(57)【要約】【課題】本発明は、液晶を配向規制する配向規制用構造物を備えた液晶表示装置に関し、表示特性の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】対向配置された第１及び第２の基板と、第１及び第２の基板間に挟持された液晶層と、第１の基板に形成された線状突起４２と、第２の基板に形成された線状突起４３と、基板面に垂直に見て線状突起４２の延びる方向に対し鈍角をなし、線状突起４３の延びる方向に対し鋭角をなすエッジ部１６ａを備え、第１の基板に形成された画素電極１６とを有するように構成する。【選択図】図２
2006184738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶層と、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に形成されて互いに並列して線状に延び、前記液晶層の液晶分子を第１の配向方位に配向規制する配向規制用構造物と、
前記配向規制用構造物との交差位置近傍で、前記第１の配向方位に対し基板面に垂直に見て鋭角をなす第２の配向方位に前記液晶分子を配向規制するエッジ部を備え、前記第１の基板に形成された画素電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板に形成された配向規制用構造物は、基板面に垂直に見て前記エッジ部に対し鈍角をなす方向に延びていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、
前記第２の基板に形成された配向規制用構造物は、基板面に垂直に見て前記エッジ部に対し鋭角をなす方向に延びていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記画素電極は、前記配向規制用構造物との交差位置近傍に切欠き部を有していること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４記載の液晶表示装置において、
前記第１及び第２の基板間のセルギャップを維持する柱状スペーサをさらに有し、
前記柱状スペーサは、前記切欠き部に重なって配置されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
対向配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶層と、
前記第１の基板に形成された画素電極と、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に形成されて前記画素電極の角部に重なって配置され、所定のずれ幅で互いにずれて接続されたほぼ同一方向に直線状に延びる複数の副構造物を備え、前記液晶層の液晶分子を配向規制する配向規制用構造物と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
対向配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶層と、
前記第１の基板に形成された画素電極と、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に形成されて前記画素電極の角部に重なって配置され、互いに異なる方向に直線状に延びて互いに接続された複数の副構造物を備え、前記液晶層の液晶分子を配向規制する配向規制用構造物と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項７記載の液晶表示装置において、
一部の前記副構造物は、所定の間隙を介して互いに接続されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
対向配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶層と、
前記第１の基板に形成された画素電極と、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に曲線状に延びて形成されて前記画素電極の角部に重なって配置され、前記液晶層の液晶分子を配向規制する配向規制用構造物と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
対向配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶層と、
前記第１及び第２の基板を挟んで配置された一対の偏光板と、
前記第１の基板に形成された画素電極と、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に形成されて前記画素電極の角部に重なって配置され、基板面に垂直に見て前記偏光板の偏光軸に対し０°、４５°、９０°及び１３５°のいずれとも異なる角度θ（０°≦θ＜１８０°）をなす方向に直線状に延び、前記液晶層の液晶分子を配向規制する配向規制用構造物と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特に、液晶を配向規制する配向規制用構造物を備えた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置は、テレビ受像機やパーソナル・コンピュータのモニタ装置等として用いられるようになっている。これらの用途では、表示画面をあらゆる方向から見ることのできる高い視角特性が求められている。ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶表示装置では、基板上に部分的に設けられた突起や電極の抜き部（スリット）等の配向規制用構造物により、負の誘電率異方性を有する垂直配向型の液晶が配向規制される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１７は、従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の３画素の構成を示している。液晶表示装置は、対向配置された一対の基板と、両基板間に液晶が封止されて形成された液晶層と、両基板を挟んでクロスニコル配置された一対の偏光板とを有している。図１７に示すように、一方の基板上には、複数のゲートバスライン１１２と、不図示の絶縁膜を介してゲートバスライン１１２に交差する複数のドレインバスライン１１４とが形成されている。ゲートバスライン１１２及びドレインバスライン１１４の交差位置近傍には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２０が形成されている。また、ゲートバスライン１１２及びドレインバスライン１１４で画定された画素領域のほぼ中央部を横切り、ゲートバスライン１１２に並列して延びる蓄積容量バスライン１１８が形成されている。各画素領域には、透明導電膜等からなる画素電極１１６が形成されている。
【０００４】
液晶を配向規制する配向規制用構造物として、画素電極１１６を部分的に除去した線状のスリット１４６が一方の基板上に形成され、線状突起１４４が他方の基板上に形成されている。スリット１４６及び線状突起１４４は、偏光板の偏光軸に対してほぼ４５°の角度をなす方向に延び、互いに半ピッチずれてほぼ平行に配置されている。スリット１４６及び線状突起１４４は蓄積容量バスライン１１８に重なる領域でほぼ直角に屈曲し、画素領域内で蓄積容量バスライン１１８に対しほぼ線対称に配置されている。液晶分子はスリット１４６及び線状突起１４４の延びる方向に垂直な方向に配向するため、スリット１４６及び線状突起１４４を境界とする各配向領域内では、液晶分子はそれぞれほぼ同一方向に配向する。１画素内での各配向領域の面積を均一にすることによって、液晶分子は偏光軸に対して４５°の角度をなす直交４方向に１画素内でほぼ均一に配向する。これにより、ＭＶＡ方式の液晶表示装置では良好な視角特性が得られ、表示画面の上下左右方向に対して特に良好な視角特性が得られる。
【０００５】
液晶分子の配向は、スリット１４６や線状突起１４４等の配向規制用構造物だけでなく、画素電極１１６のエッジ部１１６ａによっても規制される。図１８は、配向規制用構造物と画素電極のエッジ部との位置関係、及びエッジ部近傍での液晶分子の配向状態を示している。図１８に示すように、エッジ部１１６ａと、画素電極１１６に液晶層を介して対向する対向基板側に設けられた配向規制用構造物１５２とは、基板面に垂直に見て、以下のような位置関係にある。
（１）領域Ａでは、エッジ部１１６ａと配向規制用構造物１５２の延びる方向とのなす角度が鋭角（４５°）である。
（２）領域Ｂでは、エッジ部１１６ａと配向規制用構造物１５２の延びる方向とのなす角度が鈍角（１３５°）である。
【０００６】
また、エッジ部１１６ａと、画素電極１１６の形成されたＴＦＴ基板側に設けられた配向規制用構造物１５０とは、基板面に垂直に見て、以下のような位置関係にある。
（１）領域Ａでは、エッジ部１１６ａと配向規制用構造物１５０の延びる方向とのなす角度が鈍角（１３５°）である。
（２）領域Ｂでは、エッジ部１１６ａと配向規制用構造物１５０の延びる方向とのなす角度が鋭角（４５°）である。
【０００７】
領域Ａでは、エッジ部１１６ａにより配向規制される液晶分子１０８の配向方位と、配向規制用構造物１５０、１５２により配向規制される液晶分子１０８の配向方位とのなす角度は、基板面に垂直に見て約４５°と比較的小さいため、液晶分子１０８の配向状態は安定である。一方領域Ｂでは、エッジ部１１６ａにより配向規制される液晶分子１０８の配向方位と、配向規制用構造物１５０、１５２により配向規制される液晶分子１０８の配向方位とのなす角度は、基板面に垂直に見て約１３５°と比較的大きいため、液晶分子１０８の配向状態は不安定である。したがって、領域Ｂ近傍には液晶の配向が乱れる配向不良領域Ｃが形成され、光透過率が低下して輝度の高い表示が得られないという問題が生じていた。
【０００８】
上記の問題を解決するため、図１７に示したように、線状突起１４４から分岐してエッジ部１１６ａに沿って延びる補助突起１４５を対向基板側の領域Ｂに配置する技術や、スリット１４６から分岐してスリット１４６の延びる方向にほぼ垂直に延びる複数の微細スリット１４７をＴＦＴ基板側に形成する技術などが提案されている。補助突起１４５を形成することによって、エッジ部１１６ａ近傍での電界の向きが変化する。これにより、領域Ｂでの液晶分子１０８の配向方位が基板面に垂直に見て１８０°変化し、配向規制用構造物１５０、１５２により規制される配向方位とのなす角度が鋭角になるため、液晶の配向乱れを抑制できるようになっている。また、微細スリット１４７を形成することによって、液晶分子１０８の配向方位がより強く規制され、配向乱れを抑制できるようになっている。微細スリット１４７は、配向乱れの生じ易い領域（領域Ｂ）では他の領域より長い長さに形成される。
【０００９】
しかしながら、２枚の基板を貼り合わせる工程で貼合せずれが生じると、補助突起１４５とエッジ部１１６ａとの間に相対的な位置ずれが生じるため、液晶の配向乱れを確実に抑制するのが困難であるという問題が生じる。また、微細スリット１４７は、一般に分割露光方式を用いたフォトリソグラフィ工程により画素電極１１６の形成と同時に形成される。ところが、露光領域毎にパターニングずれが生じたり、露光領域毎の露光条件のばらつき等により微細スリット１４７の幅にばらつきが生じたりすると、液晶の配向状態が微妙に変化して露光領域毎に明るさが変化してしまうショットむらが表示画面上に視認され、表示品質が低下してしまうという問題が生じる。液晶の配向乱れの生じ易い領域では微細スリット１４７の長さが長いため、微細スリット１４７の幅のばらつきが特に生じ易く、ショットむらが視認され易くなる。このように、補助突起１４５や微細スリット１４７を形成するだけでは、表示特性の優れた液晶表示装置を得るのが困難であった。
【００１０】
ところで従来は、液晶層の厚さ（セル厚）を一定に維持するために球状スペーサが用いられていた。球状スペーサは、２枚の基板を貼り合わせる前に一方の基板上に散布される。しかし、球状スペーサの均一な散布は困難であるため、作製された液晶表示パネルにセル厚むらが生じ易く、セル厚むらに起因する輝度むらが視認されてしまうという問題があった。これに対し近年では、図１７に示したように、フォトリソグラフィ法を用いて一方の基板上にセル厚相当の高さで形成され、基板貼合せ後には双方の基板に接触する柱状スペーサ１５４が球状スペーサに代えて用いられている。柱状スペーサ１５４を用いることにより、セル厚むらに起因する輝度むらが生じ難く、また球状スペーサの散布工程が不要になるため製造工程が簡略化される。しかしながら、柱状スペーサ１５４は画素電極１１６上の領域の一部を占有するため、画素の開口率が低下し、表示が暗くなってしまうという問題が生じている。
【００１１】
【特許文献１】特許第２９４７３５０号公報
【特許文献２】特開２００１−２３５７５１号公報
【特許文献３】特開２００２−３７２７１５号公報
【特許文献４】特開２００２−１０７７３０号公報
【特許文献５】特開２００２−３０３８８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、表示特性の良好な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的は、対向配置された第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶層と、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に形成されて互いに並列して線状に延び、前記液晶層の液晶分子を第１の配向方位に配向規制する配向規制用構造物と、前記配向規制用構造物との交差位置近傍で、前記第１の配向方位に対し基板面に垂直に見て鋭角をなす第２の配向方位に前記液晶分子を配向規制するエッジ部を備え、前記第１の基板に形成された画素電極とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達成される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、表示特性の良好な液晶表示装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置について図１乃至図７を用いて説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示している。図１に示すように、液晶表示装置は、絶縁膜を介して互いに交差して形成されたゲートバスライン及びドレインバスラインと、画素毎に形成されたＴＦＴ及び画素電極とを備えたＴＦＴ基板２を有している。また、液晶表示装置は、ＣＦや共通電極が形成された対向基板４と、例えば負の誘電率異方性を有する液晶が両基板２、４間に封止された液晶層（図示せず）とを有している。両基板２、４の液晶層との界面には不図示の垂直配向膜が形成され、電圧無印加時の液晶分子は基板面にほぼ垂直に配向する。
【００１６】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが接続されている。これらの駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラインに出力するようになっている。ＴＦＴ基板２のＴＦＴ素子形成面と反対側の面には偏光板８７が配置され、対向基板４の共通電極形成面と反対側の面には、偏光板８６が偏光板８７に対しクロスニコルに配置されている。偏光板８７のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニット８８が配置されている。
【００１７】
図２は、本実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示している。図２に示すように、液晶表示装置は、ＴＦＴ基板２側に形成された複数のゲートバスライン１２と、不図示の絶縁膜を介してゲートバスライン１２に交差して形成された複数のドレインバスライン１４とを有している。ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の交差位置近傍には、スイッチング素子としてＴＦＴ２０が画素毎に形成されている。ＴＦＴ２０のゲート電極２３は、ゲートバスライン１２に電気的に接続されている。ゲート電極２３上には、不図示の動作半導体層とその上層のチャネル保護膜２８とが形成されている。チャネル保護膜２８上には、ＴＦＴ２０のドレイン電極２１及びソース電極２２が所定の間隙を介して互いに対向して形成されている。ドレイン電極２１は、ドレインバスライン１４に電気的に接続されている。
【００１８】
ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４で囲まれた画素領域には、複数の三角形状の切欠き部４８を有する所定形状の画素電極１６が形成されている。画素電極１６は例えば透明導電膜からなり、コンタクトホール２５を介してＴＦＴ２０のソース電極２２に電気的に接続されている。画素電極１６には、エッジ部１６ａから切り込まれ、偏光板８６の偏光軸８６ａ及び偏光板８７の偏光軸８７ａ（及び画素領域端部）に対してほぼ４５°の角度をなす方向に延びる複数の微細スリット４７が形成されている。画素領域を横切って、ゲートバスライン１２に並列して延びる蓄積容量バスライン１８が形成されている。絶縁膜等を介して互いに対向する蓄積容量バスライン１８と画素電極１６（あるいは画素電極１６に電気的に接続された中間電極）との間には、蓄積容量が形成される。
【００１９】
画素電極１６上には、ＴＦＴ基板２側の配向規制用構造物として線状突起４２が形成されている。また、対向基板４に形成された共通電極上には、対向基板４側の配向規制用構造物として線状突起４３が形成されている。線状突起４２、４３は感光性樹脂等を用いて形成され、絶縁性を有している。また線状突起４２、４３は、偏光軸８６ａ、８７ａに対してほぼ４５°の角度をなす方向に延び、互いに半ピッチずれてほぼ平行に配置されている。線状突起４２、４３は蓄積容量バスライン１８に重なる領域でほぼ直角に屈曲し、画素領域内で蓄積容量バスライン１８に対しほぼ線対称に配置されている。線状突起４２、４３の延びる方向と微細スリット４７の延びる方向とはほぼ直交している。液晶分子は線状突起４２、４３の延びる方向に垂直で微細スリット４７の延びる方向に平行な方向に配向するため、線状突起４２、４３及び蓄積容量バスライン１８を境界とする各配向領域内では、液晶分子はそれぞれほぼ同一の方向に配向する。１画素内での各配向領域の面積を均一にすることによって、液晶分子は偏光軸８６ａ、８７ａに対して４５°の角度をなす直交４方向に１画素内でほぼ均一に配向する。これにより、本実施の形態によるＭＶＡ方式の液晶表示装置は良好な視角特性が得られ、表示画面の上下左右方向に対して特に良好な視角特性が得られる。
【００２０】
画素電極１６の切欠き部４８は、エッジ部１６ａと線状突起４２、４３との交差位置近傍に形成されている。切欠き部４８は、図１７に示したような形状の画素電極１６が形成されたときに、エッジ部１６ａと線状突起４３の延びる方向とのなす角度が鈍角になる領域、及びエッジ部１６ａと線状突起４２の延びる方向とのなす角度が鋭角になる領域の透明導電膜を除去して形成されている。このため、基板面に垂直に見ると、画素電極１６のエッジ部１６ａと線状突起４３の延びる方向とのなす角度はほぼ全て鋭角（例えば約４５°）になっている。また、基板面に垂直に見ると、画素電極１６のエッジ部１６ａと線状突起４２の延びる方向とのなす角度はほぼ全て鈍角（例えば約１３５°）になっている。これにより本実施の形態では、ほぼ全てのエッジ部１６ａと線状突起４２、４３とが、図１８に示した領域Ａと同様の位置関係になり、領域Ｂのような領域が存在しない。すなわち基板面に垂直に見ると、エッジ部１６ａと線状突起４２、４３との交差位置近傍において、エッジ部１６ａにより配向規制される液晶分子の配向方位と、線状突起４２、４３により配向規制される液晶分子の配向方位とのなす角度は鋭角（約４５°）になる。
【００２１】
本実施の形態では、図１８に示した領域Ｂのような配向不良の生じ易い領域が画素領域内に存在しないことになる。このため、図１７に示した補助突起１４５を形成することなく液晶の配向不良を抑制できる。また、微細スリット４７の長さを長くする必要がないため、微細スリット４７の幅のばらつきは生じ難く、ショットむらが視認され難くなる。したがって本実施の形態によれば、基板２、４間の貼合せずれや画素電極１６のパターニングのばらつき等の影響を受け難く、表示特性が良好で輝度の高い液晶表示装置が得られる。
以下、本実施の形態による液晶表示装置について、実施例を用いてより具体的に説明する。
【００２２】
（実施例１−１）
本実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置について図１及び図２を参照して説明する。２枚のガラス基板として、日本電気硝子製のＯＡ−２を用いた。板厚は０．７ｍｍとした。一方のガラス基板には、ゲートバスライン１２、ドレインバスライン１４、蓄積容量バスライン１８を形成し、画素領域毎にＴＦＴ２０及び画素電極１６を形成して、ＴＦＴ基板２を作製した。画素電極１６には、図２に示した切欠き部４８や微細スリット４７を形成した。画素電極１６のサイズは、９９μｍ×２９７μｍとした。またＴＦＴ基板２の画素電極１６上には、線状突起４２を形成した。他方のガラス基板には共通電極を形成し、対向基板４を作製した。対向基板４の共通電極上には、線状突起４３を形成した。線状突起４２、４３の幅は１０μｍとし、高さは１．５μｍとした。画素電極１６のエッジ部１６ａと線状突起４２、４３との位置関係は、基板面に垂直に見て、エッジ部１６ａと線状突起４３の延びる方向とのなす角度が約４５°になり、エッジ部１６ａと線状突起４２の延びる方向とのなす角度が約１３５°になるようにした。また、対向基板４上には、セルギャップを維持するための柱状スペーサ４６を形成した。柱状スペーサ４６の高さは４μｍとした。
【００２３】
ＴＦＴ基板２上及び対向基板４上に、それぞれ配向膜を形成した。配向膜の形成材料としては、垂直配向性を示すＪＳＲ社製のポリイミドを用いた。両基板２、４を貼り合わせてセルギャップ４μｍの空セルを作製し、空セル内に液晶を注入して液晶表示パネルを作製した。液晶材料にはメルク社製のネガ型ネマチック液晶を用いた。液晶表示パネルの外側に、クロスニコル配置の一対の偏光板８６、８７を貼り付けた。偏光板８６、８７の各偏光軸８６ａ、８７ａは、線状突起４２、４３の延びる方向に対して４５°の角度をなすようにした。以上の工程を経て、本実施例による液晶表示装置を作製した。
【００２４】
本実施例による液晶表示装置を駆動し、液晶の配向状態を観察した。画素電極１６のエッジ部１６ａ近傍において液晶の配向異常は一切発生しておらず、安定した配向状態が得られていた。また、ショットむら等の表示むらも視認されず、良好な表示特性が得られた。
【００２５】
図３乃至図５は、本実施例による液晶表示装置の画素の構成の変形例を示している。図３乃至図５では、画素電極１６の形状と配向規制用構造物及び柱状スペーサ４６の配置とを示している。図３に示す構成では、ＴＦＴ基板２側の配向規制用構造物として、線状突起４２に代えて線状のスリット（電極の抜き部）４４が設けられている。また、スリット４４により分離された画素電極１６間には、１画素内の画素電極１６を電気的に接続する接続電極４５が形成されている。基板面に垂直に見ると、画素電極１６のエッジ部１６ａと線状突起４３の延びる方向とのなす角度は鋭角になっており、画素電極１６とスリット４４の延びる方向とのなす角度は鈍角になっている。本変形例によっても、図１及び図２に示した構成と同様に良好な表示特性が得られる。
【００２６】
図４及び図５に示す構成は、図２及び図３に示す構成にそれぞれ対応している。本実施の形態では微細スリット４７を形成しなくても比較的良好な液晶配向が得られるため、図４及び図５に示す構成では、画素電極１６に微細スリット４７が形成されていない。本変形例によれば、微細スリット４７の幅のばらつきに起因するショットむらが全く視認されないため、図１及び図２に示した構成よりさらに良好な表示特性が得られる。
【００２７】
（実施例１−２）
本実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置について説明する。図６は、本実施例による液晶表示装置の３画素の構成を示している。図６では、画素電極１６の形状と配向規制用構造物及び柱状スペーサ４６の配置とを示している。本実施例では実施例１−１と同様に、画素電極１６のエッジ部１６ａと線状突起４３の延びる方向とのなす角度が鋭角になり、画素電極１６のエッジ部１６ａと線状突起４２の延びる方向とのなす角度が鈍角になるように、画素電極１６に切欠き部４８が設けられる。切欠き部４８の形成された領域は明るさに寄与しないため、本実施例では、図６に示すように柱状スペーサ４６を切欠き部４８に重なるように配置した。柱状スペーサ４６は、図６の右側の画素のようにほぼ１画素内に収まるように配置してもよいし、図６の左側及び中央の画素のように隣り合う画素間で連結するように配置してもよい。画素領域内に配置される柱状スペーサ４６は一般に輝度を低下させる要因になるが、本実施例では明るさに寄与しない領域に柱状スペーサ４６を配置しているため、輝度の低下が生じない。柱状スペーサ４６の配置を除いて実施例１−１と同様に液晶表示装置を作製したところ、本実施例による液晶表示装置では、実施例１−１の液晶表示装置と同様に良好な表示特性が得られるとともに、より高い輝度が得られた。
【００２８】
（実施例１−３）
本実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置について説明する。図７は、本実施例による液晶表示装置の１画素の構成を示している。図７に示すように、本実施例では画素電極１６のエッジ部１６ｃを従来のエッジ部１６ｄより内側にずらすことによって、画素電極１６の角部１６ｂを対向基板４側の線状突起４３に重ねて配置している。画素電極１６のエッジ部１６ａ、１６ｃと線状突起４３の延びる方向とのなす角度が鋭角になるため、エッジ部１６ａ、１６ｃ及び線状突起４３の交差位置近傍での液晶の配向が安定する。エッジ部１６ａと線状突起４３の延びる方向とのなす角度が鈍角になる領域と、エッジ部１６ａと線状突起４２の延びる方向とのなす角度が鋭角になる領域とには、エッジ部１６ａに沿って延びる補助突起４９が形成されている。補助突起４９を形成せずに、上記実施例１−１及び１−２のように切欠き部４８を形成してもよい。本実施例によれば、画素電極１６の面積が減少することによる輝度の低下が生じ得るものの、液晶の配向不良を抑制できるため、液晶表示装置の表示特性は向上する。
【００２９】
以上説明したように、本実施の形態によれば、配向規制用構造物を用いて液晶を配向規制する液晶表示装置において、液晶の配向不良が生じず、良好な表示特性が得られる。
【００３０】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置について図８乃至図１６を用いて説明する。ＭＶＡ方式の液晶表示装置において、配向規制用構造物の屈曲部近傍の領域や画素電極１６の角部近傍の領域では、液晶の配向状態が一定ではなく連続的に変化している。このため、これらの領域での液晶の配向を安定させることは、輝度の高い液晶表示装置を実現するのに極めて重要である。
【００３１】
図８は、ＭＶＡ方式の液晶表示装置の配向規制用構造物と画素電極の角部との位置関係及び液晶分子の配向方位を模式的に示している。図８（ａ）に示すように、線状突起４３等の対向基板４側の配向規制用構造物と画素電極１６の角部１６ｂとを重ねて配置することによって、線状突起４３により規制される液晶分子８の配向方位と、画素電極１６のエッジ部１６ａにより規制される液晶分子８の配向方位とのなす角度が鋭角になり、液晶の配向は安定する。これに対して図８（ｂ）に示すように、線状突起４３と角部１６ｂとが重なっていないと、線状突起４３により規制される液晶分子８の配向方位と、図中上下方向に延びるエッジ部１６ａにより規制される液晶分子８の配向方位とのなす角度が鈍角になり、液晶の配向は不安定になる。このため、角部１６ｂ近傍に液晶の配向が乱れる配向不良領域Ｃが形成され、光透過率が低下し、表示特性が低下してしまう。
【００３２】
図９は、ＭＶＡ方式の液晶表示装置の配向規制用構造物の屈曲部と画素電極のエッジ部との位置関係及び液晶分子の配向方位を模式的に示している。図９（ａ）に示すように、線状突起４３の屈曲部４３ａと画素電極１６のエッジ部１６ａとを重ねて配置することによって、屈曲部４３ａ内側の液晶分子８はエッジ部１６ａの影響を受けず、線状突起４３により配向規制される。屈曲部４３ａ外側の液晶分子８は、線状突起４３及びエッジ部１６ａにより配向規制されるが、線状突起４３により規制される液晶分子８の配向方位とエッジ部１６ａにより規制される液晶分子８の配向方位とのなす角度は鋭角になる。したがって、液晶の配向は安定する。これに対して図９（ｂ）に示すように、屈曲部４３ａがエッジ部１６ａより画素領域外側にはみ出し、エッジ部１６ａが屈曲部４３ａ内側に配置されてしまうと、屈曲部４３ａ内側の液晶分子８は線状突起４３及びエッジ部１６ａの双方により配向規制される。エッジ部１６ａにより規制される液晶分子８の配向方位と、線状突起４３により規制される液晶分子８の配向方位とのなす角度は鈍角になるため、液晶の配向は不安定になる。このため、屈曲部４３ａの内側に配向不良領域Ｃが形成され、光透過率が低下し、表示特性が低下してしまう。
【００３３】
これらの理由により、輝度の高い液晶表示装置を得るためには、画素電極１６の角部１６ｂと線状突起４３とを重ねて配置し、線状突起４３の屈曲部４３ａと画素電極１６のエッジ部１６ａとを重ねて配置するのが望ましい。
【００３４】
図１０は、ＭＶＡ方式の液晶表示装置の１画素の構成を示している。図１０に示すように、ＴＦＴ基板２側の配向規制用構造物である線状突起（又はスリット）４２と、対向基板４側の配向規制用構造物である線状突起４３とは、互いに半ピッチずれてほぼ平行に配置され、共に直線状に延びている。隣り合う線状突起４２と線状突起４３との間の間隔は、液晶の応答特性や光透過率に影響する。すなわち、線状突起４２、４３間の間隔が狭いと液晶の応答時間は短くなるが光透過率は低下し、間隔が広いと光透過率は向上するが液晶の応答時間は長くなる。したがって、線状突起４２、４３間の間隔は、液晶の応答特性や光透過率等の観点に基づき所定の値に設定されている。また線状突起４２、４３は、液晶表示パネルを挟んで配置される一対の偏光板８６、８７の偏光軸８６ａ、８７ａに対して４５°の角度をなす方向に延びている。
【００３５】
画素電極１６の図中右上及び右下の角部１６ｂと線状突起４２とは、互いに重なって配置されている。しかし、線状突起４２、４３の延びる方向及び互いの間隔には上記のような制約があり、また画素電極１６の形状及び大きさは別の条件によって決定されるため、線状突起４３の屈曲部４３ａと画素電極１６のエッジ部１６ａとを重ねて配置することはできない場合がある。したがって、画素電極１６の形状や大きさにかかわらず、液晶の配向不良を抑制し、表示特性の良好な液晶表示装置を得るのは困難であるという問題が生じる。
【００３６】
本実施の形態の目的は、配向規制用構造物を用いて液晶の配向を規制する液晶表示装置において、表示特性の良好な液晶表示装置を実現することにある。
【００３７】
（実施例２−１）
まず、本実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置について説明する。図１１は、本実施例による液晶表示装置の画素電極及び配向規制用構造物の配置を示している。図１１に示すように、ＴＦＴ基板２に形成された線状突起４２は、ほぼ同一方向に延びる複数の副突起（副構造物）５２を有している。各副突起５２は、偏光板８６、８７の偏光軸８６ａ、８７ａに対し約４５°の角度をなす方向に直線状に延びている。副突起５２同士は、副突起５２の延びる方向に垂直な方向に所定のずれ幅で相対的にずれるように配置され、互いに接触して接続されている。ずれ幅は、例えば副突起５２の幅よりも狭くなっている。同様に、対向基板４に形成された線状突起４３は、ほぼ同一方向に延びる複数の副突起５３を有している。各副突起５３は、副突起５２とほぼ平行に直線状に延びている。副突起５３同士は、副突起５３の延びる方向に垂直な方向に所定のずれ幅で相対的にずれるように配置され、互いに接触して接続されている。
【００３８】
本実施例では、線状突起４２、４３をそれぞれ複数の副突起５２、５３により構成し、副突起５２、５３をそれぞれ互いに所定のずれ幅でずらして接続している。これにより、副突起５２、５３の延びる方向や線状突起４２、４３間の間隔を変えることなく、画素電極１６の角部１６ｂに重なるように線状突起４２（又は４３）を配置し、かつ線状突起４３の屈曲部４３ａを画素電極１６のエッジ部１６ａに重ねて配置するのが容易になる。
【００３９】
本実施例による液晶表示装置について具体的に説明する。２枚のガラス基板として、日本電気硝子製のＯＡ−２を用いた。板厚は０．７ｍｍとした。一方のガラス基板には、ゲートバスライン１２、ドレインバスライン１４、蓄積容量バスライン１８を形成し、画素領域毎にＴＦＴ２０及び画素電極１６を形成して、ＴＦＴ基板２を作製した。画素電極１６のサイズは、１００μｍ×３４０μｍとした。画素電極１６上には、図１１に示したような線状突起４２を形成した。画素電極１６の角部１６ｂには、線状突起４２が重なって配置されるようにした。他方のガラス基板には共通電極を形成し、対向基板４を作製した。共通電極上には、図１１に示したような線状突起４３を形成した。線状突起４３の屈曲部４３ａは、両基板２、４を貼り合わせたときに画素電極１６のエッジ部１６ａに重なるように配置した。線状突起４２、４３の幅は１０μｍとし、高さは１．５μｍとした。互いに接続される副突起５２間のずれ幅と、互いに接続される副突起５３間のずれ幅とはそれぞれ５μｍとした。なお、線状突起４２、４３に代えて、配向規制用構造物としてスリットを形成してもよい。
【００４０】
ＴＦＴ基板２上及び対向基板４上に、それぞれ配向膜を形成した。配向膜の形成材料としては、垂直配向性を示すＪＳＲ社製のポリイミドを用いた。両基板２、４の一方に球状スペーサを散布し、両基板２、４を貼り合わせて空セルを作製した。球状スペーサとして、住友ファインケミカル製の樹脂スペーサを用いた。スペーサ径は４μｍとした。空セル内に液晶を注入し、液晶表示パネルを作製した。液晶材料にはメルク社製のネガ型ネマチック液晶を用いた。液晶表示パネルの外側に、クロスニコル配置の一対の偏光板８６、８７を貼り付けた。偏光板８６、８７の各偏光軸８６ａ、８７ａは、線状突起４２、４３の延びる方向に対して４５°の角度をなすようにした。以上の工程を経て、本実施例による液晶表示装置を作製した。
【００４１】
本実施例による液晶表示装置を駆動し、液晶の配向状態を観察した。画素電極１６の角部１６ｂ近傍及び線状突起４３の屈曲部４３ａ近傍において液晶の配向異常は生じておらず、安定した配向状態が得られていた。このように本実施例によれば、表示特性の良好な液晶表示装置が得られる。
【００４２】
なお、本実施例ではＴＦＴ基板２側の線状突起４２と角部１６ｂとが重なって配置されているが、対向基板４側の線状突起４３と角部１６ｂとを重ねて配置してもよい。線状突起４３と角部１６ｂとを重ねて配置することによって、画素電極１６のエッジ部１６ａと線状突起４３の延びる方向とのなす角度が鋭角（４５°）になり、液晶の配向が安定するため、補助突起４９が不要になる。
【００４３】
（実施例２−２）
次に、本実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置について説明する。図１２は、本実施例による液晶表示装置の画素電極及び配向規制用構造物の配置を示している。図１２に示すように、本実施例では、副突起５２同士及び副突起５３同士を全て接触させて接続した実施例２−１と異なり、一部の副突起５２同士及び一部の副突起５３同士を接触させず、所定の間隙を介して接続した。間隙幅は４μｍとした。
【００４４】
図１３は、対向基板４側の副突起５３同士が相対的にずれて接続された領域での液晶分子の配向状態を模式的に示している。図１３（ａ）は副突起５３同士が間隙を介して接続された領域を示し、図１３（ｂ）は副突起５３同士が直接接続された領域を示している。図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、副突起５３同士が相対的にずれて接続された領域は、液晶分子８の配向ベクトルの特異点を制御する特異点制御部として機能している。副突起５３同士が間隙を介して接続された領域には強度−１の特異点が形成され、副突起５３同士が直接接続された領域には強度＋１の特異点が形成される。図示していないが、ＴＦＴ基板２側の副突起５２同士が間隙を介して接続された領域には強度＋１の特異点が形成され、副突起５２同士が直接接続された領域には強度−１の特異点が形成される。本実施例によれば、副突起５２同士又は副突起５３同士が接続された領域によって特異点を制御できる。例えば図１２に示したように、強度＋１及び−１の特異点が交互に形成されるように副突起５２、５３をそれぞれ接続することによって、液晶の配向不良を抑制することができる。
【００４５】
（実施例２−３）
次に、本実施の形態の実施例２−３による液晶表示装置について説明する。図１４は、本実施例による液晶表示装置の画素電極及び配向規制用構造物の配置を示している。図１４に示すように、本実施例では、互いに幅の異なる副突起５２、５２’により線状突起４２が構成され、互いに幅の異なる副突起５３、５３’により線状突起４３が構成されている。副突起５２’は副突起５２より幅太に形成され、副突起５３’は副突起５３より幅太に形成されている。例えば副突起５２、５２’間及び副突起５３、５３’間のずれ幅を徐々に変化させることにより、副突起５２、５３間の間隔と副突起５２’、５３’間の間隔とをほぼ一致させている。画素電極１６の角部１６ｂに重なって配置される領域の線状突起４２は幅太の副突起５２’により構成され、画素電極１６のエッジ部１６ａに重なって配置される線状突起４３の屈曲部４３ａは幅太の副突起５３’により構成されている。本実施例によれば、配置位置に制約のある領域の線状突起４２、４３を幅太の副突起５２’、５３’により構成することによって、副突起５２、５２’間及び副突起５３、５３’間のずれ幅を比較的小さくできる。
【００４６】
（実施例２−４）
次に、本実施の形態の実施例２−４による液晶表示装置について説明する。図１５は、本実施例による液晶表示装置の画素電極及び配向規制用構造物の配置を示している。図１５に示すように、本実施例の線状突起４２、４３は、基板面に垂直に見て、偏光板８６の偏光軸８６ａ（偏光板８７の偏光軸８７ａ）に対し０°、４５°、９０°及び１３５°のいずれとも異なる角度θ（０°≦θ＜１８０°）をなす方向に直線状に延びている。例えば角度θは３５°≦θ＜４５°、４５°＜θ≦５５°、１２５°≦θ＜１３５°又は１３５°＜θ≦１４５°であり、本例ではθ＝５４°である。線状突起４２、４３の延びる方向と偏光軸８６ａ、８７ａとがなす角度θを４５°±１０°又は１３５°±１０°程度の範囲内で調整することにより、線状突起４２、４３間の間隔を変えることなく、画素電極１６の角部１６ｂに重なるように線状突起４２（又は４３）を配置し、かつ線状突起４３の屈曲部４３ａを画素電極１６のエッジ部１６ａに重ねて配置するのが容易になる。本実施例によれば、線状突起４２、４３の延びる方向と偏光軸８６ａ、８７ａとのなす角度θが４５°（又は１３５°）でないことによる輝度の低下が生じ得るものの、液晶の配向不良が抑制されるため液晶表示装置の表示特性は向上する。
【００４７】
（実施例２−５）
次に、本実施の形態の実施例２−５による液晶表示装置について説明する。図１６は、本実施例による液晶表示装置の画素電極及び配向規制用構造物の配置を示している。図１６に示すように、線状突起４２は、互いに異なる方向に直線状に延びる複数の副突起５２ｂ、５２ｃ等が互いに接続されて形成されている。また線状突起４３は、互いに異なる方向に直線状に延びる複数の副突起５３ａ、５３ｂ、５３ｃ等が互いに接続されて形成されている。例えば、画素電極１６のエッジ部１６ａに重なって配置された屈曲部４３ａを有する線状突起４３は、延びる方向が段階的に変化した副突起５３ａ、５３ｂ、５３ｃを１画素内に有している。副突起５３ａは偏光軸８６ａに対して角度θ１（≒４５°）をなす方向に延び、副突起５３ｂは偏光軸８６ａに対して角度θ２（＞θ１）をなす方向に延び、副突起５３ｃは偏光軸８６ａに対して角度θ３（＞θ２）をなす方向に延びている。角度θ１、θ２、θ３等を例えば４５°±１０°程度の範囲内で調整することにより、線状突起４２、４３間の間隔を変えることなく、画素電極１６の角部１６ｂに重なるように線状突起４２（又は４３）を配置し、かつ線状突起４３の屈曲部４３ａを画素電極１６のエッジ部１６ａに重ねて配置するのが容易になる。本実施例によれば、線状突起４２、４３の延びる方向と偏光軸８６ａ、８７ａとのなす角度が必ずしも４５°（又は１３５°）でないことによる輝度の低下が生じ得るものの、液晶の配向不良が抑制されるため液晶表示装置の表示特性は向上する。なお、線状突起４２、４３をより多数の副突起５２、５３で構成し、延びる方向の段階的変化がより細かくなるようにしてもよいし、線状突起４２、４３を曲線状に形成し、延びる方向が連続的に変化するようにしてもよい。
【００４８】
以上説明したように、本実施の形態によれば、配向規制用構造物を用いて液晶を配向規制する液晶表示装置において、液晶の配向不良が生じず、良好な表示特性が得られる。
【００４９】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、配向規制用構造物として線状突起４２、４３やスリット４４を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、画素電極１６又は共通電極の凹みを配向規制用構造物として用いてもよい。画素電極１６の凹みは、画素電極１６の形成材料である透明導電膜を成膜する前に、下層の絶縁膜や保護膜等を部分的に除去することによって形成される。また、共通電極の凹みは、共通電極の形成材料である透明導電膜を成膜する前に、下層のＣＦ層等を部分的に除去することによって形成される。
【００５０】
また、上記実施の形態では透過型の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、反射型や半透過型等の他の液晶表示装置にも適用できる。
【００５１】
さらに、上記実施の形態では、チャネル保護膜型のＴＦＴ２０を備えた液晶表示装置用基板を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、チャネルエッチ型のＴＦＴを備えた液晶表示装置用基板にも適用できる。
【００５２】
以上説明した第１の実施の形態による液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
対向配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶層と、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に形成されて互いに並列して線状に延び、前記液晶層の液晶分子を第１の配向方位に配向規制する配向規制用構造物と、
前記配向規制用構造物との交差位置近傍で、前記第１の配向方位に対し基板面に垂直に見て鋭角をなす第２の配向方位に前記液晶分子を配向規制するエッジ部を備え、前記第１の基板に形成された画素電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板に形成された配向規制用構造物は、基板面に垂直に見て前記エッジ部に対し鈍角をなす方向に延びていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記３）
付記２記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板に形成された配向規制用構造物は、基板面に垂直に見て前記エッジ部に対し約１３５°の角度をなす方向に延びていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記４）
付記１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第２の基板に形成された配向規制用構造物は、基板面に垂直に見て前記エッジ部に対し鋭角をなす方向に延びていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記５）
付記４記載の液晶表示装置において、
前記第２の基板に形成された配向規制用構造物は、基板面に垂直に見て前記エッジ部に対し約４５°の角度をなす方向に延びていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記６）
付記１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記画素電極は、前記配向規制用構造物との交差位置近傍に切欠き部を有していること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記７）
付記６記載の液晶表示装置において、
前記第１及び第２の基板間のセルギャップを維持する柱状スペーサをさらに有し、
前記柱状スペーサは、前記切欠き部に重なって配置されていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記８）
付記１乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第１及び第２の基板を挟んでクロスニコルに配置された一対の偏光板をさらに有し、
前記配向規制用構造物は、基板面に垂直に見て前記偏光板の偏光軸に対し約４５°の角度をなす方向に延びていること
を特徴とする液晶表示装置。
【００５３】
以上説明した第２の実施の形態による液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記９）
対向配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶層と、
前記第１の基板に形成された画素電極と、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に形成されて前記画素電極の角部に重なって配置され、所定のずれ幅で互いにずれて接続されたほぼ同一方向に直線状に延びる複数の副構造物を備え、前記液晶層の液晶分子を配向規制する配向規制用構造物と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
（付記１０）
付記９記載の液晶表示装置において、
前記ずれ幅は、前記副構造物の幅よりも狭いこと
を特徴とする液晶表示装置。
（付記１１）
付記９又は１０に記載の液晶表示装置において、
前記第１及び第２の基板を挟んでクロスニコルに配置された一対の偏光板をさらに有し、
前記副構造物は、基板面に垂直に見て前記偏光板の偏光軸に対し約４５°の角度をなす方向に延びていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記１２）
対向配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶層と、
前記第１の基板に形成された画素電極と、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に形成されて前記画素電極の角部に重なって配置され、互いに異なる方向に直線状に延びて互いに接続された複数の副構造物を備え、前記液晶層の液晶分子を配向規制する配向規制用構造物と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
（付記１３）
付記９乃至１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記複数の副構造物は、互いに異なる幅を有していること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記１４）
付記９乃至１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
一部の前記副構造物は、所定の間隙を介して互いに接続されていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記１５）
付記９乃至１４のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記副構造物が互いに接続された領域は、前記液晶分子の配向ベクトルの特異点を制御する特異点制御部として機能すること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記１６）
対向配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶層と、
前記第１の基板に形成された画素電極と、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に曲線状に延びて形成されて前記画素電極の角部に重なって配置され、前記液晶層の液晶分子を配向規制する配向規制用構造物と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
（付記１７）
対向配置された第１及び第２の基板と、
前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶層と、
前記第１及び第２の基板を挟んで配置された一対の偏光板と、
前記第１の基板に形成された画素電極と、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方に形成されて前記画素電極の角部に重なって配置され、基板面に垂直に見て前記偏光板の偏光軸に対し０°、４５°、９０°及び１３５°のいずれとも異なる角度θ（０°≦θ＜１８０°）をなす方向に直線状に延び、前記液晶層の液晶分子を配向規制する配向規制用構造物と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
（付記１８）
付記１７記載の液晶表示装置において、
前記角度θは、３５°≦θ＜４５°、４５°＜θ≦５５°、１２５°≦θ＜１３５°又は１３５°＜θ≦１４５°であること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記１９）
付記９乃至１８のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記配向規制用構造物は屈曲部を有し、
前記屈曲部は前記画素電極のエッジ部に重なって配置されていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記２０）
付記１９記載の液晶表示装置において、
前記エッジ部に重なって配置された前記屈曲部を有する前記配向規制用構造物は、前記第２の基板に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記２１）
付記９乃至２０のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記角部に重なって配置された前記配向規制用構造物は、前記第２の基板に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記２２）
付記１乃至２１のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記配向規制用構造物は、突起、凹み又はスリットのいずれかであること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記２３）
付記１乃至２２のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記液晶分子は負の誘電率異方性を有し、電圧無印加時に基板面にほぼ垂直に配向していること
を特徴とする液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置の１画素の構成の変形例を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置の１画素の構成の変形例を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置の１画素の構成の変形例を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置の３画素の構成を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図８】ＭＶＡ方式の液晶表示装置の配向規制用構造物と画素電極角部との位置関係を示す図である。
【図９】ＭＶＡ方式の液晶表示装置の配向規制用構造物の屈曲部と画素電極エッジ部との位置関係を示す図である。
【図１０】ＭＶＡ方式の液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置の画素電極及び配向規制用構造物の配置を示す図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置の画素電極及び配向規制用構造物の配置を示す図である。
【図１３】副突起同士が接続された領域での液晶分子の配向状態を示す図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態の実施例２−３による液晶表示装置の画素電極及び配向規制用構造物の配置を示す図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態の実施例２−４による液晶表示装置の画素電極及び配向規制用構造物の配置を示す図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態の実施例２−５による液晶表示装置の画素電極及び配向規制用構造物の配置を示す図である。
【図１７】従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の３画素の構成を示す図である。
【図１８】従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置の配向規制用構造物と画素電極のエッジ部との位置関係、及びエッジ部近傍での液晶の配向状態を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
２  ＴＦＴ基板
４  対向基板
８  液晶分子
１２  ゲートバスライン
１４  ドレインバスライン
１６  画素電極
１６ａ、１６ｃ、１６ｄ  エッジ部
１６ｂ  角部
２０  ＴＦＴ
２１  ドレイン電極
２２  ソース電極
２３  ゲート電極
２５  コンタクトホール
２８  チャネル保護膜
４２、４３  線状突起
４３ａ  屈曲部
４４  スリット
４５  接続電極
４６  柱状スペーサ
４７  微細スリット
４８  切欠き部
４９  補助突起
５２、５３  副突起
８０  ゲートバスライン駆動回路
８２  ドレインバスライン駆動回路
８４  制御回路
８６、８７  偏光板
８６ａ、８７ａ  偏光軸
８８  バックライトユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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