(57)【要約】【課題】  有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。【解決手段】  前記有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法は、第１の電極の上部の少なくとも一部を露出させる開口部を具備する無機画素定義膜を蒸着法を用いて薄く形成することにより、形成される有機膜層パターンが第１の電極と無機画素定義膜との段差によって切れることを防ぐといった効果がある。また、転写工程の際に、第１の電極と有機膜層との密着度を向上させて、低いエネルギーを持つレーザービームでも転写が可能であり、転写効率を向上させるだけではなく、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率及び寿命を向上させるといった効果がある。【選択図】  図２
2006093079.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上部に形成されている第１の電極と、
前記第１の電極の上部に形成されており、前記第１の電極の上部の少なくとも一部を露出させる開口部を具備する無機画素定義膜と、
前記第１の電極及び前記開口部が形成された無機画素定義膜の両端部上に位置して、少なくとも発光層を含む有機膜層パターンと、
前記有機膜層パターンの上部に形成されている第２の電極とを含み、
前記無機画素定義膜は蒸着法を用いて形成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記無機画素定義膜は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法又は物理気相蒸着（ＰＶＤ）法を用いて形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記無機画素定義膜は、スパッタリングを用いて形成されたことを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記無機画素定義膜の厚さが、１００から３０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記無機画素定義膜の厚さが、１００から１０００Åであることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記無機画素定義膜は、非晶質シリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸窒化膜からなる群より選ばれたいずれか一つの物質からなることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記第１の電極はアノード電極であり、前記第２の電極はカソード電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記第１の電極はカソード電極であり、前記第２の電極はアノード電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
基板を提供する段階と、
前記基板の上部に第１の電極を形成する段階と、
前記第１の電極を含む基板の上部に蒸着法を用いて無機画素定義膜を形成する段階と、
前記無機画素定義膜をパターニングして少なくとも前記第１の電極の一部を露出させる開口部を形成する段階と、
前記第１の電極及び前記開口部が形成された無機画素定義膜の両端部上に少なくとも発光層を含む有機膜層パターンを形成する段階と、
前記有機膜層パターンの上部に第２の電極を形成する段階とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
前記無機画素定義膜を、化学気相蒸着法又は物理気相蒸着法を用いて形成することを特徴とする請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１１】
前記無機画素定義膜を、スパッタリングを用いて形成することを特徴とする請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１２】
前記形成される無機画素定義膜の厚さが、１００から３０００Åであることを特徴とする請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１３】
前記形成される無機画素定義膜の厚さが、１００から１０００Åであることを特徴とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１４】
前記無機画素定義膜は、非晶質シリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸窒化膜からなる群より選ばれたいずれか一つの物質からなることを特徴とする請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の電極はアノード電極であり、前記第２の電極はカソード電極であることを特徴とする請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の電極はカソード電極であり、前記第２の電極はアノード電極であることを特徴とする請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１７】
前記無機画素定義膜を、ドライエッチングを用いてパターニングすることを特徴とする請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１８】
前記無機画素定義膜を、ウェットエッチングを用いてパターニングすることを特徴とする請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法に関し、より詳しくは、蒸着法を用いて形成された無機画素定義膜を具備する有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示素子（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）のうち、有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）は、有機化合物を電気的に励起させて発光させる自発光型表示装置として、ＬＣＤのようなバックライトが不要であり、軽量薄型が可能であるだけではなく、工程を単純化することができ、低温製作が可能であり、回答速度が１ｍｓ以下と高速の回答速度を有し、消費全力が低く、自発光なので視野角が広く、高いコントラスト（Ｃｏｎｔｒａｓｔ）などの特性を示すことから、今後の次世代平板表示装置で注目されている。
【０００３】
一般的に、有機エレクトロルミネッセンス素子は、アノード電極とカソード電極との間に有機発光層を含んでおり、アノード電極から供給されるホールと、カソード電極から受けた電子とが有機発光層内で結合して、正孔−電子の対である励起子を形成し、再度前記励起子が基底状態に戻りながら発生されるエネルギーによって発光するようになる。
【０００４】
図１は、従来技術に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の断面構造図である。
【０００５】
図１を参照すると、所定の素子が形成された基板１１０上にアノード電極１２０がパターニングされて形成されている。
【０００６】
前記アノード電極１２０の上部には、画素領域を定義し、有機発光層の間に絶縁のために絶縁性物質としての有機画素定義膜（ＰＤＬ：  Ｐｉｘｅｌ  Ｄｅｆｉｎｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ，１３０）が形成されている。前記有機画素定義膜１３０は、通常、有機物質として、ポリイミド（ＰＩ、ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリアミド（ＰＡ）、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフェノール樹脂からなる群より選ばれたいずれか一つの物質により形成される。
【０００７】
前記有機画素定義膜１３０は、前記基板上にスピンコート（Ｓｐｉｎ  Ｃｏａｔｉｎｇ）によって積層することができる。前記スピンコートによって形成された前記有機画素定義膜１３０の厚さは、１μｍから２μｍ程度である。前記有機画素定義膜１３０をパターニングして開口部を形成し、前記露出したアノード電極を始めとする有機画素定義膜１３０の上部に有機発光層を含む有機膜層パターン１４０を形成する。
【０００８】
前記有機膜層パターン１４０上部の全面に渡ってカソード電極１５０が形成されている。
【０００９】
前述したように、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子では、有機画素定義膜１３０として有機物質を用いて形成して来た。この場合、前記有機画素定義膜１３０の厚さは、１μｍから２μｍ程度で厚く形成され、以後、形成される有機膜層パターン１４０が前記アノード電極と有機画素定義膜１３０との大きい段差によって切れる問題が生じる可能性がある。破線部分が、有機膜層パターンが切れる恐れのある部分を示す。また、前記有機画素定義膜１３０の厚さが厚いため、前記アノード電極とドナー基板上の有機膜層との密着が困難となり、転写工程の際に高いエネルギーを持つレーザービームを要する。したがって、転写効率が低下され、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率だけではなく、寿命も短くなるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前述した従来技術の問題点を解決するためのことで、画素定義膜として無機物質を蒸着法を用いて薄く形成することにより、転写効率を向上させ、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率及び寿命を向上させるだけではなく、形成される有機膜層パターンの切れを防ぐ有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記技術的課題を解決するために、本発明の一態様は、有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板と、前記基板の上部に形成されている第１の電極と、前記第１の電極の上部に形成されており、前記第１の電極の上部の少なくとも一部を露出させる開口部を具備する無機画素定義膜と、前記第１の電極及び前記開口部が形成された無機画素定義膜の両端部上に位置して、少なくとも発光層を含む有機膜層パターンと、前記有機膜層パターンの上部に形成されている第２の電極とを含み、前記無機画素定義膜は、蒸着法を用いて形成されたことを特徴とする。これにより、転写効率を向上させ、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率及び寿命を向上させるだけではなく、形成される有機膜層パターンの切れを防ぐことができる。
【００１２】
前記技術的課題を解決するために、本発明の他の一態様は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。前記方法は、基板を提供する段階と、前記基板の上部に第１の電極を形成する段階と、前記第１の電極を含む基板の上部に蒸着法を用いて無機画素定義膜を形成する段階と、前記無機画素定義膜をパターニングして少なくとも前記第１の電極の一部を露出させる開口部を形成する段階と、前記第１の電極及び前記開口部が形成された無機画素定義膜の両端部上に、少なくとも発光層を含む有機膜層パターンを形成する段階と、前記有機膜層パターンの上部に第２の電極を形成する段階とを含むことを特徴とする。前記無機画素定義膜をドライエッチング又はウェットエッチングを用いてパターニングすることができる。
【００１３】
前記無機画素定義膜は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法又は物理気相蒸着（ＰＶＤ）法を用いて形成することができる。また、前記物理気相蒸着法  として、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）を用いて形成することができる。
【００１４】
前記無機画素定義膜の厚さは、１００から３０００Å程度で形成することができ、１００から１０００Åであることが望ましい。また、前記無機画素定義膜は、非晶質シリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸窒化膜からなる群より選ばれたいずれか一つの物質から構成することができる。
【００１５】
前記第１の電極はアノード電極であり、前記第２の電極はカソード電極で構成することができ、逆に、前記第１の電極はカソード電極であり、前記第２の電極はアノード電極で構成することができる。
【発明の効果】
【００１６】
前述したように、本発明によれば、無機物質を画素定義膜として、蒸着法を用いて薄く形成することにより、転写工程の際に、第１の電極とドナー基板上の有機膜層との密着を向上させて、低いエネルギーを持つレーザービームでも転写を可能とし、転写効率を向上させるだけではなく、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率及び寿命を向上させるといった効果がある。また、形成される有機膜層パターンが第１の電極と無機画素定義膜との段差によって切れることを防ぐというった効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明をより具体的に説明するために、本発明に係る好ましい実施例を添付の図面を参照して説明する。しかしながら、本発明は、ここで述べられる実施例に限定されることなく、他の形態に具体化することもできる。明細書全般に渡って同じ参照番号は同じ構成要素を示す。
【００１８】
図２は、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の断面構造図である。
図２を参照すると、所定の素子が形成された基板１１０と、該基板１１０の上部に第１の電極２２０がパターニングされて形成されている。前記基板１１０は、ガラス、プラスチック及び石英などのような透明な絶縁基板を用いることができる。
【００１９】
前記第１の電極２２０は、アノード電極の場合は、仕事関数が高いＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明電極，又は透明層と前記透明層上に位置する反射層を含む少なくとも二つの層を持っている  反射電極であることができる。前記第１の電極がカソード電極の場合は、仕事関数が低い導電性の金属で、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金からなる群より選ばれたいずれか一つの物質からなる薄肉の透明電極や、厚肉の反射電極で形成することができる。
【００２０】
前記第１の電極２２０を含む基板上部の全面に渡って無機画素定義膜２３０が形成され、前記無機画素定義膜２３０は、前記第１の電極２２０の少なくとも一部を露出させる開口部を具備する。
【００２１】
前記無機画素定義膜２３０は、非晶質シリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸窒化膜などの無機物質のうちより選ばれたいずれか一つの物質から構成することができる。
【００２２】
この時、前記無機画素定義膜２３０は、蒸着法を用いて形成する。蒸着方法として様々な方法を利用することができ、例えば、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法又は物理気相蒸着法により形成することができる。特に、物理気相蒸着法としてスパッタリングを用いて形成することが望ましい。前記蒸着によって、前記無機画素定義膜２３０は、その厚さを１００から３０００Åまで薄く形成することができる。後述する転写工程の際に転写が効率的になされるためには、前記無機画素定義膜２３０の厚さが３０００Å以下であることが望ましい。前記無機画素定義膜２３０の厚さが３０００Å以上にあると、後に形成される有機膜層パターンが切れるか転写効率が低下するという問題点が生じる可能性がある。より好ましくは、前記無機画素定義膜２３０の厚さが１００から１０００Åまで薄く形成された方が良い。
【００２３】
前記第１の電極２２０及び開口部が形成された前記無機画素定義膜の両端部上に、少なくとも発光層を含む有機膜層パターン２４０が形成されている。前記有機膜層パターン２４０は、レーザービームの照射によって前記第１の電極２２０及び前記無機画素定義膜２３０上に転写され、前記無機画素定義膜２３０の厚さが１００から１０００Åと薄いため、転写工程の際に、前記第１の電極と有機膜層を含むドナー基板との間の密着を向上させ、これにより、形成される前記有機膜層パターン２４０が切れることを防ぐことができる。また、低いエネルギーを持つレーザービームにより転写が可能であるため、転写効率が向上する。詳細な説明は、図３（ａ）乃至図３（ｄ）で述べることとする。
【００２４】
前記有機膜層パターン２４０は、前記発光層の他にも、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層のうちの一つ以上の層を含むことができる。
【００２５】
前記有機膜層パターン２４０の上部には第２の電極２５０が形成されている。
【００２６】
前記第２の電極２５０は、第１の電極２２０がアノード電極、すなわち、透明電極又は透明層と前記透明層上に位置する反射層を含む少なくとも二つの層を持っている反射電極の場合は、仕事関数が低い導電性の金属で、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金からなる群より選ばれたいずれか一つの物質からなる反射電極、すなわち、カソード電極で形成し、前記第１の電極２２０がカソード電極の場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯのような透明電極、すなわち、アノード電極で形成することができる。
【００２７】
図３（ａ）乃至図３（ｄ）は、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を説明する工程手順図である。
【００２８】
図３（ａ）を参照すると、基板１１０が提供される。前記基板１１０は、ガラス、プラスチック及び石英などのような透明な絶縁基板を用いることができる。
【００２９】
次いで、前記基板１１０の上部に第１の電極３２０を形成する。前記第１の電極３２０は、アノード電極の場合は、高反射率の特性を有する金属からなる反射層を含む反射電極とすることができる。前記第１の電極３２０がカソード電極の場合は、仕事関数が低い導電性の金属で、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金からなる群より選ばれたいずれか一つの物質からなる薄肉の透明電極や、厚肉の反射電極で形成することができる。
【００３０】
前記第１の電極３２０は、スパッタリング又はイオンプレーティング（Ｉｏｎ  Ｐｌａｔｉｎｇ）法により蒸着することができる。より好ましくは、前記第１の電極３２０は、スパッタリング法により蒸着後、写真工程でパターニングされたフォトレジスト（ＰＲ、Ｐｈｏｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔ）をマスクとしてウェットエッチング（Ｗｅｔ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を経て選択的にパターニングして形成することができる。
【００３１】
次いで、前記第１の電極３２０を含む基板の上部に渡って無機画素定義膜３３０を形成する。前記無機画素定義膜３３０は単位画素領域を定義する役割を果たす。
【００３２】
従来では、画素定義膜として有機物質を用いたが、本発明では、無機物質を用いて前記無機画素定義膜３３０を形成する。前記無機画素定義膜３３０を形成するのに用いられる無機物質としては、非晶質シリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸窒化膜などのような無機物質のうちから選択して用いることができる。
【００３３】
前記無機画素定義膜３３０は、蒸着法により形成する。蒸着法による薄膜形成方法として代表的なものは、化学気相蒸着と物理気相蒸着がある。
【００３４】
化学気相蒸着（以下、ＣＶＤであるとする）法は、化学反応を経て所望の物質の薄膜を得る方法であり、前記無機画素定義膜を形成するのに用いることができる。通常のＣＶＤ工程では、常温の反応気体が反応チャンバ（Ｒｅａｃｔｉｏｎ  Ｃｈａｍｂｅｒ）中に流し込まれる。この気体混合物は、蒸着表面に至るまでに加熱され、対流又は蒸着表面の加熱により続けて熱を供給される。様々な工程条件によって、反応気体は蒸着表面に至る以前に気相で均一な反応を起こすこともある。蒸着表面の近くでは、気体の流れが加熱され、粘性によって速度が下がり、組成の変化が生じるため、熱、運動量、化学組成の境界層が形成される。導入気体又は反応中間体（気相熱分解で生じる）は蒸着表面で反応ムラを起こし、これにより、薄膜が形成されることになる。次いで、気相の副産物は前記反応チャンバを抜け出る。前述したＣＶＤ法を用いて前記無機画素定義膜３３０を形成することができる。前記ＣＶＤ法は様々な方法で分類できるが、反応チャンバ内部の圧力度合いによって、大きく、常圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）に区分することができ、常圧ＣＶＤは実施温度領域によって、再度低温ＣＶＤ（ＬＴＣＶＤ）、高温ＣＶＤ（ＨＴＣＶＤ）などに分類することができる。その他に、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、光ＣＶＤ（ＰＨＣＶＤ）などのＣＶＤ法がある。
【００３５】
物理気相蒸着（以下、ＰＶＤであるとする）法とは、所望の薄膜物質の基板や塊にエネルギーを加えて、運動エネルギーを持つ当該物質が物理的に分離され、他の基板に積層して、薄膜層が作られるようにする方法であり、スパッタリングと真空蒸着とに分けられる。
【００３６】
前記スパッタリングとは、高いエネルギーの粒子を所望の薄膜と同質の物質からなる基板に衝突させ、その場所から原子と分子が弾き飛ばされて薄膜を作る方法を言い、前記真空蒸着とは、真空となった容器内で蒸着しようとする物質を加熱して、蒸気圧を上昇させ、基板の上に蒸着させる方法である。前述したＰＶＤ法を用いて前記無機画素定義膜３３０を形成することができる。
【００３７】
前述したように、本発明では、蒸着法を用いて無機画素定義膜３３０を形成することを特徴とする。前記蒸着法により形成される前記無機画素定義膜３３０は、その厚さが１００から３０００Åまで形成することができる。また、１００から１０００Å程度まで薄く形成することが望ましく、１００Åまで形成することも可能である。
【００３８】
図３（ｂ）及び図３（ｃ）を参照すると、前記無機画素定義膜３３０をパターニングして少なくとも前記第１の電極３２０の一部を露出させる開口部が形成される。前記無機画素定義膜３３０は、ドライエッチング又はウェットエッチングを経てパターニングすることができる。
【００３９】
前記ドライエッチングとは、イオン衝撃による物理的方法やプラズマの中で発生された反応物質の化学作用又は、イオン、電子、光子などによりなされる化学作用であって、物理的現象、化学的現象の両方が同時に適用された方法を用いてエッチングする方法である。
【００４０】
前記無機画素定義膜３３０を、写真工程で形成されたフォトレジストパターン３４０を用いて、エッチング工程で選択的に除去されレチクル（Ｒｅｔｉｃｌｅ）に設計されたパターンのまま基板に転写して形成する。前記ドライエッチングは、一定の圧力のチャンバでプラズマ放電をさせて反応ガスをイオン（Ｉｏｎ）、ラジカル（Ｒａｄｉｃａｌ）、電子（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）などに分解させ、この時、生成されたラジカルが化学反応を起こして、エッチング作用が起こるようにするプラズマエッチング（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）で行うことが望ましい。
【００４１】
前記ウェットエッチングは、化学溶液を用いてフォトレジストパターン３４０に合せて前記無機画素定義膜３３０を取り除く方法であり、ディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）とスプレー（Ｓｐｒａｙ）方式があり、混合型も使用されている。
【００４２】
図３（ｄ）を参照すると、前記第１の電極３２０及び開口部が形成された前記無機画素定義膜３３０の両端部上に、少なくとも発光層を含む有機膜層パターン３４０を形成する。前記有機膜層パターン３４０はインクジェット・プリンティング（Ｉｎｋ−Ｊｅｔ  Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、ＬＩＴＩ（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ）、スピンコート及び蒸着法など多様な方法を用いて形成することができる。好ましくは、ＬＩＴＩを用いて形成する場合、有機膜層が形成されたドナー基板（図示せず）を前記基板の全面にラミネーションした後、前記ドナー基板の所定の領域にレーザービームを照射して、前記第１の電極３２０及び開口部が形成された前記無機画素定義膜３３０の両端部上に前記有機膜層パターン３４０を形成する。
【００４３】
この時、前記無機画素定義膜３３０は、前述したように、その厚さが１００から３０００Å、好ましくは１００から１０００Åまで薄く形成されるので、前記第１の電極３２０と前記無機画素定義膜３３０との段差が小さく、前記有機膜層パターン３４０の形成工程の際に転写効率を向上することができる。すなわち、低いエネルギーを持つレーザービームを用いて転写が可能であるので、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率及びその寿命を向上することができる。それだけではなく、形成される有機膜層パターン３４０が切れることを防ぐことができる。
【００４４】
前記形成される有機膜層パターン３４０は少なくとも発光層を含み、前記発光層の他にも、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層のうちの一つ以上の層を含むことができる。
【００４５】
次いで、前記有機膜層パターン３４０上部の全面に渡って第２の電極３５０を形成する。前記第２の電極３５０は、真空蒸着で形成することができる。前記第２の電極３５０は、第１の電極３２０がアノード電極である透明電極，又は透明層と前記透明層上に位置する反射層を含む少なくとも二つの層を持っている複膜電極の場合は、仕事関数が低い導電性の金属で、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金からなる群より選ばれたいずれか一つの物質からなる反射電極、すなわち、カソード電極で形成し、前記第１の電極３２０がカソード電極の場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯのような透明電極、すなわち、アノード電極で形成することができる。
【００４６】
以上では、本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野の熟練された当業者は、下記の特許請求の範囲に記載の本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を様々に修正及び変更することができるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】従来技術に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の断面構造図である。
【図２】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の断面構造図である。
【図３Ａ】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を説明する工程手順図である。
【図３Ｂ】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を説明する工程手順図である。
【図３Ｃ】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を説明する工程手順図である。
【図３Ｄ】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を説明する工程手順図である。
【符号の説明】
【００４８】
１１０  基板
１２０  アノード電極
１３０  有機画素定義膜
１４０、２４０、３４０  有機膜層パターン
１５０  カソード電極
２２０、３２０  第１の電極
２３０、３３０  無機画素定義膜
２５０、３５０  第２の電極
【図１】
2006093079.tif 000003
【図２】
2006093079.tif 000004
【図３Ａ】
2006093079.tif 000005
【図３Ｂ】
2006093079.tif 000006
【図３Ｃ】
2006093079.tif 000007
【図３Ｄ】
2006093079.tif 000008