(57)【要約】【課題】ＳＥＭの対物レンズ下で、半導体素子の微小領域に対してもＥＢＩＣ法による測定およびＳＥＭ観察を確実にできる半導体素子の微小領域の電気物性測定方法の提供。【解決手段】半導体素子のｐｎ接合近傍表面に測定用微小金属電極膜を形成し、該電極膜にリード線を接続させ、顕微鏡下で前記半導体素子の前記電極膜とリード線を含む微小領域に光照射してキャリアを発生させ、該発生キャリアにより生じる電気信号を前記リード線により出力し、画像に変換して微小領域の電気物性を測定する半導体素子の微小領域の電気物性測定方法とする。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子のｐｎ接合近傍表面に測定用微小金属電極膜を形成し、該電極膜にリード線を接続させ、顕微鏡下で前記半導体素子の前記電極膜とリード線を含む微小領域に光照射してキャリアを発生させ、該発生キャリアにより生じる電気信号を前記リード線により出力し、画像に変換して微小領域の電気物性を測定することを特徴とする半導体素子の微小領域の電気物性測定方法。
【請求項２】
測定用微小金属電極膜が一辺または直径がおおよそ１μｍ以下の大きさであることを特徴とする請求項１記載の半導体素子の微小領域の電気物性測定方法。
【請求項３】
光照射手段が電子ビームであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体素子の微小領域の電気物性測定方法。
【請求項４】
測定用微小金属電極膜の形成と該電極膜にリード線を接続させる手段が収束イオンビーム装置であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の半導体素子の微小領域の電気物性測定方法。
【請求項５】
測定用微小金属電極膜の形成と該電極膜にリード線を接続させる手段が物理蒸着法による金属膜形成手段と、該手段により形成された金属膜をフォトリソグラフィ技術により微小面積に加工されてなる前記微小金属電極膜と前記リード線とを半田付けにより固着する手段であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の半導体素子の微小領域の電気物性測定方法。
【請求項６】
顕微鏡が走査型電子顕微鏡または光学顕微鏡であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体素子の微小領域の電気物性測定方法。
【請求項７】
前記微小測定領域にレーザーアニール処理をすることにより、前記微小測定領域の半導体素子面の不純物濃度を高くすることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体素子の微小領域の電気物性測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ｐｎ接合構造を含む半導体素子などのミクロンオーダーの微小領域における電気物性測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子が高集積化され、回路パターンの微細化と多層化が進むにつれて、各種欠陥箇所も微細化されてきている。特に、電気物性不良はｐｎ接合に関係することも多いので、その不良原因の解析のために１μｍ程度の浅いｐｎ接合構造を観察および測定する必要に迫られることも多い。このような半導体素子におけるミクロンオーダーの領域のｐｎ接合構造を観察する方法として、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて行うＥＢＩＣ（電子ビーム誘導電流）法がある。ＥＢＩＣ法は、測定試料に照射される電子ビームによって励起された電子−正孔対が試料内のｐｎ接合部で再結合することによりキャリア損失が生じることを利用するものであり、その測定手順は、測定試料における通常パッドと呼ばれる面積の広い電極部に探針をたてて測定するか（図１０）、パッドにワイヤボンディングされた配線をＳＥＭの外に引き出し、測定だけをＳＥＭ外とすることにより行われる。
【０００３】
図９に、前記ＥＢＩＣ法の概念的構成図を示す。図９では、半導体素子試料１７のｐｎ両面の各ｐ、ｎ領域にそれぞれ電極として導電性両面テープまたは導電性ペースト１１を貼り付け、各電極にそれぞれリード線８ｄを固着して外部短絡させ、増幅器１３に信号を入力してｐｎ接合において発生する電流を検知するものである。この電流は、ＳＥＭ用の試料ホルダー（マニュピュレータ付）上に固着された前記試料１７の接合近傍に電子ビームを照射することにより発生する。この電子ビーム照射によって発生する電子・正孔対が接合部の電位傾斜（勾配）によりそれぞれｐ層、ｎ層に引き込まれることにより前記発生電流となる。前記電流の流れる様子を検知して画像にすれば、ｐｎ接合を含む画像として観察することができる。さらに図１０に示すように、前記測定用領域をＳＥＭで観察して前記ｐｎ接合画像と重ね合わせることにより、ｐｎ接合画像を半導体素子（チップ）における正確な位置情報を示すデータとして利用することができる。図９、図１０で示した微小領域の電気物性の測定対象とする半導体素子としては、浅いｐｎ接合を有するものであって、一辺１０μｍ以上の微小領域の電気物性測定に適している。図９、図１０では別図としたが、１０μｍ以上の微小領域の測定ならば、同一装置内でｐｎ接合画像とＳＥＭ画像観察とを行うことができる。
【０００４】
一方、試料表面に収束イオンビーム（ＦＩＢ）を照射するとともに、有機金属ガスを吹き付け、試料表面の任意の領域に金属膜を形成し、この形成された金属膜の周辺部に付着した余分の有機金属を除去して１０μｍ以下の微小な領域上に金属電極を形成した後、この電極に電気物性測定回路に接続された外部プローブを接触させて試料表面の微小領域の電気物性を測定する方法が知られている（特許文献１）。また、マイクロサンプリング方法により切り出された薄膜測定試料に前記ＦＩＢを用いた金属膜形成方法などにより電極を形成してＴＥＭ試料にするマイクロサンプリング技術が公知である（特許文献２）。ＥＢＩＣ法を用いてＳＥＭ中で試料に（外部プローブ）探針を当て物性を測定する方法も知られている（特許文献３）。ＦＩＢにより微細加工技術を施すマイクロサンプリング技術と、外部プローブをマイクロサンプルに接続する技術についても知られている（特許文献４）。
【特許文献１】特開２００２−１３９４６７号公報
【特許文献２】特開２００３−３１１４３５号公報
【特許文献３】特開平５−１１４６３４号公報
【特許文献４】特開平５−５２７２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記特許文献３に示すＥＢＩＣ法により、半導体素子（チップ）のｐｎ接合等の電気物性を測定する場合、半導体素子（チップ）などの測定試料に、前記特許文献１に記載の方法によれば、微小領域に一辺１μｍ以下の大きさの微小な電極であっても電極自体は形成できるが、前記微小な電極に接触させるための測定用外部プローブ（探針）やボンディングワイヤを必要とするため、前記測定試料の電極上方に所要の空間を確保しなければならない。一方、微小領域の電気物性を測定するための従来の測定装置である図１０は、ＳＥＭ室１８に設置されたマニュピュレータ１９で位置制御される測定試料２１を（測定用外部プローブ）探針２０により任意の位置に接触させて、ＳＥＭの対物レンズ２２直下で電気物性を測定する装置の概略を示したものである。この装置では、前記対物レンズ２２と前記試料２１間の距離（ワーキングディスタンス）は、通常、ＳＥＭの観察倍率に密接に関係して変動する。このワーキングディスタンスの最大は５０ｍｍくらいであるが、その５０ｍｍの間隔に対応する倍率はせいぜい数１０倍程度であり、１μｍ以下の観察および電気物性測定は到底無理である。１μｍ以下の微小領域の電気物性を測定するためには数千倍の倍率が必要であるが、その倍率に対応させるには前記ワーキングディスタンスを１５ｍｍ以内にする必要がある。従って、微小領域の測定個所に対して、プローブ（探針）を接触させる電気物性測定とＳＥＭ画像観察とを同じ装置内で行なうと、ＳＥＭの対物レンズ２２とプローブ（探針）２０との接触がおきる惧れがある。また、前記プローブ（探針）２０を傾斜させて干渉のないワーキングディスタンスを確保しようとしても、プローブ（探針）２０の測定試料２１への接触圧が不十分となり、あまり傾斜させられないという問題が発生する。
【０００６】
本発明は、以上述べた問題点に鑑みてなされたものであり、本発明は、ＳＥＭの対物レンズ下で、半導体素子の微小領域に対してもＥＢＩＣ法による測定およびＳＥＭ観察を確実にできる半導体素子の微小領域の電気物性測定方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
特許請求の範囲の請求項１記載の本発明によれば、半導体素子のｐｎ接合近傍表面に測定用微小金属電極膜を形成し、該電極膜にリード線を接続させ、顕微鏡下で前記半導体素子の前記電極膜とリード線を含む微小領域に光照射してキャリアを発生させ、該発生キャリアにより生じる電気信号を前記リード線により出力し、画像に変換する半導体素子の微小領域の電気物性測定方法するとすることにより、前記本発明の目的が達成される。
特許請求の範囲の請求項２記載の本発明によれば、測定用微小金属電極膜が一辺または直径がおおよそ１μｍ以下の大きさであることを特徴とする請求項１記載の半導体素子の微小領域の電気物性測定方法とすることが好ましい。
特許請求の範囲の請求項３記載の本発明によれば、光照射手段が電子ビームである請求項１または２記載の半導体素子の微小領域の電気物性測定方法とすることがより好ましい。
【０００８】
特許請求の範囲の請求項４記載の本発明によれば、測定用微小金属電極膜の形成と該電極膜にリード線を接続させる手段が収束イオンビーム装置である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体素子の微小領域の電気物性測定方法としてよい。
特許請求の範囲の請求項５記載の本発明によれば、測定用微小金属電極膜の形成と該電極膜にリード線を接続させる手段が物理蒸着法による金属膜形成手段と、該手段により形成された金属膜をフォトリソグラフィ技術により微小面積に加工されてなる前記微小金属電極膜と前記リード線とを半田付けにより固着する手段である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体素子の微小領域の電気物性測定方法としてよい。
特許請求の範囲の請求項６記載の本発明によれば、顕微鏡が走査型電子顕微鏡または光学顕微鏡である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体素子の微小領域の電気物性測定方法としてよい。
【０００９】
特許請求の範囲の請求項７記載の本発明によれば、前記微小測定用領域にレーザーアニール処理をすることにより、前記微小測定用領域の半導体素子面の不純物濃度を高くする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体素子の微小領域の電気物性測定方法とすることも望ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ＳＥＭの対物レンズ下で、半導体素子の微小領域に対してＥＢＩＣ法による測定およびＳＥＭ観察を確実にできる半導体素子の微小領域の電気物性測定方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の微小領域の電気物性測定方法について、ＭＯＳ型半導体素子の微小領域の電気物性を測定する方法の実施例について、図面を用いて詳細に説明する。本発明の要旨を超えない限り、本発明は以下説明する実施例の記載に限定されるものではない。
【実施例１】
【００１２】
図１は微小領域の電気物性測定に用いるＭＯＳ型半導体素子チップ１２（以降、ＭＯＳ素子と略す）の平面図である。このＭＯＳ素子１２は、不純物拡散によりｐｎ構造が形成されたｎ型Ｓｉ基板１表面に、アルミニウム電極により形成されたソース電極（Ｓ）２と、その端部にゲート電極（Ｇ）パッド３と、ｎ型基板１側の裏面に全面形成されたドレイン（Ｄ）電極４（図４（ｂ）に示す）とにより構成されている。ｐｎ接合を含む微小領域の電気物性を測定するには、まず、このＭＯＳ素子１２のソース（Ｓ）電極２に形成された微小露出領域５のアルミニウム電極をふっ酸などで溶解除去してｐｎ接合を含むシリコン面を露出させる。以下、本発明にかかる図面において、ｐｎ接合を点線で示しているのは、直接目に見えないからであり、ｐｎ接合を想定した線である。
前記微小露出領域５の一部拡大平面図を図２に示す。この微小露出領域５は大体１０μｍ平方程度の大きさである。露出した面には、ゲート酸化膜（図示せず）を介して導電性ポリシリコンが埋め込まれ、1μｍ幅で３μｍ程度の深さの２本のトレンチ構造（図２では斜線で示す）６と、この２本のトレンチ構造６に挟まれた領域に２μｍ程度の幅のｐ＋領域８とｎ＋ソース領域７とが前記トレンチ構造に平行なストライプ状表面パターンで交互に配列された表面構造を有している。
【００１３】
前記ｎ＋ソース領域７および前記ｐ＋領域８の下層には図４（ｂ）の断面図に示すように、ｐ領域９があり、さらにはその下層のｎ型基板１よりなる層がある。前記トレンチ構造６は前記ｎ＋ソース領域７の表面から下層の前記ｐ領域９を貫通し、ｎ型基板１に達する深さ（約３μｍ）を有している。そのため、前記トレンチ構造６側壁には前記ｐ領域９がｎ＋ソース領域７とｎ型基板１に挟まれるように存在する。
図３は、前記図２で示すシリコン面を露出させた前記微小露出領域５内のｎ＋ソース領域７に電気物性の測定用電極７ａとリード線固着用金属薄膜７ｂを、ｐ＋領域８に電気物性の測定用電極８ａとリード線固着用金属薄膜８ｂを、それぞれ形成したことを示す平面図である。図４（ａ）は前記測定用電極７ａ、８ａにさらにリード線１０ａ、１０ｂがそれぞれ固着され、電気物性の測定回路が接続された平面図を示す。図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。前記微小露出領域５内に電気物性の測定用電極７ａ、８ａを形成する方法は、図５（ａ）のＦＩＢ装置の概略断面図に示すように前記微小露出領域のアルミニウムを除去したＭＯＳ素子１２（図５に示すＭＯＳ素子１２は微小露出領域５の部分のみの断面を示している）を試料ホルダー１１ｃに固定してＦＩＢ装置１８ａ内のマニュピュレータ１１ｅ上に載置し、装置１８ａに装着されているＦＩＢイオン銃２４と有機金属系ガスノズル２３により、図３に示すｎ＋ソース領域７およびｐ＋領域８内の所望の位置に金属薄膜を堆積して測定用電極７ａおよび８ａを形成する。前記試料ホルダー１１ｃは装置１８ａ内ではマニュピュレータ１１ｅによりＸＹＺ方向に微移動させることができる。金属薄膜形成については、たとえば、イオンとしてＧａ、有機金属系ガス２３としてＷ（ＣＯ）６などを用いると、金属薄膜としてＷ（タングステン）からなる薄膜が形成される。測定用電極７ａおよび８ａは、おおよそ１μｍ×１μｍ位の寸法である。前記マニュピュレータ１１ｅによれば、ＭＯＳ素子１２の任意の位置にミクロンオーダーの大きさの金属電極形成を容易に行うことが可能であり、さらに、一連の作業で複数個の電極形成が可能であることから、複数の領域の電気物性を測定する場合は効率の良い作業となる。前記ＭＯＳ素子１２の測定用電極７ａ、８ａにさらにプローブとなるリード線１０ａ、１０ｂを固着させる方法は、前記特許文献４によっても知られているように測定用電極７a、８ａの一部に、ＦＩＢ装置内のマイクロサンプリング機構のプローブホルダーに接続されている金属細線の先端を接触させ、その金属細線の先端にＧａイオン銃２４とＷ（ＣＯ）６ガス２３を照射して形成する金属薄膜７ｂ、８ｂによって金属細線を測定用電極７aまたは８ａに固着してリード線１０ａ、１０ｂとする。このＭＯＳ素子１２から引き出される前記リード線１０ａ、１０ｂに増幅器１３ｂを含む電気物性の測定回路を接続する。
【００１４】
一方、ＭＯＳ素子１２の裏面側のドレイン電極４を測定用として使用する場合は、図５（ｂ）に示すように、前記ＭＯＳ素子１２裏側のドレイン電極４面に導電性両面テープ１１ａを介して、リード線１０ｃがあらかじめ接続されている銅板１１ｂを貼り付けることにより行う。銅板１１ｂは試料ホルダー１１ｃ上に載置されている。
次に、図５（ｂ）に示すように、前記試料ホルダー１１ｃ上で電気測定回路を接続したＭＯＳ素子１２を試料ホルダー１１ｃごと、図５（ｃ）に示すＥＢＩＣ装置１８ｂ内に取り付けられたマニュピュレータ１１ｄ上に載置する。図５（ｃ）は、ＳＥＭ装置の対物レンズ２２下に導入された前記図５（ｂ）に示す電気測定回路を接続したＭＯＳ素子１２に対し、電子ビームを照射することにより、ｎ＋領域７とｐ＋領域８との間のｐｎ接合構造（図示せず）またはｐ＋領域８とｎ型Ｓｉ基板１との間のｐｎ接合構造を観察するための回路構成を示す。ｐ領域９とｎ型Ｓｉ基板１との間のｐｎ接合を調べるためには、図７、図８の一点鎖線に示すように、表面からのエッチングダウンにより前記ｐｎ接合を側壁面に露出させる必要がある。図７、図８はそれぞれ微小露出領域５の平面図および前記エッチングダウン内の拡大側壁面図である。図７、図８の点線は前述のように、実際には見えないｐｎ接合を想定した線である。前記実施例１の図２、図３と同様に、微小露出領域５と測定用電極７ａ、８ａおよびリード線１０ａ、１０ｂを形成した後、ＭＯＳ素子１２のｐｎ接合を観察できる任意位置にエッチングにより凹状形成部１５を形成する。この凹状形成部１５は、ＦＩＢ装置のＧａイオン照射により、ＭＯＳ素子の表面から深さ方向にエッチングすることにより形成することができる。エッチング深さをトレンチより少し深い程度にすれば、その深さ方向の壁面にはＭＯＳ素子のｐｎ接合の断面１６が露出する。このｐｎ接合の断面１６の拡大図を図８に示す。次に、同じく実施例１の図５と同様の工程でＭＯＳ素子の裏面電極４にリード線１０ｃを固定後、ＭＯＳ素子１２のエッチングダウン内の断面１６におけるｐｎ接合構造をＥＢＩＣ法により画像で表し、ＳＥＭによる画像と重ね合わせるとｐｎ接合位置を確定させることができる。
【００１５】
本発明にかかる半導体素子の微小領域の電気物性測定方法によれば、ＭＯＳ素子１２におけるミクロンオーダーの領域のｐｎ接合構造などを対物レンズ２２とＭＯＳ素子などの測定試料との距離を気にすることなく、容易に観察してその接合位置を確定させることが可能となる。さらに、半導体素子内でミクロンオーダーの任意位置に電極を容易に形成できることから、ＥＢＩＣによるｐｎ接合構造観察以外の電気物性も測定できる。
【実施例２】
【００１６】
図６は実施例２にかかる光学顕微鏡を用いた微小領域測定装置の概略断面図である。この実施例２の測定方法は、前記実施例１に示した図４の測定試料の変形試料を測定する場合で、ＦＩＢ内にプローブ（探針：前記金属電極に固着させるリード線１０ａ、１０ｂに相当する）用の金属細線を備えたマイクロサンプリング機構の一部であるプローブホルダーを装備していない装置により、測定試料を作成し、電気物性を測定する場合の方法である。実施例１の図１から図３までについては、同じ工程を採用して微小露出領域５内に金属電極７ｃ、８ｃ（８ｃは図示せず）を形成し、前記電極にプローブ用のリード線を形成せずに、そのＭＯＳ素子１２をＦＩＢ装置から外部に取り出し、光学顕微鏡１４の下で、下部リード線１０ｅが固着されている金属基板１１ｅ上に導電性両面テープで固定し、上部リード線１０ｄをプローブとしてを半田付けにより金属薄膜７ｃ、８ｃ（８ｃは図示せず）に固定する。その後は、実施例１の図５と同様に７ｃと８ｃ間または７ｃと１０ｅ間に電気物性の測定回路を構成する結線をして、電気物性測定および顕微鏡観察をする測定方法である。
【実施例３】
【００１７】
図１１〜図１５は、実施例３にかかる図である。図１１について説明する。前記実施例１にかかる図２で、ＭＯＳ素子１２のソース面のアルミ電極を全面除去後、前記素子１２の表面全面にフォトレジストによりレジストマスク２５を形成し、その一部に窓明け部２６を形成する。次に、図１２は、真空チャンバー２７と真空吸引装置３１、３２とで構成される測定用電極形成装置２８と光学顕微鏡とを示す。真空チャンバー２７の蓋２９を開けて、下部電極３０の上に前記ＭＯＳ素子１２ｃをセットする。ロータリーポンプ３１を用い、真空配管３２を通じて真空チャンバー２７内部を真空にし、金属ターゲットを付属した上部電極３３と下部電極３０の間に電圧を印加してプラズマを発生させ、前記ＭＯＳ素子１２ｃの表面に金属スパッタ膜を形成する。金属ターゲットとしては、金、白金などである。スパッタ膜の形成後の試料断面を図１３に示す。この前記ＭＯＳ素子１２ｃを再び半導体プロセス装置および工程に持ち込み、マスクエッチング部（窓明け部）２６のみを残して、マスク２５上のスパッタ膜３４を除去するとスパッタ電極形成部３５が残る。その断面を図１４に示す。電極３５が形成された前記ＭＯＳ素子１２ｃは図１５に示すように、電極形成装置２８に並べて設置された光学顕微鏡１４の下部の金属基板１１ｅ上に導電性両面テープで固定され、はんだ付け法などで金属細線であるリード線１０ｄを測定用電極３５に接続する。以下、実施例１の図５以降の工程を行って、ＭＯＳ素子１２ｃにおけるｐｎ接合のＥＢＩＣ画像と顕微鏡画像を観察する。
【００１８】
本発明によれば、ＭＯＳ素子などのｐｎ構造を観察する場合の電極形成において、半導体プロセスを利用して、簡易スパッタ装置と光学顕微鏡とを備えた電極形成装置により、ミクロンオーダーの微小測定用領域を確実に形成することが可能になる。
なお、前記実施例において、ｎ＋ソース領域およびｐ＋領域における微小な測定用金属電極形成の前に、レーザー照射を行うことにより、イオン注入による不純物イオン活性化率を高めて、不純物濃度を高くし、前記測定用金属電極とシリコン面との接触抵抗を小さくしておくことが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の測定方法にかかるＭＯＳ型半導体素子の平面図である。
【図２】本発明の測定方法にかかる前記微小露出領域の一部の拡大平面図である。
【図３】本発明測定方法にかかるシリコン面を露出させた前記微小露出領域に測定用電極を形成した拡大平面図である。
【図４】（ａ）は本発明の測定方法にかかる前記微小露出領域にリード線を固着した拡大平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図５】（ａ）はＦＩＢによる金属電極の形成とリード線の固着装置、（ｂ）は本発明の測定方法にかかる図４のＢ-Ｂ線での断面で示すＭＯＳ素子をＦＩＢ用試料ホルダーに固定した断面図、（ｃ）は本発明の測定方法にかかる測定装置の概略断面図である。
【図６】本発明の測定方法にかかる光学顕微鏡を用いた測定装置の概略断面図である。
【図７】本発明の測定方法にかかる測定試料をエッチングした前記微小露出領域の一部の拡大平面図である。
【図８】本発明測定方法にかかる測定試料をエッチングした前記微小露出領域の一部の拡大断面図である。
【図９】従来のＥＢＩＣ測定方法の概略回路構成図である。
【図１０】従来のＳＥＭの対物レンズ直下で電気物性を測定する方法の説明図である。
【図１１】本発明の測定方法にかかる前記微小露出領域の一部の拡大平面図である。
【図１２】本発明にかかる測定装置の概略構成図である。
【図１３】本発明にかかるスパッタ膜の形成後の測定試料素子断面図である。
【図１４】本発明にかかる測定試料素子断面図である。
【図１５】本発明にかかる微小領域測定装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００２０】
１    半導体基板（ｎ型Ｓｉ基板）
２    ソース電極
３    ゲート電極パッド
５    微小露出領域
６    トレンチ
７    ｎ＋領域
７ａ  測定用電極
８ａ  測定用電極
８    ｐ＋領域
９    ｐ領域
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ    プローブ用リード線
１１    電極
１１ａ  導電性両面テープ
１１ｃ  試料ホルダー
１１ｂ、１１ｆ    金属板
１１ｄ、１１ｅ    マニュピュレータ
１２    ＭＯＳ素子
１３    測定回路用増幅器
１４    光学顕微鏡
１５    エッチング領域
１６    エッチング壁面
１８ａ  ＦＩＢ装置
２７    真空チャンバー
２８    電極形成装置
３０    下部電極
３３    上部電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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