(57)【要約】【課題】従来の光記録媒体に比べて記録線速対応性がより高く、再生光安定性及び保存安定性にもすぐれ、しかも高感度でＤＶＤメディアへの適用にも十分耐えうる光記録媒体、この光記録媒体に使用される記録材料、この光記録媒体を用いた光記録再生方法を提供すること。【解決手段】光の照射による結晶相と非晶質相との可逆的な相変化を利用して情報の記録、再生を行う書換えが可能な記録層を有する光記録媒体であって、該記録層がＳｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｎ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも２種以上の元素を含み、かつ、下記式（１）で表される元素の組合せを含むことを特徴とする光記録媒体。Ｓｂ＋ＴｅＭ  （１）（但し、ＭはＳｂとＧｅを必須とする２種以上の元素の混合である）【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の照射による結晶相と非晶質相との可逆的な相変化を利用して情報の記録、再生を行う書換えが可能な記録層を有する光記録媒体であって、該記録層がＳｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｎ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも２種以上の元素を含み、かつ、下記式（１）で表される元素の組合せを含むことを特徴とする光記録媒体。
Ｓｂ＋ＴｅＭ  （１）
（但し、ＭはＳｂとＧｅを必須とする２種以上の元素の混合である）
【請求項２】
該記録層の結晶相の基本構造がＮａＣｌ型であり、かつＳｂ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系共晶組成であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光記録媒体の製造方法であって、記録層を、所要の組成の元素の組合せからなる組成物を溶融混合したものを粉砕した後焼結して作製したターゲットを用い、スパッタリングにより成膜する際、スパッタパワーが０．１〜１．５ｋＷの条件で製膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の光記録媒体の製造方法であって、記録層を、所要の組成の元素の組合せからなる組成物を溶融混合したものを粉砕した後焼結して作製したターゲットを用い、スパッタリングにより成膜する際、スパッタ圧力が０．８〜９ｍＴｏｒｒの条件で製膜するか、又は成膜直前のスパッタ室の圧力が９×１０−７Ｔｏｒｒ以下の直空度を保つようにして成膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の光記録媒体を用い、スポット径が０．０５〜２．０μｍの光の照射により情報の記録、再生を行うことを特徴とする書換え可能な光記録再生方法。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の光記録媒体を用い、記録線速が１．２〜２５ｍ／ｓで光の照射により情報の記録、再生を行うことを特徴とする書換え可能な光記録再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光の照射により情報の記録、再生を行う書換えが可能な記録層を有する光記録媒体、記録材料、光記録媒体の製造方法及び光記録再生方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光の照射により情報の記録、再生、消去が可能な光記録媒体の一つとして、結晶−非晶質相間の相転移を利用する、いわゆる相変化型光記録媒体がよく知られている。本発明者らは、このような相変化型光記録媒体の中で、特にＳｂ−Ｔｅ系記録材料とＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料を用いたものについて研究、提案を行ってきており、これらの材料はＣ／Ｎ、消去比、感度、ジッタ、保存安定性、繰返し記録再生安定性（以下再生光安定性ともいう）の各特性ですぐれた結果を得ている。
【０００３】
ところで、最近のトレンドとして、光記録媒体の展開はＤＶＤメディアの方に関心が向けられてきている。このＤＶＤメディアは従来のＣＤメディアに比べより大容量化しているため、記録線速対応性がより高く、かつドライブ側のビームスポットがより小さいことが要求される。
【０００４】
これまで提案されてきたＳｂ−Ｔｅ系記録材料やＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料では、保存安定性や再生光安定性を確保できるような組成のものが利用されてきた。つまり、これらの系の記録材料の構成元素のうちＳｂとＴｅの含有量に着目すると、図１に示すように、横軸にＳｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）、縦軸に記録線速、保存安定性（いずれも任意単位）をとると、ＣＤメディアでは斜線の範囲の組成が利用されてきた。
【０００５】
このようなメディアにおいては、記録線速対応性をより高くしようとすると、保存安定性や再生光安定性が劣化してしまうという不都合があった。さらに、ドライブ側のビームスポットサイズをより小さくして高密度化を図ろうとすると、十分な感度が得られなくなる不具合があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような従来技術の実状に鑑みてなされたもので、上記従来の光記録媒体に比べて記録線速対応性がより高く、再生光安定性及び保存安定性にもすぐれ、しかも高感度でＤＶＤメディアへの適用にも十分耐えうる光記録媒体、この光記録媒体に使用される記録材料、この光記録媒体を用いた光記録再生方法を提供することをその課題とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、上記従来の光記録媒体に比べて記録線速対応性がより高く、再生光安定性及び保存安定性にもすぐれ、しかも高感度でＤＶＤメディアへの適用にも十分耐えうる光記録媒体、この光記録媒体に使用される記録材料、この光記録媒体を用いた光記録再生方法が提供可能となる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、従来の光記録媒体について、記録層に記録マークを形成しそれをＤＣ光で再生した場合における１回目の再生ジッタσ１に対する５０００回目の繰返し再生ジッタσｒｅｐｅａｔとの比Ｒ（＝σｒｅｐｅａｔ／σ１）が１．１≦Ｒ≦２．０となるような強度ＰrのＤＣ光を照射して再生を行った場合において、１回目の再生ジッタσ１に対する５０００回繰返し再生ジッタσｒｅｐｅａｔの上昇率をｄ（＝σｒｅｐｅａｔ／σ１）とすると、初回記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄ1と、１０００回書換えを繰り返して形成される記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄｏｗの関係を調べた。その結果、記録線速応答性及び再生光安定性を高めると保存安定性が低下するものは、ｄｏｗがｄ１より大きくなっていることを確認した。そして、記録層に添加する元素、相の基本構造、組成形態、製造方法等、各種の面から鋭意検討を重ねた結果、ｄｏｗがｄ１より小さくなる記録材料を見いだし、このものは記録線速応答性及び再生光安定性にすぐれるとともに、保存安定性にもすぐれることを確認し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち、本発明によれば、光の照射による結晶相と非晶質相との可逆的な相変化を利用して情報の記録、再生を行う書換えが可能な記録層を有する光記録媒体であって、該記録層がＳｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｎ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも２種以上の元素を含み、かつ、下記式（１）で表される元素の組合せを含むことを特徴とする光記録媒体；
Ｓｂ＋ＴｅＭ  （１）
（但し、ＭはＳｂとＧｅを必須とする２種以上の元素の混合である）
該記録層の結晶相の基本構造がＮａＣｌ型であり、かつＳｂ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系共晶組成であることを特徴とする光記録媒体；該記録層中に含まれるＳｂとＴｅの合計の割合Ａが原子比で０．８０≦Ａ≦０．９７であることを特徴とする光記録媒体；該記録層中のＳｂとＴｅが原子比で０．６５≦Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）≦０．８５を満足するように含まれることを特徴とする光記録媒体；Ｇｅの含まれる割合Ｂが原子比で０．０１≦Ｂ≦０．０７であることを特徴とする光記録媒体；該記録層がＡｇ、Ｉｎ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも１種以上の元素を添加元素として含む光記録媒体；該記録層がＳｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎを少なくとも含み、各元素の含有率が原子比で下記のものであることを特徴とする光記録媒体；
Ｓｂ：  ０．６０〜０．８０
Ｔｅ：  ０．１５〜０．３０
Ｇｅ：  ０．０１〜０．０７
Ａｇ：  ０．００１〜０．０３
Ｉｎ：  ０．０２〜０．０９
【００１０】
また、本発明によれば、上記光記録媒体の製造方法であって、記録層を、所要の組成の元素の組合せからなる組成物を溶融混合したものを粉砕した後焼結して作製したターゲットを用い、スパッタリングにより成膜する際、スパッタパワーが０．１〜１．５ｋＷの条件で製膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法が提供される。また、本発明によれば、上記光記録媒体の製造方法であって、記録層を、所要の組成の元素の組合せからなる組成物を溶融混合したものを粉砕した後焼結して作製したターゲットを用い、スパッタリングにより製膜する際、スパッタ圧力が０．８〜９ｍＴｏｒｒの条件で製膜するか、又は成膜直前のスパッタ室の圧力が９×１０−７Ｔｏｒｒ以下の真空度を保つようにして成膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法が提供される。
【００１１】
また、本発明によれば、上記光記録媒体を用い、スポット径が０．０５〜２．０μｍの光の照射により情報の記録、再生を行うことを特徴とする書換え可能な光記録再生方法が提供される。さらに、本発明によれば、上記光記録媒体を用い、記録線速が１．２〜２５ｍ／ｓ、より好ましくは３．５〜１８ｍ／ｓで光の照射により情報の記録、再生を行うことを特徴とする書換え可能な光記録再生方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下本発明について詳細に説明する。本発明は、光の照射により情報の記録、再生を行う書換えが可能な記録層を有する光記録媒体を対象とする。本発明は、特に、光の照射による結晶相と非晶質相との可逆的な相変化を利用して情報の記録、再生を行う書換えが可能な記録層を有する光記録媒体への適用が好ましい。
【００１３】
本発明の光記録媒体は、記録層に記録マークを形成しそれをＤＣ光で再生した場合における１回目の再生ジッタσ１に対する５０００回目の繰返し再生ジッタσｒｅｐｅａｔとの比Ｒ（＝σｒｅｐｅａｔ／σ１））が１．１≦Ｒ≦２．０となるような強度ＰrのＤＣ光を照射して再生を行った場合、１回目の再生ジッタσ１に対する５０００回繰返し再生ジッタσｒｅｐｅａｔの上昇率をｄ（＝σｒｅｐｅａｔ／σ１）とすると、初回記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄ１と、１０００回書換えを繰り返して形成される記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄｏｗの関係が、ｄ１＞ｄｏｗを満足することを特徴とする。本明細書において「ジッタ」とは、クロック信号に対する記録マークのエッジの標準偏差をσ、クロック信号の検出ウィンドウ幅をＴｗとしたとき、σ／Ｔｗで表される値をいう。図２に再生光強度と再生ジッタ特性と再生回数との関係を示す。図中σｒは２回目以降の再生ジッタである。
【００１４】
上記においてＲ（＝σ１／σｒｅｐｅａｔ）が１．１≦ｄ≦２．０となるような強度ＰrのＤＣ光は、通常のドライブで使用するＤＣ光より強度が１．１〜２倍程度強い光であり、強制劣化させることを意図するものである。つまり、通常のドライブでは、例えばレーザー光を用いた場合、０．３〜０．８ｍＷのパワーで光照射を行うが、本測定では０．７〜１．５ｍＷのパワーの光照射を行うことになる。この場合、記録マークの形成には、通常の記録パワーが用いられ、その値は８〜２０ｍＷ程度である。また、記録線速は３．５〜８．５ｍ／ｓ程度、光スポット径は例えばレーザー光を用いた場合、０．８〜１．０μｍ程度とする。
【００１５】
本発明者らの検討によると、前述のごとく、記録線速応答性を高めると再生光安定性や保存安定性が低下するものは、ｄｏｗがｄ１より大きくなっていることを確認するとともに、ｄｏｗがｄ１より小さくなる記録材料を用いた光記録媒体は記録線速応答性と、再生光安定性及び保存安定性にもすぐれることを確認した。従って、本発明による光記録媒体は、上記の条件で再生を行った場合に、初回記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄ１と、１０００回書換えを繰り返して形成される記録マークの該ＤＣ光によるジッタ上昇率ｄｏｗの関係が、ｄ１＞ｄｏｗを満足するものである。
【００１６】
上記のような条件を満足するものは、記録線速応答性及び再生光安定性並びに保存安定性にすぐれ、ＤＶＤ−ＲＷへの適用に十分耐えうるものである。このような光記録媒体は、例えば、光の照射により結晶相と非晶質相との間を可逆的に相変化する材料からない、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｎ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも２種以上の元素を含む記録層を有するものを用いることができる。特に、記録層は下記式（１）で表される元素の組合せを含むことが望ましい。
Ｓｂ＋ＴｅＭ        （１）
（但し、ＭはＳｂとＧｅを必須とする２種以上の元素の混合である）
また、本発明で用いる光記録媒体の記録層を、ＸＡＦＳで解析した結果、その結晶相の基本構造はＮａＣｌ型であり、かつＳｂ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系共晶組成であった。図３に、本発明の光記録媒体の記録層に用いる材料の初期結晶化時の結晶構造をＸＲＤで計測した結果を示す。このデータからすべての材料についてＮａＣｌ構造として指数付けができた。
【００１７】
本発明の光記録媒体の記録層中に含まれるＳｂとＴｅの合計の割合Ａは、記録線速度、再生光安定性向上の観点から、原子比で０．８０≦Ａ≦０．９７であること、０．８５≦Ａ≦０．９７であることが望ましい。また、同様の観点から、記録層中のＳｂとＴｅは、原子比で０．６５≦Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）≦０．８５を満足するように含まれることが望ましい。このことは図１に示す傾向からも裏付けられる。また、記録層中にＧｅが含まれる割合Ｂは、原子比で０．０１ａｔ％≦Ｂ≦０．０７ａｔ％、より好ましくは０．０１ａｔ％≦Ｂ≦０．０５ａｔ％である。このようなＧｅの添加は、上記のようにＳｂとＴｅとの組成の関係で、記録線速対応性をより向上させようとするとき、保存安定性の低下を阻止する役割をする。従って、上記範囲のＧｅの添加が好ましい。Ｇｅを添加した場合としない場合のジッタ特性を比較したものを図４に示す。図４の（ａ）がＡｇ２．５Ｉｎ３．０Ｓｂ７１．５Ｔｅ２３．０、（ｂ）がＡｇ０．５Ｉｎ３．０Ｓｂ７１．５Ｔｅ２３．０Ｇｅ２．０である。測定では、直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に上記各組成の記録材料からなる膜を２０ｎｍ厚に設け、さらにその上にＡｌからなる１４０ｎｍ厚の反射層を設けた光記録媒体を用いた。これらの光記録媒体を８０℃８５％ＲＨで保存してそのジッタ特性を測定した。図４より、Ｇｅの添加により保存安定性が大幅に向上する傾向がわかる。記録材料の下にはＺｎ・ＳｉＯ２からなる１００ｎｍの保護層を配し、上には同じ材料からなる２０ｎｍの保護層を配した。
【００１８】
Ｓｂ、Ｔｅ及びＧｅを含む記録層に用いる材料の好ましい組成範囲は原子比で次の通りである。
Ｓｂ：  ０．６０ａｔ％〜０．８０ａｔ％、より好ましくは０．６３ａｔ％〜０．７５ａｔ％さらに好ましくは０．６５ａｔ％〜０．７５ａｔ％
Ｔｅ：  ０．１５ａｔ％〜０．３０ａｔ％、より好ましくは０．２ ａｔ％〜０．２５ａｔ％
Ｇｅ：  ０．０１ａｔ％〜０．０７ａｔ％、より好ましくは０．０２ａｔ％〜０．０５ａｔ％
Ｓｂが上記範囲より少ないと記録線速の高い光ディスクが得られず、上記範囲より多いと保存安定性が乏しくなる。また、Ｔｅが上記範囲より少ないと保存安定性が乏しくなったり、書換え特性が悪化し、上記範囲より多いと高線速記録に向かなくなる。また、Ｇｅが上記範囲より少ないと保存安定性が乏しくなり、上記範囲より多いと高線速記録に向かなくなる。
【００１９】
本発明の光記録媒体の記録層には、記録マークの変調度向上等の特性の向上を目的としてＡｇ、Ｉｎ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも１種以上の元素を添加元素として含有させることができる。この場合、これらの元素の添加量は０．０１〜０．０９ａｔ％程度が好ましい。ＳｂＴｅに対し各種元素を添加した系に対し、放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその結合状態を解析した結果を図５〜図８に示す。これらの図から明らかなように、添加元素はＴｅと結合している様子がわかる。すなわち、本発明の記録材料は、初期結晶化時の結晶構造がＳｂ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系共晶組成近傍の準安定相であるＮａＣｌ構造を基本とするものであり、各添加元素はＴｅに結合しているものである。
【００２０】
本発明の光記録媒体の記録層として、最も好ましいものは、上記のような結晶構造及び相形態を有し、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎを含むものである。ここでＧｅ、Ａｇ、Ｉｎは添加元素として存在する。これらを含む記録材料の好ましい組成範囲は原子比で次の通りである。
Ｓｂ：  ０．６０ａｔ％〜０．８０ａｔ％、より好ましくは０．６３ａｔ％〜０．７５ａｔ％さらに好ましくは０．６５ａｔ％〜０．７５ａｔ％
Ｔｅ：  ０．１５ａｔ％〜０．３０ａｔ％、より好ましくは０．２ ａｔ％〜０．２５ａｔ％
Ｇｅ：  ０．０１ａｔ％〜０．０７ａｔ％、より好ましくは０．０２ａｔ％〜０．０５ａｔ％
Ａｇ：  ０．００１ａｔ％〜０．０３ａｔ％、より好ましくは０．００１ａｔ％〜０．０２ａｔ％
Ｉｎ：  ０．０２ａｔ％〜０．０９ａｔ％、より好ましくは０．０３ａｔ％〜０．０９ａｔ％
Ｓｂが上記範囲より少ないと高線速記録に向かなくなり、上記範囲より多いと保存安定性が悪化する。また、Ｔｅが上記範囲より少ないと保存安定性が悪化し、上記範囲より多いと高線速記録ができなくなったり、書換え特性悪化となる。また、Ｇｅが上記範囲より少ないと保存安定性が悪化し、上記範囲より多いと高線速記録に向かなくなる。また、Ａｇが上記範囲より少ないとジッタ特性変調度が悪化し、上記範囲より多いと高線速記録を疎外する。また、Ｉｎが上記範囲より少ないと変調度がとれなくなり、上記範囲より多いと再生光安定性が悪化する。
【００２１】
このような組成のものは、Ｃ／Ｎ、消去比、感度、ジッタ、記録線速応答性、再生光安定性、保存安定性の各観点において非常にすぐれたものであり、ＤＶＤ−ＲＷへの適用に十分対応することができる。
【００２２】
本発明の光記録媒体の記録層は、スパッタリング等の従来公知の製膜法で形成することができる。スパッタリングで製膜する場合、その条件は例えば下記のものとして行なった。投入電力０．５ｋＷ、Ａｒ（アルゴン）ガス圧力２ｍＴｏｒｒ、製膜直前の製膜室の背圧１×１０−７Ｔｏｒｒで、ＤＣマグネトロンスパッタ法により製膜した。これらの条件は、例えば以前発明者らが行っていたＲｆ方式のスパッタ方式に比較して、記録膜のスパッタレートが１．２倍以上となっているため、より短時間で製膜を行なっているものである。このような条件での製法により、本発明では、上記のような結晶構造、組成形態、性状を有する記録層を形成することができた。記録層の膜厚は、５〜３０ｎｍ、好ましくは１０〜２０ｎｍである。
【００２３】
本発明の光記録媒体は、基本的に、基板上に上記のような記録層を設けて構成されるが、基板としては、ガラス、セラミックス、樹脂等が使用され、中でも、樹脂基板が成形性、コストの点で有利である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリルニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂などが使用できるが、加工性、光学特性等から、ポリカーボネート樹脂が好ましい。このポリカーボネート樹脂を用いる場合、光入射面側に紫外線吸収層を設けるとより好ましい。基板の形状は、ディスク状、カード状、シート状の各種形態をとることができ、その厚さも１．２ｍｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍ等任意のものとすることができる。
【００２４】
本発明の光記録媒体は、必要に応じ、基板と記録層の間に下引き層を、記録層の上に保護層を、さらにその上にハードコート層を設けることができる。また、保護層とハードコート層の間に反射層を設けることができる。さらに、光記録媒体の少なくとも一方の面に紫外線吸収層を設けることも好ましい。
【００２５】
下引き層あるは保護層としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状炭素、あるいはその混合物を用いることができる。下引き層及び保護層は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって作製できる。下引き層の膜厚は２０〜２５０ｎｍ、好ましくは４０〜１００ｎｍ、さらに好ましくは１６０〜２５０ｎｍである。保護層の膜厚は５〜１５０ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍである。
【００２６】
反射層としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどの金属材料あるいはそれらにＴｉ、Ｃｒ、Ｓｉなどの添加材料を加えたものが使用できる。反射層はスパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって作製できる。反射層の膜厚は５０〜２００ｎｍ、好ましくは８０〜１５０ｎｍである。
【００２７】
ハードコート層には、ウレタンアクリレート、アクリル酸エステル、あるいはそれらの混合物などの紫外線硬化型樹脂が好ましく使用されるが、これに限定されない。ハードコート層の厚さは１〜５０μｍ程度が適当である。
【００２８】
本発明の光記録媒体を用いて情報の記録、再生を行う場合、記録再生光としてはレーザー光の他、各種の光を用いることができる。光スポット径は０．０５〜２μｍ、より好ましくは０．１〜１．６μｍである。記録光パワーは８〜２０ｍＷ程度であり、再生光パワーは０．３〜１．０ｍＷ程度である。記録再生光の波長は、２００〜１０００ｎｍ、より好ましくは４００〜８００ｎｍである。記録線速は１〜３０ｍ／ｓ、好ましくは１．２〜１８ｍ／ｓである。
【実施例】
【００２９】
以下本発明を実施例及び比較例によりさらに詳細に説明する。
【００３０】
実施例１〜５、比較例１〜２
トラックピッチ０．７４μｍ、深さ約５００Åのグルーブが形成されたポリカーボネート製ディスク基板（厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍ）の上に、表１に示す組成のスパッタリングターゲットを用い記録層を形成した。このときのスパッタリング条件は下記の通りである。
背圧：１×１０−７Ｔｏｒｒ
使用ガス：Ａｒ
ＲＦパワー：０．５ｋＷ
ガス圧力：２ｍＴｏｒｒ
次に、記録層の上にＡｌＴｉからなる反射層（厚さ１４０ｎｍ）を形成し、実施例及び比較例の光ディスクとした。
【００３１】
【表１】
2006347183.tif 000003
【００３２】
上記で作成した各光ディスクについて下記の条件で保存安定性、再生光安定性、ｄｏｗ対ｄ１、感度を評価した。
Ｒ（＝σｒｅｐｅａｔ／σ１）：１．２〜１．５
レーザー波長：６６０ｎｍ
レーザースポット径：０．９μｍ
対物レンズのＮＡ：０．６５
再生線速：ＤＶＤ ＲＯＭ 等速（３．５ｍ／ｓ）
【００３３】
また、各特性の評価方法は以下の通りである。
保存安定性
８０℃〜９０℃、８５％ＲＨの高温高湿条件下に、記録マークを記録したディスクを保存し、その前後の記録特性（ジッタ特性）を評価した。
再生光安定性
０．５ｍＷ〜１．５ｍＷ程度の再生光を連続照射し、繰り返し再生ジッタ特性の変化をモータする方法で行った。
ｄｏｗ対ｄ１
請求項１に記載の条件で行った（５０００回目の繰り返し再生ジッタ特性を評価、書換え有無によりその特性値の差を評価する）。
感度
記録マークを所定のレーザーパワーにより書き込み、その変調度が５０％以上のものを良好なものと判断した。
上記の評価結果を表２、図９〜図１５に示す。
【００３４】
【表２】
2006347183.tif 000004
【００３５】
表２より、本発明の実施例による光ディスクは、保存安定性、再生光安定性及び感度のいずれもすぐれたものであることが確認できた。また、本発明の実施例による光ディスクは、記録線速対応性が８〜１３．５ｍ／ｓとすぐれたものであった。これは、ＤＶＤ−ＲＯＭと同じ記録密度において、ＤＶＤ−ＲＯＭの２倍速〜３倍速に相当する。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】Ｓｂ／（Ｓｂ＋Ｔｅ）と記録線速、保存安定性の関係を示す図である。
【図２】再生光強度と再生ジッタ特性と再生回数との関係を示す図である。
【図３】本発明による光記録媒体の記録層に用いる記録材料の初期結晶化時の結晶構造をＸＲＤで計測した結果を示す図である。
【図４】Ｇｅの添加により保存安定性が大幅に向上する傾向を比較して示す図である。
【図５】ＳｂＴｅに対し各種元素を添加した系に対し、放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその結合状態を解析した結果を示す図である。
【図６】ＳｂＴｅに対し各種元素を添加した系に対し、放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその結合状態を解析した結果を示す図である。
【図７】ＳｂＴｅに対し各種元素を添加した系に対し、放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその結合状態を解析した結果を示す図である。
【図８】ＳｂＴｅに対し各種元素を添加した系に対し、放射光によるＳｂ−Ｋ−Ｅｄｇｅ ＸＡＦＳでその結合状態を解析した結果を示す図である。
【図９】実施例１のジッタ特性−再生回数の測定結果を示す図である。
【図１０】実施例２のジッタ特性−再生回数の測定結果を示す図である。
【図１１】実施例３のジッタ特性−再生回数の測定結果を示す図である。
【図１２】実施例４のジッタ特性−再生回数の測定結果を示す図である。
【図１３】実施例５のジッタ特性−再生回数の測定結果を示す図である。
【図１４】比較例１のジッタ特性−再生回数の測定結果を示す図である。
【図１５】比較例２のジッタ特性−再生回数の測定結果を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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