(57)【要約】【課題】  静電破壊を防止した配線基板を提供し、表示不良を抑制した表示装置を提供する。【解決手段】  ＴＦＴアレイ基板１００において、ゲート伝送配線１０５とコモン伝送配線１０７が交差する位置の近傍に、切り欠き部１１０を有し、この切り欠き部１１０に静電破壊防止部２００が形成されている。この切り欠き部１１０のコーナー部を鈍角または円弧状にすることによって、コーナー部における電荷の集中を抑制し、ＥＳＤによる静電破壊の発生を防止することができる。このＴＦＴアレイ基板１００を表示装置に用いることによって、静電破壊に起因した表示不良を抑制することができる。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を挟んで形成された第１の電極配線と第２の電極配線とを有する基板を備える表示装置であって、
前記第１の電極配線は前記第２の電極配線の近傍にコーナー部を有し、前記コーナー部は鈍角もしくは曲線で形成されている、
表示装置。
【請求項２】
前記第１の電極配線は前記第２の電極配線の近傍に複数のコーナー部を備える凹部を備え、
前記複数のコーナー部の各コーナー部は、鈍角もしくは曲線で形成されており、
前記凹部内に、前記第１の電極配線と前記第２の電極配線とを接続する静電破壊防止部が形成されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記静電破壊防止部はアモルファスシリコン層を有する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示装置は液晶表示装置であって、前記第１の電極配線もしくは前記第２の電極配線はコモン電圧を伝送するコモン伝送配線である、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の電極配線は前記第２の電極配線の近傍に複数のコーナー部を備える凹部または凸部を有し、
前記複数のコーナー部の各コーナー部は、鈍角もしくは曲線で形成されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１の電極配線と前記第２の電極配線とが前記絶縁層を介して交差しており、該交差している近傍において前記第１の電極配線は複数のコーナー部を備える凹部または凸部を有し、
前記複数のコーナー部は、鈍角もしくは曲線で形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記凹部または凸部において、前記第２の電極配線は静電破壊防止部を介して前記第１の電極配線と接続されている請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記鈍角の角度は１００°以上である、請求項１〜７のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項９】
曲線で形成された前記コーナー部は、曲率半径Ｒが３μｍ以上の円弧状である、請求項１〜７のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項１０】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に絶縁層をはさんで形成された第１の電極配線と第２の電極配線と、を有し、
前記第１の電極配線は前記第２の電極配線の近傍にコーナー部を有し、前記コーナー部は鈍角もしくは曲線で形成されている、
配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及び配線基板に関し、特に、表示装置に用いられる配線基板上に設けられる電極配線の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置などに用いられるＴＦＴ（Thin Film Transistor）アレイ基板は、通常、絶縁基板上に複数のソース電極配線、ゲート電極配線、表示電極、ＴＦＴ素子などを形成して製造される。このＴＦＴアレイ基板の製造時において、摩擦などによって静電気が蓄積されることがある。例えば、絶縁層を挟んで積層されている電極配線間に蓄積される静電気の電位差が、絶縁体の絶縁耐圧を越えると放電が起こる（Electro Static Discharge：ＥＳＤ）。これにより、電極配線または電極配線間の絶縁層の静電破壊が発生し、これに起因した表示欠陥が発生するという問題がある。
【０００３】
従来、このＥＳＤによる静電破壊を防止するために、ＴＦＴアレイ基板の周辺部にショートリングと呼ばれるリング状の導体パターンを設け、電極配線間をショートさせる手法が知られている（特許文献１および２参照。）。このショートリングは、通常、表示パネル組み立て後のスクライブ＆ブレイク工程や、面取り工程において除去される。
【特許文献１】特開平８−２３４２２７号公報
【特許文献２】特開２０００−１８０８９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように、従来、ショートリングは、ＴＦＴアレイ基板の周辺部に設けられ、パネル組み立て後には、基板の切断により切り離されていた。しかし、ショートリング除去工程以降の工程であっても、基板とスクライブ＆ブレイク装置や面取り装置との接触分離による摩擦帯電、フレキシブルプリント配線板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）の取り付け工程での摩擦帯電、また外部からの電荷供給による帯電などに起因して発生するＥＳＤによって静電破壊が発生することがある。また、表示装置の完成後においてもＥＳＤによる静電破壊を効果的に防止することが必要とされる。
【０００５】
図７は、静電破壊防止部が形成されたＴＦＴアレイ基板の概略平面図である。静電破壊防止部は、表示パネル組み立て後もＴＦＴアレイ基板上に存在し、ＥＳＤ保護のための静電破壊防止として機能する。図７を参照して、基板１１上の破線で示される表示領域１２内には、複数のゲート電極配線とこれらのゲート電極配線の間に平行に保持容量電極配線とが形成されている。この保持容量電極配線の上にはマトリクス状に配列された複数の画素電極が保持容量電極配線と絶縁されて設けられている。ゲート電極配線と保持容量電極配線とにそれぞれ直交する方向に複数のソース電極配線がこれらと絶縁されて形成されている。
【０００６】
また、基板１１の表示領域１２の周辺部には、ゲート電極配線およびソース電極配線のそれぞれに信号を供給するゲートドライバＩＣ１３Ｇ、ソースドライバＩＣ１３Ｓが搭載されている。また、基板１１の周辺部には、ゲートドライバＩＣ１３Ｇ、ソースドライバＩＣ１３Ｓに、それぞれ信号及び電源電圧を伝送するゲート伝送配線１５、ソース伝送配線１６が設けられている。ＦＰＣ１４は、このゲートドライバＩＣ１３Ｇ、ソースドライバＩＣ１３Ｓに信号および電源電圧を供給するコントローラ、ＤＣ／ＤＣコンバータなどを実装したプリント配線基板（Printed Circuit Board：ＰＣＢ）とのインターフェースに用いられる。ＰＣＢは、ＦＰＣ１４を介してゲート伝送配線１５、ソース伝送配線１６に接続される。
【０００７】
ＴＦＴアレイ基板１０と液晶をはさんで対向配置される対向基板上には、ＴＦＴ素子とともに液晶の配列状態を変化させることにより画像表示を行うコモン電極が形成されている。ＴＦＴアレイ基板上に設けられるコモン伝送配線１７は、この対向基板上のコモン電極とＦＰＣ１４とを接続するために設けられる。このコモン伝送配線１７は、トランスファー１８を介して対向基板上に設けられたコモン電極に接続されている。
【０００８】
これらの伝送配線は基板１１の端部にあるＦＰＣ１４との接続部から所定の距離に渡って延在し、各伝送配線は所定の間隔を隔てて形成されている。具体的には、ゲート伝送配線１５、ソース伝送配線１６は、所定の距離寸法に形成された後、基板１１の周辺に搭載されているゲートドライバＩＣ１３Ｇ、ソースドライバＩＣ１３Ｓにそれぞれ接続されている。また、コモン伝送配線１７は、表示領域１２の近傍に設けられているトランスファー１８に接続するように形成されている。これらの伝送配線の一部は、絶縁層をはさんで交差する部分を有する。
【０００９】
図７に示すように、ゲート伝送配線１５とコモン伝送配線１７の交差部の近傍には、静電破壊防止部２０が形成されている。静電破壊防止部２０はゲート伝送配線１５とコモン伝送配線１７とを接続し、高電圧がかかったときにだけ電流が流れる。これによって、ゲート伝送配線１５とコモン伝送配線１７の間に静電気による高電圧がかかった場合においても、層間絶縁層の静電破壊を防止することができる。尚、静電破壊防止部２０は、ゲート伝送配線１５とコモン伝送配線１７の間の他に、ＦＰＣ１４と各伝送配線との接続部近傍、近接するゲート伝送配線１５とソース伝送配線１６の間などにも設けることができる。
【００１０】
図８に、ゲート伝送配線１５とコモン伝送配線１７の交差部近傍（図７中の一点鎖線で示す部分）の拡大図を示す。図８に示すように、ゲート伝送配線１５とコモン伝送配線１７とが交差する近傍にゲート伝送配線１５の切り欠き部３０を設け、この切り欠き部３０内に静電破壊防止部２０が設けられている。
【００１１】
この切り欠き部３０（図８中破線で示す部分）の拡大図を図９に示す。図９に示すように、切り欠き部３０は、コーナー部が略直角の形状であった。このコーナー部が略直角であるために、このコーナー部に電荷が集中し、ゲート伝送配線１５とコモン伝送配線１７間でＥＳＤが発生し、静電破壊が発生するという問題があることを発明者らは見出した。そのまま通電を続けると、この破壊された部分に電蝕が発生、成長し、表示信号に不具合が生じ、表示パネルの表示不良を引き起こすことになる。
【００１２】
本発明は上記のような事情を背景になされたものであって、本発明の目的は、ＥＳＤによる静電破壊を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る表示装置は、絶縁層を挟んで形成された第１の電極配線と第２の電極配線とを有する基板を備える表示装置であって、前記第１の電極配線は前記第２の電極配線の近傍にコーナー部を有し、前記コーナー部は鈍角もしくは曲線で形成されているものである。これによって、コーナー部における電荷の集中を抑制することができる。
【００１４】
また、前記第１の電極配線は前記第２の電極配線の近傍に複数のコーナー部を備える凹部を備え、前記複数のコーナー部の各コーナー部は、鈍角もしくは曲線で形成されており、前記凹部内に、前記第１の電極配線と前記第２の電極配線とを接続する静電破壊防止部が形成されていることが好ましい。これによって、ＥＳＤによる静電破壊を防止することができる。
【００１５】
前記静電破壊防止部はアモルファスシリコン層を有することが好ましい。これによって、効率的に製造することが可能である。
【００１６】
前記表示装置は液晶表示装置であって、前記第１の電極配線もしくは前記第２の電極配線はコモン電圧を伝送するコモン伝送配線であることが好ましい。
【００１７】
前記第１の電極配線は前記第２の電極配線の近傍に複数のコーナー部を備える凹部または凸部を有し、前記複数のコーナー部の各コーナー部は、鈍角もしくは曲線で形成されていることが好ましい。これによって、凹部または凸部における電荷の集中が抑制できる。
【００１８】
前記第１の電極配線と前記第２の電極配線とが前記絶縁層を介して交差しており、該交差している近傍において前記１の電極配線は複数のコーナー部を備える凹部または凸部を有し、前記複数のコーナー部は、鈍角もしくは曲線で形成されていることが好ましい。これによって、特にＥＳＤによる静電破壊が発生しやすかった箇所での電荷の集中を効果的に抑制することができる。
【００１９】
前記凹部または凸部において、前記第２の電極配線は静電破壊防止部を解して前記第１の電極配線と接続されていることが好ましい。これによって、ＥＳＤによる静電破壊を効果的に防止することができる。
【００２０】
前記鈍角の角度は１００°以上であることが好ましい。また、曲線で形成された前記コーナー部は、曲率半径Ｒが３μｍ以上の円弧状であることが好ましい。これによって、コーナー部における電荷の集中を抑制できる。
【００２１】
本発明に係る配線基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に絶縁層をはさんで形成された第１の電極配線と第２の電極配線と、を有し、前記第１の電極配線は前記第２の電極配線の近傍にコーナー部を有し、前記コーナー部は鈍角もしくは曲線で形成されているものである。これによって、コーナー部における電荷の集中及びそれに起因して発生するＥＳＤによる静電破壊を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によって、静電破壊を防止した配線基板を提供し、表示不良を抑制した表示装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明を適用可能な実施の形態について図を用いて説明する。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。
【００２４】
本発明の態様にかかる表示装置について、図１を用いて説明する。ここでは、表示装置の一例として、ＴＮタイプのアクティブマトリックス型の液晶表示装置を説明する。図１は、本実施の形態にかかる液晶表示装置１の概略図である。液晶表示装置１は、画像表示を行う液晶表示パネルと表示信号及び電源を供給するＰＣＢ１３１、ゲートドライバＩＣ１０３G、ソースドライバＩＣ１０３Ｓなどからなる。液晶表示パネルはＴＦＴアレイ基板１０１と対向配置される対向基板１２０との間に液晶を狭持した構成を有している。このＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板１２０はシール剤を用いて接着されている。また、液晶表示パネルは、マトリックス状に形成された複数の画素を有している。表示領域は、この複数の画素から構成される。
【００２５】
カラー表示を行う場合は、対向基板１２０上にＲ（赤）、Ｇ（緑）Ｂ（青）のカラーフィルタ層を有している。液晶表示パネルの各画素は、ＲＧＢいずれかの色表示を行う。モノクロ表示の場合は、カラーフィルタ層を設けなくてもよい。
【００２６】
ＰＣＢ１３１は、ＦＰＣ１０４を用いて液晶表示パネルに接続される。このＰＣＢ１３１は、タイミング・コントローラ１３２および電源回路１３３を備えている。電源回路１３３はＤＣ／ＤＣコンバータ（不図示）を備え、外部電源から供給されるＤＣ電圧から、各回路へ供給される電圧を生成する。ＤＣ／ＤＣコンバータからの電圧は、各伝送配線を介してゲート電極配線に信号を供給するゲートドライバＩＣ１０３Ｇ、ソース電極配線に信号を供給するソースドライバＩＣ１０３Ｓ、あるいはタイミング・コントローラ１３２へ供給される。
【００２７】
ゲートドライバＩＣ１０３Ｇから入力されるゲート電圧によって選択された各画素は、ソースドライバＩＣ１０３Ｓから入力される表示信号電圧に基づき液晶に電界を印加する。ゲートドライバＩＣ１０３Ｇは、一つもしくは複数個備えられている。同様に、ソースドライバＩＣ１０３Ｓも、一つもしくは複数個備えられている。本形態の各ドライバＩＣは、ＣＯＧ（Chip On Glass）技術によってアレイ基板の絶縁基板上に直接に設置される、あるいは絶縁基板上にフォトリソグラフィ技術を使用して直接に形成することができる。
【００２８】
ソースドライバＩＣ１０３Ｓから入力される電圧が、ＴＦＴのソース／ドレインを介して画素電極に送られ、画素電極とコモン電極とが液晶に電界を印加する。この電圧を変えることにより液晶への印加電圧を変化させることができ、液晶の光の透過率を制御する。対向基板上に設けられているコモン電極に共通電位を与える回路は、ＰＣＢ１３１上に構成される。液晶表示装置としては、上記例の他に、ＳＴＮタイプの液晶表示装置や一つの基板上に画素電極とコモン電極が形成されるＩＰＳ（In Plane Switching）などが知られている。
【００２９】
図２を用いて、本発明の表示装置に用いる配線基板の一例として、上述した液晶表示装置用のＴＦＴアレイ基板について説明する。図２は、本実施形態に係るＴＦＴアレイ基板１０１及びそれに実装される回路構成の概略を示す平面図である。ＴＦＴアレイ基板１０１上の破線で示される表示領域１０２内には、例えばクロムなどからなる複数のゲート電極配線（不図示）とこれらのゲート電極配線の間に平行に、ゲート電極配線と同じ金属材料からなる保持容量電極配線（不図示）とが形成されている。この保持容量電極配線は、当該保持容量電極線と画素電極とのあいだに保持容量を形成するものであり、これによりＴＦＴのリーク電流による電位の低下を防止し、直流電圧成分による液晶の劣化を防止する機能をもつ。
【００３０】
この保持容量電極配線の上にはマトリクス状に配列された複数の画素電極（不図示）が保持容量電極配線と絶縁されて設けられている。ゲート電極配線と保持容量電極配線とにそれぞれ直交する方向には複数のソース電極配線（不図示）がこれらと絶縁されて形成される。これらの配線それぞれには、点灯検査用の検査端子部（不図示）が形成される。また、ゲート電極配線、ソース電極配線の交差部付近にはＴＦＴが配置される。
【００３１】
また、基板１０１の表示領域１０２の周辺部には、ゲート電極配線およびソース電極配線それぞれに表示信号を供給するゲートドライバＩＣ１０３Ｇ、およびソースドライバＩＣ１０３Ｓが搭載されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０１の周辺部には、ゲートドライバＩＣ１０３Ｇへ信号電圧・電源電圧を伝送するゲート伝送配線１０５と、ソースドライバＩＣ１０３Ｓへ信号電圧・電源電圧を伝送するソース伝送配線１０６が設けられている。ＦＰＣ１４は、このゲートドライバＩＣ１０３Ｇ及びソースドライバＩＣ１０３Ｓに信号および電源を供給するコントローラ、ＤＣ／ＤＣコンバータなどを実装したＰＣＢとのインターフェースに用いられる。ＰＣＢは、ＦＰＣ１０４を介してゲート伝送配線１０５、ソース伝送配線１０６と接続されている。
【００３２】
ＴＦＴアレイ基板１０１と液晶をはさんで対向配置される対向基板（不図示）上には、画素電極とともに液晶の配列状態を変化させることにより画像表示を行うコモン電極が形成されている。このコモン電極は、ＩＴＯなどの透明導電性材料からなる。ＴＦＴアレイ基板１０１上に設けられるコモン伝送配線１０７は、この対向基板上に形成されているコモン電極とＦＰＣ１０４とを接続するために設けられる。このコモン伝送配線１０７は、トランスファー１０８を介して対向基板上に設けられたコモン電極に接続されている。
【００３３】
これらの伝送配線は、ＴＦＴアレイ基板１０１の端部にあるＦＰＣ１０４との接続部から所定の距離に渡って延在している。各伝送配線は、所定の間隔を隔てて形成されている。具体的には、ゲート伝送配線１０５、ソース伝送配線１０６は、所定の距離寸法に形成された後、基板１０１の周辺に搭載されているゲートドライバＩＣ１０３Ｇ、ソースドライバＩＣ１０３Ｓにそれぞれ接続するように、必要に応じて方向を変化させて基板１０１の周辺にそれぞれ形成されている。また、コモン伝送配線１０７は、表示領域１０２の近傍に設けられているトランスファー１０８に接続するように、必要に応じて方向を変化させて形成されている。これらの伝送配線のいくつかは、絶縁層をはさんで交差する部分を有する。これについて、図３を用いて詳しく説明する。
【００３４】
図３は、本実施の形態にかかるＴＦＴアレイ基板１００のＦＰＣ１０４の接続部におけるゲート伝送配線１０５およびコモン伝送配線１０７部分（図２中一点鎖線で示す部分）の拡大図である。基板１０１上に形成されたゲート伝送配線１０５とコモン伝送配線１０７は、ＦＰＣ１０４の接続部から同じ方向に所定の距離に渡って延在し、互いに所定の間隔を隔てて形成されている。図３で示されるように、コモン伝送配線１０７は、ゲート伝送配線１０５の左側に形成されている。ゲート伝送配線１０５は、ゲートドライバＩＣ１０３Ｇが搭載されている方向に向かって、方向を変化させて形成されている（図３左方向）。
【００３５】
一方、コモン伝送配線１０７は、表示領域１０２の近傍に設けられているトランスファー１０８の方向に向かって略直線で形成されている（図３上方向）。したがって、ゲート伝送配線１０５とコモン伝送配線１０７は、絶縁層を介して交差している部分を有する。この交差している部分やその近傍が、他の配線と最も近接しているところであり、ＥＳＤによる静電破壊が生じやすい。すなわち、配線同士が交差している近傍に本発明を適用することが効果的である。
【００３６】
図３に示すように、ゲート伝送配線１０５とコモン伝送配線１０７の交差部の近傍には、静電破壊防止部２００が形成されている。静電破壊防止部２００はゲート伝送配線１０５とコモン伝送配線１０７を接続し、高電圧がかかったときにだけ電流が流れる。これによって、通常動作時には伝送信号などに影響を実質的に及ぼすことなく、また、高電圧がかかった場合にはＥＳＤ電流を流すことによって、ゲート伝送配線１０５とコモン伝送配線１０７の間の絶縁破壊を防止する。
【００３７】
尚、静電破壊防止部は、ＦＰＣ１０４と各伝送配線との接続部近傍、近接するゲート伝送配線１０５とソース伝送配線１０６の間、あるいはゲート伝送配線１０５とコモン伝送配線１０７の間などに設けることが好ましい。その他、表示装置の点灯検査用に設けられている検査端子部の間にも設けることが好ましい。静電破壊防止部２００は、表示パネル組み立て後も除去されず、ＴＦＴアレイ基板１０１端部に存在し、液晶表示装置の完成後においても、静電破壊を防止するＥＳＤ保護素子として機能する。
【００３８】
各伝送配線とＦＰＣ１０４との接続部近傍に設けられる静電破壊防止部２００は、電極配線の高密度化のため、配線間に静電破壊防止部２００を設けることが難しい場合があった。そこで、図３に示すように、ゲート伝送配線１０５のコモン伝送配線１０７との交差部近傍に切り欠き部１１０を設ける。そして、この切り欠き部１１０内に静電破壊防止部２００が設けられる。なお、ゲート伝送配線１０５とコモン伝送配線１０７との交差部近傍に少なくともどちらか一方の配線に凸部を形成し、該凸部において他方の配線と接続する静電破壊防止部２００を設けてもよい。この静電破壊防止部２００を図４および図５を参照して説明する。図４は、静電破壊防止部２００（図３中破線で示す部分）の拡大図である。また、図５は、この静電破壊防止部２００のＡ−Ａ’断面図である。
【００３９】
図４に示すように、ゲート伝送配線１０５には、コモン伝送配線１０７との交差部の近傍に切り欠き部分１１０が設けられている。切り欠き部１１０内に静電破壊防止部２００が形成されている。静電破壊防止部２００は、切り欠き部１１０内にアイランド状に形成された静電破壊防止電極２０１と、接続部２０２とから構成されている。静電破壊防止電極２０１はコモン伝送配線１０７と接続され、接続部２０２は静電破壊防止電極２０１及びゲート伝送配線１０５を接続している。静電破壊防止電極２０１は、高電圧がかかったときにだけ導通し、ＥＳＤによる静電破壊を防止する。尚、切り欠き部１１０の形状については後に詳述する。
【００４０】
図５に示すように、絶縁基板上に設けられたゲート伝送配線１０５の上には、絶縁層１０９が形成されている。ゲート伝送配線１０５は、高融点金属材料であるクロムの単層膜、またはクロム及びアルミニウムからなる多層膜をパターニングして形成することができる。絶縁層１０９は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ、ｘは正の整数である）からなる。
【００４１】
絶縁層１０９上には静電破壊防止電極２０１がアイランド状に形成される。この静電破壊防止電極２０１は、スルーホールを介して接続部２０２によってゲート伝送配線１０５に接続されている。また、静電破壊防止電極２０１は、ゲート伝送配線１０５と接続されるスルーホールとは異なった位置に形成されたスルーホールを介して、コモン伝送配線１０７に接続される。
【００４２】
この静電破壊防止電極２０１は高抵抗の材料からなり高電圧がかかったときにだけ導通する。好ましくは、静電破壊防止電極２０１はａ−Ｓｉを用いて形成される。ＴＦＴをａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を使用して形成することによって効率的な製造が可能となる。コモン伝送配線１０７は、ＩＴＯなどの材料を用いて形成される。また、静電破壊防止電極２０１とゲート伝送配線１０５とを接続する接続部２０２は、コモン伝送配線１０７と同じ材料で形成される。さらに、コモン電極は大面積の導体部を有しているため、摩擦帯電や剥離帯電などの電荷が蓄積しやすい。このコモン電極とトランスファーを介して接続されているコモン伝送配線１０７と近接している配線との間に静電破壊防止部を配設することが好ましい。
【００４３】
ゲート伝送配線１０５の切り欠き部（凹部）１１０の形状について図６を用いて説明する。図６は、切り欠き部１１０の形状を示す模式的拡大図である。図６（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ異なる切り欠き部１１０の形状を示している。図６（ａ）において、切り欠き部１１０の外形を画定する複数のコーナー部が形成されており、各コーナー部が鈍角になっている。好ましい形状として、図の切り欠き部１１０の全てのコーナー部が鈍角である。
【００４４】
具体的には、図６において、切り欠き部１１０には８つのコーナー部が形成されている。各コーナー部において、角度が小さい側の角度は９０°より大きい。好ましくは、各コーナー部の角度が１００°以上となるように形成される。より好ましくは、コーナー部の角度が１１０°以上である。従来は、このコーナー部が直角であるために、このコーナー部に電荷が集中し、ゲート伝送配線１５とコモン伝送配線１７間でＥＳＤが発生し、静電破壊が発生するという問題が生じていた。しかし、このように鈍角にすることによって、コーナー部の電荷の集中、及びそれに起因するＥＳＤによる静電破壊を防止することができる。
【００４５】
さらに、図６（ｂ）に示すように、コーナー部が曲線で形成されていることは好ましい態様の一つである。特に、このコーナー部は、曲率半径Ｒが３μｍ以上の円弧状であることが好ましい。これによって、コーナー部でのＥＳＤによる静電破壊の発生を防止することができる。尚、上記においては凹部としての切り欠き部１１０のコーナー部について説明したが、凸部のコーナー部についても同様の説明が適用される。凸部を形成するコーナー部は、鈍角であるように形成される、あるいは、曲線によって形成される。
【００４６】
なお、上述のように、静電破壊防止部が設けられる切り欠き部だけではなく、配線基板であって、電極が近接する部分において凹または凸部を有している場合に本発明は適用可能である。特に、多層構造を有する配線基板においては、各配線がより近接して形成されることが多く、本発明の適用が特に有用である。また本実施形態では、アクティブマトリックス型の液晶表示装置を例として説明したが、この他、本発明は様々なタイプの液晶表示装置、あるいは、ドライバ回路部によってその表示が制御される様々なタイプの表示装置、例えば有機ＥＬや無機ＥＬ表示装置、プラズマ表示装置、エレクトロクロミック表示装置、あるいは配線基板を有する様々な電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本実施の形態に係る、液晶表示装置の概略図である。
【図２】本実施の形態に係る、ＴＦＴアレイ基板の概略構成を示す図である。
【図３】本実施の形態に係る、ＴＦＴアレイ基板の一部の概略構成を示す拡大図である。
【図４】本実施の形態に係る、ＴＦＴアレイ基板の電極の形状を示す拡大図である。
【図５】同図３のＡ−Ａ’の断面図である。
【図６】本実施の形態に係る、ＴＦＴアレイ基板の電極の切り欠き部の形状を示す図である。
【図７】従来のＴＦＴアレイ基板の概略構成を示す図である。
【図８】従来のＴＦＴアレイ基板の一部の概略構成を示す拡大図である。
【図９】従来のＴＦＴアレイ基板の電極の形状を示す拡大図である。
【符号の説明】
【００４８】
１００  ＴＦＴアレイ基板、１０１  基板、１０２  表示領域
１０３Ｓ  ソースドライバＩＣ、１０３Ｇ  ゲートドライバＩＣ
１０４  ＦＰＣ、１０５  ゲート伝送配線
１０６  ソース伝送配線、１０７  コモン伝送配線
１０８  トランスファー、１０９  絶縁層、１１０  切り欠き部
２００  静電破壊防止部、２０１  静電破壊防止電極、２０２  接続部
【図１】
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【図２】
2006038911.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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