(57)【要約】【課題】  電気モジュールの組み立てが容易になる電気モジュール用カバーを提供する。【解決手段】  回路基板５を収容した筐体３を嵌め込んで覆う電気モジュール用カバー４において、そのカバー４に、筐体嵌め込み口１７から反対側へ延びるスリット１５を形成したものである。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板を収容した筐体を嵌め込んで覆う電気モジュール用カバーにおいて、そのカバーに、筐体嵌め込み口から反対側へ延びるスリットを形成したことを特徴とする電気モジュール用カバー。
【請求項２】
ホストボードのケージ内に装着される電気モジュールにおいて、電子部品が嵌め込まれる筐体と、その筐体に固定され、上記電子部品を覆うカバーとを備え、そのカバーに、カバーの一端から他端側へ延びるスリットを形成したことを特徴とする電気モジュール。
【請求項３】
ホストボードのケージ内に装着される光トランシーバにおいて、光送受信モジュールが嵌め込まれるトランシーバ筐体と、そのトランシーバ筐体に固定され、上記光送受信モジュールを覆うカバーとを備え、そのカバーに、カバーの一端から他端側へ延びるスリットを形成したことを特徴とする光トランシーバ。
【請求項４】
上記スリットは、コネクタ挿抜口側となる上記カバーの一端からカードエッジ部側となる上記カバーの他端側へ延びて形成される請求項３記載の光トランシーバ。
【請求項５】
上記スリットは、トランシーバ筐体に上記カバーを固定した際、上記カバーに発生する押し付け力Ｆが０＜Ｆ≦４９０Ｎとなるように形成される請求項３または４記載の光トランシーバ。
【請求項６】
上記スリットは、上記光送受信モジュール及び上記光送受信モジュールを実装した空間を避けて形成される請求項３〜５いずれかに記載の光トランシーバ。
【請求項７】
上記スリットの他端部は、上記トランシーバ筐体の長手方向に沿って形成される請求項６記載の光トランシーバ。
【請求項８】
上記スリットの幅は、上記トランシーバ筐体の他端部の厚さよりも狭い請求項６または７記載の光トランシーバ。
【請求項９】
上記カバーは、金属あるいは樹脂で形成される請求項３〜８いずれかに記載の光トランシーバ。
【請求項１０】
上記カバーの内面の高さは、上記光送受信モジュールを嵌め込んだ部分の上記トランシーバ筐体の高さと等しい、あるいはそれよりも低い請求項３〜９いずれかに記載の光トランシーバ。
【請求項１１】
上記光送受信モジュールを嵌め込んだ部分の上記トランシーバ筐体の高さと、上記カバーの内面の高さとの差ｄ１は、０≦ｄ１≦０．５ｍｍである請求項１０記載の光トランシーバ。
【請求項１２】
上記光送受信モジュールを嵌め込んだ部分の上記トランシーバ筐体の高さは、上記トランシーバ筐体の上面から上記トランシーバ筐体に嵌め込んだ上記光送受信モジュールの最下面までの高さ、あるいは上記トランシーバ筐体の下面から上記トランシーバ筐体に嵌め込んだ上記光送受信モジュールの最上面までの高さである請求項１０または１１記載の光トランシーバ。
【請求項１３】
上記トランシーバ筐体に嵌め込んだ上記光送受信モジュールを押さえて固定するモジュール押えを備えた請求項３〜９いずれかに記載の光トランシーバ。
【請求項１４】
上記カバーの内面の高さは、上記モジュール押えを取り付けた部分の上記トランシーバ筐体の高さと等しい、あるいはそれよりも低い請求項１３記載の光トランシーバ。
【請求項１５】
上記モジュール押えを取り付けた部分の上記トランシーバ筐体の高さと、上記カバーの内面の高さとの差ｄ２は、０≦ｄ２≦０．５ｍｍである請求項１４記載の光トランシーバ。
【請求項１６】
上記モジュール押えを取り付けた部分の上記トランシーバ筐体の高さは、上記トランシーバ筐体の上面から上記モジュール押えの下面までの高さ、あるいは上記トランシーバ筐体の下面から上記モジュール押えの上面までの高さである請求項１４または１５記載の光トランシーバ。
【請求項１７】
漏洩電磁波レベルが−１００ｄＢｍ以下である請求項３〜１６いずれかに記載の光トランシーバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気モジュール用カバー、ホストボード（マザーボード）のケージ内に装着される電気モジュール及び光トランシーバに係り、特にその筐体構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の主流であるプラガブルタイプの光トランシーバは、その一端部に伝送路となる光ファイバを備えた光コネクタケーブルが挿抜可能に設けられ、かつ外部機器に備えられたホストボードのケージ内に光トランシーバ（一端部を除く）が挿抜可能に設けられるものである。この光トランシーバは、マザーボードのケージ内に装着されて使用される。
【０００３】
このような光トランシーバとして、図１２〜図１４に示すような光トランシーバ１２１は、トランシーバ本体１２２と、トランシーバ本体１２２が収納されるトランシーバ筐体１２３と、トランシーバ筐体１２３に固定される金属製のカバー１２４とで主に構成される。トランシーバ本体１２２は、回路基板１２５に光送受信モジュール１２６を固定したものである。
【０００４】
光送受信モジュール１２６は、トランシーバ筐体１２３の保持部１２７に嵌め込まれることで、トランシーバ筐体１２３によって下方向（−ｚ方向）以外への移動を規制されている。光送受信モジュール１２６の下方向への移動を規制するために、保持部１２７には、モジュール押え１２８がパッチン止め等の嵌合部の嵌め合いで固定される。回路基板１２５は、トランシーバ筐体１２３の脚部１２９にネジ止めして固定される。
【０００５】
モジュール押え１２８のみでは、嵌合部に多少のガタがあり、トランシーバ筐体１２３に光送受信モジュール１２６をしっかり固定することができないので、略筒状のカバー１２４を用いる。このカバー１２４をトランシーバ筐体１２３の他端から−ｘ方向に被せ（カバー１２４にトランシーバ筐体１２３の他端を＋ｘ方向に挿入し）、トランシーバ筐体１２３に固定する。
【０００６】
このとき、トランシーバ筐体１２３は、一端部を除いて外周がカバー１２４で覆われるため、光送受信モジュール１２６がカバー１２４で覆われる。このようなカバー１２４を用いた光トランシーバの構造は一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
光トランシーバ１２１では、カバー１２４の内面の高さｈｃは、トランシーバ筐体１２３の上面から、保持部１２７に嵌め込んだ光送受信モジュール１２６を押さえるモジュール押え１２８の最下面までの高さｈｔよりも若干大きい（ｈｃ＞ｈｔ）。
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６４３９９１８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、光トランシーバ１２１は、高さｈｃ，ｈｔの差がわずかなのでカバー１２４を設計通りに作製することが難しく、しかもカバー１２４が金属製なので変形しにくい。
【００１０】
このため、トランシーバ本体１２２を収納した後、カバー１２４をトランシーバ筐体１２３に被せるとき（カバー１２４にトランシーバ筐体１２３を挿入するとき）に大きな力が必要であり、かつカバー１２４を被せづらく（トランシーバ筐体１２３を挿入しづらく）、組み立てが難しいという問題がある。また、光送受信モジュール１２６を損傷してしまうおそれがある。
【００１１】
一方、高さｈｃが高さｈｔよりも高くなりすぎると、トランシーバ筐体１２３とカバー１２４とで光送受信モジュール１２６をしっかりと固定できず、光送受信モジュール１２６の光軸ズレが発生することもある。特許文献１についても、上述と同じ問題がある。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、電気モジュールの組み立てが容易になる電気モジュール用カバーを提供することにある。
【００１３】
また、本発明の他の目的は、組み立てが容易で、光送受信モジュールなどの電子部品を確実に固定できる電気モジュール及び光トランシーバを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１の発明は、回路基板を収容した筐体を嵌め込んで覆う電気モジュール用カバーにおいて、そのカバーに、筐体嵌め込み口から反対側へ延びるスリットを形成した電気モジュール用カバーである。
【００１５】
請求項２の発明は、ホストボードのケージ内に装着される電気モジュールにおいて、電子部品が嵌め込まれる筐体と、その筐体に固定され、上記電子部品を覆うカバーとを備え、そのカバーに、カバーの一端から他端側へ延びるスリットを形成した電気モジュールである。
【００１６】
請求項３の発明は、ホストボードのケージ内に装着される光トランシーバにおいて、光送受信モジュールが嵌め込まれるトランシーバ筐体と、そのトランシーバ筐体に固定され、上記光送受信モジュールを覆うカバーとを備え、そのカバーに、カバーの一端から他端側へ延びるスリットを形成した光トランシーバである。
【００１７】
請求項４の発明は、上記スリットは、コネクタ挿抜口側となる上記カバーの一端からカードエッジ部側となる上記カバーの他端側へ延びて形成される請求項３記載の光トランシーバである。
【００１８】
請求項５の発明は、上記スリットは、トランシーバ筐体に上記カバーを固定した際、上記カバーに発生する押し付け力Ｆが０＜Ｆ≦４９０Ｎとなるように形成される請求項３または４記載の光トランシーバである。
【００１９】
請求項６の発明は、上記スリットは、上記光送受信モジュール及び上記光送受信モジュールを実装した空間を避けて形成される請求項３〜５いずれかに記載の光トランシーバである。
【００２０】
請求項７の発明は、上記スリットの他端部は、上記トランシーバ筐体の長手方向に沿って形成される請求項６記載の光トランシーバである。
【００２１】
請求項８の発明は、上記スリットの幅は、上記トランシーバ筐体の他端部の厚さよりも狭い請求項６または７記載の光トランシーバである。
【００２２】
請求項９の発明は、上記カバーは、金属あるいは樹脂で形成される請求項３〜８いずれかに記載の光トランシーバである。
【００２３】
請求項１０の発明は、上記カバーの内面の高さは、上記光送受信モジュールを嵌め込んだ部分の上記トランシーバ筐体の高さと等しい、あるいはそれよりも低い請求項３〜９いずれかに記載の光トランシーバである。
【００２４】
請求項１１の発明は、上記光送受信モジュールを嵌め込んだ部分の上記トランシーバ筐体の高さと、上記カバーの内面の高さとの差ｄ１は、０≦ｄ１≦０．５ｍｍである請求項１０記載の光トランシーバである。
【００２５】
請求項１２の発明は、上記光送受信モジュールを嵌め込んだ部分の上記トランシーバ筐体の高さは、上記トランシーバ筐体の上面から上記トランシーバ筐体に嵌め込んだ上記光送受信モジュールの最下面までの高さ、あるいは上記トランシーバ筐体の下面から上記トランシーバ筐体に嵌め込んだ上記光送受信モジュールの最上面までの高さである請求項１０または１１記載の光トランシーバである。
【００２６】
請求項１３の発明は、上記トランシーバ筐体に嵌め込んだ上記光送受信モジュールを押さえて固定するモジュール押えを備えた請求項３〜９いずれかに記載の光トランシーバである。
【００２７】
請求項１４の発明は、上記カバーの内面の高さは、上記モジュール押えを取り付けた部分の上記トランシーバ筐体の高さと等しい、あるいはそれよりも低い請求項１３記載の光トランシーバである。
【００２８】
請求項１５の発明は、上記モジュール押えを取り付けた部分の上記トランシーバ筐体の高さと、上記カバーの内面の高さとの差ｄ２は、０≦ｄ２≦０．５ｍｍである請求項１４記載の光トランシーバである。
【００２９】
請求項１６の発明は、上記モジュール押えを取り付けた部分の上記トランシーバ筐体の高さは、上記トランシーバ筐体の上面から上記モジュール押えの下面までの高さ、あるいは上記トランシーバ筐体の下面から上記モジュール押えの上面までの高さである請求項１４または１５記載の光トランシーバである。
【００３０】
請求項１７の発明は、漏洩電磁波レベルが−１００ｄＢｍ以下である請求項３〜１６いずれかに記載の光トランシーバである。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、電気モジュールの組み立てが容易になるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００３３】
図１は、本発明の好適な第１の実施の形態を示す光トランシーバの概略側面図である。図２は、図１に示した光トランシーバの詳細を示す斜視図である。図３は、図２の視点をｚ方向にずらした分解斜視図である。
【００３４】
図１〜図３に示すように、第１の実施の形態に係る電気モジュールとしての光トランシーバ１は、図１２〜図１４で説明した光トランシーバ１２１と同様のプラガブルタイプの光トランシーバであるが、これに限定されるものではなく、ホストボードに固定して実装される（非プラガブルタイプ）光トランシーバにも以下同様に実施することができる。
【００３５】
光トランシーバ１は、トランシーバ本体２と、トランシーバ本体２が収納（収容）される筐体としてのトランシーバ筐体（ベース）３と、トランシーバ筐体３に固定され、トランシーバ本体２の全体を覆う（トランシーバ筐体３の略全体を嵌め込んで覆う）電気モジュール用カバーとしての光トランシーバ用カバー４とで構成される。トランシーバ筐体３と、カバー４とで光トランシーバ用ケース（光トランシーバ１の筐体構造）が構成される。
【００３６】
トランシーバ本体２は、回路基板５の一端に、光信号を送信する光送信モジュールとしてのＬＤ（半導体レーザ）モジュール６ａと、光信号を受信する光受信モジュールとしてのＰＤ（フォトダイオード）モジュール６ｂとを、それぞれ半田付け接続して固定したものである。このとき、ＬＤモジュール６ａとＰＤモジュール６ｂとの最下面（モジュール径が最大となる部分の下面）の高さを一致させる。これらＬＤモジュール６ａと、ＰＤモジュール６ｂとで、電子部品（光部品）としての光送受信モジュール６が構成される。
【００３７】
回路基板５の他端部には、図示しない外部機器に備えられたホストボードのカードエッジコネクタと嵌合するカードエッジ部７が形成される。外部機器としては、スイッチングハブやメディアコンバータなどの通信機器が挙げられる。詳細は図示していないが、カードエッジ部７には、回路基板５と外部機器とを電気的に接続するための接続端子が形成される。回路基板５の他端側の両側面には、トランシーバ筐体３に回路基板５を２本のネジ８でネジ止めして固定するための位置決め兼用の凹溝９がそれぞれ形成される。
【００３８】
回路基板５には、配線パターンや端子が形成され、ＬＤモジュール６ａおよびＰＤモジュール６ｂが送受信する信号を制御する制御ＩＣ、ＬＤモジュール６ａに備えられたＬＤ素子を駆動するＬＤドライバなどの電子部品が搭載される。
【００３９】
トランシーバ筐体３は、例えば、ＺｎやＡｌなどの放熱が高い金属でダイカストによって一括形成される。ＺｎやＡｌなどの放熱性が高い金属を切削加工してトランシーバ筐体３を形成してもよい。
【００４０】
トランシーバ筐体３は、他端部の下方が開放形成されて側面視が略Γ字状に形成される。トランシーバ筐体３の一端部には、伝送路となる光ファイバを備えた光コネクタケーブル（図示せず）が挿抜可能に設けられるコネクタ挿抜口１０が、２本並列に形成される。コネクタ挿抜口１０の下部には、外部機器から光トランシーバ１を引き抜くためのアクチュエータ１６（図２および図３参照）が設けられている。
【００４１】
コネクタ挿抜口１０の他端側となるトランシーバ筐体３の内上面には、ＬＤモジュール６ａとＰＤモジュール６ｂとが嵌め込まれて保持される保持部１１が形成される。保持部１１は、トランシーバ筐体３と別部品でも良く、この別部品は樹脂、金属などで形成しても良い。
【００４２】
トランシーバ筐体３の他端部には、トランシーバ本体２を収納する略板状の収納部１２が形成される。収納部１２の他端側の内上面には、回路基板５を載置する脚部１３が形成され、その脚部１３に回路基板５の凹溝９を通してネジ８が螺合するネジ穴１４が形成される。
【００４３】
さて、カバー４は、ＳＵＳ、Ｚｎ、Ａｌなどの放熱が高い金属、あるいは樹脂で略筒状に形成される。カバー４の一端には、トランシーバ筐体３が嵌め込まれる筐体嵌め込み口１７が形成される。本実施の形態では、プレス加工性、強度を考慮してＳＵＳ材のカバー４を用いた。この金属製のカバー４は、プレス加工後に成形することで得られる。
【００４４】
カバー４の他端部は、下方が開放形成される。カバー４の両側壁４ｓには、カバー４の高さの略中央部において、一端から他端側へ延びる直線状のスリット（サイドスリット）１５がそれぞれ形成される（図１参照）。
【００４５】
より詳細には、トランシーバ筐体３にカバー４を固定した際、スリット１５は、トランシーバ筐体３のコネクタ挿抜口１０の他端側となるカバー４の一端（筐体嵌め込み口１７）から、トランシーバ本体２のカードエッジ部７側となるカバー４の他端側（筐体嵌め込み口１７の奥側となる反対側）へ延びるように形成される。
【００４６】
トランシーバ本体２を収納したトランシーバ筐体３にカバー４を固定したとき、カバー４の内上面はトランシーバ筐体３の上面（一端部を除く）と接触する部分であり、カバー４の内下面は光送受信モジュール６の最下面と接触する部分である。
【００４７】
カバー４の内面の高さＨｃは、光送受信モジュール６を嵌め込んだ部分のトランシーバ筐体３の高さＨｔと等しくしてもよいし、あるいはそれよりもわずかに低くしてもよい（Ｈｃ＜Ｈｔ）。
【００４８】
光トランシーバ１では、光送受信モジュール６を嵌め込んだ部分のトランシーバ筐体３の高さＨｔは、トランシーバ筐体３の上面から保持部１１に嵌め込んだ光送受信モジュール６の最下面までの高さＨｔである。より詳細には、高さＨｔと高さＨｃとの差ｄ１（＝（Ｈｔ−Ｈｃ））を０≦ｄ１≦０．５ｍｍとする。
【００４９】
スリット１５の形状を決定するには、以下の２つの条件を満たす必要がある。まず、１）カバー４の一端部の内側上下寸法が少なくともＨｔ−Ｈｃだけ変形可能にする。
【００５０】
さらに、２）光コネクタケーブルをコネクタ挿抜口１０に挿抜した時の力で光送受信モジュール６が動いてしまい、光コネクタケーブルと光送受信モジュール６との光結合・分離が妨げられてはいけない。そのため、スリット１５によって発生するカバー４の上下方向の弾性力は、光送受信モジュール６をしっかりと固定できるように強くなくてはならない。
【００５１】
より詳細には、スリット１５は、トランシーバ筐体３にカバー４を固定した際、カバー４に発生する上下方向の押し付け力Ｆｕ，Ｆｄが、０＜Ｆｕ，Ｆｄ≦４９０Ｎ（０＜Ｆｕ，Ｆｄ≦５０ｋｇｆ）となるように形成される。さらに好ましくは、光送受信モジュール６を充分固定するために、Ｆｕ，Ｆｄ≧１９．６Ｎ（２ｋｇｆ）であることが望ましい。
【００５２】
スリットとしては、図２、図３および図４（ａ）に示すように、トランシーバ筐体３にカバー４を固定した際、光送受信モジュール６及び光送受信モジュール６を実装した空間を避けて、言い換えれば、カバー４で光送受信モジュール６を覆う部分を避けて折れ線状に形成されるスリット２１を用いてもよい。
【００５３】
より詳細には、スリット２１の他端部は、トランシーバ筐体３の長手方向に沿って形成される。さらに、スリット２１の幅ｗは、収納部１２の厚さｔよりも狭くする（ｔ＞ｗ）。このスリット２１は、カバー４の高さの略中央部において、一端から他端側へ延びる直線部２１ａと、直線部２１ａの他端からカバー４の右斜め上方へ延びる段差部２１ｂと、段差部２１ｂの他端からカバー４の他端側へ延びるスリット２１の他端部としての直線部２１ｃとで構成される。
【００５４】
このようにスリット２１を形成することで、トランシーバ筐体３にカバー４を固定した際、光送受信モジュール６がスリット２１から見えなくなる（光トランシーバ１の外部に露出しなくなる。）つまり、トランシーバ筐体３の切れ目がスリット２１から見えなくなる。
【００５５】
このため、スリット２１から光トランシーバ１外に放出される電磁波の量を低減することができ、他の機器に悪影響を及ぼすことはない。図６に示すように、例えば、１０ＧＨｚの伝送信号の漏洩電磁波レベルを比較すると、スリット２１から光送受信モジュール６が見える（光送受信モジュール６の露出あり）場合は−９５ｄＢｍであるが、スリット２１から光送受信モジュール６が見えない（光送受信モジュール６の露出なし）場合は−１０５ｄＢｍと大幅に特性が向上するのがわかる。
【００５６】
ここで、本発明者は、上述した１）、２）の条件を満たすため、スリット２１のスリット幅ｗ、スリット長さＬについてより詳細に検討した。以下の説明は、スリット１５についても同様に当てはまる。
【００５７】
カバー４の材質はＳＵＳとした。スリット幅ｗは金属プレス加工能力を考慮して０．５ｍｍ、カバー４の厚さは０．２ｍｍとした。どちらも一般的で加工に無理が生じない寸法である。また、トランシーバ筐体３の加工精度（約１０μｍ）、カバー４の金属プレス加工精度（約１０μｍ）を考慮し、加工可能な寸法として、Ｈｔ−Ｈｃ＝１００μｍとした。
【００５８】
次に、Ｈｔ−Ｈｃ＝１００μｍとした時に、図７に示すように、カバー４に発生する上方向の押し付け力Ｆを有限要素法で計算した。ただし、カバー４の変形方向は図８に示すように下方向である。
【００５９】
このときのカバー４の変形後の形状を図８（ａ）に示す。また、カバー４を１００μｍ変形させるために必要な力（押し付け荷重（ｋｇ））とスリット長Ｌとの関係を図９に示す。図９中の○が計算値、直線が計算値群の指数近似曲線である。
【００６０】
カバー４は、図８（ｂ）の変形前において、スリット２１の下方部分を下方向に１００μｍ変形させると、図８（ａ）に示すように、変形後はスリット２１の下方部分において、カバー４の一端から他端側にかけて変形が徐々に大きくなる。
【００６１】
図９に示すように、スリット長Ｌが０のとき、つまりスリット２１がない場合は、カバー４を１００μｍ変形させるのに１０００ｋｇもの押し付け荷重が必要で、部品が破壊してしまう。
【００６２】
これに対し、スリット長Ｌが１２ｍｍ以上のとき、カバー４を１００μｍ変形させるのに必要な押し付け荷重は５０ｋｇ以下となり、上述した０＜Ｆｕ，Ｆｄ≦４９０Ｎを満足する。そして、スリット長Ｌが１９ｍｍのとき、カバー４を１００μｍ変形させるのに必要な押し付け荷重は１０ｋｇ程度であり、部品の破壊もなく、好ましい押し付け力となる。
【００６３】
つまり、スリット長Ｌが１９ｍｍで、押し付け力Ｆは９８Ｎ（１０ｋｇｆ）となり、光送受信モジュールを押し付けるには十分な力で、かつカバー４をトランシーバ筐体３（図１参照）に被せる（カバー４にトランシーバ筐体３を挿入する）時もきつくない力となる。  したがって、スリット長Ｌは１９ｍｍ程度が望ましい。また、カバー４の押し付け荷重２ｋｇ以上を確保するため、スリット長Ｌはカバー４の長手方向の長さの２５ｍｍ以下が好ましい。
【００６４】
なお、「１００μｍ」は、実装時に、カバー４が１００μｍ程度変形しなければ、カバー４にトランシーバ筐体３を実装することが困難なことから要求される変形量である。
【００６５】
次に、光トランシーバ１の組み立て（実装）手順を説明する。
【００６６】
まず、トランシーバ筐体３の保持部１１に、回路基板５に固定した光送受信モジュール６を嵌め込む。その一方で、トランシーバ筐体３の脚部１３に回路基板５を載置し、その回路基板５を、脚部１３のネジ穴１４に凹溝９を通してネジ８でネジ止めして固定すると、トランシーバ筐体３の収納部１２にトランシーバ本体２が収納される。
【００６７】
その後、図１および図４（ａ）に示すように、カバー４をトランシーバ筐体３の他端から−ｘ方向に被せ（カバー４にトランシーバ筐体３の他端を＋ｘ方向に挿入し）、トランシーバ筐体３にカバー４を固定すると、図４（ｂ）および図５に示した幅が狭くて細長い略直方体状の光トランシーバ１が得られる。
【００６８】
このとき、トランシーバ筐体３は、一端部（コネクタ挿抜口１０の外周）を除いて外周がカバー４で覆われるため、光送受信モジュール６がカバー４で覆われる。また、詳細は図示していないが、カバー４の他端部では、回路基板５のカードエッジ部７（図２および図３参照）の裏面が露出している。
【００６９】
光トランシーバ１は、外部機器のフロントパネルに、回路基板５のカードエッジ部７が＋ｘ方向に挿入されることで、回路基板５と外部機器内のホストボードとが電気的に接続され、さらに光送受信モジュール６の一端に、コネクタ挿抜口１０に＋ｘ方向（図１の矢印Ａ方向）に挿入した光コネクタケーブルが接続されることで、光送受信モジュール６と伝送路とがそれぞれ光結合されて使用される。
【００７０】
第１の実施の形態の作用を説明する。
【００７１】
光トランシーバ１は、金属製のカバー４の両側壁４ｓに、カバー４の一端から他端側へ延びるスリット１５を形成することで、カバー４がバネ性を有するようになり、カバー４が上下に変形しやすくなる。
【００７２】
このため、トランシーバ本体２を収納した後、カバー４をトランシーバ筐体３に被せるとき（カバー４にトランシーバ筐体３を挿入するとき）に、図１２の従来の光トランシーバ１２１よりも小さな力でよく、かつカバー４を被せやすく（トランシーバ筐体３を挿入しやすく）、組み立てが容易である。また、組み立ての際、光送受信モジュール６の損傷を防止できる。つまり、カバー４によれば、光トランシーバ１の組み立てが容易になる。
【００７３】
さらに、トランシーバ筐体３にカバー４を固定すると、カバー４に上下方向の押し付け力（弾性力）Ｆｕ，Ｆｄが発生するので、光送受信モジュール６の最下面がカバー４の内下面で上方に押し付けられ、トランシーバ筐体３とカバー４とで光送受信モジュール６をしっかりと固定でき、光送受信モジュール６の光軸ズレも防止できる。
【００７４】
特に、カバー４の内面の高さＨｃを、トランシーバ筐体３の上面から保持部１１に嵌め込んだ光送受信モジュール６の最下面までの高さＨｔよりも低くすれば、弾性力Ｆｕ，Ｆｄが増加するので、光送受信モジュール６をより確実に固定できる。この場合、Ｈｃ＜Ｈｔであれば、従来の光トランシーバ１２１に比べて厳しい精度が要求されないので、カバー４の作製も容易になる。
【００７５】
また、直線状のスリット１５の代わりに、トランシーバ筐体３にカバー４を固定した際、光送受信モジュール６を実装した空間を避けて折れ線状に形成されるスリット２１を用いれば、光送受信モジュール６がスリット２１から露出しないので、カバー４外への電磁波の漏れや、カバー４内への電磁波の流入を防止でき、ノイズを低減できる。
【００７６】
次に、第２の実施の形態を説明する。
【００７７】
図１０に示すように、光トランシーバ１０１は、トランシーバ筐体３の構成に加え、トランシーバ筐体３に嵌め込んだ光送受信モジュール６を押さえて固定するモジュール押え１０２を備え、図１のカバー４とは内面の高さが異なるカバー１０４を用いたものである。
【００７８】
モジュール押え１０２は、図１２〜図１４で説明したモジュール押え１２８と同様であり、その上面両端には、トランシーバ筐体３の保持部１１（図３参照）との嵌合部として、凹部（あるいは凸部）が形成される。モジュール押え１０２は、保持部１１と略同形状であり、例えば樹脂で形成される。
【００７９】
同様に、保持部１１の下面両端には、モジュール押え１０２との嵌合部として、凸部（あるいは凹部）が形成される。モジュール押え１０２は、トランシーバ筐体３にトランシーバ本体２を収納した後、トランシーバ筐体３の保持部１１に、互いの嵌合部を嵌め合わせて固定される。
【００８０】
ここで、モジュール押え１０２を使うメリットを説明する。従来ではトランシーバ筐体をダイカストで一括製作しているため、筐体構造に若干の設計変更を加えようとすると、ダイカストの金型製作費用が必要になった。
【００８１】
これに対し、モジュール押え１０２では、設計変更が見込まれる光送受信モジュール６の受け部分をブロック化したので、光送受信モジュール６の寸法変更はモジュール押え１０２の寸法変更で対応でき、トランシーバ筐体３の変更は必要なくなる。モジュール押え１０２はトランシーバ筐体３全体に比べて構造が簡単かつ小さいので、モジュール押え１０２を金属ダイカストで製作したとしても、金型の製作費用は安くできる。
【００８２】
また、モジュール押え１０２は電磁遮蔽の役割が必要ないので樹脂で成型できる。一般に樹脂の金型製作費用はダイカストの金型製作費用に比べて安いので、モジュール押え１０２の金型の製作費用はいっそう安くなる。よって、光送受信モジュール６の寸法変更による部品コストの節減の効果が生きてくる。
【００８３】
トランシーバ本体２を収納したトランシーバ筐体３にカバー１０４を固定したとき、カバー１０４の内上面はトランシーバ筐体３の上面（一端部を除く）と接触する部分であり、カバー１０４の内下面はモジュール押え１０２の下面と接触する部分である。
【００８４】
カバー１０４の両側壁１０４ｓには、図１のスリット１５と同様のスリット１０５がそれぞれ形成される。
【００８５】
カバー４の内面の高さＨｃ１０は、モジュール押え１０２を取り付けた部分のトランシーバ筐体３の高さＨｔ１０と等しくしてもよいし、あるいはそれよりもわずかに低くしてもよい（Ｈｃ１０＜Ｈｔ１０）。
【００８６】
光トランシーバ１０１では、モジュール押え１０２を取り付けた部分のトランシーバ筐体３の高さＨｔ１０は、トランシーバ筐体３の上面から保持部１１に固定したモジュール押え１０２の下面までの高さＨｔ１０である。より詳細には、高さＨｔ１０と高さＨｃ１０との差ｄ２（＝（Ｈｔ１０−Ｈｃ１０））を０≦ｄ２≦０．５ｍｍとする。
【００８７】
この光トランシーバ１０１では、トランシーバ本体２を収納した後、トランシーバ筐体３にカバー１０４を固定すると、モジュール押え１０２の下面がカバー１０４の内下面で上方に押し付けられる。
【００８８】
この光トランシーバ１０１によっても、図１の光トランシーバ１と同じ作用効果が得られる。また、直線状のスリット１０５の代わりに、トランシーバ筐体３にカバー１０４を固定した際、光送受信モジュール６を実装した空間を避けて折れ線状に形成される図２のスリット２１と同様のスリットを用いてもよい。
【００８９】
次に、第３の実施の形態を説明する。
【００９０】
図１１に示すように、光トランシーバ１１１は、図１のトランシーバ筐体３とは形状が異なるトランシーバ筐体１１３を用いたものである。トランシーバ筐体１１３は、他端部の上方が開放形成されて側面視が略Ｌ字状に形成される。
【００９１】
カバー４の内面の高さＨｃは、光送受信モジュール６を嵌め込んだ部分のトランシーバ筐体１１３の高さＨｔ１１と等しくしてもよいし、あるいはそれよりもわずかに低くしてもよい（Ｈｃ＜Ｈｔ１１）。
【００９２】
光トランシーバ１１１では、光送受信モジュール６を嵌め込んだ部分のトランシーバ筐体１１３の高さＨｔ１１は、トランシーバ筐体１１３の下面からトランシーバ筐体１１３に嵌め込んだ光送受信モジュール６の最上面までの高さＨｔ１１である。より詳細には、高さＨｔ１１と高さＨｃとの差ｄ１（＝（Ｈｔ１１−Ｈｃ））を０≦ｄ１≦０．５ｍｍとする。
【００９３】
この光トランシーバ１１１によっても、図１の光トランシーバ１と同じ作用効果が得られる。
【００９４】
また、光トランシーバ１１１の変形例として、図１０の光トランシーバ１０１と同様に、トランシーバ筐体１１３の構成に加え、トランシーバ筐体１１３に嵌め込んだ光送受信モジュール６を押さえて固定するモジュール押えを備えた光トランシーバでもよい。この場合、カバーの内面の高さは、トランシーバ筐体１１３の下面からモジュール押えの上面までの高さと等しくしてもよいし、あるいはそれよりもわずかに低くしてもよい。
【００９５】
上記実施の形態では、カバーの側壁にスリット１５，２１を形成した例で説明したが、カバーの上面及び／又は下面に同様のスリットを形成してもよい。
【００９６】
上記実施の形態では、電気モジュールとして光トランシーバ１を例に挙げて説明したが、電気モジュールとしては、光トランシーバ１に限定されるものではなく、回路基板を収容した筐体を嵌め込んで覆うカバーを有するものであればよい。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す光トランシーバの概略側面図である。
【図２】図１に示した光トランシーバの詳細を示す分解斜視図である。
【図３】図２の視点をｚ方向にずらした分解斜視図である。
【図４】図４（ａ）はトランシーバ筐体にカバーを固定する際の側面図、図４（ｂ）は図２に示した光トランシーバの側面図である。
【図５】図２に示した光トランシーバの斜視図である。
【図６】光送受信モジュールの露出有りの場合と露出なしの場合において、１０ＧＨｚ電磁波レベルを示した図である。
【図７】図２に示したカバーの斜視図である。
【図８】図８（ａ）は図２に示したカバーの変形後の形状を示す斜視図、図８（ｂ）はその変形前の形状を示す斜視図である。
【図９】カバーを１００μｍ変形させるために必要な力とスリット長Ｌとの関係を示す図である。
【図１０】第２の実施の形態を示す光トランシーバの概略側面図である。
【図１１】第３の実施の形態を示す光トランシーバの概略側面図である。
【図１２】背景技術の光トランシーバの概略側面図である。
【図１３】図１２に示した光トランシーバの詳細を示す分解斜視図である。
【図１４】図１３の視点をｚ方向にずらした分解斜視図である。
【符号の説明】
【００９８】
１  光トランシーバ（電気モジュール）
３  トランシーバ筐体（筐体）
４  カバー（電気モジュール用カバー）
６  光送受信モジュール
１５  スリット
１７  筐体嵌め込み口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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