(57)【要約】【課題】  レーザダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】  基板50上に少なくとも、下部クラッド層54、共振層57、上部クラッド層58、上部コンタクト層60、上部電極層62及び犠牲層63を順次に形成するステップ、犠牲層から上部クラッド層の所定深さまでエッチングし、リッジ部を形成するステップ、リッジ部の側面に露出された上部電極層を所定深さにエッチングし、上部コンタクト層の両側上面と、これに対応する犠牲層の両側底面とを露出させるステップ、リッジ部の表面及びリッジ部から延びる上部クラッド層の上面に形成され、犠牲層の少なくとも一側底面が露出されるように開口部を有する所定厚さの埋め込み層を形成するステップ、及び開口部を介してエッチャントを供給し、犠牲層及びその上の埋め込み層部分を除去するステップを含む。【選択図】            図２
2006074043.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも下部クラッド層、共振層、上部クラッド層、上部コンタクト層、上部電極層及び犠牲層を順次に形成するステップと、
前記犠牲層から上部クラッド層の所定深さまでエッチングし、リッジ部を形成するステップと、
前記リッジ部の側面に露出された上部電極層を所定深さにエッチングし、上部コンタクト層の両側上面と、これに対応する前記犠牲層の両側底面とを露出させるステップと、
前記リッジ部の表面及びリッジ部から延びる上部クラッド層の上面に形成され、前記犠牲層の少なくとも一側底面が露出されるように、開口部を有する所定厚さの埋め込み層を形成するステップと、
前記開口部を介してエッチャントを供給し、前記犠牲層及びその上の埋め込み層部分を除去するステップと、
を含むことを特徴とするレーザダイオードの製造方法。
【請求項２】
前記露出された上部電極層のエッチングは、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との混合液を利用する湿式エッチング工程によって行われることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオードの製造方法。
【請求項３】
前記犠牲層とその上の埋め込み層部分は、リフトオフ法により除去されることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオードの製造方法。
【請求項４】
前記犠牲層の除去は、湿式エッチング工程により行われることを特徴とする請求項３に記載のレーザダイオードの製造方法。
【請求項５】
前記犠牲層は、前記露出された犠牲層の少なくとも一側底面を介して流入されるエッチャントにより、選択的にエッチングされることを特徴とする請求項４に記載のレーザダイオードの製造方法。
【請求項６】
前記エッチャントは、ＢＯＥ溶液またはＨＦ溶液であることを特徴とする請求項５に記載のレーザダイオードの製造方法。
【請求項７】
前記開口部は、前記犠牲層の底面及び前記上部電極層の側面に対応して形成されることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオードの製造方法。
【請求項８】
前記犠牲層は、シリコン酸化物から形成されることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオードの製造方法。
【請求項９】
前記シリコン酸化物は、ＳｉＯ２であり、その厚さは、１００Åないし１０，０００Åであることを特徴とする請求項８に記載のレーザダイオードの製造方法。
【請求項１０】
前記埋め込み層は、ＴｉＯ２から形成され、その厚さは、１００Åないし１０，０００Åであることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザダイオードの製造方法に係り、さらに詳細には自己整列を利用した半導体レーザダイオードの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザダイオードのレーザ光は、光通信、多重通信、宇宙通信のような応用分野で現在実用化されつつある。半導体レーザは、光通信のような通信分野やコンパクトディスクプレーヤ（ＣＤＰ：Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ Ｐｌａｙｅｒ）やデジタル多機能ディスクプレーヤ（ＤＶＤＰ：Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ Ｐｌａｙｅｒ）のような装置で、データの伝送やデータの記録及び判読のための手段の光源として広く使われている。
【０００３】
このように、半導体レーザダイオードが広く使われる理由は、限定された空間内で、レーザ光の発振特性を維持できて小型化が可能であり、何よりもレーザ発振のための臨界電流値が小さいというところにある。半導体レーザを使用できる産業分野が増えつつ、さらに小さな臨界電流値を有する半導体レーザダイオードに対する要求が高まっているが、すなわち低電流発振が可能であり、長時間の寿命動作試験をパスする優秀な特性を有する半導体レーザダイオードに対する必要性が高まっている。
【０００４】
図１は、従来技術による半導体レーザダイオードであり、レーザ発振のための臨界電流値を減少させるように、リッジ導波構造を有する半導体レーザダイオードを示す。
【０００５】
図１を参照すれば、サファイア基板１０上に、第１及び第２領域Ｒ１，Ｒ２に区分されるｎ−ＧａＮ下部コンタクト層１２が積層されている。第１領域Ｒ１上では、ｎ−ＧａＮ下部コンタクト層１２の上面に、ｎ−ＧａＮ／ＡｌＧａＮ下部クラッド層２４、ｎ−ＧａＮ下部導波層２６、ＩｎＧａＮ活性層２８、ｐ−ＧａＮ上部導波層３０、ｐ−ＧａＮ／ＡｌＧａＮ上部クラッド層３２が順次に積層されている。ここで、ｎ−及びｐ−ＧａＮ／ＡｌＧａＮ下部及び上部クラッド層２４，３２の屈折率は、ｎ−及びｐ−ＧａＮ下部及び上部導波層２６，３０より小さく、ｎ−及びｐ−ＧａＮ下部及び上部導波層２６，３０の屈折率は、活性層２８の屈折率より小さい。ｐ−ＧａＮ／ＡｌＧａＮ上部クラッド層３２の上部真ん中部分には、リッジウェーハガイド構造を提供する所定幅の突出されたリッジ３２ａが形成されており、リッジ３２ａの頂上面には、ｐ−ＧａＮ上部コンタクト層３４が形成されている。前記ｐ−ＧａＮ／ＡｌＧａＮ上部クラッド層３２の上には、コンタクトホール３６ａを有するパッシベーション層としての埋め込み層３６が形成されている。前記埋め込み層３６のコンタクトホール３６ａは、前記リッジ３２ａの上面に形成された上部コンタクト層３４の頂上部分に対応し、コンタクトホール３６ａの縁部分は、上部コンタクト層３４上面の縁部分に重なっている。
【０００６】
前記埋め込み層３６上には、ｐ型上部電極３８が形成されており、ｐ型電極３８は、前記埋め込み層３６のコンタクトホール３６ａを介して前記上部コンタクト層３４に接触される。上部下部コンタクト層１２で、第１領域Ｒ１より低い第２領域Ｒ２には、ｎ型下部電極３７が形成されている。
【０００７】
このように、上部クラッド層３２に設けられたリッジ導波構造は、活性層２８に注入される電流を制限し、活性層２８でのレーザ発振のための共振領域幅を制限し、横モードを安定化させ、そして動作電流を低くする。
【０００８】
前記のようなリッジ導波構造を整える工程で、上部クラッド層の周辺を覆う埋め込み層に、リッジ上面に対応するコンタクトホールを形成する方法には、マスクを利用したフォトリソグラフィ法によりリッジ上方にコンタクトホールを形成する方法がある。しかし、このような方法は、製造工程の正確性に劣るという欠点を有し、特に素子の上部コンタクト層とｐ型上部電極との間に十分な接触面積を確保できないという限界がある。これにより、素子の作動電圧を上昇させ、そして動作時に発生した熱を効果的に排出できる経路を提供できなくなる。
【０００９】
従って、レーザダイオードのコンタクトホールを形成する方法として、自己整列法が好まれる。特許文献１は、物質の選択的溶解を利用したリフトオフ法により、自己整列されたコンタクトホールを形成する方法を開示する。しかし、リフトオフ時に、埋め込み層が厚すぎれば、リフトオフ自体が不可能であるために、リフトオフの対象になる埋め込み層の厚さを一定値以下に制限しなければならない。特に、リフトオフ法は、物質間の溶解度差により、目的とする物質層だけを除去するものであるから、物質選択に制限がある。
【００１０】
自己整列法を適用した公知の従来の他方法は、いわゆるエッチバックを適用してリッジの頂上面に対応するコンタクトホールを埋め込み層に形成する。この方法は、リッジ上に埋め込み層が形成されているウェーハ全体に平坦化されたフォトレジストを形成した後、乾式エッチング法を利用したエッチバックにより、リッジ上の部分のマスクを除去し、リッジ上部に対応するコンタクトホールを形成する技術である。この技術での問題点は、埋め込み層とリッジとの間に、エッチング阻止層が存在しないために、エッチバック過程中にエッチング終了時点の把握が困難であるという点である。また、乾式エッチングによるエッチバックにより、局部的に露出されたリッジ上部の埋め込み層は、湿式エッチングにより除去されねばならない。乾式エッチングは、リッジ上端部に存在する上部コンタクト層を損傷させるために、適用不可能である。こうした理由により、不回避に適用される湿式エッチングによれば、フォトレジストと埋め込み層との間の界面を介して浸透することにより、埋め込み層をリッジの側面方向に過度にエッチングさせてしまうという問題が発生する。
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２０００／５２７９６号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明が解決しようとする技術的課題は、リッジ導波構造でリッジを安定的に保護し、安定したリッジの保護により、漏れ電流及び動作電流の上昇を効果的に防止できるだけではなく、製造工程が単純であり、精密性及び信頼性の向上したレーザダイオード製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、基板上に少なくとも下部クラッド層、共振層、上部クラッド層、上部コンタクト層、上部電極層及び犠牲層を順次に形成するステップ、前記犠牲層から上部クラッド層の所定深さまでエッチングし、リッジ部を形成するステップ、前記リッジ部の側面に露出された上部電極層を所定深さにエッチングし、上部コンタクト層の両側上面と、これに対応する前記犠牲層の両側底面とを露出させるステップ、前記リッジ部の表面及びリッジ部から延びる上部クラッド層の上面に形成され、前記犠牲層の少なくとも一側底面が露出されるように、開口部を有する所定厚さの埋め込み層を形成するステップ、及び前記開口部を介してエッチャントを供給し、前記犠牲層及びその上の埋め込み層部分を除去するステップを含むレーザダイオードの製造方法が提供される。
【００１３】
前記露出された上部電極層のエッチングは、エッチャントとして、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との混合液が使われる湿式エッチング工程によって行われる。また、前記犠牲層とその上の埋め込み層部分は、リフトオフ法により除去される。前記犠牲層の除去は、湿式エッチング工程により行われる。前記犠牲層は、前記露出された犠牲層の少なくとも一側底面を介して流入されるエッチャントにより選択的にエッチングされ、前記エッチャントとして、ＢＯＥ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ Ｏｘｉｄｅ Ｅｔｃｈｉｎｇ）溶液またはＨＦ溶液が使われる。従って、前記犠牲層上の埋め込み層部分は、前記犠牲層が除去されるにつれて共に除去される。
【００１４】
前記犠牲層は、シリコン酸化物、例えばＳｉＯ２であり、１００Åないし１０，０００Åの厚さに形成される。また、前記埋め込み層は、絶縁物質、例えばＴｉＯ２であり、１００Åないし１０，０００Åの厚さに形成される。
【００１５】
前記本発明のレーザダイオードの製造方法において、前記基板と下部クラッド層との間にバッファ層をさらに形成することができる。ここで、前記バッファ層は、ｎ−ＧａＮ系のIII−Ｖ族窒化物半導体層であることが望ましく、前記下部クラッド層は、ｎ−ＧａＮ／ＡｌＧａＮ層であることが望ましい。
【００１６】
前記共振層を形成するステップは、前記下部クラッド層上に、前記下部クラッド層より屈折率の大きい下部導波層を形成するステップと、前記下部導波層の上面に、レーザ光が生成される活性層を形成するステップと、前記活性層上に上部導波層を形成するステップとをさらに含む。
【００１７】
前記上下部導波層は、前記活性層より屈折率の小さなことが望ましく、特にＧａＮ系のIII−Ｖ族化合物の半導体層であることが望ましい。
【００１８】
前記活性層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１そしてｘ＋ｙ≦１）であるＧａＮ系のIII−Ｖ族窒化物半導体層でありうる。
【００１９】
前記上部クラッド層は、ｐ−ＧａＮ／ＡｌＧａＮであることが望ましく、前記上部コンタクト層は、ｐ−ＧａＮ系のIII−Ｖ族窒化物半導体層であることが望ましい。
【００２０】
本発明によれば、上部クラッド層、上部コンタクト層、上部電極層及び犠牲層を含むリッジ部が一度のエッチング工程により形成され、一度の蒸着工程により前記リッジ部の表面に埋め込み層が形成される。また、前記リッジ部から犠牲層及びその上の埋め込み層の除去が容易であるために、製造工程が単純化され、工程の精密性と信頼性とが図られる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、埋め込み層の厚さを十分に大きくでき、埋め込み層のための物質の選択範囲が従来に比べて広くなる。
【００２２】
また、露出された上部コンタクト層の両側上面が利用されることにより、前記上部電極層、上部コンタクト層及び上部クラッド層を含むリッジ部の側面に埋め込み層が自己整列されつつ安定的に形成される。従って、リッジ部の側面を介した電流漏れが効果的に抑制される。
【００２３】
また、上部コンタクト層とｐ型上部電極との間の十分な接触面積を確保することができ、レーザダイオードの動作時に内部で発生した熱が効果的に排出可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態による半導体レーザダイオードの製造方法を、図面を参照して詳細に説明する。図面で、半導体レーザダイオードを構成する各層の幅と高さは、説明のために誇張されて図示されていることに留意する必要がある。
【００２５】
図２は、本発明によって製造されたレーザダイオードの一実施形態を示す概略的な断面図である。図２を参照すれば、本発明の実施形態による半導体レーザダイオードは、基板５０と、基板の上面に順に積層されるバッファ層５２、下部クラッド層５４、共振層５７、上部クラッド層５８、上部コンタクト層６０及び上部電極層６２を備える。また、上部クラッド層５８の突出部５８ａ、上部コンタクト層６０及び上部電極層６２は、リッジ部６６を形成している。
【００２６】
バッファ層５２は、下部コンタクト層であり、基板５０の上面に積層され、段差を有する。バッファ層５２の段差が形成された部分には、ｎ型下部電極５１が位置する。
【００２７】
前記基板５０は、サファイア基板またはフリースタンディングＧａＮ基板が主に利用され、バッファ層５２は、ｎ−ＧａＮ系のIII−Ｖ族窒化物化合物の半導体層から形成するが、特にｎ−ＧａＮ層から形成することが望ましい。しかし、これに限定されず、レーザ発振の可能なIII−Ｖ族の他の化合物の半導体層でありうる。下部クラッド層５４は、所定の屈折率を有するｎ−ＧａＮ／ＡｌＧａＮ層であることが望ましいが、レーザ発振の可能な他の化合物の半導体層でありうる。
【００２８】
前記共振層５７は、下部クラッド層５４の上面に順に下部導波層５３、活性層５６及び上部導波層５５が積層された構造を有する。上下部導波層５５，５３は、活性層５６より屈折率の小さな物質から形成するが、ＧａＮ系のIII−Ｖ族化合物の半導体層から形成することが望ましい。下部導波層５３は、ｎ−ＧａＮ層から、上部導波層５５は、ｐ−ＧａＮ層から形成する。活性層５６は、レーザ発振の起こりうる物質層ならば、いかなる物質層でも使用でき、望ましくは臨界電流値が小さく、横モード特性の安定しているレーザ光を発振できる物質層を使用する。活性層５６として、Ａｌが所定比率含まれているＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１そしてｘ＋ｙ≦１）であるＧａＮ系のIII−Ｖ族窒化物化合物の半導体層を使用することが望ましい。ここで、前記活性層５６は、多重量子ウェルまたは単一量子ウェルのうち、いずれか１つの構造を有することができ、このうな活性層の構造は、本発明の技術的範囲を制限しない。
【００２９】
上部クラッド層５８は、上部導波層５５の上面に積層され、中央部に突出部５８ａが形成されており、上部導波層５５より屈折率が小さい。また、前記突出部５８ａの上面に、オーミックコンタクト層として上部コンタクト層６０が形成され、その上に上部電極層６２が形成される。このうな上部クラッド層５８の突出部５８ａ、上部コンタクト層６０及び上部電極層６２は、リッジ部６６を形成する。
【００３０】
上部クラッド層５８は、下部クラッド層５４がｎ型化合物の半導体層ならば、ｐ型化合物の半導体層から形成し、下部クラッド層５４がｐ型化合物の半導体層ならば、ｎ型化合物の半導体層から形成する。すなわち、下部クラッド層５４がｎ−ＧａＮ／ＡｌＧａＮ層ならば、上部クラッド層５８は、ｐ−ＧａＮ／ＡｌＧａＮから形成する。同様に、バッファ層５２がｎ型化合物の半導体層ならば、上部コンタクト層６０は、ｐ型化合物の半導体層から形成し、その反対も可能である。従って、バッファ層５２がｎ−ＧａＮから形成されれば、上部コンタクト層６０は、ｐ−ＧａＮから形成する。
【００３１】
本発明の実施形態による半導体レーザダイオードは、上部クラッド層５８の両側肩部分の上面と、その中央のリッジ部６６の側面とを覆うパッシベーション層としての埋め込み層６４を備える。前記埋め込み層６４は、絶縁物質、例えばＴｉＯ２から形成される。
【００３２】
前記のような埋め込み層６４が形成されたリッジ導波構造で、突出部５８ａの上にある上部ｐ型電極層６２は、上部コンタクト層６０の上に形成され、その両側部分は、埋め込み層６４により覆われている。
【００３３】
下部オーミックコンタクト層としてのバッファ層５２の段差部分には、ｎ型電極５１が形成されている。しかし、ｐ型電極６２と対向するように基板５０の底面に形成可能であるが、その場合、基板５０は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）または窒化ガリウム（ＧａＮ）から形成することが望ましい。
【００３４】
図３Ａから図３Ｇは、本発明によるレーザダイオードの製造方法を説明する工程図である。本製造方法の説明で、バッファ層５２、すなわちｎ−コンタクト層を露出させるためのエッチング工程、及びそれに関わるｎ−電極５１の形成過程については省略する。ｎ−コンタクト層に段差部を形成する過程は、リッジの形成以前またはリッジ形成以後または他のエッチング工程中、または上部ｐ−電極形成以後などで、多様な方法により行われうる。
【００３５】
まず図３Ａに図示されているように、基板５０の上面に、バッファ層５２、下部クラッド層５４、下部導波層５３、活性層５６、上部導波層５５、上部クラッド層５８、上部コンタクト層６０、上部電極層６２及び犠牲層６３を順次に形成する。
【００３６】
上部コンタクト層６０の上面に、ｐ−上部電極層６２を形成するための金属物質を蒸着し、ｐ−上部電極層６２の上面に犠牲層６３を形成する。ここで、犠牲層６３は、ＳｉＯ２であり、１００Åから１０，０００Åの厚さに形成され、望ましくは５００Åから２，５００Åの厚さに形成される。前記ＳｉＯ２は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、物理気相蒸着（ＰＶＤ）またはスパッタリング法により形成可能である。
【００３７】
図３Ｂに図示されているように、前記積層構造物の最上面、すなわち犠牲層６３の上面に、フォトレジストのコーティング及びパターニング、またはＳｉＯ２蒸着及びパターニングなどにより、リッジ導波形成のためのマスク層６７を形成する。
【００３８】
図３Ｃに図示されているように、反応性イオンエッチング（ＲＩＥまたはＩＣＰ−ＲＩＥ）、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）、化学的補助イオンビームエッチング（ＣＡＩＢＥ）などにより、前記マスク層６７に覆われていない部分を垂直に上部クラッド層５８の所定深さまでエッチングし、上部クラッド層５８の中央部分にリッジ部６８を形成する。従って、前記リッジ部６８は、上部クラッド層５８の突出部５８ａ、上部コンタクト層６０、上部電極層６２及び犠牲層６３を含む。前記リッジ部６８は、ストライプ状に形成される。前記エッチング工程後に、前記マスク６７は、三塩化エチレン（ＴＣＥ：ＴｒｉＣｈｌｏｒｏＥｔｈｙｌｅｎｅ）／アセトン／イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を利用する有機洗浄工程により除去される。
【００３９】
図３Ｄに図示されているように、前記リッジ部６８の側面に露出された上部電極層６２を所定深さにエッチングし、上部コンタクト層６０の両側上面６０ａ，６０ｂ、及びそれに対応して前記犠牲層６３の両側底面６３ａ，６３ｂを露出させる。本製造工程では、前記上部電極層６２をエッチングするために、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とを１０対１の割合で混ぜた溶液で約１５秒間湿式エッチングした。このとき、さらに望ましくは、溶液の比率を適切に調節し、湿式エッチング時間を調節し、上部犠牲層６３と上部電極層６２との界面で、上部電極層６２と上部コンタクト層６０との界面よりさらに多くのエッチングが起こるようにしなければならない。また、上部電極層６２と上部コンタクト層６０との界面で、少ないエッチングが起きるように、溶液の比率及びエッチング時間が調節されることが望ましい。ここで、上部コンタクト層６０の両側上面６０ａ，６０ｂより、前記犠牲層６３の両側底面６３ａ，６３ｂがさらに露出される。これは、上部電極層６２と犠牲層６３であるＳｉＯ２との接合界面特性が上部電極層６２と上部コンタクト層６０との接合界面特性より不要であるためである。
【００４０】
図３Ｅに図示されているように、前記リッジ部６８の表面及びリッジ部６８から延びる上部クラッド層５８の上面に埋め込み層６４を形成する。横モード安定化及びリッジ部６８の電気的絶縁のために、前記埋め込み層６４が形成される。ここで、前記埋め込み層６４は、前記犠牲層６３の少なくとも一側底面６３ａ，６３ｂが露出されうるように、開口部７０を有する。前記開口部７０は、前記犠牲層６３の底面６３ａ，６３ｂ及び前記上部電極層６２の側面に対応して形成される。ここで、埋め込み層６４に開口部７０が形成されるのは、上部電極層６２が所定深さにエッチングされ、小幅に小さくなるために、前記埋め込み層６４の蒸着時に、前記上部電極層６２の両側面がその上の犠牲層６３により識別され、上部電極層６２の両側に埋め込み層６４の形成が容易ではないためである。
【００４１】
前記埋め込み層は、絶縁物質、例えばＴｉＯ２であり、１００Åから１０，０００Åの厚さに形成され、望ましくは５００Åから２５，００Åの厚さに形成される。前記ＴｉＯ２は、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＰＶＤまたはスパッタリング法により形成可能である。
【００４２】
図３Ｆに図示されているように、前記開口部７０を介してエッチャントを供給し、前記犠牲層６３及びその上の埋め込み層６４の部分を除去する。ここで、前記犠牲層６３とその上の埋め込み層６４の部分は、リフトオフ法により除去される。前記犠牲層６３の除去は、湿式エッチング工程により行われ、エッチャントとして、ＢＯＥ溶液またはＨＦ溶液などが使われる。前記犠牲層６３は、前記露出された犠牲層６３の少なくとも一側底面６３ａ，６３ｂを介して流入されるエッチャントにより選択的にエッチングされ、前記犠牲層６３上の埋め込み層６４の部分は、前記犠牲層６３がエッチングされて除去されることにより、共に除去される。本製造工程では、エッチャントとしてＢＯＥ溶液を利用し、犠牲層６３を３０秒ないし数分間エッチングすることにより、前記犠牲層６３を除去し、前記犠牲層６３の除去と共に、その上に蒸着された埋め込み層であるＴｉＯ２が除去された。
【００４３】
図３Ｇに図示されているように、本発明の製造方法によって製造されたレーザダイオードで、上部電極層６２の両側面を含むリッジ部６６の両側面と、前記リッジ部６６から延びる上部クラッド層５８の上面とに、埋め込み層６４が自己整列されて安定的に形成される。従って、リッジ部６６の側面を介した電流漏れが効果的に抑制される。また、上部コンタクト層６０とｐ型上部電極６２との間の十分な接触面積を確保することができ、レーザダイオードの動作時に内部で発生した熱が効果的に排出されうる。
【００４４】
図４は、本発明による製造工程で、上部電極層を所定深さにエッチングした後、リッジ部の断面を示すＳＥＭ写真を示す図である。
【００４５】
図５は、本発明による製造工程で、リッジ部の表面に埋め込み層を形成した後、リッジ部の断面を示すＳＥＭ写真を示す図である。
【００４６】
図６は、本発明による製造工程で、犠牲層及びその上の埋め込み層部分を除去した後、リッジ部の断面を示すＳＥＭ写真を示す図である。すなわち、本発明の製造方法によって製造されたレーザダイオードの部分ＳＥＭ写真を示す図である。上部電極層の表面粗度が改善され、埋め込み層が安定的に形成されていることを示す。
【００４７】
本発明によれば、上部クラッド層、上部コンタクト層、上部電極層及び犠牲層を含むリッジ部が一度のエッチング工程により形成され、一度の蒸着工程により前記リッジ部の表面に埋め込み層が形成される。また、前記リッジ部から犠牲層及びその上の埋め込み層の除去が容易であるために、製造工程が単純化され、工程の精密性と信頼性とが図られる。
【００４８】
本願発明の理解を助けるために、いくつかの模範的な実施形態が説明され、添付された図面に図示されているが、このような実施例は、単に広い発明を例示するだけであり、これを制限するものではないという点が理解されねばならず、そして本発明は、図示されて説明された構造と配列とに限定されるものではないという点も理解されねばならず、それは、多様な他の修正が当分野で当業者に起こりうるためである。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、レーザダイオードの製造方法に係り、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）またはＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）のような半導体レーザダイオード関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】従来レーザダイオードの一例を示す概略的断面図である。
【図２】本発明によって製造されたレーザダイオードの一実施形態を示す概略的断面図である。
【図３Ａ】本発明によるレーザダイオードの製造方法を説明する工程図である。
【図３Ｂ】本発明によるレーザダイオードの製造方法を説明する工程図である。
【図３Ｃ】本発明によるレーザダイオードの製造方法を説明する工程図である。
【図３Ｄ】本発明によるレーザダイオードの製造方法を説明する工程図である。
【図３Ｅ】本発明によるレーザダイオードの製造方法を説明する工程図である。
【図３Ｆ】本発明によるレーザダイオードの製造方法を説明する工程図である。
【図３Ｇ】本発明によるレーザダイオードの製造方法を説明する工程図である。
【図４】本発明による製造工程で、上部電極層を所定深さにエッチングした後、リッジ部の断面を示すＳＥＭ写真を示す図である。
【図５】本発明による製造工程で、リッジ部の表面に埋め込み層を形成した後、リッジ部の断面を示すＳＥＭ写真を示す図である。
【図６】本発明による製造工程で、犠牲層及びその上の埋め込み層部分を除去した後、リッジ部の断面を示すＳＥＭ写真を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
５０    基板、
５１    ｎ型下部電極、
５２    バッファ層、
５３    下部導波層、
５４    下部クラッド層、
５５    上部導波層、
５６    活性層、
５７    共振層、
５８    上部クラッド層、
５８ａ    突出部、
６０    上部コンタクト層、
６２    上部ｐ型電極層、
６６    リッジ層。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2006074043.tif 000006
【図３Ｃ】
2006074043.tif 000007
【図３Ｄ】
2006074043.tif 000008
【図３Ｅ】
2006074043.tif 000009
【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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