(57)【要約】【課題】  基板に塗布液を滴下した後、基板を回転させ塗布膜を形成する塗布膜形成装置において、高粘度の塗布液を使用した場合、膜厚が不均一になるという問題と塗布液中に気泡の巻き込みが生じるという問題があった。【解決手段】  塗布膜形成装置に駆動モーター１、回転軸２、スピンチャック３からなる駆動部と、塗布液滴下ノズル５からなる塗布液供給部と、およびエアーブローノズル８からなる空気吹き付け部を設けるとともに、基板４の識別情報に基づく製造条件を記憶するメモリー部１１と、メモリー部１１から読み出した製造条件を各動作部に設定し、各部の動作を制御する制御部１２を設置する。【選択図】  図１
2006108374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布液が塗布され回路パターンが形成される基板を回転させるための駆動部と、
塗布液を前記基板の表面に供給する塗布液供給部と、
空気を前記基板の表面に吹き付けるための空気吹き付け部と、
少なくとも前記塗布液供給部により実行される塗布液滴下処理、前記駆動部により実行される基板回転処理、前記空気吹き付け部により実行される空気吹き付け処理を実行させるための製造条件を記憶するメモリー部と、
前記基板を識別するための識別情報に基づき前記メモリー部から読み出した製造条件に従って前記駆動部、前記塗布液供給部、および前記空気吹き付け部を制御し、前記塗布液滴下処理、前記基板回転処理、前記空気吹き付け処理の開始および終了を実行させる制御部とを備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項２】
制御部は、塗布液滴下処理と空気吹き付け処理を同時に開始し、前記塗布液滴下処理の終了後も前記空気吹き付け処理を所定時間継続するとともに、前記空気吹き付け処理終了直後に基板回転処理を開始するように、塗布液供給部と空気吹き付け部と駆動部の動作タイミングを制御することを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
【請求項３】
制御部は、塗布液滴下処理に先立ち空気吹き付け処理を開始し、前記塗布液滴下処理の終了後も前記空気吹き付け処理を所定時間継続するとともに、前記空気吹き付け処理終了直後に基板回転処理を開始するように、塗布液供給部と空気吹き付け部と駆動部の動作タイミングを制御することを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
【請求項４】
制御部は、塗布液滴下処理に先立ち空気吹き付け処理を開始し、前記塗布液滴下処理の終了後も前記空気吹き付け処理を所定時間継続するとともに、前記空気吹き付け処理の終了後、所定時間経過した後に基板回転処理を開始するように、塗布液供給部と空気吹き付け部と駆動部の動作タイミングを制御することを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
【請求項５】
メモリー部は、塗布液の種類、塗布液の滴下量、塗布液の滴下時間、空気吹き付け圧力、空気吹き付け時間を含む製造条件を記憶しており、
制御部は、基板の識別情報に応じて前記メモリー部から読み出した前記製造条件に基づき、所定の塗布液の種類を選別し、塗布液供給部から所定量の塗布液を所定の時間前記基板表面に滴下させ、空気吹き付け部から所定の吹き付け圧力と所定の時間で空気を前記基板表面に吹き付けさせることを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
【請求項６】
メモリー部は、駆動部の回転速度、回転時間、空気吹き付け圧力、空気吹き付け時間を含む製造条件を記憶しており、
制御部は、さらに基板の識別情報に応じて前記メモリー部から読み出した前記製造条件に基づき、所定の速度と所定の時間で駆動部を回転させ、空気吹き付け部から所定の吹き付け圧力と所定の時間で空気を前記基板に吹き付けさせることを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
【請求項７】
制御部は、識別情報をネットワークを介して読み取ることを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置（Liquid Crystal Display；以下LCDと呼ぶ）基板のような塗布体上やこの上に形成された層の上に、例えばレジスト膜のような液状塗布膜を形成するための塗布膜形成装置に関するものである。さらに詳しくは、高粘度レジスト等の塗布後の回転時における気泡の巻き込みを防止し、安定した膜厚均一性の高い塗布膜を得る塗布膜形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般にＬＣＤ技術の分野では、ＬＣＤ基板上に形成された半導体層、絶縁体層、電極層を選択的に所定のパターンに形成（エッチング）する場合に、パターン部をマスキングするため層の表面に溶剤と感光性樹脂からなるレジスト膜が形成される。
【０００３】
次にレジスト膜を基板上に形成する工程について説明する。まず、角形のＬＣＤ基板（以下、基板という）を、処理容器内に配設される載置台上に載置固定する。次に載置台に固定された基板中央部分にレジスト液を滴下させる。そして、レジスト液が基板の一定範囲以上に広がるのを待った後、基板を回転させる。このように基板にレジスト液を滴下させた後基板を回転させることにより基板中心部から周辺部に向け均一にレジストを拡散させて塗布する塗布膜形成装置が知られている。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−５１０６１号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板にレジスト液を滴下した後、基板を回転させる従来の塗布膜形成装置では粘度の高いレジスト液を塗布した場合、レジスト膜中に気泡を巻き込んでしまい、高精度な膜均一性を確保できないという課題があった。以下、図９を参照しながら気泡の巻き込みが発生する過程を説明する。
【０００６】
図９（ａ）はレジスト液が滴下された後、基板が回転する前の状態を表す概念図である。図中、網掛け部分は滴下されたレジストを示す。図９（ｂ）は図９（ａ）の丸囲みＦ部分の拡大図である。図中、記号θは基板４とレジストの親和性を表わしている接触角を示す。この接触角は通常、レジストの粘度が高いほど急峻になる。図９（ｃ）は基板４の回転を開始した直後のレジスト形状２５を示す図である。図中、破線の矢印は、基板の回転が開始された後のレジスト先端部の動く方向を示している。レジスト滴下後、基板４を回転させると遠心力によりレジストは基板周辺方向に広がる。この時、基板４に接触しているレジスト下部にはレジスト上部より大きな摩擦力が作用しているため、レジスト下部よりもレジスト上部の方から基板周辺方向に広がる状態となる。
【０００７】
図９（ｄ）は図９（ｃ）の次の瞬間のレジスト形状２６を示す図で、レジストの上部がさらに外周部方向へ移動し、基板４との接触部を巻き込むように基板方向に落下する状態を示している。図９（ｅ）はレジスト上部が基板４に到達し、気泡２７を巻き込んだ状態になったレジスト形状２８を示す図で、レジストと基板４との接触部分の空気が逃げ切れず上からかぶさってきたレジストに巻き込まれて気泡２７としてレジスト中に残存した状態を示している。図９（ｆ）は回転が終了した後のレジスト形状２９を示す図で、レジスト膜中に気泡２７が残っている状態を示している。このようにして発生したレジス膜中の気泡は、後の製造工程でパターン不良の原因となり製品の歩留まり低下をもたらす。
【０００８】
このような気泡の発生を防止するため、例えばレジスト液塗布前に、基板表面の汚染物質を除去する処理を行うことが考えられる。レジスト液を塗布する前に基板表面の清浄度を上げることにより、基板表面とレジスト液との親和性が改善される。したがって、基板を回転させた際に外周方向に広がるレジスト端部の接触角が緩やかになるため、高粘度のレジスト液拡散時に発生する気泡の巻き込みを防止して膜均一性を確保するという効果が期待できる。
【０００９】
しかしながら、このような手法では、製造工程が増えるため全体の処理数量が低下するという問題のほか、工程の追加に伴う歩留まり低下や製造コストの上昇という問題が生じる。また、基板表面の清浄による接触角低減にも限界があり、基板回転時の完全な気泡の巻き込み防止策にはなり得なかった。
【００１０】
この発明は、上述のような問題点を解決するためになされたもので、高粘度のレジスト液を用いる場合であっても、高精度な膜均一性を得ることができる塗布膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明に係る塗布膜形成装置は、塗布液が塗布され回路パターンが形成される基板を回転させるための駆動部と、塗布液を前記基板の表面に供給する塗布液供給部と、空気を前記基板の表面に吹き付けるための空気吹き付け部と、少なくとも前記塗布液供給部により実行される塗布液滴下処理、前記駆動部により実行される基板回転処理、前記空気吹き付け部により実行される空気吹き付け処理を実行させるための製造条件を記憶するメモリー部と、前記基板を識別するための識別情報に基づき前記メモリー部から読み出した製造条件に従って前記駆動部、前記塗布液供給部、および前記空気吹き付け部を制御し、前記塗布液滴下処理、前記基板回転処理、前記空気吹き付け処理の開始および終了を実行させる制御部とを備えたものである。
【発明の効果】
【００１２】
この発明に係る塗布膜形成装置は、塗布液が塗布され回路パターンが形成される基板を回転させるための駆動部と、塗布液を前記基板の表面に供給する塗布液供給部と、空気を前記基板の表面に吹き付けるための空気吹き付け部と、少なくとも前記塗布液供給部により実行される塗布液滴下処理、前記駆動部により実行される基板回転処理、前記空気吹き付け部により実行される空気吹き付け処理を実行させるための製造条件を記憶するメモリー部と、前記基板を識別するための識別情報に基づき前記メモリー部から読み出した製造条件に従って前記駆動部、前記塗布液供給部、および前記空気吹き付け部を制御し、前記塗布液滴下処理、前記基板回転処理、前記空気吹き付け処理の開始および終了を実行させる制御部とを備えたので、メモリー部に記憶させた動作タイミングを含む動作条件を、塗布処理される複数の各基板の識別情報に基づき呼び出して各動作部が制御されるため、高粘度の塗布液に対しても容易に均一性が向上した塗布膜を形成することが可能になる。また、膜質が向上するため製造工程の歩留まりを改善できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１における塗布膜形成装置の構成図、図２は塗布膜形成工程で使用する製造条件（以下、レシピという）の設定例を示す一覧表、図３はこの発明の実施の形態１における塗布膜形成装置の主要部の動作タイミングを示すタイミングチャートである。
【００１４】
図１において、駆動モーター１に回転軸２の一端部が接続され、その他端に被塗布体であるＬＣＤガラス基板４（以下、基板という）を載置するスピンチャック３が接続される。スピンチャック３に載置された基板４は駆動モーター１により回転軸２を介し回転される。上記のように駆動部は駆動モータ１、回転軸２、スピンチャック３を含むものである。また、図１に示すように、例えばレジストや有機膜のような塗布液を基板４に滴下する塗布液供給部としてレジスト滴下ノズル５が設置される。このレジスト滴下ノズル５は、保存容器６からレジスト供給管７を介してレジストの供給を受ける。さらに、基板４の表面に空気を吹き付けるための空気吹き付け部としてエアーブローノズル８が配置される。空気はエアーコンプレッサー９から空気供給管１０を介してエアーブローノズル８に供給される。
【００１５】
塗布膜形成装置に配置されるメモリー部１１は、塗布膜を形成する製造工程で参照される製造条件が登録されたレシピを記憶している。図２に示されているのは塗布膜形成装置で使用されるレシピの例である。図２において、各レシピは製品の仕様に応じてその値が異なり、その組み合わせはレシピ番号にて管理される。図２はレシピ番号が１と２のように２種類のレシピが記憶されている。さらにこのレシピ番号は基板４の識別情報、例えば製造型名やロット番号に関連付けされている。図２に示すレシピは、例えば、「レジストの種類」、「レジスト滴下量」、「レジスト滴下時間」、「基板回転速度」、「基板回転時間」、「空気吹き付け圧力」、「空気吹き付け時間」、「タイミングチャート」のような製造条件に関する情報を「レシピ番号別」に管理するものである。
【００１６】
上記各レシピは基板の識別情報に応じて選択的に読み出される。そして、図２に示すレシピの各製造条件のうち、塗布液滴下処理に関する「レジスト滴下量」、「レジスト滴下時間」をレジスト滴下条件、基板回転処理に関する「基板回転速度」、「基板回転時間」を基板回転条件、空気吹き付け処理に関する「空気吹き付け圧力」、「空気吹き付け時間」を空気吹き付け条件と特に称する。なお、以下の説明では基板識別情報が「ａ」である場合にはレシピ番号１を、「ｂ」である場合にはレシピ番号２を用いるものとする。
【００１７】
制御部１２は外部から入力された基板４の識別情報をメモリー部１１に照会し、レシピ番号で管理されている各レシピを識別情報に基づいて読み出す。そして、制御部１２は読み出したレシピ番号に基づきレジストの種類、レジスト滴下量、レジスト滴下時間、基板回転速度、基板回転時間、空気吹き付け圧力、空気吹き付け時間、タイミングチャートの各製造条件を読み出し塗布膜形成装置の各動作部の動作設定を行う。
【００１８】
ここで、レジストの種類と使用量、基板の回転速度と回転時間、および空気の吹き付け圧力と空気吹き付け時間には次のような関係がある。例えば、使用するレジストの粘度が高い場合には、レジストの使用量は低粘度のレジストを使用する場合にくらべて増やすとともに基板の回転速度を低速に設定し、基板回転時間を長くする必要がある。そして、空気吹き付け圧力を高めに、吹き付け時間を長くする必要がある。このように、使用するレジストの種類、特にその粘度の違いに応じて、レジスト塗布処理を制御する製造条件を変更することはレジストの種類に関わらず高精度な膜均一性を確保するために有益である。
【００１９】
より具体的には、制御部１２が受け取った識別情報が「ａ」の場合、制御部１２はレシピ番号「１」に対応するレシピ１を読み出す。そして、読み出したレシピ１に登録された各製造条件に従い、滴下すべきレジストの種類が「Ａ」、塗布液滴下条件である塗布液滴下量が「２０ｃｃ」、塗布液滴下時間が「５ｓｅｃ」であることを認識する。また、基板回転条件である基板回転速度が「１４０００ｒｐｍ」、基板回転時間が「１０ｓｅｃ」であることを認識する。さらに、空気吹き付け条件である空気吹き付け圧力が「０．１Ｍｐａｓ」、空気吹き付け時間が「１０ｓｅｃ」であることを認識する。そして、制御部１２は上記のように認識した各製造条件に従って動作させるよう各動作部にパラメータ設定を行う。各動作部により実行される塗布液滴下処理、基板回転処理、空気吹き付け処理の開始及び終了はレシピ１のタイミングチャート「１」に従って制御される。
【００２０】
一方、制御部１２が受け取った識別情報が「ｂ」の場合、制御部１２はレシピ番号「２」に対応するレシピ２を読み出す。そして、読み出したレシピ２に登録された各製造条件に従い、滴下すべきレジストの種類が「Ｂ」であることを認識する。なお、レジストの種類「Ｂ」は「Ａ」よりも粘度が高いものとする。この場合、制御部１２は、塗布液滴下条件である塗布液滴下量が「２５ｃｃ」、塗布液滴下時間が「７ｓｅｃ」であることを認識する。また、基板回転条件である基板回転速度が「１２０００ｒｐｍ」、基板回転時間が「２０ｓｅｃ」であることを認識する。さらに、空気吹き付け条件である空気吹き付け圧力が「０．２Ｍｐａｓ」、空気吹き付け時間が「１５ｓｅｃ」であることを認識する。そして、各動作部により実行される塗布液滴下処理、基板回転処理、空気吹き付け処理の開始及び終了はレシピ２のタイミングチャート「２」に従って制御される。
【００２１】
続いて制御部１２は、外部の基板搬送装置、例えばロボットアームなどに指示を出し塗布膜形成装置への基板搬送を開始させる。搬送されてきた基板４は、塗布膜形成装置のスピンチャック３上に設置され、真空吸引により塗布処理の間だけ固定される。この時、基板４の位置がスピンチャック３上の所定位置からずれていたり、真空吸引に漏れがあるなど塗布処理に支障をきたすようなエラーが検出された場合は、制御部１２の指示により処理が一旦中止され警報が出される。基板４の固定が確認されると制御部１２は処理の再開を指示する。レジスト膜塗布が完了すると、スピンチャック３の真空吸引が解かれ基板４は取り外し自由になる。そこで、制御部１２の指示により、基板搬送装置がレジスト塗布済基板１３を塗布膜形成装置から取り去り、また新たな基板４を搬送する。所定枚数の基板４に対しこれらの処理を繰り返すことになる。
【００２２】
以下、レジストが塗布される工程について説明する。図３において、基板４の固定が確認されると、制御部１２はレシピ１のタイミングチャートにしたがって、タイミングＡで基板４に対して空気吹き付け処理と塗布液滴下処理を同時に開始させる。そして、塗布液滴下処理を所定時間実施した後終了させる。その後、空気吹き付け処理を終了させるのと同時にタイミングＣで基板回転処理を開始させて基板４上にレジスト膜を拡散させる。この時のレジスト端部形状の推移は図４に示されるとおりである。
【００２３】
図４において、図４（ａ）は空気吹き付け時のエアーブローノズル８、レジスト、基板４の関係を示す概念図である。図中、破線の矢印は空気の吹き付けを示す。また網掛け部分はレジストを示している。図４（ｂ）は空気吹き付け処理が開始された後の図４（ａ）円Ｄの拡大図である。図中、破線の矢印は空気の吹き付けを示す。空気吹き付け処理が開始される前のレジスト形状１４は、空気吹き付け処理を実施しない従来の塗布方法におけるレジスト端部の形状と同様に急峻になっている。空気吹き付け処理が実施されている間のレジスト形状１５は、空気が吹き付けられるレジスト表面部分が凹み、レジストの外周部はさらに外へと押し広げられ、図中の太線で示すように波打ったような状態になる。
【００２４】
図４（ｃ）はレジスト供給終了後、一定時間空気吹き付け処理を行った後のレジスト形状１６を示す図で、吹き付けられる空気圧で外周部へ押し出されたレジストは従来の１．５倍以上の範囲に広がり、レジストの端部形状は空気吹き付け処理の開始前に比べて緩やかになっている。図４（ｄ）は図４（ｃ）の状態から基板回転処理を開始した直後のレジスト形状１７を示す図である。基板回転処理を開始する前のレジスト端部の形状が緩やかになっているため、気泡の巻き込みは発生しない。図４（ｅ）は基板回転処理が終了した後のレジスト形状１８を示す図である。基板回転処理開始前に実施された空気吹き付け処理により、レジストが広範囲に拡散され、かつレジスト端部が緩やかになっている。したがって、レジストは気泡の巻き込みを防止しながら、基板回転処理開始時に基板外周方向へ容易に拡散する。以上のように、基板回転処理の開始前に空気吹き付け処理を実施することにより、レジストを広範囲に拡散でき、気泡の巻き込みを防止することができるので、基板回転後の膜厚ばらつきが少なくなり均一なレジスト膜が得られる。
【００２５】
このように構成された塗布膜形成装置においては、基板の識別情報に基づきメモリー部１１から呼び出されたレシピに基づいて、制御部１２が空気吹き付け部を含む他の動作部の製造条件と動作タイミングを塗布液が塗布される基板に応じて選択的に制御するので、塗布するレジストの種類や粘度に関わらずレジスト塗布とレジスト膜の形成が正確に安定して行うことが可能となる。したがって、レジスト膜の形成処理を被処理基板に応じた最適な製造条件で行うことが可能となる。特に、高粘度な塗布液を用いた場合でも空気吹き付け処理により基板回転処理時の外周部方向へのより大きな拡散が可能になり、高精度な塗布膜形成が容易に行えるようになる。さらには空気吹き付け処理により基板回転処理前のレジスト端部の形状が緩やかになることで基板回転処理時の気泡の巻き込みが防止され、結果としてパターン不良の発生も低減できる。
【００２６】
実施の形態２．
図５に実施の形態２における動作のタイミングチャートを示す。装置の構成は実施の形態１と同様であるので説明は省略する。図５において、制御部１２は、タイミングＤで空気吹き付け処理を開始し、その後、タイミングＥでレジスト滴下処理を開始する。そして、レジスト滴下処理、空気吹き付け処理が終了するタイミングＧで基板回転処理を開始させる。
【００２７】
このように、レジスト滴下処理開始前から空気吹き付け処理を開始させるように制御することにより、レジストが滴下される時には吹き付けられる空気圧が安定している。したがって、滴下されるレジストが安定した空気吹き付けによって同心円状に均等に外周部へ押し広げられ、レジストはより均等な同心円状に拡散する。よって、基板回転処理実施後のレジスト膜の仕上がりばらつきもさらに小さくなり、より均一なレジスト塗布膜が得られる。
【００２８】
実施の形態３．
図６に実施の形態３における動作のタイミングチャートを示す。装置の構成は実施の形態１と同様であるので説明は省略する。なお、図６において図５と同一の符号は同一または相当部分を示すので説明は省略する。図６において、制御部１２は、空気吹き付け処理の終了から基板回転処理の開始までの間、所定時間をあけるように制御する。より具体的には、制御部１２は、タイミングＨで空気吹き付け処理を開始し、その後、タイミングＩでレジスト滴下処理を開始する。そして、レジスト滴下処理、空気吹き付け処理が終了するタイミングＫから所定の時間、例えば１０秒程度経過したタイミングＬで基板回転処理を開始する。この時のレジスト端部形状の推移は図７に示すとおりである。
【００２９】
図７（ａ）は空気吹き付け処理終了から所定時間経過した後のレジスト端部の拡大図である。空気吹き付け処理終了から一定時間経過した後のレジスト形状２０は、空気吹き付け処理終了直後の波打っていたレジスト形状１９に対し、表面張力によりきれいな形状となっている。図７（ｂ）は、図７（ａ）の状態から基板回転処理を開始した時のレジスト形状２１を示す図である。空気吹き付け処理を施すことによりレジスト端部の接触角は緩やかになっており、かつ、空気吹き付け処理終了から所定時間放置することにより表面張力の作用でレジストの形状が整えられた状態になるため、この状態で基板回転処理を実施すると、レジストは気泡を巻き込むことなくきれいに外周部へ拡散する。図７（ｃ）は基板回転処理終了後のレジスト形状２２を示す図である。同図から分かるように、塗布されたレジスト膜の膜厚ばらつきは大変少なくなり、かつ、実施の形態１の場合と比べて膜厚のばらつきは約半分程度になる。
【００３０】
このように、吹き付けられる空気圧によって同心円状に基板外周方向へ押し広げられるレジストの表面は空気吹き付け処理終了直後ではまだ波打っており、一定時間、例えば１０秒程度経過すると表面張力により自然にきれいな落ち着いた表面形状になる。この状態で基板回転処理を行うと、上述したとおりレジスト膜厚ばらつきは更に小さくなる。
【００３１】
実施の形態４．
実施の形態１では、図２に示す製造条件のうち、レジスト滴下条件、基板回転条件、空気吹き付け条件の３種の製造条件を用いて塗布液供給装置の動作を制御していた。しかし、レジスト滴下条件、空気吹き付け条件の２種の製造条件のみを用いることも可能である。ここで、レジストの種類とレジスト滴下量、空気吹き付け圧力と空気吹き付け時間には次のような関係がある。例えば、塗布するレジストの粘度が高い場合、レジストの滴下量は低粘度のレジストを使用する場合に比べ多くし、空気の吹き付け圧力は高めに、また、空気吹き付け時間は長めに設定する必要がある。
【００３２】
例えば、制御部１２が受け取った識別情報が「ａ」の場合、制御部１２はレシピ番号「１」に基づき、レジストの種類として「Ａ」を選択し、レジスト滴下条件としては塗布液滴下量を「２０ｃｃ」、塗布液滴下時間は「５ｓｅｃ」であることを認識する。また、空気吹き付け条件として空気吹き付け圧力は「０．１Ｍｐａｓ」、空気吹き付け時間は「１０ｓｅｃ」であることを認識する。そして、制御部１２は上記のように認識した各製造条件に従って動作させるよう各動作部にパラメータ設定を行う。各動作部により実行される塗布液滴下処理、空気吹き付け処理の開始及び終了はレシピ１のタイミングチャート「１」に従って制御される。次に、制御部１２が受け取った識別情報が「ｂ」の場合、制御部１２はレシピ番号「２」に基づきレジストの種類として「Ｂ」を選択する。レジストの種類「Ｂ」の粘度は「Ａ」よりも高いものとする。そして、制御部１２はレジスト滴下条件として塗布液滴下量は「２５ｃｃ」、塗布液滴下時間は「７ｓｅｃ」であることを認識する。また、空気吹き付け条件として空気吹き付け圧力は「０．２Ｍｐａｓ」、空気吹き付け時間は「１５ｓｅｃ」であることを認識する。各動作部により実行される塗布液滴下処理、空気吹き付け処理の開始及び終了はレシピ２のタイミングチャート「２」に従って制御される。このように、メモリー部１１には使用するレジスト種類に応じて最適化された各レシピが記憶され、それに基づいて制御部１２が各動作部を制御するため、空気吹き付け処理を行うレジスト塗布処理において塗布される基板に応じて、レジストの使い分けや仕上がりの変更が容易に行えるようになる。
【００３３】
実施の形態５．
実施の形態１では、図２に示す製造条件のうち、レジスト滴下条件、基板回転条件、空気吹き付け条件の３種の製造条件を用いて塗布液供給装置の動作を制御していた。しかし、基板回転条件、空気吹き付け条件の２種の製造条件のみを用いることも可能である。ここで、レジストの種類と基板回転速度と基板回転時間、空気吹き付け圧力と空気吹き付け時間には次のような関係がある。例えば、塗布するレジストの粘度が高い場合、基板回転速度は低粘度のレジストを塗布する場合に比べて低速にし、基板回転時間は長く、また、空気吹き付け圧力は高めに、空気吹き付け時間は長めに設定する必要がある。
【００３４】
例えば、制御部が受け取った識別情報が「ａ」の場合、制御部１２はレシピ番号「１」に基づき、レジストの種類として「Ａ」を選択し、基板回転条件としては、基板回転速度を「１４０００ｒｐｍ」、基板回転時間を「１０ｓｅｃ」であることを認識する。また、空気吹き付け条件として、空気吹き付け圧力は「０．１Ｍｐａｓ」、空気吹き付け時間は「１０ｓｅｃ」であることを認識する。そして、制御部１２は上記のように認識した各製造条件に従って動作させるよう各動作部にパラメータ設定を行う。各動作部により実行される基板回転処理、空気吹き付け処理の開始及び終了はレシピ１のタイミングチャート「１」に従って制御される。次に、制御部１２が受け取った識別情報が「ｂ」の場合、制御部１２はレシピ番号「２」に基づきレジストの種類として「Ｂ」を選別する。レジストの種類「Ｂ」の粘度は「Ａ」よりも高いものとする。そして、制御部１２は、基板回転条件として基板回転速度は「１２０００ｒｐｍ」、基板回転時間は「２０ｓｅｃ」であることを認識する。また、空気吹き付け条件として空気吹き付け圧力は「０．２Ｍｐａｓ」、空気吹き付け時間は「１５ｓｅｃ」であることを認識する。各動作部により実行される基板回転処理、空気吹き付け処理の開始及び終了はレシピ２のタイミングチャート「２」に従って制御される。このように、メモリー部１１には使用するレジスト種類に応じて最適化された各レシピが記憶され、それに基づいて制御部１２が各動作部を制御するため、空気吹き付け処理を行うレジスト塗布処理において、基板に応じたレジストの使い分けや仕上がりの変更が容易に行えるようになる。
【００３５】
実施の形態６．
図８において、塗布膜形成装置の制御部１２は基板の識別情報をネットワーク２３を介して読み取ることができる。例えば、基板４が容器に収納されている場合、その容器にたとえば磁気カードやＩＣカードなどのような記録媒体に識別情報が記憶できるように設計し、かつ、この容器と塗布膜形成装置をネットワーク２３で接続し制御部が基板の収納容器に記録されている識別情報にアクセスできるようにシステムを設計すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】この発明の実施の形態１を示す塗布膜形成装置の断面図である。
【図２】この発明における塗布膜形成装置で使用する製造条件を示す一覧表である。
【図３】この発明の実施の形態１における塗布膜形成装置各部の動作タイミングを示すタイミングチャートである。
【図４】この発明の実施の形態１における塗布膜形成時の塗布膜形状推移を示す説明図である。
【図５】この発明の実施の形態２を示す塗布膜形成装置各部の動作タイミングチャートである。
【図６】この発明の実施の形態３を示す塗布膜形成装置各部の動作タイミングチャートである。
【図７】この発明の実施の形態３における塗布膜形成時の塗布膜形状推移を示す説明図である。
【図８】この発明の実施の形態６を示す塗布膜形成装置の断面図である。
【図９】この発明の課題である、塗布膜形成時における気泡の巻き込みの発生過程を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  駆動モーター、２  回転軸、３  スピンチャック、４  基板、
５  レジスト滴下ノズル、６  レジスト保存容器、７  レジスト供給管、
８  エアーブローノズル、９  エアーコンプレッサー、１０  空気供給管、
１１  メモリー部、１２  制御部、１３  レジスト塗布済基板、
１４  空気吹き付け処理を行わない場合のレジスト形状、
１５  空気吹き付け処理開始直後のレジスト形状、
１６  一定時間空気吹き付け処理を行った後のレジスト形状、
１７  基板回転処理開始直後のレジスト形状、
１８  基板回転処理終了後のレジスト形状、
１９  空気吹き付け処理終了直後のレジスト形状、
２０  空気吹き付け処理終了後一定時間経過した後のレジスト形状、
２１  基板回転処理開始後のレジスト形状、
２２  基板回転処理終了後のレジスト形状、２３  ネットワーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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