(57)【要約】【課題】低抵抗、大電流対応であって、かつ、特性ばらつきの少ない電子部品を提供する。【解決手段】第１のグリーンシート４２の上面４２ａにレーザ光を照射して該第１のグリーンシート４２に第１の溝５２を形成する。第２のグリーンシート４６の上面４６ａにレーザ光を照射して該第２のグリーンシート４６に第２の溝５４を形成する。第１のグリーンシート４２の第１の溝５２内に導電ペーストを充填して第１の電極２４とし、第２のグリーンシート４６の第２の溝５４内に導電ペーストを充填して第２の電極２６とする。第１のグリーンシート４２の上面４２ａと第２のグリーンシート４６の上面４６ａとを対向させ、これら第１及び第２のグリーンシート４２及び４６の間に第３のグリーンシート５０を挟んで積層体６２を作製する。該積層体６２を焼成して電子部品を作製する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、
前記誘電体基板内に一定厚みの誘電体を間に挟んで対向する第１の電極及び第２の電極とを有し、
前記第１の電極のうち、前記誘電体と接する面の幅をＷａ、前記第１の電極のうち、前記誘電体と接する面と反対の面の幅をＷｂとし、
前記第２の電極のうち、前記誘電体と接する面の幅をＷｃ、前記第２の電極のうち、前記誘電体と接する面と反対の面の幅をＷｄとしたとき、
３／７≦Ｗｂ／Ｗａ＜１、かつ、
３／７≦Ｗｄ／Ｗｃ＜１
を満足することを特徴とする電子部品。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品において、
Ｗｃ＜Ｗａのとき、７／１５≦Ｗｃ／Ｗａ＜１
を満足する、あるいは
Ｗａ＜Ｗｃのとき、７／１５≦Ｗａ／Ｗｃ＜１
を満足することを特徴とする電子部品。
【請求項３】
誘電体基板と、該誘電体基板内に誘電体を間に挟んで対向する第１の電極及び第２の電極を有する電子部品の製造方法において、
溝部を有する第１のグリーンシートの前記溝部に、前記第１の電極を形成する第１の導電ペーストを充填する工程と、
溝部を有する第２のグリーンシートの前記溝部に、前記第２の電極を形成する第２の導電ペーストを充填する工程と、
前記第１のグリーンシートの被溝加工面と、前記第２のグリーンシートの被溝加工面とを対向させ、これら第１及び第２のグリーンシートの間に別のグリーンシートを挟んで積層体を作製する工程と、
前記積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の電子部品の製造方法において、
前記第１のグリーンシートの前記溝部は、該第１のグリーンシートを貫通して形成され、
前記第２のグリーンシートの前記溝部は、該第２のグリーンシートを貫通して形成されていることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の電子部品の製造方法において、
前記第１のグリーンシートの前記溝部は、その深さが、前記第１のグリーンシートの厚みよりも小さく設定されて形成され、
前記第２のグリーンシートの前記溝部は、その深さが、前記第２のグリーンシートの厚みよりも小さく設定されて形成されていることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項３記載の電子部品の製造方法において、
前記第１のグリーンシートの前記溝部は、該第１のグリーンシートを貫通して形成され、
前記第２のグリーンシートの前記溝部は、その深さが、前記第２のグリーンシートの厚みよりも小さく設定されて形成されていることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項７】
請求項３記載の電子部品の製造方法において、
前記第１のグリーンシートの前記溝部は、その深さが、前記第１のグリーンシートの厚みよりも小さく設定されて形成され、
前記第２のグリーンシートの前記溝部は、該第２のグリーンシートを貫通して形成されていることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項３〜７のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法において、
前記第１のグリーンシートの前記溝部の前記被溝加工面における幅をＷａとし、前記第２のグリーンシートの前記溝部の前記被溝加工面における幅をＷｃとしたとき、
Ｗａ＞Ｗｃ、又は
Ｗａ＜Ｗｃ
となるように前記溝部が形成されていることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項９】
請求項３〜８のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法において、
前記溝部は、前記被溝加工面へのレーザ光の照射によって形成されていることを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体基板と、該誘電体基板内に誘電体を間に挟んで対向する第１の電極及び第２の電極を有する電子部品及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、小型、大電流の電子部品（特に、カプラ、バラン等）の市場要求が強まってきた。
【０００３】
小型、大電流の電子部品を製造するためには、導体抵抗を小さくする必要がある。導体抵抗を下げるには、（１）低導電率材料の適用と、（２）導体断面積の拡大（導体厚みの増大等）がある。この中で、（１）の低導体材料（超伝導材料等）の開発には時間がかかるため、（２）の導体断面積の拡大、例えば導体厚みの増大で対応するのが一般的である。
【０００４】
ところで、導体が形成された誘電体層を積層して構成される電子部品において、誘電体層に導体を形成する方法として、スクリーン印刷法及び溝加工穴埋め法がある。
【０００５】
まず、スクリーン印刷法は、まず、セラミックグリーンシートを作製し、該セラミックグリーンシート上に導体ペーストをスクリーン印刷法にて形成する。その後、複数のセラミックグリーンシートを積層、圧着して積層体を作製し、該積層体を焼成することで電子部品とする。
【０００６】
一方、溝加工穴埋め法は、まず、セラミックグリーンシートを作製する。その後、セラミックグリーンシートに例えばレーザ光を照射して溝を形成し、セラミックグリーンシートに形成された溝内に導体ペーストを充填する。そして、複数のセラミックグリーンシートを積層、圧着して積層体を作製し、該積層体を焼成することで電子部品とする（例えば特許文献１〜３参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−５８３４３号公報
【特許文献２】特開平１０−４１１３８号公報
【特許文献３】特開平６−２７５４５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、スクリーン印刷法においては、形成する導体の厚みが大きくなると、例えば下層の誘電体層が平坦であるにも拘わらず、上層の誘電体層が導体によって盛り上がって形成されてしまい、誘電体層の積層形状が上下方向で非対称となる。そのため、誘電体層の積層、圧着時に内部応力が発生し、（１）積層方向をＺ軸方向としたとき、積層、圧着時にＸ軸及びＹ軸を含む面方向で積層ずれが発生する、（２）積層体の焼成時にデラミ（層間剥離）が発生する、という問題がある。
【０００９】
一方、溝加工穴埋め法は、セラミックグリーンシートのほぼ中央上に、通常、ガルバノスキャンミラーを設置し、レーザ光をガルバノスキャンミラーで走査させて溝加工を行うようにしている。例えば図１９に示すように、キャリアフィルム１００にて保持されたセラミックグリーンシート１０２の上面１０２ａにレーザ光１０４を二次元的に走査してセラミックグリーンシート１０２に溝１０６を形成するのが一般的である。レーザ光１０４によってセラミックグリーンシート１０２に溝１０６を形成すると、溝１０６の形状は、深さ方向に向かって幅が少しずつ狭くなる傾向にある。つまり、断面ほぼ台形状となる。
【００１０】
そして、従来の電子部品の製造方法は、まず、図２０に示すように、第１のセラミックグリーンシート１１０の上面１１０ａに対してレーザ光を照射して、該上面１１０ａに溝１１２を形成し、その後、該溝１１２に導電ペーストを充填して第１の電極１１４とする。一方、図２１に示すように、第２のセラミックグリーンシート１１６の上面１１６ａに対してレーザ光を照射して、該上面１１６ａに溝１１８を形成し、その後、該溝１１８に導電ペーストを充填して第２の電極１２０とする。
【００１１】
次いで、図２２に示すように、第２のセラミックグリーンシート１１６の上面１１６ａに第１のセラミックグリーンシート１１０の下面１１０ｂを第２のセラミックグリーンシート１１６に対向させた状態で積層し、さらに、第１のセラミックグリーンシート１１０上と第２のセラミックグリーンシート１１６下にそれぞれ何層かのセラミックグリーンシート（図示せず）を積層して積層体を作製し、該積層体を焼成することによって、電子部品を作製する。
【００１２】
しかし、例えば図１９に示すように、ガルバノスキャンミラーで反射させたレーザ光１０４をセラミックグリーンシート１０２に照射させる場合、セラミックグリーンシート１０２の中央部分では、前記レーザ光１０４は、セラミックグリーンシート１０２の上面１０２ａ（被溝加工面）に対してほぼ垂直に入射するが、セラミックグリーンシート１０２の周辺部分では、ある角度θをもって入射することになる。
【００１３】
セラミックグリーンシート１０２の上面１０２ａに対するレーザ光１０４の入射角θが異なると、レーザ光１０４によって形成される溝１０６の形状（断面形状）も異なってくる。
【００１４】
溝１０６の形状は、レーザ光１０４の入射角θのほか、レーザ光１０４のエネルギー、セラミックグリーンシート１０２中のセラミック粒子の密度、セラミック粒子の粒径などによって、例えば図２３に示すように、設計上の溝１３０の形状に対して、破線１３２及び１３４に示すように、溝１３０の底部の幅が広くなったり、狭くなったり、また、溝１３０の深さが、規定の深さよりも浅くなったり、深くなったりする。特に、レーザ光１０４の入射角θによる溝１３０の形状変化は、溝１３０の深さにおいて顕著となる。
【００１５】
積層型誘電体の電子部品、例えばカプラの電気的特性は、電極間の電磁結合によって決まるが、上述した従来の製造方法で作製した電子部品においては、図２２に示すように、例えば中央部分の第１の電極１１４と第２の電極１２０間の距離ｄ１と、周辺部分の第１の電極１１４と第２の電極１２０間の距離ｄ２は、それぞれ溝１１２及び１１８の形状によって変化することから、レーザ光によって形成される溝の形状の変化がそのまま電気的特性の変動として現れてしまう。
【００１６】
このように、従来の溝加工埋め込み法は、上下導体間の距離が、セラミックグリーンシートの中央部分と周辺部分とで異なり、カプラのような電磁気結合度を重視する電子部品では、セラミックグリーンシートの位置（中央部分／周辺部分）で結合度が異なり、製品歩留まりに影響を及ぼすという問題がある。
【００１７】
また、従来の溝加工埋め込み法は、上下方向の内部応力が緩和されることから、上述したすクリーン印刷法による問題点、すなわち、積層、圧着時の面方向の積層ずれやデラミは発生しないが、積層時の初期的なセラミックグリーンシートのずれに対しては、製品完成後、上下導体間の結合度に影響を及ぼすという問題がある。
【００１８】
従って、従来においては、低抵抗、大電流対応であって、かつ、特性変動の少ない電子部品を構成する手段がなかった。
【００１９】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、低導体抵抗、大電流対応であって、かつ、特性変動の少ない電子部品を提供することを目的とする。
【００２０】
また、本発明の他の目的は、低導体抵抗、大電流対応であって、かつ、特性変動の少ない電子部品を簡単に製造することができる電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明に係る電子部品は、誘電体基板と、該誘電体基板内に一定厚みの誘電体を間に挟んで対向する第１の電極及び第２の電極とを有し、前記第１の電極のうち、前記誘電体と接する面の幅をＷａ、前記第１の電極のうち、前記誘電体と接する面と反対の面の幅をＷｂとし、前記第２の電極のうち、前記誘電体と接する面の幅をＷｃ、前記第２の電極のうち、前記誘電体と接する面と反対の面の幅をＷｄとしたとき、３／７≦Ｗｂ／Ｗａ＜１、かつ、３／７≦Ｗｄ／Ｗｃ＜１を満足することを特徴とする。
【００２２】
まず、第１の電極と第２の電極間に一定厚みの誘電体が介在することから、第１の電極と第２の電極との距離は誘電体の厚みに支配され、この場合、一定厚みとなる。
【００２３】
また、第１の電極と第２の電極は、互いに幅の大きい面が対向することになる台形状であることから、例えば第１の電極の側面から第２の電極の上面もしくは、第２の電極の側面に走る電気力線は、第１の電極と第２の電極の対向する大きい上面間の電気力線の強さに比較してネグリジブルな量となる。よって、第１の電極と第２の電極との電気信号の結合度は第１電極と第２電極の互いに幅の大きい面の面積と、前記誘電体の厚みのみ決定されることになる。
【００２４】
このように、第１及び第２の電極間の距離は、溝の形状に左右されなくなり、電子部品の電気的特性の変動を少なくすることができ、低導体抵抗、大電流対応であって、かつ、特性変動の少ない電子部品とすることができる。
【００２５】
そして、前記構成において、７／１５≦Ｗｃ／Ｗａ＜１、又は７／１５≦Ｗａ／Ｗｃ＜１を満足するようにしてもよい。この場合、第１の電極の誘電体と接する面の幅を第２の電極の誘電体と接する面の幅よりも大きく、あるいは、小さくすることで、第１及び第２のグリーンシートの積層ずれによる電気的特性の変動を小さくすることができる。
【００２６】
次に、本発明に係る電子部品に製造方法は、誘電体基板と、該誘電体基板内に誘電体を間に挟んで対向する第１の電極及び第２の電極を有する電子部品の製造方法において、溝部を有する第１のグリーンシートの前記溝部に、前記第１の電極を形成する第１の導電ペーストを充填する工程と、溝部を有する第２のグリーンシートの前記溝部に、前記第２の電極を形成する第２の導電ペーストを充填する工程と、前記第１のグリーンシートの被溝加工面と、前記第２のグリーンシートの被溝加工面とを対向させ、これら第１及び第２のグリーンシートの間に別のグリーンシートを挟んで積層体を作製する工程と、前記積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする。
【００２７】
これにより、まず、第１のグリーンシートと第２のグリーンシートとの間に別のグリーンシートが介在されることになるため、その後の焼成によって、第１のグリーンシートの溝内に充填された導電ペーストが第１の電極となり、第２のグリーンシートの溝内に充填された導電ペーストが第２の電極となった後において、第１の電極と第２の電極間に一定厚みの誘電体が介在することとなる。
【００２８】
また、第１のグリーンシートの被溝加工面を別のグリーンシートに対向し、第２のグリーンシートの被溝加工面を前記別のグリーンシートに対向するようにしていることから、第１の電極と第２の電極は、互いに幅の大きい面が対向することになる。
【００２９】
このように、本発明に係る製造方法においては、低抵抗、大電流対応であって、かつ、特性変動の少ない電子部品を簡単に製造することができる。
【００３０】
つまり、本発明による製造方法は、溝加工埋め込み法による欠点を改善するものであるため、スクリーン印刷法での欠点は発生しない。
【００３１】
グリーンシートの溝部を例えばレーザ光を照射して形成する場合を想定したとき、レーザ光照射による溝部の形状がグリーンシートの中央部分と周辺部分とで異なったとしても、上下電極間の距離を一定に保つことができるため、上下電極間の結合度を一定にすることができる。その結果、製品歩留まりの大幅な改善が可能となる。
【００３２】
上述したように、レーザ光照射による溝部の形状がグリーンシートの中央部分と周辺部分とで異なったとしても、上下電極間の距離を一定に保つことができることから、グリーンシートの一単位のサイズを大きくすることが可能となり、生産効率も大幅に向上させることができる。
【００３３】
そして、前記製造方法において、前記第１のグリーンシートの前記溝部を、該第１のグリーンシートを貫通して形成し、前記第２のグリーンシートの前記溝部を、該第２のグリーンシートを貫通して形成するうようにしてもよい。
【００３４】
あるいは、前記第１のグリーンシートの前記溝部を、その深さが、前記第１のグリーンシートの厚みよりも小さくなるように設定して形成し、前記第２のグリーンシートの前記溝部を、その深さが、前記第２のグリーンシートの厚みよりも小さくなるように設定して形成するようにしてもよい。
【００３５】
あるいは、前記第１のグリーンシートの前記溝部を、該第１のグリーンシートを貫通して形成し、前記第２のグリーンシートの前記溝部を、その深さが、前記第１のグリーンシートの厚みよりも小さくなるように設定して形成するようにしてもよい。
【００３６】
あるいは、前記第１のグリーンシートの前記溝部を、その深さが、前記第１のグリーンシートの厚みよりも小さくなるように設定して形成し、前記第２のグリーンシートの前記溝部を、該第２のグリーンシートを貫通して形成するようにしてもよい。
【００３７】
また、前記製造方法において、前記第１のグリーンシートの前記溝部の前記被溝加工面における幅をＷａとし、前記第２のグリーンシートの前記溝部の前記被溝加工面における幅をＷｃとしたとき、Ｗａ＞Ｗｃ、又はＷａ＜Ｗｃとなるように前記溝部を形成してもよい。
【００３８】
これにより、グリーンシートの初期的な積層ずれに対しても、結合度をほぼ一定に保つことができ、製品歩留まりをさらに向上させることができる。
【００３９】
なお、前記溝部は、前記被溝加工面へのレーザ光の照射によって形成するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００４０】
以上説明したように、本発明に係る電子部品によれば、低導体抵抗、大電流対応であって、かつ、特性変動の少ない電子部品とすることができる。
【００４１】
また、本発明に係る電子部品の製造方法によれば、低導体抵抗、大電流対応であって、かつ、特性変動の少ない電子部品を簡単に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明に係る電子部品及び電子部品の製造方法を例えばカプラに適用した実施の形態例を図１〜図１８を参照しながら説明する。
【００４３】
本実施の形態に係る電子部品１０は、図１に示すように、複数の誘電体層が積層、焼成一体化された誘電体基板１２を有する。誘電体基板１２の４つの側面のうち、第１の側面１４ａには、入力端子１６とアイソレーティド端子１８が形成され、第１の側面１４ａと対向する第２の側面１４ｂには、出力端子２０とカップルド端子２２が形成されている。
【００４４】
誘電体基板１２内には、図２に示すように、２つの電極（第１の電極２４及び第２の電極２６）が形成されている。第１の電極２４は、１つの形成面において、一端２８から他端３０にかけて蛇行して形成され、前記一端２８が入力端子１６（図１参照）に接続され、前記他端３０が出力端子２０（図１参照）に接続されている。第２の電極２６は、他の形成面において、一端３２から他端３４にかけて蛇行して形成され、前記一端３２がアイソレーティド端子１８（図１参照）に接続され、前記他端３４がカップルド端子２２（図１参照）に接続されている。
【００４５】
そして、この実施の形態においては、第１の電極２４の形成面と第２の電極２６の形成面との間に一定厚みを有する誘電体３６が介在されている。
【００４６】
ここで、本実施の形態に係る電子部品１０の製造方法について図３〜図７を参照しながら説明する。
【００４７】
最初に、第１の製造方法は、まず、図３Ａに示すように、第１のキャリアフィルム４０上に保持された第１のセラミックグリーンシート４２と、図３Ｂに示すように、第２のキャリアフィルム４４上に保持された第２のセラミックグリーンシート４６と、図３Ｃに示すように、第３のキャリアフィルム４８上に保持された第３のセラミックグリーンシート５０を用意する。なお、第１〜第３のキャリアフィルム４０、４４及び４８は、例えばＰＥＴ（ポリエチレン・テレフタレート材）にて形成されている。
【００４８】
その後、図４Ａに示すように、図示しないガルバノスキャンミラーにて反射したレーザ光（図示せず）を第１のセラミックグリーンシート４２の上面４２ａ（被溝加工面）に照射して、該第１のセラミックグリーンシート４２を貫通する第１の溝５２を形成する。
【００４９】
一方、図４Ｂに示すように、図示しないガルバノスキャンミラーにて反射したレーザ光（図示せず）を第２のセラミックグリーンシート４６の上面４６ａ（被溝加工面）に照射して、該第２のセラミックグリーンシート４６を貫通する第２の溝５４を形成する。
【００５０】
第１の溝５２及び第２の溝５４は、レーザ光によって形成されることから、それぞれ深さ方向に向かって幅が少しずつ狭くなる傾向にあり、断面ほぼ台形状となる。なお、この実施の形態では、第１の溝５２の最大幅Ｗ１（上面４２ａの延長線上での幅）を第２の溝５４の最大幅Ｗ２（上面４６ａの延長線上での幅）よりも小に設定しているが、幅Ｗ１と幅Ｗ２をほぼ同じにしてもよいし、幅Ｗ１を幅Ｗ２よりも大きくしてもよい。
【００５１】
その後、図５Ａに示すように、第１のセラミックグリーンシート４２の上面４２ａに形成された第１の溝５２内に導電ペーストを充填して第１の電極２４とする。第１の溝５２内への導電ペーストの充填は、例えば印刷によって容易に行うことができる。一方、図５Ｂに示すように、第２のセラミックグリーンシート４６の上面４６ａに形成された第２の溝５４内に導電ペーストを例えば印刷によって充填して第２の電極２６とする。
【００５２】
その後、図６に示すように、第１のセラミックグリーンシート４２の上面４２ａと、第２のセラミックグリーンシート４６の上面４６ａを対向させ、その間に、第３のセラミックグリーンシート５０を介在させる。例えば、第１のセラミックグリーンシート４２の上面４２ａと第３のキャリアフィルム４８の端面４８ａとを対向させ、第２のセラミックグリーンシート４６の上面４６ａと第３のセラミックグリーンシート５０の上面５０ａとを対向させる。
【００５３】
その後、これら第１〜第３のセラミックグリーンシート４２、４６及び５０を積層させるが、積層前に第１〜第３のセラミックグリーンシートから第１〜第３のキャリアフィルムを除去、あるいは積層しながら第１〜第３のキャリアフィルムを除去する。
【００５４】
そして、図７に示すように、第１〜第３のセラミックグリーンシート４２、４６及び５０を積層し、さらに、第１のセラミックグリーンシート４２上に第４のセラミックグリーンシート５８を積層し、第２のセラミックグリーンシート４６下に第５のセラミックグリーンシート６０を積層して積層体６２を作製する。このとき、第１の電極２４のうち、幅の大きい面が第３のセラミックグリーンシート５０の上面５０ａに接触し、第２の電極２６のうち、幅の大きい面が第３のセラミックグリーンシート５０の下面５０ｂに接触することとなる。その後、積層体６２を焼成することにより、図１及び図２に示す電子部品１０が完成する。
【００５５】
このように、本実施の形態に係る電子部品１０においては、第１のセラミックグリーンシート４２と第２のセラミックグリーンシート４６との間に第３のセラミックグリーンシート５０が介在されることになるため、その後の焼成によって、誘電体基板１２が作製された段階において、図２に示すように、第１の電極２４と第２の電極２６間に一定厚みの誘電体３６が介在することとなる。これにより、第１の電極２４と第２の電極２６との距離は誘電体３６の厚みに支配され、この場合、一定厚みとなる。
【００５６】
また、第１のセラミックグリーンシート４２の上面４２ａ（被溝加工面）を第３のセラミックグリーンシート５０に対向させ、第２のセラミックグリーンシート４６の上面４６ａ（被溝加工面）を第３のセラミックグリーンシート５０に対向させるようにしている。この場合、第１の電極２４と第２の電極２６は、互いに幅の大きい面が対向することになる台形状であることから、例えば第１の電極２４の側面から第２の電極２６の上面もしくは、第２の電極２６の側面に走る電気力線は、第１の電極２４と第２の電極２６の対向する大きい上面間の電気力線の強さに比較してネグリジブルな量となる。よって、第１の電極２４と第２の電極２６との電気信号の結合度は第１電極２４と第２電極２６の互いに幅の大きい面の面積と、誘電体３６の厚みのみ決定されることになる。
【００５７】
従って、第１の電極２４と第２の電極２６間の距離は、第１の溝５２や第２の溝５４の形状に左右されなくなり、低導体抵抗、大電流対応であって、かつ、特性変動の少ない電子部品１０とすることができる。
【００５８】
上述の例では、第１のセラミックグリーンシート４２を貫通する第１の溝５２内に導電ペーストを充填して第１の電極２４を形成するようにしたが、その他、図８に示すように、第１のセラミックグリーンシート４２に対して、深さｈ１が該第１のセラミックグリーンシート４２の厚みｔ１よりも小さい溝５２ａを形成し、該溝５２ａ内に導電ペーストを充填して第１の電極２４を形成するようにしてもよい。
【００５９】
同様に、図９に示すように、第２のセラミックグリーンシート４６に対して、深さｈ２が該第２のセラミックグリーンシート４６の厚みｔ２よりも小さい溝５４ａを形成し、該溝５４ａ内に導電ペーストを充填して第２の電極２６を形成するようにしてもよい。
【００６０】
そして、図１０の第１の変形例に係る電子部品１０ａに示すように、貫通した第１の溝５２内に第１の電極２４が形成された第１のセラミックグリーンシート４２と、深さの浅い溝５４ａ内に第２の電極２６が形成された第２のセラミックグリーンシート４６とを第３のセラミックグリーンシート５０を間に挟んで積層するようにしてもよい。
【００６１】
あるいは、図１１の第２の変形例に係る電子部品１０ｂに示すように、深さの浅い溝５２ａ内に第１の電極２４が形成された第１のセラミックグリーンシート４２と、貫通した第２の溝５４内に第２の電極２６が形成された第２のセラミックグリーンシート４６とを第３のセラミックグリーンシート５０を間に挟んで積層するようにしてもよい。
【００６２】
あるいは、図１２の第３の変形例に係る電子部品１０ｃに示すように、深さの浅い溝５２ａ内に第１の電極２４が形成された第１のセラミックグリーンシート４２と深さの浅い溝５４ａ内に第２の電極２６が形成された第２のセラミックグリーンシート４６とを第３のセラミックグリーンシート５０を間に挟んで積層するようにしてもよい。
【００６３】
これら第１〜第３の変形例においても、第１の電極２４と第２の電極２６が、第３のセラミックグリーンシート５０を間に挟んで対向していることから、溝５２、５２ａ、５４及び５４ａの深さがそれぞれ異なっていたとしても、第１の電極２４と第２の電極２６間の距離ｄを一定に保つことができる。
【００６４】
次に、代表的に第２の電極２６の断面形状によって電気的特性、特に、周波数２．４ＧＨｚの信号に対する結合度がどのように変化するかを見た２つの実験例（第１及び第２の実験例）について図１３〜図１８を参照しながら説明する。
【００６５】
まず、第１の実験例は、第２の電極２６の幅のみを変えた場合の結合度の変化を見たものである（実施例１〜５）。図１３に示すように、第１の電極２４は、第２の電極２６と対向する面の幅Ｗａを１５０μｍ、その反対側の面の幅Ｗｂを１１０μｍとし、厚みｔ１を８０μｍとした。また、第１の電極２４と第２の電極２６間の距離ｄを１００μｍとした。
【００６６】
実施例１〜５の内訳を説明すると、実施例１は、第２の電極２６における第１の電極２４と対向する面の幅Ｗｃを２３０μｍとし、その反対側の面の幅Ｗｄを１９０μｍとした。実施例２は、幅Ｗｃを１９０μｍとし、幅Ｗｄを１５０μｍとした。実施例３は、幅Ｗｃを１５０μｍとし、幅Ｗｄを１１０μｍとした。実施例４は、幅Ｗｃを１１０μｍとし、幅Ｗｄを７０μｍとした。実施例５は、幅Ｗｃを７０μｍとし、幅Ｗｄを３０μｍとした。なお、第２の電極２６の厚みｔ２は、実施例１〜５のいずれも８０μｍとした。
【００６７】
この第１の実験例の結果を図１４及び図１５に示す。実施例１〜５の結合度は、実施例１が３．１４、実施例２が３．２５、実施例３が３．３５、実施例４が３．４１、実施例５が３．８０であった。
【００６８】
このことから、第２の電極２６における第１の電極２４と対向する面の幅Ｗｃ（及びその反対側の面の幅Ｗｄ）を変えることによって、結合度がほぼ線形的に変化していることがわかる。従って、設計仕様にて要求される結合度に合わせて、第２の電極２６の幅Ｗｃ及びＷｄを適宜選定すればよく、結合度の調整が容易になる。これは、第１の電極２４においても同様である。
【００６９】
第２の電極２６における第１の電極２４と対向する面の幅Ｗｃと、その反対側の面の幅Ｗｄとの比（Ｗｄ／Ｗｃ）は、実施例１では１９０／２３０（＝１９／２３）、実施例２では１５０／１９０（＝１５／１９）、実施例３では１１０／１５０（＝１１／１５）、実施例４では７０／１１０（＝７／１１）、実施例５では３０／７０（＝３／７）である。
【００７０】
従って、前記比（Ｗｄ／Ｗｃ）は、３／７≦Ｗｄ／Ｗｃ＜１を満足すればよいことがわかる。これは、第１の電極２４においても同様であり、第１の電極２４における第２の電極２６と対向する面の幅Ｗａと、その反対側の面の幅Ｗｂとの比（Ｗｂ／Ｗａ）は、３／７≦Ｗｂ／Ｗａ＜１を満足すればよい。
【００７１】
次に、第２の実験例は、積層ずれによる結合度の変化が、第１の電極２４における第２の電極２６と対向する面の幅Ｗａと、第２の電極２６における第１の電極２４と対向する面の幅Ｗｃとの比によってどのように変わるかを見たものである（実施例６〜８）。積層ずれ量δは、図１６に示すように、第１の電極２４の幅方向中央と第２の電極２６の幅方向中央の位置のずれを測定した。
【００７２】
幅ＷａとＷｃの比（Ｗａ／Ｗｃ）は、実施例６が１５０／２３０（＝１５／２３）、実施例７が１５０／１５０（＝１）、実施例８が１５０／７０（＝１５／７）である。積層ずれ量δは、０μｍ、２０μｍ及び４０μｍの３種類とした。
【００７３】
この第２の実験例の結果を図１７及び図１８に示す。実施例６〜８において、積層ずれ量δによる結合度の変動は、以下の通りである。なお、積層ずれ量δが０μｍのときの結合度を基準とする。
【００７４】
実施例６は、積層ずれ量δが２０μｍのとき、３％程度の変動であって、積層ずれ量δが４０μｍのとき、４％程度の変動であった。実施例７は、積層ずれ量δが２０μｍのとき、１％程度の変動であって、積層ずれ量δが４０μｍのとき、２％程度の変動であった。実施例８は、積層ずれ量δが２０μｍのとき、０．８％程度の変動であって、積層ずれ量δが４０μｍのとき、１％程度の変動であった。
【００７５】
このように、幅Ｗａと幅Ｗｃとの比（Ｗａ／Ｗｃ）が１よりも大あるいは小の方が積層ずれ量δによる結合度の変動が小さいことがわかる。しかし、幅Ｗａと幅Ｗｃとの比（Ｗａ／Ｗｃ）が１であっても、積層ずれ量δによる結合度の変動は大きくて４％程度であり、実用レベルである。
【００７６】
従って、幅Ｗｃ＜幅Ｗａのとき、７／１５≦Ｗｃ／Ｗａ＜１を満足する、あるいは幅Ｗａ＜幅Ｗｃのとき、７／１５≦Ｗａ／Ｗｃ＜１を満足すればよい。
【００７７】
このように、第１及び第２の実験例から、本実施の形態に係る電子部品１０は、第１の電極２４における第２の電極２６と対向する面の幅Ｗａとその反対側の面の幅Ｗｂ間の差異、第２の電極２６における第１の電極２４と対向する面の幅Ｗｃとその反対側の面の幅Ｗｄ間の差異、第１の電極２４の前記幅Ｗａと第２の電極２６の前記幅Ｗｃ間の差異、第１の電極２４に対する第２の電極２６の積層ずれ、第１の電極２４と第２の電極２６間の距離ｄにほとんど左右されず、ほぼ一定の結合度を得ることができる。
【００７８】
つまり、本実施の形態に係る製造方法は、溝加工埋め込み法による欠点を改善するものであるため、スクリーン印刷法での欠点は発生しない。
【００７９】
レーザ光照射による溝５２の形状がセラミックグリーンシートの中央部分と周辺部分とで異なったとしても、第１の電極２４と第２の電極２６間の距離ｄを一定に保つことができるため、第１の電極２４と第２の電極２６間の結合度を一定にすることができる。その結果、製品歩留まりの大幅な改善が可能となる。
【００８０】
上述したように、レーザ光照射による溝５２の形状がセラミックグリーンシートの中央部分と周辺部分とで異なったとしても、第１の電極２４と第２の電極２６間の距離ｄを一定に保つことができることから、セラミックグリーンシートの一単位のサイズを大きくすることが可能となり、生産効率も大幅に向上させることができる。
【００８１】
このように、本実施の形態に係る電子部品１０は、低導体抵抗、大電流に十分に対応でき、しかも、歩留まりの向上をも図ることができ、生産性の向上、製品コストの低廉化も実現することができる。
【００８２】
上述の例では、電子部品として、カプラに適用した場合を示したが、その他、バランにも適用できるほか、カプラやバランを含む各種受動部品にも適用することができる。
【００８３】
なお、本発明に係る電子部品及び電子部品の製造方法は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本実施の形態に係る電子部品を示す斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る電子部品を示す透視斜視図である。
【図３】図３Ａは第１のキャリアフィルムに保持された第１のセラミックグリーンシートを示す断面図であり、図３Ｂは第２のキャリアフィルムに保持された第２のセラミックグリーンシートを示す断面図であり、図３Ｃは第３のキャリアフィルムに保持された第３のセラミックグリーンシートを示す断面図である。
【図４】図４Ａは第１のセラミックグリーンシートにレーザ光を照射して第１の溝を形成した状態を示す断面図であり、図４Ｂは第２のセラミックグリーンシートにレーザ光を照射して第２の溝を形成した状態を示す断面図である。
【図５】図５Ａは第１のセラミックグリーンシートに形成された第１の溝内に導電ペーストを充填して第１の電極とした状態を示す断面図であり、図５Ｂは第２のセラミックグリーンシートに形成された第２の溝内に導電ペーストを充填して第２の電極とした状態を示す断面図である。
【図６】第１の製造方法によって作製された積層体を示す断面図である。
【図７】第２の製造方法によって作製された積層体を示す断面図である。
【図８】第１のセラミックグリーンシートに深さの浅い溝を形成し、該溝内に導電ペーストを充填して第１の電極とした例を示す断面図である。
【図９】第２のセラミックグリーンシートに深さの浅い溝を形成し、該溝内に導電ペーストを充填して第２の電極とした例を示す断面図である。
【図１０】第１の変形例を示す電子部品の積層体を示す断面図である。
【図１１】第２の変形例を示す電子部品の積層体を示す断面図である。
【図１２】第３の変形例を示す電子部品の積層体を示す断面図である。
【図１３】第１の実験例で使用される実施例１〜５の構成を示す説明図である。
【図１４】第１の実験例を示す表図である。
【図１５】第１の実験例を示す特性図である。
【図１６】第２の実験例で使用される実施例６〜８の構成を示す説明図である。
【図１７】第２の実験例を示す表図である。
【図１８】第２の実験例を示す特性図である。
【図１９】ガルバノスキャンミラーから反射されるレーザ光でセラミックグリーンシートに溝を形成した状態を示す説明図である。
【図２０】第１のセラミックグリーンシートにレーザ光を照射することによって形成された第１の溝内に導電ペーストを充填して第１の電極とした状態を示す断面図である。
【図２１】第２のセラミックグリーンシートにレーザ光を照射することによって形成された第２の溝内に導電ペーストを充填して第２の電極とした状態を示す断面図である。
【図２２】第１及び第２のセラミックグリーンシートを積層した状態を示す断面図である。
【図２３】種々の要因による溝の形状の変化の具合を示す説明図である。
【符号の説明】
【００８５】
１０…電子部品                          １２…誘電体基板
２４…第１の電極                        ２６…第２の電極
４２…第１のセラミックグリーンシート    ４２ａ…上面（被溝加工面）
４６…第２のセラミックグリーンシート    ４６ａ…上面（被溝加工面）
５０…第３のセラミックグリーンシート    ５２…第１の溝
５４…第２の溝
５８…第４のセラミックグリーンシート
６０…第５のセラミックグリーンシート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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