(57)【要約】【課題】  ＬＩＴＩを用いて有機膜層パターンを形成する際に、工程時間を短縮させるだけでなく生産原価も節減できる有機電界発光素子の製造方法を提供するを提供する。【解決手段】  本発明による有機電界発光素子の製造方法は、画素電極が形成された基板を提供する段階と、前記基板全面にドナー基板をラミネーションする段階と、前記ドナー基板の所定領域にレーザービームをスキャンして前記基板上に有機膜層パターンを形成する段階と、を含み、前記レーザービームを１ステップでガルバノメーターを用いてマルチラインにスキャンする工程を繰り返すことを特徴とする。【選択図】  図２Ｂ
2006093080.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極が形成された基板を提供する段階と、
前記基板全面にドナー基板をラミネーションする段階と、
前記ドナー基板の所定領域にレーザービームをスキャンして前記基板上に有機膜層パターンを形成する段階と、を含み、
前記レーザービームを１ステップでガルバノメーターを用いてマルチラインにスキャンする工程を繰り返すこと
を特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記レーザービームを１ステップでマルチラインにスキャンする工程は、Ｘ−ガルバノメーターを用いて前記ドナー基板の所定領域をＸ軸方向にスキャンする段階と、
Ｙ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板のＹ軸方向にポジションする段階と、を繰り返してマルチラインにスキャンすること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記Ｘ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板の所定領域をＸ方向にスキャンする段階と、
前記Ｙ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板のＹ軸方向にポジションする段階と、を４〜６回繰り返すこと
を特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記Ｘ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板の所定領域をＸ軸方向にスキャンする段階と、
前記Ｙ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板のＹ軸方向にポジションする段階と、を５回繰り返すこと
を特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記レーザービームを１ステップでマルチラインにスキャンする工程は、前記Ｙ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板のＹ軸方向にポジションする段階と、
前記Ｘ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板の所定領域をＸ軸方向にスキャンする段階と、を繰り返してマルチラインにスキャンすること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記Ｙ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板のＹ軸方向にポジションする段階と、
前記Ｘ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板の所定領域をＸ軸方向にスキャンする段階と、を４〜６回繰り返すこと
を特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項７】
Ｙ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板のＹ軸方向にポジションする段階と、
Ｘ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板の所定領域をＸ軸方向にスキャンする段階と、を５回繰り返すこと
を特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記画素電極上に有機膜層パターンを形成する段階は、Ｎ２雰囲気で行われること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記画素電極上に有機膜層パターンを形成する段階は、真空雰囲気で行われること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記有機膜層パターンは、発光層、正孔注入層、正孔伝達層、電子伝達層及び電子注入層よりなる群から選択される１種の単一層又は２種以上の多重層であること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子の製造方法に関し、より詳しくは、ガルバノメーター(galvanometer)を用いてレーザービームを１ステップ(step)でマルチライン(multi-line)にスキャンして有機膜層パターンを形成することを含む有機電界発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、平板表示素子である有機電界発光素子は、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極とカソード電極との間に介在された有機膜層と、含む。前記有機膜層は、発光層を含み、前記発光層の外にも正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層をさらに含むことができる。このような有機電界発光素子は、前記有機膜層、特に、前記発光層を形成する物質によって、高分子有機電界発光素子と低分子有機電界発光素子に分けられる。
【０００３】
このような有機電界発光素子においてフルカラー化を具現するためには前記発光層をパターニングしなければならない。前記発光層をパターニングするための方法として、低分子有機電界発光素子の場合には、シャドーマスク(shadow mask)を使用する方法があり、高分子有機電界発光素子の場合には、インクジェットプリンティング(ink-jet printing)又はレーザーによる熱転写法(Laser Induced Thermal Imaging; 以下、ＬＩＴＩと称する)がある。この中で、前記ＬＩＴＩは、前記有機膜層を微細にパターニングすることができ、大面積に使用することができ、高解像度に有利である長所があるだけではなく、前記インクジェットリンティングが湿式工程であることに比べてこれは乾式工程という長所がある。
【０００４】
図１Ａ及び図１Ｂは、従来の有機電界発光素子の製造方法を説明する概路図である。
【０００５】
図１Ａに示したように、画素電極が形成された基板１１０上に有機膜層１３０が形成されたドナー基板１２０がラミネーションされている。
【０００６】
レーザー照射装置１００は、レーザー発生器１４０と、ガルバノメーター１６０と、プロジェクションレンズ１７０と、を含む。前記レーザー発生器１４０から発生するレーザービーム１５０は、前記ガルバノメーター１６０で屈折されてプロジェクションレンズ１７０を経って前記ドナー基板１２０の所定領域をスキャンする。
【０００７】
図１Ｂに示したように、ガルバノメーター１６０で屈折されてプロジェクションレンズ１７０を経った前記レーザービーム１５０は、前記ドナー基板１２０上の所定領域をＸ軸に沿ってスキャンする。斜線部分は、スキャンされるライン１８０を示す。次に、前記レーザーの照射装置１００は、次のステップで前記ドナー基板１２０のＹ軸方向に移動する。続いて、前記ガルバノメーター１６０により屈折されたレーザービーム１５０が前記ドナー基板１２０上の所定領域をＸ軸に沿ってスキャンする。前記過程を繰り返して基板上に有機膜層パターンを形成する。
【０００８】
前記転写工程後に、前記形成された有機膜層パターン上にカソード電極を形成して有機電界発光素子を完成する。
【０００９】
このように従来には、ガルバノ−ミトルを用いて１ステップで一ラインのみをスキャンした後、次のステップに移動してまた一ラインのみをスキャンすることにより有機膜層パターンを形成した。
【００１０】
したがって、大面積有機電界発光素子を製作することにおいて、有機膜層パターンを形成するためには、長時間が必要であるだけでなく、それによって生産原価が増加する問題点が発生した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
したがって、本発明は上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、ＬＩＴＩを用いて有機膜層パターンを形成する際に、工程時間を短縮させるだけでなく生産原価も節減できる有機電界発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するための本発明による有機電界発光素子の製造方法は、画素電極が形成された基板を提供する段階と、前記基板全面にドナー基板をラミネーションする段階と、前記ドナー基板の所定領域にレーザービームをスキャンして前記基板上に有機膜層パターンを形成する段階と、を含み、前記レーザービームを１ステップでガルバノメーターを用いてマルチラインにスキャンする工程を繰り返すことを特徴とする。
【００１３】
好ましくは、前記レーザービームを１ステップでマルチラインにスキャンする工程は、Ｘ−ガルバノメーターを用いて前記ドナー基板の所定領域をＸ軸方向にスキャンする段階と、Ｙ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板のＹ軸方向にポジションする段階と、を繰り返してマルチラインにスキャンする。
【００１４】
好ましくは、前記レーザービームを１ステップでマルチラインにスキャンする工程は、前記Ｙ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板のＹ軸方向にポジションする段階と、
前記Ｘ−ガルバノメーター用いて前記ドナー基板の所定領域をＸ軸方向にスキャンする段階と、を繰り返してマルチラインにスキャンする。
【００１５】
好ましくは、前記Ｘ−ガルバノメーター及びＹ−ガルバノメーター用いたスキャンを１ステップで４〜６回繰り返し、より好ましくは、５回繰り返してスキャンする。
【００１６】
好ましくは、前記有機膜層パターンは、発光層、正孔注入層、正孔伝達層、電子伝達層及び電子注入層よりなる群から選択される１種の単一層又は２種以上の多重層である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ＬＩＴＩを用いて有機膜層パターンを形成する際に、ガルバノメーターを用いてレーザービームを１ステップでマルチラインにスキャンする工程を繰り返すことにより、前記有機膜層パターンを形成するためにかかる工程時間を短縮させるだけでなく生産原価も節減できる有機電界発光素子の製造方法を提供する利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１９】
図２Ａ及び図２Ｂは、本発明に係る有機電界発光素子の製造方法を説明する概路図である。
【００２０】
図２Ａに示したように、画素電極が形成された基板１１０上に有機膜層１３０が形成されたドナー基板１２０がラミネーションされている。
【００２１】
レーザー照射装置２００は、レーザー発生器２４０と、Ｘ−ガルバノメーター２６０と、Ｙ−ガルバノメーター２６５と、プロジェクションレンズ２７０と、を含む。前記レーザー発生器２４０から発生するレーザービーム２５０は、前記Ｘ−ガルバノメーター２６０及びＹ−ガルバノメーター２６５により屈折されてプロジェクションレンズ２７０を経って前記ドナー基板１２０の所定領域をマルチラインにスキャンする。
【００２２】
図２Ｂに示したように、前記Ｘ−ガルバノメーター２６０で屈折されてプロジェクションレンズ２７０を経った前記レーザービーム２５０は、前記ドナー基板１２０上の所定領域をＸ軸に沿ってスキャンする。斜線部分は、スキャンされるライン２８０を示す。
【００２３】
次に、前記レーザービーム２５０を前記Ｙ−ガルバノメーター２６５により前記ドナー基板のＹ軸方向にポジションする。即ち、前記レーザービーム２５０をＸ軸方向にスキャンしたラインの次のラインにスキャンするために、Ｙ軸方向に１ピッチ(pitch)移動させる。前記ピッチとは、スキャンされるラインと、そのラインに隣接するラインとの間の距離を意味する。
【００２４】
続いて、前記レーザービーム２５０を、前記Ｘ−ガルバノメーター２６０を用いて前記ドナー基板１２０の所定領域をＸ軸方向にスキャンする。
【００２５】
続いて、前記レーザービーム２５０を前記Ｙ−ガルバノメーター２６５により前記ドナー基板のＹ軸方向にポジションする。
【００２６】
一方で、前記レーザービーム２５０を前記Ｙ−ガルバノメーター２６５により前記ドナー基板のＹ軸方向にポジションすることを先に実施することができる。即ち、Ｙ−ガルバノメーター２６５によるポジション後に、前記Ｘ−ガルバノメーター２６０により前記レーザービーム２５０は、前記ドナー基板１２０上の所定領域をＸ軸に沿ってスキャンする。
【００２７】
このように、前記Ｘ−ガルバノメーター２６０を用いた前記ドナー基板１２０のＸ軸方向スキャンと、前記Ｙ−ガルバノメーター２６５を用いた前記ドナー基板のＹ軸方向ポジションを繰り返すことにより、前記ドナー基板１２０上に有機膜層パターンを形成する。
【００２８】
即ち、有機膜層パターンを形成する転写工程の１ステップで前記ドナー基板をマルチラインにスキャンして前記有機膜層パターンを形成する。この時、前記Ｘ−ガルバノメーター２６０及び前記Ｙ−ガルバノメーター２６５を用いたスキャンを４〜６回繰り返して実施することができる。好ましくは、前記Ｘ−ガルバノメーター２６０及び前記Ｙ−ガルバノメーター２６５を用いたスキャンを５回繰り返して実施する場合、転写工程時間を短縮できる。図２Ｂでは１ステップでスキャンされるライン２９０が５個である場合を説明している。その詳細説明は、図３により後術する。
【００２９】
前記転写工程の１ステップでマルチラインにスキャンして有機膜層パターンを形成した後、次のステップに移動して同一な方法によりマルチラインをスキャンして前記有機膜層パターンを形成する。各ステップでのマルチラインスキャンを繰り返して転写工程を完了する。
【００３０】
前記有機膜層パターンを形成する工程は、Ｎ２ 雰囲気で行うことができる。一般の大気中には酸素成分が存在して転写される前記有機膜層パターンが酸化される恐れがあるので、酸素成分を除去した窒素雰囲気で前記転写工程を実行する。
【００３１】
また、前記転写工程は、真空雰囲気で行うことができる。前記ドナー基板を前記基板全面にラミネーションする工程の場合は、前記ドナー基板と前記基板との間の気泡発生を抑制する効果がある。
【００３２】
前記形成される有機膜層パターンは、発光層、正孔注入層、正孔伝達層、電子伝達層及び電子注入層よりなる群から選択される１種の単一層であることができ、２種以上の多重層で形成することもできる。
【００３３】
前記転写工程後に、前記形成された有機膜層パターン上にカソード電極を形成して有機電界発光素子を完成する。
【００３４】
図３は、１ステップでスキャンするライン数によって一つの色を転写するのに必要となる工程時間を示すグラフとして、１５.５"ＷＸＧＡ級パネルを製作する際に、一つの色を転写することに必要となる転写工程時間を示している。
【００３５】
図３に示したように、１ステップで一つのラインのみをスキャンし、これを繰り返してスキャンすることにより転写工程を完了した場合、約４０分程度が必要となった。これに反して、一ステップで４〜６個のラインをスキャンする場合には、転写工程を完了するのに約１８分〜２２分程度が必要となり、特に、１ステップで５個ラインをスキャンする場合には、約２０分程度が必要となった。即ち、従来の１ステップで一つのラインのみをスキャンする場合より約２０分程度の転写工程時間が短縮されることが分かる。
【００３６】
１ステップで１０個ラインをスキャンする場合には、約１６分程度の工程時間が必要であり、一番短い工程時間が必要となることが分かる。しかし、１ステップで１０個ラインをスキャンする場合、プロジェクションレンズを通じた焦点調節が困難であり、歪曲現象が発生できる問題点がある。
【００３７】
したがって、１ステップで４〜６個、望ましくは、５個ラインをスキャンすることが、転写工程時間の短縮と転写効率の維持のために効果的である。
【００３８】
以上、添付の図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１Ａ】従来の有機電界発光素子の製造方法を説明する概路図であるである。
【図１Ｂ】従来の有機電界発光素子の製造方法を説明する概路図であるである。
【図２Ａ】本発明に係る有機電界発光素子の製造方法を説明する概路図である。
【図２Ｂ】本発明に係る有機電界発光素子の製造方法を説明する概路図である。
【図３】１ステップでスキャンするライン数によって一つの色を転写するのに必要となる工程時間を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４０】
１００、２００  レーザーの照射装置
１１０  基板
１２０  ドナー基板
１３０  有機膜層
１４０、２４０  レーザー発生器
１５０、２５０  レーザービーム 
１６０  ガルバノメーター
２６０  Ｘ−ガルバノメーター
２６５  Ｙ−ガルバノメーター
１７０、２７０  プロジェクションレンズ
１８０、２８０  スキャンされるライン
【図１Ａ】
2006093080.tif 000003
【図１Ｂ】
2006093080.tif 000004
【図２Ａ】
2006093080.tif 000005
【図２Ｂ】
2006093080.tif 000006
【図３】
2006093080.tif 000007