(57)【要約】【課題】本発明は、スペーサの熱伸張変形を抑制して破断を防止し、信頼性の向上化を得られるとともに、急加熱処理を可能として、生産性の向上を図れる画像表示装置の製造装置を提供する。【解決手段】背面基板４の一面側ａに形成されるパターン面に取付けられるスペーサ８と所定間隔を存して対向配置され、背面基板のパターン面とスペーサに対して熱線を放射する上部加熱源３０Ａと、背面基板の他面側ｂに所定間隔を存して対向配置され、背面基板他面に対して熱線を放射する下部加熱源３０Ｂと、上部加熱源とスペーサとの間に介在され、背面基板のパターン面とスペーサとの分光透過率特性の相違を利用して熱線の波長を選択的に吸収し、残りの波長の熱線を透過させて背面基板およびスペーサに導くフィルターガラス４０とを具備する。【選択図】  図４
2006093039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置される背面基板および前面基板と、これら背面基板と前面基板との間に介在され、背面基板と前面基板の外側から作用する大気圧荷重を支持するとともに、基板相互間の間隔を所定値に保持するスペーサとを有する外囲器を備えた画像表示装置であり、
一面側にパターン面が形成された上記背面基板および、この背面基板のパターン面側に取付けられた上記スペーサに対して加熱処理をなす画像表示装置の製造装置において、
上記背面基板のパターン面側で、上記スペーサと所定間隔を存して対向配置され、背面基板のパターン面とスペーサに対して熱線を放射する第１の加熱源と、
上記背面基板の他面側に所定間隔を存して対向配置され、背面基板他面に対して熱線を放射する第２の加熱源と、
上記第１の加熱源とスペーサとの間に介在され、上記背面基板のパターン面とスペーサとの分光透過率特性の相違を利用して熱線の波長を選択的に吸収し、残りの波長の熱線を透過させて背面基板およびスペーサに導くフィルタと
を具備することを特徴とする画像表示装置の製造装置。
【請求項２】
上記第１の加熱源は、可視光側にピーク波長を有するハロゲンランプヒータが用いられ、
上記フィルタは、上記スペーサの分光透過率特性と同等の分光透過率特性を有することを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の製造装置。
【請求項３】
上記フィルタは、その表面に、上記スペーサの表面に形成される導電膜と同一の導電膜が形成されることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の製造装置。
【請求項４】
対向配置される背面基板および前面基板と、これら背面基板と前面基板との間に介在され、背面基板と前面基板の外側から作用する大気圧荷重を支持するとともに、基板相互間の間隔を所定値に保持するスペーサとを有する外囲器を備えた画像表示装置であり、
一面側にパターン面が形成された上記背面基板および、この背面基板のパターン面側に取付けられた上記スペーサに対して加熱処理をなす画像表示装置の製造装置において、
上記背面基板のパターン面側で、上記スペーサと所定間隔を存して対向配置され、背面基板のパターン面とスペーサに対して熱線を放射する第１の加熱源と、
上記背面基板の他面側に所定間隔を存して対向配置され、背面基板他面に対して熱線を放射する第２の加熱源とを具備し、
上記第１の加熱源は、上記背面基板のパターン面の分光透過率特性と一致する分光透過率特性の波長の熱線のみを放射することを特徴とする画像表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向配置される背面基板と前面基板および、これらの間に介在されるスペーサを有する外囲器を備えた画像表示装置を製造する製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示装置として、効率的な空間利用あるいはデザイン的な要素から、平面型の画像表示装置が注目されている。中でも、フィールド・エミッション・デバイス（以下、ＦＥＤと称する）のような電子放出型の画像表示装置は、高輝度、高分解能、低消費電力等のメリットから優れたディスプレイであると期待されている。  
また、前記ＦＥＤの一種として、たとえば［特許文献１］に開示されているように、表面伝導型の表示素子である電子放出素子を備えた表示装置（以下、ＳＥＤと称する）の開発が進められている。
【０００３】
上記ＳＥＤは、所定の隙間を存して対向配置された前面基板および背面基板を有する。これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部を互いに接合され、内部を真空にされて扁平な平面パネル構造の真空外囲器を構成している。  
前面基板の内面には３色の蛍光体層が形成され、背面基板の内面には、蛍光体層を励起発光させる電子の放出源として、画素毎に対応する多数の電子放出素子が整列配置されている。また、背面基板の内面上には、電子放出素子を駆動するための多数本の配線がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器の外部に引き出されている。
【特許文献１】特開平９−８２２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記ＳＥＤを製造するにあたって、電子放出素子が形成された背面基板の周縁部と矩形枠状の側壁とを大気中で、フリットガラスと呼ばれる低融点ガラス接着材を介して接合する。さらに、大気中で、背面基板上に複数のスペーサを低融点ガラス材により封着する。その後、背面基板と前面基板は、各部材の表面に吸着しているガスを充分に放出させるために加熱処理する、いわゆるベーキング処理が真空雰囲気中で行なわれ、そのあと、冷却処理がなされる。  
さらに、前面基板の蛍光体スクリーンにゲッター膜が蒸着され、つぎに背面基板と前面基板は加熱されて、それぞれの封着面に充填されたインジウムが溶融する。背面基板と前面基板は側壁を介して接合され、所定の圧力で加圧した後、インジウムを除冷して固化させることにより、背面基板と前面基板は側壁を介して互いに封着される。  
ところで、問題は、背面基板にスペーサを取付けたうえでベーキング処理をなす際に、背面基板に対するスペーサの熱伸張変形を確実に抑制して、スペーサの破断を防止することにあり、信頼性の向上を得る必要がある。すなわち、このベーキング処理にあたって、処理時間を短縮して生産性を上げるため、加熱源であるランプヒータを用いて背面基板とスペーサを急加熱処理している。
【０００５】
しかしながら、背面基板に対して個々のスペーサが放熱フィン状に取付けられていて、背面基板の熱容量よりもスペーサの熱容量は極めて小さい。これらの熱容量差から、急加熱処理をなすと、スペーサが背面基板よりも先に高温化して、背面基板よりも大きく伸張してしまう。  
このように、背面基板とスペーサとの間の温度差は大であり、スペーサの伸張度が大きいので、スペーサが背面基板のパターン面あるいは電子放出素子を傷付け、スペーサ自体の破損に至ることがある。急加熱を止めて、時間をかけたベーキング処理をなすこともできるが、今度は、生産性が低下してしまう。
【０００６】
本発明は上記事情に着目してなされたものであり、その目的とするところは、背面基板にスペーサを接合したうえでベーキング処理をなす際の背面基板に対するスペーサの熱伸張変形を抑制して、スペーサの破断を防止し、信頼性の向上化を得られるとともに、急加熱処理を可能として、生産性の向上を図れる画像表示装置の製造装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的を満足するため本発明は、対向配置される背面基板および前面基板と、これら背面基板と前面基板との間に介在され背面基板と前面基板の外側から作用する大気圧荷重を支持するとともに基板相互間の間隔を所定値に保持するスペーサとを有する外囲器を備えた画像表示装置であり、一面側にパターン面が形成された上記背面基板および背面基板のパターン面側に取付けられたスペーサに対して加熱処理をなす画像表示装置の製造装置において、  
背面基板のパターン面側でスペーサと所定間隔を存して対向配置され背面基板のパターン面とスペーサに対して熱線を放射する第１の加熱源と、背面基板の他面側に所定間隔を存して対向配置され背面基板他面に対して熱線を放射する第２の加熱源と、第１の加熱源とスペーサとの間に介在され背面基板のパターン面とスペーサとの分光透過率特性の相違を利用して熱線の波長を選択的に吸収し、残りの波長の熱線を透過させて背面基板およびスペーサに導くフィルタとを具備する。
【０００８】
さらに本発明は、対向配置される背面基板および前面基板と、これら背面基板と前面基板との間に介在され背面基板と前面基板の外側から作用する大気圧荷重を支持するとともに基板相互間の間隔を所定値に保持するスペーサとを有する外囲器を備えた画像表示装置であり、一面側にパターン面が形成された背面基板および背面基板のパターン面側に取付けられたスペーサに対して加熱処理をなす画像表示装置の製造装置において、  
背面基板のパターン面側でスペーサと所定間隔を存して対向配置され背面基板のパターン面とスペーサに対して熱線を放射する第１の加熱源と、背面基板の他面側に所定間隔を存して対向配置され背面基板他面に対して熱線を放射する第２の加熱源とを具備し、第１の加熱源は背面基板のパターン面の分光透過率特性と一致する分光透過率特性の波長の熱線のみを放射する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、背面基板に対するスペーサの熱伸張変形を抑制して、スペーサの破断を防止し、信頼性の向上化を得られるとともに、急加熱処理を可能として生産性の向上を図れるなどの効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下図面を参照しながら、本発明に係る平面型画像表示装置を製造する工程に適用した実施形態について詳細に説明する。  
はじめに、図１ないし図３を参照し、平面型画像表示装置の一例として、ＳＥＤ（Surface-conduction Electron-emitter Display）について説明する。  
図１は、前面基板２を部分的に切り欠いた状態のＳＥＤの真空外囲器（以下、表示パネルと称する場合もある）１０を示す斜視図であり、図２は、図１の真空外囲器１０を線分II-IIで切断した断面図であり、図３は、図２の断面を部分的に拡大した部分拡大断面図である。
【００１１】
図１ないし図３に示すように、表示パネル１０は、それぞれ矩形のガラス板からなる前面基板２および背面基板４を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間をおいて互いに平行に対向配置されている。なお、背面基板４は、前面基板２より１回り大きいサイズを有する。前面基板２および背面基板４は、ガラス材からなる矩形枠状の側壁６を介して周縁部同士が接合され、内部が真空の扁平な平面パネル構造の真空外囲器を構成している。  
前面基板２の内面には画像表示面として機能する蛍光体スクリーン１２が形成されている。この蛍光体スクリーン１２は、赤、青、緑の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および遮光層１１を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状あるいはドット状に形成されている。また、蛍光体スクリーン１２上には、アルミニウム等からなるメタルバック１４が形成されている。
【００１２】
背面基板４の内面には、蛍光体スクリーン１２の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起発光させるための電子を放出する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の表示素子であるところの電子放出素子１６が設けられている。これらの電子放出素子１６は、画素毎、すなわち蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ毎に対応して複数列および複数行に配列されている。  
各電子放出素子１６は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、背面基板４の内面上には、各電子放出素子１６に駆動電圧を与えるための多数本の配線１８がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器１０の外部に引き出されている。
【００１３】
接合部材として機能する側壁６は、たとえば、低融点ガラス材、低融点金属材等の封着材２０により、前面基板２の周縁部および背面基板４の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。ここでは、背面基板４と側壁６相互をフリットガラス２０ａを用いて接合し、前面基板２と側壁６相互をインジウム２０ｂを用いて接合した。なお、配線１８のある背面基板４と側壁６を低融点金属材で封着する場合は、配線１８と封着材２０の電気ショートを避けるため、中間層として絶縁層を設ける必要がある。  
また、表示パネル１０は、前面基板２と背面基板４の間にガラスからなる複数の細長い板状のスペーサ８を備えている。本実施の形態において、スペーサ８は、複数の細長いガラス板としたが、矩形板状の金属板からなるグリッド（図示せず）と、グリッドの両面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサ（図示せず）と、で構成してもよい。
【００１４】
各スペーサ８は、上述したメタルバック１４、および蛍光体スクリーン１２の遮光層１１を介して前面基板２の内面に当接する上端８ａ、および背面基板４の内面上に設けられた配線１８上に当接する下端８ｂを有する。これら複数のスペーサ８は、前面基板２および背面基板４の外側から作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。  
さらに、ＳＥＤは、前面基板２のメタルバック１４と背面基板４との間にアノード電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。電圧供給部は、例えば、背面基板４の電位を０Ｖに設定し、メタルバック１４の電位を１０ｋＶ程度にするよう、両者の間にアノード電圧を印加する。
【００１５】
そして、上記ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、配線１８に接続した図示しない駆動回路を介して電子放出素子１６の素子電極間に電圧を与え、任意の電子放出素子の電子放出部から電子ビームを放出するとともに、メタルバック１４にアノード電圧を印加する。電子放出部から放出された電子ビームは、アノード電圧により加速され、蛍光体スクリーン１２に衝突する。これにより、蛍光体スクリーン１２の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂが励起されて発光し、カラー画像を表示する。  
このようなＳＥＤを製造するのにあたって、背面基板４にフリットガラス２０ａと呼ばれる低融点ガラス接着剤を介して側壁６を接合する。この状態で、背面基板４には電子放出素子１６および配線１８の処理がなされ、前面基板２には蛍光体スクリーン１２およびメタルバック１４が形成されている。
【００１６】
スペーサ８が取付けられた背面基板４と、前面基板２は真空雰囲気としたチャンバに送られ、後述するようにベーキング処理がなされる。すなわち、チャンバを１０−５Ｐａ程度の高真空度に達した時点で、背面基板と前面基板を３００℃程度の温度にベーキングし、各基板４，２の表面吸着ガスを充分に放出させる。  
ついで、背面基板４と前面基板２を、たとえば約１００℃の温度まで冷却してから、背面基板４と前面基板２に対するゲッター膜の蒸着処理がなされ、蛍光体スクリーン１２およびメタルバック１４上にゲッター膜としてのＢａ膜が蒸着形成される。このＢａ膜は、表面が酸素や炭素などで汚染されることが防止され、活性状態を維持することができる。そして、背面基板４と前面基板２は真空雰囲気のチャンバへ送られ、真空雰囲気中で背面基板４と前面基板２とが側壁６を介して封着処理される。
【００１７】
以下、背面基板４と、この内面である一面側ａに取付けられるスペーサ８に対するベーキング処理について説明する。  
図４は、ベーキング処理の状態を模式的に示している。  
真空雰囲気となっている図示しないベーキング室には、上下に所定の間隔を存して対向し、互いに平行な第１の加熱源である上部加熱源３０Ａと、第２の加熱源である下部加熱源３０Ｂとが配置される。上部加熱源３０Ａと下部加熱源３０Ｂともに、互いの加熱面Ｋを、互いに対向させている。  
これら上部加熱源３０Ａと下部加熱源３０Ｂとの加熱面Ｋ相互間に、一面側（内面）ａにスペーサ８が取付けられる背面基板４が介挿配置される。実際には、上記スペーサ８は背面基板４の上面側にあり、このスペーサ８と上部加熱源３０Ａと間には、後述するフィルターガラス４０が介在される。また、背面基板４の他面側ｂには取付けられる部材がなく、この背面基板４の他面側ｂに所定間隔を存して下部加熱源３０Ｂが配置される。
【００１８】
上記フィルターガラス４０は、背面基板４の一面側ａに設けられる上記電子放出素子１６や、各電子放出素子に駆動電圧を与えるための多数本の配線１８からなるパターン面と、背面基板に取付けられるスペーサ８との分光透過率特性の相違を利用して熱線の波長を選択的に吸収し、残りの波長の熱線を透過させて、第１の加熱源３０Ａから照射される熱線を背面基板４とスペーサ８に導く作用をなす。  
なお説明すると、上記第１の加熱源３０Ａおよび第２の加熱源３０Ｂは、可視光側にピーク波長を有するハロゲンランプヒータが用いられ、上記フィルターガラス４０の分光透過率特性は、スペーサ８と同等の分光透過率特性を有する。そのため、フィルターガラス４０を透過する波長領域のハロゲンランプヒータ３０Ａからの熱線はスペーサ８には吸収されず、背面基板４を加熱することになる。
【００１９】
具体的には、ハロゲンランプヒータ３０Ａを点灯することにより、遠赤外線光から可視光および近赤外線光に亘る全範囲の光がフィルターガラス４０を照射する。一方、上記スペーサ８は遠赤外線光を吸収し、可視光および近赤外線光を透過させる分光透過率特性を備えている。  
上記フィルターガラス４０においても、スペーサ８と同等の分光透過率特性を備えているところから、遠赤外線光を吸収し、可視光および近赤外線光を透過させる。これに対して、上記背面基板４のスペーサ８取付け面である一面側ａにはパターン面が設けられていて、特に可視光と近赤外線光を効率よく吸収する特性を備えるよう形成される。
【００２０】
このような条件のもとで、ベーキング処理が行われる。  
上述したように所定間隔を存して対向配置される、ハロゲンランプヒータである上部加熱源３０Ａおよび下部加熱源３０Ｂとの間に、一面側ａにスペーサ８を取付けた背面基板４を配置するとともに、スペーサ８と上部加熱源３０Ｂとの間にフィルターガラス４０を介在させたうえで、上部加熱源３０Ａおよび下部加熱源３０Ｂから熱線を照射する。  
下部加熱源３０Ｂから放射される熱線は、図に二重大矢印で示すように、全て背面基板４の下面に直接導かれて照射し、背面基板４下面を加熱する。上部加熱源３０Ａから放射される熱線は、図に大矢印で示す可視光および近赤外線光と、図にハッチング入り矢印で示す遠赤外線光であり、これら全てはフィルターガラス４０を照射する。
【００２１】
上述したように、フィルターガラス４０はスペーサ８と同等の分光透過率特性を有しているので、遠赤外線光を吸収して加熱され、温度上昇する。その一方で、可視光と近赤外線光は透過して、これら透過光は背面基板４とスペーサ８を照射する。  
特性上、スペーサ８は遠赤外線光を吸収するが、可視光と近赤外線光は吸収しないので、加熱されない。これに対して、背面基板４に形成されるパターン面は、可視光と近赤外線光を吸収する特性を有しているので、効率よく加熱される。  
背面基板４は下部加熱源３０Ｂによって他面側ｂからも加熱され、これに加えて上部加熱源３０Ａからもフィルターガラス４０を透過した熱線である可視光および近赤外線光によって加熱され、背面基板４自体は急加熱されることとなり、早急に温度上昇化する。
【００２２】
また、フィルターガラス４０は遠赤外線光のみを吸収して、ある程度の温度上昇があり、ここから実線矢印に示すように輻射熱が放出される。スペーサ８は、フィルターガラス４０からの輻射熱である、２次的に放射される熱線で加熱されて温度上昇する。さらに、背面基板４にスペーサ８が取付けられているので、背面基板４が加熱されることで、ある程度の熱がスペーサ８に伝熱される。  
上記スペーサ８の熱容量は背面基板４の熱容量に対して小さく形成されているが、スペーサ８が受ける熱量は背面基板４が受ける熱量に比較して少ないから、結局、スペーサ８に対する加熱温度は背面基板４に対する加熱温度と、ほとんど同温度に上昇する。  
したがって、同一の熱源を用いて、熱容量の大きな背面基板４には多くの熱エネルギーを投入し、熱容量の小さいスペーサ８には吸収されるエネルギーを少なくすることで、背面基板４とスペーサ８との温度差が軽減され、これにより背面基板４に対するスペーサ８の伸長量が小さくてすみ、スペーサを破損させること無く、背面基板４を短時間で急加熱処理をなすことができる。
【００２３】
なお、背面基板４に取付けられるスペーサ８の表面には、背面基板のパターン面に取付けられる電子放出素子１６から放出される電子の軌道を変えないように等の条件から、導電膜がコーティングされている。無色透明のガラス材からなるスペーサ８は、導電膜コーティングがなされることにより赤茶色に形成されている。  
したがって、フィルターガラス４０としては、ガラスの分光透過率特性の可視光領域において赤茶色の光が透過する処理をなせば、先に説明したような作用効果が得られる。すなわち、上記フィルターガラス４０は、その表面に、上記スペーサ８の表面に形成される導電膜と同一の導電膜を形成するようにしてもよい。  
さらに、フィルターガラス４０の表面に、可視光領域で０．７μｍの波長領域が多く透過するバンドパスのダイクロイックフィルターを形成させることでも、先に説明したような作用効果が得られる。
【００２４】
図５に模式的に示すような、ベーキング処理を行ってもよい。  
真空雰囲気となっている図示しないベーキング室には、上下に所定の間隔を存して対向し、互いに平行な第１の加熱源である上部加熱源３０Ｃと、第２の加熱源である下部加熱源３０Ｂとが配置される。上部加熱源３０Ｃと下部加熱源３０Ｂともに、互いの加熱面Ｋを、互いに対向させている。  
これら上部加熱源３０Ｃと下部加熱源３０Ｂとの加熱面Ｋ相互間に、一面側ａにスペーサ８が取付けられる背面基板４が介挿配置される。ここでは、背面基板４の上面側にスペーサ８が取付けられている。また、背面基板４の他面側ｂには取付けられる部材がなく、この背面基板４の他面側に所定間隔を存して下部加熱源３０Ｂが配置される。
【００２５】
なお説明すると、上記上部加熱源３０Ｃおよび下部加熱源３０Ｂは、可視光側にピーク波長を有するハロゲンランプヒータが用いられる。特に、下部加熱源３０Ｂであるハロゲンランプヒータは、発熱することにより遠赤外線光から可視光および近赤外線光に亘る全範囲の光が背面基板４を照射する。  
一方、上部加熱源３０Ｃであるハロゲンランプヒータは、その波長特性がスペーサ８と同等の分光透過率特性を有していて、このヒータから照射される熱線はスペーサには吸収されず、背面基板４を加熱する。  
具体的には、上部加熱源３０Ｃを点灯することにより、遠赤外線光を除く、可視光および近赤外線光が背面基板４とスペーサ８を照射する。一方、上記スペーサ８は遠赤外線光を吸収し、可視光および近赤外線光を透過させる分光透過率特性を備えている。これに対して、上記背面基板４のスペーサ８取付け面である一面側ａに形成されるパターン面は、特に可視光と近赤外線光を効率よく吸収する特性を備えるよう形成される。
【００２６】
このような条件のもとで、ベーキング処理が行われる。  
上述したように所定間隔を存して対向配置される、ハロゲンランプヒータである上部加熱源３０Ｃおよび下部加熱源３０Ｂとの間に、一面側ａにスペーサ８を取付けた背面基板４を配置させたうえで、上部加熱源３０Ｃおよび下部加熱源３０Ｂから熱線を照射する。  
下部加熱源３０Ｂから放射される熱線は、図に二重大矢印で示すように、全て背面基板４の下面に直接導かれて照射し、背面基板４下面を加熱する。上部加熱源３０Ｃから放射される熱線は、図にハッチング入り矢印で示す可視光と近赤外線光であり、これら全ては背面基板４およびスペーサ８を照射する。
【００２７】
上述したように、上部加熱源３０Ｃはスペーサ８と同等の分光透過率特性を有していて、遠赤外線光は発光せず、可視光と近赤外線光を発光する。そして、スペーサ８は遠赤外線光を吸収するが可視光と近赤外線光は吸収しないので、上部加熱源３０Ｃによる加熱がなされない。これに対して、背面基板４の一面側ａに形成されるパターン面は可視光と近赤外線光を吸収する特性を有しているので、効率よく加熱される。  
また、背面基板４は下部加熱源３０Ｂによって他面側ｂから加熱され、これに加えて上部加熱源３０Ｃからも可視光および近赤外線光によって加熱されているので、背面基板４自体は急加熱され、早急に温度上昇化する。上記スペーサ８は、背面基板４が加熱されることで、ある程度の熱が伝熱される。
【００２８】
上記スペーサ８の熱容量は背面基板４の熱容量に対して小さく形成されているが、スペーサ８が受ける熱量は背面基板４が受ける熱量に比較して少ないから、結局、スペーサ８における加熱温度は背面基板４に対する加熱温度と、ほとんど同温度に上昇する。  
したがって、熱容量の大きな背面基板４には多くの熱エネルギーを投入し、熱容量の小さいスペーサには吸収されるエネルギーを少なくすることで、背面基板４とスペーサ８との温度差が軽減され、これにより背面基板４に対するスペーサ８の伸長量が小さくてすみ、スペーサを破損させること無く、背面基板４を短時間で急加熱処理をなすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明における実施の形態に係る、ＳＥＤの真空外囲器を示す外観斜視図。
【図２】同実施の形態に係る、図１の真空外囲器を線分II―IIに沿って切断した断面斜視図。
【図３】同実施の形態に係る、図２の断面を部分的に拡大して示す部分拡大断面図。
【図４】同実施の形態のベーキング処理を説明する模式図。
【図５】異なる実施の形態のベーキング処理を説明する模式図。
【符号の説明】
【００３０】
４…背面基板、２…前面基板、８…スペーサ、３０Ａ…上部加熱源（第１の加熱源）、３０Ｂ…下部加熱源（第２の加熱源）、４０…フィルターガラス。
【図１】
2006093039.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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