(57)【要約】【課題】  本発明は、ウエハ等にウエハ固定用粘着テープを貼合してレーザーによってウエハ等をダイシングする際に、ダイシング後のチップのピックアップが容易となるウエハ固定用粘着テープおよびダイシング方法を提供する。【解決手段】  ウエハをレーザーダイシングする際に使用される基材フィルム上に粘着剤層を有してなるウエハ固定用粘着テープの基材フィルムを２層以上の構成とし、前記基材フィルムの粘着剤層に接する側の層は該レーザーによって切断され、その他の少なくとも１層は切断されない構成としたウエハ固定用粘着テープを使用することを特徴とするものである。【選択図】図４
2006093368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２層以上で構成される基材フィルム上に粘着剤層を有してなるウエハ固定用粘着テープを使用してウエハを固定し、レーザービームによって該ウエハをダイシングする方法であって、
該レーザービームによって前記少なくとも２層以上で構成される基材フィルムの粘着剤層に接する側の層が切断され、粘着剤層がない側の少なくとも１層は切断されないことを特徴とするダイシング方法。
【請求項２】
ウエハを固定しレーザービームによってダイシングするために使用される、２層以上で構成される基材フィルム上に粘着剤層を有してなるウエハ固定用粘着テープであって、該レーザービームの波長領域において、前記基材フィルムの粘着剤層に接する側の層が厚さ１００μｍでの光透過率が７０％以下の材料で構成され、少なくとも他の１層が厚さ１００μｍでの光透過率が７０％以上の材料で構成されていることを特徴とするウエハ固定用粘着テープ。
【請求項３】
前記レーザービームの波長領域が３００ｎｍ〜３６０ｎｍであることを特徴とする請求項２に記載のウエハ固定用粘着テープ。
【請求項４】
厚さ１００μｍでの光透過率が７０％以下の材料で構成された、前記基材フィルムの粘着剤層に接する側の層の厚さが５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項２〜３に記載のウエハ固定用粘着テープ。
【請求項５】
前記基材フィルムが３層で構成され、厚さ１００μｍでの光透過率が７０％以上の材料で構成された層の両側に、厚さ１００μｍでの光透過率が７０％以下の材料で構成された層を有する構成となっていることを特徴とする請求項２〜４に記載のウエハ固定用粘着テープ。
【請求項６】
ウエハを固定しレーザービームによってダイシングするために使用される、２層以上で構成される基材フィルム上に粘着剤層を有してなるウエハ固定用粘着テープであって、前記基材フィルムの粘着剤層に接する側の層が、塩化ビニル、ポリエステル、ポリエステル系の共重合体、ブタジエン系樹脂から少なくとも１種類以上選ばれる樹脂を主成分とする材料で構成されるとともに、少なくとも他の１層が、ポリエチレン、ポリエチレン系の多元共重合体、ポリプロピレン、アイオノマー樹脂から少なくとも１種類以上選ばれる樹脂を主成分とする材料で構成されていることを特徴とするウエハ固定用粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエハ等の半導体装置を製造するにあたり、ウエハの加工のために使用されるウエハ固定用粘着テープであって、ウエハ等を固定しダイシングするために使用されるダイシングテープに関し、特に、レーザービームによってウエハ等をダイシングする際に使用されるダイシングテープに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップの薄型化、小型化の開発が進められている。特に、携帯電話等に使用される三次元実装ケースや、メモリカード等の半導体チップが内蔵されたＩＣカードにおいては、厚さ１００μｍ以下の半導体チップが求められている。
一般に、半導体装置は半導体ウエハを研削、エッチング等によって所定の厚さとした後ダイシングし得られた半導体チップをピックアップして、基板、リードフレーム等にダイボンドし製造される。半導体ウエハのダイシング工程は、通常、図８に示されるように半導体ウエハを基材フィルム上に粘着剤層を有してなる粘着テープに貼合し、回転するダイシングブレードによってウエハを切断するブレードカット方式でおこなわれる。この際、ダイシングブレードの切削抵抗がウエハにかかり、半導体チップに微小な欠け（チッピング）が発生しやすい。チッピングは半導体チップの外観を損ない、半導体チップ上の回路までも破壊することがあり、特に薄型のチップでは許容されるチッピングサイズも厳しく問題となっている。
【０００３】
チッピングの発生を抑制するダイシング方法の１つとしてダイシングブレードを使用せず、レーザービームによって半導体ウエハを切断するレーザーダイシング方式が開発されている。この方式ではブレードカット方式のようにダイシングブレードの切削抵抗が半導体ウエハにかかることがないため、チッピングの発生を抑制することができる。レーザーダイシング方式においてもいくつかの方式があり、レーザービームをウォータージェットでガイドしながら切断する方式や、ウォータージェットを使用しないドライ方式等が提案されているが、いずれの方式においても半導体ウエハは固定用粘着テープで固定し、レーザービームを照射して切断する方法がとられている。
ダイシング工程の後、ウエハ固定用粘着テープは半導体チップを貼合した状態で引き伸ばされ（以下、エキスパンド工程と言う）、チップ間の間隔を広げた後に半導体チップのピックアップがおこなわれる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−７９７４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、一般に、ウエハ固定用粘着テープの基材フィルムはダイシングに使用されるレーザーの波長領域で透過性の良い材料が使用されている。特に基材フィルム上の粘着剤層に、放射線の照射によって硬化し粘着力が低下する放射線硬化型の粘着剤が使用されている場合、照射される放射線として通常、紫外線が使用されるため、紫外線の波長領域である光波長２００ｎｍ〜４００ｎｍでの光透過性のよい材料が基材フィルムに一般に使用されている。このようにレーザー波長領域での光透過性の良い材料で構成された基材フィルムを用いた粘着テープでは、ダイシング時のレーザービームはウエハと粘着剤のみを切断し、基材フィルムは切断されない。
しかしながら、隣接するチップ間の基材フィルムが全く切断されていない場合には、エキスパンド工程において、チップ−チップ間が十分に拡張されず、半導体チップのピックアップが困難となる、また、図９に示すように、ピックアップ時に隣接するチップと接触しチッピング等が生じやすくなるという問題がある。
一方、固定用粘着テープの基材フィルムに完全に切断された部位が生じた場合、半導体ウエハを支持し固定することが困難となる。
そこで、本発明は、ウエハ等のレーザーダイシングの際にウエハを固定するために使用され、その後のピックアップ工程に使用されるウエハ固定用粘着テープであって、ピックアップ前のエキスパンド工程において、チップ間の間隔が十分に拡張できるウエハ固定用粘着テープおよびダイシング方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
発明者等は、上記問題を解決するために鋭意検討した結果、ウエハをレーザーダイシングする際に使用される基材フィルム上に粘着剤層を有してなるウエハ固定用粘着テープの基材フィルムを２層以上の構成とし、前記基材フィルムの粘着剤層に接する側の層は該レーザーによって切断され、その他の少なくとも１層は切断されない構成としたウエハ固定用粘着テープを使用することによって、ダイシング後のエキスパンド性が良好でチップのピックアップが容易となることを見出したものである。
【０００７】
すなわち本発明は、
（１）２層以上で構成される基材フィルム上に粘着剤層を有してなるウエハ固定用粘着テープを使用してウエハを固定し、レーザービームによって該ウエハをダイシングする方法であって、
該レーザービームによって前記少なくとも２層以上で構成される基材フィルムの粘着剤層に接する側の層が切断され、粘着剤層がない側の少なくとも１層は切断されないことを特徴とするダイシング方法
（２）ウエハを固定しレーザービームによってダイシングするために使用される、２層以上で構成される基材フィルム上に粘着剤層を有してなるウエハ固定用粘着テープであって、該レーザービームの波長領域において、前記基材フィルムの粘着剤層に接する側の層が厚さ１００μｍでの光透過率が７０％以下の材料で構成され、少なくとも他の１層が厚さ１００μｍでの光透過率が７０％以上の材料で構成されていることを特徴とするウエハ固定用粘着テープ、
（３）前記レーザービームの波長領域が３００ｎｍ〜３６０ｎｍであることを特徴とする（２）に記載のウエハ固定用粘着テープ。
（４）厚さ１００μｍでの光透過率が７０％以下の材料で構成された、前記基材フィルムの粘着剤層に接する側の層の厚さが５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする（２）〜（３）に記載のウエハ固定用粘着テープ、
（５）前記基材フィルムの粘着剤層に接する側の層が厚さ１００μｍでの光透過率が７０％以下の材料で構成され、少なくとも他の１層が厚さ１００μｍでの光透過率が７０％以上の材料で構成され、前記基材フィルムの粘着剤層のない側の層が厚さ１００μｍでの光透過率が７０％以上の材料で構成されていることを特徴とする（２）〜（４）に記載のウエハ固定用粘着テープ、
（６）ウエハを固定しレーザービームによってダイシングするために使用される、２層以上で構成される基材フィルム上に粘着剤層を有してなるウエハ固定用粘着テープであって、前記基材フィルムの粘着剤層に接する側の層が、塩化ビニル、ポリエステル、ポリエステル系の共重合体、ブタジエン樹脂から少なくとも１種類以上選ばれる樹脂を主成分とする材料で構成されるとともに、少なくとも他の１層が、ポリエチレン、ポリエチレン系の多元共重合体、ポリプロピレン、アイオノマー樹脂から少なくとも１種類以上選ばれる樹脂を主成分とする材料で構成されていることを特徴とするウエハ固定用粘着テープ、
を提供するものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のウエハ固定用粘着テープおよびそれを使用したダイシング方法は、レーザーによってウエハ等をダイシングする際に用いられるウエハ固定用粘着テープおよびダイシング方法に関するものであって、ダイシング後のチップのピックアップが容易となるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明のウエハ固定用粘着テープ断面の構造を示す図である。
本発明のウエハ固定用粘着テープ１７は基材フィルム１６上に粘着剤層２が設けられた構造を有しており、基材フィルム１６は、粘着剤層に接する側の層１５がレーザーによって切断される材料で構成され、その他に、レーザーで切断されない材料で構成された層２０を少なくとも有している。
また、本発明のウエハ固定用粘着テープは、ウエハ１枚分ごとに切断されていてもよいし、これを長尺にしたロール状であってもよい。また、適宜、粘着剤層上にセパレータを有していても良い。
【００１０】
次に本発明のウエハ固定用粘着テープを用いたレーザーダイシング方法について説明する。図２はウエハを本発明のウエハ固定用粘着テープを用いて固定し、レーザーによってダイシングする様子を示す図である。
半導体ウエハ１およびリングフレーム６がウエハ固定用粘着テープの粘着剤層２の面に貼り合わされ、それらが固定テーブル７に設置されている。レーザービーム５が半導体ウエハ１上に照射され、半導体ウエハ１、粘着剤層２および基材フィルムの粘着剤層側の層１５が切断される。所定の位置にレーザーが照射され、半導体ウエハが所定サイズのチップに切断された後、図３に示すように半導体ウエハ１と、リングフレーム６がウエハ固定用粘着テープ４に貼り合わされた状態で、エキスパンドリング１１に設置され、支持用リング１０を押し上げることによって、ウエハ固定用粘着テープ４がエキスパンドされる。
図４は、レーザー照射された部分の半導体ウエハおよびウエハ固定用粘着テープ断面のエキスパンド時における変化の様子を示す図である。図４上段の図はエキスパンド前のレーザー照射によって半導体ウエハおよびウエハ固定用粘着テープが切り込まれた様子を示している。半導体ウエハ１、粘着剤層２および基材フィルムの粘着剤層側の層１５が切断されているが、基材フィルムを構成する他の層３は切断されていない。図４下段の図はレーザー照射された部分の半導体ウエハおよびウエハ固定用粘着テープの断面の様子を示す図である。エキスパンドによって基材フィルムの切断されていない層２０が拡張され、層１５の切り込まれた部分が拡張し半導体チップ１’の間隔が拡張している。このようにチップ間隔が拡張された状態で、ウエハ固定用粘着テープの基材フィルム側から突き上げピン１４によって半導体チップ１’を突き上げてチップをピックアップする。この際、チップ間隔が十分に拡張されていることによって個々のチップの画像認識が容易となり、また突き上げ、ピックアップ時に隣接するチップと接触することもないため、チップに欠け等が生じることなく、容易にピックアップができる。
【００１１】
また、図５に示すように、ウエハ固定用粘着テープ１９の基材フィルム１８を、レーザーで切断されない材料で構成された層２０の両側にレーザーで切断される層１５を設けた構成としてもよい。その場合には、図６に示すように、レーザーダイシング時に基材フィルムの両面に切り込みが入り、エキスパンド時のチップ間の拡張がなされる。
【００１２】
以下に、本発明のウエハ固定用粘着テープの各構成について順に説明する。
（基材フィルム）
本発明のウエハ固定用粘着テープを構成する基材フィルムについて説明する。基材フィルム１６は少なくとも２層以上で構成され、粘着剤層に接する側の層１５がレーザーによって切断される材料で構成され、その他に、レーザーで切断されない材料で構成された層２０を少なくとも有している。基材フィルムの厚さは特に限定されないが、３０〜３００μｍが適当である。粘着剤層に接する側のレーザーによって切断される層１５の厚さは基材フィルムの厚さに対して、１０〜７０％の範囲にあることが好ましく、より好ましくは、１５〜５０％の範囲にあることが好ましい。１０％以下では、基材フィルムへの切り込みが浅く、エキスパンド時の切り込み部の開きが悪く、十分にチップ間隔が拡張されない。また、７０％を越えると、切り込みが深く、エキスパンド時に切り込み部が起点となり基材フィルムが裂けやすくなる。
また、粘着剤層が放射線硬化型であり、放射線の照射が必要な場合には、粘着剤層に接する側の層１５の厚さは、３μｍ〜５０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ〜２０μｍ以下であることがより好ましい。
【００１３】
各材料の光透過率は波長によって異なるため、レーザーによって切断される層１５およびレーザーによって切断されない層２０はダイシングに使用されるレーザーの波長に応じて選択された材料が用いられる。レーザーによって切断される層１５には、そのレーザー波長領域において、厚さ１００μｍでの光透過率が７０％以下の材料を用いることが好ましく、レーザーによって切断されない層２０には、そのレーザー波長領域において、厚さ１００μｍでの光透過率が７０％以上の材料を用いることが好ましい。
例えば、使用するレーザーの波長が３００〜３６０ｎｍの場合には、レーザーによって切断される層１５には、塩化ビニル、ポリエステル、ポリエステル系の共重合体、スチレンブタジエンゴムまたはブタジエンゴム等のブタジエン樹脂から少なくとも１種類以上選ばれる樹脂を主成分とする材料を、また、レーザーによって切断されない層２０には、ポリエチレン、ＥＭＭＡ（エチレン−メチルメタクリレート）等のポリエチレン系多元共重合体、ポリプロピレン、アイオノマー樹脂から少なくとも１種類以上選ばれる樹脂を主成分とする材料を使用することができる。ここで主成分とは、少なくとも５０重量％以上が該樹脂で構成されていることを言う。
また、レーザーによって切断される層１５には、本来、そのレーザー波長では光透過性が良く切断されにくい材料にその波長領域の光を吸収する色素等の添加物を加えて、そのレーザー波長において切断されやすい材料としたものを使用してもよい。
また、基材フィルムは３層以上の多層構成としても良い。その場合にも、少なくとも粘着剤層を有する側の層１５をレーザーによって切断される材料で構成することが必要であり、少なくとも他の１層をレーザーによって切断されない材料で構成することが必要である。
さらには、ウォータージェットを使用するレーザーダイシングをおこなう場合にはレーザーで切断されない材料で構成された層２０に貫通孔を有する材料、例えば、織布等を用いてもよい。
【００１４】
（粘着剤層）
次に、本発明のウエハ固定用粘着テープを構成する粘着剤層には、特に限定されるものではなく、一般に使用されているアクリル系粘着剤を使用することができる。
通常のアクリル系粘着剤はレーザーによって容易に切断される。
また、粘着剤には適宜、放射線重合性化合物を配合し、放射線硬化型粘着剤としても良い。なお、ここで、放射線とは、例えば紫外線のような光、あるいはレーザ光、または電子線のような電離性放射線を総称して言うものである。（以下、放射線と言う。）
粘着剤層の厚さは特に限定されるものではないが、一般的には５〜５０μｍの厚さである。
【００１５】
アクリル系粘着剤は、（メタ）アクリル系共重合体及び硬化剤を成分とするものである。（メタ）アクリル系共重合体は、例えば（メタ）アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重合体、及び（メタ）アクリル酸エステル系共重合体の（メタ）アクリル系重合体、或いは官能性単量体との共重合体、及びこれらの重合体の混合物等が挙げられる。これらの重合体の分子量としては重量平均分子量が５０万〜１００万程度の高分子量のものが一般的に適用される。
又、硬化剤は、（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力及び凝集力を調整するために用いられるものである。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ′−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の添加量は、書房の粘着力に応じて調整すればよく、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部が適当である。
更に、前記の放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が広く適用可能である。
又、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いる事も出来る。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
放射線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物との配合比としては、アクリル系粘着剤１００質量部に対して放射線重合性化合物を５０〜２００質量部、好ましくは５０〜１５０質量部の範囲で配合されるのが望ましい。この配合比の範囲である場合、放射線照射後に粘着剤層の粘着力は大きく低下する。
更には、放射線硬化型粘着剤は、上記の様にアクリル系粘着剤に放射線重合性化合物を配合する替わりに、アクリル系粘着剤自体を放射線重合性アクリル酸エステル共重合体とする事も可能である。
又、放射線により粘着剤層を重合させる場合には、光重合性開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用する事が出来る。これらのうち少なくとも１種類を粘着剤層に添加する事により、効率よく重合反応を進行させる事が出来る。
【００１６】
次に、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（粘着剤層組成物の調整）
粘着剤Ａ
アクリル系共重合体１００質量部、硬化剤２質量部、ウレタンアクリレート系オリゴマー１５０質量部、光重合開始剤１質量部とを混合して放射性硬化型の粘着剤Ａを得た。
粘着剤Ｂ
アクリル酸エステル共重合体１００質量部に硬化剤２質量部を混合して粘着剤Ｂを得た。
（ウエハ固定用粘着テープの作製）
実施例１〜３、比較例１について、それぞれ表１に示すような基材フィルム上に上記の粘着剤Ａ、Ｂをそれぞれ、乾燥後の厚さが１０μｍとなるように塗工し、乾燥してウエハ固定用粘着テープを得た。なお、使用した基材フィルムはＴダイ法によりフィルム成形されたものである。
【００１７】
特性評価
実施例１〜３、比較例１に示す各々のウエハ固定用粘着テープを、リングフレーム６に貼合し、ウエハ固定用粘着テープ中央部には直径６インチ、厚さ１００μｍのシリコンウエハを貼合した。その後、レーザーダイシング装置（ＸＳＩＬ社製、レーザー波長３５５ｎｍ）を使用して、シリコンウエハを５ｍｍ×５ｍｍサイズのチップとなるようにレーザーダイシングをおこなった。その後、ＮＥＣマシナリー製ＣＰＳ−１００ＦＭを用いて、エキスパンドストロークを１０ｍｍとなるようにエキスパンドした。その後、図８に示すように、ピックアップステージ１４にて、ウエハ固定用粘着テープを吸着しながら、５ｍｍ×５ｍｍサイズのチップの四隅をピン数４本の突き上げピン１３で突き上げ、直径３ｍｍの円形吸着コレット１２でチップを吸着してリードフレーム上に設置した。それぞれ実施例１〜３、比較例１のウエハ固定用粘着テープを用いた場合について、チップ間隔とピックアップ性の評価を下記のようにおこなった。
【００１８】
（チップ間隔）
エキスパンドした状態での、チップとチップの間隔を測定した。縦方向で任意の１００チップ、横方向で任意の１００チップを選び、各チップ間隔を測定し、平均チップ間隔を算出した。
（ピックアップ性）
各々、２００チップをピックアップし、突き上げられたチップを吸着コレットにて吸着し、リードフレームに問題なく設置できるかどうかを２００チップについておこない、成功した数をピックアップ性の評価とした。
実施例１〜３、比較例１のウエハ固定用粘着テープを用いた場合のチップ間隔およびピックアップ性の評価結果を表２に示した。
【００１９】
【表１】
2006093368.tif 000003
【００２０】
【表２】
2006093368.tif 000004
【００２１】
実施例１〜３のウエハ固定用粘着テープを用いた場合にはチップ間隔が十分に拡張され、ピックアップされるチップが隣接するチップに接触することもなかった。一方、比較例１のウエハ固定用粘着テープを用いた場合には、レーザーダイシング時に基材フィルムに切り込みが入らず、エキスパンド時のチップ間隔の拡張も不十分であり、ピックアップされるチップが隣接するチップに接触する等の現象が見られ、ピックアップ性も悪い結果となった。
【産業上の利用可能性】
【００２２】
本発明のウエハ固定用粘着テープは、シリコンウエハ等の半導体装置を製造するにあたり、ウエハ等を固定しダイシングするために使用されるウエハ固定用粘着テープであって、エキスパンド時にチップ間隔の拡張性が高く、良好なピックアップ性を得られるウエハ固定用粘着テープおよびレーザーダイシング方法を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明のウエハ固定用粘着テープの構成を示す断面図である。
【図２】本発明のダイシング方法にダイシング工程の様子を示す図である。
【図３】エキスパンド工程の様子を示す断面図である。
【図４】本発明のダイシング方法によってダイシングされたウエハおよび貼合されたウエハ固定用粘着テープの切り込み部がエキスパンド工程で開く様子を示す図である。
【図５】レーザーで切断されない材料で構成された層３の両側にレーザーで切断される層１５を設けた本発明のウエハ固定用粘着テープの断面図である。
【図６】レーザーで切断されない材料で構成された層３の両側にレーザーで切断される層１５を設けた本発明のウエハ固定用粘着テープを用いた場合のダイシング後のエキスパンド工程で切り込み部が開く様子を示す図である。
【図７】ピックアップ工程の様子を示す断面図である。
【図８】従来のダイシングブレードによってウエハを切断するブレードカット方式の様子を示す図である。
【図９】ピックアップ時のチップ間での接触を示す図である。
【符号の説明】
【００２４】
１：  半導体ウエハ
１’：小片化された半導体チップ
２：  粘着剤層
３：  基材フィルム
４：  ウエハ固定用粘着テープ
５：  レーザービーム
６：  リングフレーム
７：  固定テーブル
８：  ダイシングブレード
９：  切り込み部
１０：支持用リング
１１：エキスパンドリング
１２：吸着コレット
１３：突き上げピン
１４：ピックアップステージ
１５：レーザーによって切断される層
１６：基材フィルム
１７：ウエハ固定用粘着テープ
１８：基材フィルム
１９：ウエハ固定用粘着テープ
２０：レーザーによって切断されない層
【図１】
2006093368.tif 000005
【図２】
2006093368.tif 000006
【図３】
2006093368.tif 000007
【図４】
2006093368.tif 000008
【図５】
2006093368.tif 000009
【図６】
2006093368.tif 000010
【図７】
2006093368.tif 000011
【図８】
2006093368.tif 000012
【図９】
2006093368.tif 000013