(57)【要約】【課題】  高品質な画像表示を行い且つ長寿命化させることが可能な電気光学装置を製造すると共に、歩留まりを向上させる。【解決手段】  電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、処理室において、一対の基板の少なくとも一方の基板における電気光学物質と対向することになる基板面上に、無機材料からなる配向膜を、基板面に対して無機材料の飛ぶ方向が成す角度を所定値に固定して、ＰＶＤ法を行うことにより、形成する工程と、ＰＶＤ法が開始された後に、配向膜中の欠陥を修復するための少なくとも１種の修復ガスを、処理室内に導入する工程とを備える。【選択図】  図８
2006119403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
処理室において、前記一対の基板の少なくとも一方の基板における前記電気光学物質と対向することになる基板面上に、無機材料からなる配向膜を、前記基板面に対して前記無機材料の飛ぶ方向が成す角度を所定値に固定して、ＰＶＤ法を行うことにより、形成する工程と、
前記ＰＶＤ法が開始された後に、前記配向膜中の欠陥を修復するための少なくとも１種の修復ガスを、前記処理室内に導入する工程と
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記修復ガスを導入する工程では、前記ＰＶＤ法の終了前に、前記修復ガスの導入を終了すること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記修復ガスを導入する工程では、前記ＰＶＤ法の終了後に、前記修復ガスの導入を終了すること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記修復ガスを導入する工程では、２種以上の前記修復ガスを前記処理室内に夫々連続して導入することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記修復ガスを導入する工程では、前記修復ガスを間欠的に前記処理室内に導入することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記修復ガスを導入する工程では、前記ＰＶＤ法の終了後に、前記修復ガスの導入を開始すること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記修復ガスを導入する工程では、前記修復ガスをイオン化させて、イオン化された前記修復ガスを、前記基板面に対して前記修復ガスの進行方向がなす角度が、前記配向膜における前記無機材料の柱状構造物が前記基板面に対して成す角度に対応するように、供給すること
を特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記修復ガスを導入する工程では、前記修復ガスとして、窒素、アルゴン及び水素の混合ガス、フッ素、酸素、及びオゾンのうち少なくとも１種を用いること
を特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記配向膜を形成する工程では、前記ＰＶＤ法を、斜方蒸着法により行うことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記配向膜を形成する工程では、前記ＰＶＤ法を、イオンビームスパッタ法により行うことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
電気光学物質を挟持してなる一対の基板と、
処理室において、(i)前記一対の基板の少なくとも一方の基板における前記電気光学物質と対向することになる基板面上に、前記基板面に対して前記無機材料の飛ぶ方向が成す角度を所定値に固定して、ＰＶＤ法を行うことにより、無機材料から形成され、(ii)前記ＰＶＤ法が開始された後に、少なくとも１種の修復ガスを前記処理室内に導入することで、欠陥が修復された配向膜と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法、及び該製造方法によって製造された電気光学装置、並びに該電気光学装置を具備してなる例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の製造方法によって製造される電気光学装置では、例えばシール材によって貼り合わされた一対の基板間に挟持される電気光学物質の配向制御は、例えば、一対の基板のうち少なくとも一方の基板における、電気光学物質と対向する側の基板面上に形成された無機配向膜によって行われる。電気光学装置の製造時、無機配向膜は、例えば斜方蒸着法によって形成される。
【０００３】
ここで、特許文献１には、斜方蒸着法により高分子フィルム上に強磁性金属を蒸着する技術が開示されている。特許文献１によれば、強磁性金属を、高入射角成分と低入射角成分とで夫々蒸着させる際、強磁性金属の付着効率を向上させるために、高入射角成分にイオン化した酸素ガスを吹き付けて、強磁性金属をイオン化させる。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−５３７５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、斜方蒸着法により基板面上に形成された無機配向膜において、その表面や内部に例えばダングリングボンドが存在することで、電気的に不安定な欠陥部分が生じ、良好な膜質が得られないことがある。このような無機配向膜における電気的に不安定な欠陥部分には、例えば水分が反応して水酸基が形成され、無機配向膜上に塗布されるシール材中の成分が、該水酸基と反応して、汚染物質として無機配向膜中に拡散する恐れがある。このように無機配向膜において汚染物質の拡散が生じると、電気光学物質の配向制御が正常に行われなくなる恐れがある。また、このような汚染物質の拡散に代えて又は加えて、前述の欠陥部分では電気的な変動が生じることにより、電気光学物質の配向制御が正常に行われなくなる可能性もある。このような配向不良が生じると、光漏れ等が生じることによって、電気光学装置内における表示画像の品質が劣化する。
【０００６】
更に、無機配向膜は、膜密度が小さい上、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の水分を吸収しやすい無機材料から形成されている。よって、電気光学物質と、無機配向膜の下地に含まれる画素電極とが接触する恐れがあるほか、無機配向膜に吸収されることによって水分が無機配向膜中を拡散し、更には下地における画素電極等に浸入して、画素電極等が損傷する恐れがある。
【０００７】
以上の結果、電気光学装置の製造プロセスにおける歩留まりが低下すると共に、電気光学装置を長寿命化させるのが困難となる。
【０００８】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、高品質な画像表示を行い且つ長寿命化させることが可能な電気光学装置を製造すると共に、歩留まりを向上させることが可能な電気光学装置の製造方法及びこのような製造方法によって製造された電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えてなる液晶プロジェクタ等の電子機器を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、電気光学物質を挟持してなる一対の基板を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、処理室において、前記一対の基板の少なくとも一方の基板における前記電気光学物質と対向することになる基板面上に、無機材料からなる配向膜を、前記基板面に対して前記無機材料の飛ぶ方向が成す角度を所定値に固定して、ＰＶＤ法を行うことにより、形成する工程と、前記ＰＶＤ法が開始された後に、前記配向膜中の欠陥を修復するための少なくとも１種の修復ガスを、前記処理室内に導入する工程とを備える。
【００１０】
本発明の電気光学装置の製造方法によって製造される電気光学装置では、一対の基板間に、電気光学物質として、例えば液晶が挟持されている。電気光学装置を駆動させない状態で、無機材料からなる配向膜、即ち無機配向膜における表面形状効果により、電気光学物質は一対の基板間で所定の配向状態をとる。電気光学装置の駆動時、電気光学物質に、画素毎に画像信号に応じた電圧を印加することにより、電気光学物質の配向状態を変えることで、例えば光源から入射される光を変調する。そして、電気光学物質によって変調された光が表示光として出射されることにより、画像表示が行われる。
【００１１】
本発明の電気光学装置の製造方法では、配向膜を形成する工程では、処理室において、一対の基板のうち一方の基板における電気光学物質と対向することになる基板面上に、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法として例えば斜方蒸着法又はイオンビームスパッタ法により、配向膜を形成する。
【００１２】
ここで、基板面上には、予め配向膜の下地として、例えば画素電極を駆動するための配線や駆動素子が作りこまれた積層構造が形成され、この積層構造の最上層に画素電極が画素毎に所定のパターンで島状やストライプ状に形成される。或いは、基板面上には、画素毎に開口領域を規定するための遮光膜が作りこまれるとともに、複数の画素電極と対向することになる対向電極が最上層に配置された積層構造を形成するようにしてもよい。
【００１３】
処理室において、例えばＰＶＤ法を斜方蒸着法として行う場合、シリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料の蒸気流を発生させる。そして、前述の積層構造が形成された基板面を、該基板面に対して、無機材料の蒸気流の進行方向即ち無機材料の飛ぶ方向がなす角度が所定値に固定されるように、配置する。
【００１４】
そして、無機材料の蒸気流と積層構造の最表面とを接触させることにより、積層構造上に無機材料を蒸着させる。基板面上に蒸着した無機材料は、該無機材料の柱状構造物が基板面に対して所定の角度をなすように、配列することにより堆積する。このように形成された配向膜の表面や内部には、例えばダングリングボンドが存在することにより、電気的に不安定な欠陥部分が生じることがある。
【００１５】
続いて、修復ガスを導入する工程では、例えば斜方蒸着法等のＰＶＤ法が開始された後に、上述したような配向膜における欠陥部分を電気的に修復させて安定化させるための修復ガスとして、例えば水素（Ｈ２）や酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）等を処理室内に導入する。より具体的には、１種以上の修復ガスを連続的に又は間欠的に処理室内に導入する。この際、処理室内でＰＶＤ法が終了する前に、修復ガスの導入を終了する。或いは、ＰＶＤ法が終了した後まで連続的に修復ガスを導入した後、該導入を終了するか、若しくはＰＶＤ法が終了した後に、修復ガスを導入するようにしてもよい。尚、修復ガスには、例えばアルゴン（Ａｒ）等のキャリアガスが含まれるようにしてもよい。
【００１６】
そして、無機材料の蒸気流と修復ガスとを接触させる、又は修復ガスと基板面上に蒸着された無機材料とを接触させる。
【００１７】
これにより、例えば、気化された状態の無機材料中に存在するダングリングボンドに、修復ガスとして酸素（Ｏ２）を反応させて、酸素原子（Ｏ）を無機材料中に導入させる。これにより、ダングリングボンドを終端させて、電気的な欠陥が修復された状態で、無機材料を基板面上に蒸着させることが可能となる。
【００１８】
或いは、基板面上に蒸着された無機材料に修復ガスを接触させることで、例えば、該無機材料中に存在するダングリングボンドに酸素（Ｏ２）等の修復ガスを反応させて、ダングリングボンドを終端させることで、電気的な欠陥を修復することが可能となる。
【００１９】
尚、処理室内において、ＰＶＤ法としてイオンビームスパッタ法が行われる場合も、斜方蒸着法を行う場合と同様に、基板面に向かって飛翔する無機材料に修復ガスを接触させることで、電気的な欠陥が修復された状態で、無機材料を基板面上に堆積させることができる。或いは、基板面上に堆積した無機材料に修復ガスを接触させることで、電気的な欠陥を修復することが可能となる。
【００２０】
その後、修復ガスの導入を終了すると共に配向膜の形成を終了した後、配向膜が形成された基板を、例えば別の処理室に搬送して、該基板と対になる他方の基板とシール材を介して貼り合わせた後、該一対の基板間に電気光学物質を注入することにより、電気光学装置を形成する。
【００２１】
よって、本発明の電気光学装置の製造方法では、電気的に不安定な欠陥部分が修復された、良好な膜質の配向膜を得ることができる。よって、配向膜における電気的な変動を抑制することが可能となり、例えば、配向膜形成後、基板を貼り合せる際に、硬化前のシール材の成分が汚染物質として拡散する事態を防止することが可能となる。その結果、配向膜において電気光学物質の配向制御を正常に行うことが可能となり、配向不良が生じて光漏れ等が発生するのを防止することができる。従って、電気光学装置において高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００２２】
また、修復ガスを導入する工程で、修復ガスとして酸素（Ｏ２）又は窒素（Ｎ２）を処理室内に導入して、無機材料中の電気的な欠陥部分を上述したように修復させる際、無機材料中に酸素（Ｏ）原子や窒素原子（Ｎ）が導入されることで、配向膜を膜密度の高い膜、即ち緻密な膜として形成することが可能となる。よって、配向膜が緻密な膜として形成されることにより、配向膜の下地に含まれる画素電極或いは対向電極と電気光学物質とが接触するのを防止することができる。
【００２３】
また、このように配向膜を良質で且つ緻密な膜として形成することにより、配向膜に吸収された水分が該配向膜中に拡散して、更には画素電極等に浸入するのを防止することができる。
【００２４】
従って、本発明の電気光学装置の製造方法では歩留まりを向上させることが可能となると共に、当該電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置において、耐水性及び耐湿性を向上させて、電気光学装置を長寿命化させることが可能となる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記修復ガスを導入する工程では、前記ＰＶＤ法の終了前に、前記修復ガスの導入を終了する。
【００２６】
この態様によれば、処理室内において、例えばＰＶＤ法として斜方蒸着法を行う場合、無機材料の蒸気流と修復ガスとを接触させることにより、電気的な欠陥が修復された状態で、無機材料を基板面上に蒸着させることが可能となる。或いは、修復ガスと基板面上に蒸着された無機材料とを接触させることで、蒸着された無機材料における欠陥部分を修復することが可能となる。
【００２７】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記修復ガスを導入する工程では、前記ＰＶＤ法の終了後に、前記修復ガスの導入を終了する。
【００２８】
この態様によれば、例えばＰＶＤ法として斜方蒸着法を行う場合、無機材料の蒸気流と修復ガスとを接触させることにより、電気的な欠陥が修復された状態で、無機材料を基板面上に蒸着させることが可能となる。或いは、修復ガスと基板面上に蒸着された無機材料とを接触させることで、蒸着された無機材料における欠陥部分を修復することが可能となる。
【００２９】
ここで、ＰＶＤ法が終了すると、基板面上における無機材料の堆積が終了する。よって、ＰＶＤ法が終了した後も、連続的に修復ガスを処理室内に導入して、配向膜の最表面に修復ガスを接触させることで、配向膜の内部に加えて最表面における電気的な欠陥部分をより確実に修復させることが可能となる。従って、この態様では、配向膜において内部に加えて最表面における膜質を良好なものとすることにより、配向膜全体における電気的な変動をより確実に抑制することが可能となる。ここで、ＰＶＤ法が終了した後に、処理室内には、修復ガスとして、反応性の強いフッ素（Ｆ２）やオゾン（Ｏ３）等のガスを導入するのが好ましい。このようにすれば、より確実に、配向膜の最表面における電気的な欠陥部分を修復させることが可能となる。
【００３０】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記修復ガスを導入する工程では、２種以上の前記修復ガスを前記処理室内に夫々連続して導入する。
【００３１】
この態様によれば、次のように修復ガスを切り替えることで、配向膜の膜質を段階的に変化させることが可能となる。
【００３２】
処理室内において、ＰＶＤ法が開始された後、ＰＶＤ法の初期に、修復ガスとして、例えば酸素（Ｏ２）や窒素（Ｎ２）等を処理室内に導入することで、配向膜の初期膜を緻密な膜として形成することが可能となる。その後、ＰＶＤ法の終了時付近で、連続して、修復ガスをフッ素（Ｆ２）やオゾン（Ｏ３）等の反応性の強いガスに切り替えて処理室内に導入することにより、配向膜における最表面付近の膜質をより確実に良好なものとすることが可能となる。よって、例えば、配向膜において、最表面では電気光学物質の配向不良の発生を防止しつつ、緻密な初期膜によって、配向膜の下地を形成する画素電極或いは対向電極と、電気光学物質とが接触するのを防止すると共に、耐水性及び耐湿性を確保することが可能となる。
【００３３】
或いは、配向膜における初期膜を緻密な膜とするのに代えて若しくは加えて、配向面の最表面を良質且つ緻密な膜として形成するようにしてもよい。
【００３４】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記修復ガスを導入する工程では、前記修復ガスを間欠的に前記処理室内に導入する。
【００３５】
この態様によれば、１種以上の修復ガスを間欠的に処理室内に導入することで、配向膜の膜質を段階的に変化させると共に、効率的に配向膜における欠陥部分を修復することが可能となる。
【００３６】
例えば、処理室内において、ＰＶＤ法が開始された後、ＰＶＤ法の初期に、修復ガスとして例えば酸素（Ｏ２）や窒素（Ｎ２）等を処理室内に導入することで、配向膜の初期膜を緻密な膜として形成する。その後、修復ガスの導入を中断して、ＰＶＤ法を行う。続いて、ＰＶＤ法の終了時付近で、再び酸素（Ｏ２）や窒素（Ｎ２）等を修復ガスとして処理室内に導入して、配向膜における最表面付近の欠陥部分を修復させると共に、該最表面付近に緻密な膜を形成させる。尚、ＰＶＤ法の終了時付近で、修復ガスをフッ素（Ｆ２）やオゾン（Ｏ３）等に切り替えて、処理室内に導入するようにしてもよい。
【００３７】
よって、たとえ、配向膜の内部に電気的に不安定な欠陥部分が残存していたとしても、配向膜の最表面で電気的な変動を抑制することで、電気光学物質の配向不良を防止することが可能となる。更に、配向膜の初期膜を緻密な膜として形成することで、配向膜の下地を形成する画素電極或いは対向電極と、電気光学物質とが接触するのを防止すると共に、耐水性及び耐湿性を確保することが可能となる。尚、配向膜の初期膜に加えて、配向膜の最表面付近を緻密な膜とすることで、より確実に、耐水性及び耐湿性を確保することができる。
【００３８】
従って、この態様によれば、多量の修復ガスを処理室内に導入させなくても、配向膜の膜質を向上させることが可能となる。
【００３９】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記修復ガスを導入する工程では、前記ＰＶＤ法の終了後に、前記修復ガスの導入を開始する。
【００４０】
この態様によれば、配向膜の最表面に修復ガスを接触させることで、配向膜の最表面における電気的な欠陥部分をより確実に修復させることが可能となる。よって、たとえ、配向膜の内部に電気的に不安定な欠陥部分が残存していたとしても、配向膜の最表面で電気的な変動を抑制することで、電気光学物質の配向不良を防止することが可能となる。また、配向膜の最表面を緻密な膜とすることで、配向膜の下地を形成する画素電極或いは対向電極と、電気光学物質とが接触するのを防止すると共に、耐水性及び耐湿性を確保することが可能となる。
【００４１】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記修復ガスを導入する工程では、前記修復ガスをイオン化させて、イオン化された前記修復ガスを、前記基板面に対して前記修復ガスの進行方向がなす角度が、前記配向膜における前記無機材料の柱状構造物が前記基板面に対して成す角度に対応するように、供給する。
【００４２】
この態様によれば、ＰＶＤ法が開始された後、修復ガスはイオン化されて、処理室内に導入される。処理室内において、イオン化された修復ガスが、基板面に対して該修復ガスの進行方向がなす角度が、基板面上に堆積された無機材料の柱状構造物が基板面に対して成す角度に対応するように、供給されることで、基板面上に蒸着された無機材料の柱状構造物に、反応性の強い修復ガスを効率的に接触させることが可能となる。よって、蒸着された無機材料における欠陥部分を効率的に且つより確実に修復することが可能となる。
【００４３】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記修復ガスを導入する工程では、前記修復ガスとして、窒素、アルゴン及び水素の混合ガス、フッ素、酸素、及びオゾンのうち少なくとも１種を用いる。
【００４４】
この態様によれば、ＰＶＤ法が開始された後に、処理室内に、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）及び水素（Ｈ２）の混合ガス、フッ素（Ｆ２）、酸素（Ｏ２）、及びオゾン（Ｏ３）を導入することにより、無機材料中に存在するダングリングボンドを終端させて、無機材料中の欠陥部分を修復することが可能となる。ここで、修復ガスとして、水素（Ｈ２）はアルゴン（Ａｒ）等のキャリアガス中に混入させて処理室内に導入するのが好ましい。また、窒素（Ｎ２）及び酸素（Ｏ２）を修復ガスとすることで、配向膜を緻密な膜として形成することが可能となる。或いは、フッ素（Ｆ２）、酸素（Ｏ２）、及びオゾン（Ｏ３）を修復ガスとすることで、配向膜における電気的な欠陥部分をより確実に且つ迅速に修復することができる。
【００４５】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記配向膜を形成する工程では、前記ＰＶＤ法を、斜方蒸着法により行う。
【００４６】
この態様によれば、処理室内において、無機材料の蒸気流と積層構造の最表面とを接触させることにより、無機材料の柱状構造物が基板面上に配列されることによって、配向膜を形成することが可能となる。
【００４７】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記配向膜を形成する工程では、前記ＰＶＤ法を、イオンビームスパッタ法により行う。
【００４８】
この態様によれば、ＰＶＤ法を斜方蒸着法により行う場合と同様に、無機材料の飛ぶ方向が基板面に対して成す角度を調整することにより、無機材料の柱状構造物を基板面上に配列させることで、配向膜を形成することが可能となる。
【００４９】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、電気光学物質を挟持してなる一対の基板と、処理室において、(i)前記一対の基板の少なくとも一方の基板における前記電気光学物質と対向することになる基板面上に、前記基板面に対して前記無機材料の飛ぶ方向が成す角度を所定値に固定して、ＰＶＤ法を行うことにより、無機材料から形成され、(ii)前記ＰＶＤ法が開始された後に、少なくとも１種の修復ガスを前記処理室内に導入することで、欠陥が修復された配向膜とを備える。
【００５０】
本発明の電気光学装置は、上述した本発明の電気光学装置の製造方法によって製造されるため、高品質な画像表示を行うとともに、長寿命化させることが可能となる。
【００５１】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備する。
【００５２】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質の画像表示を安定して行うと共に、長寿命化させることが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた装置としてDLP（Digital  Light  Processing）等を実現することも可能である。
【００５３】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５４】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００５５】
＜１：電気光学装置の構成＞
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００５６】
ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側からみた平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。なお、以下で参照する各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５７】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００５８】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。図２には、ギャップ材５６として略球状のガラスビーズを、シール材５２に混入した構成を示してある。尚、ギャップ材５６を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００５９】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００６０】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００６１】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００６２】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２には図示を省略してあるが、この積層構造の最上層に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。そして、画素電極９ａ上には、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる配向膜１６が設けられている。
【００６３】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００６４】
そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成される。また、遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。
【００６５】
対向基板２０の対向面上における、これら各種の構成要素が作り込まれた積層構造上には、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる配向膜２２が形成されている。対向電極２１は、対向基板２０上の積層構造の最上層に配置されると共に、対向電極２１上に配向膜２２が形成されている。
【００６６】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のいずれか一方の対向面上に配向膜を形成するようにしてもよい。また、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６及び対向基板２０側の配向膜２２のいずれか一方を、ポリイミド等の有機材料により形成される有機膜にラビング処理を施すことにより得られる有機配向膜から形成するようにしてもよい。但し、無機配向膜は、有機配向膜と比較して耐光性に優れるという特性を有している。よって、電気光学装置を長寿命化させるためには、無機配向膜を用いるようにするのがよい。
【００６７】
また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、一対の配向膜１６及び２２間で、所定の配向状態をとる。ＴＦＴアレイ基板１０上に、配向膜１６は、画像表示領域１０ａ及び画像表示領域１０ａから延在して、周辺領域におけるシール領域を含む領域に連続的に形成されている。また、対向基板２０上においても、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された配向膜１６と同様の領域に、配向膜２２が形成される。
【００６８】
なお、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６９】
ここで、図３には、図２に対応する断面の構成について、特に、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された配向膜１６による液晶の配向について模式的に示してある。
【００７０】
図３において、ＴＦＴアレイ基板１０において液晶層５０と対向する側の基板面上に、ＴＦＴ等の各種構成要素が作りまれた積層構造９０が形成されており、この積層構造９０の最上層に画素電極９ａが画素毎に形成されている。そして、画素電極９ａ上に、無機材料の柱状構造物１６ａがＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して所定の角度をなして配列することにより、無機材料が堆積して、配向膜１６が形成されている。このように形成された配向膜１６は、表面形状効果により、液晶分子５０ａを配向させることができる。尚、図３を参照して説明した配向膜１６による液晶の配向については、対向基板２０上に形成された配向膜２２についても同様である。
【００７１】
次に、以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及び動作について、図４を参照して説明する。図４は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００７２】
図４において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００７３】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００７４】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００７５】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００７６】
＜２：電気光学装置の製造方法＞
以下では、上述した本実施形態の電気光学装置の製造プロセスについて、図５から図１０を参照して説明する。
【００７７】
図５は、本実施形態に係る電気光学装置が、比較的大きいサイズのガラス基板上で一挙に複数形成されることを説明するための部分平面図である。先ず、本実施形態に係る電気光学装置の製造プロセスの各工程の説明に入る前に、その前提として、本実施形態に係る電気光学装置は、図５に示すような比較的大きなサイズのガラス基板Ｓの上において、一挙に複数形成される形態がとられるものとする。すなわち、ガラス基板Ｓの上において、電気光学装置が縦横それぞれにマトリクス状に配列されるように形成され、各電気光学装置においては、それぞれ、図１から図４を参照して説明したような各種の構成要素（ＴＦＴ３０や走査線１１ａ、データ線６ａ等、或いは走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１等々）が形成されることになるのである。ちなみに、図５において示されるガラス基板Ｓは、図１及び図２に示されるＴＦＴアレイ基板１０に該当する。
【００７８】
また、図５では、ＴＦＴアレイ基板１０の側における各種の構成要素が形成されるガラス基板Ｓのみについて図示されているが、これとは別に、図５には図示しないガラス基板の上に、対向電極２１、配向膜２２等々が形成されて、対向基板２０が複数形成される。そして、ガラス基板Ｓと、図５には図示しない別のガラス基板とを対向させて、各電気光学装置について、個別に、シール材５２によって貼り合わせ、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶を封入する。その後、ガラス基板Ｓ及び図５には図示しない別のガラス基板を裁断することによって、図１及び図２に示したような各個別の電気光学装置が製造されることになる。
【００７９】
さて、以上の前提の下、本実施形態に係る電気光学装置の製造プロセスについて、図６から図９を参照して説明する。図６は、本実施形態における電気光学装置の製造プロセスの各工程を説明するためのフローチャートを示す図であって、図７は、電気光学装置の製造に用いられる製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。また、図８は、配向膜の製造プロセスに係る各工程を詳細に説明するためのフローチャートを示す図である。更に、図９（ａ）には、図７における第２処理室の構成例を概略的に示してあり、図９（ｂ）は、無機材料の飛ぶ方向とＴＦＴアレイ基板１０の基板面との配置関係を模式的に示す模式図である。
【００８０】
先ず、図６において、図７に示す第１処理室５０１内で、ＴＦＴアレイ基板１０上に、データ線６ａや走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等が作り込まれた積層構造９０の最上層に画素電極９ａを形成する（ステップＳ１）。
【００８１】
続いて、図７に示す第１処理室５０１から第２処理室５０２に、ＴＦＴアレイ基板１０を搬送し、第２処理室５０２内において、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法として、例えば斜方蒸着法又はイオンビームスパッタ法を、ＴＦＴアレイ基板１０に対して施すことで、ＴＦＴアレイ基板１０における画素電極９ａが形成された基板面上に配向膜１６を形成する（ステップＳ２）。
【００８２】
以下に、図８及び図９を参照して、ステップＳ２の工程について詳細に説明する。尚、以下では、斜方蒸着法により配向膜１６を形成するものとして説明する。
【００８３】
図９（ａ）に示すように、第２処理室５０２には、シリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料の蒸気流を発生させる蒸着源５１２と、ＴＦＴアレイ基板１０を保持する保持機構５１４とが設けられている。第２処理室５０２内において、ＴＦＴアレイ基板１０は、蒸着源５１２とＴＦＴアレイ基板１０の基板面重心位置とを結ぶ基準線Ｘ１と、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面と垂直に交わる直線Ｘ２とのなす角θ０が所定値となるように、保持機構５１４によって保持される。よって、図９（ａ）及び図９（ｂ）において矢印Ｙ１によって示される、蒸着源５１２において発生された無機材料の蒸気流の進行方向即ち無機材料の飛ぶ方向と、ＴＦＴアレイ基板１０において配向膜１６が形成される基板面とのなす角θ１は、角度θ０を変化させることによって調整することができる。この角度θ１は、配向膜１６において配向制御を行うための表面形状効果が得られるように、柱状構造物１６ａを基板面上に配列させるための所定値に固定する。
【００８４】
図８において、このように、第２処理室５０２内においてＴＦＴアレイ基板１０が保持された状態で、斜方蒸着法を開始する（ステップＳ１１）。その後、第２処理室５０２内に、修復ガスとして例えば窒素（Ｎ２）又は酸素（Ｏ２）を導入する（ステップＳ１２）。
【００８５】
この際、蒸着源５１２から発生された無機材料の蒸気流が、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面上において、積層構造９０の最表面と接触することにより、積層構造９０上に無機材料が蒸着する。そして、基板面上に蒸着した無機材料の柱状構造物１６ａが基板面に対して所定の角度をなして配列することで、無機材料が基板面上に堆積する。柱状構造物１６ａが基板面に対してなす角度は、無機材料の蒸気流の進行方向Ｙ１がＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して成す角度θ１に対応する。
【００８６】
そして、このようにＰＶＤ法が開始されている状態で、第２処理室５０２内に修復ガスを導入することにより、該修復ガスを、無機材料の蒸気流及びＴＦＴアレイ基板１０の基板面上に蒸着した無機材料と接触させる。
【００８７】
ここで、気化された状態の無機材料中、又は基板面上に蒸着した無機材料中には例えばダングリングボンドが存在することにより、電気的に不安定な欠陥部分が生じていることがある。例えば無機材料としてシリカを用いる場合に、無機材料の蒸気流に修復ガスとして例えば窒素（Ｎ２）を接触させると、気化された状態の無機材料中のダングリングボンドに窒素（Ｎ２）が反応して、例えば珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）との結合（Ｓｉ−Ｎ）が形成されることにより、ダングリングボンドを終端させることができる。これにより、電気的な欠陥が修復された状態で、無機材料を基板面上に蒸着させることが可能となる。
【００８８】
図１０は、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面上に蒸着された無機材料であるシリカ（ＳｉＯ２）の化学的な構成を模式的に示すと共に、この無機材料に修復ガスを接触させた場合の欠陥部分の修復について説明するための模式図である。
【００８９】
図１０において、無機材料としてシリカを用いる場合、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面上に蒸着された無機材料中には、例えば珪素原子（Ｓｉ）にダングリングボンドが存在することにより、欠陥部分６１２が生じている。例えば修復ガスとして窒素（Ｎ２）を接触させると、無機材料中のダングリングボンドに窒素（Ｎ２）が反応して、例えば珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）との結合（Ｓｉ−Ｎ）が形成されることにより、ダングリングボンドを終端させて、欠陥部分６１２を修復することが可能となる。
【００９０】
尚、修復ガスとして酸素（Ｏ２）を用いる場合も、窒素（Ｎ２）を用いる場合と同様に、無機材料の蒸気流又はＴＦＴアレイ基板１０の基板面上に蒸着された無機材料中の欠陥部分を修復させることが可能となる。
【００９１】
よって、ステップＳ１２の工程では、配向膜１６の内部における膜質を良好なものとすることが可能となる。
【００９２】
その後、第２処理室２０５内に連続して修復ガスを導入した状態で、斜方蒸着法を終了させる（ステップＳ１３）。斜方蒸着法が終了すると、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面上における無機材料の堆積が終了して、配向膜１６の成膜が終了する。この状態で、配向膜１６の最表面に修復ガスが接触することで、この最表面に存在する電気的な欠陥部分をより確実に修復することが可能となる。従って、配向膜１６の内部に加えて最表面における膜質を良好なものとして、配向膜１６全体における電気的な変動をより確実に抑制することが可能となる。
【００９３】
その後、第２処理室２０５における修復ガスの導入を終了することにより（ステップＳ１４）、図６におけるステップＳ２の工程を終了する。
【００９４】
尚、第２処理室５０２内において、ＰＶＤ法としてイオンビームスパッタ法が行われる場合も、斜方蒸着法を行う場合と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に向かって飛翔する無機材料に修復ガスを接触させることで、電気的な欠陥が修復された状態で、無機材料を基板面上に堆積させることができる。或いは、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面上に堆積した無機材料に修復ガスを接触させることで、電気的な欠陥を修復することが可能となる。
【００９５】
図６において、ステップＳ１及びステップＳ２のＴＦＴアレイ基板１０に係る製造工程と並行して又は相前後して、図７に図示しない処理室内において、対向基板２０において、遮光膜２３や対向電極２１等が作り込まれた積層構造が形成され（ステップＳ３）、続いて、配向膜２２が形成される（ステップＳ４）。ステップＳ４の工程を、ステップＳ２の工程と同様の手順によって行うことにより、対向基板２０側の配向膜２２も膜質を良好なものとして形成することが可能となり、その結果、配向膜２２全体における電気的な変動をより確実に抑制することが可能となる。
【００９６】
その後、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を、図７に示す第３処理室５０３に搬送し、第３処理室５０３内において、ＴＦＴアレイ基板１０において配向膜１６が形成された側と、対向基板２０において配向膜２２が形成された側とをシール材５２を介して貼り合わせる（ステップＳ５）。
【００９７】
続いて、互いに貼り合わされた状態のＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を、図７に示す第４処理室５０４に搬送し、第４処理室５０４内において、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶を注入する（ステップＳ６）。
【００９８】
上述したように、配向膜１６又は２２の膜質を良好なものとして形成することにより、ステップＳ６の工程において、ＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０上に塗布されたシール材５２が、配向膜１６又は２２中に汚染物質として拡散する事態を防止することができる。その結果、配向膜１６又は２２において液晶の配向制御を正常に行うことが可能となり、配向不良が生じて光漏れ等が発生するのを防止することができる。従って、電気光学装置において高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００９９】
また、図８におけるステップＳ１２の工程で、修復ガスとして酸素（Ｏ２）又は窒素（Ｎ２）を第２処理室５０２内に導入して、無機材料中の電気的な欠陥部分を上述したように修復させることにより、配向膜１６又は２２を緻密な膜として形成することが可能となる。よって、配向膜１６又は２２が緻密な膜として形成されることにより、配向膜１６の下地に含まれる画素電極９ａ又は配向膜２２の下地に含まれる対向電極２１と液晶とが接触するのを防止することができる。
【０１００】
また、このように配向膜１６又は２２を良質で且つ緻密な膜として形成することにより、配向膜１６又は２２に吸収された水分が、該配向膜中に拡散して、更には画素電極９ａ又は対向電極２１等に浸入するのを防止することができる。
【０１０１】
従って、本実施形態の電気光学装置の製造方法では歩留まりを向上させることが可能となると共に、電気光学装置において、耐水性及び耐湿性を向上させて、長寿命化させることが可能となる。
【０１０２】
＜３：変形例＞
本実施形態における電気光学装置の製造プロセスに係る変形例について、図１１から図１５を参照して説明する。
【０１０３】
＜３−１：第１変形例＞
本実施形態における電気光学装置の製造プロセスに係る第１変形例について、図１１を参照して説明する。第１変形例では、配向膜１６又は２２の製造プロセスが本実施形態と異なる。図１１は、第１変形例における配向膜の製造プロセスに係る各工程を詳細に説明するためのフローチャートを示す図である。尚、以下では、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６の形成について詳細に説明する。
【０１０４】
図１１において、第２処理室５０２内で、ステップＳ１１及びステップＳ１２の工程を行う。ステップＳ１２の工程の後、修復ガスの導入を終了し（ステップＳ２３）、その後、ＰＶＤ法を終了させる（ステップＳ２４）。
【０１０５】
よって、第１変形例によれば、第２処理室５０２内において、電気的な欠陥が修復された状態で、無機材料をＴＦＴアレイ基板１０の基板面上に堆積させることが可能となる。或いは、修復ガスと、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面上に堆積した無機材料とを接触させることで、該無機材料における欠陥部分を修復することが可能となる。その結果、配向膜１６の内部における膜質を良好なものとすることが可能となる。
【０１０６】
＜３−２：第２変形例＞
本実施形態における電気光学装置の製造プロセスに係る第２変形例について、図１２を参照して説明する。第２変形例では、配向膜１６又は２２の製造プロセスが本実施形態と異なる。図１２は、第２変形例における配向膜の製造プロセスに係る各工程を詳細に説明するためのフローチャートを示す図である。尚、以下では、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６の形成について詳細に説明する。
【０１０７】
図１２において、第２処理室５０２内で、ステップＳ１１からステップＳ１３の工程を行う。ステップＳ１２の工程では、修復ガスとして、例えば窒素（Ｎ２）又は酸素（Ｏ２）を導入する。そして、ステップＳ１３の工程後、修復ガスを例えばフッ素（Ｆ２）やオゾン（Ｏ３）等の反応性の強いガスに切り替えて、第２処理室５０２内に導入する（ステップＳ３４）。この際、修復ガスの切り替えの前後で、第２処理室５０２内に連続的に修復ガスを導入する。その後、第２処理室５０２における修復ガスの導入を終了する（ステップＳ３５）。
【０１０８】
第２処理室５０２内において、ＰＶＤ法が開始された後、ＰＶＤ法の初期に、修復ガスとして、例えば酸素（Ｏ２）や窒素（Ｎ２）等を導入することで、配向膜１６の初期膜を緻密な膜として形成することが可能となる。その後、ＰＶＤ法の終了時付近で、連続して、修復ガスをフッ素（Ｆ２）やオゾン（Ｏ３）等の反応性の強いガスに切り替えて第２処理室５０２内に導入することにより、配向膜１６における最表面付近の電気的な欠陥部分を修復させて、最表面における膜質をより確実に良好なものとすることが可能となる。
【０１０９】
このように修復ガスを切り替えることで、配向膜１６の膜質を段階的に変化させることができる。よって、例えば、配向膜１６において、最表面では液晶の配向不良の発生を防止しつつ、緻密な初期膜によって、配向膜１６の下地を形成する画素電極９ａと液晶とが接触するのを防止すると共に、耐水性及び耐湿性を確保することが可能となる。
【０１１０】
尚、第２変形例では、ステップＳ１２の工程より後であってステップＳ１３の工程より前、又はステップＳ１３の工程の後に、複数種類の修復ガスを連続的に切り替えて導入するようにしてもよい。
【０１１１】
＜３−３：第３変形例＞
本実施形態における電気光学装置の製造プロセスに係る第３変形例について、図１３を参照して説明する。第３変形例では、配向膜１６又は２２の製造プロセスが本実施形態と異なる。図１３は、第３変形例における配向膜の製造プロセスに係る各工程を詳細に説明するためのフローチャートを示す図である。尚、以下では、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６の形成について詳細に説明する。
【０１１２】
図１３において、第２処理室５０２内で、ステップＳ１１及びステップＳ１２の工程を行う。例えば、ステップＳ１２の工程では、ＰＶＤ法の初期に、修復ガスとして例えば酸素（Ｏ２）や窒素（Ｎ２）等を第２処理室５０２内に導入することで、配向膜１６の初期膜を緻密な膜として形成する。
【０１１３】
ステップＳ１２の工程の後に、修復ガスの導入を中断し（ステップＳ４３）、その後、ＰＶＤ法を終了させる（ステップＳ４４）。
【０１１４】
続いて、第２処理室５０２内において、修復ガスの導入を再開する（ステップＳ４５）。ステップＳ４５の工程では、例えば修復ガスとして、再び酸素（Ｏ２）や窒素（Ｎ２）等を第２処理室５０２内に導入して、配向膜１６における最表面付近の欠陥部分を修復させると共に、該最表面付近に緻密な膜を形成させる。その後、第２処理室５０２内において、修復ガスの導入を終了する（ステップＳ４６）。
【０１１５】
よって、たとえ、配向膜１６の内部に電気的に不安定な欠陥部分が残存していたとしても、配向膜１６の最表面で電気的な変動を抑制することで、液晶の配向不良を防止することが可能となる。更に、配向膜１６の初期膜を緻密な膜として形成することで、配向膜１６の下地を形成する画素電極９ａと、液晶とが接触するのを防止すると共に、耐水性及び耐湿性を確保することが可能となる。尚、配向膜１６の初期膜に加えて、配向膜１６の最表面付近を緻密な膜とすることで、より確実に、耐水性及び耐湿性を確保することができる。
【０１１６】
従って、第３変形例によれば、１種以上の修復ガスを間欠的に第２処理室５０２内に導入することで、配向膜１６の膜質を段階的に変化させると共に、多量の修復ガスを第２処理室５０２内に導入させなくても、効率的に配向膜１６の膜質を向上させることが可能となる。
【０１１７】
尚、第３変形例では、ステップＳ１２の工程より後であってステップＳ４４の工程より前に、間欠的に１種以上の修復ガスを導入するようにしてもよい。
【０１１８】
＜３−４：第４変形例＞
本実施形態における電気光学装置の製造プロセスに係る第４変形例について、図１４を参照して説明する。第４変形例では、配向膜１６又は２２の製造プロセスが本実施形態と異なる。図１４は、第４変形例における配向膜の製造プロセスに係る各工程を詳細に説明するためのフローチャートを示す図である。尚、以下では、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６の形成について詳細に説明する。
【０１１９】
図１４において、第２処理室５０２内で、ステップＳ１１の工程を行った後、ＰＶＤ法を終了する（ステップＳ５２）。その後、第２処理室５０２内に修復ガスをする（ステップＳ５３）。そして、配向膜１６の最表面に修復ガスを接触させることで、配向膜１６の最表面における電気的な欠陥部分をより確実に修復させることが可能となる。よって、たとえ、配向膜１６の内部に電気的に不安定な欠陥部分が残存していたとしても、配向膜１６の最表面で電気的な変動を抑制することで、液晶の配向不良を防止することが可能となる。また、配向膜１６の最表面を緻密な膜とすることで、配向膜１６の下地を形成する画素電極９ａと、液晶とが接触するのを防止すると共に、耐水性及び耐湿性を確保することが可能となる。その後、第２処理室５０２内において、修復ガスの導入を終了する（ステップＳ５４）。
【０１２０】
＜３−５：第５変形例＞
本実施形態における電気光学装置の製造プロセスに係る第５変形例について、図１５を参照して説明する。第５変形例では、配向膜１６又は２２の製造プロセスにおいて、修復ガスの導入に係る手順が本実施形態と異なる。図１５は、第５変形例において、図３に示す断面の構成について、修復ガスの進行方向と、ＴＦＴアレイ基板１０上に堆積した無機材料の柱状構造物との配置関係を示す断面図である。尚、以下では、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６の形成について詳細に説明する。
【０１２１】
第５変形例では、配向膜１６を形成する際、第２処理室５０２において、ＰＶＤ法を開始した後、修復ガスをイオン化して導入する。図１５中において、矢印Ｚ０によって示す修復ガスの進行方向について、該進行方向がＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して成す角度が、該基板面上に堆積された無機材料の柱状構造物１６ａが該基板面に対して成す角度に対応するように、第２処理室５０２内に修復ガスを導入する。これにより、図１５中の矢印Ｚ１０で示すように、反応性の強い修復ガスを、柱状構造物１６ａの隙間に進行させることによって、柱状構造物１６ａに効率的に接触させることが可能となる。よって、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面上に堆積した無機材料における電気的な欠陥部分を効率的に且つより確実に修復することが可能となる。
【０１２２】
＜４；電子機器＞
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用される場合について説明する。
【０１２３】
＜４−１：プロジェクタ＞
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１６は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【０１２４】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、外部回路（図示省略）から外部接続用端子１０２に供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１２５】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１２６】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１２７】
＜４−２：モバイル型コンピュータ＞
次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１７は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【０１２８】
＜４−３；携帯電話＞
さらに、この液晶パネルを、携帯電話に適用した例について説明する。図１８は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１２９】
尚、図１６から図１８を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１３０】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法、及び該製造方法によって製造された電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】本実施形態における電気光学装置の全体構成を表す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】配向膜による液晶の配向について説明するための模式図である。
【図４】複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図５】本実施形態の電気光学装置が、比較的大きいサイズのガラス基板上で一挙に複数形成されることを説明するための部分平面図である。
【図６】本実施形態における電気光学装置の製造プロセスの各工程を説明するためのフローチャートを示す図である。
【図７】電気光学装置の製造に用いられる製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。
【図８】配向膜の製造プロセスに係る各工程を詳細に説明するためのフローチャートを示す図である。
【図９】図９（ａ）は、第２処理室の構成例を示す図であり、図９（ｂ）は、無機材料の飛ぶ方向とＴＦＴアレイ基板の基板面との配置関係を模式的に示す模式図である。
【図１０】無機材料に修復ガスを接触させた場合の欠陥部分の修復について説明するための模式図である。
【図１１】第１変形例における配向膜の製造プロセスに係る各工程を詳細に説明するためのフローチャートを示す図である。
【図１２】第２変形例における配向膜の製造プロセスに係る各工程を詳細に説明するためのフローチャートを示す図である。
【図１３】第３変形例における配向膜の製造プロセスに係る各工程を詳細に説明するためのフローチャートを示す図である。
【図１４】第４変形例における配向膜の製造プロセスに係る各工程を詳細に説明するためのフローチャートを示す図である。
【図１５】修復ガスの進行方向と、ＴＦＴアレイ基板上に堆積した無機材料の柱状構造物との配置関係を示す断面図である。
【図１６】液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１７】液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１８】液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１３２】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１６、２２…配向膜、２０…対向基板、５０…液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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