(57)【要約】【課題】炭素ナノチューブの合成のための触媒層のパターニング方法及びそれを利用した電界放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板１１０上に弱酸陰イオン基を有する金属塩で形成された触媒層１２０を形成するステップと、触媒層１２０上にフォトレジスト１３０を形成するステップと、フォトマスクを利用してフォトレジストを所定パターンで露光させるステップと、フォトレジスト１３０及び触媒層１２０の所定領域を強塩基現像液を利用して除去するステップと、フォトレジスト１３０を除去するステップと、を含む触媒層のパターニング方法。【選択図】図１Ｄ
2006187856.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に弱酸陰イオン基を有する金属塩で形成された触媒層を形成するステップと、
前記触媒層上にフォトレジストを形成するステップと、
フォトマスクを利用して前記フォトレジストを所定パターンで露光させるステップと、
前記フォトレジスト及び触媒層の所定領域を強塩基現像液を利用して除去するステップと、
前記フォトレジストを除去するステップと、を含むことを特徴とする触媒層のパターニング方法。
【請求項２】
前記金属塩は、酢酸基、シュウ酸基及びカーボネート基で構成されたグループから選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の触媒層のパターニング方法。
【請求項３】
前記金属塩は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＹで構成されたグループから選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の触媒層のパターニング方法。
【請求項４】
前記現像液は、水酸化テトラメチルアンモニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の触媒層のパターニング方法。
【請求項５】
前記触媒層を形成するステップは、所定溶媒に前記金属塩が溶解された溶液を前記基板上に塗布し、それを乾燥させるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の触媒層のパターニング方法。
【請求項６】
前記溶媒は、エチレングリコール及びエタノールのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項５に記載の触媒層のパターニング方法。
【請求項７】
前記金属塩は、前記溶媒に対して常温で１ｍＭ以上の溶解度を有することを特徴とする請求項５に記載の触媒層のパターニング方法。
【請求項８】
前記溶液は、前記基板上にスピンコーティング方法またはディッピング方法によって塗布されることを特徴とする請求項５に記載の触媒層のパターニング方法。
【請求項９】
前記フォトレジストを形成するステップは、前記触媒層上にフォトレジスト溶液を塗布し、それを乾燥させるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の触媒層のパターニング方法。
【請求項１０】
前記フォトレジストは、ポジティブフォトレジストであり、前記現像液によって前記フォトレジストの露光領域及びその下部に位置した前記触媒層が除去されることを特徴とする請求項１に記載の触媒層のパターニング方法。
【請求項１１】
前記フォトレジストは、ネガティブフォトレジストであり、前記現像液によって前記フォトレジストの非露光領域及びその下部に位置した前記触媒層が除去されることを特徴とする請求項１に記載の触媒層のパターニング方法。
【請求項１２】
前記フォトレジストは、ストリッパによって除去されることを特徴とする請求項１に記載の触媒層のパターニング方法。
【請求項１３】
基板上にカソード電極、絶縁層及びゲート電極を順次に積層し、前記絶縁層には前記カソード電極を露出させるエミッタホールを形成するステップと、
前記ゲート電極及び露出された前記カソード電極を覆うように弱酸陰イオン基を有する金属塩で形成された触媒層を形成するステップと、
前記触媒層を覆うようにフォトレジストを形成するステップと、
前記フォトレジストを所定パターンで露光させるステップと、
前記フォトレジスト及び触媒層が前記エミッタホールの内部にのみ残るように、前記フォトレジスト及び触媒層の所定領域を強塩基現像液を利用して除去するステップと、
前記フォトレジストを除去するステップと、
パターニングされた前記触媒層上に炭素ナノチューブを成長させるステップと、を含むことを特徴とする電界放出素子の製造方法。
【請求項１４】
前記金属塩は、酢酸基、シュウ酸基及びカーボネート基で構成されたグループから選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１３に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１５】
前記金属塩は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＹで構成されたグループから選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１３に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１６】
前記現像液は、水酸化テトラメチルアンモニウムを含むことを特徴とする請求項１３に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１７】
前記触媒層を形成するステップは、所定溶媒に前記金属塩が溶解された溶液を前記ゲート電極及び露出された前記カソード電極を覆うように塗布し、それを乾燥させるステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１８】
前記溶媒は、エチレングリコール及びエタノールのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１７に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１９】
前記金属塩は、前記溶媒に対して常温で１ｍＭ以上の溶解度を有することを特徴とする請求項１７に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項２０】
前記溶液は、前記ゲート電極及び露出されたカソード電極上にスピンコーティング方法またはディッピング方法によって塗布されることを特徴とする請求項１７に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項２１】
前記フォトレジストを形成するステップは、前記触媒層を覆うようにフォトレジスト溶液を塗布し、それを乾燥させるステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項２２】
前記フォトレジストは、裏面露光法によって露光されることを特徴とする請求項１３に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項２３】
前記フォトレジストは、ネガティブフォトレジストであることを特徴とする請求項２２に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項２４】
前記カソード電極上には、所定のフォトマスクパターンが形成されていることを特徴とする請求項２３に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項２５】
前記フォトレジストは、前面露光法によって露光されることを特徴とする請求項１３に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項２６】
前記フォトレジストは、ポジティブフォトレジストであることを特徴とする請求項２５に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項２７】
前記炭素ナノチューブは、化学気相蒸着法によって成長されることを特徴とする請求項１３に記載の電界放出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭素ナノチューブの合成のための触媒層のパターニング方法及びそれを利用した電界放出素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭素ナノチューブ（ＣＮＴ：Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅｓ）は、独特の構造的、電気的特性が知らされて以来、電界放出素子（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ）、液晶表示素子（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用バックライト、ナノ電子素子、アクチュエータ、バッテリーなど数多くの素子に応用されている。
【０００３】
ＦＥＤは、カソード電極上に形成されたエミッタから電子を放出させ、この電子をアノード電極上に形成された蛍光体層に衝突させて発光させる表示装置である。このようなＦＥＤのエミッタとして、最近には、電子放出特性に優れたＣＮＴが主に使われており、このようなＣＮＴをエミッタとして使用するＦＥＤは、低い駆動電圧及び高い輝度、コスト競争力など多くの長所を有している。
【０００４】
一般的に、基板上にＣＮＴを形成する方法としては、ＣＮＴペーストを利用したスクリーンプリンティング法及び化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）を利用したＣＮＴ成長法がある。そのうち、ＣＶＤを利用したＣＮＴ成長法は、高解像度のディスプレイ装置の製作が可能であり、基板にＣＮＴを直接成長させるため、プロセスが簡単な長所を有し、それを利用した活発な研究が進められつつある。このようなＣＶＤには、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ）と熱ＣＶＤ（Ｔｈｅｒｍａｌ  ＣＶＤ）とが代表的である。
【０００５】
ＰＥＣＶＤを利用したＣＮＴ成長法は、ＣＮＴを基板に垂直方向に成長させ、熱ＣＶＤより相対的に低い温度で合成可能であるという長所を有している。そして、ＣＮＴの垂直成長は、ＰＥＣＶＤシステムでのアノード電極とカソード電極との間に印加される電界の方向に依存するので、電界の方向によって、ＣＮＴの成長方向の調節が可能である。また、ＣＮＴの成長方向が一定なので、密度調節が容易であり、かつ電界による電子放出が容易であるという長所を有する。しかし、均一なＣＮＴの成長が難しいという短所があり、低温で成長したＣＮＴは、直径が比較的大きいため、電界放出特性がよくないという短所がある。
【０００６】
一方、熱ＣＶＤを利用したＣＮＴ成長法は、ＣＮＴの成長均一度が非常に優秀であり、ＰＥＣＶＤに比べて小さい直径を有するＣＮＴを成長させうるので、電子放出開始電圧が低いＣＮＴを形成できるという長所がある。しかし、ＰＥＣＶＤとは違って、ＣＮＴの成長時、基板に電界がかからないため、ＣＮＴの成長方向が一定でなく、ガス分解が熱エネルギーによってなされて、成長温度が高いという短所がある。
【０００７】
また、前記のようなＣＶＤによってＣＮＴを成長させるためには、基板上にパターニングされた触媒層が形成されねばならない。ここで、前記触媒層は、基板上に成長されるＣＮＴの密度、直径、長さを制御する。基板上にパターニングされた触媒層を形成するために、従来には、基板上に所定の触媒金属を薄膜状に蒸着し、これをパターニングする方法が使われた。しかし、前記のような方法は、触媒金属の薄膜形成のための蒸着コストを必要とし、複雑なパターニング工程、すなわち露光、現像、エッチング及びストリップ工程を経ねばならないので、これによるコストも上昇する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前記問題点を解決するために案出されたものであって、パターニング工程を単純化させうるＣＮＴの合成のための触媒層のパターニング方法及びそれを利用したＦＥＤの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明の一具現例によれば、基板上に弱酸陰イオン基を有する金属塩で形成された触媒層を形成するステップと、前記触媒層上にフォトレジストを形成するステップと、フォトマスクを利用して前記フォトレジストを所定パターンで露光させるステップと、前記フォトレジスト及び触媒層の所定領域を強塩基現像液を利用して除去するステップと、前記フォトレジストを除去するステップと、を含むＣＮＴの合成のための触媒層のパターニング方法が開示される。
【００１０】
前記金属塩は、酢酸基、シュウ酸基及びカーボネート基で構成されたグループから選択された少なくとも一つを含みうる。そして、前記金属塩は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＹで構成されたグループから選択された少なくとも一つを含みうる。
【００１１】
前記現像液は、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ（ＴｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍＨｙｄｒｏｘｉｄｅ））を含みうる。
【００１２】
前記触媒層を形成するステップは、所定溶媒に前記金属塩が溶解された溶液を前記基板上に塗布し、それを乾燥させるステップを含むことが望ましい。ここで、前記溶媒は、エチレングリコール及びエタノールのうち少なくとも一つを含みうる。そして、前記金属塩は、前記溶媒に対して常温で１ｍＭ以上の溶解度を有することが望ましい。前記溶液は、前記基板上にスピンコーティング方法またはディッピング方法によって塗布されうる。
【００１３】
前記フォトレジストを形成するステップは、前記触媒層上にフォトレジスト溶液を塗布し、それを乾燥させるステップを含むことが望ましい。
【００１４】
前記フォトレジストがポジティブフォトレジストである場合には、前記フォトレジストの露光領域及びその下部に位置した前記触媒層が前記現像液によって除去されうる。
【００１５】
一方、前記フォトレジストがネガティブフォトレジストである場合には、前記フォトレジストの非露光領域及びその下部に位置した前記触媒層が前記現像液によって除去されうる。
【００１６】
本発明の他の具現例によれば、基板上にカソード電極、絶縁層及びゲート電極を順次に積層し、前記絶縁層には、前記カソード電極を露出させるエミッタホールを形成するステップと、前記ゲート電極及び露出された前記カソード電極を覆うように弱酸陰イオン基を有する金属塩で形成された触媒層を形成するステップと、前記触媒層を覆うようにフォトレジストを形成するステップと、前記フォトレジストを所定パターンで露光させるステップと、前記フォトレジスト及び触媒層が前記エミッタホール内部にのみ残るように、前記フォトレジスト及び触媒層の所定領域を強塩基現像液を利用して除去するステップと、前記フォトレジストを除去するステップと、パターニングされた前記触媒層上にＣＮＴを成長させるステップと、を含むＦＥＤの製造方法が開示される。
【００１７】
前記フォトレジストは、裏面露光法によって露光されうる。このとき、前記フォトレジストは、ネガティブフォトレジストであり、前記カソード電極上には、所定のフォトマスクパターンが形成されていることが望ましい。
【００１８】
一方、前記フォトレジストは、前面露光法によって露光されてもよく、このとき、前記フォトレジストは、ポジティブフォトレジストであることが望ましい。
【００１９】
前記ＣＮＴは、ＣＶＤによって成長されうる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明による触媒層のパターニング方法及びそれを利用した電界放出素子の製造方法によれば、従来のような触媒金属の薄膜形成のための蒸着工程が不要になり、フォトレジストと触媒層とを同時に現像することによって、別途のエッチング工程が不要になる。これにより、触媒層のパターニング工程を単純化させ、工程コストを節減させうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付された図面を参照して本発明による望ましい実施形態を詳細に説明する。図面で、同じ参照符号は、同じ構成要素を表す。
【００２２】
図１Ａないし図１Ｅは、本発明の実施形態によるＣＮＴの合成のための触媒層のパターニング方法を説明するための図面である。
【００２３】
まず、図１Ａを参照すれば、基板１１０上に金属塩で形成された触媒層１２０’を形成する。具体的には、前記触媒層１２０’は、所定溶媒に前記金属塩が溶解された溶液を前記基板１１０上に塗布し、これを乾燥させることによって形成される。ここで、前記溶液は、スピンコーティング方法またはディッピング方法によって、基板１１０上に塗布されうる。
【００２４】
前記金属塩は、後述するＴＭＡＨのような強塩基現像液に溶解されるように弱酸陰イオン基を有することが望ましい。このような弱酸陰イオン基としては、酢酸基、シュウ酸基及びカーボネート基で構成されたグループから選択された少なくとも一つとなり得る。また、前記金属塩は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＹで構成されたグループから選択された少なくとも一つを含みうる。そして、前記溶媒としては、エチレングリコール及びエタノールのうち少なくとも一つが使用され得る。このとき、前記金属塩は、前記溶媒に対して常温で約１ｍＭ以上の溶解度を有することが望ましい。そして、前記金属塩は、アセトン、イソプロピルアルコール、フォトレジストストリップ用溶媒には溶解されないことが望ましい。
【００２５】
次いで、図１Ｂを参照すれば、前記触媒層１２０’上にフォトレジスト１３０’を形成する。
【００２６】
前記フォトレジスト１３０’は、前記触媒層１２０’の上面を覆うようにフォトレジスト溶液を塗布し、これを乾燥することによって形成される。ここで、前記フォトレジスト１３０’は、強塩基現像液によって現像される物質で形成される。そして、前記フォトレジスト１３０’は、ポジティブフォトレジストまたはネガティブフォトレジストとなり得る。
【００２７】
次いで、図１Ｃを参照すれば、フォトマスク１５０を利用した紫外線露光工程によって、前記フォトレジスト１３０’を所望のパターンで露光させる。
【００２８】
次いで、図１Ｄを参照すれば、現像工程によって、フォトレジスト１３０’の所定領域及びその下部に位置した触媒層１２０’を除去することによって、基板１１０上にパターニングされたフォトレジスト１３０と触媒層１２０とを形成する。
【００２９】
図１Ｄには、前記フォトレジスト１３０’がポジティブフォトレジストである場合が示されており、この場合には、現像工程によって、前記フォトレジスト１３０’の露光領域及びその下部に位置した触媒層１２０’が除去される。一方、前記フォトレジスト１３０’がネガティブフォトレジストである場合には、現像工程によって、前記フォトレジスト１３０’の非露光領域及びその下部に位置した触媒層１２０’が除去される。
【００３０】
前記現像工程によってフォトレジスト１３０’及び触媒層１２０’を現像するためには、ＴＭＡＨのような強塩基現像液が使われることが望ましい。これは、強塩基現像液が前記フォトレジスト１３０’を現像できるだけでなく、その下部に位置した触媒層１２０’を構成する弱酸陰イオン基を有する金属塩と置換反応することによって、前記触媒層１２０’を溶解させうるためである。具体的には、前記触媒層１２０’を構成する金属塩として、例えば、鉄酢酸を使用し、前記現像液として、例えば、ＴＭＡＨを使用すれば、次のような置換反応が起こる。
【００３１】
Ｆｅ（Ｃ２Ｈ３Ｏ２）２＋２Ｎ（ＣＨ３）４ＯＨ→Ｆｅ（ＯＨ）２＋２Ｎ（ＣＨ３）４（Ｃ２Ｈ３Ｏ２）
このような置換反応によって、弱酸陰イオン基を有する金属塩で形成された触媒層１２０’は、現像工程によって、フォトレジスト１３０’と共に除去されうる。
【００３２】
最後に、図１Ｅを参照すれば、パターニングされた触媒層１２０の上面に形成されたフォトレジスト１３０をストリッパを使用して除去すれば、基板１１０上には、パターニングされた触媒層１２０のみが残る。そして、このようにパターニングされた触媒層１２０上にＣＶＤによってＣＮＴを合成できる。このように、基板上にパターニングされた触媒層上に成長されたＣＮＴを示す写真が、図２Ａないし図２Ｃに示されている。
【００３３】
以下では、前記触媒層のパターニング方法を利用してＦＥＤの製造方法を説明する。図３Ａないし図３Ｇは、本発明の実施形態によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【００３４】
図３Ａを参照すれば、基板２１０上にカソード電極２１２、絶縁層２１４及びゲート電極２１６を順次に積層した後、前記絶縁層２１４にカソード電極２１２を露出させるエミッタホール２４０を形成する。ここで、前記基板２１０としては、一般的にガラス基板が使われうる。そして、前記カソード電極２１２は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）のような透明な導電性物質で形成されてもよく、前記ゲート電極２１４は、Ｃｒのような導電性金属で形成されてもよい。
【００３５】
具体的には、基板２１０上にＩＴＯのような透明な導電性物質で形成されたカソード電極層を所定厚さに形成した後、このカソード電極層を所定形状、例えば、ストライプ状にパターニングすれば、カソード電極２１２が形成される。次いで、前記カソード電極２１２及び基板２１０の全面に絶縁層２１４を所定厚さに形成する。次いで、前記絶縁層２１４上にゲート電極層を形成する。前記ゲート電極層は、Ｃｒのような導電性金属をスパッタリングなどの方法によって所定厚さに蒸着することによって形成され、このゲート電極層を所定形状にパターニングすれば、ゲート電極２１６が形成される。次いで、前記ゲート電極２１６を通じて露出された絶縁層２１４をエッチングしてエミッタホール２６０を形成する。このとき、前記エミッタホール２６０を通じてカソード電極２１２の一部が露出される。
【００３６】
次いで、図３Ｂを参照すれば、図３Ａに示された結果物の上面に金属塩で形成された触媒層２２０’を形成する。具体的には、前記触媒層２２０’は、所定溶媒に前記金属塩が溶解された溶液を、図３Ａに示した結果物の上面に塗布し、それを乾燥させることによって形成される。ここで、前記溶液は、スピンコーティング方法またはディッピング方法によって塗布されうる。前述したように、前記金属塩は、強塩基現像液に溶解されるように弱酸陰イオン基を有することが望ましい。このような弱酸陰イオン基としては、酢酸基、シュウ酸基及びカーボネート基で構成されたグループから選択された少なくとも一つとなり得る。また、前記金属塩は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＹで形成されたグループから選択された少なくとも一つを含みうる。そして、前記溶媒としては、エチレングリコール及びエタノールのうち少なくとも一つが使用されうる。このとき、前記金属塩は、前記溶媒に対して常温で約１ｍＭ以上の溶解度を有することが望ましい。そして、前記金属塩は、アセトン、イソプロピルアルコール、フォトレジストストリップ用溶媒には溶解されないことが望ましい。
【００３７】
次いで、図３Ｃを参照すれば、前記触媒層２２０’上にフォトレジスト２３０’を形成する。前記フォトレジスト２３０’は、前記触媒層２２０’の上面を覆うようにフォトレジスト溶液を塗布し、それを乾燥することによって形成される。ここで、前記フォトレジスト２３０’は、強塩基現像液によって現像される物質で形成される。そして、前記フォトレジスト２３０’は、ポジティブフォトレジストまたはネガティブフォトレジストとなり得る。
【００３８】
次いで、図３Ｄを参照すれば、紫外線露光工程によって、前記フォトレジスト２３０’を所望のパターンで露光させる。ここで、前記フォトレジスト２３０’は、裏面露光法によって露光されることが望ましい。裏面露光法が使われる場合には、前記フォトレジスト２３０’は、ネガティブフォトレジストとなり、前記カソード電極２１２上には、エミッタホール２４０（図３Ｅ参照）の内部に位置したフォトレジスト２３０’のみを露光させるフォトマスクパターン（図示せず）が形成されている。
【００３９】
一方、前記フォトレジスト２３０’は、前面露光法によって露光されてもよい。この場合には、前記フォトレジスト２３０’は、ポジティブフォトレジストとなり、前記フォトレジスト２３０’の上部には、エミッタホール２４０の外部に位置したフォトレジスト２３０’のみを露光させるフォトマスクが設けられる。
【００４０】
次いで、図３Ｅを参照すれば、現像工程によって、前記エミッタホール２４０の外部に位置した前記フォトレジスト２３０’及び触媒層２２０’を除去すれば、パターニングされたフォトレジスト２３０及び触媒層２２０がエミッタホール２４０の内部のカソード電極２１２上に形成される。ここで、前記フォトレジスト２３０’及び触媒層２２０’は、裏面露光時に非露光領域が現像工程によって除去され、前面露光時に露光領域が現像工程によって除去される。一方、前述したように、前記現像工程によってフォトレジスト２３０’及び触媒層２２０’を現像するためには、ＴＭＡＨのような強塩基現像液が使われることが望ましい。これは、強塩基現像液が前記フォトレジスト２３０’を現像できるだけでなく、その下部に位置した触媒層２２０’を構成する弱酸陰イオン基を有する金属塩と置換反応することによって、前記触媒層２２０’を溶解させて除去できるためである。
【００４１】
次いで、図３Ｆを参照すれば、前記フォトレジスト２３０をストリッパを使用して除去すれば、カソード電極２１２上には、パターニングされた触媒層２２０のみ残る。
【００４２】
最後に、図３Ｇを参照すれば、パターニングされた触媒層２２０上にエミッタであるＣＮＴ２７０を成長させれば、ＦＥＤが完成される。ここで、前記ＣＮＴは、ＣＶＤによって成長されることが望ましい。そして、このようなＣＶＤには、ＰＥＣＶＤと熱ＣＶＤとがある。
【００４３】
以上、本発明による望ましい実施形態が説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明のＣＮＴは、例えば、ＦＥＤ、ＬＣＤ用バックライト、ナノ電子素子、アクチュエータ、バッテリーなど数多くの素子に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１Ａ】本発明の実施形態によるＣＮＴの合成のための触媒層のパターニング方法を説明するための図面である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態によるＣＮＴの合成のための触媒層のパターニング方法を説明するための図面である。
【図１Ｃ】本発明の実施形態によるＣＮＴの合成のための触媒層のパターニング方法を説明するための図面である。
【図１Ｄ】本発明の実施形態によるＣＮＴの合成のための触媒層のパターニング方法を説明するための図面である。
【図１Ｅ】本発明の実施形態によるＣＮＴの合成のための触媒層のパターニング方法を説明するための図面である。
【図２Ａ】本発明の実施形態によってパターニングされた触媒層上に形成されたＣＮＴを撮った写真である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態によってパターニングされた触媒層上に形成されたＣＮＴを撮った写真である。
【図２Ｃ】本発明の実施形態によってパターニングされた触媒層上に形成されたＣＮＴを撮った写真である。
【図３Ａ】本発明の実施形態によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｃ】本発明の実施形態によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｄ】本発明の実施形態によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｅ】本発明の実施形態によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｆ】本発明の実施形態によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｇ】本発明の実施形態によるＦＥＤの製造方法を説明するための図面である。
【符号の説明】
【００４６】
１１０…基板、
１２０…触媒層、
１３０…フォトレジスト。
【図１Ａ】
2006187856.tif 000003
【図１Ｂ】
2006187856.tif 000004
【図１Ｃ】
2006187856.tif 000005
【図１Ｄ】
2006187856.tif 000006
【図１Ｅ】
2006187856.tif 000007
【図３Ａ】
2006187856.tif 000008
【図３Ｂ】
2006187856.tif 000009
【図３Ｃ】
2006187856.tif 000010
【図３Ｄ】
2006187856.tif 000011
【図３Ｅ】
2006187856.tif 000012
【図３Ｆ】
2006187856.tif 000013
【図３Ｇ】
2006187856.tif 000014
【図２Ａ】
2006187856.tif 000015
【図２Ｂ】
2006187856.tif 000016
【図２Ｃ】
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