(57)【要約】【課題】安価な設備で量産性に優れた小型低背のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】コイル１と、少なくとも基材３の片面に第一の金属層４と第一の金属磁性体層５と抵抗層６と第二の金属磁性体層７を積層した多層磁性体層２からなるインダクタンス部品であって、前記第一の金属磁性体層５と第二の金属磁性体層７を含むＦｅまたはＦｅ合金とするとともに第一の金属磁性体層５と抵抗層６の界面における第一の金属磁性体層５の表面のＳの含有比を０．１１質量％以下で構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルと、基材の少なくとも片面に第一の金属層と第一の金属磁性体層と抵抗層と第二の金属磁性体層を積層した多層磁性体層からなるインダクタンス部品であって、前記第一および第二の金属磁性体層をＳを含むＦｅまたはＦｅ合金とするとともに第一の金属磁性体層と抵抗層の界面における第一の金属磁性体層の表面のＳの含有比を０．１１質量％以下としたインダクタンス部品。
【請求項２】
抵抗層と第二の金属磁性体層を繰り返し積層した請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項３】
抵抗層の下面に設けた第二の金属磁性体層の表面のＳの含有比を０．１１質量％以下とした請求項２に記載のインダクタンス部品。
【請求項４】
抵抗層の比抵抗を第一の金属磁性体層および第二の金属磁性体層の比抵抗よりも大きくした請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項５】
抵抗層の比抵抗を第二の金属磁性体層の比抵抗よりも大きくした請求項２に記載のインダクタンス部品。
【請求項６】
Ｆｅ合金をＦｅの含有率が３０質量％以上とした請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項７】
Ｆｅ合金をＦｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｃｏのいずれか一つを含む請求項６に記載のインダクタンス部品。
【請求項８】
第一の金属層をＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏのうち少なくとも一つを含む請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項９】
多層磁性体層の最表層を絶縁層で被覆した請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項１０】
基材と第一の金属層を同一の金属で構成した請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項１１】
コイルと、このコイルの芯部に形成したスルーホール部と、多層磁性体層からなるインダクタンス部品であって、この多層磁性体層を前記スルホール部の内壁とコイルの上面および下面とに連続して設けた請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項１２】
コイルを形成する第一の工程と、基材の少なくとも片面に第一の金属層と第一の金属磁性体層と形成するとともに第一の金属磁性体層の表面におけるＳの組成比を０．１１質量％以下に制御する第二の工程と、前記第一の金属磁性体層の上に抵抗層を形成した後第二の金属磁性体層を形成する第三の工程とを含むインダクタンス部品の製造方法であって、前記第一および第二の金属磁性体層をＳを含むＦｅまたはＦｅ合金を用いて形成するインダクタンス部品の製造方法。
【請求項１３】
少なくとも、第一および第二の金属磁性体層をめっきプロセスで形成する請求項１１に記載のインダクタンス部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に用いられるインダクタ部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のインダクタンス部品は、小型・低背化の観点から平面型の部品構造をしており、低背化の要望はますます高まってきている。
【０００３】
更に、電源回路におけるスイッチング周波数の高周波領域へのシフトに対応するためには渦電流を低減させる必要があり、その対応策としては磁性体層と絶縁体層との積層構造を構成する方法が一般的に知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
図７は前記公報に記載された従来のインダクタンス部品の構成を示すものであり、Ｆｅを含む磁性体層１１１と、この磁性体より比抵抗の大きい陽性元素の窒化物からなる絶縁体層１１２との積層膜と、磁性体層１１１に磁界を印加するコイル導体部１１３とを具備した構成としている。
【特許文献１】特開平９−５５３１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記従来の構成では、電源回路に必要なインダクタンス値を確保するためには磁性体層１１１の層数を多くしたり、一層あたりの磁性体層１１１の膜厚をより厚くする必要があり、前記従来の構成方法では蒸着あるいはスパッタなどの真空装置を利用する薄膜プロセスを用いて行う必要があることから、設備投資が高額になるとともに生産性においても課題を有していた。
【０００６】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、安価な設備で量産性に優れた小型低背のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記従来の課題を解決するために、本発明は、コイルと、基材の少なくとも片面に第一の金属層と第一の金属磁性体層と抵抗層および第二の金属磁性体層を積層した多層磁性体層からなるインダクタンス部品であって、前記第一および第二の金属磁性体層をＳを含むＦｅまたはＦｅ合金とするとともに第一の金属磁性体層と抵抗層の界面における第一の金属磁性体層の表面のＳの含有比を０．１１質量％以下に構成したインダクタンス部品とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のインダクタンス部品およびその製造方法は、めっきプロセスなどを用いて安価な設備で量産性に優れた小型低背型のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】
図１は本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の斜視図であり、図２は図１に示したインダクタンス部品の多層磁性体層２の拡大断面図である。
【００１１】
図１において、コイル１は銅あるいは銀などの高導電率材料を用いた被覆導線などを多層磁性体層２の表面に巻回するように形成しており、図１では４ターン巻いているがこの巻き数に制限はない。
【００１２】
また、必要に応じて絶縁樹脂材料などを用いて前記多層磁性体層２の表面を被覆するように絶縁層８を設けても良い。この絶縁層８はインダクタンス部品が実装基板上に搭載される場合などの短絡防止である。また、この絶縁層８の材料としてはエポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂あるいはこれらの混合物等の有機樹脂材料が好ましい。更に耐熱性と機械的強度を高めるために無機フィラーを混合しても良い。
【００１３】
次に、図２を用いて多層磁性体層２の構成について説明する。
【００１４】
図２において、シート状の基材３の少なくとも片面に導電性を有する第一の金属層４を形成し、この第一の金属層４の上にＳを含むＦｅまたはＦｅ合金などからなる第一の金属磁性体層５を積層し、更にこの第一の金属磁性体層５の上に銅酸化物などの抵抗層６を積層し、その後この抵抗層６の上にＳを含むＦｅまたはＦｅ合金などからなる第二の金属磁性体層７を積層した積層体からなる多層磁性体層２を構成している。このような構成の多層磁性体層２において、前記抵抗層６には表面を還元反応などによって導電性を有する金属面とすることができる膜を形成しておくことにより、この抵抗層６の上に第二の金属磁性体層７をめっきプロセスによって形成することができる。このとき、特に電気めっきプロセスを用いることにより、簡易な設備で速やかに所望の厚みを有する第二の金属磁性体層７を形成することができる。そして、この抵抗層６に銅酸化物などを用いることにより、簡単に表面を還元処理することによって抵抗層６の表面にＣｕ膜を形成することができる。特に、この銅酸化物のうちＣｕ2Ｏはめっきプロセスで膜形成することが可能であることから、抵抗層６にこのＣｕ2Ｏを形成することにより、すべてのプロセスをめっきプロセスで処理することが可能となる。
【００１５】
なお、前記第一の金属層４と抵抗層６の厚みは薄く設計しておくことが磁気特性の観点からは望ましい。
【００１６】
更に、前記抵抗層６は第一の金属磁性体層５と第二の金属磁性体層７とを隔てるように設けており、抵抗層６の比抵抗を第一および第二の金属磁性体層５，７より大きくすることにより、第一の金属磁性体層５と第二の金属磁性体層７にまたがって発生する渦電流を遮断することができる。そのとき、第一および第二の金属磁性体層５，７との比抵抗値の比が１０2以上であれば、特にその効果は顕著となる。
【００１７】
このように、前記第一の金属磁性体層５の下層には第一の金属層４が在り、第二の金属磁性体層７の下層には銅酸化物を含んだ抵抗層６が在ることから、それぞれの金属磁性体層５，７の形成をめっきプロセスで製膜することが可能となるものである。特に、磁気特性の観点から、かなりの膜厚を必要とする第一の金属磁性体層５と第二の金属磁性体層７の製膜に電気めっきプロセスを用いることができれば、安価な設備で、より量産性に優れた生産プロセスとすることができるという効果を発揮することができる。
【００１８】
次に、第一および第二の金属磁性体層５，７の形成を電気めっきプロセスで形成するとき、応力緩和剤としてＳを含むサッカリンを使用している。このＳを含むサッカリンなどの応力緩和剤を入れることで、第一および第二の金属磁性体層５，７が厚くなってもクラックの発生しない均一性に優れた第一および第二の金属磁性体層５，７を形成することができる。このことから、電気めっきプロセスで所定の厚み以上の第一および第二の金属磁性体層５，７の形成を行うとき、Ｓを含むサッカリン等の応力緩和剤の使用は不可欠である。
【００１９】
しかしながら、この第一の金属磁性体層５および第二の金属磁性体層７に含まれるＳの存在は第一および第二の金属磁性体層５，７の表面に金属酸化物の形成を促進することが分かった。また、その表面近傍にはＳの凝集も起こることが分かった。この表面における金属酸化物の形成とＳの凝集によって第一の金属磁性体層５と抵抗層６の層間における密着性を悪化させていることが分かった。
【００２０】
この課題に対して検討した結果、応力緩和作用を持たせながら、かつ密着性の良好な多層磁性体層２を得るためには第一の金属磁性体層５と抵抗層６の界面における第一の金属磁性体層５の表面のＳの組成比を０．１１質量％以下に制御することにより、応力緩和作用と密着性の良好な多層磁性体層２を実現できることが分かった。
【００２１】
また、この第一の金属磁性体層５と第二の金属磁性体層７にＦｅ合金を用いた場合、Ｆｅの組成比が３０質量％以上であることが望ましい。これは第一および第二の金属磁性体層５，７に含まれるＦｅの含有量が３０質量％以上にすることで高飽和磁束密度を有し、かつ低保磁力を有するという磁気特性の向上を実現できる。
【００２２】
また、第一の金属磁性体層５と第二の金属磁性体層７に用いるＦｅ合金としてはＦｅＮｉ，ＦｅＮｉＣｏ，ＦｅＣｏのうちいずれか一つを含む組成からなる金属磁性材料が高磁束密度、低磁気損失の観点からより好ましい。
【００２３】
このように、前記銅酸化物などのように表面を還元することができる比抵抗の大きな抵抗層６を設けることと、第一の金属磁性体層５と抵抗層６の界面における第一の金属磁性体層５の表面のＳの含有比を０．１１質量％以下となるように形成することにより、めっきプロセスによって所定のインダクタンス値を大きくすることができる所定の厚みを有する第一および第二の金属磁性体層５，７を形成することができ、量産性に優れた密着性の高い多層磁性体層２を実現することが可能となり、大電流に対応できるインダクタンス部品を実現することができる。
【００２４】
次に、前記多層磁性体層２の形成方法について詳細に説明する。
【００２５】
まず始めに、シート状の基材３を準備する。この基材３は無機材料、有機材料および金属材料など材質は何でも良いがインダクタンス部品の形状、強度、コスト、信頼性の観点から適宜選択することができる。
【００２６】
そして、この基材３の少なくとも片面に電気めっきあるいは無電解めっきプロセスなどにより第一の金属層４を形成する。
【００２７】
なお、このとき基材３が金属材料であれば基材３を第一の金属層４と兼ねることができるので構成を簡略化することができる。
【００２８】
また、この第一の金属層４は第一の金属磁性体層５を電気めっきプロセスで形成しやすくするために設けたものであり、導電性に優れたＣｕなどの金属が好ましく、更に磁性を有するＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏを用いることが磁気特性の観点からより好ましい。従って、磁性を有しないＣｕなどの金属を用いるときは第一の金属層４の厚みは薄いことが望ましい。
【００２９】
次に、第一の金属層４の上に電気めっきプロセスによって第一の金属磁性体層５を形成する。この第一の金属磁性体層５の材料としてはＦｅまたはＦｅ合金からなる組成の金属磁性材料が磁束密度、磁気損失の観点から好ましい。このとき、電気めっき工程に用いるめっき浴にはＦｅイオンあるいはその他の金属イオンを含有させ、更にこのめっき浴中に応力緩和剤であるサッカリン等のＳを含む有機物を添加しておく。このようなめっき浴を使用することで、容易に第一の金属磁性体層５の中にＳ原子を含有させることが可能となる。例えば、応力緩和剤としてサッカリンを用いた場合、めっき浴中に０．１〜５ｇ／Ｌ含有させておくことでその効果は見られる。なお、めっき条件すなわち電流密度等によって応力緩和作用を発揮する量は変化するので適宜条件設定をすることで制御することが可能である。
【００３０】
次に、第一の金属磁性体層５の表面近傍のＳの組成比を０．１１質量％以下にする方法は第一の金属磁性体層５の表面をエッチングしたり、あるいはめっき条件の変更を選択する方法などがあげられる。
【００３１】
その後、前記第一の金属磁性体層５の上に銅酸化物を含む抵抗層６を形成する。この抵抗層６の形成方法には電着法、めっきプロセス、スパッタ法といった方法があげられるが、第一および第二の金属磁性体層５，７との比抵抗より大きければその製造方法に制限はない。特に、抵抗層６に少なくとも銅酸化物が含まれることにより、抵抗層６の表面を容易に還元することができ、この抵抗層６の上に形成した第二の金属磁性体層７の厚みが１０〜２０μｍという厚膜の場合においても良好な密着性を有していることが分かった。
【００３２】
また、多層磁性体層２の総厚みに対する抵抗層６の占める割合が高くなるとインダクタンス部品としてのインダクタンス値が小さくなることから、抵抗層６の厚みはより薄くすることが望ましい。例えば、チョークコイルなどで３０Ａの電流を流したときにもこの抵抗層６の厚みは１μｍもあれば十分その機能を発揮することができる。
【００３３】
このような構成を有する積層体を多層磁性体層２とし、必要に応じてシリコン樹脂あるいはエポキシ樹脂などの絶縁層８を多層磁性体層２の表面に被覆することにより絶縁化処理し、その後被覆銅線などを用いてコイル１を形成することによってインダクタンス部品とすることができる。
【００３４】
なお、前記の多層磁性体層２の構成は基材３の片面に積層した構造で説明してきたが、基材３の両面に配置した多層磁性体層２とすることも可能であり、電磁気性能、形状あるいはコストなどの観点から適宜選択することができる。例えば、金属磁性体層５，７の総厚を大きくすればインダクタンス値の大きなインダクタンス部品とすることができ、多層磁性体層２の総厚を一定としたときに第一および第二の金属磁性体層５，７の層数を多くすれば高周波特性に優れたインダクタンス部品とすることができる。
【００３５】
また、第一の金属磁性体層５および第二の金属磁性体層７の主成分をＦｅまたはＦｅ合金とすることで大電流に対応可能な高飽和磁束密度と高透磁率を有する多層磁性体層２を実現することができ、これに用いるＦｅ合金材料としてはＦｅ−Ｎｉ系、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系、Ｆｅ−Ｃｏ系などの磁性合金材料などを用いることが好ましい。
【００３６】
また、多層磁性体層２の第一および第二の金属磁性体層５，７の組成は必ずしも同じである必要は無く、前記の通り主成分がＦｅまたはＦｅ合金とすることでその効果は得られる。
【００３７】
なお、抵抗層６の上にバッファ層として導体層を形成しても良い。
【００３８】
以上説明してきたような構成を有するインダクタンス部品とすることにより、多層磁性体層２の形成をめっきプロセスを用いて形成することが可能となり、蒸着あるいはスパッタ装置などの高価な設備を使うことなく、安価な設備で量産性に優れた小型低背のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することができる。
【００３９】
また、本発明の構成によれば容易に１０〜２０μｍの第一および第二の金属磁性体層５，７を形成することができ、インダクタンス値の大きなインダクタンス部品を実現することができる。
【００４０】
更に、層間の密着性を高めることで多層磁性体層２の密着強度を向上させることができることから高信頼性を有するインダクタンス部品を実現することができるという効果も発揮できる。
【００４１】
次に、このインダクタンス部品の製造方法について説明する。
【００４２】
図１、図２に示したインダクタンス部品の製造方法は次のような製造プロセスを経て製造することができる。
【００４３】
まず始めに、例えば厚み２０μｍのポリイミドフィルムを基材３として準備し、この基材３の片面に第１の金属層４として無電解めっきにより厚み０．５μｍのＮｉを形成する。次に、この第一の金属層４の上に電気めっきにより厚み２０μｍのＦｅ−Ｎｉ合金を第一の金属磁性体層５として形成する。
【００４４】
そして、この第一の金属磁性体層５の表面のＳの含有比をエッチングによって０．１１質量％以下とする。
【００４５】
次に、この第一の金属磁性体層５の上にＣｕ2Ｏを電解めっきにより厚み１μｍの抵抗層６として形成する。
【００４６】
次に、前記抵抗層６の上に電気めっきにより厚み２０μｍのＦｅ−Ｎｉ合金を第二の金属磁性体層７として形成することにより多層磁性体層２を作製することができる。
【００４７】
その後、必要に応じてエポキシ樹脂などをこの多層磁性体層２の表面に絶縁層８として被覆した後、直径２００μｍの太さの銅線を所定のターン数に巻き付けることにより、図１に示すインダクタンス部品を製造することができる。
【００４８】
以上説明してきたように、本発明のインダクタンス部品およびその製造方法によれば、安価な設備で量産性に優れた小型低背型のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することができる。
【００４９】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００５０】
図３は本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の斜視図であり、図４は図３のＡ−Ａ部における断面図である。また、図５は図４における多層磁性体層の拡大断面図である。
【００５１】
図３および図４において、コイル絶縁部１２の中に内蔵されるようにコイル１１が配置されており、このコイル絶縁部１２はコイル１１がショートするのを防ぐためである。そして、このコイル１１は例えば銅や銀などの高導電率材料を樹脂フィルムなどのコイル絶縁部１２の上にめっきプロセスなどでパターニングした後、積層することにより形成している。
【００５２】
また、コイル１１の上段はインダクタンス部品の一方の側面にある端子部１０ｂから芯部へ向かって渦巻き状に巻かれた後、中心部でスルホール電極１５を介してコイル１１の下段に移り他方の側面に設けた端子部１０ａに向かって渦巻き状に広がるように巻きながら形成している。
【００５３】
なお、このコイル１１の上段と下段のコイル１１の巻かれる方向は同じ方向でなければならない。これによって、コイル１１の上段と下段で磁束を打ち消し合うことなくスルホール電極１５を介してコイル１１の上段から下段に電流が流れ、大きなインダクタンス値を実現することができる。
【００５４】
なお、コイル１１の形成方法としては銅線の加工あるいは薄板状の金属板を加工した後コイル絶縁部１２に埋設することによりコイル部を形成できることは言うまでもない。またこのコイル１１の厚み（断面積）は用いられる用途の電子機器により異なるが、少なくとも大電流に対応するためには１０μｍ以上の厚みが必要となる。
【００５５】
また、コイル１１は図４に示したような二段ではなく一段あるいは三段以上であっても良い。
【００５６】
次に、前記のように構成されたコイル１１の上下面に多層磁性体層２２を配置している。この多層磁性体層２２は両面に配置することにより、よりインダクタンス値を大きくすることもできる。
【００５７】
また、絶縁層８は絶縁性を確保するという役割から、少なくとも多層磁性体層２２の表層を被覆していれば良い。この絶縁層８はインダクタンス部品が実装基板などに搭載された場合、ショートするのを防ぐためである。また、この絶縁層８としてエポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料が生産性の観点から好ましい。
【００５８】
以上のような構成とすることにより、多層磁性体層２２の厚さ方向に生じる渦電流を抑制することができることからインダクタンス値を大きくすることができるとともに、インダクタンス部品からの発熱も抑制することができる。
【００５９】
更に、コイル１１を平板状に形成することにより、より低背化のインダクタンス部品を実現することができるとともに、コイル１１を多段にすることにより低背化しても十分にインダクタンス値の大きいインダクタンス部品を実現することができる。
【００６０】
また、このコイル１１は銅あるいは銀などを用いてめっきで形成することができ、コイル１１の断面が四角形であることから高占積率を有する低背型のコイル１１を得ることができる。
【００６１】
特に、このようなパターニング技術により微細な電極パターンを平面上に形成することができることから、実施の形態１の構成に比較してより低背型のインダクタンス部品を実現することができる。
【００６２】
次に、図５を用いて本発明の実施の形態２における多層磁性体層２２の構成について説明する。
【００６３】
図５において、積層体の基本的な構造は実施の形態１の多層磁性体層２とほぼ同様であり、特に異なっているところは抵抗層６と第二の金属磁性体層７とが更に積層して形成していることである。このように、抵抗層６と第二の金属磁性体層７の積層体を２層以上に積層した多層磁性体層２２とすることにより、よりインダクタンス値を大きくすることができるとともに多層磁性体層２２の総厚を一定としたときに磁性体層の積層数を多くすれば高周波特性に優れたインダクタンス部品とすることができる。
【００６４】
更に、抵抗層６の下面に配置された第一の金属磁性体層５と第二の金属磁性体層７の表面のＳの含有比を０．１１質量％以下とすることにより、密着性に優れた多層磁性体層２２を実現することができる。
【００６５】
また、抵抗層６の比抵抗を第一および第二の金属磁性体層５，７の比抵抗よりも大きくすることにより磁気特性に優れた多層磁性体層２２を実現することができる。
【００６６】
また、本実施の形態２においても第一および第二の金属磁性体層５，７の主成分をＦｅまたはＦｅ合金とすることで高飽和磁束密度と高透磁率を有する多層磁性体層２２を得ることができる。
【００６７】
また、多層磁性体層２２の総厚みに対する抵抗層６の占める割合が高くなるとインダクタンス部品としてのインダクタンス値が小さくなることから、抵抗層６の厚みはより薄くすることが望ましい。
【００６８】
以上のように構成した本実施の形態２のインダクタンス部品について、以下にその製造方法を提供する。
【００６９】
本実施の形態２におけるインダクタンス部品のうち、コイル１１は次のような製造プロセスを経て製造することができる。まず、ポリイミドフィルムなどの基板上にコイル１１の下段のコイルパターンになるようにレジスト膜を形成した後、この基板に銅あるいは銀などの高導電率を有する金属をめっきプロセスにより数１０μｍの厚みになるようにしてコイル１１の下段のコイルパターンを形成する工程と、次にコイル１１の下段のコイルパターンを形成したその上に再度レジスト膜を設け、スルホール電極１５を形成する箇所にはエッチングなどにより孔加工をしておく。その後コイル１１の上段のコイルパターンを形成するためのレジスト膜を形成し、このレジスト膜を形成した基板に前記めっきプロセスにより銅あるいは銀などの金属を数１０μｍの厚みになるように形成してコイル１１の上段のコイルパターンを形成する。その後、上段のコイルパターンを被覆する工程を経ることによって図４に示すシート状のコイル１１を製造することができる。
【００７０】
次に、このようにして形成したシート状のコイル１１に多層磁性体層２２を形成するのであるが、この多層磁性体層２２の基本的な製造工程は実施の形態１とほぼ同様であり、図２に示した多層磁性体層２２の上に更に抵抗層６および第二の金属磁性体層７を同様のプロセスによって積層形成している。このような構成によって、高周波域における周波数特性を制御したり、渦電流損失を最小に抑制したりすることが可能なインダクタンス部品およびその製造方法を実現することができる。そして、抵抗層６の下面に配置される第二の金属磁性体層７の表面のＳの含有比を０．１１質量％以下とすることにより、密着性を高め信頼性に優れた多層磁性体層２２を作製することができる。また、このような製造方法とすることによって大きなサイズの基材３を用いて製造することも可能となる。
【００７１】
なお、前記積層体を基材３の両面に形成した多層磁性体層２２についても同様に作製することができる。
【００７２】
以上のように、本実施の形態２のようなインダクタンス部品の構成とすることにより、実施の形態１で説明した作用に加えて高周波領域で動作させる場合でも渦電流による損失が少なく、大きなインダクタンス値を有するインダクタンス部品およびその製造方法を提供することができる。
【００７３】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３におけるインダクタンス部品およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００７４】
図６は本発明の実施の形態３におけるインダクタンス部品の断面図である。
【００７５】
図６において、コイル１１の構成と形成方法は実施の形態２と同じであり、ここでの説明は省略する。ここで、実施の形態２の図４と異なっているところはコイル１１の芯部にスルホール部１６を設けていることである。
【００７６】
更に、このスルホール部１６の内壁には多層磁性体層２３を設けており、その結果コイル１１の上下面に分離して設けていた多層磁性体層２３はスルホール部１６の内壁に設けた多層磁性体層２３を介して連結されることになる。
【００７７】
このような構成とすることにより、磁気ギャップが無くなるとともに漏洩磁束もより少なくなり、更にインダクタンス値の大きなインダクタンス部品とすることができる。
【００７８】
また、図６ではこのスルホール部１６の隙間には絶縁層８を充填している磁性体で充填することも可能であり、より磁気特性の向上が期待できる。
【００７９】
更に、この多層磁性体層２３の表面には絶縁層８を設けている。この絶縁層８はショートを防ぐために設けており、絶縁性を有する無機材料、有機材料およびこれらの複合物が好ましい。
【００８０】
また、この多層磁性体層２３は図２または図５に示した構成と同じであり、めっきプロセスで形成することができることから生産性に優れたインダクタンス部品およびその製造方法を提供することができる。
【００８１】
例えば、スルホール部１６の直径が１ｍｍ以下で、深さが０．１ｍｍ以上のスルホール部１６にスパッタ、蒸着等で多層磁性体層２３を形成することは困難であるが、めっきプロセスで形成することにより容易にスルホール部１６の内壁に多層磁性体層２３を形成することができる。
【００８２】
以上のように構成したインダクタンス部品について、以下にその製造方法を説明する。本実施の形態３におけるインダクタンス部品の製造方法は基本的な工程は実施の形態２とほぼ同様であり、異なっている内容についてのみ説明する。
【００８３】
始めに、実施の形態２におけるシート状のコイル１１を形成した後、コイル１１の芯部にパンチャーあるいはレーザー加工などの方法により孔あけ加工によってスルホール部１６を設けた後、コイル１１の上下面に多層磁性体層２３を設けるときに前記スルホール部１６の内壁にも多層磁性体層２３を設けることである。このスルホール部１６の内壁に多層磁性体層２３を形成することによって、コイル１１の上下面と一体となる多層磁性体層２３とすることができる。
【００８４】
以上のように、本実施の形態３におけるインダクタンス部品およびその製造方法はより密着力に優れた小型低背型のインダクタンス部品を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
以上のように、本発明にかかるインダクタンス部品およびその製造方法は、量産性に優れ、高周波領域で動作させる場合でも渦電流による損失が少なく、小型低背化しても十分なインダクタンスを得ることができ、特に各種電子機器の電源回路に用いられるインダクタ部品の用途に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の斜視図
【図２】同多層磁性体層の拡大断面図
【図３】本発明の実施の形態２におけるインダクタンス部品の斜視図
【図４】同図３のＡ−Ａ部における断面図
【図５】同多層磁性体層の拡大断面図
【図６】本発明の実施の形態３におけるインダクタンス部品の断面図
【図７】従来のインダクタンス部品の分解斜視図
【符号の説明】
【００８７】
１，１１  コイル
２，２２，２３  多層磁性体層
３  基材
４  第一の金属層
５  第一の金属磁性体層
６  抵抗層
７  第二の金属磁性体層
８  絶縁層
１０ａ  端子部
１０ｂ  端子部
１２  コイル絶縁部
１５  スルホール電極
１６  スルホール部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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