(57)【要約】【課題】  発光ダイオード等の光半導体装置を樹脂封止する際、ボイドの混入がなく、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールでき、ボンディングワイヤーの断線や接触がなく、光半導体素子への応力の集中が少なく、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少ない、信頼性の優れる光半導体装置を生産性よく製造する方法を提供し、また、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少ない、信頼性の優れる光半導体装置を提供する。【解決手段】  光半導体装置を金型中に載置して、該金型と該光半導体装置との間に供給した透明ないし半透明の硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することを特徴とする、透明ないし半透明のシリコーン硬化物で封止した光半導体装置の製造方法、および前記の方法により製造された光半導体装置。【選択図】  図１
2006093354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体装置を金型中に載置して、該金型と該光半導体装置との間に供給した透明ないし半透明の硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することを特徴とする、透明ないし半透明のシリコーン硬化物で封止した光半導体装置の製造方法。
【請求項２】
下型に光半導体装置を載置して、上型と該光半導体装置との間に透明ないし半透明の硬化性シリコーン組成物を供給した後、該上型と該下型とで該光半導体装置を挟持して該硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することを特徴とする、請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項３】
少なくとも２つの光半導体装置を透明ないし半透明のシリコーン硬化物で封止した後、個片の光半導体装置に切断することを特徴とする、請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項４】
金型の内面に剥離性フィルムが密着していることを特徴とする、請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項５】
剥離性フィルムがエア吸引により金型の内面に密着していることを特徴とする、請求項４記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項６】
光半導体装置が、回路基板上に光半導体素子がボンディングワイヤにより電気的に接続されているものであることを特徴とする、請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項７】
光半導体装置が発光ダイオードであることを特徴とする、請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項８】
シリコーン硬化物の可視光における光透過率が９０％以上であることを特徴とする、請求項１の光半導体装置の製造方法。
【請求項９】
硬化性シリコーン組成物がヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物であることを特徴とする、請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物が、
（Ａ)平均単位式：
Ｒ1aＳiＯ(4-a)/2
｛式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１０の置換または非置換一価炭化水素基（但し、一分子中、全Ｒ1の２０モル％以上はフェニル基であり、Ｒ1の少なくとも２個はアルケニル基である。）であり、ａは０.５≦ａ≦２.２の数である。｝
で表されるオルガノポリシロキサン、
(Ｂ)平均単位式：
Ｒ2bＨcＳiＯ(4-b-c)/2
｛式中、Ｒ2は炭素原子数１〜１０の置換または非置換一価炭化水素基（但し、アルケニル基を除く。）であり、ｂおよびｃはそれぞれ、１.０＜ｂ＜２.２、０.００２＜ｃ＜１、かつ１.０＜（ｂ＋ｃ)＜３.０を満たす数である。｝
で表され、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、および
(Ｃ)ヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなることを特徴とする、請求項９記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法により製造された光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置の製造方法、およびその方法により製造された光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード等の光半導体装置を樹脂封止する方法としては、液状の熱硬化性樹脂あるいは紫外線硬化性樹脂を鋳型に注型し、これに発光ダイオード素子を搭載し、ボンディングワイヤで接続したリードフレームをインサートした上で、前記樹脂を加熱あるいは紫外線照射により硬化する注型成形法（キャスティングモールディング）、熱可塑性樹脂を射出成形機のシリンダ中で加熱により溶融させた後、発光ダイオード素子を搭載し、ボンディングワイヤにより接続したリードフレームをインサートした金型のキャビティ中に加圧充填し、前記樹脂を硬化させる射出成形法（インジェクションモールディング）、熱硬化性樹脂の硬化反応を途中で止めたＢ−ステージ樹脂に圧力をかけて液状化し、これに発光ダイオード素子を搭載し、ボンディングワイヤで接続したリードフレームをインサートした金型に注型し、前記樹脂を熱硬化させるトランスファー成形法（トランスファーモールディング）等が知られている（特許文献１〜５参照）。
【０００３】
従来より、発光ダイオード封止用樹脂としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が一般的に使用されているが、光半導体装置の高輝度化にともない、その連続使用で硬化樹脂が変色し、信頼性が低下するという問題があった。また、その樹脂封止方法としては、注型成形法が一般的に使用されているが、熱硬化性樹脂の硬化が遅いため生産性が悪いという問題の他、樹脂封止部とリードフレームとを複数の治具で位置決めするため、得られる発光ダイオードに不良が発生しやすかったり、熱硬化性樹脂の硬化収縮による表面あれが発生しやすかったり、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールすることが困難であったり、封止樹脂中にボイドが混入しやすかったり、硬化応力が発光ダイオード素子に集中するため、発光ダイオード素子と封止樹脂との間で剥離が発生しやすいという問題があった。
【０００４】
また、トランスファー成形法では、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールすることができるという利点があるものの、発光ダイオード素子に接続しているボンディングワイヤーが封止樹脂の流動圧力により変形して、断線や接触を起こしたり、熱硬化性Ｂ−ステージ樹脂を保管及び輸送する際、前記Ｂ−ステージ樹脂の硬化の進行を防止するために冷却する必要があり、余分なコストがかかるという問題があった。
【０００５】
一方、射出成形法では、発光ダイオード素子を搭載し、ボンディングワイヤで接続したリードフレームを直接成形金型に固定し、また使用する金型も少数であるので、得られる発光ダイオードのバラ付きが少なく、不良が発生しにくく、硬化収縮に起因する表面あれが生じないという利点があるものの、射出圧力により、発光ダイオード素子に接続しているボンディングワイヤが断線や接触を起こしたりするという問題があった。
【特許文献１】特開昭５４−１９６６０号公報
【特許文献２】特開昭５７−２５８３号公報
【特許文献３】特公平４−４０８７０号公報
【特許文献４】特開平９−１０７１２８号公報
【特許文献５】特開２００３−８０８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、発光ダイオード等の光半導体装置を樹脂封止する際、ボイドの混入がなく、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールでき、ボンディングワイヤーの断線や接触がなく、光半導体素子への応力の集中が少なく、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少ない、信頼性の優れる光半導体装置を生産性よく製造する方法を提供することを目的とし、さらに、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少ない、信頼性の優れる光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光半導体装置の製造方法は、光半導体装置を金型中に載置して、該金型と該光半導体装置との間に供給した透明ないし半透明の硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することにより透明ないし半透明のシリコーン硬化物で封止した光半導体装置を製造することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上記の方法により製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の光半導体装置の製造方法によれば、発光ダイオード等の光半導体装置を樹脂封止する際、ボイドの混入がなく、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールでき、ボンディングワイヤーの断線や接触がなく、光半導体素子への応力の集中が少なく、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少ない、信頼性の優れる光半導体装置を生産性よく製造できるという特徴があり、また、本発明の光半導体装置は、長期間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少なく、信頼性が優れるという特徴がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
はじめに、本発明の光半導体装置の製造方法を詳細に説明する。
本方法では、光半導体装置を金型中に載置して、該金型と該光半導体装置との間に供給した透明ないし半透明の硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することにより、光半導体装置を透明ないし半透明のシリコーン硬化物で封止する。このような金型を有する圧縮成形機としては、一般に使用されている圧縮成形機を用いることができ、光半導体装置を挟持して、金型と光半導体装置のキャビティに供給された硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することのできる上型と下型、これらを加圧するためのクランプ、硬化性シリコーン組成物を加熱により硬化させるためのヒーター等を備えていればよい。このような圧縮成形機としては、特開平８−２４４０６４号公報、特開平１１−７７７３３号公報、あるいは特開２０００−２７７５５１号公報に記載されている圧縮成形機が例示され、特に、装置が簡単であることから、特開２０００−２７７５５１号公報により記載されている圧縮成形機であることが好ましい。
【００１０】
すなわち、特開２０００−２７７５５１号公報に記載されている圧縮成形機は、下型に光半導体装置を載置して、上型と光半導体装置との間に透明ないし半透明の硬化性シリコーン組成物を供給した後、上型と下型とで光半導体装置を挟持して硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することができる。この圧縮成形機においては、上型の封止領域の側面を囲む枠状に形成され、この側面に沿って型開閉方向に昇降自在に支持されるとともに、型開き時に上型の成形面よりも下端面を突出させ下型に向け付勢して設けられたクランパを有する。上型あるいは下型が硬化性シリコーン組成物に直接接触する場合には、これらの金型の成形面をフッ素樹脂によりコーティングしておくことが好ましい。特に、この圧縮成形機は、金型およびシリコーン硬化物に対して剥離性を有するフィルムを、上型の封止領域を被覆する位置に供給する剥離性フィルムの供給機構とを備えている。このような圧縮成形機によれば、この剥離性フィルムを介して光半導体装置を樹脂封止することにより、シリコーン硬化物が金型の成形面に付着したりすることを防止し、剥離性フィルムにより封止領域が確実に樹脂封止され、ばり等を発生させずに確実に樹脂封止することができる。
【００１１】
この圧縮成形機は、金型およびシリコーン硬化物に対して剥離性を有するフィルムを、下型の光半導体装置を載置する金型面を覆って供給する剥離性フィルムの供給機構を設けていることが好ましい。また、クランパの下端面に剥離性フィルムをエア吸着するとともに、上型の成形面とクランパの内側面とによって構成される封止領域の内底面側からエア吸引して封止領域の内面に剥離性フィルムをエア吸着する剥離性フィルムの吸着機構を設けることにより、剥離性フィルムが確実に金型面に支持されて樹脂封止することができる。また、剥離性フィルムの吸着機構としては、クランパの下端面で開口するエア孔と、クランパの内側面と上型の側面との間に形成されるエア流路に連通してクランパの内側面に開口するエア孔とを設け、これらのエア孔にエア吸引操作をなすエア機構を接続していることが好ましい。また、上型が、成形面に光半導体装置上の光半導体素子の搭載位置に対応して独立の成形部を成形するキャビティ凹部が設けられていてもよい。また、下型が、成形面に光半導体装置上の光半導体素子の搭載位置に対応して独立の成形部を成形するキャビティ凹部が設けられていてもよい。また、上型が、型開閉方向に可動に支持されるとともに、下型に向けて付勢して支持されていてもよい。また、下型の金型面に、光半導体装置を樹脂封止する際に封止領域からオーバーフローする硬化性シリコーン組成物を溜めるオーバーフローキャビティが設けられ、光半導体装置を押接するクランパのクランプ面に封止領域とオーバーフローキャビティとを連絡するゲート路が設けられていてもよい。
【００１２】
また、下型に光半導体装置を載置し、上型と光半導体装置との間に硬化性シリコーン組成物を供給し、金型およびシリコーン硬化物との剥離性を有するフィルムにより封止領域を被覆し、上型と下型とで硬化性シリコーン組成物とともに光半導体装置を狭持して封止する場合、光半導体装置を狭持する際に、上型の封止領域の側面を囲む枠状に形成され、この側面に沿って型開閉方向に昇降自在に支持されるとともに、上型の成形面よりも下端面を突出させて下型に向け付勢して設けられたクランパを光半導体装置に当接して、封止領域の周囲を樹脂封止し、徐々に上型と下型を近づけて封止領域内に硬化性シリコーン組成物を充填するとともに、上型と下型とを型締め位置で停止させ、封止領域内に硬化性シリコーン組成物を充填させて光半導体装置を樹脂封止することが好ましい。
【００１３】
図１は本方法に好適に用いられる圧縮成形機の主要構成部分を示している。２０は固定プラテン、３０は可動プラテンであり、各々プレス装置に連繋して支持されている。プレス装置は、電動プレス装置、油圧プレス装置のどちらも使用でき、プレス装置により可動プラテン３０が昇降駆動されて所要の樹脂封止がなされる。
【００１４】
２２は固定プラテン２０に固設した下型ベースであり、２３は下型ベース２２に固定した下型である。下型２３の上面には光半導体装置１６を載置するセット部を設ける。本方法で用いる光半導体装置１６は回路基板１２上に複数個の光半導体素子１０を縦横に等間隔で配置したものであってもよい。光半導体装置１６は光半導体素子１０を上向きにして下型２３に載置される。２４は下型ベース２２に取り付けたヒータである。ヒータ２４により下型２３が加熱され、下型２３に載置された光半導体装置１６が加温される。２６は上型と下型とのクランプ位置を規制する下クランプストッパであり、下型ベース２２に立設されている。
【００１５】
３２は可動プラテン３０に固設した上型ベース、３３は上型ベース３２に固定した上型ホルダ、３４は上型ホルダ３３に固定した上型である。本方法では回路基板１２に光半導体素子１０を実装した片面側を平板状に樹脂封止する。そのため、上型３４の成形面を封止領域にわたって平坦面に形成している。３６は上型３４および上型ホルダ３３の側面を囲む枠状に形成したクランパであり、上型ベース３２に昇降自在に支持するとともにスプリング３７により下型２３に向けて常時付勢して設ける。上型３４の成形面はクランパ３６の端面よりも後退した位置にあり、封止領域は型締め時にクランパ３６の内側面と上型３４の成形面によって包囲された領域となる。なお、クランパ３６を付勢する方法はスプリング３７による他にエアシリンダ等の他の付勢手段を利用してもよい。
【００１６】
３８は上型ベース３２に取り付けたヒータである。ヒータ３８により上型ホルダ３３、上型３４が加熱され、型締め時に光半導体装置１６が加熱される。３９は上型ベース３２に立設した上クランプストッパである。上クランプストッパ３９と下クランプストッパ２６とは型締め時に端面が互いに当接するよう上型側と下型側に対向して配置される。プレス装置により可動プラテン３０が降下した際に、上クランプストッパ３９と下クランプストッパ２６とが当接した位置が型締め位置であり、この型締め位置によって封止領域の封止樹脂の厚さが規定されることになる。
【００１７】
４０ａ、４０ｂは上型３４と下型２３の成形面を被覆する幅寸法に形成された長尺体の剥離性フィルムである。剥離性フィルム４０ａ、４０ｂは樹脂封止時に硬化性シリコーン組成物が成形面に直に接しないように封止領域を被覆する目的で設けるものである。剥離性フィルム４０ａ、４０ｂは封止領域での成形面の凹凸にならって変形できるよう柔軟でかつ一定の強度を有するとともに、金型温度に耐える耐熱性、シリコーン硬化物および金型と容易に剥離できるフィルム材が好適に用いられる。このようなフィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレン樹脂（ＰＴＦＥ）フィルム、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）フィルム、テトラフルオロエチレン−ペルフルオロプロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）フィルム、ポリビニリデンフルオライド樹脂（ＰＢＤＦ）フィルム等のフッ素樹脂フィルム；ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）フィルム、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）フィルムが例示される。
【００１８】
本方法では、回路基板１２の片面側のみ樹脂封止する場合には、硬化性シリコーン組成物に接する剥離性フィルムは上型３４に供給する剥離性フィルム４０ａである。下型２３の金型面を覆うように剥離性フィルム４０ｂを供給するのは、剥離性フィルム４０ｂの圧縮性、弾性を利用して回路基板１２の厚さのばらつきを効果的に吸収できるようにし、これによってばり等を生じさせることなく確実に樹脂封止できるようにするためである。もちろん、上型３４側にのみ剥離性フィルム４０ａを供給して樹脂封止することも可能である。
【００１９】
４２ａ、４２ｂは剥離性フィルム４０ａ、４０ｂの供給ロールであり、４４ａ、４４ｂは剥離性フィルム４０ａ、４０ｂの巻取りロールである。図のように、供給ロール４２ａ、４２ｂと巻取りロール４４ａ、４４ｂは金型を挟んだ一方側と他方側に各々配置され、上型側の供給ロール４２ａと巻取りロール４４ａは可動プラテン３０に取り付けられ、下型側の供給ロール４２ｂと巻取りロール４４ｂは固定プラテン２０に取り付けられている。これによって、剥離性フィルム４０ａ、４０ｂは金型の一方側から他方側へ金型内を通過して搬送される。上型側の供給ロール４２ａと巻取りロール４４ａは可動プラテン３０とともに昇降する。４６はガイドローラ、４８は剥離性フィルム４０ａ、４０ｂの静電防止のための静電除去装置（イオナイザー）である。
【００２０】
上型３４側に供給する剥離性フィルム４０ａはエア吸着により金型面に吸着して支持する。クランパ３６にはクランパ３６の端面で開口するエア孔３６ａと、クランパ３６の内側面で開口するエア孔３６ｂとを設け、これらエア孔３６ａ、３６ｂを金型外のエア機構に連絡する。上型ホルダ３３にはクランパ３６の内側面との摺動面にＯリングを設け、エア孔３６ｂからエア吸引する際にエア漏れしないようにしている。上型３４の側面および上型ホルダ３３の側面とクランパ３６の内側面との間はエアを流通するエア流路となっており、エア孔３６ｂからエア吸引することにより、上型３４とクランパ３６とによって形成された封止領域の内面に剥離性フィルム４０ａがエア吸着されるようになる。なお、エア孔３６ａ、３６ｂに連絡するエア機構はエアの吸引作用の他にエアの圧送作用を備えることも可能である。エア機構からエア孔３６ａ、３６ｂにエアを圧送することによって剥離性フィルム４０ａを金型面から容易に剥離させることができる。
【００２１】
本方法では、上述した構成において、次に示す方法により光半導体装置を樹脂封止することができる。図１で中心線ＣＬの左半部は、可動プラテン３０が上位置にある型開き状態を示す。この型開き状態で新しく金型面上に剥離性フィルム４０ａ、４０ｂを供給し、下型２３に光半導体装置１６を載置する。光半導体装置１６は下型２３の金型面を被覆する剥離性フィルム４０ｂの上で位置決めして載置される。
【００２２】
図１で中心線ＣＬの右半部はエア機構を作動させて剥離性フィルム４０ａを上型３４とクランパ３６の端面にエア吸着した状態である。剥離性フィルム４０ａを金型面に近接して搬送し、エア孔３６ａ、３６ｂからエア吸引することによってクランパ３６の端面に剥離性フィルム４０ａがエア吸着されるとともに、上型３４の成形面とクランパ３６の内側面に沿って剥離性フィルム４０ａがエア吸着される。剥離性フィルム４０ａは十分な柔軟性と伸展性を有しているから上型３４とクランパ３６とによって形成される凹部形状にならってエア吸着される。なお、クランパ３６の端面に設けるエア孔３６ａは上型３４の周方向に所定間隔をあけて複数配置される。
【００２３】
剥離性フィルム４０ａを上型側の金型面にエア吸着する一方、下型２３に載置した光半導体装置１６の回路基板１２上に硬化性シリコーン組成物５０を供給する。硬化性シリコーン組成物５０は封止領域の内容積に合わせて必要量だけ供給するもので、ディスペンサー等により定量吐出して供給することが好ましい。
【００２４】
図２は上型３４と下型２３とで光半導体装置１６を狭持した状態を示す。同図で中心線ＣＬの左半部は上型３４を降下させてクランパ３６の端面が光半導体装置１６の回路基板１２を押接している状態である。上型３４はクランプ位置までは完全に降り切っておらず、クランパ３６によって封止領域の周囲が閉止された状態で上型３４により硬化性シリコーン組成物５０が押されるようにして充填開始される。図２で中心線ＣＬの右半部は、上型３４が型締め位置まで降下した状態である。この型締め位置は、下クランプストッパ２６と上クランプストッパ３９の端面が当接した状態であり、型締め力によりスプリング３７の付勢力に抗してクランパ３６が上動し、封止領域が所定の厚さになる。
【００２５】
上型３４が型締め位置まで降下することによって、封止領域が所定の厚さにまで押し込められ、封止領域に完全に硬化性シリコーン組成物５０が充填されることになる。図２に示すように、中心線ＣＬの左半部では剥離性フィルム４０ａと上型３４のコーナー部に若干の隙間が形成されているが、上型３４が型締め位置まで降下することによって上型３４と剥離性フィルム４０ａとの隙間はなくなり、硬化性シリコーン組成物５０が完全に封止領域を充填している。
【００２６】
光半導体装置１６の樹脂封止面については、剥離性フィルム４０ａを介して狭持することにより、クランパ３６によって封止領域の周囲部分が確実に閉止され、もれを生じさせずに樹脂封止することができる。回路基板１２の表面に回路パターンが形成されていて表面に僅かに段差が形成されているといったような場合でも剥離性フィルム４０ａを介して狭持することにより、段差部分が吸収され、型締め時に樹脂封止領域の外側に硬化性シリコーン組成物が流出することを防止することができる。また、回路基板１２の下面に配置される剥離性フィルム４０ｂも、厚さ方向の弾性により光半導体装置の厚さのばらつきを吸収して、確実な樹脂封止を可能にすることができる。
【００２７】
型締めし、硬化性シリコーン組成物５０が加熱されて硬化した後、型開きしてシリコーン硬化物で封止した光半導体装置を取り出す。剥離性フィルム４０ａ、４０ｂを介して封止しているから、シリコーン硬化物が成形面に付着することがなく、剥離性フィルム４０ａ、４０ｂが金型から簡単に剥離することから、型開き操作と光半導体装置の取り出し操作はきわめて容易である。エア孔３６ａ、３６ｂからエアを吹き出して剥離性フィルム４０ａを金型面から分離するようにしてもよい。型開きして、供給ロール４２ａ、４２ｂと巻取りロール４４ａ、４４ｂを作動させ、剥離性フィルム４０ａ、４０ｂとともに樹脂封止した光半導体装置を金型外に搬送する。
【００２８】
図３は本方法により樹脂封止した光半導体装置である。上型３４は成形面を平坦面に形成したものであるから成形部の上面は平坦面に形成されて得られる。図のように隣接する光半導体素子１０の中間位置でシリコーン硬化物と回路基板とを切断することによって個片の光半導体装置とすることもできる。この切断には、ダイシングソー、レーザー等を用いることができる。
【００２９】
また、本方法では、図４で示されるように、上型３４の成形面に、回路基板１２上に実装されている各々の光半導体素子１０の実装位置に対応したキャビティ凹部３４ａを設け、各キャビティ凹部３４ａで光半導体素子１０を独立させて樹脂封止することもできる。このような方法で得られるシリコーン硬化物７２で封止した光半導体装置７０を図５に示した。このような半導体装置についても、隣接する光半導体素子１０の中間位置でシリコーン硬化物と回路基板とを切断することによって個片の光半導体装置とすることもできる。この切断には、ダイシングソー、レーザー等を用いることができる。
【００３０】
本方法で用いる硬化性シリコーン組成物は透明ないし半透明であり、硬化して透明ないし半透明のシリコーン硬化物を形成するものであれば特に限定されないが、好ましくは、光半導体素子の輝度を低下させないことから、可視光（波長４００ｎｍ〜７００ｎｍ）における光透過率が９０％以上であるシリコーン硬化物を形成するものである。このシリコーン硬化物の光透過率は、硬化性シリコーン組成物を厚さ０.２ｍｍに硬化し、この硬化物の厚さが光路長となるが、２５℃、波長４５０ｎｍにおける光透過率を測定することにより求めることができる。なお、硬化性シリコーン組成物中に、光半導体素子からの光を波長変換する蛍光体を含有する場合には、この蛍光体を含有するシリコーン硬化物の光透過率は９０％以下であってもよい。
【００３１】
この硬化性シリコーン組成物は、圧縮成形によりシリコーン硬化物を形成するものであれば、その硬化機構は限定されないが、例えば、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物、有機過酸化物硬化性シリコーン組成物が挙げられ、硬化の際に副生物を生じないことから、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物であることが好ましい。このヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物としては、２５℃における屈折率が１.４５以上であるシリコーン硬化物を形成できることから、例えば、
（Ａ)平均単位式：
Ｒ1aＳiＯ(4-a)/2
｛式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１０の置換または非置換一価炭化水素基（但し、一分子中、全Ｒ1の２０モル％以上はフェニル基であり、Ｒ1の少なくとも２個はアルケニル基である。）であり、ａは０.５≦ａ≦２.２の数である。｝
で表されるオルガノポリシロキサン、
(Ｂ)平均単位式：
Ｒ2bＨcＳiＯ(4-b-c)/2
｛式中、Ｒ2は炭素原子数１〜１０の置換または非置換一価炭化水素基（但し、アルケニル基を除く。）であり、ｂおよびｃはそれぞれ、１.０＜ｂ＜２.２、０.００２＜ｃ＜１、かつ１.０＜（ｂ＋ｃ)＜３.０を満たす数である。｝
で表され、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、および
(Ｃ)ヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなるものであることが好ましい。
【００３２】
(Ａ)成分は、上記組成物の主成分であり、平均単位式：
Ｒ1aＳiＯ(4-a)/2
で表され、一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。上式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１０の置換または非置換一価炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；３−クロロプロピル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基が例示される。但し、一分子中、全Ｒ1の２０モル％以上はフェニル基であり、Ｒ1の少なくとも２個はアルケニル基である。また、上式中、ａは０.５≦ａ≦２.２の数である。
【００３３】
このような(Ａ)成分の分子構造は限定されず、例えば、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、樹枝状、網状が例示されるが、シリコーン硬化物の物理特性が良好であることから、(Ａ1)平均単位式：
Ｒ1dＳiＯ(4-d)/2
（式中、Ｒ1は前記と同じであり、ｄは１.９≦ｄ≦２.２の数である。）
で表される、２５℃における粘度が１０〜１０,０００,０００ｍPa・ｓであるオルガノポリシロキサンと(Ａ2)平均単位式：
Ｒ1eＳiＯ(4-e)/2
（式中、Ｒ1は前記と同じであり、ｅは０.５≦ｅ≦１.７の数である。）
で表されるオルガノポリシロキサンレジンとの混合物であり、該混合物中、(Ａ1)成分が９９〜３０重量％の範囲内であり、(Ａ2)成分が１〜７０重量％の範囲内であるものが好ましく、特には、(Ａ1)成分が９０〜４０重量％の範囲内であり、(Ａ2)成分が１０〜６０重量％の範囲内であるものが好ましい。
【００３４】
(Ａ1)成分は、その分子構造が直鎖状あるいは一部分岐を有する直鎖状であり、２５℃における粘度は２５℃における粘度が１０〜１０,０００,０００ｍPa・ｓの範囲内であり、好ましくは、１００〜１,０００,０００ｍPa・ｓの範囲内であり、特に好ましくは、１００〜１００,０００ｍPa・ｓの範囲内である。このような(Ａ1)成分としては、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたメチルフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたメチルフェニルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジフェニルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたメチルフェニルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジフェニルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体が例示される。
【００３５】
(Ａ2)成分は、その分子構造が分岐鎖状、樹枝状、あるいは網状であり、２５℃で液状ないしは固形状である。このような(Ａ2)成分は、例えば、式：Ｒ13ＳiＯ1/2で表されるシロキサン単位、式：Ｒ12ＳiＯ2/2で表されるシロキサン単位、式：Ｒ1ＳiＯ3/2で表されるシロキサン単位、式：ＳiＯ4/2で表されるシロキサン単位において、式：Ｒ1ＳiＯ3/2で表されるシロキサン単位単独からなるか、式：Ｒ1ＳiＯ3/2で表されるシロキサン単位と他のシロキサン単位との組み合わせからなるか、あるいは式：ＳiＯ4/2で表されるシロキサン単位と他のシロキサン単位との組み合わせからなるものである。なお、(Ａ2)成分において、少量であれば、分子中にシラノール基やケイ素原子結合アルコキシ基を含有していてもよい。
【００３６】
(Ｂ)成分は上記組成物の硬化剤であり、平均単位式：
Ｒ2bＨcＳiＯ(4-b-c)/2
で表され、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。上式中、Ｒ2はアルケニル基を除く炭素原子数１〜１０の置換または非置換一価炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；３−クロロプロピル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基が例示される。シリコーン硬化物が高屈折率で、光透過性が良好であることから、一分子中、全Ｒ2の２０モル％以上がフェニル基であることが好ましく、さらには、２５モル％以上がフェニル基であることが好ましい。また、上式中、ｂおよびｃはそれぞれ、１.０＜ｂ＜２.２、０.００２＜ｃ＜１、かつ１.０＜（ｂ＋ｃ)＜３.０を満たす数であり、(Ａ)成分との反応性が良好であることから、ｃは０.０２＜ｃ＜１の数であることが好ましい。
【００３７】
このような(Ｂ)成分の分子構造は限定されず、例えば、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、樹枝状、網状、環状が例示される。(Ａ)成分との混和性が良好であることから２５℃で液状のものが好ましく、例えば、２５℃における粘度が１〜１,０００ｍPa・ｓの範囲内であることが好ましく、(Ａ)成分との反応性が良好であることから、１〜５０ｍPa・sの範囲内であることが好ましく、特に、1〜５ｍPa・ｓの範囲内であることが好ましい。このことから、(Ｂ)成分の一分子中のケイ素原子の数は３〜５００の範囲内であることが好ましく、特に、３〜１０の範囲内であることが好ましい。(Ｂ)成分中のケイ素原子結合水素原子の結合位置は限定されず、例えば、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が挙げられる。
【００３８】
上記組成物において、(Ｂ)成分の含有量は、(Ａ)成分中のアルケニル基に対する(Ｂ)成分中のケイ素原子結合水素原子のモル比が１に近い値であることが好ましいが、実用的には、この値が０.３〜５の範囲内の値であることが好ましく、特に、０.６〜３の範囲内の値であることが好ましい。(Ｂ)成分中のケイ素原子結合水素原子の含有量や分子量、あるいは、(Ａ)成分中のアルケニル基の含有量や分子量によって、(Ｂ)成分の含有量を重量比で示すことは難しいが、おおよそ、(Ａ)成分１００重量部に対して(Ｂ)成分の含有量は０.１〜５０重量部の範囲内であることが好ましい。
【００３９】
(Ｃ)成分のヒドロシリル化反応用触媒は、上記組成物の硬化を促進するための触媒であり、白金黒、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール変性物、白金のオレフィン錯体、白金−ビス（アセトアセテート）、白金−ビス（アセチルアセトネート）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体等の白金のアルケニルシロキサン錯体、白金のカルボニル錯体等の白金系触媒が好ましい。また、この(Ｃ)成分として、ウィルキンソン錯体［クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム］等のロジウム系触媒やルテニウム系触媒を使用することも可能であるが、経済的な面から白金系触媒が推奨される。(Ｃ)の含有量は上記組成物の硬化を促進する量であれば特に限定されないが、実用的には、(Ａ)成分と(Ｂ)成分の合計重量に対して白金金属の重量が０.１〜２,０００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、特に、０.１〜２００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。
【００４０】
上記組成物には、得られるシリコーン硬化物に良好な接着性を付与するための接着促進剤を含有することが好ましい。この接着促進剤としては、ケイ素原子に結合した加水分解性基を一分子中に少なくとも１個有する有機ケイ素化合物であることが好ましく、特に、同一のケイ素原子に結合した加水分解性基を少なくとも２個有する有機ケイ素化合物であることが好ましい。この加水分解性基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基等のアルコキシ基；アセトキシ基等のアシロキシ基；イソプロペノキシ基等のアルケノキシ基；ジメチルケトキシム基、メチルエチルケトキシム基等のオキシム基が例示され、アルコキシ基であることが好ましく、特に、メトキシ基であることが好ましい。特に、この接着促進剤としては、トリメトキシ基を有する有機ケイ素化合物であることが好ましい。また、この有機ケイ素化合物中の加水分解性基以外のケイ素原子に結合している基としては、前記と同様の置換もしくは非置換の一価炭化水素基の他に、３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチル基、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアルキル基；４−オキシラニルブチル基、８−オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキシ基含有一価有機基；３−メタクリロキシプロピル基等のアクリル基含有一価有機基；水素原子が例示される。各種の基材に対して良好な接着性を付与できることから、この有機ケイ素化合物は一分子中に少なくとも１個のエポキシ基含有一価有機基を有するものであることが好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、オルガノシラン、オルガノシロキサン、シラトランが例示される。このオルガノシロキサンの分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。
【００４１】
このような有機ケイ素化合物としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のオルガノシラン；一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサン、ケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するオルガノシランまたはオルガノシロキサンと一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサンとの混合物、平均組成式：
【化１】
2006093354.tif 000003
（式中、ｆ、ｇ、およびｈは正数である。）
で示されるシロキサン化合物、平均組成式：
【化２】
2006093354.tif 000004
（式中、ｆ、ｇ、ｈ、およびｊは正数である。）
で示されるシロキサン化合物が例示される。
【００４２】
上記組成物において、この接着促進剤の含有量は限定されないが、上記組成物を硬化して得られるシリコーン硬化物に良好な接着性を付与するためには、(Ａ)成分１００重量部に対して０.０１〜２０重量部の範囲内であることが好ましく、特に、０.１〜１０重量部の範囲内であることが好ましい。これは、接着促進剤の含有量が上記範囲の下限未満であると、シリコーン硬化物の接着性が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限をこえてもシリコーン硬化物の接着性に影響はなく、むしろ、その機械的特性が低下したりする傾向があるからである。
【００４３】
さらに、上記組成物には、その貯蔵安定性を向上させたり、取扱扱作業性を向上させるために、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３,５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−フェニル−３−ブチン−２−オール等のアセチレン系化合物；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３,５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルビニルシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルビニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体等の１分子中にビニル基を５重量％以上持つオルガノシロキサン化合物；ベンゾトリアゾール等のトリアゾール類、フォスフィン類、メルカプタン類、ヒドラジン類等の硬化抑制剤を含有することが好ましい。これらの硬化抑制剤の含有量は限定されないが、(Ａ)成分と(Ｂ)成分の合計量１００重量部に対して０.００１〜６重量部の範囲内であることが好ましい。
【００４４】
また、上記組成物には、本発明の目的を損なわない限り、任意成分として、シリカフィラー、石英粉末、チタニア、アルミナ粉末等の無機質充填剤；ポリメタクリレート樹脂等の有機樹脂微粉末；顔料、耐熱剤、難燃性付与剤、溶剤等を含有してもよい。
【００４５】
本方法により製造した光半導体装置の具体例として、光半導体素子と配線基板とをワイヤーボンディングにより電気的に接続した光半導体装置を図３に示した。図３で示される光半導体装置は、光半導体素子１０をダイボンド剤によって、金属製リードフレームやポリイミド樹脂製、エポキシ樹脂製、ＢＴレジン製、あるいはセラミック製の回路基板１２上に搭載した後、金線あるいはアルミニウム線からなるボンディングワイヤーによって回路基板１２上に電気的に接続している。回路基板上に複数個の光半導体素子を同時に樹脂封止した場合には、ソーイング若しくは打ち抜きによって個々の光半導体装置に切断することができる。
【００４６】
本方法において、上記のような圧縮成形機を用いて光半導体装置をシリコーン硬化物で封止する際、硬化性シリコーン組成物が直接金型面に接触すると、金型面にヌメリ感を有する物質が付着することがあるので、前記のような剥離性フィルムを介して圧縮成形することが好ましい。剥離性フィルムを使用することにより、連続的にシリコーン硬化物で封止することが可能となり、金型の清掃等の間隔を伸ばすことができるので、生産効率を高めることができる。
【００４７】
本方法において、圧縮成形の条件は限定されないが、回路基板や光半導体素子への応力を低減させることから、加熱温度は６０℃〜１５０℃の範囲内であることが好ましい。また、金型を予め加熱しておくことにより、圧縮成形のサイクルタイムを向上させることができる。さらに、用いる硬化性シリコーン組成物の種類にもよるが、予め下型により余熱されている回路基板上に硬化性シリコーン組成物を滴下することにより、硬化性シリコーン組成物の広がり性をコントロールすることもできる。
【００４８】
次に、本発明の光半導体装置を説明する。
本発明の光半導体装置は、上記の方法により製造されたことを特徴とする。このような光半導体装置は、シリコーン硬化物中にボイドの混入がないので、外観不良や耐湿性の低下を招来することがない。また、本発明の光半導体装置は、シリコーン硬化物の厚さが精度良くコントロールされているので、電子機器の小型化、薄型化に対応することができる。また、シリコーン硬化物で封止された本発明の光半導体装置は、ボンディングワイヤーの断線や接触がなく、光半導体素子への応力の集中が少なく、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等が少ないので、信頼性が要求される、より広範囲の分野で使用することができる。このような光半導体素子としては、発光用半導体素子、受光用半導体素子が例示され、光半導体素子としては、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子であり、液相成長法やＭＯＣＶＤ法により基板上にＩnＮ、ＡlＮ、ＧaＮ、ＺnＳe、ＳiＣ、ＧaＰ、ＧaＡs、ＧaＡlＡs、ＧaＡlＮ、ＡlＩnＧaＰ、ＩnＧaＮ、ＡlＩnＧaＮ等の半導体を発光層として形成したものが好適である。このような本発明の光半導体装置としては、ＬＥＤの他に、フォトカプラー、ＣＣＤが例示される。
【実施例】
【００４９】
本発明の光半導体装置の製造方法および光半導体装置を実施例、比較例により詳細に説明する。なお、実施例、比較例で使用した硬化性シリコーン組成物、硬化性エポキシ樹脂組成物、およびそれらの硬化物の物性は次のようにして測定した。
【００５０】
［屈折率］
硬化性シリコーン組成物および硬化性エポキシ樹脂組成物の２５℃、可視光(５８９ｎｍ)における屈折率をアッベ式屈折率計により測定した。
【００５１】
［光透過率］
２枚のガラス板で挟まれた０.２ｍｍの隙間に硬化性シリコーン組成物を注入し、１５０℃で１時間加熱することにより前記組成物を硬化させ、シリコーン硬化物（光路長０.２ｍｍ）の試料セルを作製した。対照セルとして、２枚のガラス板で挟まれた０.２ｍｍの隙間を水で充填したものを用いた。可視光領域（波長４００ｎｍ〜７００ｎｍ）において任意の波長で測定できる自記分光光度計を用いて、２５℃、波長４５０ｎｍにおけるシリコーン硬化物の光透過率を測定した。また、硬化性シリコーン組成物の代わりに硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて、１５０℃で１時間加熱した後、さらに１８０℃で１時間加熱処理した以外は、前記と同様にして、エポキシ樹脂硬化物の光透過率を測定した。
【００５２】
［硬さ］
硬化性シリコーン組成物を１５０℃で１時間プレス成形することによりシート状のシリコーン硬化物を作製した。この硬化物の硬さをＪＩＳ  Ｋ  ６２５３に規定されるタイプＡデュロメータあるいはタイプＤデュロメータにより測定した。また、硬化性シリコーン組成物の代わりに硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて、１５０℃で１時間加熱した後、さらに１８０℃で１時間加熱処理した以外は、前記と同様にしてエポキシ樹脂硬化物の硬さを測定した。
【００５３】
［接着力］
２枚のアルミニウム板（幅２５ｍｍ、長さ７５ｍｍ、厚さ１ｍｍ）の間にポリテラフルオロエチレン樹脂製スペーサ（幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）を挟み込んだ後、２枚のアルミニウム板で挟まれた１ｍｍの隙間に硬化性シリコーン組成物を注入し、１５０℃で１時間加熱することにより前記組成物を硬化させ、接着試験片を作製した。この接着試験片をＪＩＳ  Ｋ  ６８５０に規定の引張せん断接着強さ試験を行い、接着力を測定した。また、硬化性シリコーン組成物の代わりに硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて、１５０℃で１時間加熱した後、さらに１８０℃で１時間加熱処理した以外は、前記と同様にしてエポキシ樹脂硬化物の接着力を測定した。
【００５４】
［参考例１−３］
次の各成分を表１に示す組成で混合して硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物の２５℃における粘度、屈折率、およびシリコーン硬化物の光透過率、硬さ、接着力を表２に示した。
・オルガノポリシロキサン（Ａ１）：粘度１５,０００mPa・sであり、平均式：
(CH2=CH)(CH3)2SiO{(C6H5)(CH3)SiO}118Si(CH2=CH)(CH3)2
で表される分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたメチルフェニルポリシロキサン｛平均単位式：(CH2=CH)0.02(C6H5)0.98(CH3)1.02SiO0.99、ケイ素原子結合一価炭化水素基中のフェニル基の含有量＝４８.５モル％｝
・オルガノポリシロキサン（Ａ２）：標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が２,４００であり、平均シロキサン単位式：
(C6H5SiO3/2)0.75{(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2}0.25
で表される、トルエン可溶性の白色固体状オルガノポリシロキサン｛平均単位式：
(CH2=CH)0.25(C6H5)0.75(CH3)0.50SiO1.25、ケイ素原子結合一価炭化水素基中のフェニル基の含有量＝５０.０モル％｝
・オルガノポリシロキサン（Ａ３）：粘度１５０mPa・sであり、式：
{(CH2=CH)(CH3)2SiO}3SiOSi(C6H5)(CH3)2
で表されるオルガノポリシロキサン｛平均単位式：(CH2=CH)0.60(C6H5)0.20(CH3)1.60SiO0.80｝
・オルガノポリシロキサン（Ａ４）：粘度１５０mPa・sであり、式：
(CH3SiO3/2)0.85{(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2}0.15
で表されるオルガノポリシロキサン｛平均単位式：(CH2=CH)0.15(CH3)1.15SiO1.35｝
・オルガノポリシロキサン（Ａ５）：粘度５０,０００mPa・sであり、平均式：
(CH2=CH)(CH3)2SiO{(CH3)2SiO}718Si(CH2=CH)(CH3)2
で表される分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン｛平均単位式：(CH2=CH)0.002(CH3)2.000SiO0.999｝
・オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）：粘度４００mPa・sであり、平均シロキサン単位式：
(C6H5SiO3/2)0.60{(CH3)2HSiO1/2}0.40
で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン｛平均単位式：(C6H5)0.60(CH3)0.80H0.40SiO1.10、ケイ素原子結合一価炭化水素基中のフェニル基の含有量＝４２.９モル％｝
・オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）：粘度１５０mPa・sであり、平均式：
(CH3)3SiO{(CH3)HSiO}35Si(CH3)3
で表される分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン｛平均単位式：(CH3)1.11H0.95SiO0.97｝
・ヒドロシリル化反応用触媒（Ｃ）：白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液
・接着促進剤（Ｄ）：平均組成式：
【化３】
2006093354.tif 000005
で表されるシロキサン化合物
・硬化抑制剤（Ｅ）：２−フェニル−３−ブチン−２−オール
【００５５】
【表１】
2006093354.tif 000006
【００５６】
[参考例４]
エピコート８２８（油化シェルエポキシ株式会社製の液状エポキシ樹脂）５９重量部、ＨＮ-５５００（日立化成工業株式会社製の液状酸無水物）４１重量部、ＤＢＵ（１,８−ジアザビシクロ[５.４.０]ウンデセン−７−エン）０.６重量部を混合して硬化性エポキシ樹脂組成物を調製した。この硬化性エポキシ樹脂組成物の２５℃における粘度と屈折率、およびこのエポキシ樹脂硬化物の光透過率、硬さ、接着力について測定し、それらの結果を表２に示した。
【００５７】
【表２】
2006093354.tif 000007
【００５８】
［実施例１−３、比較例１］
参考例１−３の硬化性シリコーン組成物および参考例４の硬化性エポキシ樹脂組成物を用いてて図３に示される光半導体装置を作製した。
すなわち、部分的に銀被覆したＢＴレジン基板の一方に電極に光半導体素子（ＬＥＤ素子）をダイボンドして搭載し、該素子から基板上のもう一方の電極にワイヤボンディングして、樹脂封止前の光半導体装置を作製した。同一基板に同様の装置を基板表面に２０個並べて１列として、２０列を搭載して樹脂封止前基板とした（基板の大きさ：１００ｍｍ×１００ｍｍ）。次に、この光半導体素子を搭載した回路基板１上の所定の箇所に総量２０ｇの硬化性シリコーン組成物あるいは硬化性エポキシ樹脂組成物を室温で塗布した後、この回路基板を図１で示される圧縮成形機の下型に載置した。次に、この圧縮成型機の下型と上型（金型の汚染防止、シリコーン硬化物あるいはエポキシ樹脂硬化物の離型性向上のため、この上型の内側にはテトラフルオロエチレン樹脂製剥離性フィルムがエア吸引により密着している。）を合わせ、回路基板を狭持した状態で、１５０℃で１０kgf／cm2の荷重をかけて１０分間圧縮成形した（なお、硬化性エポキシ樹脂組成物を用いた場合には、１５０℃で３０分間圧縮成形した）。その後、樹脂封止した光半導体装置を金型から取り出し、これを１５０℃のオーブンで１時間加熱処理した（なお、硬化性エポキシ樹脂組成物を用いた場合には、１８０℃で１時間加熱処理した）。この光半導体装置は、光半導体素子表面上における厚さが６００μｍであるシリコーン硬化物あるいはエポキシ樹脂硬化物で封止されており、これらの硬化物の表面は平滑でボイドもなく、外観と充填性はすべてが良好であった。シリコーン硬化物あるいはエポキシ樹脂硬化物で封止した光半導体装置の回路基板を各光半導体装置の中間点で切断して、個別の光半導体装置とした。これらの光半導体装置の特性を表３に示した。
【００５９】
【表３】
2006093354.tif 000008
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明の光半導体装置の製造方法は、光半導体装置をシリコーン硬化物で封止しており、ボイドの混入がなく、封止樹脂の厚さを精度良くコントロールでき、ボンディングワイヤーの断線や接触がなく、光半導体素子への応力の集中が少なく、長時間使用しても、封止樹脂の変色や光半導体素子と封止樹脂との剥離による輝度の低下等の少ない、信頼性の優れる光半導体装置を生産性よく製造できるので、発光ダイオードの製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の光半導体装置の製造方法で用いられる圧縮成形機の構成を示す説明図である。
【図２】本発明の光半導体装置の製造方法で用いられる圧縮成形機により光半導体装置を硬化性シリコーン組成物で樹脂封止する状態を示す説明図である。
【図３】本発明の光半導体装置の端部を破断した斜視図である。
【図４】本発明の光半導体装置の製造方法で用いられる圧縮成形機の構成を示す説明図である。
【図５】本発明の光半導体装置の端部を破断した斜視図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０  光半導体素子
１２  回路基板
１６  光半導体装置
２０  固定プラテン
２２  下型ベース
２３  下型
２４  ヒータ
２６  下クランプストッパ
３０  可動プラテン
３２  上型ベース
３３  上型ホルダ
３４  上型
３４ａ  キャビティ凹部
３６  クランパ
３６ａ、３６ｂ  エア孔
３７  スプリング
３８  ヒータ
３９  上クランプストッパ
４０ａ、４０ｂ  剥離性フィルム
４２ａ、４２ｂ  供給ロール
４４ａ、４４ｂ  巻取りロール
４６  ガイドローラ
４８  静電除去装置
５０  硬化性シリコーン組成物
７０  シリコーン硬化物で封止した光半導体装置
７２  シリコーン硬化物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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