(57)【要約】 【課題】  所期の受光部の光電流の電流値を確実に測定可能な半導体ウェハを提供する。【解決手段】  半導体ウェハには、複数の受光部が含まれ、光電流阻止手段が備えられ、光電流阻止手段によって所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する。【選択図】      図１
2006041190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光部を含む半導体ウェハであって、
所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する光電流阻止手段を備えることを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項２】
光電流阻止手段は、所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設されるショートダイオードであることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項３】
ショートダイオードは、第１導電型のストッパ部と第２導電型の拡散領域部とを含み、
第１導電型のストッパ部は、その近傍に形成される基板の一部分を成す第１導電型の半導体材料よりキャリア濃度が高い第１導電型の半導体材料から成り、
第１導電型のストッパ部と第２導電型の拡散領域部とが短絡することを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェハ。
【請求項４】
ショートダイオードは、第２導電型の拡散領域部が所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設され、
第１導電型のストッパ部が、第２導電型の拡散領域部と接合され、かつ所期の受光部およびその近傍の受光部と第１導電型の拡散領域部との間の領域にそれぞれ配設され、
第２導電型の拡散領域部と第１導電型の各ストッパ部とを配線によってそれぞれ短絡して形成されることを特徴とする請求項３に記載の半導体ウェハ。
【請求項５】
前記各配線は、相互に離隔して形成され、その近傍の配線ととともにダイシングすべき領域を形成することを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェハ。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか１つに記載の半導体ウェハに光を照射する光照射工程と、
前記半導体ウェハに含まれる所期の受光部に流れる光電流を測定する測定工程とを含むことを特徴とする光電流測定方法。
【請求項７】
請求項１〜５いずれか１つに記載の半導体ウェハをダイシングして製造されることを特徴とする半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の受光部を含む半導体ウェハに関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は、第１の従来の技術の半導体ウェハ１を半径方向に垂直な仮想平面で切断して見た断面図である。図７は、半導体ウェハ１を厚み方向から見た平面図である。半導体ウェハ１は、略円板状のｎ型の基板２の厚み方向一表面部３に複数のｐ型の拡散領域部４が互いに離隔させてマトリクス状に埋め込まれるように配設され、前記ｐ型の各拡散領域部４の間にストッパ部５を配設することによって形成される。このように配設されるｐ型の拡散領域部４と基板２の一部とによって受光部６を構成し、受光部６が半導体ウェハ１にマトリクス状に配設される。半導体ウェハ１には、厚み方向一表面部３から突出する方向に酸化膜７が形成される。酸化膜７は、ｐ型の拡散領域部４を被覆し、かつ網目状に形成される。これによって、ｎ型の基板２上に網状に形成されるダイシング領域８が形成される。ダイシング領域８は、半導体ウェハ１をダイシングする際のダイシングすべき位置であり、ダイシング領域８をダイシングすることによって受光素子が得られる。
【０００３】
第２の従来の技術の半導体装置は、シリコン基板に２つまたは４つののフォトトランジスタが並設され、この並設されるフォトトランジスタの間の領域にフォトダイオードを設けることによって形成される。フォトダイオードは、ｎ型拡散領域部とｐ型拡散領域部とを短絡して形成される（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−４１５３３号公報（第２―３頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
第１の従来の技術の半導体ウェハ１に光９を照射すると、受光部６では、光起電力効果によって、光を吸収しキャリア１０を発生するとともに、キャリア１０の移動にともない光電流が発生する。半導体ウェハ１では、半導体ウェハ１をダイシングして得られる半導体素子のスクリーニングを行うために、半導体ウェハ１に光を照射して所期の受光部４ａの光電流を測定する。測定の際に照射される光９の照射面積は、各受光部４の光に臨む表面部の面積より大きい場合が多い。それ故、半導体ウェハ１では複数の受光部４がマトリクス状に配設されているので、照射される光１は、その近傍の複数の受光部４ｂにも照射される。これによって所期の受光部４ａから発生する光電流の電流値を測定する場合、その近傍の受光部４ｂから発生する光電流が所期の受光部４ａに導かれ、所期の受光部４ａの光電流の電流値の測定に悪影響を及ぼす、すなわちクロストーク現象が生じる。したがって所期の受光部４ａから発生する光電流の電流値を測定する場合、その近傍の受光部４ｂから生じる光電流が影響し、所期の受光部４ｂの正確な光電流を測定することが困難であり、各受光部４のスクリーニングの際の誤選別を招く場合がある。
【０００６】
第２の従来の技術の半導体装置では、並設される２つのフォトトランジスタの間の領域にｎ型拡散領域部とｐ型拡散領域部とが短絡するフォトダイオードを設けることによって、一方のフォトトランジスタから発生するキャリアが他方のフォトトランジスタに侵入することを阻止する、すなわち光電流の侵入を阻止する。このように半導体装置では、光電流の侵入を阻止可能であるけれども、出願人は、２つまたは４つのフォトトランジスタが設けられる場合について想定されているに留まり、複数の受光部が形成されるような半導体ウェハについては想定していない。
【０００７】
本発明の目的は、所期の受光部の光電流の電流値を確実に測定可能な半導体ウェハを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、複数の受光部を含む半導体ウェハであって、
所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する光電流阻止手段を備えることを特徴とする半導体ウェハである。
【０００９】
本発明に従えば、半導体ウェハに複数の受光部が含まれ、光電流阻止手段が所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止することができる。
【００１０】
本発明は、光電流阻止手段は、所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設されるショートダイオードであることを特徴とする。
【００１１】
本発明に従えば、光電流阻止手段は、所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設されるショートダイオードである。
【００１２】
本発明は、ショートダイオードは、第１導電型のストッパ部と第２導電型の拡散領域部とを含み、
第１導電型のストッパ部は、その近傍に形成される基板の一部分を成す第１導電型の半導体材料よりキャリア濃度が高い第１導電型の半導体材料から成り、
第１導電型のストッパ部と第２導電型の拡散領域部とが短絡することを特徴とする。
【００１３】
本発明に従えば、ショートダイオードは、第１導電型のストッパ部近傍の基板の一部分を成す第１導電型の半導体材料のキャリア濃度より高濃度の第１導電型のストッパ部と、第２導電型の拡散領域部とを含み、第１導電型のストッパ部と第２導電型の拡散領域部とを短絡して形成される。これによって短絡部を備えるショートダイオードを所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設することができる。
【００１４】
本発明は、ショートダイオードは、第２導電型の拡散領域部が所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設され、
第１導電型のストッパ部が、第２導電型の拡散領域部と接合され、かつ所期の受光部およびその近傍の受光部と第１導電型の拡散領域部との間の領域にそれぞれ配設され、
第２導電型の拡散領域部と第１導電型の各ストッパ部とを配線によってそれぞれ短絡して形成されることを特徴とする。
【００１５】
本発明に従えば、第２導電型の拡散領域部は、所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設され、第１導電型のストッパ部は、第２導電型の拡散領域部と接合され、かつ所期の受光部およびその近傍の受光部との間の領域にそれぞれ配設される。第２導電型の拡散領域部と第１導電型の各ストッパ部は、配線によってそれぞれ短絡される。これによってショートダイオードに短絡部を形成することができる。
【００１６】
本発明は、前記各配線は、相互に離隔して形成され、その近傍の配線ととともにダイシングすべき領域を形成することを特徴とする。
【００１７】
本発明に従えば、各配線が相互に隔離して形成され、その近傍の配線とともにダイシングすべき領域を形成する。これによって配線がダイシングすべき領域の目印とすることができるとともに、従来の技術のダイシングすべき領域より狭めることができる。
【００１８】
本発明は、前記半導体ウェハに光を照射する光照射工程と、
前記半導体ウェハに含まれる所期の受光部に流れる光電流を測定する測定工程とを含むことを特徴とする光電流測定方法である。
【００１９】
本発明に従えば、光照射工程で半導体ウェハに光を照射する。測定工程では、半導体ウェハに含まれる所期の受光部に流れる光電流を測定する。これによって所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する状態で、所期の受光部に流れる光電流の電流値を測定することができる。
【００２０】
本発明は、前記半導体ウェハをダイシングして製造されることを特徴とする半導体素子である。
【００２１】
本発明に従えば、半導体素子は、半導体ウェハをダイシングすることによって製造することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、所期の受光部の近傍から発生する光電流が所期の受光部に侵入することを阻止できる。換言すると、所期の受光部に不所望な光電流が侵入することを阻止できる、すなわちクロストーク現象を抑制できる。したがって所期の受光部の光電流を測定すると、所期の受光部から発生する光電流の電流値を正確に測定することができる。それ故、半導体ウェハに光を照射することによって、所期の受光部のスクリーニングを行うことができる、つまり半導体ウェハをダイシングして得られ所期受光部を備える半導体素子のスクリーニングを確実に行うことが可能である。このように半導体ウェハに光を照射することによって半導体素子のスクリーニングが可能であるので、半導体素子を１つ１つスクリーニングする場合に比べて、短時間で行うことができ利用者の労力を軽減することができるうえ、簡単かつ確実にスクリーニングを行うことができる。
【００２３】
本発明によれば、ショートダイオードを、所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設する。これによって所期の受光部の近傍の受光部から発生する光電流がショートダイオードに吸収される。換言すると、ショートダイオードによって、所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止することができる。このようにショートダイオードを設けることによって、光電流阻止手段を実現することができる。
【００２４】
本発明によれば、第１導電型のストッパ部と第２導電型の拡散領域部とを短絡することによって、短絡部を有するショートダイオードを、所期の受光部とその近傍の受光部との間の領域に配設することができる。これによって所期の受光部の近傍の受光部から発生する光電流がショートダイオードの短絡部に導かれる、すなわち吸収される。これによって所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止することができ、光電流の侵入を阻止するショートダイオードを実現することができる。
【００２５】
本発明によれば、第１導電型のストッパ部と第２導電型の拡散領域部とを配線で短絡することによって、短絡部を所期の受光部およびその近傍の受光部との間の領域に形成することができる。これによって所期の受光部の近傍の受光部から発生する光電流を短絡部に吸収させることができ、所期の受光部に対して、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止することができるショートダイオードを実現することができる。また第２導電型の拡散領域部と所期の受光部およびその近傍の受光部との間の領域に第１導電型のストッパ部が第２導電型の拡散領域部と接合させて設けられるので、近傍の受光部から所期の受光部に侵入する光電流を確実に阻止することができる。
【００２６】
本発明によれば、配線がダイシングすべき領域の両端に形成されるので、ダイシングすべき領域の目印となる。このように配線がダイシングすべき領域の目印となるので、半導体ウェハを容易にダイシングできる。配線をダイシングすべき領域の目印に用いるので、目印のために新たな構成を設けることを必要とせず、半導体ウェハの構成を簡単にすることができる。これによって半導体ウェハの製造コストを削減することができる。またダイシングすべき領域を従来の技術のダイシングすべき領域より狭めることができる。これによってダイシングのばらつきを抑える、すなわち従来の技術の半導体ウェハをダイシングする場合に比べて、高い精度でダイシングすることが可能である。換言すると、ダイシングして得られる半導体素子のばらつきを抑制することができ、高い寸法精度の半導体素子を得ることができる。
【００２７】
本発明によれば、所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する状態で、所期の受光部に流れる光電流を測定することができる。これによって所期の受光部に流れる光電流を正確に測定することができ、半導体ウェハをダイシングして得られる半導体素子のスクリーニングを確実に行うことができる。このように半導体ウェハの状態で確実に所期の受光部から発生する光電流を測定することができるので、スクリーニングを短時間で行うことができ、利用者の労力を軽減することができる。
【００２８】
本発明によれば、所期機能を発揮可能な半導体素子を確実に取得することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１は、本発明の実施の一形態である半導体ウェハ１１を半径方向に垂直な仮想平面で切断して見た断面斜視図である。図２は、半導体ウェハ１１を半径方向に垂直な仮想平面で切断して拡大して見た拡大断面図である。図３は、半導体ウェハ１１の一部を厚み方向から拡大して見た拡大平面図である。図４は、半導体ウェハ１１を厚み方向から見た平面図である。半導体ウェハ１１は、半導体素子の前駆体であり、半導体ウェハ１１をダイシングすることによって半導体素子を得ることができる。半導体ウェハ１１には、略円板状に形成されるｎ型基板１２の厚み方向一表面部１３（以下「ｎ型基板１２の表面部１３」と称する場合がある）に複数の凹部がマトリクス状に形成され、この凹部に複数のｐ型の第１拡散領域部１４をそれぞれ配設される。前記「略円板状」は、円板状を含む。ｎ型基板１２の一部およびｐ型の第１拡散領域部１４によって受光部１５が構成される。ｐ型の第１拡散領域部１４がｎ型の基板１２に配設されるので、半導体ウェハ１１には、ｐ型の第１拡散領域部１４がマトリクス状に配設される。つまり受光部１５がマトリクス状に配設される。各第１拡散領域部１４は、互いに離隔するように配設され、互いに隣り合う第１拡散領域部１４の間の領域には、ショートダイオード１６が設けられる。ｐ型の第１拡散領域部１４が形成されるｎ型基板１２には、その表面部１３から突出する方向に酸化膜１７が形成される。
【００３０】
第１導電型の基板１２であるｎ型基板１２（以下「基板１２」と称する場合がある）は、略円板状に形成されるｎ型の半導体材料にから成る基板である。基板１２の表面部１３には、複数の凹部がマトリクス状に形成され、前記凹部には、第１拡散領域部１４がそれぞれ設けられる。ｐ型の各第１拡散領域部１４（以下、「第１拡散領域部１４」と称する場合がある）は、基板１２にマトリクス状に配設され、隣り合う第１拡散領域部１４と離隔するように略等間隔に配設される。「略等間隔」は、等間隔を含む。各第１拡散領域部１４は、略板状であって、基板１２の凹部を除く厚み方向一表面と第１拡散領域部１４の厚み方向一表面とが略面一となるように基板１２の凹部に設けられる。第１拡散領域部１４は、ｐ型の半導体によって形成される。基板１２および複数の第１拡散領域部１４によって、半導体ウェハ１１にマトリクス状に配設される複数の受光部１５を構成する。この受光部１５は、光１８を吸収すると光電効果によって光電流を発生する。受光部１５から発生する光電流とは、受光部１５が光１８を吸収し光電効果によって生成されるキャリアの移動によって生じる電流と同義である。半導体ウェハの各受光部１５の間の領域には、ショートダイオード１６が配設される。換言するとショートダイオード１６は、略網目状に配置される受光部１５の間の領域（以下「ショートダイオード配置領域」と称する場合がある）に、各受光部１５と離隔するように略網状に配設される。これによって基板１２にショートダイオード１６が設けられる。
【００３１】
光電流阻止手段であるショートダイオード１６は、ｐ型の第２拡散領域部１９とｎ＋型のストッパ部２０と金属配線２１とが含まれる。「略網目状」は、網目状を含み、「略網状」は、網状を含む。ショートダイオード１６は、短絡部２２を有するダイオードである。第２導電型の拡散領域部であるｐ型の第２拡散領域部１９（以下、「第２拡散領域部１９」と称する場合がある）は、ショートダイオード配置領域に配設される。つまり第２拡散領域部１９は、ショートダイオード配置領域に配置可能に略網状に形成され、ｐ型の半導体材料によって形成される。第２拡散領域部１９には、ｎ＋型のストッパ部２０が接合される。ｎ＋型ストッパ部２０（以下「ストッパ部２０」と称する場合がある）は、その厚み方向一表面が第２拡散領域部１９の厚み方向一表面と略面一となるように基板１２のショートダイオード配置領域に配設される。具体的には、ストッパ部２０は、厚み方向に垂直な仮想平面で切断して見た断面が略矩形状の略枠体であり、第２拡散領域部１９とその近傍の第１拡散領域部１４との間の領域にそれぞれ配設される、すなわち第２拡散領域部１９によって形成される網目状の領域にそれぞれ配設される。「略矩形状」には、矩形状が含まれ、「略枠体」には、枠体を含む。ストッパ部２０は、２つのストッパ部２０によって第２拡散領域部１９の少なくとも一部を挟持するように、第２拡散領域部１９とその近傍の第１拡散領域部１４との間の領域に配設される。ストッパ部２０は、基板１２よりキャリア濃度が高いｎ＋型の半導体材料から成る。ストッパ部２０は、基板１２と同電位に形成される。第２拡散領域部１９とストッパ部２０とは、金属配線２１によってそれぞれ短絡されている。配線である金属配線２１は、金属によって形成され、４つの略直方体の枠部分を有し、厚み方向に垂直な仮想平面で切断して見た断面が略矩形状の略枠体である。金属配線２１は、各第１拡散領域部１４が金属配線２１の孔に臨み、かつその厚み方向一表面部が第２拡散領域部１９およびストッパ部２０に当接するようにそれぞれ配設される。各金属配線２１は、互いに離隔されてマトリクス状に配設される。金属配線２１は、前記一表面部の少なくとも内周縁部分２３がストッパ部２０に当接し、前記一表面部の少なくとも外周縁部分２４が第２拡散領域部１９に当接するように配設される。また金属配線２１は、基板１２の表面部１３から突出するように第２拡散領域部１９およびストッパ部２０に形成される。このように配設することによって、金属配線２１によって第２拡散領域部１９とストッパ部２０とが短絡され、第２拡散領域部１９とストッパ部２０との接合部を覆うように配設される。このようにして第２拡散領域部１９とストッパ部２０と金属配線２１とによって、短絡部２２を構成する。ショートダイオード１６は、このような短絡部２２を有するダイオードであり、各受光部１５間の領域に形成される。
【００３２】
基板１２の表面部１３には、前記表面部１３から突出する方向に酸化膜１７が形成される。酸化膜１７は、基板１２の表面部１３、第１拡散領域部１４、第２拡散領域部１９およびストッパ部２０を被覆するように形成される。金属配線２１は、少なくともその一部が、酸化膜１７から露出し基板１２から離隔しかつ対向する位置に臨むように形成される。本実施の形態では、金属配線２１が酸化膜１７から突出するように形成される。このように金属配線２１が酸化膜１７から突出するように形成することによって、互いに隣り合う金属配線２１によってダイシング領域２５を形成する。ダイシング領域２５とは、半導体ウェハ１１をダイシングする際のダイシングすべき領域である。ダイシング領域２５をダイシングすることによって半導体ウェハ１１から受光素子を製造することができる。酸化膜１７は、第１拡散領域部１４、基板１２、第２拡散領域部１９およびストッパ部２０を被覆することによって、これらを保護し、光１８を透過可能に形成される。酸化膜１７は、いわゆる反射防止膜であり、厚み方向に垂直な仮想平面で切断して見た断面が略矩形状の板状体である。これによって半導体ウェハ１１は、基板１２の表面部１３から離隔し、かつ対向する位置から近接する方向に照射される光１８を透過して、各受光部１５で光電流を発生させることができる。このようにして形成される半導体ウェハ１１において、ダイシング領域２５は、図３に示すように、ダイシング領域２５の幅が、距離Ｌ１となる。本実施の形態の半導体ウェハにおいて、ダイシング領域２５の幅は、金属配線２１の互いに臨む枠部分の幅方向に平行であって、前記枠部分間の距離と同義である。ダイシング領域２５の幅は、酸化膜１７間の距離Ｌ２より短尺に形成される。酸化膜１７間の距離は、隣り合う酸化膜１７の互い臨む表面部に垂直であって、前記表面部間の距離である。従来の技術の半導体ウェハは、この酸化膜１７間の距離Ｌ２がダイシングすべき領域である。このように半導体ウェハ１１は、基板１２とショートダイオード１６と酸化膜１７とを含んで構成される。
【００３３】
半導体ウェハ１１において、所期の受光部１５ａに光１８を照射する際、所期の受光部１５ａに対し、その近傍の受光部１５ｂから発生する光電流の侵入を阻止するメカニズム、すなわちクロストーク現象の発生を防止するメカニズムついて以下に説明する。所期の受光部１５ａ（以下「所期受光部１５ａ」と称する場合がある）は、光１８を照射すべき受光部１５と同義である、すなわち光電流の電流値を測定すべき受光部１５と同義である。所期受光部１５ａには、図示しない電極が第１拡散領域部１４と基板１２の一部にそれぞれ接続され、前記各電極が負荷（電流計などの電流測定器）を介して電気的に接続される。このように負荷を介して接続することによって、所期の受光部１５に光１８を照射し光電流の電流値を測定する。
【００３４】
所期受光部１５ａに照射する光１８の照射面積が所期受光部１５ａの厚み方向一表面部の面積より大きい場合、図４に示すように、所期受光部１５ａとその近傍の受光部１５ｂ（以下「近傍受光部１５ｂ」と称する場合がある）に照射される。光１８の照射面積は、半導体ウェハ１１上の光１８が照射される部分の面積である。照射される光１８は、酸化膜１７を透過し所期受光部１５ａおよび近傍受光部１５ｂに至る。所期受光部１５ａおよび近傍受光部１５ｂでは、光１８を吸収し光電効果によってキャリアを生成する。生成されるキャリアは、図２に示すように、正孔２６が第１拡散領域部１４にそれぞれ注入および拡散され、電子が基板１２に注入および拡散される。このようなキャリアの移動によって所期受光部１５ａおよび近傍受光部１５ｂから光電流が発生する。
【００３５】
第２拡散領域部１９とストッパ部２０とが金属配線２１によって短絡される。これによって基板１２から第２拡散領域部１９に注入されるキャリア２６（正孔）が、金属配線２１を介してストッパ部２０に導かれる。ストッパ部２０に導かれるキャリア２６（正孔）は、ストッパ部２０で再結合し消滅する。換言すると、光電流は、ショートダイオード１６によって吸収される。このようにショートダイオード１６が光電流を吸収するので、近傍受光部１５ｂから発生する光電流は、所期受光部１５ａに至る前にショートダイオード１６によって吸収され消費される。これによって近傍受光部１５ｂから発生する光電流が所期受光部１５ａに侵入することを阻止できる。また第１拡散領域部１４と第２拡散領域部１９との間の領域にストッパ部２０が形成されるので、第１拡散領域部１４と第２拡散領域部１９との間にチャネルが形成されることを防ぐことができる。これによって第２拡散領域部１９で吸収される光電流が第１拡散領域部１４、すなわち所期受光部１５ａに導かれることを抑制できる。ショートダイオード１６は、基板１２上に第２拡散領域部１９を形成して構成されるので、ショートダイオード１６も光１８を吸収し、光電流を発生し得る。このときショートダイオード１６は、自らが発生する光電流を吸収し消費して、ショートダイオード１６から所期受光部１５ａに光電流が侵入することをも阻止する。このように光電流の侵入を阻止することによって、所期受光部１５ａから発生する光電流に近傍受光部１５ｂおよびショートダイオード１６から発生する光電流の影響を防止する、すなわちクロストーク現象を防止する。
【００３６】
図５は、半導体ウェハ１１の所期受光部１５ａの光電流の電流値の測定方法（以下「光電流の測定方法」と称する場合がある）について示すフローチャートである。光電流の測定方法は、所期受光部１５ａを形成する第１拡散領域部１４および基板１２にそれぞれ設けられる電極に電流計を電気的に接続すると、ステップｓ０からステップｓ１ヘ移行する。光照射工程であるステップｓ１では、所期受光部１５ａに光１８を照射する。光１８を照射すると、ステップｓ１からステップｓ２ヘ移行する。測定工程であるステップｓ２では、照射される光１８によって生じる光電流の電流値を測定する。このとき近傍受光部１５ｂに光１８が照射されることによって発生する光電流は、所期受光部１５ａと近傍受光部１５ｂとの間に形成されるショートダイオード１６によって吸収される。これによって電流計には、所期受光部１５ａから発生する光電流が流れ、近傍受光部１５ｂから発生する光電流が電流計に流れることを阻止できる。したがって電流計によって所期受光部１５ａから発生する光電流の電流値を正確に測定することができる。所期受光部１５ａから発生する光電流の電流値を測定すると、ステップｓ２からステップｓ３ヘ移行し、光電流の測定方法の手順が終了する。このように所期受光部１５ａから発生する光電流の電流値を正確に測定することができるので、半導体ウェハ１１で所期受光部１５ａから発生する光電流の電流値を測定し、前期所期受光部１５ａを備える半導体素子のスクリーニングを容易に行うことができる。
【００３７】
以下では、本実施の形態の奏する効果について説明する。本実施の形態の半導体ウェハ１１によれば、近傍受光部１５ｂから発生する光電流が所期受光部１５ａに侵入することを阻止できる。換言すると、所期受光部１５ａに不所望な光電流が侵入することを阻止できる、すなわちクロストーク現象を抑制できる。したがって所期受光部１５ａの光電流の電流値を測定すると、不所望な受光部１５である近傍受光部１５ｂから発生する光電流の影響を抑制し、所期受光部１５ａから発生する光電流の電流値を正確に測定することができる。それ故、半導体ウェハ１１に光１８を照射することによって所期受光部１５ａのスクリーニングができる、つまり所期受光部１５ａを備える半導体素子のスクリーニングを確実に行うことが可能である。このように半導体ウェハ１１に光１８を照射することによって半導体素子のスクリーニングが可能であるので、半導体素子を１つ１つスクリーニングする場合に比べて、短時間で行うことができ利用者の労力を軽減することができるうえ、簡単かつ確実にスクリーニングを行うことができる。
【００３８】
本実施の形態の半導体ウェハ１１によれば、ショートダイオード１６を、所期受光部１５ａと近傍受光部１５ｂとの間の領域に配設する。これによって近傍受光部１５ｂから発生する光電流がショートダイオード１６に吸収させることができる。換言すると、ショートダイオード１６によって、所期の受光部１５に対し、近傍受光部１５ｂから発生する光電流の侵入を阻止することを実現できる。
【００３９】
本実施の形態の半導体ウェハ１１によれば、ストッパ部２０と第２拡散領域部１９とを短絡することによって、短絡部２２を有するショートダイオード１６を、所期受光部１５ａと近傍受光部１５ｂとの間の領域に配設することができる。これによって近傍受光部１５ｂから発生する光電流がショートダイオード１６の短絡部２２に導かれる、すなわち吸収される。これによって所期受光部１５ａに対し、近傍受光部１５ｂから発生する光電流の侵入を阻止することができ、光電流の侵入を阻止するショートダイオード１６を実現することができる。
【００４０】
本実施の形態の半導体ウェハ１１によれば、ストッパ部２０と第２拡散領域部１９とを金属配線２１で短絡することによって、短絡部２２を所期受光部１５ａと近傍受光部１５ｂとの間の領域に形成することができる。これによって近傍受光部１５ｂから発生する光電流を短絡部２２に吸収させることができ、所期受光部１５ａに対して、近傍受光部１５ｂから発生する光電流の侵入を阻止することができるショートダイオード１６を実現することができる。また第２拡散領域部１９と所期受光部１５ａおよび近傍受光部１５ｂとの間の領域にストッパ部２０が第２拡散領域部１９と接合させて設けられるので、近傍受光部１５ｂおよび第２拡散領域部１９から所期受光部１５ａに侵入する光電流を確実に阻止することができる。
【００４１】
本実施の形態の半導体ウェハ１１によれば、金属配線２１がダイシング領域２５の両端に形成されるので、ダイシング領域の目印となる。このように金属配線２１がダイシング領域２５の目印となるので、半導体ウェハ１１を容易にダイシングできる。金属配線２１をダイシング領域の目印に用いるので、目印のために新たな構成を設けることを必要とせず、半導体ウェハ１１の構成を簡単にすることができる。これによって半導体ウェハ１１の製造コストを削減することができる。またダイシング領域２５の幅Ｌ１を従来の技術のダイシング領域２５の幅Ｌ２より狭めることができる。これによってダイシングのばらつきを抑える、すなわち従来の技術の半導体ウェハ１１をダイシングする場合に比べて、高い精度でダイシングすることが可能である。換言すると、ダイシングして得られる半導体素子の形状のばらつきを抑制することができ、高い寸法精度の半導体素子を得ることができる。
【００４２】
本実施の形態の半導体ウェハ１１よれば、所期受光部１５ａに対し、近傍受光部１５ｂから発生する光電流の侵入を阻止する状態で、所期受光部１５ａに流れる光電流の電流値を測定することができる。これによって所期受光部１５ａに流れる光電流の電流値を正確に測定することができ、半導体ウェハ１１をダイシングして得られる半導体素子のスクリーニングを確実に行うことができる。このように半導体ウェハ１１の状態で確実にスクリーニングを行うことができるので、スクリーニングを短時間で行うことができ、利用者の労力を軽減することができる。
【００４３】
本発明によれば、半導体ウェハ１１に光を照射して受光部１５の光の電流値を測定することによって、受光部１５のスクリーニングが可能である。これによって受光部１５をスクリーニングし、かつダイシングするだけで所期機能を発揮可能な半導体素子を確実に取得することができる。さらにダイシングして得られる半導体素子には、第２拡散領域部１９が設けられ、第１および第２拡散領域部１９の間の領域にストッパ部２０が設けられる。半導体素子の第２拡散領域部１９から生じる光電流を第２拡散領域部１９およびストッパ部２０によって吸収し消費する。このように半導体素子においても、第２拡散領域部１９およびその近傍の基板１２で発生する光電流を吸収し侵入を阻止できる。したがって所期受光部１５ａを備える半導体素子を測定して得られる光電流の電流値と、半導体ウェハ１１を測定して得られる所期受光部１５ａから発生する光電流の電流値とが略同一となる。これによって、半導体ウェハ１１で所期受光部１５ａから発生する光電流の電流値を測定するだけで、所期機能を発揮可能な半導体素子を確実に取得することができる。
【００４４】
本実施の形態では、基板１２は、ｎ型の半導体から成る一層構造であるけれども、複数の層からなる他層構造であってよい。たとえば基板１２は、ｎ型の半導体からなる第１層と、第１層よりキャリア濃度が高いｎ＋型の半導体から成る第２層とを積層することによって形成される。このような構成を有する半導体ウェハ１１は、本実施の形態と構成が類似しており、異なる点だけを説明する。第１層の第２層に臨む表面部と反対側の表面部には、第１拡散領域部１４およびショートダイオード１６が形成される。ショートダイオード１６に含まれるストッパ部２０は、第１層よりキャリア濃度が高いｎ＋型の半導体からなる。このような構成を有する半導体ウェハ１１は、本実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の一形態である半導体ウェハ１１を半径方向に垂直な仮想平面で切断して見た断面斜視図である。
【図２】半導体ウェハ１１を半径方向に垂直な仮想平面で切断して拡大して見た拡大断面図である。
【図３】半導体ウェハ１１の一部を厚み方向から拡大して見た拡大平面図である。
【図４】半導体ウェハ１１を厚み方向から見た平面図である。
【図５】半導体ウェハ１１の所期受光部１５ａの光電流の電流値の測定方法について示すフローチャートである。
【図６】第１の従来の技術の半導体ウェハ１を半径方向に垂直な仮想平面で切断して見た断面図である。
【図７】半導体ウェハ１を厚み方向から見た平面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１１  半導体ウェハ
１２  基板
１４  ｐ型の第１拡散領域部
１５  受光部
１５ａ  所期受光部
１５ｂ  近傍受光部
１６  ショートダイオード
１９  ｐ型の第２拡散領域部
２０  ｎ＋型のストッパ部
２１  金属配線
２５  ダイシング領域
【図１】
2006041190.tif 000003
【図２】
2006041190.tif 000004
【図３】
2006041190.tif 000005
【図４】
2006041190.tif 000006
【図５】
2006041190.tif 000007
【図６】
2006041190.tif 000008
【図７】
2006041190.tif 000009