(57)【要約】【課題】  伝導ノイズ抑制機能および放射ノイズ抑制機能の二つの電磁波ノイズ抑制機能を兼ね備えた電磁波ノイズ抑制体、その製造方法および使用方法を提供する。【解決手段】  結合剤２および電磁波吸収材３を含有する基体５と；結合剤２の一部と磁性体とが一体化してなる複合層６とを有する電磁波ノイズ抑制体１；結合剤２および電磁波吸収材３を含有する電磁波吸収性組成物を成形して、電磁波吸収材が存在していないスキン層４を表面に有する基体５を製造する基体製造工程と；基体５のスキン層４に磁性体を物理的蒸着させて、基体５表面に複合層６を形成する蒸着工程とを有する電磁波ノイズ抑制体の製造方法。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結合剤および電磁波吸収材を含有する基体と、
基体の結合剤の一部と磁性体とが一体化してなる複合層と
を有することを特徴とする電磁波ノイズ抑制体。
【請求項２】
基体が、その表面に電磁波吸収材が存在しないスキン層を有し、
複合層が、スキン層の表面に磁性体を物理的に蒸着させてなる層であることを特徴とする請求項１記載の電磁波ノイズ抑制体。
【請求項３】
複合層の厚さが、０．００５〜０．３μｍであることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電磁波ノイズ抑制体。
【請求項４】
結合剤が、樹脂またはゴムであることを特徴とする請求項１ないし３いずれか一項に記載の電磁波ノイズ抑制体。
【請求項５】
１ＧＨｚにおけるロス電力比が、０．３〜０．９５であることを特徴とする請求項１ないし４いずれか一項に記載の電磁波ノイズ抑制体。
【請求項６】
１ＧＨｚにおける相互減結合率が−１ｄＢ以上であり、かつ１ＧＨｚにおける内部減結合率が−１ｄＢ以上であることを特徴とする請求項１ないし５いずれか一項に記載の電磁波ノイズ抑制体。
【請求項７】
結合剤および電磁波吸収材を含有する電磁波吸収性組成物を成形して、電磁波吸収材が存在していないスキン層を表面に有する基体を製造する基体製造工程と、
基体のスキン層に磁性体を物理的蒸着させて、基体表面に複合層を形成する蒸着工程と
を有することを特徴とする電磁波ノイズ抑制体の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし６いずれか一項に記載の電磁波ノイズ抑制体を電磁波ノイズの発生源上に配設することを特徴とする電磁波ノイズ抑制体の使用方法。
【請求項９】
基体側を電磁波ノイズの発生源に向けて電磁波ノイズ抑制体を配設することを特徴とする請求項８記載の電磁波ノイズ抑制体の使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波ノイズ抑制体、その製造方法および使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、パーソナルコンピューター、デジタルカメラ等の電子機器の小型軽量化に伴い、これら電子機器の内部に搭載されているＣＰＵ、ＬＳＩ、周辺半導体等の電子部品の高密度化、高集積化、およびプリント配線基板への電子部品等の高密度実装化が進んでいる。また、電子機器の高性能化のため、取り扱われる周波数が高くなってきている。これに伴い、電子部品より放射される放射ノイズあるいはプリント配線基板の線路を伝わる伝導ノイズによる電子機器の故障、誤作動、機能不全等が問題となっている。
【０００３】
電子部品より放射される放射ノイズを防ぐ方法としは、（１）金属板を電磁波シールド材として設置する方法、（２）軟磁性体粉末と有機結合剤とを混練して得られた複合磁性体からなる電磁波干渉抑制体を電子部品に貼付する方法（特許文献１）が知られている。
（１）の方法は、電子機器外部への放射ノイズの漏洩には効果があるものの、電子機器内部には、このシールド材により反射、散乱した放射ノイズが充満して電磁波干渉を助長してしまう問題、電子機器内部に設置された複数のプリント配線基板間で電磁干渉が起こってしまう問題がある。
（２）の方法で用いられる電磁波干渉抑制体は、電子部品から発生する放射ノイズを抑制する効果は十分に備わっているが、伝導ノイズを十分に抑制できないという問題がある。
【０００４】
伝導ノイズを抑制する電磁波ノイズ抑制体としては、（３）フェライトメッキ技術による電磁波ノイズ抑制体（非特許文献１）、（４）アルミナセラミック相と、鉄、コバルト等の強磁性体超微結晶層とを含んでなる超微結晶磁性膜からなる電磁波ノイズ抑制体（非特許文献２）が提案されている。
しかしながら、これら電磁波ノイズ抑制体は、伝導ノイズ抑制効果の指標である、１ＧＨｚにおけるロス電力比が０．２程度であり、実効的な周波数領域で電磁波ノイズ抑制効果があるとはいえない。また、放射ノイズを十分に吸収できないという問題も有している。
【特許文献１】特開２０００−９１７８１号公報
【非特許文献１】阿部正紀、松下伸広、「フェライト薄膜の低温作製とノイズ抑制機能」、第１３１回研究会資料、社団法人日本応用磁気学会、２００３年７月４日、ｐ．２５−３１
【非特許文献２】大沼繁弘、名倉秀明、増本健、「ナノグラニュラー磁性薄膜のＧＨｚにおける電磁波ノイズ抑制効果」、第１３１回研究会資料、社団法人日本応用磁気学会、２００３年７月４日、ｐ．１７−２４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
よって本発明の目的は、伝導ノイズ抑制機能および放射ノイズ抑制機能の二つの電磁波ノイズ抑制機能を兼ね備えた電磁波ノイズ抑制体、このような電磁波ノイズ抑制体を容易に製造できる製造方法、およびその使用方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
すなわち、本発明の電磁波ノイズ抑制体は、結合剤および電磁波吸収材を含有する基体と；結合剤の一部と磁性体とが一体化してなる複合層とを有することを特徴とするものである。
ここで、基体が、その表面に電磁波吸収材が存在しないスキン層を有し；複合層が、スキン層の表面に磁性体を物理的に蒸着させてなる層であることが望ましい。
複合層の厚さは、０．００５〜０．３μｍであることが望ましい。
結合剤は、樹脂またはゴムであることが望ましい。
【０００７】
本発明の電磁波ノイズ抑制体は、１ＧＨｚにおけるロス電力比は、０．３〜０．９５であることが望ましい。
また、１ＧＨｚにおける相互減結合率は、−１ｄＢ以上であり、かつ１ＧＨｚにおける内部減結合率が−１ｄＢ以上であることが望ましい。
【０００８】
本発明の電磁波ノイズ抑制体の製造方法は、結合剤および電磁波吸収材を含有する電磁波吸収性組成物を成形して、電磁波吸収材が存在していないスキン層を表面に有する基体を製造する基体製造工程と；基体のスキン層に磁性体を物理的蒸着させて、基体表面に複合層を形成する蒸着工程とを有することを特徴とする。
そして、本発明の電磁波ノイズ抑制体の使用方法は、電磁波ノイズ抑制体を電磁波ノイズの発生源上に配設することを特徴とする。
ここで、電磁波ノイズ抑制体は、基体側を電磁波ノイズの発生源に向けて配設されることが望ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の電磁波ノイズ抑制体は、結合剤および電磁波吸収材を含有する基体と；基体の結合剤の一部と磁性体とが一体化してなる複合層とを有するものであるので、伝導ノイズ抑制機能と放射ノイズ抑制機能の二つの電磁波ノイズ抑制機能を兼ね備えたものとなる。
ここで、基体が、その表面に電磁波吸収材を含有しないスキン層を有し、複合層がスキン層の表面に磁性体を物理的に蒸着させてなる層であれば、電磁波干渉を抑え、伝導ノイズ抑制効率がさらに向上し、薄型化、軽量化を図ることができる。
また、複合層厚さが０．００５〜０．３μｍであれば、伝導ノイズ抑制効率がさらに向上し、薄型化、軽量化を図ることができる。
さらに、結合剤が、樹脂またはゴムであれば、可撓性があり、強度の高い電磁波ノイズ抑制体とすることができ、また、電子部品等への密着性、追従性に優れる。
【００１０】
本発明の電磁波ノイズ抑制体の製造方法は、結合剤および電磁波吸収材を含有する電磁波吸収組成物を成形して、電磁波吸収材が存在しないスキン層を表面に有する基体を製造する工程と；基体のスキン層に磁性体を物理的蒸着させて、基体表面に複合層を形成する蒸着工程とを有する方法であるので、本発明の電磁波ノイズ抑制体を容易に製造することができる。
【００１１】
そして、本発明の電磁波ノイズ抑制体の使用方法によれば、電磁波ノイズの発生源からの伝導ノイズおよび放射ノイズの二つの電磁波ノイズを同時に抑制することができる。
さらに、基体側を電磁波ノイズ発生源上に向けることにより、磁性体と電磁波吸収材との相乗効果により内部減結合率が増大するため、放射ノイズ抑制機能に対しては効果的である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を詳しく説明する。
＜電磁波ノイズ抑制体＞
本発明の電磁波ノイズ抑制体は、結合剤および電磁波吸収材を含有する基体と；基体の結合剤の一部と磁性体とが一体化してなる複合層とを有するものである。
【００１３】
このような電磁波ノイズ抑制体としては、例えば、図１に示すように、結合剤２および電磁波吸収材３を含有し、かつ電磁波吸収材が存在しないスキン層４が形成された基体５と；基体５のスキン層４の結合剤２の一部と磁性体とが一体化してなる複合層６とを有する電磁波ノイズ抑制体１が挙げられる。この他、図２に示すように、複合層６の表面にさらに、結合剤２および電磁波吸収材３を含有する基体７を積層した電磁波ノイズ抑制体１０；図３に示すように、２つの電磁波ノイズ抑制体１を積層した電磁波ノイズ抑制体２０であっても構わない。
【００１４】
本発明の電磁波ノイズ抑制体は、伝導ノイズ抑制効果の指標である、１ＧＨｚにおけるロス電力比（パワーロス値ともいう）が０．３〜０．９５であることが好ましく、０．４〜０．９５であることがより好ましい。
ロス電力比は、伝導ノイズ抑制機能の反射・透過特性の総合的な指標であって、次式で求められ、０〜１の値をとる。ロス電力比は、伝送特性のＳ11（反射減衰量）とＳ21（透過減衰量）の変化から次式で求められる。
ロス電力比（Ｐloss／Ｐin）＝１−（｜Γ｜2＋｜Ｔ｜2）
ここで、Ｓ11＝２０ｌｏｇ｜Γ｜であり、Ｓ21＝２０ｌｏｇ｜Ｔ｜であり、Γは反射係数であり、Ｔは透過係数である。
【００１５】
伝導ノイズ抑制効果を十分に発揮するためには、ロス電力比が０．３以上であることが好ましい。ロス電力比が０．３より小さいと十分な伝導ノイズ抑制効果を有しているということはできない。さらには、ロス電力比が０．４以上であることが好ましい。ロス電力比が０．４以上あれば十分な伝導ノイズ抑制効果がある。現状の技術では１ＧＨｚにおいて０．９５を超えるロス電力比のものを得ることは達成できていない。
この電磁波ノイズ抑制体のロス電力比を０．３〜０．９５にするためには、電磁波ノイズ抑制体の作製にあたって、高エネルギーでの物理蒸着を行うことにより、ナノメーターレベルで結合剤と磁性体原子とを一体化させることを基本とし、物理的蒸着条件、磁性体蒸着量を適宜選択することにより達成できる。
【００１６】
また、本発明の電磁波ノイズ抑制体は、放射ノイズ抑制効果の指標である、１ＧＨｚのおける相互減結合率が−１ｄＢ以上であることが好ましく、−２ｄＢ以上であることがより好ましい。１ＧＨｚにおける内部減結合率は、−１ｄＢ以上であることが好ましく、−２ｄＢ以上であることがより好ましい。
相互減結合率とは、二つのプリント基板間もしくはデバイス間での結合が電磁波ノイズ抑制体を装着することによりどれくらい減衰するかという量であり、内部減結合率とは伝送ライン間や同じプリント回路基板内での結合が電磁波ノイズ抑制体を装着することによりどれくらい減衰するかという量である（武田茂、「ノイズ抑制シートのＩＥＣ規格化の現状」、第１３１回研究会資料、社団法人日本応用磁気学会、２００３年７月４日、ｐ．３３−３６）。
【００１７】
（複合層）
複合層６は、図４の高分解能透過型電子顕微鏡像、および電子顕微鏡像の模式図である図５に示すように、基体５表面のスキン層４に磁性体を物理的蒸着させてなる層であり、物理的に蒸着された磁性体が均質膜を形成することなく、原子状態で結合剤２中に分散一体化してなるものである。
【００１８】
複合層６は、非常に小さい結晶として数オングストローム間隔の磁性体原子が配列された結晶格子１１が観察される部分と、非常に小さい範囲で磁性体が存在しない結合剤２のみが観察される部分と、磁性体原子１３が結晶化せず結合剤２中に分散して観察される部分とからなっている。すなわち、磁性体が明瞭な結晶構造を有する微粒子として存在を示す粒界は観察されず、ナノメーターレベルで磁性体と結合剤が一体化した複雑なヘテロ構造（不均質・不斉構造）を有している。
【００１９】
複合層６の厚さは、基体５の表面に磁性体原子が侵入した深さであり、磁性体の蒸着質量、結合剤材質、物理的蒸着の条件などに依存し、およそ磁性体の蒸着厚さの１．５〜３．０倍ほどとなる。ここで、磁性体の蒸着厚さとは、磁性体原子が侵入することのない硬い基材上に磁性体を物理的蒸着させた際の膜厚を意味する。
【００２０】
複合層６の厚さを０．００５μｍ以上とすることにより、磁性体原子の結合剤２との分散一体化ができ、形状異方性に由来する高周波領域での大きな磁気損失特性を有するものと思われ、十分な伝導ノイズ抑制効果を発揮させることができる。一方、複合層６の厚さが０．３μｍを超えると、明瞭な結晶構造を経て均質な磁性体膜が形成され、バルクの磁性体に戻ってしまい、形状異方性が減少し、伝導ノイズ抑制効果も小さくなり、実効的でない。それゆえ、複合層の厚さは、より好ましくは０．３μｍ以下である。
【００２１】
（スキン層）
本発明におけるスキン層４とは、電磁波吸収材３を含有した基体５において、基体５の表面に形成される、電磁波吸収材３が存在しない、結合剤２のみからなる層である。
【００２２】
スキン層４の平均厚さは、前述の複合層６の厚さ０．００５〜０．３μｍを形成するのに十分な膜厚があればよく、具体的には０．１〜３００μｍであることが好ましい。スキン層４の平均厚さが０．１μｍ未満であると、電磁波吸収材３の一部がスキン層４の表面に露出してしまうおそれがあり、電磁波吸収材３が露出した箇所は複合層６が均一に形成されないため、伝導ノイズ抑制効果が低下してしまう。スキン層４が３００μｍより厚い場合は、電磁波吸収材３が基体５中に分散されていない状態のため、放射ノイズ抑制効果が低下してしまうおそれがある。
【００２３】
（結合剤）
結合剤２は、特に限定されないが、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリケトン、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアクリレート、塩化ビニル系樹脂、塩素化ポリエチレンなどの樹脂や、天然ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴムなどのジエン系ゴム、ブチル系ゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴムなどの非ジエン系ゴム等の有機物が挙げられる。これらは熱可塑性であっても、熱硬化性であってもよく、その未硬化物であってもよい。また、上記の樹脂、ゴムなどの変性物、混合物、共重合体であってもよい。
【００２４】
中でも、結合剤２としては、結合剤２への磁性体原子の入り込みやすさの点で、後述する磁性体の物理的蒸着に際して、その剪断弾性率が低いものが好ましく、具体的には、剪断弾性率が１×１０3 〜１×１０7 Ｐａのものが好ましい。所望の剪断弾性率にするために必要に応じて、例えば１００〜３００℃に結合剤を加熱することもできるが、分解や蒸発が起きない温度に加熱することが必要である。
また、結合剤２としては、伝導ノイズ抑制効果に影響する密着性の観点からは、柔軟性を有し、ゴム弾性率を有するシリコーンゴム、ウレタンゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴムが好ましく、結合剤２の剪断弾性率は１×１０3 〜１×１０6 Ｐａであることが好ましい。
【００２５】
剪断弾性率の測定方法としては、以下のような方法が知られている。
（１）ＪＩＳ  Ｋ７１１３に規定されている引張応力と歪との関係から引張り弾性率を求め、これをもとに下記式から剪断弾性率を求める。
剪断弾性率＝引張り弾性率／（２×（１＋ポアソン比））
ここで２×（１＋ポアソン比）の値は、剛直な高分子からゴム状の弾性体まで、おおよそ２．６〜３．０である。
（２）温度特性を把握できる粘弾性率測定装置を用い、試験モードを剪断モードにして剪断弾性率を測定する。
（３）粘弾性率測定装置を用い、試験モード引張りモードにして貯蔵弾性率Ｇ’および損失弾性率Ｇ”を測定し、下記式から複素弾性率Ｇ* を求め、複素弾性率を引張り弾性率として、上記式から剪断弾性率を求める。
Ｇ* ＝√（（Ｇ’）2 ＋（Ｇ”）2）
本発明における剪断弾性率は、粘弾性率測定装置として、レオメトリック・サイエンティフィック社製ソリッドアナライザーＲＳＡ−IIを用い、剪断モードにて、測定周波数１Ｈｚの条件で測定した値とする。
【００２６】
ここで、結合剤２の剪断弾性率を下げるために、ゲル状、ペースト状、オイル状の成分を添加することもできる。例えば、シリコーンオイル、パラフィンワックス、ポリエチレンワックス、高級アルコール、高級脂肪酸エステルが挙げられる。このような結合剤２を用いた場合、基体５自身が粘着性を示すため、電磁波ノイズ抑制体をＬＳＩ、周辺半導体、フレキシブル配線基板上へ配設する際に、粘着層、接着層を設けなくても配設させることができる。ただし、ゲル状、ペースト状、オイル状の成分を添加すると、これら成分が基体５よりブリードするおそれもある。これにより、ＬＳＩ、周辺半導体を汚染し、絶縁性皮膜を形成し、電子部品の接触不良を引き起こす原因となるため、配合には注意が必要である。
【００２７】
また、結合剤２として、前記したヘテロ構造を維持し、伝導ノイズ抑制効果を維持する観点から、磁性体の物理的蒸着の後に、剪断弾性率が高いものが好ましい。磁性体の物理的蒸着の後に結合剤２の剪断弾性率を高くすることにより、ナノメーターレベルの磁性体原子あるいはクラスターが凝集して結晶化し、微粒子に成長することを確実に防止できる。具体的には、電磁波ノイズ抑制体が使用される温度範囲で１×１０7 Ｐａ以上のものが好ましい。所望の剪断弾性率にするためには、磁性体の物理的蒸着の後に結合剤を架橋することが好ましい。この点においては、結合剤として、蒸着時に低弾性率であり、蒸着後に架橋して弾性率を上げることができることから、熱硬化性樹脂、エネルギー線（紫外線、電子線）硬化性樹脂が好適である。
【００２８】
プラズマ化またはイオン化された磁性体原子、あるいは電磁波吸収材３が、結合剤２と一部反応し、安定化するように、結合剤２中にシランカップリング剤、シラン、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、ノニオン系界面活性剤、極性樹脂オリゴマーなどを配合してもよい。このような添加剤を配合することにより、磁性体の酸化防止のほか、蒸着した磁性体原子の凝集によるところの均質膜の形成を防止して、均質膜による伝導ノイズの反射を防止し、吸収特性を改善することができる。
【００２９】
結合剤２に、補強フィラー、難燃剤、難燃助剤、老化防止剤、酸化防止剤、着色剤、可塑剤、滑剤、耐熱向上剤などを適宜添加しても構わない。このほか、磁性体を蒸着後、さらに酸化ケイ素や窒化ケイ素の蒸着を施して、対環境特性を改善することも可能である。
【００３０】
（電磁波吸収材）
本発明における電磁波吸収材３としては、カーボン、黒鉛等の粒子状または繊維状の導電性材料；金属系軟磁性体、酸化物系磁性体、窒化物系磁性体等の磁性体粒子が挙げられる。これらは、１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。電磁波吸収材３としては、数百ＭＨｚから数ＧＨｚの高周波域で電気抵抗が高いため、渦電流による電磁波ノイズの反射が抑えられ、大きな磁気損失、すなわち虚数部透磁率μ”を有している点で、金属系軟磁性体、酸化物系磁性体、窒化物系磁性体などの磁性体粒子が好ましい。
【００３１】
磁性体粒子の形状としては、扁平状、針状、球状が挙げられ、放射ノイズ抑制効果が良好なことから扁平状の磁性体粒子が好ましい。なお、扁平状の磁性体粒子を使用する場合には、磁性体粒子の充填量が少なくなりやすいため、球状の磁性体粒子を併用してもよい。
扁平状の磁性体粒子の平均粒子径は、０．５〜１００μｍが好ましく、アスペクト比は２〜８０が好ましい。平均粒子径が０．５μｍ未満の場合は、粒子の比表面積が大きくなりすぎて高充填化が困難となる場合がある。平均粒子径が１００μｍを超えると、電磁波ノイズ抑制体の表面から磁性体粒子の一部が露出してしまい、この結果、伝導ノイズ抑制効果が損なわれるおそれがある。
【００３２】
球状の磁性体粒子の平均粒径は、０．５〜１００μｍが好ましい。平均粒子径が０．５μｍ未満の場合は、粒子の比表面積が大きくなりすぎて高充填化が困難となる場合がある。平均粒子径が１００μｍを超えると、電磁波ノイズ抑制体の表面から磁性体粒子の一部が露出してしまい、この結果、伝導ノイズ抑制効果が損なわれるおそれがある。
【００３３】
金属系軟磁性体としては、鉄、カルボニル鉄、およびＦｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｐｔ等の鉄合金が具体的に挙げられる。これら金属系軟磁性体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。鉄および鉄合金のほかに、コバルトやニッケル等の金属あるいはそれらの合金を用いてもよい。
【００３４】
酸化物系磁性体としては、フェライト等が挙げられる。その具体例としては、ＭｎＦｅ2Ｏ4、ＣｏＦｅ2Ｏ4、ＮｉＦｅ2Ｏ4、ＣｕＦｅ2Ｏ4、ＺｎＦｅ2Ｏ4、ＭｇＦｅ2Ｏ4、Ｆｅ3Ｏ4、Ｃｕ−Ｚｎ−フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ−フェライト、Ｂａ2Ｃｏ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｎｉ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｚｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｍｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｚｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｍｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｍｇ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｃｕ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｃｏ2Ｆｅ24Ｏ41等が挙げられる。これらフェライトは、１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
窒化物系磁性体としては、Ｆｅ2Ｎ、Ｆｅ3Ｎ、Ｆｅ4Ｎ、Ｆｅ16Ｎ2等が具体的に挙げられる。これら窒化物系軟磁性体は透磁率が高く、耐食性に優れるため、好適である。
【００３６】
電磁波吸収材３の配合量は、結合剤２や電磁波吸収材３の種類により異なるが、結合剤１００質量部に対して５０〜２０００質量部、好ましくは２００〜１５００質量部である。電磁波吸収材３の配合量が５０質量部未満の場合は、電磁波ノイズ抑制体の放射ノイズ抑制効果が十分でなくなるおそれがある。電磁波吸収材３の配合量が２０００質量部を超えると、電磁波ノイズ抑制体の成形が困難となると共に、得られた電磁波ノイズ抑制体は柔軟性が失われ、硬く脆いものとなってしまう。電磁波吸収材３には、結合剤と安定化させるために、シランカップリング剤、シラン、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、ノニオン系界面活性剤、極性樹脂オリゴマーなどを、本発明の効果を損なわない程度に配合してもよい。
【００３７】
＜電磁波ノイズ抑制体の製造方法＞
以下、電磁波ノイズ抑制体１の製造方法について説明する。
電磁波ノイズ抑制体１の製造方法は、結合剤２および電磁波吸収材３を含有する電磁波吸収性組成物を成形して、電磁波吸収材３が存在しないスキン層４を表面に有する基体５を製造する基体製造工程と；基体５のスキン層４に磁性体を物理的蒸着させて、基体５の表面に複合層６を形成する蒸着工程とを有する方法である。
【００３８】
（基体製造工程）
電磁波吸収性組成物の調製には、一般的な混練方法を用いることができる。例えば、結合剤２に電磁波吸収材３を添加してミキシングロール、ニーダー、バンバリーミキサー、プラネタリーミキサー等で混合、分散させる方法；結合剤２が溶剤に可溶であれば、溶剤に溶解した結合剤２溶液中に電磁波吸収材３を添加して、プロペラ攪拌機にて混合、分散し、乾燥させる方法等がある。
【００３９】
スキン層４を有する基体５を製造する方法としては、カレンダー成形、押出成形、射出成形、プレス成形等を用いることができる。スキン層４は、例えば、次のようにして成形される。離型性のよい金型内に、電磁波吸収材３を加えた結合剤２をトランスファー成形し、結合剤２の粘度を低下させ、結合剤２に流動性を持たせて、結合剤２を型内に充填させ、硬化または固化させる。結合剤２の流動により電磁波吸収材３も移動するが、型の面には結合剤２が接することとなるため、スキン層４が形成される。その後、結合剤２と型との界面において剥離することにより、スキン層４を有した基体５を得ることができる。ここで、電磁波吸収材３が基体５の表面から露出しないように成形することが肝要である。例えば、成形後の基体５を冶具によって切削、スライス加工して得られた基体５は、電磁波吸収材３が基体５表面に露出してしまう、または、電磁波吸収材３自体が切削、スライスされてしまうと、複合層６が均一に形成されなくなる。
【００４０】
（蒸着工程）
まず、物理的蒸着法（ＰＶＤ）の一般的な説明を行う。
物理的蒸着法は、一般に、真空にした容器の中で蒸発材料を何らかの方法で気化させ、気化した蒸発材料を近傍に置いた基板上に堆積させて薄膜を形成する方法であり、蒸発物質の気化方法の違いで、蒸発系とスパッタリング系に分けられる。蒸発系としては、ＥＢ蒸着、イオンプレーティングなどが挙げられ、スパッタリング系としては、高周波スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングなどが挙げられる。
【００４１】
ＥＢ蒸着は蒸発粒子のエネルギーが１ｅＶと小さいので、基板のダメージが少なく、膜がポーラスになりやすく膜強度が不足する傾向があるが、膜の固有抵抗は高くなるという特徴がある。
【００４２】
イオンプレーティングによれば、アルゴンガスや蒸発粒子のイオンは加速されて基板に衝突するため、ＥＢよりエネルギーが大きく、粒子エネルギーは１ＫｅＶほどになり、付着力の強い膜を得ることはできるものの、ドロッププレットと呼んでいるミクロサイズの粒子の付着を避けることができず、放電が停止してしまうおそれがある。
【００４３】
マグネトロンスパッタリングは、ターゲット（蒸発材料）の利用効率が低いものの、磁界の影響で強いプラズマが発生するため成長速度が速く、粒子エネルギーは数十ｅＶと高い。高周波スパッタリングでは絶縁性ターゲットを使用することもできる。
【００４４】
マグネトロンスパッタリングのうち、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングは、対向するターゲット間でプラズマを発生させ、磁界によりプラズマを封じ込め、対向するターゲット間の外に基板を置き、プラズマダメージを受けることなく所望の薄膜を生成する方法である。そのため、基板上の薄膜を再スパッタリングすることなく、成長速度がさらに速く、スパッタリングされた原子が衝突緩和することなく、緻密なターゲット組成物と同じ組成のものを生成することができる。
【００４５】
以上の物理的蒸着法の中でも、本発明の電磁波ノイズ抑制体の製造方法においては、次の理由から、イオンプレーティング、マグネトロンスパッタリング、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングが好ましく、特に対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングが好適である。
【００４６】
結合剤２が樹脂またはゴムからなる場合は、樹脂の共有結合エネルギーは約４ｅＶであり、具体的にいえば、Ｃ−Ｃ、Ｃ−Ｈ、Ｓｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃの結合エネルギーはそれぞれ３．６ｅＶ、４．３ｅＶ、４．６ｅＶ、３．３ｅＶである。これに対して、イオンプレーティング、マグネトロンスパッタリング、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングでは、蒸発粒子は高いエネルギーを持っているので、樹脂の一部の化学結合を切断し、衝突することが考えられる。
【００４７】
したがって、本発明においては、樹脂またはゴムからなる結合剤２の弾性率が十分小さいと、磁性体を蒸着させた際、樹脂の分子が振動、運動し、ある場合は切断され、磁性体原子と樹脂との局部的なミキシング作用が生じて、磁性体原子は樹脂表面から最大３μｍ程度まで進入し、樹脂などとインターラクションを生じ、均質的な磁性体膜ではなく、ナノメーターレベルのヘテロ構造を有した複合層６が形成されると考えられる。
【００４８】
粒子エネルギーが５ｅＶ以上である磁性体原子を結合剤２上に物理的に蒸着させると、一度に大量の磁性体を結合剤２中に分散させることができるので好ましい。すなわち、一度の蒸着で磁性体の質量を稼ぐことができることから、伝導ノイズ抑制効率の大きな電磁波ノイズ抑制体を容易に得ることができる。蒸着速度は結合剤２の振動や運動の速度が粒子速度と比較して遅いことから、結合剤の緩和のタイミングにあわせるように小さいほうが好ましく、磁性体により異なるがおよそ６０ｎｍ／分に抑えることが好ましい。
【００４９】
蒸着工程において蒸発材料（ターゲット）として用いられる磁性体としては、金属系軟磁性体、酸化物系磁性体、窒化物系磁性体が主に用いられる。これらは、１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５０】
金属系軟磁性体としては、鉄、およびＦｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｐｔ等の鉄合金が具体的に挙げられる。これら金属系軟磁性体は、１種類を単独で用いてもよし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。鉄および鉄合金のほかに、コバルトやニッケル等の金属あるいはそれらの合金を用いてもよい。ニッケルは単独で用いた方が酸化に対して抵抗力があるので好ましい。
【００５１】
酸化物系磁性体としては、フェライト等が挙げられる。その具体例としては、ＭｎＦｅ2Ｏ4、ＣｏＦｅ2Ｏ4、ＮｉＦｅ2Ｏ4、ＣｕＦｅ2Ｏ4、ＺｎＦｅ2Ｏ4、ＭｇＦｅ2Ｏ4、Ｆｅ3Ｏ4、Ｃｕ−Ｚｎ−フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ−フェライト、Ｂａ2Ｃｏ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｎｉ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｚｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｍｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｚｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｍｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｍｇ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｃｕ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｃｏ2Ｆｅ24Ｏ41等が挙げられる。これらフェライトは、１種類を単独で用いてもよし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５２】
窒化物系磁性体としては、Ｆｅ2Ｎ、Ｆｅ3Ｎ、Ｆｅ4Ｎ、Ｆｅ16Ｎ2等が具体的に挙げられる。これら窒化物系軟磁性体は透磁率が高く、耐食性に優れるため、好適である。
なお、結合剤２に磁性体を蒸着させる際には、磁性体はプラズマあるいはイオン化された磁性体原子として結合剤２中に入り込むので、結合剤２中に微分散された磁性体の組成は、蒸着材料として用いた磁性体の組成比と必ずしも同一であるとは限らない。また、結合剤２の一部と反応し、強磁性体が常磁性体や反強磁性体になるなどの変化が生じる場合もある。
【００５３】
一回の物理的蒸着操作による磁性体の蒸着質量は、磁性体単品の膜厚換算値で２００ｎｍ以下が好ましい。これより厚いと、結合剤２が磁性体を包括する能力に達し、磁性体が結合剤２に分散できずに表面に堆積し、均質な導通性を有する連続したバルクの膜が生成してしまう。それゆえ、磁性体の蒸着質量は、１００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下がさらに好ましい。一方、伝導ノイズ抑制効果の点からは、磁性体の蒸着膜厚は０．５ｎｍ以上であることが好ましい。
ここで、蒸着質量は、ガラス、シリコン等の硬質基板上に同条件で磁性体を蒸着し、堆積した厚さを測定することによって求められる。
蒸着工程において用いられる基体５の厚さは、特に限定しないが、コンパクトな電磁波ノイズ抑制体とするには薄いことが好ましい。
【００５４】
（使用例）
図６は、半導体パッケージ３２、チップ部品３３および配線回路３４を搭載したプリント基板３１に、電磁波ノイズ抑制体１を配設した一例を示す図である。電磁波ノイズ抑制体１を半導体パッケージ３２、チップ部品３３および配線回路３４に密着させることにより、半導体パッケージ３２、チップ部品３３および配線回路３４から発生する伝導ノイズおよび放射ノイズを抑制する。
【００５５】
電磁波ノイズ抑制体１を電磁波ノイズ発生源上に配設する場合、基体側あるいは複合層側のどちらを電磁波ノイズ発生源に向けても構わない。好ましくは、基体側を電磁波ノイズ発生源上に向けた方が、複合層６の磁性体と電磁波吸収材３との相乗効果により、内部減結合率が増大し、放射ノイズ抑制機能に優れるため好ましい。
【００５６】
（作用）
以上説明した電磁波ノイズ抑制体１にあっては、理論的には完全に明らかになっていないが、結合剤２と磁性体とが一体化された複合層６が形成されているので、少ない磁性体であっても、そのナノメーターレベルのヘテロ構造に由来する量子効果や、材料固有の磁気異方性、形状異方性、あるいは外部磁界による異方性などの影響で、高い共鳴周波数を持つ。これにより、優れた磁気特性を発揮し、少ない磁性体であっても、高い周波数帯域において、伝導ノイズ抑制効果を発揮することができる。
【００５７】
また、基体５の結合剤２に電磁波吸収材３を充填することにより、渦電流による電磁波の反射が抑えられ優れた放射ノイズ抑制効果を発揮することができる。
また、複合層６の磁性体と電磁波吸収材３との相乗効果により、内部減結合率が増大し、放射ノイズ抑制効果が向上する。
【００５８】
さらに、電磁波ノイズ抑制体１の製造方法は、結合剤２および電磁波吸収材３を含有する電磁波吸収性組成物を成形して、電磁波吸収材３が存在しないスキン層４を表面に有する基体５を製造する基体製造工程と；基体５のスキン層４に磁性体を物理的蒸着させて、基体５表面に複合層６を形成する蒸着工程とを有する方法であるので、電磁波ノイズ抑制体１を容易に製造することができる。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例を示す。
（評価）
断面観察：
（株）日立製作所製、透過型電子顕微鏡Ｈ９０００ＮＡＲを用いた。
剪断弾性率：
剪断弾性率は、粘弾性率測定装置として、レオメトリック・サイエンティフィック社製ソリッドアナライザーＲＳＡ−IIを用い、剪断モードにて、測定周波数１Ｈｚの条件で測定した。
伝導ノイズ抑制効果：
キーコム（株）製、近傍界用電磁波吸収材料測定装置を用いて、Ｓパラメーター法によるＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）を測定した。また、ロス電力比を評価した。ネットワークアナライザーとしては、アンリツ（株）製、ベクトルネットワークアナライザー３７２４７Ｃを用い、５０Ωのインピーダンスを持つマイクロストリップラインのテストフィクチャーとしては、キーコム（株）製、ＴＦ−３Ａを用いた。
【００６０】
放射ノイズ抑制効果：
図７に示すように、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１（キーコム（株）製、直径５ｍｍのマイクロループアンテナ）および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２（日本電気真空硝子社製、磁界プローブＣＰ−２Ｓ）を、スペクトラムアナライザ４３（（株）アドバンテスト製、商品名：Ｒ３１３２）に接続し、電磁波ノイズ抑制体のテストシート４４を挟むようにして、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２をアンテナ間の最小間隔が２ｍｍとなるように配置し、電磁波ノイズ抑制体の相互減結合率を測定した。
【００６１】
また、図８に示すように、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２をアンテナ間の間隔が１ｍｍとなるようにテストシート４３の表面の同じ側に、テストシート４４から１００μｍの間隔をあけて対向配置し、電磁波ノイズ抑制体の内部減結合率を測定した。
【００６２】
（実施例１）
シリコーンゴム（ビニル基含有ジメチルポリシロキサン）１００質量部に、扁平状のＦｅ−Ｃｒ系軟磁性金属（平均粒子径：２０μｍ、アスペクト比：１９．６）３００質量部、オルガノハイドロジェンポリシロキサン１．２質量部、白金族系触媒の２質量％アルコール溶液０．２質量部、アセチレンアルコール系反応制御剤０．１質量部を添加し、ミキシングロールで分散、混合し、電磁波吸収性組成物を得た。電磁波吸収性組成物を１２０℃で１時間、加熱圧縮成形し、表面に平均厚さ０．６３μｍのスキン層を有する厚さ５００μｍの基体（スキン層の結合剤の２５℃における剪断弾性率：２．３×１０5 Ｐａ）を得た。この基体のスキン層に膜厚換算値で２０ｎｍのＮｉ系軟磁性体金属を、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法により物理的蒸着させ複合層を形成し、電磁波ノイズ抑制体を得た。この際、基体の温度を２５℃に保ち、蒸発粒子が８ｅＶの粒子エネルギーを持つようにわずかに負の電圧を印加し、スパッタリングを行った。
【００６３】
得られた電磁波ノイズ抑制体の複合層の一部をミクロトームで薄片にし、断面にイオンビームポリッシャーを施し、高分解能透過型電子顕微鏡により複合層の断面を観察した。複合層の厚さは４５ｎｍ（０．０４５μｍ）であった。
【００６４】
得られた電磁波ノイズ抑制体について、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価を行った。各測定は、基体側および複合層側からの両方について行った。１ＧＨｚにおける伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価結果を表１に示す。
また、０．０５〜３．０ＧＨｚのＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）の測定結果を図９に、０．０５〜３．０ＧＨｚのロス電力比を図１０に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの相互減結合率の測定結果を図１１に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの内部減結合率の測定結果を図１２に示す。
【００６５】
図９において、○は入射電磁波量を基準（０）としたときの基体側から測定したＳ11（反射減衰量）を、●は基体側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。◇は入射電磁波量を基準（０）としたときの複合層側から測定したＳ11（反射減衰量）を、◆は複合層側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。
図１０において、○は基体側から評価したロス電力比を、◇は複合層側から評価したロス電力比を示す。
図１１において、○は基体側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、◇は複合層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、□は銅箔を挟むようにして、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した相互減結合率を示す。
図１２において、○は基体側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を、◇は複合層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を、□は電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を銅箔の表面の同じ側に配置して測定した内部減結合率を示す。
【００６６】
（実施例２）
シリコーンゴム（２液型）１００質量部に、シラン系カップリング剤で表面処理を施した球状のＦｅ−Ｃｒ系軟磁性体（平均粒子径：２０μｍ）１０００質量部を添加し、ミキシングロールで分散、混合し、電磁波吸収性組成物を得た。この電磁波吸収性組成物を圧縮成形により厚さ３００μｍとなるようにシート状に成形した後、１５０℃で１時間、シリコーンゴムを加硫させて、表面に平均厚さ０．６７μｍのスキン層を有する厚さ２９０μｍの基体（スキン層の結合剤の２５℃における剪断弾性率：１．０×１０4 Ｐａ）を得た。この基体のスキン層に膜厚換算で５０ｎｍのＦｅ−Ｎｉ系軟磁性体金属を、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法により物理的蒸着させ複合層を形成し、電磁波ノイズ抑制体を得た。この際、基体の温度を２５℃に保ち、蒸発粒子が８ｅＶの粒子エネルギーを持つようにわずかに負の電圧を印加し、スパッタリングを行った。
【００６７】
得られた電磁波ノイズ抑制体の複合層の一部をミクロトームで薄片にし、断面にイオンビームポリッシャーを施し、高分解能透過型電子顕微鏡により複合層の断面を観察した。複合層の厚さは９０ｎｍ（０．０９０μｍ）であった。
【００６８】
得られた電磁波ノイズ抑制体について、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価を行った。各測定は、実施例１と同様の方法により行った。１ＧＨｚにおける伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価結果を表１に示す。
また、０．０５〜３．０ＧＨｚのＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）の測定結果を図１３に、０．０５〜３．０ＧＨｚのロス電力比を図１４に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの相互減結合率の測定結果を図１５に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの内部減結合率の測定結果を図１６に示す。
【００６９】
図１３において、○は入射電磁波量を基準（０）としたときの基体側から測定したＳ11（反射減衰量）を、●は基体側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。◇は入射電磁波量を基準（０）としたときの複合層側から測定したＳ11（反射減衰量）を、◆は複合層側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。
図１４において、○は基体側から評価したロス電力比を、◇は複合層側から評価したロス電力比を示す。
図１５において、○は基体側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、◇は複合層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、□は銅箔を挟むようにして、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した相互減結合率を示す。
図１６において、○は基体側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を、◇は複合層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を、□は電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を銅箔の表面の同じ側に配置して測定した内部減結合率を示す。
【００７０】
（実施例３）
ウレタン樹脂１００質量部および硬化剤としてイソシアネート化合物２０質量部に、チタネート系カップリング剤で表面処理を施した扁平状のＦｅ−Ｎｉ系軟磁性体１６００質量部（平均粒子径：１５μｍ、アスペクト比：６５）、溶剤（シクロヘキサノンとトルエンの１：１混合物）７００質量部を加えたぺーストを、乾燥後の厚さが１．１ｍｍとなるように、バーコート法で塗工用支持体に塗布して膜を形成し、十分乾燥させた後、真空加熱プレスし、８５℃、２４時間キュアリングし、膜を塗工用支持体から剥がして、表面に平均厚さ０．７４μｍのスキン層を有する厚さ１．０ｍｍの基体（スキン層の結合剤の２５℃における剪断弾性率：１．７×１０6 Ｐａ）を得た。この基体のスキン層に膜厚換算値で１０ｎｍのＮｉ系軟磁性体金属を、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法により物理的蒸着させ複合体層を形成し、電磁波ノイズ抑制体を得た。この際、基体の温度を２５℃に保ち、蒸発粒子が８ｅＶの粒子エネルギーを持つようにわずかに負の電圧を印加し、スパッタリングを行った。
【００７１】
得られた電磁波ノイズ抑制体の複合層の一部をミクロトームで薄片にし、断面にイオンビームポリッシャーを施し、高分解能透過型電子顕微鏡により複合層の断面を観察した。複合層の厚さは２５ｎｍ（０．０２５μｍ）であった。
【００７２】
得られた電磁波ノイズ抑制体について、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価を行った。各測定は、実施例１と同様の方法により行った。１ＧＨｚにおける伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価結果を表１に示す。
また、０．０５〜３．０ＧＨｚのＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）の測定結果を図１７に、０．０５〜３．０ＧＨｚのロス電力比を図１８に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの相互減結合率の測定結果を図１９に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの内部減結合率の測定結果を図２０に示す。
【００７３】
図１７において、○は入射電磁波量を基準（０）としたときの基体側から測定したＳ11（反射減衰量）を、●は基体側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。◇は入射電磁波量を基準（０）としたときの複合層側から測定したＳ11（反射減衰量）を、◆は複合層側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。
図１８において、○は基体側から評価したロス電力比を、◇は複合層側から評価したロス電力比を示す。
図１９において、○は基体側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、◇は複合層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、□は銅箔を挟むようにして、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した相互減結合率を示す。
図２０において、○は基体側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を、◇は複合層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を、□は電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を銅箔の表面の同じ側に配置して測定した内部減結合率を示す。
【００７４】
（比較例１）
実施例１における、複合層を形成する前の基体について、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果を測定した。各測定は、実施例１と同様の方法により行った。１ＧＨｚにおける伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価結果を表２に示す。
また、０．０５〜３．０ＧＨｚのＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）の測定結果を図２１に、０．０５〜３．０ＧＨｚのロス電力比を図２２に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの相互減結合率を測定結果を図２３に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの内部減結合率の測定結果を図２４に示す。
【００７５】
図２１において、○は入射電磁波量を基準（０）としたときの反射減衰量を、●は透過減衰量を示す。
図２３において、○は比較例１の相互減結合率を、□は銅箔の相互減結合率を示す。
図２４において、○は比較例１の内部減結合率を、□は銅箔の内部減結合率を示す。
【００７６】
（比較例２）
シリコーンゴム（ビニル基含有ジメチルポリシロキサン）１００質量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン１．２質量部、白金族系触媒の２％アルコール溶液０．２質量部、アセチレンアルコール系反応制御剤０．１質量部を添加し、ミキシングロールで分散、混合し、シリコーン組成物を得た。このシリコーン組成物をトルエン溶液（濃度：２０質量％）とし、ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ：５０μｍ）上に加熱乾燥・加硫後のシリコーンゴムの厚さが２０μｍとなるように塗布した。１２０℃で、１時間加熱し、硬化させて、シリコーンゴム−ポリエチレンテレフタレート複層フィルム（シリコーンゴムのスキン層の平均厚さ０．６３μｍ、シリコーンゴムの２５℃における剪断弾性率：２０×１０5 Ｐａ）を得た。得られた複層フィルムのシリコーンゴム上に、膜厚換算値で２０ｎｍのＮｉ系軟磁性体金属を、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法により物理的蒸着させ複合層を形成し、電磁波ノイズ抑制体を得た。この際、シリコーンゴムの温度を２５℃に保ち、８ｅＶのエネルギーを持つようわずかに負の電圧を印加し、スパッタリングを行った。
【００７７】
得られた電磁波ノイズ抑制体の複合層の一部をミクロトームで薄片にし、断面にイオンビームポリッシャーを施し、高分解能透過型電子顕微鏡により複合層の断面を観察した。複合層の厚さは５０ｎｍ（０．０５０μｍ）であった。
【００７８】
得られた電磁波ノイズ抑制体について、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価を行った。各測定は、実施例１と同様の方法により行った。１ＧＨｚにおける伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果の評価結果を表２に示す。
また、０．０５〜３．０ＧＨｚのＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）の測定結果を図２５に、０．０５〜３．０ＧＨｚの複合層側のロス電力比を図２６に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚの相互減結合率の測定結果を図２７に、１００ｋＨｚ〜２．０ＧＨｚ内部減結合率の測定結果を図２８に示す。
【００７９】
図２５において、○は入射電磁波量を基準（０）としたときの複合層側から測定したＳ11（反射減衰量）を、●は複合層側から測定したＳ21（透過減衰量）を示す。
図２７において、○は比較例２の複合層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１を配置して測定した相互減結合率を、□は銅箔を挟むようにして、電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した相互減結合率を示す。
図２８において、○は比較例２の複合層側に電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を配置して測定した内部減結合率を示し、□は電磁波発信用マイクロループアンテナ４１および電磁波受信用マイクロループアンテナ４２を銅箔の表面の同じ側に配置して測定した内部減結合率を示す。
【００８０】
（比較例３）
銅箔（厚さ：１５μｍ）について、放射ノイズ抑制効果の評価を行った。各測定は、実施例１と同様の方法により行った。１ＧＨｚにおける放射ノイズ抑制効果の評価結果を表２に示す。
【００８１】
【表１】
2006093412.tif 000003
【００８２】
【表２】
2006093412.tif 000004
【００８３】
表１〜２および図９〜２８に示すように、実施例１〜３で得られた電磁波ノイズ抑制体は、いずれも周波数１ＧＨｚのときロス電力比が０．３以上であり、相互減結合率が−１ｄＢ以上であり、内部減結合率が−１ｄＢ以上であり、伝導ノイズ抑制効果および放射ノイズ抑制効果に優れていることが確認された。また、基体側から内部減結合率を測定した場合、複合層側から内部減結合率を測定した場合と比較して、内部減結合率は、複合層の磁性体と電磁波吸収材との相乗効果により、基体側の方が複合層側より１０％以上優れていた。
【００８４】
一方、比較例１は、電磁波吸収材を結合剤中に単に分散、混合しているだけであるため、１ＧＨｚにおける相互減結合率および内部減結合率とも−１ｄＢ以上であったが、ロス電力比は０．１以下であり、伝導ノイズ抑制効果が低かった。
また、比較例２は、結合剤上に対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法でＮｉ系軟磁性体金属を蒸着して複合層を形成したものであり、１ＧＨｚにおけるロス電力比は０．３以上であり、良好な伝導ノイズ抑制効果を有していたが、相互減結合率が−１ｄＢ以下であり、内部減結合率は、銅箔と同様にプラス側であり二次放射ノイズが発生した。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明の電磁波ノイズ抑制体は、伝導ノイズ抑制機能および放射ノイズ抑制機能の二つの優れた電磁波ノイズ抑制機能を有する薄型で軽量な電磁波ノイズ抑制体であるので、近年の電子部品、電気機器の小型化、軽量化、多機能化に対応することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の電磁波ノイズ抑制体の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の電磁波ノイズ抑制体の他の例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の電磁波ノイズ抑制体の他の例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の電磁波ノイズ抑制体における複合層の高分解能透過型電子顕微鏡像である。
【図５】複合層の近傍の一例を示す模式図である。
【図６】本発明の電磁波ノイズ抑制体と電子部品を搭載したプリント基板の一例を示す断面図である。
【図７】相互減結合率の測定装置を示す概略図である。
【図８】内部減結合率の測定装置を示す概略図である。
【図９】実施例１の電磁波ノイズ抑制体のＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）を示すグラフである。
【図１０】実施例１の電磁波ノイズ抑制体のロス電力比を示すグラフである。
【図１１】実施例１の電磁波ノイズ抑制体および銅箔の相互減結合率を示すグラフである。
【図１２】実施例１の電磁波ノイズ抑制体および銅箔の内部減結合率を示すグラフである。
【図１３】実施例２の電磁波ノイズ抑制体のＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）を示すグラフである。
【図１４】実施例２の電磁波ノイズ抑制体のロス電力比を示すグラフである。
【図１５】実施例２の電磁波ノイズ抑制体および銅箔の相互減結合率を示すグラフである。
【図１６】実施例２の電磁波ノイズ抑制体および銅箔の内部減結合率を示すグラフである。
【図１７】実施例３の電磁波ノイズ抑制体のＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）を示すグラフである。
【図１８】実施例３の電磁波ノイズ抑制体のロス電力比を示すグラフである。
【図１９】実施例３の電磁波ノイズ抑制体および銅箔の相互減結合率を示すグラフである。
【図２０】実施例３の電磁波ノイズ抑制体および銅箔の内部減結合率を示すグラフである。
【図２１】比較例１の基体のＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）を示すグラフである。
【図２２】比較例１の基体のロス電力比を示すグラフである。
【図２３】比較例１の基体および銅箔の相互減結合率を示すグラフである。
【図２４】比較例１の基体および銅箔の内部減結合率を示すグラフである。
【図２５】比較例２の電磁波ノイズ抑制体のＳ11（反射減衰量）およびＳ21（透過減衰量）を示すグラフである。
【図２６】比較例２の電磁波ノイズ抑制体のロス電力比を示すグラフである。
【図２７】比較例２の電磁波ノイズ抑制体および銅箔の相互減結合率を示すグラフである。
【図２８】比較例２の電磁波ノイズ抑制体および銅箔の内部減結合率を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８７】
１  電磁波ノイズ抑制体
２  結合剤
３  電磁波吸収材
４  スキン層
５  基体
６  複合層
１０  電磁波ノイズ抑制体
２０  電磁波ノイズ抑制体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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