(57)【要約】【課題】急峻な側面を有し、パターンが細り難い、イオン注入マスクの形成方法を提供する。【解決手段】  基板上に、第１の膜である二酸化珪素膜２１ｘと、第２の膜であるＡｌ膜２２ｘとを順次堆積し、Ａｌ膜２２ｘの上に、レジストマスクＲｅ１を形成する。レジストマスクＲｅ１をエッチングマスクとして用い、Ａｌ膜２２ｘをパターニングして中間マスクであるＡｌマスク２２を形成し、レジストマスクＲｅ１及びＡｌマスク２２をエッチングマスクとして用いて、二酸化珪素膜２１ｘをパターニングしてイオン注入マスクである二酸化珪素マスク２１を形成する。その後、レジストマスクＲｅ１，Ａｌマスク２２を除去し、二酸化珪素マスク２１を用いて、１５０℃以上の高温で高抵抗ＳｉＣ層２内にイオン注入して、不純物拡散層であるｐウェル領域３を形成する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素デバイスの製造工程において使用されるイオン注入マスクの形成方法であって、
３００℃以上の高温においてイオン注入マスクの機能を保持する材料からなる第１の膜を堆積する工程（ａ）と、
上記第１の膜の上に、上記第１の膜よりも薄い第２の膜を形成する工程（ｂ）と、
上記第２の膜の上に、不純物拡散層形成領域の上方に位置する部分を開口したレジストマスクを形成する工程（ｃ）と、
上記レジストマスクをエッチングマスクとして用い、上記第２の膜をパターニングして、上記第１の膜をパターニングするための中間マスクを形成する工程（ｄ）と、
少なくとも上記中間マスクをエッチングマスクとして用いて、上記第１の膜をパターニングして、上記イオン注入マスクを形成する工程（ｅ）と
を含むイオン注入マスクの形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のイオン注入マスクの形成方法において、
上記工程（ｅ）では、ドライエッチングにより第１の膜をパターニングする，イオン注入マスクの形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のイオン注入マスクの形成方法において、
上記工程（ｂ）では、第２の膜として、上記工程（ｅ）における第１の膜のエッチング速度よりも小さい材料からなる膜を形成する，イオン注入マスクの形成方法。
【請求項４】
請求項１〜３のうちいずれか１つに記載のイオン注入マスクの形成方法において、
上記工程（ａ）では、上記第１の膜として、酸化物又は窒化物からなる膜を形成する，イオン注入マスクの形成方法。
【請求項５】
請求項１〜４のうちいずれか１つに記載のイオン注入マスクの形成方法において、
上記工程（ｂ）では、上記第２の膜として金属膜を形成する，イオン注入マスクの形成方法。
【請求項６】
請求項５に記載のイオン注入マスクの形成方法において、
上記工程（ｂ）では、上記金属膜としてＡｌ膜を形成する，イオン注入マスクの形成方法。
【請求項７】
請求項１に記載のイオン注入マスクの形成方法において、
上記工程（ｄ）では、ウェットエッチングにより、上記第２の膜をパターニングする，ことを特徴とする、イオン注入マスクの形成方法。
【請求項８】
請求項１〜７のうちいずれか１つに記載のイオン注入マスクの形成方法において、
上記第２の膜は、上記工程（ｄ）において上記第１の膜のエッチングが終了するまで残存するのに十分な厚みを有する，イオン注入マスクの形成方法。
【請求項９】
少なくとも１つのイオン注入領域を有する炭化珪素デバイスにおいて、
上記イオン注入領域の底面における平坦部と側面との間の距離は、上記イオン注入領域の深さ以下である，炭化珪素デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化珪素デバイスの製造工程中において使用されるイオン注入マスクの形成方法及びこれを利用した炭化珪素デバイスに係り、特に、微細パターンの形成対策に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、化合物半導体は、バンドギャップが広い，キャリア移動度が高いなど、Ｓｉとは異なる物理特性を有することから、種々の分野への応用が期待されている。例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）は、バンドギャップが大きく高い絶縁破壊特性を有するので、低損失パワーデバイスへの適用が期待されている。
【０００３】
例えば炭化珪素基板上に形成できる能動型半導体デバイスの形態としては、バイポーラトランジスタ（ＢＪＴ），接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ），静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ），絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ），ショットキー接合ゲート型電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ），絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ），シングルゲート型静電誘導サイリスタ（ＳＧＳＩＴＨ）などがある。これらのデバイスは、いずれの場合も３端子デバイスであり、電流が流れる主電流経路の入口と出口に相当する２つの主端子（エミッタとコレクタ、ソースとドレイン又はカソードとアノード）と、制御端子（ベース、又はゲート）とを備えている。
【０００４】
バイポーラ型デバイスは、主端子間に必ずｐｎ接合部を有し、ｐｎ接合部に形成された電位障壁を越えて２種類の導電型のキャリアが流れることにより、動作電流が得られる。電界効果トランジスタ（ユニポーラ型デバイス）の主端子間には、同一の導電型の半導体層だけしかなくてもよく、電界効果トランジスタの主電流経路にはｐｎ接合は必要ではない。そして、電界効果トランジスタの主電流経路には、単一の導電型のキャリアが流れる。
【０００５】
ところで、例えば炭化珪素パワーデバイスの形成において、バイポーラ型デバイスのみならず、ユニポーラ型デバイスにおいても、半導体層への不純物（ドーパント）の導入は、エピタキシャル成長中におけるin-situ ドープを行なうか、イオン注入を行なうかのいずれかの方法によるのが一般的である。
【０００６】
炭化珪素パワーデバイスにおいては、炭化珪素中で不純物が拡散しにくいという性質のために、これらの技術のうち、特に、炭化珪素中への導電性制御のためのイオン注入が重要な技術として位置付けられている。
【０００７】
イオン注入法を用いれば、異なる導電型を有する不純物拡散層の微細パターンを形成することが可能となり、デバイス形成上の応用性は極めて高い。特に、上述のすべてのデバイスにおいて、オン抵抗を下げるためにはデバイス構造の微細化が極めて重要な課題となる。
【０００８】
ところで、炭化珪素へのイオン注入の場合、ｐ型ドーパントであっても、ｎ型ドーパントであっても、欠陥損傷を最低限に抑えるために５００℃以上の高温注入を行わなければならない（例えば、特許文献１参照）。したがって、マスク材料として５００℃以上の耐熱性を有する，二酸化珪素膜，窒化膜などからなるイオン注入マスク（ハードマスク）を利用するのが一般的である。しかも、これらのイオン注入マスクには数μｍという厚さが必要である。
【０００９】
一方、二酸化珪素膜，窒化膜などをパターニングしてイオン注入マスクを形成するためには、フォトリソグラフィーにより形成されたレジストパターンをマスクとして、ウェットエッチ又はドライエッチを行なう方法が用いられている。
【特許文献１】特開２００１−１９６６２９（段落［００３２］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、等方性エッチング特性を有するウェットエッチにより、酸化膜，窒化膜などのパターニングを行なってハードマスクを形成する場合、イオン注入マスクは数μｍの厚さが要求されるために、イオン注入マスクの側面の基板面に垂直な方向からの傾きが大きくなる。その結果、イオン注入マスクの端部の薄くなった部分では、イオン注入の際にある程度イオンを通過させてしまうので、不純物拡散層の微細パターンを形成することは難しい。
【００１１】
従って、特定の導電型ドーパントを含む，微細パターンを有する不純物拡散層をイオン注入によって形成する場合、イオン注入マスクの形成方法として、異方性エッチング特性を有するドライエッチを用いて、急峻な側面を持つイオン注入マスクの形成を行うことが好ましいと考えられる。
【００１２】
ところが、イオン注入マスクの形成のためのパターニングをドライエッチングにより行なう際、エッチングマスクとしてのレジスト膜のエッチング速度が大きいので、実際上、イオン注入マスクの側面を急峻にするのが困難である。
【００１３】
また、レジスト膜のエッチング速度が速いので、イオン注入マスクのパターンが細りやすく、イオン注入マスクのパターンの精度を高く維持するのも困難であった。
【００１４】
その結果、従来のイオン注入マスクを用いて、高エネルギーのイオン注入を行なっても、不純物拡散層の微細なパターンを形成することが困難になる。
【００１５】
本発明の目的は、急峻な側面を有し、パターンが細り難い、イオン注入マスクの形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のイオン注入マスクの形成方法は、炭化珪素デバイスの製造工程において使用されるイオン注入マスクの形成方法であって、イオン注入マスクとなる第１の膜の直上に、第１の膜よりも薄い第２の膜からなる中間マスクを形成しておいて、第１の膜をパターニングする際に、中間マスクをエッチングマスクとして用いる方法である。
【００１７】
この方法により、第２の膜をパターニングして中間マスクを形成する際には、第２の膜が薄いのでレジストマスクの形状がそれほど崩れることがない。そして、第２の膜をパターニングしてイオン注入マスクを形成する際には、レジストマスクの形状が崩れても、中間マスクが存在することにより、イオン注入マスクがほとんど細ることがない。よって、急峻な側面を有するイオン中間マスクが得られ、基板内に不純物拡散層の微細パターンを形成することが可能になる。
【００１８】
イオン注入マスクを形成する際には、異方性エッチ特性を容易に実現しうるドライエッチングにより第１の膜をパターニングすることが好ましい。
【００１９】
第２の膜は、イオン注入マスクを形成する際における第１の膜のエッチング速度よりも
小さい材料からなることにより、中間マスクの形状の崩れが抑制され、イオン注入マスクの細りがより効果的に抑制される。
【００２０】
イオン注入マスクとなる第１の膜は、酸化物又は窒化物からなる膜であることが好ましい。
【００２１】
中間マスクとなる第２の膜は、金属膜、特にＡｌ膜であることにより、第１の膜をパターニングする際の中間マスクのエッチング速度を遅くすることができる。
【００２２】
また、金属膜をウェットエッチングによりパターニングすることにより、レジストマスクを残存させたまま、中間マスクを形成することができ、イオン注入マスクの形成時に、レジストマスクもエッチングマスクとして用いることができる。
【００２３】
第２の膜は、イオン注入マスクの形成時に、第１の膜のエッチングが終了するまで残存するのに十分な厚みを有することが好ましい。
【００２４】
本発明の炭化珪素デバイスにおいては、イオン注入領域の底面における平坦部と側面との間の距離は、イオン注入領域の深さ以下である。
【００２５】
これにより、設計通りのイオン注入領域の形成範囲がほぼ確保されるので、上述のようなイオン注入マスクを用いて、不純物拡散層の微細パターンを形成することが可能になる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によると、急峻な側面を有するイオン注入マスクを形成することができるので、このイオン注入マスクを用いて、炭化珪素基板上に導電型の異なる不純物拡散層の微細パターンを形成することが可能となり、材料・炭化珪素の理論限界まで低損失なデバイスを形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
図１は、本発明の実施形態に係るＳｉＣ基板を用いた蓄積型ＭＩＳＦＥＴ，かつ，二重注入型ＭＩＳＦＥＴの構造を示す断面図である。図１には、部分的な断面構造しか開示されていないが、ＭＩＳＦＥＴの平面構造は、たとえば国際出願ＰＣＴ／ＪＰ０１／０７８１０号の図２又は図１０に開示されるような構造となっている。
【００２８】
図１に示すように、この二重注入型ＭＩＳＦＥＴは、濃度が１×１０18ｃｍ-3以上のｎ型不純物（ドーパント）を含む低抵抗のＳｉＣ基板１と、ＳｉＣ基板１の主面上に設けられ、濃度が１×１０15ｃｍ-3〜１×１０16ｃｍ-3程度のｎ型不純物がドープされている高抵抗ＳｉＣ層２と、高抵抗ＳｉＣ層２の表面部の一部に濃度が１×１０16ｃｍ-3から１×１０18ｃｍ-3のｐ型不純物をドープして形成されたｐウェル領域３と、ｐウェル領域３の一部に濃度が約１×１０19ｃｍ-3のｎ型不純物をドープして形成されたソース領域６と、ソース領域の直下方に位置するｐウェル領域３の一部に高濃度のｐ型不純物をドープして形成されたｐ+コンタクト領域１１と、ソース領域６，ｐウェル領域３及び高抵抗ＳｉＣ
層２に跨って形成された積層ドープ層構造を含むチャネル層５と、チャネル層５の表面上に設けられた熱酸化膜からなるゲート絶縁膜７と、ゲート絶縁膜７の上に設けられたＡｌ合金膜からなるゲート電極１０と、ソース領域６を貫通してｐ+コンタクト領域１１に到
達する溝の壁面上に設けられ、ｐ+コンタクト領域１１及びソース領域７に接触するよう
に設けられたソース電極８と、ＳｉＣ基板１の裏面上にオーミック接触するように形成されたドレイン電極９とを備えている。
【００２９】
各々ｎ型半導体層であるソース領域６と高抵抗ＳｉＣ層２とは、ｎ型半導体層であるチャネル層５を介して電気的に接続された状態となっている。また、チャネル層５のうち、ソース領域上方に位置する部分の一部は除去されている。ソース電極８とソース領域６およびｐ+コンタクト領域１１とは、互いにオーミック接触するように熱処理されている。
ＳｉＣ基板１とドレイン電極９とは互いにオーミック接触している。
【００３０】
ここで、本実施形態の炭化珪素デバイスにおいては、図１に示すように、イオン注入領域（例えばｐウェル領域３）の不純物濃度プロファイルは、下面における平坦部と側面との間の距離をＡとし、イオン注入領域の深さをＤとしたときに、Ａ≦Ｄの関係が成り立っている。これは、ｐウェル領域３だけでなく、ソース領域６，ｐ+コンタクト領域１１に
ついてもいえることである。ただし、ｐ＋コンタクト領域１１については、イオン注入時における基板面からの深さをＤとする。
【００３１】
つまり、本発明の注入マスクの形成方法により、設計通りのイオン注入領域の形成範囲がほぼ確保されていることを意味する。これは、後述するように、急峻な側面を有する注入マスクを用いてイオン注入を行なうからである。
【００３２】
図２（ａ）〜（ｅ）及び図３（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態の二重注入型ＭＩＳＦＥＴの製造工程を示す断面図である。
【００３３】
まず、図２（ａ）に示す工程で、低抵抗のＳｉＣ基板１上に、ＳｉＣ基板１より高抵抗の（ドーパント濃度が低い）高抵抗ＳｉＣ層２をエピタキシャル成長させる。
【００３４】
次に、図２（ｂ）に示す工程で、例えばＴＥＯＳ膜を堆積し、高抵抗ＳｉＣ層２の上に、厚さ３μｍの二酸化珪素膜２１ｘ（第１の膜）を堆積した後、蒸着を行なって、二酸化珪素膜２１ｘの上に、厚さ０．２μｍ程度のＡｌ膜２２ｘ（第２の膜）を堆積する。その後、フォトリソグラフィーを行なって、Ａｌ膜２２ｘの上に、Ｐウェル形成領域が開口されたレジストマスクＲｅ１を形成する。
【００３５】
次に、図２（ｃ）に示す工程で、レジストマスクＲｅ１をエッチングマスクとして用いたリン酸系のウェットエッチングにより、Ａｌ膜２２ｘをパターニングして、Ａｌマスク２１（中間マスク）を形成する。つづいて、レジストマスクＲｅ１及びＡｌマスク２２をエッチングマスクとして用いたドライエッチングにより、二酸化珪素膜２１ｘをパターニングして、二酸化珪素マスク２１（イオン注入マスク）を形成する。このとき、二酸化珪素膜２１ｘは、厚さ３μｍもある厚い膜であるが、例えばＣＨＦ3などのガスを用いたＩ
ＣＰエッチングを行なうことにより、側面が急峻な二酸化珪素マスク２１を形成することができる。そして、Ａｌマスク２２及びレジストマスクＲｅ１を除去し、二酸化珪素マスク２１を用いて、基板を５００℃以上の高温に保持した状態で、高抵抗ＳｉＣ層２の表面部の一部にｐ型不純物のイオン注入を行なって、ｐウェル領域３を形成する。ｐウェル領域３におけるｐ型不純物の濃度は、通常１×１０17ｃｍ-3前後から１×１０18ｃｍ-3であり、ｐウェル領域３の深さはピンチオフしないように１μｍ前後とする。
【００３６】
次に、図２（ｄ）に示す工程で、二酸化珪素マスク２１，Ａｌマスク２２及びレジストマスクＲｅ１を除去し、注入された不純物を活性化するためのアニールを行なった後、ｐウェル領域３及び高抵抗ＳｉＣ層２の表面上に、ｎ型不純物を含むチャネル層５をエピタキシャル成長させる。
【００３７】
次に、図２（ｅ）に示す工程で、例えばＴＥＯＳ膜を堆積し、チャネル層５の上に、厚さ３μｍの二酸化珪素膜２４ｘ（第１の膜）を堆積した後、蒸着を行なって、二酸化珪素膜２４ｘの上に、厚さ０．２μｍ程度のＡｌ膜２５ｘ（第２の膜）を堆積する。その後、
フォトリソグラフィーを行なって、Ａｌ膜２５ｘの上に、ソース形成領域が開口されたレジストマスクＲｅ２を形成する。
【００３８】
次に、図３（ａ）に示す工程で、レジストマスクＲｅ２をエッチングマスクとして用いたリン酸系のウェットエッチングにより、Ａｌ膜２５ｘをパターニングして、Ａｌマスク２５（中間マスク）を形成する。つづいて、レジストマスクＲｅ２及びＡｌマスク２５をエッチングマスクとして用いたドライエッチングにより、二酸化珪素膜２４ｘをパターニングして、二酸化珪素マスク２４（イオン注入マスク）を形成する。このとき、例えばＣＨＦ3などのガスを用いたＩＣＰエッチングを行なうことにより、側面が急峻な二酸化珪
素マスク２４を形成することができる。そして、Ａｌマスク２５及びレジストマスクＲｅ２を除去し、二酸化珪素マスク２４を用いて、基板を５００℃以上の高温に保持した状態で、チャネル層５及びｐウェル領域３の一部に高濃度のｎ型不純物のイオン注入を行なうことにより、チャネル層５を貫通して、ｐウェル領域３の内部まで達するソース領域６を形成する。このとき、各々ｎ型半導体層であるソース領域６と高抵抗ＳｉＣ層２とは、ｎ型半導体層であるチャネル層５を介して電気的に接続された状態となっている。
【００３９】
次に、図３（ｂ）に示す工程で、高濃度のｐ型不純物のイオン注入を行なって、ソース領域６の直下方に位置するｐウェル領域３の一部にｐ+コンタクト領域１１を形成する。
そして、二酸化珪素マスク２４，Ａｌマスク２５及びレジストマスクＲｅ２を除去し、ｐ+コンタクト領域１１やソース領域６に注入された不純物を活性化するためのアニールを
行なう。さらに、ソース領域６を貫通してｐ＋コンタクト領域１１の上部に到達する溝４を形成した後、チャネル層５，ソース領域６及びｐ+コンタクト領域１１の露出している
表面部を熱酸化して、熱酸化膜からなるゲート絶縁膜７を形成する。
【００４０】
次に、図３（ｃ）に示す工程で、ゲート絶縁膜７のうち溝４の壁面上の部分と、溝４の周囲の部分とを除去する。
【００４１】
次に、図３（ｄ）に示す工程で、ソース領域６のうちゲート絶縁膜７が除去されて露出している部分の上にソース電極８を形成する。また、ＳｉＣ基板１の裏面上にドレイン電極９を形成する。
【００４２】
次に、図３（ｅ）に示す工程で、ゲート絶縁膜７の上にゲート電極１０を形成する。なお、ソース電極８とソース領域７及びｐ+コンタクト領域１１とがオーミック接触し、Ｓ
ｉＣ基板１とドレイン電極９とがオーミック接触するように熱処理が行われる。
【００４３】
ここで、上記製造工程における高温イオン注入工程である，図２（ｃ）又は図３（ａ）に示す工程について説明する。
【００４４】
図４は、図２（ｃ）又は図３（ａ）に示す工程におけるイオン注入前の各マスクの形状を示す断面図である。同図に示すように、基板上には、二酸化珪素マスク２１（又は２４）と、Ａｌマスク２２（又は２５）と、レジストマスクＲｅ１（又はＲｅ２）とが下方から順に形成されている。二酸化珪素膜２１ｘ（又は２４ｘ）をエッチングして、二酸化珪素マスク２１（又は２４）を形成する際には、二酸化珪素膜２１（又は２４）の厚さが３μｍと非常に厚いので、比較的長時間のエッチングが必要となり、レジストマスクＲｅ１（又はＲｅ２）は、図中破線に示す輪郭から実線に示す輪郭のように細ることになる。ところが、Ａｌマスク２２（又は２５）は、二酸化珪素膜２１ｘ（又は２４ｘ）をエッチングする際にも、ほとんど細ることはない。これは、高温イオン注入マスク（ハードマスク）である二酸化珪素マスク２１（又は２４）をパターニングするためのマスク（Ａｌマスク）は、二酸化珪素膜２１（又は２４）とはエッチング選択比の大きい材料から構成されているからである。
【００４５】
その結果、二酸化珪素マスク２１（又は２４）の側面は、基板の表面に垂直な方向からの傾きが小さい、急峻な形状を示すようになるので、基板内に高エネルギーのイオン注入を行なって、導電型が相異なる不純物拡散層（本実施形態においては、ｐウェル領域３とソース領域６）を相隣接して形成したときに、イオン注入マスクの端部の比較的厚さが薄くなった部分はわずかになるので、イオンが阻止されずに基板内に注入されてしまう範囲が狭くなり、基板内に形成される不純物拡散層同士の境界領域が縮小される。よって、微細な不純物拡散領域のパターンを形成することができ、炭化珪素の理論限界まで低損失なデバイスを形成することが可能となる。
【００４６】
イオン注入マスク２１（又は２４）の側面の基板面に垂直な方向からの傾きは、６０°以下であることが好ましく、３０°以下であることがより好ましい。
【００４７】
本発明における高温イオン注入マスクは、３００℃以上の高温においてもイオン注入マスクの機能を保持していることが好ましく、５００℃以上の高温においてもイオン注入マスクの機能を保持していることがより好ましい。
【００４８】
本実施形態においては、高温イオン注入マスクは、１０００℃以上の高温でもイオン注入マスクの機能を保持しうる二酸化珪素膜によって構成されている。二酸化珪素膜はプラズマＣＶＤ，ＬＴＯ，ＨＴＯなどの方法を利用して堆積した膜を利用することができる。プラズマＴＥＯＳ膜を用いた場合、１時間のＣＶＤにより３μｍの厚みの二酸化珪素膜を成長させることができる。また、二酸化珪素膜に代えて、二酸化珪素膜以外の各種酸化膜や、窒化珪素膜等の窒化膜，酸窒化膜，ポリシリコン膜などを用いてもよい。
【００４９】
また、珪素膜や珪素膜をパターニングして、高温イオン注入マスクを形成するための金属膜は、Ａｌ以外の材料，例えばＮｉなどを用いることができる。また、金属膜に代えてポリシリコン膜，窒化珪素膜などを用いることも可能である。ただし、高温イオン注入マスクをエッチングする際にエッチングされ難い材料、つまり、高温イオン注入マスクに対するエッチング選択比の高い材料によって構成されていることが好ましい。
【００５０】
本発明のイオン注入マスクの形成方法は、上記実施形態における絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）だけでなく、バイポーラトランジスタ（ＢＪＴ），接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ），静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ），ショットキー接合ゲート型電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ），絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ），シングルゲート型静電誘導サイリスタ（ＳＧＳＩＴＨ）などにも適用することができる。
【００５１】
酸化膜，窒化膜などからなるイオン注入マスクの厚みは、一般的には１μｍ以上であるが、０．５μｍ以上のときに本発明を適用する意義がある。金属膜からなる中間マスクの厚みは、イオン注入マスクの０．１〜０．３倍程度であることが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明のイオン注入マスクの形成方法及び炭化珪素デバイスは、炭化珪素基板に導電型が相異なる不純物拡散層を有するデバイス、例えばバイポーラトランジスタ（ＢＪＴ），接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ），静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ），絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ），ショットキー接合ゲート型電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ），絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ），シングルゲート型静電誘導サイリスタ（ＳＧＳＩＴＨ）などのデバイスやこれらを製造する際に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施形態に係るＳｉＣ基板を用いた蓄積型ＭＩＳＦＥＴ，かつ，二重注入型ＭＩＳＦＥＴの構造を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、実施形態の二重注入型ＭＩＳＦＥＴの製造工程のうちの前半部分を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、実施形態の二重注入型ＭＩＳＦＥＴの製造工程のうちの後半部分を示す断面図である。
【図４】図２（ｃ）又は図３（ａ）に示す工程におけるイオン注入前の各マスクの形状を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  ＳｉＣ基板
２  高抵抗ＳｉＣ層
３  ｐウェル領域
４  ｐ+ コンタクト領域
５  チャネル層
６  ソース領域
７  ゲート絶縁膜
８  ソース電極
９  ドレイン電極
１０  ゲート電極
１１  ｐ+コンタクト領域
２１  二酸化珪素マスク（イオン注入マスク）
２１ｘ  二酸化珪素膜（第１の膜）
２２  Ａｌマスク（中間マスク）
２２ｘ  Ａｌ膜
Ｒｅ１  レジストマスク
２４  イオン注入マスク
２４ｘ  二酸化珪素膜（第１の膜）
２５  中間マスク
２５ｘ  Ａｌ膜
Ｒｅ１  レジストマスク
【図１】
2006041166.tif 000003
【図２】
2006041166.tif 000004
【図３】
2006041166.tif 000005
【図４】
2006041166.tif 000006