(57)【要約】【課題】  簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供する。【解決手段】  積層構造体１は、エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料を含み、臨界表面張力が相対的に大きな高表面エネルギー部３と臨界表面張力が相対的に小さな低表面エネルギー部４との少なくとも臨界表面張力が異なる２つの部位を有する濡れ性変化層２と、濡れ性変化層２の高表面エネルギー部３に形成された導電層５と、濡れ性変化層２の低表面エネルギー部４に少なくとも接して設けられた半導体層６とを備える。そして、濡れ性変化層２は、ハロゲン化物を含む高分子材料からなる。【選択図】        図１
2006261535.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料を含み、前記臨界表面張力が相対的に大きな高表面エネルギー部と前記臨界表面張力が相対的に小さな低表面エネルギー部との少なくとも臨界表面張力が異なる２つの部位を有する濡れ性変化層と、
前記濡れ性変化層の前記高表面エネルギー部に形成された導電層と、
前記濡れ性変化層の前記低表面エネルギー部に少なくとも接して設けられた半導体層とを備え、
前記濡れ性変化層は、ハロゲン化物を含む高分子材料からなる、積層構造体。
【請求項２】
前記濡れ性変化層は、パラキシリレン化合物からなる、請求項１に記載の積層構造体。
【請求項３】
前記半導体層は、有機半導体からなる、請求項１または請求項２に記載の積層構造体。
【請求項４】
前記濡れ性変化層は、紫外線照射により前記臨界表面張力が変化する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の積層構造体。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の積層構造体を備える電子素子。
【請求項６】
前記半導体層に少なくとも接して形成された絶縁体層と、
前記絶縁体層に接して設けられた第１の電極層とをさらに備え、
前記半導体層は、前記濡れ性変化層上に形成され、
前記導電層は、前記半導体層に接して設けられた一対の第２の電極層からなる、請求項５に記載の電子素子。
【請求項７】
第１の電極層をさらに備え、
前記濡れ性変化層は、前記第１の電極層上に設けられ、
前記半導体層は、前記濡れ性変化層上に形成され、
前記導電層は、前記半導体層に接して設けられた一対の第２の電極層からなる、請求項５に記載の電子素子。
【請求項８】
基板上に配設された複数の電子素子を備え、
前記複数の電子素子の各々は、請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の電子素子からなる、電子素子アレイ。
【請求項９】
ハロゲン化物を含む高分子材料をエネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料として含む濡れ性変化層を形成する第１のステップと、
前記濡れ性変化層の一部分にエネルギーを付与することによって前記臨界表面張力が相対的に小さい低表面エネルギー部と前記臨界表面張力が相対的に大きい高表面エネルギー部とからなり、かつ、前記臨界表面張力を異ならせたパターンを形成する第２のステップと、
導電性材料を含有する液体を前記パターンが形成された前記濡れ性変化層の表面に付与して前記高表面エネルギー部に導電層を形成する第３のステップと、
前記濡れ性変化層上に半導体層を形成する第４のステップとを備える積層構造体の製造方法。
【請求項１０】
導電性材料を含有する液体を前記濡れ性変化層の表面に付与する方法は、インクジェット法である、請求項９に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記濡れ性変化層は、紫外線照射により前記臨界表面張力が変化する、請求項９または請求項１０に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１２】
電子素子の製造方法であって、
前記電子素子は、請求項６または請求項７に記載の電子素子からなり、
前記製造方法は、
前記濡れ性変化層の一部分にエネルギーを付与することによって前記低表面エネルギー部と前記高表面エネルギー部とからなり、かつ、前記臨界表面張力を異ならせたパターンを形成する第１のステップと、
導電性材料を含有する液体を前記パターンが形成された濡れ性変化層の表面に付与することで、前記高表面エネルギー部に前記一対の第２の電極層を形成する第２のステップと、
前記濡れ性変化層上に半導体層を形成する第３のステップとを備える電子素子の製造方法。
【請求項１３】
前記導電性材料を含有する液体を前記濡れ性変化層の表面に付与する方法は、インクジェット法である、請求項１２に記載の電子素子の製造方法。
【請求項１４】
前記濡れ性変化層は、紫外線照射により前記臨界表面張力が変化する、請求項１２または請求項１３に記載の電子素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等に好適な積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、電子素子を用いた電子素子アレイ、積層構造体の製造方法および電子素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）および有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイは、電極、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）素子およびＴＦＴ等の能動素子或いは発光素子など薄膜層をパターニングして構成される部位を備えている。
【０００３】
特に、近年、その一部または全部に有機材料を用いた素子が、低コスト化または大面積化容易性等の製造上のメリットや無機材料にない機能発現の可能性から注目されている。例えば、特許文献１によれば、光や熱などの物理的外部刺激によりキャリア移動度が変化する有機半導体材料を用いた電界効果型トランジスタが提案されている。
【０００４】
一方、薄膜層をパターニングする方法としては、フォトリソグラフィー法が一般に使用される。その工程は以下の通りである。
【０００５】
（１）  薄膜層を有する基板上にフォトレジスト層を塗布（レジスト塗布）
（２）  加熱により溶剤を除去（プリベーク）
（３）  パターンデータに従ってレーザー或いは電子線を用いて描画されたハードマスクを通して紫外光を照射（露光）
（４）  アルカリ溶液で露光部のレジストを除去（現像）
（５）  加熱により未露光部（パターン部）のレジストを硬化（ポストベーク）
（６）  エッチング液に浸漬又はエッチングガスに暴露し、レジストのない部分の薄膜層を除去（エッチング）
（７）  アルカリ溶液又は酸素ラジカルでレジストを除去（レジスト剥離）
各薄膜層を形成後、上記（１）〜（７）の工程を繰返すことによって能動素子が完成するが、高価な設備と工程の長さがコストを上昇させる原因となっている。
【０００６】
近年、製造コストを低減するために印刷法によるパターン形成が試みられている。特許文献２では、ＴＦＴを構成する薄膜層のパターニング工程の一部を、フォトリソグラフィー法の代わりに例えば凹版オフセット印刷法で行う方法が開示されている。図１４は、凹版オフセット印刷法の概念図である。図１４を参照して、レジスト１０２が印刷版１０１の凹部に入れられ（図１４の（ａ）参照）、レジスト１０２が入った印刷版１０１の上を転写体１０３が回転することによってレジスト１０２を転写体１０３に転写する（図１４の（ｂ）参照）。これを被転写層（薄膜層）１０５が形成された基板１０４上に印刷することによって被転写層（薄膜層）１０５上にレジストパターンが形成される（図１４の（ｃ）参照）。
【０００７】
このように、凹版オフセット印刷法は、所定のパターンに配置されたレジスト１０２を回転体に転写し、その転写されたレジスト１０２を被転写層１０５に印刷することにより基板１０４上に所定のパターンからなるレジスト１０２を形成する方法である。
【０００８】
非特許文献１によれば、ナノパーティクルインクを使ったインクジェット法で幅５０μｍ、ピッチ４００μｍ程度の金属配線を形成する方法が記載されている。
【０００９】
図１５は、ＴＦＴの構成例を示す断面図である。非特許文献２によれば、図１５に示すように、全ての層が有機材料で構成されるＴＦＴの電極層（ゲート電極層１１０、ソース電極層１１１、ドレイン電極層１１２）をインクジェット法でパターン形成する方法が記載されている。ここでは、疎水性の材料（ポリイミド）からなるリブ１１３をガラス基板１１４上に設けて、電極間ギャップ（チャネル長）が５〜１０μｍのソース・ドレイン電極層１１１，１１２を形成している。なお、半導体層１１５、およびポリマー絶縁体層１１６は、ソース電極１１１およびドレイン電極１１２上に順次積層される。
【００１０】
図１６は、導電膜パターンの形成方法を示す断面図である。特許文献３によれば、図１６に示すように、基板１２１上の有機分子膜１２２を用いて紫外線等によりその一部を分解、除去することにより親液部１２１aと撥液部１２１ｂとからなるパターンを形成し、導電性微粒子を含有した液体１２３を親液部１２１ａに選択的に塗布した後、熱処理することによって導電膜パターンを形成する方法が開示されている。
【００１１】
この方法によれば、有機分子膜１２２にフォトマスクを介して紫外光を照射するだけで親液部１２１ａと撥液部１２１ｂとからなるパターンを形成することができるため大幅に工程を短縮することができる。
【特許文献１】特開平７−８６６００号公報
【特許文献２】特開２００２−２６８５８５公報
【特許文献３】特開２００２−１６４６３５公報
【非特許文献１】SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY 2002 INTERNATIONAL SYMPOSIUM DIGEST OF TECHNICAL PAPER・VolumeXXXIII,p.753〜755．
【非特許文献２】SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY 2002 INTERNATIONAL SYMPOSIUM DIGEST OF TECHNICAL PAPER・VolumeXXXIII,p.1017〜1019、Siencce 290,p.2123〜2126(2000)．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、特許文献１のようなオフセット印刷法では、極めて高精度なものを用いてもパターン寸法精度及び位置合わせ精度を合わせたパターン誤差は±１０μｍで、汎用的なものでは±５０μｍにも及ぶため、微細なパターン形成には適さない。
【００１３】
また、非特許文献１では、プリンタに使用されるレベルの通常のインクジェットヘッドを用いた場合、解像度が３０μｍであり、位置合わせ精度が±１５μｍ程度であるため、微細なパターン形成は困難である。
【００１４】
非特許文献２では、表面エネルギーを制御することによってインクに対する濡れ性をコントロールして、インクジェット法の解像度を超えたパターン形成を可能にしている点で優れているが、ポリイミドからなるリブを作製するために以下のような長い工程が必要である。
【００１５】
（Ａ）ポリイミドプリカーサーを塗布し焼成（ポリイミド膜形成）
（Ｂ）フォトレジスト層を塗布（レジスト塗布）
（Ｃ）加熱により溶剤を除去（プリベーク）
（Ｄ）マスクを通して紫外光を照射（露光）
（Ｅ）アルカリ溶液で露光部のレジストを除去（現像）
（Ｆ）加熱により未露光部（パターン部）のレジストを硬化（ポストベーク）
（Ｇ）酸素プラズマによりレジストのない部分のポリイミド膜を除去（エッチング）
（Ｈ）溶剤でレジストを除去（レジスト剥離）
したがって、インクジェット法の利点を損なっている。
【００１６】
また、特許文献３の場合、有機分子膜１２２が非常に薄いこと、親液部１２１ａにおいては、この膜が存在せず基板１２１が露出していることなどから有機分子膜１２２は表面エネルギー制御以外のバルク体としての機能は有しておらず、機能性が低いものである。
【００１７】
そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供することである。
【００１８】
また、この発明の別の目的は、簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を備える電子素子を提供することである。
【００１９】
さらに、この発明の別の目的は、簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を備えた電子素子アレイを提供することである。
【００２０】
さらに、この発明の別の目的は、簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体の製造方法を提供することである。
【００２１】
さらに、この発明の別の目的は、簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を備えた電子素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
この発明によれば、積層構造体は、濡れ性変化層と、導電層と、半導体層とを備える。濡れ性変化層は、エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料を含み、臨界表面張力が相対的に大きな高表面エネルギー部と臨界表面張力が相対的に小さな低表面エネルギー部との少なくとも臨界表面張力が異なる２つの部位を有する。導電層は、濡れ性変化層の高表面エネルギー部に形成される。半導体層は、濡れ性変化層の低表面エネルギー部に少なくとも接して設けられる。そして、濡れ性変化層は、ハロゲン化物を含む高分子材料からなる。
【００２３】
好ましくは、濡れ性変化層は、パラキシリレン化合物からなる。
【００２４】
好ましくは、半導体層は、有機半導体からなる。
【００２５】
好ましくは、濡れ性変化層は、紫外線照射により臨界表面張力が変化する。
【００２６】
また、この発明によれば、電子素子は、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の積層構造体を備える。
【００２７】
好ましくは、電子素子は、絶縁体層と、第１の電極層とをさらに備える。絶縁体層は、半導体層に少なくとも接して形成される。第１の電極層は、絶縁体層に接して設けられる。そして、半導体層は、濡れ性変化層上に形成される。導電層は、半導体層に接して設けられた一対の第２の電極層からなる。
【００２８】
好ましくは、電子素子は、第１の電極層をさらに備える。そして、濡れ性変化層は、第１の電極層上に設けられる。半導体層は、前記濡れ性変化層上に形成される。導電層は、半導体層に接して設けられた一対の第２の電極層からなる。
【００２９】
さらに、この発明によれば、電子素子アレイは、基板上に配設された複数の電子素子を備える。複数の電子素子の各々は、請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の電子素子からなる。
【００３０】
さらに、この発明によれば、積層構造体の製造方法は、ハロゲン化物を含む高分子材料をエネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料として含む濡れ性変化層を形成する第１のステップと、濡れ性変化層の一部分にエネルギーを付与することによって臨界表面張力が相対的に小さい低表面エネルギー部と臨界表面張力が相対的に大きい高表面エネルギー部とからなり、かつ、臨界表面張力を異ならせたパターンを形成する第２のステップと、導電性材料を含有する液体をパターンが形成された濡れ性変化層の表面に付与して高表面エネルギー部に導電層を形成する第３のステップと、濡れ性変化層上に半導体層を形成する第４のステップとを備える。
【００３１】
好ましくは、導電性材料を含有する液体を前記濡れ性変化層の表面に付与する方法は、インクジェット法である。
【００３２】
好ましくは、濡れ性変化層は、紫外線照射により臨界表面張力が変化する。
【００３３】
さらに、この発明によれば、電子素子の製造方法は、請求項６または請求項７に記載の電子素子の製造方法であって、濡れ性変化層の一部分にエネルギーを付与することによって低表面エネルギー部と高表面エネルギー部とからなり、かつ、臨界表面張力を異ならせたパターンを形成する第１のステップと、導電性材料を含有する液体をパターンが形成された濡れ性変化層の表面に付与することで、高表面エネルギー部に一対の第２の電極層を形成する第２のステップと、濡れ性変化層上に半導体層を形成する第３のステップとを備える。
【００３４】
好ましくは、導電性材料を含有する液体を濡れ性変化層の表面に付与する方法は、インクジェット法である。
【００３５】
好ましくは、濡れ性変化層は、紫外線照射により臨界表面張力が変化する。
【発明の効果】
【００３６】
この発明による積層構造体においては、濡れ性変化層としてハロゲン化物を含む高分子材料が用いられる。その結果、導電層は、ハロゲン化物の高い疎水性により濡れ性変化層上に精度良く配置される。
【００３７】
したがって、この発明によれば、微細な導電層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００３９】
［積層構造体］
この発明の実施の形態による積層構造体について説明する。図１は、この発明の実施の形態による積層構造体の原理的構成例を示す断面模式図である。図１を参照して、この発明の実施の形態による積層構造体１は、濡れ性変化層２と、導電層５と、半導体層６とを備える。
【００４０】
濡れ性変化層２は、例えば、基板（図示せず）上に形成される。濡れ性変化層２は、エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料からなる層であって、この発明に実施の形態においては、少なくとも臨界表面張力の異なる２つの部位として、臨界表面張力が相対的に大きな高表面エネルギー部３と、臨界表面張力が相対的に小さな低表面エネルギー部４とを有している。
【００４１】
そして、２つの高表面エネルギー部３間は、例えば、１〜５μｍ程度の微小ギャップに設定されている。濡れ性変化層２に対して高表面エネルギー部３の部位には各々導電層５が形成され、かつ、濡れ性変化層２に対して少なくとも低表面エネルギー部４に接するようにして半導体層６が設けられている。
【００４２】
ここで、導電層５は、望ましくは導電性材料を含有する液体を加熱、紫外線照射等によって固化することによって得られる層である。なお、導電性材料を含有する液体とは、次のいずれかのものを言う。
【００４３】
（ａ）導電性材料を溶媒に溶解したもの、
（ｂ）導電性材料の前駆体若しくは前駆体を溶媒に溶解したもの、
（ｃ）導電性材料粒子を溶媒に分散したもの、
（ｄ）導電性材料の前駆体粒子を溶媒に分散したもの、
より具体的には、Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉ等の金属微粒子を有機溶媒または水に分散したもの、ドープドＰＡＮＩ（ポリアニリン）、およびＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）にＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）をドープした導電性高分子の水溶液等である。
【００４４】
濡れ性変化層２は、熱、紫外線、電子線、およびプラズマ等のエネルギーを与えることによって、臨界表面張力が変化する材料からなる層で、エネルギー付与前後での臨界表面張力の変化量が大きいものが好ましい。このような材料の場合、濡れ性変化層２の一部分にエネルギーを付与し、高表面エネルギー部３と低表面エネルギー部４とからなり、かつ、臨界表面張力の異なるパターンを形成することにより、導電性材料を含有する液体が、高表面エネルギー部３には付着しやすく（親液性）、低表面エネルギー部４には付着し難く（疎液性）なるため、パターン形状に従って導電性材料を含有する液体が親液性である高表面エネルギー部３に選択的に付着し、それを固化することにより導電層５が形成される。
【００４５】
ここで、固体表面に対する液体の濡れ性（付着性）について説明する。図２は、固体表面上で液滴が接触角で平衡状態にあるときの模式図である。図２を参照して、液滴１２が固体１１の表面上で接触角θで平衡状態にあるとき、ヤングの式（１）が成立する。
【００４６】
γＳ＝γＳＬ＋γＬcosθ  ・・・（１）
式（１）において、γＳは、固体１１の表面張力であり、γＳＬは、固体１１と液体（液滴１２）の界面張力であり、γＬは、液体（液滴１２）の表面張力である。
【００４７】
表面張力は表面エネルギーと実質的に同義であり、全く同じ値となる。cosθ＝１の時、θ＝０°となり、液体（液滴１２）は、完全に濡れる。この時のγＬの値は、γＳ−γＳＬとなり、これをその固体１１の臨界表面張力γＣと呼ぶ。γＣは、表面張力の判っている何種類かの液体を用いて、液体（液滴１２）の表面張力と接触角の関係をプロットし、θ＝０°（cosθ＝１）となる表面張力を求めることにより容易に決定できる（Ｚｉｓｍａｎプロット）。液体（液滴１２）は、γＣの大きい固体１１の表面には濡れやすく（親液性）、γＣの小さい固体１１の表面には濡れ難い（疎液性）。
【００４８】
接触角θの測定は液滴法で行うのが簡便である。液滴法には、
（ｅ）  読取顕微鏡を液滴１２に向け、顕微鏡内のカーソル線を液滴１２の接点に合わせて角度を読取る接線法
（ｆ）  十字のカーソルを液滴１２の頂点に合わせ、一端を液滴１２と固体１１試料の接する点に合わせた時のカーソル線の角度を２倍することにより求めるθ／２法
（ｇ）  モニター画面に液滴１２を映し出し、円周上の１点（できれば頂点）と液滴１２と固体１１試料の接点（２点）をクリックしてコンピュータで処理する３点クリック法
がある。（ｅ）→（ｆ）→（ｇ）の順に精度が高くなる。
【００４９】
図３は、塩素化ポリパラキシリレンを濡れ性変化層に用いた場合の、紫外線未照射部と紫外線照射部とのＺｉｓｍａｎプロットを行った結果を示す表面張力−接触角特性図である。図３を参照して、塩素化ポリパラキシリレンを濡れ性変化層２に用いた場合、紫外線未照射部の臨界表面張力γＣは、約３１ｍＮ／ｍであり、紫外線照射部の臨界表面張力γＣ′は、約５２ｍＮ／ｍであり、その差ΔγＣは、約２１ｍＮ／ｍである。 
【００５０】
高表面エネルギー部３と低表面エネルギー部４とのパターン形状に従って導電性材料を含有する液体が親液性である高表面エネルギー部３にのみ確実に付着するためには、表面エネルギー差が大きいこと、言い換えれば、臨界表面張力の差ΔγＣが大きいことが必要である。
【００５１】
表１は、ガラス基板上に種々の材料からなる濡れ性変化層２を形成し、エネルギー付与部と未付与部との臨界表面張力の差ΔγＣ、およびＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（水溶液系導電性高分子）の選択付着性を評価したものである。選択付着性はエネルギー付与部と未付与部とからなるパターンの境界を含むエリアにＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液を滴下し、余分の溶液を除去した後に未付与部に対するＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの付着（パターン不良）の有無を観察した。なお、表１において、Ａは、マルカリンカーＭ（丸善化学）であり、Ｂは、ＲＮ−１０２４（日産化学）であり、Ｃは、ＡＧ−７０００（旭硝子）であり、Ｄは塩素化ポリパラキシリレンである。
【００５２】
【表１】
2006261535.tif 000003
【００５３】
表１より、濡れ性変化層２の低表面エネルギー部４の臨界表面張力と高表面エネルギー部３の臨界表面張力との差ΔγＣは、１０ｍＮ／ｍ以上であることが望ましく、１５ｍＮ／ｍ以上であることがさらに望ましいことが判る。
【００５４】
ところで、この発明の実施の形態による積層構造体１においては、半導体層６は濡れ性変化層２の低表面エネルギー部４に接するため、その部位の物性が半導体層６の特性に影響を与えると考えられる。
【００５５】
図４は、電子素子（ＴＦＴ）に関して濡れ性変化層の材料を変えて作製した場合の結果を示す臨界表面張力−移動度特性図である。より具体的には、図４は、後述する実施例２の構造の電子素子（ＴＦＴ）を濡れ性変化層（ゲート絶縁膜）２の材料を変えて作製し、その移動度を濡れ性変化層２（エネルギー未付与）の臨界表面張力γＣに対してプロットしたものである。
【００５６】
なお、図４において、Ａは、塩素化ポリパラキシリレンであり、Ｂは、ポリビニルフェノールであり、Ｃは、有機シリカであり、Ｄは、熱酸化膜であり、Ｅは、ポリイミドであり、Ｆは、ＳｉＯ２（スパッタ膜）である。ただし、ソース電極５ａとドレイン電極５ｂとはＡｕ蒸着膜をリフトオフすることにより形成した。
【００５７】
図４を参照して、移動度は、臨界表面張力γＣが４０ｍＮ／ｍを超えると急激に減少する。この結果から濡れ性変化層２の低表面エネルギー部の臨界表面張力（γＣ）は、４０ｍＮ／ｍ以下であることが望ましい。
【００５８】
なお、臨界表面張力（γＣ）が２０ｍＮ／ｍよりも小さいと、ほとんどの溶媒をはじいてしまうため、半導体層６を塗布によって形成する場合には、臨界表面張力（γＣ）は２０ｍＮ／ｍ以上であることが望ましい。
【００５９】
また、濡れ性変化層２には疎水性基を有する高分子材料を用いるのが望ましい。これは主鎖から側鎖が出ているものでもよいし、主鎖の中に疎水性基が含まれていてもよい。
【００６０】
なお、「側鎖」とは、一般的には、主鎖から枝分かれした炭素鎖を言う（化学辞典（東京化学同人発行））が、この明細書においては、ハロゲン化物のように炭素を含まない基も含む。
【００６１】
具体的には、図５の概念図に示すように、ポリイミドおよび（メタ）アクリレート等の骨格を有する主鎖Ｌに直接或いは結合基（図示せず）を介して疎水性基を有する側鎖Ｒが結合しているものを言う。また、図６の概念図に示すように、主鎖Ｌに疎水性を有する基Ｒが結合しているものを言う。
【００６２】
疎水性基としては、末端構造が−ＣＦ２ＣＨ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ(ＣＦ３)２、−Ｃ(ＣＦ３)３、−ＣＦ２Ｈ、−ＣＦＨ２等である基が挙げられる。分子鎖同士を配向しやすくするためには炭素鎖長の長い基が好ましく、炭素数４以上のものがより好ましい。さらには、アルキル基の水素原子の２個以上がフッ素原子に置換されたポリフルオロアルキル基（以下、「Ｒｆ基」と記す。）が好ましく、特に炭素数４〜２０のＲｆ基が好ましく、特に、炭素数６〜１２のＲｆ基が好ましい。Ｒｆ基は直鎖構造であっても分岐構造であってもよいが、直鎖構造の方が好ましい。さらに、疎水性基は、アルキル基の水素原子の実質的に全てがフッ素原子に置換されたパーフルオロアルキル基が好ましい。パーフルオロアルキル基は、ＣｎＦ２ｎ＋１−（ｎは、４〜１６の整数）で表わされる基が好ましく、特に、ｎが６〜１２の整数である場合の基が好ましい。パーフルオロアルキル基は。直鎖構造であっても分岐構造であってもよく、直鎖構造が好ましい。
【００６３】
上記材料は、特開平３−１７８４７８号公報等に詳しく記載されており、加熱状態で液体又は固体と接触させたときに親液性となり、空気中で加熱すると疎液性となる性質を有する。即ち、接触媒体の選択と熱エネルギーの付与によって臨界表面張力を変化させることができる。
【００６４】
さらに、疎水性基としては、フッ素原子を含まない−ＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ(ＣＨ３)２、−Ｃ(ＣＨ３)３等の末端構造を有する基を挙げることができる。この場合にも、分子鎖同士を配向しやすくするためには炭素鎖長の長い基が好ましく、炭素数４以上のものがより好ましい。疎水性基は直鎖構造であっても分岐構造であってもよいが、直鎖構造の方が好ましい。
【００６５】
上記アルキル基は、ハロゲン原子、シアノ基、フェニル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基又は炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基やアルコキシ基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。Ｒの結合部位が多いほど表面エネルギーが低く（臨界表面張力が小さく）、疎液性となると考えられる。紫外線照射等によって、結合の一部が切断され、或いは、配向状態が変化するために臨界表面張力が増加し、親液性になるものと考えられる。
【００６６】
さらに、疎水性基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲンを挙げることができる。これらハロゲン原子と炭素原子との結合エネルギーは、例えば炭素−フッ素で４４１ｋＪ／ｍｏｌ、炭素−塩素で３２８ｋＪ／ｍｏｌ、炭素−臭素で２７６ｋＪ／ｍｏｌであり、光の波長に換算するとそれぞれ２７１ｎｍ、３６４ｎｍ、４３４ｎｍであり、紫外線の光エネルギーで十分に切ることが可能である。これらは、疎水性であるが、紫外線照射等によって、結合が切断されるために、結果として親水性になるものと考えられる。特にハロゲン化したポリパラキシリレンは、絶縁性が高く、またカバレッジ性がよく下地のエッジ部やコーナー部の被覆性にも優れているため、ショートし難く絶縁膜が形成可能であり、膜形成は、室温下で行なえるため、基板に熱ストレスを与えないので、膜剥がれおよびボイドなどを避けることができ、より望ましい。
【００６７】
疎水性基が半導体層との積層界面に存在している他の効果として、それに接している半導体層６との界面特性を良好なものとすることができる。半導体層６が有機半導体からなる場合、その効果がより顕著である。界面特性が良好であるとは、（ｉ）半導体が結晶質である場合には結晶粒が大きくなり、移動度が増大する、（ｉｉ）半導体が非晶質（高分子）である場合には、界面準位密度が減少し、移動度が増大する、（ｉｉｉ）半導体が高分子であり、長鎖アルキル基等の側鎖を有する場合には、その配向が規制されることによりπ共役主鎖の分子軸を概ね一方向に配列させることができ、移動度が増大する、等の現象が出現することを指す。
【００６８】
この発明の実施の形態における濡れ性変化層２の厚さは、３０ｎｍ〜３μｍの範囲が好ましく、５０ｎｍ〜１μｍの範囲がさらに好ましい。濡れ性変化層２が、上記の厚さより薄い場合にはバルク体としての特性（絶縁性、ガスバリア性、防湿性等）が損なわれ、上記の厚さより厚い場合には表面形状が悪化するため好ましくない。
【００６９】
導電性材料を含有する液体を濡れ性変化層２の表面に付与する方法として、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、およびインクジェット法等の各種塗布法を用いることができるが、濡れ性変化層２の表面エネルギーの影響を受け易くするためには、より小さな液滴を供給できるインクジェット法が特に好ましい。上述したようにプリンタに使用されるレベルの通常のヘッドを用いた場合、インクジェット法の解像度は、３０μｍであり、位置合わせ精度は、±１５μｍ程度であるが、濡れ性変化層２における表面エネルギーの差を利用することにより、それよりも微細なパターンを形成することが可能となる。
【００７０】
半導体層６としては、ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，Ｓｉ等の無機半導体やペンタセン、アントラセン、テトラセン、フタロシアニン等の有機低分子、ポリアセチレン系導電性高分子、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体等のポリフェニレン系導電性高分子、ポリピロール及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリフラン及びその誘導体等の複素環系導電性高分子、ポリアニリン及びその誘導体等のイオン性導電性高分子等の有機半導体を用いることができるが、上述したように有機半導体を用いた場合に、濡れ性変化層２による特性向上の効果がより顕著に現れる。
【００７１】
また、濡れ性変化層２の一部にエネルギーを付与する方法として、（Ｃ１）大気中で操作できる、（Ｃ２）高い解像度が得られる、（Ｃ３）層内部へのダメージが少ない等の点から紫外線照射を用いるのが好ましい。
【００７２】
［積層構造体の製造方法］
図７は、この発明の実施の形態による積層構造体１の作製プロセスを示す図である。
【００７３】
まず、図７の（ａ）に示すように、ガラスやポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等のプラスチック、シリコンウェハ、金属等からなる基板７上に濡れ性変化層２を形成する。濡れ性変化層２は、紫外線の照射によって臨界表面張力が増加し、低表面エネルギー（疎液性）から高表面エネルギー（親液性）へ変化する材料からなる。
【００７４】
濡れ性変化層２の好ましい構造については前述した通りであるが、実験によれば、ポリパラキシリレン骨格からなるポリマーが、特に紫外線照射による濡れ性変化が大きかった。このような構造を有するポリマーは、その前駆体を気化、熱分解させ、発生したラジカルが基板上７で吸着と重合の同時反応を起こすことにより濡れ性変化層２が形成される。上記前駆体の具体例として、ジモノクロロパラキシリレン固体が挙げられる。
【００７５】
次に、図７の（ｂ）に示すように、濡れ性変化層２の表面にマスク８を通して紫外線を照射する。これにより低表面エネルギー部４と高表面エネルギー部３とからなるパターンが形成される。紫外線としては１００ｎｍから３００ｎｍの比較的短い波長の光が含まれるのが望ましい。
【００７６】
次に、図７の（ｃ）に示すように、上記パターンが形成された濡れ性変化層２上に導電性材料を含有する液体を、例えばインクジェット法によって供給すると、高表面エネルギー部３のみに導電層５が形成される。
【００７７】
最後に、図７の（ｄ）に示すように、低分子半導体を蒸着するか、高分子半導体又はその前駆体を溶解した溶液をスピンコート法、ディップコート法、ワイヤーバーコート法、キャスト法等で塗布し、加熱することにより、半導体層６が形成される。
【００７８】
［電子素子］
上述したような構造の積層構造体１を構成要素の一部とするダイオード、トランジスタ、光電変換素子、および熱電変換素子等の電子素子を形成することができる。
【００７９】
図８は、この発明の実施の形態における電子素子４１の例を示す図である。この発明の実施の形態による電子素子４１は、濡れ性変化層２と、一対の電極層５ａ，５ｂと、半導体層６と、基板７と、電極層４２とを備える。
【００８０】
基板７は、ガラスやポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等のプラスチック、シリコンウェハ、金属等からなる。電極層４２は、蒸着法、ＣＶＤ法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法等により基板７上に形成される。電極層４２は、各種の導電性薄膜からなる。電極層４２を形成する場合、各種の導電性薄膜を全面に成膜した後に通常のフォトリソグラフィー法またはマイクロコンタクトプリンティング法でパターニングしてもよいし、導電性材料を含有する液体をインクジェット法等で供給して直接描画してもよい。
【００８１】
電極層４２が基板７上に形成されると、電極層４２の上に上述した濡れ性変化層２を形成する。この濡れ性変化層２は、ゲート絶縁膜を兼ねるので、高絶縁性であることが望ましい。
【００８２】
なお、濡れ性変化層４２は、上層を濡れ性変化層、下層を濡れ性変化機能はないがより絶縁性の高い絶縁体層とする２層構造からなっていてもよい。
【００８３】
濡れ性変化層２が形成されると、上述した方法によって濡れ性変化層２に低表面エネルギー部４と高表面エネルギー部３とからなるパターンが形成され、その上に導電性材料を含有する液体を付与することにより高表面エネルギー部３に導電層として一対の電極層５ａ，５ｂが形成される。
【００８４】
最後に、上述した半導体層６が全面（又は少なくともチャネル領域を含む島状）に形成される。
【００８５】
図８から明らかなように、この電子素子４１はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）として機能する。即ち、電極層４２は、ゲート電極Ｇであり、濡れ性変化層２は、ゲート絶縁膜であり、電極層５ａ，５ｂは、それぞれ、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄである。電極層５ａ，５ｂ間のギャップはチャネル長に相当する。濡れ性変化層２がゲート絶縁膜を兼ねるため、図７に示した構成例に比して、工程が簡略化される。
【００８６】
なお、図８において、電極層４２を形成する前に基板７上に、濡れ性変化層２とは別の濡れ性変化層（図示せず）を設け、電極層４２のパターニングに利用してもよい。
【００８７】
［電子素子アレイ］
図９は、この発明の実施の形態による電子素子アレイの一例を示す図である。図９の（ａ）は、電子素子アレイの断面図であり、図９の（ｂ）は、電極等の配置関係を示す平面図である。なお、図９においては、図８に示すタイプの電子素子４１を利用した例を示している。
【００８８】
基板７上にゲート電極となる電極層４２、ゲート絶縁膜を兼ねる濡れ性変化層２、ソース電極となる電極層５ａ及びドレイン電極となる電極層５ｂを、図８に示した場合と同様の方法で２次元アレイ状にパターンニングして複数個形成する。
【００８９】
なお、各ＴＦＴ（電子素子４１）毎のゲート電極４２は、走査信号用のドライバーＩＣにより駆動させるため、バスラインに接続され、同様に、各ＴＦＴ（電子素子４１）毎のソース電極５ａもデータ信号用のドライバーにより駆動させるためバスラインに接続される。
【００９０】
次に、半導体層６を、例えばマイクロコンタクトプリンティング法やディスペンサー法でチャネル領域を含む島状に形成することで、電子素子（ＴＦＴ）アレイ５１が完成する。なお、マイクロコンタクトプリンティング法はフォトリソグラフィーでパターン形成したマスターを用いてＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）のスタンプを作製し、その凸部に半導体材料を含有する液体を付着させ、基板に転写する方法である。これらの方法を用いると、半導体層７がチャネル領域を含む島状に形成されているので隣接する素子部分への電流リークは発生しない。
【００９１】
なお、図９には示していないが、酸素や水分、放射線などにより電子素子（ＴＦＴ）４１の特性が劣化することを防ぐために、電子素子（ＴＦＴ）４１はパッシベーション膜に覆われていることが望ましい。
【００９２】
パッシベーション膜には、例えば、窒化アルミニウム、窒化シリコン、および窒化酸化シリコン等を用いることができる。これらは、ＣＶＤ法およびイオンプレーティング法などにより成膜される。
【００９３】
［表示装置］
図１０は、図９に示す電子素子アレイ５１を用いた表示装置の断面図である。電子素子（ＴＦＴ）アレイ５１の基板７と透明導電膜６２を有する基板６３との間に表示素子６４が設けられ、ＴＦＴ（電子素子）４１によって画素電極を兼ねるドレイン電極５ｂ上の表示素子がスイッチングされる。基板６３としては、ガラスやポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等のプラスチックを用いることができる。表示素子６４としては液晶、電気泳動、有機ＥＬ等の方式を用いることができる。
【００９４】
表示素子６４として液晶を用いた液晶表示素子は、電界駆動であることから消費電力が小さく、また駆動電圧が低いことからＴＦＴの駆動周波数を高くすることができ、大容量表示に適している。液晶表示素子の表示方式として、ＴＮ、ＳＴＮ、ゲスト・ホスト型、高分子分散液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ−ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）等が挙げられるが、反射型で明るい白色表示が得られる点ではＰＤＬＣが好ましい。
【００９５】
なお、電子素子（ＴＦＴ）アレイ５１上に表示素子６４が積層される反射型液晶素子等においては、図１３に示すように電子素子（ＴＦＴ）アレイ５２上に層間絶縁膜８１を設け、コンタクトホール８２を通じて層間絶縁膜８１上に設けた画素電極８３が、電子素子（ＴＦＴ）４１のドレイン電極５ｂと接続される。
【００９６】
電気泳動表示素子は、第１の色（例えば白色）を呈する粒子を第２の色を呈する着色分散媒中に分散した分散液からなるものであり、第１の色を呈する粒子は、着色分散媒中で帯電することにより、電界の作用で分散媒中における存在位置を変えることができ、それによって呈する色が変化する。この表示方式によれば明るく、視野角の広い表示ができ、また表示メモリー性があるため特に消費電力の観点から好ましく使用される。
【００９７】
上記分散液を高分子膜で包んだマイクロカプセルとすることにより、表示動作が安定化するとともに、表示装置の製造が容易になる。マイクロカプセルは、コアセルベーション法、Ｉｎ−Ｓｉｔｕ重合法、および界面重合法等の公知の方法で作製することができる。白色粒子としては、酸化チタンが特に好適に用いられ、必要に応じて表面処理或いは他の材料との複合化等が施される。分散媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフテン系炭化水素等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、シクロヘキサン、ケロシン、パラフィン系炭化水素等の脂肪族炭化水素類、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、トリクロロフルオロエチレン、臭化エチル等のハロゲン化炭（化水）素類、含フッ素エーテル化合物、含フッ素エステル化合物、シリコーンオイル等の抵抗率の高い有機溶媒を使用するのが好ましい。
【００９８】
分散媒を着色するためには所望の吸収特性を有するアントラキノン類やアゾ化合物類等の油溶性染料が用いられる。分散液中には分散安定化のために界面活性剤等を添加してもよい。
【００９９】
有機ＥＬ素子は、自発光型であるため、鮮やかなフルカラー表示を行うことができる。また、ＥＬ層は、非常に薄い有機薄膜であるので、柔軟性に富み、特にフレキシブルな基板上に形成するのに適している。
【０１００】
上述したような実施の形態を具体化した実施例について、比較例とともに、以下に説明する。
【０１０１】
［実施例１］
実施例１は、電子素子の作製に関するものである。ここでは、図８に示した構造の電子素子（ＴＦＴ）４１を作製した。
【０１０２】
まず、ガラス基板７上に膜厚６０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）を真空蒸着し、その真空蒸着したＡｌをフォトリソエッチングにより４０μｍの幅に加工し、ゲート電極４２を形成した。
【０１０３】
次に、ゲート絶縁膜を兼ねる濡れ性変化層２として、成膜後に化１の化学式で表される構造体となるジモノクロロパラキシリレン固体ダイマーを化学気相堆積法（ＣＶＤ法）により気化、熱分解させ基板７上に形成した。
【０１０４】
【化１】
2006261535.tif 000004
【０１０５】
このような濡れ性変化層２の特性を評価するために別途以下の実験を行った。
【０１０６】
ＵＶランプを用い、２５０ｎｍの光の強度が４０ｍＷ／ｃｍ２となるように光源と基板との距離を調整し、照射時間を変化させることにより（２５０ｎｍの波長に対する）照射量を変え、水に対する接触角の変化を観測した。
【０１０７】
図１１は、紫外線照射量と水に対する接触角の関係を示す図である。未照射時には接触角が８０°を超え疎水性（撥水性）であるが、照射量１０Ｊ／ｃｍ２以上では１０°程度に低下し、親水性に変化している。この変化を誘起するのに有効な光の波長に合わせた光源を用いることによって照射量をさらに小さくすることが可能であると考えられる。
【０１０８】
上記紫外線を１０Ｊ／ｃｍ２照射した場合と未照射の場合において、表面エネルギーの異なる数種類の液体の接触角を測定した。
【０１０９】
図３は、液体の表面張力と接触角の関係を示したものである。図３から、臨界表面張力は、未照射の場合に約３１ｍＮ／ｍであり、紫外線照射した場合に約５２ｍＮ／ｍである。
【０１１０】
次に、開口幅が４０μｍであり、開口部間のスペースが５μｍであるパターンを施したマスクを濡れ性変化層２に圧着し、紫外線を１０Ｊ／ｃｍ２照射した。
【０１１１】
続いて、インクジェット法を用いて、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ／ＰＰＳの水溶液を濡れ性変化層２上に供給し、乾燥させてソース電極層５ａ及びドレイン電極層５ｂを形成した。
【０１１２】
最後に、下記化学式に示すようなスキームより合成した有機半導体なる重合体１をトルエンに溶解した溶液をスピンコート法にて塗布し、乾燥させて半導体層６を形成した。
【０１１３】
【化２】
2006261535.tif 000005
【０１１４】
このように作製されたＴＦＴ（電子素子４１）の移動度は、２．５×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ、Ｏｎ／Ｏｆｆ比は、１９５０であり、ソース電極層５ａ及びドレイン電極層５ｂを、Ａｕの蒸着膜をリフトオフすることにより形成した場合と比べて遜色はなかった。
【０１１５】
［比較例１］
低抵抗Ｓｉ基板上にゲート絶縁膜として熱酸化膜を形成し、Ａｕの蒸着膜をリフトオフによりパターニングし、ソース電極層５ａ及びドレイン電極層５ｂを形成したこと以外は実施例１と同様にして作製した。
【０１１６】
このように作製されたＴＦＴの移動度は、９．８×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ、Ｏｎ／Ｏｆｆ比は、１０５０であり、実施例１に比べ特性が劣っていた。ゲート絶縁膜の表面が親水性であるために、局所分極により界面準位密度が増加し、移動度が小さくなったものと考えられる。
【０１１７】
［実施例２］
焼成後に、化３〜化４の化学式で表される構造体となる前駆体を、実施例１と同様の成膜条件でガラス基板上に作製した。
【０１１８】
【化３】
2006261535.tif 000006
【０１１９】
【化４】
2006261535.tif 000007
【０１２０】
次に、実施例１と同様に紫外線を１０Ｊ／ｃｍ２照射した前後において、表面エネルギーの異なる数種類の液体の接触角を測定し、実施例１と同様にして臨界表面張力を求めた結果を表２に示す。 
【０１２１】
【表２】
2006261535.tif 000008
【０１２２】
表２から、臨界表面張力は、未照射の場合には２７〜３１ｍＮ／ｍ程度であり、紫外線照射した場合には５０〜５２ｍＮ／ｍ程度であることが分かる。このことから、何れの材料も濡れ性変化層２を構成する材料として用いることが可能なことが分かる。
【０１２３】
［実施例３］
実施例２で用いた材料を、実施例１と同様の成膜条件でガラス基板上に作製した。次に、実施例１と同様の条件でパターニングを行い、インクジェット法によりソース電極及びドレイン電極を作製した。続いて、有機半導体材料に化２の化学式で表される重合体１を用いてスピンコート法により半導体層を形成した。
【０１２４】
このように作製されたＴＦＴの移動度とＯｎ／Ｏｆｆ比の結果を表３に示す。
【０１２５】
【表３】
2006261535.tif 000009
【０１２６】
何れのポリパラキシリレン材料を用いても、同じ有機半導体を用いた実施例１と同等の結果が得られた。
【０１２７】
［実施例４］
本実施例は、図９に示すような電子素子アレイ５１の作製に関するものである。
【０１２８】
まず、ゲート電極４２と、ゲート絶縁膜を兼ねる濡れ性変化層２とを実施例１と同様にして作製した。ソース電極層５ａ及びドレイン電極層５ｂは、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの水溶液を用い、実施例１と同様にして形成した。
【０１２９】
最後に上記重合体１をトルエンに溶解した溶液を用いて、ディスペンサーで半導体層６を島状に形成した。
【０１３０】
以上の工程により、基板７上に３２×３２個（素子間ピッチ５００μｍ）のＴＦＴ（電子素子４１）を２次元アレイ状に有する電子素子アレイ５１を作製した。これらの複数のＴＦＴ（電子素子４１）の平均的な特性は移動度が１．５×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ、Ｏｎ／Ｏｆｆ比が２０００であった。
【０１３１】
［実施例５］
本実施例は、図１２に示すような電子素子アレイ５１を用いた表示装置６１の作製に関するものである。
【０１３２】
まず、酸化チタン粒子６５とオイルブルーで着色したアイソパー６６を内包するマイクロカプセル６７を表示素子６４としてＰＶＡ水溶液に混合して、ＩＴＯからなる透明電極６２を形成したポリカーボネート基板６３上に塗布して、マイクロカプセル６７とＰＶＡバインダー６８からなる層を形成した。この基板と、実施例４で作製したＴＦＴアレイ（電子素子アレイ５１）が形成された基板７とを接着した。
【０１３３】
ゲート電極４２に繋がるバスラインに走査信号用のドライバーＩＣを、ソース電極５ａに繋がるバスラインにデータ信号用のドライバーＩＣを各々接続した。０．５秒毎に画面切替えを行ったところ、良好な静止画表示を行うことができた。
【０１３４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１３５】
この発明は、簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体に適用される。また、この発明は、簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を備える電子素子に適用される。さらに、この発明は、簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を備えた電子素子アレイに適用される。さらに、この発明は、簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体の製造方法に適用される。さらに、この発明は、簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を備えた電子素子の製造方法に適用される。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】この発明の実施の形態による積層構造体の原理的構成例を示す断面模式図である。
【図２】固体表面上で液滴が接触角で平衡状態にあるときの模式図である。
【図３】塩素化ポリパラキシリレンを濡れ性変化層に用いた場合の、紫外線未照射部と紫外線照射部とのＺｉｓｍａｎプロットを行った結果を示す表面張力−接触角特性図である。
【図４】電子素子（ＴＦＴ）に関して濡れ性変化層の材料を変えて作製した場合の結果を示す臨界表面張力−移動度特性図である。
【図５】側鎖に疎水性基を有する高分子材料例を示す概念図である。
【図６】主鎖に疎水性基を有する高分子材料例を示す概念図である。
【図７】この発明の実施の形態による積層構造体の作製プロセスを示す図である。
【図８】この発明の実施の形態における電子素子の例を示す図である。
【図９】この発明の実施の形態による電子素子アレイの一例を示す図である。
【図１０】図９に示す電子素子アレイを用いた表示装置の断面図である。
【図１１】紫外線照射量と水に対する接触角の関係を示す図である。
【図１２】表示装置の他例を示す断面図である。
【図１３】表示装置の別例を示す断面図である。
【図１４】凹版オフセット印刷法の概念図である。
【図１５】ＴＦＴの構成例を示す断面図である。
【図１６】導電膜パターンの形成方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１３７】
１  積層構造体、２  濡れ性変化層、３  高表面エネルギー部、４  低表面エネルギー部、５  導電層、５ａ，５ｂ  一対の電極層、６  半導体層、３１  電子素子、３２  絶縁体層、３３  電極層、４１  電子素子、４２  電極層、５１  電子素子アレイ、６１  表示装置。
【図１】
2006261535.tif 000010
【図２】
2006261535.tif 000011
【図３】
2006261535.tif 000012
【図４】
2006261535.tif 000013
【図５】
2006261535.tif 000014
【図６】
2006261535.tif 000015
【図７】
2006261535.tif 000016
【図８】
2006261535.tif 000017
【図９】
2006261535.tif 000018
【図１０】
2006261535.tif 000019
【図１１】
2006261535.tif 000020
【図１２】
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【図１３】
2006261535.tif 000022
【図１４】
2006261535.tif 000023
【図１５】
2006261535.tif 000024
【図１６】
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