(57)【要約】【課題】ハイブリッド回路基板及びこれを有する表示装置を提供する。【解決手段】ハイブリッド回路基板は、メイン回路基板及びサブ回路基板を含む。メイン回路基板は、メイン本体に形成されたスロット、及びスロットに対応してメイン本体に形成された第１回路パターンを有する。サブ回路基板は、スロットに結合される突出部を有するサブ本体、突出部に形成され第１回路パターンと電気的に連結された第２回路パターン、及びサブ本体と突出部との間に形成されサブ本体から突出部を分離するための開口部が形成される。ハイブリッド回路基板は、少なくとも２つの回路基板を相互アセンブリした後、各回路基板の不良または交代作業をより迅速に遂行することができるようにする。【選択図】    図１
2006165490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メイン本体と、前記メイン本体に形成されたスロットと、前記スロットに対応して前記メイン本体に形成された第１回路パターンとを有するメイン回路基板と、
前記スロットに結合される突出部を有するサブ本体と、前記突出部に形成され前記第１回路パターンと電気的に連結された第２回路パターンと、前記サブ本体と前記突出部との間に形成され前記サブ本体から前記突出部を分離するための開口部とが形成されたサブ回路基板と、
を含むことを特徴とするハイブリッド回路基板。
【請求項２】
前記スロットは、少なくとも２つであることを特徴とする請求項１記載のハイブリッド回路基板。
【請求項３】
前記サブ本体及び前記突出部は、前記メイン回路基板に対して実質的に垂直な方向に配置されることを特徴とする請求項１記載のハイブリッド回路基板。
【請求項４】
前記サブ本体は第１面と、前記第１面と対向する第２面とを有し、前記第２回路パターンは前記第１面に形成され、前記開口部は前記第２面に形成されることを特徴とする請求項１記載のハイブリッド回路基板。
【請求項５】
前記開口部は、平面上で見たときグルーブ形状を有し、前記開口部の深さは前記サブ本体の厚さより小さいことを特徴とする請求項４記載のハイブリッド回路基板。
【請求項６】
前記開口部は、Ｖ字型断面を有することを特徴とする請求項４記載のハイブリッド回路基板。
【請求項７】
前記開口部は、平面上で見たときリセス形状を有し、前記開口部の深さは前記サブ本体の厚さより小さいことを特徴とする請求項４記載のハイブリッド回路基板。
【請求項８】
前記開口部は、少なくとも２つであることを特徴とする請求項７記載のハイブリッド回路基板。
【請求項９】
前記サブ本体は、第１面と、前記第１面と対向する第２面とを有し、前記第２回路パターンは前記第１面に形成され、前記開口部は平面上で見たとき前記第１面に形成された前記第２回路パターンの両側にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項１記載のハイブリッド回路基板。
【請求項１０】
前記開口部は、グルーブ形状を有することを特徴とする請求項９記載のハイブリッド回路基板。
【請求項１１】
前記開口部は、少なくとも２つのリセス形状を有することを特徴とする請求項９記載のハイブリッド回路基板。
【請求項１２】
前記開口部の深さは、前記サブ本体の厚さ以下であることを特徴とする請求項９記載のハイブリッド回路基板。
【請求項１３】
前記開口部は、前記サブ本体の厚さより小さいグルーブ、及び前記グルーブの内部に形成され前記サブ本体を貫通する貫通孔であることを特徴とする請求項１記載のハイブリッド回路基板。
【請求項１４】
前記第２回路パターンのうち、前記第１回路パターンと連結される部分には連結ホールが形成され、前記連結ホールの内部には前記第２回路パターンの一部が延長されたことを特徴とする請求項１記載のハイブリッド回路基板。
【請求項１５】
画像を表示する表示パネルと、
前記画像を表示するための光を前記表示パネルに提供する光源と、
前記表示パネルと電気的に連結されたメイン本体と、前記メイン本体に形成されたスロットと、前記スロットに形成された第１回路パターンとを有するメイン回路基板と、
前記スロットに結合される結合部が突出され前記光源と電気的に連結されたサブ本体と、前記結合部に形成され前記第１回路パターンと電気的に連結された第２回路パターンと、前記サブ本体と前記結合部の境界に形成された開口部とを有するサブ回路基板と、
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
前記開口部は、平面上で見たときグルーブ形状を有することを特徴とする請求項１５記載の表示装置。
【請求項１７】
前記開口部は、平面状で見たときリセス形状を有することを特徴とする請求項１５記載の表示装置。
【請求項１８】
前記開口部の深さは、前記サブ本体の厚さ以下であることを特徴とする請求項１５記載の表示装置。  
【請求項１９】
前記開口部は、前記サブ本体の厚さより小さい深さを有するグルーブ、及び前記グルーブの内部に形成され前記サブ本体を貫通する貫通孔を含むことを特徴とする請求項１５記載の表示装置。
【請求項２０】
前記サブ回路基板は、インバーターであることを特徴とする請求項１５記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はハイブリッド回路基板及びこれを有する表示装置に関する。より具体的に、本発明は互いに異なる回路基板が電気的に連結されたハイブリッド回路基板及びハイブリッド回路基板を有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表示装置は情報処理装置で処理された電気的フォーマット形態のデータを画像に変更させる。
表示装置の一つである液晶表示装置は光及び液晶通じて電気的フォーマット形態のデータを画像に変更させる。
従来の液晶表示装置は、画像を表示するために液晶を制御する液晶制御部、液晶制御部に光を提供する光供給部、及び液晶制御部と光供給部に外部から印加された電源を提供する回路基板を含む。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、従来の液晶表示装置の回路基板は、液晶制御部に電源を提供する液晶制御部用回路基板と、光供給部に電源を提供する光供給部用回路基板と、で分けられ、液晶表示装置を成す部品数が増加し、組立工程数が増加するという問題点を有する。
従って、本発明は従来技術による一つまたはそれ以上の問題点及び制限を実質的に除去することにある。
本発明による一つの目的は、制御部及び供給部に電源を一体化させた回路基板を提供することができるハイブリッド回路基板を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記ハイブリッド回路基板を含む表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
このような本発明の一つの目的を具現するために、本発明によるハイブリッド回路基板は、メイン回路基板及びサブ回路基板を含む。メイン回路基板は、メイン本体、メイン本体に形成されたスロット及びスロットに対応するメイン本体に形成された第１回路パターンを有する。サブ回路基板は、スロットに結合される突出部を有するサブ本体、突出部に形成され第１回路パターンと電気的に連結された第２回路パターン、及びサブ本体と突出部との間に形成されサブ本体から突出部を分離するための開口部が形成される。
望ましくは、サブ本体に形成された開口部は、メイン本体と平行に形成されたグルーブまたはリセスとすることができる。
望ましくは、開口部は第２回路パターンが形成されたサブ本体の第１面と対向する第２面に形成されることができ、これとは違って、第２回路パターンが形成された第１面に形成されることができる。開口部が第２回路パターンの形成された第１面に形成される場合、開口部は第２回路パターンと重畳されないようにするために第２回路パターンの両側に形成されることが望ましい。
【０００５】
また、本発明の他の目的を具現するために、本発明による表示装置は、表示パネル、光源及びハイブリッド回路基板を含む。表示パネルは、光源で発生した光によって画像を表示し、光源は画像を表示するための光を表示パネルに提供する。ハイブリッド回路基板は表示パネルと電気的に連結されたメイン本体、メイン本体に形成されたスロット及びスロットに形成された第１回路パターンを有するメイン回路基板、スロットに結合される結合部が突出され光源と電気的に連結されたサブ本体、結合部に形成され第１回路パターンと電気的に連結された第２回路パターン及びサブ本体と結合部の境界に形成された開口を有するサブ回路基板を有する。
本発明によると、少なくとも2つの回路基板がアセンブリされたハイブリッド回路基板でいずれか一つの回路基板の交代を可能にするという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施形態をより詳細に説明する。
（ハイブリッド回路基板）
（実施形態１）
図１は本発明の第１実施形態によるハイブリッド回路基板の分解斜視図である。図２は図１のハイブリッド回路基板を他の角度で見た分解斜視図である。
図１及び図２に示すように、ハイブリッド回路基板３００はメイン回路基板１００及びサブ回路基板２００を含む。ハイブリッド回路基板３００のメイン回路基板１００は外部から印加された電源を表示装置の制御部に伝達し、ハイブリッド回路基板３００のサブ回路基板２００は外部から印加された電源を表示装置の光発生部に伝達する。
【０００７】
メイン回路基板１００は、メイン本体１１０、メイン本体１１０に形成されたスロット１２０及びメイン本体１１０上に形成された第１回路パターン１３０を含む。
メイン本体１１０は四角プレート形状を有し、例えば、印刷回路基板ＰＣＢである。従って、メイン本体１１０は第１側面１１０ａ、第２側面１１０ｂ、第３側面１１０ｃ及び第４側面１１０ｄを有する。第１側面１１０ａ及び第２側面１１０ｂ、第３側面１１０ｃ及び第４側面１１０ｄは相互に向き合うように配置される。第１及び第２側面１１０ａ、１１０ｂ、第３及び第４側面１１０ｃ、１１０ｄは相互に平行に配置される。
【０００８】
以下、第１及び第２側面１１０ａ、１１０ｂと平行な方向を第１方向に定義し、第３及び第４側面１１０ｃ、１１０ｄと平行な方向を第２方向に定義する。
スロット１２０は、例えば、メイン本体１１０上に直方体形状に形成されたホールである。スロット１２０の形状方向は、例えば、第１方向と平行な方向を有する。
スロット１２０はメイン本体１１０上に、例えば、複数個が直列配置されることができる。本実施形態において、スロット１１０は、例えば、３つが直列配置される。
第１回路パターン１３０はメイン本体１１０上に形成され、第１回路パターン１３０の一部はスロット１２０によって形成されたメイン本体１１０の内側面に延長される。
図３は図１に示されたサブ回路基板の第１面を示す平面図である。図４は図１に示されたサブ回路基板の第１面と対向する第２面を示す平面図である。  
【０００９】
図３及び図４に示すように、サブ回路基板２００は、サブ本体２１０、第２回路パターン２２０、開口部２３０及び突出部２４０を含む。
サブ本体２１０は、例えば、直方体プレート形状を有する。従って、サブ本体２１０は第１面２１１、第１面２１１とは反対側の第２面２１２、及び４個の側面２１０ａを有する。
突出部２４０はサブ本体２１０の４個の側面２１０ａのうちいずれか一つの側面から突出される。これとは異なり、突出部２４０は４個の側面２１０ａのうちいずれか一つの側面を部分的に切開して形成することができる。
本実施形態において、突出部２４０はサブ本体２１０の第１面２１１及び第２面２１２と平行な方向に突出される。従って、メイン回路基板１００のスロット１２０に結合された突出部２４０はメイン本体１１０に対して実質的に垂直な方向に配置される。
【００１０】
突出部２４０はメイン本体１１０に形成された各スロット１２０に対応する位置に形成される。本実施形態において、メイン本体１１０には望ましくは、３つのスロット１２０が形成されることに対応して、サブ本体２１０の側壁２１０ａのうちいずれか一つには三つの突出部２４０が形成される。
突出部２４０はメイン回路基板１００に形成されたスロット１２０に挿入される幅を有し、突出部２４０の突出長さはメイン回路基板１００の厚さより多少長く形成される。
【００１１】
第２回路パターン２２０は、突出部２４０及びサブ本体２１０上に形成される。第２回路パターン２２０は突出部２４０がスロット１２０に挿入されることにより第１回路パターン１３０と電気的に連結される。
一方、電気的に相互連結された第１回路パターン１３０及び第２回路パターン２２０が相互分離されることを防止するために第１回路パターン１３０及び第２回路パターン２２０は、例えば、鉛によって相互にソルダリングされる。
このように、メイン回路基板１００に形成されたスロット１２０にサブ回路基板２００の突出部２４０がソルダリングされる場合、メイン回路基板１００及びサブ回路基板２００は相互分離することが難しい。サブ回路基板２００をメイン回路基板１００から分離するためにはサブ回路基板２００のサブ本体２１０及び突出部２４０がまず分離され、続いて、突出部２４０がスロット１２０から取り出される。
【００１２】
突出部２４０及びサブ本体２１０を相互分離するために、例えば、サブ本体２１０の第２面２１２には開口部２３０が形成される。
本実施形態において、開口部２３０は、メイン本体１１０の表面とサブ本体２１０とが接する部分に形成される。開口部２３０はメイン本体１１０の表面と平行に形成されることが望ましい。開口部２３０はサブ本体２１０に加えられた外力によってサブ本体２１０が疲労破壊を起こす。
サブ本体２１０の疲労破壊を発生させるために開口部２３０は、例えば、グルーブ形状を有することができる。本実施形態において、サブ本体２１０の第１面２１１には第２回路パターン２２０が形成されるのでグルーブ形状を有する開口部２３０はサブ本体２１０の第２面２１２上に形成されることが望ましい。
（実施形態２）
【００１３】
図５は本発明の第２実施形態によるハイブリッド回路基板の断面図である。図６は図５に示されたハイブリッド回路基板のＡ’部分拡大図である。本発明の第２実施形態によるハイブリッド回路基板は実施形態１の開口部を除いては実施形態１のハイブリッド回路基板と同一である。従って、同一の構成要素については実施形態１でと同一の参照番号に示し、その重複された説明は省略することにする。
図５及び図６に示すように、開口部２３２はサブ回路基板２００のサブ本体２１０の第２面２１２に形成される。開口部２３２は望ましくメイン本体１１０の表面とサブ本体２１０とが接する突出部２４０の近傍に形成され、開口部２３２はメイン本体１１０の表面と平行な方向に沿って形成される。
本実施形態による開口部２３２は、サブ本体２１０及びサブ本体２１０から突出された突出部２４０を相互分離させるためにグルーブ形状を有する。望ましくは、開口部２３２は平面状で見たとき矩形形状を有する。また、開口部２３２の内側面は断面を見た時Ｖ字形状に形成されることができる。これとは違って、開口部２３２の内側面はサブ本体２１０及び突出部２４０が分離されたりすることを抑制するために断面で見たときＵ字形状に形成されることができる。
（実施形態３）
【００１４】
図７は本発明の第３実施形態によるハイブリッド回路基板の断面図である。図８は図７に示されたハイブリッド回路基板のII−II’線に沿って切断した断面図である。本発明の第３実施形態によるハイブリッド回路基板は実施形態１の開口部を除いては実施形態１のハイブリッド回路基板と同一である。従って、同一の構成要素については実施形態１と同一の参照番号を示しその重複される説明は省略することにする。
図７及び図８に示すように、開口部２３４はサブ回路基板２００のサブ本体２１０の第２面２１２に形成される。開口部２３４は、望ましくは、メイン本体１１０の表面とサブ本体２１０とが接する突出部２４０の近傍に形成され、開口部２３４はメイン本体１１０の表面と平行な方向に沿って形成される。
【００１５】
本実施形態による開口部２３４は望ましくリセス形状を有する。開口部２３４は平面上で見たとき、円形、楕円型、四角形などの形状を有することができる。
第２面に２１２に形成された開口部２３４は少なくとも2つ以上からなり、開口部２３４はメイン本体１１０の表面と平行な方向に直列配置されることが望ましい。これとは異なり、開口部２３４はメイン本体１１０の表面と平行な方向に少なくとも2列以上に並列配置されることができる。本実施形態による開口部２３４の深さはサブ本体２１０の厚さより低く形成されることが望ましい。
（実施形態４）
【００１６】
図９は本発明の第４実施形態によるハイブリッド回路基板の断面図である。本発明の第４実施形態によるハイブリッド回路基板は実施形態１の開口部を除いては実施形態１のハイブリッド回路基板と同一である。従って、同一の構成要素については実施形態１と同一の参照番号を示し、その重複される説明は省略することにする。
図９に示すように、サブ本体２１０の第１面２１１にはサブ本体２１０及びメイン本体１１０に固定された突出部２４０を相互分離するための開口部２３６が形成される。
【００１７】
サブ本体２１０の第１面２１１には第２回路パターン２２０が配置されるので、開口部２３６は第２回路パターン２２０と重畳されないように形成されることが望ましい。
これを具現するために、開口部２３６は平面上で見た時各第２回路パターン２２０の両側にそれぞれ配置され、開口部２３６は、サブ本体２１０とメイン本体１１０とが接する所に形成されることが望ましい。本実施形態において、開口部２３６は平面上で見たとき、矩形形状のグルーブであることが望ましい。
本実施形態による開口部２３６の深さはサブ本体２１０の厚さ以下であることが望ましい。 開口部２３６の深さは、例えば、サブ本体２１０の厚さの半分程度であることが望ましい。
（実施形態５）
【００１８】
図１０は本発明の第５実施形態によるハイブリッド回路基板の断面図である。本発明の第５実施形態によるハイブリッド回路基板は実施形態１の開口部を除いては実施形態１のハイブリッド回路基板と同一である。従って、同一の構成要素については実施形態１と同一の参照番号を示し、その重複される説明は省略する。
図１０に示すように、サブ本体２１０の第１面２１１にはサブ本体２１０及びメイン本体１１０に固定された突出部２４０を相互分離するための開口部２３８が形成される。
サブ本体２１０の第１面２１１には第１回路パターン２２０が配置されるので開口部２３８は第１回路パターン２２０と重畳されないように形成されることが望ましい。
これを具現するために、開口部２３８は平面状で見たとき、各第１回路パターン２２０の両側にそれぞれ配置され、開口部２３８はサブ本体２１０とメイン本体１１０とが接する所に形成されることが望ましい。本実施形態において、開口部２３８は平面上で見た時、リセス形状を有することが望ましい。
【００１９】
本実施形態において、開口部２３８は第１回路パターン２２０の両側にそれぞれ複数個が直列方式に配置されることができる。本実施形態において、開口部２３８は第１回路パターン２２０の両側に約３個が形成されることができる。
本実施形態による開口部２３８は平面上で見た時、例えば、円形、楕円形、四角形などの形状を有することができる。
本実施形態による開口部２３８の深さは、サブ本体２１０の厚さ以下であることが望ましい。例えば、開口部２３８の深さは、例えば、サブ本体２１０の厚さの半分程度であることが望ましい。これとは異なり、開口部２３８の深さはサブ本体２１０の厚さと同一であることが望ましい。開口部２３８の深さがサブ本体２１０の厚さと同一な場合、開口部２３８はサブ本体２１０の第１面２１１及び第２面２１２に全部形成される。
（実施形態６）
【００２０】
図１１は本発明の第６実施形態によるハイブリッド回路基板の断面図である。図１２は図１１に示されたハイブリッド回路基板をIII−III’線に沿って切断した断面図である。本発明の第６実施形態によるハイブリッド回路基板は実施形態１の開口部を除いては実施形態１のハイブリッド回路基板と同一である。従って、同一の構成要素については実施形態１と同一な参照番号に示し、その重複される説明は省略する。
図１１及び図１２に示すように、サブ回路基板２００のサブ本体２１０の第２面２１１には開口部２３９が形成される。開口部２３９はサブ本体２１０のうち、メイン本体１１０と接する部分に形成され、開口部２３９はメイン本体１１０の表面と平行な方向に形成される。
【００２１】
開口部２３９はグルーブ２３９ａ及び貫通孔２３９ｂで構成される。グルーブ２３９ａはメイン本体１１０の表面と平行な方向に形成され、平面上で見た時矩形形状を有する。グルーブ２３ａは内側面はＶ字形状またはＵ字形状を有することができ、グルーブ２３９ａの深さはサブ本体２１０の厚さより低く形成される。
貫通孔２３９ｂはグルーブ２３９の底面に形成され、グルーブ２３９に沿って少なくとも一つが形成されることができる。本実施例においては、グルーブ２３９に沿って複数個の貫通孔２３９ｂが形成される。このとき、貫通孔２３９ｂの位置はサブ本体２１０の第１面２１１に形成された第２回路パターン２２０と重畳されないようにすることが望ましい。望ましくは、貫通孔２３９ｂは第２回路パターン２２０の両側に形成される。
（実施形態７）
【００２２】
図１３は本発明の第７実施形態によるハイブリッド回路基板の断面図である。本発明の第７実施形態によるハイブリッド回路基板は実施形態１の開口部及び連結ホールを除いては実施形態１のハイブリッド回路基板と同一である。従って、同一の構成要素については実施形態１と同一の参照番号を示し、その重複された説明は省略することにする。
図１３に示すように、サブ本体２１０の第１面２１１にはサブ本体２１０及びメイン本体１１０に固定された突出部２４０を相互分離するための開口部２３６が形成される。
【００２３】
サブ本体２１０の第１面２１１には第２回路パターン２２０が配置されるので、開口部２３６は第２回路パターン２２０と重畳されないように形成されることが望ましい。
これを具現するために、開口部２３６は平面上で見た時各第２回路パターン２２０の両側にそれぞれ配置され、開口部２３６はサブ本体２１０とメイン本体１１０とが接する所に形成されることが望ましい。本実施形態において、開口部２３６は平面上で見た時、矩形形状のグルーブであることが望ましい。
本実施形態による開口部２３６の深さは、サブ本体２１０の厚さ以下であることが望ましい。開口部２３６の深さは、例えば、サブ本体２１０の厚さの半分程度であることが望ましい。
一方、第２回路パターン２２０のうち、第１回路パターンと接触される部分には連結ホール２２４が形成されることができる。連結ホール２２４は第１回路パターン及び第２回路パターン２２０を電気的に連結するソルダによって第１回路パターン及び第２回路パターン２２０の結合力をより向上させる。
（表示装置）
（実施形態８）
【００２４】
図１４は本発明による表示装置の概念図である。
図１４に示すように、表示装置６００は、ハイブリッド回路基板３００、光源４００及び表示パネル５００を含む。
ハイブリッド回路基板３００はメイン基板１００及びサブ回路基板２００を含む。ハイブリッド回路基板３００のメイン回路基板１００は印加された電源Ｖｃｃを表示パネル５００に伝達し、ハイブリッド回路基板３００のサブ回路基板２００が外部から印加された電源を光源４００に伝達する。
メイン回路基板１００は、メイン本体１１０、メイン本体１１０に形成されたスロット１２０、及びメイン本体１１０上に形成された第１回路パターン１３０を含む。
メイン本体１１０は平面で見た時四角プレート形状を有し、例えば、印刷回路基板ＰＣＢである。従って、メイン本体１１０は４個の側面を有する。
【００２５】
スロット１２０は、例えば、メイン本体１１０上に直方体形状に形成されたホールである。スロット１２０はメイン本体１１０上に、例えば、複数個が直列配置されることができる。本実施形態において、スロット１１０は、例えば、３つが直列配置される。
第１回路パターン１３０はメイン本体１１０上に形成され、第１回路パターン１３０の一部はスロット１２０によって形成されたメイン本体１１０の内側面に延長される。
サブ回路基板２００はサブ本体２１０、第２回路パターン２２０、開口部２３０及び突出部２４０を含む。本実施形態において、サブ回路基板２００は望ましく光源４００を駆動するためのインバーターである。
【００２６】
サブ本体２１０は、平面で見たとき、直方体プレート形状を有する。従って、サブ本体２１０は第1面２１１、第１面２１１と対向する第２面２１２、及び４つの側面を有する。
突出部２４０はサブ本体２１０の４つの側面のうち、いずれか一つの側面から突出される。これとは異なり、突出部２４０は４つの側面のうち、いずれか一つの側面を部分的に切開して形成することができる。
本実施形態において、突出部２４０はサブ本体２１０の第１面２１１及び第２面２１２と平行な方向に突出される。従って、メイン回路基板１００のスロット１２０に結合された突出部２４０はメイン本体１１０に対して実質的に垂直な方向に配置される。
突出部２４０はメイン本体１１０に形成された各スロット１２０に対応する位置に形成される。本実施形態において、メイン本体１１０には望ましく３つのスロット１２０が形成されることによって、サブ本体２１０の側壁のうちいずれか一つには３つの突出部２４０が形成される。
【００２７】
突出部２４０はメイン回路基板１００に形成されたスロット１２０に挿入される幅を有し、突出部２４０の突出長さはメイン回路基板１００の厚さより多少長く形成される。
第２回路パターン２２０は突出部２４０及びサブ本体２１０上に形成される。第２回路パターン２２０は突出部２４０がスロット２１０に挿入されることにより第１回路パターン１３０と電気的に連結される。
一方、電気的に相互連結された第１回路パターン１３０及び第２回路パターン２２０が相互分離されることを防止するために、第１回路パターン１３０及び第２回路パターン２２０は、例えば、鉛によって相互にソルダリングされる。
このように、メイン回路基板１００に形成されたスロット１２０にサブ回路基板２００の突出部２４０がソルダリングされる場合、メイン回路基板１００及びサブ回路基板２００は相互分離することが難しい。サブ回路基板２００をメイン回路基板１００から分離するためにはサブ回路基板２００のサブ本体２１０及び突出部２４０がまず分離され、続いて、突出部２４０がスロット１２０から取り出される。
【００２８】
突出部２４０及びサブ本体２１０を相互分離するために、例えば、サブ本体２１０の第２面２１２には開口部２３０が形成される。
本実施形態において、開口部２３０はメイン本体１１０の表面とサブ本体２１０とが接する部分に形成される。開口部２３０はメイン本体１１０の表面と平行に形成されることが望ましい。開口部２３はサブ本体２１０に加えられた外力によってサブ本体２１０が疲労破壊を起こす。
サブ本体２１０の疲労破壊を発生するために開口部２３０は、例えば、グルーブ形状を有することができる。本実施形態において、サブ本体２１０の第１面２１１には第２回路パターン２２０が形成されるのでグルーブ形状を有する開口部２３０はサブ本体２１０の第２面２１２上に形成されることが望ましい。
【００２９】
これとは異なり、開口部２３０はリセス形状を有することができる。これとは異なり、開口部２３０はサブ本体２１０の第１面２１１上に形成されることができる。本実施形態において、開口部２３０がサブ本体２１０の第1面２１１上に形成される場合、開口部２３０は第２回路パターン２２０の両側に形成されることが望ましい。これとは異なり、開口部２３０はグルーブ及びグルーブの底面に形成された貫通孔とすることができる。
このような構成を有するハイブリッド回路基板３００のメイン本体１１０からは表示パネル５００を駆動するための第１駆動信号が出力され、第１駆動信号は第１信号線１１０ａに沿って表示パネル５００に提供される。
一方、ハイブリッド回路基板３００のサブ本体２１０からは光源４００を駆動するための第２駆動信号が出力され、第２駆動信号は第２信号線２００ａに沿って光源４００に提供される。
本実施形態において、表示パネル５００は電界に応答して配列が変更される液晶を含み、液晶に加えられた電界を発生するための第１基板及び第２基板を含む。
【００３０】
第１基板は、例えば、複数個からなる画素電極を含み、第２基板は、例えば、複数個の画素電極と向き合う共通電極を含むことができる。
望ましくは、第１基板は各画素電極に連結され、各画素電極に駆動信号を印加する薄膜トランジスタをさらに含むことができ、第２基板は各画素電極と向き合うカラーフィルターを含むことができ、液晶は第１基板と第２基板との間に介在される。
光源４００は、冷陰極線管ランプＣＣＦＬであることが望ましいが、これとは異なり、光源４００は発光ダイオードＬＥＤとしてもよい。
【００３１】
以上、詳細に説明したように、少なくとも2つの回路基板を相互アセンブリした後、各回路基板の不良または交代作業をより迅速に遂行することができるようにする効果を有する。
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１実施形態によるハイブリッド回路基板の分解斜視図である。
【図２】図１のハイブリッド回路基板を他の角度で見た分解斜視図である。
【図３】図１に示されたサブ回路基板の第１面を示す平面図である。
【図４】図１に示されたサブ回路基板の第１面と対向する第２面を示す平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態によるハイブリッド回路基板の断面図である。
【図６】図５に示されたようにハイブリッド回路基板のＡ’部分拡大図である。
【図７】本発明の第３実施形態によるハイブリッド回路基板の断面図である。
【図８】図７に示されたハイブリッド回路基板のII−II‘線に沿って切断した断面図である。
【図９】本発明の第４実施形態によるハイブリッド回路基板の断面図である。
【図１０】本発明の第５実施形態によるハイブリッド回路基板の断面図である。
【図１１】本発明の第６実施形態によるハイブリッド回路基板の断面図である。
【図１２】図１１に示されたハイブリッド回路基板をIII−III’線に沿って切断した断面図である。
【図１３】本発明の第７実施形態によるハイブリッド回路基板の断面図である。
【図１４】本発明による表示装置の概念図である。
【符号の説明】
【００３３】
１００      メイン回路基板
１１０      メイン本体
１１０ａ      第１側面
１１０ｂ      第２側面
１１０ｃ      第３側面
１１０ｄ      第４側面
１２０      スロット
１３０      第１回路パターン
２００      サブ回路基板
２１０      サブ本体
２１０ａ      側壁
２３０      開口部
２３９ａ      グルーブ
２３９ｂ      貫通孔
２４０      突出部
３００      ハイブリッド回路基板
４００      光源
５００      表示パネル
６００      表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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