(57)【要約】【課題】 過大な光量が照射された時、有効画素部で生じる電荷がＯＢ部へあふれ、ＯＢレベルが大きく変動する。【解決手段】  被写体画像に対応する光を受光する有効画素部と、黒レベルに対応した信号を出力するオプティカルブラック（ＯＢ）部と、ＯＢ画素部からの信号を読み出す際差分処理を行うための出力アンプ９と、を備え、ＯＢ画素部に相当する信号期間は、出力アンプと接続される蓄積容量ＣＴＳ，ＣＴＮに同一電位を書き込み、変動したOB部信号の代わりに、蓄積容量ＣＴＳ，ＣＴＮに蓄積された同一電位の信号を差分処理した一定電位の信号を出力アンプから出力して疑似ＯＢ信号とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の信号として黒レベルに対応した信号を出力する複数のオプティカルブラック（ＯＢ）画素を備えたＯＢ画素部と、
前記第１の信号の信号レベルを検出する検出手段と、を備え、
前記検出手段の出力に応じて、前記ＯＢ画素の信号読み出し期間に前記第１の信号とは異なる第２の信号を出力し、黒レベルの基準とすることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
画素信号として黒レベルに対応した信号を出力する複数のオプティカルブラック（ＯＢ）画素を備えたＯＢ画素部と、
前記画素信号とノイズ信号とをそれぞれ蓄積する第１及び第２の蓄積容量と、
前記第１及び第２の蓄積容量から出力された信号を差分処理するための差分手段と、
前記ＯＢ画素の信号レベルを検出する検出手段と、を備え、
前記検出手段の出力に応じて、前記ＯＢ画素の信号読み出し期間に、前記第１及び第２の蓄積容量に同一電位を書き込むことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
請求項１に記載の固体撮像装置において、前記第１の信号の信号レベルと前記第２の信号の信号レベルとを比較して、暗電流成分による変動を抑制することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項４】
画素信号として黒レベルに対応した信号を出力する複数のオプティカルブラック（ＯＢ）画素を備えたＯＢ画素部と、
少なくとも一方向に配列された複数の前記ＯＢ画素が接続され、前記複数のＯＢ画素からのＯＢ画素信号が読み出される信号線と、
前記信号線の電位をモニタし、前記ＯＢ画素信号レベルの変動を検出する手段と、
を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項５】
請求項２に記載の固体撮像装置において、前記第１の蓄積容量と前記第２の蓄積容量とを短絡させるスイッチ手段を有し、
同一電位を書き込む前記ＯＢ画素の信号読み出し期間は、前記スイッチ手段をＯＮ／ＯＦＦ切り替え制御することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項６】
請求項２に記載の固体撮像装置において、同一電位を書き込む前記ＯＢ画素の信号読み出し期間は、前記画素信号又は前記ノイズ信号を前記第１及び第２の蓄積容量へ転送することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記ＯＢ画素部から出力される信号をクランプするクランプ手段と、
上記クランプ手段にてクランプされた信号のレベルを基準にして、前記固体撮像装置の複数の有効画素を備えた有効画素部から出力される信号に対して映像信号処理を行う映像信号処理部と、を備えた固体撮像システム。
【請求項８】
請求項１、２、３、５、６のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記ＯＢ画素部から出力される信号をクランプするクランプ手段と、
前記クランプ手段にてクランプされた信号のレベルを基準にして、前記固体撮像装置の複数の有効画素を備えた有効画素部から出力される信号に対して映像信号処理を行う映像信号処理部と、
前記ＯＢ画素の信号レベルを検出する検出手段によってある行のクランプ信号レベルが変動したと検出された場合、前記クランプ手段のクランプ信号データを、それ以前の行におけるＯＢ画素部のクランプ信号データ、あるいは前記第１及び第２の蓄積容量に同一電位を書き込んで出力される信号のクランプ信号データで置き換えることを特徴とする固体撮像システム。
【請求項９】
第１の信号として黒レベルに対応した信号を出力する複数のオプティカルブラック（ＯＢ）画素を備えたＯＢ画素部を備えた固体撮像装置の黒レベル設定方法において、
前記第１の信号の信号レベルを検出し、その検出出力に応じて、前記ＯＢ画素の信号み読出し期間に前記第１の信号とは異なる第２の信号を出力し、黒レベルの基準とすることを特徴とする固体撮像装置の黒レベル設定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置、固体撮像システム及び固体撮像装置の黒レベル設定方法に関し、特に、光電変換され出力された信号に含まれるノイズ成分を除去する手段を有する固体撮像装置、固体撮像システム及び固体撮像装置の黒レベル設定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、種々提案されている固体撮像素子を用いた撮像装置では、固体撮像素子の遮光され、黒レベルに対応したオプティカルブラック（以下、ＯＢとも表す）画素部の出力を、クランプパルスＣＰＯＢの制御により一定の直流電位にクランプし、黒の基準となる信号レベルを生成する。その後、Ａ／Ｄ変換部でＡ／Ｄ変換された画像データは、後段の信号処理部へ入力されて、表示又は記録等所望の形式となるように種々の信号処理や変換がなされる。
【０００３】
ここで、図３、図４に、固体撮像素子（固体撮像装置）の基本的な構成を示す。フォトダイオード等の光電変換手段で光電変換され出力された信号に含まれるノイズ成分を除去するためにノイズ成分を差分する差分手段を持つ固体撮像素子がある。固体撮像素子は、図３及び図４に示すように、被写体光を受光可能な有効画素部２１と、アルミ等で遮光を施したオプティカルブラック（ＯＢ）画素部２０とからなる。有効画素部２１とＯＢ画素部２０には、それぞれ有効画素３１とＯＢ画素３０とが設けられ、各画素に対応してそれぞれフォトダイオードが設けられている。ＯＢ画素部２０のフォトダイオードからの出力は光学的な黒レベルの基準として用いられる。蓄積部３４は各垂直出力線３２ごとに設けられた蓄積用容量ＣＴＮ，ＣＴＳを有し、垂直出力線３２に接続されたＯＢ画素３０、有効画素３１からそれぞれ、画素ごとにノイズ信号、画素信号が出力され、ノイズ蓄積用容量ＣＴＮ，信号蓄積用容量ＣＴＳに蓄積される。
【０００４】
垂直シフトレジスタ（ＶＳＲ）３５を動作させ、水平信号線３３によりＯＢ画素部及び有効画素部に画素行ごとに制御信号を送り、ＯＢ画素部及び有効画素部からの電荷信号を垂直出力線３２を介して蓄積部３４へ転送し、水平シフトレジスタ（ＨＳＲ）３６により順次ノイズ成分を差分した画素信号を出力する。
【０００５】
差分手段を持った固体撮像装置の一例として、図８に等価回路図を示して説明する。固体撮像装置は画素が水平方向および垂直方向に複数配列して構成されているが、図８では垂直方向の２画素のみ示されている。図８において、１つの画素６は光電変換手段であるフォトダイオード１、フォトダイオード１からの信号を増幅して出力する読み出し手段である増幅用ＭＯＳトランジスタ２、フォトダイオード１の信号を増幅用ＭＯＳトランジスタ２に転送する転送手段である転送用ＭＯＳトランジスタ３、増幅用ＭＯＳトランジスタ２の入力部にリセット電位を供給するためのリセット手段であるリセット用ＭＯＳトランジスタ４、増幅用ＭＯＳトランジスタ２からの信号を選択的に出力されるための選択手段である選択用ＭＯＳトランジスタ５から構成されている。ＶＳＲ１１は、水平方向の一行の画素からの信号を、順次一行ごとに出力させる垂直シフトレジスタである。さらに、クランプ・蓄積部８において、各列ごとにクランプ容量Ｃ０と帰還容量Ｃｆとの容量分割ゲインアンプ７が構成され、クランプ方式により画素のノイズ成分を除去し、オフセットノイズと画素のノイズ成分が除去された画素信号とがスイッチトランジスタ１３，１４をそれぞれオンすることで蓄積され、ノイズ蓄積用容量ＣＴＳと信号蓄積用容量ＣＴＮの差分により各列のオフセットノイズ成分を除去した信号が、水平シフトレジスタ（ＨＳＲ）１８により１行ごとにスイッチトランジスタ１５，１６がオンして差分手段となるメインアンプ９からオフセットノイズ成分が差分処理（減算処理）されて除去されたセンサ信号として出力される。
また、図８の固体撮像装置の動作タイミングを示すためのタイミングを図９に示す。
時刻ｔ１において、読み出し行を選択し、制御信号ＰＴＳ、ＰＴＮ、ＰＣ０Ｒをハイレベルとして、スイッチ１３、１４、１２をオンして蓄積用容量ＣＴＳと蓄積用容量ＣＴＮ、帰還容量Ｃｆをリセットする。このとき蓄積用容量ＣＴＳと蓄積用容量ＣＴＮにはオフセットノイズが書き込まれることになる。
【０００６】
時刻ｔ２において、制御信号ＰＲＥＳをハイレベルとしてＰＭＯＳトランジスタであるリセットＭＯＳトランジスタ４をオフして、クランプ容量C0にダーク信号VNを読み込む。
【０００７】
時刻ｔ３において、蓄積用容量ＣＴＮに制御信号ＰＣ０Ｒをオフした時の基準電位を書き込む。
【０００８】
時刻ｔ４において、画素に蓄積された電荷をクランプ容量C0まで読み出し、画素の信号VSから画素のノイズを除去する(VS-VN)。そして、C0/Cfの容量分割比により増幅された信号電圧を蓄積用容量ＣＴＳに書き込む。
【０００９】
時刻ｔ５において、容量ＣＴ（ＣＴＳ，ＣＴＮ）から容量ＣＨ（ＣＨＳ，ＣＨＮ；これらの容量は寄生容量の場合もある）に電位を転送後、差分手段となるメインアンプ９でＳ-Ｎを行い各列ごとのオフセットばらつき（ノイズ）を除去し、センサ信号として出力する。
【００１０】
以上説明した固体撮像素子については例えば本願の先行技術となる特願２００４−０２１６８９号に記載されている。
【００１１】
なお、本発明に関連する技術としては、特許文献１に、過大光量の光の入射によりＯＢレベルが変動した時には、補助クランプパルスにより、ＯＢ期間以外の水平ブランキング期間の信号レベルをクランプし、その出力に基づいてビデオ信号を生成するようにしたことが記載されている。また、特許文献２には、過大光がＣＣＤに入射し、ＯＢ部に転送電荷があふれた場合に、ＣＣＤの水平期間の一部で、リセットパルスに対して水平転送パルスの位相を反転させ、ＯＢ部に転送された電荷が全てリセットドレインに排出され、疑似的なＯＢレベルが生成される。そしてクランプパルス発生回路からクランプパルスが供給された際に、上記疑似ＯＢ信号をクランプする。上記の疑似的なＯＢレベルに基づいて露光制御を行えば、通常のＯＢレベルの変動の影響を受けることがなく、良好な画面表示を行うことができることが記載されている。
【特許文献１】特開平９−２４７５５２号公報
【特許文献２】特開平１０−２１０３７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、固体撮像素子にスポット光や太陽光等の非常に強い光が入射した場合、受光可能な有効画素部で発生した電荷がオーバーフローを起こし、本来電荷がほとんど転送されないＯＢ画素部に対応する電荷の転送期間つまりＯＢ期間にも多くの電荷が転送されることになる。その結果、センサから出力される信号のＯＢレベルは、本来の黒レベルとは異なった通常よりも高いレベルとなってしまう。
【００１３】
図１０は、１水平期間における通常動作時とＯＢ画素部に電荷が漏れ込んだ時とのセンサ出力の波形を表したものである。通常時のセンサ出力のようにＯＢレベルが本来のレベルにあれば、有効画素期間の信号レベルは正しく処理されるが、ＯＢ期間電荷漏れ込み時のセンサ出力に示したような変動した黒レベルでクランプすれば、変動した黒レベル以下の信号は黒とみなされ暗い映像信号が得られることが容易に理解できる。更に、ＯＢ期間に多くの電荷が漏れこんでしまい、ＯＢ期間と有効画素部の最も高いところとが同電位となってしまった場合には、結果として得られる画像は真っ黒となってしまうことも容易に理解できる。
【００１４】
本発明の目的は、過大な光量が照射された時、有効画素部で生じる電荷がＯＢ画素部へあふれたときなど、ＯＢレベルが大きく変動したと検出された場合において、一定電位の擬似ＯＢ部信号を出力させることにより、クランプされたＯＢ部信号のレベルを基準にして処理する映像信号の劣化を抑えることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の固体撮像装置は、第１の信号として黒レベルに対応した信号を出力する複数のオプティカルブラック（ＯＢ）画素を備えたＯＢ画素部と、
前記第１の信号の信号レベルを検出する検出手段と、を備え、
前記検出手段の出力に応じて、前記ＯＢ画素の信号読み出し期間に前記第１の信号とは異なる第２の信号を出力し、黒レベルの基準とすることを特徴とする。
【００１６】
また本発明の固体撮像装置は、画素信号として黒レベルに対応した信号を出力する複数のオプティカルブラック（ＯＢ）画素を備えたＯＢ画素部と、
前記画素信号とノイズ信号とをそれぞれ蓄積する第１及び第２の蓄積容量と、
前記第１及び第２の蓄積容量から出力された信号を差分処理するための差分手段と、
前記ＯＢ画素の信号レベルを検出する検出手段と、を備え、
前記検出手段の出力に応じて、前記ＯＢ画素の信号読み出し期間に、前記第１及び第２の蓄積容量に同一電位を書き込むことを特徴とする。
【００１７】
また本発明の固体撮像装置は、画素信号として黒レベルに対応した信号を出力する複数のオプティカルブラック（ＯＢ）画素を備えたＯＢ画素部と、
少なくとも一方向に配列された複数の前記ＯＢ画素が接続され、前記複数のＯＢ画素からのＯＢ画素信号が読み出される信号線と、
前記信号線の電位をモニタし、前記ＯＢ画素信号レベルの変動を検出する手段と、
を有することを特徴とする。
【００１８】
本発明の固体撮像装置の黒レベル設定方法は、第１の信号として黒レベルに対応した信号を出力する複数のオプティカルブラック（ＯＢ）画素を備えたＯＢ画素部を備えた固体撮像装置の黒レベル設定方法において、
前記第１の信号の信号レベルを検出し、その検出出力に応じて、前記ＯＢ画素の信号み読出し期間に前記第１の信号とは異なる第２の信号を出力し、黒レベルの基準とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ブルーミングしたＯＢ部信号の変動を抑えるため、複雑な駆動方法や補正用の回路を構成することなく、クランプＯＢ部信号の電位を一定にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００２１】
［第１の実施形態］
本実施形態における固体撮像素子（固体撮像装置）を用いた撮像システム（デジタルカメラなど）の構成を図２に示す。１０１は被写体の光学像を固体撮像素子１０３に結像させるレンズ、１０２はシャッター機能を有しレンズ１０１を通った光量を制御するための絞りを兼ねた絞り・シャッター、１０３はレンズ１０１で結像された被写体光を電気信号として取り込むための固体撮像素子、１０４は固体撮像素子１０３より出力される電気信号のクロックの除去やノイズの軽減するための相関二重サンプリングを行うＣＤＳ部、１０５はＣＤＳ部１０４の出力信号を後述のタイミング発生部１０８から供給されるクランプパルスのタイミングで所定の基準電圧にクランプするクランプ回路部、１０６はクランプ出力の信号をアナログ信号からデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部、１０７は表示や記録などをするために所望の形式となるように種々の信号処理や変換を行う信号処理部、１０８は固体撮像素子１０３・ＣＤＳ部１０４・クランプ回路部１０５およびＡ／Ｄ変換部１０６へ必要なパルスを発生するタイミングパルス発生部、１０９はレンズ１０１や絞り・シャッター１０２を駆動するための光学系駆動部、１１０は撮像装置全体の制御及び各種演算を行うシステム制御部、１１１は信号処理部１０７からの信号を受けＬＣＤ等に表示する表示部、１１２は画像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリー等の記録媒体である。
【００２２】
図1に本発明の第１実施形態を表す固体撮像素子（固体撮像装置）の回路図を示す。固体撮像素子の画素部や読み出し回路の構成は既に説明した図３及び図４に示した構成と同じである。このような差分手段をもつ固体撮像素子の場合、CDS部を通さずにクランプ回路部へ処理してもよい。固体撮像素子は画素が水平方向および垂直方向に複数配列して構成されているが、図８と同様に、図１でも垂直方向の２つの画素６のみ示されている。画素６の構成は図８の構成と同じであり、クランプ・蓄積部８の構成はノイズ蓄積用容量ＣＴＮ，信号蓄積用容量ＣＴＳ間を短絡するスイッチとなるＭＯＳトランジスタ１７を有する点を除いて図８の構成と同じである。図１の各構成部材は同一基板上に形成される。基板上にＯＢレベル検出回路１０を設けることで基板外部に信号が送られる前に疑似黒レベルを形成するための動作（スイッチ１７のオン動作）を行うことができる。
【００２３】
さらに、各列のクランプ・蓄積部８ごとにクランプ容量C0と帰還容量Cfとの容量分割ゲインアンプ７が構成され、クランプ方式により画素部のノイズ成分を除去し、蓄積容量ＣＴＳと蓄積容量ＣＴＮの差分により各列のオフセット成分を除去した信号が、メインアンプ９からセンサ信号として出力される。
【００２４】
１０はＯＢ画素部へ洩れこんだ電荷を検出するためのOBレベル検出回路（ここでは、垂直出力線の電位をモニタしている）、差分容量（ノイズ蓄積用容量ＣＴＮ，信号蓄積用容量ＣＴＳ）間のスイッチ１７はOBレベル検出回路の出力に応じて差分容量間をショートして同一電位を書き込み、一定電位の擬似OB信号を出力するための補正手段である。このスイッチ１７は、各列のクランプ・蓄積部８ごとに差分容量CTSとCTN間に設けられるが、OB画素列領域のみ構成されればよい。OBレベル検出回路１０はOB画素出力信号がある基準レベル以上であるか否かを検出することにより黒レベル変動したことを検出している。OBレベル検出回路は、撮像条件を検出できるものであればよく、また、画素内等であってもよい。
【００２５】
動作を図５に示すタイミングチャートで説明すると、時刻ｔ３、時刻ｔ４のタイミング時に、OB画素列の差分容量間スイッチ１７をONすることにより、蓄積容量CTNと蓄積容量CTSには同じ電位が書き込まれることになる。すると、時刻ｔ５のタイミングにて蓄積容量CTNと蓄積容量CTSからは同じ電位の信号が読み出され差分処理され、OB信号（疑似ＯＢ信号）として一定電位の信号が出力される。
【００２６】
図６に、OB部へ電荷が漏れ込んだ時のセンサ出力の波形を表す。通常だと黒レベルが変動して持ち上がってしまう。そのため、変動した黒レベルでクランプすれば、変動した黒レベル以下の信号は黒とみなされ暗い映像信号が得られてしまう。そこで、OBレベル検出回路１０にてOB変動が判別された場合、OB画素の読み出し差分容量間のみスイッチ１７をONして同一電位を書き込む。有効画素の読み出し差分手段は従来例と同じである。するとOB期間は擬似OB信号が出力され、この信号をクランプすることで擬似黒レベルとして処理できる。
【００２７】
ところで、上記疑似的なレベルはあくまでも本来の黒レベルに疑似的なものであり、本来の黒レベルと全く同一ではない。しかし、OBレベルが変動するほど入射光量が所定量以上ある場合なので、有効画素信号はかなり出力が大きい。そこで、疑似的なレベルを基準にして映像信号処理を行ってもほとんど影響はない。また、長秒露光や温度などの条件で暗電流成分によりＯＢ部画素信号が変動した場合においても、前記擬似ＯＢ信号をクランプすることでその変動を抑制することができる。
【００２８】
本実施形態の固体撮像素子の画素は２次元状に配列されたエリアセンサであっても、１次元状に配列されたラインセンサであってもよい。
【００２９】
なお容量間がショートして同一電位を書き込んで疑似ＯＢ信号を得る以外に、これとは異なる別の信号、例えば出力アンプの基準レベル信号を用いて疑似ＯＢ信号とすることもできる。出力アンプ９に接続する容量を読み出しごとにリセットする電位VCHR端子があり、同じ電位VCHRが書き込まれることにより出力アンプ９の基準レベルが出力される。またスイッチ１７は全てのＯＢ画素列のクランプ・蓄積部８に設けなくてもよい。すなわち、ＯＢ画素部でブルーミングが生じやすいＯＢ画素列は有効画素列に近いＯＢ画素列と考えられるので、有効画素列に近いＯＢ画素列に対するクランプ・蓄積部８に対してのみ容量間スイッチを設けてもよい。さらに、電流が流れこむＯＢ画素列については容量間スイッチをショートさせて疑似ＯＢ信号を出力し、電流が流れ込みにくいＯＢ画素列については通常のＯＢ信号を出力し、疑似ＯＢ信号と通常のＯＢ信号とに基づいて（例えば平均して）黒レベルを設定してもよい。
【００３０】
ＯＢ画素の信号レベルを検出する検出回路によってある行のクランプ信号レベルが変動したと検出された場合、クランプ手段のクランプ信号データを、それ以前の行におけるＯＢ画素部のクランプ信号データ、あるいは蓄積容量ＣＴＮ，ＣＴＳ間に同一電位を書き込んで出力される信号のクランプ信号データで置き換えることができる。例えば、センサからの出力信号はＡ/Ｄ変換部６によってデジタル値として信号処理部にデータが取り込まれる。その時、メモリ内で通常ＯＢ信号の数値と擬似ＯＢ信号の数値を比較し、ある閾値以上の差があると、擬似ＯＢ信号の数値で置き換えることを行う。
【００３１】
［第２の実施形態］
本実施形態での固体撮像素子は、図８と同様に構成において、差分容量間のSWはとくに設けなくともよい。OB画素領域の信号読み出し時のみ、各差分容量に同一電位を書き込む。
【００３２】
具体的に動作を図７に示すタイミングチャートで説明する。撮像条件等の検出において、OB画素領域に過大な光量が照射されていると判定された時、OB画素信号の読み出し時においては、時刻ｔ３、時刻ｔ４のタイミングにて、蓄積容量CTNと蓄積容量CTSに同一電位を書き込む（このときPTXはOFFにして、画素信号は転送しない。）。時刻ｔ５において、蓄積容量ＣＴから容量ＣＨに電位を転送後、メインアンプ９で差分処理を行い各列ごとのオフセットばらつきを除去し、擬似センサ信号として出力する。
【００３３】
通常画素信号の読み出しは、図９に示す従来どうりの読み出しタイミングにて動作させる。
【００３４】
本実施の形態では、画素内などに差分容量間のスイッチを別に設けなくてよく、通常の画素信号とＯＢ画素信号との読み出しタイミングを変更するだけでよい。さらにまた、本実施の形態の固体撮像装置の画素は２次元状に配列されたエリアセンサであっても、１次元状に配列されたラインセンサであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は光電変換され出力された信号に含まれるノイズ成分を除去する手段を有する固体撮像装置及び固体撮像システムに適用される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１実施形態を表す固体撮像素子の回路図を示す図である。
【図２】本実施形態における固体撮像素子（固体撮像装置）を用いた固体撮像システム（デジタルカメラなど）の構成を示す図である。
【図３】固体撮像素子の基本的な構成を示す図である。
【図４】固体撮像素子の基本的な構成を示す図である。
【図５】図１の固体撮像素子の動作を示すタイミングチャートである。
【図６】OB部へ電荷が漏れ込んだ時のセンサ出力の波形を表す図である。
【図７】本発明の第３の実施形態の固体撮像素子の動作を示すタイミングチャートである。
【図８】差分手段を持った固体撮像装置の一例の等価回路図である。
【図９】図８の固体撮像装置の動作タイミングを示すためのタイミングチャートである。
【図１０】１水平期間における通常動作時とＯＢ画素部に電荷が漏れ込んだ時とのセンサ出力の波形を表した図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  フォトダイオード
２  増幅用ＭＯＳトランジスタ
３  転送用ＭＯＳトランジスタ
４  リセット用ＭＯＳトランジスタ
５  選択用ＭＯＳトランジスタ
６  画素
７  容量分割ゲインアンプ
８  クランプ・蓄積部
９  メインアンプ
１０  ＯＢレベル検出回路
１１  垂直シフトレジスタ（ＶＳＲ）
１２〜１７  スイッチトランジスタ
１８  水平シフトレジスタ（ＨＳＲ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006261932.tif 000007
【図６】
2006261932.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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