(57)【要約】      （修正有）【課題】発光素子の点灯率に応じて発生するシャドーイング並びに輝度傾斜を低減する。【解決手段】互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線の交点位置に接続された発光素子Ｅ１１〜Ｅｍｎを備えたパッシブマトリクス型発光表示パネル１と、走査線Ａ１〜Ａｍのそれぞれを走査選択電位ＶＡＨまたは非走査選択電位（接地電位）に設定する走査ドライバ３側の切り換え手段Ｓａ１〜Ｓａｍと、データ線Ｋ１〜Ｋｎのそれぞれを点灯駆動電源Ｉ１〜Ｉｎまたは非点灯駆動電源ＶＫＨに接続するデータドライバ２側の切り換え手段Ｓｋ１〜Ｓｋｎとを具備する。点灯駆動電源Ｉ１〜Ｉｎは、データドライバ側の切り換え手段Ｓｋ１〜Ｓｋｎを介して、走査状態の発光素子におけるカソード端子側より発光素子の点灯駆動電流を基準電位点に向かって吸い込む吸い込み型の定電流源により構成される。【選択図】図８
2006184649.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記各走査線に対してそれぞれアノード端子を前記各データ線に対してそれぞれカソード端子を接続したダイオード特性を有する発光素子を備えたパッシブマトリクス型発光表示パネルの駆動装置であって、
前記走査線のそれぞれを走査選択電位または非走査選択電位に設定するための走査ドライバ側の切り換え手段と、前記データ線のそれぞれを点灯駆動電源または非点灯駆動電源に接続するためのデータドライバ側の切り換え手段とが具備され、
前記点灯駆動電源が、前記データドライバ側の切り換え手段を介して、走査状態の発光素子におけるカソード端子側より当該発光素子の点灯駆動電流を基準電位点に向かって吸い込む吸い込み型の定電流源により構成されていることを特徴とする発光表示パネルの駆動装置。
【請求項２】
前記走査選択電位は、前記基準電位に前記発光素子の発光閾値電圧を加えた値以上に設定されていることを特徴とする請求項１に記載された発光表示パネルの駆動装置。
【請求項３】
前記非走査選択電位は、前記基準電位に前記発光素子の発光閾値電圧を加えた値を超えない電位に設定されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された発光表示パネルの駆動装置。
【請求項４】
前記非点灯駆動電源の電位は、前記走査選択電位から前記発光素子の発光閾値電圧を減じた値を超える電位に設定されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載された発光表示パネルの駆動装置。
【請求項５】
前記基準電位と前記非走査選択電位の少なくともいずれか一方は、接地電位に設定されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載された発光表示パネルの駆動装置。
【請求項６】
前記走査選択電位と非点灯駆動電源の電位は、同電位に設定されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載された発光表示パネルの駆動装置。
【請求項７】
前記複数のデータ線は透明基板上に透明電極としてストライプ状に配列され、前記透明電極上には発光させるべき領域に応じて少なくとも一層の発光層を含む発光機能層が形成され、前記複数の走査線は前記発光機能層上に、前記データ線と交差する方向にストライプ状に積層されていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載された発光表示パネルの駆動装置。
【請求項８】
前記発光機能層には前記発光層に加えて、走査線側に正孔注入層もしくはデータ線側に電子注入層のいずれかが積層されていることを特徴とする請求項７に記載された発光表示パネルの駆動装置。
【請求項９】
前記発光機能層には前記発光層に加えて、走査線側に正孔輸送層もしくはデータ線側に電子輸送層のいずれかが積層されていることを特徴とする請求項７に記載された発光表示パネルの駆動装置。
【請求項１０】
互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記各走査線に対してそれぞれアノード端子を前記各データ線に対してそれぞれカソード端子を接続したダイオード特性を有する発光素子を備えたパッシブマトリクス型発光表示パネルの駆動方法であって、
前記発光表示パネルの１走査期間には少なくとも前記発光素子のリセット期間と点灯期間が設定され、
前記発光素子のリセット期間においては、走査対象となる走査線に対して走査選択電位を供給すると共に、走査対象外となる走査線に対して非走査選択電位を供給し、かつ全ての前記データ線を非点灯駆動電源に接続する動作が実行され、
前記発光素子の点灯期間においては、走査対象となる走査線に対して走査選択電位を供給すると共に、走査対象外となる走査線に対して非走査選択電位を供給し、かつ点灯対象となる前記発光素子が接続されたデータ線を点灯駆動電源に接続すると共に、点灯対象となる前記発光素子が接続されていないデータ線を非点灯駆動電源に接続する動作が実行され、
前記点灯駆動電源は、走査状態の発光素子におけるカソード端子側より、当該発光素子の点灯駆動電流を基準電位点に向かって吸い込む電流吸い込み動作を実行することを特徴とする発光表示パネルの駆動方法。
【請求項１１】
前記走査選択電位は、前記基準電位に前記発光素子の発光閾値電圧を加えた値以上に設定されていることを特徴とする請求項１０に記載された発光表示パネルの駆動方法。
【請求項１２】
前記非走査選択電位は、前記基準電位に前記発光素子の発光閾値電圧を加えた値を超えない電位に設定されていることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載された発光表示パネルの駆動方法。
【請求項１３】
前記非点灯駆動電源の電位は、前記走査選択電位から前記発光素子の発光閾値電圧を減じた値を超える電位に設定されていることを特徴とする請求項１０ないし請求項１２のいずれか１項に記載された発光表示パネルの駆動方法。
【請求項１４】
前記基準電位と前記非走査選択電位の少なくともいずれか一方は、接地電位に設定されていることを特徴とする請求項１０ないし請求項１３のいずれか１項に記載された発光表示パネルの駆動方法。
【請求項１５】
前記走査選択電位と非点灯駆動電源の電位は、同電位に設定されていることを特徴とする請求項１０ないし請求項１４のいずれか１項に記載された発光表示パネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、容量性の発光素子を用いたパッシブマトリクス型発光表示パネルに対して好適に採用することができる駆動装置および駆動方法に関し、特に前記発光素子の点灯率の変化に起因して生ずるシャドーイング（横クロストーク）や輝度傾斜の発生度合いを、実用上において問題のないレベルに低減させることができる発光表示パネルの駆動装置および駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機や携帯型情報端末機（ＰＤＡ）などの普及によって、高精細な画像表示機能を有し、薄型かつ低消費電力化を実現することができる表示パネルの需要が増大しており、従来より液晶表示パネルがその要求を満たす表示パネルとして多くの製品に採用されてきた。一方、昨今においては自発光型素子であるという特質を生かした有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）素子が実用化され、これが従来の液晶表示パネルに代わる次世代の表示パネルとして注目されている。これは素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐え得る高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
【０００３】
前記した有機ＥＬ素子は、例えば図１（Ａ）に模式的に示したとおり、基本的にはガラス等の透明基板上に、例えばＩＴＯによる透明電極（陽極）と発光機能層、およびアルミ合金などによる金属電極（陰極）とが順次積層されることで構成されている。そして、前記発光機能層は有機化合物による単一の発光層、あるいは有機正孔輸送層と発光層による二層構造、または有機正孔輸送層と発光層および有機電子輸送層からなる三層構造、さらには図１（Ａ）に例示されたように前記透明電極と正孔輸送層との間に正孔注入層を、また前記金属電極と電子輸送層との間に電子注入層を挿入した多層構造になされる場合もある。そして、前記発光機能層において発生する光は、前記透明電極および透明基板を介して外部に導出される。
【０００４】
前記した有機ＥＬ素子は、電気的にはダイオード特性を有する発光エレメントと、この発光エレメントに並列に結合する寄生容量成分とによる構成に置き換えることができ、有機ＥＬ素子は容量性の発光素子であるということが言える。この有機ＥＬ素子は、発光駆動電圧が印加されると、先ず当該素子の電気容量に相当する電荷が電極に変位電流として流れ込み蓄積される。続いて当該素子固有の一定の電圧（発光閾値電圧＝Ｖｔｈ）を越えると、一方の電極（ダイオード成分のアノード側）から発光機能層に向かって電流が流れはじめ、この電流に比例した強度で発光すると考えることができる。
【０００５】
一方、有機ＥＬ素子は電流・輝度特性が温度変化に対して安定しているのに対して、電圧・輝度特性が温度変化に対する依存性が高いこと、また、有機ＥＬ素子は過電流を受けた場合に劣化が激しく、発光寿命を短縮させるなどの理由により、一般的には定電流駆動がなされる。かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、素子をマトリクス状に配列したパッシブ駆動型表示パネルが、すでに一部において実用化されている。
【０００６】
図２には従来のパッシブマトリクス型表示パネルと、その駆動回路の一例が示されており、これは陰極線走査・陽極線ドライブの形態を示している。すなわち、ｍ本のデータ線（以下、これを陽極線とも言う。）Ａ１〜Ａｍが縦方向に配列され、ｎ本の走査線（以下、これを陰極線とも言う。）Ｋ１〜Ｋｎが横方向に配列され、各々の交差した部分（計ｍ×ｎ箇所）に、ダイオードおよびコンデンサのシンボルマークによる並列結合体で示した有機ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎが配置されて、表示パネル１を構成している。
【０００７】
そして、画素を構成する各ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎは、縦方向に沿う陽極線Ａ１〜Ａｍと横方向に沿う陰極線Ｋ１〜Ｋｎとの各交点位置に対応して、一端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるアノード端子）が陽極線に、他端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるカソード端子）が陰極線に接続されている。さらに、各陽極線Ａ１〜Ａｍはデータドライバとしての陽極線ドライブ回路２に接続され、各陰極線Ｋ１〜Ｋｎは走査ドライバとしての陰極線走査回路３に接続されてそれぞれ駆動される。
【０００８】
前記陽極線ドライブ回路２には、駆動電圧源ＶＨからの駆動電圧を利用して動作する点灯駆動電源としての定電流源Ｉ１〜Ｉｍ、および切り換え手段としてのドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｍが備えられており、ドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｍが、前記定電流源Ｉ１〜Ｉｍ側に接続されることにより、定電流源Ｉ１〜Ｉｍからの電流が、陰極線に対応して配置された個々のＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎに対して駆動電流として供給されるように作用する。また、前記ドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｍは、電圧源ＶＡＭからの電圧、もしくは非点灯駆動電源としての基準電位点（この実施の形態においては接地電位ＧＮＤ）が、陰極線に対応して配置された個々のＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎに対して供給することができるように構成されている。
【０００９】
一方、前記陰極線走査回路３には、各陰極線Ｋ１〜Ｋｎに対応して切り換え手段としての走査スイッチＳｋ１〜Ｓｋｎが備えられ、主にクロストーク発光を防止するために用いられる逆バイアス電圧源ＶＭからの逆バイアス電圧、もしくは基準電位点としての接地電位ＧＮＤのうちのいずれか一方を、対応する陰極線に供給することができるように構成されている。
【００１０】
そして、前記した陽極線ドライブ回路２および陰極線走査回路３には、ＣＰＵ等を含む発光制御回路４よりコントロールバスを介してそれぞれに制御信号が供給され、表示すべき映像信号に基づいて、前記走査スイッチＳｋ１〜ＳｋｎおよびドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｍの切り換え操作がなされる。これにより、映像信号に基づいて陰極線を所定の周期で接地電位に設定しながら所望の陽極線に対して定電流源Ｉ１〜Ｉｍが接続され、前記各ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎが選択的に発光されることで、表示パネル１上に前記映像信号に基づく画像が表示される。
【００１１】
なお、図２に示す状態は、第２の陰極線Ｋ２が接地電位に設定されて走査状態になされ、この時、非走査状態の各陰極線Ｋ１，Ｋ３〜Ｋｎには、前記した逆バイアス電圧源ＶＭからの逆バイアス電圧が印加される。ここで、走査発光状態におけるＥＬ素子の順方向電圧をＶｆとした時、〔（順方向電圧Ｖｆ）−（逆バイアス電圧ＶＭ）〕＜（発光閾値電圧Ｖｔｈ）の関係となるように各電位設定がなされており、したがってドライブされている陽極線と走査選択がなされていない陰極線との交点に接続された各ＥＬ素子がクロストーク発光するのを防止するように作用する。
【００１２】
ところで、表示パネル１に配列された各有機ＥＬ素子は前記したように個々に寄生容量を有しており、これが陽極線と陰極線との交点位置にマトリクス状に配列されているがため、例えば１つの陽極線に数十個のＥＬ素子が接続されている場合を例にすると、当該陽極線から見て各寄生容量の数百倍もしくはそれ以上の合成容量が負荷容量として陽極線に接続されることになる。この合成容量はマトリクスのサイズが大きくなるにしたがって顕著に増大する。
【００１３】
したがって、ＥＬ素子の点灯走査期間の初めにおいては、陽極線を介した前記定電流源Ｉ１〜Ｉｍからの電流は前記した合成負荷容量を充電するために費やされ、ＥＬ素子の発光閾値電圧（Ｖｔｈ）を十分に超えるまでに前記負荷容量を充電するには時間遅れが発生する。それ故、ＥＬ素子の発光の立ち上がりが遅れる（緩慢になる）という問題が発生する。特に、前記したようにＥＬ素子の駆動源として定電流源Ｉ１〜Ｉｍを用いた場合においては、定電流源は動作原理上、ハイインピーダンス出力回路であるがため、電流が制限されてＥＬ素子の発光立ち上がりの遅れが著しくなる。
【００１４】
これは、ＥＬ素子の点灯時間率を低下させることとなり、したがってＥＬ素子の実質的な発光輝度を低下させるという問題を抱えることになる。そこで、前記した寄生容量によるＥＬ素子の発光立ち上がりの遅れを無くすために図２に示す構成においては、逆バイアス電圧ＶＭを利用して点灯対象のＥＬ素子に充電を実行する動作がなされる。
【００１５】
図３は、点灯対象となるＥＬ素子の寄生容量に充電されている電荷量がゼロになされるリセット期間を含むＥＬ素子の点灯駆動動作を示している。なお、図３（Ａ）は走査同期信号を示しており、この例においては前記走査同期信号に同期して、リセット期間および定電流駆動期間が設定される。
【００１６】
そして、図３（Ｂ）および（Ｃ）は、前記各期間における陽極ドライバ（陽極線ドライブ回路）２に接続された陽極線における点灯ラインおよび非点灯ラインに印加される電位を示している。また、図３（Ｄ）および（Ｅ）は、前記各期間における陰極ドライバ（陰極線走査回路）３に接続された陰極線における走査ラインおよび非走査ラインに印加される電位を示している。
【００１７】
図３に示すリセット期間においては、陽極ドライバ２に備えられた切り換え手段としての前記ドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｍは、点灯制御させるＥＬ素子に対応する陽極線（点灯ライン）に対して、図３（Ｂ）に示すように電圧源ＶＡＭからの電位を供給する。また、非点灯になされるＥＬ素子に対応する陽極線（非点灯ライン）には、図３（Ｃ）に示すように回路の基準電位としての接地電位ＧＮＤを供給するように制御される。
【００１８】
一方、前記リセット期間における陰極ドライバ３は、これに備えられた切り換え手段としての走査スイッチＳｋ１〜Ｓｋｎによって、走査対象とする陰極線（走査ライン）および非走査対象とする陰極線（非走査ライン）に対して図３（Ｄ）および（Ｅ）に示すように、それぞれ逆バイアス電圧ＶＭを印加するようになされる。
【００１９】
また、ＥＬ素子の点灯期間である定電流駆動期間においては、前記ドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｍによって、点灯させるＥＬ素子に対応する陽極線（点灯ライン）には、図３（Ｂ）に示すように定電流源Ｉ１〜Ｉｍより定電流が供給される。また、非点灯になされるＥＬ素子に対応する陽極線（非点灯ライン）には、図３（Ｃ）に示すように回路の基準電位としての接地電位ＧＮＤが設定される。
【００２０】
一方、前記定電流駆動期間における陰極ドライバ３は、これに備えられた前記走査スイッチＳｋ１〜Ｓｋｎによって、走査対象とする陰極線（走査ライン）を図３（Ｄ）に示すように接地電位ＧＮＤに設定し、非走査対象とする陰極線（非走査ライン）に対しては、図３（Ｅ）に示すように逆バイアス電圧ＶＭを印加するように制御される。
【００２１】
前記した定電流駆動期間への移行直後においては、前記点灯ラインに接続されている全てのＥＬ素子の寄生容量の充電量はゼロになされている。そのため、点灯対象のＥＬ素子には逆バイアス電圧源ＶＭから、走査されていないＥＬ素子を介して過渡的に電流が流れ込み、点灯対象のＥＬ素子の寄生容量への充電が急速に行われる。この結果、点灯対象のＥＬ素子の発光の立上がりは比較的迅速に行われる。
【００２２】
前記したように、点灯駆動させようとするＥＬ素子に対して、逆バイアス電圧を利用してプリチャージさせるパッシブ駆動型表示装置は、次に示す特許文献１などに開示されている。
【特許文献１】特開平９−２３２０７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
ところで、前記した構成のパッシブ駆動型表示装置においては、ＥＬ素子の点灯率によっては、点灯率の異なるそれぞれの走査線に対応する各ＥＬ素子の間に、発光輝度のばらつきが生ずるいわゆるシャドーイング（横クロストーク）が発生することが知られている。図４および図５は、前記したシャドーイングが発生する状況を説明するものである。
【００２４】
図４（Ａ）および（Ｂ）は、前記した図３に示すタイミングチャートにしたがうリセット期間におけるＥＬ素子への電圧印加状態および定電流駆動期間におけるＥＬ素子への電圧印加状態をそれぞれ示したものであり、この図４においてはＥＬ素子の点灯率が１００％の場合を例示している。なお、図４においては紙面の都合で、第１と第２および第ｍの陽極線、第１と第２および第ｎの陰極線に対応する各ＥＬ素子への電位の供給状態を示している。
【００２５】
図４（Ａ）に示すように、リセット期間においては走査スイッチＳｋ１〜Ｓｋｎは、すべてＶＭ側に接続され、各走査線Ｋ１〜Ｋｎには逆バイアス電圧ＶＭが印加される。またドライブスイッチＳａ１〜ＳａｍはすべてＶＡＭ側に接続される。ここで、前記逆バイアス電圧ＶＭと、電圧源ＶＡＭとは、ＶＭ＝ＶＡＭの関係になされている。したがって図４（Ａ）に示すリセット期間においては、すべてのＥＬ素子の両端の電位差は無くなり、ＥＬ素子の寄生容量に充電されている電荷量はゼロとなる。
【００２６】
一方、定電流駆動期間においては図４（Ｂ）に示すように、走査点灯させるべき例えば第１の走査線Ｋ１を走査スイッチＳｋ１を介して接地電位ＧＮＤに設定し、他の走査線には走査スイッチＳｋ２〜Ｓｋｎを介して引き続き逆バイアス電圧ＶＭを印加するようになされる。また、この時ドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｍはすべて定電流源Ｉ１〜Ｉｍ側に接続される。
【００２７】
これにより第１の走査線Ｋ１に接続された各ＥＬ素子には、各定電流源Ｉ１〜Ｉｍからの点灯駆動電流が供給される。この時、逆バイアス電位ＶＭから走査されていないＥＬ素子の寄生容量に流れ込む電流が、各陽極線を通じて点灯対象のＥＬ素子のアノード側に過渡的に流れ込み、点灯対象のＥＬ素子の寄生容量への充電が急速に行われる。この結果、点灯対象のＥＬ素子の発光立上がりは比較的迅速に行われる。
【００２８】
次に図５は、ＥＬ素子の点灯率が低下した場合の動作例を示すものであり、図５（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれ図４と同様にリセット期間および定電流駆動期間における各ＥＬ素子への電位の供給状態を示したものである。ただし、この図５に示す例は、第１と第２の陽極線に対応するＥＬ素子は非点灯とされ、第ｍの陽極線に対応するＥＬ素子が点灯される例を示しており、したがってこの図５に示された範囲においては、ＥＬ素子の点灯率は、３３％であると言うことができる。
【００２９】
リセット期間においては図５（Ａ）に示すように各走査線Ｋ１〜Ｋｎには逆バイアス電圧ＶＭが印加される。また第１と第２の陽極線Ａ１，Ａ２は接地電位ＧＮＤに接続されると共に、第ｍの陽極線ＡｍはＶＡＭ側に接続される。これにより、第ｍの陽極線Ａｍに接続された各ＥＬ素子の両端の電位差は無くなり、Ａｍに接続された各ＥＬ素子の寄生容量に充電されている電荷量はゼロとなる。一方、非点灯状態に制御される第１と第２の陽極線Ａ１，Ａ２に接続された各ＥＬ素子には、前記ＶＭによる逆バイアス電圧が印加され、図に示す極性で充電される。
【００３０】
続いて、定電流駆動期間においては、図５（Ｂ）に示すように走査点灯させるべき例えば第１の走査線Ｋ１は接地電位ＧＮＤに設定され、他の走査線には逆バイアス電圧ＶＭが引き続き印加される。この時、非点灯状態に制御される第１と第２の陽極線Ａ１，Ａ２は接地電位ＧＮＤに設定され、点灯制御される第ｍの陽極線Ａｍは定電流源Ｉｍ側に接続される。
【００３１】
これにより、第１の走査線Ｋ１および第ｍの陽極線Ａｍに接続された点灯対象のＥＬ素子には、定電流源Ｉｍからの点灯駆動電流が供給される。この時、逆バイアス電位ＶＭから走査されていないＥＬ素子の寄生容量に流れ込む電流が、各陽極線を通じて点灯対象のＥＬ素子のアノード側に過渡的に流れ込み、点灯対象のＥＬ素子の寄生容量への充電が急速に行われる。この結果、点灯対象のＥＬ素子の発光立上がりは比較的迅速に行われる。
【００３２】
ここで、非点灯対象の各ＥＬ素子には、前記したとおりＶＭによる逆バイアスが既に充電されていて、その状態は変わらないため、点灯対象外の陽極線Ａ１，Ａ２を介した逆バイアスＶＭからの過渡的な電流の流れ込みは殆ど無くなる。その結果、非走査状態の陰極線Ｋ２〜Ｋｎのそれぞれにおける逆バイアス電位の電位低下が殆ど無くなり、非走査状態の各陰極線Ｋ２〜Ｋｎおよび点灯対象となる陽極線Ａｍを介して走査点灯対象のＥＬ素子のアノード側に過渡的に流れ込む電流が図４（Ｂ）に示した状態に比べて増加する。これにより、走査点灯対象とされるＥＬ素子の発光初期の輝度の持ち上がりの度合いが図４に示した例よりも顕著になる。
【００３３】
図６は前記した作用により発生するシャドーイング（横クロストーク）の例を模式的に示したものである。図６に示す表示パターンにおいて、ダブルハッチングを付した“Ａ”部分がＥＬ素子の不点灯状態になされている領域を示し、“Ｂ”部分および“Ｃ”部分はＥＬ素子が点灯状態にされる領域を示している。図６に“Ａ”として示すように走査ライン毎にみて、不点灯素子の割合が多い場合（点灯率が小さい場合）には、“Ｂ”で示す部分は“Ｃ”で示す部分よりも明るく発光する「明るい横クロストーク」が発生する。
【００３４】
以上説明した例は、リセット動作モードにおいて、非点灯状態に制御されるＥＬ素子に対して前記したＶＭの逆バイアス電圧を印加するＶＭリセット方式に基づくものである。これに対して、リセット動作モードにおいて、非点灯状態に制御されるＥＬ素子の両端を、共に接地電位ＧＮＤに設定するＧＮＤリセット方式による場合においては、図６に“Ｂ”で示す部分は“Ｃ”で示す部分よりも暗く発光する「暗い横クロストーク」が発生する。また、前記したシャドーイングは、表示パネルの表示パターンや時定数などの要因により様々な態様で発生する。
【００３５】
さらに、前記した表示パネルにおける各走査線にはそれぞれに配線抵抗が分布している関係で、走査ドライバに近い場合と遠い場合とに応じて、各走査線上において実質的な配線抵抗が異なることになる。したがって図４に基づいて説明したように、ＥＬ素子の点灯率が高く、比較的前記したシャドーイングの影響を受けにくい場合であっても、走査ドライバに近い位置に存在するＥＬ素子と遠い位置に存在するＥＬ素子との間で輝度が異なるいわゆる輝度傾斜が発生するという問題も抱えることになる。
【００３６】
図７は、前記した輝度傾斜が発生する例を説明するものであり、これは先に説明した図４（Ｂ）に示すＥＬ素子の点灯率が高い状態を等価図で示している。図７に示すように走査状態における第１の陰極線Ｋ１に対応する各ＥＬ素子には、それぞれ定電流源Ｉ１〜Ｉｍよりほぼ等しい点灯駆動電流ｉａがそれぞれ供給される。
【００３７】
この時、非走査状態の各陰極線Ｋ２〜Ｋｎを介して、これらの各陰極線に対応するＥＬ素子に対して逆バイアス印加電圧ＶＭからの充電作用が発生し、これに基づいて点灯対象とされるＥＬ素子には図７に示すようにｉｂ，ｉｃ，ｉｄの各電流が流れ込む。これらのｉｂ，ｉｃ，ｉｄの各電流は、非走査状態におけ各陰極線に分布する電気抵抗に基づいてそれぞれ異なる値になるため、結果として第１走査ラインＫ１における各ＥＬ素子の発光輝度がそれぞれに異なる輝度傾斜が発生することになる。
【００３８】
この発明は、上述した問題点に着目してなされたものであり、前記したようにＥＬ素子の点灯率に応じて発生するシャドーイング並びに輝度傾斜を、実用上において問題のないレベルに低減させることができる発光表示パネルの駆動装置および駆動方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００３９】
前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる駆動装置の好ましい形態は、請求項１に記載のとおり、互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記各走査線に対してそれぞれアノード端子を前記各データ線に対してそれぞれカソード端子を接続したダイオード特性を有する発光素子を備えたパッシブマトリクス型発光表示パネルの駆動装置であって、前記走査線のそれぞれを走査選択電位または非走査選択電位に設定するための走査ドライバ側の切り換え手段と、前記データ線のそれぞれを点灯駆動電源または非点灯駆動電源に接続するためのデータドライバ側の切り換え手段とが具備され、前記点灯駆動電源が、前記データドライバ側の切り換え手段を介して、走査状態の発光素子におけるカソード端子側より当該発光素子の点灯駆動電流を基準電位点に向かって吸い込む吸い込み型の定電流源である点に特徴を有する。
【００４０】
また、前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる駆動方法は、請求項１０に記載のとおり、互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記各走査線に対してそれぞれアノード端子を前記各データ線に対してそれぞれカソード端子を接続したダイオード特性を有する発光素子を備えたパッシブマトリクス型発光表示パネルの駆動方法であって、前記発光表示パネルの１走査期間には少なくとも前記発光素子のリセット期間と点灯期間が設定され、前記発光素子のリセット期間においては、走査対象となる走査線に対して走査選択電位を供給すると共に、走査対象外となる走査線に対して非走査選択電位を供給し、かつ全ての前記データ線を非点灯駆動電源に接続する動作が実行され、前記発光素子の点灯期間においては、走査対象となる走査線に対して走査選択電位を供給すると共に、走査対象外となる走査線に対して非走査選択電位を供給し、かつ点灯対象となる前記発光素子が接続されたデータ線を点灯駆動電源に接続すると共に、点灯対象となる前記発光素子が接続されていないデータ線を非点灯駆動電源に接続する動作が実行され、前記点灯駆動電源は、走査状態の発光素子におけるカソード端子側より、当該発光素子の点灯駆動電流を基準電位点に向かって吸い込む電流吸い込み動作を実行することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置について、図８以降に示す実施の形態に基づいて説明する。なお、以下に説明する実施の形態においては、すでに説明した各図に示す構成要素と同一の機能を果たす部分を同一符号で示すことにする。
【００４２】
図８に示す実施の形態は、陰極線ドライブ・陽極線走査の駆動方式によりパッシブマトリクス型表示パネルを点灯駆動させるものである。すなわち、図８に示す例においてはｍ本の走査線（陽極線）Ａ１〜Ａｍが縦方向に配列され、ｎ本のデータ線（陰極線）Ｋ１〜Ｋｎが横方向に配列され、各々の交差した部分（計ｍ×ｎ箇所）に、ダイオードおよびコンデンサのシンボルマークによる並列結合体で示した有機ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎが配置されて、表示パネル１を構成している。
【００４３】
そして、画素を構成する各ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎは、縦方向に沿う陽極線Ａ１〜Ａｍと横方向に沿う陰極線Ｋ１〜Ｋｎとの各交点位置に対応して、ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるアノード端子が陽極線に、ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるカソード端子が陰極線に接続されている。さらに、各陽極線Ａ１〜Ａｍは走査ドライバとしての陽極線ドライブ回路３に接続され、各陰極線Ｋ１〜Ｋｎはデータドライバとしての陰極線ドライブ回路２に接続されてそれぞれ駆動される。
【００４４】
前記走査ドライバ３には切り換え手段としての走査スイッチＳａ１〜Ｓａｍが備えられ、前記陽極線Ａ１〜Ａｍのそれぞれを、走査選択電位ＶＡＨもしくは非走査選択電位（この実施の形態においては、接地電位ＧＮＤ）に設定できるように構成されている。また前記データドライバ２にも切り換え手段としてのドライブスイッチＳｋ１〜Ｓｋｎが備えられ、前記陰極線のそれぞれを点灯駆動電源としての電流吸い込み型の定電流源Ｉ１〜Ｉｎ、または非点灯駆動電源ＶＫＨに設定できるように構成されている。
【００４５】
そして、前記した陽極線ドライブ回路（走査ドライバ）３および陰極線ドライブ回路（データドライバ）２には、ＣＰＵ等を含む発光制御回路４よりコントロールバスを介してそれぞれに制御信号が供給され、表示すべき映像信号に基づいて、前記走査スイッチＳａ１〜ＳａｍおよびドライブスイッチＳｋ１〜Ｓｋｎの切り換え操作が実行される。
【００４６】
これにより、各陽極線（走査線）Ａ１〜Ａｍに対して所定の周期で走査選択電位ＶＡＨを順次与えることで、各陽極線は順次走査状態になされる。これに同期して映像信号に基づいて所望の陰極線Ｋ１〜Ｋｎに対して電流吸い込み型の定電流源Ｉ１〜Ｉn を接続することで、前記各ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎには選択的に点灯駆動電流が与えられ、表示パネル１上に前記映像信号に基づく画像が表示される。
【００４７】
なお、図８に示す状態は第１の陽極線Ａ１が走査選択電位ＶＡＨに設定されて走査状態になされた場合を示しており、この時すべての陰極線Ｋ１〜Ｋｎに対して電流吸い込み型の定電流源Ｉ１〜Ｉn が接続されている。したがって、この状態で各陽極線Ａ１〜Ａｍを順に走査することで、表示パネル１におけるすべてのＥＬ素子が点灯制御（点灯率１００％）されることになる。
【００４８】
図９は、図８における陰極線ドライブ回路（データドライバ）２の構成例、特に電流吸い込み型の定電流源Ｉ１〜Ｉn の構成をディスクリート回路によって示したものである。この図９に示す構成においては図８に示したドライブスイッチＳｋ１〜Ｓｋｎが、それぞれ第１のアナログスイッチＳｋ１ａ〜Ｓｋｎａと、第２のアナログスイッチＳｋ１ｂ〜Ｓｋｎｂによって構成されている。すなわち、前記第１と第２のアナログスイッチが相補的にオン動作することで、データ線（陰極線）Ｋ１〜Ｋｎのそれぞれに、非点灯駆動電源ＶＫＨもしくは各トランジスタＱ１〜Ｑｎで構成される電流吸い込み型の定電流源Ｉ１〜Ｉn のいずれかが接続されるように動作する。
【００４９】
一方、ｎｐｎ型のトランジスタＱ０と、同じくｎｐｎ型の各トランジスタＱ１〜Ｑｎは、前記トランジスタＱ０を電流制御側とするカレントミラー回路を構成している。前記トランジスタＱ０のコレクタには動作電源Ｖｒｅｆが供給され、そのコレクタとベースは抵抗を介して接続されている。またトランジスタＱ０のエミッタは、電流制御抵抗を介して回路の基準電位としての接地ＧＮＤ点に接続されている。
【００５０】
そして、各トランジスタＱ１〜Ｑｎのコレクタは前記データ線（陰極線）Ｋ１〜Ｋｎのそれぞれに接続されると共に、各エミッタは前記第２のアナログスイッチＳｋ１ｂ〜Ｓｋｎｂと抵抗とをそれぞれ介して基準電位としての接地ＧＮＤ点に接続することができるように構成されている。また、各トランジスタＱ１〜Ｑｎのベースはそれぞれ抵抗を介して電流制御側トランジスタＱ０のコレクタに接続されている。
【００５１】
これにより、前記各トランジスタＱ１〜Ｑｎに流れる電流は、電流制御側トランジスタＱ０に流れる電流値によって制御されるカレントミラー回路として機能し、このカレントミラー回路は基準電位点である接地ＧＮＤ点に向かって、ＥＬ素子のカソード側から点灯駆動電流を吸い込むように作用する。
【００５２】
図１０は点灯対象となるＥＬ素子に対して、その両端電位を所定の電位に設定することで、寄生容量に充電されていた電荷を放出するリセット期間を含むＥＬ素子の点灯駆動動作を示している。これはすでに説明した図３と同様のタイミングチャートで示している。そして、図１０（Ａ）は走査同期信号を示しており、この例においては前記走査同期信号に同期して、リセット期間および点灯期間としての定電流駆動期間が設定される。
【００５３】
図１０（Ｂ）および（Ｃ）は、前記各期間における陽極ドライバ（陽極線走査回路）３に接続された陽極線における走査ラインおよび非走査ラインに印加される電位を示している。また、図１０（Ｄ）および（Ｅ）は、前記各期間における陰極ドライバ（陰極線ドライブ回路）２に接続された陰極線における点灯ラインおよび非点灯ラインに印加される電位を示している。
【００５４】
まず図１０に示すリセット期間においては、陽極ドライバ３はこれに備えられた前記走査スイッチＳａ１〜Ｓａｍによって、走査対象とする陽極線（走査ライン）に図１０（Ｂ）に示すように走査選択電位ＶＡＨを接続し、非走査対象とする陽極線（非走査ライン）に対しては、図１０（Ｃ）に示すように接地電位ＧＮＤに設定する。
【００５５】
また、リセット期間における陰極ドライバ２はこれに備えられた前記ドライブイッチＳｋ１〜Ｓｋｎによって、点灯ラインおよび非点灯ラインのいずれに対しても、図１０（Ｄ）および（Ｅ）に示すように非点灯駆動電源ＶＫＨからの電位を供給する。
【００５６】
一方、図１０に示す定電流駆動期間においては、陽極ドライバ３はこれに備えられた前記走査スイッチＳａ１〜Ｓａｍによって、走査対象とする陽極線（走査ライン）を図１０（Ｂ）に示すように走査選択電位ＶＡＨに接続し、非走査対象とする陽極線（非走査ライン）に対しては、図１０（Ｃ）に示すように接地電位ＧＮＤに設定する。
【００５７】
また、定電流駆動期間における陰極ドライバ２はこれに備えられた前記ドライブイッチＳｋ１〜Ｓｋｎによって、点灯ラインを図１０（Ｄ）に示すように点灯駆動電源、すなわちカレントミラー回路による電流吸い込み型定電流源Ｉ１〜Ｉｎに接続する。また非点灯ラインに対しては図１０（Ｅ）に示すように前記した非点灯駆動電源ＶＫＨを供給するように動作する。
【００５８】
図１１〜図１３は、前記した図１０に示すタイミングチャートにしたがうリセット期間におけるＥＬ素子への電圧印加状態および定電流駆動期間におけるＥＬ素子への電圧印加状態をそれぞれ示したものである。なお、図１１はリセット期間におけるＥＬ素子への電圧印加状態を示し、図１２はＥＬ素子の点灯率が高い場合（点灯率が１００％の場合）の定電流駆動期間におけるＥＬ素子への電圧印加状態を、さらに図１３はＥＬ素子の点灯率が低い場合（点灯率が３３％の場合）の定電流駆動期間におけるＥＬ素子への電圧印加状態をそれぞれ示している。
【００５９】
また、図１１〜図１３においてはすでに説明した図４および図５と同様に、紙面の都合により第１と第２および第ｍの陽極線、第１と第２および第ｎの陰極線に対応する各ＥＬ素子への電位の供給状態を示している。
【００６０】
図１１に示すように、リセット期間においてはデータドライバ２におけるドライブスイッチＳｋ１〜Ｓｋｎは、すべて非点灯駆動電源ＶＫＨ側に接続するように制御される。また走査ドライバ３においては走査点灯させるべき例えば第１の走査線Ａ１を走査スイッチＳａ１を介して走査選択電位ＶＡＨに設定し、他の走査線は走査スイッチＳａ２〜Ｓａｍを介して接地電位ＧＮＤに設定する。
【００６１】
ここで、図１０〜図１３に示した実施の形態においては、前記した非点灯駆動電源ＶＫＨおよび走査選択電位ＶＡＨは、ほぼ等しい電位（ＶＫＨ＝ＶＡＨ）となるように設定されている。したがって、図１１に示すリセット状態においては走査点灯対象となる第１の走査線Ａ１に対応する各ＥＬ素子の両端電位は同電位になされ、当該ＥＬ素子の寄生容量に蓄積されている電荷を放出させるリセット動作が実行される。
【００６２】
また走査点灯対象外の各ＥＬ素子に対しては、図１１に破線で示した経路をたどり、非点灯駆動電源ＶＫＨより、ＥＬ素子の寄生容量に対して図に示す極性の電荷が蓄積される。なお、図１１に示すリセット期間における動作は、ＥＬ素子の点灯率に関係なく同様の動作が実行される。
【００６３】
次にＥＬ素子の点灯率が高い場合における定電流駆動期間においては、図１２に示すようにデータドライバ２におけるドライブスイッチＳｋ１〜Ｓｋｎのほとんどは、点灯駆動電源である電流吸い込み型定電流源Ｉ１〜Ｉｎ側に接続されるように動作する。また走査ドライバ３における各走査スイッチＳａ１〜Ｓａｍは、図１１に示したリセットモードと同様の状態になされる。
【００６４】
したがって、図１２に示すように走査点灯対象となる第１の陽極線Ａ１に対応するＥＬ素子の各アノード端子には、走査選択電位ＶＡＨが印加され、また前記ＥＬ素子の各カソード端子は、定電流源Ｉ１〜Ｉｎによって、それぞれ基準電位（接地電位ＧＮＤ）側への定電流の吸い込み動作を受ける。これにより走査点灯対象となる第１の陽極線Ａ１に対応するＥＬ素子には、それぞれ点灯駆動電流が流れ、発光状態になされる。
【００６５】
この時、非走査ラインＡ２〜Ａｍは走査スイッチを介して非走査選択電位（接地電位ＧＮＤ）に設定されているので、この非走査ラインＡ２〜Ａｍから点灯対象とされるＥＬ素子に対する過渡的な電流の回り込みは発生せず、前記したシャドーイングの発生を防止させることができる。また、前記したように点灯対象とされるＥＬ素子に対する過渡的な電流の回り込みは発生しないので、すでに説明したように非走査ラインの分布抵抗により異なる値の電流が点灯対象のＥＬ素子にそれぞれ回り込んで、輝度傾斜を発生させるという問題も解消させることができる。
【００６６】
さらに、前記した構成によると、走査選択がなされていない陽極線とドライブされている陰極線との交点に接続された各ＥＬ素子は、非走査選択電位である接地ＧＮＤ電位と、電流吸い込み型定電流源との間に介在される結果となり、したがって、図２に示したような陰極線走査・陽極線ドライブ形式において生ずるＥＬ素子のクロストーク発光を効果的に防止することができる。
【００６７】
次に図１３は、Ｋｎとして示す陰極線に対応するＥＬ素子を点灯駆動する場合、すなわちＥＬ素子の点灯率が低い場合における定電流駆動期間の動作例を示している。この図１３に示す例においては走査状態の陽極線Ａ１と点灯ラインである陰極線Ｋｎとの間に接続されたＥＬ素子のカソード側より定電流の吸い込み動作が実行され、これにより前記ＥＬ素子は点灯駆動される。
【００６８】
この図１３に示す例においては、定電流駆動期間において、非点灯ラインである陰極線Ｋ１，Ｋ２に対しては、非点灯駆動電源ＶＫＨが印加され、非点灯ラインに対応するＥＬ素子のカソード電極側を前記ＶＫＨにつり上げた状態にされている。すなわち、図１１に示したリセット状態と変わらない。そして、前記した走査選択電位ＶＡＨと、前記非点灯駆動電源ＶＫＨの電位はほぼ等しいことから、走査状態でかつ非点灯制御される各ＥＬ素子の寄生容量を介して電流が流れる経路は発生しない。
【００６９】
また、この時非走査ラインＡ２〜Ａｍは走査スイッチを介して接地電位ＧＮＤに設定されているので、点灯対象とされるＥＬ素子に対する過渡的な電流の回り込みも発生しない。したがって、図１３に示すようにたとえＥＬ素子の点灯率が低い場合であっても、前記したシャドーイングは発生しない。
【００７０】
以上説明した図８〜図１３に示す実施の形態においては非走査選択電位が接地電位ＧＮＤになされ、点灯駆動電源としての吸い込み型定電流源の基準電位が同じく接地電位ＧＮＤになされ、さらに走査選択電位ＶＡＨおよび非点灯駆動電位ＶＫＨが、同電位になされている。この条件下においては、式１に示すように前記走査選択電位ＶＡＨは、前記基準電位に前記ＥＬ素子の発光閾値電圧（Ｖｔｈ）を加えた値以上に設定されることが望しい。これにより、前記した点灯駆動電源として機能する吸い込み型定電流源Ｉ１〜Ｉｎにおける定電流動作を確保することができる。
走査選択電位ＶＡＨ≧（基準電位＋発光閾値電圧Ｖｔｈ）……式１
【００７１】
また、前記した条件下においては、式２に示すように前記非走査選択電位は、前記基準電位に前記発光素子の発光閾値電圧Ｖｔｈを加えた値を超えない電位に設定されていることが望ましい。これにより、非走査状態にある各ＥＬ素子の点灯を防ぐことができる。
非走査選択電位＜（基準電位＋発光閾値電圧Ｖｔｈ）……式２
【００７２】
さらに、前記した条件下においては、式３に示すように前記非点灯駆動電源ＶＫＨの電位は、前記走査選択電位ＶＡＨから前記発光素子の発光閾値電圧Ｖｔｈを減じた値を超える電位に設定されていることが望ましい。これにより、走査状態でかつ非点灯制御される各ＥＬ素子の点灯を防ぐことができる。
非点灯駆動電源ＶＫＨ＞（走査選択電位ＶＡＨ−発光閾値電圧Ｖｔｈ）……式３
【００７３】
以上説明した構成においては、点灯駆動電源として機能する吸い込み型定電流源Ｉ１〜Ｉｎにおける基準電位と非走査選択電位とが共に接地電位（０Ｖ）になされている例を示したが、前記基準電位と非走査選択電位とは接地電位以外の電位、もしくは互いに異なる電位構成とすることもできる。
【００７４】
例えば図１４に示す定電流源Ｉ１〜Ｉｎにおける基準電位を例えば＋５Ｖ、非走査選択電位も＋５Ｖとし、前記した式１〜３の各関係を確保することで、同様の作用効果を得ることができる。また、図１４に示す定電流源Ｉ１〜Ｉｎにおける基準電位を例えば−１Ｖ、非走査選択電位は例えば＋１Ｖとし、前記した式１〜３の各関係を確保することで、同様の作用効果を得ることができる。
【００７５】
なお、前記した構成の発光表示パネル１によると、走査線として機能する陽極線に対して各ＥＬ素子への点灯駆動電流が集中して流れることになり、ドライブ線として機能する各陰極線は１つのＥＬ素子の点灯駆動電流を流すのみとなる。一方、発光機能層からの光を導出する図１に示す透明基板側に形成されるＩＴＯ等による透明電極は、発光機能層上に積層される金属電極に対して固有抵抗がきわめて大きい。
【００７６】
したがって、すでに説明した構成のように陰極線ドライブ・陽極線走査の駆動方式を採用する場合においては、ＩＴＯ等による透明電極と金属電極との間に形成されるＥＬ素子としての発光機能層は、そのアノードおよびカソードの関係が図１（Ａ）に示した構成と逆になるように構成させることが望まれる。すなわち、図１（Ｂ）に示すように発光機能層としての積層構成を図１（Ａ）とは逆の順序で成膜することで、ＩＴＯ等による透明電極に対してＥＬ素子の点灯駆動電流が集中するのを避けることができる。
【００７７】
なお、前記した説明はＩＴＯ等による透明電極が、発光機能層上に積層される金属電極に対して固有抵抗がきわめて大きいという現状の実態に基づくものであり、固有抵抗の小さい透明電極が提供される場合においては、図１（Ａ）に示した発光機能層の積層構造も、好適に採用することができる。
【００７８】
なお、図１（Ｂ）は単に積層構造を示す模式図で示しているが、透明基板上に形成されるデータ線としての透明電極は透明基板上にそれぞれストライプ状に配列され、この透明電極上に発光させるべき領域に応じて少なくとも一層の発光層を含む前記発光機能層が形成され、前記複数の走査線は前記発光機能層上に、前記データ線と交差する方向にストライプ状に積層形成される。
【００７９】
この場合、前記発光機能層は、発光層に加えて走査線側に正孔注入層もしくはデータ線側に電子注入層のいずれかが積層された構成とされる場合もある。また前記発光機能層は、発光層に加えて走査線側に正孔輸送層もしくはデータ線側に電子輸送層のいずれかが積層された構成とされる場合もある。
【００８０】
なお、以上説明した実施の形態においては、表示パネルに配列される発光素子として有機ＥＬ素子を用いた例を示しているが、前記発光素子として容量性の他の素子を用いた場合においても同様の作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】従来の表示パネルの積層構造と、この発明において好適に用いられる表示パネルの積構造とを示した模式図である。
【図２】従来のパッシブマトリクス型表示パネルとその駆動回路の一例を示した回路構成図である。
【図３】図２に示した表示パネルにおける点灯駆動動作を説明するタイミングチャートである。
【図４】図３に示すタイミングチャートにしたがう発光素子の点灯率が高い場合の動作を説明する回路構成図である。
【図５】図３に示すタイミングチャートにしたがう発光素子の点灯率が低い場合の動作を説明する回路構成図である。
【図６】シャドーイングが発生する例を示した模式図である。
【図７】輝度傾斜が発生する例を説明する回路構成図である。
【図８】この発明にかかる駆動装置の実施の形態を示した回路構成図である。
【図９】図８に示すデータドライバの構成例を示した回路構成図である。
【図１０】図８に示した駆動装置による表示パネルの点灯駆動動作を説明するタイミングチャートである。
【図１１】図８に示す構成においてなされるリセット期間の状態を示す回路構成図である。
【図１２】図８に示す構成においてなされる発光素子の点灯率が高い場合の点灯期間の動作を説明する回路構成図である。
【図１３】図８に示す構成においてなされる発光素子の点灯率が低い場合の点灯期間の動作を説明する回路構成図である。
【図１４】図８に示す構成とは異なる設定電位とする例を説明する回路構成図である。
【符号の説明】
【００８２】
１                  発光表示パネル
２                  データドライバ
３                  走査ドライバ
４                  発光制御回路
Ａ１〜Ａｍ          走査線（陽極線）
Ｅ１１〜Ｅｍｎ      発光素子（有機ＥＬ素子）
Ｉ１〜Ｉｎ          点灯駆動電源（定電流源）
Ｋ１〜Ｋｎ          データ線（陰極線）
Ｑ０〜Ｑｎ          トランジスタ（カレントミラー回路）
Ｓａ１〜Ｓａｍ      走査スイッチ（切り換え手段）
Ｓｋ１〜Ｓｋｎ      ドライブスイッチ（切り換え手段）
Ｓｋ１ａ〜Ｓｋｎａ  第１アナログスイッチ
Ｓｋ１ｂ〜Ｓｋｎｂ  第２アナログスイッチ
ＶＡＨ              走査選択電位
ＶＫＨ              非点灯駆動電源
【図１】
2006184649.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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