(57)【要約】【課題】  被処理体上に薄膜を形成するときのパーティクルの発生を抑制可能な半導体製造装置を提供する。【解決手段】  被処理体１を収納する反応管１１と、反応管１１の上流側に接続され、被処理体１上にシリコン（Ｓｉ）を含む原料ガス及び窒素（Ｎ）を含む原料ガスを、それぞれ独立に導入する複数の原料ガス導入配管２４，２５と、反応管１１の上流側に接続されたアンモニア（ＮＨ3）ガスを導入する抑制ガス導入配管２６とを備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を収納する反応管と、
前記反応管の上流側に接続され、前記被処理体上にシリコンを含む原料ガス及び窒素を含む原料ガスを、それぞれ独立に導入する複数の原料ガス導入配管と、
前記反応管の上流側に接続されたアンモニアガスを導入する抑制ガス導入配管
とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記抑制ガス導入配管は、前記複数の原料ガス導入配管が前記原料ガスを導入する方向と異なる方向にアンモニアガスを導入することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記反応管の上流側に接続された排気配管を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記排気配管の排気圧を調整する排気圧調整手段を更に備えることを特徴とする請求項３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
シリコンを含む前記原料ガスはクロライドガスであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
反応管の上流側から前記反応管内の半導体基板上に、シリコンを含む原料ガス及び窒素を含む原料ガスをそれぞれ独立に導入するステップと、
前記反応管の上流側からアンモニアガスを導入するステップと、
シリコンを含む前記原料ガスと、窒素を含む前記原料ガスとの反応を用いて、前記半導体基板上に薄膜を形成するステップ
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置に関し、特に、被処理体上に薄膜を堆積する半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
被処理体上に薄膜を形成するための半導体製造装置として、縦型減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。縦型ＬＰＣＶＤ装置においては、薄膜の構成要素を含む原料ガスを反応管の下部（上流側）に導入し、反応管の上部（下流側）に配置された半導体基板上に薄膜を堆積する。このとき、反応管において、原料ガスの反応により、薄膜の構成要素となる主生成物とともに副生成物が生成される。この副生成物がパーティクルとなって半導体基板に付着し、半導体装置製造の歩留まりが低下する。
【０００３】
被処理体上に薄膜を形成するときのパーティクルの発生を抑制する方法としては、パーティクルの原因となる副生成物が反応管の下部（上流側）の内壁に付着するのを防止するために、反応管の下部（上流側）を加熱する方法が提案されている。しかし、加熱することによりシール材であるＯリングが溶融する場合があり、問題解決には至っていない。
【特許文献１】特開平６−２８３４６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、被処理体上に薄膜を形成するときのパーティクルの発生を抑制可能な半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の特徴は、（イ）被処理体を収納する反応管と、（ロ）反応管の上流側に接続され、被処理体上にシリコンを含む原料ガス及び窒素を含む原料ガスを、それぞれ独立に導入する複数の原料ガス導入配管と、（ハ）反応管の上流側に接続されたアンモニアガスを導入する抑制ガス導入配管とを備える半導体製造装置であることを要旨とする。
【０００６】
本発明の第２の特徴は、（イ）反応管の上流側から反応管内の半導体基板上に、シリコンを含む原料ガス及び窒素を含む原料ガスをそれぞれ独立に導入するステップと、（ロ）反応管の上流側からアンモニアガスを導入するステップと、（ハ）シリコンを含む原料ガスと、窒素を含む原料ガスとの反応を用いて、半導体基板上に薄膜を形成するステップとを含む半導体装置の製造方法であることを要旨とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、被処理体上に薄膜を形成するときのパーティクルの発生を抑制可能な半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【０００９】
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１０】
本発明の実施の形態に係る半導体製造装置は、図１に示すように、被処理体１を収納する反応管１１と、反応管１１の上流側に接続され、被処理体１上にシリコン（Ｓｉ）を含む原料ガス及び窒素（Ｎ）を含む原料ガスを、それぞれ独立に導入する複数の原料ガス導入配管２４，２５と、反応管１１の上流側に接続されたアンモニア（ＮＨ3）ガスを導入する抑制ガス導入配管２６とを備える縦型ＬＰＣＶＤ装置である。
【００１１】
反応管１１は、外気遮断及び雰囲気保持が可能な密閉構造を有する縦型の反応管である。反応管１１は、管軸を垂直方向にした円筒状の石英等の外管１１１（アウターチューブ）と、外管１１１の内側に配置された円筒状の石英等の内管（インナーチューブ）１１２と、外管１１１の下に配置されたステンレス鋼等のマニホールド１１３を備える。ここで、「上流側」及び「下流側」は厳密には定義されないが、例えば「上流側」は反応管１１のマニホールド１１３で囲まれる付近の２００度程度の低温側と定義し、「下流側」は内管１１２で囲まれる付近の４００〜６００度程度の高温側と定義する。外管１１１の外側には、反応管１１内の温度を制御する加熱炉（ヒータ）１３が配置されている。
【００１２】
内管１１２の内側には、被処理体１を搭載する石英等のボート１５が配置されている。被処理体１としては、例えば半導体基板（半導体ウェハ）等が使用可能である。被処理体１は、通常１００〜１５０枚程度投入可能である。ボート１５の下部には、反応管１１の下部を断熱するための石英等の保温筒１４が設けられている。外管１１１には、出口配管１７が設けられている。出口配管１７は、図示を省略した真空ポンプに接続され、反応管１１内を例えば２０〜２００Ｐａ程度の減圧（低圧力）状態に保つ。
【００１３】
マニホールド１１３には、原料ガス導入配管２４，２５、抑制ガス導入配管２６及び排気配管３１のそれぞれの一端が接続されている。原料ガス導入配管２４，２５及び抑制ガス導入配管２６のそれぞれの他端には、ガス供給系２０が接続されている。ガス供給系２０は、原料ガス導入配管２４に接続された第１原料ガス源２１、原料ガス導入配管２５に接続された第２原料ガス源２２、及び抑制ガス導入配管２６に接続された抑制ガス源２３を備える。
【００１４】
第１原料ガス源２１は、例えばシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜）を堆積する場合には、原料ガスとしてＮＨ3ガスを供給する。第２原料ガス源２２は、原料ガスとして例えば六塩化珪素（Ｓｉ2Ｃｌ6）ガスを供給する。抑制ガス源２３は、抑制ガスとして例えばＮＨ3ガスを供給する。抑制ガスは、複数の原料ガスの反応により生成される副生成物と原料ガスの他方との反応を抑制するガスである。
【００１５】
原料ガス導入配管２４，２５は、反応管１１の上流側から下流側に流れるように垂直方向にＮＨ3ガス及びＳｉ2Ｃｌ6ガスをそれぞれ導入するインジェクタノズルである。抑制ガス導入配管２６は、原料ガス導入配管２４，２５がＮＨ3ガス及びＳｉ2Ｃｌ6ガスを導入する方向と異なる方向、例えば反応管１１の上流側に流れるように水平方向にＮＨ3ガスを導入するインジェクタノズルである。反応管１１内におけるガス流量は、原料ガス導入配管２４を介して導入されるＮＨ3ガスの流量は１００〜１０００ｓｃｃｍ程度、原料ガス導入配管２５を介して導入されるＳｉ2Ｃｌ6ガスの流量は５〜１００ｓｃｃｍ程度、抑制ガス導入配管２６を介して導入されるＮＨ3ガスの流量は、１００〜１０００ｓｃｃｍ程度である。
【００１６】
マニホールド１１３には、抑制ガス導入配管２６に対向する位置に排気配管３１が接続されている。排気配管３１には、排気圧調整手段３２及び排気配管３４を介して真空ポンプ３５が接続されている。排気配管３１は、抑制ガス導入配管２６を介して導入されるＮＨ3ガスや、原料ガスの反応により生成された副生成物等を反応管１１から排気する。排気圧調整手段３２は、排気配管３１の排気圧を調整する。排気圧調整手段３２としては、バルブ等が使用可能である。排気配管３１には、分析計３６が接続されている。分析計３６は、排気配管３１から排気されるガスの成分や濃度を分析する。
【００１７】
排気圧調整手段３２及び分析計３６には、制御回路３３が接続されている。制御回路３３は、排気配管３１の排気圧やガス流量を監視し、排気圧調整手段３２を制御する。制御回路３３は、分析計３６による分析結果に基づいて、抑制ガス源２３の抑制ガス供給量を制御する。マニホールド１１３の下部には、被処理体１及びボート１５を出し入れするドア部を閉じるキャップ１６が設けられている。
【００１８】
次に、本発明の実施の形態に係る半導体製造装置において、原料ガスとしてＳｉ2Ｃｌ6とＮＨ3を用いて、被処理体１上にＳｉ3Ｎ4膜を形成する場合の反応を説明する。反応管１１の上流側で、原料ガスのＳｉ2Ｃｌ6とＮＨ3ガスが反応して、反応式（１）に示すように、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）ガスが主生成物として生成される。同時に、塩化水素（ＨＣｌ）ガス及び水素（Ｈ2）ガス等の副生成物が生成される。
【００１９】
３Ｓｉ2Ｃｌ6＋８ＮＨ3→２Ｓｉ3Ｎ4＋１８ＨＣｌ＋３Ｈ2・・・・・（１）
反応式（１）で生成されたＳｉ3Ｎ4ガスが被処理体１上に吸着して、Ｓｉ3Ｎ4膜が堆積される。更に、原料ガスのＮＨ3と、反応式（１）で生成されたＨＣｌガスが反応して、反応式（２）に示すように、固体の塩化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ）が副生成物として生成される。
【００２０】
ＮＨ3＋ＨＣｌ→ＮＨ4Ｃｌ・・・・・（２）
反応式（２）で生成されたＮＨ4Ｃｌが、マニホールド１１３内壁に付着する。更に、反応式（２）で生成されたＮＨ4Ｃｌが、原料ガスのＳｉ2Ｃｌ6ガスと反応して、反応式（３）に示すように、ＮＨ3ガス、三塩化シラン（ＳｉＨＣｌ3）ガスや四塩化珪素（ＳｉＣｌ4）ガス等の副生成物が生成される。
【００２１】
ｘＮＨ4Ｃｌ＋ｙＳｉ2Ｃｌ6→ｚＳｉＨＣｌ3＋ｗＳｉＣｌ4＋ｘＮＨ3・・・・・（３）
ここで、ｘ，ｙ，ｚ，ｗは１以上の整数を表す。反応式（３）で生成されたＳｉＨＣｌ3ガスやＳｉＣｌ4ガスが、加熱されながら、反応管１１の下流側に配置された被処理体１の表面に達する。更に、ＳｉＨＣｌ3ガス及びＳｉＣｌ4ガスが、原料ガスのＮＨ3ガス又は反応式（３）で生成されたＮＨ3ガスとそれぞれ反応して、反応式（４）及び（５）に示すように、主生成物のＳｉ3Ｎ4ガスとともに、ＨＣｌガスやＨ2ガス等の副生成物を生成する。
【００２２】
３ＳｉＨＣｌ3＋４ＮＨ3→Ｓｉ3Ｎ4＋９ＨＣｌ＋３Ｈ2・・・・・（４）
３ＳｉＣｌ4＋４ＮＨ3→Ｓｉ3Ｎ4＋１２ＨＣｌ・・・・・（５）
反応式（４）及び（５）で生成された主生成物のＳｉ3Ｎ4ガスが被処理体１上に堆積して、Ｓｉ3Ｎ4膜が形成される。反応式（４）及び（５）で生成されたＨＣｌガスが、原料ガスのＮＨ3ガス又は反応式（３）で生成されたＮＨ3ガスと反応して、反応式（６）に示すように、ＮＨ4Ｃｌが副生成物として生成される。
【００２３】
ＮＨ3＋ＨＣｌ→ＮＨ4Ｃｌ・・・・・（６）
反応式（６）で生成されたＮＨ4Ｃｌが、被処理体１上に付着する。ＮＨ4Ｃｌが被処理体１表面に残留したまま反応管１１外部へ取り出した場合にパーティクルとなる。この結果、薄膜を堆積した後の半導体装置製造工程での加工不良の原因となる。
【００２４】
ここで、反応式（３）において、Ｓｉ2Ｃｌ6分圧が低くＮＨ3分圧が高いほど反応は抑制される。図１及び図２に示すように、抑制ガス導入配管２６は、抑制ガス源２３から供給された抑制ガスを、反応管１１の上流側（水平方向）に吹き付ける。この結果、反応管１１の上流側のＮＨ3分圧が上がり、反応式（３）の生成反応が抑制される。したがって、パーティクルに起因する副生成物であるＳｉＨＣｌ3ガス及びＳｉＣｌ4ガスの生成が抑制される。
【００２５】
次に、本発明の実施の形態に係る半導体製造装置を用いた処理方法を、原料ガスとしてＳｉ2Ｃｌ6ガスとＮＨ3ガスを用いて被処理体１上にＳｉ3Ｎ4膜を形成する場合を一例として説明する。
【００２６】
（イ）被処理体１が配置されたボート１５を、反応管１１内に設置する。キャップ１６を取り付け、反応管１１内を密封状態とする。第１原料ガス源２１から供給されたＮＨ3ガスが、原料ガス導入配管２４を介して、反応管１１内に上流側から下流側へ流れるように例えば垂直方向に導入される。第２原料ガス源２２から供給されたＳｉ2Ｃｌ6ガスが、原料ガス導入配管２５を介して、反応管１１内に上流側から下流側へ流れるように例えば垂直方向に導入される。抑制ガス源２３から供給されたＮＨ3ガスが、抑制ガス導入配管２６を介して、反応管１１の上流側（水平方向）に導入される。
【００２７】
（ロ）反応管１１の上流側で、原料ガスのＳｉ2Ｃｌ6ガスとＮＨ3ガスが反応する。この結果、反応式（１）及び（２）に示すように、主生成物のＳｉ3Ｎ4ガスが生成されるとともに、固体のＮＨ4Ｃｌが生成されてマニホールド１１３内壁に付着する。更に、固体のＮＨ4Ｃｌが、原料ガスのＳｉ2Ｃｌ6ガスと反応して、反応式（３）に示すように、ＳｉＨＣｌ3ガスやＳｉＣｌ4ガス等が生成される。ここで、抑制ガス導入配管２６は、抑制ガス源２３から供給された抑制ガスのＮＨ3ガスを、反応管１１の上流側（水平方向）に吹き付けている。この結果、反応管１１の上流側においてＮＨ3分圧が上がり、反応式（３）で示したＳｉＨＣｌ3ガス及びＳｉＣｌ4ガスの生成が抑制される。
【００２８】
（ハ）反応式（３）で示したＳｉＨＣｌ3ガス及びＳｉＣｌ4ガスの生成が抑制されてなお、反応式（３）で示すようなＳｉＨＣｌ3ガス及びＳｉＣｌ4ガスが生成された場合には、ＳｉＨＣｌ3ガス及びＳｉＣｌ4ガスが排気配管３１から排気される。更に、反応管１１の上流側に流したＮＨ3ガスが、被処理体１へ到達させること無く、排気配管３１から排気される。なお、制御回路３３が、抑制ガス源２３の抑制ガス供給量を制御する。また、排気圧調整手段３２が、排気配管３１からの排気圧を適宜調整する。
【００２９】
本発明の実施の形態によれば、抑制ガス導入配管２６から反応管１１の上流側（水平方向）にＮＨ3ガスを流すことにより、ＳｉＨＣｌ3ガス及びＳｉＣｌ4ガスの生成反応を抑制することができる。更に、排気配管３１を配置し、且つ排気圧調整手段３２により排気配管３１の排気圧を調整することで、ＳｉＨＣｌ3ガスあるいはＳｉＣｌ4ガスを被処理体１上に到達させること無く反応管１１の外部へ排出可能となる。したがって、ＳｉＨＣｌ3ガス及びＳｉＣｌ4ガスに起因するＮＨ4Ｃｌによるパーティクルの発生を防止することができる。
【００３０】
更に、抑制ガス導入配管２６から反応管１１の上流側（水平方向）へ流すＮＨ3ガスも、被処理体１へ到達させる事無く排気する事が可能となる。したがって、被処理体１上にＮＨ3ガスが高濃度で到達することを防止でき、シリコン窒化膜の膜質を劣化させるのを防止できる。
【００３１】
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を図３のフローチャートを参照しながら説明する。なお、以下に述べる半導体記憶装置の製造方法は、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により、実現可能であることは勿論である。
【００３２】
（イ）まず、ステップＳ１００において、プロセス・マスクシミュレーションやデバイスシミュレーションにより、電気的特性を得る。電気的特性を用いてＬＳＩの回路シミュレーションが行われ、設計パターンのレイアウトデータ（設計データ）を生成する。次に、ステップＳ２００において、ステップＳ１００で生成されたレイアウトデータの設計パターンに対して、マスクパターンのマスクデータを生成する。マスクパターンがマスク基板に形成され、フォトマスクが作製される。なお、フォトマスクはＬＳＩの製造工程の各段階に対応した各層分作製されてフォトマスクのセットが用意される。
【００３３】
（ロ）ステップＳ３０２におけるフロントエンド工程（基板工程）では、ステップＳ３１０における酸化工程、ステップＳ３１１におけるレジスト塗布工程、ステップＳ３１２におけるフォトリソグラフィ工程、ステップＳ３１３におけるイオン注入工程及びステップＳ３１４における熱処理工程等が繰り返して実施される。一連の工程が終了すると、ステップＳ３０３へ進む。
【００３４】
（ハ）ステップＳ３０３において、基板表面に対して配線処理が施されるバックエンド工程（表面配線工程）が行われる。バックエンド工程では、ステップＳ３１５における化学気相成長（ＣＶＤ）工程、ステップＳ３１６におけるレジスト塗布工程、ステップＳ３１７におけるフォトリソグラフィ工程、ステップＳ３１８におけるエッチング工程、ステップＳ３１９における金属堆積工程等が繰り返し実施される。ステップＳ３１５においては、図１に示した半導体製造装置を用いて、半導体ウェハ上に薄膜を形成する。一連の工程により多層配線構造が完成したら、ステップＳ３０４へ進む。
【００３５】
（ニ）ステップＳ３０４において、ダイヤモンドブレード等のダイシング装置により、所定のチップサイズに分割される。そして、金属若しくはセラミックス等のパッケージング材料にマウントされ、チップ上の電極パッドとリードフレームのリードを金線で接続された後、樹脂封止などの所要のパッケージ組み立ての工程が実施される。ステップＳ４００において、半導体集積回路の性能・機能に関する特性検査、リード形状・寸法状態、信頼性試験などの所定の検査を経て、半導体集積回路が完成される。ステップＳ５００において、以上の工程をクリアした半導体集積回路は、水分、静電気などから保護するための包装を施され、出荷される。
【００３６】
以上のように、本発明の第１の実施の形態に係る半導体記憶装置の製造方法によれば、ステップＳ３１５におけるＣＶＤ工程において、半導体ウェハ上に薄膜を堆積するときのパーティクルの発生を抑制することができる。したがって、半導体装置製造の歩留まりが向上する。
【００３７】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００３８】
本発明の実施の形態において、原料ガスとして、クロライドガスのＳｉ2Ｃｌ6ガスとＮＨ3ガスと用いる一例を説明したが、原料ガスの組み合わせは特に限定されない。例えば、ＮＨ3ガスと、ジクロロジシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）ガス、ＳｉＨＣｌ3ガス又はＳｉＣｌ4ガス等のクロライドガスとの組み合わせを用いても良い。ＳｉＨ2Ｃｌ2ガス、ＳｉＨＣｌ3ガス又はＳｉＣｌ4ガスと、原料ガスのＮＨ3ガスがそれぞれ反応して、反応式（７）、（８）及び（９）に示すように、ＨＣｌガスやＨ2ガス等の副生成物が生成される。
【００３９】
３ＳｉＨ2Ｃｌ2＋４ＮＨ3→Ｓｉ3Ｎ4＋６ＨＣｌ＋１２Ｈ2・・・・・（７）
３ＳｉＨＣｌ3＋４ＮＨ3→Ｓｉ3Ｎ4＋３ＨＣｌ＋６Ｈ2・・・・・（８）
３ＳｉＣｌ4＋４ＮＨ3→Ｓｉ3Ｎ4＋１２ＨＣｌ・・・・・（９）
反応式（７）、（８）及び（９）のそれぞれで生成されたＨＣｌガスと原料ガスのＮＨ3ガスが反応式（２）のように反応して、固体のＮＨ4Ｃｌが生成され、マニホールド１１３内壁に付着する。固体のＮＨ4Ｃｌが、原料ガスのＳｉＨ2Ｃｌ2ガス、ＳｉＨＣｌ3ガス又はＳｉＣｌ4ガスと更に反応して、反応式（１０）、（１１）及び（１２）に示すように、ＳｉＨＣｌ3ガスやＳｉＣｌ4ガス等のパーティクルに起因する副生成物が生成される。
【００４０】
ｘＮＨ4Ｃｌ＋ｙＳｉＨ2Ｃｌ2→ｚＳｉＨＣｌ3＋ｗＳｉＣｌ4＋ｘＮＨ3・・・・・（１０）
ｘＮＨ4Ｃｌ＋ｙＳｉＨＣｌ3→ｚＳｉＨＣｌ3＋ｗＳｉＣｌ4＋ｘＮＨ3・・・・・（１１）
ｘＮＨ4Ｃｌ＋ｙＳｉＣｌ4→ｚＳｉＨＣｌ3＋ｗＳｉＣｌ4＋ｘＮＨ3・・・・・（１２）
ここで、反応式（１０）、（１１）及び（１２）に示すように、ＳｉＨ2Ｃｌ2分圧、ＳｉＨＣｌ3分圧又はＳｉＣｌ4分圧が低くＮＨ3分圧が高いほど反応は抑制される。抑制ガス導入配管２６は、抑制ガス源２３から供給された抑制ガスのＮＨ3ガスを、反応管１１の上流側（水平方向）に吹き付ける。この結果、反応管１１の上流側のＮＨ3分圧が上がり、反応式（１０）、（１１）及び（１２）で示したＳｉＨＣｌ3ガス及びＳｉＣｌ4ガスの生成が抑制される。
【００４１】
また、図１に示した抑制ガス導入配管２６及び排気配管３１が対向する位置に配置され、抑制ガス導入配管２６が水平方向に抑制ガスを流す一例を説明したが、ＮＨ3ガス濃度を高めるために抑制ガスを上流側に流す配置であれば、抑制ガス導入配管２６及び排気配管３１の配置位置や、抑制ガス導入配管２６の抑制ガスの噴出位置は特に限定されない。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の一例を示す概略断面図（図２のＡ−Ａ方向の断面図）である。
【図２】図１のマニホールド部分を水平方向に切断した概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００４３】
１…被処理体
１１…反応管
１３…加熱炉（ヒータ）
１４…保温筒
１５…ボート
１６…キャップ
１７…出口配管
２０…ガス供給系
２１…第１原料ガス源
２２…第２原料ガス源
２３…抑制ガス源
２４，２５…原料ガス導入配管
２６…抑制ガス導入配管
３１，３４…排気配管
３２…排気圧調整手段
３３…制御回路
３５…真空ポンプ
３６…分析計
１１１…外管（アウターチューブ）
１１２…内管（インナーチューブ）
１１３…マニホールド
【図１】
2006165028.tif 000003
【図２】
2006165028.tif 000004
【図３】
2006165028.tif 000005