(57)【要約】【課題】  複数の光電変換素子が接続されたフローティングディフュージョン部のリセット後の電位差を抑制し、それに起因する画質劣化を防止できるようにする。【解決手段】  複数の光電変換素子１２が転送スイッチ１３を介して１つのフローティングディフュージョン部１４に共通接続された画素ユニット１１を有し、複数の画素ユニットが２次元に配置された固体撮像装置を、フローティングディフュージョン部を所定電位にリセットするリセット期間を、いずれの光電変換素子に対しても同一期間となるように駆動することで、フローティングディフュージョン部のリセット動作後の電位に差が生じることを防止し、リセット動作後の電位差に起因する画質劣化を防止できるようにする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子が転送スイッチを介して１つのフローティングディフュージョン部に共通接続された画素ユニットを有し、複数の前記画素ユニットが２次元に配置された固体撮像装置の駆動方法であって、
前記フローティングディフュージョン部を所定電位にリセットするリセット期間が、いずれの前記光電変換素子に対しても同一の期間であることを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【請求項２】
複数の光電変換素子が転送スイッチを介して１つのフローティングディフュージョン部に共通接続された画素ユニットを有し、複数の前記画素ユニットが２次元に配置された固体撮像装置の駆動方法であって、
いずれの前記光電変換素子についても同一の所定期間だけ前記フローティングディフュージョン部に所定電位を供給した後、前記光電変換素子に蓄積された光電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【請求項３】
２次元に配置された複数の光電変換素子を有し、少なくとも２つ以上の前記光電変換素子が転送スイッチを介して１つのフローティングディフュージョン部に共通接続され、当該フローティングディフュージョン部に転送される電荷に基づく信号を増幅し出力する増幅手段と、前記フローティングディフュージョン部に転送された電荷をリセットするリセット手段とで構成される画素ユニットを複数有する固体撮像装置の駆動方法であって、
前記リセット手段のオン時間が、いずれの前記光電変換素子に対しても同一の期間であることを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【請求項４】
前記リセット手段のオン時間は、任意に調整可能であることを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置の駆動方法。
【請求項５】
前記リセット手段は、前記画素ユニットから信号を読み出す信号転送期間を除き常にオン状態であることを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置の駆動方法。
【請求項６】
前記リセット手段は、ゲートに制御信号が供給されるＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項３〜５の何れか１項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
【請求項７】
前記制御信号は、当該制御信号により制御可能な前記画素ユニットが選択されていない期間は、非活性化されていることを特徴とする請求項６記載の固体撮像装置の駆動方法。
【請求項８】
前記画素ユニットはｎ個（ｎは２以上の自然数）の光電変換素子をそれぞれ有し、
前記画素ユニット毎にいずれか１つの光電変換素子を選択して当該光電変換素子の信号を全画素ユニットに渡って読出す動作を、前記画素ユニット内の光電変換素子を重複しないように順次選択してｎ回繰り返し行い、固体撮像装置の全光電変換素子の信号を読み出すことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
【請求項９】
前記画素ユニットは２個の光電変換素子をそれぞれ有し、
前記画素ユニット毎にいずれか１つの光電変換素子を選択して当該光電変換素子の信号を全画素ユニットに渡って順次読出した後、引き続き前記画素ユニット毎に２つ目の光電変換素子を選択して当該光電変換素子の信号を全画素ユニットに渡って順次読出すことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の固体撮像装置の駆動方法。
【請求項１０】
２次元に配置された複数の光電変換素子を有し、ｎ個（ｎは２以上の自然数）の前記光電変換素子が転送スイッチを介して１つのフローティングディフュージョン部に接続され、当該フローティングディフュージョン部に転送される電荷に基づく信号を増幅し出力する増幅手段と、前記フローティングディフュージョン部に転送された電荷をリセットするリセット手段とで構成される画素ユニットを複数有する固体撮像装置の駆動方法であって、
前記画素ユニット毎にいずれか１つの光電変換素子を選択して当該光電変換素子の信号を全画素ユニットに渡って読出す動作を、前記画素ユニット内の光電変換素子を重複しないように順次選択してｎ回繰り返し行い、固体撮像装置の全光電変換素子の信号を読み出すことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【請求項１１】
２次元に配置された複数の光電変換素子を有し、２個の前記光電変換素子が転送スイッチを介して１つのフローティングディフュージョン部に接続され、当該フローティングディフュージョン部に転送される電荷に基づく信号を増幅し出力する増幅手段と、前記フローティングディフュージョン部に転送された電荷をリセットするリセット手段とで構成される画素ユニットを複数有する固体撮像装置の駆動方法であって、
前記画素ユニット毎にいずれか１つの光電変換素子を選択して当該光電変換素子の信号を全画素ユニットに渡って順次読出した後、引き続き前記画素ユニット毎に２つ目の光電変換素子を選択して当該光電変換素子の信号を全画素ユニットに渡って順次読出すことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【請求項１２】
複数の光電変換素子が転送スイッチを介して１つのフローティングディフュージョン部に共通接続された画素ユニットを有し、複数の前記画素ユニットが２次元に配置された固体撮像装置の駆動方法であって、
前記複数の光電変換素子の信号をインターレース方式で読み出すことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【請求項１３】
請求項１〜３、１０〜１２の何れか１項に記載の固体撮像装置の駆動方法により駆動される固体撮像装置と、
光学像を前記固体撮像装置に結像させるためのレンズと、
前記レンズを通る光量を可変するための絞りとを有することを特徴とするカメラ。
【請求項１４】
請求項１〜３、１０〜１２の何れか１項に記載の固体撮像装置の駆動方法により駆動される固体撮像装置と、
前記固体撮像装置により撮像された画像を処理するプロセッサとを有することを特徴とする情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の駆動技術に関し、特に１つの増幅段に対して複数の光電変換素子が接続されるＭＯＳ型エリアセンサ（以下、ＭＯＳ型センサとも称す。）に用いて好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置は、ＣＣＤセンサとＭＯＳ型センサとに大別される。ＣＣＤセンサは、一般的には、ノイズが小さいという利点を有するが消費電力が大きいという欠点がある。他方、ＭＯＳ型センサは、ＣＣＤセンサと比較して消費電力が格段に小さいという利点を有するが、一般的にはノイズがやや大きいという欠点がある。ただし、ＭＯＳ型センサにおけるノイズは低減される傾向にあり、将来はＣＣＤセンサと同等以上の性能が得られることが期待されている。
【０００３】
また、ＭＯＳ型センサは、ＭＯＳトランジスタを用いたさまざまな機能回路を内蔵することが比較的容易であるため、画素部トランジスタ数の削減により感度向上を図ることや（例えば、特許文献１の図１参照。）、複数の読出し回路を内蔵して高速化を図ることなどにより性能の向上が見られている。
【０００４】
また、ＭＯＳ型センサにおいては、図６（Ａ）に示すように、光電変換素子は独立して設けてその他の回路部分は共通化することにより、１画素あたりのトランジスタ数を削減し画素数の増加を図ったものがある。
図６（Ａ）に示したＭＯＳ型センサの従来の駆動方法を、図６（Ｂ）を参照して説明する。図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示したＭＯＳ型センサの従来の駆動方法を示すタイミングチャートである。
【０００５】
図６（Ａ）、（Ｂ）において、ＳＥＬ１２は、１行目に配置された光電変換素子６０１−１と２行目に配置された光電変換素子６０１−２とを有する画素ユニット６０２−Ａを選択する制御信号である。同様に、ＳＥＬ３４は、３行目及び４行目に配置された光電変換素子６０１−３、６０１−４を有する画素ユニット６０２−Ｂを選択する制御信号であり、ＳＥＬ５６は、５行目及び６行目に配置された光電変換素子６０１−５、６０１−６を有する画素ユニット６０２−Ｃを選択する制御信号である。
【０００６】
また、ＲＥＳ１２は、１行目及び２行目の光電変換素子６０１−１、６０１−２に対して共通接続されたフローティングディフュージョン部６０３−Ａのリセットを行うための制御信号である。同様に、ＲＥＳ３４は、３行目及び４行目の光電変換素子６０１−３、６０１−４に対して共通接続されたフローティングディフュージョン部６０３−Ｂのリセットを行うための制御信号であり、ＲＥＳ５６は、５行目及び６行目の光電変換素子６０１−５、６０１−６に対して共通接続されたフローティングディフュージョン部６０３−Ｃのリセットを行うための制御信号である。
【０００７】
また、ＴＸ１は、１行目に配置された光電変換素子６０１−１に発生した電荷をフローティングディフュージョン部６０３−Ａに転送する制御信号である。同様に、ＴＸ２、ＴＸ３、ＴＸ４、ＴＸ５、及びＴＸ６は、２〜６行目に配置された光電変換素子６０１−２〜６０１−６に発生した電荷を、対応するフローティングディフュージョン部６０３−Ａ〜６０３−Ｃに転送する制御信号である。
【０００８】
図６（Ｂ）に示すように、ＭＯＳ型センサの読出し動作を開始するとき、制御信号ＲＥＳ１２、ＲＥＳ３４、及びＲＥＳ５６のみがハイレベル“Ｈ”、その他の制御信号はロウレベル“Ｌ”である（以下、説明の便宜上、ハイレベル“Ｈ”を「オン」と称し、ロウレベルを「オフ」と称す。）。したがって、各画素ユニット６０２−Ａ〜６０２−Ｃでは、リセットスイッチ６０４がオン状態であり、フローティングディフュージョン部６０３−Ａ〜６０３−Ｃはリセットされている。
【０００９】
まず、制御信号ＳＥＬ１２をオンし（時刻Ｔ６１）、画素ユニット６０２−Ａ内の選択スイッチ６０５−Ａをオン状態にした後、制御信号ＲＥＳ１２をオフし（時刻Ｔ６２）、画素ユニット６０２−Ａ内のリセットスイッチ６０４−Ａをオフ状態にする。このようにして、画素ユニット６０２−Ａのフローティングディフュージョン部６０３−Ａにフローティング状態を確保した後、制御信号ＴＸ１をオンして転送スイッチ６０６−１をオン状態にすることで、光電変換素子６０１−１に蓄えられた光電荷をフローティングディフュージョン部６０３−Ａに転送する（時刻Ｔ６３）。
【００１０】
このとき、フローティングディフュージョン部６０３−Ａに転送された光電荷は容量Ｃｆｄにより電圧変換され、ソースフォロアＭＯＳトランジスタ６０７−Ａを用いて後段に信号が伝達される。なお、後段に伝達された信号は、信号レベル保持容量Ｃｔｓ、リセットレベル保持容量Ｃｔｎ等を備えた行メモリ回路６０８を介して出力信号線ＳＳ、ＮＳより出力される。
【００１１】
続いて、制御信号ＲＥＳ１２をオンし（時刻Ｔ６４）、リセットスイッチ６０４−Ａをオン状態にして前記フローティングディフュージョン部６０３−Ａを電源電位ＶＣＣにリセットする。その後、再び制御信号ＲＥＳ１２をオフし（時刻Ｔ６５）、フローティングディフュージョン部６０３−Ａにフローティング状態を確保した後、制御信号ＴＸ２をオンして転送スイッチ６０６−２をオン状態にすることで、光電変換素子６０１−２に蓄えられた光電荷をフローティングディフュージョン部６０３−Ａに転送する（時刻Ｔ６６）。このとき、同様にしてフローティングディフュージョン部６０４−Ａに転送された光電荷は容量Ｃｆｄにより電圧変換され、後段に信号が伝達される。
【００１２】
続いて、制御信号ＲＥＳ１２をオンし（時刻Ｔ６７）、前記フローティングディフュージョン部６０３−Ａを電源電位ＶＣＣにリセットする。そして、制御信号ＳＥＬ１２をオフし（時刻Ｔ６８）、画素ユニット６０２−Ａの選択スイッチ６０５−Ａをオフ状態にすることで、１行目及び２行目の信号読出し動作が終了する。
【００１３】
続いて、制御信号ＳＥＬ３４をオンして（時刻Ｔ６９）、信号読出し動作は３行目及び４行目に遷移する。以下、３行目及び４行目の信号読出し動作においても、上述した時刻Ｔ６１〜時刻Ｔ６８と同様にして、光電変換素子６０１−３、６０１−４に蓄えられた光電荷が電圧変換され、その信号が後段に伝達される。その後、制御信号ＳＥＬ５６をオンして、信号読出し動作は５行目及び６行目に遷移する。
【００１４】
このようにして、すべての行の光電変換素子６０１−１〜６０１−６の信号を読み出して完了する。
【００１５】
ここで、図６（Ｂ）に一例として示したタイミングチャートでは、動画撮影やデジタルカメラの連写撮影動作にあるように連続して２回目の読出し動作も記載しており、ＴＲＤ１が１回目の読出し動作の期間、ＴＲＤ２が２回目の読出し動作の期間である。
【００１６】
また、図６（Ｂ）に示した期間ＴＡは、２回目の読出し動作にて制御信号ＴＸ１により転送スイッチ６０６−１をオン状態にするまでの、１行目及び２行目に共通接続されたフローティングディフュージョン部６０３−Ａを電源電位ＶＣＣにリセットするリセットスイッチ６０４−Ａのオン期間を示している。同様に、期間ＴＢは、２回目の読出し動作にて制御信号ＴＸ２により転送スイッチ６０６−２をオン状態にするまでのリセットスイッチ６０４−Ａのオン期間を示している。
【００１７】
以上のようにして、図６（Ａ）に示したように列方向に２つの光電変換素子６０６が共通接続された画素ユニット６０２を含むセンサアレイにて信号を読み出す場合、制御信号ＲＥＳ、ＳＥＬにより、共通部分であるリセットスイッチ６０４、選択スイッチ６０５を２行にわたり同一のスイッチを駆動することで各画素に係る信号の読出し動作を実現している。
【００１８】
【特許文献１】特開平９−４６５９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、上述したＭＯＳ型センサの従来の駆動方法では、奇数行と偶数行のリセット期間が、図６（Ｂ）から明らかなように、ほぼ全読出し期間に相当する期間ＴＡとほぼ１水平走査期間に相当する期間ＴＢと大きく異なり、得られる画像における画質劣化の要因になることがある。
【００２０】
ここで、本来ＭＯＳ型センサは、例えば１０８０行×１９６０列等の２次元マトリクス状に配置された画素からなる。したがって、偶数行のリセット期間である期間ＴＢが１行（１水平走査期間）分の時間であるのに対して、奇数行のリセット期間である期間ＴＡは約１０００行分の時間であり、期間ＴＡと期間ＴＢとの差はおよそ３桁に及ぶ。
【００２１】
このように、フローティングディフュージョン部６０３に蓄積された電荷を電源電位ＶＣＣでリセットしてはき捨てる時間（リセット期間）が奇数行と偶数行とで大きく異なることで、奇数行に配置された光電変換素子と偶数行に配置された光電変換素子との信号読出し状態が異なり、その結果、画質劣化を招くことがある。
【００２２】
例えば、図７に示すように制御信号ＲＥＳ１２、ＴＸ１、ＴＸ２及びフローティングディフュージョン部６０３−Ａの電位Ｖｆｄを考える。フローティングディフュージョン部６０３−Ａの電位Ｖｆｄが、電源電位ＶＣＣによるリセットにより最終的に達すべきリセットレベル（ＲＥＳＥＴ  ＬＥＶＥＬ）に到達するためには、フローティングディフュージョン部６０３−Ａの容量Ｃｆｄとリセットスイッチ６０４−Ａのオン抵抗による時定数に依存した時間を必要とする。
【００２３】
つまり、期間ＴＡと期間ＴＢとの時間差は、リセット残り（リセットしきれずにフローティングディフュージョン部６０３−Ａに残留した電荷）によるリセット電位の違いＤＲＥＳを生じさせる可能性がある。
【００２４】
上述したリセット期間ＴＡとＴＢとの差を基に生じるリセット電位の違いによる画質劣化を防止する従来の手法として、図８に示す方法がある。図８においては、制御信号ＲＥＳ１２、ＴＸ１、ＴＮ、ＴＳ及びフローティングディフュージョン部６０３−Ａの電位Ｖｆｄを示している。ここで、制御信号ＴＮ、ＴＳは、行メモリ回路６０８内の信号レベル保持容量Ｃｔｓ、リセットレベル保持容量Ｃｔｎにフローティングディフュージョン部６０３−Ａの電位を電圧変換して得られた信号を転送するためのものである。
【００２５】
まず、制御信号ＲＥＳ１２をオフにし、リセットスイッチ６０４−Ａをオフ状態にする（時刻Ｔ８１）。その後、フローティングディフュージョン部６０３−Ａにフローティング状態を確保した状態で制御信号ＴＮをパルス状にオンにし、ソースフォロアＭＯＳトランジスタ６０７−Ａを介して、フローティングディフュージョン部６０３−Ａの電位を行メモリ回路６０８内のリセットレベル保持容量Ｃｔｎに書き込む（時刻Ｔ８２）。これにより、リセット状態を解除した後、光電変換素子６０１−１に蓄えられた光電荷をフローティングディフュージョン部６０３−Ａに転送する前のサンプリング結果が、リセットレベル保持容量Ｃｔｎに書き込まれる。
【００２６】
続いて、制御信号ＴＸ１をパルス状にＯＮにし、光電変換素子６０１−１の光電荷をフローティングディフュージョン部６０３−Ａに転送する（時刻Ｔ８３）。フローティングディフュージョン部６０３−Ａに転送された光電荷は容量Ｃｆｄにより電圧変換される。その後、制御信号ＴＳをパルス状にオンにし、フローティングディフュージョン部６０３−Ａの電位を、ソースフォロアＭＯＳトランジスタ６０７−Ａを介して行メモリ回路６０８内の信号レベル保持容量Ｃｔｓに書き込む（時刻Ｔ８４）。これにより、光電変換素子６０１−１に蓄えられた光電荷のサンプリング結果が、信号レベル保持容量Ｃｔｓに書き込まれる。
【００２７】
上述した駆動方法では、行メモリ回路６０８より後段においてリセットレベル保持容量Ｃｔｎと信号レベル保持容量Ｃｔｓに伝達されたリセットレベルと信号レベルとの差電圧を取り出して出力するため、電位Ｖｓのみを忠実に出力することができ、リセット残りにより生じた擬似信号の混入による画質劣化を防止することが可能となる。
【００２８】
しかしながら、前記図８に示した駆動方法によりリセット残り成分を取り除くだけでは、リセットレベルの違いによる画質劣化の対策としては不十分であることがわかっている。この点について、図９（Ａ）、（Ｂ）を参照し説明する。
【００２９】
図９（Ａ）は、画素ユニット部６０２を構成するソースフォロアＭＯＳトランジスタ６０７の動作を説明するための簡易的な等価回路を示す図である。ソースフォロアＭＯＳトランジスタ６０７のゲート電極を入力端子ＩＮとし、ドレインは電源による等価回路的な接地電位に接続され、ソースは定電流負荷９０１が接続されるとともに出力端子ＯＵＴとして機能する。なお、図９（Ａ）において、画素ユニット部６０２内の選択スイッチ６０５は、常にオン状態であると仮定し図示していない。
【００３０】
また、９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示したソースフォロア回路の入出力特性及び利得特性を示す図であり、横軸は入力端子ＩＮに印加される電圧、縦軸の第１軸は出力端子ＯＵＴに現れる電圧、第２軸は入出力利得（ソースフォロア利得）である。図９（Ｂ）において、実線により示したＯＵＴＶは出力端子ＯＵＴに現れる電圧を示し、破線により示したＲＧはソースフォロア回路における実際の利得を示している。また、実線により示したＧはソースフォロア回路における理想的な利得を示している。
【００３１】
図９（Ａ）、（Ｂ）によれば、ソースフォロア回路は入力電圧に対して理想的には利得１が要求されるが、図からも明らかなようにソースフォロア利得に着目すると入力電圧に依存して一定ではなく、入力電圧が低くなるにつれてソースフォロア利得は下がっている。この図示した回路特性は、リセット電位が同じであれば、いずれの光電変換素子にもこの変化が等しく影響を及ぼすために画質劣化に関してさほど影響はないが、リセット電位が異なる場合には、同一光量下において偶数行と奇数行とで出力に差が発生することを示している。
【００３２】
例えば、図１０に示すように、電子カメラなどにおける光電変換素子にＲＧＢのカラーフィルターを市松模様状に配置したエリアセンサにおいて、奇数行ＯＬのＧ１画素と偶数行ＥＬのＧ２画素が同じ特性を有し、かつ同じ光量の光があたっていたとしても、Ｇ１画素とＧ２画素間で感度差が発生してしまう。その結果、感度に周期パターンノイズが発生し、例えば奇数行と偶数行との間で感度の縞模様ができ、実際の画像とは異なってしまい画質劣化を発生させることが懸念される。
【００３３】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、複数の光電変換素子が共通接続されたフローティングディフュージョン部のリセット後の電位差を抑制し、それに起因する画質劣化を防止できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３４】
本発明の固体撮像装置の駆動方法は、複数の光電変換素子が転送スイッチを介して１つのフローティングディフュージョン部に共通接続された画素ユニットを有し、複数の前記画素ユニットが２次元に配置された固体撮像装置の駆動方法であって、前記フローティングディフュージョン部を所定電位にリセットするリセット期間が、いずれの前記光電変換素子に対しても同一の期間であることを特徴とする。
本発明の固体撮像装置の駆動方法は、複数の光電変換素子が転送スイッチを介して１つのフローティングディフュージョン部に共通接続された画素ユニットを有し、複数の前記画素ユニットが２次元に配置された固体撮像装置の駆動方法であって、いずれの前記光電変換素子についても同一の所定期間だけ前記フローティングディフュージョン部に所定電位を供給した後、前記光電変換素子に蓄積された光電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送することを特徴とする。
本発明の固体撮像装置の駆動方法は、２次元に配置された複数の光電変換素子を有し、少なくとも２つ以上の前記光電変換素子が転送スイッチを介して１つのフローティングディフュージョン部に共通接続され、当該フローティングディフュージョン部に転送される電荷に基づく信号を増幅し出力する増幅手段と、前記フローティングディフュージョン部に転送された電荷をリセットするリセット手段とで構成される画素ユニットを複数有する固体撮像装置の駆動方法であって、前記リセット手段のオン時間が、いずれの前記光電変換素子に対しても同一の期間であることを特徴とする。
本発明の固体撮像装置の駆動方法は、２次元に配置された複数の光電変換素子を有し、ｎ個（ｎは２以上の自然数）の前記光電変換素子が転送スイッチを介して１つのフローティングディフュージョン部に接続され、当該フローティングディフュージョン部に転送される電荷に基づく信号を増幅し出力する増幅手段と、前記フローティングディフュージョン部に転送された電荷をリセットするリセット手段とで構成される画素ユニットを複数有する固体撮像装置の駆動方法であって、前記画素ユニット毎にいずれか１つの光電変換素子を選択して当該光電変換素子の信号を全画素ユニットに渡って読出す動作を、前記画素ユニット内の光電変換素子を重複しないように順次選択してｎ回繰り返し行い、固体撮像装置の全光電変換素子の信号を読み出すことを特徴とする。
本発明の固体撮像装置の駆動方法は、２次元に配置された複数の光電変換素子を有し、２個の前記光電変換素子が転送スイッチを介して１つのフローティングディフュージョン部に接続され、当該フローティングディフュージョン部に転送される電荷に基づく信号を増幅し出力する増幅手段と、前記フローティングディフュージョン部に転送された電荷をリセットするリセット手段とで構成される画素ユニットを複数有する固体撮像装置の駆動方法であって、前記画素ユニット毎にいずれか１つの光電変換素子を選択して当該光電変換素子の信号を全画素ユニットに渡って順次読出した後、引き続き前記画素ユニット毎に２つ目の光電変換素子を選択して当該光電変換素子の信号を全画素ユニットに渡って順次読出すことを特徴とする。
本発明の固体撮像装置の駆動方法は、複数の光電変換素子が転送スイッチを介して１つのフローティングディフュージョン部に共通接続された画素ユニットを有し、複数の前記画素ユニットが２次元に配置された固体撮像装置の駆動方法であって、前記複数の光電変換素子の信号をインターレース方式で読み出すことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、光電変換素子からの信号を読み出す際、いずれの光電変換素子に対しても同一の期間だけフローティングディフュージョン部をリセットした後、信号の読み出しを行うので、フローティングディフュージョン部のリセット動作後の電位に差が生じることを防止し、リセット動作後の電位差に起因する感度差の発生を防止することができる。したがって、固体撮像装置により得られる画像に感度に対する周期パターンノイズが発生することを防止でき、画質劣化の発生を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００３７】
まず、本発明の実施形態による固定撮像装置の駆動方法が適用可能なＭＯＳ型センサの構成例について説明する。
図１は、ＭＯＳ型センサの概略構成例を示す図である。
【００３８】
なお、図１においては、説明の便宜上、６行×４列の２次元マトリクス状に配置した光電変換素子を備えるＭＯＳ型エリアセンサを一例として示しているが、これに限定されるものではない。例えば、行方向及び列方向に更に拡大して、１０８０行×１９６０列等と配置する光電変換素子数を増やしても良く、光電変換素子数を増加させることで解像度の向上を図ることが可能である。
【００３９】
図１に示すＭＯＳ型エリアセンサは、センサアレイ１０と、垂直走査回路２０と、行メモリ回路３０と、水平走査回路４０と、出力アンプ５０とを有する。
センサアレイ１０は、同一半導体基板上に形成され、かつ２次元状に配列された複数の光電変換素子（例えば、フォトダイオード）を有する。センサアレイ１０においては、ｎ個（ｎは２以上の自然数）の光電変換素子を含むようにして画素ユニット１１が構成される。すなわち、センサアレイ１０は、それぞれが少なくとも２つ以上の光電変換素子を含み構成される複数の画素ユニット１１が２次元状に配置されている。
【００４０】
図２は、画素ユニット１１の構成を示す図である。
第１の光電変換素子１２−Ａは、第１の転送スイッチ１３−Ａを介してフローティングディフュージョン部１４に接続され、第２の光電変換素子１２−Ｂは、第２の転送スイッチ１３−Ｂを介してフローティングディフュージョン部１４に接続される。すなわち、画素ユニット１１においては、２つ（第１及び第２）の光電変換素子１２−Ａ、１２−Ｂが、対応する転送スイッチ１３−Ａ、１３−Ｂを介して、１つのフローティングディフュージョン部１４に共通接続される。
【００４１】
フローティングディフュージョン部１４は、寄生容量等により構成される容量Ｃｆｄを含む。リセットスイッチ１５は、転送される光電荷により変動するフローティングディフュージョン部１４の電位を電源電位ＶＣＣにリセットするためのものである。ソースフォロアＭＯＳトランジスタ１６は、ゲートがフローティングディフュージョン部１４に接続され、フローティングディフュージョン部１４にて電圧変換して得られた信号を後段に接続された回路に増幅し伝達する。選択スイッチ１７は、画素ユニット１１の選択／非選択の制御を行うためのものである。
【００４２】
また、転送スイッチ１３−Ａ、１３−Ｂ、リセットスイッチ１５、及び選択スイッチ１７は、ＭＯＳトランジスタにより構成され、ゲートに供給される制御信号によりそれぞれ制御される。転送スイッチ１３−Ａのゲートには制御信号ＴＸＯが供給され、転送スイッチ１３−Ｂのゲートには制御信号ＴＸＥが供給される。リセットスイッチ１５のゲートには制御信号ＲＥＳが供給され、選択スイッチ１７のゲートには制御信号ＳＥＬが供給される。
【００４３】
ここで、制御信号ＴＸＯ及びＴＸＥは、奇数行目及び偶数行目に配置された、第１及び第２の光電変換素子１２−Ａ、１２−Ｂに発生した電荷をフローティングディフュージョン部１４に転送する制御信号である。また、制御信号ＲＥＳは、画素ユニット１１内のフローティングディフュージョン部１４を電源電位ＶＣＣにリセットするための制御信号であり、制御信号ＳＥＬは、画素ユニット１１を選択する制御信号である。
【００４４】
なお、図２においては画素ユニット１１の一般的な構成を示すため、制御信号ＴＸＯ、ＴＸＥ、ＲＥＳ、ＳＥＬは一般化して示しているが、制御信号ＴＸＯとＴＸＥは、同一行に配置された光電変換素子を１組として、すなわちセンサアレイ１０内の行毎にそれぞれ独立して設けられる。それに対して、制御信号ＲＥＳとＳＥＬは、同一行に対応する画素ユニットを１組として、各組毎に独立して設けられる。なお、図１においては、何行目に対応する制御信号であるかが明確となるように、制御信号ＴＸＯ、ＴＸＥ、ＲＥＳ、ＳＥＬの符号に番号を付加して図示している。
【００４５】
また、図２においては、２つの光電変換素子１２−Ａ、１２−Ｂを含むようにして構成された画素ユニット１１を一例として示しているが、これに限定されるものではなく、１つの画素ユニットに３つ以上の光電変換素子を含むようにしても良い。３つ以上の光電変換素子を有する場合には、各光電変換素子に対応させるように転送スイッチ及びその制御信号を設けるだけで良く、その他のスイッチ等１４、１５、１６、１７は、図２と同様に構成すれば良い。
【００４６】
図１に戻り、垂直走査回路２０は、制御信号ＴＸ１〜ＴＸ６、ＲＥＳ１２、ＲＥＳ３４、ＲＥＳ５６、ＳＥＬ１２、ＳＥＬ３４、ＳＥＬ５６を駆動制御し、センサアレイ１０から行を順次選択する。言い換えれば、垂直走査回路２０は、各制御信号を駆動制御し、センサアレイ１０内の画素ユニット１１を行単位で順次選択する。
【００４７】
行メモリ回路３０は、光電変換素子からの信号のうち、信号レベル（Ｓ）とリセットレベル（Ｎ）をそれぞれ保持しておく信号レベル保持容量Ｃｔｓとリセットレベル保持容量Ｃｔｎとを有し、垂直走査回路２０により選択された行の光電変換素子からの信号を保持する。この信号レベル（Ｓ）とリセットレベル（Ｎ）に係る保持動作は、それぞれ制御信号ＴＳ、ＴＮに基づいて行う。
【００４８】
水平走査回路４０は、行メモリ回路１３０の保持容量Ｃｔｓ、Ｃｔｎに保持された１行分の信号レベルとリセットレベルをそれぞれ順にＳ側共通出力線４１とＮ側共通出力線４２を介して転送する。出力アンプ５０は、前記Ｓ側共通出力線４１とＮ側共通出力線４２を介して転送される信号レベルとリセットレベルの差分信号を増幅し、出力端子ＯＵＴより出力する。
【００４９】
次に、図１及び図２に一例を示したＭＯＳ型センサに適用可能な本発明の実施形態による固体撮像装置の駆動方法について説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、画素ユニット１１内の転送スイッチ１３−Ａ、１３−Ｂ、リセットスイッチ１５、及び選択スイッチ１７は、ゲートに供給される制御信号がオン（ハイレベル“Ｈ”）である場合にオン（導通）状態となり、制御信号がオフ（ロウレベル“Ｌ”）である場合にオフ状態となるものとする。
【００５０】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について説明する。
図３（Ａ）は、第１の実施形態による固体撮像装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。
【００５１】
固体撮像装置（ＭＯＳ型センサ）の読出し動作を開始するとき、すべての制御信号はオフであり、各画素ユニット１１のフローティングディフュージョン部１４はフローティング状態となっている。
【００５２】
まず、時刻Ｔ１１において、制御信号ＳＥＬ１２及びＲＥＳ１２をオンする。なお、制御信号ＳＥＬ１２とＲＥＳ１２をオンするタイミングはどちらが先でも構わない。これにより、１行目及び２行目に配置された光電変換素子１２−Ａ、１２−Ｂを有する画素ユニット１１内の選択スイッチ１７及びリセットスイッチ１５がオン状態となり、フローティングディフュージョン部１４は電源電位ＶＣＣによりリセットされる。
【００５３】
続いて、制御信号ＲＥＳ１２をオンしてから期間ＴＡ１が経過した時刻Ｔ１２において、制御信号ＲＥＳ１２をオフし、リセットスイッチ１５をオフ状態にする。このようにして、画素ユニット１１のフローティングディフュージョン部１４がフローティング状態を確保した後、時刻Ｔ１３において制御信号ＴＸ１をオンして転送スイッチ１３−Ａをオン状態にすることで、光電変換素子１２−Ａに蓄えられた光電荷をフローティングディフュージョン部１４に転送する。
【００５４】
このとき、フローティングディフュージョン部１４に転送された光電荷は、容量Ｃｆｄにより電圧変換され、ソースフォロアＭＯＳトランジスタ１６を用いて後段に増幅された信号が伝達される。なお、後段に伝達された信号は、図３（Ｂ）に示すように制御信号ＴＮ、ＴＳを適宜制御することにより行メモリ回路３０内のリセットレベル保持容量Ｃｔｎ、信号レベル保持容量Ｃｔｓに保持される。さらに、水平走査回路４０によりＳ側共通出力線４１とＮ側共通出力線４２を介して出力アンプ５０に転送され、その差分信号が増幅され出力端子ＯＵＴから出力される。
【００５５】
そして、制御信号ＴＸ１をオフして転送スイッチ１３−Ａをオフ状態にした後、時刻Ｔ１４において、制御信号ＲＥＳ１２をオンして、フローティングディフュージョン部１４を電源電位ＶＣＣによりリセットする。
【００５６】
その後、制御信号ＲＥＳ１２をオンしてから期間ＴＢ１が経過した時刻Ｔ１５において、制御信号ＲＥＳ１２をオフする。このようにして、フローティングディフュージョン部１４にフローティング状態を確保した後、時刻Ｔ１６において制御信号ＴＸ２をオンして転送スイッチ１３−Ｂをオン状態にすることで、光電変換素子１２−Ｂに蓄えられた光電荷をフローティングディフュージョン部１４に転送する。このとき、同様にしてフローティングディフュージョン部１４に転送された光電荷は容量Ｃｆｄにより電圧変換されて、この信号が後段に伝達され、最終的には出力端子ＯＵＴより出力される。
【００５７】
そして、制御信号ＴＸ２をオフして転送スイッチ１３−Ｂをオフ状態にした後、時刻Ｔ１７において、制御信号ＳＥＬ１２をオフして、選択スイッチ１７をオフ状態にすることで１行目及び２行目の信号読出し動作が終了する。ここで、第１の実施形態においては、制御信号ＲＥＳ１２をオフとした状態で、１行目及び２行目の信号読出し動作を終了する。
【００５８】
続いて、時刻Ｔ１８において、制御信号ＳＥＬ３４をオンして、信号読出し動作は３行目及び４行目に遷移する。以下、３行目及び４行目の信号読出し動作においても、上述した時刻Ｔ１１〜時刻Ｔ１７と同様にして、光電変換素子１２−Ａ、１２−Ｂに蓄えられた光電荷が電圧変換され、その信号が後段に伝達される。その後、制御信号ＳＥＬ５６をオンして、信号読出し動作は５行目及び６行目に遷移する。
【００５９】
このようにして、すべての行の光電変換素子１２−Ａ、１２−Ｂの信号を読み出して完了する。
【００６０】
この図３（Ａ）に示したタイミングチャートの例では、動画撮影やデジタルカメラの連写撮影動作にあるように連続して２回目の読出し動作も記載しており、ＴＲＤ１が１回目の読出し動作の期間、ＴＲＤ２が２回目の読出し動作の期間である。
【００６１】
以上説明した第１の実施形態では、画素ユニット１１から信号を読出す際、制御信号ＴＸ１により１行目の光電変換素子１２−Ａに蓄積された光電荷を転送する前のフローティングディフュージョン部１４のリセット期間ＴＡ１と、制御信号ＴＸ２により２行目の光電変換素子１２−Ａに蓄積された光電荷を転送する前のフローティングディフュージョン部１４のリセット期間ＴＢ１とは共にほぼ１水平走査期間であり、期間ＴＡ１と期間ＴＢ１とを等しくしている。
【００６２】
これにより、光電変換素子１２−Ａ、１２−Ｂからの信号を読み出す（光電荷をフローティングディフュージョン部１４に転送する）際のフローティングディフュージョン部１４のリセット動作後の電位が同一レベルとなるため、同じ読み出し状態で光電変換素子１２−Ａ、１２−Ｂからの信号を読み出すことができ、フローティングディフュージョン部１４におけるリセット動作後の電位差が生じることを防止し、リセット動作後の電位差に起因する感度差の発生を防止することができる。したがって、感度に対する周期パターンノイズが画像に発生することを防止でき、画質劣化の発生を防ぐことができる。
【００６３】
しかしながら、上述した例では１水平走査期間をリセット時間としており、当該リセット期間が非常に短くなるとリセット残りによりダイナミックレンジを圧迫するおそれがある。このリセット残りによるダイナミックレンジの圧迫を回避する方法としては、上述した例に対して１水平走査期間を十分にとることが考えられる。１水平走査期間を十分長くすることで、各光電変換素子からの読出し前のリセット期間を十分確保することができ、前記図３に示した駆動方法により得られる効果に加え、リセット残りによりダイナミックレンジを圧迫することを回避することができる。
【００６４】
しかしながら、１水平走査期間を延長することは読み出し期間の増大につながり、例えば動画撮影などの連続撮影動作には不向きであるので、撮影用途等に応じて１水平走査期間を適切に設定するようにすればよい。
【００６５】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。
以下に説明する第２の実施形態は、いわゆるインターレース方式で光電変換素子１２−Ａ、１２−Ｂの信号を読み出すようにしたものである。
【００６６】
図４は、第２の実施形態による固体撮像装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。
第２の実施形態においては、固体撮像装置（ＭＯＳ型センサ）の読出し動作を開始するとき、制御信号ＲＥＳ１２、ＲＥＳ３４、及びＲＥＳ５６のみがオン、その他の制御信号はオフであり、各画素ユニット１１のフローティングディフュージョン部１４はリセットされている。
【００６７】
まず、時刻Ｔ２１において、制御信号ＳＥＬ１２をオンし、画素ユニット１１内の選択スイッチ１７をオン状態にした後、時刻Ｔ２２において制御信号ＲＥＳ１２をオフし、画素ユニット１１内のリセットスイッチ１５をオフ状態にする。このようにして、フローティングディフュージョン部１４がフローティング状態を確保した後、時刻Ｔ１３において制御信号ＴＸ１をオンして転送スイッチ１３−Ａをオン状態にし、１行目に配置された光電変換素子１２−Ａに蓄えられた光電荷をフローティングディフュージョン部１４に転送する。
【００６８】
このとき、フローティングディフュージョン部１４に転送された光電荷は、容量Ｃｆｄにより電圧変換され、ソースフォロアＭＯＳトランジスタ１６を用いて後段に増幅された信号が伝達される。なお、後段に伝達された信号は、制御信号ＴＮ、ＴＳを適宜制御することにより行メモリ回路３０内のリセットレベル保持容量Ｃｔｎ、信号レベル保持容量Ｃｔｓに保持される。さらに、水平走査回路４０によりＳ側共通出力線４１とＮ側共通出力線４２を介して出力アンプ５０に転送され、その差分信号が増幅され出力端子ＯＵＴから出力される。
【００６９】
そして、制御信号ＴＸ１をオフして転送スイッチ１３−Ａをオフ状態にした後、時刻Ｔ２４において、制御信号ＲＥＳ１２をオンして、フローティングディフュージョン部１４を電源電位ＶＣＣによりリセットする。また、時刻Ｔ２５において、制御信号ＳＥＬ１２をオフして、選択スイッチ１７をオフ状態にする。
【００７０】
その後、時刻Ｔ２６において制御信号ＳＥＬ３４をオンし、続いて時刻Ｔ２７において制御信号ＲＥＳ３４をオフして、フローティングディフュージョン部１４がフローティング状態を確保した後、時刻Ｔ２８において制御信号ＴＸ３をオンして３行目に配置されている光電変換素子１２−Ａに蓄えられた光電荷をフローティングディフュージョン部１４に転送する。このとき、同様にしてフローティングディフュージョン部１４に転送された光電荷は容量Ｃｆｄにより電圧変換されて、この信号が後段に伝達され、最終的には出力端子ＯＵＴより出力される。
【００７１】
続いて、制御信号ＴＸ３をオフした後、時刻Ｔ２９において、制御信号ＲＥＳ３４をオンして、フローティングディフュージョン部１４を電源電位ＶＣＣによりリセットする。また、時刻Ｔ３０において、制御信号ＳＥＬ３４をオフする。以下、５行目、７行目、…と同様の動作を繰り返し行う。
【００７２】
このようにして、まず、奇数行に配置されている光電変換素子１２−Ａの信号読出し動作を行った後、同様にして偶数行に配置されている光電変換素子１２−Ｂの信号読出し動作を行い、読出し動作を完了する。
【００７３】
ここで、図４から明らかなように、第２の実施形態では、画素ユニット１１単位でインターレース読み出しを行うことで、１行目（奇数行目）の光電変換素子１２−Ａに蓄積された光電荷を転送する前のフローティングディフュージョン部１４のリセット期間ＴＡ２と、２行目（偶数行目）の光電変換素子１２−Ｂに蓄積された光電荷を転送する前のフローティングディフュージョン部１４のリセット期間ＴＢ２とは、期間の長さが同一でありかつ共に全読出し期間のほぼ１／２程度の期間となる。
【００７４】
そのため、ＭＯＳ型センサのフローティングディフュージョン部におけるリセット残りを極小化し、かつ奇数行と偶数行との違いによるリセット動作後の電位の差もまた極小化することができる。したがって、リセット動作後の電位差に起因する感度差の発生を防止することができ、感度に対する周期パターンノイズが発生することを防止し画質劣化の発生を防ぐことができる。また、ダイナミックレンジの劣化や読出し時間の増大に対しても、及ぼす影響は非常に少ない。
【００７５】
なお、前記図４に示した例に対して、期間ＴＡ２及びＴＢ２が共にフローティングディフュージョン部１４がリセットレベルに到達するためのフローティングディフュージョン部の容量Ｃｆｄとリセットスイッチ１５のオン抵抗による時定数に依存した時間に対して十分長ければ、リセット残りによる奇数行と偶数行との電位差（リセットレベルの電位差）は非常に小さくなるので、リセット期間ＴＡ２とＴＢ２とは必ずしも同一である必要はない。
【００７６】
また、上述した第２の実施形態では、画素ユニット１１が２つの光電変換素子１２−Ａ、１２−Ｂを有する場合を一例として示しているが、画素ユニット１１がｋ個（ｋは３以上の自然数）の光電変換素子を有していても、上述したような画素ユニット単位のインターレース方式で光電変換素子からの信号を読み出すことは可能である。例えば、画素ユニット１１が５つの光電変換素子を有する場合には、５つの光電変換素子の中から１つの光電変換素子を選択して全画素ユニットに渡って信号を読出し、続いて５つの光電変換素子の中から未だ選択していない１つの光電変換素子を選択して全画素ユニットに渡って信号を読出す。同様にして、５つの光電変換素子を重複しないように順次選択していき、全画素ユニットに渡る信号の読出し動作を繰り返し行うことで、固体撮像装置の全光電変換素子の信号を読み出すことが可能である。
【００７７】
（本発明の他の実施形態）
次に、上述した各実施形態に示した駆動方法により駆動される固体撮像装置をカメラに適用した場合について説明する。図５は、各実施形態における駆動方法により駆動される固体撮像装置をカメラに適用した場合の構成例を示すブロック図である。なお、このカメラは、銀塩カメラに対立する概念として、一般的に電子カメラと呼ばれ、これにはスチルカメラ、ビデオカメラ、及びそれらの機能を混載したスチルビデオカメラ等が含まれる。また、このカメラは、例えばパーソナルコンピュータや携帯端末等の情報処理装置にその一部として組み込まれてもよい。
【００７８】
図５において、５１はレンズのプロテクトとメインスイッチを兼ねるバリア、５２は被写体の光学像を固体撮像素子５４に結像させるレンズ、５３はレンズ５２を通った光量を可変するための絞り、５４はレンズ６２で結像された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像素子、５５は固体撮像素子５４より出力される画像信号に所定の処理を施す撮像信号処理回路、５６は固体撮像素子５４より出力される画像信号のアナログ−ディジタル変換を行うＡ／Ｄ変換部、５７はＡ／Ｄ変換部５６より出力された画像データに各種の補正を行ったりデータを圧縮したりする信号処理部、５８は固体撮像素子５４、撮像信号処理回路５５、ＡＤ／変換部５６、信号処理部５７に、各種タイミング信号を出力するタイミング発生部、５９は各種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算部、６０は画像データを一時的に記憶する為のメモリ部、６１は記録媒体に記録または読み出しを行うためのインターフェース部、６２は画像データの記録または読み出しを行う為の半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体、６３は外部コンピュータ等と通信する為のインターフェース部である。なお、前記撮像信号処理回路５５、ＡＤ変換部５６、信号処理部５７、タイミング発生部５８、全体制御・演算部５９は、これらの回路機能を実現可能なプロセッサにより構成しても良い。
【００７９】
次に、上述の構成における撮影時のスチルビデオカメラの動作について説明する。
バリア５１がオープンされるとメイン電源がオンされ、次にコントロール系の電源がオンし、更にＡ／Ｄ変換部５６などの撮像系回路の電源がオンされる。
【００８０】
それから、露光量を制御する為に、全体制御・演算部５９は絞り５３を開放にし、固体撮像素子５４から出力された信号はＡ／Ｄ変換部５６で変換された後、信号処理部６７に入力される。
そのデータを基に露出の演算を全体制御・演算部５９で行う。
この測光を行った結果により明るさを判断し、その結果に応じて全体制御・演算部５９は絞りを制御する。
【００８１】
次に、固体撮像素子５４から出力された信号をもとに、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を全体制御・演算部５９で行う。その後、レンズ５２を駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判断した時は、再びレンズ５２を駆動し測距を行う。
【００８２】
そして、合焦が確認された後に本露光が始まる。
露光が終了すると、固体撮像素子５４から出力された画像信号は、Ａ／Ｄ変換部５６でＡ／Ｄ変換され、信号処理部５７を通り全体制御・演算部５９によりメモリ部６０に書き込まれる。
【００８３】
その後、メモリ部６０に蓄積されたデータは、全体制御・演算部５９の制御により記録媒体制御Ｉ／Ｆ部６１を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体６２に記録される。
また、外部Ｉ／Ｆ部６３を通り直接コンピュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。
【００８４】
なお、前記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施形態による駆動方法が適用可能なＭＯＳ型センサの概略構成例を示す図である。
【図２】画素ユニットの構成を示す図である。
【図３】第１の実施形態による固体撮像装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。
【図４】第２の実施形態による固体撮像装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。
【図５】本発明の実施形態による駆動方法で駆動される固体撮像装置をカメラに適用した場合の構成例を示すブロック図である。
【図６】光電変換素子を除く回路部分を共通化したＭＯＳ型センサの一例を示す図である。
【図７】図６に示したＭＯＳ型センサにおける問題点を説明するための図である。
【図８】図６に示したＭＯＳ型センサの従来の駆動方法の他の例を示すタイミングチャートである。
【図９】ソースフォロア回路の入出力特性及び利得特性を示す図である。
【図１０】光電変換素子にＲＧＢのカラーフィルターを市松模様状に配置したエリアセンサの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００８６】
１０  センサアレイ
１１  画素ユニット
１２−Ａ、１２−Ｂ  光電変換素子
１３−Ａ、１３−Ｂ  転送スイッチ
１４  フローティングディフュージョン部
１５  リセットスイッチ
１６  ソースフォロアＭＯＳトランジスタ
【図１】
2006074173.tif 000003
【図２】
2006074173.tif 000004
【図３】
2006074173.tif 000005
【図４】
2006074173.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2006074173.tif 000010
【図９】
2006074173.tif 000011
【図１０】
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