(57)【要約】【課題】磁気抵抗メモリの消費電量を低減すること。【解決手段】メモリセルアレイ１１０にデータを書き込む場合に、比較回路１５０が、データが書き込まれるワードラインに記憶されているデータとＩ／Ｏバッファ１４０に格納されている書き込みデータとをビットごとに比較して一致判定信号を生成し、電流制御部１６０が、書き込み電流を制御する電流制御信号を比較回路１５０により生成された一致判定信号に基づいて生成し、メモリセルアレイ１１０が、電流制御部１６０により生成された電流制御信号に基づいて書き込み電流を制御する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データと該アドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定する一致判定手段と、
前記一致判定手段により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み手段と、
を備えたことを特徴とする磁気抵抗メモリ。
【請求項２】
前記書き込み手段は、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止することを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗メモリ。
【請求項３】
前記書き込み手段は、前記一致判定手段により値が一致するビットに対してはメモリセルの書き込み電流を停止する電流制御信号を生成する電流制御信号生成手段と、
前記電流制御信号生成手段により生成された電流制御信号に基づいてメモリセルの書き込み電流を制御する電流制御手段と、
を備えたことを特徴とする請求項２に記載の磁気抵抗メモリ。
【請求項４】
データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データと該アドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定する一致判定工程と、
前記一致判定工程により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み工程と、
を含んだことを特徴とする磁気抵抗メモリ書き込み方法。
【請求項５】
前記書き込み工程は、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止することを特徴とする請求項４に記載の磁気抵抗メモリ書き込み方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、消費電力を低減することができる磁気抵抗メモリおよび磁気抵抗メモリ書き込み方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速性、不揮発性などメモリとして必要な条件を備えた磁気抵抗メモリ（ＭＲＡＭ：Magnetic Random Access Memory）が次世代のメモリとして注目されている。図５は、ＭＲＡＭの基本原理を示す図である。同図に示すように、ＭＲＡＭのメモリセルは、二つの強磁性層５０１および５０３とそれらの間の非磁性層５０２から構成される。
【０００３】
強磁性層５０１は、外部電流により磁化方向を変えることができる変動強磁性層であり、強磁性層５０３は、磁化方向が固定されている固定強磁性層である。ここで、強磁性層５０１と強磁性層５０３の磁化方向が同じ場合には、両層間の磁気抵抗は低く、磁化方向が異なる場合には、両層間の磁気抵抗が高くなる。
【０００４】
ＭＲＡＭのメモリセルは、このような強磁性層５０１の磁化方向による強磁性層５０１と５０３との間の磁気抵抗の高低を用いて、情報を記憶することができる。例えば、低磁気抵抗の場合を’０’とし、高磁気抵抗の場合を’１’として１ビットの情報を記憶することができる。
【０００５】
また、ＭＲＡＭへの情報の書き込みは、対象メモリセルに対し電流を流し、変動強磁性層の磁化方向を所定の方向に変化させることによって行うことができる。なお、ＭＲＡＭについては、例えば、非特許文献１に記載されている。
【０００６】
【非特許文献１】「ＭＲＡＭ」、［平成１６年７月２９日検索］、インターネット＜URL:http://www.nanoelectronics.jp/kaitai/mram/＞
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＭＲＡＭには、データを書き込む際に常に対象メモリセルに対して書き込み電流を流す必要があり、データを書き込む際の消費電力が大きいという問題がある。したがって、ＭＲＡＭを広く普及させるためには、この消費電力の問題を解決することが重要となっている。
【０００８】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するためになされたものであり、消費電力を低減することができる磁気抵抗メモリおよび磁気抵抗メモリ書き込み方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明に係る磁気抵抗メモリは、データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データと該アドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定する一致判定手段と、前記一致判定手段により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
この請求項１の発明によれば、データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データとそのアドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定し、値が一致するビットに対しては書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止するよう構成したので、書き込み時の不要な動作をなくすことができる。
【００１１】
また、請求項２の発明に係る磁気抵抗メモリは、請求項１の発明において、前記書き込み手段は、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止することを特徴とする。
【００１２】
この請求項２の発明によれば、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止するよう構成したので、書き込み時の消費電流を小さくすることができる。
【００１３】
また、請求項３の発明に係る磁気抵抗メモリは、請求項２の発明において、前記書き込み手段は、前記一致判定手段により値が一致するビットに対してはメモリセルの書き込み電流を停止する電流制御信号を生成する電流制御信号生成手段と、前記電流制御信号生成手段により生成された電流制御信号に基づいてメモリセルの書き込み電流を制御する電流制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
この請求項３の発明によれば、値が一致するビットに対してはメモリセルの書き込み電流を停止する電流制御信号を生成し、生成した電流制御信号に基づいてメモリセルの書き込み電流を制御するよう構成したので、値が一致するビットに対する書き込み電流を確実に停止することができる。
【００１５】
また、請求項４の発明に係る磁気抵抗メモリ書き込み方法は、データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データと該アドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定する一致判定工程と、前記一致判定工程により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み工程と、を含んだことを特徴とする。
【００１６】
この請求項４の発明によれば、データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データとそのアドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定し、値が一致するビットに対しては書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止するよう構成したので、書き込み時の不要な動作をなくすことができる。
【００１７】
また、請求項５の発明に係る磁気抵抗メモリ書き込み方法は、請求項４の発明において、前記書き込み工程は、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止することを特徴とする。
【００１８】
この請求項５の発明によれば、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止するよう構成したので、書き込み時の消費電流を小さくすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１および４の発明によれば、書き込み時の不要な動作をなくすので、消費電力を低減することができるという効果を奏する。
【００２０】
また、請求項２および５の発明によれば、書き込み時の消費電流を小さくするので、消費電力を低減することができるという効果を奏する。
【００２１】
また、請求項３の発明によれば、値が一致するビットに対する書き込み電流を確実に停止するので、書き込み時の消費電流を確実に小さくすることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に添付図面を参照して、この発明に係る磁気抵抗メモリおよび磁気抵抗メモリ書き込み方法の好適な実施例を詳細に説明する。
【実施例】
【００２３】
まず、本実施例に係るＭＲＡＭの書き込み手法について説明する。図１は、本実施例に係るＭＲＡＭの書き込み手法を説明するための説明図である。同図に示すように、このＭＲＡＭでは、データを書き込む際に、従来のように対象メモリセルに対して常に書き込み電流を流すのではなく、書き込みデータとメモリセルに記憶されているデータを比較し、データが同じメモリセルに対しては書き込み電流を流さない。
【００２４】
例えば、図１において、黒丸が’１’を示し、白丸が’０’を示すとすると、ＭＲＡＭに記憶された３ビットのデータは’１０１’であり、書き込みデータは’０００’であるので、従来は、三つのメモリセルに対して全て書き込み電流を流していたが、本実施例に係るＭＲＡＭでは、２ビット目のメモリセルに対しては、記憶したデータと書き込むデータが同じであるので、書き込み電流を停止する。
【００２５】
このように、本実施例に係るＭＲＡＭでは、データを書き込む際に、メモリセルが記憶するデータと書き込むデータとを比較し、両者が一致する場合には、そのメモリセルに対する書き込み電流を停止することによって、書き込み時の消費電量を低減することができる。
【００２６】
次に、本実施例に係るＭＲＡＭの構成について説明する。図２は、本実施例に係るＭＲＡＭの構成を示す機能ブロック図である。同図に示すように、このＭＲＡＭは、メモリセルアレイ１１０と、アドレスデコーダ１２０と、制御回路１３０と、Ｉ／Ｏバッファ１４０と、比較回路１５０と、電流制御部１６０とを有する。
【００２７】
メモリセルアレイ１１０は、ＭＲＡＭのメモリセルであるＭＲＡＭセルの３次元配列と、各ＭＲＡＭセルからのデータの読み出しおよび各ＭＲＡＭセルへのデータの書き込みなどの制御を行う部分とから構成される。このメモリセルアレイ１１０の容量は２５６Ｋワードであり、１ワードは１６ビットである。
【００２８】
図３は、ＭＲＡＭセルを示す図である。同図において、ビットラインは、データの書き込みに用いられ、センスラインは、データの読み出しに用いられる。また、ワードラインは、１６個のＭＲＡＭセルで構成され、ワードラインの１６個のＭＲＡＭセルに対して１ワードのデータの読み出しおよび書き込みが行われる。
【００２９】
アドレスデコーダ１２０は、アドレス信号を受け取り、受け取ったアドレスに対応するワードラインを指定する処理部である。メモリセルアレイ１１０は、アドレスデコーダ１２０で指定されたワードラインの１６個のＭＲＡＭセルに対してデータの読み出しや書き込みを行う。
【００３０】
制御回路１３０は、メモリセルアレイ１１０へのデータの書き込みやメモリセルアレイ１１０からのデータの読み出しなどを指示する制御信号を受け取り、メモリセルアレイ１１０に対して制御信号に対応する動作指示を行う制御部である。
【００３１】
Ｉ／Ｏバッファ１４０は、メモリセルアレイ１１０から読み出したデータ、あるいは、メモリセルアレイ１１０に書き込むデータを格納する１６ビットのバッファである。
【００３２】
比較回路１５０は、メモリセルアレイ１１０にデータを書き込む場合に、データが書き込まれるワードラインに記憶されているデータとＩ／Ｏバッファ１４０に格納されている書き込みデータとをビットごとに比較し、各ビットが一致するか否かの一致判定信号を生成する処理部である。
【００３３】
例えば、この比較回路１５０は、データが書き込まれるワードラインに記憶されているデータとＩ／Ｏバッファ１４０に格納されている書き込みデータとの排他的論理演算を行うことによって、一致判定信号を生成することができる。
【００３４】
電流制御部１６０は、比較回路１５０が生成した一致判定信号に基づいて、ＭＲＡＭセルへのデータの書き込み電流を制御する電流制御信号をメモリセルアレイ１１０に出力する処理部である。
【００３５】
すなわち、この電流制御部１６０は、データが書き込まれるワードラインに記憶されているデータとＩ／Ｏバッファ１４０に格納されている書き込みデータの各ビットのうち値が一致しているビットに対応する書き込み電流を停止するよう制御する電流制御信号を生成する。
【００３６】
このように、メモリセルアレイ１１０にデータを書き込む場合に、比較回路１５０が、データが書き込まれるワードラインに記憶されているデータとＩ／Ｏバッファに格納されている書き込みデータとをビットごとに比較し、各ビットが一致するか否かの一致判定信号を生成し、電流制御部１６０が、一致判定信号に基づいて書き込み電流を制御する電流制御信号を生成することによって、値が一致するＭＲＡＭセルへの書き込み電流を停止することができる。
【００３７】
なお、ここでは、電流制御部１６０は、ＭＲＡＭセルごとに書き込み電流を停止するか否かを示す１６ビットのデータを電流制御信号として生成するが、１６ビットのデータを分割して、複数の電流制御信号としてシリアルにメモリセルアレイ１１０に出力することもできる。
【００３８】
メモリアレイ１１０は、アドレスデコーダ１２０により指定されたワードラインに対するデータ書き込み指示を制御回路１３０から受け取った場合に、電流制御部１６０から入力した電流制御信号に基づいて、書き込み電流の制御を行う。
【００３９】
すなわち、メモリアレイ１１０は、Ｉ／Ｏバッファ１４０に格納されたデータを書き込む場合に、ＭＲＡＭセルに記憶している値と書き込む値が同じ場合には、書き込み電流を停止する。
【００４０】
次に、本実施例に係るＭＲＡＭによる書き込み処理の処理手順について説明する。図４は、本実施例に係るＭＲＡＭによる書き込み処理の処理手順を示すフローチャートである。
【００４１】
同図に示すように、このＭＲＡＭは、比較回路１５０がデータが書き込まれるメモリセルの状態を検出してＩ／Ｏバッファ１４０の書き込みデータとビットごとに比較する（ステップＳ１０１）。
【００４２】
そして、比較回路１５０の比較結果に基づいて、電流制御部１６０が、データが一致しないビットに対しては（ステップＳ１０２、Ｎｏ）、データ書き込みを指示する電流制御信号を生成し（ステップＳ１０３）、データが一致するビットに対しては（ステップＳ１０２、Ｙｅｓ）、書き込み電流停止を指示する電流制御信号を生成する（ステップＳ１０４）。
【００４３】
そして、メモリセルアレイ１１０が、電流制御部１６０により生成された電流制御信号に基づいて書き込み電流を制御し、Ｉ／Ｏバッファ１４０に格納されたデータの書き込みを行う（ステップＳ１０５）。
【００４４】
このように、比較回路１５０がデータが書き込まれるメモリセルの状態を検出してＩ／Ｏバッファ１４０の書き込みデータとビットごとに比較し、電流制御部１６０が、データが一致するビットに対しては、書き込み電流停止を指示する電流制御信号を生成することによって、データの書き込み前後で値が変わらないＭＲＡＭセルの書き込み電流を停止することができる。
【００４５】
上述してきたように、本実施例では、メモリセルアレイ１１０にデータを書き込む場合に、比較回路１５０が、データが書き込まれるワードラインに記憶されているデータとＩ／Ｏバッファ１４０に格納されている書き込みデータとをビットごとに比較して一致判定信号を生成し、電流制御部１６０が、書き込み電流を制御する電流制御信号を比較回路１５０により生成された一致判定信号に基づいて生成し、メモリセルアレイ１１０が、電流制御部１６０により生成された電流制御信号に基づいて書き込み電流を制御することとしたので、記憶したデータと書き込みデータが一致するＭＲＡＭセルの書き込み電流を停止し、消費電力を低減することができる。
【００４６】
なお、本実施例では、メモリセルアレイのワード長が１６ビットであり、メモリセルアレイの容量が２５６Ｋワードの場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、メモリセルアレイのワード長や容量が異なる場合にも同様に適用することができる。
【００４７】
（付記１）データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データと該アドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定する一致判定手段と、
前記一致判定手段により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み手段と、
を備えたことを特徴とする磁気抵抗メモリ。
【００４８】
（付記２）前記書き込み手段は、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止することを特徴とする付記１に記載の磁気抵抗メモリ。
【００４９】
（付記３）前記書き込み手段は、前記一致判定手段により値が一致するビットに対してはメモリセルの書き込み電流を停止する電流制御信号を生成する電流制御信号生成手段と、
前記電流制御信号生成手段により生成された電流制御信号に基づいてメモリセルの書き込み電流を制御する電流制御手段と、
を備えたことを特徴とする付記２に記載の磁気抵抗メモリ。
【００５０】
（付記４）前記電流制御信号生成手段は、書き込みデータと同一のビット幅の電流制御信号を生成することを特徴とする付記３に記載の磁気抵抗メモリ。
【００５１】
（付記５）前記一致判定手段は、現在データと書き込みデータとの排他的論理和演算により各ビットの値が一致するか否かを判定することを特徴とする付記１〜４のいずれか一つに記載の磁気抵抗メモリ。
【００５２】
（付記６）データ書き込み要求で指定されたアドレスに記憶された記憶データと該アドレスに書き込まれる書き込みデータとをビットごとに比較し、ビットごとに値が一致するか否かを判定する一致判定工程と、
前記一致判定工程により値が一致するビットに対しては前記書き込みデータのメモリセルへの書き込み動作を停止する書き込み工程と、
を含んだことを特徴とする磁気抵抗メモリ書き込み方法。
【００５３】
（付記７）前記書き込み工程は、メモリセルの書き込み電流を停止することによって書き込み動作を停止することを特徴とする付記６に記載の磁気抵抗メモリ書き込み方法。
【００５４】
（付記８）前記書き込み工程は、前記一致判定工程により値が一致するビットに対してはメモリセルの書き込み電流を停止する電流制御信号を生成する電流制御信号生成工程と、
前記電流制御信号生成工程により生成された電流制御信号に基づいてメモリセルの書き込み電流を制御する電流制御工程と、
を含んだことを特徴とする付記７に記載の磁気抵抗メモリ書き込み方法。
【００５５】
（付記９）前記電流制御信号生成工程は、書き込みデータと同一のビット幅の電流制御信号を生成することを特徴とする付記８に記載の磁気抵抗メモリ書き込み方法。
【００５６】
（付記１０）前記一致判定工程は、現在データと書き込みデータとの排他的論理和演算により各ビットの値が一致するか否かを判定することを特徴とする付記６〜９のいずれか一つに記載の磁気抵抗メモリ書き込み方法。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
以上のように、本発明に係る磁気抵抗メモリおよび磁気抵抗メモリ書き込み方法は、情報処理装置の記憶装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本実施例に係るＭＲＡＭの書き込み手法を説明するための説明図である。
【図２】本実施例に係るＭＲＡＭの構成を示す機能ブロック図である。
【図３】ＭＲＡＭセルを示す図である。
【図４】本実施例に係るＭＲＡＭによる書き込み処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図５】ＭＲＡＭの基本原理を示す図である。
【符号の説明】
【００５９】
１１０    メモリセルアレイ
１２０    アドレスデコーダ
１３０    制御回路
１４０    Ｉ／Ｏバッファ
１５０    比較回路
１６０    電流制御部
５０１    強磁性層（変動強磁性層）
５０２    非磁性層
５０３    強磁性層（固定強磁性層）
【図１】
2006065986.tif 000003
【図２】
2006065986.tif 000004
【図３】
2006065986.tif 000005
【図４】
2006065986.tif 000006
【図５】
2006065986.tif 000007