(57)【要約】      （修正有）【課題】  大きな分極量を維持し、且つ、リーク電流が低く、しかも、より薄い強誘電体膜で構成された強誘電体キャパシタをもつ半導体装置を提供しようとする。【解決手段】  半導体基板上に下部電極２４Ｅ、上部電極２７Ｅ、そして、下部電極２４Ｅと上部電極２７Ｅの間に挟まれた強誘電体膜２６Ｃで構成された強誘電体キャパシタが形成された半導体装置に於いて、該強誘電体キャパシタに於ける少なくとも一方の電極である上部電極２７Ｅと強誘電体膜２６Ｃとの界面に於ける強誘電体膜２６Ｃ側に該強誘電体の主成分と組成を異にし、且つ、該主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンであるＮｂイオンを含有させる。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に二つの電極及び該二つの電極間に挟まれた強誘電体膜で構成された強誘電体キャパシタが形成された半導体装置に於いて、
該強誘電体キャパシタに於ける少なくとも一方の電極と強誘電体膜との界面に於ける強誘電体膜側に該強誘電体の主成分と組成を異にし、且つ、該主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンを含有させてなること
を特徴とする強誘電体キャパシタをもつ半導体装置。
【請求項２】
強誘電体膜がぺロブスカイト構造或いはビスマス層状構造を有すること
を特徴とする請求項１記載の強誘電体キャパシタをもつ半導体装置。
【請求項３】
強誘電体膜の主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンにおいて、主成分に対する最高濃度となる位置が、電極と強誘電体膜との界面に於ける強誘電体膜側に在ること
を特徴とする請求項１記載の強誘電体キャパシタをもつ半導体装置。
【請求項４】
ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （０＜ｘ＜１）を主成分とする強誘電体膜に対し、主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンがＮｂ5+或いはＴａ5+であること
を特徴とする請求項１記載の強誘電体キャパシタをもつ半導体装置。
【請求項５】
強誘電体の主成分のみからなる膜、主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンを含有する膜、電極を順に形成し、
強誘電体膜と電極との界面に於ける強誘電体膜側に強誘電体の主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンが高濃度に存在する強誘電体キャパシタを形成すること
を特徴とする強誘電体キャパシタをもつ半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性半導体メモリなどを構成するのに好適な強誘電体キャパシタをもつ半導体装置及びその製造方法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、自発分極をもつ強誘電体をキャパシタの誘電体として用いた強誘電体キャパシタをもつ不揮発性メモリ、即ち、強誘電体メモリ（ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ：  ＦＲＡＭ）は、次世代のメモリとして、非接触のＩＣカードなどへの応用が期待されている。
【０００３】
通常、強誘電体は印加電圧を遮断しても残留分極の方向は保存されるので、その性質を利用して“０”と“１”とを判別し、データの不揮発性を実現している。
【０００４】
現在、半導体基板上に強誘電体膜を堆積する技法としては、スパッタリング法、ゾルゲル法、ゾルゲル法の一種である化学溶液堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＳＤ）法、有機金属化学気相蒸着法などが採用されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００５】
キャパシタに於ける誘電体膜は、薄く形成するほど、より低い電圧で分極を反転させることが可能である。微弱な電波しか期待できない非接触のＩＣカード等に応用する場合には、必要とする動作電圧が低くて済むのであれば通信距離は長くなる筈であるから、実用上好ましいこととなる。
【０００６】
ところで、強誘電体膜の膜厚が薄くなると洩れ電流が問題になってくる。洩れ電流が大きくなると、キャパシタに於ける強誘電体膜に電圧がかかり難くなるので、データ書き換え特性やデータ保持特性が悪くなる。従って、洩れ電流は可能な限り低く抑えることが必要である。
【０００７】
従来、強誘電体の主成分を構成する陽イオンに比較して大きい価数を有するイオンを添加して洩れ電流を低減する技術が知られているが、イオンの添加量を増加させてゆくと、強誘電体の分極量も低下する為、大きな分極量と低い洩れ電流を両立させることは困難である。
【特許文献１】特開平５−２５９３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明では、大きな分極量を維持し、且つ、リーク電流が低く、しかも、より薄い強誘電体膜で構成された強誘電体キャパシタをもつ半導体装置を提供しようとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に依る半導体装置及びその製造方法では、半導体基板上に二つの電極及び該二つの電極間に挟まれた強誘電体膜で構成された強誘電体キャパシタが形成された半導体装置に於いて、該強誘電体キャパシタに於ける少なくとも一方の電極と強誘電体膜との界面に於ける強誘電体膜側に該強誘電体の主成分と組成を異にし、且つ、該主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンを含有させてなることが基本になっている。
【発明の効果】
【００１０】
前記手段を採ることに依り、大きな分極量を維持し、リーク電流が低く、より薄い強誘電体膜をもつ強誘電体キャパシタが得られ、従って、低電圧で動作可能な強誘電体メモリをもつ半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明者は、キャパシタに於ける強誘電体−電極界面近傍に、強誘電体を構成する陽イオンより大きい価数の陽イオンが高濃度に分布する領域を形成することで、強誘電体キャパシタのリーク電流を低減できることを見い出した。
【００１２】
チタン酸ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 ：ＰＺＴ）は鉛２価イオンと、チタン及びジルコニウムの４価イオンの陽イオンで構成されているぺロブスカイト構造を有する強誘電体であって、ＦＲＡＭのキャパシタ材料として用いられている。
【００１３】
これまで、ＦＲＡＭの製造工程に於ける劣化を低減したり、或いは、信頼性を向上させる為、Ｌａ、Ｓｒ、Ｃａなどを均一に添加することが行われているが、一般に、ドーパントの添加量が増加するほど強誘電体のスイッチングに依って得られる電荷（ＱSW）は低下することが知られている。ＱSWは大きい方が、参照電圧とのマージンを広く採ることができるので、低電圧動作には好適である。
【００１４】
ドーパントを含まないＰＺＴと、５ｍｏｌ％のニオブ（５価の陽イオン）を添加した溶液を用い、ＣＳＤ法を適用し、ＰＺＴキャパシタを作成した。スピンコートを３回行い、３回ともドーパント無しのＰＺＴ溶液を用いた本発明に依らない試料（試料１、ドーパント無し）、最初のみＮｂを含む溶液を用い、他をドーパント無しのＰＺＴ溶液を用いた本発明の試料（試料２、下部電極界面に添加）、最後のみＮｂを含む溶液を用い、他をドーパント無しのＰＺＴ溶液を用いた本発明の試料（試料３、上部電極界面に添加）、全てＮｂを含む溶液を用いた本発明に依らない試料（試料４、全てに添加）の各試料の特性を比較して表１に纏めた。
【表１】
2006041425.tif 000003
【００１５】
表１からすると、ドーパント無しのスイッチング電荷量が最も大きく、全体に添加した場合が最もスイッチング電荷が小さく、ＰＺＴの電極界面にＮｂを添加した場合は、それより分極量の低下が小さく、下部電極界面に添加した場合及び上部電極界面に添加した場合を比較すると、上部電極界面に添加した方がより小さくなって好ましいこと、が看取される。
【００１６】
図１は本発明に依らないドーパント無しの試料（試料１）、下部電極界面に添加した本発明の試料（試料２）、上部電極界面に添加した本発明の試料（試料３）の各試料に関する洩れ電流特性を表す線図である。
【００１７】
図１からすると、ドーパント無しの試料１は洩れ電流が大きく、下部電極界面に添加した試料２では、上部電極に正電圧を印加したとき、洩れ電流に大きな変化は無いが、負電圧を印加したとき、洩れ電流は低減される。上部電極界面に添加した試料３では、正或いは負の何れの電圧を印加しても洩れ電流は低減されることが看取される。
【００１８】
前記したところから、上部電極界面に強誘電体の主成分を構成する陽イオンより価数の大きいイオンを添加することで、分極量を大きく維持したまま、洩れ電流を低減できることが理解されよう。
【実施例１】
【００１９】
図２乃至図５は本発明一実施例である半導体装置を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける半導体装置を表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
【００２０】
図２参照
図２には、ゲート電極で代表される電界効果トランジスタＱ１、Ｑ２などが作り込まれたウエーハ２１を示してある。尚、２１Ａは絶縁膜、２１Ｂは導電プラグ、２２はウエーハ２１を覆う保護膜を表している。
【００２１】
（１）
ドライエッチング法を適用することに依り、ウエーハ２１を覆う保護膜２２のエッチングを行って除去する。
【００２２】
図３参照
（２）
ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｕｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を適用することに依り、ＳｉＯ2 からなる絶縁膜２３を形成する。
【００２３】
（３）
ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を適用することに依り、絶縁膜２３の研磨を行って平坦化する。
【００２４】
（４）
スパッタリング法を適用することに依り、絶縁膜２３上に厚さ６０ｎｍのチタン膜２４及び厚さ２００ｎｍの白金膜２５を順に成膜する。
【００２５】
（５）
ＣＳＤ法を適用することに依り、白金膜２５上に強誘電体膜２６を形成する。具体的には、先ず、白金膜２５上に市販のＣＳＤ溶液であるＰｂＺｒ0.45Ｔｉ0.55Ｏ3 溶液をスピンコートし、温度３５０℃のホットプレート上に２分間載置して熱分解を行う。そして、このプロセスを２回繰り返す。
【００２６】
次いで、前記ＣＳＤ溶液を価数が大きい陽イオンとしてニオブ（Ｎｂ）を添加したＰｂＺｒ0.42Ｔｉ0.55Ｎｂ0.05Ｏ3 溶液に変更し、これをＰｂＺｒ0.45Ｔｉ0.55Ｏ3 膜上にスピンコートし、温度３５０℃のホットプレート上に２分間載置して熱分解を行う。
【００２７】
次いで、温度６５０℃の酸素フロー中に於いて１０分の加熱を行って結晶化アニールする。この工程（５）を経ることで強誘電体膜２６が形成される。
【００２８】
（６）
スパッタリング法を適用することに依り、厚さ１００ｎｍの酸化イリジウム膜２７を形成する。その後、温度６００℃の酸素フロー中で３０分のアニールを行うことで、強誘電体に生じたスパッタリングダメージを回復させる。
【００２９】
図４参照
（７）
リソグラフィ技術、及び、ドライエッチング法を適用することに依り、酸化イリジウム膜２７、強誘電体膜２６、白金膜２５、チタン膜２４のエッチングを行い、上部電極２７Ｅ、キャパシタ形状の強誘電体膜２６Ｃ、下部電極２４Ｅを形成して強誘電体キャパシタとする。
【００３０】
（８）
ＣＶＤ法を適用することに依り、ＳｉＯ2 からなる絶縁膜２８を形成する。絶縁膜２８は強誘電体キャパシタを埋め込むのに充分な厚さとする。
【００３１】
図５参照
（９）
レジストプロセス及びドライエッチング法を適用することに依り、絶縁膜２８の所要位置にビアホールを形成し、次いで、そのビアホールを埋め且つ表面に展延する金属タングステン膜を形成する。
【００３２】
（１０）
ＣＭＰ法を適用することに依り、工程（９）で形成した金属タングステン膜の研磨を行って導電プラグ２９を形成する。
【００３３】
（１１）
スパッタリング法、レジストプロセス、ドライエッチング法を適用することに依り、導電プラグ２９にコンタクトするアルミニウムからなる配線３０を形成して半導体装置を完成する。
【００３４】
前記のようにして得られた半導体装置に於ける強誘電体キャパシタは、強誘電体膜２６Ｃと上部電極２７Ｅとの界面に於ける強誘電体膜２６側にＮｂからなる５価イオンが高濃度で存在し、Ｎｂ無添加、或いは、Ｎｂを強誘電体膜２６全体に添加した場合に比較して分極が大きく、そして、洩れ電流は少ないことが確認されている。
【実施例２】
【００３５】
実施例２の工程は、実施例１の工程と対比すると、厚さ６０ｎｍのチタン膜２４を形成するまでは同じであるから説明を省略し、次の段階から説明する。
（１）  
スパッタリング法を適用することに依り、チタン膜上に厚さ２００ｎｍのイリジウム膜を形成する。
【００３６】
（２）
ＭＯＣＶＤ法を適用することに依り、イリジウム膜上にＰｂＺｒ0.45Ｔｉ0.55Ｏ3 膜を成膜する。
【００３７】
次いで、ＭＯＣＶＤ法を適用することに依り、価数の大きい陽イオンとして厚さ１０ｎｍの酸化ニオブ膜を成膜する。尚、この場合の成膜方法としては、ＭＯＣＶＤ法をスパッタリング法に代替することもできる。
【００３８】
次いで、熱処理を行って、酸化ニオブをＰＺＴ膜中に拡散する。尚、この工程（２）を経ることで強誘電体膜が形成される。
【００３９】
（３）
スパッタリング法を適用することに依り、強誘電体膜上に厚さ１００ｎｍの酸化イリジウム膜を形成する。
【００４０】
（４）
リソグラフィ技術、及び、ドライエッチング法を適用することに依り、酸化イリジウム膜、強誘電体膜、イリジウム膜、チタン膜のエッチングを行い、酸化イリジウムからなる上部電極、キャパシタ形状の強誘電体膜、イリジウム膜及びチタン膜からなる下部電極を形成して強誘電体キャパシタとする。
【００４１】
（５）
ＣＶＤ法を適用することに依り、強誘電体キャパシタを埋めるＳｉＯ2 からなる絶縁膜を形成し、この後、実施例１と同様にして導電プラグ、配線などを形成して半導体装置を完成する。
【００４２】
実施例２の半導体装置に於ける強誘電体キャパシタは、前記説明した実施例１と同様、強誘電体膜と上部電極との界面に於ける強誘電体膜側にＮｂからなる５価イオンが高濃度で存在し、Ｎｂ無添加、或いは、Ｎｂを強誘電体膜全体に添加した場合に比較して分極が大きく、そして、洩れ電流は少ないことを確認した。
【実施例３】
【００４３】
実施例３を実施例１或いは２と対比すると、絶縁膜２３を形成して平坦化するまでの工程は同じであるから、次の段階から説明する。
（１）
スパッタリング法を適用することに依り、絶縁膜上に厚さ１０ｎｍのチタン膜、厚さ１５０ｎｍのイリジウム膜を順に形成する。
【００４４】
（２）
原料をＰｂ（ＤＰＭ）２、Ｚｒ（ＤＭＨＤ）４、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｐｒ）２（ＤＰＭ）２、Ｎｂ（ＤＰＭ）４の各酢酸ブチル溶液を原料とする溶液気化ＭＯＣＶＤ法を適用することに依り、イリジウム膜上に強誘電体膜を形成する。
【００４５】
具体的に説明すると、プロセスチャンバ内に於いて、ウェーハを６２０℃に加熱しながら、厚さ１００ｎｍのＰｂＺｒ0.45Ｔｉ0.55Ｏ3 膜を成膜する。
【００４６】
次いで、前記原料に２．５ａｔ％のＮｂイオンが含有されるように流量を調整しながらＰＺＴ原料とＮｂ原料をプロセスチャンバ内に送り込み、厚さ２０ｎｍのＮｂドープＰｂＺｒ0.45Ｔｉ0.55Ｏ3 膜を連続して成膜する。
【００４７】
（３）
スパッタリング法を適用することに依り、強誘電体膜上に厚さ１００ｎｍの酸化イリジウム膜を形成する。
【００４８】
（４）
リソグラフィ技術、及び、ドライエッチング法を適用することに依り、酸化イリジウム膜、強誘電体膜、イリジウム膜、チタン膜のエッチングを行い、酸化イリジウムからなる上部電極、キャパシタ形状の強誘電体膜、イリジウム膜及びチタン膜からなる下部電極を形成して強誘電体キャパシタとする。
【００４９】
（５）
ＣＶＤ法を適用することに依り、ＳｉＯ2 からなる絶縁膜を形成し、この後、実施例１と同様にして導電プラグ、配線などを形成して強誘電体キャパシタをもつ半導体装置を完成する。
【００５０】
実施例３の半導体装置に於ける強誘電体キャパシタは、前記説明した実施例１或いは実施例２と同様、強誘電体膜と上部電極との界面に於ける強誘電体膜側にＮｂからなる５価イオンが高濃度で存在し、Ｎｂ無添加、或いは、Ｎｂを強誘電体膜全体に添加した場合に比較して分極が大きく、そして、洩れ電流は少ないことを確認した。
【００５１】
図６は本発明に依り上部電極界面のＰＺＴ膜側にニオブイオンをドープした場合の厚さ方向に於ける各イオンの深さプロファイルを表す線図である。
【００５２】
図について留意すべきことは、縦軸は２次イオン強度であって濃度ではないこと、各イオンで検出し易さが相違する為、各イオン間に定量性はないこと、例えば、化学式からは酸素イオンは鉛イオンの約３倍であるが強度は異なること、深さ方向はエッチングレートから算出しているので、ＰＺＴの膜厚から予想される界面（０．２４μｍ）と検出された界面深さとは必ずしも一致しないことである。また、深さゼロが上部電極との界面を示している。
【００５３】
図からすると、上部電極界面、即ち、ＰＺＴ膜表面にニオブイオンが高濃度でドーピングされていることが看取できよう。
【００５４】
本発明に於いては、前記説明した実施例を含め、多くの形態で実施することができ、以下、それを付記として例示する。
【００５５】
（付記１）
半導体基板上に二つの電極及び該二つの電極間に挟まれた強誘電体膜で構成された強誘電体キャパシタが形成された半導体装置に於いて、
該強誘電体キャパシタに於ける少なくとも一方の電極と強誘電体膜との界面に於ける強誘電体膜側に該強誘電体の主成分と組成を異にし、且つ、該主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンを含有させてなること
を特徴とする強誘電体キャパシタをもつ半導体装置。（１）
【００５６】
（付記２）
強誘電体膜がぺロブスカイト構造或いはビスマス層状構造を有すること
を特徴とする付記１記載の強誘電体キャパシタをもつ半導体装置。（２）
【００５７】
（付記３）
強誘電体膜の主成分がＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （０＜ｘ＜１）であること
を特徴とする付記１記載の強誘電体キャパシタをもつ半導体装置。
【００５８】
（付記４）
強誘電体膜の成分としてＬａ、Ｃａ、Ｓｒを含有すること
を特徴とする付記１乃至付記３の何れか１記載の強誘電体キャパシタをもつ半導体装    置。
【００５９】
（付記５）
強誘電体膜の主成分がＢｉ4-x Ｒx Ｔｉ3 Ｏ12（Ｒは希土類元素、０＜ｘ＜２）、ＳｒＢｉ2 Ｔａ2-x Ｎｂx Ｏ9 （０＜ｘ＜１）、ＳｒＢｉ4 Ｔｉ4 Ｏ15であること
を特徴とする付記１記載の強誘電体キャパシタをもつ半導体装置。
【００６０】
（付記６）
強誘電体膜の主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンにおいて、主成分に対する最高濃度となる位置が、電極と強誘電体膜との界面から強誘電体膜側に１００ｎｍ以内の範囲に在ること
を特徴とする付記１記載の強誘電体キャパシタをもつ半導体装置。
【００６１】
（付記７）
強誘電体膜の主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンにおいて、主成分に対する最高濃度となる位置が、電極と強誘電体膜との界面に於ける強誘電体膜側に在ること
を特徴とする付記１記載の強誘電体キャパシタをもつ半導体装置。（３）
【００６２】
（付記８）
強誘電体膜の主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンの濃度が主成分の全体に対して５ｍｏｌ％以下であること
を特徴とする付記１記載の強誘電体キャパシタをもつ半導体装置。
【００６３】
（付記９）
ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （０＜ｘ＜１）を主成分とする強誘電体膜に対し、主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンがＮｂ5+或いはＴａ5+であること
を特徴とする付記１記載の強誘電体キャパシタをもつ半導体装置。（４）
【００６４】
（付記１０）                                                                      強誘電体の主成分のみからなる膜、主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンを含有する膜、電極を順に形成し、
強誘電体膜と電極との界面に於ける強誘電体膜側に強誘電体の主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンが高濃度に存在する強誘電体キャパシタを形成すること
を特徴とする強誘電体キャパシタをもつ半導体装置の製造方法。（５）
【００６５】
（付記１１）
強誘電体の主成分のみからなる膜、主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンを含有する膜を順に形成し、
強誘電体の主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンを主成分中に拡散し、
強誘電体膜と電極との界面に於ける強誘電体膜側に強誘電体の主成分を構成する陽イオンに比較して価数が大きい陽イオンを高濃度に存在させた強誘電体キャパシタを形成すること
を特徴とする強誘電体キャパシタをもつ半導体装置の製造方法。
【００６６】
（付記１２）
強誘電体膜を形成する際、化学溶液堆積法、化学気相蒸着法、スパッタリング法から選択した方法を適用して成膜すること
を特徴とする付記１０或いは付記１１記載の強誘電体キャパシタをもつ半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明に依らないドーパント無しの試料（試料１）、下部電極界面に添加した本発明の試料（試料２）、上部電極界面に添加した本発明の試料（試料３）の各試料に関する洩れ電流特性を表す線図である。
【図２】本発明一実施例である半導体装置を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける半導体装置を表す要部切断側面図である。
【図３】本発明一実施例である半導体装置を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける半導体装置を表す要部切断側面図である。
【図４】本発明一実施例である半導体装置を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける半導体装置を表す要部切断側面図である。
【図５】本発明一実施例である半導体装置を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける半導体装置を表す要部切断側面図である。
【図６】本発明に依り上部電極界面のＰＺＴ膜側にニオブイオンをドープした場合の厚さ方向に於ける各イオンの深さプロファイルを表す線図である。
【符号の説明】
【００６８】
２１  ウェーハ
２１Ａ  絶縁膜
２１Ｂ  導電プラグ
２２  保護膜
２３  絶縁膜
２４  チタン膜
２４Ｅ  下部電極
２５  白金膜
２５Ｅ  下部電極
２６  強誘電体膜
２６Ｃ  キャパシタ形状の強誘電体膜
２７  酸化イリジウム膜
２７Ｅ  上部電極
２８  絶縁膜
２９  導電プラグ
３０  配線
【図１】
2006041425.tif 000004
【図２】
2006041425.tif 000005
【図３】
2006041425.tif 000006
【図４】
2006041425.tif 000007
【図５】
2006041425.tif 000008
【図６】
2006041425.tif 000009