(57)【要約】  【課題】スリップの原因となるウエハ裏面の傷の発生を防止する。  【解決手段】処理室２２を形成したプロセスチューブ２１と、処理室２２を加熱するヒータユニット１６と、複数枚のウエハ１を保持して処理室２２に搬入するボート４１とを備えたアニール装置１０において、ボート４１は垂直に立脚される筒体４２と、筒体４２に水平に切設されてウエハ１が一枚ずつ挿入される複数段の挿入溝４３と、各挿入溝４３によって形成された複数段の支持部４５と、筒体４２の前部後部に複数段の支持部４５にわたって開設されたツィーザ挿入口４６、４７と、筒体４２の外周部に挿入溝４３に貫通するように形成された窓部４８とを備えている。ウエハを支持する支持部のウエハ接触面積が大きくなるので、ウエハの自重や熱変形等によるウエハのボートとの接触部位における傷の発生を防止できる。その傷が原因になるウエハのスリップの発生を防止できる。  【選択図】図１
2006093207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を収容して処理する処理室を形成したプロセスチューブと、前記プロセスチューブの外側に設置されて前記処理室を加熱するヒータユニットと、前記複数枚の基板を多段に保持して前記処理室に搬入するボートとを備えており、
前記ボートは、垂直に立脚される筒体と、この筒体に水平に設けられて前記基板が一枚ずつ挿入される複数段の挿入溝と、これら挿入溝によってそれぞれ形成された複数段の支持部と、前記筒体に前記複数段の支持部にわたって延在するように開設されたツィーザ挿入口と、前記筒体の外周部に前記挿入溝に貫通するように形成された窓部と、を備えていることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にイオン打ち込み後のキャリア活性化のためのアニール、多層配線工程の平坦化のためのリフロー、酸化、拡散および成膜等の熱処理（thermal treatment ）を施す熱処理装置（furnace ）に利用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法の所謂フロントエンド（前工程）におけるアニール工程の実施には、バッチ式の縦形装置であるホットウオール形熱処理装置（以下、ホットウオール形熱処理装置という。）が、広く使用されている。
ホットウオール形熱処理装置は、石英が使用されて上端が閉塞した円筒形状に形成されてウエハが搬入される処理室を形成するプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されたヒータと、処理室内の温度の均一化および汚染低減のためにプロセスチューブとヒータとの間に敷設された均熱チューブ（均熱管）と、複数枚のウエハを互いに中心を揃えて整列させた状態で保持し処理室に対して搬入搬出するボートとを備えており、処理室内に炉口から搬入されたボート上のウエハ群をヒータによって加熱することにより、ウエハ群に熱処理を一括して施すように構成されている。例えば、特許文献１参照。
【特許文献１】特開２００４−１４５４３号公報
【０００３】
従来のホットウオール形熱処理装置のボートは、上下で一対の端板と、上下の両端板の間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材とを備えており、複数本の保持部材には多数の保持溝が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。そして、ウエハの周辺部が複数本の保持部材の保持溝間に周辺部を挿入されることにより、複数枚のウエハがボートに水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列されて保持されるようになっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のホットウオール形熱処理装置においては、ボートのウエハとの接触面積が少ないために、ウエハの自重や熱変形等により、ウエハの裏面に傷が発生し、その傷がスリップの原因になるという問題点がある。
【０００５】
本発明の目的は、スリップの原因になる基板の傷の発生を防止することができる半導体製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体製造装置は、複数枚の基板を収容して処理する処理室を形成したプロセスチューブと、前記プロセスチューブの外側に設置されて前記処理室を加熱するヒータユニットと、前記複数枚の基板を多段に保持して前記処理室に搬入するボートとを備えており、
前記ボートは、垂直に立脚される筒体と、この筒体に水平に切設されて前記基板が一枚ずつ挿入される複数段の挿入溝と、これら挿入溝によってそれぞれ形成された複数段の支持部と、前記筒体に前記複数段の支持部にわたって延在するように開設されたツィーザ挿入口と、前記筒体の外周部に前記挿入溝に貫通するように形成された窓部と、を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
前記した手段によれば、基板を支持する支持部の接触面積が大きくなるので、基板の自重や熱変形等による基板のボートとの接触部位における傷の発生を防止することができる。したがって、その傷が原因になる基板のスリップの発生等の二次的弊害の発生を未然に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、図１および図２に示されているように、本発明に係る半導体製造装置は、ＩＣの製造方法のフロントエンドにおけるアニール工程を実施するバッチ式の縦形装置であるホットウオール形アニール装置（以下、アニール装置という。）１０として構成されている。
【００１０】
図１および図２に示されたアニール装置１０は、略立方体の気密室を形成する箱形状に構築された筐体１１を備えており、筐体１１の気密室はボートが処理室への搬入搬出に対して待機する待機室１２を構成している。筐体１１の正面壁にはウエハ搬入搬出口１３が開設されており、ウエハ搬入搬出口１３はゲートバルブ１４によって開閉されるようになっている。
【００１１】
待機室１２の天井壁にはボート搬入搬出口１５が開設されており、待機室１２の天井壁の上には、ヒータユニット１６がボート搬入搬出口１５を被覆するように垂直に設置されている。ヒータユニット１６はステンレス鋼板等によって形成されたケース１７と、断熱材によって円筒形状に形成されてケース１７内に据え付けられた断熱槽１８と、電気抵抗発熱体等によって形成されて断熱槽１８の内周面に敷設されたヒータ１９とを備えている。ヒータ１９は温度コントローラによってシーケンス制御およびフィードバック制御されるように構成されている。
【００１２】
ヒータ１９の内側には均熱チューブ２０が同心円に配されて筐体１１の上に垂直に立脚されており、均熱チューブ２０の内側にはプロセスチューブ２１が同心円に配置されている。均熱チューブ２０は炭化シリコン（ＳｉＣ）または石英（ＳｉＯ2 ）が使用されて、外径がヒータ１９の内径よりも小さく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、プロセスチューブ２１にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。プロセスチューブ２１はボート搬入搬出口１５に同心円に配置されて、筐体１１の待機室１２の天井壁に支持されており、プロセスチューブ２１の下端部と均熱チューブ２０の下端部との間は気密封止されている。
【００１３】
プロセスチューブ２１は石英ガラスが使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。プロセスチューブ２１の筒中空部は、ボートによって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室２２を形成しており、プロセスチューブ２１の下端開口はウエハを出し入れするための炉口２３を構成している。プロセスチューブ２１の内径は取り扱うウエハの最大外径（例えば、三百ｍｍ）よりも大きくなるように設定されている。ボートが処理室２２から搬出されている時には、炉口２３はシャッタ２４によって閉塞されるようになっている。
【００１４】
プロセスチューブ２１の下端部には排気管２５が接続されており、排気管２５は排気装置（図示せず）に接続されて処理室２２を排気し得るようになっている。
プロセスチューブ２１の天井壁には複数個のガス噴出口２６が開設されており、天井壁の上にはバッファ室２７を画成する囲い壁２８が、ガス噴出口２６を被覆するように形成されている。プロセスチューブ２１の外側にはガス導入管２９がプロセスチューブ２１の側面に沿って垂直に敷設されており、ガス導入管２９の上端はプロセスチューブ２１のバッファ室２７に連通するように接続されている。ガス導入管２９の下端にはアニールガスやパージガス等を供給するためのガス供給装置３０が接続されている。
そして、ガス導入管２９からバッファ室２７に導入されたガスはバッファ室２７において拡散し、複数個のガス噴出口２６から処理室２２へシャワー状に吹き出すようになっている。ガス噴出口２６群から処理室２２の上端部に導入されたガスは、プロセスチューブ２１の処理室２２を流下して排気管２５によって排気される。
【００１５】
待機室１２のウエハ搬入搬出口１３の後方には、ウエハ移載装置（wafer transfer equipment )３１が設置されている。ウエハ移載装置３１は複数枚または一枚のウエハ１をウエハ搬入搬出口１３から搬入して、ボートに移載するように構成されている。
【００１６】
待機室１２には送りねじ軸装置によって構成されたボートエレベータ３３が設置されている。すなわち、ボートエレベータ３３は待機室１２に垂直に立脚されて回転自在に支承された送りねじ軸３４と、待機室１２の外部に設置されて送りねじ軸３４を回転駆動するモータ３５と、送りねじ軸３４に噛合されて送りねじ軸３４の回転に伴って昇降する昇降台３６と、昇降台３６に水平に突設された支持アーム３７とを備えている。
支持アーム３７の先端部には炉口２３を閉塞するシールキャップ３９がベース３８を介して水平に支持されている。シールキャップ３９はプロセスチューブ２１の外径と略等しい円盤形状に構築されている。
シールキャップ３９の中心線上には、円筒形状に形成されたボート４１が垂直に立脚されて、断熱キャップ４０を介して支持されるようになっている。断熱キャップ４０はボート４１をシールキャップ３９から持ち上げることにより、ボート４１を温度制御が不安定な炉口２３の付近から離間させるようになっている。
【００１７】
図１および図２に示されているように、ボート４１は複数個の筒体４２を積み重ねられて構築されている。図３および図４に示されているように、筒体４２はシリコン（Ｓｉ）含浸炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて、上下両端が開口した円筒形状に形成されている。シリコン含浸炭化シリコン製の筒体４２は、炭化シリコン粉を焼き固めた円筒体が高温で融解したシリコンに浸されることにより、製造されている。
図６に示されているように、筒体４２の外径Ｄｏはウエハ１の外径ｄよりも若干大きめに、筒体４２の内径Ｄｉはウエハ１の外径ｄよりも若干小さめに設定されている。
【００１８】
図３〜図５に示されているように、筒体４２には垂直に立脚された状態においてウエハ１が一枚宛挿入される挿入溝４３が複数段、長さ方向に等間隔に配されて水平に切設されている。
挿入溝４３の溝幅ａ（図５参照）は、ツィーザ３２による挿入溝４３へのウエハ１の挿入作動を安全に実施することができる最小値に設定されている。例えば、挿入溝４３の溝幅ａは、ウエハ１の厚さ（例えば、５００μｍ）の五倍程度（例えば、２．５ｍｍ程度）に設定されている。
ウエハ１の外径ｄ（図６参照）と略等しい回転刃物を筒体４２のボート４１の正面側から切り込まれることにより、挿入溝４３は筒体４２に切設される。このため、図６に示されているように、挿入溝４３の内径Ｄｓの値は回転刃物すなわちウエハ１の外径ｄよりも若干だけ大きくなっており、挿入溝４３のボート４１の正面側の部分には、間口寸法が回転刃物すなわちウエハ１の外径ｄよりも若干だけ大きい挿入口４４が開設された状態になっている。
【００１９】
これら挿入溝４３の下側の切り残しの実体部によって、ウエハ１を水平に支持する支持部４５がそれぞれ形成されている。すなわち、図６に示されているように、支持部４５は内径が筒体４２の内径Ｄｉであり、外径が挿入溝４３の内径Ｄｓである円形リング形状に形成されており、ウエハ１の下面の周辺部に略全周（後記する挿入口を除く）にわたって接触することにより、ウエハ１の荷重を全周にわたって略均等に支持するようになっている。
支持部４５の厚さｂ（図５参照）は、支持部４５がアニール時に熱変形を生ずることなくウエハ１を支持可能な機械的強度を発揮する最小値に設定することが望ましい。例えば、支持部４５の厚さｂは、ウエハ１の厚さ（例えば、５００μｍ）の三倍程度（例えば、１．５ｍｍ程度）に設定されている。
【００２０】
筒体４２の挿入口４４側（以下、前側とする。）の部位には、前側ツィーザ挿入口４６が全ての支持部４５の前側の一部分を切り欠くように縦に長く開設されている。前側ツィーザ挿入口４６の間口Ｗｆの寸法は、ツィーザ３２の基端部の横幅よりも若干だけ大きめに設定されている。
筒体４２の挿入口４４と反対側である後側の部位には、後側ツィーザ挿入口４７が全ての支持部４５の後側の一部分を切り欠くように縦に長く開設されている。後側ツィーザ挿入口４７の間口Ｗｂの寸法は、ツィーザ３２の先端部の横幅よりも若干だけ大きめに設定されている。
ところで、発明者の実験にすると、支持部４５がウエハ１をウエハ１の全周の６０％以上において支持することにより、スリップの原因となる傷の発生を確実に防止可能なことが、究明された。
したがって、前側ツィーザ挿入口４６の間口Ｗｆの寸法と後側ツィーザ挿入口４７の間口Ｗｂの寸法とは、支持部４５の実体部分の全周値がウエハ１の全周の６０％未満にならないように、設定することが望ましい。
【００２１】
筒体４２の後側半分には六個の窓部４８が、周方向に間隔を置いてそれぞれ縦に長い長円形状（小判形状）に形成されている。窓部４８の長さは筒体４２の長さよりも小さく設定されており、筒体４２の窓部４８の上下の両脇には上下で一対の連結部４９、４９がそれぞれ形成されている。窓部４８の上下両端部が半円形状にそれぞれ形成されることにより、上下の連結部４９、４９の応力集中の発生が防止されている。
【００２２】
窓部４８の深さは挿入溝４３に貫通し、かつ、支持部４５を減少させないように設定されている。窓部４８が挿入溝４３に貫通していることにより、筒体４２の内外は窓部４８によって連通された状態になっている。したがって、上下の支持部４５、４５にそれぞれ支持された上下のウエハ１、１の間を流れるガスは、窓部４８を通って抜け易くなるために、流通するガスによるウエハ１の面内における処理の均一性を高めることができる。
また、窓部４８は筒体４２の所謂肉盗みとなるために、筒体４２の熱容量を減少させている。筒体４２の熱容量が減少されることにより、支持部４５によって支持されたウエハ１の周方向における温度追従性が向上するために、ウエハ１の面内温度分布の均一性を向上させることができる。
【００２３】
筒体４２の前後のツィーザ挿入口４６、４７および隣合う窓部４８同士の間には、複数本の柱部５０が周方向に間隔を置いてそれぞれ相対的に形成されている。柱部５０は上段の支持部４５と下段の支持部４５とを連結する連結部を構成している。
柱部５０の周方向の寸法（横幅）は、筒体４２の熱容量および窓部４８でのガスの流れと、筒体４２の機械的強度との関係を考慮して設定することが望ましい。
【００２４】
次に、以上の構成に係るボートの製造方法を、図７に示されている工程図に基づいて説明する。
なお、便宜上、ボート４１が単一の筒体４２によって構成されている場合について説明する。
【００２５】
筒体焼結工程Ｋ１においては、シリコン含浸炭化シリコン製の筒体４２の素材である円筒焼結体５１（図８参照）が、炭化シリコン粉が突き固められた後に焼き固められて形成される。
【００２６】
ツィーザ挿入口形成工程Ｋ２においては、円筒焼結体５１に前側ツィーザ挿入口４６および後側ツィーザ挿入口４７がそれぞれ切削加工によって開設される。
【００２７】
窓部形成工程Ｋ３においては、図８に示されているように、円筒焼結体５１に窓部４８が、切削刃物５２が長手方向に移動されることによって形成される。複数の窓部４８は円筒焼結体５１を周方向に回動されることにより、順次形成される。
これにより、円筒焼結体５１には複数の柱部５０が相対的に形成された状態になる。
【００２８】
シリコン含浸工程Ｋ４においては、前側ツィーザ挿入口４６と後側ツィーザ挿入口４７および複数の窓部４８が形成された円筒焼結体５１が、高温で融解したシリコンに浸される。
【００２９】
挿入溝形成工程Ｋ５においては、ダイヤモンドカッタ等の回転する研削刃物がシリコン含浸円筒焼結体５１に前側ツィーザ挿入口４６の部分から切り込まれることにより、複数本の挿入溝４３が順次に形成される。各挿入溝４３の形成により、挿入口４４および支持部４５が相対的に形成された状態になる。
【００３０】
ところで、円筒焼結体にシリコンを含浸させると、固くなる（硬度が大きくなる）ので、研削加工による挿入溝形成工程Ｋ５もシリコン含浸工程Ｋ４の前に実施したい。しかし、挿入溝４３の研削加工の場合には、削り出される支持部４５が薄くなるので、固くなる前に研削加工すると、支持部４５が破損する心配がある。したがって、挿入溝形成工程Ｋ５はシリコン含浸工程Ｋ４の後に実施される。
また、支持部４５を破損することなく挿入溝４３をシリコン含浸円筒焼結体に研削加工することができたとしても、その後にシリコンを含浸させると、含浸したシリコンが切り口から吹き出す現象が起こり、吹き出したシリコンによって挿入溝４３が埋まってしまうために、再度、研削加工を実施することにより、挿入溝４３を適正に形成する必要が発生してしまう。すなわち、挿入溝４３を研削加工する作業が、二度手間になるという問題点がある。
つまり、挿入溝形成工程Ｋ５をシリコン含浸工程Ｋ４の後に実施することにより、この問題点を未然に回避することができる。
【００３１】
次に、前記構成に係るアニール装置を使用してエピタキシャルウエハの代用品としての無欠陥層（ＤＺ）ウエハ（以下、ＤＺウエハという。）を製造するアニール工程について、図９に即して説明する。
【００３２】
予め、ティーチングステップにおいて、ウエハ移載装置３１のツィーザ３２がウエハ１をボート４１の支持部４５に移載するための位置が、教示（ティーチング）される。
この際、ツィーザ３２が挿入される前側ツィーザ挿入口４６の真後ろに後側ツィーザ挿入口４７が開設されていることにより、ボート４１の内側空間を後側ツィーザ挿入口４７を通して目視することができるので、ツィーザ３２の位置の教示を正確かつ簡単に実施することができる。
【００３３】
図１に示されているように、これからアニール処理すべき複数枚のウエハ１は、ウエハ移載装置３１のツィーザ３２によって掬い取られて、待機室１２において待機しているボート４１の挿入溝４３に挿入口４４から挿入され、支持部４５に移載される。
この際、プロセスチューブ２１の炉口２３はシャッタ２４によって閉塞されているため、処理室２２の熱気が待機室１２に侵入することはない。
【００３４】
所定の枚数が装填されると、図９に示されたボートローディングステップにおいて、ボート４１はボートエレベータ３３によって差し上げられてプロセスチューブ２１の炉口２３から処理室２２に搬入（ボートローディング）される。
図２に示されているように、ボート４１が処理室２２に完全に搬入されると、炉口２３がシールキャップ３９によって気密封止される。この状態で、ボート４１は処理室２２に存置される。
図９に示されているように、昇温ステップが開始するまでは、処理室２２の温度は予め設定されたスタンバイ温度である６００℃に維持されている。
【００３５】
図９に示されているように、炉口２３がシールキャップ３９によって気密封止されると、アニールガスとしてのアルゴン（Ａｒ）ガスがガス供給装置３０からガス導入管２９やバッファ室２７およびガス噴出口２６を経由して処理室２２に供給される。
この際、ガス導入管２９からバッファ室２７に導入されたガスはバッファ室２７において拡散し、複数個のガス噴出口２６から処理室２２へシャワー状に吹き出す。
ガス噴出口２６群から処理室２２の上端部に導入されたガスは、プロセスチューブ２１の処理室２２を流下して排気管２５によって排気される。
【００３６】
ボート４１が処理室２２に存置されると、処理室２２はヒータ１９によって加熱されることにより、図９に示された昇温ステップの温度シーケンスをもって昇温されて行く。
この際、ヒータ１９のシーケンス制御の目標温度と処理室２２の実際の上昇温度との誤差はフィードバック制御によって補正される。
【００３７】
図９に示されているように、処理室２２の温度がアニール処理の適当な温度として予め設定された高温処理ステップの１２００℃に達すると、処理室２２の温度は１２００℃の一定温度に維持される。
【００３８】
この際、窓部４８によって筒体４２の熱容量が減少されていることにより、支持部４５によって支持されたウエハ１の周方向における温度追従性が向上するために、ウエハ１の面内温度分布の均一性を向上させることができる。したがって、ウエハ１の面内温度分布の均一性に依存するアニールのウエハ１の面内における均一性を高めることができる。
【００３９】
また、ボート４１に窓部４８が開設されていることにより、ボート４１の上下の支持部４５、４５にそれぞれ支持された上下のウエハ１、１の間をガスが通り抜け易くなっているので、処理室２２に供給されたアニールガスはウエハ１の全面に均一に接触する状態になる。したがって、ウエハ１に全面に均一に接触するアニールガスによるウエハ１の面内における処理の均一性を高めることができる。
【００４０】
図９に示されているように、予め設定された高温処理ステップの処理時間である１２０分が経過すると、処理室２２の温度は図９に示された降温ステップの温度シーケンスをもって降温されて行く。
【００４１】
処理室２２の温度が予め設定されたスタンバイ温度である６００℃になると、一定に維持される。
処理室２２の温度がスタンバイ温度になると、ボートアンローディングステップにおいて、シールキャップ３９がボートエレベータ３３によって下降されて炉口２３が開口されるとともに、ボート４１に保持された状態で処理済みのウエハ１群が処理室２２から待機室１２に搬出される。
図１に示されているように、ボート４１が待機室１２に搬出されると、処理室２２の炉口２３はシャッタ２４によって閉塞される。
また、処理済みのウエハ１がボート４１からウエハ移載装置３１によって脱装（ディスチャージング）される。
【００４２】
本実施の形態によれば、次の効果を得ることができる。
【００４３】
1)  筒体にウエハが挿入される挿入溝を形成して、ウエハを下から支持する支持部を相対的に形成することにより、支持部のウエハとの接触面積を大きく設定することができるので、ウエハのボートとの接触部位におけるウエハの自重や熱変形等による傷の発生を防止することができる。したがって、その傷が原因になるウエハのスリップの発生等の二次的弊害の発生を未然に防止することができる。
【００４４】
2)  ウエハホルダを使用せずにウエハのスリップの発生を防止することができるので、ウエハホルダを使用した場合の弊害を回避することができる。
すなわち、ウエハとの接触面積が大きいウエハホルダを介してウエハをボートに保持することにより、スリップの発生を防止することができるが、この場合には、次のような問題点がある。ボートの挿入溝の溝幅がウエハホルダの厚さの分だけ大きくなるために、ボートのウエハの総装填枚数が減少する。ウエハホルダの分だけ部品点数が増加するために、イニシャルコストやランニングコストが増加する。
【００４５】
3)  ウエハが一枚宛挿入される挿入溝の溝幅を、ウエハのツィーザによる挿入溝への挿入作動を安全に実施可能な最小値に設定することにより、ボートのウエハの総装填枚数を増加することができるので、アニール装置のスループットを向上させることができる。
【００４６】
4)  ウエハを支持する支持部の厚さを、支持部がアニール時に熱変形を生ずることなくウエハを支持することができる機械的強度を発揮する最小値に設定することにより、ボートのウエハの総装填枚数を増加することができるので、アニール装置のスループットを向上させることができる。
【００４７】
5)  前側ツィーザ挿入口の間口の寸法と後側ツィーザ挿入口の間口の寸法を、支持部の実体部分の全周値がウエハの全周の６０％未満にならないように設定することにより、ウエハにおいて傷が発生するのを確実に防止することができる。
【００４８】
6)  窓部の上下両端部を半円形状にそれぞれ形成することにより、ボートの上下両端部における上下の連結部での集中応力の発生を防止することができるので、ボートの機械的強度を高めることができる。
【００４９】
7)  ボートに窓部を開設することにより、上下の支持部にそれぞれ支持された上下のウエハの間を流れるガスが窓部を通って抜け易くなるために、流通するガスによるウエハの面内における処理の均一性を高めることができる。
【００５０】
8)  ボートに窓部を開設することにより、ボートの熱容量を減少させることができるので、支持部によって支持したウエハの周方向における温度追従性を向上させることができ、ウエハの面内温度分布の均一性を向上させることができる。
【００５１】
9)  ボートをシリコン含浸炭化シリコンによって形成することにより、ウエハを汚染せずに高温下で支持することができるボートを比較的に安価に製造することができる。
【００５２】
10）挿入溝形成工程をシリコン含浸工程の後に実施することにより、支持部を破損することなく挿入溝をシリコン含浸円筒焼結体に研削加工することができ、また、含浸したシリコンが切り口から吹き出す現象が起こるのを未然に回避することができるので、ボートへの挿入溝および支持部の形成工程を簡略化することができる。その結果、ボートの生産性を高めることができる。
【００５３】
11）ツィーザが挿入される前側ツィーザ挿入口の真後ろに後側ツィーザ挿入口を開設することにより、ボートの内側空間を後側ツィーザ挿入口を通して目視することができるので、ツィーザの位置の教示を正確かつ簡単に実施することができる。
【００５４】
本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００５５】
例えば、筒体はシリコン含浸炭化シリコンを使用して形成するに限らず、炭化シリコンやシリコン等を使用して形成してもよいし、炭化シリコンによって形成した筒体に炭化シリコンを使用してＣＶＤ膜をコーティングしてもよい。
【００５６】
アニールガスとしては、アルゴンガスを使用するに限らず、水素ガスやヘリウムガス、ネオンガス等を使用してもよい。
【００５７】
ＤＺウエハを製造するのに使用するに限らず、ＳＯＩ（silicon on insulator）ウエハを製造するのに使用してもよい。
また、イオン打ち込み工程後のキャリア活性化のためのアニール、電気配線工程における平坦化のためのリフロー等に使用してもよい。
【００５８】
本発明は、バッチ式縦形ホットウオール形アニール装置に限らず、バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置、拡散装置、酸化装置等の半導体製造装置全般に適用することができる。
さらには、ウエハの処理に限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、ＳＯＧ（システム・オン・ガラス）、光ディスクおよび磁気デスク等の処理にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施の形態であるアニール装置のボートローディング前を示す側面断面図である。
【図２】ボートローディング後を示す側面断面図である。
【図３】ボートの主要部を正面側から見た斜視図である。
【図４】同じく背面側から見た斜視図である。
【図５】その側面図である。
【図６】その平面断面図である。
【図７】筒体の製造方法を示す工程図である。
【図８】窓部形成工程を示しており、（ａ）は側面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【図９】アニール工程の温度シーケンスを示すグラフである。
【符号の説明】
【００６０】
１…ウエハ（基板）、１０…ホットウオール形アニール装置（半導体製造装置）、１１…筐体、１２…待機室、１３…ウエハ搬入搬出口、１４…ゲートバルブ、１５…ボート搬入搬出口、１６…ヒータユニット、１７…ケース、１８…断熱槽、１９…ヒータ、２０…均熱チューブ、２１…プロセスチューブ、２２…処理室、２３…炉口、２４…シャッタ、２５…排気管、２６…ガス噴出口、２７…バッファ室、２８…囲い壁、２９…ガス導入管、３０…ガス供給装置、３１…ウエハ移載装置、３２…ツィーザ、３３…ボートエレベータ、３４…送りねじ軸、３５…モータ、３６…昇降台、３７…支持アーム、３８…ベース、３９…シールキャップ、４０…断熱キャップ、４１…ボート、４２…筒体、４３…挿入溝、４４…挿入口、４５…支持部、４６…前側ツィーザ挿入口、４７…後側ツィーザ挿入口、４８…窓部、４９…連結部、５０…柱部、５１…円筒焼結体、５２…切削刃物。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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