(57)【要約】【課題】  排ガス処理が充分になし得、しかも稼働率も高い排ガス処理システムを提供する。【解決手段】  本発明の排ガス処理システムＳは、半導体製造工程から排出されるクリーニングガス、プロセスガスなどの排ガスを処理する排ガス処理システムＳであって、プロセスガス中の粉体を除去する１次処理ユニット１と、１次処理ユニット１からの排ガスを加熱・分解する２次処理ユニット２とを備え、前記２次処理ユニット２が、クリーニングガスを電磁誘導加熱で加熱・加水分解する第１の処理部２１と、プロセスガスを電磁誘導加熱の余熱で加熱・分解する第２の処理部２３とを有する加熱分解炉１１を含んでなるものである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造工程から排出されるクリーニングガス、プロセスガスなどの排ガスを処理する排ガス処理システムであって、
プロセスガス中の粉体を除去する１次処理ユニットと、排ガスを加熱・分解する２次処理ユニットとを備え、
前記２次処理ユニットが、クリーニングガスを加熱・加水分解する第１の処理部と、プロセスガスを加熱・分解する第２の処理部とを有する加熱分解炉を含んでなる
ことを特徴とする排ガス処理システム。
【請求項２】
２次処理ユニットが、第１の処理部と第２の処理部とを同心円状に有し、
前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に電磁誘導加熱コイルからなる加熱部が配設されてなることを特徴とする請求項１記載の排ガス処理システム。
【請求項３】
２次処理ユニットが、第１の処理部と第２の処理部とをタンデムに有し、
前記第１の処理部が、電気抵抗加熱コイルからなる加熱部を備える上部加熱分解炉とされ、
前記第２の処理部が、電気抵抗加熱コイルからなる加熱部を備える下部加熱分解炉とされてなる
ことを特徴とする請求項１記載の排ガス処理システム。
【請求項４】
上部加熱分解炉と下部加熱分解炉とが、接合・離脱が自在とされてなることを特徴とする請求項３記載の排ガス処理システム。
【請求項５】
第１の処理部に水分を添加する水添加装置を備えてなることを特徴とする請求項１記載の排ガス処理システム。
【請求項６】
第１の処理部にバッフルが配設されてなることを特徴とする請求項１記載の排ガス処理システム。
【請求項７】
加熱分解炉が底部に分解生成物堆積防止装置を有してなることを特徴とする請求項１記載の排ガス処理システム。
【請求項８】
２次処理ユニットからの分解ガスの洗浄をなす１次ガス洗浄装置を備えてなることを特徴とする請求項１記載の排ガス処理システム。
【請求項９】
１次ガス洗浄装置により洗浄後の分解ガスの洗浄をなす２次ガス洗浄装置を備えてなることを特徴とする請求項８記載の排ガス処理システム。
【請求項１０】
２次ガス洗浄装置が、サイクロンセパレータを有するガス排気部を含むことを特徴とする請求項９記載の排ガス処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程から排出される排ガスを無害化する排ガス処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体製造工程の製膜プロセスに使用されるプロセスガス、およびドライエッチングプロセスにおいて使用されるエッチングガス、ならびにプラズマＣＶＤ装置などをクリーニングするためのクリーニングガスとして用いられている、ＰＦＣ（パー・フルオロ・カーボン；Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８）ガス、ＮＦ３ガス、およびＳＦ６などは、ＣＯ２の数千〜数万倍も高い温暖化係数を持つ上に、自然分解されるのに数千年から数万年がかかるため、その使用量を削減することについての国際的な合意がなされている。
【０００３】
しかるに、半導体を利用した製品が増大しているところから、現状ではＰＦＣガスなどの使用量はむしろ増大しているため、使用後のＰＦＣガスなどを無害化することにより対処がなされている。
【０００４】
ＰＦＣガスなどを無害化するための手法の１つとしていわゆる燃焼法が知られている。この燃焼法は、燃焼炉などを用いてＰＦＣガスなどを加熱分解させて、炭酸ガス、水などに分解するものである。
【０００５】
特許文献１には、この燃焼法の一種である電磁誘導加熱を利用してなる排ガス処理装置の一例が提案されている。
【０００６】
しかしながら、特許文献１の提案に係る排ガス処理装置は、排ガス処理が充分になし得ないばかりでなく稼働率も低いといった問題がある。
【特許文献１】特開２００２−５８９６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はかかる従来技術の課題に鑑みなされたものであって、排ガス処理が充分になし得、しかも稼働率も高い排ガス処理システムを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の排ガス処理システムは、半導体製造工程から排出されるクリーニングガス、プロセスガスなどの排ガスを処理する排ガス処理システムであって、  プロセスガス中の粉体を除去する１次処理ユニットと、排ガスを加熱・分解する２次処理ユニットとを備え、前記２次処理ユニットが、クリーニングガスを加熱・加水分解する第１の処理部と、プロセスガスを加熱・分解する第２の処理部とを有する加熱分解炉を含んでなることを特徴とする。
【０００９】
本発明の排ガス処理システムにおいては、２次処理ユニットが、第１の処理部と第２の処理部とを同心円状に有し、前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に電磁誘導加熱コイルからなる加熱部が配設されてもよい。
あるいは、２次処理ユニットが、第１の処理部と第２の処理部とをタンデムに有し、前記第１の処理部が電気抵抗加熱コイルからなる加熱部を備える上部加熱分解炉とされ、前記第２の処理部が電気抵抗加熱コイルからなる加熱部を備える下部加熱分解炉とされてもよい。その場合、上部加熱分解炉と下部加熱分解炉とが、接合・離脱が自在とされてなるのが好ましい。
【００１０】
また、本発明の排ガス処理システムにおいては、第１の処理部に水分を添加する水添加装置を備えてなるのが好ましい。
【００１１】
さらに、本発明の排ガス処理システムにおいては、第１の処理部にバッフルが配設されてなるのが好ましい。
【００１２】
さらに、本発明の排ガス処理システムにおいては、加熱分解炉が底部に分解生成物堆積防止装置を有してなるのが好ましい。
【００１３】
さらに、本発明の排ガス処理システムにおいては、２次処理ユニットからの分解ガスの洗浄をなす１次ガス洗浄装置を備えてなるのが好ましい。
【００１４】
さらに、本発明の排ガス処理システムにおいては、１次ガス洗浄装置により洗浄後の分解ガスの洗浄をなす２次ガス洗浄装置を備えてなるのが好ましい。  
【００１５】
さらに、本発明の排ガス処理システムにおいては、２次ガス洗浄装置が、サイクロンセパレータを有するガス排気部を含むのが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、排ガス処理が充分になし得、しかも稼働率も高いという優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら本発明を実施形態に基づいて説明するが、本発明はかかる実施形態のみに限定されるものではない。
【００１８】
実施形態１
図１に、本発明の実施形態１に係る排ガス処理システムの概略構成を示し、図２に同システムの概略ブロック図を示す。
【００１９】
排ガス処理システムＳは、図示しないプラズマＣＶＤ装置において使用されたプロセスガス（例えば、ＳｉＨ４ガス）およびクリーニングガスとして使用されたＰＦＣガス（例えばＣ３Ｆ８ガス）を、いわゆる燃焼法により加熱・分解するものとされる。
【００２０】
排ガス処理システムＳは、具体的には、１次処理ユニット１と、２次処理ユニット２と、１次ガス洗浄装置３と、２次ガス洗浄装置４と、洗浄水貯水槽５とを主要構成要素として備えてなるものとされ、２次処理ユニット２の底部が洗浄水貯水槽５の前部上面に接続され、２次ガス洗浄装置４の底部が洗浄水貯水槽５の後部上面に接続され、１次ガス洗浄装置３が洗浄水貯水槽５の前端部に配設されている。
【００２１】
１次処理ユニット１は、２次処理ユニット２にて加熱・分解されるプロセスガスに対して、生成された副生物の粉体例えばＳｉＯ２を除去するといった内容の一次処理を実施するものとされる。１次処理ユニット１としては、例えば、特開平１１−５７３６５号公報に提案されている粉体の除去装置、特願２００４−１２６９９３号に提案されている粉体の除去装置などを用いることができる。
【００２２】
２次処理ユニット２は、クリーニングガスおよび１次処理ユニット１からのプロセスガスを加熱・分解(あるいは加熱・加水分解)するものとされ、加熱分解炉１１と、水添加装置１２と、空気供給装置１３と、冷却装置１４と、反応生成物堆積防止装置１５とを含むものとされる。
【００２３】
加熱分解炉１１は電磁誘導加熱炉として構成されており、１次処理ユニット１からクリーニングガス供給管Ｐ１を通して頂部から供給されるクリーニングガスを内部で１１００℃〜１２００℃の高温で加熱・加水分解させるクリーニングガス処理部（処理部１）２１と、クリーニングガス処理部２１を内側に囲むように配された電磁誘導コイル（加熱部）２２と、電磁誘導コイル２２を内側に囲むように配され、１次処理ユニット１からプロセスガス供給管Ｐ２を通して外周部から供給されるプロセスガスを内部で、電磁誘導コイル２２の余熱により６００℃〜８００℃の中温で加熱・分解するプロセスガス処理部（処理部２）２３とを含むものとされる。
【００２４】
クリーニングガス処理部２１は、腐食性を有する分解生成物、例えばフッ素ガスによる腐食を防止するため、アルミナからなる筒体２１ａにより画成されている。
【００２５】
クリーニングガス処理部２１内には、図３に示すように、千鳥配列とされたバッフル２４ａからなるバッフル群２４が配設され、処理ガスの充分な滞留時間が確保されている。このバッフル２４ａも腐食性を有する分解生成物、例えばフッ素ガスによる腐食を防止するために、アルミナからなるものとされている。
【００２６】
水添加装置１２は、クリーニングガス供給管Ｐ１の加熱分解炉１１との接合部の近傍に接合される水添加管１２ａを有し、この水添加管１２ａにより一次処理ユニット１からクリーニングガス処理部２１に送られ加熱・分解されるクリーニングガスに水分を与えるものとされる。そのため、クリーニングガスは、クリーニングガス処理部２１にて加熱・分解される前に水が添加され、添加された水とともに加熱・分解、つまり加熱・加水分解される。ここで、水添加装置１２は、例えばドライエアにより水を管Ｐ１内に噴霧して、クリーニングガスに添加するものとされる。
【００２７】
クリーニングガスに水分を添加するのは、次のような理由による。
【００２８】
クリーニングガス、例えばＰＦＣガス（例えばＣ３Ｆ６）は、クリーニングガス処理部２１にて加熱・分解されて、ＰＦＣガス（例えばＣ３Ｆ８）は、炭素（Ｃ）とフッ素（Ｆ）に分解される。ところが、このままでは、炭素（Ｃ）とフッ素（Ｆ）とが再び化合し、大量のＣ２Ｆ６、ＣＦ４が生じてしまう。Ｃ２Ｆ６、ＣＦ４は、極めて温暖化係数の高い物質であり、たとえＰＦＣガス（例えばＣ３Ｆ８）を高い比率で分解し得たとしてもＣ２Ｆ６、ＣＦ４の発生を許すことはＰＦＣガスを除害するという本来の目的に適うものとはいえない。
【００２９】
そこで、ＰＦＣガスを加熱・分解するに際して、予め水を添加するものとし、すなわちＰＦＣガスを加熱・加水分解するものとし、この構成によって、ＣＦ４等の発生を抑えようとするものである。すなわち、ＰＦＣガスを水（Ｈ２Ｏ）とともに加熱・加水分解することによって、水素（Ｈ）および酸素（Ｏ）が大量に供給され、フッ化水素（ＨＦ）および二酸化炭素（ＣＯ２）の生成がうながされてＣＦ４などの生成量が減少する。
【００３０】
このように、ＰＦＣガスを加熱・加水分解するものとして構成することによって、ＰＦＣガス（例えばＣ３Ｆ６）の除害率を約９５％にまで高めることができるとともに、Ｃ２Ｆ６、ＣＦ４の発生を劇的に減少させることができる。
【００３１】
また、特に分解により発生するフッ素ガスは極めて腐食性の高い物質であるために、その発生を抑えることによってクリーニングガス処理部２１の筒体２１ａなどがフッ素ガスにより腐食され損傷を受けるのを防止できるといった効果も奏する。
【００３２】
空気供給装置１３（図３参照）は、クリーニングガス処理部２１およびプロセスガス処理部２３にドライエアを供給するとともに、水添加装置１２に噴霧用エアを供給するものとされる。すなわち、エア母管１３ａによりドライエアが加熱分解炉１１近傍まで供給された後、クリーニングガス処理部用エア供給管１３ｂ、プロセスガス処理部用エア供給管１３ｃおよび噴霧用エア供給管１３ｄに分岐されて、クリーニングガス処理部２１、プロセスガス処理部２３および水添加装置１２にそれぞれドライエアを供給する。
【００３３】
クリーニングガス処理部用エア供給管１３ｂの先端は、加熱分解炉１１近傍にてクリーニングガス供給管Ｐ１に接続される。プロセスガス処理部用エア供給管１３ｃは、先端部で所要数に分岐され、各分岐管先端は加熱分解炉１１の外周にそれぞれ接続される。噴霧用エア供給管１３ｄの先端は、水添加装置１２の噴霧器１２ｂに接続される。
【００３４】
冷却装置１４は、水冷式、例えば水冷ジャケット方式により加熱分解炉１１の下部フランジ部（不図示である）を冷却するものとされる。
【００３５】
分解生成物堆積防止装置１５は、加熱分解炉１１の底部外周に配設された所要数の噴射ノズル１５ａ（図３参照）を有し、それらの噴射ノズル１５ａから水を噴射して、クリーニングガス処理部２１からのガス流路に水膜を張り、加熱・分解あるいは加熱・加水分解により生成された粉体や溶融ダスト（スメルト）を噴射水とともに洗浄水貯水槽５の前端部側に落下させるものとされる。
【００３６】
１次ガス洗浄装置３は、洗浄水貯水槽５の前端部に配設された所要数の洗浄水噴射ノズル３ａを有し、それらの噴射ノズル３ａから洗浄水を噴射して加熱分解炉１１から落下・排出された処理ガス中に含まれる粉体および微細化された溶融ダストを除去するとともに、処理ガスを冷却するものとされる。この除去された粉体および微細化された溶融ダストは、洗浄水貯水槽５に貯留される。
【００３７】
２次ガス洗浄装置４は、洗浄部３１と、ガス排気部３２と、ドレン排出部３３とを備えてなるものとされる。
【００３８】
洗浄部３１は、洗浄塔３４と、洗浄塔３４内部に配設されたミストシャワー機構３５とを備えてなるものとされる。洗浄塔３４は、ほぼ円筒体とされその底面が洗浄水貯水槽５上面にその内部を洗浄水貯水槽５内部に連通させて接続されている。
【００３９】
ミストシャワー機構３５は、シャワーノズル３５ａと、シャワーノズル３５ａの下方所定位置に配設された散水トレイ３５ｂと、シャワーノズル３５ａに給水する給水管３５ｃとを含むものとされ、シャワーノズル３５ａと散水トレイ３５ｂとの組合せが洗浄塔３４の上下方向に複数段配設されている。
【００４０】
洗浄部３１がかかる構成とされていることにより、１次ガス洗浄装置３により除去されなかった分解ガス中に粉体などが洗浄塔３４を上昇する間に、ミストシャワーおよび散水トレイ３５ｂからの散水により確実に除去されると同時に分解ガスの冷却もなされる。また、洗浄後の洗浄水は、洗浄水貯水槽５後部に落下して貯留される。
【００４１】
ガス排気部３２は、サイクロンセパレータ３６と、サイクロンセパレータ３６により分解ガス中から分離された粉体含有のドレンをドレン排出部３３に排出するドレン配管３７と、ガス排気管３８とを含むものとされる。
【００４２】
サイクロンセパレータ３６は、洗浄塔３４頂部に一体化させて配設され、その適宜位置に洗浄塔３４を上昇して来る分解ガスを吸入する吸入口が設けられ、底部中央にドレン配管３７が設けられている。ドレン配管３７下端はドレン排出部３３に接合されている。ドレン排出部３３の下端は洗浄水貯水槽５内部まで延伸・降下させられている。
【００４３】
洗浄水貯水槽５は、後端部に底部に開口が設けられた仕切板４２により仕切られてオーバーフロー式の排水部４１が形成されている。また、前述したように、前端には１次ガス洗浄装置３が設けられ、前部上面には２次処理ユニット２が接続され、後部上面に２次ガス洗浄装置４を構成している洗浄塔３４が接続されている。
【００４４】
また、洗浄水貯水槽５は洗浄水循環機構４３を備え、貯留されている洗浄水の一部が循環させられている。この洗浄水循環機構４３を構成している循環配管の一部は分岐され、この分岐管は反応生成物堆積防止機構１５に接続されて同防止機構１５に噴射水を供給している。なお、図中、符号４４は循環ポンプを示す。
【００４５】
実施形態２
本発明の実施形態２の２次処理ユニットの概略図を図４に示す。実施形態２は、実施形態１を改変してなるものであって、加熱分解炉をクリーニングガス処理部２１およびプロセスガス処理部２３を同軸２重構造有する加熱分解炉１１に代えて、図４に示すように、クリーニングガス処理部２１およびプロセスガス処理部２３を上下に有するタンデム構造の加熱分解炉６０としてなるものとされる。すなわち、実施形態１の加熱分解炉１１がクリーニングガスおよびプロセスガスの処理を並列に行うのに対して、実施形態２の加熱分解炉６０はクリーニングガスおよびプロセスガスの処理を交互に行う。なお、実施形態２のその余の構成は実施形態１と同様とされている。
【００４６】
加熱分解炉６０はタンデムに配列された電気抵抗加熱炉とされた上部加熱分解炉６１および下部加熱分解炉６２と、処理ガス排出部６３とからなるものとされる。
【００４７】
上部加熱分解炉６１は、炉本体７１と上部接続部７２と下部接続部７３とを含むものとされ、上部接続部７２がクリーニングガス供給管Ｐ１の先端部に設けられた接続部Ｐ１ａと接続され、下部接続部７３が下部加熱分解炉６２の上部接続部８２と接続される。
【００４８】
炉本体７１は、アルミナからなる内筒７１ａと、内筒７１ａの外側に配設された電気抵抗加熱コイルからなる加熱部７１ｂと、加熱部７１ｂの外側に配設された断熱層７１ｃと、断熱層７１ｃの外側に配設された外筒７１ｄと、内筒７１ａなどを挟持状に保持する上部端板７１ｅおよび下部端板７１ｆとを含むものとされ、上部端板７１ｅおよび下部端板７１ｆが内筒７１ａなどを挟持した状態で、図４に示すようにボルト・ナット留めされる。また、上部端板７１ｅおよび下部端板７１ｆの内筒７１ａに対応した箇所には、内筒７１ａと同径とされた透孔７１ｇが形成されている。
【００４９】
内筒７１ａ内部には、明瞭には図示はされていないが、図３に示すと同様に構成されたバッフル群が配設されている。
【００５０】
加熱部７１ｂは、クリーニングガスを１１００℃〜１２００℃の高温で分解できるようその出力が調整されている。
【００５１】
上部接続部７２は、上フランジ７２ａと、上フランジ７２ａと上部端板７１ｅとを接続する接続管７２ｂとを含むものとされ、上フランジ７２ａがクリーニングガスの先端部に設けられた接続部Ｐ１ａの相フランジＰ１ｂと接続される。この接続は、接合・離脱を容易とするため、例えばクリップ留めにて接続される。また、接続管７２ｂは上部端板７１ｅに設けられた透孔７１ｇを介して内筒７１ａと連通される。
【００５２】
下部接続部７３は、下フランジ７３ａと、下フランジ７３ａと下部端板７１ｆとを接続する接続管７３ｂとを含むものとされ、下フランジ７３ａが下部加熱分解炉６２の上フランジ８２ａに接続される。この接続は、接合・離脱を容易とするため、例えばクリップ留めにて接続される。また、下フランジ７３ａは明瞭には図示はされていないが、下フランジ７３ａに設けられた水冷ジャケットにより水冷されている。接続管７３ｂは下部端板７１ｆに設けられた透孔７１ｇを介して内筒７１ａと連通される。図中、符号７４および７５は冷却水の入口および出口をそれぞれ示す。
【００５３】
下部加熱分解炉６２は、炉本体８１と上部接続部８２と下部接続部８３とを含むものとされ、上部接続部８２が前述したように上部加熱分解炉６１の下フランジ７３ａと接続され、下部接続部８３の下フランジ８３ａが処理ガス排出部６３の上フランジ６３ａと接続される。
【００５４】
炉本体８１は、アルミナからなる内筒８１ａと、内筒８１ａの外側に配設された電気抵抗加熱コイルからなる加熱部８１ｂと、加熱部８１ｂの外側に配設された断熱層８１ｃと、断熱層８１ｃの外側に配設された外筒８１ｄと、内筒８１ａなどを挟持状に保持する上部端板８１ｅおよび下部端板８１ｆとを含むものとされ、上部端板８１ｅおよび下部端板８１ｆが内筒８１ａなどを挟持した状態で、図４に示すようにボルト・ナット留めされる。また、上部端板８１ｅおよび下部端板８１ｆの内筒８１ａに対応した箇所には、内筒８１ａと同径とされた透孔８１ｇが形成されている。
【００５５】
加熱部８１ｂは、プロセスガスを６００℃〜８００℃の中温で分解できるようその出力が調整されている。
【００５６】
上部接続部８２は、上フランジ８２ａと、上フランジ８２ａと上部端板８１ｅとを接続する接続管８２ｂとを含むものとされ、上フランジ８２ａが前述したように上部加熱分解炉６１の下フランジ７３ａと接続される。この接続は、接合・離脱を容易とするため、例えばクリップ留めにて接続される。また、接続管８２ｂは上部端板８１ｅに設けられた透孔８１ｇを介して内筒８１ａと連通されるとともに、その途中からプロセスガス供給管Ｐ２と接続される分岐管８２ｃが分岐形成されている。分岐管８２ｃの先端にはプロセスガス供給管Ｐ２との接続のためのフランジ８２ｄが設けられている。
【００５７】
下部接続部８３は、下フランジ８３ａと、下フランジ８３ａと下部端板８１ｆとを接続する接続管８３ｂとを含むものとされ、下フランジ８３ａが処理ガス排出部６３の上フランジ６３ａに接続される。この接続は、接合・離脱を容易とするため、例えばクリップ留めにて接続される。また、下フランジ８３ａは明瞭には図示はされていないが、下フランジ８３ａに設けられた水冷ジャケットにより水冷されている。接続管８３ｂは下部端板８１ｆに設けられた透孔８１ｇを介して内筒８１ａと連通される。図中、符号８４および８５は冷却水の入口および出口をそれぞれ示す。
【００５８】
処理ガス排出部６３は、上フランジ６３ａと、下フランジ６３ｂと、上フランジ６３ａと下フランジ６３ｂとを接続する接続管６３ｃとを含むものとされる。上フランジ６３ａは下部加熱分解炉６２の下フランジ８３ａと接続され、下フランジ６３ｂは洗浄水貯水槽５に設けられた接続部の相フランジと接続される。また、上フランジ６３ａは明瞭には図示はされていないが、上フランジ６３に設けられた水冷ジャケットにより水冷されている。
【００５９】
接続管６３ｃは下部の口径が小さくなるようにされたレジューサ状に形成され、その内部には、反応生成物堆積防止装置１５が配設されている。
【００６０】
このように、実施形態２においては、加熱分解炉６０がタンデム構造とされてその構成が簡素化されているので、コストダウンおよびメンテナンスが容易である。例えば、上部加熱分解炉６１と下部加熱分解炉６２との点検や交換周期を異にすることができ、メンテナンス性が向上する。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は、半導体製造設備に使用されるクリーニングガス、プロセスガスなどの加熱・分解に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施形態１に係る排ガス処理システムの概略図である。
【図２】同システムの概略ブロック線図である。
【図３】同実施形態の２次処理ユニットの概略図である。
【図４】本発明の実施形態２に係る排ガス処理システムの２次処理ユニットの概略図である。
【符号の説明】
【００６３】
１          １次処理ユニット
２          ２次処理ユニット
３          １次ガス洗浄装置
４          ２次ガス洗浄装置
５          洗浄水貯水槽
１１          加熱分解炉
１２          水添加装置
１３          空気供給装置
１４          冷却装置
１５          分解生成物堆積防止装置
２１          クリーニングガス処理部（処理部１）
２２          電磁誘導コイル（コイル部）
２３          プロセスガス処理部（処理部２）
４１          排水部
４３          洗浄水循環機構
６０          加熱分解炉
６１          上部加熱分解炉
６２          下部加熱分解炉
６３          処理ガス排出部
Ｓ          排ガス処理システム
Ｐ１        クリーニングガス供給管
Ｐ２        プロセスガス供給管
【図１】
2006116367.tif 000003
【図２】
2006116367.tif 000004
【図３】
2006116367.tif 000005
【図４】
2006116367.tif 000006