(57)【要約】【課題】  イオン源から発生するイオンビームで半導体材を処理する際、半導体材内部への不純物混入回避の改良を可能とする。【解決手段】  イオンビームを発生するエミッタ、特に液体金属合金イオン源（ＬＭＡＩＳ）は、イオン源となる原料として二元合金「ＰrＳi」を含み、その原料には、「Ｓi」イオンと「Ｐr」イオンとのみを含み、半導体材内部へ不純物として混入する材料は含まない。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源となるエミッタであって、イオン源に二元合金の「ＰrＳi」を有することを特徴とするエミッタ。
【請求項２】
請求項１に記載のエミッタであって、「ＰrＳi」二元合金が「ＰrＸＳi１−Ｘ」（ｘ＝０.89 ±０.10）の組成であることを特徴とするエミッタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のエミッタであって、「ＰrＳi」二元合金が共晶であることを特徴とするエミッタ。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのうちの一つに記載のエミッタであって、形態は、フィラメント及びヘアピン型、ヘアピンを有するリザーバ型、ヘアピンなしのリザーバ型、又は多孔性型をなすことを特徴とするエミッタ。
【請求項５】
請求項４に記載のエミッタであって、前記フィラメント及び／又はヘアピンは、タングステン、タンタル、チタニウム、又はニッケルで作成されることを特徴とするエミッタ。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載のエミッタであって、前記フィラメント及び／又はヘアピンは、一つの中間層で被覆されていることを特徴とするエミッタ。
【請求項７】
請求項６に記載のエミッタであって、前記中間層は、主要構成要素としてシリコンを含むことを特徴とするエミッタ。
【請求項８】
請求項６に記載のエミッタであって、前記中間層は、主要構成要素として金（gold）を含むことを特徴とするエミッタ。
【請求項９】
請求項４に記載の多孔性型エミッタであって、その顆粒がＳi（シリコン）又はＡu（金）により事前に押圧被覆されていることを特徴とするエミッタ。
【請求項１０】
請求項６から請求項８までのうちの一つに記載のエミッタであって、前記中間層の厚さが、１００ｎｍから１５００ｎｍまでの範囲にあることを特徴とするエミッタ。
【請求項１１】
請求項６から請求項８まで及び請求項１０のうちの一つに記載のエミッタであって、前記中間層の厚さが、３００ｎｍ、５００ｎｍ、又は７００ｎｍであることを特徴とするエミッタ。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１までのうちの一つに記載のエミッタであって、前記フィラメント及びヘアピン型では、そのニードルチップ方向に延在するマイクログルーブ（狭溝）を有することを特徴とするエミッタ。
【請求項１３】
請求項１２に記載のエミッタであって、前記マイクログルーブは、エッチング又は研削により生成されることを特徴とするエミッタ。
【請求項１４】
イオン源となるエミッタの生産方法であって、
一つのフィラメントと一つのヘアピンを備える手順と、
「ＰrＳi」融液を備える手順と、
前記フィラメント及びヘアピンを前記「ＰrＳi」融液で湿潤させる手順と、
この湿潤の手順の後、前記フィラメント及びヘアピンに前記「ＰrＳi」融液の液滴を装着させる手順と
を含むことを特徴とするエミッタの生産方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の方法であって、溶融された「ＰrＳi二元合金」が「ＰrＸＳi１−Ｘ」（ｘ＝０.89 ±０.10）の組成であることを特徴とするエミッタの生産方法。
【請求項１６】
請求項１４又は請求項１５に記載の方法であって、溶融された「ＰrＳi二元合金」が共晶であることを特徴とするエミッタの生産方法。
【請求項１７】
請求項１４から請求項１６までのうちの一つに記載の方法であって、前記フィラメント及びヘアピンは、タングステン、タンタル、チタニウム、又はニッケルで作成されることを特徴とするエミッタの生産方法。
【請求項１８】
請求項１４から請求項１７までのうちの一つに記載の方法であって、前記フィラメント及びヘアピンは、前記フィラメント及びヘアピンを湿潤させる以前に、中間層で被覆されることを特徴とするエミッタの生産方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、前記中間層は、主要構成要素としてシリコン又は金（gold）を含むことを特徴とするエミッタの生産方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、前記中間層の厚さが、１００ｎｍから１５００ｎｍまでの範囲にあることを特徴とするエミッタの生産方法。
【請求項２１】
請求項１８から請求項２０までのうちの一つに記載の方法であって、前記中間層の厚さが、３００ｎｍ、５００ｎｍ、又は７００ｎｍであることを特徴とするエミッタの生産方法。
【請求項２２】
請求項１８から請求項２１までのうちの一つに記載の方法であって、前記中間層の材料は、前記フィラメント及びヘアピン上で、スパッタリング（sputtering）又は蒸着（evaporation）により生成されることを特徴とするエミッタの生産方法。
【請求項２３】
請求項１４から請求項２２までのうちの一つに記載の方法であって、前記フィラメント及びヘアピンへの「ＰrＳi」融液による湿潤と装着とは、７３２℃から１１００℃の範囲の温度で遂行されることを特徴とするエミッタの生産方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン源となるエミッタに関し、特に、液体金属合金イオン源（Liquid Metal Alloy Ion Source：ＬＭＡＩＳ）用のエミッタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
集束イオンビーム（ＦＩＢ）テクノロジーは、半導体産業にとって重要な一つのツールである。集束イオンビームは、故障解析、透過電子顕微鏡の試料作成、及び回路とマスクとの修正のために用いられる。ＦＩＢのマイクロ規模及びナノ規模の製造は、従来の製造技術、特に、リソグラフィー、エッチング、及びインプランテーション（注入）で必要であった複雑性を低減することが可能である。その製造技術は、同一基板上に製造される異質のコンポーネントのため様々な要求を満足させなければならない。
【０００３】
ＦＩＢテクノロジーの成功は、液体金属イオン源（Liquid Metal Ion Source：ＬＭＩＳ）の発明のお陰である。ＬＭＩＳでは、図６のＡに示されるエミッタのように、一般的にＷ、Ｔa、Ｔi、又はＮiを素材とする極小のヘアピンとフィラメントが使用される。ヘアピンを有するリザーバ型エミッタ、ヘアピンなしのリザーバ型エミッタ、そして多孔性エミッタもまた知られている。キャピラリ型エミッタは図６のＢに示される。
【０００４】
エミッタは原料で湿潤されかつ原料を装着される。その原料の湿潤に対しては勿論、使用中では、原料は液体状態で供給されなければならない。この最後では、レジスタンスヒーター又は電子ビームヒーターが使用されるかも知れない。そこで、エミッタチップとカウンタ電極との間に、高電圧が印加される。エミッタチップでの高電界強度によりそのエミッタチップで液体原料の先端がさらに小さくなり、そこからイオンが放射される。従って、安定したイオンビームがその原料から生成される。
【０００５】
しかしながら、その原料は、幾つかの物理的かつ化学的な必要条件を満足させなければならない。その原料は金属であり比較的低い融点と低い蒸気圧とを有することが重要である。しかしながら、その原料がフィラメント材に対して良好な湿潤特性を有することが特に重要である。
【０００６】
希土類金属はレーザと光通信応用とに広く使用されている。希土類の間では、プラセオジム（Ｐr）が高く注目されている。その理由は、その放射が１.3μｍであり、１.3μｍは石英ファイバー内で吸収と拡散とを最小にする波長に対応するからである。更に、「Ｐr」は「Ｓi」半導体又は「ＧaＡs」半導体で使用される。特に特許文献１（DE 100 39 327 A1）では、ゲート長の更なる低減のため、ＭＯＳＦＥＴにおけるゲート酸化物として「Ｐr２Ｏ３」を使用することが記載されている。また、マチャレット（Machalett）他による下記非特許文献１では、ジョセフソン接合形成のため、高ＴＣ超伝導体におけるＰrイオンの注入が報告されている。
【０００７】
しかしながら、パパドポウロス（Papadopoulos）による下記非特許文献２では、液体Ｐrによるその融点近辺の温度におけるタングステンの低い湿潤性が報告されている。また、液体Ｐrは、空気中にさらされた際に急激に酸化され、最も難揮発性の物質の一つとして知られる「Ｐr２Ｏ３」に変化する。
【０００８】
それ故、上記非特許文献１の著者は、原料として三元合金の「Ａu-Ｓi-Ｐr」を用いている。しかしながら、「Ａu」は半導体産業では不適切な原料である。「Ａu」は、その急速な拡散により、半導体材内部で瞬時に分散して、伝導性を制御不可能に変化させる。
【０００９】
チャオ（Cao）他による非特許文献３では、タングステン上での二元合金「ＰrＰt」と「ＰrＡg」とによるＬＭＡＩＳが記載されている。しかしながら、これら原料もまた、「Ｐt」又は「Ａg」の不純物を半導体材内部へ取り込むであろう。
【００１０】
最後に、特許文献２（EP 0 620 582）では、Ｃoイオン源として二元合金「ＣoＰr」を使用することが記載されている。しかしながら、「Ｐr」は、この応用では融点を低下させることのみに使用されている。
【００１１】
それ故、本発明の目的は、少なくとも従来技術に関する問題部分の解決を図ることである。
【００１２】
【特許文献１】独国特許DE 100 39 327 A1
【特許文献２】欧州特許 EP 0 620 582
【非特許文献１】エフ．マチャレット（F. Machalett）他「Praseodymium alloy ion source for focused ion beam implantation in superconductors」Rev. Sci. Instrum. 67(3), 1996.
【非特許文献２】エス．パパドポウロス（S. Papadopoulos）「A study of the liquid Pr-ion source」Phys. D, 20(1987), p. 1302.
【非特許文献３】エル．シー．チャオ（L. C. Chao）他「Praseodymium alloy ion source for focused ion beam implantation in superconductors」J. Vac. Sci. Technol. B 17(6), Nov/Dec 1999.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
解決しようとする課題は、少なくとも従来技術に関する問題部分に、例えば「Ｐr」を含む二元合金を用いても、半導体内部への不純物の混入に関し、防止がなお不十分なことである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、上記目的を、請求項１のエミッタと請求項１４の製造方法とによって解決するものである。
【００１５】
更なる本発明の利点、特徴、態様、および詳細は、従属請求項、明細書、および添付図面により明らかである。
【００１６】
本発明による第１の態様は、イオン源となるエミッタの提供である。このエミッタは原料として二元合金「ＰrＳi」を含む。それ故、本発明のこの態様によるイオン源は、「Ｐr」イオン及び「Ｓi」イオンのみによる原子イオンに加えてその少量のクラスターイオン及び分子イオンも発生する。従って、このイオン源から発生するイオンビームで半導体材を処理する際には半導体材内部に不純物を取り込むことはない。更に、「Ｐr」イオンは「Ｓi」イオンより大分重い。従って、半導体表面を構築する際、「Ｐr」が急速表面デグラデーションに対して使用可能である。それに反して、軽量「Ｓi」イオンは精細なデグラデーションに対して使用可能である。それ故、二元合金「ＰrＳi」は、単一イオン源により高速と精細との両方の表面デグラデーションを許容する。最後に、純粋「Ｐr」に対して、二元合金「ＰrＳi」は、空気にさらされた際に充分に安定であるので、「ＰrＳi」イオン源は、手軽に製造及び組込みが可能である。
【００１７】
本発明の実施の一形態によれば、そのエミッタはフィラメントとヘアピンとを含み、それらはタングステン、タンタル、チタニウム、又はニッケルにより造られることが好ましい。そのフィラメントやヘアピンは中間層となるシリコン層で被覆され、その被覆（coating）はスパッタリングによることが好ましい。このシリコン被覆は「ＰrＳi」に関するフィラメント材又はヘアピン材の濡れ特性を改善するので、「ＰrＳi」原料は、容易にエミッタを濡らしかつエミッタに装着される。特に、濡れに必要な温度は、シリコン層がフィラメントやヘアピン上を被覆する場合より充分低い。更に、そのコーティング層にシリコンを使用することは、そのコーティング層からの材料放射があっても、シリコン半導体材料に不純物を取り込まないことを保証している。
【００１８】
本発明における別の実施の一形態によれば、中間層となるそのシリコンコーティング層は、１００ｎｍから１５００ｎｍまでの範囲の厚さを有する。このことは、フィラメントやヘアピンのマイクロ規模構造の維持を保証する。特に、シリコンコーティング層は、エミッタチップに液状原料を運ぶためフィラメントやヘアピン上に形成されるマイクログルーブ（狭溝）を詰まらせることがないように、充分に薄い。そのマイクログルーブはエッチング又は研削により生成される。他方、シリコンコーティングは、フィラメントやヘアピンの材料が完全に被覆され、かつ稼動中も被覆されているように、充分な厚さを有する。
【００１９】
本発明による原料として二元合金「ＰrＳi」を含むエミッタは、上述したフィラメント及びヘアピン型のみでなく、ヘアピンを有するリザーバ型、ヘアピンなしのリザーバ型、又は多孔性型といった形態であってもよい。
【００２０】
本発明の別の一つの態様によれば、イオン源のためのエミッタの製造方法を提供する。その製造方法によれば、フィラメントやヘアピンが準備され、二元合金「ＰrＳi」が液状で準備され、フィラメントやヘアピンが液状の「ＰrＳi」で濡らされ、そして最後にフィラメントやヘアピンに液状「ＰrＳi」の液滴を装着させている。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、イオン源となるエミッタは原料として二元合金「ＰrＳi」を含む。そして、半導体材内部に不純物として取り込まれる材料は含まない。それ故、本発明のこの態様によるイオン源は、「Ｐr」イオン及び「Ｓi」イオンのみを発生するので、このイオン源から発生するイオンビームで半導体材を処理する際、半導体材内部に不純物を取り込むことはないというという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、本発明の上述されかつ更に詳細な幾つかの態様を、図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００２３】
フィラメントとヘアピンとは０.2ｍｍのタングステン線から製造され、相互にスポット溶接される。ヘアピンのチップはラッピング（荒削り）されており、そのチップ方向に延伸するマイクログルーブ（狭溝）は液状原料をチップへ運ぶように作られている。次いで、厚さ７００ｎｍのシリコンコーティング層がフィラメントとヘアピンとの上にスパッタリングされる。
【００２４】
「ＰrＳi」原料は、「Ｓi」１１％であり「Ｐr」８９％である。それは、直熱型タンタルるつぼ内部で高真空度において液化される。二元合金「ＰrＳi」は共晶である。共晶ＰrＳi合金は７３２℃の融点を有する。その共晶ＰrＳi合金の利点は、「Ｐr」と「Ｓi」との上記割合における融点が「Ｐr」と「Ｓi」とにおける他のすべての割合における融点より低いことである。更に、「Ｐr」と「Ｓi」との割合は、それがイオンビームになった際でも、変化することなく維持される。それは、その「Ｐr」と「Ｓi」との割合が変化する前に不純物なしのまま完全に消耗するためである。
【００２５】
その後、コーティングされたフィラメントとヘアピンとが予熱され、共晶ＰrＳi融液と接触する。接触して密着することにより、液化ＰrＳi材は、フィラメントとヘアピンとの上を流れ始め、そこで、フィラメントとヘアピンとの上に液状ＰrＳi材の薄層を形成する。その結果、コーティングされたフィラメントとヘアピンとは、液化ＰrＳi合金で湿らされる。次いで、湿らされたフィラメントとヘアピンとには、液状「ＰrＳi」の液滴が装着する。典型的な液滴の大きさは、ほぼ１ｍｍ３から３ｍｍ３である。液状「ＰrＳi」による湿潤とその液滴の装着とは、７３２℃から１１００℃までの範囲で成就可能である。
【００２６】
図１に、本実施例１による特性曲線を示す。そこでは、角印が引出し電圧増加の際のビーム電流を示し、丸印が引出し電圧減少の際のビーム電流を示す。
【００２７】
図１に示されるビーム電流特性は、あまり急勾配ではない。すなわち、イオン源のビーム電流は、１μＡから３０μＡまでの範囲で効果的に制御可能である。イオン源の開始電圧もまた、緩やかである。
【００２８】
図２は、本実施例による「ＰrＳi」エミッタのマススペクトルを示す。そこでは「１４１Ｐr１＋」イオンと「１４１Ｐr２＋」イオンとが二元合金における「Ｐr」と「Ｓi」との割合から予想される主要部分を形成する。「２８Ｓi１＋」イオンと「２８Ｓi２＋」イオンともまた、主要な「Ｓi」のイオン種である。
【００２９】
図３は、図２のマススペクトルとは異なる解析結果を示す。そこでは、イオンビームに含まれるイオン種のより小さな部分を拡大している。そこでは、「Ｓi」ラインの「２９Ｓi２＋」イオンと「３０Ｓi２＋」イオンともまた、明白に示されている。更に、イオンビームには、イオン化された「２８Ｓi２１＋」分子が含まれる。これに加えて、「ＰrＳi１＋」分子及び「ＰrＳi２＋」分子、更に「ＰrＳi２１＋」分子でさえもイオンビームに含まれる。そこには、単一アイソトープ「１４１Ｐr」のみが現存するということに注目すべきである。
【実施例２】
【００３０】
フィラメントとヘアピンとは０.2ｍｍのタングステン線から製造され、相互にスポット溶接される。ヘアピンのチップはラッピング（荒削り）されており、そのチップ方向に延伸するマイクログルーブ（狭溝）は液状原料をチップへ運ぶように作られている。次いで、厚さ５００ｎｍのシリコンコーティング層はフィラメント及びヘアピン上にスパッタリングされる。
【００３１】
「ＰrＳi」原料は、「Ｓi」１１％であり「Ｐr」８９％である。それは、直熱型タンタルるつぼ内部で高真空度において液化される。「ＰrＳi」二元合金は共晶である。
【００３２】
その後、コーティングされたフィラメントとヘアピンとが予熱され、共晶ＰrＳi融液と接触する。接触して密着することにより、液化ＰrＳi材は、フィラメントとヘアピンとの上を流れ始め、そこで、フィラメントとヘアピンとの上に液状ＰrＳi材の薄層を形成する。その結果、コーティングされたフィラメントとヘアピンとは、液化ＰrＳi合金で湿らされる。次いで、湿らされたフィラメントとヘアピンとは、液状「ＰrＳi」の液滴を装着させる。典型的な液滴の大きさは、ほぼ１ｍｍ３から３ｍｍ３である。液状「ＰrＳi」による湿潤とその液滴の装着とは、７３２℃から１１００℃までの範囲で成就可能である。
【００３３】
エミッタは、１０−６Ｔorrの真空度で３.0Ａの電流により加熱される。引出し電圧は、２.8ｋＶから３.8ｋＶの範囲を適用して、５μＡから３０μＡの範囲の放射電流を生成する。実施例２のマススペクトルは、図２及び図３と殆ど同一である。
【００３４】
最初に装着された「ＰrＳi」の殆どがイオン放射により消耗した後、同一エミッタの第２の装着が成就する。エミッタは、真空度８×１０−６Ｔorrをもって、電流３.2Ａで加熱される。引出し電圧は、２.8ｋＶから３.8ｋＶの範囲を適用して、３μＡから２０μＡの範囲の放射電流を生成する。第２の装着でのマススペクトルもまた、図２及び図３と殆ど同一である。
【００３５】
それ故、本発明の実施形態によるエミッタは再利用可能であることを示した。
【実施例３】
【００３６】
フィラメントとヘアピンとは０.2ｍｍのタングステン線から製造され、相互にスポット溶接される。ヘアピンのチップはラッピング（荒削り）されており、そのチップ方向に延伸するマイクログルーブ（狭い溝）は液状原料をチップへ運ぶように造られている。次いで、厚さ３００ｎｍのゴールドコーティング層はフィラメントとヘアピン上に蒸着される。
【００３７】
「ＰrＳi」原料は、「Ｓi」１１％であり「Ｐr」８９％である。それは、直熱型タンタルるつぼ内部で高真空度において液化される。二元合金「ＰrＳi」は共晶である。
【００３８】
その後、コーティングされたフィラメントとヘアピンとが予熱され、共晶ＰrＳi融液と接触する。接触して密着することにより、液化ＰrＳi材は、フィラメントとヘアピンとの上を流れ始め、そこで、フィラメントとヘアピンとの上に液状ＰrＳi材の薄層を形成する。その結果、コーティングされたフィラメントとヘアピンとは、液化ＰrＳi合金で湿らされる。次いで、湿らされたフィラメントとヘアピンとは、液状「ＰrＳi」の液滴を装着させる。典型的な液滴の大きさは、ほぼ１ｍｍ３から３ｍｍ３である。液状「ＰrＳi」による湿潤とその液滴の装着とは、７３２℃から１１００℃までの範囲で成就可能である。
【００３９】
図４に実施例３の特性曲線を示す。そこでは、角印が引出し電圧増加の際のビーム電流を示し、丸印が引出し電圧減少の際のビーム電流を示す。図４に示されるビーム電流特性は、殆ど直線である。すなわち、イオン源のビーム電流は、５μＡから３０μＡまでの範囲で効果的に制御可能である。しかしながら、イオン源の開始電圧は上記実施例１におけるより高い。
【実施例４】
【００４０】
フィラメントとヘアピンとは０.2ｍｍのタングステン線から製造され、相互にスポット溶接される。ヘアピンのチップはラッピング（荒削り）されており、そのチップ方向に延伸するマイクログルーブ（狭い溝）は液状原料をチップへ運ぶように造られている。次いで、厚さ５００ｎｍのゴールドコーティング層はフィラメントとヘアピン上に蒸着される。
【００４１】
「ＰrＳi」原料は、「Ｓi」１１％であり「Ｐr」８９％である。それは、直熱型タンタルるつぼ内部で高真空度において液化される。二元合金「ＰrＳi」は共晶である。
【００４２】
その後、コーティングされたフィラメントとヘアピンとが予熱され、共晶ＰrＳi融液と接触する。接触して密着することにより、液化ＰrＳi材は、フィラメントとヘアピンとの上を流れ始め、そこで、フィラメントとヘアピンとの上に液状ＰrＳi材の薄層を形成する。その結果、コーティングされたフィラメントとヘアピンとは、液化ＰrＳi合金で湿らされる。次いで、湿らされたフィラメントとヘアピンとは、液状「ＰrＳi」の液滴を装着させる。典型的な液滴の大きさは、ほぼ１ｍｍ３から３ｍｍ３である。液状「ＰrＳi」による湿潤とその液滴の装着とは、７３２℃から１１００℃までの範囲で成就可能である。
【００４３】
図５に実施例３の特性曲線を示す。そこでは、角印が引出し電圧増加の際のビーム電流を示し、丸印が引出し電圧減少の際のビーム電流を示す。図５に示されるビーム電流特性は、あまり急勾配ではない。すなわち、イオン源のビーム電流は、２.5μＡから３０μＡまでの範囲で効果的に制御可能である。しかしながら、イオン源の開始電圧は上記実施例３におけるより高い。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明ではイオン源となるエミッタは原料として二元合金「ＰrＳi」を含むため、イオン源から発生するイオンビームで半導体材を処理する際に半導体材内部に不純物を取り込むことを避けたい場合に有効に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明によるエミッタの実施の一形態を特性曲線で示した説明図である。（実施例１）
【図２】本発明により生成されるイオンビームにおけるマススペクトルの実施の一形態をグラフで示した説明図である。（実施例２）
【図３】図２示されたマススペクトルの低域部分を拡大して示した説明図である。（実施例２）
【図４】本発明によるエミッタの実施の一形態を特性曲線で示した説明図である。（実施例３）
【図５】本発明によるエミッタの実施の一形態を特性曲線で示した説明図である。（実施例４）
【図６】Ａは典型的なフィラメント及びヘアピン型のエミッタの一例を斜視で示す説明図であり、Ｂは典型的なキャピラリ型のエミッタの一例を斜視で示す説明図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【外国語明細書】
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