン）と、幅広パターンより面積において小さい、別言すれば、幅広パターン以外の導体パターン（第２の導体パターン）とに分けることができる。
【００３２】
また、第１および４の導体層Ｌ１，Ｌ４は、プリント基板１０の実装面１０Ａと半田面１０Ｂ、即ち外側（表裏面側）に位置するため、いわゆる「外層（表層または裏層）」として配置され、導体パターン３４，４２，４４が露出するように構成される。尚、第１および４の導体層Ｌ１，Ｌ４の導体パターン３４，４２，４４の表面には、保護コーティングなどの酸化防止処理が施される。
【００３３】
他方、第２および３の導体層Ｌ２，Ｌ３は、プリント基板１０の内側に位置するため、いわゆる「内層」として配置される。
【００３４】
次いで、第１から３のスルーホール１６ａ，１６ｂ，１６ｃについて説明する。
【００３５】
第１から３のスルーホール１６ａ，１６ｂ，１６ｃの説明に入る前に、理解の便宜のため、図５を参照して従来技術に係るプリント基板のスルーホールについて説明する。
【００３６】
図５は、従来のプリント基板のスルーホールと導体パターンを説明するための、図４と同様な模式図である。尚、第１実施例と同一のものには同一の符号を付した。
【００３７】
従来のプリント基板１０１の第１のスルーホール１６ａ１は、比較的面積が大きい導体パターン３４，３８，４２に接続されると共に、第１のスルーホール１６ａ１と導体パターン３４，３８，４２の間には、半田付けの際、溶融した無鉛半田２０の熱が導体パターン３４，３８，４２へ逃げ難くするためのサーマルランド部４８１，５０１，５２１が、それぞれ形成される。
【００３８】
３つのサーマルランド部４８１，５０１，５２１は、全て同一の形状となるように形成される。具体的には、第１のスルーホール１６ａ１を覆うように形成されるランド部５６と、そのランド部５６と導体パターン３４，３８，４２とを接続させる線状部５８と、線状部５８とランド部５６の間に形成されるティアドロップ部６０と、ランド部５６と導体パターン３４，３８，４２の間に形成されるクリアランス部６２とを備える。尚、ランド部５６、線状部５８、およびティアドロップ部６０は銅箔からなる。
【００３９】
ランド部５６は、第１のスルーホール１６ａ１の周囲を囲むような円形状を呈し、各導体層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４にそれぞれ形成されると共に、各導体層間において連結される。また線状部５８は、ランド部５６から放射状に延びる直線形状を呈すると共に、複数本、具体的には４本形成される。
【００４０】
またティアドロップ部６０は、線状部５８からランド部５６に向けてその幅が拡大するように形成される。これにより、ランド部５６と線状部５８との接続（接触）面積を拡大させることができ、よってランド部５６と線状部５８との接続部位で発生する破断（クラック）などを防止し、ランド部５６と線状部５８を確実に接続することができる。尚、線状部５８およびティアドロップ部６０の幅は、第１のスルーホール１６ａ１と導体パターン３４，３８，４２との必要通電容量に応じて適宜設定される。
【００４１】
またクリアランス部６２の大きさ、具体的には線状部５８とティアドロップ部６０の長さ、別言すれば、導体パターン３４，３８，４２とランド部５６の間隙の大きさ（図５に「ｄ１」で示す）は、一般に０．２［ｍｍ］程度に設定される。
【００４２】
一方、第２および３のスルーホール１６ｂ，１６ｃには、第１のスルーホール１６ａ１と同様に、第２および３のスルーホール１６ｂ，１６ｃを覆うようにランド部６６，６８が形成される。
【００４３】
第２のスルーホール１６ｂに形成されるランド部６６は、第４の導体層Ｌ４に形成される導体パターン４４と直接接続される、即ちサーマルランド部などを介さず導体パターン４４に接続される。また、第３のスルーホール１６ｃに形成されるランド部６８も同様に、サーマルランド部などを介さず、第３の導体層Ｌ３に形成される導体パターン４０と直接接続される。
【００４４】
これは、第２および３のスルーホール１６ｂ，１６ｃに接続される導体パターン４４，４０の面積が、第１のスルーホール１６ａ１に接続される導体パターン３４，３８，４２のそれに比して小さいので、導体パターン４４，４０の熱容量も小さく、よってサーマルランド部のような意図的に熱が逃げ難くする構成を必要としないからである。
【００４５】
また各スルーホールの孔径は、前述したように、挿入されるリードピンの径に比して僅かに大きく、具体的には、スルーホールとリードピンの間隙が０．３［ｍｍ］程度になるように設定される。
【００４６】
従って、従来のプリント基板１０１にあっては、第１から３のリードピン１４ａ，１４ｂ，１４ｃの径は略同一であるとき、第１から３のスルーホール１６ａ１，１６ｂ，１６ｃの孔径も略同一となる。即ち、第１から３のスルーホール１６ａ１，１６ｂ，１６ｃの孔径は、第１から３のリードピン１４ａ，１４ｂ，１４ｃの径に０．３［ｍｍ］程度加えた値に統一して設定される。
【００４７】
上記の如く構成された従来のプリント基板１０１に、フローソルダリングによって電子部品１２を半田付けすると、第１のスルーホール１６ａ１と第２，３のスルーホール１６ｂ，１６ｃでは半田上がり性の点で相違することがあった。具体的には、第２，３のスルーホール１６ｂ，１６ｃにおける半田上がり性が良好であるのに対し、第１のスルーホール１６ａ１にあっては、導体パターン３４，３８，４２へ逃げる半田の熱量を減少させるためにサーマルランド部４８１，５０１，５２１を形成したにも拘らず、溶融した半田２０が所期の位置まで上昇する前に固まってしまい、半田上がり性が悪化することがあった。
【００４８】
この事象は、第１のスルーホール１６ａ１に接続される導体パターン３４，３８，４２に起因するものと考えられる。即ち、導体パターンの熱容量は面積に比例して増加するため、比較的面積の大きい導体パターン３４，３８，４２が接続される第１のスルーホール１６ａ１にあっては、導体パターン３４，３８，４２へ逃げる半田の熱量も多く、よって半田２０が所期の位置まで上昇する前に固まってしまうものと考えられる。従って、第１のスルーホール１６ａ１と導体パターン３４，３８，４２との間にサーマルランド部４８１，５０１，５２１を形成するだけでは、半田上がり性の点で必ずしも満足できるものではなかった。
【００４９】
さらに、サーマルランド部の構成要素であるティアドロップ部６０は、ランド部５６と線状部５８との接続（接触）面積を拡大させる形状であるため、導体パターン３４，３８，４２へ逃げる半田の熱量が、ランド部５６と線状部５８を直接接続させた場合に比して増加することも原因のひとつと考えられる。
【００５０】
しかしながらティアドロップ部６０は、ランド部５６と線状部５８との接続面積を拡大させることでランド部５６と線状部５８の接続部位で発生する破断（クラック）などを防止し、ランド部５６と線状部５８を確実に接続する効果を備えるため、除去することは困難であると考えられていた。
【００５１】
そこで、発明者らは実験によって、ティアドロップ部６０を除去した場合に生じるランド部５６と線状部５８の接続部位が破断する事象は、プリント基板１０の外側に位置する導体層（外層）において多く発生することを知見した。これは、例えば半田付けされた電子部品に対して修理などが発生した場合には凝固した無鉛半田を半田ごてで溶かして電子部品を交換することとなるが、その交換作業において半田ごての先端部とランド部が接触した際に生じる応力が原因と考えられる。
【００５２】
具体的に説明すると、フローソルダリングによって電子部品がプリント基板に実装された後、例えば充填された無鉛半田の量が少なかったり、あるいは電子部品を修理する場合、無鉛半田の量を増加させる作業やその電子部品を取り外す作業が必要となる。その際、作業者は約３００℃に熱せられた半田ごてをランド部付近に接触させて無鉛半田を溶かして作業を行う。
【００５３】
その作業中において、ガラスエポキシ樹脂からなるプリント基板の温度がガラス転移点（例えば１２０〜１４０℃）を超えると、その部位はガラス状の硬い状態からゴム状の柔らかい状態へと変化する。その状態において、半田ごての先端部がランド部または線状部付近に接触すると、そこに応力が発生すると共に、プリント基板とランド部、線状部との密着強度が減少しているため、それらの間にずれ（変位）が生じる。これによって、プリント基板の外側に形成されたランド部と線状部の接続部位において破断する、即ちクラックが発生するものと考えられる。
【００５４】
一方、プリント基板１０の内側に位置する第２および３の導体層（内層）Ｌ２，Ｌ３のランド部、線状部にあっては、その付近の温度がガラス転移点を超えてゴム状に変化した場合であっても、ゴム状に変化した部位によって挟持されているため、前記した応力よるプリント基板、ランド部および線状部の間のずれ（変位）が生じ難い。よって、プリント基板の内側に形成されたランド部と線状部の接続部位においては、破断する事象（クラック）が発生し難いものと考えられる。
【００５５】
以上のような従来のプリント基板１０１の課題を解決するために、この発明に係るプリント基板１０においては、プリント基板１０に穿設された第１から１０のスルーホール１６ａ〜１６ｊの孔径、より正確には第１から１０のスルーホール１６ａ〜１６ｊと第１から１０のリードピン１４ａ〜１４ｊの間隙３０ａ〜３０ｊを、各スルーホールに接続される導体パターンの種類によって相違させるようにした。
【００５６】
また、複数個のサーマルランド部は、複数の導体層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４のうちの外側に位置する導体層Ｌ１，Ｌ４においてのみティアドロップ部６０が形成されるようにした。
【００５７】
以下、それらの特徴について図３および図４を参照して説明する。
【００５８】
面積が比較的大きい導体パターン３４，３８，４２に接続される第１のスルーホール１６ａと第１のリードピン１４ａの間隙、換言すれば、第１のスルーホール１６ａの孔径ｄａから第１のリードピン１４ａの径Ｄａを減算して得た差（ｄａ−Ｄａ）は、導体パターン３４，３８，４２より面積において小さい導体パターン４４，４０に接続される第２および３のスルーホール１６ｂ，１６ｃと第２および３のリードピン１４ａ，１４ｂの間隙、換言すれば、第２および３のスルーホール１６ｂ，１６ｃの孔径ｄｂ，ｄｃから第２および３のリードピン１４ｂ，１４ｃの径Ｄｂ，Ｄｃを減算して得た差（ｄｂ−Ｄｂ）および（ｄｃ−Ｄｃ）に比して大きくなるように設定される。
【００５９】
具体的には、第２および３スルーホール１６ｂ，１６ｃの孔径ｄｂ，ｄｃが、従来同様、第２および３のリードピン１４ｂ，１４ｃの径Ｄｂ，Ｄｃに０．３［ｍｍ］程度加えた値であるのに対して、第１のスルーホール１６ａの孔径ｄａは、第１のリードピン１４ａの径Ｄａに０．５［ｍｍ］程度加えた値となるように設定される。
【００６０】
従って、第１のスルーホール１６ａにあっては、間隙３０ａに充填される無鉛半田２０の量が、従来の第１のスルーホール１６ａ１に比して増加することとなる。即ち、溶融した無鉛半田２０の量が増加することによって、ランド部５６に加えられる熱量も増加するので、たとえその熱が線状部５８などを介して導体パターン３４，３８，４２に逃げたとしても、その影響を低減させることができ、結果として溶融した無鉛半田２０を間隙３０ａにおける所期の位置まで上昇させ、半田上がり性を向上させることができる。
【００６１】
また、第１のスルーホール１６ａと導体パターン３４，３８，４２の間には、従来同様、サーマルランド部４８，５０，５２がそれぞれ形成される。
【００６２】
プリント基板１０の外側に位置する第１および４の導体層Ｌ１，Ｌ４、即ち、外層に形成されるサーマルランド部４８，５２は、ランド部５６と、線状部５８と、ティアドロップ部６０と、クリアランス部６２とを備えるように構成される。
【００６３】
これに対して、プリント基板１０の内側に位置する第３の導体層Ｌ３、即ち、内層に形成されるサーマルランド部５０は、ランド部５６と、線状部５８と、クリアランス部６２とを備えるように構成される。即ち、サーマルランド部５０は、線状部５８によってランド部５６と導体パターン３８を直接接続し、ティアドロップ部６０を備えない（除去する）ように構成される。
【００６４】
従って、内層に形成されるサーマルランド部５０にあっては、ランド部５６と線状部５８との接続（接触）面積がティアドロップ部６０によって拡大されることがなく、よってランド部５６から導体パターン３８へ逃げる無鉛半田２０の熱量を減少させることができる。これにより、溶融した無鉛半田２０を間隙３０ａにおける所期の位置まで上昇させ、半田上がり性を一層向上させることができると共に、プリント基板１０の外側に形成されたランド部５６と線状部５８の接続部位における破断（クラック）を効果的に防止することができる。
【００６５】
また、従来のサーマルランド部４８１，５０１，５２１のクリアランス部６２の大きさｄ１は、０．２［ｍｍ］程度に設定されるのに対して、この発明に係るサーマルランド部４８，５０，５２のクリアランス部６２の大きさ（図３および４に「ｄ」で示す）は０．５［ｍｍ］程度に設定される。
【００６６】
即ち、クリアランス部６２を大きくするようにした、換言すれば、線状部５８（サーマルランド部４８，５２にあっては線状部５８とティアドロップ部６０）の長さを延長するようにしたので、サーマルランド部４８，５０，５２全体を大きくすることができ、よってサーマルランド部５６から導体パターン３４，３８，４２へ逃げる無鉛半田２０の熱量を減少させることができる。これにより、溶融した無鉛半田２０を間隙３０ａにおける所期の位置まで上昇させ、半田上がり性をより一層向上させることができる。
【００６７】
尚、実施例１において、プリント基板１０の第１０のスルーホール１６ｊは、第１のスルーホール１６ａ同様、エミッタ端子が挿入されると共に、幅広な導体パターンが接続されるため、第１のスルーホール１６ａと同一の構成を備える。また、第４から９のスルーホール１６ｄ〜１６ｉは、第２あるいは３のスルーホール１６ｂ，１６ｃ同様、ベース端子あるいはコレクタ端子が挿入されると共に、比較的面積の小さい導体パターンが接続されるため、第２あるいは３のスルーホール１６ｂ，１６ｃと同一に構成される。従って、その効果なども同一であるので説明を省略する。
【００６８】
このように、この実施例に係るプリント基板１０にあっては、プリント基板１０に穿設され、第１の導体パターン、具体的には第１，３および４の導体層Ｌ１，Ｌ３，Ｌ４に形成される導体パターン（幅広パターン）３４，３８，４２などに接続されると共に、第１および１０のリードピン１４ａ，１４ｊが挿入されるべき第１および１０のスルーホール１６ａ，１６ｊと、プリント基板１０に穿設され、第１の導体パターンより面積において小さい第２の導体パターン、即ち、第４および３の導体層Ｌ４，Ｌ３に形成される導体パターン４４，４０などに接続されると共に、、第２から９のリードピン１４ｂ〜１４ｉが挿入されるべき第２から９のスルーホール１６ｂ〜１６ｉとを備える一方、第１および１０スルーホール１６ａ，１６ｊと第１および１０のリードピン１４ａ，１４ｊの間隙３０ａ，３０ｊを、第２から９のスルーホール１６ｂ〜１６ｉと第２から９のリードピン１４ｂ〜１４ｉの間隙３０ｂ〜３０ｉに比して大きくするように構成したので、電子部品１２をプリント基板１０に実装する（半田付けする）際、間隙３０ａ，３０ｊに充填される半田の量を増加させることができる。即ち、溶融した無鉛半田２０から第１および１０のスルーホール１６ａ，１６ｊ、正確には第１および１０のスルーホール１６ａ，１６ｊを覆うように形成されるランド部５６に伝達される熱量を増加させることができ、よって製造工数を増加させたり、あるいは電子部品１２に対する強度を低下させたりすることなく、溶融した無鉛半田２０を、間隙３０ａ，３０ｊにおける所期の位置まで上昇させるようにすることができ、半田上がり性を向上させることができる。
【００６９】
また、プリント基板１０は複数の導体層Ｌ１，Ｌ３，Ｌ４が積層されてなり、複数の導体層Ｌ１，Ｌ３，Ｌ４にそれぞれ形成された第１の導体パターン（幅広パターン）３４，３８，４２などを第１および１０スルーホール１６ａ，１６ｊに接続する複数個のサーマルランド部４８，５０，５２を備えると共に、複数個のサーマルランド部４８，５０，５２は、複数の導体層のうちの外側に位置する導体層Ｌ１，Ｌ４においてのみティアドロップ部６０が形成される、逆にいえば内側に位置する導体層Ｌ３においてはティアドロップ部６０を除去する（備えない）ように構成したので、電子部品１２をプリント基板１０に半田付けする際、第１の導体パターン３４，３８，４２へ逃げる半田の熱量を減少させることができ、よって溶融した半田を第１および１０スルーホール１６ａ，１６ｊと第１および１０のリードピン１４ａ，１４ｊの間隙３０ａ，３０ｊにおける所期の位置まで上昇させるようにすることができて半田上がり性を一層向上させることができる。
【００７０】
また、複数個のサーマルランド部４８，５０，５２は、複数の導体層のうちの外側に位置する導体層Ｌ１，Ｌ４においてのみティアドロップ部６０が形成されるように構成したので、外側に形成される導体パターンにおいて発生しやすい導体パターンの破断（クラック）、正確にはサーマルランド部４８，５０，５２を構成するランド部５６と線状部５８の接続部位における破断を効果的に防止することができる。
【００７１】
尚、上記において、幅広な導体パターン３４，３８，４２としてグラウンド電位にするための導体パターンを例にとって説明したが、電源を供給するための導体パターンや、比較的大容量の電流（例えば、１［Ａ］程度）が流れる幅広な導体パターンであってもよい。即ち、比較的大容量の電流を流す導体パターンなどはその面積も大きく、導体パターン３４，３８，４２同様に熱容量が大きくなって、前記した不具合が生じ得るからである。
【００７２】
また、プリント基板１０が４つの導体層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を備えるように構成したが、それに限られるものではなく、３つあるいは５つ以上の導体層を備えるプリント基板であってもよい。
【００７３】
また、サーマルランド部４８，５０，５２が４本の線状部５８を備えるように構成したが、その本数はそれに限られるものではなく、スルーホールと導体パターンとの必要通電容量などから適宜変更してもよい。
【００７４】
また、電子部品１２としてトランジスタモジュールを例にとって説明したが、コンデンサなど他の電子部品であってもよいことはいうまでもない。
【００７５】
また、電子部品１２とプリント基板１０を無鉛半田２０で半田付けするようにしたが、鉛を含んだ従来の共晶半田などを使用してもよい。
【００７６】
以上の如く、この発明の第１実施例にあっては、少なくとも第１の導体パターン（３４，３８，４２）、前記第１の導体パターンより面積において小さい第２の導体パターン（４０，４４）が形成され、少なくとも第１、第２のリードピン（第１，１０のリードピン１４ａ，１４ｊ、第２から９のリードピン１４ｂ〜１４ｉ）を備える電子部品（１２）が実装されるプリント基板（１０）において、前記プリント基板に穿設され、前記第１の導体パターンに接続されると共に、前記第１のリードピンが挿入されるべき第１のスルーホール（第１，１０のスルーホール１６ａ，１６ｊ）と、前記プリント基板に穿設され、前記第２の導体パターンに接続されると共に、前記第２のリードピンが挿入されるべき第２のスルーホール（第２から９のスルーホール１６ｂ〜１６ｉ）とを備える一方、前記第１のスルーホールと前記第１のリードピンの間隙（３０ａ，３０ｊ）を前記第２のスルーホールと前記第２のリードピンのそれ（３０ｂ〜３０ｉ）に比して大きくするように構成した。
【００７７】
また、前記プリント基板（１０）は複数の導体層（第１，３および４の導体層Ｌ１，Ｌ３，Ｌ４）が積層されてなり、前記複数の導体層にそれぞれ形成された前記第１の導体パターン（３４，３８，４２）を前記第１のスルーホール（１６ａ，１６ｊ）に接続する複数個のサーマルランド部（４８，５０，５２）を備えると共に、前記複数個のサーマルランド部は、前記複数の導体層のうちの外側に位置する導体層（Ｌ１，Ｌ４）においてのみティアドロップ部（６０）が形成されるように構成した。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】この発明の第１実施例に係るプリント基板および電子部品を示す説明部分断面図である。
【図２】図１に示すプリント基板と電子部品の半田付け作業を説明するための説明部分断面図である。
【図３】図１に示すプリント基板のスルーホールと、電子部品のリードピンを示す拡大部分断面図である。
【図４】図３に示すプリント基板のスルーホールと導体パターンを説明するための模式図である。
【図５】従来技術に係るプリント基板のスルーホールと導体パターンを説明するための、図４と同様な模式図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０  プリント基板、１２  電子部品、１４ａ，１４ｊ  第１，１０のリードピン（第１のリードピン）、１４ｂ〜１４ｉ  第２から９のリードピン（第２のリードピン）、１６ａ，１６ｊ  第１，１０のスルーホール（第１のスルーホール）、１６ｂ〜１６ｉ  第２から９のスルーホール（第２のスルーホール）、３０ａ，３０ｊ  （第１，１０のスルーホールと第１，１０のリードピンの）間隙、３０ｂ〜３０ｉ  （第１から９のスルーホールと第１から９のリードピンの）間隙、３４，３８，４２  導体パターン（第１の導体パターン）、４０，４４  導体パターン（第２の導体パターン）、４８，５０，５２  サーマルランド部、６０  ティアドロップ部、Ｌ１，Ｌ４  導体層（外層）、Ｌ３  導体層（内層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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