(57)【要約】【目的】  基板に転写を行なうことなく、実際に製作されたマスクを用いた場合の転写後のパターン形状を予測することを目的とする。【構成】  開口パターンが形成された所定のマスクに荷電粒子線を照射して、前記所定のマスクを透過した荷電粒子線を検出して前記所定のマスクの透過像を取得する透過像取得工程（Ｓ１０４）と、前記所定のマスクの透過像を複数の所定の領域に分割する分割工程（Ｓ１１０）と、前記複数の所定の領域の各領域における、前記所定のマスクを用いて基板に露光転写した場合に前記荷電粒子線による前記基板に堆積する堆積エネルギーに基づいて、前記所定のマスクを用いて前記基板に露光転写した場合の転写形状を予測転写形状として取得する転写形状取得工程（Ｓ１１８）と、を備えたことを特徴とする。【選択図】        図１
2006165280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口パターンが形成された所定のマスクに荷電粒子線を照射して、前記所定のマスクを透過した荷電粒子線を検出して前記所定のマスクの透過像を取得する透過像取得工程と、
前記所定のマスクの透過像を複数の所定の領域に分割する分割工程と、
前記複数の所定の領域の各領域における、前記所定のマスクを用いて基板に露光転写した場合に前記荷電粒子線による前記基板に堆積する堆積エネルギーに基づいて、前記所定のマスクを用いて前記基板に露光転写した場合の転写形状を予測転写形状として取得する転写形状取得工程と、
を備えたことを特徴とするマスクの転写形状予測方法。
【請求項２】
前記透過像取得工程において、前記荷電粒子線として、電子線とイオン線とのいずれかを用いることを特徴とする請求項１記載のマスクの転写形状予測方法。
【請求項３】
前記マスクの転写形状予測方法は、さらに、前記複数の所定の領域の各領域について、前記堆積エネルギーを算出する堆積エネルギー算出工程を備えたことを特徴とする請求項１又は２記載のマスクの転写形状予測方法。
【請求項４】
前記分割工程において、ビットマップ状に前記所定のマスクの透過像を複数の所定の領域に分割することを特徴とする請求項１〜３いずれか記載のマスクの転写形状予測方法。
【請求項５】
前記マスクの転写形状予測方法は、さらに、前記透過像取得工程において取得した前記所定のマスクの透過像を２値化する２値化工程を備え、
前記分割工程において、前記２値化された値のいずれかになるように前記所定のマスクの透過像を複数の所定の領域に分割し、
前記堆積エネルギー算出工程において、堆積エネルギーを算出する領域が、前記２値化された値の一方の値である場合に、算出される前記堆積エネルギーに１を乗じ、他方の値である場合に、算出される前記堆積エネルギーに０を乗じることを特徴とする請求項１〜４いずれか記載のマスクの転写形状予測方法。
【請求項６】
前記堆積エネルギー算出工程において、第２の所定の領域におけるマスクの開口率を用いて、前記堆積エネルギーを算出することを特徴とする請求項１〜５いずれか記載のマスクの転写形状予測方法。
【請求項７】
前記堆積エネルギー算出工程において、前記堆積エネルギーは、前記荷電粒子線の前方散乱による堆積エネルギーと後方散乱による堆積エネルギーとの和で算出され、前記第２の所定の領域が開口率１００％である場合における堆積エネルギーを算出し、開口率１００％である場合の堆積エネルギーに前記第２の所定の領域におけるマスクの開口率を乗じて前記後方散乱による堆積エネルギーを算出することを特徴とする請求項６記載のマスクの転写形状予測方法。
【請求項８】
前記堆積エネルギー算出工程において、前記堆積エネルギーは、前記荷電粒子線の前方散乱による前方散乱係数を用いて算出される堆積エネルギーと、後方散乱による堆積エネルギーとの和で算出され、所定の係数に前記第２の所定の領域におけるマスクの開口率を用いて得た値を前記前方散乱係数として、前記前方散乱による堆積エネルギーを算出することを特徴とする請求項６記載のマスクの転写形状予測方法。
【請求項９】
前記マスクの転写形状予測方法は、さらに、前記予測転写形状に基づいて、前記所定のマスクに形成された開口パターンを修正する場合に、修正されたマスクを用いて前記基板に露光転写した場合の転写形状を修正後の予測転写形状として取得することを特徴とする請求項１〜８いずれか記載のマスクの転写形状予測方法。
【請求項１０】
開口パターンが形成された所定のマスクに荷電粒子線を照射して、前記所定のマスクを透過した荷電粒子線を検出して前記所定のマスクの透過像を取得する透過像取得工程と、
前記所定のマスクの透過像を複数の所定の領域に分割する分割工程と、
前記複数の所定の領域の各領域について、各領域における透過像の階調値と所定の閾値との差分値を算出する差分値算出工程と、
前記複数の所定の領域のうち所望する領域について、前記差分値が所定の範囲内になるように、前記所定のマスクに形成された開口パターンを修正する開口パターン修正工程と、
を備えたことを特徴とするマスクの修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクの転写形状予測方法及びマスクの修正方法に係り、特に、所定小領域に分割されたパターンをつなぎ合わせて転写することによってパターン形成する荷電粒子線転写方法において、マスク観察を行い、その画像を用いて転写後の形状を予測する方法及びマスク修正に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。従来、半導体デバイスの生産では光露光技術が用いられてきたが、近年、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の高密度集積化する先端デバイスのパターン寸法が限界解像度に近づきつつあり、高解像露光技術の開発が急務となっている。
電子線（電子ビーム）露光技術は本質的に優れた解像性を有しており、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）を代表とする最先端デバイスの開発や一部ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）の生産に用いられている。しかし、従来の可変成形型電子線露光法ではパターンを一筆描きの要領で描画するため単位時間当たりのウェハ処理能力すなわちスループットが低く、デバイスの量産には不向きであった。
現在、次世代の露光技術として分割縮小転写する電子ビームプロジェクション（電子線投影露光：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：ＥＰＬ）技術が提案されており、昨今、その研究開発が行われている。
【０００３】
図１９は、ＥＰＬ露光装置の動作を説明するための概念図である。
まず、ＥＰＬ露光装置におけるレチクルステージには、１つの半導体チップについての露光単位領域となるサブフィールド３２０を投影転写するためのサブフィールドパターンが形成されたサブフィールドマスク３５０が格子状に整列形成されたマスク３４０が配置される。サブフィールド３２０が電子線３３０（荷電粒子線）を照射する際の１ショットに対応する領域である。サブフィールドマスク３５０には、それぞれ、電子線３３０が透過する種々のサブフィールドパターンが形成されている。そして、荷電粒子ソースから照射された電子線３３０は、偏向器により偏向され、所定のサブフィールドマスク３５０のパターンを照射し、透過した電子線３３０は、電子レンズにより１／４に縮小されウェハ３００上に区分けされた複数の半導体チップ領域３１０のうち、１つの半導体チップ領域の中の露光単位領域となるサブフィールド３２０を照射することによりサブフィールドマスク３５０に形成されたサブフィールドパターンを投影転写する。次に、その列の隣に位置するサブフィールドマスク３５０のサブフィールドパターンを電子線３３０が照射するように、偏向器により偏向され、同様に、前記１つの半導体チップについての隣のサブフィールド３２０を照射することによりサブフィールドマスク３５０に形成されたサブフィールドパターンを隣のサブフィールド３２０に投影転写する。これを順次繰り返し、その列のサブフィールドマスク３５０のサブフィールドパターンを照射し終わったら、２列目のサブフィールドマスク３５０の先頭がウェハ３００に投影転写できる位置に、レチクルステージとウェハステージとを移動させ、順次、２列目のサブフィールドマスク３５０の種々のサブフィールドパターンを照射する。このようにして、全列のサブフィールドマスク３５０のサブフィールドパターンを照射することにより、１つの半導体チップ領域３１０についての露光が終了する。かかる動作をウェハ３００上に区分けされた全ての半導体チップ領域３１０に対して行っていく。その他、ＥＰＬ露光装置については、以下の文献に記載されている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。
【０００４】
ここで、ＥＰＬ露光装置に用いる電子線露光用マスクに対しマスク基板上にパターンを形成する場合には、可変成形型電子線露光装置が用いられる。
図２０は、可変成形型電子線露光装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線露光装置（電子線直描型露光装置：ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）直描装置）における第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成型するための長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に整形するための可変成形用開口４２１と、可変成形用開口４２１の周りに繰り返し使用する頻度の高い種々の基本パターンが形成された部分一括マスク４２２とが形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形用開口４２１の一部を通過してマスク３４０上に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形用開口４２１との両方を通過できる矩形形状がマスク３４０上の所定のサブフィールドマスク３５０となる領域に直描される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形用開口４２１との両方を通過させ、任意の矩形形状を作成する方式を可変成形方式という。また、繰り返し使用する頻度の高い基本パターン全体に電子線３３０を照射させ、基本パターンを作成する方式を部分一括方式という（例えば、特許文献２〜５参照）。以上の方式の他に、精度が許容される場合には、電子ビーム又はレーザービームの点ビームで描画する方法でマスクパターンを形成することができる。
【０００５】
図２１は、ＥＰＬ露光装置に用いる電子線露光用マスクの一部分を示す図である。
図２１に示すように、マスクの一例として、２μｍのＳｉ（シリコン）薄膜にパターン部分を貫通させたステンシルマスクが用いられる。電子線投影露光では、貫通しているところを電子線が透過してウェハ上に到達する。一方、Ｓｉがあるところでは、透過する電子線がＳｉにより散乱させてウェハ上に到達する電子線量が少なくなる。ウェハ上には、照射された電子線量により溶解度が変化するレジストが塗布されていて、上記電子線の露光量に差により溶解度が変化し、レジストの現像を行なうことでウェハ上にマスクパターンの像を形成する。上述したように、このマスクを用いた電子線投影露光では、半導体素子を形成するウェハにマスクパターンを縮小して投影し、電子線投影露光装置のステージを移動させて繰り返して転写を行い、多数の同一のパターンをウェハ上に配置する。
【０００６】
ここで、このマスクを作成する工程で、形成されたパターンの中には、所望するパターン形状どおりにならなかった欠陥が発生するが、マスクの欠陥は、それを用いたパターン転写で繰り返し転写されるため、ウェハ上に配置される際に繰り返し行われるすべての転写で欠陥も転写されてしまう。したがって、所望の半導体装置を作成することができなくなる。このためマスクパターン欠陥が残らないようにマスクパターンの形状は全面で検査が行われ、検知した欠陥箇所について修正を行うようにしている。
【０００７】
図２２は、マスクの欠陥修正の様子を説明するための図である。
図２２に示すように、Ｓｉが残されているべきところに貫通パターンが形成されている場合は、中空に薄膜を形成する。そして電子線投影露光の際に、Ｓｉと同様に、この薄膜により電子線が散乱されるようにする。また、貫通したパターンが形成されているべきところにＳｉが残っている欠陥に対しては、この残っているＳｉを除去するエッチングを行う。この２種類の加工は、マスクパターンよりも微細で、任意の形状の領域で行うために、ガリウム（Ｇａ）イオンを微小な領域のみ照射を行えるようにしたフォーカストイオンビーム（ＦＩＢ：集束イオンビーム）を用い、Ｇａイオン照射を利用したエッチングや薄膜のデポジションを行うようにしている。そして、かかる修正は、欠陥部位毎に局所的に行なわれる（例えば、特許文献６参照）。
【０００８】
その他、ＥＰＬマスク製作の際に、設計データの段階で、ＥＰＬ露光装置において発生する既知のボケ量を基準にして、その４倍より小さいパターンを抽出してＥＰＬマスクの設計データにおける設計パターンを修正して第１のマスクを製作するとともに、設計パターンからＧＨＯＳＴ（かぶり）露光用マスクを作成するパターンデータを作成する方法に関する技術が開示されている（例えば、特許文献７参照）。また、同様に、設計データの段階で転写されるパターンのエッジ位置が所望の位置になるようにマスク作成用のパターンデータのエッジ位置を修正する技術が開示されている（例えば、特許文献８参照）。
【特許文献１】特開２００１−３１９８７２号公報
【特許文献２】特開２００１−１３５５５８号公報
【特許文献３】特開２０００−５８４２４号公報
【特許文献４】特開２０００−２６９１２６号公報
【特許文献５】特開２０００−５８４１３号公報
【特許文献６】特開２０００−１２２２６７号公報
【特許文献７】特開２００１−２３７１７５号公報
【特許文献８】特開２００１−２４４１６５号公報
【非特許文献１】“Ｎｉｋｏｎ  ニコンテクノロジー：ＥＰＬ”  ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｎｉｋｏｎ．ｃｏ．ｊｐ／ｍａｉｎ／ｊｐｎ／ｐｒｏｆｉｌｅ／ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ／ｅｐｌ／ｉｎｄｅｘ．ｈｔｍ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来、荷電粒子線におけるマスク転写方法において、基板への転写後のパターン形状を予測する方法がなく、実際に製作されたマスクを用いて基板に転写を行ってみて確認するしかなかった。
よって、マスクを製作した段階で、マスク修正が必要か否かを判断することができないといった問題があった。そのため、高精度なマスクを作製することができないといった問題があった。
【００１０】
本発明は、上述した問題点を克服し、基板に転写を行なうことなく、実際に製作されたマスクを用いた場合の転写後のパターン形状を予測することを目的とする。さらには、基板に転写を行なうことなく、実際に製作されたマスクを修正することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のマスクの転写形状予測方法は、
開口パターンが形成された所定のマスクに荷電粒子線を照射して、前記所定のマスクを透過した荷電粒子線を検出して前記所定のマスクの透過像を取得する透過像取得工程と、
前記所定のマスクの透過像を複数の所定の領域に分割する分割工程と、
前記複数の所定の領域の各領域における、前記所定のマスクを用いて基板に露光転写した場合に前記荷電粒子線による前記基板に堆積する堆積エネルギーに基づいて、前記所定のマスクを用いて前記基板に露光転写した場合の転写形状を予測転写形状として取得する転写形状取得工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
前記所定のマスクに荷電粒子線を照射することにより、実際に形成された開口パターンの透過像を得ることができる。そして、前記透過像を複数の所定の領域に分割し、各領域における、前記所定のマスクを用いて基板に露光転写した場合に前記荷電粒子線による前記基板に堆積する堆積エネルギーから、各領域に相当する基板上の領域においてレジストが解像されるエネルギーを堆積しているか否かを振り分けることができる。そして、振り分けられた結果、解像されるエネルギーを堆積している領域により構成される形状が、転写後の予測転写形状として取得することができる。
【００１３】
さらに、本発明における前記透過像取得工程において、前記荷電粒子線として、電子線とイオン線とのいずれかを用いると有効である。
【００１４】
そして、本発明の前記マスクの転写形状予測方法は、さらに、前記複数の所定の領域の各領域について、前記堆積エネルギーを算出する堆積エネルギー算出工程を備えたことを特徴とする。
【００１５】
堆積エネルギー算出工程を備えたことにより、各領域について、前記堆積エネルギーを算出することができる。
【００１６】
さらに、本発明における前記分割工程において、ビットマップ状に前記所定のマスクの透過像を複数の所定の領域に分割することを特徴とする。
【００１７】
ビットマップ状に分割することにより、後述するように、２次元座標値（ｘ，ｙ）を用いて各領域の堆積エネルギーを算出することができる。
【００１８】
そして、本発明の前記マスクの転写形状予測方法は、さらに、前記透過像取得工程において取得した前記所定のマスクの透過像を２値化する２値化工程を備え、
前記分割工程において、前記２値化された値のいずれかになるように前記所定のマスクの透過像を複数の所定の領域に分割し、
前記堆積エネルギー算出工程において、堆積エネルギーを算出する領域が、前記２値化された値の一方の値である場合に、算出される前記堆積エネルギーに１を乗じ、他方の値である場合に、算出される前記堆積エネルギーに０を乗じることを特徴とする。
【００１９】
前記所定のマスクの透過像を２値化することで、前記荷電粒子が透過するかしないかをどちらか一方に設定することができる。そして、前記２値化された値のいずれかになるように前記所定のマスクの透過像を複数の所定の領域に分割することで、各領域単位で堆積エネルギーを一意に決めることができる。さらに、各領域において、前記２値化された値の一方の値である場合に、算出される前記堆積エネルギーに１を乗じ、他方の値である場合に、算出される前記堆積エネルギーに０を乗じることにより、荷電粒子を透過しない領域の堆積エネルギーをゼロとすることができる。荷電粒子を透過しない領域の堆積エネルギーをゼロとすることができるので、荷電粒子を透過する領域の形状を取得することができる。
【００２０】
さらに、本発明における前記堆積エネルギー算出工程において、第２の所定の領域におけるマスクの開口率を用いて、前記堆積エネルギーを算出することを特徴とする。
【００２１】
第２の所定の領域におけるマスクの開口率を用いることで、後述するように、より簡易に前記堆積エネルギーを算出することができる。より簡易に前記堆積エネルギーを算出することができるので、計算量を軽減し、より簡易に転写後の予測転写形状を取得することができる。
【００２２】
さらに、本発明における前記堆積エネルギー算出工程において、前記堆積エネルギーは、前記荷電粒子線の前方散乱による堆積エネルギーと後方散乱による堆積エネルギーとの和で算出され、前記第２の所定の領域が開口率１００％である場合における堆積エネルギーを算出し、開口率１００％である場合の堆積エネルギーに前記第２の所定の領域におけるマスクの開口率を乗じて前記後方散乱による堆積エネルギーを算出することを特徴とする。
【００２３】
予め、前記第２の所定の領域における開口率１００％である場合の堆積エネルギーを求めておけば、前記第２の所定の領域内に位置する各領域について、開口率１００％である場合の堆積エネルギーに前記第２の所定の領域におけるマスクの開口率を乗じることで、より簡易に前記後方散乱による堆積エネルギーを算出することができる。
【００２４】
さらに、本発明における前記堆積エネルギー算出工程において、前記堆積エネルギーは、前記荷電粒子線の前方散乱による前方散乱係数を用いて算出される堆積エネルギーと、後方散乱による堆積エネルギーとの和で算出され、所定の係数に前記第２の所定の領域におけるマスクの開口率を用いて得た値を前記前方散乱係数として、前記前方散乱による堆積エネルギーを算出することを特徴とする。
【００２５】
所定の係数に前記第２の所定の領域におけるマスクの開口率を用いて得た値を前記前方散乱係数とすることにより、より簡易に前記前方散乱による堆積エネルギーを算出することができる。
【００２６】
前記マスクの転写形状予測方法は、さらに、前記予測転写形状に基づいて、前記所定のマスクに形成された開口パターンを修正する場合に、修正されたマスクを用いて前記基板に露光転写した場合の転写形状を修正後の予測転写形状として取得することを特徴とする。
【００２７】
前記予測転写形状が取得されることで、実際のマスクに修正が必要か否かを示す指標を得ることができる。そして、かかる前記予測転写形状に基づいて、前記所定のマスクに形成された開口パターンを修正する場合に、修正されたマスクを用いて前記基板に露光転写した場合の転写形状を修正後の予測転写形状として取得することにより、修正後の予測転写形状を把握することができる。それにより、再度、修正が必要か否かを示す指標を得ることができる。
【００２８】
或いは、以下のようにマスクを修正しても好適である。
すなわち、本発明のマスクの修正方法は、
開口パターンが形成された所定のマスクに荷電粒子線を照射して、前記所定のマスクを透過した荷電粒子線を検出して前記所定のマスクの透過像を取得する透過像取得工程と、
前記所定のマスクの透過像を複数の所定の領域に分割する分割工程と、
前記複数の所定の領域の各領域について、各領域における透過像の階調値と所定の閾値との差分値を算出する差分値算出工程と、
前記複数の所定の領域のうち所望する領域について、前記差分値が所定の範囲内になるように、前記所定のマスクに形成された開口パターンを修正する開口パターン修正工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００２９】
前記所定のマスクに荷電粒子線を照射することにより、実際に形成された開口パターンの透過像を得ることができる。そして、前記透過像を複数の所定の領域に分割し、各領域における透過像の階調値と所定の閾値との差分値を算出することで、かかる差分値が、所定の範囲内にならない場合には、前記荷電粒子線が透過しないと判定することができる。よって、前記差分値が所定の範囲内になる領域から転写後のパターン形状を予測することができる。そこで、所望する領域における前記差分値が所定の範囲内になるように、前記所定のマスクに形成された開口パターンを修正することで、転写後のパターン形状が、所望するパターン形状になるようにすることができる。
【発明の効果】
【００３０】
以上説明したように、本発明によれば、基板に転写を行なうことなく、実際に製作されたマスクを用いた場合の転写後のパターン形状を予測することができる。さらには、基板に転写を行なうことなく、実際に製作されたマスクを修正することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
実施の形態１．
実施の形態１では、基板に転写を行なった場合の堆積エネルギーを算出することで、実際に製作されたマスクを用いた場合の転写後のパターン形状を予測する手法を説明する。
図１は、実施の形態１におけるマスクの転写形状予測方法のフローチャートを示す図である。
実施の形態１におけるマスクの転写形状予測方法は、透過像取得工程（Ｓ１０４）と、２値化工程（Ｓ１０６）と、計算範囲設定工程（Ｓ１０８）と、分割工程（Ｓ１１０）と、開口率計算工程（Ｓ１１２）と、前方散乱、後方散乱係数の設定工程（Ｓ１１４）と、堆積エネルギー算出工程（Ｓ１１６）と、転写形状取得工程（Ｓ１１８）という一連の工程を実施する。また、転写形状を取得した結果、マスク修正が必要な場合は、マスク修正工程（Ｓ１２０）を実施する。そして、修正されたマスクの転写形状を予測する場合は、各工程を繰り返せばよい。
【００３２】
Ｓ１０４において、透過像取得工程として、マスクに荷電粒子線を照射する。ここでは、ＥＰＬ露光装置に用いるステンシルマスクを用いる。ステンシルマスクには、上述したように、露光パターンが開口している。そして、マスクを透過した荷電粒子線を検出して前記マスクの透過像を取得する。
【００３３】
図２は、透過像取得装置の概要を説明するための図である。
一例として、図２に示す透過像取得装置を用いて、マスクのパターンの透過像を検出する。ここでは、ＥＰＬ用の貫通する開口部を有するステンシルマスクを用いて説明する。図２では、説明に必要な程度の構成を記載しているにすぎず、その他の構成を省略している。
チルトステージに配置されたＥＰＬマスクに荷電粒子線を照射し、マスクの開口部を通って貫通してきた荷電粒子線を二次荷電粒子（ＳＥ）変換器に衝突させ、二次荷電粒子を発生させ、ＥＰＬマスク下部においてＳＥＤで検出し、透過像を得る。また、かかる装置では、マスク表面で生じた二次電子を二次荷電粒子検出器（ＳＥＤ）で検出し、表面像を得ることもできる。そして、かかる表面像と透過像とを照合させ、モニタに表示させることにより欠陥パターンを検出することができる。ここでは、ＥＰＬマスク下部においてＳＥＤで検出された透過像を用いる。荷電粒子線としては、電子線やイオン線が好適である。例えば、イオン線として、ガリウム（Ｇａ）イオンやアルゴン（Ａｒ）イオンを用いた集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いることができる。また、透過像取得装置として、電子線顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてもよい。
【００３４】
図３は、取得した透過像の一例を示す図である。
図３には、試料として用いた電子線投影マスクであるステンシルマスクの透過像２０１が示されている。このときの透過像取得装置の加速電圧は遮光部、非遮光部とのコントラストが十分にとれるように設定することが望ましい。例えば２μｍ厚のＳｉメンブレンを用いているステンシルタイプのマスクの場合、遮光部（Ｓｉメンブレン部）は数ｋＶ以下であれば遮光部を透過することはなく（従って透過率０％）、また非遮光部は開口部分で膜が全くないため透過率が１００％となることから十分なコントラストを得ることができる。極薄メンブレンタイプでも非遮光部の厚さは数１０ｎｍと薄いために数ｋＶ程度で使用すればほぼ１００％透過し、本実施の形態を適用することが可能となる。一方光源としてイオンを用いる場合には膜中への進入深さが電子線と比較し浅くなるため、加速電圧が数１０ｋＶであっても非遮光部を透過することはないため加速電圧による制限は、ステンシルタイプのマスクを本実施の形態に適用する限りにおいては問題ない。
【００３５】
Ｓ１０６において、２値化工程として、取得した前記所定のマスクの透過像を所定の閾値で２値化する。
図４は、透過像を所定の閾値で２値化する手順を説明するための図である。
２値化はマスクの開口形状に即して予め閾値を設定する。ここでは、図３の画像のうち、中央部のみ抽出して説明する。まず、図４（ａ）に示すように、透過像２０１の開口エッジ部では２次電子発生により明るくなっている（マスクエッジを強調している）ことから、図４（ｂ）に示すように、まず所定明るさ以上の箇所（つまりエッジ部のみ）を抽出する。そして、図４（ｃ）に示すように、メンブレン部を削除する。さらに、図４（ｄ）に示すように、白黒反転を行なう。所定の閾値を用いて透過像を２値化することにより、前記荷電粒子が透過するかしないかをどちらか一方に設定することができる。その結果、マスク上における透過領域の形状を把握することができる。ここで、閾値は、透過像の階調の５０〜６０％とすることが望ましい。図４では、６０％とした場合を示している。ただし、閾値については、パターンエッジにおける二次電子をどの程度拾うかがＳＥＭ等の透過像取得装置の光学設計により異なり、さらにＳＥＭ等の透過像取得装置の明るさ、コントラストの設定により異なる。よって、５０〜６０％に限るものではない。より正確にエッジを拾うとすると、より好ましくは、画像をみながら人が設定することが望ましい。
【００３６】
Ｓ１０８において、計算範囲設定工程として、取得して２値化した透過像のうち、堆積エネルギーを算出するための計算範囲を設定する。
図５は、２値化された透過像を示す図である。
ここでは、計算範囲として、図５に示すように、２値化された透過像２０２のうち、領域２０３を設定する。
【００３７】
Ｓ１１０において、分割工程として、設定された透過像２０２の領域２０３をビットマップ状に複数の領域に分割する。ビットマップ状に分割することにより、後述するように、２次元座標値（ｘ，ｙ）を用いて各領域の堆積エネルギーを算出することができる。言い換えれば、後述する堆積エネルギーを算出する際に、ビットマップ化して計算を行うため、１つのビットを点として扱うことができる。
【００３８】
図６は、ビットマップ状に分割された透過像を示す図である。
図６では、計算範囲として設定された透過像２０２の領域２０３内に位置する開口パターンの上部のパターンを示している。図６に示すように、ビットマップ化された各領域が、前記２値化された値のいずれかになるように前記所定のマスクの透過像を複数の所定の領域に分割することが望ましい。前記２値化された値のいずれかになるように前記所定のマスクの透過像を複数の所定の領域に分割することで、後述するように、各領域単位で堆積エネルギーを一意に決めることができる。
【００３９】
図７は、堆積エネルギーを算出するための式を示す図である。
使用する計算式は予め求められたレジストに付与される堆積エネルギー分布式を用いればよい。例えば堆積エネルギーをダブルガウシアンであらわす場合、入射点からの距離ｒの位置での堆積エネルギーＥ（ｒ）は、図７（ａ）に示す式（１）（２）で求めることができる。ここで、Ｅｆ（ｒ）は前方散乱による堆積エネルギー、Ｅｂ（ｒ）は後方散乱による堆積エネルギー、βｆは前方散乱係数、βｂは後方散乱係数、ηは反射係数となる。堆積エネルギーＥ（ｒ）は、前方散乱による堆積エネルギーＥｆ（ｒ）と後方散乱による堆積エネルギーＥｂ（ｒ）との和として求められる。
【００４０】
ここで、前方散乱係数は、１μｍ以下(数１００ｎｍ)となるサブμｍ以内程度の非常に近接した開口部分同士で影響を及ぼす。また、後方散乱係数は、加速電圧が５０ｋＶ以上の高加速電子が用いられる場合には数１０μｍ程度にまで影響が及ぶものの数μｍ以内の限定された領域ではほぼ均一となる。例えば、加速電圧が５０ｋＶでは、２〜１０μｍ程度となる。従って、透過像で得られる画像では高々数μｍ以内であることからバックグラウンドを上げる効果しかない。このことを利用し、次のように、簡易な計算を用いることができる。
【００４１】
まず、前方散乱はビームのボケそのものとレジスト中への散乱からなる。加速電圧が５０ｋＶ以上と高く、またレジスト膜厚が数１００ｎｍ以下である場合には、レジスト中への散乱部分は小さく、前方散乱係数のほとんどはビームのボケ（ブラー値）になる（あるいはビームボケをわずかにプラスするのみ）。このビームのぼけは転写型の電子線の場合には一度に転写する領域のウェハ上電流によってほぼ決まる。通常、装置によってマスク上ビーム電流は一定とすることからマスクの開口密度によってウェハ上電流が決まる、従って前方散乱係数が決まることになる。すなわち、図７（ｂ）に示すように、前方散乱係数βｂは、式（３）で近似してあらわすことができる。初期値Ｂ０と係数ｋは、露光条件により決まる。例えば、マスク開口率１００％で、ビーム電流が２０μＡとする場合に、図７（ｂ）に示す式（４）で近似してあらわすことができる。例えば、開口率Ｔが２０％でのブラー値（＝βｆ）は７２ｎｍとなる。以上のように、開口率Ｔを用いた近似値にて後述する堆積エネルギーを計算することにより、より簡易に計算を行なうことができる。より簡易に計算を行なうことができるので、より迅速に結果を出すことができる。
【００４２】
次に、後方散乱の影響について説明する。ここで、一度に転写する領域が数μｍ以上であることから転写領域内はほぼ近接効果による影響は一様であると考えてよい。そこで、後方散乱による影響はマスクの開口率がＴ（％）とすると一定値ＡにＴ（％）を乗じた値を用いることができる。図７（ｃ）に示すように、堆積エネルギーＥ（ｒ）のうち、後方散乱による堆積エネルギーＥｂ（ｒ）は、式（５）であらわされる。これを、マスクの開口率Ｔを用いることで、式（６）のように近似することができる。開口率Ｔを用いて堆積エネルギーを計算することにより、より簡易に計算を行なうことができる。より簡易に計算を行なうことができるので、より迅速に結果を出すことができる。
【００４３】
そこで、かかる開口率Ｔを求める。
Ｓ１１２において、開口率計算工程として、マスクのパターン面積密度となる開口率Ｔを求める。
図８は、マスクの各領域の開口率の一例を示す図である。
図８では、ステンシルマスクの図示していない支持梁にて囲まれたサブフィールド領域を複数の領域をメッシュ状に分割した場合の各領域の開口率Ｔを計算した結果の一例を数値で示している。ここでは、図８に示す複数の領域のうち、中央部の領域に図３における透過像２０１が位置するように示している。かかる開口率Ｔを用いることで、堆積エネルギーの算出を簡易にすることができる。ここで、予め、テーブルとして開口率１００％の場合の堆積エネルギー値Ａｉ，ｊ（ｉ，ｊは、各領域の位置を表す）を図７（ａ）に示したガウシアンの式（２）から求めて用意しておく。そして開口率Ｔ％がわかれば、例えば、後方散乱による堆積エネルギーＥｂ（ｒ）は、Ａｉ，ｊ×Ｔで計算すればより速い計算が可能となる。ここでは、サブフィールド領域を複数の領域に分割した各領域の開口率１００％の場合の堆積エネルギー値Ａｉ，ｊを用いているが、これに限るものではなく、精度は劣るが、サブフィールド領域を１つの領域として、サブフィールド領域の開口率１００％の場合の堆積エネルギー値Ａを用いてもよい。
【００４４】
Ｓ１１４において、前方散乱、後方散乱係数の設定工程として、前方散乱、後方散乱係数の設定を行なう。前方散乱係数、後方散乱係数等の係数は、予め実験、あるいはシミュレーションによって得ておいてもよいし、上述した開口率Ｔを用いた近似値を用いてもよい。
【００４５】
Ｓ１１６において、堆積エネルギー算出工程として、図６に示したビットマップ化された各領域について、堆積エネルギーを算出する。
図９は、堆積エネルギーを算出する式を示す図である。
例えば、堆積エネルギーＥ（ｒ）をダブルガウシアンであらわす場合、入射点からの距離ｒの位置での堆積エネルギーは、図９に示す式（２）であらわされる。ここでは、ビットマップ化して計算を行うため、１つのビットを点（ｘ，ｙ）として扱うことができるため、図９に示す式（２）を式（７）のように近似することができる。
そして、マスクの透過像から得られる堆積エネルギーのウェハ上の分布は、式（８）にように計算することができる。すなわち、この２値化された画像にて、開口部を１、非開口部を０として重畳計算を行えばよい。
図１０は、２値化された画像にて、非開口部を０としてあらわした図である。
図１０に示すように、この計算では、あるｐｉｘｅｌにおける重畳計算を行う場合、開口しているピクセルを１として上式を一つ一つ計算すればよい。この計算を各ピクセルについて行う。０としてあらわした領域以外の１としてあらわした領域になる開口部について、堆積エネルギーを計算すればよいことになる。さらに、式（８）のＥ（ｘ，ｙ）を上述した開口率Ｔを用いた近似値を用いることで、より簡易に計算することができる。
【００４６】
また、近年、より高精度に近似するために、堆積エネルギーの計算に、トリプルガウシアンやさらに多重のガウシアン等が用いられる場合がある。
図１１は、モンテカルロシミュレーションの結果を示す図である。
図１１において、○印はモンテカルロシミュレーションの結果であり、近似線は５つのガウシアンで近似を行ったものである。この場合でも、重畳計算を行う場合入射点から数μｍ以内の範囲にて影響が小さいものについては予め計算し、図７における式（６）で示した開口面積率（Ｔ（％））をかければよい。入射点から数μｍ以内の範囲にて影響が無視できない成分については、図７における式（３）で示した開口面積率に応じたブラー値によって計算を行えばよい。このように分離して計算することによって計算時間の短縮が可能となる。
【００４７】
図１２は、トリプルガウシアンの式と各係数の一例を示す図である。
図１２において、トリプルガウシアンの式は、式（９）として表される。そして、所定の条件のもとでの各係数の一例を示している。ここで、上述した入射点から数μｍ以内の範囲にて影響が小さいものかどうかは、各散乱係数βにより判断できる。例えばβの値が数ミクロンであれば、図７における式（６）で示したＡ×Ｔに含めることができる。例えば、ここでは、βｆが０．０３８μｍ、βｂが３３μｍ、βｌが２．７４μｍであるので、これを利用すると、βｆは計算する必要がない。βｌは、より高精度をきす場合には計算するし、ラフでよいのであれば計算する必要がない。ここでβｌを計算しないとすると、図１２における式（１０）だけを計算すればよいことになり、計算時間を早くすることができる。
【００４８】
Ｓ１１８において、転写形状取得工程として、前記ビットマップ化された各領域における、試料マスクを用いて基板に露光転写した場合に前記荷電粒子線によるウェハ等の基板に堆積する堆積エネルギーに基づいて、試料マスクを用いてウェハに露光転写した場合の転写形状を予測転写形状として取得する。
図１３は、実際に二値化した図３の透過像２０２より領域２０３内の転写形状を示す図である。
図１３に、堆積エネルギーに基づいてシミュレーションされた予測転写形状２０４が示されている。ここではブラーが５０ｎｍのときのシミュレーション結果を示す。ここで、破線がマスクに欠陥がない場合の予測転写形状を示す。このように欠陥によって転写後の形状が変化していることが確認できる。このように簡易的に転写形状を予測することが可能となる。この予測転写形状により、マスク修正を行うかどうかの判断が容易に可能となる。
【００４９】
図１４は、ワイヤ系のパターンが形成されたマスクのシミュレーション結果を示す図である。
図１４（ａ）には、ワイヤ系のパターンの透過像６０１が示されている。図１４（ｂ）に示すように透過像６０１からビットマップ画像にて二値化した透過像６０２を領域６０３内を計算範囲として、上述したフローチャートによるシミュレーションを行なった。ここではデフォーカス特性をみるためブラー値が、２０ｎｍ、５０ｎｍ、９０ｎｍの場合について計算を行なったが、このときの計算は前方散乱係数のみ変えて計算を行った。図１４（ｃ）に各ブラー値における蓄積エネルギー分布図を示す。図１４（ｄ）に、最短幅が所定寸法となるように２値化した場合の蓄積エネルギー分布図を示す。そして、図１４（ｅ）に、欠陥がない場合の蓄積エネルギー分布図を示す。図１４に示すように転写後のイメージが容易に確認できるとともに、フォーカスによる影響等プロセスウィンドの確認が可能となる。
【００５０】
以上のように、実際に作製されたマスクを用いて露光転写した場合の予想形状が、好ましくなく、マスク修正が必要な場合、以下のように修正すればよい。
Ｓ１２０において、マスク修正工程として、前記予測転写形状に基づいて、前記試料マスクに形成された開口パターンを修正する。
【００５１】
図１５は、ＥＰＬマスク修正装置の概要を説明するための図である。
ＥＰＬマスク修正装置１００では、液体ガリウム等のイオン源１１０からイオンを引き出し、静電レンズ等のイオン光学系１２０を通って、イオンをビーム状に集束加速させる。そして、集束加速させられたイオンビーム１１２は、偏向器により偏向され、集束イオンビームとして、マスクステージ１５０上に配置されたマスク３４０の所定の領域を照射する。デポ膜を形成する場合には、ガス銃１４０から成膜ガス１４２を噴射させて化学気相成長（ＣＶＤ）により前記所定の領域に成膜する。次に、隣に位置する領域をイオンビーム１１２が照射するように、偏向器により偏向し、同様に、隣に位置する領域へとデポ膜を成長させる。照射するマスク上の位置は、イオンビーム１１２の照射により生じる二次電子を二次荷電粒子検出器１３０で検出することで把握することができる。
【００５２】
図１６は、デポ膜を形成する手法を説明するための図である。
デポ膜を形成したい領域にＦＩＢを照射し、デポ反応ガスである成膜ガス１４２を噴射させて化学気相成長（ＣＶＤ）により、Ｓｉ基板１０上に、ＥＰＬ露光時に、高加速度で入射する電子を十分に遮蔽できる厚さにデポを行う。図１６では、ＦＩＢとして、Ｇａイオンビーム１１２を用いている。Ｇａイオンビームを照射して成膜されたデポ膜２６０中には、Ｇａイオンが入り込む。Ｇａイオンが入り込むことで、電子を透過させにくくすることができ、より電子を遮蔽できるデポ膜２６０を形成することができる。また、ＦＩＢとして、Ｇａイオン以外に電子線（ＥＢ）やアルゴン（Ａｒ）イオンを用いてもデポ膜２６０を形成することができる。デポ膜２６０は、Ｓｉ基板１０表面に堆積後、エッジ部での成長速度が速いため、中空上にデポ（成膜）が進む。よって、Ｓｉが無い開口部を覆うように形成することができる。
デポ膜２６０としては、炭素系の物質から構成されることが望ましい。成膜ガス１４２は、必然的に炭素系物質を主成分とするものが好ましい。例えば、デポ膜２６０として、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等を用いることができる。そして、成膜ガス１４２として、フェナントレン等の芳香族ガスを用いることができる。
また、ＥＰＬ露光時に、高加速度で入射する電子を十分に遮蔽できるデポ膜２６０の厚さとして、０．５μｍ以上が望ましい。
【００５３】
図１７は、エッチングする手法を説明するための図である。
エッチングしたい領域にエッチングガス１４４を噴射させて開口したい領域のＳｉ表面にエッチングガス分子１４６を吸着させ、ＦＩＢを照射することで、ガスアシストエッチング法により、余分なＳｉをエッチングする。装置は、図１５において説明したものを使用してもよいし、同様の別の装置で加工しても構わないので装置構成や動作等の説明を省略する。また、エッチング領域の外側に位置する必要なＳｉ表面には、自然酸化膜（ＳｉＯ２）が、形成されているので、ＦＩＢが照射されない部分にエッチングガス１４４が吹き付けられても、その部分がエッチングされることはない。
ここでは、ＦＩＢとして、Ｇａイオンビーム１１２を用いている。ＦＩＢとして、Ｇａイオン以外に電子線（ＥＢ）やアルゴン（Ａｒ）イオンを用いてもエッチングを行うことができる。エッチングガス１４４としては、ハロゲン含有物質ガスが望ましい。例えば、Ｘｅ２Ｆ、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、ＣＨＣｌ３、Ｉ２等を用いるとよい。
【００５４】
以上のように、デポ膜形成とエッチングとを組み合わせることにより、自由にパターンを修正し、変更することができる。
【００５５】
以上のように、簡易的に転写形状を予測することが可能であり、またマスク修正が必要か否かを判断する指標が得られ、それによりマスク修正を行なうことで、高精度なマスクを得ることができる。その結果、高精度な転写を可能とすることができる。
【００５６】
実施の形態２．
実施の形態２では、基板に転写を行なった場合の堆積エネルギーを算出せずに、実際に製作されたマスクを用いた場合の転写後のパターン形状を予測し、マスク修正する手法を説明する。
図１８は、実施の形態１におけるマスクの転写形状予測方法のフローチャートを示す図である。
実施の形態１におけるマスクの転写形状予測方法は、透過像取得工程（Ｓ１０４）と、計算範囲設定工程（Ｓ１０８）と、分割工程（Ｓ１１０）と、差分値算出工程（Ｓ１６０２）という一連の工程を実施する。また、差分値を算出した結果、マスク修正が必要な場合は、開口パターン修正工程であるマスク修正工程（Ｓ１２０）を実施する。そして、修正されたマスクの転写形状を予測する場合は、各工程を繰り返せばよい。
【００５７】
Ｓ１０４において、透過像取得工程として、マスクに荷電粒子線を照射する。そして、マスクを透過した荷電粒子線を検出して前記マスクの透過像を取得する。その他、実施の形態１と同様で構わないため説明を省略する。
【００５８】
Ｓ１０８において、計算範囲設定工程として、取得した前記マスクの透過像から差分値を算出するための計算範囲となる領域を設定する。
【００５９】
Ｓ１１０において、分割工程として、設定された透過像の領域をビットマップ状に複数の領域に分割する。ビットマップ状に分割することにより、後述するように、差分値を算出する際に、ビットマップ化して計算を行うため、１つのビットを点として扱うことができる。
【００６０】
Ｓ１６０２において、差分値算出工程として、ビットマップ化された各領域について、各領域における透過像の階調値と所定の閾値との差分値を算出する。例えば、単純にビットマップの画像を白黒に２値化し、所定のビット数からの変化量を算出すればよい。
【００６１】
Ｓ１２０において、マスク修正工程として、ビットマップ化された複数の所定の領域のうち、本来、得たい開口パターンとなる所望する領域について、前記差分値が所定の範囲内になるように、前記所定のマスクに形成された開口パターンを修正する。開口パターンを修正する手法は、実施の形態１と同様で構わないため説明を省略する。
【００６２】
以上のように、基板に転写を行なった場合の堆積エネルギーを算出しなくても、簡易的に、実際に製作されたマスクを用いた場合の転写後のパターン形状を予測し、マスクを修正することができる。
【００６３】
以上のように、上記各実施の形態によれば、電子線投影露光マスクを転写した際の形状を予測することができ、及びその結果を用いて欠陥修正を行うかどうかを判断することができる。また修正後のパターンが転写された際にどのような形状になるかも同時に予測を行うことができる。特に、実施の形態１のように、透過型の電子あるいはイオン像のデータをビットマップ状に出力し、予め得られているレジストへの堆積エネルギー分布式から重畳計算を行うことにより転写像を予測することは有効である。さらにはその転写予測像により修正を行うか否かの判断を行なえばなおよい。このときの堆積エネルギー分布式の前方散乱部分はＳＦ（サブフィールド）の開口率によってブラーを変化させることで、ブラーによる転写形状の変化も予測することができる。
或いは、実施の形態２のように、単純にビットマップの画像を白黒の二値化し、所定のビット数からの変化量が規定量より変化している場合には修正を行うようにしても有効である。また終点検出としてこの所定のビット数が所定値になると修正終了と判断すればよい。
【００６４】
以上、具体例を参照しつつ各実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００６５】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのマスクの転写形状予測方法或いはマスクの修正方法は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】実施の形態１におけるマスクの転写形状予測方法のフローチャートを示す図である。
【図２】透過像取得装置の概要を説明するための図である。
【図３】取得した透過像の一例を示す図である。
【図４】透過像を所定の閾値で２値化する手順を説明するための図である。
【図５】２値化された透過像を示す図である。
【図６】ビットマップ状に分割された透過像を示す図である。
【図７】堆積エネルギーを算出するための式を示す図である。
【図８】マスクの各領域の開口率の一例を示す図である。
【図９】堆積エネルギーを算出する式を示す図である。
【図１０】２値化された画像にて、非開口部を０としてあらわした図である。
【図１１】モンテカルロシミュレーションの結果を示す図である。
【図１２】トリプルガウシアンの式と各係数の一例を示す図である。
【図１３】実際に二値化した図３の透過像２０２より領域２０３内の転写形状を示す図である。
【図１４】ワイヤ系のパターンが形成されたマスクのシミュレーション結果を示す図である。
【図１５】ＥＰＬマスク修正装置の概要を説明するための図である。
【図１６】デポ膜を形成する手法を説明するための図である。
【図１７】エッチングする手法を説明するための図である。
【図１８】実施の形態１におけるマスクの転写形状予測方法のフローチャートを示す図である。
【図１９】ＥＰＬ露光装置の動作を説明するための概念図である。
【図２０】可変成形型電子線露光装置の動作を説明するための概念図である。
【図２１】ＥＰＬ露光装置に用いる電子線露光用マスクの一部分を示す図である。
【図２２】マスクの欠陥修正の様子を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０  Ｓｉ基板
１００  ＥＰＬマスク修正装置
１１０  イオン源
１１２  イオンビーム
１２０  イオン光学系
１３０  二次荷電粒子検出器
１４０  ガス銃
１５０  マスクステージ
１４２  成膜ガス
１４４  エッチングガス
１４６  エッチングガス分子
２０１，２０２，６０１，６０２  透過像
２０３，６０３  領域
２０４  予測転写形状
２６０  デポ膜
３００  ウェハ
３１０  半導体チップ領域
３２０  サブフィールド
３３０  電子線
３４０  マスク
３５０  サブフィールドマスク
４１０  アパーチャ
４１１  開口
４２０  アパーチャ
４２１  可変成形用開口
４２２  部分一括マスク
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
2006165280.tif 000003
【図２】
2006165280.tif 000004
【図７】
2006165280.tif 000005
【図９】
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【図１０】
2006165280.tif 000007
【図１１】
2006165280.tif 000008
【図１２】
2006165280.tif 000009
【図１３】
2006165280.tif 000010
【図１５】
2006165280.tif 000011
【図１６】
2006165280.tif 000012
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図１４】
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