(57)【要約】      （修正有）【課題】バンプ付半導体素子がフェイスダウン構造で配線回路基板上に搭載された半導体装置をノーフロー方式で製造するための半導体封止用樹脂組成物を提供する。【解決手段】（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物、（Ｃ）フラックス活性剤、および（Ｄ）最大粒子径が30μm以下かつ平均粒子径の標準偏差が5μm以下の粒子であり、下記一般式（１）：2006169407.tif 000013（式中、X1〜X5は水素、Ｃ1〜9のアルキル基またはフッ素）で表される硬化促進剤を含有してなる半導体封止用樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置のノーフロー方式製造に用いるための、
（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、
（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物、
（Ｃ）フラックス活性剤、および
（Ｄ）最大粒子径が30μm以下かつ平均粒子径の標準偏差が5μm以下の粒子であり、下記一般式（１）：
【化１】
2006169407.tif 000012
（式中、X1〜X5は水素、炭素数1〜9のアルキル基またはフッ素であり、互いに同一であっても異なっていてもよい）
で表される硬化促進剤
を含有してなる半導体封止用樹脂組成物であって、200℃におけるゲル化時間と230℃におけるゲル化時間との差の絶対値が5〜25秒である、半導体封止用樹脂組成物。
【請求項２】
請求項１記載の半導体封止用樹脂組成物で封止されてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置において配線回路基板と半導体素子との間の空隙を封止するための半導体封止用樹脂組成物（以下、単に樹脂組成物という場合がある）およびその半導体封止用樹脂組成物で封止されてなる半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近の半導体装置の性能向上に伴う要求として、半導体素子をフェイスダウン構造で配線回路基板に搭載するフリップチップ実装が行われている。フリップチップ実装方式においては、互いの線膨張係数が異なる半導体素子と配線回路基板とをダイレクトに電気接続することから、接続部分の信頼性が問題となっている。
【０００３】
この対策としては、半導体素子と配線回路基板との空隙に液状樹脂材料を充填し硬化させて樹脂硬化体を形成し、電気接続部に集中する応力を上記樹脂硬化体にも分散させることにより接続信頼性を向上させる方法が採られている。
【０００４】
近年、このような半導体装置の生産性向上を図るため、配線回路基板上にハンダ接続性の熱硬化性樹脂組成物を予め塗布した後、半導体素子を配線回路基板上に搭載すると同時に樹脂封止を行い、次いでハンダ接続を行う方式（以下、ノーフロー方式と称す）が鋭意検討されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−３２９０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のようなノーフロー方式では、ハンダ接続時の加熱により、熱硬化性樹脂組成物が不均一に硬化反応を起こしてしまい、不均一な硬化または熱収縮によりボイドが発生すといった問題が生じていた。
【０００６】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、バンプ付半導体素子がフェイスダウン構造で配線回路基板上に搭載された半導体装置をノーフロー方式で製造する方法において好適に使用される、ポットライフに優れるだけでなく、ハンダ接続性およびボイドの発生抑制性にも優れる半導体封止用樹脂組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、
〔１〕半導体装置のノーフロー方式製造に用いるための、
（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、
（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物、
（Ｃ）フラックス活性剤、および
（Ｄ）最大粒子径が30μm以下かつ平均粒子径の標準偏差が5μm以下の粒子であり、下記一般式（１）：
【０００８】
【化１】
2006169407.tif 000002
【０００９】
（式中、X1〜X5は水素、炭素数1〜9のアルキル基またはフッ素であり、互いに同一であっても異なっていてもよい）
で表される硬化促進剤
を含有してなる半導体封止用樹脂組成物であって、200℃におけるゲル化時間と230℃におけるゲル化時間との差の絶対値が5〜25秒である、半導体封止用樹脂組成物、ならびに
〔２〕前記〔１〕記載の半導体封止用樹脂組成物で封止されてなる半導体装置
に関する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、バンプ付半導体素子がフェイスダウン構造で配線回路基板上に搭載された半導体装置をノーフロー方式で製造する方法において使用される、ポットライフに優れ、かつハンダ接続性およびボイド発生の抑制性にも優れる半導体封止用樹脂組成物を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の半導体封止用樹脂組成物（以下、単に樹脂組成物という場合がある）は、半導体装置のノーフロー方式製造に用いられ、
（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、
（Ｂ）１分子中に２個以上の水酸基を有する化合物、
（Ｃ）フラックス活性剤、および
（Ｄ）最大粒子径が30μm以下かつ平均粒子径の標準偏差が5μm以下の粒子であり、下記一般式（１）：
【００１２】
【化２】
2006169407.tif 000003
【００１３】
（式中、X1〜X5は水素、炭素数1〜9のアルキル基またはフッ素であり、互いに同一であっても異なっていてもよい）
で表される硬化促進剤を含み、200℃におけるゲル化時間と230℃におけるゲル化時間との差の絶対値が5〜25秒であることを１つの特徴とする。
【００１４】
本明細書において、ノーフロー方式とは、前記したように、配線回路基板上にハンダ接続性の樹脂組成物を予め塗布した後、半導体素子を配線回路基板上に実装すると同時に樹脂封止を行い、次いでハンダ接続を行う方式をいう。
【００１５】
本発明の樹脂組成物に含まれる（Ａ）成分である１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、ヒダントインエポキシ樹脂などの含窒素環エポキシ樹脂、水添加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロ環型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙げられ、50℃以下で液状である、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂が好適に使用される。これらは単独で使用されてもよく、あるいは、２種以上併用されてもよい。
【００１６】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、樹脂組成物の硬化体の機械的強度およびガラス転移温度の制御の観点から、好ましくは90〜1000g/eqである。エポキシ樹脂の含有量は、耐熱性や耐湿性の観点から、樹脂組成物中、好ましくは5〜90重量％、より好ましくは10〜80重量％である。
【００１７】
本発明の樹脂組成物に含まれる（Ｂ）成分である１分子中に２個以上の水酸基を有する化合物としては、特に限定されるものではないが、１分子中に２個以上の水酸基を有するフェノール樹脂が好ましい。具体例としては、クレゾールノボラック樹脂、フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン環型フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトール樹脂、それらのアリル化フェノール樹脂などが挙げられ、流動性および硬化性の観点から、40〜70℃に軟化点を有するフェノール樹脂が好適に使用される。これらは単独で使用されてもよく、あるいは、２種以上併用されてもよい。
【００１８】
（Ｂ）成分としてフェノール樹脂を使用する場合、樹脂組成物中のフェノール樹脂の含有量は、前記エポキシ樹脂との混合割合が好適となるような量であるのが好ましい。前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合割合は、樹脂組成物の硬化性、硬化体の耐熱性および耐湿性の確保の観点から、エポキシ樹脂のエポキシ当量1g/eqに対して、フェノール樹脂の水酸基当量が、好ましくは0.5〜1.5g/eq、より好ましくは0.7〜1.2g/eqとなるような割合であるのが好ましい。なお、（Ｂ）成分としてフェノール樹脂以外を使用する場合においても、その混合割合は、フェノール樹脂を用いる場合の混合割合（当量比）に準じればよい。
【００１９】
本発明の樹脂組成物に含まれる（Ｃ）成分であるフラックス活性剤とは、プロトンを有する酸性物質であって、金属酸化物の酸化膜を除去するという性質を有する物質をいい、その具体例としては、例えば、吉草酸、ラウリン酸、ステアリン酸などの脂肪族モノカルボン酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸、1,10-ドデカンジカルボン酸などの脂肪族ジカルボン酸、安息香酸、フタル酸、1,2,4-トリメリット酸、ピメリン酸などの芳香族カルボン酸、ロジン誘導体などが挙げられる。あるいは、かかる有機カルボン酸とビニルエーテル化合物との反応によって生成される下記一般式（２）：
【００２０】
【化３】
2006169407.tif 000004
【００２１】
で表される化学結合を有する化合物が用いられてもよい。ビニルエーテル化合物としては、１分子中に１個以上のビニルエーテル基を有する化合物であれば特に限定されないが、例えば、n-プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、2-エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルなどが挙げられる。上記化学結合を有する化合物をフラックス活性剤として用いる場合、所望とする温度以上で熱解離してカルボキシル基を生じ、エポキシ樹脂と反応し、ポットライフおよびハンダ接続性をさらに向上させることができるので好適に使用される。これらは単独で使用されてもよく、あるいは、２種以上併用されてもよい。
【００２２】
フラックス活性剤の含有量は、耐熱性およびハンダ接続性の観点から、樹脂組成物中、好ましくは0.5〜10重量％、より好ましくは1〜5重量％である。
【００２３】
本発明の樹脂組成物に含有される（Ｄ）成分である硬化促進剤は、一般式（１）：
【００２４】
【化４】
2006169407.tif 000005
【００２５】
で表され、X1〜X5は水素、炭素数1〜9のアルキル基またはフッ素であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。具体例としては、例えば、テトラフェニルホスホニウム・テトラ（４メチル−フェニル）ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ（４フルオロ−フェニル）ボレートなどが挙げられる。これらは単独で使用されてもよく、あるいは、２種以上併用されてもよい。
【００２６】
硬化促進剤の最大粒子径は、硬化性およびハンダ接続性の観点から、30μm以下、好ましくは20μm以下、より好ましくは10μm以下である。また、平均粒子径の標準偏差は、5μm以下、好ましくは2μm以下、より好ましくは1μm以下である。ここで、本明細書において最大粒子径とは、レーザー回折/散乱式によって検出された最大の粒子径を表し、標準偏差とは下記式：
【００２７】
【数１】
2006169407.tif 000006
【００２８】
により求められる値であり、粒子の分布の広がり具合を数値化したものである。
【００２９】
上記範囲の最大粒子径および平均粒子径の標準偏差を有する硬化促進剤は、例えば、市販の一般式（１）で表される化合物を乳鉢、ジェットミル、ビーズミルなどで所望の粒度分布になるように粉砕することにより調製することができる。その粉砕条件は、使用される化合物、粉砕機器などにより異なるため一概にはいえず、所望の粒度分布が得られるように適宜設定される。
【００３０】
上記のような粒度分布の粒子からなる硬化促進剤が樹脂組成物中に存在していることにより、調製後の急激な硬化を抑制することができ、優れたポットライフを有する樹脂組成物を提供することができる。
【００３１】
樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は、所望の半導体封止用樹脂組成物の硬化性およびハンダ接続性が阻害されなければ特に限定されないが、（Ｂ）成分100重量部に対して0.1〜5重量部が好ましく、0.5〜3重量部がより好ましい。
【００３２】
また、本発明の樹脂組成物には、所望により、硬化体の低応力化の観点から、無機充填剤、1,6ヘキサンジオールジグリシジルエーテルなどの反応性希釈剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、表面調整剤、酸化防止剤、粘着付与剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム、合成ゴムなどを、半導体装置の耐湿信頼性の向上の観点からハイドロタルサイト類、水酸化ビスマスなどのイオントラップ剤を加えることができる。これらは、単独で使用されてもよく、また２種以上併用されてもよい。これらの添加剤の含有量は、各添加剤の所望の効果が得られる範囲で適宜調整すればよい。
【００３３】
本発明の樹脂組成物は、例えば、以下のようにして調製することができる。すなわち、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フラックス活性剤を所定量混合し、さらに所望により、それら以外の成分を適宜添加し、各材料の軟化点以上の温度でホモミキサーなどを用いて予め溶融混合する。得られた溶融混合物の温度を、好ましくは40〜80℃に維持した状態で所定量の（Ｄ）成分を加えホモディスパーにより攪拌分散を行う。つぎに、これをフィルターを用いて濾過し、次いで減圧脱泡することにより目的とする半導体封止用樹脂組成物を製造することができる。
【００３４】
以上のようにして調製された本発明の樹脂組成物の200℃でのゲル化時間と230℃でのゲル化時間の差の絶対値は、5〜25秒であり、ハンダ接続性およびボイド発生の抑制性の観点から、7〜23秒であることが好ましい。ここで、ゲル化時間は、以下の実施例に記載の方法により測定することができる。
【００３５】
本発明の樹脂組成物により封止されてなる半導体装置は、図１に示すように、配線回路基板１の片面に、複数のバンプ２を介して半導体素子３が搭載された構造をとる。さらに、配線回路基板１と半導体素子３との間に封止樹脂層４が形成されている。
【００３６】
配線回路基板１の材質としては、特に限定するものではないが、大別してセラミック基板、プラスチック基板があり、プラスチック基板としては、例えばガラスエポキシ基板などのエポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板などが挙げられる。
【００３７】
配線回路基板１と半導体素子３とを電気的に接続する複数のバンプ２は、予め配線回路基板１の表面に配設されていてもよいし、半導体素子３の表面に配設されていてもよい。さらには、予め配線回路基板１の表面および半導体素子３の表面の双方にそれぞれ配設されていてもよい。
【００３８】
複数のバンプ２の材質としては、特に限定するものではないが、例えば、低融点および高融点ハンダ、錫、銀−錫などが挙げられ、また配線回路基板上の電極が上記の材質からなるものに対しては金、銅などであってもよい。
【００３９】
半導体素子３は、特に限定されず、通常使用されるものが使用できる。例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの元素半導体、ガリウムヒ素、インジウムリンなどの化合物半導体などの各種の半導体が使用される。
【００４０】
本発明の樹脂組成物を用いて封止してなる半導体装置は、先に述べたように、配線回路基板と半導体素子との間に樹脂組成物を介在させて、封止樹脂層を形成させることにより製造される。ここで、樹脂組成物の塗布は、配線回路基板上に行ってもよいし、半導体素子上に行ってもよい。本発明の半導体装置の製造方法の態様の一例を図面に基づき順を追って説明する。
【００４１】
配線回路基板への樹脂組成物の塗布は、まず図２に示すように、配線回路基板１上に、例えば、40℃に加温した溶融状態の本発明の樹脂組成物５をポッティングする。次いで図３に示すように樹脂組成物の上の所定位置に、複数のバンプ２が設けられた半導体素子３を載置し、加熱ステージ上で樹脂組成物５をさらに溶融状態として、半導体素子３のバンプ２が溶融状態の樹脂組成物５を押しのけて配線回路基板１とバンプ２とが接触するようにし、かつ、半導体素子３と配線回路基板１との間の空隙内に溶融状態の樹脂組成物を充填させた後、ハンダリフローによる金属接続を行い、その後樹脂組成物を硬化させることにより封止樹脂層４を形成して空隙を封止する。樹脂組成物の硬化温度としては、通常、100〜200℃が好適である。このようにして、図１に示す半導体装置を製造する。
【００４２】
なお、半導体装置の製法は、複数のバンプ２が設けられた半導体素子３を用いた場合について述べたが、これに限定するものではなく、予め配線回路基板１に複数のバンプ２が配設されたものを用いてもよい。
【００４３】
樹脂組成物５の厚さおよび重量は、搭載される半導体素子３の大きさおよび半導体素子３に設けられたバンプの大きさ、すなわち、半導体素子３と配線回路基板１との空隙を充填し封止することにより形成される封止樹脂層４の占める容積により適宜設定される。
【００４４】
また、半導体装置の製造方法において、樹脂組成物５を加熱溶融して溶融状態とする際の加熱温度は、半導体素子３および配線回路基板１の耐熱性、バンプ２の融点、および樹脂組成物５の軟化点、耐熱性などを考慮して適宜設定される。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに説明するが、本発明はかかる実施例によりなんら限定されるものではない。
【００４６】
以下に実施例および比較例で用いた原料をまとめて示す。
【００４７】
（１）エポキシ樹脂
エポキシ樹脂として、
（ａ）ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量：158g/eq、粘度：1240mPa・s/25℃）、または
（ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量：171g/eq、粘度：45Pa・s/25℃）
を用いた。
【００４８】
（２）フェノール樹脂
フェノール樹脂として、
（ａ）フェノールノボラック樹脂（水酸基当量：106g/eq、軟化点：62℃）、または
（ｂ）フェノールノボラック樹脂（水酸基当量：104g/eq、軟化点：50℃）
を用いた。
【００４９】
（３）フラックス活性剤
フラックス活性剤として、アジピン酸−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル重合体（酸当量：270g/mol、平均分子量（Mn）：1300、解離温度：200℃）を用いた。
【００５０】
（４）硬化促進剤
硬化促進剤として、
（ａ）テトラフェニルホスホニウム・テトラ（４メチル−フェニル）ボレート、
（ｂ）テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、または
（ｃ）2-フェニル-4,5-ジヒドロキシジメチルイミダゾール
を用いた。
【００５１】
（５）無機充填剤
無機充填剤として、球状シリカ（平均粒子径：1.0μm、最大粒子径：5.0μm）を用いた。
【００５２】
以下に実施例および比較例における評価方法をまとめて示す。
【００５３】
（１）硬化促進剤の粒子分散性
得られた樹脂組成物中の硬化促進剤の粒子分散性を評価するために光路長：10mmの石英セルに樹脂組成物を入れ分光光度計（島津製作所社製：UV3101PC）を用いて透過率を測定し、以下の評価基準に従って評価した。
〔評価基準〕
透過率80％未満：○
透過率80％以上：×
【００５４】
（２）ポットライフ
得られた樹脂組成物の調製直後の粘度および40℃で24時間放置した後の粘度を、Ｅ型粘度計（HAAKE社製：RS-1）を用いて樹脂組成物1g、回転プレートの直径35mm、ギャップを100μm、および回転速度10(1/s)で40℃にて測定した。次に、得られた値を以下の式：
変化率（％）＝（V(24)-V(0)）×100/V(0)
V(24)：40℃で24時間放置した時の粘度
V(0)：調製直後の40℃における粘度
にあてはめ、得られた値について以下の評価基準に従って評価した。
〔評価基準〕
変化率が20％未満：○
変化率が20％以上：×
【００５５】
（３）ゲル化時間の差
熱板の表面温度を表面温度計で測定し、200℃または230℃になるように設定した。測定サンプルを0.5〜1gとり、熱板上にのせてすばやく広げた。サンプルが溶融すると同時にストップウォッチで測定を開始した。5秒間、サンプルをかき混ぜ、その後10秒間で薄く引き伸ばした。針先で線を入れていき、線が広がり乱れた点を終点とし、ストップウォッチを止め、時間を読み取り、その時間をゲル化時間とした。200℃にて得られたゲル化時間と230℃にて得られたゲル化時間の差を算出し、その値をゲル化時間の差とした。
【００５６】
（４）ハンダ接続性
得られた半導体装置（n＝10）について、全バンプに対する接続不良バンプを不良率としてカウントした。
【００５７】
（５）ボイド発生
製造した半導体装置中の封止樹脂層に存在するボイドを超音波顕微鏡（ソノスキャン社製：D6000）を用いて、周波数：100MHzにて観察した。
【００５８】
製造例１  所定の粒度分布を有する硬化促進剤の製造
表１に示すように、前記硬化促進剤（ａ）〜（ｃ）をジェットミル（日本ニューマチック工業社製：PJM-80SP）を用いて粉砕し、種々の粒度分布を有する硬化促進剤（Ａ）〜（Ｆ）を作製した。なお、粒度分布はレーザー回折／散乱式粒度分布測定装置（堀場製作所社製：LA-910）を用いて測定した。
【００５９】
【表１】
2006169407.tif 000007
【００６０】
実施例１〜９ならびに比較例１〜３および５
表２〜４に示す各原料を同表に示す割合で、ホモミキサー（特殊機化工業社製：T.K.ホモミキサーモデルM）を用いて溶融混合し、次いで、400メッシュのフィルターを用いて70℃で濾過した。その後、70℃で60分間、3.3×10-3MPaで減圧脱泡し、これを室温にて冷却して樹脂組成物を作製した。得られた樹脂組成物について、硬化促進剤粒子分散性、ポットライフおよびゲル化時間の差を上記の評価方法に従い評価した。その値を表２〜４に示す。なお、溶融混合は以下のように実施した。
【００６１】
溶融混合
まず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびフラックス活性剤を仕込み、70℃で10分間、1000rpmで混合し、固形分を充分に分散もしくは溶解させた。次に、60℃の温度に調整した後、硬化促進剤を加え、10分間、3000rpmで混合した。
【００６２】
比較例４
硬化促進剤（Ａ）5.08gとフェノール樹脂（ａ）100gとを150℃で１時間混合して、硬化促進剤含有フェノール樹脂を調製した。
【００６３】
次に、表４に示す各原料を同表に示す割合で、ホモミキサー（特殊機化工業社製：T.K.ホモミキサーモデルM）を用いて70℃で10分間、1000rpmで混合し、次いで、400メッシュのフィルターを用いて70℃で濾過した。その後、70℃で60分間、3.3×10-3MPaで減圧脱泡し、これを室温にて冷却して樹脂組成物を作製した。得られた樹脂組成物について、硬化促進剤粒子分散性、ポットライフおよびゲル化時間の差を上記の評価方法に従い評価した。その値を表４に示す。
【００６４】
【表２】
2006169407.tif 000008
【００６５】
【表３】
2006169407.tif 000009
【００６６】
【表４】
2006169407.tif 000010
【００６７】
実施例１１〜２０および比較例５〜８
以上のようにして得られた調製直後の実施例１〜１０および比較例１〜４の樹脂組成物を用い、前述の半導体装置の製造方法に従って半導体装置（図１に示す半導体装置に相当）を製造した。すなわち、配線回路基板（ガラスエポキシ基板厚さ：1mm）上に樹脂組成物を40℃に加温し溶融状態でポッティングした。これを130℃に加熱したステージ上に置き、樹脂組成物の上の所定の位置に、バンプ（鉛フリーハンダ：融点221℃）を設けた半導体素子（厚さ：600μm、大きさ10mm×10mm、バンプ数：2000個）をフリップチップボンダー（九州松下社製：FB30T-M）を用いて半導体素子実装（温度130℃、圧力＝4.9×10-3N/バンプ）すると同時に樹脂封止した。その後、240℃にて10秒間ハンダ溶融を行って半導体装置を製造した。得られた半導体装置に対して、乾燥炉（タバイエスペック社製：PHH-100）を使用して、175℃にて60分間樹脂組成物のポストキュアを行い、目的とする半導体装置を得た。
【００６８】
得られた半導体装置について、ハンダ接続性およびボイド発生の評価を行った。その結果を表５に示す。
【００６９】
【表５】
2006169407.tif 000011
【００７０】
表２〜５から、実施例で得られた樹脂組成物は、硬化促進剤が相溶せずに樹脂組成物中に固体粒子として存在しており、40℃で24時間放置した後も、初期粘度と比較し大きな粘度変化は見られず、また実施例で得られた半導体装置は良好なハンダ接続性を有し、ボイドも発生しないことが確認された。
【００７１】
比較例１で得られた樹脂組成物は、硬化促進剤が樹脂組成物中に固体粒子として存在しており、良好なポットライフを有しているものの、ゲル化時間の差が大きく、半導体装置に用いた場合、良好なハンダ接続性が得られるが、不均一な硬化によりボイドを発生することが確認された。一方、比較例２および３で得られた樹脂組成物では、40℃で24時間放置した後の粘度が極めて大きく変化し、調製から24時間以降の樹脂組成物は半導体装置の製造には利用できないことがわかる。比較例４で得られた樹脂組成物は、硬化促進剤が樹脂組成物中に固体粒子として存在しているものの、その粒子サイズが大きいため、半導体装置に用いた場合、良好なハンダ接続性を得ることができず、ボイドも発生した。
【００７２】
従って、実施例は比較例と比較して、長時間安定した粘度を維持し、かつ優れたハンダ接続性およびボイド発生の抑制効果を有していることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、半導体産業において配線回路基板と半導体素子との間の空隙を封止するために利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の半導体装置の一態様を示す。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の工程説明図の一例を示す。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の工程説明図の一例を示す。
【符号の説明】
【００７５】
１  配線回路基板
２  バンプ
３  半導体素子
４  封止樹脂層
５  樹脂組成物
【図１】
2006169407.tif 000014
【図２】
2006169407.tif 000015
【図３】
2006169407.tif 000016