(57)【要約】【課題】  誘導素子の磁束が半導体基板上のデバイス等に影響を与えることなく、誘導素子を自由に配置することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  半導体基板２上に誘導素子３が形成された半導体装置１において、接地電極５を介して半導体基板２に接地されたシールド部１５を、絶縁樹脂層１０，１２を挟んで誘導素子３と厚み方向において重なる位置に配置する。これにより、シールド部１５が誘導素子３の磁束を遮断し、この誘導素子３の磁束が半導体基板２上のデバイス等に影響を与えるのを防ぐことができる。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極部が設けられた基材と、
前記基材上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して前記電極部に接続された配線部と、
前記配線部上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して前記配線部に接続された誘導素子とを備え、
前記基材と前記配線部との間に位置し、且つ、少なくとも前記誘導素子と厚み方向において重なる領域にシールド部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記誘導素子は、螺旋状に形成されたコイル部を有し、
前記シールド部は、少なくとも前記コイル部の最内周部よりも内側の領域と厚み方向において重なる領域に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記シールド部は、更に前記コイル部の最外周部よりも内側の領域と厚み方向において重なる領域に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記シールド部は、更に前記コイル部の最外周部よりも外側の領域と厚み方向において重なる領域に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記シールド部と前記誘導素子との間の距離をＤとしたときに、１０μｍ≦Ｄ≦４０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
電極部が設けられた基材と、
前記基材上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して前記電極部に接続された配線部と、
前記配線部上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して前記配線部に接続された誘導素子とを備える半導体装置の製造方法であって、
前記基材と前記配線部との間に位置し、且つ、少なくとも前記誘導素子と厚み方向において重なる領域にシールド部を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材上に絶縁樹脂層を介して誘導素子が設けられた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高周波半導体素子等の半導体装置では、そのインピーダンスマッチング等を図るために、例えばシリコンウェハ等の半導体基板上に絶縁樹脂層を介して螺旋状の誘導素子（スパイラルインダクタ）を形成することが行われている。しかしながら、このような半導体装置では、半導体基板とこの上に絶縁樹脂層を介して形成される配線部との寄生容量や、誘導素子の磁束が半導体基板を通過することで生じる渦電流などによって、この誘導素子で発生する電磁エネルギーの一部が失われることがある。この場合、誘導素子のＱ値や自己共振周波数が低下するといった問題が発生してしまう。このため、半導体装置では、半導体基板と誘導素子との間に厚い絶縁樹脂層を設けて、この半導体基板と配線部との間の距離を広げることによって、上述した電磁エネルギーの損失を抑制することが行われている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−８６６９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、上述した半導体装置では、半導体基板を通過する誘導素子の磁束が半導体基板上のデバイス等に影響を与えて誤作動を引き起こす可能性があるために、例えば発振回路等のデバイスの直上に誘導素子を配置することはできない。このため、従来の半導体装置では、誘導素子を自由に配置（再配線）することができず、このような制約によって設計自由度が大幅に低下してしまうといった問題があった。
【０００４】
そこで、本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、その目的は、誘導素子の磁束が半導体基板上のデバイス等に影響を与えることなく、誘導素子を自由に配置することができる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の請求項１に係る半導体装置は、電極部が設けられた基材と、基材上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して電極部に接続された配線部と、配線部上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して配線部に接続された誘導素子とを備え、基材と配線部との間に位置し、且つ、少なくとも誘導素子と厚み方向において重なる領域にシールド部が設けられていることを特徴とする。
本発明の請求項２に係る半導体装置は、請求項１において、誘導素子が、螺旋状に形成されたコイル部を有し、シールド部が、少なくともコイル部の最内周部よりも内側の領域と厚み方向において重なる領域に設けられていることを特徴とする。
本発明の請求項３に係る半導体装置は、請求項２において、シールド部が、更にコイル部の最外周部よりも内側の領域と厚み方向において重なる領域に設けられていることを特徴とする。
本発明の請求項４に係る半導体装置は、請求項３において、シールド部が、更にコイル部の最外周部よりも外側の領域と厚み方向において重なる領域に設けられていることを特徴とする。
本発明の請求項５に係る半導体装置は、請求項１において、シールド部と誘導素子との間の距離をＤとしたときに、１０μｍ≦Ｄ≦４０μｍであることを特徴とする。
本発明の請求項６に係る半導体装置の製造方法は、電極部が設けられた基材と、基材上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して電極部に接続された配線部と、配線部上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して配線部に接続された誘導素子とを備える半導体装置を製造する際に、基材と配線部との間に位置し、且つ、少なくとも誘導素子と厚み方向において重なる領域にシールド部を形成する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
以上のように、本発明によれば、基材と配線部との間に位置するシールド部が、少なくとも誘導素子と厚み方向において重なる領域に設けられていることから、このシールド部によって誘導素子からの磁束を適切に遮断することができる。したがって、誘導素子の磁束が半導体基板上のデバイス等に影響を与えるのを防ぐことができ、この誘導素子を自由に配置することができため、再配線等の設計自由度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明を適用した半導体装置及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上、特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【０００８】
図１、図２及び図３に示すように、本発明を適用した半導体装置１は、例えば基材となる半導体基板２上に高周波半導体素子のインピーダンスマッチングを図る誘導素子３が形成されたものである。
【０００９】
半導体基板２は、例えば集積回路（図示せず。）が形成されたシリコンウェハ２ａの表面に、電極部を構成する第１の電極４ａ及び第２の電極４ｂと、接地部を構成する接地電極５とを有している。また、半導体基板２には、これら電極４ａ，４ｂ，５が形成されたシリコンウェハ２ａの全面を覆うパッシベーション膜６が形成されている。そして、このパッシベーション膜６には、第１の電極４ａ、第２の電極４ｂ及び接地電極５を露出させる開口部７ａ，７ｂ，７ｃが形成されている。なお、半導体基板２は、上述したシリコンウェハ２ａのようなウエハ状のものに限らず、シリコンウエハ２ａを個々の半導体チップとして切断（ダイシング）したものであってもよい。
【００１０】
半導体装置１は、この半導体基板２上に、第１の絶縁樹脂層８と、シールド層９と、第２の絶縁樹脂層１０と、下部側配線層１１と、第３の絶縁樹脂層１２と、上部側配線層１３とが順に積層された構造を有している。
【００１１】
このうち、第１の絶縁樹脂層８は、半導体基板２の表面を覆うように形成されている。また、第１の電極４ａ、第２の電極４ｂ及び接地電極５の直上、すなわち開口部７ａ，７ｂ，７ｃに臨む位置には、それぞれ第１の絶縁樹脂層８を厚み方向に貫通する孔部１４ａ，１４ｂ，１４ｃが形成されている。
【００１２】
シールド層９は、第１の絶縁樹脂層８の表面上にシールド部１５を有している。このシールド部１５は、後述する上部側配線層１３に配置された誘導素子３の直下、すなわちこの誘導素子３と厚み方向において重なる領域に設けられている。そして、このシールド部１５は、コンタクトホールとなる孔部１４ｃに形成された導電部５ａを介して接地電極５と電気的に接続されている。
【００１３】
第２の絶縁樹脂層１０は、シールド部１５が形成された第１の絶縁樹脂層８の表面を覆うように形成されている。また、第１の電極４ａ及び第２の電極４ｂの直上、すなわち第１の絶縁樹脂層８の孔部１４ａ，１４ｂと連続する位置には、それぞれ第２の絶縁樹脂層１０を厚み方向に貫通する孔部１６ａ，１６ｂが形成されている。
【００１４】
下部側配線層１１は、第２の絶縁樹脂層１０の表面上に第１の配線部１７ａ及び第２の配線部１７ｂを有している。これら第１の配線部１７ａ及び第２の配線部１７ｂは、第１の電極４ａ及び第２の電極４ｂと誘導素子３との間の電気的な接続を行う再配線層として形成されたものである。
【００１５】
第１の配線部１７ａ及び第２の配線部１７ｂの一端には、それぞれ略矩形状のコンタクトパッド１８ａ，１８ｂが設けられている。このうち、第１の配線部１７ａのコンタクトパッド１８ａは、コンタクトホールとなる孔部１４ａ，１６ａに形成された導電部１９ａを介して第１の電極４ａと電気的に接続されている。一方、第２の配線部１７ｂのコンタクトパッド１８ｂは、コンタクトホールとなる孔部１４ｂ，１６ｂに形成された導電部１９ｂによって第２の電極４ｂと電気的に接続されている。
【００１６】
第３の絶縁樹脂層１２は、第１及び第２の配線部１７ａ，１７ｂが形成された第２の絶縁樹脂層１０の表面を覆うように形成されている。また、第１の配線部１７ａの他端側及び第２の配線部１７ｂの他端側の直上には、それぞれ第３の絶縁樹脂層１２を厚み方向に貫通する孔部２０ａ，２０ｂが形成されている。
【００１７】
上部側配線層１３は、第３の絶縁樹脂層１２の表面上に誘導素子３を有している。この誘導素子３は、螺旋状に形成されたコイル部３ａを有し、このコイル部３ａは、上述したシールド部１５の直上、すなわちシールド部１５と厚み方向において重なる位置に配置されている。そして、コイル部３ａの内周側の端部は、コンタクトホールとなる孔部２０ａに形成された導電部２１ａを介して第１の配線部１７ａの他端側と電気的に接続されている。一方、コイル部３ａの外周側の端部は、コンタクトホールとなる孔部２０ｂに形成された導電部２１ｂを介して第２の配線部１７ｂの他端側と電気的に接続されている。
【００１８】
以上のような構造を有する半導体装置１では、接地電極５を介して半導体基板４に接地されたシールド部１５が、第２及び第３の絶縁樹脂層１０，１２を挟んで誘導素子３と厚み方向において重なる位置に配置されている。
【００１９】
具体的に、このシールド部１５は、図１に示すように、少なくとも磁束が集中するコイル部３ａの最内周部よりも内側の領域と厚み方向において重なる領域１５Ａに形成されていることが好ましい。更に好ましくは、このシールド部１５が、コイル部３ａに対応した形状、すなわちコイル部３ａの最外周部よりも内側の領域と厚み方向において重なる領域１５Ｂに形成されていることが好ましい。更に好ましくは、このシールド部１５が、コイル部３ａからの磁束を遮断するのに十分な大きさ、すなわちコイル部３ａの最外周部よりも外側の領域まで厚み方向において重なる領域１５Ｃに形成されていることが好ましい。
【００２０】
以上のように、このシールド部１５が誘導素子３からの磁束を遮断することによって、誘導素子３からの磁束が半導体基板２上のデバイス等に影響を与えるのを防ぐことができる。したがって、この半導体装置１では、誘導素子３を自由に配置することができため、再配線等の設計自由度を高めることができる。
【００２１】
ところで、この半導体装置１において、図３に示すシールド部１５と誘導素子３との間の距離Ｄは、第２の絶縁樹脂層１０及び第３の絶縁樹脂層１２の厚みの合計に対応している。そして、半導体装置１は、この距離Ｄによってシールド部１５と誘導素子３との容量結合の度合いが変化し、誘導素子３の自己共振周波数に影響を与えることになる。
【００２２】
そこで、このシールド部１５と誘導素子３との間の距離Ｄを、例えば５μｍ〜８０μｍの範囲で変化させた際の誘導素子３のＱ値について測定した。その測定結果を図４に示す。また、これらシールド部１５と誘導素子３との間の距離Ｄを、例えば５μｍ〜８０μｍの範囲で変化させた際の誘導素子３の自己共振周波数を測定した。その測定結果を図５に示す。なお、図４及び図５に示す測定において、第１の絶縁樹脂層８の厚みは、１０μｍと一定であり、誘導素子３のコイル部３ａの巻き数は、３．５巻きである。
【００２３】
図４に示す測定結果から、距離Ｄが大きくなるに従って、Ｑ値が緩やかに上昇するものの、４０μｍを超えた時点でＱ値の上昇が飽和してしまうことがわかる。また、図５に示す測定結果から、距離Ｄが１０μｍまで自己共振周波数が急減に上昇するものの、１０μｍを超えるにしたがって、自己共振周波数が緩やかに上昇し、４０μｍを超えた時点で、自己共振周波数の上昇が飽和してしまうことがわかる。
【００２４】
したがって、このシールド部１５と誘導素子３との間の距離Ｄは、半導体装置１の製造コストや製造条件等の観点からも、１０μｍ以上、４０μｍ以下とすることが望ましい。
【００２５】
以上のように、この半導体装置１では、シールド部１５と誘導素子３との間の距離Ｄを１０〜４０μｍとすることによって、シールド部１５と誘導素子３との間の容量結合を抑えることができ、この誘導素子３のＱ値や自己共振周波数が低下するのを防ぐことができる。
【００２６】
次に、本発明を適用した半導体装置１の製造方法について説明する。
上記半導体装置１を製造する際は、先ず、図６に示すように、集積回路（図示せず。）が形成された半導体基板２となるシリコンウェハ２ａを用意し、このシリコンウェハ２ａの表面に、第１の電極４ａ、第２の電極４ｂ及び接地電極５を形成する。具体的に、これら第１の電極４ａ、第２の電極４ｂ及び接地電極５としては、例えば略矩形状のＡｌパッドを形成することができる。また、第１の電極４ａ、第２の電極４ｂ及び接地電極５を形成した後には、これら電極４ａ，４ｂ，５が形成されたシリコンウェハ２ａの全面を覆うパッシベーション膜６を成膜する。このパッシベーション膜６には、例えばＳｉＮやＳｉＯ２等を用いることができる。また、パッシベーション膜６を成膜する際は、例えばＬＰ−ＣＶＤ等を用いることができる。また、パッシベーション膜６の厚みは、例えば０．１μｍ〜０．５μｍである。そして、このパッシベーション膜６を成膜した後に、パッシベーション膜６をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることで、このパッシベーション膜６に第１の電極４ａ、第２の電極４ｂ及び接地電極５を露出させる開口部７ａ，７ｂ，７ｃを形成する。
【００２７】
次に、図７に示すように、半導体基板２の全面を覆う第１の絶縁樹脂層８を形成する。この第１の絶縁樹脂層８には、例えばポリイミド樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。また、第１の絶縁樹脂層８を形成する際は、例えば回転塗布法や、印刷法、ラミネート法等を用いることができる。また、第１の絶縁樹脂層８の厚みは、例えば１μｍ〜１０μｍである。そして、この第１の絶縁樹脂層８を形成した後に、第１の絶縁樹脂層８をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることで、第１の電極４ａ、第２の電極４ｂ及び接地電極５の直上に、この第１の絶縁樹脂層８を厚み方向に貫通する孔部１４ａ，１４ｂ，１４ｃを形成する。
【００２８】
次に、図８に示すように、第１の絶縁樹脂層８上にシールド層９となるシールド部１５を形成する。このシールド部１５は、後述する第２及び第３の絶縁樹脂層１０を挟んで誘導素子３と厚み方向において重なる位置に予め形成しておくことが望ましく、誘導素子３からの磁束を遮断するのに十分な大きさで、例えば略矩形状に形成する。また、シールド部１５には、例えばＡｌやＣｕ、Ａｕ等を用いることができる。また、シールド部１５を形成する際は、例えばスパッタリング法や、蒸着法、めっき法等を用いることができる。また、シールド部１５の厚みは、例えば１μｍ〜１０μｍである。そして、このシールド部１５は、コンタクトホールとなる孔部１４ｃに埋め込まれた導電部５ａを介して接地電極５と電気的に続される。
【００２９】
次に、図９に示すように、シールド層９が形成された第１の絶縁樹脂層８の全面を覆う第２の絶縁樹脂層１０を形成する。この第２の絶縁樹脂層１０には、例えばポリイミド樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。また、第２の絶縁樹脂層１０を形成する際は、例えば回転塗布法や、印刷法、ラミネート法等を用いることができる。そして、この第２の絶縁樹脂層１０を形成した後に、第２の絶縁樹脂層１０をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることで、第２の絶縁樹脂層１０を厚み方向に貫通し且つ第１の絶縁樹脂層８の孔部１４ａ，１４ｂと連続する孔部１６ａ，１６ｂを形成する。
【００３０】
次に、図１０に示すように、第２の絶縁樹脂層１０上に下部側配線層１１となる第１の配線部１７ａ及び第２の配線部１７ｂを形成する。これら第１及び第２の配線部１７ａ，１７ｂは、例えば電解銅めっき等によって形成することができる。また、第１及び第２の配線部１７ａ，１７ｂの厚みは、例えば１μｍ〜１０μｍである。
【００３１】
また、第１の配線部１７ａ及び第２の配線部１７ｂの一端には、それぞれ略矩形状のコンタクトパッド１８ａ，１８ｂを形成する。このうち、第１の配線部１７ａのコンタクトパッド１８ａは、コンタクトホールとなる孔部１４ａ，１６ａに埋め込まれた導電部１９ａを介して第１の電極４ａと電気的に接続される。一方、第２の配線部１７ｂのコンタクトパッド１８ｂは、コンタクトホールとなる孔部１４ｂ，１６ｂに形成された導電部１９ｂによって第２の電極４ｂと電気的に接続される。
【００３２】
次に、図１１に示すように、下部側配線層１１が形成された第２の絶縁樹脂層１０の全面を覆う第３の絶縁樹脂層１２を形成する。この第３の絶縁樹脂層１２には、例えばポリイミド樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。また、第３の絶縁樹脂層１２を形成する際は、例えば回転塗布法や、印刷法、ラミネート法等を用いることができる。そして、この第３の絶縁樹脂層１２を形成した後に、第３の絶縁樹脂層１２をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることで、第１の配線部１７ａの他端側及び第２の配線部１７ｂの他端側の直上に第３の絶縁樹脂層１２を厚み方向に貫通する孔部２０ａ，２０ｂを形成する。
【００３３】
次に、図１２に示すように、第３の絶縁樹脂層１２上に上部側配線層１３となる誘導素子３を形成する。具体的には、上述したシールド部１５の直上、すなわちシールド部１５と厚み方向において重なる位置に、誘導素子３のコイル部３ａを形成する。この誘導素子３のコイル部３ａは、例えば電解銅めっき等によって形成することができる。また、コイル部３ａの厚みは、例えば１μｍ〜１０μｍである。
【００３４】
また、コイル部３ａの内周側の端部は、コンタクトホールとなる孔部２０ａに形成された導電部２１ａを介して第１の配線部１７ａの他端側と電気的に接続される。一方、コイル部３ａの外周側の端部は、コンタクトホールとなる孔部２０ｂに形成された導電部２１ｂを介して第２の配線部１７ｂの他端側と電気的に接続される。
以上の工程を経ることによって上記半導体装置１を作製することができる。
【００３５】
以上の工程を経ることによって作製された半導体装置１では、接地電極５を介して半導体基板４に接地されたシールド部１５が、第２及び第３の絶縁樹脂層１０，１２を挟んで誘導素子３と厚み方向において重なる位置に配置されることになる。これにより、作製される半導体装置１のシールド部１５が誘導素子３からの磁束を遮断し、この誘導素子３からの磁束が半導体基板２上のデバイス等に影響を与えるのを防ぐことができる。したがって、本発明を適用した半導体装置１の製造方法では、誘導素子３を自由に配置することができため、再配線等の設計自由度を高めることができる。
【００３６】
また、この半導体装置１の製造方法では、シールド部１５と誘導素子３との間の距離Ｄ、すなわち第２の絶縁樹脂層１０及び第３の絶縁樹脂層１２の厚みの合計を１０〜４０μｍとすることによって、作製される半導体装置１のシールド部１５と誘導素子３との間で容量結合が発生するのを防ぐことができ、この誘導素子３のＱ値や自己共振周波数が低下するのを防ぐことができる。
【００３７】
なお、上記半導体装置１では、半導体基板２上に１個の誘導素子３が配置された構成となっているが、このような構成に限らず、半導体基板２上に複数の誘導素子３を配置した構成とすることもできる。また、上記半導体装置１では、必要に応じて誘導素子３が形成された第３の絶縁樹脂層１２上を覆う封止層を設けた構成としてもよい。この場合、封止層は、例えばポリイミド樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を１０〜１５０μｍ程度の厚みで形成すればよい。また、封止層には、外部接続用の端子を露出させる開口部を形成する。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は、上述した半導体装置１に必ずしも限定されるものではなく、例えば誘導素子がアンテナコイルとして機能する非接触ＩＣタグなどの半導体装置にも本発明を適用することが可能である。すなわち、本発明は、半導体基板上に絶縁樹脂層を介して誘導素子が形成された半導体装置に対して広く適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は、本発明を適用した半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す半導体装置の構造を示す平面図である。
【図３】図３は、図２中に示す線分Ａ−Ａによる断面図である。
【図４】図４は、距離ＤとＱ値との関係を示す特性図である。
【図５】図５は、距離Ｄと自己共振周波数との関係を示す特性図である。
【図６】図６は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、半導体基板が形成された状態を示す断面図である。
【図７】図７は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、第１の絶縁樹脂層が形成された状態を示す断面図である。
【図８】図８は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、シールド層が形成された状態を示す断面図である。
【図９】図９は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、第２の絶縁樹脂層が形成された状態を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、下部側配線層が形成された状態を示す断面図である。
【図１１】図１１は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、第３の絶縁樹脂層が形成された状態を示す断面図である。
【図１２】図１２は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明するための図であり、上部側配線層が形成された状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１…半導体装置、２…半導体基板、３…誘導素子、３ａ…コイル部、４ａ…第１の電極、４ｂ…第２の電極、５…接地電極、５ａ…導電部、６…パッシベーション膜、７ａ，７ｂ，７ｃ…開口部、８…第１の絶縁樹脂層、９…シールド層、１０…第２の絶縁樹脂層、１１…下部側配線層、１２…第３の絶縁樹脂層、１３…上部側配線層、１４ａ，１４ｂ，１４ｃ…孔部、１５…シールド部、１６ａ，１６ｂ…孔部、１７ａ…第１の配線部、１７ｂ…第２の配線部、１８ａ，１８ｂ…コンタクトパッド、１９ａ，１９ｂ…導電部、２０ａ，２０ｂ…孔部、２１ａ，２１ｂ…導電部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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