(57)【要約】【課題】容易な設計変更で様々な温度依存性を有する回路に対応する。【解決手段】温度変化に関わらず一定の第１電流を発生する第１電流発生回路と、該回路と直列接続され、温度上昇で上昇し基準温度で第１電流と等しくなる第２電流を発生する第２電流発生回路と、第１、第２電流発生回路の直接接続点と接続され、温度が基準温度から一方側へ変化した場合、第１、第２電流の差に応じた第３電流を発生する第３電流発生回路と、温度上昇で上昇し第４電流を発生する第４電流発生回路と、該回路と直列接続され、温度変化に関わらず一定で基準温度では第４電流と等しい第５電流を発生する第５電流発生回路と、第４、第５電流発生回路の直列接続点と接続され、温度が基準温度から他方側へ変化した場合、第４、第５電流の差に応じた第６電流を発生する第６電流発生回路と、定電流を第３又は第６電流の量だけ変化させて出力する電流出力回路と、を備える。【選択図】    図１
2006074129.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度変化に関わらず一定の第１電流を発生する第１電流発生回路と、
前記第１電流発生回路と直列接続され、温度が高くなるほど大きくなるとともに予め定められた基準温度で前記第１電流と等しくなる第２電流を発生する第２電流発生回路と、
前記第１電流発生回路と前記第２電流発生回路の直接接続点と接続され、温度が前記基準温度に対して高い側または低い側の一方へ変化した場合、前記第１電流と前記第２電流との差に応じた第３電流を発生する第３電流発生回路と、
温度が高くなるほど大きくなる第４電流を発生する第４電流発生回路と、
前記第４電流発生回路と直列接続され、温度変化に関わらず一定であるとともに前記基準温度では前記第４電流と等しい第５電流を発生する第５電流発生回路と、
前記第４電流発生回路と前記第５電流発生回路の直列接続点と接続され、温度が前記基準温度に対して高い側または低い側の他方へ変化した場合、前記第４電流と前記第５電流との差に応じた第６電流を発生する第６電流発生回路と、
温度変化に応じて、定電流回路から出力される定電流を前記第３電流または前記第６電流の量だけ変化させて出力する電流出力回路と、
を備えたことを特徴とする温度特性補正回路。
【請求項２】
前記電流出力回路は、
前記温度が前記基準温度に対して高い側または低い側の何れか一方へ変化した場合、前記定電流に前記第３電流を加算し、前記温度が前記基準温度に対して高い側または低い側の他方へ変化した場合、前記定電流に前記第６電流を加算した電流を出力することを特徴とする請求項１に記載の温度特性補正回路。
【請求項３】
前記電流出力回路は、
前記温度が前記基準温度に対して高い側または低い側の何れか一方へ変化した場合、前記定電流から前記第３電流を加算し、前記温度が前記基準温度に対して高い側または低い側の他方へ変化した場合、前記定電流から前記第６電流を減算した電流を出力することを特徴とする請求項１に記載の温度特性補正回路。
【請求項４】
前記電流出力回路は、
前記温度が前記基準温度に対して高い側または低い側の何れか一方へ変化した場合、前記定電流に前記第３電流を加算し、前記温度が前記基準温度に対して高い側または低い側の他方へ変化した場合、前記定電流から前記第６電流を減算した電流を出力することを特徴とする請求項１に記載の温度特性補正回路。
【請求項５】
前記電流出力回路は、
前記温度が前記基準温度に対して高い側または低い側の何れか一方へ変化した場合、前記定電流から前記第３電流を減算し、前記温度が前記基準温度に対して高い側または低い側の他方へ変化した場合、前記定電流に前記第６電流を加算した電流を出力することを特徴とする請求項１に記載の温度特性補正回路。
【請求項６】
前記第１電流発生回路および前記第５電流発生回路は、
一方の入力端子に定電圧が印加され、他方の入力端子を前記定電圧と同電圧とすべく出力端子から帰還がかかる演算増幅器の出力電圧に基づいて、それぞれ前記第１電流および前記第５電流を発生することを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の温度特性補正回路。
【請求項７】
前記第２電流発生回路および前記第４電流発生回路は、前記定電圧が印加されて動作するとともに順方向電圧が負の温度特性を持って変化するトランジスタと、当該トランジスタの出力電流が流れる負荷抵抗とを、それぞれが有し、
前記第２電流および前記第４電流は、それぞれ前記第２電流発生回路および前記第４電流発生回路の前記トランジスタを流れる出力電流に従って定まることを特徴とする請求項６に記載の温度特性補正回路。
【請求項８】
前記第３電流発生回路は、前記第１電流と前記第２電流との差電流をｍ倍して前記第３電流を得る電流ミラー回路である、ことを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の温度特性補正回路。
【請求項９】
前記第６電流発生回路は、前記第４電流と前記第５電流との差電流をｎ倍して前記第６電流を得る電流ミラー回路である、ことを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の温度特性補正回路。
【請求項１０】
前記第１電流と前記第２電流が等しくなるとともに前記第４電流と前記第５電流が等しくなるときの前記基準温度は、可変であることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の温度特性補正回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、様々な回路において、温度に応じて回路特性を変化させる所謂温度依存性をキャンセルするための温度特性補正回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路素子（抵抗、コンデンサ、トランジスタ等）を適宜接続してなる様々な回路には、温度変化に伴って回路特性が変化するという温度依存性を有しているものがある。更に、温度依存性を有する回路には、正の温度特性を有するもの、負の温度特性を有するもの、正負の温度特性を有するものがある。この結果、上記の温度特性に起因して、回路内部を流れる電流が本来流れるべき電流よりも増加したり或いは減少したりしてしまい、本来の回路特性を得られなくなる可能性がある。そこで、従来では、個々の回路に対し、当該回路の温度依存性をキャンセルするための温度特性補正回路を個別に用意して対応していた。
【特許文献１】特開平１０−２６８９５４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、正の温度特性を有する回路の場合、正の温度特性が回路に影響を与える温度範囲は一定ではなく、回路によって様々な温度範囲となる。回路に与えられる正の温度係数も様々であり、回路によって、温度変化に対する電流変化の割合も異なることとなる。これは、負の温度特性や正負の温度特性を有する回路についても同様のことが言える。従って、温度依存性を有する回路に温度特性補正回路を用意する場合、回路構成を共通化することが困難であるため当該温度特性補正回路を個別に設計して用意せざるを得ず、汎用性に乏しい問題を有していた。
【０００４】
そこで、本発明は、容易な設計変更で様々な温度依存性を有する回路に対応できる、汎用性の高い温度特性補正回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するための主たる発明は、温度変化に関わらず一定の第１電流を発生する第１電流発生回路と、前記第１電流発生回路と直列接続され、温度が高くなるほど大きくなるとともに予め定められた基準温度で前記第１電流と等しくなる第２電流を発生する第２電流発生回路と、前記第１電流発生回路と前記第２電流発生回路の直接接続点と接続され、温度が前記基準温度に対して高い側または低い側の一方へ変化した場合、前記第１電流と前記第２電流との差に応じた第３電流を発生する第３電流発生回路と、温度が高くなるほど大きくなる第４電流を発生する第４電流発生回路と、前記第４電流発生回路と直列接続され、温度変化に関わらず一定であるとともに前記基準温度では前記第４電流と等しい第５電流を発生する第５電流発生回路と、前記第４電流発生回路と前記第５電流発生回路の直列接続点と接続され、温度が前記基準温度に対して高い側または低い側の他方へ変化した場合、前記第４電流と前記第５電流との差に応じた第６電流を発生する第６電流発生回路と、温度変化に応じて、定電流回路から出力される定電流を前記第３電流または前記第６電流の量だけ変化させて出力する電流出力回路と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、容易な設計変更で様々な温度依存性を有する回路に対応できる、汎用性の高い温度特性補正回路を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本明細書および添付図面の記載により、少なくとも以下の事項が明らかとなる。
【０００８】
＝＝＝第１実施形態＝＝＝
図１、図２、図３を参照しつつ、本発明の温度特性補正回路の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の温度特性補正回路の第１実施形態を示す回路図である。図２および図３は、図１における温度と電流との関係を示す特性図である。尚、第１実施形態はバイポーラ型のトランジスタ（以後トランジスタと称する）を用いるものであるが、これに限定されるものではない。
【０００９】
＜＜＜第１実施形態の構成＞＞＞
図１において、演算増幅器２の一方の入力端子（例えば＋（非反転入力）端子）には、安定化された定電圧ＶＲＥＧが印加される。この定電圧ＶＲＥＧを発生する回路としては、周知のバンドギャップ電圧発生回路を採用することができる。また、演算増幅器２の出力端子はトランジスタＱ１のベースと接続され、トランジスタＱ１のエミッタは演算増幅器２の他方の入力端子（例えば−（反転入力）端子）と接続される。更に、トランジスタＱ１のエミッタと接地との間には抵抗Ｒ１が接続されている。これにより、演算増幅器２は、抵抗Ｒ１の両端電圧がＶＲＥＧとなるように動作し、トランジスタＱ１はこのときの演算増幅器２の出力端子から得られる出力電流にバイアスされて動作することとなる。従って、演算増幅器２の出力端子から得られる出力電圧、出力電流は温度に依存しない特性を有することとなる。
【００１０】
第１電流発生回路４は、電源ＶＣＣと接続される電流ミラー回路であり、電流ＩＡ（第１電流）を発生するものである。詳しくは、第１電流発生回路４は、ダイオード接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ２と、電流ミラー接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ３と、抵抗Ｒ２、Ｒ３とからなる。トランジスタＱ２のエミッタは抵抗Ｒ２を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ２のコレクタは上記のトランジスタＱ１のコレクタと接続され、トランジスタＱ３のエミッタは抵抗Ｒ３を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ３のコレクタから電流ＩＡが出力される。つまり、第１電流発生回路４は演算増幅器２の出力で制御されるトランジスタＱ１のコレクタ電流が供給されて動作するため、電流ＩＡは温度変化に関わらず一定の電流となる。
【００１１】
第２電流発生回路６は、第１電流発生回路４の出力と接地ＶＳＳとの間に接続され、電流ＩＢ（第２電流）を発生するものである。詳しくは、第２電流発生回路６は、ＮＰＮ型のトランジスタＱ６と、負荷抵抗Ｒ６とからなる。トランジスタＱ６のベースには定電圧ＶＲＥＧが印加され、トランジスタＱ６のコレクタはトランジスタＱ３のコレクタと接続され、トランジスタＱ６のエミッタは負荷抵抗Ｒ６を介して接地される。そして、トランジスタＱ６のコレクタには電流ＩＢが流れる。ここで、トランジスタＱ６のベースには安定化された定電圧ＶＲＥＧが印加される。しかし、トランジスタＱ６は、ベースエミッタ間の順方向電圧が−２ｍＶ／℃で変化する負の温度特性を有している。従って、トランジスタＱ６のコレクタエミッタを流れる電流ＩＢは、温度が変化した場合、トランジスタＱ６のベースエミッタ間の順方向電圧にかかる負の温度特性のみによって変化することとなる。本願は、トランジスタＱ６の温度特性を利用することにより、増幅器、発振器等を構成する対象となる回路の温度依存性をキャンセルする電流を出力させるものである。
【００１２】
第３電流発生回路８は、電源ＶＣＣと第１電流発生回路４の出力との間に接続される電流ミラー回路である。詳しくは、第３電流発生回路８は、ダイオード接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ１０と、電流ミラー接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ１１とからなる。トランジスタＱ１０のエミッタは電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ１０のコレクタはダイオード接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ８を介してトランジスタＱ３のコレクタおよびトランジスタＱ６のコレクタと接続される。一方、トランジスタＱ１１のエミッタは電源ＶＣＣと接続されている。尚、トランジスタＱ１０、Ｑ１１の電流ミラー比が１：ｍとなるようなサイズのトランジスタＱ１０、Ｑ１１が選択されていることとする。これにより、電流ＩＢが電流ＩＡよりも大きくなった場合、トランジスタＱ１０のコレクタには電流ＩＢと電流ＩＡとの差電流ΔＩ１′が流れ、トランジスタＱ１１のコレクタには電流ΔＩ１（＝ｍΔＩ１′：第３電流）が流れることとなる。
【００１３】
第４電流発生回路１０は、電源ＶＣＣと接続される電流ミラー回路であり、電流ＩＣ（第４電流）を発生するものである。詳しくは、第４電流発生回路１０は、ダイオード接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ４と、電流ミラー接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ５と、抵抗Ｒ４、Ｒ５と、更には、ＮＰＮ型のトランジスタＱ７と、負荷抵抗Ｒ７とを備えている。トランジスタＱ４のエミッタは抵抗Ｒ４を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ４のコレクタはトランジスタＱ７のコレクタと接続され、トランジスタＱ５のエミッタは抵抗Ｒ５を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ５のコレクタから電流ＩＣが出力される。ここで、トランジスタＱ７のベースには安定化された定電圧がトランジスタＱ６のベースと共通に印加される。しかし、トランジスタＱ７は、ベースエミッタ間の順方向電圧が−２ｍＶ／℃で変化する負の温度特性を有している。従って、トランジスタＱ７のコレクタエミッタを流れる電流は、温度が変化した場合、トランジスタＱ７のベースエミッタ間の順方向電圧にかかる負の温度特性のみによって変化することとなる。本願は、トランジスタＱ６の温度特性に加えてトランジスタＱ７の温度特性を更に利用することにより、増幅器、発振器等を構成する対象となる回路の温度依存性をキャンセルする電流を出力させるものである。つまり、第４電流発生回路１０は、負の温度特性を有するトランジスタＱ７のコレクタ電流が供給されて動作するため、電流ＩＣはトランジスタＱ７と同様の負の温度特性を有することとなる。
【００１４】
第５電流発生回路１２は、第４電流発生回路１０の出力と接地ＶＳＳとの間に接続され、電流ＩＤ（第５電流）を発生するものである。詳しくは、第５電流発生回路１２は、ＮＰＮ型のトランジスタＱ１４と、負荷抵抗Ｒ８とからなる。トランジスタＱ１４のベースには演算増幅器２の出力電圧が印加され、トランジスタＱ１４のコレクタはトランジスタＱ５のコレクタと接続され、トランジスタＱ１４のエミッタは負荷抵抗Ｒ８を介して接地される。そして、トランジスタＱ１４のコレクタには電流ＩＤが流れる。つまり、第５電流発生回路１２は演算増幅器２の出力電圧で制御されて動作するため、電流ＩＤは温度変化に関わらず一定の電流となる。
【００１５】
第６電流発生回路１４は、電源ＶＣＣと第４電流発生回路１０の出力との間に接続される電流ミラー回路である。詳しくは、第６電流発生回路１４は、ダイオード接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ１２と、電流ミラー接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ１３とからなる。トランジスタＱ１２のエミッタは電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ１２のコレクタはダイオード接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ９を介してトランジスタＱ５のコレクタおよびトランジスタＱ１４のコレクタと接続される。一方、トランジスタＱ１３のエミッタは電源ＶＣＣと接続されている。尚、トランジスタＱ１２、Ｑ１３の電流ミラー比が１：ｎとなるようなサイズのトランジスタＱ１２、Ｑ１３が選択されていることとする。これにより、電流ＩＣが電流ＩＤよりも小さくなった場合、トランジスタＱ１２のコレクタには電流ＩＣと電流ＩＤとの差電流ΔＩ２′が流れ、トランジスタＱ１３のコレクタには電流ΔＩ２（＝ｎΔＩ２′：第６電流）が流れることとなる。
【００１６】
電流出力回路１６は、定電流源１８から出力される定電流Ｉｉｎに対して電流ΔＩ１およびΔＩ２を加算して出力電流Ｉｏｕｔとするものである。この出力電流Ｉｏｕｔを使用することにより、増幅器、発振器等の対象となる回路の温度依存性をキャンセルする。
【００１７】
尚、予め定められた基準温度において、電流ＩＡ＝電流ＩＢ、電流ＩＣ＝電流ＩＤであることとする。
【００１８】
＜＜＜第１実施形態の特性＞＞＞
以下、図２および図３の特性図を用いて、本発明の第１実施形態の特性について説明する。尚、本実施形態では、温度Ｔａ＝２５℃において、電流ＩＡ＝電流ＩＢ、電流ＩＣ＝電流ＩＤであることとして先ずは説明する。
【００１９】
第１電流発生回路４が発生する電流ＩＡは温度変化に関わらず一定であるが、第２電流発生回路６が発生する電流ＩＢは、トランジスタＱ６のベースエミッタ間の負の温度特性によって変化する。ここで、トランジスタＱ６のベースエミッタ間の負の温度係数は、−２ｍＶ／℃となる。温度が２５℃より高くなったときの当該２５℃との差温度をΔＴとすると、
ΔＩ１′＝ＩＢ−ＩＡ＝（２ｍＶ／Ｒ６）ΔＴ
ΔＩ１＝ｍ（２ｍＶ／Ｒ６）ΔＴ  となる。  
一方、第５電流発生回路１２が発生する電流ＩＤは温度変化に関わらず一定であるが、第４電流発生回路１０が発生する電流ＩＣは、トランジスタＱ７のベースエミッタ間の負の温度特性によって変化する。ここで、トランジスタＱ７のベースエミッタ間の負の温度係数は、−２ｍＶ／℃となる。温度が２５℃より低くなったときの当該２５℃との差温度をΔＴとすると、
ΔＩ２′＝ＩＤ−ＩＣ＝（２ｍＶ／Ｒ７）ΔＴ
ΔＩ２＝ｎ（２ｍＶ／Ｒ７）ΔＴ  となる。  
従って、
Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ＋ΔＩ１＋ΔＩ２
であるが、詳しくは、
Ｔａ＞２５℃のとき、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ＋ｍ（２ｍＶ／Ｒ６）ΔＴ
Ｔａ＝２５℃のとき、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ
Ｔａ＜２５℃のとき、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ＋ｎ（２ｍＶ／Ｒ７）ΔＴ  ・・・式１
となる。
【００２０】
上記の式１の特性を示したのが図２である。温度Ｔａ＝２５℃（基準温度）の場合、電流ＩＡ＝電流ＩＢ、電流ＩＣ＝電流ＩＤの関係を保つことから、ΔＩ１およびΔＩ２は発生しない。従って、温度Ｔａ＝２５℃のときの出力電流Ｉｏｕｔは最も小さい値のＩｉｎとなる。
【００２１】
温度Ｔａ＞２５℃となった場合、ΔＩ１が差温度ΔＴに応じて発生する。尚、このとき、電流ＩＣ＞電流ＩＤとなるが、ダイオード接続されたトランジスタＱ９が電流ＩＣの逆流防止を行うため、ΔＩ２が流れることはない。従って、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ＋ΔＩ１となり、温度が高くなるにつれて、出力電流Ｉｏｕｔは一次直線を描いて上昇することとなる。つまり、温度Ｔａ＞２５℃の場合、温度Ｔａの上昇変化に伴って、出力電流Ｉｏｕｔが正の傾きを持って一次直線で変化する温度特性補正回路を提供することができる。尚、図２には、温度Ｔａ＞２５℃の温度補正特性として、ａ１、ｂ１、ｃ１の直線が一例として示されている。これらのａ１、ｂ１、ｃ１の直線の傾きは、第３電流発生回路８を構成するトランジスタＱ１０、Ｑ１１の電流ミラー比１：ｍを変更することによって得られるものである。詳しくは、トランジスタＱ１０に対するトランジスタＱ１１のサイズ比ｍを大きくするにつれて、ａ１の傾きからｃ１の傾きに向かって傾きが変化することとなる。つまり、温度Ｔａ＞２５℃において、温度が高くなるにつれて上昇する出力電流Ｉｏｕｔの傾きを変更できる温度特性補正回路を提供可能となる。
【００２２】
一方、温度Ｔａ＜２５℃となった場合、ΔＩ２が差温度ΔＴに応じて発生する。尚、このとき、電流ＩＡ＞電流ＩＢとなるが、ダイオード接続されたトランジスタＱ８が電流ＩＡの逆流防止を行うため、ΔＩ１が流れることはない。従って、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ＋ΔＩ２となり、温度が低くなるにつれて、出力電流Ｉｏｕｔは一次直線を描いて上昇することとなる。つまり、温度Ｔａ＜２５℃の場合、温度Ｔａの下降変化に伴って、出力電流Ｉｏｕｔが正の傾きを持って一次直線で変化する温度特性補正回路を提供することができる。尚、図２には、温度Ｔａ＜２５℃の温度補正特性として、ａ２、ｂ２、ｃ２の直線が一例として示されている。これらのａ２、ｂ２、ｃ２の直線の傾きは、第６電流発生回路１４を構成するトランジスタＱ１２、Ｑ１３の電流ミラー比１：ｎを変更することによって得られるものである。詳しくは、トランジスタＱ１２に対するトランジスタＱ１３のサイズ比ｎを大きくするにつれて、ａ２の傾きからｃ２の傾きに向かって傾きが変化することとなる。つまり、温度Ｔａ＜２５℃において、温度が低くなるにつれて上昇する出力電流Ｉｏｕｔの傾きを変更できる温度特性補正回路を提供可能となる。
【００２３】
以上をまとめると、基準温度２５℃で出力電流Ｉｏｕｔが最小値となり、温度Ｔａが基準温度２５℃よりも高くなるにつれて出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで上昇し、且つ、温度Ｔａが基準温度２５℃よりも低くなるにつれて出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで上昇する補正特性を得ることが可能となる。
【００２４】
更に、出力電流Ｉｏｕｔが最小となる基準温度を２５℃よりも高くしたり、或いは低くしたりすることも可能である。この場合、２５℃における電流ＩＡと電流ＩＢは等しくなくなり、同時に電流ＩＣと電流ＩＤも等しくなくなるように設定する。この様子を示したのが図３である。図３に示されるとおり、２５℃における出力電流Ｉｏｕｔが変更されるため、出力電流Ｉｏｕｔが最小となる基準温度は、高い温度側（特性Ａから特性Ｂ）または低い温度側（特性Ａから特性Ｃ）へシフトすることとなる。尚、温度２５℃における電流ＩＡと電流ＩＢを等しくなくするには、例えば、抵抗Ｒ１の抵抗値または抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３の抵抗値の比を適宜変更すればよい。同様に、温度２５℃における電流ＩＣと電流ＩＤを等しくなくするには、例えば、負荷抵抗Ｒ８の抵抗値または抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５の抵抗値の比を適宜変更すればよい。
【００２５】
また、温度Ｔａが基準温度より高くなったときに、出力電流Ｉｏｕｔを図２に示すａ１、ｂ１、ｃ１の直線のように上昇させずにＩｉｎのまま一定とすることも可能である。そのためには、ΔＩ１′が流れる信号ラインを遮断すればよい。具体的には、当該信号ラインを単純に切断してもよい。或いは、温度Ｔａが基準温度より高くなったときに出力電流ＩｏｕｔをＩｉｎのまま一定とする要求に応じて制御信号が発生する構成を設け、更に、当該制御信号によって、ダイオード接続されたトランジスタＱ８を遮断する構成を設けてもよい。これにより、温度Ｔａが基準温度より高くなると出力電流ＩｏｕｔがＩｉｎのまま一定となる温度特性補正回路を提供することができる。一方、温度Ｔａが基準温度より低くなったときに、出力電流Ｉｏｕｔを図２に示すａ２、ｂ２、ｃ２の直線のように上昇させずにＩｉｎのまま一定とすることも可能である。そのためには、ΔＩ２′が流れる信号ラインを遮断すればよい。具体的には、当該信号ラインを単純に切断してもよい。或いは、温度Ｔａが基準温度より低くなったときに出力電流ＩｏｕｔをＩｉｎのまま一定とする要求に応じて制御信号が発生する構成を設け、更に、当該制御信号によって、ダイオード接続されたトランジスタＱ９を遮断する構成を設けてもよい。これにより、温度Ｔａが基準温度より低くなると出力電流ＩｏｕｔがＩｉｎのまま一定となる温度特性補正回路を提供することができる。
【００２６】
図１の温度特性補正回路によれば、基準温度を境に、温度Ｔａが基準温度より高くなっても低くなっても出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで上昇する特性を得ることができる。しかも、基準温度を変更することもできる。これらの特性を回路の小規模な変更で実現することができるため、汎用性があり、集積化することにも適している。そして、回路２０の特性に応じて、トランジスタＱ１０、Ｑ１１の電流ミラー比の設定、トランジスタＱ１２、Ｑ１３の電流ミラー比の設定、前記所定温度に応じた電流ＩＡ＝電流ＩＢおよび電流ＩＣ＝電流ＩＤとなる基準温度の設定、トランジスタＱ８、Ｑ９の何れか一方の遮断等を適宜行うことにより、前記回路２０の温度特性を効果的にキャンセルできることとなる。
【００２７】
＝＝＝第２実施形態＝＝＝
図４、図５、図６を参照しつつ、本発明の温度特性補正回路の第２実施形態について説明する。図４は、本発明の温度特性補正回路の第２実施形態を示す回路図である。図５および図６は、図４における温度と電流との関係を示す特性図である。尚、第２実施形態はバイポーラ型のトランジスタ（以後トランジスタと称する）を用いるものであるが、これに限定されるものではない。また、図４において図１と同一の構成については同一番号を記すこととする。
【００２８】
＜＜＜第２実施形態の構成＞＞＞
図４において、演算増幅器２の一方の入力端子（例えば＋（非反転入力）端子）には、安定化された定電圧ＶＲＥＧが印加される。この定電圧ＶＲＥＧを発生する回路としては、周知のバンドギャップ電圧発生回路を採用することができる。また、演算増幅器２の出力端子はトランジスタＱ１のベースと接続され、トランジスタＱ１のエミッタは演算増幅器２の他方の入力端子（例えば−（反転入力）端子）と接続される。更に、トランジスタＱ１のエミッタと接地との間には抵抗Ｒ１が接続されている。これにより、演算増幅器２は、抵抗Ｒ１の両端電圧がＶＲＥＧとなるように動作し、トランジスタＱ１はこのときの演算増幅器２の出力端子から得られる出力電流にバイアスされて動作することとなる。従って、演算増幅器２の出力端子から得られる出力電圧、出力電流は温度に依存しない特性を有することとなる。
【００２９】
第１電流発生回路４は、電源ＶＣＣと接続される電流ミラー回路であり、電流ＩＡ（第１電流）を発生するものである。詳しくは、第１電流発生回路４は、ダイオード接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ２と、電流ミラー接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ３と、抵抗Ｒ２、Ｒ３とからなる。トランジスタＱ２のエミッタは抵抗Ｒ２を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ２のコレクタは上記のトランジスタＱ１のコレクタと接続され、トランジスタＱ３のエミッタは抵抗Ｒ３を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ３のコレクタから電流ＩＡが出力される。つまり、第１電流発生回路４は演算増幅器２の出力で制御されるトランジスタＱ１のコレクタ電流が供給されて動作するため、電流ＩＡは温度変化に関わらず一定の電流となる。
【００３０】
第２電流発生回路６は、第１電流発生回路４の出力と接地ＶＳＳとの間に接続され、電流ＩＢ（第２電流）を発生するものである。詳しくは、第２電流発生回路６は、ＮＰＮ型のトランジスタＱ６と、負荷抵抗Ｒ６とからなる。トランジスタＱ６のベースには定電圧ＶＲＥＧが印加され、トランジスタＱ６のコレクタはトランジスタＱ３のコレクタと接続され、トランジスタＱ６のエミッタは負荷抵抗Ｒ６を介して接地される。そして、トランジスタＱ６のコレクタには電流ＩＢが流れる。ここで、トランジスタＱ６のベースには安定化された定電圧ＶＲＥＧが印加される。しかし、トランジスタＱ６は、ベースエミッタ間の順方向電圧が−２ｍＶ／℃で変化する負の温度特性を有している。従って、トランジスタＱ６のコレクタエミッタを流れる電流ＩＢは、温度が変化した場合、トランジスタＱ６のベースエミッタ間の順方向電圧にかかる負の温度特性のみによって変化することとなる。本願は、トランジスタＱ６の温度特性を利用することにより、増幅器、発振器等を構成する対象となる回路の温度依存性をキャンセルする電流を出力させるものである。
【００３１】
第３電流発生回路１０８は、第１電流発生回路４の出力と接地との間に接続される電流ミラー回路である。詳しくは、第３電流発生回路１０８は、ダイオード接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ１０と、電流ミラー接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ１１とからなる。トランジスタＱ１０のエミッタは接地され、トランジスタＱ１０のコレクタはダイオード接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ８を介してトランジスタＱ３のコレクタおよびトランジスタＱ６のコレクタと接続される。一方、トランジスタＱ１１のエミッタは接地されている。尚、トランジスタＱ１０、Ｑ１１の電流ミラー比が１：ｍとなるようなサイズのトランジスタＱ１０、Ｑ１１が選択されていることとする。これにより、電流ＩＢが電流ＩＡよりも小さくなった場合、トランジスタＱ１０のコレクタには電流ＩＢと電流ＩＡとの差電流ΔＩ１′が流れ、トランジスタＱ１１のコレクタには電流ΔＩ１（＝ｍΔＩ１′：第３電流）が流れることとなる。
【００３２】
第４電流発生回路１０は、電源ＶＣＣと接続される電流ミラー回路であり、電流ＩＣ（第４電流）を発生するものである。詳しくは、第４電流発生回路１０は、ダイオード接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ４と、電流ミラー接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ５と、抵抗Ｒ４、Ｒ５と、更には、ＮＰＮ型のトランジスタＱ７と、負荷抵抗Ｒ７とを備えている。トランジスタＱ４のエミッタは抵抗Ｒ４を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ４のコレクタはトランジスタＱ７のコレクタと接続され、トランジスタＱ５のエミッタは抵抗Ｒ５を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ５のコレクタから電流ＩＣが出力される。ここで、トランジスタＱ７のベースには安定化された定電圧がトランジスタＱ６のベースと共通に印加される。しかし、トランジスタＱ７は、ベースエミッタ間の順方向電圧が−２ｍＶ／℃で変化する負の温度特性を有している。従って、トランジスタＱ７のコレクタエミッタを流れる電流は、温度が変化した場合、トランジスタＱ７のベースエミッタ間の順方向電圧にかかる負の温度特性のみによって変化することとなる。本願は、トランジスタＱ６の温度特性に加えてトランジスタＱ７の温度特性を更に利用することにより、増幅器、発振器等を構成する対象となる回路の温度依存性をキャンセルする電流を出力させるものである。つまり、第４電流発生回路１０は、負の温度特性を有するトランジスタＱ７のコレクタ電流が供給されて動作するため、電流ＩＣはトランジスタＱ７と同様の負の温度特性を有することとなる。
【００３３】
第５電流発生回路１２は、第４電流発生回路１０の出力と接地ＶＳＳとの間に接続され、電流ＩＤ（第５電流）を発生するものである。詳しくは、第５電流発生回路１２は、ＮＰＮ型のトランジスタＱ１４と、負荷抵抗Ｒ８とからなる。トランジスタＱ１４のベースには演算増幅器２の出力電圧が印加され、トランジスタＱ１４のコレクタはトランジスタＱ５のコレクタと接続され、トランジスタＱ１４のエミッタは負荷抵抗Ｒ８を介して接地される。そして、トランジスタＱ１４のコレクタには電流ＩＤが流れる。つまり、第５電流発生回路１２は演算増幅器２の出力電圧で制御されて動作するため、電流ＩＤは温度変化に関わらず一定の電流となる。
【００３４】
第６電流発生回路１１４は、第４電流発生回路１０の出力と接地との間に接続される電流ミラー回路である。詳しくは、第６電流発生回路１１４は、ダイオード接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ１２と、電流ミラー接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ１３とからなる。トランジスタＱ１２のエミッタは接地され、トランジスタＱ１２のコレクタはダイオード接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ９を介してトランジスタＱ５のコレクタおよびトランジスタＱ１４のコレクタと接続される。一方、トランジスタＱ１３のエミッタは接地されている。尚、トランジスタＱ１２、Ｑ１３の電流ミラー比が１：ｎとなるようなサイズのトランジスタＱ１２、Ｑ１３が選択されていることとする。これにより、電流ＩＣが電流ＩＤよりも大きくなった場合、トランジスタＱ１２のコレクタには電流ＩＣと電流ＩＤとの差電流ΔＩ２′が流れ、トランジスタＱ１３のコレクタには電流ΔＩ２（＝ｎΔＩ２′：第６電流）が流れることとなる。
【００３５】
電流出力回路１６は、定電流源１８から出力される定電流Ｉｉｎから電流ΔＩ１およびΔＩ２を減算して出力電流Ｉｏｕｔとするものである。この出力電流Ｉｏｕｔを使用することにより、増幅器、発振器等の対象となる回路の温度依存性をキャンセルする。
【００３６】
尚、予め定められた基準温度において、電流ＩＡ＝電流ＩＢ、電流ＩＣ＝電流ＩＤであることとする。
【００３７】
＜＜＜第２実施形態の特性＞＞＞
以下、図５および図６の特性図を用いて、本発明の第２実施形態の特性について説明する。尚、本実施形態では、温度Ｔａ＝２５℃において、電流ＩＡ＝電流ＩＢ、電流ＩＣ＝電流ＩＤであることとして先ずは説明する。
【００３８】
第１電流発生回路４が発生する電流ＩＡは温度変化に関わらず一定であるが、第２電流発生回路６が発生する電流ＩＢは、トランジスタＱ６のベースエミッタ間の負の温度特性によって変化する。ここで、トランジスタＱ６のベースエミッタ間の負の温度係数は、−２ｍＶ／℃となる。温度が２５℃より低くなったときの当該２５℃との差温度をΔＴとすると、
ΔＩ１′＝ＩＡ−ＩＢ＝（２ｍＶ／Ｒ６）ΔＴ
ΔＩ１＝ｍ（２ｍＶ／Ｒ６）ΔＴ  となる。  
一方、第５電流発生回路１２が発生する電流ＩＤは温度変化に関わらず一定であるが、第４電流発生回路１０が発生する電流ＩＣは、トランジスタＱ７のベースエミッタ間の負の温度特性によって変化する。ここで、トランジスタＱ７のベースエミッタ間の負の温度係数は、−２ｍＶ／℃となる。温度が２５℃より高くなったときの当該２５℃との差温度をΔＴとすると、
ΔＩ２′＝ＩＣ−ＩＤ＝（２ｍＶ／Ｒ７）ΔＴ
ΔＩ２＝ｎ（２ｍＶ／Ｒ７）ΔＴ  となる。  
従って、
Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ−ΔＩ１−ΔＩ２
であるが、詳しくは、
Ｔａ＞２５℃のとき、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ−ｎ（２ｍＶ／Ｒ７）ΔＴ
Ｔａ＝２５℃のとき、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ
Ｔａ＜２５℃のとき、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ−ｍ（２ｍＶ／Ｒ６）ΔＴ  ・・・式２
となる。
【００３９】
上記の式２の特性を示したのが図５である。温度Ｔａ＝２５℃（基準温度）の場合、電流ＩＡ＝電流ＩＢ、電流ＩＣ＝電流ＩＤの関係を保つことから、ΔＩ１およびΔＩ２は発生しない。従って、温度Ｔａ＝２５℃のときの出力電流Ｉｏｕｔは最も大きい値のＩｉｎとなる。
【００４０】
温度Ｔａ＜２５℃となった場合、ΔＩ１が差温度ΔＴに応じて発生する。尚、このとき、電流ＩＣ＜電流ＩＤとなるが、ダイオード接続されたトランジスタＱ９がトランジスタＱ１４のコレクタへの逆流防止を行うため、ΔＩ２が流れることはない。従って、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ−ΔＩ１となり、温度が低くなるにつれて、出力電流Ｉｏｕｔは一次直線を描いて下降することとなる。つまり、温度Ｔａ＜２５℃の場合、温度Ｔａの下降変化に伴って、出力電流Ｉｏｕｔが負の傾きを持って一次直線で変化する温度特性補正回路を提供することができる。尚、図５には、温度Ｔａ＜２５℃の温度補正特性として、ａ３、ｂ３、ｃ３の直線が一例として示されている。これらのａ３、ｂ３、ｃ３の直線の傾きは、第３電流発生回路１０８を構成するトランジスタＱ１０、Ｑ１１の電流ミラー比１：ｍを変更することによって得られるものである。詳しくは、トランジスタＱ１０に対するトランジスタＱ１１のサイズ比ｍを大きくするにつれて、ａ３の傾きからｃ３の傾きに向かって傾きが変化することとなる。つまり、温度Ｔａ＜２５℃において、温度が低くなるにつれて下降する出力電流Ｉｏｕｔの傾きを変更できる温度特性補正回路を提供可能となる。
【００４１】
一方、温度Ｔａ＞２５℃となった場合、ΔＩ２が差温度ΔＴに応じて発生する。尚、このとき、電流ＩＡ＜電流ＩＢとなるが、ダイオード接続されたトランジスタＱ８がトランジスタＱ６のコレクタへの逆流防止を行うため、ΔＩ１が流れることはない。従って、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ−ΔＩ２となり、温度が高くなるにつれて、出力電流Ｉｏｕｔは一次直線を描いて下降することとなる。つまり、温度Ｔａ＞２５℃の場合、温度Ｔａの上昇変化に伴って、出力電流Ｉｏｕｔが負の傾きを持って一次直線で変化する温度特性補正回路を提供することができる。尚、図５には、温度Ｔａ＞２５℃の温度補正特性として、ａ４、ｂ４、ｃ４の直線が一例として示されている。これらのａ４、ｂ４、ｃ４の直線の傾きは、第６電流発生回路１１４を構成するトランジスタＱ１２、Ｑ１３の電流ミラー比１：ｎを変更することによって得られるものである。詳しくは、トランジスタＱ１２に対するトランジスタＱ１３のサイズ比ｎを大きくするにつれて、ａ４の傾きからｃ４の傾きに向かって傾きが変化することとなる。つまり、温度Ｔａ＞２５℃において、温度が高くなるにつれて下降する出力電流Ｉｏｕｔの傾きを変更できる温度特性補正回路を提供可能となる。
【００４２】
以上をまとめると、基準温度２５℃で出力電流Ｉｏｕｔが最大値となり、温度Ｔａが基準温度２５℃よりも高くなるにつれて出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで下降し、且つ、温度Ｔａが基準温度２５℃よりも低くなるにつれて出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで下降する補正特性を得ることが可能となる。
【００４３】
更に、出力電流Ｉｏｕｔが最大となる基準温度を２５℃よりも高くしたり、或いは低くしたりすることも可能である。この場合、２５℃における電流ＩＡと電流ＩＢは等しくなくなり、同時に電流ＩＣと電流ＩＤも等しくなくなるように設定する。この様子を示したのが図６である。図６に示されるとおり、２５℃における出力電流Ｉｏｕｔが変更されるため、出力電流Ｉｏｕｔが最大となる基準温度は、高い温度側（特性Ｄから特性Ｅ）または低い温度側（特性Ｄから特性Ｆ）へシフトすることとなる。尚、温度２５℃における電流ＩＡと電流ＩＢを等しくなくするには、例えば、抵抗Ｒ１の抵抗値または抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３の抵抗値の比を適宜変更すればよい。同様に、温度２５℃における電流ＩＣと電流ＩＤを等しくなくするには、例えば、負荷抵抗Ｒ８の抵抗値または抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５の抵抗値の比を適宜変更すればよい。
【００４４】
また、温度Ｔａが基準温度より低くなったときに、出力電流Ｉｏｕｔを図５に示すａ３、ｂ３、ｃ３の直線のように下降させずにＩｉｎのまま一定とすることも可能である。そのためには、ΔＩ１′が流れる信号ラインを遮断すればよい。具体的には、当該信号ラインを単純に切断してもよい。或いは、温度Ｔａが基準温度より低くなったときに出力電流ＩｏｕｔをＩｉｎのまま一定とする要求に応じて制御信号が発生する構成を設け、更に、当該制御信号によって、ダイオード接続されたトランジスタＱ８を遮断する構成を設けてもよい。これにより、温度Ｔａが基準温度より低くなると出力電流ＩｏｕｔがＩｉｎのまま一定となる温度特性補正回路を提供することができる。一方、温度Ｔａが基準温度より高くなったときに、出力電流Ｉｏｕｔを図５に示すａ４、ｂ４、ｃ４の直線のように下降させずにＩｉｎのまま一定とすることも可能である。そのためには、ΔＩ２′が流れる信号ラインを遮断すればよい。具体的には、当該信号ラインを単純に切断してもよい。或いは、温度Ｔａが基準温度より高くなったときに出力電流ＩｏｕｔをＩｉｎのまま一定とする要求に応じて制御信号が発生する構成を設け、更に、当該制御信号によって、ダイオード接続されたトランジスタＱ９を遮断する構成を設けてもよい。これにより、温度Ｔａが基準温度より高くなると出力電流ＩｏｕｔがＩｉｎのまま一定となる温度特性補正回路を提供することができる。
【００４５】
図４の温度特性補正回路によれば、基準温度を境に、温度Ｔａが基準温度より高くなっても低くなっても出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで下降する特性を得ることができる。しかも、基準温度を変更することもできる。これらの特性を回路の小規模な変更で実現することができるため、汎用性があり、集積化することにも適している。そして、回路１２０の特性に応じて、トランジスタＱ１０、Ｑ１１の電流ミラー比の設定、トランジスタＱ１２、Ｑ１３の電流ミラー比の設定、前記所定温度に応じた電流ＩＡ＝電流ＩＢおよび電流ＩＣ＝電流ＩＤとなる基準温度の設定、トランジスタＱ８、Ｑ９の何れか一方の遮断等を適宜行うことにより、前記回路１２０の温度特性を効果的にキャンセルできることとなる。
【００４６】
＝＝＝第３実施形態＝＝＝
図７および図８を参照しつつ、本発明の温度特性補正回路の第３実施形態について説明する。図７は、本発明の温度特性補正回路の第３実施形態を示す回路図である。図８は、図７における温度と電流との関係を示す特性図である。尚、第３実施形態はバイポーラ型のトランジスタ（以後トランジスタと称する）を用いるものであるが、これに限定されるものではない。
【００４７】
＜＜＜第３実施形態の構成＞＞＞
図７において、演算増幅器２０２の一方の入力端子（例えば＋（非反転入力）端子）には、安定化された定電圧ＶＲＥＧが印加される。この定電圧ＶＲＥＧを発生する回路としては、周知のバンドギャップ電圧発生回路を採用することができる。また、演算増幅器２０２の出力端子はトランジスタＱ１のベースと接続され、トランジスタＱ１のエミッタは演算増幅器２０２の他方の入力端子（例えば−（反転入力）端子）と接続される。更に、トランジスタＱ１のエミッタと接地との間には抵抗Ｒ１が接続されている。これにより、演算増幅器２０２は、抵抗Ｒ１の両端電圧がＶＲＥＧとなるように動作し、トランジスタＱ１はこのときの演算増幅器２０２の出力端子から得られる出力電流にバイアスされて動作することとなる。従って、演算増幅器２０２の出力端子から得られる出力電圧、出力電流は温度に依存しない特性を有することとなる。
【００４８】
第１電流発生回路２０４は、電源ＶＣＣと接続される電流ミラー回路であり、電流ＩＡ（第１電流）を発生するものである。詳しくは、第１電流発生回路２０４は、ダイオード接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ２と、電流ミラー接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ３と、抵抗Ｒ２、Ｒ３とからなる。トランジスタＱ２のエミッタは抵抗Ｒ２を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ２のコレクタは上記のトランジスタＱ１のコレクタと接続され、トランジスタＱ３のエミッタは抵抗Ｒ３を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ３のコレクタから電流ＩＡが出力される。つまり、第１電流発生回路２０４は演算増幅器２０２の出力で制御されるトランジスタＱ１のコレクタ電流が供給されて動作するため、電流ＩＡは温度変化に関わらず一定の電流となる。
【００４９】
第２電流発生回路２０６は、第１電流発生回路２０４の出力と接地ＶＳＳとの間に接続され、電流ＩＢ（第２電流）を発生するものである。詳しくは、第２電流発生回路２０６は、ＮＰＮ型のトランジスタＱ６と、負荷抵抗Ｒ６とからなる。トランジスタＱ６のベースには定電圧ＶＲＥＧが印加され、トランジスタＱ６のコレクタはトランジスタＱ３のコレクタと接続され、トランジスタＱ６のエミッタは負荷抵抗Ｒ６を介して接地される。そして、トランジスタＱ６のコレクタには電流ＩＢが流れる。ここで、トランジスタＱ６のベースには安定化された定電圧ＶＲＥＧが印加される。しかし、トランジスタＱ６は、ベースエミッタ間の順方向電圧が−２ｍＶ／℃で変化する負の温度特性を有している。従って、トランジスタＱ６のコレクタエミッタを流れる電流ＩＢは、温度が変化した場合、トランジスタＱ６のベースエミッタ間の順方向電圧にかかる負の温度特性のみによって変化することとなる。本願は、トランジスタＱ６の温度特性を利用することにより、増幅器、発振器等を構成する対象となる回路の温度依存性をキャンセルする電流を出力させるものである。
【００５０】
第３電流発生回路２０８は、電源ＶＣＣと第１電流発生回路２０４の出力との間に接続される電流ミラー回路である。詳しくは、第３電流発生回路２０８は、ダイオード接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ１０、電流ミラー接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ１１、抵抗Ｒ１０、Ｒ１１とからなる。トランジスタＱ１０のエミッタは抵抗Ｒ１０を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ１０のコレクタはダイオード接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ８を介してトランジスタＱ３のコレクタおよびトランジスタＱ６のコレクタと接続される。一方、トランジスタＱ１１のエミッタは抵抗Ｒ１１を介して電源ＶＣＣと接続されている。尚、トランジスタＱ１０、Ｑ１１の電流ミラー比が１：ｍとなるようなサイズのトランジスタＱ１０、Ｑ１１が選択されていることとする。これにより、電流ＩＢが電流ＩＡよりも大きくなった場合、トランジスタＱ１０のコレクタには電流ＩＢと電流ＩＡとの差電流ΔＩ１′が流れ、トランジスタＱ１１のコレクタには電流ΔＩ１（＝ｍΔＩ１′：第３電流）が流れることとなる。
【００５１】
第４電流発生回路２１０は、後述する第５電流発生回路２１２の出力と接地との間に接続され、電流ＩＤ（第４電流）を発生するものである。詳しくは、第４電流発生回路２１０は、ＮＰＮ型のトランジスタＱ７と、負荷抵抗Ｒ７とからなる。トランジスタＱ７のエミッタは負荷抵抗Ｒ７を介して接地されている。ここで、トランジスタＱ７のベースには安定化された定電圧がトランジスタＱ６のベースと共通に印加される。しかし、トランジスタＱ７は、ベースエミッタ間の順方向電圧が−２ｍＶ／℃で変化する負の温度特性を有している。従って、トランジスタＱ７のコレクタエミッタを流れる電流は、温度が変化した場合、トランジスタＱ７のベースエミッタ間の順方向電圧にかかる負の温度特性のみによって変化することとなる。本願は、トランジスタＱ６の温度特性に加えてトランジスタＱ７の温度特性を更に利用することにより、増幅器、発振器等を構成する対象となる回路の温度依存性をキャンセルする電流を出力させるものである。つまり、第４電流発生回路２１０は、負の温度特性を有するトランジスタＱ７のコレクタ電流が供給されて動作するため、電流ＩＤはトランジスタＱ７と同様の負の温度特性を有することとなる。
【００５２】
第５電流発生回路２１２は、電源ＶＣＣと第４電流発生回路２１０との間に接続される電流ミラー回路を有し、電流ＩＣ（第５電流）を発生するものである。詳しくは、第５電流発生回路２１２は、ダイオード接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ５と、電流ミラー接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ４と、抵抗Ｒ４、Ｒ５と、更には、ＮＰＮ型のトランジスタＱ１４と、負荷抵抗Ｒ８とを備えている。トランジスタＱ４のエミッタは抵抗Ｒ４を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ４のコレクタはトランジスタＱ７のコレクタと接続され、トランジスタＱ５のエミッタは抵抗Ｒ５を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ５のコレクタはトランジスタＱ１４のコレクタと接続される。トランジスタＱ１４のベースには演算増幅器２０２の出力電圧が印加され、トランジスタＱ１４のエミッタは負荷抵抗Ｒ８を介して接地される。つまり、第５電流発生回路２１２は演算増幅器２０２の出力電圧で制御されて動作するため、トランジスタＱ４のコレクタを流れる電流ＩＣは温度変化に関わらず一定の電流となる。
【００５３】
第６電流発生回路２１４は、第５電流発生回路２１２の出力と接地との間に接続される電流ミラー回路である。詳しくは、第６電流発生回路２１４は、ダイオード接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ１２と、電流ミラー接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ１３と、抵抗Ｒ１２、Ｒ１３とからなる。トランジスタＱ１２のエミッタは抵抗Ｒ１２を介して電接地され、トランジスタＱ１２のコレクタはダイオード接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ９を介してトランジスタＱ４のコレクタおよびトランジスタＱ７のコレクタと接続される。一方、トランジスタＱ１３のエミッタは抵抗Ｒ１３を介して接地されている。尚、トランジスタＱ１２、Ｑ１３の電流ミラー比が１：ｎとなるようなサイズのトランジスタＱ１２、Ｑ１３が選択されていることとする。これにより、電流ＩＣが電流ＩＤよりも大きくなった場合、トランジスタＱ１２のコレクタには電流ＩＣと電流ＩＤとの差電流ΔＩ２′が流れ、トランジスタＱ１３のコレクタには電流ΔＩ２（＝ｎΔＩ２′：第６電流）が流れることとなる。
【００５４】
電流出力回路２１６は、定電流源２１８から出力される定電流Ｉｉｎに対して、電流ΔＩ１を加算するか或いは電流ΔＩ２を減算した出力電流Ｉｏｕｔを出力するものである。この出力電流Ｉｏｕｔを使用することにより、増幅器、発振器等の対象となる回路の温度依存性をキャンセルする。
【００５５】
尚、予め定められた基準温度において、電流ＩＡ＝電流ＩＢ、電流ＩＣ＝電流ＩＤであることとする。
【００５６】
＜＜＜第３実施形態の特性＞＞＞
以下、図８の特性図を用いて、本発明の第３実施形態の特性について説明する。尚、本実施形態では、温度Ｔａ＝２５℃において、電流ＩＡ＝電流ＩＢ、電流ＩＣ＝電流ＩＤであることとして先ずは説明する。
【００５７】
第１電流発生回路２０４が発生する電流ＩＡは温度変化に関わらず一定であるが、第２電流発生回路２０６が発生する電流ＩＢは、トランジスタＱ６のベースエミッタ間の負の温度特性によって変化する。ここで、トランジスタＱ６のベースエミッタ間の負の温度係数は、−２ｍＶ／℃となる。温度が２５℃より高くなったときの当該２５℃との差温度をΔＴとすると、
ΔＩ１′＝ＩＢ−ＩＡ＝（２ｍＶ／Ｒ６）ΔＴ
ΔＩ１＝ｍ（２ｍＶ／Ｒ６）ΔＴ  となる。  
一方、第５電流発生回路２１２が発生する電流ＩＣは温度変化に関わらず一定であるが、第４電流発生回路２１０が発生する電流ＩＤは、トランジスタＱ７のベースエミッタ間の負の温度特性によって変化する。ここで、トランジスタＱ７のベースエミッタ間の負の温度係数は、−２ｍＶ／℃となる。温度が２５℃より低くなったときの当該２５℃との差温度をΔＴとすると、
ΔＩ２′＝ＩＣ−ＩＤ＝（２ｍＶ／Ｒ７）ΔＴ
ΔＩ２＝ｎ（２ｍＶ／Ｒ７）ΔＴ  となる。  
従って、
Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ＋ΔＩ１−ΔＩ２
であるが、詳しくは、
Ｔａ＞２５℃のとき、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ＋ｍ（２ｍＶ／Ｒ６）ΔＴ
Ｔａ＝２５℃のとき、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ
Ｔａ＜２５℃のとき、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ−ｎ（２ｍＶ／Ｒ７）ΔＴ  ・・・式３
となる。
【００５８】
上記の式３の特性を示したのが図８である。温度Ｔａ＝２５℃（基準温度）の場合、電流ＩＡ＝電流ＩＢ、電流ＩＣ＝電流ＩＤの関係を保つことから、ΔＩ１およびΔＩ２は発生しない。従って、温度Ｔａ＝２５℃のときの出力電流Ｉｏｕｔは定電流Ｉｉｎそのものとなる。
【００５９】
温度Ｔａ＞２５℃となった場合、ΔＩ１が差温度ΔＴに応じて発生する。尚、このとき、電流ＩＣ＜電流ＩＤとなるが、ダイオード接続されたトランジスタＱ９がトランジスタＱ７のコレクタへの電流供給を防止しているため、ΔＩ２が流れることはない。従って、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ＋ΔＩ１となり、温度が高くなるにつれて、出力電流Ｉｏｕｔは一次直線を描いて上昇することとなる。つまり、温度Ｔａ＞２５℃の場合、温度Ｔａの上昇変化に伴って、出力電流Ｉｏｕｔが正の傾きを持って一次直線で変化する温度特性補正回路を提供することができる。尚、図８には、温度Ｔａ＞２５℃の温度補正特性として、ａ５、ｂ５、ｃ５の直線が一例として示されている。これらのａ５、ｂ５、ｃ５の直線の傾きは、第３電流発生回路２０８を構成するトランジスタＱ１０、Ｑ１１の電流ミラー比１：ｍを変更することによって得られるものである。詳しくは、トランジスタＱ１０に対するトランジスタＱ１１のサイズ比ｍを大きくするにつれて、ａ５の傾きからｃ５の傾きに向かって傾きが変化することとなる。つまり、温度Ｔａ＞２５℃において、温度が高くなるにつれて上昇する出力電流Ｉｏｕｔの傾きを変更できる温度特性補正回路を提供可能となる。
【００６０】
一方、温度Ｔａ＜２５℃となった場合、ΔＩ２が差温度ΔＴに応じて発生する。尚、このとき、電流ＩＡ＞電流ＩＢとなるが、ダイオード接続されたトランジスタＱ８が電流ＩＡの第３電流発生回路２０８への逆流防止を行うため、ΔＩ１が流れることはない。従って、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ−ΔＩ２となり、温度が低くなるにつれて、出力電流Ｉｏｕｔは一次直線を描いて下降することとなる。つまり、温度Ｔａ＜２５℃の場合、温度Ｔａの下降変化に伴って、出力電流Ｉｏｕｔが負の傾きを持って一次直線で変化する温度特性補正回路を提供することができる。尚、図８には、温度Ｔａ＜２５℃の温度補正特性として、ａ６、ｂ６、ｃ６の直線が一例として示されている。これらのａ６、ｂ６、ｃ６の直線の傾きは、第６電流発生回路２１４を構成するトランジスタＱ１２、Ｑ１３の電流ミラー比１：ｎを変更することによって得られるものである。詳しくは、トランジスタＱ１２に対するトランジスタＱ１３のサイズ比ｎを大きくするにつれて、ａ６の傾きからｃ６の傾きに向かって傾きが大きくなる方向に変化することとなる。つまり、温度Ｔａ＜２５℃において、温度が低くなるにつれて下降する出力電流Ｉｏｕｔの傾きを変更できる温度特性補正回路を提供可能となる。
【００６１】
以上をまとめると、基準温度２５℃で出力電流Ｉｏｕｔが定電流Ｉｉｎとなり、温度Ｔａが基準温度２５℃よりも高くなるにつれて出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで上昇し、且つ、温度Ｔａが基準温度２５℃よりも低くなるにつれて出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで下降する補正特性を得ることが可能となる。
【００６２】
更に、出力電流Ｉｏｕｔが定電流Ｉｉｎと等しくなる基準温度を２５℃よりも高くしたり、或いは低くしたりすることも可能である。この場合、２５℃における電流ＩＡと電流ＩＢは等しくなくなり、同時に電流ＩＣと電流ＩＤも等しくなくなるように設定する。この様子は図示してはいないが、２５℃における出力電流Ｉｏｕｔが変更されるため、出力電流Ｉｏｕｔが定電流Ｉｉｎとなる基準温度は、２５℃よりも高い温度側または２５℃よりも低い温度側へシフトすることとなる。尚、温度２５℃における電流ＩＡと電流ＩＢを等しくなくするには、例えば、抵抗Ｒ１の抵抗値または抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３の抵抗値の比を適宜変更すればよい。同様に、温度２５℃における電流ＩＣと電流ＩＤを等しくなくするには、例えば、負荷抵抗Ｒ８の抵抗値または抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５の抵抗値の比を適宜変更すればよい。
【００６３】
また、温度Ｔａが基準温度より高くなったときに、出力電流Ｉｏｕｔを図８に示すａ５、ｂ５、ｃ５の直線のように上昇させずにＩｉｎのまま一定とすることも可能である。そのためには、ΔＩ１′が流れる信号ラインを遮断すればよい。具体的には、当該信号ラインを単純に切断してもよい。或いは、温度Ｔａが基準温度より高くなったときに出力電流ＩｏｕｔをＩｉｎのまま一定とする要求に応じて制御信号が発生する構成を設け、更に、当該制御信号によって、ダイオード接続されたトランジスタＱ８を遮断する構成を設けてもよい。これにより、温度Ｔａが基準温度より高くなると出力電流ＩｏｕｔがＩｉｎのまま一定となる温度特性補正回路を提供することができる。一方、温度Ｔａが基準温度より低くなったときに、出力電流Ｉｏｕｔを図８に示すａ６、ｂ６、ｃ６の直線のように上昇させずにＩｉｎのまま一定とすることも可能である。そのためには、ΔＩ２′が流れる信号ラインを遮断すればよい。具体的には、当該信号ラインを単純に切断してもよい。或いは、温度Ｔａが基準温度より低くなったときに出力電流ＩｏｕｔをＩｉｎのまま一定とする要求に応じて制御信号が発生する構成を設け、更に、当該制御信号によって、ダイオード接続されたトランジスタＱ９を遮断する構成を設けてもよい。これにより、温度Ｔａが基準温度より低くなると出力電流ＩｏｕｔがＩｉｎのまま一定となる温度特性補正回路を提供することができる。
【００６４】
図７の温度特性補正回路によれば、基準温度を境に、温度Ｔａが基準温度より高くなったときには出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで上昇し、温度Ｔａが基準温度より低くなったときには出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで下降する特性を得ることができる。しかも、基準温度を変更することもできる。これらの特性を回路の小規模な変更で実現することができるため、汎用性があり、集積化することにも適している。そして、回路２２０の特性に応じて、トランジスタＱ１０、Ｑ１１の電流ミラー比の設定、トランジスタＱ１２、Ｑ１３の電流ミラー比の設定、前記所定温度に応じた電流ＩＡ＝電流ＩＢおよび電流ＩＣ＝電流ＩＤとなる基準温度の設定、トランジスタＱ８、Ｑ９の何れか一方の遮断等を適宜行うことにより、前記回路２２０の温度特性を効果的にキャンセルできることとなる。
【００６５】
＝＝＝第４実施形態＝＝＝
図９および図１０を参照しつつ、本発明の温度特性補正回路の第４実施形態について説明する。図９は、本発明の温度特性補正回路の第４実施形態を示す回路図である。図１０は、図９における温度と電流との関係を示す特性図である。尚、第４実施形態はバイポーラ型のトランジスタ（以後トランジスタと称する）を用いるものであるが、これに限定されるものではない。
【００６６】
＜＜＜第４実施形態の構成＞＞＞
図９において、演算増幅器３０２の一方の入力端子（例えば＋（非反転入力）端子）には、安定化された定電圧ＶＲＥＧが印加される。この定電圧ＶＲＥＧを発生する回路としては、周知のバンドギャップ電圧発生回路を採用することができる。また、演算増幅器３０２の出力端子はトランジスタＱ１のベースと接続され、トランジスタＱ１のエミッタは演算増幅器３０２の他方の入力端子（例えば−（反転入力）端子）と接続される。更に、トランジスタＱ１のエミッタと接地との間には抵抗Ｒ１が接続されている。これにより、演算増幅器３０２は、抵抗Ｒ１の両端電圧がＶＲＥＧとなるように動作し、トランジスタＱ１はこのときの演算増幅器３０２の出力端子から得られる出力電流にバイアスされて動作することとなる。従って、演算増幅器３０２の出力端子から得られる出力電圧、出力電流は温度に依存しない特性を有することとなる。ここで、トランジスタＱ１および抵抗Ｒ１が第１電流発生回路３０４を構成し、トランジスタＱ１のコレクタには、温度変化に関わらず一定となる電流ＩＢ（第１電流）が流れることとなる。
【００６７】
第２電流発生回路３０６は、電源ＶＣＣと接続される電流ミラー回路を有し、電流ＩＡ（第２電流）を発生するものである。詳しくは、第２電流発生回路３０６は、ダイオード接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ３と、電流ミラー接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ２と、抵抗Ｒ２、Ｒ３と、トランジスタＱ６と、負荷抵抗Ｒ６とからなる。トランジスタＱ２のエミッタは抵抗Ｒ２を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ２のコレクタは上記のトランジスタＱ１のコレクタと接続され、トランジスタＱ３のエミッタは抵抗Ｒ３を介して電源ＶＣＣと接続される。トランジスタＱ６のエミッタは負荷抵抗Ｒ６を介して接地される。トランジスタＱ６のベースには定電圧ＶＲＥＧが印加され、トランジスタＱ６のコレクタはトランジスタＱ３のコレクタと接続され、トランジスタＱ６のエミッタは負荷抵抗Ｒ６を介して接地される。そして、トランジスタＱ２のコレクタには電流ＩＡが流れる。ここで、トランジスタＱ６のベースには安定化された定電圧ＶＲＥＧが印加される。しかし、トランジスタＱ６は、ベースエミッタ間の順方向電圧が−２ｍＶ／℃で変化する負の温度特性を有している。従って、トランジスタＱ２のコレクタを流れる電流ＩＡは、温度が変化した場合、トランジスタＱ６のベースエミッタ間の順方向電圧にかかる負の温度特性のみによって変化することとなる。本願は、トランジスタＱ６の温度特性を利用することにより、増幅器、発振器等を構成する対象となる回路の温度依存性をキャンセルする電流を出力させるものである。
【００６８】
第３電流発生回路３０８は、電源ＶＣＣと第１電流発生回路３０４を構成するトランジスタＱ１のコレクタとの間に接続される電流ミラー回路である。詳しくは、第３電流発生回路３０８は、ダイオード接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ１０、電流ミラー接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ１１、抵抗Ｒ１０、Ｒ１１とからなる。トランジスタＱ１０のエミッタは抵抗Ｒ１０を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ１０のコレクタはダイオード接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ８を介してトランジスタＱ１のコレクタおよびトランジスタＱ２のコレクタと接続される。一方、トランジスタＱ１１のエミッタは抵抗Ｒ１１を介して電源ＶＣＣと接続されている。尚、トランジスタＱ１０、Ｑ１１の電流ミラー比が１：ｍとなるようなサイズのトランジスタＱ１０、Ｑ１１が選択されていることとする。これにより、電流ＩＢが電流ＩＡよりも大きくなった場合、トランジスタＱ１０のコレクタには電流ＩＢと電流ＩＡとの差電流ΔＩ１′が流れ、トランジスタＱ１１のコレクタには電流ΔＩ１（＝ｍΔＩ１′：第３電流）が流れることとなる。
【００６９】
第４電流発生回路３１０は、電源ＶＣＣと後述する第５電流発生回路３１２との間に接続される電流ミラー回路を有し、電流ＩＣ（第４電流）を発生するものである。詳しくは、第４電流発生回路３１０は、ダイオード接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ４と、電流ミラー接続されたＰＮＰ型のトランジスタＱ５と、抵抗Ｒ４、Ｒ５と、更には、ＮＰＮ型のトランジスタＱ７と、負荷抵抗Ｒ７とを備えている。トランジスタＱ４のエミッタは抵抗Ｒ４を介して電源ＶＣＣと接続され、トランジスタＱ４のコレクタはトランジスタＱ７のコレクタと接続され、トランジスタＱ５のエミッタは抵抗Ｒ５を介して電源ＶＣＣと接続されている。トランジスタＱ７のエミッタは、負荷抵抗Ｒ７を介して接地される。ここで、トランジスタＱ７のベースには安定化された定電圧がトランジスタＱ６のベースと共通に印加される。しかし、トランジスタＱ７は、ベースエミッタ間の順方向電圧が−２ｍＶ／℃で変化する負の温度特性を有している。従って、トランジスタＱ７のコレクタエミッタを流れる電流は、温度が変化した場合、トランジスタＱ７のベースエミッタ間の順方向電圧にかかる負の温度特性のみによって変化することとなる。本願は、トランジスタＱ６の温度特性に加えてトランジスタＱ７の温度特性を更に利用することにより、増幅器、発振器等を構成する対象となる回路の温度依存性をキャンセルする電流を出力させるものである。つまり、第４電流発生回路３１０は、負の温度特性を有するトランジスタＱ７のコレクタ電流が供給されて動作するため、トランジスタＱ５のコレクタを流れる電流ＩＣはトランジスタＱ７と同様の負の温度特性を有することとなる。
【００７０】
第５電流発生回路３１２は、ＮＰＮ型のトランジスタＱ１４と、負荷抵抗Ｒ８とからなり、電流ＩＤ（第５電流）を発生するものである。詳しくは、トランジスタＱ１４のコレクタはトランジスタＱ５のコレクタと接続され、そのエミッタは負荷抵抗Ｒ８を介して接地されている。ここで、トランジスタＱ１４のベースには演算増幅器３０２の出力電圧が印加される。つまり、第５電流発生回路３１２は演算増幅器３０２の出力電圧で制御されて動作するため、トランジスタＱ１４のコレクタを流れる電流ＩＤは温度変化に関わらず一定の電流となる。
【００７１】
第６電流発生回路３１４は、第４電流発生回路３１０の出力と接地との間に接続される電流ミラー回路である。詳しくは、第６電流発生回路３１４は、ダイオード接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ１２と、電流ミラー接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ１３と、抵抗Ｒ１２、Ｒ１３とからなる。トランジスタＱ１２のエミッタは抵抗Ｒ１２を介して電接地され、トランジスタＱ１２のコレクタはダイオード接続されたＮＰＮ型のトランジスタＱ９を介してトランジスタＱ５のコレクタおよびトランジスタＱ１４のコレクタと接続される。一方、トランジスタＱ１３のエミッタは抵抗Ｒ１３を介して接地されている。尚、トランジスタＱ１２、Ｑ１３の電流ミラー比が１：ｎとなるようなサイズのトランジスタＱ１２、Ｑ１３が選択されていることとする。これにより、電流ＩＣが電流ＩＤよりも大きくなった場合、トランジスタＱ１２のコレクタには電流ＩＣと電流ＩＤとの差電流ΔＩ２′が流れ、トランジスタＱ１３のコレクタには電流ΔＩ２（＝ｎΔＩ２′：第６電流）が流れることとなる。
【００７２】
電流出力回路３１６は、定電流源３１８から出力される定電流Ｉｉｎに対して、電流ΔＩ１を加算するか或いは電流ΔＩ２を減算した出力電流Ｉｏｕｔを出力するものである。この出力電流Ｉｏｕｔを使用することにより、増幅器、発振器等の対象となる回路の温度依存性をキャンセルする。
【００７３】
尚、予め定められた基準温度において、電流ＩＡ＝電流ＩＢ、電流ＩＣ＝電流ＩＤであることとする。
【００７４】
＜＜＜第４実施形態の特性＞＞＞
以下、図１０の特性図を用いて、本発明の第４実施形態の特性について説明する。尚、本実施形態では、温度Ｔａ＝２５℃において、電流ＩＡ＝電流ＩＢ、電流ＩＣ＝電流ＩＤであることとして先ずは説明する。
【００７５】
第１電流発生回路３０４が発生する電流ＩＢは温度変化に関わらず一定であるが、第２電流発生回路３０６が発生する電流ＩＡは、トランジスタＱ６のベースエミッタ間の負の温度特性によって変化する。ここで、トランジスタＱ６のベースエミッタ間の負の温度係数は、−２ｍＶ／℃となる。温度が２５℃より低くなったときの当該２５℃との差温度をΔＴとすると、
ΔＩ１′＝ＩＢ−ＩＡ＝（２ｍＶ／Ｒ６）ΔＴ
ΔＩ１＝ｍ（２ｍＶ／Ｒ６）ΔＴ  となる。  
一方、第５電流発生回路３１２が発生する電流ＩＤは温度変化に関わらず一定であるが、第４電流発生回路３１０が発生する電流ＩＣは、トランジスタＱ７のベースエミッタ間の負の温度特性によって変化する。ここで、トランジスタＱ７のベースエミッタ間の負の温度係数は、−２ｍＶ／℃となる。温度が２５℃より高くなったときの当該２５℃との差温度をΔＴとすると、
ΔＩ２′＝ＩＣ−ＩＤ＝（２ｍＶ／Ｒ７）ΔＴ
ΔＩ２＝ｎ（２ｍＶ／Ｒ７）ΔＴ  となる。  
従って、
Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ＋ΔＩ１−ΔＩ２
であるが、詳しくは、
Ｔａ＞２５℃のとき、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ−ｎ（２ｍＶ／Ｒ７）ΔＴ
Ｔａ＝２５℃のとき、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ
Ｔａ＜２５℃のとき、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ＋ｍ（２ｍＶ／Ｒ６）ΔＴ  ・・・式４
となる。  
但し、式４におけるΔＩ１は、温度が基準温度２５℃より低くなるにつれて増加する電流である。また、式４におけるΔＩ２は、温度が基準温度２５℃より高くなるにつれて増加する電流である。これに対し、式３におけるΔＩ１は、温度が基準温度２５℃より高くなるにつれて増加する電流である。また、式３におけるΔＩ２は、温度が基準温度２５℃より低くなるにつれて増加する電流である。以上が式４と式３とに示される電流ΔＩ１およびΔＩ２の意味の異なる点である。
【００７６】
上記の式４の特性を示したのが図１０である。温度Ｔａ＝２５℃（基準温度）の場合、電流ＩＡ＝電流ＩＢ、電流ＩＣ＝電流ＩＤの関係を保つことから、ΔＩ１およびΔＩ２は発生しない。従って、温度Ｔａ＝２５℃のときの出力電流Ｉｏｕｔは定電流Ｉｉｎそのものとなる。
【００７７】
温度Ｔａ＜２５℃となった場合、ΔＩ１が差温度ΔＴに応じて発生する。尚、このとき、電流ＩＣ＜電流ＩＤとなるが、ダイオード接続されたトランジスタＱ９がトランジスタＱ７のコレクタへの電流供給を防止しているため、ΔＩ２が流れることはない。従って、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ＋ΔＩ１となり、温度が低くなるにつれて、出力電流Ｉｏｕｔは一次直線を描いて上昇することとなる。つまり、温度Ｔａ＜２５℃の場合、温度Ｔａの下降変化に伴って、出力電流Ｉｏｕｔが正の傾きを持って一次直線で変化する温度特性補正回路を提供することができる。尚、図１０には、温度Ｔａ＜２５℃の温度補正特性として、ａ７、ｂ７、ｃ７の直線が一例として示されている。これらのａ７、ｂ７、ｃ７の直線の傾きは、第３電流発生回路３０８を構成するトランジスタＱ１０、Ｑ１１の電流ミラー比１：ｍを変更することによって得られるものである。詳しくは、トランジスタＱ１０に対するトランジスタＱ１１のサイズ比ｍを大きくするにつれて、ａ７の傾きからｃ７の傾きに向かって傾きが変化することとなる。つまり、温度Ｔａ＜２５℃において、温度が低くなるにつれて上昇する出力電流Ｉｏｕｔの傾きを変更できる温度特性補正回路を提供可能となる。
【００７８】
一方、温度Ｔａ＞２５℃となった場合、ΔＩ２が差温度ΔＴに応じて発生する。尚、このとき、電流ＩＡ＞電流ＩＢとなるが、ダイオード接続されたトランジスタＱ８が電流ＩＡの第３電流発生回路３０８への逆流防止を行うため、ΔＩ１が流れることはない。従って、Ｉｏｕｔ＝Ｉｉｎ−ΔＩ２となり、温度が高くなるにつれて、出力電流Ｉｏｕｔは一次直線を描いて下降することとなる。つまり、温度Ｔａ＞２５℃の場合、温度Ｔａの上昇変化に伴って、出力電流Ｉｏｕｔが負の傾きを持って一次直線で変化する温度特性補正回路を提供することができる。尚、図１０には、温度Ｔａ＞２５℃の温度補正特性として、ａ８、ｂ８、ｃ８の直線が一例として示されている。これらのａ８、ｂ８、ｃ８の直線の傾きは、第６電流発生回路３１４を構成するトランジスタＱ１２、Ｑ１３の電流ミラー比１：ｎを変更することによって得られるものである。詳しくは、トランジスタＱ１２に対するトランジスタＱ１３のサイズ比ｎを大きくするにつれて、ａ８の傾きからｃ８の傾きに向かって傾きが大きくなる方向に変化することとなる。つまり、温度Ｔａ＞２５℃において、温度が高くなるにつれて下降する出力電流Ｉｏｕｔの傾きを変更できる温度特性補正回路を提供可能となる。
【００７９】
以上をまとめると、基準温度２５℃で出力電流Ｉｏｕｔが定電流Ｉｉｎとなり、温度Ｔａが基準温度２５℃よりも低くなるにつれて出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで上昇し、且つ、温度Ｔａが基準温度２５℃よりも高くなるにつれて出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで下降する補正特性を得ることが可能となる。
【００８０】
更に、出力電流Ｉｏｕｔが定電流Ｉｉｎと等しくなる基準温度を２５℃よりも高くしたり、或いは低くしたりすることも可能である。この場合、２５℃における電流ＩＡと電流ＩＢは等しくなくなり、同時に電流ＩＣと電流ＩＤも等しくなくなるように設定する。この様子は図示してはいないが、２５℃における出力電流Ｉｏｕｔが変更されるため、出力電流Ｉｏｕｔが定電流Ｉｉｎとなる基準温度は、２５℃よりも高い温度側または２５℃よりも低い温度側へシフトすることとなる。尚、温度２５℃における電流ＩＡと電流ＩＢを等しくなくするには、例えば、抵抗Ｒ１の抵抗値または抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３の抵抗値の比を適宜変更すればよい。同様に、温度２５℃における電流ＩＣと電流ＩＤを等しくなくするには、例えば、負荷抵抗Ｒ８の抵抗値または抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５の抵抗値の比を適宜変更すればよい。
【００８１】
また、温度Ｔａが基準温度より低くなったときに、出力電流Ｉｏｕｔを図１０に示すａ７、ｂ７、ｃ７の直線のように上昇させずにＩｉｎのまま一定とすることも可能である。そのためには、ΔＩ１′が流れる信号ラインを遮断すればよい。具体的には、当該信号ラインを単純に切断してもよい。或いは、温度Ｔａが基準温度より低くなったときに出力電流ＩｏｕｔをＩｉｎのまま一定とする要求に応じて制御信号が発生する構成を設け、更に、当該制御信号によって、ダイオード接続されたトランジスタＱ８を遮断する構成を設けてもよい。これにより、温度Ｔａが基準温度より高くなると出力電流ＩｏｕｔがＩｉｎのまま一定となる温度特性補正回路を提供することができる。一方、温度Ｔａが基準温度より高くなったときに、出力電流Ｉｏｕｔを図１０に示すａ８、ｂ８、ｃ８の直線のように上昇させずにＩｉｎのまま一定とすることも可能である。そのためには、ΔＩ２′が流れる信号ラインを遮断すればよい。具体的には、当該信号ラインを単純に切断してもよい。或いは、温度Ｔａが基準温度より高くなったときに出力電流ＩｏｕｔをＩｉｎのまま一定とする要求に応じて制御信号が発生する構成を設け、更に、当該制御信号によって、ダイオード接続されたトランジスタＱ９を遮断する構成を設けてもよい。これにより、温度Ｔａが基準温度より高くなると出力電流ＩｏｕｔがＩｉｎのまま一定となる温度特性補正回路を提供することができる。
【００８２】
図９の温度特性補正回路によれば、基準温度を境に、温度Ｔａが基準温度より低くなったときには出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで上昇し、温度Ｔａが基準温度より高くなったときには出力電流Ｉｏｕｔが適宜の傾きで下降する特性を得ることができる。しかも、基準温度を変更することもできる。これらの特性を回路の小規模な変更で実現することができるため、汎用性があり、集積化することにも適している。そして、回路３２０の特性に応じて、トランジスタＱ１０、Ｑ１１の電流ミラー比の設定、トランジスタＱ１２、Ｑ１３の電流ミラー比の設定、前記所定温度に応じた電流ＩＡ＝電流ＩＢおよび電流ＩＣ＝電流ＩＤとなる基準温度の設定、トランジスタＱ８、Ｑ９の何れか一方の遮断等を適宜行うことにより、前記回路３２０の温度特性を効果的にキャンセルできることとなる。
【００８３】
以上説明したことから明らかなように、本発明における温度特性補正回路は、温度変化に関わらず一定の第１電流を発生する第１電流発生回路（図１および図４の４、図７の２０４、図９の３０４）と、第１電流発生回路と直列接続され、温度が高くなるほど大きくなるとともに予め定められた基準温度で第１電流と等しくなる第２電流を発生する第２電流発生回路（図１および図４の６、図７の２０６、図９の３０６）と、第１電流発生回路と第２電流発生回路の直接接続点と接続され、温度が基準温度に対して高い側または低い側の一方へ変化した場合、第１電流と第２電流との差に応じた第３電流を発生する第３電流発生回路（図１の８、図４の１０８、図７の２０８、図９の３０８）と、温度が高くなるほど大きくなる第４電流を発生する第４電流発生回路（図１および図４の１０、図７の２１０、図９の３１０）と、第４電流発生回路と直列接続され、温度変化に関わらず一定であるとともに基準温度では第４電流と等しい第５電流を発生する第５電流発生回路（図１および図４の１２、図７の２１２、図９の３１２）と、第４電流発生回路と第５電流発生回路の直列接続点と接続され、温度が基準温度に対して高い側または低い側の他方へ変化した場合、第４電流と第５電流との差に応じた第６電流を発生する第６電流発生回路（図１の１４、図４の１１４、図７の２１４、図９の３１４）と、温度変化に応じて、定電流回路（図１および図２の１８、図７の２１８、図９の３１８）から出力される定電流を第３電流または第６電流の量だけ変化させて出力する電流出力回路（図１の１６、図４の１１６、図７の２１６、図９の３１６）と、を備えたものである。そして、かかる温度特性補正回路によれば、容易な設計変更で様々な温度依存性を有する回路に対応できる、汎用性の高い温度特性補正回路を提供できる。また、図１、図４、図７、図９の回路を集積化することも可能である。
【００８４】
また、電流出力回路は、定電流を第３電流または第６電流の量だけ、以下のように変化させることが可能である。例えば、電流出力回路は、温度が基準温度に対して高い側または低い側の何れか一方（例えば高い側）へ変化した場合、定電流に第３電流を加算し、温度が基準温度に対して高い側または低い側の他方（例えば低い側）へ変化した場合、定電流に第６電流を加算した電流を出力することができる。また、電流出力回路は、温度が基準温度に対して高い側または低い側の何れか一方（例えば低い側）へ変化した場合、定電流から第３電流を加算し、温度が基準温度に対して高い側または低い側の他方（例えば高い側）へ変化した場合、定電流から第６電流を減算した電流を出力することもできる。また、電流出力回路は、温度が基準温度に対して高い側または低い側の何れか一方（例えば高い側）へ変化した場合、定電流に第３電流を加算し、温度が基準温度に対して高い側または低い側の他方（例えば低い側）へ変化した場合、定電流から第６電流を減算した電流を出力することもできる。更に、電流出力回路は、温度が基準温度に対して高い側または低い側の何れか一方（例えば低い側）へ変化した場合、定電流に第３電流を加算し、温度が基準温度に対して高い側または低い側の他方（例えば高い側）へ変化した場合、定電流から第６電流を減算した電流を出力することもできる。
【００８５】
また、第１電流発生回路および第５電流発生回路は、一方の入力端子（＋端子）に定電圧ＶＲＥＧが印加され、他方の入力端子（−端子）を定電圧ＶＲＥＧと同電圧とすべく出力端子から帰還がかかる演算増幅器（図１および図２の２、図７の２０２、図９の３０２）の出力電圧に基づいて、それぞれ第１電流および第５電流を発生する。これにより、演算増幅器の出力端子から得られる出力電圧、出力電流は温度に依存しない特性を有することとなり、大電流および第５電流は温度変化に関わらず一定となる。
【００８６】
また、第２電流発生回路および第４電流発生回路は、定電圧ＶＲＥＧが印加されて動作するとともに順方向電圧が負の温度特性を持って変化するトランジスタ（Ｑ６、Ｑ７）と、当該トランジスタの出力電流が流れる負荷抵抗（Ｒ６、Ｒ７）とを、それぞれが有し、第２電流および第４電流は、それぞれ第２電流発生回路および第４電流発生回路のトランジスタＱ６、Ｑ７を流れる出力電流に従って定まる。ここで、トランジスタＱ６、Ｑ７は、ベースエミッタ間の順方向電圧が−２ｍＶ／℃で変化する負の温度特性を有している。従って、トランジスタＱ６、Ｑ７のコレクタエミッタを流れる電流は、温度が変化した場合、トランジスタＱ６、Ｑ７のベースエミッタ間の順方向電圧にかかる負の温度特性のみによって変化することとなる。よって、第２電流および第４電流として、トランジスタＱ６、Ｑ７の順方向電圧の負の温度特性の影響を与える電流を得ることができる。そのため、第１電流と第２電流との差、第４電流と第５電流との差として、トランジスタＱ６、Ｑ７の順方向電圧の負の温度特性がそのまま現れることとなり、対象となる回路（図１の２０、図４の１２０、図７の２２０、図９の３２０）の温度特性をキャンセルするための回路設計が容易となる。
【００８７】
また、第３電流発生回路は、第１電流と第２電流との差電流をｍ倍して第３電流を得る電流ミラー回路である。このｍ倍は、電流ミラー回路のミラー比である。よって、このミラー比ｍを適宜設定することにより、定電流が第３電流だけ変化する割合を変更することが可能となり、様々な回路の温度特性をキャンセルすることが可能となる。
【００８８】
また、第６電流発生回路は、第４電流と第５電流との差電流をｎ倍して第６電流を得る電流ミラー回路である。このｎ倍は、電流ミラー回路のミラー比である。よって、このミラー比ｎを適宜設定することにより、定電流が第６電流だけ変化する割合を変更することが可能となり、様々な回路の温度特性をキャンセルすることが可能となる。第３電流発生回路および第６電流発生回路における電流ミラー比ｍ、ｎをともに設定すれば、回路の温度特性をキャンセルする確実性が高まることとなる。
【００８９】
更に、第１電流と第２電流が等しくなるとともに第４電流と第５電流が等しくなるときの基準温度は、可変である。これにより、回路の温度特性をキャンセルする確実性が高まることとなる。この基準温度の可変を、第３電流発生回路および第６電流発生回路の電流ミラー比ｍ、ｎの設定とともに行えば、回路の温度特性をキャンセルする確実性は更に高まることとなる。
【００９０】
以上、本発明にかかる温度特性補正回路について説明したが、上記の説明は、本発明の理解を容易とするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の第１実施形態を示す回路図である。
【図２】図１における温度と電流との関係を示す特性図である。
【図３】図１における温度と電流との関係を示す他の特性図である。
【図４】本発明の第２実施形態を示す回路図である。
【図５】図４における温度と電流との関係を示す特性図である。
【図６】図４における温度と電流との関係を示す他の特性図である。
【図７】本発明の第３実施形態を示す回路図である。
【図８】図７における温度と電流との関係を示す特性図である。
【図９】本発明の第４実施形態を示す回路図である。
【図１０】図９における温度と電流との関係を示す特性図である。
【符号の説明】
【００９２】
２、２０２、３０２  演算増幅器
４、２０４、３０４  第１電流発生回路
６、２０６、３０６  第２電流発生回路
８、１０８、２０８、３０８  第３電流発生回路
１０、２１０、３１０  第４電流発生回路
１２、２１２、３１２  第５電流発生回路
１４、１１４、２１４、３１４  第６電流発生回路
１８、２１８、３１８  定電流源
２０、１２０、２２０、３２０  回路
【図１】
2006074129.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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