(57)【要約】【課題】  シンチレータパネルの支持部材またはセンサーパネル上に蛍光体層を形成する際に欠陥が発生した場合は、不良部分が蛍光体層だけであってもシンチレータパネルまたはセンサーパネルごと不良品となっていた。【解決手段】  シンチレータパネルの支持部材もしくはセンサーパネル上に配された蛍光体層を有する放射線検出装置において、支持部材もしくはセンサーパネルと蛍光体層との間に配され、且つ、蛍光体層が直接形成されるよう配された剥離層を有する。この構成により、蛍光体層に不良が生じた場合にも、剥離層と蛍光体層が一度に支持部材もしくはセンサーパネルから除去することが可能となり、再生使用が可能になることにより低コストで耐久性の高い放射線検出装置が得られる。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に１次元又は２次元状に配置される複数の光電変換素子を有する光電変換部を少なくとも有するセンサーパネルと、
前記光電変換部に応じた前記センサーパネル上に配された、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体を有する蛍光体層と、
を含む放射線検出装置において、
前記センサーパネルと前記蛍光体層との間に配され、且つ、前記蛍光体層が直接形成されるよう配された剥離層を有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
基板上に１次元又は２次元状に配置される複数の光電変換素子を有する光電変換部を少なくとも有するセンサーパネルと、
支持部材上に配された、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体により構成された蛍光体層を少なくとも有するシンチレータパネルと、
該シンチレータパネルと前記センサーパネルを貼り合わせるための接着剤と、
を含む放射線検出装置において、
前記シンチレータパネルは、前記支持部材と前記蛍光体層との間に配され、且つ、前記蛍光体層が直接形成されるよう配された剥離層を有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項３】
前記センサーパネルは、前記光電変換部を被覆する第１の保護層と、前記第１の保護層上に配された第２の保護層とを更に有し、前記剥離層は、前記第２の保護層に接着して配されることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
前記支持部材は、支持基板と、該支持基板と前記蛍光体層との間に配された反射層と、該反射層と前記支持基板もしくは前記蛍光体層との間に配された反射層保護層とを更に有し、前記剥離層は、前記支持部材に接着して配されることを特徴とする請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
前記剥離層は、蛍光体層が形成される第１の表面と、該第１の表面と相対する第２の表面を有し、該第２の表面は粘着性を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
前記剥離層は、前記第１の表面をなす平坦な表面を有する樹脂フィルムと、前記第２の表面をなす接着層と、により構成されることを特徴とする請求項５に記載の放射線検出装置。
【請求項７】
前記剥離層は、蛍光体層が形成される第１の表面と、該第１の表面と相対する第２の表面を有し、該第２の表面は前記第１の表面より高い粘着性を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項８】
前記蛍光体層は、柱状結晶構造を有する蛍光体により構成されることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線検出システム。
【請求項１０】
支持部材上に配された、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体により構成された蛍光体層を少なくとも有するシンチレータパネルにおいて、
前記支持部材と前記蛍光体層との間に配され、且つ、前記蛍光体層が直接形成されるよう配された剥離層を有することを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項１１】
前記支持部材は、支持基板と、該支持基板と前記蛍光体層との間に配された反射層と、該反射層と前記支持基板もしくは前記蛍光体層との間に配された反射層保護層とを更に有し、前記剥離層は、前記支持部材に接着して配されることを特徴とする請求項１０に記載のシンチレータパネル。
【請求項１２】
前記剥離層は、蛍光体層が形成される第１の表面と、該第１の表面と相対する第２の表面を有し、該第２の表面は粘着性を有することを特徴とする請求項１０または１１に記載のシンチレータパネル。
【請求項１３】
前記剥離層は、前記第１の表面をなす平坦な表面を有する樹脂フィルムと、前記第２の表面をなす接着層と、により構成されることを特徴とする請求項１２に記載のシンチレータパネル。
【請求項１４】
前記剥離層は、蛍光体層が形成される第１の表面と、該第１の表面と相対する第２の表面を有し、該第２の表面は前記第１の表面より高い粘着性を有することを特徴とする請求項１０または１１に記載のシンチレータパネル。
【請求項１５】
前記蛍光体層は、柱状結晶構造を有する蛍光体により構成されることを特徴とする請求項１０から１４のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられるシンチレータパネル、放射線検出装置、その製造方法、および放射線撮像システムに関し、特に、Ｘ線撮影等に用いられるシンチレータパネル、放射線検出装置および放射線撮像システムに関する。なお、本明細書においては、放射線の範疇に、Ｘ線、γ線などの電磁波も含むものとして説明する。
【背景技術】
【０００２】
従来、Ｘ線蛍光体層が内部に備えられた蛍光スクリーンと両面塗布剤とを有するＸ線フィルムシステムが一般的にＸ線写真撮影に使用されてきた。しかし、最近、Ｘ線蛍光体層と２次元光検出器とを有するデジタル放射線検出装置の画像特性が良好であること、また、データーがデジタルデーターであるためネットワーク化したコンピュータシステムに取り込むことによってデーターの共有化が図られる利点があることから、デジタル放射線検出装置について盛んに研究開発が行われ、種々の特許出願も行われている。
【０００３】
これらデジタル放射線検出装置の中でも、高感度で高鮮鋭な装置として、特許文献１、２に開示されているように、基板上に複数のフォトセンサー及びＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）等の電気素子が２次元に配置されている光電変換素子部を有する光検出器（「センサーパネル」とも言う）上に、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するための蛍光体層（シンチレータ層）を形成した支持板からなるシンチレータパネルを貼り合わせて構成された放射線検出装置（「貼り合わせタイプ」又は「間接タイプ」等とも言う）が知られている。また、特許文献３に開示されているように、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ等の電気素子が２次元に配置されている光電変換素子部からなる光検出器（センサーパネル）上に放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するための蛍光体層（シンチレータ層）を直接形成してなる放射線検出装置（「直接蒸着タイプ」又は「直接タイプ」等とも言う）が知られている。
【０００４】
図８に、従来の放射線検出装置の断面図を示す。図８中、１０１はガラス基板、１０２は配線部、１０３はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部、１０４は電極取り出し部（電極パッド部）、１０５は窒化シリコン等よりなる第１の保護層（パッシベーション膜）を示し、１０６は有機膜よりなる第２の保護層（平坦化層）を示す（第２の保護層は必要に応じて形成される）。これら要素によってセンサーパネル１００が構成される。センサーパネル１００上には、光電変換素子部１０３に対応するように蛍光体層（シンチレータ層）１１２が形成されている。さらに、シンチレータ層１１２の上面及び側面を被覆し、センサーパネル１００の表面（図８においては第２の保護層１０６）に接するように蛍光体保護層１１３が形成されている。また更に、蛍光体保護層１１３上に、蛍光体層１１２にて発せられた光を光電変換素子部１０３に向けて反射するよう反射層１１４が設けられている。また、センサーパネル１００と蛍光体保護層１１３及び反射層１１４の端面に封止樹脂２０４が設けられている。
【０００５】
上記の放射線検出装置において、蛍光体層が蒸着される層である第２の保護層としては、ポリイミド等の有機膜を用いることが知られている。また、パッシベーション膜として用いられる第１の保護層としては、窒化シリコンなどの無機膜を用いることが知られている。
【０００６】
また、特許文献１，２に開示されている放射線検出装置においては、支持基板上に反射層を設け、反射層上に反射層を保護するための絶縁膜からなる反射層保護層が設けられ、支持部材が構成されている。この支持部材の反射層保護層上に蛍光体層が形成されている。さらに蛍光体層を被覆し反射層保護層と接するように蛍光体保護層が設けられ、シンチレータパネルを構成している。
【特許文献１】特開２０００−９８４５号公報
【特許文献２】特開平９−１４５８４５号公報
【特許文献３】特開平５−１８０９４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、支持部材またはセンサーパネル１００上に蛍光体層１１２を形成した際に、蛍光体層に欠陥が発生した場合、特に、蒸着によって形成されるＣｓＩ：Ｎａ、およびＣｓＩ：Ｔｌ等のハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造を有する蛍光体からなる蛍光体層は、蛍光体層の形成時に異常成長（スプラッシュ）欠陥が発生する場合があるが、欠陥不良部分が蛍光体層１１２だけであってもシンチレータパネルまたはセンサーパネル１００ごとに不良品として処分していた。
【０００８】
また、蛍光体層１１２を除去しても、第２の保護層１０６や反射層保護層などの蛍光体層１１２が形成される層の表面に残渣があると、再度蒸着などにより蛍光体層１１２を形成すると、残渣を核として蛍光体の異常成長がおこり、欠陥となる場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る放射線検出装置は、基板上に１次元又は２次元状に配置される複数の光電変換素子を有する光電変換部を少なくとも有するセンサーパネルと、前記光電変換部に応じた前記センサーパネル上に配された、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体を有する蛍光体層と、を含み、前記センサーパネルと前記蛍光体層との間に配され、且つ、前記蛍光体層が直接形成されるよう配された剥離層を有することを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明に係る放射線検出装置は、基板上に１次元又は２次元状に配置される複数の光電変換素子を有する光電変換部を少なくとも有するセンサーパネルと、支持部材上に配された、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体により構成された蛍光体層を少なくとも有するシンチレータパネルと、該シンチレータパネルと前記センサーパネルを貼り合わせるための接着剤と、を含み、前記シンチレータパネルは、前記支持部材と前記蛍光体層との間に配され、且つ、前記蛍光体層が直接形成されるよう配された剥離層を有することを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明に係るシンチレータパネルは、支持部材上に配された、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体により構成された蛍光体層を少なくとも有し、前記支持部材と前記蛍光体層との間に配され、且つ、前記蛍光体層が直接形成されるよう配された剥離層を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、蛍光体層を剥離層上に形成することにより、蛍光体層に欠陥が発生した場合、センサーパネルおよび支持部材から剥離層ごと蛍光体層を除去することができるので、センサーパネルおよび支持部材を再度使用することが可能となる。
【００１３】
また、本発明によれば、蛍光体層に欠陥が発生した場合、センサーパネルおよび蛍光体支持基板から剥離層ごと蛍光体層を除去することができるので、蛍光体層の除去の際にセンサーパネルおよび支持部材上に蛍光体が付着して残ることがない。従って再度、剥離層を形成して蛍光体を蒸着すれば、同様に蛍光体層の蒸着を行うことが可能となる。
【００１４】
また、本発明によれば、蛍光体層に欠陥が発生した場合、センサーパネルから剥離層ごと蛍光体層を除去することができるので、蛍光体層の除去の際に蛍光体層が飛散してセンサーパネルの電極取り出し部に付着することがなく、電極取り出し部への蛍光体層付着による配線腐食の欠陥の発生を押さえることができる。
【００１５】
また、本発明によれば、蛍光体層を剥離層上に形成することにより、センサーパネルの第２の保護層にピンホール欠陥があっても、センサーパネルが剥離層により蛍光体層と遮断されているため、蛍光体成分によるセンサーパネルの腐食欠陥の発生を抑えることができる。また、支持部材の反射層保護層にピンホール欠陥があっても、支持部材の反射層が剥離層により蛍光体層と遮断されているため、蛍光体成分による反射層の腐食欠陥の発生を抑えることができる
また、本発明によれば、センサーパネルおよびシンチレータパネルの再生使用が可能になることにより、低コストで耐久性の高い放射線検出装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の要部構成を示す断面図である。図２は、本発明の第２の実施形態に係る放射線検出装置の要部構成を示す断面図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の全体構成を示す断面図である。図４は、本発明の第２の実施形態に係る放射線検出装置の全体構成を示す断面図である。
【００１８】
＜第１の実施形態＞
図１及び図３を用いて、本発明における第１の実施形態を詳細に説明する。図１において、本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の要部構成を示す。図１および図３に示す放射線検出装置において、１０１はガラス基板、１０３はガラス基板１０１上に２次元状に形成され且つアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる画素に対応する光電変換素子部、１０２はガラス基板１０１上に形成され且つ光電変換素子部１０３に接続される配線部、１０４は配線部１０２に接続される電極取り出し部（電極パッド部）、１０５は光電変換素子部１０３および配線部１０２を覆い且つ窒化シリコン等よりなる保護層（第１の保護層）をそれぞれ示しこれら各要素１０１〜１０５によってセンサーパネル（「２次元光検出器」、「光電変換パネル」等とも呼ぶ）１００が構成される。必要に応じて、保護層１０５上には有機樹脂層からなる第２の保護層１０６が設けられても良い。さらに第１の保護層１０５もしくは第２の保護層１０６上に剥離層１１０が形成され、剥離層１１０上に蛍光体層１１２が形成されている。蛍光体層１１２は、蒸着によって形成されるＣｓＩ：Ｎａ、およびＣｓＩ：Ｔｌ等のハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造を有する蛍光体を有する蛍光体層を用いることが好ましい。また、蛍光体層１１２が形成される剥離層１１０の表面は、蛍光体層との密着向上させるための所謂表面処理を施すことが望ましい。表面処理方法は一般的に知られている処理方法を用いることができ、コロナ処理、プラズマ処理、ＵＶ照射処理等の表面改質があげられる。
【００１９】
形成された蛍光体層１１２に欠陥が確認された場合、センサーパネル１００を再度使用するために、図５に示すように剥離層１１０をセンサーパネル１００（位置ａ）から剥離し、蛍光体層１１２と剥離層１１０を同時に除去する。蛍光体層１１２および剥離層１１０が除去されたセンサーパネル１００の表面である第２の保護層には、蛍光体の残渣の付着がない。前記センサーパネル１００に再び剥離層１１０を設けて蛍光体層１１２を蒸着することによりサンサーパネル１００を再び使用することが可能となる。
【００２０】
本発明で使用されるセンサーパネルの保護層である第１の保護層１０５もしくは第２の保護層１０６としては、ＳｉＮやＴｉＯ２、ＬｉＦ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ等の他、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂等が好適に用いられる。第１の保護層及び第２の保護層は、放射線照射時に蛍光体層によって変換された光が通過することから、蛍光体層が放出する光の波長において高い透過率を示すものが望ましい。
【００２１】
蛍光体層１１２としては、柱状結晶構造を有するアルカリハライド：付活剤が好適に用いられ、ＣｓＩ：Ｔｌの他に、ＣｓＩ：Ｎａ，ＮａＩ：Ｔｌ，ＬｉＩ：Ｅｕ，ＫＩ：Ｔｌ等を用いることができる。
【００２２】
図３において、本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の全体構成を示す。放射線検出装置は、蛍光体層１１２の上面及び側面を被覆し、センサーパネル１００の表面と接するように蛍光体保護層１１３が設けられている。蛍光体層１１２被覆する蛍光体保護層１１３は、蛍光体層１１２の防湿保護の目的で設けられているものであって、該目的にかなうものであればいずれの材料でもよいが、特に、耐湿性が高く、蛍光体発光波長領域で透過率が高く、薄層に形成しやすい樹脂材料が望ましい。例えば、ＣＶＤ法によって形成可能なポリパラキシリレン等の有機膜や、シート成型されたホットメルト樹脂シート、または、粘着材シート等を用いることが望ましい。特に、水や溶剤を含まない、室温で固体であり、１００％不揮発性の熱可塑性材料からなる接着性樹脂と定義され、樹脂温度が上昇すると溶融し、樹脂温度が低下すると固化し、加熱溶融状態で、他の有機材料、および無機材料に接着性をもち、常温で固体状態となり接着性を持たず、極性溶媒、溶剤、および水を含んでいないホットメルト樹脂は、加熱して溶融し冷却して固化させることによって簡便に保護層を形成することができ望ましい。さらに蛍光体保護層１１３上に、蛍光体層１１２より発する光をセンサーパネル１００へと反射するための反射層１１４が形成される。反射層は、蛍光体層１１２からの光を反射し、且つ、外部からの水分の浸入を防止する材料が望ましく、特に金属材料が望ましい。具体的には、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＡｕ等の反射率の高い金属が望ましい。さらに、反射層１１４には、剛性保護の目的で樹脂層（不図示）を積層することが望ましい。また、上述の放射線検出装置においては、センサーパネル１００の電極取り出し部１０４には、駆動用もしくは検出用集積回路ＩＣが実装されたフレキシブル回路基板（不図示）の端子部が異方導電性接着剤（不図示）を介して貼り合わされる。
【００２３】
＜第２の実施形態＞
図２及び図４を用いて、本発明における第２の実施形態を詳細に説明する。図２において、本発明の第２の実施形態の放射線検出装置の要部を示す断面図を示す。図４において、本発明の第２の実施形態の放射検出装置のセンサーパネル全体を含む断面図を示す。
【００２４】
図２および図４に示す放射線検出装置において、１０１はガラス基板、１０３はガラス基板１０１上に２次元状に形成され且つアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる画素に対応する光電変換素子部、１０２はガラス基板１０１上に形成され且つ光電変換素子部１０３に接続される配線部、１０４は配線部１０２に接続される電極取り出し部（電極パッド部）、１０５は光電変換素子部１０３および配線部１０２を覆い且つ窒化シリコン等よりなる保護層（第１の保護層）をそれぞれ示しこれら各要素１０１〜１０５によってセンサーパネル（「２次元光検出器」、「光電変換パネル」等とも呼ぶ）１００が構成される。必要に応じて、保護層１０５上には有機樹脂層からなる第２の保護層１０６が設けられても良い。
【００２５】
また支持基板１１７上に、反射層保護層１１５および反射層１１６を形成し、さらに剥離層１１０を形成した後、蛍光体層１１２を形成する。反射層保護層１１５「は、その必要性に応じて形成すればよく、支持基板１１７上に反射層１１６が直接形成されたり、支持基板１１７が反射層を兼ねるような構成であってもよい。また反射層保護層１１５が反射層１１６を挟み込むように反射層１１６の両面に形成されても良い。支持基板１１７、反射層１１６及び反射層保護層１１５により、支持部材２００が構成される。また、蛍光体層１１２の上面及び側面を被覆し、支持部材２００の表面と接するように、蛍光体保護層１１３が設けられている。上述のようにしてシンチレータパネル２１０を構成する。
【００２６】
このようなシンチレータパネル２１０において、支持基板１１７としては、Ｘ線の透過が可能な材料、Ａｌ、ガラス溶融石英、アモルファスカーボン基板、アモルファスカーボン含有基板、ポリイミド樹脂等の耐熱樹脂基板を挙げることができる。アモルファスカーボンはガラスやＡｌに比べ、Ｘ線の吸収量が少なくより多くのＸ線を蛍光体層に透過することができるため支持基板１１７に適した材料である。また、蛍光体層１１２が形成される剥離層１１０の表面は、蛍光体層との密着向上させるための処理をすることが望ましい。表面処理方法は一般的に知られている処理方法を用いることができ、コロナ処理、プラズマ処理、ＵＶ照射処理等の表面改質があげられる。また、蛍光体層１１２被覆する蛍光体保護層１１３は、蛍光体層１１２の防湿保護の目的で設けられているものであって、該目的にかなうものであればいずれの材料でもよいが、耐湿性の高いポリパラキシリレン等の有機膜を用いることが望ましい。
【００２７】
形成された蛍光体層１１２に欠陥が確認された場合、支持部材２００を再生して使用するために、図５に示すように剥離層１１０を支持部材２００の表面（位置ａ）から剥離し、蛍光体層１１２と剥離層１１０を同時に除去する。蛍光体層１１２および剥離層１１０が除去された支持部材２００の表面には、蛍光体の残渣の付着がない。支持部材２００に再び剥離層１１０を設けて蛍光体層１１２を再度蒸着によって形成することにより支持部材２００を再度使用することが可能となる。
【００２８】
図４において、本発明の第２の実施形態に係る放射線検出装置の全体構成を示す。図２に示したシンチレータパネル２１０の蛍光体保護層１１３を、センサーパネルの光電変換素子部１０３が複数設けられた画素領域上に接着層１１８を介して貼り合わせる。貼り合わされたシンチレータパネル２１０の端部は必要に応じて防湿および剛性支持を目的とする封止層２０４によって封止される。また、上述の放射線検出装置においては、センサーパネル１００の電極取り出し部１０４には、駆動用もしくは検出用集積回路ＩＣが実装されたフレキシブル回路基板（不図示）の端子部が異方導電性接着剤（不図示）を介して貼り合わされる。
【００２９】
本発明の第１の実施形態及び第２の実施形態における剥離層１１０は、蛍光体層１１２が形成される層であって、蛍光体層１１２が形成された第１の表面に対して裏面である第２の表面において、接触するセンサーパネル１００の表面もしくは支持部材２００の表面から剥離可能な層である。剥離層１１０の蛍光体層１１２が形成される第１の表面は、ピンホール欠陥などがなく表面平坦性の高い面であることが好ましい。特に蒸着および蒸着後のアニール工程が高温の場合があるので耐熱性に優れた材料が望ましい。少なくとも１６０度以上望ましくは２００℃の耐熱性を有する、所謂、高熱耐熱エンジニアリングプラスチック材料が望ましい。また剥離層は、センサーパネルと蛍光体層間、または、支持基板上の反射層と蛍光体間に設けられるので、蛍光体が発する光を効率良く取り出すために蛍光体の発光波長に対して透過率が高い材料が望ましい。また、剥離層１１０の第２の表面は、粘着性を有する面であることが好ましい。例えば、第１の表面となる第１の層として樹脂フィルムを、第２の表面となる第２の層として接着層を用いて、積層構成として形成される剥離層１１０は、低コストでフィルム表面はピンホール欠陥が少ないので特に望ましい。更に例えば、第１の表面としてポリイミド樹脂フィルムを、第２の表面として耐熱接着層を用いて形成される樹脂テープは特に好適である。耐熱接着層としてはアクリル系樹脂接着剤やシリコン系樹脂接着剤などが挙げられる。
【００３０】
本発明において、２次元光検出器として、ガラス基板上にアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴから成る光電変換素子部を形成した場合について説明したが、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサ等を２次元状に配置した撮像素子を形成した半導体単結晶基板を用い、その上に下地層、蛍光体層を配置することで放射線検出装置を構成することも適宜可能である。
【実施例１】
【００３１】
本実施例は、図１に示された、直接蒸着タイプの放射線検出装置の例である。
【００３２】
図１に示すように、センサーパネル１００を形成し、そのセンサーパネル上に剥離層１１０および蛍光体層１１２を形成した。具体的には、ガラス基板１０１上の非晶質シリコンを用いてフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部１０３および配線部１０２を形成し、その上に窒化シリコンからなる第１の保護層１０５と電極取り出し部１０４とを形成した。更に第１の保護層１０５上にポリイミドからなる第２の保護層１０６を形成してセンサーパネル１００を得た。
【００３３】
さらに剥離層１１０として、シリコーン系粘着材がポリイミドに積層されたカプトンフィルムテープＮｏ．５４１９（住友３Ｍ社製）をセンサーパネル１００上の複数の光電変換素子部１０３からなる画素領域に対応する位置に貼り付けた。
【００３４】
次に剥離層１１０上にプラズマ処理による表面処理を施した。プラズマ処理は、大気圧プラズマ洗浄装置（松下電工マシンアンドビジョン社製）を用い、反応管幅７５ｍｍ  被照射距離５ｍｍ  操作速度７５ｍｍ  出力０．８ｋｗにて操作した。
【００３５】
次に、剥離層１１０の画素領域に対応する位置にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を蒸着して蛍光体層１１２を得た。
【００３６】
次に、蛍光体層１１２を形成したセンサーパネル１００の全面にポリパラキシリレン製樹脂からなる蛍光体保護層１１３をＣＶＤ法により形成し、更に蛍光体保護層１１３上にＡｌ：４０μｍからなる反射層１１４を設け、更にＣＶＤ法により形成されたポリパラキシリレン製樹脂：５０μｍからなる反射層保護層（不図示）を形成して、蛍光体層１１２が直接形成されたセンサーパネルを得た。さらに、センサーパネル１００上の電極取り出し部１０４に、異方導電性接着剤（不図示）を介してフレキシブル回路基板（不図示）の端子部を熱圧着して、放射線検出装置を得た。
【実施例２】
【００３７】
本実施例は、図２に示された、貼り合わせタイプの放射線検出装置の例である。
【００３８】
図２に示すように、シンチレータパネル１１０を作成し、図４に示すように、さらにセンサーパネル上にシンチレータパネルを貼り合わせた。具体的には、具体的には、ガラス基板１０１上の非晶質シリコンを用いてフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部１０３および配線部１０２を形成し、その上に窒化シリコンからなる第１の保護層１０５と電極取り出し部１０４とを形成した。更に第１の保護層１０５上にポリイミドからなる第２の保護層１０６を形成してセンサーパネル１００を得た。
【００３９】
次に、支持基板１１７として厚さ１ｍｍのモルファスカーボン基板上に、反射層保護層１１５、反射層１１６、反射層保護層（蛍光体下地層）１１５を順次積層し、支持部材２００を得た。反射層保護層１１５としては厚さ４μｍのポリイミド樹脂を、また反射層１１６には厚さ３０００ÅのＡｌを形成した。
【００４０】
次に、支持部材２００上に剥離層１１０を設けた。剥離層１１０として、アクリル系粘着材がポリイミドに積層されたカプトンフィルムテープＮｏ．５５６３（住友３Ｍ社製）をセンサーパネル１００上の複数の光電変換素子部１０３からなる画素領域に対応する位置に貼り付けた。
【００４１】
次に剥離層１１０上にプラズマ処理による表面処理を施した。プラズマ処理は、大気圧プラズマ洗浄装置（松下電工マシンアンドビジョン社製）を用い、反応管幅７５ｍｍ  被照射距離５ｍｍ  操作速度７５ｍｍ  出力０．８ｋｗにて操作した。
【００４２】
次に、剥離層１１０の画素領域に対応する位置にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を蒸着して蛍光体層１１２を得た。
【００４３】
さらに、ポリパラキシリレン性樹脂を熱ＣＶＤ法によって１５μｍ堆積して蛍光体保護層１１３を形成し、シンチレータパネル２１０を得た。
【００４４】
次に、センサーパネル１１０の画素領域上にシンチレータパネル１１０をアクリル系粘着剤からなる接着層１１８を介して貼り合わせ、さらに、センサーパネル１００上の電極取り出し部１０４に、異方導電性接着剤（不図示）を介してフレキシブル回路基板（不図示）の端子部を熱圧着して、放射線検出装置を得た。
【実施例３】
【００４５】
本実施例は、図１に示された、直接蒸着タイプの放射線検出装置において、蛍光体層１１２に欠陥が生じた際の例である。
【００４６】
まず、実施例１と同様の方法によりセンサーパネル１００および剥離層１１０を形成した。
【００４７】
次に、実施例１と同様の方法により剥離層１１０の画素領域に対応する位置にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を蒸着して蛍光体層１１２を得た。
【００４８】
得られた蛍光体層１１２に規格をこえる欠陥が発生していたので、図５に示されるように、蛍光体層１１２ごと剥離層１１０をはがして蛍光体層１１２および剥離層１１０を除去した。除去は剥離層１１０の端部から剥離層１１０の第２の表面とセンサーパネル１００の表面の界面から引き剥がした。
【００４９】
蛍光体層１１２および剥離層１１０を除去したセンサーパネルに、再度、実施例１と同様の方法により剥離層１１０を形成し、剥離層１００の画素領域に対応する位置にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を再度蒸着して、蛍光体層１１２を得た。
【００５０】
再度の蒸着により得られた蛍光体層１１２には規格を越える欠陥が存在しなかったので、実施例１と同様の方法により、蛍光体保護層１１３、反射層１１４、反射層保護層（不図示）を形成して、蛍光体層１１２が直接形成されたセンサーパネルを得た。さらに、センサーパネル１００上の電極取り出し部１０４に、異方導電性接着剤（不図示）を介してフレキシブル回路基板（不図示）の端子部を熱圧着して、放射線検出装置を得た。
【実施例４】
【００５１】
本実施例は、図２に示された、貼り合わせタイプの放射線検出装置において、蛍光体層１１２に欠陥が生じた際の例である。
【００５２】
まず、実施例２と同様の方法により、センサーパネル１００を形成した。
【００５３】
次に、実施例２と同様の方法により、支持基板１１７、反射層保護層１１５、反射層１１６からなる支持部材２００を形成した。
【００５４】
次に、実施例２と同様の方法により、支持部材２００上に剥離層１１０を形成し、さらに剥離層１１０の画素領域に対応する位置にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を蒸着して蛍光体層１１２を得た。
【００５５】
得られた蛍光体層１１２に規格をこえる欠陥が発生していたので、図６にしめされるように、蛍光体層１１２ごと剥離層１１０をはがして蛍光体層１１２および剥離層１１０を除去した。除去は剥離層１１０の端部から剥離層１１０の第２の表面と支持部材２００の表面の界面から引き剥がした。
【００５６】
蛍光体層１１２および剥離層１１０を除去したセンサーパネルに、再度、実施例２と同様の方法により剥離層１１０を形成し、剥離層１００の画素領域に対応する位置にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を再度蒸着して、蛍光体層１１２を得た。
【００５７】
再度の蒸着により得られた蛍光体層１１２には規格を越える欠陥が存在しなかったので、実施例２と同様の方法により、蛍光体保護層１１３を形成して、シンチレータパネル２１０を得た。さらに、実施例２と同様の方法によりセンサーパネル１１０の画素領域上にシンチレータパネル１１０をアクリル系粘着剤からなる接着層１１８を介して貼り合わせ、さらに、センサーパネル１００上の電極取り出し部１０４に、異方導電性接着剤（不図示）を介してフレキシブル回路基板（不図示）の端子部を熱圧着して、放射線検出装置を得た。
【００５８】
上記実施例３及び実施例４で得られた放射線検出装置について、蛍光体層１１２の欠陥の発生を調べたところ、剥離層１１０の第１の表面から発生したものはなかった。また耐久性を調査するために、上記実施例３及び実施例４で得られた放射線検出装置を、温度６０度、湿度９０％の環境で１０００時間放置した。放置後に実施例３及び実施例４で得られた放射線検出装置に対してＸ線を照射して画像を取得し、得られた画像から蛍光体層１１２の剥がれや破損による欠陥画像の有無を観察したところ、実施例３及び実施例４で得られたいずれの放射線検出装置にも欠陥は検出されず、実施例１及び実施例２と同等の特性が得られた。
【００５９】
（比較例１）
ガラス基板１０１上の非晶質シリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部１０３および配線部１０２を形成し、その上にＳｉＮＸからなる第１の保護層）１０５とさらにポリイミド樹脂よりなる第２の保護層１０６と、電極取り出し部１０４とを形成した。次に、第２の保護層１０６の複数の光電変換素子部１０３からなる画素領域に対応する位置にＣｓＩ：Ｔｌを蒸着して蛍光体層１１２を得た。次に、実施例１と同様の方法により、蛍光体保護層１１３、反射層１１４、反射層保護層（不図示）を形成して、蛍光体層１１２が直接形成されたセンサーパネルを得た。さらに、センサーパネル１００上の電極取り出し部１０４に、異方導電性接着剤（不図示）を介してフレキシブル回路基板（不図示）の端子部を熱圧着して、放射線検出装置を得た。
【００６０】
（比較例２）
実施例２と同様の方法により、センサーパネル１００を形成した。
【００６１】
次に、実施例２と同様の方法により、支持基板１１７、反射層保護層１１５、反射層１１６からなる支持部材２００を形成した。
【００６２】
次に、支持部材２００上の画素領域に対応する位置にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を蒸着して蛍光体層１１２を得た。
【００６３】
次に実施例２と同様の方法により、蛍光体保護層１１３を形成して、シンチレータパネル２１０を得た。さらに、実施例２と同様の方法によりセンサーパネル１１０の画素領域上にシンチレータパネル１１０をアクリル系粘着剤からなる接着層１１８を介して貼り合わせ、さらに、センサーパネル１００上の電極取り出し部１０４に、異方導電性接着剤（不図示）を介してフレキシブル回路基板（不図示）の端子部を熱圧着して、放射線検出装置を得た。
【００６４】
比較例１，２は形成した蛍光体層１１２に規格以上の欠陥が発生しても蛍光体層１１２を除去して再生することが容易にできない。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられる、放射線検出装置やシンチレータパネルに用いられるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の実施形態に係る放射線検出装置の要部構成を示す断面図である。
【図２】本発明のその他の実施形態に係る放射線検出装置の要部構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る放射線検出装置の全体構成を示す断面図である。
【図４】本発明のその他の実施形態に係る放射線検出装置の全体構成を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る放射線検出装置の剥離層の剥離方法を示す概念図である。
【図６】本発明の実施形態に係るシンチレータパネルの剥離層の剥離方法を示す概念図である。
【図７】本発明の応用例に係る放射線撮影システムの構成を示す概念図である。
【図８】従来例の放射線検出装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１００  センサーパネル
１０１  基板
１０２  配線部
１０３  光電変換素子部
１０４  電極取り出し部（電極パッド部）
１０５  第１の保護層
１０６  第２の保護層
１１０  剥離層
１１２  蛍光体層
１１３  蛍光体保護層
１１４  反射層
１１５  反射層保護層
１１６  反射層
１１７  支持基板
１１８  接着層
２００  支持部材
２０４  封止樹脂
２１０  シンチレータパネル
【図１】
2006184187.tif 000003
【図２】
2006184187.tif 000004
【図３】
2006184187.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006184187.tif 000007
【図６】
2006184187.tif 000008
【図７】
2006184187.tif 000009
【図８】
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