(57)【要約】【課題】  本発明は、電荷転送効率、感度、スミア特性の低下を招くことなく、電極間ギャップ及びフォトセンサー開口部を精度よく加工することが可能な固体撮像装置の製造方法を提供するものである。【解決手段】  電荷転送部の転送電極となる電極層２１を形成する工程と、この電極層２１に対して、転送電極間のギャップとなる開口と、受光部１のうち端縁部の開口とを、同時に連続して形成する工程と、転送電極間のギャップとなる開口と、受光部１のうち端縁部の開口とを埋めて絶縁層２４を形成する工程と、その後、電極層２１の受光部１上に残った部分を除去して受光部１に開口２を形成する工程とを少なくとも有して、固体撮像装置を製造する。【選択図】        図２
2006165263.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光部と、
前記受光部からの信号電荷を転送する電荷転送部とを有する固体撮像装置を製造する方法であって、
前記電荷転送部の転送電極となる電極層を形成する工程と、
前記電極層に対して、前記転送電極間のギャップとなる開口と、前記受光部のうち端縁部の開口とを、同時に連続して形成する工程と、
前記転送電極間のギャップとなる開口と、前記受光部のうち端縁部の開口とを埋めて絶縁層を形成する工程と、
前記電極層の前記受光部上に残った部分を除去して、前記受光部に開口を形成する工程とを、少なくとも有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記転送電極間のギャップとなる開口と、前記受光部の前記端縁部の開口とを、略同一幅で形成することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記受光部の前記端縁部の開口を、前記端縁部全体に連続したパターンで形成することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記電極層の前記受光部上に残った部分を除去して、前記受光部に開口を形成する工程において、前記絶縁層をマスクとして用いて、前記開口をセルフアライン的に形成することを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記電荷転送部の全ての前記転送電極を、同一層の前記電極層から形成することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
複数の受光部と、
前記受光部からの信号電荷を転送する電荷転送部とを有し、
前記電荷転送部の転送電極間のギャップと、前記受光部のうち端縁部とに、絶縁層が略同一幅に連続して形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の製造方法、並びにこの製造方法により製造される固体撮像装置に関する。特に、いわゆる単層電極構造を有する固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
単位画素の微細化に伴い、電荷転送チャネル上に同一層の電極層を形成した、いわゆる単層電極構造を有する固体撮像装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上記特許文献１には、リソグラフィ解像限界以下の微細な電極間ギャップを形成する方法が詳細に示されている。
微細ギャップそのものは、技術の進歩に伴い、リソグラフィ技術で解像可能になりつつある。
【０００３】
例えば、インターライン型固体撮像装置等では、フォトセンサーとなる部分に光透過率の低い電極材料が残らないように加工される。
このフォトセンサー開口部の加工精度は、固体撮像装置の撮像特性に重大な影響を与えるため、厳密な管理を行う必要がある。
【０００４】
単層電極構造を持つ固体撮像装置を製造する際には、電極間ギャップ及びフォトセンサー開口部を同時に加工して、電極パターンを形成していた。
この電極間ギャップ及びフォトセンサー開口部を加工する工程の加工精度は、電荷転送効率、感度、スミア特性等に大きな影響を及ぼすことになる。
従って、リソグラフィ解像限界に近い微細ギャップと、比較的寸法の大きいフォトセンサー開口部の両方を設計値通りに形成し、かつ、寸法のばらつきを抑える必要がある。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−３１５５８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、リソグラフィ及びエッチングの条件は、所望の加工寸法によって最適条件が異なるため、電極間ギャップ及びフォトセンサー開口部を同時に加工する場合には、微細ギャップに対してプロセスを最適化して、フォトセンサー開口部の寸法制御を犠牲にすることになる。
即ち、電極間ギャップ及びフォトセンサー開口部を同時に加工する場合は、各々の寸法が大きく異なるためリソグラフィ及びエッチング条件が最適化できず、各部の加工形状悪化やプロセスマージン不足による歩留まり低下という問題がある。例えば、電極間ギャップ部とフォトセンサー開口部との境界付近に、転送電極が角部を有している構成の固体撮像装置を製造する場合に、転送電極の角部が丸くなって形成されることがある。
【０００７】
そこで、電極間ギャップとフォトセンサー開口部とを別々に加工して、それぞれの加工工程を最適化することが考えられる。
この場合の製造方法の一例を、図６Ａ〜図８Ｇを用いて説明する。図６Ａ〜図８Ｇの各図において、それぞれ、左図はフォトセンサー部の要部の平面図、右上図は平面図のＡ−Ａ’断面図、右下図は平面図のＢ−Ｂ’断面図を示している。
まず、画素となる複数のフォトセンサー部（図示せず）を備える半導体基板１２０上に、電極膜１２１を形成し、この電極膜１２１に電極間ギャップ部１０３（後述する）となる電極間ギャップ開口部１１３を形成する。この電極間ギャップ開口部１１３は、平面図中破線で示すフォトセンサー開口部内と重なるように形成する（図６Ａ参照）。これは２回の加工工程でそれぞれ用いるマスクの合わせずれに対する、合わせしろを確保するためである。
次に、電極間ギャップ開口部１１３を埋めるように、２層の絶縁膜１２２，１２３からなる絶縁膜１２４を半導体基板１２０の全面に形成する（図６Ｂ参照）。この絶縁膜１２４としては、例えば、酸化膜もしくは窒化膜、或いはこれらの両方を含む膜を形成する。
さらに、電極膜１２１の上面に合わせて表面を平坦化することにより、電極間ギャップ部１０３のみに絶縁膜１２４が残り、他の部分の絶縁膜１２４が除去される（図６Ｃ参照）。
次に、フォトセンサー開口部に対応するパターンにパターニングされたフォトレジスト１２５を形成する（図７Ｄ参照）。なお、この図７Ｄ以降は、絶縁膜１２４を構成する２層の絶縁膜１２２，１２３を、まとめて絶縁膜１２４として示す。
次に、フォトレジスト１２５を用いて、フォトセンサー上の電極膜１２１をエッチング除去することにより、フォトセンサー上に開口を形成する。このとき、平面図に示すように、電極間ギャップ１０３の絶縁膜１２４の端部（合わせしろとして形成した部分）が、フォトセンサー開口部１０２に張り出して残る（図７Ｅ参照）。
次に、フォトセンサー上の開口を含んで、全面に絶縁膜１２６を形成する（図８Ｆ参照）。
次に、エッチバック等により、フォトセンサー上及び電極膜１２１上の絶縁膜１２６を除去する。これにより、電極膜１２１の側壁に絶縁膜１２６がサイドウォール１０５として残り、フォトセンサー上に開口部１０２が形成される。このとき、電極間ギャップ部１０３の絶縁膜１２４の合わせしろが張り出している分、絶縁膜１２６のサイドウォール１０５が内側に形成されるため、フォトセンサー開口部１０２内にサイドウォール１０５が張り出して形成される（図８Ｇ参照）。
この後は、層間絶縁膜を形成し、その上にフォトセンサー以外の部分を覆うように遮光膜を形成する。
【０００８】
上述した製造方法では、パターンを分割するために、電極間ギャップ部とフォトセンサー開口部が重なる部分にパターンの合わせしろを確保する必要があるため、この部分において、図８Ｇに示したようにサイドウォール１０５として残った絶縁膜が張り出して形成されることになる。
そして、設計されたフォトセンサー開口部のパターンに合わせて遮光膜をパターニングすると、サイドウォール１０５が張り出した部分は、絶縁膜１２４及びサイドウォール１０５によって遮光膜と基板との間が離れることから、遮光膜による被覆が不完全になるため、この部分から電荷転送部へ洩れる光によって、スミア特性が悪化することも懸念される。また、サイドウォール１０５が張り出した部分は、絶縁膜１２６によって遮光膜が高い位置に形成されるので、この部分の遮光膜によって入射光がけられることにより、フォトセンサーの開口面積が実質的に減少し、感度低下を引き起こすことにもなる。
【０００９】
本発明は、上述の点に鑑み、電荷転送効率・感度・スミア特性等の低下を招くことなく、電極間ギャップ部及びフォトセンサー開口部を精度よく加工することが可能な固体撮像装置の製造方法、並びにこの製造方法によって製造される固体撮像装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、複数の受光部と、受光部からの信号電荷を転送する電荷転送部とを有する固体撮像素子を製造する際に、電荷転送部の転送電極となる電極層を形成する工程と、この電極層に対して、転送電極間のギャップとなる開口と、受光部のうち端縁部の開口とを、同時に連続して形成する工程と、転送電極間のギャップとなる開口と、受光部のうち端縁部の開口とを埋めて絶縁層を形成する工程と、電極層の受光部上に残った部分を除去して受光部に開口を形成する工程とを、少なくとも有することを特徴とする。
【００１１】
本発明の固体撮像装置は、複数の受光部と、受光部からの信号電荷を転送する電荷転送部とを有し、電荷転送部の転送電極間のギャップと、受光部のうち端縁部とに、絶縁層が略同一幅に連続して形成されていることを特徴とする。
【００１２】
上述の本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、電荷転送部の転送電極となる電極層に対して、転送電極間のギャップとなる開口と、受光部のうち端縁部の開口とを、同時に連続して形成するため、これらの開口を別々に形成した場合に必要となる、合わせしろが不要となる。そして、これらの開口を埋めて絶縁層を形成するので、絶縁層を形成するときに、合わせしろの部分で絶縁層が受光部の内側に張り出すことがないことから、例えば転送電極上に形成する遮光膜と基板との間隔を狭くして、電荷転送部への光の漏れこみを抑制することや、遮光膜による入射光のケラレを抑制することが可能になる。
また、その後、（上記２つの開口を形成する工程とは別に）電極層の受光部上に残った部分を除去して受光部に開口を形成するので、上記２つの開口を加工形成する工程の条件と、受光部の開口を加工形成する工程の条件とを、それぞれ良好な加工精度が得られるように最適化することが可能になる。
これにより、従来の製造方法と比較して、電荷転送部の転送電極、転送電極間のギャップ、並びに受光部の開口を、精度良く形成することが可能になる。
【００１３】
また、上記本発明の固体撮像装置の製造方法において、転送電極間のギャップとなる開口と、前記受光部の前記端縁部の開口とを、略同一幅で形成することも可能である。
このようにしたときには、同時に連続して形成する２つの開口を略同一幅で形成するため、これら２つの開口を略同等の（高い）加工精度で形成することができる。これにより、電荷転送部の転送電極、転送電極間のギャップ、並びに受光部の開口を、それぞれ設計通りの所定のパターンに精度よく形成することができる。
【００１４】
上述の本発明の固体撮像装置の構成によれば、複数の受光部と、受光部からの信号電荷を転送する電荷転送部とを有し、電荷転送部の転送電極間のギャップと、受光部のうち端縁部とに、絶縁層が略同一幅に連続して形成されていることにより、上述した２つの開口を略同一幅で形成する製造方法によって、電荷転送部の転送電極、転送電極間のギャップ、並びに受光部の開口を、それぞれ設計通りの所定のパターンに精度よく形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電荷転送部の転送電極、転送電極間のギャップ、並びに受光部の開口を、精度良く形成することが可能になるため、単位画素が微細化しても、これらを良好な精度で形成することが可能になる。しかも、固体撮像装置の電荷転送効率、感度、スミア特性等の低下を招くことがない。
従って、単位画素を微細化して、固体撮像装置の多画素化や小型化を図ることが可能になり、また微細な単位画素を有する固体撮像装置を歩留まりよく安定して製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
本発明の一実施の形態として、本発明に係る固体撮像装置の製造方法の製造工程図を図１Ａ〜図２Ｅに示す。この図１Ａ〜図２Ｅにおいては、同一工程を３つの図で示しており、それぞれ、左図は受光部の要部を示す平面図、右上図は平面図のＡ−Ａ’断面図、右下図は平面図のＢ−Ｂ’断面図である。
【００１８】
本実施の形態の製造方法では、画素となるフォトセンサー（受光部）がマトリックス状に配置され、各列のフォトセンサー（受光部）に対応して、電荷転送部である垂直転送レジスタ（垂直転送部）が帯状に形成され、垂直転送レジスタの転送電極が全て同一層の電極膜により形成された単層電極構造を有する構成の固体撮像装置を製造するものである。
【００１９】
まず、図１Ａに示すように、マトリックス状に配列されて画素となる図示しないフォトセンサー即ち受光部が形成されて成る半導体基板２０上に、垂直転送レジスタの転送電極となる電極膜２１をパターニングして、同一線幅（同一寸法）の電極間ギャップ開口部１３及び微細ギャップ開口部１４を同時に形成する。フォトセンサー上では、微細ギャップ開口部１４が額縁状に形成され、その内側に電極膜２１が残っている。
即ち、このとき、電極間ギャップ開口部１３の微細ギャップとフォトセンサー上の開口端縁部１４とを、２つのマスクパターンに分けて形成することなく、１つのマスクパターンで形成している。
【００２０】
次に、図１Ｂに示すように、同一線幅の電極間ギャップ開口部１３及び微細ギャップ開口部１４を埋め込むように、半導体基板２０全面に２層の絶縁膜２２，２３から成る絶縁膜２４をＣＶＤによって形成する。例えば、２層の絶縁膜２４にＳｉＮ膜２２とＳｉＯ膜２３とを用いて形成してもよい。
なお、ＳｉＮ膜かＳｉＯ膜のどちらか１つの絶縁膜によって、絶縁膜２４を形成してもよい。
【００２１】
次に、図１Ｃに示すように、電極間ギャップ開口部１３及び微細ギャップ開口部１４に絶縁膜２４を埋め込んだ状態で、表面を平坦化することにより、電極膜２１上及びフォトセンサー上の絶縁膜２４を除去する。
【００２２】
次に、図２Ｄに示すように、フォトリソグラフィー法により、受光部となるフォトセンサー上を除いた全面に、フォトレジスト２５を形成する。なお、この図２Ｄ以降は、絶縁膜２４を構成する２層の絶縁膜２２，２３を、まとめて絶縁膜２４として示す。
【００２３】
次に、エッチングを行うことにより、フォトセンサー上の電極膜２１を除去する。このとき、エッチングの条件を、絶縁膜２４が電極膜２１に対して高いエッチング選択比を有する条件とすることにより、絶縁膜２４をマスクとして作用させて、この絶縁膜２４に対してセルフアライン的にフォトセンサー上に開口を形成することができる。
その後、フォトレジスト２５を除去することにより、図２Ｅに示すように、フォトセンサー部１の端部及び電極間ギャップ部に絶縁膜２４が形成される。この絶縁膜２４は、細長く形成された電極間ギャップ部３と、額縁状に形成されたフォトセンサー端部４とから成り、これらの部分３，４が同一線幅で形成されている。
次に、層間絶縁膜を形成する。さらに、この層間絶縁膜の上に、遮光膜をフォトセンサー部上に開口を有するパターンに形成する。
その後は、全体を絶縁層で覆い、さらに必要に応じて、カラーフィルタやオンチップレンズ等を形成する。
このようにして、固体撮像装置を製造することができる。
【００２４】
上述の本実施の形態によれば、電極間ギャップの微細ギャップ３とフォトセンサー開口端縁部の微細ギャップ４とを、１つのマスクパターンで形成することにより、つなぎ目のない微細ギャップの絶縁膜２４が形成される。
電極間ギャップの微細ギャップ３とフォトセンサー開口端縁部の微細ギャップ４とを、１つのマスクパターンで形成するので、これらを別々に形成した場合に必要となる、マスクの合わせしろが不要となる。これにより、図８Ｇに示した絶縁膜の張り出し部が生じないことから、転送電極上に形成する遮光膜と基板との間隔を狭くすることができ、垂直転送レジスタへの光の漏れこみや遮光膜による入射光のケラレを抑制して、スミア特性や感度を向上することができる。
また、その後、フォトセンサーの中央部に残った電極膜２１を除去して開口を形成するので、電極間ギャップの微細ギャップ３及びフォトセンサー開口端縁部の微細ギャップ４を加工形成する工程の条件と、フォトセンサーに残った電極膜２１を除去して開口を加工形成する工程の条件とを、それぞれ良好な加工精度が得られるように最適化することが可能になる。例えば、後から形成するフォトセンサーの開口を加工形成する際に、絶縁膜２４に対して高い選択比を有する条件でエッチングを行うことにより、微細ギャップの幅分の重ね合わせ及び寸法制御に対して、充分なマージンを有することが可能になる。
これにより、転送電極、電極間ギャップ、フォトセンサーの開口を、いずれも精度良く形成することが可能になる。
【００２５】
また、絶縁膜２４をマスクとして電極膜２１を除去してフォトセンサーの開口を加工形成するので、フォトレジスト２５との合わせズレの影響がなく、フォトセンサーの開口を絶縁膜２４に対してセルフアライン的に形成することができるため、この開口を位置精度良く形成することができる。
【００２６】
さらに、本実施の形態では、電極間ギャップの微細ギャップ３とフォトセンサー開口端縁部の微細ギャップ４とを、同一線幅で形成しているので、これらの微細ギャップを略同等の高い加工精度で形成することができ、転送電極、電極間ギャップ、フォトセンサーの開口を、いずれも設計通りの所定のパターンで精度良く形成することが可能になる。
【００２７】
即ち、本実施の形態の製造方法により、転送電極、電極間ギャップ、フォトセンサーの開口を、いずれも設計通りの所定のパターンで精度良く形成することが可能になるため、単位画素が微細化しても、これら固体撮像装置の各部を良好な精度で形成することが可能になる。しかも、固体撮像装置の電荷転送効率、感度、スミア特性等の低下を招くことがない。
従って、単位画素を微細化して、固体撮像装置の多画素化や小型化を図ることが可能になり、また微細な単位画素を有する固体撮像装置を歩留まりよく安定して製造することが可能になる。
また、本実施の形態の製造方法によって製造された固体撮像装置は、良好な特性を有し、信頼性の高いものとなる。
【００２８】
上述の実施の形態では、本発明を、単層電極構造を有する固体撮像装置に適用し、電荷転送部の転送電極を全て同一層の電極膜から形成したが、本発明は、単層電極構造以外の電極構造を有する固体撮像装置に適用することも可能である。
例えば、第１層の導電層と第２層の導電層とにより電荷転送部の転送電極を構成し、一部の転送電極は第１層の導電層により形成され、その他の転送電極は第１層の導電層及び第２層の導電層により形成された構成が考えられる。
この構成の固体撮像装置に、本発明を適用した場合を次に示す。
【００２９】
次に、本発明の他の実施の形態として、本発明に係る固体撮像装置の製造方法の製造工程図を図３Ａ〜図５Ｇに示す。この図３Ａ〜図５Ｇにおいては、同一工程を３つの図で示しており、それぞれ、左図は受光部の要部を示す平面図、右上図は平面図のＡ−Ａ’断面図、右下図は平面図のＢ−Ｂ’断面図である。
【００３０】
まず、図３Ａに示すように、マトリックス状に配列されて画素となる図示しないフォトセンサー即ち受光部が形成されて成る半導体基板２０上に、垂直転送レジスタの転送電極となる電極膜２１をパターニングして、同一線幅（同一寸法）の電極間ギャップ開口部１３及び微細ギャップ開口部１４を同時に形成する。フォトセンサー上では、微細ギャップ開口部１４が額縁状に形成され、その内側に電極膜２１が残っている。
即ち、このとき、電極間ギャップ開口部１３の微細ギャップとフォトセンサー上の開口端縁部１４とを、２つのマスクパターンに分けて形成することなく、１つのマスクパターンで形成している。
【００３１】
次に、図３Ｂに示すように、同一線幅の電極間ギャップ開口部１３及び微細ギャップ開口部１４を埋め込むように、半導体基板２０全面に２層の絶縁膜２２，２３から成る絶縁膜２４をＣＶＤによって形成する。例えば、２層の絶縁膜２４にＳｉＮ膜２２とＳｉＯ膜２３とを用いて形成してもよい。
なお、ＳｉＮ膜かＳｉＯ膜のどちらか１つの絶縁膜によって、絶縁膜２４を形成してもよい。
【００３２】
次に、図３Ｃに示すように、電極間ギャップ開口部１３及び微細ギャップ開口部１４に絶縁膜２４を埋め込んだ状態で、表面を平坦化することにより、電極膜２１上及びフォトセンサー上の絶縁膜２４を除去する。
【００３３】
次に、図４Ｄに示すように、フォトリソグラフィー法により、受光部となるフォトセンサー上を除いた全面に、フォトレジスト２５を形成する。なお、この図４Ｄ以降は、絶縁膜２４を構成する２層の絶縁膜２２，２３を、まとめて絶縁膜２４として示す。
【００３４】
次に、エッチングを行うことにより、フォトセンサー上の電極膜２１を除去する。このとき、エッチングの条件を、絶縁膜２４が電極膜２１に対して高いエッチング選択比を有する条件とすることにより、絶縁膜２４をマスクとして作用させて、この絶縁膜２４に対してセルフアライン的にフォトセンサー上に開口を形成することができる。
その後、フォトレジスト２５を除去することにより、図４Ｅに示すように、フォトセンサー部１の端部及び電極間ギャップ部に絶縁膜２４が形成される。この絶縁膜２４は、細長く形成された電極間ギャップ部３と、額縁状に形成されたフォトセンサー端部４とから成り、これらの部分３，４が同一線幅で形成されている。
【００３５】
次に、図５Ｆに示すように、層間絶縁膜２６を全面に形成した後、パターニング処理してフォトセンサー開口部２及び電極膜２１とコンタクトを取るための開口部２７とを形成する。
【００３６】
次に、図５Ｇに示すように、開口部２７を通じて電極膜２１と接続されるように、配線層２８を形成し、配線層２８を所定のパターンにパターニングする。
これにより、垂直転送部に沿って延びる部分（電極部）と、垂直方向に隣接する画素の各受光部の間に水平方向に延びる部分（配線部）とを有するパターンに、配線層２８が形成される。
次に、層間絶縁膜を形成する。さらに、層間絶縁膜の上に、遮光膜をフォトセンサー部上に開口を有するパターンに形成する。
その後は、全体を絶縁層で覆い、さらに必要に応じて、カラーフィルタやオンチップレンズ等を形成する。
このようにして、固体撮像装置を製造することができる。
【００３７】
本実施の形態の製造方法により製造される固体撮像装置は、垂直転送レジスタの転送電極が、電極膜（第１層の導電層）２１のみによる第１の転送電極と、電極膜（第１層の導電層）２１と配線層（第２層の導電層）２８とから成る第２の転送電極とを有している。第１の転送電極の垂直転送レジスタに沿った電極部は、垂直方向に隣り合うフォトセンサー間に対応した位置に設けられている。第２の転送電極の垂直転送レジスタに沿った電極部は、フォトセンサーに対応した位置に設けられている。第１の転送電極の配線部と、第２の転送電極の配線部の配線層２８とは、垂直方向に隣り合うフォトセンサー間において、層間絶縁膜２６を介して積層されている。
【００３８】
上述の本実施の形態によれば、先の実施の形態と同様に、電極間ギャップの微細ギャップ３とフォトセンサー開口端縁部の微細ギャップ４とを、１つのマスクパターンで形成することにより、つなぎ目のない微細ギャップの絶縁膜２４が形成され、マスクの合わせしろが不要となることから、転送電極上に形成する遮光膜と基板との間隔を狭くすることができ、垂直転送レジスタへの光の漏れこみや遮光膜による入射光のケラレを抑制して、スミア特性や感度を向上することができる。
また、その後、フォトセンサーの中央部に残った電極膜２１を除去して開口を形成するので、電極間ギャップの微細ギャップ３及びフォトセンサー開口端縁部の微細ギャップ４を加工形成する工程の条件と、フォトセンサーに残った電極膜２１を除去して開口を加工形成する工程の条件とを、それぞれ良好な加工精度が得られるように最適化することが可能になる。
これにより、転送電極、電極間ギャップ、フォトセンサーの開口を、いずれも精度良く形成することが可能になる。
さらに、電極間ギャップの微細ギャップ３とフォトセンサー開口端縁部の微細ギャップ４とを、同一線幅で形成しているので、これらの微細ギャップを略同等の高い加工精度で形成することができ、転送電極、電極間ギャップ、フォトセンサーの開口を、いずれも設計通りの所定のパターンで精度良く形成することが可能になる。
また、絶縁膜２４をマスクとして電極膜２１を除去してフォトセンサーの開口を加工形成するので、この開口を位置精度良く形成することができる。
【００３９】
即ち、本実施の形態の製造方法により、先の実施の形態の製造方法と同様に、単位画素が微細化しても、これら固体撮像装置の各部を良好な精度で形成することが可能になる。しかも、固体撮像装置の電荷転送効率、感度、スミア特性等の低下を招くことがない。
従って、単位画素を微細化して、固体撮像装置の多画素化や小型化を図ることが可能になり、また微細な単位画素を有する固体撮像装置を歩留まりよく安定して製造することが可能になる。
また、本実施の形態の製造方法によって製造された固体撮像装置は、良好な特性を有し、信頼性の高いものとなる。
【００４０】
上述の各実施の形態では、絶縁膜２４の平面パターンにおいて、電極間ギャップの微細ギャップ部３とフォトセンサー部の端部４とを同一線幅に形成したが、パターン形成の精度が低下しない範囲であれば、これら２つの部分の線幅が若干異なっていても構わない。
従来のパターン形成方法では、同時に形成する２つの開口の幅、即ち、転送電極間の微細ギャップ部に形成する開口の幅と、フォトセンサー部に形成する開口の幅とが、大幅に（例えば数倍〜数十倍）異なっているため、パターン形成の精度に問題を生じていた。
これに対して、本発明においては、電極間ギャップの開口と同時に、フォトセンサー部（受光部）に形成する開口は、フォトセンサー部の端縁部のみであるため、２つの開口の線幅の差が小さく（ほぼ同じか２倍程度以下）なり、同時に開口を形成した場合のパターン精度の差も小さくなることから、２つの開口のパターン形成の精度を共に充分に確保することが可能になる。
特に、同時に形成する２つの開口を略同一の線幅にする、例えばフォトセンサー端部の幅を微細ギャップ部の幅と同一或いは１．１倍〜１．２倍程度以下とすることにより、パターン形成の精度に問題を生じないようにすることが可能である。
【００４１】
また、上述の各実施の形態では、矩形状のフォトセンサー部（受光部）の上にある電極膜の端縁部に、額縁状の開口を形成しているが、本発明では、受光部の端縁部上の電極層に、転送電極間ギャップとなる開口と連続したパターンで同時に開口を形成する構成であれば、その他の構成も可能である。
各画素の受光部の形状が矩形状以外、例えば、六角形状・八角形状や円形状・楕円形状であっても、受光部の形状に沿って、その端縁部上の電極層に開口を形成すればよい。
また、フォトセンサー部の端縁部全体に連続して開口及び開口内を埋める絶縁層を形成する構成に限らず、フォトセンサー部の端縁のうち少なくとも転送電極間ギャップとなる開口と連続した部分に、転送電極間ギャップとなる開口と同時に開口を形成すればよい。例えば、矩形状のフォトセンサー部と帯状の電荷転送部とを有する固体撮像装置を形成する場合には、転送電極間ギャップとなる開口と同時にこの開口と連続した側の受光部の短縁を開口して、Ｈ字状又はＴ字状の開口を形成してもよい。
また、受光部の配列がマトリクス状である以外の構成、例えば奇数行の画素の受光部と偶数行の画素の受光部の位置がずれて市松状となっている構成や、ラインセンサのように受光部が一列又は少ない列で配置されている構成にも、本発明を適用することが可能である。
さらに、電荷転送部（垂直転送部等）がまっすぐな帯状である構成に限らず、フォトセンサー部に対応して左右に蛇行している構成（例えば、いわゆるハニカム状の受光部を有する場合）等にも本発明を適用することができる。
【００４２】
さらにまた、本発明に係る微細ギャップの加工方法は、上述した単層電極構造を持つ固体撮像装置に限らず、さまざまな半導体プロセスを必要とする固体撮像装置や半導体装置の微細ギャップの加工に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】Ａ〜Ｃ  本発明の一実施の形態の固体撮像装置の製造工程図である（その１）。
【図２】Ｄ〜Ｅ  本発明の一実施の形態の固体撮像装置の製造工程図である（その２）。
【図３】Ａ〜Ｃ  本発明の他の実施の形態の固体撮像装置の製造工程図である（その１）。
【図４】Ｄ〜Ｅ  本発明の他の実施の形態の固体撮像装置の製造工程図である（その２）。
【図５】Ｆ〜Ｇ  本発明の他の実施の形態の固体撮像装置の製造工程図である（その３）。
【図６】Ａ〜Ｃ  従来の固体撮像装置の製造工程図である（その１）。
【図７】Ｄ〜Ｅ  従来の固体撮像装置の製造工程図である（その２）。
【図８】Ｆ〜Ｇ  従来の固体撮像装置の製造工程図である（その３）。
【符号の説明】
【００４４】
１  フォトセンサー部、１３  電極間ギャップ開口部、１４  微細ギャップ開口部、２０  半導体基板、２１  電極膜、２２  ＳｉＮ膜、２３  ＳｉＯ膜、２４  絶縁膜、２５  フォトレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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