(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳ部品の高信頼性、高歩留り、低コストを実現する。【解決手段】本発明の例に関わるＭＥＭＳ技術を使用した半導体装置は、空洞と、空洞の下部に位置する下部電極１４と、空洞の内部に位置する可動部１５と、可動部１５に結合される上部電極１６と、空洞の上部を覆い、開口２１を有する膜１９と、開口２１を塞ぎ、空洞を密閉する材料２２とを備える。【選択図】      図５
2006326806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空洞と、
前記空洞の下部に位置する下部電極と、
前記空洞の内部に位置する可動部と、
前記可動部に結合される上部電極と、
前記空洞の上部を覆い、開口を有する膜と、
前記開口を塞ぎ、前記空洞を密閉する材料と
を具備することを特徴とするＭＥＭＳ技術を使用した半導体装置。
【請求項２】
空洞と、
前記空洞の下部に位置する下部電極と、
前記空洞の内部に位置する可動部と、
前記可動部に結合される上部電極と、
前記空洞の上部を覆い、多孔質材料から構成される膜と
を具備することを特徴とするＭＥＭＳ技術を使用した半導体装置。
【請求項３】
前記空洞の内部に位置し、前記膜を支える柱をさらに具備することを特徴とする請求項１又は２に記載のＭＥＭＳ技術を使用した半導体装置。
【請求項４】
前記膜の表面は、曲面であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ技術を使用した半導体装置。
【請求項５】
前記膜上にさらに膜を積み重ねることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ技術を使用した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（micro electro mechanical systems）技術を使用した半導体装置（以下、ＭＥＭＳ部品）に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ技術とは、半導体加工技術を応用して可動な３次元構造体（可動部）を微細に作り込む技術のことである。
【０００３】
ＭＥＭＳ技術によれば、既存の部品とは比べものにならないほど小型で高性能な部品を開発できる可能性がある。例えば、ＬＳＩと個別部品との融合を実現することで、実装寸法を飛躍的に小さくし、消費電力を大幅に削減することも夢ではない。
【０００４】
現在、ＭＥＭＳ部品としては、主に、可変容量、スイッチ、加速度センサ、圧力センサ、ＲＦ(radio frequency)フィルタ、ジャイロスコープ、ミラーデバイスなどが研究、開発されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００５】
しかし、これらの部品を実用化するに当たっては、信頼性、歩留りや、製造コストなどの面から解決しなければならない課題も多く残っている。
【０００６】
信頼性及び歩留りの面では、ＭＥＭＳ部品の強度の問題がある。例えば、ダイシング時に、水(H2O)が可動部の可動領域となる空洞に浸入すると、水の圧力によりＭＥＭＳ部品が破壊されることがある。従って、ＭＥＭＳ部品の実用化のためには、このような水の浸入からＭＥＭＳ部品を保護し、信頼性及び歩留りを向上させる技術の開発が必須となる。
【０００７】
製造コストの面では、工程数を削減しつつも、高信頼性、高歩留りを実現できるプロセス技術の開発がキーワードとなる。しかし、例えば、上述の水の浸入からＭＥＭＳ部品を保護するために、２枚のウェハを張り合わせて空洞を密閉するいわゆるウェハレベルパッケージ(wafer level package)という技術を採用すると、工程が複雑となり、製造コストが増加すると共に、チップサイズが増大するという問題がある。
【特許文献１】米国特許第６，３５５，４９８号明細書
【特許文献２】米国特許第６，３５９，３７４号明細書
【特許文献３】特開２００３−１１７８９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の例では、高信頼性、高歩留りで、かつ、製造コストの低下を図れるＭＥＭＳ部品を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の例に関わるＭＥＭＳ技術を使用した半導体装置は、空洞と、前記空洞の下部に位置する下部電極と、前記空洞の内部に位置する可動部と、前記可動部に結合される上部電極と、前記空洞の上部を覆い、開口を有する膜と、前記開口を塞ぎ、前記空洞を密閉する材料とを備える。
【００１０】
本発明の例に関わるＭＥＭＳ技術を使用した半導体装置は、空洞と、前記空洞の下部に位置する下部電極と、前記空洞の内部に位置する可動部と、前記可動部に結合される上部電極と、前記空洞の上部を覆い、多孔質材料から構成される膜とを備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の例によれば、高信頼性、高歩留りで、かつ、製造コストの低下を図れるＭＥＭＳ部品を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら、本発明の例を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００１３】
１．  概要  
本発明の例は、ＭＥＭＳ部品全般、例えば、可変容量、スイッチ、加速度センサ、圧力センサ、ＲＦ(radio frequency)フィルタ、ジャイロスコープ、ミラーデバイスなどに適用される。
【００１４】
本発明の例では、高信頼性及び高歩留りと、工程数の削減による製造コストの低下とを同時に実現するため、ウェハレベルパッケージによらずに、水の浸入からＭＥＭＳ部品を保護する技術について提案する。
【００１５】
そのために、第一に、空洞を、ウェハではなく、絶縁体、導電体、半導体などの材料から構成される膜により覆う。この膜には開口が設けられるが、この開口は、絶縁体、導電体、半導体などの材料により塞がれる。
【００１６】
第二に、空洞の上部を多孔質材料から構成される膜（多孔質膜）により覆う。この場合、開口を設けることなく、密閉された空洞を形成できる。
【００１７】
このような構造により、高信頼性、高歩留りで、かつ、製造コストの低下を図れるＭＥＭＳ部品を実現できる。
【００１８】
ここで、本発明の例では、可動部の可動領域となる空洞の存在によりＭＥＭＳ部品のたわみによる特性変動が問題となる。そこで、空洞内の構造を補強し、ＭＥＭＳ部品のたわみを抑制する柱を空洞内に配置してもよい。
【００１９】
尚、本発明の例は、可動部を可動にするアクチュエータ(actuator)のタイプに制限されない。例えば、アクチュエータとしては、圧電力を利用する圧電タイプ、静電力を利用する静電タイプ、熱による変形を利用する熱タイプ、電磁力を利用する電磁タイプなどを使用できる。
【００２０】
２．  参考例  
まず、本発明の例の前提となる参考例としてのＭＥＭＳ部品とその問題点について説明する。
【００２１】
図１に示すように、ウェハ１０Ａ上には、複数のＭＥＭＳ部品１０Ｂが形成される。複数のＭＥＭＳ部品の各々は、例えば、図２に示す構造を有する。
【００２２】
半導体基板１０上には、絶縁層１１が配置される。絶縁層１１上には、絶縁層１２が配置される。絶縁層１２は、溝を有する。この溝は、絶縁層１３，１５により覆われ、空洞(CAVITY)となる。
【００２３】
空洞上には開口が設けられ、絶縁層１５は、可動部(MOVING PART)として機能する。ここで、可動部を可動にするアクチュエータのタイプについては重要ではないため、アクチュエータは省略している。
【００２４】
溝の底部における絶縁層１１上には、下部電極１４が配置され、可動部としての絶縁層１５上には、上部電極１６が配置される。
【００２５】
このようなＭＥＭＳ部品の問題は、ウェハ１０Ａ上の複数のＭＥＭＳ部品１０Ｂを分離するダイシング時に、水(H2O)が可動部の可動領域となる空洞に浸入し、可動部を破壊する、という点にある。
【００２６】
そこで、ダイシング時における水の浸入からＭＥＭＳ部品を保護することが必要となるが、従来では、そのために、ウェハレベルパッケージという技術を採用している。
【００２７】
ウェハレベルパッケージでは、例えば、図３に示すように、可動部を取り囲む枠としての絶縁層１８を有する半導体基板（ウェハ）１７を、半導体基板（ウェハ）１０に貼り付ける。
【００２８】
これにより、密閉された空洞が形成できるが、ウェハレベルパッケージは、高価であり、また、ウェハの反りなどが原因となって完全に密閉された空洞を作ることが難しいなどの問題がある。さらに、チップサイズの増大や、信号線の寄生抵抗及び寄生容量などの問題も解決しなければならない。
【００２９】
３．  実施の形態  
次に、最良と思われるいくつかの実施の形態について説明する。
【００３０】
(1)   第１実施の形態  
a.  構造  
図４は、第１実施の形態に関わるＭＥＭＳ部品を示している。図５は、図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【００３１】
半導体基板１０上には、絶縁層１１が配置される。絶縁層１１上には、絶縁層１２が配置される。絶縁層１２は、溝を有する。この溝は、絶縁層１３，１５により覆われる。絶縁層１３，１５は、開口２０を有する。
【００３２】
絶縁層１５は、可動部(MOVING PART)として機能する。
【００３３】
絶縁層１５上には、絶縁層１５を可動にするためのアクチュエータ２３が結合される。ここでは、アクチュエータ２３を簡略化して記載しているが、例えば、アクチュエータ２３を圧電タイプとする場合には、絶縁層１５上に圧電素子が形成される。
【００３４】
溝の底部における絶縁層１１上には、下部電極１４が配置され、可動部としての絶縁層１５上には、上部電極１６が配置される。
【００３５】
可動部としての絶縁層１５の上部には、絶縁体から構成される膜１９が配置される。絶縁体から構成される膜１９は、開口２１を有するが、この開口２１は、絶縁体、導電体、半導体などの材料２２により塞がれる。絶縁体から構成される膜１９は、可動部の周囲を空洞(CAVITY)にする。
【００３６】
このような構造によれば、絶縁体から構成される膜１９により空洞が形成されるため、低コスト、高信頼性及び高歩留りのＭＥＭＳ部品を提供できる。
【００３７】
ここで、本例では、絶縁体から構成される膜１９の表面は曲面となっている。このように、絶縁体から構成される膜１９の表面を曲面とすることで、この膜１９の強度の向上と製造工程数の削減とを実現できる。
【００３８】
また、空洞上からみて、絶縁体から構成される膜１９に設けられる開口２１の位置は、絶縁層１３，１５に設けられる開口２０の位置とオーバーラップしていない。その主旨は、開口２１を塞ぐ材料２２が可動部の動作に悪影響を与えないようにする、という点にある。
【００３９】
つまり、開口２０，２１がオーバーラップしている場合には、開口２１を塞ぐときに材料２２の一部が空洞の下部（絶縁層１２の溝の底部）に堆積し、可動部の動作に悪影響を与える可能性がある。開口２０，２１をオーバーラップさせないことで、このような事態を防止できる。
【００４０】
開口２０，２１は、０．３μｍ以上離れているのが好ましい。
【００４１】
尚、絶縁体から構成される膜１９に関し、この膜１９は、絶縁体に代えて、導電体又は半導体から構成することもできる。
【００４２】
b.  材料、サイズなど  
図４及び図５のＭＥＭＳ部品に使用する材料、サイズなどの例を説明する。
【００４３】
半導体基板１０としては、例えば、例えば、Si, Geなどの真性半導体、GaAs, ZnSeなどの化合物半導体、及び、これら半導体に不純物をドーピングした高導電性半導体から選択できる。半導体基板１０は、ＳＯＩ(silicon on insulator)基板であってもよい。
【００４４】
絶縁層１１，１２は、例えば、酸化シリコンから構成される。絶縁層１２の厚さは、可動部の可動範囲を決定する。絶縁層１２の厚さは、３ｎｍ以上、好ましくは、４００ｎｍ以上にする。
【００４５】
下部電極１４及び上部電極１６としては、例えば、W, Al, Cu, Au, Ti, Pt などの金属、これら金属の少なくとも１つを含む合金、不純物を含んだ導電性ポリシリコンなどから選択できる。下部電極１４及び上部電極１６は、単層構造を有していても、また、積層構造を有していてもよい。
【００４６】
下部電極１４及び上部電極１６として、不純物を含んだ導電性ポリシリコンを用いる場合には、低抵抗化のために、導電性ポリシリコン上にシリサイドを形成することが好ましい。また、下部電極１４及び上部電極１６は、Co, Ni, Si, N などの元素を含んでいてもよい。
【００４７】
下部電極１４及び上部電極１６は、互いに同じ構造又は同じ材料から構成されていてもよいし、また、互いに異なる構造又は異なる材料から構成されていてもよい。
【００４８】
下部電極１４及び上部電極１６の平面形状については、特に制限されない。例えば、正方形、長方形、円形、多角形などを採用することができる。
【００４９】
絶縁層１３，１５及び絶縁体から構成される膜１９は、例えば、酸化シリコンから構成される。開口２１を塞ぐ材料２２としては、例えば、SiGeを用いることができる。
【００５０】
絶縁体から構成される膜１９の平面形状は、正方形、長方形の他、円形、楕円形、多角形などの形状であっても構わない。絶縁体から構成される膜１９の平面形状が円形の場合には、その膜１９は、ドーム形状となる。
【００５１】
ＭＥＭＳ部品（１チップ）の大きさは、例えば、チップ内にＭＥＭＳ部品のみが形成されるディスクリート製品の場合には、２ｃｍ×２ｃｍ程度又はそれ以下のサイズの四角形となる。
【００５２】
空洞の気圧及びその空洞内に満たされているガスについては、特に制限されない。例えば、空洞の気圧は大気圧でもよいし、真空に近い状態であってもよい。また、空洞内に満たされるガスは、炭素ガスが主であってもよいし、大気と同じ成分であってもよい。
【００５３】
空洞の平面形状としては、例えば、正方形、長方形、円形、多角形などを採用することができる。
【００５４】
c.  製造方法  
図４及び図５のＭＥＭＳ部品の製造方法を説明する。
【００５５】
まず、図６に示すように、熱酸化法を用いて、半導体基板１０上に厚さ約１．３μｍの絶縁層（例えば、酸化シリコン）１１を形成する。また、ＣＶＤ(chemical vapor deposition)法を用いて、絶縁層１１上に厚さ約１μｍの絶縁層（例えば、酸化シリコン）１２を形成する。
【００５６】
次に、ＰＥＰ(photo engraving process)により、絶縁層１２に溝を形成する。例えば、絶縁層１２上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして、ＲＩＥ(reactive ion etching)により絶縁層１２をエッチングすれば、絶縁層１２に溝を形成できる。この後、レジストパターンは除去される。
【００５７】
また、絶縁層１１，１２上に導電層１４を形成し、かつ、ＰＥＰにより導電層１４をパターニングし、これを下部電極とする。ＭＥＭＳ部品を可変容量とする場合には、この後、ＣＶＤ法を用いて、下部電極１４を覆う絶縁層（例えば、窒化シリコン）を形成する。
【００５８】
次に、絶縁層１２に形成された溝を完全に満たすダミー層２４Ａを形成する。ダミー層２４Ａとしては、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどのシリコン材料、SiO2, SiNなどの絶縁材料、Ti, TiN, Al, Cu, Ni, Co, Au などの金属材料、ポリイミド、カーボン、レジストなどの有機材料、さらには、低誘電率を持ついわゆるlow-k材料のグループから選択して使用できる。
【００５９】
ダミー層２４Ａとして有機材料を用いる場合には、例えば、絶縁層１２の溝を満たすダミー層２４Ａを塗布すればよい。
【００６０】
ダミー層２４Ａとして、シリコン材料、絶縁材料、金属材料又はlow-k材料を用いる場合には、例えば、ＣＶＤ法やスパッタ法などの方法を用いて、絶縁層１２上に、絶縁層１２の溝を完全に満たすダミー層２４Ａを形成した後、ＣＭＰ(chemical mechanical polishing)やエッチバックなどの方法により、ダミー層２４Ａをエッチングし、ダミー層２４Ａを溝内のみに残存させる。
【００６１】
ここで、ＣＭＰやエッチバックを行うに当たっては、絶縁層１２とダミー層２４Ａとのエッチング選択比が大きくなるように、ＣＭＰやエッチバックの条件、さらには、絶縁層１２とダミー層２４Ａの材料が選択される。
【００６２】
また、ＣＭＰやエッチバックを行う前に、予め、絶縁層１２上に、ダミー層２４Ａに対してエッチング選択比を有するエッチングストッパを形成しておいても構わない。
【００６３】
次に、ＣＶＤ法を用いて、絶縁層１２上及びダミー層２４Ａ上に厚さ約１００ｎｍの絶縁層（例えば、酸化シリコン）１３，１５を形成する。ここで、ダミー層２４Ａの表面が平坦化されているため、絶縁層１３，１５の表面も平坦である。
【００６４】
そして、ＰＥＰを用いて絶縁層１３，１５に開口２０を形成し、さらに、絶縁層１５上に、例えば、圧電素子からなるアクチュエータを形成する。
【００６５】
また、絶縁層１５上に導電層１６を形成し、かつ、ＰＥＰにより導電層１６をパターニングし、これを上部電極とする。
【００６６】
この後、薬液、反応ガスなどを用いてダミー層２４Ａを除去することもできるが、ここでは、工程数の削減のため、ダミー層２４Ａはそのまま残しておく。
【００６７】
次に、図７に示すように、絶縁層１５を覆うダミー層２４Ｂを形成する。ダミー層２４Ｂは、図６に示す工程でダミー層２４Ａを除去しない場合には、ダミー層２４Ａと同じ材料、又は、ダミー層２４Ａと同じエッチャントを用いて除去できる材料から構成されることが好ましい。
【００６８】
図６に示す工程でダミー層２４Ａを除去する場合には、ダミー層２４Ｂは、ダミー層２４Ａに代わり、絶縁層１２の溝内にも満たされる。
【００６９】
ダミー層２４Ｂとしては、ダミー層２４Ａと同様に、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどのシリコン材料、SiO2, SiNなどの絶縁材料、Ti, TiN, Al, Cu, Ni, Co, Au などの金属材料、ポリイミド、カーボン、レジストなどの有機材料、さらには、低誘電率を持ついわゆるlow-k材料のグループから選択して使用できる。
【００７０】
ダミー層２４Ｂは、絶縁層１５を覆う形状に加工された時点では、その断面形状及び平面形状が四角形となっている。
【００７１】
本例では、この後、例えば、アニールを行うことにより、ダミー層２４Ｂを流動化させ、表面張力により、ダミー層２４Ｂの表面を曲面にする。この時、ダミー層２４Ｂの平面形状としては、四角形のままであってもよいし、円形又は楕円形であってもよい。
【００７２】
そして、ダミー層２４Ｂ上に絶縁体から構成される膜（例えば、酸化シリコン）１９を形成する。絶縁体から構成される膜１９に関し、この膜１９は、絶縁体に代えて、導電体又は半導体から構成することもできる。
【００７３】
次に、図８に示すように、ＰＥＰを用いて、絶縁体から構成される膜１９に開口２１を形成する。開口２１の数は、単数でも、又は、複数でも、どちらでもよい。また、開口２１の位置は、後に行われる開口２１を塞ぐ工程を考慮し、開口２０とはオーバーラップしない位置に設けられる。
【００７４】
この後、薬液、反応ガスなどを用いてダミー層２４Ａ，２４Ｂを除去すると、図９に示すように、可動部(MOVING PART)としての絶縁層１５の周囲に空洞(CAVITY)が形成される。
【００７５】
尚、ダミー層２４Ａ，２４Ｂがレジストから構成される場合には、ダミー層２４Ａ，２４Ｂの除去をアッシングという気化法により除去できる。
【００７６】
次に、図１０に示すように、ＣＶＤ法又はスパッタ法などの方法を用いて、絶縁体から構成される膜１９に設けられた開口２１を、例えば、絶縁体、導電体、半導体などからなる材料２２により塞ぎ、空洞を密閉する。
【００７７】
ここで、開口２１を塞ぐための材料２２をプラズマＣＶＤなどのプラズマを使用する方法により形成する場合、シーム(seam)が形成されることがある。この場合、そのシームから水が浸入するおそれがあるため、例えば、図１１に示すように、ＣＶＤ法により、絶縁体から構成される膜１９上に絶縁膜（例えば、酸化シリコン）２５をさらに積み重ねる。
【００７８】
絶縁膜２５は、絶縁体から構成される膜１９と同じ材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。また、絶縁膜２５は、絶縁体から構成される膜１９よりも密度が高い材料から構成されるのが好ましい。
【００７９】
尚、絶縁膜２５は、絶縁体に限られず、導電体又は半導体を用いてもよい。
【００８０】
以上の工程により、図４及び図５のＭＥＭＳ部品が完成する。
【００８１】
d.  まとめ  
第１実施の形態によれば、可動部が配置される空洞は、絶縁体、導電体、半導体などの材料から構成される膜により密閉される。これにより、低コスト、高信頼性及び高歩留りのＭＥＭＳ部品を提供できる。
【００８２】
(2)   第２実施の形態  
a.  構造  
図１２は、第２実施の形態に関わるＭＥＭＳ部品を示している。図１３は、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。
【００８３】
半導体基板１０上には、絶縁層１１が配置される。絶縁層１１上には、絶縁層１２が配置される。絶縁層１２は、溝を有する。この溝は、絶縁層１３，１５により覆われる。絶縁層１３，１５は、開口２０を有する。
【００８４】
絶縁層１５は、可動部(MOVING PART)として機能する。
【００８５】
絶縁層１５上には、絶縁層１５を可動にするためのアクチュエータ２３が結合される。アクチュエータ２３については簡略化して記載しているが、アクチュエータ２３は、第１実施の形態と同様に、例えば、圧電タイプから構成できる。
【００８６】
溝の底部における絶縁層１１上には、下部電極１４が配置され、可動部としての絶縁層１５上には、上部電極１６が配置される。
【００８７】
可動部としての絶縁層１５の上部には、多孔質膜２６が配置される。多孔質膜２６は、絶縁体、導電体又は半導体から構成される。多孔質膜２６は、可動部の周囲に空洞(CAVITY)を形成する。また、多孔質膜２６上には、多孔質膜２６よりも密度が高い絶縁膜２７が積み重ねられる。
【００８８】
尚、絶縁膜２７は、絶縁体に限られず、導電体又は半導体を用いてもよい。
【００８９】
このような構造によれば、多孔質膜２６により空洞が形成されるため、低コスト、高信頼性及び高歩留りのＭＥＭＳ部品を提供できる。
【００９０】
ここで、本例では、多孔質膜２６の表面は曲面となっている。このように、多孔質膜２６の表面を曲面とすることで、多孔質膜２６の強度の向上と製造工程数の削減とを実現できる。
【００９１】
また、本例では、空洞を覆う膜が多孔質膜２６により構成されるため、この多孔質膜２６に開口を設ける必要がない。
【００９２】
b.  材料、サイズなど  
図１２及び図１３のＭＥＭＳ部品に使用する材料、サイズなどについては、第１実施の形態で説明した材料、サイズなどをそのまま適用できる。
【００９３】
多孔質膜２６の平面形状は、正方形、長方形、円形、楕円形、多角形などの形状から選択できる。また、多孔質膜２６の平面形状が円形の場合には、多孔質膜２６は、ドーム形状となる。
【００９４】
c.  製造方法  
図１２及び図１３のＭＥＭＳ部品の製造方法を説明する。
【００９５】
まず、図１４に示すように、熱酸化法を用いて、半導体基板１０上に厚さ約１．３μｍの絶縁層（例えば、酸化シリコン）１１を形成する。また、ＣＶＤ法を用いて、絶縁層１１上に厚さ約１μｍの絶縁層（例えば、酸化シリコン）１２を形成する。
【００９６】
また、ＰＥＰにより、絶縁層１２に溝を形成する。絶縁層１１，１２上に導電層１４を形成し、かつ、ＰＥＰにより導電層１４をパターニングし、これを下部電極とする。
【００９７】
次に、絶縁層１２に形成された溝を完全に満たすダミー層２４Ａを形成する。ダミー層２４Ａとしては、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどのシリコン材料、SiO2, SiNなどの絶縁材料、Ti, TiN, Al, Cu, Ni, Co, Au などの金属材料、ポリイミド、カーボン、レジストなどの有機材料、さらには、低誘電率を持ついわゆるlow-k材料のグループから選択して使用できる。
【００９８】
次に、ＣＶＤ法を用いて、絶縁層１２上及びダミー層２４Ａ上に厚さ約１００ｎｍの絶縁層（例えば、酸化シリコン）１３，１５を形成する。ここで、ダミー層２４Ａの表面が平坦化されているため、絶縁層１３，１５の表面も平坦である。
【００９９】
そして、ＰＥＰを用いて絶縁層１３，１５に開口２０を形成し、さらに、絶縁層１５上に、例えば、圧電素子からなるアクチュエータを形成する。
【０１００】
また、絶縁層１５上に導電層１６を形成し、かつ、ＰＥＰにより導電層１６をパターニングし、これを上部電極とする。
【０１０１】
次に、図１５に示すように、絶縁層１５を覆うダミー層２４Ｂを形成する。ダミー層２４Ａ，２４Ｂは、同じ材料、又は、同じエッチャントを用いて除去できる材料から構成されることが好ましい。
【０１０２】
ダミー層２４Ｂとしては、ダミー層２４Ａと同様に、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどのシリコン材料、SiO2, SiNなどの絶縁材料、Ti, TiN, Al, Cu, Ni, Co, Au などの金属材料、ポリイミド、カーボン、レジストなどの有機材料、さらには、低誘電率を持ついわゆるlow-k材料のグループから選択して使用できる。
【０１０３】
ダミー層２４Ｂは、可動部を覆う形状に加工された時点では、その断面形状及び平面形状が四角形となっている。
【０１０４】
そこで、この後、例えば、アニールを行うことにより、ダミー層２４Ｂを流動化させ、表面張力により、ダミー層２４Ｂの表面を曲面にする。この時、ダミー層２４Ｂの平面形状としては、四角形のままであってもよいし、円形又は楕円形であってもよい。
【０１０５】
そして、ダミー層２４Ｂ上に多孔質膜２６を形成する。
【０１０６】
この後、反応ガスなどを用いてダミー層２４Ａ，２４Ｂを除去すると、図１６に示すように、可動部(MOVING PART)としての絶縁層１５の周囲には空洞(CAVITY)が形成される。
【０１０７】
本例では、例えば、反応ガスは、多孔質膜２６に形成される多数の孔を経由してダミー層２４Ａ，２４Ｂに進入するため、第１実施の形態のように、可動部を覆う絶縁層にエッチングにより開口を形成する必要がなく、また、この開口を塞ぐ必要もない。つまり、工程数の削減によるコストの低下を実現できる。
【０１０８】
尚、ダミー層２４Ａ，２４Ｂがレジストから構成される場合には、ダミー層２４Ａ，２４Ｂの除去をアッシングという気化法により除去できる。
【０１０９】
次に、図１７に示すように、例えば、ＣＶＤ法を用いて、多孔質膜２６上に絶縁膜（例えば、酸化シリコン）２７を積み重ねる。
【０１１０】
絶縁膜２７は、多孔質膜２６と同じ材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。但し、絶縁膜２７は、多孔質膜２６よりも密度が高い材料から構成される。
【０１１１】
尚、絶縁膜２７は、絶縁体に限られず、導電体又は半導体を用いてもよい。
【０１１２】
以上の工程により、図１２及び図１３のＭＥＭＳ部品が完成する。
【０１１３】
d.  まとめ  
第２実施の形態によれば、可動部が配置される空洞は、多孔質膜とその上に形成される絶縁層により密閉される。これにより、第１実施の形態よりも工程数が減り、さらなる低コスト、高信頼性及び高歩留りのＭＥＭＳ部品を提供できる。
【０１１４】
(3)   第３実施の形態  
第３実施の形態は、第１及び第２実施の形態の改良例である。第３実施の形態では、第１及び第２実施の形態におけるＭＥＭＳ部品のたわみを抑制するために、ＭＥＭＳ部品の構造を補強する柱を空洞内に設ける。
【０１１５】
a.  構造  
図１８は、第３実施の形態に関わるＭＥＭＳ部品を示している。図１９は、図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う断面図である。
【０１１６】
この例は、第１実施の形態のＭＥＭＳ部品に対応する。
【０１１７】
半導体基板１０上には、絶縁層１１が配置される。絶縁層１１上には、絶縁層１２が配置される。絶縁層１２は、溝を有する。この溝は、絶縁層１３，１５により覆われる。絶縁層１３，１５は、開口２０を有する。
【０１１８】
絶縁層１５は、可動部(MOVING PART)として機能する。
【０１１９】
絶縁層１５上には、絶縁層１５を可動にするためのアクチュエータ２３が結合される。アクチュエータ２３については簡略化して記載しているが、アクチュエータ２３は、第１実施の形態と同様に、例えば、圧電タイプから構成できる。
【０１２０】
溝の底部における絶縁層１１上には、下部電極１４が配置され、可動部としての絶縁層１５上には、上部電極１６が配置される。
【０１２１】
可動部としての絶縁層１５の上部には、絶縁体から構成される膜１９が配置される。絶縁体から構成される膜１９は、開口２１を有するが、この開口２１は、絶縁体、導電体、半導体などからなる材料２２により塞がれる。絶縁体から構成される膜１９は、可動部の周囲に空洞(CAVITY)を形成する。
【０１２２】
空洞内の絶縁層１３上には、絶縁層１３と絶縁体から構成される膜１９とを結合する柱２８が配置される。柱２８の形状には特に制限されないが、例えば、角柱、円柱などの形状を採用することができる。
【０１２３】
本例では、空洞内には、４つの柱２８が配置される。これら柱２８は、例えば、図２２に示すように、互いの間隔（ピッチ）Ｘ，Ｙが５００μｍ以下となるように設定される。また、これら柱２８が角柱の場合には、その一辺の長さ（幅）は、４０μｍ以下に設定され、円柱の場合には、その直径（幅）は、４０μｍ以下に設定される。その主旨は、空洞内の構造を補強する点にある。
【０１２４】
具体的には、初期状態における下部電極１４と上部電極１６との距離が１μｍに設定され、かつ、柱２８の幅が４０μｍ以下に設定される場合、たわみによる両電極の距離のばらつきを２０％(200nm)以内に抑えるためには、柱２８の間隔Ｘ，Ｙを５００μｍ以下にする必要がある。
【０１２５】
絶縁体から構成される膜１９上には、絶縁膜２５が積み重ねられる。絶縁膜２５は、絶縁体に限られず、導電体又は半導体を用いてもよい。
【０１２６】
このような構造によれば、柱２８により空洞内の構造を補強し、ＭＥＭＳ部品のたわみを抑制しているため、さらに、高信頼性及び高歩留りのＭＥＭＳ部品を提供できる。
【０１２７】
図２０は、第３実施の形態に関わるＭＥＭＳ部品を示している。図２１は、図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図である。
【０１２８】
この例は、第２実施の形態のＭＥＭＳ部品に対応する。
【０１２９】
半導体基板１０上には、絶縁層１１が配置される。絶縁層１１上には、絶縁層１２が配置される。絶縁層１２は、溝を有する。この溝は、絶縁層１３，１５により覆われる。絶縁層１３，１５は、開口２０を有する。
【０１３０】
絶縁層１５は、可動部(MOVING PART)として機能する。ここで、可動部を可動にするアクチュエータのタイプについては重要ではないため、第２実施の形態と同様に、アクチュエータは省略している。
【０１３１】
溝の底部における絶縁層１１上には、下部電極１４が配置され、可動部としての絶縁層１５上には、上部電極１６が配置される。
【０１３２】
可動部としての絶縁層１５の上部には、多孔質膜２６が配置される。多孔質膜２６は、絶縁体、導電体又は半導体から構成される。多孔質膜２６は、可動部の周囲に空洞(CAVITY)を形成する。
【０１３３】
空洞内の絶縁層１３上には、絶縁層１３と多孔質膜２６とを結合する柱２８が配置される。柱２８の形状には特に制限されないが、例えば、角柱、円柱などの形状を採用することができる。
【０１３４】
本例においても、空洞内には、４つの柱２８が配置される。これら柱２８は、例えば、図２２に示すように、互いの間隔（ピッチ）Ｘ，Ｙが５００μｍ以下となるように設定される。また、これら柱２８が角柱の場合には、その一辺の長さ（幅）は、４０μｍ以下に設定され、円柱の場合には、その直径（幅）は、４０μｍ以下に設定される。その主旨は、図１８及び図１９の例で説明したように、空洞内の構造を補強する点にある。
【０１３５】
多孔質膜２６上には、多孔質膜２６よりも密度が高い絶縁膜２７が積み重ねられる。絶縁膜２７は、絶縁体に限られず、導電体又は半導体を用いてもよい。
【０１３６】
このような構造によれば、柱２８により空洞内の構造を補強し、ＭＥＭＳ部品のたわみを抑制しているため、さらに、高信頼性及び高歩留りのＭＥＭＳ部品を提供できる。
【０１３７】
b.  材料、サイズなど  
図１８乃至図２１のＭＥＭＳ部品に使用する材料、サイズなどについては、第１乃至第３実施の形態で説明した材料、サイズなどをそのまま適用できる。
【０１３８】
c.  製造方法  
図２０及び図２１のＭＥＭＳ部品の製造方法を説明する。
【０１３９】
まず、図２３に示すように、熱酸化法を用いて、半導体基板１０上に厚さ約１．３μｍの絶縁層（例えば、酸化シリコン）１１を形成する。また、ＣＶＤ法を用いて、絶縁層１１上に厚さ約１μｍの絶縁層（例えば、酸化シリコン）１２を形成する。
【０１４０】
また、ＰＥＰにより、絶縁層１２に溝を形成する。絶縁層１１，１２上に導電層１４を形成し、かつ、ＰＥＰにより導電層１４をパターニングし、これを下部電極とする。
【０１４１】
次に、絶縁層１２に形成された溝を完全に満たすダミー層２４Ａを形成する。ダミー層２４Ａとしては、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどのシリコン材料、SiO2, SiNなどの絶縁材料、Ti, TiN, Al, Cu, Ni, Co, Au などの金属材料、ポリイミド、カーボン、レジストなどの有機材料、さらには、低誘電率を持ついわゆるlow-k材料のグループから選択して使用できる。
【０１４２】
次に、ＣＶＤ法を用いて、絶縁層１２上及びダミー層２４Ａ上に厚さ約１００ｎｍの絶縁層（例えば、酸化シリコン）１３，１５を形成する。ここで、ダミー層２４Ａの表面が平坦化されているため、絶縁層１３，１５の表面も平坦である。
【０１４３】
そして、ＰＥＰを用いて絶縁層１３，１５に開口２０を形成し、さらに、絶縁層１５上に、例えば、圧電素子からなるアクチュエータを形成する。
【０１４４】
また、絶縁層１５上に導電層１６を形成し、かつ、ＰＥＰにより導電層１６をパターニングし、これを上部電極とする。
【０１４５】
次に、図２４に示すように、絶縁層１３上に、例えば、絶縁体から構成される柱２８を形成する。柱２８は、絶縁体に代えて、導電体又は半導体から構成するようにしてもよい。
【０１４６】
柱２８は、例えば、ＣＶＤなどの堆積方法、フォトリソグラフィなどのマスク作成方法や、ＲＩＥなどのエッチング方法を利用することにより形成する。
【０１４７】
次に、図２５に示すように、絶縁層１５を覆うダミー層２４Ｂを形成する。ダミー層２４Ａ，２４Ｂは、同じ材料、又は、同じエッチャントを用いて除去できる材料から構成されることが好ましい。
【０１４８】
ダミー層２４Ｂとしては、ダミー層２４Ａと同様に、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどのシリコン材料、SiO2, SiNなどの絶縁材料、Ti, TiN, Al, Cu, Ni, Co, Au などの金属材料、ポリイミド、カーボン、レジストなどの有機材料、さらには、低誘電率を持ついわゆるlow-k材料のグループから選択して使用できる。
【０１４９】
ダミー層２４Ｂは、絶縁層１５を覆う形状に加工された時点では、その断面形状及び平面形状が四角形となっている。
【０１５０】
そこで、この後、例えば、アニールを行うことにより、ダミー層２４Ｂを流動化させ、表面張力により、ダミー層２４Ｂの表面を曲面にする。この時、ダミー層２４Ｂの平面形状としては、四角形のままであってもよいし、円形又は楕円形であってもよい。
【０１５１】
そして、ダミー層２４Ｂ上に多孔質膜２６を形成する。
【０１５２】
この後、反応ガスなどを用いてダミー層２４Ａ，２４Ｂを除去すると、図２６に示すように、可動部(MOVING PART)としての絶縁層１５の周囲には空洞(CAVITY)が形成される。
【０１５３】
尚、ダミー層２４Ａ，２４Ｂがレジストから構成される場合には、ダミー層２４Ａ，２４Ｂの除去をアッシングという気化法により除去できる。
【０１５４】
次に、図２７に示すように、例えば、ＣＶＤ法を用いて、多孔質膜２６上に絶縁膜（例えば、酸化シリコン）２７を積み重ねる。
【０１５５】
絶縁膜２７は、多孔質膜２６と同じ材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。但し、絶縁膜２７は、多孔質膜２６よりも密度が高い材料から構成される。
【０１５６】
尚、絶縁膜２７は、絶縁体に限られず、導電体又は半導体を用いてもよい。
【０１５７】
以上の工程により、図２０及び図２１のＭＥＭＳ部品が完成する。
【０１５８】
d.  まとめ  
第３実施の形態によれば、ＭＥＭＳ部品のたわみを抑制するために、ＭＥＭＳ部品の構造を補強する柱を空洞内に設けている。これにより、高信頼性及び高歩留りのＭＥＭＳ部品の提供できる。
【０１５９】
４．  変形例  
次に、上述の第１乃至第３実施の形態に関わるＭＥＭＳ部品の変形例について説明する。この変形例の特徴は、空洞の上部に配置される膜の表面が、曲面ではなく、半導体基板の表面に平行な平面となっている点にある。
【０１６０】
図２８及び図２９のＭＥＭＳ部品は、第１実施の形態としての図１１に示すＭＥＭＳ部品の変形例に相当する。
【０１６１】
絶縁層１３上には、絶縁層１９’が配置され、絶縁層１９’上には、空洞(CAVITY)を覆う絶縁体から構成される膜１９が配置される。この膜１９の表面は、半導体基板１０の表面に平行な平面となっている。絶縁体から構成される膜１９は、開口２１を有するが、この開口２１は、絶縁体、導電体、半導体などの材料２２により塞がれる。
【０１６２】
絶縁体から構成される膜１９上には、絶縁膜２５が配置される。
【０１６３】
絶縁膜２５は、絶縁体から構成される膜１９と同じ材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。また、絶縁膜２５は、絶縁体から構成される膜１９よりも密度が高い材料から構成されるのが好ましい。
【０１６４】
絶縁体から構成される膜１９に関しては、これに代えて、導電体又は半導体を用いてもよい。
【０１６５】
図３０及び図３１のＭＥＭＳ部品は、第２実施の形態としての図１２及び図１３に示すＭＥＭＳ部品の変形例に相当する。
【０１６６】
絶縁層１３上には、絶縁層２６’が配置され、絶縁層２６’上には、空洞(CAVITY)を覆う多孔質膜２６が配置される。多孔質膜２６の表面は、半導体基板１０の表面に平行な平面となっている。
【０１６７】
多孔質膜２６上には、絶縁膜２７が積み重ねられる。
【０１６８】
絶縁膜２７は、多孔質膜２６と同じ材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。但し、絶縁膜２７は、多孔質膜２６よりも密度が高い材料から構成される。
【０１６９】
多孔質膜２６は、絶縁体、導電体、半導体などの材料から構成できる。
【０１７０】
図３２及び図３３のＭＥＭＳ部品は、第３実施の形態としての図１８及び図１９に示すＭＥＭＳ部品の変形例に相当する。
【０１７１】
絶縁層１３上には、絶縁層１９’が配置されると共に、空洞(CAVITY)内の構造を補強する柱２８が配置される。絶縁層１９’上及び柱２８上には、絶縁体から構成される膜１９が配置される。この膜１９の表面は、半導体基板１０の表面に平行な平面となっている。絶縁体から構成される膜１９は、開口２１を有するが、この開口２１は、絶縁体、導電体、半導体などの材料２２により塞がれる。
【０１７２】
絶縁体から構成される膜１９上には、絶縁膜２５が積み重ねられる。
【０１７３】
絶縁膜２５は、絶縁体から構成される膜１９と同じ材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。また、絶縁膜２５は、絶縁体から構成される膜１９よりも密度が高い材料から構成されるのが好ましい。
【０１７４】
尚、絶縁体から構成される膜１９に関しては、これに代えて、導電体又は半導体を用いてもよい。
【０１７５】
図３４及び図３５のＭＥＭＳ部品は、第３実施の形態としての図２０及び図２１に示すＭＥＭＳ部品の変形例に相当する。
【０１７６】
絶縁層１３上には、絶縁層２６’が配置されると共に、空洞(CAVITY)内の構造を補強する柱２８が配置される。絶縁層２６’上及び柱２８上には、多孔質膜２６が配置される。多孔質膜２６の表面は、半導体基板１０の表面に平行な平面となっている。
【０１７７】
多孔質膜２６上には、絶縁膜２７が積み重ねられる。
【０１７８】
絶縁膜２７は、多孔質膜２６と同じ材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。但し、絶縁膜２７は、多孔質膜２６よりも密度が高い材料から構成される。
【０１７９】
多孔質膜２６は、絶縁体、導電体、半導体などの材料から構成できる。
【０１８０】
このような変形例においても、第１乃至第３実施の形態と同様に、高信頼性、高歩留り、低コストという効果を得ることができる。
【０１８１】
５．  開口の塞ぎ方の例  
第１実施の形態では、空洞を覆う膜に開口が設けられ、この開口は、絶縁体、導電体、半導体などの材料により塞がれる。ここで、ＣＶＤやスパッタなどの方法で塞ぐ場合、膜の一部が堆積物として空洞内に蓄積され、ＭＥＭＳ部品の動作に影響を与える可能性がある。
【０１８２】
そこで、ここでは、開口を塞ぐに当たって、空洞内に余分な堆積物が蓄積しないような方法を提案する。
【０１８３】
(1)   構造  
図３６は、本発明の例に関わる方法が適用されるＭＥＭＳ部品を示している。
【０１８４】
半導体基板１０上には、絶縁層１１が配置される。絶縁層１１上には、絶縁層１２が配置される。絶縁層１２は、溝を有する。この溝は、絶縁層１３，１５により覆われる。絶縁層１３，１５は、開口２０を有する。
【０１８５】
絶縁層１５は、可動部(MOVING PART)として機能する。
【０１８６】
絶縁層１５上には、絶縁層１５を可動にするためのアクチュエータが結合されるが、ここでは、アクチュエータの詳細については省略する。
【０１８７】
溝の底部における絶縁層１１上には、下部電極１４が配置され、可動部としての絶縁層１５上には、上部電極１６が配置される。
【０１８８】
可動部としての絶縁層１５の上部には、絶縁体から構成される膜１９が配置される。絶縁体から構成される膜１９は、開口２１を有するが、この開口２１は、絶縁体、導電体、半導体などの材料２９Ｂにより塞がれる。絶縁体から構成される膜１９は、可動部の周囲を空洞(CAVITY)にする。
【０１８９】
(2)   製造方法  
a.  第１例  
まず、図３７に示すように、熱酸化法を用いて、半導体基板１０上に絶縁層（例えば、酸化シリコン）１１を形成する。また、ＣＶＤ法を用いて、絶縁層１１上に絶縁層（例えば、酸化シリコン）１２を形成する。
【０１９０】
また、ＰＥＰにより、絶縁層１２に溝を形成する。絶縁層１１，１２上に導電層１４を形成し、かつ、ＰＥＰにより導電層１４をパターニングし、これを下部電極とする。
【０１９１】
次に、絶縁層１２に形成された溝を完全に満たすダミー層２４Ａを形成する。ダミー層２４Ａとしては、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどのシリコン材料、SiO2, SiNなどの絶縁材料、Ti, TiN, Al, Cu, Ni, Co, Au などの金属材料、ポリイミド、カーボン、レジストなどの有機材料、さらには、低誘電率を持ついわゆるlow-k材料のグループから選択して使用できる。
【０１９２】
次に、ＣＶＤ法を用いて、絶縁層１２上及びダミー層２４Ａ上に絶縁層（例えば、酸化シリコン）１３，１５を形成する。ここで、ダミー層２４Ａの表面が平坦化されているため、絶縁層１３，１５の表面も平坦である。
【０１９３】
そして、ＰＥＰを用いて絶縁層１３，１５に開口２０を形成し、さらに、絶縁層１５上に、例えば、圧電素子からなるアクチュエータを形成する。
【０１９４】
また、絶縁層１５上に導電層１６を形成し、かつ、ＰＥＰにより導電層１６をパターニングし、これを上部電極とする。
【０１９５】
次に、図３８に示すように、開口２０の周囲に、選択成長の種となるシード層２９Ａを形成する。シード層２９Ａは、開口２０の周囲に部分的に設けてもよいし、開口２０を取り囲むようにリング状に形成してもよい。また、シード層２９Ａは、開口２０の一辺に沿ってライン状に形成してもよい。
【０１９６】
シード層２９Ａは、例えば、Si, SiGe などの材料から構成される。
【０１９７】
尚、上部電極１６、開口２０及びシード層２９Ａを形成する順序は、適宜、入れ替えることが可能である。
【０１９８】
次に、図３９に示すように、反応ガス、薬液などを用いて、図３８のダミー層２４Ａを除去すると、空洞(CAVITY)が形成される。
【０１９９】
ここで、図３８のダミー層２４Ａがレジストから構成される場合には、ダミー層２４Ａの除去をアッシングという酸素ガスを用いた気化法により除去できる。この場合、ダミー層２４Ａを除去した後には、図３９に示すように、シード層２９Ａの表面には酸化層３０Ａが形成される。
【０２００】
従って、次の工程に移る前にこの酸化層３０Ａを除去する。
【０２０１】
次に、図４０に示すように、選択成長法によりシード層２９Ａを成長させ、絶縁層１３，１５に設けられた開口２０を塞ぐ。
【０２０２】
次に、図４１に示すように、絶縁層１５及びシード層２９Ａを覆うダミー層２４Ｂを形成する。ダミー層２４Ｂは、例えば、図３７のダミー層２４Ａと同じ材料から構成される。
【０２０３】
ダミー層２４Ｂとしては、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどのシリコン材料、SiO2, SiNなどの絶縁材料、Ti, TiN, Al, Cu, Ni, Co, Au などの金属材料、ポリイミド、カーボン、レジストなどの有機材料、さらには、低誘電率を持ついわゆるlow-k材料のグループから選択して使用できる。
【０２０４】
ダミー層２４Ｂは、絶縁層１５を覆う形状に加工された時点では、その断面形状及び平面形状が四角形となっている。
【０２０５】
本例では、この後、例えば、アニールを行うことにより、ダミー層２４Ｂを流動化させ、表面張力により、ダミー層２４Ｂの表面を曲面にする。この時、ダミー層２４Ｂの平面形状としては、四角形のままであってもよいし、円形又は楕円形であってもよい。
【０２０６】
そして、ダミー層２４Ｂ上に絶縁体から構成される膜（例えば、酸化シリコン）１９を形成する。絶縁体から構成される膜１９に関し、この膜１９は、絶縁体に代えて、導電体又は半導体から構成することもできる。
【０２０７】
次に、図４２に示すように、ＰＥＰを用いて、絶縁体から構成される膜１９に開口２１を形成する。開口２１の数は、単数でも、又は、複数でも、どちらでもよい。また、開口２１の位置は、後に行われる開口２１を塞ぐ工程を考慮し、開口２０とはオーバーラップしない位置に設けられる。
【０２０８】
この後、開口２１の周囲に、選択成長の種となるシード層２９Ｂを形成する。シード層２９Ｂは、開口２１の周囲に部分的に設けてもよいし、開口２１を取り囲むようにリング状に形成してもよい。また、シード層２９Ｂは、開口２１の一辺に沿ってライン状に形成してもよい。
【０２０９】
シード層２９Ｂは、例えば、Si, SiGe などの材料から構成される。
【０２１０】
次に、図４３に示すように、薬液、反応ガスなどを用いて、図４２のダミー層２４Ｂを除去すると、可動部(MOVING PART)としての絶縁層１５の周囲に空洞(CAVITY)が形成される。
【０２１１】
尚、ダミー層２４Ｂがレジストから構成される場合には、ダミー層２４Ｂの除去をアッシングという気化法により除去できる。この場合、ダミー層２４Ｂを除去した後には、シード層２９Ｂの表面には酸化層３０Ｂが形成される。
【０２１２】
従って、次の工程に移る前にこの酸化層３０Ｂを除去する。
【０２１３】
また、開口２０を塞いでいる空洞内のシード層２９Ａについても除去する。これにより、可動部が可動な状態となる。
【０２１４】
次に、図４４に示すように、選択成長法によりシード層２９Ｂを成長させ、膜１９に設けられた開口２１を塞ぐ。
【０２１５】
以上の工程により、図３６のＭＥＭＳ部品が完成する。
【０２１６】
このような方法によれば、開口２０，２１を塞ぐに当たって、空洞内に余分な堆積物が蓄積しないため、高歩留りを実現できる。
【０２１７】
b.  第２例  
まず、図４５に示すように、熱酸化法を用いて、半導体基板１０上に絶縁層（例えば、酸化シリコン）１１を形成する。また、ＣＶＤ法を用いて、絶縁層１１上に絶縁層（例えば、酸化シリコン）１２を形成する。
【０２１８】
また、ＰＥＰにより、絶縁層１２に溝を形成する。絶縁層１１，１２上に導電層１４を形成し、かつ、ＰＥＰにより導電層１４をパターニングし、これを下部電極とする。
【０２１９】
次に、絶縁層１２に形成された溝を完全に満たすダミー層２４Ａを形成する。ダミー層２４Ａとしては、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどのシリコン材料、SiO2, SiNなどの絶縁材料、Ti, TiN, Al, Cu, Ni, Co, Au などの金属材料、ポリイミド、カーボン、レジストなどの有機材料、さらには、低誘電率を持ついわゆるlow-k材料のグループから選択して使用できる。
【０２２０】
次に、ＣＶＤ法を用いて、絶縁層１２上及びダミー層２４Ａ上に絶縁層（例えば、酸化シリコン）１３，１５を形成する。ここで、ダミー層２４Ａの表面が平坦化されているため、絶縁層１３，１５の表面も平坦である。
【０２２１】
そして、ＰＥＰを用いて絶縁層１３，１５に開口２０を形成し、さらに、絶縁層１５上に、例えば、圧電素子からなるアクチュエータを形成する。
【０２２２】
次に、図４６に示すように、反応ガス、薬液などを用いて、図４５のダミー層２４Ａを除去すると、空洞(CAVITY)が形成される。
【０２２３】
ここで、第１例と同様に、図４５のダミー層２４Ａがレジストから構成される場合には、ダミー層２４Ａの除去をアッシングという酸素ガスを用いた気化法により除去できる。
【０２２４】
次に、図４７に示すように、可動部としての絶縁層１５上に導電層１６を形成し、かつ、ＰＥＰにより導電層１６をパターニングし、これを上部電極とする。
【０２２５】
また、開口２０を周囲に、選択成長の種となるシード層２９Ａを形成する。シード層２９Ａは、開口２０の周囲に部分的に設けてもよいし、開口２０を取り囲むようにリング状に形成してもよい。また、シード層２９Ａは、開口２０の一辺に沿ってライン状に形成してもよい。
【０２２６】
シード層２９Ａは、例えば、Si, SiGe などの材料から構成される。
【０２２７】
尚、上部電極１６及びシード層２９Ａを形成する順序は、適宜、入れ替えることが可能である。
【０２２８】
次に、図４８に示すように、選択成長法によりシード層２９Ａを成長させ、絶縁層１３，１５に設けられた開口２０を塞ぐ。
【０２２９】
次に、図４９に示すように、絶縁層１５及びシード層２９Ａを覆うダミー層２４Ｂを形成する。ダミー層２４Ｂは、例えば、図４５のダミー層２４Ａと同じ材料から構成される。
【０２３０】
ダミー層２４Ｂとしては、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどのシリコン材料、SiO2, SiNなどの絶縁材料、Ti, TiN, Al, Cu, Ni, Co, Au などの金属材料、ポリイミド、カーボン、レジストなどの有機材料、さらには、低誘電率を持ついわゆるlow-k材料のグループから選択して使用できる。
【０２３１】
ダミー層２４Ｂは、第１例と同様に、絶縁層１５を覆う形状に加工された時点では、その断面形状及び平面形状が四角形となっている。
【０２３２】
そこで、第１例のように、この後、例えば、アニールを行って、ダミー層２４Ｂを流動化させ、表面張力によりダミー層２４Ｂの表面を曲面にする。この時、ダミー層２４Ｂの平面形状としては、四角形のままであってもよいし、円形又は楕円形であってもよい。
【０２３３】
そして、ダミー層２４Ｂ上に絶縁体から構成される膜（例えば、酸化シリコン）１９を形成する。絶縁体から構成される膜１９に関し、この膜１９は、絶縁体に代えて、導電体又は半導体から構成することもできる。
【０２３４】
また、ＰＥＰを用いて、絶縁体から構成される膜１９に開口２１を形成する。開口２１の数は、単数でも、又は、複数でも、どちらでもよい。また、開口２１の位置は、後に行われる開口２１を塞ぐ工程を考慮し、開口２０とはオーバーラップしない位置に設けられる。
【０２３５】
次に、図５０に示すように、薬液、反応ガスなどを用いて、図４９のダミー層２４Ｂを除去すると、可動部(MOVING PART)としての絶縁層１５の周囲に空洞(CAVITY)が形成される。
【０２３６】
尚、ダミー層２４Ｂがレジストから構成される場合には、ダミー層２４Ｂの除去をアッシングという気化法により除去できる。
【０２３７】
また、開口２０を塞いでいる空洞内のシード層２９Ａについても除去する。これにより、可動部が可動な状態となる。
【０２３８】
次に、図５１に示すように、開口２１の周囲に、選択成長の種となるシード層２９Ｂを形成する。シード層２９Ｂは、開口２１の周囲に部分的に設けてもよいし、開口２１を取り囲むようにリング状に形成してもよい。また、シード層２９Ｂは、開口２１の一辺に沿ってライン状に形成してもよい。
【０２３９】
シード層２９Ｂは、例えば、Si, SiGe などの材料から構成される。
【０２４０】
次に、図５２に示すように、選択成長法によりシード層２９Ｂを成長させ、膜１９に設けられた開口２１を塞ぐ。
【０２４１】
以上の工程により、図３６のＭＥＭＳ部品が完成する。
【０２４２】
このような方法においても、開口２０，２１を塞ぐに当たって、空洞内に余分な堆積物が蓄積しないため、高歩留りを実現できる。
【０２４３】
６．  適用例  
本発明の例の適用例について説明する。
【０２４４】
(1)   圧電タイプ可変容量  
a.  構造  
図５３及び図５４は、本発明の例が適用された圧電タイプ可変容量を示している。
【０２４５】
半導体基板１０上には、絶縁層１１が形成される。絶縁層１１上には、溝を有する絶縁層１２が形成される。絶縁層１１上及び絶縁層１２に形成された溝内には、下部電極１４が形成される。下部電極１４は、絶縁層２９Ａに覆われる。
【０２４６】
絶縁層２９Ａ上には、溝の上部を覆う絶縁層３０Ａが形成される。絶縁層３０Ａには、開口２０が設けられている。
【０２４７】
溝上の絶縁層３０Ａ上には、アクチュエータとしての圧電素子が形成される。圧電素子は、例えば、第１電極１７Ａと、第１電極１７Ａ上の圧電層１８Ａと、圧電層１８Ａ上の第２電極１９Ａとから構成される。第１電極１７Ａ及び第２電極１９Ａは、例えば、可変容量の入力端子として機能する。
【０２４８】
絶縁層３０Ａ上には、圧電素子を覆う絶縁層１３が形成される。絶縁層１３には、第１及び第２電極１７Ａ，１９Ａに達するコンタクトホールが設けられ、絶縁層１３上には、これらコンタクトホールを介して第１及び第２電極１７Ａ，１９Ａに接続される導電層３１，３２が形成される。
【０２４９】
また、絶縁層１３には、絶縁層３０Ａに達するコンタクトホールが設けられ、絶縁層１３上には、このコンタクトホールを満たす上部電極１６が形成される。上部電極１６は、例えば、可変容量の出力端子として機能する。
【０２５０】
さらに、絶縁層１３，２９Ａ，３０Ａには、下部電極１４に達するコンタクトホールが設けられ、絶縁層１３上には、このコンタクトホールを介して下部電極１４に接続される導電層３３が形成される。
【０２５１】
絶縁層１３上には、例えば、絶縁体から構成され、可動部を完全に覆い、可動部の周囲を空洞(CAVITY)にする膜１９が形成される。この膜１９の表面は、曲面を有する。また、この膜１９には、開口２１が設けられ、開口２１は、絶縁体、導電体、半導体などからなる材料２２により塞がれる。
【０２５２】
また、可動部を覆う膜１９上には、絶縁膜２５が積み重ねられる。絶縁膜２５は、膜１９よりも密度が高い材料から構成されるのが好ましい。
【０２５３】
ここで、例えば、導電層３２，３３を接地電位に固定し、導電層３１に入力信号Ｖｉｎを与えると、入力信号Ｖｉｎに応じて圧電素子が変形し、下部電極１４と上部電極１６との間の距離が変わる。つまり、下部電極１４と上部電極１６との間の容量Ｃが入力信号Ｖｉｎに応じて変わることになるため、圧電タイプ可変容量を実現できる。
【０２５４】
b.  材料、サイズなど  
第１乃至第３実施の形態で既に説明したため、ここでは、圧電素子の材料、サイズなどの例について説明する。
【０２５５】
圧電素子の圧電層１８Ａとしては、例えば、PZT (Pb(Zr,Ti)O3), AlN, ZnO, PbTiO, BTO(BaTiO3)などのセラミックや、PVDF (ポリフッ化ビニリデン)などの高分子材料などから選択できる。
【０２５６】
圧電素子の第１及び第２電極１７Ａ，１９Ａとしては、例えば、以下の材料から構成できる。  
・  Pt, Sr, Ru, Cr, Mo, W, Ti, Ta, Al, Cu, Ni などの金属、又は、これら金属のうちの少なくとも１つを含む合金  
・  上記a. の窒化物、酸化物(ex. SrRuO)、又は、化合物  
・  上記a.及びb.から選択された複数の材料の積層
第１及び第２電極１７Ａ，１９Ａは、互いに同じ構造又は同じ材料から構成されていてもよいし、また、互いに異なる構造又は異なる材料から構成されていてもよい。
【０２５７】
圧電素子の厚さは、できるだけ薄く、例えば、０．２ｎｍ以下に設定される。圧電素子の平面形状については、特に制限されない。例えば、正方形、長方形、円形、多角形などを採用することができる。
【０２５８】
絶縁層２９Ａ，３０Ａは、例えば、窒化シリコン、酸化シリコンなどの絶縁体から構成される。
【０２５９】
絶縁層１２の厚さは、空洞の大きさ、即ち、可動部の可動範囲を決定する。絶縁層１２の厚さは、例えば、６００ｎｍ以上に設定される。
【０２６０】
導電層３１，３２，３３は、例えば、上部電極１６と同じ構造を有し、かつ、上部電極１６と同じ材料から構成される。
【０２６１】
c.  動作  
図５３及び図５４の可変容量の動作について説明する。
【０２６２】
この可変容量を動作させるに当たっては、半導体基板１１は、例えば、接地電位に固定しておくことが好ましい。
【０２６３】
可動部としての圧電素子に電圧が加わっていない初期状態、即ち、入力信号Ｖｉｎが０Ｖのときは、圧電素子に電圧が印加されないため、下部電極１４と上部電極１６との距離は最も離れた状態にある。このときの容量Ｃを、Ｃｍｉｎとする。
【０２６４】
入力信号Ｖｉｎを、例えば、０Ｖ以上の値に上げると、その値に応じて圧電素子の変形量が増え、下部電極１４と上部電極１６との距離が次第に近づく。下部電極１４及び上部電極１６間の容量Ｃは、両者の距離に反比例するため、入力信号Ｖｉｎの増加に応じて容量Ｃも次第に増加する。
【０２６５】
例えば、入力信号Ｖｉｎが０Ｖのときの容量Ｃｍｉｎを０．０８ｐＦ程度とすると、入力信号Ｖｉｎを３Ｖ（最大値）にしたときの容量Ｃｍａｘは１３ｐＦ程度になる。但し、上部電極１６は、直径１００μｍの円形とし、初期状態における下部電極１４と上部電極１６との距離を１μｍとする。
【０２６６】
尚、低電圧化を図るため、入力信号Ｖｉｎの最大値は、３Ｖ以下にすることが好ましく、また、このときの容量比（Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ）は、−４５℃〜１２５℃の動作条件において２０以上あることが好ましい。
【０２６７】
d.  製造方法  
図５３及び図５４の可変容量の製造方法について説明する。
【０２６８】
まず、図５５に示すように、熱酸化法を用いて、半導体基板１０上に厚さ約１．３μｍの絶縁層（例えば、酸化シリコン）１１を形成する。また、ＣＶＤ法を用いて、絶縁層１１上に厚さ約１μｍの絶縁層（例えば、酸化シリコン）１２を形成する。
【０２６９】
次に、ＰＥＰにより、絶縁層１２に溝を形成する。即ち、絶縁層１２上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにＲＩＥにより絶縁層１２をエッチングする。この後、レジストパターンは除去される。
【０２７０】
次に、絶縁層１２上及び溝内に導電層１４を形成し、かつ、ＰＥＰにより、導電層１４をパターニングし、これを下部電極とする。また、ＣＶＤ法を用いて、下部電極１４を覆う厚さ約５０ｎｍの絶縁層（例えば、窒化シリコン）２９Ａを形成する。
【０２７１】
また、ＣＶＤ法を用いて、絶縁層２９Ａ上に溝を完全に満たすダミー層（例えば、ポリシリコン）２４Ａを形成する。この後、ＣＭＰによりダミー層２４Ａを研磨し、ダミー層２４Ａを溝内のみに残存させると共に、その表面を平坦化する。
【０２７２】
そして、ＣＶＤ法を用いて、絶縁層２９Ａ上及びダミー層２４Ａ上に厚さ約５０ｎｍの絶縁層（例えば、窒化シリコン）３０Ａを形成する。ここで、ダミー層２４Ａの表面が平坦化されているため、絶縁層３０Ａの表面も平坦である。
【０２７３】
次に、図５６に示すように、絶縁層３０Ａ上にアクチュエータとしての圧電素子を形成する。圧電素子は、例えば、第１電極１７Ａ、圧電層１８Ａ及び第２電極１９Ａを順次堆積した後、これらをパターニングすることにより形成される。
【０２７４】
尚、圧電素子は、平坦な絶縁層３０Ａ上に形成されることで、その特性のばらつきを少なくすることができるため、ＭＥＭＳ部品としての可変容量の信頼性の向上に貢献できる。
【０２７５】
次に、ＣＶＤ法を用いて、絶縁層３０Ａ上に、圧電素子を完全に覆う厚さ約１００ｎｍの絶縁層（例えば、酸化シリコン）１３，１５を形成する。
【０２７６】
また、絶縁層１３，１５に、圧電素子の第１電極１７Ａに達するコンタクトホール、圧電素子の第２電極１９Ａに達するコンタクトホール、及び、絶縁層３０Ａに達するコンタクトホールをそれぞれ形成する。また、絶縁層１３，１５，２９Ａ，３０Ａに、絶縁層１２上の下部電極１４に達するコンタクトホールを形成する。これらのコンタクトホールは、１回のＰＥＰとＲＩＥにより同時に形成される。
【０２７７】
また、空洞を形成するためのホール２０を絶縁層１３，１５，３０Ａに形成する。このホール２０も、例えば、第１及び第２電極１７Ａ，１９Ａに達するコンタクトホールを含むコンタクトホールと同時に形成できる。
【０２７８】
ホール２０は、例えば、溝の端部に１ヶ所だけ設けられていても、また、複数ヶ所に設けられていても、どちらでもよい。ホール２０の形状は、特に制限されず、円、楕円、四角形、多角形などを採用することができる。
【０２７９】
次に、図５７に示すように、可動部を覆うダミー層２４Ｂを形成する。ダミー層２４Ｂは、図５６に示す工程でダミー層２４Ａを除去しない場合には、ダミー層２４Ａと同じ材料、又は、ダミー層２４Ａと同じエッチャントを用いて除去できる材料から構成されることが好ましい。
【０２８０】
図５６に示す工程でダミー層２４Ａが除去される場合には、ダミー層２４Ｂは、ダミー層２４Ａに代わり、絶縁層１２の溝内にも満たされる。
【０２８１】
ダミー層２４Ｂとしては、ダミー層２４Ａと同様に、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどのシリコン材料、SiO2, SiNなどの絶縁材料、Ti, TiN, Al, Cu, Ni, Co, Au などの金属材料、ポリイミド、カーボン、レジストなどの有機材料、さらには、低誘電率を持ついわゆるlow-k材料のグループから選択して使用できる。
【０２８２】
ダミー層２４Ｂは、可動部を覆う形状に加工された時点では、その断面形状及び平面形状が四角形となっている。
【０２８３】
本例では、この後、例えば、アニールを行うことにより、ダミー層２４Ｂを流動化させ、表面張力により、ダミー層２４Ｂの表面を曲面にする。この時、ダミー層２４Ｂの平面形状としては、四角形のままであってもよいし、円形又は楕円形であってもよい。
【０２８４】
次に、図５８に示すように、ダミー層２４Ｂ上に絶縁体から構成される膜（例えば、酸化シリコン）１９を形成する。絶縁体から構成される膜１９に関し、この膜１９は、絶縁体に代えて、導電体又は半導体から構成することもできる。
【０２８５】
また、ＰＥＰを用いて、絶縁体から構成される膜１９に開口２１を形成する。開口２１の数は、単数でも、又は、複数でも、どちらでもよい。また、開口２１の位置は、後に行われる開口２１を塞ぐ工程を考慮し、可動部からなるべく離れた位置に設けられる。
【０２８６】
この後、薬液、反応ガスなどを用いてダミー層２４Ａ，２４Ｂを除去すると、図５９に示すように、可動部の周囲に空洞(CAVITY)が形成される。
【０２８７】
尚、ダミー層２４Ａ，２４Ｂがレジストから構成される場合には、ダミー層２４Ａ，２４Ｂの除去をアッシングという気化法により除去できる。
【０２８８】
次に、図５９に示すように、ＣＶＤ法又はスパッタ法などの方法を用いて、絶縁体から構成される膜１９に設けられた開口２１を、例えば、絶縁体、導電体、半導体などからなる材料２２により塞ぎ、空洞を密閉する。
【０２８９】
また、開口２１を塞ぐための材料２２をプラズマＣＶＤなどのプラズマを使用する方法により形成する場合、シーム(seam)が形成されることがある。この場合、そのシームから水が浸入するおそれがあるため、例えば、図６０に示すように、ＣＶＤ法により、絶縁体から構成される膜１９上に絶縁膜（例えば、酸化シリコン）２５を形成する。
【０２９０】
絶縁膜２５は、絶縁体から構成される膜１９と同じ材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。また、絶縁膜２５は、絶縁体から構成される膜１９よりも密度が高い材料から構成されるのが好ましい。
【０２９１】
尚、絶縁膜２５は、絶縁体に限られず、導電体又は半導体を用いてもよい。
【０２９２】
以上の工程により図５３及び図５４の可変容量が完成する。
【０２９３】
e.  まとめ  
以上、説明したように、本発明の例を可変容量に適用することにより、ＭＥＭＳ部品としての可変容量の信頼性及び歩留りの向上と製造コストの低下とを同時に実現できる。
【０２９４】
(2)   その他  
本発明の例は、ＭＥＭＳ部品全般、例えば、上述の可変容量に加えて、スイッチ、加速度センサ、圧力センサ、ＲＦフィルタ、ジャイロスコープ、ミラーデバイスなどに適用することにより、これらＭＥＭＳ部品の性能の向上と製造コストの低下とを同時に実現することができる。
【０２９５】
また、本発明の例は、１チップ内にＭＥＭＳ部品のみが形成されるディスクリート製品に適用できる他、例えば、１チップ内にＭＥＭＳ部品とＬＳＩ（ロジック回路、メモリ回路など）とを混載したシステムＬＳＩに適用し、システムＬＳＩの高性能化と実装寸法の縮小とを実現することもできる。
【０２９６】
例えば、携帯電話などの携帯機器、及び、無線ＬＡＮなどの通信機器に使用される図６１に示すようなＶＣＯ(voltage controlled oscillator)の可変容量Ｃとして本発明の例を適用できる。
【０２９７】
また、図６２及び図６３に示すように、送受信器の整合回路内の可変容量Ｃに本発明の例を適用できる。そして、例えば、破線で囲んだ部分を１チップ化すれば、システムＬＳＩの高性能化と実装寸法の縮小とを実現できる。
【０２９８】
さらに、図６４に示すように、本発明の例は、フィルタ内の可変容量Ｃに適用することもできる。
【０２９９】
７．  その他  
本発明の例は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、各構成要素を変形して具体化できる。また、上述の実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を構成できる。例えば、上述の実施の形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施の形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０３００】
【図１】ウェハ上の複数のＭＥＭＳ部品を示す平面図。
【図２】参考例としてのＭＥＭＳ部品を示す断面図。
【図３】参考例としてのＭＥＭＳ部品を示す断面図。
【図４】第１実施の形態のＭＥＭＳ部品を示す平面図。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図。
【図６】図４及び図５のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図７】図４及び図５のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図８】図４及び図５のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図９】図４及び図５のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図１０】図４及び図５のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図１１】図４及び図５のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図１２】第２実施の形態のＭＥＭＳ部品を示す平面図。
【図１３】図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う断面図。
【図１４】図１２及び図１３のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図１５】図１２及び図１３のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図１６】図１２及び図１３のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図１７】図１２及び図１３のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図１８】第３実施の形態のＭＥＭＳ部品を示す平面図。
【図１９】図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う断面図。
【図２０】第３実施の形態のＭＥＭＳ部品を示す平面図。
【図２１】図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図。
【図２２】図１８乃至図２１のＭＥＭＳ部品に用いられる柱のピッチを示す平面図。
【図２３】図２０及び図２１のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図２４】図２０及び図２１のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図２５】図２０及び図２１のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図２６】図２０及び図２１のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図２７】図２０及び図２１のＭＥＭＳ部品の製造方法の一工程を示す断面図。
【図２８】第１実施の形態の変形例に関わるＭＥＭＳ部品を示す平面図。
【図２９】図２８のＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ線に沿う断面図。
【図３０】第２実施の形態の変形例に関わるＭＥＭＳ部品を示す平面図。
【図３１】図３０のＸＸＸＩ−ＸＸＸＩ線に沿う断面図。
【図３２】第３実施の形態の変形例に関わるＭＥＭＳ部品を示す平面図。
【図３３】図３２のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ線に沿う断面図。
【図３４】第３実施の形態の変形例に関わるＭＥＭＳ部品を示す平面図。
【図３５】図３４のＸＸＸＶ−ＸＸＸＶ線に沿う断面図。
【図３６】本発明の例の開口を塞ぐ方法が適用されるＭＥＭＳ部品を示す断面図。
【図３７】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図３８】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図３９】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図４０】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図４１】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図４２】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図４３】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図４４】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図４５】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図４６】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図４７】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図４８】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図４９】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図５０】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図５１】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図５２】本発明の例の開口を塞ぐ方法の一工程を示す断面図。
【図５３】本発明の適用例としての可変容量を示す平面図。
【図５４】図５３のＬＩＶ−ＬＩＶ線に沿う断面図。
【図５５】図５３及び図５４の可変容量の製造方法の一工程を示す断面図。
【図５６】図５３及び図５４の可変容量の製造方法の一工程を示す断面図。
【図５７】図５３及び図５４の可変容量の製造方法の一工程を示す断面図。
【図５８】図５３及び図５４の可変容量の製造方法の一工程を示す断面図。
【図５９】図５３及び図５４の可変容量の製造方法の一工程を示す断面図。
【図６０】図５３及び図５４の可変容量の製造方法の一工程を示す断面図。
【図６１】ＶＣＯの例を示す回路図。
【図６２】送受信器の例を示すブロック図。
【図６３】整合回路の例を示す回路図。
【図６４】フィルタの例を示す回路図。
【符号の説明】
【０３０１】
１０，１７：  半導体基板、  １１，１２，１３，１５，１８，２５，２７，２９Ａ，３０Ａ：  絶縁層、  １４：  下部電極、  １６：  上部電極、  １７Ａ：  圧電素子の第１電極、  １８Ａ：  圧電層、  １９Ａ：  圧電素子の第２電極、  １９：  空洞を覆う膜、  ２０，２１：  開口、  ２２：  空洞を塞ぐ材料、  ２３：  アクチュエータ、  ２４Ａ，２４Ｂ：  ダミー層、  ２６：  多孔質膜、  ２８：  柱、  ２９：  シード層、  ３０：  酸化層、  ３１，３２，３３：  導電層。
【図１】
2006326806.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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