(57)【要約】    【課題】  本発明の目的は、ガソリン、エンジンオイル及びミッションオイル等のように硫化物などの腐食性成分の存在するオイル環境において、オイルや腐食性成分による導電性材料の腐食を防止し、導電性材料や配線基板との間の剥離が生じにくく、クラックによる断線不良が発生しにくい樹脂モールド型モジュール及びその製造方法を提供することにある。    【解決手段】  本発明は、配線基板に形成された電極と電子部品に形成された電極とが導電性材料により一体に接続され、前記配線基板及び電子部品が樹脂による封止材よってモールドされている樹脂モールド型モジュールにおいて、少なくとも前記接続部の外周面が前記封止材及び前記導電性材料よりも低弾性率を有する絶縁性材料で被覆されていることを特徴とする樹脂モールド型モジュールにある。【選択図】  図１
2006041071.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板に形成された電極と電子部品に形成された電極とが導電性材料により一体に接続され、前記配線基板及び電子部品が樹脂による封止材よってモールドされている樹脂モールド型モジュールにおいて、少なくとも前記接続部の外周面が前記封止材及び前記導電性材料よりも低弾性率を有する絶縁性材料で被覆されていることを特徴とする樹脂モールド型モジュール。
【請求項２】
請求項１において、前記絶縁性材料は、少なくとも前記導電性材料による接続部と前記配線基板の電極及び電子部品の電極の前記導電性材料による未接続部とを覆っていることを特徴とする樹脂モールド型モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記絶縁性材料は、前記電子部品とその前記配線基板の搭載面の全体を覆っていることを特徴とする樹脂モールド型モジュール。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、前記電子部品は、その端部側面から底面の一部に掛けて形成された前記電極を有することを特徴とする樹脂モールド型モジュール。
【請求項５】
請求項４において、前記電子部品はTaコンデンサ及びチップコンデンサの少なくとも一方であることを特徴とする樹脂モールド型モジュール。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、前記導電性材料は、半田又は導電性ペーストからなることを特徴とする樹脂モールド型モジュール。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにおいて、前記封止材と前記配線基板の熱膨張率の差は、前記電子部品と前記配線基板の熱膨張率の差より小さいことを特徴とする樹脂モールド型モジュール。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかにおいて、前記配線基板は、セラミック多層配線基板よりなることを特徴とする樹脂モールド型モジュール。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかにおいて、前記導電性材料は、銀を主成分とする金属粒子を分散した接着性を有する樹脂材料からなることを特徴とする樹脂モールド型モジュール。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかにおいて、前記封止材は、50体積％以上の無機充填材料を含有する樹脂材料からなることを特徴とする樹脂モールド型モジュール。
【請求項１１】
配線基板に形成された電極と電子部品に形成された電極とが導電性材料により一体に接続した後、少なくとも前記接続部の外周面を液状の絶縁材料によって被覆後加熱硬化し、次いで前記配線基板及び電子部品を樹脂によって封止する工程を有し、前記硬化後の絶縁材料が前記封止材及び導電性材料よりも低弾性率を有することを特徴とする樹脂モールド型モジュールの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記絶縁材料は、チクソ性1.2以上及び粘度400Pa・s以下の液状であり、前記絶縁材料をディスペンサーによって滴下した後、前記加熱硬化することを特徴とする樹脂モールド型モジュールの製造方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２において、前記絶縁性材料によって前記電子部品とその搭載された前記配線基板面の全体を覆うことを特徴とする樹脂モールド型モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板とそれに搭載した電子部品とを樹脂封止材でモールドした新規な樹脂モールド型モジュールとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路を用いたモジュールはビデオカメラ、携帯電話等の小型電子機器のみならず、自動車エンジンの制御、電車の車輪の回転制御にも用いられてきている。この様なモジュールは半導体部品と、抵抗、コンデンサ、水晶振動子等の電子部品を配線基板に実装して、信号処理や出力制御を行うものである。電子部品は半田や銀ペーストのような導電性材料を用いて、配線基板の電極に電気的に接続され、機械的に固定されている。この接続部は、短絡や断線等の不良が発生しやすくモジュール全体の信頼性に大きく影響しているため、信頼性を向上する様々な検討がなされている。
【０００３】
特許文献１には、電子部品を搭載した配線基板表面全体を絶縁性材料の皮膜で被覆することにより結露、異物の付着を防止し短絡による動作不良を防止し、信頼性を向上する方法が示されている。この方法は、小型電子機器等に用いられているもので、結露や異物による短絡は防止できる。しかし、ガソリン、エンジンオイル及びミッションオイル等のように硫化物などの腐食性成分の存在するオイル環境に長期間さらされた場合、絶縁性材料が膨潤して体積膨張するため、導電性材料や配線基板との間に剥離が発生する。剥離が生じると絶縁性材料を拡散したオイルや腐食性成分が隙間に蓄積され、導電性材料を腐食し脆化して、クラックによる断線不良が発生しやすくなるという問題がある。また、-55℃〜150℃の温度変化を受けた場合、配線基板と電子部品の熱膨張差により導電性材料が数百サイクルで疲労破壊し断線不良が発生する問題があった。
【０００４】
特許文献２には、半田端部にフラックスによる樹脂を付着させ半田端部の応力を緩和、、半田の接続寿命を延ばす方法が示されている。この方法は、フラックスに含まれた樹脂を半田に付着させるため、樹脂付着場所は半田端部に限定され、半田全体を被覆することは不可能であった。このため、腐食性成分を含んだオイル環境で用いると、導電性材料が腐食し脆化して断線不良が発生する問題があった。
【０００５】
特許文献３には、配線基板全体と電子部品全体を樹脂組成物でモールドすることで、オイル環境で使用してもオイルや腐食性成分の侵入を抑制し信頼性を向上する検討がなされているが、-55℃〜150℃の温度変化を数百サイクル受けると、半田部と樹脂モールド部に剥離が発生した。さらに数千時間オイルに浸漬すると、樹脂モールド部を拡散した腐食性成分を含んだオイルが剥離部に蓄積し、導電性材料を脆化しクラックによる断線不良が発生しやすくなる問題があった。
【０００６】
【特許文献１】特開2000-239343号公報
【特許文献２】特開2003-100811号公報
【特許文献３】特開2002-368183号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、自動車の制御は快適な走行と低燃費を両立するため複雑な制御を実現する高機能化が求められている。また、組み立てコスト低減のため、機械部品の中に電子制御装置を一体化する方向に進んでいる。例えば、トランスミッション内部に電子制御装置を組み込み機械部品と制御装置が一体化したユニットとして製造、販売されている。このような電子制御装置は、従来の電子制御装置に比べ小型化する必要があるため、高密度の実装が必要である。また、温度変化が大きく、オイル等が飛散する厳しい環境で、メンテナンスが困難な場所に設置されるため、１０年以上の長期の信頼性を確保することが必要となる。
【０００８】
本発明の目的は、ガソリン、エンジンオイル及びミッションオイル等のように硫化物などの腐食性成分の存在するオイル環境において、オイルや腐食性成分による導電性材料の腐食を防止し、導電性材料や配線基板との間の剥離が生じにくく、クラックによる断線不良が発生しにくい樹脂モールド型モジュール及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、配線基板に形成された電極と、電子部品の角部側面から底面に掛けて形成された電極とが導電性材料により一体に接続され、前記配線基板及び電子部品が樹脂による封止材よってモールドされており、好ましくは前記配線基板の電極及び電子部品の電極は前記導電性材料により覆われて一体に接続されていることを特徴とする樹脂モールド型モジュールにある。
【００１０】
前記導電性材料は半田又は導電性ペーストからなること、前記導電性材料による接続部は前記封止材及び前記導電性材料よりも低弾性率で密着性を有する絶縁性材料で被覆されていること、特に前記導電性材料による接続部及び前記電子部品の側面の一部及び前記電子部品の底面の一部が前記絶縁性材料で被覆されていることが好ましい。
【００１１】
前記配線基板はセラミック多層配線基板よりなること、前記導電性材料は銀を主成分とする金属粒子を分散した接着性を有する樹脂材料からなること、前記封止材は50体積％以上の無機充填材料を含有する樹脂からなること、前記封止材と前記配線基板の熱膨張率の差が前記電子部品と前記配線基板の熱膨張率の差より小さいことが好ましい。
【００１２】
又、本発明は、配線基板に形成された電極と電子部品に形成された電極とが導電性材料により一体に接続した後、少なくとも前記接続部の外周面を液状である絶縁材料によって被覆後加熱硬化し、次いで前記配線基板及び電子部品を樹脂によって封止する工程を有し、前記硬化後の絶縁材料が前記封止材及び導電性材料よりも低弾性率を有することを特徴とする樹脂モールド型モジュールの製造方法にある。
【００１３】
前記絶縁性材料は、チクソ性1.2以上及び粘度400Pa・s以下の液状材料であり、それをディスペンサーによって滴下した後、加熱硬化することが好ましい。以下、本発明について図面を用いて説明する。
【００１４】
図１は本発明による樹脂モールド型モジュールの一例を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は封止材を除いて上面から見た断面図である。図１に示すように配線基板１の電極５と電子部品３を電気的に接続し機械的に固定する導電性材料２を封止材４や導電性材料２より低弾性率で密着性を有する絶縁性材料７で被覆した後、電子部品３と配線基板１を樹脂モールドすることで封止材４と導電性材料２の応力が低減され剥離が発生する温度サイクル数が著しく大きくなることを見出した。また、高密度実装のため基板電極のサイズを小さくすると、導電性材料２の形状が凸型形状になることを後述する表１に示す実施例４及び５により見出した。また、導電性材料２の形状が凸型形状になるとフィレット型と比べ剥離が発生しやすくなるため、特に低弾性率で密着性を有する絶縁性材料７で被覆することが有効であることが判った。
【００１５】
図２は、導電性材料を凸型形状にしたもので、（ａ）は横断面図、（ｂ）は封止材を除いて上面から見た断面図である。凸型形状とは、図２で示すように、点Aと点Bを結んだ線に対して外側に導電性材料２が形成された形状を有するもので、配線基板１の電極５と電子部品の電極６との間を直線で結んで形成される体積に対してやや導電性材料２の体積を多くすることによって形成されるものである。この形状により配線基板１の電極５のはみ出す長さが短くできるので、高密度での実装ができる。
【００１６】
図３は、導電性材料のフィレット型形状を示すもので、（ａ）は横断面図、（ｂ）は封止材を除いて上面から見た断面図である。図３に示すように、点Aと点Bを結んだ線に対して外側に導電性材料２がはみ出ない形状を有するもので、配線基板１の電極５と電子部品の電極６との間を直線で結んで形成される体積に対してやや導電性材料２の体積を少なくすることによって形成されるものである。ここで、点Aは電子部品３の電極５と導電性材料２の接点であり、点Bは配線基板１の電極５と導電性材料２の接点である。
【００１７】
凸型形状に関しては、絶縁性材料の被覆ありと被覆なしの場合で解析を行っている。解析による剪断応力は、図２、図３で定義した点Aと点Bの垂直二等分線と導電性材料２の界面が交わる点のうち配線基板１に対して外側の点の値を示している。
【００１８】
図４は、有限要素法による剪断応力解析モデルの導電性材料付近の拡大断面図で、(ａ)は導電性材料が凸型形状で絶縁性材料による被覆ありのモデル、（ｂ）は導電性材料が凸型形状で絶縁性材料による被覆なしのモデル、（ｃ）は導電性材料がフィレット型形状で絶縁性材料による被覆なしのモデルであり、150℃から-55℃に冷却した場合の導電性材料部における剪断応力を算出した。
【００１９】
図５は、図４（ａ）のモデルで、絶縁性材料の線膨張率は一定で、その弾性率を変えた時の剪断応力計算結果を示す線図である。絶縁性材料の弾性率を導電性材料及び封止材の弾性率より低くすることにより、導電性材料部における剪断応力が大きく低減することがわる。特に、弾性率として0.5〜10MPaとすることにより10〜20MPaの低い剪断応力となる。
【００２０】
図６は、図４（ａ）のモデルで絶縁性材料の弾性率は一定で、その線膨張率を変えた時の剪断応力計算結果を示す線図である。絶縁性材料の線膨張率が変わっても10〜20MPaの範囲で剪断応力はあまり変化しないことがわかる。この様に導電性材料を封止材や導電性材料より低弾性率の絶縁性材料で被覆すると、低温に冷却された時に導電性材料に加わる剪断応力が大きく低減することがわかる。
【００２１】
図７は、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）のモデルの剪断応力計算結果と剥離が発生するまでの温度サイクル数の実験結果を示す線図である。剪断応力が小さいほど剥離が発生するまでの温度サイクル数が大きくなることがわかる。また、導電性材料の形状が凸型の場合とフィレット型の場合で比較すると、凸型の場合は、剪断応力が高く、剥離しやすいことがわかる。しかし、凸型でも絶縁性材料で被覆すると剪断応力が低減し、剥離しにくく、10000サイクル以上となることが判る。凸型形状に前述の弾性率の低い絶縁性材料で被覆したものが、配線基板の電極５が電子部品３より外側に出る部分の長さをフィレット型に比較して短くでき、小型化が可能であるため有効である。
【００２２】
次に、導電性材料部に剥離の無い樹脂モールド型モジュールは、剥離のある樹脂モールド型モジュールと異なり、ガソリン、エンジンオイルやミッションオイル等のように硫化物などの腐食性成分の存在するオイル環境で長期間使用してもクラックが発生し難いことを見出した。これは後述する表１の実施例４と比較例２の油中温度サイクル信頼性試験結果に現れている。その理由は、封止材を拡散したオイルや腐食性成分の蓄積される隙間が無いため導電性材料の腐食による脆化が進行しないからである。さらに、後述する表１の実施例１〜９に示すように、導電性材料を被覆する絶縁性材料はそれより弾性率の高い封止材で覆われているため、長時間オイル環境にさらされても膨潤による剥離は生じないことが判った。
【００２３】
以上のように、導電性材料が、封止材や導電性材料より低弾性率で密着性を有する絶縁性材料で被覆されるため、封止材と導電性材料の剪断応力が低減され剥離が発生し難くなる効果がある。剥離が生じないことにより、ガソリン、エンジンオイルやミッションオイル等のように硫化物などの腐食性成分の存在するオイル環境で長期間使用しても封止材を拡散したオイルや腐食性成分の蓄積される隙間が無いため導電性材料の腐食による脆化やクラックが進行せず、オイル環境における長期信頼性に優れる効果がある。
【００２４】
低弾性率の絶縁性材料を電子部品の側面の一部及び電子部品の底面の一部に限定して被覆することで、電子部品全体を被覆することに比べ、封止材による電子部品の固定が強固になるため、温度サイクルにより配線基板に反りが生じても、導電性材料の変形が抑制され、疲労破壊を起こし難く、温度サイクルにおける長期信頼性に優れる効果がある。
【００２５】
導電性材料部にディスペンサーを用い、チクソ性1.2以上、粘度400Pa・s以下の液状材料を滴下した後加熱することで、容易に絶縁性材料の皮膜を形成することができる。チクソ性とは、25℃における、ずり速度1(1/s)の粘度をずり速度10(1/s)の粘度で割った値であり、粘度とは、25℃におけるずり速度10(1/s)の時の粘度である。液状材料のチクソ性が1.2より小さいとディスペンサで塗布する際に電子部品の底面の一部に限定して被覆しにくく、液状材料の粘度が400Paより大きいとディスペンサで塗布する際に流れにくく作業性が低下する。
【００２６】
封止材と配線基板の熱膨張率の差は、電子部品と配線基板の熱膨張率の差より小さくすることにより、電子部品と配線基板の熱膨張差により生じる導電性材料の変形も抑制され、さらに一層疲労破壊を起こし難く、温度サイクルにおける長期信頼性に優れる効果がある。
【００２７】
導電性材料による接続部は凸型に盛り上がった形状とすることにより、電極サイズを小さく出来るため、高密度の実装が可能になり小型化できる効果がある。
【００２８】
低弾性率の絶縁性材料を電子部品の側面の一部及び電子部品の底面の一部に限定して被覆することで、電子部品全体を被覆することに比べ、封止材による電子部品の固定が強固になるため、温度サイクルにより配線基板に反りが生じても、導電性材料の変形が抑制され、疲労破壊を起こし難く、温度サイクルにおける長期信頼性に優れる効果がある。
【００２９】
配線基板にセラミック多層基板を用いることで、半導体集積回路をベアチップの状態で配線基板に実装することができるため、高密度実装による小型化ができる効果がある。
【００３０】
導電性材料は銀を主成分とする金属粒子を分散した接着性を有する樹脂材料を用いることで、接合に必要な加熱処理温度が封止材の硬化温度より低温に出来、部品の酸化劣化が少なくなり、長時間電気特性が安定する効果がある。
【００３１】
封止材は50体積％以上の無機充填材料を含有しているため、腐食性成分が封止材中に存在できる量が少なくなり導電性材料が腐食しにくくなる効果がある。
【００３２】
又、本発明は、配線基板に形成された電極と電子部品に形成された電極とが導電性材料により一体に接続した後、少なくとも前記接続部の外周面を前記封止材及び前記導電性材料よりも低弾性率を有する絶縁性材料で被覆し、次いで前記配線基板及び電子部品を樹脂によって封止することを特徴とする樹脂モールド型モジュールの製造方法にある。
【００３３】
好ましくは、セラミック多層配線基板からなる前記配線基板に、前記電子部品を導電性材料により電気的接続及び機械的固定を行った後、前記導電性材料による接続部にディスペンサーを用い液状材料を滴下した後加熱し、次いで、前記接続部及び前記電子部品の側面の一部及び前記電子部品の底面の一部に限定し前記封止材及び前記導電性材料よりも低弾性率で密着性を有する絶縁性材料の皮膜を形成し、その後、前記電子部品と前記配線基板の熱膨張率の差より、前記配線基板に対する熱膨張率の差の小さい封止材でモールドすることで、前述の効果が得られる。
【００３４】
本発明のより好ましい樹脂モールド型モジュールは、前記配線基板にセラミック多層配線基板を用い、前記封止材が50体積％以上、好ましくは60〜85体積％の無機充填材料を含有し、前記封止材と前記配線基板の熱膨張率の差は、前記電子部品と前記配線基板の熱膨張率の差より小さく、前記導電性材料は銀を主成分とする金属粒子を分散した接着性を有する樹脂材料であり、前記導電性材料による接続部は凸型に盛り上がった形状を有し、少なくとも前記接続部及び前記電子部品の側面の一部及び前記電子部品の底面の一部に前記封止材及び前記導電性材料よりも低弾性率で密着性を有する絶縁性材料で被覆するものである。そして、導電性材料が、封止材や導電性材料より低弾性率で密着性を有する絶縁性材料で被覆されるため、封止材と導電性材料の剪断応力が低減され剥離が発生し難く、それにより、ガソリン、エンジンオイルやミッションオイル等のように硫化物などの腐食性成分の存在するオイル環境で長期間使用しても封止材を拡散したオイルや腐食性成分の蓄積される隙間が無いため導電性材料の腐食による脆化やクラックが進行せず、オイル環境における長期信頼性に優れる効果がある。
【００３５】
本発明における電子部品は、表面実装可能な抵抗、コンデンサ、水晶振動子等が好ましい。
【００３６】
配線基板は、配線回路を形成した基板であれば特に制限されないが、例えば基板材料としてアルミナ、ムライト、コーティエライト、ステアタイト、フォルステライト、窒素化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、サファイヤ、ダイヤモンド、結晶化ガラス、石英ガラス等に代表されるセラミックを用いたセラミック配線基板、エポキシ樹脂含浸ガラス繊維を用いたガラスエポキシ配線基板、フェノール樹脂含浸紙を用いた紙フェノール配線基板、エポキシ樹脂含浸紙を用いた 紙エポキシ配線基板、BTレジン（Bismaleimide triazine resin）含浸ガラス繊維を用いたガラスBTレジン配線基板、ポリイミドを用いたポリイミド製配線基板、テフロンを用いたテフロン製配線基板、ポリフェニレンエーテルを用いたポリフェニレンエーテル製配線基板、エポキシ樹脂含浸アラミド繊維を用いたアラミド基板、メタルベース基板、メタルコア基板、抵抗やコンデンサを内臓した複合基板等のうち一つあるいは複数の組み合わせで用いることができる。望ましくは、セラミック多層配線基板が良い。これは、セラミック多層配線基板は半導体集積回路をベアチップの状態で実装できるため、モジュールを高機能化かつ小型化できる効果があるためである。
【００３７】
一体成形に用いる封止材は、樹脂封止成形できる熱硬化性樹脂組成物であればよく、特に望ましくはエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤並びに無機質充填剤を有する。エポキシ樹脂組成物が望ましい。エポキシ樹脂は、１分子中にエポキシ基を２個以上有するものであれば特に限定されない。例えば、o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等が挙げられ、溶融粘度が低いビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。硬化剤は、フェノール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、酸無水物基等エポキシ樹脂を硬化する官能基を有するものであれば特に限定されない。例えば、フェノールノボラック、キシリレン型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールフェノールノボラック等が挙げられ、溶融粘度が低いフェノールノボラックが好ましい。
【００３８】
無機質充填剤には、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、水酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム等が用いられるが機械的特性、硬化性、耐腐食性等のバランスのとれたシリカが望ましい。シリカは溶融シリカ及び結晶シリカがあるが、熱膨張係数が小さい溶融シリカが好ましい。粒子形状については、球、角どちらでもよいが、高い流動性を有する球が好ましい。無機質充填剤は、充填剤の９５重量％以上が粒径０．１〜１００μｍの範囲にあり、かつ平均粒径が２〜２０μｍで球状の粉末が好ましい。この範囲の充填剤は最大充填分率が高く、高充填してもエポキシ樹脂組成物の溶融粘度は上昇しにくい。無機質充填剤の充填量は加熱硬化中に揮発する溶媒等の成分を除いたエポキシ樹脂組成物の全容積に対して５０容積％以上であるのが好ましい。これは、腐食性成分が封止材中に存在できる量が少なくなるためである。
【００３９】
硬化促進剤は、エポキシ樹脂との場合には硬化反応を促進させるものならば種類は限定されない。例えば、トリフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボロン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、ブチルトリフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート等のリン化合物、２−フェニル−４−ベンジル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、１，８−ジアザビシクロ[５.４.０]ウンデセン−７、ジアミノジフェニルメタン、トリエチレンジアミン等のアミン化合物等が挙げられる。
【００４０】
エポキシ樹脂組成物には、必要に応じて離型剤、着色剤、可とう化剤、難燃助剤、溶媒等を添加することができる。
【００４１】
樹脂封止成形の成形方法にはトランスファーモールド成形、射出成形、ポッティング成形等を用いることができるが、トランスファーモールド成形が量産性の観点から望ましい。これは、トランスファーモールド成形が量産性、信頼性の点で優れているからである。エポキシ樹脂組成物を用いトランスファーモールド成形する場合、成形温度は150℃以上200℃未満の範囲で設定され、150℃未満では硬化反応が遅く、離型性が悪い。離型性を上げるには長い成形時間が必要となり量産性が悪い。また、200℃以上では、硬化反応が早く進行し流動性が低下するため未充填となってしまう。このため、通常175℃付近の成形温度で成形される。
【００４２】
電子部品と配線基板の電気的接続及び機械的固定に用いる導電性材料は、加熱処理により電気的接続と機械的固定が同時に行えるものであれば特に限定されないが、半田や導電性ペーストが望ましい。これは、印刷で配線基板上に塗布出来るため、生産性が高いためである。たとえば、半田を用いる場合には溶融開始温度が封止材の硬化処理温度以上のものであれば特に制限されないが、例えば半田には元素記号で示すとSnとAu合金系、SnとPb合金系、SnとAg合金系、SnとAgとCu合金系、SnとAgとBi合金系等の半田やこれらに5wt%以下のP、In、Ni、Sb、Bi等を添加したものが用いられる。導電性ペーストは、導電性材料と接着性材料を混合したものである。
【００４３】
導電性ペーストを用いる場合、導電性材料としては特に制限されないが、Ag、Cu、Ｓｎ、Pb、Al、Pt、Au等の金属系材料、ポリアセチレン等の有機系材料、黒鉛、フラーレン、ナノチューブ等の炭素化合物の何れか又は併用して用いられる。接着性成分として熱硬化性樹脂を用いる場合は、特に限定されないが、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビスマレイミド系樹脂等が用いられる。接着性成分として熱可塑性樹脂を用いる場合は、熱可塑性ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド等の融点が250℃以上の樹脂を沸点が100℃以上300℃以下の有機溶媒に溶解して用いるのであれば特に限定されない。
【００４４】
絶縁性材料は、25℃の体積固有抵抗が1×1010Ω・cm以上であり、封止材や導電性材料よりも低弾性率で、封止材と導電性材料に対して密着性を有するものであれば特に限定されない。チクソ性1.2以上、粘度400Pa・ｓ以下の液状材料を加熱処理して形成することが望ましい。チクソ性とは、25℃における、ずり速度1(1/s)の粘度をずり速度10(1/s)の粘度で割った値であり、粘度とは、25℃におけるずり速度10(1/s)の時の粘度である。これは、液状材料のチクソ性が1.2より小さいと、ディスペンサで塗布する際に電子部品の底面の一部に限定して被覆しにくいためであり、液状材料の粘度が、400Paより大きいとディスペンサで塗布する際に流れにくく作業性が低下するためである。
【００４５】
具体的には、液状材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビスマレイミド系樹脂等を主成分として用いることができる。この中に必要に応じて粒径1μm以下のセラミック等の絶縁性粒子を0.01〜50wt%添加してもよい。また、液状材料として、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド等の熱可塑性樹脂を沸点が100〜300℃の有機溶媒に溶かしたものを用いることができる。この中に必要に応じて粒径1μm以下のセラミック等の絶縁性粒子を0.01〜50wt%添加してもよい。絶縁性粒子を添加すると、チクソ性と粘度を調節することができる。
【発明の効果】
【００４６】
本発明によれば、ガソリン、エンジンオイル及びミッションオイル等のように硫化物などの腐食性成分の存在するオイル環境において、オイルや腐食性成分による導電性材料の腐食を防止し、導電性材料や配線基板との間の剥離が生じにくく、クラックによる断線不良が発生しにくい樹脂モールド型モジュール及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下、本発明について、具体的な実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００４８】
図８は、本実施例の樹脂モールド型モジュールの断面図である。図８において、配線基板１は６層からなるポリイミド製多層配線基板１である。この上にAg：Cu：Sn＝2.5：0.3：97.2の導電性材料２を印刷し、QFP(Quad Flat Package)タイプのLSI８やミニモールドトランジスタ１０と共に、タンタルコンデンサ９等の電子部品を搭載して、赤外線リフロー炉を用い、250℃10秒の加熱処理条件でLSI８及び電子部品の電気的接合及び機械的固定を行った。なお、タンタルコンデンサ９は四角形状を有し、電極をその側面と底面とに渡って両端部の２箇所に形成した。タンタルコンデンサ９を実装する配線基板側にも対応する位置に電極を形成し、その電極サイズは、部品からはみ出る部分の長さを1.2mmとした。このとき、タンタルコンデンサ部分の導電性材料２は図３に示すフィレット型の形状となり、いずれの電極も導電性材料２によって覆われて形成された。
【００４９】
この後、端子１５と配線基板１とをアルミワイヤ１３を用い、超音波ワイヤボンディングにて接続した。この後、絶縁性材料７を導電性材料２及び電子部品全面に被覆するため、チクソ性1.0、粘度3.3Pa・Sのポリアミドイミドを含有した液状材料をディスペンサーによって噴霧し、LSI８、ミニモールドトランジスタ１０、タンタルコンデンサ９の電子部品の配線基板１との接続部を除いて全表面を覆った後、70℃30分、15O℃5時間の条件で加熱処理を行った。LSI８、ミニモールドトランジスタ１０、タンタルコンデンサ９の電子部品は配線基板１への搭載部が間隙を有し、その間隙にも絶縁性材料７が充填されている。その後、180℃におけるゲル化時間が30秒であり無機充填材としてシリカフィラーを50容積％以上充填した封止材４を用い金型温度180℃、トランスファー圧力7MPa、成形時間3分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材は硬化後の特性が、25℃の弾性率30GPa、線膨脹係数が8ppm/℃のものである。
【００５０】
このようにして作製した樹脂モールド型モジュールを用い、油中温度サイクル信頼性試験を実施し、電子部品としては、タンタルコンデンサに注目し、導電性材料と封止材の剥離や導電性材料のクラックの有無及び電気的動作不良の有無を検討した。油中温度サイクルは、オイル温度-55℃で15時間保持した後、30分間かけて150℃まで加熱し、140℃で15時間保持した後、60分間かけて-55℃まで冷却し１サイクルとする条件で実施した。樹脂モールド型モジュールの電源は冷却時及び-55℃の時のみOFFにし、それ以外は通電状態とした。500サイクルごとに全数を取り出し、詳細な動作確認を実施した。台数は最初20台で油中温度サイクルを実施し、5000サイクルに達すると10台は、断面カットし導電性材料部の剥離及びクラックの観察を実施した。残りは動作不良が発生するまで試験を行った。
【００５１】
表１に試験結果を示す。なお、剥離に関して、◎は5000サイクルで剥離なし、○は5000サイクルで10%のサンプルが剥離発生、△は5000サイクルで50%のサンプルが剥離発生、×は5000サイクルで100%のサンプルが剥離発生したことを示している。また、導電性材料部のクラックに関しては、◎は5000サイクルでクラックなし、○は5000サイクルで10%のサンプルがクラック発生、△は5000サイクルで50%のサンプルがクラック発生、×は5000サイクルで100%のサンプルがクラック発生したことを示している。
【００５２】
表１に示すように、本実施例の樹脂モールド型モジュールは、導電性材料が封止材や導電性材料より低弾性率で密着性を有する絶縁性材料で被覆されるため、封止材と導電性材料の剪断応力が低減され剥離が発生し難く、剥離が生じないことにより、ガソリン、エンジンオイルやミッションオイル等のように硫化物などの腐食性成分の存在するオイル環境で長期間使用しても封止材を拡散したオイルや腐食性成分の蓄積される隙間が無いため導電性材料の腐食による脆化やクラックが進行せず、温度変化が大きくいオイル環境において導電性材料や配線基板との間の剥離が生じにくく、クラックによる断線不良が発生しにくい長期信頼性に優れている。
【００５３】
【表１】
2006041071.tif 000003
【００５４】
尚、表１には、実施例１〜6の樹脂モールド型モジュールの構造概要、配線基板の材料、熱膨張率、弾性率及び電極幅、電子部品の種類と熱膨張率及び弾性率、絶縁性材料の材質、熱膨張率及び弾性率、封止材の材質、熱膨張率及び弾性率、樹脂モールド型モジュールの油中温度サイクル信頼性が示されている。
【実施例２】
【００５５】
図９は、本実施例の樹脂モールド型モジュールの断面図である。実施例１の図８は、LSI８、ミニモールドトランジスタ１０、タンタルコンデンサ９の電子部品は配線基板１への搭載部が間隙を有し、絶縁性材料７によって導電性材料２及び電子部品の全面に被覆を形成すると共に、その間隙に絶縁性材料７が充填されたものであるが、本実施例においては、タンタルコンデンサ９の接続部の導電材料にのみ絶縁性材料７が形成されている。そして、タンタルコンデンサ９の間隙と共に、無機充填材としてシリカフィラーを50容積％以上有する封止材４によって全体を低圧トランスファーモールド成形にて覆ったものである。他は、実施例１と同様である。そして、表１に示すように、実施例１と同様の顕著な効果を有するものである。
【実施例３】
【００５６】
本実施例は、図９の樹脂モールド型モジュールを用い、実施例２と同様に、端子１５と配線基板１をアルミワイヤ１３を用い、超音波ワイヤボンディングにて接続した後、室温で液状であり、無機充填材としてシリカフィラーを50容積％以上充填した封止材４をディスペンサにより塗布し、150℃60分の条件で加熱処理した。用いた封止材は硬化後の特性が、25℃の弾性率10GPa、線膨脹係数が40ppm/℃のものである以外は実施例２と同様であり、表１に示すように、効果も実施例１と同様である。
【実施例４】
【００５７】
図１０は、本発明の樹脂モールド型モジュールの断面図である。本実施例においては、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板であり、この上に実施例１と同じ導電性材料２を印刷し、タンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０等の電子部品を搭載して、赤外線リフロー炉を用い、前述と同様に電子部品の電気的接合及び機械的固定を行った。
【００５８】
次に、配線基板上に熱可塑性ポリイミド系銀ペーストをディスペンスし、その上にベアチップのマイコン１７及びベアチップのダイオード１８を搭載した。次に１５０℃１時間の条件で加熱処理を行った。その後、超音波ワイヤボンディングにてマイコン１７と配線基板１を電気的に接続した。この後、絶縁性材料７を導電性材料２及びタンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０の側面の一部、底面の一部に被覆し、この後、端子１５と配線基板１、ダイオード１８と配線基板１をアルミワイヤ１３を用い、超音波ワイヤボンディングにて接続した。タンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０部分の導電性材料２は図３に示すフィレット型の形状を有する。
【００５９】
その後、前述と同様の封止材４を用い低圧トランスファーモールド成形を行い、作製した樹脂モールド型モジュールを用いて、油中温度サイクル信頼性試験を実施した。電子部品としては、タンタルコンデンサに注目し、導電性材料と封止材の剥離や導電性材料のクラックの有無及び電気的動作不良の有無を検討した結果、表１に示した。表１に示すように、本実施例においても、前述の実施例と同様であった。
【実施例５】
【００６０】
図１１は、本発明の樹脂モールド型モジュールの断面図である。多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板であり、この上に実施例１と同じ導電性材料２を印刷し、タンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０、チップ抵等の電子部品を搭載して、赤外線リフロー炉を用い、同様に電気的接合及び機械的固定を行った。タンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０部分の導電性材料２は図２に示す凸型形状を有する。
【００６１】
次に、配線基板１上に熱可塑性ポリイミド系銀ペーストをディスペンスし、その上にベアチップのマイコン１７及びベアチップのダイオード１８を搭載し、同様に加熱処理し、接合した。その後、超音波ワイヤボンディングにてマイコン１７と配線基板１を電気的に接続し、ついで、実施例４と同様にポリアミドイミドを含有した液状材料をディスペンスし、加熱処理を行った後、端子１５と配線基板１、ダイオード１８と配線基板１をアルミワイヤ１３により超音波ワイヤボンディングにて接続した。この後、端子１５と配線基板１をアルミワイヤ14を用い、超音波ワイヤボンディングにて接続した。
【００６２】
その後、180℃におけるゲル化時間が30秒であり無機充填材としてシリカフィラーを50容積％以上充填した封止材４を用い金型温度180℃、トランスファー圧力7MPa、成形時間3分で低圧トランスファーモールド成形を行った。用いた封止材は硬化後の特性が、25℃の弾性率30GPa、線膨脹係数が8ppm/℃のものである。その作製した樹脂モールド型モジュールを用い、前述と同様に油中温度サイクル信頼性試験を実施した。
【００６３】
本実施例において、電子部品としては、タンタルコンデンサに注目し、導電性材料２と封止材４の剥離や導電性材料のクラックの有無及び電気的動作不良の有無を検討し結果、表１に示すように、前述の実施例と同様に顕著な効果を有するものであった。
【実施例６】
【００６４】
本実施例は図１１の樹脂モールド型モジュールの構造を有している。図１１において、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板であり、この上に熱可塑性ポリイミド系銀ペーストをディスペンスし、その上にベアチップのマイコン１７及びベアチップのダイオード１８、タンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０等を搭載して、１５０℃１時間の条件で加熱処理を行い電気的接合及び機械的固定を行った。なお、タンタルコンデンサ９を実装する配線基板１の電極サイズは、部品からはみ出る部分の長さ及びタンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０の導電性材料２は図２に示す凸型形状である。
【００６５】
その後、超音波ワイヤボンディングにてマイコン１７と配線基板１を電気的に接続した後、絶縁性材料７を導電性材料２及び電子部品の側面の一部、底面の一部に前述のポリアミドイミドを含有した液状材料をディスペンスした後、加熱処理を行った。この後、端子１５と配線基板１、ダイオード１８と配線基板１をアルミワイヤ１３により超音波ワイヤボンディングにて接続した後、実施例１と同様に封止材４を用い低圧トランスファーモールド成形を行った。
【００６６】
本実施例において、電子部品としては、タンタルコンデンサに注目し、導電性材料２と封止材４の剥離や導電性材料のクラックの有無及び電気的動作不良の有無を検討し結果、表１に示すように、前述の実施例と同様に顕著な効果を有するものであった。
【実施例７】
【００６７】
図１２は、本発明の樹脂モールド型モジュールの断面図である。本実施例の電子部品は、図１０と同じものであり、実施例６と同様にセラミック多層配線基板、導電性材料２を用い、同様に電子部品の電気的接合及び機械的固定を行った。タンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０の導電性材料は図３に示すフィレット型の形状を有する。
【００６８】
次に、配線基板１上に熱可塑性ポリイミド系銀ペーストをディスペンスし、その上にベアチップのマイコン１７及びベアチップのダイオード１８を搭載し、同様の条件で加熱処理を行った。その後、超音波ワイヤボンディングにてマイコン１８と配線基板１を電気的に接続した。この後、端子１５と配線基板１、ダイオード１８と配線基板１をアルミワイヤ１３により超音波ワイヤボンディングにて接続した。この後、ベアチップのマイコン１７、ベアチップのダイオード１８、タンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０を含む配線基板１の全体と、タンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０と配線基板１との間隙にも絶縁性材料７としてポリアミドイミドを含有した液状材料を噴霧充填し、前述との条件で加熱処理を行った。その後、実施例１と同様に封止材４を用い低圧トランスファーモールド成形を行った。
【００６９】
本実施例において、電子部品としては、タンタルコンデンサ９に注目し、導電性材料２と封止材４の剥離や導電性材料のクラックの有無及び電気的動作不良の有無を検討し結果、表２に示すように、前述の実施例と同様に顕著な効果を有するものであった。
【００７０】
【表２】
2006041071.tif 000004
【００７１】
尚、表２には、実施例7〜9と比較例１〜３の樹脂モールド型モジュールの構造概要、配線基板の材料、熱膨張率、弾性率及び電極幅、電子部品の種類と熱膨張率及び弾性率、絶縁性材料の材質、熱膨張率及び弾性率、封止材の材質、熱膨張率及び弾性率、樹脂モールド型モジュールの油中温度サイクル信頼性を示す。
【実施例８】
【００７２】
本実施例は図９に示す樹脂モールド型モジュールを用いたものである。本実施例は、多層配線基板１が６層からなるポリイミド製多層配線基板であり、この上に実施例１の導電性材料２を印刷し、QFP(Quad Flat Package)タイプのLSI８、ミニモールドトランジスタ１０、タンタルコンデンサ９等の電子部品を搭載して、赤外線リフロー炉を用い、多層配線基板１にLSI８等の電子部品の電気的接合及び機械的固定を行った。なお、タンタルコンデンサ９の配線基板側の電極サイズは、部品からはみ出る部分の長さは前述と同様であり、タンタルコンデンサ部分の導電性材料は図２に示す凸型形状を有する。
【００７３】
この後、絶縁性材料７を導電性材料２及び電子部品の側面の一部、底面の一部に、前述のポリアミドイミドを含有した液状材料をディスペンスした後、加熱処理し、次いで、端子１５と配線基板１をアルミワイヤ１３を用い、超音波ワイヤボンディングにて接続した。その後、実施例１と同様に封止材４を用い金型にて低圧トランスファーモールド成形を行った。
【００７４】
本実施例において、電子部品としては、タンタルコンデンサ９に注目し、導電性材料２と封止材４の剥離や導電性材料のクラックの有無及び電気的動作不良の有無を検討し結果、表２に示すように、前述の実施例と同様に顕著な効果を有するものであった。
【実施例９】
【００７５】
本実施例は、図９の樹脂モールド型モジュールを用いたものである。本実施例においては、多層配線基板１は６層からなるポリイミド製多層配線基板であり、この上に実施例１と同様の導電性材料２を印刷し、QFP(Quad Flat Package)タイプのLSI８やミニモールドトランジスタ１０と共に、タンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０等の電子部品を搭載して、赤外線リフロー炉を用い、同様の加熱処理条件でLSI８及び電子部品の電気的接合及び機械的固定を行った。タンタルコンデンサ９部分の導電性材料２は図２の凸型形状である。
【００７６】
この後、絶縁性材料７によって導電性材料２及びタンタルコンデンサ９の側面の一部、底面の一部をポリアミドイミドを含有した液状材料をディスペンスした後、同様に加熱処理を行い、次いで、端子１５と配線基板１をアルミワイヤ１３を用い、超音波ワイヤボンディングにて接続した。その後、室温で液状であり、無機充填材としてシリカフィラーを50容積％以上充填した封止材４をディスペンサにより塗布し、加熱処理した。
【００７７】
本実施例において、電子部品としては、タンタルコンデンサ９に注目し、導電性材料２と封止材４の剥離や導電性材料のクラックの有無及び電気的動作不良の有無を検討し結果、表２に示すように、前述の実施例と同様に顕著な効果を有するものであった。
【比較例１】
【００７８】
図１３は、本比較例の樹脂モールド型モジュールの断面図である。本比較例では、配線基板１は６層からなるポリイミド製多層配線基板、実施例１の導電性材料２を印刷し、QFP(Quad Flat Package)タイプのLSI８やミニモールドトランジスタ１０と共に、タンタルコンデンサ９等の電子部品を搭載して、赤外線リフロー炉を用い、同様の加熱処理条件でLSI８及び電子部品の電気的接合及び機械的固定を行った。なお、タンタルコンデンサを実装する配線基板側の電極サイズは、部品からはみ出る部分の長さを1.2mmとし、タンタルコンデンサ部分の導電性材料２は図３のフィレット型の形状である。
【００７９】
この後、端子１５と配線基板１をアルミワイヤ１３により超音波ワイヤボンディングにて接続した後、絶縁性材料７を導電性材料２、配線基板１及び電子部品全面に被覆するため、チクソ性1.0、粘度3.3Pa・Sのポリアミドイミドを含有した液状材料をスプレー噴霧した後、70℃30分、15O℃5時間の条件で加熱処理を行った。
【００８０】
この樹脂モールド型モジュールを用い、前述と同様に、油中温度サイクル信頼性試験を実施し、タンタルコンデンサに注目し、導電性材料２と封止材４の剥離や導電性材料２のクラックの有無及び電気的動作不良の有無を検討した。その結果、表２に示すように、油中温度サイクルにより導電性材料による接続部と絶縁性材料間に剥離が生じた。剥離で生じた隙間に腐食性成分を含有したオイルが蓄積され、導電性材料の腐食による脆化と、電子部品と配線基板の熱膨張率差による導電性材料の疲労により断線不良が生じた。
【比較例２】
【００８１】
図１４は、本比較例の樹脂モールド型モジュールの断面図である。本実施例では、多層配線基板１は６層からなるセラミック多層配線基板であり、この上に実施例１と同様に、導電性材料２を印刷し、タンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０等の電子部品を搭載して、赤外線リフロー炉を用いて、加熱処理し、電子部品の電気的接合及び機械的固定を行った。タンタルコンデンサ９を実装する配線基板側の電極サイズ及びタンタルコンデンサ部分の導電性材料２は前述の比較例と同じである。
【００８２】
その後、超音波ワイヤボンディングにてマイコン１７と配線基板１を電気的に接続した。この後、絶縁性材料７を導電性材料２及びタンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０の側面の一部、底面の一部を、液状材料をディスペンスした後、加熱処理を行い、次いで、端子１５と配線基板１、ダイオード１８と配線基板１をアルミワイヤ１３により超音波ワイヤボンディングにて接続した。その後、実施例１と同様に、同じ封止材４を用い低圧トランスファーモールド成形を行った。
【００８３】
この樹脂モールド型モジュールを用い、前述と同様に、油中温度サイクル信頼性試験を実施した結果を表２に示す。表２に示すように、導電性材料２は、封止材４や導電性材料２より低弾性率で密着性を有する絶縁性材料で被覆されていないため、封止材４と導電性材料２の剪断応力により剥離が生じた。剥離で生じた隙間に腐食性成分を含有したオイルが蓄積され、導電性材料の腐食による脆化と、電子部品と配線基板１の熱膨張率差による導電性材料２の疲労により断線不良が生じた。しかし、シリカフィラーを50容積％以上充填した封止材でモールドされており、腐食性成分が封止材中に存在できる量が少なくないため、比較例１の場合より断線不良が生じる寿命が長かった。
【比較例３】
【００８４】
図１５は、本比較例の樹脂モールド型モジュールの断面図である。本比較例では、比較例１と同様のセラミック多層配線基板、この上にAg：Cu：Ｓｎ＝２．５：０．３：９７．２の組成でフラックス成分の中にポリアミドイミドを含有した導電性材料２を印刷し、タンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０等の電子部品を搭載して、赤外線リフロー炉を用い、250℃10秒の加熱処理条件で電子部品の電気的接合及び機械的固定を行った。タンタルコンデンサ９を実装する配線基板側の電極サイズ、タンタルコンデンサ部分の導電性材料の形状は比較例１と同様である。本比較例においては、図１５に示すように、タンタルコンデンサ９、チップコンデンサ２０の導電性材料２においていずれの電極との接合部の端部にフラックスに含有したポリアミドイミド２１が半田表面に形成されたものである。
【００８５】
次に、配線基板１上に熱可塑性ポリイミド系銀ペーストをディスペンスし、その上にベアチップのマイコン１７及びベアチップのトランジスタ１８を搭載した。次に１５０℃１時間の条件で加熱処理を行った。その後、超音波ワイヤボンディングにてマイコン１７と配線基板１を電気的に接続した。この後、端子１５と配線基板１、ダイオード１８と配線基板１をアルミワイヤ１３により超音波ワイヤボンディングにて接続した。その後、前述と同様に、封止材４を用い低圧トランスファーモールド成形を行った。
【００８６】
この樹脂モールド型モジュールを用い、前述と同様に油中温度サイクル信頼性試験を実施し、その結果は表２に示すように、導電性材料の一部は絶縁性材料に被覆されているが、全面ではないため、被覆されていない部分で剥離が発生した。剥離で生じた隙間に腐食性成分を含有したオイルが蓄積され、導電性材料の腐食による脆化と、電子部品と配線基板の熱膨張率差による導電性材料の疲労により断線不良が生じた。しかし、導電性材料の一部は絶縁性材料に被覆されているため、比較例２の場合より若干剥離が発生しにくく、断線不良が生じる寿命が長かった。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明による樹脂モールド型モジュールの一例を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は封止材を除いて上面から見た断面図である。
【図２】導電性材料の凸型形状の説明図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は封止材を除いて上面から見た断面図である。
【図３】導電性材料のフィレット型形状の説明図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は封止材を除いて上面から見た断面図である。
【図４】有限要素法による剪断応力解析モデルの導電性材料付近の断面図で、(ａ)は導電性材料が凸型形状で絶縁性材料による被覆ありのモデル、（ｂ）は導電性材料が凸型形状で絶縁性材料による被覆なしのモデル、（ｃ）は導電性材料がフィレット型形状で絶縁性材料による被覆なしのモデルである。
【図５】図４（ａ）のモデルで絶縁性材料の弾性率を変えた時の剪断応力計算結果を示す線図である。
【図６】図４（ａ）のモデルで絶縁性材料の線膨張率を変えた時の剪断応力計算結果を示す線図である。
【図７】図４（ａ）（ｂ）（ｃ）のモデルの剪断応力計算結果と剥離発生するまでの温度サイクル数の実験結果を示す線図である。
【図８】本発明の樹脂モールド型モジュールの断面図である。
【図９】本発明の樹脂モールド型モジュールの断面図である。
【図１０】本発明の樹脂モールド型モジュールの断面図である。
【図１１】本発明の樹脂モールド型モジュールの断面図である。
【図１２】本発明の樹脂モールド型モジュールの断面図である。
【図１３】比較例の樹脂モールド型モジュールの断面図である。
【図１４】比較例の樹脂モールド型モジュールの断面図である。
【図１５】比較例の樹脂モールド型モジュールの断面図である。
【符号の説明】
【００８８】
１…配線基板、２…導電性材料、３…電子部品、４…封止材、５…配線基板の電極、６…電子部品の電極、７…絶縁性材料、８…LSI、９…タンタルコンデンサ、１０…ミニモールドトランジスタ、１１…抵抗、１２…レジスト、１３…アルミワイヤ、１４…金ワイヤ、１５…端子、１６…接着剤、１７…ベアチップのマイコン、１８…ベアチップのダイオード、１９…リードフレーム、２０…チップコンデンサ、２１…ポリアミドイミド。
【図１】
2006041071.tif 000005
【図２】
2006041071.tif 000006
【図３】
2006041071.tif 000007
【図４】
2006041071.tif 000008
【図５】
2006041071.tif 000009
【図６】
2006041071.tif 000010
【図７】
2006041071.tif 000011
【図８】
2006041071.tif 000012
【図９】
2006041071.tif 000013
【図１０】
2006041071.tif 000014
【図１１】
2006041071.tif 000015
【図１２】
2006041071.tif 000016
【図１３】
2006041071.tif 000017
【図１４】
2006041071.tif 000018
【図１５】
2006041071.tif 000019