(57)【要約】【課題】  高品位の表示が可能な電気光学装置を、効率よく製造する。【解決手段】  配向膜は、規制層と補助層とが基板表面に積層されてなる。規制層は、電気光学物質の配向を基板表面において特定方向に規制する配向規制力を有する。補助層は、規制層の下層として設けられ、規制層を配向規制力について補助すべく、特定方向のうち少なくとも基板表面に沿った方位角方向の配向規制力を有する。【選択図】      図３
2006072099.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持された電気光学物質と、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板における前記電気光学物質に面する側の表面に形成された配向膜と
を備え、
前記配向膜は、前記表面に、前記電気光学物質の配向を前記表面において特定方向に規制する配向規制力を有する規制層と、前記規制層の下層として設けられ、前記規制層を前記配向規制力について補助すべく前記特定方向のうち少なくとも前記表面に沿った方位角方向の配向規制力を有する補助層とが積層されてなる
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記補助層は、前記電気光学物質を水平配向させる層を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記補助層の配向規制力と前記規制層の配向規制力とは、前記方位角方向において向きが揃っていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記補助層は一層であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記規制層及び前記補助層は夫々、前記表面に斜め方向から材料を供給することにより成膜されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記補助層は、前記規制層と材料又は構造が異なる層を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記規制層は酸化ケイ素膜からなり、前記補助層は酸化アルミニウム膜からなることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記規制層及び前記補助層は夫々、酸化ケイ素膜からなることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された電気光学物質と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板における前記電気光学物質に面する側の表面に形成された配向膜とを備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記表面に、前記電気光学物質の配向を前記表面において特定方向に規制する配向規制力を有する規制層と、前記規制層の下層として設けられ、前記規制層を前記配向規制力について補助すべく前記特定方向のうち少なくとも前記表面に沿った方位角方向の配向規制力を有する補助層とを積層することで、前記配向膜を形成する配向膜形成工程と、
前記配向膜形成工程の後に、前記一対の基板を前記表面を内側にして対向させ、前記一対の基板間に前記電気光学物質を挟持させる組み立て工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記配向膜形成工程において、前記規制層及び前記補助層の各配向規制力の大きさ及び作用方向を(i) 前記電気光学物質の種類、(ii) 前記基板表面に対する材料の供給角度、及び(iii) 前記基板表面に対する材料の供給速度のうち少なくとも一つを調整することにより設定することを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記供給角度を前記基板表面の法線方向から３０度以上かつ７０度以下に設定して、前記規制層と前記補助層とを成膜することを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法、及び該電気光学装置、並びに、該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置においては、電気光学物質の配向制御を、特定の表面形状をもつ配向膜により行う。このような配向膜は、ポリイミド等の有機膜にラビング処理を施して作成される場合の他、酸化シリコン（ＳｉＯ）等の無機材料を基板に斜め方向から真空蒸着（即ち、斜方蒸着法）やスパッタリングを行うことで作成される場合がある。こうした蒸発材料を成膜面に対して斜め方向から供給する成膜方法を、以下では適宜「斜方成膜法」と呼ぶことにする。
【０００３】
斜方成膜法によれば、セルフシャドーイング効果により、蒸発材料の基板に対する入射方向に傾斜した微細な柱状構造が形成される。そこで、この形状を利用して液晶を配向させるのである。斜方成膜法は、筋状の配向処理斑等のラビング処理上の問題から開放され、しかも耐光性のよい配向膜を得る方法として注目されている。また、斜方成膜法による配向膜は、蒸着材料やその形状、或いは液晶材料に応じて、液晶分子が水平配向したり、垂直配向したりすることが知られている（例えば、非特許文献１を参照）。
【０００４】
ところが、配向膜の下地となる基板表面には、配線や電極、遮光膜等の厚みに起因する段差が存在している場合が殆どである。そのため、斜方成膜の際に、段差の陰となって成膜され難い、或いは全く成膜されない領域が生じる。配向膜にこうした斑があると、配向能が弱まり、光漏れや透過率低下によるコントラスト比の低下を招く原因となる。そこで、配向膜上の斑ないしはそれに起因する表示斑を解消する方策が提案されている。例えば特許文献１には、２層の斜方蒸着膜からなる配向膜について開示されている。この場合、２層目の蒸着膜は、蒸着方向のうち方位角成分を１層目の蒸着膜と異ならせることで、１層目において蒸着されにくい段差の影に対しても蒸着させることができる。斜方蒸着膜を二層とすることで、段差によって蒸着がなされない領域をなくす技術については、その他に特許文献２及び３にも開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２７７８７９号公報
【特許文献２】特開２００１−５００３号公報
【特許文献３】特開昭５３−６０２５４号公報
【非特許文献１】M.Lu et al.,ＳＩＤ'００ ＤＩＧＥＳＴ,29.4,446(2000)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の２層配向膜も含め、斜方成膜法による配向膜の配向能は、基本的に膜構造に由来していることから、有機ポリイミド配向膜に匹敵するレベルに達しない場合がある。特にラビング処理を行わないために、配向の極角方向と方位角方向とを同時かつ確実に制御することが難しく、表示や応答速度に悪影響を及ぼしかねないという技術的問題がある。
【０００７】
具体的には、斜方成膜法による配向膜を垂直配向モードに適用する場合、配向膜をプレチルト角が小さい条件で成膜すると、液晶分子の倒れる方向が規定されないために画素内でディスクリネーションが発生してしまう。そこで、液晶分子の倒れる方向を規定するためにプレチルト角をある程度大きくすると、今度は液晶の複屈折によって黒レベルが十分に暗く表示されないといった問題が生じる。
【０００８】
また、斜方成膜法による配向膜を水平モードに適用する場合、使用する材料によっては、方位角方向のアンカリングが弱いために、横電界の影響を受けてディスクリネーションが発生し、設計どおりの透過率が得られないという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高品位の表示が可能であり、効率よく製造可能な電気光学装置及びその製造方法、並びに、そのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された電気光学物質と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板における前記電気光学物質に面する側の表面に形成された配向膜とを備え、前記配向膜は、前記表面に、前記電気光学物質の配向を前記表面において特定方向に規制する配向規制力を有する規制層と、前記規制層の下層として設けられ、前記規制層を前記配向規制力について補助すべく前記特定方向のうち少なくとも前記表面に沿った方位角方向の配向規制力を有する補助層とが積層されてなる。
【００１１】
本発明の電気光学装置によれば、液晶等の電気光学物質の配向状態を制御することで階調表示を行うように構成されており、電気光学物質の初期配向は配向膜によって規制される。
【００１２】
本発明に係る配向膜は、２層以上の多層構造を有し、基板の表面に配置される規制層と、その下層である補助層とからなる。規制層は、電気光学物質に接することで配向膜との界面近傍の電気光学物質のダイレクター（即ち、電気光学物質の平均的な配列方向）を直接的に制御するために設けられ、電気光学物質の配向を特定方向に規制するという配向膜としての機能（配向能）を有している。ここで「特定方向」とは、電気光学物質の配向方向として予め設定された特定の方向であり、通常は基板表面に対する極角方向及び方位角方向として、３次元的に設定される。
【００１３】
但し、規制層一層だけでは、上述したように配向規制力が十分でないことが多い。特に、その方位角方向の配向規制力が不十分だと、配向斑や応答速度の低下などを引き起こして表示不良の原因となる可能性がある。そこで、本発明では、規制層の下層側に、規制層の配向規制力を強めるような補助層が積層される。より具体的には、補助層は、特定方向のうち、方位角方向に対する配向能を有するように構成される。
【００１４】
これは、一般的には、補助層に規制される電気光学物質の配向方向を、規制層に規制される電気光学物質の配向方向と一致させる、或いは一致するように揃えることを意味するが、電気光学物質の光学モードによっては必ずしも両者は一致しない。或いは、補助層が、方位角方向の配向規制力のみならず極角方向の配向規制力を有していてもよい。即ち、本発明における補助層は、少なくとも方位角方向の配向制御に関して、文字通り、規制層を補助する役割を担っていればよいのである。その意味では、補助層は、規制層と同一膜であってもよく、配向規制力を方位角方向にのみ付与する場合等には、材料或いは構造が規制層とは異なる膜であってもよい。また、補助層は、１層であっても複数層であってもよい。
【００１５】
補助層は、規制層の下方に位置するものの、電気光学物質との相互作用によって配向能を電気光学物質に十分作用させることができる。因みに、規制層及び補助層の配向能は、その形状に由来することから、例えば、斜方蒸着等により形成される場合の各層の厚みは４０〜１００ｎｍ程度と極めて薄い。そのため、補助層と電気光学物質との距離は、相互作用が働く程度に近くなっている。
【００１６】
このような構成を有することから、本発明に係る配向膜は、ラビング処理によって配向能が付与されるのではなく、膜自体の構造ないし形状由来の配向能を備えている。即ち、配向膜は、基板表面を下地とした蒸着法やスパッタリング法等によって形成される。また、配向膜は、例えばＳｉＯ等の無機材料からなり、一対の基板のいずれか一方又は両方に形成されてよい。
【００１７】
このような配向膜は、方位角方向の配向規制力が規制層単独の場合よりも補強され、電気光学物質の方位角方向の配向力をより強めるように作用する。その結果、例えば、垂直配向モードにおいて、配向膜をプレチルト角が小さい条件で成膜した場合であっても、液晶分子の倒れる方向が規定されるためにディスクリネーションの発生を抑制或いは未然防止することができる。また、水平配向モードにおいても、方位角方向のアンカリングが十分強くなるために、ディスクリネーションの発生を抑制或いは未然防止することができる。即ち、本発明によれば、配向膜の配向規制力不足により生じる電気光学物質の配向斑や応答速度の低下が抑制或いは未然防止され、高品位な表示が可能となる。また、本発明に係る配向膜は、特定方向に配向能を付与するための条件設定さえできれば、例えば斜向蒸着等の通常の成膜方法を用いて、確実に機能を発揮できる状態に形成可能である。
【００１８】
以上説明したように、本発明の電気光学装置では、規制層と補助層とが積層された配向膜を設け、補助層には電気光学物質を特定の方位角方向に配向させるような配向能を付与するようにしたので、電気光学物質の方位角方向の配向力を強めることができ、高品位な表示が可能となる。
【００１９】
また、このような配向膜は、膜構造に応じた配向能を有することから、ラビング処理が不要である。従って、ラビング処理に伴って生じる表示不良から開放される。同時に、斜方成膜法等を用いて成膜するだけで完成できることから、電気光学装置の効率よい製造を可能とする。尚、配向膜の各層を無機材料で構成する場合には、ラビング処理が施されるポリイミド膜等の有機配向膜に比べて、耐光性を格段に向上させることができるという利点がある。
【００２０】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記補助層は、前記電気光学物質を水平配向させる層を含む。
【００２１】
この態様によれば、補助層は、概ね方位角方向の配向規制力だけを有する層を含むように構成される。即ち、そのような層の単層であるか、そのような層を一つ又は複数含んで積層されていてもよい。
【００２２】
仮に、補助層が極角方向の配向規制力を有するとすれば、その配向規制力は、規制層が規制しようとする特定方向に作用することが望ましく、そうでなくとも、予め所定方向を目指すように設定されるべきである。しかし、前述したように、配向規制力を極角方向と方位角方向とで同時に制御することは、一般に困難である。一方、本態様の補助層においては、少なくとも一層に対して方位角方向のみ考慮して配向規制力を付与すればよいので、比較的簡便に、かつ、全体の配向規制力が電気光学物質を確実に適正方向に配向させるように、配向膜を形成することが可能である。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記補助層の配向規制力と前記規制層の配向規制力とは、前記方位角方向において向きが揃っている。
【００２４】
この態様によれば、前記補助層によって配向した場合の電気光学物質の方位角方向と、前記規制層によって配向した場合の電気光学物質の方位角方向とが同方向とされる。尚、ここで「向きが揃う」とは、完全に配向規制力の向きが一致している場合（現実には、そのような設定自体が困難である）を意味するだけでなく、配向規制力の作用方向における設定誤差を含める趣旨である。即ち、配向規制力の向きが実質的に揃っていることを意味している。その結果、配向膜は、方位角方向の配向規制力を効果的に向上させることができる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記補助層は一層である。
【００２６】
この態様によれば、配向膜は、補助層及び規制層の各一層から構成される。補助層は、一層であっても規制層の補強機能を十分に果たすことが可能である。また、補助層が複数層からなる場合には、層毎に、また全体の配向規制力を制御する必要があるが、この場合には一層のみ制御すればよい。
【００２７】
そのため、配向膜の構成が簡素化され、製造効率をより向上させることができる。
【００２８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記規制層及び前記補助層は夫々、前記表面に斜め方向から材料を供給することにより成膜されている。
【００２９】
この態様によれば、配向膜は、基板表面に斜め方向から材料を供給する成膜法（即ち、斜方成膜法）によって形成されている。そのような成膜法の具体例は、代表的には斜方蒸着法であるが、その他にも例えば斜め方向から蒸発材料を打ち込むスパッタリング法等が挙げられる。尚、蒸発材料は、蒸着可能なものであれば特に限定されないが、一般的には無機材料が用いられる。
【００３０】
このような斜方成膜法においては、成膜条件等に応じて電気光学物質の配向方向を制御することができる。例えば、電気光学物質に、フッ素系液晶であって誘電率異方性が負の液晶を垂直配向モードで使用する場合に、配向膜の蒸着角度が小さい（等方性の膜に近い）と、配向のプレチルト角はほぼ９０°であるが、蒸着角度が大きくなるにつれてプレチルト角がつくことが知られている。また、配向膜の材料によっては、同じ誘電率異方性が負の液晶でも水平配向する場合がある。また、フッ素系液晶、或いはシアノ系液晶であって誘電率異方性が正の液晶を用いる場合、液晶分子は蒸着面に対して水平に配向するが、蒸着角度に応じてプレチルト角が変化することが知られている。
【００３１】
従って、成膜条件を適宜に設定するだけで、規制層及び補助層の夫々に所望の配向能を付与することができる。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記補助層は、前記規制層と材料又は構造が異なる層を含む。
【００３３】
この態様によれば、補助層は、規制層とは材料又は構造が異なることで、規制層の配向規制力とは方向或いは大きさが異なる配向規制力を有するように構成することができる。換言すると、配向膜の配向規制力は、各層の材料や構造に応じて設計可能であり、これにより、電気光学物質の配向方向を制御することができる。その制御性は、特に、斜方成膜法により配向膜を形成する場合に顕著である。
【００３４】
この態様では、前記規制層は酸化ケイ素膜からなり、前記補助層は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜からなるようにしてもよい。
【００３５】
この場合の配向膜は、規制層は電気光学物質を垂直配向させるような配向規制力を有し、補助層は電気光学物質を水平配向させるような配向規制力を有するように構成することができ、具体的には垂直配向モードに適用可能である。
【００３６】
補助層を構成する酸化アルミニウム膜の成膜方法は限定されるわけではないが、特に、斜方成膜法を用い、基板表面に対する法線方向から３０°〜７０°の角度で材料を供給しながら成膜した場合には、電気光学物質を酸化アルミニウムの供給方向に対して平行に配向させることができ、方位角方向に比較的強い配向規制力が得られる。
【００３７】
規制層を構成する酸化ケイ素膜についても成膜方法は限定されるわけではないが、特に、斜方成膜法を用い、基板表面に対する法線方向から３０°〜７０°の角度で材料を供給しながら成膜した場合には、電気光学物質を傾斜角度のついた垂直配向させることができ、極角方向に比較的強い配向規制力が得られる。
【００３８】
従って、この配向膜では、界面近傍の電気光学物質のダイレクターを直接的に制御する規制層が垂直配向させる規制力を主に担い、その方位角方向の規制力を補助層が補うことで、全体として比較的強い配向規制力を発揮することが可能である。
【００３９】
或いは、前記規制層及び前記補助層は夫々、酸化ケイ素膜からなるようにしてもよい。
【００４０】
この場合の配向膜は、規制層、補助層とも、電気光学物質を水平配向させるような配向規制力を有するように構成することができ、具体的には水平配向モードに適用可能である。
【００４１】
酸化ケイ素を用いて成膜した補助層及び規制層は、電気光学物質を酸化ケイ素の供給方向に対して平行方向又は直交方向の、プレチルト角０°〜３０°でもって水平配向させることができ、方位角方向に比較的強い配向規制力が得られる。
【００４２】
従って、この配向膜では、界面近傍の電気光学物質のダイレクターを直接的に制御する規制層が水平配向させる規制力を主に担い、その規制力を補助層が補うことで、全体として比較的強い配向規制力を発揮することが可能である。
【００４３】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。
【００４４】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能であり、効率よく製造することが可能である。この電子機器は、例えば、投射型表示装置、テレビジョン受像機、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種の電子機器として実現可能である。
【００４５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された電気光学物質と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板における前記電気光学物質に面する側の表面に形成された配向膜とを備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記表面に、前記電気光学物質の配向を前記表面において特定方向に規制する配向規制力を有する規制層と、前記規制層の下層として設けられ、前記規制層を前記配向規制力について補助すべく前記特定方向のうち少なくとも前記表面に沿った方位角方向の配向規制力を有する補助層とを積層することで、前記配向膜を形成する配向膜形成工程と、前記配向膜形成工程の後に、前記一対の基板を前記表面を内側にして対向させ、前記一対の基板間に前記電気光学物質を挟持させる組み立て工程とを含む。
【００４６】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、本発明に係る配向膜が、規制層及び補助層を基板表面に蒸着或いはスパッタリング等により成膜することによって形成される。その際、材料の供給方向は、基板表面に対する方位角方向及び極角方向に適宜設定される。
【００４７】
配向膜形成工程の後は、組み立て工程において、一対の基板は配向膜が形成された面を内側にして対向され、一対の基板間に電気光学物質が挟持される。電気光学装置の項で前述したように、ここで形成された配向膜は十分に強い配向規制力を有しているために、配向膜に接する状態で基板間に挟持された電気光学物質には、配向不良が殆ど生じない。
【００４８】
従って、このようにして製造される電気光学装置においては、電気光学物質の配向不良に起因する光漏れやコントラスト比の低下等が抑制又は解消され、良好な表示が可能である。
【００４９】
また、基板表面における材料の供給方向等の、成膜時の条件設定以外は通常通りの方法で、こうした配向規制力が強い配向膜が形成されることから、表示品質が良好な電気光学装置を比較的容易に製造することができ、製造効率を向上させることも可能である。
【００５０】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記配向膜形成工程において、前記規制層及び前記補助層の各配向規制力の大きさ及び作用方向を(i) 前記電気光学物質の種類、(ii) 前記基板表面に対する材料の供給角度、及び(iii) 前記基板表面に対する材料の供給速度のうち少なくとも一つを調整することにより設定する。
【００５１】
この態様によれば、規制層及び補助層は、上記３つの成膜条件のうち少なくともいずれかに応じて、付与されるべき配向規制力の大きさ及び作用方向が予め設定される。これは、本発明に係る配向膜の配向規制力が、ラビング処理によってもたらされるのではなく、それ自体の構造に由来することによる。特に、斜方成膜法を用いる場合に、これらの成膜条件に応じて配向規制力の大きさや方向は大きく変化するので、逆に成膜条件を設定することで配向規制力を制御することができる。
【００５２】
従って、成膜条件さえ的確に設定できれば、形成される配向膜上に設定通りの配向規制力が確実に発現されることから、電気光学装置の効率よい製造に寄与する。
【００５３】
この態様では、前記供給角度を前記基板表面の法線方向から３０度以上かつ７０度以下に設定して、前記規制層と前記補助層とを成膜するようにしてもよい。
【００５４】
本発明の発明者らの研究によれば、この範囲内で供給角度を設定すると、一定の供給角度でもって形成された膜は、膜質に応じて電気光学物質を垂直配向させたり水平配向させたりすることが判明している。即ち、供給角度一定とし、相異なる材料を供給するようにするだけで、電気光学物質を垂直配向モードに配向させる規制層と、水平配向モードに配向させる補助層とを、連続的に成膜することが可能である。従って、配向膜をより簡便に形成でき、電気光学装置を一層効率よく製造することが可能となる。
【００５５】
また、本発明の発明者らの研究によれば、蒸着角度がこの範囲内であれば、形成される斜方蒸着膜によって配向する液晶のプレチルト角は殆ど一定となることが判明している。即ち、この範囲内では、蒸着角度のマージンが極めて大きくなり、製造上有利である。
【００５６】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５７】
以下、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。尚、以下の実施形態では、本発明に係る電気光学装置の一具体例として液晶装置を例にとっている。
【００５８】
＜１：第１実施形態＞
先ず、本発明の第１実施形態について図１から図６を参照して説明する。
【００５９】
＜１−１：電気光学装置の構成＞
本実施形態に係る電気光学装置の構成について図１から図３を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る電気光学装置を対向基板側から見た場合の平面図である。図２は、図１のＩ−Ｉ'断面図である。図３は、ＴＦＴアレイ基板又は対向基板上に形成される配向膜の概念的構成を表している。尚、この電気光学装置は、駆動回路内蔵型ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採用している。
【００６０】
図１及び図２において、電気光学装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とにより構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００６１】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００６２】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００６３】
画像表示領域１０ａの周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００６４】
また、対向基板２０の４つのコーナーには、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００６５】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００６６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。そして、画素電極９ａの直上に、配向膜１６が形成されている。一方、対向基板２０の対向面には、対向電極２１が形成されている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。この対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生等を防止するために、ＴＦＴと正対する領域を覆うようにストライプ状の遮光膜２３が形成されている。そして、対向電極２１の更に上には、配向膜２２が設けられている。
【００６７】
以上のように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の周縁をシール材５２により封止して形成した空間に、液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、配向膜１６及び配向膜２２により、所定の配向状態をとる。尚、本実施形態では、液晶層５０は、誘電率異方性が負（Δε＞０）であり、垂直配向モードで駆動される液晶で構成されている。
【００６８】
図３において、配向膜１６と配向膜２２とは、規制層３０Ａ及び補助層３０Ｂの二層の斜方蒸着膜が積層して構成されている。尚、規制層３０Ａは液晶層５０側、補助層３０Ｂは基板側に配置されており、配向膜１６に限っては図２と図３とで上下が逆向きになる。
【００６９】
規制層３０Ａは、配向膜１６又は２２の最上層として液晶分子に接し、液晶層５０と配向膜との界面近傍のダイレクターを直接的に規制するための層である。即ち、基本的には、この規制層３０Ａが、液晶層５０のダイレクターを特定方向に規制する配向能を有している。ここで液晶層５０は垂直配向モードで駆動されることから、規制層３０Ａは、液晶分子を垂直配向させる配向膜として機能し、基板表面に対して、極角方向θの配向規制力と方位角方向δの配向規制力Ｘ11とを有している。
【００７０】
補助層３０Ｂは、規制層３０Ａの下層に設けられ、規制層３０Ａの配向規制力を強めるような配向能を有している。具体的には、液晶分子を水平配向させる配向膜として機能し、方位角方向δに配向規制力Ｘ11と揃った向きに配向規制力Ｘ12を有している。このため、配向膜１６及び２２全体としての配向能は、方位角方向δにおいて増強される。
【００７１】
このような規制層３０Ａ及び補助層３０Ｂは、斜方蒸着によって成膜され、その膜厚は例えば４０ｎｍ〜１００ｎｍ（４００Å〜１０００Å）程度とされている。即ち、規制層３０Ａ及び補助層３０Ｂは、概ね単分子膜として形成される。尚、蒸発材料として一般に無機材料が使用されることから、これらの各層も無機膜であってよいが、蒸着させることが可能な有機材料で構成されていても構わない。但し、一般的には、無機膜の方が耐光性を高めるうえで望ましいと考えられる。各層の構成材料としては、規制層３０Ａには、例えばＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ＴｉＯ２等のいずれかを用いればよい。補助層３０Ｂには、規制層３０Ａと同様の材料の他、例えばＡｌ２Ｏ３等を用いるとよい。
【００７２】
斜方蒸着膜は、斜方蒸着されることでカラム形状に形成され、その形状効果により液晶を配向させる。そのため、例えば規制層３０Ａ一層だけでは、配向能が十分でない場合があるが、本実施形態の配向膜１６及び２２では、下層に設けた補助層３０Ｂによって方位角方向δの配向能が補強される。その結果、配向膜１６及び２２は、方位角方向δに十分に大きな配向規制力Ｘ１を発揮し、液晶層５０の液晶分子の方位角方向δのアンカリングを強め、方位角方向δの配向規制力を高めることができる。
【００７３】
従って、本実施形態の電気光学装置は、その駆動時に、液晶層５０内の液晶の配向斑や応答速度の低下などが生じることが抑制或いは未然防止され、良好な表示を行うことが可能である。
【００７４】
＜１−２：電気光学装置の製造方法＞
次に、このような電気光学装置の製造方法について、図４から図６を参照して説明する。図４は、電気光学装置の製造工程を表すフローチャートであり、図５は、そのうち配向膜の成膜に用いる蒸着装置の構成を表している。また、図６は、対向基板２０に配向膜２２を蒸着する際の蒸着角度を表している。
【００７５】
図４のフローチャートにおいて、先ず、ＴＦＴアレイ基板１０上に積層構造を形成する（ステップＳ１１）。この工程は、例えば以下のように行うことができる。先ず、ＴＦＴアレイ基板１０として、ガラス基板ないし石英基板を用意し、その上に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜からなる走査線をスパッタリング、フォトリソグラフィ及びエッチングによりパターン形成する。更にその上に、例えば常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＮＳＧからなる下側絶縁膜を形成する。
【００７６】
次に、下地絶縁膜上にポリシリコン膜を形成し、これにフォトリソグラフィ及びエッチング等を施すことにより、所定パターンを有する半導体層を形成する。この半導体層の表面を熱酸化し、ゲート絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィ及びエッチング等により、ゲート電極を形成する。更に、ゲート電極をマスクとして不純物イオンをドープして、半導体層内にソース領域及びドレイン領域を形成することにより、画素スイッチング用ＴＦＴが形成される。
【００７７】
次に、ＴＦＴ上にＮＳＧ膜からなる第１層間絶縁膜を形成した後、ポリシリコン膜にリン（Ｐ）を熱拡散して下部電極を形成し、高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる誘電体膜、導電性ポリシリコン膜からなる容量電極を積層させ、蓄積容量を形成する。
【００７８】
次に、ＮＳＧ膜からなる第２層間絶縁膜を形成した後、データ線等を形成する。次に、第３層間絶縁膜を形成した後、その上面をＣＭＰ処理により平坦化する。具体的には、例えば研磨プレート上に固定された研磨パッド上に、シリカ粒を含んだ液状のスラリー（化学研磨液）を流しつつ、スピンドルに固定した基板表面を回転接触させることにより、第３層間絶縁膜の上面を研磨する。
【００７９】
次に、第３層間絶縁膜上に、スパッタ等によりＩＴＯ膜を堆積し、フォトリソグラフィ及びエッチングを行なうことにより、画素電極９ａを形成する。
【００８０】
更に、ＴＦＴアレイ基板１０上の全面に斜方蒸着を行い、２層の積層膜からなる配向膜１６を形成する（ステップＳ１２）。
【００８１】
この場合に適用される蒸着装置は、例えば図５のように構成されている。この装置は、真空蒸着用の装置であり、蒸発源９０と、蒸着基板を所定の角度γで支持するように構成された内部を密閉可能なペルジャー９１とを備えている。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０は、蒸発源９０からの直進方向を示すＹ１軸に対して中心軸Ｙ２が角度γ（０°＜γ＜９０°）で傾くように配置される。このとき、蒸発材料の進行方向からＴＦＴアレイ基板１０の基板面は角度γだけ傾いている。その結果、ＴＦＴアレイ基板１０に蒸着した材料は、所定角度の柱状結晶が配列するように成長する。こうして得られる斜方蒸着膜からなる配向膜１６は、表面形状効果により液晶層５０の液晶分子を配向させることができる。尚、配向膜１６における規制層３０Ａ、補助層３０Ｂの形成工程は、配向膜２２と同様であるために、まとめて後述する。
【００８２】
以上のＴＦＴアレイ基板１０上の構造の形成工程と並行して又は相前後して、対向基板２０上についても所定の構造を形成する工程を行う。即ち、対向基板２０としてガラス基板等を先ず用意し、その全面に例えば金属クロム等をスパッタし、フォトリソグラフィ及びエッチングを行なうことにより、ストライプ状の遮光膜２３を形成する。続いて、スパッタリングによりＩＴＯ膜を約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積して、対向電極２１を形成する（ステップＳ１３）。
【００８３】
次に、対向基板２０上の全面に斜方蒸着を行い、２層の積層膜からなる配向膜２２を形成する（ステップＳ１４）。本実施形態においては、配向膜１６及び配向膜２２の形成工程が、本発明の「配向膜形成工程」の一例に対応している。以下、配向膜２２の形成工程について詳述するが、前述のように、配向膜１６も同様にして形成することができる。
【００８４】
配向膜２２は、補助層３０Ｂ及び規制層３０Ａを、この順に対向基板２０上に成膜することにより形成される。その際の成膜工程は、図６に示した蒸着角度γ１で行われる。蒸着角度γ１は、図５の角度γに相当し、成膜材料と共に、液晶層５０の液晶のプレチルト角との間に対応関係が存在する。尚、ここでは、補助層３０Ｂも規制層３０Ａも蒸着角度γ１で成膜するものとしたが、夫々異なる蒸着角度で成膜するようにしてもよい。
【００８５】
先ず、補助層３０Ｂとして、例えばＡｌ２Ｏ３膜を成膜する。この場合の蒸着角度γ１は、ここでは特に問わないが、３０°〜７０°の範囲内であれば、液晶をこの蒸着方向γ１と平行に配向させるような補助層３０Ｂが得られることから、配向膜２２が方位角方向δにおいて比較的強い配向規制力を得ることができ、好ましい。より好ましくは、４０°〜６０°の範囲内である。
【００８６】
続いて、補助層３０Ｂの上面に、規制層３０Ａとして、例えばＳｉＯ２膜を成膜する。この場合の蒸着角度γ１は、０°及び９０°以外の角度とする。仮に蒸着角度を０°又は９０°とすると、セルフシャドーイング効果が現れずに、等方性で緻密な膜質となるため、配向規制力が発現されにくくなってしまう。また、この場合に蒸着角度γ１を３０°〜７０°の範囲内とすると、液晶をチルトを有した状態で垂直配向させるような規制層３０Ａが得られ、配向膜２２が極角方向θにおいて比較的強い配向規制力を得ることができ、好ましい。
【００８７】
また、図７に示したように、本発明の発明者らの研究によれば、蒸着角度γ１が３０°〜７０°の範囲内であれば、形成される斜方蒸着膜によって配向する液晶のプレチルト角は殆ど一定となることが判明している。即ち、この範囲内では、蒸着角度γ１のマージンが極めて大きくなり、製造上有利である。
【００８８】
以上の成膜工程においては、方位角方向δにおいて補助層３０Ｂの配向規制力Ｘ12の向きと規制層３０Ａの配向規制力Ｘ11の向きとが揃うように（図３参照）、補助層３０Ｂ及び規制層３０Ａの夫々が成膜されることが望ましい。配向規制力Ｘ11及びＸ12の方向は、蒸着材料、及び、蒸着角度γ１等の蒸着条件に応じて設定可能である。
【００８９】
その後、上述のように積層構造が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを、配向膜１６及び２２が対面するように対向させ、シール材５２により貼り合わせる（ステップＳ１５）。
【００９０】
次に、両基板間に形成された空間に、ここでは負の誘電率異方性をもつ液晶材料が注入され、所定厚の液晶層５０が形成される（ステップＳ１６）。尚、これら貼り合わせ工程及び液晶注入工程は、本発明の「組み立て工程」の一例に対応する。
【００９１】
このようにして製造される電気光学装置は、上述のような構造の配向膜１６及び２２が設けられていることから、液晶層５０における液晶の配向不良に起因する表示品質の低下が抑制又は解消されており、良好な表示を可能とする。
【００９２】
即ち、液晶層５０は、配向膜１６及び２２（特に、その規制層３０Ａ）の表面形状効果によって所定のプレチルト角で垂直配向する。また、配向膜１６及び２２は、補助層３０Ｂによって方位角方向δの配向規制力が補強されているために、液晶層５０における液晶分子は、水平配向時には、方位角方向δにおける規制された向きに安定して配向することが可能となる。
【００９３】
例えば、斜方蒸着されたＳｉＯ２膜（即ち、規制膜３０Ａと同様の単層膜）は、成膜時のセルフシャドーイング効果により、蒸着方向γ１に傾斜した微細な柱状構造を有し、その膜上では、例えばフッ素系の材料で構成されていて誘電率異方性が負の液晶は、チルトを有した一軸配向することが知られている。ところが、こうした膜は、チルト角を決定する極角方向θの配向規制力は十分有している一方で、方位角方向δの配向規制力（配向規制力Ｘ11に相当する）は弱い。これは、斜方蒸着膜が、その柱状構造に由来する表面形状効果によって液晶分子を配向させることに起因していると考えられる。
【００９４】
この膜を垂直配向モードで駆動する電気光学装置に配向膜として用いる場合には、方位角方向δの配向規制力が弱いために、水平配向する電圧印加時には横電界の影響を受けやすいことが問題となる。即ち、横電界によって方位角方向δの配向が変化してしまい、視角ずれ、透過率減少などの表示不良を引き起こすことになりかねない。また、方位角方向δの配向が定まらないことで、c-plateやWVフィルムといった視角補償フィルムを用いた視角補償の設計がしにくく、軸もずれてしまうため十分な視角補償ができないという問題が生じる。
【００９５】
その一方、Ａｌ２Ｏ３膜（即ち、補助３０Ｂと同様の単層膜）を配向膜として用いる場合には、いかなる蒸着角度γ１で成膜した場合においても、成膜された配向膜上で誘電率異方性が負である液晶は水平配向となる。本発明の発明者らの実験結果によれば、特に、蒸着角度γ１が４０°〜６０°であるとき、液晶分子の配向方向は蒸着方向γ１に対して平行となり、強い方位角方向の配向規制力が得られている。
【００９６】
そこで、液晶層５０と直接接しない層としてＡｌ２Ｏ３膜を形成し、その上にＳｉＯ２膜を斜方蒸着して形成して配向膜とすれば、垂直配向モードにおいて、極角方向θの配向規制力は液晶と接するＳｉＯ２膜の配向規制力を受けてそのままに、方位角方向δの配向規制力は下層のＡｌ２Ｏ３膜の配向規制力によって補強される。この積層膜は、本実施形態の配向膜１６及び２２の一具体例であり、このような構成により、極角方向θだけでなく方位角方向δにおいても十分強い配向規制力が付与される。そのため、垂直配向モードで駆動する際に、横電界による表示不良が抑えられ、比較的容易かつ確実に視角補償を行うことができる。即ち、斜方蒸着膜で、ラビング処理されたポリイミド膜並の安定した液晶配向を得ることができる。
【００９７】
このように本実施形態においては、配向膜１６及び２２を、規制層３０Ａと補助層３０Ｂとを積層して構成するようにしたので、強い配向規制力によって高品位な表示が可能となる。
【００９８】
また、配向膜１６及び２２は斜方蒸着膜であり、ラビング処理が不要であることから、ラビング処理に伴う表示不良から開放される。同時に、配向膜１６及び２２は、成膜するだけで配向膜として完成しているので、電気光学装置の効率よい製造を可能とする。尚、配向膜１６及び２２が無機材料を蒸着してなる場合には、耐光性や耐熱性に優れ、ライトバルブとしての電気光学装置の耐久性向上に寄与する。更に、配向膜１６及び２２は、蒸発材料、蒸着方向γ１等の成膜条件に応じて比較的容易かつ確実に配向能を制御することが可能である。
【００９９】
＜２：第２実施形態＞
次に、第２実施形態について、図８を参照して説明する。図８は、ＴＦＴアレイ基板又は対向基板上に形成される配向膜の概念的構成を表している。
【０１００】
本実施形態の電気光学装置は、第１実施形態が垂直配向モードであったのに対し、水平配向モードで駆動される。そのため、配向膜の構成が異なるが、その点を除けば第１実施形態と同様に構成されている。よって、第１実施形態と同様の構成要素については同一の符合を付し、その説明を適宜省略する。
【０１０１】
ここでは、液晶層５０を構成する液晶には、誘電率異方性が正（Δε＞０）のフッ素系或いはシアン系の液晶を用いる。また、ＴＦＴアレイ基板１０上の配向膜２６と、対向基板２０上の配向膜３２とは、共に上記の液晶を水平配向させるように構成される。
【０１０２】
図８において、配向膜２６及び３２は、具体的には、上記液晶を水平配向させる配向能を有する規制層３１Ａと、その下層に設けられ、やはり上記液晶を水平配向させる配向能を有する補助層３１Ｂとからなる。これら規制層３１Ａ及び補助層３１Ｂは、規制層３０Ａ及び補助層３０Ｂと同様の材料、例えばＳｉＯ２等で構成することができる。但し、その成膜時の蒸着方向は、夫々の配向能に応じて適宜に設定される。
【０１０３】
例えば、水平配向モードに適用される斜方蒸着膜（即ち、規制膜３１Ａと同様の単層膜）は、方位角方向δの配向規制力（配向規制力Ｘ11に相当する）は弱いために、電圧印加時に横電界の影響を受けやすく、視角ずれ、透過率減少などの表示不良を引き起こすことになりかねない。また、方位角方向の配向が定まらないことで、c-plateやWVフィルムといった視角補償フィルムを用いた視角補償の設計がしにくく、軸もずれてしまうため十分な視角補償が出来ないという垂直配向と同様の問題を有している。
【０１０４】
そこで、本実施形態では、規制層３１Ａの下層に、液晶を水平配向させるような配向膜、即ち補助層３１Ｂを形成することで、方位角方向δの規制力を補強し、配向膜２６及び３２の全体としての方位角方向δにおける配向規制力を強めている。
【０１０５】
従って、本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が発揮される。
【０１０６】
＜３：配向膜の変形例＞
次に、第１及び第２の実施形態の配向膜の変形例について、図９及び図１０を参照して説明する。
【０１０７】
例えば、各実施形態では、補助層は、専ら液晶分子を水平配向させるような方位角方向δの配向規制力のみを有するものとして説明されたが、補助層が極角方向θの配向規制力を有していても構わない。
【０１０８】
また、各実施形態では、補助層と規制層とは、相異なる材料或いは相異なる蒸着角度で成膜されており、結果的に同一の構成ではない膜として説明されたが、本発明においては、補助層は、規制層と同一膜であってもよい。その場合も、単分子膜に近い厚みで各層を積層すると、上述のように層毎の配向能が総体として液晶配向を規制するように作用することができる。因みに、２層分の厚みの単層の斜方蒸着膜は、膜厚に応じて構造が変化してしまい、そのような作用は望めないのである。
【０１０９】
また、各実施形態では、補助層の方位角方向の配向規制力と、規制層の方位角方向の配向規制力とを一致させるようにしたが、液晶の光学モードによっては両者を異なる向きに設定してもよい。即ち、図９に示したように、規制層４０Ａの方位角方向の配向規制力Ｘ21に対し、補助層４０Ｂの方位角方向の配向規制力Ｘ22は、別の方向に設定されている。このよう場合であっても、補助層は、規制層単層では実現できなかった配向規制力を提供することで、規制層を補助するように機能する。
【０１１０】
このように、本発明に係る規制層と補助層とは、方位角方向の配向規制力を揃える際の製造上の誤差として夫々の方位角方向の配向規制力の向きがずれる場合だけでなく、意図的に夫々の方位角方向の配向規制力の向きを相異ならせる場合をも含んでいる。即ち、本発明の補助層は、方位角方向において液晶を安定させたい所望の方向に配向させると共に、方位角方向の配向規制力を安定させ維持させるように作用する。
【０１１１】
また、以上においては規制層及び補助層を各一層として説明したが、本発明の配向膜では補助層は２以上の層であってもよい。図１０に示した例では、規制層４１Ａに対して３層の補助層４２ａ〜４２ｃが設けられている。この場合、補助層４２ａ〜４２ｃは、夫々材料や蒸着条件が異なっていてもよいが、同一構成であってもよい。また、これらの補助層４２ａ〜４２ｃの方位角方向δの配向規制力は、規制層３６の方位角方向δの配向規制力Ｘ31と向きが揃っていることが望ましいが、向きが互いに異なっていても構わない。
【０１１２】
尚、各実施形態では、配向膜を斜方蒸着膜としたが、蒸発材料を斜め方向から供給するスパッタリング等の成膜法によっても、同様に構成された配向膜を得ることができる。
【０１１３】
＜３：電子機器＞
以上に説明した液晶装置は、例えばプロジェクタに適用することができる。ここでは、本発明の電子機器の一例として、実施形態における電気光学装置をライトバルブに適用したプロジェクタについて説明する。図１１は、そのようなプロジェクタの構成例を示している。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての電気光学装置１００Ｒ、１００Ｂ及び１００Ｇに入射される。ここで、電気光学装置１００Ｒ、１００Ｂ及び１００Ｇの構成は上述した電気光学装置と同等であり、夫々において画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの各原色信号が変調される。電気光学装置１００Ｒ、１００Ｂ及び１００Ｇによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。ダイクロイックプリズム１１１２では、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。これにより各色の画像が合成され、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン１１２０等にカラー画像が投写される。
【０１１４】
尚、上記実施形態の電気光学装置は、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー表示装置に適用することもできる。その場合、対向基板２０上における画素電極９ａに対向する領域に、ＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に形成すればよい。或いは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。更に、以上の各場合において、対向基板２０上に画素と１対１に対応するマイクロレンズを設けるようにすれば、入射光の集光効率が向上し、表示輝度を向上させることができる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用してＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るい表示が可能となる。
【実施例】
【０１１５】
次に、本発明に係る実施例について、図１２及び図１３を参照して説明する。
【０１１６】
＜実施例１＞
第１実施形態と同様にして、誘電率異方性が負の液晶を用いた垂直配向モードの電気光学装置を作製する。ＴＦＴアレイ基板及び対向基板の配向膜は、先ず補助層としてＡｌ２Ｏ３膜を成膜し、その上に規制層としてＳｉＯ２膜を成膜することで形成する。その際には、第１実施形態の製造プロセスに従い、規制層、補助層とも蒸着角度５０°で斜方蒸着を行い、膜厚４０ｎｍ（４００Å）とする。
【０１１７】
一方、実施例１の比較例として、比較例１において配向膜をＳｉＯ２膜単層とした場合の電気光学装置を作製する。その成膜条件は、実施例１の規制層と合わせる。そして、実施例１と比較例１について実際に装置を動作させて、液晶の方位角方向のアンカリング力と、画像表示領域の透過率とを測定する。
【０１１８】
図１２は、方位角方向のアンカリング力と透過率との測定結果を表している。この結果では、実施例１の方が、比較例１よりも方位角方向のアンカリング力が強く、透過率も高いことが確認できる。これは、実施例１が、比較例１よりも方位角方向のアンカリング力が強いために横電界の影響を受け難く、その結果として透過率が向上したと考えられる。
【０１１９】
＜実施例２＞
第２実施形態と同様にして、誘電率異方性が正の液晶を用いた水平配向モードの電気光学装置を作製する。ＴＦＴアレイ基板及び対向基板の配向膜は、先ず補助層として蒸着角度８０°で斜方蒸着を行ってＳｉＯ２膜を成膜し、その上に規制層として蒸着角度６０°で斜方蒸着を行ってＳｉＯ２膜を成膜することで形成する。その際には、第１実施形態の製造プロセスに従い、規制層、補助層とも膜厚４０ｎｍ（４００Å）とする。
【０１２０】
一方、実施例２の比較例として、比較例２において配向膜をＳｉＯ２膜単層とした場合の電気光学装置を作製する。その成膜条件は、実施例２の補助層と合わせる。そして、実施例２と比較例２について実際に装置を動作させて、液晶の方位角方向のアンカリング力と、画像表示領域の黒表示時の投影輝度とを測定する。
【０１２１】
図１３は、方位角方向のアンカリング力と黒表示の輝度の測定結果を表している。この結果では、実施例２の方が、比較例よりも方位角方向のアンカリング力が強く、黒表示の輝度が低いことが確認できる。これは、実施例２が、比較例２よりも方位角方向のアンカリング力が強いために横電界の影響を受け難く、その結果として黒表示時の液晶配向が乱れずに輝度が抑えられたものと考えられる。
【０１２２】
本発明は、上述した実施形態及び実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法及び電気光学装置、並びに電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。例えば、上記実施形態では、透過型の液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、反射型に対しても適用可能である。また、本発明は、電気光学物質の配向規制力不足によって表示等に悪影響がもたらされる、その他の電気光学装置に対しても適用可能である。そのような電気光学装置としては、例えば、有機ＥＬ装置、電子ペーパ等の電気泳動装置等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ'断面図である。
【図３】第１実施形態に係る電気光学装置のうち配向膜の概念的な構成を表す斜視図である。
【図４】第１実施形態に係る製造方法のフローチャートである。
【図５】第１実施形態に係る蒸着装置の概略構成を表す断面図である。
【図６】対向基板側の配向膜の斜方蒸着における蒸着角度を表す斜視図である。
【図７】図６の蒸着角度に対する液晶のプレチルト角を表すグラフである。
【図８】第２実施形態に係る電気光学装置のうち配向膜の概念的な構成を表す斜視図である。
【図９】実施形態の変形例に係る配向膜の概念的な構成を表す斜視図である。
【図１０】実施形態の変形例に係る配向膜の構成を表す斜視図である。
【図１１】本発明の電子機器の一実施形態に係る液晶プロジェクタの構成を表す断面図である。
【図１２】実施例１及び比較例１に係る電気光学装置において、成膜条件と、方位角方向のアンカリング力及び透過率の評価結果とを表す表である。
【図１３】実施例２及び比較例２に係る電気光学装置において、成膜条件と、方位角方向のアンカリング力及び透過率の評価結果とを表す表である。
【符号の説明】
【０１２４】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、２１…対向電極、１６、２２…配向膜、２３…遮光膜、３０Ａ…規制層、３０Ｂ…補助層、５０…液晶層、θ…極各方向、δ…方位角方向、γ、γ１…蒸着方向、Ｘ11…（規制層の）配向規制力、Ｘ12…（補助層の）配向規制力。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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