(57)【要約】【課題】  １０００℃近傍領域で頻繁にウェハ熱処理をすることにより縦型ボートの支柱が変形してくる現象を、簡易な手段により抑え、石英で作成した縦型ボートの使用寿命を延ばすことを可能にする。【解決手段】  複数の円形板状の基板Ｗを上下に所定の間隔をおいて基板保持具に載置しつつ処理室にて処理する基板処理装置において、前記基板保持具は、前記基板Ｗの周方向に沿って配置された少なくとも第１の支柱７及び２本の第２の支柱６、８とを備え、該第１及び第２の支柱６〜８には、前記基板を載置する載置部２が夫々設けられ、かつ前記２本の第２の支柱６、８との間に前記基板Ｗを該基板の周方向から搬入出可能なように配置され、前記第２の支柱６、８の周りであって、前記第１の支柱７がある側と反対側に補強用支柱９、１４が配置されている構造とする。【選択図】        図１
2006165134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の円形板状の基板を上下に所定の間隔をおいて基板保持具に載置しつつ処理室にて処理する基板処理装置において、
前記基板保持具は、前記基板の周方向に沿って配置された少なくとも第１の支柱及び２本の第２の支柱を備え、
該第１及び第２の支柱には、前記基板を載置する載置部が夫々設けられ、かつ前記２本の第２の支柱との間は前記基板を該基板の周方向から搬入出可能なように配置され、
前記第２の支柱の周りであって、前記第１の支柱がある側と反対側に補強用支柱が配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に係り、特に縦型半導体製造装置の熱処理炉において、炉の大きさを変えることなく、ボートの支柱の強度向上を図る技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、縦型拡散装置や縦型ＣＶＤ装置等の縦型半導体製造装置は、半導体ウェハ等の複数の円形板状の基板を、上下に所定の間隔をおいて基板保持具たる縦型ボートに多段に載置し、これを処理室に導入して熱処理する構成となっている。
この縦型半導体製造装置の熱処理用として使用される縦型ボートは、通常図７に示すように、ベースプレート及びトッププレートの端板４，５間に上下に架設された３本の柱、すなわち円形板状の基板たるウェハ（基板）Ｗの周方向に沿って配置された第１の支柱７と２本の第２の支柱６、８を備え、それらの各支柱の断面は円状になっている。
【０００３】
これらの支柱６〜８には、基板載置部２として、図７（ｂ）に示すようにウェハ周辺部を支えるための溝３が、支柱内面側から半径方向外側に向けた凹部により設けられている。この支柱６〜８の配置間隔や、載置部の溝３の深さ及び配向は、２本の第２の支柱６、８間にウェハＷを該ウェハＷの周方向から搬入出可能なように配慮されている。
【０００４】
図１１は従来の半導体製造装置の一例を示している。図において、２１は縦型反応炉、２２は該縦型反応炉２１の上端部に設けられたガス吹出口、２３はガス吹出口２２に処理ガスを送り込むガス供給路、１８は縦型反応炉２１の下部に設けられたガス排出路、１９は縦型反応炉２１の下端開口を塞ぐ蓋体の上にてボートを保持するキャップ、２０はキャップ１９上に載せられた縦型ボートである。
【０００５】
ウェハ（基板）Ｗは、縦型ボート２０に水平姿勢で搭載された形で、反応炉２１の内部に装入される。その際、ウェハＷの周縁部の複数箇所がウェハ載置部２の上に載せられることで、ウェハＷが水平姿勢で保持される。
【０００６】
ウェハＷは、例えば処理ガスを、ガス供給路２３→ガス吹出口２２→反応炉２１内→ガス排出路１８の順路で流しながら高温雰囲気下で処理される。
【０００７】
ところで、上記の縦型ボートには、ＳｉＣ（炭化珪素）のみで構成されたものと、石英ガラスのみで構成されたものとがあるが、熱酸化処理や拡散処理、あるいはＣＶＤ処理等の高温下での各種処理を行う場合、石英ガラスのみで構成されたボートを使用すると、熱で変形してしまうおそれがあることから、機械的強度の十分な、ＳｉＣで構成された縦型ボートを使用しているのが現状である。
【０００８】
しかし、ＳｉＣで構成された縦型ボートは、高温には耐え得るが、半導体ウェハとの接触部においてウェハ側に接触傷を生じさせ、その結果、パーティクル発生の原因となるおそれがある。即ち、高温処理時において、半導体ウェハＷとウェハ載置部２との接触部に素材の性質の差による「こすれ」が生じ、この「こすれ」によって半導体ウェハＷに接触傷ができたり、それが原因でパーティクルが発生したりする。
【０００９】
そこで、従来、図８〜図１０に示すように、縦型ボートの支柱を、ＳｉＣ製の主支柱と石英ガラス製の副支柱とからなる複合構造により構成し、前記石英ガラス製の副支柱に基板を載せる基板保持爪を形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
このうち図８に示す縦型ボートの各支柱４４は、ＳｉＣ製の主支柱４４Ｂと石英ガラス製の副支柱４４Ａとの複合構造として構成されている。即ち、断面楕円形の石英ガラス製の副支柱４４Ａには、長手方向に貫通した貫通孔４４Ｃが形成されており、その貫通孔４４Ｃの内部に、ＳｉＣ製の主支柱４４Ｂが通される構造となっており、これにより主支柱４４Ｂと副支柱４４Ａとが一体化されて、二種材料よりなる複合構造の支柱４４が構成されている。
【００１１】
そして、石英ガラス製の副支柱４４Ａの内側面に、半導体ウェハＷを載せるウェハ保持爪（ウェハ載置部）４６が形成されている。ウェハ保持爪４６は、石英ガラス製の副支柱４４Ａの内側面に上下方向に一定の間隔で多数のスリット（溝）４５を水平に形成することにより列設されており、各ウェハ保持爪４６上に半導体ウェハＷを載せることで、上下方向に多数の半導体ウェハＷを積層状態で搭載できるようになっている。
【００１２】
また図９に示す縦型ボートの支柱２４では、ＳｉＣ製の主支柱２４Ｂに長手方向に貫通した貫通孔２４Ｃを設けて、その中に石英ガラス製の副支柱２４Ａを通し、主支柱２４Ｂの側面に形成した長溝２４Ｄから外部に突出している副支柱２４Ａの凸条２４Ｅにスリット２５を設けて、ウェハ保持爪２６を形成している。この場合は、長溝２４Ｄから凸条２４Ｅが突出した構造になっているので、貫通孔２４Ｃの断面形状によらず（貫通孔２４Ｃが円形断面であっても）、副支柱２４Ａと主支柱２４Ｂとが相互に回り止めされる。
【００１３】
また、図１０に示す縦型ボートの支柱３４では、石英ガラス製の副支柱３４Ａに長手方向に貫通した貫通孔３４Ｃを設けて、その中にＳｉＣ製の主支柱３４Ｂを通し、副支柱３４Ａの背面に形成した長溝３４Ｄに主支柱３４Ｂの凸条３４Ｅを係合させている。そして、副支柱３４Ａの内側面にスリット３５を設けて、ウェハ保持爪３６を形成している。この場合も、長溝３４Ｄと凸条３４Ｅが互いに係合しているので、貫通孔３４Ｃの断面形状によらず、副支柱３４Ａと主支柱３４Ｂとが相互に回り止めされる。
【００１４】
上記の例えば図８の如く構成された縦型ボートの場合、半導体ウェハＷは、石英ガラス製の副支柱４４Ａに形成されたウェハ保持爪４６によって保持される。つまり、半導体ウェハＷと接触する部分が、ＳｉＣではなく石英ガラスになる。従って、この縦型ボートに半導体ウェハＷを搭載して縦型反応炉内にて高温下で所定の処理を行った場合、半導体ウェハＷに対する接触傷が、ＳｉＣの場合に比べて少なくなる。また、石英ガラスのみで縦型ボートを形成した場合には、高温下でボートが変形してしまうおそれがあったが、図８の縦型ボートでは、石英ガラスのみでは強度が足りずに変形するおそれの箇所にＳｉＣを用いているので、つまり、副支柱４４Ａの内部に通した主支柱４４ＢをＳｉＣ製としているので、広い温度域において十分な機械的強度を保証することができる。
【特許文献１】特開２００２−８３７８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、半導体デバイス製造の過程で熱処理として使用される温度領域は７００〜１０５０℃領域で使用される場合があり、特に１０００℃近傍領域で頻繁に使用された場合、熱履歴やウェハの重さにより、徐々に支柱が変形してくる現象が発生する。
【００１６】
この支柱が変形する原因として、ボートの支柱はウェハ周辺部を支えるための溝を備える必要があるため、溝部分の支柱の断面積が小さくなってしまい、それにより支柱の強度が弱くなってしまうことで、高温での長時間の使用や、急激な温度変化や、ウェハを溝においたときのウェハの自重が支柱の溝部分に加わることに支柱の強度が耐え切れないことがあげられる。
【００１７】
この問題を解決する方法として、石英よりも熱的強度が高いＳｉＣボートの提供があげられるが、石英ボートよりもコストが高くなるという問題があった。
【００１８】
特許文献１の技術は、高温下でボートが変形してしまうおそれのある箇所、つまり石英ガラス製の副支柱４４Ａ、３４Ａの内部に、ＳｉＣ製の主支柱４４Ｂ、３４Ｂを通すか、又は石英ガラス製の副支柱２４Ａの外周囲をＳｉＣ製の主支柱２４Ｂで被覆するものであり、副支柱４４Ａ、３４Ａ、２４Ａに対する強度補償手段としてはそれなりに有効である。
【００１９】
しかしながら、特許文献１の場合、既存の基板保持具としての支柱に対する強度補償手段について開示したものではない。また、特許文献１の場合、その本来の目的を達成するため、二種類の異なる材料から成る石英ガラス製の副支柱４４Ａ、２４Ａ、３４ＡとＳｉＣ製の主支柱４４Ｂ、３４Ｂ、２４Ｂという複雑な部品を、それぞれ新しく用意しなければならない。特に、石英ガラス製の副支柱４４Ａ、２４Ａ、３４Ａは、ウェハ保持爪４６、２６、３６を設けるだけでなく、貫通穴や突起や長溝３４Ｄを有するといった特殊な形状が必須となる。
【００２０】
従って、特許文献１のような特殊な形状を必要とせず、既存の設備で培われて来た製造上の経験や知識を活かすことが容易で、製造上もコストがかからない簡易な構造の縦型ボートの提供が望まれる。
【００２１】
そこで、本発明の目的は、従来技術の問題点である、１０００℃近傍領域で頻繁にウェハ熱処理をすることにより縦型ボートの支柱が変形してくる現象を、簡易な手段により抑え、石英で作成した縦型ボートの使用寿命を延ばすことが可能な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
請求項１の発明に係る基板処理装置は、複数の円形板状の基板を上下に所定の間隔をおいて基板保持具に載置しつつ処理室にて処理する基板処理装置において、前記基板保持具は、前記基板の周方向に沿って配置された少なくとも第１の支柱及び２本の第２の支柱を備え、該第１及び第２の支柱には、前記基板を載置する載置部が夫々設けられ、かつ前記２本の第２の支柱との間に前記基板を該基板の周方向から搬入出可能なように配置され、前記第２の支柱の周りであって、前記第１の支柱がある側と反対側に補強用支柱が配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
本発明の基板処理装置によれば、基板の周方向に沿って配置された少なくとも第１の支柱及び２本の第２の支柱を備え、該第１及び第２の支柱には、前記基板を載置する載置部が夫々設けられ、かつ前記２本の第２の支柱との間に前記基板を該基板の周方向から搬入出可能なように構成された基板保持具において、前記第２の支柱の周りであって、かつ、前記第１の支柱がある側と反対側に、補強用支柱を配置した構成としたので、簡易な構成でありながら、基板の搬入出を妨げずに広い温度範囲にわたって第２の支柱の強度を補償することができる。その際、第２の支柱は格別に新しく用意された構造のものである必要はなく、従来の既存の支柱であってよい。このため簡易かつ低コストに縦型ボートを構築することができる。
【００２４】
また、本発明においては、補強用支柱を設ける場所を、第２の支柱の周りであって、第１の支柱がある側と反対側としたので、ウェハを搬入出の要請から支柱を設けることができない側、すなわち、ボートが傾倒する側（圧縮カを受ける側）を補強して、ボートの変形をより効果的に抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。
図１は第１の実施形態の縦型ボートの構成を示したもので、（ａ）は縦型ボートの支柱の構成を示すＤ−Ｄ横断面図、（ｂ）は縦型ボートの支柱の構成を示すＣ−Ｃ縦断面図である。
【００２６】
この縦型ボートは、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、ベースプレート及びトッププレートという円形の端板５、４を有し、この上下の円形の端板５、４間に、３本の支柱６、７、８を円周方向に所定の間隔をあけて互いに平行に立設したものである。すなわち、上下の端板５、４間に、円形断面の１本の第１の支柱７と、同じく円形断面の２本の第２の支柱６、８を備えている。この縦型ボートを構成する端板５、４、支柱６〜８等の部材の材質はすべて石英である。
【００２７】
これらの支柱６〜８には、基板を載置する載置部２として、図１（ｂ）に示すようにウェハ周辺部を支えるための溝３が、支柱内面側から支柱半径方向外側に向けた凹部により設けられている。この溝３は、上下方向に沿って並列に複数形成されている。
【００２８】
この支柱６〜８の配置間隔や、載置部の溝３の深さ及び配向は、第２の支柱６、８間にウェハＷを該ウェハＷの周方向（図１（ａ）の矢印で示したウェハの搬入方向）から搬入出可能なように配慮される。
【００２９】
具体的には、第２の支柱６、８は円形の端板又はウェハＷ（図１（ａ）参照）のほぼ直径方向に相対向する位置、正確には図１の直径方向Ｅ−Ｅラインより少しウェハ搬出入側寄り（図のＥ−Ｅラインより少し右側寄り）に立設されており、その第２の支柱６、８の基板載置部２の溝３は、第２の支柱６、８の断面の１／２程度までスリットが切り込まれ、これにより処理ウェハは柱に干渉することなく、溝に投入することができ、ウェハＷの搬入出が可能となっている。そして第１の支柱７は、この２本の第２の支柱６、８の間のほぼ中間、ここではＥ−Ｅラインに直交するＣ−Ｃライン上に配置されている。
【００３０】
処理するウェハＷは、上下の端板５、４間において支柱６、７、８により囲まれる領域に搬入され、その支柱内側のスリット溝３に入り載置部２に載置される。
【００３１】
上記第２の支柱６、８の周りには、各第２の支柱６、８に隣接して補強用支柱９、１４が配置されている。この補強用支柱９、１４は少なくとも上記第１の支柱７がある側と反対側（ウェハ搬出入側）にそれぞれ１本設けられる。これは次のような理由に基づく。すなわち、ウェハを実装した石英ボートはウェハＷを搬入出する側、つまり支柱７と対向する位置には、支柱を設けることができないため、ウェハを搬入出する側の強度が弱くなり、ウェハを搬入出する側に傾倒する傾向がある。また石英は圧縮に強く、引っ張りに弱いという特性がある。そこで、ウェハを保持する補強用支柱については、ウェハを搬入出する側、すなわち、ボートが傾倒する側（圧縮カを受ける側）に設けるのが効果的であり、そのように補強用支柱を設けることで、より変形を押さえる効果が得られる。
【００３２】
この実施形態の場合、各第２の支柱６、８の両側、つまりウェハＷの周方向にみて、第２の支柱６の両側にそれぞれ１本の補強用支柱９、１０を、また第２の支柱８の両側にそれぞれ１本の補強用支柱１３、１４を配置して、より強固な補強を意図している。更に、第１の支柱７のウェハ周方向両側にも、それぞれ１本の補強用支柱１１、１２を配置している。各補強用支柱９〜１４の断面積は円状であり、この補強用支柱９〜１４にはウェハ周辺部を支える溝は形成されていない。また、各補強用支柱９〜１４は対応する支柱６〜８と接しており、溶接によりつながっている。すなわち、第２の支柱６には補強用支柱９、１０が、第１の支柱７には補強用支柱１１、１２が、第２の支柱８には補強用支柱１３、１４が溶接されており、支柱の強度が補強されている。
【００３３】
更に補強を完全なものとするため、上記の補強用支柱９〜１４のうち、第２の支柱６の補強用支柱１０と第１の支柱７の補強用支柱１１間、第１の支柱７の補強用支柱１２と第２の支柱８の補強用支柱１３間には、投入されたウェハを避ける形状をした補助棒１７が１本〜複数本設けられ、補強用支柱間を補助棒１７で繋いでいる。投入されたウェハを避ける補助棒１７の形状として、この実施形態では、基板載置部の上下の溝３間において、補助棒１７をウェハＷの円弧に沿って彎曲させた形としている。
【００３４】
上記構成の縦型ボートは、例えば図１１の半導体製造装置で説明したように、ガス吹出口２２、ガス供給路２３、ガス排出路１８、ボートキャップ１９を備えた縦型反応炉２１において用いられる。すなわち、ウェハ（基板）Ｗが、上記構成の縦型ボート２０に水平姿勢で搭載され、反応炉２１の内部に装入される。ウェハＷは、例えば処理ガスを、ガス供給路２３→ガス吹出口２２→反応炉２１内→ガス排出路１８の順路で流しながら高温雰囲気下で処理される。
【００３５】
要するに、基板保持具である縦型ボートにウェハ（基板）が載置される工程と、前記処理室を加熱手段により加熱する工程と、処理室にガス供給手段によりガスを供給する工程と、排気手段により処理室を排気する工程とが実施される。
【００３６】
図２は、上記構成の石英ボートの耐熱強度シミュレーション（１０５０℃、１００時間）の結果を示したものである。縦軸がボート支柱の変形量、横軸がボート支柱の断面積である。この結果は、柱の断面積が大きくなるほど、柱の変形量が少なくなることを示している。従って、ボートの各支柱６、７、８の両側に、それぞれ断面が円状の補強用支柱９、１０、補強用支柱１１、１２、補強用支柱１３、１４を設けることにより、ボートを支える支柱の総断面積が大きくなり、支柱の変形量を抑制することができる。
【００３７】
上記実施形態の縦型ボートによれば、次のような作用効果が得られる。
（１）補強用支柱９〜１４は、支柱６〜８の熱的強度の補強が目的であり、ウェハ周辺を支える溝の加工はされていない。従って形状がシンプルでありコストを抑えることができる。
【００３８】
（２）補強用支柱９〜１４は上下端板であるトッププレートとベースプレートの外側にはみ出さない。これは従来の炉の構造でも使用可能なことを意味する。従って新たに炉を設計する必要がなく、設計コストを低減することができる。
【００３９】
（３）第２の支柱６は補強用支柱９、１０と、第１の支柱７は補強用支柱１１、１２と、第２の支柱８は補助柱１３、１４と溶接でつながっており、補強用支柱１０−１１間、補強用支柱１２−１３間は、ウェハを避ける形状をした補助棒１７（１〜複数本）でつながっている。これにより、ボートの支柱と補強用支柱が補助棒１７を介して繋がることとなり、ボートの熱的強度が向上する。
【００４０】
上記実施形態では、補強用支柱１０−１１、１２−１３間を、ウェハを避ける形状をした補助棒１７（１〜複数本）で繋げた構造としたが、本発明においては、ボートの熱的強度を上げる方法として、例えば、図３に示すように、ボートの上下方向中間部において、載置部２に補助石英板１８を入れて補強した構造をとることもできる。ただし、この構造の場合、補助石英板１８を入れた載置部が塞がれてしまうため、それだけ本来の基板を処理する生産枚数が減少してしまう。このため、図１に示したボート構造の方が、生産枚数を減少させることなく補強用支柱の熱的強度を向上することができる点で優れるが、図３の構造によっても、補強用支柱による補強強化に加え、さらに補助石英板１８による補強強化を十分に得ることができる。
【００４１】
また上記実施形態では第２の支柱６、８に溶接して補強用支柱９、１０又は１３、１４を設けたが、これらの補強用支柱は、第２の支柱６、８と距離をおいて配置してもよいし、第２の支柱６、８に密着させたり、接合させたりして設けてもよい。
上記実施形態では、溝３により基板載置部２を構成したが、基板載置部２は、図４（ａ）に示すように支柱６〜８にスリットにより溝３ａを設けてもよいし、図４（ｂ）に示すように基板保持爪３ｂを接合して設けても良い。
【００４２】
上記実施形態では、補強用支柱９〜１４の断面積は全て同じとしたが、図５に示すように、第２の支柱６、８の補強用支柱９、１０、１３、１４のうち、基板搬入出側の補強用支柱９、１４（第１の補強用支柱）の断面積を、これと反対側の補強用支柱１０、１３（第２の補強用支柱）の断面積より大きくするように設けることもできる。基板搬入出側の補強用支柱９、１４（第１の補強用支柱）の断面積を他より大きくして補強をより強固にする理由は、既に述べたように、基板を搬入出可能とする要請上、この領域に支柱を置くことができず、基板搬入出側の熱的強度がより弱くなるためである。
【００４３】
上記実施形態では断面が円状の支柱を用いたが、支柱は円柱のみならず、角柱を用いても良いし、多角柱や楕円断面のものを用いてもよい。
【００４４】
最後に、３本の支柱の配置関係について述べる。図６に示すように、ウェハＷの中心から見て第１の支柱７と第２の支柱６間の成す角をθ１、第１の支柱７と第２の支柱８間の成す角をθ２とする。搬入出側の支柱（第２の支柱６、８）が、上記θ１、θ２とも１２０°以上の位置に配置されると、ウェハ搬入出側に応力が集中することを妨げることができるが、搬入出側の出入口幅、すなわち第２の支柱６、８の溝底部間の間隔ａのサイズは、ウェハ径より大きくすべきとの要請がある。このため、上記θ１、θ２がともに１２０°以上である位置に搬入出側の支柱（第２の支柱６、８）を配置すると、その分、ボートの設置位置も大きくせざるを得なくなる。
【００４５】
従って、θ１、θ２を１２０°以下にして、補強用支柱９、１０、１３、１４をウェハ搬入出側に設ける。このように配置すれば、ボートサイズも小さくできるし、支柱の強度も保てることとなる。
【００４６】
以上本発明の好ましい形態について述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の精神の範囲内で種々の変形が可能である。本発明に内包される形態又は別発明として把握されるべき特徴ある形態を列挙すれば、次の通りである。
【００４７】
（１）複数の円形板状の基板を上下に所定の間隔をおいて基板保持具に載置しつつ処理室にて処理する基板処理装置において、
前記基板保持具は、前記基板の周方向に沿って配置された少なくとも第１の支柱及び２本の第２の支柱を備え、
該第１及び第２の支柱は、前記基板を載置する載置部が夫々設けられ、前記２本の第２の支柱との間に前記基板を該基板の周方向から搬入出可能なように配置され、
前記第２の支柱の周りであって、前記第１の支柱がある側および反対側に補強用支柱が配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【００４８】
（２）前記補強用支柱は、前記反対側の補強用支柱の前記基板の周方向の断面積を大きくすることを特徴とする上記（１）の基板処理装置。
【００４９】
（３）複数の円形板状の基板を上下に所定の間隔をおいて載置しえる基板保持具において、
前記基板保持具は、前記基板の周方向に沿って配置された少なくとも第１の支柱及び２本の第２の支柱を備え、
該第１及び第２の支柱には、前記基板を載置する載置部が夫々設けられ、前記２本の第２の支柱との間に前記基板を該基板の周方向から搬入出可能なように配置され、
前記第２の支柱の周りであって、前記第１の支柱がある側と反対側に前記補強用支柱を配置されていることを特徴とする基板保持具。
【００５０】
（４）複数の円形板状の基板を上下に所定の間隔をおいて基板保持具に載置しつつ処理する処理室と、該処理室を加熱する加熱手段と、前記処理室にガスを供給するガス供給手段と前記処理室を排気する排気手段とを備える基板処理装置であって、
前記基板保持具は、前記基板の周方向に沿って配置された少なくとも第１の支柱及び２本の第２の支柱を備え、
該第１及び第２の支柱には、前記基板を載置する載置部が夫々設けられ、前記２本の第２の支柱との間に前記基板を該基板の周方向から搬入出可能なように配置され、
前記第２の支柱の周りであって、前記第１の支柱がある側と反対側に補強用支柱が配置されている基板処理装置を用いる半導体の製造方法であって、
前記基板保持具に前記基板が載置される工程と、前記処理室を前記加熱手段により加熱する工程と、前記処理室に前記ガス供給手段により前記ガスを供給する工程と、前記排気手段により前記処理室を排気する工程とを有することを特徴とする半導体の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態に係る縦型ボートの構成を示したもので、（ａ）はその横断面図、（ｂ）は縦断面図である。
【図２】石英ボート耐熱強度シュミレーションの結果を示したもので、ボート支柱の断面積と変形量との関係を示した図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る縦型ボートの構成を示したもので、（ａ）はその横断面図、（ｂ）は縦断面図である。
【図４】本発明の基板載置部の構成例を示した図である。
【図５】本発明の変形例を示した図である。
【図６】本発明の支柱の配置関係の説明に供する図である。
【図７】従来の縦型ボートの構成を示したもので、（ａ）はその横断面図、（ｂ）は縦断面図である。
【図８】従来の縦型ボートにおける支柱の一形態を示す横断面図である。
【図９】従来の縦型ボートにおける支柱の他の形態を示す横断面図である。
【図１０】従来の縦型ボートにおける支柱の更に他の形態を示す横断面図である。
【図１１】従来の半導体製造装置の一例を示す概略縦断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
２  載置部
３  溝
４  端板（ベースプレート）
５  端板（トッププレート）
６  第２の支柱
７  第１の支柱
８  第２の支柱
９〜１４  補強用支柱
１７  補助棒
Ｗ  ウェハ（基板）
【図１】
2006165134.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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