(57)【要約】【課題】ウェーハをダイシングする場合において、デバイスの品質を低下させることなく、効率的に個々のデバイスに分割できるようにする。【解決手段】ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、表面Ｗ１に形成されたストリートＳの裏側以外の部分にレジスト膜Ｒを被覆し、レジスト膜Ｒが被覆されていない部分にフッ素系安定ガスをプラズマ化して供給し、裏面から表面にかけてエッチングして個々のデバイスＤに分割する。切削を行わないため欠けが生じず品質が向上し、すべてのストリートを一度に分離させるため効率的である。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリートによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、
ウェーハの表面に保護部材を貼着し、該ウェーハの裏面を研削して該ウェーハを所定の厚さに形成する研削工程と、
該裏面のうち、該ウェーハの表面に形成されたストリートに対応する裏側以外の部分にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆工程と、
該裏面のうち、該レジスト膜が被覆されていないストリートに対応する裏側の部分にフッ素系安定ガスをプラズマ化して供給し、該裏面から該表面にかけてエッチングして個々のデバイスに分割する分割工程と
から構成されるウェーハの分割方法。
【請求項２】
前記研削工程の後であって前記レジスト膜被覆工程の前に、前記ウェーハの裏面に残存している研削歪みを除去するストレスリリーフ工程が遂行される
請求項１に記載のウェーハの分割方法。
【請求項３】
前記レジスト膜被覆工程においては、ウェーハの裏面全面にレジスト膜を被覆した後に、該レジスト膜のうち、ストリートに対応する裏側の部分のみを露光してレジスト膜を除去する
請求項１または２に記載のウェーハの分割方法。
【請求項４】
前記レジスト膜被覆工程においては、ウェーハの裏面全面にレジスト膜を被覆した後に、該レジスト膜のうち、ストリートに対応する裏側の部分のみを物理的に押圧してレジスト膜を除去する
請求項１または２に記載のウェーハの分割方法。
【請求項５】
前記レジスト膜被覆工程においては、ウェーハの裏面全面にレジスト膜を被覆した後に、該レジスト膜のうち、ストリートに対応する裏側の部分のみに切削ブレードまたはレーザ光を作用させてレジスト膜を除去する
請求項１または２に記載のウェーハの分割方法。
【請求項６】
前記レジスト膜被覆工程においては、前記裏面のうち、前記ストリートに対応する裏側以外の領域にレジスト材を噴出してレジスト膜を被覆する
請求項１または２に記載のウェーハの分割方法。
【請求項７】
前記レジスト膜被覆工程においては、前記裏面のうち、前記ストリートに対応する裏側にレジスト膜をはじくマスク材を塗布した後に、該裏面にレジスト膜を被覆する
請求項１または２に記載のウェーハの分割方法。
【請求項８】
前記フッ素系安定ガスは、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４、ＣＨＦ３のいずれかである請求項１乃至７のいずれかに記載のウェーハの分割方法。
【請求項９】
前記分割工程の後に、酸素をプラズマ化して前記レジスト膜に供給し、該レジスト膜を灰化させて除去するレジスト膜除去工程が遂行される
請求項１乃至８のいずれかに記載のウェーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの分割方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複数のデバイスがストリートによって区画されて表面側に形成されたウェーハは、裏面の研削により所定の厚さに形成された後に、ストリートに沿って切削してダイシングすることにより個々のデバイスに分割され、各種電子機器に利用されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２８１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ダイシング時には高速回転する切削ブレードがウェーハのストリートに切り込むため、切削ブレードの破砕力に起因してデバイスに欠けが生じ、ウェーハを構成するデバイスの抗折強度が低下して品質が低下するという問題がある。
【０００５】
また、ダイシング時には、切削ブレードを各ストリートに精密に位置合わせした上で、各ストリートを一本一本切削していく必要があり、非効率的である。特に、デバイスのサイズが小さく切削するストリートの数が多い場合は、すべてのストリートを切削するのに相当の時間を要し、生産性が著しく低下するという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、ウェーハをダイシングする場合において、デバイスの品質を低下させることなく、効率的に個々のデバイスに分割できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ストリートによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法に関するもので、ウェーハの表面に保護部材を貼着し、ウェーハの裏面を研削してウェーハを所定の厚さに形成する研削工程と、裏面のうち、ウェーハの表面に形成されたストリートに対応する裏側以外の部分にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆工程と、裏面のうち、レジスト膜が被覆されていないストリートに対応する裏側の部分にフッ素系安定ガスをプラズマ化して供給し、裏面から表面にかけてエッチングして個々のデバイスに分割する分割工程とから構成されることを特徴とする。
【０００８】
研削工程とレジスト膜被覆工程の間においては、ウェーハの裏面に残存している研削歪みを除去するストレスリリーフ工程が遂行されることが望ましい。
【０００９】
レジスト膜被覆工程の実現方法としては、例えば、（１）ウェーハの裏面全面にレジスト膜を被覆した後に、レジスト膜のうち、ストリートに対応する裏側の部分のみを露光してレジスト膜を除去する方法、（２）ウェーハの裏面全面にレジスト膜を被覆した後に、レジスト膜のうち、ストリートに対応する裏側の部分のみを物理的に押圧してレジスト膜を除去する方法、（３）ウェーハの裏面全面にレジスト膜を被覆した後に、レジスト膜のうち、ストリートに対応する裏側の部分のみに切削ブレードまたはレーザ光を作用させてレジスト膜を除去する方法、（４）ウェーハの裏面のうち、ストリートに対応する裏側以外の領域にレジスト材を噴出してレジスト膜を被覆する方法、（５）ウェーハの裏面のうち、ストリートに対応する裏側にレジスト膜をはじくマスク材を塗布した後に、裏面にレジスト膜を被覆する方法等がある。
【００１０】
分割工程において用いられるフッ素系安定ガスとしては、例えばＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４、ＣＨＦ３等がある。また、分割工程の後には、酸素をプラズマ化してレジスト膜に供給し、レジスト膜を灰化させて除去するレジスト膜除去工程が遂行されることが望ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るウェーハの加工方法においては、切削ブレードによる切削を行わず、プラズマエッチングによりウェーハを個々のデバイスに分割することができるため、デバイスに欠けが生じることがなく、デバイスの抗折強度が低下せず、品質が低下することがない。また、分割工程ではプラズマエッチングによりすべてのストリートを同時に分離させることができるため、極めて効率的であり、生産性を向上させることができる。
【００１２】
研削工程とレジスト膜被覆工程との間にストレスリリーフ工程を遂行してウェーハの裏面の研削歪みを除去するようにすれば、抗折強度が向上してより品質が向上する。
【００１３】
レジスト膜被覆工程において、ウェーハの裏面全面にレジスト膜を被覆した後に、ストリートに対応する裏側のレジスト膜のみを露光によって除去するようにすると、ストリートの裏側のレジスト膜を効率よく除去することができる。
【００１４】
レジスト膜被覆工程において、ウェーハの裏面全面にレジスト膜を被覆した後に、ストリートに対応する裏側のレジスト膜のみを物理的に押圧してレジスト膜を除去するようにすると、ストリートの裏側のレジスト膜を一度に同時に除去することができるため、効率的である。
【００１５】
レジスト膜被覆工程において、ウェーハの裏面全面にレジスト膜を被覆した後に、ストリートに対応する裏側のレジスト膜のみに切削ブレードまたはレーザ光を作用させてレジスト膜を除去するようにすると、通常のダイシングで用いる切削装置やレーザ加工装置を使用することができるため、専用の装置等は不要であり、経済的である。
【００１６】
レジスト膜被覆工程において、ウェーハの裏面のうち、ストリートに対応する裏側部分以外の領域にレジスト材を噴出してレジスト膜を被覆するようにすると、ウェーハの裏面全面にレジスト膜を被覆してからストリートの裏側の部分を除去するといった２段階の作業が不要であるため、効率的である。
【００１７】
レジスト膜被覆工程において、ウェーハの裏面のうち、ストリートに対応する裏側部分にレジスト膜をはじくマスク材を塗布した後に、裏面にレジスト膜を被覆するようにすると、レジスト膜を被覆する段階において、ストリートの裏側とそうでない部分とを認識する必要がないため、作業が容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１に示すウェーハＷの表面Ｗ１には、ストリートＳによって区画されて複数のデバイスＤが形成されている。最初にこのウェーハＷの表面Ｗ１に、図１に示すように、デバイスＤを保護するための保護部材Ｐを貼着する。保護部材Ｐとしては、ガラス、ポリエチレンテレフタレート、セラミックス等のハードプレートのほか、粘着テープ等も使用することができる。
【００１９】
次に、図２に示すように、表面Ｗ１に保護部材Ｐが貼着されたウェーハＷの裏面Ｗ２が上を向くようにし、その裏面Ｗ２を研削して所定の厚さにする（研削工程）。研削工程には、例えば図３に示すような研削装置１を用いることができる。この研削装置１は、ウェーハを保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持されたウェーハを研削する研削手段１１と、研削手段１１をチャックテーブル１０に対して接近または離反させる研削送り手段１２とを備えている。
【００２０】
研削手段１１は、垂直方向の軸心を有するスピンドル１１０と、スピンドル１１０を回転駆動する駆動源１１１と、スピンドル１１０の下端においてホイールマウント１１２を介して固定された研削ホイール１１３と、研削ホイール１１３の下面に固着された研削砥石１１４とから構成され、駆動源１１１によって駆動されてスピンドル１１０が回転するのに伴い、研削砥石１１４が回転する構成となっている。
【００２１】
研削送り手段１２は、壁部１２０に垂直方向に配設された一対のガイドレール１２１と、ガイドレール１２１と平行に配設されたボールネジ１２２と、ボールネジ１２２の一端に連結されたパルスモータ１２３と、ガイドレール１２１に摺動可能に係合すると共に内部のナットがボールネジ１２２に螺合した支持部１２４とから構成されており、パルスモータ１２３に駆動されてボールネジ１２２が回動するのに伴い、支持部１２４がガイドレール１２１にガイドされて昇降し、支持部１２４に支持された研削手段１１も昇降する構成となっている。
【００２２】
チャックテーブル１０においては、保護部材Ｐが保持され、ウェーハＷの裏面Ｗ２が露出した状態となる。そして、チャックテーブル１０が水平方向に移動することにより、ウェーハＷが研削手段１１の直下に位置付けられる。ウェーハＷが研削手段１１の直下に位置付けられると、チャックテーブル１０の回転によりウェーハＷが回転すると共に、研削砥石１１４が回転しながら研削手段１１が下降し、ウェーハＷの裏面Ｗ２に接触して研削され、所定の厚さに研削される（研削工程）。
【００２３】
研削工程を遂行すると、ウェーハＷの裏面Ｗ２に研削歪み等からなるダメージ層が形成されてウェーハＷにストレスが生じ、抗折強度が低下する要因となる。そこで、ダメージ層を除去するために、研削工程の次にストレスリリーフ工程を遂行する。ストレスリリーフ工程は、例えば図４に示すように、図３に示した研削装置１において研削砥石１１４の代わりにポリッシングパッド１１５を装着し、研削の場合と同様の動作によって裏面をポリッシングすることにより行われる。また、ドライエッチング、ウェットエッチング等によってもダメージ層を除去することができる。なお、図４においては、研磨砥石１１５以外の部位については、図３の研削装置１と同様の符号を付している。
【００２４】
ストレスリリーフ工程によってウェーハＷのストレスを除去した後に、図５に示すように、裏面Ｗ２のうち、ウェーハＷの表面Ｗ１に形成されたストリートＳに対応する裏側のストリート対応部Ｗ２Ｓ以外の部分にレジスト膜Ｒを被覆する（レジスト膜被覆工程）。レジスト膜被覆工程の実現方法は種々ある。以下にいくつかの例を示す。
【００２５】
（１）最初に図６（Ａ）に示すように、裏面Ｗ２の全面にスピンコータ等を用いてレジスト膜Ｒを被覆する。そしてその後、赤外線カメラ等で裏面Ｗ２からストリートＳを認識し、図６（Ｂ）に示すように、ストリートＳと同様の形状に形成されたマスクパターン２ａを有するフォトマスク２を介してレジスト膜Ｒに紫外線、Ｘ線等の光を照射し、裏面Ｗ２のうち、表面Ｗ１のストリートＳに対応する裏側の部分を露光させる。そして露光した部分を現像すると、図６（Ｃ）に示すように、表面Ｗ１のストリートＳに対応する裏側のレジスト膜が除去されて、ストリート対応部Ｗ２Ｓが露出する。かかる方法によれば、ストリートＳに対応する裏側のレジスト膜を効率よく除去することができるため、効率的である。ここで、デバイスＤの裏側に被覆されたレジスト膜が露光するのを防止するために、マスクパターン２ａの幅は、ストリートＳの幅より狭くなるように形成することが望ましい。なお、フォトマスクを用いなくても、ウェーハＷの裏面Ｗ２側から赤外線カメラ等によって表面Ｗ１側のストリートＳを検出し、検出したストリートＳの部分のみに光を照射すれば、図６（Ｃ）と同様に、ストリートＳに対応する裏側の部分のレジスト膜が除去されて、ストリート対応部Ｗ２Ｓが露出する。
【００２６】
（２）図７（Ａ）に示すように、裏面Ｗ２の全面にスピンコータ等を用いてレジスト膜を被覆する。そしてその後、赤外線カメラ等で裏面Ｗ２からストリートＳを認識し、図７（Ｂ）に示すようにストリートＳと同様の形状に形成された押圧部材３を用い、図７（Ｃ）に示すように押圧部材３をレジスト膜Ｒに押圧する。そうすると、図７（Ｄ）に示すように、押圧された部分、すなわち表面Ｗ１のストリートＳに対応する裏側の部分のレジスト膜が除去され、ストリート対応部Ｗ２Ｓが露出する。かかる方法によれば、ストリートＳの裏側のレジスト膜を一度に同時に除去することができるため、効率的である。なお、デバイスＤの裏側に被覆されたレジスト膜が除去されるのを防止するために、押圧部材３の先端の幅は、ストリートＳの幅より狭くなるように形成することが望ましい。
【００２７】
（３）図８（Ａ）に示すように、裏面Ｗ２の全面にスピンコータ等を用いてレジスト膜Ｒを被覆する。そしてその後、赤外線カメラ等で裏面Ｗ２からストリートＳを認識し、図８（Ｂ）に示すように、ストリートＳの幅に対応した厚みを有する切削ブレード４を高速回転させながら下降させ、図８（Ｃ）に示すように、表面Ｗ１のストリートＳに対応する裏側に個々に切削ブレード４を接触させ、レジスト膜Ｒの厚み分だけ切り込ませる。この作業をすべてのストリートＳに対応する裏側について行うと、図８（Ｄ）に示すように、表面Ｗ１のストリートＳに対応する裏側の部分のレジスト膜が除去され、ストリート対応部Ｗ２Ｓが露出する。ここで、デバイスＤの裏側に被覆されたレジスト膜が除去されるのを防止するために、切削ブレード４の幅は、ストリートＳの幅より狭くなるように形成することが望ましい。また、切削ブレードによる切削に代えて、レーザ光の照射によりストリートＳの裏側のレジスト膜Ｒを改質させて除去するようにしてもよい。かかる方法によれば、通常のダイシングで用いる切削装置やレーザ加工装置を使用することができるため、専用の装置等は不要であり、経済的である。
【００２８】
また、図示していないが、インクジェットのように、レジスト膜を構成するレジスト材料をストリートＳに対応する裏側を避けて噴出することによっても、ストリートＳに対応する裏側以外の部分にレジスト膜を被覆することができる。この場合は赤外線カメラによって表面Ｗ１のストリートＳを検出し、検出したストリート以外の部分にレジスト膜を噴出する。かかる方法によれば、ウェーハＷの裏面Ｗ２全面にレジスト膜を被覆してからストリートＳの裏側の部分を除去するといった２段階の作業が不要であるため、効率的である。
【００２９】
更に、印刷技術のように、ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、ストリートＳに対応する裏側の部分にレジスト材料をはじくマスク材を塗布しておき、その上からレジスト材料を被覆するようにしてもよい。かかる方法によれば、レジスト膜を被覆する段階において、ストリートの裏側とそうでない部分とを認識する必要がないため、作業が容易となる。
【００３０】
上記説明したような種々の方法によって、ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、ストリート対応部Ｗ２Ｓ以外の部分についてレジスト膜Ｒが被覆され、ストリート対応部Ｗ２Ｓのみが露出した後は、そのストリート対応部Ｗ２Ｓをエッチングして個々のデバイスＤに分割する（分割工程）。分割工程には、例えば図９に示すプラズマエッチング装置５を用いることができる。
【００３１】
このプラズマエッチング装置５は、ガス供給部５１とエッチング処理部５２とを備えている。ガス供給部５１には、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４、ＣＨＦ３等のフッ素を含む安定ガスであるフッ素系安定ガスが蓄えられる。一方、エッチング処理部５２においては研削後の被加工物Ｗを収容し、ガス供給部５１から供給されるフッ素系安定ガスをプラズマ化してウェーハＷをエッチングする。
【００３２】
エッチング処理部５２は、プラズマエッチングが行われるチャンバ５３の上部側からエッチングガス供給手段５４を収容すると共に、エッチングしようとする板状物を保持するチャックテーブル５５を下部側から収容した構成となっている。
【００３３】
エッチングガス供給手段５４は、チャックテーブル５５に保持されたウェーハＷの露出面にエッチングガスを供給する機能を有し、軸部５４ａがチャンバ５３に対して軸受け５６を介して昇降自在に挿通しており、内部にはガス供給部５１に連通すると共にポーラス部材で形成された噴出部５７ａに連通するガス流通孔５７が形成されている。エッチングガス供給手段５４は、モータ５８に駆動されてボールネジ５９が回動し、ボールネジ５９に螺合したナットを有する昇降部６０が昇降するのに伴い昇降する構成となっている。
【００３４】
一方、チャックテーブル５５は、軸部５５ａが軸受け６１を介して回動可能に挿通しており、内部には吸引源６２に連通する吸引路６３及び冷却部６４に連通する冷却路６５が形成されており、吸引路６３は上面の吸引部６３ａに連通している。
【００３５】
チャンバ５３の側部にはエッチングする板状物の搬出入口となる開口部６６が形成されており、開口部６６の外側には昇降により開口部６６を開閉するシャッター６７が配設されている。このシャッター６７は、シリンダ６８に駆動されて昇降するピストン６９によって昇降する。
【００３６】
チャンバ５３の下部にはガス排出部７０に連通する排気口７１が形成されており、排気口７１から使用済みのガスを排出することができる。また、エッチングガス供給手段５４及びチャックテーブル５５には高周波電源７２が接続され、高周波電圧を供給し、エッチングガスをプラズマ化することができる。
【００３７】
次に、図９に示したプラズマエッチング装置５を用いて、ストリート対応部Ｗ２Ｓのエッチングを行う際の動作について説明する。図５に示したように、裏面Ｗ２のうち、ストリート対応部Ｗ２Ｓ以外の部分にレジスト膜Ｒが形成されたウェーハＷは、シャッター６７を下降させて開口部６６を開口させた状態で、開口部６６からチャンバ５３の内部に進入し、レジスト膜Ｒが被覆された裏面Ｗ２が上に向いて露出した状態で吸引部６３ａに保持される。そして、シャッター６７を元の位置に戻して開口部６３を閉め、内部を減圧排気する。
【００３８】
次に、エッチングガス供給手段５４を下降させ、その状態でガス供給部５１からガス流通孔５７にエッチングガスとしてフッ素系安定ガスを供給し、エッチングガス供給手段５４の下面の噴出部５７ａからエッチングガスを噴出させると共に、高周波電源７２からエッチングガス供給手段５４とチャックテーブル５５との間に高周波電圧を印加してエッチングガスをプラズマ化させ、ストリート対応部Ｗ２Ｓに供給する。そうすると、プラズマのエッチング効果によりウェーハＷの裏面のうち、レジスト膜Ｒが被覆されていない部分、すなわち、ストリート対応部Ｗ２Ｓのみがエッチングされる。そして、ウェーハＷの裏面Ｗ２から表面Ｗ１にかけて厚さ分だけエッチングされると、図１０に示すように、すべてのストリートＳが垂直方向に貫通して縦横に分離され、個々のデバイスＤに分割される。
【００３９】
このように、プラズマエッチングによってすべてのストリートを分離させることができるため、切削ブレードによる切削は不要となる。したがって、デバイスに欠けが生じることがなく、デバイスの抗折強度が低下せず、品質が低下することがない。また、分割工程ではプラズマエッチングによりすべてのストリートを同時に分離させることができるため、極めて効率的であり、生産性を向上させることができる。更に、プラズマエッチングでは異方性エッチングが可能であり、デバイスＤの側面をほぼ垂直に形成することができる。
【００４０】
このようにしてウェーハＷが個々のデバイスＤに分割された後は、裏面に被覆されたレジスト膜を除去する（レジスト膜除去工程）。レジスト膜の除去には、アッシング装置を用いることもできるし、図９に示したプラズマエッチング装置５を用いることができる。
【００４１】
プラズマエッチング装置５を用いる場合は、分割工程において用いたフッ素系安定ガスを排気口７１からガス排出部７０に排気し、チャンバ５３の内部にフッ素系安定ガスが存在しない状態として減圧排気する。そして次に、ガス供給部５１からＯ２ガスをガス流通孔５７に供給し、エッチングガス供給手段５４の下面の噴出部５７ａからＯ２ガスを噴出させると共に、高周波電源７２からエッチングガス供給手段５４とチャックテーブル５５との間に高周波電圧を印加してＯ２ガスをプラズマ化させ、レジスト膜Ｒに供給する。そうすると、プラズマ化したＯ２ガスによりレジスト膜Ｒが酸化して灰化し、除去しやすい状態となる。そして、レジスト膜Ｒを除去すると、図１１に示すように、個々のデバイスＤが保護部材Ｐに貼着された状態となる。
【００４２】
このようにしてレジスト膜Ｒを除去した後は、デバイスＤが保護部材Ｐからピックアップされた後に、裏面側にダイアタッチフィルムを貼着する工程、リードフレーム等にボンディングする工程、配線基板に実装する工程等が行われる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】ウェーハ及び保護部材の一例を示す斜視図である。
【図２】表面に保護部材が貼着されたウェーハを示す斜視図である。
【図３】研削装置の一例を示す斜視図である。
【図４】ストレスリリーフ工程の一例を示す説明図である。
【図５】レジスト膜被覆工程終了後のウェーハを示す斜視図である。
【図６】レジスト膜被覆工程の第一の例を示す略示的断面図であり、（Ａ）は裏面全面にレジスト膜が被覆されたウェーハを示し、（Ｂ）はレジスト膜を露光してストリート対応部を露出させる様子を示し、（Ｃ）はストリート対応部が露出した状態を示す。
【図７】レジスト膜被覆工程の第二の例を示す略示的断面図であり、（Ａ）は裏面全面にレジスト膜が被覆されたウェーハを示し、（Ｂ）は同ウェーハ及び押圧部材を示し、（Ｃ）は同押圧部材をレジスト膜に押圧してストリート対応部を露出させる様子を示し、（Ｄ）はストリート対応部が露出した状態を示す。
【図８】レジスト膜被覆工程の第三の例を示す略示的断面図であり、（Ａ）は裏面全面にレジスト膜が被覆されたウェーハを示し、（Ｂ）は同ウェーハ及び切削ブレードを示し、（Ｃ）は同切削ブレードを用いてストリート対応部を露出させる様子を示し、（Ｄ）はストリート対応部が露出した状態を示す。
【図９】プラズマエッチング装置の一例を示す断面図である。
【図１０】分割工程終了後のウェーハを示す断面図である。
【図１１】レジスト膜除去工程終了後のウェーハを示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
Ｗ：ウェーハ
Ｗ１：表面
Ｄ：デバイス  Ｓ：ストリート
Ｗ２：裏面
Ｗ２Ｓ：ストリート対応部
Ｐ：ハードプレート  Ｒ：レジスト膜
１：研削装置
１０：チャックテーブル
１１：研削手段
１１０：スピンドル  １１１：駆動源  １１２：ホイールマウント
１１３：研削ホイール  １１４：研削砥石  １１５：ポリッシングパッド
１２：研削送り手段
１２０：壁部  １２１：ガイドレール  １２２：ボールネジ
１２３：パルスモータ  １２４：支持部
２：フォトマスク
２ａ：マスクパターン
３：押圧部材
４：切削ブレード
５０：プラズマエッチング装置
５１：ガス供給部  ５２：エッチング処理部  ５３…チャンバ
５４：エッチングガス供給手段  ５５：チャックテーブル  ５６：軸受け
５７：ガス流通孔  ５７ａ：噴出部  ５８：モータ  ５９：ボールネジ
６０：昇降部  ６１：軸受け  ６２：吸引源  ６３：吸引路  ６４：冷却部
６５：冷却路  ６６：開口部  ６７：シャッター  ６８：シリンダ  ６９：ピストン
７０：ガス排出部  ７１：排気口  ７２：高周波電源
【図１】
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【図２】
2006108428.tif 000004
【図３】
2006108428.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2006108428.tif 000008
【図７】
2006108428.tif 000009
【図８】
2006108428.tif 000010
【図９】
2006108428.tif 000011
【図１０】
2006108428.tif 000012
【図１１】
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