(57)【要約】【課題】  ウエハカセットの摩耗によるウエハカセットからの発塵を防ぐ。【解決手段】  ウエハカセットをウエハを収容する筐体ＣＢと筐体ＣＢの下部に取り付けられた台座ＰＬＴとから形成し、台座ＰＬＴの表面にはフッ素系樹脂皮膜を形成し、さらにそのフッ素系樹脂皮膜の表面は無電解Ｎｉ膜で皮膜することによって耐摩耗性を向上し、ウエハカセットがスパッタリング装置のロードロックチャンバ内のステージ上に配置された際に、そのステージと耐摩耗性が向上した台座ＰＬＴとが接するようにする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハを収容する搬送用容器を用いて前記半導体ウエハを搬送し、１枚または複数枚の前記半導体ウエハに回路または素子を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記搬送用容器は、複数枚の前記半導体ウエハを収容する収容部と、前記収容部の下部に取り付けられた台座部とを有し、
前記台座部の表面は摩耗に対する耐性を有する表面保護膜によって皮膜されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体ウエハを収容する搬送用容器を用いて前記半導体ウエハを搬送し、１枚または複数枚の前記半導体ウエハに回路または素子を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記搬送用容器は、複数枚の前記半導体ウエハを収容する収容部と、前記収容部の下部に取り付けられた台座部とを有し、
前記台座部の表面は摩耗に対する耐性を有する表面保護膜によって皮膜され、
前記表面保護膜は、フッ素系樹脂膜の表面にニッケル膜を積層した積層膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体ウエハを収容する搬送用容器を用いて前記半導体ウエハを搬送し、１枚または複数枚の前記半導体ウエハに回路または素子を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記搬送用容器は、複数枚の前記半導体ウエハを収容する収容部と、前記収容部の下部に取り付けられた台座部とを有し、
前記台座部の表面は摩耗に対する耐性を有する表面保護膜によって皮膜され、
前記台座部の表面から前記表面保護膜が剥がれた際には、前記台座部を交換することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体ウエハを収容する搬送用容器を用いて前記半導体ウエハを搬送し、１枚または複数枚の前記半導体ウエハに回路または素子を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記搬送用容器は、複数枚の前記半導体ウエハを収容する収容部と、前記収容部の下部に取り付けられた台座部とを有し、
前記台座部の表面は摩耗に対する耐性を有する表面保護膜によって皮膜され、
前記台座部は、第１の期間毎に交換することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体ウエハの搬送技術に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、株式会社プレスジャーナル、平成８年１２月２０日発行の「月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｗｏｒｌｄ」、ｐ．１１７〜１２１（非特許文献１）には、半導体ウエハの搬送に用いられる種々のウエハカセットについて記載されている。
【非特許文献１】「月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｗｏｒｌｄ」、株式会社プレスジャーナル、平成８年１２月２０日、１９９７年１月号、第１６巻、第１号、ｐ．１１７〜１２１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体装置の製造工程において、半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）は、たとえばロット毎にウエハカセットなどの搬送用治具に収納されて各製造装置間を搬送される。本発明者は、スパッタリング装置のロードロックチャンバにて使用されるウエハカセットについて検討したところ、以下のような課題を見出した。
【０００４】
すなわち、本発明者が検討したウエハカセットは、ウエハが収納された後に上記ロードロックチャンバ内のステージ上に配置され、真空引きされる。その後、スパッタリング装置内に設置された搬送ロボットによりウエハが取り出され、取り出されたウエハは処理室に搬送されてスパッタリング処理が施される。スパッタリング処理が完了したウエハは、再びウエハカセットに回収され、ウエハカセットに収納されている全ウエハに対してスパッタリング処理が完了した後にロードロックチャンバは大気開放される。このような工程においては、ウエハカセットをロードロックチャンバ内のステージ上に配置する度に、ウエハカセットの下部（底部）がステージと接触し擦れ合うことになり、その擦れ合う部分ではウエハカセットのコーティング材が剥がれていく。そのため、コーティング材が剥がれてしまった部分では、ウエハカセットを形成する金属部材（たとえばＡｌ（アルミニウム）材）が剥き出しとなり、剥き出しとなった金属部材がステージと接触し擦れ合い、金属部材が削れて発塵してしまうことが懸念される。金属部材が削れて発塵してしまった場合には、異物がウエハに付着し、半導体装置の製造歩留りを低下させてしまう課題が存在する。
【０００５】
本発明の目的は、ウエハカセットの摩耗によるウエハカセットからの発塵を防ぐことのできる技術を提供することにある。
【０００６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【０００８】
本発明による半導体装置の製造方法は、
半導体ウエハを収容する搬送用容器を用いて前記半導体ウエハを搬送し、１枚または複数枚の前記半導体ウエハに回路または素子を形成する工程を含むものであり、
前記搬送用容器は、複数枚の前記半導体ウエハを収容する収容部と、前記収容部の下部に取り付けられた台座部とを有し、
前記台座部の表面は摩耗に対する耐性を有する表面保護膜によって皮膜されているものである。
【発明の効果】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１０】
すなわち、ウエハカセット（搬送用容器）を半導体ウエハを収容する筐体（収容部）と、その筐体の下部に取り付けた台座とから形成し、台座の表面は摩耗に対する耐性を有する表面保護膜によって皮膜することにより、ウエハカセットからの発塵を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１２】
図１は、本実施の形態で用いるスパッタリング装置の一例を示す説明図である。図１に示すスパッタリング装置は、２つの搬送室ＴＲ１、ＴＲ２を有し、搬送室ＴＲ１、ＴＲ２内にはそれぞれ搬送ロボットＴＲＢ１、ＴＲＢ２が設けられ、これら搬送ロボットＴＲＢ１、ＴＲＢ２がスパッタリング装置に備え付けられた各チャンバ（処理室）へのウエハの搬送を行う。そのスパッタリング装置に備え付けられたチャンバは、たとえばロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２、デガスチャンバＤＧ１、ＤＧ２、および成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ４である。ロードロックチャンバＬＬ１には、スパッタリング処理前の複数枚のウエハが後述するウエハカセット（搬送用容器）に収納された状態で搬送および配置され、ロードロックチャンバＬＬ１内は、ウエハカセットが配置されると真空状態にされる。デガスチャンバＤＧ１では、ロードロックチャンバＬＬ１から搬送ロボットＴＲＢ１によって取り出されたウエハが搬送され、ウエハに対するデガス処理が施され、ウエハに付着している不必要な水分等が除去される。また、デガスチャンバＤＧ１では、ウエハに形成されたオリエンテーションフラットの位置合わせが行われ、ウエハの向きが揃えられる。成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ４では、ウエハにスパッタリング処理が施され、ウエハの表面に所定の薄膜（たとえばＡｌ（アルミニウム）膜）が成膜される。成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ４でスパッタリング処理が施された後のウエハは、ロードロックチャンバＬＬ２内に配置されたウエハカセットに収納される。搬送室ＴＲ１と搬送室ＴＲ２との間（搬送ロボットＴＲＢ１と搬送ロボットＴＲＢ２との間）でのウエハの受け渡しは、スルーチャンバＴＣ１、ＴＣ２を介して行われる。たとえば、搬送室ＴＲ１から搬送室ＴＲ２（搬送ロボットＴＲＢ１から搬送ロボットＴＲＢ２）へウエハを受け渡す時には、搬送ロボットＴＲＢ１がスルーチャンバＴＣ１にウエハを置き、スルーチャンバＴＣ１に置かれたウエハを搬送ロボットＴＲＢ２がピックアップし、搬送室ＴＲ２内へ運び込む。
【００１３】
図２は、本実施の形態で用いるスパッタリング装置の他の例を示す説明図である。図２に示すスパッタリング装置は、１つの搬送室ＴＲ１内に搬送ロボットＴＲＢ１が設けられ、この搬送ロボットＴＲＢ１がスパッタリング装置に備え付けられた各チャンバへのウエハの搬送を行う。スパッタリング装置に備え付けられたチャンバは、たとえばロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２、デガスチャンバＤＧ１、ＤＧ２、スパッタエッチングチャンバＳＥＣ、および成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３である。ロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２、デガスチャンバＤＧ１、ＤＧ２、および成膜チャンバＤＰＣ１〜ＤＰＣ３は、図１に示したスパッタリング装置におけるものと同様のものである。スパッタエッチングチャンバＳＥＣでは、ウエハに対してスパッタエッチング処理が施される。
【００１４】
図３は、複数枚のウエハを収納し、図１および図２に示したスパッタリング装置のロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２へ搬送および配置されるウエハカセットの断面図であり、図４は、図３中の矢印の方向から見たウエハカセットの側面図である。たとえばＡｌなどの金属材から形成され、所定の表面皮膜処理が施された筐体（収容部）ＣＢ内には、ウエハを１枚ずつ収納するためのスロットＳＬが設けられている。本実施の形態では、そのウエハカセットに収納できるウエハの枚数は３０枚であることを例示する。
【００１５】
筐体ＣＢの下部には、台座（台座部）ＰＬＴが取り付けられている。台座ＰＬＴは、たとえば筐体ＣＢと同様にＡｌなどの金属材から形成されている。台座ＰＬＴの表面にはフッ素系樹脂皮膜（表面保護膜）が形成され、さらにそのフッ素系樹脂皮膜の表面は無電解Ｎｉ（ニッケル）膜（表面保護膜）で皮膜されている。これらの皮膜は、Ａｌなどの金属材に比べて耐磨耗性に優れる。そのため、そのような皮膜処理を施すことにより、その皮膜処理を施していない場合に比べて台座ＰＬＴの耐磨耗性を向上することができる。ウエハカセットがロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２へ搬送され、ロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２内のステージ上に配置された時、台座ＰＬＴがそのステージと接触することになるが、台座ＰＬＴの耐磨耗性が向上していることにより、摩耗による台座ＰＬＴからの発塵を防ぐことができる。台座ＰＬＴから発塵すると、ウエハに異物となって付着し、そのウエハから製造される半導体装置の歩留りを低下させてしまう虞があるが、本実施の形態によれば、台座ＰＬＴからの発塵を防ぐことができるので、半導体装置の歩留りの低下を防ぐことができる。
【００１６】
また、台座ＰＬＴを用いずに筐体ＣＢのみでウエハカセットを形成してある場合には、ロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２内のステージと接する筐体ＣＢの下部の表面皮膜が剥がれてくると、ウエハカセットから発塵を防止するためにウエハカセットを新規に購入し、ウエハカセット全体を交換する必要がある。一方、本実施の形態のウエハカセットによれば、前述の台座ＰＬＴの表面の皮膜は高い耐摩耗性を有するが、その台座ＰＬＴの表面の皮膜が剥がれてしまった場合でも、台座ＰＬＴの交換のみで済ませることができる。それにより、ウエハカセットの購入に要するコストを低減することができる。
【００１７】
本発明者は、台座ＰＬＴを用いずに筐体ＣＢのみでウエハカセットを形成してある場合と、本実施の形態のウエハカセットの場合とにおいて、ウエハカセットに要する１か月当たりのコストを算出した。ここで、算出するコストは、交換が必要になるもののコストのみである。台座ＰＬＴを用いずに筐体ＣＢのみでウエハカセットを形成してある場合には、１台のスパッタリング装置で２個のウエハカセットが必要となり、ウエハカセット１個の価格を４０００００円とすると合計で８０００００円となる。筐体ＣＢの表面皮膜が４年で剥がれて新品と交換すると、ウエハカセットに要する１か月当たりのコストは約１６６００円となる。一方、本実施の形態のウエハカセットの場合には、１台のスパッタリング装置で２個のウエハカセットが必要となり、筐体ＣＢ１個当たり台座ＰＬＴは２個必要となる。筐体ＣＢ１個の価格を３７５０００円とし、台座ＰＬＴ１個の価格を１００００円とすると、ウエハカセット１個当りの価格は３９５０００円となるが、交換が必要なのは台座ＰＬＴのみであり、２個のウエハカセットで用いられている４個の台座ＰＬＴのみがコスト算出の対象となる。前述したように、台座ＰＬＴの表面に形成された皮膜は摩耗し難いことから、台座ＰＬＴは１０年で交換とすると、ウエハカセットに要する１か月当たりのコストは、１００００×４／１２０≒約３００円となる。すなわち、本実施の形態のウエハカセットを用いた場合には、筐体ＣＢのみのウエハカセットを用いた場合に比べて、ウエハカセットに要する１か月当たりのコストを約１６３００円低減することができる。また、本発明者が調査した半導体製造ラインでは、スパッタリング装置が１１台設置されていることから、全１１台のスパッタリング装置で本実施の形態のウエハカセットを適用すると、半導体製造ライン全体では、ウエハカセットに要する１か月当たりのコストを約１７９３００円（＝１６３００×１１）低減することができる。
【００１８】
また、台座ＰＬＴの表面の皮膜が剥がれる前においても、定期的（第１の期間（たとえば約２年〜３年毎））に台座ＰＬＴを交換することにより、ウエハカセットから発塵を未然に防ぐことができる。
【００１９】
図４に示すように、上記台座ＰＬＴは、螺子ＳＣＲによって筐体ＣＢに取り付けられている。本実施の形態において、螺子ＳＣＲは、台座ＰＬＴおよび筐体ＣＢに設けられた螺子穴ＳＣＲＨ内に完全に収まるように取り付けられ、螺子ＳＣＲとロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２内のステージとが接触することによる発塵の防止を可能としている。
【００２０】
次に、図１および図２に示したスパッタリング装置を用いた半導体装置の製造工程について、図５〜図７を用いて説明する。本実施の形態の半導体装置は、たとえばｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴを有するものである。
【００２１】
まず、図５に示すように、たとえばｐ型の単結晶シリコンからなる半導体基板（ウエハ（以下、単に基板と記す））１の主面の素子分離領域に素子分離溝２を形成する。素子分離溝２を形成するには、たとえば基板１の主面をドライエッチングして溝を形成し、続いてこの溝の内部を含む基板１上にＣＶＤ法で酸化シリコン膜３などの絶縁膜を堆積した後、溝の外部の不要な酸化シリコン膜３を化学的機械研磨(Chemical Mechanical Polishing;ＣＭＰ)法で研磨、除去することによって、溝の内部に酸化シリコン膜３を残す。
【００２２】
続いて、たとえば基板１の一部にｐ型の不純物（たとえばＰ（リン））をイオン注入し、基板１を熱処理してこの不純物を基板１中に拡散させることにより、基板１の主面にｐ型ウエル４を形成する。
【００２３】
続いて、基板１に熱酸化処理を施して、基板１の表面にゲート絶縁膜６を形成する。次いで、基板１上に多結晶シリコン膜を堆積した後、フォトリソグラフィ技術によってパターニングされたフォトレジスト膜をマスクとしてその多結晶シリコン膜をエッチングすることにより、その多結晶シリコン膜からゲート電極１０を形成する。
【００２４】
続いて、たとえばｐ型ウエル４にｎ型の不純物としてＰ（リン）またはＡｓ（ヒ素）をイオン注入することによって、比較的低濃度のｎ-型半導体領域１１を形成する。ｎ-型半導体領域１１は、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのソース、ドレインをＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造にするために形成するものである。続いて、ゲート電極１０の側壁に絶縁膜からなるサイドウォールスペーサ１３を形成する。サイドウォールスペーサ１３を形成するには、たとえば基板１上にＣＶＤ法で酸化シリコン膜を堆積した後、この酸化シリコン膜を異方性エッチングする。
【００２５】
続いて、ｐ型ウエル４にｎ型の不純物としてＰまたはＡｓをイオン注入することによって比較的高濃度のｎ+型半導体領域１４を形成する。ｎ+型半導体領域１４は、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのソース、ドレインを構成する。ここまでの工程により、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎを形成することができる。
【００２６】
続いて、基板１上にＣｏ（コバルト）膜を体積した後に、基板１に熱処理を施すことによって、ゲート電極１０の表面およびｎ+型半導体領域１４の表面にＣｏシリサイド層１５を形成する。
【００２７】
上記Ｃｏ膜のうち未反応のものを除去した後、図６に示すように、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎを覆う絶縁膜として、たとえばＣＶＤ法で酸化シリコン膜１６を堆積し、続いて化学的機械研磨法で酸化シリコン膜１６の表面を平坦化する。
【００２８】
次に、フォトレジスト膜をマスクにして上記酸化シリコン膜１６をドライエッチングすることにより、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのソース、ドレイン（ｎ+型半導体領域１４）の上部にコンタクトホール１７を形成する。続いて、コンタクトホール１７の内部にプラグ１８を形成する。プラグ１８を形成するには、たとえばコンタクトホール１７の内部を含む酸化シリコン膜１６上にスパッタリング法でＴｉ（チタン）膜およびＴｉＮ（窒化チタン）膜を堆積し、続いてＣＶＤ法でＴｉＮ膜および金属膜としてＷ膜を堆積した後、コンタクトホール１７の外部のＷ膜、ＴｉＮ膜およびＴｉ膜を化学的機械研磨法によって除去する。
【００２９】
次に、図７に示すように、酸化シリコン膜１６およびプラグ１８上に配線２０を形成し、本実施の形態の半導体装置を製造する。配線２０を形成するには、たとえば酸化シリコン膜１６上にＴｉ膜２０Ａ、Ａｌ合金膜２０ＢおよびＴｉＮ膜２０Ｃをスパッタリング法により順次堆積し、続いてフォトレジスト膜をマスクとしたドライエッチングによりそのＴｉ膜２０Ａ、Ａｌ合金膜２０ＢおよびＴｉＮ膜２０Ｃをパターニングする。本実施の形態において、これらＴｉ膜２０Ａ、Ａｌ合金膜２０ＢおよびＴｉＮ膜２０Ｃを堆積する際には、図１または図２に示したスパッタリング装置を用い、ウエハ（基板１）は図３および図４を用いて説明したウエハカセットに収納された状態でスパッタリング装置へ搬送される。それにより、ウエハカセットからの発塵に起因する異物がウエハ（基板１）に付着してしまうことを防ぐことができるので、半導体装置の歩留りを向上することができる。
【００３０】
なお、プラグ１８および配線２０を形成した工程を繰り返してさらに多層に配線を形成してもよい。
【００３１】
ところで、ウエハ（基板１）は、同品種毎にまとめられ、１枚もしくは複数枚のロットとして上記スパッタリング装置をはじめとする各製造装置へ搬送される。また、少量多品種の要求から、１つのロットで１０枚以下のウエハとなることもあり、中でも３枚〜５枚となることが多い。ここで、１つのロットにおける最大のウエハの枚数を２５枚とし、この最大枚数に合わせるとウエハカセットにおけるスロットＳＬ（図３参照）は２８段とすることを例示できる。すなわち、ロットの最大枚数の製品ウエハ２５枚、およびスパッタリング装置にて成膜される薄膜の膜質を安定させるために犠牲的な成膜処理が施される犠牲ウエハ２枚が入る２７段のスロットＳＬと、製品ウエハの取り扱い中の損傷を避けるために製品ウエハと犠牲ウエハとの間で設けた１段の空きのスロットＳＬである。なお、空きのスロットＳＬは省略してスロットＳＬを２７段としてもよい。ここで、このような段数のスロットＳＬが設けられたウエハカセットを用い、各ロットのウエハに対して着工するに場合について、図８を用いて説明する。図８中において、ロットＡ〜Ｃのウエハ枚数は２５枚であり、ロットＤ〜Ｆのウエハ枚数は１枚であるとし、ウエハカセット（搬送用容器）ＷＣ１〜ＷＣ４にはそれぞれ前述の犠牲ウエハ１Ｓが２枚ずつ収納されるものとする。ロットＡのウエハ１ＡはウエハカセットＷＣ３に収納され、ロットＢのウエハ１ＢはウエハカセットＷＣ２に収納され、ロットＣのウエハ１ＣはウエハカセットＷＣ１に収納され、ロットＤ〜Ｆのウエハ１Ｄ〜１ＦはウエハカセットＷＣ４に収納される。この場合、ウエハカセットＷＣ１、ＷＣ２、ＷＣ３、ＷＣ４の順で着工していくとし、ウエハカセットＷＣ１、ＷＣ２、ＷＣ３の処理はそれぞれ約８０分を要するとすると、ロットＤ〜Ｆのウエハ１Ｄ〜１Ｆが収納されたウエハカセットＷＣ４は、着工されるまでに約２４０分待つことになる。
【００３２】
そこで、本実施の形態では、最大枚数のロットＡ〜Ｃと少ない枚数のロットＤ〜Ｆとを組み合わせて、１個のウエハカセットに収納できるようにスロットＳＬを増やす。たとえば、図９に示すように、ウエハカセットＷＣ１〜ＷＣ３におけるスロットＳＬを３０段とし、ウエハカセットＷＣ１にはロットＣの２５枚のウエハ１ＣとロットＤの１枚のウエハ１Ｄを収納し、ウエハカセットＷＣ２にはロットＢの２５枚のウエハ１ＢとロットＥの１枚のウエハ１Ｅを収納し、ウエハカセットＷＣ３にはロットＡの２５枚のウエハ１ＡとロットＦの１枚のウエハ１Ｆを収納する。それにより、ロットＤ〜Ｆのウエハ１Ｄ〜１Ｆの着工までの待ち時間は、図８に示した例に比べて最大で約２４０分短縮でき、最小でも約８０分短縮できる。その結果、本実施の形態の半導体装置の製造するＴＡＴ（Turn Around Time）を短縮することができる。
【００３３】
また、最大枚数のロットＡ〜Ｃと少ない枚数のロットＤ〜Ｆとを組み合わせる代わりに、最大枚数のロットＡ〜Ｃまたは少ない枚数のロットＤ〜Ｆと、スパッタリング装置の成膜品質確認用のウエハとを組み合わせて１個のウエハカセットに収納してもよい。スパッタリング装置の成膜品質確認用のウエハにはロットＡ〜Ｆのウエハ１Ａ〜１Ｆに先立って成膜処理が施され、成膜品質の検査が行われ、必要に応じてスパッタリング装置の調整が行われる。このような成膜品質確認用のウエハを組み合わせることにより、成膜品質確認作業の段取り時間を短縮することが可能となる。
【００３４】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３５】
たとえば、前記実施の形態では、ウエハを収納してスパッタリング装置のロードロックチャンバへ搬送および配置されるウエハカセットに対して、耐摩耗性を有する表面皮膜処理が施された台座を取り付ける場合について説明したが、ＣＶＤ装置で用いられるウエハカセットに対しても同様の台座を取り付けることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の半導体装置の製造方法は、たとえばスパッタリング装置を用いた成膜処理を含む半導体装置の製造工程に広く適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中にて用いるスパッタリング装置の一例を示す説明図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中にて用いるスパッタリング装置の一例を示す説明図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中にて用いるウエハカセットの断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中にて用いるウエハカセットの側面図である。
【図５】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法を説明する要部断面図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図８】本発明者が検討した各ウエハロットの各ウエハカセットへの配分を示す説明図である。
【図９】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程における、各ウエハロットの各ウエハカセットへの配分を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３８】
１  基板
１Ａ〜１Ｆ  ウエハ
１Ｓ  犠牲ウエハ
２  素子分離溝
３  酸化シリコン膜
４  ｐ型ウエル
６  ゲート絶縁膜
１０  ゲート電極
１１  ｎ-型半導体領域
１３  サイドウォールスペーサ
１４  ｎ+型半導体領域
１５  Ｃｏシリサイド層
１６  酸化シリコン膜
１７  コンタクトホール
１８  プラグ
２０  配線
２０Ａ  Ｔｉ膜
２０Ｂ  Ａｌ合金膜
２０Ｃ  ＴｉＮ膜
Ａ〜Ｆ  ロット
ＣＢ  筐体（収容部）
ＤＧ１、ＤＧ２  デガスチャンバ
ＤＰＣ１〜ＤＰＣ４  成膜チャンバ
ＬＬ１、ＬＬ２  ロードロックチャンバ
ＰＬＴ  台座（台座部）
Ｑｎ  ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ
ＳＣＲ  螺子
ＳＣＲＨ  螺子穴
ＳＥＣ  スパッタエッチングチャンバ
ＳＬ  スロット
ＴＣ１、ＴＣ２  スルーチャンバ
ＴＲ１、ＴＲ２  搬送室
ＴＲＢ１、ＴＲＢ２  搬送ロボット
ＷＣ１〜ＷＣ４  ウエハカセット（搬送用容器）
【図１】
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【図２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図３】
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【図４】
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