(57)【要約】      （修正有）【課題】交換レンズ方式のデジタルカメラシステムにおいて、高解像度の画像を得ること。【解決手段】入射光をその光量に応じて電気信号に変換する光電変換素子２０１と、入射面に配設されたマイクロレンズ２０９と、前記光電変換素子と前記マイクロレンズの間に配設された光導波路２０３と、前記光導波路の周囲に配設された層間絶縁層２０８とを有する固体撮像素子を有する撮像装置であって、撮像光学系の射出瞳から前記光電変換素子までの距離をＬ、前記イメージセンサの中心から、前記イメージセンサ上の前記固体撮像素子の位置までの距離をＨ、前記光電変換素子から前記マイクロレンズの頂点までの高さをＤ、前記イメージセンサにおける、前記複数の固体撮像素子の間隔をＰ、前記光導波路の屈折率をＮＨ、前記層間絶縁層の屈折率をＮＬとした場合に、前記距離Ｈに位置する固体撮像素子が、2006040948.tif 000006  但し、０＜ａ＜１を満たす。【選択図】  図２
2006040948.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光をその光量に応じて電気信号に変換する光電変換素子と、入射面に配設されたマイクロレンズと、前記光電変換素子と前記マイクロレンズの間に配設された光導波路と、前記光導波路の周囲に配設された層間絶縁層とを有する固体撮像素子を有する撮像装置であって、
前記撮像装置に交換レンズを着脱可能とするための着脱手段を有し、
複数の前記固体撮像素子を２次元に並べて成るイメージセンサを搭載する撮像装置の撮像光学系の射出瞳から前記光電変換素子までの距離をＬ、前記イメージセンサの中心から、前記イメージセンサ上の前記固体撮像素子の位置までの距離をＨ、前記光電変換素子から前記マイクロレンズの頂点までの高さをＤ、前記イメージセンサにおける、前記複数の固体撮像素子の間隔をＰ、前記光導波路の屈折率をＮＨ、前記層間絶縁層の屈折率をＮＬとした場合に、前記距離Ｈに位置する固体撮像素子が、
2006040948.tif 000005
但し、０＜ａ＜１
を満たすことを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレンズ交換式のデジタルカメラシステムなどの撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルスチルカメラ等に主に用いられている固体撮像素子は、大別すると、ＣＣＤ(Charge-Coupled Device)とＣＭＯＳ(Complimentary Metal Oxide Semiconductor)とに分類される（例えば特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００３】
まず、ＣＣＤの構造について、図８を用いてその主要部について簡単に説明する。
【０００４】
図８はＣＣＤ１０００の１画素分の断面図である。同図において、１００１はシリコンなどからなる半導体基板、１００２はフォトダイオードからなる受光部、１００３は半導体基板１００１上に形成した酸化膜、１００４は受光部１００２で変換された電荷などを転送するためのクロック信号が伝送されるポリシリコンなどからなる３層の配線、１００６は主として配線１００４の下に設けられている電荷転送用の垂直ＣＣＤレジスタ１００５を遮光する、タングステンなどからなる遮光層、１００７は受光部１００２などを外気（O2、H2O）、不純物イオン（K+、Na+）などから保護するSiO2などからなる第１保護膜、及びSiON系などの第２保護膜１００８である。１００９は第２保護膜１００８の凹凸を少なくするための有機材料からなる平坦化層であり、１０１０は受光部１００２に被写体からの光を集めるマイクロレンズである。
【０００５】
平坦化層１００９はＣＣＤ１０１０の主面１０１１の凹凸を無くすと共に、マイクロレンズ１０１０の焦点が受光部１００２上に結ぶように、マイクロレンズ１０１０の焦点距離を調整する役目も兼ねている。よって、透明感光性樹脂により構成される平坦化層１００９の厚さは、レンズの曲率、レンズ材料の屈折率によって決められる。
【０００６】
次に、ＣＭＯＳの構造について、図９を用いてその主要部について簡単に説明する。
【０００７】
図９はＣＭＯＳ１０５０の１画素分の断面図である。同図において、１０５１はシリコン基板（Si基板）で、フォトダイオード等の光電変換素子となる光電変換部１０５２が設けられている。１０５３は、SiO2等で形成された層間絶縁層１０５４の間に形成されており、光電変換部１０５２にて発生した光電荷を不図示のフローティングディフュージョン部（ＦＤ部）に転送するための転送電極である。また、１０５５は光電変換部１０５２以外に光が入射しないように形成された遮光作用を有する配線電極、１０５６は電極や不図示の配線により形成される凹凸表面上に形成されて平坦な表面を提供するための平坦化膜、１０５７は例えば赤、緑、青などのカラーフィルタで、さらに平坦化層１０５８を介してマイクロレンズ１０５９が形成されている。マイクロレンズ１０５９は、不図示の撮影レンズから入射する光束を光電変換部１０５２に集光するようにレンズ形状が決められている。
【０００８】
図１０は交換レンズ方式のデジタルスチルカメラの概略図である。一例として、カメラ本体１２００に対してテレフォト型の望遠レンズ１２２０が装着されたカメラシステムを図示している。
【０００９】
カメラ本体１２００と望遠レンズ１２２０はカメラ側マウント１２１１とレンズ側マウント１２２１にて連結されている。望遠レンズ１２２０に設けられた不図示のレンズＭＰＵ等の電気回路は、レンズ側接点１２２２とカメラ側接点１２１２とを介して不図示のカメラＭＰＵ等の電気回路と結線されている。
【００１０】
撮影者がファインダーを介して被写体を観察する時は、望遠レンズ１２２０を透過した被写体光の一部が跳ね上げミラー１２０１で反射してピント板１２０２に到達する。ピント板１２０２で拡散透過した被写体光はペンタダハプリズム１２０３及び接眼レンズ１２０４を介して不図示の撮影者の目に導かれる。
【００１１】
また、被写体光の一部は跳ね上げミラー１２０１を透過し、サブミラー１２０５にて反射して焦点検出ユニット１２０６に導かれる。カメラＭＰＵは焦点検出ユニット１２０６にて得られた像信号に基づいて望遠レンズ１２２０の焦点調節量を演算し、望遠レンズ１２２０のレンズ１２２３を駆動する。
【００１２】
撮影時は、跳ね上げミラー１２０１及びサブミラー１２０５がピント板１２０２方向に回転し、望遠レンズ１２２０を透過した被写体光を固体撮像素子を用いたイメージセンサ１２０８に導く。なお、カメラ本体１２００に装着される交換レンズの焦点距離等によって射出瞳位置が異なるため、イメージセンサ１２０８の、特に周辺部分の画素において受光可能な光束が、装着される交換レンズによって変化する。
【００１３】
そこで、特許文献３に記載の画像読み取り装置では、交換レンズのレンズ情報及び撮像面の中心からの距離に応じて、画像信号に各色成分毎にゲイン制御を行うことによって、シェーディング及び周辺減光による感度の劣化や色相の変動を補正している。
【００１４】
また特許文献４では、受光部と集光レンズとの間に光伝送路を設けた固体撮像装置を開示している。その固体撮像装置の光伝送路は屈折率の高い材料で構成されており、光伝送路に入射した光はその内部で全反射をして受光部に導かれるため、集光特性を向上できるという利点がある。
【００１５】
【特許文献１】特開２００２−１４１４８８号公報（第７頁、図６）
【特許文献２】特開２００２−０８３９４８号公報（第１７頁、図６）
【特許文献３】特開２０００−３２４５０５号公報（第６頁、図１）
【特許文献４】特開平５−２８３６６１号公報（第３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
特許文献３に開示された画像取り込み装置では、交換レンズ情報に基づいて画像信号のゲイン調整を行っているが、交換レンズによる周辺減光が大きく撮像素子の出力が小さい場合は、高い増幅率でゲイン調整を行わなければならずノイズ成分も増幅してしまい、良好な画像信号を得ることができないという課題があった。
【００１７】
また、上述した特許文献４の固体撮像装置を用いて交換レンズ方式のカメラシステムを構成しても、カメラに装着される交換レンズの射出瞳位置によっては光伝送路で全反射を起こさない場合があり、受光部に十分集光できないといった問題があった。
【００１８】
本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、交換レンズ方式のデジタルカメラシステムにおいて、品位の高い画像を得るとともに、１画素の画素サイズを小さくすることによって高解像度の画像を得ることが可能なデジタルカメラシステムを実現する。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するために、入射光をその光量に応じて電気信号に変換する光電変換素子と、入射面に配設されたマイクロレンズと、前記光電変換素子と前記マイクロレンズの間に配設された光導波路と、前記光導波路の周囲に配設された層間絶縁層とを有する固体撮像素子を有する本発明の撮像装置は、前記撮像装置に交換レンズを着脱可能とするための着脱手段を有し、複数の前記固体撮像素子を２次元に並べて成るイメージセンサを搭載する撮像装置の撮像光学系の射出瞳から前記光電変換素子までの距離をＬ、前記イメージセンサの中心から、前記イメージセンサ上の前記固体撮像素子の位置までの距離をＨ、前記光電変換素子から前記マイクロレンズの頂点までの高さをＤ、前記イメージセンサにおける、前記複数の固体撮像素子の間隔をＰ、前記光導波路の屈折率をＮＨ、前記層間絶縁層の屈折率をＮＬとした場合に、前記距離Ｈに位置する固体撮像素子が、
【００２０】
2006040948.tif 000003
【００２１】
但し、０＜ａ＜１
【００２２】
を満たすことを特徴とする撮像装置。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、交換レンズ方式のカメラシステムにおいて、固体撮像素子の光電変換部上に交換レンズの射出瞳の移動範囲を考慮した光導波路を形成することにより集光効率を高めることによって品位の高い画像を得ることが可能である。
【００２４】
さらには、カメラシステムを構成する固体撮像素子の１画素の画素サイズを小さくすることによって高解像度の画像を得ることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。ただし、本形態において例示される構成部品の寸法、材質、形状、それらの相対配置などは、本発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものであり、本発明がそれらの例示に限定されるものではない。
【００２６】
図１は、本発明の実施形態における交換レンズ方式のデジタルカメラシステムの概略図である。カメラ本体に対して交換可能なレンズ４２０（以下、「交換レンズ」と呼ぶ。）が装着されたカメラシステムを図示している。ここでは、交換レンズ４２０として、図１０に示すカメラシステムのレンズ１２２０と比較して、広い画角を有する広角レンズである場合を示している。なお、カメラ本体は図１０に示すカメラシステムと同様であるので、同じ参照番号を付す。
【００２７】
カメラ本体１２００と交換レンズ４２０はカメラ側マウント１２１１とレンズ側マウント１２２１にて連結されている。交換レンズ４２０に設けられた不図示のレンズＭＰＵ、レンズメモリ等の電気回路は、レンズ側接点４２２とカメラ側接点１２１２とを介して不図示のカメラＭＰＵ等の電気回路と結線されている。レンズメモリには、交換レンズの射出瞳位置等のレンズ情報が記憶されている。
【００２８】
そして、図１０に示すカメラシステムと同様に、撮影者がファインダーを介して被写体を観察する時は、交換レンズ４２０を透過した被写体光の一部が跳ね上げミラー１２０１で反射してピント板１２０２に到達する。ピント板１２０２で拡散透過した被写体光はペンタダハプリズム１２０３及び接眼レンズ１２０４を介して不図示の撮影者の目に導かれる。
【００２９】
また、被写体光の一部は跳ね上げミラー１２０１を透過し、サブミラー１２０５にて反射して焦点検出ユニット１２０６に導かれる。カメラＭＰＵは焦点検出ユニット１２０６にて得られた像信号に基づいて交換レンズ４２０の焦点調節量を演算し、交換レンズ４２０のレンズ４２３を駆動する。
【００３０】
撮影時は、跳ね上げミラー１２０１及びサブミラー１２０５がピント板１２０２方向に回転し、交換レンズ４２０を透過した被写体光を固体撮像素子を用いたイメージセンサ１２０８に導く。なお、カメラ本体１２００に装着される交換レンズの焦点距離等によって射出瞳位置が異なるため、イメージセンサ１２０８の、特に周辺部分の画素において受光可能な光束が、装着される交換レンズによって変化する。
【００３１】
図２は交換レンズ４２０の予定結像面に配設される、カメラ本体１２００のイメージセンサ１２０８として用いられるＣＭＯＳ型固体撮像素子２００の素子断面図である。図２に示すように、撮像素子２００は光導波路を有する。
【００３２】
図２において、２０１は光電変換部、２０２は光電変換部２０１が構成されるシリコン（Si）基板、２０３は屈折率の高い材料であるSiN等で構成された光導波路で、その中心軸は光電変換部２０１の中心軸とほぼ一致している。なお、光導波路２０３の光入射側は、より多くの光が入射可能なように開口が広くなるように形成されている。２１０は、屈折率の低いSiO2等で形成された層間絶縁層２１１の間に形成され、光電変換部２０１にて発生した光電荷を不図示のフローティングディフュージョン部（ＦＤ部）に転送するための転送電極、２０４及び２０５は光電変換部２０１で発生した電荷を選択的に読み出すための配線電極である。通常、転送電極２１０は多結晶シリコン（Poly-Si）、配線電極２０４、２０５はアルミニウム（Al）で形成されている。
【００３３】
また、２０６は、電極や不図示の配線により形成される凹凸表面上に形成されて平坦な表面を提供するための平坦化層であり、平坦化層２０６を介してカラーフィルタ２０７が設けられており、さらに平坦化層２０８を介してマイクロレンズ２０９が形成されている。マイクロレンズ２０９は、交換レンズ４２０から入射する光を光電変換部２０１に効率よく集光するように配設されている。
【００３４】
図２において、マイクロレンズ２０９を透過した光は透明な平坦化層２０８を透過し、カラーフィルタ層２０７で波長選択される。例えば、図２の左側の画素のカラーフィルタ層２０７が緑の光が透過する場合、青及び赤の光が吸収され、図２の右側のカラーフィルタ層２０７が青の光が透過する場合、緑及び赤の光が吸収される。カラーフィルタ層２０７を透過した所定波長の光は、窒化シリコン（SiN）等の屈折率の高い（屈折率ＮＨ）透明材料で形成された光導波路２０３を透過し、光電変換部２０１に導かれる。このとき光導波路２０３の周囲には、酸化シリコン（SiO2）等の屈折率の低い（屈折率ＮＬ）透明材料で層間絶縁層２１１が形成されているため、光導波路２０３から層間絶縁層２１１へ向かう光は、光導波路２０３と層間絶縁層２１１の境界面で全反射して、光電変換部２０１に導かれる。酸化シリコン（SiO2）で形成された層間絶縁層２１１の屈折率ＮＬは、例えば１．４６である。
【００３５】
なお、隣接画素との間隔（画素ピッチ）をＰ、マイクロレンズ２０９の頂点から光電変換部２０１までの高さをＤとする。
【００３６】
次に、光導波路を有する固体撮像素子２００の集光特性について図３から図５を用いて説明する。
【００３７】
図３は、交換レンズ４２０に代表される撮像光学系３０１と、イメージセンサ１２０８として用いられる固体撮像素子２００の位置関係を示す説明図である。図３において、固体撮像素子２００は、被写体光束が撮像光学系３０１を介して焦点を結ぶ受光面３０２を有する。なお、撮像光学系３０１と固体撮像素子２００の受光面３０２との光軸３０３方向の距離をＬ（以下、「瞳距離」と呼ぶ。）、光軸３０３から受光面３０２の最外周辺部までの距離をＨとする。従って、距離Ｈは像高に相当する。また光軸３０３と撮像光学系３０１の射出瞳３０４との交点から射出する主光線３０５と光軸３０３とが成す角をθとする。
【００３８】
図４は図３におけるＡ部詳細図で、撮像光学系３０１が固体撮像素子２００に「近い」、即ち、瞳距離Ｌが短い状態、また、図５は、撮像光学系３０１が固体撮像素子２００から「遠い」、即ち、瞳距離Ｌが長い状態の、図２に示す画素構成における光線トレース図である。
【００３９】
光導波路２０３を備えた固体撮像素子２００の場合、図４に示すように、光軸３０３に対する被写体光束３３０の入射角θ＝α１が大きくても（瞳距離Ｌが短い場合）、光導波路２０３の傾斜面で全反射して効率よく光電変換部２０１に導かれる。
【００４０】
また、図５に示すように、撮像光学系１０１の瞳距離Ｌが長く、光軸３２１に対する被写体光束３３０の入射角θ＝α２が小さい場合には、光導波路２０３の傾斜面で反射する事無く、被写体光束３３０は直接光電変換部２０１に入射する。
【００４１】
固体撮像素子２００への入射角が大きい被写体光束の場合も集光効果を高めるために、有する光導波路の構成は次のような性質に基づいて決定する。
【００４２】
１．  像高Ｈが増加すると、入射角θが大きくなる。
２．  瞳距離Ｌが長くなると、入射角θが小さくなる。
３．  光導波路の屈折率ＮＨと層間絶縁膜の屈折率ＮＮＬの比ＮＬ／ＮＨが小さいほど、屈折率界面で全反射を起こすための臨界角は小さくなって、入射角θが大きい光線を捉えることができる。
４．  画素ピッチＰが減少すると、各画素の回路部の占める面積が増大して相対的に光電変換部の大きさが減少し、入射角θが大きい光線を捉えることができなくなる。ＣＭＯＳ型固体撮像素子の場合、回路部は電荷転送用ＭＯＳトランジスタ、リセット電位を供給するリセット用ＭＯＳトランジスタ、ソースフォロワアンプＭＯＳトランジスタ、選択的にソースフォロワアンプＭＯＳトランジスタから信号を出力させるための選択用ＭＯＳトランジスタ等である。
５．  光電変換部からマイクロレンズまでの高さＤが増加すると、マイクロレンズから光電変換部を見込む角が小さくなるため、入射角θが大きい光線を捉えることができなくなる。
これらの性質から、像高Ｈ、瞳距離Ｌ、画素ピッチＰ、高さＤ、光導波路の屈折率ＮＨ、層間絶縁層の屈折率ＮＬで表した式（１）の評価量Ｅの大きさが、如何に入射角θの大きな光線を光電変換部まで導けるかを表す好適な指標となることが分かる。
【００４３】
2006040948.tif 000004
【００４４】
ここで、
Ｅ ＜ １．０      …（２）
となるように、像高Ｈ、瞳距離Ｌ、画素ピッチＰ、高さＤ、光導波路の屈折率ＮＨ、層間絶縁層の屈折率ＮＬを選択すると、光導波路構造の効果は大きい。
交換レンズ方式のデジタルカメラシステムでは、カメラ本体にどのような交換レンズが装着された場合でも被写体光を効率よく集光できる光導波路を有する固体撮像素子を使用することが理想であるが、光導波路はカメラに装着可能な交換レンズのレンズ情報を用いて式（１）に基づいて形成される。
【００４５】
図１の交換レンズ方式のデジタルカメラシステムにおいて、搭載されるイメージセンサ１２０８の画面サイズは、通常、銀塩カメラのフィルムサイズであるAPS−Cサイズ（約１７×２５ｍｍ）とほぼ同等であるため、画面の対角に位置する画素の像高Ｈは約１５ｍｍである。
【００４６】
また、イメージセンサ１２０８で用いる固体撮像素子のマイクロレンズの頂点から光電変換部までの高さＤは、約０．００６ｍｍとする。
【００４７】
また、イメージセンサ１２０８に形成される光導波路の周囲に充填される層間絶縁層には一般的に酸化シリコン（SiO2）が使用され、その屈折率ＮＬは１．４６である。光導波路は一般的に窒化シリコン（SiN）で形成され、その屈折率ＮＨは２．０である。なお、酸化シリコン及び窒化シリコンはあくまで一例であり、これらの材質にとらわれないことは言うまでもない。
【００４８】
図６は、上述したようにして構成される固体撮像素子を用いたイメージセンサを、図１に示した交換レンズ方式のデジタルカメラシステムに適用した場合のイメージセンサ１２０８への入射光束説明図である。図６では、交換レンズとして、望遠レンズ４２０を装着した場合を示している。
【００４９】
図６において、レトロフォーカス型の広角レンズ４２０の射出瞳４２５は、イメージセンサ１２０８に近い、距離Ｌｗの位置に形成される。広角レンズ４２０の射出瞳４２５を透過した被写体光束はイメージセンサ１２０８の像高Ｈの位置に入射する。このときの、イメージセンサ１２０８への主光線の入射角θｗは
tanθw＝Ｈ／Ｌw
【００５０】
を満足する。
また図７は、図１０に示した望遠レンズ１２２０を交換レンズとして装着したデジタルカメラシステムに配設されたイメージセンサ１２０８への入射光束説明図である。
【００５１】
図７に示すように、テレフォト型の望遠レンズ１２２０の射出瞳１２２５は、図１に示すような広角レンズ４２０が装着された時よりもイメージセンサ１２０８から遠い距離Ｌｔの位置に形成される。射出瞳１２２５を透過した被写体光束はイメージセンサ１２０８の像高Ｈの位置に入射する。このときの、イメージセンサ１２０８への主光線の入射角θtは
tanθt＝Ｈ／Ｌt
【００５２】
を満足する。
図６及び図７からも分かるように、カメラに広角レンズが装着された場合の主光線角度θwと望遠レンズが装着された場合の主光線角度θtは
θｗ＞θt
【００５３】
という関係になり、イメージセンサ１２０８への主光線の入射角θは広角レンズが装着された方が大きいことが分かる。従って、カメラに装着可能な交換レンズの中で、像面からの射出瞳距離が短いレンズの射出瞳距離を用いて光導波路の構成が決定される。カメラに装着可能な交換レンズの中で、像面からの射出瞳距離が短いレンズの射出瞳距離Ｌを約６０ｍｍとした場合（但し、その他の条件は上述したものと同じとする。）、式（１）に基づいて、固体撮像素子２００の画素ピッチＰと評価量Ｅとの関係が下記のように算出される。
Ｅ×Ｐ ＝ ０．００１１［ｍｍ］
固体撮像素子２００の画素ピッチＰが小さいほど解像度が向上するため、画素ピッチＰを０．００３ｍｍとすると、評価量Ｅは，
Ｅ＝０．３７
となり式（２）を満足する。
このように交換レンズ方式のデジタルカメラシステムに搭載する固体撮像素子２００の光導波路を、交換レンズ情報を用いた式（１）（２）を満足するように構成することによって、光導波路を透過する光は、層間絶縁層との屈折率界面で全反射を生じ、光電変換部に効率よく集光されることとなる。その結果、品位の高い画像を得ることが可能であるとともに、画素サイズが小さな固体撮像素子を採用することが可能なため解像感の高い画像を得ることが可能となる。
【００５４】
なお、本実施の形態では、カメラに装着可能な交換レンズの射出瞳情報に基づいて固体撮像素子に形成される光導波路の構成を決定したが、交換レンズの射出瞳情報に開放Ｆ値の情報も加味して光導波路の構成を決定するのも有効である。
【００５５】
上記のように、本実施の形態によれば、交換レンズ方式のデジタルカメラシステムにおいて、固体撮像素子の光電変換部上に交換レンズの射出瞳の移動範囲を考慮した光導波路を形成することにより集光効率を高めることによって品位の高い画像を得ることを可能とするとともに、１画素の画素サイズを小さくすることによって高解像度の画像を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】広角レンズをレンズ交換方式のデジタルカメラシステムに装着した場合のデジタルスチルカメラの概略断面図である。
【図２】ＣＭＯＳ型固体撮像素子の構成を示す断面図である。
【図３】撮像光学系とイメージセンサとの位置関係を示す説明図である。
【図４】図２に示す固体撮像素子の光線トレース図である。
【図５】図２に示す固体撮像素子の光線トレース図である。
【図６】図１に示すデジタルカメラシステムにおける入射光束の説明図である。
【図７】望遠レンズをレンズ交換方式のデジタルカメラシステムに装着した場合の入射光束の説明図である。
【図８】従来のＣＣＤ型固体撮像素子の概略断面図である。
【図９】従来のＣＭＯＳ型固体撮像素子の概略断面図である。
【図１０】望遠レンズをレンズ交換方式のデジタルカメラシステムに装着した場合の従来のデジタルスチルカメラの概略断面図である。
【図１】
2006040948.tif 000007
【図２】
2006040948.tif 000008
【図３】
2006040948.tif 000009
【図４】
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【図５】
2006040948.tif 000011
【図６】
2006040948.tif 000012
【図７】
2006040948.tif 000013
【図８】
2006040948.tif 000014
【図９】
2006040948.tif 000015
【図１０】
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