(57)【要約】【課題】  結晶欠陥を含んだ電荷転送部、ならびに受光部が形成されることを防止し、出力画像の画質が良好で飽和電荷量が多い固体撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体基板内に光電変換をなす受光部５を形成する工程と、受光部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部３を形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法において、前記電荷転送部を構成する埋め込みチャンネル領域を形成するためのイオン注入工程後にアニールを行う。【選択図】  図１
2006041117.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板内に光電変換する受光部を形成する工程と、前記受光部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法において、
前記電荷転送部を形成する工程は、前記電荷転送部を構成する埋め込みチャンネル領域を形成するためのイオン注入を行う工程後に、アニールを行う工程を含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
前記電荷転送部が、ｎ型の埋め込みチャンネル領域と前記埋め込みチャンネル領域の下部となるｐ型の領域とからなり、
前記電荷転送部を形成するためのイオン注入を行う工程が、前記ｎ型の埋め込みチャンネル領域を形成するための第１のイオン注入工程と、前記埋め込みチャンネル領域の下部となるｐ型の領域を形成するための第２のイオン注入工程とからなり、
アニールを行う工程が、前記第１のイオン注入および前記第２のイオン注入後に行われるアニール工程である請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記イオン注入に用いる不純物が、砒素である請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１のイオン注入に用いる不純物が、砒素である請求項２記載の固体撮像素子の
製造方法。
【請求項５】
前記アニールの温度が、それ以降の工程の最高温度以上に設定されてなる請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
前記アニールの温度が、９５０℃以上１０５０℃以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
前記アニールの時間が、２０秒以上６０秒以下である請求項５あるいは請求項６に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
前記アニールの昇温レートが、１０℃/秒以上１００℃/秒以下である請求項５〜７のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】
一対の前記受光部と前記電荷転送部とからなる１画素分の表面積の大きさが、２．８μｍ×２．８μｍ以下である請求項１〜８のいずれか１項に記載の固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像素子の製造方法に関する。特に、固体撮像素子の信号電荷の転送路となる埋め込みチャンネル領域の形成、処理工程を含む固体撮像素子の製造方法に関するものであり、さらに詳しくは、出力画像の画質が良好で飽和電荷量が多い固体撮像素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、固体撮像素子としては信号電荷の読み出しにＣＣＤ（電荷結合素子）を使用したものが主流となっている。また、画素の微細化が進むに伴い、画素数の増大と素子の小型化において著しい向上が実現されてきた。
【０００３】
一般に、ビデオムービーやデジタルスチルカメラ等に用いられる固体撮像素子は、光電変換によって信号電荷を得るための受光部（ＰＤ部）、ならびに受光部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部（ＣＣＤ部）を形成したシリコン基板上に、絶縁膜を介して転送ゲート電極が形成され、さらに、転送ゲート電極上の層間絶縁膜、受光部上方に開口を有する遮光膜（受光部以外の表面側を遮光するための膜）、表面保護膜、必要に応じて、平坦化膜、カラーフィルター、マイクロレンズが順に積層された構造を有している。受光部と垂直転送ＣＣＤ部は交互に並ぶように二次元的に配置されており、一対の受光部と垂直転送ＣＣＤ部が一画素を構成している。受光部に光が入射して発生した電荷は、転送ゲート電極に所定の駆動信号を印加して駆動することにより順次転送され、出力部から画像信号として出力される。
【０００４】
受光部、ならびに電荷転送部は半導体基板内にイオン注入によって形成される。受光部形成のためのイオン注入工程においては、注入されるイオンの運動エネルギーによって、結晶を構成する原子がはじき飛ばされ、多数の点欠陥・格子間原子対が発生する。発生した点欠陥・格子間原子対の濃度が増加すると、これらの点欠陥・格子間原子対のいくつかが相互に結合し、安定な結晶欠陥となり、白キズ（画像欠陥の一種）や暗電流が増加し画質が劣化するという問題がある。暗電流が増加すると真っ暗な対象物を撮影しても、撮像画像が灰色になったり、ひどい場合には白くなると言う問題もある。
【０００５】
この問題を解決するため、受光部を形成するためのイオン注入後にアニールを行い、あるいは、その後、他の目的も兼ねた高温熱処理工程を通ることにより、発生した点欠陥・格子間原子対を消滅させることが行われている。また、イオン注入工程を複数回に分けて行い、各回のイオン注入後にアニールを行うことも提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００６】
一方、電荷転送部形成のためのイオン注入工程においても点欠陥・格子間原子対は発生する。これらの点欠陥・格子間原子対のいくつかが相互に結合し安定な結晶欠陥になると、白縦線と呼ばれる画像欠陥を生じる。但し、一般的に電荷転送部形成のためのイオン注入の加速エネルギーは、受光部形成のためのイオン注入の加速エネルギーよりも低いため、結晶欠陥の元となる点欠陥・格子間原子対の発生量が少ない。そのため、イオン注入のドーズ量を調整することで画像欠陥の発生を抑えられ、その後の高温熱処理工程とは異なる追加のアニールによる点欠陥・格子間原子対を消滅させる工程を必要としなかった。
【特許文献１】特開平１０−１３５４４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、画素の微細化が進むにつれて、例えば、一対の前記受光部と前記電荷
転送部とからなる１画素分の表面積の大きさが、２．８μｍ×２．８μｍ以下など、画
素面積の減少による飽和電荷量（最大蓄積電荷量）の減少を補うため、受光部、ならび
に電荷転送部の不純物濃度（イオン注入のドーズ量）が増加してきた。不純物濃度が増
加した場合、イオン注入時に発生する点欠陥・格子間原子対の発生量が増加するため、
それらが結合し安定化した結晶欠陥も増加し、いわゆる白キズや白縦線、暗電流が増加
する。そのため、特許文献１における固体撮像素子のように受光部を形成するためのイ
オン注入後にアニールを実施するだけでは画質の向上を十分に図ることが困難であると
いう問題があった。また、画素の微細化以外の場合でも、飽和電荷量（最大蓄積電荷量
）の増大が必要な場合に、受光部、ならびに電荷転送部の不純物濃度（イオン注入のド
ーズ量）を増加させた場合にも同様な問題が生じる。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、結晶欠陥を含んだ電荷転送部、ならびに受光部が形成されることを防止し、出力画像の画質が良好で飽和電荷量が多い固体撮像素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板内に光電変換する受光部を形成する工程と、前記受光部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法において、前記電荷転送部を形成する工程は、前記電荷転送部を構成する埋め込みチャンネル領域を形成するためのイオン注入を行う工程後に、アニールを行う工程を含むことを特徴とする。
【０００９】
また、前記本発明の固体撮像素子の製造方法においては、前記電荷転送部が、ｎ型の埋め込みチャンネル領域と前記埋め込みチャンネル領域の下部となるｐ型の領域とからなり、前記電荷転送部を形成するためのイオン注入を行う工程が、前記ｎ型の埋め込みチャンネル領域を形成するための第１のイオン注入工程と、前記埋め込みチャンネル領域の下部となるｐ型の領域を形成するための第２のイオン注入工程とからなり、
アニールを行う工程が、前記第１のイオン注入および前記第２のイオン注入後に行われるアニール工程であることが好ましい。
【００１０】
なお、前記本発明の固体撮像素子の製造方法においては、イオン注入工程において、前記イオン注入に用いる不純物あるいは前記第１のイオン注入に用いる不純物は、砒素であることが好ましい。
【００１１】
また、前記本発明の固体撮像素子の製造方法においては、アニールの温度は、それ以降の後工程処理の最高温度以上に設定されることが好ましい。
【００１２】
更には、前記本発明の固体撮像素子の製造方法においては、アニール温度は９５０℃以上１０５０℃以下が好ましい。
【００１３】
また、前記本発明の固体撮像素子の製造方法においては、アニール時間は２０秒以上６０秒以下が好ましい。
【００１４】
また、前記本発明の固体撮像素子の製造方法においては、アニールの昇温レートが１０℃/秒以上１００℃/秒以下であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、一対の前記受光部と前記電荷転送部とからなる１画素分の表面積の大きさが、２．８μｍ×２．８μｍ以下である固体撮像素子の製造に、好適である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、電荷転送部を構成する埋め込みチャンネル領域を形成するためのイオン注入後にアニール、好ましくは高温短時間・高速昇温アニールを行うことにより、結晶欠陥を含んだ電荷転送部、ならびに結晶欠陥を含んだ受光部が形成されることを防止することができ、従来に比べて白キズや白縦線、暗電流などの少ない高画質の撮像信号を得ることができる。即ち、仮に受光部形成のためのイオン注入工程、ならびにその後のアニール工程、あるいは、その後、他の目的も兼ねた高温熱処理工程を通ることにより、画像欠陥を生じるような結晶欠陥が発生しない場合でも、受光部形成の前、あるいは後に実施される電荷転送部形成のためのイオン注入後のアニール工程が適切ではないと、半導体基板にスリップ（特定の結晶方位に沿って結晶がずれること）や転位（結晶欠陥が２次元、３次元的に並ぶ）が発生し、その結果、電荷転送部のみならず、受光部にも結晶欠陥が発生することがある。本発明は結晶欠陥を含んだ電荷転送部の形成を防止するとともに、転位やスリップを含んだ半導体基板の形成が防止されるので、受光部にも結晶欠陥が発生する影響を及ぼさないようにすることができる。
【００１７】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、電荷転送部を構成するｎ型埋め込みチャンネル領域を形成するための第１のイオン注入工程と、前記埋め込みチャンネル領域の下部となるｐ型領域を形成するための第２のイオン注入工程と、前記第１のイオン注入、ならびに第２のイオン注入後にアニール、好ましくは高温短時間・高速昇温アニールを行うことにより、上記と同様に結晶欠陥を含んだ電荷転送部、ならびに受光部が形成されることを防止することができ、従来に比べて白キズや白縦線、暗電流などの少ない高画質の撮像信号を得ることができる。また、アニールによる不純物拡散の影響が少なく、飽和電荷量の減少を抑えることができる。
【００１８】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、前記埋め込みチャンネル領域を形成するための前記イオン注入に用いる不純物、あるいは、前記ｎ型の埋め込みチャンネル領域と前記埋め込みチャンネル領域の下部となるｐ型の領域を形成する場合においては、前記ｎ型の埋め込みチャンネル領域を形成する前記第１のイオン注入に用いる不純物を砒素にすることにより、電荷転送部に発生する結晶欠陥の量を抑制することができる。砒素は原子番号がリンよりも大きいため、イオン注入による点欠陥・格子間原子対の発生量はリンを用いる場合よりも多い。しかしながら、砒素は原子半径がシリコンに近いため、イオン注入後に適切なアニールを行うことにより、白キズや白縦線のような画像欠陥となる結晶欠陥の発生はリンの場合よりも少なくでき好ましい。
【００１９】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、アニールの温度をそれ以降の工程の最高温度以上にすることにより、電荷転送部に発生する結晶欠陥の回復が十分でき、白縦線や暗電流を減少することができる。また、前記イオン注入した不純物がアニール処理後の工程で熱により拡散してしまうことによる影響を少なくでき、飽和電荷量の減少を抑えることができるので好ましい。
【００２０】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、アニールの温度を９５０℃以上にすることにより、電荷転送部に発生する結晶欠陥の回復が十分でき、白縦線や暗電流を減少することができ好ましい。また、アニールの温度を１０５０℃以下にすることにより、アニールによるスリップや転位の発生を抑制することができ、白キズや白縦線、暗電流の増加を防止でき好ましい。
【００２１】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、アニールの時間を２０秒以上にすることにより、電荷転送部に発生する結晶欠陥の回復が十分でき、白縦線や暗電流を減少することができ好ましい。また、アニールの時間を６０秒以下にすることにより、アニールによるスリップや転位の発生を抑制することができ、白キズや白縦線、暗電流の増加を防止できるので好ましい。
【００２２】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、アニールの昇温レートを１０℃/秒以上にすることにより、電荷転送部に発生する結晶欠陥の回復が十分でき、白縦線や暗電流を減少することができ好ましい。また、アニールの昇温レートを１００℃/秒以下にすることにより、アニールによるスリップや転位の発生を抑制することができ、白キズや白縦線、暗電流の増加を防止できるので好ましい。
【００２３】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、一対の前記受光部と前記電荷転送部とからなる１画素分の表面積の大きさが、２．８μｍ×２．８μｍ以下、より好ましくは２．４μｍ×２．４μｍ以下である固体撮像素子の製造に好適である。画素面積の減少による飽和電荷量（最大蓄積電荷量）の減少を補うため、注入する不純物濃度（イオン注入のドーズ量）を増加した場合、イオン注入時に発生する点欠陥・格子間原子対の発生量が増加しやすくなるが、本発明においては、これら結晶欠陥の発生を防止し、画素の微細化に好適に対応し得る固体撮像素子の製造方法を提供でき好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に本発明の実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。
【００２５】
図１は本発明の一実施の形態における固体撮像素子の断面図である。但し、この図は固体撮像素子を構成するほぼ１個の画素のみの部分を示したものであり、通常は、図１に示す受光部と垂直転送ＣＣＤ部からなる一画素が複数個二次元的に配列されて、固体撮像素子を構成する。
【００２６】
固体撮像素子はｎ型シリコン基板１上にｐ型ウェル層２が形成され、ｐ型ウェル層２中に埋め込みチャンネルのｎ型領域３と受光部であるフォトダイオードのｎ型領域４とがｐ型領域５で隔てられて形成されている。フォトダイオードのｎ型領域４の上部の受光部表面には、Ｓｉ／ＳｉＯ2界面の影響（界面準位に起因する暗電流や白キズによる悪影響など）をなくすためのｐ型の高濃度領域６が形成されている。なお、ここで、ＳｉＯ2とは、絶縁膜８を構成する材料の一例である。埋め込みチャンネルのｎ型領域３の下部にはｐ型領域７が形成されている。埋め込みチャンネルのｎ型領域３上にはＳｉＯ2膜からなる絶縁膜８を介してポリシリコンなどからなる転送ゲート電極９が形成されている。転送ゲート電極９の上面には、受光部であるフォトダイオードの上方が開口領域となったタングステンなどからなる遮光膜１０が形成されている。転送ゲート電極９と遮光膜１０の間には、層間絶縁膜１１が形成されている。
【００２７】
なお、上記の固体撮像素子の埋め込みチャンネルのｎ型領域３や受光部であるフォトダイオードのｎ型領域４などは、レジストの形成及び剥離、イオン注入などを繰り返しながら形成され、転送ゲート電極９や遮光膜１０、層間絶縁膜１１も公知の手法を用いて形成される。
【００２８】
次に、本実施の形態における固体撮像素子の製造方法の特徴について説明する。
【００２９】
本発明に係る本実施の形態の固体撮像装置の製造方法の特徴は、埋め込みチャンネルのｎ型領域３を形成するためのイオン注入工程より後にアニールを行う点である。本実施の形態においては、埋め込みチャンネルのｎ型領域３を形成するためのイオン注入は砒素を用いて行うことが好ましい。そしてイオン注入工程は、最初に、埋め込みチャンネルのｎ型領域３を形成するための第１のイオン注入を行って、次いで埋め込みチャンネルのｎ型領域３の下部となるｐ型領域７を形成するための第２のイオン注入を行った後、窒素雰囲気中で高温短時間・高速昇温アニールを行う。このように、イオン注入後にアニール、好ましくは高温短時間・高速昇温アニールを行うことにより、イオン注入工程において発生した点欠陥・格子間原子対が相互に結合して安定な結晶欠陥となる前に、点欠陥・格子間原子対を消滅させることができる。第２のイオン注入は、特に限定するものではないが、例えば、ボロンなどを用いることができる。
【００３０】
ここで、アニール温度は９５０℃以上１０５０℃以下が好ましい。アニールの温度を９５０℃以上にすることにより、電荷転送部に発生する結晶欠陥の回復が十分でき、白縦線や暗電流を減少することができる。また、アニールの温度を１０５０℃以下にすることにより、アニールによるスリップや転位の発生を抑制することができ、白キズや白縦線、暗電流の増加を防止できる。
【００３１】
また、アニール時間は２０秒以上６０秒以下が好ましい。埋め込みチャンネル領域を形成するためのイオン注入に用いる不純物は砒素であることが好ましい。不純物を活性化させるためのアニールによって不純物が拡散するのを抑制するためには比較的低温（８００℃〜９００℃）、長時間（１０分〜数時間）のアニールに代わって、高温（９５０℃〜１０５０℃）、短時間（２０秒〜６０秒）のアニールを行うことが好ましい。これはアニールの短時間化によって注入された不純物の拡散を抑え、短時間処理によるアニール効果の減少を高温化によって補うものである。
【００３２】
昇温レートは、６００℃〜７００℃の温度領域を１０℃/秒以下の速度で通過すると、イオン注入で生じた１次欠陥が結合して欠陥クラスターが形成されやすく、このような欠陥クラスターが成長してなる２次欠陥は７００℃よりも高い温度の加熱でも回復され難いため、１０℃/秒以上であることが好ましい。一方、昇温レートが１００℃/秒よりも高いとアニール炉でウェハにスリップが生じることがあるので、１００℃/秒以下であることが好ましい。
【００３３】
本実施の形態の固体撮像素子を使用した撮像装置の出力画面において発生する白キズ、白縦線を測定すると、電荷転送部を形成する工程において、イオン注入後にアニールを行わない従来の固体撮像素子を使用した撮像装置の出力画面においては、白キズ、白縦線が発生したのに対し、本実施の形態の固体撮像素子を使用した撮像装置においては白キズ、白縦線は認められなくなるか、極めて少なくできる。
【００３４】
また、本実施の形態の固体撮像素子について発生する暗電流は、電荷転送部を形成する工程において、イオン注入後にアニールを行わない従来の固体撮像素子の場合に発生する暗電流に比べてかなり低減できる。
【００３５】
従って、本発明の実施の形態の固体撮像素子の製造方法によれば、結晶欠陥を含んだ電荷転送部、ならびに受光部が形成されることを防止し、歩留りを向上させることができる。
【００３６】
尚、ここではｎ型シリコン基板１で形成した例を示したが、ｐ型シリコン基板を用いても同様の方法で形成できる。このとき、図１で示したｐ型ウェル層２を半導体基板内部に作る必要はなくｐ型シリコン基板をそのまま用いることができる。
【００３７】
なお、電荷転送部の結晶欠陥に起因する画像欠陥の発生を低減することが本発明の目的であるので、本発明はこの点に特に注目して、電荷転送部の結晶欠陥の低減された固体撮像素子の製造方法について説明したものである。従って受光部のイオン注入後のアニールなどについては、特に、本発明で制限するものではない。受光部のイオン注入後のアニールについては、必要に応じて適宜採用すればよく、また必ずしも必要とは言えない。例えば、イオン注入量を少なくしたり、受光部イオン注入後の熱処理工程（結晶欠陥回復のための特別な追加アニールが目的でははない高温の炉工程、例えばその後の工程での表面平坦化工程など、など）を採用する場合には、受光部のイオン注入後のアニールは省略することができる。また、仮に受光部のイオン注入後のアニールを行う場合でも、受光部のイオン注入後と電荷転送部のイオン注入後のアニールのどちらを先にするかは採用する製造プロセスによって異なり、適宜、必要に応じて、適当な順を採用すればよいし、また、受光部のイオン注入後と電荷転送部のイオン注入後のそれぞれの各イオン注入後にアニールするのか、それとも両者のイオン注入後にまとめてアニールするのか、叉は、上述のように電荷転送部のイオン注入の方のみアニールするのかも採用するプロセスによって異なり、適宜、必要に応じて決定すればよい。上記、実施の形態並びに下記実施例においては、受光部のイオン注入、受光部のアニール（ファーネス）、電荷転送部のイオン注入、電荷転送部のアニール（RTA：急速熱アニーリング）の順を採用している。
【００３８】
以下、本発明の理解を容易にするために、実施例を挙げて更に本発明を説明するが、本発明はこの実施例に挙げた態様のみに限定されるものではない。
【実施例１】
【００３９】
以下に本発明の実施例について、図１を参照して具体的に説明する。
【００４０】
図１は本発明の実施例における固体撮像素子の断面図である。但し、前述したように、この図は固体撮像素子を構成するほぼ１個の画素部分のみを示したものであり、通常は、図１に示す受光部と垂直ＣＣＤ部からなる画素が複数個二次元的に配列されて、固体撮像素子を構成している。
【００４１】
固体撮像素子はｎ型シリコン基板１上にｐ型ウェル２をボロンの高エネルギーイオン注入（1800keV、1.５×１０11 cm-2）により形成し、ｐ型ウェル２中に受光部であるフォトダイオードのｎ型領域４を砒素のイオン注入（550keV、２．６×１０12 cm-2）により形成し、窒素雰囲気中でアニール（1000℃、20分）を行った。その後、埋め込みチャンネルのｎ型領域３を砒素のイオン注入（110keV、５．８×１０12 cm-2）により形成し、埋め込みチャンネル領域の下部となるｐ型の領域７をボロンのイオン注入（180keV、８×１０11 cm-2）により形成し、窒素雰囲気中でアニール（1000℃、40秒、昇降温レート50℃/秒）した。次に、熱酸化（900℃）によってシリコン酸化膜（厚さ30nm）からなる絶縁膜８を形成した。この両者がｐ型領域５で隔てられるようｐ型領域５をボロンのイオン注入（40keV、７×１０12 cm-2）により形成した。
【００４２】
次に、CVD法（気相成長法：５３０℃）によってポリシリコン膜（厚さ250nm）を成成長させ、ドライエッチングにより転送ゲート電極９を形成した。その後、熱酸化（９００℃）によって転送ゲート電極９をシリコン酸化膜で被覆した。このシリコン酸化膜は、後述する層間絶縁膜１１の一部に該当する。フォトダイオードのｎ型領域４の上部の受光部表面には、Si/SiO2界面準位の影響をなくすためのｐ型の高濃度領域６をボロンのイオン注入（10keV、５×１０13cm-2）により形成した。続いて、ＣＶＤ法（680℃）によりＳｉＯ2（厚さ60nm）からなる層間絶縁膜１１を形成し、スパッタリング法によりタングステンからなる遮光膜１０（厚さ200nm）を形成し、ドライエッチングにより受光部の上方に開口領域を形成し、固体撮像素子を得た。一対の前記受光部と前記電荷転送部とからなる１画素分の表面積の大きさを、２．４μｍ×２．４μｍとしている。
【００４３】
かくして得られた本実施例の固体撮像素子の出力画面において発生する白キズ、白縦線、暗電流を測定した。電荷転送部を形成する工程において、イオン注入後にアニールを行わない従来の固体撮像素子を使用した撮像装置の出力画面においては、３００万画素中の５画素に白キズ、２本の白縦線が発生したのに対し、本実施例の固体撮像素子を使用した撮像装置においては白キズ、白縦線は認められなかった。
【００４４】
また、本実施の形態の固体撮像素子について発生する暗電流を測定したところ、６０℃の温度条件下で０．５ｍＶであった。一方、電荷転送部を形成する工程において、イオン注入後にアニールを行わない従来の固体撮像素子の場合に発生する暗電流は、その他の条件を同一にして測定したところ、１ｍＶであり、本実施の形態の固体撮像素子の製造方法により、発生する暗電流を約半分にまで低減できることが確認できた。
【００４５】
従って、本発明の実施の形態の固体撮像素子の製造方法によれば、結晶欠陥を含んだ電荷転送部、ならびに受光部が形成されることを防止し、歩留りを向上させることができる。
【００４６】
尚、この実施例ではｎ型シリコン基板１で形成した例を示したが、ｐ型シリコン基板を用いても同様の方法で形成できる。このとき、図１で示したｐ型ウェル層２を基板内部に作る必要はなくｐ型シリコン基板をそのまま用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、結晶欠陥を含んだ電荷転送部、ならびに受光部が形成されることを防止し、出力画像の画質が良好で飽和電荷量が多く、ビデオムービーやデジタルスチルカメラ等への適用に有用な固体撮像素子の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施の形態における固体撮像素子の断面図。
【符号の説明】
【００４９】
１  ｎ型シリコン基板
２  ｐ型ウェル層
３  電荷転送部を構成する埋め込みチャンネルのｎ型領域
４  受光部であるフォトダイオードのｎ型領域
５  素子分離領域を構成するｐ型領域
６  受光部表面のｐ型の高濃度領域
７  埋め込みチャンネルのｎ型領域３の下部のｐ型領域
８  絶縁膜
９  転送ゲート電極
１０  遮光膜
１１  層間絶縁膜
【図１】
2006041117.tif 000003