(57)【要約】      （修正有）【課題】  材料物質を選択的に除去することによる、干渉変調器の製造方法を提供する。【解決手段】  干渉変調器等のＭＥＭＳデバイスを形成する方法は、材料物質の犠牲部分を選択的に除去して、内部キャビティを形成することと、材料物質の残る部分をそのまま残して、支柱構造を形成することとを含む。材料物質は、残る部分に対し、選択的に除去可能である犠牲部分を定義するために堆積され、かつ選択的に変更されたブランケットでありうる。あるいは、材料物質層は、覆っている層内の開口部から離れて横方向に凹ませることができる。これらの方法は、リリースされていない及びリリースされた干渉変調器を形成するのに用いることができる。【選択図】      図７
2006099112.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを形成する方法であって、
第１の電極層の上に材料物質を堆積することと、
前記材料物質の上に第２の電極層を形成することと、
前記材料物質の犠牲部分を選択的に除去し、前記微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスのサポート構造及びキャビティを形成することであって、前記サポート構造は、前記材料物質の残る部分を含み、前記第２の電極層は、前記サポート構造によって支持される可動層を含んでいることと
を備えた方法。
【請求項２】
前記微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは、干渉変調器を備えた請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の電極層及び第２の電極層のうちの少なくとも一方がミラーを備えている請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記材料物質の一部を選択的に変更し、前記材料物質の犠牲部分及び前記材料物質の残る部分を定義することを更に備えた請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記材料物質は、放射線感受性ポリマーである請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記材料物質の一部を選択的に変更することは、前記放射線感受性ポリマーの一部を照射し、前記放射線感受性ポリマーの照射部分と、前記放射線感受性ポリマーの非照射部分とを形成することを備えた請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記材料物質の犠牲部分を選択的に除去することは、前記放射線感受性ポリマーの照射部分を除去することを備えた請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記材料物質の犠牲部分を選択的に除去することは、前記放射線感受性ポリマーの非照射部分を除去することを備えた請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の電極層を形成することは、前記放射線感受性ポリマーの一部を照射し、前記放射線感受性ポリマーの照射部分と、前記放射線感受性ポリマーの非照射部分とを形成することの後に実施される請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記材料物質はシリコンを含む請求項４に記載の方法。
【請求項１１】
前記材料物質の一部を選択的に変更することは、酸素原子を前記シリコンの一部に注入して、酸化シリコンを形成することを備えた請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記サポート構造は、前記酸化シリコンを含んだ請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記選択的に変更することは、前記材料物質の一部をドープすることを備えた請求項４に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の電極層は、前記サポート構造によって直接支持される請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記サポート構造は支柱を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
請求項１の方法によって形成された微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板。
【請求項１７】
材料物質の犠牲部分であって、キャビティを形成するために除去可能になっている犠牲部分と、
前記材料物質の残る部分であって、前記犠牲部分の除去時に干渉変調器の支柱構造を形成する、残る部分と
を備えた微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１８】
前記材料物質の犠牲部分は、前記材料物質の残る部分と組成的に異なっている請求項１７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１９】
前記材料物質はポリマーを含む請求項１８に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２０】
前記ポリマーの犠牲部分は、前記ポリマーの残る部分とは異なる一定のクロスリンクを有している請求項１９に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２１】
前記材料物質はシリコンを含む請求項１８に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２２】
前記シリコンの残る部分は、更に酸素を含む請求項２１に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２３】
前記材料物質はフォトレジストである請求項１７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２４】
前記フォトレジストの犠牲部分は、前記フォトレジストの残る部分よりも大きな溶解度を有する請求項２３に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２５】
第１のミラー層及び第２のミラー層を更に備え、前記材料物質の少なくとも一部が、前記第１のミラー層と第２のミラー層との間に位置している請求項１７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２６】
前記第２のミラー層に取り付けられたメカニカル層を更に備えた請求項２５に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２７】
前記材料物質の第２の部分が、前記第２のミラー層と前記メカニカル層との間に位置している請求項２６に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２８】
干渉変調器を形成する方法であって、前記干渉変調器は、少なくとも第１のミラーと、キャビティによって前記第１のミラーから隔離された第２のミラーと、前記キャビティの側部に配置され、かつ前記第１のミラーから離間された第２のミラーを支持するように構成された支柱構造とを備え、前記方法は、
前記第１のミラーの下にあるように構成された第１の領域と、前記支柱構造の下にあるように構成された第２の領域とを有する基板を形成することと、
少なくとも前記第１の領域の上に第１のミラー層を堆積することと、
前記第１の領域及び前記第２の領域の上に材料物質を堆積することと、
前記第１の領域の上の材料物質及び前記第２の領域の上の材料物質のうちの少なくとも一方を選択的に変更することと、
少なくとも前記第１の領域上の材料物質の上に第２のミラー層を堆積することと、を備え、
前記第１の領域上の材料物質が除去されることによって、前記キャビティ及び支柱構造を形成するようになっており、前記支柱構造は、前記第２の領域上の材料物質を含む方法。
【請求項２９】
前記第１の領域上の材料物質の少なくとも一部を除去し、前記キャビティを形成することを更に備えた請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記第２の領域上の材料物質は、前記第１の領域上の材料物質の少なくとも一部を除去した後に残る請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記第１の領域上の材料物質へのエッチング液の流れを容易にするように構成されたビアを形成することを更に備えた請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記材料物質は放射線感受性ポリマーである請求項２８に記載の方法。
【請求項３３】
前記第１の領域上の材料物質を照射することを更に備えた請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１の領域上の材料物質の少なくとも一部を除去し、前記キャビティを形成することを更に備えた請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記第２の領域上の材料物質を照射することを更に備えた請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
前記第１の領域上の材料物質の少なくとも一部を除去し、前記キャビティを形成することを更に備えた請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
材料物質の犠牲部分を、前記材料物質の残る部分に対して選択的に除去する手段と、干渉変調器の少なくとも一部を支持する手段とを備え、前記支持する手段は、前記犠牲部分の除去時に形成される微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項３８】
前記除去する手段は、前記材料物質の犠牲部分と、前記材料物質の残る部分とを定義する、選択的に変更される材料物質の部分を備えた請求項３７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項３９】
前記支持する手段は支柱構造を含む請求項３７に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項４０】
請求項２８に記載の方法によって形成された干渉変調器。
【請求項４１】
請求項４０に記載の干渉変調器を備えたディスプレイデバイス。
【請求項４２】
ディスプレイと、
前記ディスプレイと電気的に通信するプロセッサであって、画像データを処理するように構成されているプロセッサと、
前記プロセッサと電気的に通信するメモリデバイスと
を更に備えた請求項４１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項４３】
少なくとも１つの信号を前記ディスプレイへ送るように構成されたドライバ回路を更に備えた請求項４２に記載のディスプレイデバイス。
【請求項４４】
前記画像データの少なくとも一部を前記ドライバ回路へ送るように構成されたコントローラを更に備えた請求項４３に記載のディスプレイデバイス。
【請求項４５】
前記画像データを前記プロセッサへ送るように構成された画像ソースモジュールを更に備えた請求項４２に記載のディスプレイデバイス。
【請求項４６】
前記画像ソースモジュールは、受信機、トランシーバ、及び送信機のうちの少なくとも１つを備えた請求項４５に記載のディスプレイデバイス。
【請求項４７】
入力データを受取って、前記入力データを前記プロセッサへ伝送するように構成された入力デバイスを更に備えた請求項４２に記載のディスプレイデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微小機械素子、アクチュエータ、及び電子機器を含む。微小機械素子は、堆積、エッチング、及びその他の微小機械加工処理を用いて生成される。この微小機械加工処理は、基板及び／又は堆積した材料層の部分をエッチングにより取り去ったり、又は、層を加えて、電子デバイス及び電気機械デバイスを形成する。ＭＥＭＳデバイスの一つのタイプは、干渉変調器と呼ばれる。干渉変調器は、一対の伝導性プレートからなる。この片方あるいは両方は、全体又は部分的に透過性及び／又は反射性であり、適切な電気信号が加えられると、関連動作を行うことができる。一方のプレートは、基板上に堆積された固定層からなり、他方のプレートは、エアギャップによって固定層から分離された金属膜を備えている。そのようなデバイスは、幅広い範囲の応用を持ち、これらのタイプのデバイスの特性を利用及び／又は変形することは、当該技術分野において有益であろう。これによって、これら特徴が、既存の製品の改良や、未だ開発されていない新たな製品の創造に活用できるようになる。
【特許文献１】米国公開出願２００４／００５１９２９号
【発明の開示】
【０００３】
本発明のシステム、方法、及びデバイスは、それぞれ幾つかの局面を持ち、そのうちの一つが単独で、望ましい特性をもたらしているのではない。本発明の範囲を限定することなく、そのより顕著な特徴が手短に説明される。この説明を考慮した後、特に、発明を実施するための最良の形態を読んだ後に、本発明の特徴が、どのように他のディスプレイデバイスよりも有利な点を備えているかを理解するであろう。
【０００４】
１つの局面は、第１のミラー層の上に材料物質を堆積することと、この材料物質の上に第２のミラー層を形成することと、前記材料物質の犠牲部分を選択的に除去することにより、干渉変調器のキャビティ及びサポート構造を形成することとを含む（干渉変調器等の）ＭＥＭＳデバイスを形成する方法を提供する。サポート構造は、前記材料物質の残る部分を含む。第２の電極層は、前記サポート構造によって支持された可動層を含む。
【０００５】
別の局面は、キャビティを形成するために除去可能な、材料物質の犠牲部分と、前記犠牲部分の除去時に干渉変調器の支柱構造を形成する、前記材料物質の残る部分とを含むＭＥＭＳデバイスを提供する。
【０００６】
他の局面は、干渉変調器を形成する方法を提供する。この干渉変調器は、少なくとも、第１のミラーと、キャビティによって第１のミラーから隔離された第２のミラーと、キャビティの側部に位置し、かつ第１のミラーから離間した第２のミラーを支持するように構成された支柱構造とを含む。この干渉変調器を形成する方法は、第１のミラーの下にあるように構成された第１の領域と、支柱構造の下にあるように構成された第２の領域とを有する基板を設けることと、その後、少なくとも第１の領域の上に第１のミラー層を堆積することとを含む。この方法は更に、第１の領域及び第２の領域の上に材料物質を堆積することと、第１の領域の上の材料物質と、第２の領域の上の材料物質とを選択的に変更するか、又はその両方を変更することとを含む。この方法は更に、少なくとも第１の領域の上に第２のミラー層を堆積することを含む。第１の領域上の材料物質は、犠牲部分の除去時に、干渉変調器のキャビティ及び支柱構造が形成され、支柱構造が、犠牲部分の除去後もそのまま残る第２の領域上の材料物質を含むように、除去可能となるように選択される。
【０００７】
他の実施例は、上述した方法によって形成される干渉変調器を含むシステムを提供する。
【０００８】
別の局面は、第１のミラー層の上に材料物質を堆積することと、この材料物質の上に第２の層を堆積することとを含む、（干渉変調器等の）ＭＥＭＳデバイスを形成する方法を提供する。第２の層は、第２の層を貫通して形成され、かつ材料物質を露出させるように構成された開口を含む。この方法は更に、前記開口を介してエッチング液を流すことと、前記材料物質をエッチングして、この材料物質の犠牲部分を除去することにより、ＭＥＭＳデバイスのキャビティ及びサポート構造を形成することとを含み、サポート構造は、材料物質の残る部分を含む。エッチングは、犠牲部分と、材料物質の残る部分との間では非選択的である。
【０００９】
他の局面は、下にある材料物質と、上にある層とを含むリリースされていないＭＥＭＳ基板を提供する。上にある層は、材料物質の犠牲部分が、キャビティを形成するために除去可能であるように構成される。上にある層はまた、犠牲部分の除去時に、材料物質の残る部分が、干渉変調器の支柱構造を形成するように構成され、残る部分と犠牲部分は、実質的に均一な特性を有する。
【００１０】
別の局面は、干渉変調器を形成する方法を提供する。この干渉変調器は、少なくとも、第１のミラーと、キャビティによって第１のミラーから隔離された第２のミラーと、キャビティの側部に位置し、かつ第１のミラーから離間した前記第２のミラーを支持するように構成された支柱構造とを含む。この干渉変調器を形成する方法は、第１のミラーの下にあるように構成された第１の領域と、支柱構造の下にあるように構成された第２の領域とを有する基板を設けることと、少なくとも第１の領域の上に第１のミラー層を堆積することとを含む。この方法は更に、第１の領域の上に、かつ第２の領域の上に材料物質を堆積することと、少なくとも第１の領域上の材料物質上に第２のミラー層を堆積することとを含む。この方法は更に、第１の領域の上の材料物質へのエッチング液の流れを容易にするように構成された複数の開口を形成することを含む。第１の領域上の材料物質は、エッチング液により除去可能であり、それによってキャビティ及び支柱構造が形成される。この場合、支柱構造は、第２の領域上の材料物質を含み、犠牲部分及び残る部分は、実質的に均一な特性を有する材料物質で形成されている。
【００１１】
他の局面は、凹断面を有する支柱構造を含む干渉変調器を提供する。
【００１２】
別の実施例は、材料物質の残る部分に対し、材料物質の犠牲部分を選択的に除去する手段と、干渉変調器の少なくとも一部をサポートする手段とを含み、このサポートする手段が、犠牲部分の除去時に形成されるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【００１３】
これら及び他の実施例を、以下に詳細に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
好ましい実施例は、内部キャビティ及び支柱が共に、材料物質を選択的に除去し、残る材料物質を後に残して支柱構造を形成することによるブランケット層で形成されている干渉変調器を形成する方法に注力する。これらの方法は、リリースされていない及びリリースされる干渉変調器を形成するのに用いることができる。例えば、リリースされない干渉変調器基板は、第１のミラー層を堆積し、この第１のミラー層の上、及び結果として生じる干渉変調器内の支柱構造の下にできる隣接領域の上に感光ポリマーを堆積した後、この感光ポリマーの上に第２のミラー層を堆積することにより形成することができる。感光ポリマーは、第１のミラー層と第２のミラー層との間にある感光ポリマーの犠牲部分を選択的に除去するために照射され、それによってキャビティが形成される。第１のミラー層に隣接している領域の上にあるこの感光ポリマーの一部は、犠牲部分の除去後に、支柱構造を形成するために残される。別の実施例においては、ミラー層の間の材料物質は、感光ポリマーである必要はない。例えば、材料物質は、ブランケットモリブデン層であってもよく、また、上に重なる第２のミラー層は、（ＸｅＦ２等の）エッチング液が、モリブデンをミラー層に対して選択的にエッチングできるように位置しているビアを備えていてもよい。従って、モリブデンは、第２のミラー層の下で、横方向に凹まされるが、モリブデンの犠牲部分のみが除去され、モリブデン層の残りの部分は、支柱を形成するために残される。
【００１５】
一実施例は、感光ポリマーを基板上に堆積することと、この感光ポリマーに光を選択的に照射して、犠牲層及び支柱構造を形成することとを備える、干渉変調器を形成する方法を提供する。例えば、感光ポリマーは、選択的に照射された領域に支柱構造を、及び照射されない領域に犠牲層を形成するための照射により、選択的にクロスリンクしてもよい。照射されない犠牲部分は、溶解による除去、例えば、照射部分を除去しない市販のレジスト除去液を用いて洗浄することによる除去が容易に可能である。別の実施例として、感光ポリマーは、選択的に照射された領域に犠牲層を、及び非照射領域に支柱構造を形成するための照射により、選択的に削り取ることができる。別の実施例においては、上記方法は、（例えば、犠牲層を選択的に溶解して、支柱構造を残す溶剤を用いて）犠牲層を選択的にエッチングすることにより続けられる。
【００１６】
以下の詳細な説明は、本発明のある特定の実施例に注力している。しかし、本発明は、多くの異なる方法で実施することができる。この説明においては、全体を通して、同様の部分が同一符番で示されている図面を参照する。
【００１７】
以下の記述から明らかになるように、本発明は、動画（例えばビデオ）あるいは固定画（例えば、静止画像）、及びテキストあるいは写真であろうとも、画像を表示するように構成された任意のデバイス内で実現される。更に詳しくは、本発明は、限定される訳ではないが、例えば、移動電話、無線装置、パーソナルデータアシスタント（ＰＤＡ）、ハンドヘルドあるいはポータブルコンピュータ、ＧＳＰ受信機／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ、ゲームコンソール、腕時計、時計、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、自動車ディスプレイ（例えば、走行距離ディスプレイ等）、コクピットコントロール及び／又はディスプレイ、カメラビューのディスプレイ（例えば、自動車の後方ビューカメラのディスプレイ）、電子写真、電子広告板又はサイン、プロジェクタ、建築物、パッケージ、及び芸術的構造物（例えば、宝石片の画像のディスプレイ）において、又はこれら種々の電子デバイスと関連して実現される。ここで記述されたものと同様の構造のＭＥＭＳデバイスはまた、例えば電子スイッチングデバイスのようなディスプレイではない用途に使用されることも可能である。
【００１８】
干渉ＭＥＭＳディスプレイ素子を備えた一つの干渉変調器ディスプレイの実施例が、図１に示されている。これらデバイスでは、ピクセルが、明るい状態、あるいは暗い状態かの何れかにある。明るい（「オン」又は「オープンな」）状態では、ディスプレイ素子が、入射可視光の大部分をユーザに反射する。暗い（「オフ」又は「クローズな」）状態では、ディスプレイ素子が、入射可視光をほとんどユーザに反射しない。この実施例によれば、「オン」状態と、「オフ」状態とで、光反射特性は逆転する。ＭＥＭＳピクセルは、選択された色を主に反射するように構成されている。これによって、黒と白だけではなく、カラー表示が可能となる。
【００１９】
図１は、ビジュアルディスプレイの一連のピクセルにおける隣接した２つのピクセルを示す等測図である。ここでは、各ピクセルが、ＭＥＭＳ干渉変調器を備えている。いくつかの実施例では、干渉変調器ディスプレイは、これら複数の干渉変調器の行／列アレイからなる。各干渉変調器は、互いに可変であり制御可能な距離に位置した一対の反射層を含み、少なくとも一つの可変寸法を持つ共鳴光学キャビティを形成する。一つの実施例では、反射層の一方が、２つの位置の間を移動することができる。リリース状態又は弛緩状態とここで称する第一の位置では、可動層が、固定された部分反射層から相対的に大きく離れた距離に位置される。第二の位置では、可動層が、部分反射層により近くに隣接するように位置している。この２つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置に依存して、強めあうように又は弱めあうように干渉する。これによって、各ピクセルについて、全体的に反射性となるか、あるいは非反射性となるかの何れかとなる。
【００２０】
図１のピクセルアレイの図示された部分は、２つの隣接する干渉変調器１２ａ，１２ｂを含む。左側の干渉変調器１２ａでは、可動の高反射性層１４ａが、固定された部分反射層１６ａから予め定めた距離であるリリース位置にあるように示されている。右側の干渉変調器１２ｂでは、可動の高反射性層１４ｂが、固定された部分反射層１６ｂに隣接したアクチュエートされた位置にあるように示されている。
【００２１】
固定層１６ａ，１６ｂは、電導性であり、部分的に透過性であり、部分的に反射性である。そして、例えば、各々がクロムと、インジウム−錫−酸化物とからなる一つ又は複数の層を、透明基板２０上に堆積することによって製造される。これら層は、平行なストリップにパターニングされ、以下に記述するようにディスプレイデバイス内の行電極を形成する。可動層１４ａ，１４ｂは、支柱１８の頂上及び複数の支柱１８の間に介在する犠牲材料上に堆積された（行電極１６ａ，１６ｂに直交する）１層又は複数の金属層の一連の平行なストリップとして形成されることができる。犠牲材料がエッチングで除去されると、変形可能な金属層は、決められたエアギャップ１９まで固定金属層から分離される。アルミニウムのように非常に電導性があり反射性の材料が、変形可能な層として使用されることができ、そして、これらのストリップは、ディスプレイデバイスにおいて列電極を形成できる。
【００２２】
印加電圧がないと、キャビティ１９が、２つの層１４ａ，１６ａの間に維持され、変形可能な層が、図１のピクセル１２ａに例示するように機械的に弛緩された状態にある。しかしながら、電位差が、選択された行及び列に印加されると、対応するピクセルにおける行電極及び列電極の交点に形成されたキャパシタが充電され、静電力がこれら電極を強制的に引きつける。電圧が十分に高ければ、可動層が変形され、図１に右のピクセル１２ｂに例示するように、固定層に対して押し付けられる（短絡を防止し、分離距離を制御するために、この図に示されていない誘電材料が、固定層上に堆積されているかもしれない）。この動作は、印加された電位差の極性に拘わらず同じである。このように、反射ピクセル状態対非反射ピクセル状態を制御できる行／列アクチュエーションは、従来のＬＣＤ及びその他のディスプレイ技術において使用される多くの方法に類似している。
【００２３】
図２から図５は、ディスプレイ用途において干渉変調器のアレイを使用するための一つの典型的なプロセス及びシステムを示している。図２は、本発明の局面を具体化することができる電子デバイスの１実施例を示すシステムブロック図である。典型的な実施例において、この電子デバイスは、プロセッサ２１を含む。このプロセッサ２１は、例えば、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＶ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）Ｐｒｏ、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ  ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）のような任意の汎用シングルチップ又はマルチチップのマイクロプロセッサであるか、又は例えばディジタルシグナルプロセッサ、マイクロコントローラ、プログラマブルゲートアレイのような特殊用途マイクロプロセッサでありうる。当該技術分野において従来からあるように、プロセッサ２１は、一つ又は複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成されうる。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサは、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、若しくはいずれかのその他のソフトウェアアプリケーションを含む一つ又は複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成されうる。
【００２４】
一つの実施例では、プロセッサ２１はまた、アレイコントローラ２２と通信するように構成されている。一つの実施例では、このアレイコントローラ２２は、ピクセルアレイ３０に信号を供給する行ドライバ回路２４及び列ドライバ回路２６を含む。図１に図示されたアレイの断面は、図２内の線１−１により示される。ＭＥＭＳ干渉変調器に関して、行／列アクチュエーションプロトコルは、図３に例示するようなデバイスのヒステリシス特性を利用することができる。例えば、リリース状態からアクチュエート状態へと可動層を変形させるために、１０ボルトの電位差を必要とするかもしれない。しかしながら、電圧がその値から減少する場合、この電圧が、１０ボルトより下にドロップバックすると、可動層はその状態を維持する。図３に示す典型的な実施例では、可動層は、電圧が２ボルトより下に降下するまで完全にはリリースされない。したがって、図３に例示する例では、約３Ｖから７Ｖの電圧範囲に、デバイスがリリースされた状態又はアクチュエートされた状態のいずれかで安定である印加電圧のウィンドウが存在する。これは、「ヒステリシスウィンドウ」、又は「安定ウィンドウ」と称される。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイに関して、行／列アクチュエーションプロトコルは、行ストローブの間、アクチュエートされるべきストローブされた行におけるピクセルが、約１０ボルトの電圧差を受け、リリースされるべきピクセルが、零ボルトに近い電圧差を受けるように設計することができる。ストローブの後、ピクセルは、約５ボルトの定常状態電圧差を受け、その結果、ピクセルは、行ストローブが立ち寄ったどんな状態にでもとどまることができる。書き込まれた後、各ピクセルは、この例では電位差が３〜７ボルトの「安定ウィンドウ」の範囲内であると判断する。この特徴は、事前に存在するアクチュエート状態、又はリリース状態かのいずれかに同様に印加された電圧条件の下で、図１に例示したピクセル設計を安定にする。アクチュエート状態又はリリース状態であるかに拘わらず、干渉変調器の各ピクセルは、本質的には、固定反射層と移動反射層とにより形成されたキャパシタであるので、この安定状態は、ほとんど電力消費なしにヒステリシスウィンドウ内の電圧に保持されることができる。印加された電位が一定であるならば、基本的に電流は、ピクセルに流れ込まない。
【００２５】
代表的な用途では、ディスプレイフレームは、第１行内のアクチュエートされたピクセルの所望のセットにしたがって列電極のセットをアサートすることによって生成される。その後、行パルスが行１の電極に印加され、アサートされた列ラインに対応するピクセルをアクチュエートする。その後、列電極のアサートされたセットが、第２行内のアクチュエートされたピクセルの所望のセットに対応するように変更される。その後、パルスが行２の電極に印加され、アサートされた列電極にしたがって行２内の適切なピクセルをアクチュエートする。行１ピクセルは、行２パルスに影響されず、行１パルスの間に設定された状態にとどまる。これが、連続した方式で一連の行全体に対して繰り返され、フレームが生成される。一般に、１秒当たり所望数のフレームにおいてこの処理を連続的に繰り返すことにより、フレームは、新たなディスプレイデータでリフレッシュ及び／又は更新される。ディスプレイフレームを生成するためにピクセルアレイの行電極及び列電極を駆動するための広範なプロトコルもまた周知であり、本発明とともに使用されうる。
【００２６】
図４及び図５は、図２の３×３アレイでディスプレイフレームを生成するための一つの可能なアクチュエーションプロトコルを示している。図４は、列電圧レベル及び行電圧レベルの可能なセットを示している。このセットは、図３のヒステリシス曲線を示すピクセルのために使用されうる。図４の実施例では、ピクセルをアクチュエートすることは、適切な列を−Ｖｂｉａｓに、適切な行＋ΔＶに設定することを含む。これらはそれぞれ−５Ｖ及び＋５Ｖかもしれない。ピクセルをリリースすることは、適切な列を＋Ｖｂｉａｓに、適切な行を同じ＋ΔＶに設定することにより達成され、これによって、ピクセル間で零ボルトの電位差を生成する。行電圧が零ボルトに保持される行では、列が＋Ｖｂｉａｓ又は−Ｖｂｉａｓであるかに拘らず、ピクセルが元々どの状態にあろうとも、ピクセルはその状態で安定である。
【００２７】
図５Ｂは、図２の３×３アレイに加えられる一連の行及び列信号を示すタイミング図である。図２の３×３アレイは、結果的に、アクチュエートされたピクセルが非反射性である図５Ａに示すディスプレイ配列となる。図５Ａに示すフレームを書き込む前に、ピクセルは、任意の状態であることができ、この例では、全ての行が０ボルトであり、全ての列が＋５ボルトである。これらの印加電圧で、全てのピクセルが、自身の現在のアクチュエート状態又はリリース状態で安定である。
【００２８】
図５Ａのフレームでは、ピクセル（１，１），（１，２），（２，２），（３，２）及び（３，３）がアクチュエートされる。これを実現するために、行１に対する“ライン時間”中間に、列１及び列２は、−５ボルトに設定され、列３は、＋５ボルトに設定される。全てのピクセルが３〜７ボルトの安定ウィンドウの中にとどまるため、これは、どのピクセルの状態も変えない。行１は、その後、０から最大５ボルトまで上がり、零に戻るパルスでストローブされる。これは、（１，１）及び（１，２）ピクセルをアクチュエートし、（１，３）ピクセルをリリースする。アレイ内のその他のピクセルは、影響されない。所望するように行２を設定するために、列２は、−５ボルトに設定され、そして列１及び列３は、＋５ボルトに設定される。行２に印加された同じストローブは、その後、ピクセル（２，２）をアクチュエートし、ピクセル（２，１）及び（２，３）をリリースする。同様に、アレイのその他のピクセルは、影響されない。行３は、列２及び列３を−５ボルトに、そして列１を＋５ボルトに設定することより同様に設定される。行３ストローブは、図５Ａに示されたように行３ピクセルを設定する。フレームを書き込んだ後、行電位は零に、そして列電位は＋５又は−５ボルトのいずれかにとどまることができ、ディスプレイは、その後、図５Ａの配列で安定する。同じ手順が数十から数百の行及び列のアレイに対して採用することが可能であることが認識されるであろう。しかも、行及び列アクチュエーションを実行するために使用された電圧のタイミング、シーケンス、及びレベルが、上記に概要を示された一般的な原理の中で広範に変形でき、上記の例は、典型的な例にすぎず、任意のアクチュエーション電圧方法が、本発明とともに使用可能であることが認識されるであろう。
【００２９】
上記に説明された原理にしたがって動作する干渉変調器の構造の詳細は、広範に変形可能である。例えば、図６Ａ乃至図６Ｃは、移動しているミラー構造の３つの異なる実施例を図示している。図６Ａは、図１の実施例の断面であり、金属材料のストリップ１４が、直交して延びている支柱１８上に堆積されている。図６Ｂでは、可動ミラーが、連結部３２上に、コーナにおいてのみ支柱に取り付けられる。図６Ｃでは、ミラー１６が、変形可能な層３４から吊り下げられている。ミラー１６に使用される構造的な設計及び材料が光学特性に関して最適化されることができ、かつ、変形可能な層３４に使用される構造的な設計及び材料が所望の機械特性に関して最適化できるため、この実施例は、利点を有する。種々のタイプの干渉装置の製造は、例えば、その全体が本願に組み込まれる米国公開出願２００４／００５１９２９（特許文献１）を含む種々の公開文書に記載されている。
【００３０】
上述した一般的な設計の干渉変調器は、干渉キャビティ（例えば、図１及び図６におけるキャビティ１９）と、支柱構造（例えば、図１及び図６におけるサポート１８）とを備え、米国公開出願２００４／００５１９２９（特許文献１）に開示及び／又は説明されている技術を用いて製造することができる。図７から図９は、犠牲層を堆積し、犠牲層にホールを形成し、ホール内にポリマーを堆積した後、犠牲層を除去し、ポリマーを残して支柱を形成することにより支柱構造が形成される、干渉変調器の製造プロセスの局面を概略的に示す。当業者は、本明細書に記載した製造プロセスを、フォトリソグラフィ、堆積（例えば、化学蒸着堆積（ＣＶＤ）等の「ドライ」方法や、スピンコーティング等のウェット方法）、マスキング、エッチング（例えば、プラズマエッチングのようなドライ方法や、ウェット方法）等の従来の半導体製造技術を用いて実行することができることを認識するであろう。
【００３１】
図７は、基板３０５上へのミラー材料物質３１０の堆積、及びその後のパターニング及びエッチングによる第１のミラー層３１５の形成を示す。更に、図７は、第１のミラー層３１５及び露出した基板３０５上への誘電体層３２０の堆積を示す。ミラー層は導電性であり、金属、又は所望の導電率を有するようにドープされた（シリコン等の）半導体を含んでいてもよい。一実施例において、第１のミラー層３１５は、（インジウムスズ酸化物等の）透明導体と、（クロム等の）主ミラーとを備える多層構造である。別の実施例においては、第１のミラー層３１５は、（インジウムスズ酸化物等の）透明導体と、誘電体層（シリコン酸化膜）と、主ミラーとを備える多層構造である。多くの実施例において、第１のミラー層（例えば、第１のミラー層３１５）は、電極としても機能するため、「電極」、「ミラー」、及び「ミラー層」という用語は、本明細書において置換的に使ってもよい。誘電体層３２０は、シリコン酸化物とすることができる。
【００３２】
上記製造プロセスは、図８に示すように、誘電体層３２０の上に犠牲層４０５を堆積して構造４００を形成し、犠牲層４０５をマスキング及びエッチングしてホール４１０を形成し、ホール４１０内にポリマーを堆積して、支柱構造４１５を形成することにより続く。この犠牲層は、ＸｅＦ２蒸気にさらすことによってエッチングすることができる（モリブデン又はシリコン等の）材料物質とすることができる。ポリマーは、ネガ型フォトレジスト材料であってもよい。その後、図９に示すように、第２のミラー層５０５が、支柱構造４１５及び犠牲層４０５の上に堆積される。第２のミラー層５０５は、導電性であり、金属、又は、所望の導電率を有するようにドープされた（シリコン等の）半導体であってもよい。代替のプロセスフロー（図９には図示せず）においては、（例えば、図６Ｃに示すような）メカニカル層から吊下されている第２のミラー層を形成するために、多工程プロセスが用いられる。第２のミラー層（例えば、第２のミラー層５０５）が電極としても機能する実施例の場合、「電極」、「ミラー」、及び「ミラー層」という用語は、置換的に使ってもよい。図示する実施例において、第２のミラー層５０５は、結果として生じる干渉変調器の動作中、機械的機能も有するので、本明細書において、「メカニカル」又は「変形可能」層と呼んでもよい。他の構成においては、ミラー層は、メカニカル層又は変形可能層から吊下しており、例えば、ミラー１４は、図６Ｃに示すように、変形可能層３４から吊下することができる。そして、犠牲層４０５は、例えば、図９に示すように、エッチングにより除去され、干渉キャビティ５１０を形成する。モリブデン又はシリコンによる犠牲層は、ＸｅＦ２蒸気にさらすことによって除去することができる。当業者は、図７から図９に示す干渉変調器を製造するプロセスフローにおいて、犠牲層及び支柱構造が、この製造プロセスの異なる段階で堆積される、例えばモリブデン（犠牲層）やポリマーフォトレジスト（支柱構造）のような異なる材料物質から形成されることを理解するであろう。
【００３３】
第１のミラー層の上に材料物質からなる層を堆積することと、この材料物質の上に第２のミラー層を形成することと、その後、材料物質からなる層の犠牲部分を選択的に除去してキャビティ及び支柱構造を形成することとを含む、干渉変調器を製造するための改良されたプロセスが、現在、開発されている。上記支柱構造は、除去されていない材料物質層の残り部分を含む。いくつかの実施例において、上記第１のミラー層の上に堆積され（その後、選択的に除去されて、上記キャビティ及び支柱構造が形成され）ている材料物質は、最初に堆積されたときに、実質的に均一な組成を有しているが、犠牲部分が、支柱構造を形成する残りの部分よりも簡単に除去できるように、この製造プロセス中に選択的に変更される。選択的に除去する技術は、犠牲部分の除去を容易にするために用いることができる。他の実施例において、材料物質は、堆積及び除去の全体を通して、実質的に均一な組成を有し、（上にあるメカニカル層及び下にある誘電体層等のような周辺材料物質に対する）選択的除去技術が、（例えば、等方性外側陥凹により）犠牲部分を除去し、残った部分をそのまま残して、支柱の少なくとも一部を形成するために適用される。他の実施例は、上述したように、犠牲部分を、そこから除去することができるリリースされていないＭＥＭＳ基板を提供する。例えば、一実施例は、材料物質を含むリリースされていないＭＥＭＳ基板を提供する。ＭＥＭＳ基板は、材料物質の犠牲部分が、キャビティを形成するために除去可能であるように構成されており、更にＭＥＭＳ基板は、犠牲部分の除去時に、材料物質の残る部分が干渉変調器の支柱構造を形成するように構成されている。別の実施例は、材料物質と、材料物質の残る部分が、犠牲部分の除去時に、干渉変調器を支持する手段を形成するように、材料物質の残る部分に対して、材料物質の犠牲部分を選択的に除去する手段とを備えるリリースされていないＭＥＭＳ基板を提供する。この除去する手段は、例えば、材料物質の犠牲部分と材料物質の残る部分とを定義するために選択的に変更される材料物質の一部を備えてもよい。この除去する手段は、例えば、犠牲部分の除去時に、下にある材料物質の残る部分が、支柱構造を形成するように構成されたような上に重なる層を備えてもよい。あるいは、この除去する手段は、材料物質をエッチング液にさらすように構成された開口部を備えてもよい。支持する手段は、例えば、サポート構造又は支柱構造を備えてもよい。これら及び他の実施例を、以下に詳細に説明する。
【００３４】
一実施例において、材料物質は、最初に堆積されたときには、実質的に均一な特性を有しているが、犠牲部分を、支柱構造を形成する残る部分に対して、選択的に除去できるように製造プロセス中に選択的に変更される。このような実施例は図１０に示されている。図１０に示すプロセスは、基板６０５と、基板６０５上の第１のミラー層６１０と、第１のミラー層６１０及び基板６０５上の誘電体層６１５と、誘電体層６１５上の材料物質６２０とを含む構造６００で始まる。この構造６００は、材料物質６２０が、犠牲部分が、材料物質の変更されない部分に対し、選択的に除去可能であるように、選択的に変更できる材料物質であることを除いて、図８に示す構造４００を形成することに関して述べた一般的な方法で製造することができる。感光ポリマーは、そのような材料物質の非限定的な実例である。感光ポリマーは、ポジ型フォトレジスト及びネガ型フォトレジストを含む。ポジ型レジストに対する放射線（例えば、紫外線光によって）の照射は、前記レジストの除去を容易にするようにポリマーを変える。ネガ型フォトレジストに対する放射線（例えば、紫外線光）の照射は、前記レジストの除去をより困難にするようにポリマーを変える。感光ポリマーは、前記ポリマーの１つ以上の部分が、他の１つ以上の部分よりも除去しやすくなるように、公知の技術によって（例えば、マスキングにより）選択的に照射することができる。シリコンは、犠牲部分が除去可能となるように選択的に変更することが可能な材料物質の他の実施例である。例えば、シリコンは、シリコン酸化物を形成するために、酸素原子を用いたイオン注入によって選択的に変更することができる。シリコンに対して、シリコン酸化物を選択的にエッチングするために、また逆の場合も、様々な選択的除去化学作用を用いることができる。他の材料物質系、例えば、ドープされたシリコンとドープされていないシリコン、ドープされたシリコン酸化物とドープされていないシリコン酸化物、窒化金属あるはシリサイド金属と金属等の選択的除去の場合も、他の選択的除去化学作用が使用可能である。選択的変更は、基本材料物質（例えば、シリコン）をマスキングして、適当なイオンを、マスクされていない領域に注入することにより（例えば、酸素原子を注入して、シリコン酸化物を形成することにより）実施することができる。好ましくは、材料物質６２０は、照射中に、前記フォトレジストの選択領域に光が到達するのをブロックするレチクルを用いてパターン化することができるフォトレジストである。このようなレチクルの使用は、基本材料物質のマスキングを少なくするか又はなくす可能性がある。フォトレジストの他の利点は、フォトレジストは、スピンオン堆積プロセスによって堆積された場合に、一般的に自己平坦化されるということである。
【００３５】
図示する実施例において、材料物質６２０は、感光ポリマーである。図１０において、材料物質６２０は、（例えば、図示しない適当なマスキングされて）選択的に照射され、この前記選択的に照射された領域内の照射部分６２５と、照射されない領域内に残る非照射部分６２１とを形成する。この実施例において、材料物質６２０は、照射時にクロスリンクが行われる感光ポリマー（例えば、ネガ型フォトレジスト）である。このような感光ポリマーは、当業者にはよく知られている。クロスリンクは、前記ポリマーを硬化させて照射部分６２５を形成し、その結果残る非照射部分６２１を、以下に説明するように、前記プロセスの後の段階で、選択的に除去することができる。他の構成においては、このレジストは、光にさらすことによって活性化する光酸発生剤（ｐｈｏｔｏ  ａｃｉｄ  ｇｅｎｅｒａｔｏｒｓ；ＰＡＧ）を含んでもよく、結果として生じる酸性領域又は非酸性領域を、他の領域に対して選択的に除去可能にすることができる。
【００３６】
図１１は、第２のミラー層７０５を示す。このミラー層は、照射部分６２５及び非照射部分６２１上に形成されて、リリースされていない干渉変調器基板１１００を形成する。この実施例において、第２のミラー層７０５は、機械的機能を有し、メカニカル又は変形可能な層とも称される。第２のミラー層７０５は、公知の堆積技術、例えば、スパッタリング又は化学蒸着堆積法によって形成することができる。オプションの平坦化工程は、照射部分６２５及び非照射部分６２１の上方部を平坦化するのに用いることができ、それによって、第２のミラー層７０５の下に、比較的平坦な面を形成することができる。第２のミラー層７０５は、導電性であり、金属、又は所望の導電性を有するようにドープされた（シリコン等の）半導体とすることができる。この実施例において、第２のミラー層７０５は電極である。代替のプロセスフロー（図１１には図示せず）においては、（例えば、図６Ｃに示すような）メカニカル層から吊下している第２のミラー／電極を形成するために、多工程プロセスが用いられる。
【００３７】
リリースされていない基板１１００の非照射部分６２１は、その後除去されて、図１１に示すような干渉変調キャビティ７１０が形成される。照射部分６２５のポリマーは、クロスリンクによってすでに硬化されており、それに伴って、非照射部分６２１とは異なる溶解度を有している。クロスリンクは、様々な形態のエネルギー、例えば、ＵＶ、イオン化照射、熱等を用いて実行することができる。従って、例えば、適当なエッチング化学作用を用いることにより、非照射部分６２１を選択的に除去してキャビティ７１０を形成し、照射部分６２５に残るポリマーを残して、支柱構造７１５を形成することができる。図示する実施例において、非照射部分６２１の選択的除去は、非照射部分６２１のクロスリンクされていないポリマーを選択的に溶解する溶剤を用いて洗浄することにより実現される。代替の実施例においては、除去は、非照射部分６２１を選択的にエッチングするプラズマ又は化学蒸着にさらすことによって実現することができる。
【００３８】
図１２に示す別の実施例においては、構造８００は、照射時に削り取られる感光ポリマー８１０（例えば、ポジ型フォトレジスト）が選択され、選択的に照射された領域内の照射部分８１５と、照射されない領域に残る非照射部分８２０とが形成されることを除いて、図１０に示す構造６００と同様の一般的な方法で形成される。このような選択的照射は、例えば、図１０に示すマスキングを逆にすることによって実現することができる。そして、この製造プロセスは、第２のミラー層を堆積した後、照射部分８１５の削り取られたポリマーを選択的に除去してキャビティを形成し、非照射部分８２０のポリマーを残して、支柱構造を形成することにより、図１１に関して上述した一般的な方法で続けることができる（図１２には図示せず）。
【００３９】
図１０から図１２に示すプロセスは、変更した部分が、変更しない部分に対し、選択的に除去可能であるように、選択的に変更することができるその他の材料物質を用いて実行することもできる。例えば、当業者は、適当なマスクを介した酸素イオン注入によって、選択した領域にシリコン酸化物を形成することにより、シリコンを選択的に変更することができることを理解するであろう。そして、犠牲部分（変更されないシリコン又はシリコン酸化物のいずれか）の選択的除去は、図１０から図１２に示す一般的な方法で、キャビティ及び支柱構造を形成する適当なエッチング液を用いて実施することができ、その結果、支柱構造は、シリコン又はシリコン酸化物の残る部分を含む。他の材料物質系及び選択的除去化学作用も、上述したように用いることができる。また、当業者は、図１０から図１２に示すプロセス工程の順序を、必要に応じて変更してもよいことを理解するであろう。例えば、図１０に示すような、選択的に照射された領域内の照射部分６２５及び照射されない領域に残る非照射部分６２１を形成するための、選択的照射による材料物質６２０の変更は、（図１１に示すように）第２のミラー７０５を形成する前に実施することができる。代替の実施例（図示せず）においては、材料物質６２０は、第２のミラー７０５が材料物質６２０の上に形成された後に、選択的に照射される。
【００４０】
他の実施例において、第１のミラー層の上に堆積された材料物質は、堆積及び除去の全体を通して、実質的に均一な特性を有しており、また、材料物質の犠牲部分を除去するために、除去技術が適用され、上記支柱の少なくとも一部を形成するために、材料物質の残りの部分が残される。この除去技術は、材料物質と他の周囲の材料物質との間では選択的であるが、犠牲部分と、材料物質の残る部分との間では非選択的である。図１３及び図１４に示すプロセスフローは、そのような実施例を示す。図１３において、プロセスは、基板９０２と、基板９０２上の第１のミラー層９０４と、第１のミラー層９０４及び基板９０２上の誘電体層９０６と、誘電体層９０６上の材料物質層９１０とを含む構造９００を用いて始まる。基板９０２は、第１のミラー層９０４の下にあるように構成された第１の領域９０７と、以下に説明するように形成される支柱構造の下にあるように構成された第２の領域９０８とを含む。
【００４１】
構造９００は、図８に示す構造４００を形成することに関して上述したものと同様の一般的方法で製造することができる。材料物質９１０は、犠牲部分を除去する適当なエッチング液にさらすことによって、他の周囲の材料物質（例えば、第１のミラー層９０４や誘電体層９０６）に対し、選択的にエッチングすることが可能な材料物質である。モリブデン及びシリコンは、そのような材料物質の例であり、また、ＸｅＦ２は、適当なエッチング液の例である。当業者は、文脈において、「ＸｅＦ２エッチング液」という用語が、ＸｅＦ２固体の昇華によって生成される気体及び／又は蒸気の物質を称しており、気体状又は蒸気のＸｅＦ２、Ｘｅ及びＦ２を含んでもよいことを理解するであろう。材料物質９１０は、図示の実施例においては、モリブデンである。
【００４２】
図１３に示すプロセスは、モリブデン層９１０の上、及び第１の領域９０７の上に第２のミラー層９２０を形成し、リリースされていない干渉変調器基板９１１を形成することによって続く。また、図示する実施例においては、第２のミラー層９２０は、第２の領域９０８上にも形成される。前の中間工程（図示せず）において、モリブデン層９１０は平坦化されている。このような平坦化はオプションである。当業者は、図示する実施例において、第２のミラー層９２０も、結果として生じる干渉変調器において、メカニカル層及び電極として機能し、それに伴って、本明細書においては、メカニカル層、変形可能層及び／又は電極と呼ぶことができることを理解するであろう。上記プロセスは、第２のミラー層９２０を貫通するビア９２５を形成して、モリブデン層９１０を露出させることによって続く。ビア９２５は、以下に更に詳細に説明するように、（例えば、第１の領域９０７上に）光学キャビティの形成が望まれる構造９００の領域上の第２のミラー層９２０内に形成される。ビア９２５は、当業者には公知のマスキング及びエッチング技術を用いて形成することができる。
【００４３】
上記プロセスは、図１４に示すように、ビア９２５を介してＸｅＦ２エッチング液９３０を導入して、誘電体層９０６又は第２のミラー層９２０を実質的にエッチングすることなく、モリブデン層９１０を等方的かつ選択的にエッチングすることにより続く。材料物質９１０の性質、誘電体層９０６及び第２のミラー層９２０を形成するのに用いられる材料物質及び製造事情に依存して、他の選択性エッチング液を用いてもよい。図示する実施例において、エッチング液９３０によるモリブデン層９１０のエッチングは、第２のミラー層９２０を横方向にくりぬき、かつ前記エッチングプロセスの進行に伴って、光学キャビティ９４０を形成するようにサイズが大きくなるキャビティ９３５を形成することにより進行する。エッチング液９３０が、第２のミラー層９２０の下の材料物質層９１０の犠牲部分を除去して、第１の領域９０７及び第１のミラー９０４の上に光学キャビティ９４０を形成するように、かつ材料物質層９１０の残っている部分が、第２の領域９０８上の第２のミラー層９２０をサポートすることが可能な支柱構造９４５を形成するようにビア９２５が配置され、かつエッチング条件が選定される。オプションとして、干渉変調器等のＭＥＭＳデバイスの形成が終了するまで製造が続いてもよい。図示する実施例において、支柱構造９４５は、断面が全体的に窪んでいる凹断面を有している。当業者は、図に示すように、支柱構造９４５の底部が、頭部よりも広くなっていてもよいことを理解するであろう。図示する実施例において、エッチング液は、ビア９２５を通って入っていき、それに伴って、底部よりも頭部の近傍でより多くエッチングされることになり、結果として、頭部よりも底部がより広くなるような支柱構造９４５が形成されることになる。
【００４４】
図１５Ａは、エッチング液９３０が、基板９０２を貫通して形成された開口部９２６を通って入っていく別の実施例を示し、この場合、支柱構造９４５ａについて示すように、頭部よりも底部近傍において、より多くエッチングされる傾向がある。図１５Ｂに示すまた別の実施例においては、ビア９２５及び開口部９２６の両方を通ってエッチング液９３０が入る。この場合には、図示する実施例における支柱構造９４５ｂの凸状断面によって示されるように、支柱構造の中間部よりも、支柱構造の頭部及び底部近傍においてより多くエッチングされる傾向がある。
【００４５】
図１３から図１５に示すようなキャビティ及び支柱構造を形成するためのビア９２５の位置決め及びエッチング条件の選定は、様々な方法で行える。図１６は、制御された量のＸｅＦ２エッチング液が、ビア１５０５を介して導入されて、モリブデン材料をエッチングした後の（ディスプレイ面から撮った）干渉変調器基板の顕微鏡写真を示す。この顕微鏡写真は、ＸｅＦ２がビア１５０５を通った後、モリブデンを、概して放射状のパターンでエッチングしてキャビティを形成していること（断面は、ここでは見えない）を示している。このフローパターンは、図１７に示す一連の顕微鏡写真によって示されるような、干渉変調器キャビティ及び支柱構造からなるアレイを形成するのに用いることができる。
【００４６】
図１７Ａは、対応するビア（例えば、ビア１６０９）からなるアレイを介したＸｅＦ２の導入を含む「タイミングを図ったエッチング（ｔｉｍｅｄ  ｅｔｃｈ）」の結果として生じる、干渉変調器基板のモリブデン材料中の略円形の断面を有する（キャビティ１６０５を含む）キャビティからなる配列を示す。図１７Ａに示す顕微鏡写真は、ＸｅＦ２エッチング液が、前記ビア（例えば、ビア１６０９）を通って導入された約１分後に撮影された。図１７Ｂ、図１７Ｃ、図１７Ｄ及び図１７Ｅは、様々な期間、ＸｅＦ２エッチング液にさらされた異なる干渉変調器基板の顕微鏡写真を示す。図１７Ｂから図１７Ｅに示すエッチングされた基板は、ビア１６０９、１６１０、及び１６１５を介してＸｅＦ２エッチング液を導入し、それによって、それぞれ、約２分間、４分間、６分間、及び８分間、モリブデン材料をエッチングしたときの効果を示すものである。当業者は、異なる干渉変調器基板（及びそれに伴って異なるビア）が、一連の対応する顕微鏡写真で示されているため、図１７Ａ、図１７Ｄ及び図１７Ｅのビアを指すのに、異なる参照符号が用いられていることを理解するであろう。ビアの直径は約４ミクロン（μｍ）であり、チャンバ圧力は、図１７に示すエッチングプロセスの間、約２０ｍＴｏｒｒから２Ｔｏｒｒであった。図１７の一連の顕微鏡写真は、キャビティの縁部（例えば、キャビティ縁部１６０７）が互いに離れている初期の段階から、キャビティの縁部が交わりかつ合流する後の段階まで、エッチングが進行するにつれて、キャビティの直径が増加する傾向がある様子を示している。キャビティ縁部が合流した後で、かつモリブデン材料の除去が完了する前に、エッチングを停止することにより、残っている材料物質が残されて、支柱が形成される。例えば、図１７Ｅにおけるダイヤモンド状の支柱１６２０は、対応するキャビティが合流するまで、ビア１６１５を介してＸｅＦ２エッチング液を導入することによって形成することができる。
【００４７】
図１８は、一連の水平方向及び垂直方向のビア１７１０を介してＸｅＦ２エッチング液を導入することによる、干渉変調器支柱１７０５の形成を示す代表的な顕微鏡写真の経過を示す。ビア１７１０は、下にあるモリブデン材料を露出させる、上に重なる又はカバーする層内の開口又はチャネルである。図１８Ａにおいて、干渉変調器基板は、約３０秒間、ＸｅＦ２蒸気にさらされた。図１８Ｂにおいては、ＸｅＦ２へ約４５秒間さらされ、図１８Ｃにおいては、ＸｅＦ２への約１分間さらされた。エッチング速度は、チャンバ圧力を制御することにより、及び／又は例えば、窒素、ヘリウム、キセノン及び／又はアルゴン等のキャリヤガスを有する混合物中のような他のガスが混合されたチャンバにＸｅＦ２ガスを導入することにより、要望に応じて調節することができる。当業者は、上に重なる層及び／又は上記基板内の（開口部のアレイを含む）開口部が、好ましくは、上記キャビティ及び支柱構造を形成するための材料物質層のエッチング、及び結果として生じるＭＥＭＳデバイスの動作の両方を容易にするように構成されることを理解するであろう。したがって、例えば、干渉変調器のミラー層内の開口部は、ミラー層の作用に対するあらゆるネガティブな影響を最小化するように構成されることが好ましい。最適な開口部構成及びエッチング条件を明らかにするために、ルーチン実験を用いることができる。
【００４８】
当業者は、図１３から図１８に示すプロセス実施例を、変更されていない部分に対し、変更された部分を、選択的に多かれ少なかれ除去可能にするように、選択的に変更することができる材料物質を用いて実施してもよいことを理解するであろう。例えば、図１１に示すリリースされていない干渉変調器基板１１００は、図１３に示すリリースされていない干渉変調器基板９１１の代わりに用いることができる。このような場合、（図１３に示すように）モリブデン層９１０を露出させるために、第２のミラー層９２０を貫通して形成されたビア９２５は、リリースされていない干渉変調器基板１１００の非照射部分６２１を露出させるために、第２のミラー層７０５を貫通して代わりに形成されるであろう。そして、非照射部分６２１の除去は、（例えば、非照射部分６２１の除去後の照射部分６２５のオーバエッチングのリスクが小さいため）より広い処理ウィンドウという追加的な利点を伴って、図１４に示し、かつ上述したものと同様の一般的方法で実施することができる。
【００４９】
また、本明細書に記載した上記プロセスは、第２のミラー層（移動可能な反射材料１４）が変形可能層３４から吊下している図６Ｃに示した一般的なタイプのリリースされていない及びリリースされている干渉変調器の製造にも適用可能である。図６Ｃに示す一般的なタイプの干渉変調器は、米国特許出願公開第２００４／００５１９２９Ａ１（特許文献１）に記載されているように製造することができる。図６Ｃに示す一般的なタイプの干渉変調器を製造する方法の局面を、図１９に示す概略断面図によって示す。リリースされていない干渉変調器１８００は、基板１８０５と、基板１８０５上の第１のミラー層１８１０と、第１のミラー層１８１０上の誘電体層１８１５と、誘電体層１８１５上の犠牲材料物質の第１の部分１８３５とを含む。第２のミラー層１８２０は、犠牲材料１８３５の一部の上に形成され、犠牲材料物質の第２の部分１８４５は、第２のミラー層１８２０の上に形成される。第２のミラー層１８２０は、犠牲材料物質の第２の部分１８４５の上に形成された変形可能層又はメカニカル層１８２５に取り付けられる。支柱１８３０は、犠牲材料物質の第１及び第２の部分１８３５，１８４５内のビアを介して形成されている。支柱１８３０は、犠牲材料物質１８３５，１８４５が除去された後に、メカニカル層１８２５を支持するように構成されている。犠牲材料物質１８３５，１８４５のエッチング液への曝露は、図１９に示すような干渉キャビティ１８５５を有するリリースされた干渉変調器１８５０の形成をもたらす。このような除去後、第２のミラー層１８２０は、変形可能層又はメカニカル層１８２５から吊下されている。
【００５０】
上述しかつ図７から図９に示すプロセスの変形例を用いて、図１９に示す一般的なタイプの干渉変調器は、支柱１８３０及び犠牲材料物質１８３５，１８４５を形成する異なる材料物質を用いることにより、当業者に公知の方法によって製造することができる。一実施例において、図１９に示す一般的なタイプの干渉変調器を、第１のミラー層の上に材料物質を堆積し、材料物質の上に第２のミラー層を形成し、材料物質の犠牲部分を選択的に除去することによって干渉変調器のキャビティ及び支柱構造を形成することにより製造できることも分かっており、支柱構造は、材料物質の残った部分を含んでいる。このような実施例の局面を図２０に示す。
【００５１】
図２０Ｂは、基板１９０５と、基板１９０５上の第１のミラー層１９１０と、第１のミラー層１９１０上の誘電体層１９１５と、誘電体層１９１５上の材料物質の下方部分１９３５とを含む、リリースされていない干渉変調器基板１９００の概略断面図を示す。第２のミラー層１９２０は、材料物質の下方部分１９３５上に形成され、材料物質の上方部分１９４５は、第２のミラー層１９２０上に形成される。第２のミラー層１９２０は、材料物質の上方部分１９４５上に形成された変形可能層又はメカニカル層１９２５に取り付けられる。また、材料物質の上方部分及び下方部分１９４５，１９３５は、以下に説明するように形成される支持支柱の下にあるように構成された基板１９０５の領域１９３０上に形成されている。図示する実施例において、材料物質の上方部分及び下方部分１９４５，１９３５は、照射（例えば、紫外線光）に曝されるときに変更されるネガ型フォトレジストを含む。リリースされていない干渉変調器基板１９００を形成するプロセスの局面を図２０Ａに示す。また、この局面は、基板１９０５上に第１のミラー層１９１０及び誘電体層１９１５を形成することと、誘電体層１９１５上にフォトレジスト層１９１８を堆積することと、その後、パターニング及びエッチングにより、フォトレジスト層１９１８上に第２のミラー層１９２０を形成することとを含む。フォトレジスト層１９１８は、第２のミラー層１９２０の下に材料物質の下方部分１９３５を含む。次いで、フォトレジスト層１９１９が、フォトレジスト層１９１８及び第２のミラー層１９２０の上に堆積される。フォトレジスト層１９１９は、第２のミラー層１９２０上の材料物質の上方部分１９４５を含む。そして、フォトレジスト層１９１９は、マスクされた後、エッチングされて、ビアが形成される。
【００５２】
図２０Ｂに示すように、リリースされていない干渉変調器基板１９００は、レチクルを介して、紫外線照射に適切にさらされ、基板１９０５の領域１９３０上にある材料物質の上方部分及び下方部分１９４５，１９３５が、紫外線光への照射によって変更される。基板１９０５の領域１９３０上にない材料物質の上方部分及び下方部分１９４５，１９３５（第２のミラー層１９２０の下にある材料物質の下方部分１９３５と、第２のミラー層１９２０の上にある材料物質の上方部分１９４５とを含む）は、紫外線光にはさらされず、それによって犠牲材料物質を形成する。次いで、メカニカル層１９２５が形成され、第２のミラー層１９２０に取り付けられる。次に、犠牲材料物質が（例えば、適当な溶解液を用いて洗浄することにより）除去されて、キャビティ１９５５が形成される。領域１９３０上の材料物質の変更された上方部分及び下方部分１９４５，１９３５は、そのまま残って、メカニカル層１９２５を直接支持し、かつ第２のミラー層１９２０を間接的に支持する支柱１９６０を形成し、リリースされた干渉変調器１９５０となる。
【００５３】
当業者は、図６Ｃに示す一般的なタイプの干渉変調器も、図２０に示す方法の変形例を用いて製造することができることを理解するであろう。例えば、一実施例において、材料物質１９３５，１９４５は、ポジ型フォトレジストを含んでいてもよく、この場合、レチクルを介した照射のパターンは、図１２に示す実施例について説明したときと同様の方法で逆になる。別の典型的な実施例においては、材料物質１９３５，１９４５は、シリコンを含み、図１０に示す実施例で説明したのと同様の方法でシリコン酸化物を形成するための酸素イオン注入によって、選択的に変更される。したがって、例えばシリコンは、シリコン酸化物に対して選択的にエッチングすること等により、キャビティを形成するために除去することができ、支柱を形成する残りのシリコン酸化物が残される。別の典型的な実施例においては、図１３から図１８に示す実施例について説明したのと同様の選択的エッチング技術が、上記犠牲部分を、上記支柱を形成するために残される部分に対して選択的にエッチング可能にする、そのような選択的エッチングの前の材料物質の任意の変更を含む、材料物質１９３５，１９４５に適用される。
【００５４】
図２１Ａ及び図２１Ｂは、ディスプレイデバイス２０４０の実施例を説明するシステムブロック図である。このディスプレイデバイス２０４０は、例えば、携帯電話又は移動電話でありうる。しかしながら、ディスプレイデバイス２０４０の同じ構成要素又はそのわずかな変形も、例えばテレビ及び携帯型メディアプレーヤのような種々のタイプのディスプレイデバイスを示している。
【００５５】
ディスプレイデバイス２０４０は、ハウジング２０４１、ディスプレイ２０３０、アンテナ２０４３、スピーカ２０４５、入力装置２０４８、及びマイクロフォン２０４６を含む。ハウジング２０４１は、一般に当業者に周知の各種の製造技術のいずれかから形成され、射出成型、及び真空形成を含む。更にハウジング２０４１は、限定される訳ではないが、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、及びセラミックス、又はこれらの組み合わせを含む種々の材料から形成することができる。一つの実施例では、ハウジング２０４１は、取り外し可能部分（図示せず）を含む。この部分は、異なる色からなるか、又は異なるロゴ、絵柄、又はシンボルを含む別の取り外し可能部品と交換することができる。
【００５６】
典型的なディスプレイデバイス２０４０のディスプレイ２０３０は、ここに説明されたように、バイステイブルディスプレイを含む種々のディスプレイのうちの何れかでありうる。その他の実施例では、当該技術分野における熟練者に対して周知であるように、ディスプレイ２０３０は、上記に説明したように、例えばプラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ  ＬＣＤ、又はＴＦＴ  ＬＣＤのようなフラットパネルディスプレイ、若しくはＣＲＴ又はその他の真空管装置のような、非フラットパネルディスプレイを含む。しかしながら、本実施例を説明する目的のために、ディスプレイ２０３０は、ここに説明されたように、干渉変調器ディスプレイを含む。
【００５７】
典型的なディスプレイデバイス２０４０の１つの実施例の構成要素が、図２１Ｂに模式的に図示される。図示された典型的なディスプレイデバイス２０４０は、ハウジング２０４１を含み、その中に、少なくとも部分的に閉じ込められた付加的な構成要素を含むことができる。例えば、１つの実施例では、典型的なディスプレイデバイス２０４０は、トランシーバ２０４７に接続されたアンテナ２０４３を含むネットワークインタフェース２０２７を含む。トランシーバ２０４７は、プロセッサ２０２１に接続され、プロセッサ２０２１は調整ハードウェア２０５２に接続される。調整ハードウェア２０５２は、信号を調整する（例えば、信号をフィルタする）ように構成されうる。調整ハードウェア２０５２は、スピーカ２０４５及びマイクロフォン２０４６に接続される。プロセッサ２０２１は、入力装置２０４８及びドライバコントローラ２０２９にも接続される。ドライバコントローラ２０２９は、フレームバッファ２０２８、及びアレイドライバ２０２２に接続される。また、アレイドライバ２０２２は、ディスプレイアレイ２０３０にも接続されている。電源２０５０は、特定の典型的なディスプレイデバイス２０４０設計によって必要とされるような全ての構成要素に電力を供給する。
【００５８】
ネットワークインタフェース２０２７は、アンテナ２０４３及びトランシーバ２０４７を含んでいる。これによって、典型的なディスプレイデバイス２０４０は、ネットワークを介して１又は複数の装置と通信することができる。１つの実施例では、ネットワークインタフェース２０２７は、プロセッサ２０２１の要求を軽減させるためにある処理能力を持つことができる。アンテナ２０４３は、信号を送受信するために当該技術分野における熟練者に公知の何れかのアンテナである。１つの実施例では、アンテナは、ＩＥＥＥ８０２．１１（ａ），（ｂ），又は（ｇ）を含む、ＩＥＥＥ８０２．１１規格にしたがってＲＦ信号を送信し、受信する。他の１つの実施例では、アンテナは、ブルートゥース（ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ）規格にしたがってＲＦ信号を送信し、受信する。携帯電話機の場合、アンテナは、ＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳ、又は無線セル電話ネットワーク内で通信するために使用されるその他の公知の信号を受信するように設計される。トランシーバ２０４７は、アンテナ２０４３から受信された信号を前処理する。これによって、信号がプロセッサ２０２１によって受信され、更に操作されるようになる。またトランシーバ２０４７は、プロセッサ２０２１から受信された信号を処理する。これによって、信号はアンテナ２０４３を経由して、典型的なディスプレイデバイス２０４０から送信されるようになる。
【００５９】
別の実施例では、トランシーバ２０４７は、受信機によって置き換えることが可能である。更に別の実施例では、ネットワークインタフェース２０２７は、画像ソースによって置き換えられることができる。画像ソースは、プロセッサ２０２１に送られるべき画像データを記憶又は生成することができる。例えば、画像ソースは、画像データを含むディジタルビデオディスク（ＤＶＤ）又はハードディスクドライブであるか、あるいは画像データを生成するソフトウェアモジュールでありうる。
【００６０】
プロセッサ２０２１は、典型的なディスプレイデバイス２０４０の全体動作を制御する。プロセッサ２０２１は、ネットワークインタフェース２０２７又は画像ソースからの圧縮画像データのようなデータを受信し、このデータを、生の画像データ、又は生の画像データに容易に処理できるフォーマットに処理する。プロセッサ２０２１は、その後、この処理されたデータをドライバコントローラ２０２９へ、又は記憶するためにフレームバッファ２０２８へ送る。生のデータは、一般に、画像の内の各位置における画像特性を識別する情報を称する。例えば、そのような画像特性は、色彩、彩度、及びグレースケールレベルを含むことができる。
【００６１】
１つの実施例では、プロセッサ２０２１は、マイクロコントローラ、ＣＰＵ、若しくは論理ユニットを含み、典型的なディスプレイデバイス２０４０の動作を制御する。調整ハードウェア２０５２は、スピーカ２０４５に信号を送信するために、及びマイクロフォン２０４６から信号を受信するために、一般に増幅器及びフィルタを含む。調整ハードウェア２０５２は、典型的なディスプレイデバイス２０４０内部のディスクリートな構成要素、若しくは、プロセッサ２０２１又はその他の構成要素の内部に組み込まれることができる。
【００６２】
ドライバコントローラ２０２９は、プロセッサ２０２１により生成された生の画像データをプロセッサ２０２１から又はフレームバッファ２０２８から直接的に取得し、アレイドライバ２０２２への高速送信に適切であるように生の画像データを再フォーマットする。具体的には、ドライバコントローラ２０２９は、生の画像データを、ラスタ状のフォーマットを有するデータフローに再フォーマットする。これによって、ディスプレイアレイ２０３０全体をスキャンするための適切な時間順を有するようになる。そして、ドライバコントローラ２０２９は、フォーマットされた情報をアレイドライバ２０２２へ送る。ＬＣＤコントローラのような、ドライバコントローラ２０２９が、スタンドアローンの集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２０２１にしばしば関連付けられるが、そのようなコントローラは、多くの方法で実現することができる。これらは、ハードウェアとしてプロセッサ２０２１に搭載されたり、ソフトウェアとしてプロセッサ２０２１に組み込まれたり、あるいはアレイドライバ２０２２を備えたハードウェアに完全に統合されうる。
【００６３】
一般に、アレイドライバ２０２２は、フォーマットされた情報をドライバコントローラ２０２９から取得し、ディスプレイのピクセルのｘ−ｙ行列から到来する数百本、ときには数千本の導線に毎秒何回も適用される波形のパラレルセットに、ビデオデータを再フォーマットする。
【００６４】
１つの実施例では、ドライバコントローラ２０２９、アレイドライバ２０２２、及びディスプレイアレイ２０３０は、ここに説明されたいずれのタイプのディスプレイに対しても適切である。例えば、１つの実施例では、ドライバコントローラ２０２９は、従来型のディスプレイコントローラ又はバイステイブルディスプレイコントローラ（例えば、干渉変調器コントローラ）である。別の実施例では、アレイドライバ２０２２は、従来型のドライバ又はバイステイブルディスプレイドライバ（例えば、干渉変調器ディスプレイ）である。１つの実施例では、ドライバコントローラ２０２９は、アレイドライバ２０２２と統合される。そのような実施例は、例えば携帯電話、時計、及びその他の小面積ディスプレイのような高度に集積されたシステムにおいて一般的である。更に別の実施例では、ディスプレイアレイ２０３０は、典型的なディスプレイアレイ又はバイステイブルディスプレイアレイ（例えば、干渉変調器のアレイを含んでいるディスプレイ）である。
【００６５】
入力装置２０４８によって、ユーザは、典型的なディスプレイデバイス２０４０の動作を制御することが可能となる。１つの実施例では、入力装置２０４８は、クワーティ（ＱＷＥＲＴＹ）キーボード又は電話キーパッドのようなキーパッド、ボタン、スイッチ、接触感応スクリーン、感圧又は感熱膜を含む。１つの実施例では、マイクロフォン２０４６は、典型的なディスプレイデバイス２０４０のための入力装置である。マイクロフォン２０４６がこの装置にデータを入力するために使用される時、典型的なディスプレイデバイス２０４０の動作を制御するために、ユーザによって音声命令が与えられる場合がある。
【００６６】
電源２０５０は、当該技術分野において周知の各種のエネルギー貯蔵装置を含むことができる。例えば、１つの実施例では、電源２０５０は、例えばニッケル−カドミウム電池又はリチウムイオン電池のような、充電可能な電池である。別の実施例では、電源２０５０は、キャパシタ、若しくはプラスチック太陽電池、及びソーラーセル塗料を含む太陽電池や、キャパシタ、あるいは再充電可能なエネルギー源である。別の実施例では、電源２０５０は、壁のコンセントから電力を受け取るように構成される。
【００６７】
いくつかの実施では、上述したように、制御プログラム能力が、電子ディスプレイシステム内の幾つかの位置に配置することができるドライバコントローラ内に常駐する。いくつかの場合では、制御プログラム能力が、アレイドライバ２０２２内に常駐する。当該技術における熟練者であれば、上述した最適化が、任意の数のハードウェア及び／又はハードウェア構成要素の中に、種々の構成で実施されうることを認識するであろう。
【００６８】
上記詳細な説明を示し、記載し、かつ様々な実施例に当てはまる本発明の新規な特徴を指摘してきたが、説明した装置又はプロセスの構成及び細部の様々な省略、置換及び変更を、本発明の趣旨から逸脱することなく、当業者が実行できることが理解されるであろう。認識されるように、本発明は、いくつかの特徴を、他のものとは個別に用いたり、又は実施することができるので、本明細書に記載した全ての特徴及び利益をもたらす訳ではない構成の範囲内で具体化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】図１は、干渉変調器ディスプレイの一つの実施例の一部を示す等測図であり、第一の干渉変調器の可動反射層がリリース位置にあり、第二の干渉変調器の可能反射層がアクチュエートされた位置にある。
【図２】図２は、３×３の干渉変調器ディスプレイを組み込んだ電子装置の一つの実施例を示すシステムブロック図である。
【図３】図３は、図１に示す干渉変調器の一つの典型的な実施例における印加電圧に対する可動ミラー位置の図である。
【図４】図４は、干渉変調器ディスプレイを駆動するために使用される行電圧と列電圧のセットを示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、ディスプレイデータのフレームを、図２に示す３×３干渉変調器ディスプレイに書き込むために使用される行信号及び列信号のための一つの典型的なタイミング図を示す。
【図５Ｂ】図５Ｂは、ディスプレイデータのフレームを、図２に示す３×３干渉変調器ディスプレイに書き込むために使用される行信号及び列信号のための一つの典型的なタイミング図を示す。
【図６Ａ】図６Ａは、図１に示す装置の断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、干渉変調器の代替実施例を示す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、干渉変調器の別の代替実施例を示す断面図である。
【図７】干渉変調器の製造のためのプロセスフローの局面を概略的に示す断面図である。
【図８】干渉変調器の製造のためのプロセスフローの局面を概略的に示す断面図である。
【図９】干渉変調器の製造のためのプロセスフローの局面を概略的に示す断面図である。
【図１０】干渉変調器の製造のためのプロセスフローの局面を概略的に示す一実施例の断面図である。
【図１１】干渉変調器の製造のためのプロセスフローの局面を概略的に示す一実施例の断面図である。
【図１２】干渉変調器の製造のためのプロセスフローの局面を概略的に示す一実施例の断面図である。
【図１３】干渉変調器の製造のためのプロセスフローの局面を概略的に示す一実施例の断面図である。
【図１４】干渉変調器の製造のためのプロセスフローの局面を概略的に示す一実施例の断面図である。
【図１５Ａ】干渉変調器の製造のためのプロセスフローの局面を概略的に示す一実施例の断面図である。
【図１５Ｂ】干渉変調器の製造のためのプロセスフローの局面を概略的に示す一実施例の断面図である。
【図１６】干渉変調器基板のビアを介して流れるＸｅＦ２エッチング液による放射状エッチングを示す一実施例の平面顕微鏡写真を示す図である。
【図１７Ａ】ビアからなるアレイを通って流れるＸｅＦ２エッチング液による、干渉変調器基板の段階的エッチングを示す一実施例の平面顕微鏡写真を示す図である。
【図１７Ｂ】ビアからなるアレイを通って流れるＸｅＦ２エッチング液による、干渉変調器基板の段階的エッチングを示す一実施例の平面顕微鏡写真を示す図である。
【図１７Ｃ】ビアからなるアレイを通って流れるＸｅＦ２エッチング液による、干渉変調器基板の段階的エッチングを示す一実施例の平面顕微鏡写真を示す図である。
【図１７Ｄ】ビアからなるアレイを通って流れるＸｅＦ２エッチング液による、干渉変調器基板の段階的エッチングを示す一実施例の平面顕微鏡写真を示す図である。
【図１７Ｅ】ビアからなるアレイを通って流れるＸｅＦ２エッチング液による、干渉変調器基板の段階的エッチングを示す一実施例の平面顕微鏡写真を示す図である。
【図１８】水平方向及び垂直方向のビアからなるアレイを通って流れるＸｅＦ２エッチング液による、干渉変調器基板の段階的エッチングを示す一実施例の平面顕微鏡写真を示す図である。
【図１９】上方ミラー層が、変形可能層又はメカニカル層から吊下している干渉変調器の製造のためのプロセスフローの局面を概略的に示す一実施例の断面図である。
【図２０Ａ】上方ミラー層が、変形可能層又はメカニカル層から吊下している干渉変調器の製造のためのプロセスフローの局面を概略的に示す一実施例の断面図である。
【図２０Ｂ】上方ミラー層が、変形可能層又はメカニカル層から吊下している干渉変調器の製造のためのプロセスフローの局面を概略的に示す一実施例の断面図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、複数の干渉変調器を備えたビジュアルディスプレイデバイスの実施例を示すシステムブロック図である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、複数の干渉変調器を備えたビジュアルディスプレイデバイスの実施例を示すシステムブロック図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１７Ｄ】
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【図１７Ｅ】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【外国語明細書】
2006099112000001.pdf