(57)【要約】【課題】  透過光強度の角度依存性が十分に向上し、標準直線偏光板と同等の偏光板としての性能を有する散乱型偏光板を、効率良くかつ確実に得ることが可能な散乱型偏光板の製造方法を提供すること。【解決手段】  液晶状態においてはネマチック相を有しかつガラス転移点以下の温度ではガラス状態となる液晶性高分子と、非晶性高分子とを含有する溶液を、配向規制力のある基板上に塗布する工程と、  前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記基板の配向規制力によって前記液晶性高分子を所定方向に配向させる工程と、  前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記液晶性高分子に磁場を印加し、前記液晶性高分子を前記所定方向に更に配向させる工程と、  前記所定方向に配向せしめた前記液晶性高分子を、配向状態が維持されるように冷却してガラス状態とし、前記液晶性高分子と前記非晶性高分子とからなる散乱型偏光板を得る工程と、を含むことを特徴とする散乱型偏光板の製造方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶状態においてはネマチック相を有しかつガラス転移点以下の温度ではガラス状態となる液晶性高分子と、非晶性高分子とを含有する溶液を、配向規制力のある基板上に塗布する工程と、
前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記基板の配向規制力によって前記液晶性高分子を所定方向に配向させる工程と、
前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記液晶性高分子に磁場を印加し、前記液晶性高分子を前記所定方向に更に配向させる工程と、
前記所定方向に配向せしめた前記液晶性高分子を、配向状態が維持されるように冷却してガラス状態とし、前記液晶性高分子と前記非品性高分子とからなる散乱型偏光板を得る工程と、
を含むことを特徴とする散乱型偏光板の製造方法。
【請求項２】
前記液晶性高分子に０．１〜１０テスラの磁場を印加することを特徴とする請求項１に記載の散乱型偏光板の製造方法。
【請求項３】
前記所定方向に配向せしめた前記液晶性高分子に磁場を印加しつつ、配向状態が維持されるように０．１〜１０℃／ｍｉｎの降温速度で徐冷してガラス状態とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の散乱型偏光板の製造方法。
【請求項４】
前記液晶性高分子が主鎖型ポリエステル系液晶性高分子であることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の散乱型偏光板の製造方法。
【請求項５】
前記非晶性高分子がスチレン系ランダム共重合体であることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載の散乱型偏光板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、液晶表示装置等に利用することができる散乱型偏光板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  液晶性高分子はその独自の配向構造に基づく様々な液晶相を示し、しかもこれらの液晶構造を固定化できるため、光記緑、非線形光学材料、液晶配向膜、光ファイバー、液晶表示素子用光学素子等の各種の機能性材料分野で活発な研究がなされている。このような液晶性高分子は多様な配向性を示すため、これらの分子配向を固定化して得られる材料は、屈折率、複屈折などの光学的性質においても多様な性質を示し、光の位相、偏光状態等の制御が可能となるため、光学材料として広い範囲の応用が考えられている。【０００３】  このような光学材料の中で、液晶表示装置等における視野角の拡大等に有用な光学材料として直線偏光板、円偏光板、楕円偏光板等の偏光板があり、中でも従前の吸収型偏光板に比べて光の利用効率を向上させることができる材料として、散乱型偏光板が注目されている。【０００４】  このような状況の下、例えば、特開昭６４−７７００１号公報（特許文献１）には、相分離により屈折率の異なるブラインド状の層構造を形成し、この層構造に起因した回折現象を生じさせることによって光散乱の異方性を発現せしめた異方性散乱素子が開示されている。しかしながら、この異方性散乱素子においては、散乱の異方性制御が煩雑であり、また、厚みも大きくなってしまうという、実用上の問題があった。【０００５】  また、特開平１１−２９７７２号公報（特許文献２）には、異方性を有する透明媒質中に等方性の粒子を分散させた異方性散乱素子が開示されている。しかしながら、この異方性散乱素子においても、散乱方向の制御に制限があり、光学補償が十分なものではなかった。【０００６】  さらに、特開２００４−７０３４５号公報（特許文献３）には、透光性の第一領域中に、第一領域とは異なる複屈折特性を示す第二領域が分散している異方性光散乱層と、特定の複屈折層とを含む異方性散乱素子が開示されている。しかしながら、特許文献３に記載の異方性光散乱層は実質的にポリマーフィルムの延伸により製造されており、このような異方性光散乱層であっても透過光強度の角度依存性の向上等に限界があり、標準直線偏光板と同等の偏光板としての性能を得ることは極めて困難であった。
【特許文献１】特開昭６４−７７００１号公報
【特許文献２】特開平１１−２９７７２号公報
【特許文献３】特開２００４−７０３４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】  本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、透過光強度の角度依存性が十分に向上し、標準直線偏光板と同等の偏光板としての性能を有する散乱型偏光板を、効率良くかつ確実に得ることが可能な散乱型偏光板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】  本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、液晶性高分子と非晶性高分子とを含有する溶液を配向規制力のある基板上に塗布して配向せしめた後、磁場を印加して更に配向せしめることによって上記目的が達成されることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００９】  すなわち、本発明の散乱型偏光板の製造方法は、
液晶状態においてはネマチック相を有しかつガラス転移点以下の温度ではガラス状態となる液晶性高分子と、非品性高分子とを含有する溶液を、配向規制力のある基板上に塗布する工程と、
前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記基板の配向規制力によって前記液晶性高分子を所定方向に配向させる工程と、
前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記液晶性高分子に磁場を印加し、前記液晶性高分子を前記所定方向に更に配向させる工程と、
前記所定方向に配向せしめた前記液晶性高分子を、配向状態が維持されるように冷却してガラス状態とし、前記液晶性高分子と前記非晶性高分子とからなる散乱型偏光板を得る工程と、
を含むことを特徴とする方法である。【００１０】  上記本発明の散乱型偏光板の製造方法においては、前記液晶性高分子に０．１〜１０テスラの磁場を印加することが好ましい。【００１１】  また、前記所定方向に配向せしめた前記液晶性高分子に磁場を印加しつつ、配向状態が維持されるように０．１〜１０℃／ｍｉｎの降温速度で徐冷してガラス状態とすることが好ましい。【００１２】  さらに、本発明において用いる前記液晶性高分子としては主鎖型ポリエステル系液晶性高分子が好ましく、また、本発明において用いる前記非晶性高分子としてはスチレン系ランダム共重合体が好ましい。
【発明の効果】
【００１３】  本発明によれば、透過光強度の角度依存性が十分に向上し、標準直線偏光板と同等の偏光板としての性能を有する散乱型偏光板を、効率良くかつ確実に得ることが可能な散乱型偏光板の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】  以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。【００１５】  すなわち、本発明の散乱型偏光板の製造方法は、
液晶状態においてはネマチック相を有しかつガラス転移点以下の温度ではガラス状態となる液晶性高分子と、非晶性高分子とを含有する溶液を、配向規制力のある基板上に塗布する工程と、
前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記基板の配向規制力によって前記液晶性高分子を所定方向に配向させる工程と、
前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記液晶性高分子に磁場を印加し、前記液晶性高分子を前記所定方向に更に配向させる工程と、
前記所定方向に配向せしめた前記液晶性高分子を、配向状態が維持されるように冷却してガラス状態とし、前記液晶性高分子と前記非晶性高分子とからなる散乱型偏光板を得る工程と、
を含むことを特徴とする方法である。【００１６】  本発明において用いられる液晶性高分子は、液晶状態においてはネマチック相を有しかつガラス転移点以下の温度ではガラス状態となるものであればよく、特に制限されないが、例えばポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエステルイミド等の主鎖型液晶性高分子、あるいはポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリマロネート、ポリシロキサン等の側鎖型液晶性高分子を例示することができる。中でも屈折率の大きさ、合成の容易さ、透明性、配向性、ガラス転移点等の観点から、主鎖型ポリエステル系液晶性高分子が好ましい。【００１７】  このような主鎖型ポリエステル系液晶性高分子の構成単位としては、特に限定されないが、好適な例としては、（ａ）ジカルボン酸類より誘導される単位（以下、ジカルボン酸単位とよぶ）、（ｂ）ジオール類より誘導される単位（以下、ジオール単位とよぶ）、（ｃ）一つの単位中にカルボキシル基と水酸基を同時にもつオキシカルボン酸類より誘導される単位（以下、オキシカルボン酸単位とよぶ）等が挙げられる。このようなポリエステルの構造としては、（ａ）＋（ｂ）型、（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）型、（ｃ）単独型がある。【００１８】  （ａ）のジカルボン酸単位としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００１９】
【化１】
2006072272.tif 000002
【００２０】（Ｘは、水素、ハロゲン（塩素、臭素）、炭素数１〜４のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基等）、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プリポキシ基、ブトキシ基等）又はフェニル基を示し、ｋは０〜２の整数である。以下同様）、【００２１】
【化２】
2006072272.tif 000003
【００２２】
【化３】
2006072272.tif 000004
【００２３】（＊印は光学活性炭素を示す。以下同様）
また、（ｂ）のジオール単位としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００２４】
【化４】
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【００２５】
【化５】
2006072272.tif 000006
【００２６】  さらに、（ｃ）のオキシカルボン酸単位としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００２７】
【化６】
2006072272.tif 000007
【００２８】  また、本発明において用いる液晶性高分子は、液晶状態においてはネマチック相を有すると共に、ガラス転移点以下の温度ではガラス状態となるものである。したがって、このような液晶性高分子の配向構造を固定化する場合、一旦液晶温度においてポリマー分子を配向させ、次いで固定化のための冷却を行うが、結晶相を有する液晶性高分子の場合は一度得られた配向状態が破壊してしまう恐れがある。そのため、本発明において用いる液晶性高分子は、結晶化を抑制する構成単位を更に含んでいることが好ましく、主鎖型ポリエステル系液晶性高分子の場合はオルソ置換芳香族単位を更に含んでいることが好ましい。ここでいうオルソ置換芳香族単位とは、主鎖をなす結合を互いにオルソ位とする構造単位を意味する。このようなオルソ置換芳香族単位としては、具体的には次に示すようなカテコール単位、サリチル酸単位、フタル酸単位及びこれらの基のベンゼン環に置換基を有するもの等が挙げられ、例えば、【００２９】
【化７】
2006072272.tif 000008
【００３０】等が好ましいものとして挙げられ、これらの中でも特に好ましいものとして以下のものが例示される。【００３１】
【化８】
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【００３２】  さらに、本発明において用いる液晶性高分子は、上記のオルソ置換芳香族単位に代えて、以下に示すようなかさ高い置換基を有する芳香族単位、あるいはフッ素又は含フッ素置換基を有する芳香族単位を構成成分として含んでいてもよい。このような芳香族単位を含むことによって、得られる液晶性高分子がホメオトロピック配向性となる傾向にある。このようなかさ高い置換基を有する芳香族単位芳香族単位としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００３３】
【化９】
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【００３４】（Ｒは炭素数３〜１２のアルキル基、ｉＰｒはイソプロピル、ｔＢｕは第３級ブチルを示す。）
また、フッ素又は含フッ素置換基を有する芳香族単位としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００３５】
【化１０】
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【００３６】  以上説明した本発明に好適な主鎖型ポリエステル系液晶性高分子の代表的なものとして、以下のような液晶性高分子を具体的に例示することができる。【００３７】
【化１１】
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【００３８】の構造単位から構成されるポリマー（式中、ｋ、ｌ、ｍは単に組成割合（モル）を示すものであり、ｋ＝ｌ＋ｍ、ｌ／ｍ＝８０／２０〜２０／８０、好ましくは７５／２５〜２５／７５である）【００３９】
【化１２】
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【００４０】の構造単位から構成されるポリマー（式中、ｋ、ｌ、ｍは単に組成割合（モル）を示すものであり、ｋ＝ｌ＋ｍ、ｌ／ｍ＝８０／２０〜２０／８０、好ましくは７５／２５〜２５／７５である）【００４１】
【化１３】
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【００４２】の構造単位から構成されるポリマー（式中、ｋ、ｌ、ｍは単に組成割合（モル）を示すものであり、ｋ＝ｌ＋ｍ、ｌ／ｍ＝８０／２０〜２０／８０、好ましくは７５／２５〜２５／７５である）【００４３】
【化１４】
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【００４４】の構造単位から構成されるポリマー（式中、ｋ、ｌ、ｍ、ｎは単に組成割合（モル）を示すものであり、ｋ＝ｌ＋ｍ＋ｎ、ｌ／ｍ＝８０／２０〜２０／８０、好ましくは７５／２５〜２５／７５、ｌ／ｎ＝８０／２０〜２０／８０、好ましくは７５／２５〜２５／７５である）【００４５】
【化１５】
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【００４６】の構造単位から構成されるポリマー（式中、ｋ、ｌ、ｍ、ｎは単に組成割合（モル）を示すものであり、ｋ＋ｌ＝ｍ＋ｎ、ｋ／ｌ＝８０／２０〜２０／８０、好ましくは７５／２５〜２５／７５、ｍ／ｎ＝８０／２０〜２０／８０、好ましくは７５／２５〜２５／７５である）【００４７】
【化１６】
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【００４８】の構造単位から構成されるポリマー（式中、ｋ、ｌ、ｍは単に組成割合（モル）を示すものであり、ｋ＝ｌ＋ｍ、ｌ／ｍ＝８０／２０〜２０／８０、好ましくは７５／２５〜２５／７５である）【００４９】
【化１７】
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【００５０】の構造単位から構成されるポリマー（式中、ｋ、ｌ、ｍは単に組成割合（モル）を示すものであり、ｋ／ｌ＝８０／２０〜２０／８０、好ましくは７５／２５〜２５／７５であり、ｌ／ｍ＝８０／２０〜２０／８０、好ましくは７５／２５〜２５／７５である）【００５１】
【化１８】
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【００５２】の構造単位から構成されるポリマー（式中、ｋ、ｌ、ｍ、ｎは単に組成割合（モル）を示すものであり、ｋ＋ｌ＝ｍ＋ｎ、ｋ／ｌ＝８０／２０〜２０／８０、好ましくは７５／２５〜２５／７５、ｍ／ｎ＝８０／２０〜２０／８０、好ましくは７５／２５〜２５／７５であり、ｐは２〜１２である）【００５３】
【化１９】
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【００５４】の構造単位から構成されるポリマー（式中、ｋ、ｌ、ｍは単に組成割合（モル）を示すものであり、ｋ＋ｌ＝ｍ、ｋ／ｌ＝８０／２０〜２０／８０、好ましくは７５／２５〜２５／７５であり、ｐは２〜１２である）。【００５５】  このような本発明において用いられる液晶性高分子の分子量は、特に制限されないが、各種溶媒中、例えばフェノール／テトラクロロエタン（６０／４０（重量比））混合溶媒中、３０℃で測定した対数粘度が０．０５〜３．０程度が好ましく、０．０７〜２．０程度がより好ましい。前記対数粘度が０．０５より小さい場合、得られた液晶性高分子の強度が弱くなる傾向にあり、他方、３．０より大きい場合、液晶形成時の粘性が高すぎて、配向性の低下や配向に要する時間の増加といった問題点が生じる傾向にある。【００５６】  また、本発明において用いられる液晶性高分子のガラス転移点も特に制限されないが、配向を固定化した後の配向の安定性に影響を及ぼすことから、一般的にはガラス転移点は０℃以上であることが好ましく、２０℃以上であることがより好ましい。【００５７】  また、本発明において用いられる液晶性高分子の合成法も特に制限されるものではなく、当該分野で公知の重合法、例えば溶融重合法あるいは対応するジカルボン酸の酸クロライドを用いる酸クロライド法で合成される。溶融重合法で合成する場合、例えば対応するジカルボン酸と対応するジオールのアセチル化物を、高温、高真空下で重合させることによって製造でき、分子量は重合時間のコントロールあるいは仕込組成のコントロールにより、目的の液晶性高分子を得ることができる。また、重合反応を促進させるためには、従来から公知の酢酸ナトリウム等の金属塩を使用することもできる。さらに、溶液重合法を用いる場合は、所定量のジカルボン酸ジクロライドとジオールとを溶媒に溶解し、ピリジン、Ｎ−メチルイミダゾール等の酸受容体の存在下に加熱することにより、目的の液晶性高分子を得ることができる。【００５８】  なお、前述の主鎖型ポリエステル系液晶性高分子は、その屈折率楕円体を考えたときの長軸方向の屈折率（ｎ／／）と短軸方向の屈折率（ｎ⊥）との差が大きい傾向にあり、この点においても前述の主鎖型ポリエステル系液晶性高分子は好ましい。【００５９】  本発明においては、前記液晶性高分子と非晶性高分子とを含有する溶液を得る。本発明において用いられる非晶性高分子としては、特に制限されないが、例えば、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体等のスチレン系高分子；ポリカーボネート等のカーボネート系高分子；ノルボルネン構造を有するポリオレフィン；ポリメチルメタクリレート等のアクリル系高分子；イミド系高分子；ポリエーテルスルホン系高分子；ポリフェニレンスルフィド系高分子；ビニルアルコール系高分子；ビニルブチラート系高分子；アリレート系高分子；ポリオキシメチレン系高分子；あるいはそれらの混合物等が挙げられる。【００６０】  このような非晶性高分子としては、前記液晶性高分子と均一な相分離構造を形成するものであることが好ましく、液晶性高分子として前述の主鎖型ポリエステル系液晶性高分子を用いる場合は、スチレン系ランダム共重合体がより好ましい。このような本発明にかかるスチレン系ランダム共重合体としては、スチレンモノマーと、アクリロニトリル、無水マレイン酸、メタクリル酸メチル、ブタジエン、アクリル酸、エチレン、プロピレンからなる群から選択される少なくとも一つのモノマーとのランダム共重合体であり、中でも液晶性高分子と微細で均一な相分離構造を形成する傾向にあるという観点から、スチレンモノマーとアクリロニトリルモノマーとのランダム共重合体が特に好ましい。【００６１】  なお、本発明においては、前述の液晶性高分子の短軸方向の屈折率（ｎ⊥）あるいは長軸方向の屈折率（ｎ／／）に比較的近い屈折率を有する非晶性高分子を用いることが好ましく、この点においても前述の主鎖型ポリエステル系液晶性高分子を用いる場合はスチレン−アクリロニトリル共重合体が好ましい。【００６２】  また、本発明において非晶性高分子としてスチレン系ランダム共重合体を用いる場合、そのスチレンモノマーの含量は特に制限されないが、スチレン−アクリロニトリル共重合体の場合は、スチレン含量が２５〜９０重量％（アクリロニトリル含量が１０〜７５重量％）であることが好ましく、スチレン含量が７５〜８５重量％（アクリロニトリル含量が１５〜２５重量％）であることが特に好ましい。スチレンの含量が前記下限未満の場合は、前記液晶性高分子との微細で均一な相分離構造が得られにくくなる傾向にあり、他方、前記上限を超える場合は、前記液晶性高分子と相溶し易くなる傾向にある。【００６３】  さらに、本発明の製造方法において用いる前記液晶性高分子と前記非晶性高分子とのブレンド比（重量基準）も特に制限されないが、前者が主鎖型ポリエステル系液晶性高分子、後者がスチレン−アクリロニトリル共重合体の場合は、液晶性高分子（以下、場合により「ＬＣＰ」という）とスチレン−アクリロニトリル共重合体（以下、場合により「ＳＡＮ」という）とのブレンド比（重量基準）が、ＬＣＰ／ＳＡＮ＝９／１〜１／９であることが好ましく、ＬＣＰ／ＳＡＮ＝８／２〜４／６であることがより好ましい。ＬＣＰの含量が前記下限未満の場合は、ＬＣＰによる偏光特性が十分に得られにくくなる傾向にあり、他方、前記上限を超える場合は、透過光強度の角度依存性の向上が得られにくくなる傾向にある。【００６４】  なお、液晶性高分子と非晶性高分子とが微細で均一な相分離構造を形成しているか否かは、光学顕微鏡観察、光散乱測定等によって確認することが可能である。【００６５】  本発明の散乱型偏光板の製造方法においては、先ず、前記液晶性高分子と前記非晶性高分子とを含有する溶液を準備する。【００６６】  ここで用いられる溶媒は、前記液晶性高分子及び前記非晶性高分子を溶解できるものであればよく、特に制限されないが、クロロホルム、ジクロロエタン、テトラクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、オルソジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、これらとフェノール類との混合溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、スルホラン、シクロへキサン等の極性溶媒を用いることができる。溶液の濃度は、液晶性高分子及び非晶性高分子を含めた固形分濃度として、通常は０．１〜５０重量％の範囲が好ましく、５〜２０重量％の範囲がより好ましい。【００６７】  次に、本発明の散乱型偏光板の製造方法においては、前記溶液を配向規制力のある基板上に塗布した後、前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で前記基板の配向規制力によって前記液晶性高分子を所定方向に配向させる。なお、前記溶液を基板上に塗布する工程と前記液晶性高分子を基板の配向規制力によって配向させる工程とを同一工程中で実施してもよく、あるいは、前記溶液を基板上に塗布し乾燥せしめてフィルムを得た後、再度加熱して前記液晶性高分子を基板の配向規制力によって配向させるようにしてもよい。【００６８】  ここで、前記溶液を基板上に塗布する方法は特に制限されず、例えば、スピンコート法、ロールコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スロットコート法、浸漬引き上げ法等を適宜採用することができる。【００６９】  また、本発明において用いる配向規制力のある基板としては、前記液晶性高分子を所定方向に配向させることができる基板であればよく、特に制限されないが、例えばラビング基板が好適に用いられる。このようなラビング基板としては、従来公知の種々のラビング基板を用いることが可能であり、優れた配向性と共に耐熱性、耐溶剤性及び剥離性にも優れたものとして、ポリイミド層を有するガラス基板、直接ラビングしたポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレートのフィルム等が挙げられる。【００７０】  さらに、本発明の散乱型偏光板の製造方法においては、前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で前記液晶性高分子を所定方向に配向させる。この時の温度、すなわち前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度は、用いる液晶性高分子の特性によって相違するが、その液晶性高分子のガラス転移点以上でかつ等方相−液晶相転移温度以下の温度で熱処理することが好ましい。このような温度としては、一般的には５０〜３００℃程度の範囲が好ましく、１００〜２５０℃の範囲がより好ましい。また、このような配向処理に要する時間は、特に制限されず、液晶性高分子の組成、分子量等によって異なり一概には言えないが、一般的なラビング基板を用いる場合は１０秒〜１００分程度の範囲が好ましく、３０秒〜６０分程度の範囲がより好ましい。【００７１】  なお、上記の配向処理に先立って、必要に応じて乾燥処理を施して基板上に塗布された溶液から予め溶媒を除去してもよい。かかる乾燥処理の際の温度も特に制限されないが、（溶媒の沸点マイナス５０℃）から（溶媒の沸点）の間の温度程度が好ましい。【００７２】  次に、本発明の散乱型偏光板の製造方法においては、前記基板の配向規制力によって配向処理が施された前記液晶性高分子をそれが液晶状態を呈する温度とし、前記液晶性高分子に磁場を印加して前記液晶性高分子を前記所定方向に更に配向させる。【００７３】  なお、このように磁場により前記液晶性高分子を更に配向させる工程も、前記溶液を基板上に塗布する工程及び前記液晶性高分子を基板の配向規制力によって配向させる工程と同一工程、または前記液晶性高分子を基板の配向規制力によって配向させる工程と同一工程中で実���してもよく、あるいは、前記液晶性高分子を基板の配向規制力によって配向させて一旦ガラス状態に冷却した後、再度加熱して前記液晶性高分子に磁場を印加して更に配向させるようにしてもよい。ラビング工程の効率化という観点からは、前記液晶性高分子を基板の配向規制力によって配向させる工程と磁場により更に配向させる工程とを同一工程中で実施、すなわち、前記溶液を基板上に塗布し、必要に応じて乾燥させた後、磁場を印加させつつ熱処理を施すことにより、基板による配向と磁場による配向とを実質的に同時に進行させることが好ましい。【００７４】  このように磁場により前記液晶性高分子を更に配向させる工程において印加する磁場の強さとしては、０．１〜１０テスラが好ましく、１〜５テスラがより好ましい。かかる磁場の強さが上記下限未満では、磁場による液晶性高分子の配向が十分に達成されなくなる傾向にあり、他方、上記上限を超えると、液晶性高分子と共に非晶性高分子が配向してしまい、良好な偏光特性を有する散乱型偏光板が得られにくくなる傾向にある。【００７５】  磁場により前記液晶性高分子を更に配向させる際の温度は、前述の基板の配向規制力によって配向させる工程における温度と同様であり、用いる液晶性高分子の特性によって相違するが、その液晶性高分子のガラス転移点以上でかつ等方相−液晶相転移温度以下の温度が好ましい。このような温度としては、一般的には５０〜３００℃程度の範囲が好ましく、１００〜２５０℃の範囲がより好ましい。また、このような磁場による配向処理に要する時間も、特に制限されず、液晶性高分子の組成、分子量等によって異なり一概には言えないが、一般的には１０秒〜１００分程度の範囲が好ましく、３０秒〜６０分程度の範囲がより好ましい。【００７６】  次に、本発明の散乱型偏光板の製造方法においては、前記の配向処理が施された前記液晶性高分子を、その配向状態が維持されるように冷却してガラス状態とする。すなわち、前記配向状態とされた液晶性高分子をそのガラス転移点以下の温度に冷却することによって、配向を損なわずに固定化することができる。【００７７】  このようにガラス転移点以下の温度に冷却する際の冷却速度は、特に制限されないが、０．１〜１０℃／ｍｉｎの降温速度で徐冷することが好ましく、その際に０．１〜１０テスラ程度の磁場を印加しつつ徐冷することが特に好ましい。この徐冷速度が前記下限未満では、徐冷時間が不必要に長時間となる傾向にあり、他方、前記上限を超えて冷却させると得られる散乱型偏光板にクラック等が発生し易くなる傾向にある。また、上記の徐冷工程において磁場を印加することによって、徐冷過程における配向状態の崩れが十分に防止され、配向状態が維持された散乱型偏光板がより確実に得られるようになる傾向にある。【００７８】  以上説明した本発明の方法によって、前記液晶性高分子と前記非晶性高分子とからなり、液晶性高分子が所定方向に配向している散乱型偏光板が、効率良くかつ確実に得られるようになる。【００７９】  このような本発明の製造方法によって得られる散乱型偏光板においては、前記液晶性高分子と前記非晶性高分子とが微細で均一な相分離構造を形成していることが好ましく、スピノーダル分解���よる相分離構造が形成されていることがより好ましい。【００８０】  また、前記液晶性高分子が配向する方向性としては、液晶表示装置等に利用することができる散乱型偏光板を得るという観点からは、液晶性高分子の配向方向（ポリマー分子の長軸方向）が基板面に対して略平行であるホモジニアス配向であることが好ましい。【００８１】  さらに、本発明の散乱型偏光板の膜厚は、特に制限されないが、１〜１００μｍ程度の範囲が好ましく、２０〜１００μｍ程度のいわゆる厚膜の範囲がより好ましい。膜厚が前記下限より小さいと、散乱型偏光板による所望の偏光効果が十分に得られなくなる傾向にあり、他方、膜厚が前記上限を超えると、偏光した光の透過率そのものも低くなり過ぎる傾向にある。【００８２】  以上説明した本発明の製造方法によれば、得られる散乱型偏光板における透過光強度の角度依存性の十分な向上が達成され、標準直線偏光板と同等の偏光板としての性能を有する散乱型偏光板が得られるようになる。
【実施例】
【００８３】  以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。【００８４】  （液晶性高分子の合成）
テレフタル酸５０ｍｍｏｌ、２，６−ナフタレンジカルボン酸５０ｍｍｏｌ、メチルヒドロキノンジアセテート４０ｍｍｏｌ、カテコールジアセテート６０ｍｍｏｌ及びＮ−メチルイミダゾール６０ｍｇを用いて窒素雰囲気下、２７０℃で１２時間重合反応を進行せしめた。次に、得られた反応生成物をテトラクロロエタンに溶解した後、メタノールで再沈殿を行って精製し、全芳香族主鎖型の液晶性ポリエステル１４．７ｇを得た。【００８５】  この液晶性ポリエステルの対数粘度は０．１７、液晶相としてネマチック相をもち、等方相−液晶相転移温度は２５０℃以上、ガラス転移点は１１５℃であった。【００８６】  （相分離構造の確認）
非晶性高分子として、上記で合成した液晶性ポリエステル（ＬＣＰ）の短軸方向の屈折率と比較的近い屈折率を有しているスチレン−アクリロニトリル共重合体（アクリロニトリル含量：１９ｗｔ％、ＳＡＮ１９）を用い、また共通溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を用いて、以下のようにして光学液晶フィルムを得た。【００８７】  すなわち、先ず、液晶性ポリエステルとスチレン−アクリロニトリル共重合体とを以下の混合割合（重量基準）で含有するＮ−メチル−２−ピロリドン溶液（ＬＣＰ＋ＳＡＮ＝１０重量％）を調製した。【００８８】            ＬＣＰ  ／  ＳＡＮ１９
試料１        １    ／    １
試料２        ３    ／    １
試料３        ５    ／    １
試料４        ７    ／    １
試料５        ９    ／    １。【００８９】  次に、得られた各ＮＭＰ溶液を、イミドフィルムにより基板面に対して平行方向にラビング処理が施されたガラス基板上に室温下でスピンキャスト（５００ｒｐｍ、３０ｓ）した後、２００℃で１０分熱処理することによって、膜厚が約２μｍの光学液晶フィルムを得た。【００９０】  次に、試料１〜５の光学液晶フィルムに対して、クロスニコル下で鋭敏色板（位相差５３０ｎｍ）を用いて偏光顕微鏡観察を行い、光学液晶フィルムにおける液晶性ポリエステルとスチレン−アクリロニトリル共重合体との相分離構造について評価した。得られた偏光顕微鏡写真を、図１（試料１）、図２（試料２）、図３（試料３）、図４（試料４）、図５（試料５）に示す。図１〜５に示した結果から明らかな通り、試料１〜５の光学液晶フィルムにおいては微小サイズで均一な相分離構造が形成されていることが確認された。【００９１】  （実施例１）
上記で合成した液晶性ポリエステル（ＬＣＰ）と、前記試料１に相当するスチレン−アクリロニトリル共重合体（ＳＡＮ１９）と、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を用いて、以下のようにして散乱型偏光板を得た。【００９２】  すなわち、先ず、ＬＣＰとＳＡＮ１９とを１：１の混合割合（重量基準）で含有するＮＭＰ溶液（ＬＣＰ＋ＳＡＮ＝１０重量％）を調製した。次に、得られたＮＭＰ溶液を、イミドフィルムにより基板面に対して平行方向にラビング処理が施されたガラス基板上に室温下で厚膜状にスピンキャスト（５００ｒｐｍ、３０ｓ）した後、２００℃で１０分維持して乾燥処理を施した。続いて、乾燥処理されたラビング基板上の高分子フィルムに対して、基板面のラビング方向と平行になるように１テスラの磁場を印加しながら２３０℃に３０分熱処理を施した後、１テスラの磁場を印加しながら１〜２℃／ｍｉｎの降温速度で室温まで冷却することによって、膜厚が約５０μｍの散乱型偏光板を得た。【００９３】  （比較例１〜２）
上記で合成した液晶性ポリエステル（ＬＣＰ）と、前記試料１又は試料２に相当するスチレン−アクリロニトリル共重合体（ＳＡＮ１９）と、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を用いて、以下のようにして散乱型偏光板を得た。【００９４】  すなわち、先ず、ＬＣＰとＳＡＮ１９とを１：１（比較例１）又は３：１（比較例２）の混合割合（重量基準）で含有するＮＭＰ溶液（ＬＣＰ＋ＳＡＮ＝１０重量％）を調製した。次に、得られた各ＮＭＰ溶液を、イミドフィルムにより基板面に対して平行方向にラビング処理が施されたガラス基板上に室温下で厚膜状にスピンキャスト（５００ｒｐｍ、３０ｓ）した後、２００℃で１０分維持して乾燥処理を施した。続いて、２枚のガラス板間に、７．５μｍ厚のスペーサーと乾燥処理されたラビング基板上の高分子フィルムとを配置し、２５０℃において維持した状態で２枚のガラス板を互いに約１０ｍｍ平行方向にずらすことによって高分子フィルムにせん断力を与えつつ３０分熱処理を施した後、室温まで急冷することによって、膜厚が約７．５μｍの散乱型偏光板を得た。【００９５】  ＜配向状態確認試験：偏向顕微鏡観察＞
実施例１及び比較例２で得られた散乱型偏光板に対して、クロスニコル下で鋭敏色板（位相差５３０ｎｍ）を用いて偏光顕微鏡観察を行い、散乱型偏光板における液晶性ポリエステルの配向状態について評価した。なお、レーザーの偏光方向と基板のラビング方向との間の角度（θ）を変化させて偏光顕微鏡観察を行い、実施例１の散乱型偏光板に対してθ＝０°として撮影した偏光顕微鏡写真を図６に、実施例１の散乱型偏光板に対してθ＝３０°として撮影した偏光顕微鏡写真を図７に、比較例２の散乱型偏光板に対してθ＝３０°として撮影した偏光顕微鏡写真を図８にそれぞれ示す。【００９６】  この試験においては、鋭敏色板（位相差５３０ｎｍ）を使用したため色がついているが、複屈折を持たない試料の場合はピンク色に見えるはずである。しかしながら、実施例１で得られた散乱型偏光板（図６〜７）においては、いずれの写真においてもピンク色が観察されず、全体が均一に同じ色に見えたことから、散乱型偏光板が均一に複屈折を示している、すなわち液晶性ポリエステルがラビング方向（磁場の印加方向）に十分に配向していることが確認された。一方、比較例２で得られた散乱型偏光板（図８）においては、全体が不均一でピンク色の領域と青色の領域が観察されたことから、液晶性ポリエステルがラビング方向に完全には配向していないことが確認された。【００９７】  ＜偏光性能確認試験：透過光強度測定＞
実施例１及び比較例１〜２で得られた散乱型偏光板に対して、図９に示す光散乱測定系を用いて、偏光板としての性能を確認した。同図において、１はＨｅ−Ｎｅレーザー（波長６３２．８ｎｍ）、２はピンホール、３はミラー、４は試料セル、５はフォトダイオード（ゴニオメーター）、６はＸ−Ｙ増幅器、７はコンピュータ、８は試料回転台（図中の矢線の方向に回転可能）をそれぞれ示す。【００９８】  実施例１及び比較例１〜２で得られた散乱型偏光板を、図９に示す光散乱測定系の試料セルにセットし、散乱型偏光板を図中矢線の方向に一定角度ずつ回転させ、それぞれの角度において直線偏光したレーザー光を試料に垂直に入射させて、各角度における透過光強度を測定した。実施例１で得られた散乱型偏光板における透過光強度の角度依存性を図１０に、比較例１〜２で得られた散乱型偏光板における透過光強度の角度依存性を図１１にそれぞれ示す。また、比較のため、標準直線偏光板（住友化学（株）製、商品名：ＳＲＷ−８６２）を用いて得られた結果を図１０に併せて示す。【００９９】  図１０においては、レーザーの偏光方向と散乱型偏光板のラビング方向がほぼ９０°の角度をなす配置を初期位置（０°）としているが、この角度においてもっとも透過光強度が強いことから、液晶性ポリエステルがラビング方向（磁場の印加方向）に配向していることが確認された。さらに、ラビング基板と磁場によって液晶性ポリエステルを配向せしめた実施例１で得られた散乱型偏光板においては、９０°において透過光強度がほぼ０となっており、散乱型偏光板として市販の標準直線偏光板とほぼ同等の偏光板としての性能を有していることが確認された。【０１００】  それに対して、ラビング基板とせん断力によって液晶性ポリエステルを配向せしめた比較例１〜２で得られた散乱型偏光板においては、９０°における透過光強度が十分には低減しておらず、偏光板としての性能が未だ十分なものではないことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】  以上説明した本発明の製造方法によれば、透過光強度の角度依存性が優れている散乱型偏光板が得られるようになり、標準直線偏光板と同等の偏光板としての性能を有する散乱型偏光板を得ることも可能となる。したがって、本発明の製造方法によって得られる散乱型偏光板は、液晶表示装置等に利用することが可能な非常に有用な光学材料である。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】試料１を用いて得られた光学液晶フィルムの偏光顕微鏡写真である。
【図２】試料２を用いて得られた光学液晶フィルムの偏光顕微鏡写真である。。
【図３】試料３を用いて得られた光学液晶フィルムの偏光顕微鏡写真である。
【図４】試料４を用いて得られた光学液晶フィルムの偏光顕微鏡写真である。
【図５】試料５を用いて得られた光学液晶フィルムの偏光顕微鏡写真である。
【図６】実施例１で得られた散乱型偏光板（θ＝０°）の偏光顕微鏡写真である。
【図７】実施例１で得られた散乱型偏光板（θ＝３０°）の偏光顕微鏡写真である。
【図８】比較例２で得られた散乱型偏光板（θ＝３０°）の偏光顕微鏡写真である。
【図９】光散乱測定系の構成を示す模式図である。
【図１０】実施例１で得られた散乱型偏光板における透過光強度の角度依存性の結果を示すグラフである。
【図１１】比較例１〜２で得られた散乱型偏光板における透過光強度の角度依存性の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１０３】  １…Ｈｅ−Ｎｅレーザー、２…ピンホール、３…ミラー、４…試料セル、５…フォトダイオード（ゴニオメーター）、６…Ｘ−Ｙ増幅器、７…コンピュータ、８…試料回転台。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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