(57)【要約】【課題】ダイパッド露出型の樹脂封止型半導体装置において、ダイパッド部の支持部をアップセット構造とした場合、パッケージ厚の薄厚化に限界があった。【解決手段】ダイパッド部１上に接着剤により搭載された半導体素子３と、先端部がダイパッド部１に対向して配列された複数のインナーリード部４と、半導体素子３とインナーリード部４とを接続した金属細線５と、外囲を封止した封止樹脂６とよりなり、インナーリード部４の先端部は上面厚を削除した薄厚部７を有しているので、ダイパッド部１にアップセット構造を形成しなくても、搭載した半導体素子３の周縁部をインナーリード部４の先端部上面に近接させることができ、インナーリード部４と半導体素子３との接触を避けつつ、大型の半導体素子を搭載して、薄厚でＣＳＰ化を実現できるものである。【選択図】図１
2006261697.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッド部と、
前記ダイパッド部を支持する複数の吊りリード部と、
前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、
先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、
前記半導体素子の電極と前記リード部の上面とを接続した金属細線と、
前記リード部の底面と外方側面部を除くように、前記吊りリード部と前記半導体素子と前記リード部と前記金属細線とを封止した封止樹脂とからなる樹脂封止型半導体装置であって、
前記先端部の上面は、前記金属細線が接続された前記リード部の上面より低く形成され、
前記リード部の上面の、前記金属細線が接続された部分とは異なる部分に、溝部が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置において、半導体素子を搭載したダイパッド部が封止樹脂の外部に露出したタイプの樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関し、特にパッケージ占有率が大きい半導体素子を搭載することができ、しかも薄厚化を実現し、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に対応するために、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体装置が要望されている。
【０００３】
以下、従来のダイパッド部露出型の樹脂封止型半導体装置について説明する。図８は従来の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図８（ａ）は平面図、図８（ｂ）は底面図、図８（ｃ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００４】
図８に示すように従来の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのダイパッド部１０１面上の支持部１０１ａ上に半導体素子１０２が搭載され、その半導体素子１０２とインナーリード部１０３とが金属細線１０４により電気的に接続されている構造である。そしてダイパッド部１０１上の半導体素子１０２、インナーリード部１０３の外囲は封止樹脂１０５により封止されており、封止樹脂１０５の側面とインナーリード部１０３の外方側面部（末端部）とは同一面に配置されているものであり、ダイパッド部１０１の底面が封止樹脂１０５から露出しているダイパッド部露出型の樹脂封止型半導体装置である。またダイパッド部１０１はその面内に上方に突出した支持部１０１ａを有しているが、支持部１０１ａはダイパッド部１０１を板材部分を半切断状態で上方にプレス加工を施して突出されたものであり、搭載する半導体素子の底面をインナーリード部１０３の上面面よりも上方に配置するためのアップセット構造である。また半導体素子１０２と接続した金属細線１０４はインナーリード部１０３の溝部１０３ａの近傍に接続されているものである。なお図８（ｂ）の底面図において、パッケージを構成している封止樹脂１０５の各角部に露出した部位は、ダイパッド部１０１を支持している吊りリード部１０６の末端部が露出しているものである。
【０００５】
次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【０００６】
図９は従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームを示す図であり、図９（ａ）は平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図である。また図１０は図９に示したリードフレームを用いた従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
【０００７】
まず従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
【０００８】
図９に示すように、従来のリードフレームは、金属板よりなる板材のフレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用の支持部１０１ａをその面内に有したダイパッド部１０１と、ダイパッド部１０１をその先端部で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊りリード部１０６と、先端部がダイパッド部１０１の各辺に対向して配列され、末端部がフレーム枠に接続した複数のインナーリード部１０３とよりなるリードフレームである。そして各インナーリードの上面には複数の溝部１０３ａが形成されているものであり、先端部はテーパー構造を有している。また従来のリードレフームの板厚は概ね２００〜３００［μｍ］である。なお、リードフレームとしては、図９に示すような構成が複数個、左右、上下に連続して１フレーム枠内に形成されたものである。
【０００９】
次にリードフレームを用いた従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００１０】
まず図１０（ａ）に示すように、前述の図９に示したような金属板のフレーム枠内に半導体素子が載置される支持部１０１ａをその上面に有した矩形状のダイパッド部１０１と、ダイパッド部１０１を支持する吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリード部１０３とを有したリードフレームを用意する。
【００１１】
次に図１０（ｂ）に示すように、リードフレームのダイパッド部１０１の支持部１０１ａ上に半導体素子１０２を銀ペースト等の接着剤により接合する（ダイボンド工程）。
【００１２】
次に図１０（ｃ）に示すように、ダイパッド部１０１上に搭載した半導体素子１０２の表面の電極パッド（図示せず）と、リードフレームのインナーリード部１０３の先端部上面とを金属細線１０４により接続する（ワイヤーボンド工程）。ここではインナーリード部１０３の上面に設けた溝部１０３ａと溝部１０３ａとの間に金属細線１０４を接続する。
【００１３】
その後、図１０（ｄ）に示すように、封止シートをリードフレームの底面側に密着させた状態でダイパッド部１０１、半導体素子１０２、インナーリード部１０３の外囲を封止樹脂１０５により封止する。この工程ではリードフレームの各半導体素子単位で個別封止するものであり、リードフレーム上面を全面封止するものではない。またこの工程ではリードフレームの底面に封止シートを密着させて封止しているので、ダイパッド部１０１の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子１０２、インナーリード部１０３の底面を除く領域、および金属細線１０４の接続領域を封止するものであり、封止後は封止樹脂１０５の底面からダイパッド部１０１の底面が露出した構成となる。そして樹脂封止後はフレーム枠と接続した吊りリード部、インナーリード部１０３の末端部分を切断し、吊りリード部、インナーリード部１０３の各末端部（外方側面）が封止樹脂１０５の側面と略同一面に配列した樹脂封止型半導体装置を得るものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら従来の樹脂封止型半導体装置では、ダイパッド部は半切断プレスで上方に配置した支持部を備えた構造であるため、半導体素子をダイパッド部の支持部に搭載した際、支持部のアップセット量の厚み分だけ樹脂封止型半導体装置として全体厚が大きくなってしまい、要望される薄厚化に限界があるという問題があった。特に大きな半導体素子を搭載した際には、厚みによる影響が顕著にあらわれ、大型の半導体素子を搭載して薄厚化を実現するには構造上、無理があった。
【００１５】
さらにインナーリード部は実質的に片面封止構造であり、外方からの衝撃や、封止樹脂内部での応力により、インナーリード部上に接続した金属細線部分にストレスが印加され、近接の破断、接続強度などの信頼性が懸念されていた。従来の樹脂封止型半導体装置のリード構造では、インナーリード部の上面に複数の溝部を設け、溝部間に金属細線を接続することで印加ストレスを吸収、緩和していたが、このような溝部を設けた構造によっても、十分な応力緩和がなされず、上記のような課題が残っていた。また、複数の溝部をインナーリード部に設け、さらに金属細線を接続するボンディングエリアを確保することは、小型パッケージを構成するリード部の面積的には限界であり、片面封止構造の樹脂封止型半導体装置において、リード部の小型化とともに、金属細線の接続信頼性を向上させる必要が高まっている。
【００１６】
また従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、特に樹脂封止の工程では、リードフレーム領域内で各半導体素子単位で個別封止するものであり、リードフレーム上面を全面封止するものではないため、封止後のリードフレームから樹脂封止型半導体装置を分離するには、各リードフレームごとに金型による切断を行う必要があり、製造効率の向上には限界があった。
【００１７】
本発明は前記した従来の課題を解決するものであり、樹脂封止型半導体装置自体の厚さの増加を抑えつつ、より大きな半導体素子を搭載してパッケージ占有率を向上させ、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）化を実現できる樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記従来の課題を解決するために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持する複数の吊りリード部と、前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数のリード部と、前記半導体素子の電極と前記リード部の上面とを接続した金属細線と、前記リード部の底面と外方側面部を除くように、前記吊りリード部と前記半導体素子と前記リード部と前記金属細線とを封止した封止樹脂とからなる樹脂封止型半導体装置であって、前記先端部の上面は、前記金属細線が接続された前記リード部の上面より低く形成され、前記リード部の上面の、前記金属細線が接続された部分とは異なる部分に、溝部が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
【００１９】
前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導体装置は、リード部のダイパッド部に対向した先端部は、その上面の厚みが薄くなった薄厚部を有しているので、ダイパッド部上面とリード部の上面とを同一面としても、ダイパッド部上に搭載した半導体素子の周縁部をそのリード部の先端部上面の薄厚部に近接させることができ、リード部と半導体素子との接触を避けつつ、大型の半導体素子を搭載して、ＣＳＰ化を実現できるものである。そしてリード部の先端部が薄厚部を有しているので、ダイパッド部に上方にあげた支持部を設けてアップセットする必要はなく、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めて薄厚化を実現できるものである。本発明の樹脂封止型半導体装置ではパッケージ（封止樹脂）に対するチップ占有率を７０［％］以上に高めてＣＳＰ化を実現できるものである。
【００２０】
また、リード部のダイパッド部に対向した先端部は、緩やかな傾斜をなしてリード厚の概ね半分の厚みで薄くなった薄厚部を有しているので、リード部に印加される外部または封止樹脂内からの応力による金属細線の接続部分に対する影響を低減し、接続の信頼性を高めることができる。
【００２１】
また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、リード部のダイパッド部に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部を有したリードフレームを用いるため、リード部の先端部上面の薄厚部にその周縁部が近接するような大きさの半導体素子を搭載することができ、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めてＣＳＰ化を図り、薄厚化を実現できる製造方法である。
【００２２】
また、リードフレームとして、１枚の板材のフレーム枠内に複数のリードユニットを有し、各リードユニット間のフレーム枠の板材厚は薄厚となっているリードフレームを用いているので、リードフレームの各ユニット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止でき、リードフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間を切断することにより、吊りリード部、リード部の末端部分が切断され、吊りリード部、リード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形が直方体の樹脂封止型半導体装置を得ることができ、製造効率を高めることができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上、本発明の樹脂封止型半導体装置は、リード部のダイパッド部に対向した先端部上面は、その厚みが削除されて薄くなった薄厚部を有しているので、ダイパッド部上に搭載した半導体素子の周縁部をそのリード部の先端部上面の薄厚部に近接させることができ、リード部と半導体素子との接触を避けつつ、大型の半導体素子を搭載して、チップ占有率を高め、ＣＳＰ化を実現できるものである。そしてリード部の先端部が薄厚部を有しているので、ダイパッド部に上方にあげた支持部を設けてアップセットする必要はなく、樹脂封止型半導体装置としてさらなる薄厚化を実現できるものである。また本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部に対向したリード部の先端部は、緩やかな傾斜をなしてリード厚の概ね半分の厚みで薄くなった薄厚部を有しているので、リード部に印加される外部または封止樹脂内からの応力による金属細線の接続部分に対する影響を低減し、接続の信頼性を高めることができる。
【００２４】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、リード部のダイパッド部に対向した先端部の厚みが薄くなった薄厚部を有したリードフレームを用いるため、リード部の先端部上面にその周縁部が近接するような大きさの半導体素子を搭載することができ、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めてＣＳＰ化を図り、薄厚化を実現できる製造方法である。また、リードフレームとして、１枚の板材のフレーム枠内に複数のリードユニットを有し、各リードユニット間のフレーム枠の板材厚は薄厚となっているリードフレームを用ているので、リードフレームの各ユニット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止でき、リードフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間を切断することにより、吊りリード部、リード部の末端部分が切断され、吊りリード部、リード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形が直方体の樹脂封止型半導体装置を得ることができ、製造効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２６】
図１は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は底面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
【００２７】
図１に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置において、パッケージ面積に対するチップ面積占有率を大きくしてＣＳＰ化を実現することに主眼をおいたものであり、半導体素子搭載用のダイパッド部１と、そのダイパッド部１を各角部で支持した複数の吊りリード部２と、ダイパッド部１上に接着剤により搭載された半導体素子３と、先端部がダイパッド部１の各辺にそれぞれ対向して配列され、上面に溝部４ａが設けられた複数のインナーリード部４と、半導体素子３の電極とインナーリード部４の上面に設けたボンディングエリアとを接続した金属細線５と、ダイパッド部１の底面を除く領域、吊りリード部２、半導体素子３、インナーリード部４の底面と外方側面部を除く領域、および金属細線５の接続領域を封止した封止樹脂６とよりなり、インナーリード部４の外方側面部は封止樹脂６の側面と略同一面に配列された樹脂封止型半導体装置である。そしてインナーリード部４のダイパッド部１に対向した先端部上面は、その厚みが薄くなった薄厚部７を有しているものであり、ダイパッド部１の上面とインナーリード部４の薄厚部７以外の上面とは同一面に配置されているものである。
【００２８】
詳細には、インナーリード部４のダイパッド部１に対向した先端部は、緩やかな曲面の傾斜部分７ａを構成して、インナーリード部４の厚みの概ね半分の厚みで上面部が薄くなった薄厚部７を有しているものであり、実際にはリード部分に対してハーフエッチングにより薄厚部７が形成されたものである。またインナーリード部４の上面には２つの溝部４ａが設けられ、半導体素子３の電極とインナーリード部４の上面とを接続した金属細線５のうち、インナーリード部４上面に接続された部分は、インナーリード部４の上面の溝部４ａの近傍側でインナーリード部４の薄厚部７から離れて接続されており、たとえインナーリード部４に応力が印加されたとしても、溝部４ａでリード変形し、さらに薄厚部７が傾斜部分７ａをなしているので、効果的に応力を吸収し、接続部分の信頼性を高めることができる構造を有しているものである。すなわち、インナーリード部４に伝搬する応力を薄厚部７の傾斜部分７ａで徐々に受け、溝部４ａでリード変形により吸収できるので、インナーリード部４に対しては複数の溝部４ａを設ける必要はなく、ボンディングエリアを確保して小型のリード構造と信頼性とを実現できるものである。なお、本実施形態では、薄厚部７の構成は緩やかな曲面による傾斜部分７ａを有して上面部分のリード部材厚が削除されたものであるが、薄厚部７の構成として曲面による傾斜部分７ａの他、直線状の傾斜部分としてもよい。また金属細線５を接続する箇所を薄厚部７から離す場合には、薄厚部７に傾斜部分を設けず、段差状に薄厚部を形成してもよい。また溝部４ａを設ける箇所はインナーリード部４の薄厚部７以外の箇所でよいが、インナーリード部４の長さ、薄厚部７の長さによっては、薄厚部７上に設けてもリードに印加される応力を吸収できるものである。
【００２９】
また本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、ダイパッド部１の底面には溝部１ａが設けられており、樹脂封止の際の樹脂バリ発生を防止できるものである。したがって封止樹脂６から露出したダイパッド部１の底面には封止樹脂６の回り込みがなく、確実に露出しているものである。
【００３０】
そして本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、ダイパッド部１上に搭載された半導体素子３の周縁部は、インナーリード部４の先端部上面の薄厚部７に近接している構造であり、従来に比較して大きな面積の半導体素子が搭載されており、パッケージ（封止樹脂６）内の半導体素子３の占有率を７０［％］以上、具体的には８０［％］にまで高めて、ＣＳＰ化を実現できるものである。すなわち、インナーリード部４のダイパッド部１に対向した先端部上面は、その厚みが薄く構成され、先端部は薄厚部７を有しているので、ダイパッド部１上に搭載した半導体素子３の周縁部をそのインナーリード部４の先端部上面の薄厚部７に近接させることができ、インナーリード部４と半導体素子３との接触を避けつつ、大型の半導体素子を搭載して、ＣＳＰ化を実現できるものである。しかもインナーリード部４の先端部上面が薄厚部７を有しているので、ダイパッド部１に上方にあげた支持部を設けてアップセットする必要はなく、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めて薄厚化を実現できるものである。本実施形態では、２００［μｍ］厚の半導体素子を用い、全体厚として０．５［ｍｍ］厚の樹脂封止型半導体装置を実現している。なお、本実施形態ではインナーリード部４の先端部を半導体素子３の周縁部に近接させているが、インナーリード部４の先端部の薄厚部７を搭載した半導体素子３の下面に延在するように設計してもよいし、インナーリード部４の先端部の薄厚部７に覆い被さるような大型の半導体素子を搭載してもよい。
【００３１】
次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００３２】
図２，図３は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す図であり、図２は樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームを示す図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ１箇所の断面図である。図３は製造方法の主要な工程を示す断面図である。
【００３３】
まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
【００３４】
図２に示すように、本実施形態のリードフレームは、銅材または４２−アロイ等の通常のリードフレームに用いられている金属板よりなるフレーム枠８内に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部１と、ダイパッド部１の各角部をその先端部で支持し、末端部がフレーム枠８に接続した吊りリード部２と、先端部がダイパッド部１に対向して配列され、末端部がフレーム枠８に接続した複数のインナーリード部４とよりなるリードフレームであって、インナーリード部４のダイパッド部１に対向した先端部上面の厚みが、ハーフエッチング加工により概ね半分の厚みに薄くなった薄厚部７を有したリードフレームである。そして先端部の上面部は、緩やかな傾斜部分７ａを構成して、インナーリード部４の厚みの概ね半分の厚みで薄くなった薄厚部７である。またインナーリード部４の上面には２つの溝部４ａが設けられ、また図中の破線で示した構成のように、ダイパッド部１の底面には溝部１ａが円形環状に設けられているものである。また本実施形態のリードフレームの板厚は２００〜３００［μｍ］の範囲で、２５０［μｍ］のものを用いている。
【００３５】
以下、前述のリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する工程について説明する。
【００３６】
まず図３（ａ）に示すように、銅材または４２−アロイ等の通常のリードフレームに用いられている金属板よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部１と、ダイパッド部１の各角部をその先端部で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊りリード部と、先端部がダイパッド部１に対向して配列され、末端部がフレーム枠に接続した複数のインナーリード部４とよりなるリードフレームであって、インナーリード部４のダイパッド部１に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部７を有したリードフレームを用意する。
【００３７】
次に図３（ｂ）に示すように、用意したリードフレームのダイパッド部１上に接着剤（図示せず）を介して半導体素子３をその主面を上にして搭載する。この時、本実施形態では、用いるリードフレームの各インナーリード部４の先端部の上面は、その厚みが薄くなった薄厚部７を有しているので、インナーリード部４の先端部近傍、または薄厚部７上までオーバーラップするような大きな面積の半導体素子３を搭載しても、インナーリード部４と半導体素子３との接触を避けて搭載できるものである。
【００３８】
次に図３（ｃ）に示すように、ダイパッド部１上に搭載した半導体素子３の電極と、インナーリード部４の上面の薄厚部以外の面の例えば溝部４ａと溝４ａとの間とを金属細線５により電気的に接続する。ここでは半導体素子３の電極とインナーリード部４の上面とを接続した金属細線５のうち、インナーリード部４上面に接続された部分は、インナーリード部４の上面の溝部４ａの近傍側でインナーリード部４の薄厚部７から離して接続するものであり、応力対策として薄厚部７上には接続しないものである。
【００３９】
そして図３（ｄ）に示すように、リードフレームの上面側を封止樹脂６により樹脂封止し、ダイパッド部１の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子３、インナーリード部４の底面を除く領域、および金属細線５の接続領域を封止する。そして樹脂封止の工程の後、吊りリード部、インナーリード部４の末端部分を切断し、吊りリード部、インナーリード部４の各末端部を封止樹脂６の側面と略同一面に配列することにより、樹脂封止型半導体装置を実現できる。この樹脂封止の工程では、リードフレームの底面側に封止シートを密着させて樹脂封止するものであり、これにより片面封止が可能となり、ダイパッド部１等、封止樹脂６から露出させたい部位を確実に露出させることができるものである。
【００４０】
本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、インナーリード部４のダイパッド部１に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部７を有したリードフレームを用いるため、インナーリード部４の先端部上面の薄厚部７にその周縁部が近接するような大きな面積の半導体素子３を搭載することができ、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めてＣＳＰ化を図り、またダイパッド部１はアップセット処理する必要がないため、樹脂封止型半導体装置として極めて薄厚化を図ることができる製造方法である。
【００４１】
次に本発明の樹脂封止型半導体装置の別の実施形態について図面を参照しながら説明する。図４は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は底面図、図４（ｃ）は図４（ｂ）のＥ−Ｅ１箇所の断面図である。
【００４２】
図４に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は基本構造としては前述の図に示した構造と同様であり、半導体素子搭載用のダイパッド部１と、そのダイパッド部１を各角部で支持した複数の吊りリード部２と、ダイパッド部１上に接着剤により搭載された半導体素子３と、先端部がダイパッド部１の各辺にそれぞれ対向して配列され、上面に溝部４ａが設けられた複数のインナーリード部４と、半導体素子３の電極とインナーリード部４の上面に設けたボンディングエリアとを接続した金属細線５と、ダイパッド部１の底面を除く領域、吊りリード部２、半導体素子３、インナーリード部４の底面と外方側面部を除く領域、および金属細線５の接続領域を封止した封止樹脂６とよりなり、インナーリード部４の外方側面部は封止樹脂６の側面と略同一面に配列された樹脂封止型半導体装置である。そしてインナーリード部４のダイパッド部１に対向した先端部上面は、その厚みが薄くなった薄厚部７を有し、かつ先端部の上面部は、緩やかな傾斜部分７ａを構成して、インナーリード部４の厚みの概ね半分の厚みで薄くなった薄厚部７を有しているものである。
【００４３】
本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図１に示した形態とは異なり、外形が直方体状をなし、またインナーリード部４の外方側面は封止樹脂６の側面と同一面に配置されているが、その外方側面のインナーリード部４の下面はその厚みが薄くなった薄厚部９を有しているものである。したがって本実施形態の樹脂封止型半導体装置は図４（ｂ）に示すように、インナーリード部４の外方側面の下面は封止樹脂６内に封止されているので、封止樹脂６（パッケージ）の周縁部にはインナーリード部４の底面が露出しない構造となっている。
【００４４】
次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００４５】
図５，図６および図７は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す図であり、図５は樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームを示す図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＦ−Ｆ１箇所の断面図である。図６，図７は製造方法の主要な工程を示す断面図である。
【００４６】
まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
【００４７】
図５に示すように、本実施形態で用いるリードフレームは、前述と同様な金属板材よりなるフレーム枠１０内に設けられた複数のリードユニット１１で構成されたリードフレームであって、半導体素子搭載用のダイパッド部１と、そのダイパッド部１をその先端部で支持し、末端部がフレーム枠１０に接続した吊りリード部２と、先端部がダイパッド部１に対向して配列され、末端部がフレーム枠１０に接続した複数のインナーリード部４であって、そのインナーリード部４のダイパッド部１に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部７を有したインナーリード部４とよりなるリードユニット１１を１ユニットとして、そのユニットを複数ユニット有し、各リードユニット１１間のフレーム枠１０の板材厚は薄厚部９となっているリードフレームである。図５（ａ）中、便宜上、ハッチングを付した部分が各リードユニット１１間の薄厚部９である。すなわち本実施形態で用いるリードフレームはその上面を一括で全域封止するための大型のリードフレーム基板である。また同様に各インナーリード部４の上面には溝部４ａが設けられ、ダイパッド部１の底面には破線で示した溝部１ａが設けられているものである。
【００４８】
以下、前述のリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する工程について説明する。
【００４９】
まず図６（ａ）に示すように、前述の図５で示したように、リードユニットとして、半導体素子搭載用のダイパッド部１と、ダイパッド部１の各角部をその先端部で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊りリード部と、先端部がダイパッド部１に対向して配列され、末端部がフレーム枠に接続した複数のインナーリード部４とを有し、複数ユニットよりなるリードフレームであって、インナーリード部４のダイパッド部１に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部７を有したリードフレームを用意する。
【００５０】
次に図６（ｂ）に示すように、用意したリードフレームのリードユニットの各ダイパッド部１上に接着剤（図示せず）を介して半導体素子３をその主面を上にして搭載する。この時、本実施形態では、用いるリードフレームの各インナーリード部４の先端部の上面は、その厚みが薄くなった薄厚部７を有しているので、インナーリード部４の先端部近傍、または薄厚部７上までオーバーラップするような大きな面積の半導体素子３を搭載しても、インナーリード部４と半導体素子３との接触を避けて搭載できるものである。
【００５１】
次に図６（ｃ）に示すように、リードユニットごとの各ダイパッド部１上に搭載した半導体素子３の電極と、インナーリード部４の上面の薄厚部以外の面の例えば溝部４ａと溝４ａとの間とを金属細線５により電気的に接続する。ここでは半導体素子３の電極とインナーリード部４の上面とを接続した金属細線５のうち、インナーリード部４上面に接続された部分は、インナーリード部４の上面の溝部４ａの近傍側でインナーリード部４の薄厚部７から離して接続するものであり、応力対策として薄厚部７上には接続しないものである。
【００５２】
次に図６（ｄ）に示すように、リードフレームの各リードユニットの上面側全域を封止樹脂６により一括で樹脂封止し、ダイパッド部１の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子３、インナーリード部４の底面を除く領域、および金属細線５の接続領域を封止する。この樹脂封止の工程では、リードフレームの底面側に封止シートを密着させて樹脂封止するものであり、これにより片面封止が可能となり、ダイパッド部１等、封止樹脂６から露出させたい部位を確実に露出させることができるものである。
【００５３】
そして図６（ｅ）に示すように、各半導体素子３ごとであって、リードフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間の薄厚部９をダイシングブレード１２により切断することで、吊りリード部、インナーリード部４の末端部分を切断し、吊りリード部、インナーリード部４の各末端部を封止樹脂６の側面と略同一面に配列した外形が直方体の樹脂封止型半導体装置の個片を得る。
【００５４】
図７にはリードフレームから切断分離して個片化した直方体状の樹脂封止型半導体装置を示す。図７に示す樹脂封止型半導体装置は前述の図４で示した構造と同様である。
【００５５】
以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、インナーリード部のダイパッド部に対向した先端部は、その上面厚みが薄くなった薄厚部を有しているので、ダイパッド部上に搭載した半導体素子の周縁部をそのインナーリード部の先端部上面にまで近接させることができ、インナーリード部と半導体素子との接触を避けつつ、大型の半導体素子を搭載して、チップ占有率を高め、ＣＳＰ化を実現できるものである。そしてリード部の先端部が薄厚部を有しているので、ダイパッド部に上方にあげた支持部を設けてアップセットする必要はなく、樹脂封止型半導体装置としてさらなる薄厚化を実現できるものである。
【００５６】
また樹脂封止型半導体装置の製造方法では、インナーリード部のダイパッド部に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部を有したリードフレームを用いるため、リード部の先端部上面の薄厚部にその周縁部が近接するような大型の半導体素子を搭載することができ、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めてＣＳＰ化を図り、薄厚化を実現できる製造方法である。また、リードフレームとして、１枚の金属板材のフレーム枠内に複数のリードユニットを有し、各リードユニット間のフレーム枠の板材厚は薄厚部となっているリードフレームを用いているので、リードフレームの各ユニット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止でき、リードフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間を切断することにより、吊りリード部、インナーリード部の末端部分が切断され、吊りリード部、インナーリード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形が直方体の樹脂封止型半導体装置を得ることができ、樹脂封止工程、切断分離工程の効率を高めて量産性に優れた製造方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法でのリードフレームを示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法でのリードフレームを示す図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法でのリードフレームを示す図
【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
【００５８】
１  ダイパッド部
１ａ  溝部
２  吊りリード部
３  半導体素子
４  インナーリード部
４ａ  溝部
５  金属細線
６  封止樹脂
７  薄厚部
７ａ  傾斜部分
８  フレーム枠
９  薄厚部
１０  フレーム枠
１１  リードユニット
１２  ダイシングブレード
１０１  ダイパッド部
１０１ａ  支持部
１０２  半導体素子
１０３  インナーリード部
１０３ａ  溝部
１０４  金属細線
１０５  封止樹脂
１０６  吊りリード部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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