(57)【要約】      （修正有）【課題】温水暖房システムにおいて、熱交換器の耐久性を損なうことなく、より低温度の循環温水を供給することを可能にする。【解決手段】低温端末器から４５℃温水供給の要求があると（ステップＳ１０１）、低温回路側制御が行われる。この運転条件下で高温サーミスタの検知温度ＴＨが結露回避温度５０℃を超えているか判定され（ステップＳ１０３）、ＴＨが５０℃以下である時は高温回路側制御に切替えられ、ＴＨの目標温度が５５℃に設定される（ステップＳ１０４）。次に、低温サーミスタの検知温度ＴＬが４５℃未満であるか判定され（ステップＳ１０５）、ＴＬが４５℃以上の時は、次にＴＬが５２℃を超えているか判定される（ステップＳ１０６）。５２℃を超えている時は、ＴＬを５５℃とするように燃焼量制御が行われる（ステップＳ１０７）。この運転条件下でＴＨが、６５℃を超えているときは再度低温回路側制御に戻される。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
循環温水を加熱する第一の熱交換器と、熱交換器出側と高温端末入側とを結ぶ高温往き配管と、高温端末出側と第一の熱交換器入側とを結ぶ高温戻り配管と、高温戻り配管の途中に配設される循環ポンプと、を備えた高温回路と、
高温戻り配管の循環ポンプ出側から分岐して低温端末入側に接続する低温往き配管と、低温端末出側から出て高温戻り配管に合流する低温戻り配管と、を備えた低温回路と、
高温往き配管と高温戻り配管とを直接結ぶバイパス配管と、を備えた温水暖房システムにおいて、
低温端末のみ運転のときに、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）を、常に結露回避温度（ＴＨ０）以上に維持するための結露回避手段を備えて成ることを特徴とする温水暖房システム。
【請求項２】
前記結露回避手段が、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）に基づいて、温水温度制御を低温回路側制御又は高温回路側制御に適宜切替える手段であることを特徴とする請求項１に記載の温水暖房システム。
【請求項３】
前記結露回避手段が、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）に基づいて、低温回路側制御における設定温度を段階的に切替える手段であることを特徴とする請求項１に記載の温水暖房システム。
【請求項４】
前記結露回避手段が、第一の熱交換器通過流量を制御する流量制御手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の温水暖房システム。
【請求項５】
前記流量制御手段が、前記バイパス配管経路中に設けた流量制御弁であることを特徴とする請求項４に記載の温水暖房システム。
【請求項６】
前記流量制御手段が、前記高温往き配管と前記高温戻り配管とを結ぶ風呂追焚用回路経路中に設けた風呂追焚弁であることを特徴とする請求項４に記載の温水暖房システム。
【請求項７】
前記流量調整手段が、前記第一の熱交換器をバイパスする一次熱交バイパス配管と、一次熱交バイパス配管経路中に設けた一次熱交バイパス弁と、であることを特徴とする請求項４に記載の温水暖房システム。
【請求項８】
前記流量調整手段が、前記循環ポンプであることを特徴とする請求項４に記載の温水暖房システム。
【請求項９】
前記高温戻り配管経路中に、さらに、排気潜熱回収のための二次熱交換器を備えて成ることを特徴とする請求項１乃至８に記載の温水暖房システム。
【請求項１０】
請求項１、２又は９に記載の温水暖房システムにおいて、低温端末のみの運転モードであって、かつ、設定温度を第一の設定温度（ＴＬ０）とする低温回路側制御の状態において、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）が結露回避温度（ＴＨ０）より下がったときは、低温回路側制御から高温回路側制御に切替え、
低温回路往き温度（ＴＬ）が第一の設定温度（ＴＬ０）以下に至ったときは、再度、高温回路側制御から設定温度を第一の設定温度（ＴＬ０）とする低温回路側制御に戻し、
低温回路往き温度（ＴＬ）が第一の設定温度（ＴＬ０）より高い第二の設定温度（ＴＬ１）に達したときは、再度、高温回路側制御から設定温度を第二の設定温度（ＴＬ１）とする低温回路側制御に切り替えることにより、
第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）を、常に結露回避温度（ＴＨ０）以上に維持することを特徴とする温水暖房システムの運転方法。
【請求項１１】
請求項１０において、設定温度を第二の設定温度（ＴＬ１）とする低温回路側制御運転中に、前記第一の熱交換器出口温度が結露回避温度（ＴＨ０）より高い所定の温度に達したときは、低温回路側制御に戻すことを特徴とする温水暖房システムの運転方法。
【請求項１２】
請求項１、３又は９に記載の温水暖房システムにおいて、低温端末のみの運転モードであって、かつ、低温回路側制御の状態において、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）が結露回避温度（ＴＨ０）より下がったときは、
低温回路設定温度を段階的に上げ、
前記第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）が、結露回避温度（ＴＨ０）より高い所定の温度（ＴＨ１）に達したときに、低温回路設定温度を段階的に下げることにより、
第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）を、常に結露回避温度（ＴＨ０）以上に維持することを特徴とする温水暖房システムの運転方法。
【請求項１３】
請求項１、４乃至９に記載の温水暖房システムにおいて、低温端末のみの運転モードであって、かつ、低温回路側制御の状態において、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）が結露回避温度（ＴＨ０）より下がったときは、
前記第一の熱交換器通過流量を制御することにより、
第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）を、常に結露回避温度（ＴＨ０）以上に維持することを特徴とする温水暖房システムの運転方法。
【請求項１４】
低温回路設定温度を段階的に上げるステップに先立って、前記第一の熱交換器通過流量の制御を行うステップを含むことを特徴とする請求項１２に記載の温水暖房システムの運転方法。
【請求項１５】
低温回路側制御から高温回路側制御に切替えるステップに先立って、前記第一の熱交換器通過流量の制御を行うステップを含むことを特徴とする請求項１０乃至１３に記載の温水暖房システムの運転方法。
【請求項１６】
低温回路設定温度を段階的に上げるステップに併せて、前記第一の熱交換器通過流量の制御を行うステップを含むことを特徴とする温水暖房システム請求項１２に記載の運転方法。
【請求項１７】
低温回路側制御から高温回路側制御に切替えるステップに併せて、前記第一の熱交換器通過流量の制御を行うステップを含むことを特徴とする請求項１０乃至１３に記載の温水暖房システムの運転方法。
【請求項１８】
高温回路側温度制御に切替後、低温回路往き温度に基づいて低温端末のデューティ制御基準温度を選択するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１０乃至１７に記載の温水暖房システムの運転方法。
【請求項１９】
前記デューティ制御基準温度は熱源機側から送信され、かつ、予め定めた閾値に基づいて異なる基準温度を送信することを特徴とする請求項１８に記載の温水暖房システムの運転方法。
【請求項２０】
低温回路設定温度の最低値（ＴＬ０）が、４０℃≦ＴＬ０＜５０℃であることを特徴とする請求項１０乃至１９に記載の温水暖房システムの運転方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温水配管を介して端末器に暖房温水を供給する温水暖房システムに係り、特に、低温端末及び高温端末を用いる二温度式に好適な温水暖房システム及びその運転方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、床暖房のような低温端末を含む温水暖房システムでは、負荷側からの戻り温水と、熱交換器を出て高温往側回路と低温往側回路の途中を連結するバイパス回路を経た高温温水とを混合して作られる低温水を、低温端末側に供給する。この場合、低温端末の負荷に応じて低温回路側の温水循環量が増減するため、温水温度が変動し、低温端末の要求する温度が得にくいという問題があった。
このような問題を解決するため、低温往側温水温度に基づいて循環ポンプの回転数を制御することにより、循環流量を調整する技術が提案されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開平７−１５８８６９号公報  しかしながら、このようなバイパス回路により低温回路の温度制御を行う方式においては、４５℃温水供給に合わせて高温往側回路と低温往側回路の配管圧損を設定すると、従来の６０℃、８０℃温水供給との両立が難しい。  また、従来の温水暖房システムにおいては、低温端末器のみの運転時には低温サーミスタの検知温度に基づいて制御を行っている。このため、熱交換器出口温度は低温端末器側の負荷により成り行きで定まっていた。しかしながら、暖房端末側の負荷が小さく戻り側温水温度が上昇すると、循環温水の必要加熱量が減る。このとき、低温端末への供給温水の温度が低い場合、熱交換器出口付近の温度が露点以下になると、熱交換器のフィン、水管の周りに結露が発生するおそれがあり、熱交換器の耐久性の観点から問題となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、このような問題を解決するためのものであって、熱交換器の耐久性を損なうことなく、従来の方式と比較してより低温度の循環温水を供給することが可能な技術を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明は上記目的を達成するため、循環温水を加熱する第一の熱交換器と、熱交換器出側と高温端末入側とを結ぶ高温往き配管と、高温端末出側と第一の熱交換器入側とを結ぶ高温戻り配管と、高温戻り配管の途中に配設される循環ポンプと、を備えた高温回路と、高温戻り配管の循環ポンプ出側から分岐して低温端末入側に接続する低温往き配管と、低温端末出側から出て高温戻り配管に合流する低温戻り配管と、を備えた低温回路と、高温往き配管と高温戻り配管とを直接結ぶバイパス配管と、を備えた温水暖房システムにおいて、低温端末のみ運転のときに、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）を、常に結露回避温度（ＴＨ０）以上に維持するための結露回避手段を備えて成ることを特徴とする。
【０００５】
（２）また、本発明は、結露回避手段が、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）に基づいて、温水温度制御を低温回路側制御又は高温回路側制御に適宜切替える手段であることを特徴とする。
【０００６】
（３）また、本発明は、結露回避手段が、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）に基づいて、低温回路側制御における設定温度を段階的に切替える手段であることを特徴とする。
（４）また、本発明は、結露回避手段が、第一の熱交換器通過流量を制御する流量制御手段を含むことを特徴とする。
（５）また、本発明は、流量制御手段が、バイパス配管経路中に設けた流量制御弁であることを特徴とする。
（６）また、本発明は、流量制御手段が、高温往き配管と高温戻り配管とを結ぶ風呂追焚用回路経路中に設けた風呂追焚弁であることを特徴とする。
（７）また、本発明は、流量調整手段が、第一の熱交換器をバイパスする一次熱交バイパス配管と、一次熱交バイパス配管経路中に設けた一次熱交バイパス弁と、であることを特徴とする。
【０００７】
（８）また、本発明は、流量調整手段が、循環ポンプであることを特徴とする。
（９）また、本発明は、高温戻り配管経路中に、さらに、排気潜熱回収のための二次熱交換器を備えて成ることを特徴とする。
（１０）上記（１）、（２）又は（９）に記載の温水暖房システムにおいて、低温端末のみの運転モードであって、かつ、設定温度を第一の設定温度（ＴＬ０）とする低温回路側制御の状態において、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）が結露回避温度（ＴＨ０）より下がったときは、低温回路側制御から高温回路側制御に切替え、低温回路往き温度（ＴＬ）が第一の設定温度（ＴＬ０）以下に至ったときは、再度、高温回路側制御から設定温度を第一の設定温度（ＴＬ０）とする低温回路側制御に戻し、低温回路往き温度（ＴＬ）が第一の設定温度（ＴＬ０）より高い第二の設定温度（ＴＬ１）に達したときは、再度、高温回路側制御から設定温度を第二の設定温度（ＴＬ１）とする低温回路側制御に切り替えることにより、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）を常に結露回避温度（ＴＨ０）以上に維持することを特徴とする。
【０００８】
（１１）上記（１０）において、設定温度を第二の設定温度（ＴＬ１）とする低温回路側制御運転中に、前記第一の熱交換器出口温度が結露回避温度（ＴＨ０）より高い所定の温度に達したときは、低温回路側制御に戻すことを特徴とする。
【０００９】
（１２）また、本発明は、低温端末のみの運転モードであって、かつ、低温回路側制御の状態において、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）が結露回避温度（ＴＨ０）より下がったときは、低温回路設定温度を段階的に上げ、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）が、結露回避温度（ＴＨ０）より高い所定の温度（ＴＨ１）に達したときに、低温回路設定温度を段階的に下げることにより、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）を、常に結露回避温度（ＴＨ０）以上に維持することを特徴とする。
【００１０】
（１３）また、本発明は、低温端末のみの運転モードであって、かつ、低温回路側制御の状態において、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）が結露回避温度（ＴＨ０）より下がったときは、第一の熱交換器通過流量を制御することにより、第一の熱交換器出口温度（ＴＨ）を、常に結露回避温度（ＴＨ０）以上に維持することを特徴とする。
【００１１】
（１４）また、本発明は、低温回路設定温度を段階的に上げるステップに先立って、第一の熱交換器通過流量の制御を行うステップを含むことを特徴とする。
（１５）また、本発明は、上記（１０）乃至（１３）において、低温回路側制御から高温回路側制御に切替えるステップに先立って、第一の熱交換器通過流量の制御を行うステップを含むことを特徴とする。
【００１２】
（１６）また、本発明は、低温回路設定温度を段階的に上げるステップに併せて、第一の熱交換器通過流量の制御を行うステップを含むことを特徴とする。
（１７）また、本発明は、低温回路側制御から高温回路側制御に切替えるステップに併せて、前記第一の熱交換器通過流量の制御を行うステップを含むことを特徴とする。
（１８）また、本発明は、高温回路側温度制御に切替後、低温回路往き温度に基づいて、低温端末のデューティ制御基準温度を選択するステップを、さらに含むことを特徴とする。
【００１３】
（１９）また、本発明は、デューティ制御基準温度は熱源機側から送信され、かつ、予め定めた閾値に基づいて異なる基準温度を送信することを特徴とする。
（２０）また、本発明は、低温回路設定温度の最低値（ＴＬ０）が、４０℃≦ＴＬ０＜５０℃であることを特徴とする。
【００１４】
４０℃≦ＴＬ０＜５０℃は、低温端末（床暖房等）の性能を確保することが可能な範囲で、最もシステム効率を向上させることができる温度範囲である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、熱交換器出口近傍の結露発生を抑制することが可能となる。
また、結露回避モードのときに高温回路側制御が存在すると低温回路出湯温度が振れることになり、端末側が暖まり過ぎるおそれがあるが、低温回路往き温度に基づいてデューティ制御基準温度を選択する発明にあっては、これを防ぐことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係る温水暖房システムの実施形態について、図１乃至８を参照してさらに詳細に説明する。なお、重複を避けるため、各図において同一構成には同一符号を用いて示している。なお、本発明の範囲は特許請求の範囲記載のものであって、以下の実施形態に限定されないことはいうまでもない。
【００１７】
（第一の実施形態）
図１は、本発明の第一の実施形態に係る温水暖房システム１の全体構成を示すものである。同図において、温水暖房システム１は、温水式暖房機（熱源機）２、低温端末器３、高温端末器４を備えている。
【００１８】
熱源機２は、本体内部に開放型シスターン１０、暖房用バーナ７、一次熱交換器Ｅ１、二次熱交換器Ｅ２、追焚用熱交換器Ｅ３、暖房回路用循環ポンプ６、追焚回路用循環ポンプ５、及びこれらを接続する配管群Ｈ１乃至Ｈ１１及びＢ１乃至Ｂ３、流量制御弁群Ｖ１乃至Ｖ４により構成されている。さらに、熱源機２内には、温水暖房システム１の運転制御を司る制御部（図示せず）を備えている。
【００１９】
温水暖房システム１の温水循環回路は、高温側回路と低温側回路の２つの暖房回路と、風呂追焚回路により構成されている。高温側回路は、一次熱交換器Ｅ１を出て配管Ｈ３、Ｈ４を経由して高温端末器４に至る高温往き回路１１と、高温端末器４を出て配管Ｈ５→配管Ｈ８を経由して二次熱交換器Ｅ２に至り、さらに配管Ｈ１１→シスターン１０→配管Ｈ９→循環ポンプ６→配管Ｈ１０を経由して一次熱交換器Ｅ１に戻る高温戻り回路１２により構成されている。配管Ｈ３の一次熱交換器Ｅ１出側近傍には高温側回路の温度検知のための高温サーミスタ８が配設されている。高温端末器４の入り側には開閉弁Ｖ２が設けられている。
【００２０】
一方、低温側回路は、循環ポンプ６の下流側の分岐点Ｐ４から分岐して配管Ｈ１により低温端末器３に至る低温往き回路１３と、低温端末器３を出て配管Ｈ２により高温戻り回路１２の合流点Ｐ３に至る低温戻り側回路１４により構成されている。低温往き回路１３の経路中には、低温側回路の温度検知のための低温サーミスタ９及び低温端末器３の運転制御を行う熱動弁Ｖ１が設けられている。
【００２１】
風呂追焚回路は一次側と二次側の２つの回路により構成されている。一次側回路は、前記高温往き配管Ｈ３の分岐点Ｐ１で分岐して高温戻り配管Ｈ８の合流点Ｐ２に接続する追焚一次配管Ｂ３である。追焚一次配管Ｂ３経路中には開閉弁Ｖ４が配設されている。二次側回路は浴槽水の循環回路であり、追焚往側配管Ｂ１を経て浴槽（図示せず）に至り、追焚戻側配管Ｂ２→循環ポンプ５を経て熱交換器Ｅ３に戻る回路である。一次側回路と二次側回路は熱交換器Ｅ３で熱交換するように構成されている。
【００２２】
高温側回路には、さらに機内循環量調整のための高温往き回路１１と高温戻り回路１２を直接結ぶバイパス管Ｈ６が設けられている。バイパス管Ｈ６は、経路中にバイパス流量制御弁Ｖ３を備えており、さらに流量制御弁Ｖ３をバイパスする沸騰防止用バイパス管Ｈ７が設けられている。
【００２３】
熱源機２の燃焼部は、ガス配管Ｇ１、ガス比例弁Ｖ６、燃焼室（図示せず）、一次熱交換器Ｅ１、二次熱交換器Ｅ２、バーナ７等を主要構成とする。ガス配管Ｇ１を介して供給される都市ガスはバーナ７で燃焼して燃焼ガスとなり、一次熱交換器Ｅ１において循環温水に熱を与える。一次熱交換器Ｅを出た燃焼排ガスは、さらに二次熱交換器Ｅ２において循環温水に潜熱を与え、排気部（図示せず）から外部に排出される。バーナ７の燃焼量はガス比例弁Ｖ６により制御される。
【００２４】
温水暖房システム１は以上のように構成されており、次に図２を参照して、低温端末器のみ運転時における温水温度制御フローについて説明する。なお、以下の制御は、熱源機２の制御部により行われる。
【００２５】
低温端末器３から４５℃温水供給の要求があると（ステップＳ１０１）、低温回路側制御が行われる。すなわち、低温サーミスタ９の検知温度ＴＬを４５℃とするように燃焼量制御が行われる（ステップＳ１０２）。次に、この運転条件下で高温サーミスタ８の検知温度ＴＨが結露回避温度５０℃を超えているかが判定される（ステップＳ１０３）。５０℃を超えているときは（Ｓ１０３においてＹＥＳ）、この状態で運転が継続される。
【００２６】
ＴＨが５０℃以下であるときは（Ｓ１０３においてＮＯ）、高温回路側制御に切替えられ、ＴＨの目標温度が５５℃に設定される（ステップＳ１０４）。この状態で運転が継続され、次に、ＴＬが４５℃未満であるかが判定される（ステップＳ１０５）。４５℃未満であるときは（Ｓ１０５においてＹＥＳ）、再度、低温回路側制御に戻される（※１）。ＴＬが４５℃以上であるときは（Ｓ１０５においてＮＯ）、次にＴＬが５２℃を超えているかが判定される（ステップＳ１０６）。５２℃を超えているときは（Ｓ１０６においてＹＥＳ）、低温サーミスタ９の検知温度ＴＬを５５℃とするように燃焼量制御が行われる（ステップＳ１０７）。次に、この運転条件下で高温サーミスタ８の検知温度ＴＨが６５℃を超えているかが判定される（ステップＳ１０８）。６５℃を超えているときは（Ｓ１０８においてＹＥＳ）、結露回避モードから脱出して再度低温回路側制御に戻される（※１）。６５℃以下の場合は（Ｓ１０８においてＮＯ）、この状態で運転が継続される。
運転中に運転終了要求があったときは、随時、システム全体の運転が停止される（以下の実施形態においても同様）。
なお、本実施形態における温度条件は例示であって、一次熱交換器出口近傍の結露を回避することができる適当な温度を選択することができる。
【００２７】
また、本実施形態では、バーナ７の燃焼量を制御することにより温水温度調整する形態としたが、これに限らず併せて他の手段、例えばバイパス流量制御弁の開度制御、風呂追焚弁の開度制御、循環ポンプ吐出量制御等を行う形態とすることも可能である。以下の実施形態においても同様である。
【００２８】
（第二の実施形態）
次に、本発明の他の実施形態について図３をも参照して説明する。本実施形態の構成は、第一の実施形態における温水暖房システム１と同一であるので説明を省略する。本実施形態が上述の実施形態と異なる点は、上述の実施形態では低温回路側制御のときに高温側サーミスタが５０℃以下を検知したときに高温回路側制御に切替えたのに対して、本実施形態では低温回路側制御のままで目標温度の設定を上げることにより、一次熱交換器出口温度を上げようとするものである。
【００２９】
ステップＳ２０１からステップＳ２０３までは上述の実施形態におけるステップＳ１０１からステップＳ１０３と同一であるので説明を省略する。次に、高温サーミスタ８の検知温度ＴＨが５０℃以下であるときは（Ｓ２０３においてＮＯ）、低温回路側制御の目標温度を変更する。すなわち、低温サーミスタ９の検知温度ＴＬが（現在の設定温度＋３℃）となるように設定され、燃焼制御される（ステップＳ２０４）。この状態で運転が継続され、次にＴＬが５２℃を超えているかが判定される（ステップＳ２０５）。５２℃を超えているときは（Ｓ２０５においてＹＥＳ）、低温サーミスタ９の検知温度ＴＬを５５℃とするように燃焼量制御が行われる（ステップＳ２０６）。次に、この運転条件下で高温サーミスタ８の検知温度ＴＨが６５℃を超えているかが判定される（ステップＳ２０７）。６５℃を超えているときは（Ｓ２０７においてＹＥＳ）、結露回避モードから脱出して再度低温回路側制御に戻される（※１）。６５℃以下の場合は（Ｓ２０７においてＮＯ）、この状態で運転が継続される。
ＴＬが５２℃を超えていないときは（ステップＳ２０５においてＮＯ）、再度、高温サーミスタ８の検知温度ＴＨが５０℃を超えているかが判定される（ステップＳ２０３に戻る）。
ステップＳ２０３においてＮＯ、すなわち、高温サーミスタ８の検知温度ＴＨが５０℃を超えているときは、さらに、ＴＨが６５℃を超えているかが判定される（ステップＳ２０８）。６５℃を超えているときは（Ｓ２０８においてＹＥＳ）、結露回避モードから脱出して再度低温回路側制御に戻される（※１）。６５℃以下の場合は（Ｓ２０８においてＮＯ）、ステップＳ２０３に戻される。
なお、本実施形態ではステップ２０８にて一段階の例をとっているが、閾値をより低い温度にすることで、低温回路側制御温度を多段階に下げることも可能である。
（第三の実施形態）
さらに、本発明の他の実施形態について図４をも参照して説明する。本実施形態の構成についても第一の実施形態における温水暖房システム１と同一であるので説明を省略する。本実施形態が上述の実施形態と異なる点は、上述の実施形態では低温回路側制御のときに高温側サーミスタが露点以下を検知したときに高温回路側制御に切替えたのに対して、本実施形態では機内循環量、すなわち、一次熱交換器通過流量を減少させることにより一次熱交換器出口温度を上げることである。
【００３０】
図４において、ステップＳ３０１からステップＳ３０３までは上述の実施形態と同一である。次に、高温サーミスタ８の検知温度ＴＨが５０℃以下であるときは（Ｓ３０３においてＮＯ）、バイパス弁Ｖ１の開度を制御することができるかが判定される（ステップＳ３０４）。開度調整可能であるときは（Ｓ３０４においてＹＥＳ）、バイパス弁Ｖ１の開度が一段階絞られる（ステップＳ３０５）。これによりシステムの配管抵抗が増加するため機内循環流量は減少し、これに伴って一次熱交換器通過流量が減少し、ＴＨが上昇傾向となる。このフローが高温サーミスタ８の検知温度ＴＨが所定の結露回避温度ＴＨ０（５０℃）を超えるまで（Ｓ３０３においてＹＥＳ）繰り返される。
【００３１】
バイパス弁Ｖ１が開度調整不能となったときは（Ｓ３０４においてＮＯ）、低温回路側制御の目標温度が４５℃から５５℃に変更される（ステップＳ３０６）。この状態で運転が継続され、高温サーミスタ８の検知温度ＴＨが６５℃を超えたかが判定される（ステップＳ３０７）。ＴＨが６５℃以内を維持しているときは（Ｓ３０７においてＮＯ）、そのまま運転が継続される。ＴＨが６５℃を超えたときは（Ｓ３０７においてＹＥＳ）、結露回避モードから脱出して、再度低温回路側制御に戻される（※１）。
【００３２】
なお、本実施形態では、バイパス弁Ｖ１の開度を変えることにより一次熱交換器通過流量を調整する形態としたが、これに限らず他の手段、例えばバイパス流量制御弁の開度制御、風呂追焚弁の開度制御、循環ポンプ吐出量制御等による形態とすることも可能である。
【００３３】
（第四の実施形態）
さらに、図５、６を参照して本発明の他の実施形態について説明する。本実施形態の構成についても第一の実施形態における温水暖房システム１と同一である。本実施形態が上述の実施形態と異なる点は、高温回路側制御に切替えた後に、低温サーミスタ９の検知温度に基づいて、熱源機２が予め定めた閾値に基づいて異なる基準温度を送信することである。本実施形態では閾値を５０℃に設定している。すなわち、低温回路側温度が５０℃以下のときはデューティ制御基準温度として４５℃、低温回路側温度が５０℃を超えるときはデューティ制御基準温度として６０℃を送信する。低温端末３は、送信された基準温度とデューティ制御基準温度テーブルを参照し、室温と設定温度の差に基づいて図５に示すデューティ比（ＯＮ−ＯＦＦ間隔）で運転を行う。
【００３４】
具体的なフローは図６に示すとおりである。同図において、ステップＳ４０１からステップＳ４０５までは第一の実施形態と同一である。高温回路側制御に切替えられＴＨの目標温度が５０℃に設定（ステップＳ４０５）された状態で運転が継続され、次に、低温側回路温度が５０℃を超えているかが判定される（ステップＳ４０６）。５０℃を超えているときは（Ｓ４０６においてＹＥＳ）、熱源機２の制御部（図示せず）は、低温端末器３リモコン（図示せず）に対してデューティ制御基準温度として６０℃を送信する。これを受けて低温端末器３リモコンは、図５のデューティ制御テーブルに基づいて温水温度６０℃でＯＮ−ＯＦＦ運転を行う。この状態で運転が継続され、次にＴＬが６０℃以上であるかが判定される（ステップＳ４０８）。ＴＬが６０℃以上であるときは（Ｓ４０８においてＮＯ）、高温回路側制御から低温回路側制御（目標温度６０℃）に切替えられる（ステップＳ４０７）。その状態で運転が継続され、高温サーミスタ温度（ＴＨ）が６０℃以上であるかが判定される（ステップＳ４０８）。ＴＨが６０℃を超えたときは（Ｓ４１０においてＹＥＳ）、結露回避モードから脱出して、再度低温回路側制御に戻される（※２）。ＴＨが６０℃以下であるときは（Ｓ４１０においてＮＯ）、高温回路側制御運転が継続される。
【００３５】
ＴＬが５０℃以下であるときは（Ｓ４０６においてＮＯ）、デューティ制御基準温度として４５℃を送信する。（ステップＳ４１１）。これを受けて低温端末器３リモコンは、デューティ制御テーブルに基づいて温水温度４５℃でＯＮ−ＯＦＦ運転を行う。この状態で運転が継続され、次に、低温サーミスタ温度ＴＬが４５℃以下であるかが判定される（ステップＳ４１２）。ＴＬが４５℃を超えているときは（Ｓ４１０においてＹＥＳ）、結露回避モードから脱出して、再度低温回路側制御に戻される（※２）。ＴＬが４５℃以下であるときは（Ｓ４１２においてＮＯ）、ステップＳ４０６以下のフローが繰り返される。
なお、本実施形態では熱源機２が、低温端末３に対して実際の低温回路側温度とは必ずしも一致しないデューティ制御基準温度を送信する形態としたが、これに限らず、熱源機２は実際の低温回路側温度を送信し、低温端末３がデューティ制御基準温度を決定する形態とすることもできる。
【００３６】
（第五の実施形態）
さらに、図７，８を参照して本発明の他の実施形態について説明する。図７は本実施形態に係る温水暖房システム２０を示す図である。温水暖房システム２０の構成が上述の各実施形態に係る温水暖房システム１と異なる点は、一次熱交換器Ｅ１を直接バイパスする一次熱交換器バイパス配管Ｈ１１及びバイパス弁Ｖ５を備えていることである。その他の構成は温水暖房システム１と同一である。
【００３７】
さらに、温水温度制御フローにおける第四の実施形態との相違点は、高温回路側制御に切替える前にバイパス弁Ｖ５の開度調整により熱交換器流量制御を行うことである。以下、その詳細について説明する。
【００３８】
図８において、ステップＳ５０１からステップＳ５０３までのフローは第四の実施形態におけるステップＳ４０１からステップＳ４０３と同一である。次に、高温サーミスタ８の検知温度ＴＨが５０℃以下であるときは（Ｓ５０３においてＮＯ）、一次熱交換器Ｅ１のバイパス弁Ｖ５が全閉であるか否かが判定される（ステップＳ５０４）。全閉でなければ開度調整可能であるので（Ｓ５０４においてＹＥＳ）、バイパス弁Ｖ５の開度が一段階絞られる（ステップＳ５１３）。これによりシステムの配管抵抗が増加するため機内循環流量は減少し、これに伴って一次熱交換器通過流量が減少する。このフローが高温サーミスタ８の検知温度ＴＨが所定の結露回避温度ＴＨ０（５０℃）を超えるまで繰り返される（※２）。
【００３９】
バイパス弁Ｖ５の開度が全閉であり、開度調整不能のときは（Ｓ５０４においてＮＯ）、高温回路側制御に切替えられＴＨの目標温度が５５℃に設定される（ステップＳ５０５）。以下のフローは第四の実施形態と同一であるので説明を省略する。
【００４０】
なお、上述の各実施形態では高温系統、低温系統とも端末器一台のみの例を示しているが、これに限らず複数台設置とすることもできる。
【００４１】
また、各実施形態では一次熱交換器及び二次熱交換器を備えた構成としたが、一次熱交換器のみの構成とすることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、エネルギー源を問わず、温水暖房システム、特に二温度式温水暖房システムに広く利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】第一の実施形態に係る温水暖房システム１を示す図である。
【図２】第一の実施形態における温水温度制御フローを示す図である。
【図３】第二の実施形態における温水温度制御フローを示す図である。
【図４】第三の実施形態における温水温度制御フローを示す図である。
【図５】第四の実施形態における温水温度制御フローを示す図である。
【図６】デューティ制御基準温度テーブルの一例を示す図である。
【図７】第五の実施形態に係る温水暖房システム２０を示す図である。
【図８】第五の実施形態における温水温度制御フローを示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１，２０    温水暖房システム
２          熱源機
３          低温端末器
４          高温端末器
６          循環ポンプ
７          バーナ
８          高温サーミスタ
９          低温サーミスタ
１０        開放型シスターン
Ｂ１〜Ｂ３  追焚配管
Ｅ１        一次熱交換器
Ｅ２        二次熱交換器
Ｅ３        追焚用熱交換器
Ｇ１        ガス配管
Ｈ１〜Ｈ１２    暖房用配管
ＴＨ０      結露回避温度
ＴＬ        低温サーミスタ温度
Ｖ１〜Ｖ５  流量制御弁
Ｖ６        ガス比例弁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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