(57)【要約】  【課題】  側壁部分やパターン頭部の平滑性が高い溝形状を有する情報記録媒体用原盤の作成方法を提供すること。  【解決手段】  電子線の照射により基板２１０上の電子線感応レジスト薄膜２３０に形成された所定のパターンの潜像を現像液により現像し、パターン形状を形成する情報記録媒体用原盤作成方法であって、基板２１０と電子線感応レジスト薄膜２３０との間に、電子線感応レジスト薄膜２３０を透過した電子線の基板２１０からの後方散乱電子を抑制する性質を有し、現像液に可溶な有機薄膜２２０を形成する有機薄膜形成工程を有する情報記録媒体用原盤作成方法。  【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線の照射により基板上の電子線感応レジスト薄膜に形成された所定のパターンの潜像を現像液により現像し、パターン形状を形成する情報記録媒体用原盤作成方法であって、
前記基板と前記電子線感応レジスト薄膜との間に、前記現像液に対する垂直方向の溶解速度が、当該現像液に対する水平方向の溶解速度よりも大きい現像異方性を有する有機薄膜を形成する有機薄膜形成工程を有することを特徴とする情報記録媒体用原盤作成方法。
【請求項２】
前記有機薄膜は、前記電子線感応レジスト薄膜を透過した前記電子線の前記基板からの後方散乱電子を抑制する性質を有することを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体用原盤作成方法。
【請求項３】
前記有機薄膜は、前記電子線に対する電子線感応性が極めて低い、または実質的に電子線感応性を有しない性質であることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体用原盤作成方法。
【請求項４】
前記現像により形成された前記パターン形状をエッチングマスクとしたエッチングを行い、前記基板に当該パターン形状を転写する転写工程をさらに有することを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体用原盤作成方法。
【請求項５】
前記エッチングが反応性イオンエッチングであることを特徴とする請求項４記載の情報記録媒体用原盤作成方法。
【請求項６】
前記エッチングにおいて、前記電子線感応レジスト薄膜のエッチング速度（Ｖ１）と前記有機薄膜のエッチング速度（Ｖ２）との比（Ｖ１／Ｖ２）が１より大きい（Ｖ１／Ｖ２＞１）ことを特徴とする請求項４記載の情報記録媒体用原盤作成方法。
【請求項７】
前記電子線感応レジスト薄膜は、化学増幅型レジストにより構成されることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体用原盤作成方法。
【請求項８】
請求項１記載の情報記録媒体用原盤作成方法により作成した情報記録媒体用原盤の表面に形成された所定のパターン形状を転写した凹凸パターンを有することを特徴とする情報記録媒体用スタンパ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は情報記録媒体用原盤作成方法等に関し、より詳しくは、電子線照射装置を用いた情報記録媒体用原盤作成方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、記録される情報量の増加に伴い、必要とされる情報記録媒体の記録容量及び記録密度、更に記録した情報のアクセス速度の上昇が必須となっている。このため光ディスク基板のピットの大きさやグルーブの幅は年々微細化し、トラックピッチも狭小化している。基板にあらかじめ形成されるピットやグルーブなどの微細構造はレーザー光を用いたリソグラフィー法で作成される。このため、形成可能なピットやグルーブの最小サイズは、光源より出射されたレーザー光の波長と集光レンズの開口数（ＮＡ）に依存する。露光装置のレンズＮＡが０．９と既に限界に近づいていることから、従来のレーザー光を用いた原盤露光装置は、レーザー光の短波長化により、微細化のトレンドに対応してきた。具体的には、ＤＶＤでは、例えば波長３５１ｎｍのクリプトンレーザーを用いるのに対し、ＢｌｕＲａｙ  Ｄｉｓｃでは、例えば、アルゴンレーザーの発振線の第２高調波を用いた波長２５７ｎｍあるいは２４４ｎｍのレーザー光等が使用される。
【０００３】
また、光ディスクと同様にリソグラフィー法により微細構造を形成する半導体製造プロセスでは、例えば、波長１９３ｎｍのアルゴンフルオライドエキシマレーザー光等のように、更に波長の短いパルスレーザー光源によるレーザー光を用いた面露光方式が採用されている。尤も、このようなパルスレーザー光源は、個々のパルス光の強度にばらつきがあるため、光ディスク用基板の製造には適していないと考えられている。このため、アルゴンレーザーの発振線の第２高調波を用いた遠紫外線レーザーよりも短波長且つ連続発振が可能で、更に微細なピットやグルーブを作成可能とするレーザー光源の見通しが立っていない。
【０００４】
一方、このような微細なピットやグルーブを作成可能とするレーザー光源の見通しが立っていない現状の下、記録密度を更に向上させた光ディスクの製造に、電子線描画装置が適用される可能性が高まり、開発が続けられている。
一般に、電子線描画装置を用いて形成する光ディスクのピットやグルーブの最小サイズは、電子光学系の収差や加速電圧に依存し、通常、収差が少ないほど、また加速された電子のエネルギーが大きいほど、電子線をより微細に集束することができる。
【０００５】
しかしながら、電子線描画装置を用いて、シリコンウェハー等の基板上に塗布された電子線感応レジスト薄膜に、このように集束した電子線を照射したとしても、電子線感応レジストに用いられる高分子の分子体積や分子同士のアグリゲーションの影響で、現像後に形成されたパターンの側壁部分の平滑性には限界がある。この場合、現像後に形成されたパターンを、電子線感応レジストのガラス転移温度（Ｔｇ）以上に加熱することにより、側壁部分の平滑性を向上させることもできるが、同時にパターン頭部が変形を生じて丸くなってしまう。
このため、現像後に形成されたパターンを、電子線感応レジストのＴｇ以上に加熱し、更にこのパターンをエッチングマスクとして反応性イオンエッチング処理を行うことにより、側壁部分やパターン頭部の平滑性が高く、矩形な溝形状を有する情報記録媒体用原盤の作成方法が報告されている（特許文献１参照）。
【０００６】
また、集束した電子線は、エネルギーが大きいほど、電子線感応レジスト薄膜内での散乱断面積が小さくなる。このため、シリコンウェハー等の原盤上に塗布された電子線感応レジストと反応してパターン形成に寄与するのは、主に電子線感応レジスト薄膜内で散乱しエネルギーが低下した反跳電子あるいは二次電子である。一般に、シリコンウェハー等の基板部分は電子線レジスト薄膜と比べてフリーボリュームが小さく、電子線の散乱がより顕著に生じる。このため、基板と電子線レジスト薄膜との界面近傍では、主に基板から散乱された後方散乱電子が電子線レジストと反応する結果、集束された電子線が照射された領域以外の電子線感応レジストを現像液に可溶化な状態に変化させ、微細なパターンの形成を困難にすると考えられている。また、この傾向は電子線感応レジストの薄膜化が進むほど顕著となる。
【０００７】
このような現象を抑制する方法としては、シリコンウェハー等の基板と電子線感応レジスト薄膜との中間に、例えば、Ａｌ２Ｏ３、酸化インジウム（ＩＴＯ）等の無機材料等からなる散乱制御層を設け、電子線感応レジスト薄膜を透過し、基板から散乱された後方散乱電子の影響を緩和する方法が報告されている（特許文献２参照）。
【０００８】
図３は、従来の電子線照射による情報記録媒体用原盤の作成方法を説明するための図である。図３（ａ）に示すように、シリコンウェハー等の基板３１上に設けた無機材料等からなる散乱制御層３２上に、電子線感応レジスト薄膜３３を塗布する。次に、図３（ｂ）に示すように、電子線感応レジスト薄膜３３に電子線を照射して所定の形状の潜像を形成した後、現像処理により電子線感応レジストからなる凹凸パターン３４が形成される。
【０００９】
【特許文献１】特開平０７−１６１０８０号公報
【特許文献２】特開２００４−１１９４１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、特許文献２に記載されているように、電子線感応レジスト薄膜３３と基板３１との中間に設けられた散乱制御層３２は、通常、現像液に溶解しないため、電子線感応レジスト薄膜３３に電子線ビームを照射し、現像処理により凹凸パターン３４を形成した場合には、電子線照射部分に対応する基板３１の表面を露出することができない。このため、凹凸パターン３４を形成した電子線感応レジスト部分をエッチングマスクとして反応性イオンエッチング処理を行い、側壁部分や凹凸パターン３４頭部の平滑性を高め、矩形な溝形状を有する情報記録媒体用原盤の作成が困難であるという問題がある。
【００１１】
更に、特許文献２に記載されている方法では、最終的に形成する凹凸パターン３４の溝の深さと電子線感応レジスト薄膜３３の厚さとを同程度（例えば、３０ｎｍ以下）にする必要がある。
しかし、本発明者等の検討によれば、シリコンウェハー等の基板３１上に塗布される電子線感応レジストが化学増幅型レジストを用いて電子線感応レジスト薄膜３３の厚さとを同程度の深さのパターンを形成する場合、現像により形成されるパターンの溝幅の再現性が低下することが判明した。
このような再現性低下の原因は、化学増幅型レジストの現像液に対する可溶化部分を形成するには、電子線照射により発生した酸性物質とバインダー樹脂とを加熱等で反応させる必要があるが、このような発生した酸性物質が、電子線感応レジスト薄膜が薄すぎたために、搬送工程等の途中で、大気中の塩基性成分が電子線感応レジスト薄膜全体に拡散し、失活してしまうためと考えられる。
【００１２】
本発明は、電子線描画装置を用いて形成する光ディスクのピットやグルーブを形成する場合に、このような電子線の後方散乱現象により生じる現像コントラストの低下を解決するためになされたものである。
即ち、本発明の目的は、側壁部分やパターン頭部の平滑性が高く、矩形の溝形状を有する情報記録媒体用原盤の作成方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、信号ノイズ比の高い再生信号が得られる情報記録媒体の作成が可能な情報記録媒体用スタンパを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決するために、本発明においては、シリコンウェハー等の基板と電子線感応レジスト薄膜との間に特定の性質を有する有機薄膜を設ける構成を採用している。
即ち、本発明によれば、電子線の照射により基板上の電子線感応レジスト薄膜に形成された所定のパターンの潜像を現像液により現像し、パターン形状を形成する情報記録媒体用原盤作成方法であって、基板と電子線感応レジスト薄膜との間に、現像液に対する垂直方向の溶解速度が、現像液に対する水平方向の溶解速度よりも大きい現像異方性を有する有機薄膜を形成する有機薄膜形成工程を有することを特徴とする情報記録媒体用原盤作成方法が提供される。
これにより、現像処理において、電子線感応レジスト薄膜の電子線感応レジストが除かれた開口部に対応する部分のみが溶解し、電子線照射部分の基板表面を露出することが可能となる。
【００１４】
ここで、有機薄膜は、電子線感応レジスト薄膜を透過した電子線の基板からの後方散乱電子を抑制する性質を有することにより、基板に反射して散乱する後方散乱電子が電子線感応レジスト薄膜に与える影響が抑制され、微細なパターン形状の形成が可能になる。
さらに、有機薄膜は、電子線に対する電子線感応性が極めて低い、または実質的に電子線感応性を有しない性質であることにより、電子線照射量の影響を受けずに電子線照射部分とほぼ同じ大きさの基板表面を露出することが可能となる。
【００１５】
次に、本発明が適用される情報記録媒体用原盤作成方法において、現像により形成されたパターン形状をエッチングマスクとしたエッチングを行い、基板にパターン形状を転写する転写工程をさらに有することにより、側壁部分やパターン頭部の平滑性が高く、矩形な溝形状を有する情報記録媒体用原盤を作成することができる。この場合、エッチングは、反応性イオンエッチングであることが好ましい。
ここで、エッチングにおいて、電子線感応レジスト薄膜のエッチング速度（Ｖ１）と有機薄膜のエッチング速度（Ｖ２）との比（Ｖ１／Ｖ２）が１より大きい（Ｖ１／Ｖ２＞１）ことを特徴とすれば、基板にエッチング速度の低いシリコンウェハーを用いた場合にも、側壁部分やパターン頭部の平滑性が高く、矩形な溝形状を有する情報記録媒体用原盤の作成が可能となる。
【００１６】
また、電子線感応レジスト薄膜は、化学増幅型レジストにより構成されることが好ましい。電子線感応レジストとして高感度の化学増幅型レジストを用いることにより、少ない電子線照射量で電子線感応レジストの現像速度を変化させることができ、情報記録媒体用原盤の生産性を向上させることができる。
さらに、本発明によれば、このような情報記録媒体用原盤作成方法により作成した情報記録媒体用原盤の表面に形成された所定のパターン形状を転写した凹凸パターンを有する情報記録媒体用スタンパが提供される。
【発明の効果】
【００１７】
かくして本発明によれば、側壁部分やパターン頭部の平滑性が高く、矩形の溝形状を有する情報記録媒体用原盤の作成方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面に基づき、本発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態という。）について詳述する。尚、本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において異なる形態を採用することができる。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するために使用するものであり、実際の大きさを表すものではない。
図１は、本実施の形態が適用される情報記録媒体用原盤作成方法を実施するための電子線照射装置を説明するための図である。図１に示すように、電子線照射装置１００は、電子線照射手段としての電子光学系を収納する鏡塔１０と、原盤保持回転手段を備えた試料室２０と、から構成されている。尚、鏡塔１０及び試料室２０は、適当な真空装置（図示せず）により真空状態に保たれている。
【００１９】
鏡塔１０の内部には、所定の印加電圧（例えば、５０ｋＶ）により電子線１９を放射する熱電界放射型電子銃１１が取り付けられている。また、放射された電子線１９を絞るコンデンサレンズ１２と、電子線１９を微小なビーム径に絞り、原盤２１上に照射する対物レンズ１６と、を備えている。さらに、電子線１９の変調を行うブランキング電極１３と、電子線１９の振幅を偏向する偏向電極１５と、電子線１９を遮るアパーチャ１４と、を備えている。
【００２０】
試料室２０中には、原盤２１を保持して回転する駆動手段である回転台２２と、原盤２１を水平方向に移動させ、電子線１９と原盤２１との水平方向の相対位置を変動させる変動手段としての移動台２３とが備えられている。また、回転台２２及び移動台２３は、リードスクリュー２４を介して、ＡＣサーボモーター２５の動力が伝達されている。
さらに、電子線照射装置１００には、ブランキング電極１３に送る信号を発生させる信号源１７と、信号源１７からの信号を変調するビーム変調器１８と、を有する。また、偏向電極１５及びＡＣサーボモーター２５を制御する制御器を備えている。
【００２１】
次に、電子線照射装置１００の作用について説明する。
図１に示すように、熱電界放射型電子銃１１から放射された電子線１９は、コンデンサレンズ１２により集束される。ブランキング電極１３は、信号源１７の信号がビーム変調器１８により変調された電場により電子線１９の進行方向を偏向し、電子線１９のアパーチャ１４の通過量を変調する。アパーチャ１４を通過した電子線１９は、偏向電極１５により偏向制御されたのち、対物レンズ１６により再度集束された後、原盤２１の表面に照射される。
【００２２】
偏向電極１５は、制御器２６の振幅制御信号による高周波振動の振幅を制御し、これにより、電子線１９の偏向量が制御される。
また、制御器２６は、原盤２１に照射される電子線１９と原盤２１との水平方向の相対位置に基づく回転数制御信号により、ＡＣサーボモーター２５を制御し、原盤２１の回転数を制御する原盤回転制御手段としても機能する。
【００２３】
電子線照射装置１００において、加速電圧を所定の電圧に上昇させることにより、電子線１９のビーム径を、光学読み取り式の光ディスクドライブ又は光磁気ディスクドライブに搭載される記録再生レーザー光を対物レンズにより集光したスポットサイズよりも小さい径にまで集束させることが可能である。また、電子線１９は、光とは異なり価電粒子の流れであるため、磁場又は電場により進行方向を変えることができる。このため、光ビームと比較して高速偏向及びブランキングを利用した変調が可能である。
【００２４】
熱電界放射型電子銃１１から放出された電子線１９を、外部から所定の高周波信号が印可された偏向電極１５により、トラック方向に対しほぼ垂直に高速に偏向させる。同時に、外部の信号源１７から所定の変調信号が印可されたブランキング電極１３により電子線１９の変調を行い、電子線感応レジスト薄膜を有する原盤２１の表面に集束させる。さらに、これと同時に、原盤２１を所定の速度で回転させながら、半径方向に所定の速度で移動させ、原盤２１表面の電子線感応レジスト薄膜に、螺旋状のトラックに沿って、変調したピット列の潜像を形成する。原盤２１の表面に電子線１９を集束し、ピット列の潜像を形成する場合は、半径位置によって原盤２１の回転数を連続的に変化させるＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式により、原盤２１を線速度一定の条件で回転することが好ましい。
【００２５】
次に、電子線照射装置１００を用いて、本実施の形態が適用される情報記録媒体用原盤作成方法について説明する。
図２は、本実施の形態が適用される情報記録媒体用原盤作成方法を説明するための図である。先ず、図２（ａ）に示すように、基板２１０上に有機薄膜２２０を形成する（有機薄膜形成）。基板２１０を構成する材料としては、例えば、シリコンウェハー、石英ガラス、ソーダガラス、表面に導電層を形成した石英ガラス、表面に導電層を形成したソーダガラス等が挙げられる。これらの中でも、シリコンウェハーは、チャージアップが少ないので好適である。
【００２６】
有機薄膜２２０は、後述するように、電子線感応レジスト薄膜２３０に照射され基板２１０に反射して散乱する後方散乱電子が電子線感応レジスト薄膜２３０に与える影響を緩和する性質（後方散乱抑制性）を有するものである。また、後述するように、有機薄膜２２０は、電子線照射により電子線感応レジスト薄膜２３０に所定の形状パターンの潜像を形成した後に行う現像処理（図２（ｃ））において、現像液に対して、垂直方向（但し、図２における縦方向）の溶解速度が、水平方向（但し、図２における横方向）の溶解速度よりも大きいという性質（現像異方性）を有するものが好ましい。さらに、有機薄膜２２０は、電子線感応性が極めて低い、または実質的に電子線感応性を有しない性質であることが望ましい。
【００２７】
このような有機薄膜２２０は、例えば、半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて、シリコンウェハー上に塗布されたフォトレジスト層への露光照射光のシリコンウェハーからの反射を軽減させる目的で使用される反射防止膜形成用組成物を用いて形成することができる。
このような反射防止膜形成用組成物としては、例えば、少なくとも二つのグリシジルエーテル構造を有する化合物と芳香族化合物との反応生成物を含む組成物；リン原子を含む有機基により少なくとも１つ置換されたジエン化合物の重合体を含む組成物；ヒドロキシアルキル基またはアルコキシアルキル基で置換されたグリコールウリル化合物を含有する組成物；ヒドロキシアルキル基またはアルコキシアルキル基で置換された尿素化合物を含有する組成物；単位構造の主鎖に脂環構造と芳香環又はヘテロ芳香環構造とを有する高分子化合物を含む組成物；炭素炭素三重結合を含有する高分子化合物を含む組成物；ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂を含む組成物；マレイミドまたはマレイミド誘導体からなる構造単位を含む樹脂を含有する組成物等が挙げられる。
【００２８】
少なくとも二つのグリシジルエーテル構造を有する化合物と芳香族化合物との反応生成物を含む組成物は、例えば、少なくとも二つのグリシジルエーテル構造を有する化合物として、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル及び１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル等が挙げられる。
また、芳香族化合物としては、９−アントラセンカルボン酸、１０−ブロモ−９−アントラセンカルボン酸、アントラセン−９，１０−カルボン酸、１−アントラセンカルボン酸、１−ヒドロキシアントラセン等のアントラセンカルボン酸；１−ナフタレンカルボン酸、２−エトキシ−１−ナフタレンカルボン酸、４−ブロモ−１，８−ナフタレンジカルボン酸、４−フルオロ−１−ナフタレンカルボン酸、２−ヒドロキシ−１−ナフタレンカルボン酸、４−ニトロ−１−ナフタレンカルボン酸、１，６−ナフタレンジカルボン酸、４−メチル−１−ナフタレンカルボン酸等のナフタレンカルボン酸；安息香酸、４−アセチル安息香酸、４−アセトキシ安息香酸、３−メトキシ−４−ヒドロキシ安息香酸、３−ニトロ−４−ヒドロキシ安息香酸、３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ−５−メチル安息香酸等の安息香酸等が挙げられる。
【００２９】
リン原子を含む有機基により少なくとも１つ置換されたジエン化合物の重合体を含む組成物を含む組成物は、例えば、置換されたジエン化合物の重合体として、ホスホン酸エステル等から誘導されるリン原子を含む一価の有機基を有する置換ブタジエンの重合体が挙げられる。置換ブタジエンの具体例は、ブタジエンホスホン酸ジエチルエステル、ブタジエンホスホン酸ジメチルエステル等が挙げられる。また、ブタジエンは、ｃｉｓ−１，４−構造、ｔｒａｎｓ−１，４−構造または１，２−構造のいずれの構造も含まれる。
【００３０】
ヒドロキシアルキル基またはアルコキシアルキル基で置換されたグリコールウリル化合物と吸光性化合物等を含有する組成物を含む組成物は、例えば、ヒドロキシアルキル基またはアルコキシアルキル基で置換されたグリコールウリル化合物としては、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラブトキシメチルグリコールウリル等が挙げられる。さらに、これらのグリコールウリル化合物と、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、アルコキシメチル基等の置換基を有する化合物との縮合反応により得られる樹脂等が挙げられる。
グリコールウリル化合物と縮合反応が可能な化合物としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、アラビトール、シクロヘキサンジオール、ポリ（２−ヒドロキシエチル）メタクリレート、フェノールノボラック、トリス（２−ヒドロキシエチル）トリアジントリオン、ナフトール、ベンジルアルコール、９−ヒドロキシメチルアントラセン等の水酸基を有する化合物；マレイン酸、フタル酸、マロン酸、安息香酸、ナフタレンカルボン酸、９−アントラセンカルボン酸等のカルボキシル基を有する化合物；エチレンジアミン、アミノアントラセン、アニリン、ヘキサメチレンジアミン等のアミノ基を有する化合物；メトキシメチルタイプメラミン系架橋剤化合物、ブトキシメチルタイプメラミン系架橋剤化合物等のアルコキシメチル基を有する化合物が挙げられる。
【００３１】
ヒドロキシアルキル基またはアルコキシアルキル基で置換された尿素化合物を含有する組成物を含む組成物は、例えば、ヒドロキシアルキル基またはアルコキシアルキル基で置換された尿素化合物としては、テトラブトキシメチル尿素等の尿素、メチル尿素等とホルマリンとを反応させてメチロール化することにより得られた尿素化合物等が挙げられる。また、このようなヒドロキシアルキル基またはアルコキシアルキル基で置換された尿素化合物と、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、アルコキシメチル基等の置換基を有する化合物との縮合反応により得られる樹脂等が挙げられる。
グリコールウリル化合物と縮合反応が可能な化合物としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、アラビトール、シクロヘキサンジオール、ポリ（２−ヒドロキシエチル）メタクリレート、フェノールノボラック、トリス（２−ヒドロキシエチル）トリアジントリオン、ナフトール、ベンジルアルコール、９−ヒドロキシメチルアントラセン等の水酸基を有する化合物；マレイン酸、フタル酸、マロン酸、安息香酸、ナフタレンカルボン酸、９−アントラセンカルボン酸等のカルボキシル基を有する化合物；エチレンジアミン、アミノアントラセン、アニリン、ヘキサメチレンジアミン等のアミノ基を有する化合物；メトキシメチルタイプメラミン系架橋剤化合物、ブトキシメチルタイプメラミン系架橋剤化合物等のアルコキシメチル基を有する化合物等が挙げられる。
【００３２】
単位構造の主鎖に脂環構造と芳香環又はヘテロ芳香環構造とを有する高分子化合物を含む組成物を含む組成物は、例えば、このような高分子化合物として、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，６−ジヒドロキシナフタレン、１，７−ジヒドロキシナフタレン等の脂環式化合物と１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジグリシジルエステル等の芳香環式化合物との反応生成物等が挙げられる。
【００３３】
炭素炭素三重結合を含有する高分子化合物を含む組成物を含む組成物は、例えば、このような高分子化合物として、各々炭素炭素三重結合を含有するアクリル酸エステル類、アクリル酸アミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリル酸アミド類、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、スチレン類、ビニルフェノール類、無水マレイン酸類、マレイミド類等の付加重合性不飽和結合を有する化合物；ジカルボン酸化合物類、ジヒドロキシ化合物類、ジアミノ化合物類、ジエポキシ化合物類、ジイソシアネート化合物類、酸二無水物化合物類、ジチオール化合物類、フェノール化合物類等の縮合重合可能な化合物を単位モノマーとして、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合、縮合重合等の方法により合成される高分子化合物等が挙げられる。
【００３４】
ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂を含む組成物を含む組成物は、例えば、ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂としては、テトラブロモビスフェノールＡ等のハロゲン化ビスフェノールＡと、エピクロルヒドリン等のクロロメチルオキシランとの重合体が挙げられる。さらに、これ以外の非架橋性のモノマーを共重合することも可能である。このようなモノマーとしては、例えば、アルキル基の炭素数が１〜１０のアルキルアクリレートまたはアルキルメタクリレート等のアクリル酸エステル類；アクリルアミド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、Ｎ−アリールアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−アリールアクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミド等のアクリルアミド類；メタクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド、Ｎ−アリールメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアリールメタクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミド等のメタクリルアミド類；アルキルビニルエーテル、ビニルアリールエーテル等のビニルエーテル類；ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート等のビニルエステル類；スチレン、アルキルスチレン、アルコキシスチレン、ハロゲンスチレン、ヒドロキシスチレン、カルボキシスチレン等のスチレン類；クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモノクロトネート等のクロトン酸エステル類等が挙げられる。
【００３５】
マレイミドまたはマレイミド誘導体からなる構造単位を含む樹脂を含有する組成物を含む組成物は、例えば、このような樹脂としては、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、ヒドロキシエチルマレイミド、フェニルマレイミド、マレイミド等のマレイミドまたはマレイミド誘導体をモノマーとした重合体；このようなマレイミドまたはマレイミド誘導体のモノマーと、アクリル酸、ハロゲン化アクリル酸、メタクリル酸、それらエステ等またはこれらの組み合わせからなるモノマーとの重合体が挙げられる。さらに、これ以外の非架橋性のモノマーを共重合することも可能である。
このようなモノマーとしては、例えば、アルキル基の炭素数が１〜１０のアルキルアクリレートまたはアルキルメタクリレート等のアクリル酸エステル類；アクリルアミド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、Ｎ−アリールアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−アリールアクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミド等のアクリルアミド類；メタクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド、Ｎ−アリールメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアリールメタクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミド等のメタクリルアミド類；アルキルビニルエーテル、ビニルアリールエーテル等のビニルエーテル類；ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート等のビニルエステル類；スチレン、アルキルスチレン、アルコキシスチレン、ハロゲンスチレン、ヒドロキシスチレン、カルボキシスチレン等のスチレン類；クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモノクロトネート等のクロトン酸エステル類等が挙げられる。
【００３６】
上述した組成物には、必要に応じて、さらに、テトラメトキシメチルグリコールウリル、ヘキサメトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチル尿素、テトラブトキシメチル尿素等の架橋形成置換基を有するメラミン系化合物または置換尿素系化合物からなる架橋剤；２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ビニルアルコール、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、アクリル酸、メタクリル酸等を構成単位の一つとして含有する樹脂等が配合されている。また、レオロジー調整剤、接着補助剤、界面活性剤等が添加されている。
【００３７】
また、上述した固形分成分を溶解させる溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、２ーヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等が挙げられる。これらの溶剤は単独で、または２種以上の組合せで使用される。
【００３８】
有機薄膜２２０は、シリコンウェハー等の基板２１０上に有機材料の溶液を塗布し、加熱処理によって余剰の溶剤を除去して形成される。有機材料の溶液の塗布方法としては、スピンコート、ディッピング、ロール塗布、ブレードコート、アプリケータコート、バーコート、スクリーン印刷等が挙げられる。
有機薄膜２２０は、後述する電子線感応レジスト薄膜２３０（図２（ｂ））をスピンコート等により形成する際に、電子線感応レジスト薄膜２３０（図２（ｂ））と互いに混合しないように、塗布後に加熱処理を行う。加熱温度は特に限定されないが、通常１００℃〜２００℃であり、塗布液の濃度に応じて選択される。有機薄膜２２０の膜厚は特に限定されないが、通常５０ｎｍ〜１００ｎｍであることが望ましい。
【００３９】
次に、図２（ｂ）に示すように、有機薄膜２２０上に電子線感応レジスト溶液を塗布した後、加熱処理によって余剰の溶剤を除去し、電子線感応レジスト薄膜２３０を設けた原盤２１を形成する。続いて、電子線照射により、電子線感応レジスト薄膜２３０に所定のパターン形状の潜像を形成する（潜像形成）。
ここで、基板２１０と電子線感応レジスト薄膜２３０との間に有機薄膜２２０を設けることにより、電子線感応レジスト薄膜２３０を透過し、基板２１０に反射して散乱する後方散乱電子が電子線感応レジスト薄膜２３０に与える影響を抑制することが可能となる。その結果、電子線感応レジスト薄膜２３０の、電子線が照射された領域以外の電子線感応レジストが、現像液に可溶な状態に変化することが大幅に減少し、微細なパターン形状の形成が可能になる。
【００４０】
また、有機薄膜２２０は、電子線感応性が極めて低い、または実質的に電子線感応性を有しない性質であることが望ましい。有機薄膜２２０を電子線感応性が極めて低い、または実質的に電子線感応性を有しない性質の有機材料で形成することにより、後述する現像処理（図２（ｃ））において、電子線照射量の影響を受けずに電子線照射部分とほぼ同一の大きさのの基板２１０表面を露出することが可能となる。
例えば、フォトレジスト材料のようなアルカリ現像液に溶解する材料を用いて有機薄膜２２０を形成した場合は、電子線感応レジストのパターン剥離が生じるおそれがある。
【００４１】
電子線感応レジスト溶液の塗布方法としては、スピンコート、ディッピング、ロール塗布、ブレードコート、アプリケータコート、バーコート、スクリーン印刷等が挙げられる。例えば、スピンコートの場合は、電子線感応レジスト溶液を有機薄膜２２０上に、通常、５００回転／分〜５０００回転／分でスピン塗布し、次に、１００℃〜２００℃の範囲でホットプレート等にて加熱して溶媒を乾燥させる。
電子線感応レジストとしては、化学増幅型レジストが好ましい。電子線感応レジスト薄膜２３０の膜厚は特に限定されないが、通常、５０ｎｍ〜２００ｎｍである。特に化学増幅型レジストを用いる場合には、電子線感応レジスト薄膜２３０の膜厚は、１００ｎｍ〜２００ｎｍであることが望ましく、搬送工程などにおける大気中の塩基性成分の拡散現象により、発生した酸性物質の中和による失活の影響を緩和し、現像により形成されるパターンの溝幅の再現性を向上できる。
【００４２】
電子線感応レジスト薄膜２３０を形成する電子線感応レジストは、通常、酸発生剤とバインダー樹脂とを、塩基性化合物を溶解させて塩基性に調整された溶剤で希釈した溶液の状態で用いられる。
酸発生剤としては、電子線の照射により化学構造が変化し、酸性物質を生成するものであれば特に限定されないが、例えば、トリフェニルスルフォニウムトリフレート、トリフェニルスルフォニルノナフレート、ビスフェニルヨードニウムトリフレート、ビスフェニルヨードニウムノナフレート、ビスフェニル−ｐ−メトキシフェニルノナフレート、ビスフェニル−ｐ−メチルフェニルノナフレート等のオニウム塩類；１，８−ナフタルイミジルメタンスルフォネート、１，８−ナフタルイミジルトリフレート、１，８−ナフタルイミジルトシレート、ベンゾイントシレート等のスルホン酸エステル類；ビス（フェニルスルフォニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−クロロフェニルスルフォニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン類等が挙げられる。これらの中でも、トリフェニルスルフォニウムトリフレート等のオニウム塩が、高感度を実現できるので好適である。酸発生剤の具体例を以下に示す。
【００４３】
【化１】
2006277831.tif 000003
【００４４】
バインダー樹脂としては、電子線照射により、酸発生剤が化学変化し、その結果生成した酸性物質により、室温又は加熱状況下で極性変化するものであれば特に限定されないが、例えば、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル、ポリメタクリル酸イソプロピル、アクリル酸メチル等の（メタ）アクリル酸エステル類；ポリヒドロキシスチレン誘導体等が挙げられる。これらの中でも、ポリメタクリル酸メチルが極性変化による現像速度の変化が大きく好適である。また、ポリメタクリル酸メチルの分子量分布を狭くすることで、電子線照射領域における現像残差を軽減できるので好適である。
【００４５】
溶剤は、酸発生剤およびバインダー樹脂を溶解できるものであれば特に限定されない。溶剤として、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、２ーヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等が挙げられる。これらの溶剤は単独で、または２種以上の組合せで使用される。
これらの中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルとの混合溶媒は、スピンコート後の電子線感応レジスト薄膜の膜厚均一性を向上できるので特に好ましい。
【００４６】
塩基性化合物としては、電子線照射により酸発生剤が化学変化し、その結果生成した酸性物質と中和反応を起こし得るものであれば特に限定されないが、例えば、ビス（２−ヒドロキシエチル）イミノトリス（ヒドロキシメチルチメタン）、トリイソプロパノールアミン等の、スピンコート後の熱処理により蒸散の生じない不揮発性塩基化合物が好ましい。この中でも、ビス（２−ヒドロキシエチル）イミノトリス（ヒドロキシメチルチメタン）が現像後の電子線感応レジストの側壁角が急峻であり、好適である。塩基性化合物の具体例を以下に示す。
尚、溶剤にはスピンコートにより形成する電子線感応レジスト薄膜の膜厚の均一性を向上させるために、界面活性剤を微量添加することが好ましい。界面活性剤は、フッ素を含有するものが、スピンコートの際にストライエーションの発生を抑制する効果が大きいので好適である。
【００４７】
【化２】
2006277831.tif 000004
【００４８】
続いて、図２（ｃ）に示すように、電子線照射により、電子線感応レジスト薄膜２３０に所定のパターン形状の潜像が形成された基板２１０をホットプレート等で下面より加熱し、電子線感応レジスト薄膜２３０の電子線を照射した部分の極性を変化させる。続いて、この極性が変化した部分を現像液で溶解し、凹凸形状のレジストパターンを形成する（現像処理）。
現像液は、電子線感応レジスト薄膜２３０の極性変化が生じた部分を溶解するものであれば特に限定されないが、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、燐酸緩衝液、およびこれらの混合物等のアルカリ現像液が好ましい。これらの中でも、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いると、現像後の電子線感応レジストに、急峻な側壁角を有する微細な凹凸形状が形成されるので好適である。
【００４９】
ここで、有機薄膜２２０は、電子線感応レジスト薄膜２３０の電子線を照射した部分を現像することにより得られた開口部に対応する部分のみが溶解し、基板２１０の表面が露出する。
即ち、有機薄膜２２０は、現像液に対して、垂直方向（但し、図２における縦方向）の溶解速度が、水平方向（但し、図２における横方向）の溶解速度よりも大きいという性質（現像異方性）を有するため、現像処理により、電子線感応レジスト薄膜２３０の電子線感応レジストが除かれた開口部に対応する部分のみが溶解し、電子線照射部分の基板２１０表面を露出することが可能となる。その結果、現像処理により、基板２１０上には、有機薄膜２２０を構成する有機材料からなる有機層２２１と、電子線感応レジスト薄膜２３０を構成する電子線感応レジストからなるレジスト層２３１と、が積層された凹凸形状のレジストパターンが形成される。
また、例えば、このような現像異方性を有さない材料を用いて有機薄膜２２０を形成した場合には、電子線感応レジストのパターン剥離が生じるおそれがある。
【００５０】
次に、図２（ｄ）に示すように、現像処理により形成された凹凸形状のレジストパターンをエッチングマスクとし、反応性イオンエッチング等のエッチングの手法を用いて、電子線感応レジスト薄膜２３０に形成した所定のパターン形状を基板２１０に転写する（ＲＩＥ処理）。
反応性イオンエッチングに用いる気体は、電子線感応レジストのエッチング速度に対する基板２１０のエッチング速度、即ちエッチング選択比が１．０以上であれば特に限定されないが、例えば、三フッ化メタン（ＣＨＦ３）、六フッ化エタン（Ｃ２Ｆ６）等の炭化フッ素ガスは、エッチング選択比が大きいので好適である。このなかでも、三フッ化メタン（ＣＨＦ３）は、エッチング速度の面内均一性が良好となるので特に好適である。
【００５１】
ここで、反応性イオンエッチングにおいて、レジスト層２３１を構成する電子線感応レジストのエッチング速度（Ｖ１）と、有機層２２１を構成する有機材料のエッチング速度（Ｖ２）と、の比（Ｖ１／Ｖ２）が１より大きい（Ｖ１／Ｖ２＞１）ことが好ましい。このように、レジスト層２３１を、有機層２２１を構成する有機材料のエッチング速度（Ｖ２）より大きいエッチング速度（Ｖ１）を有する電子線感応レジストを用いて構成することにより、基板２１０に、エッチング速度が小さいシリコンウェハーを用いた場合にも、側壁部分やパターン頭部の平滑性が高く、矩形な溝形状を有する情報記録媒体用原盤の作成が可能となる。
【００５２】
続いて、図２（ｅ）に示すように、基板２１０表面に残ったレジスト層２３１及び有機層２２１を除去し、情報記録媒体用原盤２００が完成する（アッシング処理）。
レジスト層２３１及び有機層２２１を除去する方法は、基板２１０上に転写されたパターン形状を劣化させない方法であれば特に限定されない。具体的には、酸素プラズマアッシング、有機溶剤による溶解、アルカリ水溶液による溶解等が挙げられる。なかでも、基板２１０にシリコンウェハーを用いた場合は、シリコンウェハーの化学エッチングの起こらない酸素プラズマアッシングが好適である。
【００５３】
（情報記録媒体用スタンパの製造方法）
次に、情報記録媒体用スタンパの製造方法について説明する。
前述した作成方法により、所定のパターン形状を転写した情報記録媒体用原盤２００の表面に導電膜（電極形成）を形成した後、電気メッキによりニッケルメッキ層を形成し（メッキ）、このニッケルメッキ層を情報記録媒体用原盤２００から剥離することにより情報記録媒体用スタンパが得られる。
導電膜の形成方法は、特に限定されないが、通常、ニッケルをスパッタして形成する。また、ニッケルメッキ層を形成する方法としては湿式メッキ法が適している。湿式メッキ法は、成膜速度の遅い物理蒸着法に比べて膜堆積速度が大きい。特に電解めっき法がプロセス面で最適である。ニッケルメッキ層の厚さは、特に限定されないが、通常、３００μｍ程度である。ニッケルメッキ層を形成した後、このニッケルメッキ層を剥離し、洗浄、打ち抜き加工によりマスタースタンパを作製する。
【００５４】
さらに、情報記録媒体は、通常、このように作成した情報記録媒体用スタンパを金型に取り付け、例えば、ポリカーボネイト樹脂等を射出成型し、所定のパターン形状が転写された記録トラックが表面に形成された媒体用基板を得た後、この媒体用基板上に記録層、反射層、保護層等の中から選ばれる所定の各層を積層して調製する。
【００５５】
このように、本実施の形態が適用される情報記録媒体用原盤の作成方法によれば、基板２１０と電子線感応レジスト薄膜２３０との間に、例えば、半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用される反射防止膜形成用組成物を用いて形成した有機薄膜２２０を設けることにより、基板２１０からの電子線の後方散乱が、電子線感応レジスト薄膜２３０に与える影響を抑制できるので、微細パターンの形成が可能となる。
【００５６】
また、現像処理により形成した凹凸形状をエッチングマスクとして反応性イオンエッチング処理し、電子線感応レジストのパターン形状を基板２１０に転写することにより、側壁部分やパターン頭部の平滑性が高く、矩形な溝形状を有する情報記録媒体用原盤２００の作成が可能となる。
【００５７】
さらに、電子線感応レジストのエッチング速度（Ｖ１）を有機薄膜２２０のエッチング速度（Ｖ２）より大きく保つことにより、基板２１０に、エッチング速度が小さいシリコンウェハーを用いた場合にも、側壁部分やパターン頭部の平滑性が高く、矩形な溝形状を有する情報記録媒体用原盤の作成が可能となる。その結果、このような情報記録媒体用原盤を用いて作製した情報記録媒体用スタンパを使用して、信号ノイズ比の高い再生信号が得られる情報記録媒体の作成が可能となる。
【００５８】
また、本実施の形態が適用される情報記録媒体用原盤の作成方法によれば、基板２１０表面に最終的に形成される凹凸形状の溝の深さと比較して、電子線感応レジスト薄膜２３０の膜厚を厚くすることが可能となる。このため、電子線感応レジストとして高感度の化学増幅型レジストを用いることが可能となる。即ち、これらの高感度の化学増幅型レジストは、発生した酸性物質が、搬送工程等における大気中の塩基性成分の拡散現象により中和し、失活しやすい性質を有するものである。電子線感応レジストとして高感度の化学増幅型レジストを用いることにより、少ない電子線照射量で電子線感応レジストの現像速度を変化させることができ、情報記録媒体用原盤の生産性を向上させることができる。
【実施例】
【００５９】
以下に実施例に基づき本実施の形態をさらに詳細に説明する。尚、本実施の形態は実施例に限定されない。
（実施例）
（１）情報記録媒体用原盤の調製
シリコンウェハー上に反射防止膜形成用組成物（日産化学工業株式会社製：反射防止膜ＮＣＡ８２６−４）をスピンコートし、ホットプレートで温度１８０℃で２分間加熱することにより、シリコンウェハー上に膜厚８０ｎｍの有機薄膜を形成した。次に、下記に示す組成の溶液１を５．４ｇ、溶液２を０．２２ｇ、溶液３を０．０２９ｇを混合して調製した電子線感応レジストを、シリコンウェハー上にスピンコートし、ホットプレートで温度１１０℃で２分間加熱することにより、有機薄膜上に膜厚８０ｎｍの電子線感応レジスト薄膜を積層した。
【００６０】
（溶液１）
・トリフェニルスルフォニウムトリフレート２００ｍｇ
・ポリメタクリル酸メチル（重量平均分子量／数平均分子量≦１．２）１０ｇ
（プロピレングリコール−２−モノメチルエーテルアセテート／乳酸エチル）混合溶媒５４ｇ
（溶液２）
・（２−ヒドロキシエチル）イミノトリス（ヒドロキシメチルチメタン）０．７９ｇ
・乳酸エチル１００ｇ
（溶液３）
・界面活性剤（住友スリーエム株式会社製：フロラードＦＣ−４３０）２ｇ
・プロピレングリコール−２−モノメチルエーテルアセテート１００ｇ
【００６１】
（２）潜像の形成
前述した電子線感応レジスト薄膜と後方散乱を抑制する有機薄膜とを有するシリコンウェハーを線速１ｍ／秒で一定となるように回転させると同時に、トラックピッチ０．２２μｍとなるように原盤回転台を半径方向に移動させ、電子線照射により、電子線感応レジスト薄膜に螺旋状に潜像を形成した。電子線照射装置は、加速電圧５０ｋＶ、集束半角６ｍｒａｄ、ビーム電流約１２０ｎＡとした。
【００６２】
（３）現像操作
電子線照射が完了したシリコンウェハーをホットプレートで下面より加熱し、電子線感応レジスト薄膜の電子線ビームを照射した領域の極性を変化させた。これを現像液（東京応化工業株式会社製：現像液ＮＭＤ−３）を純水で希釈した塩基性溶液で現像し、電子線感応レジスト薄膜の極性変化した領域を溶解した。同時に、電子線感応レジスト薄膜の極性変化した領域に位置する後方散乱を抑制する有機薄膜を溶解することによって、シリコンウェハー上に形成した電子線感応レジストパターンが得られた。
【００６３】
（４）反応性イオンエッチングによるパターン転写
続いて、電子線感応レジストパターンをエッチングマスクとして、ＣＨＦ３ガスを用いた反応性イオンエッチングによりパターンをシリコンウェハー上に転写した。更に、酸素プラズマアッシングにより、残った電子線感応レジストおよび後方散乱を緩和する有機薄膜を除去することによって、情報記録媒体用原盤を得た。
【００６４】
（５）原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による観察
このシリコンウェハー製の情報記録媒体用原盤に形成された溝形状を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で観察した。側壁部分のＲａは０．９ｎｍ、ランドの平坦部分やグルーブの底部のＲａはそれぞれ０．３ｎｍであり、平滑な面を有する情報記録媒体用原盤が作成されたころを確認した。また、側壁部分の角度は７０度以上であり、矩形性の高い溝形状を有する情報記録媒体用原盤が作成されたことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本実施の形態が適用される情報記録媒体用原盤作成方法を実施するための電子線照射装置を説明するための図である。
【図２】本実施の形態が適用される情報記録媒体用原盤作成方法を説明するための図である。
【図３】従来の電子線照射による情報記録媒体用原盤の作成方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０…鏡塔、１１…熱電界放射型電子銃、１２…コンデンサレンズ、１３…ブランキング電極、１４…アパーチャ、１５…偏向電極、１６…対物レンズ、１７…信号源、１８…ビーム変調器、１９…電子線、２０…試料室、２１…原盤、２２…回転台、２３…移動台、２４…リードスクリュー、２５…ＡＣサーボモーター、２６…制御器、３１，２１０…基板、３２…散乱制御層、３３，２３０…電子線感応レジスト薄膜、３４…凹凸パターン、２００…情報記録媒体用原盤、２２０…有機薄膜、２２１…有機層、２３１…レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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