(57)【要約】【課題】  基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御した際に生ずる制御誤差の原因究明を容易且つ短時間で行うことができる情報表示方法及び情報表示プログラム、並びに処理装置及び露光装置を提供する。【解決手段】  ウィンドウＷＤには、ウェハＷのエッジＥＧ及びウェハＷの表面位置を検出する多点ＡＦセンサの検出点が図形表示される第１表示領域Ｒ１が設けられており、この第１表示領域Ｒ１内でエッジＥＧの表示位置が検出点に対して相対的に移動する。また、露光時のウェハＷの表面位置及び姿勢の制御に関する目標値がグラフ表示される第３表示領域Ｒ３と、その制御誤差を表示する第４表示領域Ｒ４とが設けられている。これらの表示領域には、露光スリットＳＬの位置を表示し、第１表示領域Ｒ１に表示されたエッジＥＧに同期して移動するインジケータＳＬ１，ＳＬ２が表示される。【選択図】  図７
2006165122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御しつつ前記基板に対して所定の処理を施す基板処理における、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する情報を表示する情報表示方法であって、
前記基板の位置に関する第１情報と、前記第１情報で示される基板の位置での前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す第２情報とを同期させて同時に表示する表示ステップを含むことを特徴とする情報表示方法。
【請求項２】
前記基板の制御を行うために前記基板の表面位置を検出する複数の検出点が設定されており、
前記表示ステップは、前記第１情報で示される位置で前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御するために用いられる検出点を示す情報を前記第２情報として表示することを特徴とする請求項１記載の情報表示方法。
【請求項３】
前記表示ステップは、前記第１情報で示される位置で前記基板の姿勢を制御するために用いられる制御基準を示す情報を前記第２情報として表示することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の情報表示方法。
【請求項４】
前記基板の位置に関する第１情報は、前記基板の外縁を示す情報、前記基板上に設定された区画領域を示す情報、及び前記基板の有効領域を示す情報の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の情報表示方法。
【請求項５】
前記表示ステップは、前記第１、第２情報を図形で表示するとともに、図形で表示された前記第１、第２情報の一方の表示位置を、他方に対して相対的に移動させて表示することを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の情報表示方法。
【請求項６】
前記表示ステップは、前記第１、第２情報を図形及び文字で表示するとともに、図形で表示された情報と文字で表示された情報とを、前記第１情報に同期させて表示することを特徴とする請求項５記載の情報表示方法。
【請求項７】
前記表示ステップは、前記第１情報で示される前記基板の各位置における、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の目標値を示す情報を前記第１情報、前記第２情報とともに表示することを特徴とする請求項５記載の情報表示方法。
【請求項８】
前記表示ステップは、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の目標値を示す情報を、前記基板の位置に関する第１情報に同期させて表示することを特徴とする請求項７記載の情報表示方法。
【請求項９】
前記所定の処理は、前記基板を露光光で露光する露光処理であることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の情報表示方法。
【請求項１０】
前記表示ステップは、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御誤差を示す情報、前記基板の表面位置及び姿勢の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、前記基板上に設定された区画領域の表面形状を示す情報、並びに前記基板上に照射される露光光の照射量の誤差を示す情報の少なくとも１つを前記第１情報、前記第２情報とともに表示することを特徴とする請求項９記載の情報表示方法。
【請求項１１】
前記表示ステップは、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御誤差を示す情報、前記区画領域の表面形状を示す情報、並びに前記露光光の照射量の誤差を示す情報のうちで表示される少なくとも１つを、前記第１情報に同期させて表示することを特徴とする請求項１０記載の情報表示方法。
【請求項１２】
前記基板の露光は、パターンが形成されたマスクと前記基板とを同期移動させつつ前記露光光により前記マスクのパターンを逐次前記基板上に転写して行うものであり、
前記表示ステップは、前記マスクと前記基板との同期移動誤差を示す情報を前記第１情報、前記第２情報とともに表示することを特徴とする請求項９記載の情報表示方法。
【請求項１３】
前記表示ステップは、前記マスクと前記基板との同期移動誤差を示す情報を、前記第１情報に同期させて表示することを特徴とする請求項１２記載の情報表示方法。
【請求項１４】
前記表示ステップは、前記露光時における前記露光光の照射位置毎での、前記区画領域の局所的な平坦度を示す情報、前記露光時における基板の各表面位置の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、並びに前記基板に形成される線幅及び当該線幅の誤差を示す情報の少なくとも１つを、前記第１情報、前記第２情報とともに表示することを特徴とする請求項９記載の情報表示方法。
【請求項１５】
前記表示ステップは、前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記区画領域の局所的な平坦度を示す情報、前記露光時における基板の各表面位置の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、並びに前記基板に形成される線幅及び当該線幅の誤差を示す情報の少なくとも１つを、前記第１情報に同期させて表示することを特徴とする請求項１４記載の情報表示方法。
【請求項１６】
前記表示ステップは、前記第１情報で示される位置での前記基板に対する前記露光光の照射位置を示す第３情報を、前記第１情報及び第２情報と同時に表示することを特徴とする請求項９記載の情報表示方法。
【請求項１７】
前記表示ステップは、前記第１情報から前記第３情報を図形で表示するとともに、前記第１情報から前記第３情報の少なくとも１つを他に対して相対的に移動させて表示することを特徴とする請求項１６記載の情報表示方法。
【請求項１８】
前記表示ステップは、前記第３情報を図形及び文字で表示するとともに、前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、図形で表示された前記第３情報と文字で表示された前記第３情報とを同期させて表示することを特徴とする請求項１６又は請求項１７記載の情報表示方法。
【請求項１９】
前記表示ステップは、前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の目標値を示す情報と前記第３情報とを同期させて同時に表示することを特徴とする請求項１６から請求項１８の何れか一項に記載の情報表示方法。
【請求項２０】
前記表示ステップは、前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御誤差を示す情報、前記基板の表面位置及び姿勢の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、前記基板上に設定された区画領域の表面形状を示す情報、並びに前記基板上に照射される露光光の照射量の誤差を示す情報の少なくとも１つと前記第３情報とを同期させて同時に表示することを特徴とする請求項１６から請求項１９の何れか一項に記載の情報表示方法。
【請求項２１】
前記基板の露光は、パターンが形成されたマスクと前記基板とを同期移動させつつ前記露光光により前記マスクのパターンを逐次前記基板上に転写して行うものであり、
前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記マスクと前記基板との同期移動誤差を示す情報と前記第３情報とを同期させて同時に表示することを特徴とする請求項１６から請求項１９の何れか一項に記載の情報表示方法。
【請求項２２】
前記表示ステップは、前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記区画領域の局所的な平坦度を示す情報、前記露光時における基板の各表面位置の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、並びに前記基板に形成される線幅及び当該線幅の誤差を示す情報の少なくとも１つと前記第３情報とを同期させて同時に表示することを特徴とする請求項１６から請求項１９の何れか一項に記載の情報表示方法。
【請求項２３】
基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御しつつ、パターンが形成されたマスクと前記基板とを同期移動させながら露光光により前記マスクのパターンを前記基板上に逐次転写する露光時の情報を表示する情報表示方法であって、
前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、
前記基板の表面位置及び姿勢の制御目標値を示す情報、
前記基板の表面位置及び姿勢の制御誤差を示す情報、前記基板上に設定された区画領域の表面形状を示す情報、前記基板上に照射される露光光の照射量の誤差を示す情報、及び前記マスクと前記基板との同期移動誤差を示す情報、
前記区画領域の局所的な平坦度を示す情報、前記露光時における前記基板の各表面位置の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、並びに前記基板に形成される線幅及び当該線幅の誤差を示す情報
の少なくとも１つと、前記基板上での前記露光光の照射位置を示す第３情報とを同期させて同時に表示することを特徴とする情報表示方法。
【請求項２４】
基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御しつつ前記基板に対して所定の処理を施す基板処理における、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する情報を表示する情報表示プログラムであって、
前記基板の位置に関する第１情報と、前記第１情報で示される基板の位置での前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す第２情報とを同期させて同時に表示する表示処理を有することを特徴とする情報表示プログラム。
【請求項２５】
前記基板の制御を行うために前記基板の表面位置を検出する複数の検出点が設定されており、
前記表示処理は、前記第１情報で示される位置で前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御するために用いられる検出点を示す情報を前記第２情報として表示する処理であることを特徴とする請求項２４記載の情報表示プログラム。
【請求項２６】
前記表示処理は、前記第１情報で示される位置で前記基板の姿勢を制御するために用いられる制御基準を示す情報を前記第２情報として表示する処理であることを特徴とする請求項２４又は請求項２５記載の情報表示プログラム。
【請求項２７】
前記基板の位置に関する第１情報は、前記基板の外縁を示す情報、前記基板上に設定された区画領域を示す情報、及び前記基板の有効領域を示す情報の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２４から請求項２６の何れか一項に記載の情報表示プログラム。
【請求項２８】
前記表示処理は、前記第１、第２情報を図形で表示するとともに、図形で表示された前記第１、第２情報の一方の表示位置を、他方に対して相対的に移動させて表示する処理であることを特徴とする請求項２４から請求項２７の何れか一項に記載の情報表示プログラム。
【請求項２９】
前記表示処理は、前記第１、第２情報を図形及び文字で表示するとともに、図形で表示された情報と文字で表示された情報とを、前記第１情報に同期させて表示する処理であることを特徴とする請求項２８記載の情報表示プログラム。
【請求項３０】
前記表示処理は、前記第１情報で示される前記基板の各位置における、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の目標値を示す情報を前記第１情報、前記第２情報とともに表示する処理であることを特徴とする請求項２８記載の情報表示プログラム。
【請求項３１】
前記表示処理は、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の目標値を示す情報を、前記基板の位置に関する第１情報に同期させて表示する処理であることを特徴とする請求項３０記載の情報表示プログラム。
【請求項３２】
前記所定の処理は、前記基板を露光光で露光する露光処理であることを特徴とする請求項２４から請求項２７何れか一項に記載の情報表示プログラム。
【請求項３３】
前記表示処理は、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御誤差を示す情報、前記基板の表面位置及び姿勢の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、前記基板上に設定された区画領域の表面形状を示す情報、並びに前記基板上に照射される露光光の照射量の誤差を示す情報の少なくとも１つを前記第１情報、前記第２情報とともに表示する処理であることを特徴とする請求項３２記載の情報表示プログラム。
【請求項３４】
前記表示処理は、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御誤差を示す情報、前記区画領域の表面形状を示す情報、並びに前記露光光の照射量の誤差を示す情報のうちで表示される少なくとも１つを、前記第１情報に同期させて表示する処理であることを特徴とする請求項３３記載の情報表示プログラム。
【請求項３５】
前記基板の露光は、パターンが形成されたマスクと前記基板とを同期移動させつつ前記露光光により前記マスクのパターンを逐次前記基板上に転写して行うものであり、
前記表示処理は、前記マスクと前記基板との同期移動誤差を示す情報を前記第１情報、前記第２情報とともに表示する処理であることを特徴とする請求項３２記載の情報表示プログラム。
【請求項３６】
前記表示処理は、前記マスクと前記基板との同期移動誤差を示す情報を、前記第１情報に同期させて表示する処理であることを特徴とする請求項３５記載の情報表示プログラム。
【請求項３７】
前記表示処理は、前記露光時における前記露光光の照射位置毎での、前記区画領域の局所的な平坦度を示す情報、前記露光時における基板の各表面位置の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、並びに前記基板に形成される線幅及び当該線幅の誤差を示す情報の少なくとも１つを、前記第１情報、前記第２情報とともに表示する処理であることを特徴とする請求項３２記載の情報表示プログラム。
【請求項３８】
前記表示処理は、前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記区画領域の局所的な平坦度を示す情報、前記露光時における基板の各表面位置の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、並びに前記基板に形成される線幅及び当該線幅の誤差を示す情報の少なくとも１つを、前記第１情報に同期させて表示する処理であることを特徴とする請求項３７記載の情報表示プログラム。
【請求項３９】
前記表示処理は、前記第１情報で示される位置での前記基板に対する前記露光光の照射位置を示す第３情報を、前記第１情報及び第２情報と同時に表示する処理であることを特徴とする請求項３２記載の情報表示プログラム。
【請求項４０】
前記表示処理は、前記第１情報から前記第３情報を図形で表示するとともに、前記第１情報から前記第３情報の少なくとも１つを他に対して相対的に移動させて表示する処理であることを特徴とする請求項３９記載の情報表示プログラム。
【請求項４１】
前記表示プログラムは、前記第３情報を図形及び文字で表示するとともに、前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、図形で表示された前記第３情報と文字で表示された前記第３情報とを同期させて表示する処理であることを特徴とする請求項３９又は請求項４０記載の情報表示プログラム。
【請求項４２】
前記表示処理は、前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の目標値を示す情報と前記第３情報とを同期させて同時に表示する処理であることを特徴とする請求項３９から請求項４１の何れか一項に記載の情報表示プログラム。
【請求項４３】
前記表示処理は、前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御誤差を示す情報、前記基板の表面位置及び姿勢の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、前記基板上に設定された区画領域の表面形状を示す情報、並びに前記基板上に照射される露光光の照射量の誤差を示す情報の少なくとも１つと前記第３情報とを同期させて同時に表示する処理であることを特徴とする請求項３９から請求項４２の何れか一項に記載の情報表示プログラム。
【請求項４４】
前記基板の露光は、パターンが形成されたマスクと前記基板とを同期移動させつつ前記露光光により前記マスクのパターンを逐次前記基板上に転写して行うものであり、
前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記マスクと前記基板との同期移動誤差を示す情報と前記第３情報とを同期させて同時に表示することを特徴とする請求項３９から請求項４２の何れか一項に記載の情報表示プログラム。
【請求項４５】
前記表示処理は、前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記区画領域の局所的な平坦度を示す情報、前記露光時における基板の各表面位置の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、並びに前記基板に形成される線幅及び当該線幅の誤差を示す情報の少なくとも１つと前記第３情報とを同期させて同時に表示する処理であることを特徴とする請求項３９から請求項４２の何れか一項に記載の情報表示プログラム。
【請求項４６】
基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御しつつ、パターンが形成されたマスクと前記基板とを同期移動させながら露光光により前記マスクのパターンを前記基板上に逐次転写する露光時の情報を表示する情報表示プログラムであって、
前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、
前記基板の表面位置及び姿勢の制御目標値を示す情報、
前記基板の表面位置及び姿勢の制御誤差を示す情報、前記基板上に設定された区画領域の表面形状を示す情報、前記基板上に照射される露光光の照射量の誤差を示す情報、及び前記マスクと前記基板との同期移動誤差を示す情報、
前記区画領域の局所的な平坦度を示す情報、前記露光時における前記基板の各表面位置の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、並びに前記基板に形成される線幅及び当該線幅の誤差を示す情報
の少なくとも１つと、前記基板上での前記露光光の照射位置を示す第３情報とを同期させて同時に表示する表示処理を有することを特徴とする情報表示プログラム。
【請求項４７】
基板を保持するテーブルと、前記基板の表面位置を複数の検出点で検出する面位置検出装置と、前記面位置検出装置の検出結果に基づいて前記テーブルを制御して前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御する制御機構とを備える処理装置において、
前記基板に対して所定の処理を施す基板処理時における前記基板の位置に関する情報と、前記位置での前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す情報とを同期させて同時に表示する表示装置を備えることを特徴とする処理装置。
【請求項４８】
マスクを保持するマスクステージと、基板を保持する基板ステージと、当該基板ステージを制御して前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御する制御機構とを備え、前記マスクステージと前記基板ステージとを相対的に移動しつつ、前記マスクに露光光を照射して前記マスクに形成されたパターンを前記基板上に逐次転写する露光装置において、
前記露光時における前記基板の位置に関する情報と、前記基板での前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す情報とを同期させて同時に表示する表示装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項４９】
マスクを保持するマスクステージと、基板を保持する基板ステージと、当該基板ステージを制御して前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御する制御機構とを備え、前記マスクステージと前記基板ステージとを相対的に移動しつつ、前記マスクに露光光を照射して前記マスクに形成されたパターンを前記基板上に逐次転写する露光装置において、
前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記基板上での前記露光光の照射位置を示す情報と前記基板の制御状態を示す情報とを同期させて同時に表示する表示装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項５０】
前記基板の表面位置を複数の検出点で検出する面位置検出装置を備え、
前記表示装置は、前記検出点のうちの前記基板の制御に用いる検出点を示す情報を前記基板の制御状態を示す情報として表示することを特徴とする請求項４８又は請求項４９記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する情報を表示する情報表示方法及び情報表示プログラム、並びに基板に対して所定の処理を施す処理装置及びマスクに形成されたパターンを基板に転写する露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ（Charge Coupled Device：電荷結合素子）等）、薄膜磁気ヘッド、その他のデバイスは、処理装置を用いて基板に対して各種の処理を施すことにより製造される。処理装置が基板に対して施す処理は、例えば薄膜形成処理、フォトリソグラフィ処理、及び不純物の拡散処理等の処理があり、またこれらの処理を経た基板に形成された回路を検査・評価・修復（リペア）する処理がある。
【０００３】
上記のフォトリソグラフィ処理では、処理装置の一種である露光装置を用いて、マスクのパターンを投影光学系を介して感光剤が塗布された基板上のショット領域に転写する露光処理が行われる。この露光処理で用いられる露光装置は、投影光学系の光軸方向における基板の表面位置を検出するとともに基板の姿勢（投影光学系の光軸に交差する軸周りの基板の回転）を検出し、その検出結果に基づいて投影光学系の光軸方向における基板の表面位置及び基板の姿勢を自動的に制御するオートフォーカスセンサ（以下、ＡＦセンサという）が設けられている。このＡＦセンサの制御により、露光時には投影光学系を介して投影されるパターンの像が基板の表面に最良の状態で結像される。
【０００４】
フォトリソグラフィ処理を経た基板は、必要に応じて検査装置を用いて形成された回路の欠陥の有無が検査され、評価装置を用いて露光精度（解像度、転写忠実度、重ね合わせ精度、線幅誤差等）が評価される。また、基板に回路を形成するときに本来の素子部分に対して並列させて冗長部分を形成しておき、本来の素子部分に欠陥がある場合には、レーザリペア装置を用いてその素子部分をレーザ光により焼き切る処理が行われる。かかる処理を行って欠陥のある素子部分に代えて冗長部分を用いることにより回路が修復される。上記の評価装置による評価の結果、露光精度が低下した場合に、その低下が生じた原因を解析する一つの方法が、例えば以下の特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００１−３３８８７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、スリット状の照明光をマスクに照射した状態で、投影光学系に対してマスクと基板とを相対的に同期移動させながらマスクに形成されたパターンを逐次基板上のショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影型の露光装置は、基板上に複数の検出点を設けて投影光学系の光軸方向における基板の表面位置及び基板の姿勢を検出する多点ＡＦセンサが用いられている。このＡＦセンサは、予め求められている基板表面の形状（フラットネス）を示す情報と実際の検出結果とを用いてマスクに対して同期移動している基板の表面位置及び姿勢の制御を行っている。
【０００６】
上記の多点ＡＦセンサは、露光時に全ての検出点における検出結果を常時用いて基板の表面位置及び姿勢を制御している訳ではなく、露光領域（投影光学系によりパターンの像が投影される領域）に対する基板（ショット領域）の位置に応じて制御に用いる検出点を切り換えている。このため、１つのショット領域内であっても露光精度が所定の精度内に収まっている箇所と露光精度が悪化する箇所とが生ずることがある。露光精度が悪化した箇所の原因究明を行う場合には、その箇所を露光する際に使用された検出点に関する情報の収集、その箇所のフラットネスの状況確認等を行う必要があり、原因究明のための情報収集及び収集した情報を用いた解析に多大な労力を必要とし、その結果として原因究明に長時間を要するという問題があった。この問題は露光装置に限られず、多点ＡＦセンサを備える処理装置においても生ずる問題である。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御した際に生ずる制御誤差の原因究明を容易且つ短時間で行うことができる情報表示方法及び情報表示プログラム、並びに処理装置及び露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点による情報表示方法は、基板（Ｗ）の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御しつつ前記基板に対して所定の処理を施す基板処理（ＥＸ）における、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する情報を表示する情報表示方法であって、前記基板の位置に関する第１情報（ＥＧ、ＥＲ）と、前記第１情報で示される基板の位置での前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す第２情報（ｄ１〜ｄ９、ＲＣ）とを同期させて同時に表示する表示ステップを含むことを特徴としている。
この発明によると、基板の位置に関する第１情報と、この第１情報で示される基板の位置での基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す第２情報とが同期して同時に表示される。尚、ここにいう「表面位置」とは基板に交差する方向における基板表面の位置をいう。
上記課題を解決するために、本発明の第２の観点による情報表示方法は、基板（Ｗ）の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御しつつ、パターンが形成されたマスク（Ｒ）と前記基板とを同期移動させながら露光光（ＥＬ）により前記マスクのパターンを前記基板上に逐次転写する露光時の情報を表示する情報表示方法であって、前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記基板の表面位置及び姿勢の制御目標値を示す情報、前記基板の表面位置及び姿勢の制御誤差を示す情報、前記基板上に設定された区画領域の表面形状を示す情報、前記基板上に照射される露光光の照射量の誤差を示す情報、及び前記マスクと前記基板との同期移動誤差を示す情報、前記区画領域の局所的な平坦度を示す情報、前記露光時における前記基板の各表面位置の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、並びに前記基板に形成される線幅及び当該線幅の誤差を示す情報の少なくとも１つと、前記基板上での前記露光光の照射位置を示す第３情報とを同期させて同時に表示することを特徴としている。
この発明によると、露光時における露光光の照射位置毎に、［１］基板の表面位置及び姿勢の目標値を示す情報、［２］基板の表面位置及び姿勢の制御誤差を示す情報、［３］基板上に設定された区画領域の表面形状を示す情報、［４］基板上に照射される露光光の照射量の誤差を示す情報、（４）マスクと基板との同期移動誤差を示す情報、［５］区画領域の局所的な平坦度を示す情報、［６］露光時における基板の表面位置の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、［７］基板に形成される線幅及び当該線幅の誤差を示す情報の少なくとも１つが、基板上での露光光の照射位置を示す情報と同期して同時に表示される。
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点による情報表示プログラムは、基板（Ｗ）の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御しつつ前記基板に対して所定の処理を施す基板処理（ＥＸ）における、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する情報を表示する情報表示プログラムであって、前記基板の位置に関する第１情報（ＥＧ、ＥＲ）と、前記第１情報で示される基板の位置での前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す第２情報（ｄ１〜ｄ９、ＲＣ）とを同期させて同時に表示する表示処理を有することを特徴としている。
この発明によると、基板の位置に関する第１情報と、この第１情報で示される基板の位置での基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す第２情報とが同期して同時に表示される。
上記課題を解決するために、本発明の第２の観点による情報表示プログラムは、基板（Ｗ）の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御しつつ、パターンが形成されたマスク（Ｒ）と前記基板とを同期移動させながら露光光（ＥＬ）により前記マスクのパターンを前記基板上に逐次転写する露光時の情報を表示する情報表示プログラムであって、前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記基板の表面位置及び姿勢の制御目標値を示す情報、前記基板の表面位置及び姿勢の制御誤差を示す情報、前記基板上に設定された区画領域の表面形状を示す情報、前記基板上に照射される露光光の照射量の誤差を示す情報、及び前記マスクと前記基板との同期移動誤差を示す情報、前記区画領域の局所的な平坦度を示す情報、前記露光時における前記基板の各表面位置の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、並びに前記基板に形成される線幅及び当該線幅の誤差を示す情報の少なくとも１つと、前記基板上での前記露光光の照射位置を示す第３情報とを同期させて同時に表示する表示処理を有することを特徴としている。
この発明によると、露光時における露光光の照射位置毎に、［１］基板の表面位置及び姿勢の目標値を示す情報、［２］基板の表面位置及び姿勢の制御誤差を示す情報、［３］基板上に設定された区画領域の表面形状を示す情報、［４］基板上に照射される露光光の照射量の誤差を示す情報、（４）マスクと基板との同期移動誤差を示す情報、［５］区画領域の局所的な平坦度を示す情報、［６］露光時における基板の表面位置の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、［７］基板に形成される線幅及び当該線幅の誤差を示す情報の少なくとも１つが、基板上での露光光の照射位置を示す情報と同期して同時に表示される。
上記課題を解決するために、本発明の処理装置は、基板（Ｗ）を保持するテーブル（ＷＳＴ）と、前記基板の表面位置を複数の検出点で検出する面位置検出装置（２１）と、前記面位置検出装置の検出結果に基づいて前記テーブルを制御して前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御する制御機構（２０）とを備える処理装置（ＥＸ）において、前記基板に対して所定の処理を施す基板処理時における前記基板の位置に関する情報と、前記位置での前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す情報とを同期させて同時に表示する表示装置（４０）を備えることを特徴としている。
この発明によると、基板の処理時における基板の位置に関する情報と、この位置での基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す情報とが同期して同時に表示装置に表示される。
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点による露光装置は、マスク（Ｒ）を保持するマスクステージ（ＲＳＴ）と、基板（Ｗ）を保持する基板ステージ（ＷＳＴ）と、当該基板ステージを制御して前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御する制御機構（２０）とを備え、前記マスクステージと前記基板ステージとを相対的に移動しつつ、前記マスクに露光光（ＥＬ）を照射して前記マスクに形成されたパターンを前記基板上に逐次転写する露光装置（ＥＸ）において、前記露光時における前記基板の位置に関する情報と、前記基板での前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す情報とを同期させて同時に表示する表示装置（４０）を備えることを特徴としている。
この発明によると、マスクのパターンを基板上に転写する露光時における基板の位置に関する情報と、この位置での基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す情報とが同期して同時に表示装置に表示される。
上記課題を解決するために、本発明の第２の観点による露光装置は、マスク（Ｒ）を保持するマスクステージ（ＲＳＴ）と、基板（Ｗ）を保持する基板ステージ（ＷＳＴ）と、当該基板ステージを制御して前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御する制御機構（２０）とを備え、前記マスクステージと前記基板ステージとを相対的に移動しつつ、前記マスクに露光光を照射して前記マスクに形成されたパターンを前記基板上に逐次転写する露光装置（ＥＸ）において、前記露光時における前記露光光の照射位置毎に、前記基板上での前記露光光の照射位置を示す情報と前記基板の制御状態を示す情報とを同期させて同時に表示する表示装置（４０）を備えることを特徴としている。
この発明によると、マスクのパターンを基板上に転写する露光時における基板上の露光光の照射位置を示す情報と、基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す情報とが同期して同時に表示装置に表示される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板の位置に関する情報と、基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御に関する状態を示す情報とが同期して同時に表示されるため、基板の位置に応じて基板の制御に関する状態を示す情報を容易に把握することができる。その結果として、基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御した際に生ずる制御誤差の原因究明を容易且つ短時間で行うことができるという効果がある。
また、本発明によれば、露光時における露光光の照射位置毎に、［１］基板の表面位置及び姿勢の目標値を示す情報、［２］基板の表面位置及び姿勢の制御誤差を示す情報、［３］基板上に設定された区画領域の表面形状を示す情報、［４］基板上に照射される露光光の照射量の誤差を示す情報、（４）マスクと基板との同期移動誤差を示す情報、［５］区画領域の局所的な平坦度を示す情報、［６］露光時における基板の表面位置の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報、［７］基板に形成される線幅及び当該線幅の誤差を示す情報の少なくとも１つが、基板上での露光光の照射位置を示す情報と同期して同時に表示されるため、基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御した際に生ずる制御誤差の原因を究明するための情報収集に要する手間及び時間を省くことができ、容易且つ短時間で制御誤差の原因究明を行うことができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による情報表示方法及び情報表示プログラム並びに処理装置及び露光装置について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態による露光装置の概略構成を示す図である。図１に示す露光装置ＥＸは、半導体素子を製造するための露光装置であり、マスクとしてのレチクルＲと基板としてのウェハＷとを同期移動させつつ、レチクルＲに形成されたパターンを逐次ウェハＷ上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影型の露光装置である。
【００１１】
尚、以下の説明においては、必要であれば図中にＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。このＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＺ軸が紙面に対して平行となるよう設定され、Ｙ軸が紙面に対して垂直となる方向に設定されている。図中のＸＹＺ座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。また、露光時におけるレチクルＲ及びウェハＷの同期移動方向（走査方向）はＹ方向に設定されているものとする。
【００１２】
図１に示す露光装置ＥＸは、レチクルＲ上のスリット状（矩形状又は円弧状）の照明領域を均一な照度を有する露光光ＥＬで照明する不図示の照明光学系と、マスクとしてのレチクルＲを保持するマスクステージとしてのレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲのパターンの像をフォトレジストが塗布されたウェハＷ上に投影する投影光学系ＰＬと、基板としてのウェハＷを保持する基板ステージとしてのウェハステージＷＳＴと、これらの制御系とを含んで構成されている。
【００１３】
上記の不図示の照明光学系は、光源ユニット、オプティカル・インテグレータを含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、集光レンズ系、レチクルブラインド、及び結像レンズ系等（何れも不図示）を含んで構成されている。この照明光学系の構成等については、例えば特開平９−３２０９５６に開示されている。ここで、上記の光源ユニットとしては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、若しくはＦ２レーザ光源（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ光源（波長１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ光源（波長１２６ｎｍ）等の紫外レーザ光源、銅蒸気レーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、固体レーザ（半導体レーザ等）の高調波発生装置、又は水銀ランプ（ｉ線等）等も使用することができる。
【００１４】
レチクルステージＲＳＴは、照明光学系の下方（−Ｚ方向）に水平に配置されたレチクル支持台（定盤）１の上面上を走査方向（Ｙ方向）に所定ストロークで移動可能なレチクル走査ステージ２と、このレチクル走査ステージ２上に載置され、レチクル走査ステージ２に対してＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸回りの回転方向（θＺ方向）にそれぞれ微小駆動可能なレチクル微動ステージ３とを備えている。このレチクル微動ステージ３上にレチクルＲが真空吸着又は静電吸着等により保持される。
【００１５】
上記レチクル微小駆動ステージ３上の一端には移動鏡４が設けられており、レチクル支持台１上にはレーザ干渉計（以下、レチクル干渉計という）５が配置されている。レチクル干渉計５から射出されたレーザ光は移動鏡４の鏡面に照射され、その反射光と参照光との干渉光をレチクル干渉計５が受光することによって、レチクル微小駆動ステージ３のＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸回りの回転方向（θＸ，θＹ，θＺ方向）の位置が検出される。実際のレチクル微動ステージ３上には、Ｘ軸用の反射鏡、２個のＹ軸用の反射鏡が固定され、これに対応してレチクル干渉計５も複数設けられているが、図１ではこれらを代表して反射鏡４、レチクル干渉計５として図示している。尚、レチクルステージＲＳＴは、レチクルＲを保持するレチクルテーブルの微動機構（ボイスコイルモータ等のアクチュエータ）が組み込まれた可動体を、例えばリニアモータで走査方向（Ｙ方向）に一次元駆動する構成でもよい。また、レチクル微動ステージ３（又はレチクルテーブル）の端面を鏡面加工して上記の固定鏡４の鏡面の代わりに用いても良い。
【００１６】
上述のレチクル干渉計５により検出されたレチクル微動ステージ３の位置情報（又は速度情報）は、装置全体の動作を統轄制御する主制御系２０に供給される。主制御系２０は、レチクル走査ステージ２駆動用のリニアモータ、レチクル微動ステージ３駆動用のボイスコイルモータ等を含むレチクル駆動装置６を介してレチクル走査ステージ２及びレチクル微動ステージ３の動作を制御する。
【００１７】
上述した投影光学系ＰＬは、複数の屈折光学素子（レンズ素子）を含んで構成され、物体面（レチクルＲ）側と像面（ウェハＷ）側の両方がテレセントリックで所定の縮小倍率β（βは例えば１／４，１／５等）を有する屈折光学系が使用されている。この投影光学系ＰＬの光軸ＡＸの方向は、ＸＹ平面に直交するＺ方向とされている。尚、投影光学系ＰＬが備える複数のレンズ素子の硝材は、露光光ＥＬの波長に応じて、例えば石英又は蛍石が用いられる。また、本実施形態では、レチクルＲに形成されたパターンの倒立像をウェハＷ上に投影する投影光学系ＰＬを例に挙げて説明するが、勿論パターンの正立像を投影するものであっても良い。
【００１８】
ウェハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの下方（−Ｚ方向）に配置されており、ウェハＸＹ駆動ステージ８、支点９ａ〜９ｂ、ウェハテーブル１０、及びウェハホルダ１１を含んで構成されている。ウェハＸＹ駆動ステージ８は、ウェハ支持台（定盤）７の上面（基準平面）上をＸ方向及びＹ方向に移動可能に構成されており、このウェハＸＹ駆動ステージ８上にＺ方向に伸縮自在な３個の支点９ａ〜９ｃが設けられている。これら３つの支点９ａ〜９ｃは、例えばウェハウェハテーブル１０の中心に関して各々が互いに１２０°の角度をなすように配置されている。支点９ａ〜９ｃは、例えばロータリーモータ及びカムを使用する方式、積層型圧電素子（ピエゾ素子）、又はボイスコイルモータ（ここではボイスコイルモータとする）等を使用して構成される。
【００１９】
ウェハテーブル１０は、支点９ａ〜９ｂ上に載置されており、支点９ａ〜９ｂの伸縮量を制御することでＺ方向の微動（Ｘ軸回りの回転及びＹ軸回りの回転を含む）が可能である。ウェハテーブル１０上に設けられたウェハホルダ１１上にウェハＷが真空吸着又は静電吸着等により保持される。３個の支点９ａ〜９ｃは主制御系２０により制御される。支点９ａ〜９ｃを均等に伸縮させることにより、ウェハテーブル１０のＺ方向の位置を調整することができ、３個の支点９ａ〜９ｃの伸縮量を個別に調整することにより、ウェハテーブル１０のＸ軸及びＹ軸の回りの傾斜角を調整することができる。
【００２０】
ウェハテーブル１０上の一端には移動鏡１２が設けられており、ウェハステージＷＳＴの外部にはレーザ光を移動鏡１２の鏡面（反射面）に照射するレーザ干渉計（以下、ウェハ干渉計という）１３が設けられている。このウェハ干渉計１３は、移動鏡１２の鏡面にレーザ光を照射して得られる反射光と参照光との干渉光を受光することによって、ウェハテーブル１０のＸ方向及びＹ方向の位置、並びに姿勢（Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸周りの回転θＸ，θＹ，θＺ）が検出される。実際の移動鏡１２はＸ軸に交差してＹ方向に沿って延びる鏡面を有するＸ軸用の移動鏡とＹ軸に交差してＸ方向に沿って延びる鏡面を有するＹ軸用の移動鏡とを含んで構成され、ウェハ干渉計１３はＸ軸用の移動鏡に対してレーザ光を照射するウェハ干渉計と、Ｙ軸用の移動鏡に対してレーザ光を照射するウェハ干渉計とを含んで構成される。ウェハ干渉計１３の検出結果は主制御系２０に供給される。
【００２１】
主制御系２０は、ウェハ干渉計１３の検出結果に基づいて図１に示すウェハ駆動装置１４を介してウェハテーブル１０の位置及び姿勢を制御するとともに、装置全体の動作を制御する。また、ウェハ干渉計１３の検出結果により得られる座標により規定されるウェハ座標系と、レチクルＲ側のレチクル干渉計５の検出結果により得られる座標により規定されるレチクル座標系との対応をとるために、図１に示す通り、ウェハテーブル１０上であってウェハホルダ１１の近傍には基準マーク板１５が固定されている。この基準マーク板１５上には各種基準マークが形成されている。これらの基準マークの中にはウェハテーブル１０の内部に導かれた照明光により裏側から照明されている基準マーク、即ち発光性の基準マークも設けられている。
【００２２】
本実施形態の露光装置ＥＸは、レチクルＲの上方に配置され、基準マーク板１５上の基準マークとレチクルＲに形成された位置合わせ用マーク（レチクルアライメントマーク）とを同時に観察するためのレチクルアライメントセンサ１６ａ，１６ｂを備えている。これらのレチクルアライメントセンサ１６ａ，１６ｂの観察結果（計測結果）は、主制御系２０に供給される。レチクルアライメントセンサ１６ａ，１６ｂには、レチクルＲからの検出光を各々に導くための偏向ミラー１７ａ，１７ｂがそれぞれ移動自在に配置されている。これらの偏向ミラー１７ａ，１７ｂは、露光シーケンスが開始されると、主制御系２０からの指令のもとで、ミラー駆動装置１８ａ，１８ｂによりそれぞれ待避される。
【００２３】
また、投影光学系ＰＬのＹ方向の側面部には、ウェハＷ上に設定されたショット領域に付設されたアライメントマーク（ウェハアライメントマーク）を観察するための画像処理方式のオフ・アクシス・アライメントセンサ（以下、ウェハアライメントセンサという）１９が配置されている。ウェハアライメントセンサ１９の観察結果（計測結果）は、主制御系２０に供給される。ウェハアライメントセンサ１９の光学系の光軸は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行とされている。かかるアライメントセンサ１９の詳細な構成は、例えば特開平９−２１９３５４号公報及びこれに対応する米国特許第５，８５９，７０７号等に開示されている。
【００２４】
更に、本実施形態の露光装置ＥＸは、送光系２１ａ及び受光系２１ｂから構成され、投影光学系ＰＬに関してレチクルＲ上の照明領域と共役なウェハＷ上の露光スリット領域の内部及びその近傍に設定された複数の検出点でそれぞれウェハＷの表面のＺ方向（光軸ＡＸ方向）の位置を検出する多点ＡＦセンサ２１を投影光学系ＰＬの側方に備える。多点ＡＦセンサ２１は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向におけるウェハＷの表面位置及び姿勢（Ｘ軸，Ｙ軸周りの回転θＸ，θＹ：レベリング）を検出するものである。ここで、多点ＡＦセンサ２１について説明する。
【００２５】
図２は、斜め入射式の多点ＡＦセンサ２１の構成を示す図である。図２に示した斜め入射式の多点ＡＦセンサ２１には、露光光ＥＬの波長域とは異なりウェハＷ上のフォトレジストを感光させない波長域を有する照明光が、不図示の照明光源から光ファイバ束２２を介して導かれている。光ファイバ束２２から射出された照明光は、集光レンズ２３を経てパターン形成板２４を照明する。図３は、パターン形成板２４の構成例を示す断面図である。図３に示す通り、パターン形成板２４には、第１列目に９個のスリット状の開口パターン３４−１１〜３４−１９が形成され、第２列目〜第５列目にもそれぞれ９個の開口パターン３４−２１〜３４−２９，３４−３１〜３４−３９，３４−４１〜３４−４９，３４−５１〜３４−５９が形成されている。即ち、パターン形成板２４には、合計で４５個のスリット状の開口パターンが形成されており、これらのスリット状の開口パターンの像が図１のウェハＷの表面上にＸ軸及びＹ軸に対して斜めに投影される。
【００２６】
パターン形成板２４を透過した照明光は、レンズ２５、ミラー２６、及び照射対物レンズ２７を経てウェハＷの表面に投影され、ウェハＷの表面にはパターン形成板２４上のパターンの像が投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して斜めに投影結像される。図４は、ウェハＷ上の露光スリット領域の内部及びその近傍に設定された複数の検出点に投影される開口パターンの投影像を示す図である。図４において、符号ＥＦが付された矩形状の領域は前述した露光スリット領域を示している。この露光スリット領域ＥＦ内にレチクルＲのパターンの像が投影される。
【００２７】
図３に示した開口パターン３４−１１〜３４−１９，３４−２１〜３４−２９，３４−３１〜３４−３９，３４−４１〜３４−４９，３４−５１〜３４−５９の像はウェハＷの表面に対してＸ軸及びＹ軸に対して４５度で交差する方向から照射されるため、Ｘ軸及びＹ軸に対して４５度の角度をなす方向に長手方向が伸びた像となる。これらの像が投影される検出点は、図４に示す通りＸ方向及びＹ方向に沿って配列されている。露光スリット領域ＥＦの＋Ｙ方向側において配列された検出点Ｄ１１〜Ｄ１９が第１列Ｃ１をなし、露光スリット領域ＥＦの内部において配列された検出点Ｄ２１〜Ｄ２９、検出点Ｄ３１〜Ｄ３９、及び検出点Ｄ４１〜Ｄ４９がそれぞれ、第２列Ｃ２、第３列Ｃ３、及び第４列Ｃ４をなし、露光スリット領域ＥＦの−Ｙ方向側において配列された検出点Ｄ５１〜Ｄ５９が第５列Ｃ５をなしている。
【００２８】
ウェハＷで反射された照明光は、集光対物レンズ２８、回転方向振動板２９、及び結像レンズ３０を経て受光器３１の受光面に再投影され、受光器３１の受光面にはパターン形成板２４上のパターンの像が再結像される。受光器３１の受光面には、パターン形成板２４と相似形に開口部が配列された遮光板（図示省略）が設けられる。ここで、主制御系２０は加振装置３３を介して回転方向振動板２９に振動を与えているので、受光器３１に投影される像の位置は遮光板に形成された開口部の長手方向に垂直な方向、つまり開口部の幅方向に振動する。受光器３１の多数の受光素子からの検出信号は信号処理装置３２に供給される。信号処理装置３２は、供給されてくる各検出信号を加振装置３３の駆動信号で同期検波して検出点Ｄ１１〜Ｄ１９，Ｄ２１〜Ｄ２９，Ｄ３１〜Ｄ３９，４１〜Ｄ４９，Ｄ５１〜Ｄ５９のフォーカス位置にそれぞれ対応する４５個のフォーカス信号を得る。
【００２９】
ここで、図４に示した通り、第２列Ｃ２の検出点Ｄ２１〜Ｄ２９及び第４列Ｃ４の検出点Ｄ４１〜Ｄ４９が露光スリット領域ＥＦの周辺部に配置され、第３列Ｃ３の検出点Ｄ３１〜Ｄ３９が露光スリット領域ＥＦの内部に配置されており、第１列Ｃ１の検出点Ｄ１１〜Ｄ１９及び第５列Ｃ５の検出点Ｄ５１〜Ｄ５９が露光スリット領域ＥＦ外に配置されている。検出点Ｄ１１〜Ｄ１９，Ｄ５１〜Ｄ５９を露光スリット領域ＥＦ外に配置するのは、ウェハＷが＋Ｙ方向に走査されている場合に第５列Ｃ５の検出点Ｄ５１〜Ｄ５９における検出結果を用いて、これから露光される領域の表面形状を予め計測するためである。また、同様にウェハＷが−Ｙ方向に走査されている場合に第１列Ｃ１の検出点Ｄ１１〜Ｄ１９における検出結果を用いて、これから露光される領域の表面形状を予め計測するためである。そして、第１列Ｃ１の検出点Ｄ１１〜Ｄ１９における検出結果又は第５列５の検出点Ｄ５１〜Ｄ５９における検出結果を用いてこれから露光される部分に対してウェハＷの姿勢制御を行うようにしている。
【００３０】
図１に戻り、本実施形態の露光装置が備える主制御系２０には、露光精度（解像度、転写忠実度、重ね合わせ精度、線幅誤差等）が悪化した際の原因究明を行うための解析装置４０が接続される。この解析装置４０は、キーボード又はマウス等の入力装置、液晶表示装置又はＣＲＴ（Cathode Ray Tube）等の表示装置、主制御系２０との間で通信を行う通信部、及び主制御系２０から取得した情報に対して所定の処理を施す演算部とを含んで構成される。解析装置４０は、露光時に主制御系２０で収集された各種情報をリアルタイムで取得し、又は露光処理の終了後に取得し、取得した情報を図形又は文字で表示装置に表示し、或いは取得した情報に対して所定の演算処理を施して得られた結果を図形又は文字で表示装置に表示する。以下、解析装置４０について詳細に説明する。
【００３１】
図５は、解析装置４０の構成を示すブロック図である。図５に示す通り、露光装置ＥＸの主制御系２０内には、露光時に収集された各種の計測情報を記録する計測結果ファイルＦ０が設けられている。この計測結果ファイルＦ０には、各種のトレースデータ及びフラットネスデータが記録される。ここで、トレースデータとは、露光時におけるウェハＷの位置（ウェハ干渉計１３で検出されるウェハＷの位置）と各種の計測結果とを対応付けたデータである。尚、露光時には露光スリット領域ＥＦに対してウェハＷが相対移動しているため、ここにいうウェハＷの位置は、ウェハＷを固定して見た場合にはウェハＷ上における露光スリット領域ＥＦの位置ということもできる。
【００３２】
上記のトレースデータには、露光時における投影光学系ＰＬの像面に対するウェハＷの表面位置及び姿勢の制御誤差をウェハＷの位置毎に示すフォーカストレースデータ、露光時におけるレチクルＲとウェハＷとの同期精度（同期移動誤差）をウェハＷの位置毎に示す同期精度トレースデータ、及び露光時においてウェハＷに照射される露光光ＥＬの露光量をウェハＷの位置毎に示す露光量トレースデータがある。上記フォーカストレースデータは基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御誤差を示す情報の一種であり、同期精度トレースデータはマスクと基板との同期移動誤差を示す情報であり、露光量トレースデータは基板上に照射される露光光の照射量の誤差を示す情報である。また、上記のフラットネスデータとは、ウェハＷ上に設定された各ショット領域の表面形状を示すデータであって、これは、基板上に設定された区画領域の表面形状を示す情報である。
【００３３】
解析装置４０は、ＡＦ評価プログラム４１、演算プログラム４２、及び表示データ作成プログラム４３、並びに計測結果ファイルＦ１、計算結果ファイルＦ２、ΔＣＤ算出用テーブルファイルＦ３、及び表示用計算結果ファイルＦ４を含んで構成される。この解析装置４０は、例えばＵＳＢ（Universal Serial Bus）タイプのコネクタをつけたネットワークケーブル等を用いた有線接続、又は無線若しくは赤外線を用いた無線接続によって露光装置ＥＸの主制御系２０と接続され、解析装置４０に設けられた不図示の通信部は、ＡＦ評価プログラム４１の制御の下で、例えばＦＴＰ（File Transfer Protocol）等の通信プロトコルを用いて主制御系２０と通信を行う。主制御系２０との通信によって、主制御系２０に記録された計測結果ファイルＦ０の内容が計測結果ファイルＦ１に記録される。ここで、通信によりデータを取得して保存してもよいし、計測結果ファイルＦ０の各ファイル単位でネットワーク転送を行ってもよい。尚、主制御系２０との通信によって、露光時に用いられるウェハＷの位置毎のフォーカス及びレベリングの制御目標値（基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の目標値を示す情報）も得られる。ここでのフォーカス及びレベリングの制御目標値とは、ウェハＷの位置毎のフォーカス位置（Ｚ）及びレベリング姿勢（Tilt X, Tilt Y）からの目標駆動量を意味する。
【００３４】
ＡＦ評価プログラム４１は、オペレータが入力装置を操作して入力される操作内容に応じて、計測結果ファイルＦ１、計算結果ファイルＦ２、ΔＣＤ算出用テーブルファイルＦ３、及び表示用計算結果ファイルＦ４に記録されている情報から必要な情報を選択して表示装置に表示する。このＡＦ評価プログラム４１は、グラフ表示部４１ａ及びリスト表示部４１ｂを備えており、オペレータの操作内容に応じて選択した情報の図形表示（グラフ表示）、又は文字表示（リスト表示）を行う。
【００３５】
演算プログラム４２は、計測結果ファイルＦ１に記録されている情報から必要な情報を読み出し、必要な演算を行って演算結果を計算結果ファイルＦ２に記録する。具体的には、露光時におけるウェハＷの位置毎に、ショット内各露光スリット領域内の局所的な平坦度を示す情報、及び露光時における基板の表面位置誤差の露光スリット幅での移動平均値及び移動標準偏差を示す情報等を演算によって求める。
【００３６】
ここで、上記のショット内各露光スリット領域内の平坦度を示す情報は、具体的にはＳＦＱＲ（Site Front least sQares <site> Range）又はＳＦＱＤ（Site Front Least sQares <site> Deviation）がある。図６は、ショット領域内各露光スリット領域内の平坦度を示す情報であるＳＦＱＲ及びＳＦＱＤを説明するための図である。ＳＦＱＲとは、ウェハＷをウェハホルダ１１に吸着した状態にて、各サイトごとにローカルフラットネスを最小にするベストフィット基準面からのウェハＷ表面の残留フラットネスの最大値と最小値の差をいう。
【００３７】
つまり、図６（ａ）に示す通り、ウェハＷの走査方向（Ｙ方向）に沿った表面形状（ウェハトポグラフィー）が符号ＴＰを付して示した曲線の通りに変化しているとすると、投影光学系ＰＬを介して投影されるパターンの像をウェハＷの表面に最良の状態で結像させるために、ウェハＷの姿勢（Ｘ軸周りの回転）の目標値が例えば符号Ｐ１を付して示す直線に設定される。この符号Ｐ１を付して示す直線が上記のベストフィット基準面に相当し、このベストフィット基準面（符号Ｐ１を付して示す直線）からのウェハＷ表面の残留フラットネスの最大値と最小値の差がＳＦＱＲである。
【００３８】
尚、符号Ｐ１を付して示す直線の通りにウェハＷの姿勢の目標値を設定しても、実際には制御誤差があるためウェハＷの姿勢の制御状態は符号Ｐ２を付して示す直線で示す通り、ベストフィット基準面（符号Ｐ１を付して示す直線）からずれてしまう。このため、ベストフィット基準面からのウェハＷ表面の残留フラットネスの最大値と最小値の差がスタティックＳＦＱＲ（Ｓ−ＳＦＱＲ）と定義され、制御遅れを加味した実際のウェハＷの姿勢の制御状態（符号Ｐ２を付して示す直線）からのウェハＷ表面の残留フラットネスの最大値と最小値の差がダイナミックＳＦＱＲ（Ｄ−ＳＦＱＲ）と定義される。
【００３９】
また、ＳＦＱＤとは、ウェハＷをウェハホルダ１１に吸着した状態にて、各サイトごとにローカルフラットネスを最小にするベストフィット基準面からのウェハＷ表面の残留フラットネスの最大距離をいう。つまり、図６（ｂ）に示す通り、ウェハＷの走査方向（Ｙ方向）に沿った表面形状が符号ＴＰを付して示した曲線の通りに変化しているとすると、図６（ａ）と同様に、ウェハＷの姿勢（Ｘ軸周りの回転）の目標値が符号Ｐ１を付して示す直線に設定されたとする。この符号Ｐ１を付して示す直線が上記のベストフィット基準面に相当し、このベストフィット基準面（符号Ｐ１を付して示す直線）からのウェハＷ表面の残留フラットネスの最大距離がＳＦＱＤである。このベストフィット基準面からウェハＷ表面の残留フラットネスの最大距離は、ウェハＷ表面に対して上か下か片側だけの残留フラットネスなので、通常、これを２倍して２ＳＦＱＤの値で厳しめに評価する。
【００４０】
尚、符号Ｐ１を付して示す直線の通りにウェハＷの姿勢の目標値を設定しても、実際には制御遅れがあるためウェハＷの姿勢の制御状態は符号Ｐ２を付して示す直線で示される通りになる。このため、ベストフィット基準面（符号Ｐ１を付して示す直線）からのウェハＷ表面の残留フラットネスの最大距離がスタティックＳＦＱＤ（Ｓ−ＳＦＱＤ）と定義され、制御誤差を加味した実際のウェハＷの姿勢の制御状態（符号Ｐ２を付して示す直線）からのウェハＷ表面の残留フラットネスの最大距離がダイナミックＳＦＱＤ（Ｄ−ＳＦＱＤ）と定義される。尚、ＳＦＱＤについては、その値を２倍した２ＳＦＱＤが用いられることもある。
【００４１】
また、前述した露光時における基板の表面位置誤差の移動平均値及び移動標準偏差を示す情報とは、多点ＡＦセンサ２１によるウェハＷの表面位置制御（フォーカス制御）及び姿勢制御（レベリング制御）の追従誤差を加味して、ウェハＷ上に設定されたショット領域内の任意の点が露光スリット領域ＥＦに入ってから出るまでの間のＺ方向の追従誤差の移動平均値（Ｚ平均オフセットＺａｖｅ）及び移動標準偏差（Ｚｍｓｄ）である。ショット領域内の任意の点（ｘ，ｙ）におけるウェハ表面（フラットネス計測Ｚ位置）に対して追従誤差を加味した実際の露光スリットが通過する際の移動平均値Ｚａｖｅ（ｘ，ｙ）は以下の（１）式で表され、追従誤差を加味した実際の露光スリットが通過する際の移動標準偏差Ｚｍｓｄ（ｘ，ｙ）は以下の（２）式で表される。
【数１】
2006165122.tif 000003
【数２】
2006165122.tif 000004
【００４２】
但し、上記（１）式及び（２）式中の変数は以下の通りである。
Ｙ（ｙ−ｊ）：走査時のショット内各露光スリット領域ＥＦ位置の中心からのＹ方向距離
ｍ：露光スリット領域ＥＦの中心から、露光スリット幅でデータを取り出したときのデータ数。スリット中心に対して走査方向前後に均等にデータがあるため奇数となる
ｎ：露光スリット領域ＥＦの中心に対して、走査方向前後の露光スリット領域内データカウンタ。ｎ＝（ｍ−１）／２
Ｚ（ｊ）：位置ｊにおけるウェハＷの表面位置のＺ目標位置及び追従誤差の和
Ｔｘ（ｊ）：位置ｊにおけるウェハＷのＹ軸周りの回転のチルトＸ（ロール）目標位置及び追従誤差の和
Ｔｙ（ｊ）：位置ｊにおけるウェハＷのＸ軸周りの回転のチルトＹ（ピッチ）目標位置及び追従誤差の和
Ｆ（ｘ，ｙ）：座標（ｘ，ｙ）での表面形状（フラットネス）
【００４３】
ここで、上記Ｚ目標位置、チルトＸ目標位置、チルトＹ目標位置とは、ショット内各露光スリット位置毎に制御に使用されるＡＦセンサ位置に該当するフラットネスデータから算出されたウェハ表面に対する露光スリットの目標位置を意味する。この目標位置に追従誤差を足したものが実際の露光スリット位置となる。フォーカス追従誤差の露光スリット幅での移動平均値Ｚａｖｅ及びフォーカス追従誤差の移動標準偏差Ｚｍｓｄは、計測結果ファイルＦ１に記録されたフォーカストレースデータとフラットネスデータとを用いて算出される。即ち、露光ショット領域内の各フラットネス計測点に対して、実際に露光スリットが通過していった際のＺの平均オフセット（Ｚａｖｅ）、及び、Ｚの移動標準偏差（Ｚｍｓｄ）が算出される。
【００４４】
また、演算プログラム４２は、上述したショット内各露光スリット領域内の平坦度を示す情報であるＳＦＱＲ，ＳＦＱＤ、及び露光時における基板の各表面位置に対して露光スリットが通過する際のＺの移動平均値及び移動標準偏差を示す情報である追従誤差の移動平均値Ｚａｖｅ（Ｚ平均オフセット）及び移動標準偏差Ｚｍｓｄ以外に以下の情報を演算によって求める。例えば、フォーカストレースデータから露光時における投影光学系ＰＬの像面に対するウェハＷの表面位置及び姿勢の制御目標値に対する制御誤差の露光スリット幅での移動平均及び移動標準偏差を求め、同期精度トレースデータから露光時におけるレチクルＲとウェハＷとの同期精度（同期移動誤差）の露光スリット幅での移動平均及び移動標準偏差を求め、更には露光量トレースデータからウェハＷの表面反射率等を考慮して、実際にウェハＷ上に照射された露光スリット幅でのエネルギー積算露光量を求める。
【００４５】
表示データ作成プログラム４３は、計算結果ファイルＦ２に記録されている情報から必要な情報を読み出し、読み出した情報を表示装置に表示するための表示データを作成し、作成した表示データを表示用計算結果ファイルＦ４に記録する。ここで、ΔＣＤ算出用テーブルファイルＦ３には、追従誤差の移動平均値Ｚａｖｅ、追従誤差の移動標準偏差Ｚｍｓｄ、ウェハＷに対する露光量、同期精度（同期移動誤差）、及び像高（露光スリット領域ＥＦ内におけるＸ方向の各位置）毎にウェハＷに形成されるパターンの線幅（ＣＤ：Critical Dimension）の線幅誤差（ΔＣＤ）を算出するためのテーブルが記録されている。
【００４６】
表示データ作成プログラム４３は、計算結果ファイルＦ２から必要な情報を読み出すとともにΔＣＤ算出用テーブルファイルＦ３に記録されているテーブルを読み出し、基板に形成される線幅及び線幅の誤差を示す情報等をシミュレーションによって求め、求めた情報を表示装置に表示する表示データを作成し、表示用計算結果ファイルＦ４に記録する。尚、本実施形態では、表示データ作成プログラム４３がウェハＷ上に形成されるパターンの線幅及び線幅誤差をシミュレーションにより求める場合を例に挙げて説明するが、線幅検査装置等の検査装置を用いてウェハＷ上に形成されたパターンの線幅及び線幅誤差を実測し、その実測値を表示用計算結果ファイルＦ４に記録しても良い。
【００４７】
次に、上記構成の露光装置ＥＸにおいて行われる露光処理について説明する。露光処理が開始されると、フォトレジストが塗布されたウェハＷが不図示のウェハローダにより搬送されてウェハホルダ１１上に保持されるとともに、所定のレチクルＲが不図示のレチクルローダにより搬送されてレチクルステージＲＳＴ上に保持される。ウェハホルダ１１上に保持されたウェハＷにパターンが形成されていない場合には、主制御系２０はレチクル干渉計５の検出結果をモニタしつつレチクル駆動装置６を駆動してレチクルステージＲＳＴを走査開始位置に移動させるとともに、ウェハ駆動装置１４を介してウェハステージＷＳＴを駆動し、最初に露光すべきショット領域が走査開始位置に配置されるようウェハステージＷＳＴをＸＹ面内で移動させる。
【００４８】
他方、ウェハホルダ１１上に保持されたウェハＷ上に既に他のパターンが形成されている場合には、主制御系２０はウェハステージＷＳＴを駆動してウェハＷをウェハアライメントセンサ１９の下方（−Ｚ方向）に配置し、ウェハアライメントセンサ１９を用いて、ウェハＷ上の代表的なアライメントマーク数個（３〜９個程度）の位置計測を行う。これらの代表的なアライメントマークの計測を終えると、主制御系２０は、これらの計測結果と予め記録されている各ショット領域の設計値とを用いてＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）演算を行い、ウェハＷ上の全ショット領域の配列座標を求める。
【００４９】
上記のＥＧＡ演算によって得られたウェハＷ上におけるショット領域の座標値をベースライン量（投影光学系ＰＬを介した投影像の投影中心と、ウェハアライメントセンサ１９の計測視野中心との距離）で補正した座標値を求め、この補正した座標値を用いてウェハステージＷＳＴを駆動すればウェハＷ上の各ショット領域を投影光学系ＰＬの露光スリット領域に位置合わせすることができる。このため、主制御系２０は、まずＥＧＡ演算により得られたショット領域の座標値をベースライン量で補正した座標値を求め、この座標時に基づいてウェハステージＷＳＴを駆動して、最初に露光すべきショット領域を走査開始位置に配置する。また、ウェハステージＷＳＴとともに、レチクルステージＲＳＴも走査開始位置に配置する。
【００５０】
レチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴの走査開始位置への移動が完了すると、主制御系２０はレチクル駆動装置６及びウェハ駆動装置１４を介してこれらのステージを加速させ、各々のステージが所定の速度に達して同期がとれてから、露光光源１から露光光ＥＬを射出させてレチクルＲを照明し、レチクルＲのパターンの像を投影光学系ＰＬを介してウェハＷ上に投影する。走査時には、露光スリット領域にレチクルＲの一部のパターン像が投影され、投影光学系ＰＬに対して、レチクルＲが−Ｙ方向（又は＋Ｙ方向）に速度Ｖで移動するのに同期して、ウェハＷが＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向）に速度β・Ｖ（βは投影倍率）で移動させる。
【００５１】
また、最初に露光すべきショット領域を露光している間、主制御系２０は予め求められているフラットネスデータと多点ＡＦセンサ２１の計測結果とに基づいて光軸ＡＸ方向におけるウェハＷの表面位置制御及びウェハＷの姿勢制御を行う。この制御においては、図４に示した４５個の検出点Ｄ１１〜Ｄ１９，Ｄ２１〜Ｄ２９，Ｄ３１〜Ｄ３９，Ｄ４１〜Ｄ４９，Ｄ５１〜Ｄ５９の検出結果を全て用いる訳ではなく、９個の検出点の検出結果を用いている。例えば、ウェハＷが＋Ｙ方向に走査されている場合には、検出点Ｄ５１，Ｄ５５，Ｄ５９，Ｄ４１，Ｄ４５，Ｄ４９，Ｄ２１，Ｄ２５，Ｄ２９の検出結果が用いられ、ウェハＷが−Ｙ方向に走査されている場合には、検出点Ｄ１１，Ｄ１５，Ｄ１９，Ｄ２１，Ｄ２５，Ｄ２９，Ｄ４１，Ｄ４５，Ｄ４９の検出結果が用いられる。以上の制御により、逐次ショット領域にレチクルＲのパターンが転写される。露光中におけるレチクル干渉計５及びウェハ干渉計１３の検出結果並びに多点ＡＦセンサ２１の計測結果は、各種トレースデータとして計測結果ファイルＦ０（図５参照）に記録される。
【００５２】
最初に露光すべきショット領域の露光処理が終了すると、主制御系２０はウェハステージＷＳＴをステッピング移動させて次のショット領域を走査開始位置に移動させるとともにレチクルステージ３１を走査開始位置に移動させた後、これら両ステージの移動を開始させて各々が一定速度に達して同期が取れてからレチクルＲに露光光ＩＬを照射して露光を開始する。このときにも、主制御系２０は予め求められているフラットネスデータと多点ＡＦセンサ２１の計測結果とに基づいて光軸ＡＸ方向におけるウェハＷの表面位置制御及びウェハＷの姿勢制御を行いつつ露光を行う。また、露光中におけるレチクル干渉計５及びウェハ干渉計１３の検出結果並びに多点ＡＦセンサ２１の計測結果が、各種トレースデータとして計測結果ファイルＦ０（図５参照）に記録される。以下、同様にしてウェハＷ上に設定された全てのショット領域に対する露光処理を終えると、ウェハホルダ１１上に保持されているウェハＷが不図示のウェハローダにより露光装置ＥＸ外に搬出されるとともに新たなウェハＷが搬送されてウェハホルダ１１上に保持される。
【００５３】
次に、解析装置４０が備える表示画面の表示内容について説明する。図７は、解析装置４０が備える表示装置に露光時の制御に関する情報をグラフ表示した場合の表示例を示す図である。図７に示す例において、解析装置４０の表示装置に表示されるウィンドウＷＤには、大別すると第１表示領域Ｒ１〜第４表示領域Ｒ４の４つの表示領域が設けられている。
【００５４】
第１表示領域Ｒ１は、ウェハＷと露光スリット領域及び多点ＡＦセンサ２１の検出点との相対的な位置関係がグラフ表示される領域である。ウェハＷの外縁（エッジ）近傍に位置するショット領域（欠けショット領域）を露光する際の制御情報を表示する場合には、図７に示す通り、基板の外縁を示す情報としてのウェハＷのエッジＥＧと、基板の有効領域を示す情報としてのウェハイネーブルレンジエッジＥＲとがグラフ表示（図形での表示）される。また、露光光ＥＬが照射される露光スリット領域の中心を示す露光スリットＳＬと、多点ＡＦセンサ２１で用いられる９個の検出点ｄ１〜ｄ９とが図形で表示される。
【００５５】
図７に示す検出点ｄ１〜ｄ９は図４中の検出点Ｄ１１，Ｄ１５，Ｄ１９，Ｄ２１，Ｄ２５，Ｄ２９，Ｄ４１，Ｄ４５，Ｄ４９の各々の位置を示しており、その検出結果がウェハＷの表面位置制御及びウェハＷの姿勢の制御に用いられるものは、例えば黒丸で（内部が塗り潰されて）表示される。図７に示す例では、検出点ｄ４，ｄ７，ｄ８の検出結果がウェハＷの表面位置制御及びウェハＷの姿勢の制御に用いられている。また、これから露光される領域の表面形状を予め計測するために用いられる検出点は、例えば灰色で（図７では内部に斜線を付して図示している）表示される。図７に示す例では、検出点ｄ１の検出結果がこれから露光される領域の表面形状を予め計測するために用いられている。
【００５６】
図７に示す例では、露光スリットＳＬ及び検出点ｄ１〜ｄ９は第１表示領域Ｒ１内において表示位置が固定されて表示され、ウェハＷのエッジＥＧ及びウェハイネーブルレンジエッジＥＧは露光処理の経過に応じて露光スリットＳＬ等に対して相対的に移動するように表示される。尚、これとは逆に、第１表示領域Ｒ１内においてウェハＷのエッジＥＧ等を固定して表示し、露光スリットＳＬ等をウェハＷのエッジＥＧ等に対して相対的に移動するよう表示しても良い。更に、第１表示領域Ｒ１には、ウェハＷのＹ軸周りの回転量を制御する際の制御基準となる制御重心（以下、ロール重心という）ＲＣが表示される。このロール重心ＲＣの表示位置は、ウェハＷの表面位置制御及びウェハＷの姿勢の制御に用いられる検出点の位置に応じて表示位置が変化する。尚、ウェハＷの中心付近に位置するショット領域（完全ショット領域）を露光する際には、ウェハＷ上に設定されたショット領域の外形を図示しても良い。尚、第１表示領域Ｒ１の図中上下方向（露光スリットＳＬの短辺方向）が走査方向に対応する。
【００５７】
第２表示領域Ｒ２は、ウェハＷ上の露光位置等が文字で表示される領域である。図７に示す例では、ウェハＷの走査方向（Scan Direction）、露光されるショット領域の中心のＹ座標（Scan Shot Center Pos.Y）、露光対象のショット領域の大きさ（Exposure Area X, Y）、及び露光スリットのＹ座標（Scanning Exp.Slit Pos.Y）が文字（英字及び数字）で表示されている。第３表示領域Ｒ３は、露光時のウェハＷの各位置（各走査位置）毎のウェハＷの表面位置及び姿勢の目標値がグラフ表示される領域であり、第４表示領域Ｒ４は、及びフォーカストレースデータがグラフ表示される領域である。
【００５８】
図８は、ウィンドウＷＤに設けられる第３表示領域Ｒ３及び第４表示領域Ｒ４に表示されるグラフの拡大図である。第３表示領域Ｒ３に表示されるグラフは、図８（ａ）に示す通り、横軸に走査時におけるウェハＷのＹ方向の位置が取られており、縦軸にウェハＷの表面位置の目標値（Z）及び姿勢の目標値（Tilt(X), Tilt(Y)）が取られている。ここで、Tilt(X)はＹ軸周りのウェハＷの回転量であり、Tilt(Y)はＸ軸周りのウェハＷの回転量である。また、第４表示領域Ｒ４に表示されるグラフは、図８（ｂ）に示す通り、横軸に走査時におけるウェハＷのＹ方向の位置が取られており、縦軸にウェハＷの表面位置の制御誤差（Error Z）及び姿勢の制御誤差（Error Tilt(X), Error Tilt(Y)）が取られている。このように、本実施形態では、ウェハＷの位置に関する情報がグラフ（図形）及び文字でウィンドウＷＤ内の第１表示領域Ｒ１及び第２表示領域Ｒ２にそれぞれ表示されるとともに、ウェハＷの表面位置及び姿勢の制御に関する状態を示す情報がウィンドウＷＤの第３表示領域Ｒ３及び第４表示領域Ｒ４に同時に表示される。
【００５９】
ここで、図７に示す通り、第３表示領域Ｒ３に表示されるグラフ及び第４表示領域Ｒ４に表示されるグラフの各々には露光スリット位置を示すインジケータＳＬ１，ＳＬ２が付されている。これらのインジケータＳＬ１，ＳＬ２は、１つのショット内における露光時の露光光ＥＬの照射位置を示すものであり図７では縦軸に平行な直線で表示されている。また、インジケータＳＬ１，ＳＬ２は、第１表示領域Ｒ１に表示されるウェハＷのエッジＥＧ等、及び第２表示領域Ｒ２に表示される各種情報と互いに同期して表示される。例えば、第１表示領域Ｒ１内においてウェハＷのエッジＥＧの表示位置が変化すると、エッジＥＧの位置変化に同期してインジケータＳＬ１，ＳＬ２の横軸の表示位置が変化し、第２表示領域Ｒ２に表示される数値も変化する。これにより、第１表示領域Ｒ１〜第４表示領域Ｒ４の表示内容が同期して表示されることになる。
【００６０】
更に、ウィンドウＷＤ内には、ウェハＷを番号により特定する情報と、ショット領域を特定する情報とが表示される第５表示領域Ｒ５が設けられている。図７に示す例では、ウェハＷの番号として「２５」が表示されており、ショット領域を特定する情報として、そのショット領域の配列位置「６」，「２」が表示されている。この表示内容を参照することにより、オペレータは第１表示領域Ｒ１〜第４表示領域Ｒ４の表示内容が、どのウェハＷのどのショット領域に関するものであるのかを認識することができる。尚、第５表示領域Ｒ５の表示内容はオペレータが以下に説明するショットセレクトボタンＢ３を押圧することで変更することができる。
【００６１】
また、ウィンドウＷＤ内には、スキャンスタートボタンＢ１、スキャンストップボタンＢ２、及びショットセレクトボタンＢ３が設けられている。スキャンスタートボタンＢ１は、露光時におけるウェハＷの制御状態の再現表示を開始させるボタンである。このスキャンスタートボタンＢ１をマウス等で押圧することにより、上述した第１表示領域Ｒ１〜第４表示領域Ｒ４の表示内容が同期して変化する。また、スキャンストップボタンＢ２は、スキャンスタートボタンＢ１により開始させた表示を停止させるボタンである。ショットセレクトボタンＢ３は、評価（解析）を行うショット領域を選択するためのボタンである。
【００６２】
次に、露光時に行われた制御に関する情報を表示する情報表示方法について説明する。オペレータが解析装置４０に設けられたキーボード又はマウス等の入力装置を操作して露光装置ＥＸから計測結果ファイルＦ０の内容を取得する指示を入力すると、解析装置４０から主制御系２０に対してその旨を示す制御信号が送信される。主制御系２０はこの制御信号に基づいて計測結果ファイルＦ０に記憶されている各種のトレースデータ及びフラットネスデータを読み出して解析装置４０に送信するとともに、露光時に用いたウェハＷの位置毎のフォーカス及びレベリングの制御目標値を送信する。主制御系２０から送信されてきたこれらのデータは、解析装置４０の計測結果ファイルＦ１に記録される。ここで、解析装置４０から主制御系２０に制御信号を送信せず、露光装置ＥＸ内の計測結果ファイルＦ０をネットワーク転送にて取得しても良い。
【００６３】
次に、オペレータは解析装置４０に設けられたマウス等を操作して図７に示すウィンドウＷＤを表示画面に表示させる。尚、この段階では第１表示領域Ｒ１〜第５表示領域Ｒ５には図７に示す表示はなされていない。次いで、オペレータがマウス等を操作してショットセレクトボタンＢ３を押下し、図９に示すショット選択ウィンドウＷＤ１を表示させる。図９は、ショット選択ウィンドウＷＤ１の一例を示す図である。図９に示す通り、ショット選択ウィンドウＷＤ１には、表示領域Ｒ１１、スライダバーＳＢ、表示領域Ｒ１２、表示領域Ｒ１３、ＯＫボタンＢ１１、及びキャンセルボタンＢ１２が設けられている。
【００６４】
表示領域Ｒ１１は、ウェハＷ上に設定されたショット領域を表示してオペレータに選択させるための領域である。図９に示す例では、ウェハＷ上に設定されたショット領域がグレー（灰色）表示されている。尚、ウェハＷ上のショット領域は規則的に配列されており、ウェハＷの外形形状がほぼ円形であるため、ショット領域で形成される領域の外形形状もウェハＷの形状に沿った形状となる。この表示領域Ｒ１１上にマウスカーソルを配置すると、マウスカーソルが配置されたマスが、他のマスとは異なる表示（例えば、ハイライト表示）になり、このマスの行番号及び列番号が表示領域Ｒ１３に表示される。図９に示す例では第２行第６列のマスがハイライト表示されている。
【００６５】
スライダバーＳＢは、オペレータにウェハを選択させるものである。スライダバーＳＢには図面右側から順にウェハ番号「１」〜「２５」が割り当てられており、オペレータがスライダＢＲを左右にスライドさせることにより、スライダバーＳＢに対するスライダＢＲの位置に応じたウェハ番号が表示領域Ｒ１２に表示され、これによりウェハが選択される。ＯＫボタンＢ１１はオペレータが選択した内容を確定するためのボタンであり、キャンセルボタンＢ１２はオペレータが選択した内容を破棄するためのボタンである。
【００６６】
解析装置４０の表示画面に図９に示すショット選択ウィンドウＷＤ１が表示されている状態でオペレータがマウスを操作してウェハＷ及びショット領域を選択してＯＫボタンＢ１１を押下すると、ショット選択ウィンドウＷＤ１で選択された内容がウィンドウＷＤの第５表示領域Ｒ５に表示される。図７に示す例では、ウェハＷの番号として「２５」が表示され、ショット領域を特定する情報として、そのショット領域が配列されている行「２」及び列「６」が表示される。尚、ここで選択されたショット領域はウェハＷのエッジ近傍に位置する欠けショット領域である。ショット領域の選択が行われると、ＡＦ評価プログラム４１は表示する上で必要なデータを計測結果ファイルＦ１から読み出して表示装置に表示する。これにより、第１表示領域Ｒ１〜第４表示領域Ｒ４には、図７に示す表示がなされる。
【００６７】
尚、図７に示す例では、露光時のウェハＷの位置毎のウェハＷの表面位置及び姿勢の目標値のグラフを第３表示領域Ｒ３に表示し、フォーカストレースデータを第４表示領域Ｒ４に表示しているためＡＦ評価プログラム４１はデータを計測結果ファイルＦ１のみから読み出している。しかしながら、表示するデータの種類によっては計測結果ファイルＦ１に記録されたデータに対して所定の演算が必要となる場合がある。かかる場合には、演算プログラム４２が必要なデータを計測結果ファイルＦ１から読み出し、必要な演算を行って演算結果を計算結果ファイルＦ２に記録する。
【００６８】
また、表示データ作成プログラム４３が、計算結果ファイルＦ２に記録されている情報から必要な情報を読み出し、読み出した情報を表示装置に表示するための表示データを作成し、作成した表示データを表示用計算結果ファイルＦ４に記録する。或いは、計算結果ファイルＦ２から必要な情報を読み出すとともにΔＣＤ算出用テーブルファイルＦ３に記録されているテーブルを読み出し、基板に形成される線幅及び線幅の誤差を示す情報等をシミュレーションによって求め、求めた情報を表示装置に表示する表示データを作成し、表示用計算結果ファイルＦ４に記録する。そして、ＡＦ評価プログラム４１は、データを表示するために必要なデータを計算結果ファイルＦ２又は表示用計算結果ファイルＦ４から読み出し、読み出したデータを表示装置に表示する。
【００６９】
図７の表示がなされている状態でオペレータがマウスを操作してスキャンスタートボタンＢ１を押下すると、露光時におけるウェハＷの制御状態が再現表示され、第１表示領域Ｒ１においては露光スリットＳＬに対してウェハＷのエッジＥＧが相対的に移動するとともに第２表示領域Ｒ２の“Scanning Exp. Slit Pos. Y”の数値がウェハＷの位置に応じて変化し、更には第３表示領域Ｒ３及び第４表示領域Ｒ４のインジケータＳＬ１，ＳＬ２がウェハＷのエッジＥＧの位置に同期して横軸方向に移動する。かかる表示がなされている状態でオペレータがスキャンストップボタンＢ２を押下すると、ウェハＷのエッジＥＧ及びインジケータＳＬ１，ＳＬ２の移動が停止する。
【００７０】
また、オペレータがマウスを操作して第１表示領域Ｒ１に表示されたウェハＷのエッジＥＧ、第３表示領域Ｒ３に表示されたインジケータＳＬ１、又は第４表示領域Ｒ４に表示されたインジケータＳＬ２を直接操作することができる。例えば、第１表示領域Ｒ１に表示されたウェハＷのエッジＥＧを移動させる場合には、オペレータがマウスを操作してマウスカーソルをウェハＷのエッジＥＧの表示位置に配置してからマウスに設けられたボタンを押下して上下方向（露光スリットＳＬの短辺方向）にドラッグすると、ウェハＷのエッジＥＧの位置変化に同期してインジケータＳＬ１，ＳＬ２が横軸方向に移動する。また、第３表示領域Ｒ３に表示されたインジケータＳＬ１を移動させる場合には、マウスカーソルをインジケータＳＬ１の表示位置に配置して横軸方向にドラッグすると、インジケータＳＬ１の位置変化に同期してインジケータＳＬ２が横軸方向に移動するとともに、第１表示領域Ｒ１の上下方向にウェハＷのエッジＥＧが移動する。インジケータＳＬ２を移動させる場合は、インジケータＳＬ１を移動させる場合と同様である。
【００７１】
また、第１表示領域Ｒ１においては、ウェハＷのエッジＥＧの位置に応じて、検出点ｄ１〜ｄ９が、例えば白丸表示、黒丸表示、又は灰色表示に代わるとともにロール重心ＲＣの表示位置が変化する。図１０は、第１表示領域Ｒ１における検出点ｄ１〜ｄ９及びロール重心ＲＣの表示例を示す図である。図１０（ａ）に示す通り、検出点ｄ１〜ｄ９の全てがウェハイネーブルレンジエッジＥＲの内部に配置されている状態では、これから露光される領域の表面形状を予め計測するために検出点ｄ１〜ｄ３の検出結果が用いられ、ウェハＷの表面位置及び姿勢の制御をするために検出点ｄ４〜ｄ９の検出結果が用いられる。このため、検出点ｄ１〜ｄ３は灰色表示され、他の検出点ｄ４〜ｄ９は黒丸表示される。
【００７２】
尚、ウェハＷの表面位置（露光スリットＳＬの中心におけるウェハＷの表面位置）は、検出点ｄ４，ｄ７の検出値の平均値ｚ１、検出点ｄ５，ｄ８の検出値の平均値ｚ２、及び検出点ｄ６，ｄ９の検出値の平均値ｚ３がそれぞれ算出され、これらｚ１〜ｚ３の平均値から算出される。また、ウェハＷのＸ軸周りの回転量は、検出点ｄ４，ｄ７の検出値（Ｚ方向の位置）の差ｐ１、検出点ｄ５，ｄ８の検出値の差ｐ２、及び検出点ｄ６，ｄ９の検出値の差ｐ３がそれぞれ求められ、これらｐ１〜ｐ３の平均値から算出される。更に、ウェハＷのＹ軸周りの回転量は、上記のｚ１〜ｚ３を用いて一次近似を行うことにより算出される。この一次近似によりロール重心ＲＣが求められ、図１０（ａ）に示す例では、検出点ｄ５，ｄ８を通る直線として表示される。
【００７３】
次いで、図１０（ｂ）に示す通り、ウェハＷが−Ｙ方向に走査されて検出点ｄ３，ｄ６がウェハイネーブルレンジエッジＥＲの外部に配置されると、これらの表示は白丸表示に変わる。かかる表示の変化により、検出点ｄ３，ｄ６の検出結果はウェハＷの表面位置及び姿勢の制御に使用されなくなったことが分かる。尚、このときは上記の平均値ｚ３の値として検出点ｄ９の検出値が用いられてウェハＷの表面位置、Ｙ軸周りの回転量、及びロール重心が算出され、上記の差ｐ３の算出が省略されて残りの差ｐ１，ｐ２からウェハＷのＸ軸周りの回転量が算出される。尚、図１０（ｂ）に示す通り、このときのロール重心ＲＣは、図１０（ａ）と同様に、検出点ｄ５，ｄ８を通る直線として表示される。
【００７４】
更に、ウェハＷが−Ｙ方向に走査されて検出点ｄ９がウェハイネーブルレンジエッジＥＲの外部に配置されると、図１０（ｃ）に示す通り、検出点ｄ９が白丸表示に変わる。かかる表示の変化により、検出点ｄ９の検出結果もウェハＷの表面位置及び姿勢の制御に使用されなくなったことが分かる。尚、このときは上記の平均値ｚ３の算出が省略されて残りの平均値ｚ１，ｚ２からウェハＷのＹ軸周りの回転量、及びロール重心が算出されるとともに、平均値ｚ２がウェハＷの表面位置とされる。また、上記の差ｐ３の算出が省略されて残りの差ｐ１，ｐ２からウェハＷのＸ軸周りの回転量が算出される。図１０（ｃ）に示す通り、ことのきのロール重心ＲＣは、検出点ｄ４と検出点ｄ５との中点、及び検出点ｄ７と検出点ｄ８との中点を通る直線として表示される。
【００７５】
走査が進んで検出点ｄ２，ｄ５がウェハイネーブルレンジエッジＥＲの外部に配置されると、図１０（ｄ）に示す通り、これらの検出点も白丸表示に変化する。これにより、検出点ｄ２が表面形状の計測するために用いられなくなり、検出点ｄ５の検出結果がウェハＷの表面位置及び姿勢を制御に使用されなくなったことが分かる。尚、このときは、上記の平均値ｚ３の算出が省略されるとともに、上記の平均値ｚ２として検出点ｄ８の検出値が用いられ、この検出値ｄ８がウェハＷの表面位置とされるとともに、平均値ｚ１，ｚ２からウェハＷのＹ軸周りの回転量が算出される。また、上記の差ｐ２，ｐ３の算出が省略されて残りの差ｐ１のみからウェハＷのＸ軸周りの回転量が算出される。図１０（ｄ）に示す通り、ことのきのロール重心ＲＣは、検出点ｄ４と検出点ｄ５との中点、及び検出点ｄ７と検出点ｄ８との中点を通る直線として表示される。
【００７６】
更に走査が進むと、図１０（ｅ）に示す通り、検出点ｄ８がウェハイネーブルレンジエッジＥＲの外部に配置されて白丸表示に変わり、ウェハＷの表面位置及び姿勢の制御に用いられる検出点は検出点ｄ４，ｄ７のみになる。この状態になると、Ｘ軸周りの回転量は検出点ｄ４，ｄ７の検出結果の差ｐ１から求められるが、ウェハＷのＹ軸周りの回転量は検出点ｄ４，ｄ７の検出結果を用いて算出せずに直前まで検出されていた値が用いられる。また、ウェハＷの表面位置は、検出点ｄ４，ｄ７の検出結果とウェハＷのＸ軸周りの回転量及びＹ軸周りの回転量とから算出される。尚、この状態になると検出点の検出結果に基づいたウェハＷのＹ軸周りの回転量制御は行われないため、ロール重心ＲＣは表示されなくなる。
【００７７】
次いで、図１０（ｆ）に示す通り、検出点ｄ４がウェハイネーブルレンジエッジＥＲの外部に配置されると検出点ｄ４が白丸表示に変わり、ウェハイネーブルレンジエッジＥＲ内に位置する検出点が検出点ｄ７のみになる。この状態では、ウェハＷの姿勢制御は直前の値を用いて行われ（姿勢制御が固定される）、検出点ｄ７の検出結果とウェハＷの姿勢制御状態とに基づいてウェハＷの表面位置制御が行われる。次に、検出点ｄ１〜ｄ９の全てがウェハイネーブルレンジエッジＥＲ外に配置されると、図１０（ｇ）に示す通り、検出点ｄ１〜ｄ９の全てが白丸表示に変わり、ウェハＷの表面位置及び姿勢の制御は直前の固定された値を用いて行われる。以上、ウェハＷが−Ｙ方向に走査される場合を例に挙げて説明したがウェハＷが＋Ｙ方向に走査される場合も同様の表示が行われる。また、以上の説明では欠けショット領域を露光する際の制御状態を表示する場合を例に挙げて説明したが、ウェハＷの中心付近に位置するショット領域（完全ショット領域）についても同様の表示を行っても良い。この場合には、ウェハＷのエッジＥＧ及びウェハイネーブルレンジエッジＥＲに代えてショット領域の外形を示す表示がなされる。
【００７８】
以上の通り、第１表示領域Ｒ１にウェハＷのエッジＥＧ、ウェハイネーブルレンジエッジＥＲ、検出点ｄ１〜ｄ９、及びロール重心ＲＣを同時に同期させて表示することで、ウェハＷのエッジＥＧの位置とウェハＷの表面位置又は姿勢制御に用いられる検出点ｄ１〜ｄ９との関係を容易に確認することができる。また、第１表示領域Ｒ１における表示内容（例えば、ウェハＷのエッジＥＧ）と第３表示領域Ｒ３及び第４表示領域Ｒ５における表示内容（例えば、インジケータＳＬ１，ＳＬ２）とを同時に同期させて表示することで、例えば、第４表示領域Ｒ４内においてウェハＷの姿勢制御の誤差が大きくなる位置にインジケータＳＬ２を配置させれば、そのときの各検出点ｄ１〜ｄ９に対するウェハＷの位置関係、並びにウェハＷの表面位置及び姿勢の制御に用いられている検出点及びロール重心ＲＣを確認することができる。これにより、ウェハＷの表面位置制御及び姿勢制御に異常が生じたときの原因究明を容易且つ短時間で行うことができる。
【００７９】
以上の説明では、第３表示領域Ｒ３に露光時のウェハＷの位置毎のウェハＷの表面位置及び姿勢の目標値が表示され、第４表示領域Ｒ４にフォーカストレースデータが表示される場合を例に挙げて説明したが、これらに代えて図５に示す演算プログラム４２により求められた情報、又は表示データ作成プログラム４３により求められた情報を表示することもできる。図１１は、２ＳＦＱＤ及びＳＦＱＲのグラフ表示例を示す図である。例えば、図１１（ａ）に示す２ＳＦＱＤのグラフを第３表示領域Ｒ３に表示させ、図１１（ｂ）に示すＳＦＱＲのグラフを第４表示領域Ｒ４に表示させることができる。
【００８０】
２ＳＦＱＤのグラフは、図１１（ａ）に示す通り、横軸に走査時におけるウェハＷのＹ方向の位置が取られており、縦軸に局所的な平坦度が取られている。図１１（ａ）ではスタティック２ＳＦＱＤとダイナミック２ＳＦＱＤとが表示されている。また、ＳＦＱＲのグラフも同様に、横軸に走査時におけるウェハＷのＹ方向の位置が取られ、縦軸に局所的な平坦度が取られており、スタティックＳＦＱＲとダイナミックＳＦＱＲとが表示されている。尚、これらのグラフを表示する場合にも前述したインジケータＳＬ１，ＳＬ２を重ねて表示することが望ましい。
【００８１】
図１２は、ショット領域の表面形状（トポグラフィー）、フォーカス追従誤差の移動平均値Ｚａｖｅ、及び移動標準偏差Ｚｍｓｄのグラフ表示例を示す図である。これらのグラフを表示する場合には、例えば第３表示領域Ｒ３及び第４表示領域Ｒ４にもう一つの表示領域を設け、図１２（ａ）のショット領域の表面形状を示すグラフを表示し、図１２（ｂ）のフォーカス追従誤差の移動平均値Ｚａｖｅを示すグラフを第４表示領域Ｒ４に表示し、追加された表示領域にフォーカス追従誤差の移動標準偏差Ｚｍｓｄを示すグラフを表示する。図１２に示す通り、これらのグラフは走査時におけるウェハＷのＹ方向の位置を示す軸、Ｘ方向の位置を示す軸、及び各々の値を示すＺ軸からなる三次元により表示される。このため、グラフに重ねて前述したインジケータＳＬ１，ＳＬ２に相当するものを表示する場合には、Ｘ方向の位置を示す軸と各々の値を示すＺ軸との各々に平行な辺を有する平面状のインジケータを表示するのが望ましい。
【００８２】
図１３は、露光時における投影光学系ＰＬの像面に対するウェハＷの表面位置及び姿勢の制御誤差の露光スリット幅での移動平均及び移動標準偏差のグラフ表示例を示す図である。例えば、図１３（ａ）に示すフォーカス制御誤差の移動平均を示すグラフを第３表示領域Ｒ３に表示させ、図１３（ｂ）に示すフォーカス制御誤差の移動標準偏差を示すグラフを第４表示領域Ｒ４に表示させることができる。図１３（ａ）に示す通り、フォーカス制御誤差の移動平均を示すグラフは横軸に走査時におけるウェハＷのＹ方向の位置が取られており、縦軸にウェハＷの表面位置のフォーカス制御誤差の移動平均（Z）及び姿勢の制御誤差の移動平均（Tilt(X), Tilt(Y)）が取られている。ここで、Tilt(X)はＹ軸周りのウェハＷの回転量であり、Tilt(Y)はＸ軸周りのウェハＷの回転量である。同様に、フォーカス制御誤差の移動標準偏差を示すグラフは、図１３（ｂ）に示す通り、横軸に走査時におけるウェハＷのＹ方向の位置が取られており、縦軸にウェハＷの表面位置のフォーカス制御誤差の移動標準偏差（Z）及び姿勢の制御の移動標準偏差（Tilt(X), Tilt(Y)）が取られている。尚、これらのグラフを表示する場合にも前述したインジケータＳＬ１，ＳＬ２を重ねて表示することが望ましい。
【００８３】
図１４は、露光時におけるレチクルＲとウェハＷとの同期精度（同期移動誤差）の露光スリット幅での移動平均及び移動標準偏差のグラフ表示例を示す図である。例えば、図１４（ａ）に示す同期精度の移動平均を示すグラフを第３表示領域Ｒ３に表示させ、図１４（ｂ）に示す同期精度の移動標準偏差を示すグラフを第４表示領域Ｒ４に表示させることができる。図１４（ａ）に示す通り、同期精度の移動平均を示すグラフは横軸に走査時におけるウェハＷのＹ方向の位置が取られており、縦軸にＸ，Ｙ方向の同期精度誤差の移動平均（X MEAN, Y MEAN）及び回転方向（Ｚ軸周りの回転方向）の同期精度誤差の移動平均（θ MEAN）が取られている。同様に、同期精度誤差の移動標準偏差を示すグラフは、図１４（ｂ）に示す通り、横軸に走査時におけるウェハＷのＹ方向の位置が取られており、縦軸にＸ，Ｙ方向の同期精度誤差の移動標準偏差（X MSD, Y MSD）及び回転方向（Ｚ軸周りの回転方向）の同期精度誤差の移動標準偏差（θ MSD）が取られている。尚、これらのグラフを表示する場合にも前述したインジケータＳＬ１，ＳＬ２を重ねて表示することが望ましい。
【００８４】
図１５は、露光量トレースデータのグラフ表示例を示す図である。このグラフは、横軸に走査時におけるウェハＷのＹ方向の位置が取られ、縦軸に露光量（DOSE）が取られており、例えば第３表示領域Ｒ３に表示させることができ、尚、これらのグラフを表示する場合にも前述したインジケータＳＬ１，ＳＬ２を重ねて表示することが望ましい。図１６は、ショット領域内における線幅誤差（ΔＣＤ）の分布のグラフ表示例を示す図である。図１６に示す通り、このグラフは１つのショット領域内における線幅誤差の分布を等高線で二次元的に示したものであり、例えば第３表示領域Ｒ３に表示させることができる。このグラフを参照すると、ショット内のどの位置での線幅誤差が大きいかを極めて容易に把握することができるため、ウェハＷの表面位置制御、姿勢制御、同期制御、及び露光量制御に異常が生じた箇所を容易に特定することができる。尚、ここでは線幅誤差（ΔＣＤ）の分布をグラフ表示する場合について説明したが、線幅（ＣＤ）の分布を表示しても良い。
【００８５】
尚、図８及び図１１〜図１６に示す各グラフを表示する際に、何れのグラフを組み合わせて表示するかは任意である。また、露光装置ＥＸから得られた各情報をグラフ表示せずにリスト表示させてもよい。図１７は、フラットネスデータ及びフォーカストレースデータのリスト表示例を示す図である。図１７（ａ）に示す通り、フラットネスデータをリスト表示させると、ショット領域内の走査方向（Ｙ方向）における位置及び非走査方向（Ｘ方向）における位置に対応して表面の凹凸を示す数値がマトリクス状に表示される。フラットネスデータのデータ数が多い場合には、表示領域にデータの一部を表示しておき、オペレータがマウスを操作してスクロールバーＳＢ１，ＳＢ２を移動させると表示されていないデータが表示領域に表示されるようにすることが望ましい。
【００８６】
また、露光スリットＳＬの位置に対応するデータにポインタＰＴ１を対応させて表示することが望ましい。このポインタＰＴ１は、前述したインジケータＳＬ１，ＳＬ２と同様に、第１表示領域Ｒ１に表示されたウェハＷのエッジＥＧに同期して移動するものである。尚、インジケータＳＬ１，ＳＬ２と同様に、オペレータの操作によってポインタＰＴ１を移動可能にし、ポインタＰＴ１を移動させると、第１表示領域Ｒ１に表示されたウェハＷのエッジＥＧが同期して移動するようにしても良い。
【００８７】
図１７（ｂ）に示す通り、フォーカストレースデータをリスト表示させると、露光時における走査方向の位置（Y POS.）に対応してＹ軸周りの回転量のＸレベリング追従誤差（Err X）、Ｘ軸周りの回転量のＹレベリング追従誤差（Err Y）、及びウェハＷの表面位置のフォーカスＺ追従誤差（ERR Z）が一覧表示される。このフォーカストレースデータのデータ数が多い場合にも、表示領域にデータの一部を表示しておき、オペレータがマウスを操作してスクロールバーＳＢ３を移動させると表示されていないデータが表示領域に表示されるようにすることが望ましい。また、フォーカストレースデータをリスト表示した場合には、フラットネスデータに付されたポインタＰＴ２と同様に、露光スリットＳＬの位置に対応するデータにポインタＰＴ２を対応させて表示することが望ましい。
【００８８】
ウェハＷの表面位置制御及び姿勢制御に異常が生じた場合に、その原因究明を容易且つ短時間で行うためには種々の観点からデータを分析する必要がある。このため、図７に示すウィンドウＷＤ内に表示させるデータを選択するボタン、及び選択したデータの表示形式（グラフ表示又はリスト表示）を指定するボタンを設け、表示するデータ及びその表示形式を瞬時に切り換え可能にすることが望ましい。
【００８９】
更に、前述した実施形態では、第１表示領域Ｒ１にウェハＷのエッジＥＧ及び検出点ｄ１〜ｄ９等を表示させ、第３表示領域Ｒ３及び第４表示領域Ｒ４に露光装置ＥＸの主制御系２０から取得した各種情報又はこの情報から演算により得られる情報を表示していた。しかしながら、これらの全てを表示する必要は必ずしも無く、必要な情報を組み合わせて表示しても良い。例えば、第１表示領域Ｒ１を省略して第３表示領域Ｒ３及び第４表示領域Ｒ４のみの表示にしても良い。かかる表示を行うときには、第３表示領域Ｒ３のインジケータＳＬ１と第４表示領域Ｒ４に表示されるインジケータＳＬ２とを同期させて表示させることが好適である。また、上記実施形態では、第１表示領域Ｒ１にウェハＷを表示する場合には、ウェハＷを平面的に表示するためにエッジＥＧを表示していたが、ウェハＷを側面又はウェハＷの表面に対して斜め方向から見た状態を図示しても良い。
【００９０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態においては、露光装置ＥＸが備えるウェハステージＷＳＴ上に保持されたウェハＷの表面位置及び姿勢を制御する場合を例に挙げて説明したが、本発明は基板の表面位置を複数の検出点で検出する面位置検出装置を備え、この面位置検出装置の検出結果に基づいて基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方を制御しつつ所定の処理を行う処理装置に適用することができる。この処理装置としては、例えば基板に形成された回路を検査する検査装置、基板に形成されたパターンを評価する評価装置、及び基板に形成された回路の修復（リペア）を行うリペア装置が挙げられる。
【００９１】
また、上記実施形態においては、露光処理を終えた後に露光時に計測された各種情報を露光装置ＥＸから得て露光時におけるウェハＷの表面位置及び姿勢の制御状態を解析する場合を例に挙げて説明したが、露光処理の最中にリアルタイムで露光装置ＥＸから情報を取得して制御状態を解析可能にしても良い。リアルタイムで解析することで、不良の発生率が下がるため、スループットの向上を図ることができる。更に、露光装置ＥＸから露光時の実データを取得するのではなく、特開２００１−３３８８７０号公報に開示されているステージユニットシミュレータから取得し、取得したデータを表示しても良い。
【００９２】
また、上記実施形態にける露光装置ＥＸは、国際公開第９９／４９５０４号公報に開示されているような液浸法を用いる露光装置であってもよく、液浸法を用いない露光装置であってもよい。液浸法を用いる露光装置は、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間を局所的に液体で満たす液浸露光装置、特開平６−１２４８７３号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置、特開平１０−３０３１１４号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置の何れの露光装置であっても良い。
【００９３】
また、上記の露光装置は、半導体素子の製造に用いられてデバイスパターンを半導体ウェハ上へ転写する露光装置、液晶表示素子（ＬＣＤ）等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等の何れであっても良い。更には、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハ等に回路パターンを転写する露光装置であっても良い。
【００９４】
次に、マイクロデバイスの製造方法について説明する。図１８は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造工程の一例を示すフローチャートである。図１８に示すように、まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウェハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
【００９５】
次に、ステップＳ１３（ウェハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウェハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウェハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００９６】
図１９は、半導体デバイスの場合における、図１８のステップＳ１３の詳細なフローの一例を示す図である。図１９において、ステップＳ２１（酸化ステップ）においてはウェハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においてはウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においてはウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においてはウェハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００９７】
ウェハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウェハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウェハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウェハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の一実施形態による露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】斜め入射式の多点ＡＦセンサ２１の構成を示す図である。
【図３】パターン形成板２４の構成例を示す断面図である。
【図４】ウェハＷ上の露光スリット領域の内部及びその近傍に設定された複数の検出点に投影される開口パターンの投影像を示す図である。
【図５】解析装置４０の構成を示すブロック図である。
【図６】ショット内各露光スリット領域内の平坦度を示す情報であるＳＦＱＲ及びＳＦＱＤを説明するための図である。
【図７】解析装置４０が備える表示装置に露光時の制御に関する情報をグラフ表示した場合の表示例を示す図である。
【図８】ウィンドウＷＤに設けられる第３表示領域Ｒ３及び第４表示領域Ｒ４に表示されるグラフの拡大図である。
【図９】ショット選択ウィンドウＷＤ１の一例を示す図である。
【図１０】第１表示領域Ｒ１における検出点ｄ１〜ｄ９及びロール重心ＲＣの表示例を示す図である。
【図１１】２ＳＦＱＤ及びＳＦＱＲのグラフ表示例を示す図である。
【図１２】ショット領域の表面形状、フォーカス追従誤差の移動平均値Ｚａｖｅ、及び移動標準偏差Ｚｍｓｄのグラフ表示例を示す図である。
【図１３】露光時におけるフォーカス制御誤差の移動平均及び移動標準偏差のグラフ表示例を示す図である。
【図１４】露光時におけるレチクルＲとウェハＷとの同期精度制御誤差の移動平均及び移動標準偏差のグラフ表示例を示す図である。
【図１５】露光量トレースデータのグラフ表示例を示す図である。
【図１６】ショット領域内における線幅誤差（ΔＣＤ）の分布のグラフ表示例を示す図である。
【図１７】フラットネスデータ及びフォーカストレースデータのリスト表示例を示す図である。
【図１８】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図１９】半導体デバイスの場合における、図１８のステップＳ１３の詳細なフローの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００９９】
２０          主制御系（制御機構）
２１          多点ＡＦセンサ（面位置検出装置）
４０          解析装置（表示装置）
ｄ１〜ｄ９    検出点（第２情報）
ＥＧ          エッジ（第１情報）
ＥＬ          露光光
ＥＲ          ウェハイネーブルレンジエッジ（第１情報）
ＥＸ          露光装置（処理装置）
Ｒ            レチクル（マスク）
ＲＣ          ロール重心（第２情報）
ＲＳＴ        レチクルステージ（マスクステージ）
Ｗ            ウェハ（基板）
ＷＳＴ        ウェハステージ（テーブル）
【図１】
2006165122.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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