(57)【要約】【課題】  基板上に形成された未硬化の樹脂膜をプリベークするに際して、基板面内の温度ばらつきを改善する。これにより樹脂膜の膜厚の面内均一化を図る。【解決手段】  プリベーク装置は、樹脂膜が形成された基板１を収容するためのベーク炉２と、ベーク炉２内に設けられ、基板１を加熱するホットプレート３と、ホットプレート３との間に隙間４が生じる状態で基板１を支持するアーム５と、隙間４に温風を送る送風部とを少なくとも備える。【選択図】  図２
2006093208.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未硬化の樹脂膜が形成された基板を収容するためのベーク炉と、前記ベーク炉内に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、前記加熱部との間に隙間が生じる状態で前記基板を支持する支持部と、前記隙間に温風を送る送風部とを少なくとも備えたプリベーク装置。
【請求項２】
前記送風部の送風口が前記基板の周縁部近傍における前記加熱部上に設けられている請求項１に記載のプリベーク装置。
【請求項３】
予め求められた前記基板の温度上昇カーブに基づいて、前記温風の温度および風量を制御する制御部をさらに備えた請求項１に記載のプリベーク装置。
【請求項４】
基板上に未硬化の樹脂膜を形成する工程と、
前記基板をベーク炉内に収容する工程と、
前記ベーク炉内に設けられた加熱部との間に隙間が生じる状態で前記基板を支持する工程と、
前記隙間に温風を送る工程とを含むプリベーク方法。
【請求項５】
樹脂膜が形成された基板を有する表示装置を製造する方法であって、
前記基板上に未硬化の樹脂膜を形成する工程と、
前記基板をベーク炉内に収容する工程と、
前記ベーク炉内に設けられた加熱部との間に隙間が生じる状態で前記基板を支持する工程と、
前記隙間に温風を送る工程とを含む表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリベーク装置、プリベーク方法および表示装置の製造方法に関する。より具体的には、基板上に形成された未硬化の樹脂膜に熱処理を施して、樹脂膜に含まれている溶媒を蒸発させるためのプリベーク方法およびこのプリベーク方法を行うためのプリベーク装置に関する。また本発明のプリベーク方法を利用した、液晶表示装置などの表示装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、透過型液晶表示装置の開口率を上げる手段として、スイッチ素子や配線を覆う有機絶縁膜上に画素電極を形成する高開口技術が用いられている。また、反射型あるいは透過反射両用型液晶表示装置においては、表面が複雑な凹凸形状を有する有機絶縁膜を基板上に形成し、その上に反射電極を形成することにより、反射光を散乱させて、視認性を向上させている。
【０００３】
これら有機絶縁膜としては、一般にポジ型の感光性樹脂が用いられている。ポジ型の感光性樹脂を用いて有機絶縁膜を形成する方法を簡単に説明する。まず、ガラス基板上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ゲート配線、ソース配線および絶縁層を形成した後、基板上にポジ型の感光性樹脂を塗布する。プリベーク装置にてプリベークを実施した後、露光工程、現像工程、消色露光工程を経て、最終工程のポストベークを実施することで有機絶縁膜の形成が完了する。
【０００４】
前述のプリベークは、予備加熱工程、本加熱工程および待機工程を含む。予備加熱工程では、８０〜１００℃に設定したホットプレートの表面から基板を約５〜８mm離した位置にて、２００〜２５０秒の予備加熱を実施して、溶媒成分をゆるやかに蒸発させる。本加熱工程では、上記ホットプレートにてプロキシミティ状態で１００秒の本加熱を実施して、溶媒成分を十分に除去させる。待機工程では、本加熱が終了した基板を、ホットプレートの表面から約３０〜５０mm離れた位置で、基板搬送用ロボットが取りに来るまで待機させる。この待機時間は、ロボットの搬送タクトなどにより異なるが、５〜３０秒程度である。
【０００５】
上記プリベーク装置においては、蒸発した溶媒成分を装置外へ排出するために、排気設備が設けられている。しかしながら、その排気の空気の流れにより、予備加熱工程において基板の周辺部が基板中央部に比較して温度が下がる現象が発生する。予備加熱時のホットプレート温度は、基板中央部で早く上昇し、排気の影響により基板周辺部分では遅れて上昇する。また、本加熱処理終了後に基板を払出ポジションまで移動した後も、すなわち待機工程においても、若干ではあるが炉内の雰囲気により基板に熱が負荷されるので、基板周辺部と基板中央部とで温度差が生じる。
【０００６】
図８はプリベークが完了した時点におけるポジ型感光性樹脂の面内膜厚分布を示す図であり、図９は現像後におけるポジ型感光性樹脂の面内膜厚分布を示す図である。なお、感光性樹脂が塗布された基板の大きさは、４６５mm×３６０mmである。
【０００７】
プリベークが完了した時点では、膜厚平均値が３．５３μｍ、膜厚最大値が３．５９μｍ、膜厚最小値が３．４９μｍ、膜厚分布が±１．４８％程度であった。しかし、現像後では、膜厚平均値が２．４０μｍ、膜厚最大値が２．５４μｍ、膜厚最小値が２．３０μｍ、膜厚分布が±５．０８％程度であり、膜厚の面内ばらつきが増大している。これは、基板周辺部における現像による膜べり量が基板中央部に比較して多いからである。基板周辺部の膜べり量が多いのは、プリベーク時の溶媒の蒸発量が少ないこと、言い換えれば基板中央部よりも基板周辺部での温度が低いことに起因していると推定される。
【０００８】
基板面内の温度のばらつきは、感光性樹脂の膜厚のみならず、コンタクトホール径、反射型あるいは透過反射両用型の液晶表示装置における反射特性にも影響を及ぼし、ひいては液晶表示装置の表示品位へ大きな影響を及ぼす。
【０００９】
基板面内の温度ばらつきを改善するために、予備加熱時間を延長したところ、溶媒の乾燥むらが発生した。反対に、予備加熱時間を短縮したところ、プロキシミティーピンの跡が発生し、液晶表示装置の表示品位を著しく低下させる現象が発生した。
【００１０】
特許文献１には、基板上に形成された樹脂膜を乾燥むらが生じないように熱処理することができるプリベーク装置が開示されている。このプリベーク装置は、強制吸気口から炉内の蒸発溶媒を強制的に吸気して炉外に排出する強制排気機構と、前記強制吸気口を開閉する排気開閉弁体を、前記強制吸気口近傍の排気圧に対応した開度に制御する排気量制御手段とを備えている。このプリベーク装置によれば、大きな気流の変化に起因する樹脂膜中の溶媒の蒸発むらや炉内温度の変化に起因する樹脂膜の乾燥むらを極力抑制することができる。しかし、基板面内の温度ばらつきを改善することはできないので、充分な効果が得られない。
【特許文献１】特開２００１−３０５５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、基板上に形成された未硬化の樹脂膜をプリベークするに際して、基板面内の温度ばらつきを改善することであり、これにより樹脂膜の膜厚の面内均一化を図ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のプリベーク装置は、未硬化の樹脂膜が形成された基板を収容するためのベーク炉と、前記ベーク炉内に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、前記加熱部との間に隙間が生じる状態で前記基板を支持する支持部と、前記隙間に温風を送る送風部とを少なくとも備える。
【００１３】
基板と加熱部との隙間に温風を送風することにより、基板温度が面内で均一化される。樹脂膜上に送風した場合には、樹脂膜から蒸発した溶媒の気流が大きく乱れるので、溶媒の蒸発量を面内で均一にすることが困難となる。本発明のプリベーク装置では、送風部が基板の裏面（樹脂膜が形成された面に対して反対側の面）に送風するので、蒸発溶媒の気流が乱れるのを抑えることができる。したがって、溶媒の蒸発量を面内で均一にすることが容易となる。なお、本明細書において「プリベーク」とは、露光前の樹脂膜に加熱処理することを言い、予備加熱工程、本加熱工程および待機工程を含む。
【００１４】
本発明のプリベーク装置は、前記送風部の送風口が前記基板の周縁部近傍における前記加熱部上に設けられていることが好ましい。これにより、基板中央部よりも温度の低い基板周辺部に温風を送風することにより、基板面内の温度をより容易に均一化することができる。
【００１５】
また、本発明のプリベーク装置は、予め求められた前記基板の温度上昇カーブに基づいて、前記温風の温度または風量を制御する制御部をさらに備えていることが好ましい。これにより、経時的な温度補正を画一化することができるので、プリベーク処理のばらつきを抑えることができる。
【００１６】
本発明のプリベーク方法は、基板上に未硬化の樹脂膜を形成する工程と、前記基板をベーク炉内に収容する工程と、前記ベーク炉内に設けられた加熱部との間に隙間が生じる状態で前記基板を支持する工程と、前記隙間に温風を送る工程とを含む。
【００１７】
本発明のプリベーク方法によれば、基板と加熱部との隙間に温風を送風することにより、基板温度が面内で均一化される。また、樹脂膜上に送風するのではなく、基板の裏面に送風するので、蒸発溶媒の気流が乱れるのを抑えることができる。したがって、溶媒の蒸発量を面内で均一にすることが容易となる。
【００１８】
本発明は表示装置の製造方法をも提供する。本発明の製造方法は、樹脂膜が形成された基板を有する表示装置を製造する方法であって、前記基板上に未硬化の樹脂膜を形成する工程と、前記基板をベーク炉内に収容する工程と、前記ベーク炉内に設けられた加熱部との間に隙間が生じる状態で前記基板を支持する工程と、前記隙間に温風を送る工程とを含む。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、基板上に形成された未硬化の樹脂膜をプリベークするに際して、基板面内の温度ばらつきを改善することができる。したがって、樹脂膜の膜厚の面内均一化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されない。
【００２１】
（実施形態１）
図１は本実施形態のプリベーク装置を模式的に示す平面図であり、図２は図１中のＡ−Ｂ線断面図である。本実施形態のプリベーク装置は、未硬化の樹脂膜が形成された基板１を収容するためのベーク炉２と、ベーク炉２内の底面部に設けられ、基板１を加熱するためのホットプレート３と、ホットプレート３との間に隙間４が生じる状態で基板１を支持する一対のアーム５と、前記隙間に温風を送るための送風部とを備える。
【００２２】
送風部は、風量制御部により風量が制御されるファン（不図示）と、ファンの上流側または下流側に設けられ、温度制御部により温度が制御される温風用ヒータ（不図示）と、温風用ヒータにより加熱され、ファンにより送り出された温風を基板１とホットプレート３との隙間に送風する複数の送風口６，７，８，９とを有する。複数の送風口６，７，８，９は基板１の周縁部近傍におけるホットプレート３上に設けられ、導入管１０により導入された温風が送風口６，７，８，９から基板１の中央部に向けて吹き出される。ベーク炉２の側壁には排気口（不図示）が設けられている。これにより、送風口６，７，８，９から吹き出された温風は、基板１の下面を加熱するとともに、熱処理により樹脂膜から蒸発した溶媒を排気口から炉外に排気させる。
【００２３】
アーム５はアーム駆動部（不図示）によりホットプレート３に近接または離反する方向に昇降させることができる。これにより、基板１をホットプレート３に載置することができるとともに、ホットプレート３から所定の隙間を生じさせた状態で基板１を保持することができる。なお、基板１がホットプレート３に直接接触することにより静電破壊が生じることを防止するために、ホットプレート３の上面には複数本のプロキシミティーピン（不図示）が設けられている。プロキシミティーピンの高さは１mm以下程度である。
【００２４】
次に、本実施形態のプリベーク装置の動作について説明する。まず、基板１面内の温度を均一にするためのパイロットテストを行う。パイロットテストでは、樹脂膜が形成されていない基板（例えば、素ガラス基板）の中央部および周縁部に熱電対を配置して、基板の温度上昇カーブをサンプリングする。例えば０．７mm厚の素ガラス基板を用いて、予備加熱工程、本加熱工程および待機工程を順次行う。予備加熱工程ではホットプレートの上面から約５mm離した状態で基板を配置し、２２０秒間の予備加熱を行う。本加熱工程では基板をホットプレート（プロキシミティーピン）に接触させた状態（プロキシミティ状態）で１００秒間の本加熱を行う。待機工程ではホットプレートの上面から約３０mm離した状態で基板を配置し、約５〜３０秒間待機させる。ホットプレートの温度は８５℃に設定する。
【００２５】
図３は温度上昇カーブを模式的に示す図であり、図３中の実線が基板中央部の温度上昇カーブを示し、破線が基板周縁部の温度上昇カーブを示している。基板中央部のカーブと基板周縁部のカーブとができる限り一致するように、ヒータの温度と風量を手動で調整する。これにより、ヒータの温度と風量の最適な条件が求められる。この条件をプリベーク装置のデータ設定部に記憶させる。
【００２６】
図４は本実施形態のプリベーク装置を模式的に示すブロック図である。本実施形態のプリベーク装置は、ホットプレート３のヒータを駆動させるホットプレート駆動部１１と、アーム５を昇降させるアーム駆動部１２と、温風用ヒータを駆動させるヒータ駆動部１３と、ファンを駆動させるファン駆動部１４と、各駆動部を制御する制御部１５と、制御部１５に計時データを出力する計時部１６と、ヒータの温度や風量の最適な条件などの各種データが予め記憶設定されたデータ設定部１７と、データ設定部１７に予め記憶設定された各種データに基づいて制御を行うための制御プログラムが記憶設定されたプログラム設定部１８とを有する。
【００２７】
制御部１５は、データ設定部１７に予め記憶設定された各種データに基づいて、プログラム設定部１８に予め記憶設定された制御プログラムを実行することによって、このプリベーク装置の全体の制御を行う。また制御部１５は、計時部１６に対し所定のタイミングで計時動作を開始させるとともに、その計時部１６からの計時データを常時監視して、所定の時間が経過したときに、ヒータ駆動部１３やファン駆動部１４に対する駆動停止などの制御を行う。以下、具体的に説明する。
【００２８】
アーム５がホットプレート３の表面から約３０mmれた位置で基板１を受け取ると、制御部１５は、アーム駆動部１２を駆動させることによりアーム５を降下させ、ホットプレート３の表面から約５mmの位置に基板１が保持されるようにアーム５を停止させる。また制
御部１５は、ホットプレート駆動部１１を駆動させて、ホットプレート３の温度を８５℃に維持させるとともに、計時部１６に対し計時動作を開始させる。
【００２９】
制御部１５は、計時部１６からの計時データおよびデータ設定部１７に予め記憶設定された各種データに基づいて、ヒータ駆動部１３およびファン駆動部１４を制御する。これにより、複数の送風口６，７，８，９から温風が基板１の裏面の周縁部に向けて吹き出される。ヒータ駆動部１３およびファン駆動部１４は予め求められた温度上昇カーブに基づいて温風の温度および風量が制御されるので、基板１の温度を面内で均一化することができる。
【００３０】
制御部１５は、計時部１６の計時データを常時監視して、予備加熱時間（例えば２２０秒間）が経過したと判別したとき、アーム駆動部１２を駆動させて、基板１がプロキシミティ状態となるようにアーム５を降下させる。ヒータ駆動部１３およびファン駆動部１４は、アーム５が予備加熱位置から本加熱位置へ駆動を開始するタイミングで停止させる。なお、アーム５が予備加熱位置から本加熱位置へ移動する間にもヒータ駆動部１３およびファン駆動部１４を駆動させると、基板１の表面に温風が吹き込むことにより、むら発生の原因となるおそれがある。
【００３１】
制御部１５は、本加熱時間（例えば１００秒間）が経過したと判別したとき、ホットプレート３の表面から約３０mm位置に基板１が保持されるようにアーム５を上昇させ、払い出されるまでの約５〜３０秒間、基板１を待機させる。また制御部１５は、計時部１６からの計時データおよびデータ設定部１７に予め記憶設定された各種データに基づいて、ヒータ駆動部１３およびファン駆動部１４を制御する。これにより、再度、温風が基板１の裏面の周縁部に向けて吹き出されるので、基板１の温度を面内で均一化することができる。
【００３２】
本実施形態のプリベーク装置によれば、基板１上に形成された未硬化の樹脂膜をプリベークするに際して、基板１面内の温度ばらつきを改善することができる。したがって、プリベーク時において、樹脂膜から蒸発する溶媒の量が基板面内でばらつくのを抑えることができる。図９の結果と比較するために、同じ条件にて、本実施形態のプリベーク装置によりプリベーク処理した樹脂膜を現像したときの面内膜厚分布を図５に示す。図５に示すように、現像後では、膜厚平均値が２．５１μｍ、膜厚最大値が２．５５μｍ、膜厚最小値が２．４５μｍ、膜厚分布が±１．９８％程度であり、図９の結果と比較して、膜厚均一性が向上している。なお、本実施形態のプリベーク装置によりプリベークが完了した時点における樹脂膜の面内膜厚分布は図８の結果と同様である。
【００３３】
（実施形態２）
本実施形態では、実施形態１で説明したプリベーク装置を用いて製造された透過型の液晶表示装置について説明する。図６は本実施形態の液晶表示装置を模式的に示す断面図である。本実施形態の液晶表示装置は、画素電極を選択駆動するスイッチング素子としてＴＦＴが用いられたアクティブマトリクス型であり、ＴＦＴ基板２０と、ＴＦＴ基板２０に対向して配置されたカラーフィルタ基板３０と、両基板２０，３０の間に介在する液晶層４０とを有する。以下、本実施形態の液晶表示装置の製造工程について説明する。
【００３４】
まず、ＴＦＴ基板２０の製造工程について説明する。フォトリソグラフィ法やプラズマＣＶＤ法などを用いて、ガラス基板２１上にゲートバスライン２２、ゲート絶縁膜２３、ＴＦＴ２４、ソースバスライン２５、ドレイン電極２６および絶縁膜２７を形成する。さらに、ドレイン電極２６上の絶縁膜２７にコンタクトホール用の開口を形成する。
【００３５】
スピンコータあるいはスリットコータを用いてポジ型の感光性樹脂膜が形成されたガラス基板２１に、実施形態１のプリベーク装置を用いて、プリベーク処理を施す。
【００３６】
プリベーク処理では、まず、基板搬送用ロボットから受け取った基板２１をホットプレート３から約５mm浮かした状態で予備加熱を行う。ホットプレート３の温度は例えば８５
℃に設定する。予備加熱は例えば２２０秒間実施する。この際、ホットプレート３と基板２１との隙間に温風を送風する。温風の風量およびヒータの温度は、実施形態１で予め求められた温度上昇カーブに基づいて最適化された条件にて、基板面内の温度が均一となるように制御が行われる。
【００３７】
予備加熱終了後、基板２１をプロキシミティ状態とし、ホットプレート３を用いて本加熱を例えば１００秒間実施する。本加熱終了後、基板２１を受け渡しポジションへと搬送し、基板２１が払い出されるまでの間（約５〜３０秒間）、受け渡しポジションで基板２１を待機させる。受け渡しポジションはホットプレート３から約３０mmしか離れていない
ので、基板２１はホットプレート３から熱を受ける。但し、基板２１はホットプレート３に接していないので、基板２１の面内での温度にばらつきが生じる。そこで、基板２１を待機させている間も、ホットプレート３と基板２１との隙間に温風を送風して、温度補正を実施することにより、基板温度の面内均一化を図る。
【００３８】
プリベーク処理が終了した後、ステッパ（露光装置）にて樹脂膜にコンタクトホールのパターンを露光する。その後、０．５重量％ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液にて現像を実施する。現像が終わった基板２１に対して、消色露光装置にて感光剤の脱色を行い、さらに２２０℃に設定されたポストベーク装置にて４５分間の加熱処理を行う。これにより、ポジ型感光性樹脂の架橋およびさらなる脱色が行われて、層間絶縁膜２８が形成される。
【００３９】
スパッタリング法にて層間絶縁膜２８上にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）薄膜を成膜した後、パターニングを行って、透明画素電極２９を形成する。透明画素電極２９は、層間絶縁膜２８に形成されたコンタクトホールを介して、ドレイン電極２６に接続される。これにより、ＴＦＴ２４を介して、ソースバスライン２５から透明画素電極２９に映像信号が入力される。
【００４０】
次に、カラーフィルタ基板３０の製造工程について説明する。他のガラス基板３１上に印刷法などにより赤、緑および青のカラーフィルタ３２を形成する。スパッタリング法にてカラーフィルタ３２上に酸化インジウム（ＩＴＯ）膜を成膜して透明電極３３を形成する。
【００４１】
透明画素電極２９および透明電極３３上に、ラビング処理された配向膜（不図示）を形成し、両基板２０，３０を貼り合わせた後、両基板２０，３０間に液晶材料を注入して、液晶層４０を形成する。両基板２０，３０の外側面に偏光板や位相差板を貼り付けて、本実施形態の液晶表示装置が製造される。
【００４２】
本実施形態では、実施形態１のプリベーク装置を用いて樹脂膜中の溶媒を蒸発させているので、現像による膜べり量が基板面内で略均一となる。したがって、層間絶縁膜２８の膜厚やコンタクトホール径の面内均一性が向上するので、高歩留まりおよび高表示品位を達成することができる。
【００４３】
（実施形態３）
本実施形態では、実施形態１で説明したプリベーク装置を用いて製造された反射型の液晶表示装置について説明する。図７は本実施形態の液晶表示装置を模式的に示す断面図である。本実施形態の液晶表示装置は、ＴＦＴ基板５０と、ＴＦＴ基板５０に対向して配置されたカラーフィルタ基板３０と、両基板２０，３０の間に介在する液晶層４０とを有し、ＴＦＴ基板５０が実施形態２のものと異なる。以下、本実施形態のＴＦＴ基板５０の製造工程について説明する。なお、図７において実施形態１と同一の構成要素には同一の参照符号を付すことにより、同じ参照符号の構成要素についての説明を省略する。
【００４４】
実施形態２と同様にして、ガラス基板２１上にゲートバスライン２２、ゲート絶縁膜２３、ＴＦＴ２４、ソースバスライン２５、ドレイン電極２６および絶縁膜２７を形成する。さらに、ドレイン電極２６上の絶縁膜２７にコンタクトホール用の開口を形成する。
【００４５】
スピンコータあるいはスリットコータを用いてポジ型の感光性樹脂膜が形成されたガラス基板２１に、実施形態２と同様にして、プリベーク処理を施す。
【００４６】
プリベーク処理が終了した後、ステッパ（露光装置）にて樹脂膜に凹凸パターンとコンタクトホールのパターンを露光する。その後、０．５重量％ＴＭＡＨ水溶液にて現像を実施する。現像が終わった基板２１に対して、消色露光装置にて感光剤の脱色を行い、さらに２２０℃に設定されたポストベーク装置にて４５分間の加熱処理を行う。これにより、ポジ型感光性樹脂の架橋およびさらなる脱色が行われて、層間絶縁膜２８が形成される。
【００４７】
スパッタリング法にて層間絶縁膜２８上にアルミニウム薄膜を成膜した後、パターニングを行って、微細な凹凸形状を有する反射画素電極５１を形成する。反射画素電極５１は、層間絶縁膜２８に形成されたコンタクトホールを介して、ドレイン電極２６に接続される。これにより、ＴＦＴ２４を介して、ソースバスライン２５から反射画素電極５１に映像信号が入力される。
【００４８】
本実施形態では、実施形態１のプリベーク装置を用いて樹脂膜中の溶媒を蒸発させているので、現像による膜べり量や層間絶縁膜２８の凹凸が基板面内で略均一となる。したがって、層間絶縁膜２８の凹凸やコンタクトホール径の面内均一性が向上するので、反射特性の面内均一化が高まり、高歩留まりおよび高表示品位を達成することができる。
【００４９】
なお、本実施形態では反射型液晶表示装置を例示的に説明したが、透過反射両用型液晶表示装置に本発明を適用しても、反射特性の面内均一化が高まり、高歩留まりおよび高表示品位を達成することができる。
【００５０】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲に限定されない。上記実施形態が例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せに、さらにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。例えば、上記実施形態では液晶表示装置の製造方法に適用した場合を例示して説明したが、本発明はこの用途に限定されない。例えば、本発明を各種半導体装置などに適用することによっても、上述と同様の効果を得ることができる。すなわち、基板上に塗布形成される樹脂膜の熱処理に本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明のプリベーク装置およびプリベーク方法は、液晶表示装置や半導体装置の製造に利用することができる。また本発明により製造された表示装置は各種の電気機器に利用することができる。例えば、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistance ）、パーソナルコンピュータ、薄型テレビ、医療用ディスプレイ、カーナビゲーションシステム、アミューズメント機器などに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】実施形態１のプリベーク装置を模式的に示す平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ｂ線断面図である。
【図３】温度上昇カーブを模式的に示す図である。
【図４】実施形態１のプリベーク装置を模式的に示すブロック図である。
【図５】実施形態１のプリベーク装置によりプリベーク処理した樹脂膜を現像したときの面内膜厚分布を示す図である。
【図６】実施形態２の液晶表示装置を模式的に示す断面図である。
【図７】実施形態３の液晶表示装置を模式的に示す断面図である。
【図８】プリベークが完了した時点におけるポジ型感光性樹脂の面内膜厚分布を示す図である。
【図９】現像後におけるポジ型感光性樹脂の面内膜厚分布を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  基板
２  ベーク炉
３  ホットプレート
４  隙間
５  アーム
６，７，８，９  送風口
１０  導入管
１１  ホットプレート駆動部
１２  アーム駆動部
１３  ヒータ駆動部
１４  ファン駆動部
１５  制御部
１６  計時部
１７  データ設定部
１８  プログラム設定部
２０，５０  ＴＦＴ基板
２１，３１  ガラス基板
２２  ゲートバスライン
２３  ゲート絶縁膜
２４  ＴＦＴ
２５  ソースバスライン
２６  ドレイン電極
２７  絶縁膜
２８  層間絶縁膜
２９  透明画素電極
３０  カラーフィルタ基板
３２  カラーフィルタ
３３  透明電極
４０  液晶層
５１  反射画素電極
【図１】
2006093208.tif 000003
【図２】
2006093208.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006093208.tif 000006
【図５】
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【図６】
2006093208.tif 000008
【図７】
2006093208.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006093208.tif 000011