(57)【要約】【課題】対象物に対しエッチングを施して微細な構造体を製造する場合であっても、エッチングの終了を正確かつ確実に検出することができるエッチングの終了検出方法、エッチング終了検出用構造体、および、エッチング方法を提供すること。【解決手段】本発明のエッチング終了検出用構造体は、マスク１１’を介して被エッチング層１０３’に対し加工対象物へのエッチングと同一または等価な条件のもとでエッチングを行うとき、開口部１１３に対応する被エッチング層１０３’の部分がエッチング停止材１０２’に達するまで除去され、エッチング停止材１０２’に沿ってサイドエッチングが生じることにより、検出用部分１１４に対応する被エッチング層１０３’の部分がエッチング停止材１０２’から離脱し、これにより、エッチングの終了を検出する。【選択図】図３
2006150563.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工対象物にエッチング加工を施すに際しそのエッチングの終了を検出するための構造体であって、
エッチングに供される被エッチング層と、
前記被エッチング層の一方の面側に接合されたエッチング停止材と、
前記被エッチング層の他方の面に接合され、環状の開口部と、該開口部により囲まれて形成された検出用部分とを有するマスクとを備え、
前記マスクを介して前記被エッチング層に対し前記加工対象物へのエッチングと同一または等価な条件のもとでエッチングを行うとき、前記開口部に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材に達するまで除去され、前記エッチング停止材に沿ってサイドエッチングが生じることにより、前記検出用部分に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材から離脱し、これにより、エッチングの終了を検出することを特徴とするエッチング終了検知用構造体。
【請求項２】
エッチング終了検出用構造体は、前記加工対象物と一体的またはその一部に形成されており、前記被エッチング層は、前記加工対象物へのエッチングとともにエッチングに供されるものである請求項１に記載のエッチング終了検出用構造体。
【請求項３】
エッチング終了検出用構造体は、前記加工対象物と別体として形成されており、前記被エッチング層は、前記加工対象物とともに、または、前記加工対象物のエッチングに先立ちエッチングに供される請求項１に記載のエッチング終了検出用構造体。
【請求項４】
前記検出用部分は、円形をなしている請求項１ないし３のいずれかに記載のエッチング終了検出用構造体。
【請求項５】
前記開口部は、円環状をなしている請求項１ないし４のいずれかに記載のエッチング終了検出用構造体。
【請求項６】
前記開口部の幅は、その周方向にわたりほぼ一定となっている請求項１ないし５のいずれかに記載のエッチング終了検出用構造体。
【請求項７】
前記開口部および前記検出用部分は、互いに異なる大きさで複数形成されている請求項１ないし６のいずれかに記載のエッチング終了検出用構造体。
【請求項８】
前記開口部の幅は、複数の前記開口部間でほぼ等しくなるよう設定されている請求項７に記載のエッチング終了検出用構造体。
【請求項９】
加工対象物にエッチング加工を施すに際しそのエッチングの終了を検出する方法であって、
エッチング停止材に接合された被エッチング層の前記エッチング停止材と反対側に、環状の開口部と、該開口部により囲まれて形成された検出用部分とを有するマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクを介して前記被エッチング層に対し前記加工対象物へのエッチングと同一または等価な条件のもとでエッチングを行うエッチング工程とを有し、
前記エッチング工程において、前記開口部に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材に達するまで除去され、前記エッチング停止材に沿ってサイドエッチングが生じることにより、前記検出用部分に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材から離脱し、これにより、エッチングの終了を検出することを特徴とするエッチング終了検知方法。
【請求項１０】
前記マスク形成工程において、互いに大きさの異なる複数の検出用部分を有するマスクを前記被エッチング層に形成し、前記エッチング工程において、前記複数の検出用部分を前記サイドエッチングにより時間差をもって離脱する請求項９に記載のエッチングの終了検知方法。
【請求項１１】
加工対象物にエッチング加工を施すエッチング方法であって、
エッチング停止材に接合された被エッチング層の前記エッチング停止材と反対側に、環状の開口部と、該開口部により囲まれて形成された検出用部分とを有するマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクを介して前記被エッチング層に対し前記加工対象物へのエッチングと等価な条件のもとでエッチングを行う第１のエッチング工程と、
前記加工対象物にエッチング加工を施す第２のエッチング工程とを有し、
前記第１のエッチング工程において、前記開口部に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材に達するまで除去され、前記エッチング停止材に沿ってサイドエッチングが生じることにより、前記検出用部分に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材から離脱し、これにより、エッチングの終了を検出し、
前記停止材除去工程において、前記エッチングの終了の検出結果に基づいたエッチング条件で、前記加工対象物に対するエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。
【請求項１２】
加工対象物にエッチング加工を施すエッチング方法であって、
エッチング停止材に接合された被エッチング層の前記エッチング停止材側に、環状の開口部と、該開口部により囲まれて形成された検出用部分とを有するマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクを介して前記被エッチング層に対し前記加工対象物とともにエッチングを行うエッチング工程とを有し、
前記エッチング工程において、前記開口部に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材に達するまで除去され、前記エッチング停止材に沿ってサイドエッチングが生じることにより、前記検出用部分に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材から離脱し、これにより、エッチングの終了を検出し、前記加工対象物に対するエッチングを停止することを特徴とするエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング終了検出用構造体、エッチングの終了検出方法、およびエッチング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ある振動電流の周波数に同調して機械的に振動する振動子は、携帯電話等の通信機器用のバンドパスフィルター、基準クロック、振動式センサ等に応用されている。
このような振動子としては、シリコン基板上に、半導体製造プロセスを利用したマイクロマシニング技術により、振動を発生するための構造（可動部とアンカー部とを有する構造）を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１では、まず、基材上にシリコ酸化物層（犠牲層）とシリコン層とが接合された基板、すなわちＳＩＯ基板を用意する。
次に、シリコン層上に、マスクパターンを形成し、これをマスクとして、シリコン層をエッチングして、所望の形状にパターニングする。
次に、犠牲層エッチング技術を用いて、可動部となる部分に対応するシリコン酸化物層を除去する。このとき、アンカー部の平面視での面積が浮上部のそれより大きいことから、アンカー部となる部分に対応するシリコン酸化物層は、除去されず残存する。
【０００４】
前述のエッチングの際には、エッチングがシリコン酸化物層に達した後に、シリコン酸化膜層に沿ってエッチングが進行するため、過度のエッチングを行うと、可動部の質量が設計値からずれてしまい、所望の特性を有する振動子を得ることができなくなってしまう。また、エッチングの量が少なすぎても、可動部の質量が設計値からずれてしまい、所望の特性を有する振動子を得ることができなくなってしまう。したがって、エッチングの終了を正確に検出する必要がある。
【０００５】
従来のエッチングの終了検出方法としては、例えば、エッチングとしていわゆるドライエッチングを用いた場合、エッチングがシリコン酸化物層に達したときに、エッチングガスであるＦ（フッ素）のプラズマが発する固有の波長の光量の変化を測定することにより、光学的に検出するものが知られている。
しかし、このような方法では、振動子の構造が微細化すると、前記光量も小さくなるため、エッチングの終了を性格に検出することが難しい。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１９０６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、加工対象物に対しエッチングを施して微細な構造体を製造する場合であっても、エッチングの終了を正確かつ確実に検出することができるエッチングの終了検出方法、エッチング終了検出用構造体、および、エッチング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のエッチング終了検知用構造体は、加工対象物にエッチング加工を施すに際しそのエッチングの終了を検出するための構造体であって、
エッチングに供される被エッチング層と、
前記被エッチング層の一方の面側に接合されたエッチング停止材と、
前記被エッチング層の他方の面に接合され、環状の開口部と、該開口部により囲まれて形成された検出用部分とを有するマスクとを備え、
前記マスクを介して前記被エッチング層に対し前記加工対象物へのエッチングと同一または等価な条件のもとでエッチングを行うとき、前記開口部に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材に達するまで除去され、前記エッチング停止材に沿ってサイドエッチングが生じることにより、前記検出用部分に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材から離脱し、これにより、エッチングの終了を検出することを特徴とする。
これにより、検出用部分に対応する被エッチング層がエッチング停止材から離脱したことを視覚的に比較的簡単に捉えて、エッチングの終了を検出することができるので、微細なエッチング加工を行う場合であっても、エッチングの終了を正確かつ確実に検出することができる。
【０００９】
本発明のエッチング終了検出用構造体は、前記加工対象物と一体的またはその一部に形成されており、前記被エッチング層は、前記加工対象物へのエッチングとともにエッチングに供されるものであることが好ましい。
これにより、エッチングの終了の検出を正確かつ確実なものとしつつ、比較的簡単に、エッチング終了検出用構造体を製造できる。
【００１０】
本発明のエッチング終了検出用構造体は、前記加工対象物と別体として形成されており、前記被エッチング層は、前記加工対象物とともに、または、前記加工対象物のエッチングに先立ちエッチングに供されることが好ましい。
これにより、加工対象物にエッチング終了検出用構造体を形成するためのスペースが不要となるので、加工対象物の加工に際しその設計自由度を高いものとすることができる。また、エッチングの終了の検出によって加工対象物のエッチング条件に変動が生じるのを防止することができる。
【００１１】
本発明のエッチング終了検知用構造体では、前記検出用部分は、円形をなしていることが好ましい。
これにより、エッチング停止材に沿って進むエッチングが均等に進行するので、検出用部分に対応する被エッチング層がエッチング停止材から離脱するタイミングのばらつきを抑えることができる。その結果、より正確にエッチングの終了を検出することができる。
【００１２】
本発明のエッチング終了検知用構造体では、前記開口部は、円環状をなしていることが好ましい。
これにより、被エッチング層に対するその厚さ方向でのエッチングの速度が安定するとともに、エッチング停止材に沿って進むエッチングが均等に進行するので、検出用部分に対応する被エッチング層がエッチング停止材から離脱するタイミングのばらつきを抑えることができる。その結果、より正確にエッチングの終了を検出することができる。
【００１３】
本発明のエッチング終了検知用構造体では、前記開口部の幅は、これらの周方向にわたりほぼ一定となっていることが好ましい。
これにより、被エッチング層に対するその厚さ方向でのエッチングの速度が安定するとともに、エッチング停止材に沿って進むエッチングが均等に進行するので、検出用部分に対応する被エッチング層がエッチング停止材から離脱するタイミングのばらつきを抑えることができる。その結果、より正確にエッチングの終了を検出することができる。
【００１４】
本発明のエッチング終了検知用構造体では、前記開口部および前記検出用部分は、互いに異なる大きさで複数形成されていることが好ましい。
これにより、段階的にエッチングの終了を検出できるので、エッチングの終了をより正確に検出することができる。
本発明のエッチング終了検知用構造体では、前記開口部の幅は、複数の前記開口部間でほぼ等しくなるよう設定されていることが好ましい。
これにより、複数のエッチング終了検出構造体間での検出精度のばらつきを抑えることができるので、エッチングの終了をさらに正確に検出することができる。
【００１５】
本発明のエッチング終了検知方法は、加工対象物にエッチング加工を施すに際しそのエッチングの終了を検出する方法であって、
エッチング停止材に接合された被エッチング層の前記エッチング停止材と反対側に、環状の開口部と、該開口部により囲まれて形成された検出用部分とを有するマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクを介して前記被エッチング層に対し前記加工対象物へのエッチングと同一または等価な条件のもとでエッチングを行うエッチング工程とを有し、
前記エッチング工程において、前記開口部に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材に達するまで除去され、前記エッチング停止材に沿ってサイドエッチングが生じることにより、前記検出用部分に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材から離脱し、これにより、エッチングの終了を検出することを特徴とする。
これにより、検出用部分に対応する被エッチング層がエッチング停止材から離脱したことを視覚的に比較的簡単に捉えて、エッチングの終了を検出することができるので、微細なエッチング加工を行う場合であっても、エッチングの終了を正確かつ確実に検出することができる。
【００１６】
本発明のエッチング終了検知方法では、前記マスク形成工程において、互いに大きさの異なる複数の検出用部分を有するマスクを前記被エッチング層に形成し、前記エッチング工程において、前記複数の検出用部分を前記サイドエッチングにより時間差をもって離脱することが好ましい。
これにより、段階的にエッチングの終了を検出できるので、エッチングの終了をより正確に検出することができる。
【００１７】
本発明のエッチング方法は、加工対象物にエッチング加工を施すエッチング方法であって、
エッチング停止材に接合された被エッチング層の前記エッチング停止材と反対側に、環状の開口部と、該開口部により囲まれて形成された検出用部分とを有するマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクを介して前記被エッチング層に対し前記加工対象物へのエッチングと等価な条件のもとでエッチングを行う第１のエッチング工程と、
前記加工対象物にエッチング加工を施す第２のエッチング工程とを有し、
前記第１のエッチング工程において、前記開口部に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材に達するまで除去され、前記エッチング停止材に沿ってサイドエッチングが生じることにより、前記検出用部分に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材から離脱し、これにより、エッチングの終了を検出し、
前記停止材除去工程において、前記エッチングの終了の検出結果に基づいたエッチング条件で、前記加工対象物に対するエッチングを行うことを特徴とする。
これにより、加工対象物に対し、優れた寸法精度でエッチング加工を行うことができる。
【００１８】
本発明のエッチング方法は、加工対象物にエッチング加工を施すエッチング方法であって、
エッチング停止材に接合された被エッチング層の前記エッチング停止材側に、環状の開口部と、該開口部により囲まれて形成された検出用部分とを有するマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクを介して前記被エッチング層に対し前記加工対象物とともにエッチングを行うエッチング工程とを有し、
前記エッチング工程において、前記開口部に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材に達するまで除去され、前記エッチング停止材に沿ってサイドエッチングが生じることにより、前記検出用部分に対応する前記被エッチング層の部分が前記エッチング停止材から離脱し、これにより、エッチングの終了を検出し、前記加工対象物に対するエッチングを停止することを特徴とする。
これにより、加工対象物に対し、優れた寸法精度でエッチング加工を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明のエッチング終了検出用構造体およびこれを用いたエッチングの終了検出方法、ならびに本発明のエッチング終了検出方法を利用したエッチング方法を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
§エッチング終了検出用構造体およびエッチングの終了検出方法§
まず、本発明のエッチング終了検出用構造体およびこれを用いたエッチングの終了検出方法の一例を図１ないし図４に基づき説明する。なお、以下の説明では、本発明のエッチングの終了検出方法を、後述する振動子の一例であるマイクロレゾネータ１の製造方法に適用する場合を例に説明する。
【００２０】
図１は、本発明の実施形態にかかるエッチング終了検出用構造体の一例を示す上視図、図２は、図１におけるＢ’−Ｂ’線断面図、図３は、図１に示すエッチング終了検出用構造体を用いたエッチングの終了検出方法を説明するための図である。
本発明のエッチングの終了検出方法は、図１に示すような本発明のエッチング終了検出用構造体を用いる。
【００２１】
図１に示すエッチング終了検出用構造体６は、基板１０’と、基板１０’の一方の面側に接合され、エッチング終了検出のための検出用部分を有するマスク１１’とを有している。
基板１０’は、エッチングに供される被エッチング層１０３’と、被エッチング層１０３’の一方の面側に接合されたエッチング停止材１０２’と、エッチング停止材１０２’の被エッチング層１０３’と反対側に接合された基材１０１’とを有する。
【００２２】
被エッチング層１０３’は、エッチング停止材１０２’と反対側に、マスク１１’が形成されており、マスク１１’を介してエッチングに供されるものである。
被エッチング層１０３’の構成材料は、後述するマイクロレゾネータ１の製造方法でエッチングされる第１の層１０３のエッチングの終了を検出することができるものであれば、特に限定されないが、後述する第１の層１０３の構成材料と同種であるのが好ましい。
すなわち、被エッチング層１０３’は、シリコンを主材料とするものであるのが好ましい。これにより、シリコンを主材料とする構造体、例えば後述するマイクロレゾネータ１の可動部４をエッチングにより形成する場合に、本発明のエッチング終了検出方法の検出結果を利用して、優れた寸法精度を有するマイクロレゾネータ１を得ることができる。
【００２３】
エッチング停止材１０２’は、前述した被エッチング層１０３’をエッチングする際に、その停止層として機能するものである。
エッチング停止材１０２’の構成材料は、後述するマイクロレゾネータ１の製造方法でエッチングされる第１の層１０３のエッチングの終了を検出することができるものであれば、特に限定されないが、後述する第２の層１０２の構成材料と同種であるのが好ましい。
すなわち、エッチング停止材１０２’は、ＳＩＯ２を主材料とするものであるのが好ましい。これにより、エッチング停止材１０２’をエッチングの停止層として安定的に機能させ、エッチングの終了をより正確かつ確実に検出することができる。
【００２４】
基材１０１’は、エッチング停止材１０２’を介して被エッチング層１０３’を支持して、被エッチング層１０３’を安定的にエッチングを行うためのものである。なお、基材１０１’を省略しても、エッチングの終了を検出することができる。
基材１０１’の構成材料は、後述するマイクロレゾネータ１の製造方法でエッチングされる第１の層１０３のエッチングの終了を検出することができるものであれば、特に限定されないが、後述する基材１０１の構成材料と同種であるのが好ましい。
すなわち、基材１０１’は、シリコンを主材料とするものであるのが好ましい。これにより、後述するように、ＳＯＩ基板を用いて構造体としてマイクロレゾネータ１をエッチングにより形成する場合に、比較的簡単に、本発明のエッチング終了検出方法の検出結果を利用して、優れた寸法精度を有するマイクロレゾネータ１を得ることができる。
【００２５】
マスク１１’は、図１に示すように、円環状の開口部１１３と、開口部１１３の内周縁により囲まれて形成され、円形をなす検出用部分１１４とを有している。
検出用部分１１４が円形をなしているので、エッチングがエッチング停止材１０２’に達した後にエッチング停止材１０２’に沿って進むオーバーエッチング（すなわち、エッチング停止材１０２’の厚さ方向に対して直角な方向へのエッチング）が周方向でほぼ均等に進行する。これにより、検出用部分１１４に対応する被エッチング層１０３’（以下、アイランド部６２ともいう）がエッチング停止材１０２’から離脱するタイミングのばらつきを抑えることができるので、より正確にエッチングの終了を検出することができる。
【００２６】
また、開口部１１３が円環状をなしているので、被エッチング層１０３’に対するその厚さ方向でのエッチングの速度が安定するとともに、エッチング停止材１０２’に沿って進むエッチングが均等に進行するので、検出用部分１１４に対応する被エッチング層１０３’の部分（すなわちアイランド部６２）がエッチング停止材１０２’から離脱するタイミングのばらつきを抑えることができる。その結果、より正確にエッチングの終了を検出することができる。
【００２７】
なお、本実施形態では、開口部１１３が円環状をなすとともに、検出用部分１１４が円形をなしているが、本発明は、後述するマイクロレゾネータ１の製造方法でエッチングされる第１の層１０３のエッチングの終了を検出することができるものであれば、これらの形状に限定されない。例えば、開口部１１３の外周縁、内周縁、および検出用部分１１４の形状は、楕円形、菱形、長方形、三角形、四角形、五角形などの多角形などでもよい。
【００２８】
検出用部分１１４の直径は、後述するマイクロレゾネータ１の製造方法でエッチングされる第１の層１０１のエッチングの終了を検出することができるものであれば、特に限定されないが、目的とする構造体（特に、本実施形態ではマイクロレゾネータ１の可動部４）の形状や大きさ適宜設定される。
開口部１１３の外周縁と検出用部分１１４の外周縁との間の距離、すなわち開口部１１３の幅Ｄは、これらの周方向にわたりほぼ一定となっているのが好ましい。これにより、微細な構造体であるマイクロレゾネータ１の可動部４の製造時のエッチングの終了をさらに正確に検出することができる。
【００２９】
開口部１１３の幅Ｄは、後述するマイクロレゾネータ１の製造方法でエッチングされる第１の層１０３のエッチングの終了を検出することができるものであれば、特に限定されないが、目的とする構造体（特に、本実施形態ではマイクロレゾネータ１の可動部４）の形状や大きさに応じて適宜設定され、例えば、後述するマイクロレゾネータ１の製造時におけるマスク１１の間隙１１０の幅Ｗ１とほぼ同等であるのが好ましい。より具体的には、開口部１１３の幅Ｄは、０．５〜３μｍであるのが好ましく、０．５〜１．５μｍであるのがより好ましい。これにより、微細な構造体であるマイクロレゾネータ１の製造する場合であっても、これに対応するエッチングの終了をさらに正確に検出することができる。
【００３０】
前述したようなエッチング終了検出用構造体６は、以下のようにして、本発明のエッチングの終了検出方法に用いられる。
まず、図２（Ａ）に示すように、前述したエッチング終了検出用構造体６を用意する。すなわち、前述した基部２の被エッチング層１０３’のエッチング停止材１０２’と反対側に、検出用部分１１４を有するマスク１１’を形成する。
【００３１】
次に、マスク１１’を介して被エッチング層１０３’に対しエッチングを行って、検出用部分１１４に対応する被エッチング層１０３’の部分、すなわちアイランド部６２がエッチング停止材１０２’から離脱したか否かを観察し、前記離脱をエッチングの終了として検出する。
より具体的には、マスク１１’を介して被エッチング層１０３’に対しエッチングを行うと、図２（Ｂ）に示すように、マスク１１’の開口部１１３に対応する被エッチング層１０３’の部分がその厚さ方向に徐々に除去されて、基板１０’に凹部６１が形成されていく。
【００３２】
そして、さらにエッチングが進行して、図２（Ｃ）に示すように、エッチング停止材１０２’と凹部６１の底面が一致すると、エッチングは、基板１０’の厚さ方向にはそれ以上進行せずに、アイランド部６２の下部にてエッチング停止材１０２’に沿って、基板１０’の厚さ方向に対して直角な方向に進行する。
すると、図２（Ｄ）に示すように、アイランド部６２がエッチング停止材１０２’から離脱する。
【００３３】
マスク１１’の検出用部分１１４に対応する被エッチング層１０３’の部分がエッチング停止材１０２’から離脱すると、例えば、図３に示すようになる。すなわち、検出用部分１１４が離脱前の位置から移動して、検出用部分１１４の中心と開口部１１３の中心との位置関係にズレが生じる。
このようなズレが生じると、開口部の幅は、エッチング開始時に周方向にわたって等距離であった状態から、不均等な状態に変化する。このような変化は、肉眼での検出が難しいが、この程度の変化の大きさであれば測長顕微鏡で比較的簡単に前記ズレを検出できる。
【００３４】
すなわち、このようなズレに基づいて、エッチングが終了しているか否かを検出することができる。
以上説明したように、検出用部分１１４に対応する被エッチング層１０３’の部分がエッチング停止材１０２’から離脱した状態を視覚的に比較的簡単に捉えて、エッチングが終了しているか否かを検出することができるので、マイクロレゾネータ１の可動部４の形成時ような微細なエッチングを行う場合であっても、エッチングの終了を正確かつ確実に検出することができる。
【００３５】
§振動子の製造方法§（第１の例）
次に、前述した本発明のエッチング終了検出方法を用いたエッチング方法の一例として振動子の製造方法を図５ないし１１に基づき説明する。以下の説明では、振動子の一例として本発明をマイクロレゾネータに適用した場合を説明する。
＜マイクロレゾネータの構成＞
図５は、振動子であるマイクロレゾネータの実施形態を示す平面図、図６は、図５中のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３６】
図５および図６に示すマイクロレゾネータ１は、基部２と、この基部２に固定された一対の固定電極３１、３２と、固定電極３１、３２同士の間で振動可能に設けられた可動部４とを有している。
可動部４は、各固定電極３１、３２にそれぞれ対向する可動電極４１、４２と、基部２に支持部５１、５２（図５および図６参照）を介して固定された固定部４５、４６と、各可動電極４１、４２と各固定部（アイランド部）４５、４６とを連結する梁部４３、４４とを有している。
【００３７】
各可動電極４１、４２は、それぞれ、複数の４１１、４２１が併設された櫛歯形状をなしている。
一方、各固定電極３１、３２は、それぞれ、併設された電極指３１１、３２１と、固定部３１２、３２２とを有している。
そして、各固定部３１２、３２２は、それぞれ、支持部５３、５４（図５参照）を介して基部２に固定されている。
【００３８】
固定電極３１と可動電極４１とは、電極指３１１と電極指４１１とが交互に位置するように、すなわち、互いに噛み合うようにして配置されている。また、固定電極３２と可動電極４２とも、固定電極３１と可動電極４１と同様に配置されている。
マイクロレゾネータ１では、これらの電極指３１１、３２１および４１１、４２１の幅、間隔、厚さ等を調整することにより、共振周波数等の特性を所望のものに設定することができる。
【００３９】
本実施形態では、可動部４を構成する各部のうち、各可動電極４１、４２および各梁部４３、４４が、また、各固定電極３１、３２を構成する各部のうち、各電極指３１１、３２１が、それぞれ、複数の帯状体を組み合わせたような形状をなしている。そして、これらの部分は、基部２から浮いた状態、すなわち、所定の距離（後述する第２の層１０２の厚さ）離間した状態となっている。
【００４０】
一方、可動部４を構成する各部のうち、各固定部４５、４６が、また、各固定電極３１、３２を構成する各部のうち、各固定部３１２、３２２が、それぞれ、平面視において、電極指３１１、３２１を構成する帯状体の面積（最大）より面積が大きくなっている。そして、これらの部分は、基部２に固定された状態となっている。
このようなマイクロレゾネータ１では、固定電極３１と可動電極４１との間に電圧を印加すると、両電極３１、４１間に静電引力が発生し、可動電極４１が固定電極３１に接近するように移動する。
【００４１】
一方、この固定電極３１と可動電極４１との間への電圧の印加を停止するとともに、固定電極３２と可動電極４２との間に電圧を印加すると、両電極３２、４２間に静電引力が発生し、可動電極４２が固定電極３２に向かって移動する。
このように、固定電極３１と可動電極４１との間、および、固定電極３２と可動電極４２との間に、交互に電圧を印加することにより、可動電極４１、４２が一定の周波数で往復動する。この周波数（振動周波数）は、可動電極４１、４２の合計質量と、梁部４３、４４のバネ定数で定まる変位に対する復元力によって定まる。
【００４２】
＜マイクロレゾネータの製造方法＞
次に、本発明のエッチング終点検出方法を用いて、図５および図６に示すマイクロレゾネータを製造する場合の一例を図７ないし図１０に基づき説明する。
図７〜図１０は、それぞれ、図５および図６に示すマイクロレゾネータの製造方法を説明するための図である。なお、図７〜図１０中（ａ）は、図８中のＢ−Ｂ線断面図、図７〜図１０中（ｂ）は、図８中のＣ−Ｃ線断面図である。
【００４３】
また、以下の説明では、図７および図９〜図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
このマイクロレゾネータ１の製造方法は、［１］マスク形成工程、［２］エッチング工程、［３］マスク除去工程、［４］停止材除去工程とを有している。以下、各工程について、順次説明する。
【００４４】
［１］マスク形成工程
まず、図７に示すように、基材１０１上に、後述する第１のエッチングにより実質的にエッチングされない第２の層１０２と、第１のエッチングによりエッチングされる第１の層１０３とがこの順で積層されてなる３層構成の基板１０を用意する。
この基板１０を構成する各層のうち、第１の層１０３は、前述したマイクロレゾネータ１の可動部４および各固定電極３１、３２に、第２の層１０２は、各支持部５１、５２、５３、５４に加工される部分であり、基材１０１は、基部２となる部分である。
【００４５】
この基板１０としては、各層１０１、１０２、１０３の組み合わせで各種のものが挙げられるが、特に、主としてＳｉで構成された基材１０１上に、主としてＳｉＯ２で構成された第２の層と、主としてＳｉで構成された第１の層（活性層）１０３とがこの順で積層されてなるＳＯＩ基板が好適である。
基板１０としてＳＯＩ基板を用いることにより、第１の層１０３の厚さが比較的厚いものを作製することができるようになる。このため、形成される各電極指３１１、３２１、４１１、４２１の厚さを大きくすることができるので、各電極指３１１、３２１、４１１、４２１の断面積（長手方向に対して垂直な方向での面積）を大きくすることができる。これにより、マイクロレゾネータ１では、静電容量を大きくすることができ、その結果、印加電圧に対する可動部４の変位量を増大させることができる。
また、各電極指３１１、３２１、４１１、４２１の厚さを大きく設定することができるので、必要とする断面積を確保しつつ、その幅を小さくすることができる。これにより、各固定電極３１、３２、４１、４２の小型化、ひいては、マイクロレゾネータ１全体の小型化を図ることができる。
【００４６】
第１の層１０３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．２〜１００μｍ程度であるのが好ましく、２０〜６０μｍ程度であるのがより好ましい。第１の層１０３の厚さが薄過ぎると、第１の層１０３の構成材料等によっては、マイクロレゾネータ１において、可動部４の印加電圧に対する変位量を十分に大きくするのが困難となるおそれがあり、一方、第１の層１０３の厚さを前記上限値を超えて大きくしても、それ以上の効果の増大が期待できないばかりでなく、エッチングを深く垂直に行うことが難しくなる。
【００４７】
以下では、可動部４の形成を一例にして、説明する。
次に、このような基板１０の第１の層１０３上（第２の層１０２と反対側）のエッチング領域内に、例えばフォトリソグラフィー法等を用いてマスク１１を形成する。
このとき、図８および図９（ａ）に示すように、基板１０の余白領域（マイクロレゾネータ１の機能を阻害しない領域）のマスク１１の部分に開口部１１３および検出用部分１１４を形成する。これにより、マスク１１をマスク１１’とし、被エッチング層１０３’を第１の層１０３とし、第２の層１０２をエッチング停止材１０２’とし、基材１０１を基材１０１’として、前述したようなエッチング終了検出用構造体６が構成される。このエッチング終了検出用構造体６は、後述するダミー用マスク１１２と同様の機能も有する。
【００４８】
本実施形態では、図８に示すように、マスク１１として、可動部（構造体）４に対応する形状のパターン用マスク１１１を形成するとともに、帯状のダミー用マスク１１２を形成する。
ダミー用マスク１１２は、パターン用マスク１１１から分離され、エッチング領域内の各部において、マスク１１に形成される間隙１１０の幅がほぼ等しくなるよう配置される。これにより、第１の層１０３に対してエッチング工程を施す際に、第１の層１０３の各部において、オーバーエッチングが生じるのを防止または抑制することができる（後述参照）。
【００４９】
なお、ダミー用マスク１１２の形状は、いかなるものであってもよいが、本実施形態のように、各可動電極４１、４２および各梁部４３、４４を、帯状体を組み合わせたような形状とする場合には、帯状とするのが好適である。これにより、マスク１１に形成される間隙１１０の幅の調整が容易となる。その結果、後述するエッチング工程による第１の層１０３の各部におけるエッチングレートの差をより確実に小さくすることができる。
【００５０】
この間隙１１０の幅（図８中Ｗ１）は、０．５〜３μｍ程度とするのが好ましいが、図示の構成の場合、例えば、電極指３１１（３２１）と電極指４１１（４２１）との間隔の幅と同一程度の幅であればよい。これにより、前記効果をより向上させることができるとともに、後述するエッチング工程による第１の層１０３のエッチングレートが極端に低下するのを防止することができる。
【００５１】
また、ダミー用マスク１１２の形状を帯状とする場合、その幅は、パターン用マスク１１１の帯状体に対応する部分の幅（平均）とほぼ等しくなるように設定するのが好ましい。これにより、後述する停止材除去工程により第２の層１０２を除去する際に、各ダミー部９を、基材１０１から確実に離脱させることができる（後述参照）。
なお、マスク１１としては、レジスト材料で構成されるマスク（レジストマスク）に代えて、例えばＡｌ等の金属材料で構成されるマスク（メタルマスク）を用いることもできる。
【００５２】
［２］エッチング工程
次に、形成されたマスク１１を用いて、第１の層１０３に対してエッチングを施す。これにより、第１の層１０３は、パターン用マスク１１１およびダミー用マスク１１２に対応した形状にパターニングされる。
このとき、前述したようにエッチング終了検出用構造体６の検出用部分１１４を観察して、エッチングの終了を検出し、その検出結果に基づきエッチングを停止する。これにより、優れた寸法精度でエッチング加工を行うことができる。
【００５３】
なお、第２の層１０２は、エッチング工程により実質的にエッチングされないものであり、エッチング工程に際して、その侵攻を阻止するストップ層として機能する。
第１のエッチングには、例えば、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチング、ウェットエッチング等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、ドライエッチング、特に、反応性イオンエッチングを用いるのが好適である。
【００５４】
第１のエッチングとしてドライエッチング（特に、反応性イオンエッチング）を用いることにより、第１の層１０３に対して異方性の高いエッチングを行うことができ、第１の層１０３のパターニングを寸法精度よく行うことができる。
【００５５】
このとき、本実施形態では、ダミー用マスク１１２が形成され、エッチング領域の各部において、マスク１１に形成される間隙１１０の幅がほぼ等しくなっている。このため、第１のエッチングによる第１の層１０３のエッチングは、エッチング領域の各部においてほぼ等しい速度（エッチングレート）で進行し、ほぼ等しい時点で第２の層１０２が露出するようになる。
【００５６】
これにより、第１の層１０３の各部において、オーバーエッチング（第２の層１０２との界面付近における面方向へのエッチング）が生じるのを防止または抑制することができる。その結果、図１０に示すように、第１の層１０３は、パターン用マスク１１１およびダミー用マスク１１２に対応し、かつ、厚さ方向にほぼ平行な側面を有する精密な形状に加工される。
【００５７】
本工程［２］により、第１の層１０３がパターニング（加工）され、可動部４、各固定電極３１、３２および複数のダミー部９が形成される。
なお、各ダミー部９は、後の工程［４］において、基材１０１から取り除かれる。また、このとき、エッチング終了検出用構造体６に対応する第１の層１０３の部分も基材１０１から取り除かれる。
本実施形態では、ダミー部９等をエッチングせずに除去するので、基板１０から飛散する物質の量を抑制することができ、環境に優しい。
【００５８】
［３］マスク除去工程
次に、マスク１１（パターン用マスク１１１およびダミー用マスク１１２）を除去する。停止材除去工程に先立って、マスク１１を除去することにより、後述する工程［４］において、ウェットエッチングを用いる場合には、マスク材料（レジスト材料や、金属材料）の溶解によるエッチング液の汚染を防止または抑制することができる。
このマスク１１の除去方法としては、例えば、マスク１１がレジスト材料で構成される場合には、レジスト剥離液、マスク１１が金属材料で構成される場合には、リン酸溶液のようなメタル剥離液等を用いることができる。
【００５９】
［４］停止材除去工程
次に、第２の層１０２に対して、第１の層１０３が実質的にエッチングされず、第２の層１０２をエッチング可能な停止材除去工程を施す。これにより、第２の層１０２の一部を除去する。
この停止材除去工程には、例えば、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチング、ウェットエッチング等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、ウェットエッチングを用いるのが好適である。
【００６０】
停止材除去工程としてウェットエッチングを用いることにより、第２の層１０２を等方的にエッチングすることができる。このため、前記工程［３］において加工されて残存する第１の層１０３直下の第２の層１０２も効率よく除去することができる。
このウェットエッチングに用いるエッチング液としては、例えばフッ酸等が挙げられる。
【００６１】
このようなエッチング液に基板１０を浸漬すると、まず、残存する第１の層１０３（可動部４、各固定電極３１、３２および各ダミー部９）によって覆われていない第２の層１０２は、上面からエッチングが開始し、等方的にエッチングが進行する。
次に、可動部４、各固定電極３１、３２および各ダミー部９の直下の第２の層１０２も、それぞれ、露出した側面側からエッチングが進行して、徐々に除去される。
そして、第２の層１０２が除去されていくことにより、基材１０１と第１の層１０３との間には、間隙が形成されていく。
【００６２】
ここで、固定部４５、４６は、それぞれ、平面視において、各可動電極４１、４２および各梁部４３、４４を構成する帯状体の面積（最大）より面積が大きく設定されている。このため、これらの面積の差により、固定部４５、４６以外の部分（各可動電極４１、４２および各梁部４３、４４）の直下の第２の層１０２がほぼ完全に除去された時点では、各固定部４５、４６の直下の第２の層１０２の一部が残存した状態となる。
【００６３】
このような時点（状態）で、停止材除去工程を終了すると、残存した第２の層１０２が支持部５１、５２となり、この支持部５１、５２を介して、可動部４は、各固定部４５、４６において基材１０１（基部２）に、それぞれ固定される。一方、可動部４の他の部分は、基材１０１から浮いた状態となる。
また、このとき、各ダミー部９は、それぞれ、可動部４および各固定電極３１、３２から分離されているため、その直下の第２の層１０２が除去されると、基材１０１から離脱する（取り除かれる）。また、エッチング終了検出用構造体６に対応する第１の層１０３の部分も基材１０１から取り除かれる。なお、エッチング終了検出用構造体６に対応する第１の層１０３の部分は基材１０１から取り除かれなくてもよい。
【００６４】
本実施形態では、前述したように、マスク１１において、ダミー用マスク１１２は、帯状とされ、その幅がパターン用マスク１１１の帯状体に対応する部分の幅（平均）とほぼ等しくなるように設定されている。このため、各可動電極４１、４２および各梁部４３、４４と、各ダミー部９との間においてもほぼ等しい状態（条件）となっている。
これにより、第２の層１０２は、各固定部４５、４６の直下を除いて、ほぼ同時に除去されるので、各ダミー部９を、基材１０１から確実に離脱させることができる。
【００６５】
このように、第２の層１０２を停止材除去工程により除去する際に、各ダミー部９が除去される構成とすることにより、マイクロレゾネータ１の製造工程の簡略化を図ることができる。なお、各ダミー部９の除去は、他の方法を用いるようにしてもよい。
以上のような工程を経て、マイクロレゾネータ１が製造される。
このようにして製造されたマイクロレゾネータ１は、可動部４の断面形状が目的の形状となるように精密に形成されるので、目的とする共振振動数と正確に一致する共振周波数が得られる。
【００６６】
特に、エッチング終了検出構造体６を用いて、検出用部分１１４に対応する被エッチング層１０３の部分がエッチング停止材１０２から離脱したことを視覚的に比較的簡単に捉えて、エッチングの終了を検出することができるので、微細なエッチング加工を行う場合であっても、エッチングの終了を正確かつ確実に検出することができる。
また、エッチング終了検出用構造体６加工対象物である基板１０と一体形成されているので、エッチングの終了の検出を正確かつ確実なものとしつつ、比較的簡単に、エッチング終了検出用構造体６を製造できる。
【００６７】
また、このような場合、被エッチング層１０３’が加工対象物であると同一の条件のもとでエッチングに供されるので、エッチングの終了をより正確かつ確実に検出することができる。
なお、マイクロレゾネータ１において、各部の寸法、形状等は任意に変更することができる。ここで、例えば、可動部４の一部分を平面視での面積を比較的大きく設定する場合には、エッチング工程において、かかる部分を複数の孔部を有する形状（例えば、格子状等）にパターニングするのが好ましい。これにより、停止材除去工程において、かかる部分の直下の第２の層１０２を確実に除去することができる。
【００６８】
また、前述したマイクロレゾネータ１の製造方法（第１の例）では、最終的に得られるマイクロレゾネータ１に対応する基板１０（加工対象物）の部分にエッチング終了検出用構造体６を形成したが、ウエハなどの加工対象物の、最終的に得られるマイクロレゾネータ１に対応する基板１０（加工対象物）の部分以外の不要部分にエッチング終了検出用構造体６を形成してもよい。
【００６９】
また、前述したマイクロレゾネータ１の製造方法（第１の例）では、加工の目的とするマイクロレゾネータ１を製造するための基板１０と同一基板を用いて、エッチング終了検出用構造体６を形成したが、加工の目的とするマイクロレゾネータ１を製造するための基板１０とは別の基板を用いて、エッチング終了検出用構造体６を形成し、可動部４の形成のためのエッチングの終了を直接的に検出してもよい。
また、マスク１１にダミー用マスク１１２を形成しなくてもよい。この場合、例えば、最も寸法精度が要求される可動部４の電極指や梁部などの部位の形状および大きさに合わせて、エッチング終了検出用構造体を設計するとよい。
【００７０】
§振動子の製造方法§（第２の例）
次に、本発明のエッチング終了検出方法を用いたエッチング終了検出方法の他の例を図１１に基づき説明する。以下の説明では、前述した振動子（マイクロレゾネータ１）の製造方法と同様の事項に関しては、その説明を省略する。
図１１は、本発明のエッチング終了検出方法の他の例（第２の例）を示す平面図である。
【００７１】
本例にかかる振動子の製造方法は、エッチング終了検出の時期、用いるエッチング終了検出用構造体の形態が異なる以外は、前述した振動子（マイクロレゾネータ１）の製造方法と同様である。
具体的に説明すると、前述したマイクロレゾネータ１の製造方法（第１の例）では、加工の目的とするマイクロレゾネータ１を製造するための基板１０と同一基板を用いて、エッチング終了検出用構造体６を形成し、可動部４の形成のためのエッチングの終了を直接的に検出したが、本例にかかる振動子の製造方法では、加工の目的とするマイクロレゾネータ１を製造するための基板１０とは別の基板を用いて、エッチング終了検出用構造体６を形成し（マスク形成工程）、可動部４の形成のためのエッチングに先立ち、これと等価な条件のもとで、予めエッチングの終了を検出し（第１のエッチング工程）、その検出結果を用いて、エッチング時間などのエッチング条件を設定し、可動部４の形成のためのエッチングを行う（第２のエッチング工程）。
【００７２】
また、本例にかかる振動子の製造方法では、図１２に示すように、互いに異なる大きさの円環状の開口部１１３Ａ〜１１３Ｃおよび円形の検出用部分１１４Ａ〜１１４Ｃを有するエッチング終了検出用構造体６Ａ〜６Ｃを用いる。なお、図１１では複数の検出用部分が別々の基板上に設けられているが、複数の検出用部分を同一の基板上に設けてもよい。
このようなエッチング終了検出用構造体６Ａ〜６Ｃを同時に用いると、エッチングの終了を段階的にかつ詳細に検出することができる。特に、サイドエッチングの進行速度を詳細に知ることができる。これにより、エッチングの終了をより正確に検出することができる。
【００７３】
検出用部分１１４Ａ〜１１４Ｃの直径Ｄ１〜Ｄ３は、Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３なる関係を満たしているが、開口部１１３の外周縁と検出用部分１１４の外周縁との間の距離、すなわち開口部１１３の幅Ｄは、複数の開口部１１３間でほぼ等しくなるよう設定されている。これにより、微細な構造体のエッチングの終了をさらに正確に検出することができる。
直径Ｄ１と直径Ｄ２との差、および、直径Ｄ２と直径Ｄ３との差は、第１の層１０３のエッチングの終了を検出することができるものであれば、特に限定されないが、目的とする構造体（特に、本実施形態ではマイクロレゾネータ１の可動部４）の形状や必要とする寸精度などにより適宜設定される。具体的には、直径Ｄ１と直径Ｄ２との差、および、直径Ｄ２と直径Ｄ３との差は、０．０５〜０．３μｍであるのが好ましく、０．０７〜０．２μｍであるのがより好ましく、特に、両差同士がほぼ等しくなっているのが好ましい。これにより、エッチングの終了をさらに正確に検出することができる。
【００７４】
以上のような第２の例にかかる振動子の製造方法（エッチングの終了検出方法）では、エッチング終了検出用構造体６Ａ〜６Ｃが加工対象物である基板１０のエッチングに先立ち用いられるので、エッチングの終了の検出によって基板１０のエッチング条件に変動が生じるのを防止することができる。
また、エッチング終了検出用構造体６Ａ〜６Ｃが基板１０と別体として形成されているので、基板１０にエッチング終了検出用構造体６Ａから６Ｃを形成するためのスペースが不要となるので、基板１０の加工に際しその設計自由度を高いものとすることができる。
【００７５】
以上、本発明のエッチングの終了検出用構造体およびエッチングの終了検出方法、振動子の製造方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
なお、前述したようなマイクロレゾネータ１は、パーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、携帯電話機、ディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等の電子機器に適用することができる。
【００７６】
また、本発明のエッチング終了検出方法を用いて製造できるものとしては、前述したマイクロレゾネータ１に限らず、例えばＭＥＭＳ応用のセンサ（圧力、加速度、角速度、姿勢）等の各種振動子に適用することができる。
また、本発明のエッチング終了検出方法は、前述したような振動子の製造への適用に限定されるものではなく、各種形状の構造体の形成に適用可能である。
また、本発明のエッチング終了検出方法は、必要に応じて、任意の目的の工程を追加することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施形態にかかるエッチング終了検出用構造体の一例を示す平面図である。
【図２】図１中のＢ’−Ｂ’線断面図である。
【図３】図１に示すエッチング終了検出用構造体を用いたエッチング終了検出方法を説明するための図である。
【図４】図１に示すエッチング終了検出用構造体を用いたエッチング終了検出方法を説明するための図である。
【図５】本発明の振動子の第１実施形態を示す平面図である。
【図６】図５中のＡ−Ａ線断面図である。
【図７】図１および図２に示すマイクロレゾネータの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図８】図１および図２に示すマイクロレゾネータの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図９】図１および図２に示すマイクロレゾネータの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図１０】図１および図２に示すマイクロレゾネータの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図１１】図１および図２に示すマイクロレゾネータの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図１２】本発明のエッチング終了検出方法の他の例（第２の例）を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１……マイクロレゾネータ  ２……基部  ３１、３２……固定電極  ３１１、３２１……電極指  ３１２、３２２……固定部  ４……可動部  ４１、４２……可動電極  ４１１、４２１……電極指  ４３、４４……梁部  ４５、４６……固定部  ５１、５２、５３、５４……支持部  ６、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ……エッチング終了検出用構造体  ６１……凹部  ６２……アイランド部  ９……ダミー部  １０……基板  １０１、１０１’……基材  １０２、１０２’……エッチング停止材（第２の層）  １０３、１０３’……被エッチング層（第１の層）  １１、１１’……マスク  １１０……間隙  １１１……パターン用マスク  １１２……ダミー用マスク  １１３、１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ……開口部  １１４、１１４Ａ、１１４Ｂ、１１４Ｃ……検出用部分
【図１】
2006150563.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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