(57)【要約】【課題】  接触抵抗測定用パッドとそれに接触されるプローブとの接触抵抗に関する情報を取得しつつ，半導体集積回路に信号を入出力するパッドとプローブとの間の接触抵抗を計測するための技術を提供する。【解決手段】  本発明による接触抵抗測定方法は，半導体集積回路４に接続されている第１パッド５に第１プローブ２１を接触させるステップと，第１パッド５に電気的に接続されている第２パッド６に第２プローブ２２を接触させるステップと，第１パッド５に電気的に接続されている第３パッド７に第３プローブ２３を接触させるステップと，第１プローブ２１と第２プローブ２２との間の第１抵抗Ｒ１を測定するステップと，第２プローブ２２と第３プローブ２３との間の第２抵抗Ｒ２を測定するステップと，第３プローブ２３と第１プローブ２１との間の第３抵抗Ｒ３を測定するステップと，第１乃至第３抵抗Ｒ１〜Ｒ３に基づいて，第１プローブ２１と第１パッド（５）との間の接触抵抗ｒ１を算出するステップとを備えている。【選択図】  図２
2006038599.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路に接続されている第１パッドに第１プローブを接触させるステップと，
前記第１パッドに電気的に接続されている第２パッドに第２プローブを接触させるステップと，
前記第１パッドに電気的に接続されている第３パッドに第３プローブを接触させるステップと，
前記第１プローブと前記第２プローブとの間の第１抵抗を測定するステップと，
前記第２プローブと前記第３プローブとの間の第２抵抗を測定するステップと，
前記第３プローブと前記第１プローブとの間の第３抵抗を測定するステップと，
前記第１乃至第３抵抗に基づいて，前記第１プローブと前記第１パッドとの間の接触抵抗を算出するステップ
とを備える
接触抵抗測定方法。
【請求項２】
請求項１に記載の接触抵抗測定方法であって，
更に，
前記第１乃至第３抵抗に基づいて，前記第２プローブと前記第２パッドとの間の接触抵抗を算出するステップ
を備える
接触抵抗測定方法。
【請求項３】
請求項１に記載の接触抵抗測定方法であって，
他の半導体集積回路に接続され，且つ，前記第２パッドと前記第３パッドとに電気的に接続されている第４パッドに，第４プローブを接触させるステップと，
前記第４プローブと前記第２プローブとの間の第４抵抗を測定するステップと，
前記第３プローブと前記第４プローブとの間の第５抵抗を測定するステップと，
前記第２抵抗，前記第４抵抗，及び前記第５抵抗に基づいて，前記第４プローブと前記第４パッドとの間の接触抵抗を算出するステップ
とを備える
接触抵抗測定方法。
【請求項４】
請求項１に記載の接触抵抗測定方法であって，
他の半導体集積回路に接続され，且つ，前記第２パッドと前記第３パッドとに電気的に接続されている第４パッドに，第４プローブを接触させるステップと，
前記第２パッドに，第５プローブを接触させるステップと，
前記第３パッドに，第６プローブを接触させるステップと，
前記第４プローブと前記第５プローブとの間の第６抵抗を測定するステップと，
前記第５プローブと前記第６プローブとの間の第７抵抗を測定するステップと，
前記第６プローブと前記第４プローブとの間の第８抵抗を測定するステップと，
前記第６乃至第８抵抗に基づいて，前記第４プローブと前記第４パッドとの間の接触抵抗を算出するステップ
とを備える
接触抵抗測定方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４に記載の接触抵抗測定方法であって，
前記第２パッドと前記第３パッドとは，少なくともその一部が前記半導体集積回路と前記他の半導体集積回路とを分離するためのスクライブレーンに形成されている
接触抵抗測定方法。
【請求項６】
半導体集積回路に接続されている第１パッドに接触される第１プローブと，
前記第１パッドに電気的に接続されている第２パッドに接触される第２プローブと，
前記第１パッドに電気的に接続されている第３パッドに接触される第３プローブと，
前記第１乃至第３プローブに接続されている測定器
とを備え，
前記測定器は，前記第１プローブと前記第２プローブとの間の第１抵抗と，前記第２プローブと前記第３プローブとの間の第２抵抗と，前記第３プローブと前記第１プローブとの間の第３抵抗を測定し，前記第１乃至第３抵抗に基づいて，前記第１プローブと前記第１パッドとの間の接触抵抗を算出する
接触抵抗測定装置。
【請求項７】
請求項６に記載の接触抵抗測定装置であって，
前記測定器は，前記第１乃至第３抵抗に基づいて，前記第２プローブと前記第２パッドとの間の接触抵抗を算出する
接触抵抗測定装置。
【請求項８】
請求項６に記載の接触抵抗測定装置であって，
更に，
他の半導体集積回路に接続され，且つ，前記第２パッドと前記第３パッドとに電気的に接続されている第４パッドに接触される第４プローブを備え，
前記測定器は，前記第４プローブと前記第２プローブとの間の第４抵抗と，前記第３プローブと前記第４プローブとの間の第５抵抗とを測定し，前記第２抵抗，前記第４抵抗，及び前記第５抵抗に基づいて，前記第４プローブと前記第４パッドとの間の接触抵抗を算出する
接触抵抗測定装置。
【請求項９】
請求項６に記載の接触抵抗測定装置であって，
更に，
他の半導体集積回路に接続され，且つ，前記第２パッドと前記第３パッドとに電気的に接続されている第４パッドに接触される第４プローブと，
前記第２パッドに接触される第５プローブと，
前記第３パッドに接触される第６プローブ
とを備え，
前記測定器は，前記第４プローブと前記第５プローブとの間の第６抵抗と，前記第５プローブと前記第６プローブとの間の第７抵抗と，前記第６プローブと前記第４プローブとの間の第８抵抗とを測定し，前記第６抵抗，前記第７抵抗，及び前記第８抵抗に基づいて，前記第４プローブと前記第４パッドとの間の接触抵抗を算出する
接触抵抗測定装置。
【請求項１０】
第１半導体集積回路と，
前記第１半導体集積回路に接続されている第１パッドと，
前記第１パッドに電気的に接続されている第２パッドと，
前記第１パッドに電気的に接続されている第３パッドと，
第２半導体集積回路と，
前記第２半導体集積回路に接続され，且つ，前記第２パッド及び前記第３パッドに電気的に接続されている第４パッド
とを備え，
前記第１半導体集積回路と前記第１パッドは，第１チップとなる領域に設けられ，
前記第２半導体集積回路と前記第４パッドは，第２チップとなる領域に設けられ，
前記第２パッドと前記第３パッドは，前記第１チップと前記第２チップとを分離するスクライブレーンに設けられている
半導体ウェハー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，接触抵抗測定方法，接触抵抗測定装置，及び半導体ウェハーに関し，特に，半導体ウェハーに設けられているパッドとプローブとの間の接触抵抗を測定するための測定技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハーに形成されている半導体集積回路をダイシング前に検査するプローブ検査は，半導体集積回路に接続されているパッドとテスタのプローブとの間の接触抵抗を適切に管理することが重要である。パッドとプローブとの接触抵抗は，プローブの先端の磨耗，汚れ，その他の要因によって増大する。この接触抵抗が大き過ぎると，半導体集積回路の特性を正確に計測することができなくなる。このため，パッドとプローブとの接触抵抗を適宜にモニターし，プローブの先端の状態を適切に保つ必要がある。
【０００３】
パッドとプローブとの接触抵抗を計測する技術が，特開平２−２５１１６２号公報に開示されている。この文献は，半導体集積回路に信号を入出力する入出力パッドとは別に，接触抵抗測定用パッドを半導体チップ上に設け，接触抵抗測定用パッドを用いてパッドとプローブとの接触抵抗を測定する技術を開示している。この公知の技術では，接触抵抗測定用パッドは，一つの入出力パッドあたりに一つずつ用意される。
【０００４】
パッドとプローブとの接触抵抗を計測する他の技術が，特開平８−３３０３６８号公報に開示されている。この文献は，半導体集積回路に信号を入出力する信号パッドとは別に，一つの信号パッドあたりに二つのモニタパッドを半導体チップ上に設け，これらのモニタパッドを用いて信号パッドとプローブとの接触抵抗を測定する技術を開示している。この技術の利点は，モニタパッドとプローブとの間の接触抵抗の影響を除去しながら，信号パッドとプローブとの接触抵抗を測定できることである。
【０００５】
追加的に設けられた接触抵抗測定用パッドを用いて所望のパッドとプローブとの接触抵抗を測定する技術では，接触抵抗測定用パッドとそれに接触されるプローブとの間の接触抵抗の管理ができれば有用である。接触抵抗測定用パッドとそれに接触されるプローブとの接触抵抗の増大は，重大ではないとしても，接触抵抗の測定のために好適ではない。これを避けるためには，接触抵抗測定用パッドとそれに接触されるプローブとの接触抵抗に関する情報を取得し，接触抵抗測定用パッドに接触されるプローブの先端の状態を管理可能にすることは有用である。
【０００６】
このような背景から，接触抵抗測定用パッドと，それに接触されるプローブとの接触抵抗に関する情報を取得できるような，接触抵抗の測定技術が求められている。
【特許文献１】特開平２−２５１１６２号公報
【特許文献２】特開平８−３３０３６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は，接触抵抗測定用パッドとそれに接触されるプローブとの接触抵抗に関する情報を取得しつつ，半導体集積回路に信号を入出力するパッドとプローブとの間の接触抵抗を計測するための技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために，本発明は，以下に述べられる手段を採用する。その手段に含まれる技術的事項の記述には，［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］の記載との対応関係を明らかにするために，［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号・符号が付加されている。但し，付加された番号・符号は，［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【０００９】
本発明による接触抵抗測定方法は，
半導体集積回路（４）に接続されている第１パッド（５）に第１プローブ（２１）を接触させるステップと，
第１パッド（５）に電気的に接続されている第２パッド（６）に第２プローブ（２２）を接触させるステップと，
第１パッド（５）に電気的に接続されている第３パッド（７）に第３プローブ（２３）を接触させるステップと，
第１プローブ（２１）と第２プローブ（２２）との間の第１抵抗（Ｒ１）を測定するステップと，
第２プローブ（２２）と第３プローブ（２３）との間の第２抵抗（Ｒ２）を測定するステップと，
第３プローブ（２３）と第１プローブ（２１）との間の第３抵抗（Ｒ３）を測定するステップと，
第１乃至第３抵抗（Ｒ１〜Ｒ３）に基づいて，第１プローブ（２１）と第１パッド（５）との間の接触抵抗（ｒ１）を算出するステップ
とを備えている。
【００１０】
当該接触抵抗測定方法において測定される第１乃至第３抵抗（Ｒ１〜Ｒ３）には，第１プローブ（２１）と第１パッド（５）との接触抵抗（ｒ１）のみならず，第２プローブ（２２）と第２パッド（６）との接触抵抗（ｒ２），第３プローブ（２３）と第３パッド（７）との接触抵抗（ｒ３）の算出を可能にする情報が含まれている。したがって，本発明による接触抵抗測定方法は，第１プローブ（２１）と第１パッド（５）との接触抵抗（ｒ１）に加え，必要に応じて，第２プローブ（２２）と第２パッド（６）との接触抵抗（ｒ２）及び第３プローブ（２３）と第３パッド（７）との接触抵抗（ｒ３）を算出することができる。
【００１１】
接触抵抗の測定に使用されるパッドの面積の総和を少なくするためには，第２パッド（６），第３パッド（７）が，他の半導体集積回路（８）に接続されている第４パッド（１０）についての接触抵抗（ｒ４）の測定に使用されることが好適である。具体的には，本発明による接触抵抗測定方法は，更に，
他の半導体集積回路（８）に接続され，且つ，第２パッド（６）と第３パッド（７）とに電気的に接続されている第４パッド（１０）に，第４プローブ（２４）を接触させるステップと，
第４プローブ（２４）と第２プローブ（２２）との間の第４抵抗（Ｒ４）を測定するステップと，
第３プローブ（２３）と第４プローブ（２４）との間の第５抵抗（Ｒ５）を測定するステップと，
第２抵抗（Ｒ２），第４抵抗（Ｒ４），及び第５抵抗（Ｒ５）に基づいて，第４プローブ（２４）と第４パッド（１０）との間の接触抵抗（ｒ４）を算出するステップ
とを備えることが好適である。
【００１２】
第１パッド（５）についての接触抵抗（ｒ１）の計測のときに使用される第２プローブ（２２），第３プローブ（２３）とは別のプローブが，第４パッド（１０）についての接触抵抗（ｒ４）の測定に使用され得る。この場合，本発明による接触抵抗測定方法は，
他の半導体集積回路（８）に接続され，且つ，第２パッド（６）と第３パッド（７）とに電気的に接続されている第４パッド（１０）に，第４プローブ（２４）を接触させるステップと，
第２パッド（６）に，第５プローブ（２５）を接触させるステップと，
第３パッド（７）に，第６プローブ（２６）を接触させるステップと，
第４プローブ（２４）と第５プローブ（２５）との間の第６抵抗（Ｒ６）を測定するステップと，
第５プローブ（２５）と第６プローブ（２６）との間の第７抵抗（Ｒ７）を測定するステップと，
第６プローブ（２６）と第４プローブ（２４）との間の第８抵抗（Ｒ８）を測定するステップと，
第６乃至第８抵抗（Ｒ６〜Ｒ８）に基づいて，第４プローブ（２４）と第４パッド（１０）との間の接触抵抗（ｒ４）を算出するステップ
とを備える。
【００１３】
第２パッド（６）と第３パッド（７）とは，少なくともその一部が半導体集積回路（４）と他の半導体集積回路（８）とを分離するためのスクライブレーン（３）に形成されていることが好適である。
【００１４】
他の観点において，本発明による接触抵抗測定装置は，半導体集積回路（４）に接続されている第１パッド（５）に接触される第１プローブ（２１）と，第１パッド（５）に電気的に接続されている第２パッド（６）に接触される第２プローブ（２２）と，第１パッド（５）に電気的に接続されている第３パッド（７）に接触される第３プローブ（２３）と，第１乃至第３プローブ（２１〜２３）に接続されている測定器（２０）とを備えている。測定器（２０）は，第１プローブ（２１）と第２プローブ（２２）との間の第１抵抗（Ｒ１）と，第２プローブ（２２）と第３プローブ（２３）との間の第２抵抗（Ｒ２）と，第３プローブ（２３）と第１プローブ（２１）との間の第３抵抗（Ｒ３）を測定し，第１乃至第３抵抗（Ｒ１〜Ｒ３）に基づいて，第１プローブ（２１）と第１パッド（５）との間の接触抵抗（ｒ１）を算出する。
【００１５】
このような構成によれば，測定器（２０）は，必要がある場合，第１乃至第３抵抗（Ｒ１〜Ｒ３）に基づいて，第２プローブ（２２）と第２パッド（６）との接触抵抗（ｒ２），及び／又は，第３プローブ（２３）と第３パッド（７）との接触抵抗（ｒ３）を算出することができる。
【００１６】
当該接触抵抗測定装置は，更に，他の半導体集積回路（８）に接続され，且つ，第２パッド（６）と第３パッド（７）とに電気的に接続されている第４パッド（１０）に接触される第４プローブ（２４）を備え，測定器（２０）は，第４プローブ（２４）と第２プローブ（２２）との間の第４抵抗（Ｒ４）と，第３プローブ（２３）と第４プローブ（２４）との間の第５抵抗（Ｒ５）とを測定し，第２抵抗（Ｒ２），第４抵抗（Ｒ４），及び第５抵抗（Ｒ５）に基づいて，第４プローブ（２４）と第４パッド（１０）との間の接触抵抗（ｒ４）を算出することが好適である。
【００１７】
他の好適な実施例では，当該接触抵抗測定装置は，他の半導体集積回路（８）に接続され，且つ，第２パッド（６）と第３パッド（７）とに電気的に接続されている第４パッド（１０）に接触される第４プローブ（２４）と，第２パッド（６）に接触される第５プローブ（２５）と，第３パッド（７）に接触される第６プローブ（２６）とを備え，測定器（２０）は，第４プローブ（２４）と第５プローブ（２５）との間の第６抵抗（Ｒ６）と，第５プローブ（２５）と第６プローブ（２６）との間の第７抵抗（Ｒ７）と，第６プローブ（２６）と第４プローブ（２４）との間の第８抵抗（Ｒ８）とを測定し，第６抵抗（Ｒ６），第７抵抗（Ｒ７），及び第８抵抗（Ｒ８）に基づいて，第４プローブ（２４）と第４パッド（１０）との間の接触抵抗（ｒ４）を算出することが好適である。
【００１８】
本発明による半導体ウェハー（１Ａ）は，第１半導体集積回路（４）と，第１半導体集積回路（４）に接続されている第１パッド（５）と，第１パッド（５）に電気的に接続されている第２パッド（６）と，第１パッド（５）に電気的に接続されている第３パッド（７）と，第２半導体集積回路（８）と，第２半導体集積回路（８）に接続され，且つ，第２パッド（６）及び第３パッド（７）に電気的に接続されている第４パッド（１０）とを備えている。第１半導体集積回路（４）と第１パッド（５）は，第１チップとなる領域（２）に設けられ，第２半導体集積回路（８）と第４パッド（１０）は，第２チップとなる領域（８）に設けられ，第２パッド（６）と第３パッド（７）は，第１チップと第２チップとを分離するスクライブレーン（３）に設けられている。このような構成の半導体ウェハー（１Ａ）は，スクライブレーン（３）に占めるパッドの面積の総和を少なくしながら，第１パッド（５）と第４パッド（１０）についての接触抵抗（ｒ１，ｒ４）の測定をするために好適である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば，接触抵抗測定用パッドとそれに接触されるプローブとの接触抵抗に関する情報を取得しつつ，半導体集積回路に信号を入出力するパッドとプローブとの間の接触抵抗を計測するための技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は，本発明の実施の一形態においてプローブの接触抵抗の測定の対象となる半導体ウェハー１の構造を示す平面図である。半導体ウェハー１は，チップ領域２と，スクライブレーン３とを備えている。チップ領域２とは，ダイシング後に半導体チップとして使用される領域であり，チップ領域２には，半導体集積回路４とパッド５とが形成されている。パッド５は半導体集積回路４に接続されており，半導体集積回路４への信号の入出力に使用される。半導体集積回路４のプローブ検査が行われる場合，パッド５にプローブが接触される。スクライブレーン３とは，半導体ウェハー１をダイシングするときに使用される切り代として使用される領域である。
【００２１】
パッド５とプローブとの間の接触抵抗を測定するために，半導体ウェハー１には，補助パッド６，７が設けられている。補助パッド６，７は，パッド５とプローブとの間の接触抵抗の測定に使用されるパッドであり，補助パッド６，７は，パッド５に電気的に接続されている。
【００２２】
補助パッド６，７は，少なくともその一部がスクライブレーン３に設けられることが好適であり，その全体がスクライブレーン３に設けられることが更に好適である；図１には，補助パッド６，７の全体が，スクライブレーン３に設けられている半導体ウェハー１の構造が図示されている。補助パッド６，７は，半導体集積回路４への信号の入出力のためには不要である。かかる補助パッド６，７をスクライブレーン３に設けることは，チップ領域２の縮小に有効である。
【００２３】
図２は，プローブ検査の際に，パッド５とプローブとの間の接触抵抗を測定する方法を示す概念図である。プローブ検査の際には，パッド５にプローブ２１が接触される。半導体集積回路４を試験するテスタ２０は，プローブ２１を介して，半導体集積回路４に信号を供給し，及び／又は，半導体集積回路４から信号を受け取る。
【００２４】
パッド５とプローブ２１との間の接触抵抗を測定するために，補助パッド６，７に，それぞれ補助プローブ２２，１３が接触される。補助パッド６，７及び補助プローブ２２，２３を用いて，パッド５とプローブ２１との間の接触抵抗が測定される。
【００２５】
図３は，パッド５とプローブ２１との間の接触抵抗の測定方法を具体的に示す等価回路図である。図３において，ｒ１は，パッド５とプローブ２１との間の接触抵抗を示しており，ｒ２は，補助パッド６と補助プローブ２２との間の接触抵抗を示しており，ｒ３は，補助パッド７と補助プローブ２３との間の接触抵抗を示している。
【００２６】
まず，テスタ２０により，プローブ２１と補助プローブ２２との間の抵抗Ｒ１，補助プローブ２２，２３の間の抵抗Ｒ２，及び補助プローブ２３とプローブ２１との間の抵抗Ｒ３が計測される。プローブ２１と補助プローブ２２との間の抵抗Ｒ１が測定される場合，補助プローブ２３はハイインピーダンス状態にされる。同様に，補助プローブ２２，２３の間の抵抗Ｒ２が測定される場合，プローブ２１はハイインピーダンス状態にされ，補助プローブ２３とプローブ２１の間の抵抗Ｒ３が測定される場合，補助プローブ２２はハイインピーダンス状態にされる。
【００２７】
プローブ２１と補助プローブ２２との間の抵抗Ｒ１は，プローブ２１とパッド５との間の接触抵抗ｒ１と，補助プローブ２２と補助パッド６との間の接触抵抗ｒ２との和である。同様に，補助プローブ２２，２３の間の抵抗Ｒ２は，上記の接触抵抗ｒ２と，補助プローブ２３と補助パッド７との間の接触抵抗ｒ２との和であり，補助プローブ２３とプローブ２１との間の抵抗Ｒ３は，接触抵抗ｒ３と接触抵抗ｒ１との和である。言い換えれば，下記式（１ａ）〜（１ｃ）が成立する：
Ｒ１＝ｒ１＋ｒ２，              ・・・（１ａ）
Ｒ２＝ｒ２＋ｒ３，              ・・・（１ｂ）
Ｒ３＝ｒ３＋ｒ１．              ・・・（１ｃ）
【００２８】
式（１ａ）乃至（１ｃ）から
ｒ１＋ｒ２＋ｒ３＝（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３）／２，      ・・・（２）
が得られる。
【００２９】
式（２）と式（１ｂ）から，プローブ２１とパッド５との間の接触抵抗ｒ１が下記式（３）によって得られる：
ｒ１＝（Ｒ１−Ｒ２＋Ｒ３）／２．            ・・・（３）
以上で，プローブ２１とパッド５との間の接触抵抗ｒ１の測定が完了する。
【００３０】
上記の接触抵抗の測定方法の利点は，補助パッド６と補助プローブ２２との間の接触抵抗ｒ２は，補助パッド７と補助プローブ２３との間の接触抵抗ｒ３を測定するための情報が得られていることである。必要がある場合には，下記式（４ａ），（４ｂ）によって接触抵抗ｒ２，接触抵抗ｒ３を算出可能である。
ｒ２＝（Ｒ１＋Ｒ２−Ｒ３）／２，            ・・・（４ａ）
ｒ３＝（−Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３）／２．          ・・・（４ｂ）
接触抵抗ｒ２，接触抵抗ｒ３を算出可能であることは，補助プローブ２２，補助プローブ２３を適切に管理するために有用である。
【００３１】
図４は，本発明の実施の他の形態においてプローブの接触抵抗の測定の対象となる半導体ウェハー１Ａの構造を示す平面図である。本実施の形態では，隣接する２つのチップ領域２，８について，パッドとプローブとの間の接触抵抗が計測される。チップ領域８に設けられているパッドのうち，チップ領域２の側に位置するものは，パッド１０と記載され，チップ領域２と異なる側に位置するものは，パッド１１と記載されている。パッド１０，１１は，いずれも半導体集積回路９に信号を入出力するために使用されるパッドである。チップ領域２と異なる側に位置するパッド１１には，補助パッド１２，１３が電気的に接続され，パッド１１とプローブとの接触抵抗の測定には，補助パッド１２，１３が使用される。一方，チップ領域２の側に位置するパッド１０とプローブとの接触抵抗の測定には，チップ領域２，８の間に位置する補助パッド６，７が使用される；補助パッド６，７は，チップ領域２に位置するパッド５とプローブとの間の接触抵抗の計測と，チップ領域８に位置するパッド１０とプローブとの間の接触抵抗の計測の両方に使用される。補助パッド６，７を２つのチップ領域２，８に設けられているパッド５，１０についての接触抵抗の測定に使用する構造は，接触抵抗の測定に必要な補助パッドの面積の総和を小さくするために有効である。スクライブレーン３に占める補助パッドの面積をより小さくことは，特に，チップ領域２，８に，接触抵抗が測定されるパッドが多数設けられている場合に重要である。
【００３２】
図５は，チップ領域８に設けられているパッド１０についての接触抵抗ｒ４の測定方法を示す概念図である。パッド５にプローブ２１が，補助パッド６，７に補助プローブ２２，２３が接触されると共に，パッド１０にプローブ２４が接触される。更に，図６に示されているように，抵抗Ｒ１〜Ｒ３の測定に加え，プローブ２４と補助プローブ２２の間の抵抗Ｒ４，及びプローブ２４と補助プローブ２３の間の抵抗Ｒ５が追加的に計測される。上記の実施形態と同様に，４本のプローブのうち抵抗の測定に関与しない２本のプローブはハイインピーダンス状態にされる。抵抗Ｒ４，Ｒ５は，下記式（５ａ），（５ｂ）によって表される：
Ｒ４＝ｒ４＋ｒ２，              ・・・（５ａ）
Ｒ５＝ｒ３＋ｒ４．              ・・・（５ｂ）
【００３３】
式（１ｂ），（５ａ），（５ｂ）から，パッド１０とプローブ２４の接触抵抗ｒ４が，下記式（６）のように得られる：
ｒ４＝（−Ｒ２＋Ｒ４＋Ｒ５）／２．      （６）
このように，本実施の形態では，補助パッド６，７が，チップ領域２に設けられているパッド５と，チップ領域２に隣接するチップ領域８に設けられているパッド１０についての接触抵抗の測定に兼用可能である。
【００３４】
図７に示されているように，パッド１０についての接触抵抗の測定の際，チップ領域２のパッド５の計測に使用される補助プローブ２２，２３とは別の補助プローブ２５，２６が，補助パッド６，７に接触されることが可能である。この場合，図８に示されているように，パッド１０とプローブ２４との接触抵抗ｒ４は，プローブ２４と補助プローブ２５との間の抵抗Ｒ６，補助プローブ２５，２６の間の抵抗Ｒ７，及び補助プローブ２６とプローブ２４との間の抵抗Ｒ８から算出される。具体的には，接触抵抗ｒ４は，下記式（７）：
ｒ４＝（Ｒ６−Ｒ７＋Ｒ８）／２．            ・・・（７）
によって得られる。式（７）の導出の過程は，式（３）の導出の過程と同様である。当業者であれば，式（７）を容易に導出できよう。
【００３５】
この場合でも，補助パッド６と補助プローブ２５との接触抵抗ｒ５，補助パッド７と補助プローブ２６との接触抵抗ｒ６の算出に必要な情報が取得されていることは，当業者であれば理解されよう。
【００３６】
以上に説明されているように，上述の実施の２つの形態の接触抵抗測定方法は，接触抵抗測定用に使用される補助パッドとそれに接触される補助プローブとの接触抵抗に関する情報を取得しつつ，半導体集積回路に信号を入出力するパッドとプローブとの間の接触抵抗を計測することができる。加えて，図４に係る実施の形態では，接触抵抗の測定に必要な補助パッドの面積の総和を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１は，本発明による実施の一形態に係る半導体ウェハーの構造を示す概念図である。
【図２】図２は，本発明による実施の一形態に係る接触抵抗測定方法を示す概念図である。
【図３】図３は，本発明による実施の一形態に係る接触抵抗測定方法を示す等価回路図である。
【図４】図４は，本発明による実施の他の形態に係る半導体ウェハーの構造を示す概念図である。
【図５】図５は，実施の他の形態に係る接触抵抗測定方法を示す概念図である。
【図６】図６は，実施の他の形態に係る接触抵抗測定方法を示す等価回路図である。
【図７】図７は，実施の更に他の形態に係る接触抵抗測定方法を示す概念図である。
【図８】図８は，実施の更に他の形態に係る接触抵抗測定方法を示す等価回路図である。
【符号の説明】
【００３８】
１，１Ａ：半導体ウェハー
２：チップ領域
３：スクライブレーン
４：半導体集積回路
５：パッド
６，７：補助パッド
８：チップ領域
９：半導体集積回路
１０，１１：パッド
１２，１３：補助パッド
２０：テスタ
２１：プローブ
２２，２３：補助プローブ
２４：プローブ
２５，２６：補助プローブ
【図１】
2006038599.tif 000003
【図２】
2006038599.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006038599.tif 000006
【図５】
2006038599.tif 000007
【図６】
2006038599.tif 000008
【図７】
2006038599.tif 000009
【図８】
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