(57)【要約】      （修正有）【課題】工程の単純化およびコストの節減を図るとともに、電荷移動度および電流点滅比の高い有機薄膜トランジスタを製造することが可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】基板１、ゲート電極３、ゲート絶縁膜５、ソース／ドレイン電極７および有機半導体層９が順次形成された有機薄膜トランジスタ１０を製造する方法であって、ソース／ドレイン電極７が形成されたゲート絶縁膜５の表面を、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、Ｈ２ＳＯ４、またはこれらの混合物である無機酸または有機酸に含浸させ、焼き鈍しする。【選択図】図１
2006165584.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース／ドレイン電極および有機半導体層が順次形成された有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記ソース／ドレイン電極が形成されたゲート絶縁膜の表面を無機酸または有機酸に含浸させて酸処理する酸処理工程と、
前記酸処理したソース／ドレイン電極が形成されたゲート絶縁膜の表面を焼き鈍しする焼き鈍し工程と、
を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記無機酸が、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、Ｈ２ＳＯ４、およびこれらの混合物よりなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記有機酸が化学式（１）で表わされることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【化１】
2006165584.tif 000008
ここで、Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、炭素数３〜３０のシクロアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、またはこれらのフッ素置換官能基を示す。
【請求項４】
前記酸処理工程が、
前記ゲート絶縁膜を１５〜３５℃で、０．５〜１０秒間無機酸または有機酸に含浸させて行われることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記焼き鈍し工程が、
９０〜２００℃で、１〜１０分間行われることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記ゲート絶縁膜が、
ポリオレフィン、ポリビニル、ポリアクリル、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリイミド、ポリビニルフェノールおよびこれらの誘導体のような有機物質、並びＳｉＮｘ（０＜ｘ＜４）、ＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３のような無機物質よりなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記有機半導体層が、
ペンタセン、銅フタロシアニン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレンおよびこれらの誘導体よりなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極が、金、銀、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、タングステン、インジウムスズ酸化物、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、およびＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物よりなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記基板の素材が、ガラス、シリコンおよびプラスチックよりなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法によって製造されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法によって製造された有機薄膜トランジスタを用いて製造されたことを特徴とする表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機薄膜トランジスタ及び表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体は、半導体特性を示す共役性有機高分子としてのポリアセチレンが開発された後、有機物の特性、すなわち合成方法の多様性、繊維またはフィルム状への成形容易性、柔軟性、伝導性および低い生産コストのため、新しい電気電子材料として機能性電子素子や光素子などの広範囲な分野で研究が盛んに行われている。
【０００３】
このような伝導性高分子を用いた素子の中でも、特に有機物を活性層として用いる有機薄膜トランジスタに関する研究は、１９８０年頃から始まり、近年では全世界にわたって多くの研究が進行中である。有機薄膜トランジスタは、Ｓｉ薄膜トランジスタと構造的にほぼ同じ形であるが、半導体領域にＳｉの代わりに有機物を使用するという相違点がある。このような有機薄膜トランジスタは、既存のシリコン工程であるプラズマＣＶＤではなく、常圧のプリンティング工程により製造が可能であるという大きい利点がある。
【０００４】
現在、有機薄膜トランジスタは、能動型ディスプレイの駆動素子、スマートカード（ｓｍａｒｔ  ｃａｒｄ）およびインベントリタグ（ｉｎｖｅｎｔｏｒｙ  ｔａｇ）用プラスチックチップにその活用度が予想されており、α−Ｓｉ薄膜トランジスタの性能に近付いている。
【０００５】
一般に、有機薄膜トランジスタは、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース／ドレイン電極、有機半導体層を含んでなり、ソース／ドレイン電極上に有機半導体層が形成されるボトムコンタクト（ｂｏｔｔｏｍ  ｃｏｎｔａｃｔ）型と、有機半導体層上にマスク蒸着などによりソース／ドレイン電極が後で形成されるトップコンタクト（ｔｏｐ  ｃｏｎｔａｃｔ）型に分けられる。
【０００６】
ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの場合、ゲート絶縁膜上にソース／ドレイン電極を形成するために、蒸着後、パターン形成のためのフォトレジスト工程を経なければならないので、ゲート絶縁膜がフォトレジストストリッパー（ｓｔｒｉｐｐｅｒ）などに露出し、これによりフォトレジストストリッパーから発生した窒素がゲート絶縁膜の表面に吸着されてゲート絶縁膜を損傷させることにより、絶縁特性に優れた有機薄膜トランジスタを製造することができないという問題点があった。
【０００７】
従来では、ゲート絶縁膜の表面損傷を減らすための方法として、不活性気体プラズマ（ｎｏｎ−ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｇａｓ  ｐｌａｓｍａ）によって、損傷したゲート絶縁膜の表面を物理的に処理する方法、または自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ  Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ：ＳＡＭ）によってゲート絶縁膜を二重層（ｄｏｕｂｌｅ−ｌａｙｅｒ）から構成する方法が紹介された。
【０００８】
ところが、前述したような方法は、損傷したゲート絶縁膜の表面を物理的にやわらかくすることに限定されるか、または二重層を形成するために追加の物質が必要であるという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、ソース／ドレイン電極が形成されたゲート絶縁膜の表面を酸処理することにより、損傷したゲート絶縁膜の表面を簡単な化学的工程によって効果的に回復させ、これにより有機薄膜トランジスタの電気的特性、特に高い電荷移動度および電流点滅比（ｈｉｇｈ  ｏｎ／ｏｆｆ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｒａｔｉｏ  （Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆ  ｒａｔｉｏ)）を示す向上した有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係る有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース／ドレイン電極および有機半導体層が順次形成された有機薄膜トランジスタの製造方法であって、前記ソース／ドレイン電極が形成されたゲート絶縁膜の表面を無機酸または有機酸に含浸させて酸処理する酸処理工程と、前記酸処理したソース／ドレイン電極が形成されたゲート絶縁膜の表面を焼き鈍し（ａｎｎｅａｌ）する焼き鈍し工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
前記無機酸が、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、Ｈ２ＳＯ４、およびこれらの混合物よりなる群から選択されることが好ましい。
【００１２】
前記有機酸が下記化学式（２）で表わされることが好ましい。
【００１３】
【化２】
2006165584.tif 000003
【００１４】
式中、Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、炭素数３〜３０のシクロアルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、またはこれらのフッ素置換官能基を示す。
【００１５】
前記酸処理工程が、ゲート絶縁膜を１５〜３５℃で、０．５〜１０秒間無機酸または有機酸に含浸させて行われることが好ましい。
【００１６】
前記焼き鈍し工程が、９０〜２００℃で、１〜１０分間行われることが好ましい。
【００１７】
前記ゲート絶縁膜が、ポリオレフィン、ポリビニル、ポリアクリル、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリイミド、ポリビニルフェノールおよびこれらの誘導体のような有機物質、並びＳｉＮｘ（０＜ｘ＜４）、ＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３のような無機物質よりなる群から選択されることが好ましい。
【００１８】
前記有機半導体層が、ペンタセン、銅フタロシアニン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレンおよびこれらの誘導体よりなる群から選択されることが好ましい。
【００１９】
前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極が、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ポリアニリン（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）、ポリアセチレン（ｐｏｌｙａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、ポリピロール（ｐｏｌｙｐｙｒｒｏｌｅ）、ポリフェニレンビニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｖｉｎｙｌｅｎｅ）、およびＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／ＰＳＳ（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）混合物よりなる群から選択されることが好ましい。
【００２０】
前記基板の素材が、ガラス、シリコンおよびプラスチックよりなる群から選択されることが好ましい。
【００２１】
また課題を解決するために、本発明に係る有機薄膜トランジスタは、前記有機薄膜トランジスタの製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【００２２】
さらに課題を解決するために、本発明に係る表示素子は、前記有機薄膜トランジスタの製造方法によって製造された有機薄膜トランジスタを用いて製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
上述したように、本発明に係る有機薄膜トランジスタの製造方法は、追加の物質を使用せず、簡単な化学的工程によって、損傷したゲート絶縁膜の表面を効果的に回復させることができるので、工程の単純化およびコストの節減を図るとともに、電荷移動度および電流点滅比の高い有機薄膜トランジスタを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照しながら、実施形態について詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を説明するためのもので、本発明の技術的範囲を制限するものと解してはならず、あくまで、本発明に技術的範囲は特許請求の範囲に基づいて定めなければならない。
【００２５】
本実施形態に係る有機薄膜トランジスタの製造方法は、ボトムコンタクト型の構造に適用できる。図１は、本実施形態に係る有機薄膜トランジスタの製造方法によって製造された有機薄膜トランジスタの概略断面図である。
【００２６】
図１に示すように、本実施形態に係る有機薄膜トランジスタ１０は、基板１上にゲート電極３を形成し、その上にゲート絶縁膜５を積層した後、その上にソース／ドレイン電極７を形成し、その上に有機半導体層９を形成する。
【００２７】
本実施形態に係る有機薄膜トランジスタの製造方法は、図１に示すような有機薄膜トランジスタ１０を製造する場合に、ソース／ドレイン電極７が形成されたゲート絶縁膜５の表面を無機酸または有機酸に含浸させ、その後焼き鈍しを行う。
【００２８】
すなわち、本実施形態に係る有機薄膜トランジスタ１０の製造方法は、（ａ）基板１にゲート電極３を形成する段階と、（ｂ）ゲート絶縁膜５を形成する段階と、（ｃ）ソース／ドレイン電極７を形成する段階と、（ｄ）ゲート絶縁膜５を酸処理する段階と、（ｅ）有機半導体層９を形成する段階と、を含む。
次に、これを段階的に説明する。
【００２９】
第（ａ）段階
常法によって基板１を洗浄して不純物を除去し、蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）およびパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）することによりゲート電極３を形成する。
【００３０】
第（ｂ）段階
基板１上にゲート電極３が形成されると、その上に真空蒸着または溶液工程によってゲート絶縁膜５を形成する。ゲート絶縁膜５を形成する段階では、例えば、架橋剤を含有するポリビニルフェノールを４５０〜６５０ｎｍの厚さにコートする。
次に、約６０〜１５０℃の範囲内で約１〜１０分間ソフトベーク（ｓｏｆｔ  ｂａｋｅ）を行う。
【００３１】
第（ｃ）段階
ゲート絶縁膜５が形成されると、その上に、例えば、ＩＴＯを熱蒸着法（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ  ｍｅｔｈｏｄ）などでコートして薄膜を形成した後、コートした薄膜の上部にマスクを用いた露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）工程を行い、ソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域（またはソース電極およびドレイン電極以外の領域）を露出させる現像（ｄｅｖｅｌｏｐ）工程を行う。
その後、アセトニトリル（ａｃｅｔｏｎｉｔｒｉｌｅ）などでエッチングし、最後にフォトレジストストリッパーでフォトレジストを除去してソース／ドレイン電極７を形成する。
【００３２】
フォトレジストを除去するために使用されるフォトレジスタストリッパーは、一般に、テトラエチレングリコール４〜１２％、テトラヒドロチオフェン２０〜４０％、ＮＭＰ（Ｎ−ｍｅｔｈｙｌｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ）３０〜５０％およびジエチレングリコールモノエチルエーテル５〜２０％から構成される。このような構成成分からなるフォトレジストストリッパーは、ゲート絶縁膜５の表面に窒素を吸着させてゲート絶縁膜５を弱塩基にして損傷させることができる。本実施形態では、前記のように弱塩基からなるゲート絶縁膜５の表面を無機酸または有機酸で処理して中和させることにより、損傷したゲート絶縁膜５の表面を回復させることができる。
【００３３】
第（ｄ）段階
ソース／ドレイン電極７が形成されると、フォトレジストストリッパーによって損傷したゲート絶縁膜５を１５〜３５℃で０．５〜１０秒間無機酸または有機酸に含浸させた後、ソース電極およびドレイン電極の粘着性を向上させるために、９０〜２００℃で１〜１０分間熱処理して焼き鈍しを行う。
【００３４】
本実施形態で使用される好ましい無機酸としては、具体的に、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、Ｈ２ＳＯ４、またはこれらの混合物が例示されるが、必ずしもこれに限定されるものではない。本実施形態では、混合物としてＨＣｌおよびＨＮＯ３を混合して使用するＩＴＯエッチング液（ｅｔｃｈａｎｔ）を使用している。
【００３５】
また、本実施形態で使用される好ましい有機酸は、具体的に、化学式（３）で表わされる。
【００３６】
【化３】
2006165584.tif 000004
【００３７】
式中、Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基（ａｌｋｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、アルケニル基（ａｌｋｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、アルキニル基（ａｌｋｙｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、炭素数３〜３０のシクロアルキル基（ｃｙｃｌｏａｌｋｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、炭素数６〜３０のアリール基（ａｒｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、またはこれらのフッ素置換官能基である。
【００３８】
第（ｅ）段階
最後に、ソース／ドレイン電極７上に有機半導体物質（例えば、ペンタセン）を熱蒸着法などでコートして有機半導体層９を形成する。
本実施形態に係る有機薄膜トランジスタ１０において、ゲート絶縁膜５に用いられる物質としては、ポリオレフィン、ポリビニル、ポリアクリル、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリイミド、ポリビニルフェノールおよびこれらの誘導体のような有機物質、並びにＳｉＮｘ（０＜ｘ＜４）、ＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３のような無機物質などが例示されるが、これらに限定されない。
【００３９】
本実施形態に係る有機薄膜トランジスタ１０において、有機半導体層９に用いられる物質としては、ペンタセン、銅フタロシアニン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレンおよびこれらの誘導体が例示されるが、これらに限定されない。
【００４０】
ゲート電極４、ソース／ドレイン電極７の素材としては、通常用いられる金属または伝導性高分子が使用でき、具体的には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ポリアニリン（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）、ポリアセチレン（ｐｏｌｙａｃｅｔｙｌｅｎｅ）、ポリピロール（ｐｏｌｙｐｙｒｒｏｌｅ）、ポリフェニレンビニレン（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｖｉｎｙｌｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／ＰＳＳ（ｐｏｌｙｓｔｒｙｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）混合物などが例示されるが、これらに限定されない。
【００４１】
本実施形態に係る有機薄膜トランジスタ１０の基板１は、ガラス、シリコン、プラスチックなどからなるものが使用できるが、これらに限定されない。
本実施形態に係る有機薄膜トランジスタの製造方法によって製造される有機薄膜トランジスタ１０は、電界発光素子、液晶素子、電気移動素子などのような表示素子の製造に利用できる。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例によって本発明をより詳細に説明する。なお、下記の実施例は、本発明を説明するためのもので、本発明の技術的範囲を制限するものと解してはならず、あくまで、本発明に技術的範囲は特許請求の範囲に基づいて定めなければならない。
【００４３】
［実施例１］
まず、洗浄されたガラス基板にＡｌを用いてスパッタリング法で厚さ１５００Åのゲート電極を形成した。その上に架橋剤含有のポリビニルフェノールを用いてスピンコーティング法で１０００ｒｐｍにて厚さ５０００Åのゲート絶縁膜をコートした後、１００℃で５分間ソフトベーキングしてゲート絶縁膜を形成した。その上にＩＴＯを真空度（２×１０−７ｔｏｒｒ、基板温度５０℃、蒸着比０．８５Å／ｓｅｃ）の条件で熱蒸着法（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ  ｍｅｔｈｏｄ）によって１０００Åの厚さに蒸着した後、フォトリソグラフィによってＩＴＯ電極パターンを形成した。次に、ゲート絶縁膜を常温で２秒間ＩＴＯエッチング液に含浸させた後、１３０℃で３分間焼き鈍しを行った。その後、ペンタセンを熱蒸着法によって真空度（２×１０−７ｔｏｒｒ、基板温度５０℃、蒸着比０．８５Å／ｓｅｃ）の条件で１０００Åの厚さに蒸着した。
【００４４】
［実施例２］
ソース／ドレイン電極としてＭｏを使用する以外は、実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタを製作した。
【００４５】
［実施例３］
ソース／ドレイン電極としてＡｕを使用する以外は、実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタを製作した。
【００４６】
［実施例４］
ＨＮＯ３で酸処理する以外は、実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタを製作した。
【００４７】
［実施例５］
ＨＣｌで酸処理する以外は、実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタを製作した。
【００４８】
［比較例１］
ゲート絶縁膜の表面を酸処理しない以外は、実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタを製作した。
【００４９】
［比較例２］
ゲート絶縁膜の表面を酸処理しない以外は、実施例２と同様にして有機薄膜トランジスタを製作した。
【００５０】
実施例４、実施例５および比較例１から得た有機薄膜トランジスタをＫＥＩＴＨＬＥＹ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ａｎａｌｙｚｅｒ（４２００−ＳＣＳ）を用いて電流伝達特性を評価して図２に示した。ここで、図２は、実施例および比較例よって製造された有機薄膜トランジスタの電流伝達特性を比較して示したグラフである。
【００５１】
また、実施例１〜５、比較例１，２から得た有機薄膜トランジスタの電気的特性を下記の方法で測定して表１に示した。
【００５２】
電荷移動度は、式（１）の飽和領域（ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ  ｒｅｇｉｏｎ）の電流式から（ＩＳＤ）１／２とＶＧを変数としたグラフを得、そのグラフの傾きから求めた。
【００５３】
【数１】
2006165584.tif 000005
【００５４】
式（１）において、ＩＳＤはソース−ドレイン電流、μまたはμＦＥＴは電荷移動度、Ｃ０は酸化膜静電容量、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、ＶＧはゲート電圧、ＶＴはしきい値電圧をそれぞれ示す。
【００５５】
Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆ電流比は、オン状態の最大電流値とオフ状態の最小電流値との比から求めた。一方、Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆ電流比は式（２）で表わされる。
【００５６】
【数２】
2006165584.tif 000006
【００５７】
式（２）において、Ｉｏｎは最大電流値、Ｉｏｆｆは遮断漏洩電流（ｏｆｆ−ｓｔａｔｅ  ｌｅａｋａｇｅ  ｃｕｒｒｅｎｔ）、μは電荷移動度、σは薄膜の伝導度、ｑは電荷量、ＮＡは電荷密度、ｔは半導体膜の膜厚、Ｃ０は酸化膜静電容量、ＶＤはドレイン電圧をそれぞれ示す。
【００５８】
【表１】
2006165584.tif 000007
【００５９】
表１の結果から確認されるように、本発明に係る有機薄膜トランジスタの製造方法によって製造される有機薄膜トランジスタは、電荷移動度および電流点滅比などの電気的特性に優れる。
【００６０】
以上、本発明の好適な実施例について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことはいうまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】図１は、本実施形態に係る有機薄膜トランジスタの製造方法によって製造された有機薄膜トランジスタの概略断面図である。
【図２】実施例および比較例よって製造された有機薄膜トランジスタの電流伝達特性を比較して示したグラフである。
【符号の説明】
【００６２】
１      基板
３      ゲート電極
５      ゲート絶縁膜
７      ソース／ドレイン電極
９      有機半導体層
１０    有機薄膜トランジスタ
【図１】
2006165584.tif 000009
【図２】
2006165584.tif 000010