(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体ウェハのダメージ発生を低減し、高精度にエッチングできる半導体製造装置を提供する。【解決手段】試料を処理する処理室１と、前記処理室１内にプラズマ５を発生させるプラズマ発生用電源装置３と、前記処理室１内に設置された試料台６に高周波を印加する高周波電源装置７と、処理ステップ毎に出力強度及び出力レンジを設定したレシピに基づいて前記プラズマ発生用電源装置３または前記高周波電源装置７を制御する制御手段９とを有し、前記処理ステップを切り換える際、前記制御手段９は、処理中の処理ステップと次の処理ステップに使用する設定とを比べた後に、前記出力強度または前記出力レンジのどちらか一方を先に切り換える。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を処理する処理室と、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生用電源装置と、前記処理室内に設置された試料台に高周波を印加する高周波電源装置と、前記プラズマ発生用電源装置または前記高周波電源装置を制御する制御手段とを有するプラズマ処理装置において、前記制御手段は、前記試料の処理ステップを切り換える際に、前記電源装置へ供給される電力値を一時的に低減もしくは所定値に抑制した後処次の理ステップに対応する正規の電力値に移行させることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
試料を処理する処理室と、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生用電源装置と、前記処理室内に設置された試料台に高周波を印加する高周波電源装置と、処理ステップ毎に複数の出力強度及び出力レンジを設定したレシピに基づいて前記プラズマ発生用電源装置または前記高周波電源装置を制御する制御手段とを有するプラズマ処理装置において、前記制御手段は、前記処理ステップを切り換える際、処理中の処理ステップと次の処理ステップに使用する設定とを比べた後に、前記出力強度または前記出力レンジのどちらか一方を先に切り換えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生用電源装置または前記高周波電源装置は、出力強度及び出力レンジの切り換え機能を有し、
前記制御手段は、大きな出力レンジへ切り換える場合は、先に前記出力強度を切り換え、後に前記出力レンジを切り換え、
小さな出力レンジへ切り換える場合は、先に前記出力レンジを切り換え、後に前記出力強度を切り換えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生用電源装置または前記高周波電源装置は、出力強度及び出力レンジの切り換え機能を有し、前記制御手段は、前記処理ステップ間で前記出力強度を増加する場合は、先に前記出力強度を切り換え、後に前記出力レンジを切り換えると共に、前記処理ステップ間で前記出力強度を減少する場合は、先に前記出力レンジを切り換え、後に前記出力強度を切り換えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生用電源装置または前記高周波電源装置は、出力強度及び出力レンジの切り換え機能を有し、前記制御手段は、前記処理ステップ間で前記出力強度及び出力レンジを切り換える場合に前記出力電力の抑制機能を有し、前記出力強度及び出力レンジのどちらが先に切り換わっても前記抑制機能で任意に設定した電力に抑制することを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハを処理するために高周波電源を用いる半導体製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板に付着するパーティクル数を抑制する目的でステップ間で出力の大きさを制御することについて開示したものとして特許文献１がある。そのほか、２種類の異なった周波数を持つ高周波電源を切り換えることについていくつか知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−６８７０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
プラズマを利用して半導体ウェハを処理するエッチング装置が広く利用されており、その一つにＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）方式のエッチング装置がある。この方式の一例を図１１に示す。チャンバー１の外部に配置したソレノイドコイル２に直流電流を流して、チャンバー内に磁場を形成する。また、発振器３に高電圧を印加して例えばマイクロ波を発生させ、チャンバー内に導入する。これらマイクロ波と磁場との相乗効果で電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を生じ、チャンバーに導入したプロセスガス４をプラズマ化しＥＣＲプラズマ５を生成する。電極６には高周波バイアス電源７より高周波電力を印加しており、プラズマ中のイオンを半導体ウエハ８に対し、垂直に引き込み、かつ、入射イオンエネルギーを独立制御することで、加工精度の高い異方性エッチングを実現する。
【０００５】
通常、エッチング処理は複数の処理ステップから成り、各々の処理ステップについて処理時間、真空容器内の圧力、ソレノイドコイルに流す直流電流の強度、マイクロ波電力の強度、プロセスガスの導入量、電極に印加する高周波電力の強度ほか数多くのパラメータ設定を予め決めておく。そして、エッチング途中で処理ステップが切り換わると、次の処理ステップの設定に基づいて、各種パラメータの値を設定値通りとなるように制御する。このように、単一あるいは複数の処理ステップからなるエッチング処理に関する、一連のパラメータ設定を以下ではレシピと称するものとする。前記のようにウエハ８をエッチング処理するためのレシピ内で設定する各パラメータの値は、ステップ毎に大小様々である。そこで、全てのレシピに対して設定値に対する出力値の精度を高く保つために、１つのパラメータについて大小２つ以上の出力レンジを持ち、この出力レンジ切り換えることにより、小さい値を設定する場合は小さい出力用レンジで精度よく設定及び出力をさせることが可能である。しかし、前記処理ステップ間で出力の強度と出力のレンジを同時に切り換えた場合に、設定値以上の過大な出力がでる場合があり問題であった。そのため、出力強度と出力レンジのどちらを先に切り換えるかタイミングを制御することが必要である。
【０００６】
ここで、特許文献１では、カソード電極とアノード電極を備えるプラズマ装置を用いて、複数のプロセス処理に応じて前記カソード電極に印加する高周波電力の大きさを切り換えて前記複数のプロセス処理を連続した複数のステップで行うことについて述べられている。
【０００７】
しかしながら、この高周波電力の制御は、出力の強度と出力のレンジを同時に切り換えた時の必要以上に大きな出力電力の制御については記載されていない。高周波電源７の出力レンジの切り換えと出力強度の切り換えを同時に行う時、切り換えのタイミングが完全には一致せず、出力強度が先に切り換わる可能性がある。その一例を図１２に示す。
【０００８】
出力強度が先に切り換わる可能性のある理由として、高周波電源７に対する、出力レンジの切り換えと出力強度の切り換えの指示タイミングのずれ、電源内部のリレー、電子部品等の遅延時間のばらつき等が考えられる。この場合、大きい出力レンジで例えば通常の１００倍もの電力をタイミングがずれた時間の間（オーバーシュート時）、半導体ウェハ８に印加することになり、前記タイミングのずれが大きいほど、半導体ウェハ８のダメージが大きくなる。
【０００９】
そこで、本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、連続する処理ステップ間での出力の強度と出力のレンジの同時切替えに伴いオーバーシュートが発生しても、半導体ウェハへのダメージの発生を低減させて、高精度に加工できる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記の課題を解決する為に次のような手段を採用した。  
本発明の第１の観点によれば、試料を処理する処理室と、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生用電源装置と、前記処理室内に設置された試料台に高周波を印加する高周波電源装置と、前記プラズマ発生用電源装置または前記高周波電源装置を制御する制御手段とを有するプラズマ処理装置において、前記制御手段は、前記試料の処理ステップを切り換える際に、前記電源装置へ供給される電力値を一時的に低減もしくは所定値に抑制した後処次の理ステップに対応する正規の電力値に移行させることを特徴とする。
【００１１】
本発明の第２の観点によれば、試料を処理する処理室と、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生用電源装置と、前記処理室内に設置された試料台に高周波を印加する高周波電源装置と、処理ステップ毎に出力強度及び出力モードを設定したレシピに基づいて前記プラズマ発生用電源装置または前記高周波電源装置を制御する制御手段とを有するプラズマ処理装置において、前記処理ステップを切り換える際、前記制御手段は、処理中の処理ステップと次の処理ステップに使用する設定とを比べた後に、前記出力強度または前記出力レンジのどちらか一方を先に切り換えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、連続する処理ステップ間で出力の強度と出力のレンジの切替を行っても、半導体ウェハのダメージ発生を低減し、高精度にエッチングできる半導体製造装置を提供することができる。 
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の第１の実施例を、図面を用いて説明する。図１は、本発明の一実施例になるプラズマ処理装置の主要部を示すものである。本図においては、図１１で示した構成要素のうち、高周波バイアス電源７、制御マイコン９、設定手段１０を示している。９はエッチング装置用制御マイコンであり、エッチング処理について予め入力されたレシピに基づいて、高周波バイアス電源７他の構成機器へ各々の指令を与えると共に、装置の状態を監視する。１０は本発明の中核となる設定手段であり、レシピ及び高周波バイアス電源７の出力強度モニタ値、出力レンジステータスに基づいて、高周波バイアス電源７に出力強度設定値、出力レンジ設定を指令する。
【００１４】
ここで、出力強度設定値と出力強度モニタ値については、例えば、出力０Ｗから高周波バイアス電源７の最大出力電力値までに対して、直流信号電圧０Ｖから１０Ｖまでのレンジとすることが考えられる。また、出力レンジ設定と出力レンジステータスについては、例えば、ハイレベルの出力強度で小さい出力レンジ、ローレベルの出力強度で大きい出力レンジとすることが考えられる。
【００１５】
次に、設定手段１０の処理ステップの一部ａ〜ｈについて、図２を用いて説明する。
【００１６】
ａ：「処理ステップ間で小さい出力レンジから大きい出力レンジへ切り換えがあるか」を判断し、「ある」のときｂに処理を進め、「なし」のときｅに処理を進める。  
ｂ：ａの判断において、「ある」のとき次の処理ステップで、出力強度の切り換えを指示する。  
ｃ：ｂに引き続き、「出力強度の切り換えが済みであるか」を判断し、「なし」のときはこの判断処理を繰り返し、「ある」のとき、ｄに処理を進める。  
ｄ：ｃの判断において、「ある」のとき出力レンジの切り換えを指示する。  
ｅ：ａの判断において、「なし」のとき、「処理ステップ間で大きい出力レンジから小さい出力レンジへ切り換えがあるか」を判断し、「ある」のときｆに処理を進める。  
ｆ：ｅの判断において、「ある」のとき次の処理ステップで出力レンジの切り換えを指示する。  
ｇ：ｅに引き続き、「出力レンジの切り換えが済みであるか」を判断し、「なし」のときはこの判断処理を繰り返し、「ある」のとき、ｈに処理を進める。  
ｈ：ｇの判断において、「ある」のとき出力強度の切り換えを指示する。  
ここで、出力強度の切り換えとは、次の処理ステップの出力強度を高周波バイアス電源７に指示することを意味する。出力レンジの切り換えも同様に、次の処理ステップの出力レンジを高周波バイアス電源７に指示することを意味する。
【００１７】
また、「出力強度の切り換えが済みであるか」は、出力強度モニタ値が指示した出力強度設定値に対して所定の範囲内の値となることで判断することが考えられるが、高周波バイアス電源の仕様から切り換えに要する時間に余裕を持たせた所定の時間を経過したことで判断することも考えられる。「出力レンジの切り換えが済みであるか」も同様に、出力レンジステータスが設定した出力レンジ設定と一致するか否かで判断することが考えられるが、高周波バイアス電源の仕様から切り換えに要する時間に余裕を持たせた所定の時間を経過したことで判断することも考えられる。
【００１８】
先に、発明が解決しようとする課題として、メインエッチングの処理ステップでは大きい出力レンジとし、続くオーバーエッチングの処理ステップではメインエッチングの処理の時より小さい出力レンジとする場合、オーバーエッチングの処理ステップに切り換える際、高周波電源の出力レンジの切り換えと出力強度の切り換えのタイミングが完全には一致せず、出力レンジが先に切り替わると、例えば通常の１００倍もの電力を半導体ウェハに印加することになり、半導体ウェハにダメージを与える問題点を示した。
【００１９】
この問題点に関し、図３に、前後の処理ステップの各ケースについて、半導体ウェハにダメージを与える可能性があるか否かのケーススタディ結果をまとめた。  
図３は、切り換え前後の２つの処理ステップについて、出力レンジと出力強度のうちいずれが先に切り換わるかというタイミングの各組合せについて、連続する処理ステップ間で、出力の強度と出力のレンジの同時切替えに伴うオーバーシュートが発生した場合の、出力電力の変化によるダメージの問題の有無をまとめたものである。ただし、説明の簡単化のため、大きい出力レンジでの出力強度が、小さい出力レンジでの出力強度の例えば１００倍であるなど、相当に大きいことを前提とした。
【００２０】
ケース１：前の処理ステップが小さい出力レンジ／出力強度大、
後の処理ステップが大きい出力レンジ／出力強度小、
切り換えタイミングは出力強度が先
ケース２：前の処理ステップが小さい出力レンジ／出力強度大、
後の処理ステップが大きい出力レンジ／出力強度小、
切り換えタイミングは出力レンジが先
ケース３：前の処理ステップが大きい出力レンジ／出力強度小、
後の処理ステップが小さい出力レンジ／出力強度大、
切り換えタイミングは出力強度が先
ケース４：前の処理ステップが大きい出力レンジ／出力強度小、
後の処理ステップが小さい出力レンジ／出力強度大、
切り換えタイミングは出力レンジが先
ケース１では、前後の処理ステップ切り換え時に、出力レンジと出力強度の切り換えタイミングのずれによって「小さい出力レンジ／出力強度小」の期間が発生するものの、出力電力が小さくなるので、この状態は半導体ウェハにダメージを与えることは殆ど無い。これに対して、ケース２では、「大きい出力レンジ／出力強度大」の期間が、切り換えタイミングのずれの時間分発生するため、出力電力が大きくなり、半導体ウェハにダメージを与える可能性がある。この観点からは、ケース３でも同様に出力電力が大きくなり、半導体ウェハにダメージを与える可能性がある。
【００２１】
このような問題点に関して、図１、図２で説明した本発明の第１の実施例を適用した場合の動作を図４に示す。本実施例によれば、小さい出力レンジから大きい出力レンジへ切り換える際には、ケース２に相当する場合でも、図２中のａ⇒ｂ⇒ｃ⇒ｄの処理により、出力レンジよりも出力強度を先に切り換えるため過渡期の出力電力が小さくなり（ケース１と同じ動作）、ダメージ発生を低減できる。
【００２２】
また、大きい出力レンジから小さい出力レンジへ切り換える際には、ケース３に相当する場合でも、図２中のａ⇒ｅ⇒ｆ⇒ｇ⇒ｈの処理により、出力強度よりも出力レンジを先に切り換えるため過渡期の出力電力が小さくなり（ケース４と同じ動作）、ダメージ発生を低減できる。
【００２３】
以上のようにして、本実施例によれば、処理ステップ間で出力レンジを切り換える際に、過渡的に出力電力が大きくなることを自動的に防止することで、半導体ウェハのダメージを低減し、高精度にエッチングできる半導体製造装置を提供でき、半導体ウェハの製品安全性を高めることができる。
【００２４】
また、図１に示した設定手段１０の機能を制御マイコン９のソフトウェアにて実現することが考えられるが、制御マイコン９から高周波バイアス電源７にシリアル通信等の手段で切り換えを一括して指令するケースでは、設定手段１０の機能を高周波バイアス電源７に持たせることも考えられる。あるいは制御マイコン９や高周波バイアス電源７にてエッチング装置を構成済みの場合、これらとは別のハードウェアで実現し、制御マイコン９と高周波バイアス電源７との間に追加するようにして、制御マイコン１、高周波バイアス電源７を何ら変更することなく、または、微小な変更により実現できる。
【００２５】
図５は、図１にて設定した出力強度設定値、出力レンジ設定値を高周波電源内部で切り換える場合のブロック線図の一実施例を示す。制御部、増幅部、検出部をそれぞれ２個以上持ち、出力強度７ｉを仮に０〜１０Ｖに変化させた時、小さい出力レンジでの出力は仮に０〜１０Ｗ、大きいレンジでの出力は仮に０〜１０００Ｗの出力電力７ｄが得られるとする。
【００２６】
ステップ１で出力電力５Ｗを設定し、ステップ２で１００Ｗ、ステップ３で８Ｗを設定しようとすると、まずステップ１の時は出力強度５Ｖで出力レンジ切り換え７ａにより小さい出力レンジにし、制御部７ｂ、増幅部７ｃ、検出部７ｅにて５Ｗを出力する。次にステップ２への切り換わり時、出力強度７ｉを先に切り換え、後に出力レンジ切り換え７ａにより大きい出力レンジへ切り換えることにより、先に切り換わった出力強度１Ｖが小さい出力レンジの回路である制御部７ｂ、増幅部７ｃ、検出部７ｅを通り、出力電力１Ｗを出力する。続いて大きい出力レンジに切り換えることにより、出力強度１Ｖが制御部７ｈ、増幅部７ｆ、検出部７ｇを通り出力電力１００Ｗを出力する。この時、先に出力レンジが切り換わると出力強度５Ｖ、大きい出力レンジとなり５００Ｗの電力を出力し、ウエハにダメージを与えてしまう。次にステップ２からステップ３に切り換わり時、出力レンジを先に切り換え、後に出力強度を切り換えることにより、ステップ２の出力強度１Ｖのまま大きい出力レンジから小さい出力レンジに切り換わり１Ｗの出力電力を出力する。次に出力強度を８Ｖにすることにより出力電力８Ｗが得られる。この時出力強度ｉが先に切り換わると大きい出力レンジ、出力強度８Ｖとなり８００Ｗの電力を出力してしまう。
【００２７】
ここで、出力レンジを切り換えることについては、図５のブロック線図に示すように、制御部、増幅部、検出部をそれぞれ２個以上持つ方法もあるが、例えば図６のように増幅部と検出部のみ切り換える、あるいは検出部のみ切り換えるなど、他に制御部、増幅部、検出部等の組み合わせにより出力レンジを切り換える方法はいく通りも考えられる。また、大きい出力レンジと小さい出力レンジの制御回路や切り換え部は同じ高周波電源内部にあることもあれば、２つ以上に別れていても構わない。外部の制御装置で制御することもできる。図５で示すように、小さい出力レンジで使用する増幅部７ｂ、検出部７ｅなど、大きい出力電力に切り換えた時も出力部に接続されたままとなるような箇所には大きい電力に対する保護機能を付加することも考えられる。
【００２８】
以上、高周波バイアス電源の出力のレンジ切り換えについて述べたが、高周波バイアス電源に限らず、例えばプラズマソース電源の出力のレンジ切り換えに本発明を適用することも可能である。また、前記実施例の出力強度の切り換えはアナログインターフェースを例に記載したが、デジタルインターフェースにおいても適用できる。
【００２９】
本発明の第２の実施例を、図７のレシピを用いて説明する。図７は、各処理ステップの時間、出力レンジ、出力強度等レシピの各設定項目を縦に並べ、メインエッチング、オーバーエッチングなど、各処理ステップを処理の順番にしたがって左から右に並べた表である。メインエッチングでは、大きい出力レンジにて１００Ｗ出力とし、後のオーバーエッチングでは小さい出力レンジにて１０Ｗ出力とする例である。
【００３０】
ここで、メインエッチングとオーバーエッチングの間に、小さい出力レンジにて１Ｗ出力の処理ステップ（図７中の切り換えステップ）を設けることが、本実施例の特徴である。このような切り換えステップにより、まず、出力レンジを切り換え、電力を１Ｗに下げることを確実に実施し、次にオーバーエッチングの処理ステップで大きい出力強度に切り換えるものである。
【００３１】
切り換えステップを設けることにより、その時間分（本例では１秒）処理時間が増え、また前後の処理ステップの組合せ毎に切り換えステップの検討を要するものの、本実施例によっても、半導体ウェハへのダメージを低減するという点で、第１の実施例と同様の効果を得ることができる。
【００３２】
本発明の第３の実施例を、図８、図９を用いて説明する。図８は、前記のように出力強度、出力レンジの切り換え機能を有し、処理ステップ間で出力強度、出力レンジの切り換え順序を制御することにより、必要以上の過大な電力の増加を抑えることができるが、その他の方法として任意に可変できる設定値以上の出力電力が出力しないように出力電力の抑制機能を付加することもできる。図９は、図８の第３の実施例を使用して、連続する処理ステップ間で出力の強度と出力のレンジの同時切替えに伴うオーバーシュートが発生した場合に、半導体ウェハにダメージを与える可能性があるか否かのケーススタディ結果を示している。
【００３３】
図８に示すように、小さいレンジ用検出部７ｅ、大きいレンジ用検出部７ｇ共に常時出力電力を検出し、現在の出力電力＋αで出力抑制機能を働かせておき、この抑制信号にある時間ｔのタイマを設けて出力機能、出力レンジが切り換わっても、任意の時間の間は切り換わり前の出力電力＋αで出力電力ｄを抑制するようにすることもできる。
【００３４】
この機能について仮の数値で説明すると、例えば抑制する出力抑制電力値α＝１０Ｗ、抑制時間ｔ＝０．５ｓとし、ステップ１で出力電力５Ｗ、ステップ２で１００Ｗ、ステップ３で８Ｗを設定しようとすると、まずステップ１の時は出力強度５Ｖ、小さい出力レンジにし５Ｗを出力する。次にステップ２への切り換わり時、ケース２のように出力レンジが先に切り換わった場合、ステップ２の目標値１００Ｗに対し５００Ｗを出力してしまう。しかし、ステップ１の出力電力５Ｗを常時検知していた検出部７ｇと出力抑制部７ｋにより、出力レンジが先に切り換わっても、出力電力５Ｗ＋出力抑制電力値１０Ｗ＝１５Ｗで出力抑制時間０．５ｓの間出力が抑制されその間に出力強度が２Ｖになり、抑制時間後出力電力として１００Ｗが出力される。即ち、図９のケース２の例では、過渡期における出力電力の増加を抑制するので、半導体ウェハにダメージを与えることが殆ど無い。
【００３５】
次に、ステップ２からステップ３に切り換わり時、出力レンジを先に切り換え、後に出力強度を切り換えることにより、ステップ２の出力強度１Ｖのまま大きい出力レンジから小さい出力レンジに切り換わり１Ｗの出力電力を出力するが、先に出力強度が切り換わると大きい出力レンジ、出力強度８Ｖとなり８００Ｗの電力を出力してしまう。このケース３の場合も、ステップ２の出力電力１００Ｗを常時検知していた検出部７ｇと出力抑制部７ｋにより、出力強度が先に切り換わっても、出力電力１００Ｗ＋出力抑制電力値１０Ｗ＝１１０Ｗで出力抑制時間０．５ｓの間出力が抑制されその間に小さい出力レンジに切り換わり、抑制時間後出力電力として８Ｗが出力される。即ち、ケース３の例でも、過渡期における出力電力の増加を抑制するので半導体ウェハにダメージを与えることが殆ど無い。
【００３６】
このように、図８の第３の実施例を使用した場合には、図９の全ケースについて切替え時の出力電力値が低減あるいは抑制されるため、半導体ウェハにダメージの発生自体あるいは発生に伴う影響を低減することが出来る。
【００３７】
なお、前記の出力抑制電力値αや出力抑制時間ｔは、任意に変更することもでき、外部制御機器により設定を変更することも可能である。
【００３８】
また、前記の現在の出力電力の代わりに、切り換え前の出力強度設定値を用いることも考えられる。さらに、前記出力強度、出力レンジ切り換え時の出力抑制機能はステップ１の始まり時や同ステップの間に使用することも考えられる。また、必要に応じてはある時間のみ出力抑制機能を無効に設定することも可能であり、出力強度のみの変化の場合は出力電力を抑制すると出力強度設定値に対し出力電力の応答が遅れることも考えられるため無効とすることも考えられるであろう。
【００３９】
本発明の第４の実施例を、図１０を用いて説明する。図１で示す設定手段１０の処理ステップの一部に、出力強度、出力レンジを同時に切り換える場合、または出力強度のみを切り換える場合、または出力レンジのみ切り換える場合に、前記切り換えを行う前に出力電力を強制的に０Ｗにする処理を入れる。
【００４０】
ａ：「処理ステップ間で出力レンジの切り換えがあるか」を判断し、「ある」のとき、ｂに処理を進め、「なし」のときｇに処理を進める。
【００４１】
ｂ：ａの判断において、「ある」のとき次の処理ステップで、出力強度を０Ｖにする、または出力電力が０Ｗになるような信号を高周波電源に指示する。
【００４２】
ｃ：ｂに引き続き、次の処理ステップで、出力レンジの切り換えを指示する。  
ｄ：ｃに引き続き、「出力レンジの切り換えが済みであるか」を判断し、「なし」のときはこの判断処理を繰り返し、「ある」のとき、ｅに処理を進める。  
ｅ：ｄの判断において、「ある」のとき出力強度の切り換えを指示する。  
ｆ：ｂで出力電力が０Ｗになるような信号を高周波電源に指示した場合は、その指示を無効に切り換える指示をする。  
ｇ：ａの判断において、「なし」のとき次の処理ステップで出力強度の切り換えを指示する。
【００４３】
ここで、出力強度の切り換えとは、次の処理ステップの出力強度を高周波バイアス電源７に指示することを意味する。出力レンジの切り換えも同様に、次の処理ステップの出力レンジを高周波バイアス電源７に指示することを意味する。
【００４４】
また、「出力レンジの切り換えが済みであるか」は、出力レンジステータスが設定した出力レンジ設定と一致するか否かで判断することが考えられるが、高周波バイアス電源の仕様から切り換えに要する時間に余裕を持たせた所定の時間を経過したことで判断することも考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１の実施例のブロック図。
【図２】図１の設定手段の機能図。
【図３】半導体ウェハにダメージを与える可能性があるか否かのケーススタディ結果を示す図。
【図４】本発明の第１の実施例を適用した場合の、半導体ウェハにダメージを与える可能性があるか否かのケーススタディ結果を示す図。
【図５】本発明の第１の実施例のブロック線図の一例を示す図。
【図６】本発明の第１の実施例のブロック線図の他の例を示す図。
【図７】本発明の第２の実施例のレシピを示す図。
【図８】本発明の第３の実施例のブロック線図。
【図９】本発明の第３の実施例を適用した場合の、半導体ウェハにダメージを与える可能性があるか否かのケーススタディ結果を示す図。
【図１０】本発明の第４の実施例になる設定手段の機能図。
【図１１】従来のエッチング装置のブロック図。
【図１２】従来方法での、半導体ウェハのダメージ発生原因を示す図。
【符号の説明】
【００４６】
１…チャンバー、２…ソレノイドコイル、３…発振器、４…プロセスガス、５…ＥＣＲプラズマ、６…電極、７…高周波バイアス電源、８…半導体ウェハ、９…制御マイコン、１０…設定手段。
【図１】
2006165390.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006165390.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2006165390.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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