(57)【要約】      （修正有）【課題】  ＡＳＩＣ等のように半田ボールを有する電子部品と、主制御基板等の実装面との間にダミーのクリーム半田を介在させて、電子部品を実装した実装構造、その実施構造を備えた記録装置、電子機器、並びに電子部品の実装方法を提供する。【解決手段】複数の半田ボール１２が形成されたＡＳＩＣ１０と、実装面の半田ボール１２と対応する所定の領域に複数の電極パッド１３が形成された主制御基板１１とを含み、主制御基板１１の実装面の複数の電極パッド１３上に複数のクリーム半田１４をそれぞれ形成し、各半田ボール１２と各クリーム半田１４とを接続させるようにＡＳＩＣ１０を主制御基板１１に面実装した。更に、主制御基板１１の実装面の所定の領域外にダミー半田１００を形成し、ＡＳＩＣ１０と主制御基板１１の実装面との間に介在させた。よって、ダミー半田１００が、ＡＳＩＣ１０の自重を支えることができる。【選択図】      図８
2006261463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の半田部材が形成された電子部品と、実装面の前記第１の半田部材と対応する所定の領域に複数の電極パッドが形成された基板とを含み、前記基板
の実装面の前記複数の電極パッド上に複数の第２の半田部材をそれぞれ形成し、前記
各第１の半田部材と各第２の半田部材とを接続させるように前記電子部品を前記基板
に面実装する電子部品の実装構造において、
更に、前記基板の実装面の前記所定の領域外にダミーとして前記第２の半田部材を形成し、前記電子部品と前記基板の実装面との間に介在させることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品の実装構造において、前記ダミーとして形成される第２の半田部材の高さは、前記各第１の半田部材と接続させる第２の半田部材の高さよりも高いことを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電子部品の実装構造において、前記ダミーとして形成される第２の半田部材は、少なくとも前記電子部品の角部に対応する位置に形成さ
れることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項４】
請求項１ないし３記載の電子部品の実装構造において、前記第２の半田部
材はクリーム半田であることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項５】
記録媒体に記録する記録装置であって、請求項１ないし４記載の電子部品の実装構造を備えたことを特徴とする記録装置。
【請求項６】
請求項１ないし４記載の電子部品の実装構造を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
複数の第１の半田部材が形成された電子部品と、前記第１の半田部材と対応する基板の実装面の所定の領域に形成された複数の電極パッドと、
前記電極パッド上に形成された複数の第２の半田部材と、を半田付けする電子部品の実装方法において、
前記基板の実装面の前記所定の領域外にダミーとして第２の半田部材を形成するメタルマスクを前記基板に載置・位置決めする工程と、
前記メタルマスク越しに前記複数の電極パッドに第２の半田部材を形成する工程と、
前記メタルマスクを取り外す工程と、
前記基板の所定の場所に前記電子部品を載置する工程と、
前記電極パッドに形成された前記第２の半田部材及び前記電子部品に形成された前記第１の半田部材をリフロー半田付けする工程と、を有することを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項８】
複数の第１の半田部材が形成された電子部品を、実装面の前記第１の半田部材と対応する所定の領域に複数の電極パッドが形成された基板に面実装する工程で、前記複数の電極パッド以外の領域を、第２の半田部材から防護するメタルマスクにおいて、
前記複数の電極パッドに対応する位置に形成された第１の貫通穴と、少なくとも前記基板の実装面の前記所定の領域外に対応する位置に形成された第２の貫通穴とを有し、前記第２の貫通穴の穴径は、前記第１の貫通穴の穴径よりも大きいことを特徴とするメタルマスク。
【請求項９】
複数の第１の半田部材が形成された電子部品を、実装面の前記第１の半田部材と対応する所定の領域に複数の電極パッドが形成された基板に面実装する工程で、前記複数の電極パッド以外の領域を、第２の半田部材から防護するメタルマスクにおいて、
少なくとも前記複数の電極パッドの角部に対応する位置に形成された第２の貫通穴と、前記第２の貫通穴以外の電極パッドに対応する位置に形成された第１の貫通穴と、を有し、前記第２の貫通穴の穴径は、前記第１の貫通穴の穴径よりも大きいことを特徴とするメタルマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録装置等の電子機器に用いられる回路基板等に実装される電子部品の実装技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子のリード端子のファインピッチ化や多ピン化に対応した実装方法として、プリント配線基板上に、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）を用いた実装方法や、それらを実装するプリント配線基板が提案されている。従来、ＢＧＡを備えた電子部品（以下、ＢＧＡパッケージという。）を実装するため、プリント配線基板には、パッドと呼ばれる円形のパターンを形成し、このパッドとＢＧＡパッケージの半田ボールがクリーム半田により、リフロー半田付けされている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、パッドの位置に対応する位置に貫通穴が形成されたメタルマスクをプリント配線基板上に載置・位置決めし、メタルマスク越しにクリーム半田を形成する。メタルマスクを外すと、パッド上にクリーム半田が形成されているので、クリーム半田上に、ＢＧＡパッケージを載置する。更に、リフロー炉に搬入して、半田ボール及びクリーム半田を溶融・固化することで、パッドとＢＧＡパッケージを半田付けしていた（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平７−２１１８５４号公報
【特許文献２】特開２００４−２８８８２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した従来のリフロー半田付けによるＢＧＡパッケージの実装構造では、ＢＧＡパッケージの大型化に伴い、ＢＧＡパッケージが重くなり、リフロー炉で半田ボール及びクリーム半田を溶融する際に、ＢＧＡパッケージの自重により、半田ボールが潰れる虞れを否定できなかった。そのため、潰れた半田ボールが他の半田ボールに到達し、ブリッジを形成する虞れがあった。
【０００５】
また、ＢＧＡパッケージの自重により、半田ボールが潰れた場合、プリント配線基板に対して、ＢＧＡパッケージが傾いた状態で固化されることがあった。ＢＧＡパッケージが傾くと、傾いた側の半田ボールが、他の半田ボールに到達し、ブリッジを形成し易いといった問題もあった。
【０００６】
また、上記ＢＧＡパッケージの形態が、ＢＧＡパッケージの実装中に起こる温度変化等によりプリント配線基板に発生する反りと逆方向の反りをＢＧＡパッケージに発生させ易い。更に、ＢＧＡパッケージの逆方向の反りに、温度変化等によりプリント配線基板に発生する反りが加わることで、半田ボールと、パッドに形成されたクリーム半田とが引き剥がされる方向に応力が加わる。このため、接触不良を発生させる虞れを否定できなかった。特に、パッドの角部に対応する半田ボールの角部は、ＢＧＡパッケージに発生した逆方向の反りが大きくなるので、このような接触不良の問題が大きくなる。
【０００７】
本発明は、上記のような種々の課題に鑑みなされたものであり、その目的は、従来のリフロー半田付けによる実装方法の工程に影響を与えること無く、電子部品の自重を支えて、第１の半田部材が潰れて、他の第１の半田部材に到達し、ブリッジを形成することを容易に防止できる電子部品の実装構造、その実施構造を備えた記録装置及び電子機器を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、基板に対して，電子部品が傾いた状態で実装されることを容易に防止することができる電子部品の実施構造、その実施構造を備えた記録装置及び電子機器を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の更に他の目的は、電子部品の実装中に起こる温度変化等により発生する応力で接触不良が発生することを容易に防止することができる電子部品の実装構造及び該電子部品の実装構造を実施可能とするメタルマスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的達成のため、本発明の電子部品の実装構造では、複数の第１の半田部材が形成された電子部品と、実装面の前記第１の半田部材と対応する所定の領域に複数の電極パッドが形成された基板とを含み、前記基板の実装面の前記複数の電極パッド上に複数の第２の半田部材をそれぞれ形成し、前記各第１の半田部材と各第２の半田部材とを接続させるように前記電子部品を前記基板に面実装する電子部品の実装構造において、更に、前記基板の実装面の前記所定の領域外にダミーとして前記第２の半田部材を形成し、前記電子部品と前記基板の実装面との間に介在させることを特徴としている。
【００１１】
これにより、複数の第１の半田部材が形成された電子部品を基板に実装する際に、ダミーとして形成された第２の半田部材が、上記電子部品の自重を支えることができる。従って、第１の半田部材が、他の第１の半田部材に到達してブリッジを形成することを有効に防止できる。
【００１２】
また、本発明の電子部品の実装構造では、前記ダミーとして形成される第２の半田部材の高さは、前記各第１の半田部材と接続させる第２の半田部材の高さよりも高いことを特徴としている。これにより、第１の半田部材が、他の第１の半田部材に到達してブリッジを形成することを有効に防止できる。
【００１３】
また、本発明の電子部品の実装構造では、前記ダミーとして形成される第２の半田部材は、少なくとも前記電子部品の角部に対応する位置に形成されることを特徴としている。これにより、上記電子部品の自重を角部で支えることになるので、上記電子部品が基板に対して傾いた状態で実装されることを防ぐことができる。
【００１４】
また、本発明の電子部品の実装構造では、前記第２の半田部材はクリーム半田であることを特徴としている。これにより、従来どおりクリーム半田を使用したリフロー半田付けを実施できる。すなわち、従来のリフロー半田付けによる実装方法の工程に影響を与えること無く、複数の第１の半田部材が形成された電子部品を基板に実装する際に、上記電子部品の自重により第１の半田部材が潰れて、他の第１の半田部材に到達してブリッジを形成することを防止できる。
【００１５】
また、本発明の記録装置では、記録媒体に記録する記録装置であって、上記電子部品の実装構造を備えたことを特徴としている。これにより、複数の第１の半田部材が形成された電子部品を基板に実装する際に、上記電子部品の自重により第１の半田部材が潰れて、他の第１の半田部材に到達してブリッジを形成することを防止できる電子部品の実装構造を備えた記録装置を提供することができる。
【００１６】
また、本発明の電子機器では、上記の電子部品の実装構造を備えたことを特徴としている。これにより、複数の第１の半田部材が形成された電子部品を基板に実装する際に、上記電子部品の自重により第１の半田部材が潰れて、他の第１の半田部材に到達してブリッジを形成することを防止できる電子部品の実装構造を備えた電子機器を提供することができる。
【００１７】
また、本発明の電子部品の実装方法では、複数の第１の半田部材が形成された電子部品と、前記第１の半田部材と対応する基板の実装面の所定の領域に形成された複数の電極パッドと、前記電極パッド上に形成された複数の第２の半田部材と、を半田付けする電子部品の実装方法において、前記基板の実装面の前記所定の領域外にダミーとして第２の半田部材を形成するメタルマスクを前記基板に載置・位置決めする工程と、前記メタルマスク越しに前記複数の電極パッドに第２の半田部材を形成する工程と、前記メタルマスクを取り外す工程と、前記基板の所定の場所に前記電子部品を載置する工程と、前記電極パッドに形成された前記第２の半田部材及び前記電子部品に形成された前記第１の半田部材をリフロー半田付けする工程と、を有することを特徴としている。
【００１８】
これにより、メタルマスク以外、従来のリフロー半田付けによる実装方法と変更点が無いので、上記の実装方法の工程に与える影響を最小にすることができる。また、上記基板の実装面の所定の領域外に対応するメタルマスクの位置に貫通穴を形成しさえすれば、所定の領域外にダミーとして第２の半田部材を形成することができる。以上より、従来のリフロー半田付けによる実装方法の工程に影響を与えること無く、複数の第１の半田部材が形成された電子部品を基板に実装する際に、上記電子部品の自重により第１の半田部材が潰れて、他の第１の半田部材に到達してブリッジを形成することを防止できる。
【００１９】
また、本発明のメタルマスクでは、複数の第１の半田部材が形成された電子部品を、実装面の前記第１の半田部材と対応する所定の領域に複数の電極パッドが形成された基板に面実装する工程で、前記複数の電極パッド以外の領域を、第２の半田部材から防護するメタルマスクにおいて、前記複数の電極パッドに対応する位置に形成された第１の貫通穴と、少なくとも前記基板の実装面の前記所定の領域外に対応する位置に形成された第２の貫通穴とを有し、前記第２の貫通穴の穴径は、前記第１の貫通穴の穴径よりも大きいことを特徴としている。
【００２０】
これにより、上記第２の貫通穴の穴径を上記第１の貫通穴の穴径よりも大きくすることで、ダミーとして形成される前記第２の半田部材の量を、前記複数の電極パッド上に形成される第２の半田部材の量より多くすることができる。よって、上記ダミーとして形成される第２の半田部材の高さを、各第１の半田部材と接続させる第２の半田部材の高さよりも高くすることができる。
【００２１】
また、本発明のメタルマスクでは、複数の第１の半田部材が形成された電子部品を、実装面の前記第１の半田部材と対応する所定の領域に複数の電極パッドが形成された基板に面実装する工程で、前記複数の電極パッド以外の領域を、第２の半田部材から防護するメタルマスクにおいて、少なくとも前記複数の電極パッドの角部に対応する位置に形成された第２の貫通穴と、前記第２の貫通穴以外の電極パッドに対応する位置に形成された第１の貫通穴と、を有し、前記第２の貫通穴の穴径は、前記第１の貫通穴の穴径よりも大きいことを特徴としている。
【００２２】
これにより、上記第２の貫通穴の穴径を上記第１の貫通穴の穴径よりも大きくすることで、上記電極パッドに形成する第２の半田部材の量を、他の電極パッドに形成する第２の半田部材の量より、多くすることができる。よって、上記電極パッドに形成された第２の半田部材と、第１の半田部材とが引き剥がされる方向に応力が加わっても、第２の半田部材の量を多くすることで、上記電極パッドと上記電子部品の第１の半田部材との上記接触不良を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明に係る「電子機器」の一例として、記録装置１を取り上げて、本発明の実施形態について、図１乃至図１０を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、また、本実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００２４】
図１は、本発明の実施形態に係る記録装置１の外観を示す斜視図である。図１に示す記録装置１は、上部カバー２、上部ハウジング３及び下部ハウジング４を有し、前面には、開口した挿入口５が設けられている。この挿入口５へ被記録物８が挿入されると、記録装置１により被記録物８に記録が行われ、被記録物８が挿入口５から排出される。
【００２５】
図２は、記録装置１に内蔵された主制御基板１１と電源基板９及びその周辺付近を示す斜視図である。図２の中央右付近には、パワー系部品やロジック系部品が実装され、記録装置１に内蔵されている各装置を制御する主制御基板１１が配設されている。更に、主制御基板１１の左隣りには、電源の１次側部品群５１が実装される電源基板９が水平方向に配設されている。
【００２６】
主制御基板１１は、各種コネクタが配設されるコネクタ領域４１、パワー系部品が実装されるパワー系部品実装領域４２、ロジック系部品が実装されるロジック系部品実装領域４３を含む。
【００２７】
パワー系部品実装領域４２には、例えば、図示しないモータードライバ、ヘッドドライバ等のパワー系部品、これらより発生する熱を放出させるためのヒートシンク４２ａ、４２ｂが実装されている。
【００２８】
ロジック系部品実装領域４３には、ＣＰＵ、ＡＳＩＣ１０等のロジック系部品が実装され、記録装置１の背面に配設されたインターフェイス部４４とアクセスが容易な位置にロジック系部品実装領域４３は設けられている。
【００２９】
コネクタ領域４１、パワー系部品実装領域４２、ロジック系部品実装領域４３に実装された各種部品は、主制御基板１１に設けられた図示しない回路パターンを介して接続されている。
【００３０】
図３は、図２に示す主制御基板１１のＡＳＩＣ１０周辺の拡大平面図である。図２に示したように、主制御基板１１は、電子部品として、ＢＧＡパッケージであるＡＳＩＣ１０を面実装している。
【００３１】
図４は、図２に示す主制御基板１１のＡＳＩＣ１０周辺の拡大正面図である。本実施形態では、主制御基板１１上の電極パッド１３（図６参照）に形成されたクリーム半田１４と、ＡＳＩＣ１０に形成された半田ボール１２をリフロー半田付けしている。更に、後述するが、本発明の特徴部分の一つであるダミー半田１００が、主制御基板１１とＡＳＩＣ１０間に形成されている。よって、半田ボール１２及びクリーム半田１４が溶融する際に、ＡＳＩＣ１０の自重をダミー半田１００が支えることができる。尚、ダミー半田１００は、ダミー半田固定用パッド１９に形成されたクリーム半田１４であるが、他のクリーム半田１４と区別するため、ダミー半田１００としている。
【００３２】
次に、主制御基板１１にＡＳＩＣ１０を実装する前のＡＳＩＣ１０の半田ボール１２及び主制御基板１１に形成された電極パッド１３（図６参照）について説明する。
【００３３】
図５は、図２に示すＡＳＩＣ１０を実装する前のＡＳＩＣ１０の半田ボール１２の配置を表す裏面図である。図５に示すように、本実施形態のＡＳＩＣ１０は９個の半田ボール１２を備えている。９個の半田ボール１２の大きさは同じである。９個の半田ボール１２は全て、クリーム半田１４（図４参照）を介して、それぞれ対応する電極パッド１３（図６参照）と導通している。また、半田ボール１２が形成されていないＡＳＩＣ１０の領域は、絶縁材１５で覆われている。そのため、後述するが、ダミー半田１００が、半田ボール１２が形成されていない領域と接触しても導通しない構造となっている。
【００３４】
図６は、図３に示すＡＳＩＣ１０を実装する前の主制御基板１１のＡＳＩＣ１０周辺の拡大平面図である。図６に示すように、主制御基板１１の実装面には、９個の電極パッド１３及び本発明の特徴部分の一つである４個のダミー半田固定用パッド１９が形成されている。９個の電極パッド１３は、説明の便宜上、５個の電極パッド１３ａ及び４個の電極パッド１３ｂに分けられているが、電極パッド１３ａ及び１３ｂは、同じパッドである。電極パッド１３ｂは、９個の電極パッド１３の内、角部に形成された電極パッドである。一方、電極パッド１３ａは、角部以外に形成された電極パッドである。後述するが、電極パッド１３ａは、クリーム半田１４（図４参照）を形成する際に使用する、本発明の特徴部分の一つであるメタルマスク３０（図７参照）の貫通穴１７ａ（図７参照）と対応し、電極パッド１３ｂは貫通穴１７ｂ（図７参照）と対応する。貫通穴１７ｂ（図７参照）は貫通穴１７ａ（図７参照）より穴径が大きいため、電極パッド１３ｂに形成されるクリーム半田１４（図４参照）の量は、電極パッド１３ａに形成されるクリーム半田１４（図４参照）の量よりも多くなる。これにより、半田ボール１２（図４参照）と、電極パッド１３ｂに形成されたクリーム半田１４（図４参照）とが引き剥がされる方向に応力が加わっても、半田ボール１２と電極パッド１３ｂが接触不良になることを容易に防止できる。
【００３５】
また、ダミー半田固定用パッド１９は、主制御基板１１とＡＳＩＣ１０の間に形成されるダミー半田１００（図４参照）を固定するために形成されている。ダミー半田固定用パッド１９は、クリーム半田１４（図４参照）を形成する際に使用するメタルマスク３０（図７参照）の貫通穴１７ｃ（図７参照）と対応する。貫通穴１７ｃ（図７参照）は、後述するが、他の貫通穴１７ａ（図７参照）及び１７ｂ（図７参照）よりも穴径が大きくなっている。そのため、ダミー半田１００（図４参照）の量は、クリーム半田１４の量より多くなる。一方、ダミー半田固定用パッド１９は、電極パッド１３ａ及び１３ｂに比べて、小さく形成されている。これにより、ダミー半田固定用パッド１９に形成されたダミー半田１００は、ダミー半田固定用パッド１９に接触しつつ、表面張力によって略球状になるので、クリーム半田１４（図４参照）の高さよりも、ダミー半田１００（図４参照）は高くなり、半田ボール１２（図４参照）及びクリーム半田１４（図４参照）の溶融時に、確実にＡＳＩＣ１０を支えることができる。なお、電極パッド１３及びダミー半田固定用パッド１９が形成されていない主制御基板１１の領域は、絶縁材１５で覆われている。
【００３６】
次に、本発明の特徴部分の一つである主制御基板１１にＡＳＩＣ１０を実装する工程及び上記の工程で使用するメタルマスク３０について説明する。図７及び図８は、図６に示す主制御基板１１にＡＳＩＣ１０を実装する工程を示す矢視ＡＡにおける断面図である。また、図９は図７に示すメタルマスク３０の平面図、図１０は図９に示すメタルマスク３０の矢視ＢＢにおける断面図である。
【００３７】
まず、主制御基板１１に電極パッド１３及びダミー半田固定用パッド１９を形成する。更に、主制御基板１１の電極パッド１３及びダミー半田固定用パッド１９以外の領域を絶縁材１５で覆う。次に、図７（ａ）に示すように、主制御基板１１にメタルマスク３０を載置・位置決めする。本実施形態のメタルマスク３０には、図９及び図１０に示すように、エッチングやレーザー加工等によって、貫通穴１７ａ、１７ｂ及び１７ｃが形成されている。貫通穴１７ａは、主制御基板１１の電極パッド１３ａと対応する位置に形成されている。また、貫通穴１７ｂは、電極パッド１３ｂと対応する位置に、貫通穴１７ｃはダミー半田固定用パッド１９に対応する位置に形成されている。
【００３８】
次に、図７（ｂ）に示すように、スキージ１８とクリーム半田１４をメタルマスク３０上に載置し、スキージ１８を移動させる。これにより、図７（ｃ）に示すように、メタルマスク３０の貫通穴１７ａ、１７ｂ及び１７ｃにクリーム半田１４が充填される。よって、メタルマスク３０の貫通穴１７ａに対応する電極パッド１３ａ上にクリーム半田１４が形成される。同様に、貫通穴１７ｂに対応する電極パッド１３ｂ上にクリーム半田１４が形成される。更に、貫通穴１７ｃに対応するダミー半田固定用パッド１９上にダミー半田１００（クリーム半田１４）が形成される。
【００３９】
ここで、貫通穴１７ｂの穴径は貫通穴１７ａの穴径よりも大きく形成されている。そのため、電極パッド１３ｂに形成されるクリーム半田１４の量は、電極パッド１３ａに形成されるクリーム半田１４の量よりも多くなる。従来、ＡＳＩＣ１０の形態が、ＡＳＩＣ１０の実装中に起こる温度変化等により主制御基板１１に発生する反りと逆方向の反りをＡＳＩＣ１０に発生させ易い。更に、ＡＳＩＣ１０の逆方向の反りに、温度変化等により主制御基板１１に発生する反りが加わることで、半田ボール１２と、電極パッド１３ｂに形成されたクリーム半田１４とが引き剥がされる方向に応力が加わる。そのため、接触不良を発生させる場合があった。しかし、電極パッド１３ｂに形成されるクリーム半田１４の量が、電極パッド１３ａに形成されるクリーム半田１４の量よりも多くなるため、上記の接触不良を容易に防止することができる。
【００４０】
また、図９及び図１０に示したように、貫通穴１７ｃの穴径は貫通穴１７ｂの穴径よりも大きく形成されている。そのため、ダミー半田固定用パッド１９に形成されるダミー半田１００の量は、電極パッド１３ａ及び１３ｂに形成されるクリーム半田１４の量よりも多くなる。一方、上述したように、ダミー半田固定用パッド１９は、電極パッド１３ａ及び１３ｂに比べて、小さく形成されているので、ダミー半田固定用パッド１９に形成されたダミー半田１００は、ダミー半田固定用パッド１９に接触しつつ、表面張力によって略球状になる。そのため、電極パッド１３ａ及び１３ｂに形成されたクリーム半田１４の高さよりも、ダミー半田１００は高くなり、半田ボール１２及びクリーム半田１４の溶融時に、確実にＡＳＩＣ１０を支えることができる。
【００４１】
次に、図７（ｃ）に示すように、メタルマスク３０の貫通穴１７ａ、１７ｂ及び１７ｃにクリーム半田１４を充填して、クリーム半田１４及びダミー半田１００を形成した後、メタルマスク３０を取り外す。その後、図８（ｄ）に示すように、半田ボール１２を備えたＡＳＩＣ１０を載置する。次に、図８（ｅ）に示す状態で、主制御基板１１及びＡＳＩＣ１０を図示しないリフロー炉に搬入し、このリフロー炉で半田ボール１２及びクリーム半田１４を溶融・固化する。よって、図８（ｆ）に示すように、主制御基板１１にＡＳＩＣ１０を面実装している。
【００４２】
従来、リフロー炉で半田ボール１２及びクリーム半田１４を溶融する際、ＡＳＩＣ１０の自重により、半田ボール１２が潰れる虞れがあった。半田ボール１２が潰れると、他の半田ボール１２に到達し、ブリッジを形成し、主制御基板１１上の回路をショートさせる虞れがあった。しかし、図８（ｆ）に示したように、ダミー半田１００及びダミー半田固定用パッド１９を形成することで、リフロー炉で半田ボール１２及びクリーム半田１４を溶融する際、ＡＳＩＣ１０の自重をダミー半田１００が支えることができる。よって、半田ボール１２が潰れて、他の半田ボール１２とブリッジを形成することを防止できる。
また、本実施形態のダミー半田１００及びダミー半田固定用パッド１９は、主制御基板１１に形成された電極パッド１３の領域外、すなわち、ＡＳＩＣ１０の角部に対応する位置に形成されている。そのため、リフロー炉で半田ボール１２及びクリーム半田１４を溶融する際、ＡＳＩＣ１０の自重をＡＳＩＣ１０の角部で支えているので、ＡＳＩＣ１０が主制御基板１１に対して傾いた状態で実装されることを防ぐことができる。よって、傾いた側の半田ボール１２が、他の半田ボール１２に到達し、ブリッジを形成し易くなることも防止できる。また、上述したように、ＡＳＩＣ１０の角部は絶縁材１５で覆われている。そのため、半田ボール１２が形成されていないＡＳＩＣ１０の領域と、ダミー半田１００が接触しても導通しないので、ダミー半田１００をＡＳＩＣ１０の自重を支えるためだけに使用できる。
【００４３】
更に、ダミー半田固定用パッド１９は、電極パッド１３と同じ工程で主制御基板１１に形成されている。また、上述したように、ダミー半田１００は、メタルマスク３０を主制御基板１１に載置・位置決めした後、メタルマスク３０の貫通穴１７ｃにクリーム半田１４を充填することで、形成している。よって、電極パッド１３上のクリーム半田１４と同じ工程で形成されている。これから、ダミー半田１００、ダミー半田固定用パッド１９を形成するために、従来のリフロー半田付けによる実装方法の工程に影響を与えること無く、上記の実装方法の工程と同じ工程で、ダミー半田１００を形成することができる。
以上のように、本実施形態の電子部品の実装構造によれば、複数の第１の半田部材である半田ボール１２が形成された電子部品であるＡＳＩＣ１０と、実装面の半田ボール１２と対応する所定の領域に複数の電極パッド１３が形成された主制御基板１１とを含み、主制御基板１１の実装面の複数の電極パッド１３上に複数の第２の半田部材であるクリーム半田１４をそれぞれ形成し、各半田ボール１２と各クリーム半田１４とを接続させるようにＡＳＩＣ１０を主制御基板１１に面実装している。更に、主制御基板１１の実装面の所定の領域外にダミーとして第２の半田部材であるダミー半田１００を形成し、ＡＳＩＣ１０と主制御基板１１の実装面との間に介在させている。
【００４４】
これにより、複数の半田ボール１２が形成されたＡＳＩＣ１０を主制御基板１１に実装する際に、ダミー半田１００が、ＡＳＩＣ１０の自重を支えることができる。従って、半田ボール１２が、他の半田ボール１２に到達してブリッジを形成することを有効に防止できる。
【００４５】
また、本実施形態の電子部品の実装構造によれば、ダミー半田１００の高さは、各半田ボール１２と接続させるクリーム半田１４の高さよりも高くなっている。これにより、半田ボール１２が、他の半田ボール１２に到達してブリッジを形成することを有効に防止できる。
【００４６】
また、本実施形態の電子部品の実装構造によれば、ダミー半田１００は、少なくともＡＩＳＣ１０の角部に対応する位置に形成されている。これにより、ＡＳＩＣ１０の自重を角部で支えることになるので、ＡＳＩＣ１０が主制御基板１１に対して傾いた状態で実装されることを防ぐことができる。
【００４７】
また、本実施形態の電子部品の実装構造によれば、第２の半田部材はクリーム半田１４である。これにより、従来どおりクリーム半田１４を使用したリフロー半田付けを実施できる。すなわち、従来のリフロー半田付けによる実装方法の工程に影響を与えること無く、複数の半田ボール１２が形成されたＡＳＩＣ１０を主制御基板１１に実装する際に、ＡＳＩＣ１０の自重により半田ボール１２が潰れて、他の半田ボール１２に到達してブリッジを形成することを防止できる。
【００４８】
また、本実施形態の電子部品の実装方法によれば、複数の半田ボール１２が形成されたＡＳＩＣ１０と、半田ボール１２と対応する主制御基板１１の実装面の所定の領域に形成された複数の電極パッド１３と、電極パッド１３上に形成された複数のクリーム半田１４と、を半田付けしている。更に、主制御基板１１の実装面の所定の領域外にダミー半田１００を形成するメタルマスク３０を主制御基板１１に載置・位置決めする工程と、メタルマスク３０越しに複数の電極パッド１３にクリーム半田１４を形成する工程と、メタルマスク３０を取り外す工程と、主制御基板１１の所定の場所にＡＳＩＣ１０を載置する工程と、電極パッド１３に形成されたクリーム半田１４及びＡＳＩＣ１０に形成された半田ボール１２をリフロー半田付けする工程と、を有している。
【００４９】
これにより、メタルマスク３０以外、従来のリフロー半田付けによる実装方法と変更点が無いので、上記の実装方法の工程に与える影響を最小にすることができる。また、主制御基板１１の実装面の所定の領域外に対応するメタルマスク３０の位置に貫通穴１７ｃを形成しさえすれば、所定の領域外にダミー半田１００を形成することができる。以上より、従来のリフロー半田付けによる実装方法の工程に影響を与えること無く、複数の半田ボール１２が形成されたＡＳＩＣ１０を主制御基板１１に実装する際に、ＡＳＩＣ１０の自重により半田ボール１２が潰れて、他の半田ボール１２に到達してブリッジを形成することを防止できる。
【００５０】
また、本実施形態のメタルマスクによれば、複数の半田ボール１２が形成されたＡＳＩＣ１０を、実装面の半田ボール１２と対応する所定の領域に複数の電極パッド１３が形成された主制御基板１１に面実装する工程で、複数の電極パッド１３以外の領域を、クリーム半田１４から防護している。更に、複数の電極パッド１３に対応する位置に形成された貫通穴１７ａと、少なくとも主制御基板１１の実装面の所定の領域外に対応する位置に形成された貫通穴１７ｃとを有し、貫通穴１７ｃの穴径は、貫通穴１７ａの穴径よりも大きくしている。
【００５１】
これにより、貫通穴１７ｃの穴径を貫通穴１７ａの穴径よりも大きくすることで、ダミー半田１００の量を、複数の電極パッド１３上に形成されるクリーム半田１４の量より多くすることができる。よって、上記ダミー半田１００の高さを、各半田ボール１２と接続させるクリーム半田１４の高さよりも高くすることができる。
【００５２】
また、本実施形態のメタルマスクによれば、複数の半田ボール１２が形成されたＡＳＩＣ１０を、実装面の半田ボール１２と対応する所定の領域に複数の電極パッド１３が形成された主制御基板１１に面実装する工程で、複数の電極パッド１３以外の領域を、クリーム半田１４から防護している。更に、少なくとも複数の電極パッド１３の角部１３ｂに対応する位置に形成された貫通穴１７ｂと、貫通穴１７ｂ以外の電極パッド１３に対応する位置に形成された貫通穴１７ａと、を有し、貫通穴１７ｂの穴径は、貫通穴１７ａの穴径よりも大きくしている。
【００５３】
これにより、貫通穴１７ｂの穴径を貫通穴１７ａの穴径よりも大きくすることで、電極パッド１３ｂに形成するクリーム半田１４の量を、電極パッド１３ａに形成するクリーム半田１４の量より、多くすることができる。よって、電極パッド１３ｂに形成されたクリーム半田１４と、半田ボール１２とが引き剥がされる方向に応力が加わっても、クリーム半田１４の量を多くすることで、電極パッド１３とＡＳＩＣ１０の半田ボール１２との上記接触不良を防止することができる。
【００５４】
なお、本発明の範囲は上述した実施形態に限られず、特許請求の範囲の記載に反しない限り、他の様々な実施形態に適用可能である。例えば、本発明の実施形態では、主制御基板１１にＡＳＩＣ１０を、リフロー半田付けで実装しているが、特にこれに限定されるものでなく、他の半田付けで実装しても良い。
【００５５】
また、本実施形態では、半田ボール１２と電極パッド１３をクリーム半田１４を介して、導通させているが、特にこれに限定されるものでなく、他の半田を使用しても良い。また、半田でなくても、導通できれば適用可能である。同様に、ダミー半田１００として、クリーム半田１４を使用しているが、特にこれに限定されるものでなく、何れの半田でも適用可能である。
【００５６】
また、本実施形態では、ダミー半田１００をＡＳＩＣ１０の角部、４箇所に形成しているが、特にこれに限定されるものでなく、ＡＳＩＣ１０を支えることができれば、他の場所にあっても良い。
【００５７】
また、本実施形態では、メタルマスク３０の貫通穴１７ｂの穴径を貫通穴１７ａの穴径よりも大きくしているが、特にこれに限定されるものでなく、同じにしても良い。しかし、貫通穴１７ｂの穴径を貫通穴１７ａの穴径よりも大きくした方が、電極パッド１３とＡＳＩＣ１０の半田ボール１２との接触不良を防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
ＡＳＩＣ等のように半田ボールを有する電子部品と、主制御基板の実装面との間にダミーのクリーム半田を介在させて、電子部品を実装した主制御基板等を備える記録装置等であれば、例えば、プリンタ、ファクシミリ装置、コピー装置等であっても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態に係る記録装置の外観を示す斜視図である。
【図２】記録装置に内蔵された主制御基板と電源基板及びその周辺付近を示す斜視図である。
【図３】図２に示す主制御基板のＡＳＩＣ周辺の拡大平面図である。
【図４】図２に示す主制御基板のＡＳＩＣ周辺の拡大正面図である。
【図５】図２に示すＡＳＩＣを実装する前のＡＳＩＣの半田ボールの配置を表す裏面図である。
【図６】図３に示すＡＳＩＣを実装する前の主制御基板のＡＳＩＣ周辺の拡大平面図である。
【図７】図６に示す主制御基板にＡＳＩＣを実装する工程を示す矢視ＡＡにおける断面図である。
【図８】図７に続く断面図である。
【図９】図７に示すメタルマスクの平面図である。
【図１０】図９に示すメタルマスクの矢視ＢＢにおける断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  記録装置、２  上部カバー、３  上部ハウジング、４  下部ハウジング、
５  挿入口、８  被記録物、９  電源基板、
１０  ＡＳＩＣ、１１  主制御基板、１２  半田ボール、
１３、１３ａ、１３ｂ  電極パッド、１４  クリーム半田、１５  絶縁材、
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ  貫通穴、
１８  スキージ、１９  ダミー半田固定用パッド、
３０  メタルマスク、
４１  コネクタ領域、４２  パワー系部品実装領域、４３  ロジック系部品実装領域、
４４  インターフェイス部、５１  １次側部品群、
１００  ダミー半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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