(57)【要約】      （修正有）【課題】  厚膜給電電極と薄膜電極積層の走査電極で相互間を特別な加工プロセスなしで電気的に分離した画像表示装置提供。【解決手段】  陰極基板ＳＵＢ１はデータ電極ＤＬと絶縁層を介した走査電極（給電電極ＣＬＢと薄膜電極ＣＬの積層）とを有し、データ電極ＤＬと走査電極との交差部近傍に電子源ＥＬＳを有す。薄膜電極ＣＬは給電電極ＣＬＢの長手方向に沿う一方側の側面を除いて、長手方向に沿う他方側の側面と上面とを一体的に被覆し、それぞれの電子源アレイＥＬＳでは、隣接電子源アレイの給電電極と一方側の側面で薄膜電極が電気的に分離し、陰極基板ＳＵＢ１の給電電極ＣＬＢと交差する断面で、給電電極ＣＬＢの上面を被覆する薄膜電極ＣＬの一方側の側面の隣接する電子源アレイの給電電極側の端縁と隣接する電子源アレイの薄膜電極の他方側の端縁を通る直線の自身の電子源アレイ側で陰極基板面に垂直な線となす角度θを０°＜θ＜９０°とした。【選択図】    図２
2006202640.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在し、前記第１の方向と交差する第２の方向に並設された第１の電極と、絶縁層を介して前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に並設された第２の電極とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極との交差部近傍に電子源を具備する陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置した多数の蛍光体層、および陽極とを形成した蛍光体基板とを具備する画像表示装置であって、
前記第２の電極が、前記電子源の電子放出部を構成する薄膜電極と、前記薄膜電極に表示信号を印加するための平行配置された複数の独立した、かつ前記薄膜電極よりも膜厚が厚い給電電極を有し、
前記薄膜電極は、前記給電電極の長手方向に沿う一方側の側面を除いて、当該長手方向に沿う他方側の側面および上面とを一体的に被覆してなり、
それぞれの電子源アレイでは、隣接する電子源アレイの給電電極と前記一方側の側面で前記薄膜電極が電気的に分離しており、
前記陰極基板の前記給電電極と交差する断面において、前記一方側の側面の前記隣接する電子源アレイの給電電極の側面が前記陰極基板面に垂直な線となす角度をθ1とし、前記給電電極の前記上面を被覆する前記薄膜電極の前記一方側の側面の前記隣接する電子源アレイの給電電極側の端縁と前記隣接する電子源アレイの前記薄膜電極の前記他方側の端縁を通る直線の自身の電子源アレイ側で前記陰極基板面に垂直な線となす角度をθ2としたとき、０°≦θ1＜θ2＜９０°であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記電子源アレイは、前記薄膜電極を透過した電子を放出する電子源であることを特徴とする請求項１又は記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記電子源アレイは、前記薄膜電極に電子放出部となるスリットを設けた表面伝導型電子源であることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記陰極基板と前記蛍光体基板との間に、当該両基板の間の間隔を規定するスペーサを備えたことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項５】
第１の方向に延在し、前記第１の方向と交差する第２の方向に並設された第１の電極と、絶縁層を介して前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に並設された第２の電極とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極との交差部近傍に電子源を具備する陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置した多数の蛍光体層、および陽極とを形成した蛍光体基板とを具備する画像表示装置の製造方法であって、
前記陰極基板に、前記薄膜電極よりも膜厚が厚い複数の給電電極を形成し、
前記薄膜電極を、前記給電電極の斜め上方から飛来する前記薄膜電極の材料粒子の堆積で成膜し、前記薄膜電極の材料粒子の飛来方向に対して陰となる当該給電電極の長手方向に沿う一方側の側面を除いて、当該長手方向に沿う他方側の側面と上面とを一体的に成膜し、
それぞれの電子源アレイでは、隣接する電子源アレイの給電電極とは前記一方側の側面で前記薄膜電極を電気的に分離することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記陰極基板を、飛来する前記薄膜電極の材料粒子に対して前記陰極基板の給電電極の長手方向とが交差する方向で対移動させることにより、前記複数の電子源アレイ間が電気的に分離することを特徴とする請求項５記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記薄膜電極の材料粒子を前記給電電極上に堆積する方法がスパッタリング法であることを特徴とする請求項５又は６記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記薄膜電極の材料粒子を前記給電電極上に堆積する方法が蒸着法であることを特徴とする請求項５又は６記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記薄膜電極の材料粒子を前記給電電極上に堆積する方法がインクジェット法であることを特徴とする請求項５又は６記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置とその製造方法にかかり、特に薄膜型電子源アレイを用いた自発光型のフラット・パネル・ディスプレイとも称する画像表示装置に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
微少で集積可能な薄膜電子源とも称する電子放出型電子源を利用する画像表示装置が開発されている。この種の画像表示装置の電子源は、電子放出型電子源とホットエレクトロン型電子源とに分類される。前者には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源等が属し、後者には金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源がある。
【０００３】
ＭＩＭ型について、例えば特許文献１、金属―絶縁体―半導体型についてはＭＯＳ型（非特許文献１）、金属―絶縁体―半導体−金属型ではＨＥＥＤ型(非特許文献２などに記載)、ＥＬ型（非特許文献３などに記載）、ポーラスシリコン型（非特許文献４などに記載）などが報告されている。
【０００４】
例えば、特許文献２に開示されているＭＩＭ型電子源の構造と動作は以下のとおりである。すなわち、上部電極と下部電極との間に絶縁層を介在させた構造を有し、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することで、下部電極中のフェルミ準位近傍の電子がトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層である絶縁層の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなり、上部電極の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極表面に達したものが真空中に放出される。
【特許文献１】特開平７−６５７１０号公報
【特許文献２】特開平１０−１５３９７９号公報
【特許文献３】特願２００３−１３５２６８号公報
【非特許文献１】ｊ.Ｖａｃ.Ｓｃｉ.Ｔｅｃｈｏｎｏｌ.Ｂ１１(２)ｐ.４２９−４３２(１９９３)
【非特許文献２】ｈｉｇｈ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ−ｅｌｅｃｔｒｏ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｅｖｉｃｅ、Ｊｐｎ、ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、ｖｏｌ．３６、ｐｐ.９３９
【非特許文献３】Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、応用物理 第６３巻、第６号、５９２頁
【非特許文献４】応用物理  第６６巻、第５号、４３７頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような電子源を複数の行（例えば垂直方向、第１の方向、データ線方向）と複数の列（例えば水平方向、第１の方向と交差する第２の方向、走査線方向、走査電極方向）に並べてマトリクスを形成し、各電子源対応に配列した多数の蛍光体を真空中に配置して画像表示装置を構成することができる。この様な構成とした画像表示装置において画像表示を行う場合、線順次駆動方式と呼ばれる駆動方法が標準的に採用されている。これは、毎秒６０枚（６０フレーム）の静止画を表示する際、各フレームにおける表示を走査線（走査電極）毎に行う方式である。従って、同一走査線上にある信号線の数に対応する電子源は全て同時に動作することになる。動作時、走査線にはサブピクセル（フルカラー表示のためのカラー１画素（ピクセル）を構成する副画素）に含まれる電子源が消費する電流に、全信号線数をかけた電流が流れる。この走査線電流は、配線抵抗により走査線に沿った電圧降下をもたらすため、電子源の均一な動作を妨げることになる。特に大型の表示装置を実現する上で走査線の配線抵抗による電圧降下は大きな問題である。
【０００６】
この問題を解決するには、走査線の配線抵抗を低減する必要がある。薄膜型電子源の場合、下部電極（以下、第１の電極あるいはデータ線とも称する）、または上部電極（以下、第２の電極あるいは走査線とも称する）低抵抗化することが考えられる。しかしながら、下部電極を低抵抗化するため厚膜化すると配線の凹凸が激しくなり、薄膜の上部電極などが断線しやすくなるなど、信頼性に問題が生じる。そこで上部電極を厚膜の給電電極上に薄膜を積層して低抵抗化した走査線とする方法が好ましい。
【０００７】
また、厚膜の給電電極上に薄膜電極を積層して第２の電極すなわち走査電極とする場合には、走査電極に沿って隣接する第２の電極の間を電気的に分離する必要がある。従来、ＭＩＭ型電子源を用いた画像表示装置では、上部電極への給電配線（給電電極とも称する）や、上部電極と下部電極を絶縁する絶縁層に隣接する電子源アレイ側に突出する如き段差を設け、直上方向からスパッタリング法あるいは蒸着法などで薄膜電極を成膜することで、当該段差が薄膜電極を分離して、隣接する電子源アレイとの電気的な分離を行っている。
【０００８】
しかし、このような段差構造を設けるためには、複雑な配線加工プロセスを必要とし、高い成膜精度を要求されるため、歩留まりを向上し、高信頼性、低コスト化を実現することは困難である。
【０００９】
本発明の第１の目的は、厚膜の給電電極上に薄膜電極を積層した走査電極の相互間を特別な加工プロセスを要することなく、電気的に分離した画像表示装置を提供することにある。また、本発明の第２の目的は、上記の画像表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
上記目的を達成する本発明の代表的な構成を記述すれば、以下のとおりである。まず、本発明の画像表示装置に関しては、
（１）第１の方向に延在し、この第１の方向と交差する第２の方向に並設された第１の電極と、絶縁層を介して前記第２の方向に延在し、上記第１の方向に並設された第２の電極とを有し、上記第１の電極と上記第２の電極との交差部近傍に電子源を具備する陰極基板と、上記電子源のそれぞれに対応して配置した多数の蛍光体層、および陽極とを形成した蛍光体基板とを具備し、
上記第２の電極が、上記電子源の電子放出部を構成する薄膜電極と、上記薄膜電極に表示信号を印加するための平行配置された複数の独立した給電電極を有し、
上記薄膜電極は、上記給電電極の長手方向に沿う一方側の側面を除いて、当該長手方向に沿う他方側の側面および上面とを一体的に被覆してなり、
それぞれの電子源アレイでは、隣接する電子源アレイの給電電極と上記一方側の側面で上記薄膜電極が電気的に分離しており、
上記陰極基板の上記給電電極と交差する断面において、前記一方側の側面の前記隣接する電子源アレイの給電電極の側面が前記陰極基板面に垂直な線となす角度をθ1とし、上記給電電極の上記上面を被覆する上記薄膜電極の上記一方側の側面の上記隣接する電子源アレイの給電電極側の端縁と上記隣接する電子源アレイの上記薄膜電極の上記他方側の端縁を通る直線の自身の電子源アレイ側で上記陰極基板面に垂直な線となす角度をθ2としたとき、０°≦θ1＜θ2＜９０°であるものとした。
【００１１】
（２）また、本発明は、上記の電子源アレイは、上記薄膜電極を透過した電子を放出する電子源、あるいは電子放出部となるスリットを設けた表面伝導型電子源を用いる。
【００１２】
（３）また、本発明は、上記陰極基板と上記蛍光体基板との間に、当該両基板の間の間隔を規定するスペーサを備えた。
【００１３】
そして、上記の本発明の画像表示装置を製造する方法に関しては、
（４）上記陰極基板に、上記薄膜電極りも膜厚が厚い複数の給電電極を形成し、
上記薄膜電極を、上記給電電極の斜め上方から飛来する上記薄膜電極の材料粒子の堆積で成膜し、上記薄膜電極の材料粒子の飛翔方向に対して陰となる当該給電電極の長手方向に沿う一方側の側面を除いて、当該長手方向に沿う他方側の側面と上面とを一体的に成膜し、
それぞれの電子源アレイでは、隣接する電子源アレイの給電電極とは前記一方側の側面で上記薄膜電極を電気的に分離する手法を採用した。
【００１４】
（５）また、本発明は、上記陰極基板を、飛翔する上記薄膜電極の材料粒子に対して上記陰極基板の給電電極の長手方向とが交差する方向で対移動させることにより、上記複数の電子源アレイ間を電気的に分離する。
【００１５】
（６）また、本発明は、上記薄膜電極の材料粒子を上記給電電極上に堆積する方法をスパッタリング法、あるいは蒸着法、あるいはインクジェット法とした。
【発明の効果】
【００１６】
ＭＩＭ型電子源では、ホットエレクトロンを透過させるために、その上部電極を構成する薄膜電極の膜厚は１０ｎｍ以下の極薄に形成される。これに対し、給電電極の厚みは数μmである。このような給電電極の長手方向と直交する方向で、かつ斜め上方から薄膜電極の材料粒子を飛翔させることで、飛翔方向では陰となる給電電極の側面には薄膜電極の材料粒子は堆積しない。この堆積しない部分は給電電極の長手方向と平行に存在し、隣接する電子源アレイと自動的に（セルフアライン的に）電気的に分離される。
【００１７】
これにより、厚膜の給電電極上に薄膜電極を積層した走査電極の相互間を特別な加工プロセスを要することなく、電気的に分離した画像表示装置を簡略なプロセスで得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の最良の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００１９】
先ず、本発明による画像表示装置を、ホットエレクトロン放出型のＭＩＭ型電子源を用いた画像表示装置を例として説明する。しかし、本発明は、このようなＭＩＭ型電子源に限るものではなく、背景技術の欄で説明した各種の電子放出素子を用いた画像表示装置にも同様に適用できることは言うまでもない。
【００２０】
図１は、本発明の実施例１の説明図であり、ＭＩＭ型薄膜電子源を用いた画像表示装置を例とした模式平面図である。なお、図１では、主として電子源を有する一方のガラス基板（陰極基板）ＳＵＢ１の平面を示すが、蛍光体や陽極を形成した他方のガラス基板（蛍光体基板、表示側基板、カラーフィルタ基板などとも称する）として、蛍光体基板の内面にブラックマトリクスBMと蛍光体ＰＨ（Ｒ），ＰＨ（Ｇ），ＰＨ（Ｂ）および陽極ＡＤを部分的に示し、蛍光体基板自体は図示していない。
【００２１】
陰極基板ＳＵＢ１には、データ電極（信号線）駆動回路DDRに接続する信号線（データ電極、信号線）ＤＬ、絶縁層ＩＮＳ１でデータ電極ＤＬと絶縁して交差配置されて走査電極（走査線）駆動回路６０に接続した走査電極（走査線）ＣＬ（図２）を構成する給電電極ＣＬＢ等が形成されている。データ電極ＤＬを第１の電極とし、トンネル絶縁層（図２）を介して積層した薄膜電極（図２）を第２の電極とする複数の電子源ELSが電子源アレイとして配置される。
【００２２】
蛍光面基板に有する蛍光体ＰＨ（Ｒ），ＰＨ（Ｇ），ＰＨ（Ｂ）は陰極基板ＳＵＢ１の個々の電子源ＥＬＳと対向している。この蛍光面基板と陰極基板ＳＵＢ１の間をスペーサSPCで所定の間隙に規制されている。給電電極ＣＬＢを覆って成膜される薄膜電極（電子源ＥＬＳの上部電極）は、後述するように、給電電極の斜め上方から薄膜電極の材料粒子を飛翔させて当該給電電極の片側面と上面に堆積させて成膜し、上記薄膜電極の材料粒子の飛翔方向に対して陰となる当該給電電極の長手方向に沿う一方側の側面に薄膜電極の材料粒子が到来しないことを利用して、隣接する電子源アレイの給電電極とは前記一方側の側面で上記薄膜電極を電気的に分離する。
【００２３】
図２は、実施例１の陰極基板に有する電子源の要部構造の説明図である。図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ‐Ａ’線に沿った断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＡ‐Ａ’線に沿った断面図を示す。図２（ａ）には、同図の上下方向に３本のデータ電極ＤＬと左右方向に２本の走査電極（給電電極ＣＬＢと薄膜電極ＣＬの積層体）の交差部近傍に一対のカラー画素ＣＰＸ１、ＣＰＸ２を構成する６個の電子源ＥＬＳを示した。電子源ＥＬＳは、図２（ｂ）に示したように、陰極基板ＳＵＢ１上に第１の絶縁層ＩＮＳ１の薄層部（トンネル絶縁層）ＩＮＳ３を介して薄膜電極ＣＬを積層した部分に形成される。このトンネル絶縁層ＩＮＳ３の上層にある薄膜電極ＣＬを通して電子が放出される。トンネル絶縁層ＩＮＳ３の部分以外に他の絶縁層ＩＮＳ２が介在している。
【００２４】
走査電極を構成する給電電極ＣＬＢを覆う薄膜電極ＣＬは、カラー画素ＣＰＸ１に隣接するカラー画素ＣＰＸ２との間の分離部ＳＥＰで電気的に分離される。図２（ｃ）に示したように、カラー画素ＣＰＸ１の給電電極ＣＬＢには上面から左側側面を一体的に覆って電子源ＥＬＳに延びている。そして、電子源ＥＬＳを超えて隣接するカラー画素ＣＰＸ２を構成する給電電極ＣＬＢの直前で終端している。
【００２５】
陰極基板ＳＵＢ１の給電電極と交差する断面において、前記一方側の側面の前記隣接する電子源アレイの給電電極の側面が前記陰極基板面に垂直な線となす角度をθ1とし、隣接するカラー画素ＣＰＸ２の給電電極ＣＬＢの上面を被覆する薄膜電極ＣＬのカラー画素ＣＰＸ１側の端縁とカラー画素ＣＰＸ１の電子源ＥＬＳを超えて隣接するカラー画素ＣＰＸ２を構成する給電電極ＣＬＢの直前の端縁を通る直線の上記隣接するカラー画素ＣＰＸ２の給電電極ＣＬＢ側で陰極基板面ＳＵＢ１に垂直な線となす角度をθ2としたとき、０°≦θ1＜θ2＜９０°とした。角度θ2は給電電極ＣＬＢの厚さとカラー画素ＣＰＸ１の電子源ＥＬＳを超えて隣接するカラー画素ＣＰＸ２を構成する給電電極ＣＬＢの直前の端縁の幅、言い換えれば分離部ＳＥＰの幅の設定量に依存する。これについて、以下の製造方の実施例で説明する。
【実施例２】
【００２６】
次に、本発明による画像表示装置の製造方法を実施例２として説明する。図３は、本発明による画像表示装置の製造方法の実施例を説明する模式図である。図３は、給電電極ＣＬＢに、所謂スパッタリング法を用いて薄膜電極ＣＬを積層すると同時に、前記した隣接するカラー画素との分離を可能としたものである。図３において、先ず、陰極基板ＳＵＢ１に給電電極ＣＬＢを形成する。なお、ここでは、説明の簡明化のため、データ電極等の図示は省略した。
【００２７】
給電電極ＣＬＢを形成した陰極基板ＳＵＢ１の上方に、スパッタリングのターゲットＴＡＧとして薄膜電極ＣＬの材料をターゲットベースＴＢＳに支持して配置する。このターゲットＴＡＧを、スリットＳＬＴを形成したチャンバーＣＨＢに収容する。スリットＳＬＴはターゲットＴＡＧの正面ではなく、ターゲットＴＡＧのエッジからｄで示したようにさらに外側の斜め下側前方に設ける。スパッタリングの放電はスリットＳＬＴとターゲットＴＡＧとの間で行い、スパッタリングのための薄膜電極ＣＬの材料粒子（スパッタ粒子）を発生させる。
【００２８】
このスパッタ粒子の放出角は、一般に「ｃｏｓ則」に従うので、ターゲットＴＡＧのエッジ部からは斜め下前方にスリットＳＬＴを設けておくことで、矢印ＤＤで示した斜め下前方成分のスパッタ粒子のみをこのスリットＳＬＴを通過させることができる。陰極基板ＳＵＢ１上の給電電極ＣＬＢに薄膜電極ＣＬを隣接する電子源アレイごとに分離させて成膜するために、矢印ＭＤＲに示したように、スリットＳＬＴは給電電極ＣＬＢの長手方向と平行とし、陰極基板ＳＵＢ１をその給電電極ＣＬＢの長手方向と交差する方向に移動して通過させる。この移動は相対的なものであり、ターゲットＴＡＧをスリットＳＬＴと共に移動させてもよい。なお、図３には矢印ＭＤＲを左向きとしているが、逆方向すなわち右向きであってもよい。
【００２９】
このプロセスにより、矢印ＤＤを対面する給電電極ＣＬＢの片側の面と上面にはスパッタ粒子が堆積して薄膜電極ＣＬが成膜される。そして、図３に示したスリットＳＬＴの位置では、スパッタ粒子は隣接する電子源の薄膜電極ＣＬが成膜される。このとき、上面まで薄膜電極ＣＬが成膜された給電電極ＣＬＢと該成膜される隣接の電子源の薄膜電極ＣＬの端縁との間はスパッタ粒子の陰となるため、この領域には薄膜電極ＣＬは形成されず、分離部ＳＥＰが自動的に形成されることになる。
【００３０】
隣接の電子源の薄膜電極ＣＬの端縁と上面まで薄膜電極ＣＬが成膜された給電電極ＣＬＢの上記薄膜電極ＣＬの隣接する電子源アレイ側の端面とを結ぶ直線が陰極基板ＳＵＢ１に垂直な線となす角度θ2は、矢印ＤＤと陰極基板ＳＵＢ１に垂直な線とがなす角度θに近似している。スパッタ粒子は若干の回り込みがあるので、θは矢印ＤＤと陰極基板ＳＵＢ１に垂直な線となす角度θよりも小さくなる場合がある。
【００３１】
スパッタリング法を用いる場合は、放電ガスによるスパッタ粒子の散乱を抑制するため、ターゲットＴＡＧとスリットＳＬＴの間、スリットＳＬＴと陰極基板ＳＵＢ１の間は１０ｃｍ程度以下とし、放電ガス圧を３ｍＴｏｒｒ以下とすると、放電ガスとスパッタ粒子の衝突確率を１〜２回程度まで低減でき、隣接する電子源側に面する給電電極ＣＬＢの側面へのスパッタ粒子の回り込みが抑制され、隣接する電子源との連続成膜の形成が実質的に無くなり、確実な分離が可能となる。なお、より真空度の高い環境で成膜する蒸着法やイオンビームスパッタリング法、あるいはインクジェット法を用いる場合は、上記のような回り込みの考慮は必ずしも要しない。
【００３２】
図４は、フルカラーの画像表示装置を構成する本発明の画像表示装置の全体構成例を模式的に説明する展開斜視図である。図４では、陰極基板ＳＵＢ１にデータ電極ＤＬ、給電電極ＣＬＢと薄膜電極ＣＬの積層で形成された走査電極、電子源アレイＥＬＳを設けたものを背面パネルＰＮＬ1とし、前面基板ＳＵＢ２の主面に遮光膜ＢＭで互いに区画された３色蛍光体ＰＨ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）と、陽極ＡＤが形成されたものを前面パネルＰＮＬ２として示した。
【００３３】
すなわち、陰極基板ＳＵＢ1の主面に、一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設されて前記他方向に走査信号が順次印加される複数の走査電極(給電電極ＣＬＢと薄膜電極ＣＬの積層)と、他方向に延在し走査電極交差する如く前記一方向に並設された複数のデータ電極ＤＬと、走査電極とデータ電極ＤＬの各交差部に設けた電子源ＥＬＳを有する。そして、前面パネルＰＮＬ２には、その前面基板ＳＵＢ２の主面にブラックマトリクスＢＭで互いに区画された３色蛍光体ＰＨ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）と、陽極ＡＤが形成されている。この構成例では、背面パネルＰＮＬ1の走査電極の上に、当該走査電極に沿ってスペーサＳＰＣを所用数設置し、両パネルを所定の間隔として図示しない封止枠により封止している。
【００３４】
図５は、本発明の画像表示装置の等価回路例を説明する図である。図５中に破線で示した領域は表示領域ＡＲであり、この表示領域ＡＲにデータ電極ＤＬ（ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５，ｄ６，ｄ７・・・ｄｎ）と走査電極Ｓ（ｓ１，ｓ２，ｓ３，ｓ４，・・・ｓｍ）が互いに交差して配置されてｎ×ｍのマトリクスが形成されている。マトリクスの各交差部はカラー副画素（サブピクセル）を構成し、図中の３つの副画素Ｒ，Ｇ，Ｂの１グループでカラー１画素を構成する。なお、電子源の構成は図示を省いた。データ電極ＤＬはデータ電極駆動回路ＤＤＲに接続され、走査電極Ｓは走査電極駆動回路ＳＤＲに接続されている。データ電極駆動回路ＤＤＲには外部信号源からデータ信号ＮＳが入力され、走査電極駆動回路ＳＤＲには同様に走査信号ＳＳが入力される。
【００３５】
これにより、順次選択される走査電極Ｓに接続する副画素にデータ電極ＤＬからデータ信号を供給することにより、二次元のフルカラー画像を表示することができる。本構成例の画像表示装置により、比較的低電圧で高効率のフラットパネル型の表示装置が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施例１の説明図であり、ＭＩＭ型薄膜電子源を用いた画像表示装置を例とした模式平面図である。
【図２】本発明の実施例１の陰極基板に有する電子源の要部構造の説明図である。
【図３】本発明による画像表示装置の製造方法の実施例を説明する模式図である。
【図４】フルカラーの画像表示装置を構成する本発明の画像表示装置の全体構成例を模式的に説明する展開斜視図である。
【図５】本発明の画像表示装置の等価回路例を説明する図である。
【符号の説明】
【００３７】
ＳＵＢ１・・・陰極基板、DL・・・データ線（データ電極）、CL・・・薄膜電極、CLB・・・給電電極、ＩＮＳ１， ＩＮＳ２・・・絶縁層、ＩＮＳ３・・・絶縁層（トンネル絶縁層）、ＥＬＳ・・・電子源、ＳＥＰ・・・分離部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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