(57)【要約】【課題】半導体ウェハにおけるイオン注入の有効性をテストする方法を提供する。【解決手段】基材４上にスクリーン誘電層６が配設された半導体ウェハ２を提供する工程と、スクリーン誘電層６の表面に、スクリーン誘電層６が露出される少なくとも１つの開口部１０が形成されたフォトレジスト８を形成する工程と、フォトレジスト８が形成された半導体ウェハ２の表面にイオン注入する工程と、フォトレジスト８を除去する工程と、半導体ウェハ２をアニーリングする前にイオンを含む半導体材料とアラインメントされているか、又は、その近傍にある半導体ウェハ２のスクリーン誘電層６又は基材４の表面又はいずれかによって、少なくとも１つの電気接点部２２を形成する工程と、電気接点部２２を介して電気的刺激を与えることにより半導体材料の電気反応を測定する工程と、測定された電気反応から、許容差内でイオン注入されたか否かを判断する工程とを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハにおけるイオン注入の有効性を判断する方法であって、以下の工程を有する、
（ａ）半導体材料の基材と、この半導体材料の基材上に配設されるスクリーン誘電層とを有する半導体ウェハを提供する工程、
（ｂ）前記スクリーン誘電層の前記半導体材料の反対側の面に、前記スクリーン誘電層が露出される少なくとも１つの開口部が形成された、硬化したフォトレジストを形成する工程、
（ｃ）前記フォトレジストが形成された前記半導体ウェハの表面にイオンを注入する工程であり、これにより、前記フォトレジスト内の前記開口部を介して前記スクリーン誘電層に衝突する前記イオンの少なくとも一部が前記開口部の近傍において前記半導体材料内に留まる、
（ｄ）前記フォトレジストを前記半導体ウェハから除去する工程、
（ｅ）前記半導体ウェハをアニーリングする前に、前記イオンを含む前記半導体材料とアラインメントされているか、又は、その近傍にある前記半導体ウェハの前記スクリーン誘電層又は前記基材の表面又はいずれかによって、少なくとも１つの電気接点部を形成する工程、
（ｆ）電気的刺激を与えることによって、前記電気接点部を介して、前記イオンを含む前記半導体材料の電気反応を測定する工程、そして
（ｇ）測定された前記電気反応から、許容差内で前記イオンが注入されているか否かの判断を行う工程。
【請求項２】
請求項１の方法であって、
各電気接点部は、導電プローブであり、
各導電プローブの前記表面に接触する部分は、その弾性限界内において弾性変形するが、その表面は損傷されない。
【請求項３】
請求項１の方法であって、前記電気接点部は水銀接点部である。
【請求項４】
請求項１の方法であって、注入されるイオンはｐタイプイオン又はｎタイプイオンである。
【請求項５】
請求項１の方法であって、前記少なくとも１つの電気接点部を形成する工程（ｅ）は、以下のいずれか１つを含む、
前記半導体材料と別の一つの電気接点部を形成する工程、そして
前記半導体材料が前記イオンを含有している部位の上方又は近傍に位置する前記表面との一対の離間した電気接点部を形成する工程。
【請求項６】
請求項１の方法であって、前記電気反応を測定する工程（ｆ）は、以下を含む、
前記電気接点部に印加される電圧を、第１値から第２値に向けて変化させる工程、そして
この印加電圧が前記第１値から前記第２値に向けて変化する間に前記電気接点部を流れる電流を測定する工程。
【請求項７】
請求項６の方法であって、
前記印加電圧は、ＤＣ電圧又はＡＣ電圧であり、そして
測定される前記電流は、ＤＣ電流又はＡＣ電流である。
【請求項８】
請求項１の方法であって、許容差内で前記イオンが注入されているか否かを判断する工程（ｇ）は、以下のいずれかひとつを含む、
前記測定された電気反応の傾きが、参照される電気反応の傾きの望ましい範囲よりも大きいか、小さいか、等しいか、それともその範囲内にあるか否かを判断する工程、そして
前記電気接点部に対して印加される特定の電圧に対して、測定電流値が、参照電流値の望ましい範囲よりも大きいか、小さいか、等しいか、それともその範囲内にあるか否かを判断する工程。
【請求項９】
半導体ウェハにおけるイオン注入の有効性を判断する方法であって、以下を含む、
（ａ）半導体ウェハの半導体材料にイオンが注入されている少なくとも１つの部位を有する半導体ウェハを提供する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）において前記半導体ウェハをアニーリングする前に、前記１つの部位の電流−電圧反応を測定する工程、そして
（ｃ）測定された電流−電圧反応に基づいて、許容差内で前記イオンが注入されているか否かを判断する工程。 
【請求項１０】
請求項９の方法であって、前記工程（ｂ）は、
（１）前記半導体ウェハの前記半導体材料と、前記半導体材料の上面、又は、この前記半導体材料の上面上のスクリーン誘電層の表面との間、又は、
（２）前記半導体材料の上面又は前記半導体材料の上面上のスクリーン誘電層の表面上の二つの位置の間、で行われる。
【請求項１１】
請求項１０の方法であって、更に以下の工程を含む、
第１接点部を、前記１つの部位の上方又は近傍で前記半導体材料の上面又は、前記スクリーン誘電層の露出表面に接触させる工程、そして
第２接点部を、前記半導体材料の上面、又は、その側面あるいは裏面に接触させる工程、ここで、前記電流−電圧反応は、前記第１接点部及び前記第２接点部の間で測定される。
【請求項１２】
請求項１１の方法であって、前記第１接点部は、水銀接点部又は導電プローブである。
【請求項１３】
請求項１１の方法であって、前記第２接点部は、導電性表面、水銀接点部又は導電プローブである。
【請求項１４】
請求項９の方法であって、前記工程（ｃ）は以下を含む、
前記測定された電流−電圧反応が所望の範囲の参照される電流−電圧反応内にあるか否かを判断する工程、そして
もしも範囲内である場合は、前記半導体ウェハを前記許容差内でイオン注入されたものとして選定する、もしこの範囲内でない場合は、前記半導体ウェハを前記許容差（単数又は複数）外でイオン注入されたものとして選定する工程。
【請求項１５】
請求項９の方法であって、前記半導体材料に注入されたイオンはｐタイプイオン又はｎタイプイオンである。
【請求項１６】
半導体ウェハにおけるイオン注入の有効性を判断する方法であって以下の工程を有する、
（ａ）注入されたイオンを活性化するために半導体ウェハをアニーリングする前に、この半導体ウェハの半導体材料のイオン注入後の電流−電圧反応を前記半導体ウェハの前記半導体材料の上面の少なくとも１つの点を介して測定する工程、そして
（ｂ）測定された前記電流−電圧反応から、許容差内で前記イオンが注入されているか否かを判断する工程。
【請求項１７】
請求項１６の方法であって、前記許容差（単数又は複数）は、前記半導体材料内の前記１つの点の近傍に留まっているイオンの数の表示度数（indication）である。
【請求項１８】
請求項１６の方法であって、前記工程（ｂ）は以下の少なくとも１つを含む、
前記測定された電流−電圧反応の傾きが、参照される電流−電圧反応の傾きの望ましい範囲よりも小さいか、等しいか、大きいか、それともその範囲内にあるか否かを判断する工程、そして
所定の印加電圧に対して、測定電流値が、参照電流値の望ましい範囲よりも小さいか、等しいか、大きいか、それともその範囲内にあるか否かを判断する工程。
【請求項１９】
請求項１６の方法であって、更に以下の工程を含む、
前記１つの点において第１接点部を前記半導体ウェハの前記上面に接触させる工程、そして
第２の接点部を、前記半導体ウェハの上面上の別の点における前記半導体ウェハの上面、前記半導体ウェハの側部又は前記半導体ウェハの底面の何れかに接触させる工程、
ここで、前記工程（ａ）は以下を含む、
前記第１接点部及び前記第２接点部の間に掃引（swept）又はステップ状（stepped）電圧を印加する工程、そして
この掃引状（swept）又はステップ状（stepped）電圧に対する前記半導体ウェハの前記反応を測定する工程。
【請求項２０】
請求項１９の方法であって、
前記第１接点部は、水銀接点部又は導電プローブである、そして
前記第２接点部は、導電性表面、水銀接点部又は導電プローブである。
【請求項２１】
請求項２０の方法であって、注入されるイオンはｐタイプイオン又はｎタイプイオンである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ、詳しくは、半導体ウェハにおけるイオン注入の有効性の測定に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、半導体ウェハにおいて、電気式のイオン注入検出測定によってイオン注入濃度とエネルギの変化を検出するが、これは注入物を活性化するためのアニーリング工程を前提条件として必要とする。しかし、これは問題になることがある。というのは、時間がかかり高コストのアニーリング工程と、イオン注入とアニーリングとの間のその他の処理工程の前に、その半導体ウェハにおけるイオン注入が許容差内であるかどうかを判断することが望まれるからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従って、アニーリング工程の前に、半導体ウェハにおけるイオン注入の有効性をテストする方法を提供することにより、上述した問題及びその他の問題を解決することが望まれている。本発明によって解決されるその他の問題は、以下の詳細説明を読み理解することによって当業者にとって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、半導体ウェハにおけるイオン注入の有効性を判断する方法に関する。この方法は、半導体材料の基材と、この半導体材の基材上に配設されるスクリーン誘電層（screen dielectric layer）とを有する半導体ウェハを提供する工程と、前記スクリーン誘電層の前記半導体材料の反対側の面に、前記スクリーン誘電層が露出される少なくとも１つの開口部が貫通形成されたフォトレジストを形成する工程とを有する。前記フォトレジストが形成された前記半導体ウェハの表面に、適当なイオンによってイオンが注入され、これにより、前記フォトレジスト内の前記開口部を介して前記スクリーン誘電層に衝突する前記イオンの少なくとも一部が前記開口部の近傍において前記半導体材料内に留まる。前記フォトレジストを前記半導体ウェハから除去し、半導体ウェハをアニーリングする前に、前記注入されたイオンを含む半導体材料とアラインメントされているか、それの近傍にある前記半導体ウェハの前記スクリーン誘電層又は前記基材の表面又はいずれかによって、少なくとも１つの電気接点部が形成される。適当な電気的刺激を与えることによって、前記電気接点部を介して、注入されるイオンを含む前記半導体材料の電気反応を測定する。この測定された電気反応から、許容差内でイオンが注入されているか否かの判断を行う。
【０００５】
各電気接点部は、導電プローブとすることができる。このプローブの前記表面に接触する部分は、好ましくは、その弾性限界内において弾性変形するが、その表面は損傷されない。或いは、前記電気接点部は水銀接点部とすることができる。
【０００６】
注入されるイオンはｐタイプイオン又はｎタイプイオンとすることができる。
【０００７】
前記少なくとも１つの電気接点部を形成する工程は、前記半導体材料とのもう一つの電気接点部を形成する工程、又は、前記半導体材料が前記イオンを含有している部位の上方又は近傍に位置する表面との一対の離間した電気接点部を形成する工程を含むことができる。
【０００８】
前記電気反応を測定する工程は、前記電気接点部に印加される電圧を、第１値から第２値に向けて変化させる工程と、この印加電圧が前記第１値から前記第２値に向けて変化する間に前記電気接点部を流れる電流を測定する工程とを含むことができる。
【０００９】
許容差内でイオンが注入されているか否かを判断する工程は、（１）測定された電気反応の傾きが、参照される電気反応の傾きの望ましい範囲よりも大きいか、等しいか、小さいか、それともその範囲内にあるか否かを判断する工程、又は（２）前記電気接点部に対して印加される特定の電圧に対して、測定電流値が、参照電流値の望ましい範囲よりも大きいか、小さいか、等しいか、それともその範囲内にあるか否かを判断する工程、を含むことができる。
【００１０】
本発明は、更に、半導体ウェハにおけるイオン注入の有効性を判断する方法にも関し、この方法は、その半導体ウェハの半導体材料にイオンが注入されている少なくとも１つの部位を有する半導体ウェハを提供する工程と、そして、この提供された半導体ウェハをアニーリングする前に、前記１つの部位の電流−電圧反応を測定する工程とを含む。測定された電流−電圧反応に基づいて、許容差内でイオンが注入されているか否かを判断することができる。 
【００１１】
前記電流−電圧反応の測定は、好ましくは、（１）前記半導体ウェハの前記半導体材料と、前記半導体材料の上面又はこの前記半導体材料の上面上のスクリーン誘電層の表面との間、又は、（２）前記半導体材料の上面又は前記半導体材料の上面上のスクリーン誘電層の表面上での二つの位置の間、で行われる。
【００１２】
前記方法は、更に、第１接点部を、前記１つの部位の上方又は近傍で、前記半導体材料の上面又は、前記スクリーン誘電層の前記露出表面に接触させる工程と、第２接点部を、前記半導体材料の上面、又は、その側面あるいは裏面に接触させる工程と、前記第１接点部及び前記第２接点部の間の前記電流−電圧反応を測定する工程とを含むことができる。
【００１３】
前記第１接点部は、水銀接点部又は導電プローブとすることができる。前記第２接点部は、導電性表面、水銀接点部又は導電プローブとすることができる。
【００１４】
許容差内でイオンが注入されているか否かを判断する工程は、測定された電流−電圧反応が所望の範囲の参照される電流−電圧反応内にあるか否かを判断する工程を含むことができる。もしも範囲内である場合は、前記半導体ウェハを前記許容差（単数又は複数）内でイオン注入されたものとして選定することができる。もしその範囲内でない場合は、前記半導体ウェハを前記許容差（単数又は複数）外でイオン注入されたものとして選定することができる。
【００１５】
最後に、本発明は、半導体ウェハにおけるイオン注入の有効性を判断する方法であって、注入されたイオンを活性化するために半導体ウェハをアニーリングする前に、前記半導体ウェハの半導体材料のイオン注入後の電流−電圧反応を前記半導体ウェハの前記半導体材料の上面の少なくとも１つの点を介して測定する工程と、このようにして測定された電流−電圧反応から、許容差内でイオンが注入されているか否かを判断する工程とを有する方法である。
【００１６】
前記許容差（単数又は複数）は、好ましくは、前記半導体材料内の前記１つのポイントの近傍に位置するイオンの数の表示度数（indication）である。
【００１７】
許容差内でイオンが注入されているか否かを判断する工程は、測定された電気反応の傾きが、参照される電気反応の傾きの望ましい範囲よりも小さいか、等しいか、大きいか、それともその範囲内にあるか否かを判断する工程を含むことができる。更に、又は、それに代えて、許容差内でイオンが注入されているか否かを判断する工程は、印加される電圧に対して、測定電流値が、参照電流値の望ましい範囲よりも小さいか、等しいか、大きいか、それともその範囲内にあるか否かを判断する工程、を含むことができる。
【００１８】
前記方法は、更に、前記１つの点において第１接点部を前記半導体ウェハの前記上面に接触させる工程と、前記半導体ウェハの前記上面上の別の点において、前記半導体ウェハの前記上面、前記半導体ウェハの側面又は前記半導体ウェハの裏面のいずれかと接触させる工程とを含むことができる。前記電流−電圧反応の測定は、前記第１接点部及び前記第２接点部の間に掃引 （swept）又はステップ状（stepped）電圧を印加する工程と、この掃引状（swept）又はステップ状（stepped）電圧に対する前記半導体ウェハの反応を測定する工程とを含むことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照しながら本発明について説明する。これら図面において、類似の部材は類似の参照符号で示されている。
【００２０】
図１及び図２を参照すると、半導体ウェハ２上に電子部材を形成するための処理工程の１つはイオン注入である。半導体ウェハ２の半導体材料から成る基材４にイオンを注入するための準備において、二酸化ケイ素等のスクリーン誘電層６を、基材４の上面上で成長又は堆積させる。その後、フォトレジスト８を、このスクリーン誘電層６の基材４の反対側の表面上に堆積させる。周知のフォトリソグラフィック処理技術を利用して、フォトレジスト８を硬化させ、パターン形成し、形成されたフォトレジスト８の表面から基材４の反対側の前記スクリーン誘電層６まで、スクリーン誘電層６の表面が露出される単数又は複数の開口部１０を形成するようにエッチングする。
【００２１】
次に、これら基材４、スクリーン誘電層６、そしてパターン形成され、硬化され、エッチングされたフォトレジスト８を備える半導体ウェハ２を、イオン注入装置１１内に位置決めする。イオン注入装置１１は、真空容器１４内に位置決めされたイオンソース１２を有する。このイオン注入装置１１内に位置決めされた時、半導体ウェハ２は、そのフォトレジスト８を備える表面がイオンソース１２によって発生するイオン１６を受けるように位置決めされた状態で真空容器１４の内部に位置決めされる。イオン１６は、特に、基材４がｎタイプ半導体材料か又はｐタイプ半導体材料から形成されるか、及び、形成することを望む接合（単数又は複数）のタイプ、等に応じて、ｐタイプイオン又はｎタイプイオンのいずれかとすることができる。
【００２２】
イオン注入中、イオンソース１２はイオン１６を発生し、これらイオン１６は半導体ウェハ２に向けて加速され、このイオンソース１２に対して露出されたフォトレジスト８及びスクリーン誘電層６の表面に衝突する。実際には、フォトレジスト８の厚みは、その表面に衝突するイオン１６が、その後、フォトレジスト８がスクリーン誘電層６から取り外される時に、除去されるようにフォトレジスト８内に捕捉されるように構成される。これに対して、スクリーン誘電層６の厚みは、このスクリーン誘電層６を形成している材料に衝突するイオンの少なくとも一部がそれによって偏向(deflect)され、このスクリーン誘電層６との境界部の近傍で基材４内に留まるように構成される。これらスクリーン誘電層６とフォトレジスト８との適当な厚みは、当業者によって容易に決定可能である。従って、記載の簡略化のためにこれらの厚みについては説明しない。
【００２３】
図３及び図４を参照し、更に、図１及び図２も引き続き参照すると、イオン注入後、半導体ウェハ２は真空容器１４から取り出される。その後、フォトレジスト８が、公知の方法でスクリーン誘電層６から除去される。尚、図３及び図４において、本発明の記載を容易にするために、フォトレジスト８が破線で図示されている。しかし、フォトレジスト８は図３及び図４においてスクリーン誘電層６上には存在しないものである。
【００２４】
特に図３を参照して、所望の数のイオンが、フォトレジスト８の開口部１０とアラインメントしている基材４の少なくとも１つの部位に注入されたか否かを判断するために、基材４のスクリーン誘電層６の反対側の面を、真空チャック等の支持手段１８上に置く。接点部２２を、基材４内のイオン１６が注入された部位の上方のスクリーン誘電層６の露出面に接触させるために接触形成手段２０が設けられている。接点部２２がスクリーン誘電層６の露出面に接触する適切な部位の非限定的な一例は、スクライブ線やテスト構造等の基材４の非作用領域である。図３に図示されている実施例において、接点部２２は、弾性導電プローブ、好ましくは、ここに参考文献として合体させるマズール（Mazur）等の米国特許第６，４９２，８２７号に開示されているもののような弾性−金属プローブ、として構成されている。或いは、前記接点部２２は、その使用法が当業者に周知の水銀（Ｈｇ）プローブとすることができる。但し、このように接点部２２を弾性導電プローブ又は水銀プローブとして開示することは、本発明を限定するものではない。
【００２５】
電気刺激付与手段２４と測定手段２６とが、実線２８によって図示されているように支持手段１８を介して、又は、破線３０によって図示されているように直接的に、接点部２２と基材４とに電気接続されている。接点部２２は第１接点部を形成し、これに対して、前記基材４に対する電気刺激付与手段２４と測定手段２６との接続部が、直接、又は支持手段１８を介して、第２接点部を形成している。
【００２６】
また図４を参照すると、上記構成に代えて、前記接触形成手段２０によって、一対の接点部２２，２２’を、イオン１６が基材４に注入された部位の上方のスクリーン誘電層６の露出面に接触させるようにすることができる。好ましくは、図４のこれらの接点部２２，２２’は、イオン１６が基材４に注入された部位の上方で互いに離間して又はその両側の近傍に配置することができる。前記接点部２２及び２２’は、それぞれ、上述したマズール（Mazur）等の特許に開示されるタイプの弾性導電プローブ、又は、当業者に周知のタイプの水銀（Ｈｇ）プローブとすることができる。 但し、このように各接点部２２、２２’を弾性導電プローブ、又は、水銀（Ｈｇ）プローブとして開示することによって、本発明は限定されるものではない。前記電気刺激付与手段２４と測定手段２６とは、図４に図示されているように、接点部２２及び２２’に電気接続されている。この実施例において、接点部２２は第１接点部を形成し、接点部２２’は第２接点部を形成する。
【００２７】
支持手段１８が真空（図示せず）によって基材４のスクリーン誘電層６の反対側の面を支持し、接点部２２がイオン１６が注入された部位の上方でスクリーン誘電層６の表面の露出部に接触しているか、もしくは、離間した接点部２２及び２２’が、イオン１６が注入された部位の上方又は近傍でスクリーン誘電層６の表面の露出部に接触している適当なタイミングで、前記電気刺激付与手段２４によって接点部２２と基材４又は接点部２２’の間に電圧を印加し、測定手段２６によって、この印加された電圧に応答して接点部２２を流れる電流を測定する。一実施例において、印加電圧はＤＣ電圧であり、測定される電流はＤＣ電流である。別実施例においては、印加電圧はＡＣ電圧であり、測定される電流はＡＣ電流である。更に別の実施例において、印加電圧はＤＣ電圧上に重畳されるＡＣ電圧であり、測定される電流はＡＣ電流および／又はＤＣ電流である。但し、これらの実施例によって本発明は限定されるものではない。
【００２８】
図５と更に続けて図１〜図４を参照すると、印加電圧は、第１値３０から第２値３２に向けて掃引又はステップされる。この第１値３０から第２値３２に向けて印加電圧を変化させる間に、単数又は複数のそれに対応する電流が得られる。例示目的のために、対応値の印加電圧に対して得られた電流の複数の値のプロット３４が図５に示されている。しかしながら、このことによって本発明は限定されるものではない。なぜなら、１つの対応する値の印加電圧に対して１つの値の電流を得ることも可能であるからである。
【００２９】
半導体ウェハの製造において、イオン注入プロセスが多数の半導体ウェハにおいて反復可能であることが大変望ましい。従って、イオン１６が注入された基材４の単数又は複数の部位から得られた対応する数の印加電圧に対する複数の値の測定電流のプロット、例えばプロット３４、を既知の半導体ウェハから得られた測定電流対印加電圧、算出データ、実験データ、等の参照プロット３６と比較することができる。より具体的には、プロット３４の傾きＳ１をプロット３６の傾きＳ２と比較して、傾きＳ１が、所定範囲の傾きＳ２よりも小さいか、等しいか、大きいか、又は、その範囲内にあるか否かを判断することができる。又、或いはそれに代えて、所定値の印加電圧４０に対して、測定手段２６を用いて測定された、対応する値の測定電流４２が、所定範囲の測定電流４４の所定値よりも小さいか、等しいか、大きいか、又は、その範囲内にあるか否かを判断することができる。
【００３０】
例えば、もしもプロット３４の傾きＳ１がプロット３６の傾きＳ２よりも大きいことが示されることによって、許容差（単数又は複数）内でイオンが注入されていると判断されるならば、測定手段２６は、プロット３４に対応する基材４の部位を、許容差（単数又は複数）内でイオン注入されたものとして選定する。そうでない場合は、測定手段２６は、この部位、そして恐らくは、半導体ウェハ２全体を、許容差（単数又は複数）内でイオン注入されていないものとして選定する。また或いはそれに代えて、測定手段２６は、プロット３４の傾きＳ１が、プロット３６の傾きＳ２の所定範囲内、例えば、所定の％範囲内であるか否か（許容差内でイオン注入されているか否か）を判断することができる。この範囲は、望ましいプロセス制御の程度に基づいて選択することが可能である。
【００３１】
同様に、もしも所定の印加電圧４０に対する電流４２の測定値が電圧４０に対する所定電流値４４よりも大きいことが示されることによってイオン注入が許容値（単数又は複数）内であると判断されるならば、測定手段２６は、その測定電流値４２に関連する部位を、許容差（単数又は複数）内でイオン注入されたものとして選定する。また或いはそれに代えて、測定手段２６は、測定電流値４２が所定電流値４４の所定範囲内にあるか否か（許容差内でイオン注入されているか否か）を判断することができる。この範囲の程度は、望ましいプロセス制御の程度に基づいて選択することが可能である。
【００３２】
本発明の１つの利点は、単数又は複数の対応する値の印加電圧に対して単数又は複数の測定電流値を得る前に、半導体ウェハ２をアニーリングする必要が無いことにある。半導体ウェハのアニーリングは、時間がかかり、従って、高コストのプロセスであるので、もしも半導体ウェハにおけるイオン注入が許容差（単数又は複数）内にないのであれば、このアニーリング工程を回避することが望ましい。本発明は、イオン注入物を活性化するためにウェハをアニーリングする前に、半導体ウェハにおけるイオン注入が許容差（単数又は複数）内にあるか否かを正確に判断することを可能にする。従って、もしも、半導体ウェハにおけるイオン注入が許容差（単数又は複数）内にないのであれば、時間がかかり高コストのアニーリング工程と、イオン注入とアニーリングとの間の単数又は複数のその他の処理工程の前に、そのウェハを更にイオン注入するか、もしくは、それを破棄することができる。
【００３３】
上記実施例を、接点部２２又は接点部２２及び２２’がスクリーン誘電層６の露出表面に接触するものとして記載したが、所望の場合には、イオン注入が許容値（単数又は複数）内にあるか否かのテストが半導体ウェハ２上にスクリーン誘電層６が存在しない状態で行われる場合は、接点部２２又は接点部２２及び２２’がイオン１６が注入された部位の上方又は近傍で基材４の上面に接触するものとすることができる。
【００３４】
以上、本発明を好適実施例を参照して説明した。上記説明を読み理解することによって、当業者はその改造及び変更に容易に想到するであろう。本発明は、貼付の請求項の範囲又はその均等物に含まれるかぎり、そのような改造及び変更をすべて含むものとされる。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、アニーリング工程の前に、半導体ウェハにおけるイオン注入の有効性をテストするために利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】半導体ウェハの平面図
【図２】イオン注入装置に受け入れられた前記半導体ウェハの図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図
【図３】図２に示した半導体ウェハにおけるイオン注入部をテストするための二つのテストシステム実施例の断面図及びブロック図
【図４】図２に示した半導体ウェハにおけるイオン注入部をテストするための二つのテストシステム実施例の断面図及びブロック図
【図５】図３又は図４に示したテストシステムによって得られた半導体ウェハにおけるイオン注入部位の１つの電流−電圧のグラフ
【符号の説明】
【００３７】
２    半導体ウェハ
４    基材
６    スクリーン誘電層
８    フォトレジスト
１０  開口部
２２  電気接点部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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