(57)【要約】【課題】  熱処理時にウェーハに発生するスリップの低減性能を向上できるウェーハ支持具を提供する。【解決手段】  平板状で貫通孔３が形成された板状部５、板状部５の一方の面に貫通孔３を囲んで設けられた環状の環状部７を備え、環状部７は、環状部７に載置するウェーハ９の環状部７と接触する部分と同じ熱膨張係数を有する材料で形成されている構成とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状で貫通孔が形成された板状部と、該板状部の一方の面に前記貫通孔を囲んで設けられた環状の環状部とを備え、前記環状部は、該環状部に載置するウェーハの該環状部と接触する部分と同じ熱膨張係数を有する材料で形成されているウェーハ支持具。
【請求項２】
前記板状部は、炭化シリコンで形成され、前記環状部は、単結晶シリコンで形成されていることを特徴とする請求項１に記載のウェーハ支持具。
【請求項３】
前記貫通孔は、直径が５０ｍｍ以上１７０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のウェーハ支持具。
【請求項４】
前記板状部は、厚みが１ｍｍ以上１.５ｍｍ以下であり、前記環状部は、厚みが３ｍｍ以上７ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のウェーハ支持具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハを熱処理するときにウェーハを載置するウェーハ支持具に係り、特に、ＳＩＭＯＸウェーハの製造における熱処理に好適なウェーハ支持具に関する。
【背景技術】
【０００２】
低消費電力用ＬＳＩに用いられるＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）ウェーハなどでは、酸素イオンをシリコン基板に注入し、所定の温度の熱をかける熱処理を行うことで、シリコン基板内部に埋め込み酸化膜つまりＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）層からなる絶縁層を形成したものである。このようなＳＩＭＯＸウェーハなどの製造のための熱処理は、１３００℃を超える温度で行われ、また、比較的高酸素雰囲気で比較的長時間行われる。このため、ＳＩＭＯＸウェーハなどの半導体ウェーハでは、この熱処理時に導入されるスリップと称される欠陥の低減が不可欠となっている。
【０００３】
このようなＳＩＭＯＸウェーハなどの製造のための熱処理では、炉内温度を均一化でき、また、スループットを増大できることなどから縦型炉が使用されている。縦型炉では、ウェーハを環状の板材からなるウェーハ支持具（例えば、特許文献１参照）、または、平板状のウェーハ支持具に載置した状態、つまり、ウェーハを裏面側から支持した状態で熱処理を行う。これらのウェーハ支持具は、熱処理での１３００℃を超える温度に対する耐性、そして、機械的強度を有するＳｉＣで形成されている。
【０００４】
ところで、半導体デバイスの高集積化や高性能化などに伴って、シリコンウェーハの表面近傍などでの欠陥、転位などの低減が重要になっていることから、製造工程でウェーハに発生するスリップと称される結晶欠陥の低減が求められている。しかし、ＳｉＣで形成した環状の板材からなるウェーハ支持具や平板状のウェーハ支持具では、熱処理中にウェーハと接着が起こった場合、ウェーハとの熱膨張係数の違いなどから、ウェーハにスリップが発生してしまう。さらに、例えば直径３００ｍｍ以上のウェーハといったような大型のウェーハの場合、環状の板材からなるウェーハ支持具では、ウェーハの周縁部でウェーハを支持しているため、ウェーハの自重でウェーハが撓むことなどによりスリップが発生してしまう。
【０００５】
そこで、ウェーハを所定の間隔で形成された柱状の突起によって多点支持するウェーハ支持具（例えば、特許文献２参照）や、ウェーハを平行に形成された帯状の突起で支持するウェーハ支持具などが提案されている（例えば、特許文献３参照）。これらのウェーハ支持具は、平板状のウェーハ支持具に比べてウェーハとウェーハ支持具の接触面積を低減することでウェーハとウェーハ支持具との熱膨張係数の違いや温度差に起因する熱歪みなどにより発生するスリップを低減し、さらに、ウェーハの自重による応力を分散させることでウェーハの自重による撓みなどを抑制し、ウェーハの自重による撓みなどにより発生するスリップを低減しようとしている。しかし、これらのウェーハ支持具でも、ウェーハの大きさなどによっては、スリップを低減できない場合がある。したがって、スリップの低減性能を向上したウェーハ支持具が必要となっている。
【０００６】
これに対して、ウェーハ支持具をＳｉＣで形成した平板状の板状部と、板状部の一方の面にＳｉＣで形成した環状の環状部を設け、この環状部にウェーハを載置するウェーハ支持具とすることによって、平板状のウェーハとウェーハ支持具の接触面積を低減することでウェーハとウェーハ支持具との熱膨張係数の違いや温度差に起因する熱歪みなどにより発生するスリップを低減し、さらに、ウェーハの自重による撓みなどを抑制することで、ウェーハの自重による撓みなどにより発生するスリップを低減することが考えられている。しかし、このようなＳｉＣで形成した板状部と環状部を設けたウェーハ支持具でも、ＳｉＣで形成したウェーハ支持具の環状部とウェーハとの熱膨張係数の違いから、ウェーハ支持具の環状部と接触しているウェーハの部分からスリップが発生してしまいスリップを低減することはできないことがわかった。
【０００７】
このため、環状部をウェーハと同じ材料で形成したウェーハ支持具とすることで、ウェーハと接触するウェーハ支持具の環状部の熱膨張係数をウェーハの熱膨張係数とほぼ同じにしたウェーハ支持具が考えられている。
【０００８】
【特許文献１】特開平６−１６３４４０号公報（第３頁、第２図）
【特許文献２】特開２００３−３３８５０５号公報（第２−３頁、第１図）
【特許文献３】特開２００４−２２１２２０号公報（第５−６頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、本発明者らが検討した結果、このような環状部をＳｉで形成したウェーハ支持具であっても、ウェーハで発生するスリップを低減できない場合があり、スリップの低減性能を向上できないことがわかった。
【００１０】
本発明の課題は、スリップの低減性能を向上することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、種々の検討を行った結果、板状部に貫通孔を形成し、この貫通孔を囲むように載置するウェーハと同じ材料を用いて作製した環状部を設置することによりウェーハに発生するスリップの低減性能を向上できることを見出した。すなわち、本発明のウェーハ支持具は、平板状で貫通孔が形成された板状部と、この板状部の一方の面に貫通孔を囲んで設けられた環状の環状部とを備え、環状部は、この環状部に載置するウェーハのこの環状部と接触する部分と同じ熱膨張係数を有する材料で形成されている構成とすることにより上記課題を解決する。
【００１２】
さらに、板状部は、炭化シリコンで形成され、環状部は、単結晶シリコンで形成されている構成とすれば、スリップの低減性能をより向上できるので好ましい。
【００１３】
また、本発明者らは、貫通孔の径や板状部及び環状部の厚みによって、スリップの発生をより確実に低減できることを見いだした。すなわち、貫通孔は、直径が５０ｍｍ以上１７０ｍｍ以下である構成とすることにより、スリップの低減性能をより向上できるので好ましい。さらに、板状部は、厚みが１ｍｍ以上１.５ｍｍ以下であり、環状部は、厚みが３ｍｍ以上７ｍｍ以下である構成とすることにより、スリップの低減性能をより向上できるので好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、スリップの低減性能を向上できるので好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を適用してなるウェーハ支持具の一実施形態について図１乃至図３を参照して説明する。図１は、本発明を適用してなるウェーハ支持具の概略構成を示す断面図である。図２は、本発明を適用してなるウェーハ支持具の概略構成を示す平面図である。図３は、本発明を適用してなるウェーハ支持具の概略構成を示す斜視図である。
【００１６】
本実施形態のウェーハ支持具１は、図１乃至図３に示すように、円形の平板状で、中央部分に貫通孔３が形成された板状部５、そして、板状部５の一方の面に貫通孔３を囲んだ状態で設けられた環状の環状部７を備えている。本実施形態のウェーハ支持具１では、板状部５は、炭化シリコン（ＳｉＣ）で形成されており、厚みが１ｍｍ以上１.５ｍｍ以下、板状部５に形成した貫通孔３の直径が５０ｍｍ以上１７０ｍｍ以下になっている。さらに、本実施形態のウェーハ支持具１では、環状部７は、この環状部７上に載置するＳＩＭＯＸウェーハなどといったシリコンウェーハ９のこの環状部７と接触する面と同じ材料である単結晶シリコン（Ｓｉ）で形成されており、断面が方形状で、厚みつまり高さが３ｍｍ以上７ｍｍ以下になっている。
【００１７】
また板状部５の直径は、環状部７上に載置するシリコンウェーハ９の直径よりも大きくなっている。ウェーハ支持具１は、縦型炉内で、複数のウェーハ支持具１を縦方向に間隔を置いて支持するための縦方向に延在する図示していない複数の支持柱によって支持される。この図示していない複数の支持柱は、一般にＳｉＣで形成されており、各々の支持柱の対応する位置に複数段の溝が形成されている。そして、ウェーハ支持具１は、板状部５の周縁部分を図示していない支持柱に形成された溝に嵌め込むことで図示していない支持柱に取り付けられる。このため、板状部５の直径が環状部７上に載置するシリコンウェーハ９の直径よりも大きくなっていることで、図示していない支持柱にウェーハ支持具１が取り付けられた状態でも、ウェーハ支持具１にシリコンウェーハ９を載置可能であり、また、シリコンウェーハ９が図示していない支持柱に接触しないようになっている。
【００１８】
環状部７の内径は、貫通孔３よりも大きく、外径は載置するシリコンウェーハ９の径よりも小さくなっている。そして、環状部７のシリコンウェーハ９を載置する面の幅は、環状部７の内径が貫通孔３よりも大きく、外径が載置するシリコンウェーハ９の直径よりも小さくなっていれば適宜選択できる。
【００１９】
ここで、本発明者らが種々の検討を行った結果、従来のＳｉＣで形成した貫通孔を設けていない板状部とＳｉで形成した環状部とを備えたウェーハ支持具では、ウェーハ支持具の環状部に載置されたウェーハの、環状部よりも外側に位置する部分と環状部よりも内側に位置する部分とで温度分布に差が生じることよって、より温度が高くなる環状部よりも外側に位置する部分からスリップが発生することがわかった。
【００２０】
このことから、本発明者らは、本実施形態のウェーハ支持具１のように、板状部５の環状部７の内側の部分に貫通孔３を形成したところ、貫通孔３の形成によってシリコンウェーハ９に発生するスリップの低減性能を向上できることを見いだした。つまり、本実施形態のウェーハ支持具１は、板状部５に貫通孔３を形成することにより、ウェーハ支持具１の環状部７よりも内側でも板状部５が輻射熱を遮り難くなる。このため、本実施形態のウェーハ支持具１では、ウェーハ支持具１に載置されたシリコンウェーハ９のウェーハ支持具１の環状部７よりも外側に位置する部分と環状部７よりも内側に位置する部分との温度差が減少し、シリコンウェーハ９の面における温度分布が均一化され、シリコンウェーハ９でのスリップの発生を確実に低減できる。
【００２１】
さらに、本実施形態のウェーハ支持具１では、板状部５は、熱耐性及び機械的強度を有するＳｉＣで形成されており、環状部７は、この環状部７上に載置するＳＩＭＯＸウェーハなどといったシリコンウェーハ９のこの環状部７と接触する面と同じ材料である単結晶シリコンで形成されている。このため、ＳＩＭＯＸウェーハなどのシリコンウェーハ９を載置する場合、シリコンウェーハ９の環状部７に接触する層と環状部７の熱膨張係数をほぼ同じにでき、スリップの低減性能をより向上できる。
【００２２】
加えて、ウェーハ支持具１の板状部５に形成する貫通孔３は、直径が５０ｍｍ以上とすることが望ましい。これは、貫通孔３の直径が５０ｍｍよりも小さいと、ウェーハ支持具１の環状部７よりも内側に位置するシリコンウェーハ９の部分と、環状部７よりも外側に位置するシリコンウェーハ９の部分との温度差を減少させて温度分布を均一化させるだけの十分な熱量を環状部７よりも内側に位置するシリコンウェーハ９の部分に与えることができなくなり、スリップの発生を低減できなくなるためである。
【００２３】
一方、ＳＩＭＯＸウェーハの製造における熱処理などでは、１３００℃を超える温度、例えば１３２０℃から１３８０℃といったような温度まで昇温される。このため、ウェーハ支持具１の板状部５に形成した貫通孔３の直径が１７０ｍｍを越えると、熱処理時の熱によって板状部５に熱変形が生じる場合がある。そして、板状部５に熱変形が生じると、ウェーハ支持具１に載置したシリコンウェーハ９に発生するスリップを低減できなくなる場合がある。したがって、ウェーハ支持具１の板状部５に形成する貫通孔３は、１３００℃を超える温度の熱に曝されても熱変形し難くなるような強度を板状部５に与えるため、直径を１７０ｍｍ以下とすることが望ましい。このように、スリップの低減性能をより向上するためには、ウェーハ支持具１の板状部５に形成する貫通孔３の直径は、５０ｍｍ以上１７０ｍｍ以下とすることが望ましい。
【００２４】
さらに、ウェーハ支持具１の板状部５に形成する貫通孔３の直径は、５０ｍｍ以上１７０ｍｍ以下としても、貫通孔３を形成した板状部５では、板状部５の厚みが１ｍｍよりも薄くなると、１３００℃を超える温度の熱に曝されたとき、板状部５に熱変形が生じる場合があることがわかった。したがって、板状部５に熱変形が生じ難くなるような強度を与え、シリコンウェーハ９に発生するスリップを確実に低減するには、板状部５の厚みは１ｍｍ以上とすることが望ましい。
【００２５】
また、板状部５では、板状部５の厚みが１.５ｍｍよりも厚くなると、板状部５の熱容量が増大することによって、熱処理における昇温または降温時に、載置しているウェーハの面内での温度分布が不均一になってしまう。このため、温度のランピングレートをより小さくする必要が生じ、熱処理時間が延びてしまい、生産性が低下してしまう。加えて、板状部５の厚みが１.５ｍｍよりも厚くなると、板状部５に割れやひびが発生してしまう場合がある。したがって、板状部５の厚みは１.５ｍｍ以下とすることが望ましい。
【００２６】
加えて、ウェーハ支持具１の環状部７の厚みが３ｍｍよりも薄くなると、１３００℃を超える温度の熱に曝されたとき、環状部７に熱変形が生じる場合があることがわかった。そして、環状部７に熱変形が生じると、ウェーハ支持具１に載置したシリコンウェーハ９に発生するスリップを低減できなくなる場合がある。したがって、環状部７に熱変形が生じ難くなるような強度を与え、シリコンウェーハ９に発生するスリップを確実に低減するには、環状部７の厚みは３ｍｍ以上とすることが望ましい。
【００２７】
また、環状部７の厚みが７ｍｍよりも厚くなると、環状部７自体の熱容量が問題となり、シリコンウェーハ９に発生するスリップを低減できなくなる場合がある。したがって、環状部７自体の熱容量の影響を抑制し、シリコンウェーハ９に発生するスリップの低減性能をより向上するには、環状部７の厚みは７ｍｍ以下とすることが望ましい。さらに、環状部７の厚みが７ｍｍよりも厚くなると、図示していない支持柱に複数のウェーハ支持具１を上下に並べて取り付けたときのウェーハ支持具１間の隙間が狭くなることにより、生産性が減少する。このため、環状部７の厚みを７ｍｍ以下とすることで、図示していない支持柱に複数のウェーハ支持具１を上下に並べて取り付けたときのウェーハ支持具１間の隙間が狭くなるのを抑制でき、生産性の減少を抑制できる。このように、スリップの低減性能をより向上するためには、ウェーハ支持具１の環状部７の厚みは、３ｍｍ以上７ｍｍ以下とすることが望ましい。
このように本実施形態のウェーハ支持具１では、ウェーハ支持具１の環状部７とウェーハ９との接触面から発生するスリップを低減できると共に、熱処理時に生じるウェーハ９の環状部７の内側に位置する部分と、環状部７の外側に位置する部分との温度差に起因するスリップも低減できる。加えて、ウェーハが自重によって撓むことなどによって発生するスリップも低減できる。したがって、スリップの低減性能を向上できる。
【００２８】
ところで、電子デバイスに対する、この電子デバイスの形成に用いたウェーハのスリップによって発生する転位の影響は、電子デバイスのリーク電流に現れる。このため、転位を含む欠陥によってリーク電流が増大し、ＤＲＡＭなどのメモリーにおけるリフレッシュ特性が劣化する。同様に、スリップのような積層欠陥が酸化膜の絶縁特性を減少させることが知られており、酸化膜の絶縁特性が劣化した場合、ゲート酸化膜の破壊が発生し、電子デバイスの製造における歩留まりの悪化が生じる。
【００２９】
これに対して、本実施形態のウェーハ支持具１では、スリップの低減性能をより向上できるため、ウェーハ支持具１を用いて製造したウェーハによって形成された電子デバイスのスリップによって発生するリーク電流の増大、ＤＲＡＭなどのメモリーにおけるリフレッシュ特性の劣化、及び酸化膜の絶縁特性の減少によるゲート酸化膜の特性劣化に伴う歩留まりの悪化などを抑制することができる。
【００３０】
また、本発明は、本実施形態の構成のウェーハ支持具１に限らず、貫通孔を設けた板状部及び載置するウェーハの少なくとも環状部と接触する部分の材料と同じ熱膨張係数を有する材料で形成した環状部を備えていれば様々な構成にできる。例えば、環状部は、ウェーハに熱変形などを起こすことなくウェーハを載置できれば、様々な断面形状にできる。
【実施例】
【００３１】
以下に、本発明を適用してなるウェーハ支持具と従来のウェーハ支持具を用いてＳＩＭＯＸウェーハを熱処理したときのスリップの発生に関する検討の一例について、図１乃至図７を参照して説明する。図４乃至図６は、従来のウェーハ支持具の概略構成と、この従来のウェーハ支持具を用いて熱処理を行なったＳＩＭＯＸウェーハのスリップの状態を画像化した結果の一例を模式的に示す図である。図７は、本発明を適用してなるウェーハ支持具を用いて熱処理を行なったＳＩＭＯＸウェーハのスリップの状態を画像化した結果の一例を模式的に示す図である。
【００３２】
（実施例１）
本実施例では、図１乃至図３に示すように、ＳｉＣ製の板状部５と、単結晶Ｓｉ製の環状部７を備えたウェーハ支持具１を形成した。ウェーハ支持具１の板状部５は、直径が３２０ｍｍで厚みを１ｍｍとし、中央部分に直径５０ｍｍの貫通孔３を設けた。ウェーハ支持具１の環状部７は、外径が２３０ｍｍ、内径が２２０ｍｍで厚みを３ｍｍとした。このようなウェーハ支持具１の環状部７に直径３００ｍｍの酸素イオンを注入したＳＩＭＯＸウェーハ９を載置して、ＢＯＸ層を形成するための熱処理を行なう。ここで、ＢＯＸ層を形成するための熱処理では、アルゴン及び酸素の混合ガス雰囲気中、または、窒素及び酸素の混合ガス雰囲気中で、１３００℃以上、望ましくは１３５０℃から１３８０℃の範囲内で２時間から１０時間保持する。熱処理後、冷えたＳＩＭＯＸウェーハ９を魔境の原理により観察し、ＳＩＭＯＸウェーハ９に発生しているスリップを評価した。
【００３３】
魔境の原理は、公知のように、特定波長の光を鏡面加工された試料つまりウェーハの表面に入射させ、その反射光の強度により表面の凹凸を画像化するものである。そして、スリップは、ウェーハ表面の段差となるため、反射光の強弱から発生したスリップの本数や長さを評価することができる。
【００３４】
（比較例１）
本比較例では、図４（ａ）に示すように、ＳｉＣ製の板状部１１と、ＳｉＣ製の環状部１３を備えたウェーハ支持具１５を形成した。ウェーハ支持具１５の板状部１１は、直径が３２０ｍｍで厚みを１.５ｍｍとし、中央部分に直径５０ｍｍの貫通孔３を設けた。ウェーハ支持具１５の環状部１３は、外径が２３０ｍｍ、内径が２２０ｍｍで厚みを３ｍｍとした。このようなウェーハ支持具１５の環状部１３に直径３００ｍｍのＳＩＭＯＸウェーハ９を載置して、実施例１と同様に熱処理後、魔境の原理によりＳＩＭＯＸウェーハ９に発生しているスリップを評価した。
【００３５】
（比較例２）
本比較例では、図５（ａ）に示すように、ＳｉＣ製の板状部１７と、単結晶Ｓｉ製の環状部１９を備えたウェーハ支持具２１を形成した。ウェーハ支持具２１の板状部１７は、直径が３２０ｍｍで厚みを０.８ｍｍとし、中央部分に直径１７０ｍｍの貫通孔３を設けた。ウェーハ支持具２１の環状部１９は、外径が２３０ｍｍ、内径が２２０ｍｍで厚みを３ｍｍとした。このようなウェーハ支持具２１の環状部１９に直径３００ｍｍのＳＩＭＯＸウェーハ９を載置して、実施例１と同様に熱処理後、魔境の原理によりＳＩＭＯＸウェーハ９に発生しているスリップを評価した。
【００３６】
（比較例３）
本比較例では、図６（ａ）に示すように、中央部分に貫通孔を設けていないＳｉＣ製の板状部２３と、単結晶Ｓｉ製の環状部２５を備えたウェーハ支持具２７を形成した。ウェーハ支持具２７の板状部２３は、直径が３２０ｍｍで厚みを１ｍｍとした。ウェーハ支持具２７の環状部２５は、外径が２３０ｍｍ、内径が２２０ｍｍで厚みを３ｍｍとした。このようなウェーハ支持具２７の環状部２５に直径３００ｍｍのＳＩＭＯＸウェーハ９を載置して、実施例１と同様に熱処理後、魔境の原理によりＳＩＭＯＸウェーハ９に発生しているスリップを評価した。
【００３７】
このような実施例１、比較例１乃至比較例３について、各々７枚ずつのＳＩＭＯＸウェーハ９についてスリップを評価した結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
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比較例１のウェーハ支持具１５では、貫通孔３を板状部１１に形成しているが、ＳＩＭＯＸウェーハ９と接触している環状部１３がＳｉＣ製である。このため、比較例１のウェーハ支持具１５では、表１及び図４（ｂ）に示すように、ＳＩＭＯＸウェーハ９と環状部１３との接着や、ＳＩＭＯＸウェーハ９と環状部１３との熱膨張係数の差によって、他に比べて強烈なスリップ１６が多数観察された。
【００３９】
比較例２のウェーハ支持具２１では、貫通孔３を板状部１７に形成し、ＳＩＭＯＸウェーハ９と接触している環状部１９が単結晶Ｓｉ製であるが、板状部１７の厚みが０.８ｍｍと薄く十分な機械的強度が得られない。このため、比較例２のウェーハ支持具２１では、表１及び図５（ｂ）に示すように、本数自体は他の比較例よりも少なく実施例１でスリップが観察された場合と同等であったが、板状部１７の熱変形などを反映している比較的濃く長いスリップ２２が観察された。また、実施例１のようにスリップがほとんど観察されないＳＩＭＯＸウェーハはなかった。
【００４０】
比較例３のウェーハ支持具２７では、ＳＩＭＯＸウェーハ９と接触している環状部１９が単結晶Ｓｉ製であるが、板状部２３には貫通孔が形成されていない。このため、比較例３のウェーハ支持具２７では、表１及び図６（ｂ）に示すように、ＳＩＭＯＸウェーハ９の環状部１９よりも外側の部分と内側の部分との温度差によって発生する外周部からのスリップ２８が比較的多数観察された。
【００４１】
これに対して本発明を適用してなる実施例１のウェーハ支持具１では、表１及び図７に示すように、スリップがないか、または、他の例よりも薄いスリップが数本入っている程度となっており、スリップの低減性能を向上できた。
【００４２】
さらに、実施例１における板状部５の厚みのみを１.３ｍｍ、１.５ｍｍに変えた場合でも、実施例１と同様の結果が得られた。加えて、実施例１における板状部５の貫通孔３の直径を１７０ｍｍに変えた場合でも、実施例１と同様の結果が得られた。また、実施例１における環状部７の厚みを４ｍｍ、４.５ｍｍ、７ｍｍに変えた場合でも、実施例１と同様の結果が得られた。
【００４３】
これらの結果から、本発明を適用してなるウェーハ支持具では、スリップの低減性能を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明を適用してなるウェーハ支持具の一実施形態の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明を適用してなるウェーハ支持具の一実施形態の概略構成を示す平面図である。
【図３】本発明を適用してなるウェーハ支持具の一実施形態の概略構成を示す斜視図である。
【図４】（ａ）は、従来のウェーハ支持具である比較例１のウェーハ支持具の概略構成を示す断面図、（ｂ）は、比較例１のウェーハ支持具を用いて熱処理を行なったＳＩＭＯＸウェーハのスリップの状態を画像化した結果の一例を模式的に示す図である。
【図５】（ａ）は、従来のウェーハ支持具である比較例２のウェーハ支持具の概略構成を示す断面図、（ｂ）は、比較例２のウェーハ支持具を用いて熱処理を行なったＳＩＭＯＸウェーハのスリップの状態を画像化した結果の一例を模式的に示す図である。
【図６】（ａ）は、従来のウェーハ支持具である比較例３のウェーハ支持具の概略構成を示す断面図、（ｂ）は、比較例３のウェーハ支持具を用いて熱処理を行なったＳＩＭＯＸウェーハのスリップの状態を画像化した結果の一例を模式的に示す図である。
【図７】本発明を適用してなるウェーハ支持具の一実施例を用いて熱処理を行なったＳＩＭＯＸウェーハのスリップの状態を画像化した結果の一例を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  ウェーハ支持具
３  貫通孔
５  板状部
７  環状部
９  シリコンウェーハ
【図１】
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【図２】
2006093283.tif 000005
【図３】
2006093283.tif 000006
【図４】
2006093283.tif 000007
【図５】
2006093283.tif 000008
【図６】
2006093283.tif 000009
【図７】
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