(57)【要約】【課題】  ダイシングの際に発生するダメージが半導体チップ領域に伝わるのを抑止する。【解決手段】  半導体チップ領域間にＸ軸方向とＹ軸方向に伸びるダイシング領域を有する半導体ウェハに対して、前記半導体チップ領域と前記Ｘ軸若しくはＹ軸の一方の軸方向のダイシング領域との境界の該一方の軸方向のダイシング領域側に第１の溝を形成する工程と、前記半導体チップ領域と前記他方の軸方向のダイシング領域との境界の該他方のダイシング領域側に第２の溝を形成する工程と、前記第１の溝を含むように前記一方の軸方向のダイシング領域をダイシングし、前記第２の溝を含むように前記他方の軸方向のダイシング領域をダイシングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】  図５
2006108489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ領域間にＸ軸方向とＹ軸方向に伸びるダイシング領域を有する半導体ウェハに対して、
前記半導体チップ領域と前記Ｘ軸若しくはＹ軸の一方の軸方向のダイシング領域との境界の該一方の軸方向のダイシング領域側に第１の溝を形成する工程と、
前記半導体チップ領域と前記他方の軸方向のダイシング領域との境界の該他方のダイシング領域側に第２の溝を形成する工程と、
前記第１の溝を含むように前記一方の軸方向のダイシング領域をダイシングし、前記第２の溝を含むように前記他方の軸方向のダイシング領域をダイシングする工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体チップ領域間にＸ軸方向とＹ軸方向に伸びるダイシング領域を有し、前記Ｘ軸及びＹ軸方向のダイシング領域の交差部を含み、前記Ｘ軸若しくはＹ軸の一方の軸方向に伸びる金属パターンを前記ダイシング領域に有する半導体ウェハに対して、
前記一方の軸方向のダイシング領域において前記金属パターンと前記半導体チップ領域との間であって、前記半導体チップ領域と前記一方の軸方向のダイシング領域の境界の該一方の軸方向のダイシング領域側に第１の溝を形成する工程と、
前記第１の溝形成工程後、前記半導体チップ領域と前記他方の軸方向のダイシング領域との境界の該他方のダイシング領域側に第２の溝を形成する工程と、
前記第２の溝形成工程後、前記第１の溝を含むように前記一方の軸方向のダイシング領域をダイシングし、前記第２の溝を含むように前記他方の軸方向のダイシング領域をダイシングする工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体チップ領域間にＸ軸方向とＹ軸方向に伸びるダイシング領域を有し、前記Ｘ軸及びＹ軸方向のダイシング領域の交差部を含み、前記Ｘ軸若しくはＹ軸の一方の軸方向に伸びる金属パターンと前記金属パターンが形成されていない前記Ｘ軸及びＹ軸方向のダイシング領域にダミー金属パターンとを有する半導体ウェハに対し、
前記一方の軸方向のダイシング領域において前記金属パターンと前記半導体チップ領域との間であって、前記半導体チップ領域と前記一方の軸方向のダイシング領域の境界の該一方の軸方向のダイシング領域側に第１の溝を形成する工程と、
前記第１の溝形成工程後、前記半導体チップ領域と前記他方の軸方向のダイシング領域との境界の該他方のダイシング領域側に第２の溝を形成する工程と、
前記第２の溝形成工程後、前記第１の溝を含むように前記一方の軸方向のダイシング領域をダイシングし、前記第２の溝を含むように前記他方の軸方向のダイシング領域をダイシングする工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属パターンは、ＴＥＧであることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体ウェハ上には低誘電率の層間絶縁膜を含む複数の層間絶縁膜が積層形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の溝及び前記第２の溝は、前記低誘電率の層間絶縁膜と該低誘電率膜の上層との界面及び前記低誘電率の層間絶縁膜と該低誘電率膜の下層との界面を除去した形状の溝であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の溝及び前記第２の溝をレーザー照射により形成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウェハから半導体チップを切り出すダイシング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の微細化技術の進展により、高度集積化された半導体装置では、半導体素子の遅延ばかりでなく配線部分の遅延（配線遅延）も、半導体装置の最高動作速度を決定づけるようになった。この半導体装置の配線遅延を減少させるために、半導体装置の層間絶縁膜として誘電率の低い絶縁膜であるlow-k膜が用いられるようになってきている。
【０００３】
しかし、このlow-k膜は、low-k膜自体の物理的な強度が弱く、かつ、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等との密着強度が弱く、半導体装置に生じるダメージ、特にダイシング時に発生するダメージにより膜剥がれが生じるという問題があった。
【０００４】
このような、層間絶縁膜にlow-k膜を有する半導体装置のlow-k膜の剥がれを防止するダイシング方法として、例えば以下のようなダイシング方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
この特許文献１には、まず、レジンを主結合剤として使用したブレードによって、半導体基板のlow-k膜が積層された面側から、少なくとも半導体基板が露出する深さまで、切削し、次に露出した半導体基板を電鋳（電着）ブレードによって完全に切断し、low-k膜が積層された半導体基板を個々のチップに分割するという、いわゆるステップカットダイシング方法が開示されている。
【０００６】
上記従来技術によれば、low-k膜を切削する際、レジンを主結合剤として使用したブレードを利用しているために、ダメージの発生を抑制でき、low-k膜の剥がれの発生を抑制できるとされている。
【０００７】
しかし、通常のブレードを利用した場合に比べてダメージの発生を抑制できるが、ダイシング時にブレードからダメージを受け、切削面から露出したlow-k膜に剥がれが生じる可能性がある。
【０００８】
上記のように、ダイシング領域をブレードで切削する際に、ダイシング領域内にダメージが発生し、そのダメージが半導体チップ領域に伝達され、半導体チップ領域内のlow-k膜に膜剥がれ等が生じ、半導体装置の信頼性低下を招くという問題が発生する。
【０００９】
また、半導体装置の製造プロセスデータや素子データ等を取得するためのＴＥＧ（test element group）用のパッドの金属パターン（以下、単に金属パターンという）がダイシング領域に形成されている。また、一枚の半導体ウェハから取る半導体チップの数を多くするために、ダイシング領域は極小化し、金属パターンがダイシング領域の幅方向の大半を覆うように、しかもＸ軸方向及びＹ軸方向のダイシング領域の交差部に配置される場合が多くなってきている。
【特許文献１】特開２００３‐１９７５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、半導体装置の信頼性低下を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、半導体チップ領域間にＸ軸方向とＹ軸方向に伸びるダイシング領域を有する半導体ウェハに対して、前記半導体チップ領域と前記Ｘ軸若しくはＹ軸の一方の軸方向のダイシング領域との境界の該一方の軸方向のダイシング領域側に第１の溝を形成する工程と、前記半導体チップ領域と前記他方の軸方向のダイシング領域との境界の該他方のダイシング領域側に第２の溝を形成する工程と、前記第１の溝を含むように前記一方の軸方向のダイシング領域をダイシングし、前記第２の溝を含むように前記他方の軸方向のダイシング領域をダイシングする工程とを有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【実施例１】
【００１４】
本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法を図１乃至図５を用いて説明する。図１は、本発明の実施例１に係る半導体ウェハの概要図である。図１（ｂ）は、１ショット４チップによって縮小投影露光が行われたときの半導体ウェハの部分概略図である。
【００１５】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体ウェハ１の主面には、例えば、平面四角形状の複数の半導体チップ領域２が、その隣接間にダイシング領域３を挟むようにして規則的に配置されている。この各半導体チップ領域２には、メモリ回路や論理回路等の集積回路が形成されている。各ダイシング領域３は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に配置され、互いに隣接する半導体チップ領域２と半導体チップ領域２の間に所定の間隔をもって配置される境界領域であり、後述のダイシング工程において切断される領域である。ダイシング領域３の幅、即ち互いに隣接する半導体チップ領域２の間隔は、例えば、３０〜３００μm程度である。
【００１６】
このダイシング領域３の中央部には、図１（ｂ）及び図２に示すように、合わせマークや半導体チップ領域２に形成された集積回路の電気的特性検査のためのＴＥＧ（test element group）用のパッド等の金属パターンが形成されるパターン形成領域が設けられている。また、各Ｘ軸方向及びＹ軸方向のダイシング領域３の中央部の両側には、溝を形成するための溝堀領域６ＸＡ、６ＸＢ、及び溝堀領域６ＹＡ、６ＹＢがダイシング領域３内の半導体チップ領域２との境界線付近にそれぞれ設けられている。
【００１７】
このＸ軸方向及びＹ軸方向のダイシング領域３の少なくとも一方には、金属パターン５が形成される。ここでは、金属パターン５として、直線状に形成された銅、アルミニウム等の金属からなるＴＥＧパターンの場合を例示したものである。
【００１８】
このＴＥＧパターン５は、半導体ウェハ１上に複数配置されるものであるが、それぞれ同一方向に形成されるものである。例えば、図１（ｂ）に示すように、３つのＴＥＧパターン５は、いずれもＹ軸方向のダイシング領域３の幅方向の中央部に形成されている。また、ＴＥＧパターン５は、半導体チップ領域２の一辺の長さよりも長い場合が多く、図２に示すように、Ｘ軸及びＹ軸方向のダイシング領域３の交差部を含むようにして形成される。
【００１９】
そして、溝堀領域６ＸＡ、６ＸＢにＸ軸方向の溝７を形成し、また溝堀領域６ＹＡ、６ＹＢ内にＹ軸方向の溝８を形成する。このＸ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８は、ダイシング領域３の中央部を空けるようにして、ダイシング領域３内の半導体チップ領域２との境界のダイシング領域３内に直線状に形成されるが、Ｘ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８は、各溝堀領域６ＸＡ、６ＸＢ、６ＹＡ、６ＹＢの幅より狭い溝であっても、また、各溝堀領域６ＸＡ、６ＸＢ、６ＹＡ、６ＹＢよりもダイシング領域の内側（半導体チップ領域２が形成されていない方向）にはみ出して溝が形成されていてもよい。例えば、図３に示すように、Ｘ軸方向の溝７は各溝堀領域６ＸＡ、６ＸＢの幅より狭く、Ｙ軸方向の溝８は各溝堀領域６ＹＡ、６ＹＢの幅より狭く、半導体チップ領域２との境界線付近に形成する。
【００２０】
なお、溝堀領域６ＸＡ、６ＸＢにＸ軸方向の溝７を形成し、溝堀領域６ＹＡ、６ＹＢにＹ軸方向の溝８を形成した後に、ブレード装置等でＸ軸方向の溝７を含むようにＸ軸方向のダイシング領域３をダイシングし、Ｙ軸方向の溝８を含むようにＹ軸方向のダイシング領域３をダイシングすることによって、ダイシングをする際のダイシングによるダメージが半導体チップ領域２に伝わり難くし、半導体チップ領域２内においてlow-k膜１０２等の剥がれの発生を防止することが可能となる。
【００２１】
このＸ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８が形成される各溝堀領域６ＸＡ、６ＸＢ、６ＹＡ、６ＹＢ及び半導体チップ領域２には、図４に示すように、半導体基板１００上に、第１の層間絶縁膜１０１、low-k膜１０２、拡散防止膜１０３及びパッシベーション膜１０４等が積層形成されている。この第１の層間絶縁膜１０１は、低誘電率ではない膜、例えばＳｉＯ２等の絶縁膜である。
【００２２】
Ｘ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８は、low-k膜１０２とその上下の拡散防止膜１０３との界面をいずれも除去するように形成されている。なお、図４は、図３のＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【００２３】
次に、上記Ｘ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８を形成する方法を、図５を参照して説明する。
【００２４】
まず、半導体ウェハ１上の半導体チップ領域２に集積回路を形成した後、図５（ａ）に示すように、レーザーを用いてＹ軸方向のダイシング領域３における溝堀領域６ＹＡ及び６ＹＢに、それぞれ第１の溝であるＹ軸方向の溝８として、Ｙ軸方向の溝８ＹＡ及びＹ軸方向の溝８ＹＢを形成する。この溝堀領域６ＹＡ及び溝堀領域６ＹＢに形成するＹ軸方向の溝８ＹＡ及びＹ軸方向の溝８ＹＢは、どちらを先に形成してもよいし、同時に形成してもよい。
【００２５】
次に、図５（ｂ）に示すように、レーザーを用いてＸ軸方向のダイシング領域３における溝堀領域６ＸＡ及び６ＸＢに、それぞれ第２の溝であるＸ軸方向の溝７として、Ｘ軸方向の溝７ＸＡ及びＸ軸方向の溝７ＸＢを形成する。この溝堀領域６ＸＡ及び６ＸＢに形成するＸ軸方向の溝７ＸＡ及びＸ軸方向の溝７ＸＢは、どちらを先に形成してもよいし、同時に形成してもよい。
【００２６】
このＸ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８の形成に際しては、上記のように、ＴＥＧパターン５が形成されたＹ軸方向のダイシング領域３にＹ軸方向の溝８を形成した後、Ｘ軸方向のダイシング領域３にＸ軸方向の溝７を形成することが重要である。即ち、始めに、ＴＥＧパターン５が形成されていないＸ軸方向の溝堀領域６ＸＡ、６ＸＢにＸ軸方向の溝７の形成を行なうと、ＴＥＧパターン５と溝堀領域６ＸＡまたは溝堀領域６ＸＢが重なる部分を中心として、ダイシング領域３内の層間膜等にダメージが発生する。このダメージは、金属を有する部分と、金属を有していない部分との境界部分をレーザーで照射する際に発生する。
【００２７】
このダイシング領域３中に発生したレーザーによるダメージが、Ｘ軸方向のダイシング領域３のみならず半導体チップ領域２にまで及ぶ。半導体チップ領域２にレーザーによるダメージが伝わると、low-k膜１０２の膜剥がれや、半導体チップ領域２にクラックが生ずる。この膜剥がれやクラックが生じた箇所から、水分が浸入し、半導体チップ領域２内の配線層１０５に腐食等が生じ、半導体装置の信頼性を低下させてしまう。
【００２８】
しかし、本実施例のように、始めに、図５（ａ）に示すように、ＴＥＧパターン５が形成されているＹ軸方向のダイシング領域３の溝堀領域６ＹＡ、６ＹＢにレーザーを照射し、ＴＥＧパターン５と半導体チップ領域２との間にＹ軸方向の溝８を予め形成しおく。その後、図５（ｂ）に示すように、ＴＥＧパターン５が配置されていないＸ軸方向のダイシング領域３の溝堀領域６ＸＡ、６ＸＢにＸ軸方向の溝７ＸＡ及びＸ軸方向の溝７ＸＢを形成する際に、ＴＥＧパターン５と溝堀領域６ＸＡまたは溝堀領域６ＸＢとが重なる部分を中心として、ダイシング領域３にレーザーによるダメージが発生しても、溝堀領域６ＹＡ、６ＹＢに既に形成されたＹ軸方向の溝８ＹＡ及びＹ軸方向の溝８ＹＢによって、ＴＥＧパターン５と半導体チップ領域２は物理的に離間されているため、レーザーによるダメージが、半導体チップ領域２に伝わり難くなる。
【００２９】
最後に、以上のような順序でＸ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８を形成した後、通常のブレード装置により、Ｘ軸方向の溝７を含むようにしてＸ軸方向のダイシング領域３をダイシングし、Ｙ軸方向の溝８を含むようにしてＹ軸方向のダイシング領域３をダイシングし、半導体ウェハ１から各半導体チップを切り出す。
【００３０】
なお、このダイシングの際に、ダイシング領域３にダイシングによるダメージが発生するが、ダイシング領域３と半導体チップ領域２との間に、Ｘ軸方向の溝７若しくはＹ軸方向の溝８が予め形成されているため、ダイシングによるダメージの進行がＸ軸方向の溝７若しくはＹ軸方向の溝８により阻止され、半導体チップ領域２に伝わり難くなる。
【００３１】
この際、ブレード装置のブレードが、溝７及び溝８の外側（半導体チップ領域２側）にはみ出さないようにダイシングを行なう。溝７及び溝８の内壁のうち、半導体チップ領域２側の内壁に、ブレードが接触すると、ダイシング領域３中のlow-k膜１０２にダメージが発生し、半導体チップ領域２の膜剥がれ等の原因となる。
【００３２】
以上のように、本実施例によれば、ダイシング領域３に発生するダイシングによるダメージがＸ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８により、半導体チップ領域２に伝わり難くなるので、半導体チップ領域２内の膜剥がれ等による信頼性低下を抑制することが可能となり、信頼性の高い半導体装置を製造することが可能である。
【００３３】
また、レーザーを用いてダイシング領域中にＸ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８を形成する場合、ＴＥＧパターン５が形成される方向と同一方向であるＹ軸方向の溝８を形成した後、ＴＥＧパターン５と直交する方向であるＸ軸方向の溝７を形成するという順序で溝を形成すると、レーザーによるダメージが半導体チップ領域２に伝わり難くなるので、半導体チップ領域２内の膜剥がれ等による信頼性低下を抑制することが可能となる。
【００３４】
なお、上記実施例では、ダイシング領域３に金属パターン５を有する半導体ウェハ１について説明をしたが、ＴＥＧパターン（金属パターン）５を有さない半導体ウェハ１内においても適用することが可能である。この場合、Ｘ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８を形成する順序は問わず、どちらを先に形成しても良い。
【００３５】
始めに、ダイシング領域３内にＸ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８を形成した後、ブレード装置等により、Ｘ軸方向の溝７を含むようにしてＸ軸方向のダイシング領域３をダイシングし、Ｙ軸方向の溝８を含むようにしてＹ軸方向のダイシング領域３をダイシングし、半導体ウェハ１から各半導体チップを切り出す。このダイシング時に、ダイシング領域３内にダイシングによるダメージが発生するが、予めダイシング領域３にＸ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８が形成されているため、ダイシングによるダメージが半導体チップ領域２に及ぶことを防ぐことが可能となる。
【実施例２】
【００３６】
本発明の実施例２に係る半導体装置の製造方法を図６乃至図８を用いて説明する。実施例１に示した半導体装置の製造方法とは、ＴＥＧパターン５の周囲を除いて、ダイシング領域３内にＴＥＧパターン５以外のダミー金属パターン１０が形成されている点で異なる。実施例１と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図６は、本発明の実施例２に係るレーザーによる溝の形成後の半導体ウェハの部分拡大平面図である。
【００３７】
図６に示すように、半導体チップ領域２の間にダイシング領域３が形成され、各Ｘ軸方向及びＹ軸方向のダイシング領域３の中央部の両側には、溝を形成するための溝堀領域６ＸＡ、６ＸＢ、及び溝堀領域６ＹＡ、６ＹＢが、ダイシング領域３内の半導体チップ領域２との境界線付近にそれぞれ設けられている。そして、Ｙ軸方向のダイシング領域３には、ＴＥＧパターン５が形成されている。さらに、溝堀領域６ＸＡ、６ＸＢには、溝７が形成され、溝堀領域６ＹＡ、６ＹＢには、溝８が形成されている。
【００３８】
そして、ダイシング領域３内のＴＥＧパターン５が形成されていない領域のうち、ＴＥＧパターン５の周囲を除いて、ダミー金属パターン１０が、形成されており、図６において、ハッチングを施し図示している。
【００３９】
このダミー金属パターン１０について、図７を用いて説明する。図７は、図６のＢ−Ｂ’線で切断した断面図である。図７のダイシング領域３内には、ダミー金属パターン１０が、半導体チップ領域２内の配線層１０５のうち、１層の配線層１０５と同層に形成されている。図７に示した半導体装置においては、２層の配線層を有するが、上層の配線層１０５と同じ層にダミー金属パターン１０が形成されている。
【００４０】
また、ダミー配線パターン１０とＴＥＧパターン５とが接続されていると、ＴＥＧパターン５を用いて検査をする際にショートしてしまうので、ＴＥＧパターン５と、ダミー配線パターン１０とは電気的に接続されないようにしてダイシング領域３内に形成されている。
【００４１】
本実施例では、製造工程上、ダミー金属パターン１０を配設しいやすいように、半導体チップ領域２内の配線層１０５のうちと同層に形成されているが、半導体チップ領域２内のダイシング領域３中にＴＥＧパターン５とは電気的に導通しない範囲で、ダミー金属パターン１０が形成されていればよい。
【００４２】
このダミー金属パターン１０をダイシング領域３内に有する半導体装置において、Ｘ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８を形成する方法を、図８を参照して説明する。
【００４３】
まず、半導体ウェハ１上の半導体チップ領域２に集積回路を形成する。この半導体チップ領域２に配線層１０５を形成する際に、ダイシング領域３内のＴＥＧパターン５が形成されている領域以外のところに、ダミー金属パターン１０を形成する。このＴＥＧパターン５と、ダミー金属パターン１０とでは、通常、同時に形成するが、形成する順序は、どちらを先に形成しても良い。
【００４４】
次に、図８（ａ）に示すように、レーザーを用いてＹ軸方向のダイシング領域３における溝堀領域６ＹＡ及び６ＹＢに、それぞれ第１の溝であるＹ軸方向の溝８として、Ｙ軸方向の溝８ＹＡ及びＹ軸方向の溝８ＹＢを形成する。この溝堀領域６ＹＡ及び溝堀領域６ＹＢに形成するＹ軸方向の溝８ＹＡ及びＹ軸方向の溝８ＹＢは、どちらを先に形成してもよいし、同時に形成してもよい。
【００４５】
次に、図８（ｂ）に示すように、レーザーを用いてＸ軸方向のダイシング領域３における溝堀領域６ＸＡ及び６ＸＢに、それぞれ第２の溝であるＸ軸方向の溝７として、Ｘ軸方向の溝７ＸＡ及びＸ軸方向の溝７ＸＢを形成する。この溝堀領域６ＸＡ及び６ＸＢに形成するＸ軸方向の溝７ＸＡ及びＸ軸方向の溝７ＸＢは、どちらを先に形成してもよいし、同時に形成してもよい。
【００４６】
このＸ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８の形成に際しては、上記のように、ＴＥＧパターン５が形成されたＹ軸方向のダイシング領域３にＹ軸方向の溝８を形成した後、Ｘ軸方向のダイシング領域３にＸ軸方向の溝７を形成することが重要である。即ち、始めに、ＴＥＧパターン５が形成されていないＸ軸方向の溝堀領域６ＸＡ、６ＸＢにＸ軸方向の溝７の形成を行なうと、ＴＥＧパターン５と溝堀領域６ＸＡまたは溝堀領域６ＸＢが重なる部分を中心として、ダイシング領域３内の層間膜等にダメージが発生する。そのため、溝７、溝８の順に溝を形成する。
【００４７】
このダメージは、金属を有する部分と、金属を有していない部分との境界部分をレーザーで照射する際に発生する。ここで、ダイシング領域３中にダミー金属パターン１０が形成されていなかった場合、ＴＥＧパターン５内にはテスト用のパッド等の金属を有し、且つ、ＴＥＧパターン５以外のダイシング領域３内には金属を有していないので、レーザーを照射しＸ軸方向の溝７を形成する際に、ＴＥＧパターン５にレーザーを照射すると、ＴＥＧパターン５を中心として、ダメージが発生する。
【００４８】
そこで、本実施例においては、ＴＥＧパターン５の周囲のダイシング領域３内にダミー金属パターン１０を形成することによって、金属を有する部分と、金属を有さない部分との境界を減らし、レーザーを照射したときに発生するダメージを減らすことが可能となる。
【００４９】
そして、ＴＥＧパターン５にレーザーを照射し、ＴＥＧパターン５を中心にダメージが発生したときであっても、本実施例に係る半導体装置の製造方法においては、始めに、図８（ａ）に示すように、ＴＥＧパターン５と半導体チップ領域２との間にＹ軸方向の溝８を予め形成し、その後、図８（ｂ）に示すように、Ｘ軸方向の溝７ＸＡ及びＸ軸方向の溝７ＸＢを形成するので、溝堀領域６ＹＡ、６ＹＢに既に形成されたＹ軸方向の溝８ＹＡ及びＹ軸方向の溝８ＹＢによって、ＴＥＧパターン５と半導体チップ領域２とは物理的に離間されているため、レーザーによるダメージが、半導体チップ領域２に伝わり難くなる。
【００５０】
最後に、以上のような順序でＸ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８を形成した後、通常のブレード装置により、Ｘ軸方向の溝７を含むようにしてＸ軸方向のダイシング領域３をダイシングし、Ｙ軸方向の溝８を含むようにしてＹ軸方向のダイシング領域３をダイシングし、半導体ウェハ１から各半導体チップを切り出す。
【００５１】
なお、このダイシングの際に、ダイシング領域３にダイシングによるダメージが発生するが、ダイシング領域３と半導体チップ領域２との間には、Ｘ軸方向の溝７若しくはＹ軸方向の溝８が予め形成されているため、ダイシングによるダメージの進行がＸ軸方向の溝７若しくはＹ軸方向の溝８により阻止され、半導体チップ領域２に伝わり難くなる。
【００５２】
以上のように、本実施例によれば、ダイシング領域３に発生するダイシングによるダメージがＸ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８により、半導体チップ領域２に伝わり難くなるので、半導体チップ領域２内の膜剥がれ等による信頼性低下を抑制することが可能となり、信頼性の高い半導体装置を製造することが可能である。
【００５３】
また、レーザーを用いてダイシング領域中にＸ軸方向の溝７及びＹ軸方向の溝８を形成する場合、ＴＥＧパターン５が形成される方向と同一方向であるＹ軸方向の溝８を形成した後、ＴＥＧパターン５と直交する方向であるＸ軸方向の溝７を形成するという順序で溝を形成すると、レーザーによるダメージが半導体チップ領域２に伝わり難くなるので、半導体チップ領域２内の膜剥がれ等による信頼性低下を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体ウェハの概要図。
【図２】図１の溝形成前の半導体ウェハの部分拡大平面図。
【図３】図１の溝形成後の半導体ウェハの部分拡大平面図。
【図４】図３の半導体ウェハのＡ−Ａ’断面図。
【図５】本発明の実施例１に係るレーザーによる溝の形成方法を示す工程図。
【図６】本発明の実施例２に係るレーザーによる溝の形成後の半導体ウェハの部分拡大平面図。
【図７】図６の半導体ウェハのＢ−Ｂ’断面図。
【図８】本発明の実施例２に係るレーザーによる溝の形成方法を示す工程図。
【符号の説明】
【００５５】
１  半導体ウェハ
２  半導体チップ領域
３  ダイシング領域
５  ＴＥＧパターン（金属パターン）
６ＸＡ、６ＸＢ、６ＹＡ、６ＹＢ  溝堀領域
７、７ＸＡ、７ＸＢ  Ｘ軸方向の溝
８、８ＹＡ、８ＹＢ  Ｙ軸方向の溝
１０  ダミー金属パターン
１００  半導体基板
１０１  第１の層間絶縁膜
１０２  low-k膜（層間絶縁膜）
１０３  拡散防止膜
１０４  パッシベーション膜
１０５  配線層
【図１】
2006108489.tif 000003
【図２】
2006108489.tif 000004
【図３】
2006108489.tif 000005
【図４】
2006108489.tif 000006
【図５】
2006108489.tif 000007
【図６】
2006108489.tif 000008
【図７】
2006108489.tif 000009
【図８】
2006108489.tif 000010