(57)【要約】【課題】  光起電力素子の電極構造においてワイヤ電極と金属バスバーとの接続を改善することで発電ロスが少ない集電電極形態を提供し、さらには高い変換効率を有する光起電力素子を提供する。【解決手段】  導電性被覆層を有する金属ワイヤからなるワイヤ電極と、前記ワイヤ電極と接続された金属バスバーとを有する光起電力素子において、前記金属バスバーとの接合部のワイヤ電極の形状が半導体層上に圧着されたワイヤ電極の形状に比べて扁平に加工されていることを特徴とする光起電力素子を提供する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性被覆層を有する金属ワイヤからなるワイヤ電極と、前記ワイヤ電極と接続された金属バスバーとを有する光起電力素子において、前記金属バスバーとの接合部のワイヤ電極の形状が半導体層上に圧着されたワイヤ電極の形状に比べて扁平に加工されていることを特徴とする光起電力素子。
【請求項２】
前記ワイヤ電極の短手方向の幅が加工される前よりも大きくなるように扁平に加工されていることを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項３】
前記ワイヤ電極の扁平に加工された加工部において、端部以外に角を持たないことを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項４】
前記ワイヤ電極が前記金属バスバーの幅以上にわたって扁平に加工されていることを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項５】
前記ワイヤ電極を扁平に加工することで、前記金属バスバーとの接合部の前記ワイヤ電極の前記導電性被覆層が除去されていることを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項６】
前記ワイヤ電極の前記導電性被覆層が除去された部分に導電性ペーストを塗布して前記金属ワイヤと前記金属バスバーを接合することを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項７】
導電性被覆層を有する金属ワイヤからなるワイヤ電極と、前記ワイヤ電極と接続された金属バスバーとを有する光起電力素子の製造方法において、前記ワイヤ電極の金属バスバーとの接合部を扁平に加工する工程と、前記ワイヤ電極上に前記金属バスバーを戴置する工程と、金属バスバー部を熱、もしくは圧力、もしくは熱と圧力によって接触接合を形成する工程を有することを特徴とする光起電力素子の製造方法。
【請求項８】
前記ワイヤ電極上に前記金属バスバーを戴置する工程において、ワイヤ電極の扁平に加工された位置と対向する位置に金属バスバーを対置することを特徴とする請求項７に記載の光起電力素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光起電力素子に関する。より詳細には、従来よりも高効率を得るための集電電極構造を有する光起電力素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
光起電力素子を応用した太陽電池は、火力発電、水力発電など既存の発電方法の問題を解決する代替エネルギー源として注目されている。
【０００３】
太陽電池の種類としては、結晶系太陽電池、アモルファス系太陽電池、化合物半導体太陽電池等、多種にわたる太陽電池が研究開発されているが、中でもアモルファス系太陽電池は、大面積化が容易、かつ光吸収係数が大きく、また薄膜で動作するなどの結晶系太陽電池にはない優れた特徴をもっており、将来を有望視されている太陽電池の一つである。
アモルファスシリコン太陽電池の構成としては、例えば、ステンレス等からなる導電性基板の表面上に、裏面電極、半導体層、受光面電極を順次積層した構造が公知である。この受光面電極は、例えば透明導電性酸化物によって形成される。
【０００４】
さらに、前記受光面電極の表面上には、電流を集めるための細い金属からなるワイヤ電極が配設される。前記ワイヤ電極は、太陽電池の光入射面側に設けられるため、その面積はいわゆるシャドウロスとなり、太陽電池の発電に寄与する有効面積が減少することとなる。この理由から、前記ワイヤ電極は、比較的細い櫛状に形成されることが多い。すなわち、前記ワイヤ電極は、通常細くかつ長い形状となるため、電気抵抗が少なくなるような材料選定、及び断面形状の設計が要求される。
【０００５】
またさらに、前記ワイヤ電極の表面上には、前記ワイヤ電極によって集められた電流を集めるために、金属バスバーと呼ばれる電極が形成される。金属バスバーは、前記ワイヤ電極に比べてより太い金属で作製される。
【０００６】
上記電極の例としては、特開平０８−２３６７９６号公報（特許文献１）に金属ワイヤを使用したワイヤ電極が開示されている。図１１にその一例の概略図を示す。図１１（ａ）は光起電力素子の正面図、（ｂ）は拡大図、（ｃ）はＡＡ'断面図、（ｄ）はＢＢ'断面図を示している。
【０００７】
図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）において、１０１は光起電力素子であり、例えばステンレス基板上に裏面電極層、半導体層、透明電極層が順次形成されており、１０３は光起電力素子エッジでのショートの影響を回避するために透明電極層を除去したラインである。１０２はワイヤ電極であり、直径５０〜３００μｍの金属ワイヤ１０７の周囲を導電性ペースト等でコーティングしたものが、透明電極層上に圧着されている。ここで導電性ペーストとしては、光起電力素子面のピンホールなどに直接接触しても出力低下につながるようなショートの無きこと、及び金属マイグレーションしないことという制約から、比抵抗１０-1〜１０2Ωｃｍ程度のカーボンペーストや導電性酸化物ペーストなどが必須である。１０５はさらなる集電のための金属バスバーと呼ばれるもので、ワイヤ電極１０２で集められた電流を光起電力素子１０１外に取り出す目的で設置されており、材質としては例えば銅の箔材が使用されている。
【特許文献１】特開平０８−２３６７９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記従来の構成で、太陽電池の変換効率としては８〜１０％程度が実用レベルであるが、近年、太陽電池の変換効率の向上は目覚しいものがあり、とりわけ変換効率を決定するパラメータの中でも、短絡電流（いわゆるＩｓｃ）が向上し、１０％を超えるような半導体膜が開発されている。
【０００９】
しかしながら、変換効率が向上し電流量が増大した場合の大きな問題点は、電流が通過する電極部分での発電ロスが電流量の２乗に比例して増加してしまう点である。すなわち、高効率の半導体膜ができたとしても、発生した電流を取り出す際に、抵抗の大きい部分での発電ロスが大きくなってしまい、本来半導体層の持つ実力の変換効率が大幅にダウンしてしまう点である。従って、太陽電池においては、その発生電流量に応じて、適宜集電形態を考慮していく必要がある。
【００１０】
特開平８−２３６７９６号公報で提案した集電電極形態において、とりわけ金属バスバーとワイヤ電極の接合部が、前述の理由によりカーボンペーストのような比抵抗の比較的高い材料で形成されているため、高い抵抗を持つ部分であった。そのため、電流量の増大に伴い、金属バスバーとワイヤ電極の接合部での接触抵抗ロスが大きくなり、所望の変換効率が出ないという問題がある。
【００１１】
この問題を解決する手段としては、例えば以下の３つの手段がある。(1)特開２００１−３４５４６６に示される、金属バスバーとの接合部のワイヤ電極の導電性被覆層を除去し、金属バスバーと金属ワイヤを接触接合する手段。(2)特開２００１−３４５４６５に示される、導電性被覆層の除去部に低抵抗の導電性ペーストなどを塗布し、金属バスバーと金属ワイヤを接触接合する手段。(3)特開２００１−３４５４６８に示される、導電性被覆層の除去部にエネルギービームを照射し金属バスバーと金属ワイヤを溶接接合する手段。これらの手法により、ワイヤ電極と金属バスバーの接触抵抗を低減することができたが、さらなる接触抵抗ロスの低減を図る必要がある。
【００１２】
また、半導体層のアクティブエリアを広くするためにワイヤ電極をさらに細くした場合やワイヤの形状により、金属ワイヤと金属バスバーの接触面積が小さくなり、上記の方法を用いても接触抵抗ロスが大きくなるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は、上述した問題を解決するために鋭意研究開発を重ねた結果、以下のような光電力素子及びその製造方法が有効であることを見出した。
【００１４】
本発明では、導電性被覆層を有する金属ワイヤからなるワイヤ電極と、前記ワイヤ電極と接続された金属バスバーとを有する光起電力素子において、前記金属バスバーとの接合部のワイヤ電極の形状が半導体層上に圧着されたワイヤ電極の形状に比べて扁平に加工されていることを特徴とする光起電力素子である。
【００１５】
金属バスバーとの接合部のワイヤ電極の形状を扁平に加工することにより、金属バスバーとワイヤ電極の接触面積を大きくでき、接触抵抗ロスを低減することができる。
【００１６】
さらに、ワイヤ電極の短手方向の幅が加工される前よりも大きくなるように扁平に加工されていることを特徴とする光起電力素子である。
【００１７】
ワイヤ電極の短手方向の幅が大きくなるように加工することで、金属バスバーの大きさを変更することなく金属バスバーとワイヤ電極の接触面積を大きくでき、接触抵抗ロスを低減することができる。
【００１８】
また、ワイヤ電極の加工された加工部において、端部以外に角を持たないことを特徴とする光起電力素子である。
【００１９】
扁平に加工されたワイヤ電極において、端部以外に角を持たないようにすることにより、ワイヤ電極に所定の張力を加えたときに加工部での引張り応力を分散でき、加工された部部分でワイヤ電極が切れることを防止することができる。
【００２０】
さらに、ワイヤ電極が金属バスバーの幅以上にわたって扁平に加工されていることを特徴とする光起電力素子である。
【００２１】
ワイヤ電極が金属バスバーの幅以上にわたって扁平に加工されていることにより、金属ワイヤと金属バスバーの接触を妨害するものが無いため、接触面積を広くとれると同時に、金属バスバーに内部応力が残留しない状態とすることができる。
【００２２】
また、ワイヤ電極を扁平に加工することで、金属バスバーとの接合部のワイヤ電極の導電性被覆層が除去されていることを特徴とする光起電力素子である。
【００２３】
ワイヤ電極を扁平に加工することにより、流動性を有する半硬化の導電性被覆層は、ワイヤ電極の金属バスバーとの接合部である加工部から押し出されるため、加工部から導電性被覆層を除去できる。従って、従来のように、ワイヤ電極と金属バスバーの接触抵抗を低減するために、ワイヤ電極の導電性ペーストを除去する必要がない。
【００２４】
さらに、ワイヤ電極の導電性被覆層が除去された部分に導電性ペーストを塗布して金属ワイヤと金属バスバーを接合することを特徴とする光起電力素子である。
【００２５】
ワイヤ電極の導電性被覆層が除去され金属ワイヤが露出した部分に導電性ペーストを塗布し、金属バスバーと接合することにより、さらにワイヤ電極と金属バスバーの接触抵抗を低減することができる。
【００２６】
また、導電性被覆層を有する金属ワイヤからなるワイヤ電極と、ワイヤ電極と接続された金属バスバーとを有する光起電力素子の製造方法において、ワイヤ電極の金属バスバーとの接合部を扁平に加工する工程と、ワイヤ電極上に金属バスバーを戴置する工程と、金属バスバー部を熱、もしくは圧力、もしくは熱と圧力によって接触接合を形成する工程を有することを特徴とする光起電力素子の製造方法である。
【００２７】
金属バスバーとの接合部のワイヤ電極を加工部材により扁平化する工程を有することで、ワイヤ電極を扁平化することができる。この工程は、ワイヤ電極上に金属バスバーを戴置する工程の前に行うことも後に行うこともできる。
【００２８】
さらに、ワイヤ電極上に金属バスバーを戴置する工程において、ワイヤ電極の扁平に加工された位置と対向する位置に金属バスバーを対置することを特徴とする光起電力素子の製造方法。
【００２９】
ワイヤ電極の加工部と対向する位置に金属バスバーを対置することにより、接触面積を広くとることができる。
【発明の効果】
【００３０】
これまで述べてきたように、光起電力素子の電極構造において、金属バスバーとの接合部のワイヤ電極を扁平に加工することで、ワイヤ電極と金属バスバーの接触抵抗ロスを低減でき、発電ロスが少ない集電電極形態、さらには高い変換効率を有する光起電力素子を提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
次に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００３２】
まず、本発明の光起電力素子を図１を用いて詳述する。
【００３３】
図１は、本発明のワイヤ電極と金属バスバーの関係を示す一例の概略図であり、図１（ａ）は光起電力素子の正面図、（ｂ）は拡大図、（ｃ）はＡＡ'断面図、（ｄ）はＢＢ'断面図を示している。
【００３４】
図中１０１は光起電力素子、１０３は光起電力素子表面に設けられた透明電極層のエッチングラインを示す。また、１０２はワイヤ電極であり、本発明においては金属ワイヤ１０７の周囲を導電性被覆層１０６でコーティングされたものが用いられている。また、１０５は金属バスバーを表しており、半導体層上のワイヤ電極１０２の形状に比べ金属バスバー１０５との接合部のワイヤ電極１０２の形状は扁平化している。金属バスバー１０５との接合部のワイヤ電極１０２が扁平化されていることにより、金属バスバー１０５との接触面積が大きくなり、金属バスバー１０５とワイヤ電極１０２間の抵抗を小さくすることができる。また、ワイヤ電極１０２をプレスし扁平化する際に、導電性被覆層１０６の導電性ペーストが外部に押し出されるため、金属ワイヤ１０７と金属バスバー１０５の接合部の導電性被覆層１０６を除去する必要がない。そして、好ましくは、この金属バスバー１０５と金属ワイヤ１０７との接続部には導電性被覆層１０６よりも比抵抗の小さい導電材が配置される。また、１０４は透明電極層のエッチングライン１０３外の領域でワイヤ電極１０２と光起電力素子１０１とを絶縁するための絶縁性仮固定部材を表している。
【００３５】
（ワイヤ電極）
本発明に係るワイヤ電極としては、例えば、図２に示したものが挙げられる。
【００３６】
図２（ａ）のワイヤ電極１０２は、金属ワイヤ１０７が１種類の導電性被覆層１０６でコーティングされた場合である。図２（ｂ）のワイヤ電極１０２は、金属ワイヤ１０７が２種類の導電性被覆層、すなわち、第１被覆層１０６ａと第２被覆層１０６ｂでコーティングされた場合である。
【００３７】
金属ワイヤ１０７は、線材として工業的に安定に供給されているものが好ましい。また、金属ワイヤ１０７の材質としては、比抵抗率が１０-4Ωｃｍ以下の金属を用いることが望ましい。例えば、銅、銀、金、白金、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の材料が、電気抵抗の低いため好適に用いられる。中でも、銅、銀、金は電気抵抗が低く、望ましい。また、前記金属ワイヤ１０７の表面に腐食防止、酸化防止、導電性樹脂との接着性向上、電気的導通の改良などの目的から、薄い金属層を形成しても良い。金属ワイヤ１０７の表面に設ける金属層としては、例えば銀、パラジウム、銀とパラジウムの合金、金などの腐食されにくい貴金属や、ニッケル、錫などの耐食性の良い金属が挙げられる。中でも、金、銀、錫が湿度などの影響を受けにくいため、金属層として好適に用いられる。金属ワイヤ１０７の表面に設ける金属層の形成方法としては、例えば、メッキ法、クラッド法が好適に用いられる。
【００３８】
前記金属ワイヤ１０７の断面形状は、一つ以上の角を持つ形状や円等が考えられるが、所望に応じて適宜選択される。前記金属ワイヤ１０７の最も大きな幅は、電気抵抗ロスとシャドウロスの和が最小となる様に設計して選択される値である。具体的には、例えばＪＩＳ‐Ｃ‐３２０２に示されるエナメル線用の円形断面の直径２５μｍから1ｍｍまでの銅線が好適に用いられる。より好ましくは、その直径を２５μｍ以上２００μｍ以下とすることで光電変換効率の良い光起電力素子１０１が得られる。２５μｍより細い場合は、金属ワイヤ１０７が切れやすく製造が困難となり、また、電気ロスも大きくなる。
【００３９】
前記金属ワイヤ１０７は、公知の伸線機によって所望の直径に成形して作られる。伸線機を通過した金属ワイヤ１０７は硬質であるが、伸びやすさや曲げやすさなどは所望の特性に応じて公知の方法でアニールし、軟質にしてもよい。
【００４０】
一方、図２（ａ）で示す導電性被覆層１０６は単層構成の被覆層であり、熱硬化性導電性接着剤あるいは熱可塑性導電性接着剤により形成される。これらは熱圧着工程によりワイヤ電極１０２と光起電力素子１０１と機械的、電気的に接続する機能を持つ。
【００４１】
また、図２（ｂ）で示す導電性被覆層１０６は、２層構成の被覆層であり、第１被覆層１０６ａと第２被覆層１０６ｂから成る。第１被覆層１０６ａは熱硬化性導電性接着剤により形成され、金属ワイヤ１０７の保護、機械的、電気的な接続を行う。また、金属ワイヤ１０７によるマイグレーションを防止し、さらにワイヤ電極１０２から光起電力素子１０１の欠陥部分に流れ込む電流を抑制する機能を持つ。第２被覆層１０６ｂもまた熱硬化性導電性接着剤により形成され、熱圧着工程によりワイヤ電極１０２と光起電力素子１０１と機械的、電気的に接続する機能を持つ。第２被覆層１０６ｂを構成する導電性接着剤は被覆後に未硬化の状態としておき、接着工程を経た後、処理をする方が望ましい。
【００４２】
導電性被覆層１０６は、導電性接着剤から成り、導電性粒子と高分子樹脂とを分散して得られる。
【００４３】
導電性粒子は、導電性を付与するための顔料であり、その材料としては、例えば、カーボンブラック、グラファイトなどやＩｎ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｎＯ2、ＩＴＯ、ＺｎＯ及び前記材料に適当なドーパントを添加した酸化物半導体材料等が好適に用いられる。これらの材料はマイグレーション性が少ない為、例えば薄膜系の半導体層を有する光起電力素子１０１においても使用可能である。
【００４４】
高分子樹脂としては、金属ワイヤ１０７に塗膜を形成しやすく、作業性に優れ、柔軟性があり、耐候性が優れた樹脂が好ましい。このような特性をもつ高分子樹脂としては、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂がある。
【００４５】
熱硬化性樹脂としては、例えば、ウレタン、エポキシ、フェノール、ポリビニルホルマール、アルキド樹脂あるいはこれらを変性した樹脂等が好適な材料として挙げられる。とりわけ、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂はエナメル線用絶縁被覆材料として用いられており柔軟性は生産性の面で優れた材料である。
【００４６】
熱可塑性樹脂としては、例えば、ブチラール、フェノキシ、ポリアミド、ポリアミドイミド、メラミン、ブチラール、アクリル、スチレン、ポリエステル、フッ素などが好適な樹脂として挙げられる。とりわけ、ブチラール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂が、柔軟性、耐湿性、接着性の面で優れた材料であり、ワイヤ電極１０２の材料として好適に用いられる。
【００４７】
尚、導電性接着剤中には、金属との密着性を向上させる等の目的で、例えばカップリング剤のような添加剤が混入してあっても何ら構わない。
【００４８】
前記導電性粒子と前記高分子樹脂とは、好適な比率で混合されるが、導電性粒子を増加すると塗膜としての安定性は悪くなる。また、高分子樹脂を増加すると導電性粒子同士の接触が不良となり、高抵抗化する。従って、良好な比率は、用いる高分子樹脂と導電性粒子及び所望の物性値によって適宜選択されるものである。具体的には、導電性粒子が５体積％から９５体積％とすることで良好な導電性被覆層１０３が得られる。
【００４９】
導電性被覆層１０６の厚みとしては、適宜選択して構わないが、５μｍ以上２５μｍ以下の範囲が好ましい。５μｍより薄い厚みの場合は、均一にコーティングすることが難しくピンホールが発生しやすくなると同時に、接着層としての機能が不足することがある。
【００５０】
また、上記の構成に関わらず同様の機能を実現する構成はすべて含みうる。
【００５１】
（光起電力素子）
本発明に係る光起電力素子とは、特に何ら限定はなく、単結晶、薄膜単結晶、多結晶、薄膜多結晶、アモルファスの光起電力素子に適用できる以外に、例えば、ショットキー型の光起電力素子にも適用可能である。
【００５２】
ここでは代表例として、アモルファスシリコン系の光起電力素子１０１について詳述する。その一例の断面図を図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。
【００５３】
図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、基板３０１と反対側の表面から光入射させるタイプのアモルファスシリコン系光起電力素子１０１の模式的断面図である。図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）において、３０１は基板、３０２は下部電極、３０３はｎ型半導体層、３０４はｉ型半導体層、３０５はｐ型半導体層、３０６は透明導電膜からなる上部電極、１０２はワイヤ電極を表す。
【００５４】
基板３０１はアモルファスシリコンのような薄膜の光起電力素子１０１の場合に、半導体層を機械的に支持する部材であり導電性のものでも電気絶縁性のものでもよい。より好ましくは電極としても使われるため導電性のものがよい。従って、基板３０１は、半導体層を成膜する時の加熱温度に耐える耐熱性が要求される。
【００５５】
導電性の材料としては、例えばＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｔｉ等の金属またはこれらの合金、例えば真鍮、ステンレス鋼等の薄板及びその複合体やカーボンシート、亜鉛メッキ鋼板等が挙げられる。電気絶縁性材料としてはポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、エポキシ等の耐熱性合成樹脂のフィルムまたはシート又はこれらとガラスファイバー、カーボンファイバー、ホウ素ファイバー、金属繊維等との複合体、及びこれらの金属の薄板、樹脂シート等の表面に異種材質の金属薄膜及び／またはＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ等の絶縁性薄膜をスパッタ法、蒸着法、鍍金法等により表面コーティング処理を行ったもの及び、ガラス、セラミックスなどが挙げられる。
【００５６】
下部電極３０２は、半導体層３０３、３０４、３０５で発生した電力を取り出す為の一方の電極であり、半導体層３０３に対してはオーミックコンタクトとなる仕事関数を持つことが要求される。材料としては例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、ニクロム、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＩＴＯ等のいわゆる金属体または合金及び透明導電性酸化物（ＴＣＯ）等が用いられる。下部電極３０２の表面は平滑であることが好ましいが、光の乱反射を起こさせる場合にはテクスチャー化してもよい。また、基板３０１が導電性である場合、下部電極４２を設けなくても良い。下部電極３０２は、例えば、メッキ、蒸着、スパッタ等の公知の方法で形成することができる。
【００５７】
アモルファス半導体層は、ｎ層３０３、ｉ層３０４、ｐ層３０５を一組としたシングル構成(図３（ａ）)だけでなく、ｐｉｎ接合またはｐｎ接合を２組または３組重ねたダブル構成(図３（ｂ）)やトリプル構成(図３（ｃ）)も好適に用いられる。特に、ｉ層である３０４を構成する半導体材料としては、ａ−Ｓｉの他に、ａ−ＳｉＧｅ、ａ−ＳｉＣ等のいわゆるＩＶ族及びＩＶ族合金系アモルファス半導体が挙げられる。アモルファス半導体層の成膜方法としては、例えば、蒸着法、スパッタ法、高周波プラズマＣＶＤ法、マイクロプラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ法、熱ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等公知の方法を所望に応じて用いる。成膜装置としては、バッチ式の装置や連続成膜装置等が所望に応じて使用できる。
【００５８】
透明導電膜からなる上部電極３０６は、アモルファスシリコンのようにシート抵抗が高い場合必要であり、かつ、光入射側に位置する為に透明であることが必要である。上部電極３０６の材料としては、例えば、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＣｄＯ、ＣｄＳｎＯ4、ＩＴＯ等の金属酸化物が挙げられる。
【００５９】
また、上記の構成に関わらず同様の機能を実現する構成はすべて含みうる。
【００６０】
（扁平に加工されたワイヤ電極と加工部材）
本発明の扁平に加工されたワイヤ電極１０２の形状について、図４を用いて詳述する。まず、ワイヤ電極１０２の扁平化された部分をワイヤ電極１０２の加工部７０１とする。図４（ａ）は本発明のワイヤ電極１０２の加工部７０１の金属バスバー１０５との接合部側から見た正面図、図４（ｂ）は側面図、図４（ｃ）は断面図を示す。１０７は金属ワイヤ、１０６は導電性被覆層を表す。
【００６１】
本発明の扁平に加工されたワイヤ電極１０２の形状は、加工前後を比較すると、ワイヤ電極１０２のＹ方向（短手方向）の幅が大きくなり、Ｚ方向（高さ方向）の幅が小さくなるように扁平に加工されている。ワイヤ電極１０２の形状をこのように加工することによって、ワイヤ電極１０２の断面積を変えずに、加工前の金属バスバー１０５とワイヤ電極１０２が接合される表面積よりも大きくすることができる。
【００６２】
加工前のワイヤ電極１０２のＸ方向（長手方向）の長さ、Ｙ方向（短手方向）の幅、Ｚ方向（高さ方向）の幅の絶対値、相対比については、特に制限はなく、使用する金属ワイヤの径、ワイヤ電極の間隔、金属バスバーの厚さ、金属バスバーの幅等の他のパラメータに応じて適宜選択することができる。
【００６３】
上記、図５に示すように、ワイヤ電極１０２の加工は、ワークベット５０２上のワイヤ電極１０２に公知の加工部材５０１でプレスすることで行うことが可能である。加工部材５０１としてはプレス機、熱プレス機、超音波溶接機、圧搾機等が考えられるが、上に挙げたものには限定されず同様の機能を実現するものは全て含みうる。
【００６４】
ワイヤ電極１０２を扁平に加工するために加工部材５０１でプレスする圧力は、ワイヤ電極１０２が切断されない程度であれば良く、金属ワイヤ１０７の材料、径、導電性被覆層の厚み、光起電力素子の耐圧性、加工部材の形状など、他のパラメータに応じて適宜選択できる。
【００６５】
光起電力素子１０１上にワイヤ電極１０２を布線する際に、ワイヤ電極１０２には所望の張力が必要である。そのため、扁平に加工されたワイヤ電極１０２の加工部７０１にかかる引張り応力が分散されるように、ワイヤ電極１０２の加工部７０１で端部以外に角を持たないことが望ましい。従って、加工部材５０１も、ワイヤ電極との接触部分に角を持たないことが望ましい。
【００６６】
また、ワイヤ電極１０２が加工部材５０１により扁平に加工された際に、流動性を有する半硬化の導電性被覆層１０６は加工部７０１から押し出されるため、加工部７０１から除去される。従って、従来行っていたワイヤ電極１０２と金属バスバー１０５の接触抵抗を低減するためのワイヤ電極１０２の導電性ペーストを除去する工程を必要としない。
【００６７】
加工部７０１のワイヤ電極１０２のＸ方向（長手方向）の長さは、金属バスバー１０５の幅以上であることが望ましい。図６（ａ）、（ｂ）に扁平に加工されたワイヤ電極１０２のＸ方向（長手方向）の長さの違いを示している。
【００６８】
図６（ａ）には、扁平に加工されたワイヤ電極１０２のＸ方向（長手方向）の長さが金属バスバー１０５の幅以上の場合を示しており、図６（ｂ）には、扁平に加工されたワイヤ電極１０２のＸ方向（長手方向）の長さが金属バスバー１０５の幅以下の場合を示している。
【００６９】
両者を比較して明らかなように、図６（ａ）の場合には、金属ワイヤ１０７と金属バスバー１０５の接触を妨害するものが無いため、接触面積を広くとれると同時に、金属バスバー１０５に内部応力が残留しない状態とすることができる。一方、図６（ｂ）の場合には、加工されていないワイヤ電極１０２が界面に介在するため、金属バスバー１０５が少しカールした状態でないと接触することができない。そのため、接触面積が図６（ａ）に比べて小さくなり、金属バスバー１０５には内部応力が残留する。
【００７０】
加工部材５０１はワイヤ電極１０２一つに対し一つの部材であっても、全てのワイヤ電極１０２を一つの部材で扁平に加工しても構わず適宜選択される。また、全てのワイヤ電極１０２を同時に加工しても、順に加工しても構わず適宜選択される。
【００７１】
また、上記の構成に関わらず同様の機能を実現する構成はすべて含みうる。
【００７２】
（金属バスバー）
本発明に係る金属バスバー１０５は、ワイヤ電極１０２を流れる電流をさらに一端に集めるための集電部である。このような観点から、金属バスバー１０５に使用する材料としては、比抵抗が低く、かつ工業的に安定して供給される材料が望ましい。
【００７３】
このような材料としては、加工性がよく、安価な銅が好適に用いられる。また、銅を用いる場合には、腐食防止、参加防止等の目的で、表面に薄い金属層を設けてもよい。この表面金属層としては、例えば、銀、パラジウム、パラジウムと銀の合金、または金などの腐食されにくい貴金属や、ニッケル、半田、錫などの耐食性の良い金属が好適に用いられる。表面金属層の形成方法としては、例えば作成が比較的容易な蒸着法、メッキ法、クラッド法が好適に用いられる。
【００７４】
金属バスバー１０５の厚みは、５０μｍ以上２００μｍ以下が好ましい。５０μｍ以上とすることで、光起電力素子１０１の発生電流密度に充分対応できるだけの断面積を確保できるとともに、実質上機械的結合部材として使用することができる。一方、金属バスバー１０５は厚くするほど抵抗ロスを小さくすることができるが、２００μｍ以下とすることで表面被覆材によるなだらかな被覆が可能となる。
【００７５】
金属バスバー１０５は、光起電力素子１０１の形態によっては何枚設けてもよく、特に１枚と限定されるものではない。また、ここで用いる金属バスバー１０５は、設ける対象となる光起電力素子１０１の大きさとほぼ同程度の長さを有するものが好ましい。形状に関しても特に制限はなく、箔状、円柱状等を用いることができる。
【００７６】
また、上記の構成に関わらず同様の機能を実現する構成はすべて含みうる。
【００７７】
（金属ワイヤと金属バスバーとの接合）
加工部材５０１により扁平に加工することで露出した金属ワイヤ１０７と金属バスバー１０５を接合する方法について詳述する。
【００７８】
接合する方法としては、例えば以下の３つの手法が挙げられる。(1)熱、もしくは圧力、もしくは熱と圧力による接触接合方法。(2)低抵抗の導電性ペーストを塗布し、熱、もしくは圧力、もしくは熱と圧力による接合方法。(3)エネルギービームによる溶接接合法。上に挙げたものには限定されず同様の機能を実現するものは全て含みうる。
【００７９】
まず、(1)接触接合方法とは、金属ワイヤ１０７と金属バスバー１０５とが直接接触し、金属ワイヤ１０７から金属バスバー１０５に流れ込む電流の経路として機能する電気的接合方法である。ワイヤ電極１０２を扁平に加工した後、加工部７０１に対向して金属バスバー１０５を戴置し、熱、もしくは圧力、もしくは熱と圧力により接合する。
【００８０】
次に、(2)導電性ペーストを塗布し硬化させることによる接合方法について詳しく説明する。
【００８１】
まず、本発明に使用する導電性ペーストは、金属ワイヤ１０７と金属バスバー１０５の間に配され、金属ワイヤ１０７から金属バスバー１０５に流れ込む電流の経路として機能すると同時に、機械的な接着機能を有していることが好ましい。従って、非常に低抵抗であって、かつ金属との接着性が良好であることが望まれる。
【００８２】
具体的には、導電性粒子と高分子樹脂とを所望の比率で分散して得られるものである。導電性粒子としては、金、銀、ニッケル、銅などを主成分とする通常の金属フィラを用いることができる。中でも、できるだけ比抵抗を小さくする目的と、コスト的な兼ね合いから銀、銅、ニッケルを主成分とすることが好適である。また、高分子樹脂成分としては、上述のように金属との接着性が良好であるとともに、耐候性、耐湿性に優れた樹脂が好ましい。例えば、ウレタン、エポキシ、フェノール、ブチラール、アクリル、ポリエチレンなどが好適な材料として挙げられる。尚、導電性ペースト中には、金属との密着性を向上させるなどの目的で、例えばカップリング剤のような添加剤が混入してあっても構わない。上述の導電性ペーストを金属ワイヤ１０７に塗布する方法としては、公知のディスペンサー装置を用いでドッティングすることが可能である。塗布量は、特に制限はなく、使用する金属ワイヤの径、扁平に加工された金属ワイヤの加工部の表面積、ワイヤ電極の間隔、絶縁性仮固定部材の幅、金属バスバー１０５の幅など、他のパラメータに応じて適宜選択することができる。この導電性ペーストの塗布後に、ワイヤ電極１０２の加工部７０１に対向して金属バスバー１０５を戴置し、熱、もしくは圧力、もしくは熱と圧力により接合する。
【００８３】
次に、(3)エネルギービームによる溶接接合法とは、扁平に加工したワイヤ電極１０２の加工部７０１に対向して金属バスバー１０５を戴置した後、金属バスバー１０５側から金属ワイヤ１０７の存在している位置にエネルギービームを照射することによって金属ワイヤ１０７と金属バスバー１０５を接合する方法である。この時に使用するエネルギービームとしては、電子線、イオン線、レーザーなどを用いることができるが、レーザーが好適で、中でも溶接に必要な大出力が比較的容易に引き出せるパルスＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザーが好適である。ここで、エネルギービームが金属バスバー１０５に吸収しやすくするために、金属バスバー１０５上にエネルギーを吸収しやすい媒体を設けてあっても構わない。
【００８４】
上述の接合方法の中でも、金属ワイヤ１０７と金属バスバー１０５の接合方法は、ワイヤ電極１０２を扁平に加工する工程を金属バスバー１０５の戴置前に行う場合には、最も金属ワイヤと金属バスバー間の比抵抗が低下する導電性ペーストによる接合方法が好適に用いられる。また、ワイヤ電極１０２を扁平に加工する工程を金属バスバー１０５の戴置後に行う場合には、最も容易に金属ワイヤと金属バスバーを接合できる接触接合方法が好適に用いられる。
【００８５】
また、上記の構成に関わらず同様の機能を実現する構成はすべて含みうる。
【００８６】
（製造方法）
次に、本発明に係る光起電力素子１０１の製造方法の一例を、アモルファスシリコン太陽電池素子の場合を例に挙げて図７（ａ）〜（ｄ）を用いて詳述する。図７（ａ）〜（ｄ）は光起電力素子１０１を光入射側から見た場合の正面図である。
【００８７】
（ａ）上述の光起電力素子１０１を任意の大きさで準備する。
【００８８】
（ｂ）最表面に位置する透明導電膜を除去したライン（所謂エッチングライン）１０３を形成する。これは、光起電力素子１０１の周辺に存在する短絡箇所が、素子効率に影響を及ぼさないようにする場合に行う処理であって、短絡箇所が無い場合や短絡の程度が無視できるような場合については設ける必要はない。
【００８９】
また、光起電力素子１０１の端部に、例えば両面テープのような絶縁性の絶縁性仮固定部材１０４を配置する。絶縁性は、後にワイヤ電極１０２が、光起電力素子１０１の短絡部と接触してショートすることを防止するための機能であり、ショートの危険性がない場合についてはエッチングライン同様設ける必要はない。
【００９０】
（ｃ）次に、導電性被覆層１０６を有する金属ワイヤ１０７からなるワイヤ電極１０２を適当なピッチ間隔でグリッパ８０４に把持させボビンカセット８０１から引き出す。
【００９１】
（ｄ）引き出されたワイヤ電極１０２の金属バスバー１０５との接合部を加工部材５０１により扁平に加工する。そして、加工後に光起電力素子１０１上にワイヤ電極１０２を配設する。この時点では、光起電力素子１０１の端部の絶縁性仮固定部材１０４上のみでワイヤ電極１０２は固定されている（仮固定）。ワイヤ電極１０２を扁平に加工する工程は、上記のようにワイヤ電極１０２を光起電力素子１０１上に配設する前に行うことができるが、光起電力素子１０１上に配設した後に行ってもよい。その際にプレスする圧力は光起電力素子１０１を破壊しない程度の圧力以下でなければならず、具体的には５.０×１０6〜８.０×１０6Ｐａが好適である。
【００９２】
（ｅ）そして、金属バスバー１０５を絶縁性仮固定部材１０４上に配置し、導電性ペーストを金属ワイヤ１０７上に塗布する。そして塗布後に、所望の温度で加熱硬化を行う。この時に、光起電力素子１０１全面を加熱してもよく、導電性被覆層１０６を硬化して金属ワイヤ１０７を透明導電層上に固定すると同時に、金属バスバー１０５と金属ワイヤ１０７を接着固定する。また、（ｃ）のワイヤ電極１０２を扁平に加工する工程が金属バスバー１０５を戴置した後に行う場合には、導電性ペーストを塗布しない接触接合方法が好適に用いられる。また上記加熱の工程と同時に、光起電力素子１０１全面を加熱することが望ましい。加熱をすることによって、透明導電層上での金属ワイヤ１０７の接着力が向上し信頼性がアップする。具体的に、圧力は１.１×１０5Ｐａ〜６.０×１０5Ｐａ程度が好適である。
【００９３】
また、上記の構成に関わらず同様の機能を実現する構成はすべて含みうる。
【００９４】
以下に上記請求項に沿った実施例について記載するが、本発明の実質的内容は下記実施例の具備する具体的な記述に限定されるものではない。
【００９５】
（ワイヤ電極の作成）
まず、本実施例で使用したワイヤ電極１０２について説明する。
【００９６】
ワイヤ電極１０２として、図２（ｂ）で示すように金属ワイヤ１０７の周囲に導電性被覆層１０６が２層コートされたものを作成した。
【００９７】
金属ワイヤ１０７として、直径１００μｍの銀クラッド銅ワイヤ（直径９８μｍの周囲に銀を１μｍの厚みでクラッドしたもの）を準備した。
【００９８】
次に、第１被覆層１０６aとして、カーボン入りウレタン系樹脂ペースト（自社製）をワイヤの周囲に５±１μｍの厚みで塗布した。第１被覆層１０６aについては、塗布後にＩＲオーブンにて標準硬化条件である２８０℃、１分の履歴を通すことによって、完全な硬化膜を作成した。
【００９９】
次に、別のカーボン入りウレタン系樹脂ペースト（自社製）を使用して、第２被覆層１０６ｂを形成した。第２被覆層１０６ｂは、２０±１μｍの厚みで塗布を行い、１２０℃、1分の条件で乾燥した。
【０１００】
この条件は、ペースト中に存在する硬化剤の解離温度以下であって、第２被覆層１０６ｂは単に溶剤が揮発してタックが無くなった状態にある。
【０１０１】
このようにして、直径１５０μｍのワイヤ電極１０２を作成した。
【０１０２】
（光起電力素子の作成）
本実施例では、図３（ｃ）に示す層構成でｐｉｎ型トリプル構成の光起電力素子(アモルファスシリコン系)１０１を作成した。
【０１０３】
まず、十分に脱脂、洗浄したＳＵＳ４３０ＢＡ基板３０１を不図示のＤＣスパッタ装置に入れ４５０ｎｍ堆積し、その後ＺｎＯを１０００ｎｍ堆積して下部電極３０２を形成した。基板３０１を取り出し、不図示のマイクロ波プラズマＣＶＤ成膜装置に入れ、ｎ層３０３にシリコン層、ｉ層３０４にシリコンゲルマニウム層、ｐ層３０５にシリコン層の順でボトム層を形成した。次に、同様にしてミドル層、トップ層を形成し、半導体層を堆積した。次に、不図示のスパッタ装置に入れ、反射防止効果を兼ねた機能を有する透明導電膜からなる上部電極３０６としてＩＴＯを７０ｎｍ成膜した。以上のようにして下部電極３０２、光起電力層(半導体層)３０３、３０４、３０５および上部電極３０６を堆積した光起電力素子１０１を作成した。
【０１０４】
その後、大きさが３０ｃｍ×３０ｃｍで光起電力素子１０１の有効面積が９００ｃｍ2となるように塩化第２鉄を主成分とするエッチングペーストと市販の印刷機を用い不要部分の上部電極３０６を除去した。
【実施例１】
【０１０５】
図８に本発明の第１の実施例を示す。
【０１０６】
まず、図８（ａ）のように、前述の光起電力素子１０１の有効面積外であって、対向する第１の端部８０６と第２の端部８０７の位置に、絶縁性の絶縁性仮固定部材１０４を設けた。絶縁性仮固定部材１０４としては、厚み１００μｍのポリイミド基材両面粘着テープを添付することによって形成した。
【０１０７】
次に、前述のワイヤ電極１０２が布線機を使用して光起電力素子１０１上に配設される動作について、図８（ｂ）〜（ｈ）を参照して説明する。
【０１０８】
布線動作を開始する準備工程として、図８（ｂ）に示すように、ワイヤ電極１０２をボビンから巻き出してグリッパ８０４に把持させるとともに、ワイヤ電極１０２を段差ローラ機構８０３の部分にプールしておく。また、弛み取り機構８０２により、弛みを取っておく。なお、ワイヤ電極１０２の先端はグリッパ８０４から１０ｍｍ程度突出した状態で、グリッパ８０４に把持させる。
【０１０９】
その後、図８（ｃ）に示すように、ワークベット８０５上に上述の光起電力素子１０１を供給し、吸引機構Ｂ１により光起電力素子１０１をワークベッド上に吸着する。
【０１１０】
次に、図８（ｄ）に示すように、グリッパ８０４を前進させ、ワイヤ電極１０２の先端を５ｍｍの間隔で光起電力素子１０１の前端部にまで搬送する。このとき、弛み取り機構８０２は閉じられた状態にあるので、この部分ではワイヤ電極１０２はクランプされた状態にあり、グリッパ８０４が前進するにつれて、段差ローラ機構８０３でのワイヤ電極１０２のプール量は次第に減少する。プール量が減少するとき、ワイヤ電極１０２には、重りとバランス重りの重さの差分だけの重さがかかり、一定の張力が与えられる。これにより、ワイヤ電極１０２が光起電力素子１０１上に弛みのない状態で張り渡されることとなる。
【０１１１】
グリッパ８０４によりワイヤ電極１０２の先端が光起電力素子１０１の前端部まで搬送されると、エアシリンダを動作させ、５.０×１０6〜８.０×１０6Ｐａの力で金属バスバー１０５との接合部を加工部材５０１によりプレスすることで、扁平に加工する。そして、プレス後に光起電力素子１０１上にワイヤ電極１０２を配設する。
【０１１２】
配設後、図８（ｅ）に示すように、前端押さえバネ８０８のバネ力により５０〜１００ｇの力でワイヤ電極１０２の先端を絶縁性仮固定部材１０４に押さえつける（仮固定）。そして、ワイヤ電極１０２の先端を前端押さえで光起電力素子１０１上に押さえつけた状態で、エアシリンダを動作させてグリッパ８０４を開き、元の位置まで後退させる。
【０１１３】
次に、金属ワイヤ１０７が露出した部分に、ディスペンサーでカーボン入りフッ素系樹脂ペースト（自社製、硬化時比抵抗０.１Ωｃｍ）が塗布される。塗布量は１箇所につき、約１ｍｇとなるようにディスペンサーの条件を調節する。
【０１１４】
さらに、図８（ｆ）に示すように、フッ素系樹脂ペーストを塗布した加工部７０１に１００μｍの厚みの銀メッキ銅を用いた金属バスバー１０５を戴置する。
【０１１５】
次に、図８（ｇ）に示すように、ヒータプレート８１０とカッター８０９を一体的に下降させる。これにより、ワイヤ電極１０２と金属バスバー１０５はヒータプレート８１０により光起電力素子１０１上に押させ付けられる。
【０１１６】
ヒータプレート８１０とカッター８０９の下降が終了すると、ヒータプレート８１０は、ワイヤ電極１０２を２５０℃で４５秒間、２×１０5Ｐａで加熱プレスし、ワイヤ電極１０２を光起電力素子１０１上と金属バスバー１０５に熱圧着する。
【０１１７】
この熱圧着動作の間に、ワイヤ電極１０２の切断に備えて、グリッパ８０４を閉じてワイヤ電極１０２をクランプした状態とする。また、カッター８０９を金属バスバー１０５に略接する位置までシフトさせ切断を行う。
【０１１８】
ワイヤ電極１０２の熱圧着及び切断が終了すると、図８（ｈ）に示すように、ヒータプレート８１０及びカッター８０９を上昇させる。
【０１１９】
以上の工程によって、アモルファス太陽電池を作成した。
【実施例２】
【０１２０】
図９に本発明の第２の実施例を示す。
【０１２１】
布線動作を開始する準備工程とワイヤ電極１０２に一定の張力を与えた後、グリッパ８０４によりワイヤ電極１０２の先端が光起電力素子１０１の前端部まで搬送され、光起電力素子１０１上に配設される。配設後、図９（ａ）に示すように、エアシリンダを動作させ、５.０×１０6〜８.０×１０6Ｐａの力で、ワイヤ電極１０２の金属バスバー１０５との接合部を加工部材５０１によりプレスし、扁平に加工する。さらに、プレスした状態で、エアシリンダを動作させてグリッパ８０４を開き、元の位置まで後退させる。
【０１２２】
次に、金属ワイヤ１０７が露出した部分に、ディスペンサーでカーボン入りフッ素系樹脂ペースト（自社製、硬化時比抵抗０.１Ωｃｍ）が塗布される。塗布量は１箇所につき、約１ｍｇとなるようにディスペンサーの条件を調節する。
【０１２３】
さらに、図９（ｂ）に示すように、フッ素系樹脂ペーストを塗布した加工部７０１に１００μｍの厚みの銀メッキ銅を用いた金属バスバー１０５を戴置する。
【０１２４】
金属バスバー１０５を戴置した後、図９（ｃ）に示すように、ヒータプレート８１０とカッター８０９を一体的に下降させる。これにより、ワイヤ電極１０２と金属バスバー１０５はヒータプレート８１０により光起電力素子１０１上に押させ付けられる。
【０１２５】
上記以外の工程、構成、材料、機能、作用は実施例１と同様であるので省略する。
【実施例３】
【０１２６】
図１０に本発明の第３の実施例を示す。
【０１２７】
布線動作を開始する準備工程とワイヤ電極１０２に一定の張力を与えた後、グリッパ８０４によりワイヤ電極１０２の先端が光起電力素子１０１の前端部まで搬送され、光起電力素子１０１上に配設される。配設後、図１０（ａ）に示すように、前端押さえバネ８０８のバネ力により５０〜１００ｇの力でワイヤ電極１０２の先端を絶縁性仮固定部材１０４に押さえつける（仮固定）。そして、ワイヤ電極１０２の先端を前端押さえバネ８０８で光起電力素子１０１上に押さえつけた状態で、エアシリンダを動作させてグリッパ８０４を開き、元の位置まで後退させる。
【０１２８】
次に、図１０（ｂ）に示すように、絶縁性仮固定部材１０４上に１００μｍの厚みの銀メッキ銅を用いた金属バスバー１０５を戴置する。
【０１２９】
そして、金属バスバー１０５の戴置後に、図１０（ｃ）に示すように、エアシリンダを動作させ、５.０×１０6〜８.０×１０6Ｐａの力で、金属バスバー１０５の上から、ワイヤ電極１０２を加工部材５０１により扁平に加工する。
【０１３０】
さらに、図９（ｃ）に示すように、ヒータプレート８１０とカッター８０９を一体的に下降させる。これにより、ワイヤ電極１０２と金属バスバー１０５はヒータプレート８１０により光起電力素子１０１上に押させ付けられる。
【０１３１】
上記以外の工程、構成、材料、機能、作用は実施例１と同様であるので省略する。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】本発明の光起電力素子を説明する図
【図２】ワイヤ電極を説明する図
【図３】光起電力素子を説明する図
【図４】本発明の扁平化されたワイヤ電極の形状を説明する図
【図５】ワイヤ電極が加工部材により扁平化される工程を説明する図
【図６】金属バスバーの戴置方法について説明する図
【図７】本発明の光起電力素子の製造方法を説明する図
【図８】本発明第１の実施例を説明する図
【図９】本発明第２の実施例を説明する図
【図１０】本発明第３の実施例を説明する図
【図１１】従来例を説明する図
【符号の説明】
【０１３３】
101  光起電力素子
102  ワイヤ電極
103  エッチングライン
104  絶縁性仮固定部材
105  金属バスバー
106  導電性被覆層
106a  第一被覆層
106b  第二被覆層
107  金属ワイヤ
301  基板
302  下部電極
303  ｎ型半導体層
304  ｉ型半導体層
305  ｐ型半導体層
306  上部電極
501  加工部材
502、805  ワークベット
701  加工部
801  ボビンカセット
802  弛み取り機構
803  段差ローラ機構
804  グリッパ
806  第１の端部
807  第２の端部
808  押さえバネ
809  カッター
810  ヒータプレート
【図１】
2006041169.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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