(57)【要約】【課題】オゾン水を用いて基板表面のレジストを極めて高い効率、かつ、均一に除去することができるレジスト除去方法、及び、レジスト除去装置を提供する。【解決手段】オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去するレジスト除去方法であって、前記基板の処理面の略全表面に対応する位置に複数の噴射孔が形成されたノズルを、前記基板の処理面に対して平行な方向に揺動させながら、前記基板の処理面の略全表面に対してオゾン水を噴射させるレジスト除去方法。【選択図】      図２
2006196479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去するレジスト除去方法であって、
前記基板の処理面の略全表面に対応する位置に複数の噴射孔が形成されたノズルを、前記基板の処理面に対して平行な方向に揺動させながら、前記基板の処理面の略全表面に対してオゾン水を噴射させる
ことを特徴とするレジスト除去方法。
【請求項２】
ノズルを基板の処理面の上方で周回するように揺動させることを特徴とする請求項１記載のレジスト除去方法。
【請求項３】
基板を回転させながらノズルよりオゾン水を噴射させることを特徴とする請求項１又は２記載のレジスト除去方法。
【請求項４】
オゾン水を棒流状に噴射させることを特徴とする請求項１、２又は３記載のレジスト除去方法。
【請求項５】
請求項１、２、３又は４記載のレジスト除去方法を行う際に使用するレジスト除去装置であって、
少なくとも、基板の処理面の略全表面にオゾン水を噴射させるノズルと、前記ノズルを揺動させる揺動手段とを有する
ことを特徴とするレジスト除去装置。
【請求項６】
更に基板を回転させる回転手段を有することを特徴とする請求項５記載のレジスト除去装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板表面のレジストを極めて高い効率かつ均一に除去することができるレジスト除去方法及びレジスト除去装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板上に回路を形成する場合や、液晶基板上に色相の異なる複数の着色画素をパターン状に形成する場合には、フォトリソグラフィー工程が必須の工程である。例えば、半導体基板上に回路を形成する場合は、基板上にレジストを塗布し、通常のフォトプロセスにてレジストパターンからなる画像を形成し、これをマスクとしてエッチングした後、不要となったレジストを除去して回路を形成し、次の回路を形成するために、再度レジストを塗布して、画像形成−エッチング−レジストの除去というサイクルを繰り返し行う。
【０００３】
不要となったレジストを除去するレジスト除去工程では、従来、半導体基板のレジスト除去には、アッシャー（灰化手段）や、硫酸や過酸化水素等を用いたＲＣＡ洗浄法が用いられており、液晶基板のレジスト除去には、有機溶媒とアミンとの混合溶液等が用いられていた。しかし、レジストの除去にアッシャーを用いると、高温のため半導体にダメージを与える恐れがあることに加え、無機系の不純物を除去することはできない。また、溶剤や薬品を用いてレジスト除去を行う場合は、十数バッチごとに新たな薬液に交換しなければならないことから、大量の薬液が必要とされ薬液コストがかさむとともに、大量の廃液が生じ、廃液処理の際にもコスト面及び環境面の両面で大きな不利益があった。
【０００４】
オゾンガスを水に溶解して得られるオゾン水は、オゾンの持つ強い酸化力により殺菌・脱臭・漂白等に優れた効果を発揮し、しかもオゾンガスは時間とともに無害な酸素（気体）に自己分解して残留性がないことから、環境にやさしい殺菌・洗浄・漂白剤等として注目されている。近年、環境への関心が高まる中、上述のレジスト除去方法に代わる方法として、オゾン水を用いたレジスト除去プロセスが注目されている。
【０００５】
オゾン水を用いたレジスト除去装置としては、例えば、特許文献１には、基板の回路非形成面を高圧ジェットノズルにて供給されるオゾン水とともに回転ブラシにより洗浄し、基板の回路形成面を高圧ジェットノズルにて供給されるオゾン水にて洗浄するレジスト装置が開示されている。また、例えば、特許文献２には、オゾンガスが気泡状態で混合されたガス混合オゾン水を回転する基板の中心部に供給し、基板の遠心力によりガス混合オゾン水を基板の中心部から外周部へ流動させる方法が開示されている。
しかしながら、これらの文献に開示されたオゾン水を用いたレジスト除去装置やレジスト除去方法により基板表面のレジストを除去しようとすると、何れも実用的なレジスト除去速度が得られなかった。また、基板の全表面にわたって均一にレジストを除去することも困難であるという問題があった。更に、高濃度のオゾン水を大量に製造することは困難であることから、より少量のオゾン水で効率よくレジスト除去を行うという要請もあった。
【０００６】
【特許文献１】
特開平６−１２０１９２号公報
【特許文献２】
特開２００１−３５１８９３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明者らは、レジスト除去速度に優れ、より少量のオゾン水でより均一に基板表面のレジストを除去できる方法について鋭意検討した結果、基板の処理面の略全表面に対して一定以上の線速度でオゾン水を噴射することにより、高い効率で均一にレジストを除去できることを見出した。これは、基板上のレジストは、オゾン水が基板の処理面上の一点に対して一定以上の線速度で到達したときに、その到達点において最も効率よく除去され、更に、この到達点間の距離を一定以下の間隔にした場合には、全体として均一にレジストを除去できるためと考えられる。
【０００８】
しかしながら、基板の処理面の略全表面にオゾン水を噴射するためには、噴射孔の間隔を極めて近接させることが必要となり、このような場合には、大量のオゾン水を要することになる。一方で噴射孔の間隔を空けると、レジスト除去が不均一となるという問題があった。
本発明は、上記現状に鑑み、基板表面のレジストを極めて高い効率かつ均一に除去することができるレジスト除去方法及びレジスト除去装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去するレジスト除去方法であって、前記基板の処理面の略全表面に対応する位置に複数の噴射孔が形成されたノズルを、前記基板の処理面に対して平行な方向に揺動させながら、前記基板の処理面の略全表面に対してオゾン水を噴射させるレジスト除去方法である。
以下に本発明を詳述する。
【００１０】
本発明は、オゾン水を用いて基板表面のレジストを除去するレジスト除去方法である。
本明細書においてオゾン水には、水溶液にオゾンガスを溶解させたもののほか、酢酸又はその誘導体等の有機酸を溶解した水にオゾンガスを溶解させたものも含まれる。また、上記基板としては特に限定されず、例えば、半導体装置に用いられる各種シリコンウエハ、ディスプレイパネルに用いられるガラス基板、その他樹脂基板等が挙げられる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明のレジスト除去方法では、上記基板の処理面の全表面に対応する位置に複数の噴射孔が形成されたノズルを、上記基板の処理面に対して平行な方向に揺動させながら、上記基板の処理面の略全表面に対してオゾン水を噴射させる。
ここで、「基板の処理面の略全表面にオゾン水を噴射」とは、ノズルの噴射孔から噴射させたオゾン水が基板の処理面に到達する際、基板の処理面の略全表面に略等間隔で到達することを意味する。即ち、本発明のレジスト除去方法では、オゾン水を噴射させるノズルとして、例えば、図1に示すようなノズルを使用する。
【００１２】
図１は、本発明のレジスト除去方法において使用するノズルの一例を模式的に示す平面図である。
図１に示すように、本発明のレジスト除去方法において使用するノズル１０は、円板状のノズル本体部１３の内部に噴射面１４の反対側面から噴射面１４にかけて貫通した複数の噴射孔１１が形成されている。
このような構造のノズル１０において、噴射孔１１は、基板の処理面の全表面に対応する位置に形成されており、噴射孔１１の噴射面１４の反対側面に露出した端部から流入させたオゾン水を、噴射孔１１の噴射面１４に露出した端部より基板の処理面の略全表面へ略均等に噴射させることができるようになっている。
【００１３】
なお、本発明のレジスト除去方法において使用するノズルの構造は、基板の処理面の略全表面にオゾン水を噴射させることができるものであれば、図１に示すノズル１０のような構造に限定されず、例えば、円板状の本体部の噴射面において、放射状、同心円状又は格子状等に配列した噴射孔が形成されたもの等であってもよく、また、その外形も円板状のほか、例えば、平面視多角形の板状や、外周の大きさの異なる複数の板状部材が一体化されてなるもの等であってもよい。
更に、本発明のレジスト除去方法において使用されるノズルは、その内部に複数の噴射孔が形成された本体部を有する構造に限定されることはなく、例えば、管状部材の側面に多数の噴射孔を設けたものを並列に複数個配列させた構造や、複数の中空糸をノズルとし、これらを束ねた構造等であってもよい。この場合、オゾン水を噴射させる側の端部は、必ずしも同一平面上になくてもよい。
【００１４】
本発明のレジスト除去方法において使用するノズルの材質としては、耐オゾン性を有し、ある程度の水圧に耐えられるものであれば特に限定されず、例えば、フッ素系樹脂が好適である。上記フッ素系樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシ樹脂（ＰＦＡ）、フッ化エチレンプロピレン樹脂（ＦＥＰ）等の４フッ化エチレン共重合体；フッ素系ゴム等が挙げられる。
【００１５】
また、上記ノズルの大きさとしては特に限定されないが、例えば、上記ノズルが図１に示すノズル１０のような円板状である場合、基板の処理面の略全表面にオゾン水を噴射させるために、少なくとも噴射面が基板の処理面と同じ大きさであることが好ましい。
【００１６】
上記ノズルにおいて、隣接する噴射孔間の距離の好ましい下限は３ｍｍ、上限は１０ｍｍである。３ｍｍ未満であると、オゾン水の使用量が増大する上、隣接する噴射孔から噴射されたオゾン水同士が合体し、基板の処理面の全表面にわたって均一にオゾン水を噴射させることができなくなり、かえってレジスト除去効率が悪くなることがある。１０ｍｍを超えると、基板の処理面に到達するオゾン水の間隔が大きくなるため、基板表面のレジストを均一に除去することができないことがある。
【００１７】
このようなノズルを用いて基板表面のレジストの除去を行う場合、上記ノズルを複数の噴射孔のオゾン水を噴射させる側の端部が基板の処理面と対向するように基板の処理面の上方に配置し、上記ノズルよりオゾン水を基板の処理面の略全表面に対して噴射させる。
上記ノズルを用いて基板表面のレジストの除去を行うと、従来のオゾン水を用いた基板表面のレジストの除去方法に比べてレジストを効率よくかつ均一に除去できるものであるが、本発明のレジスト除去方法では、更に、上記ノズルを上記基板の処理面に対して平行な方向に揺動させながら、上記基板の処理面の略全表面に対してオゾン水を噴射させる。
本発明のレジスト除去方法によると、上記ノズルを上記基板の処理面に対して平行な方向に揺動させながら、上記基板の処理面の略全表面に対してオゾン水を噴射させるため、上記基板の処理面において、オゾン水の到達地点が複雑に重なり合うこととなる。その結果、上記基板の処理面の略全表面にオゾン水を均一に直接到達させることができ、基板表面のレジストを極めて高い効率かつ均一に除去することができる。
【００１８】
図２（ａ）は、上記ノズルを揺動させる様子の一例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、上記ノズルを揺動させる様子の別の一例を模式的に示す平面図である。
図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、図示しない基板の処理面の略全表面にオゾン水を噴射させるノズル１０は、支持棒２２の一端部に固定軸２１を介して軸支されており、支持棒２２の他端部は、図示しない揺動手段に接続されている。このノズル１０は、上記基板の処理面の上方であって、該処理面に対して平行となるような位置に配置されており、上記揺動手段を駆動させることにより、支持棒２２及び固定軸２１を介して上記基板の処理面に対して平行な方向に揺動させながら上記基板の処理面の略全表面にオゾン水を噴射させることができるようになっている。
【００１９】
上記揺動手段としては、支持棒２２及び固定軸２１を介してノズル１０を基板の処理面に対して平行な方向に揺動させることができる装置であれば特に限定されず、例えば、公知の揺動装置等が挙げられる。
【００２０】
本発明のレジスト除去方法において、上記ノズルを揺動させる方向としては特に限定されないが、例えば、図２（ａ）において矢印で示したように、ノズル１０を基板の処理面の上方で周回するように揺動させることが好ましい。このようにノズルを揺動させながらオゾン水を噴射させることにより、基板の処理面においてもオゾン水が周回するように揺動しながら到達し、１の噴射孔から噴射させたオゾン水によって除去可能なレジストの面積が増大し、より高い効率で均一にレンズを除去することができる。
【００２１】
また、本発明のレジスト除去方法では、上記基板を回転させながらノズルよりオゾン水を噴射させることが好ましい。上記ノズルの揺動と基板の回転とを組み合わせれば、上記ノズルの揺動が、例えば、図２（ｂ）に示したように、円弧の一部を往復するようなより単純な動きである場合でも、上記基板の処理面にはオゾン水が複雑に揺動しながら到達することになり、基板表面のレジストの除去を極めて効率よくかつ均一に行うことができる。更に、後述する本発明のレジスト除去装置のコンパクト化が容易となる。
【００２２】
上記基板を回転させる方法としては特に限定されず、例えば、上記基板をモーター等の回転手段に連結された回転テーブル上に固定し、上記回転手段を駆動させることで上記基板を回転させる方法等が挙げられる。また、上記基板を回転させる方向としては、オゾン水を均一かつ一定の量で確実に基板の処理面の略全表面に到達させるために、上記ノズルより噴射させるオゾン水の噴射方向に対して垂直な方向に回転させることが好ましい。
【００２３】
なお、図２（ａ）及び（ｂ）では、ノズル１０を大きく揺動させる様子を示しているが、本発明のレジスト除去方法において、ノズルの揺動の大きさは、噴射孔のオゾン水を噴射させる側の端部が基板の処理面の上方から余り外れないことが好ましく、例えば、基板の処理面を外れた位置に到達するオゾン水の基板の処理面までの距離が１０ｍｍ以下程度となる大きさであることが好ましい。効率よく基板の処理面の略全表面にオゾン水を噴射させることができるからである。
また、本発明のレジスト除去方法において、揺動させるノズルの回転数としては特に限定されないが、好ましい下限は１ｒｐｍ、上限は１０００ｒｐｍであり、より好ましい上限は１００ｒｐｍである。１ｒｐｍ未満であると、レジストを均一に除去できないことがあり、１０００ｒｐｍを超えると、遠心力によりロスとなるオゾン水が多くなる。
【００２４】
本発明のレジスト除去方法では、上記オゾン水を棒流状に噴射させることが好ましい。更に高い効率でレジストを除去することができるからである。
なお、本明細書において、上記オゾン水を棒流状に噴射させるとは、ノズルの噴射孔より噴射させたオゾン水が噴射孔の口径を大きく超えて広がることなく、噴射孔の口径と略同径で基板の処理面に到達することを意味する。上記噴射孔より噴射させたオゾン水の噴射角、即ち噴射孔より噴射させたオゾン水の広がり角度の好ましい上限は１０°、より好ましい上限は５°である。
【００２５】
また、本発明のレジスト除去方法において、ノズルより噴射させるオゾン水の線速度の好ましい下限は４６０ｃｍ／ｓｅｃ、好ましい上限は４０００ｃｍ／ｓｅｃである。４６０ｃｍ／ｓｅｃ未満であると、基板上のレジストを効率よく除去できないことがあり、４０００ｃｍ／ｓｅｃを超えると、オゾンとレジストとの反応速度から、もはや線速度を上げてもレジスト除去速度は向上せず、オゾン水の使用量に対するレジスト除去の効率がかえって低下することがある。より好ましい下限は５００ｃｍ／ｓｅｃ、より好ましい上限は２０００ｃｍ／ｓｅｃであり、更に好ましい下限は８００ｃｍ／ｓｅｃ、更に好ましい上限は１５００ｃｍ／ｓｅｃである。
【００２６】
本発明のレジスト除去方法では、基板表面のレジストを除去する際、上記基板の処理面の略全表面に対応する位置に複数の噴射孔が形成されたノズルを、上記基板の処理面に対して平行な方向に揺動させながら、上記基板の処理面の略全表面に対してオゾン水を噴射させる。このようにして基板の処理面の略全表面にオゾン水を噴射させることで、上記ノズルから噴射させたオゾン水を基板の処理面の略全表面に均一に直接到達させることができ、基板表面のレジストを極めて高い効率かつ均一に除去することができる。
本発明のレジスト除去方法を行う際に使用するレジスト除去装置も本発明の１つである。
【００２７】
本発明のレジスト除去装置は、本発明のレジスト除去方法を行う際に使用するレジスト除去装置であって、少なくとも、基板の処理面の略全表面にオゾン水を噴射させるノズルと、上記ノズルを揺動させる揺動手段とを有するレジスト除去装置である。
【００２８】
図３は、本発明のレジスト除去装置の１実施態様を示す概略図である。
図３に示す態様のレジスト除去装置は、オゾン発生器３１、オゾンガス検出器３２、オゾン溶解モジュール３３、オゾン水濃度検出器３４、反応部３５、及び、ポンプ３６から構成されている。
【００２９】
オゾン発生器３１では、オゾンガスが生成される。オゾン発生器３１としては特に限定されず、公知のオゾン発生器を用いることができる。オゾン発生器３１で生成されたオゾンガスの濃度はオゾンガス検出器３２により測定・監視される。オゾンガス検出器３２により測定されたオゾンガス濃度の値がオゾン発生器３１にフィードバックされオゾン発生器３１で生成されるオゾンガスの濃度が随時調整される。
【００３０】
オゾン発生器３１で生成したオゾンガスは、オゾン溶解モジュール３３において水に溶解される。
オゾン溶解モジュール３３は、非多孔性膜からなるガス透過膜が収容されているものが好ましい。このようなオゾン溶解モジュールを用いれば、一旦レジスト除去に用いたオゾン水を再度循環させて利用しても目詰まりが起こることがない。オゾン溶解モジュール３３において生成したオゾン水は、オゾン水流出口３３ａから往路管３７に排出されてオゾン水濃度検出器３４に送られ、上記オゾン水の溶存オゾンガス濃度が監視・管理される。
【００３１】
得られたオゾン水は、往路管３７を通ってオゾン水流入口３５ａから反応部３５の内部に送られ、この反応部３５において基板表面のレジストを除去するために用いられる。
本発明のレジスト除去装置の反応部３５は、少なくとも、基板の略全表面にオゾン水を噴射させるノズルと、上記ノズルを揺動させる揺動手段とを備えている。
【００３２】
図４（ａ）は、反応部３５において基板表面のレジストの除去を行う際の１実施態様を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、反応部３５において基板表面のレジストの除去を行わない際の実施態様を模式的に示す平面図である。
図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、反応部３５において、ノズル１０は、支持棒２２の一端部に固定軸２１を介して軸支されており、支持棒２２の他端部は、揺動手段２３と接続されている。また、基板４０は、図示しない回転手段と接続され、ノズル１０の下方の所定の場所に配置されている。
【００３３】
このような反応部３５において、基板４０表面のレジストの除去を行うには、図４（ａ）に示すように、支持棒２２に固定軸２１を介して軸支されたノズル１０を基板４０の上方に配置させた後、本発明のレジスト除去方法において説明した方法より基板４０表面のレジストの除去を行う。即ち、揺動手段２３を駆動させることにより、支持棒２２及び固定軸２１を介してノズル４０を基板４０の処理面に対して平行な方向に揺動させながら、基板４０の処理面の略全表面にオゾン水を噴射させ、基板４０表面のレジストの除去を行う。また、図４（ｂ）に示すように、基板４０表面のレジストの除去が終了すると、ノズル１０を基板４０の上方から別の位置に移動させる。
【００３４】
ここで、ノズル１０を基板４０の上方や別の位置へ移動させる移動手段と揺動手段２３とはそれぞれ別々の装置であってもよいが、本発明のレジスト除去装置のコンパクト化を図るために、これらの手段は１の装置であることが好ましい。この場合、揺動手段２３は、基板４０の処理面の略全表面に均一にオゾン水を噴射させるために、ノズル１０を基板４０の表面の上方で揺動させる役割に加えて、ノズル１０を基板４０の処理面の上方に配置したり、別の場所に配置したりする役割も果たすこととなる。なお、図２（ｂ）に示したように、ノズル１０を円弧の一部を往復するように揺動させる場合、ノズル１０を基板４０の上方や別の位置へ移動させる方向とノズル１０を揺動させる方向とが同じ方向となるため、上記移動手段と揺動手段２３とを１の装置とすることが容易となる。
【００３５】
本発明のレジスト除去装置では、更に、基板を回転させる回転手段を有することが好ましい。即ち、反応部３５において、基板４０は、上記回転手段と接続され、回転可能な状態でノズル１０の下方の所定の場所に配置されていることが好ましい。本発明のレジスト除去方法において説明したように、ノズル１０の揺動と基板４０の回転とを組み合わせることにより、ノズル１０の揺動が、例えば、図２（ｂ）に示したような円弧の一部を往復するようなより単純な動きである場合でも、基板４０の処理面には、オゾン水が複雑に揺動しながら到達することとなり、基板４０表面のレジストの除去を極めて効率よくかつ均一に行うことができるからである。
上記回転手段としては特に限定されず、例えば、モーター等の公知の装置が挙げられる。
【００３６】
上記回転手段を有する場合、基板４０は回転テーブル等の回転可能な基板固定部上に保持固定されていることが好ましい。基板４０を上記基板固定部に固定する手段としては特に限定されず、例えば、両面テープ等の接着手段により固定する方法；基板を載置したホルダーをホルダー保持部に嵌合させる方法；真空ポンプで基板を固定手段に吸着させるバキュームチャッキング法等が挙げられる。
【００３７】
上記回転手段を用いて上記基板を回転させる方法としては特に限定されず、例えば、上記回転手段と上記基板固定部とを回転軸等で連結し、該回転軸を介して回転手段を駆動させることで生じた回転運動を基板固定部へ伝えて回転させる方法等が挙げられる。なお、上記基板固定部自体が回転手段として機能し、基板固定部全体又は基板を保持固定している部分のみが回転するようになっていてもよい。
【００３８】
このような反応部３５では、往路管３７から反応部３５に送られてきたオゾン水は、オゾン水流入口３５ａから基板４０の処理面の上方に配置されるとともに、基板４０の上方で揺動させたノズル１０の噴射孔に供給され、該噴射孔の端部から上記回転手段により回転させた基板４０の処理面の略全表面に均一に噴射される。
【００３９】
反応部３５は、紫外線を照射する手段が付加されていてもよい。基板表面のレジストを除去する際、紫外線を照射することにより、オゾンの分解速度が促進され、それに伴いレジストの除去効果を上げることができる。従って、オゾン水と紫外線照射とを併用することによって、より高いレジスト除去効果を得ることができる。
上記紫外線を照射する手段としては特に限定されず、例えば、ＵＶランプ等が挙げられる。照射される紫外線の波長は、オゾンが吸収する２５４ｎｍ近辺であることが好ましい。
【００４０】
本発明のレジスト除去装置においては、生成したオゾン水を循環させて用いることが好ましい。オゾン水を循環させて用いることにより、必要なオゾン水量を節約できることに加え、より高い濃度のオゾン水を容易に得ることができる。
上記オゾン水を循環させるには、例えば、反応部３５のオゾン水流出口３５ｂから復路管３８に排出されたオゾン水を、ポンプ３６を用いてオゾン溶解モジュール３３のオゾン水流入口３３ｂに送り込めばよい。
【００４１】
また、本発明のレジスト除去装置は、オゾン水を加熱する手段を有することが好ましい。レジスト除去は、レジストとオゾンとの化学反応によりなされるものであることから、温度をかけることによってレジスト除去速度を高めることができる。
更に、本発明のレジスト除去装置は、装置内を加圧する手段を有することが好ましい。装置内を加圧することにより、過飽和のオゾン水を生成させることができ、このような高濃度のオゾン水を用いることにより、更に高い効率でレジスト除去を行うことができる。
【００４２】
本発明のレジスト除去装置では、ノズルを基板の処理面の上方で所定の方向に揺動させながら回転手段により回転させた基板の処理面の略全表面にオゾン水を噴射させることができる。従って、本発明のレジスト除去装置によると、本発明のレジスト除去方法を好適に実現することができる。
【００４３】
【実施例】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００４４】
（実施例１）
パーフルオロアルコキシ樹脂製の直径１００ｍｍ、厚さ１０ｍｍで円板状の本体部に、炭酸ガスレーザを用いて直径０．５ｍｍの噴射孔を１０ｍｍ間隔で、噴射面の全面に略均等に分布するように形成してノズルを作製した（図１参照）。
ノズルの噴射孔から噴射した水流について、噴射孔から３０ｃｍ離れた点に到達した水流の直径を測定したところ約０．５ｍｍであった。このことから、この噴射孔から噴射した水流は棒流であることがわかった。
【００４５】
次に、作製したノズルを一方の端部が揺動手段として機能するモーターに接続された支持棒の他端部に固定軸を介して接続し、図４に示した構造の反応部を構成した。
そして、ノズルを回転手段としてのモーターと接続された回転テーブル上に保持固定し、回転数１ｍｉｎ-1で回転させた処理サンプルの処理面の上方で、該処理面に平行な方向に円弧の一部を往復するように揺動させながら、温度２２℃、オゾン濃度５５ｐｐｍのオゾン水を線速度４８０ｃｍ／ｓｅｃで処理サンプルの処理面に対して垂直方向から連続的に８０秒間噴射した。
なお、処理サンプルとしては、直径１００ｍｍのウエハに予めレジスト液（富士フィルムアーチ社製、ＨＰＲ−２０４ＬＴ）を塗布し、スピンコーター（ミカサ社製、１Ｈ−ＤＸ２型）にて２０００ｒｐｍ（ｍｉｎ-1）、３０秒間処理した後、更に９０℃２０分間乾燥して、厚さ約１．０μｍのレジストをコートしたものを用いた。
その後、基板表面のレジストの状態を目視にて観察したところ、基板表面の全体のレジストが均一に除去されていた。
【００４６】
（比較例１）
ノズルを揺動させなかったほかは、実施例１と同様にして処理サンプルのレジスト除去を行った。
その後、基板表面のレジストの状態を目視にて観察したところ、レジストの除去状態が場所によってわずかに異なっており、処理面のレジスト除去効率が実施例１よりも劣るものであった。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、基板表面のレジストを極めて高い効率かつ均一に除去することができるレジスト除去方法及びレジスト除去装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のレジスト除去方法において使用するノズルの一例を模式的に示す平面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示したノズルを揺動させる様子の一例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、図１に示したノズルを揺動させる様子の別の一例を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明のレジスト除去装置の１実施態様を示す概略図である。
【図４】（ａ）は、図３に示したレジスト除去装置の反応部において基板表面のレジストの除去を行う際の実施態様を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、反応部において基板表面のレジストの除去を行わない際の実施態様を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
１０  ノズル
１１  噴射孔
１３  本体部
１４  噴射面
２１  固定軸
２２  支持棒
３１  オゾン発生器
３２  オゾンガス検出器
３３  オゾン溶解モジュール
３３ａ  オゾン水流出口
３３ｂ  オゾン水流入口
３４  オゾン水濃度検出器
３５  反応部
３５ａ  オゾン水流入口
３５ｂ  オゾン水流出口
３６  ポンプ
３７  往路管
３８  復路管
【図１】
2006196479.tif 000003
【図２】
2006196479.tif 000004
【図３】
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【図４】
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