(57)【要約】【課題】  高速記録が可能で、対応可能な記録線速の範囲が広く、多数回書換耐久性に優れ、なおかつ保存寿命に優れた情報記録媒体を提供する。【解決手段】  赤色のレーザ光を照射し且つ線速度を２４．６ｍ／ｓｅｃから６５．６ｍ／ｓｅｃの範囲で情報の記録再生が行なわれる情報記録媒体であって、基板と、基板上に設けられ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅ及びＳｎを含む相変化材料で形成された記録層とを備え、記録層に含まれるＧｅの一部がＳｎで置換されており、記録層中のＢｉ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＴｅの組成が、所定の組成範囲に存在する情報記録媒体を提供する。【選択図】  図５
2006347038.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤色のレーザ光を照射し且つ線速度を２４．６ｍ／ｓｅｃから６５．６ｍ／ｓｅｃとして情報の記録再生が行なわれる情報記録媒体であって、
基板と、
上記基板上に設けられ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅ及びＳｎを含む相変化材料で形成された記録層とを備え、
上記記録層中のＢｉ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＴｅの組成が、Ｂｉ４３Ｔｅ５７、Ｇｅ４９．３Ｔｅ５０．７及びＳｎ５０Ｔｅ５０を頂点とする三角組成図上の以下の各点で囲まれる第１組成範囲、
Ｂ１−５（Ｂｉ３，Ｇｅ３７，Ｓｎ９，Ｔｅ５１）
Ｂ１−９（Ｂｉ３，Ｇｅ２６，Ｓｎ２０，Ｔｅ５１）
Ｂ４−５（Ｂｉ８，Ｇｅ３１，Ｓｎ９，Ｔｅ５２）
Ｂ４−９（Ｂｉ８，Ｇｅ２０，Ｓｎ２０，Ｔｅ５２）
Ｂ６−５（Ｂｉ１３，Ｇｅ２５，Ｓｎ９，Ｔｅ５３）
Ｂ６−７（Ｂｉ１３，Ｇｅ１９，Ｓｎ１５，Ｔｅ５３）
Ｂｉ５１Ｔｅ４９、Ｇｅ５１Ｔｅ４９及びＳｎ５０Ｔｅ５０を頂点とする三角組成図上の以下の各点で囲まれる第２組成範囲、
Ｃ１−５（Ｂｉ５，Ｇｅ３７，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ１−９（Ｂｉ５，Ｇｅ２６，Ｓｎ２０，Ｔｅ４９）
Ｃ３−５（Ｂｉ１０，Ｇｅ３２，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ３−９（Ｂｉ１０，Ｇｅ２１，Ｓｎ２０，Ｔｅ４９）
Ｃ５−５（Ｂｉ１６，Ｇｅ２６，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ５−７（Ｂｉ１６，Ｇｅ２０，Ｓｎ１５，Ｔｅ４９）
上記点Ｂ１−５、Ｂ６−５、Ｃ１−５及びＣ５−５で囲まれる第３組成範囲、
上記点Ｂ１−５、Ｂ１−９、Ｃ１−５及びＣ１−９で囲まれる第４組成範囲、
上記点Ｂ１−９、Ｂ４−９、Ｃ１−９及びＣ３−９で囲まれる第５組成範囲、
上記点Ｂ４−９、Ｂ６−７、Ｃ３−９及びＣ５−７で囲まれる第６組成範囲、
並びに、上記点Ｂ６−５、Ｂ６−７、Ｃ５−５及びＣ５−７で囲まれる第７組成範囲で囲まれる範囲に存在することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
情報の記録再生時のデータ転送レートが６６Ｍｂｐｓ〜１７６Ｍｂｐｓの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅ及びＳｎを含む材料で形成された情報記録材料用ターゲットであって、
上記ターゲット中のＢｉ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＴｅの組成が、Ｂｉ４３Ｔｅ５７、Ｇｅ４９．３Ｔｅ５０．７及びＳｎ５０Ｔｅ５０を頂点とする三角組成図上の以下の各点で囲まれる第１組成範囲、
Ｂ１−５（Ｂｉ３，Ｇｅ３７，Ｓｎ９，Ｔｅ５１）
Ｂ１−９（Ｂｉ３，Ｇｅ２６，Ｓｎ２０，Ｔｅ５１）
Ｂ４−５（Ｂｉ８，Ｇｅ３１，Ｓｎ９，Ｔｅ５２）
Ｂ４−９（Ｂｉ８，Ｇｅ２０，Ｓｎ２０，Ｔｅ５２）
Ｂ６−５（Ｂｉ１３，Ｇｅ２５，Ｓｎ９，Ｔｅ５３）
Ｂ６−７（Ｂｉ１３，Ｇｅ１９，Ｓｎ１５，Ｔｅ５３）
Ｂｉ５１Ｔｅ４９、Ｇｅ５１Ｔｅ４９及びＳｎ５０Ｔｅ５０を頂点とする三角組成図上の以下の各点で囲まれる第２組成範囲、
Ｃ１−５（Ｂｉ５，Ｇｅ３７，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ１−９（Ｂｉ５，Ｇｅ２６，Ｓｎ２０，Ｔｅ４９）
Ｃ３−５（Ｂｉ１０，Ｇｅ３２，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ３−９（Ｂｉ１０，Ｇｅ２１，Ｓｎ２０，Ｔｅ４９）
Ｃ５−５（Ｂｉ１６，Ｇｅ２６，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ５−７（Ｂｉ１６，Ｇｅ２０，Ｓｎ１５，Ｔｅ４９）
上記点Ｂ１−５、Ｂ６−５、Ｃ１−５及びＣ５−５で囲まれる第３組成範囲、
上記点Ｂ１−５、Ｂ１−９、Ｃ１−５及びＣ１−９で囲まれる第４組成範囲、
上記点Ｂ１−９、Ｂ４−９、Ｃ１−９及びＣ３−９で囲まれる第５組成範囲、
上記点Ｂ４−９、Ｂ６−７、Ｃ３−９及びＣ５−７で囲まれる第６組成範囲、
並びに、上記点Ｂ６−５、Ｂ６−７、Ｃ５−５及びＣ５−７で囲まれる第７組成範囲で囲まれる範囲に存在する情報記録材料用ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エネルギービームの照射により情報の記録が行われる情報記録媒体に関し、特に、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の赤色レーザ対応の相変化型光ディスク及びＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ、ＨＤ  ＤＶＤ等の青色レーザ対応の相変化型光ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、書換可能な情報記録媒体の一つとして、相変化型光記録媒体が知られている。相変化型光記録媒体は、光ビームの照射により原子配列が２つの異なる状態間（アモルファス−結晶間）で可逆的に変化する材料で形成された記録層を備え、その記録層の２つの異なる原子配列の状態により情報が記録される。
【０００３】
相変化型光記録媒体は書換可能な媒体の中でも特に安価であるので、近年、民生用への普及が著しく、とりわけ家庭用ビデオ録画媒体として急速に普及しつつある。これまでテープであったビデオ録画媒体が相変化型光記録媒体のディスクに代わることにより、後追い再生のような新たな機能も可能となる。それゆえ、ビデオ録画媒体としての相変化型光記録媒体では、コンピュータ用バックアップ媒体として必要であったこれまでの相変化型光記録媒体の特性よりさらに優れた特性が要求される。例えば、後追い再生を行う場合、録画中に、録画したばかりの画像を後追い再生する必要があるので、記録と再生とを一定時間毎に高速に切り替えなければならない。そのためには、情報の記録及び再生のアクセススピードをこれまで以上に高速化する必要がある。
【０００４】
従来の相変化型光記録媒体では、ＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式により媒体の回転数を制御して情報の記録再生を行っていた。ＣＬＶ方式は光ビームと媒体との相対速度（線速）が常に一定となる制御方法であるため、記録再生時のデータ転送レートが常に一定であるので、情報の記録再生に用いる信号処理回路を極めて簡素化することができる。ただし、ＣＬＶ方式では、光ビームが媒体上で半径方向に移動した際、線速が一定になるように、光ビームの媒体上の半径位置に応じてスピンドルモータの回転数を調整する必要がある。そのため、ＣＬＶ方式では、情報の記録再生のアクセススピードが遅くなる。
【０００５】
一方、媒体の回転数を一定にしたまま情報の記録再生が可能であるＣＡＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式は、上述のＣＬＶ方式にように半径位置に応じてスピンドルモータの回転数を制御し直す必要が無いので、高速アクセスが可能である。
【０００６】
しかしながら、ＣＡＶ方式では記録再生時のデータ転送レートが半径位置により異なるので、情報の記録再生に用いる信号処理回路が複雑になる。さらに、ＣＡＶ方式の相変化型光記録媒体では、ディスクの外周に向かって線速が高速になるので、ディスクの内周側より外周側における記録層の結晶化速度を速くしなければならない。そのため、ＣＡＶ方式の相変化型光記録媒体では、記録層の結晶化速度がディスクの外周側の高線速領域にも内周側の低線速領域にも対応可能である特別な材料で記録層を形成する必要がある。相変化記録方式の情報記録媒体に用いる相変化材料としては、アモルファス状態と結晶状態との屈折率の差が大きく、且つ消去動作においてアモルファス部分が極めて短時間で結晶化する材料が好ましい。また、記録と消去を繰り返すことによる劣化の小さい材料が好ましい。このような観点から、従来、様々な相変化材料が検討されてきた。
【０００７】
例えば、特開２００１−３２２３５７号公報では、記録材料としてＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料に、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ等の金属を添加した材料を使用することにより、高密度記録が可能で、繰返し書換え性能に優れ、結晶化感度の経時劣化が少ない情報記録媒体が得られることが開示されている。特開平２−１４２８９号公報には、Ｇｅ-Ｓｂ-Ｓｎ-Ｔｅ系の記録層材料が開示されている。
【０００８】
また、特開昭６２−２０９７４１号公報には、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料が開示されており、その材料の実用的な組成範囲が規定されている。特開平１−２８７８３６号公報には、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化記録材料の実用的な範囲が開示されている。また、特開昭６２−７３４３９号公報には、記録層の形成材料として、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｓｅ−Ｔｅ系相変化記録材料も提案されており、その実用的な範囲が開示されている。
【０００９】
さらに、ＰＣＯＳ２００１ではＤＶＤ−ＲＡＭの２倍速から４倍速に対応できる記録材料としてＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料が報告されている。ＩＳＯＭ／ＯＤＳ２００２ではＤＶＤ−ＲＡＭの２倍速と５倍速に対応できる情報記録媒体が報告されており、この５倍速媒体では、新たに核生成層を付加して８層構造にすることによって５倍速を実現している。
【００１０】
また、記録型ＤＶＤを大容量化する技術としては、レーザ光の波長を４０５ｎｍと短波長化し且つ対物レンズＮＡを０．８５と大きくすることにより、レーザスポット径を一層小さくし、より高密度の情報を記録する方法が知られている（例えば、Jpn.J.Appl.Phys.Vol.39(2000)，pp.756-761，Part1,No.2B,Feb.2000）。この方法は、通称Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃの主要技術として利用されており、従来のＤＶＤより薄い０．１ｍｍ厚の基板を採用することによって、ディスクのチルトに対する影響を小さくしている。なお、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃに用いられる０．１ｍｍ厚の基板は記録層の機械的保護、電気化学的保護（腐食防止）等の重要な役割を果たす。
【００１１】
従来のＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ等の書換え型の光ディスクの基本構造は、０．６ｍｍ厚のポリカーボネート（ＰＣ）基板上に第１誘電体層（第１保護層ともいう）、相変化記録層、第２誘電体層（第２保護層ともいう）及び反射層を順次積層した４層構造であり、さらに反射層側から０．６ｍｍ厚の基板を貼り合せることによって作製される。しかしながら、上述のＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃでは、従来の光ディスクと同様の積層構造で作製すると基板の厚さが０．１ｍｍと薄いため、基板の剛性を保つことが難しくなる。それゆえ、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃは、厚い基板、例えば、１．１ｍｍ厚のＰＣ基板上に反射層、第２誘電体層、相変化記録層及び第１誘電体層を順次積層し（従来の書換え型光ディスクと逆の順序に積層）、最後に第１誘電体側から０．１ｍｍ厚の基板をカバー層として形成して作製される。Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃのカバー層の形成方法としては、第１誘電体層上に０．１ｍｍ厚のシートを紫外線硬化樹脂接着剤で貼り付ける方法と、第１誘電体層上に紫外線硬化樹脂をスピンコート法により均一に塗布し、紫外線照射により紫外線硬化樹脂を硬化させてカバー層を形成する方法とが提案されている。
【００１２】
Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃの記録層の形成材料としては、例えば、特許２９４１８４８に開示されているＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料が用い得る。また、この文献にはＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料に第５元素及び第６元素を添加した材料の組成についても詳細に開示されている。
【００１３】
また、記録型ＤＶＤを大容量化する方法として、０．６ｍｍ厚の基板上に従来と同様の順序で各層を積層した光ディスクを作製し、レーザ光の波長４０５ｎｍ、対物レンズＮＡを０．６５として情報を記録する方法も提案されている。この方法は、上述のＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃのような０．１ｍｍ厚のカバー層を用いる方法と比べて、対物レンズＮＡが小さいためにレーザスポット径が大きく、記録密度は低くなる。しかしながら、基板の剛性を保つことが容易であり、記録層の多層化が容易になるという利点がある。また、媒体上の埃や傷の影響を小さくすることができるという利点もある。
【００１４】
さらに、従来、２つの記録層を備える情報記録媒体において、第１の記録層に、Ｂｉ、Ｇｅ及びＴｅの３元素にＳｂ、Ｓｎ及びＰｂを添加することによって高い転送レートで書換保存性が向上する情報記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１では、第１の記録層中のＳｎ含有量の実用的な範囲が示されている。
【００１５】
【特許文献１】特開２００４−３１０９９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
ところで、上述したような書換型情報記録媒体では、様々な情報記録装置に対する互換性が極めて重要な課題となる。例えば、ＤＶＤ−ＲＡＭ媒体では既にＣＬＶ回転制御による２倍速記録（転送レート：２２Ｍｂｐｓ）に対応したＤＶＤ−ＲＡＭドライブが市場に存在するが、ＣＡＶ制御による２倍速から５倍速記録（２２〜５５Ｍｂｐｓ）用のＤＶＤ−ＲＡＭ媒体をこの２倍速ＣＬＶ対応ドライブでも記録再生することを保証することは、消費者の利益の観点から重要な課題である。また、逆に、２倍速ＣＬＶ対応ドライブにより記録されたＣＡＶ対応のＤＶＤ−ＲＡＭ媒体を、ＣＡＶ対応ドライブで記録再生できることを保証することも当然ながら非常に重要な課題である。また、今後、更なる高速化の流れから、モータの回転限界、光ヘッドのサーボ限界と考えられている１６倍速記録（１７６Ｍｂｐｓ）への要望が高まることも予想される。
【００１７】
一方、ＤＶＤ−ＲＡＭドライブの記録方法（基板側からレーザ光を照射して記録する方法）を踏襲する青色レーザを用いたドライバ（ＨＤ  ＤＶＤ）の市場導入が検討されており、近い将来、青色レーザを搭載したドライブの需要は確実に伸びるものと予測される。また、青色レーザを搭載した１倍速記録ドライブの普及に伴い、赤色レーザを用いたＤＶＤ−ＲＡＭドライブと同様に、より高速記録可能な２倍速及び３倍速対応のドライブの需要が発生することは容易に予測される。また、さらなる高速化も予想され、広い記録線速度に対応可能な情報記録媒体の開発が重要な課題となっている。
【００１８】
上記に課題に対応するために、本発明者らは、高速化に適したＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系の相変化記録層材料の組成を変化させた種々の材料を用いて、高速化の検討を行った。具体的には図２に示すＢｉ、Ｇｅ、Ｔｅのそれぞれを頂点とする三角組成図の中で、ＧｅＴｅとＢｉ２Ｔｅ３を結ぶ線上（図２中の破線Ａ上、以下、この破線Ａ上の組成をＡ系列の組成ともいう）の組成よりもＧｅが過剰に添加された組成の範囲で検討を進めた。より具体的に説明すると、例えば、図２中の破線Ｂ上（Ｇｅ４９．３Ｔｅ５０．７とＢｉ４３Ｔｅ５７とを結ぶ線上、以下ではこの線上の組成をＢ系列の組成ともいう）、破線Ｃ上（Ｇｅ５１Ｔｅ４９とＢｉ５１Ｔｅ４９とを結ぶ線上、以下ではこの線上の組成をＣ系列の組成ともいう）、破線Ｄ上（Ｇｅ５０Ｔｅ５０とＢｉ６２．５Ｔｅ３７．５とを結ぶ線上、以下ではこの線上の組成をＤ系列の組成ともいう）等の組成のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いて検討を行った。
【００１９】
Ｂｉ、Ｇｅ及びＴｅの組成範囲を、図２に示したＡ系列の組成よりもＧｅが過剰に添加された組成にすることによって、低線速側において、溶融領域外縁から結晶成長することによる再結晶化が抑制され良好な特性が得られることが、すでに、本発明者らの検証実験により分かっており（例えば、特開２００４−１５５１７７号公報参照）、実際、ＤＶＤ−ＲＡＭの５倍速の製品化が可能となった。本発明者らは、Ａ系列の組成よりもＧｅが過剰に添加された組成範囲で、更にＢｉ添加量を増加させ、結晶化速度を最適化することでＤＶＤ−ＲＡＭの６倍速（２４．６ｍ／ｓｅｃ、転送レート６６Ｍｂｐｓ）から１６倍速（６５．６ｍ／ｓｅｃ、転送レート１７６Ｍｂｐｓ）の広い範囲の記録線速度に対応可能となる情報記録媒体の検討を進めた。
【００２０】
なお、上記検討を行うにあたって、Ｂｉ添加量を増加させて結晶加速度を高めることにより、上述した低線速度記録における再結晶化の抑制効果が劣化する可能性も考慮し、情報記録媒体の評価項目として、初期ジッター（１回記録ジッター）及び１０回オーバーライト後のオーバーライトジッター（ＯＷ１０ジッター）の評価以外にも、１０回オーバーライト後にＤＣ光照射によって記録マーク消去し、その後に１回オーバーライトした時のジッター、すなわち、アフターイレーズオーバーライトジッター（ＡＥＯＷジッター）の評価も行った。ＡＥＯＷジッターを評価することにより、ジッター悪化の主要因が以下の何れによるものかを判別できると考えられる。
【００２１】
一つ目の要因は、次の通りである。レーザビームにより記録層を融点以上に加熱した直後に急冷してアモルファス化することにより記録マークを形成し、更にその上にオーバーライト記録する過程で記録層の結晶化速度が遅いと、前の記録マーク（アモルファス）の消え残りが発生する。その結果、ジッターが悪化する。
【００２２】
二つ目の要因は、次の通りである。レーザビームにより記録層を融点以上に加熱した直後の冷却過程で結晶化速度が速すぎると、溶融領域外縁から結晶成長が起こり、再結晶化リングが溶融領域外縁に発生する。再結晶化リングが発生すると記録マークサイズが小さくなるので、再生信号を小さくなり信号振幅が低下する。その結果、ジッターが悪化する。また、再結晶化リングが発生すると、再結晶化リング部は粗大結晶粒径となり周囲の結晶粒径と異なることになる。その結果、再結晶化リング部と周囲の結晶部の反射率差が異なり、ＡＥＯＷが悪化してジッターが悪化する。
【００２３】
上記評価を行った結果、Ｂｉ量の増加させて結晶化速度を速くした場合、低線速度記録では再結晶化が抑制され、且つオーバーライト特性は良好なものの、高線速度記録では、十分な消去性能を示すにも拘わらずオーバーライト特性が悪化することが明らかになった。また、このオーバーライト特性が悪化する原因は、結晶化速度が遅いために発生する消え残りによるもの（上記一つ目の要因）でなく、ＡＥＯＷジッターが悪化することによるもの（上記二つ目の要因）であることが分かった。このような問題は、従来では予想出来ない新たな問題である。
【００２４】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、高速記録が可能であり、広い記録線速度に対応可能であり、且つ保存寿命に優れた情報記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明の第１の態様に従えば、赤色のレーザ光を照射し且つ線速度を２４．６ｍ／ｓｅｃから６５．６ｍ／ｓｅｃとして情報の記録再生が行なわれる情報記録媒体であって、
基板と、
上記基板上に設けられ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅ及びＳｎを含む相変化材料で形成された記録層とを備え、
上記記録層中のＢｉ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＴｅの組成が、Ｂｉ４３Ｔｅ５７、Ｇｅ４９．３Ｔｅ５０．７及びＳｎ５０Ｔｅ５０を頂点とする三角組成図上の以下の各点で囲まれる第１組成範囲、
Ｂ１−５（Ｂｉ３，Ｇｅ３７，Ｓｎ９，Ｔｅ５１）
Ｂ１−９（Ｂｉ３，Ｇｅ２６，Ｓｎ２０，Ｔｅ５１）
Ｂ４−５（Ｂｉ８，Ｇｅ３１，Ｓｎ９，Ｔｅ５２）
Ｂ４−９（Ｂｉ８，Ｇｅ２０，Ｓｎ２０，Ｔｅ５２）
Ｂ６−５（Ｂｉ１３，Ｇｅ２５，Ｓｎ９，Ｔｅ５３）
Ｂ６−７（Ｂｉ１３，Ｇｅ１９，Ｓｎ１５，Ｔｅ５３）
Ｂｉ５１Ｔｅ４９、Ｇｅ５１Ｔｅ４９及びＳｎ５０Ｔｅ５０を頂点とする三角組成図上の以下の各点で囲まれる第２組成範囲、
Ｃ１−５（Ｂｉ５，Ｇｅ３７，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ１−９（Ｂｉ５，Ｇｅ２６，Ｓｎ２０，Ｔｅ４９）
Ｃ３−５（Ｂｉ１０，Ｇｅ３２，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ３−９（Ｂｉ１０，Ｇｅ２１，Ｓｎ２０，Ｔｅ４９）
Ｃ５−５（Ｂｉ１６，Ｇｅ２６，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ５−７（Ｂｉ１６，Ｇｅ２０，Ｓｎ１５，Ｔｅ４９）
上記点Ｂ１−５、Ｂ６−５、Ｃ１−５及びＣ５−５で囲まれる第３組成範囲、
上記点Ｂ１−５、Ｂ１−９、Ｃ１−５及びＣ１−９で囲まれる第４組成範囲、
上記点Ｂ１−９、Ｂ４−９、Ｃ１−９及びＣ３−９で囲まれる第５組成範囲、
上記点Ｂ４−９、Ｂ６−７、Ｃ３−９及びＣ５−７で囲まれる第６組成範囲、
並びに、上記点Ｂ６−５、Ｂ６−７、Ｃ５−５及びＣ５−７で囲まれる第７組成範囲で囲まれる範囲に存在することを特徴とする情報記録媒体が提供される。
【００２６】
本発明の情報記録媒体では、情報の記録再生時のデータ転送レートが６６Ｍｂｐｓ〜１７６Ｍｂｐｓの範囲であることが好ましい。
【００２７】
本発明者らは、上記課題を解決するため、鋭意研究を進めた結果、以下の知見に至った。
【００２８】
上述したように、低線速度記録側におけるＡＥＯＷジッターの悪化は、アモルファス部の溶融領域外縁から結晶成長することにより生成される再結晶化リングにより起こる。再結晶化リングが生成されると、記録マークサイズが小さくなり再生信号を小さくなる。その結果、再生信号振幅が低下してジッターが悪化する。また、再結晶化リングが生成されると、再結晶化リング部と周囲の結晶部の反射率差が異なることにより、ジッターが悪化する。これは、再結晶化部分は粗大結晶粒径となり周囲の結晶粒径と異なることによって生じる。しかしながら、高線速度記録側でＡＥＯＷジッターが悪化する原因は以下のように推測される。
【００２９】
Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料には、現在までに明らかになっている範囲では、ＧｅＴｅ、Ｂｉ２Ｔｅ３、Ｂｉ２Ｇｅ３Ｔｅ６、Ｂｉ２ＧｅＴｅ４及びＢｉ４ＧｅＴｅ７の化合物が存在する。記録層の所定部分に情報を記録する（アモルファス化する）ために光ビームを照射して溶融した直後に、溶融領域の一部に再結晶化が起こるような場合、記録層の組成によって異なるが、以上に挙げた化合物、Ｂｉ、Ｇｅ及びＴｅのうち融点が高い物質から順に溶融領域外縁部から再結晶化するものと考えられる。これらの物質を融点が高い順に並べると以下のようになる。
Ｇｅ：約９３７℃
ＧｅＴｅ：約７２５℃
Ｂｉ２Ｇｅ３Ｔｅ６：約６５０℃
Ｂｉ２Ｔｅ３：約５９０℃
Ｂｉ２ＧｅＴｅ４：約５８４℃
Ｂｉ４ＧｅＴｅ７：約５６４℃
Ｔｅ：約４５０℃
Ｂｉ：約２７１℃
【００３０】
上述のようにＧｅの融点が最も高いため、Ｂｉ、Ｇｅ及びＴｅを頂点とする三角組成図のＧｅＴｅとＢｉ２Ｔｅ３を結ぶ線上（Ａ系列の組成）の組成材料より、Ｇｅを過剰に添加した相変化材料を記録層として用いた情報記録媒体では、溶融領域の外縁部にＧｅが偏析し易くなるものと考えられる。溶融領域の外縁部にＧｅが過剰に存在すると、溶融領域の外縁部の結晶化速度が遅くなり外縁部からの再結晶化を抑制できる。しかしながら、従来の２倍速（８．２ｍ／ｓｅｃ）から５倍速（２０．５ｍ／ｓｅｃ）に適したＢｉ添加量より、さらに高線速度記録に対応するために、上述したＢｉ、Ｇｅ、Ｔｅの組成範囲でＢｉを過剰に添加して結晶核生成速度を高めようとすると、溶融領域の外縁部では再結晶化は抑制されるものの、その周囲の領域では結晶核形成速度が非常に高速なため、結晶成長は非常に早く、微細な結晶粒径の結晶粒が生成されていると考えられる。このため、溶融領域の外縁部は従来の結晶粒径であるのに対して、その周囲の領域は微細な結晶粒径となり、結果として、高線速度記録においても、溶融領域の外縁部とその周囲の領域とでは、反射率差が異なることになる。その結果、ＡＥＯＷジッターが悪化したものと考えられる。
【００３１】
そこで本発明者らは、上記課題を解決するために、Ｂｉ、Ｇｅ及びＴｅを頂点とする三角組成図中で、ＧｅＴｅとＢｉ２Ｔｅ３とを結ぶ線上（Ａ系列）の組成よりもＧｅが過剰に添加された組成範囲で、且つ、ＧｅＴｅの一部をＳｎＴｅで置換した（Ｇｅの一部をＳｎで置換した）Ｂｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を用いて、さらに検証実験を行なった。その結果、図２に示すＢｉ、Ｇｅ及びＴｅを頂点とする三角組成図中の組成点[Ｂ１，Ｂ４，Ｂ６，Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５]で囲まれた組成範囲（図２中の太線で囲まれた範囲）のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料のＧｅの一部を所定量のＳｎで置換することにより、６倍速（線速：２４．６ｍ／ｓｅｃ、転送レート：６６Ｍｂｐｓ）から１６倍速（線速：６５．６ｍ／ｓｅｃ、転送レート：１７６Ｍｂｐｓ）の広い範囲の記録線速度に対応可能であり、且つ保存寿命に優れた情報記録媒体が得られることを見出した。
【００３２】
具体的には、上記の第１組成範囲〜第７組成範囲とで囲まれた範囲の組成を有するＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層として用いることにより、例えば、ＤＶＤ−ＲＡＭ媒体に対して、６倍速（線速：２４．６ｍ／ｓｅｃ、転送レート：６６Ｍｂｐｓ）から１６倍速（線速：６５．６ｍ／ｓｅｃ、転送レート：１７６Ｍｂｐｓ）の広い範囲の記録線速度に対応可能であり、且つ保存寿命に優れた情報記録媒体が得られることを見出した。なお、本明細書では、「各点で囲まれる組成範囲」とは、各点上の組成及び各点間を結ぶ線上の組成を含む意味である。また、「第１組成範囲〜第７組成範囲とで囲まれた範囲」とは、各組成範囲の組成も含む意味である。以下に、上記の第１組成範囲〜第７組成範囲とで囲まれた組成範囲について具体的に説明する。
【００３３】
第１組成範囲[Ｂ１−５，Ｂ１−９，Ｂ４−５，Ｂ４−９，Ｂ６−５，Ｂ６−７]は、図２中のＢｉ、Ｇｅ及びＴｅを頂点とする三角組成上のＢ系列の組成（破線Ｂ上の組成）のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系組成材料を形成母材としてＧｅの一部をＳｎで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の組成範囲であり、上述のような良好な特性が得られるＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の組成範囲である。より具体的には、図２中の組成点Ｂ１のＢｉ３Ｇｅ４６Ｔｅ５１〜組成点Ｂ６のＢｉ１３Ｇｅ３４Ｔｅ５３のＢ系列の形成母材のＧｅの一部をＳｎで置換した場合に上述のような良好な特性が得られるＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の組成範囲である。この範囲を示した図が図３である。図３は、Ｂ系列組成のＢｉＧｅＴｅターゲットとＳｎ５０Ｔｅ５０ターゲットとの使用割合を表わした図であり、Ｂｉ４３Ｔｅ５７、Ｇｅ４９．３Ｔｅ５０．７及び、Ｓｎ５０Ｔｅ５０を頂点とする三角組成図である。図３中の三角組成図中の頂点Ｂｉ４３Ｔｅ５７と頂点Ｇｅ４９．３Ｔｅ５０．７とを結ぶ線が図２の三角組成図中の破線Ｂに対応し、Ｓｎを添加しない場合の組成を表わす。もう一つの頂点Ｓｎ５０Ｔｅ５０は、一方のターゲットの組成を表わす。そして、第１組成範囲は図３中の太線で囲まれた平面状の範囲（組成点Ｂ１−５、Ｂ１−９、Ｂ４−５、Ｂ４−９、Ｂ６−５及びＢ６−７で囲まれた範囲、ただし、各組成点及び組成点間を結ぶ線上の組成も含む）となる。
【００３４】
第２組成範囲[Ｃ１−５，Ｃ１−９，Ｃ３−５，Ｃ３−９，Ｃ５−５，Ｃ５−７]は、図２中のＢｉ、Ｇｅ及びＴｅを頂点とする三角組成上のＣ系列の組成（破線Ｂ上の組成）のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系組成材料を形成母材としてＧｅの一部をＳｎで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の組成範囲であり、上述のような良好な特性が得られるＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の組成範囲である。より具体的には、図２中の組成点Ｃ１のＢｉ５Ｇｅ４６Ｔｅ４９〜組成点Ｃ５のＢｉ１６Ｇｅ３５Ｔｅ４９をＣ系列の形成母材のＧｅの一部をＳｎで置換した場合に上述のような良好な特性が得られるＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の組成範囲である。この範囲を示した図が図４である。図４は、Ｃ系列組成のＢｉＧｅＴｅターゲットとＳｎ５０Ｔｅ５０ターゲットとの使用割合を表わした図であり、Ｂｉ５１Ｔｅ４９、Ｇｅ５１Ｔｅ４９及びＳｎ５０Ｔｅ５０を頂点とする三角組成図である。図４中の三角組成図中の頂点Ｂｉ５１Ｔｅ４９と頂点Ｇｅ５１Ｔｅ４９とを結ぶ線が図２の三角組成図中の破線Ｃに対応し、Ｓｎを添加しない場合の組成を表わす。もう一つの頂点Ｓｎ５０Ｔｅ５０は、一方のターゲットの組成を表わす。そして、第２組成範囲は図４中の太線で囲まれた平面状の範囲（組成点Ｃ１−５、Ｃ１−９、Ｃ３−５、Ｃ３−９、Ｃ５−５及びＣ５−７で囲まれた範囲、ただし、各組成点及び組成点間を結ぶ線上の組成も含む）となる。
【００３５】
そして、図２〜４の三角組成図中の太線で囲まれた各組成範囲の関係を模式的に表わしたのが図５である。第１組成範囲５１[Ｂ１−５，Ｂ１−９，Ｂ４−５，Ｂ４−９，Ｂ６−５，Ｂ６−７]は、図５に示すように、Ｂ系列の組成を表わす線５４（図５中の組成点Ｂ１〜Ｂ６を結ぶ線）の上方に広がる組成範囲となる。なお、図５面上の上方に向かうほどＳｎの含有量が増加する（Ｇｅの含有量が減少する）。また、第１組成範囲５１とＢ系列を示す線５４との関係をより具体的に説明すると、図５に示すように、第１組成範囲５１の組成点Ｂ１−５と組成点Ｂ６−５を結ぶ線５１ａがＢ系列の組成を表わす線５４と平行になり、第１組成範囲５１の組成点Ｂ１−９と組成点Ｂ１−５を結ぶ線５１ｂの延長線（図５中の破線）上にＢ系列の組成点Ｂ１が位置し、そして、第１組成範囲５１の組成点Ｂ６−７と組成点Ｂ６−５を結ぶ線５１ｃの延長線上にＢ系列の組成点Ｂ６が位置する関係となる。
【００３６】
一方、第２組成範囲５２[Ｃ１−５，Ｃ１−９，Ｃ３−５，Ｃ３−９，Ｃ５−５，Ｃ５−７]は、図５に示すように、Ｃ系列の組成を表わす線５５（図５中の組成点Ｃ１〜Ｃ５を結ぶ線）の上方に広がる組成範囲となる。また、第２組成範囲５２とＣ系列を示す線５５との関係をより具体的に説明すると、図５に示すように、第２組成範囲５２の組成点Ｃ１−５と組成点Ｃ５−５を結ぶ線５２ａがＣ系列の組成を表わす線５５と平行になり、第２組成範囲５２の組成点Ｃ１−９と組成点Ｃ１−５を結ぶ線５２ｂの延長線（図５中の破線）上にＣ系列の組成点Ｃ１が位置し、そして、第２組成範囲５２の組成点Ｃ５−７と組成点Ｃ５−５を結ぶ線５２ｃの延長線上にＣ系列の組成点Ｃ５が位置する関係となる。
【００３７】
そして、本発明の情報記録媒体の記録層を形成するＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の組成範囲５３は、図５に示すように、第１組成範囲５１と第２組成範囲５２で挟まれた間の空間領域の組成範囲を含む立体状の組成範囲となる。すなわち、本発明の情報記録媒体で記録層に用いるＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の組成範囲５３は、図５に示すように、下記の平面状の組成範囲（１）〜（７）により囲まれた立体状の組成範囲となる。
（１）組成点Ｂ１−５，Ｂ１−９，Ｂ４−５，Ｂ４−９，Ｂ６−５及びＢ６−７で囲まれた組成範囲（第１組成範囲５１）
（２）組成点Ｃ１−５，Ｃ１−９，Ｃ３−５，Ｃ３−９，Ｃ５−５及びＣ５−７で囲まれた組成範囲（第２組成範囲５２）
（３）組成点Ｂ１−５，Ｂ６−５，Ｃ１−５及びＣ５−５で囲まれた組成範囲（第３組成範囲）
（４）組成点Ｂ１−５，Ｂ１−９，Ｃ１−５及びＣ１−９で囲まれた組成範囲（第４組成範囲）
（５）組成点Ｂ１−９，Ｂ４−９，Ｃ１−９及びＣ３−９で囲まれた組成範囲（第５組成範囲）
（６）組成点Ｂ４−９，Ｂ６−７，Ｃ３−９及びＣ５−７で囲まれた組成範囲（第６組成範囲）
（７）組成点Ｂ６−５，Ｂ６−７，Ｃ５−５及びＣ５−７で囲まれた組成範囲（第７組成範囲）
なお、組成範囲５３には、各第１〜第７組成範囲の組成も含まれる。
【００３８】
本発明者らは、上記組成範囲のＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層として用いることにより、広い範囲の記録線速度に対応可能であり、且つ保存寿命に優れた情報記録媒体が得られた理由は、以下のような理由によるものと考えている。
【００３９】
上記組成範囲（第１及び第２組成範囲で囲まれた組成範囲）のＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層として用いることにより、Ｇｅが過剰に添加された組成の長所が維持されるので、低線速度記録時の再結晶化が抑制され良好なオーバーライト特性が得られる。一方、高線速度記録時の場合には、上記組成範囲のＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層として用いることにより、ＳｎＴｅが記録層中で結晶核として形成され、溶融領域外縁部にＧｅが偏析する頻度を抑制するものと考えられる。その結果、溶融領域の外縁部とその周囲での反射率差が抑制されてＡＥＯＷジッターが良好になったと考えられる。また、上記組成範囲では、核生成速度が向上するので、結晶化速度も高速となり良好なオーバーライト特性が得られたと考えている。
【００４０】
しかしながら、Ｓｎの含有量を上記の組成範囲以上に添加して更に結晶核生成速度を上げた場合には、Ｂｉ量を過剰に添加したと場合と同様に、高線速度記録において溶融領域の外縁部とその周囲の領域との間で結晶粒径が異なり、ＡＥＯＷジッターが悪化しオーバーライト特性が悪化することが分かった。また、この場合、結晶状態と非結晶状態（アモルファス状態）における記録層の屈折率の差が小さくなることによる光学特性の劣化や、結晶化温度の低下により保存寿命が悪化することも予想される。
【００４１】
なお、本発明者らは、上記特許文献１に記載されている記録層を２層有する情報記録媒体の第１層目に用いられている組成範囲のＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を用いて記録層を形成した光記録媒体を作製し、その媒体についても、ＤＶＤ−ＲＡＭの６倍速（２４．６ｍ／ｓｅｃ、転送レート６６Ｍｂｐｓ）から１６倍速（６５．６ｍ／ｓｅｃ、転送レート１７６Ｍｂｐｓ）の広い範囲の記録線速度にて上述と同様の評価を行った。その結果、特許文献１で示されているＢｉ量が少ない範囲におけるＳｎ添加量では結晶化速度が遅くなり、また、特許文献１で示されているＢｉ量が過剰な範囲におけるＳｎ添加量では、ＡＥＯＷジッターの悪化や、光学特性の劣化により目標のオーバーライト性能が得られなかった。
【００４２】
上述のように、本発明者らは、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を情報記録媒体の記録層として用いた場合、高速化記録可能で、且つ、広い範囲の記録線速度に対応可能である情報記録媒体を得るためには、Ｂｉ含有量及びＳｎ含有量を適度に調整することが重要であることを見い出した。
【００４３】
本発明の情報記録媒体ではさらに、界面層を備え、界面層が記録層の少なくともいずれか一方の面に接して設けても良い。また、界面層の形成材料としては、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ等の高融点酸化物、Ｇｅ３Ｎ４等の高融点窒化物及びＳｉＣ等の高融点炭化物が好ましい。これにより、記録層中の核生成速度が向上し、記録層の結晶化速度を向上させることができる。また、界面層を設けることにより、多数回書き換えにおける書き換え耐久性が飛躍的に向上する。
【００４４】
なお、本発明の情報記録媒体では、記録層の光ビーム入射側に基板が配置されるような構成を前提としているが、記録層の光ビーム入射側とは反対側に基板を配置し、光ビーム入射側には、基板よりも薄い保護シート等の保護材を配置しても良い。
【００４５】
本発明の第２の態様に従えば、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅ及びＳｎを含む材料で形成された情報記録材料用ターゲットであって、
上記ターゲット中のＢｉ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＴｅの組成が、Ｂｉ４３Ｔｅ５７、Ｇｅ４９．３Ｔｅ５０．７及びＳｎ５０Ｔｅ５０を頂点とする三角組成図上の以下の各点で囲まれる第１組成範囲、
Ｂ１−５（Ｂｉ３，Ｇｅ３７，Ｓｎ９，Ｔｅ５１）
Ｂ１−９（Ｂｉ３，Ｇｅ２６，Ｓｎ２０，Ｔｅ５１）
Ｂ４−５（Ｂｉ８，Ｇｅ３１，Ｓｎ９，Ｔｅ５２）
Ｂ４−９（Ｂｉ８，Ｇｅ２０，Ｓｎ２０，Ｔｅ５２）
Ｂ６−５（Ｂｉ１３，Ｇｅ２５，Ｓｎ９，Ｔｅ５３）
Ｂ６−７（Ｂｉ１３，Ｇｅ１９，Ｓｎ１５，Ｔｅ５３）
Ｂｉ５１Ｔｅ４９、Ｇｅ５１Ｔｅ４９及びＳｎ５０Ｔｅ５０を頂点とする三角組成図上の以下の各点で囲まれる第２組成範囲、
Ｃ１−５（Ｂｉ５，Ｇｅ３７，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ１−９（Ｂｉ５，Ｇｅ２６，Ｓｎ２０，Ｔｅ４９）
Ｃ３−５（Ｂｉ１０，Ｇｅ３２，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ３−９（Ｂｉ１０，Ｇｅ２１，Ｓｎ２０，Ｔｅ４９）
Ｃ５−５（Ｂｉ１６，Ｇｅ２６，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ５−７（Ｂｉ１６，Ｇｅ２０，Ｓｎ１５，Ｔｅ４９）
上記点Ｂ１−５、Ｂ６−５、Ｃ１−５及びＣ５−５で囲まれる第３組成範囲、
上記点Ｂ１−５、Ｂ１−９、Ｃ１−５及びＣ１−９で囲まれる第４組成範囲、
上記点Ｂ１−９、Ｂ４−９、Ｃ１−９及びＣ３−９で囲まれる第５組成範囲、
上記点Ｂ４−９、Ｂ６−７、Ｃ３−９及びＣ５−７で囲まれる第６組成範囲、
並びに、上記点Ｂ６−５、Ｂ６−７、Ｃ５−５及びＣ５−７で囲まれる第７組成範囲で囲まれる範囲に存在する情報記録材料用ターゲットが提供される。
【発明の効果】
【００４６】
本発明の情報記録媒体によれば、波長が６４０ｎｍ〜６６５ｎｍの範囲（赤色）の光ビームを記録層に対して相対的に走査することによって情報の記録再生が行われる情報記録媒体において、上記第１〜第７組成範囲で囲まれた範囲内の組成を有するＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層材料として用いることにより、２４．６ｍ／ｓｅｃ〜６５．６ｍ／ｓｅｃの広い記録線速度範囲で良好な特性（オーバーライト特性、保存寿命特性等）が得られる。
【００４７】
また、本発明の情報記録媒体によれば、レーザビームを記録層に対して相対的に走査することによって情報の記録再生が行われる情報記録媒体において、上記第１〜第７組成範囲で囲まれた範囲内の組成を有するＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層材料として用いることにより、レーザビームの波長に関係なく、広い範囲のデータ転送レート（６６Ｍｂｐｓ〜１７６Ｍｂｐｓ）で良好な特性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下に、本発明の情報記録媒体の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【実施例１】
【００４９】
［情報記録媒体］
実施例１で作製した情報記録媒体は相変化型光ディスクであり、その概略断面図を図１に示した。この例で作製した光ディスク１０は、図１に示すように、基板１上に第１保護層２、第１界面層３、記録層４、第２界面層５、第２保護層６、光吸収層７、反射層８及び紫外線硬化樹脂層９が順次積層された構造を有する。
【００５０】
この例では、図２中のＢ系列のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料、具体的には、図２中の組成点Ｂ１〜Ｂ６のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材のＧｅの一部をＳｎで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料で記録層４を形成した。なお、この例では、比較のため、図２中の組成点Ｂ１〜Ｂ６を結ぶ線上以外のＢ系列材料であるＢｉ１４Ｇｅ３３Ｔｅ５３（ａｔ％）のＧｅの一部をＳｎで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料でも記録層４を形成した。また、この例では、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料中のＳｎの含有量を種々変化させた。より具体的には、この例では、以下のような組成のＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を形成した。
（１）Ｂｉ３Ｇｅ４６Ｔｅ５１（ａｔ％）（図２中の組成点Ｂ１の材料）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｂ１系列の材料ともいう）
（２）Ｂｉ５Ｇｅ４４Ｔｅ５１（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｂ２系列の材料ともいう）
（３）Ｂｉ７Ｇｅ４２Ｔｅ５１（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｂ３系列の材料ともいう）
（４）Ｂｉ８Ｇｅ４０Ｔｅ５２（ａｔ％）（図２中の組成点Ｂ４の材料）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｂ４系列の材料ともいう）
（５）Ｂｉ１０Ｇｅ３８Ｔｅ５２（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｂ５系列の材料ともいう）
（６）Ｂｉ１３Ｇｅ３４Ｔｅ５３（ａｔ％）（図２中の組成点Ｂ６の材料）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｂ６系列の材料ともいう）
（７）Ｂｉ１４Ｇｅ３３Ｔｅ５３（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｂ７系列の材料ともいう）
【００５１】
この例では、基板１として、直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板を用いた。基板１の表面には、トラッキング用のプリグルーブをらせん状に形成し、グルーブのトラックとランドのトラックが交互につながるようなトラック構成とした。
【００５２】
第１保護層２及び第２保護層６は、（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）で形成した。第１界面層３及び第２界面層５は、Ｃｒ―Ｔａ―Ｏからなる材料で形成した。光吸収層７は、（Ｃｒ）８５（Ｃｒ２Ｏ３）１５（ｍｏｌ％）で形成した。反射層８はＡｌＴｉ（Ｔｉ０．２ｗｔ％）で形成した。そして、紫外線硬化樹脂層９は、紫外線硬化樹脂で形成した。なお、図１には示していないが、紫外線硬化樹脂層９上に、０．６ｍｍ厚のダミー基板を設けた。
【００５３】
次に、この例で作製した光ディスク１０の製造方法について説明する。なお、この例では、複数のスパッタ室をもち、膜厚分布が小さく且つ再現性の高いスパッタ装置（不図示）を用いて、各層を形成した。
【００５４】
まず、用意したポリカーボネート製の基板１をスパッタ装置のスパッタ室に投入した。次いで、スパッタ装置内に装着された、基板１上に、第１保護層２として（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）膜を膜厚１５０ｎｍで形成した。次いで、第１保護層２上に、第１界面層３として、Ｃｒ２０Ｔａ１４Ｏ６６（ａｔ％）膜を膜厚２ｎｍで形成した。
【００５５】
そして、第１界面層３上に、記録層４として、上述した組成のＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ相変化膜を膜厚７ｎｍで形成した。記録層４の形成方法は、次の通りである。１つのスパッタ室内に、ＢｉＧｅＴｅおよびＳｎ５０Ｔｅ５０ターゲットからなる２つのターゲットを装着して、同時スパッタにより記録層４を形成した。この際、各ターゲットのスパッタリングパワーを変化させて記録層の組成を調整した。なお、ＢｉＧｅＴｅターゲットとしては、上述したＢ１系列〜Ｂ７系列のサンプルに応じてＢｉＧｅＴｅの組成を変えた。具体的には、Ｂ１〜Ｂ７系列の記録層を形成する際には、それぞれ、Ｂｉ３Ｇｅ４６Ｔｅ５１、Ｂｉ５Ｇｅ４４Ｔｅ５１、Ｂｉ７Ｇｅ４２Ｔｅ５１、Ｂｉ８Ｇｅ４０Ｔｅ５２、Ｂｉ１０Ｇｅ３８Ｔｅ５２、Ｂｉ１３Ｇｅ３４Ｔｅ５３及びＢｉ１４Ｇｅ３３Ｔｅ５３の組成のターゲットを用いた。
【００５６】
次に、記録層４上に、第２界面層５として、Ｃｒ３０Ｔａ７Ｏ６３（ａｔ％）膜を膜厚２ｎｍで形成した。次いで、第２界面層５上に、第２保護層６として、（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）膜を膜厚３０ｎｍで形成した。次いで、第２保護層６上に、光吸収層７として、（Ｃｒ）８５−（Ｃｒ２Ｏ３）１５（ｍｏｌ％）膜を膜厚２５ｎｍで形成した。さらに、光吸収層７上に、反射層８としてＡｌＴｉ（Ｔｉ０．２ｗｔ％）膜を膜厚１００ｎｍで形成した。そして、最後に、反射層８上に、紫外線硬化樹脂層９として、紫外線硬化樹脂膜を形成し、その後、０．６ｍｍ厚のダミー基板を保護層９上に貼り合せた。このようにして、この例の光ディスク１０を作製した。
【００５７】
この例の光ディスク１０は、波長８１０ｎｍの半導体レーザを用いてレーザスポットサイズ１×５０μｍの楕円ビームを有するレーザ光を光ディスク１０に照射することにより、ディスク全面を初期結晶化した。
【００５８】
［情報記録装置及び評価方法］
次に、この例で作製した組成の異なる記録層を有する種々の光ディスクの記録再生特性を評価するための情報記録装置（不図示）について簡単に説明する。この例では、情報の記録再生時に光ディスクに光照射するための半導体レーザ（波長６５５ｎｍ、開口数０．６）と、その半導体レーザの出力を制御するためのレーザドライバと、記録情報に従って生成された記録パルスを発生させるための波形発生装置と、波形等価回路と、２値化回路とを備える情報記録装置を用いた。
【００５９】
この例では、上記情報記録装置を用いて次のような特性を測定し、光ディスクの評価を行った。なお、この例では８−１６変調を用いて、マークエッジ記録方式の記録マークを光ディスクに形成して情報記録を行った。この際、最短マーク長は０．４２μｍとした。
【００６０】
１つ目の評価項目として、この例では、マーク長３Ｔ〜１４Ｔ（Ｔ：情報記録時のクロック周期）のランダムパターンの情報をこの例で作製した光ディクに１０回オーバーライト記録し、そのランダムパターンを再生して情報記録媒体のジッター（ＯＷ１０ジッター）を評価した。
【００６１】
２つめの評価項目としては、アフターイレーズオーバーライト（ＡＥＯＷ）特性を評価した。具体的には、次のようにしてＡＥＯＷ特性を評価した。まず、マーク長３Ｔ〜１４Ｔのランダムパターンの情報を光ディスクに１回記録して、そのランダムパターンを再生して光ディスクのジッター（１回記録ジッター）を測定した。次いで、マーク長３Ｔ〜１４Ｔのランダムパターンの情報を光ディスクに１０回オーバーライト記録した後、ＤＣ光照射により記録マーク消去して、その上に１回オーバーライトを行って光ディスクのジッター（ＡＥＯＷジッタ−）を測定した。そして、ＡＥＯＷジッターと１回記録ジッターの差ΔＡＥＯＷを求め、このΔＡＥＯＷにより、この例の光ディスクのＡＥＯＷ特性を評価した。
【００６２】
３つ目の評価項目としては、加速試験を行い保存寿命の評価を行った。具体的には、次のようにして保存寿命を評価した。まず、マーク長３Ｔ〜１４Ｔのランダムパターンの情報を光ディスクに１０回オーバーライト記録してそのジッターを測定した。次いで、その光ディスクを９０℃８０ＲＨ％雰囲気の環境に１６時間保存した後、再度ジッターを測定して、保存前のジッターとの差（アーカイバル再生ジッター上昇量）を求めた。また、光ディスクを９０℃８０ＲＨ％雰囲気の環境に保存する前に１０回オーバーライト記録した光ディスク上に１回オーバーライト記録してジッターを測定し、１回オーバーライト記録する前のジッターとの差（アーカイバルＯＷジッタ−上昇量）も求めた。そして、測定されたアーカイバル再生ジッター上昇量及びアーカイバルＯＷジッタ−上昇量のうち大きい方のジッター上昇量により光ディスクの保存寿命を評価した。
【００６３】
この例では、６倍速の線速２４．６ｍ／ｓｅｃ及び１６倍速の線速６５．６ｍ／ｓｅｃで情報の記録再生を行い、それぞれの場合において上記３つの評価項目を測定した。この際、この例の光ディスクを記録線速度２４．６ｍ／ｓｅｃ及び６５．６ｍ／ｓｅｃで回転させ、波長６５５ｎｍの半導体レーザから射出されたレーザ光を開口数（ＮＡ）０．６の対物レンズで集光して基板１を通して記録層４上に照射し、情報の記録再生を行った。なお、１Ｔの長さは、線速が６倍速（線速２４．６ｍ／ｓｅｃ）の場合には５．７１ｎｓとなり、１６倍速（高線速６５．６ｍ／ｓｅｃ）の場合には２．１４ｎｓとなる。
【００６４】
上記測定を、この例で作製したＢ１系列〜Ｂ７系列の組成を有するＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料で形成された記録層を有する種々の光ディスクに対して行い、その評価結果を表１〜７に示した。なお、各評価項目における評価基準は以下の通りである。
（１）ＯＷ１０ジッター
◎：ジッタ-８．５％以下、○：ジッタ-９％以下、×：ジッター９％以上
（２）ΔＡＥＯＷ
◎：２.０％以下、○２．５％以下、×２．５％以上
（３）保存寿命
◎：１．０％以下、○２．０％以下、×２．０％以上
（４）総合評価
◎：以上の評価項目が全て◎で優れた特性の場合
○：以上の評価項目の×が無く、一つでも○が含まれる良好な特性の場合
×：以上の評価項目に一つでも×がある場合
なお、上記記録再生特性の評価はグルーブ、ランド双方のトラックに対して行い、その平均値で評価した。
【００６５】
［Ｂ１系列の光ディスクの評価結果］
Ｂ１系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ３Ｇｅ４６Ｔｅ５１（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表１に示した。
【００６６】
【表１】
2006347038.tif 000003
【００６７】
Ｂ１系列の光ディスクでは、表１から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が７〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目で○評価以上の特性が得られ、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が９〜１７．５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【００６８】
１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり良好な特性を示すことが分かった。
【００６９】
Ｂ１系列の光ディスクの総合評価は、表１に示すように、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲（表１中のサンプルＢ１−５〜Ｂ１−９の組成範囲）で総合評価が○評価となり、このＳｎ含有量の範囲では６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能であることが分かった。
【００７０】
［Ｂ２系列の光ディスクの評価結果］
Ｂ２系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ５Ｇｅ４４Ｔｅ５１（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表２に示した。
【００７１】
【表２】
2006347038.tif 000004
【００７２】
Ｂ２系列の光ディスクでは、表２から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が７〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が９〜１７．５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【００７３】
１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が１５〜１７．５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【００７４】
Ｂ２系列の光ディスクの総合評価は、表２に示すように、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲（表２中のサンプルＢ２−５〜Ｂ２−９の組成範囲）で総合評価が○評価となり、このＳｎ含有量の範囲では６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能であることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が１５〜１７．５（ａｔ％）の範囲（表２中のサンプルＢ２−７〜Ｂ２−８の組成範囲）では総合評価が◎評価となり、より好ましい特性が得られることが分かった。
【００７５】
［Ｂ３系列の光ディスクの評価結果］
Ｂ３系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ７Ｇｅ４２Ｔｅ５１（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表３に示した。
【００７６】
【表３】
2006347038.tif 000005
【００７７】
Ｂ３系列の光ディスクでは、表３から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が０〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が９〜１５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【００７８】
１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が１５〜１７．５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【００７９】
Ｂ３系列の光ディスクの総合評価は、表３に示すように、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲（表３中のサンプルＢ３−５〜Ｂ３−９の組成範囲）で総合評価が○評価以上となり、このＳｎ含有量の範囲では６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能であることが分かった。特に、Ｓｎ含有量を１５（ａｔ％）（表３中のサンプルＣ３−７の組成）とした場合には総合評価が◎評価となり、より好ましい特性が得られることが分かった。
【００８０】
［Ｂ４系列の光ディスクの評価結果］
Ｂ４系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ８Ｇｅ４０Ｔｅ５２（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表４に示した。
【００８１】
【表４】
2006347038.tif 000006
【００８２】
Ｂ４系列の光ディスクでは、表４から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が５〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が９〜１５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【００８３】
１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が１５〜１７．５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【００８４】
Ｂ４系列の光ディスクの総合評価は、表４に示すように、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲（表４中のサンプルＢ４−５〜Ｂ４−９の組成範囲）で総合評価が○評価以上となり、このＳｎ含有量の範囲では６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能であることが分かった。特に、Ｓｎ含有量を１５（ａｔ％）（表４中のサンプルＢ４−７の組成）とした場合には総合評価が◎評価となり、より好ましい特性が得られることが分かった。
【００８５】
［Ｂ５系列の光ディスクの評価結果］
Ｂ５系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ１０Ｇｅ３８Ｔｅ５２（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表５に示した。
【００８６】
【表５】
2006347038.tif 000007
【００８７】
Ｂ５系列の光ディスクでは、表５から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が０〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が５〜１２．５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【００８８】
１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が１２．５〜１７．５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【００８９】
Ｂ５系列の光ディスクの総合評価は、表５に示すように、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲（表５中のサンプルＢ５−５〜Ｂ５−９の組成範囲）で総合評価が○評価となり、このＳｎ含有量の範囲では６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能であることが分かった。
【００９０】
［Ｂ６系列の光ディスクの評価結果］
Ｂ６系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ１３Ｇｅ３４Ｔｅ５３（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表６に示した。
【００９１】
【表６】
2006347038.tif 000008
【００９２】
Ｂ６系列の光ディスクでは、表６から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が０〜１５（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価となり、良好な特性が得られることが分かった。
【００９３】
１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜１５（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が９〜１２．５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【００９４】
Ｂ６系列の光ディスクの総合評価は、表６に示すように、Ｓｎ含有量が９〜１５（ａｔ％）の範囲（表６中のサンプルＢ６−５〜Ｂ６−７の組成範囲）で総合評価が○評価となり、このＳｎ含有量の範囲では６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能であることが分かった。
【００９５】
［Ｂ７系列の光ディスクの評価結果］
Ｂ７系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ１４Ｇｅ３３Ｔｅ５３（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表７に示した。
【００９６】
【表７】
2006347038.tif 000009
【００９７】
Ｂ７系列の光ディスクでは、表７から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が０〜７（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価となり、良好な特性が得られることが分かった。一方、１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜１５（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。
【００９８】
Ｂ７系列の光ディスクの総合評価は、表７に示すように、評価した全てのＳｎ含有量の範囲で×評価となり、６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能な組成範囲が得られなかった。
【００９９】
以上の結果から、図２中のＢ系列（破線Ｂ上の組成）のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料のＧｅの一部をＳｎで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層として用いた場合には、その組成を下記の組成点で囲まれた組成範囲（第１組成範囲）にすることにより、６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対して対応可能である光ディスクが得られることが分かった。
Ｂ１−５（Ｂｉ３，Ｇｅ３７，Ｓｎ９，Ｔｅ５１）
Ｂ１−９（Ｂｉ３，Ｇｅ２６，Ｓｎ２０，Ｔｅ５１）
Ｂ４−５（Ｂｉ８，Ｇｅ３１，Ｓｎ９，Ｔｅ５２）
Ｂ４−９（Ｂｉ８，Ｇｅ２０，Ｓｎ２０，Ｔｅ５２）
Ｂ６−５（Ｂｉ１３，Ｇｅ２５，Ｓｎ９，Ｔｅ５３）
Ｂ６−７（Ｂｉ１３，Ｇｅ１９，Ｓｎ１５，Ｔｅ５３）
【０１００】
上記第１組成範囲[Ｂ１−５，Ｂ１−９，Ｂ４−５，Ｂ４−９，Ｂ６−５，Ｂ６−７]を具体的に示したのが、図３である。図３は、Ｂ系列組成のＢｉＧｅＴｅターゲットとＳｎ５０Ｔｅ５０ターゲットとの使用割合を表わした図であり、Ｂｉ４３Ｔｅ５７、Ｇｅ４９．３Ｔｅ５０．７及び、Ｓｎ５０Ｔｅ５０を頂点とする三角組成図である。図３中の三角組成図中の頂点Ｂｉ４３Ｔｅ５７と頂点Ｇｅ４９．３Ｔｅ５０．７とを結ぶ線が図２の三角組成図中の破線Ｂに対応し、Ｓｎを添加しない場合の組成を表わす。もう一つの頂点Ｓｎ５０Ｔｅ５０は、一方のターゲットの組成を表わす。そして、第１組成範囲は図３中の太線で囲まれた平面状の範囲（組成点Ｂ１−５、Ｂ１−９、Ｂ４−５、Ｂ４−９、Ｂ６−５及びＢ６−７で囲まれた範囲、ただし、各組成点及び組成点間を結ぶ線上の組成も含む）となる。
【実施例２】
【０１０１】
実施例２では、記録層４を、図２中のＣ系列のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料、具体的には、図２中の組成点Ｃ１〜Ｃ５のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材のＧｅの一部をＳｎで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料で記録層４を形成した。なお、この例では、比較のため、図２中の組成点Ｃ１〜Ｃ５を結ぶ線上以外のＣ系列材料であるＢｉ１８Ｇｅ３３Ｔｅ４９（ａｔ％）のＧｅの一部をＳｎで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料でも記録層４を形成した。また、この例では、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料中のＳｎの含有量を種々変化させた。より具体的には、以下のような組成のＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を形成した。
（１）Ｂｉ５Ｇｅ４６Ｔｅ４９（ａｔ％）（図２中の組成点Ｃ１の材料）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｃ１系列の材料ともいう）
（２）Ｂｉ７Ｇｅ４４Ｔｅ４９（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｃ２系列の材料ともいう）
（３）Ｂｉ１０Ｇｅ４１Ｔｅ４９（ａｔ％）（図２中の組成点Ｃ３の材料）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｃ３系列の材料ともいう）
（４）Ｂｉ１３Ｇｅ３８Ｔｅ４９（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｃ４系列の材料ともいう）
（５）Ｂｉ１６Ｇｅ３５Ｔｅ４９（ａｔ％）（図２中の組成点Ｃ５の材料）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｃ５系列の材料ともいう）
（６）Ｂｉ１８Ｇｅ３３Ｔｅ４９（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｃ６系列の材料ともいう）
【０１０２】
記録層の組成を変えたこと以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作製した。なお、Ｃ１〜Ｃ６系列の記録層を形成する際のＢｉＧｅＴｅターゲットとしては、それぞれ、Ｂｉ５Ｇｅ４６Ｔｅ４９、Ｂｉ７Ｇｅ４４Ｔｅ４９、Ｂｉ１０Ｇｅ４１Ｔｅ４９、Ｂｉ１３Ｇｅ３８Ｔｅ４９、Ｂｉ１６Ｇｅ３５Ｔｅ４９及びＢｉ１８Ｇｅ３３Ｔｅ４９の組成のターゲットを用いた。
【０１０３】
また、この例で作製した記録層の組成の異なる種々の光ディスクに対しても、実施例１と同様にして記録再生特性（ＯＷ１０ジッター、ΔＡＥＯＷ及び保存寿命）を測定した。その評価結果を表８〜１３に示した。
【０１０４】
［Ｃ１系列の光ディスクの評価結果］
Ｃ１系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ５Ｇｅ４６Ｔｅ４９（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表８に示した。
【０１０５】
【表８】
2006347038.tif 000010
【０１０６】
Ｃ１系列の光ディスクでは、表８から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が７〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が９〜１７．５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【０１０７】
１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり良好な特性が得られることが分かった。
【０１０８】
Ｃ１系列の光ディスクの総合評価は、表８に示すように、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲（表８中のサンプルＣ１−５〜Ｃ１−９の組成範囲）で総合評価が○評価となり、このＳｎ含有量の範囲では６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能であることが分かった。
【０１０９】
［Ｃ２系列の光ディスクの評価結果］
Ｃ２系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ７Ｇｅ４４Ｔｅ４９（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表９に示した。
【０１１０】
【表９】
2006347038.tif 000011
【０１１１】
Ｃ２系列の光ディスクでは、表９から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が７〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が９〜１７．５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【０１１２】
１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が１５〜１７．５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【０１１３】
Ｃ２系列の光ディスクの総合評価は、表９に示すように、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲（表９中のサンプルＣ２−５〜Ｃ２−９の組成範囲）で総合評価が○評価以上となり、このＳｎ含有量の範囲では６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能であることが分かった。特に、Ｓｎ含有量を１５〜１７．５（ａｔ％）の範囲（表９中のサンプルＣ２−７〜Ｃ２−８の組成範囲）では総合評価が◎評価となり、より好ましい特性が得られることが分かった。
【０１１４】
［Ｃ３系列の光ディスクの評価結果］
Ｃ３系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ１０Ｇｅ４１Ｔｅ４９（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表１０に示した。
【０１１５】
【表１０】
2006347038.tif 000012
【０１１６】
Ｃ３系列の光ディスクでは、表１０から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が５〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が９〜１５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【０１１７】
１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が１５〜１７．５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【０１１８】
Ｃ３系列の光ディスクの総合評価は、表１０に示すように、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲（表１０中のサンプルＣ３−５〜Ｃ３−９の組成範囲）で総合評価が○評価となり、このＳｎ含有量の範囲では６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能であることが分かった。特に、Ｓｎ含有量を１５（ａｔ％）（表１０中のサンプルＣ３−７の組成）とした場合には総合評価が◎評価となり、より好ましい特性が得られることが分かった。
【０１１９】
［Ｃ４系列の光ディスクの評価結果］
Ｃ４系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ１３Ｇｅ３８Ｔｅ４９（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表１１に示した。
【０１２０】
【表１１】
2006347038.tif 000013
【０１２１】
Ｃ４系列の光ディスクでは、表１１から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が０〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価となり、良好な特性が得られることが分かった。
【０１２２】
１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が１２．５〜１７．５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【０１２３】
Ｃ４系列の光ディスクの総合評価は、表１１に示すように、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲（表１１中のサンプルＣ４−５〜Ｃ４−９の組成範囲）で総合評価が○評価となり、このＳｎ含有量の範囲では６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能であることが分かった。
【０１２４】
［Ｃ５系列の光ディスクの評価結果］
Ｃ５系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ１６Ｇｅ３５Ｔｅ４９（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表１２に示した。
【０１２５】
【表１２】
2006347038.tif 000014
【０１２６】
Ｃ５系列の光ディスクでは、表１２から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が０〜１５（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価となり、良好な特性が得られることが分かった。
【０１２７】
１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜１５（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。
【０１２８】
Ｃ５系列の光ディスクの総合評価は、表１２に示すように、Ｓｎ含有量が９〜１５（ａｔ％）の範囲（表１２中のサンプルＣ５−５〜Ｃ５−７の組成範囲）で総合評価が○評価となり、このＳｎ含有量の範囲では６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能であることが分かった。
【０１２９】
［Ｃ６系列の光ディスクの評価結果］
Ｃ６系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ１８Ｇｅ３３Ｔｅ４９（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表１３に示した。
【０１３０】
【表１３】
2006347038.tif 000015
【０１３１】
Ｃ６系列の光ディスクでは、表１３から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が０〜７（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目で○評価となり、良好な特性が得られることが分かった。一方、１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜１５（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目について○評価となり、良好な特性が得られることが分かった。
【０１３２】
Ｃ６系列の光ディスクの総合評価は、表１３に示すように、評価した全てのＳｎ含有量の範囲で×評価となり、６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能な組成範囲が得られなかった。
【０１３３】
以上の結果から、図２中のＣ系列（破線Ｃ上の組成）のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料のＧｅの一部をＳｎで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層として用いた場合には、その組成を下記の組成点で囲まれた組成範囲（第２組成範囲）にすることにより、６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対して対応可能である光ディスクが得られることが分かった。
Ｃ１−５（Ｂｉ５，Ｇｅ３７，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ１−９（Ｂｉ５，Ｇｅ２６，Ｓｎ２０，Ｔｅ４９）
Ｃ３−５（Ｂｉ１０，Ｇｅ３２，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ３−９（Ｂｉ１０，Ｇｅ２１，Ｓｎ２０，Ｔｅ４９）
Ｃ５−５（Ｂｉ１６，Ｇｅ２６，Ｓｎ９，Ｔｅ４９）
Ｃ５−７（Ｂｉ１６，Ｇｅ２０，Ｓｎ１５，Ｔｅ４９）
【０１３４】
上記第２組成範囲[Ｃ１−５，Ｃ１−９，Ｃ３−５，Ｃ３−９，Ｃ５−５，Ｃ５−７]をより具体的に示した図が図４である。図４は、Ｃ系列組成のＢｉＧｅＴｅターゲットとＳｎ５０Ｔｅ５０ターゲットとの使用割合を表わした図であり、Ｂｉ５１Ｔｅ４９、Ｇｅ５１Ｔｅ４９及びＳｎ５０Ｔｅ５０を頂点とする三角組成図である。図４中の三角組成図中の頂点Ｂｉ５１Ｔｅ４９と頂点Ｇｅ５１Ｔｅ４９とを結ぶ線が図２の三角組成図中の破線Ｃに対応し、Ｓｎを添加しない場合の組成を表わす。もう一つの頂点Ｓｎ５０Ｔｅ５０は、一方のターゲットの組成を表わす。そして、第２組成範囲は図４中の太線で囲まれた平面状の範囲（組成点Ｃ１−５、Ｃ１−９、Ｃ３−５、Ｃ３−９、Ｃ５−５及びＣ５−７で囲まれた範囲、ただし、各組成点及び組成点間を結ぶ線上の組成も含む）となる。
【０１３５】
［比較例１］
比較例１では、図２中のＡ系列（破線Ａ上の組成）のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料のＧｅの一部をＳｎで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を用いて記録層４を形成した。また、この例では、実施例１と同様に、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料中のＳｎの含有量を種々変化させた。より具体的には、以下のような組成のＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を形成した。
（１）Ｂｉ２Ｇｅ４７Ｔｅ５１（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ａ１系列の材料ともいう）
（２）Ｂｉ８Ｇｅ４０Ｔｅ５２（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ａ２系列の材料ともいう）
（３）Ｂｉ１０Ｇｅ３７．５Ｔｅ５２．５（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ａ３系列の材料ともいう）
（４）Ｂｉ１２Ｇｅ３５Ｔｅ５３（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ａ４系列の材料ともいう）
【０１３６】
記録層の組成を変えたこと以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作製した。なお、Ａ１〜Ａ４系列の記録層を形成する際のＢｉＧｅＴｅターゲットとしては、それぞれＢｉ２Ｇｅ４７Ｔｅ５１、Ｂｉ８Ｇｅ４０Ｔｅ５２、Ｂｉ１０Ｇｅ３７．５Ｔｅ５２．５及びＢｉ１２Ｇｅ３５Ｔｅ５３の組成のターゲットを用いた。
【０１３７】
また、この例で作製した記録層の組成の異なる種々の光ディスクに対しても、実施例１と同様にして記録再生特性（ＯＷ１０ジッター、ΔＡＥＯＷ及び保存寿命）を測定した。その評価結果を表１４〜１７に示した。
【０１３８】
［Ａ１系列の光ディスクの評価結果］
Ａ１系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ２Ｇｅ４７Ｔｅ５１（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表１４に示した。
【０１３９】
【表１４】
2006347038.tif 000016
【０１４０】
Ａ１系列の光ディスクでは、表１４から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。一方、１６倍速記録では、測定したＳｎ含有量の範囲では良好な特性が得られなかった。それゆえ、総合評価も、表１４に示すように、評価した全てのＳｎ含有量の範囲で×評価となり、６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能な組成範囲が得られなかった。
【０１４１】
［Ａ２系列の光ディスクの評価結果］
Ａ２系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ８Ｇｅ４０Ｔｅ５２（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表１５に示した。
【０１４２】
【表１５】
2006347038.tif 000017
【０１４３】
Ａ２系列の光ディスクでは、表１５から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が０〜９（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。一方、１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が１５〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量を１５（ａｔ％）とした場合には全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【０１４４】
しかしながら、Ａ２系列の光ディスクの総合評価は、表１５に示すように、評価した全てのＳｎ含有量の範囲で×評価となり、６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能な組成範囲が得られなかった。
【０１４５】
［Ａ３系列の光ディスクの評価結果］
Ａ３系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ１０Ｇｅ３７．５Ｔｅ５２．５（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表１６に示した。
【０１４６】
【表１６】
2006347038.tif 000018
【０１４７】
Ａ３系列の光ディスクでは、表１６から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が０〜７（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価となり、良好な特性が得られることが分かった。一方、１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が１２．５〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。
【０１４８】
しかしながら、Ａ３系列の光ディスクの総合評価は、表１６に示すように、評価した全てのＳｎ含有量の範囲で×評価となり、６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能な組成範囲が得られなかった。
【０１４９】
［Ａ４系列の光ディスクの評価結果］
Ａ４系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ１２Ｇｅ３５Ｔｅ５３（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表１７に示した。
【０１５０】
【表１７】
2006347038.tif 000019
【０１５１】
Ａ４系列の光ディスクでは、表１７から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が０〜５（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価となり、良好な特性が得られることが分かった。一方、１６倍速記録では、Ｓｎ含有量が９〜１７．５（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が１２．５〜１５（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。
【０１５２】
しかしながら、Ａ４系列の光ディスクの総合評価は、表１７に示すように、Ａ４系列の光ディスクでは、評価した全てのＳｎ含有量の範囲で×評価となり、６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能な組成範囲が得られなかった。
【０１５３】
上述の結果から、図２中のＡ系列（破線Ａ上の組成）のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料のＧｅの一部をＳｎで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料は、６倍速（２４．６ｍ／ｓｅｃ）から１６倍速（６５．６ｍ／ｓｅｃ）の広い範囲の記録線速度に対応し得る記録層材料としては実用的でないことが分かった。
【０１５４】
［比較例２］
比較例２では、記録層４を、図２中のＤ系列（破線Ｄ上の組成）のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料のＧｅの一部をＳｎで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料で形成した。また、この例では、実施例１と同様に、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料中のＳｎの含有量を種々変化させた。より具体的には、以下のような組成のＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を形成した。
（１）Ｂｉ４Ｇｅ４７Ｔｅ４９（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｄ１系列の材料ともいう）
（２）Ｂｉ１０Ｇｅ４２Ｔｅ４８（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｄ２系列の材料ともいう）
（３）Ｂｉ１３Ｇｅ４０Ｔｅ４７（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｄ３系列の材料ともいう）
（４）Ｂｉ１５Ｇｅ３８Ｔｅ４７（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加した材料（以下、Ｄ４系列の材料ともいう）
【０１５５】
記録層の組成を変えたこと以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作製した。なお、Ｄ１〜Ｄ４系列の記録層を形成する際のＢｉＧｅＴｅターゲットとしては、それぞれＢｉ４Ｇｅ４７Ｔｅ４９、Ｂｉ１０Ｇｅ４２Ｔｅ４８、Ｂｉ１３Ｇｅ４０Ｔｅ４７及びＢｉ１５Ｇｅ３８Ｔｅ４７の組成のターゲットを用いた。
【０１５６】
また、この例で作製した記録層の組成の異なる種々の光ディスクに対しても、実施例１と同様にして記録再生特性（ＯＷ１０ジッター、ΔＡＥＯＷ及び保存寿命）を測定した。その評価結果を表１８〜２１に示した。
【０１５７】
［Ｄ１系列の光ディスクの評価結果］
Ｄ１系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ４Ｇｅ４７Ｔｅ４９（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表１８に示した。
【０１５８】
【表１８】
2006347038.tif 000020
【０１５９】
Ｄ１系列の光ディスクでは、表１８から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が９〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。一方、１６倍速記録では、評価したＳｎ含有量の範囲では良好な特性が得られなかった。それゆえ、総合評価も、表１８に示すように、評価した全てのＳｎ含有量の範囲で×評価となり、６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能な組成範囲が得られなかった。
【０１６０】
［Ｄ２系列の光ディスクの評価結果］
Ｄ２系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ１０Ｇｅ４２Ｔｅ４８（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表１９に示した。
【０１６１】
【表１９】
2006347038.tif 000021
【０１６２】
Ｄ２系列の光ディスクでは、表１９から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が０〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が０〜７（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。一方、１６倍速記録では、評価したＳｎ含有量の範囲では良好な特性が得られなかった。それゆえ、総合評価も、表１９に示すように、評価した全てのＳｎ含有量の範囲で×評価となり、６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能な組成範囲が得られなかった。
【０１６３】
［Ｄ３系列の光ディスクの評価結果］
Ｄ３系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ１３Ｇｅ４０Ｔｅ４７（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表２０に示した。
【０１６４】
【表２０】
2006347038.tif 000022
【０１６５】
Ｄ３系列の光ディスクでは、表２０から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が０〜２０（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が５〜７（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。一方、１６倍速記録では、評価したＳｎ含有量の範囲では良好な特性が得られなかった。それゆえ、総合評価も、表２０に示すように、評価した全てのＳｎ含有量の範囲で×評価となり、６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能な組成範囲が得られなかった。
【０１６６】
［Ｄ４系列の光ディスクの評価結果］
Ｄ４系列の光ディスク、すなわち、Ｂｉ１５Ｇｅ３８Ｔｅ４７（ａｔ％）にＳｎ量を０〜２５（ａｔ％）の範囲で添加したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を記録層に用いた光ディスクの評価結果を表２１に示した。
【０１６７】
【表２１】
2006347038.tif 000023
【０１６８】
Ｄ４系列の光ディスクでは、表２１から明らかなように、６倍速記録において、Ｓｎ含有量が０〜１２．５（ａｔ％）の範囲で全ての評価項目が○評価以上となり、良好な特性が得られることが分かった。特に、Ｓｎ含有量が５〜７（ａｔ％）の範囲では全ての評価項目で◎評価となり、より優れた特性を示すことが分かった。一方、１６倍速記録では、評価したＳｎ含有量の範囲では良好な特性が得られなかった。それゆえ、総合評価も、表２１に示すように、評価した全てのＳｎ含有量の範囲で×評価となり、６倍速から１６倍速の広い範囲の記録線速度に対応可能な組成範囲が得られなかった。
【０１６９】
上述の結果から、図２中のＤ系列（破線Ｄ上の組成）のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料のＧｅの一部をＳｎで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料は、６倍速（２４．６ｍ／ｓｅｃ）から１６倍速（６５．６ｍ／ｓｅｃ）の広い範囲の記録線速度に対応し得る記録層材料としては実用的でないことが分かった。
【０１７０】
以上の結果より、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料にＳｎを添加して、Ｇｅの一部をＳｎで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料を情報記録媒体の記録層として用いる場合、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の組成を実施例１及び２でそれぞれ見出した第１組成範囲及び第２組成範囲で挟まれた範囲内の組成にすることによって、例えばＤＶＤ−ＲＡＭの場合、６倍速（２４．６ｍ／ｓｅｃ）から１６倍速（６５．６ｍ／ｓｅｃ）と広い範囲の記録線速度で良好な特性が得られることを見出した。
【０１７１】
第１組成範囲と第２組成範囲で挟まれる組成範囲を具体的に表したのが図５である。図５は、図２〜４の三角組成図中の太線で囲まれた各組成範囲の関係を模式的に表わした図である。
【０１７２】
第１組成範囲５１[Ｂ１−５，Ｂ１−９，Ｂ４−５，Ｂ４−９，Ｂ６−５，Ｂ６−７]は、図５に示すように、Ｂ系列の組成を表わす線５４（図５中の組成点Ｂ１〜Ｂ６を結ぶ線）の上方に広がる組成範囲となる。なお、図５面上の上方に向かうほどＳｎの含有量が増加する（Ｇｅの含有量が減少する）。また、第１組成範囲５１とＢ系列を示す線５４との関係をより具体的に説明すると、図５に示すように、第１組成範囲５１の組成点Ｂ１−５と組成点Ｂ６−５を結ぶ線５１ａがＢ系列の組成を表わす線５４と平行になり、第１組成範囲５１の組成点Ｂ１−９と組成点Ｂ１−５を結ぶ線５１ｂの延長線（図５中の破線）上にＢ系列の組成点Ｂ１が位置し、そして、第１組成範囲５１の組成点Ｂ６−７と組成点Ｂ６−５を結ぶ線５１ｃの延長線上にＢ系列の組成点Ｂ６が位置する関係となる。
【０１７３】
一方、第２組成範囲５２[Ｃ１−５，Ｃ１−９，Ｃ３−５，Ｃ３−９，Ｃ５−５，Ｃ５−７]は、図５に示すように、Ｃ系列の組成を表わす線５５（図５中の組成点Ｃ１〜Ｃ５を結ぶ線）の上方に広がる組成範囲となる。また、第２組成範囲５２とＣ系列を示す線５５との関係をより具体的に説明すると、図５に示すように、第２組成範囲５２の組成点Ｃ１−５と組成点Ｃ５−５を結ぶ線５２ａがＣ系列の組成を表わす線５５と平行になり、第２組成範囲５２の組成点Ｃ１−９と組成点Ｃ１−５を結ぶ線５２ｂの延長線（図５中の破線）上にＣ系列の組成点Ｃ１が位置し、そして、第２組成範囲５２の組成点Ｃ５−７と組成点Ｃ５−５を結ぶ線５２ｃの延長線上にＣ系列の組成点Ｃ５が位置する関係となる。
【０１７４】
そして、本発明の情報記録媒体の記録層を形成するＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の組成範囲５３は、図５に示すように、第１組成範囲５１と第２組成範囲５２で挟まれた間の空間領域の組成範囲を含む立体状の組成範囲となる。すなわち、本発明の情報記録媒体で記録層に用いるＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の組成範囲５３は、図５に示すように、下記の平面状の組成範囲（１）〜（７）により囲まれた立体状の組成範囲となる。
（１）組成点Ｂ１−５，Ｂ１−９，Ｂ４−５，Ｂ４−９，Ｂ６−５及びＢ６−７で囲まれた組成範囲（第１組成範囲５１）
（２）組成点Ｃ１−５，Ｃ１−９，Ｃ３−５，Ｃ３−９，Ｃ５−５及びＣ５−７で囲まれた組成範囲（第２組成範囲５２）
（３）組成点Ｂ１−５，Ｂ６−５，Ｃ１−５及びＣ５−５で囲まれた組成範囲（第３組成範囲）
（４）組成点Ｂ１−５，Ｂ１−９，Ｃ１−５及びＣ１−９で囲まれた組成範囲（第４組成範囲）
（５）組成点Ｂ１−９，Ｂ４−９，Ｃ１−９及びＣ３−９で囲まれた組成範囲（第５組成範囲）
（６）組成点Ｂ４−９，Ｂ６−７，Ｃ３−９及びＣ５−７で囲まれた組成範囲（第６組成範囲）
（７）組成点Ｂ６−５，Ｂ６−７，Ｃ５−５及びＣ５−７で囲まれた組成範囲（第７組成範囲）
ただし、組成範囲５３には、各第１〜第７組成範囲の組成も含まれる。
【０１７５】
なお、上記実施例１及び２に示した光ディスクの構成は一例であり、本発明はこれに限定されない。以下に、上記実施例１及び２で作製した光ディスクを構成する各層の最適な膜構成について説明する。
【０１７６】
［第１保護層］
第１保護層の光ビーム入射側に存在する物質はポリカーボネート等のプラスチック基板、あるいは、紫外線硬化樹脂等の有機物である。また、これらの材料の屈折率は１．４〜１．６程度である。上記有機物と第１保護層の間で反射を効果的に起こすためには、第１保護層の屈折率は２．０以上であることが望ましい。第１保護層の屈折率は光学的には光ビーム入射側に存在する物質（実施例１及び２では基板に相当する）の屈折率よりも大きい値であり、光の吸収が発生しない範囲で第１保護層の屈折率がより大きいほうが良い。具体的には、第１保護層は、屈折率ｎが２．０〜３．０の間であり、光を吸収しない材料で形成され、特に金属の酸化物、炭化物、窒化物、硫化物、セレン化物等を含有することが望ましい。
【０１７７】
また、第１保護層の熱伝導率は少なくとも２Ｗ／ｍｋ以下であることが望ましい。特に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２系の化合物は熱伝導率が低いので、第１保護層として最適である。さらに、ＳｎＯ２、ＳｎＯ２にＺｎＳ、ＣｄＳ、ＳｎＳ、ＧｅＳ、ＰｂＳ等の硫化物を添加した材料、または、ＳｎＯ２にＣｒ２Ｏ３、Ｍｏ３Ｏ４等の遷移金属酸化物を添加した材料を用いても良い。これらの材料は、熱伝導率が低いだけでなく、ＺｎＳ−ＳｉＯ２系材料より熱的に安定であるので、第１保護層として特に優れた特性を示す。
【０１７８】
［第１界面層］
本発明の情報記録媒体の記録層に用いられる相変化材料の融点は６５０℃以上と高温であるので、上記実施例で示したように、第１保護層と記録層との間には熱的に極めて安定な第１界面層を設けることが望ましい。具体的には、第１界面層の形成材料としては、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ等の高融点酸化物、Ｇｅ３Ｎ４等の高融点窒化物、及び、ＳｉＣ等の高融点炭化物が望ましく、これらの材料は熱的に安定であり、長期間保存後も膜はがれによる劣化が発生しない。
【０１７９】
上記第１界面層の形成材料のうち、Ｃｒ―Ｔａ−ＯはＣｒ−Ｔａの組成比を調整することによって優れた書換耐久性と保存寿命が得られる。具体的な組成としては、Ｔａ含有量は２〜１４（ａｔ％）の範囲であることが好ましく、更に、Ｔａ含有量を１４（ａｔ％）にすることで優れた多数回書換特性と保存寿命が得られる。また、多数回書換については、Ｔａ含有量を更に増加しても良好な特性が得られるが、膜剥がれにより保存寿命は悪化する。
【０１８０】
第１界面層の膜厚が０．８ｎｍより薄い場合、第１保護層の形成材料が第１界面層を通過して記録層に溶け込み、多数回書換え後の再生信号品質を劣化させる場合がある。それゆえ、第１界面層の膜厚は０．８ｎｍ以上であることが望ましい。また、第１界面層の膜厚が８ｎｍより厚くなると、光学的に悪影響を与えるため、反射率低下、信号振幅低下等の弊害がある。従って、第１界面層の膜厚は０．８ｎｍ〜８ｎｍが望ましい。
【０１８１】
［記録層］
記録層の形成材料については、上記実施例で詳細に説明したが、本発明の情報記録媒体に使用される記録層材料の各構成元素が上述の実施例等で示した組成範囲の関係を維持していれば、たとえ、不純物が混入していたとしても、不純物が１（ａｔ％）以内であれば、本発明の効果は失われない。
【０１８２】
また、本発明の情報記録媒体の構造では記録層の膜厚を５ｎｍ〜１５ｎｍに設定することが光学的に最適である。特に、６ｎｍ〜１１ｎｍの膜厚で記録層を形成した場合、多数回書換え時の記録膜流動による再生信号劣化を抑制し、さらに光学的に変調度を最適化することができる。
【０１８３】
［第２界面層］
本発明の情報記録媒体の記録層に用いられる相変化材料の融点は６５０℃以上と高温であるので、上記実施例で示したように、第２保護層と記録層との間には熱的に極めて安定な第２界面層を設けることが望ましい。具体的には、第２界面層として、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ等の高融点酸化物、Ｇｅ３Ｎ４等の高融点窒化物、及び、ＳｉＣ等の高融点炭化物が望ましい。これらの材料は熱的に安定であるだけでなく、長期保存後も膜はがれによる劣化が発生しない。
【０１８４】
上記第２界面層の形成材料のうち、Ｃｒ―Ｔａ−ＯはＣｒ−Ｔａの組成比を調整することによって優れた書換耐久性と保存寿命が得られる。具体的な組成としては、Ｔａ含有量は２〜１４（ａｔ％）の範囲であることが好ましく、更に、Ｔａ含有量を７〜１４（ａｔ％）にすることで優れた多数回書換特性と保存寿命が得られる。なお、多数回書換特性については、第１界面層と傾向が異なり、Ｔａ含有量が多すぎると悪化する傾向があることや、第１界面層同様膜剥がれが発生する。
【０１８５】
第２界面層の膜厚は０．８ｎｍ以上であれば上記効果を発揮する。しかしながら、その膜厚が０．８ｎｍより薄くなると、第２保護層の形成材料が第２界面層を通過して記録層に溶け込み、多数回書換え後の再生信号品質を劣化させる場合がある。それゆえ、第２界面層の膜厚は０．８ｎｍ以上であることが望ましい。また、第２界面層の膜厚が８ｎｍより厚くなると、光学的に悪影響を与えるため、反射率低下、信号振幅低下等の弊害がある。従って、第２界面層の膜厚は０．８ｎｍ〜８ｎｍが望ましい。
【０１８６】
［第２保護層］
第２保護層は光を吸収しない材料で形成され、特に金属の酸化物、炭化物、窒化物、硫化物、セレン化物等を含有することが望ましい。また、第２保護層の熱伝導率は少なくとも２Ｗ／ｍｋ以下であることが望ましい。特に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２系の化合物は熱伝導率が低いので第２保護層として最適である。さらに、ＳｎＯ２、ＳｎＯ２にＺｎＳ，ＣｄＳ，ＳｎＳ，ＧｅＳ，ＰｂＳ等の硫化物を添加した材料、あるいは、ＳｎＯ２にＣｒ２Ｏ３，Ｍｏ３Ｏ４等の遷移金属酸化物を添加した材料は、熱伝導率が低いだけでなく、ＺｎＳ−ＳｉＯ２系材料よりも熱的に安定であるため、第２界面層の膜厚が１ｎｍ未満となった場合においても、記録層への第２界面層の形成材料の溶け込みが発生しないため、第２保護層として特に優れた特性を示す。
【０１８７】
［光吸収層］
光吸収層に用いる材料としては、複素屈折率ｎ、ｋが１．４＜ｎ＜４．５、−３．５＜ｋ＜−０．５の範囲が好ましく、特に、２＜ｎ＜４、−３．０＜ｋ＜−０．５の範囲の材料が望ましい。光吸収層では光を吸収するため、熱的に安定な材料が好ましく、望ましくは融点が１０００℃以上であることが要求される。また、保護層に硫化物を添加した場合、特に大きなクロスイレーズ低減効果があったが、光吸収層の場合、ＺｎＳ等の硫化物の含有量が少なくとも保護層に添加される上記硫化物の含有量よりも少ないことが望ましい。これは、融点低下、熱伝導率低下、吸収率低下等の悪影響が現れる場合があるからである。上記光吸収層の具体的な形成材料としては、金属、金属酸化物、金属窒化膜、金属硫化物、金属炭化物との混合物等であることが望ましい。
【０１８８】
光吸収層の形成材料として用い得る上記金属は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｂ混合物等が望ましい。金属酸化物としてはＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＧｅＯ２、ＰｂＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＭＯ２、ＷＯ２、ＷＯ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２等が好ましい。この他にＳｉ−Ｏ−Ｎ系材料、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系材料、Ｃｒ２Ｏ３等のＣｒ−Ｏ系材料、Ｃｏ２Ｏ３，ＣｏＯ等のＣｏ−Ｏ系材料などを用いても良い。また、金属窒化物としては、ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４等のＳｉ−Ｎ系材料、Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）、Ｇｅ−Ｎ系材料などの窒化物が用い得る。また、金属硫化物としては、ＺｎＳ、Ｓｂ２Ｓ３、ＣｄＳ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓ３、ＧｅＳ、ＳｎＳ２、ＰｂＳ、Ｂｉ２Ｓ３等の硫化物が用い得る。さらに、ＳｎＳｅ３、Ｓｂ２Ｓｅ３、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｇａ２Ｓｅ３、ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２、ＳｎＳｅ、ＰｂＳｅ、Ｂｉ２Ｓｅ３等のセレン化物、ＣｅＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２等の弗化物、または、上記の材料に近い組成のものを用いた材料を光吸収層として用いても良い。上記形成材料の中でも、ＣｒとＣｒ２Ｏ３が特に良好なオーバーライト特性向上を示した。特に、Ｃｒを６０〜９５（ａｔ％）含む材料では、本発明に適した熱伝導率、光学定数の材料を得ることができる。
【０１８９】
また、光吸収層の膜厚としては、１０ｎｍ〜５０ｎｍが望ましく、特に、１５ｎｍ〜４０ｎｍとした場合には、特に良好なオーバーライト特性向上効果が現れる。
【０１９０】
上述したように光吸収層は光を吸収する性質を有しているので、記録層が光を吸収して発熱するように光吸収層も光を吸収して発熱する。また、光吸収層における吸収率は記録層が非晶質状態の場合、記録層が結晶状態における記録層での吸収率Ａｃよりも小さくする効果が発現する。この効果により、オーバーライト特性を大きく向上することができる。このような効果を得るためには光吸収層での吸収率を３０〜４０％程度に高める必要がある。また、光吸収層における発熱量は、記録層が結晶状態であるか、非晶質状態であるかにより異なる。この結果、記録層から反射層への熱の流れが記録層の状態により変化することになり、この現象により、オーバーライトによるジッターの上昇を抑制することができる。
【０１９１】
［反射層］
反射層の形成材料としては、高反射率、高熱伝導率の金属あるいは合金が望ましく、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等の総含有量が９０（ａｔ％）以上である材料が望ましい。また、反射層の形成材料としてＣｒ、Ｍｏ、Ｗ等の高融点で硬度の大きい材料及びこれらの材料の合金もまた望ましく、これらの材料を用いると、多数回書換え時の記録層材料の流動による劣化を防止することができる。
【０１９２】
具体的には、反射層を、特にＡｌを９５（ａｔ％）以上含有する材料で形成した情報記録媒体は、廉価であり、高ＣＮＲ、高記録感度及び多数回書換え耐性が優れるといった効果だけでなく、クロスイレーズ低減効果が極めて大きくなるという効果が得られる。また、反射層がＡｌを９５（ａｔ％）以上含有する材料で形成されている場合、廉価でしかも耐食性に優れた情報記録媒体を実現することができる。Ａｌに対する添加元素としてはＣｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｂ、Ｂ、Ｃ等が耐食性の点において優れているが、添加元素にＣｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｆｅ等を用いた場合、特に耐食性向上に大きな効果がある。
【０１９３】
反射層の膜厚は、３０ｎｍ〜１５０ｎｍであることが望ましい。反射層の膜厚が３０ｎｍより薄い場合、記録層において発生した熱が拡散し難くなるため、多数回書換えた際に、記録層が劣化し易くなり、また、クロスイレーズが発生し易くなる恐れがある。また、反射層の膜厚が３０ｎｍより薄い場合、光が反射層を透過してしまうため、反射層として使用することが困難になり再生信号振幅が低下する恐れがある。また、反射層の膜厚は１５０ｎｍより厚くなると、情報書換え時に記録層に与えられた熱が拡散しやすくなるため、記録層が結晶化温度以上に保持される時間が短くなり、記録マークを充分に結晶化することができなくなる恐れがある。さらに、反射層の膜厚は２００ｎｍ以上となると、生産性が悪くなり、また、反射層の内部応力により、基板のそり等が発生し、情報の記録再生を正確に行うことができなくなる恐れがある。また、反射層の膜厚は、３０ｎｍ〜１２０ｎｍであれば、耐食性、生産性の点で優れており、さらに望ましい。
【０１９４】
また、情報記録媒体が第２保護層と反射層との間に光吸収層を備え、光吸収層に含まれる金属元素と反射層に含まれる金属元素が同じ場合、生産上は大きな利点がある。この場合、同一ターゲットを用いて光吸収層と反射層の２つの層を製膜することができる。すなわち、光吸収層の成膜時にはＡｒ−Ｏ２混合ガス、Ａｒ−Ｎ２混合ガス等の混合ガスによりスパッタリングして、スパッタリング中に金属元素と酸素、あるいは窒素を反応させることにより適当な屈折率の光吸収層を形成する。そして、反射層の成膜時にはＡｒガスによりスパッタリングし熱伝導率が高い金属の反射層を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１９５】
上述のように、本発明の情報記録媒体では６倍速から１６倍速の広い記録線速度の範囲（データ転送レートが６６Ｍｂｐｓから１７６Ｍｂｐｓの範囲）で良好な特性（オーバーライト特性、保存寿命特性等）が得られる。それゆえ、本発明の情報記録媒体は、低速から高速の記録線速度の広い範囲に渡って対応可能であることが求められる情報記録媒体として好適である。特に、赤色のレーザ光を照射し且つ線速度が２４．６ｍ／ｓｅｃから６５．６ｍ／ｓｅｃの範囲にして情報の記録再生が行なわれる情報記録媒体に好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１９６】
【図１】図１は、実施例１で作製した相変化型の光ディスクの概略断面図である。
【図２】図２は、Ｂｅ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料の三角組成図である。
【図３】図３は、実施例１で作製した光ディスクの記録層で用いたＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の好適な組成範囲を示した三角組成図である。
【図４】図４は、実施例２で作製した光ディスクの記録層で用いたＢｉ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の好適な組成範囲を示した三角組成図である。
【図５】図５は、図２〜４に示した三角組成図中の太線で囲まれた組成範囲の関係を示した図である。
【符号の説明】
【０１９７】
１  基板
２  第１保護層
３  第１界面層
４  記録層
５  第２界面層
６  第２保護層
７  光吸収層
８  反射層
９  紫外線硬化樹脂層
１０  相変化型光ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006347038.tif 000026
【図４】
2006347038.tif 000027
【図５】
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