(57)【要約】【課題】ＲＧＢまたはＹＭｇＣｙの各カラーの相対的な光感度差を減らし、単位画素間の均一性を高めることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】基板４００に形成され、各々異なる単位画素の受光素子として動作する複数のフォトダイオードＰＤと、前記複数のフォトダイオード上に形成されたシリコン酸化膜４０１と、前記シリコン酸化膜上に形成され、Ｒカラーの単位画素とオーバーラップされる部分では厚さが互いに異なる２層（４０２Ｂ，４０２Ｃ）に、ＧとＢカラーの単位画素の部分では単独層４０２Ｃに形成されるシリコン窒化膜４０２と、前記シリコン窒化膜の上方で前記各フォトダイオードとオーバーラップされるように形成されたマイクロレンズ４０７とを備える。上記のＲＧＢカラーをそれぞれＹＭｇＣｙカラーに置き換えることができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＧＢのカラーを具現するイメージセンサにおいて、
基板に形成され、各々異なる単位画素の受光素子として動作する複数のフォトダイオードと、
複数の前記フォトダイオード上に形成されたシリコン酸化膜と、
前記シリコン酸化膜上に、Ｒカラーの単位画素とオーバーラップする部分では厚さが互いに異なる２層に、ＧとＢカラーの単位画素の部分では単層に形成されるシリコン窒化膜と、
前記シリコン窒化膜の上方で複数の前記フォトダイオードの各々とオーバーラップするように形成された複数のマイクロレンズとを備えることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
前記シリコン窒化膜は、前記Ｒカラーの単位画素の部分では４００Å〜６００Åの厚さを有し、前記Ｂカラーの単位画素の部分では３００Å〜４００Åの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
前記シリコン窒化膜は、前記Ｇカラーの単位画素の部分では３００Å〜４００Åの厚さを有することを特徴とする請求項２に記載のイメージセンサ。
【請求項４】
前記シリコン酸化膜は、１５０Å〜２５０Åの厚さを有することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のイメージセンサ。
【請求項５】
ＹＭｇＣｙのカラーを具現するイメージセンサにおいて、
基板に形成され、各々異なる単位画素の受光素子として動作する複数のフォトダイオードと、
複数の前記フォトダイオード上に形成されたシリコン酸化膜と、
前記シリコン酸化膜上に、Ｙカラーの単位画素とオーバーラップする部分では厚さが互いに異なる２層に、ＭｇとＣｙカラーの単位画素の部分では単層に形成されるシリコン窒化膜と、
前記シリコン窒化膜の上方で複数の前記フォトダイオードの各々とオーバーラップするように形成された複数のマイクロレンズとを備えることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項６】
前記シリコン窒化膜は、前記Ｙカラーの単位画素の部分では４００Å〜６００Åの厚さを有し、前記Ｃｙカラーの単位画素の部分では３００Å〜４００Åの厚さを有することを特徴とする請求項５に記載のイメージセンサ。
【請求項７】
前記シリコン窒化膜は、前記Ｍｇカラーの単位画素の部分では３００Å〜４００Åの厚さを有することを特徴とする請求項６に記載のイメージセンサ。
【請求項８】
前記シリコン酸化膜は、１５０Å〜２５０Åの厚さを有することを特徴とする請求項６または請求項７に記載のイメージセンサ。
【請求項９】
ＲＧＢのカラーを具現するイメージセンサの製造方法において、
基板に各々異なる単位画素の受光素子として動作する複数のフォトダイオードを形成するステップと、
複数の前記フォトダイオード上にシリコン酸化膜を形成するステップと、
前記シリコン酸化膜上に第１シリコン窒化膜を形成するステップと、
前記Ｇカラー及び前記Ｂカラーの単位画素とオーバーラップする部分の前記第１シリコン窒化膜を選択的に除去するステップと、
前記第１シリコン窒化膜が選択的に除去された前記基板全面に第２シリコン窒化膜を形成するステップと、
前記第２シリコン窒化膜の上で複数の前記フォトダイオードの各々とオーバーラップするように複数のマイクロレンズを形成するステップとを含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。
【請求項１０】
ＹＭｇＣｙのカラーを具現するイメージセンサの製造方法において、
基板に各々異なる単位画素の受光素子として動作する複数のフォトダイオードを形成するステップと、
複数の前記フォトダイオード上にシリコン酸化膜を形成するステップと、
前記シリコン酸化膜上に第１シリコン窒化膜を形成するステップと、
前記Ｍｇカラー及び前記Ｃｙカラーの単位画素とオーバーラップする部分の前記第１シリコン窒化膜を選択的に除去するステップと、
前記第１シリコン窒化膜が選択的に除去された前記基板全面に第２シリコン窒化膜を形成するステップと、
前記第２シリコン窒化膜の上で複数の前記フォトダイオードの各々とオーバーラップするように複数のマイクロレンズを形成するステップとを含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。
【請求項１１】
前記第１シリコン窒化膜を１００Å〜２００Åの厚さに形成することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項１２】
前記第２シリコン窒化膜を３００Å〜４００Åの厚さに形成することを特徴とする請求項１１に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項１３】
前記シリコン酸化膜を１５０Å〜２５０Åの厚さに形成することを特徴とする請求項１２に記載のイメージセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イメージセンサに関し、特に光感度及び信号対雑音比(ＳＮＲ)を高めることができるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
イメージセンサは、光学映像を電気信号に変換する半導体素子である。この内、電荷結合素子(Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ、以下「ＣＣＤ」という)は、個々のＭＯＳ(Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｉｌｉｃｏｎ)キャパシタが互いに非常に近接した位置にあり、電荷キャリアがキャパシタに格納されて移送される方式を採用する素子である。
【０００３】
対照的に、ＣＭＯＳ(Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ＭＯＳ)イメージセンサは、制御回路及び信号処理回路を周辺回路として使用するＣＭＯＳ技術を用いて、画素の数だけＭＯＳトランジスタを備え、これを用いて順に出力を検出するスイッチング方式を採用する素子である。
【０００４】
図１は、ＣＭＯＳイメージセンサの単位画素の配列を示した平面図である。
【０００５】
図１に示されているように、光の３原色であるＲＧＢの色相をキャプチャーするために複数の単位画素が格子構造に配置されている。
【０００６】
図２は、ＲＧＢ色相が全て示されるように、図１の格子構造をＡ−Ａ'線に沿って切り取った場合のイメージセンサの単位画素を示した断面図である。
【０００７】
図２に示されているように、高濃度のＰ型Ｐ＋＋領域及びエピタキシャル層(Ｐ−ＥＰＩ)が積層された構造を有する基板ＳＵＢ上には、局部的にフィールド酸化膜ＦＯＸ、及びトランスファーゲートＴｘを有する複数のゲート構造が形成されており、また、トランスファーゲートＴｘの一方の側にアラインメントされている、基板ＳＵＢの表面の下方の深い部分にイオン注入によって形成されたＮ型の領域(Ｎ−)、及び該領域Ｎ−の表面から基板ＳＵＢの表面までの浅い領域に位置したＰ型の領域Ｐ０からなるフォトダイオードＰＤが形成されている。トランスファーゲートＴｘの他方の側にアラインメントされている、基板ＳＵＢの表面層にイオン注入によって形成された高濃度Ｎ型(Ｎ＋)のフローティング拡散領域ＦＤが形成されている。
【０００８】
フォトダイオードＰＤ及びトランスファーゲートＴｘ等が形成された基板全面にメタルライン形成前の絶縁膜(Ｐｒｅ−Ｍｅｔａｌ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ；以下「ＰＭＤ」という)が形成されており、また、ＰＭＤ上に第１メタルラインＭ１が形成されている。第１メタルラインＭ１上には、第１メタルラインの間の絶縁膜(Ｉｎｔｅｒ−Ｍｅｔａｌ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ−１；以下「ＩＭＤ１」という)が形成されており、ＩＭＤ１上には、第２メタルラインＭ２が形成されている。第２メタルラインＭ２上には、第２メタルラインの間の絶縁膜ＩＭＤ２が形成されており、その上には第３メタルラインＭ３が形成されている。
【０００９】
第１〜第３メタルラインＭ１〜Ｍ３は、電源ラインまたは信号ラインと単位画素及びロジック回路を接続するものであり、また、フォトダイオードＰＤ以外の領域に光が入射するのを防止するシールドの役割を同時に果たすものでもある。
【００１０】
第３メタルラインＭ３上には、下部構造の保護のための保護膜(Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；以下「ＰＬ」という)が形成されており、ＰＬ上にはカラーフィルタの形成時、工程マージンを確保するための第１平坦化膜(第１オーバーコーティング層(Ｏｖｅｒ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ)；以下「第１ＯＣＬ」という)ＯＣＬ１が形成されており、第１ＯＣＬ上には各単位画素別にＲＧＢ色相を具現するカラーフィルタアレイ(Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ Ａｒｒａｙ；以下「ＣＦＡ」という)が形成されている。
【００１１】
通常の光の３原色であるＲ(Ｒｅｄ)、Ｇ(Ｇｒｅｅｎ)、Ｂ(Ｂｌｕｅ)を用いるが、この他にも補色であるイエロー(Ｙ；Ｙｅｌｌｏｗ)、紫紅色(Ｍａｇｅｎｔａ；Ｍｇ)、青緑色(Ｃｙａｎ；Ｃｙ)を用いることができる。
【００１２】
ＣＦＡ上には、マイクロレンズの形成時、工程マージンを確保するための第２平坦化膜(以下「第２ＯＣＬ」という)ＯＣＬ２が形成されており、第２ＯＣＬ上にはマイクロレンズ(Ｍｉｃｒｏ-Ｌｅｎｓ；以下「ＭＬ」という)が形成されている。
【００１３】
ここで、入射された光は、マイクロレンズＭＬによりフォーカスされてフォトダイオードＰＤに入射する。
【００１４】
画素サイズが減少すると、受光領域であるフォトダイオードの面積もほぼ比例して減少する。フォトダイオードの面積の減少は、イメージセンサの光感度特性に非常に重大な影響を及ぼす。
【００１５】
光感度の劣化は、マイクロレンズ及びカラーフィルタの技術力だけでカバーすることができる部分もあるが、満足するような水準の特性を確保するまでには至っていないのが実情である。
【００１６】
フォトダイオード構造の限界により、発生するＲＧＢ３原色の各光感度レベル上の相対的な大きな差は、ＲＧＢのゲインを相対的に高くしなければならない状況をもたらし、また、単位画素間の均一性の低下及びノイズなどの増大によるＳＮＲの低下を招いている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、上記の従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、ＲＧＢまたはＹＭｇＣｙの各カラーの相対的な光感度差を減らし、単位画素間の均一性を高め、ＳＮＲを改善することができるイメージセンサ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記の課題を解決するために、本発明の第１の側面によれば、ＲＧＢのカラーを具現するイメージセンサにおいて、基板に形成され、各々異なる単位画素の受光素子として動作する複数のフォトダイオードと、複数の前記フォトダイオード上に形成されたシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜上に、Ｒカラーの単位画素とオーバーラップする部分では厚さが互いに異なる２層に、ＧとＢカラーの単位画素の部分では単層に形成されるシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜の上方で複数の前記フォトダイオードの各々とオーバーラップするように形成された複数のマイクロレンズとを備えることを特徴とするイメージセンサを提供する。
【００１９】
また、本発明の第２の側面によれば、ＹＭｇＣｙのカラーを具現するイメージセンサにおいて、基板に形成され、各々異なる単位画素の受光素子として動作する複数のフォトダイオードと、複数の前記フォトダイオード上に形成されたシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜上に、Ｙカラーの単位画素とオーバーラップする部分では厚さが互いに異なる２層に、ＭｇとＣｙカラーの単位画素の部分では単層に形成されるシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜の上方で複数の前記フォトダイオードの各々とオーバーラップするように形成された複数のマイクロレンズとを備えることを特徴とするイメージセンサを提供する。
【００２０】
また、上記の課題を解決するために、本発明の第３の側面によれば、ＲＧＢのカラーを具現するイメージセンサの製造方法において、基板に各々異なる単位画素の受光素子として動作される複数のフォトダイオードを形成するステップと、複数の前記フォトダイオード上にシリコン酸化膜を形成するステップと、前記シリコン酸化膜上に第１シリコン窒化膜を形成するステップと、前記Ｇカラー及び前記Ｂカラーの単位画素とオーバーラップする部分の前記第１シリコン窒化膜を選択的に除去するステップと、前記第１シリコン窒化膜が選択的に除去された前記基板全面に第２シリコン窒化膜を形成するステップと、前記第２シリコン窒化膜の上方で複数の前記フォトダイオードの各々とオーバーラップするように複数のマイクロレンズを形成するステップとを含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法を提供する。    
【００２１】
また、本発明の第４の側面によれば、ＹＭｇＣｙのカラーを具現するイメージセンサの製造方法において、基板に各々異なる単位画素の受光素子として動作する複数のフォトダイオードを形成するステップと、複数の前記フォトダイオード上にシリコン酸化膜を形成するステップと、前記シリコン酸化膜上に第１シリコン窒化膜を形成するステップと、前記Ｍｇカラー及び前記Ｃｙカラーの単位画素とオーバーラップする部分の前記第１シリコン窒化膜を選択的に除去するステップと、前記第１シリコン窒化膜が選択的に除去された前記基板全面に第２シリコン窒化膜を形成するステップと、前記第２シリコン窒化膜の上方で複数の前記フォトダイオードの各々とオーバーラップするように複数のマイクロレンズを形成するステップとを含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法を提供する。
【００２２】
本発明は、ＰＭＤ、ＩＭＤなどに用いられるシリコン酸化膜の屈折率１.５に比べて大きな２.１の屈折率を有する反射防止膜(Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｃｏａｔｉｎｇ；ＡＲＣ)であるシリコン窒化膜を、シリコン酸化膜上に各色相別に最大の光感度を維持することができるように相違する厚さに、各色相別に適用する。
【００２３】
特に、波長が最も短いＢ色相と波長が最も長いＲ色相の単位画素では、シリコン窒化膜の厚さを異なるように適用することによって、Ｒ色相とＢ色相の２つの領域でのそれぞれの波長で光感度を全面的に高めることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、各波長帯に対する各色相の光感度の相対的差を小さくすることで、イメージセンサの単位画素間の均一性を高め、そのＳＮＲ特性を改善することができ、これにより、製品の競争力を高めることができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明のもっとも好ましい実施の形態を添付する図面を参照して説明する。
【００２６】
図３は、本発明の実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサの構成を概略的に示す断面図である。
【００２７】
図３に示されているように、本実施の形態に係るイメージセンサは、基板４００に形成され、各々異なる単位画素の受光素子として動作する複数のフォトダイオードＰＤと、複数のフォトダイオードＰＤを含む基板全体上に形成されたシリコン酸化膜４０１と、Ｒカラーの単位画素上に形成される第１シリコン窒化膜４０２Ｂ、及び第１シリコン窒化膜４０２Ｂ並びにＧとＢカラの単位画素上に形成され、第１シリコン窒化膜４０２Ｂとは異なる厚さを有する第２シリコン窒化膜４０２Ｃを含むシリコン窒化膜４０２と、シリコン窒化膜４０２の上方に各フォトダイオードＰＤとオーバーラップするように形成された複数のマイクロレンズ４０７とを備えて構成される。また、第１ＯＣＬ４０４、カラーフィルタ４０５、及び第２ＯＣＬ４０６は、順にシリコン窒化膜４０２の上に形成される。
【００２８】
なお、上記の構成は、ＲＧＢの３色の他に、ＹＭｇＣｙの補色を用いた単位画素の構造のイメージセンサにも適用にすることができる。この場合、ＲはＹに、ＧはＭｇに、ＢはＣｙに各々置き換えられる。
【００２９】
シリコン窒化膜４０２は、Ｒ(Ｙ)カラーの単位画素では、第１シリコン窒化膜４０２Ｂと第２シリコン窒化膜４０２Ｃの積層構造であり、４００Å〜６００Åの厚さを有し、Ｇ(Ｍｇ)及びＢ(Ｃｙ)カラーの単位画素では第２シリコン窒化膜４０２Ｃの単構造であり、３００Å〜４００Åの厚さを有する。
【００３０】
シリコン酸化膜４０１は、１５０Å〜２５０Åの厚さを有する。シリコン酸化膜４０１には、ＨＬＤ(Ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｌｏｗ−ｋ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などが挙げられる。
【００３１】
ここで、基板４００は、高濃度のＰ型Ｐ＋＋領域とエピタキシャル層(Ｐ−ＥＰＩ)が積層された構造を有し、フォトダイオードＰＤとシリコン酸化膜４０１間またはシリコン窒化膜４０２と第１ＯＣＬ４０４との間には、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３のメタルラインとＰＭＤ、ＩＭＤ１、ＩＭＤ２などの絶縁膜が形成される。
【００３２】
図４Ａ〜図４Ｃは、本実施の形態に係るイメージセンサの形成方法を説明する断面図であって、以下、これを参照して、上述した構造を有するイメージセンサの製造方法を説明する。
【００３３】
まず、図４Ａに示されているように、基板４００にフィールド酸化膜(図示せず)とウェル(Ｗｅｌｌ)を形成する。
【００３４】
次いで、基板４００にトランスファーゲートを形成する。そして、イオン注入によって、トランスファーゲートの一方の側にアラインメントされた、深いＮ−領域と浅いＰ０領域を形成することによって、Ｎ−領域とＰ０領域からなる複数のフォトダイオードＰＤを形成する。その後、トランスファーゲートの他方の側にアラインメントされたフローティング拡散領域を形成する。
【００３５】
次いで、基板全面にシリコン酸化膜４０１を１５０Å〜２５０Åの厚さに形成した後、１００Å〜２００Åの厚さで第１シリコン窒化膜４０２Ａを蒸着する。
【００３６】
次いで、図４Ｂに示されているように、第１シリコン窒化膜４０２Ａ上にＲ(Ｙ)カラー領域をマスキングするマスクパターン４０３を形成した後、マスクパターン４０３をエッチングマスクとして用いて、Ｒ(Ｙ)カラーを除いた領域での第１シリコン窒化膜４０２Ａを除去することにより、Ｒ(Ｙ)カラー領域にだけ第１シリコン窒化膜４０２Ｂが残るようにする。ここで、Ｒカラー領域にだけ残っている第１シリコン窒化膜を参照符号４０２Ｂとして示す。
【００３７】
次いで、マスクパターン４０３を除去する。
【００３８】
図４Ｃに示されているように、第１シリコン窒化膜４０２Ｂが選択的に残留する基板全面に３００Å〜４００Åの厚さで第２シリコン窒化膜４０２Ｃを蒸着する。
【００３９】
この時、第２シリコン窒化膜４０２Ｃの膜の平坦性を良くするためにＲ(Ｙ)カラー領域とその他の領域とに分離し、平坦化処理を実施することができる。
【００４０】
したがって、Ｇ及びＢカラー領域では、第２シリコン窒化膜４０２Ｃだけが３００Å〜４００Åの厚さで残り、Ｒカラー領域では第１シリコン窒化膜４０２Ｂと第２シリコン窒化膜４０２Ｃが積層され、４００Å〜６００Åの厚さで残るようになる。
【００４１】
次いで、ＰＭＤ、Ｍ１、ＩＭＤ１、Ｍ２、ＩＭＤ２、Ｍ３及び保護膜と、第１ＯＣＬ、カラーフィルタ、第２ＯＣＬ及びマイクロレンズとを形成することによって、図３に示されているようなイメージセンサが完成する。
【００４２】
図５は、本実施の形態によるイメージセンサと従来のイメージセンサとの波長に対するそれぞれの透過強度を比較して示すグラフである。
【００４３】
図５において、横軸は光の波長(μｍ)を示し、縦軸はシリコン酸化膜及び/またはシリコン窒化膜を透過する場合の透過強度(Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ)を示す。
【００４４】
ここで、Ａは従来のイメージセンサのメタルライン形成前の絶縁膜ＰＭＤと層間絶縁膜ＩＭＤに用いるシリコン酸化膜だけを透過した場合の各波長帯ごとの透過強度を示し、Ａ'はこの場合の３色相の平均透過強度を示す。図中のＡとＡ'から分かるように、従来のシリコン酸化膜だけを透過した場合には、０.４５μｍの波長（Ｂカラー）からと０.７０μｍの波長（Ｒカラー）までの範囲においての透過強度が顕著に低いということが分かる。
【００４５】
これに対して、本発明の一例として、シリコン酸化膜を２００Å、Ｇ及びＢカラーの単位画素でのシリコン窒化膜を３５０Å、Ｒカラーの単位画素でのシリコン窒化膜を５００Åに形成した。
【００４６】
Ｂは、基準波長を０.７０μｍとするＲカラーの単位画素の透過(応答)強度を示し、Ｂ'はこの場合の３色相の平均透過強度を示す。ここで、Ｂは２００Åのシリコン酸化膜、５００Åのシリコン窒化膜を透過した場合の透過強度を示す。
【００４７】
Ｃは、基準波長を０.４５μｍとするＢカラーの単位画素の透過(応答)特性を示し、Ｃ'はこの場合の３色相の平均透過強度を示す。ここで、Ｃ及びＣ'は２００Åのシリコン酸化膜、３５０Åのシリコン窒化膜を透過した場合の透過強度を示す。
【００４８】
Ｂ、Ｂ’とＣ、Ｃ'から分かるように、従来のＡ、Ａ'に比べ、本発明によれば全ての波長帯域において透過強度が顕著に増加している。
【００４９】
また、ＲＧＢの他に、ＹＭｇＣｙの補色にも適用が可能である。
【００５０】
上述したように、本発明は、単位画素サイズの減少による光感度の劣化現象に対する根本的な特性の改善を行うと共に、小さいＲＧＢゲインを有するカラー分光特性を具現することができるので、すなわち、色の再現特性を劣化させることなくＲＧＢの光感度レベルの偏差を最小化することができるので、イメージセンサのＳＮＲ特性を改善することができる。
【００５１】
尚、本発明は、上記説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】ＣＭＯＳイメージセンサの単位画素の配列を示す平面図である。
【図２】ＲＧＢ色相が全て示されるように、図１をＡ−Ａ'線に沿って切り取ったイメージセンサの単位画素を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサの構成を概略的に示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の実施の形態に係るイメージセンサの形成方法を説明する断面図である。
【図４Ｂ】本発明の実施の形態に係るイメージセンサの形成方法を説明する断面図である。
【図４Ｃ】本発明の実施の形態に係るイメージセンサの形成方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係るイメージセンサと従来の技術のイメージセンサとの波長に対するそれぞれの透過強度を比較して示すグラフである。
【符号の説明】
【００５３】
４００      基板
４０１      シリコン酸化膜
４０２      シリコン窒化膜
４０２Ａ    第１シリコン窒化膜
４０２Ｂ    Ｒカラー領域にだけ残っている第１シリコン窒化膜
４０２Ｃ    第２シリコン窒化膜
４０４      第１ＯＣＬ
４０５      カラーフィルタ
４０６      第２ＯＣＬ
４０７      マイクロレンズ
ＣＦＡ      カラーフィルタアレイ(Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ Ａｒｒａｙ）
ＩＭＤ      メタルライン間の絶縁膜(Ｉｎｔｅｒ−Ｍｅｔａｌ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）
ＭＬ        マイクロレンズ(Ｍｉｃｒｏ-Ｌｅｎｓ）
ＯＣＬ      オーバーコーティング層(Ｏｖｅｒ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ)
ＰＤ        フォトダイオード
ＰＬ        保護膜(Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）
ＰＭＤ    メタルライン形成前の絶縁膜（Ｐｒｅ−Ｍｅｔａｌ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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