(57)【要約】【課題】  安価な電子部品による単純な回路で充電開始直後のラッシュ電流を制限する。【解決手段】  電力供給源に接続され，通過する電流量の増加に応じて抵抗値が増加する可変抵抗部Ｒ１００と，一端が上記可変抵抗部に接続され，上記可変抵抗部から一方向の電力通過を許可するダイオードＤ１００と，上記ダイオードの他端に接続され，電荷を蓄積する電池Ｃ２００とを備え，上記電力供給源から電力の供給を受けている間，上記ダイオードの後段から他の回路に電力を供給し，かつ，上記電池を充電し，上記電力の供給が断たれた場合，上記電池から上記他の回路に直接電力を供給することを特徴とする，バックアップ回路が提供される。【選択図】    図８
2006262565.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力供給源に接続され，通過する電流量の増加に応じて抵抗値が増加する可変抵抗部と；
一端が前記可変抵抗部に接続され，前記可変抵抗部から一方向の電力通過を許可するダイオードと；
前記ダイオードの他端に接続され，電荷を蓄積する電池と；
を備え，
前記電力供給源から電力の供給を受けている間，前記ダイオードの後段から他の回路に電力を供給し，かつ，前記電池を充電し，
前記電力の供給が断たれた場合，前記電池から前記他の回路に直接電力を供給することを特徴とする，バックアップ回路。
【請求項２】
前記電力供給源と前記可変抵抗部の間に，電力供給源からの直流もしくは交流の電力を所定の直流電圧を有する電力に変換する電力変換部をさらに備えることを特徴とする，請求項１に記載のバックアップ回路。
【請求項３】
前記電池の電圧に応じて，前記電力変換部の直流電圧を変化させる電圧調整部をさらに備えることを特徴とする，請求項２に記載のバックアップ回路。
【請求項４】
前記可変抵抗部は，サーミスタであることを特徴とする，請求項１に記載のバックアップ回路。
【請求項５】
電力供給源から電力の供給を受けて記憶媒体を駆動する記憶媒体駆動装置であって：
前記電力供給源に接続され，通過する電流量の増加に応じて抵抗値が増加する可変抵抗部と；
一端が前記可変抵抗部に接続され，前記可変抵抗部から一方向の電力通過を許可するダイオードと；
前記ダイオードの他端に接続され，電荷を蓄積する電池と；
前記記憶媒体を所定の状態に移行する記憶媒体移行部と；
を備え，
前記電力供給源から電力の供給を受けている間，前記ダイオード後段からの電力によって，前記記憶媒体を駆動し，かつ，前記電池を充電し，
前記電力の供給が断たれた場合，前記記憶媒体移行部が，前記電池の電力によって前記記憶媒体を所定の状態に移行することを特徴とする，記憶媒体駆動装置。
【請求項６】
前記記憶媒体は，ディスクであり，
前記所定の状態への移行は，前記ディスクを安全な位置に退避することであることを特徴とする，請求項５に記載の記憶媒体駆動装置。
【請求項７】
電力供給源からの電力によって電池を充電する充電回路であって：
前記電力供給源に接続され，通過する電流量の増加に応じて抵抗値が増加する可変抵抗部と；
一端が前記可変抵抗部に他端が前記電池に接続され，前記可変抵抗部から前記電池への一方向の電力通過を許可するダイオードと；
を備えることを特徴とする，充電回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，バックアップ回路，そのバックアップ回路を有する記憶媒体駆動装置，および，充電回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から二次電池の充電には，定電流方式と定電圧方式の２方式がとられている。このうち定電流方式では，例えば特許文献１に示されるように，一定の電流により効率よく充電することが可能である。かかる定電流方式は，急速充電に適しているが，最大電圧まで充電するのが難しく，また，困難な電流値の制御を伴うといった問題がある。
【０００３】
また，定電圧方式では，充電初期の，電力供給源と二次電池との電位差により過電流（ラッシュ電流）が生じ，回路の破損もしくは電池寿命の短期化を招いていた。かかる過電流を制限するために，電力供給源と二次電池との間に電流制限のための固定抵抗を挿入することが考えられるが，電流量に応じて大容量の固定抵抗，例えば，大容量のセメント抵抗が必要となり，充電回路の大型化およびコストの増大という問題が生じてしまう。また，上記固定抵抗の電圧降下によって充電時間も比較的長くなり，急速充電には適していない。
【０００４】
また，電力供給源の出力電圧を複数段階設けて，最初は低電圧で充電し，徐々に正規の電圧に上げていく方法も考えられるが，充電回路も複雑であり，コスト，回路規模，信頼性の点で問題が生じる。
【０００５】
さらに，正規の直流電圧を印加するためのレギュレータを設置し，そのレギュレータに設けられた過電流保護機能を利用して，ラッシュ電流を制限する方法も考えられるが，上記過電流保護機能は，回路に異常が生じた場合の保護機能であり，上記のラッシュ電流を回避するために連続して利用することは想定されておらず，充電の回数が制限される。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−３３２１３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は，従来の充電回路が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，安価な電子部品による単純な回路で充電開始直後のラッシュ電流を制限可能な，新規かつ改良されたバックアップ回路，記憶媒体駆動装置，充電回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，電力供給源に接続され，通過する電流量の増加に応じて抵抗値が増加する可変抵抗部と；一端が上記可変抵抗部に接続され，上記可変抵抗部から一方向の電力通過を許可するダイオードと；上記ダイオードの他端に接続され，電荷を蓄積する電池と；を備え，上記電力供給源から電力の供給を受けている間，上記ダイオードの後段から他の回路に電力を供給し，かつ，上記電池を充電し，上記電力の供給が断たれた場合，上記電池から上記他の回路に直接電力を供給することを特徴とする，バックアップ回路が提供される。上記可変抵抗部は，正特性サーミスタ，ポリスイッチであっても良い。
【０００９】
かかる正特性サーミスタやポリスイッチといった電子部品は，通過する電流量が増加すると物性的に抵抗値も増加し，逆に電流量が減少すると抵抗値も減少する。これは，通過する電流の量により熱が生じ，その熱に応じて抵抗値が変化する特性を利用したものである。このような電子部品は，電流を制限するため回路保護素子として広く使われている。また素子を構成する材料によってポリマー系やセラミック系のサーミスタも存在する。
【００１０】
上記電池（二次電池）として，例えば，大容量コンデンサを利用したバックアップ回路では，バックアップ回路自体の動作を安定させるため，また，大容量コンデンサの寿命を保持するため，充電初期の電力供給源と二次電池との電位差によるラッシュ電流を制限する必要が生じる。本発明は，単に上記可変抵抗部としての正特性サーミスタやポリスイッチといった安価な電子部品を挿入しただけの単純な回路によって，上記ラッシュ電流を回避することを特徴とし，小型化，低価格化および高信頼性の確保を実現可能なバックアップ回路を提案する。
【００１１】
上記バックアップ回路は，上記電力供給源と上記可変抵抗部の間に，電力供給源からの直流もしくは交流の電力を，所定の直流電圧を有する電力に変換する電力変換部をさらに備えるとしても良い。上記電力変換部はレギュレータであるとしても良い。
【００１２】
かかる構成により，例えば，直流，交流，電圧源，電流源といった電力供給源の種類に拘わらず，一定の直流電源（直流電圧）を他の回路および電池に供給することが可能となる。また，上記電力変換部の電圧と，可変抵抗部の種類とを選択するといった容易な作業でバックアップ回路が必要とする幅広い電力仕様にも対応可能である。
【００１３】
また，上記電池の電圧に応じて，上記電力変換部の直流電圧を変化させる電圧調整部をさらに備えることもできる。
【００１４】
かかる電圧調整部の構成により，電力変換部の電圧を複数段もしくは連続的に変換することができ，電池に対する効率の良い充電が可能となる。
【００１５】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，電力供給源から電力の供給を受けて記憶媒体を駆動する記憶媒体駆動装置であって：上記電力供給源に接続され，通過する電流量の増加に応じて抵抗値が増加する可変抵抗部と；一端が上記可変抵抗部に接続され，上記可変抵抗部から一方向の電力通過を許可するダイオードと；上記ダイオードの他端に接続され，電荷を蓄積する電池と；上記記憶媒体を所定の状態に移行する記憶媒体移行部と；を備え，上記電力供給源から電力の供給を受けている間，上記ダイオード後段からの電力によって，上記記憶媒体を駆動し，かつ，上記電池を充電し，上記電力の供給が断たれた場合，上記記憶媒体移行部が，上記電池の電力によって上記記憶媒体を所定の状態に移行することを特徴とする，記憶媒体駆動装置が提供される。
【００１６】
上述したバックアップ回路同様，本発明は，単に上記可変抵抗部としての正特性サーミスタやポリスイッチといった安価な電子部品を挿入しただけの単純な回路によって，上記ラッシュ電流を回避することを特徴とし，小型化，低価格化および高信頼性の確保を実現可能な記憶媒体駆動装置を提案する。従って，バックアップ回路に関する従属項に示された発明は，当該記憶媒体駆動装置にも適応可能である。
【００１７】
上記記憶媒体は，ディスクであり，上記所定の状態への移行は，上記ディスクを安全な位置に退避することであるとしても良い。
【００１８】
例えば，光ディスクといった記憶媒体は，回転した状態で情報の読み出し／書き込みが行われる。しかし，何らかの原因によって電力供給源から電力が断たれた場合に，上記ディスクまたは読み出し／書き込み装置が破損する可能性がある。上記記憶媒体移行部の構成によって，かかる破損を回避し，ディスクを保護することが可能となる。
【００１９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，電力供給源からの電力によって電池を充電する充電回路であって：上記電力供給源に接続され，通過する電流量の増加に応じて抵抗値が増加する可変抵抗部と；一端が上記可変抵抗部に他端が上記電池に接続され，上記可変抵抗部から上記電池への一方向の電力通過を許可するダイオードと；を備えることを特徴とする，充電回路が提供される。
【００２０】
かかる充電回路においても，単に上記可変抵抗部としての正特性サーミスタやポリスイッチといった安価な電子部品を挿入しただけの単純な回路によって，上記ラッシュ電流を回避することが可能となる。従って，上記充電回路は，小型化，低価格化および高信頼性の確保を実現することができる。また，バックアップ回路に関する従属項に示された発明は，当該充電回路にも適応可能である。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように本発明によれば，安価な電子部品による単純な回路で充電開始直後のラッシュ電流を制限することができる。従って，回路の省スペース化，低価格化が可能となる。
【００２２】
また，部品点数を少なくすることが可能なので，回路自体の信頼性を極めて高く維持することができる。さらに上記可変抵抗部の種類を選択するといった容易な作業で幅広い電力仕様にも対応することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２４】
電力供給源から電力の供給を受けて記憶媒体を駆動する記憶媒体駆動装置には，電力供給源からの電力が断たれた場合であっても，その記憶媒体駆動装置内で駆動している記憶媒体を安全な位置に退避して，記憶媒体の破損を防止しなくてはならない。従って，このような記憶媒体駆動装置内には，緊急時の電力供給を行うバックアップ回路が設けられている。このバックアップ回路は，通常時，即ち，電力供給源から電力の供給を受けている間，記憶媒体を駆動し，かつ，二次電池を充電し，電力の供給が断たれたとにき，この二次電池の電力を利用して，記憶媒体を安全な位置に退避する。
【００２５】
例えば，上記記憶媒体が光ディスクであり，何らかの原因によって電力供給源から電力が断たれた場合に，回転中のディスクまたは読み出し／書き込み装置が破損する可能性がある。この場合，記憶媒体駆動装置は，二次電池に蓄積された電力を利用して上記ディスクを回転盤から隔離する，もしくは回転を停止するといった緊急処理を行う。
【００２６】
このバックアップ回路は，１．電力供給源の電力を記憶媒体の駆動部に供給する，２．電力供給源の電力を二次電池に供給する，３．電力の供給が断たれたとにきに二次電池から記憶媒体の駆動部に電力を供給する，機能を有する。
【００２７】
上記２．に示した二次電池の充電には，従来から定電流方式と定電圧方式の２方式がとられている。このうち定電流方式は，急速充電に適しているが，最大電圧まで充電するのが難しく，また，困難な電流値の制御を伴うといった問題がある。また，定電圧方式では，充電初期の電力供給源と二次電池との電位差により過電流（ラッシュ電流）が生じ，回路の破損もしくは電池寿命の短期化を招いていた。このような過電流を制限するために以下の対策がとられていた。
【００２８】
図１は，固定抵抗Ｒ１を利用したバックアップ回路を説明するための回路図である。かかるバックアップ回路は，固定抵抗Ｒ１と，ダイオードＤ１と，電池Ｃ１とを含んで構成される。
【００２９】
上記固定抵抗Ｒ１は，大容量のセメント抵抗等から構成され，電力供給源１０から，例えば＋７．６Ｖの直流電圧で表される直流電力を受ける。そして電力供給源１０と電池Ｃ１との電位差からダイオードＤ１の電圧降下分を差し引いた値を，その固定抵抗Ｒ１の抵抗値で割った分だけ電流を通す。上記固定抵抗Ｒ１によって，電力供給源１０と電池Ｃ１との電位差から生じる過電流を制限できる。
【００３０】
上記ダイオードＤ１は，固定抵抗Ｒ１に直列に接続され，電池Ｃ１および他の回路２０からの逆電流を防止する。
【００３１】
上記電池Ｃ１は，電力供給源１０からの電力が供給されている間，その電力（電荷）を蓄える。
【００３２】
このようなバックアップ回路によって，バックアップ回路が電力供給源１０と接続されている間，電力供給源１０の電力が他の回路２０に供給され（１），同時に，電力供給源１０の電力が電池Ｃ１に蓄えられる。また，バックアップ回路と電力供給源１０との接続が断たれる（電力の供給が無くなる）と，電池Ｃ１に蓄えられた電力が他の回路２０に供給される。
【００３３】
しかし，このような固定抵抗Ｒ１を使ったバックアップ回路では，セメント抵抗等，大容量の固定抵抗が必要となり，バックアップ回路自体の大型化およびコストの増大に繋がる。また，固定抵抗Ｒ１の電圧降下によって充電時間も比較的長くなり，急速充電には適していない。
【００３４】
図２は，電圧検知部３０を利用したバックアップ回路を説明するための回路図である。かかるバックアップ回路は，ダイオードＤ１と，電池Ｃ１と，電圧検知部３０とを含んで構成される。図１を参照して既に述べたダイオードＤ１と電池Ｃ１の構成要素は，図２においても実質的に機能が同一なので重複説明を省略する。
【００３５】
上記電圧検知部３０は，充電中の電池Ｃ１の端子電圧を検知し，電力供給源１０にその電圧値を送信する。
【００３６】
電力供給源１０は，上記電池Ｃ１の端子電圧に応じて，出力電圧を複数段階に分けて上げていく。例えば，＋１．９Ｖの電圧で充電を開始し，端子電圧が所定値を越えると＋３．８Ｖ，＋５．７Ｖと徐々に正規の電圧（＋７．６Ｖ）に近づける方法がとられる。かかる複数段階の出力電圧は，段階を上げた時の突入電流（過電流）が所定値を越えないように選ばれる。上記段階の数を多くとると，上述した定電流方式に近くなる。かかる出力電圧を複数段階に分割する方法は，バックアップ回路自体が複雑になり，コスト，回路規模，信頼性の点で問題が生じ得る。
【００３７】
図３は，レギュレータＵ１を利用したバックアップ回路を説明するための回路図である。かかるバックアップ回路は，レギュレータＵ１と，ダイオードＤ１と，電池Ｃ１とを含んで構成される。図１を参照して既に述べたダイオードＤ１と電池Ｃ１の構成要素は，図３においても実質的に機能が同一なので重複説明を省略する。
【００３８】
上記レギュレータＵ１は，過電流が流れると，レギュレータＵ１内に流れる電流を切断もしくは制限する過電流保護機能を有す。従って，電力供給源１０と電池Ｃ１との電位差によるラッシュ電流が所定の閾値を越えると，電流制限がかかり，後段の回路が保護される。
【００３９】
しかし，レギュレータＵ１の過電流保護機能は，回路に異常が生じた場合の保護機能であり，上記のラッシュ電流を回避するために連続して利用することは想定されていない。これは，連続動作保証を得られていないということであり，連続充電時の利用にリスクを伴うことを意味する。
【００４０】
（第１の実施形態：充電回路）
上述したように，電池（二次電池）として，例えば，大容量コンデンサを利用したバックアップ回路では，バックアップ回路自体の動作を安定させるため，また，大容量コンデンサの寿命を保持するため，充電初期の電力供給源と二次電池との電位差によるラッシュ電流を制限する必要が生じる。
【００４１】
本実施形態では，バックアップ回路に適用される充電回路を挙げて，本実施形態の特徴である，単に正特性サーミスタやポリスイッチといった安価な電子部品を挿入しただけの単純な回路によって，ラッシュ電流を回避することを説明する。
【００４２】
図４は，第１の実施形態における充電回路を示した回路図である。かかる充電回路は，電力変換部Ｕ１００と，可変抵抗部Ｒ１００と，ダイオードＤ１００とを含んで構成され，電力供給源１１０の電力によって電池Ｃ１００を充電する。
【００４３】
上記電力変換部Ｕ１００は，電力供給源１１０に接続され，電力供給源１１０からの直流もしくは交流の電力を所定の直流電圧を有する電力に変換する。かかる電力変換部Ｕ１００は，定電圧レギュレータ，電圧可変レギュレータ，ＤＣ−ＤＣ変換器等の直流出力装置で構成することが可能である。
【００４４】
上記可変抵抗部Ｒ１００は，可変抵抗部Ｕ１００に接続され，可変抵抗部Ｒ１００自体を通過する電流量に応じて抵抗値が変化する。かかる可変抵抗部Ｒ１００は，正特性サーミスタやポリスイッチで構成することが可能である。
【００４５】
上記正特性サーミスタやポリスイッチといった電子部品は，通過する電流量が増加すると物性的に抵抗値も増加する。これは，通過する電流の量により熱が生じ，その熱に応じて抵抗値が変化する特性を利用したものである。このような電子部品は，電流を制限するため回路保護素子として広く使われている。また素子を構成する材料によってポリマー系やセラミック系等が存在する。特に，セラミック系のサーミスタには，安価なＰＴＣ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  Ｔｅｍｐｒｅｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）サーミスタ等が含まれる。
【００４６】
図５は，本実施形態に適用可能なサーミスタの温度対抵抗比を示した説明図である。この説明図を参照すると，周囲温度が１００℃を越えた辺りから急激に抵抗値が増加している。勿論，電流量の減少により熱が減少すると，それに伴って抵抗値も減少する。
【００４７】
上記正特性サーミスタやポリスイッチは，他力によるリセットを必要とせず，繰り返し利用できる点でヒューズ等と相違する。
【００４８】
ダイオードＤ１００は，可変抵抗部Ｒ１００に直列に接続され，電池Ｃ１００からの逆電流を防止する。
【００４９】
図６は，かかる充電回路の充電特性を示した説明図である。かかる説明図は，横軸に経過時間，縦軸に電池Ｃ１００に流入する電流値を表している。
【００５０】
例えば，ダイオードＤ１００の電圧降下を無視でき，電力変換部Ｕ１００と電池Ｃ１００との電位差が７．２Ｖである場合を想定する。ここで電力変換部Ｕ１００とダイオードＤ１００との間に何も挿入されていないと，電池Ｃ１００に流入する電流は，電池Ｃ１００の内部抵抗のみによって決まり，当該充電回路の耐電流２．５Ａを超過した例えば１０Ａ以上の電流が流れる（４）。従って，充電回路の破損もしくは電池Ｃ１００寿命の短期化を招く。
【００５１】
ここで，図１に示したように固定抵抗（ここでは３Ω）を挿入すると，突入電流は，７．２Ｖ／３Ωで２．４Ａとなり，ラッシュ電流の防止は可能となる。しかし，固定抵抗の電圧降下によって充電時間が長くなる（５）。
【００５２】
本実施形態における可変抵抗部Ｒ１００は，大きな突入電流による発熱によって抵抗値が上昇し，充電初期には例えば３Ωとなって上述した２．４Ａの電流が流れる。しかし，その後，充電が進行すると，電池Ｃ１００への流入電流が徐々に減少し，それに応じて可変抵抗部Ｒ１００の抵抗値も減少する。従って，上述した（５）の曲線と比較して，短時間で充電が終了する（６）。ここで電流値が０Ａに近づいているのは，電池Ｃ１００の端子電圧が目標の充電電圧に近づいたことを示している。
【００５３】
図７は，本実施形態において，電池Ｃ１００の充電特性の測定値を示した説明図である。かかる説明図を参照すると，充電開始後２０秒程度で，安定電圧（７．６Ｖ）に達していることが理解される。
【００５４】
このように本実施形態においては，電位差と制限すべき電流値とによる抵抗値の変化を勘案した可変抵抗部Ｒ１００の種類と，電力変換部Ｕ１００の電圧とを選択するといった容易な作業で，充電回路が必要とする幅広い電力仕様にも対応することができる。
【００５５】
（第２の実施形態：バックアップ回路）
本実施形態では，上記充電回路を利用したバックアップ回路を挙げて，どのようにラッシュ電流を回避するかを説明する。
【００５６】
図８は，第２の実施形態におけるバックアップ回路を示した回路図である。かかるバックアップ回路は，電力変換部Ｕ１００と，可変抵抗部Ｒ１００と，ダイオードＤ１００と，電池Ｃ２００と，電圧調整部１３０とを含んで構成され，電力供給源１１０の電力によって他の回路１２０の動作を支援し，電池Ｃ２００を充電する。ここで，他の回路１２０は，電力供給源からの電力供給が止まった場合にバックアップを必要とする回路を表す。
【００５７】
第１の実施形態における構成要素として既に述べた電力変換部Ｕ１００，可変抵抗部Ｒ１００，ダイオードＤ１００は，実質的に機能が同一なので重複説明を省略する。ここでは，相違する点を主に説明する。
【００５８】
上記電池Ｃ２００は，例えば，４．７Ｆ／２．３Ｖの電気二重層コンデンサを４個直列に接続したものを利用している。かかる電池Ｃ２００には，各電気二重層コンデンサに対して並列に分圧抵抗が付される。かかる分圧抵抗は，可変抵抗部Ｒ１００や上記コンデンサの内部抵抗と比較して十分に大きい抵抗値（例えば１０ｋΩ）を有し，各電気二重層コンデンサに等しい電圧を印加するために設けられている。
【００５９】
上記電圧調整部１３０は，電池Ｃ２００の端子電圧に応じて，電力変換部Ｕ１００の直流電圧を変化させる。例えば，最初電力変換部Ｕ１００の出力電圧を３．８Ｖとし，電池Ｃ２００の端子電圧が３．０Ｖといった所定値を越えた後に，出力電圧を７．６Ｖに変更する。本実施形態では，電圧調整部１３０を利用して電力変換部Ｕ１００の出力を複数段階変化しているが，このような複数段階の変化が必要ない場合，電圧調整部１３０を設けない構成も考えられる。
【００６０】
図８は，電力供給源１１０から電力の供給を受けている場合を示している。従って，かかる電力は，他の回路１２０に供給され（７），併せて，電池Ｃ２００に充電される（８）。ここで，電池Ｃ２００は，図６の（６）と同様の充電特性を示すが，他の回路１２０の負荷分だけ充電期間が延長される。
【００６１】
図９は，第２の実施形態におけるバックアップ回路を示した回路図である。図８においては，電力供給源１１０から電力が供給されていたが，図８においては，この電力の供給が断たれている。
【００６２】
このように，電力供給源１１０からの電力の供給が断たれると，ダイオードＤ１００を介した他の回路１２０および電池Ｃ２００への電力供給は無くなる。しかし，図８において電池Ｃ２００に充電された電力を利用し，所定の期間他の回路１２０を動作することができる（９）。
【００６３】
このとき，ダイオードＤ１００によって，電池Ｃ２００に蓄積された電力の電力供給源１１０側への逆流が阻止される。
【００６４】
このように本実施形態においても，第１の実施形態同様，電位差と制限すべき電流値とによる抵抗値の変化を勘案した可変抵抗部Ｒ１００の種類と，電力変換部Ｕ１００の電圧とを選択するといった容易な作業で，充電回路が必要とする幅広い電力仕様にも対応することができる。
【００６５】
（第３の実施形態：記憶媒体駆動装置）
本実施形態では，上記バックアップ回路を利用して記憶媒体を駆動する記憶媒体駆動装置を説明する。
【００６６】
図１０は，第３の実施形態における記憶媒体駆動装置を示した回路図である。かかる記憶媒体駆動装置は，電力変換部Ｕ１００と，可変抵抗部Ｒ１００と，ダイオードＤ１００と，電池Ｃ２００と，電圧調整部１３０と，記憶媒体移行部１４０とを含んで構成され，電力供給源１１０の電力によって記憶媒体１５０を駆動し，電池Ｃ２００を充電する。ここで，記憶媒体１５０は，光ディスクや磁気ディスク等のディスクもしくはスタティックメモリ等を示す。
【００６７】
第２の実施形態における構成要素として既に述べた電力変換部Ｕ１００，可変抵抗部Ｒ１００，ダイオードＤ１００は，電池Ｃ２００，電圧調整部１３０は，実質的に機能が同一なので重複説明を省略する。ここでは，相違する点を主に説明する。
【００６８】
上記記憶媒体移行部１４０は，電力供給源１１０からの電力の供給が断たれた場合，その状態を検知し，電池Ｃ２００の電力を受けて記憶媒体１５０を所定の状態に移行する。ここで，所定の状態への移行は，記憶媒体１５０をロードアップしてスピンドルモータから取り外し，安全な位置に退避することを含む。
【００６９】
例えば，光ディスクといった記憶媒体１５０は，回転した状態で情報の読み出し／書き込みが行われる。しかし，何らかの原因によって電力供給源１１０から電力が断たれた場合に，ディスク１５０または読み出し／書き込み装置が破損する可能性がある。かかる記憶媒体移行部１４０の構成によって，かかる破損を回避し，ディスクを保護することが可能となる。
【００７０】
以上説明したように上述の実施形態によれば，サーミスタ等の安価な電子部品による単純な回路で充電開始直後のラッシュ電流を制限することができる。従って，回路の省スペース化，低価格化が可能となる。また，部品点数を少なくすることが可能なので，回路自体の信頼性を極めて高く維持することができる。さらに電位差と制限すべき電流値とによる抵抗値の変化を勘案した可変抵抗部の種類と，電力変換部の電圧とを選択するといった容易な作業で，充電回路が必要とする幅広い電力仕様にも対応することができる。
【００７１】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００７２】
例えば，上述した実施形態において，可変抵抗部としてサーミスタ等を挙げて説明したが，かかる電子部品に限られず，電流値やその電流による温度に応じて物性的に抵抗値が変化する電子部品であれば本実施形態に適応可能である。
【００７３】
また，上記可変抵抗部として，外部からの電圧やコマンドによって抵抗値が変化する所謂可変抵抗を利用し，電流値に応じて抵抗値を変化させ，本実施形態に適応することもできる。
【００７４】
また，上述した実施形態では，可変抵抗部の後段にダイオードを接続しているが，かかる場合に限られず，その配置を逆にすることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は，バックアップ回路，そのバックアップ回路を有する記憶媒体駆動装置，および，充電回路に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】固定抵抗を利用したバックアップ回路を説明するための回路図である。
【図２】電圧検知部を利用したバックアップ回路を説明するための回路図である。
【図３】レギュレータを利用したバックアップ回路を説明するための回路図である。
【図４】第１の実施形態における充電回路を示した回路図である。
【図５】第１の実施形態に適用可能なサーミスタの温度対抵抗比を示した説明図である。
【図６】充電回路の充電特性を示した説明図である。
【図７】電池の充電特性の測定値を示した説明図である。
【図８】第２の実施形態におけるバックアップ回路を示した回路図である。
【図９】第２の実施形態におけるバックアップ回路を示した回路図である。
【図１０】第３の実施形態における記憶媒体駆動装置を示した回路図である。
【符号の説明】
【００７７】
１１０  電力供給源
１２０  他の回路
１３０  電圧調整部
１４０  記憶媒体移行部
１５０  記憶媒体
Ｕ１００  電力変換部
Ｒ１００  可変抵抗部
Ｄ１００  ダイオード
Ｃ１００，Ｃ２００  電池
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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