(57)【要約】【課題】  容易に放電加工に投入できる大型の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板、及びその加工方法を提供することを目的とする。【解決手段】  絶縁性ダイヤモンド基板２に対し、導電ワイヤ５の切り込み面３及び当該切り込み面３と接する面に導電性膜が形成されている。かかる導通面２，２と直交する上下面を放電加工機４で保持し、放電加工機４より導通面２，２へ通電するためのワークホルダ７，７を接触させる。切り込み面３に形成された導電性膜の方向から導電ワイヤ５で切り込むことにより、加工初期は切り込み面３の導電性膜が加工される。そして、切り込み面３の導電性膜が加工されると同時に、ダイヤモンド基板内面に自己形成された導電層６を介して導電パスが維持され加工が継続される。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
常温で絶縁性を示す絶縁性ダイヤモンド基板に対し、該絶縁性ダイヤモンド基板を構成する面のうち、導電ワイヤの切り込み面及び当該切り込み面と接する少なくとも１面に導電性膜が形成されていることを特徴とする放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項２】
前記絶縁性ダイヤモンド基板が単結晶ダイヤモンドからなることを特徴とする請求項１に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項３】
前記導電性膜が金属からなることを特徴とする請求項１または２に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項４】
前記導電性膜が気相合成法により成膜された導電性ダイヤモンドからなることを特徴とする請求項１または２に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項５】
前記導電性膜が気相合成法により成膜されたホウ素ドープダイヤモンドからなることを特徴とする請求項１、２又は４のいずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項６】
前記ホウ素ドープダイヤモンドが単結晶であることを特徴とする請求項５に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項７】
前記導電性膜の膜厚が１μｍ以上１４０μｍ以下であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項８】
常温で絶縁性を示す絶縁性ダイヤモンド基板に対し、該絶縁性ダイヤモンド基板の主面に導電性ダイヤモンド層と絶縁性ダイヤモンド層が交互に２層以上積層され、この積層基板を構成する面のうち、導電ワイヤの切り込み面、及び当該切り込み面と接する少なくとも１面に導電性膜が形成されていることを特徴とする放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項９】
前記絶縁性ダイヤモンド基板が単結晶ダイヤモンドからなることを特徴とする請求項８に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項１０】
前記導電性ダイヤモンド層が単結晶ダイヤモンドからなることを特徴とする請求項８または９に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項１１】
前記導電性ダイヤモンド層がホウ素ドープダイヤモンドからなることを特徴とする請求項８から１０いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項１２】
前記導電性ダイヤモンド層の厚みが１μｍ以上１４０μｍ以下であることを特徴とする請求項８から１１いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項１３】
前記絶縁性ダイヤモンド層が単結晶ダイヤモンドからなることを特徴とする請求項８から１２いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項１４】
前記導電性膜が金属からなることを特徴とする請求項８から１３いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項１５】
前記導電性膜が気相合成法により成膜された導電性ダイヤモンドからなることを特徴とする請求項８から１４いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項１６】
前記導電性膜が気相合成法により成膜されたホウ素ドープダイヤモンドからなることを特徴とする請求項８から１３又は１５いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項１７】
前記ホウ素ドープダイヤモンドが単結晶であることを特徴とする請求項１６に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項１８】
前記導電性膜の膜厚が１μｍ以上１４０μｍ以下であることを特徴とする請求項８から１７いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【請求項１９】
常温で絶縁性を示す絶縁性ダイヤモンド基板を用意し、該絶縁性ダイヤモンド基板を構成する面のうち、導電ワイヤの切り込み面、及び当該切り込み面と接する少なくとも１面に導電性膜を形成した後、この導電性膜が形成された切り込み面の方向から導電ワイヤを用いて放電加工することを特徴とするダイヤモンドの加工方法。
【請求項２０】
常温で絶縁性を示す絶縁性ダイヤモンド基板を用意し、該絶縁性ダイヤモンド基板の主面に気相合成法により導電性ダイヤモンド層と絶縁性ダイヤモンド層を交互に成膜した後、成膜された積層基板を構成する面のうち、導電ワイヤの切り込み面、及び当該切り込み面と接する少なくとも１面に導電性膜を形成した後、この導電性膜が形成された切り込み面の方向から、該導電性ダイヤモンド層に沿って導電ワイヤを用いて放電加工することを特徴とするダイヤモンドの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板及びダイヤモンドの加工方法に関し、特に、容易に放電加工に投入できる大型のダイヤモンド基板、及びその加工方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ダイヤモンドは高熱伝導率、高い電子・正孔移動度、高い絶縁破壊電界強度、低誘電損失、そして広いバンドギャップといった、半導体材料として他に類を見ない、優れた特性を数多く備えている。特に近年では、広いバンドギャップを活かした紫外発光素子や、優れた高周波特性を持つ電界効果トランジスタなどが開発されつつある。
【０００３】
ダイヤモンドを半導体として利用するためには、他の半導体材料と同様に大型の単結晶基板が必要である。現在、大型のダイヤモンド単結晶を得る方法として、高温高圧合成法や気相合成法が開発されており、これらによって１０ｍｍ径程の大型基板が得られるようになっている。半導体等の基板として利用するには大きいだけではなく、厚さについても１ｍｍ程度以下である必要がある。しかし、ダイヤモンドは物質中最も高硬度であることから、これらの合成法で得られた基板を機械的に薄く切断することは非常に困難である。最近では、レーザーを用いた切断技術も進歩しているが、一般的なレーザー加工ではレンズを用いて集光させる必要があり、上記のような大型基板の切断では、集光に伴う余分な切りしろの発生や、切断速度の低下が問題となっている。
【０００４】
そこで、例えば特許文献１には、ダイヤモンド基板上に半導体ダイヤモンド層とアンドープダイヤモンド層を気相合成法で形成し、放電加工によりアンドープダイヤモンド層を分離（切断）させる方法が開示されている。この方法は、大型の単結晶基板でもスライス可能で、半導体ダイヤモンド層を犠牲層とすることにより、種基板部分も再利用できるとしている。
【特許文献１】特開平７−６９７９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、前記方法で放電加工を行うには、放電加工に使用するワイヤ線径以上の半導体ダイヤモンド層を形成する必要がある。前記方法で例示されているような厚さ数１００μｍの半導体ダイヤモンド層を形成するには、現状技術では相当の時間（例えば１００時間超）の時間がかかり、加工のためだけに存在する犠牲層としては不効率的である。一方で、最近では細径ワイヤの放電加工機も開発されているが、ダイヤモンドの加工では加工中の断線可能性が高まるので、細径化にも限界がある。
【０００６】
また、前記方法では、半導体ダイヤモンド層とアンドープダイヤモンド層を交互に成膜した場合、基板側面（最表面）にはアンドープダイヤモンドがある。ワイヤとの導電性を確保するためには、基板側面をレーザーなどで成形して半導体ダイヤモンド層を露出させる必要があり、大型の単結晶基板の面積が小型化する問題があった。
本発明は、前記課題を克服すべくなされたもので、容易に放電加工に投入できる大型の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板、及びその加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するため、本発明は次の（１）〜（２０）の態様を有する。
（１）常温で絶縁性を示す絶縁性ダイヤモンド基板に対し、該絶縁性ダイヤモンド基板を構成する面のうち、導電ワイヤの切り込み面、及び当該切り込み面と接する少なくとも１面に導電性膜が形成されていることを特徴とする、放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（２）前記絶縁性ダイヤモンド基板が単結晶ダイヤモンドからなる、前記（１）に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（３）前記導電性膜が金属からなる、前記（１）または（２）に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（４）前記導電性膜が気相合成法により成膜された導電性ダイヤモンドからなる、前記（１）または（２）に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【０００８】
（５）前記導電性膜が気相合成法により成膜されたホウ素ドープダイヤモンドからなる、前記（１）、（２）又は（４）いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（６）前記ホウ素ドープダイヤモンドが単結晶である、前記（５）に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（７）前記導電性膜の膜厚が１μｍ以上１４０μｍ以下である、前記（１）から（６）いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（８）常温で絶縁性を示す絶縁性ダイヤモンド基板に対し、該絶縁性ダイヤモンド基板の主面に導電性ダイヤモンド層と絶縁性ダイヤモンド層が交互に２層以上積層され、この積層基板を構成する面のうち、導電ワイヤの切り込み面、及び当該切り込み面と接する少なくとも１面に導電性膜が形成されていることを特徴とする、放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（９）前記絶縁性ダイヤモンド基板が単結晶ダイヤモンドからなる、前記（８）に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【０００９】
（１０）前記導電性ダイヤモンド層が単結晶ダイヤモンドからなる、前記（８）または（９）に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（１１）前記導電性ダイヤモンド層がホウ素ドープダイヤモンドからなる、前記（８）から（１０）いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（１２）前記導電性ダイヤモンド層の厚みが１μｍ以上１４０μｍ以下である、前記（８）から（１１）いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（１３）前記絶縁性ダイヤモンド層が単結晶ダイヤモンドからなる、前記（８）から（１２）いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（１４）前記導電性膜が金属からなる、前記（８）から（１３）のいずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
【００１０】
（１５）前記導電性膜が気相合成法により成膜された導電性ダイヤモンドからなる、前記（８）から（１４）に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（１６）前記導電性膜が気相合成法により成膜されたホウ素ドープダイヤモンドからなる、前記（８）から（１３）又は（１５）いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（１７）前記ホウ素ドープダイヤモンドが単結晶である、前記（１６）に記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（１８）前記導電性膜の膜厚が１μｍ以上１４０μｍ以下である、（８）から（１７）いずれかに記載の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板。
（１９）常温で絶縁性を示す絶縁性ダイヤモンド基板を用意し、該絶縁性ダイヤモンド基板を構成する面のうち、導電ワイヤの切り込み面、及び当該切り込み面と接する少なくとも１面に導電性膜を形成した後、この導電性膜が形成された切り込み面の方向から導電ワイヤを用いて放電加工することを特徴とする、ダイヤモンドの加工方法。
（２０）常温で絶縁性を示す絶縁性ダイヤモンド基板を用意し、該絶縁性ダイヤモンド基板の主面に気相合成法により導電性ダイヤモンド層と絶縁性ダイヤモンド層を交互に成膜した後、成膜された積層基板を構成する面のうち、導電ワイヤの切り込み面、及び当該切り込み面と接する少なくとも１面に導電性膜を形成した後、この導電性膜が形成された切り込み面の方向から、該導電性ダイヤモンド層に沿って導電ワイヤを用いて放電加工することを特徴とする、ダイヤモンドの加工方法。
【００１１】
以下、上記の本発明について説明する。
本発明者らは、ダイヤモンドのワイヤ放電加工について、詳細に実験を行い、その加工面を解析した結果、次の知見を得た。すなわち、通常、常温で絶縁体であるダイヤモンドであっても、何らかの方法で一旦放電加工されると、その放電加工面は高温で炭化（グラファイト化）するため、加工面には導電層が形成されることがわかった。これを応用して、加工初期のワイヤとダイヤモンド表面の導電パスさえ取れれば、導電層が自己形成されて加工を進めることができる。この現象から、前記本発明を得るに至った。
【００１２】
本発明の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板では、例えば図１に示すように、絶縁性ダイヤモンド基板１に対し、導電ワイヤ５の切り込み面３及び当該切り込み面３と接する面（以降、導通面と称す）２，２に導電性膜が形成されている。この場合、図２に示すように導通面２，２と直交するダイヤモンド基板の上下面を放電加工機４で保持し、放電加工機４より導通面２，２へ通電するためのワークホルダ（電極）７，７を導通面２，２に接触させる。ここでワークホルダ７，７は導電部材であれば何れの部材を用いてもよい。例えば導電性接着剤等によって形成された部材であっても良い。このようにして本発明のダイヤモンド基板を固定した後、切り込み面３に形成された導電性膜の方向から導電ワイヤ５で切り込むことにより、加工初期は切り込み面３の導電性膜が加工される。そして、切り込み面３の導電性膜が加工されると同時に、ダイヤモンド基板内面に自己形成された導電層６を介して導電パスが維持され加工が継続される。放電を維持したままダイヤモンド基板を掃引することにより、ダイヤモンド基板を２枚にスライス加工することが可能になる。
【００１３】
本発明の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板では、前記のように導電パスの自己形成を利用するため、原理的には特許文献１のような、犠牲層となる半導体ダイヤモンド層は不要である。しかし、例えば図３に示すように、実際上は絶縁性ダイヤモンド基板１の主面に対し、導電性ダイヤモンド層８と絶縁性ダイヤモンド層９が交互に２層以上積層されるのが望ましい。これにより、放電の安定性や、加工速度の向上が見込まれる。この場合、この導電性ダイヤモンド層８の厚さは１μｍ以上１４０μｍ以下であることが望ましく、より好ましくは２μｍ以上５０μｍ以下が望ましい。この導電性ダイヤモンド層８は、気相合成法でホウ素をドープすることにより、容易に得られる。導電性ダイヤモンド層８の厚さは、薄すぎると放電の安定への寄与がほとんどなくなり、逆に厚すぎると生産性の観点から利点が減少する。本発明者らは、導電性ダイヤモンド層８の厚さを前記範囲内に収めることにより、必要十分な効果が得られることを明らかにした。
【００１４】
本発明の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板は、多結晶・単結晶いずれのダイヤモンドから構成されてもよいが、絶縁性ダイヤモンド基板、導電性ダイヤモンド層、及び絶縁性ダイヤモンド層を単結晶ダイヤモンドとすることが望ましい。これにより、大型の単結晶ダイヤモンド基板においても、放電加工機を用いてスライス加工することができる。
【００１５】
本発明の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板の側面に形成される導電性膜としては、金属あるいは気相合成法により成膜された導電性ダイヤモンドのいずれもが利用できる。金属には成膜が容易であるといった利点があるが、ダイヤモンド基板との密着性の観点から、チタン、白金、金などが望ましい。導電性膜を気相合成法により成膜したダイヤモンドとする場合、この部分はホウ素ドープダイヤモンドであることが望ましい。ホウ素ドープダイヤモンドは、容易に低抵抗化が可能であり、放電加工初期層としては理想的である。また、下地の絶縁性ダイヤモンド基板と同じダイヤモンドなので密着性がよくなり、加工時の剥離を防止できる。絶縁性ダイヤモンド基板が単結晶の場合は、側面の導電性膜も単結晶のホウ素ドープダイヤモンドであることが望ましい。先と同じ理由により、両者の密着性がよくなり、加工時の剥離や欠けを防止できる。これらのホウ素ドープダイヤモンドは、気相合成法により容易に形成できる。
【００１６】
この導電性膜の膜厚は、１μｍ以上１４０μｍ以下であることが望ましい。導電性膜の厚さは、薄すぎると放電開始層として機能せず、逆に厚すぎると耐剥離性などが低下する場合がある。本発明者らは、導電性膜の厚さを前記範囲内に収めることにより、必要十分な効果が得られることを明らかにした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の放電ワイヤ加工用ダイヤモンド基板およびダイヤモンドの加工方法を用いれば、容易に放電加工に投入できる大型のダイヤモンド基板を得ることができ、特に大型単結晶ダイヤモンド基板のスライス加工等に有用となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
【実施例１】
【００１９】
図４に示すように、本実施例では絶縁性ダイヤモンド基板１として、高温高圧合成法で製造されたＩｂ型単結晶ダイヤモンド基板を用意した。本基板のサイズは８ｍｍ×８ｍｍ×１ｍｍの直方体で、面方位は６面とも｛１００｝、抵抗率は９．０×１０７Ωｃｍであった。本基板の側面のうち、対面する１組の側面、及びこの両側面に接する１側面にスパッタ法でチタン層１０を成膜した。チタン層１０の厚さは１．１μｍで、表面の抵抗率は３．０×１０−４Ωｃｍ以下であった。
この基板に対し、図５に示すように、両側面に接する１側面からワイヤ放電加工を行った。ワイヤ材質はタングステンで、線径は０．２ｍｍとした。放電加工は図６に模式的に示すように、絶縁性ダイヤモンド基板中の加工面６に導電層が形成されて進むことがわかった。８０時間の加工で、厚さがそれぞれ０．３８５ｍｍの２枚のダイヤモンド板にスライス加工することができた。
比較例１
ここで比較例１として、実施例で使用したものと同仕様の絶縁性ダイヤモンド基板を用意し、外周にチタン層を成膜せず、そのまま放電加工を行った。この結果、基板側面にワイヤが接触しても放電は開始せず、ワイヤは切断され、ダイヤモンド基板は加工されないことがわかった。
この結果から、本実施例で得られたダイヤモンド基板は、放電加工によりスライス切断できることがわかった。
【実施例２】
【００２０】
図７に示すように、本実施例では絶縁性ダイヤモンド基板１として、高温高圧合成法で製造されたIIａ型単結晶ダイヤモンド基板を用意した。本基板のサイズは９ｍｍ×９ｍｍ×０．５ｍｍの直方体で、面方位は６面とも｛１００｝、抵抗率は２．０×１０８Ωｃｍであった。本基板１の主面上にマイクロ波プラズマＣＶＤ法でホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド１１を成膜した。使用したガスは水素、メタン、及びジボランで、水素に対するメタン濃度は４％、メタンに対するジボラン濃度は１０ｐｐｍ、成膜時間は５時間とした。ホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド層１１の主面、側面の厚さはそれぞれ３．５μｍ、１．０μｍで、表面の抵抗率は１．０×１０−２Ωｃｍであった。
【００２１】
次に、図８に示すように、このホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド層１１の上に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法でアンドープ単結晶ダイヤモンド１２を成膜した。使用したガスは水素及びメタンで水素に対するメタン濃度は５％、成膜時間は１００時間とした。アンドープ単結晶ダイヤモンド層１２の主面、側面の厚さはそれぞれ０．５ｍｍ、０．１５ｍｍで、表面の水素終端導電層を除去（加熱処理）後の抵抗率は２．５×１０８Ωｃｍであった。このことから、アンドープ単結晶ダイヤモンド層は絶縁性ダイヤモンド層であることがわかった。
次に、図９に示すように、このダイヤモンド基板１の上下面及び４側面に、先のホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド成膜条件と同じ条件で、ホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド１３を成膜した。この結果、上下面のホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド層１３の厚さはそれぞれ３．５μｍで、４側面のホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド層の厚さはそれぞれ２．０μｍとなる、ダイヤモンド基板が得られた。
この基板に対し、図１０に示すように、側面から導電ワイヤ５によるワイヤ放電加工を行った。ワイヤ５の材質は真鍮で、線径は０．１５ｍｍとした。放電加工の時間は４０時間で、厚さがそれぞれ０．４ｍｍの２枚のダイヤモンド板にスライス加工することができた（図１１）。
比較例２
【００２２】
本比較例２では、実施例１において、絶縁性ダイヤモンド基板１の側面に形成したチタン層１０の厚さを変更した例を述べる。
まず、チタン層１０の厚さを０．９μｍとした基板について、チタン層１０の厚さ以外の諸条件は実施例１と同じとして放電加工を行った。その結果、放電開始時に導電層の自己形成が進まず、初期の加工速度が実施例１の１／５に低下した。
次に、チタン層１０の厚さを１４５μｍとした基板について、同様に放電加工を行った。この結果、実施例１と同じ加工条件ではチタン層１０が剥離し、加工が進まなかった。そこで、初期加工電圧を低下させたところ安定して放電した。しかし、この加工条件では加工速度が実施例の１／３に低下した。
これらの結果から、絶縁性ダイヤモンド基板１の外周に形成する導電層１０の厚さには、良好に加工できる範囲があることがわかった。
比較例３
【００２３】
本比較例３では、実施例２において、絶縁性ダイヤモンド基板１上に形成したホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド１１の膜厚を変更した例について述べる。
まず、絶縁性ダイヤモンド基板１上のホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド１１の膜厚が０．９μｍで、これ以外の諸条件は実施例２と同条件でダイヤモンド基板を作製し、放電加工した。この結果、切断加工は進むものの、スライスまでに倍の８０時間の加工時間を要し、効率よく加工するには一定上の膜厚が必要であることがわかった。
次に、絶縁性ダイヤモンド基板１上のホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド１１の膜厚が１３５μｍと１４５μｍの２種類の試料を用意し、それぞれの放電加工の時間を比較した。
この結果、スライスまでの加工時間は、それぞれ２０時間と１９．９時間で、両者に有意な差はなかった。これから、ホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド１１の膜厚を一定以上厚くしても、加工時間の点からは大きな利点がないことがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係わるダイヤモンド基板の鳥瞰図の一例である。
【図２】本発明に係わるダイヤモンドの加工方法を示す一例である。
【図３】本発明に係わるダイヤモンド基板の鳥瞰図の一例である。
【図４】実施例１のダイヤモンド基板の鳥瞰図である。
【図５】実施例１のダイヤモンド基板加工方向を示す模式図である。
【図６】実施例１のダイヤモンド基板の加工状態を示す模式図である。
【図７】実施例２のホウ素ドープ単結晶ダイヤモンドを成膜した時の断面図である。
【図８】実施例２のアンドープ単結晶ダイヤモンドを成膜した時の断面図である。
【図９】ダイヤモンド基板の周囲にホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド基板を成膜した時の断面図である。
【図１０】実施例２のダイヤモンド基板加工方向を示す断面模式図である。
【図１１】放電加工でダイヤモンド基板を切断後の断面模式図である。
【符号の説明】
【００２５】
１  絶縁性ダイヤモンド基板
２  導通面（導電性膜）
３  切り込み面（導電性膜）
４  ワークホルダ
５  導電ワイヤ
６  加工導電層
７  導電性接着剤
８  導電性ダイヤモンド層
９  絶縁性ダイヤモンド層
１０  チタン層（導電性膜）
１１  ホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド層
１２  アンドープ単結晶ダイヤモンド層
１３  基板外周部のホウ素ドープ単結晶ダイヤモンド層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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