(57)【要約】【課題】ブレードを用いなくても、配線基板及び封止用樹脂を個片に分割することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体基板１それぞれを、予めミシン目２ｂが形成された配線基板２の表面に固定する工程と、配線基板２の表面を、ミシン目２ｂに沿った突出部１０ａを内面に有する金型１０で覆う工程と、金型１０内に封止用樹脂３を導入することにより、複数の半導体基板１を封止用樹脂３で一体的に封止するとともに、封止用樹脂３に、ミシン目２ｂに沿った薄肉部３ａを形成する工程と、配線基板２のミシン目２ｂ及び封止用樹脂３の薄肉部３ａに沿って、配線基板２及び封止用樹脂３を破断することにより、該配線基板２を複数の個片に分割する工程と、を具備する。【選択図】      図４
2006108341.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体基板それぞれを、予めミシン目が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記配線基板の表面を、前記ミシン目に沿った突出部を内面に有する金型で覆う工程と、
前記金型内に封止用樹脂を導入することにより、前記複数の半導体基板を前記封止用樹脂で一体的に封止するとともに、前記封止用樹脂に、前記ミシン目に沿った薄肉部を形成する工程と、
前記配線基板の前記ミシン目及び前記封止用樹脂の前記薄肉部に沿って、前記配線基板及び前記封止用樹脂を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
複数の第１の半導体基板それぞれを、予め溝が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記配線基板の表面を、前記溝に沿った突出部を内面に有する金型で覆う工程と、
前記金型内に封止用樹脂を導入することにより、前記複数の第１の半導体基板を封止用樹脂で一体的に封止するとともに、前記封止用樹脂に、前記溝に沿った薄肉部を形成する工程と、
前記配線基板の前記溝及び前記封止用樹脂の前記薄肉部に沿って、前記配線基板及び前記封止用樹脂を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
複数の第１の半導体基板それぞれを、予めミシン目状の溝が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記配線基板の表面を、前記溝に沿った突出部を内面に有する金型で覆う工程と、
前記金型内に封止用樹脂を導入することにより、前記複数の第１の半導体基板を封止用樹脂で一体的に封止するとともに、前記封止用樹脂に、前記溝に沿った薄肉部を形成する工程と、
前記配線基板の前記溝及び前記封止用樹脂の前記薄肉部に沿って、前記配線基板及び前記封止用樹脂を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記配線基板を複数の個片に分割する工程は、前記配線基板を、前記配線基板の前記溝及び前記封止用樹脂の前記薄肉部に沿って折り曲げて破断する工程を有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記複数の第１の半導体基板を前記配線基板に固定する工程と、前記配線基板の表面を前記金型で覆う工程の間に、前記第１の半導体基板と前記配線基板とをワイヤーで接続する工程を更に具備する請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数の第１の半導体基板を前記配線基板に固定する工程と、前記配線基板の表面を前記金型で覆う工程の間に、
前記複数の第１の半導体基板それぞれ上に、第２の半導体基板を固定する工程と、
前記第２の半導体基板と前記配線基板とをワイヤーで接続する工程と、
を更に具備する請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記複数の第１の半導体基板を前記配線基板に固定する工程と、前記配線基板の表面を前記金型で覆う工程の間に、
複数の第２の半導体基板を、互いに積層させた状態で、前記複数の第１の半導体基板それぞれ上に固定する工程と、
互いに積層した前記複数の第２の半導体基板の少なくとも一つと、前記配線基板とをワイヤーで接続する工程と、
を更に具備する請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
複数の半導体基板それぞれを、予めミシン目が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記複数の第１の半導体基板を封止用樹脂で一体的に封止するとともに、前記封止用樹脂に、前記ミシン目に沿った薄肉部を形成する工程と、
前記配線基板の前記ミシン目及び前記封止用樹脂の前記薄肉部に沿って、前記配線基板及び前記封止用樹脂を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記配線基板の前記ミシン目または前記溝は、レーザー照射またはエッチングにより形成されている請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記封止用樹脂の前記薄肉部の厚さは、前記第１の半導体基板の周囲における前記封止用樹脂の厚さの１／３以下である請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板と、
前記半導体基板が固定され、該半導体基板に接続する配線基板と、
前記半導体基板を前記配線基板上で封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記封止用樹脂は、前記配線基板の少なくとも一辺上で、他の部分より薄くなっており、
前記配線基板の前記一辺は、ミシン目が形成された基板を、該ミシン目に沿って破断することにより形成されている半導体装置。
【請求項１２】
半導体基板と、
前記半導体基板が固定され、該半導体基板に接続する配線基板と、
前記半導体基板を前記配線基板上で封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記封止用樹脂は、前記配線基板の少なくとも一辺上で、他の部分より薄くなっており、
前記配線基板の前記一辺は、溝が形成された基板を、該溝に沿って破断することにより形成されている半導体装置。
【請求項１３】
半導体基板と、
前記半導体基板が固定され、該半導体基板に接続する配線基板と、
前記半導体基板を前記配線基板上で封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記封止用樹脂は、前記配線基板の少なくとも一辺上で、他の部分より薄くなっており、
前記配線基板の前記一辺は、ミシン目状の溝が形成された基板を、該溝に沿って破断することにより形成されている半導体装置。
【請求項１４】
ミシン目または溝を有する配線基板の表面上に固定された半導体基板を、樹脂で封止するために用いられ、前記配線基板の表面を覆う金型であって、
内面に、前記ミシン目または溝に沿った突出部を有する金型。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、半導体装置、及び金型に関する。特に本発明は、ブレードを用いなくても配線基板及び封止樹脂を個片に分割することができる半導体装置の製造方法、半導体装置、及び金型に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１１は、従来の半導体装置の製造方法を説明するための斜視図である。この方法により製造される半導体装置は、配線基板１０２上に半導体基板１０１を固定した構造である。
【０００３】
まず、半導体基板１０１及び配線基板１０２を準備する。配線基板１０２には、予め配線が形成されている。半導体基板１０１には、予めトランジスタ等の半導体素子（図示せず）、配線層（図示せず）及びパッド（図示せず）がそれぞれ形成されている。半導体素子は、配線層を介してパッドに接続している。
【０００４】
次いで、複数の半導体基板１０１を配線基板１０２の上面に固定し、その後、半導体基板１０１のパッドを、ワイヤー１０１ａを用いて配線基板１０２に接続する。次いで、配線基板１０２の表面上を封止樹脂１０３で封止する。これにより、半導体基板１０１及びワイヤー１０１ａは保護される。更に、配線基板１０２の裏面に、外部接続用のハンダボール（図示せず）を形成する。次いで、配線基板１０２及び封止樹脂１０３を、ブレード１０４を用いて半導体基板１０１毎の複数の個片に分割する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ブレードを用いて配線基板及び封止樹脂を分割すると、切断面に削り屑が残る場合がある。削り屑が残っていると、後工程で問題が生じる場合があるため、基板切断後に削り屑を除去する必要があるが、この除去に労力を要していた。
【０００６】
また、ブレードが磨耗すると切断面に削り屑が残りやすくなるため、ブレードの交換頻度をある程度高くする必要があった。このため、半導体装置の製造コストが高くなっていた。
【０００７】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、ブレードを用いなくても、配線基板及び封止樹脂を個片に分割することができる半導体装置の製造方法、半導体装置、及び金型を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体基板それぞれを、予めミシン目が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記配線基板の表面を、前記ミシン目に沿った突出部を内面に有する金型で覆う工程と、
前記金型内に封止用樹脂を導入することにより、前記複数の半導体基板を前記封止用樹脂で一体的に封止するとともに、前記封止用樹脂に、前記ミシン目に沿った薄肉部を形成する工程と、
前記配線基板の前記ミシン目及び前記封止用樹脂の前記薄肉部に沿って、前記配線基板及び前記封止用樹脂を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、
を具備する。
【０００９】
この半導体装置の製造方法によれば、配線基板には予めミシン目が、封止用樹脂には薄肉部が、それぞれ形成されているため、ミシン目及び薄肉部に沿って配線基板を破断することにより、配線基板及び封止用樹脂を複数の個片に分割することができる。従って、分割後の配線基板及び封止用樹脂の端面には、切り屑が残りにくくなる。また、ブレードを用いる必要がなくなるため、半導体装置の製造コストを低くすることができる。
【００１０】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、複数の第１の半導体基板それぞれを、予め溝が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記配線基板の表面を、前記溝に沿った突出部を内面に有する金型で覆う工程と、
前記金型内に封止用樹脂を導入することにより、前記複数の第１の半導体基板を封止用樹脂で一体的に封止するとともに、前記封止用樹脂に、前記溝に沿った薄肉部を形成する工程と、
前記配線基板の前記溝及び前記封止用樹脂の前記薄肉部に沿って、前記配線基板及び前記封止用樹脂を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、
を具備する。
【００１１】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、複数の第１の半導体基板それぞれを、予めミシン目状の溝が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記配線基板の表面を、前記溝に沿った突出部を内面に有する金型で覆う工程と、
前記金型内に封止用樹脂を導入することにより、前記複数の第１の半導体基板を封止用樹脂で一体的に封止するとともに、前記封止用樹脂に、前記溝に沿った薄肉部を形成する工程と、
前記配線基板の前記溝及び前記封止用樹脂の前記薄肉部に沿って、前記配線基板及び前記封止用樹脂を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、
を具備する。
【００１２】
これらの半導体装置の製造方法によれば、溝及び薄肉部に沿って配線基板及び封止用樹脂を破断することにより、配線基板及び封止用樹脂を複数の個片に分割することができる。従って、分割後の配線基板及び封止用樹脂の端面には、切り屑が残りにくくなる。また、ブレードを用いる必要がなくなるため、半導体装置の製造コストを低くすることができる。
【００１３】
配線基板は、例えば、配線基板の溝及び封止用樹脂の薄肉部に沿って折り曲げて破断することにより、複数の個片に分割される。
【００１４】
複数の第１の半導体基板を配線基板に固定する工程と、配線基板の表面上に金型を載置する工程の間に、第１の半導体基板と配線基板とをワイヤーで接続する工程を更に具備してもよい。
【００１５】
複数の第１の半導体基板を配線基板に固定する工程と、配線基板の表面上に金型を載置する工程の間に、複数の第１の半導体基板それぞれ上に、第２の半導体基板を固定する工程と、第２の半導体基板と配線基板とをワイヤーで接続する工程と、を更に具備してもよい。
【００１６】
複数の第１の半導体基板を配線基板に固定する工程と、配線基板の表面上に金型を載置する工程の間に、複数の第２の半導体基板を、互いに積層させた状態で、複数の第１の半導体基板それぞれ上に固定する工程と、互いに積層した複数の第２の半導体基板の少なくとも一つと、配線基板とをワイヤーで接続する工程と、更に具備してもよい。
【００１７】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、複数の半導体基板それぞれを、予めミシン目が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記複数の第１の半導体基板を封止用樹脂で一体的に封止するとともに、前記封止用樹脂に、前記ミシン目に沿った薄肉部を形成する工程と、
前記配線基板の前記ミシン目及び前記封止用樹脂の前記薄肉部に沿って、前記配線基板及び前記封止用樹脂を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、
を具備する。
【００１８】
上記した各半導体装置の製造方法において、配線基板のミシン目または溝は、例えばレーザー照射またはエッチングにより形成されている。また、封止用樹脂の薄肉部の厚さは、第１の半導体基板の周囲における封止用樹脂の厚さの１／３以下であるのが好ましい。
【００１９】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、
前記半導体基板が固定され、該半導体基板に接続する配線基板と、
前記半導体基板を前記配線基板上で封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記封止用樹脂は、前記配線基板の少なくとも一辺上で、他の部分より薄くなっており、
前記配線基板の前記一辺は、ミシン目が形成された基板を、該ミシン目に沿って破断することにより形成されている。
【００２０】
本発明に係る他の半導体装置は、半導体基板と、
前記半導体基板が固定され、該半導体基板に接続する配線基板と、
前記半導体基板を前記配線基板上で封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記封止用樹脂は、前記配線基板の少なくとも一辺上で、他の部分より薄くなっており、
前記配線基板の前記一辺は、溝が形成された基板を、該溝に沿って破断することにより形成されている。
【００２１】
本発明に係る他の半導体装置は、半導体基板と、
前記半導体基板が固定され、該半導体基板に接続する配線基板と、
前記半導体基板を前記配線基板上で封止する封止用樹脂と、
を具備し、
前記封止用樹脂は、前記配線基板の少なくとも一辺上で、他の部分より薄くなっており、
前記配線基板の前記一辺は、ミシン目状の溝が形成された基板を、該溝に沿って破断することにより形成されている。
【００２２】
本発明に係る金型は、ミシン目または溝を有する配線基板の表面上に固定された半導体基板を、樹脂で封止するために用いられ、前記配線基板の表面を覆う金型であって、
内面に、前記ミシン目または溝に沿った突出部を有する。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する側面図である。この半導体装置はＰＦＢＧＡ（Plastic Fine pitch Ball Grid Array）構造を有している。詳細には、半導体基板１は配線基板２の表面に固定されており、半導体基板１と配線基板２とは、ワイヤー１ａによって互いに接続されている。半導体基板１及びワイヤー１ａは、保護のため、配線基板２上に形成された封止用樹脂３によって封止されている。
【００２４】
半導体基板１には、トランジスタ（図示せず）が複数形成されており、これらトランジスタ上には、複数の配線層が形成されている。トランジスタは、この複数の配線層を介して、これら配線層の表面に露出しているＡｌ合金パッド（図示せず）に接続している。Ａｌ合金パッドには、ワイヤー１ａが接続されている。
【００２５】
配線基板２は、絶縁性の樹脂層（図示せず）と銅製の配線パターン層（図示せず）とを、交互に積層した構造であり、その厚さは、例えば１２５μｍ以上４２０μｍ以下である。配線基板２の表面には配線パターン層が位置している。
なお、配線基板２は、樹脂層と配線層とを一層ずつ設けた構造であってもよい。
【００２６】
配線基板２の裏面には、外部入出力端子としてのハンダボール２ａが、複数形成されている。ハンダボール２ａは、配線基板２の樹脂層に設けられた接続孔（図示せず）を介して、前記した配線層に接続している。
【００２７】
図２は、図１に示した半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図３（Ａ）は、図２のＳ２の工程における配線基板２の斜視図であり、図３（Ｂ）は、図２のＳ４の工程を説明する為の斜視概略図である。図４は、図２のＳ６及びＳ８の工程を説明するための断面概略図である。図５は、図２のＳ１２の工程を説明する為の断面概略図である。
【００２８】
まず、半導体基板１及び配線基板２を準備する（図２のＳ２）。この段階において、半導体基板１には、トランジスタ、配線層及びＡｌ合金パッドが形成されている。また、配線基板２には、樹脂層及び配線パターン層が形成されているが、ハンダボール２ａは設けられていない。
【００２９】
また、図３（Ａ）に示すように、複数の配線基板２は、互いに繋がった状態で形成されているが、互いの境目にはミシン目２ｂが設けられている。ミシン目２ｂは、例えば、配線基板２にレーザーを照射することにより形成される。
【００３０】
なお、ミシン目２ｂは、以下の工程を繰り返すことにより、配線基板２と同時に形成されてもよい。まず、樹脂層を形成し、この樹脂層上に銅の薄膜を形成する。次いで、銅の薄膜上にレジストパターン等のマスクを形成し、このマスクを用いて薄膜をエッチングする。これにより、銅の薄膜はパターニングされ、配線パターン層が形成される。次いで、配線パターン上のマスクを除去した後、レジストパターン等の新たなマスクを形成し、このマスクを用いて樹脂層をエッチングすることにより、樹脂層にミシン目２ｂを形成する。その後、マスクを除去する。
【００３１】
ミシン目２ｂは、配線基板２の端部（例えば符号２ｅで示す部分）、及び他のミシン目２ｂそれぞれと重なるように（例えば符号２ｆで示す部分）形成されるのが好ましい。このようにすると、後述する分割工程で、配線基板２は、端部及びミシン目２ｂの交差部においても、直線状に破断されやすくなる。
【００３２】
次いで、接着剤を用いて、半導体基板１を配線基板２の所定位置上に固定する。次いで、ワイヤー１ａを用いて、半導体基板１のＡｌ合金パッドと配線基板２の配線パターンとを接続する（図２のＳ４及び図３（Ｂ））。
【００３３】
次いで、配線基板２上に金型１０を載置し、配線基板２の上面を金型１０で覆う（図２のＳ６及び図４）。次いで、金型１０の注入口（図示せず）から封止用樹脂３を注入する。これにより、配線基板２の上面に位置する複数の半導体基板１及びワイヤー１ａそれぞれは、封止用樹脂３によって一体的に封止される（図２のＳ８及び図４）。
【００３４】
なお、図４に示すように、金型１０の内面には、ミシン目２ｂに沿うように突出部１０ａが形成されている。このため、封止用樹脂３には、ミシン目２ｂに沿って薄肉部３ａが形成される。薄肉部３ａの厚さは、好ましくは、半導体基板１の周囲における封止用樹脂３の厚さの１／３以下である。
【００３５】
その後、配線基板２の裏面にハンダボール２ａを設ける（図２のＳ１０）。次いで、破断機４を用いて配線基板２及び封止用樹脂３を、ミシン目２ｂ及び薄肉部３ａに沿って折り曲げる。これにより、配線基板２及び封止用樹脂３は、ミシン目２ｂ及び薄肉部３ａに沿って破断し、半導体基板１毎の個片に分割される（図２のＳ１２及び図５）。このため、分割後の配線基板２は、少なくとも１辺が、ミシン目を破断することにより形成される。
【００３６】
なお、図５に示すように、破断機４は、例えば配線基板２の底面のうちハンダボール２ａが設けられていない部分を支持するとともに、封止用樹脂３の上面を支持し、その状態で、配線基板２及び封止用樹脂３を折り曲げるように構成にするのが好ましい。これにより、配線基板２を破断する際に、ハンダボール２ａ及び半導体基板１に力が加わることを防ぐことができる。
【００３７】
このように、本実施形態に係る半導体装置は、配線基板２及び封止用樹脂３それぞれに、ミシン目２ｂ及び薄肉部３ａを形成しておき、これらミシン目２ｂ及び薄肉部３ａに沿って配線基板２及び封止用樹脂３を破断することにより、個片に分割されている。このため、ブレードを用いなくても、配線基板２及び封止用樹脂３を個片に分割することができる。従って、分割断面に削り屑が生じないため、削り屑を除去する工程を省略することができる。また、ブレードを使用しないため、半導体装置の製造コストを低くすることができる。
【００３８】
図６は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための斜視図である。本実施形態は、ミシン目２ｂの代わりに溝２ｃを形成する点を除いて、第１の実施形態に係る半導体装置を製造する方法と同一である。そして、本実施形態によって形成される半導体装置は、少なくとも一辺が、溝２ｃを破断することにより形成される。本実施形態においても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００３９】
図７は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための斜視図である。本実施形態は、溝２ｃをミシン目状に形成する点を除いて、第２の実施形態と同一である。そして、本実施形態によって形成される半導体装置は、少なくとも一辺が、ミシン目状の溝２ｃを破断することにより形成される。本実施形態においても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００４０】
図８は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の側面図である。本実施形態は、半導体基板１のＡｌ合金パッド上に金バンプ１ｂを形成し、この金バンプ１ｂを介してＡｌ合金パッドと配線基板２の配線パターンとが接続している点が、第１の実施形態と異なる。他の構成は第１の実施形態と同一であるため、図８中に同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４１】
この半導体装置は、以下のようにして形成される。まず、半導体基板１と配線基板２を準備する。次いで、シール状の異方性導電樹脂１２を用いて、半導体基板１を配線基板２の所定位置上に固定する。このとき、金バンプ１ｂは、異方性導電樹脂１２を介して、配線基板２上の配線パターンに接続する。
【００４２】
次いで、配線基板２上に、図４に示した金型１０を載置し、金型１０の内部に封止用樹脂３を注入する。これにより、配線基板２上の複数の半導体基板１は、封止用樹脂３によって一体的に封止される。その後、配線基板２の裏面にハンダボール２ａを設ける。次いで、破断機４を用いて配線基板２を、ミシン目２ｂに沿って折り曲げる。これにより、配線基板２は、ミシン目２ｂに沿って破断し、半導体基板１毎の個片に分割される。
この第４の実施形態によっても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００４３】
図９は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の側面図である。本実施形態において、半導体基板１上には、半導体基板５が固定されている。半導体基板５に設けられたパッド（図示せず）は、ワイヤー５ａを介して配線基板２の配線パターンに接続している。他の構成は第４の実施形態と同一であるため、図９中に同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４４】
この半導体装置は、以下のようにして形成される。まず、半導体基板１と配線基板２を準備する。次いで、シール状の異方性導電樹脂１２を用いて、複数の半導体基板１それぞれを配線基板２の所定位置上に固定する。このとき、金バンプ１ｂは、異方性導電樹脂１２を介して、配線基板２上の配線パターンに接続する。
【００４５】
次いで、半導体基板１上それぞれに半導体基板５を固定する。次いで、半導体基板５のＡｌ合金パッドと配線基板２の配線パターンとを、ワイヤー５ａを用いて接続する。次いで、配線基板２上に、図４に示した金型１０を載置し、金型１０の内部に封止用樹脂３を注入する。これにより、配線基板２上の複数の半導体基板１，５及びワイヤー５ａは、封止用樹脂３によって一体的に封止される。その後、配線基板２の裏面にハンダボール２ａを設ける。次いで、破断機４を用いて配線基板２を、ミシン目２ｂに沿って折り曲げる。これにより、配線基板２は、ミシン目２ｂに沿って破断し、半導体基板１，５それぞれ毎の個片に分割される。
この第５の実施形態によっても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００４６】
図１０は、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の側面図である。本実施形態は、半導体基板１上に、半導体基板５，６がこの順に積み重なって固定されている点、及び半導体基板５，６それぞれのＡｌ合金パッドが、ワイヤー５ａ，６ａによって配線基板２の配線パターンに接続されている点を除いて、第１の実施形態と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４７】
この半導体装置は、以下のようにして形成される。まず、複数の半導体基板１と配線基板２を準備する。次いで、複数の半導体基板１それぞれを配線基板２の所定位置上に固定する。次いで、複数の半導体基板１それぞれ上に、半導体基板５，６を、この順に積み重ねて固定する。次いで、ワイヤー１ａ，５ａ，６ａを用いて、半導体基板１，５，６それぞれのＡｌ合金パッドと配線基板２の配線パターンとを接続する。以下の工程は、第１の実施形態と同一であるため、説明を省略する。
この第６の実施形態によっても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００４８】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、第４〜６の実施形態それぞれに係る半導体装置を製造する方法において、配線基板２に、ミシン目２ｂの代わりに、第２または第３の実施形態に示した溝２ｃを設けてもよい。このようにしても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】第１の実施形態で形成される半導体装置の構成を説明する側面図。
【図２】図１の半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
【図３】（Ａ）は図２のＳ２の工程における配線基板２の斜視図、（Ｂ）は図２のＳ４の工程を説明する為の斜視概略図。
【図４】図２のＳ６及びＳ８の工程を説明するための断面概略図。
【図５】図２のＳ１２の工程を説明する為の断面概略図。
【図６】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための斜視図。
【図７】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための斜視図。
【図８】第４の実施形態に係る半導体装置の側面図。
【図９】第５の実施形態に係る半導体装置の側面図。
【図１０】第６の実施形態に係る半導体装置の側面図。
【図１１】従来の半導体装置の製造方法を説明するための斜視図。
【符号の説明】
【００５０】
１，５，６，１０１…半導体基板、１ａ，５ａ，６ａ，１０１ａ…ワイヤー、１ｂ…金バンプ、２，１０２…配線基板、２ａ…ハンダボール、２ｂ…ミシン目、２ｃ…溝、３，１０３…封止用樹脂、３ａ…薄肉部、４…破断機、１０…金型、１０ａ…突出部、１２…異方性導電樹脂、１０４…ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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