(57)【要約】【課題】ＴＦＴの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。  【解決手段】非晶質酸化物が微結晶を含む、又は層厚方向に組成が変化していること、又は所定の材料を含むことを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は、微結晶を含み且つ電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする非晶質酸化物。
【請求項２】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＳｎの少なくとも一つを含有する酸化物であることを特徴とする請求項１記載の非晶質酸化物。
【請求項３】
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、及びＩｎを含む酸化物のうちのいずれかである請求項１記載の非晶質酸化物。
【請求項４】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含有する酸化物であることを特徴とする請求項１記載の非晶質酸化物。
【請求項５】
非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は、微結晶を含み、且つ電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示すことを特徴とする非晶質酸化物。
【請求項６】
電界効果型トランジスタであって、
微結晶を含む非晶質酸化物を有する活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項７】
前記電界効果型トランジスタが、ノーマリーオフ型のトランジスタであることを特徴とする請求項６記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項８】
非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は層厚方向に組成が変化しており、且つ、
前記非晶質酸化物は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする非晶質酸化物。
【請求項９】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＳｎの少なくとも一つを含有する酸化物であることを特徴とする請求項８記載の非晶質酸化物。
【請求項１０】
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、及びＩｎを含む酸化物のうちのいずれかである請求項８記載の非晶質酸化物。
【請求項１１】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含有する酸化物であることを特徴とする請求項８記載の非晶質酸化物。
【請求項１２】
電界効果型トランジスタであって、
層厚方向に組成が変化している非晶質酸化物を含む活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備し、
前記活性層は、第１の領域と、該第１の領域よりも前記ゲート絶縁膜に近い第２の領域とを含み、
前記第２の領域の酸素濃度が、前記第１の領域の酸素濃度より高いことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項１３】
電界効果型トランジスタであって、
ＩｎあるいはＺｎの少なくとも一方を有する非晶質酸化物を含む活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備し、
前記活性層は、第１の領域と、該第１の領域よりも前記ゲート絶縁膜に近い第２の領域とを含み、
前記第２の領域のＩｎ濃度あるいはＺｎ濃度が、前記第１の領域のＩｎ濃度あるいはＺｎ濃度より高いことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項１４】
非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は膜厚方向に組成が変化しており、且つ、
前記非晶質酸化物は、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示すことを特徴とする非晶質酸化物。
【請求項１５】
電界効果型トランジスタであって、
Ｉｎ及びＺｎを有する非晶質酸化物を含む活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備し、
前記活性層は、第１の領域と、該第１の領域よりも前記ゲート絶縁膜に近い第２の領域とを含み、
前記第２の領域のＩｎ濃度が、前記第１の領域のＩｎ濃度より高いか、あるいは前記第２の領域のＺｎ濃度が、前記第１の領域のＺｎ濃度より高いことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項１６】
非晶質酸化物であって、
該非晶質酸化物の電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であり、且つ該非晶質酸化物はLi、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cｄ、C、N、P、Ti、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fから選ばれる１種または複数種の元素を含むことを特徴とする非晶質酸化物。
【請求項１７】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＳｎの少なくとも一つを含む酸化物であることを特徴とする請求項１６に記載の非晶質酸化物。
【請求項１８】
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、またはＩｎを含む酸化物のいずれかである請求項１６に記載の非晶質酸化物。
【請求項１９】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含む酸化物であることを特徴とする請求項１６に記載の非晶質酸化物。
【請求項２０】
非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は、
電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示し、且つ
Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cｄ、C、N、P、Ti、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fから選ばれる少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする非晶質酸化物。
【請求項２１】
電界効果型トランジスタであって、
Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cｄ、C、N、P、Ti、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fから選ばれる少なくとも１種の元素を含む非晶質酸化物を有する活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非晶質酸化物に関する。また、該非晶質酸化物を用いた電界効果型トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶やエレクトロルミネッセンス（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）技術等の進歩により、平面薄型画像表示装置（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＰＤ）が実用化されている。
【０００３】
これらＦＰＤは、ガラス基板上に設けた非晶質シリコン薄膜や多結晶シリコン薄膜を活性層に用いる電界効果型薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）のアクティブマトリクス回路により駆動されている。
【０００４】
一方、これらＦＰＤのより一層の薄型化、軽量化、耐破損性の向上を求めて、ガラス基板の替わりに軽量で可撓性のある樹脂基板を用いる試みも行われている。
【０００５】
しかし、上述のシリコン薄膜を用いるトランジスタの製造は、比較的高温の熱工程を要し、一般的に耐熱性の低い樹脂基板上に直接形成することは困難である。
【０００６】
そこで、低温での成膜が可能な、たとえばＺｎＯを材料とした酸化物半導体薄膜を用いるＴＦＴの開発が活発に行われている（特許文献１）。
【０００７】
一方、従来の酸化物半導体薄膜を用いたTFTは、シリコンを用いたTFTに並ぶだけの充分な特性が得られていなかった。
【特許文献１】特開2003-298062号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、TFTなど半導体デバイスの活性層に用いられて好適な半導体となる非晶質酸化物及び電界効果型トランジスタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の骨子は、
非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は、微結晶を含み、且つ
電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である、
ことを特徴とする。
【００１０】
本発明の第２の骨子は、非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は、微結晶を含み、且つ
電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す、
ことを特徴とする。
【００１１】
本発明の第３の骨子は、電界効果型トランジスタであって、
微結晶を含む非晶質酸化物を有する活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備することを特徴とする。
【００１２】
本発明の第４の骨子は、非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は層厚方向に組成が変化しており、且つ、
前記非晶質酸化物は、
電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である、
ことを特徴とする。
【００１３】
本発明の第５の骨子は、電界効果型トランジスタであって、
層厚方向に組成が変化している非晶質酸化物を含む活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備し、
前記活性層は、第１の領域と該第１の領域よりも前記ゲート絶縁膜に近い第２の領域とを含み、
前記第２の領域の酸素濃度が、前記第１の領域の酸素濃度より高いことを特徴とする。
【００１４】
本発明の第６の骨子は、電界効果型トランジスタであって、
ＩｎあるいはＺｎの少なくとも一方を有する非晶質酸化物を含む活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備し、
前記活性層は、第１の領域と該第１の領域よりも前記ゲート絶縁膜に近い第２の領域とを含み、
前記第２の領域のＩｎ濃度あるいはＺｎ濃度が、前記第１の領域のＩｎ濃度あるいはＺｎ濃度より高いことを特徴とする。
【００１５】
本発明の第７の骨子は、
非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は膜厚方向に組成が変化しており、且つ、
前記非晶質酸化物は、
電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す、
ことを特徴とする。
【００１６】
本発明の第８の骨子は、
電界効果型トランジスタであって、
Ｉｎ及びＺｎを有する非晶質酸化物を含む活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備し、
前記活性層は、第１の領域と該第１の領域よりも前記ゲート絶縁膜に近い第２の領域とを含み、
前記第２の領域のＩｎ濃度が、前記第１の領域のＩｎ濃度より高いか、あるいは前記第２の領域のＺｎ濃度が、前記第１の領域のＺｎ濃度より高いことを特徴とする。
【００１７】
本発明の第９の骨子は、
非晶質酸化物であって、
該非晶質酸化物の電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であり、且つ
Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cｄ、C、N、P、Ti、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fから選ばれる１種または複数種の元素を含むことを特徴とする。  
【００１８】
本発明の第１０の骨子は、
非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は、
電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示し、且つ
Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cｄ、C、N、P、Ti、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fから選ばれる少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする。
【００１９】
本発明の第１１の骨子は、
電界効果型トランジスタであって、
Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cｄ、C、N、P、Ti、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fから選ばれる少なくとも１種の元素を含む非晶質酸化物を有する活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備することを特徴とする。
【００２０】
本発明においては、前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＳｎの少なくとも一つを含有する酸化物であることが好ましい。
【００２１】
又、本発明においては、前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含有する酸化物であることが好ましいものである。
【００２２】
また、本発明においては、
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、またはＩｎを含む酸化物のいずれかであることが好ましいのものである。
【００２３】
ところで、本発明者が酸化物半導体を検討したところ、ZｎOは、一般に安定なアモルファス相を形成することができないことが判った。そして、殆どのZnOは多結晶相を呈するために、多結晶粒子間の界面でキャリアは散乱され、結果として電子移動度を大きくすることができないようである。
【００２４】
また、ＺｎＯには、酸素欠陥が入りやすく、キャリア電子が多数発生してしまうため、電気伝導度を小さくすることが難しい。このために、トランジスタのゲート電圧が無印加時でも、ソース端子とドレイン端子間に大きな電流が流れてしまい、ＴＦＴのノーマリーオフ動作を実現できないことが判った。また、トランジスタのオン・オフ比を大きくすることも難しいようである。
【００２５】
また、本発明者は、特開２０００−０４４２３６号公報に記載されている非晶質酸化物膜ZnxMyInzO(x+3y/2+3z/2)（式中、MはＡｌ及びＧａのうち少なくとも一つの元素である。）について検討した。この材料は、電子キャリア濃度が、１０１８／ｃｍ３以上であり、単なる透明電極としては好適な材料である。
【００２６】
しかし、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３以上の酸化物をTFTのチャネル層に用いた場合、オン・オフ比が十分にとれず、ノーマリーオフ型のＴＦＴにはふさわしくないことが分かった。
【００２７】
つまり、従来の非晶質酸化物膜では、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満の膜を得ることはできていなかった。
【００２８】
本発明者は、電界効果型トランジスタの活性層として、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満の非晶質酸化物を用いたTFTを作製したところ、所望の特性のTFTが得られ、トランジスタなどの半導体デバイスに適用できることを発見した。
【００２９】
本発明者らは、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ、及びこの材料の成膜条件に関する研究開発を精力的に進めた結果、成膜時の酸素雰囲気の条件を制御することで、電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満にできることを見出した。
【００３０】
なお、上述したとおり、非晶質酸化物をＴＦＴのチャネルとなる活性層として使用する場合に主眼をおいて説明したが、本発明は、このような活性層に使用する場合に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、例えばＴＦＴのチャネル層に好適に用いられる非晶質酸化物を提供できる。また、優れた特性の電界効果型トランジスタを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００３３】
以下、第１から第３の実施形態において、上記第１から第３の本発明を説明する。
【００３４】
その後、本発明に適用できる非晶質酸化物材料について詳述する。
なお、以下の実施形態においては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物に関して主として説明するが、本発明はこれらの組成の材料に限定されるものではない。
（第１の実施形態：微結晶を含有する非晶質酸化物）
本実施形態に係る発明は、非晶質酸化物に関し、
該非晶質酸化物は微結晶を含むことを特徴とする。
ここで、非晶質酸化物内に微結晶が含有されているか否かは、例えば成膜された非晶質酸化物の膜の断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真などから判断される。
上記非晶質酸化物膜とは例えば、具体的には、In-Ga-Zn-Oを含み構成され、結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m (mは６未満の自然数)で表される。
【００３５】
ここでいう、非晶質酸化物とは、その電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である酸化物であるか、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す酸化物などである。どのような用途のＴＦＴに用いるかにもよるが、前記非晶質酸化物を用いてノーマリーオフ型のＴＦＴを構成することは好ましい。
【００３６】
または、In-Ga-Zn-Ｍｇ-Oを含み構成され、結晶状態の組成がInGaO3(Zn1-xMｇxO)m  (mは６未満の自然数、0<x≦1)で表される。
【００３７】
なお、これら非晶質酸化物の膜において、電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超にすることも好ましい形態である。
【００３８】
上記膜をチャネル層に用いれば、トランジスターオフ時のゲート電流が０．１マイクロアンペア未満のノーマリーオフで、オン・オフ比が１０３超のトランジスタ特性を持ち、かつ可視光に透明で、フレキシブルなＴＦＴを作成することができることを見出した。
【００３９】
なお、上記透明膜は、伝導電子数の増加と共に、電子移動度が大きくなることを特徴とする。透明膜を形成する基板としては、ガラス基板、プラスチック基板又はプラスチックフィルムなどを用いることができる。
【００４０】
上記透明酸化物膜をチャネル層に利用する際には、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、又はＨｆＯ２の1種、又はそれらの化合物を少なくとも二種以上含む混晶化合物をゲート絶縁膜を用いトランジスタを形成することも好ましい形態である。
【００４１】
また、電気抵抗を高めるための不純物イオンを意図的に添加せず、酸素ガスを含む雰囲気中および、光照射下で成膜することも好ましい形態である。
【００４２】
本発明者らは、この半絶縁性酸化物アモルファス薄膜は、伝導電子数の増加と共に、電子移動度が大きくなるという特異な特性を見出した。そして、その膜を用いてＴＦＴを作成し、オン・オフ比、ピンチオフ状態での飽和電流、スイッチ速度などのトランジスタ特性が更に向上することを見出した。
【００４３】
透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜を膜トランジスタのチャネル層として用いると、電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超、好ましくは５ｃｍ２／（Ｖ・秒）超、かつ電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満、好ましくは、１０１６／ｃｍ３未満のときは、オフ時（ゲート電圧無印加時）のドレイン・ソース端子間の電流を、１０マイクロアンペア未満、好ましくは０．１マイクロアンペア未満にすることができる。また、該薄膜を用いれば、電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超、好ましくは５ｃｍ２／（Ｖ・秒）超の時は、ピンチオフ後の飽和電流を１０マイクロアンペア超にでき、オン・オフ比を１０３超とすることができる。
【００４４】
ＴＦＴでは、ピンチオフ状態では、ゲート端子に高電圧が印加され、チャネル中には高密度の電子が存在している。したがって、本発明によれば、電子移動度が増加した分だけ、より飽和電流値を大きくすることができる。この結果、オン・オフ比の増大、飽和電流の増大、スイッチング速度の増大など、ほとんど全てのトランジスタ特性が向上する。なお、通常の化合物中では、電子数が増大すると、電子間の衝突により、電子移動度は減少する。
【００４５】
なお、上記ＴＦＴの構造は、半導体チャネル層の上にゲート絶縁膜とゲート端子とを順に形成するスタガ（トップゲート）構造のものに用いることができる。また、ゲート端子の上にゲート絶縁膜と半導体チャネル層を順に形成する逆スタガ（ボトムゲート）構造のものに用いることができる。
【００４６】
（膜組成について）
結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m(mは６未満の自然数)で表される透明アモルファス酸化物薄膜は、ｍの値が６未満の場合は、８００℃以上の高温までアモルファス状態が安定に保たれるが、ｍの値が大きくなるにつれ結晶化しやすくなる。すなわち、InGaO3に対するZnOの比が増大して、ＺｎＯ組成に近づくにつれ、結晶化しやすくなる。
【００４７】
したがって、アモルファスＴＦＴのチャネル層としては、ｍの値が６未満であることが好ましい。但し、成膜時光照射下では、ｍの値が小さくても、微結晶が形成できることもわかった。
【００４８】
成膜方法は、InGaO3(ZnO)m組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが良い。気相成膜法の中でも、スパッタ法、パルスレーザー蒸着法が適している。さらに、量産性の観点から、スパッタ法が最も適している。
【００４９】
しかしながら、通常の条件で該アモルファス膜を作製すると、主として酸素欠損が生じ、これまで、電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満、電気伝導度にして、１０Ｓ／ｃｍ以下にすることができなかった。
【００５０】
そうした薄膜を用いた場合、ノーマリーオフのトランジスタを構成することができない。
【００５１】
図７に示す装置を用いて、パルスレーザー蒸着法で作成したIn-Ga-Zn-Oから構成され、結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m(mは６未満の自然数)で表される透明アモルファス酸化物薄膜を、電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満に低下させることができる。例えば酸素分圧を3.2Ｐａ超の高い雰囲気中で、成膜することにより、電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満に低下させることができる。
【００５２】
この場合、基板の温度は意図的に加温しない状態で、ほぼ室温に維持されている。プラスチックフィルムを基板として使用できるために、基板温度は100℃未満に保つことが好ましい。
【００５３】
本実施形態に係る発明は、光照射下におけるパルスレーザー蒸着法で作製したIn-Ga-Zn-Oから構成される。
【００５４】
具体的には、結晶状態における組成InGaO3(ZnO)m(mは６未満の自然数)で表される微結晶を含む透明アモルファス酸化物薄膜であり、これを用いれば、ノーマリーオフのトランジスタを構成することができる。
【００５５】
また、該薄膜の電子移動度は、１ｃｍ２／Ｖ・秒超が得られ、オン・オフ比を１０３超に大きくすることができる。
【００５６】
また、本発明は、光照射下でアルゴンガスを用いたスパッタ蒸着法で作成したIn-Ga-Zn-Oから構成される。
【００５７】
例えば、本発明に係る非晶質酸化物は、図８に記載の装置を用いて得ることができる。この場合、本発明に係る非晶質酸化物は、結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m(mは６未満の自然数)で表される微結晶を含む透明アモルファス酸化物薄膜を、酸素分圧を1×１０-２Ｐａ超の高い雰囲気中で、成膜することにより得られる。
【００５８】
この場合、基板の温度は意図的に加温しない状態で、ほぼ室温に維持されている。プラスチックフィルムを基板として使用できるために、基板温度は100℃未満に保つことが好ましい。酸素分圧をさらに大きくすることにより、電子キャリア数を低下させることができる。
【００５９】
即ち、本発明は、光照射下でスパッタ蒸着法で作製したIn-Ga-Zn-Oから構成される。
結晶状態における組成InGaO3(ZnO)m(mは６未満の自然数)で表される微結晶を含む透明アモルファス酸化物薄膜を用い、ノーマリーオフで、かつオン・オフ比を１０３超のトランジスタを構成することができる。
【００６０】
光照射下でのパルスレーザー蒸着法およびスパッタ法で作成された薄膜では、伝導電子数の増加と共に、電子移動度が増加する。
【００６１】
同様に、ターゲットとして、多結晶InGaO3(Zn1-xＭｇｘO)m(mは６未満の自然数、0<x≦1)を用いれば、１Ｐａ未満の酸素分圧下でも、高抵抗アモルファスInGaO3(Zn1-xＭｇｘO)m膜を得ることができる。
【００６２】
上記のとおり、酸素分圧を制御することにより、酸素欠陥を低減でき、その結果、特定の不純物イオンを添加することなしに、電子キャリア濃度を減少できる。本発明に係る非晶質酸化物は、図１から図５を用いて作製される薄膜の製造時に、光照射を行うことにより得られる。
【００６３】
酸素分圧等の条件は、図７や８に記載の装置を用いた場合は、およそ後述する範囲の分圧で製造可能である。
【００６４】
また、微結晶を含むアモルファス状態では、微結晶粒界界面をアモルファス構造で覆うため、酸化亜鉛等の多結晶状態とは異なり、電子や正孔の移動をトラップしてしまうような本質的に粒子界面が存在しない。そのために、高電子移動度のアモルファス薄膜を得ることができる。さらに、特定の不純物を添加せずに伝導電子数を減少できるので、不純物による散乱がなく、電子移動度を高く保つことができる。
【００６５】
本発明に用いられる微結晶としてはInGaO3(ZnO)m(mは６未満の自然数)で表される組成比の微結晶に限定されることはない。
【００６６】
上記した透明膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ２、又はそれらの化合物を少なくとも二つ以上含む混晶化合物をゲート絶縁膜とすることが好ましい。ゲート絶縁薄膜とチャネル層薄膜との界面に欠陥が存在すると、電子移動度の低下及びトランジスタ特性にヒステリシスが生じる。また、ゲート絶縁膜の種類により、リーク電流が大きく異なる。このために、チャネル層に適合したゲート絶縁膜を選定する必要がある。Ａｌ２Ｏ３膜を用いれば、リーク電流を低減できる。また、Ｙ２Ｏ３膜を用いればヒステリシスを小さくできる。さらに、高誘電率のＨｆＯ２膜を用いれば、電子移動度を大きくすることができる。また、これらの膜の混晶を用いて、リーク電流、ヒステリシスが小さく、電子移動度の大きなＴＦＴを形成できる。また、ゲート絶縁膜形成プロセス及びチャネル層形成プロセスは、室温で行うことができるので、ＴＦＴ構造として、スタガ構造及び逆スタガ構造いずれをも形成することができる。
【００６７】
薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, ＴＦＴ）は、ゲート端子、ソース端子、及び、ドレイン端子を備えた３端子素子である。そしてＴＦＴは、セラミックス、ガラス、又はプラスチックなどの絶縁基板上に成膜した半導体薄膜を、電子又はホールが移動するチャネル層として用いたものである。また、ＴＦＴは、ゲート端子に電圧を印加して、チャンネル層に流れる電流を制御し、ソース端子とドレイン端子間の電流をスイッチングする機能を有するアクテイブ素子である。
【００６８】
なお、非晶質酸化物に含まれる微結晶は、上述のように光照射（具体的には、例えば、ハロゲンランプを用いた光照射や紫外線照射である。）により、形成してもよいが、勿論、光照射によらない他の方法でもよい。
（第２の実施形態：非晶質酸化物の組成分布）
本実施形態に係る非晶質酸化物は、
その膜厚方向で組成が変化していることを特徴とする。
【００６９】
ここで、膜厚方向に組成が変化しているとは、酸化物に含有される酸素量が膜厚方向で変化していたり、酸化物を構成する元素が途中で変化していたり（即ち、組成が変わっていたり）、酸化物を構成する元素の含有量が変化していることを意味する。
【００７０】
従って、前記非晶質酸化物を電界効果型トランジスタの活性層（チャネル層ともいう）に用いる場合には、例えば以下の構成が好ましい。
【００７１】
具体的には、前記非晶質酸化物を含む活性層と、該活性層と界面を構成するゲート絶縁膜とを備えるトランジスタにおいて、
該非晶質酸化物に含まれる酸素濃度は、該界面側の領域の方が、該界面より離れた領域よりも高くなるように構成するのである。
【００７２】
この場合、前記非晶質酸化物層における、前記界面付近の電気抵抗が高くなり、トランジスタのいわゆるチャネルは、前記界面から非晶質酸化物の内部に形成される。前記界面があれているような場合は、かかる構成はリーク電流を減らすという観点から好ましい。
【００７３】
すなわち、トランジスタの活性層として上記非晶質酸化物を用いる場合に、該活性層は第１の領域と、該第１の領域よりもゲート絶縁膜側に近い第２の領域を含む構成にして、第２の領域の酸素濃度が、第１の領域のそれよりも高くなるようにするのがよい。
【００７４】
なお、２つの領域の境界は明確である必要は無く、勾配やステップ状に、組成比が変化していてもよい。
【００７５】
特に、該非晶質酸化物の電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であるのがよい。
【００７６】
なお、基板上に成膜されている場合の膜厚方向とは、基板の面内方向ではない方向（例えば、基板の面内方向に垂直な方向）である。
また、ＩｎあるいはＺｎの少なくとも一方を有する非晶質酸化物を含む活性層と、該活性層と界面を構成するゲート絶縁膜とを備えるトランジスタにおいて、該非晶質酸化物に含まれるＩｎあるいはＺｎ濃度は、該界面側の領域の方が、該界面より離れた領域よりも高くなるように構成することも好ましい形態である。この場合、電界効果移動度を高めることができる。
【００７７】
即ち、トランジスタの活性層として上記非晶質酸化物を用いる場合、活性層は第１の領域と、第１の領域よりもゲート絶縁膜側に近い第２の領域を含む構成にし、第２の領域のＩｎ又はＺｎ濃度の少なくとも一方が、第１の領域のそれぞれの濃度よりも高くなるようにするのがよい。
【００７８】
勿論、第２の領域のＩｎ濃度を、第１の領域のＩｎ濃度より高くしたり、または第２の領域のＺｎの濃度を、第１の領域のＺｎ濃度より高くすることも好ましい。更に、第２の領域のＩｎ濃度を、第１の領域のＩｎ濃度より高くし、且つ第２の領域のＺｎの濃度を、第１の領域のＺｎ濃度より高くすることも好ましい。
【００７９】
第２の本発明に係る酸化物膜とは具体的には、In-Ga-Zn-Oを含み構成され、膜厚方向で組成が分布し、結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m(mは６未満の自然数)で表され、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする。
【００８０】
または、In-Ga-Zn-Ｍｇ-Oを含み構成され、膜厚方向で組成が分布し、結晶状態の組成がInGaO3(Zn1-xMｇxO)m  (mは６未満の自然数、0<x≦1)で表され、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする透明アモルファス酸化物膜である。
【００８１】
なお、これらの膜において、電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超にすることも好ましい形態である。
【００８２】
上記膜をチャネル層に用いれば、トランジスターオフ時のゲート電流が０．１マイクロアンペア未満のノーマリーオフで、オン・オフ比が１０４超のトランジスタ特性を持ち、かつ可視光に透明で、フレキシブルなＴＦＴを作成することができる。
【００８３】
なお、上記透明膜は、伝導電子数の増加と共に、電子移動度が大きくなることを特徴とする。
【００８４】
透明膜を形成する基板としては、ガラス基板、プラスチック基板又はプラスチックフィルムなどを用いることができる。
【００８５】
上記透明酸化物膜をチャネル層に利用する際には、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、又はＨｆＯ２の1種、又はそれらの化合物を少なくとも二種以上含む混晶化合物をゲート絶縁膜を用いトランジスタを形成することも好ましい形態である。
【００８６】
また、電気抵抗を高めるための不純物イオンを意図的に添加せず、酸素ガスを含む雰囲気中で、成膜することも好ましい形態である。
【００８７】
本発明者らは、この半絶縁性酸化物アモルファス薄膜は、伝導電子数の増加と共に、電子移動度が大きくなるという特異な特性を見出した。そして、その膜を用いてＴＦＴを作成し、オン・オフ比、ピンチオフ状態での飽和電流、スイッチ速度などのトランジスタ特性が更に向上することを見出した。
【００８８】
透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜を膜トランジスタのチャネル層として用いると、電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超、好ましくは５ｃｍ２／（Ｖ・秒）超、かつ電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満、好ましくは、１０１６／ｃｍ３未満のときは、オフ時（ゲート電圧無印加時）のドレイン・ソース端子間の電流を、１０マイクロアンペア未満、好ましくは０．１マイクロアンペア未満にすることができる。また、該薄膜を用いれば、電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超、好ましくは５ｃｍ２／（Ｖ・秒）超の時は、ピンチオフ後の飽和電流を１０マイクロアンペア超にでき、オン・オフ比を１０４超とすることができる。
【００８９】
ＴＦＴでは、ピンチオフ状態では、ゲート端子に高電圧が印加され、チャネル中には高密度の電子が存在している。したがって、本発明によれば、電子移動度が増加した分だけ、より飽和電流値を大きくすることができる。この結果、オン・オフ比の増大、飽和電流の増大、スイッチング速度の増大など、ほとんど全てのトランジスタ特性が向上する。なお、通常の化合物中では、電子数が増大すると、電子間の衝突により、電子移動度は減少する。
【００９０】
なお、上記ＴＦＴの構造としては、半導体チャネル層の上にゲート絶縁膜とゲート端子とを順に形成するスタガ（トップゲート）構造のものに用いることができる。また、ゲート端子の上にゲート絶縁膜と半導体チャネル層を順に形成する逆スタガ（ボトムゲート）構造のものに用いることができる。
【００９１】
（膜組成について）
結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m(mは６未満の自然数)で表される透明アモルファス酸化物薄膜は、ｍの値が６未満の場合は、８００℃以上の高温までアモルファス状態が安定に保たれるが、ｍの値が大きくなるにつれ結晶化しやすくなる。すなわち、InGaO3に対するZnOの比が増大して、ＺｎＯ組成に近づくにつれ、結晶化しやすくなる。
【００９２】
したがって、アモルファスＴＦＴのチャネル層としては、ｍの値が６未満であることが好ましい。
【００９３】
上記した透明膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ２、又はそれらの化合物を少なくとも二つ以上含む混晶化合物をゲート絶縁膜とすることが好ましい。ゲート絶縁薄膜とチャネル層薄膜との界面に欠陥が存在すると、電子移動度の低下及びトランジスタ特性にヒステリシスが生じる。また、ゲート絶縁膜の種類により、リーク電流が大きく異なる。このために、チャネル層に適合したゲート絶縁膜を選定する必要がある。Ａｌ２Ｏ３膜を用いれば、リーク電流を低減できる。また、Ｙ２Ｏ３膜を用いればヒステリシスを小さくできる。さらに、高誘電率のＨｆＯ２膜を用いれば、電子移動度を大きくすることができる。また、これらの膜の混晶を用いて、リーク電流、ヒステリシスが小さく、電子移動度の大きなＴＦＴを形成できる。また、ゲート絶縁膜形成プロセス及びチャネル層形成プロセスは、室温で行うことができるので、ＴＦＴ構造として、スタガ構造及び逆スタガ構造いずれをも形成することができる。
【００９４】
薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, ＴＦＴ）は、ゲート端子、ソース端子、及び、ドレイン端子を備えた３端子素子である。またＴＦＴは、セラミックス、ガラス、又はプラスチックなどの絶縁基板上に成膜した半導体薄膜を、電子又はホールが移動するチャネル層として用いたものである。さらにＴＦＴは、ゲート端子に電圧を印加して、チャンネル層に流れる電流を制御し、ソース端子とドレイン端子間の電流をスイッチングする機能を有するアクテイブ素子である。
【００９５】
このように第２の本発明は、上記透明膜を用いてＦＥＴを作製する際に、ＦＥＴの活性層である上記透明膜の膜厚方向の組成に改良を行っている。
【００９６】
具体的には、パルスレーザー堆積法においては、酸素分圧を膜厚方向で変化させたり、あるいは、パルスレーザーの発振パワーを変化させたり、発振周波数を変化させたり、あるいは、ターゲット−基板間の距離を膜厚方向で変化させ、膜厚方向の組成変化を行う。また、スパッタ蒸着法で作成する場合は、In2O3あるいはZnOのターゲットを追加スパッタする形で、膜厚方向の組成変化を行う。
【００９７】
例えば、酸素雰囲気下で成膜する際には、ターゲット間と基板間の距離が離れるに従い、同膜中に含まれる酸素量は多くなる。また、成膜中に、例えばＺｎＯのターゲットを追加すれば、追加して後に成膜される膜中にはＺｎの量が多くなる。
（第３の実施形態：添加物を含有する非晶質酸化物）
本実施形態に係る非晶質酸化物は、
添加物として、Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cｄ、C、N、P、Ti、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fから選ばれる１種または複数種の元素を含むことを特徴とする。
【００９８】
このような非晶質酸化物への添加物の導入は、成膜装置中のガスに含ませたり、成膜装置内に含ませたり、装置内で使用するターゲット材に含ませることにより実現される。勿論、このような添加物を含んでいない非晶質酸化物からなる膜を作製後、後述する実施例のように後から当該膜に前記添加物を導入してもよい。
【００９９】
なお、該非晶質酸化物の電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であるのが好ましい。
【０１００】
具体的に本発明に係る非晶質酸化物は、In-Ga-Zn-Oを含み構成され、結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m (mは６未満の自然数)で表される透明アモルファス酸化物である。また、本発明に係る非晶質酸化物はIn-Ga-Zn-Mg-Oを含み構成され、結晶状態の組成がInGaO3(Zn1-xMgxO)m  (mは６未満の自然数、0<x≦1)で表される酸化物である。これらの酸化物に、さらにLi、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cｄ、C、N、Pなどから選ばれる1種または複数種の元素を不純物として含ませる。これにより、電子キャリア濃度を減少させることができる。
【０１０１】
また、電子キャリア濃度を大幅に減少させた場合でも、電子キャリア移動度の低減を抑制でき、電子キャリア濃度の制御が容易になる。従って、上記の透明アモルファス酸化物膜をチャネル層に使用すれば、大面積でも、特性の均一性が高いＴＦＴパネルが得易い。
【０１０２】
また、Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cｄ、C、N、Pを不純物（添加物）として使用する場合、これらの不純物は、In、Ga、Zn、Oの何れかのサイトを置換してアクセプターとして機能し電子キャリア密度を減少させる可能性がある。ただし、メカニズムの詳細は不明である。
【０１０３】
通常の酸化物半導体では、酸素濃度を適切に制御できないために、多量の酸素欠陥が生じる。また、多結晶であるために粒界に生じる欠陥のため、不純物を導入しても電子キャリア密度が上手く制御できない事が多い。
【０１０４】
その点、本発明の透明アモルファス酸化物膜は、酸素欠陥が少なく、またアモルファスであり粒界が存在しないため、アクセプターの効果が明瞭に現れると思われる。
【０１０５】
電子キャリア密度を低下させる目的で、酸素分圧を高めて薄膜を形成すると、原子の結合の骨格が変化して伝導帯のテイル準位が増加し、この準位に電子がトラップされ実効的な電子キャリア移動度を低下させる恐れがある。
【０１０６】
しかし、Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cｄ、C、N、Pを併用することで、酸素分圧を適正な範囲に保ちつつキャリア密度を制御できるので、電子キャリア移動度への影響を少なく出来ると思われる。
【０１０７】
そのため酸素分圧の調整だけで電子キャリア濃度と電子キャリア移動度を制御する場合より、大面積の基板の場合でも酸化膜の特性の面内均一性を高め易くなる。
【０１０８】
添加物としては、後述のTi、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fでもよい。
【０１０９】
なお、所望の効果を得るために必要となる不純物の濃度は、Si等の結晶に比べると高く、概ね０.１〜３atomic％程度である。
【０１１０】
これは膜がアモルファスなため不純物原子が価電子制御に効果的なサイトに入る確率が結晶に比べ低いためと思われる。
【０１１１】
不純物を導入する方法としては、使用するターゲットに所望の不純物を含有させるのが最も一般的であるが、CやNやPの場合には、酸素とともにCH４やNOやPH３等のガスを雰囲気に含ませて膜に導入する事ができる。不純物が金属元素の場合は、透明アモルファス酸化物膜を形成後、当該金属のイオンを含む溶液やペーストに接触させて導入する事ができる。またガラス等耐熱性の高い基板を使用する場合には、これらの元素を基板に含ませ、膜の形成中、または形成後、基板を加熱して透明アモルファス酸化物膜に拡散させる事もできる。例えばソーダガラスは１０−２０atomic％のNaを含むので、Na源として用いる事ができる。
【０１１２】
図５には典型的なＴＦＴの素子構造を示すが、ここで電子キャリア密度を減少させる事が効果的なのは、チャネル層２のうちドレイン電極５とソース電極６とに挟まれた部分である。それに対し、チャネル層２のうちうちドレイン電極５とソース電極６に接触する部分は、むしろ電子キャリア密度が高い方が電極との電気的コンタクトを良好に保てるので好都合である。即ちこの部分では不純物濃度が低い方が好ましい。この様な構成は、ドレイン電極５とソース電極６を形成後、ゲート絶縁膜３を形成する前に、チャネル層２を不純物を含む溶液に接触させ、ドレイン電極５とソース電極６をマスクとして不純物を拡散する方法によって実現できる。
【０１１３】
また、図５のチャネル層２の中で、特に基板に接触する部分はゲート電極４による電子キャリア密度の制御が及び難いので、この部分の電子キャリア密度は予め低く抑えるとオンオフ比を高くするのに役立つ。そこで、前記不純物の濃度は、基板との界面で特に高めると効果的である。この様な構成は、チャネル層を形成する途中で、雰囲気に導入するCH4やNOやPH3等のガスの濃度を過剰なレベルからスタートし次第に低下させる方法や、あるいは基板に含まれるNaを適正な温度で拡散させる方法でも実現できる。
【０１１４】
また、添加物として、非晶質酸化物に、Ti、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fから選ばれる1種または複数種を不純物として含ませることもできる。
【０１１５】
これにより、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満で、同時に電子移動度を１ｃｍ２／（Ｖ・秒）以上に、さらに５ｃｍ２／（Ｖ・秒）以上に増加させ得る効果が期待される。
【０１１６】
電界効果移動度が増加した場合でも、これに伴って電子キャリア濃度が増加する事が少ない。
【０１１７】
そのため上記の透明アモルファス酸化物膜をチャネル層に使用すれば、オン・オフ比が高く、ピンチオフ時の飽和電流が大きく、しかもスイッチ速度の速いＴＦＴを得る事ができる。
【０１１８】
また酸素分圧の調整だけで電子キャリア濃度と電子キャリア移動度を制御する場合より、電子キャリア密度への影響が少なく、大面積の基板を用いた場合でも、酸化膜特性の面内均一性を高め易い。
【０１１９】
そのメカニズムの詳細は不明であるが、酸素分圧を高くして形成した酸化物は、伝導帯の下のテイル準位密度が高くなり、移動度が低下する可能性がある。
【０１２０】
Ti、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fを導入する事により、原子結合の骨格に作用し、テイル準位を減少させるため、電子キャリア密度を保ちつつ電子キャリア移動度が高められると推察される。
【０１２１】
これらの一連の不純物は、０.１〜３atomic％程度、あるいは０.０１〜１atomic％、の範囲で使用するのが好適である。
【０１２２】
Atomic％とは、酸化物中において含まれる各構成元素の原子数の割合である。なお、酸素量を計測し難い場合は、前述の範囲は、酸素を除いた、各構成元素の原子数の割合であるとすることもできる。
【０１２３】
上記不純物の導入方法としては、所望の不純物を使用するターゲットに含有させるのが最も一般的であるが、Fの場合には、酸素とともにSF6、SiF4、ClF3等のガスを雰囲気に含ませて膜に導入する事ができる。不純物が金属元素の場合は、透明アモルファス酸化物膜を形成後、当該金属のイオンを含む溶液やペーストに接触させて導入する事ができる。
【０１２４】
図５に示す典型的なＴＦＴの素子構造において、特に高い移動度が求められるのはゲート絶縁膜３に接触する部分である。そこで、本発明の不純物の濃度は、特にゲート絶縁膜３との界面で高めると効果的である。この様な構成は、チャネル層を形成する際に、雰囲気に導入するSF6、SiF4、ClF3等のガスを過少なレベルからスタートし、次第に増加させる方法で実現できる。
【０１２５】
なお本発明においては、前提として、酸素量（酸素欠損量）を制御して原子の結合を適切な構造に出来ていることが重要である。
【０１２６】
上記記載においては、透明酸化物膜の酸素量の制御を、成膜時に酸素を所定濃度含む雰囲気中で行うことで制御しているが、成膜後、当該酸化物膜を酸素を含む雰囲気中で後処理して酸素欠損量を制御（低減あるいは増加）することも好ましいものである。
【０１２７】
効果的に酸素欠損量を制御するには、酸素を含む雰囲気中の温度を０℃以上３００℃以下、好ましくは、２５℃以上、２５０℃以下、更に好ましくは１００℃以上２００℃以下で行うのがよい。
【０１２８】
勿論、成膜時にも酸素を含む雰囲気中で行い、且つ成膜後の後処理でも酸素を含む雰囲気中で後処理してもよい。また、所定の電子キャリア濃度（１０１８／ｃｍ３未満）を得られるのであれば、成膜時には、酸素分圧制御は行わないで、成膜後の後処理を酸素を含む雰囲気中で行ってもよい。
【０１２９】
なお、本発明における電子キャリア濃度の下限としては、得られる酸化物膜をどのような素子や回路あるいは装置に用いるかにもよるが、例えば１０１４／ｃｍ３以上である。
【０１３０】
以下は、前述の第１から第３の実施形態に適用できる非晶質酸化物について詳述する。以下に示す非晶質酸化物、あるいはその製造方法に、第１の実施形態に係る発明では、製造条件として例えば光照射という条件を付加する。第２の実施形態では、膜組成が変化するよう、実施例に記載したような工夫をする。第３の実施形態に係る発明では、下記に示す製造条件に更に、不純物添加用のガスやターゲット材を用いたり、下記で示される非晶質酸化物に事後的に不純物を所定の方法で添加することになる。
（非晶質酸化物）
本発明に係る非晶質酸化物の電子キャリア濃度は、室温で測定する場合の値である。室温とは、例えば２５℃であり、具体的には０℃から４０℃程度の範囲から適宜選択されるある温度である。なお、本発明に係るアモルファス酸化物の電子キャリア濃度は、０℃から４０℃の範囲全てにおいて、１０１８／ｃｍ３未満を充足する必要はない。例えば、２５℃において、キャリア電子密度１０１８／ｃｍ３未満が実現されていればよい。また、電子キャリア濃度を更に下げ、１０１７／ｃｍ３以下、より好ましくは１０１６／ｃｍ３以下にするとノーマリオフのＴＦＴが歩留まり良く得られる。
【０１３１】
なお、１０１８／ｃｍ３未満とは、好ましくは１×１０１８／ｃｍ３未満であり、より好適には、１．０×１０１８／ｃｍ３未満である。
【０１３２】
電子キャリア濃度の測定は、ホール効果測定により求めることが出来る。
【０１３３】
なお、本発明において、アモルファス酸化物とは、Ｘ線回折スペクトルにおいて、ハローパターンが観測され、特定の回折線を示さない酸化物をいう。
【０１３４】
本発明のアモルファス酸化物における、電子キャリア濃度の下限値は、ＴＦＴのチャネル層として適用できれば特に限定されるものではない。下限値は、例えば、１０１２／ｃｍ３である。
【０１３５】
従って、本発明においては、後述する各実施例のようにアモルファス酸化物の材料、組成比、製造条件などを制御して、例えば、電子キャリア濃度を、１０１２／ｃｍ３以上１０１８／ｃｍ３未満とする。より好ましくは１０１３／ｃｍ３以上１０１７／ｃｍ３以下、更には１０１５／ｃｍ３以上１０１６／ｃｍ３以下の範囲にすることが好ましいものである。
【０１３６】
前記非晶質酸化物としては、ＩｎＺｎＧａ酸化物のほかにも、Ｉｎ酸化物、ＩｎｘＺｎ１−ｘ酸化物（0.2≦ｘ≦1）、ＩｎｘＳｎ１−ｘ酸化物（0.8≦ｘ≦1）、あるいはＩｎｘ（Ｚｎ、Ｓｎ）１−ｘ酸化物（0.15≦ｘ≦1）から適宜選択できる。
【０１３７】
なお、Ｉｎｘ（Ｚｎ、Ｓｎ）１−ｘ酸化物は、Ｉｎｘ（ＺｎｙＳｎ１−ｙ）１−ｘ酸化物と記載することができ、ｙの範囲は１から０である。
【０１３８】
なお、ＺｎとＳｎを含まないＩｎ酸化物の場合は、Ｉｎの一部をＧａに置換することもできる。即ち、ＩｎｘＧａ１−ｘ酸化物（０≦ｘ≦1）の場合である。
【０１３９】
以下に、本発明者らが作製することに成功した電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満の非晶質酸化物について詳述する。
【０１４０】
上記酸化物とは、In-Ga-Zn-Oを含み構成され、結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m (mは６未満の自然数)で表され、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする。
【０１４１】
また上記酸化物は、In-Ga-Zn-Ｍｇ-Oを含み構成され、結晶状態の組成がInGaO3(Zn1-xMｇxO)m  (mは６未満の自然数、0<x≦1)で表され、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする。
【０１４２】
なお、これらの酸化物で構成される膜において、電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超になるように設計することも好ましい。
【０１４３】
上記膜をチャネル層に用いれば、トランジスターオフ時のゲート電流が０．１マイクロアンペヤ未満のノーマリーオフで、オン・オフ比が１０３超のトランジスタ特性を実現できる。そして、可視光に対して、透明あるいは透光性を有し、フレキシブルなＴＦＴが実現される。
【０１４４】
なお、上記膜は、伝導電子数の増加と共に、電子移動度が大きくなることを特徴とする。透明膜を形成する基板としては、ガラス基板、樹脂製プラスチック基板又はプラスチックフィルムなどを用いることができる。
【０１４５】
上記非晶質酸化物膜をチャネル層に利用する際には、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、又はＨｆＯ２の1種、又はそれらの化合物を少なくとも二種以上含む混晶化合物をゲート絶縁膜に利用できる。
【０１４６】
また、非晶質酸化物中に、電気抵抗を高めるための不純物イオンを意図的に添加せず、酸素ガスを含む雰囲気中で、成膜することも好ましい形態である。
【０１４７】
本発明者らは、この半絶縁性酸化物アモルファス薄膜は、伝導電子数の増加と共に、電子移動度が大きくなるという特異な特性を見出した。そして、その膜を用いてＴＦＴを作成し、オン・オフ比、ピンチオフ状態での飽和電流、スイッチ速度などのトランジスタ特性が更に向上することを見出した。即ち、非晶質酸化物を利用して、ノーマリーオフ型のTFTを実現できることを見出した。
【０１４８】
非晶質酸化物薄膜を膜トランジスタのチャネル層として用いると、電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超、好ましくは５ｃｍ２／（Ｖ・秒）超にすることができる。
【０１４９】
電子キャリア濃度が、１０１８／ｃｍ３未満、好ましくは、１０１６／ｃｍ３未満のときは、オフ時（ゲート電圧無印加時）のドレイン・ソース端子間の電流を、１０マイクロアンペヤ未満、好ましくは０．１マイクロアンペア未満にすることができる。
【０１５０】
また、該膜を用いれば、電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超、好ましくは５ｃｍ２／（Ｖ・秒）超の時は、ピンチオフ後の飽和電流を１０マイクロアンペア超にでき、オン・オフ比を１０３超とすることができる。 
【０１５１】
ＴＦＴでは、ピンチオフ状態では、ゲート端子に高電圧が印加され、チャネル中には高密度の電子が存在している。
【０１５２】
したがって、本発明によれば、電子移動度が増加した分だけ、より飽和電流値を大きくすることができる。この結果、オン・オフ比の増大、飽和電流の増大、スイッチング速度の増大など、トランジスタ特性の向上が期待できる。
【０１５３】
なお、通常の化合物中では、電子数が増大すると、電子間の衝突により、電子移動度は減少する。
【０１５４】
なお、上記ＴＦＴの構造としては、半導体チャネル層の上にゲート絶縁膜とゲート端子を順に形成するスタガ（トップゲート）構造や、ゲート端子の上にゲート絶縁膜と半導体チャネル層を順に形成する逆スタガ（ボトムゲート）構造を用いることができる。
【０１５５】
（第1の成膜法：PLD法）
結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m(mは６未満の自然数)で表される非晶質酸化物薄膜は、ｍの値が６未満の場合は、８００℃以上の高温まで、非晶質状態が安定に保たれるが、ｍの値が大きくなるにつれ、結晶化しやすくなる。すなわち、InGaO3に対するZnOの比が増大して、ＺｎＯ組成に近づくにつれ、結晶化しやすくなる。
【０１５６】
したがって、非晶質ＴＦＴのチャネル層としては、ｍの値が６未満であることが好ましい。
【０１５７】
成膜方法は、InGaO3(ZnO)m組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが良い。気相成膜法の中でも、スパッタ法、パルスレーザー蒸着法が適している。さらに、量産性の観点から、スパッタ法が最も適している。
【０１５８】
しかしながら、通常の条件で該非晶質膜を作成すると、主として酸素欠損が生じ、これまで、電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満、電気伝導度にして、１０Ｓ／ｃｍ以下にすることができなかった。そうした膜を用いた場合、ノーマリーオフのトランジスタを構成することができない。
【０１５９】
本発明者らは、図７で示される装置により、パルスレーザー蒸着法で作製したIn-Ga-Zn-Oを作製した。
【０１６０】
図７に示すようなＰＬＤ成膜装置を用いて、成膜を行った。
【０１６１】
同図において、７０１はＲＰ（ロータリーポンプ）、７０２はＴＭＰ（ターボ分子ポンプ）、７０３は準備室、７０４はＲＨＥＥＤ用電子銃、７０５は基板を回転、上下移動するための基板保持手段、７０６はレーザー入射窓である。また、７０７は基板、７０８はターゲット、７０９はラジカル源、７１０はガス導入口、７１１はターゲットを回転、上下移動するためのターゲット保持手段である。また、７１２はバイパスライン、７１３はメインライン、７１４はＴＭＰ（ターボ分子ポンプ）、７１５はＲＰ（ロータリーポンプ）、７１６はチタンゲッターポンプ、７１７はシャッターである。また、図中７１８はＩＧ（イオン真空計）、７１９はＰＧ（ピラニ真空計）、７２０はＢＧ（バラトロン真空計）、７２１は成長室（チャンバー）である。
【０１６２】
KrFエキシマレーザーを用いたパルスレーザー蒸着法により、SiO2ガラス基板（コーニング社製1737）上にIn-Ga-Zn-O系アモルファス酸化物半導体薄膜を堆積させた。堆積前の処理として、基板の超音波による脱脂洗浄を、アセトン, エタノール, 超純水を用いて、各5分間行った後、空気中100℃で乾燥させた。
【０１６３】
前記多結晶ターゲットには、InGaO3(ZnO)４焼結体ターゲット（サイズ 20mmΦ5mmt）を用いた。これは、出発原料として、In2O3：Ga2O3：ZnO（各4N試薬）を湿式混合した後(溶媒：エタノール)、仮焼（1000 ℃： 2h）、乾式粉砕、本焼結（1550 ℃：  2h）を経て得られるものである。こうして作製したターゲットの電気伝導度は、90 (S/cm)であった。
【０１６４】
成長室の到達真空を2×10-6 (Pa)にして、成長中の酸素分圧を6.5 (Pa)に制御して成膜を行った。
【０１６５】
チャンバー７２１内酸素分圧は６．５Pa、基板温度は25℃である。
【０１６６】
なお、ターゲット７０８と被成膜基板７０７間の距離は、30 (mm)であり、入射窓７１６から入射されるＫｒＦエキシマレーザーのパワーは、１.5-3 (mJ/cm２/pulse)の範囲である。また、パルス幅は、20 (nsec)、繰り返し周波数は10 (Hz)、そして照射スポット径は、1 × 1 (mm角)とした。
【０１６７】
こうして、成膜レート7 (nm/min)で成膜を行った。
【０１６８】
得られた薄膜について、薄膜のすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法、入射角 0.5度）を行ったところ、明瞭な回折ピークは認めらなかったことから、作製したIn-Ga-Zn-O系薄膜はアモルファスであるといえる。
【０１６９】
さらに、Ｘ線反射率測定を行い、パターンの解析を行った結果、薄膜の平均二乗粗さ（Rrms）は約0.5 nmであり、膜厚は約120 nmであることが分かった。蛍光Ｘ線（XRF）分析の結果、薄膜の金属組成比はIn : Ga : Zn = 0.98 : 1.02 : 4であった。
【０１７０】
電気伝導度は、約10-２ S/cm未満であった。電子キャリア濃度は約101６/cm3以下、電子移動度は約５cm2／（Ｖ・秒）と推定される。
【０１７１】
光吸収スペクトルの解析から、作製したアモルファス薄膜の禁制帯エネルギー幅は、約3 eVと求まった。以上のことから、作製したIn-Ga-Zn-O系薄膜は、結晶のInGaO3(ZnO)４の組成に近いアモルファス相を呈しており、酸素欠損が少なく、電気伝導度が小さな透明な平坦薄膜であることが分かった。
【０１７２】
具体的に図１を用いて説明する。同図は、In-Ga-Zn-Oから構成され、結晶状態を仮定した時の組成がInGaO3(ZnO)m(mは６未満の数)で表される透明アモルファス酸化物薄膜を本実施例と同じ条件下で作成する場合の特性図である。この特性図は、酸素分圧を変化させた場合に、成膜された酸化物の電子キャリア濃度の変化を示したものである。
【０１７３】
本実施例と同じ条件下で酸素分圧を４．５Ｐａ超の高い雰囲気中で、成膜することにより、図１に示すように、電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満に低下させることができた。この場合、基板の温度は意図的に加温しない状態で、ほぼ室温に維持されている。フレキシブルなプラスチックフィルムを基板として使用するには、基板温度は100℃未満に保つことが好ましい。
【０１７４】
酸素分圧をさらに大きくすると、電子キャリア濃度をさらに低下させることができる。例えば、図１に示す様に、基板温度２５℃、酸素分圧５Ｐａで成膜したInGaO3(ZnO)４薄膜では、さらに、電子キャリア数を１０１６／ｃｍ３に低下させることができた。
【０１７５】
得られた薄膜は、図２に示す様に、電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超であった。しかし、本実施例のパルスレーザー蒸着法では、酸素分圧を６．５Ｐａ以上にすると、堆積した膜の表面が凸凹となり、ＴＦＴのチャネル層として用いることが困難となる。
【０１７６】
従って、酸素分圧４．５Ｐａ超、望ましくは5Ｐａ超、６．５Ｐａ未満の雰囲気で、パルスレーザー蒸着法で、結晶状態における組成InGaO3(ZnO)m(mは６未満の数)で表される透明アモルファス酸化物薄膜を作製する。この透明アモルファス酸化物薄膜を用いれば、ノーマリーオフのトランジスタを構成することができる。
【０１７７】
また、該薄膜の電子移動度は、１ｃｍ２／Ｖ・秒超が得られ、オン・オフ比を１０３超に大きくすることができた。
【０１７８】
以上、説明したように、本実施例に示した条件下でＰＬＤ法によりＩｎＧａＺｎ酸化物の成膜を行う場合は、酸素分圧を４．５Ｐａ以上６．５Ｐａ未満になるように制御することが望ましい。
【０１７９】
なお、電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満を実現するためには、酸素分圧の条件、成膜装置の構成や、成膜する材料や組成などに依存する。
【０１８０】
次に、上記装置における酸素分圧６．５Ｐａの条件で、アモルファス酸化物を作製し、図５に示すトップゲート型MISFET素子を作製した。具体的には、まず、ガラス基板（１）上に上記のアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜の作製法により、チャンネル層（２）として用いる厚さ120nmの半絶縁性アモルファスInGaO3(ZnO)４膜を形成した。
【０１８１】
さらにその上に、チャンバー内酸素分圧を1Pa未満にして、パルスレーザー堆積法により電気伝導度の大きなInGaO3(ZnO)４及び金膜をそれぞれ30nm積層した。そして、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ドレイン端子（５）及びソース端子（６）を形成した。最後にゲート絶縁膜（３）として用いるY2O3膜を電子ビーム蒸着法により成膜し（厚み：90nm、比誘電率：約15、リーク電流密度：0.5 MV/cm印加時に10-3 A/cm2）、その上に金を成膜した。そして、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ゲート端子（４）を形成した。
【０１８２】
MISFET素子の特性評価
図６に、室温下で測定したMISFET素子の電流−電圧特性を示す。ドレイン電圧VDSの増加に伴い、ドレイン電流IDSが増加したことからチャネルがn型半導体であることが分かる。これは、アモルファスIn-Ga-Zn-O系半導体がn型であるという事実と矛盾しない。IDSはVDS= 6 V程度で飽和（ピンチオフ）する典型的な半導体トランジスタの挙動を示した。利得特性を調べたところ、VDS = 4 V印加時におけるゲート電圧VGSの閾値は約-0.5 Vであった。また、VG=10 V時には、IDS=1.0 × 10-5Aの電流が流れた。これはゲートバイアスにより絶縁体のIn-Ga-Zn-O系アモルファス半導体薄膜内にキャリアを誘起できたことに対応する。
【０１８３】
トランジスタのオン・オフ比は、１０３超であった。また、出力特性から電界効果移動度を算出したところ、飽和領域において約7cm2(Vs)-1の電界効果移動度が得られた。作製した素子に可視光を照射して同様の測定を行なったが、トランジスタ特性の変化は認められなかった。
【０１８４】
本実施例によれば、電子キャリア濃度が小さく、したがって、電気抵抗が高く、かつ電子移動度が大きいチャネル層を有する薄膜トランジスタを実現できる。
【０１８５】
なお、上記したアモルファス酸化物は、電子キャリア濃度の増加と共に、電子移動度が増加し、さらに縮退伝導を示すという優れた特性を備えていた。
【０１８６】
本実施例では、ガラス基板上に薄膜トランジスタを作製したが、成膜自体が室温で行えるので、プラスチック板やフィルムなどの基板が使用可能である。
【０１８７】
また、本実施例で得られたアモルファス酸化物は、可視光の光吸収が殆どなく、透明なフレキシブルＴＦＴを実現できる。
（第２の成膜法：スパッタ法（SP法））
雰囲気ガスとしてアルゴンガスを用いた高周波ＳＰ法により、成膜する場合について説明する。
【０１８８】
ＳＰ法は、図８に示す装置を用いて行った。同図において、８０７は被成膜基板、８０８はターゲット、８０５は冷却機構付き基板保持手段、８１４は、ターボ分子ポンプ、８１５はロータリーポンプ、８１７はシャッターである。また、８１８はイオン真空計、８１９はピラニ真空計、８２１は成長室（チャンバー）、８３０はゲートバルブである。
【０１８９】
被成膜基板８０７としては、SiO2ガラス基板（コーニング社製1737）を用意した。成膜前処理として、この基板の超音波脱脂洗浄を、アセトン、エタノール、超純水により各5分ずつ行った後、空気中１００℃で乾燥させた。
【０１９０】
ターゲット材料としては、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体（サイズ 20mmΦ5mmt）を用いた。
【０１９１】
この焼結体は、出発原料として、In2O3：Ga2O3：ZnO（各4N試薬）を湿式混合(溶媒：エタノール)し、仮焼（1000 ℃： 2h）、乾式粉砕、本焼結（1550 ℃：  2h）を経て作製した。このターゲット８０８の電気伝導度は90 (S/cm)であり、半絶縁体状態であった。
【０１９２】
成長室８２１内の到達真空は、１×10-４  (Ｐａ)であり、成長中の酸素ガスとアルゴンガスの全圧は、４〜０．１×１０−１（Pa）の範囲での一定の値とした。そして、アルゴンガスと酸素との分圧比を変えて、酸素分圧を１０−３〜２×１０−１（Pa）の範囲で変化させた。
【０１９３】
また、基板温度は、室温とし、ターゲット８０８と被成膜基板８０７間の距離は、30 (mm)であった。
【０１９４】
投入電力は、RF180 Wであり、成膜レートは、10 (nm/min)で行った。
【０１９５】
得られた膜に関し、膜面にすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法、入射角 0.5度）を行ったところ、明瞭な回折ピークは検出されず、作製したＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系膜はアモルファス膜であることが示された。
【０１９６】
さらに、Ｘ線反射率測定を行い、パターンの解析を行った結果、薄膜の平均二乗粗さ（Rrms）は約０．５nmであり、膜厚は約１２０nmであることが分かった。蛍光Ｘ線（XRF）分析の結果、薄膜の金属組成比はIn : Ga : Zn = 0.98 : 1.02 : 4であった。
【０１９７】
成膜時の雰囲気の酸素分圧を変化させ、得られたアモルファス酸化物膜の電気伝導度を測定した。その結果を図３に示す。
【０１９８】
図３に示すように、酸素分圧を３×１０-２Ｐａ超の高い雰囲気中で、成膜することにより、電気伝導度を１０Ｓ／ｃｍ未満に低下させることができた。
【０１９９】
酸素分圧をさらに大きくすることにより、電子キャリア数を低下させることができた。
【０２００】
例えば、図３に示す様に、基板温度２５℃、酸素分圧１０-１Ｐａで成膜したInGaO3(ZnO)４薄膜では、さらに、電気伝導度を約１０-１０Ｓ／ｃｍに低下させることができた。また、酸素分圧１０-１Ｐａ超で成膜したInGaO3(ZnO)４薄膜は、電気抵抗が高すぎて電気伝導度は測定できなかった。この場合、電子移動度は測定できなかったが、電子キャリア濃度が大きな膜での値から外挿して、電子移動度は、約１ｃｍ２／Ｖ・秒と推定された。
【０２０１】
すなわち、酸素分圧３×１０-２Ｐａ超、望ましくは5×１０-１Ｐａ超のアルゴンガス雰囲気で、スパッタ蒸着法で作製したIn-Ga-Zn-Oから構成され、結晶状態における組成InGaO3(ZnO)m(mは６未満の自然数)で表される透明アモルファス酸化物薄膜を作製した。この透明アモルファス酸化物薄膜を用い、ノーマリーオフで、かつオン・オフ比を１０３超のトランジスタを構成することができた。
【０２０２】
本実施例で示した装置、材料を用いる場合は、スパッタによる成膜の際の酸素分圧としては、例えば、３×１０-２Ｐａ以上、５×１０-１Ｐａ以下の範囲である。なお、パルスレーザー蒸着法およびスパッタ法で作成された薄膜では、図２に示す様に、伝導電子数の増加と共に、電子移動度が増加する。
【０２０３】
上記のとおり、酸素分圧を制御することにより、酸素欠陥を低減でき、その結果、電子キャリア濃度を減少できる。また、アモルファス状態では、多結晶状態とは異なり、本質的に粒子界面が存在しないために、高電子移動度のアモルファス薄膜を得ることができる。
【０２０４】
なお、ガラス基板の代わりに厚さ２００μｍのポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用いた場合にも、得られたＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４アモルファス酸化物膜は、同様の特性を示した。
【０２０５】
なお、ターゲットとして、多結晶InGaO3(Zn1-xＭｇｘO)m(mは６未満の自然数、0<x≦1)を用いれば、１Ｐａ未満の酸素分圧下でも、高抵抗非晶質InGaO3(Zn1-xＭｇｘO)m膜を得ることができる。
【０２０６】
例えば、Ｚｎを８０at％のＭｇで置換したターゲットを使用した場合、酸素分圧０．８Ｐａの雰囲気で、パルスレーザー堆積法で得られた膜の電子キャリア濃度を１０１６／ｃｍ３未満とすることができる（電気抵抗値は、約１０-２Ｓ／ｃｍである。）。
【０２０７】
こうした膜の電子移動度は、Ｍｇ無添加膜に比べて低下するが、その程度は少なく、室温での電子移動度は約５ｃｍ２／（Ｖ・秒）で、アモルファスシリコンに比べて、１桁程度大きな値を示す。同じ条件で成膜した場合、Ｍｇ含有量の増加に対して、電気伝導度と電子移動度は、共に低下するので、Ｍｇの含有量は、好ましくは、２０％超、８５％未満（ｘにして、０．２＜ｘ＜０．８５）である。
【０２０８】
上記した非晶質酸化物膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ２、又はそれらの化合物を少なくとも二つ以上含む混晶化合物をゲート絶縁膜とすることが好ましい。
【０２０９】
ゲート絶縁薄膜とチャネル層薄膜との界面に欠陥が存在すると、電子移動度の低下及びトランジスタ特性にヒステリシスが生じる。また、ゲート絶縁膜の種類により、リーク電流が大きく異なる。このために、チャネル層に適合したゲート絶縁膜を選定する必要がある。Ａｌ２Ｏ３膜を用いれば、リーク電流を低減できる。また、Ｙ２Ｏ３膜を用いればヒステリシスを小さくできる。さらに、高誘電率のＨｆＯ２膜を用いれば、電子移動度を大きくすることができる。また、これらの膜の混晶を用いて、リーク電流、ヒステリシスが小さく、電子移動度の大きなＴＦＴを形成できる。また、ゲート絶縁膜形成プロセス及びチャネル層形成プロセスは、室温で行うことができるので、ＴＦＴ構造として、スタガ構造及び逆スタガ構造いずれをも形成することができる。
【０２１０】
このように形成したＴＦＴは、ゲート端子、ソース端子、及び、ドレイン端子を備えた３端子素子である。またこのＴＦＴは、セラミックス、ガラス、又はプラスチックなどの絶縁基板上に成膜した半導体薄膜を、電子又はホールが移動するチャネル層として用いたものである。さらにこのＴＦＴは、ゲート端子に電圧を印加して、チャンネル層に流れる電流を制御し、ソース端子とドレイン端子間の電流をスイッチングする機能を有するアクテイブ素子である。
【０２１１】
なお、酸素欠損量を制御して所望の電子キャリア濃度を達成できていることが本発明においては重要である。
【０２１２】
上記記載においては、非晶質酸化物膜の酸素量（酸素欠損量）の制御を、成膜時に酸素を所定濃度含む雰囲気中で行うことで制御している。しかし、成膜後、当該酸化物膜を酸素を含む雰囲気中で後処理して酸素欠損量を制御（低減あるいは増加）することも好ましいものである。
【０２１３】
効果的に酸素欠損量を制御するには、酸素を含む雰囲気中の温度を０℃以上３００℃以下、好ましくは、２５℃以上、２５０℃以下、更に好ましくは１００℃以上２００℃以下で行うのがよい。
【０２１４】
勿論、成膜時にも酸素を含む雰囲気中で行い、且つ成膜後の後処理でも酸素を含む雰囲気中で後処理してもよい。また、所定の電子キャリア濃度（１０１８／ｃｍ３未満）を得られるのであれば、成膜時には、酸素分圧制御は行わないで、成膜後の後処理を酸素を含む雰囲気中で行ってもよい。
【０２１５】
なお、本発明における電子キャリア濃度の下限としては、得られる酸化物膜をどのような素子や回路あるいは装置に用いるかにもよるが、例えば１０１４／ｃｍ３以上である。
（材料系の拡大）
さらに、組成系を拡大して研究を進めた結果、Zn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素の酸化物からなるアモルファス酸化物で、電子キャリア濃度が小さく、かつ電子移動度が大きいアモルファス酸化物膜を作製できることを見出した。
【０２１６】
また、このアモルファス酸化物膜は、伝導電子数の増加と共に、電子移動度が大きくなるという特異な特性を有することを見出した。
【０２１７】
その膜を用いてＴＦＴを作成し、オン・オフ比、ピンチオフ状態での飽和電流、スイッチ速度などのトランジスタ特性に優れたノーマリーオフ型のＴＦＴを作成できる。
【０２１８】
本発明には、以下（ａ）から（ｈ）の特徴を有する酸化物を用いることができる。
（ａ）  室温での電子キャリア濃度が、１０１８／ｃｍ３未満のアモルファス酸化物。
（ｂ）  電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加することを特徴とするアモルファス酸化物。
【０２１９】
なおここで、室温とは０℃から４０℃程度の温度をいう。アモルファスとは、X線回折スペクトルにおいて、ハローパターンのみが観測され、特定の回折線を示さない化合物をいう。また、ここでの電子移動度は、ホール効果測定で得られる電子移動度をいう。
（ｃ）  室温での電子移動度が、０．１ｃｍ２／V・秒超であることを特徴とする上記（ａ）又は（ｂ）に記載されるアモルファス酸化物。
（ｄ）  縮退伝導を示す上記（ｂ）から（ｃ）のいずれかに記載されるアモルファス酸化物である。なお、ここでの縮退伝導とは、電気抵抗の温度依存性における熱活性化エネルギーが、３０ｍｅV以下の状態をいう。
（ｅ）  Zn,  In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を構成成分として含む上記（ａ）から（ｄ）のいずれかに記載されるアモルファス酸化物。
（ｆ）  上記（ｅ）に記載のアモルファス酸化物に、Ｚｎより原子番号の小さい２族元素Ｍ２（Ｍ２は、Ｍｇ，Ｃａ）、Ｉｎより原子番号の小さい３属元素Ｍ３（Ｍ３は、Ｂ，Ａｌ、Ｇａ、Ｙ），Ｓｎより小さい原子番号の小さい４属元素Ｍ４（Ｍ４は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒ）、５属元素Ｍ５（Ｍ５は、Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ）およびＬｕ、Ｗのうち、少なくとも１種類の元素を含むアモルファス酸化物膜。
（ｇ）  結晶状態における組成がＩｎ１−ｘＭ３ｘＯ3(Ｚｎ１−ｙＭ２ｙＯ)m（０≦ｘ、ｙ≦１、mは０又は６未満の自然数）である化合物単体又はｍの異なる化合物の混合体である(a)から（ｆ）のいずれかに記載のアモルファス酸化物膜。Ｍ３たとえば、Ｇａであり、Ｍ２は例えば、Ｍｇである。
(ｈ)  ガラス基板、金属基板、プラスチック基板又はプラスチックフィルム上に設けた上記(a)から（g）記載のアモルファス酸化物膜。
【０２２０】
また、本発明は、（１０）上記記載のアモルファス酸化物、又はアモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタである。
【０２２１】
なお、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満、１０１５／ｃｍ３超のアモルファス酸化物膜をチャネル層に用い、ソース端子、ドレイン端子及びゲート絶縁膜を介してゲート端子を配した電界効果型トランジスタを構成する。ソース・ドレイン端子間に５V程度の電圧を印加したとき、ゲート電圧を印加しないときのソース・ドレイン端子間の電流を約１０−７アンペヤにすることができる。
【０２２２】
酸化物結晶の電子移動度は、金属イオンのｓ軌道の重なりが大きくなるほど、大きくなり、原子番号の大きなＺｎ，Ｉｎ，Ｓｎの酸化物結晶は、０．１から２００ｃｍ２／（Ｖ・秒）の大きな電子移動度を持つ。
【０２２３】
さらに、酸化物では、酸素と金属イオンとがイオン結合している。
【０２２４】
そのため、化学結合の方向性がなく、構造がランダムで、結合の方向が不均一なアモルファス状態でも、電子移動度は、結晶状態の電子移動度に比較して、同程度の大きさを有することが可能となる。
【０２２５】
一方で、Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｎを原子番号の小さな元素で置換することにより、電子移動度は小さくなる、こうした結果により、本発明のよるアモルファス酸化物の電子移動度は、約０．０１ｃｍ２／（Ｖ・秒）から２０ｃｍ２／（Ｖ・秒）である。
【０２２６】
上記酸化物を用いてトランジスタのチャネル層を作製する場合、トランジスタにおいて、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ２、又はそれらの化合物を少なくとも二つ以上含む混晶化合物をゲート絶縁膜とすることが好ましい。
【０２２７】
ゲート絶縁薄膜とチャネル層薄膜との界面に欠陥が存在すると、電子移動度の低下及びトランジスタ特性にヒステリシスが生じる。また、ゲート絶縁膜の種類により、リーク電流が大きく異なる。このために、チャネル層に適合したゲート絶縁膜を選定する必要がある。Ａｌ２Ｏ３膜を用いれば、リーク電流を低減できる。また、Ｙ２Ｏ３膜を用いればヒステリシスを小さくできる。さらに、高誘電率のＨｆＯ２膜を用いれば、電界効果移動度を大きくすることができる。また、これらの化合物の混晶からなる膜を用いて、リーク電流、ヒステリシスが小さく、電界効果移動度の大きなＴＦＴを形成できる。また、ゲート絶縁膜形成プロセス及びチャネル層形成プロセスは、室温で行うことができるので、ＴＦＴ構造として、スタガ構造及び逆スタガ構造いずれをも形成することができる。
【０２２８】
Ｉｎ２Ｏ３酸化物膜は、気相法により成膜でき、成膜中の雰囲気に水分を、０．１Ｐａ程度添加することにより、アモルファス膜が得られる。
【０２２９】
また、ＺｎＯ及びＳｎＯ２は、アモルファス膜を得ることは難しいが、Ｉｎ２Ｏ３を、ＺｎＯの場合には２０原子量％程度、ＳｎＯ２の場合には、９０原子量％程度添加することによりアモルファス膜を得ることができる。特に、Ｓｎ−Ｉｎ―Ｏ系アモルファス膜を得るためには、雰囲気中に窒素ガスを０．１Ｐａ程度導入すればよい。
【０２３０】
上記のアモルファス膜に、Ｚｎより原子番号の小さい２族元素Ｍ２（Ｍ２は、Ｍｇ，Ｃａ）、Ｉｎより原子番号の小さい３属元素Ｍ３（Ｍ３は、Ｂ，Ａｌ、Ｇａ、Ｙ），Ｓｎより小さい原子番号の小さい４属元素Ｍ４（Ｍ４は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒ）、５属元素Ｍ５（Ｍ５は、Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ）およびＬｕ、Ｗのうち、少なくとも１種類の複合酸化物を構成する元素を添加できる。
【０２３１】
それにより、室温での、アモルファス膜をより安定化させることができる。また、アモルファス膜が得られる組成範囲を広げることができる。
【０２３２】
特に、共有結合性の強い、Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅの添加は、アモルファス相安定化に有効であるし、イオン半径の差の大きいイオンから構成される複合酸化物は、アモルファス相が安定化する。
【０２３３】
たとえば、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系では、Inが約２０原子％超の組成範囲でないと、室温で安定なアモルファス膜は得難いが、ＭｇをＩｎと当量添加することにより、Ｉｎが約１５原子量％超の組成範囲で、安定なアモルファス膜を得ることができる。
【０２３４】
気相法による成膜において、雰囲気を制御することにより、電子キャリア濃度が、１０１８／ｃｍ３未満、１０１５／ｃｍ３超のアモルファス酸化膜を得ることができる。
【０２３５】
アモルファス酸化物の成膜方法としては、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）、スパッタ法（ＳＰ法）及び電子ビーム蒸着法などの気相法を用いるのがよい。気相法の中でも、材料系の組成を制御しやすい点では、ＰＬＤ法が、量産性の点からは、ＳＰ法が適している。しかし、成膜法は、これらの方法に限られるのものではない。
（ＰＬＤ法によるＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化膜の成膜）
KrFエキシマレーザーを用いたＰＬＤ法により、ガラス基板（コーニング社製1737）上にＩｎ−Ｚｎ―Ｇａ―Ｏ系アモルファス酸化物膜を堆積させた。このとき、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）及びＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体をそれぞれターゲットとした。
【０２３６】
成膜装置は、既述の図９に記載されている装置を用い、成膜条件は、当該装置を用いた場合と同様とした。
【０２３７】
基板温度は25℃である。得られた膜に関し、膜面にすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法、入射角 0.5度）を行ったところ、明瞭な回折ピークは検出されず、２種類のターゲットから作製したＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系膜は、いずれもアモルファス膜であることが示された。
【０２３８】
さらに、ガラス基板上のＩｎ−Ｚｎ―Ｇａ―Ｏ系アモルファス酸化物膜のＸ線反射率測定を行い、パターンの解析を行った結果、薄膜の平均二乗粗さ（Rrms）は約0.5 nmであり、膜厚は約120 nmであることが分かった。
【０２３９】
蛍光Ｘ線（XRF）分析の結果、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして得られた膜の金属組成比はIn : Ga : Zn = １．１ : １．１ : ０．９であった。また、ＩｎＧａＯ（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして得られた膜の金属組成比は、In : Ga : Zn = 0.98 : 1.02 : 4であった。
【０２４０】
成膜時の雰囲気の酸素分圧を変化させ、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして得られたアモルファス酸化膜の電子キャリア濃度を測定した。その結果を図１に示す。酸素分圧が４．２Ｐａ超の雰囲気中で成膜することにより、電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満に低下させることができた。この場合、基板の温度は意図的に加温しない状態でほぼ室温に維持されている。また、酸素分圧が６．５Ｐａ未満の時は、得られたアモルファス酸化物膜の表面は平坦であった。
【０２４１】
酸素分圧が５Ｐａの時、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして得られたアモルファス酸化膜の電子キャリア濃度は１０１６／ｃｍ３、電気伝導度は、１０−２Ｓ／ｃｍであった。また、電子移動度は、約５ｃｍ２／Ｖ・秒と推測された。光吸収スペクトルの解析から、作製したアモルファス酸化物膜の禁制帯エネルギー幅は、約3 eVと求まった。
【０２４２】
酸素分圧をさらに大きくすると、電子キャリア濃度をさらに低下させることができた。図１に示す様に、基板温度２５℃、酸素分圧６Ｐａで成膜したＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜では、電子キャリア濃度を８×１０１５／ｃｍ３（電気伝導：約８×１０-３Ｓ／ｃｍ）に低下させることができた。得られた膜は、電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超と推測された。しかし、ＰＬＤ法では、酸素分圧を６．５Ｐａ以上にすると、堆積した膜の表面が凸凹となり、ＴＦＴのチャネル層として用いることが困難となった。
【０２４３】
ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとし、異なる酸素分圧で成膜したＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜に関して、電子キャリア濃度と電子移動度の関係を調べた。その結果を図２に示す。電子キャリア濃度が、１０１６／ｃｍ３から１０２０／ｃｍ３に増加すると、電子移動度は、約３ｃｍ２／（Ｖ・秒）から約１１ｃｍ２／（Ｖ・秒）に増加することが示された。また、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして得られたアモルファス酸化膜に関しても、同様の傾向が見られた。
【０２４４】
ガラス基板の代わりに厚さ２００μｍのポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用いた場合にも、得られたＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜は、同様の特性を示した。
（ＰＬＤ法によるＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｍｇ−Ｏ系アモルファス酸化物膜の成膜）
ターゲットとして多結晶ＩｎＧａＯ３ (Ｚｎ1-xＭｇｘＯ)４(0<x≦1)を用い、ＰＬＤ法により、ガラス基板上にＩｎＧａＯ３(Ｚｎ1-xＭｇｘＯ)４(0<x≦1)膜を成膜した。成膜装置は、図７に記載の装置を用いた。
【０２４５】
被成膜基板としては、SiO2ガラス基板（コーニング社製1737）を用意した。その基板に前処理として、超音波脱脂洗浄を、アセトン、エタノール、超純水により各5分間ずつ行った後、空気中１００℃で.乾燥させた。ターゲットとしては、InGa(Zn1-xMgxO)4(x=1-0)焼結体（サイズ 20mmΦ5mmt）を用いた。
【０２４６】
ターゲットは、出発原料In2O3：Ga2O3:ZnO:MgO（各4N試薬）を、湿式混合(溶媒：エタノール)、仮焼（1000 ℃： 2h）、乾式粉砕、本焼結（1550 ℃：  2h）を経て作製した。
【０２４７】
成長室到達真空は、2×10-6(Pa)であり、成長中の酸素分圧は、0.8 (Pa)とした。基板温度は、室温（２５℃）で行い、ターゲットと被成膜基板間の距離は、30 (mm)であった。
【０２４８】
なお、ＫｒＦエキシマレーザーのパワーは、１.5 (mJ/cm２/pulse)、パルス幅は、20 (nsec)、繰り返し周波数は、10 (Hz) 、照射スポット径は、1 × 1 (mm角)とした。成膜レートは、7 (nm/min)であった。
【０２４９】
雰囲気は酸素分圧０．８Ｐａで、基板温度は25℃である。得られた膜に関し、膜面にすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法、入射角 0.5度）を行ったところ、明瞭な回折ピークは検出されず、作製したＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｍｇ−Ｏ系膜はアモルファス膜であることが示された。得られた膜の表面は平坦であった。
【０２５０】
異なるｘ値のターゲットを用いて、酸素分圧０．８Ｐａの雰囲気中で成膜したＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｍｇ−Ｏ系アモルファス酸化物膜の電気伝導度、電子キャリア濃度及び電子移動度のｘ値依存性を調べた。
その結果を、図４に示す。ｘ値が０．４超のとき、酸素分圧０．８Ｐａの雰囲気中で、ＰＬＤ法により成膜したアモルファス酸化物膜では、電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満にできることが示された。また、ｘ値が０．４超のアモルファス酸化物膜では、電子移動度は、１ｃｍ２／Ｖ・秒超であった。
【０２５１】
図４に示すように、Ｚｎを８０原子％のＭｇで置換したターゲットを使用した場合、酸素分圧０．８Ｐａの雰囲気で、パルスレーザー堆積法で得られた膜の電子キャリア濃度を１０１６／ｃｍ３未満とすることができる（電気抵抗値は、約１０-２Ｓ／ｃｍである。）。こうした膜の電子移動度は、Ｍｇ無添加膜に比べて低下するが、その程度は少なく、室温での電子移動度は約５ｃｍ２／（Ｖ・秒）で、アモルファスシリコンに比べて、１桁程度大きな値を示す。同じ条件で成膜した場合、Ｍｇ含有量の増加に対して、電気伝導度と電子移動度は、共に低下するので、Ｍｇの含有量は、好ましくは、２０原子％超、８５原子％未満（ｘにして、０．２＜ｘ＜０．８５）、より好適には０.５＜ｘ＜０．８５である。
【０２５２】
ガラス基板の代わりに厚さ２００μｍのポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用いた場合にも、得られたＩｎＧａＯ３ (Ｚｎ1-xＭｇｘＯ)４(0<x≦1)アモルファス酸化物膜は、同様の特性を示した。
（ＰＬＤ法によるＩｎ２Ｏ３アモルファス酸化物膜の成膜）
KrFエキシマレーザーを用いたＰＬＤ法により、Ｉｎ２Ｏ３多結晶焼結体をターゲットとして、厚さ２００μｍのＰＥＴフィルム上にＩｎ２Ｏ３膜を成膜した。
【０２５３】
装置は、図７に示した装置を用いた。被成膜基板として、SiO2ガラス基板（コーニング社製1737）を用意した。
【０２５４】
この基板の前処理として、超音波脱脂洗浄を、アセトン、エタノール、超純水で各5分間ずつ行った後、空気中１００℃で乾燥させた。
【０２５５】
ターゲットとしては、In2O3焼結体（サイズ 20mmΦ5mmt）を用いた。これは、出発原料In2O3（4N試薬）を仮焼（1000 ℃： 2h）、乾式粉砕、本焼結（1550 ℃：  2h）を経て準備した。
【０２５６】
成長室到達真空は、2×10-6(Pa)、成長中の酸素分圧は、５ (Pa)、基板温度は室温とした。
【０２５７】
酸素分圧は５Ｐａ、水蒸気分圧は０．１Ｐａとし、さらに、酸素ラジカル発生装置に２００Ｗを印加して、酸素ラジカルを発生させた。
【０２５８】
ターゲットと被成膜基板間の距離は、40 (mm)、ＫｒＦエキシマレーザーのパワーは0.5 (mJ/cm２/pulse)、パルス幅は、20 (nsec)、繰り返し周波数は、10 (Hz) 、照射スポット径は1 × 1 (mm角)であった。成膜レートは、3 (nm/min)であった。
【０２５９】
得られた膜に関し、膜面にすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法、入射角 0.5度）を行ったところ、明瞭な回折ピークは検出されず、作製したＩｎ−Ｏ系膜はアモルファス膜であることが示された。膜厚は、８０ｎｍであった。
【０２６０】
得られたＩｎ−Ｏ系アモルファス酸化物膜の電子キャリア濃度は５×１０１７／ｃｍ３で、電子移動度は、約７ｃｍ２／Ｖ・秒であった。
（ＰＬＤ法によるＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系アモルファス酸化物膜の成膜）
KrFエキシマレーザーを用いたＰＬＤ法により、（Ｉｎ０．９Ｓｎ０．１）Ｏ３．１多結晶焼結体をターゲットとして、厚さ２００μｍのＰＥＴフィルム上にＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物膜を成膜した。
具体的には、
被成膜基板として、SiO2ガラス基板（コーニング社製1737）を用意した。
基板前処理として、超音波脱脂洗浄をアセトン、エタノール、超純水を用いて各5分間ずつ行った。  その後、空気中１００℃で乾燥させた。
ターゲットは、In2O3-SnO2焼結体（サイズ 20mmΦ5mmt）を準備した。これは、出発原料として、In2O3-SnO2（4N試薬）を湿式混合(溶媒：エタノール)、仮焼（1000 ℃： 2h）、乾式粉砕、本焼結（1550 ℃：  2h）を経て得られる。
【０２６１】
基板温度は室温である。酸素分圧は５（Ｐａ）、窒素分圧は、０．１（Ｐａ）とし、さらに、酸素ラジカル発生装置に２００Ｗを印加して、酸素ラジカルを発生させた。
【０２６２】
ターゲットと被成膜基板間の距離は、30 (mm)とし、ＫｒＦエキシマレーザーのパワーは、1.5 (mJ/cm２/pulse)、パルス幅は、20 (nsec)であった。また、繰り返し周波数は、10 (Hz) 、照射スポット径は、1 × 1 (mm角)であった。成膜レートは、6 (nm/min)であった。
【０２６３】
得られた膜に関し、膜面にすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法、入射角 0.5度）を行ったところ、明瞭な回折ピークは検出されず、作製したＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系膜はアモルファス膜であることが示された。
【０２６４】
得られたＩｎ−Ｓｎ−Ｏアモルファス酸化物膜の電子キャリア濃度は、８×１０１７／ｃｍ３で、電子移動度は、約５ｃｍ２／Ｖ・秒であった。膜厚は、１００ｎｍであった。
（ＰＬＤ法によるＩｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜の成膜）
被成膜基板として、SiO2ガラス基板（コーニング社製1737）を用意した。
【０２６５】
基板の前処理として、超音波脱脂洗浄をアセトン、エタノール、超純水を用いて、各5分間行った後、空気中１００℃で乾燥させた。
【０２６６】
ターゲットとして、(In2O3)1-x-(Ga2O3)x(X = 0-1)焼結体（サイズ 20mmΦ5mmt）を用意した。なお、例えばｘ＝０．１の場合は、ターゲットは、（Ｉｎ０．９Ｇａ０．１）２Ｏ３多結晶焼結体ということになる。
【０２６７】
これは、出発原料：In2O3- Ga2O2（4N試薬）を、湿式混合(溶媒：エタノール)、仮焼（1000 ℃： 2h）、乾式粉砕、本焼結（1550 ℃：  2h）を経て得られる。
【０２６８】
成長室到達真空は、2×10-6(Pa)であり、成長中の酸素分圧は、1 (Pa)とした。
【０２６９】
基板温度は、室温で行い、ターゲットと被成膜基板間の距離は、30 (mm)、ＫｒＦエキシマレーザーのパワーは、1.5 (mJ/cm２/pulse)であった。また、パルス幅は、20 (nsec)、繰り返し周波数は、10 (Hz)、照射スポット径は、1 × 1 (mm角)であった。成膜レートは、6 (nm/min)であった。
【０２７０】
基板温度は25℃である。酸素分圧は１Ｐａであった。得られた膜に関し、膜面にすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法、入射角 0.5度）を行ったところ、明瞭な回折ピークは検出されず、作製したＩｎ−Ｇａ−Ｏ系膜はアモルファス膜であることが示された。膜厚は、１２０ｎｍであった。
【０２７１】
得られたＩｎ−Ｇａ−Ｏアモルファス酸化物膜の電子キャリア濃度は、８×１０１６／ｃｍ３で、電子移動度は、約１ｃｍ２／Ｖ・秒であった。
（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜を用いたＴＦＴ素子の作製（ガラス基板））
ＴＦＴ素子の作製
図５に示すトップゲート型ＴＦＴ素子を作製した。
【０２７２】
まず、ガラス基板（１）上に、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとし、酸素分圧５Ｐａの条件で、前述したPLD装置を用いて、In-Ga-Zn-O系アモルファス酸化物膜を作製した。チャンネル層（２）として用いる厚さ120nmのIn-Ga-Zn-O系アモルファス膜を形成した。
【０２７３】
さらにその上に、チャンバー内の酸素分圧を1Pa未満にして、ＰＬＤ法により電気伝導度の大きなIn-Ga-Zn-O系アモルファス膜及び金膜をそれぞれ30nm積層した。そして、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ドレイン端子（５）及びソース端子（６）を形成した。
【０２７４】
最後にゲート絶縁膜（３）として用いるY2O3膜を電子ビーム蒸着法により成膜し（厚み：90nm、比誘電率：約15、リーク電流密度：0.5 MV/cm印加時に10-3 A/cm2）、その上に金を成膜した。そして、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ゲート端子（４）を形成した。チャネル長は、５０μｍで、チャネル幅は、２００μｍであった。
【０２７５】
ＴＦＴ素子の特性評価
図６に、室温下で測定したＴＦＴ素子の電流−電圧特性を示す。ドレイン電圧VDSの増加に伴い、ドレイン電流IDSが増加したことからチャネルがn型伝導であることが分かる。
【０２７６】
これは、アモルファスIn-Ga-Zn-O系アモルファス酸化物膜がn型伝導体であるという事実と矛盾しない。IDSはVDS= 6 V程度で飽和（ピンチオフ）する典型的な半導体トランジスタの挙動を示した。利得特性を調べたところ、VDS = 4 V印加時におけるゲート電圧VGSの閾値は約-0.5 Vであった。
【０２７７】
また、VG=10 V時には、IDS=1.0 × 10-5Aの電流が流れた。これはゲートバイアスにより絶縁体のIn-Ga-Zn-O系アモルファス酸化物膜内にキャリアを誘起できたことに対応する。
【０２７８】
トランジスタのオン・オフ比は、１０３超であった。また、出力特性から電界効果移動度を算出したところ、飽和領域において約7cm2(Vs)-1の電界効果移動度が得られた。作製した素子に可視光を照射して同様の測定を行なったが、トランジスタ特性の変化は認められなかった。
【０２７９】
なお、アモルファス酸化物の電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満にすることでＴＦＴのチャネル層として適用できる。この電子キャリア濃度としては、１０１７／ｃｍ３以下がより好ましく、１０１６／ｃｍ３以下にすると更に好ましかった。
（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜を用いたＴＦＴ素子の作製（アモルファス基板））
図５に示すトップゲート型ＴＦＴ素子を作製した。まず、ポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（１）上に、PLD法により、酸素分圧５Ｐａの雰囲気で、チャンネル層（２）として用いる厚さ120nmのＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜を形成した。このとき、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）組成を有する多結晶焼結体をターゲットとした。
【０２８０】
さらにその上に、チャンバー内酸素分圧を1Pa未満にして、ＰＬＤ法により電気伝導度の大きなＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜及び金膜をそれぞれ30nm積層した。そして、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ドレイン端子（５）及びソース端子（６）を形成した。最後にゲート絶縁膜（３）を電子ビーム蒸着法により成膜して、その上に金を成膜し、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ゲート端子（４）を形成した。チャネル長は、５０μｍで、チャネル幅は、２００μｍであった。ゲート絶縁膜として、Ｙ２Ｏ３（厚さ：１４０ｎｍ），Ａｌ２Ｏ３（厚さ：１３０μｍ）及びＨｆＯ２（厚さ：１４０μｍ）を用いた３種類の上記の構造を有するＴＦＴを作成した。
【０２８１】
ＴＦＴ素子の特性評価
ＰＥＴフィルム上に形成したＴＦＴの室温下で測定した電流−電圧特性は、図６と同様であった。すなわち、ドレイン電圧VDSの増加に伴い、ドレイン電流IDSが増加したことから、チャネルがn型伝導であることが分かる。これは、アモルファスＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス酸化物膜がn型伝導体であるという事実と矛盾しない。IDSはVDS= 6 V程度で飽和（ピンチオフ）する典型的なトランジスタの挙動を示した。また、Ｖｇ＝０のときには、Ｉｄｓ＝１０−８Ａ，Ｖｇ=10 V時には、IDS=２.０ × 10-5Aの電流が流れた。これはゲートバイアスにより絶縁体のIn-Ga-Zn-O系アモルファス酸化物膜内に電子キャリアを誘起できたことに対応する。
【０２８２】
トランジスタのオン・オフ比は、１０３超であった。また、出力特性から電界効果移動度を算出したところ、飽和領域において約7cm2(Vs)-1の電界効果移動度が得られた。
【０２８３】
ＰＥＴフィルム上に作成した素子を、曲率半径３０ｍｍで屈曲させ、同様のトランジスタ特性の測定を行ったが、トランジスタ特性に変化は認められなかった。また、可視光を照射して同様の測定を行なったが、トランジスタ特性の変化は認められなかった。
【０２８４】
ゲート絶縁膜としてＡｌ２Ｏ３膜を用いたＴＦＴでも、図６に示したものと類似のトランジスタ特性を示したが、Ｖｇ＝０のときには、Ｉｄｓ＝１０−８Ａ，Ｖｇ=10 V時には、IDS=５.0 × 10-６Aの電流が流れた。トランジスタのオン・オフ比は、１０２超であった。また、出力特性から電界効果移動度を算出したところ、飽和領域において約２cm2(Vs)-1の電界効果移動度が得られた。
【０２８５】
ゲート絶縁膜としてＨｆＯ２膜を用いたＴＦＴでも、図６に示したものと類似のトランジスタ特性を示したが、Ｖｇ＝０のときには、Ｉｄｓ＝１０−８Ａ，Ｖｇ=10 V時には、IDS=１.0 × 10-６Aの電流が流れた。トランジスタのオン・オフ比は、１０２超であった。また、出力特性から電界効果移動度を算出したところ、飽和領域において約１０cm2(Vs)-1の電界効果移動度が得られた。
（ＰＬＤ法によるＩｎ２Ｏ３アモルファス酸化物膜を用いたＴＦＴ素子の作成）
図５に示すトップゲート型ＴＦＴ素子を作製した。まず、ポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（１）上に、PLD法により、チャンネル層（２）として用いる厚さ８０nmのＩｎ２Ｏ３アモルファス酸化物膜を形成した。
【０２８６】
さらにその上に、チャンバー内酸素分圧を1Pa未満にして、さらに酸素ラジカル発生装置への印加電圧をゼロにして、ＰＬＤ法により、電気伝導度の大きなＩｎ２Ｏ３アモルファス酸化物膜及び金膜をそれぞれ30nm積層した。そして、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ドレイン端子（５）及びソース端子（６）を形成した。最後にゲート絶縁膜（３）として用いるY2O3膜を電子ビーム蒸着法により成膜して、その上に金を成膜して、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ゲート端子（４）を形成した。
【０２８７】
ＴＦＴ素子の特性評価
ＰＥＴフィルム上に形成したＴＦＴの室温下で測定した電流−電圧特性を測定した。ドレイン電圧VDSの増加に伴い、ドレイン電流IDSが増加したことからチャネルがn型半導体であることが分かる。これは、In -O系アモルファス酸化物膜がn型伝導体であるという事実と矛盾しない。IDSはVDS= ５ V程度で飽和（ピンチオフ）する典型的なトランジスタの挙動を示した。また、Ｖｇ＝０Ｖ時には、２×１０−８Ａ、VG=10 V時には、IDS=２.0 ×10-６Aの電流が流れた。これはゲートバイアスにより絶縁体のIn-O系アモルファス酸化物膜内に電子キャリアを誘起できたことに対応する。
【０２８８】
トランジスタのオン・オフ比は、約１０２であった。また、出力特性から電界効果移動度を算出したところ、飽和領域において約１０cm2(Vs)-1の電界効果移動度が得られた。ガラス基板上に作成したＴＦＴ素子も同様の特性を示した。
【０２８９】
ＰＥＴフィルム上に作成した素子を、曲率半径３０ｍｍで曲げ、同様のトランジスタ特性の測定を行ったが、トランジスタ特性に変化は認められなかった。
（ＰＬＤ法によるＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系アモルファス酸化物膜を用いたＴＦＴ素子の作成）
図５に示すトップゲート型ＴＦＴ素子を作製した。まず、ポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（１）上に、PLD法により、チャンネル層（２）として用いる厚さ１００nmのＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系アモルファス酸化物膜を形成した。さらにその上に、チャンバー内酸素分圧を1Pa未満にして、さらに酸素ラジカル発生装置への印加電圧をゼロにして、ＰＬＤ法により、電気伝導度の大きなＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系アモルファス酸化物膜及び金膜をそれぞれ30nm積層した。そして、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ドレイン端子（５）及びソース端子（６）を形成した。最後にゲート絶縁膜（３）として用いるY2O3膜を電子ビーム蒸着法により成膜し、その上に金を成膜して、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ゲート端子（４）を形成した。
【０２９０】
ＴＦＴ素子の特性評価
ＰＥＴフィルム上に形成したＴＦＴの室温下で測定した電流−電圧特性を測定した。ドレイン電圧VDSの増加に伴い、ドレイン電流IDSが増加したことからチャネルがn型半導体であることが分かる。これは、In -Ｓｎ−O系アモルファス酸化物膜がn型伝導体であるという事実と矛盾しない。IDSはVDS= ６ V程度で飽和（ピンチオフ）する典型的なトランジスタの挙動を示した。また、Ｖｇ＝０Ｖ時には、５×１０−８Ａ、VG=10 V時には、IDS=５.0 × 10-５Aの電流が流れた。これはゲートバイアスにより絶縁体のIn-Ｓｎ-O系アモルファス酸化物膜内に電子キャリアを誘起できたことに対応する。
【０２９１】
トランジスタのオン・オフ比は、約１０３であった。また、出力特性から電界効果移動度を算出したところ、飽和領域において約５cm2(Vs)-1の電界効果移動度が得られた。ガラス基板上に作成したＴＦＴ素子も同様の特性を示した。
【０２９２】
ＰＥＴフィルム上に作成した素子を、曲率半径３０ｍｍで曲げ、同様のトランジスタ特性の測定を行ったが、トランジスタ特性に変化は認められなかった。
（ＰＬＤ法によるＩｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜を用いたＴＦＴ素子の作成）
図５に示すトップゲート型ＴＦＴ素子を作製した。まず、ポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（１）上に、実施例６に示した成膜法により、チャンネル層（２）として用いる厚さ120nmのＩｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜を形成した。さらにその上に、チャンバー内の酸素分圧を1Pa未満にして、さらに酸素ラジカル発生装置への印加電圧をゼロにして、ＰＬＤ法により、電気伝導度の大きなＩｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜及び金膜をそれぞれ30nm積層した。そして、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ドレイン端子（５）及びソース端子（６）を形成した。最後にゲート絶縁膜（３）として用いるY2O3膜を電子ビーム蒸着法により成膜し、その上に金を成膜して、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ゲート端子（４）を形成した。
【０２９３】
ＴＦＴ素子の特性評価
ＰＥＴフィルム上に形成したＴＦＴの室温下で測定した電流−電圧特性を測定した。ドレイン電圧VDSの増加に伴い、ドレイン電流IDSが増加したことからチャネルがn型半導体であることが分かる。これは、In −Ｇａ−O系アモルファス酸化物膜がn型伝導体であるという事実と矛盾しない。IDSはVDS= ６ V程度で飽和（ピンチオフ）する典型的なトランジスタの挙動を示した。また、Ｖｇ＝０Ｖ時には、１×１０−８Ａ、VG=10 V時には、IDS=１.0 × 10-６Aの電流が流れた。これはゲートバイアスにより絶縁体のIn-Ga-O系アモルファス酸化物膜内に電子キャリアを誘起できたことに対応する。
【０２９４】
トランジスタのオン・オフ比は、約１０２であった。また、出力特性から電界効果移動度を算出したところ、飽和領域において約０．８cm2(Vs)-1の電界効果移動度が得られた。ガラス基板上に作成したＴＦＴ素子も同様の特性を示した。
【０２９５】
ＰＥＴフィルム上に作成した素子を、曲率半径３０ｍｍで曲げ、同様のトランジスタ特性の測定を行ったが、トランジスタ特性に変化は認められなかった。
【０２９６】
なお、アモルファス酸化物の電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満にすることでＴＦＴのチャネル層として適用できる。この電子キャリア濃度としては、１０１７／ｃｍ３以下がより好ましく、１０１６／ｃｍ３以下にすると更に好ましかった。
【０２９７】
以下、本発明の実施例について説明する。
【０２９８】
（実施例１：微結晶を含むアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜の作製）
図７に記載の装置を用いて行う。
【０２９９】
KrFエキシマレーザーを用いたパルスレーザー蒸着法により、InGaO3(ZnO)４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして用いる。
【０３００】
ガラス基板（コーニング社製1737）上に、微結晶を含むIn-Ga-Zn-O系アモルファス酸化物半導体薄膜を堆積させる。
【０３０１】
成膜時には光照射のために、20ｍＷ/ｃｍ2のハロゲンランプを基板面に照射する。
【０３０２】
なお、微結晶の存在の確認は、断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）観察により確認される。
【０３０３】
（MISFET素子の作製）
図５に示すトップゲート型MISFET素子を作製する。
【０３０４】
まず、ガラス基板（１）上に上記の微結晶を含むアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜の作製法により、チャンネル層（２）として用いる厚さ30nmの微結晶を含む半絶縁性アモルファスInGaO3(ZnO)４膜を形成する。
【０３０５】
さらにその上に、チャンバー内酸素分圧を1Pa未満にして、パルスレーザー堆積法により電気伝導度の大きなInGaO3(ZnO)４及び金膜をそれぞれ30nm積層した。そして、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ドレイン端子（５）及びソース端子（６）を形成する。
【０３０６】
最後にゲート絶縁膜（３）として用いるY2O3膜を電子ビーム蒸着法により成膜する（厚み：110nm、比誘電率：約15、リーク電流密度：0.5 MV/cm印加時に10-3 A/cm2）。そして、その上に金を成膜し、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ゲート端子（４）を形成する。
【０３０７】
こうして、電界効果型トランジスタが形成される。
【０３０８】
トランジスタのオン・オフ比は、１０4超である。また、出力特性から電界効果移動度を算出したところ、飽和領域において約7.5cm2(Vs)-1の電界効果移動度が得られた。作製した素子に可視光を照射して同様の測定を行なったが、トランジスタ特性の変化は認められない。
【０３０９】
さらに上記微結晶を含むIn-Ga-Zn-Oなどの薄膜作製の実施例において、基板に光照射する際に、0.3ｍＷ/ｃｍ2〜100ｍＷ/ｃｍ2の範囲において、より効果的であった。このようにすると、トランジスタのオン・オフ比を大きくでき、また、電界効果移動度も大きな値が得られると言う面でより好ましいものとなる。
【０３１０】
なお、非晶質酸化物膜中における微結晶の量にもよるが、同膜中に微結晶が存在することの確認は、Ｘ線回折による測定により、特定のピークが観測されることによっても確認できる。
（実施例２：膜厚方向で組成分布を有するアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜の作製）
KrFエキシマレーザーを用いたパルスレーザー蒸着法により、ガラス基板（コーニング社製1737）上に膜厚方向で組成分布を有するIn-Ga-Zn-O系アモルファス酸化物半導体薄膜を堆積する。このとき、InGaO3(ZnO)４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとした。
【０３１１】
チャンバー内酸素分圧を所定の範囲に設定し、ターゲット-基板間距離を５ｍｍ遠ざける方向へ変化させながら堆積する。両者の距離が長くなるにつれて、成膜される膜中に取り込まれる酸素量は多くなる。基板温度は25℃である。
【０３１２】
なお、上記膜厚方向で組成分布を有する薄膜作製の実施例において、膜厚方向で組成分布を有する際に、酸素分圧を膜厚方向で変化させてもよい。または、パルスレーザーの発振パワーを変化させたり、発振周波数を変化させたりしても、膜厚方向で組成変化させることができる。
【０３１３】
このようにすると、リーク電流が減ったり、トランジスタのオン・オフ比を大きくできたり、あるいは、電界効果移動度を大きくすることができる。
（実施例３：膜厚方向で組成分布を有するアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜の作製）
アルゴンガスを用いたスパッタ蒸着法を用いる。
【０３１４】
ターゲットとして、１）InGaO3(ZnO)４組成を有する多結晶焼結体と、２）酸化亜鉛の焼結体を用意する。
【０３１５】
そして、膜厚方向で組成分布を有するアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜をガラス基板（コーニング社製1737）上に作製する。
【０３１６】
酸素分圧を所定の値にした、雰囲気中で、始めに、ターゲット１）を用いてスパッタ法による成膜を行う。
【０３１７】
次いで、ターゲット１）と２）を同時に用いて、スパッタ法による成膜を行う。こうして、膜厚方向で、組成分布を有するアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜が作製できる。基板温度は25℃である。
【０３１８】
なお、上記膜厚方向で組成分布を有するIn-Ga-Zn-Oなどの薄膜作製は以下のように行うこともできる。
【０３１９】
例えば、膜厚方向で組成分布を有する際に、In2O3ターゲットを同時または、別々にスパッタしたり、あるいは、酸素分圧を膜厚方向で変化させたり、あるいは、スパッタの投入電力を各ターゲットごと膜厚方向で変化させるのである。
【０３２０】
特にゲート絶縁膜近傍では、In２O3あるいはZnO組成の多い方が、電界効果移動度が大きくなることが期待される。
（実施例４：アモルファスIn-Ga-Zn-O(N)薄膜の作製）
非晶質酸化物に添加物として窒素（Ｎ）を含む酸化物の製法について説明する。
【０３２１】
次にKrFエキシマレーザーを用いたパルスレーザー蒸着法により、同じガラス基板上に、窒素を不純物として含むIn-Ga-Zn-O系アモルファス酸化物半導体（In-Ga-Zn-O(N)と略記する）薄膜を堆積させる。このとき、InGaO3(ZnO)４多結晶焼結体をターゲットとした。
【０３２２】
具体的には、チャンバー内酸素分圧を例えば4 Pa、窒素分圧を1Paとする。
基板温度は25℃である。
【０３２３】
また２次イオン質量分析（SIMS）分析した場合に、薄膜の酸素と窒素の組成比が50：1程度であるのがよい。
（実施例５：アモルファスIn-Ga-Zn-O(Ti)薄膜の作製）
KrFエキシマレーザーを用いたパルスレーザー蒸着法により、InGaO3(ZnO)４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして、ガラス基板（コーニング社製1737）上に、In-Ga-Zn-O系アモルファス酸化物半導体薄膜を堆積させる。
【０３２４】
得られるIn-Ga-Zn-O系薄膜を、８０℃に保温した３塩化チタンの水溶液に浸漬する。
【０３２５】
その後引き上げて、空気中で３００℃でアニールする。
【０３２６】
こうして、非晶質酸化物に添加物としてＴｉの導入が可能となる。
【０３２７】
なお、SIMSで、薄膜の表面からTiの濃度を分析した場合に、最表面で０.５％程度含有し、表面から離れるに従い、Ｔｉの濃度が低下するのがよい。
【産業上の利用可能性】
【０３２８】
本発明に係る非晶質酸化物は、当該膜をチャネル層に用いたトランジスタはＬＣＤや有機ＥＬディスプレイのスイッチング素子として適用できる。また、プラスチックフィルムをはじめとするフレキシブル素材に半導体の薄膜を形成し、フレキシブル・ディスプレイなどのパネルをはじめ、ＩＣカードやＩＤタグなどに幅広く応用できる。
【図面の簡単な説明】
【０３２９】
【図１】パルスレーザー蒸着法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス膜の電子キャリア濃度と成膜中の酸素分圧の関係を示すグラフである。
【図２】アルゴンガスを用いたスパッタ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス膜の電気伝導度と成膜中の酸素分圧の関係を示すグラフである。
【図３】パルスレーザー蒸着法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス膜の電子キャリアの数と電子移動度の関係を示すグラフである。
【図４】酸素分圧０．８Ｐａの雰囲気でパルスレーザー蒸着法で成膜したＩｎＧａＯ３（Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ）のｘの値に対する電気伝導度、キャリア濃度、電子移動度の変化を示すグラフである。
【図５】トップゲート型MISFET素子構造を示す模式図である。
【図６】トップゲート型MISFET素子の電流−電圧特性を示すグラフである。
【図７】ＰＬＤ法により成膜する場合の成膜装置の模式図である。
【図８】ＳＰ法により成膜する場合の成膜装置の模式図である。
【符号の説明】
【０３３０】
１  基板
２  チャネル層
３  ゲート絶縁膜
４  ゲート電極（ゲート端子）
５  ドレイン電極（ドレイン端子）
６  ソース電極（ソース端子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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