(57)【要約】【課題】高速動作が可能な改善された低コストの光相互接続ソリューションを提供すること。【解決手段】高速にデバイス相互接続を行うボードレベルの光システムが開示される。一定の強度のレーザがボード基板に実装され、レーザ光は基板に集積されたウエーブガイドスプリッタによって複数の光チャネルに分割される。基板に実装されたＩＣデバイスにより電気的に駆動される高速光変調器のアレイは、対応する複数の光信号を作成する。コネクタは光信号を（基板上の又は基板外の）１以上の他のデバイスに伝送するのに使用される。光変調器は好ましくは重合性電光材料より成るマッハツェンダ変調器から構成される。変調器アレイは基板に統合されてもよい。ＩＣデバイスは基板を通じて伝送される光信号を受信する統合された光検出器を備えてもよい。光配線層に加えて、基板は１以上の電気配線層を含んでもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定の強度の光線を生成するレーザと、
前記レーザに結合され、前記光線から一定の強度の複数の光信号を用意するウエーブガイドディバイダであって、前記複数の光信号の各々は別々の光チャネルを伝送するところのウエーブガイドディバイダと、
複数の光チャネルに対応する複数の光変調器であって、前記光変調器の各々は入力の電気信号に関連する駆動回路に結合され、関連する光チャネルで前記電気信号が光信号の変調を引き起こすようにする複数の光変調器と、
前記複数の光チャネルに対応し、変調された光信号を転送する複数のコネクタと、
を備えることを特徴とする光トランシーバ。
【請求項２】
前記光チャネル及び前記光変調器が、１つの基板に形成される
ことを特徴とする請求項１記載の光トランシーバ。
【請求項３】
前記光コネクタが、前記基板に形成される
ことを特徴とする請求項２記載の光トランシーバ。
【請求項４】
前記電気信号が、前記基板に実装された集積回路デバイスから生じる
ことを特徴とする請求項２記載の光トランシーバ。
【請求項５】
前記光変調器が、電気−光材料より成る
ことを特徴とする請求項２記載の光トランシーバ。
【請求項６】
前記光変調器が、マッハツェンダ変調器である
ことを特徴とする請求項５記載の光トランシーバ。
【請求項７】
前記基板が、少なくとも１つの電気配線層を有する
ことを特徴とする請求項２記載の光トランシーバ。
【請求項８】
前記基板に実装された第２の集積回路デバイス
を更に備え、前記コネクタは前記第２の集積回路デバイスに関連付けられた複数の光検出器より成り、光検出器は前記光信号を出力の電気信号に変換し、前記出力の光信号は前記第２の集積回路デバイスに入力される
ことを特徴とする請求項４記載の光トランシーバ。
【請求項９】
２つの集積回路デバイスの各々が、レーザ、ウエーブガイドディバイダ、複数の変調器、複数のコネクタ及び複数のコネクタに関連する光検出器を有し、前記２つの集積回路デバイスの一方が他方と光学的に通信可能である
ことを特徴とする請求項８記載の光トランシーバ。
【請求項１０】
前記集積回路デバイスの少なくとも１つが、中央処理装置（ＣＰＵ）である
ことを特徴とする請求項８記載の光トランシーバ。
【請求項１１】
複数の光検出器が、前記第２の集積回路デバイスに組み込まれる
ことを特徴とする請求項８記載の光トランシーバ。
【請求項１２】
前記集積回路デバイスが、前記基板にフリップチップ実装される
ことを特徴とする請求項４記載の光トランシーバ。
【請求項１３】
前記集積回路デバイスが、二次的な複数の光チャネルに結合された複数の光検出器より成り、光検出器は前記二次的な複数の光チャネルから前記集積回路デバイスにより受信した光信号を電気信号に変換する
ことを特徴とする請求項４記載の光トランシーバ。
【請求項１４】
前記基板が、電気コネクタより成る
ことを特徴とする請求項２記載の光トランシーバ。
【請求項１５】
前記電気コネクタが、エッジコネクタである
ことを特徴とする請求項１４記載の光トランシーバ。
【請求項１６】
電気配線層及び光配線層を有する基板と、
前記基板にフリップチップ実装され、複数の光検出器が関連付けられる集積回路デバイスと、
前記基板に実装された一定の光強度のレーザダイオードと、
前記レーザダイオードから発せられた光を第１の複数の光チャネルに分割する光ディバイダと、
前記複数の光チャネルに関連する複数の光変調器であって、前記集積回路デバイスに関連する複数の対応するドライバ回路に電気的に接続され、前記集積回路デバイスからの前記電気信号に対応する変調された複数の光出力信号が生成されるところの複数の変調器と、
前記電気信号が形成されて前記集積回路デバイスに入力されるように、前記集積回路デバイスに関連する前記光検出器に変調された光を伝送する第２の複数の光チャネルと、
を有することを特徴とする光トランシーバ。
【請求項１７】
前記複数のドライバ回路及び前記複数の光検出器が、前記集積回路デバイスに集積される
ことを特徴とする請求項１６記載の光トランシーバ。
【請求項１８】
基板に実装されたレーザダイオードを用いて一定の強度の光を生成し、
レーザによる光を、前記基板内に形成された複数の光チャネルに分割し、
前記基板に実装された集積回路デバイスに関連する複数のディバイダ回路を用いて前記光チャネルの光を変調し、変調された複数の光出力信号を生成し、
変調された光出力信号を少なくとも１つの他のデバイスに伝送する
ことを特徴とする光通信方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの他のデバイスが、前記基板に実装される
ことを特徴とする請求項１８記載の光通信方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの他のデバイスが、前記基板から離れて実装される
ことを特徴とする請求項１８記載の光通信方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に光相互接続の技術分野に関連し、特に高速光トランシーバアレイ、光トランシーバ及び光通信方法に関連する。
【背景技術】
【０００２】
これまでコンピュータ及び通信装置は高速化し、通信帯域の要請は増えているので、それに応じた必要性があり、その必要性は装置が所望の速度及び帯域を達成できるようにそのような装置で使用される素子間の接続速度を増やすことである。従来の電子回路は相当な距離にわたって素子間で約１０Ｇｂｐｓを上回るデータ速度を達成できず、光相互接続に向けられている注目は益々増えている。光通信システムは非常に大きな速度を達成できるが、それらは製造コストがより高く、その大きな経費は光相互接続手段を採用する障害になっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従って高速動作が可能な改善された低コストの光相互接続ソリューションが必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一形態では、本発明は光トランシーバアレイより成り、光トランシーバアレイは、光線を生成するレーザと、レーザに結合され、光線から複数の光信号を用意するウエーブガイドディバイダ（光信号の各々は別々の光チャネルを伝送する）と、複数の光チャネルに対応する複数の光変調器であって、その光変調器の各々は電気信号を与える駆動回路に結合され、関連する光チャネルで電気信号が光信号の変調を引き起こすようにする複数の光変調器と、複数の光チャネルに対応し、変調された光信号を別の装置に転送する複数の出力コネクタとを備える。光トランシーバ、光チャネル及び光変調器は好ましくは１つの基板に形成され、光コネクタはその基板に形成される又は実装される。好適実施例では電気信号は集積回路デバイスから生じ、集積回路デバイスは基板にフリップチップ実装される。集積回路デバイスはそこに形成された複数の光検出器を有し、光信号を受信及び変換する。光変調器は好ましくはマッハツェンダ変調器であり、ポリメリック電気−光材料より成る。基板は少なくとも１つの電気配線層及び（エッジコネクタのような）電気コネクタより成る。
【０００５】
別の形態では、上記の光トランシーバは、基板に実装された第２の集積回路デバイス、及び複数のコネクタからの光信号を受信する第２の複数の光チャネルから更に構成され、第２の光チャネルの各々はフォトディテクタに結合され、第２の光チャネルの光信号を出力電気信号に変換し、出力電気信号は第２の集積回路デバイスに入力される。複数のフォトディテクタは好ましくは第２の集積回路デバイスに統合される。この例では、２つの集積回路デバイスの各々が、レーザ、ウエーブガイドディバイダ、複数の変調器、複数のコネクタ及びそれらに関連する複数のフォトディテクタから構成されてもよく、２つの集積回路デバイスの一方が他方と光学的に信号を伝送することができる。集積回路デバイスの少なくとも１つは、中央処理装置（ＣＰＵ）でもよい。
【０００６】
別の形態では、本発明は電気配線層及び光配線層を有する基板に形成された光トランシーバに関連し、光トランシーバは、基板にフリップチップ実装され、複数の光検出器が関連付けられる集積回路デバイスと、基板に実装された一定の光強度のレーザダイオードと、レーザダイオードから発せられた光を第１の複数の光チャネルに分割する光ディバイダと、複数の光チャネルに関連する複数の光変調器であって、集積回路デバイスに関連する複数の対応するドライバ回路に電気的に接続され、集積回路デバイスからの電気信号に対応する変調された複数の光出力信号が生成されるところの複数の変調器と、電気信号が形成されて集積回路デバイスに入力されるように、集積回路デバイスに関連するフォトディテクタに変調された光を伝送する第２の複数の光チャネルとを有する。複数のドライバ回路及び複数の光検出器は集積回路デバイスに集積されてもよい。
【０００７】
さらに別の形態では、本発明は光通信方法に関連し、本方法は、基板に実装されたレーザダイオードを用いて一定の強度の光を生成し、レーザによる光を、基板内に形成された複数の光チャネルに分割し、基板に実装された集積回路デバイスに関連する複数のディバイダ回路を用いて光チャネルの光を変調し、変調された複数の光出力信号を生成し、変調された光出力信号を少なくとも１つの他のデバイスに伝送する。他のデバイスは基板に実装されてもよいし、基板から離れて実装されてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明による実施例が説明される。
【実施例１】
【０００９】
図１は本発明による第１実施例の光トランシーバ１０の平面図である。集積回路チップ２０は複数のはんだバンプ２１を用いて基板３０上にフリップチップ実装される。基板３０及びＩＣデバイス２０間で相互接続をなすために使用されるはんだバンプは一般的には図示されているものよりはるかに多いこと、及び簡明化のため考察対象外の構造が存在するある領域のバンプは全く図示されてないことを当業者は理解するであろう。フリップチップ実装が示されているが、基板及びＩＣチップ間を接続する他の方法は周知であり、それらも本発明の範囲内にある。フリップチップボンディングは比較的小さなスペースで従って好ましい非常に高密度の接続をもたらす。好適実施例では集積回路チップ２０はシリコンに形成されたＣＭＯＳデバイスである。
【００１０】
電気的な電力及び信号がＩＣデバイス２０へ及びそこからルーティングできるように、基板３０は１以上の電気配線層を含む多層構造を有することが好ましい。基板３０に組み込まれた電気的接続経路４０，４１はそれぞれ電気素子４２，４３及びＩＣチップ２０間ではんだバンプ２１ａ，２１ｂを介して伝送される電気信号を示す。電機接続部数は一般的には２よりはるかに多いことが理解されるであろう。同様に２つの電気素子が図１に示されているが、ボード３０に実装される素子数は更に多くてもよい。
【００１１】
本発明によれば高速のマルチチャネル信号伝送に光信号が使用される。ある従来の設計例では、電子デバイスは光チャネル各々について集積された光エミッタを有する。ある既知のＩＣ装置は複数のビルトイン垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を有し、光チャネル各々について別個のＶＣＳＥＬを備える。多数のＶＣＳＥＬ又は他の集積された光放出素子を利用することはコストがかかり、光信号伝送を行うことを魅力的でないものにしていた。既存のデバイスではチャネル内で所望の光信号を提供するために各ＶＣＳＥＬが独立に駆動される。
【００１２】
多数のＶＣＳＥＬ又は他の光放出素子を利用する代わりに、本発明は比較的高いパワーのレーザ５０を利用し、そのレーザは複数の光チャネル用の光を用意する。図１に示されるようにレーザ５０は好ましくはＩＣ装置２０から離れており、端面放出レーザダイオードであることが好ましい。様々な波長範囲内で適切な高出力のレーザダイオードは周知であり、詳細に説明する必要はない。本発明ではレーザ５０は、レーザの信号変調が何ら必要とされないような一定の出力を有するタイプのものである。
【００１３】
レーザ５０の出力は波長スプリッタ６０を用いて複数のチャネルに分割される。図面は８つのチャネルを有するスプリッタ６０を示しているが、既存のウエーブガイドスプリッタ技術を用いて更に多くのチャネルが形成可能である。チャネル−複数−の光強度は実質的に等しく且つ一定であることが好ましい。スプリッタ６０の各分岐（ブランチ）中の光強度はブランチ数が増えるにつれて減少するので、１つのレーザダイオードからどの程度多くのチャネルが供給できるかについて実際上制約がある。必要ならばチャネル数を増やすために複数のレーザが使用可能である。
【００１４】
好ましくはウエーブガイドスプリッタ６０は基板３０に集積される。例えば図１に示されるようにスプリッタ６０は基板３０に組み込まれ、その上にＩＣ装置２０が実装される。現在の技術を利用すれば、８ｍｍより短い長さで最終ピッチが０．０５ｍｍの５段スプリッタが製造可能である。適切なウエーブガイドスプリッタ及びそれらの製造方法は当該技術分野で既知であり、更に詳細に説明する必要はない。
【００１５】
レーザ５０からの光が複数の光チャネルに分割された後で、光は対応する複数の光変調器７０に向かう。装置２０からの電気信号は変調器７０を駆動するために使用され、電気信号を光信号に変換する。光変調器７０も基板３０内に集積され、重合性電光（ＥＯ）材料より成ることが好ましい。一実施例では変調器７０はマッハツェンダ変調器である。変調器の配列（アレイ）７０ａ−７０ｎは現在の製造技術を使用すれば７．５ｍｍの長さで０．１２５ｍｍのピッチを有するように構成できる。本発明の一実施例での光変調器７０の構成及び動作は図２Ａ及び２Ｂに関連して以下に説明される。本発明によるコンパクトなデザインによりＩＣデバイスは変調器７０直近の領域の基板に実装され、ＩＣチップから変調器への電気経路の長さを最小化する。
【００１６】
光変調器７０により変調された光は基板３０に形成された複数のウエーブガイド９０を通じてコネクタアレイ１００に伝送され、コネクタアレイはその光信号を少なくとも１つの他の装置に伝送する。一実施例ではコネクタアレイ１００は光信号をファイバアレイ１１０の複数の受信光ファイバ１１０ａ−１１０ｎに伝送する。ウエーブガイド９０、アレイ１００内のコネクタ及びファイバアレイ１００内の受信光ファイバの数は光チャネル及び光変調器の数に対応する。好ましくはウエーブガイド９０は基板３０に集積される。複数のオンボードウエーブガイドから対応する複数の光ファイバへ光を伝送するための適切なコネクタは既知であり、更に説明されることを要しない。図１はボードレベルのシステムを示し、そのシステムはＩＣデバイス２０で生成された電気信号を光信号に変換すること及びそれらをボード３０以外の１以上の他の装置（図１では図示せず）へファイバアレイ１１０を介して伝送することに有用である。
【００１７】
光変調器への電気信号の反射が戻ることを避けるために終端器アレイ８０が使用されてもよいことを当業者は理解するであろう。様々なタイプの電気終端器、及びそれらの構成方式は基地であり、更に説明されることを要しない。
【００１８】
図１の実施例ではファイバアレイ１１０は、出力光信号を受信する複数の光ファイバ１１０ａ−１１０ｎと、逆向きに入力光信号を装置２０に伝送する複数の光ファイバ１２０ａ−１２０ｎとの双方を有する。従って図１ではコネクタアレイ１００は光ファイバ１２０ａ−１２０ｎからの光信号を受信することができ、及びそれらを基板３０に形成された対応するウエーブガイド１３０ａ−１３０ｎへ伝送することができる。ウエーブガイド１３０は、対応する複数の光バンプ（図示せず）に、又はウエーブガイドからの光をＩＣデバイス２０に関連する対応する複数の光検出器１４０に結合する他の構造に案内する。光検出器１４０はウエーブガイド１３０からの光信号を対応する電気信号に変換する。光検出器１４０は、それらが生成する電気信号がデバイスに直接的に入力されるように、ＩＣデバイス２０に集積されることが好ましい。
【００１９】
図１ではボード３０はそこに実装された１つのＩＣデバイス２０を有するように示され、ＩＣデバイスは光コネクタアレイ１００に結合される。複数のデバイスが同一基板に実装できること及びこの方法でファイバアレイに結合できることが理解されるであろう。
【００２０】
図２Ａは本発明で使用するのに相応しい光変調器７０の分解図である。変調器７０は複数層より成り、複数層は好ましくは基板３０（図２Ａでは示されていない）上に形成され、最終的な基板の一部を形成する。ベース層２００は適切な如何なる材料で形成されてもよい。上述したように１以上の電気配線層は基板３０に形成されてもよい。好ましくはそのような配線層はベース層２００より下位である。ベース層２００はその上側表面に形成されたグランド面２０１を有する。グランド面２０１は例えば金又は他の適切な金属の薄膜をベース層の表面２０１に堆積することで形成されてもよい。グランド面２０１は適切な如何なる手段でもそれによって接地電位に接続される。例えばグランド面２０１は配線構造下位の接地層を通じて接続されてもよい。グランド面２０１の１つの機能は電気配線層で伝送される信号による電場が変調器で使用されるＥＯ材料に影響を及ぼすことを防ぐことである。
【００２１】
下位の光閉じ込め層又はクラッディング層２１０はその後にベース層２００上に形成される。下位の光学層２１０は他の構造と両立するガラス、ポリマその他の材料から形成されてもよい。下位光拘束層２１０に適切な材料及びそのような材料層の形成方法は周知であり、更に詳細に説明されることを要しない。層２１０は２−４ミクロンの範疇の厚さを有することがある。
【００２２】
そしてアクティブ変調層２２０が下位光拘束層２１０上に形成される。変調層２２０は図２Ｂに関連して以下で説明される。
【００２３】
最後に上位光閉じ込め層又はクラッディング層２３０がアクティブ変調層２２０上に形成される。上位光拘束層２３０は下位光拘束層と同様な材料及び方法で形成されてもよい。従って例えば上位光拘束層は適切な屈折率を有するガラス樹脂又はポリマで形成されてもよい。上位拘束層も２−４ミクロンの範疇の厚さを有してもよいが、上位及び下位の拘束層が同じ厚さを有することは必須でない。
【００２４】
そしてアクティブ変調層２２０での光変調を制御するために電極構造２４０が上位光拘束層２３０上に形成される。電極２４０はＩＣデバイス２０に関連する外部ドライバ回路２７０に電気的に結合される。好ましくはドライバ回路２７０はＩＣデバイス２０に統合される。電極構造２４０は２つの電極から構成されてもよく、それらはＩＣデバイス２０上のはんだバンプ２１を利用してドライバ回路２７０に接続される。この構成は非常に短い電気経路を可能にし、従って寄生する抵抗、インダクタンス及び容量を効果的に減らす。電極構造２４０は金又は他の適切な導電性材料の薄膜から構成されてよく、標準的且つ周知のフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングされる。
【００２５】
図２Ｂを参照するに、マッハツェンダ光変調器がアクティブ変調器層２２０内に示されている。レーザ５０からの一定の強度の入力光２５０が電気−光（ＥＯ）ウエーブガイドチャネル２５５を通じて変調器の入力で受信される。チャネル２５５は２つのブランチチャネル（即ち、アーム２５６，２５７）に分かれ、入力光はブランチチャネル間で実質的に等しく分割される。ブランチチャネルを通過した後で、光は出力ウエーブガイドチャネル２５８で再合成され、出力光信号２６０として伝送される。一実施例では層２２０は２ミクロン又はそれより薄いオーダーの厚さを有し、チャネル２５５−２５８は５ミクロン又はそれより狭い幅を有し、ブランチチャネル２５６，２５７間の間隔は約１０ミクロン又はそれより短い。
【００２６】
電極２４０により形成される電場はチャネル２５６，２５７のＥＯ材料の屈折率変化を引き起こす。そしてこれは２つのブランチチャネルを伝送する光の相対的な位相シフトを引き起こす。光が再結合される場合に、位相シフトした信号は干渉し、出力の光信号２６０の強度変調をもたらす。ブランチチャネルの長さと必要な駆動電圧との間には反比例関係があり、チャネルが長いほど必要とされる電圧は低くなり、従って駆動出力とコンパクト性（小型化）の間に設計上トレードオフがある。マッハツェンダ光変調器の動作は当該技術分野で周知であり、更に詳細に説明されることを要しない。１００Ｇｂｐｓを上回る（もしかすると２００Ｇｂｐｓ程度に大きいかもしれない）動作速度がＥＯポリママッハツェンダ変調器で達成できるように、利用可能なＥＯポリマの応答時間は１ピコ秒より短い。リチウムナイオベート（ＬＮＯ）及び同様な結晶より成るＥＯ変調器も使用可能であるが、ＥＯポリマよりも大きな誘電定数によって引き起こされる遅い応答時間に起因して、それは好ましくはない。
【００２７】
入力ウエーブガイドチャネル２５５、ブランチチャネル２５６，２５７及び出力ウエーブガイドチャネル２５８は好ましくは全て同じＥＯ材料で、より好ましくはＥＯポリマで形成される。層２２０の残りはチャネル２５５−２５８内の光を閉じ込めるのに適切な屈折率を有する両立可能なポリマで形成されることが好ましい。チャネル２５５−２５８は、トレンチを形成するためにフォトリソグラフィを利用して層２２０をパターニングし、その結果のトレンチを液状ＥＯポリマで充填し、ポリマを硬化させることで形成することができる。そのような構造を形成するのに適切な技術は当該技術分野で周知である。
【００２８】
図示の簡明化のため、光変調器７０は図２Ａ及び２Ｂで分離して示されている。本発明の好適実施例ではそれは他の光チャネル、スプリッタ等と共に同一基板に統合される。従って好適実施例では入力及び出力ウエーブガイドチャネル２５５，２５８はファセットを有しない。
【実施例２】
【００２９】
図３は本発明による別の実施例の光トランシーバを示し、図１，２に関して説明済みの同一要素を示すのに同一番号が使用されている。図３の実施例は、基板３００がボードへ及びそこから光の及び電気の信号双方を通信できるように、電気エッジコネクタ３１０を備える基板を有する。エッジコネクタ３１０はコンピュータ業界で使用される標準的なコネクタでもよい。簡明化のため、ボード３００はそこに１つのＩＣデバイスしか実装されてないように描かれている。より多数のデバイス及び電気素子が基板に実装可能であることが理解されるであろう。
【実施例３】
【００３０】
図４は本発明による更に別の実施例の光トランシーバを示し、先行する図面中の同一要素を示すために同一番号を再び使用している。図４の実施例は２つのＩＣデバイス４２０，４３０が実装されている基板４００を有する。デバイス４２０，４３０は図示されるように光学的に接続され、各々が光トランシーバとして機能するようにする。簡明化のため図４はデバイス４２０，４３０が互いに通信することしか示していないが、デバイスの一方又は双方が電気的に又は光学的に任意数の他の装置にボード４００上又はボード外で説明済みの構造及び技法を用いて結合可能であることは理解されるであろう。
【００３１】
以上本発明が図示の実施例に関連して具体的に説明されてきたが、様々な変形、修正及び適用は、本開示内容に基づいてなされてもよく且つ本発明の範囲内にあることが意図されることは理解されるであろう。本発明は現在のところ実用的且つ好ましい実施例と考えられるものに関連して説明されてきたが、本発明は開示された実施例に限定されず、むしろ本発明は特許請求の範囲内に様々な修正及び等価な構成を網羅することが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明による第１実施例の光トランシーバの平面図である。
【図２Ａ】本発明に関連して使用される光変調器の分解図である。
【図２Ｂ】図２Ａの光変調器内の電気−光層の更に詳細な図である。
【図３】本発明による第２実施例の光トランシーバの平面図である。
【図４】本発明による第３実施例の光トランシーバの平面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０  光トランシーバ
２０  集積回路チップ
２１  はんだバンプ
３０  基板
４０，４１  電気接続経路
４２，４３  電気素子
５０  レーザ
６０  ウエーブガイドスプリッタ
７０  光変調器
８０  終端器アレイ
９０  ウエーブガイド
１００  コネクタアレイ
１１０，１２０  ファイバアレイ
１３０  ウエーブガイド
１４０  光検出器
２００  ベース層
２１０  下位クラッディング層
２２０  アクティブ変調層
２３０  上位クラッディング層
２４０  電極
２５０  強度一定の入力光
２５５  電光（ＥＯ）ウエーブガイドチャネル
２５６，２５７  分岐チャネル
２５８  出力ウエーブガイドチャネル
２６０  出力光信号
３００  基板
３１０  電気エッジコネクタ
４００  基板
４２０，４３０  ＩＣデバイス
【図１】
2006262476.tif 000003
【図２Ａ】
2006262476.tif 000004
【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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