(57)【要約】【課題】  加工量を可及的に低減して加工時間の短縮及び加工屑の低減を図りつつも分割容易性を確保することが可能な結晶性基材の分割方法、及び、液体噴射ヘッドを提供する。【解決手段】  シリコンウェハー３５の結晶方位面方向に設定した切断予定線Ｌ１では、切断基点４０の形成数を疎にし、結晶方位面と交差する状態に設定した切断予定線Ｌ２では、切断基点４０の形成数を、結晶方位面方向に設定した切断予定線Ｌ１と比較して密にし、シリコンウェハー３５を切断基点４０から切断予定線Ｌ１，Ｌ２に沿ってを切断して複数のパーツに分割する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性を有する基材の表面に切断予定線を設定し、該切断予定線に沿って切断基点を複数形成し、該切断基点から切断予定線に沿って前記基材を切断して複数のパーツに分割する結晶性基材の分割方法であって、
前記切断予定線を結晶方位面方向に設定した場合には、切断予定線上における切断基点の形成数を疎にし、
前記切断予定線を前結晶方位面と交差する状態に設定した場合には、切断予定線における切断基点の形成数を、切断予定線を結晶方位面方向に設定した場合と比較して密にしたことを特徴とする結晶性基材の分割方法。
【請求項２】
前記切断基点は、前記基材の厚さ方向を貫通した貫通孔で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の結晶性基材の分割方法。
【請求項３】
前記切断基点は、前記基材の厚さ方向の途中まで穿設された窪みで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の結晶性基材の分割方法。
【請求項４】
前記切断基点は、前記基材の内部にレーザー光を集光し、集光部分のみを損傷させて形成された脆弱部により構成されていることを特徴とする請求項１に記載の結晶性基材の分割方法。
【請求項５】
結晶性を有する基材に切断予定溝を刻設し、該切断予定溝に沿って前記基材を切断して複数のパーツに分割する結晶性基材の分割方法であって、
前記切断予定溝を結晶方位面方向に設定した場合には、切断予定溝の深さをより浅くし、
前記切断予定溝を結晶方位面と交差する状態に設定した場合には、切断予定溝の深さを、切断予定溝を結晶方位面方向に設定する場合よりも深くしたことを特徴とする結晶性基材の分割方法。
【請求項６】
共通液体室又は液体を吐出するノズル開口に通ずる圧力発生室の少なくとも一方の液体流路となる部分が形成された結晶性を有する基材を請求項１から請求項５の何れかに記載の結晶性基材の分割方法で分割して得られる流路形成部材を備えることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばシリコンウェハー等の結晶性を有する基材に切断予定線を設定し、この切断予定線から基材を切断して複数のパーツに分割する結晶性基材の分割方法、及び、この結晶性基材を用いた液体噴射ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
圧力発生室内の液体に圧力変動を生じさせることでノズル開口から液滴として吐出させる液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられるインクジェット式記録ヘッド（以下、単に記録ヘッドという）、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材噴射ヘッド、バイオチップ（生物化学素子）の製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等がある。
【０００３】
上記記録ヘッドの場合を例に挙げると、複数のノズル開口が開設されたノズルプレート、ノズル開口に通じる圧力発生室等を含む液体流路を形成する流路形成部材、圧力発生室の液体に圧力変動を付与するための圧力発生素子を具備したアクチュエータユニット等を備えて構成されている。これらの構成部材、特に、上記流路形成部材は、記録画像の高密度化や記録動作の高速化に対応すべく、加工密度や加工精度の向上が要求される。そのため、この流路形成部材の材料としては、例えば、微細な形状を寸法精度良く形成可能なシリコンが好適に用いられる。
【０００４】
シリコンを基材として流路形成部材を作製する場合には、略円形状のシリコンウェハー上に、流路形成部材となる領域を複数区画し、各領域に液体流路となる部分をエッチングによって形成し、さらに流路形成部材となる部分にノズルプレート等の他の構成部材を組み付けた後、シリコンウェハーを切断予定線で切断して個々のパーツに分割する。シリコンウェハーを分割する方法としては、例えば、ダイサー等の切断機を用いる方法（例えば、特許文献１参照）や、切断予定線に沿ってレーザー光を照射して切断・分割する方法がある（例えば、特許文献２参照）。また、切断予定線上にエッチングによって複数の小さな貫通孔を穿設してブレイクパターンを形成し、シリコンウェハーに外力を加えることによりブレイクパターンを破断して複数のパーツに分割する方法もある（例えば、特許文献３）。これにより、１つのシリコンウェハーから複数の流路形成部材を得ることができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３７３８６９号公報
【特許文献２】特開２００２−１７２４７９号公報
【特許文献３】特開２００４−１８１９４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１や特許文献２に開示の分割方法では、分割加工時においてドロスやデブリと呼ばれる加工屑が発生するため、この加工屑のパーツへの付着防止対策を要するのに加え、潤滑油（研削液）や、冷却水などの液体を使用する必要があり、この液体によってパーツを汚染したりダメージを与える虞もある。また、特許文献１のように切断機を利用した分割方法では、例えば、シリコンウェハー上に流路形成部材となる領域を千鳥状に区画した場合等、複雑な形状の切断が難しいという問題があった。また、特許文献２のようにレーザーを利用した分割方法では、完全に切断するまでに長い時間を要するという問題があった。
【０００７】
また、特許文献３のようにエッチングを利用する分割方法では、一般的にはエッチング液を用いたウェットエッチングが行われるが、この場合、エッチングを施す部分以外をマスキングする必要があると共に、エッチング液の温度及び濃度や、エッチング時間等の細かい管理が必要となり、特許文献１や特許文献２に開示のものよりも工程が複雑であるという問題がある。さらには、高周波電圧を印加することで励起したエッチングガスによってエッチングを行うドライエッチングを用いる方法も考えられるが、ウェットエッチングに比べると加工に多くの時間を要するため、現実的ではない。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、加工量を可及的に低減して加工時間の短縮及び加工屑の低減を図りつつも分割容易性を確保することが可能な結晶性基材の分割方法、及び、液体噴射ヘッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の結晶性基材の分割方法は、上記目的を達成するために提案されたものであり、結晶性を有する基材の表面に切断予定線を設定し、該切断予定線に沿って切断基点を複数形成し、該切断基点から切断予定線に沿って前記基材を切断して複数のパーツに分割する結晶性基材の分割方法であって、
前記切断予定線を結晶方位面方向に設定した場合には、切断予定線上における切断基点の形成数を疎にし、
前記切断予定線を前記基材の表面における結晶方位面と交差する状態に設定した場合には、切断予定線における切断基点の形成数を、切断予定線を結晶方位面方向に設定した場合と比較して密にしたことを特徴とする。
【００１０】
上記構成によれば、結晶方位面方向に設定した切断予定線では、切断基点の形成数を疎にし、結晶方位面と交差する状態に設定した切断予定線では、切断基点の形成数を、切断予定線を結晶方位面方向に設定した場合と比較して密にしたので、加工量を最小限に抑えて加工時間の短縮及び加工屑の低減を図りつつも、基材の分割時には切断予定線に沿って確実に切断することが可能となる。
【００１１】
また、基材を比較的複雑な形状のパーツに分割する場合であっても当該パーツの形状に沿って切断基点を形成するだけで足りるので、分割形状の自由度をより広く確保することができる。
【００１２】
上記構成において、前記切断基点が、前記基材の厚さ方向を貫通した貫通孔で構成されていることが望ましい。
【００１３】
また、構成において、前記切断基点を、前記基材の厚さ方向の途中まで穿設された窪みとした構成を採用することもできる。
【００１４】
この構成によれば、切断基点の加工に関し、基板を完全に貫通する必要がないので、加工時間をより短縮すると共に、加工屑の発生をより低減することが可能となる。
【００１５】
上記構成において、前記切断基点が、前記基材の内部にレーザー光を集光し、集光部分のみを損傷させて形成された脆弱部により構成されてもよい。
【００１６】
この構成によれば、切断基点を基材の内部のみに形成するので、加工屑の発生をより確実に防止することができる。
【００１７】
また、本発明の結晶性基材の分割方法は、結晶性を有する基材に切断予定溝を刻設し、該切断予定溝に沿って前記基材を切断して複数のパーツに分割する結晶性基材の分割方法であって、
前記切断予定溝を結晶方位面方向に設定した場合には、切断予定溝の深さをより浅くし、
前記切断予定溝を結晶方位面と交差する状態に設定した場合には、切断予定溝の深さを、切断予定溝を結晶方位面方向に設定する場合よりも深くしたことを特徴とする。
【００１８】
上記構成によれば、結晶方位面方向に設定した切断予定溝では、その深さをより浅くし、結晶方位面と交差する状態に設定した切断予定溝では、その深さを、切断予定溝を結晶方位面方向に設定した場合と比較して深くしたので、加工量を最小限に抑えて加工時間の短縮及び加工屑の低減を図りつつも、基材の分割時には切断予定線に沿って確実に切断することが可能となる。
【００１９】
また、本発明の液体噴射ヘッドは、共通液体室又は液体を吐出するノズル開口に通ずる圧力発生室の少なくとも一方の液体流路となる部分が形成された結晶性を有する基材を、上記各構成の結晶性基材の分割方法で分割して得られる流路形成部材を備えることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、添付図面等を参照して説明する。なお、以下に述べる実施の形態では、本発明の好適な具体例として種々の限定がされているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。また、以下の説明は、本発明の液体噴射ヘッドとして、インクジェット式記録装置（液体噴射装置の一種。以下、単にプリンタという）に搭載されるインクジェット式記録ヘッド（以下、単に記録ヘッドという）を例に挙げて行う。
【００２１】
図１は、本実施形態における記録ヘッド１の概略斜視図、図２は、記録ヘッド１の要部断面図である。例示した記録ヘッド１は、カートリッジ基台２（以下、「基台」という）、駆動用基板５、ケース１０、流路ユニット１１、及び、アクチュエータユニット１３を主な構成要素としている。基台２は、例えば、エポキシ系樹脂等の合成樹脂によって成型されており、その上面にはフィルタ３を介在させた状態でインク導入針４が複数取り付けられている。これらのインク導入針４には、インクを貯留したインクカートリッジ（図示せず）が装着されるようになっている。
【００２２】
駆動用基板５は、図示せぬプリンタ本体側からの駆動信号を圧電振動子１９へ供給するための配線パターンが形成されると共に、プリンタ本体側との接続のためのコネクタ６や抵抗やコンデンサ等の電子部品８等を実装している。コネクタ６にはＦＦＣ（フレキシブルフラットケーブル）等の配線部材が接続され、駆動用基板５は、このＦＦＣを介してプリンタ本体側から駆動信号を受けるようになっている。そして、この駆動用基板５は、パッキンとして機能するシート７を介在させた状態で、インク導入針４とは反対側の基台２の底面側に配置される。
【００２３】
ケース１０は、合成樹脂製の中空箱体状部材であり、先端面（下面）には流路ユニット１１を接合し、内部に形成された収容空部１２内にはアクチュエータユニット１３を収容し、流路ユニット１１側とは反対側の基板取付面１４には駆動用基板５を取り付けるようになっている。また、このケース１０の先端面側には、金属製の薄板部材によって作製されたヘッドカバー１６が、流路ユニット１１の外側からその周縁部を包囲するように取り付けられる。
【００２４】
上記アクチュエータユニット１３は、櫛歯状に列設された複数の圧電振動子１９（圧力発生素子の一種）と、この圧電振動子１９が接合される固定板２０と、圧電振動子１９に駆動用基板５からの駆動信号を伝達するためのＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）等の配線部材２１等から構成される。各圧電振動子１９は、固定端部側が固定板２０上に接合され、自由端部側が固定板２０の先端面よりも外側に突出している。即ち、各圧電振動子１９は、所謂片持ち梁の状態で固定板２０上に取り付けられている。また、各圧電振動子１９を支持する固定板２０は、例えば厚さ１ｍｍ程度のステンレス鋼によって構成されている。そして、アクチュエータユニット１３は、固定板２０の背面を、収納空部１２を区画するケース内壁面に接着することで収納空部１２内に収納・固定されている。
【００２５】
流路ユニット１１は、弾性板２３、流路形成基板２４（本発明における流路形成部材に相当）、及びノズルプレート２５を積層した状態で接着剤等で接合して一体化することにより作製されており、共通インク室２７（本発明における共通液体室に相当）からインク供給口２８及び圧力発生室２９を通りノズル開口３０に至るまでの一連のインク流路（本発明における液体流路に相当）が形成された部材である。流路形成基板２４は、インク流路となる部分、具体的には、共通インク室２７となる空部、インク供給口２８となる溝部、及び、液体を吐出するノズル開口に通ずる圧力発生室２９となる空部を隔壁で区画した状態で、ノズルプレート２５に開設されたノズル開口３０に対応させて複数形成した板状の部材である。本実施形態において、流路形成基板２４は、シリコンウェハーをエッチング処理することによって作製されている。なお、流路形成基板２４に関し、本実施形態においては、圧力発生室２９と共通インク室２７の両方を有する構成としたが、要は、共通インク室２７又は圧力発生室２９の少なくとも一方のインク流路となる部分が形成された構成であればよく、例えば、流路形成基板２４とは別の部材によって共通インク室２７を形成する構成であっても良い。
【００２６】
上記の圧力発生室２９は、ノズル開口３０の列設方向（ノズル列方向）に対して直交する方向に細長い室として形成されている。また、共通インク室２７は、インクカートリッジに挿入されたインク導入針４側からのインクが導入される室である。そして、この共通インク室２７に導入されたインクは、インク供給口２８を通じて各圧力発生室２９に供給される。弾性板２３は、ステンレス鋼等の金属製の支持板上に弾性フィルムをラミネート加工した二重構造の複合板材である。この弾性板２３の圧力発生室２９に対応する部分には、圧電振動子１９の自由端部の先端を接合するための島部３２が形成されており、この部分がダイヤフラム部として機能する。また、弾性板２３は、共通インク室２７となる空部の一方の開口面を封止し、コンプライアンス部３３としても機能する。このコンプライアンス部３３に相当する部分については弾性フィルムだけにしている。
【００２７】
そして、この記録ヘッド１において、上記駆動用基板５から配線部材２１を通じて駆動信号が供給されると、圧電振動子１９が素子長手方向に伸縮し、これに伴い島部３２が圧力発生室２９に近接する方向或いは離隔する方向に移動する。これにより、圧力発生室２９の容積が変化し、圧力発生室２９内のインクに圧力変動が生じる。この圧力変動によってノズル開口３０からインク滴（液滴の一種）が吐出される。
【００２８】
図３は、上記流路形成基板２４の基材となるシリコンウェハー３５の平面図である。例示したシリコンウェハー３５は、厚さが流路形成基板２４の厚さに等しい４００μｍに設定されたシリコン単結晶基板であり、その表面３７は、結晶方位面（１１０）面に設定されている。また、この（１１０）面に直交する第１の（１１１）面は、エッチング処理における基準面となるオリエンテーションフラット（ＯＦ）を構成している。このシリコンウェハー３５のように、結晶性を有する基材は、無作為に外力を加えたり衝撃を与えたりしたときに、結晶が最密な結晶方位面に沿って割れ易い傾向にあり、例えば、上記シリコンウェハー３５のような面心立方晶構造（ＦＣＣ構造）の場合（１１１）面に沿って割れ易く、また、体心立方構造（ＢＣＣ構造）の場合（１１０）面に沿って割れ易い。本実施形態のシリコンウェハー３５の場合では、図４に示すように、第１の（１１１）面（同図Ａ）や、この第１の（１１１）面に対して約７０度の角度を有すると共に（１１０）面（表面３７）に直交する第２の（１１１）面（同図Ｂ）に沿って割れ易い。なお、図４は、あくまで一例を示したものであって、必ずしもこの例のように割れるものとは限らない。
【００２９】
本実施形態においては、シリコンウェハー３５の表面３７上であって、第１の（１１１）面方向に横方向の切断予定線Ｌ１を設定し、この切断予定線Ｌ１に直交する縦方向の切断予定線Ｌ２は、第１の（１１１）面と第２の（１１１）面の両方に交差するように設定されている。これらの切断予定線Ｌ１，Ｌ２によって、流路形成基板２４となる基板領域２４´が複数（本実施形態では１０箇所）千鳥状に区画されており、各領域２４´内に上記インク流路となる部分（図示せず）がエッチングによって形成されている。なお、上記切断予定線Ｌ１，Ｌ２は、仮想線であっても良いし、実際に引かれた線であっても良い。
【００３０】
そして、インク流路が形成された各領域２４´に、ノズルプレート２５や弾性板２３等の他の構成部材を組み付けた後、シリコンウェハー３５を、切断予定線Ｌ１，Ｌ２で切断して個々のパーツ（流路ユニット１１）に分割する。シリコンウェハー３５には、切断予定線Ｌ１，Ｌ２に沿って切断して個々のパーツに分割するために、割れを誘導するための切断基点４０が、各切断予定線Ｌ１，Ｌ２に沿って複数設けられている。この切断基点４０は、本実施形態においては、レーザー光によってシリコンウェハー３５の厚さ方向を貫通した貫通孔で構成されており、その形成数は、横方向の切断予定線Ｌ１では疎、縦方向の切断予定線Ｌ２では切断予定線Ｌ１よりも密になっている。つまり、第１の（１１１）面方向に設定された切断予定線Ｌ１は、この第１の（１１１）面に沿って割れ易いので、この切断予定線Ｌ１における切断基点４０の形成数は最小限に抑えられている。具体的には、基板領域２４´の一片につき３つの切断基点４０が形成されている。一方、第１の（１１１）面と第２の（１１１）面に交差する状態に設定された切断予定線Ｌ２は、切断予定線Ｌ１に比べると割れにくいため、切断基点４０を密に形成してより脆弱にすることで、分割時に割れを積極的に誘導するようになっている。
【００３１】
図５は、上記切断基点４０の形成に用いられるレーザー加工装置４１の構成を説明する模式図である。なお、同図においてシリコンウェハー３５については、切断予定線における断面で示している。レーザー加工装置４１は、レーザー光を発生するレーザー光源４２、このレーザー光源４２から発生されたレーザー光の進行方向を調整するための反射ミラー４３、及び、反射ミラー４３からのレーザー光を複数に分岐してシリコンウェハー３５に集光する分岐素子４４等から構成されている。本実施形態では、シリコンに対するエネルギー吸収率が高いＹＡＧレーザーを用いて切断基点４０を形成する。なお、シリコンウェハー３５を加工できるものであれば、このＹＡＧレーザーに限らず、他のレーザーを用いることも可能である。
【００３２】
また、分岐素子４４としては、光の回折を利用した光学回折素子や、フレネル型位相格子などを用いることができる。この分岐素子４４を用いることにより、複数箇所の同時加工が可能となるので、効率良く切断基点４０を形成することができる。そして、切断予定線Ｌ１，Ｌ２に応じて分岐数を異ならせた２種類の分岐素子４４を用い、切断予定線Ｌ１と切断予定線Ｌ２とで、単位長さ当たりの切断基点４０の形成数を変える。即ち、切断予定線Ｌ１に沿って切断基点４０を形成する場合には、分岐数が比較的少ない分岐素子４４を使用することで単位長さ当たりの切断基点４０の形成数を疎にする。これに対し、切断予定線Ｌ２に沿って切断基点４０を形成する場合には、切断予定線Ｌ１の場合よりも分岐数が多い分岐素子４４をすることで単位長さ当たりの切断基点４０の形成数を密にする。
なお、本実施形態においては、分岐素子４４がレーザー光の分岐機能と集光機能の両方を有する構成としたが、分岐素子４４を分岐機能のみを有するものとし、集光機能を有する集光レンズを別途用いる構成としても良い。
【００３３】
次に、上記レーザー加工装置４１を利用した切断基点４０の形成について説明する。なお、加工の際、加工雰囲気を大気圧よりも減圧した状態にするのが望ましい。このようにすると、加工時に飛散して気体となったシリコンの分子が空中を漂う時間が延び、飛散分子が再結合するまでの時間を延すことができるので、吸引等により飛散分子を効率的に排除することができる。その結果、ドロスやデブリ等の加工屑の発生を抑えることが可能となる。
【００３４】
レーザー光源４２から発生されたレーザー光は、まず反射ミラー４３に入射し、この反射ミラー４３によって分岐素子４４側に向けて反射される。反射ミラー４３からのレーザー光は、分岐素子４４に入射し、この分岐素子４４によって分岐されると共に、シリコンウェハー３５の表面３７における切断予定線上に集光照射される。これにより、切断予定線における複数箇所が同時に溶融し始め、暫くすると、シリコンウェハー３５の厚さ方向を貫通し、切断基点４０が形成される。そして、この加工を、図４の矢印で示すように切断予定線に沿って順次行うことで、各切断予定線Ｌ１，Ｌ２に夫々切断基点４０を形成する。
【００３５】
以上の工程を経て切断予定線Ｌ１，Ｌ２に沿って切断基点４０を形成したならば、次に、シリコンウェハー３５を切断予定線Ｌ１，Ｌ２に沿って切断することで、個々のパーツに分割する。このシリコンウェハー３５の分割の際、手や治具を用い、切断予定線Ｌ１，Ｌ２に曲げ応力を作用させることで分割するようにしてもよいが、以下では、一例として、伸張性を有するシート部材を分割前のシリコンウェハー３５の表面に貼着し、このシート部材をシリコンウェハー３５の面方向に伸張させることで切断予定線Ｌ１，Ｌ２に沿って切断させる所謂エキスパンドブレイクによる分割を説明する。
【００３６】
図６は、エキスパンドブレイクについて説明する模式図である。このエキスパンドブレイクでは、まず、切断基点４０が形成されたシリコンウェハー３５の表面に、伸張性を有するシート部材４７（ダイシングテープ）を貼着する。このシート部材４７の周縁部には、内径がシリコンウェハー３５の外径（例えば、１５０ｍｍ）よりも大きく（例えば、１８０ｍｍ）設定された保持リング４８が取り付けられている。
【００３７】
そして、シート部材４７が貼着された状態のシリコンウェハー３５は、図６（ａ）に示すように、テーブル４９の上に載置され、その上方には、内径が保持リング４８と揃えられたエキスパンドリング５０が配置される。この状態でエキスパンドリング５０を下方に降下させると、エキスパンドリング５０が保持リング４８に当接する。その後、エキスパンドリング５０をさらに降下させると、これに伴って、図６（ｂ）に示すように、シート部材４７が伸張し、シリコンウェハー３５は、中心から放射状に引っ張られる。その結果、シリコンウェハー３５は、各切断基点４０から切断予定線Ｌ１，Ｌ２に沿って切断され、個々の流路形成基板２４に分割される。この際、切断予定線Ｌ１は、切断予定線Ｌ２よりも切断基点４０の数が少ないが、割れが生じやすい第１の（１１１）面に沿って設定されているので、簡単に切断することができる。一方、切断予定線Ｌ２では、切断予定線Ｌ１よりも多く形成された切断基点４０が切断予定線Ｌ２に沿って割れを誘導するので、この切断予定線Ｌ２においても確実に切断することができる。
【００３８】
以上のように、上記構成によれば、切断予定線をシリコンウェハー３５の結晶方位面方向（上記の例では第１の（１１１）面）に設定した場合には、この切断予定線上における切断基点４０の形成数を疎にし、切断予定線を結晶方位面（表面３７を除く）と交差する状態に設定した場合には、この切断予定線における切断基点４０の形成数を、結晶方位面方向に設定した場合と比較して密にしたので、加工量を最小限に抑えて加工時間の短縮及び加工屑の低減を図りつつも、シリコンウェハー３５の分割時には各切断予定線に沿って確実に切断することが可能となる。
【００３９】
また、比較的複雑な形状のパーツに分割する場合であっても当該パーツの形状に沿って切断基点４０を形成するだけで足りるので、分割形状の自由度をより広く確保することができる。
【００４０】
なお、以上では、切断基点４０に関し、レーザー光によってシリコンウェハー３５の厚さ方向を貫通した貫通孔で構成した例を示したが、必ずしも貫通させる必要はなく、シリコンウェハー３５の厚さ方向の途中まで穿設した窪みで構成することもできる。このようにすると、シリコンウェハー３５を完全に貫通する必要がないので、加工時間をより短縮すると共に、加工屑の発生をより低減することが可能となる。また、レーザー光に限らず、ダイサー等の切断機を用いて切断基点４０を形成することも可能である。これにより、レーザー光を用いる場合よりも短時間の加工で切断基点４０を形成することができる。さらに、切断基点４０をエッチングによって形成することも可能である。この場合、切断基点４０を貫通させずに途中まで穿設した窪みで構成（所謂ハーフエッチング）することで、エッチング液のシリコンウェハー３５の裏面への回り込みを防止することができる。したがって、シリコンウェハー３５の裏面にマスキングを施す必要が無く、工程を簡略化することができる。
【００４１】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態においては、例えば、フェムト秒レーザー加工装置を用いて、シリコンウェハー３５の内部にレーザー光を集光し、集光部分のみを損傷させて形成した脆弱部により切断基点４０´を構成していることに特徴を有している。このフェムト秒レーザーは、極めて短時間にエネルギーが集光部分に集中するため、熱が発生する前に加工が進行し、集光部分のみの加工が誘起され周囲には損傷が及ばない。つまり、外見上シリコンウェハー３５の表面に切断基点４０´を視認することはできない。なお、その他の構成は上記実施形態と同様であるので、その説明は適宜省略する。
【００４２】
図７は、本実施形態における切断基点４０´の形成について説明する要部拡大図であり、シリコンウェハー３５は、切断予定線における断面で示している。同図において、符号５５は、フェムト秒レーザー加工装置からのレーザー光を集光するための集光レンズであり、この集光レンズ５５の位置を調整することで、レーザー光の集光点をシリコンウェハー３５の内部に設定する。これにより、シリコンウェハー３５の内部には多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷によって、シリコンウェハー３５の内部のみに他の部分よりも脆弱な切断基点４０´が形成される。この切断基点部４０´も、上記実施形態における切断基点４０と同様に、シリコンウェハー３５の分割時に分割の基点になると共に割れを誘導する機能を果たす。
【００４３】
本実施形態においても、結晶方位面方向（第１の（１１１）面）に設定した切断予定線では切断基点４０´の形成数を疎にし、結晶方位面と交差する状態に設定した切断予定線では、切断基点４０の形成数を、結晶方位面方向に設定した場合と比較して密にすることで、加工量を可及的に低減して加工時間を短縮しつつも分割容易性を確保することが可能となる。特に、本実施形態の場合、切断基点４０´をシリコンウェハー３５の内部のみに形成するので、加工屑の発生を一層確実に防止することができる。
【００４４】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図８は、本実施形態におけるシリコンウェハー３５の構成を説明する一部拡大図である。上記各実施形態では、切断予定線に切断基点４０（４０´）を断続的に形成する構成を示したが、本実施形態においては、シリコンウェハー３５の切断予定線Ｌ１，Ｌ２に沿って切断予定溝６０を刻設することに特徴を有している。なお、その他の部分は上記実施形態と同様であるので、その説明は適宜省略する。
【００４５】
本実施形態においては、図９に示すように、結晶方位面方向（第１の（１１１）面）に設定した切断予定溝６０については深さＤ１をより浅くし、結晶方位面（第１の（１１１）面及び第２の（１１１）面）と交差する状態に設定した切断予定溝６０については深さＤ２を、深さＤ１よりも深くしている。つまり、第１の（１１１）面方向に設定された切断予定溝６０については、深さＤ１を浅くすることで加工量を可及的に抑え、これにより、加工時間の短縮および加工屑の発生の低減を図っている。一方、結晶方位面（表面３７の（１１０）面を除く）と交差する状態に設定した切断予定溝６０は、結晶方位面方向に設定する場合と比べると割れにくいため、深さＤ２をＤ１よりも深くして脆弱にすることで、分割時に切断予定線Ｌ２に沿って割れを積極的に誘導するようになっている。このように、本実施形態における構成によっても、上記各実施形態と同様な効果を得ることができる。即ち、加工量を最小限に抑えて加工時間の短縮及び加工屑の低減を図りつつも、シリコンウェハー３５の分割時には各切断予定線（切断予定溝）に沿って確実に切断することが可能となる。
【００４６】
ところで、本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて種々の変形が可能である。
【００４７】
以上においては、シリコンウェハー３５を用いて記録ヘッド１の流路形成基板２４を作製する例を示したが、これには限らず、例えば、シリコンウェハーを用いて半導体素子等を作製する場合においても、本発明を適用することができる。
【００４８】
また、以上では、液体噴射ヘッドとして、インクジェット式記録ヘッド１を例に挙げて説明したが、本発明は他の液体噴射ヘッドにも適用することができる。例えば、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材噴射ヘッド、バイオチップ（生物化学素子）の製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】記録ヘッドの構成を説明する分解斜視図である。
【図２】記録ヘッドの構成を説明する要部断面図である。
【図３】流路形成基板の基材となるシリコンウェハーの平面図である。
【図４】シリコンウェハーの割れ方の一例を説明する模式図である。
【図５】切断基点の形成に用いられるレーザー加工装置の構成を説明する図である。
【図６】エキスパンドブレイクについて説明する模式図である。
【図７】第２の実施形態における切断基点の形成について説明する要部拡大図である。
【図８】第３の実施形態におけるシリコンウェハーの構成を説明する一部拡大図である。
【図９】（ａ）は、第１の（１１１）面に沿って設定された切断予定溝の断面図、（ｂ）は、第１の（１１１）面及び第２の（１１１）面に交差する状態に設定された切断予定溝の断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  記録ヘッド，２  カートリッジ基台，３  フィルタ，４  インク導入針，５  駆動用基板，６  コネクタ，７  シート，８  電子部品，１０  ケース，１１  流路ユニット，１２  収容空部，１３  アクチュエータユニット，１４  基板取付面，１６  ヘッドカバー，１９  圧電振動子，２０  固定板，２１  フレキシブルケーブル，２３  弾性板，２４  流路形成基板，２５  ノズルプレート，２７  共通インク室２８  インク供給口，２９  圧力発生室，３０  ノズル開口，３２  島部，３５  シリコンウェハー，３７  シリコンウェハーの表面，４０  切断基点，４１  レーザー加工装置，４２  レーザー光源，４３  反射ミラー，４４  分岐素子，４７  シート部材，４８  保持リング，４９  テーブル，５０  エキスパンドリング，５５  集光レンズ，６０  切断予定溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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