(57)【要約】【課題】ブレードを用いなくても、配線基板を個片に分割することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】この半導体装置の製造方法は、バンプが形成された複数の半導体基板１それぞれを、予めミシン目２ｂが形成された配線基板２の表面に固定する工程と、ミシン目２ｂに沿って配線基板２を破断することにより、配線基板２を複数の個片に分割する工程と、を具備する。これにより、ブレードを用いなくても、配線基板を個片に分割することができるようになる。なお、ミシン目２ｂの代わりに溝を形成してもよい。ミシン目または溝は、例えばレーザーまたはエッチングにより形成される。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体基板それぞれを、予めミシン目が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記ミシン目に沿って前記配線基板を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
複数の半導体基板それぞれを、予め溝が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記溝に沿って前記配線基板を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
複数の半導体基板それぞれを、予めミシン目状の溝が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記溝に沿って前記配線基板を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記配線基板を前記複数の個片に分割する工程は、前記配線基板を前記溝に沿って折り曲げて破断する工程を有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ミシン目または前記溝は、レーザー照射またはエッチングにより形成されている請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
バンプが形成された半導体基板と、
前記半導体基板が固定され、該半導体基板に接続する配線基板と、
を具備し、
前記配線基板の少なくとも一辺は、ミシン目が形成された基板を、該ミシン目に沿って破断することにより形成されている半導体装置。
【請求項７】
バンプが形成された半導体基板と、
前記半導体基板が固定され、該半導体基板に接続する配線基板と、
を具備し、
前記配線基板の少なくとも一辺は、溝が形成された基板を、該溝に沿って破断することにより形成されている半導体装置。
【請求項８】
半導体基板と、
前記半導体基板が固定され、該半導体基板に接続する配線基板と、
を具備し、
前記配線基板の少なくとも一辺は、ミシン目状の溝が形成された基板を、該溝に沿って破断することにより形成されている半導体装置。
【請求項９】
前記半導体基板はバンプを有し、該バンプを介して前記配線基板に接続する請求項６〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体基板上に固定された第２の半導体基板を更に具備する請求項６〜９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。特に本発明は、ブレードを用いなくても配線基板を個片に分割することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８は、従来の半導体装置の製造方法を説明するための斜視図である。この方法により製造される半導体装置は、配線基板１０２上に半導体基板１０１を固定した構造である。
【０００３】
まず、半導体基板１０１及び配線基板１０２を準備する。配線基板１０２の上面には、予め配線が形成されている。半導体基板１０１には、予めトランジスタ等の半導体素子（図示せず）、配線層（図示せず）及びパッド（図示せず）がそれぞれ形成されている。半導体素子は、配線層を介してパッドに接続している。また、パッド上には金バンプ（図示せず）が形成されている。
【０００４】
次いで、複数の半導体基板１０１を、異方性導電樹脂（図示せず）を用いて配線基板１０２の上面に固定する。このとき、半導体基板１０１の金バンプは、異方性導電樹脂を介して、配線基板１０２の配線に接続する。
その後、配線基板１０２の裏面に、外部接続用のハンダボール（図示せず）を形成する。次いで、配線基板１０２を、ブレード１０３を用いて複数の個片に分割する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ブレードを用いて配線基板を分割すると、切断面に削り屑が残る場合がある。削り屑が残っていると、後工程で問題が生じる場合があるため、基板切断後に削り屑を除去する必要があるが、この除去に労力を要していた。
【０００６】
また、ブレードが磨耗すると切断面に削り屑が残りやすくなるため、ブレードの交換頻度をある程度高くする必要があった。このため、半導体装置の製造コストが高くなっていた。
【０００７】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、ブレードを用いなくても、配線基板を個片に分割することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体基板それぞれを、予めミシン目が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記ミシン目に沿って前記配線基板を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、を具備する。
【０００９】
この半導体装置の製造方法によれば、配線基板には予めミシン目が形成されているため、ミシン目に沿って配線基板を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割することができる。従って、分割後の配線基板の端面には、切り屑が残りにくくなる。また、ブレードを用いる必要がなくなるため、半導体装置の製造コストを低くすることができる。
【００１０】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、複数の半導体基板それぞれを、予め溝が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記溝に沿って前記配線基板を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、を具備する。
【００１１】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、複数の半導体基板それぞれを、予めミシン目状の溝が形成された配線基板の表面に固定する工程と、
前記溝に沿って前記配線基板を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割する工程と、を具備する。
【００１２】
これらの半導体装置の製造方法によれば、溝に沿って配線基板を破断することにより、該配線基板を複数の個片に分割することができる。従って、分割後の配線基板の端面には、切り屑が残りにくくなる。また、ブレードを用いる必要がなくなるため、半導体装置の製造コストを低くすることができる。
【００１３】
配線基板を複数の個片に分割する工程は、配線基板を溝に沿って折り曲げて破断する工程を有していてもよい。ミシン目または溝は、レーザーまたはエッチングにより形成されていてもよい。
【００１４】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、
前記半導体基板が固定され、該半導体基板に接続する配線基板とを具備し、
前記配線基板の少なくとも一辺は、ミシン目が形成された基板を、該ミシン目に沿って破断することにより形成されている。
【００１５】
本発明に係る他の半導体装置は、バンプが形成された半導体基板と、
前記半導体基板が固定され、該半導体基板に接続する配線基板とを具備し、
前記配線基板の少なくとも一辺は、溝が形成された基板を、該溝に沿って破断することにより形成されている。
【００１６】
本発明に係る他の半導体装置は、バンプが形成された半導体基板と、
前記半導体基板が固定され、該半導体基板に接続する配線基板とを具備し、
前記配線基板の少なくとも一辺は、ミシン目状の溝が形成された基板を、該溝に沿って破断することにより形成されている。
【００１７】
上記半導体装置は、半導体基板上に固定された第２の半導体基板を更に具備していてもよい。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態で形成される半導体装置の構成を説明する側面図である。この半導体装置は、ＦＣ−ＢＧＡ（Flip Chip Ball Grid Array）構造を有しており、半導体基板１を、異方性導電樹脂３を介して配線基板２の表面に固定した構造である。
【００１９】
半導体基板１には、トランジスタ（図示せず）が複数形成されており、これらトランジスタ上には、複数の配線層が形成されている。トランジスタは、この複数の配線層を介して、これら配線層の表面に露出しているＡｌ合金パッド（図示せず）に接続している。Ａｌ合金パッドは、上面に金バンプ１ａが設けられており、この金バンプ１ａ及び異方性導電樹脂３を介して、配線基板２の表面に接続している。
【００２０】
配線基板２は、絶縁性の樹脂層（図示せず）と銅製の配線パターン層（図示せず）とを、交互に積層した構造であり、その厚さは、例えば１２５μｍ以上４２０μｍ以下である。配線基板２の表面には配線パターン層が位置している。
なお、配線基板２は、樹脂層と配線層とを一層ずつ設けた構造であってもよい。
【００２１】
配線基板２の裏面には、外部入出力端子としてのハンダボール２ａが、複数形成されている。ハンダボール２ａは、配線基板２の樹脂層に設けられた接続孔（図示せず）を介して、前記した配線層に接続している。
【００２２】
図２は、図１に示した半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図３（Ａ）は、図２のＳ２の工程における配線基板２の斜視図であり、図３（Ｂ）は、図２のＳ４の工程を説明する為の斜視概略図である。図４は、図２のＳ８の工程を説明するための断面概略図である。
【００２３】
まず、半導体基板１及び配線基板２を準備する（図２のＳ２）。この段階において、半導体基板１には、トランジスタ、配線層、Ａｌ合金パッド及び金バンプ１ａが形成されている。また、配線基板２には、樹脂層及び配線パターン層が形成されているが、ハンダボール２ａは設けられていない。
【００２４】
また、図３（Ａ）に示すように、複数の配線基板２は、互いに繋がった状態で形成されているが、互いの境目にはミシン目２ｂが設けられている。ミシン目２ｂは、例えば、配線基板２にレーザーを照射することにより形成される。
【００２５】
なお、ミシン目２ｂは、以下の工程を繰り返すことにより、配線基板２と同時に形成されてもよい。まず、樹脂層を形成し、この樹脂層上に銅の薄膜を形成する。次いで、銅の薄膜上にレジストパターン等のマスクを形成し、このマスクを用いて薄膜をエッチングする。これにより、銅の薄膜はパターニングされ、配線パターン層が形成される。次いで、配線パターン上のマスクを除去した後、レジストパターン等の新たなマスクを形成し、このマスクを用いて樹脂層をエッチングすることにより、樹脂層にミシン目２ｂを形成する。その後、マスクを除去する。
【００２６】
ミシン目２ｂは、配線基板２の端部（例えば符号２ｅで示す部分）、及び他のミシン目２ｂそれぞれと重なるように（例えば符号２ｆで示す部分）形成されるのが好ましい。このようにすると、後述する分割工程で、配線基板２は、端部及びミシン目２の交差部においても、直線状に破断されやすくなる。
【００２７】
次いで、シール状の異方性導電樹脂３を用いて、半導体基板１を配線基板２の所定位置上に固定する（図２のＳ４及び図３（Ｂ））。このとき、金バンプ１ａは、異方性導電樹脂３を介して、配線基板２上の配線パターンに接続する。
【００２８】
その後、配線基板２の裏面にハンダボール２ａを設ける（図２のＳ６）。次いで、破断機４を用いて配線基板２を、ミシン目２ｂに沿って折り曲げる。これにより、配線基板２は、ミシン目２ｂに沿って破断し、半導体基板１毎の個片に分割される（図２のＳ８及び図４）。このため、分割後の配線基板２は、少なくとも１辺が、ミシン目を破断することにより形成される。
【００２９】
なお、破断機４は、例えば配線基板２の底面のうちハンダボール２ａが設けられていない部分を支持するとともに、配線基板２の上面のうち半導体基板１が設けられていない部分を支持し、その状態で、配線基板２を折り曲げるように構成にするのが好ましい。これにより、配線基板２を破断する際に、ハンダボール２ａ及び半導体基板１に力が加わることを防ぐことができる。
【００３０】
このように、本実施形態に係る半導体装置は、配線基板２に予めミシン目２ｂを形成しておき、このミシン目２ｂに沿って配線基板２を破断することにより、個片に分割されている。このため、ブレードを用いなくても、配線基板２を個片に分割することができる。従って、分割断面に削り屑が生じないため、削り屑を除去する工程を省略することができる。また、ブレードを使用しないため、半導体装置の製造コストを低くすることができる。
【００３１】
図５は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための斜視図である。本実施形態は、ミシン目２ｂの代わりに溝２ｃを形成する点を除いて、第１の実施形態に係る半導体装置を製造する方法と同一である。そして、本実施形態によって製造される半導体装置は、少なくとも一辺が、溝２ｃを破断することにより形成される。本実施形態においても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００３２】
図６は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための斜視図である。本実施形態は、溝２ｃをミシン目状に形成する点を除いて、第２の実施形態と同一である。そして、本実施形態によって製造される半導体装置は、少なくとも一辺が、ミシン目状の溝２ｃを破断することにより形成される。本実施形態においても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００３３】
図７は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の側面図である。本実施形態は、半導体基板１上に、さらに半導体基板５が固定されている点、及び半導体基板５に設けられたパッド（図示せず）が、半導体基板１に形成された配線（図示せず）を介して、配線基板２の配線パターンに接続されている点が、第１の実施形態に係る半導体装置と異なる。その他の半導体装置の構成は、第１の実施形態と同一であるため、同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３４】
半導体基板５は、半導体基板１が配線基板２に固定された後、配線基板２にハンダボール２ａを設ける前に、半導体基板１上に固定される。このとき、半導体基板５に設けられたパッドは、半導体基板１上の配線に接続する。この配線は半導体基板１のパッドに接続している。その他の半導体装置の構成、及び半導体装置の製造方法は、第１の実施形態と同一である。
本実施形態においても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００３５】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば第２または第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を用いて、第４の実施形態に係る半導体装置を製造してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１の実施形態で形成される半導体装置の構成を説明する側面図。
【図２】図１の半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
【図３】（Ａ）は図２のＳ２の工程における配線基板２の斜視図、（Ｂ）は図２のＳ４の工程を説明する為の斜視概略図。
【図４】図２のＳ８の工程を説明するための断面概略図。
【図５】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための斜視図。
【図６】第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための斜視図。
【図７】第４の実施形態に係る半導体装置の側面図。
【図８】従来の半導体装置の製造方法を説明するための斜視図。
【符号の説明】
【００３７】
１，５，１０１…半導体基板、１ａ…金バンプ、２，１０２…配線基板、２ａ…ハンダボール、２ｂ…ミシン目、２ｃ…溝、３…異方性導電樹脂、４…破断機、１０３…ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2006108342.tif 000008
【図７】
2006108342.tif 000009
【図８】
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