(57)【要約】【課題】内部に形成する導体層としてめっき膜製導体層を用いても、変形やデラミネーションあるいは耐熱衝撃試験において発生するクラックを防止できる積層型電子部品の製法および積層型電子部品を提供する。【解決手段】めっき膜製導体パターン５を含む支持体１上に、まず第１のセラミックシートを形成し、次に、この第1のセラミックシート上の導体パターンの無い領域に、前記第1のセラミックスラリに含まれるセラミック粉末よりも平均粒径の大きいセラミック粉末を含有する第２のセラミックスラリを、前記第1のセラミックスラリの塗布方向と同じ方向に塗布して第2のセラミックシートを形成しセラミックグリーンシートを形成し、このような導体パターンを具備するセラミックグリーンシートを用いて積層型電子部品を形成する。【選択図】図４
2006041268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）支持体上に導体パターンを複数形成する工程と、
（ｂ）前記導体パターンを含む支持体上に、セラミック粉末を含む第1のセラミックスラリを一方向に塗布して第１のセラミックシートを形成する工程と、
（ｃ）前記第1のセラミックシート上に、そのシートを平面視した際に導体パターンの無い領域に、前記第1のセラミックスラリに含まれるセラミック粉末よりも平均粒径の大きいセラミック粉末を含有する第２のセラミックスラリを、前記第1のセラミックスラリの塗布方向と同じ方向に塗布して第2のセラミックシートを形成し、第1および第2のセラミックシートが重畳されたセラミックグリーンシートを形成する工程と、
（ｄ）前記導体パターンを具備するセラミックグリーンシートを支持体ごと積み重ね、その度毎に支持体を剥がして、前記導体パターンとセラミックグリーンシートとが交互に積層された母体積層体を形成する工程と、
（ｅ）該母体積層体を切断し、焼成してセラミック本体を形成する工程と、
を具備することを特徴とする積層型電子部品の製法。
【請求項２】
（ａ）支持体上に導体パターンを複数形成する工程と、
（ｂ）前記導体パターンを含む支持体上に、セラミック粉末とガラス粉末とを含む第1のセラミックスラリを一方向に塗布して第1のセラミックシートを形成する工程と、
（ｃ）前記第1のセラミックシート上に、そのシートを平面視した際に導体パターンの無い領域に、前記第1のセラミックスラリよりもガラス粉末比率の低い第２のセラミックスラリを、前記第1のセラミックスラリの塗布方向と同じ方向に塗布して第2のセラミックシートを形成し、第1および第2のセラミックシートが重畳されたセラミックグリーンシートを形成する工程と、
（ｄ）前記導体パターンを具備するセラミックグリーンシートを支持体ごと積み重ね、その度毎に支持体を剥がして、前記導体パターンとセラミックグリーンシートとが交互に積層された母体積層体を形成する工程と、
（ｅ）該母体積層体を切断し、焼成してセラミック本体を形成する工程と、
を具備することを特徴とする積層型電子部品の製法。
【請求項３】
導体パターンは長方形であり、その長手方向に距離Ｇの間隔で離間しつつ、千鳥状に配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の積層型電子部品の製法。
【請求項４】
第1および第2のセラミックスラリは、導体パターンの長手方向に塗布することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか記載の積層型電子部品の製法。
【請求項５】
母体積層体の切断は、導体パターン間の距離Ｇを残すように、長手方向に対して垂直方向に分割することを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか記載の積層型電子部品の製法。
【請求項６】
平均粒径ｄ１のセラミック粒子を有するセラミック層とめっき膜製導体層とが重畳された有効部の周囲に、平均粒径ｄ２のセラミック粒子を有するセラミック層からなる非有効部を具備してなる積層型電子部品において、有効部および非有効部のセラミック粒子の平均粒径は、ｄ１＜ｄ２の関係を満足することを特徴とする積層型電子部品。
【請求項７】
ガラス相量ｖ１のセラミック層とめっき膜製導体層とが重畳された有効部の周囲に、ガラス相量ｖ２のセラミック層からなる非有効部を具備してなる積層型電子部品において、有効部および非有効部のガラス相量はｖ１＞ｖ２の関係を満足することを特徴とする積層型電子部品。
【請求項８】
セラミック層上におけるめっき膜製導体層の同一面内に、距離Gを隔てて、有効部の一端面側に導出されるめっき膜製ダミー導体層を設けたことを特徴とする請求項６または７に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型電子部品の製法および積層型電子部品に関し、特に、セラミック層とともに積層して構成される内部の導体層としてめっき膜を用いる積層型電子部品の製法および積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の小型、高機能化に伴い、積層セラミックコンデンサ、積層アクチュエータあるいは積層インダクタなどの積層型電子部品は絶縁体層や内部の導体層の薄層化が推し進められている。特に、導体層は絶縁体との段差を低減するために更なる薄層化が求められている。
【０００３】
このような状況にあって、一部の電子部品、例えば、積層セラミックコンデンサなどでは、下記の特許文献１に示すように、導体層として、従来より用いられてきた導体ペーストに替わり、より薄層化が容易なめっき膜や蒸着膜に代表される金属薄膜を用いる動きが出始めている。
【特許文献１】特開２００３−３０９０３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献1に記載された積層型電子部品を構成する上記めっき膜製導体層は、導体ペーストを印刷して形成される印刷導体膜とは異なり、焼成前の密度が理論密度に近く、焼成収縮を殆ど伴わないものである。そのために、セラミック粉末やガラス粉末を焼結させて形成されるセラミック層との間で大きな焼成収縮差が発生し、このため焼成後に得られる積層セラミックコンデンサに変形やデラミネーションが発生したり、熱衝撃試験などにおいてクラックが発生するという問題があった（図５）。
【０００５】
従って、本発明は、内部に形成する導体層としてめっき膜を用いても、変形やデラミネーションあるいは耐熱衝撃試験におけるクラックを防止できる積層型電子部品の製法および積層型電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明の積層型電子部品の製法は、（ａ）支持体上に導体パターンを複数形成する工程と、（ｂ）前記導体パターンを含む支持体上に、セラミック粉末を含む第1のセラミックスラリを一方向に塗布して第１のセラミックシートを形成する工程と、（ｃ）前記第1のセラミックシート上に、そのシートを平面視した際に導体パターンの無い領域に、前記第1のセラミックスラリに含まれるセラミック粉末よりも平均粒径の大きいセラミック粉末を含有する第２のセラミックスラリを、前記第1のセラミックスラリの塗布方向と同じ方向に塗布して第2のセラミックシートを形成し、第1および第2のセラミックシートが重畳されたセラミックグリーンシートを形成する工程と、（ｄ）前記導体パターンを具備するセラミックグリーンシートを支持体ごと積み重ね、その度毎に支持体を剥がして、前記導体パターンとセラミックグリーンシートとが交互に積層された母体積層体を形成する工程と、（ｅ）該母体積層体を切断し、焼成してセラミック本体を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
【０００７】
（２）また、本発明の積層型電子部品の製法は、（ａ）支持体上に導体パターンを複数形成する工程と、（ｂ）前記導体パターンを含む支持体上に、セラミック粉末とガラス粉末とを含む第1のセラミックスラリを一方向に塗布して第1のセラミックシートを形成する工程と、
（ｃ）前記第1のセラミックシート上に、そのシートを平面視した際に導体パターンの無い領域に、前記第1のセラミックスラリよりもガラス粉末比率の低い第２のセラミックスラリを、前記第1のセラミックスラリの塗布方向と同じ方向に塗布して第2のセラミックシートを形成し、第1および第2のセラミックシートが重畳されたセラミックグリーンシートを形成する工程と、（ｄ）前記導体パターンを具備するセラミックグリーンシートを支持体ごと積み重ね、その度毎に支持体を剥がして、前記導体パターンとセラミックグリーンシートとが交互に積層された母体積層体を形成する工程と、（ｅ）該母体積層体を切断し、焼成してセラミック本体を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
【０００８】
（３）また、上記積層型電子部品の製法では、導体パターンは長方形であり、その長手方向に距離Ｇの間隔で離間しつつ千鳥状に配置されていること、（４）第1および第2のセラミックスラリは、導体パターンの長手方向に塗布すること、（５）母体積層体の切断は、導体パターン間の距離Ｇを残すように、長手方向に対して垂直方向に分割することが、それぞれ望ましい。
【０００９】
そして、上記の製法により形成される本発明の積層型電子部品は、（６）平均粒径ｄ１のセラミック粒子を有するセラミック層とめっき膜製導体層とが重畳された有効部の周囲に、平均粒径ｄ２のセラミック粒子を有するセラミック層からなる非有効部を具備してなる積層型電子部品において、有効部および非有効部のセラミック粒子の平均粒径は、ｄ１＜ｄ２の関係を満足することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の積層型電子部品は、（７）ガラス相量ｖ１のセラミック層とめっき膜製導体層とが重畳された有効部の周囲に、ガラス相量ｖ２のセラミック層からなる非有効部を具備してなる積層型電子部品において、有効部および非有効部のガラス相量はｖ１＞ｖ２の関係を満足することを特徴とする。
【００１１】
また、上記積層型電子部品では、（８）セラミック層上におけるめっき膜製導体層の同一面内に、距離Gを隔てて、有効部の一端面側に導出されるめっき膜製ダミー導体層を設けたことが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
上記した本発明の製法によれば、まず、第1セラミックシートの導体パターンの形成されていない領域に第2セラミックシートを形成することから、上記この領域における導体パターンによる段差を抑制できる。
【００１３】
また本発明では、第２セラミックシートを形成するための第２のセラミックスラリに含まれるセラミック粉末の平均粒径を、第１のセラミックスラリに含まれるセラミック粉末の平均粒径よりも大きくしたことにより、積層後に形成される電子部品本体成形体におけるめっき膜製導体パターンのサイドマージン側の焼成収縮率を小さくでき、これにより、本来、焼成収縮率の小さいめっき膜製導体パターンの焼成収縮率に近づけることができ、こうして、焼成後における電子部品本体の変形やクラック、デラミネーションを抑制できる。
【００１４】
さらに本発明では、各導体パターンは、形状が長方形状であり、その長手方向に距離Ｇの間隔を有しつつ、千鳥状に配置したものを用いる。このような配置の導体パターンにより形成される母体積層体では、その母体積層体を切断する際には、各導体パターンを長手方向に対して垂直方向に分割するとともに長手方向の距離Ｇ間を残すように切断する手法を採用することにより、めっき膜製導体パターンを具備する有効部の両方の端面において、あたかも導体層の周辺に段差を解消する層を付与したのと同様の効果が得られ、これによりセラミックグリーンシートとともに多層積層した場合でも内部の導体層の変形を防止でき、切断や焼成後のデラミネーションをさらに抑制できる。
【００１５】
また、本発明の導体パターンはめっき膜であることから、導体ペーストを用いる場合などのように形成時のにじみなどがなく、このため上記のパターン間距離Ｇを狭くでき、この点においても導体パターンによる段差の影響を小さくできる。
【００１６】
また、このような製法により形成される積層型電子部品の構成によれば、（６）非有効部を構成するセラミック粒子が有効部のセラミック粒子よりも大きいこと、あるいは、（７）非有効部側のガラス相量が有効部側よりも少ないことのために、非有効部側の熱膨張係数を有効部側よりも小さくできる。このため、有効部を非有効部によりかしめた状態を形成できることから、有効部の熱膨張が小さくなり、例えば、積層セラミックコンデンサとして静電容量の温度特性を小さくできる。
【００１７】
また、本発明によれば、上記構成により非有効部の熱膨張係数を小さくできることから、（８）セラミック層上におけるめっき膜製導体層の同一面内に、距離Gを隔てて、有効部の一端面側に導出されるめっき膜製ダミー導体層を設けた場合においても、有効部との熱膨張係数差を小さいものにできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（積層型電子部品の製法）
本発明の積層型電子部品の製法として、積層セラミックコンデンサを例に詳細に説明する。図１は、本発明の積層型電子部品の製法を示す工程図である。
【００１９】
（ａ）まず、支持体１上に、例えば、Ｎｉの電気めっきを行い、めっき膜製の導体パターン５を形成する。支持体１としては、金属板あるいは有機フィルムなどが用いられるが、めっき膜製導体パターンを長尺状に連続して形成した際に、ロール状に巻き取ることが容易かつ軽量という点で、有機フィルムが好適である。そのめっき膜製導体パターン５の形状は長方形状であり、その厚みは1μｍ以下、特に０．８μｍ以下が望ましい。
【００２０】
（ｂ）次に、前記めっき膜製導体パターン５を形成した支持体１上に、セラミック粉末を含む第1のセラミックスラリを一方向に塗布して第１のセラミックシート７ａを形成し、次に、この第1のセラミックシート７ａの上面側に、そのシートを平面視した際に、めっき膜製導体パターンを形成していない領域に、前記第1のセラミックスラリの塗布方向と同じ方向に第２のセラミックスラリを、塗布して第2のセラミックシート７ｂを形成して、第1および第2のセラミックシート７ａ、７ｂが重畳されたセラミックグリーンシート７を形成する。
【００２１】
この場合、第２のセラミックスラリに含まれるセラミック粉末の平均粒径が第1のセラミックスラリに含まれるセラミック粉末の平均粒径よりも大きいことが重要であり、第２のセラミックスラリに含まれるセラミック粉末の平均粒径ｄｇ２と第1のセラミックスラリに含まれるセラミック粉末の平均粒径ｄｇ１との比は、セラミックグリーンシートとめっき膜製導体パターンとの焼成収縮率を近づけるという点で、１．１≦ｄｇ２／ｄｇ１≦５の関係であることが望ましい。
【００２２】
また本発明では、他の製法として、第２のセラミックスラリ中に含まれるガラス粉末比率ｖｇ１を第1のセラミックスラリのガラス粉末比率ｖｇ２より高いものとすることによっても本発明を達成でき、この場合においても、セラミックグリーンシートとめっき膜製導体パターンとの焼成収縮率を近づけるという点で１．１≦ｖｇ１／ｖｇ２≦１．５であることが望ましい。
【００２３】
セラミックスラリは、例えば、チタン酸バリウムを主成分として含むセラミック原料粉末に所定量の有機バインダ、溶剤および分散剤などを混合し、所定の粘度に調整したものである。本発明によれば、めっき膜製導体パターンとセラミックシートとの密着性を高めるという点で、上記セラミックスラリ１００質量部に対してシランカップリング剤を０．５〜２０質量％添加することが好ましい。本発明では、積層セラミックコンデンサの内部に形成するめっき膜製導体層として卑金属を用いるために、セラミック層を構成するセラミック粉末は耐還元性に優れた誘電体材料を用いることが望ましい。
【００２４】
成形は、公知のコータ、例えば、ドクターブレードやエクストルージョン型塗布装置を用いて前記導体パターンの形成された支持体上にシート塗布を行う。このときめっき膜製導体パターン上のセラミックシートの厚みは所望の誘電体層厚みとなるようにスラリ流量、圧力などにより適宜調整する。本発明では、前記導体パターン上の第1のセラミックシートのさらに上面側に、平面視で、その導体パターン間を埋め込むようにストライプ状のシート成形を行う。このときストライプ状のセラミックシートの厚みについても所望のシート厚みとなるように、スラリ流量、圧力などにより適宜調整する。またストライプ状のセラミックシートの塗布幅は、スリット幅の０．８倍〜１．２倍となるように、スラリ流量、圧力などを適宜調整する。こうして形成されるストライプ状の第2のセラミックシートの幅はめっき膜製導体パターン間の０．８倍〜１．２倍の範囲が望ましい。
【００２５】
こうして、めっき膜製導体パターン上に形成された第1および第2のセラミックシートにより、その導体パターンの厚みによる段差を吸収できる。この場合、ストライプ状の第２のセラミックシートの厚みは、めっき膜製導体パターンの厚みの０．５倍〜２倍、特に、０．８倍〜１．２倍の範囲であることが望ましい。つまり、第１および第２のセラミックシートからなるセラミックグリーンシートの厚みはめっき膜製導体パターンの厚みよりも厚く形成しておくことがめっき膜製導体パターンと非形成部との段差を解消するうえで望ましい。
【００２６】
セラミック粉末の平均粒径はセラミックグリーンシート７の薄層化および焼成後のめっき膜製導体層中への密着性を高め両層の接合性を高めるという点で０．５μｍ以下が好ましい。セラミックグリーンシート７の厚みは、積層セラミックコンデンサに用いるセラミック層の薄層高積層化という点で、２．５μｍ以下、特に、２μｍ以下が望ましい。さらに本発明のセラミックグリーンシート７は、めっき膜製導体パターン５との密着性および追従性を高め、並びに機械的強度を高め、かつ伸びを抑制するという点でセラミックグリーンシートの含水率は０．５〜３％の範囲であることが好ましい。
【００２７】
（ｃ）次に、上記めっき膜製導体パターン５上にセラミックグリーンシート７を形成したシート、ここでは導体埋め込みセラミックグリーンシートという、を逐次、支持体１を剥がしながら積層して母体積層体１１を形成する。積層数は小型高容量の積層セラミックコンデンサとして２００層以上、特には３００層以上が好ましい。積層条件は、例えば、温度５０〜７０℃、圧力０．７〜１．１ＭＰａで仮加圧した後、従来周知の静水圧加圧機を用いて加圧し母体積層体を一体化する。静水圧加圧条件は温度６０〜８０℃、圧力４０〜７０ＭＰａが好ましい。上記（ａ）（ｂ）（ｃ）工程により、母体積層体１１のサイドマージン側に、平均粒径の大きなセラミック粉末により構成される部分、あるいは、ガラス粉末量の多い部分Ａを局部的に形成できる。
【００２８】
（ｄ）次に、上記作製した母体積層体１１を切断してコンデンサ本体とした後、そのコンデンサ本体成形体を高温で焼成しコンデンサ本体を形成する。焼成条件として、温度はめっき膜の融点より低く、再結晶温度よりも高い温度、雰囲気はめっき膜が酸化しない程度の酸素濃度で行うのが好ましい。例えば、めっき膜はＮｉの場合、Ｎｉの再結晶温度は５００〜５５０℃、その融点は１４５０℃であるため、焼成する温度としては１２５０〜１３５０℃で行われる。この後、コンデンサ本体の酸素含有量を高めて絶縁抵抗を向上させるために再酸化処理を行う。
【００２９】
最後に、コンデンサ本体のめっき膜製導体層が露出した端部に外部電極ペーストを塗布して焼成し、さらにめっきを施すことにより外部電極が形成される。これによって積層セラミックコンデンサが完成する。
【００３０】
なお本発明の製法において、めっき膜製導体パターン５として、図２に示す千鳥状に配置したものを用い、このめっき膜製導体パターン５を、その積層方向に対して長辺の位置は揃わせ（図示なし）、その短辺側は、距離Ｇの間隔の位置が各層交互にずれるように重なるようにし、形成した母体積層体を図３に示す切断線で切断すると、コンデンサ本体成形体の両方の端面にはめっき膜製導体パターン５が露出したものができる。この場合、本発明のめっき膜製導体パターン５の長辺方向の間隔Ｇは、セラミックグリーンシート７の入り込みを小さくするという理由からセラミックグリーンシート７の厚みの１〜５０倍、または１００μｍ以下のいずれか小さい方の間隔が好ましい。
【００３１】
（積層型電子部品の構造）
本発明の積層型電子部品の代表例である積層セラミックコンデンサについて詳細に説明する。図４は、本発明にかかる積層セラミックコンデンサの概略断面図である。本発明の積層セラミックコンデンサは、コンデンサ本体１５の端部に外部電極１７を具備する。平均粒径ｄ１のセラミック粒子２１ａを有するセラミック層２１ｂとめっき膜製導体層２１ｃとが重畳された有効部２１の周囲に、平均粒径ｄ２のセラミック粒子２３ａを有するセラミック層２３ｂからなる非有効部２３を具備してなるものであり、有効部２１および非有効部２３のセラミック粒子２１ａ、２３ａの平均粒径は、ｄ１＜ｄ２の関係を満足することが重要である。
【００３２】
本発明の他の構成としては、上記有効部２１を構成するセラミック層２１ｂに含まれるガラス相量をｖ１、その有効部の周囲に形成された非有効部２３を構成するセラミック層２３ｂに含まれるガラス相量をｖ２としたときに、ｖ１＞ｖ２の関係を満足することが重要である。
【００３３】
また、本発明の他の構成として、上記したように、めっき膜製導体パターン５として、図２に示す千鳥状に配置したものを用いると、セラミック層２１ｂ上におけるめっき膜製導体層２１ｃの同一面内に、距離Gを隔てて、有効部２１の一端面側に導出されるめっき膜製ダミー導体層２１ｄを設けたものとなり、こうしてめっき膜製導体層による段差を小さくした積層セラミックコンデンサが得られる。
【実施例】
【００３４】
（第１の態様：ダミー導体層なし）
次に本発明の積層型電子部品にかかる積層セラミックコンデンサを以下のようにして作製した。まず、金属部材上に形成したＮｉめっき膜を、一旦、可撓性があり、表面に粘着材を塗布した樹脂製のキャリアフイルム（ＰＥＴフイルム）上に転写した。
【００３５】
また、平均粒径０．２〜０．３μｍのＢａＴｉＯ３を含むセラミック粉末１００質量部に対して１．２質量部のＳｉ−Ｃａ−Ｌｉ系ガラス粉末を混合し、これら固形成分に対して、ポリビニルブチラール樹脂およびトルエンとエタノールを１：１の質量比で混合した混合溶媒を添加し、さらにシランカップリング剤を外添で５質量部添加して第１のセラミックスラリを調製した。
【００３６】
次に、Ｎｉめっき膜を転写したキャリアフィルム上に、そのＮｉめっき膜を覆うように、前記第１のセラミックスラリを一方向に塗布して第１のセラミックシートを形成した。
【００３７】
次いで、この第１セラミックシート上に、平均粒径が前記第１のセラミックスラリに含まれるセラミック粉末よりも大きいセラミック粉末（表１）を含む第２のセラミックスラリを、前記第１のセラミックスラリの塗布と同じ方向に、かつ平面視で導体パターンが形成されていない領域に塗布し、乾燥させて、Ｎｉめっき膜上において第１、第２のセラミックシートが密着した一体化したセラミックグリーンシート（含水率１％）を作製した。成形速度は１００ｍ／分とした。セラミックグリーンシートの厚みは平均で２．５μｍに調整した。
【００３８】
本発明のセラミックコンデンサについて、有効部と非有効部におけるセラミック層中のガラス量を変化させた試料については、平均粒径０．３μｍのＢａＴｉＯ３を含むセラミック粉末１００質量部に対して１．２質量部のＳｉ−Ｃａ−Ｌｉ系ガラス粉末を混合し、これら固形成分に対して、ポリビニルブチラール樹脂およびトルエンとエタノールを１：１の質量比で混合した混合溶媒を添加し、さらにシランカップリング剤を外添で５質量部添加して第１のセラミックスラリを調製した。
【００３９】
次に、Ｎｉめっき膜を転写したキャリアフィルム上に、そのＮｉめっき膜を覆うように、前記第１のセラミックスラリを一方向に塗布して第１のセラミックシートを形成した。
【００４０】
次いで、この第１セラミックシート上に、平均粒径が前記第１のセラミックスラリに含まれるセラミック粉末と同じセラミック粉末を含みガラス粉末量が表１に示す割合のものを第２のセラミックスラリとして調製し、前記第１のセラミックスラリの塗布と同じ方向に、かつ平面視で導体パターンが形成されていない領域に塗布し、乾燥させて、セラミック粉末を変化させた場合と同様の条件でセラミックグリーンシート（含水率１％）を作製した。このセラミックグリーンシートの厚みも平均で２．５μｍに調整した。
【００４１】
次に、Ｎｉめっき膜上に密着し一体化したセラミックグリーンシートを、各層キャリアフィルムを剥ぎながら２００層仮積層し、次いで、この仮積層体の上下面に外部カバー層を接着させ、温度６０℃、圧力０．８ＭＰａで加圧加熱した。この後、再度、温度７０℃、圧力５０ＭＰａの圧力で静水圧加圧を施し母体積層体を作製した。このときめっき膜製導体パターンは各層ごとに、その導体パターンの長辺方向に半分ほどずらして配置され、短辺側は積層方向に整列していた。
【００４２】
次に、母体積層体をダイシングソウを用いて切断し、対向する端面に導体パターンが露出したコンデンサ本体成形体を作製した。
【００４３】
次に、切断して得たコンデンサ本体成形体を焼成し、本発明のコンデンサ本体を得た。他。焼成は温度１３００℃、雰囲気は還元性とした。
【００４４】
最後に、コンデンサ本体の導体層が露出した端部に外部電極ペーストを塗布して温度７００℃にて焼付けを行った。さらに、この外部電極の表面にＮｉおよびＳｎめっきを行って本発明の積層セラミックコンデンサを完成させた。作製した積層セラミックコンデンサの寸法は幅１．２５ｍｍ、長さ２ｍｍ、厚み１．２５ｍｍとした。このような製法により作製した積層セラミックコンデンサはセラミック層の表面にめっき膜の導体層が追従するように接着していた。つまり、セラミック層表面の開気孔にめっき膜が入り込むほど密接に接着されていた。
【００４５】
（第２の態様：ダミー導体層あり）
次に、第２の態様として、容量形成に寄与するめっき膜導体層とともにセラミック層の同一面上にめっき膜製ダミー導体層を有する積層セラミックコンデンサを作製した。この場合、前記第１の態様における第２工程のマスクパターンにおいて、図２に示すような千鳥状に配置したものを用いることにより、セラミック層上におけるめっき膜製導体層の同一面内に、距離Gを隔てて、有効部の一端面側に導出されるめっき膜製ダミー導体層を有するものとなる。
【００４６】
（比較例の態様の製法）
比較例として作製した試料は、第１の態様の製法において、有効部および非有効部を構成するセラミック層のセラミック粒子を同じ平均粒径およびガラス量としたものを上記本発明と同じ工程にて作製した。
【００４７】
（測定評価）
次に、上記本発明および比較例の態様として作製した積層セラミックコンデンサについて、以下の評価を行った。
【００４８】
作製したコンデンサ本体成形体およびコンデンサ本体について、実体顕微鏡を用いてデラミネーションおよびクラックを観察した。試料数はそれぞれ１００個とした。
【００４９】
次に、積層セラミックコンデンサについて、静電容量、静電容量の温度特性および熱衝撃試験を評価した。以下の試料についても試料数は各々２０個とした。
【００５０】
静電容量は１ｋＨｚ、０．６Ｖｒｍｓ、熱衝撃試験は、温度を３２５℃に設定した半田槽に１分間試料を浸漬し、浸漬後の試料についてデラミネーションやクラックの発生の有無を調べた。
【表１】
2006041268.tif 000003
【００５１】
【表２】
2006041268.tif 000004
【００５２】
表１、２の結果から明らかなように、本発明の積層セラミックコンデンサである本発明の態様では、熱衝撃試験において最高５／１００個のデラミネーションもしくはクラックがみられたものの、焼成前のコンデンサ本体成形体および焼成後のコンデンサ本体にデラミーションやクラックは無かった。また、本発明の態様の試料では静電容量が、４．６μＦ以上、静電容量の温度特性が−１３％以内であった。これに対して、有効部および非有効部を構成するセラミック層のセラミック粒子を同じ平均粒径およびガラス量とした比較例では焼成後および耐熱衝撃試験後にデラミネーションおよびクラックが１５〜５６％発生し、静電容量の温度特性の本発明の試料に比較して高かった。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の積層型電子部品の製法を示す工程図である。
【図２】本発明の、千鳥状に配置しためっき膜製導体パターンである。
【図３】母体積層体の切断線を示す模式図であり、導体パターンの長辺方向の中央部に離間距離Ｇのスペース部分が重なるようにした母体積層体を示す断面図である。
【図４】本発明にかかる積層型電子部品の概略断面図である。
【図５】従来の積層型電子部品の概略断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  支持体
３  マスクパターン
５  めっき膜製導体パターン
７ａ  第１のセラミックシート
７ｂ  第２のセラミックシート
７  セラミックグリーンシート
１１  母体積層体１１
２１  有効部
２３  非有効部
２１ａ、２３ａ  セラミック粒子
２１ｂ、２３ｂ  セラミック層
２１ｃ  めっき製ダミー導体層
【図１】
2006041268.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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