(57)【要約】【課題】本発明は、非晶質シリコーン層の界面に結晶化を誘導する第１金属の濃度を非常に低くでき、第１金属の濃度及び金属触媒層の厚さについて、均一で安定的な制御が可能な薄膜トランジスタ製造方法を提供する。【解決手段】本発明は第１金属と第１金属より原子量が大きい金属とが所定の組成比を有するように形成されたスパッタリング用ターゲットを利用して非晶質シリコーン層及びキャッピング層が形成された基板上に金属触媒層を形成し、基板を熱処理して非晶質シリコーン層を多結晶シリコーン層に結晶化する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を準備することと、
前記基板上に非晶質シリコーン層及びキャッピング層を形成することと、
前記キャッピング層上に第１金属と前記第１金属より原子量が大きい第２金属との合金で構成されたターゲットを利用して金属触媒層を形成することと、
前記基板を熱処理して前記非晶質シリコーン層を多結晶シリコーン層に結晶化することと、
前記多結晶シリコーン層をパターニングして半導体層を形成することと、
前記半導体層が形成された基板上にゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜及びソース／ドレイン電極を形成することと、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項２】
前記金属触媒層は前記第１金属を１０９ないし１０１５（原子数／ｃｍ２）の面密度で含んでいることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項３】
前記金属触媒層は前記第１金属を１０１３ないし１０１５（原子数／ｃｍ２）の面密度で含んでいることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項４】
前記金属触媒層は２ないし１０００Åの厚さで形成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項５】
前記熱処理工程は第１熱処理工程及び第２熱処理工程で構成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項６】
前記第１熱処理工程は２００ないし８００℃の温度範囲で熱処理する工程であって、前記第２熱処理工程は４００ないし１３００℃の温度範囲で熱処理する工程であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項７】
前記第１熱処理工程は前記第１金属を非晶質シリコーン層の表面に拡散させる熱処理工程であって、前記第２熱処理工程は非晶質シリコーン層の表面に拡散された金属触媒により非晶質シリコーン層が多結晶シリコーン層を結晶化する熱処理工程であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項８】
前記熱処理工程時では、金属触媒層の第１金属の拡散速度は第２金属の拡散速度より速いことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項９】
前記第１金属はＮｉ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、ＣｄまたはＰｔのうちいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項１０】
前記第１金属はニッケルであって、前記第２金属はモリブデンまたはタングステンであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項１１】
前記ターゲットは、前記第１金属が０．１ないし５０ａｔ％の組成比で構成されて、残りは第２金属であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項１２】
前記ターゲットは、前記第１金属が１ないし２ａｔ％の組成比で構成されて、残りは第２金属であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ製造方法に係り、さらに詳細には第１金属と第１金属より原子量が大きい金属が所定の組成比を有するように形成されたスパッタリング用ターゲットを利用して非晶質シリコーン層及びキャッピング層が形成された基板上に金属触媒層を形成して、基板を熱処理して非晶質シリコーン層を多結晶シリコーン層に結晶化することによって、第１金属の濃度が従来に比べて２ないし１０００倍程度の範囲内で容易に調節され、第１金属の濃度について、均一で、安定的な制御が可能であって、多結晶シリコーン層の結晶粒大きさ及び均一度を向上させることができる薄膜トランジスタ製造方法に関する。なお、第１金属の濃度とは、ターゲットまたは金属触媒層に含まれる全ての金属原子の数と、第１金属原子の数との比である。第２金属についても同様である。
【背景技術】
【０００２】
平板型ディスプレー装置に使われる薄膜トランジスタは一般的にガラス、石英などの透明基板に非晶質（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）シリコーンを蒸着させて、非晶質シリコーンを脱水素処理した後、チャネルを形成するための不純物をイオン注入して、非晶質シリコーンを結晶化することで、半導体層を形成した後、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成して、イオン注入工程を進行してソース／ドレイン領域を形成した後、層間絶縁膜及びソース／ドレイン電極を形成することで、薄膜トランジスタを完成する。
【０００３】
非晶質シリコーンをポリシリコーンに結晶化する方法は固相結晶化法（Ｓｏｌｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、エキシマレーザー結晶化法（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、金属誘導結晶化法（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）及び金属誘導側面結晶化法（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）などがあるが、固相結晶化法は非晶質シリコーン層を薄膜トランジスタが使われるディスプレー素子の基板を形成する物質であるガラスの変形温度である約７００℃以下の温度で数時間ないし数十時間にかけてアニーリングする方法であって、エキシマレーザー結晶化法はエキシマレーザーをシリコーン層に走査して非常に短い時間の間局部的に高い温度で加熱して結晶化する方法であって、金属誘導結晶化法はニッケル、パラジウム、金、アルミニウムなどの金属を非晶質シリコーン層と接触させたり注入して金属により非晶質シリコーンがポリシリコーンを相変化が誘導される現象を利用する方法であって、金属誘導側面結晶化法は金属とシリコーンが反応して生成されたケイ化物が横方向に伝播されながら順にシリコーンの結晶化を誘導する方法を利用してシリコーン層を結晶化させる方法である。
【０００４】
しかし、固相結晶化法は基板を高温で長時間熱処理することによって、基板の変形が甚だしいという短所があって、エキシマレーザー結晶化法は高価の装置及び維持費が多いという短所があるだけでなく多結晶シリコーン層表面が粗いという短所があって、金属誘導結晶化法及び金属誘導側面結晶化法は多結晶シリコーン層に結晶化を誘導した金属物質が残留して半導体層に漏れ電流を増加させる短所があった。このような結晶化法の短所を解決するために非晶質シリコーン層上にキャッピング層を形成して、スパッタリング法で非常に薄い金属触媒層を形成した後、熱処理して結晶化する結晶化法（大韓民国公開特許公報第２００３−００６０４０３号）が研究されたが、金属触媒層を非常に薄く、すなわち、非常に少ない面密度（原子数／ｃｍ２）で金属触媒層を形成しなければならない短所がある。
【特許文献１】大韓民国公開特許公報第２００３−００６０４０３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、本発明は従来技術の諸般短所と問題点を解決するためのものであって、所定の組成比を有する第１金属と第１金属より原子量が大きい金属との合金で形成されたスパッタリング用ターゲットで金属触媒層を形成して基板を熱処理することによって、非晶質シリコーン層の界面に結晶化を誘導する第１金属の濃度を非常に低くすることができ、第１金属の濃度について、均一で安定的な制御が可能であって、多結晶シリコーン層の結晶粒大きさ及び大きさ均一度を向上させるだけでなく残留する第１金属の量を最小化する薄膜トランジスタ製造方法を提供することに本発明の目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の目的は基板を準備することと、基板上に非晶質シリコーン層及びキャッピング層を形成することと、キャッピング層上に第１金属と第１金属より原子量が大きい第２金属との合金で構成されたターゲットを利用して金属触媒層を形成することと、基板を熱処理して非晶質シリコーン層を多結晶シリコーン層に結晶化することと、多結晶シリコーン層をパターニングして半導体層を形成することと、半導体層が形成された基板上にゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜及びソース／ドレイン電極を形成することと、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ製造方法により達成される。
【０００７】
また、本発明の目的は第１金属はニッケルであって、第２金属はモリブデンまたはタングステンであることを特徴とする薄膜トランジスタ製造方法によっても達成される。
【０００８】
また、本発明の目的は、ターゲット内の第１金属が１ないし２ａｔ％の組成比で構成されて、残りは第２金属であることを特徴とする薄膜トランジスタ製造方法によっても達成される。
【０００９】
また、本発明の目的は、ターゲット内の第１金属が０．１ないし５０ａｔ％の組成比で構成されて、残りは第２金属であることを特徴とする薄膜トランジスタ製造方法によっても達成される。
【発明の効果】
【００１０】
したがって、本発明の薄膜トランジスタ製造方法は第１金属と第１金属より原子量が大きい金属である第２金属とを合金化したスパッタリングターゲットで金属触媒層を形成することによって、金属触媒層内の第１金属の濃度をスパッタリング用ターゲットで制御が可能であり従来より２ないし１０００倍程度の範囲内で、第１金属の濃度が容易に調節され、これにより金属触媒層を厚く形成することができ、第１金属の濃度や金属触媒層の厚さについて、均一で安定的な制御が容易であり、多結晶シリコーン層の結晶粒大きさ及び大きさ均一度を大幅に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の目的と技術的構成及びそれによる作用効果に関する詳細な事項は本発明の望ましい実施形態を図示している図面を参照した以下詳細な説明によってさらに明確に理解される。
【００１２】
図１は基板上にバッファー層、非晶質シリコーン層及びキャッピング層を形成する工程の断面図である。図で見るようにガラスまたはプラスチックのような透明な基板１０１上にシリコーン酸化膜またはシリコーン窒化膜を化学的気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）または物理的気相蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を利用して単層または複層で形成することで、バッファー層（ｂｕｆｆｅｒ  ｌａｙｅｒ）１０２を形成する。この時、バッファー層１０２は下部基板で発生する水分または不純物の拡散を防止したり、結晶化時に、熱の伝達の速度を調節することによって、半導体層の結晶化がよく進むことができるようにする。
【００１３】
続いて、バッファー層１０２上に非晶質シリコーン層１０３を化学的気相蒸着法または物理的気相蒸着法を利用して形成する。この時、非晶質シリコーン層１０３は水素のようなガスを含んでおり、このような非晶質シリコーン層１０３内に含まれたガスは結晶化工程時に、シリコーン層がひびわれる現象を誘発し、結晶化以後では、このひび割れが多結晶シリコーン層の電子移動度（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｏｂｉｌｉｔｙ）を減少させるので、脱水素処理工程を進行しなければならない。そこで、一般的に炉（Ｆｕｒｎａｃｅ）で数十分ないし数時間の間約４００℃以上の温度で熱処理して脱水素処理を実行する。
【００１４】
続いて、非晶質シリコーン層１０３上にシリコーン窒化膜またはシリコーン酸化膜のような絶縁膜を単層または複層で形成することで、キャッピング層（ｃａｐｐｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１０４を形成する。この時、キャッピング層１０４は以後の工程で形成された金属触媒層の金属触媒を非晶質シリコーン層１０３の界面に拡散または浸透させる時、選択的に拡散または浸透を起こすようにする役割をする。すなわち、原子量が少ない第１金属はキャッピング層１０４内で拡散速度が大きく、非晶質シリコーン層１０３の界面に移動するが、原子量が大きい異種金属はキャッピング層１０４内で拡散速度が小さく、非晶質シリコーン層１０３の界面に到達できない。
【００１５】
図２はキャッピング層１０４上に第１金属と第１金属より原子量が大きい金属である第２金属との合金で構成されたターゲットを利用してスパッタリング法で金属触媒層を形成する工程の断面図である。図で見るように第１金属と第１金属より原子量が大きい金属である第２金属とが所定の組成比で合金化されたターゲット１０５を利用してスパッタリング法により第１金属が１０９ないし１０１５（原子数／ｃｍ２）の面密度で、望ましくは１０１３ないし１０１５（原子数／ｃｍ２）の面密度で含まれるように金属触媒層１０７を形成する。符号１０６は、金属原子の流れを示す。この時、第１金属の面密度はターゲットの第１金属の組成比を制御したり、金属触媒層の厚さを制御することによって変更可能である。例えば、ターゲットの第１金属の組成比を低くしたり、金属触媒層の厚さを低くすることで、減少する。
【００１６】
この時、第１金属はＮｉ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、ＣｄまたはＰｔのうちいずれか一つを利用する。また、ターゲットは第１金属の量が０．１ないし５０ａｔ％の組成比で形成して、残りは第２金属で形成されている。望ましくは第１金属の量が１ないし２ａｔ％の組成比で形成する。これは、第１金属が合金ターゲット内で均一に分布するようにして形成することができ、容易に実現可能な最小組成比であるためである。
【００１７】
この時、第２金属は第１金属より原子量が大きい金属である。例えば、第１金属がニッケル（Ｎｉ）（原子番号は２８であって、原子量は５３．７０である）である場合、ニッケルより原子量が大きい金属、すなわち、原子周期律表上で銅以後のすべての金属は第２金属で利用することができる。この時、第１金属がニッケルである場合には第２金属をモリブデン（Ｍｏ）（原子番号は４２であって、原子量は９５．９４である）またはタングステン（Ｗ）（原子番号は７４であって、原子量は１８３．８４である）で合金を製造することが望ましいが、これはモリブデンとタングステンがニッケルより約２倍ないし３倍以上原子量が大きくてキャッピング層１０４内での拡散速度がニッケルより２倍ないし３倍以上遅いためである。（これはキャッピング層１０４内での拡散速度が原子量の逆数に比例するためである。）
従来の第１金属ターゲットを利用して１０１３ないし１０１５（原子数／ｃｍ２）の面密度を有する金属触媒層を形成する時には約１Åの厚さで形成しなければならず、これをスパッタリング法で形成するのは非常に難しかった。しかし本願発明の０．１ないし５０ａｔ％の組成比を有する第１金属を含む合金ターゲットで形成する場合には１０１３ないし１０１５（原子数／ｃｍ２）の面密度を有する金属触媒層を２ないし１０００Åの厚さで形成することができる。すなわち、低濃度の第１金属を含有する金属触媒層を形成することができるので金属触媒層を厚く形成することができる。言い換えれば、金属触媒層における第１金属の濃度が従来よりも小さいので、第１金属の面密度が従来と同じであっても、金属触媒層の厚さが従来よりも大きくなる。したがって、従来よりも容易に金属触媒層が形成される。
【００１８】
金属触媒層の第１金属を１０１３ないし１０１５（原子数／ｃｍ２）の面密度で制御したり、第１金属だけで成り立った金属触媒層を約１Åの厚さで形成する理由は図５Ａないし図５Ｄで見るように金属触媒層の面密度または量により非晶質シリコーン層１０３の結晶化が多くの影響を受けるからである。すなわち、第１金属だけで成り立った金属触媒層が０．５Å以下の厚さで形成される場合図５Ａで見るように非晶質シリコーン層１５０ａがほとんどそのまま存在して、多結晶シリコーン層１５０ｂで結晶化される領域が少なく、不均一な反面、約１Åの厚さで制御する場合には図５Ｂで見るように非晶質シリコーン層１５１ａがそのまま存在する領域が非常に少なく、多結晶シリコーン層１５１ｂで結晶化された領域が大部分であり、均一に形成される。約１．５Åの厚さで制御した場合（図５Ｃ）及び２．０Åの厚さで制御した場合（図５Ｄ）にはむしろ結晶化がよくできなかったり（１５２ａ、１５３ａ）、結晶化がなされても均一に結晶化されない（１５２ｂ、１５３ｂ）。符号１５２ａ、１５３ａは、非晶質シリコーン層を示し、符号１５２ｂ、１５３ｂは、多結晶シリコーン層を示す。
【００１９】
したがって、本願発明の第１金属が所定の組成比を有するターゲットを利用して金属触媒層を形成する場合、例えば第１金属であるニッケルが１％の組成比を有して、第２金属であるモリブデンまたはタングステンが９９％の組成比を有するように形成された合金ターゲットで金属触媒層を形成する場合には金属触媒層を約１００Åの厚さで形成しても従来の金属触媒層を１Åの厚さで形成した場合のように第１金属であるニッケルが１０１３ないし１０１５（原子数／ｃｍ２）の面密度で金属触媒層に含有するようになる。したがって、従来のターゲットを利用して金属触媒層を形成することより本願発明のターゲットを利用して金属触媒層を形成することの方が第１金属の濃度を２ないし１０００倍程度調節することが容易である（ターゲットの第１金属の組成比を０．１ないし５０％に制御可能であるので）。
【００２０】
図３は基板を熱処理して非晶質シリコーン層１０３を多結晶シリコーン層に結晶化する工程の断面図である。図で見るようにバッファー層１０２、非晶質シリコーン層１０３、キャッピング層１０４及び金属触媒層が形成された基板を熱処理して非晶質シリコーン層１０３を多結晶シリコーン層１０９に結晶化する。この時、熱処理工程は２回の熱処理工程で進行するようになる。第１熱処理工程は２００ないし８００℃の温度範囲で熱処理する工程であって、第２熱処理工程は６００ないし１３００℃の温度範囲で熱処理する工程である。符号１０８は、熱の移動方向を示す。
【００２１】
第１熱処理工程は金属触媒層内の第１金属１１０ａを非晶質シリコーン層１０３の界面に移動させて非晶質シリコーン層１０３の結晶化を誘導するシード（ｓｅｅｄ）１１０ｂを形成する。もちろん、金属触媒層内の第２金属１１２ａも第１熱処理工程によりキャッピング層１０４内を拡散するが第２金属は第１金属より拡散速度が遅いため非晶質シリコーン層１０３の界面に移動できず、キャッピング層１０４内部に残存するようになる。ここで、符号１１１ａは、第１金属１１０ａの移動方向を示し、符号１１１ｂは、第２金属１１２ａの移動方向（拡散方向）を示し、符号１１２ｂは、キャッピング層１０４内に残存した第２金属を示す。
【００２２】
第２熱処理工程は第１熱処理工程により形成されたシードにより非晶質シリコーン層１０３が多結晶シリコーン層に結晶化される工程である。
【００２３】
図４は本発明により形成された多結晶シリコーン層を利用して薄膜トランジスタを製造する工程の断面図である。図で見るように熱処理工程により非晶質シリコーン層１０３を多結晶シリコーン層に結晶化した後、金属触媒層及びキャッピング層１０４を除去した後、多結晶シリコーン層をパターニングして半導体層１３１を形成する。
【００２４】
続いて、基板上にゲート絶縁膜１３２を化学的気相蒸着法または物理的気相蒸着法を利用してシリコーン酸化膜またはシリコーン窒化膜の単層または複層として形成する。
【００２５】
続いて、基板上にゲート電極形成物質を蒸着した後、パターニングしてゲート電極１３３を形成した後、シリコーン酸化膜またはシリコーン窒化膜の単層または複層で構成される層間絶縁膜１３４を形成する。
【００２６】
続いて、層間絶縁膜及びゲート絶縁膜の所定領域をエッチングして半導体層の所定領域を露出させるコンタクトホールを形成し、コンタクトホールに充填され、露出した半導体層の所定領域に接触するソース／ドレイン電極形成物質を形成する。
【００２７】
続いて、ソース／ドレイン電極形成物質をパターニングしてソース／ドレイン電極１３５を形成して薄膜トランジスタを完成する。
【００２８】
したがって、本発明の薄膜トランジスタ製造方法は、第１金属と第１金属より原子量が大きい金属である第２金属とを合金化したスパッタリングターゲットで金属触媒層１０７を形成することによって、金属触媒層１０７内の第１金属の濃度をスパッタリング用ターゲットで制御が可能であり従来より２ないし１０００倍程度の範囲内で、第１金属の濃度が容易に調節され、これにより金属触媒層を厚く形成することができる。したがって、金属触媒層を従来よりも容易に形成することができ、第１金属の濃度や金属触媒層の厚さについて、均一で安定的な制御が容易であり、多結晶シリコーン層の結晶粒大きさ及び大きさ均一度を大幅に向上させることができる。
【００２９】
本発明は以上でよく見たように望ましい実施形態を挙げて図示して説明したが、実施形態に限られなくて本発明の精神を外れない範囲内で該発明が属する技術分野で通常の知識を有する者により多様な変更と修正が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】基板上にバッファー層、非晶質シリコーン層及びキャッピング層を形成する工程の断面図。
【図２】キャッピング層上に第１金属と異種金属との合金で構成されたターゲットを利用してスパッタリング法で金属触媒層を形成する工程の断面図。
【図３】基板を熱処理して非晶質シリコーン層を多結晶シリコーン層に結晶化する工程の断面図。
【図４】本発明により形成された多結晶シリコーン層を利用して薄膜トランジスタを製造する工程の断面図。
【図５Ａ】第１金属だけで成り立った金属触媒層の厚さによる非晶質シリコーン層の結晶化程度を示す説明図。
【図５Ｂ】第１金属だけで成り立った金属触媒層の厚さによる非晶質シリコーン層の結晶化程度を示す説明図。
【図５Ｃ】第１金属だけで成り立った金属触媒層の厚さによる非晶質シリコーン層の結晶化程度を示す説明図。
【図５Ｄ】第１金属だけで成り立った金属触媒層の厚さによる非晶質シリコーン層の結晶化程度を示す説明図。
【符号の説明】
【００３１】
１０１：基板
１０２：バッファー層
１０３：非晶質シリコーン層
１０４：キャッピング層
１０５：所定比率の組成を有する金属触媒合金ターゲット
１０７：金属触媒層
１０８：熱処理工程
１０９：多結晶シリコーン層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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