(57)【要約】【課題】  接触抵抗の小さい電子部品およびその製造方法を提供する。【解決手段】  下層金属配線４と、下層金属配線４上に形成された層間絶縁膜６と、層間絶縁膜６上に形成され、かつ層間絶縁膜６に形成された貫通孔５を介して下層金属配線４と電気的に接続された上層金属配線７と、を備える電子部品であって、下層金属配線４が少なくとも第１の金属と第２の金属とが拡散されてなり、第１の金属は第２の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーが大きく、第２の金属は前記第１の金属より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点で反射率が高く、かつ、上層金属配線８と下層金属配線４との間に、第１の金属より酸化物の標準生成エネルギーが小さい金属で形成される密着層７を備える。【選択図】        図１
2006074223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層金属配線と、前記下層金属配線上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、かつ層間絶縁膜に形成された貫通孔を介して前記下層金属配線と電気的に接続された上層金属配線と、を備える電子部品であって、
前記下層金属配線は少なくとも第１の金属と第２の金属とが拡散されてなり、前記第１の金属は前記第２の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーが大きく、前記第２の金属は前記第１の金属より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点で反射率が高く、
かつ、前記上層金属配線と前記下層金属配線との間に、前記第１の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーが小さい金属を含有する密着層を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１の金属は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、およびＰｄの中から選ばれた一種以上の金属を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第２の金属はＡｌまたはＡｇから選ばれた一種以上の金属を主成分とすることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記密着層はＴｉまたはＮｉから選ばれた一種以上の金属を主成分とすることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
基板上に形成された電極および前記電極に接続された引き回し配線と、前記引き回し配線上に形成された下層金属配線と、前記下層金属配線上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、かつ前記層間絶縁膜に形成された貫通孔を介して前記下層金属配線と電気的に接続された上層金属配線と、前記上層金属配線上に形成され、かつ前記層間絶縁膜により上部に保護空間を設けられた前記電極を覆う上層絶縁膜と、を備え、
前記下層金属配線は少なくとも第１の金属と第２の金属とが拡散されてなり、前記第１の金属は前記第２の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーが大きく、前記第２の金属は前記第１の金属より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点で反射率が高く、
かつ、前記上層金属配線と前記下層金属配線との間に、前記第１の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーが小さい金属を含有する密着層を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項６】
弾性表面波装置であることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
第１の金属膜を形成する工程と、
前記第１の金属膜上に第２の金属膜を形成する工程と、
前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とを拡散させて下層金属配線を形成するとともに、前記下層金属配線上に貫通孔を有する層間絶縁膜を形成する工程と、
前記下層金属配線上に密着層を形成する工程と、
前記密着層上に前記密着層を介して前記下層金属配線と電気的に接続する上層金属配線を形成する工程と、を備え、
前記第１の金属膜は前記第２の金属膜より酸化物の標準生成自由エネルギーが大きく、前記第２の金属膜は前記第１の金属膜より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点で反射率が高く、
かつ、前記密着層は前記第１の金属膜より酸化物の標準生成自由エネルギーが小さいことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記第１の金属膜は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、およびＰｄの中から選ばれた一種以上の金属を主成分とすることを特徴とする請求項７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記第２の金属膜はＡｌまたはＡｇから選ばれた一種以上の金属を主成分とすることを特徴とする請求項７または８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記密着層はＴｉまたはＮｉから選ばれた一種以上の金属を主成分とすることを特徴とする請求項７ないし９のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記貫通孔を有する層間絶縁膜を形成する工程では、レーザーを用いて貫通孔を形成することを特徴とする請求項７ないし１０のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
基板上に電極および前記電極に接続された引き回し配線を形成する工程と、
前記引き回し配線上に第１の金属膜を形成する工程と、
前記第１の金属膜上に第２の金属膜を形成する工程と、
前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とを拡散させて下層金属配線を形成するとともに、前記下層金属配線上に貫通孔を有する層間絶縁膜を形成する工程と、
前記下層金属配線上に密着層を形成する工程と、
前記密着層上に前記密着層を介して前記下層金属配線と電気的に接続する上層金属配線を形成する工程と、
前記上層金属配線上に前記層間絶縁膜により上部に保護空間を設けられた前記電極を覆う上層絶縁膜を形成する工程と、を備え、
前記第１の金属膜は前記第２の金属膜より酸化物の標準生成自由エネルギーが大きく、前記第２の金属膜は前記第１の金属膜より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点で反射率が高く、
かつ、前記密着層は前記第１の金属膜より酸化物の標準生成自由エネルギーが小さいことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１３】
弾性表面波装置であることを特徴とする、請求項７ないし１２のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば弾性表面波装置のような電子部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化、軽量化により、電子部品に対しても小型化、軽量化が要求されている。このような背景の中、携帯電話機等の通信装置に使用される弾性表面波装置に対しても同様に小型化、軽量化が求められている。
【０００３】
弾性表面波装置は、周知のように、機械的振動エネルギーが固体表面付近にのみ集中して伝搬する弾性表面波を利用した電子部品であり、一般に圧電基板上に一対の櫛型電極からなるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極を配置して構成されている。
【０００４】
ところで、このような弾性表面波装置においては、ＩＤＴ電極や圧電基板の弾性表面波の伝搬部分などの振動空間を確保する必要がある。
【０００５】
そこで、小型化、軽量化および特性の低下の抑制を実現するために、特許文献１に記載の弾性表面波装置がある。特許文献１に記載の弾性表面波装置は、図６に示すように、圧電基板４１上に形成されたＩＤＴ電極４２および引き回し配線４３を有する弾性表面波素子と、外部端子５１とを備える弾性表面波装置であって、ＩＤＴ電極４２の振動空間となる開口部４５および導通開口部４６を備える絶縁層４７を備え、外部端子５１は導通開口部４６を介する接続配線４８によって引き回し配線４３と接続されている。
【０００６】
かかる弾性表面波装置によれば、ＩＤＴ電極４２は振動空間を確保する絶縁層４７の開口部４５により保護されている。そのため、実装などにより弾性表面波装置の特性が低下することを防止することができる。また、弾性表面波装置をフリップチップ実装でベース基板と接着させるので、小型化、低背化、低コスト化が可能である。
【特許文献１】特開２００４−１２９２２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の弾性表面波装置では、ＩＤＴ電極４２および引き回し配線４３がＡｌで構成されており、Ａｌが極めて酸化しやすいことから、ＩＤＴ電極４２および引き回し配線４３の表面が酸化することが多かった。そして、そのために引き回し配線４３と接続配線４８との接触抵抗が大きくなるという問題があった。すなわち、導通開口部４６底面に露出するＡｌからなる引き回し配線４３の表面は大気中の酸素や水分によって酸化されることが多く、引き回し配線４３が酸化された状態で導通開口部４６を介して接続配線４８を形成すると、引き回し配線４３と接続配線４８との間の抵抗が安定しなくなるのである。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、接触抵抗の小さい電子部品およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記問題点を解決するために、本発明に係る電子部品は、（ａ）下層金属配線と、前記下層金属配線上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、かつ前記層間絶縁膜に形成された貫通孔を介して前記下層金属配線と電気的に接続された上層金属配線と、を備える電子部品であって、（ｂ）前記下層金属配線は少なくとも第１の金属と第２の金属とが拡散されてなり、前記第１の金属は前記第２の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーが大きく、前記第２の金属は前記第１の金属より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点で反射率が高く、（ｃ）かつ、前記上層金属配線と前記下層金属配線との間に、前記第１の金属より酸化物の標準生成エネルギーが小さい金属を含有する密着層を備えることを特徴とする。
【００１０】
上記の構成によれば、下層金属配線の表面に存在する第１の金属の酸素を、第１の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーの小さい金属を含有する密着層が奪う。これにより、下層金属配線の表面で酸化された第１の金属が還元される。その結果、下層金属配線と上層金属配線との間の接触抵抗を小さくすることができる。
【００１１】
また、第２の金属は第１の金属より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点に対する反射率が高いので、波長が３５５ｎｍであるＹＡＧの第三高調波レーザー光、波長が３６５ｎｍである水銀ランプ（ｉ線）および波長が４３６ｎｍである水銀ランプ（ｇ線）等を用いて層間絶縁膜に貫通孔を容易に形成することができる。
【００１２】
また、前記第１の金属は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、およびＰｄの中から選ばれた一種以上の金属を主成分とすることを特徴とする。
【００１３】
Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、およびＰｄは一般に酸化物の標準生成自由エネルギーが大きく、かかる金属を第１の金属の主成分とすれば、密着層が酸素を奪いやすくなり、下層金属配線の表面で酸化された第１の金属が還元されやすくなる。
【００１４】
また、前記第２の金属はＡｌまたはＡｇから選ばれた一種以上の金属を主成分とすることを特徴とする。
【００１５】
Ａｌ、Ａｇは波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点に対する反射率が高く、かかる金属を第２の金属の主成分とすれば、レーザー等で層間絶縁膜に貫通孔を容易に形成することができる。
【００１６】
また、前記密着層はＴｉまたはＮｉから選ばれた一種以上の金属を主成分とすることを特徴とする。
【００１７】
Ｔｉ、Ｎｉは酸化物の標準生成自由エネルギーが小さく、また、酸化しても導電性がある。よって、密着層が第１の金属を還元しても、密着層自体の導電性の低下を防止することができ、下層金属配線と上層金属配線との間の接触抵抗を小さくすることができる。
【００１８】
また、本発明に係る電子部品は、（ａ）基板上に形成された電極および前記電極に接続された引き回し配線と、前記引き回し配線上に形成された下層金属配線と、前記下層金属配線上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、かつ前記層間絶縁膜に形成された貫通孔を介して前記下層金属配線と電気的に接続された上層金属配線と、前記上層金属配線上に形成され、かつ前記層間絶縁膜により上部に保護空間を設けられた前記電極を覆う上層絶縁膜と、を備え、（ｂ）前記下層金属配線は少なくとも第１の金属と第２の金属とが拡散されてなり、前記第１の金属は前記第２の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーが大きく、前記第２の金属は前記第１の金属より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点で反射率が高く、（ｃ）かつ、前記上層金属配線と前記下層金属配線との間に、前記第１の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーが小さい金属を含有する密着層を備えることを特徴とする。
【００１９】
上記の構成によれば、下層金属配線の表面に存在する第１の金属の酸素を、第１の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーの小さい金属を含有する密着層が奪う。これにより、下層金属配線の表面で酸化された第１の金属が還元される。その結果、下層金属配線と上層金属配線との間の接触抵抗を小さくすることができる。
【００２０】
また、第２の金属は第１の金属より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点に対する反射率が高いので、波長が３５５ｎｍであるＹＡＧの第三高調波レーザー光、波長が３６５ｎｍである水銀ランプ（ｉ線）および波長が４３６ｎｍである水銀ランプ（ｇ線）等を用いて層間絶縁膜に貫通孔を容易に形成することができる。
【００２１】
さらに、上層絶縁膜で電極を覆うことにより、電極を外部環境から保護することができる。
【００２２】
また、本発明の電子部品は弾性表面波装置であることを特徴とする。本発明は基板に形成された櫛型電極部を有する弾性表面波装置に有利に適用することができる。
【００２３】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、上記問題点を解決するために、（ａ）第１の金属膜を形成する工程と、（ｂ）前記第１の金属膜上に第２の金属膜を形成する工程と、（ｃ）前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とを拡散させて下層金属配線を形成するとともに、前記下層金属配線上に貫通孔を有する層間絶縁膜を形成する工程と、（ｄ）前記下層金属配線上に密着層を形成する工程と、（ｅ）前記密着層上に前記密着層を介して前記下層金属配線と電気的に接続する上層金属配線を形成する工程と、を備え、（ｆ）前記第１の金属膜は前記第２の金属膜より酸化物の標準生成自由エネルギーが大きく、前記第２の金属膜は前記第１の金属膜より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点で反射率が高く、（ｇ）かつ、前記密着層は前記第１の金属膜より酸化物の標準生成自由エネルギーが小さいことを特徴とする。
【００２４】
上記の製造方法によれば、第２の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーの大きい第１の金属膜を下層金属配線に拡散させており、下層金属配線に拡散された第１の金属膜の酸素を、第１の金属膜より酸化物の標準生成自由エネルギーの小さい密着層が奪う。これにより、下層金属配線の表面で酸化された第１の金属膜が還元される。その結果、下層金属配線と上層金属配線との間の接触抵抗を小さくすることができる。
【００２５】
また、第１の金属より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点に対する反射率が高い第２の金属膜を、下層金属配線の層間絶縁膜形成面に形成して拡散させるので、層間絶縁膜に貫通孔を形成する際に、波長が３５５ｎｍであるＹＡＧの第三高調波レーザー光、波長が３６５ｎｍである水銀ランプ（ｉ線）および波長が４３６ｎｍである水銀ランプ（ｇ線）等を用いることができる。これにより、層間絶縁膜に貫通孔を容易に形成することができる。
【００２６】
また、前記第１の金属膜は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、およびＰｄの中から選ばれた一種以上の金属を主成分とすることを特徴とする。
【００２７】
Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、およびＰｄは一般に酸化物の標準生成自由エネルギーが大きく、かかる金属を第１の金属の主成分とすれば、密着層が酸素を奪いやすくなり、下層金属配線の表面で酸化された第１の金属が還元されやすくなる。
【００２８】
また、前記第２の金属膜はＡｌまたはＡｇから選ばれた一種以上の金属を主成分とすることを特徴とする。
【００２９】
Ａｌ、Ａｇは波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点に対する反射率が高く、かかる金属を第２の金属の主成分とすれば、層間絶縁膜に貫通孔を容易に形成することができる。
【００３０】
また、前記密着層はＴｉまたはＮｉの中から選ばれた一種以上の金属を主成分とすることを特徴とする。
【００３１】
Ｔｉ、Ｎｉは酸化物の標準生成自由エネルギーが小さく、また、酸化しても導電性がある。よって、密着層が第１の金属を還元しても、密着層自体の導電性の低下を防止することができ、下層金属配線と上層金属配線間の接触抵抗を小さくすることができる。
【００３２】
また、前記貫通孔を有する層間絶縁膜を形成する工程では、レーザーを用いることを特徴とする。
【００３３】
レーザーを用いることで、層間絶縁膜にテーパ状の貫通孔を容易に形成することができる。
【００３４】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、（ａ）基板上に電極および前記電極に接続された引き回し配線を形成する工程と、（ｂ）前記引き回し配線上に第１の金属膜を形成する工程と、（ｃ）前記第１の金属膜上に第２の金属膜を形成する工程と、（ｄ）前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とを拡散させて下層金属配線を形成するとともに、前記下層金属配線上に貫通孔を有する層間絶縁膜を形成する工程と、（ｅ）前記下層金属配線上に密着層を形成する工程と、（ｆ）前記密着層上に前記密着層を介して前記下層金属配線と電気的に接続する上層金属配線を形成する工程と、（ｇ）前記上層金属配線上に前記層間絶縁膜により上部に保護空間を設けられた前記電極を覆う上層絶縁膜を形成する工程と、を備え、（ｈ）前記第１の金属膜は前記第２の金属膜より酸化物の標準生成自由エネルギーが大きく、前記第２の金属膜は前記第１の金属膜より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点で反射率が高く、（ｉ）かつ、前記密着層は前記第１の金属膜より酸化物の標準生成自由エネルギーが小さいことを特徴とする。
【００３５】
上記の製造方法によれば、第２の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーの大きい第１の金属膜を下層金属配線に拡散させており、下層金属配線に拡散された第１の金属膜の酸素を、第１の金属膜より酸化物の標準生成自由エネルギーの小さい密着層が奪う。これにより、下層金属配線の表面で酸化された第１の金属膜が還元される。その結果、下層金属配線と上層金属配線との間の接触抵抗を小さくすることができる。
【００３６】
また、第１の金属より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点に対する反射率が高い第２の金属膜を、下層金属配線の層間絶縁膜形成面に形成して拡散させるので、層間絶縁膜に貫通孔を形成する際に、波長が３５５ｎｍであるＹＡＧの第三高調波レーザー光、波長が３６５ｎｍである水銀ランプ（ｉ線）および波長が４３６ｎｍである水銀ランプ（ｇ線）等を用いることができる。これにより、層間絶縁膜に貫通孔を容易に形成することができる。
【００３７】
さらに、基板上に形成された電極を覆う上層絶縁膜を形成することで、電極を外部環境から保護することができる。
【００３８】
また、本発明の電子部品は弾性表面波装置であることを特徴とする。本発明は基板に形成された櫛型電極部を有する弾性表面波装置に有利に適用することができる。
【発明の効果】
【００３９】
以上のように、本発明に係る電子部品およびその製造方法によれば、下層金属配線を第１の金属と第２の金属とを拡散させて形成し、第１の金属を第２の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーが大きく、波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点で第２の金属の反射率を第１の金属より高くし、かつ、下層金属配線と上層金属配線との間に、第１の金属より酸化物の標準生成エネルギーが小さい金属で形成される密着層を形成するので、密着層が下層金属配線の表面で酸化された第１の金属を還元する。これにより、下層金属配線と上層金属配線との間の接触抵抗を小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
【実施例】
【００４１】
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。
【００４２】
図１は、本発明の一実施形態による電子部品の一例としての弾性表面波装置の一部を示す断面図である。
【００４３】
図１に示すように、本実施例に係る弾性表面波装置は、圧電基板１上にＩＤＴ電極２およびＩＤＴ電極２に接続されている引き回し配線３を備えている弾性表面波素子と、外部端子１１および上層絶縁膜１２とを備えている。引き回し配線３上には下層金属配線４が形成されており、また、下層金属配線４を覆うように貫通孔５が形成された層間絶縁膜６が圧電基板１上に形成されている。層間絶縁膜６上には密着層７、上層金属配線８が順次形成されている。そして、下層金属配線４と上層金属配線８とは、貫通孔５の内側の領域で、密着層７を介して電気的に接続されている。
【００４４】
ここで、下層金属配線４は、少なくとも第１の金属と第２の金属とが拡散されて構成されている。そして、第１の金属は第２の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーが大きい。また、第２の金属は第１の金属より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点で反射率が高い。すなわち、第２の金属は、波長３５０〜４４０ｎｍの範囲の特定の一点で第１の金属より反射率が高ければ、前記波長の範囲内のその他の点では第１の金属より反射率が低くてもよい。第１の金属としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、およびＰｄ等の一般に酸化物の標準生成自由エネルギーが大きい一種以上の金属を主成分とした金属を用いることができる。また、第２の金属としては、Ａｌ、Ａｇ等の一般に波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点に対する反射率の高い一種以上の金属を主成分とした金属を用いることができる。そして、密着層７としては、Ｔｉ、Ｎｉ等の第１の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーが小さい一種以上の金属を主成分とした金属を用いることができる。
【００４５】
そして、かかる弾性表面波装置では、密着層７が第１の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーが小さい金属で形成されているので、密着層７が下層金属配線４の表面に存在する第１の金属の酸素を奪う。これにより、下層金属配線４の表面で酸化された第１の金属が還元される。その結果、下層金属配線４と上層金属配線８との接触抵抗を小さくすることができる。
【００４６】
続いて、弾性表面波装置の製造方法について、図２に基づいてより詳細に説明する。なお、図２で図１と共通あるいは対応する部分には同一の符号を付する。
【００４７】
まず、図２（ａ）に示すように、例えばＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3からなる圧電基板１上に、ＩＤＴ電極２および引き回し配線３を形成する。ＩＤＴ電極２および引き回し配線３は、例えば電気抵抗率が低く、比重の小さいＡｌを蒸着してリフトオフすることにより形成する。
【００４８】
その後、引き回し配線３上に、下層金属配線４を形成する。下層金属配線４は、引き回し配線３上に例えばＣｕで第１の金属膜４ａを形成し、第１の金属膜４ａ上に例えばＡｌで第２の金属膜４ｂを形成することにより作製する。第１の金属膜４ａおよび第２の金属膜４ｂは蒸着、スパッタリング、メッキ等の方法により形成することができる。なお、第１の金属膜４ａには、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄを用いてもよい。また、第２の金属膜にはＡｇを用いてもよい。さらに、第１の金属膜４ａと引き回し配線３との間にはＴｉ、Ｎｉ、Ａｕ等の密着層を形成してもよい。
【００４９】
次に、図２（ｂ）に示すように、下層金属配線４を覆うように圧電基板１上に層間絶縁膜６を形成する。層間絶縁膜６は、例えば感光性のポリイミド樹脂を１５μｍの厚さで下層金属配線４上に塗布して形成する。なお、層間絶縁膜６としては、エポキシ樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂を用いることも可能である。
【００５０】
そして、図２（ｃ）に示すように、例えば窒素雰囲気中において３５０℃で１時間加熱する。これにより、層間絶縁膜６を構成するポリイミド樹脂を硬化させることができる。また、同時に、第１の金属膜４ａと第２の金属膜４ｂとを拡散させることができる。加熱することにより、第１の金属膜４ａの原子の一部が第２の金属膜４ｂ上に分布し、第１の金属膜４ａと第２の金属膜４ｂとが拡散されるのである。
【００５１】
そして、図２（ｄ）に示すように、層間絶縁膜６を露光し、現像することにより、ＩＤＴ電極２部が開口したパターンを形成する。また、層間絶縁膜６に貫通孔５を形成する。貫通孔５は、例えば波長が３５５ｎｍであるＹＡＧの第三高調波レーザー光を用いて形成する。レーザーを用いると、貫通孔５をテーパ状に容易に形成することができる。そして、貫通孔５をテーパ状に形成すれば、後述する上層金属配線の形成が容易になり、下層金属配線と上層金属配線との導通の断線率を低減することができる。なお、露光条件を適正化することにより、レーザーを用いなくてもテーパ状に形成することも可能である。その場合の露光光源は、+例えば波長が３６５ｎｍである水銀ランプ（ｉ線）および波長が４３６ｎｍである水銀ランプ（ｇ線）を用いることができる。
【００５２】
ここで、第２の金属膜４ｂを構成するＡｌは波長３５０〜４４０ｎｍの光線に対する反射率が高い。表１は金属薄膜の反射率を％で表したものであるが、表１に示すように、Ａｌは波長３６０ｎｍや波長４５０ｎｍの光線に対して吸収率が１割程度である。そのため、ＹＡＧの第三高調波レーザーや水銀ランプ等で貫通孔５を形成しても、下層金属配線４がほとんどダメージを受けず、低抵抗な層間導通を確保することができる。なお、これに対して、ＣｕやＡｕなどは波長３６０ｎｍや波長４５０ｎｍの光線に対して吸収率が６割程度あるため、下層金属配線が第１の金属のみで形成されていると、貫通孔５形成時に下層金属配線４がダメージを受けてしまい、事実上導通を確保するのが不可能になってしまう。
【００５３】
【表１】
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【００５４】
なお、加熱してポリイミド樹脂を硬化させるとともに、第１の金属膜４ａと第２の金属膜４ｂとを拡散させる工程は、層間絶縁膜６に貫通孔５を形成した後に行うことも可能である。また、層間絶縁膜６を形成する前に、第１の金属膜４ａと第２の金属膜４ｂとを拡散させ、その後に層間絶縁膜６を形成して、硬化させ、貫通孔５を形成することも可能である。
【００５５】
その後、図２（ｅ）に示すように、下層金属配線４上に密着層７および上層金属配線８を形成する。密着層７は、層間絶縁膜６上に形成された貫通孔５底面に露出した下層金属配線４上に例えばＴｉで形成する。また、上層金属配線８は、密着層７に例えばＣｕで形成する。密着層７および上層金属配線８は、下層金属配線４と同様に蒸着、スパッタリング、メッキ等の方法により形成することができる。なお、密着層７はＮｉを用いることも可能である。また、上層金属配線８は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属を用いることも可能である。
【００５６】
ここで、図３に示すように、密着層７を構成するＴｉの酸化物であるＴｉＯ2の標準生成自由エネルギーは、第１の金属膜を構成するＣｕの酸化物である２Ｃｕ2Ｏの標準生成自由エネルギーより小さい。よって、下層金属配線４の表面に存在する第１の金属膜の酸素を密着層７が奪い、下層金属配線４の表面で酸化された第１の金属が還元される。その結果、下層金属配線４と上層金属配線８との接触抵抗を小さくすることができる。
【００５７】
さらに、図２（ｆ）に示すように、層間絶縁膜６により上部に保護空間が設けられたＩＤＴ電極２を覆うように、例えば樹脂フィルムを上層金属配線８上に貼り合わせて、上層絶縁膜１２を形成する。この上層絶縁膜１２には、外部端子１１と上層金属配線８を接続するための貫通孔が形成されている。なお、貫通孔には必要に応じて電極を形成しておく。そして、貫通孔に例えばはんだバンプを形成して外部端子１１を形成する。
【００５８】
このように、保護空間が設けられたＩＤＴ電極２を上層絶縁膜１２で覆うことにより、伝搬部分などの振動空間を確保するとともに、ＩＤＴ電極２を水分や埃など外部環境から保護することができる。
【００５９】
その後、チップ単位に個片化することにより弾性表面波装置が完成する。
【００６０】
ここで、第１の金属膜をＣｕで膜厚２μｍ、第２の金属膜２をＡｌで膜厚１．２μｍに形成して下層金属配線４とし、また、密着層をＴｉで膜厚０．１μｍ、上層金属配線をＣｕで膜厚１μｍで形成した図１および図２で示した本発明の弾性表面波装置（サンプルＡ）を作製した。そして、下層金属配線と上層金属配線との間の接触抵抗を四端子測定法にて測定した。図４に示すように、特許文献１に記載されたＡｌで形成された引き回し配線、Ｔｉで形成された密着層、Ｃｕで形成された接続配線を備える弾性表面波装置（従来例）では、引き回し配線と接続配線との間の接触抵抗は大きい。これに対して、本発明の弾性表面波装置（サンプルＡ）では、下層金属配線と上層金属配線との間の接触抵抗は３０ｍΩ以下であり、接触抵抗を小さくすることができた。
【００６１】
図５は深さ方向の組成分布をＳＡＭにより測定した結果を示す図である。図５で、Ｓｐｕｔｔｅｒ  Ｔｉｍｅが０〜２５（ｍｉｎ）付近は上層金属配線、２５〜４０（ｍｉｎ）付近は密着層、４０〜６０（ｍｉｎ）付近は下層金属配線を表している。ここで、Ｔｉからなる密着層とＣｕおよびＡｌからなる下層金属配線との界面におけるＴｉよりの部分（Ｓｐｕｔｔｅｒ  Ｔｉｍｅが３７（ｍｉｎ）付近）で酸素Ｏの存在量が急増している。このことから、下層金属配線の表面に存在する酸素Ｏを密着層のＴｉが奪っていると判断することができる。
【００６２】
なお、本発明に係る電子部品およびその製造方法は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々の変更および修正が可能である。例えば、下層金属配線、密着層および上層金属配線は、さらに複数の膜によって構成されるものであってもよい。また、前記実施例では弾性表面波装置を例に挙げているが、半導体装置等に適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の一部を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の製造工程を示す説明図である。
【図３】本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の下層金属配線を構成する金属酸化物の生成自由エネルギーを示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係る弾性表面波装置および従来の弾性表面波装置の接触抵抗の測定値を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の深さ方向の組成分布を測定した結果を示す図である。
【図６】従来の弾性表面波装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１、４１    圧電基板
２、４２    ＩＤＴ電極
３、４３    引き回し配線
４    下層金属配線
４ａ    第１の金属膜
４ｂ    第２の金属膜
５    貫通孔
６    層間絶縁膜
７    密着層
８    上層金属配線
１１、５１    外部端子
１２    上層絶縁膜
４５    開口部
４６    導通開口部
４７    絶縁層
【図１】
2006074223.tif 000004
【図２】
2006074223.tif 000005
【図３】
2006074223.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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