(57)【要約】【課題】成形性および硬化性の双方ともに優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法を提供する。【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法であって、上記（Ｃ）成分である硬化促進剤を粉末状態で他の成分とドライブレンドした後、混練することにより半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造する。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）硬化剤。（Ｃ）下記の一般式（１）で表される硬化促進剤。【化１】2006249149.tif 000013（Ｄ）無機質充填剤。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法であって、上記（Ｃ）成分である硬化促進剤を粉末状態で他の成分とドライブレンドした後、混練することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）下記の一般式（１）で表される硬化促進剤。
【化１】
2006249149.tif 000010
（Ｄ）無機質充填剤。
【請求項２】
上記（Ｃ）成分である硬化促進剤が、下記の構造式（２）で表される化合物である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法。
【化２】
2006249149.tif 000011
【請求項３】
上記（Ｃ）成分である硬化促進剤が、下記の構造式（３）で表される化合物である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法。
【化３】
2006249149.tif 000012
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法によって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
請求項４記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成形性および硬化性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法およびそれによって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびにそれを用いた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子は、外部環境からの保護および半導体素子のハンドリングを可能にするという観点から、プラスチックパッケージ、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて封止され半導体装置化されている。
【０００３】
上記熱硬化性エポキシ樹脂組成物は、成形時における樹脂の硬化反応を速めるために、一般に硬化促進剤が配合される。上記エポキシ樹脂の硬化促進剤としては、例えば、アミン類、イミダゾール系化合物、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のような含窒素複素環式化合物、ホスフィン系化合物、第４級アンモニウム化合物、ホスホニウム化合物、アルソニウム化合物等が用いられる。
【０００４】
通常、これら硬化促進剤を含有するエポキシ樹脂組成物は、成形時の高温条件下においては速やかに反応が生起し、短時間のうちに硬化が完了するように配合設計されている。このため、成形時において上記エポキシ樹脂組成物が成形金型のキャビティー内に完全に充填される前に硬化反応が始まることがあり、このような場合、樹脂粘度の上昇や流動性の低下をもたらし、半導体素子とリードフレーム等の外部端子とを接続するボンディングワイヤーの変形や、隣り合ったボンディングワイヤー同士の接触、あるいはボンディングワイヤーの切断といった不具合、さらに樹脂の未充填といった不具合等、成形性における重大な不具合を生じる場合がある。そして、上記不具合を解決するためには、上記エポキシ樹脂組成物がキャビティー内を流動している間は硬化反応による粘度上昇が生起せず、キャビティー内に充填された後、速やかに硬化反応が進行し短時間で硬化が完了する、いわゆる熱潜在性触媒としての作用が求められる。
【０００５】
このような熱潜在性の硬化挙動を得る方法として、例えば、硬化促進剤をマイクロカプセル化することによって熱潜在性を持たせる方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
また、優れた硬化特性を備えた硬化促進剤として、フェノール樹脂と特定の四級ホスホニウム塩化合物とを溶融反応させたものを用いることが提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１０−１６８１６４号公報
【特許文献２】特開２００３−２９２５８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１のマイクロカプセル化する方法では、カプセル化可能な硬化促進剤成分が限定される等の問題があり、より効果的な硬化促進剤を使用することが困難な場合があった。
【０００８】
また、上記特許文献２のように、四級ホスホニウム塩化合物をエポキシ樹脂組成物の硬化促進剤として用いる場合は、この硬化促進剤を樹脂組成物中に均一に分布させるために、予め配合成分の一部、例えば、フェノール樹脂系硬化剤等と加熱溶融混合させ、これを他の配合成分とともに用いるということが行われる。しかしながら、上記四級ホスホニウム塩化合物をフェノール樹脂系硬化剤等と予め溶融混合させたものを硬化促進剤として用いると、上記四級ホスホニウム塩化合物が分子レベルで樹脂成分中に均一分散されるため、速やかに硬化反応が進行してしまい、熱潜在性の挙動を得ることができないという知見を本発明者らは得た。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、成形性および硬化性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法およびそれによって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびにそれを用いた半導体装置の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するため、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法であって、上記（Ｃ）成分である硬化促進剤を粉末状態で他の成分とドライブレンドした後、混練する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法を第１の要旨とする。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）下記の一般式（１）で表される硬化促進剤。
【化１】
2006249149.tif 000002
（Ｄ）無機質充填剤。
【００１１】
そして、本発明は、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法によって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第２の要旨とする。
【００１２】
さらに、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置を第３の要旨とする。
【００１３】
本発明者らは、適正な硬化反応、すなわち、成形金型のキャビティー内に完全に充填せされるまでは硬化反応による粘度上昇が生起せず、キャビティー内に充填された後、速やかに硬化反応が進行し短時間で硬化が完了する、いわゆる熱潜在性触媒としての挙動を示す、優れた成形性を備えたエポキシ樹脂組成物を得るために鋭意検討を重ねた。その過程で、まず、硬化促進剤自身に着目し、硬化促進剤としての作用を奏する化合物を中心に研究を重ねた。そして、硬化促進剤として、四級ホスホニウム塩化合物の一種である上記一般式（１）で表されるホスホニウム塩化合物を用いると、非常に有効であることを突き止めた。しかしながら、この硬化促進剤を樹脂成分中に均一に分散させるために、予め、配合成分の一部、例えば、フェノール樹脂系硬化剤等と加熱溶融混合させ、この予備混合物を残りの配合成分と混練して用いると、先に述べたように、上記硬化促進剤が分子レベルで樹脂成分中に均一分散されるため、速やかに硬化反応が進行してしまい、熱潜在性の挙動を得ることができないという知見を得た。この知見にもとづき、さらに研究を重ねた結果、上記特定の硬化促進剤を粉末状態で他の配合成分とともにドライブレンドすると、熱潜在性を示し所期の目的が達成されることを見出し本発明に到達した。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように、本発明は、上記一般式（１）で表される特定の硬化促進剤〔（Ｃ）成分〕を用い、これを粉末状態で他の成分とドライブレンドした後、混練することにより半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造する方法である。このため、硬化促進剤として熱潜在性挙動を示し適切な硬化反応を示す半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られ、優れた成形性および硬化性が得られる。したがって、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて得られる半導体装置は、パッケージ内のボンディングワイヤーの変形や切断等といった不具合もなく信頼性に優れたものである。
【００１５】
そして、上記一般式（１）で表される特定の硬化促進剤として、後記の構造式（２）で表される化合物を用いると、より優れた硬化性が得られるようになる。
【００１６】
また、上記一般式（１）で表される特定の硬化促進剤として、後記の構造式（３）で表される化合物を用いると、より一層優れた硬化性が得られるとともに、潜在性が良好であり成形時に樹脂流動しやすいため、パッケージ内のボンディングワイヤーの変形や切断の発生が抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明における、半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、フェノール樹脂（Ｂ成分）と、特定の硬化促進剤（Ｃ成分）と、無機質充填剤（Ｄ成分）を用いて得られ、通常、粉末状もしくはこれを打錠したタブレット状になっている。
【００１８】
本発明に用いるエポキシ樹脂（Ａ成分）は、特に限定されるものではなく各種のエポキシ樹脂が用いられる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。これらエポキシ樹脂の中でも、ビフェニル型エポキシ樹脂や低級アルキル基をフェニル環に付加したような低吸湿型のエポキシ樹脂を用いることが信頼性の点から好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃のものが好ましい。
【００１９】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とともに用いられる硬化剤（Ｂ成分）は、上記エポキシ樹脂の硬化剤としての作用を奏するものであり、例えば、フェノール樹脂が用いられる。このフェノール樹脂としては、特に限定するものではなく１分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般があげられる。具体的には、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ビフェニル型ノボラック、トリフェニルメタン型、ナフトールノボラック、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂等があげられ、これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものを用いることが信頼性の点から好ましい。
【００２０】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と硬化剤（Ｂ成分）の配合割合は、硬化剤としてフェノール樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量あたり、フェノール樹脂中の水酸基当量が０．５〜２．０当量となるように配合することが好ましい。より好ましくは０．８〜１．２当量である。
【００２１】
上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられる特定の硬化促進剤（Ｃ成分）は、下記の一般式（１）で表される特定の四級ホスホニウム塩化合物であり、この特定の硬化促進剤（Ｃ成分）を用いることにより成形性および硬化性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られるようになる。
【００２２】
【化２】
2006249149.tif 000003
【００２３】
上記一般式（１）において、潜在性や硬化性に優れるという点から、Ｒ1 〜Ｒ4 が全てフェニル基で、かつＲ5 がメチル基である下記の構造式（２）で表されるテトラフェニルホスホニウム・テトラ（４−メチルフェニル）ボレートを用いることが好ましい。
【００２４】
【化３】
2006249149.tif 000004
【００２５】
また、上記一般式（１）において、より良好な潜在性や硬化性を発揮するという点から、Ｒ1 〜Ｒ4 のうち３個がフェニル基で残り一つがメチルフェニル基、かつＲ5 がメチル基である下記の構造式（３）で表されるトリフェニル（４−メチルフェニル）ホスホニウム・テトラ（４−メチルフェニル）ボレートを用いることが好ましい。
【００２６】
【化４】
2006249149.tif 000005
【００２７】
そして、上記一般式（１）で表される特定の硬化促進剤（Ｃ成分）は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、上記構造式（２）の場合は、トリフェニルホスフィンとクロロベンゼンの反応物と、ナトリウムテトラ（ｐ−メチルフェニル）ボラートとを反応させて合成することができる。なお、上記ナトリウムテトラ（ｐ−メチルフェニル）ボラートは、ｐ−臭化トルエンマグネシウムに三フッ化ホウ素を加え、炭酸ナトリウムと塩化ナトリウムで処理することにより得ることができる。
【００２８】
また、上記構造式（３）の場合は、トリフェニルホスフィンとｐ−クロロトルエンの反応物と、ナトリウムテトラ（ｐ−メチルフェニル）ボラートとを反応させて合成することができる。
【００２９】
上記特定の硬化促進剤（Ｃ成分）の含有量は、上記硬化剤（Ｂ成分）１００重量部（以下「部」と略す）に対して１〜２０部の範囲に設定することが好ましく、より好ましくは２〜１０部である。すなわち、１部未満では、目的とするエポキシ樹脂（Ａ成分）と硬化剤（Ｂ成分）、例えば、フェノール樹脂との硬化反応が進み難いため、充分な硬化性を得ることが困難となり、２０部を超えると、硬化反応が速過ぎて成形性を損なう傾向がみられるからである。
【００３０】
また、本発明においては、上記特定の硬化促進剤（Ｃ成分）とともに、従来公知の各種硬化促進剤を本発明の特性を損なわない範囲で併用してもよい。上記従来公知の各種硬化促進剤としては、例えば、トリアリールホスフィン類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なお、上記従来公知の各種硬化促進剤を併用する場合には、具体的には、この各種硬化促進剤の含有量を硬化促進剤成分全体の５０重量％以下に設定することが好ましい。
【００３１】
上記Ａ〜Ｃ成分とともに用いられる無機質充填剤（Ｄ成分）としては、特に限定するものではなく従来公知の各種充填剤が用いられる。例えば、溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等のシリカ粉末、アルミナ粉末、タルク等があげられる。これら無機質充填剤は、破砕状、球状、あるいは摩砕処理したもの等いずれのものでも使用可能である。なかでも、球状溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。そして、これら無機質充填剤は単独でもしくは２種以上併せて用いられる。上記無機質充填剤（Ｄ成分）としては、平均粒径が５〜４０μｍの範囲のものを用いることが、流動性を良好にするという点から好ましい。上記平均粒径の測定は、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置により測定することができる。
【００３２】
そして、上記無機質充填剤（Ｄ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の７０〜９２重量％の範囲に設定することが好ましい。特に好ましくは８５〜９２重量％の範囲である。すなわち、７０重量％未満では、エポキシ樹脂組成物の粘度が低くなりすぎて成形時の外観不良（ボイド）が発生する傾向がみられ、９２重量％を超えると、流動性が低下し、ワイヤー流れや未充填が発生する傾向がみられるからである。
【００３３】
なお、本発明における半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、上記Ａ〜Ｄ成分に加えて、シランカップリング剤、難燃剤、難燃助剤、離型剤、イオントラップ剤、カーボンブラック等の顔料や着色料、低応力化剤、粘着付与剤等の他の添加剤を適宜配合することができる。
【００３４】
上記シランカップリング剤としては、特に限定するものではなく各種シランカップリング剤を用いることができ、なかでも２個以上のアルコキシ基を有するものが好適に用いられる。具体的には、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３５】
上記難燃剤としては、ノボラック型ブロム化エポキシ樹脂や金属水酸化物等があげられ、さらに上記難燃助剤としては、三酸化二アンチモンや五酸化二アンチモン等が用いられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３６】
上記離型剤としては、高級脂肪酸、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、例えば、カルナバワックスや酸化ポリエチレン系ワックスが用いられ、これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３７】
上記イオントラップ剤としては、イオントラップ能力を有する公知の化合物全てが使用でき、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が用いられる。
【００３８】
また、上記低応力化剤としては、アクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体等のブタジエン系ゴムやシリコーン化合物があげられる。
【００３９】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、前記Ｃ成分である硬化促進剤を粉末状態で、これと他の成分である前記Ａ成分，Ｂ成分およびＤ成分ならびに必要に応じて他の添加剤を配合しドライブレンドした後、熱ロールやニーダー等の混練機にかけ加熱状態で溶融混合し、これを室温に冷却した後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により製造することができる。なお、本発明において、上記他の成分とは、Ｃ成分を除く配合成分をいい、Ａ成分，Ｂ成分，Ｄ成分および必要に応じて配合される上記他の添加剤をいう。
【００４０】
上記加熱状態での溶融混合条件としては、例えば、好ましくは温度６０〜１５０℃の範囲、より好ましくは７０〜１２０℃の範囲に設定することが好ましい。すなわち、上記範囲を外れた温度設定、例えば、低温側では、樹脂粘度が高くて混合が充分に行われずに不均質となる傾向がみられ、また高温側では、硬化反応の進行が早く、高粘度化して流動性が低下したり、ゲル化物が生じて流動時にワイヤーを変形させたり、成形時に未充填部が生じる恐れがある。
【００４１】
このようにして得られたエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止は、特に制限するものではなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行うことができる。上記エポキシ樹脂組成物を用いた樹脂封止においては、上記封止の際に、成形金型内に完全に充填されるまでは、硬化反応が進行せず、充填後加熱することにより速やかに硬化反応が進行して短時間で硬化反応が完了する。
【００４２】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
【００４３】
まず、実施例に先立って下記に示す各成分を準備した。
【００４４】
〔エポキシ樹脂〕
ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９２、融点１０５℃）
【００４５】
〔フェノール樹脂ａ〕
ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（水酸基当量２０３、軟化点６５℃）
【００４６】
〔フェノール樹脂ｂ〕
フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０４、軟化点６０℃）
【００４７】
〔硬化促進剤ａ〕
テトラフェニルホスホニウム・テトラ（４−メチルフェニル）ボレート
【００４８】
〔硬化促進剤ｂ〕
トリフェニル（４−メチルフェニル）ホスホニウム・テトラ（４−メチルフェニル）ボレート
【００４９】
〔硬化促進剤ｃ〕
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
【００５０】
〔無機質充填剤〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径３０μｍ）
【００５１】
〔顔料〕
カーボンブラック
【００５２】
〔難燃剤〕
水酸化マグネシウム
【００５３】
〔シランカップリング剤〕
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
【００５４】
〔離型剤〕
酸化ポリエチレンワックス
【実施例】
【００５５】
〔実施例１〜６〕
下記の表１に示す各原料を同表に示す割合で配合しミキサーで充分混合（ドライブレンド）した後、２軸混練機を用い９５℃で２分間溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕することにより目的とする粉末状エポキシ樹脂組成物を作製した。
【００５６】
〔比較例１〜４〕
下記の表２に示す各原料を同表に示す割合で配合しミキサーで充分混合（ドライブレンド）した後、２軸混練機を用い９５℃で２分間溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕することにより目的とする粉末状エポキシ樹脂組成物を作製した。なお、比較例１，２，４においては、硬化促進剤と、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂およびフェノールノボラック樹脂とを予め１８０℃×１時間で予備混合した後、この予備混合物と残りの配合成分とをミキサーで充分混合した後、２軸混練機を用い１００℃で２分間溶融混練した。そして、この溶融物を冷却した後粉砕することにより目的とする粉末状エポキシ樹脂組成物を作製した。
【００５７】
【表１】
2006249149.tif 000006
【００５８】
【表２】
2006249149.tif 000007
【００５９】
得られた各エポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法にしたがって特性〔ゲル化時間、硬化反応立ち上がり温度（ＤＳＣ反応立ち上がり温度）、熱時硬度〕を測定・評価した。また、上記各エポキシ樹脂組成物を用いて半導体装置を製造し、このときの金線ワイヤー流れの状況を下記の方法にしたがって測定・評価した。これらの結果を下記の表３〜表４に示した。
【００６０】
〔ゲル化時間〕
１７５℃の熱板上でエポキシ樹脂組成物を溶融させ、ゲル化するまでの時間を測定した。
【００６１】
〔硬化反応立ち上がり温度（ＤＳＣ反応立ち上がり温度）〕
示差走査熱量分析計（パーキンエルマー社製）を用い、昇温速度１０℃／分における発熱挙動（ＤＳＣ反応立ち上がり温度）を測定した。
【００６２】
〔熱時硬度〕
金型温度１７５℃、硬化時間９０秒で成形し、型開き１０秒後にショアＤ硬度計を用いて測定したショアＤ硬度の値を熱時硬度とした。すなわち、熱時硬度の値が高いほど硬化性が良好であるといえる。
【００６３】
〔金線ワイヤー流れ〕
上記実施例および比較例で得られたエポキシ樹脂組成物を用い、金線ワイヤー（ワイヤー径２３μｍ、ワイヤー長６ｍｍ）を張ったＬＱＦＰのパッケージフレーム（ＬＱＦＰ−１４４、大きさ：２０ｍｍ×２０ｍｍ×厚み１．４ｍｍ）を、ＴＯＷＡ社製の自動成型機（ＣＰＳ−４０Ｌ）により成形（条件：１７５℃×９０秒）し、１７５℃×５時間で後硬化することにより半導体装置を得た。すなわち、上記半導体装置の作製時において、図１に示すように、ダイパッド１を有するＬＱＦＰのパッケージフレームに金線ワイヤー２を張り、これを上記エポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止することによりパッケージを作製した。図１において、３は半導体チップ、４はリードピンである。そして、作製したパッケージを軟Ｘ線解析装置を用いて、金線ワイヤー流れ量を測定した。測定は、各パッケージから１０本ずつ金線ワイヤーを選定して測定し、図２に示すように、正面方向からの金線ワイヤー２の流れ量を測定した。そして、金線ワイヤー２の流れ量の最大部分となる値をそのパッケージの金線ワイヤー流れ量の値（ｄｍｍ）とし、金線流れ率〔（ｄ／Ｌ）×１００〕を算出した。なお、Ｌは金線ワイヤー２間の距離（ｍｍ）を示す。そして、上記金線流れ率が６％以上のものを×、６％未満のものを○として表示した。
【００６４】
【表３】
2006249149.tif 000008
【００６５】
【表４】
2006249149.tif 000009
【００６６】
上記結果から、実施例品は、硬化反応立ち上がり温度が高く、しかも熱時硬度も高い。そして、金線ワイヤー流れに関しても良好な結果が得られた。このことから、実施例品は、成形性および硬化性の双方に優れたものであることがわかる。
【００６７】
これに対して、従来の硬化促進剤を配合した比較例３品は、実施例と同様の配合方法であるにもかかわらず、ゲル化時間が極端に長く、硬化しなかった。したがって、熱時硬度は測定できず、金線ワイヤー流れの評価に供与できなかった。また、従来の硬化促進剤の配合方法である、フェノール樹脂成分と予備混合した比較例１，２，４品は、硬化反応立ち上がり温度が低かった。したがって、金線ワイヤー流れに関しても劣る結果となった。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】半導体装置の金線ワイヤー流れ量を測定するために用いるパッケージを示す正面図である。
【図２】半導体装置の金線ワイヤー流れ量の測定方法を示す模式図である。
【図１】
2006249149.tif 000014
【図２】
2006249149.tif 000015