(57)【要約】【課題】  基板の表面に配線を設けてなる配線基板において、大電流用の配線を電気メッキによって容易且つ効率よく形成できるようにする。【解決手段】  基板１０の表面に配線１５、１６を設けてなる配線基板１００において、配線１５、１６の一部すなわち大電流が流れる大電流用ランド１５ａが、電気メッキにより形成されており、配線１５、１６におけるその他の部分である小電流用ランド１５ｂや下面ランド１６よりも厚くなっている。【選択図】        図１
2006041226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１０）の表面に配線（１５、１６）を設けてなる配線基板において、
前記配線（１５、１６）の一部（１５ａ）が、電気メッキにより形成されており、前記配線（１５、１６）におけるその他の部分（１５ｂ、１６）よりも厚くなっていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記基板（１０）は、複数のセラミック層（１１、１２、１３、１４）が積層されてなるセラミック積層基板として構成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
基板（１０）の表面に、無電解メッキからなる配線（１５、１６）を形成してなる配線基板の製造方法において、
前記基板（１０）のうち前記配線（１５、１６）を形成すべき部位に、無電解メッキにより膜を形成した後、この膜の表面の一部に電気メッキを施すことにより、前記配線（１５、１６）を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
基板（１０）の表面に、無電解メッキからなる配線（１５、１６）を形成してなる配線基板の製造方法において、
前記基板（１０）のうち前記配線（１５、１６）を形成すべき部位の一部に、電気メッキにより膜を形成した後、前記基板（１０）のうち前記配線（１５、１６）を形成すべき部位のすべてに無電解メッキを施すことにより、前記配線（１５、１６）を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板（１０）における最終的に切断除去される端部に、前記電気メッキを行うための電極（１１０）を形成し、前記電極（１１０）と前記電気メッキを行う部位とを結線した後、前記電気メッキを行うことを特徴とする請求項３または４に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に配線を設けてなる配線基板およびそのような配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来では、基板の表面に配線を設けてなる配線基板においては、大電流を流す配線を厚膜Ｃｕ導体により形成していた（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平７−１９３３７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このように大電流用の配線を厚膜導体にて形成する場合、印刷、乾燥、焼成などの工数が多いものとなる。また、Ｃｕ厚膜は、その成分上、表面に酸化物やガラスなどが存在し、また、金属部分もポーラス（多孔質）である。それゆえ、このＣｕ厚膜からなる配線は、はんだ濡れ性が悪かったり、ワイヤボンディングの信頼性が悪い。
【０００４】
通常、大電流を流す配線には、パワートランジスタなどがはんだ付けされたり、トランジスタのドレインやゲートなどとボンディングワイヤで接続されるため、上記したような特性を有するＣｕ厚膜では、問題がある。
【０００５】
このため、大電流用の配線をメッキで形成する必要がある。ただし、無電解メッキでは、メッキ析出速度が遅く、たとえば、膜厚１２μｍを形成するためには、８時間程度かかり、生産効率が悪い。
【０００６】
また、すべての配線を、比較的メッキ析出速度の速い電気メッキにて形成することも考えられる。電気メッキは、メッキ析出速度が無電解メッキの数十倍程度速い。しかしながら、この場合においては、カソード電位をとるためのメッキ用の引き出し配線のレイアウトが困難であること、この引き出し配線からのノイズによる誤作動などが起こりやすくなる。
【０００７】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、基板の表面に配線を設けてなる配線基板において、大電流用の配線を電気メッキによって容易且つ効率よく形成できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、配線基板においては、すべての配線が大電流用であるわけではないことから、大電流用の配線のみ部分的に厚く形成すればよいことに着目して、創出されたものである。
【０００９】
すなわち、請求項１に記載の発明では、基板（１０）の表面に配線（１５、１６）を設けてなる配線基板において、配線（１５、１６）の一部（１５ａ）が、電気メッキにより形成されており、配線（１５、１６）におけるその他の部分（１５ｂ、１６）よりも厚くなっていることを特徴としている。
【００１０】
それによれば、基板（１０）の表面のすべての配線（１５、１６）を電気メッキにて形成するのではなく一部の配線（１５ａ）を電気メッキにて形成するため、メッキ用の引き出し配線のレイアウトが容易になる。また、必要な配線部分のみ、メッキ析出速度の速い電気メッキを用いて、大電流用の厚い膜とすることができるため、生産効率の低下を防止することができる。
【００１１】
よって、本発明によれば、基板（１０）の表面に配線（１５、１６）を設けてなる配線基板において、大電流用の配線（１５ａ）を電気メッキによって容易且つ効率よく形成することができる。
【００１２】
ここで、請求項２に記載の発明のように、請求項１に記載の配線基板においては、基板（１０）は、複数のセラミック層（１１、１２、１３、１４）が積層されてなるセラミック積層基板として構成されているものにできる。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明では、基板（１０）の表面に、無電解メッキからなる配線（１５、１６）を形成してなる配線基板の製造方法において、基板（１０）のうち配線（１５、１６）を形成すべき部位に、無電解メッキにより膜を形成した後、この膜の表面の一部に電気メッキを施すことにより、配線（１５、１６）を形成することを特徴としている。
【００１４】
それによれば、無電解メッキからなる配線（１５、１６）のすべてではなく、一部にメッキ析出速度の速い電気メッキをさらに施すことにより、当該配線（１５、１６）の一部（１５ａ）を無電解メッキからなる膜の上に電気メッキからなる膜が積層された大電流用の厚い膜とすることができる。そのため、メッキ用の引き出し配線のレイアウトが容易になるとともに、生産効率の低下を防止することができる。
【００１５】
よって、本発明によれば、基板（１０）の表面に配線（１５、１６）を設けてなる配線基板において、大電流用の配線（１５ａ）を電気メッキによって容易且つ効率よく形成することができる。
【００１６】
また、請求項４に記載の発明では、基板（１０）の表面に、無電解メッキからなる配線（１５、１６）を形成してなる配線基板の製造方法において、基板（１０）のうち配線（１５、１６）を形成すべき部位の一部に、電気メッキにより膜を形成した後、基板（１０）のうち配線（１５、１６）を形成すべき部位のすべてに無電解メッキを施すことにより、配線（１５、１６）を形成することを特徴としている。
【００１７】
それによれば、無電解メッキからなる配線（１５、１６）の形成予定部位のすべてではなく、一部の配線（１５ａ）の形成予定部位にメッキ析出速度の速い電気メッキを施して膜を形成するため、メッキ用の引き出し配線のレイアウトが容易になる。
【００１８】
また、その後、配線（１５、１６）を形成すべき部位のすべてに無電解メッキを施して配線（１５、１６）を形成するが、それにより、当該配線（１５、１６）の一部（１５ａ）は電気メッキからなる膜の上に無電解メッキからなる膜が積層された大電流用の厚い膜とすることができる。そのため、メッキ析出速度の速い電気メッキの利点を活かして生産効率の低下を防止することができる。
【００１９】
よって、本発明によれば、基板（１０）の表面に配線（１５、１６）を設けてなる配線基板において、大電流用の配線（１５ａ）を電気メッキによって容易且つ効率よく形成することができる。
【００２０】
ここで、請求項５に記載の発明のように、請求項３または請求項４に記載の配線基板の製造方法においては、基板（１０）における最終的に切断除去される端部に、電気メッキを行うための電極（１１０）を形成し、電極（１１０）と電気メッキを行う部位とを結線した後、電気メッキを行うようにできる。
【００２１】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る配線基板１００の概略断面構成を示す図であり、図２は、この配線基板１００に各種部品を実装した状態を示す概略断面図である。
【００２４】
［基板の構成等］
配線基板１００の本体をなす基板１０は、本例ではセラミック積層基板１０であり、この積層基板１０は、個々についてその表面および内部に配線層が形成された複数のセラミック層１１、１２、１３、１４を積層して形成されたものである。
【００２５】
これらセラミック層１１〜１４の積層体である積層基板１０の表面すなわち図１中の積層基板１０の上面および下面には、それぞれ上面ランド１５、下面ランド１６が形成されており、これら上面および下面ランド１５、１６は表面配線１５、１６として構成されている。
【００２６】
積層基板１０の内部には、各セラミック層に形成されたビアホール１７や各セラミック層の間に形成された内部導体層１８により、内層配線１７、１８が形成されている。そして、上面ランド１５と下面ランド１６とは、内層配線１７、１８を介して電気的に接続されている。
【００２７】
また、図２に示されるように、積層基板１０の表面には、各上面ランド１５、各下面ランド１６に対して各種の部品２０、２１、２２、２３やボンディングワイヤ３０が接続されている。
【００２８】
図２に示される例では、積層基板１０の上面側において、上面ランド１５には、はんだ４０を介してフリップチップ２０、コンデンサ２１およびＩＣチップ２２が接続されている。なお、フリップチップ２０と基板１０との間にはアンダーフィル材４２が充填されている。
【００２９】
このＩＣチップ２２は、大電流が流れるトランジスタなどのパワー素子が形成されたものである。さらに、表面ランド１５には、ＩＣチップ２２から延びるアルミニウムからなるボンディングワイヤ３０が接続されるとともに、外部との接続を行うためのアルミニウムからなるボンディングワイヤ３０が接続されている。
【００３０】
ここで、上面ランド１５のうち、比較的大電流が流れる大電流用の配線として構成されたものを大電流用ランド１５ａということとし、比較的小電流が流れる小電流用の配線として構成されたものを小電流用ランド１５ｂということとする。
【００３１】
また、図２に示される例では、積層基板１０の下面側において、下面ランド１６には、ＬａＢ6、ＳｎＯ2、ＣｕＮｉなどからなる厚膜抵抗体２３が接続されている。そして、この厚膜抵抗体２３は、保護ガラス４３にて被覆され、さらにその上をエポキシ樹脂などからなる保護樹脂４４にて被覆されている。
【００３２】
ここにおいて、本実施形態では、図１、図２に示されるように、大電流用ランド１５ａ、小電流用ランド１５ｂおよび下面ランド１６は、タングステン（Ｗ）もしくはモリブデン（Ｍｏ）からなる層１５１の上に銅メッキやニッケルメッキなどからなるメッキ層１５２を施したものである。
【００３３】
また、上面ランド１５すなわち大電流用ランド１５ａ、小電流用ランド１５ｂの表面には、図示しないが、金メッキ層が、酸化防止ができる程度に薄く、たとえば０．０５μｍ程度の膜厚にて形成されている。
【００３４】
ここで、本実施形態では、大電流用ランド１５ａは、小電流用ランド１５ｂおよび下面ランド１６よりも厚くなっている。すなわち、図１、図２に示されるように、大電流用ランド１５ａのメッキ層１５２は、小電流用ランド１５ｂおよび下面ランド１６のメッキ層１５２よりも厚くなっている。
【００３５】
これは、大電流用ランド１５ａのメッキ層１５２は、無電解メッキからなる膜と電気メッキからなる膜との積層構成となっているのに対し、小電流用ランド１５ｂおよび下面ランド１６のメッキ層１５２は、無電解メッキからなる膜のみであるためである。
【００３６】
本例では、各ランド１５、１６におけるメッキ層１５２は、銅メッキ層であり、大電流用ランド１５ａのメッキ層１５２は、無電解銅メッキ膜の上に電気銅メッキ膜を積層させた構成としている。
【００３７】
なお、これとは積層順序を逆にして、大電流用ランド１５ａのメッキ層１５２を、電気銅メッキ膜の上に無電解銅メッキ膜を積層させた構成としてもよい。
【００３８】
また、銅メッキ以外に、本実施形態に適用可能な無電解メッキとしては、無電解Ｎｉメッキ、無電解Ａｕメッキ、無電解Ｐｔメッキ、無電解Ｐｄメッキなどが挙げられ、電気メッキとしては、電気Ａｕメッキ、電気Ｎｉメッキ、電気Ｐｔメッキ、電気Ｐｄメッキなどが挙げられる。
【００３９】
そして、大電流用ランド１５ａのメッキ層１５２の積層構成としては、無電解Ｃｕメッキ膜の上に電気Ａｕメッキ膜を積層させた構成や、無電解Ｎｉメッキ膜の上に電気Ｎｉメッキ膜を積層させた構成や、無電解Ｎｉメッキ膜の上に電気Ａｕメッキ膜を積層させた構成や、無電解Ａｕメッキ膜の上に電気Ａｕメッキ膜を積層させた構成などが、他の例として挙げられる。なお、これらの積層構成においても、積層順序を逆にしてもよい。
【００４０】
また、図１、図２に示されるように、配線基板１００において、大電流用ランド１５ａとつながる内部導体層１８は、積層基板１０の図中の右端部において切断されており、その切断面が当該端部に露出している。
【００４１】
これは、後述するように、配線基板１００の製造工程において、最終的に切断除去される基板１０の端部に、電気メッキを行うための電極を形成し、この電極と電気メッキを行う部位とを、引き出し配線としての内部導体層１８を介して結線した後、電気メッキを行うためである。
【００４２】
つまり、本配線基板１００においては、基板１０の表面に形成された配線１５、１６のうち電気メッキにより形成されている配線１５ａと接続されている引き出し配線１８は、基板１０の端部にて切断されており、その切断面が当該基板１０の端部に露出した形となっている。
【００４３】
このように、本実施形態によれば、図１、図２に示されるように、基板１０の表面に配線１５、１６を設けてなる配線基板１００において、配線１５、１６の一部１５ａが、電気メッキにより形成されており、配線１５、１６におけるその他の部分１５ｂ、１６よりも厚くなっていることを特徴とする配線基板１００が提供される。
【００４４】
具体的には、本配線基板１００においては、基板表面の配線１５、１６のうち大電流が流れる大電流用ランド１５ａが電気メッキにより形成されることにより、その他の配線である小電流用ランド１５ｂや下面ランド１６よりも厚くなっている。
【００４５】
それによれば、基板１０の表面のすべての配線１５、１６を電気メッキにて形成するのではなく一部の配線１５ａを電気メッキにて形成するため、メッキ用の引き出し配線のレイアウトが容易になる。また、必要な配線部分のみ、メッキ析出速度の速い電気メッキを用いて、大電流用の厚い膜とすることができるため、生産効率の低下を防止することができる。
【００４６】
よって、本実施形態によれば、基板１０の表面に配線１５、１６を設けてなる配線基板１００において、大電流用の配線１５ａを電気メッキによって容易且つ効率よく形成することができる。
【００４７】
［基板の製造方法等］
次に、限定するものではないが、上記図１に示される配線基板１００の製造方法および上記図２に示される実装構造の組み付け方法の一具体例について説明する。
【００４８】
図３は、本実施形態の配線基板１００の製造方法および実装構造の組み付け方法の工程フローを示す図であり、図４は、図３に続く工程フローを示す図である。また、図５、図６、図７および図８は、上記した各工程における途中状態のワークを示す概略断面図である。
【００４９】
まず、図５（ａ）、（ｂ）に示されるように、セラミック層１１〜１４となるアルミナなどからなる各グリーンシート１１ａ、１２ａ、１３ａ、１４ａを用意し、このグリーンシート１１ａ〜１４ａの所望の位置にパンチングすることにより、最終的に上記ビアホール１７となる孔１７ａをあける。なお、図５（ａ）、（ｂ）では、各グリーンシート１１ａ〜１４ａの代表としてグリーンシート１１ａの形状が示されている。
【００５０】
このとき、図５（ｂ）に示されるように、各グリーンシート１１ａ〜１４ａにおいて基板１０が完成したときには切断除去される端部（以下、この端部を耳部という）に、電気メッキ用の電極１１０を形成するための穴１１０ａもあける。
【００５１】
次に、図５（ｃ）に示されるように、このビアホール１７となる孔１７ａに対して、主にモリブデンからなる導体ペースト１７ｂを印刷にて充填し乾燥させる。この導体ペースト１７ｂは、最終的に上記ビアホール１７における内層配線となるものである。
【００５２】
次に、図５（ｄ）に示されるように、各グリーンシート１１ａ〜１４ａの表面に、主にタングステンからなる導体ペースト１７ｃを印刷し、乾燥させる。この導体ペースト１７ｃは、上記孔１７ａに充填された導体ペースト１７ｂと導通するように印刷され、最終的に、上記内部導体層１８や、上面ランド１５および下面ランド１６のタングステン層１５１となるものである。
【００５３】
次に、図５（ｅ）に示されるように、このようにして加工された各グリーンシート１１ａ〜１４ａを積層する。具体的には、各グリーンシート１１ａ〜１４ａを重ね合わせ、熱圧着を行い積層する。
【００５４】
さらに、この積層工程においては、積層体の耳部にて上記穴１１０ａによって形成されたスルーホール１１０ｂの内面に対して、タングステンやモリブデンからなるペースト１１０ｃを印刷法などにより塗布する。このペースト１１０ｃは、電気メッキ用の電極１１０となるものである。また、この積層体には、後工程にて耳部を切断するための溝１１１を刃具などを用いて形成する。
【００５５】
次に、この積層体を約１６００℃、還元雰囲気にて焼成すると、図６（ａ）に示されるような積層基板１０ができあがる。このとき、基板は約２０％収縮する。また、各ペースト１７ｂ、１７ｃは各ランド１５、１６のタングステン層１５１および内層配線１７、１８となる。また、スルーホール１１０ｂのペースト１１０は、積層体の焼成とともに焼結され、電気メッキ用の電極１１０となる。
【００５６】
この電極１１０は、大電流用ランド１５ａとなる部位、すなわち配線としての各ランド１５、１６のうち電気メッキが行われるものと、電気的に接続されている。図６（ａ）に示されるように、積層基板１０における内層配線１７、１８を引き出し配線として電気的接続が行われている。
【００５７】
そして、この電極１１０は、後述する電気メッキをする際に、カソードとしての電極となるものであり、たとえば、スルーホール１１０ｂにおいて電源に接続されたフックのようなものに基板１０を引っかけるだけで、当該電源と電気的に接続されカソード電位を得られるようになっている。
【００５８】
なお、後工程にて耳部を切断するための溝１１１は、積層体を焼成し積層基板１０を形成した後において形成してもよい。その場合には、レーザ加工などにより形成することができる。
【００５９】
次に、基板１０のうち配線１５、１６を形成すべき部位に、メッキ層１５２を形成する。本例では、メッキ層１５２として銅メッキ層１５２を形成する。まずは、無電解メッキにより膜を形成する。
【００６０】
具体的には、図６（ｂ）に示されるように、上面ランド１５（１５ａ、１５ｂ）および下面ランド１６となるタングステン層１５１の表面に、無電解メッキにより、銅メッキ層１５２を形成する。このとき、上記電気メッキ用の電極１１０の表面にも、同じ銅メッキ層が形成される。
【００６１】
次に、無電解メッキにより形成された膜の表面の一部に電気メッキを施す。具体的には、図６（ｃ）に示されるように、電気メッキ用の電極１１０を利用して、電気銅メッキを行い、大電流用ランド１５ａにおける無電解銅メッキ膜の上に、電気銅メッキ膜を形成し、大電流用ランド１５ａにおける銅メッキ層１５２を形成する。
【００６２】
このようにして、本例における表層ランド１５、１６、すなわち、タングステン層１５１の上に銅メッキ層１５２を施してなる上面ランド１５および下面ランド１６ができあがる。
【００６３】
次に、図７（ａ）に示されるように、積層基板１０の下面に、厚膜抵抗体２３を構成するペーストを印刷し、乾燥・焼成することにより、厚膜抵抗体２３を形成する。
【００６４】
そして、図７（ｂ）、（ｃ）に示されるように、その上に保護ガラス４３を形成し、その上に保護樹脂４４を形成する。また、必要に応じて保護ガラス４３を形成した後、抵抗値を調整するため、レーザトリミングを行ったりする。
【００６５】
続いて、上面ランド１５における銅メッキ層１５２の表面に、無電解メッキまたは電気メッキなどにより、上記金メッキ層を形成する。こうして、図７（ｃ）に示されるように、配線基板１００が形成される。
【００６６】
なお、この図７（ｃ）に示される配線基板１００は、未だ耳部が残っている状態のものである。そして、上記溝１１１を介して耳部を切断すれば、上記図１に示されるような配線基板１００ができあがる。具体的には、耳部に応力を加えれば、溝１１１に沿って基板１０が切断される。
【００６７】
このようにして製造された配線基板１００を受け入れて、部品やボンディングワイヤの実装工程が行われる。まず、図８（ａ）に示されるように、上面ランド１５のうちはんだ付けが行われる部位に、はんだペースト４０ａを印刷して塗布する。
【００６８】
次に、図８（ｂ）に示されるように、部品マウントを行う。ここでは、はんだ付けされる部品であるフリップチップ２０、コンデンサ２１およびＩＣチップ２２を配線基板１００の表面に搭載する。
【００６９】
続いて、はんだリフローを行い、フリップチップ２０、コンデンサ２１およびＩＣチップ２２をはんだ４０を介して配線基板１００に接続する。その後、基板洗浄を行い、フラックスを洗浄し、除去する。
【００７０】
次に、フリップチップ２０と配線基板１００との間にアンダーフィル材４２を注入して硬化する。これにより、アンダーフィル材４２の充填がなされる。なお、このアンダーフィル材４２の充填は必要に応じて行えばよく、行わなくてもよい。
【００７１】
次に、上面ランド１５のうちボンディングワイヤ３０が接続される部位に対して、Ａｌボンディング工程を行い、ボンディングワイヤ３０によるＩＣチップ２２の接続、および、コネクタ部材などの外部と上面ランド１５との接続を行う。配線基板１００と外部とがボンディングワイヤ３０を介して電気的に接続され、上記図２に示される実装構造ができあがる。
【００７２】
ところで、本実施形態によれば、基板１０の表面に形成されている配線１５、１６は、無電解メッキからなるものであり、さらにこの無電解メッキ膜の一部、すなわち大電流用ランド１５ａに電気メッキが施されたものである。
【００７３】
そして、本実施形態の製造方法によれば、基板１０の表面に、無電解メッキからなる配線１５、１６を形成してなる配線基板１００の製造方法において、基板１０のうち配線１５、１６を形成すべき部位に、無電解メッキにより膜を形成した後、この膜の表面の一部に電気メッキを施すことにより、配線１５、１６を形成することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【００７４】
それによれば、無電解メッキからなる配線１５、１６のすべてではなく、一部にメッキ析出速度の速い電気メッキをさらに施すことにより、当該配線１５、１６の一部すなわち大電流ランド１５ａを無電解メッキからなる膜の上に電気メッキからなる膜が積層された大電流用の厚い膜とすることができる。そのため、メッキ用の引き出し配線のレイアウトが容易になるとともに、生産効率の低下を防止することができる。
【００７５】
よって、本製造方法によれば、基板１０の表面に配線１５、１６を設けてなる配線基板１００において、大電流用の配線１５ａを電気メッキによって容易且つ効率よく形成することができる。
【００７６】
また、本実施形態では、基板１０における最終的に切断除去される端部すなわち耳部に、電気メッキを行うための電極１１０を形成し、当該電極１１０と電気メッキを行う部位とを結線した後、電気メッキを行うことで、部分的な電気メッキを適切に実現することができている。
【００７７】
なお、図示しないが、電気メッキ用の電極としては、上記したようなスルーホール１１０ｂに形成したもの以外にも、たとえば、基板１０の表面や側面に形成し、基板１０の表面に形成された引き出し配線によって、電気メッキが行われる配線と結線されたものとしてもよい。
【００７８】
このような場合、基板１０の表面や側面に形成した電気メッキ用の電極と電気メッキが行われる配線との結線においては、たとえば、インクジェット法により形成された導電性塗膜を、引き出し配線として用いることができる。
【００７９】
具体的には、上記の電気銅メッキ工程の前に、インクジェット式プリンターにて上記導電性塗膜を、電気メッキ用の電極と電気メッキが行われる大電流ランド１５ａとを結線するように基板１０の表面に塗布する。
【００８０】
このような導電性塗膜は、たとえば銅あるいは金、銀などを含む厚膜ペーストであり、たとえば６００℃〜９００℃程度で焼成することで形成可能である。この焼成は、無電解銅メッキのシンターの熱処理を利用して行ってもよい。
【００８１】
さらに、銅あるいは金、銀がナノペーストであれば、比較的低温（たとえば３００℃程度）で焼結することができる。なお、この導電性塗膜は、後でエッチングなどによって除去してもよいし、そのまま残しておいてもよい。
【００８２】
また、上述したように、本実施形態では、基板表面の配線１５、１６のうち大電流が流れる大電流用ランド１５ａが電気メッキにより形成されることにより、その他の配線よりも厚くなっているが、具体的には、配線幅が０．５ｍｍよりも太い場合は、大電流用であり、そのような配線幅のものに対して電気メッキを行うようにする。
【００８３】
また、大電流が流れ電気メッキによる厚膜化が望ましい配線としては、アルミニウムのワイヤボンディングが施されるものや、トランジスタなどのパワー素子が接続されるものが挙げられる。
【００８４】
（第２実施形態）
上記実施形態では、大電流用ランド１５ａのメッキ層１５２は、無電解銅メッキ膜の上に電気銅メッキ膜を積層させた構成とし、この構成における製造方法について主として述べた。
【００８５】
しかしながら、上述したように、これとは積層順序を逆にして、大電流用ランド１５ａのメッキ層１５２を、電気銅メッキ膜の上に無電解銅メッキ膜を積層させた構成としてもよいとしている。
【００８６】
この構成の場合、上記製造方法における銅メッキ工程において、大電流ランド１５ａとなる部位すなわち電気メッキがなされる部位に、電気銅メッキを行い、続いて、上面ランド１５となる部位の全体に無電解銅メッキを行う。
【００８７】
つまり、本実施形態によれば、基板１０の表面に、無電解メッキからなる配線１５、１６を形成してなる配線基板１００の製造方法において、基板１０のうち配線１５、１６を形成すべき部位の一部に、電気メッキにより膜を形成した後、基板１０のうち配線１５、１６を形成すべき部位のすべてに無電解メッキを施すことにより、配線１５、１６を形成することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【００８８】
それによれば、無電解メッキからなる配線１５、１６の形成予定部位のすべてではなく、一部の配線１５ａの形成予定部位にメッキ析出速度の速い電気メッキを施して膜を形成するため、メッキ用の引き出し配線のレイアウトが容易になる。
【００８９】
また、その後、配線１５、１６を形成すべき部位のすべてに無電解メッキを施して配線１５、１６を形成するが、それにより、当該配線１５、１６の一部すなわち大電流ランド１５ａは電気メッキからなる膜の上に無電解メッキからなる膜が積層された大電流用の厚い膜とすることができる。そのため、メッキ析出速度の速い電気メッキの利点を活かして生産効率の低下を防止することができる。
【００９０】
よって、本製造方法によれば、基板１０の表面に配線１５、１６を設けてなる配線基板１００において、大電流用の配線１５ａを電気メッキによって容易且つ効率よく形成することができる。
【００９１】
（第３実施形態）
図９は、本発明の第３実施形態に係る製造方法の要部を示す概略断面図である。上記実施形態との相違点を述べる。
【００９２】
上記実施形態では、積層工程にて各グリーンシート１１ａ〜１４ａを重ね合わせることで形成された積層体（図５（ｅ）参照）において、耳部にて上記穴１１０ａによって形成されたスルーホール１１０ｂの内面に対し、タングステンやモリブデンからなるペースト１１０ｃを印刷法などにより塗布していた。
【００９３】
それに対して、本実施形態の製造方法では、図９に示されるように、積層される前の各グリーンシート１１ａ〜１４ａのそれぞれに、タングステンやモリブデンからなるペースト１１０ｃを印刷法などにより塗布する。
【００９４】
具体的には、導体ペースト１７ｂまたは導体ペースト１７ｃを印刷して乾燥させるときに、グリーンシート１１ａ〜１４ａの１層ごとに裏面側から穴１１０ａの部分を真空に引きながら、ペースト１１０ｃの印刷を行えばよい。
【００９５】
その後は、穴１１０ａにペースト１１０ｃが形成された各グリーンシート１１ａ〜１４ａを積層して、焼成すれば、本実施形態においても、上記図１に示されるような配線基板１００ができあがる。
【００９６】
（他の実施形態）
なお、大電流用ランド１５ａのメッキ層１５２を、無電解銅メッキ膜の上に電気銅メッキ膜を積層させた構成とする場合には、電気メッキは、厚膜抵抗体２３の形成後に行ってもよいし、上記金メッキの前後に行ってもよい。さらには、電気銅メッキ膜上の金メッキの形成は行ってもよいし、行わなくてもよい。
【００９７】
また、下面ランド１６にも大電流が流れるものが存在する場合には、そのような下面ランド１６において電気メッキを行い、厚膜化することで大電流化に対応するようにしてもよい。
【００９８】
また、上記配線基板１００において、基板１０の下面の厚膜抵抗体２３は無いものであってもよい。
【００９９】
また、配線基板を構成する基板は、セラミック積層基板でなくてもよく、たとえばセラミックの単層基板や、樹脂のビルドアップ基板などであってもよい。
【０１００】
要するに、本発明は、基板の表面に配線を設けてなる配線基板において、配線の一部１５ａを電気メッキにより形成し、配線におけるその他の部分よりも厚くしたことを特徴とする配線基板、およびそのような配線基板を適切に製造しうる製造方法に主たる特徴を持たせたものであり、それ以外の細部については、適宜設計変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る配線基板の概略断面図である。
【図２】図１に示される配線基板に各種部品を実装した状態を示す概略断面図である。
【図３】第１実施形態の配線基板の製造方法および実装構造の組み付け方法の工程フローを示す図である。
【図４】図３に続く工程フローを示す図である。
【図５】第１実施形態の配線基板の製造方法および実装構造の組み付け方法の各工程における途中状態のワークを示す概略断面図である。
【図６】図５に続く各工程における途中状態のワークを示す概略断面図である。
【図７】図６に続く各工程における途中状態のワークを示す概略断面図である。
【図８】図７に続く各工程における途中状態のワークを示す概略断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る製造方法の要部を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１０…基板としての積層基板、１１、１２、１３、１４…セラミック層、
１５…配線としての上面ランド、
１５ａ…電気メッキにより形成される配線の一部としての大電流用ランド、
１５ｂ…小電流用ランド、１６…配線としての下面ランド、１１０…電極。
【図１】
2006041226.tif 000003
【図２】
2006041226.tif 000004
【図３】
2006041226.tif 000005
【図４】
2006041226.tif 000006
【図５】
2006041226.tif 000007
【図６】
2006041226.tif 000008
【図７】
2006041226.tif 000009
【図８】
2006041226.tif 000010
【図９】
2006041226.tif 000011