(57)【要約】【課題】光アイソレータ素子１からの後方散乱光が、光ファイバ側、あるいはレーザ側への戻り光となり、レーザ出力の不安定を引き起こすという問題がある。【解決手段】金属粒子を分散した偏光子とファラデー回転子とを互いに接着してなる光アイソレータ素子において、前記偏光子の金属粒子はファラデー回転子との接合面側よりも非接合面側の方が少ないこと。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属粒子を分散した偏光子とファラデー回転子とを互いに接着してなる光アイソレータ素子において、前記偏光子の金属粒子はファラデー回転子との接合面側よりも非接合面側の方が少ないことを特徴とする光アイソレータ素子。
【請求項２】
前記偏光子のファラデー回転子との非接合面側に誘電体多層膜が形成され、かつ該誘電体多層膜の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光アイソレータ素子。
【請求項３】
偏光子基板とファラデー回転子基板とを接着一体化して複合基板とする第１の工程と、
前記複合基板の両面を研磨加工する第２の工程と、
前記複合基板を切削加工して多数個の光アイソレータ素子を作製する第３の工程
とからなることを特徴とする光アイソレータ素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２の工程は前記複合基板の両面を同時にラッピング加工するものであることを特徴とする請求項３に記載の光アイソレータ素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載の光アイソレータ素子を光ファイバの端面に接着してなることを特徴とする光アイソレータ付きファイバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源から出射された光を各種光学素子や光ファイバに導入した際に生じる戻り光を除去するために用いられる光アイソレータ素子及びその製造方法並びに光アイソレータ付きファイバに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光通信用モジュール等において、レーザ光源等の光源から出射した光は、各種光学素子や光ファイバに入射されるが、入射光の一部は各種光学素子や光ファイバの端面や内部で反射されたり散乱されたりする。この反射や散乱した光の一部は、戻り光として光源に戻ろうとするが、この戻り光を防止するために光アイソレータが用いられる。
【０００３】
従来、この種の光アイソレータは、２枚の偏光子の間に平板状のファラデー回転子を設置し、これら３つの部品を筒状の磁石内に部品ホルダを介して収納することにより構成されていた。通常、ファラデー回転子は飽和磁界内において所定の波長をもつ光の偏光面を４５°回転する厚みに調整され、また２つの偏光子はそれぞれの透過偏光方向が４５°回転方向にずれるように回転調整されて構成されている。
【０００４】
このような構成の光アイソレータは、ファラデー回転子と２つの偏光子が別部品で各素子にホルダが必要であり、そのため部品点数が多くなり組立工数が多くなるばかりか、各部品間の光学上の調整作業が煩雑で、コスト高を招いていた。また小型化が難しかった。
【０００５】
このため、平板状のファラデー回転子の両面にそれぞれ平板状の偏光子を接着一体化した構成の光アイソレータ素子を、筒状の磁石内中央部に配置した光アイソレータも提案されている。
【０００６】
図４に示す従来の小型化された光アイソレータ素子１５が示されており、以下にその構成について説明する（特許文献１）。
【０００７】
光アイソレータ素子１５はファラデー回転子１６、偏光子１７、１８を光透過性が良く屈折率が制御されている光学接着剤１９で接着した光アイソレータ素子２０と筒状の磁石２１とからなる。ここで偏光子１７、１８は透過する光の一方向の偏波成分を吸収し、その偏波成分に直交する偏波成分を透過する機能を有し、また、ファラデー回転子１６は飽和磁界強度において所定波長の光の偏波面を約４５度回転する機能を有する。
【０００８】
また２つの偏光子１７、１８は、それぞれの透過偏波方向が約４５度ずれるように配置されている。偏光子は、ガラス基板内に金属粒子を分散させたガラス偏光子が用いられる。
【０００９】
これはサブミクロン程度に長く延伸させた金属粒子をガラス自身の中に一方向に配列させることにより偏光特性を持たせたガラスである。金属粒子の延伸方向に垂直な偏波面を持つ光が透過し、平行な偏波面を持つ光は吸収される。ガラス中の金属粒子は、ハロゲン化金属を還元処理することにより析出させるため、ガラスの両表面の５０μｍ程度厚みにおいて、ハロゲン化金属が還元され金属粒子となり、偏光特性を示す。
【００１０】
図５は従来の光アイソレータ素子２０の製造方法を示す図である。
【００１１】
まず図５（ａ）（ｂ）に示すように、１０ｍｍ角程度の偏光子基板２２とファラデー回転子基板２３と偏光子基板２４を接着一体化する。ここで偏光子基板２２の透過偏波方向はある１辺に平行な方向に設定されており、偏光子基板２４の透過偏波方向は、ある１辺に４５度の方向に設定されている。各光学基板の固定は、偏光子基板２２とファラデー回転子２３、および偏光子基板２４は互いの１辺が平行になるよう接着される。
【００１２】
また、各光学素子の接着一体化には、前述したように光学的に透明な樹脂が接着剤として用いられ、一般的にエポキシ系、アクリル系の有機系接着剤が使用されている。
【００１３】
ここで、光アイソレータ素子２０に高いアイソレーションが要求される場合は、ファラデー回転子の偏波回転角度４５＋α度に対し、偏光子基板２２と偏光子基板２４の回転ズレを４５−α度に精密に調整する必要がある。具体的には光を逆方向から（偏光子基板２４側から）入射し、透過してくる光が最も小さくなるように偏光子基板２２と偏光子基板２４を回転調整する。
【００１４】
次に図５（ｃ）（ｄ）に示すように、光アイソレータ素子基板２５を、ダイシング等で小さなチップ状の多数の光アイソレータ素子２０に加工する。
【００１５】
この光アイソレータ素子２０を作製する場合には、大型の偏光子基板とファラデー回転子基板を交互に積層して、接着完了後にこれをカットして多数個の光アイソレータ素子２０を得るといった方法を用いることにより、作業性や生産量を高くし、さらに部品点数を削減することができる。
【００１６】
なお、前記光学接着剤としては、一般的にエポキシ系、アクリル系の有機系接着剤が使用されている。
【特許文献１】特開平４−３３８９１６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、従来の光アイソレータと光アイソレータ付きファイバにおいては、各光学素子の接合界面、あるいは表面からの反射（フレネル反射）とは異なる反射が発生することがあった。この現象は、光の集光位置にアイソレータが配置されればされるほど顕著に現れてきた。
【００１８】
従来の偏光子１７、１８は、入射する光の１方向の偏光成分を吸収する機能を有する吸収型偏光子が用いられており、吸収型偏光子は楕円体形の金属粒子がガラス内に分散された構造の偏光ガラスからなる。この偏光ガラスは長く延伸された金属粒子をガラス自身の中に一方向に配列させることにより偏光特性を持たせたガラスであり、金属粒子の延伸方向に垂直な偏波面を持つ光が透過し、平行な偏波面を持つ光は吸収される。この偏光特性は金属粒子の光−プラズマ共鳴によって引き起こされ、楕円形状の金属粒子の長軸と短軸の方向によって共鳴状態が変わるためである。金属粒子の大きさは短軸長さが〜約１００ｎｍ、長軸長さが〜約５００ｎｍである。この金属粒子は長軸に平行な偏波面を持つ光を吸収すると同時に散乱光を発生させる。
【００１９】
散乱光は通常、進行方向性をもたない光のため、反射戻り光として半導体レーザ、あるいは伝送路に直接戻ることはないが、散乱反射点が光ファイバの近端にある場合や集光位置にある場合は、散乱光の一部が戻り光となるという問題ある。
【００２０】
具体的には光アイソレータ素子２０を光ファイバ付アイソレータとして用いた場合、ファイバ近端および集光位置に偏光子が配置されるため、アイソレーションの低下、すなわち光ファイバ側、あるいはレーザ側への戻り光となり、レーザ出力の不安定を引き起こすという問題がある。
【００２１】
また、従来の光アイソレータにおいては、光アイソレータが厚く、レンズと光ファイバの間にアイソレータを挿入することができず、装置が大型化するという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、金属粒子を分散した偏光子とファラデー回転子とを互いに接着してなる光アイソレータ素子において、前記偏光子の金属粒子はファラデー回転子との接合面側よりも非接合面側の方が少ないことを特徴とする。
【００２３】
さらに前記偏光子のファラデー回転子との非接合面に誘電体多層膜が形成され、かつ該誘電体多層膜の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ以下であることを特徴とする。
【００２４】
また偏光子基板とファラデー回転子基板とを接着一体化して複合基板とする第１の工程と、
前記接着一体化した前記複合基板の両面を研磨加工する第２の工程と、
前記複合基板を切削加工して多数個の光アイソレータ素子を作製する第３の工程
とからなることを特徴とする。
【００２５】
さらに前記第２の工程は前記複合基板の両面を同時にラッピング加工するものであることを特徴とする。
【００２６】
また上記光アイソレータ素子を光ファイバの端面に接着してなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の構成によれば、ファラデー回転子と偏光子を接着剤を介して接合した光アイソレータ素子において、前記偏光子のファラデー回転子との非接合面側は接合面側に比べて金属粒子が少ないことにより、不要な散乱光の発生が少なくなり、アイソレーションの低下と光ファイバおよびレーザへの戻り光の課題を解決することができる。
【００２８】
また、光アイソレータ用の厚みが薄くなり、装置の小型化が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
【００３０】
図１は、本発明の光アイソレータ素子の実施形態を示す斜視図である。
【００３１】
図に示すように、本発明の光アイソレータ素子１は、偏光子３、ファラデー回転子２、偏光子４の順に接着剤を介して接合されており、偏光子３および偏光子４のファラデー回転子２との接合面側は楕円形状の金属粒子が分散している領域が存在し、かつ、前記偏光子３および偏光子４のファラデー回転子との非接合面側は金属粒子が分散している領域が存在しない構成となっている。
【００３２】
偏光子３の透過偏波方向は、偏光子４の透過偏波方向と略４５度の角度となるように設定されており、また、ファラデー回転子２のファラデー回転角は略４５度に設定されており、この光アイソレータ素子１にＨ方向の磁場を印加することにより、最良の挿入損失特性とアイソレーション特性を得ることができる。
【００３３】
偏光子３、４は、入射する光の１方向の偏光成分を吸収する機能を有する吸収型偏光子が用いられ、吸収型偏光子は楕円体形の金属粒子がガラス内に分散された構造の偏光ガラスからなる。この偏光ガラスは長く延伸された金属粒子をガラス自身の中に一方向に配列させることにより偏光特性を持たせたガラスであり、金属粒子の延伸方向に垂直な偏波面を持つ光が透過し、平行な偏波面を持つ光は吸収される。この偏光特性は誘電体に埋め込まれた金属微粒子が、光−プラズマ共鳴を示すためである。
【００３４】
この金属粒子によって偏光特性と同時に、光の散乱が発生することがわかっている。この散乱光は、楕円体形の金属粒子の短軸の方向の偏波（透過偏波）においては約１％程度の光パワーが散乱され、また長軸の方向の偏波（吸収偏波）においては約６％程度の光パワーが散乱される。散乱光はフレネル反射とは異なり、進行方向性をもたない光のため、反射戻り光として半導体レーザ、あるいは伝送路に戻る光量は少ないが、散乱反射点が半導体レーザあるいは伝送路である光ファイバの近端にある場合や、集光位置に近傍にある場合は、散乱光の一部が半導体レーザあるいは伝送路への戻り光となる。特に入射側の偏光子における散乱光は半導体レーザの近傍で発生するため特に影響が大きい。６％の散乱光パワーがすべて光ファイバあるいは半導体レーザに入射すると仮定すると、その反射戻り光は１２ｄＢとなり、通常のアイソレータのアイソレーション３０ｄＢを大きく下回り、レーザあるいは伝送路の不安定動作・エラーの要因となり不具合が発生する。
【００３５】
従って、偏光子３、４はこの金属粒子が光の入射側であるファラデー回転子２との非接合面側の金属粒子を接合面側の金属粒子よりも少なくなるように形成している。特に好ましくは非接合面側に存在しなくなるようにするとよい。このような製造方法については後述する。
【００３６】
ファラデー回転子２は、例えば、ビスマス置換ガーネット結晶等で、その厚みは所定の波長をもつ入射光線の偏光面が４５度回転する様に設定する。偏波面を回転させるためには、入射光線の光軸Ｌ方向に十分な磁界Ｈを印可することが必要であり、一般に、永久磁石（図示なし）を用いることが多い。またファラデー回転子２に磁気ヒステリシスが非常に大きく、磁石がなくても自磁力を保持する磁力保持型の材料、例えば（ＴｂＢｉ）３（ＦｅＡｌＧａ）５Ｏ１２等を用いれば磁界を印加する磁石も不要となる。
【００３７】
前述したように偏光子３、４が示す偏光特性は、誘電体に埋め込まれた楕円形状の金属粒子が光−プラズマ共鳴を示すため、入射光の直交する偏波によって透過率が異なるものであり、偏光子の両面に金属粒子が分散している領域が存在する従来の製品では、直交する偏波の透過パワー比（消光比と呼ぶ）は５０ｄＢと非常に大きなものである。本発明のように一面を他面よりも多く金属粒子を存在させるか、または一面のみに金属粒子が分散している領域が存在する偏光子の場合の消光比は若干小さくなり、特に一面のみに金属粒子が分散している領域が存在する偏光子の消光比は４７ｄＢ程度となることを確認した。
【００３８】
この消光比は、一般に要求される光アイソレータのアイソレーション４０ｄＢの特性に対しては十分な値である。
【００３９】
以上説明したように、偏光子内部の金属粒子は後方散乱光を引き起こす。この後方散乱光は指向性がないため、光源あるいは光ファイバに近い地点で発生すればするほど、反射戻り光となりシステムに悪影響を及ぼすため、光源あるいは光ファイバの近端に金属粒子分散領域を配置するのは好ましくない。本発明はこの点に注目し、より光源あるいは光ファイバに近い金属粒子分散領域を研磨等の手段により少なくするか又は排除し、反射戻り光の低減を実現した。
【００４０】
ここで、金属粒子分散領域を研磨によって除去する場合、研磨後のファラデー回転子との非接合面側の偏光子表面には金属粒子ではなく、ハロゲン化金属粒子が分散している状態である。
【００４１】
偏光子基板２２および２４の一方面をマスキングした状態で他方面のみのハロゲン化金属を金属に還元、ハロゲン化銀から銀粒子を析出する工程を経たものを偏光子基板として用い、金属粒子分散領域は偏光子の片面にのみ存在するようにすることもでき、また、金属粒子による散乱光防止の処理としてファラデー回転子との非接合面側をハロゲン化処理する方法もある。
【００４２】
いずれにしても、本発明においては、ハロゲン化金属粒子は偏光子のファラデー回転子との非接合面側に存在しているが、光通信帯域の光を透過するため金属粒子と比較して散乱光が発生しない。従って、反射戻り光は発生せず、システムに悪影響は及ぼさず、安定したレーザ出力を得ることができる。
【００４３】
さらに、偏光子のファラデー回転子との非接合面には誘電体多層膜による反射防止膜が施されることが望ましい。そのとき、ＪＩＳ  Ｂ０６０１「輪郭曲線の表面粗さ」に基づいて測定される算術平均表面粗さ（Ｒａ）が０．２μｍより大きいと、表面における散乱光が発生し、本発明の効果が薄れる。これは、光通信の波長１．３１μｍに対して算術平均表面粗さ（Ｒａ）が０．２μｍが無視できない大きさであるためで、実験により０．１ｄＢの散乱ロスが発生することが確認され、これは最大１７ｄＢの反射戻り光に換算される。
【００４４】
図２は本発明の光アイソレータ素子１を光ファイバ端面に接着した光アイソレータ付きファイバの断面図である。
【００４５】
本発明の光アイソレータ付きファイバ１０は、光アイソレータ素子１が光ファイバ６と光ファイバ６が固定されたフェルール８の端面に接着され、その周囲に磁石７を配置することにより構成されている。
【００４６】
レーザダイオード３１から出射した光は、レンズ３０により光ファイバ６に集光し光は伝送される。ここで光ファイバ６の近端部には後方散乱光を引き起こす金属粒子が配置されていないため、従来の光アイソレータつきファイバに比べて、アイソレーション特性の向上が実現する。
【００４７】
次に本発明の光アイソレータ素子の製造方法について説明する。
【００４８】
まず、従来技術と同様に、本発明は１０ｍｍ角程度の偏光子基板２２とファラデー回転子基板２３と偏光子基板２４を用いる。偏光子基板２２および２４は、ハロゲン化金属、例えばＡｇＣｌやＡｇＩ、ＡｇＢｒを含むガラスを溶融、延伸、両面研磨加工したのち、ハロゲン化金属を金属に還元、ハロゲン化銀から銀粒子を析出する工程を経たものを偏光子基板として用い、ここでは金属粒子分散領域は偏光子の両面に存在する。
【００４９】
図５（ａ）、（ｂ）に示すのと同様に偏光子基板とファラデー回転子基板を回転調整後接着し、次に一体化された光アイソレータ素子基板の両面を、両面ラッピング加工等の研磨装置で前記複合基板の両面を同時に研磨し、金属粒子分散領域を除去する。ここで一般に金属粒子分散領域は約５０μｍ程度であり、たとえば２００μｍの厚みの偏光子基板を用いる場合には、その研磨量は５０μｍ以上１００μｍ以下が望ましい。ここで、１００μｍ以上の研磨はファラデー回転子基板側の金属粒子分散領域が近くなり研磨前と同様の効果しか得ることができなくなる可能性がある。
【００５０】
ここから先は従来技術と同様に、図５（ｃ）、（ｄ）に示すように、光アイソレータ素子基板２５を、ダイシング等で小さなチップ状の多数の光アイソレータ素子２０に加工する。
【００５１】
この光アイソレータ素子２０を作製する場合には、大型の偏光子基板とファラデー回転子基板を交互に積層して、接着完了後に一括で両面を研磨し、これをカットして多数個の光アイソレータ素子２０を得るといった方法を用いることにより、作業性や生産量が高く、また、従来製品の工程に比較して研磨工程が増えるが、大型基板でかつバッチ処理が可能であるため、製品一個あたりの工数の増加は非常に少ない。
【００５２】
なお、本発明の製造方法では光アイソレータ素子基板についてファラデー回転子基板の両面に偏光子基板を接着して製造する例を示したが、これに限定されず、大型の偏光子基板と大型のファラデー回転子基板とを接着して偏光子基板の表面のみ研磨する工程をとっても同様の効果が得られる。
【００５３】
図３は反射減衰量の測定結果を示す図である。
【００５４】
図３（ａ）は従来の光アイソレータを用いた光アイソレータ付きファイバＡの測定結果であり、図３（ｂ）本発明の光アイソレータ付きファイバＢの測定結果である。
【００５５】
測定は光アイソレータ付きファイバの光ファイバ側から光を入射し、光ファイバへの反射戻り光を測定した。ここで光の反射地点を正確に知るために、測定器はプレシジョンリフレクトメータを用いた。
【００５６】
従来の光アイソレータ付きファイバＡの反射測定は図３（ａ）に示すように、光ファイバ端面近端部から発生し、反射位置は比較的広範囲にわたる。反射減衰量のピーク値は第一のピークＣ点が約２４ｄＢで、第二のピークＤ点が約４３ｄＢであった。ここで、Ｃ点、Ｄ点の反射はいずれも偏光子内部の金属粒子分散領域からの後方散乱光によるもので、Ｃ点は光ファイバ側の金属粒子分散領域、Ｄ点はファラデー回転子側の金属粒子分散領域であることが予想される。
【００５７】
これに対し本発明の光アイソレータ付きファイバＢの反射測定は図３（ｂ）に示すように、光ファイバ端面から多少離れた地点で発生している。反射減衰量のピークＥ点は約４７ｄＢであり、これは従来製品の反射減衰量ピーク点Ｄ点に相当する位置である。すなわち、本発明では光ファイバ側に金属粒子分散領域が形成されていないために図３（ａ）にあるＣ点の反射は発生せず、反射減衰量が大幅に小さく改善されていることがわかる。
【００５８】
以上説明したように、本発明の構成によれば、ファラデー回転子と偏光子を接着剤を介して一体化した光アイソレータ素子において、前記偏光子のファラデー回転子との非接合面側は金属粒子が分散していないことにより、不要な散乱光の発生が少なくなり、アイソレーションの低下と光ファイバおよびレーザへの戻り光の課題を解決することができる。
【００５９】
本発明は特に第２の実施例に示す光アイソレータ付きファイバに対して大きな効果があり、上記課題解決に加えて、光アイソレータ素子の厚みが薄くなり、装置の小型化が実現する。
【実施例１】
【００６０】
本発明の実施例として図４に示した従来の光アイソレータを用いた光アイソレータ付きファイバＡと、図２に示した本発明の光アイソレータ付きファイバＢを試作し、その特性について比較した。なお光ファイバ部の構成はＡ、Ｂともまったく同様とした。各部品と構成について以下に説明する。
【００６１】
偏光子基板は、コーニング社製のポーラコア（製品名）を用い、サイズは１０ｍｍ角で厚み０．２ｍｍのものを使用し、入射側の偏光子は基準辺に平行な偏波方向を透過し、出射側の偏光子は基準辺に対して４５度の偏波方向を透過するように設定したものを使用した。ファラデー回転子基板はビスマス置換ガーネットを用い、サイズは１０ｍｍ角で厚み０．２５ｍｍ、飽和磁界強度中における偏波回転角は４５度であった。いずれも波長１．３１μｍの光に対して動作する素子であり、ファラデー回転子基板の両面には対接着剤（ｎ＝１．５）の反射防止膜が施されている。
【００６２】
偏光子基板２枚とファラデー回転子基板１枚を回転調整し、透光性の接着剤にて３枚の基板を接着固定し光アイソレータ素子基板を作製した。光アイソレータ付きファイバＢに用いる光アイソレータ素子Ｂは、ここで両面の研磨を行った。研磨は両面を約０．０８ｍｍ研磨し、光アイソレータ素子Ｂの厚みはトータルで０．４９ｍｍとなった。また、光アイソレータ付きファイバＡに用いる光アイソレータ素子Ａは両面研磨を行わず、その厚みはトータルで０．６５ｍｍとなった。
【００６３】
光アイソレータ素子基板Ａ、Ｂともその後、ダイシング装置にて０．６ｍｍ角に加工し、光アイソレータ素子Ａ、Ｂ、各１６９個のチップを作製した。
【００６４】
光アイソレータ付きファイバＡ、Ｂともフェルールはジルコニアセラミックスを用い、コーニング社製光ファイバＳＭＦ−２８をフェルール内に挿入固定した後、端面を６度傾斜となるように研磨した。この研磨端面に、光アイソレータ付きファイバＡは従来の光アイソレータ素子Ａを接着し、これに対し、光アイソレータ付きファイバＢは本発明の光アイソレータ素子Ｂを接着した。
【００６５】
磁石はサマリウムコバルトからなるドーナッツ形状のものを用い、光アイソレータ素子の周囲に配置するために、ジルコニアフェルールが固定されている金属ホルダに接着した。
【００６６】
このように試作した２種類の光アイソレータ付きファイバのうち、抜き取りで反射減衰量の測定を各１０個、計２０個測定した。測定はアジレントテクノロジー社製のプレシジョンリフレクトメータを用い、また、反射減衰量は偏光特性を有するので、測定光の偏波を回転させ反射減衰量を測定し、もっとも悪い反射減衰量の値を採用した。
【００６７】
光アイソレータ付きファイバＡについては、１０個の反射減衰量の平均値が２３ｄＢと低く、光ファイバ端面近傍に存在する金属粒子の後方散乱光がその原因であることが予想される。これに対し、光アイソレータ付きファイバＢは、１０個の反射減衰量の平均値が４５ｄＢとなり、本発明による改善効果が十分確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の光アイソレータ素子の実施形態を示す斜視図である。
【図２】本発明の光アイソレータ付きファイバを示す断面図である。
【図３】反射減衰量の測定結果を示す（ａ）は比較例、（ｂ）は実施例のグラフである。
【図４】従来の小型化された光アイソレータの構成を示す斜視図である。
【図５】通常の小型化された光アイソレータ素子の製造方法を示す図であり、（ａ）は貼り合わせ前、（ｂ）は張り合わせ後、（ｃ）はダイシング加工、（ｄ）ダイシング加工後を示す斜視外観図である。
【符号の説明】
【００６９】
１、２０：光アイソレータ素子
１０：光アイソレータ付きファイバ
１５：光アイソレータ
２、１６：ファラデー回転子
３、４、１７、１８：偏光子
５：金属粒子分散領域
６：光ファイバ
７：磁石
８：フェルール
９：金属ホルダ
２２、２４：偏光子基板
２３：ファラデー回転子基板
２５：光アイソレータ素子基板
３０：レンズ
３１：レーザダイオード
【図１】
2006208710.tif 000003
【図２】
2006208710.tif 000004
【図３】
2006208710.tif 000005
【図４】
2006208710.tif 000006
【図５】
2006208710.tif 000007