(57)【要約】【課題】  長方形状の光半導体素子が搭載された場合に、光半導体素子の短辺側における接合強度を向上させることにより、画像の精細化および光検知の高精度化の要求に応じた信頼性の高い光半導体装置を提供すること。【解決手段】  光半導体素子１０１の搭載部が形成された絶縁基体１０２と、配線導体１０４と、搭載部に第１の接合材１０３を介して接合されて搭載されるとともに電極１０６が配線導体１０４に電気的に接続された長方形状の光半導体素子１０１と、搭載部の光半導体素子１０１の短辺側の側面の外側の部位に、短辺側の側面に沿って突条に設けられた第２の接合材１０９と、絶縁基体１０２の上面に凹部を塞ぐようにして取着された透光性蓋体１０５とを具備しており、第１の接合材１０３は、光半導体素子１０１の短辺側の側面を被覆するとともに第２の接合材１０９の光半導体素子１０１側の側面から上面にかけて覆うように外側に延出している。【選択図】  図１
2006041271.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部が形成されるとともに該凹部の底面に前記光半導体素子の搭載部が形成された絶縁基体と、該絶縁基体の前記搭載部から側面または下面にかけて導出された配線導体と、前記搭載部に第１の接合材を介して接合されて搭載されるとともに電極が前記配線導体に電気的に接続された長方形状の光半導体素子と、前記搭載部の前記光半導体素子の短辺側の側面の外側の部位に、前記短辺側の側面に沿って突条に設けられた第２の接合材と、前記絶縁基体の上面に前記凹部を塞ぐようにして取着された透光性蓋体とを具備しており、前記第１の接合材は、前記光半導体素子の短辺側の側面を被覆するとともに前記第２の接合材の前記光半導体素子側の側面から上面にかけて覆うように外側に延出していることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記第１の接合材は、前記光半導体素子の短辺側の側面から外側に延出した部分の表面の縦断面形状が凹凸状となっていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記第２の接合材は、その高さが前記光半導体素子の短辺側の側面よりも低いことを特徴とする請求項１または請求項２記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記第２の接合材は、その上面に長手方向に沿って凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記第１の接合材は、前記光半導体素子の長辺側の側面を被覆していることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光素子または受光部を有する半導体素子を具備する光半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フォトダイオード，ラインセンサ，イメージセンサ等の光半導体素子を具備した光半導体装置は、例えば、凹形状の絶縁基体の内側に光半導体素子が搭載された構成となっている。光半導体素子は、接合材を介して絶縁基体に接合されている。そして、例えば平板状の蓋体が、接合材を介して絶縁基体の上面に接合されている。
【０００３】
なお、光半導体素子と絶縁基体とを接合する接合材には、例えば、銀，アルミニウム等の金属や、シリカ等の無機材のフィラーを混入させたエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等が用いられている。ここで、従来の接合材の塗布方法としては、例えば光半導体素子がラインセンサのように長方形状のものである場合には、絶縁基体の光半導体素子に対応する部位に接合材を線状に塗布する方法、若しくは、絶縁基体の光半導体素子に対応する部位に接合材を点状に塗布する方法が用いられてきた。そして、その接合材の上に光半導体素子を位置合わせして搭載し、光半導体素子を接合材に押し付けるようにして光半導体素子と絶縁基体との接合面の全域に接合材を押し広げて、光半導体素子と絶縁基体とを接合していた。なお、接合材は、その一部が絶縁基体の光半導体素子に対応する領域からはみ出し、そのはみ出した部分の表面が傾斜面状または緩やかな曲面のメニスカス状となっていた。
【特許文献１】特開１９９９−５４６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の光半導体装置において、特に光半導体素子がラインセンサのように長方形状のものである場合には、光半導体素子と絶縁基体とを接合する接合材が、光半導体素子の短辺側から剥がれ、光半導体素子の位置ずれが発生するおそれがあった。このように接合材が光半導体素子の短辺側から剥がれてしまう現象に関して、その原因を検討したところ、次の２つの原因が考えられた。１つ目の原因は、光半導体素子と絶縁基体との熱膨張の差による熱応力等の応力が、光半導体素子の短辺側に集中してしまうことであった。２つ目の原因は、接合材のうち絶縁基体の光半導体素子に対応する領域からはみ出した部分の表面が傾斜面状または緩やかな曲面のメニスカス状となっており、光半導体素子の短辺側に集中した応力を吸収または分散することが困難なことであった。
【０００５】
そして、光半導体素子の短辺側における接合強度を向上させることを目的に、絶縁基体の光半導体素子に対応する領域において、光半導体素子の短辺側の接合材を厚く塗布する方法も考えられるが、この方法では、光半導体素子が傾いて搭載されてしまうおそれがあった。特に、近年、フォトダイオード，ラインセンサ，イメージセンサ等の光半導体素子は、画像の精細化および光検知の高精度化の要求に応じてたいへん精細に形成されており、光半導体素子のわずかな傾きによっても大きな影響が現れるようになってきた。
【０００６】
従って、本発明は、上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、長方形状の光半導体素子が搭載された場合に、光半導体素子の短辺側における接合強度を向上させることにより、近年における画像の精細化および光検知の高精度化の要求に応じた信頼性の高い光半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光半導体装置は、上面に光半導体素子を収容し搭載するための凹部が形成されるとともに該凹部の底面に前記光半導体素子の搭載部が形成された絶縁基体と、該絶縁基体の前記搭載部から側面または下面にかけて導出された配線導体と、前記搭載部に第１の接合材を介して接合されて搭載されるとともに電極が前記配線導体に電気的に接続された長方形状の光半導体素子と、前記搭載部の前記光半導体素子の短辺側の側面の外側の部位に、前記短辺側の側面に沿って突条に設けられた第２の接合材と、前記絶縁基体の上面に前記凹部を塞ぐようにして取着された透光性蓋体とを具備しており、前記第１の接合材は、前記光半導体素子の短辺側の側面を被覆するとともに前記第２の接合材の前記光半導体素子側の側面から上面にかけて覆うように外側に延出していることを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明の光半導体装置は、好ましくは、前記第１の接合材は、前記光半導体素子の短辺側の側面から外側に延出した部分の表面の縦断面形状が凹凸状となっていることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の光半導体装置は、好ましくは、前記第２の接合材は、その高さが前記光半導体素子の短辺側の側面よりも低いことを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の光半導体装置は、好ましくは、前記第２の接合材は、その上面に長手方向に沿って凹凸が形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の光半導体装置は、好ましくは、前記第１の接合材は、前記光半導体素子の長辺側の側面を被覆していることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の光半導体装置によれば、光半導体素子の搭載部の光半導体素子の短辺側の側面の外側の部位に、短辺側の側面に沿って突条に設けられた第２の接合材が形成され、光半導体素子を搭載部に接合している第１の接合材が、光半導体素子の短辺側の側面を被覆するとともに第２の接合材の光半導体素子側の側面から上面にかけて覆うように外側に延出しているように形成していることから、熱応力が大きく作用する傾向のある光半導体素子の短辺側の側面の外側で第２の接合材との間に第１の接合材の大きな溜りを作って光半導体素子と絶縁基体との接合強度を向上させることができるとともに、第１の接合材と絶縁基体との接合面を、搭載部から第２の接合材の側面および上面にかけて順次向きの異なる面で構成して、搭載部に平行な方向等の一方向に作用する熱応力を分散させることができ、長方形状の光半導体素子の短辺側からの剥がれを抑制し、接合信頼性の高い光半導体装置を提供することができる。
【００１３】
また、本発明の光半導体装置によれば、好ましくは、第１の接合材は、光半導体素子の短辺側の側面から外側に延出した部分の表面の縦断面形状が凹凸状となっていることから、その凹凸の表面に沿って応力をより効果的に吸収、分散させることができ、絶縁基体と光半導体素子との接合強度を向上させることがでる。その結果、長方形状の光半導体素子の短辺側からの剥がれを抑制し、より一層接合信頼性の高い光半導体装置を提供することができる。
【００１４】
また、本発明の光半導体装置によれば、好ましくは、第２の接合材は、その高さが光半導体素子の短辺側の側面よりも低いことから、第１の接合材が第２の接合材を被覆する際に、光半導体素子の上面に第１の接合材が這い上がることを防止することができる。その結果、光半導体素子の搭載部に対する接合の信頼性に優れるとともに、受光精度も良好に確保された、より一層信頼性に優れた光半導体装置を提供することができる。
【００１５】
また、本発明の光半導体装置によれば、好ましくは、第２の接合材は、その上面に長手方向に沿って凹凸が形成されていることから、第１の接合材の外端部に相当する第２の接合材の上面において、第１の接合材と第２の接合材との間の接合面積をより大きく確保して、絶縁基体と光半導体素子との長手方向における接合強度を向上させることができる。また、その凹凸の表面に沿って、第１の接合材と第２の接合材との間で生じる応力も含めてより効果的に応力を吸収、分散させることができる。その結果、長方形状の光半導体素子の長辺側からの剥がれを抑制することができるとともに、第２の接合材に作用する応力も効果的に分散され、第２の接合材の搭載部（絶縁基体）に対する接合の信頼性にも優れた信頼性の高い光半導体装置を提供することができる
また、本発明の光半導体装置によれば、好ましくは、第１の接合材は、光半導体素子の長辺側の側面を被覆していることから、光半導体素子を絶縁基体に対し、その全周にわたり強固に接合することができ、より信頼性の高い光半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の光半導体装置について、以下、図面を参照して詳細に説明する。図１（ａ）は、本発明の光半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した光半導体装置おいてＸで示した箇所の拡大図である。本発明の光半導体装置１１０は、光半導体素子１０１と、光半導体素子１０１が搭載された絶縁基体１０２と、光半導体素子１０１と絶縁基体１０２とを接合する第１の接合材１０３と、絶縁基体１０２に形成され光半導体素子１０１と電気的に接続された配線導体１０４と、絶縁基体１０２に取着された蓋体１０５と、突条の第２の接合材１０９とを備える。
【００１７】
光半導体素子１０１は、平面視において長方形状の外観を有する。この光半導体素子１０１は、例えば、ＰＤ（Photodiode Device），ラインセンサ，イメージセンサ，ＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の受光素子や、ＥＰＲＯＭ（Erasable and Programmable ROM）等の受光部を有する半導体素子等である。この光半導体素子１０１は、上面に受光部が設けられている。また、光半導体素子１０１は、上面の受光部の周囲に、電源用や信号用等の電極１０６が設けられている。
【００１８】
絶縁基体１０２は、上面に光半導体素子１０１が搭載される搭載部を有する。図１に示した例おいて、絶縁基体１０２は、内側に搭載部を有する凹形状のものである。この絶縁基体１０２は、例えば、アルミナ質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウムセラミックス，炭化珪素セラミックス，窒化珪素セラミックス，ガラスセラミックス等のセラミックスや、樹脂等から成る。ここで、絶縁基体１０２が、アルミナ質焼結体から成り、底板部と側壁部とが一体焼成により形成されている場合の絶縁基体１０２の製造方法について説明する。まず、アルミナ，シリカ等の原料粉末を有機溶剤および樹脂バインダーとともにシート状に成形して、複数のセラミックグリーンシートを製造する。そして、一部のセラミックグリーンシートに打ち抜き加工を施し、枠状のセラミックグリーンシートを製造する。その後、枠状のセラミックグリーンシートが上層に位置するようにセラミックグリーンシートを積層し、原料粉末の組成に応じて約１３００℃〜１６００℃の温度で焼成する。以上により、絶縁基体１０２が成形される。なお、絶縁基体１０２は、板状のアルミナ質焼結体の上面の外周部に枠状のアルミナ質焼結体を接合することにより形成してもよい。
【００１９】
第１の接合材１０３は、光半導体素子１０１を絶縁基体１０２の上面に接合するために用いられる。
【００２０】
第２の接合材１０９は、搭載部の光半導体素子１０１の短辺側の側面の外側の部位に、短辺側の側面に沿って突条に設けられたものであり、第１の接合材１０３を介した光半導体素子１０１と絶縁基体１０２との接合の強度および信頼性を補強する機能をなす。
【００２１】
すなわち、第１の接合材１０３が、光半導体素子１０１の短辺側の側面を被覆するとともに、第２の接合材１０９の光半導体素子１０１側の側面から上面にかけて覆うように外側に延出している。
【００２２】
この構成により、熱応力が大きく作用する傾向のある光半導体素子１０１の短辺側の側面の外側で第２の接合材１０９との間に第１の接合材１０３の大きな溜りを作って光半導体素子１０１と絶縁基体１０２との接合強度を向上させることができるとともに、第１の接合材１０３と絶縁基体１０２との接合面を、搭載部から第２の接合材１０９の側面および上面にかけて順次向きの異なる面で構成して、搭載部に平行な方向等の一方向に作用する熱応力を分散させることができ、長方形状の光半導体素子１０１の短辺側からの剥がれを抑制し、接合信頼性の高い光半導体装置１１０を提供することができる。
【００２３】
このように、本発明の光半導体装置によれば、例えばラインセンサのような長方形状の光半導体素子１０１において、短辺側に応力が集中することにより発生する剥がれ等を抑制することができる。そして、光半導体素子１０１により外光を正常に受光することができ、他の外部機器や素子に正常な電気信号を送信することができる。
【００２４】
第１の接合材１０３および第２の接合材１０９は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂，シリコーン系樹脂，ポリエーテルアミド系樹脂等の樹脂から成る樹脂接着剤を用いることができる。
【００２５】
第１および第２の接合材１０３，１０９は、両者間の接合の強度や信頼性を高くする上では、同種、同系の材料から成るものが好ましい。
【００２６】
また、突条の第２の接合材１０９の絶縁基体１０２に対する接合の強度を高く確保する上では、第２の接合材１０９は、絶縁基体１０２との接合強度を確保し易い材料で形成することが好ましい。例えば、絶縁基体１０２がアルミナ質焼結体から成る場合であれば、第２の接合材１０９は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテルアミド樹脂が好ましく、エポキシ系樹脂が特に好ましい。
【００２７】
また、第１の接合材１０３についても、絶縁基体１０２に対する接合の強度を優先して考えた場合には、上記エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテルアミド樹脂が適している。ただし、第１の接合材１０３は、絶縁基体１０２および光半導体素子１０１との間に広い面積で介在するので、両者間の熱応力を吸収し易いように、ヤング率の低い材料を用いることが好ましい。
【００２８】
第１の接合材１０３は、光半導体素子１０１を絶縁基体１０２の凹部の底面の搭載部に搭載する際に、光半導体素子１０１の形状に合わせて細長く、かつ、長辺方向において光半導体素子１０１より長くなるように、絶縁基体１０２の上面に第１の接合材１０３を塗布しておき、その上に光半導体素子１０１を搭載することにより、光半導体素子１０１と絶縁基体１０２との間に介在し両者を接合させるようにして、また、光半導体素子１０１の短辺側の側面を被覆するとともに外側に延出するようにして形成される。
【００２９】
第２の接合材１０９は、まず、光半導体素子１０１を絶縁基体１０２の上面に搭載する際に、光半導体素子１０１の短辺側の側面の外側の部位に第２の接合材１０９を塗布，印刷で成形することができる。
【００３０】
第１および第２の接合材１０３，１０９は、例えば樹脂材料から成る場合であれば、ディスペンス法またはスクリーン印刷法により塗布される。
【００３１】
なお、説明するまでもなく、まず第２の接合材１０９を絶縁基体１０２の上面に塗布し接合しておいてから、第１の接合材１０３を塗布することにより、第２の接合材１０９の光半導体素子１０１側の側面および上面を第１の接合材１０３が覆うようにして形成される。
【００３２】
第１の接合材１０３は、図１（ｂ）に示すように、側面被覆部１０３ａの縦断面において、光半導体素子１０１の短辺側側面から外縁に向かうに伴って高さが低くなっており（第１の部位）、続いて外縁に向かうに伴って高さが高くなっており（第２の部位、ここは、第２の接合材の存在により高く形成できる）、さらに続いて外縁に向かうに伴って高さが低くなっている（第３の部位）形状としておくことが好ましい。
【００３３】
このような形状をとることにより、応力を効果的に分散させることが可能となる。すなわち、外縁に向かうに従って厚さが厚くなる第２の部位により、応力を上方向に分散させることができる。
【００３４】
なお、このような形状は、第１の接合材１０３を、あらかじめ塗布，接合された第２の接合材１０９の側面および上面を覆うように塗布する際に第１の接合材１０３の粘度を調整すること等により、第１の接合材１０３の自重による変形で形成することができるが、次のような手段を用いてもよい。つまり、第１の接合材１０３を塗布した後に、第１の接合材１０３の外周部から光半導体素子１０１の方向へ向けて接合材１０３に外力を加えて、接合材１０３の表面を波形に褶曲させる。また、他の接合材１０３の成形方法として、波形の治具を接合材１０３の表面に押し付けて、接合材１０３の表面を波形に成型する方法等である。
【００３５】
また、本発明の光半導体装置１１０において、第１の接合材１０３は、光半導体素子１０１の短辺側の側面から外側に延出した部分の表面の縦断面形状が凹凸状となっていることが好ましい。
【００３６】
これにより、その凹凸の表面に沿って応力をより効果的に吸収、分散させることができ、絶縁基体１０２と光半導体素子１０１との接合強度を向上させることがでる。その結果、長方形状の光半導体素子１０１の短辺側からの剥がれを抑制し、より一層信頼性の高い光半導体装置１１０を提供することができる。
【００３７】
また、本発明の光半導体装置１１０において、第２の接合材１０９は、その高さが光半導体素子１０１の短辺側の側面よりも低いことが好ましい。
【００３８】
これにより、第１の接合材１０３が第２の接合材１０９を被覆する際に、光半導体素子１０１の上面に第１の接合材１０３が這い上がることを防止することができる。その結果、光半導体素子１０１の搭載部に対する接合の信頼性に優れるとともに、受光精度も良好に確保された、より一層信頼性に優れた光半導体装置１１０を提供することができる。
【００３９】
また、本発明の光半導体装置１１０において、第２の接合材１０９は、その上面に長手方向に沿って凹凸が形成されていることが好ましい。
【００４０】
これにより、第１の接合材１０３の外端部に相当する第２の接合材１０９の上面において、第１の接合材１０３と第２の接合材１０９との間の接合面積をより大きく確保して、絶縁基体１０２と光半導体素子１０１との長手方向における接合強度を向上させることができる。また、その凹凸の表面に沿って、第１の接合材１０３と第２の接合材１０９との間で生じる応力も含めて、より効果的に応力を吸収、分散させることができる。その結果、長方形状の光半導体素子１０１の長辺側からの剥がれを抑制することができるとともに、第２の接合材１０９に作用する応力も効果的に分散され、第２の接合材１０９の搭載部（絶縁基体１０２）に対する接合の信頼性にも優れた、信頼性の高い光半導体装置を提供することができる
また、本発明の光半導体装置１１０において、第１の接合材１０３は、光半導体素子１０１の長辺側の側面を被覆していることが好ましい。
【００４１】
これにより、光半導体素子１０１を絶縁基体１０２に対し、その全周にわたり強固に接合することができ、より信頼性の高い光半導体装置１１０を提供することができる。
【００４２】
配線導体１０４は、絶縁基体１０２の上面から下面にかけて形成され、光半導体素子１０１の電極とボンディングワイヤ１０７を介して電気的に接続されている。配線導体１０４は、絶縁基体１０２の上面から側面にかけて形成されていてもよい。配線導体１０４は、タングステン，モリブデン，マンガン，銅，銀，パラジウム，白金，金等の金属材料から成り、メタライズ層，メッキ層，蒸着層，金属箔層等の形態で絶縁基体１０２の所定部位に形成される。配線導体１０４は、例えばタングステンのメタライズ層からなる場合であれば、タングステンの粉末を有機溶剤，樹脂バインダーとともに混練した金属ペーストを、絶縁基体１０２となるセラミックグリーンシートにスクリーン印刷法等により印刷することにより形成される。なお、配線導体１０４は、絶縁基体１０２の下面や側面に導出している部分に、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，銅，銅合金等から成るリード端子をろう付け等により取着してもよい。また、配線導体１０４の露出表面に金メッキや錫メッキ等のメッキ層を被着させておいてもよい。
【００４３】
なお、ボンディングワイヤ１０７は、その長さを０．３ｍｍ〜３．０ｍｍとすることが好ましい。ボンディングワイヤ１０７の長さが０．３ｍｍ未満では、ボンディングワイヤ１０７が短すぎて十分なループを形成することが困難となり、光半導体素子１０１の電極１０６と配線導体１０４とを確実に接続することが困難となる。また、ボンディングワイヤ１０７の長さが３．０ｍｍを超えると、ボンディングワイヤ１０７が長くなりすぎループが不要に高くなる傾向があり、不要なインダクタンスが発生して高周波信号の伝送特性が劣化するおそれがある。
【００４４】
蓋体１０５は、光半導体素子１０１が収納される空間を形成するように、接合材１０８を介して絶縁基体１０２に取着されている。蓋体１０５は、全体若しくは一部が透光性部材から成る。図１に示した光半導体装置において、蓋体１０５は、ガラス，石英，サファイア，透明樹脂等の透光性材料を板状に成形したものである。また、図示しないが、絶縁基体１０２を平板状のものとする場合には、凹形状の蓋体を用いてもよい。この場合には、凹形状の蓋体の一部が透光性部材から成る。また、蓋体１０５の上面若しくは下面の少なくとも一方に、紫外線を遮断するための光学膜を形成しておいてもよい。
【００４５】
接合材１０８は、例えば、アクリル系樹脂，エポキシ系樹脂，フェノール系樹脂，クレゾール系樹脂等の樹脂接着剤から成る。なお、接着剤７には、余計な外光を遮断することを目的として、黒色，茶褐色，暗褐色，暗緑色，濃青色等の暗色系の顔料や染料を混入させておいてもよい。また、接合材１０８は、ガラス等の無機材料から成るものや、無機材料から成るフィラー粉末を樹脂接着剤に添加したものもよい。
【００４６】
また、接合材１０８が透明な樹脂接着剤から成る場合、接合材１０８の屈折率が透明な蓋体１０５の屈折率と等しくなるようにしておくことが好ましい。この場合、接合材１０８と蓋体１０５との界面における光の反射や散乱等を抑制することができ、光半導体素子１０１に余計な反射光や散乱光が入射することを抑制することが可能となる。また、接合材１０８が透明な樹脂接着剤から成る場合、その内部に含まれる気泡の体積が３０体積％以下であることが好ましい。気泡の体積が３０体積％を超えると、接合材１０８の接合力が低下するとともに、気泡によって光半導体素子１０１に余計な反射光や散乱光が入射する可能性がある。接合材１０８に含まれる気泡の割合を小さくするためには、減圧室や真空装置内で接合材１０８を取り扱う方法や、予め接合材１０８に含まれる気泡を真空脱泡する方法等がある。
【００４７】
また、蓋体１０５の外周部に遮光性の樹脂膜を貼り付けておいてもよい。このような構成により、半導体素子１０１に余計な外光が入射されることを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】（ａ）は本発明の光半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した光半導体装置のＸ箇所の拡大図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０１・・・光半導体素子
１０２・・・絶縁基体
１０３・・・第１の接合材
１０４・・・配線導体
１０５・・・蓋体
１０６・・・電極
１０７・・・ボンディングワイヤ
１０８・・・接合材
１０９・・・第２の接合材
【図１】
2006041271.tif 000003