(57)【要約】【課題】  ＤＲＭシステムにおいてシステムキーを共有及び生成する方法、並びにその装置を提供する。【解決手段】  第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に介在する少なくとも発光層を備える有機層と、を含み、発光層は、第１発光層及び第２発光層から形成されるが、第１発光層と第２発光層との間にエキシトンピンニング層が介在する有機電界発光素子及びその製造方法である。これにより、有機電界発光素子は、長寿名を有しうる。【選択図】図２
2006202747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する少なくとも発光層を備える有機層と、を備え、前記発光層は、第１発光層及び第２発光層から形成されるが、前記第１発光層と第２発光層との間にエキシトンピンニング層が介在することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
前記第１発光層及び前記第２発光層を形成する物質が同じである場合、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＨＯＭＯレベルが、前記発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベルより低いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記第１発光層及び前記第２発光層を形成する物質が同じである場合、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＬＵＭＯレベルが、前記発光層を形成する物質のＬＵＭＯレベルより低いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記第１発光層及び前記第２発光層を形成する物質が同じである場合、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＨＯＭＯレベルが、前記発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベルより低く、かつ、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＬＵＭＯレベルが、前記発光層を形成する物質のＬＵＭＯレベルより低いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記第１発光層及び前記第２発光層を形成する物質が異なる場合、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＨＯＭＯレベルが、前記第１発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベルと第２発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベルのいずれよりも低いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記第１発光層及び前記第２発光層を形成する物質が異なる場合、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＬＵＭＯレベルが、前記第１発光層を形成する物質のＬＵＭＯレベルと、第２発光層を形成する物質のＬＵＭＯレベルのいずれよりも低いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記第１発光層及び前記第２発光層を形成する物質が異なる場合、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＨＯＭＯレベルが、前記第１発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベルと第２発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベルのいずれよりも低く、かつ、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＬＵＭＯレベルが、前記第１発光層を形成する物質のＬＵＭＯレベルと、第２発光層を形成する物質のＬＵＭＯレベルのいずれよりも低いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記発光層が青色発光物質から形成された場合、前記エキシトンピンニング層が緑色発光物質または赤色発光物質から形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記発光層が緑色発光物質から形成された場合、前記エキシトンピンニング層が赤色発光物質から形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１０】
前記エキシトンピンニング層の厚さは、１０ｎｍないし４０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１１】
前記発光層の総厚さは、５０ｎｍないし１００ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１２】
前記エキシトンピンニング層を形成する物質は、オキサジアゾールダイマー染料（Ｂｉｓ−ＤＡＰＯＸＰ）、スピロ化合物（Ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ、Ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、トリアリールアミン化合物、ビス（スチリル）アミン（ＤＰＶＢｉ、ＤＳＡ）、Ｆｌｒｐｉｃ、ＣｚＴＴ、アントラセン、ＴＰＢ、ＰＰＣＰ、ＤＳＴ、ＴＰＡ、ＯＸＤ−４、ＢＢＯＴ、ＡＺＭ−Ｚｎ、クマリン６、Ｃ５４５Ｔ、キナクリドン、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２、Ｅｕ（テノイルトリフルオロアセトン）３  （Ｅｕ（ＴＴＡ）３）、ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン）（ＤＣＪＴＢ）、またはポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系の高分子及びその誘導体、ポリフェニレン（ＰＰＰ）系の高分子及びその誘導体、ポリチオフェン（ＰＴ）系の高分子及びその誘導体、ポリフルオレン（ＰＦ）系の高分子及びその誘導体、及びポリスピロフルオレン（ＰＳＦ）系の高分子及びその誘導体よりなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
前記発光層を形成する物質は、オキサジアゾールダイマー染料（Ｂｉｓ−ＤＡＰＯＸＰ）、スピロ化合物（Ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ、Ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、トリアリールアミン化合物、ビス（スチリル）アミン（ＤＰＶＢｉ、ＤＳＡ）、Ｆｌｒｐｉｃ、ＣｚＴＴ、アントラセン、ＴＰＢ、ＰＰＣＰ、ＤＳＴ、ＴＰＡ、ＯＸＤ−４、ＢＢＯＴ、ＡＺＭ−Ｚｎ、クマリン６、Ｃ５４５Ｔ、キナクリドン、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２、Ｅｕ（テノイルトリフルオロアセトン）３  （Ｅｕ（ＴＴＡ）３）、ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン）（ＤＣＪＴＢ）、またはポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系の高分子及びその誘導体、ポリフェニレン（ＰＰＰ）系の高分子及びその誘導体、ポリチオフェン（ＰＴ）系の高分子及びその誘導体、ポリフルオレン（ＰＦ）系の高分子及びその誘導体、及びポリスピロフルオレン（ＰＳＦ）系の高分子及びその誘導体よりなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１４】
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、正孔遮断層、電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選択された一つ以上を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１５】
基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上部に有機層を形成する工程と、
前記有機層の上部に第２電極を形成する工程と、を含み、
前記有機層の形成工程は、
第１発光層を形成する工程と、
前記第１発光層の上部にエキシトンピンニング層を形成する工程と、
前記エキシトンピンニング層の上部に第２発光層を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第１発光層の形成工程、前記エキシトンピンニング層の形成工程及び前記第２発光層の形成工程のうち、一つ以上の工程を、コーティング工程を２回以上繰り返して行うことを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記第１発光層の形成工程、前記エキシトンピンニング層の形成工程及び前記第２発光層の形成工程のうち、一つ以上の工程を、熱処理工程を伴うコーティング工程を２回以上繰り返して行うことを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記有機層の形成工程は、正孔注入層の形成工程、正孔輸送層の形成工程、電子遮断層の形成工程、電子輸送層の形成工程、及び電子注入層の形成工程よりなる群から選択された一つ以上の工程を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ）及びその製造方法に係り、より詳細には、エキシトンピンニング層（ｅｘｃｉｔｏｎ  ｐｉｎｎｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）が挿入された発光層を備えることにより、寿命特性が向上したＯＬＥＤ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤは、蛍光または燐光有機層に電流を流せば、電子及び正孔が有機層で結合しながら光が発生する現象を利用した自発光型素子であって、軽量であり、部品数が少なく、製作工程の簡単な構造を有しており、高画質及び広視野角の具現が可能である。また、動画を完壁に具現でき、高い色純度の具現が可能であり、低消費電力であり、低電圧駆動で携帯用電子機器に適した電気的特性を有している。
【０００３】
ＯＬＥＤは、発光層を形成する物質の分子量によって低分子ＯＬＥＤ（Ｓｍａｌｌ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ＯＬＥＤ：ＳＭＯＬＥＤ）と高分子ＯＬＥＤ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  ＬＥＤ：ＰＬＥＤ）とに区分できる。
【０００４】
低分子ＯＬＥＤの少なくとも発光層を備える有機層は、正孔及び電子が効率的に移動できるように、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び／または電子注入層などを更に備える複数層構造を有する場合が多い。前記層は、真空熱蒸着法、気相蒸着法またはコーティング法などを利用して形成される。
【０００５】
これに対し、高分子ＯＬＥＤは、低分子ＯＬＥＤに比べて、第１電極と第２電極との間に介在する有機層の機械的強度及び熱的安定性などが高く、駆動電圧が低く、発光高分子の多様な分子構造による多様な発光色を有するという長所を有する。このような高分子ＯＬＥＤの有機層は、発光高分子を適切な有機溶媒に溶解させた溶液をスピンキャスティング、インクジェットプリンティングなどのコーティング法を利用して形成される。
【０００６】
このようなＳＭＯＬＥＤ及びＰＬＥＤを含むＯＬＥＤは、基本的に正孔及び電子を伝達できる第１電極及び第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に介在する発光層とを備える。前記正孔及び電子が発光層で結合してエキシトンを形成するが、前記エキシトンが励起しつつ発光する。このようなエキシトンを制御することにより、ＯＬＥＤの効率及び寿命を向上させようとする研究が活発に進められている。
【０００７】
例えば、特許文献１には、エキシトンブロック層を備える有機感光電気素子が開示されている。前記特許のエキシトンブロック層は、電子輸送層または電荷輸送層へのエキシトン拡散を防止する役割を行うと開示されている。また、エキシトンブロック層は、電子輸送層または電子輸送層に隣接して配置されている。したがって、エキシトン領域は、有機感光電気素子を形成する複数の層のうち、数個の層にかけて存在する。
【０００８】
しかし、従来のＯＬＥＤとしては、満足すべき寿命特性を有するＯＬＥＤが得られないため、その改善が急務である。
【特許文献１】米国特許第６，４５１，４１５  Ｂ１号明細書（Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔら）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、前記のような従来技術の問題点を解決するために、エキシトンピンニング層が挿入された発光層を備えるＯＬＥＤ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記本発明の課題を達成するために、本発明の第１態様は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する、少なくとも発光層を備える有機層と、を備え、前記発光層は、第１発光層及び第２発光層から形成されるが、前記第１発光層と第２発光層との間にエキシトンピンニング層が介在するＯＬＥＤを提供する。
【００１１】
前記本発明の他の課題を達成するために、本発明の第２態様は、基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極上部に有機層を形成する工程と、前記有機層の上部に第２電極を形成する工程と、を含み、前記有機層の形成工程は、第１発光層を形成する工程と、前記第１発光層の上部にエキシトンピンニング層を形成する工程と、前記エキシトンピンニング層の上部に第２発光層を形成する工程と、を含むＯＬＥＤの製造方法を提供する。
【００１２】
前記ＯＬＥＤは、エキシトンピンニング層が挿入された発光層を備えるところ、寿命特性が著しく向上しうる。さらに、発光層中のエキシトンピンニング層の位置を制御することにより、ＯＬＥＤの寿命を制御することも可能である。
【発明の効果】
【００１３】
前記のような本発明に係るＯＬＥＤは、発光層間にエキシトンピンニング層が挿入されているところ、発光層で正孔及び電子の結合により発生したエキシトンの励起が更に効果的に行われうるため、ＯＬＥＤの寿命を向上させうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を説明することにより本発明を詳細に説明する。
【００１５】
本発明に係るＯＬＥＤは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する少なくとも発光層を備える有機層を有し、前記発光層は、第１発光層及び第２発光層から形成されるが、前記第１発光層と第２発光層との間にエキシトンピンニング層が介在している。
【００１６】
前記エキシトンピンニング層は、正孔及び電子が結合して形成されたエキシトン密度が非常に高い再結合領域を発光層内でピンニングする役割を行う。したがって、発光層のうち、エキシトン密度の高い領域で発光が行われるため、低い電流でも高い発光効率が得られる。また、前記のようなエキシトンピンニング層による高い効率の発光により、発光に加わらない剰余電流が減少するため、前記剰余電流による発光層の熱的損傷が最小化される。さらに、発光層内部のエキシトンピンニング層で発光が行われるため、相対的に電極付近へのエキシトン移動が減少して、電極付近で発生するエキシトン消滅効果も減少する。このようなメカニズムによってＯＬＥＤの寿命特性が向上しうる。さらに、前記メカニズムによれば、発光層のうち、エキシトンピンニング層の位置を調節することにより、ＯＬＥＤの寿命を制御することも可能である。
【００１７】
このため、エキシトンピンニング層を形成する物質は、発光層を形成する物質のＨＯＭＯ（ｔｈｅ  Ｈｉｇｈｅｓｔ  Ｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）レベル及び／またはＬＵＭＯ（ｔｈｅ  Ｌｏｗｅｓｔ  Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）レベルより低いＨＯＭＯレベル及び／またはＬＵＭＯレベルを有する物質から選択せねばならない。これにより、発光層内にＨＯＭＯレベル及び／またはＬＵＭＯレベルが隣接領域に比べて低い領域（すなわち、エキシトンピンニング層）が存在する。
【００１８】
前記エキシトンピンニング層が挿入された発光層を備える有機層のエネルギーバンドダイアグラムは、図１を参照する。
【００１９】
図１は、正孔注入層１１、正孔輸送層１３、第１発光層１５ａ、エキシトンピンニング層１７及び第２発光層１５ｂが順に積層された構造を有する有機層のエネルギーバンドダイアグラムであって、各層のＨＯＭＯレベルとＬＵＭＯレベルとの差を概略的に示す図面である。
【００２０】
図１に示すように、前記第１発光層１５ａ及び第２発光層１５ｂは、互いに同じＨＯＭＯレベル及びＬＵＭＯレベルを有している。前記第１発光層１５ａと第２発光層１５ｂとの間に介在するエキシトンピンニング層１７のＨＯＭＯレベル及びＬＵＭＯレベルは、前記発光層のＨＯＭＯレベル及びＬＵＭＯレベルより低い。したがって、正孔注入層１１及び正孔輸送層１３を経て第１発光層１５ａに到達した正孔と、電子注入層（便宜上、図１に図示せず）から第２発光層１５ｂに到達した電子とが互いに結合して形成されたエキシトンは、前記エキシトンピンニング層でピンニングされてエキシトン密度を向上させる。これは、本発明に係るエキシトンピンニング層を形成物質のＨＯＭＯレベル及び／またはＬＵＭＯレベルが、図１に示すように、エキシトンピンニング層と隣接した第１発光層及び第２発光層を形成物質のＨＯＭＯレベル及び／またはＬＵＭＯレベルより低いために可能である。
【００２１】
一方、本発明に係るＯＬＥＤのエキシトンピンニング層及び発光層を説明する際に、“第１発光層”と“第２発光層”という用語は、エキシトンピンニング層が発光層の間に挿入されることにより二つの部分に区分された発光層のそれぞれを示すために導入した用語である。“第１発光層”は、本発明に係る発光層のうち、第１電極とエキシトンピンニング層との間に備えられた発光層領域を示すものであり、“第２発光層”は、本発明に係る発光層のうち、第２電極とエキシトンピンニング層との間に備えられた発光層領域を示すものである。
【００２２】
前記第１発光層及び前記第２発光層を形成する物質は、互いに同じでありうる。これは、第１発光層及びエキシトンピンニング層の形成後、前記第１発光層を形成する物質と同じ物質を利用して第２発光層を形成する場合である。このとき、エキシトンピンニング層を形成する物質のＨＯＭＯレベル、ＬＵＭＯレベルまたはその両方は、発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベル、ＬＵＭＯレベルまたはその両方より低くてもよい。
【００２３】
より具体的に、前記第１発光層及び第２発光層を形成する物質が同じである場合、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＨＯＭＯレベルは、前記発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベルより低くてもよい。または、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＬＵＭＯレベルは、前記発光層を形成する物質のＬＵＭＯレベルより低くてもよい。一方、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＨＯＭＯレベル及びＬＵＭＯレベルは、前記発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベル及びＬＵＭＯレベルより低くてもよい。
【００２４】
これとは別に、前記第１発光層及び第２発光層を形成する物質は、互いに異なり得る。すなわち、第１発光層及びエキシトンピンニング層を形成した後、第２発光層を、第１発光層を形成する物質と異なる物質から形成できる。第１発光層及び第２発光層を形成する物質は、エキシトンピンニング層を備える発光層の全体エネルギーバンドギャップ調節、カラーチューニングなどのために互いに異なり得るためである。このとき、本発明に係るエキシトンピンニング層を形成する物質のＨＯＭＯレベル、ＬＵＭＯレベルまたはその両方も、前記第１発光層及び前記第２発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベル、ＬＵＭＯレベルまたはその両方より低くなければならない。
【００２５】
より具体的に、前記第１発光層及び第２発光層を形成する物質が互いに異なる場合、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＨＯＭＯレベルは、前記第１発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベル及び第２発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベルより低くてもよい。また、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＬＵＭＯレベルは、前記第１発光層を形成する物質のＬＵＭＯレベル及び第２発光層を形成する物質のＬＵＭＯレベルより低くてもよい。一方、前記エキシトンピンニング層を形成する物質のＨＯＭＯレベル及びＬＵＭＯレベルが、前記第１発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベル及びＬＵＭＯレベルと、前記第２発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベル及びＬＵＭＯレベルとより何れも低くてもよい。
【００２６】
このようなエキシトンピンニング層及び発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベルとＬＵＭＯレベルとの差を考慮して、前記発光層及びエキシトンピンニング層を形成する物質を同じカラーを出す物質から構成するか、または前記一カラーを出す物質から構成できる。例えば、前記発光層が青色発光物質から形成された場合、エキシトンピンニング層は、前記発光層の青色発光物質のＨＯＭＯレベル及び／またはＬＵＭＯレベルより低いＨＯＭＯレベル及び／またはＬＵＭＯレベルを有する青色発光物質から形成されうる。これは、発光層が赤色発光物質または緑色発光物質から形成された場合にも同じく適用される。または、前記発光層が青色発光物質から形成された場合、前記エキシトンピンニング層は、緑色発光物質または赤色発光物質から形成され、前記発光層が緑色発光物質から形成された場合、前記エキシトンピンニング層は、赤色発光物質から形成されうる。これは、一般的に、青色発光物質、緑色発光物質、赤色発光物質が前記順にＨＯＭＯレベル及び／またはＬＵＭＯレベルが低くなるという点を利用することによる。
【００２７】
前記エキシトンピンニング層の厚さは、エキシトンピンニング層を形成する物質によって異なるが、１０ｎｍないし４０ｎｍが好ましい。これは、エキシトンピンニング層の厚さが１０ｎｍ未満である場合、満足すべき程度のエキシトンピンニング効果が得られないという問題点があり、一方、エキシトンピンニング層の厚さが４０ｎｍを超える場合には、エキシトンをピンニングするよりは発光層内に閉じこめて、発光層から放出される光のカラーが所望のカラーとは異なるという問題点があるためである。
【００２８】
前記発光層の総厚さ、即ち、第１発光層の厚さと第２発光層の厚さとの和は、発光層を形成する物質によって異なり、発光層の総厚さは、ピンニング層を考慮して最適化されねばならない。好ましくは、前記発光層の総厚さは、５０ｎｍないし１００ｎｍである。前記発光層の総厚さが１００ｎｍを超える場合、効率減少による寿命減少が予想されうる。
【００２９】
前記エキシトンピンニング層を形成する物質は、発光層を形成する物質のＨＯＭＯレベル、ＬＵＭＯレベルまたはその両方と前記のような関係を満足させうる物質であれば、特別な制限はない。例えば、前記エキシトンピンニング層を形成する物質は、オキサジアゾールダイマー染料（Ｂｉｓ−ＤＡＰＯＸＰ）、スピロ化合物（Ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ、Ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、トリアリールアミン化合物、ビス（スチリル）アミン（ＤＰＶＢｉ、ＤＳＡ）、Ｆｌｒｐｉｃ、ＣｚＴＴ、アントラセン、ＴＰＢ、ＰＰＣＰ、ＤＳＴ、ＴＰＡ、ＯＸＤ−４、ＢＢＯＴ、またはＡＺＭ−Ｚｎなど（以上、青色）、クマリン６、Ｃ５４５Ｔ、キナクリドン、またはＩｒ（ｐｐｙ）３など（以上、緑色）、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２、Ｅｕ（テノイルトリフルオロアセトン）３  （Ｅｕ（ＴＴＡ）３、またはブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン）（ＤＣＪＴＢ）など（以上、赤色）を使用できる。また、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系の高分子及びその誘導体、ポリフェニレン（ＰＰＰ）系の高分子及びその誘導体、ポリチオフェン（ＰＴ）系の高分子及びその誘導体、ポリフルオレン（ＰＦ）系の高分子及びその誘導体、及びポリスピロフルオレン（ＰＳＦ）系の高分子及びその誘導体から形成された群から選択された一つ以上でありうる。この中でも特に、ポリフルオレン（ＰＦ）系列が好ましい。
【００３０】
前記発光層を形成する物質としては、発光層を形成する物質として使用されうる一般的な物質を使用できる。しかし、この中で、前記のようにエキシトンピンニング層とＨＯＭＯレベル及び／またはＬＵＭＯレベルとを満足させうる物質を選択せねばならないということは言うまでもない。例えば、前記発光層を形成する物質は、オキサジアゾールダイマー染料（Ｂｉｓ−ＤＡＰＯＸＰ）、スピロ化合物（Ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ、Ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、トリアリールアミン化合物、ビス（スチリル）アミン（ＤＰＶＢｉ、ＤＳＡ）、Ｆｌｒｐｉｃ、ＣｚＴＴ、アントラセン、ＴＰＢ、ＰＰＣＰ、ＤＳＴ、ＴＰＡ、ＯＸＤ−４、ＢＢＯＴ、またはＡＺＭ−Ｚｎなど（以上、青色）、クマリン６、Ｃ５４５Ｔ、キナクリドン、またはＩｒ（ｐｐｙ）３など（以上、緑色）、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２、Ｅｕ（テノイルトリフルオロアセトン）３  （Ｅｕ（ＴＴＡ）３、またはブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン）（ＤＣＪＴＢ）など（以上、赤色）を使用できる。または、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系の高分子及びその誘導体、ポリフェニレン（ＰＰＰ）系の高分子及びその誘導体、ポリチオフェン（ＰＴ）系の高分子及びその誘導体、ポリフルオレン（ＰＦ）系の高分子及びその誘導体、及びポリスピロフルオレン（ＰＳＦ）系の高分子及びその誘導体から形成された群から選択された一つ以上でありうる。
【００３１】
前記エキシトンピンニング層または発光層を形成する物質であるポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系の高分子及びその誘導体、ポリフェニレン（ＰＰＰ）系の高分子及びその誘導体、ポリチオフェン（ＰＴ）系の高分子及びその誘導体、ポリフルオレン（ＰＦ）系の高分子及びその誘導体、及びポリスピロフルオレン（ＰＳＦ）系の高分子及びその誘導体の非制限的な例としては、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）、電子親和力の大きい置換体であるシアノ基（−ＣＮ）を導入したＣＮ−ＰＰＶ、ＰＰＶの共役の長さを均一に調節したＣＮＭＢＣ（ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ−ｎｏｎｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ  ｍｕｌｔｉｂｌｏｃｋ  ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＡＴ（ポリ（３−アルキル−チオフェン）、９−アルキル−フルオレン系の高分子、９，９−ジアルキル−フルオレン系の高分子などがあるが、これに限定されるものではない。
【００３２】
前記本発明に係るＯＬＥＤの有機層は、エキシトンピンニング層が挿入された発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、正孔遮断層、電子輸送層及び電子注入層から形成された群から選択された一つ以上の層を更に備え得る。例えば、図１に示すように、正孔注入層、正孔輸送層、第１発光層、エキシトンピンニング層及び第２発光層を順に備え得る。または、正孔注入層、正孔輸送層、第１発光層、エキシトンピンニング層、第２発光層及び電子注入層を順に備え得る。前記正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、正孔遮断層、電子輸送層及び電子注入層について更に詳細な説明は、下記ＯＬＥＤの製造方法についての説明を参照する。
【００３３】
以下、本発明に係るＯＬＥＤの製造方法を図２に示す本発明に係るＯＬＥＤの一具現例を参照して説明するが、エキシトンピンニング層が挿入された発光層を除いた各層についての説明も加える。
【００３４】
まず、第１電極を基板上に形成する。ここで、基板としては、一般的なＯＬＥＤで使用される基板を使用する。透明性、表面平滑性、取扱い容易性及び防水性などを考慮して、ガラス基板または透明プラスチック基板を使用できる。
【００３５】
前記第１電極は、伝導性に優れた酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、Ｉｎ２Ｏ３などを利用して透明電極として形成できる。一方、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びそれらの化合物から反射層を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３から透明電極層を形成することによって反射電極として形成されるなど、多様な変形例が可能である。
【００３６】
その後、前記第１電極と接触するように真空熱蒸着法またはコーティング法を利用して選択的に正孔注入層を形成できる。前記正孔注入層を形成する物質は、特別に制限されずに、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）またはスターバースト型のアミン類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＨＩ４０６（出光社製）、溶解性を有する伝導性高分子であるＰａｎｉ／ＤＢＳＡ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）またはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート））、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ（ポリアニリン／カンファースルホン酸）またはＰＡＮＩ／ＰＳＳ（（ポリアニリン）／ポリ（４−スチレンスルホネート））などを使用できる。
【００３７】
【化１】
2006202747.tif 000003
【００３８】
【化２】
2006202747.tif 000004
【００３９】
この中で、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは、空気中１００℃で１０００時間放置しても、伝導性に変化のない非常に安定した物質である。特に、前記正孔注入層をＰＥＤＯＴ／ＰＳＳから形成する場合、水またはアルコール溶媒などに前記物質を溶解させて、これをスピンコーティングすることにより形成できる。
【００４０】
前記正孔注入層の厚さは、５ｎｍないし１００ｎｍであり、好ましくは、５ｎｍないし７０ｎｍでありうる。前記正孔注入層の厚さが５ｎｍ未満である場合、薄すぎて正孔注入が良好に行われないという問題点があり、一方、前記正孔注入層の厚さが１００ｎｍを超える場合、光の透過度が低下しうる。
【００４１】
次いで、前記第１電極または前記正孔注入層に接触するように、真空熱蒸着法またはコーティング法を利用して正孔輸送層を形成する。例えば、正孔輸送層を形成する物質を多様な有機溶媒に溶解させて、これをスピンコーティングすることにより正孔輸送層を形成できる。前記有機溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、またはテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などが使用され、これは、当業者に容易に選択されうる。
【００４２】
前記正孔輸送層を形成する物質は特に制限されないが、例えば、正孔輸送の役割を行うカルバゾール基及び／またはアリールアミン基を有する化合物、フタロシアニン系の化合物及びトリフェニレン誘導体よりなる群から選択された一つ以上を含む物質から形成されうる。より具体的に、前記正孔輸送層は、１，３，５−トリカルバゾリルベンゼン、４，４’−ビスカルバゾリルビフェニル、ポリビニルカルバゾール、ｍ−ビスカルバゾリルフェニル、４，４’−ビスカルバゾリル−２，２’−ジメチルビフェニル、４，４’，４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン、１，３，５−トリ（２−カルバゾリルフェニル）ベンゼン、１，３，５−トリス（２−カルバゾリル−５−メトキシフェニル）ベンゼン、ビス（４−カルバゾリルフェニル）シラン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＮＰＢ）、ＩＤＥ３２０（出光社）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−Ｎ−（４−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）（ＴＦＢ）及びポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ−フェニル−１，４−フェニレンジアミン（ＰＦＢ）及びポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ−（４−ブチルフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ−フェニルベンジジン）（ＢＦＥ）よりなる群から化合物のうち、一つ以上から形成されうるが、これに限定されるものではない。
【００４３】
【化３】
2006202747.tif 000005
【００４４】
前記正孔輸送層は、１ｎｍないし１００ｎｍであり、好ましくは、５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有しうる。この中で、５ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有することが特に好ましい。前記正孔輸送層の厚さが１ｎｍ未満である場合、薄すぎて正孔輸送能力が低下し、一方、前記正孔輸送層の厚さが１００ｎｍを超える場合、駆動電圧が上昇しうるという問題点があるためである。
【００４５】
その後、前記第１電極、前記正孔注入層または前記正孔輸送層に接触するように、前記エキシトンピンニング層が挿入された発光層を形成する。エキシトンピンニング層及び発光層を形成する物質、層厚さなどは、前記のものを参照する。
【００４６】
エキシトンピンニング層が挿入された発光層は、真空熱蒸着法またはコーティング法などを利用して形成できる。前記コーティング法は、例えば、スピンコーティング法、ディップコーティング法、スプレーコーティング法及びロールコーティング法などであるが、これに限定されるものではない。
【００４７】
前記エキシトンピンニング層が挿入された発光層の形成方法の一具現例として、コーティング工程を２回以上繰り返し得る。好ましくは、前記コーティング工程は、２回以上、より好ましくは、２回、３回または４回繰り返し得る。このとき、複数の発光層のコーティング工程の間に、エキシトンピンニング層のコーティング工程を含みうる。前記エキシトンピンニング層のコーティング工程も２回以上繰り返し得る。これにより、発光層及びエキシトンピンニング層に存在できるピンホールのような欠陥を減らし得る。以下、発光層のコーティング工程を４回繰り返すコーティング工程を例として挙げて、エキシトンピンニング層が挿入された発光層の形成方法を説明する。
【００４８】
まず、発光層を形成する物質と有機溶媒との混合物を準備する。このとき、前記有機溶媒としては、トルエン、またはキシレンなどを利用できる。前記混合物のうち、発光層を形成する物質の濃度は、混合物の質量を基準とし、０．１ｗｔ％ないし１ｗｔ％であり、好ましくは、０．４ｗｔ％ないし０．５ｗｔ％でありうる。前記発光層を形成する物質の濃度が０．１ｗｔ％未満である場合、発光層を所定の厚さに形成するのに不十分であるという問題点が発生し、一方、前記発光層を形成する物質の濃度が１ｗｔ％を超える場合、コーティング膜の表面特性（例えば、表面粗度）が不良であるか、反復コーティングが難しいという問題点が発生しうるためである。エキシトンピンニング層を形成する物質と有機溶媒との混合物も、前記濃度によって準備する。
【００４９】
次いで、前記第１電極、前記正孔注入層または正孔輸送層の上部に前記発光層を形成する物質と有機溶媒との混合物をコーティングして、第１コーティング層を形成した後、前記第１コーティング層の上部にエキシトンピンニング層を形成する物質と有機溶媒との混合物をコーティングし、その上部に前記発光層を形成する物質と有機溶媒との混合物をコーティングして、第２コーティング層を形成する。前記第２コーティング層の形成方法を繰り返し、第２コーティング層の上部に第３コーティング層、第３コーティング層の上部に第４コーティング層を形成した後、有機溶媒を除去するために最終熱処理を行う。
【００５０】
前記反復コーティング工程中、エキシトンピンニング層を形成する物質と有機溶媒との混合物のうち、有機溶媒は、第１コーティング層の一部以上を溶解させ、これは、第２コーティング層、第３コーティング層及び第４コーティング層の形成時にも同じく発生する現象である。これにより、発光層及びエキシトンピンニング層には、コーティング法で発生しうるピンホールなどがほとんど発生しない。前記有機溶媒の除去のための最終熱処理工程を経れば、前記発光層及びエキシトンピンニング層が完成するが、それらは、多重層ではない単一層に観察される。
【００５１】
前記複数のコーティング工程でのコーティングの厚さは、形成しようとするエキシトンピンニング層の厚さ及び発光層の総厚さを考慮して決定されうる。
【００５２】
前記エキシトンピンニング層は、第１コーティング層の上部に形成される場合を例として挙げて説明したが、第２コーティング層、第３コーティング層または第４コーティング層の上部に形成されてもよいなど、多様な変形例が可能である。
【００５３】
前記エキシトンピンニング層が挿入された発光層の形成方法の他の具現例として、熱処理工程を含むコーティング工程を２回以上繰り返し得る。好ましくは、前記熱処理工程を含むコーティング工程を２回以上、好ましくは２回、３回または４回繰り返して行える。前記複数の発光層のコーティング工程の間に、エキシトンピンニング層のコーティング工程を含みうる。前記エキシトンピンニング層のコーティング工程も２回以上繰り返して行える。
【００５４】
前記コーティング工程は、熱処理工程を伴うところ、発光層及びエキシトンピンニング層に存在しうるピンホールのような欠陥を減らすだけでなく、発光層及びエキシトンピンニング層のそれぞれを形成する物質の配向状態を改善させ、それらの密度も向上させうる。以下、発光層のコーティング工程を４回繰り返すコーティング工程を例として挙げて説明する。
【００５５】
まず、発光層を形成する物質と有機溶媒との混合物を準備する。この時、前記有機溶媒としては、トルエン、またはキシレンなどを利用できる。前記混合物のうち、発光層を形成する物質の濃度は、混合物の質量を基準とし、０．１ｗｔ％ないし１ｗｔ％であり、好ましくは、０．４ｗｔ％ないし０．５ｗｔ％でありうる。前記発光層を形成する物質の濃度が０．１ｗｔ％未満である場合、発光層を所定の厚さに形成するのに不十分であるという問題点が発生し、一方、前記発光層を形成する物質の濃度が１ｗｔ％を超える場合、コーティング膜の表面特性（例えば、表面粗度）が不良であるか、反復コーティングが難しいという問題点が発生しうるためである。エキシトンピンニング層を形成する物質と有機溶媒との混合物も前記濃度によって準備する。
【００５６】
次いで、前記第１電極、前記正孔注入層または正孔輸送層の上部に前記発光層を形成する物質と有機溶媒との混合物をコーティングして、第１コーティング層を形成した後、前記発光層を形成する物質のガラス転移温度より高く、熱分解温度より低い温度で１０分ないし６０分間熱処理して第１熱処理層を形成する。発光層を形成する物質のガラス転移温度より高い温度で熱処理する場合、前記発光層を形成する物質のチェーンモーフォロジー（ｃｈａｉｎ  ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）が変化して、前記発光層の屈折率などが向上しうるが、これにより、発光層の輝度を向上させうる。一方、熱分解温度より低い温度で熱処してこそ、発光層を形成する物質の損傷を減らし得るためである。これとは別に、前記有機溶媒の沸点（例えば、約１３０℃）よりは高く、前記発光層を形成する物質のガラス転移温度より低い温度で熱処理することも可能である。
【００５７】
次いで、前記第１熱処理層の上部に、エキシトンピンニング層を形成する物質と有機溶媒との混合物をコーティングした後、エキシトンピンニング層を形成する物質のガラス転移温度より高く、熱分解温度より低い温度で１０分ないし６０分間熱処理した後、その上部に前記発光層を形成する物質と有機溶媒との混合物をコーティングして第２コーティング層を形成し、第１コーティング層に対して行った熱処理を繰り返して第２熱処理層を形成する。前記第２コーティング層及び第２熱処理層の形成方法を繰り返して、第２熱処理層の上部に第３熱処理層、第３熱処理層の上部に第４熱処理層を形成した後、有機溶媒を除去するための最終熱処理工程を行う。
【００５８】
この時、エキシトンピンニング層を形成する物質と有機溶媒との混合物中、有機溶媒は、第１熱処理層の一部以上を溶解させ、これは、第２熱処理層、第３熱処理層及び第４熱処理層に同じく発生する現象である。これにより、発光層及びエキシトンピンニング層には、コーティング法で発生しうるピンホールなどがほとんど発生しないだけでなく、発光層を形成する物質及びエキシトンピンニング層を形成する物質の配向状態が改善され、それらの密度が向上しうる。前記有機溶媒の除去のための最終熱処理工程を経れば、前記発光層及びエキシトンピンニング層が完成される。それらは、多重層ではない単一層の形態で観察される。
【００５９】
前記各コーティング工程でのコーティングの厚さは、形成しようとするエキシトンピンニング層の厚さ及び発光層の総厚さを考慮して決定されうる。
【００６０】
前記エキシトンピンニング層は、第１熱処理層の上部に形成される場合を例として挙げて説明したが、第２熱処理層、第３熱処理層または第４熱処理層の上部に形成することも可能である。
【００６１】
前記発光層上に正孔遮断用の物質を真空蒸着、またはスピンコーティングして正孔遮断層を選択的に形成できる。このとき、使用する正孔遮断層用の物質は特に制限されないが、電子輸送能力を有しながら、発光化合物より高いイオン化ポテンシャルを有さねばならず、代表的にビス（２−メチル−８−キノラト）−（ｐ−フェニルフェノラト）−アルミニウム（Ｂａｌｑ）、バソクプロイン（ＢＣＰ）、またはトリス（Ｎ−アリールベンズイミダゾール）（ＴＰＢＩ）などが使用される。
【００６２】
正孔遮断層の厚さは、１ｎｍないし１００ｎｍであり、好ましくは、５ｎｍないし５０ｎｍであることが望ましい。正孔遮断層の厚さが１ｎｍ未満である場合には、正孔遮断特性を良好に具現できず、一方、１００ｎｍを超える場合には、駆動電圧が上昇しうるという問題点があるためである。
【００６３】
【化４】
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【００６４】
前記発光層または正孔遮断層の上部に、電子輸送物質を真空蒸着またはスピンコーティングして電子輸送層を選択的に形成する。電子輸送物質は、特に制限されないが、Ａｌｑ３、ルブレン、キノリン系の低分子及び高分子化合物、キノキサリン系の低分子及び高分子化合物など、従来公知の電子輸送材料を単独でまたは２種以上混合して使用でき、他の層が積層された２層以上であってもよい。
【００６５】
前記電子輸送層の厚さは、１ｎｍないし１００ｎｍであり、好ましくは、１０ｎｍないし５０ｎｍでありうる。前記電子輸送層の厚さが１ｎｍ未満である場合には、電子輸送能力が低下し、一方、１００ｎｍを超える場合には、駆動電圧が上昇するという問題点があるためである。
【００６６】
前記発光層、正孔遮断層または電子輸送層の上部に電子注入層を真空蒸着法またはスピンコーティング法を利用して選択的に形成できる。前記電子注入層の形成材料としては、ＢａＦ２、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＭｇＦ２、ＡｌＦ３、ＣａＦ２、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、またはＬｉｑなどの物質を利用できるが、これに限定されるものではない。
【００６７】
【化５】
2006202747.tif 000007
【００６８】
前記電子注入層の厚さは、０．１ｎｍないし３０ｎｍであり、好ましくは、１ｎｍないし１０ｎｍでありうる。この中で、２ｎｍないし６ｎｍが特に適した厚さである。前記電子注入層の厚さが０．１ｎｍ未満である場合には、効果的な電子注入層としての役割を行えず、一方、前記電子注入層の厚さが３０ｎｍを超える場合には、駆動電圧が向上したり、発光効率が低下したりする。
【００６９】
次いで、前記電子注入層の上部に第２電極用の物質を蒸着して第２電極を形成することによりＯＬＥＤが完成する。
【００７０】
前記第２電極用の物質である金属としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）、またはカルシウム（Ｃａ）−アルミニウム（Ａｌ）などを利用するか、前記例示された金属及び金属の組み合わせに限定されるものではない。この中で、カルシウム及びアルミニウムの２層から形成された第２電極は、例えば、カルシウムは、２ｎｍないし１０ｎｍの厚さを有し、アルミニウムは、１００ｎｍないし３００ｎｍの厚さを有する。
【００７１】
前記第１電極及び第２電極は、それぞれ正極及び負極としての役割を行い、もちろん、その逆も可能である。本発明に係るＯＬＥＤは、多様な形態の有機電界発光表示装置に備えられ、特に、能動マトリックス有機電界発光表示装置に備えられる場合、前記第１電極は、薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に連結されうる。
【００７２】
以上、本発明のＯＬＥＤの一具現例及びその製造方法を、図２に示すように、基板、第１電極、正孔注入層、正孔輸送層、第１発光層、エキシトンピンニング層、第２発光層、電子注入層及び第２電極を順に備えたＯＬＥＤを例として挙げたが、これに限定されるものではない。
【００７３】
以下、本発明は下記実施例を挙げて説明するが、本発明が実施例のみに限定されるものではない。
【実施例】
【００７４】
＜実施例１＞
第１電極は、コーニング１５Ω／ｃｍ２（１２００Å）ＩＴＯガラス基板を５０ｍｍｘ５０ｍｍｘ０．７ｍｍのサイズに切って、イソプロピルアルコールと純水との中で各５分間超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ（ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）、及びオゾン洗浄して使用した。
【００７５】
前記基板の上部にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｂａｙｅｒ者製の正孔注入物質）水溶液をスピンコーティングして５ｎｍの厚さの正孔注入層を形成した後、前記正孔注入層の上部に自主的に合成したＢＦＥを２０００ｒｐｍでスピンコーティングして、５０ｎｍの厚さの正孔輸送層を形成した。
【００７６】
その後、独立に合成した青色発光物質ＴＳ９とキシレンとを混合して、ＴＳ９とキシレンとの混合物を得た。このとき、前記混合物中のＴＳ９の濃度が０．４ｗｔ％になるようにした。前記ＴＳ９とキシレンとの混合物中の一部を前記正孔輸送層の上部にスピンコーティングして、２５ｎｍ厚さの第１コーティング層を形成した後、２００℃の温度で３０分間熱処理して２５ｎｍ厚さの第１熱処理層を形成した。これにより、前記正孔輸送層の上部に第１発光層を形成した。
【００７７】
次いで、ＣＯＶＩＯＮ社の赤色発光物質とキシレンとを混合して、赤色発光物質とキシレンとの混合物を得た。このとき、前記混合物中の赤色発光物質の濃度が０．４ｗｔ％になるようにした。前記混合物中の一部を前記第１発光層の上部にスピンコーティングして、３０ｎｍ厚さのコーティング層を形成した後、２００℃の温度で３０分間熱処理して、３０ｎｍ厚さのエキシトンピンニング層を形成した。
【００７８】
次いで、前記ＴＳ９とキシレンとの混合物中の一部を前記エキシトンピンニング層の上部にスピンコーティングして、２５ｎｍ厚さの第２コーティング層を形成した後、２００℃の温度で３０分間熱処理して２５ｎｍ厚さの第２熱処理層を形成した。
【００７９】
次いで、前記ＴＳ９とキシレンの混合物中一部を前記第２熱処理層の上部にスピンコーティングして、２５ｎｍ厚さの第３コーティング層を形成した後、２００℃の温度で３０分間熱処理して２５ｎｍ厚さの第３熱処理層を形成した。
【００８０】
最後に、前記ＴＳ９とキシレンとの混合物中の一部を前記第３熱処理層の上部にスピンコーティングして、２５ｎｍ厚さの第４コーティング層を形成した後、２００℃の温度で３０分間熱処理して２５ｎｍ厚さの第４熱処理層を形成して、前記第２熱処理層、第３熱処理層及び第４熱処理層から形成され、単一層の形態を有する第２発光層を前記エキシトンピンニング層の上部に形成した。これにより、エキシトンピンニング層が挿入された発光層を得た。
【００８１】
前記第２発光層の上部に電子注入層として３．１ｎｍ厚さのＢａＦ２を形成した後、第２電極としてＣａ  ２．２ｎｍ、Ａｌ  ２００ｎｍを形成して、ＯＬＥＤを製作した。これを、サンプル１と称する。
【００８２】
＜実施例２＞
実施例１において、エキシトンピンニング層を第１熱処理層の上部に形成した代わりに、第２熱処理層の上部に形成するという点を除いては、実施例１と同じ方法でＯＬＥＤを製作した。これを、サンプル２と称する。
【００８３】
＜実施例３＞
実施例１において、エキシトンピンニング層を第１熱処理層の上部に形成した代わりに、第３熱処理層の上部に形成するという点を除いては、実施例１と同じ方法でＯＬＥＤを製作した。これを、サンプル３と称する。
【００８４】
（評価例−寿命測定）
前記サンプル１、２及び３について寿命特性を評価して図３に示す。寿命特性の評価は、フォトダイオードを利用して、時間に応じて輝度を測定することにより行い、図３に、初期輝度に対応する輝度比率を示す。
【００８５】
図３によれば、エキシトンピンニング層の位置によって寿命曲線の形態が変わることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明に係る有機電界発光素子は、各種電気装置、例えば、有機電界発光表示装置またはバックライトユニットなどに有効に使用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明に係るＯＬＥＤに備えられた有機層の一具現例をなす層のＨＯＭＯレベルとＬＵＭＯレベルとの差を概略的に示すエネルギーバンドダイアグラムである。
【図２】本発明に係るＯＬＥＤの一具現例の構造を概略的に示す図面である。
【図３】本発明の一具現例に係るＯＬＥＤの寿命特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８８】
１１  正孔注入層
１３  正孔輸送層
１５ａ  第１発光層
１５ｂ  第２発光層
１７  エキシトンピンニング層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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