(57)【要約】【課題】  本発明は、周囲温度の変化にかかわらず、発振周波数を一定値に維持することができる温度補償水晶発振器の温度に対する周波数変化量を平坦にすることを目的とする。【解決手段】  課題を解決するために本発明は、二次関数発生回路を用いて三次関数の周波数温度特性を半導体部品で制御する水晶振動子温度補償型発振器において、前記半導体部品の発振段の電流値を可変することによりｇｍ値を制御することで温度補償を行うことにより課題を解決する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次関数発生回路を用いて三次関数の周波数温度特性を半導体部品で制御する水晶振動子温度補償型発振器において、
前記半導体部品の発振段の電流値を可変することによりｇｍ値を制御することで温度補償を行うことを特徴とする水晶振動子温度補償型発振器。
【請求項２】
請求項１記載の補償動作とは、温度検出回路からの出力信号から温度に対応して得られた補償信号で、前記発生回路の発振段のｇｍ特性を制御し、前記水晶振動子の温度特性を補償する回路により温度補償することを特徴とする水晶振動子温度補償型発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、周囲温度の変化にかかわらず、発振周波数を一定値に維持することができる温度補償水晶発振器（以下、「ＴＣＸＯ」等の温度補償圧電発振器）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子の一端に増幅器を接続し、その出力を水晶振動子のもう一端側に帰還させて振動を助長させる帰還ループを構成することで出力周波数が得られ、この回路構成を集積化し例えばＣ−ＭＯＳ構造を採用したものにＣ−ＭＯＳ  ＩＣ水晶発振器がある。
【０００３】
更に発振器の水晶振動子負荷容量部に温度補償回路で発生させた水晶振動子の持つ温度特性をキャンセル（補償）する電圧を印加する発振器構成の温度補償型発振器として広く用いられている。
この温度補償回路中に三次関数発生装置を用いてＡＴカット板水晶振動子の持つ三次の水晶振動子の温度特性で近似される温度特性をキャンセルする温度補償を行ったものがある。
このような三次関数発生装置を用いた発振回路には、温度特性をより安定化するために、三次の水晶振動子の温度特性を近似するための温度情報として少なくとも４点の温度特性データが必要である。
【０００４】
【特許文献１】国際公開番号  ＷＯ９８／５６１０５号公報（名称：近似３次関数発生装置及びこれを使用した温度補償型水晶発振回路並びに温度補償方法）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の補償方法ではＡＴカット板水晶振動子の周波数温度特性に近似される
三次式ｄｆ／ｆ＝Ａ３（Ｔ−Ｔ０）３＋Ａ１＋Ａ０  （但しｄｆ／ｆ＝α×Ｖｃ）
を、三次関数発生装置を含む温度補償回路によって
Ｖｃ＝Ｂ３（Ｔ−Ｔ０）３＋Ｂ１（Ｔ−Ｔ０）＋Ｂ０
で表される補償電圧で補償している。
【０００６】
一般的に用いられている三次関数発生装置を用いた温度補償回路は、回路を構成する可変容量に電圧を印加することにより、ＡＴカット板水晶振動子の元来持つ三次で変化する温度特性（曲線）を補正した発振器を構成することができる。当然この場合でも、三次関数発生装置を用いた発振回路には、温度特性をより安定化するために、三次の水晶振動子の温度特性を近似するための温度情報として少なくとも４点の温度特性データが必要である。
【０００７】
そのため、水晶振動子を用いて、水晶振動子元来の持つ三次の温度特性（ＡＴカット板）を効率良く、より平坦に温度補償を行うには温度補償信号のパラメータやデータ数を増加させる必要が生じ、そのためには半導体部品のメモリ容量を拡大することとなり、昨今の要求である発振器自体を小型化することが難しい。
また、ＰＬＬ回路の基準信号としてＴＣＸＯを用いた場合、位相雑音特性はＴＣＸＯに依存することから、温度補償信号は位相雑音の悪化させる要因にもなるという課題につながってしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで上記の課題を解決するために本発明は、二次関数発生回路を用いて三次関数の周波数温度特性を半導体部品で制御する水晶振動子温度補償型発振器において、前記半導体部品の発振段の電流値を可変することによりｇｍ値を制御することで温度補償を行うことを特徴とする水晶振動子温度補償型発振器である。
【０００９】
上記の補償動作としては、温度検出回路からの出力信号を二次関数発生回路に入力し、温度に対応して得られた補償信号で、前記発生回路の発振段のｇｍ値を制御し、前記水晶振動子の温度特性を補償する回路により温度補償するものである。
【００１０】
要するに、インバータを用いた水晶発振回路（発振器）のｇｍ値を変化させると発振器の温度特性は一次で回転する。この特性を利用して各々の温度で温度特性をキャンセル（補償）できるｇｍ値をえることで温度補償を行うものである。このように最適となるｇｍ値調整用信号はＴ０を最大とした二次関数になることから、従来の水晶振動子の持つ温度特性を限りなく平坦な温度特性に補償するための信号が三次の温度特性から二次の温度特性になり、必要となる温度測定箇所は最低でも４箇所から３箇所に削減することができる。
【００１１】
また、温度センサー回路出力された一次信号を、例えばギルバード型掛け算回路などを用いて「Ｖｃ＝Ｃ２（Ｔ−Ｔ０）２＋Ｃ０」のような二次信号にし、この二次式のＣ２、Ｃ０、Ｔ０をプログラマブル増幅器を使用することによって最適なｇｍ値が得られる信号にすることができる。
【００１２】
以上により温度補償制度の高いＴＣＸＯのみでなく、精度の低い発振器においても、メモリを使用せず本発明に記載する技術を用いて簡易温度補償を行うことによって現状一般に使用されている発振器とほぼ同価格で、現状よりも温度補償制度のの高い温度補償型発振器を得ることにより従来の課題を解決することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、従来の三次関数発生回路を用いること無く二次関数で温度補償を行うことにより、従来では４箇所近似の温度データを用いていたものを３箇所近似に削減することで補正に必要な温度データの取得に要する時間を短縮することができる。
また、二次関数回路の使用により回路構成を小型化することができ、同時に発振器の消費電力も低減することができる。加えて、位相雑音悪化の要因となる温度補償電圧を可変容量に印加する構成を取らないことにより位相雑音特性を軽減することも実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面に従ってこの発明の実施例を説明する。なお、各図において同一の符号は同様の対象を示すものとする。図１は本発明で制御する状態の概念を説明する特性図である。横軸に環境温度を取り、縦軸に環境温度に対応する周波数の変化量を示したものである。ここに示す温度特性はＡＴカット板水晶振動子の持つ、本来の温度特性であり本発明で得ようする周囲環境温度の変化に関係無く、平坦な温度特性を得るために発振回路のｇｍ値を変化させて実現する概念を示したものである。
【００１５】
一方図２に示すのは、図３の回路の一例で示す水晶振動子をインバータ回路による発振させる回路のインバータ部分に供給する電流の変化値を示した特性図である。図２では横軸に環境温度を、縦軸には図３に示す発振回路の水晶振動子を発振させるために構成するインバータと帰還抵抗の回路構成で、水晶振動子を駆動させるインバータに供給する電流値の変化を図２示すように、水晶振動子の持つ三次関数特性に対応する電流を供給することで、発振器が動作する温度範囲全域（−３０℃〜＋８５℃付近）に対して周波数の変化量を平坦にすることができる。
【００１６】
図３に示すのは図２に示す温度と水晶振動子を発振させるためのインバータに供給する電流値を説明するための、本発明の回路の一例である。二次関数発生回路を用いて三次関数の周波数温度特性を半導体部品で制御する水晶振動子温度補償型発振器において、温度を検知するセンサー回路からの信号を二次関数発生回路に伝達する。このとき二次関数発生回路の一例としてはギルバート型掛け算式の回路を用いることができる。
【００１７】
その後二次関数発生回路からの信号はプログラマブルゲイン増幅器に供給され、図３に示すミラー回路を基本としたインバータを用いた発振回路により発振器を構成している。水晶振動子を駆動するためには、一般的に用いられるインバータＩＣと帰還抵抗を水晶振動子に並列に接続し、水晶振動子の両端は付加容量を介して接地されており、水晶振動子の一端はバッファー（インバータＩＣ）を経由して発振周波数出力している。
【００１８】
この発振回路に用いるインバータに供給するｇｍ値の電流を図２ら示すような水晶振動子の本来も持つ温度特性の、最も周波数の変化量が大きな温度範囲に対してｇｍ値を多く、周波数り変化量小さい範囲ではｇｍ値を少なく供給することにより、発振回路全域で周波数変化量を平坦に制御することができる。なお、本実施例ではインバータに供給するｇｍ値の電流制御で説明しているが、トランジスタを用いた発振回路であっても同様に動作することは言うまでも無く、その他の発振回路を用いた場合へと応用することができる。
【００１９】
以上の動作原理と回路構成例から、温度検出回路からの出力信号を二次関数発生回路に入力し、温度に対応して得られた補償信号を、前記発生回路の発振段のｇｍ値を制御し、水晶振動子を用いた発振回路に対する温度補償を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の動作原理を説明する概念図である。
【図２】本発明の特徴である発振回路のインバータのｇｍ値の供給電流の変化を示した概念図である。
【図３】本発明を実現する発振回路の一例を示す模式図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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