(57)【要約】【課題】  クラスタツールの処理システムにおいて搬送効率ないしスループットを向上させること。【解決手段】  この処理システムでは、クラスタツール内で同時に稼動する複数のたとえばプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4におけるウエハ滞在時間をそれらのプロセス・モジュールの処理時間の中で最大のもの（最大処理時間）と同じ長さに設定し、トランスファ・モジュールＴＭの真空搬送ロボットＲＢ1が各プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4に対する１回のアクセスでピック＆プレース動作により処理済のウエハＷiを搬出してそれと入れ替わりに次のウエハＷi+1を搬入する。【選択図】    図１
2006108549.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送機構の周囲に前記搬送機構のアクセス可能な複数のプロセス・モジュールを配置し、前記搬送機構により一群の被処理体を一つずつ前記複数のプロセス・モジュールに順次搬送して各被処理体に一連の処理を施すクラスタツールの処理システムであって、
前記複数のプロセス・モジュールについてモジュール内に各被処理体が滞在する時間を実質的に同じ長さに設定し、
各被処理体が一巡するのと同じ順序で前記搬送機構が前記複数のプロセス・モジュールを巡回し、各々の前記プロセス・モジュールに対する１回のアクセスで処理済みの被処理体を搬出してそれと入れ替わりに後続の別の被処理体を搬入する処理システム。
【請求項２】
前記複数のプロセス・モジュールの中で処理時間の最も長いものを割り出し、その最大処理時間に基づいて前記被処理体滞在時間の長さを選定する請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
前記被処理体滞在時間が前記最大処理時間にほぼ等しい請求項２に記載の処理システム。
【請求項４】
前記複数のプロセス・モジュールの中で処理時間が前記最大処理時間よりも短いプロセス・モジュールにおいては、各被処理体を搬入してから前記被処理体滞在時間と当該処理時間との差にほぼ等しい時間が経過した後に処理を開始する請求項２または請求項３に記載の処理システム。
【請求項５】
前記複数のプロセス・モジュールの中で処理時間が前記最大処理時間よりも短いプロセス・モジュールにおいては、処理が終了した時から前記被処理体滞在時間と当該処理時間との差にほぼ等しい時間が経過した後に各被処理体を搬出する請求項２または請求項３に記載の処理システム。
【請求項６】
搬送機構の周囲に前記搬送機構のアクセス可能な第１組および第２組のプロセス・モジュールを配置し、前記搬送機構により、一群の被処理体を一つずつ前記第１組のプロセス・モジュールに順次搬送して各被処理体に１つまたは一連の処理を施すとともに、別の一群の被処理体を一つずつ前記第２組のプロセス・モジュールに順次搬送して各被処理体に１つまたは一連の処理を施すクラスタツールの処理システムであって、
前記第１組または第２組に属する全てのプロセス・モジュールについてモジュール内に各被処理体が滞在する時間を実質的に同じ長さに設定し、
各被処理体が一巡するのと同じ順序で前記搬送機構が前記第１組および第２組のプロセス・モジュールをそれぞれ巡回し、各々の前記プロセス・モジュールに対する１回のアクセスで処理済みの被処理体を搬出してそれと入れ替わりに後続の別の被処理体を搬入する処理システム。
【請求項７】
前記第１組または第２組に属する全てのプロセス・モジュールの中で処理時間の最も長いものを割り出し、その最大処理時間に基づいて前記被処理体滞在時間の長さを選定する請求項５に記載の処理システム。
【請求項８】
前記被処理体滞在時間が前記最大処理時間にほぼ等しい請求項７に記載の処理システム。
【請求項９】
前記第１組または第２組に属するプロセス・モジュールの中で処理時間が前記最大処理時間よりも短いプロセス・モジュールにおいては、各被処理体を搬入してから前記被処理体滞在時間と当該処理時間との差にほぼ等しい時間が経過した後に処理を開始する請求項７または請求項８に記載の処理システム。
【請求項１０】
前記第１組または第２組に属するプロセス・モジュールの中で処理時間が前記最大処理時間よりも短いプロセス・モジュールにおいては、処理が終了した時から前記被処理体滞在時間と当該処理時間との差にほぼ等しい時間が経過した後に各被処理体を搬出する請求項７または請求項８に記載の処理システム。
【請求項１１】
前記搬送の順序で相前後する２つの前記プロセス・モジュールの間では、上流側のプロセス・モジュールから処理済みの第１の被処理体を搬出したタイミングとほぼ同時または直後に下流側のプロセス・モジュールで前記被処理体滞在時間がタイムアップし、前記下流側のプロセス・モジュールにおいて処理済みの第２の被処理体を搬出してそれと入れ替わりに前記第１の被処理体を搬入する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項１２】
前記搬送の順序で相前後するプロセス・モジュールを空間的に隣り合わせで配置する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項１３】
前記搬送機構が、各々の前記プロセス・モジュールに出入り可能な２つの搬送アームを有し、前記プロセス・モジュールに対する１回のアクセスにおいて一方の搬送アームで前記処理済みの被処理体を搬出してそれと入れ替わりに他方の搬送アームで前記後続の別の被処理体を搬入する請求項１〜１２のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項１４】
前記複数のプロセス・モジュールがそれぞれ真空チャンバを有し、
前記搬送機構が真空搬送室内に設けられ、
前記真空搬送室に各々の前記プロセス・モジュールがゲートバルブを介して連結され、
前記搬送機構が真空中で各被処理体を搬送する請求項１〜１３のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項１５】
前記複数のプロセス・モジュールの中の少なくとも１つが減圧下で被処理体に薄膜を形成する成膜処理装置である請求項１４に記載の処理システム。
【請求項１６】
前記搬送室にロードロック・モジュールがゲートバルブを介して連結される請求項１４または請求項１５に記載の処理システム。
【請求項１７】
搬送機構の周囲に前記搬送機構のアクセス可能な複数のプロセス・モジュールを配置し、前記搬送機構により一群の被処理体を一つずつ前記複数のプロセス・モジュールに順次搬送して各被処理体に一連の処理を施すクラスタツール用の滞在時間監視プログラムであって、
レシピ情報を基に各プロセス・モジュールにおけるレシピ上の処理時間を算出するステップと、
前記複数のプロセス・モジュールにおける処理時間の中で最大の処理時間を割り出すステップと、
前記最大処理時間に基づいて被処理体滞在時間を設定するステップと、
前記複数のプロセス・モジュールの各々で一律に各被処理体を前記被処理体滞在時間だけ滞在させるステップと、
各被処理体が一巡するのと同じ順序で前記搬送機構が前記複数のプロセス・モジュールを巡回し、各々の前記プロセス・モジュールに対する１回のアクセスで処理済みの被処理体を搬出してそれと入れ替わりに後続の別の被処理体を搬入するステップと
を実行する滞在時間監視プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クラスタツールの処理システムに係わり、特に一群の被処理体を１つずつクラスタツール内の複数のプロセス・モジュールに順次搬送して一連の処理を施す処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
クラスタツールは、プロセスの一貫化、連結化あるいは複合化をはかるために複数のプロセス・モジュールを主搬送室の周りに配置するマルチチャンバ装置であり、典型的には半導体製造装置で採用されている（特許文献１）。
【０００３】
たとえば、薄膜形成加工用のクラスタツールは、各プロセス・モジュールのチャンバだけでなく主搬送室も真空に保持し、主搬送室にゲートバルブを介してロードロック・モジュールを連結する。被処理体たとえば半導体ウエハは、大気圧下でロードロック・モジュールに搬入され、しかる後減圧状態に切り替えられたロードロック・モジュールから主搬送室に取り出される。主搬送室に設置されている搬送機構は、ロードロック・モジュールから取り出した半導体ウエハを１番目のプロセス・モジュールに搬入する。このプロセス・モジュールは、予め設定されたレシピにしたがい所定の時間を費やして第１工程の処理（たとえば第１層の成膜処理）を実施する。この第１工程の処理が終了すると、主搬送室の搬送機構は、該半導体ウエハを１番目のプロセス・モジュールから搬出し、次に２番目のプロセス・モジュールに搬入する。この２番目のプロセス・モジュールでも、予め設定されたレシピにしたがい所定の時間を費やして第２工程の処理（たとえば第２層の成膜処理）を実施する。この第２工程の処理が終了すると、主搬送室の搬送機構は、該半導体ウエハを２番目のプロセス・モジュールから搬出し、次工程があるときは３番目のプロセス・モジュールに搬入し、次工程がないときはロードロック・モジュールに戻す。３番目以降のプロセス・モジュールで処理が行われた場合も、その後に次工程があるときは後段のプロセス・モジュールに搬入し、次工程がないときはロードロック・モジュールに戻す。
【０００４】
こうしてプロセス・モジュールによる一連の処理を終えた半導体ウエハがロードロック・モジュールに搬入されると、ロードロック・モジュールは減圧状態から大気圧状態に切り替えられ、主搬送室とは反対側のウエハ出入口から搬出される。
【０００５】
このように、クラスタツールは、一群の被処理体を１つずつ真空雰囲気中で複数のプロセス・モジュールに順次搬送して一連の処理（たとえば成膜処理や熱処理等）を実施するインラインの処理システムに適している。
【特許文献１】特開２０００−１２７０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
通常のクラスタツールでは、主搬送室の搬送機構が一時にアクセスできるプロセス・モジュールは１台であり、同時に２台のプロセス・モジュールにアクセスすることはできない。従来のこの種のクラスタツールは、各プロセス・モジュールに所定時間のレシピ処理（プロセスジョブ）を個別に行わせ、プロセスジョブの終了次第やりかけのウエハ搬送がなければ搬送機構が該プロセス・モジュールから処理済の被処理体を搬出する仕組みになっている。このため、一群の被処理体をパイプライン方式で処理するに際して複数のプロセス・モジュール間でウエハ搬入出のタイミングが衝突または競合する可能性があった。たとえば、上記の例で、２番目のプロセス・モジュールにおける処理時間がタイムアップして、搬送機構が該プロセス・モジュールから半導体ウエハを取り出してロードロック・モジュールへ移動しようとする矢先に、１番目のプロセス・モジュールにおける処理時間がタイムアップする場合がある。この場合、搬送機構は、先にやりかけた２番目のプロセス・モジュールからロードロック・モジュールへのウエハ搬送を先に済ませ、それから１番目のプロセス・モジュールにアクセスして半導体ウエハを取り出し、取り出した半導体ウエハを２番目のプロセス・モジュールに搬入することになる。
【０００７】
しかしながら、このような搬送手順は、搬送効率やプロセス・モジュールの稼働率が低いという問題がある。たとえば、上記の例で、１番目のプロセス・モジュールは、処理時間がタイムアップしてから搬送機構が該ウエハを取りに来るまで処理済の半導体ウエハを留め置かなくてはならない。この１番目のプロセス・モジュールの処理時間がシステム内で最大の処理時間であるときは、その最大処理時間よりも留置時間の分だけ延長した最大ウエハ滞在時間を要し、この最大ウエハ滞在時間によってシステム全体の搬送タクトが律則されることになる。
【０００８】
一方で、２番目のプロセス・モジュールにおいては、処理済の半導体ウエハを搬出して、それと入れ替わりではなく、しばらくしてから、つまり搬送機構が１番目のプロセス・モジュールにアクセスして半導体ウエハを取り出してきてから該半導体ウエハを搬入することとなる。このため、ゲートバルブの開閉動作や搬送機構の搬送動作等で二度手間を要する。さらに、次のレシピ処理を開始するまでに待ち時間が入るため、この２番目のプロセス・モジュールの処理時間がシステム内で最大の処理時間であるときは、この最大処理時間の間隔またはインターバルが待ち時間の分だけ長くなり、この場合もシステム全体の搬送タクトが増大するはめになる。もちろん、搬送タクトの増大はプロセス・モジュールの稼働率やスループットの低下につながる。
【０００９】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、処理時間の独立した複数のプロセス・モジュール間でウエハ搬入出のタイミングが衝突するおそれを回避してシステム全体の搬送効率ないしスループットを向上させるクラスタツールの処理システムおよび滞在時間監視プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の処理システムは、搬送機構の周囲に前記搬送機構のアクセス可能な複数のプロセス・モジュールを配置し、前記搬送機構により一群の被処理体を一つずつ前記複数のプロセス・モジュールに順次搬送して各被処理体に一連の処理を施すクラスタツールの処理システムであって、前記複数のプロセス・モジュールについてモジュール内に各被処理体が滞在する時間を実質的に同じ長さに設定し、各被処理体が一巡りするのと同じ順序で前記搬送機構が前記複数のプロセス・モジュールを巡回し、各々の前記プロセス・モジュールに対する１回のアクセスで処理済の被処理体を搬出してそれと入れ替わりに後続の別の被処理体を搬入する。
【００１１】
本発明の滞在時間監視プログラムは、搬送機構の周囲に前記搬送機構のアクセス可能な複数のプロセス・モジュールを配置し、前記搬送機構により一群の被処理体を一つずつ前記複数のプロセス・モジュールに順次搬送して各被処理体に一連の処理を施すクラスタツール用の滞在時間監視プログラムであって、レシピ情報を基に各プロセス・モジュールにおけるレシピ上の処理時間を算出するステップと、前記複数のプロセス・モジュールにおける処理時間の中で最大の処理時間を割り出すステップと、前記最大処理時間に基づいて被処理体滞在時間を設定するステップと、前記複数のプロセス・モジュールの各々で一律に各被処理体を前記被処理体滞在時間だけ滞在させるステップと、各被処理体が一巡するのと同じ順序で前記搬送機構が前記複数のプロセス・モジュールを巡回し、各々の前記プロセス・モジュールに対する１回のアクセスで処理済みの被処理体を搬出してそれと入れ替わりに後続の別の被処理体を搬入するステップとを実行する。
【００１２】
上記第１の処理システムでは、クラスタツール内で同時に稼動する全てのプロセス・モジュールについて被処理体の滞在時間が実質的に同じ長さに設定され、これに伴いモジュール内に被処理体が入っていない非滞在時間またはインターバルの長さも全モジュールで同一の値になる。搬送機構は、各被処理体が一巡りするのと同じ順序でプロセス・モジュールを巡回し、前工程のプロセス・モジュールに対してそこで処理の済んだばかりの被処理体を搬出してそれと入れ替わりに未処理の次の被処理体を搬入した後は、次工程のプロセス・モジュールにアクセスしてそこで処理の済んだばかりの被処理体を搬出してそれと入れ替わりに前工程のプロセス・モジュールから搬出してきたばかりの被処理体を搬入する。処理内容とは関係なく被処理体の搬入出のサイクルは全てのプロセス・モジュールで同一であり、それらの間に一定のオフセット（時間差）を設けることで、任意の複数のプロセス・モジュール間で被処理体の搬入出のタイミングが衝突ないし競合するのを確実に回避することができる。
【００１３】
本発明の好適な一態様によれば、複数のプロセス・モジュールの中で処理時間の最も長いものを割り出し、その最大処理時間に基づいて被処理体滞在時間の長さを選定する。好ましくは、被処理体滞在時間を最大処理時間に等しくしてよい。これにより、クラスタツール内の搬送タクトが被処理体滞在時間つまり最大処理時間によって律則される。また、処理時間が最大処理時間よりも短いプロセス・モジュールにおいては、被処理体滞在時間と当該処理時間との差を被処理体滞在時間の中で待ち時間として消費することになるが、上記のようにクラスタツール内の搬送タクトが最大処理時間によって律則されるため、この待ち時間は搬送タクトに影響しない。好適な一態様によれば、被処理体を搬入してから待ち時間の経過した後に処理が開始される。もっとも、処理が終了してから待ち時間の経過した後に処理済の被処理体を搬出することも可能である。
【００１４】
本発明の第２の処理システムは、搬送機構の周囲に前記搬送機構のアクセス可能な第１組および第２組のプロセス・モジュールを配置し、前記搬送機構により、一群の被処理体を一つずつ前記第１組のプロセス・モジュールに順次搬送して各被処理体に１つまたは一連の処理を施すとともに、別の一群の被処理体を一つずつ前記第２組のプロセス・モジュールに順次搬送して各被処理体に１つまたは一連の処理を施すクラスタツールの処理システムであって、前記第１組または第２組に属する全てのプロセス・モジュールについてモジュール内に各被処理体が滞在する時間を実質的に同じ長さに設定し、各被処理体が一巡するのと同じ順序で前記搬送機構が前記第１組および第２組のプロセス・モジュールをそれぞれ巡回し、各々の前記プロセス・モジュールに対する１回のアクセスで処理済みの被処理体を搬出してそれと入れ替わりに後続の別の被処理体を搬入する。
【００１５】
上記第２の処理システムでは、クラスタツール内で２系統のパイプライン処理が並列的に行われる中で第１組または第２組に属する全てのプロセス・モジュールについて、被処理体の滞在時間が実質的に同じ長さに設定される。搬送機構は、タイムシェアリングの搬送動作を行い、第１組および第２組の各々において各被処理体が一巡りするのと同じ順序でプロセス・モジュールを巡回し、前工程のプロセス・モジュールに対してそこで処理の済んだばかりの被処理体を搬出してそれと入れ替わりに未処理の次の被処理体を搬入した後は、次工程のプロセス・モジュールにアクセスしてそこで処理の済んだばかりの被処理体を搬出してそれと入れ替わりに前工程のプロセス・モジュールから搬出してきたばかりの被処理体を搬入する。処理内容とは関係なく、また第１組か第２組かに関係なく被処理体の搬入出のサイクルは全てのプロセス・モジュールで同一であり、それらの間に一定のオフセット（時間差）を設けることで、任意の複数のプロセス・モジュール間で被処理体の搬入出のタイミングが衝突ないし競合するのを確実に回避することができる。
【００１６】
本発明の好適な一態様によれば、第１組または第２組に属する全てのプロセス・モジュールの中で処理時間の最も長いものを割り出し、その最大処理時間に基づいて被処理体滞在時間の長さを選定する。好ましくは、被処理体滞在時間を最大処理時間に等しくしてよい。これにより、クラスタツール内の搬送タクトが被処理体滞在時間つまり最大処理時間によって律則される。また、処理時間が最大処理時間よりも短いプロセス・モジュールにおいては、被処理体滞在時間と当該処理時間との差を被処理体滞在時間の中で待ち時間として消費することになるが、上記のようにクラスタツール内の搬送タクトが最大処理時間によって律則されるため、この待ち時間は搬送タクトに影響しない。好適な一態様によれば、被処理体を搬入してから待ち時間の経過した後に処理が開始される。もっとも、処理が終了してから待ち時間の経過した後に処理済の被処理体を搬出することも可能である。
【００１７】
本発明の好適な一態様によれば、搬送の順序で相前後する２つのプロセス・モジュールの間では、上流側または前工程側のプロセス・モジュールから処理済の第１の被処理体を搬出したタイミングとほぼ同時または直後に下流側または後工程側のプロセス・モジュールで被処理体滞在時間がタイムアップし、下流側のプロセス・モジュールにおいて処理済みの第２の被処理体を搬出してそれと入れ替わりに第１の被処理体を搬入する。かかる搬送シーケンスによれば、搬送機構が前工程の処理の済んだ第１の被処理体をモジュールの外で保持している時間を最短にすることができ、連続処理の合間の管理を向上させることができる。したがって、搬送の順序で相前後するプロセス・モジュールを空間的に隣り合わせで配置するのが好ましい。
【００１８】
また、本発明の好適な一態様によれば、搬送機構が、各々のプロセス・モジュールに出入り可能な２つの搬送アームを有し、各プロセス・モジュールに対する１回のアクセスにおいて一方の搬送アームで処理済みの被処理体を搬出して（ピック動作）それと入れ替わりに他方の搬送アームで後続の別の被処理体を搬入する（プレース動作）。このようなピック＆プレース動作により、本発明の搬送方式の利点を最大限に発揮することができる。
【００１９】
また、本発明の好適な一態様によれば、クラスタツール内の複数のプロセス・モジュールがそれぞれ真空チャンバを有し、搬送機構が真空搬送室内に設けられ、該真空搬送室に各々のプロセス・モジュールがゲートバルブを介して連結され、搬送機構が真空中で各被処理体を搬送する。かかる構成によれば、真空雰囲気中でインラインの連続処理を行うことができる。
【００２０】
また、好適な一態様では、クラスタツール内の複数のプロセス・モジュールの中の少なくとも１つが減圧下で被処理体に薄膜を形成する成膜処理装置である。また、真空搬送室にロードロック・モジュールがゲートバルブを介して連結されてよい。この場合、新規または未処理の被処理体が大気雰囲気中からロードロック・モジュールを介して真空雰囲気中のクラスタツール内に搬入され、複数のプロセス・モジュールで所要の一連の処理を受けた後にロードロック・モジュールを介して大気雰囲気中へ戻される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のクラスタツールの処理システムによれば、処理時間の独立した複数のプロセス・モジュール間でウエハ搬入出のタイミングが衝突するおそれを回避して、システム全体の搬送効率ないしスループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００２３】
図１に、本発明の一実施形態におけるクラスタツールの処理システムの構成を示す。このクラスタツールの処理システムは、中央搬送室を構成するトランスファ・モジュールＴＭの周りに複数たとえば４つのプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4と２つのロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2とを環状に配置したマルチチャンバ装置である。各々のモジュールは個別に所望の真空度で減圧空間を形成できる真空チャンバまたは処理室を有しており、中心部のトランスファ・モジュールＴＭは周辺部の各モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4，ＬＬＭ1，ＬＬＭ2とゲートバルブＧＶを介して連結されている。
【００２４】
トランスファ・モジュールＴＭの室内には、旋回および伸縮可能な一対の搬送アームＦA，ＦBを有する真空搬送ロボットＲＢ1が設けられている。この搬送ロボットＲＢ1は、各搬送アームＦA，ＦBがそのフォーク形のエンドエフェクタに１枚の被処理体たとえば半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）を保持できるようになっており、周囲の各モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4，ＬＬＭ1，ＬＬＭ2に開状態のゲートバルブＧＶを通って搬送アームＦA，ＦBのいずれか一方を選択的に挿入または引き抜いてウエハの搬入（ローディング）／搬出（アンローディング）を行うことができる。両搬送アームＦA，ＦBは、ロボット本体に互いに背中合わせに搭載され、一体的に旋回運動し、一方の搬送アームが原位置に止まった状態で他方の搬送アームが原位置と前方（周辺モジュール内）の往動位置との間で伸縮移動するようになっている。
【００２５】
プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4は、各々のチャンバ内で所定の用力（処理ガス、電力等）を用いて所定の枚葉処理、たとえばＣＶＤまたはスパッタリング等の成膜処理、熱処理、ドライエッチング加工等を行うようになっている。また、ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2も、必要に応じて加熱部または冷却部を装備することができる。
【００２６】
ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2は、トランスファ・モジュールＴＭと反対側でゲートバルブＧＶを介して常時大気圧下のローダ・モジュールＬＭと連結されている。さらに、このローダ・モジュールＬＭと隣接してロードポートＬＰおよびオリフラ合わせ機構ＯＲＴが設けられている。ロードポートＬＰは、外部搬送車との間でウエハカセットＣＲの投入、払出しに用いられる。オリフラ合わせ機構ＯＲＴは、ウエハＷのオリエンテーションフラットまたはノッチを所定の位置または向きに合わせるために用いられる。ローダ・モジュールＬＭ内に設けられている大気搬送ロボットＲＢ2は、伸縮可能な搬送アームを有し、水平移動・昇降・旋回可能であり、ロードポートＬＰ、オリフラ合わせ機構ＯＲＴおよびロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2の間を行き来してウエハを１枚または複数枚単位で搬送する。
【００２７】
ここで、ロードポートＬＰに投入されたウエハカセットＣＲ内の１枚のウエハにこのクラスタツール内で一連の処理を受けさせるための基本的なウエハ搬送シーケンスを説明する。
【００２８】
ローダ・モジュールＬＭの搬送ロボットＲＢ2は、ロードポートＬＰ上のウエハカセットＣＲから１枚のウエハＷSを取り出し、このウエハＷSをオリフラ合わせ機構ＯＲＴに搬送してオリフラ合わせを受けさせ、それが済んだ後にロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2のいずれか一方（たとえばＬＬＭ1）に移送する。移送先のロードロック・モジュールＬＬＭ1は、大気圧状態でウエハＷSを受け取り、搬入後に室内を真空引きし、減圧状態でウエハＷSをトランスファ・モジュールＴＭの真空搬送ロボットＲＢ1に渡す。
【００２９】
搬送ロボットＲＢ1は、搬送アームＦA，ＦBの片方を用いて、ロードロック・モジュールＬＬＭ1より取り出したウエハＷSを１番目のプロセス・モジュール（たとえばＰＭ1）に搬入する。プロセス・モジュールＰＭ1は、予め設定されたレシピにしたがい所定のプロセス条件（ガス、圧力、電力、時間等）で第１工程の枚葉処理を実施する。
【００３０】
この第１工程の枚葉処理が終了した後に、搬送ロボットＲＢ1は、ウエハＷSを１番目のプロセス・モジュールから搬出し、次に２番目のプロセス・モジュール（たとえばＰＭ2）に搬入する。この２番目のプロセス・モジュールＰＭ2でも、予め設定されたレシピにしたがい所定のプロセス条件で第２工程の枚葉処理を実施する。
【００３１】
この第２工程の枚葉処理が終了すると、搬送ロボットＲＢ1は、ウエハＷSを２番目のプロセス・モジュールＰＭ2から搬出し、次工程があるときは３番目のプロセス・モジュール（ＰＭ3もしくはＰＭ4）に搬入し、次工程がないときはロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2の片方に搬送する。３番目以降のプロセス・モジュールで処理が行われた場合も、その後に次工程があるときは後段のプロセス・モジュールに搬入し、次工程がないときはロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2の片方に戻す。
【００３２】
こうしてクラスタツール内の複数のプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2・・で一連の処理を受けたウエハＷSがロードロック・モジュールの片方（たとえばＬＬＭ2）に搬入されると、このロードロック・モジュールＬＬＭ2の室内は減圧状態から大気圧状態に切り替えられる。しかる後、ローダ・モジュールＬＭの搬送ロボットＲＢ2が、大気圧状態のロードロック・モジュールＬＬＭ2からウエハＷSを取り出して該当のウエハカセットＣＲに戻す。なお、ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2において滞在中のウエハＷSに所望の雰囲気下で加熱または冷却処理を施すこともできる。
【００３３】
上記のように、このクラスタツールは、ウエハを複数のプロセス・モジュールに真空中で順次シリアルに搬送して一連の処理を連続的に実施することが可能であり、特に真空薄膜形成加工では複数のプロセス・モジュールに異なる成膜加工を連続的に行わせて所望の薄膜をインラインで積層形成することができる。また、複数のプロセス・モジュールがパイプライン方式でそれぞれの枚葉処理を連続的に繰り返すため、高い稼働率および生産性を可能とする。
【００３４】
もっとも、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1が１台で真空クラスタ内のウエハ搬送を全部司る搬送システムであるため、複数のプロセス・モジュールで同時にウエハの搬入出を行うことはできない。このため、複数のプロセス・モジュール間でウエハ搬入出のタイミングが近接または競合すると、後回しされた方のプロセス・モジュールで無駄な待ち時間が発生し、それが巡り巡って他の（優先させた方の）プロセス・モジュールでも次のアクセスまでのインターバルが長引く結果となり、システム全体の搬送効率や稼働率が低下する。この実施形態では、後述するように、クラスタツール内の複数のプロセス・モジュール間でウエハ搬入出のタイミングが競合する可能性をなくして、各プロセス・モジュールに対して搬送ロボットＲＢ1のアクセスする周期や各プロセス・モジュールにおける枚葉処理の周期を可及的に短くし、システム全体の搬送効率や稼働率ひいてはスループットを高めている。
【００３５】
この実施形態では、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1が上記のように一対の搬送アームＦA，ＦBを有しており、その周囲の各プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4に対して、当該モジュールで処理が済んだ直後のウエハと次に当該モジュールで処理を受けるべきウエハとを１回のモジュール・アクセスで入れ替えるピック＆プレース動作を行えるようになっている。
【００３６】
ここで、図２につき、この実施形態におけるピック＆プレース動作を模式的な図解で説明する。搬送ロボットＲＢ1は、図２の(A)に示すように、目的のプロセス・モジュールＰＭnに搬入すべき未処理（処理前）のウエハＷjを片方の搬送アームたとえばＦAに保持し、もう片方の搬送アームＦBをウエハ無しの空の状態にして当該プロセス・モジュールＰＭnと向き合う。そして、図２の(B)，(C)に示すように、空の搬送アームＦBを当該プロセス・モジュールＰＭnのチャンバに挿入して中から処理済のウエハＷiを取り出す（ピック動作）。次に、図２の(D)に示すように、搬送アームＦA，ＦBを１８０゜旋回（反転）させて、未処理のウエハＷjを保持している搬送アームＦAをプロセス・モジュールＰＭnの正面に付ける。そして、今度は、図２の(E) ，(F)に示すように、搬送アームＦAを当該プロセス・モジュールＰＭnのチャンバに挿入して内部の載置台または支持ピン等に該ウエハＷjを渡し、空になった搬送アームＦAを引き抜く（プレース動作）。なお、このピック＆プレース動作の間、当該プロセス・モジュールＰＭnのウエハ出入口に設けられているゲートバルブＧＶ（図１）は開いたままになっている。
【００３７】
このように、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1は、各プロセス・モジュールＰＭnに対する１回のアクセスで、当該モジュールで処理の済んだウエハＷiと次に当該モジュールで処理を受けるべき半導体ウエハＷjとを上記のようなピック＆プレース動作により入れ替えることができる。さらに、搬送ロボットＲＢ1は、各ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2に対しても上記と同様のピック＆プレース動作により１回のアクセスで新規ウエハおよび処理済ウエハの入れ替えまたは受け渡しを行うことができる。
【００３８】
図３に、この実施形態における各プロセス・モジュールＰＭnについてのレシピ上の処理手順を示す。このソフトウェア処理は、レシピ開始要求に応じてこのシステムの全体および各部を統括制御する制御部（図示せず）で行われる。
【００３９】
なお、該制御部は、コンピュータたとえばパーソナルコンピュータからなり、以下に述べる滞在時間監視プログラムを実行する。この滞在時間監視プログラムはＣＤ−ＲＯＭ、フロッピーディスク等の記録媒体に格納・保存され、制御部は操作者の指示に応じて滞在時間監視プログラムを主メモリにロードする。この滞在時間監視プログラムは以下のようにして実行される。
【００４０】
最初に、レシピ前処理（ステップＳ1）で、予め設定されているプロセス・パラメータ等の各種設定値やシステム内の各部の機能について所要の初期化を行う。
【００４１】
次に、コントロールジョブ内のレシピ情報を基に各プロセス・モジュールＰＭnにおけるレシピ上の処理時間ＰＴnを事前（プロセス実行前）に算出する（ステップＳ2）。ここで、処理時間ＰＴnは、１回の枚葉処理を構成する多数のステップの所要時間を積算して得られる時間であり、所要の枚葉処理を完遂するために当該プロセス・モジュールＰＭn内に半導体ウエハを留め置かなければならない必要最小限の時間である。
【００４２】
次に、レシピ集合体のデータの束であるグローバルデータからレシピ上の最大処理時間ＰＴmaxを読み込む（ステップＳ3）。ここで、最大処理時間ＰＴmaxは、このクラスタツール内で同時に稼動する全てのプロセス・モジュールにおける処理時間の中の最大値であり、当該プロセス・モジュールＰＭnの処理時間ＰＴnが最大処理時間ＰＴmaxということもあり得る。
【００４３】
次に、最大処理時間ＰＴmqxから当該プロセス・モジュールＰＭnの処理時間ＰＴnを差し引いて、その時間差を当該プロセス・モジュールＰＭnにおける待ち時間ＷＴnとし、ウエハを搬入した時点から待ち時間ＷＴnの経過後にレシピ上のステップ処理を実行する（ステップＳ4，Ｓ5）。そして、全ステップの終了後に所要のレシピ後処理を行って１回の枚葉処理を終了する（ステップＳ6，Ｓ7）。
【００４４】
図４に、この実施形態において各プロセス・モジュールＰＭnにウエハを搬入してから搬出するまでのウエハ滞在時間の内訳（時間割）を示す。この実施形態では、並列的に動作する全てのプロセス・モジュール（たとえばＰＭ1，ＰＭ2・・）について同一のウエハ滞在時間ＳＴが設定される。このウエハ滞在時間ＳＴは最大処理時間ＰＴmax以上の値、好ましく最大処理時間ＰＴmaxと等しい値に選ばれる。したがって、たとえばプロセス・モジュールＰＭ1の処理時間ＰＴ1が最大処理時間ＰＴmaxである場合、このプロセス・モジュールＰＭ1では、ウエハを搬入してから実質的な待ち時間を挟まずに直ちにレシピ上の枚葉処理を開始し、処理が終了すると実質的な待ち時間を挟まずに直ちに搬出するようになっている。他の各プロセス・モジュールたとえばＰＭ2では、ウエハを搬入してから待ち時間ＷＴ2の経過後にレシピ上の枚葉処理を開始し、処理が終了すると直ちに搬出するようになっている。
【００４５】
図５Ａおよび図５Ｂに、この実施形態においてロードポートＬＰにカセット単位で投入された一群のウエハＡを一枚ずつクラスタツール内の複数のプロセス・モジュールに順次搬送して各ウエハＡに一連の処理を施すための搬送シーケンスの一実施例を示す。この搬送シーケンスは、滞在時間監視プログラムにしたがって実行される。図中の斜線部分は、各部がウエハＡを保持、留置または搬送しているアクティブな状態の期間を示す。升目の横幅は一定時間（たとえば５秒）の基本単位時間Ｔを示し、説明と図解の簡略化のために各部のアクティブ期間（斜線部分の長さ）を基本単位時間Ｔの整数倍で表している。
【００４６】
この実施例は、たとえばＳｉプロセスでバリアメタルに用いられるＴi／ＴiＮの積層膜をインラインの連続成膜処理で形成するものであり、各ウエハＡについて最初にプロセス・モジュールＰＭ1でＴi膜を形成し、次いでプロセス・モジュールＰＭ2でＴiＮ膜を形成する。なお、残りのプロセス・モジュールＰＭ3，ＰＭ4は稼動しないものとする。
【００４７】
図中、「ＬＬＭ1プロセス」および「ＬＬＭ2プロセス」は、ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2において成膜処理の後工程として該当のウエハＡを加熱または冷却する処理であり、所要時間は室内を減圧状態から大気圧状態へ切り替える時間も含んで９Ｔである。
【００４８】
「ＬＬＭ1ウエハ搬送（ＬＭ）」および「ＬＬＭ2ウエハ搬送（ＬＭ）」は、ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2にローダ・モジュールＬＭの搬送ロボットＲＢ2が該当のウエハＡを搬入または搬出する搬送動作であり、所要時間は２Ｔである。
【００４９】
「ＬＬＭ1ウエハ搬送（ＴＭ）」、「ＬＬＭ2ウエハ搬送（ＴＭ）」は、ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2にトランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1が該当のウエハＡを搬入または搬出する搬送動作であり、所要時間は３Ｔである。
【００５０】
「ＬＬＭ1真空引き」、「ＬＬＭ2真空引き」は、ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2に該当のウエハＡを搬入してから室内を大気圧状態から所望の真空度の減圧状態に切り替える真空引き動作であり、所要時間は３Ｔである。
【００５１】
「ＰＭ1ウエハ搬送」、「ＰＭ2ウエハ搬送」は、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1がプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2において上記のようなピック＆プレース動作により相前後する２枚のウエハＡを入れ替える搬送動作であり、３Ｔの時間を要している。なお、同一の搬送経路で同じ一連の処理を受ける一群のウエハのうち、先頭のウエハを１番目のプロセス・モジュールＰＭ1に搬入する際にはプレース動作だけが行われ、最後尾のウエハを２番目のプロセス・モジュールＰＭ2から搬出する際にはピック動作だけが行われる。
【００５２】
「ＰＭ1プロセス」、「ＰＭ2プロセス」は、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2が該当のウエハＡにＴi，ＴiＮの薄膜を形成する処理であり、所要時間は待ち時間を含めて１５Ｔである。すなわち、この実施例におけるウエハ滞在時間ＳＴは１５Ｔである。この場合、両プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2のいずれか一方または双方の処理時間がウエハ滞在時間ＳＴに等しい１５Ｔである。一例として、１番目のプロセス・モジュールＰＭ1の処理時間ＰＴ1が１５Ｔで、２番目のプロセス・モジュールＰＭ2の処理時間ＰＴ2が１２Ｔとする。この場合、プロセス・モジュールＰＭ1では待ち時間がなく（ＷＴ1＝０）、２番目のプロセス・モジュールＰＭ2ではウエハ滞在時間ＳＴ（１５Ｔ）の中の最初の３Ｔがレシピ処理開始前の待ち時間ＷＴ2である。
【００５３】
「アームＦA上のウエハ」、「アームＦB上のウエハ」は、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1の搬送アームＦA，ＦB上に該当のウエハＡが保持されている状態である。
【００５４】
より詳細には、図５Ａにおいて、期間ｔ0〜ｔ3の「ＰＭ1ウエハ搬送」では、搬送ロボットＲＢ1がプロセス・モジュールＰＭ1にアクセスし、ピック＆プレース動作により、搬送アームＦAで処理済のウエハＡ04を搬出し、それと入れ替わりに搬送アームＦBで新規または未処理のウエハＡ05を搬入する。プロセス・モジュールＰＭ1は、ウエハＡ05を搬入すると「ＰＭ1プロセス」で直ちにＴi成膜のためのレシピ処理を開始する。
【００５５】
一方、プロセス・モジュールＰＭ2では、ウエハＡ03に対する「ＰＭ2プロセス」が終盤に差し掛かり、時点ｔ3で終了する。この直後の期間ｔ3〜ｔ6で「ＰＭ2ウエハ搬送」が行われ、搬送ロボットＲＢ1がピック＆プレース動作により空の搬送アームＦBで処理済のウエハＡ03を搬出し、それと入れ替わりに搬送アームＦAでプロセス・モジュールＰＭ1から取り出してきたばかりのウエハＡ04を搬入する。プロセス・モジュールＰＭ2は、ウエハＡ04を搬入すると「ＰＭ2プロセス」で待ち時間ＷＴ2（３Ｔ）の経過後に（時点ｔ8から）ＴiＮ成膜のためのレシピ処理を開始する。このように、第１工程のプロセス・モジュールＰＭ1から第２工程のプロセス・モジュールＰＭ2へウエハを移送するまでの時間、つまりトランスファ・モジュールＴＭ内に留めておく時間を最短時間（３Ｔ）にしているため、連続処理の品質管理を向上できる。
【００５６】
ロードロック・モジュールＬＬＭ1では、期間ｔ0〜ｔ9にウエハＡ02に対して「ＬＬＭ1プロセス」が行われる。このウエハＡ02は、両プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2でＴi，ＴiＮの成膜処理を受けてきたものである。時点ｔ9でロードロック・モジュールＬＬＭ1の「ＬＬＭ1プロセス」が終了すると、この直後の期間ｔ9〜ｔ10に「ＬＬＭ1ウエハ搬送（ＬＭ）」でローダ・モジュールＬＭの大気搬送ロボットＲＢ2がロードロック・モジュールＬＬＭ1からウエハＡ02を取り出す。
【００５７】
一方、ロードロック・モジュールＬＬＭ2では、期間ｔ10〜ｔ12の「ＬＬＭ2ウエハ搬送（ＬＭ）」で搬送ロボットＲＢ2が未処理の新規ウエハＡ06を搬入する。ロードロック・モジュールＬＬＭ2は、ウエハＡ06を搬入すると、この直後（ｔ12〜ｔ15）の「ＬＬＭ2真空引き」で室内を減圧状態にする。そして、真空引き完了直後（ｔ15〜ｔ18）の「ＬＬＭ2ウエハ搬送（ＴＭ）」において、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1がピック＆プレース動作により空の搬送アームＦAで新規のウエハＡ06を取り出し、それと入れ替わりに搬送アームＦBに保持していたプロセス・モジュールＰＭ2からのウエハＡ03を搬入する。ロードロック・モジュールＬＬＭ2は、ウエハＡ03を搬入すると直ちに「ＬＬＭ2プロセス」を開始する。
【００５８】
プロセス・モジュールＰＭ1においては、時点ｔ18でウエハＡ05に対する「ＰＭ1プロセス」が終了すると、直後の期間ｔ18〜ｔ21にプロセス・モジュールＰＭ1で「ＰＭ1ウエハ搬送」が行われ、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1が搬送アームＦBで処理済のウエハＡ05を搬出し、それと入れ替わりに搬送アームＦAで新規のウエハＡ06を搬入する。プロセス・モジュールＰＭ1は、ウエハＡ06を搬入すると「ＰＭ1プロセス」で直ちにＴi成膜のためのレシピ処理を開始する。
【００５９】
一方、プロセス・モジュールＰＭ2では、ウエハＡ04に対する「ＰＭ2プロセス」が終盤に差し掛かり、時点ｔ21で終了する。この直後の期間ｔ21〜ｔ24で「ＰＭ2ウエハ搬送」が行われ、搬送ロボットＲＢ1が空の搬送アームＦAで処理済のウエハＡ04を搬出し、それと入れ替わりに搬送アームＦBでプロセス・モジュールＰＭ1から取り出してきたばかりのウエハＡ05をプロセス・モジュールＰＭ2に搬入する。プロセス・モジュールＰＭ2は、ウエハＡ05を搬入すると「ＰＭ2プロセス」で待ち時間ＷＴ2（３Ｔ）の経過後に（時点ｔ27から）ＴiＮ成膜のためのレシピ処理を開始する。
【００６０】
ロードロック・モジュールＬＬＭ2では、時点ｔ27でウエハＡ03に対する「ＬＬＭ2プロセス」が終了すると、この直後の期間ｔ27〜ｔ29に「ＬＬＭ2ウエハ搬送（ＬＭ）」でローダ・モジュールＬＭの搬送ロボットＲＢ2がロードロック・モジュールＬＬＭ2から半導体ウエハＡ03を搬出する。
【００６１】
また、ロードロック・モジュールＬＬＭ1では、期間ｔ28〜ｔ30の「ＬＬＭ1ウエハ搬送（ＬＭ）」で搬送ロボットＲＢ2が未処理の新規ウエハＡ07を搬入する。ロードロック・モジュールＬＬＭ2は、新規ウエハＡ07を搬入すると、直後（ｔ30〜ｔ33）に「ＬＬＭ1真空引き」で室内を減圧状態にする。そして、真空引きが完了すると、直後（ｔ33〜ｔ36）に「ＬＬＭ1ウエハ搬送（ＬＭ）」において、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1がそれまで空になっていた搬送アームＦBで新規のウエハＡ07を取り出し、それと入れ替わりに搬送アームＦAに保持していた処理済のウエハＡ04を搬入する。
【００６２】
以後も、図５Ｂに示すように、上記と全く同じ動作が各部で繰り返される。この実施例では、クラスタツール内で同時に稼動する全てのプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2において「ＰＭ1プロセス」，「ＰＭ2プロセス」の所要時間が同一（共通）のウエハ滞在時間ＳＴ（１５Ｔ）に設定され、モジュール内にウエハが入っていない非滞在時間またはインターバルは３Ｔであり、各プロセス・モジュールＰＭの動作サイクルは１８Ｔである。
【００６３】
より詳細には、１番目のプロセス・モジュールＰＭ1では、上記インターバル（３Ｔ）を挟んで所要時間１５Ｔのレシピ処理（Ｔi成膜処理）が１８Ｔの周期で繰り返し行われる。２番目のプロセス・モジュールＰＭ2では、上記インターバル（３Ｔ）と「ＰＭ2プロセス」内の待ち時間ＷＴ2（３Ｔ）とを挟んで所要時間１２Ｔのレシピ処理（ＴiＮ成膜処理）が１８Ｔの周期で繰り返し行われる。プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2のいずれにおいても、１周期（１８Ｔ）内に搬送ロボットＲＢ1がアクセスする回数は１回である。また、パイプライン処理で連続する２つのウエハＷi，ウエハＷi+1間の搬送周期つまり搬送タクトは１８Ｔである。
【００６４】
このように、この実施例では、クラスタツール内の複数のプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2におけるウエハ滞在時間ＳＴを最大処理時間ＰＴmaxと同じ長さ（１５Ｔ）に設定し、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1が各プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2に対する１回のアクセスでピック＆プレース動作により処理済のウエハＷiを搬出してそれと入れ替わりに次のウエハＷi+1を搬入することにより、搬送効率やプロセス・モジュールの稼働率を大幅に改善することができる。
【００６５】
この実施例における搬送効率や稼働率の改善効果の度合いは図６Ａおよび図６Ｂに示す参考例と比較するとよく分かる。この参考例は、従来方式にしたがい、両プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2における「ＰＭ1プロセス」、「ＰＭ2プロセス」の所要時間をそれぞれレシピ上の処理時間１５Ｔ、１２Ｔに合わせるものである。そして、「ＰＭ1プロセス」、「ＰＭ2プロセス」の終了次第、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1がその時の状況に応じて、つまり他の各部におけるウエハ搬送との兼ね合いで両プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2から処理済のウエハＡを搬出するものである。この参考例における「ＰＭ1ウエハ搬送」、「ＰＭ2ウエハ搬送」は、３Ｔの時間を費やすときはピック＆プレース動作が行われる場合であり、２Ｔの時間を費やすときはピック動作もしくはプレース動作のいずれか一方が行われる場合である。
【００６６】
この参考例によれば、図６Ａに示すように、たとえば時点ｔ17で２番目のプロセス・モジュールＰＭ2における「ＰＭ2プロセス」が終了する。これに応じてトランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1は、直後（ｔ17〜ｔ19）に２番目のプロセス・モジュールＰＭ2にアクセスしてピック動作により搬送アームＦAで処理済のウエハＡ04を搬出する。この時、搬送ロボットＲＢ1の他方の搬送アームＦBは、直前（ｔ12〜ｔ14）に「ＬＬＭ2ウエハ搬送（ＴＭ）」でロードロック・モジュールＬＬＭ2から受け取った新規のウエハＡ06を保持している。
【００６７】
こうして搬送ロボットＲＢ1がプロセス・モジュールＰＭ2にアクセスしている間（時点ｔ18）に１番目のプロセス・モジュールＰＭ1で「ＰＭ1プロセス」が終了する。この時、搬送ロボットＲＢ1は両搬送アームＦA，ＦBにそれぞれウエハＡ04，Ａ06を保持しているため、「ＰＭ1プロセス」の終了に直ぐに応じることはできず、先に期間ｔ19〜ｔ21で「ＬＬＭ2ウエハ搬送（ＴＭ）」を実行してウエハＡ04をロードロック・モジュールＬＬＭ2に搬入する。その後に、期間ｔ21〜ｔ24でプロセス・モジュールＰＭ1に対する「ＰＭ1ウエハ搬送」を実行し、ピック＆プレース動作により空の搬送アームＦAで処理済のウエハＡ05を搬出し、それと入れ替わりに搬送アームＦBで新規のウエハＡ06を搬入する。プロセス・モジュールＰＭ1は、ウエハＡ06を搬入すると「ＰＭ1プロセス」で直ちにＴi成膜のためのレシピ処理を開始する。このように、プロセス・モジュールＰＭ1では、設定時間１５Ｔの「ＰＭ1プロセス」を終了した後も処理済のウエハＡ05を３Ｔ（ｔ18〜ｔ21）の時間だけ延長して留め置くことになる。
【００６８】
２番目のプロセス・モジュールＰＭ2は、上記のように期間ｔ17〜ｔ19のピック動作により処理済のウエハＡ04を搬出してから搬送ロボットＲＢ1が戻ってくるまでしばらく待機する。そして、期間ｔ24〜ｔ26で搬送ロボットＲＢ1が「ＰＭ2ウエハ搬送」を実行し、搬送アームＦAに保持しているプロセス・モジュールＰＭ1からの半導体ウエハＡ05をプレース動作でプロセス・モジュールＰＭ2に搬入する。プロセス・モジュールＰＭ2は、ウエハＡ05を搬入すると、「ＰＭ2プロセス」で直ちにＴiＮ成膜のためのレシピ処理を開始する。
【００６９】
上記のように、この参考例では、クラスタツール内で並列的に稼動するプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2における「ＰＭ1プロセス」，「ＰＭ2プロセス」の所要時間をそれぞれレシピ上の処理時間１５Ｔ、１２Ｔに合わせている。より詳細には、１番目のプロセス・モジュールＰＭ1では、３Ｔのウエハ留置時間と３Ｔのインターバルとを挟んで所要時間１５Ｔのレシピ処理（Ｔi成膜処理）が２１Ｔの周期で繰り返し行われる。２番目のプロセス・モジュールＰＭ2では、９Ｔのインターバルを挟んで所要時間１２Ｔのレシピ処理（ＴiＮ成膜処理）が２１Ｔの周期で繰り返し行われる。パイプライン処理において連続する２つのウエハＷi，ウエハＷi+1間の搬送周期つまり搬送タクトは２１Ｔである。また、搬送ロボットＲＢ1は、プロセス・モジュールＰＭ1に対しては１周期（２１Ｔ）内に１回アクセスするだけでよいが、プロセス・モジュールＰＭ2に対しては１周期（２１Ｔ）内に２回アクセスしなければならない。
【００７０】
このように、実施例（図５Ａ，図５Ｂ）は、参考例（図６Ａ，図６Ｂ）と比較して搬送タクトやプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2の動作サイクルを３Ｔ短縮している。一般に、クラスタツールは長時間の連続処理を行うため、搬送タクトの短縮はスループットの大幅な向上につながる。
【００７１】
上記した実施例（図５Ａ，図５Ｂ）は、クラスタツール内で一部のプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2のみを稼動させ、残りのプロセス・モジュールＰＭ3，ＰＭ4を稼動させない場合であった。図７Ａ，図７Ｂに、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4の全部を同時に稼動させる第２の実施例を示す。この第２の実施例は、ロードポートＬＰからローダ・モジュールＬＭを介して一群のウエハＡを一枚ずつクラスタツール内の２台のプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2に順次搬送して各ウエハＡに一連の処理（たとえばＴi／ＴiＮ成膜処理）を施す第１のパイプライン処理と、ロードポートＬＰからローダ・モジュールＬＭを介して別の一群のウエハＢを一枚ずつクラスタツール内の別の２台のプロセス・モジュールＰＭ3，ＰＭ4に順次搬送して各ウエハＢに一連の処理（たとえばＴi／ＴiＮ成膜処理）を施す第２のパイプライン処理とを並列的に行うものである。この実施例における搬送シーケンスも、滞在時間監視プログラムにしたがって実行される。
【００７２】
この第２の実施例において、上記第１の実施例（図５Ａ，図５Ｂ）に実質的に追加された動作は、「ＰＭ3ウエハ搬送」、「ＰＭ4ウエハ搬送」、「ＰＭ3プロセス」、「ＰＭ4プロセス」である。「ＰＭ3ウエハ搬送」、「ＰＭ4ウエハ搬送」  は、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1がプロセス・モジュールＰＭ3，ＰＭ4において上記のようなピック＆プレース動作により相前後する２枚のウエハＢを入れ替える搬送動作である。「ＰＭ3プロセス」、「ＰＭ4プロセス」は、プロセス・モジュールＰＭ3，ＰＭ4が該当のウエハＢにＴi，ＴiＮの薄膜を形成する処理である。
【００７３】
この第２の実施例においても、クラスタツール内で同時に稼動する全てのプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4においてウエハをモジュール内に滞在させる「ＰＭ1プロセス」、「ＰＭ2プロセス」，「ＰＭ3プロセス」、「ＰＭ4プロセス」が同一の時間（１５Ｔ）に設定され、モジュール内にウエハが入っていない非滞在時間またはインターバルは３Ｔであり、各プロセス・モジュールの動作サイクルは１８Ｔである。
【００７４】
このうち、１番目のプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ3では、上記インターバル（３Ｔ）を挟んで所要時間１５Ｔのレシピ処理（Ｔi成膜処理）が１８Ｔの周期で繰り返し行われる。２番目のプロセス・モジュールＰＭ2，ＰＭ4では、上記インターバル（３Ｔ）と「ＰＭ2プロセス」内の待ち時間ＷＴ2（３Ｔ）とを挟んで所要時間１２Ｔのレシピ処理（ＴiＮ成膜処理）が１８Ｔの周期で繰り返し行われる。プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4のいずれにおいても、１周期（１８Ｔ）内に搬送ロボットＲＢ1がアクセスする回数は１回である。また、パイプライン処理で連続する２つのウエハＷi，ウエハＷi+1間の搬送周期つまり搬送タクトは１８Ｔである。
【００７５】
図７Ａ，図７Ｂに示すように、第１のパイプライン処理と第２のパイプライン処理とはサイクルをほぼ１／２ずらしているため、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2回りのウエハ搬入出動作とプロセス・モジュールＰＭ3，ＰＭ4回りのウエハ搬入出動作とが相互に干渉することはない。この第２の実施例によれば、上記第１の実施例と実質的に同一のパイプライン処理が２系統で並列的に行われるため、スループットは第１の実施例の２倍になる。
【００７６】
もっとも、そのぶんプロセス・モジュール以外のモジュール、つまりトランスファ・モジュールＴＭ（搬送ロボットＲＢ1）、ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2、ローダ・モジュールＬＭ（搬送ロボットＲＢ2）は上記第１の実施例の２倍の稼働率で動作することになる。
【００７７】
たとえば、図７Ａに示すように、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1は、期間ｔ0〜ｔ3の「ＰＭ1ウエハ搬送」でプロセス・モジュールＰＭ1にアクセスして、ピック＆プレース動作により、搬送アームＦBで処理済のウエハＡ04を搬出し、それと入れ替わりに搬送アームＦAで新規のウエハＡ05を搬入する。
【００７８】
この直後、期間ｔ3〜ｔ6の「ＰＭ2ウエハ搬送」で隣のプロセス・モジュールＰＭ2にアクセスして、ピック＆プレース動作により、搬送アームＦBで処理済のウエハＡ03を搬出し、それと入れ替わりに搬送アームＦAでプロセス・モジュールＰＭ1からのウエハＡ04を搬入する。
【００７９】
次に、搬送ロボットＲＢ1は、期間ｔ6〜ｔ9の「ＬＬＭ1ウエハ搬送（ＴＭ）」でロードロック・モジュールＬＬＭ1にアクセスし、ピック＆プレース動作により、空の搬送アームＦAで新規のウエハＢ05を受け取り、それと入れ替わりに搬送アームＦBでプロセス・モジュールＰＭ2からのウエハＡ03を渡す。
【００８０】
次に、搬送ロボットＲＢ1は、期間ｔ9〜ｔ12の「ＰＭ3ウエハ搬送」でプロセス・モジュールＰＭ3にアクセスして、ピック＆プレース動作により、空の搬送アームＦBで処理済のウエハＢ04を搬出し、それと入れ替わりに搬送アームＦAで新規ウエハＢ05を搬入する。この直後、搬送ロボットＲＢ1は、期間ｔ12〜ｔ15の「ＰＭ4ウエハ搬送」でプロセス・モジュールＰＭ4にアクセスして、ピック＆プレース動作により、空の搬送アームＦAで処理済のウエハＢ03を搬出し、それと入れ替わりに搬送アームＦBでプロセス・モジュールＰＭ3からのウエハＢ04を搬入する。
【００８１】
次に、搬送ロボットＲＢ1は、期間ｔ15〜ｔ18の「ＬＬＭ2ウエハ搬送（ＴＭ）」でロードロック・モジュールＬＬＭ2にアクセスし、ピック＆プレース動作により、空の搬送アームＦBで新規のウエハＡ06を受け取り、それと入れ替わりに搬送アームＦBでプロセス・モジュールＰＭ4からのウエハＢ03を渡す。この直後、期間ｔ18〜ｔ21の「ＰＭ1ウエハ搬送」でプロセス・モジュールＰＭ1にアクセスして、ピック＆プレース動作により、搬送アームＦAで処理済のウエハＡ05を搬出し、それと入れ替わりに搬送アームＦBで未処理のウエハＡ06を搬入する。以後も、上記と同じ動作が繰り返される。
【００８２】
このように、搬送ロボットＲＢ1は殆ど休みなく動作し、周囲の全てのモジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4，ＬＬＭ1，ＬＬＭ2に対してはピック＆プレース動作でアクセスし、両搬送アームＦA，ＦBのいずれも間断なくウエハの保持またはハンドリングを行う。
【００８３】
また、各ロードロック・モジュールＬＬＭ1，ＬＬＭ2においても、ピック＆プレース動作でウエハが頻繁に出入りし、ウエハの無い空きの状態はほとんどない。たとえば、ロードロック・モジュールＬＬＭ2においては、期間ｔ0〜ｔ9でウエハＢ02に対する「ＬＬＭ2プロセス」が行われると、その直後（ｔ9〜ｔ11）に「ＬＬＭ2ウエハ搬送（ＬＭ）」でローダ・モジュールＬＭの搬送ロボットＲＢ2がピック＆プレース動作により処理済のウエハＢ02を搬出し、それと入れ替わりに新規のウエハＡ06を搬入する。ロードロック・モジュールＬＬＭ2は、新規ウエハＡ06を搬入すると、直後（ｔ12〜ｔ15）に「ＬＬＭ2真空引き」で室内を減圧状態にする。この真空引きが完了すると、直後（ｔ15〜ｔ18）に「ＬＬＭ2ウエハ搬送（ＴＭ）」において、トランスファ・モジュールＴＭの搬送ロボットＲＢ1がピック＆プレース動作により搬送アームＦBで新規のウエハＡ06を取り出し、それと入れ替わりに搬送アームＦAに保持しているプロセス・モジュールＰＭ4からのウエハＢ03を搬入する。ロードロック・モジュールＬＬＭ2は、ウエハＢ03を搬入すると、「ＬＬＭ2プロセス」を開始する。以後も、上記と同じ動作が繰り返される。ロードロック・モジュールＬＬＭ1においても同様である。
【００８４】
この第２の実施例は、第１のパイプライン処理と第２のパイプライン処理とが処理内容を同じにしていた。しかし、処理内容を異にしても上記と同じ搬送シーケンスで対応することができる。たとえば、第１のパイプライン処理におけるプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2のレシピ上の処理時間ＰＴ1，ＰＴ2がそれぞれ１５Ｔ，１２Ｔで、第２のパイプライン処理におけるプロセス・モジュールＰＭ3，ＰＭ4のレシピ上の処理時間ＰＴ3，ＰＴ4がそれぞれ１３Ｔ，１４Ｔの場合を例にとる。この場合も、プロセス・モジュールＰＭ1の処理時間ＰＴ1が最大処理時間ＰＭmax（１５Ｔ）であるから、全てのプロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4について最大処理時間（１５Ｔ）に等しい同一のウエハ滞在時間ＳＴが設定される。したがって、「ＰＭ1プロセス」、「ＰＭ2プロセス」，「ＰＭ3プロセス」、「ＰＭ4プロセス」は同一の時間（１５Ｔ）であり、各プロセス・モジュール内にウエハが入っていない非滞在時間またはインターバルは３Ｔであり、各プロセス・モジュールの動作サイクルは１８Ｔである。このように、クラスタツール内で並列的に稼動する全てのプロセス・モジュールにおけるレシピ上の処理時間の中の最大のもの（最大処理時間ＰＭmax）に基づいてクラスタツール内の搬送シーケンスがパターン化または規格化されるため、搬送系ソフトウェアの負担が軽減される。
【００８５】
上記実施例（図５Ａ，図５Ｂ，図７Ａ，図７Ｂ）では、図解の便宜からレシピ上の処理時間ＰＴを基本単位時間Ｔの整数倍で表した。しかし、処理時間ＰＴは基本単位時間Ｔとは独立して任意の長さに設定できる。たとえば、上記Ｔi／ＴiＮの成膜処理においては、プロセス・モジュールＰＭ1におけるＴi成膜のためのレシピ処理時間ＰＴ1を１７９秒に設定し、プロセス・モジュールＰＭ2におけるＴiＮ成膜のためのレシピ処理時間ＰＴ2を１５１秒に設定することがある。この場合は、最大処理時間ＰＴmaxが１７９秒であるから、両プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2に共通のウエハ滞在時間ＳＴを１７９秒以上（好ましくは１７９秒）に設定してよい。
【００８６】
また、処理内容に関して、上記実施例のＴi／ＴiＮ成膜処理は一例であり、このクラスタツールは様々なインラインの連続処理に好適である。
【００８７】
たとえば、プリクリーン工程とｉＰＶＤ工程のインライン連続処理も可能である。プリクリーン工程は、堆積または成膜前に被処理基板の表面をクリーニングする工程である。被処理基板の表面が酸化すると、材料の電気特性が著しく変質して性能劣化に繋がる。このため、基板が物理蒸着法や化学蒸着法による成膜装置の一次処理を受ける前に、前処理のクリーニングつまりプリクリーン工程によって表面酸化物（主に二酸化珪素や金属酸化物）を除去するのが望ましい。特に、タングステン、アルミニウムまたは銅のような金属導体を堆積さるためのトレンチ、コンタクトまたはバリア層のような基板表面層は、堆積層の間で極めて低い界面抵抗を確保するうえでプリクリーン工程により清浄にする必要がある。
【００８８】
ｉＰＶＤ（ionized Physical Vapor Deposition）または物理的気相成長法は、スパッタ粒子をイオン化させて段差被覆性の良い薄膜を形成する成膜法である。ｉＰＶＤの高指向性は、ターゲットからスパッタされた金属粒子がプラズマ中でイオン化され、その金属イオンが基板表面のシース内で加速され基板に垂直に入射するプロセスによって実現される。
【００８９】
この実施形態のクラスタツールは、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4のいずれか２つにプリクリーン・チャンバとｉＰＶＤチャンバとを充てることができる。たとえば、配線工程のＣｕ薄膜の埋め込みとバリアメタルの堆積とをスパッタ装置（ｉＰＶＤ装置）にて連続して行うＣｕインテグレーション工程では、先ずエッチングによって絶縁層にビアホールを形成した後に、ｉＰＶＤによってＣｕ層の上にＣｕバリア層（ＴａＮ／Ｔａ）を形成する前にプリクリーン・チャンバでＣｕの表面酸化層をエッチングないし表面クリーニングして不純物下地層を削り、下層のＣｕ層を露出させる。そして、酸化膜が形成されないうちに真空雰囲気中で被処理基板をｉＰＶＤチャンバに移送し、上記Ｃｕバリア層（ＴａＮ／Ｔａ）をｉＰＶＤによって形成する。本発明によれば、プリクリーン・チャンバ（１番目のプロセス・モジュール）でプリクリーン処理を終えたばかりの被処理基板を待ち時間を置かずに真空雰囲気中で直ちにｉＰＶＤチャンバ（２番目のプロセス・モジュール）に移送できるため、不所望な酸化膜の形成を防止することができる。
【００９０】
上記のようなＣｕインテグレーション工程の処理時間は、プリクリーンを８０秒、ｉＰＶＤを１２０秒にそれぞれ設定するのがベストモードとされている。この場合、最大処理時間ＰＴmaxが１２０秒であるから、プリクリーン・チャンバおよびｉＰＶＤチャンバに共通または同一のウエハ滞在時間ＳＴを１２０秒以上（好ましくは１２０秒）に設定してよい。
【００９１】
インライン連続処理の別の例として、ＵＶＯ（Ultraviolet Oxidation）工程とＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）工程との組合せがある。ＭＯＳデバイスのゲート絶縁膜は、微細化の進展により、近いうちにシリコン酸化膜相当で１nm以下の膜厚が必要とされている。これは３〜４原子層の厚さに相当する。このような極薄の膜厚になると、トンネル電流の増大、ゲート電極にドープした元素の拡散、信頼性の低下等により、シリコン酸化膜は使えないため、誘電率の高い膜（いわゆるhigh-k膜）を用いる必要がある。この種のhigh-k膜としては、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2等の遷移金属酸化膜、Ｌａ2Ｏ3等の希土類酸化物およびそれらのシリケートなどが好ましく、ＭＯＣＶＤ法によって形成することができる。ただし、これらの高誘電率膜とＳｉ基板との間には、シリケートからなる組成遷移層乃至、シリケート層とＳｉ基板の間にはＳｉの中間酸化状態かなる組成遷移層が形成されてしまうので、これを防止するため先にＵＶＯ処理によって酸化膜防止層であるＳｉＯ2層を形成する必要がある。また、該酸化膜防止層がシリケート層とＳｉ基板に介在することによってデバイス特性の劣化、つまり移動度の低下防止となる効果もある。
【００９２】
この場合も、この実施形態のクラスタツールでは、プロセス・モジュールＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4のいずれか２つにＵＶＯチャンバとＭＯＣＶＤチャンバとを充てることができる。ＵＶＯチャンバは、紫外線ランプによりたとえば波長１９０〜３８０ｎｍの紫外線を照射しつつ所定量のＯ2を導入して紫外線励起により酸素ラジカルを生成し、生成した酸素ラジカルによってシリコン基板の表面にほぼ０．５ｎｍのＳｉＯ2層を形成する。この０．５ｎｍのＳｉＯ2層を真空雰囲気中にてＭＯＣＶＤチャンバに移送し、ＭＯＣＶＤチャンバで上記high-kシリケート膜を形成する。この際、原料ガスは４００〜６００゜Ｃに加熱された被処理基板上で分解し、基板上に薄膜が成長する。この連続成膜の処理時間は、ＵＶＯを３００秒、ＭＯＣＶＤを３４３秒に設定するのがベストモードとされている。この場合、最大処理時間ＰＴmaxが３４３秒であるから、ＵＶＯチャンバおよびＭＯＣＶＤチャンバに共通または同一のウエハ滞在時間ＳＴを３４３秒以上（好ましくは３４３秒）に設定してよい。
【００９３】
なお、ウエハ滞在時間ＳＴの内訳（時間割）について、上記した実施形態では最大処理時間ＰＴmaxと当該プロセス・モジュールの処理時間ＰＴnとの差を待ち時間ＷＴnとしてレシピ処理時間ＰＴnの前に置き、ウエハを当該プロセス・モジュールに搬入してから待ち時間ＷＴnの経過後にレシピ処理を開始した。しかし、ウエハ滞在時間ＳＴ内で待ち時間ＷＴnを任意に割り振りすることが可能であり、たとえばレシピ処理時間ＰＴnの後に設定し、当該プロセス・モジュール内でレシピ処理を終了してから待ち時間ＷＴnの経過後にウエハを搬出するようにしてもよい。
【００９４】
また、本発明のクラスタツールは、上記した実施形態の装置構成（図１）に限定されるものではなく、レイアウトや各部の構成等において種々の変形が可能である。たとえば、図８に示すように、トランスファ・モジュールＴＭを水平方向に延ばしてトランスファ・モジュールＴＭに連結可能つまりクラスタツール内で稼動可能なプロセス・モジュールの台数を増やす構成（図８の例は６台）も可能である。この構成例では、トランスファ・モジュールＴＭ内に長手方向に延びる２本のレール１０が敷設され、搬送ロボットＲＢ1がレール１０上で直進移動可能なスライダ１２を有している。また、この搬送ロボットＲＢ1は、互いに鋭角（たとえば６０゜）離れた２方向で伸縮可能な一対の搬送アームＦA，ＦBを有しており、各モジュールに対してピック＆プレース動作により両搬送アームＦA，ＦBを交互に出し入れするときなどに旋回角度が小さくて済むという特長を有している。
【００９５】
本発明のクラスタツールは、上記実施形態のような真空系の処理システムに限定されるものではなく、一部または全体が大気系の処理システムにも適用可能である。被処理体も、半導体ウエハに限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】一実施形態におけるクラスタツールの構成を示す略平面図である。
【図２】実施形態におけるピック＆プレース動作を説明するための模式図である。
【図３】実施形態におけるレシピ上の処理手順を示すフローチャート図である。
【図４】実施形態におけるウエハ滞在時間の内訳（時間割）を示す図である。
【図５Ａ】実施例における搬送シーケンスの一例を示す図である。
【図５Ｂ】実施例における搬送シーケンスの一例を示す図である。
【図６Ａ】参考例における搬送シーケンスの一例を示す図である。
【図６Ｂ】参考例における搬送シーケンスの一例を示す図である。
【図７Ａ】別の実施例における搬送シーケンスの一例を示す図である。
【図７Ｂ】別の実施例における搬送シーケンスの一例を示す図である。
【図８】実施形態のクラスタツールの一変形例の構成を示す略平面図である。
【符号の説明】
【００９７】
ＴＭ    トランスファ・モジュール
ＲＢ1    真空搬送ロボット
ＦA，ＦB    搬送アーム
ＰＭ1，ＰＭ2，ＰＭ3，ＰＭ4    プロセス・モジュール
ＬＬＭ1，ＬＬＭ2    ロードロック・モジュール
ＧＶ    ゲートバルブ
ＬＭ    ローダ・モジュール
ＬＰ    ロードポート
ＯＲＴ    オリフラ合わせ機構
ＲＢ2    大気搬送ロボット
１０    案内レール
１２    スライダ
【図１】
2006108549.tif 000003
【図２】
2006108549.tif 000004
【図３】
2006108549.tif 000005
【図４】
2006108549.tif 000006
【図５Ａ】
2006108549.tif 000007
【図５Ｂ】
2006108549.tif 000008
【図６Ａ】
2006108549.tif 000009
【図６Ｂ】
2006108549.tif 000010
【図７Ａ】
2006108549.tif 000011
【図７Ｂ】
2006108549.tif 000012
【図８】
2006108549.tif 000013