(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ装置等の電気光学装置の輝度ムラの低減、開口率の向上、及びフリッカの低減を同時に実現する。【解決手段】  画素回路７０Ｇは、保持容量１０及び２０を備えており、これら２つの保持容量により、データ信号に応じた電荷をこれら保持容量に保持することが可能である。保持容量１０及び２０が保持する電荷によれば、１垂直走査期間において走査信号が画素回路７０Ｇに供給されていない期間においても、保持容量１０及び２０に保持された電荷に応じた電圧を電流制御ＴＦＴ８３のゲートに印加することが可能である。【選択図】  図２
2006184384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
相互に交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
該複数のデータ線及び該複数の走査線の交差に対応して夫々配置されており、互いに異なる色の光を発光する複数の発光素子と、
前記データ線に沿って延在するように設けられており、前記発光素子に前記色に応じて夫々異なる電源を供給する複数の主電源線と、
前記走査線に沿って延在するように層間絶縁膜を介して前記主電源線の下層側に設けられており、前記発光素子に前記色に応じて夫々異なる電源を供給する複数の副電源線と、
該副電源線と同一層を含んでなると共に前記層間絶縁膜を介して前記主電源線の下側に前記発光素子毎に設けられており、前記主電源線が延在する延在方向において前記副電源線と電気的に絶縁され、且つ前記層間絶縁膜を貫通する第１導電部を介して前記主電源線に電気的に接続された第１容量電極と、
前記発光素子毎に前記主電源線及び前記副電源線の夫々に沿って延在するように、前記副電源線の下層側に誘電体膜を介して設けられており、前記データ線から供給されるデータ信号に応じた電荷を前記副電源線及び前記第１容量電極の夫々との間で保持するための第１保持容量及び第２保持容量を構成する第２容量電極と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記副電源線は、前記走査線と同一層から構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２容量電極は、前記発光素子の発光を制御する薄膜トランジスタを構成する半導体膜と同一層から構成されており、前記誘電体膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一層から構成されていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１容量電極は、前記主電源線に沿って延在するように前記誘電体膜上の所定の領域に設けられており、
前記第１導電部は、前記主電源線及び前記第１容量電極を電気的に接続するように前記層間絶縁膜を貫通する複数の補助導電部から構成されていること
を特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記主電源線及び前記副電源線のうち互いに同色の光を発光する発光素子に電源を供給する一の主電源線及び一の副電源線が互いに交差する領域で、該一の電源線及び該一の副電源線は前記層間絶縁膜を貫通する第２導電部を介して電気的に接続されていること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記発光素子は、有機ＥＬ素子であること
を特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、カラー表示可能な有機ＥＬ装置等の電気光学装置及びこれを備えた電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に代わる画像表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置が注目されている。有機ＥＬ素子は、光の透過量を変化させる液晶素子とは異なり、素子自身が発光する電流駆動型の自発光素子である。
【０００３】
有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス駆動の電気光学装置では、有機ＥＬ素子の発光階調を調整するための画素回路が、各画素に設けられている。画素回路における発光階調の設定は、発光階調に応じた電圧又は電流を画素回路に供給し、有機ＥＬ素子に流れる駆動電流を調整することによって行われる。ここで、画素とは、画像表示領域を構成する単位領域であって、その領域内に有機ＥＬ素子を一つずつ含む場合、或いは赤色、緑色及び青色等の光を発光する複数の有機ＥＬ素子を一つずつ含んでなる場合の両方の意味を含む。尚、本明細書において、画像表示領域は複数の画素領域を含む画像表示面全体の範囲を意味し、画素回路とは、各画素に含まれる有機ＥＬ素子及び半導体素子等を備える回路であって、各画素に含まれる単位回路を意味する。
【０００４】
有機ＥＬ素子を駆動するには駆動電流を流す必要があるため、電源回路から画素回路までの電源線において電圧降下が生じる。このような電源線の引き回しによる電圧降下を低減するために、例えば、特許文献１に示すような電源線が提案されている。特許文献１によれば、画素領域の内部に配列された配線によって電流が上下方向から画素回路に供給される。
【０００５】
また、アクティブマトリクス駆動される有機ＥＬ装置は、通常有機ＥＬ素子に流れる駆動電流を制御する薄膜トランジスタを備えている。このような薄膜トランジスタは、画素回路の保持容量から印加される電圧によってオン・オフが切り換えられる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１０８２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この種の電気光学装置では、上述した電圧降下の低減及び保持容量の確保に加えて各画素領域における開口率を高めることが画質を向上させるために重要になる。しかしながら、電源線を極力細くすることによる開口率の確保、電源線の電圧降下に起因する画像表示領域内における輝度ムラの防止、及び１垂直走査期間において電位を保持するだけの十分な保持容量の確保の３つの課題を同時に解決することは困難である。このような問題点に対し、例えば、電源線を画像表示領域に格子状に配置する、或いは電源線を縦方向にのみ配線し、その電源線の下に保持容量を作り込むことも考えられるが、やはり上記３つの課題を同時に解決することは困難である。より具体的には、開口率を高めるために電源線を細くした場合には、電源線における電圧降下が増大する。また、高解像を得るために画素領域のサイズを小さくした場合には、画素回路毎に十分な保持容量を作り込むことが困難になり、例えばフリッカの如き不具合が発生する。尚、本明細書中において、“各画素の開口率”或いは単に“開口率”とは、画素毎に、その全領域のうち実質的に光が出射される領域たる“開口領域”が占める割合を意味する。即ち、各画素において、有機ＥＬ素子から出射された光が配線等で遮られることがない開口領域及びそれ以外の非開口領域を含む、各画素の全領域たる“画素領域”のうち、開口領域が占める割合を意味する。
【０００８】
本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、電源線における電圧降下の低減、保持容量の確保及び開口率の確保によって、表示性能が高められた有機ＥＬ装置等の電気光学装置及びこれを備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、相互に交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、該複数のデータ線及び該複数の走査線の交差に対応して夫々配置されており、互いに異なる色の光を発光する複数の発光素子と、前記データ線に沿って延在するように設けられており、前記発光素子に前記色に応じて夫々異なる電源を供給する複数の主電源線と、前記走査線に沿って延在するように層間絶縁膜を介して前記主電源線の下層側に設けられており、前記発光素子に前記色に応じて夫々異なる電源を供給する複数の副電源線と、該副電源線と同一層を含んでなると共に前記層間絶縁膜を介して前記主電源線の下側に前記発光素子毎に設けられており、前記主電源線が延在する延在方向において前記副電源線と電気的に絶縁され、且つ前記層間絶縁膜を貫通する第１導電部を介して前記主電源線に電気的に接続された第１容量電極と、前記発光素子毎に前記主電源線及び前記副電源線の夫々に沿って延在するように、前記副電源線の下層側に誘電体膜を介して設けられており、前記データ線から供給されるデータ信号に応じた電荷を前記副電源線及び前記第１容量電極の夫々との間で保持するための第１保持容量及び第２保持容量を構成する第２容量電極とを備える。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置によれば、電流駆動型の発光素子は、例えば有機ＥＬ素子等であり、例えば、赤色、緑色、及び青色の対応した波長の光を発生する発光素子として、複数の走査線及び複数のデータ線が交差する領域に対応して設けられた画素領域に夫々配置されている。したがって、その動作時には、データ線及び走査線を介して画像信号及び走査信号を供給することで、これら素子を所要のタイミングで発光させることによって、画像をカラー表示できる。
【００１１】
ここで、複数の主電源線及び複数の副電源線は、基板上で互いに交差するように配置された複数の走査線及び複数のデータ線に沿って延在するように設けられているため、これら電源線における電圧降下を低減できる。より具体的には、例えば、有機ＥＬ装置の画像表示領域において縦方向及び横方向の一方の方向に沿ってのみ電源線を設ける場合に比べて、縦方向及び横方向の夫々に沿って電源線を設けることによって電源線全体の電気抵抗を低減でき、電源線における電圧降下を低減できる。これに伴い、電源線の夫々のサイズ、より具体的には例えば幅を小さくでき、画素領域における開口率を高めることが可能である。
【００１２】
複数の主電源線及び複数の副電源線は、例えば、赤色、緑色、及び青色の夫々の光を発生する有機ＥＬ素子に応じて個別に電源を供給する。例えば、赤色の光を発光する有機ＥＬ素子に緑色の光を発光する有機ＥＬ素子に供給される電源が供給されることがなく、各色を発光する有機ＥＬ素子に応じた適切な電源が供給される。より具体的には、例えば、有機ＥＬ素子の如き電流駆動型の自発光素子に関して、発光させるべき光の波長及び輝度に応じて適切な駆動電流及び電圧等があり、これら駆動電流及び電圧からはずれた電流等が発光素子に供給された場合、輝度及び光の波長が狙いの値からずれてしまうが、本発明に係る電気光学装置によれば、各色に応じた適切な電源を有機ＥＬ素子に供給することにより、所要の波長及び輝度の光を発光するように各有機ＥＬ素子を駆動することが可能である。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置によれば、複数の副電源線及び複数の第１容量電極の夫々と、第２容量電極との間で第１保持容量及び第２保持容量を構成でき、これら第１及び第２保持容量によって、例えばフリッカを低減するために十分な保持容量を確保できる。本発明に係る「第１保持容量」は、副電源線及び第２容量電極の夫々を容量電極として構成されており、「第２保持容量」は、第１容量電極及び第２容量電極の夫々を容量電極として備える。第１容量電極は、副電源線と電気的に絶縁されており且つ主電源線に電気的に接続されているので、副電源線による色別の電源供給を可能としつつ、主電源線に沿って第２保持容量を画素回路毎に設けることが可能となる。加えて、副電源線、第２容量電極、及び誘電体膜により、副電源線に沿って、例えば画素回路毎に第１保持容量を設けることが可能である。即ち、主電源線及び副電源線の夫々に沿って第１保持容量及び第２保持容量を画素回路毎に設けることが可能であり、これら第１及び第２保持容量によって十分な容量を確保でき、フリッカ等の不具合を低減できる。本発明に係る「第２容量電極」とは、例えば、画素回路に含まれる半導体素子を構成する半導体膜であり、「誘電体膜」とは、半導体層の上側に成膜された絶縁膜を意味する。このような絶縁膜は、通常非常に薄い膜厚を有することから第１保持容量及び第２保持容量を構成する誘電体層として機能し得る。尚、主電源線及び副電源線は互いに交差するように設けられるため、これら電源線の間には、これら電源線を互いに絶縁するように層間絶縁膜が介在する。そこで、例えばコンタクトホールに形成されたコンタクト部如き第１導電部を介して主電源線及び第１容量電極を電気的に接続しておくことにより、データ信号に応じた電荷を第２保持容量に保持できる。
【００１４】
以上により、本発明に係る電気光学装置によれば、電源線における電圧降下を低減でき、しかも開口率を高くできる。加えて、本発明に係る電気光学装置によれば、十分な保持容量を発光素子毎に確保できることから、例えばフリッカ等の不具合を低減でき、表示性能に優れた電気光学装置を提供することが可能である。
【００１５】
本発明に係る電気光学装置の一の態様においては、前記副電源線は、前記走査線と同一層から構成されていてもよい。
【００１６】
この態様によれば、例えば、基板上に走査線及び副電源線を構成する導電膜を一括して形成でき、走査線及び副電源線を別々の工程で形成する場合に比べて簡便な製造プロセスによって電気光学装置を製造することが可能である。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置の他の態様においては、前記第２容量電極は、前記発光素子の発光を制御する薄膜トランジスタを構成する半導体膜と同一層から構成されており、前記誘電体膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一層から構成されていてもよい。
【００１８】
この態様によれば、基板上に発光素子毎に設けられる薄膜トランジスタの素子構造を利用して第２容量電極及び誘電体層を構成でき、別途新たな構造を電気光学装置に設けることなく、第２保持容量を構成できる。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置の他の態様においては、前記第１容量電極は、前記主電源線に沿って延在するように前記誘電体膜上の所定の領域に設けられており、前記第１導電部は、前記主電源線及び前記第１容量電極を電気的に接続するように前記層間絶縁膜を貫通する複数の補助導電部から構成されていてもよい。
【００２０】
この態様によれば、第２保持容量を所要の容量を有する保持容量として構成できることに加え、主電源線の電気抵抗を低減できる。より具体的には、主電源線が複数の補助導電部によって第１容量電極と電気的に接続されていることにより、第１容量電極分だけ主電源線の電気抵抗を低減できる。即ち、第１容量電極によって新たに電源の供給路が付加された分だけ主電源線を介して供給される電源に対する電気抵抗が小さくなり、その分主電源線における電圧降下を低減できる。ここで、補助導電部は、例えば、層間絶縁膜を貫通する複数のコンタクト部であり、これらコンタクト部は主電源線に沿って設けられている。この態様によれば、主電源線における電圧降下を低減でき、電気光学装置の表示性能を高めることが可能である。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置の他の態様においては、前記主電源線及び前記副電源線のうち互いに同色の光を発光する発光素子に電源を供給する一の主電源線及び一の副電源線が互いに交差する領域で、該一の電源線及び該一の副電源線は前記層間絶縁膜を貫通する第２導電部を介して電気的に接続されていてもよい。
【００２２】
この態様によれば、一の主電源及び一の副電源線からこれら電源線に対応した色に発光する発光素子に電源を供給でき、効果的に発光素子に電源を供給できる。より具体的には、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）に発光する発光素子が、所謂ストライプ配列で画像表示領域に配置されている場合、赤色の発光素子に電源を供給する主電源線及び赤色の発光素子に電源を供給する副電源線が交差した領域でこれら２本の電源線は電気的に接続され、夫々が赤色の発光素子に電源を供給する。これと同様に、緑色又は青色に発光する発光素子に電源を供給する主電源線及び副電源線も互いに交差する領域で互いに電気的に接続される。即ち、画像表示領域において、互いに異なる色に発光する発光素子に電源を供給する主電源及び副電源線は互いに電気的に接続されないように層間絶縁膜を介して絶縁されている。一方、同色に発光する発光素子に電源を供給する主電源線及び副電源線は、層間絶縁膜を貫通する第２導電部の一例であるコンタクト部を介して互いに電気的に接続される。従って、同一色の電源線について見れば、冗長性が増すことで配線としての信頼性が増大し、しかも冗長構造による低抵抗化を図ることも可能となる。
【００２３】
本発明に係る電気光学装置の他の態様においては、前記発光素子は、有機ＥＬ素子であってもよい。
【００２４】
この態様によれば、有機ＥＬ素子の発光特性を十分に発揮させることができ、これにより電気光学装置の表示性能も高めることが可能である。
【００２５】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００２６】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。更に、本発明に係る電子機器によれば、プリンタヘッドを備えたプリンタ等の画像形成装置も実現可能である。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００２７】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照しながら本発明に係る電気光学装置及びこれを備えた電子機器の実施形態を説明する。
【００２９】
先ず、図１を参照しながら本発明に係る「電気光学装置」の実施形態である有機ＥＬ装置１の電気的な接続構成を説明する。図１は、有機ＥＬ装置１の電気的な接続構成を示すブロック図である。尚、以下では図１中の横方向をＸ方向、縦方向をＹ方向する。
【００３０】
図１において、有機ＥＬ装置１は、電源系統９、有機ＥＬパネル１００、駆動回路１２０、画像信号処理回路３００、タイミングジェネレータ４００、及び電源回路５００を備えている。
【００３１】
有機ＥＬパネル１００は、その素子基板の中央を占める画像表示領域１１０に、図中縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２と、データ線１１４及び走査線１１２が交差する位置に合わせてマトリクス状に設けられた複数の画素回路７０とを備えている。画素回路７０の夫々は有機ＥＬ素子を備えており、有機ＥＬ素子の発光色に応じて３種類の画素回路７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂに分けられる。より具体的には、画素回路７０は、駆動時に赤色（Ｒ）に発光する有機ＥＬ素子を備えた画素回路７０Ｒ、緑色（Ｇ）に発光する有機ＥＬ素子を備えた画素回路７０Ｇ、青色（Ｂ）に発光する有機ＥＬ素子を備えた画素回路７０Ｂに分けられる。画素回路７０は、図中Ｘ方向に沿って左側から順に画素回路７０Ｒ、画素回路７０Ｇ、画素回路７０Ｂ、・・・、画素回路７０Ｒ、画素回路７０Ｇ、画素回路７０Ｂの順に配置されており、図中Ｙ方向に沿って同一の列に同種の画素回路７０が配列されている。即ち、所謂ストライプ配列が、ここでは採用されている。後述するように、画素回路７０は、書込み制御ＴＦＴ８１、保持ＴＦＴ８２、電流制御ＴＦＴ８３、及び発光制御ＴＦＴ８４等の薄膜トランジスタを備えており、データ線１１４及び走査線１１２は所定の薄膜トランジスタに電気的に接続されている。
【００３２】
有機ＥＬ装置１は、データ線１１４、走査線１１２、及び電源系統９から供給される各種信号及び電源によってカラー画像を表示できる。尚、本実施形態では、画素回路７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂの夫々が個別の画素部を構成しているが、これら画素回路７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂを一組として一つの画素部を構成することも可能である。本実施形態では、画素回路７０の配置の例として格子状の配列を例に挙げているが、本発明に係る電気光学装置は本実施形態に係る画素回路７０の配置、即ちストライプ配列に限定されるものではなく、例えば、画素回路７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂが、所謂デルタ配列やトライアングル配列に配設されている場合であってもよい。即ち、本発明に係る電気光学装置は、画素回路７０に電源を供給する電源線の交差に対応して画素回路が配設されているものであれば如何なる電気光学装置にも適用可能である。
【００３３】
電源回路５００は、３色に発光する有機ＥＬ素子に対応した３種類の電源を生成し、これら電源を画像表示領域１１０の周辺に配設された外側電源線１１に供給する。外側電源線１１は、電源回路５００から供給される電源種に応じて３種類の外側電源線１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂから構成されている。
【００３４】
電源系統９は、３種類の外側電源線１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂから構成される外側電源線１１、本発明に係る「主電源線」の夫々一例である３種類のＹ電源線１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂから構成されるＹ電源線１３、本発明に係る「副電源線」の夫々一例である３種類のＸ電源線１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂから構成されるＸ電源線１２を備えており、赤色、緑色、青色の各色に発光する有機ＥＬ素子を備えた画素回路７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂに対してこれら色に応じた電源を供給する。
【００３５】
Ｘ電源線１２及びＹ電源線１３は、画像表示領域１１０内で互いに交差するように格子状に配設されている。Ｙ電源線１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂは、図中Ｘ方向に沿って順に配設されており、電源回路５００に夫々電気的に接続された外側電源線１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂから図中Ｙ方向に沿って延在するように枝分かれした電源線である。より具体的には、Ｙ電源線１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂは、画像表示領域１１０内に延在されており、電源回路５００から各画素回路７０に含まれる有機ＥＬ素子に駆動電流を供給する電流供給線の一部である。本実施形態では、画素回路７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂが図中Ｘ方向に沿って画素回路７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂの順で繰り返し配列されており、Ｙ電源線１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂも画素回路７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂの配列に合わせて図中左側からＹ電源線１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂの順で配設されている。
【００３６】
Ｙ電源線１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂは、画素回路７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂに電気的に接続されており、各画素回路７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂに応じた電源を供給する。より具体的には、Ｙ電源線１３Ｒは外側電源線１１Ｒを介して供給された赤色に発光する有機ＥＬ素子用の電源を画素回路７０Ｒに電源を供給する。同様に、Ｙ電源線１３Ｇ及びＹ電源線１３Ｂも、緑色又は青色に発光する有機ＥＬ素子用の電源を画素回路７０Ｇ又は画素回路７０Ｂに供給する。即ち、Ｙ電源線１３は、有機ＥＬ素子が発光する色に対応した電源を供給する複数種類の電源線から構成される。
【００３７】
Ｘ電源線１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂは、外側電源線１１Ｒ、１１Ｇ、１１ＢのうちＹ方向に沿って延在する一部から夫々枝分かれした電源線であり、図中Ｘ方向に沿って延在する。Ｘ電源線１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂは、Ｙ電源線１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂと同様に画素回路７０が備える有機ＥＬ素子に駆動電流を供給する電流供給線である。Ｘ電源線１２Ｒには、外側電源線１１Ｒから赤色の有機ＥＬ素子を発光させるための電源が供給される。同様に、Ｘ電源線１２Ｇ及び１２Ｂの夫々には、外側電源線１１Ｇ及び１１Ｂから緑色の有機ＥＬ素子又は青色の有機ＥＬ素子の夫々を発光させるための電源が供給される。即ち、Ｘ電源線１２は、Ｙ電源線１３と同様に有機ＥＬ素子が発光する色に応じた電源を供給する複数種類の電源線を含んでいる。
【００３８】
Ｘ電源線１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂは、マトリクス状に配置された画素回路７０の各行Ｌｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｎ；ｎは自然数）に一本ずつ設けられており、各行の画素回路７０のうちＸ電源線１２Ｒ、１２Ｇ及び１２Ｂの夫々に対応する画素回路７０に電源を供給する。より具体的には、図中最も上側の行Ｌ１に延在されたＸ電源線１２Ｒは、行Ｌ１に含まれる画素回路７０Ｒに電気的に接続されている。同様に、行Ｌ１の次の行Ｌ２に延在されたＸ電源線１２Ｇは、行Ｌ２に含まれる画素回路７０Ｇに電気的に接続されており、行Ｌ２の次の行Ｌ３に延在されたＸ電源線１２Ｂは、行Ｌ３に含まれる画素回路７０Ｂに電気的に接続されている。行Ｌ３の次の行Ｌ４から図中も最も下側に位置する行Ｌｎまでの各行に、Ｘ電源線１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂの順で一本ずつＸ電源線１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂが延在される。よって、画像表示領域１１０において、Ｘ電源線１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂは、これら各電源線に応じた画素回路７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂに電気的に接続されている。
【００３９】
Ｘ電源線１２及びＹ電源線１３によれば、電源回路５００から画素回路７０に電源を供給する際に電源系統９に生じる電圧降下を低減することが可能である。電源系統９に含まれる電源線のうち画像表示領域１１０内に延在されるＸ電源線１２及びＹ電源線１３を画像表示領域１１０内で格子状に配設することによって、Ｙ電源線１３のみから画素回路７０に電源を供給する場合、又はＸ電源線１２のみから画素回路７０に電源を供給する場合に比べて、Ｘ電源線１２及びＹ電源線１３の幅を狭くしつつ、電源系統９全体の電気抵抗を低減できる。したがって、画素回路７０に電源を供給する際に電源系統９で生じる電圧降下を低減することが可能であり、電源線における電圧降下に起因して生じる画像表示領域１１０内の輝度ムラを低減できる。例えば、画像表示領域１１０の端付近に配置された画素回路７０Ｒに供給される電源と、画像表示領域１１０の中央付近に配置された画素回路７０Ｒに供給される電源との電圧の差を低減でき、同じ輝度で発光すべき有機ＥＬ素子が、画像表示領域１１０内に配置された画素回路７０の位置の違いによって異なる輝度で発光することを低減できる。特に、有機ＥＬ装置１が大画面を有する場合には、電圧降下のバラツキによる輝度ムラが効果的に低減される。これにより、画像表示領域１１０内全体で輝度ムラを低減でき、有機ＥＬ装置１の画質を高めることが可能である。
【００４０】
Ｘ電源線１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂは、各行Ｌ１、Ｌ２、・・・、Ｌｎに含まれる画素回路７０のうち、Ｘ電源線１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂの夫々に対応する画素回路７０Ｒ、７０Ｇ、７０Ｂにのみ電気的に接続されているため、一の色に発光する有機ＥＬ素子を備えた画素回路７０に他の色に発光する有機ＥＬ素子を備えた画素回路７０に供給するべき電源が供給されることがない。より具体的には、Ｘ電源線１２Ｒ及びＹ電源線１３Ｒは、画素回路７０Ｒにのみ電源を供給する。同様に、画素回路７０Ｇ及び７０Ｂの夫々に対応した電源が、Ｘ電源線１２Ｇ及び１２Ｂ、並びにＹ電源線１３Ｇ及び１３Ｂから夫々供給される。Ｘ電源線１２及びＹ電源線１３によれば、電源回路５００で生成する電源の電圧又は電流等の諸条件を設定しておくことにより、各種有機ＥＬ素子の発光色に応じて異なる電源を供給できる。各有機ＥＬ素子の発光効率は発光色毎に異なるため、Ｘ電源線１２及びＹ電源線１３の夫々に供給される電源を有機ＥＬ素子の発光色に応じて異ならせておけば、効率良く各有機ＥＬ素子を発光させることが可能である。加えて、各有機ＥＬ素子で発生する光が所定の波長からずれることを低減できる。また、各電源線における電圧降下を低減するため、或いは均一にするためにＸ電源線１２及びＹ電源線１３の線幅を電源の最終的な供給先である有機ＥＬ素子の発光色に応じて設定してもよい。
【００４１】
駆動回路１２０は、走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０を備えて構成されている。
【００４２】
走査線駆動回路１３０は、マトリクス状に配列された画素回路７０の行毎に配設された走査線１１２を介して走査信号を画素回路７０の各行に供給する。尚、後述するように、走査線１１２は、画素回路７０に書き込み信号を供給する書込み制御信号線と、発光制御信号を供給する発光制御信号線を含んで構成される。データ線駆動回路１５０は、データ信号を各データ線１１４に順次供給する。本実施形態では、駆動回路１２０は、有機ＥＬ装置１の素子基板上に構築されているため、有機ＥＬパネル１００は、駆動回路内蔵型のパネルである。駆動回路１２０は、好ましくは、画像表示領域１１０に作り込まれる各画素回路７０に係る薄膜トランジスタ等の半導体素子と共に、素子基板上における画像表示領域１１０の周辺に位置する周辺領域に作り込まれる。但し、このような駆動回路１２０は、少なくとも部分的に外付けＩＣとして構成され、周辺領域に後付けされてもよい。
【００４３】
タイミングジェネレータ４００は、有機ＥＬパネル１００の各部で使用される各種タイミング信号を出力する。タイミングジェネレータ４００の一部であるタイミング信号出力手段により、最小単位のクロックであり各画素回路を走査するためのドットクロックが作成され、このドットクロックに基づいて、Ｙクロック信号ＹＣＫ、反転Ｙクロック信号ＹＣＫＢ、Ｘクロック信号ＸＣＫ、反転Ｘクロック信号ＸＣＫＢ、Ｙ転送開始パルスＤＹ及びＸ転送開始パルスＤＸが生成される。
【００４４】
画像信号処理回路３００は、外部から入力画像データＤ１が入力されると、この入力画像データＤ１に基づいて画像信号Ｄ２を生成する。画像信号Ｄ２はデータ線駆動回路１５０に含まれるラッチ回路等でラッチ又はサンプリングされ、データ信号ｄ１、ｄ２、・・・、ｄｎとしてデータ線１１４から有機ＥＬパネル１００の各画素回路７０に供給される。
【００４５】
次に、図２乃至図８を参照しながら、画素回路７０の具体的な構成を説明する。尚、本実施形態では、画素回路７０におけるＸ電源線１２及びＹ電源線１３の接続形態は、有機ＥＬ素子の発光色、Ｘ電源線１２及びＹ電源線１３から供給される電源種の組み合わせに応じて大きく２つの接続形態に分類される。以下では、この２つの接続形態の夫々を順次示しながら画素回路７０の構成を説明する。
【００４６】
先ず、図２乃至図５を参照しながら画素回路７０におけるＸ電源線１２及びＹ電源線１３の接続構成の一形態を説明する。図２は、画素回路７０Ｇの具体的な構成を示す平面図である。より具体的には、図１中の領域Ａ内に形成された画素回路７０Ｇの具体的な構成を示す平面図である。図１に示すように領域Ａ内には、２つの画素回路７０Ｇが図中上下方向に並んで形成されている。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図であり、図４は、図２のＩＶ−ＩＶ´線断面図である。図５は、図２に示す画素回路７０Ｇの回路図である。
【００４７】
図２、図３及び図４において、画素回路７０Ｇは、有機ＥＬ素子７２Ｇ、保持容量１０及び２０、書込み制御ＴＦＴ８１、保持ＴＦＴ８２、電流制御ＴＦＴ８３、発光制御ＴＦＴ８４を備えている。
【００４８】
図２及び図３において、有機ＥＬ素子７２Ｇは、例えば、ガラス基板等の素子基板８上に、不図示の透明電極である陽極と、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含む有機ＥＬ層と、陰極とを重ねて構成された多層構造を有している。図３及び図４において、図２において図示を省略したアクリル層２６及び背面電極２７が形成されている。アクリル層２６は、素子基板８上に形成される複数の有機ＥＬ素子を互いに仕切る隔壁部である。背面電極２７は、各有機ＥＬ素子のカソード側と共通に電気的に接続されており、陰極として機能する。背面電極２７の上側には、有機ＥＬ素子を封止するガラス基板等の対向基板が配置される。
【００４９】
図２、図３及び図４において、保持容量１０は、本発明に係る「第１保持容量」の一例であり、本発明に係る「第２容量電極」の一例である半導体層２２、本発明に係る「誘電体膜」の一例であるゲート絶縁膜２３、及びＸ電源線１２Ｒの一部から構成されている。
【００５０】
図３及び図４において、半導体層２２は、素子基板８上に形成された絶縁膜２１上で、例えば、アモルファスシリコン膜を結晶化させることによって得られるポリシリコン層である。半導体層２２は、絶縁膜２１上に形成されたアモルファスシリコン膜を所定の形状にパターニングした後、このアモルファスシリコン膜を結晶化させることによって得られる。ポリシリコン層はアモルファスシリコン膜に比べてキャリアの移動度が大きいため、半導体層２２は保持容量１０を構成する容量電極として十分機能する。
【００５１】
図２、図３及び図４において、半導体層２２は、素子基板８上の同一平面に形成される書込み制御ＴＦＴ８１、保持ＴＦＴ８２、電流制御ＴＦＴ８３、及び発光制御ＴＦＴ８４のチャネル領域を含む半導体層と同一層として形成されている。より具体的には、絶縁膜２１上に形成された半導体層２２のうちＸ電源線１２Ｒに沿って広がる部分が、保持容量１０を構成する一方の容量電極として機能する。したがって、保持容量１０を構成する容量電極として別途新たな電極を設ける必要がなく、素子基板８上に形成された既存の層構造を利用して保持容量１０を構成できる。半導体層２２のうち、Ｙ電源線１３Ｇの下層側に延在する一部が保持容量２０を構成する一方の容量電極として機能する。
【００５２】
図２、図３及び図４において、ゲート絶縁膜２３は、書込み制御ＴＦＴ８１、保持ＴＦＴ８２、発光制御ＴＦＴ８４、電流制御ＴＦＴ８３のゲート絶縁膜と同一層として半導体層２２を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜２３は、書込み制御ＴＦＴ８１等のゲート絶縁膜を形成する際に同時形成される。ゲート絶縁膜２３は極薄い膜厚を有しており、保持容量１０及び２０の誘電体膜として機能する。
【００５３】
図２において、Ｘ電源線１２Ｒは、Ｘ方向に沿って画素回路７０Ｇ内に延在されている。Ｘ電源線１２Ｒは、書込み制御ＴＦＴ８１、保持ＴＦＴ８２、発光制御ＴＦＴ８４、電流制御ＴＦＴ８３のゲートと同一層として形成された後、所要の形状にパターニングされている。図３及び図４において、Ｘ電源線１２Ｒは、ゲート絶縁膜２３上に形成されており、保持容量１０を構成する一方の容量電極として機能する。保持容量１０は、ゲート絶縁膜２３の上側に延在するＸ電源線１２Ｒ及びゲート絶縁膜２３の下層側に延在する半導体層２２を一対の容量電極として含む。
【００５４】
図２、図３及び図４において、保持容量２０は、本発明に係る「第２保持容量」の一例であり、半導体層２２、ゲート絶縁膜２３、及び本発明に係る「第１容量電極」の一例である導電膜２９から構成されている。
【００５５】
図２及び図３において、導電膜２９は、Ｘ電源線１２Ｒと同一層であり、Ｘ電源線１２Ｒと同様に、書込み制御ＴＦＴ８１、保持ＴＦＴ８２、電流制御ＴＦＴ８３、及び発光制御ＴＦＴ８４のゲートと同一層として形成された後、所定の形状にパターニングされることによって形成されている。より具体的には、導電膜２９は、Ｙ電源線１３の下層側でＹ方向に沿って延在するようにパターニングされ、画素回路７０毎に設けられている。尚、Ｙ電源線１３Ｇは、素子基板８上に形成される書込み制御ＴＦＴ８１、保持ＴＦＴ８２、電流制御ＴＦＴ８３、発光制御ＴＦＴ８４等の素子のソース電極と同一層として形成された後、所定の形状にパターニングされることによって形成されている。
【００５６】
図２及び図３において、導電膜２９及びＹ電源線１３Ｇは、本発明に係る「補助導電部」の夫々一例であるコンタクト部３１及び３２を介して電気的に接続されている。導電膜２９の電位はＹ電源線１３の電位と同電位に維持され、後に詳細に説明するように導電膜２９及び半導体層２２の電位差に応じた電荷が保持容量２０に保持される。ゲート絶縁膜２３は、導電膜２９及び半導体層２２の間に介在していることから、保持容量２０の誘電体膜として機能する。
【００５７】
このように、画素回路７０Ｇは、保持容量１０及び２０を備えており、これら２つの保持容量により、データ信号に応じた電荷をこれら保持容量に保持することが可能である。保持容量１０及び２０が保持する電荷によれば、１垂直走査期間において走査信号が画素回路７０Ｇに供給されていない期間においても、保持容量１０及び２０に保持された電荷に応じた電圧を電流制御ＴＦＴ８３のゲートに印加することが可能である。Ｙ電源線１３Ｇから有機ＥＬ素子７２Ｇに駆動電流が流れる電流経路を構成する電流制御ＴＦＴ８３のオン状態を維持することにより、１垂直走査期間において引き続き有機ＥＬ素子を点灯させておくことが可能である。保持容量１０及び２０によれば、Ｘ電源線１２及びＹ電源線１３の一方に沿って保持容量を形成する場合より多くの容量を画素回路７０Ｇ毎に設けることが可能であり、有機ＥＬ装置１の表示性能を低下させることなく有機ＥＬ装置１をアクティブマトリクス駆動できる。尚、画素回路７０Ｒ及び７０Ｂも、画素回路７０Ｇと同様に２つの保持容量を備えており、１垂直走査期間においてこれら画素回路７０Ｒ及びＢに含まれる有機ＥＬ素子を継続して点灯させることが可能である。
【００５８】
図２及び図３において、コンタクト部３１及び３２は、本発明に係る「第１導電部」の一例を構成する。コンタクト部３１及び３２は、コンタクトホール５０及び５１に充填された導電材料により構成されており、導電膜２９及びＹ電源線１３Ｇを電気的に接続している。コンタクト部３１及び３２が形成されるコンタクトホール５０及び５１は、導電膜２９及びＸ電源線１２Ｒ上に形成された絶縁膜２４をＹ電源線１３Ｇから導電膜２９まで貫通している。コンタクト部３１及び３２は、図中Ｙ方向に沿って導電膜２９の両端に電気的に接続されている。コンタクト部３１及び３２、並びに導電膜２９によれば、Ｙ電源線１３Ｇに導電膜２９が電気的に接続されている分だけ導電膜２９を含めたＹ電源線１３Ｇの電気抵抗を低減できる。より具体的には、図中Ｙ方向に沿って画素回路７０Ｇに供給される電源に対して、Ｙ電源線１３Ｇの電気抵抗を低減できる。他の画素回路７０Ｒ及び７０Ｂも同様に導電膜２９を有し、Ｙ電源線１３Ｒ及び１３Ｂがこれら画素回路７０Ｒ及び７０Ｂに含まれる導電膜２９に電気的に接続されている。Ｘ電源線１２及びＹ電源線１３を画像表示領域１１０内で格子状に配設することに加えＹ電源線１３の電気抵抗を低減することによって、各画素回路７０に電源を供給する際にＹ電源線１３で生じる電圧降下を低減することが可能であり、画像表示領域１１０における有機ＥＬ素子の輝度ムラを低減することが可能である。
【００５９】
図１に示したようにＸ電源線１２及びＹ電源線１３が格子状に配設されていることにより、２つの保持容量１０及び２０を確保しつつ、画素回路７０を含む各画素領域の開口率を高めることが可能である。Ｘ電源線１２及び半導体層２２のみを一対の容量電極として保持容量を構成する場合、或いはＹ電源線１３及び半導体層２２のみを一対の容量電極として保持容量を構成する場合には、保持容量を増やすために各容量電極の面積を大きくする必要がある。即ち、Ｘ電源線１２のＹ方向に沿った幅寸法を大きくする場合や、Ｙ電源線１３のＸ方向に沿った幅寸法を大きくすることによって、保持容量を増やすことになる。このようにＸ方向又はＹ方向の一方に沿ってのみ保持容量を設けた場合、保持容量の増大させるためにＸ電源線１２又はＹ電源線１３の幅寸法が大きくなり、画素回路７０を含む画素領域の開口率を低下させてしまう。
【００６０】
そこで、本実施形態のように、Ｘ方向及びＹ方向の夫々に沿って保持容量１０及び２０を設けることによって、所要の保持容量を確保しつつ、各画素領域における開口率の低下を抑制できる。即ち、Ｘ電源線１２及びＹ方向に沿って延在する導電膜２９を夫々容量電極として用いることによって、十分な容量を確保しつつＸ電源線１２及びＹ電源線１３の夫々の幅寸法を低減できる。その結果、有機ＥＬ素子から出射される光がＸ電源線１２及びＹ電源線１３によって遮られる領域を減少させることができ、画素領域における開口率を高めることが可能である。これにより、有機ＥＬ素子に注入される電気エネルギーに対して画素回路７０から出射される光の輝度を高めることができ、有機ＥＬ装置１は効率良く画像を表示できる。
【００６１】
図３において、導電膜２９は、Ｙ方向に沿ってＸ電源線１２Ｒと離間されており、Ｙ方向においてＸ電源線１２Ｒと電気的に絶縁されている。Ｙ電源線１３Ｇは、コンタクトホールに導電材料を充填することによって形成されたコンタクト部３３を介して電流制御ＴＦＴ８３のソース側に電気的に接続されている。Ｘ電源線１２Ｒは、緑色の光を発光する有機ＥＬ素子７２Ｇを含む画素回路７０Ｇの各素子に電気的に接続されていない。更に、Ｘ電源線１２Ｒ及びＹ電源線１３Ｇも互いに電気的に接続されていないため、画素回路７０Ｇに電源を供給する電源線は、Ｙ電源線１３Ｇのみである。緑色に発光する有機ＥＬ素子用の電源のみが画素回路７０Ｇに供給されることになり、赤色或いは青色に発光する有機ＥＬ素子用の電源は画素回路７０Ｇに供給されることがないため、有機ＥＬ素子７２Ｇに緑色の波長の光を発光させるための適切な電流或いは電圧等の電源が供給される。同様に、赤色或いは青色に発光する有機ＥＬ素子を含む画素回路７０Ｒ及び７０Ｂには、夫々赤色に発光する有機ＥＬ素子用、或いは青色に発光する有機ＥＬ素子用の電源のみが供給される。このように、Ｘ電源線１２及びＹ電源線１３の交差に応じて配置された画素回路７０のうち、互いに異なる色に発光する有機ＥＬ素子用の電源を供給するＸ電源線及びＹ電源線は互いに電気的に絶縁されており、有機ＥＬ素子の発光色に合わせた適切な電源が各画素回路７０に供給される。
【００６２】
図２において、走査線１１２は、書込み制御信号線１１２Ａ及び発光制御信号線１１２Ｂを備えて構成されている。書込み制御信号線１１２Ａ及び発光制御信号線１１２ＢはＸ方向に沿って延在されている。書込み制御信号線１１２Ａは、書込み制御ＴＦＴ８１及び保持ＴＦＴ８２のゲートと同一層の導電層としてゲート絶縁膜２３上に形成されている。書き込み制御信号線１１２Ａの一部が書込み制御ＴＦＴ８１及び保持ＴＦＴ８２のゲートとして機能する。書込み制御ＴＦＴ８１及び保持ＴＦＴ８２は、書込み制御信号線１１２Ａを介して供給される書込み制御信号に応じてオン・オフされる。
【００６３】
発光制御信号線１１２Ｂの一部は、発光制御ＴＦＴ８４のゲートとして機能し、発光制御信号線１１２Ｂを介して供給される発光制御信号に応じて発光制御ＴＦＴ８４がオン・オフされる。尚、発光制御信号線１１２Ｂは、有機ＥＬ素子の発光色に応じて個別に設けられていてもよい。例えば、図２では、画素回路７０Ｇに含まれる発光制御ＴＦＴ８４に電気的に接続された発光制御信号線１１２Ｂを図示しているが、赤色及び青色の有機ＥＬ素子用の発光制御信号線が画素回路７０Ｒ及び７０Ｂの夫々に個別に接続されていてもよい。発光制御信号線を有機ＥＬ素子の発光色に応じて画素回路７０に個別に接続することにより、同一行に配設された互いに異なる色に発光する有機ＥＬ素子を互いに独立に発光させることが可能である。
【００６４】
図５を参照しながら、画素回路７０Ｇの電気的な接続構成及び動作を説明する。尚、他の画素回路７０Ｒ及び７０Ｂは、供給される電源の種類及び後述する発光制御信号が異なるのみであり、画素回路７０Ｇと同様の手順で動作する。
【００６５】
図５において、電流制御ＴＦＴ８３のソースは、Ｙ電源線１３に電気的に接続されており、他方、ドレインは、発光制御ＴＦＴ８４のソース、書込み制御ＴＦＴ８１のドレイン、及び保持ＴＦＴ８２のソースに夫々電気的に接続されている。書込み制御ＴＦＴ８１のゲート及び保持ＴＦＴ８２のゲートは電気的に共通化されており、走査線１１２を構成する書込み制御信号線１１２Ａの一部が、書込み制御ＴＦＴ８１のゲート及び保持ＴＦＴ８２のゲートとして機能する。書込み制御ＴＦＴ８１のソースはデータ線１１４に電気的に接続されている。保持ＴＦＴ８２のドレインは、保持容量１０及び２０の一端に電気的に接続されている。書込み制御ＴＦＴ８１及び保持ＴＦＴ８２は、書込み制御信号線１１２Ａを介して供給される書込み制御信号が高電位、即ちＨレベルとなった際にオン状態になる。
【００６６】
保持ＴＦＴ８２がアクティブになると、保持ＴＦＴ８２のソース及びドレイン間が導通する。この状態において、電流制御ＴＦＴ８３のゲート及びドレイン間が導通状態となり、電流制御ＴＦＴ８３は単なるダイオードとして機能する。
【００６７】
一方、Ｈレベルの書込み制御信号が供給されるに伴い、保持ＴＦＴ８２とゲート電圧が共通化された書込み制御ＴＦＴ８１もオン状態となる。結局、書込み制御信号がＨレベルにある期間では、データ線１１４を介して供給されるデータ信号に応じて書込み制御ＴＦＴ８１及び保持ＴＦＴ８２に電流が流れ、この電流に応じて電流制御ＴＦＴ８３のゲートに電圧が印加される。ここで、保持容量１０及び２０の一方の端のうち保持ＴＦＴ８２のドレイン側に電気的に接続された端にゲート信号に応じた電流が流れ込み、保持容量１０及び２０の夫々の両端における電位差に応じた電荷が、保持容量１０及び２０に保持される。より具体的には、保持容量１０は、Ｘ電源線１２Ｒ及び半導体層２２間の電位差に応じた電荷を保持し、保持容量２０は、Ｙ電源線１３Ｇと同電位である導電膜２９及び半導体層２２間の電位差に応じた電荷を保持する。保持容量１０及び２０に保持された電荷は、電流制御ＴＦＴ８３を介して有機ＥＬ素子７２Ｇに供給される駆動電流を規定する電荷である。以下では、保持容量１０及び２０に電荷が保持される期間を「プログラミングステージ」と称する。
【００６８】
書込み制御信号が低電位（即ち、Ｌレベル）に制御されると、画素部７０Ｇを含む行のプログラミングステージは終了する。より具体的には、図１に示す行Ｌ２におけるプログラミングステージが終了する。即ち、画素回路７０Ｇを含む行Ｌ２に対して１フレーム内に行われる書込み制御信号の供給が終了する。プログラミングステージが終了すると、保持ＴＦＴ８２及び書込み制御ＴＦＴ８１は、オフ状態となる。しかしながら、保持容量１０及び２０に電荷が保持されているので、電流制御ＴＦＴ８３のゲートの電位はプログランミングステージにおける電位に保持される。したがって、保持容量１０及び２０は、１フレーム内、即ち１垂直走査期間において、電流制御ＴＦＴ８３のゲートに十分な大きさの電圧を印加できる電荷を保持することが可能であり、保持容量が不足することによって生じるフリッカの発生を低減できる。
【００６９】
プログラミングステージが終了した画素回路７０Ｇの発光制御信号線１１２Ｂに対し、所定のタイミングでＨレベルの発光制御信号が供給される。発光制御信号の供給時には、発光制御ＴＦＴ８４がオン状態になり、電流制御ＴＦＴ８３のソース及びドレイン間に、電流制御ＴＦＴ８３のゲート及びＹ電源線１３Ｇの間の電位差に基づいた電流が流れる。この電流は、Ｙ電源線１３Ｇ、電流制御ＴＦＴ８３、発光制御ＴＦＴ８４、有機ＥＬ素子７２Ｇを順次通過する経路で流れ、有機ＥＬ素子７２Ｇが発光する。有機ＥＬ素子７２Ｇの発光は、前段階のプログラミングステージで予めプログラミングされた電流値に基づいて行なわれるため、有機ＥＬ素子７２Ｇの発光期間は、「リプロダクションステージ」とも称される。
【００７０】
このように、有機ＥＬ装置１は、画像表示領域１１０における行単位でプログラミングステージが実行されると共に、順次このプログラミングステージを実行する行を切り替えて走査を行なっている。プログラミングステージが終了した行は、所定の遅延時間を隔ててリプロダクションステージに移行する。プログラミングステージ及びリプロダクションステージの切り替えタイミングは、図１に示す走査線駆動回路１１０によって適切に実行される。例えば、走査線駆動回路１１０は、任意の行Ｌｉについて、プログラミングステージとリプロダクションステージとが同時に実行されないように制御される。
【００７１】
次に、図６及び図８を参照しながら画素回路７０に対するＸ電源線１２及びＹ電源線１３の他の接続形態を説明する。図６乃至図８に示す画素回路７０Ｒは、互いに同じ色に発光する有機ＥＬ素子を含む画素回路７０に電源を供給するＸ電源線１２Ｒ及びＹ電源線１３Ｒが画素回路７０Ｒに電気的に接続されている態様を示している。図６は、画素回路７０Ｒの具体的な構成を示す平面図であり、より具体的には、図１中の領域Ｂ内に形成された画素回路７０Ｒの具体的な構成を示す平面図である。図１に示す領域Ｂ内には、２つの画素回路７０Ｒが図中上下方向に並んで形成されている。図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ´線断面図である。図８は、図６に示す画素回路７０Ｒの回路図である。尚、画素回路７０Ｒは、有機ＥＬ素子が赤色の光を発光する素子であること、並びにＸ電源線１２Ｒ及びＹ電源線１３Ｒが電気的に接続されている点を除けば、上述した画素回路７０Ｇと同様の構成を有している。よって、説明の便宜上、図６乃至図８においては、図１乃至図５と共通する部分について共通の参照符号を付して説明する。
【００７２】
図６及び図７において、Ｘ電源線１２Ｒ及びＹ電源線１３Ｒは、本発明に係る「第２導電部」の一例であるコンタクト部３５を介して電気的に接続されている。コンタクト部３５は、Ｘ電源線１２Ｒ及びＹ電源線１３Ｒ間に介在する絶縁膜２４をＸ電源線１２ＲからＹ電源線１３Ｒまで貫通するコンタクトホール５２に導電材料を充填することによって形成されている。したがって、図１に示す外側電源線１１Ｒに電気的に接続されたＸ電源線１２Ｒ及びＹ電源線１３Ｒは赤色に発光する有機ＥＬ素子用の電源を画素回路７０Ｒに供給する。
【００７３】
図８において、画素回路７０Ｒには、赤色に発光する有機ＥＬ素子用の電源がＸ電源線１２Ｒ及びＹ電源線１３Ｒの両方から供給される。Ｘ電源線１２Ｒ及びＹ電源線１３Ｒは共通の電位を有しているため、保持容量１０及び２０の一端は共通の電位を有している。したがって、保持容量１０及び２０は、Ｘ電源線１２Ｒ及びＹ電源線１３Ｒと、半導体層２２との間の電位差に応じた電荷を夫々保持する。同様に、緑色に発光する有機ＥＬ素子用の電源を供給するＸ電源線１２Ｇ及びＹ電源線１３Ｇが互いに交差する領域に配設された画素回路７０Ｇは、これら２つの電源線から電源の供給を受ける。また、Ｘ電源線１２Ｂ及びＹ電源線１３Ｂが交差する領域に配設された画素回路７０Ｂも同様に、これら２つの電源線から電源の供給を受ける。
【００７４】
このように、互いに同色の発光色に対応した電源を供給するＸ電源線１２及びＹ電源線が交差する領域に合わせて配設された画素回路７０には、Ｘ電源線１２及びＹ電源線１３の両方から電源が供給される。したがって、画像表示領域１１０に配設された複数の画素回路７０は、Ｘ電源線及びＹ電源線が供給する電源の種類の組み合わせに応じて、Ｙ電源線のみから電源の供給を受ける画素回路７０と、Ｘ電源線１２及びＹ電源線１３の両方から電源の供給を受ける画素回路７０の２つの種類の画素回路に大別することができる。このような電源線及び画素回路の接続形態によれば、複数色に発光する有機ＥＬ素子を備えた画素回路７０をマトリクス状に配設し、これら画素回路７０に格子状に配設された複数種の電源線から電源を供給する場合であっても、異なる色に対応した電源が同一の画素回路７０に供給されることがなく、発光色に応じた適切な電源を各有機ＥＬ素子に供給できる。
【００７５】
以上、説明したように本実施形態に係る有機ＥＬ装置１によれば、画素回路に電源を供給する電源線全体の電気抵抗を低減することによる輝度ムラの低減、開口率の向上による画像表示領域全体における輝度の向上、及び十分な保持容量を確保することによるフリッカの低減が可能であり、これら複数の問題点が解決された高性能の電気光学装置を提供できる。尚、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１は、他の電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム型の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することも可能であり、これら画素回路に対しても上述した接続形態を適用することで上述した複数の問題点を一挙に解決できる。
【００７６】
（電子機器）
次に、図９及び図１０を参照しながら、上述した有機ＥＬ装置１を備えた電子機器の各態様を説明する。
【００７７】
＜Ａ：モバイル型コンピュータ＞
図９を参照しながらモバイル型のパーソナルコンピュータに上述した有機ＥＬ装置の一例である有機ＥＬ装置１を適用した例について説明する。図９は、コンピュータ１２００の構成を示す斜視図である。
【００７８】
図９において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、図示しない有機ＥＬ装置１を用いて構成された表示部１００５を有する表示ユニット１２０６とを備えている。表示部１００５は、上述の有機ＥＬ装置１を備えているため、画像表示領域における輝度ムラの低減、開口率の向上、及びフリッカの低減が可能となっており、高品位の画像を表示できる。また、表示部１００５によれば、フルカラー表示で画像表示を行うことができる。
【００７９】
＜Ｂ：携帯型電話機＞
更に、上述した有機ＥＬ装置１を携帯型電話機に適用した例について、図１０を参照して説明する。図１０は、携帯型電話機１３００の構成を示す斜視図である。
【００８０】
図１０において、携帯型電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２と共に、本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置を有する表示部１３０５を備えるものである。
【００８１】
表示部１３０５は、上述の表示部１００５と同様の構成を有しているため、高品位の画像を表示できることに加え、携帯型電話機として重要な携帯性が損なわれることもない。また、表示部１３０５が備える複数の有機ＥＬ素子が夫々赤、緑、青の光の三原色の光を発光することによって、該表示部１３０５はフルカラー表示で画像表示を行うこともできる。
【００８２】
尚、本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機ＥＬ装置等の電気光学装置、及び有機ＥＬ装置等の電気光学装置を備えて構成される電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な接続構成を示すブロック図である。
【図２】本実施形態に係る画素回路の構成の一態様を示す平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ´線断面図である。
【図５】本実施形態の画素回路の電気的な接続構成の一態様を示すブロック図である。
【図６】本実施形態に係る画素回路の構成の他の態様を示す平面図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ´線断面図である。
【図８】本実施形態の画素回路の電気的な接続構成の他の態様を示すブロック図である。
【図９】本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図である。
【図１０】本実施形態に係る電子機器の他の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８４】
１・・・有機ＥＬ装置、１２・・・Ｘ電源線、１３・・・Ｙ電源線、１０，２０・・・保持容量、２２・・・半導体層、２９・・・導電膜、７２・・・有機ＥＬ素子１１２・・・走査線、１１４・・・データ線、３１，３２，３５・・・コンタクト部
【図１】
2006184384.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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