(57)【要約】  【課題】端子パッドの極性を容易に変更し得る薄膜素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、磁気ディスク装置を提供する。  【解決手段】第１の立上部形成領域７１１は、長さ方向Ｘで見て、第１の立上部８１を２つ以上設けることができる寸法を有している。第２の立上部形成領域７２１は、長さ方向Ｘで見て、第２の立上部８２を２つ以上設けることができる寸法を有し、第１の立上部形成領域７１１に対して、幅方向Ｙに間隔を隔てて並べて設けられている。第２の立上部８２は、幅方向Ｙでみて、第１の立上部８１と重ならない位置にある。第１の端子パッド６１及び第２の端子パッド６２は、長さ方向Ｘに間隔を隔てて配置されている。【選択図】      図１
2006093234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電路と、第２の導電路と、素子部と、絶縁膜と、第１の端子パッドと、第２の端子パッドとを含む薄膜素子であって、
前記第１の導電路は、第１の立上部形成領域と、第１の立上部とを含み、
前記第１の立上部形成領域は、絶縁支持体によって支持され、長さ方向Ｘで見て、前記第１の立上部を２つ以上設けることができる寸法を有しており、
前記第１の立上部は、前記第１の立上部形成領域の一面上に立設されており、
前記第２の導電路は、第２の立上部形成領域と、第２の立上部とを含み、
前記第２の立上部形成領域は、絶縁支持体によって支持され、長さ方向Ｘで見て、前記第２の立上部を２つ以上設けることができる寸法を有し、前記第１の立上部形成領域に対して、幅方向Ｙに間隔を隔てて並べて設けられており、
前記第２の立上部は、前記第２の立上部形成領域の一面上に設けられ、幅方向Ｙでみて、前記第１の立上部と重ならない位置にあり、
前記素子部は、前記第１の導電路及び前記第２の導電路に電気的に接続されており、
前記絶縁膜は、前記素子部、前記第１の立上部形成領域、及び、前記第２の立ち上げ形成領域を被覆し、前記第１の立上部及び前記第２の立上部の周りを埋めており、
前記第１の立上部及び前記第２の立上部は、一端面が、前記絶縁膜の表面に露出しており、
前記第１の端子パッドは、前記第１の立上部の前記一端面と電気的に接続されており、
前記第２の端子パッドは、前記第２の立上部の前記一端面と電気的に接続されており、
前記第1の端子パッド及び前記第２の端子パッドは、長さ方向Ｘに間隔を隔てて配置されている
薄膜素子。
【請求項２】
請求項１に記載された薄膜素子であって、更に、第３の立上部及び第４の立上部を含み、
前記第３の立上部は、前記第１の立上部形成領域の一面上に、前記第１の立上部から間隔を隔て、前記第２の立上部と幅方向Ｙにおいて重なる位置に設けられ、一端面が絶縁膜によって覆われており、
前記第４の立上部は、前記第２の立上部形成領域の一面上に、前記第２の立上部から間隔を隔て、前記第１の立上部と幅方向Ｙにおいて重なる位置に設けられ、一端面が絶縁膜によって覆われている、
薄膜素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された薄膜素子であって、前記素子部は、磁気抵抗効果素子を含む薄膜素子。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載された薄膜素子であって、前記素子部は、コイルを含む薄膜素子。
【請求項５】
薄膜素子と、スライダとを含む薄膜磁気ヘッドであって、
前記薄膜素子は、請求項１乃至４の何れかに記載された薄膜素子でなり、
前記スライダは、前記薄膜素子を支持する
薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを含む磁気ヘッド装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項５に記載されたものでなり、
前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持する、
磁気ヘッド装置。
【請求項７】
磁気ヘッド装置と、磁気ディスクとを含む磁気ディスク装置であって、
前記磁気ヘッド装置は、請求項６に記載されたものでなり、
前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置と協働して、磁気記録の書込み及び読出しに供される
磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、及び、磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明の対象とする薄膜素子には、磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称する）を用いた薄膜デバイスのほか、インダクタなどの回路素子などが含まれる。このうち、ＭＲ素子は、磁気検出素子、磁気メモリとして利用されるとともに、薄膜磁気ヘッドにおいて、再生素子として利用される。インダクタは、それ自体、独立して回路素子を構成するほか、薄膜磁気ヘッドの記録素子としても利用される。
【０００３】
この種の薄膜素子は、一般には、絶縁膜の内部に素子部を埋設した保護構造をとることが多い。このような構造のもとでは、絶縁膜の内部で、膜面と平行となる方向に延びる一対のリード導電膜を形成し、リード導電膜のそれぞれを素子部に接続するとともに、リード導電膜の膜面から絶縁膜の膜厚方向に立ち上がる立上部を立設する。そして、リード導電膜のそれぞれの上端を絶縁膜の表面に導出し、導出された上端面に、外部配線用の端子パッドを、それぞれ形成する。
【０００４】
素子部が、正負の極性のないものであれば、一対備えられる端子パッドに何れの極性の外部配線を接続しても問題はない。しかし、この種の薄膜素子では、一般に極性を有するから、一対の端子パッドも、それに応じて極性を持つことになる。
【０００５】
例えば、薄膜磁気ヘッドに用いられる記録素子及び再生素子は、電流の方向によって、抵抗値、キャパシタンス値などの電気的特性、磁化ループなどの磁気特性、電磁変換特性等の諸特性が変化する。このため、端子パッドの正極側と負極側とを区別して、設計で決められた方向に電流を流さなければ、前記諸特性に狂いが生じることとなる。
【０００６】
ところが、端子パッドの左右位置について、あらかじめユーザとの間で仕様を取決めていても、ユーザ側の設計変更等により、その位置を変更しなければならないことがある。
【０００７】
従来、端子パッドの位置は、リード膜を形成する段階で決定されていたので、端子パッドの位置を変更するためには、リード膜を形成するためのマスクを作り直す必要があった。このため、マスクの製造コストが増大するという問題や、製造期間の長期化を招くという問題があった。
【０００８】
更に、ユーザ毎に端子パッドの左右位置が異なる場合、端子パッドの左右位置が異なるそれぞれの製品を製造しなければならないので、製品在庫量が増大するという問題があった。
【０００９】
このような端子パッドの左右位置の変更に関して、例えば、特許文献１及び特許文献２は、複雑な配線構造により、端子パッドの左右位置を変更し得る複合型薄膜磁気ヘッドを開示している。
【００１０】
しかしながら、特許文献１及び特許文献２に開示された複合型薄膜磁気ヘッドは、複雑な配線構造を有するので、製造コストが増大するという問題や、製造期間の長期化を招くという問題があった。特に、記録素子又は再生素子の近傍で、配線を複雑に引き回しているから、ノイズを生じやすいという問題も生じていた。
【特許文献１】特開２００１−９３１１６号公報
【特許文献２】特開平９−１４９６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、端子パッドの極性を容易に変更し得る薄膜素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、磁気ディスク装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決するため、本発明は、薄膜素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、及び、磁気ディスク装置を開示する。
【００１３】
１．薄膜素子
本発明に係る薄膜素子は、第１の導電路と、第２の導電路と、素子部と、絶縁膜と、第１の端子パッドと、第２の端子パッドとを含む。前記第１の導電路は、第１の立上部形成領域と、第１の立上部とを含む。前記第１の立上部形成領域は、絶縁支持体によって支持され、長さ方向Ｘで見て、前記第１の立上部を２つ以上設けることができる寸法を有する。前記第１の立上部は、前記第１の立上部形成領域の一面上に立設されている。
【００１４】
前記第２の導電路は、第２の立上部形成領域と、第２の立上部とを含む。前記第２の立上部形成領域は、絶縁支持体によって支持され、長さ方向Ｘで見て、前記第２の立上部を２つ以上設けることができる寸法を有し、前記第１の立上部形成領域に対して、幅方向Ｙに間隔を隔てて並べて設けられている。前記第２の立上部は、前記第２の立上部形成領域の一面上に設けられ、幅方向Ｙでみて、前記第１の立上部と重ならない位置にある。
【００１５】
前記素子部は、前記第１の導電路及び前記第２の導電路に電気的に接続されている。前記絶縁膜は、前記素子部、前記第１の立上部形成領域、及び、前記第２の立ち上げ形成領域を被覆し、前記第１の立上部及び前記第２の立上部の周りを埋めている。
【００１６】
前記第１の立上部及び前記第２の立上部は、一端面が、前記絶縁膜の表面に露出しており、前記第１の端子パッドは、前記第１の立上部の前記一端面と電気的に接続されている。
【００１７】
前記第２の端子パッドは、前記第２の立上部の前記一端面と電気的に接続されており、前記第1の端子パッド及び前記第２の端子パッドは、長さ方向Ｘに間隔を隔てて配置されている。
【００１８】
上述したように、素子部、第１の立上部形成領域、及び、第２の立ち上げ形成領域は、絶縁支持体によって支持されるとともに、絶縁膜によって被覆され、第１の立上部及び第２の立上部の周りは、絶縁膜によって埋められているから、素子部、第１、第２の立上部形成領域、及び、第１、第２の立上部は、絶縁支持体による支持および絶縁膜による保護を受ける。
【００１９】
第１の導電路の第１の立上部は、第１の立上部形成領域の一面上に立設されており、第２の導電路の第２の立上部は、第２の立上部形成領域の一面上に設けられ、幅方向Ｙでみて、第１の立上部と重ならない位置にあるから、その位置の特定、即ち、長さ方向Ｘにおける両者の位置から、極性を判定することができる。
【００２０】
この構造において、第１の端子パッドが、第１の立上部の一端面と電気的に接続されており、第２の端子パッドが第２の立上部の一端面と電気的に接続されているから、第１の端子パッド及び第２の端子パッドは、第１の立上部及び第２の立上部の有する極性に従った極性を有するようになる。
【００２１】
しかも、第１の立上部形成領域は、長さ方向Ｘで見て、第１の立上部を２つ以上設けることができる寸法を有しており、第２の立上部形成領域も、長さ方向Ｘで見て、第２の立上部を２つ以上設けることができる寸法を有し、第１の立上部形成領域に対して、幅方向Ｙに間隔を隔てて並べて設けられている。
【００２２】
この構造によれば、第１の立上部の位置と、第２の立上部の位置を、相互に入れ替える（斜状入れ替え）ことができる。例えば、第１の立上部の位置が、左上にあり、第２の立上部の位置が右下にあったとき、第１の端子パッドが正極、第２の端子パッドが負極に対応するとする。この状態から、第１の端子パッドを負極、第２の端子パッドを正極にする必要が生じた場合、第１の立上部の位置を右上に配置し、第２の立上部形成領域における第１の立上部の位置に左下に配置したとすると、第１の端子パッドが負極、第２の端子パッドが正極になる。
【００２３】
したがって、本発明に係る薄膜素子によれば、第１、第２の立上部形成領域を形成するためのマスクを作り直すことなく、第１及び第２の立上部の位置を変更することによって、端子パッドの極性を変更することができ、製造コストの増大を避けることができる。また、製造期間の長期化を避けることができる。
【００２４】
更に、本発明に係る薄膜素子は、第１、第２の立上部形成領域のパターンを変更することなく、第１及び第２の立上部の位置を変更することによって、第１、第２の端子パッドの極性を変更できるから、ユーザ毎に端子パッドの位置が異なる場合でも、容易に対応できる。
【００２５】
本発明に係る薄膜素子は、更に、第３の立上部及び第４の立上部を含むことができる。前記第３の立上部は、前記第１の立上部形成領域の一面上に、前記第１の立上部から間隔を隔て、前記第２の立上部と幅方向Ｙにおいて重なる位置に設けられる。第３の立上部の一端面は絶縁膜によって覆われている。従って、第３の立上部の上に端子パッドを付着させたとしても、第３の立上部は、端子パッドに電気的に導通しないことになる。
【００２６】
前記第４の立上部は、前記第２の立上部形成領域の一面上に、前記第２の立上部から間隔を隔て、前記第１の立上部と幅方向Ｙにおいて重なる位置に設けられ、一端面が絶縁膜によって覆われている。従って、第４の立上部の上に端子パッドを付着させたとしても、第４の立上部は、端子パッドに電気的に導通しないことになる。
【００２７】
上記第３及び第４の立上部の存在理由は、第１の端子パッド及び第２の端子パッドの極性を、第１の立上部と第３の立上部の相互的入れ替え、および、第２の立上部と第４の端子パッドの極性入れ替えによって、簡単に変更できるようにすることにある。
【００２８】
例えば、第１の端子パッドが正極、第２の端子パッドが負極である状態から、第１の端子パッドを負極、第２の端子パッドを正極にする必要が生じた場合、第１の立上部を、第４の立上部によって置き換える。すなわち、第１の立上部の端面を絶縁膜で覆う一方、第４の立上部の端面に、第１の端子パッドを電気的に導通させる。同様に、第２の立上部の端面を絶縁膜で覆う一方、第３の立上部の端面に、第２の端子パッドを電気的に導通させる。これにより、第１の端子パッドが負極、第２の端子パッドが正極になる。
【００２９】
上記の極性入れ替えは、素子部、第１の立上部形成領域、及び、第２の立ち上げ形成領域を被覆し、前記第１〜第４の立上部の周りを、絶縁膜で埋めた後、端子パッドを形成する最終的工程においておこなわれるものであるから、端子パッドの極性変更に当たって、マスク変更などは不要である。
【００３０】
本発明において、「第１」、「第２」、「第３」及び「第４」などの表示は，説明上の混乱を回避することを目的としたものであって、順番を意図するものではない。
【００３１】
素子部は、薄膜で構成されたものであればよい。具体的には、ＭＲ素子やコイル素子などが含まれる。これらは単独で用いられていてもよいし、組み合わせて用いられてもよい。薄膜磁気ヘッドは、組み合わされた場合の典型例である。ＭＲ素子は、ＳＶ膜又はＴＭＲ膜などを含むことができる。
【００３２】
本発明に係る薄膜素子は、薄膜素子を配列させた集合体であってもよいし、個品であってもよい。
【００３３】
２．薄膜磁気ヘッド
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、薄膜素子と、スライダとを含む。前記薄膜素子は、本発明に係る薄膜素子でなり、スライダによって支持される。
【００３４】
３．磁気ヘッド装置
本発明において、磁気ヘッド装置は、磁気ヘッドをジンバル（サスペンション）に取り付けたヘッド・ジンバル組立体（Head Gimbal Assembly、以下ＨＧＡと称する）、ＨＧＡをアームに取り付けたヘッド・アーム組立体（Head Arm Assembly、以下ＨＡＡと称する）、及び、複数のＨＡＡをスタックしたヘッド・スタック組立体（Head Stack Assembly、以下ＨＳＡと称する）を含む。
【００３５】
本発明に係る磁気ヘッド装置は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドを含むので、薄膜磁気ヘッドの有する作用効果をそのまま得ることができる。
【００３６】
４．磁気ディスク装置
本発明に係る磁気ディスク装置は、磁気ヘッド装置と、磁気ディスクとを含む。前記磁気ヘッド装置は、上述した本発明に係る磁気ヘッド装置である。前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置との協働により、磁気記録の記録及び再生を行なう。
【００３７】
この磁気ディスク装置は、本発明に係る磁気ヘッド装置を含むので、磁気ヘッド装置の有する効果をそのまま得ることができる。
【発明の効果】
【００３８】
以上述べたように、本発明によれば、端子パッドの極性を容易に変更し得る薄膜素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、磁気ディスク装置を提供することできる。
【００３９】
本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施例によって更に詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
１．薄膜素子
図１は、本発明に係る薄膜素子の一実施例を示す透視平面図、図２は図１の８−８線拡大断面図、図３は図１の９−９線拡大断面図である。図示の薄膜素子は、例えば、薄膜磁気ヘッドに用いられるＭＲ素子、薄膜磁気ヘッドに用いられる記録素子、ＭＲＡＭ（不揮発性磁気抵抗メモリ：Magnetoresistive Random Access Memory）に用いられるメモリ素子、磁気センサ素子、コイル素子、抵抗素子、コンデンサ素子等である。
【００４１】
図を参照すると、薄膜素子は、第１の導電路７１と、第２の導電路７２と、素子部８０と、絶縁膜６１１と、第１の端子パッド６１と、第２の端子パッド６２とを含む。第１の導電路７１は、第１の立上部形成領域７１１と、第１の立上部８１とを含む。
【００４２】
第１の立上部形成領域７１１は、絶縁支持体６１０によって支持され、長さ方向Ｘで見て、第１の立上部８１を２つ以上設けることができる寸法を有し、素子部８０に接続されている。第１の立上部８１は、第１の立上部形成領域７１１の一面上に立設されている。
【００４３】
第２の導電路７２は、第２の立上部形成領域と、第２の立上部８２とを含む。第２の立上部形成領域７２１は、絶縁支持体６１０によって支持され、長さ方向Ｘで見て、第２の立上部８２を２つ以上設けることができる寸法を有し、第１の立上部形成領域７１１に対して、幅方向Ｙに間隔を隔てて並べて設けられ、素子部８０に接続されている。第２の立上部８２は、第２の立上部形成領域７２１の一面上に設けられ、幅方向Ｙでみて、第１の立上部８１と重ならない位置にある。矢印Ｚは高さ方向を示す。
【００４４】
絶縁膜６１１は、素子部８０、前記第１の立上部形成領域７１１、及び、第２の立ち上げ形成領域７２１を被覆し、第１の立上部８１及び第２の立上部８２の周りを埋めている。絶縁膜６１１は、望ましくは、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2などの無機絶縁膜である。
【００４５】
第１の立上部８１及び第２の立上部８２は、一端面８１１、８２１が、絶縁膜６１１の表面に露出しており、第１の端子パッド６１は、第１の立上部８１の一端面８１１と電気的に接続されている。第２の端子パッド６２は、第２の立上部８２の一端面８２１と電気的に接続されている。第２の端子パッド６２及び第２の端子パッド６２は、長さ方向Ｘに間隔を隔てて配置されている。
【００４６】
上述したように、第１の立上部形成領域７１１が、素子部８０に接続されており、第２の立上部形成領域７２１が、第１の立上部形成領域７１１の接続位置とは異なる位置で、素子部８０に接続されている。第１の立上部形成領域７１１の一面上には、第１の立上部８１が立設されており、第２の立上部形成領域７２１の一面上には、第２の立上部８２が立設されている。そして、第１の端子パッド６１が、第１の立上部８１の一端面と電気的に接続されており、第２の端子パッド６２が第２の立上部８２の一端面と電気的に接続されている。この構造によれば、第１の導電路７１、第２の導電路７２、第１の端子パッド６１及び第２の端子パッド６２により、素子部８０を、外部に導く導電路を形成することができる。
【００４７】
素子部８０、第１の立上部形成領域７１１、及び、第２の立ち上げ形成領域７２１は、絶縁支持体６１０によって支持されるとともに、絶縁膜６１１によって被覆され、第１の立上部８１及び第２の立上部８２の周りは、絶縁膜６１１によって埋められているから、素子部８０、第１の立上部形成領域７１１、及び、第２の立上部形成領域７２１、及び、第１、第２の立上部８１、８２は、絶縁支持体６１０による支持、および、絶縁膜６１１による保護を受ける。
【００４８】
第１の立上部８１は、第１の立上部形成領域７１１の一面上に立設されており、第２の立上部８２は、第２の立上部形成領域７２１の一面上に設けられ、幅方向Ｙでみて、第１の立上部８１と重ならない位置にあるから、その位置の特定、即ち、長さ方向Ｘにおける両者の位置から、極性を判定することができる。
【００４９】
この構造において、第１の端子パッド６１が、第１の立上部８１の一端面と電気的に接続されており、第２の端子パッド６２が第２の立上部８２の一端面と電気的に接続されているから、第１の端子パッド６１及び第２の端子パッド６２は、第１の立上部８１及び第２の立上部８２の有する極性に従った極性を有するようになる。図示の実施例では、第１の立上部８１の位置が左上（図１において）にあって正極となっており、第２の立上部８２の位置が右下（図１において）にあって負極となっている。従って、第１の端子パッド６１が正極、第２の端子パッド６２が負極になる。
【００５０】
しかも、第１の立上部形成領域７１１は、長さ方向Ｘで見て、第１の立上部８１を２つ以上設けることができる寸法を有しており、第２の立上部形成領域７２１も、長さ方向Ｘで見て、第２の立上部８２を２つ以上設けることができる寸法を有し、第１の立上部形成領域７１１に対して、幅方向Ｙに間隔を隔てて並べて設けられている。
【００５１】
この構造によれば、第１の立上部８１の位置と、第２の立上部８２の位置を、相互に入れ替え（斜状入れ替え）、第１の導電路７１及び第２の導電路７２の極性を維持したままで、端子パッド６１、６２の極性を変更することができる。この点について、図４〜図６を参照して更に具体的に説明する。
【００５２】
第１の端子パッド６１が正極、第２の端子パッド６２が負極になっている図１〜図３の状態から、第１の端子パッド６１を負極、第２の端子パッド６２を正極にする必要が生じた場合、図４〜図６に図示するように、第１の立上部８１を右上に配置し、第２の立上部形成領域７２１における第１の立上部８１の位置に左下に移す。すると、第１の端子パッド６１が負極、第２の端子パッド６２が正極になる。
【００５３】
したがって、第１の立上部形成領域７１１、及び、第２の立上部形成領域７２１を形成するためのマスクを作り直すことなく、第１の立上部形成領域７１１、及び、第２の立上部形成領域７２１の位置を変更することによって、端子パッド６１、６２の極性を変更することができ、製造コストの増大を避けることができる。また、製造期間の長期化を避けることができる。
【００５４】
更に、本発明に係る薄膜素子は、第１の立上部形成領域７１１、及び、第２の立上部形成領域７２１のパターンを変更することなく、第１、第２の端子パッド６１、６２の極性を変更できるから、ユーザ毎に端子パッドの位置が異なる場合でも、容易に対応できる。
【００５５】
図７は、本発明に係る薄膜素子の別の実施例を示す透視平面図、図８は図７の８−８線拡大断面図、図９は図７の９−９線拡大断面図である。図１〜図６に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付しである。
【００５６】
図示の薄膜素子は、第３の立上部９１及び第４の立上部９２を含む。第３の立上部９１は、第１の立上部形成領域７１１の一面上に、第１の立上部８１から間隔を隔て、第２の立上部８２と幅方向Ｙにおいて重なる位置に設けられる。第３の立上部の一端面は絶縁膜６１１によって覆われている。従って、第３の立上部９１の上に第２の端子パッド６２を付着させたとしても、第３の立上部９１は、第２の端子パッド６２に電気的に導通しないことになる。
【００５７】
第４の立上部９２も、第２の立上部形成領域７２１の一面上に、第２の立上部８２から間隔を隔て、第１の立上部８１と幅方向Ｙにおいて重なる位置に設けられ、一端面が絶縁膜６１１によって覆われている。従って、第４の立上部９２の上に第１の端子パッド６１を付着させたとしても、第４の立上部９２は、第１の端子パッド６１に電気的に導通しないことになる。
【００５８】
第３の立上部９１、及び、第４の立上部９２の存在理由は、第１の端子パッド６１及び第２の端子パッド６２の極性を、第１の立上部８１と第３の立上部９１の相互的入れ替え、および、第２の立上部８２との極性入れ替えによって、簡単に変更できるようにすることである。
【００５９】
例えば、第１の端子パッド６１が正極、第２の端子パッド６２が負極である状態から、第１の端子パッド６１を負極、第２の端子パッド６２を正極にする必要が生じた場合、第１の立上部８１を、第４の立上部９２によって置き換える。この点について、図１０〜図１２を参照して説明する。
【００６０】
図１０は端子極性変更を説明する透視平面図、図１１は図１０の１１−１１線拡大断面図、図１２は図１０の１２−１２線拡大断面図である。図１〜図９に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付しである。
【００６１】
まず、図１０、図１１に図示するように、第１の立上部８１の端面８１１を絶縁膜６１１で覆う一方、第４の立上部９２の端面９２１に、第１の端子パッド６１を電気的に導通させる。
【００６２】
一方、図１０、図１２に図示するように、第２の立上部８２の端面８２１を絶縁膜６１１で覆う一方、第３の立上部９１の端面９１１に、第２の端子パッド６２を電気的に導通させる。これにより、第１の端子パッド６１が負極、第２の端子パッド６２が正極になる。
【００６３】
上記の極性入れ替えは、素子部８０、第１の立上部形成領域７１１、及び、第２の立ち上げ形成領域７２１を被覆し、第１〜第４の立上部８１、８２、９１、９２の周りを、絶縁膜６１１で埋めた後、端子パッド６１、６２を形成する最終的工程において行なうことができるから、端子パッド６１、６２の極性変更に当たって、マスク変更などは不要である。
【００６４】
素子部８０は、薄膜で構成されたものであればよい。具体的には、ＭＲ素子やコイル素子などが含まれる。これらは単独で用いられていてもよいし、組み合わせて用いられてもよい。薄膜磁気ヘッドは、組み合わされた場合の典型例である。ＭＲ素子は、ＳＶ膜又はＴＭＲ膜などを含むことができる。本発明に係る薄膜素子は、薄膜素子を配列させた集合体であってもよいし、個品であってもよい。
【００６５】
図１３は、本発明に係る薄膜素子の更に別の一実施例を示す透視斜視図、図１４は図１３に示した薄膜素子の平面図、図１５は図１４に示した薄膜素子の素子部における拡大断面図である。図において、図１〜図１２に現れた構成部分と同一の部分については、同一の参照符号を付してある。図は、薄膜磁気ヘッドへの適用に適した薄膜素子の例を示す。図１５を参照すると、第１の立上部形成領域７１１、及び、第２の立上部形成領域７２１が、リード導体膜７１２、７２２、及び、電極膜２０１、２０２を介して、素子部８０に電気的に接続されている。
【００６６】
素子部８０は、ＧＭＲ膜８０２〜８０５と、電極膜２０１、２０２と、磁区制御膜２０３、２０４と、絶縁膜６１０、６１１とを含む。
【００６７】
素子部８０は、電流方向に関して極性を有する。そのような素子部８０の代表例は、前述したように、ＳＶ膜構造やＴＭＲ素子などのＧＭＲ素子を用いたものである。図１５はその一例を示している。センス電流の方向としては、ＣＩＰ構造であっても、ＣＰＰ構造であってもよい。図はＣＩＰ構造の一例を示している。なお、ＴＭＲ素子は、ＣＰＰ構造である。これらは、一般的にセンス電流の流れ方向によって、電気・磁気特性が異なった値を示す。
【００６８】
ＧＭＲ膜は、フリー層８０２を含み、フリー層８０２に隣接する非磁性層８０３を有している。非磁性層８０３の上にはピンド層８０３が隣接しており、ピンド層８０３には反強磁性層８０４が隣接している。
【００６９】
フリー層８０２、非磁性層８０３、ピンド層８０３及び反強磁性層８０４の膜構造及び組成材料等については、既に知られている技術を、任意に適用できる。一例をあげると、フリー層８０２及びピンド層８０３は、例えば、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ等で構成され、反強磁性層８０４はＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔなどによって構成される。非磁性層８０３は、ＳＶ膜の場合はＣｕ等を主成分とする導電性材料層で構成され、ＴＭＲ膜の場合は、Ａｌ2Ｏ3層などの絶縁性材料層で構成される。
【００７０】
磁区制御膜２０３、２０４は、絶縁膜６１０の上に設けられ、ＧＭＲ膜８０２〜８０５の両側に隣接して設けられている。電極膜２０１、２０２は、それぞれ、磁区制御膜２０３、２０４に隣接して設けられている。絶縁膜６１０、６１１は、Ａｌ2Ｏ3、または、ＳｉＯ2等の酸化絶縁膜からなる。
【００７１】
図示の薄膜素子は、第３の立上部９１及び第４の立上部９２を含む。これらについては、すでに説明したとおりである。即ち、第３の立上部９１は、第１の立上部形成領域７１１の一面上に、第１の立上部８１から間隔を隔て、第２の立上部８２と幅方向Ｙにおいて重なる位置に設けられる。第３の立上部９１の端面は絶縁膜６１１によって覆われている。従って、第３の立上部９１の上に端子パッド６２を付着させたとしても、第３の立上部９１は、端子パッドから電気的にされることになる。
【００７２】
第４の立上部９２も、第２の立上部形成領域７２１の一面上に、第２の立上部８２から間隔を隔て、第１の立上部８１と幅方向Ｙにおいて重なる位置に設けられ、端面が絶縁膜６１１によって覆われている。従って、第４の立上部９２の上に第１の端子パッド６１を付着させたとしても、第４の立上部９２は、第１の端子パッド６１から電気的に絶縁されることになる。
【００７３】
第３の立上部９１、及び、第４の立上部９２の存在理由すでに述べたとおりであり、第１の端子パッド６１及び第２の端子パッド６２の極性を、第１の立上部８１と第４の立上部９２の入れ替え、および、第２の立上部８２と第３の立上部９１の極性入れ替えによって、簡単に変更できるようにすることである。
【００７４】
図示の薄膜素子は、図１〜図１２に示した薄膜素子と同様の構成要素を有するので、同様の作用効果を奏することができる。
【００７５】
図１６は、本発明に係る薄膜素子の更に別の一実施例を示す透視斜視図である。図において、図１〜図１５に現れた構成部分と同一の部分については、同一の参照符号を付してある。図示の薄膜素子は、薄膜磁気ヘッドの記録素子を構成する適したものであって、素子部８０はコイルである。素子部８０がコイルである点を除けば、第１の導電路７１及び第２の導電路７２の構造は、既に説明したものと実質的に同一であるので、重複説明は省略する。
【００７６】
２．薄膜磁気ヘッド
図１７は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す透視平面図、図１８は図１７の１８−１８線拡大断面図、図１９は図１７の１９−１９線拡大断面図である。図において、図１〜図１６に現れた構成部分と同一の部分については、同一の参照符号を付してある。
【００７７】
図示の薄膜磁気ヘッドは、記録素子２、及び、再生素子３を、スライダ１の内部に埋設してある。スライダ１は、例えば、アルティック（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）等のセラミック材料からなり、ＡＢＳ１２となる媒体対向面に浮上特性制御用の幾何学的形状を有している。
【００７８】
記録素子２は、第１の端子パッドＷ６１と、第２の端子パッドＷ６２とを含む。第１の端子パッドＷ６１、及び、第２の端子パッドＷ６２は、上述した第１、第２の端子パッド６１、６２と同様の機能を有するものであり、スライダ１の端面（トレーリング側の端面）１３に設けられている。記録素子２は、第１の立上部８１、第２の立上部８２、第３の立上部９１及び第４の立上部９２を含む。
【００７９】
図１８及び図１９を参照すると、第１の端子パッドＷ６１は、第１の立上部８１の端面と電気的に接続されており、第２の端子パッドＷ６２は第２の立上部８２の一端面と電気的に接続されている。従って、第１の端子パッドＷ６１及び第２の端子Ｗパッド６２は、第１の立上部８１及び第２の立上部８２の有する極性に従った極性を有するようになる。図示の実施例では、第１の立上部８１の位置が左上（図１において）にあって正極となっており、第２の立上部８２の位置が右下（図１において）にあって負極となっている。従って、第１の端子パッドＷ６１が正極、第２の端子Ｗパッド６２が負極になる。
【００８０】
第３の立上部９１は、第１の立上部形成領域７１１の一面上に、第１の立上部８１から間隔を隔て、第２の立上部８２と幅方向Ｙにおいて重なる位置に設けられる。第３の立上部の一端面は絶縁膜６１１によって覆われている。従って、第３の立上部９１の上に第１の端子パッドＷ６１を付着させたとしても、第３の立上部９１は、第１の端子パッドＷ６１から電気的に絶縁されることになる。
【００８１】
第４の立上部９２は、第２の立上部形成領域７２１の一面上に、第２の立上部８２から間隔を隔て、第１の立上部８１と幅方向Ｙにおいて重なる位置に設けられ、一端面が絶縁膜６１１によって覆われている。従って、第４の立上部９２の上に端子パッドを付着させたとしても、第４の立上部９２は、第２の端子パッドＷ６２から電気的に絶縁されることになる。
【００８２】
再生素子３は、第１の端子パッドＲ６１と、第２の端子パッドＲ６２とを含む。第１の端子パッドＲ６１、及び、第２の端子パッドＲ６２は、上述した第１、第２の端子パッド６１、６２と同様の機能を有するものであり、スライダ１の表面（トレーリング側の端面）１３に設けられている。
【００８３】
再生素子３は、更に、第１の立上部８１、第２の立上部８２、第３の立上部９１、及び、第４の立上部９２を含む。
【００８４】
第１の端子パッドＲ６１は、第１の立上部８１の端面と電気的に接続されており、第２の端子パッドＲ６２は第２の立上部８２の一端面と電気的に接続されている。従って、第１の端子パッドＲ６１及び第２の端子Ｒパッド６２は、第１の立上部８１及び第２の立上部８２の有する極性に従った極性を有するようになる。図示の実施例では、第１の立上部８１の位置が左上（図１において）にあって正極となっており、第２の立上部８２の位置が右下（図１において）にあって負極となっている。従って、第１の端子パッドＲ６１が正極、第２の端子パッドＲ６２が負極になる。
【００８５】
第３の立上部９１は、第１の立上部形成領域７１１の一面上に、第１の立上部８１から間隔を隔て、第２の立上部８２と幅方向Ｙにおいて重なる位置に設けられる。第３の立上部の一端面は絶縁膜６１１によって覆われている。従って、第３の立上部９１の上に第１の端子パッドＲ６１を付着させたとしても、第３の立上部９１は、第１の端子パッドＲ６１から電気的に絶縁されることになる。
【００８６】
第４の立上部９２は、第２の立上部形成領域７２１の一面上に、第２の立上部８２から間隔を隔て、第１の立上部８１と幅方向Ｙにおいて重なる位置に設けられ、一端面が絶縁膜６１１によって覆われている。従って、第４の立上部９２の上に端子パッドを付着させたとしても、第４の立上部９２は、第２の端子パッドＲ６２から電気的に絶縁されることになる。
【００８７】
第３の立上部９１は、第１の立上部形成領域７１１の一面上に、第１の立上部８１から間隔を隔て、第２の立上部８２と幅方向Ｙにおいて重なる位置に設けられる。第３の立上部の一端面は絶縁膜６１１によって覆われている。従って、第３の立上部の上に端子パッドを付着させたとしても、第３の立上部９１は、端子パッドから電気的に導通しないことになる。
【００８８】
図２０は端子極性変更を説明する透視平面図、図２１は図２０の２１−２１線拡大断面図、図２２は図２０の２２−２２線拡大断面図である。図１〜図１９に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。
【００８９】
まず、図２０、図２１に図示するように、記録素子２の側では、第１の立上部８１の端面８１１を絶縁膜６１１で覆う一方、第４の立上部９２の端面９２１に、第２の端子パッドＷ６２を電気的に導通させる。再生素子３の側では、第１の立上部８１の端面８１１を絶縁膜６１１で覆う一方、第４の立上部９２の端面９２１に、第２の端子パッドＲ６２を電気的に導通させる。
【００９０】
次に、図２０、図２２に図示するように、記録素子２の側では、第２の立上部８２の端面８２１を絶縁膜６１１で覆う一方、第４の立上部９２の端面９２１に、第１の端子パッドＷ６１を電気的に導通させる。再生素子３の側では、第２の立上部８２の端面８２１を絶縁膜６１１で覆う一方、第４の立上部９２の端面９２１に、第１の端子パッドＲ６１を電気的に導通させる。
【００９１】
これにより、記録素子２の側では、第１の端子パッドＷ６１が負極、第２の端子パッドＷ６２が正極になる。また、再生素子３の側では、第１の端子パッドＲ６１が負極、第２の端子パッドＲ６２が正極になる。
【００９２】
上記の極性入れ替えは、素子部８０、第１の立上部形成領域７１１、及び、第２の立ち上げ形成領域７２１を被覆し、第１〜第４の立上部８１、８２、９１、９２の周りを、絶縁膜６１１で埋めた後、端子パッド（Ｗ６１、Ｗ６２）、（Ｒ６１、Ｒ６２）を形成する最終的工程において行なうことができるから、端子パッド（Ｗ６１、Ｗ６２）、（Ｒ６１、Ｒ６２）の極性変更に当たって、マスク変更などは不要である。
【００９３】
実施例では、記録素子２及び再生素子３の両者において、同時に極性変更を行なう例を示したが、両者を同時に変更することは必要ではない。
【００９４】
図２３は図１７〜図２２に示した薄膜磁気ヘッドの拡大断面図、図２４は図２３に示した薄膜磁気ヘッドにおいて、ＡＢＳ１２と平行な位置で見た部分拡大断面図である。図示はされていないが、スライダ１は、媒体対向面に浮上特性制御用の幾何学的形状を有している。記録素子２は、書き込み用の誘導型磁気変換素子であり、再生素子３はＧＭＲ素子である。
【００９５】
記録素子２は、下部磁性膜２１と、上部磁性膜２２と、薄膜コイル２３と、ギャップ膜２４とを含む。下部磁性膜２１は、基体１の端面に設けられた絶縁膜６１０の上に形成されている。絶縁膜６１０は、例えばＡｌ2Ｏ3（アルミナ）などでなる。下部磁性膜２１は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ，ＣｏＦｅなどのめっき膜で構成されており、下部ヨーク部２１０と、下部ポール部２１１とを有する。
【００９６】
下部ポール部２１１は記録媒体に対向する側、即ち、ＡＢＳ１２の側において、下部ヨーク部２１０の端部に備えられている。上部磁性膜２２は、上部ヨーク部２２１と、上部ポール部２２２とを有している。上部ヨーク部２２１は、下部ヨーク部２１０から間隔を隔て形成され、後方に位置する後方結合部２５により、下部ヨーク部２１０と磁気的に結合されている。上部ヨーク部２２１は、前端が上部ポール部２２２に隣接しており、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ，ＣｏＦｅなどの磁性材料によって構成されている。上部ヨーク部２２１の前端は、上部ポール部２２２の媒体対向面から、若干後退した位置にある。上部ポール部２２２は、ギャップ膜２４を介して、下部ポール部２１１と、同一トラック幅を持って対向している。
【００９７】
薄膜コイル２３は、後方結合部２５の周りを周回している。薄膜コイル２３は、下部ヨーク部２１０と上部ヨーク部２２１との間に生じるインナーギャップ内に充填された絶縁膜２６によって支持されている。薄膜コイル２３は、Ｃｕなどのめっき膜として構成することができる。
【００９８】
上記構造により、上部ヨーク部２２１、上部ポール部２２２、ギャップ膜２４、下部ポール部２１１、下部ヨーク部２１０及び後方結合部２５により、薄膜コイル２３に流れる電流によって生じた磁束のための薄膜磁気回路が形成される。
【００９９】
再生素子３の膜構造は図２４に現れている。図２４は、ＣＰＰ構造の再生素子の一例を示している。図示の再生素子３は、ＧＭＲ膜３０と、電極膜２０１、２０２と、磁区制御膜２０３、２０４と、絶縁膜２０５、２０６とを含む。
【０１００】
再生素子３は、電流方向に関して極性を有する。そのような再生素子３の代表例は、前述したように、ＳＶ膜構造やＴＭＲ素子などのＧＭＲ素子を用いたものである。センス電流の方向としては、ＣＩＰ構造であっても、ＣＰＰ構造であってもよい。なお、ＴＭＲ素子は、ＣＰＰ構造である。これらは、一般的にセンス電流の流れ方向によって、電気・磁気特性が異なった値を示す。
【０１０１】
電極膜２０２は、絶縁支持膜６１０の上に設けられている。電極膜２０２は、例えば、ＮｉＦｅなどで構成され、シールド膜として兼用される。既に説明（図１７〜図２２参照）したように、電極膜２０２は、リード導体膜、立上部などを経由して、例えば、第２の端子パッドＲ６２に接続される。
【０１０２】
ＧＭＲ膜３０は、フリー層８０２を含み、フリー層８０２に非磁性層８０３が隣接し、非磁性層８０３にピンド層８０４が隣接している。ピンド層８０４の上には反強磁性層８０５が設けられている。ピンド層８０４は、反強磁性層８０５との交換結合により、磁化方向が一方向に固定される。
【０１０３】
フリー層８０２、非磁性層８０３、ピンド層８０４及び反強磁性層８０５の膜構造及び組成材料等については、既に知られている技術を、任意に適用できる。一例をあげると、フリー層８０２及びピンド層８０４は、例えば、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ等で構成され、反強磁性層８０５はＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔなどによって構成される。反強磁性層８０５は、下地膜８０６を介して、電極膜２０２に電気的に導通する。
【０１０４】
非磁性層８０３は、ＳＶ膜の場合はＣｕ等を主成分とする導電性材料層で構成され、ＴＭＲ膜の場合は、Ａｌ2Ｏ3層などの絶縁性材料層で構成される。
【０１０５】
磁区制御膜２０３、２０４は、ＧＭＲ膜３０の幅方向の両側部に、絶縁膜２０５、２０６による間隔を隔てて配置されている。磁区制御膜２０３、２０４は、フリー層８０２の磁区を制御する。絶縁膜２０５、２０６は、酸化絶縁膜で構成される。具体的には、絶縁膜２０５、２０６は、Ａｌ2Ｏ3、または、ＳｉＯ2等の酸化絶縁材料からなる。
【０１０６】
フリー層８０２には、導電膜８０１が隣接しており、導電膜８０１には電極膜２０１が隣接している。電極膜２０１は、例えば、ＮｉＦｅなどで構成され、シールド膜として兼用されている。電極膜２０１は、リード導体膜、立上部などを経由して、例えば、第１の端子パッドＲ６１に接続される。
【０１０７】
３．磁気ヘッド装置
図２５は磁気ヘッド装置の側面図である。図示された磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッド４と、サスペンション５とを含む。磁気ヘッド装置には、ＨＧＡ、ＨＡＡ及びＨＡＳが含まれ得る。
【０１０８】
薄膜磁気ヘッド４は、図１７〜図２４に示したものである。サスペンション５は、一端部で薄膜磁気ヘッド４を支持している。図において、サスペンション５は、金属薄板でなる支持体５１の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体を取付け、この可撓体の下面に薄膜磁気ヘッド４を取付けた構造となっている。具体的には、可撓体は、支持体５１の先端を自由端とした舌状片５２４を有する。支持体５１の下面には、例えば半球状の荷重用突起５２５が設けられている。この荷重用突起５２５により、支持体５１の自由端から舌状片５２４へ荷重力が伝えられる。
【０１０９】
薄膜磁気ヘッド４は、舌状片５２４の下面に接着等の手段によって取付けられ、ピッチ動作及びロール動作が許容されるように支持されている。
【０１１０】
本発明に係る磁気ヘッド装置は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドを含むので、薄膜磁気ヘッドの有する作用効果をそのまま得ることができる。
【０１１１】
４．磁気ディスク装置
図２６は磁気ディスク装置の具体的な構造を示す斜視図である。図示された磁気ディスク装置は、軸７０の回りに回転可能に設けられた磁気ディスク７１と、磁気ヘッド装置と、アッセンブリキャリッジ装置とを備える。磁気ヘッド装置は、図２５に示したものであり、磁気ディスク７１に対して情報の記録及び再生を行う。
【０１１２】
アッセンブリキャリッジ装置は、薄膜磁気ヘッド４を磁気ディスク７１のトラック上に位置決めするためのものであり、軸７４を中心にして回動可能なキャリッジ７５と、このキャリッジ７５を回動駆動する例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）からなるアクチュエータ７６を含む。
【０１１３】
キャリッジ７５には、軸７４の方向にスタックされた複数の駆動アーム７７の基部が取り付けられており、各駆動アーム７７のポール端部には、薄膜磁気ヘッド４を搭載したサスペンション５が固着されている。各サスペンション５は、そのポール端部に有する薄膜磁気ヘッド４が、各磁気ディスク７１の表面に対して対向するように駆動アーム７７のポール端部に設けられている。
【０１１４】
本発明に係る磁気ディスク装置は、本発明に係る磁気ヘッド装置を含むので、磁気ヘッド装置の有する作用効果をそのまま得ることができる。
【０１１５】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明に係る薄膜素子の一実施例を示す透視平面図である。
【図２】図１の２−２線拡大断面図である。
【図３】図１の３−３線拡大断面図である。
【図４】端子極性変化追従を説明する透視平面図である。
【図５】図４の５−５線拡大断面図である。
【図６】図４の６−６線拡大断面図である。
【図７】本発明に係る薄膜素子の別の実施例を示す透視平面図である。
【図８】図７の８−８線拡大断面図である。
【図９】図７の９−９線拡大断面図である。
【図１０】端子極性変化追従を説明する透視平面図である。
【図１１】図１０の１１−１１線拡大断面図である。
【図１２】図１０の１２−１２線拡大断面図である。
【図１３】本発明に係る薄膜素子の更に別の一実施例を示す透視斜視図である。
【図１４】図１３に示した薄膜素子の平面図である。
【図１５】図１４に示した薄膜素子の素子部における拡大断面図である。
【図１６】本発明に係る薄膜素子の更に別の一実施例を示す透視斜視図である。
【図１７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す透視平面図である。
【図１８】図１７の１８−１８線拡大断面図である。
【図１９】図１７の１９−１９線拡大断面図である。
【図２０】端子極性変化追従を説明する透視平面図である。
【図２１】図２０の２１−２１線拡大断面図である。
【図２２】図２０の２２−２２線拡大断面図である。
【図２３】図１７〜図２２に示した薄膜磁気ヘッドの拡大断面図である。
【図２４】図２３に示した薄膜磁気ヘッドにおいて、ＡＢＳ１２と平行な位置で見た部分拡大断面図である。
【図２５】磁気ヘッド装置の側面図である。
【図２６】磁気ディスク装置の具体的な構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１１７】
６１                第１の端子パッド
６２                第２の端子パッド
６１１              絶縁膜
７１                第１の導電路
７２                第２の導電路
７１１              第１の立上部形成領域
７２１              第２の立上部形成領域
８０                素子部
８１                第１の立上部
８２                第２の立上部
９１                第３の立上部
９２                第４の立上部
【図１】
2006093234.tif 000003
【図２】
2006093234.tif 000004
【図３】
2006093234.tif 000005
【図４】
2006093234.tif 000006
【図５】
2006093234.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006093234.tif 000009
【図８】
2006093234.tif 000010
【図９】
2006093234.tif 000011
【図１０】
2006093234.tif 000012
【図１１】
2006093234.tif 000013
【図１２】
2006093234.tif 000014
【図１３】
2006093234.tif 000015
【図１４】
2006093234.tif 000016
【図１５】
2006093234.tif 000017
【図１６】
2006093234.tif 000018
【図１７】
2006093234.tif 000019
【図１８】
2006093234.tif 000020
【図１９】
2006093234.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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