(57)【要約】【課題】  光散乱層を窒化物−酸化物で形成し、光散乱層と保護層との間に結晶学的ミスマッチを防止することが可能なキャッピング層を形成することにより、従来の問題点を解消することが可能な光素子用構造物及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明の光素子用構造物は、外部から提供される熱エネルギーによってナノ粒子が生成される光散乱層と、この光散乱層を保護する保護層と、光散乱層と保護層との間に形成されたキャッピング層とを備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から提供される熱エネルギーによってナノ粒子が生成される光散乱層と、
該光散乱層を保護する保護層と、
前記光散乱層と前記保護層との間に形成されたキャッピング層と
を備えたことを特徴とする光素子用構造物。
【請求項２】
前記熱エネルギーを提供するために、所定のパワーのレーザが使用されることを特徴とする請求項１に記載の光素子用構造物。
【請求項３】
前記光散乱層は、窒化物−酸化物（（ＭＮ）1-xＯx）（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌ）からなることを特徴とする請求項１に記載の光素子用構造物。
【請求項４】
前記キャッピング層は、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌのいずれか１つがドープされたＭ1-y（Ｚｎ1-xＯx）y、Ｍ1-y（Ａｌ1-xＯx）y又はＭ1-y（Ｇａ1-xＮx）yからなることを特徴とする請求項１に記載の光素子用構造物。
【請求項５】
前記保護層は、酸化物又は窒化物からなることを特徴とする請求項１に記載の光素子用構造物。
【請求項６】
前記酸化物は、Ｚｎ1-xＯx又はＡｌ1-xＯxであり、前記窒化物は、ＳｉＮ又はＧａ1-xＮxであることを特徴とする請求項５に記載の光素子用構造物。
【請求項７】
ａ）基板上に酸化物又は窒化物を蒸着して第１保護層を形成する段階と、
ｂ）前記第１保護層上にＳｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌのいずれか１つがドープされた物質を蒸着して第１キャッピング層を形成する段階と、
ｃ）前記第１キャッピング層上に窒化物−酸化物を蒸着して光散乱層を形成する段階と、
ｄ）前記光散乱層上にＳｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌのいずれか１つがドープされた物質を蒸着して第２キャッピング層を形成する段階と、
ｅ）ナノ粒子の生成を可能とするために熱処理する段階と、
ｆ）前記第２キャッピング層上に酸化物又は窒化物を蒸着して第２保護層を形成する段階と
を有することを特徴とする光素子用構造物の製造方法。
【請求項８】
前記第１及び第２保護層を形成するための前記酸化物は、Ｚｎ1-xＯx又はＡｌ1-xＯxであり、前記窒化物は、ＳｉＮ又はＧａ1-xＮxであることを特徴とする請求項７に記載の光素子用構造物の製造方法。
【請求項９】
前記Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌのいずれか１つがドープされた物質は、Ｍ1-y（（ＳｉＮＯ）x）y、Ｍ1-y（Ｚｎ1-xＯx）y、Ｍ1-y（Ａｌ1-xＯx）y又はＭ1-y（Ｇａ1-xＮx）yであることを特徴とする請求項７に記載の光素子用構造物の製造方法。
【請求項１０】
前記窒化物−酸化物は、（ＭＮ）1-xＯx（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌ）であることを特徴とする請求項７に記載の光素子用構造物の製造方法。
【請求項１１】
前記熱処理は、２００〜８５０℃の温度と、窒素、酸素及びアルゴン雰囲気で行うことを特徴とする請求項７に記載の光素子用構造物の製造方法。
【請求項１２】
前記段階ａ）乃至ｆ）の工程をインシチューで行うことを特徴とする請求項７に記載の光素子用構造物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光素子用構造物及びその製造方法に関し、より詳細には、光散乱のためにナノ粒子を生成する光散乱層を備える光素子用構造物及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造技術において、接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）は、電子回路の構成で非常に重要な部分であって、これまでの数十年間活発に開発されてきた。２種類のキャリア（電子と正孔）によって信号が増幅するバイポーラトランジスタに適用されるｐｎｐ、ｎｐｎ接合と、超伝導体−金属（不導体）−超伝導体構造のジョセフソン接合などがその主流を成している。
【０００３】
ＹＢＣＯを用いた三重層構造のジョセフソン接合が報告された（例えば、非特許文献１参照）。Ｂ．  Ｈ．  ＭｏｅｃｋｌｙはＬａＡｌＯ3基板上に下部ＹＢＣＯ薄膜を蒸着した後、アルゴン（Ａｒ）プラズマで下部ＹＢＣＯ薄膜の表面を改質させる。そして、真空状態で上部ＹＢＣＯ薄膜を蒸着して三重層構造のジョセフソン接合を形成する。ところが、このようなＹＢＣＯジョセフソン接合は、複雑な構造の酸化物が酸素ドーピング量に敏感な特性を示すため、高集積回路の製作に用いられる場合、接合を均一で再現性よく製造することが難しい。
【０００４】
したがって、従来のｐｎｐ、ｎｐｎ接合又はジョセフソン接合を用いると、複合酸化物材料に起因する定量比の敏感性によって高集積電子回路を実現し難いという欠点がある。
【０００５】
最近、光学的非線形効果を利用して光ファイバ内で信号を増幅する研究が行われている。ところが、増幅感度を上昇させるためには、光ファイバの間隔を広くし、その長さを長くしなければならないため、増幅器本体の大きさが増加して高集積電子回路に適用し難いという欠点がある。
【０００６】
一方、ナノ粒子を生成することが可能な光散乱層を用いて光信号を蓄積あるいは増幅させることができる技術が開発された（例えば、非特許文献２参照）。光散乱層に低いパワーのレーザ又は熱を照射してナノ粒子を生成させると、ナノ粒子の透過率変化に応じて光信号が蓄積される。また、レーザのパワーを増減させてナノ粒子の透過率をさらに変化させると、蓄積された信号が外部に散乱するので、光増幅効果を得ることができる。
【０００７】
Ｊ．  Ｔｏｍｉｎａｇａ  ｅｔ  ａｌ．は、保護膜、光散乱層及び保護膜からなる構造の薄膜トランジスタを形成した。光散乱層はＡｇＯｘで形成し、保護膜はＺｎＳ−ＳｉＯ2で形成した。１．５〜３．５ｍＷのパワーを有する赤色光レーザを使用した場合、約６０倍の光信号増幅を実現した。ところが、この構造は、ナノ粒子の生成過程で光散乱層に含まれた酸素及び窒素が外部に抜け出るため、結晶学的にミスマッチ（ｍｉｓｍａｔｃｈ）が発生するという問題点がある。
【０００８】
一方、従来の関連技術として、基板上に下部クラディング層、活性層、上部クラディング層、及びキャッピング層が順次積層された半導体レーザ素子が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
また、光散乱層に配置された第１透明電極と、第１透明電極に配置された一つ以上の発光層及び有機層を備えた有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ素子に配置された第２透明電極層を備えたＯＬＥＤ装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【００１０】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−０４２１１４７号明細書
【特許文献２】韓国特許公開第１０−２００４−００３０３５９号明細書
【非特許文献１】Ｂ．  Ｈ．  Ｍｏｅｃｋｌｙ，  “Ａｌｌ  Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ  ｃ−ａｘｉｓ  ｔｒｉｌａｙｅｒ  ｉｎｔｅｒｆａｃｅ−ｅｎｇｉｎｅｅｒｅｄ  Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ  ｊｕｎｃｔｉｏｎｓ”，  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  Ｖｏｌ．  ７８，  ｐｐ．７９０−７９２，  ２００１
【非特許文献２】Ｊ．  Ｔｏｍｉｎａｇａ  ｅｔ  ａｌ．，  “Ｌｏｃａｌ  ｐｌａｓｍｏｎ  ｐｈｏｔｏｎｉｃ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ”，  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  Ｖｏｌ．  ７８，  ｐｐ．２４１７−２４１９，  ２００１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、光散乱層を窒化物−酸化物で形成し、光散乱層と保護層との間に結晶学的ミスマッチを防止することが可能なキャッピング層を形成することにより、従来の問題点を解消することが可能な光素子用構造物及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的を達成するために、本発明の光素子用構造物は、外部から提供される熱エネルギーによってナノ粒子が生成される光散乱層と、該光散乱層を保護する保護層と、前記光散乱層と前記保護層との間に形成されたキャッピング層とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の光素子用構造物の製造方法は、基板上に酸化物又は窒化物を蒸着して第１保護層を形成する段階と、前記第１保護層上にＳｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌのいずれか１つがドープされた物質を蒸着して第１キャッピング層を形成する段階と、前記第１キャッピング層上に窒化物−酸化物を蒸着して光散乱層を形成する段階と、前記光散乱層上にＳｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌのいずれか１つがドープされた物質を蒸着して第２キャッピング層を形成する段階と、ナノ粒子の生成を可能とするために熱処理する段階と、前記第２キャッピング層上に酸化物又は窒化物を蒸着して第２保護層を形成する段階とを有することを特徴とする。
【００１４】
前記第１及び第２保護層を形成するための前記酸化物は、Ｚｎ1-xＯx又はＡｌ1-xＯxであり、前記窒化物は、ＳｉＮ又はＧａ1-xＮxであることを特徴とする。
【００１５】
前記Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌのいずれか１つがドープされた物質は、Ｍ1-y（（ＳｉＮＯ）x）y、Ｍ1-y（Ｚｎ1-xＯx）y、Ｍ1-y（Ａｌ1-xＯx）y又はＭ1-y（Ｇａ1-xＮx）yであり、前記窒化物−酸化物は、（ＭＮ）1-xＯx（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌ）であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、光散乱のためのナノ粒子の生成のために窒化物−酸化物（（ＭＮ）1-xＯx）（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌ）を用いて光散乱層を形成する。そして、光散乱層と保護層との間にＭ1-y（（ＳｉＮＯ）x）y、Ｍ1-y（Ｚｎ1-xＯx）y、Ｍ1-y（Ａｌ1-xＯx）y又はＭ1-y（Ｇａ1-xＮx）yからなるキャッピング層を形成する。窒化物−酸化物（（ＭＮ）1-xＯx）は、エネルギーギャップが大きいため、高速の電子回路に有利であり、それぞれの元素Ｍ（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌ）が窒素及び酸素とよく結合するので、定量比を容易に作ることができる。また、キャッピング層は、ナノ粒子の生成過程で光散乱層から抜け出る酸素及び窒素と結合して結晶学的なミスマッチが防止されるようにすることにより、成分の不均一を防止して化学量論的な状態を保たせる。
【００１７】
したがって、本発明を適用すると、薄膜の均一性及び再現性に優れるし、薄膜の厚さが１０〜数百ｎｍ程度と薄いため、高集積及び高速の電子回路を容易に実現することができる。また、光散乱による信号増幅効果を得ることができるので、既存のバイポーラトランジスタより約６０倍以上の大きい信号増幅度を有する増幅素子を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施例について詳細に説明する。ところが、これらの実施例は様々な形に変形できるが、本発明の技術的範囲を限定するものではない。これらの実施例は当該技術分野で通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
【００１９】
図１は、本発明に係る光素子用構造物を説明するための断面図である。図１に示すように、本発明に係る光素子用構造物は、基板１上に形成され、外部から提供される光又は熱エネルギーによってナノ粒子が生成される光散乱層（ｌｉｇｈｔ  ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）４と、この光散乱層４の下部及び上部を保護するための保護層（ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）２及び６と、光散乱層４と保護層２及び６との間に結晶学的ミスバッチを防止するためにそれぞれ形成されたキャッピング層３及び５とから構成されている。
【００２０】
光散乱層４は、窒化物−酸化物（（ＭＮ）1-xＯx）（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌ）又は炭化物−窒化物で形成される。例えば、ナノ粒子が無機物元素（ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｍｅｎｔ）からなり、無機物元素と化合物を成し得るシリコン窒化物−酸化物（（Ｓｉ3Ｎ4）1-xＯx、（ＳｉＯ2）1-xＮx））、タンタリウム窒化物−酸化物（（Ｔａ2Ｏ5）1-xＮx））又はタングステン炭化物−酸化物（（ＷＯ）1-xＮx））などで形成されている。また、キャッピング層３及び５は、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌのいずれか１つがドープされたＭ1-y（（ＳｉＮＯ）x）y、Ｍ1-y（Ｚｎ1-xＯx）y、Ｍ1-y（Ａｌ1-xＯx）y又はＭ1-y（Ｇａ1-xＮx）yで形成されている。また、保護層２及び６は酸化物又は窒化物で形成されている。また、酸化物としては、Ｚｎ1-xＯx、Ａｌ1-xＯxなどがあり、窒化物としては、ＳｉＮ、Ｇａ1-xＮxなどがある。
【００２１】
上述したように構成された光素子用構造物に１〜２０ｍＷ程度の低いパワーのレーザ又は熱を照射すると、熱エネルギーが印加された部分の光散乱層４が非晶質状態から結晶質状態に変化する。この際、結晶質状態における透過度は、非晶質状態より高くなる。
【００２２】
この状態でパワーを所定の臨界値以上に増加させると、結晶質状態がナノ粒子（ｎａｎｏ−ｐａｒｔｉｃｌｅ）状態に変化する。ナノ粒子状態における透過度は、結晶質状態における透過度より低くなる。したがって、ナノ粒子の透過率の変化に応じて光信号が蓄積される。この際、パワーを臨界値以上に増加させると、ナノ粒子表面から光散乱層４の表面までの距離に反比例して光信号（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｌａｓｍｏｎ）が蓄積される。
【００２３】
一方、パワーを臨界値より大きく或いは小さく増減させると、ナノ粒子の透過率をさらに減少させることができる。ナノ粒子の透過率がさらに低くなると、蓄積された光信号が外部に散乱するので、光増幅効果を得ることができる。すなわち、臨界値以上にパワーを増加させると、光散乱体が生成されるので、蓄積された信号が外部に散乱する。この際、光散乱体はレーザパワーによって可逆的に発生又は消滅する。例えば、２００ｎｍの記録マークをトラック上に記録するために所定のパワーの赤色レーザを光散乱層４に照射してナノ粒子を生成する。そして、同一のトラック上に青色レーザを移動させ、記録した信号とほぼ同一の周波数、１５ＭＨｚ及び１．５ｍＷ＋０．１ｍＷの変調信号を入力する。その後、判読のために赤色レーザのパワーを１．５ｍＷ〜３．５ｍＷの間で変化させると、青色レーザの信号が前記ナノ粒子に反射されて戻ってくるが、この際、青色レーザの信号強度は６０倍程度増幅される。
【００２４】
これにより、光散乱層４の表面から１００ｎｍ程度の深さに光信号を蓄積し、ナノ粒子を用いたローカルプラスモン（Ｌｏｃａｌ  Ｐｌａｓｍｏｎ）との相互作用によって光増幅が起こることが分かる。もしレーザ又は熱の照射を中断させると、ナノ粒子の生成が抑制される。したがって、光散乱層４で非晶質状態の占有面積がナノ粒子の占有面積より増加するので、光散乱層４は非晶質状態の透過度を持ち、入射するレーザをそのまま透過させて光散乱層４における光散乱効果を期待できなくなる。基本的に、本発明は、非晶質状態の窒化物−酸化物にレーザ又は熱を照射して熱分解によってナノ粒子を生成させる原理を利用するので、ナノ粒子を生成することが可能な臨界値以上の熱エネルギーを持続的に印加しなければならない。材料の特性によって異なるが、ナノ粒子は熱エネルギーに応じて発生又は消滅するので、熱エネルギーを提供するソースの役割が非常に重要である。
【００２５】
図２は、本発明に係る光素子用構造物の製造方法を説明するための工程図である。  
第１段階（１０１）：基板１上にＺｎ1-xＯx、Ａｌ1―xＯx酸化物又はＳｉ1-xＮx、Ｇａ1-xＮx窒化物を１０〜３００ｎｍの厚さに蒸着して保護層２を形成する。Ｚｎ1-xＯx、Ａｌ1-xＯx酸化物及びＧａ1-xＮx窒化物は、光散乱層４として用いられる窒化物−酸化物（（ＭＮ）1-xＯx）（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌ）とその結晶構造が同一であり、ほぼ同じ結晶定数を持つので、エピタキシャル（ｅｐｉｔａｘｉａｌ）成長が容易であり、光散乱層４として用いられる窒化物−酸化物（（ＭＮ）1-xＯx）のエピタキシャル成長を容易にする。
【００２６】
第２段階（１０２）：保護層２上にＳｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌのいずれか１つがドープされたＭ1-y（（ＳｉＮＯ）x）y、Ｍ1-y（Ｚｎ1-xＯx）y、Ｍ1-y（Ａｌ1-xＯx）y又はＭ1-y（Ｇａ1-xＮx）yを０．５〜２ｎｍの厚さに蒸着してキャッピング層３を形成する。
【００２７】
第３段階（１０３）：キャッピング層３上に窒化物−酸化物（（ＭＮ）1-xＯx）（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌ）又は炭化物−窒化物を蒸着して光散乱層４を形成する。窒化物−酸化物（（ＭＮ）1-xＯx）に含まれる原子（Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌ）は非常に短い拡散距離を持つ。したがって、窒化物−酸化物（（ＭＮ）1-xＯx）の厚さを２〜５０ｎｍ程度に調節すると、低いパワーのレーザによっても容易にナノ粒子が生成できる。例えば、窒化物−酸化物としては、シリコン窒化物−酸化物（（Ｓｉ3Ｎ4）1-xＯx、（ＳｉＯ2）1-xＮx））やタンタリウム窒化物−酸化物（（Ｔａ2Ｏ5）1-xＮx）などがあり、炭化物−窒化物はタングステン炭化物−酸化物（（ＷＯ）1-xＮx）などがある。
【００２８】
第４段階（１０４）：光散乱層４上にＳｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌのいずれか１つがドープされたＭ1-y（（ＳｉＮＯ）x）y、Ｍ1-y（Ｚｎ1-xＯx）y、Ｍ1-y（Ａｌ1-xＯx）y又はＭ1-y（Ｇａ1-xＮx）yを０．５〜２ｎｍの厚さに蒸着してキャッピング層５を形成する。
【００２９】
第５段階（１０５）：ナノ粒子の生成を可能とするために２００〜８５０℃の温度及び窒素、酸素及びアルゴン雰囲気で熱処理する。この際、２００〜８５０℃の温度まで急速加熱した状態で５〜１００秒間熱処理した後、急速冷却させる。
【００３０】
第６段階（１０６）：キャッピング層５上に（ＺｎＳ）1-x（ＳｉＯx）、Ｚｎ1-xＯx、Ａｌ1-xＯx酸化物又はＧａ1-xＮx窒化物を１０〜３００ｎｍの厚さに蒸着して保護層６を形成する。保護層６としてＡｇ4Ｉｎ594*yＳｂxＴｅyを使用することもできる。
【００３１】
保護層２及び６として用いられるＺｎ1-xＯx、Ａｌ1-xＯx酸化物又はＧａ1-xＮx窒化物と、キャッピング層３及び５として用いられるＳｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌのいずれか１つがドープされたＭ1-y（Ｚｎ1-xＯx）y、Ｍ1-y（Ａｌ1-xＯx）y又はＭ1-y（Ｇａ1-xＮx）y、そして、光散乱層４として用いられる窒化物−酸化物（（ＭＮ）1-xＯx）（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌ）は、スパッタリング蒸着法、パルスレーザ蒸着法、電子線蒸発法などで蒸着し、蒸着過程で基板１の温度を２５〜４００℃程度に維持させる。
【００３２】
上述したように行われる工程で形成された層が空気中に露出される場合、汚染（ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ）などによって、形成された層の特性が変化できる。したがって、これを防止するために第１段階（１０１）乃至第６段階（１０６）の工程をインシチュー（Ｉｎ−ｓｉｔｕ）で行うことが好ましい。
【００３３】
光素子用構造物を用いて素子を製作する場合、キャッピング層３を形成した後、イオンミーリング又はフォトリソグラフィ方法を用いて素子の配線を形成する。また、保護層６を形成した後、フォトリソグラフィ方法で電極パッドを形成すればよい。
【００３４】
本発明で光散乱層４として用いられる窒化物−酸化物（（ＭＮ）1-xＯx）（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌ）は、既存の活性層として用いられる材料に比べてエネルギーギャップが大きいため、本発明の光素子用構造物は高速の電子回路に有利である。また、それぞれの元素Ｍ（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｌｉ、Ａｌ）は、窒素及び酸素との結合性に優れて適切な定量比を容易に作ることができ、薄膜の均一性及び再現性に優れて高集積電子回路を容易に実現することができる。
【００３５】
以上、詳細な説明と図面によって本発明の好適な実施例について説明した。使用されている用語は、本発明を説明するための目的で使用されたものに過ぎず、意味限定又は特許請求の範囲に記載された本発明の技術的範囲を制限するために使用されたものではない。したがって、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、これから様々な変形及び均等な他の実施が可能であることを理解するであろう。したがって、本発明の真正な技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に係る光素子用構造物を説明するための断面図である。
【図２】本発明に係る光素子用構造物の製造方法を説明するための工程図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  基板
２、６  保護層
３，５  キャッピング層
４  光散乱層
【図１】
2006165511.tif 000003
【図２】
2006165511.tif 000004