(57)【要約】      （修正有）【課題】電気的な短絡や樹脂層の剥離を招くことなく基板の強化を可能にした半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】ウェハ１レベルで再配線６の形成や電極端子７の形成、樹脂封止を行い、最終段階で個片化する半導体装置Ｂの製造方法において、ウェハ１の主面１ｃ側に形成された少なくとも再配線６と電極端子７とを第１の樹脂で封止して第１樹脂層２を形成し、第１樹脂層２を形成した段階で、ウェハ１の裏面１ｂ側からウェハ１の主面１ｃまたは第１樹脂層２の途中まで１回目のダイシングを行い、１回目のダイシングによって画成された溝とウェハ１の裏面１ｂとを第２の樹脂で連続的に封止して第２樹脂層３を形成するとともに、１回目のダイシングによって画成された側面１ａを被覆する第２樹脂層３を残しつつ、２回目のダイシングを行って半導体装置Ｂを個片化する。【選択図】図１
2006261299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に複数の集積回路が形成されたウェハが用意され、パッド電極を介して前記集積回路と電気的に接続される再配線を形成するとともに、該再配線上に電極端子を形成した後に、前記ウェハをダイシングして個片化する半導体装置の製造方法において、
前記ウェハの前記主面側に形成された少なくとも前記再配線と前記電極端子とを第１の樹脂で封止して第１樹脂層を形成し、該第１樹脂層を形成した段階で、前記ウェハの裏面側から前記ウェハの主面または前記第１樹脂層の途中まで１回目のダイシングを行い、該１回目のダイシングによって画成された溝と前記ウェハの裏面とを第２の樹脂で連続的に封止して第２樹脂層を形成するとともに、前記１回目のダイシングによって画成された側面を被覆する前記第２樹脂層を残しつつ、２回目のダイシングを行い個片化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウェハの裏面を封止した前記第２樹脂層を研磨して、前記ウェハを露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
主面に集積回路を備える基板と、パッド電極を介して前記集積回路と電気的に接続される再配線と、該再配線上に形成された電極端子と、厚さが前記基板の主面から前記電極端子の上面までとされ前記基板の主面側を封止する第１樹脂層と、該第１樹脂層の上面に露出された前記電極端子の上面に搭載される突起電極とを備える半導体装置において、
前記基板の裏面と、該裏面に直交する側面とを連続的に被覆する第２樹脂層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第２樹脂層の前記基板の主面側の端部が、前記基板の主面よりも前記第１樹脂層の表面に近い位置にあるとともに前記第１樹脂層と密着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
主面に集積回路を備える基板と、パッド電極を介して前記集積回路と電気的に接続される再配線と、該再配線上に形成された電極端子と、厚さが前記基板の主面から前記電極端子の上面までとされ前記基板の主面側を封止する第１樹脂層と、該第１樹脂層の上面に露出された前記電極端子の上面に搭載される突起電極とを備える半導体装置において、
前記基板の側面を被覆する第２樹脂層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハレベルでパッケージングを行い、最終段階で個片化する半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば携帯端末装置などのデバイスの多機能化や高機能化に伴い、これに使用される半導体装置は、小型で薄型、且つ高速で処理を行えるものが求められている。これに応える半導体装置として、いわゆるＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）と称される半導体装置が注目を集めている。このＷＬ−ＣＳＰは、ウェハレベルで再配線の形成と電極端子の形成、並びに熱や光、物理的衝撃等から主にウェハの主面に形成されたＩＣ（集積回路）を保護するための樹脂封止（パッケージング）までを行い、最終段階で個片化して製造される。これにより、半導体装置のパッケージ後の寸法をＩＣチップとほぼ同等とすることができ、大幅に小型化を図ることが可能なものとされている。
【０００３】
しかしながら、従来のＷＬ−ＣＳＰ（半導体装置）は、最終段階でウェハの切断（ダイシング）を行い個々の半導体装置に個片化するため、個片化された半導体装置の基板（個片化されたウェハ）の主面は樹脂封止されているのに対し、基板の側面は切断面が露出された状態であった。この露出された側面は、製造過程において物理的衝撃等が負荷された場合に破損されやすいという問題があった。また、側面が露出されている場合には、基板の主面と樹脂層との間から水分が浸入し再配線や電極端子が酸化腐食される場合があった。
【０００４】
これに対し、個片化された段階で、基板の主面に加え、基板の側面、または側面と裏面とを樹脂で被覆して製造される半導体装置も存在する。このように基板の外面が樹脂で被覆された半導体装置は、基板の破損を防止可能に強化されるとともに、例えばダイシング時に基板に生じたチッピングなどの欠損部分を被覆できるため、欠損部分の修正作業を省略できるという利点をも有する。
【０００５】
一般に、図１１に示すような基板１の側面１ａおよび裏面１ｂが樹脂層２、３で被覆された半導体装置Ａの製造は、図１２に示すように、はじめに、主面１ｃ側に複数のＩＣ４が形成されたウェハ１が用意され、パッド電極５を介してＩＣ４と電気的に接続される再配線６が形成され、さらに再配線６上に例えば銅製で柱状の電極端子（メタルポスト）７が形成される。
【０００６】
ついで、図１３に示すように、ウェハ１の裏面１ｂに、弾性材のダイシングテープ８を貼り付けた樹脂板９（第２樹脂層３）を固定したのち、ウェハ１の主面１ｃ側から、主面１ｃに直交する方向で１回目のダイシングを行う。この１回目のダイシングでは、ダイシング深さＴ１がダイシングテープ８の厚さ方向の途中までとされる。さらに、１回目のダイシングで画成された溝１０およびウェハ１の主面１ｃ側を第１の樹脂で封止する。この第１の樹脂部分が第１樹脂層２とされ、第１樹脂層２は、ウェハ１の主面１ｃに形成されたメタルポスト７が埋設される程度の厚さで形成される。
【０００７】
さらに、図１４に示すように、第１樹脂層２の表面２ａを研磨し、メタルポスト７の上面７ａを露出させるとともに、この露出された上面７ａに電気や信号の出入り口となる突起電極のバンプ１１を取り付ける。ついで、１回目のダイシングで画成され第１の樹脂が充填された溝１０の幅方向略中央部分を第１樹脂層２の表面２ａ側から再度ダイシング（２回目のダイシング）する。このとき、１回目のダイシングによって画成された基板（個片化されたウェハ）１の側面（切断面）１ａに、第１樹脂層２が被覆された状態で残されるように２回目のダイシングを行う。また、２回目のダイシングのダイシング深さＴ２は、第１樹脂層２の表面２ａから若干ダイシングテープ８を切り込む程度までとされ、これにより、半導体装置Ａが個片化される。
【０００８】
最後に、ダイシングテープ８を取り外して図１１に示すような半導体装置Ａの製造が完了する。この半導体装置Ａは、基板１の主面１ｃに加えて側面１ａおよび裏面１ｂが第１樹脂層２と樹脂板９（第２樹脂層３）とによって被覆されているため、耐衝撃性に優れたものとされる。
【特許文献１】特開２００１−１４４１２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記の半導体装置の製造方法では、１回目のダイシング時に再配線やメタルポストが露出されているため、再配線やメタルポストにダイシングに伴い飛散したパーティクルが付着するという問題があった。再配線やメタルポストにパーティクルが付着した場合には、電気的な短絡が生じたり、第１樹脂層の密着性が低下し基板と第１樹脂層との界面からの水分の浸入を許し、再配線などが酸化腐食するという問題があった。
【００１０】
また、上記の半導体装置の製造方法では、１回目のダイシング時にダイシングテープが貼り付けられてウェハが保持されている。このダイシングテープは、弾性体であるため、ダイシング時にウェハがずれて溝曲がりが生じやすく、個片化された半導体装置の寸法精度が低下するという問題があった。
【００１１】
この対策として、ダイシングテープの代わりに、例えば金属板を取り付け、強固にウェハを保持しつつダイシングを行う手法も存在する。しかしながら、この金属板を取り付ける手法は、金属板の取り付けや半導体装置の分離に手間が掛かるため、製造コストの上昇を招くという問題があった。
【００１２】
さらに、上記の半導体装置の製造方法では、基板の側面を被覆する樹脂層は、基板の主面と連続形成された第１樹脂層となる。近年、半導体装置の薄型化の要求に伴って、基板の裏面側を研磨して極力半導体装置を薄型に成形することが行われている。このとき、例えば円盤状の研磨部材を回転させつつ基板の裏面に沿わせて研磨を行うため、基板の側面を被覆した第１樹脂層の端部に、第１樹脂層を剥離させる側の力が作用してしまう。このため、側面を被覆した第１樹脂層が研磨に伴い剥離する場合があった。また、側面を被覆した第１樹脂層が、主面側の第１樹脂層と連続形成されているため、側面部分の剥離に伴い主面部分も剥離されるという問題があった。このように、主面側の第１樹脂層が剥離した場合には、基板の主面に形成されたＩＣや再配線などが損傷されてしまうという問題が生じる。
【００１３】
本発明は、上記事情を鑑み、電気的な短絡や樹脂層の剥離を招くことなく基板の強化を可能にした半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供している。
【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法は、主面に複数の集積回路が形成されたウェハが用意され、パッド電極を介して前記集積回路と電気的に接続される再配線を形成するとともに、該再配線上に電極端子を形成した後に、前記ウェハをダイシングして個片化する半導体装置の製造方法において、前記ウェハの前記主面側に形成された少なくとも前記再配線と前記電極端子とを第１の樹脂で封止して第１樹脂層を形成し、該第１樹脂層を形成した段階で、前記ウェハの裏面側から前記ウェハの主面または前記第１樹脂層の途中まで１回目のダイシングを行い、該１回目のダイシングによって画成された溝と前記ウェハの裏面とを第２の樹脂で連続的に封止して第２樹脂層を形成するとともに、前記１回目のダイシングによって画成された側面を被覆する前記第２樹脂層を残しつつ、２回目のダイシングを行い個片化する。
【００１６】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記基板の裏面を封止した前記第２樹脂層を研磨して、前記ウェハを露出してもよい。
【００１７】
さらに、本発明の半導体装置は、主面に集積回路を備える基板と、パッド電極を介して前記集積回路と電気的に接続される再配線と、該再配線上に形成された電極端子と、厚さが前記基板の主面から前記電極端子の上面までとされ前記基板の主面側を封止する第１樹脂層と、該第１樹脂層の上面に露出された前記電極端子の上面に搭載される突起電極とを備える半導体装置において、前記基板の裏面と、該裏面に直交する側面とを連続的に被覆する第２樹脂層が形成されている。
【００１８】
また、本発明の半導体装置は、前記第２樹脂層の前記基板の主面側の端部が、前記基板の主面よりも前記第１樹脂層の表面に近い位置にあるとともに前記第１樹脂層と密着されていることが望ましい。
【００１９】
さらに、本発明の半導体装置は、主面に集積回路を備える基板と、パッド電極を介して前記集積回路と電気的に接続される再配線と、該再配線上に形成された電極端子と、厚さが前記基板の主面から前記電極端子の上面までとされ前記基板の主面側を封止する第１樹脂層と、該第１樹脂層の上面に露出された前記電極端子の上面に搭載される突起電極とを備える半導体装置において、前記基板の側面を被覆する第２樹脂層が形成されている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、１回目のダイシング時に、既に第１樹脂層で再配線や電極端子（メタルポスト）が封止されているため、パーティクルが付着することを防止できる。このため、パーティクルの付着に伴う電気的な短絡や、第１樹脂層の密着性の低下を招く恐れがない。
【００２１】
また、１回目のダイシングでは、ダイシング深さをウェハの裏面からウェハの主面または第１樹脂層の途中までとしているため、第１樹脂層でウェハを確実に固定した状態でダイシングを行うことができる。このため、溝曲がりなどが生じることなくダイシングを行うことが可能となり、半導体装置の寸法精度を確保することが可能となる。
【００２２】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法によれば、基板の裏面を封止した第２樹脂層を研磨してウェハを露出させる際に、１回目のダイシングによって画成された溝内に第２樹脂層が充填された状態で研磨を行うことができる。このため、研磨によって基板の側面と第２樹脂層とが剥離することなく研磨でき、好適に半導体装置の薄型化を図ることが可能となる。
【００２３】
また、第２樹脂層が基板の側面と裏面とを連続的に被覆する樹脂層とされているため、基板の側面を被覆する第２樹脂層の端部を基板の主面側に位置させることができる。これにより、個片化された半導体装置を得た段階で、例えば基板の裏面側に形成された第２樹脂層を研磨する場合においても、基板側面を被覆した第２樹脂層に、側面から剥離する側の力を作用させることなく、半導体装置の薄型化を図ることが可能となる。
【００２４】
また、本発明の半導体装置によれば、基板側面を被覆する第２樹脂層と基板の主面を被覆する第１樹脂層とが連続的に形成されていないため、基板側面を被覆する第２樹脂層が剥離された場合においても、第１樹脂層の剥離が誘発されることを防止できる。よって、ＩＣや再配線などが損傷されることを防止できる。
【００２５】
さらに、第２樹脂層の基板の主面側の端部が、基板の主面よりも第１樹脂層の表面に近い位置にあるとともに第１樹脂層と密着されていることによって、第１樹脂層と第２樹脂層との界面から水分が浸入することを防止できる。また、このとき、第２樹脂層の端部側の上面と基板側の側面とが第１樹脂層と密着されることとなるため、第２樹脂層が基板側面から剥離された場合においても、第１樹脂層の剥離を誘発する恐れを解消することができる。
【００２６】
また、本発明の半導体装置によれば、基板を被覆する第２樹脂層が基板の側面にのみ形成されることで、薄型化された半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図１から図６を参照し、本発明の第１実施形態に係る半導体装置Ｂおよびその製造方法について説明する。本実施形態に示す半導体装置Ｂは、例えば携帯端末装置などのデバイスに搭載されて使用されるものであり、特にウェハレベルで再配線や樹脂封止などが施されるＷＬ−ＣＳＰに関するものである。
【００２８】
本発明に係る半導体装置Ｂは、図１に示すように、主面１ｃに集積回路４を備える薄板状の基板（個片化されたウェハ）１と、パッド電極５を介して集積回路４と電気的に接続される再配線６と、再配線６上に形成された柱状の電極端子（メタルポスト）７と、厚さが基板１の主面１ｃから電極端子７の上面７ａまでとされ基板１の主面１ｃ側を封止する第１樹脂層２と、第１樹脂層２の表面２ａに露出された電極端子７の上面７ａに搭載される突起電極（バンプ）１１とから構成されている。また、基板１の側面１ａおよび裏面１ｂには、それぞれを被覆する第２樹脂層３が連続的に形成されているとともに、この第２樹脂層３の基板１の主面１ｃ側の端部３ａが第１樹脂層２の厚さＺ範囲内に位置され、端面３ｂと基板１側の側面３ｃとが第１樹脂層２に密着されている。
ここで、第１樹脂層２と第２樹脂層３とは、例えば同じエポキシ樹脂によって形成されており、また、バンプ１１は、例えば金めっきや半田めっきなどにより形成されている。
【００２９】
ついで、図１から図６を参照し、上記の構成からなる半導体装置Ｂの製造方法について説明する。
【００３０】
はじめに、図２に示すように、主面１ｃに集積回路４が形成された矩形板状のウェハ１を用意し、パッド電極５に接続された再配線６と、再配線６上に柱状のメタルポスト７とを形成する。また、再配線６やメタルポスト７を第１の樹脂を用いて封止し第１樹脂層２を形成する。さらに、メタルポスト７の上面７ａが埋設されるように第１樹脂層２を形成し、第１樹脂層２の表面２ａ側を後から研磨することで、第１樹脂層２の表面２ａにメタルポスト７の上面７ａを露出形成させる。
【００３１】
ついで、図３に示すように、ウェハ１の天地を逆にするとともに、裏面１ｂ側から、個片化する半導体装置Ｂの大きさに合わせて例えば薄刃砥石により１回目のダイシングを行う。このとき、ダイシング深さＴ３は、ウェハ１の裏面１ｂから第１樹脂層２の途中までとし、この１回目のダイシングによって溝１０を画成する。１回目のダイシングを行った段階において、主面１ｃに集積回路４や再配線６などを備えたウェハ１は、第１樹脂層２で強度的厚さを残して一体化されており個片化されていない。このため、１回目のダイシング時にウェハ１がずれることなくダイシングを行うことができ、溝曲がりなどが生じることがないものとされる。
【００３２】
ついで、図４に示すように、画成された溝１０に第２の樹脂を充填するとともに、ウェハの裏面１ｂ側を第２の樹脂で封止して第２樹脂層３を形成する。
【００３３】
第２の樹脂が硬化した段階で、ウェハ１の天地を元に戻し、図５に示すように、第１樹脂層２の表面２ａ側を研磨することで、第１樹脂層２の表面２ａにメタルポスト７の上面７ａを露出形成させて、表面２ａと同一平面上に位置されるメタルポスト７の上面７ａにバンプ１１を搭載するとともに、ウェハ１の裏面１ｂ側を封止した第２樹脂層３の外面３ｄにダイシングテープ８を貼り付ける。
【００３４】
ついで、図６に示すように、溝１０の画成に使用した薄刃砥石よりも薄肉の薄刃砥石を用意し、第１樹脂層２の表面２ａ側の溝１０の幅方向中央部分から、１回目のダイシングの切断面（基板１の側面１ａ）１ａに第２樹脂層３を被覆した状態で残しつつ２回目のダイシングを行う。このとき、ダイシング深さＴ４は、第１樹脂層２の表面２ａからダイシングテープ８の途中までとされ、この段階で半導体装置Ｂが個片化される。２回目のダイシングでは、第１樹脂層２と第２樹脂層３の樹脂をダイシングするため切削負荷が小さいものとされる。これにより、ダイシングテープ８でウェハ１を保持した状態でダイシングを行っても溝曲がりは生じないものとされる。
【００３５】
最後に、ダイシングテープ８を引き伸ばすように引っ張り、ダイシングテープ８に貼りつき状態で保持され個片化された半導体装置Ｂを剥離する。これにより、図１に示す半導体装置Ｂの製造が完了する。
【００３６】
したがって、上記の半導体装置Ｂの製造方法においては、１回目のダイシング時に再配線６やメタルポスト７などが既に樹脂封止され第１樹脂層２が形成されているため、ダイシングに伴うパーティクルが再配線６やメタルポスト７に付着することなくダイシングを行うことができる。これにより、電気的な短絡や第１樹脂層２の密着性の低下を招くことを防止できる。
【００３７】
また、ウェハ１の裏面１ｂ側から行う１回目のダイシングが第１樹脂層２の途中までとされるため、ウェハ１がずれることなくダイシングを行うことができる。これにより、溝曲がりなどが生じることを防止でき、半導体装置Ｂの寸法精度を確保することが可能となる。さらに、２回目のダイシングは、第１樹脂層２と第２樹脂層３の樹脂のダイシングとなるため、ダイシングテープ８によってウェハ１を保持させた状態でダイシングを行っても溝曲がりなどが生じることなくダイシングすることが可能となる。
【００３８】
さらに、上記の半導体装置Ｂによれば、基板１の側面１ａと裏面１ｂとを被覆する第２樹脂層３が連続的に形成されるのに対して、側面１ａを被覆する第２樹脂層３と主面１ｃを被覆する第１樹脂層２とが連続的に形成されていないため、側面１ａを被覆する第２樹脂層３が剥離を生じた場合においても第１樹脂層２の剥離を誘発する恐れがないものとすることができる。
【００３９】
また、第１樹脂層２と密着される第２樹脂層３の端部３ａが、基板１の主面１ｃよりも第１樹脂層２の表面２ａに近い、第１樹脂層２の厚さＺ範囲内に位置され、且つ第２樹脂層３の端部３ａの端面３ｂと基板１側の側面３ｃとが密着されるため、界面からの水分の侵入を防止できるとともに、基板１側面１ａを被覆する第２樹脂層３が剥離された場合においても第１樹脂層２の剥離を誘発する恐れがないものとすることができる。
【００４０】
よって、上記の半導体装置Ｂの製造方法および半導体装置Ｂにおいては、基板１の強化を図りつつ、集積回路４や再配線６などの破損を防止できるため、信頼性の高い半導体装置Ｂを提供できる。
【００４１】
なお、本発明は、上記の第１実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、第１実施形態では、第２樹脂層３の樹脂は、第１樹脂層２の樹脂と同じエポキシ樹脂であるものとして説明を行ったが、それぞれの樹脂は、例えばフィラーの含有量が異なるなど、特性の異なるエポキシ樹脂であってもよいとともに、エポキシ樹脂以外の異なる樹脂であってもよいものである。また、１回目のダイシングのダイシング深さＴ３が第１樹脂層２の途中までとして説明を行ったが、この１回目のダイシングのダイシング深さＴ３は、ウェハ１の主面１ｃまでとしてもよく、この場合には、第１樹脂層２と密着される第２樹脂層３の端部３ａは、端面３ｂのみで第１樹脂層２と密着されることとなる。
【００４２】
また、第１実施形態で製造された半導体装置Ｂに対して、基板１の裏面１ｂ側に形成された第２樹脂層３、または第２樹脂層３と基板１とを研磨して半導体装置Ｂの薄型化を図ってもよいものである。この研磨を行うとき、第２樹脂層３が基板１の裏面１ｂから１回目のダイシングにより画成された切断面（側面）１ａまで連続して形成されているため、例えば研磨を行う研磨部材は、第１樹脂層２と第２樹脂層３との密着界面に接触することはない。このため、研磨を行うによって側面１ａを被覆する第２樹脂層３が剥離する恐れがないものとされる。
【００４３】
ついで、図７から図１０を参照し、本発明の第２実施形態に係る半導体装置Ｃの製造方法およびこの方法により製造される半導体装置Ｃについて説明する。
【００４４】
本発明の第２実施形態は、図１から図６に示した第１実施形態と同様、例えば携帯端末装置などのデバイスに搭載されて使用されるものであり、特にウェハレベルで再配線や樹脂封止などが施されるＷＬ−ＣＳＰに関するものである。ここで、第１実施形態に係る半導体装置Ｂの構成およびその製造方法と同様のものについては、同一符号を付し詳細な説明を省略するものとする。
【００４５】
第２実施形態の半導体装置Ｃは、図７に示すように、第１実施形態で示した半導体装置Ｂに対し、基板１の裏面１ｂに第２樹脂層３が形成されていない。一方、基板１の側面１ａには、第２樹脂層３が形成されており基板１の側面１ａが被覆され保護されている。
【００４６】
ついで、図２から図４および図７から図９を参照し、上記の構成からなる半導体装置Ｃの製造方法について説明する。
【００４７】
第１実施形態と同様、はじめに、第１実施形態の図２に示した集積回路４が形成されたウェハ１を用意し、その主面１ｃ側に、パッド電極５に接続された再配線６と、第１樹脂層２に埋設されたメタルポスト７とを形成する。
【００４８】
ついで、図３に示すように、ウェハ１の裏面１ｂ側から第１樹脂層２の途中まで１回目のダイシングを行い、溝１０を画成する。さらに、図４に示したように、画成された溝１０に第２の樹脂を充填するとともに、ウェハ１の裏面１ｂ側を第２の樹脂で封止し第２樹脂層３を形成する。
【００４９】
樹脂が硬化した段階で、図８に示すように、ウェハ１の裏面１ｂ側の第２樹脂層３を研磨して除去し、ウェハ１の裏面１ｂを露出させる。このとき、１回目のダイシングにより画成された溝１０内には第２の樹脂が充填されているため、切断面（側面）１ａと第２の樹脂との接着面は研磨によって剥離されることがなく、強固に密着した状態とされる。さらに、図９に示すように、メタルポスト７の上面７ａにバンプ１１を搭載するとともに、ウェハ１の露出された裏面１ｂにダイシングテープ８を貼り付ける。
【００５０】
ついで、図１０に示すように、第１樹脂層２の表面２ａ側から、ウェハ１の１回目のダイシングによって画成された切断面（基板１の側面１ａ）１ａに第２樹脂層３を被覆した状態で残しつつ２回目のダイシングを行う。このとき、ダイシング深さＴ５は、ダイシングテープ８の途中までとされる。最後に、ダイシングテープ８を剥離することにより、個片化された半導体装置Ｃの製造が完了する。
【００５１】
したがって、上記の半導体装置Ｃの製造方法においては、１回目のダイシングで画成された溝１０内に第２の樹脂が充填された状態で、ウェハ１の裏面１ｂ側の第２樹脂層３を研磨して半導体装置Ｃの薄型化を図ることができる。このとき、溝１０内に第２の樹脂が硬化した状態で充填されているため、研磨によって第２の樹脂が１回目のダイシングによるウェハ１の切断面１ａから剥離することを防止でき、切断面１ａに強固に密着した第２樹脂層３を形成することが可能となる。
【００５２】
なお、本発明は、上記の第２実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、第２実施形態では、ウェハ１の裏面１ｂを封止した第２樹脂層３を研磨によって全て除去し、裏面１ｂを露出させるものとしたが、この限りではなく、研磨により第２樹脂層３の厚みを減じつつ残存させることで半導体装置Ｃの薄型化を図ってもよいものである。この場合には、基板１の裏面１ｂに第２樹脂層３が形成されているため、基板１を強化して耐衝撃性を付与することが可能となる。さらに、ウェハ１の裏面１ｂ側の第２樹脂層３に加えてウェハ１自体をも研磨し、半導体装置Ｃのさらなる薄型化が図られてもよいものである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２】図１の半導体装置の製造過程において、ウェハに再配線などを形成し第１樹脂層を形成した状態を示す図である。
【図３】図１の半導体装置の製造過程において、１回目のダイシングを行った状態を示す図である。
【図４】図１の半導体装置の製造過程において、第２の樹脂で封止を行った状態を示す図である。
【図５】図１の半導体装置の製造過程において、突起電極とダイシングテープを取り付けた状態を示す図である。
【図６】図１の半導体装置の製造過程において、２回目のダイシングを行った状態を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図８】図７の半導体装置の製造過程において、ウェハ裏面の第２樹脂層を除去した状態を示す図である。
【図９】図７の半導体装置の製造過程において、突起電極とダイシングテープを取り付けた状態を示す図である。
【図１０】図７の半導体装置の製造過程において、２回目のダイシングを行った状態を示す図である。
【図１１】従来の半導体装置の断面図である。
【図１２】図１１の半導体装置の製造過程において、ウェハに再配線などを形成した状態を示す図である。
【図１３】図１１の半導体装置の製造過程において、第１樹脂層を形成した状態を示す図である。
【図１４】図１１の半導体装置の製造過程において、２回目のダイシングを行った状態を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・ウェハ（基板）、１ａ・・・側面（切断面）、１ｂ・・・裏面、１ｃ・・・主面、２・・・第１樹脂層、２ａ・・・表面、３・・・第２樹脂層、３ａ・・・端部、４・・・集積回路（ＩＣ）、５・・・パッド電極、６・・・再配線、７・・・電極端子（メタルポスト）、７ａ・・・上面、８・・・ダイシングテープ、１０・・・溝、１１・・・突起電極（バンプ）、Ａ，Ｂ，Ｃ・・・半導体装置、Ｚ・・・第１樹脂層の厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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