(57)【要約】【課題】スペーサーのローディング工程を代替する方法として，上部隔壁および下部隔壁を用いて封着工程を容易に行うことが可能な電子放出表示装置およびこの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の電子放出表示装置は，１つ以上の電子放出素子を備えるカソード基板とカソード基板上の所定の領域に選択的に形成された下部隔壁と電子放出素子に対応する画像実現領域を備えるアノード基板とカソード基板に対向するアノード基板の上に選択的に形成された上部隔壁とを含んでなり，カソード基板およびアノード基板は下部隔壁と上部隔壁によって支持され，下部隔壁と上部隔壁は発泡ガラスを含む。発泡ガラスからなる隔壁を用いることにより，スペーサーの異常発光やスペーサーへの電子蓄積現象を防止することができる。また，スペーサーのローディング工程がないので，製造工程の収率を改善することができる。【選択図】  図１
2006108070.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくても1つの電子放出素子を備えるカソード基板と，
前記カソード基板上の所定の領域に選択的に形成された下部隔壁と，
前記電子放出素子に対応する画像実現領域を備えるアノード基板と，
前記カソード基板に対向する前記アノード基板上に選択的に形成された上部隔壁と，
を含んでなり，
前記カソード基板およびアノード基板は前記下部隔壁と前記上部隔壁によって支持され，
前記下部隔壁と前記上部隔壁は発泡ガラスを含むこと，
を特徴とする，電子放出表示装置。
【請求項２】
前記下部隔壁と前記上部隔壁はストライプ状に形成されることを特徴とする，請求項１に記載の電子放出表示装置。
【請求項３】
前記下部隔壁と前記上部隔壁とはお互い交差することを特徴とする，請求項１に記載の電子放出表示装置。
【請求項４】
前記下部隔壁の厚さは１０μｍ〜４０μｍであることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の電子放出表示装置。
【請求項５】
前記上部隔壁の厚さは０．５ｍｍ〜２．５ｍｍであることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の電子放出表示装置。
【請求項６】
前記電子放出素子は，
電子放出部と，
前記電子放出部に接続された第１電極と，
前記第１電極と絶縁され，前記電子放出部から電子を引き出す第２電極と，
を含むことを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の電子放出表示装置。
【請求項７】
前記画像実現領域は，
前記電子放出素子から放出された電子によって発光する蛍光膜と，
前記蛍光膜に接続されるアノード電極と，
を含むことを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の電子放出表示装置。
【請求項８】
前記電子放出素子から放出された電子を集束させる第３電極をさらに含むことを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の電子放出表示装置。
【請求項９】
上部に少なくても1つの電子放出素子が備えられたカソード基板を形成する段階と，
前記カソード基板上に発泡ガラスを用いて下部隔壁を選択的に形成する段階と，
前記カソード基板に対向し，上部に画像実現領域が備えられたアノード基板を形成する段階と，
前記アノード基板上に発泡ガラスを用いて上部隔壁を選択的に形成する段階と，
前記カソード基板の前記下部隔壁と前記アノード基板の前記上部隔壁とがお互い交差するように封着する段階と，
を含むことを特徴とする，電子放出表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記下部隔壁を形成する段階は，
前記カソード基板上に発泡ガラスを塗布する段階と，
前記発泡ガラスを選択的にウェットエッチングする段階と，
を含むことを特徴とする，請求項９に記載の電子放出表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記上部隔壁を形成する段階は，
前記アノード基板上に発泡ガラスを塗布する段階と，
前記発泡ガラスを選択的にウェットエッチングする段階と，
を含むことを特徴とする，請求項９または請求項１０に記載の電子放出表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記電子放出素子から放出された電子を集束させる第３電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする，請求項９〜１１のいずれかに記載の電子放出表示装置の製造方法。
【請求項１３】
第１基板上に第１電極，絶縁層，および前記第１電極と交差する第２電極を順次形成する段階と，
前記第１電極と前記第２電極との交差領域に前記第１電極の一部が露出するようにホールを形成する段階と，
前記絶縁層または前記第２電極の上に下部隔壁を選択的に形成する段階と，
前記ホールの内部に，前記第１電極に接続する電子放出部を形成する段階と，
前記第１基板に対向する第２基板を形成する段階と，
前記第２基板上に第３電極を形成する段階と，
前記第３電極上に上部隔壁を選択的に形成する段階と，
前記上部隔壁の間に，前記電子放出部から放出された電子によってイメージを実現する画像実現部を形成する段階と，
前記第１基板の前記下部隔壁と前記第２基板の前記上部隔壁によって離隔するように封着する段階と，
を含んでなり，
前記下部隔壁および前記上部隔壁は発泡ガラスを含むことを特徴とする，電子放出表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子放出表示装置およびこの製造方法にかかり，特にスペーサの代わりに，発泡ガラスを選択的にエッチングして基板を支持する隔壁を形成した電子放出表示装置および前記スペーサのローディング工程を代替することが可能な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に，電子放出素子（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ）は，電子源として熱陰極を用いる方式と，電子源として冷陰極を用いる方式に大別される。冷陰極を用いる方式の電子放出素子としては，ＦＥＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｔｔｅｒ Ａｒｒａｙ）型，ＳＣＥ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｍｉｔｔｅｒ）型，ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型，ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型よびＢＳＥ（Ｂａｌｌｉｓｔｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ）型などが知られている。
【０００３】
このような電子放出素子を用いると，電子放出表示装置，各種バックライト，リソグラフィ用電子ビーム装置などを実現することができる。この中でも，電子放出表示装置は，電子放出素子を備えて電子を放出するカソード基板と，放出された電子を蛍光膜に衝突させて発光させるためのアノード基板とを備えて構成される。
【０００４】
一般に，電子放出表示装置において，カソード基板は，カソード電極とゲート電極とが交差するマトリックス状に配置され，この交差領域で定義される多数の電子放出素子を備え，アノード基板は，蛍光膜とこの蛍光膜に接続されたアノード電極を備える。アノード基板は，電子放出素子から放出された電子がアノード基板に形成された蛍光膜に向かって加速できるように形成される。電子放出表示装置は，交差領域をマトリックス駆動させて選択的表示を行えるように構成される。また，カソード基板とアノード基板の空間は高真空が保たれる必要がある。従来の技術では，カソード基板とアノード基板に，一定の距離を保つためにその間にスペーサを備えられ，このようなスペーサは，カソード基板とアノード基板をパッケージングするとき，内外部の圧力差により変形または破損することを防止し，カソード基板とアノード基板の間隔を一定に保つことにより発光位置による輝度不均一性を抑制する役割を果たしている。
【０００５】
従来では，スペーサを個別的に１つずつ形成し，あるいはスクリーン印刷によって形成する方法を採用している。個別的なスペーサ形成方法は，スペーサに接着剤を塗布した後，基板内面の所定の位置に整列およびローディングして固定する。このような方法は，接着剤の塗布，スペーサの整列，スペーサのローティング作業が必要なので，長い工程時間を要求する。一方，スペーサの整列誤差とスペーサに塗布された接着剤の広がりによる基板
の汚染が発生することもある。ひいては，アノード基板の光遮蔽膜の間にスペーサが正確に整列されなければならないので，高精度の高価装備が要求される。
【０００６】
また，スクリーン印刷によるスペーサ形成方法は，高精細を満足させるために，数回にわたって作業を繰り返し行わなければならないという煩わしさがあり，最大到達高さにも限界があるという問題点があった。
【０００７】
【特許文献１】韓国公開特許第１９９４−２５３２８号明細書
【特許文献２】韓国公開特許第１９９８−０５２６４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで，本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，スペーサの代替が可能な電子放出表示装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は，スペーサのローディング工程を代替して製造工程を単純化する電子放出表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために，本発明の第1の観点によれば，１つ以上の電子放出素子を備えるカソード基板と，前記カソード基板上の所定の領域に選択的に形成された下部隔壁と，前記電子放出素子に対応する画像実現領域を備えるアノード基板と，前記カソード基板に対向する前記アノード基板の上に選択的に形成された上部隔壁とを含んでなり，前記カソード基板および前記アノード基板は前記下部隔壁と前記上部隔壁によって支持され，前記下部隔壁と前記上部隔壁は発泡ガラスを含む，電子放出表示装置が提供される。
【００１１】
前記電子放出表示装置の前記下部隔壁と前記上部隔壁は，例えば，ストライプ状にすることができる。このストライプ形状およびこれと類似の形状は，背面基板１１０または前面基板２１０が変形し，或いは自体荷重によって下方に垂れる現象を抑制する形状とすることができる。また，前記下部隔壁と前記上部隔壁は，お互いに交差するように形成することができる。これにより，前記カソード基板と前記アノード基板間の空間を高真空でパッケージングするときに内外部の圧力差により変形または破損することを防止し，前記カソード基板１００とアノード基板２００間の間隔を一定に保つことにより発光位置による輝度不均一性を抑制することができる。また，色再現率の確保のため，前記下部隔壁の厚さは１０μｍ〜４０μｍ，前記上部隔壁の厚さは０．５ｍｍ〜２．５ｍｍとすることができる。
【００１２】
前記カソード基板の電子放出素子は，電子放出部と，前記電子放出部に接続された第１電極と，前記第１電極と絶縁され，前記電子放出部から電子を引き出す第２電極と，前記電子放出素子から放出された電子を集束させる第３電極とにより形成することができる。また，前記電子放出表示装置の画像実現領域は，前記電子放出素子から放出された電子によって発光する蛍光膜と，前記蛍光膜に接続されるアノード電極とを含むことができる。
【００１３】
本発明の他の観点によれば，上部に少なくても１つ，つまり１つまたは２つ以上の電子放出素子が備えられたカソード基板を形成する段階と，前記カソード基板上に発泡ガラスを用いて下部隔壁を選択的に形成する段階と，前記カソード基板に対向し，上部に画像実現領域が備えられたアノード基板を形成する段階と，前記アノード基板上に発泡ガラスを用いて上部隔壁を選択的に形成する段階と，前記カソード基板の前記下部隔壁と前記アノード基板の前記上部隔壁とがお互い交差するように封着する段階とを含む，電子放出表示装置の製造方法が提供される。
【００１４】
前記電子放出表示装置の製造方法において，前記下部隔壁を形成する段階には，前記カソード基板上に発泡ガラスを塗布する段階と，前記発泡ガラスを選択的にウェットエッチングする段階が含むことができる。また，前記上部隔壁を形成する段階には，前記アノード基板上に発泡ガラスを塗布する段階と，前記発泡ガラスを選択的にウェットエッチングする段階とが含むことができる。さらに，前記電子放出素子から放出された電子を集束させる第３電極を形成する段階も含むことができる。この製造方法で製造すると，別途のスペーサローディング工程なしでカソード基板工程およびアノード基板工程を行うことができ，電子放出表示装置の工程収率を改善することができる。また，カソード基板とアノード基板のパッケージング工程の際，上部隔壁および下部隔壁がスペーサの役割を代替することにより，基板が破損する現像を抑制することができる。
【００１５】
本発明の別の観点によれば，電子放出表示装置の製造法には，以下の段階が含むことができる。
第１基板上に第１電極，絶縁層および前記第１電極と交差する第２電極を順次形成する段階
前記第１電極と前記第２電極との交差領域に前記第１電極の一部が露出するようにホールを形成する段階
前記絶縁層または前記第２電極の上に下部隔壁を選択的に形成する段階
前記ホールの内部に，前記第１電極に接続する電子放出部を形成する段階
前記第１基板に対向する第２基板を形成する段階
前記第２基板上に第３電極を形成する段階
前記第３電極上に上部隔壁を選択的に形成する段階
前記上部隔壁の間に前記電子放出部から放出された電子によってイメージを実現する画像実現部を形成する段階
前記第１基板の前記下部隔壁と前記第２基板の前記上部隔壁によって離隔するように封着する段階
また，前記下部隔壁および上部隔壁は発泡ガラスを含むことができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の実施形態にかかる電子放出表示装置は，スペーサを代替する，発泡ガラスからなる隔壁を用いて，スペーサの異常発光またはスペーサへの電子蓄積現象を防止することができる。
【００１７】
また，本発明の実施形態に係る電子放出表示装置の製造方法は，カソード基板とアノード基板のパッケージング工程の際に，隔壁がスペーサの役割を代替することにより，基板が破損する現象を抑制することができ，別途のスペーサローディング工程なしで行うことにより，電子放出表示装置の製造工程の収率を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１９】
図１は本発明の一実施形態に係る電子放出表示装置の一部を示す斜視図である。図２Ａは図１の電子放出表示装置の平面図，図２Ｂは図２ＡのＩ−Ｉ線に沿って取った断面図，図２Ｃは図２Ａに示した電子放出表示装置から電子放出素子を分離して示す断面図である。
【００２０】
図１〜図２Ｃを参照すると，本発明は，少なくても1つの電子放出素子を備えるカソード基板１００と，カソード基板１００上の所定の領域に選択的に形成された下部隔壁３２０と，電子放出素子に対応する画像実現領域を備えるアノード基板２００と，カソード基板１００に対向するアノード基板２００の上に選択的に形成された上部隔壁３４０とを含んでなり，カソード基板１００およびアノード基板２００は下部隔壁３２０と上部隔壁３４０によって支持され，下部隔壁３２０と上部隔壁３４０は発泡ガラスから構成される，電子放出表示装置を提供する。
【００２１】
より詳しく説明すると，カソード基板１００は背面基板１１０，カソード電極１２０，絶縁層１３０，ゲート電極１４０および電子放出部１５０を含んでなる。このカソード基板１００の上部には下部隔壁３２０が配置される。
【００２２】
背面基板１１０上に所定の形状，例えばストライプ状に少なくとも一つのカソード電極１２０が配置される。基板は，通常用いられるガラスまたはシリコン基板であるが，電子放出部１５０として感光性ＣＮＴ（ＣａｒｂｏｎＮａｎｏＴｕｂｅ）ペーストを用いて背面露光によって基板を形成する場合には，ガラス基板のような透明基板とすることができる。
【００２３】
カソード電極１２０は，データ駆動部または走査駆動部から印加されるそれぞれのデータ信号または走査信号を各電子放出素子へ供給する。ここで，電子放出素子は，カソード電極１２０とゲート電極１４０との交差領域で定義される。カソード電極１２０は，電子放出部１５０として感光性ＣＮＴ（ＣａｒｂｏｎＮａｎｏＴｕｂｅ）ペーストを用いて背面露光によって基板を形成する場合には，例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）が使用される。
【００２４】
絶縁層１３０は，背面基板１１０とカソード電極１２０の上に形成され，カソード電極１２０とゲート電極１４０を電気的に絶縁する。絶縁層１３０は，カソード電極１２０が露出するようにカソード電極１２０とゲート電極１４０との交差領域に少なくても1つの第１ホール１３２を備える。
【００２５】
ゲート電極１４０は，絶縁層１３０上に所定の形状，例えばストライプ状にカソード電極１２０との交差方向に配置され，データ駆動部または走査駆動部から印加されるそれぞれのデータ信号または走査信号を各画素へ供給する。ゲート電極１４０は，伝導性が良好な金属，例えば金（Ａｕ），銀（Ａｇ），白金（Ｐｔ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ）およびこれらの合金の中から選択された少なくても1つの導電性金属材料からなり，カソード電極１２０が露出するように，第１ホール１３２に対応する１つまたは２つ以上の第２ホール１４２を備える。
【００２６】
電子放出部１５０は，絶縁層１３０の第１ホール１３２により露出したカソード電極１２０上に電気的に接続されてそれぞれ位置し，カーボンナノチューブ，黒鉛，ダイアモンド，ダイアモンドライクカーボン，これらの組み合わせのナノチューブ，Ｓｉ，ＳｉＣのナノワイヤから形成される。カソード電極１２０とゲート電極１４０に印加された電圧によって電界が形成されると，電子放出部１５０から電子が放出される。放出された電子は，電子放出部１５０に対応する蛍光膜２３０に衝突して所定のイメージを実現する。
【００２７】
一方，電子放出素子は，カソード電極１２０とゲート電極１４０との交差領域でカソード電極１２０，カソード電極１２０に接続される電子放出部１５０，および電子放出部１５０から電子を引き出すゲート電極１４０を含んで構成される。カソード基板１００は，少なくても1つの電子放出素子がマトリックス状に配置されて駆動され，電子放出素子に対応してアノード電極２２０には画像実現領域が定義される。
【００２８】
下部隔壁３２０は，絶縁層１３０またはゲート電極１４０の上に所定の形状，例えばストライプ状に形成され，発泡ガラスを含む材質からなる。ここで，発泡ガラスは，良好な物理的特性を持つ絶縁物質であって，プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）において隔壁を相当低いコストで形成することが可能な材料として用いられる。
【００２９】
下部隔壁３２０の形状はストライプ状または分節されたストライプ状に制限されない。ストライプ形状およびこれと類似の形状は，背面基板１１０または前面基板２１０が変形し，或いは自体荷重によって下方に垂れる現象を抑制する形状とすることができる。下部隔壁３２０の厚さは厚いほど電子ビームが拡散される確率が高い。よって耐電圧が許される範囲で薄いほど電子ビームの拡散確率が低いので，厚さを１０μｍ〜４０μｍとすることにより，色再現率の確保に有利である。
【００３０】
アノード基板２００は，前面基板２１０，アノード電極２２０，蛍光膜２３０，光遮蔽膜２４０を含んでなり，その上部に上部隔壁３４０が配置される。
【００３１】
アノード電極２２０は，前面基板２１０の全体上面に形成され，電子放出素子１５０から放出された電子を蛍光膜２３０へ加速させる電極であって，透明材質，例えばＩＴＯを用いて形成することができる。
【００３２】
前面基板２１０には，電子放出部１５０から放出された電子の衝突によって発光する蛍光膜２３０が任意の間隔をおいて選択的に配置される。ここで，前面基板２１０は透明な材質からなることができる。
【００３３】
光遮蔽膜２４０は，選択的構成要素であって，外部の光を吸収および遮断し，光学的クロストークを防止してコントラスを向上させるために，蛍光膜２３０の間に任意の間隔をおいて配置される。
【００３４】
一方，電子放出素子に対応してアノード基板２００には画像実現領域が定義されているが，これは，電子放出部１５０から放出された電子の衝突によって発光する蛍光膜２３０と，前記蛍光膜２３０に接続されるアノード電極２２０とを含んでなる。
【００３５】
上部隔壁３４０は，所定の形状，例えばストライプ状に前面基板２１０の上部に下部隔壁３２０と交差して形成される。上部隔壁３４０が発泡ガラスでストライプ状に形成されることは，下部隔壁３２０と同じ理由からである。上部隔壁３４０の厚さも，下部隔壁３同様に厚さが厚いほど電子ビームが拡散される確率が高い。また，アノード電極に高電圧を印加するため，厚さを０．５ｍｍ〜２．５ｍｍとすることにより、色再現率の確保に有利である。
【００３６】
下部隔壁３２０と上部隔壁３４０は，カソード基板１００とアノード基板２００間の空間を高真空でパッケージングするときに内外部の圧力差により変形または破損することを防止し，カソード基板１００とアノード基板２００間の間隔を一定に保つことにより発光位置による輝度不均一性を抑制する。
【００３７】
上述したような電子放出表示装置３００は，外部電源からカソード電極１２０には（＋）電圧が，ゲート電極１４０には（−）電圧が，アノード電極２２０には（＋）電圧がそれぞれ印加される。これにより，カソード電極１２０とゲート電極１４０間の電圧差により電子放出部１５０の周囲に電界が形成されて電子が放出される。放出された電子は，アノード電極２２０に印加された高電圧に誘導されて該当画素の蛍光膜２３０に衝突するが，この衝突により蛍光膜を発光させて所定のイメージを実現する。
【００３８】
一方，電子を集束させるとともにアーク放電時の電極損傷を防止する役割をするグリッド電極が，下部隔壁３２０と上部隔壁３４０との間にさらに形成することができる。
【００３９】
上述したような電子放出表示装置は，上部に少なくても1つの電子放出素子が備えられたカソード基板を形成する段階と，カソード基板上に発泡ガラスを用いて下部隔壁を選択的に形成する段階と，カソード基板に対向し，上部に画像実現領域が備えられたアノード基板を形成する段階と，アノード基板上に発泡ガラスを用いて上部隔壁を選択的に形成する段階と，カソード基板の下部隔壁とアノード基板の上部隔壁とがお互い交差するように封着する段階とを含む製造工程によって完成される。以下，これについての詳細な製造工程を，図３Ａ〜図３Ｉと図４Ａ〜図４Ｃを参照して説明する。
【００４０】
図３Ａ〜図３Ｉは本発明に係る電子放出表示装置のカソード基板を製造する工程断面図，図４Ａ〜図４Ｃは本発明に係る電子放出表示装置のアノード基板を製造する工程断面図である。
【００４１】
図３Ａ〜図３Ｉおよび図４Ａ〜図４Ｃを参照すると，背面基板１１０上にカソード電極１２０，絶縁層１３０，およびカソード電極１２０と交差するゲート電極１４０を順次形成する段階と，カソード電極１２０とゲート電極１４０との交差領域に，カソード電極１２０の一部が露出するように第１ホール１３２を形成する段階と，絶縁層１３０またはカソード電極１４０の上に下部隔壁３２０を選択的に形成する段階と，第１ホール１３２の内部に，カソード電極１２０に接続する電子放出部１５０を形成する段階と，背面基板１１０に対向する前面基板２１０を形成する段階と，前面基板２１０上にアノード電極２２２０を形成する段階と，アノード電極２２０上に上部隔壁３４０を選択的に形成する段階と，上部隔壁３４０の間に，電子放出部１５０から放出された電子によってイメージを実現する画像実現部を形成する段階と，背面基板１１０の下部隔壁３２０と前面基板２１０の上部隔壁３４０によって離隔するように封着する段階とを含んでなり，下部隔壁３２０および上部隔壁３４０は発泡ガラスを含む，電子放出表示装置の製造方法を提供する。
【００４２】
図３Ａを参照すると，カソード電極１２０を背面基板１１０上に所定の形状，例えばストライプ状に形成するが，このカード電極１２０は，フォトレジストの塗布，露光および現像によるエッチングマスクの形成と，このエッチングマスクを用いたラインパターニング工程によって形成できる。
【００４３】
図３Ｂを参照すると，絶縁層１３０を背面基板１１０とカソード電極１２０の上に所定の厚さで形成する。絶縁層１３０を厚膜工程によって形成する場合には，ペースト状態の絶縁物質をスクリーン印刷法によって所定の厚さに塗布した後，所定の温度で焼成して形成する。これに対し，絶縁層１３０を薄膜工程によって形成する場合には，化学気相蒸着法によって絶縁膜を所定の厚さに蒸着して形成する。
【００４４】
図３Ｃを参照すると，絶縁層１３０上に導電性のある金属をスパッタリングによって所定の厚さに蒸着してゲート電極１４０を形成する。ゲート電極１４０は，導電性が良好でパターン形成が容易な金属，例えば金（Ａｕ），銀（Ａｇ），白金（Ｐｔ），アルミニウム（Ａｌ），クロム（Ｃｒ）およびこれらの合金の中から選択された少なくても1つの導電性金属材料からなる。
【００４５】
図３Ｄを参照すると，フォトレジストの塗布，露光および現像によるエッチングマスクを形成し，このエッチングマスクを用いて，カソード電極１２０の一部が露出するようにゲート電極１４０と絶縁層１３０をエッチングすることにより，所定の直径を持つ少なくても1つの第１ホール１３２を形成する。第１ホール１３２は，カソード電極１２０とゲート電極１４０との交差領域に形成される。その後，フォトレジストの塗布，露光および現像による所定の形状のエッチングマスクを形成し，このエッチングマスクを用いて所定の形状，たとえばストライプ状のゲート電極１４０をラインパターニングする。ここで，ゲート電極１４０は，絶縁層１３０上でカソード電極１２０と実質的に交差する方向に形成される。
【００４６】
図３Ｅを参照すると，図３Ｄの工程後に発泡ガラス３２０ａを塗布して層を形成する。
【００４７】
図３Ｆを参照すると，発泡ガラス層３２０ａを選択的にウェットエッチングしてストライプ状の下部隔壁３２０を形成する。ここで，ウェットエッチングによってパターニングすることは，エッチング工程の後に結果物の汚染を最小化することができるためである。
【００４８】
図３Ｇを参照すると，図３Ｆの結果物の全面に感光性物質，例えばフォトレジストを塗布した後，電子放出領域を定義するようにフォトレジストをパターニングしてカソード電極１２０の一部を露出させる犠牲層１７０を形成する。その後，パターニングされた犠牲層１７０の全面に，感光性を持つ電子放出物質１５０ａ，１５０ｂをスクリーン印刷法によって塗布する。その次，背面基板１１０の後面から犠牲層１７０をマスクとして紫外線ＵＶを照射することにより，電子放出物質１５０ａ，１５０ｂを選択的に露光させる。ここで，電子放出物質１５０ａ，１５０ｂは，紫外線によって露光した部分１５０ａが現像液に溶解されないネガティブ極性を持つ。
【００４９】
図３Ｈを参照すると，露光した電子放出物質１５０ａは硬化し，露光の深さは紫外線の露光量に応じて調節される。露光していない電子放出物質１５０ｂは，現像液，例えばアセトン，Ｎａ２ＣＯ３，またはＮａＯＨを用いて現像する。ここで，露光していない電子放出物質１５０ｂを現像する工程の際，犠牲層１７０も共に現像されることができる。
【００５０】
図３Ｉを参照すると，露光した電子放出物質を所定の温度で焼成工程を行って所望の高さの電子放出部１５０を形成する。
【００５１】
これにより，図３Ａ〜図３Ｉに示した製造工程により，電子放出素子がマトリックス状に配列されるカソード基板を完成する。
【００５２】
図４Ａを参照すると，前面基板２１０上に，透明材質からなるアノード電極２２０，例えばＩＴＯ電極を形成する。
【００５３】
図４Ｂを参照すると，アノード電極２２０上に発泡ガラス３４０ａを塗布して層を形成する。
【００５４】
図４Ｃを参照すると，発泡ガラス３４０ａを選択してウェットエッチングし，ストライプ状の上部隔壁３４０を形成する。その後，蛍光膜２３０と光遮蔽膜２４０を選択的に形成する。
【００５５】
これにより，図４Ａ〜図４Ｃに示した製造工程によって，電子放出素子に対応する画像実現領域が形成されたアノード基板を完成し，下部隔壁が形成されたカソード基板と上部隔壁が形成されたアノード基板を下部隔壁と上部隔壁によって所定の距離離隔するように密封部材で密封する封着工程を行うことにより，電子放出表示装置を完成する。
【００５６】
一方，下部隔壁３２０と上部隔壁３４０との間に，電子放出素子から放出される電子を集束させるグリッド電極を形成する段階をさらに含んでもよい。
【００５７】
上述したように，本発明にかかる電子放出表示装置の製造方法で製造すると，別途のスペーサローディング工程なしでカソード基板工程およびアノード基板工程を行うことにより，電子放出表示装置の工程収率を改善することができる。また，カソード基板とアノード基板のパッケージング工程の際，上部隔壁および下部隔壁がスペーサの役割を代替することにより，基板が破損する現像を抑制することができる。
【００５８】
一方，本発明の好適な実施形態にかかる電子放出表示装置は，特に前面基板の上部に，蛍光膜とこの蛍光膜に接続されるアンード電極で形成された構造を持つものと例示されているが，電子放出部から放出された電子が前面基板の蛍光膜に衝突することが可能な構造を持てば特に限定されず，様々な種類の平板表示装置に適用可能なのは当たり前のことである。
【００５９】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６０】
なお上記において，構成要素に付随して括弧書きで記した参照符号は，理解を容易にするため，後述の実施形態および図面における対応する構成要素および信号を一例として記したに過ぎず，本発明がこれに限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は，電子放出表示装置およびこの製造方法に適用可能であり，特に，スペーサの代わりに，発泡ガラスを選択的にエッチングして基板を支持する隔壁を形成した電子放出表示装置およびこれによりスペーサのローディング工程を代替することが可能な製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】一実施形態にかかる電子放出表示装置の一部を示す斜視図である。
【図２Ａ】図１の電子放出表示装置の平面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＩ−Ｉ線に沿って取った断面図である。
【図２Ｃ】図２Ａに示した電子放出表示装置から電子放出素子を分離して示した断面図である。
【図３Ａ】第１基板上に第１電極，絶縁層および第１電極と交差する第２電極を順次形成する段階の説明図である。
【図３Ｂ】第１電極と第２電極との交差領域に第１電極の一部が露出するようにホールを形成する段階の説明図である。
【図３Ｃ】絶縁層または第２電極の上に下部隔壁を選択的に形成する段階の説明図である。
【図３Ｄ】ホールの内部に第１電極に接続する電子放出部を形成する段階の説明図である。
【図３Ｅ】第１基板に対向する第２基板を形成する段階の説明図である。
【図３Ｆ】第２基板上に第３電極を形成する段階の説明図である。
【図３Ｇ】第３電極上に上部隔壁を選択的に形成する段階の説明図である。
【図３Ｈ】上部隔壁の間に前記電子放出部から放出された電子によってイメージを実現する画像実現部を形成する段階の説明図である。
【図３Ｉ】第１基板の下部隔壁と第２基板の上部隔壁によって離隔するように封着する段階の説明図である。
【図４Ａ】前面基板上に透明材質からなるアノード電極を形成する段階の説明図である。
【図４Ｂ】アノード電極上に発泡ガラスを塗布して層を形成する段階の説明図である
【図４Ｃ】発泡ガラスを選択してウェットエッチングし，ストライプ状の上部隔壁を形成後，蛍光膜と光遮蔽膜を選択的に形成する段階の説明図である。
【符号の説明】
【００６３】
１００    カソード基板
１１０    背面基板
１２０    カソード電極
１３０    絶縁層
１３２    第１ホール
１４２    第２ホール
１４０    ゲート電極
１５０    電子放出部
１５０ａ  電子放出物質
１５０ｂ  電子放出物質
１７０    犠牲層
２００    アノード基板
２１０    前面基板
２２０    アノード電極
２３０    蛍光膜
２４０    光遮蔽膜
３２０    下部隔壁
３４０    上部隔壁
３４０ａ  発泡ガラス
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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