(57)【要約】      （修正有）【課題】容易な有機半導体の精製方法について提供することを課題とする。また、良好な動作特性を示す半導体装置について提供する。【解決手段】この有機半導体の精製方法の一は、有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理を含むことを特徴としている。半導体装置は、第１の有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理をして得られた第２の有機半導体を活性層として用いていることを特徴としている。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理を含むことを特徴とする有機半導体の精製方法。
【請求項２】
第１の有機半導体をスルホキシド溶液に混合して第１の溶液を作製する第１の工程と、
前記第１の溶液を濾過する第２の工程と、
前記第２の工程後に前記スルホキシド溶液と分離された第２の有機半導体をアルコール溶液を用いて洗浄処理した後、乾燥させる第３の工程と、
を含むことを特徴とする有機半導体の精製方法。
【請求項３】
ペンタセンを混合したスルホキシド溶液を濾過する処理を含むことを特徴とする有機半導体の精製方法。
【請求項４】
第１のペンタセンをスルホキシド溶液に混合して第１の溶液を作製する第１の工程と、
前記第１の溶液を濾過する第２の工程と、
前記第２の工程後に前記スルホキシド溶液と分離された第２のペンタセンをアルコール溶液を用いて洗浄処理した後、乾燥させる第３の工程と、
を含むことを特徴とする有機半導体の精製方法。
【請求項５】
前記スルホキシド溶液は、ジメチルスルホキシド溶液であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の有機半導体の精製方法。
【請求項６】
半導体層を有し、
前記半導体層は、第１の有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理によって得られた第２の有機半導体を含む
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体層を有し、
前記半導体層は、第１のペンタセンを混合したスルホキシド溶液を濾過する処理によって得られた第２のペンタセンを含む
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
ゲート電極と、ドレイン電極と、ソース電極と、半導体層と、前記ゲート電極と前記半導体層とに挟まれたゲート絶縁層と、
を有し、
前記ドレイン電極及び前記ソース電極は、それぞれ前記半導体層と接し、
前記半導体層は、第１の有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理によって得られた第２の有機半導体を含む
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
ゲート電極と、ドレイン電極と、ソース電極と、半導体層と、
前記ゲート電極と前記半導体層とに挟まれたゲート絶縁層と、
を有し、
前記ドレイン電極及び前記ソース電極は、それぞれ前記半導体層と接し、
前記半導体層は、第１のペンタセンを混合したスルホキシド溶液を濾過する処理によって得られた第２のペンタセンを含む
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置を回路素子として用いていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体の精製方法に関し、特にペンタセンの精製方法に関する。また、本発明の有機半導体の精製方法を用いて作製した有機半導体を含む半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機半導体を用いた半導体素子の開発が盛んに行われている。有機半導体を用いた半導体素子の開発分野では、有機半導体におけるキャリア移動度の向上を初めとする様々な課題がある。
【０００３】
そして、有機半導体を用いた半導体素子において、キャリア移動度の低下の一因となっているのが、有機半導体に含まれる不純物である。
【０００４】
その為、これまでに、有機半導体に含まれる不純物を除去する方法の開発等が行われてきている。例えば特許文献１には、超臨界状態の溶媒を用いて不純物を除去する有機半導体材料の精製方法について開示されている。
【０００５】
しかし、特許文献１に記載のような方法では、超臨界状態という特殊な状態を利用するため、非常に手間が掛かってしまう。
【０００６】
また、昇華精製についても、専用の装置を用意し、真空下で行わなければならず、非常に手間が掛かってしまう。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３４７６２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、容易な有機半導体の精製方法について提供することを課題とする。また、本発明は、良好な動作特性を示す半導体装置について提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機半導体の精製方法の一は、有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理を含むことを特徴としている。
【００１０】
本発明の半導体装置は、第１の有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理をして得られた第２の有機半導体を活性層として用いていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によって、容易に有機半導体を精製することができる。また、本発明によって特殊な装置を用いなくても容易に精製を行うことができるため、良好な半導体装置を作製できる材料を低コストで手に入れることができる。
【００１２】
また、本発明によって、良好な特性を示す半導体装置を低コストで作製することができる。また、半導体層に含まれる不純物に起因した不具合の少ない良好な半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一態様について説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１４】
（実施の形態１）
本発明のペンタセンの精製方法は、有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理を含む。つまりスルホキシド溶液をろ液として用いている。
【００１５】
このような処理をすることによって、有機半導体と共に含まれている不純物を低減することができる。ここで、有機半導体としてはペンタセンが好ましい。また、スルホキシド溶液としては、特にジメチルスルホキシド溶液等が好ましい。また、濾過方法について特に限定はなく、濾紙またはメンブレンフィルター等を用いて行えばよい。なお、濾紙を用いる場合は、孔径１μｍ以下のものを用いることが好ましい。
【００１６】
濾過後に残ったペンタセンは、エタノール等のアルコール溶液を用いて洗浄処理することが好ましい。これによって、ペンタセンに付着したスルホキシド溶液を除去することができる。また、アルコール溶液での処理後のペンタセンは、乾燥させることが好ましい。この時、減圧下で行うことにより、乾燥に必要な温度を低温化することができる。
【００１７】
なお、ペンタセンを混合したスルホキシド溶液を濾過する処理は、複数回繰り返し行ってもよい。
【００１８】
以上のような精製方法によってペンタセンを処理することによって、ペンタセンと共に含まれている不純物を低減することができる。また、以上に説明した本発明のような精製方法は、昇華を利用した精製方法よりも簡便であり、低コストである。
【００１９】
（実施の形態２）
本発明の半導体装置とその作製方法の一態様について図１（Ａ）〜（Ｄ）を用いて説明する。
【００２０】
基板１０１上にゲート電極１０２を形成する。ゲート電極１０２の形成方法について特に限定は無く、成膜した導電層をフォトリソグラフィ法によって所望の形状に加工して形成してもよいし、または、導電物を含む液滴をタイミングや位置を調節しながら吐出して所望の形状になるように描画するインクジェット法等によって形成してもよい。また、ゲート電極１０２を形成する材料についても特に限定は無く、例えばアルミニウム、銅、金、銀等を用いることが出来る。また、基板１０１についても特に限定はなく、ガラス、石英等の他、プラスチック、ポリカーボネード等の可撓性を有する基板を用いることができる。
【００２１】
次に、ゲート電極１０２を覆うゲート絶縁層１０３を形成する。ゲート絶縁層１０３について特に限定はなく、例えば、酸化珪素や窒化珪素等の絶縁物をＣＶＤ法等によって成膜して形成すればよい。この他、成膜時の処理物への印加温度にもよるがポリイミド、ポリアミック酸、ポリビニルフェノールなどの有機物をキャスト、スピナー、印刷、インクジェット等の方法により塗布してゲート絶縁層１０３を形成してもよい。
【００２２】
次にゲート絶縁層１０３の上に、ソース電極１０４、ドレイン電極１０５を形成する。ソース電極１０４、ドレイン電極１０５について特に限定は無く、金、銀、タングステン等の無機導電物の他、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を含む有機導電物等を用いて形成すればよい。また、ソース電極１０４，ドレイン電極１０５の形成方法についても特に限定はなく、スパッタリング装置や蒸着装置等の成膜装置を用いて形成した導電層を所望の形状に加工することによって形成してもよいし、または導電物を含む液滴をタイミングや位置を調節しながら吐出して所望の形状になるように描画するインクジェット法等によって形成してもよい。
【００２３】
次に、ゲート絶縁層１０３、ソース電極１０４、ドレイン電極１０５の上に半導体層１０６を形成する。半導体層１０６は本発明の精製方法によって精製したペンタセンを用いて形成すればよい。半導体層１０６の形成方法について特に限定はない。例えば、半導体層１０６を形成したい部分に対し選択的に撥水処理し、その他の部分に対し親水処理した後に、ペンタセンを自己成長させて形成してもよい。これによって、成膜後にパターニングをすることなく所望の形状に形成することができる。また、シャドウマスク等を用いた蒸着法によって所望の部分に対し選択的に成膜し、半導体層１０６を形成してもよい。この場合、シャドウマスクと被処理物との間隙から回り込んだ原料が堆積し、特に半導体層１０６を形成する必要のない部分において半導体層が形成されてしまうのを防ぐことができるよう、シャドウマスクと被処理物との密着性を高めることが好ましい。また、半導体層を被処理物全体を覆うように成膜した後、これを所望の形状に加工することによって半導体層１０６を形成してもよい。このような場合は加工後の真空ベーク等の処理をすることが好ましい。このような処理をすることによって半導体装置の特性が向上する。
【００２４】
以上のようにして作製した半導体装置はにおいて、半導体層１０６は活性層として機能する。そして、このような半導体装置は、例えば、液晶素子のスイッチング用回路の他、論理回路、ＤＲＡＭ等のメモリ回路等の回路素子として用いることができうる。
【００２５】
以上のようにして、作製した本発明の半導体装置は、本発明の精製方法を用いて精製したペンタセンを用いて半導体層を形成しているため、良好な動作特性を示す。また、本発明の精製方法を用いて精製したペンタセンを用いて形成しているため、材料に係るコストが非常に低いものである。
【００２６】
（実施の形態３）
本発明の半導体装置とその作製方法の一態様について図２（Ａ）〜（Ｄ）を用いて説明する。
【００２７】
基板２０１上にゲート電極２０２を形成する。ゲート電極２０２の形成方法について特に限定は無く、成膜した導電層をフォトリソグラフィ法によって所望の形状に加工して形成してもよいし、または、導電物を含む液滴をタイミングや位置を調節しながら吐出して所望の形状になるように描画するインクジェット法等によって形成してもよい。また、ゲート電極２０２を形成する材料についても特に限定は無く、例えばアルミニウム、銅、金、銀等を用いることが出来る。また、基板２０１についても特に限定はなく、ガラス、石英等の他、プラスチック、ポリカーボネード等の可撓性を有する基板を用いることができる。
【００２８】
次に、ゲート電極２０２を覆うゲート絶縁層２０３を形成する。ゲート絶縁層２０３について特に限定はなく、例えば、酸化珪素や窒化珪素等の絶縁物をＣＶＤ法等によって成膜して形成すればよい。この他、成膜時の処理物への印加温度にもよるがポリイミド、ポリアミック酸、ポリビニルフェノールなどの有機物をキャスト、スピナー、印刷、インクジェット等の方法により塗布してゲート絶縁層２０３を形成してもよい。
【００２９】
次に、ゲート絶縁層２０３の上に半導体層２０４を形成する。半導体層２０４は本発明の精製方法によって精製したペンタセンを用いて形成すればよい。半導体層２０４の形成方法について特に限定はない。例えば、半導体層２０４を形成したい部分に対し選択的に撥水処理し、その他の部分に対し親水処理した後に、ペンタセンを自己成長させて形成してもよい。これによって、成膜後にパターニングをすることなく所望の形状に形成することができる。また、シャドウマスク等を用いた蒸着法によって所望の部分に対し選択的に成膜し、半導体層２０４を形成してもよい。この場合、シャドウマスクと被処理物との間隙から回り込んだ原料が堆積し、特に半導体層２０４を形成する必要のない部分において半導体層が形成されてしまうのを防ぐことができるよう、シャドウマスクと被処理物との密着性を高めることが好ましい。また、半導体層を被処理物全体を覆うように成膜した後、これを所望の形状に加工することによって半導体層２０４を形成してもよい。このような場合は加工後の真空ベーク等の処理をすることが好ましい。このような処理をすることによって半導体装置の特性が向上する。
【００３０】
次に半導体層２０４の上に、ソース電極２０５、ドレイン電極２０６を形成する。ソース電極２０５、ドレイン電極２０６について特に限定は無く、金、銀等の無機導電物の他、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等を含む有機導電物等を用いて形成すればよい。また、ソース電極２０５、ドレイン電極２０６の形成方法についても特に限定はなく、スパッタリング装置や蒸着装置等の成膜装置を用いて形成した導電層を、所望の形状に加工することによって形成してもよいし、または導電物を含む液滴をタイミングや位置を調節しながら吐出して所望の形状になるように描画するインクジェット法等によって形成してもよい。
【００３１】
ここで、ソース電極２０５、ドレイン電極２０６を形成する前に、半導体層２０４上に、自己組織化膜を形成し、ソース電極２０５、ドレイン電極２０６と半導体層２０４との間に自己組織化膜を設けてもよい。これによって、半導体層２０４とソース電極２０５、ドレイン電極２０６とのコンタクト抵抗を低下させることができる。ここで、自己組織化膜は、アミノ基を有するアルキルシラン等を用いて形成することができる。具体的には、オクタデシルトリクロロシラン、（３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン等を用いて形成することができる。
【００３２】
以上のようにして作製した半導体装置において半導体層２０４は活性層として機能する。そして、このような半導体装置は、例えば、液晶素子のスイッチング用回路の他、論理回路、ＤＲＡＭ等のメモリ回路等の回路素子として用いることができうる。
【００３３】
以上のようにして、作製した本発明の半導体装置は、本発明の精製方法を用いて精製したペンタセンを用いて半導体層を形成しているため、良好な動作特性を示す。また、本発明の精製方法を用いて精製したペンタセンを用いて形成しているため、材料に係るコストが非常に低いものである。
【００３４】
以上には、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を含む３端子のトランジスタにの態様について説明したが、本発明によって得られた有機半導体は、上記のようなトランジスタの他、不揮発性のメモリ素子等に含まれる半導体層を形成するのに用いてもよい。これによって、半導体層に含まれる不純物に起因した特性不良の少ない良好なメモリ素子等の半導体装置を得ることができる。
【００３５】
（実施の形態４）
本発明の半導体装置を含む液晶装置の態様について、図５を用いて説明する。
【００３６】
図５は液晶装置を模式的に表した上面図である。本形態の液晶装置は、素子基板５０１と対向基板５０２とが対向するように貼り合わせられて成る。本形態の液晶装置は、画素部５０３を有する。そして、画素部５０３の一端に沿うように設けられた端子部５０４には、フレキシブルプリント配線（ＦＰＣ）５０５が装着され、フレキシブルプリント配線５０５を介して駆動回路から画素部５０３に信号が入力される。なお、本形態のように、駆動回路とフレキシブルプリント配線とは独立して設けられていてもよいし、または配線パターンが形成されたＦＰＣ上にＩＣチップが実装されたＴＣＰ等の様に複合していてもよい。
【００３７】
画素部５０３について特に限定はなく、例えば図６（Ａ）または図６（Ｂ）の断面図で表されるように、液晶素子（画素として機能する液晶素子）とそれを駆動するためのトランジスタとを含む。図６（Ａ）と図６（Ｂ）とは、それぞれ、液晶装置の断面構造の態様であり、含まれるトランジスタの構造が異なる。
【００３８】
図６（Ａ）の断面図で表される液晶装置は、実施の形態３の半導体装置と同様に半導体層５２４の上にソース若しくはドレインとして機能する電極５２５、５２６を有するトランジスタ５２７が設けられた素子基板５２１を有する。ここで、半導体層５２４は、本発明の精製方法を適用して得られた有機半導体を含むものである。また、液晶素子は、画素電極５２９と対向電極５３２との間に液晶層５３４を挟んで成る。画素電極５２９、対向電極５３２のそれぞれにおいて液晶層５３４と接する側の表面には、配向膜５３０、５３３が設けられている。液晶層５３４には、スペーサ５３５が分散し、セルギャップを保っている。トランジスタ５２７は、コンタクトホールが設けられた絶縁層５２８によって覆われており、電極５２６と画素電極５２９とは電気的に接続している。ここで、対向電極５３２は、対向基板５３１によって支持されている。また、トランジスタ５２７において、半導体層５２４とゲート電極５２２とは、間にゲート絶縁層５２３を挟んで重畳している。
【００３９】
また、図６（Ｂ）の断面図で表される液晶装置は、実施の形態２の半導体装置と同様にソース若しくはドレインとして機能する電極５５５、５５４の少なくとも一部が半導体層５５６によって覆われた構造を有するトランジスタ５５７を含む素子基板５５１を有する。ここで、半導体層５５６は、本発明の精製方法を適用して得られた有機半導体を含むものである。また、液晶素子は、画素電極５５９と対向電極５６２との間に液晶層５６４を挟んで成る。画素電極５５９、対向電極５６２のそれぞれにおいて液晶層５６４と接する側の表面には、配向膜５６０、５６３が設けられている。液晶層５６４には、スペーサ５６５が分散し、セルギャップを保っている。トランジスタ５５７は、コンタクトホールが設けられた絶縁層５５８ａ、５５８ｂによって覆われており、電極５５４と画素電極５５９とは電気的に接続している。なお、トランジスタを覆う絶縁層は、図６（Ｂ）のように絶縁層５５８ａと絶縁層５５８ｂとから成る多層であってもよいし、または図６（Ａ）のように絶縁層５２８から成る単層であってもよい。また、図６（Ｂ）のように、トランジスタを覆う絶縁層は、絶縁層５５８ｂのように表面が平坦化された層であってもよい。ここで、対向電極５６２は、対向基板５６１によって支持されている。また、トランジスタ５５７において、半導体層５５６とゲート電極５５２とは、間にゲート絶縁層５５３を挟んで重畳している。
【００４０】
なお、液晶装置の構成について特に限定は無く、本形態で示した態様の他、例えば、素子基板上に、駆動回路が設けられたものであってもよい。
【００４１】
以上のような液晶装置は、図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、電話機や、テレビ受像機等に実装される表示装置として用いることができる。また、ＩＤカードの様な個人情報を管理する機能を有するカード等に実装してもよい。
【００４２】
図７（Ａ）は電話機の図であり、本体５５５２には表示部５５５１と、音声出力部５５５４、音声入力部５５５５、操作スイッチ５５５６、５５５７、アンテナ５５５３等によって構成されている。この電話機は、動作特性が良く、信頼性の高いものである。本発明の半導体装置を表示部に組み込むことでこのような電話機を完成できる。
【００４３】
図７（Ｂ）は、本発明を適用して作製したテレビ受像機であり、表示部５５３１、筐体５５３２、スピーカー５５３３などによって構成されている。このテレビ受像機は、動作特性が良く、信頼性の高いものである。本発明の発光素子を有する発光装置を表示部として組み込むことでこのようなテレビ受像機を完成できる。
【００４４】
図７（Ｃ）は、本発明を適用して作製したＩＤカードであり、支持体５５４１、表示部５５４２、支持体５５４１内に組み込まれた集積回路チップ５５４３等によって構成されている。なお、表示部５５４２を駆動するための集積回路５５４４、５５４５についても支持体５５４１内に組み込まれている。このＩＤカードは、信頼性の高いものである。また、例えば、表示部５５４２において、集積回路チップ５５４３において入出力された情報を表示し、どのような情報が入出力されたかを確認することができる。
【実施例１】
【００４５】
本発明のペンタセンの精製方法について図８を参照しながら説明する。但し、本発明はここに示すものに限定されるものではない。
【００４６】
ビーカー７０３において、２００ｍｌのジメチルスルホキシド溶液７０１と、０．５ｇのペンタセン７０２を混合し、溶液（１）とした（第１の処理）。
【００４７】
次に、溶液（１）７０４を、ロート７０８にセットした濾紙７０５（孔径１μｍ以下）を用いて濾過し、ジメチルスルホキシド溶液に溶解せずに分散していたペンタセンと、フラスコ７０９内に溜まるジメチルスルホキシド溶液とに分別した（第２の処理）。
【００４８】
次に、濾過によって得られたペンタセン７０６をエタノール７０７によって洗浄処理し、ペンタセンに付着したジメチルスルホキシドを除去した（第３の処理）。その後、減圧下でペンタセンを乾燥させた（第４の処理）。
【００４９】
以上に述べたような、第１の処理から第４の処理までの精製処理を４回繰り返した。そして、０．４５ｇのペンタセン（ペンタセン（１））を得た。
【実施例２】
【００５０】
実施例１によって得られたペンタセンを用いて作製した半導体装置およびその作製方法について図３を用いて説明する。
【００５１】
基板３０１上にスパッタリング法によってタングステンを成膜し、ゲート電極３０２を形成した。ここで、タングステンは、１００ｎｍの厚さとなるように成膜した。
【００５２】
次に、ゲート電極３０２を覆うように酸化珪素をＣＶＤ法によって成膜し、ゲート絶縁層３０３を形成した。ここで、酸化珪素は、１００ｎｍの厚さとなるように成膜した。
【００５３】
次に、ゲート絶縁層３０３の上に、スパッタリング法によってタングステンを成膜し、ソース電極３０４とドレイン電極３０５とを形成した。ここで、タングステンは、１００ｎｍの厚さとなるように成膜した。ここで、ソース電極３０４とドレイン電極３０５とは、それぞれ一部がゲート電極３０２と重畳するようにした。
【００５４】
次に、ゲート絶縁層３０３とゲート電極３０２との重畳部を覆うように、ペンタセン（１）を５０ｎｍの厚さとなるように成膜し、半導体層３０６を形成した。ここで、成膜は、蒸着法を用いて行った。また、半導体層３０６とソース電極３０４とは一部が接するように積層部を設けた。また半導体層３０６とドレイン電極３０５についても一部が接するように積層部を設けた。
【００５５】
以上のようにしてＰチャネル型の半導体装置を作製した。
【００５６】
（比較例１）
実施例２に記載の半導体装置に対する比較例として、昇華精製を４回繰り返した後得られたペンタセン（ペンタセン（２））を用いて半導体装置を作製した。半導体装置は、ペンタセン（１）の替わりにペンタセン（２）を用いて半導体層３０６を形成した他は、実施例２と同様にして作製した。
【００５７】
（比較例２）
実施例２に記載の半導体装置に対する比較例として、実施例１に記載の精製も、昇華精製もしていない、未精製のペンタセン（ペンタセン（３））を用いて半導体装置を作製した。半導体装置は、ペンタセン（１）の替わりにペンタセン（３）を用いて半導体層３０６を形成した他は、実施例２と同様にして作製した。
【００５８】
以上のようにして作製した半導体装置（実施例２、比較例１、比較例２）の電圧−電流特性を図４に示す。図４において横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は電流（Ａ）を表す。また、太い実線は実施例２の半導体装置の特性を、細い実線は比較例１の半導体装置の特性を、細い点線は比較例３の半導体装置の特性を表す。ここで、測定には、チャネル長（Ｌ）、チャネル幅（Ｗ）の設計値が、Ｌ＝５０μｍ、Ｗ＝８０００μｍの半導体装置を用いた。
【００５９】
図４より、実施例２の半導体装置と比較例１の半導体装置とは、閾値、オン電流が同等であり、同等の電圧−電流特性を示すことが分かる。これに対し、比較例２の半導体装置は、実施例２および比較例１の半導体装置よりもオン電流が非常に低いことが分かる。
【００６０】
以上の結果から、本発明の精製方法によって得られたペンタセンを用いて半導体層を形成することで、良好な特性を示す半導体装置を得ることができることが分かった。また、本発明の精製方法によって得られたペンタセンを用いることで、昇華精製を繰り返し行うことにより得られたペンタセンを用いた場合よりも、精製に係る時間やコストが少なく簡便に、良好に動作する半導体装置を得られることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法について説明する図。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法について説明する図。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法について説明する図。
【図４】本発明の半導体装置の電圧−電流特性について説明する図。
【図５】本発明の半導体装置を含む液晶装置の上面図。
【図６】本発明の半導体装置を含む液晶装置の断面図。
【図７】本発明を適用した電子機器等の図。
【図８】実施例１について説明する為の図。
【符号の説明】
【００６２】
１０１    基板
１０２    ゲート電極
１０３    ゲート絶縁層
１０４    ソース電極
１０５    ドレイン電極
１０６    半導体層
２０１    基板
２０２    ゲート電極
２０３    ゲート絶縁層
２０４    半導体層
２０５    ソース電極
２０６    ドレイン電極
５０１    素子基板
５０２    対向基板
５０３    画素部
５０４    端子部
５０５    フレキシブルプリント配線
５２１    素子基板
５２２    ゲート電極
５２３    ゲート絶縁層
５２４    半導体層
５２５    電極
５２６    電極
５２７    トランジスタ
５２８    絶縁層
５２９    画素電極
５３０    配向膜
５３１    対向基板
５３２    対向電極
５３４    液晶層
５３５    スペーサ
５５１    素子基板
５５２    ゲート電極
５５３    ゲート絶縁層
５５４    電極
５５５    電極
５５６    半導体層
５５７    トランジスタ
５５８ａ    絶縁層
５５８ｂ    絶縁層
５５９    画素電極
５６０    配向膜
５６１    対向基板
５６２    対向電極
５６４    液晶層
５６５    スペーサ
５５５１    表示部
５５５２    本体
５５５３    アンテナ
５５５４    音声出力部
５５５５    音声入力部
５５５６    操作スイッチ
５５３１    表示部
５５３２    筐体
５５３３    スピーカー
５５４１    支持体
５５４２    表示部
５５４３    集積回路チップ
５５４４    集積回路
３０１      基板
３０２    ゲート電極
３０３    ゲート絶縁層
３０４    ソース電極
３０５    ドレイン電極
３０６    半導体層
【図１】
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【図２】
2006093668.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006093668.tif 000008
【図８】
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