(57)【要約】【課題】抵抗発熱体からの熱伝導により加熱される鏡面の温度分布の均一度を高める。【解決手段】ヒータミラーの製造方法であって、反射膜が形成された基板１１を準備する準備工程と、それぞれの一部が基板の外側へ突出している一対の導体を含む舌片部１０’と、一対の導体のそれぞれとそれぞれ接続された少なくとも一組の正負一対の電極である第一電極１３ａ及び第二電極１３ｂとを、基板１１の裏面上に形成する電極形成工程と、第一電極１３ａ及び第二電極１３ｂの一方及び他方を電気的に接続してなる少なくとも一つの抵抗発熱体１４を形成する発熱体形成工程とを備える。【選択図】図１
2006202675.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒータミラーの製造方法であって、
反射膜が形成された基板を準備する準備工程と、
それぞれの一部が前記基板の外側へ突出している一対の導体を含む舌片部と、前記一対の導体のそれぞれとそれぞれ接続された少なくとも一組の正負一対の電極とを、前記基板の裏面上に形成する電極形成工程と、
前記一対の電極の一方及び他方を電気的に接続してなる少なくとも一つの抵抗発熱体を形成する発熱体形成工程と
を備えることを特徴とするヒータミラーの製造方法。
【請求項２】
前記電極及び前記抵抗発熱体を絶縁性の保護材により被覆する被覆工程と、
前記保護材を挟むように前記舌片部を折り曲げる折り曲げ工程と
を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のヒータミラーの製造方法。
【請求項３】
前記電極形成工程は、
一対の金属箔におけるそれぞれの一部を前記基板の裏面に貼り付けることにより、前記舌片部における前記一対の導体を形成し、
前記金属箔の上に一部がかかるように導電性ペーストを線状に吐出することにより、前記電極を吐出形成し、
前記発熱体形成工程は、前記導電性ペーストよりも抵抗が高く、かつ温度上昇と共に抵抗が増大する導電性高抵抗ペーストを線状に吐出することにより、前記抵抗発熱体を吐出形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のヒータミラーの製造方法。
【請求項４】
前記準備工程は、舌片形状の突出部を有する可撓性絶縁フィルム基板を更に準備し、
前記電極形成工程は、
前記可撓性絶縁フィルム基板上に金属箔を形成し、
前記金属箔を所定のパターンにエッチング処理することにより、前記突出部上に前記舌片部が形成されるように、前記電極及び前記舌片部を形成し、
前記電極及び前記舌片部が形成された前記可撓性絶縁フィルム基板と、前記反射膜が形成された基板の裏面とを貼り付ける貼付工程を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のヒータミラーの製造方法。
【請求項５】
前記準備工程は、前記基板よりも大きな金属箔を更に準備し、
前記電極形成工程は、
前記金属箔を前記基板の裏面に貼り付け、
前記金属箔を所定のパターンにエッチング処理することにより、前記電極及び前記舌片部を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のヒータミラーの製造方法。
【請求項６】
ヒータミラーであって、
反射膜が形成された基板と、
それぞれの一部が前記基板の外側へ突出している一対の導体を含む、前記基板の裏面上に形成された舌片部と、
前記基板の裏面上に形成され、前記一対の導体のそれぞれとそれぞれ接続された少なくとも一組の正負一対の電極と、
前記一対の電極の一方及び他方を電気的に接続してなる少なくとも一つの抵抗発熱体と
を備えることを特徴とするヒータミラー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒータミラーの製造方法及びヒータミラーに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、防曇等の目的で抵抗発熱体を設けたヒータミラーが知られている。例えば、鏡面の裏面に面状発熱体を形成した構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。この面状発熱体は、第１層に絶縁膜、第２層に電極用導電膜、第３層に発熱用抵抗膜（抵抗発熱体）、第４層に保護用絶縁膜を順次印刷積層して形成される。そして、電極用導電膜のランド部分に電源コードのリード線をハンダ付けした電源入力部に通電し、発熱用抵抗膜にジュール熱を発生させる。また、絶縁基板と電極層とを接着した端子取付部に通電継手で連結部が圧着連結された端子を電源入力部に有する面状発熱体が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平９−５８４１７号公報
【特許文献２】特開平８−２２２３５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ヒータミラーにおいては、鏡面外周から数ｍｍを除く範囲内にて、高い融霜性能の発熱温度が要求される。しかし、従来の構成では、この範囲内に電源入力部を設ける必要があった。そのため、電源入力部の周辺には抵抗発熱体が設けられないこととなり、電源入力部の周辺部が発熱しないという問題や、電源入力部の周辺部では熱伝導による温度分布が不均一になるという問題が生じていた。
【０００４】
そこで、本発明は、上記の問題点を解決できるヒータミラーの製造方法及びヒータミラーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の問題点を解決するために、本発明は、以下の構成を有する。
（構成１）ヒータミラーの製造方法であって、反射膜が形成された基板を準備する準備工程と、それぞれの一部が基板の外側へ突出している一対の導体を含む舌片部と、一対の導体のそれぞれとそれぞれ接続された少なくとも一組の正負一対の電極とを、基板の裏面上に形成する電極形成工程と、一対の電極の一方及び他方を電気的に接続してなる少なくとも一つの抵抗発熱体を形成する発熱体形成工程とを備える。
このようにすれば、基板から突出している舌片部を用いて電源入力部を形成できる。この場合、抵抗発熱体を形成できる位置に制約が生じないため、鏡面の裏面の広い範囲に抵抗発熱体を設けることができる。また、抵抗発熱体からの熱伝導により加熱される鏡面の温度分布の均一度を高めることができる。
尚、基板の裏面とは、例えば、基板及び反射膜が構成する鏡の裏面である。反射膜及び基板が裏面鏡を構成する場合、反射膜の上に、更に絶縁層を形成するのが好ましい。この場合、舌片部及び電極を、絶縁層の上に形成するのが好ましい。また、このヒーターミラーは、例えば車両用ミラーに用いられる。
【０００６】
（構成２）電極及び抵抗発熱体を絶縁性の保護材により被覆する被覆工程と、保護材を挟むように舌片部を折り曲げる折り曲げ工程とを更に備える。
舌片部が基板の外側へ突出したままであると、ヒータミラーを設置する場合等に問題が生じるおそれがある。しかし、このようにすれば、舌片部を適切に収容できる。
尚、被覆工程の前又は後に、電源接続工程を更に備えるのが好ましい。電源接続工程は、例えば、舌片部における一対の導体と、ヒータミラーに電力を供給するためのリード線又は接続端子とを接続する。このようにすれば、ヒータミラーと電源とを、適切に接続できる。
【０００７】
（構成３）電極形成工程は、一対の金属箔におけるそれぞれの一部を基板の裏面に貼り付けることにより、舌片部における一対の導体を形成し、金属箔の上に一部がかかるように導電性ペーストを線状に吐出することにより、電極を吐出形成し、発熱体形成工程は、導電性ペーストよりも抵抗が高く、かつ温度上昇と共に抵抗が増大する導電性高抵抗ペーストを線状に吐出することにより、抵抗発熱体を吐出形成する。
このようにすれば、舌片部及び電極を適切に形成できる。また、ヒータミラーを、簡単な工程にて、低コストで製造できる。更には、鏡面を構成する基板の裏側に直接抵抗発熱体を形成できるため、鏡面を効率よく加熱できる。
【０００８】
（構成４）準備工程は、舌片形状の突出部を有する可撓性絶縁フィルム基板を更に準備し、電極形成工程は、可撓性絶縁フィルム基板上に金属箔を形成し、金属箔を所定のパターンにエッチング処理することにより、突出部上に舌片部が形成されるように、電極及び舌片部を形成し、電極及び舌片部が形成された可撓性絶縁フィルム基板と、反射膜が形成された基板の裏面とを貼り付ける貼付工程を更に備える。このようにすれば、電極及び電源入力部を適切に形成できる。
【０００９】
（構成５）準備工程は、基板よりも大きな金属箔を更に準備し、電極形成工程は、金属箔を基板の裏面に貼り付け、金属箔を所定のパターンにエッチング処理することにより、電極及び舌片部を形成する。このようにすれば、電極及び電源入力部を適切に形成できる。
【００１０】
（構成６）ヒータミラーであって、反射膜が形成された基板と、それぞれの一部が基板の外側へ突出している一対の導体を含む、基板の裏面上に形成された舌片部と、基板の裏面上に形成され、一対の導体のそれぞれとそれぞれ接続された少なくとも一組の正負一対の電極と、一対の電極の一方及び他方を電気的に接続してなる少なくとも一つの抵抗発熱体とを備える。このように構成すれば、構成１と同様の効果を得ることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、抵抗発熱体からの熱伝導により加熱される鏡面の温度分布の均一度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図１〜図５は、本発明の第１の実施形態に係るヒータミラー２０の一実施例（実施例１）を示す。図１は、ヒータミラー２０の一部をなす複合材１０の背面を示す。図２は、複合材１０における舌片部１０’付近の拡大断面を示す。本実施例において、複合材１０は、基板１１、反射膜１２、舌片部１０’、第一電極１３ａ、第二電極１３ｂ、及び抵抗発熱体１４を有する。
【００１３】
基板１１は、表面に反射膜１２が形成された基板である。基板１１及び反射膜１２は、表面鏡を構成している。舌片部１０’は、第一銅箔１３ａ’、及び第二銅箔１３ｂ’を含む部分であり、基板１１の裏面上に形成されている。第一銅箔１３ａ’、及び第二銅箔１３ｂ’は、それぞれの一部が基板１１の外側へ突出している一対の導体である。第一電極１３ａ及び第二電極１３ｂは、基板１１の裏面上に形成された正負一対の櫛形状の電極であり、第一銅箔１３ａ’、及び第二銅箔１３ｂ’のそれぞれと、それぞれ接続されている。抵抗発熱体１４は、第一電極１３ａと、第二電極１３ｂとを電気的に接続しており、第一電極１３ａと、第二電極１３ｂとの間に供給される電力に応じて発熱する。
【００１４】
以下、複合材１０の製造方法について説明する。この製造方法は、準備工程、電極形成工程、及び発熱体形成工程を備える。最初に、準備工程において、反射膜１２が形成された基板１１を準備する。反射膜１２は、例えばスパッタリング又は蒸着等により形成されている。
【００１５】
次に、電極形成工程において、舌片部１０’、第一電極１３ａ、及び第二電極１３ｂを形成する。この工程では、最初に、接着剤１３ａ”接着剤１３ｂ”（図示せず）の付いた第一銅箔１３ａ’及び第二銅箔１３ｂ’のテープを基板１１の裏面に貼り付けることにより、舌片部１０’を形成する。本実施例において、第一銅箔１３ａ’、及び第二銅箔１３ｂ’の膜厚は３５μｍである。
【００１６】
続いて、第一銅箔１３ａ’上に一部がかかるように導電性ペーストを線状に吐出することにより、第一電極１３ａを吐出形成し、第二銅箔１３ｂ’上に一部がかかるように導電性ペーストを線状に吐出することにより、第二電極１３ｂを吐出形成する。本実施例において、第一電極１３ａ、第二電極１３ｂの線幅は１．２ｍｍである。また、この吐出は、ディスペンサーにて行う。吐出された導電性ペーストは、１７０℃で３０分加熱して、加熱硬化させる。また、銅フィラー９０％入りフェノール系樹脂からなる導電性ペーストを用いる。この導電性ペーストの体積抵抗は１×１０−４Ω・ｃｍ、粘度は３００ｄ・Ｐａ・ｓ（ビスコテスター粘度計）である。
【００１７】
次に、発熱体形成工程において、導電性高抵抗ペーストを線状に吐出することにより、抵抗発熱体を吐出形成する。この導電性高抵抗ペーストは、上記の導電性ペーストよりも抵抗が高く、かつ温度上昇と共に抵抗が増大するＰＴＣ特性を有している。
【００１８】
本実施例では、カーボン６５％入りポリエステル系樹脂の導電性高抵抗ペーストを用いる。この導電性高抵抗ペーストの体積抵抗は１×１０−２Ω・ｃｍ、粘度は２８０ｄ・Ｐａ・ｓ（ビスコテスター粘度計）、である。この導電性高抵抗ペーストを、第一電極１３ａ及び第二電極１３ｂの上にこれらとほぼ直交するようにディスペンサーにて吐出して、ピッチ１０ｍｍの格子状に、線幅１．５ｍｍの抵抗発熱体１４を形成する。吐出された導電性高抵抗ペーストは、１２０℃で１５分加熱して、加熱硬化させる。以上の工程により、複合材１０が製造される。
【００１９】
尚、本実施例は、基板１１の裏面側に反射膜１２がない表面鏡を用いる場合を示している。表面鏡に代えて、基板１１の裏面側に反射膜１２がある裏面鏡を用いる場合、反射膜１２の上に絶縁膜を形成し、その上に舌片部１０’、第一電極１３ａ及び第二電極１３ｂ、及び抵抗発熱体１４を形成するのが好ましい。
【００２０】
図３は、複合材１０を用いてヒータミラー２０を組み立てる工程の一部である被覆工程を説明する図である。被覆工程は、絶縁性の保護材１５により、舌片部１０’の一部、第一電極１３ａ、第二電極１３ｂ、及び抵抗発熱体１４を被覆する工程である。本実施例において、被覆工程は、保護材１５をスプレー塗装により形成する。また、保護材１５として、無溶剤型低粘度絶縁用シリコーンゴムコーティング材を用いる。保護材１５の厚さは６００μｍであり、常温硬化される。
【００２１】
尚、保護材１５としては、柔軟性のあるオレフィン系、アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、ポリエステル系、フッ素系の塗料やシート等を用いることもできる。保護材１５は、刷毛塗装、ロール塗装、スクリーン印刷、パッド印刷等により形成することもできる。
【００２２】
ヒータミラー２０の組み立てにおいては、被覆工程に続いて、電源接続工程及び折り曲げ工程が行われる。電源接続工程は、舌片部１０’における第一銅箔１３ａ’及び第二銅箔１３ｂ’と、一対のリード線である第一リード線１６ａ及び第二リード線１６ｂとを、ハンダ付けにより接続する工程である。
【００２３】
折り曲げ工程は、保護材１５を挟むように舌片部１０’を折り曲げる工程であり、第一銅箔１３ａ’及び第二銅箔１３ｂ’を折り曲げて、保護材１５側に押し当てる。折り曲げられた舌片部１０’は防水絶縁材１７で被覆される。本実施例においては、防水絶縁材１７として、粘着性ブチルゴムシートを用いる。防水絶縁材１７としては、シリコーンコーティング材、接着剤付き樹脂フィルム等を用いることもできる。
【００２４】
図４は、組み立て後のヒータミラー２０を示す斜視図である。図５は、ヒータミラー２０における電源入力部２０’付近の拡大断面図である。本実施例において、防水絶縁材１７は、折り曲げられた第一銅箔１３ａ’及び第二銅箔１３ｂ’と、ハンダ付けされた第一リード線１６ａ及び第二リード線１６ｂとを覆う。防水絶縁材１７に被覆された部分は、電源入力部２０’を構成する。
【００２５】
このヒータミラー２０に対し、第一リード線１６ａ及び第二リード線１６ｂを介して電源入力部２０’に１２Ｖの電圧を印加したところ、鏡面を構成する基板１１表面の２０箇所の平均温度は５９℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は４℃であった。このように、本実施例によれば、鏡面の温度分布の均一度が高いヒータミラー２０を具現できる。
【００２６】
図６は、第１の実施形態の他の実施例（実施例２）における電源入力部３０’付近の拡大断面図である。尚、本実施例において、電源入力部３０’は、防水絶縁材２７に被覆された部分である。また、以下に説明する点を除き、実施例２の構成は、実施例１と同一又は同様である。例えば、実施例２における基板２１、反射膜２２、第一電極２３ａ、第一銅箔２３ａ’、接着剤２３ａ”、第二電極２３ｂ（図示せず）、第二銅箔２３ｂ’（図示せず）、接着剤２３ｂ”（図示せず）、抵抗発熱体２４、保護材２５、及び防水絶縁材２７は、実施例１における基板１１、反射膜１２、第一電極１３ａ、第一銅箔１３ａ’、接着剤１３ａ”、第二電極１３ｂ、第二銅箔１３ｂ’、接着剤１３ｂ”、抵抗発熱体１４、保護材１５、及び防水絶縁材１７と同一又は同様の構成を有する。
【００２７】
本実施例においては、実施例１における第一リード線１６ａ及び第二リード線１６ｂに代えて、第一接続端子２６ａ及び第二接続端子２６ｂ（図示せず）を用いる。そして、第一銅箔２３ａ’は、第一接続端子２６ａと、第一カシメ継手２６ａ’によりカシメ接続される。第二銅箔２３ｂ’は、第二接続端子２６ｂと、第二カシメ継手２６ｂ’（図示せず）によりカシメ接続される。
【００２８】
本実施例において、第一接続端子２６ａ及び第二接続端子２６ｂを介して電源入力部３０’に１２Ｖの電圧を印加したところ、鏡面を構成する基板１１表面の２０箇所の平均温度は５７℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は３℃であった。このように、本実施例によっても、鏡面の温度分布の均一度が高いヒータミラー２０を具現できる。
【００２９】
図７〜図１１は、本発明の第２の実施形態に係るヒータミラー５０の一実施例（実施例３）を示す。図７は、ヒータミラー５０の一部をなす複合材４０の背面を示す。図８は、複合材４０における舌片部４０’付近の拡大断面を示す。尚、以下に説明する点を除き、実施例３の構成は、実施例１又は２と同一又は同様である。
【００３０】
本実施例において、複合材４０は、可撓性絶縁フィルム基板３０１、第一電極３３ａ、第二電極３３ｂ、及び舌片部４０’を有する。また、複合材４０は、準備工程、電極形成工程、及び電源接続工程を経て製造される。準備工程は、ヒータミラー５０の製造に必要な部材を準備する工程であり、舌片形状の突出部を有する可撓性絶縁フィルム基板３０１を準備する。可撓性絶縁フィルム基板３０１は、例えばＰＥＴフィルム又はポリイミドフィルム等で形成された基板である。本実施例において、可撓性絶縁フィルム基板３０１の厚さは２５μｍである。
【００３１】
電極形成工程は、第一電極３３ａ、第二電極３３ｂ、及び舌片部４０’を形成する工程である。本実施例において、電極形成工程は、可撓性絶縁フィルム基板３０１の片面に、圧延銅箔３５μｍを形成する。そして、この銅箔を所定のパターンにエッチング処理して、第一電極３３ａ、第二電極３３ｂ、及び舌片部４０’を形成する。第一電極３３ａ及び第二電極３３ｂは、電極幅５ｍｍ、電極間隔は２ｍｍの櫛形状の電極である。舌片部４０’は、第一電極３３ａ及び第二電極３３ｂのそれぞれから延伸して可撓性絶縁フィルム基板３０１の突出部上に突出する一対の導体を含む部分である。
【００３２】
尚、本実施例において、可撓性絶縁フィルム基板３０１に形成される銅箔は電解銅箔である。この銅箔に代えて、蒸着、又はスパッタリング等により成膜された金属箔を用いることもできる。
【００３３】
電源接続工程は、第一電極３３ａ及び第二電極３３ｂと、第二接続端子３６ｂ及び第二接続端子３６ｂとを接続する工程である。電源接続工程は、舌片部４０’における第一電極３３ａから延伸している部分を、第一接続端子３６ａと、第一カシメ継手３６ａ’によりカシメ接続する。また、第二電極３３ｂから延伸している部分を、第二接続端子３６ｂと、第二カシメ継手３６ｂ’によりカシメ接続する。
【００３４】
図９は、複合材４０を用いてヒータミラー５０を組み立てる工程の一部である発熱体形成工程、被覆工程、及び貼付工程を説明する図である。発熱体形成工程は、複合材４０の上に面状の抵抗発熱体３４をスクリーン印刷する工程であり、実施例１で用いた導電性高抵抗ペーストを用いて行われる。これにより、第一電極３３ａ及び第二電極３３ｂの一方及び他方を電気的に接続してなる抵抗発熱体３４が形成される。本実施例において、抵抗発熱体３４の膜厚は２０μｍである。
【００３５】
被覆工程は、絶縁性の保護材である可撓性絶縁フィルム３９により、第一電極３３ａ、第二電極３３ｂ、及び舌片部４０’を被覆する工程である。本実施例において、被覆工程は、可撓性絶縁フィルム３９に印刷した接着剤３８により、複合材４０と可撓性絶縁フィルム３９とを圧着する。尚、可撓性絶縁フィルム３９としては、例えば、可撓性絶縁フィルム基板３０１と同一物を用いることができる。また、可撓性絶縁フィルム３９は、可撓性絶縁フィルム基板３０１と同様に、舌片形状の突出部を有しており、この突出部により、舌片部４０’を被覆する。尚、舌片部４０’は、後のポッティング工程で、防水絶縁材３７により更に被覆される。
【００３６】
貼付工程は、第一電極３３ａ、第二電極３３ｂ、及び舌片部４０’が形成された可撓性絶縁フィルム基板３０１と、反射膜３２が形成された基板３１の裏面とを貼り付ける工程である。本実施例において、基板３１及び反射膜３２は裏面鏡を構成しているため、可撓性絶縁フィルム基板３０１は、反射膜３２を挟んで、基板３１の裏面に貼り付けられる。また、この貼り付けは、接着剤３０５を用いて行われる。接着剤３０５としては、アクリル系、ポリオレフィン系、ウレタン系、ビニル系、シリコーン系等の接着剤を用いることができる。
【００３７】
図１０は、組み立て後のヒータミラー５０を示す斜視図である。図１１は、ヒータミラー５０における電源入力部５０’付近の拡大断面図である。本実施例においては、貼付工程の後、折り曲げ工程及びポッティング工程が行われる。折り曲げ工程は、可撓性絶縁フィルム３９を挟むように舌片部４０’（図９参照）を折り曲げる工程である。ポッティング工程は、第一接続端子３６ａ、第二接続端子３６ｂ、第一カシメ継手３６ａ’、第二カシメ継手３６ｂ’を被覆するように防水絶縁材３７をポッティングする工程である。防水絶縁材３７に被覆された部分は、電源入力部５０’を構成する。
【００３８】
本実施例において、第一接続端子３６ａ及び第二接続端子３６ｂを介して電源入力部５０’に１２Ｖの電圧を印加したところ、鏡面を構成する基板３１表面の２０箇所の平均温度は６０℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は３℃であった。このように、本実施例によれば、鏡面の温度分布の均一度が高いヒータミラー５０を具現できる。
【００３９】
図１２は、第２の実施形態の他の実施例（実施例４）における電源入力部６０’付近の拡大断面図である。尚、以下に説明する点を除き、実施例４の構成は、実施例３と同一又は同様である。例えば、実施例４における基板４１、反射膜４２、第一電極４３ａ、第二電極４３ｂ、抵抗発熱体４４、第一接続端子４６ａ、第一カシメ継手４６ａ’第二接続端子４６ｂ（図示せず）、第二カシメ継手４６ｂ’（図示せず）、防水絶縁材４７、接着剤４８、可撓性絶縁フィルム４９、可撓性絶縁フィルム基板４０１、接着剤４０５は、実施例３における基板３１、反射膜３２、第一電極３３ａ、第二電極３３ｂ、抵抗発熱体３４、第一接続端子３６ａ、第一カシメ継手３６ａ’、第二接続端子３６ｂ、第一カシメ継手３６ａ’、防水絶縁材３７、接着剤３８、可撓性絶縁フィルム３９、可撓性絶縁フィルム基板３０１、接着剤３０５と同一又は同様の構成を有する。
【００４０】
本実施例において、可撓性絶縁フィルム基板４０１等により構成される複合材等は、実施例３と比べて裏返した向きで、基板４１に貼り付けられる。この場合、貼付工程は、可撓性絶縁フィルム基板４０１と基板４１との間に可撓性絶縁フィルム４９等が挟まる向きで、接着剤４０５により、可撓性絶縁フィルム４９と反射膜４２とを貼り付ける。そのため、本例においては、可撓性絶縁フィルム基板４０１が、保護材として機能する。
【００４１】
また、本実施例において、折り曲げ工程は、可撓性絶縁フィルム基板４０１を挟むように舌片部を折り曲げる。ポッティング工程は、第一接続端子４６ａ、第二接続端子４６ｂ、第一カシメ継手４６ａ’、第二カシメ継手４６ｂ’を被覆するように防水絶縁材４７をポッティングして、電源入力部６０’を形成する。
【００４２】
本実施例において、第一接続端子４６ａ及び第二接続端子４６ｂを介して電源入力部６０’に１２Ｖの電圧を印加したところ、鏡面を構成する基板４１表面の２０箇所の平均温度は５８℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は４℃であった。このように、本実施例によれば、鏡面の温度分布の均一度が高いヒータミラー５０を具現できる。
【００４３】
図１３〜図１５は、本発明の第３の実施形態に係るヒータミラーの一実施例（実施例５）を示す。図１３は、ヒータミラーの一部をなす複合材７０の背面を示す。図１４は、複合材７０における舌片部７０’付近の拡大断面を示す。尚、以下に説明する点を除き、実施例５の構成は、実施例１〜４と同一又は同様である。
【００４４】
本実施例において、複合材７０は、基板５１、反射膜５２、第一電極５３ａ、第二電極５３ｂ、及び舌片部７０’を有し、準備工程及び電極形成工程を経て製造される。準備工程は、ヒータミラーの製造に必要な部材を準備する工程であり、反射膜５２が形成された基板５１と、基板５１よりも大きな金属箔を準備する。本実施例では、この金属箔として、銅箔を準備する。
【００４５】
電極形成工程は、第一電極５３ａ、第二電極５３ｂ、及び舌片部７０’を形成する工程であり、この銅箔を基板５１の裏面に貼り付け、所定のパターンにエッチング処理する。本実施例においては、基板５１の裏面に印刷した接着剤５０５により、銅箔を貼り付ける。
また、エッチング処理により、櫛形状の第一電極５３ａ及び第二電極５３ｂと、舌片部７０’とを同時に形成する。舌片部７０’は、第一電極５３ａ及び第二電極５３ｂのそれぞれから延伸して基板５１の外側に突出する一対の導体を含む部分である。
【００４６】
図１５は、複合材７０を用いて組み立てられたヒータミラーにおける電源入力部８０’付近の拡大断面図である。このヒータミラーは、複合材７０を用いて、発熱体形成工程、電源接続工程、被覆工程、及び折り曲げ工程を経て製造される。発熱体形成工程は、複合材７０の上に抵抗発熱体５４をスクリーン印刷する工程である。これにより、第一電極５３ａ及び第二電極５３ｂの一方及び他方を電気的に接続してなる抵抗発熱体５４が形成される。電源接続工程は、舌片部７０’における第一電極５３ａ及び第二電極５３ｂのそれぞれと繋がる部分に第一リード線５６ａ及び第二リード線５６ｂ（図示せず）をハンダ付けする工程である。
【００４７】
被覆工程は、基板５１裏面側における舌片部７０’を除くミラー範囲部分をスプレー塗装により覆い、保護材５５を形成する工程である。ミラー範囲部分とは、基板５１の表面側に反射膜５２が形成されている部分である。
【００４８】
折り曲げ工程は、保護材５５を挟むように舌片部７０’を折り曲げる工程であり、舌片部７０’における第一電極５３ａ及び第二電極５３ｂのそれぞれから延伸する部分を折り曲げて、保護材５５側に押し当てる。折り曲げられた舌片部７０’は防水絶縁材５７で被覆される。防水絶縁材５７は。第一電極５３ａ及び第二電極５３ｂのそれぞれから延伸する部分、及びハンダ付けされた第一リード線５６ａ及び第二リード線５６ｂを被覆する。防水絶縁材５７に被覆された部分は、電源入力部８０’を構成する。
【００４９】
本実施例において、第一リード線５６ａ及び第二リード線５６ｂを介して電源入力部８０’に１２Ｖの電圧を印加したところ、鏡面を構成する基板５１表面の２０箇所の平均温度は６２℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は４℃であった。このように、本実施例によれば、鏡面の温度分布の均一度が高いヒータミラーを具現できる。
【００５０】
図１６〜図１８は、第３の実施形態の他の実施例（実施例６）を示す。図１６は、ヒータミラーの一部をなす複合材９０の背面を示す。図１７は、複合材９０における舌片部９０’付近の拡大断面を示す。尚、以下に説明する点を除き、実施例６の構成は、実施例５と同一又は同様である。例えば、実施例６における基板６１、反射膜６２、第一電極６３ａ、第二電極６３ｂ、抵抗発熱体６４、及び舌片部９０’は、実施例５における基板５１、反射膜５２、第一電極５３ａ、第二電極５３ｂ、抵抗発熱体５４、及び舌片部７０’と同一又は同様の構成を有する。
【００５１】
本実施例において、準備工程は、可撓性絶縁フィルム基板６０１を更に準備する。可撓性絶縁フィルム基板６０１は、実施例３における可撓性絶縁フィルム基板３０１（図７参照）と同一又は同様の構成を有する。
【００５２】
電極形成工程は、実施例３における電極形成工程と同様にして、可撓性絶縁フィルム基板６０１の片面に銅箔を形成し、これをエッチング処理して、櫛形状の第一電極６３ａ、第二電極６３ｂ、及び舌片部９０’を形成する。
【００５３】
また、電源接続工程は、舌片部９０’における第一電極６３ａから延伸している部分を、第一接続端子６６ａと、第一カシメ継手６６ａ’によりカシメ接続する。また、第二電極６３ｂから延伸している部分を、第二接続端子６６ｂと、第二カシメ継手６６ｂ’によりカシメ接続する。
【００５４】
図１８は、複合材９０を用いて組み立てられたヒータミラーにおける電源入力部１００’付近の拡大断面図である。本実施例において、このヒータミラーは、複合材９０を用いて、発熱体形成工程、貼付工程、及び折り曲げ工程を経て製造される。
【００５５】
発熱体形成工程は、複合材９０の上に抵抗発熱体６４をスクリーン印刷する工程である。これにより、第一電極６３ａ及び第二電極６３ｂの一方及び他方を電気的に接続してなる抵抗発熱体６４が形成される。
【００５６】
貼付工程は、抵抗発熱体６４が印刷された複合材９０と、反射膜６２が形成された基板６１の裏面とを貼り付ける工程であり、接着剤６０５を用いた圧着を行う。本実施例において、基板６１及び反射膜６２は、裏面鏡を構成しており、複合材９０は、抵抗発熱体６４及び反射膜６２を間に挟んで、基板６１の裏面に貼り付けられる。また、本実施例において、貼付工程は、被覆工程を兼ねており、この向きで複合材９０を貼り付けることにより、可撓性絶縁フィルム基板６０１を絶縁性の保護材として用いて、第一電極６３ａ、第二電極６３ｂ、及び抵抗発熱体６４に対する被覆として機能させる。
【００５７】
折り曲げ工程は、可撓性絶縁フィルム基板６０１を内側に挟むように舌片部９０’を折り曲げる工程である。折り曲げられた舌片部９０’は、防水絶縁材６７及び防水絶縁材６７’で被覆される。防水絶縁材６７及び防水絶縁材６７’は、舌片部９０’の上下から、第一電極６３ａ及び第二電極６３ｂから延伸する部分、第一接続端子６６ａ、第二接続端子６６ｂ、第一カシメ継手６６ａ’、及び第二カシメ継手６６ｂ’を被覆する。防水絶縁材６７及び防水絶縁材６７’に被覆された部分は、電源入力部１００’を構成する。
【００５８】
本実施例において、第一接続端子６６ａ及び第二接続端子６６ｂを介して電源入力部１００’に１２Ｖの電圧を印加したところ、鏡面を構成する基板６１表面の２０箇所の平均温度は６０℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は３℃であった。このように、本実施例によれば、鏡面の温度分布の均一度が高いヒータミラーを具現できる。
【００５９】
比較例として従来技術により作られた舌片部のないヒータミラーを入手した。このヒータミラーは、高い融霜性能の発熱温度が要求される鏡面外周から数ｍｍを除く範囲内に電源入力部が設けられている。そのため、この部分には抵抗発熱体が形成されていない。
【００６０】
比較例において、電源入力部に１２Ｖの電圧を印加したところ、鏡面の２０箇所の平均温度は５９℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は１０℃であった。最低温度は５１°であった。
【００６１】
比較例との比較から、実施例１〜６においては、鏡面外に突出する舌片部を用いて電源入力部を形成しているため、高い融霜性能の発熱温度が要求される範囲内で十分な発熱が実現できていることがわかる。また、この範囲内において、熱伝導による温度分布の均一度が高まっていることがわかる。
【００６２】
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明は、例えばヒータミラーに好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】実施例１においてヒータミラー２０の一部をなす複合材１０の背面を示す図である。
【図２】複合材１０における舌片部１０’付近の拡大断面を示す図である。
【図３】複合材１０を用いてヒータミラー２０を組み立てる工程の一部である被覆工程を説明する図である。
【図４】組み立て後のヒータミラー２０を示す斜視図である。
【図５】ヒータミラー２０における電源入力部２０’付近の拡大断面図である。
【図６】実施例２における電源入力部３０’付近の拡大断面図である。
【図７】実施例３においてヒータミラー５０の一部をなす複合材４０の背面を示す図である。
【図８】複合材４０における舌片部４０’付近の拡大断面を示す図である。
【図９】複合材４０を用いてヒータミラー５０を組み立てる工程の一部である発熱体形成工程、被覆工程、及び貼付工程を説明する図である。
【図１０】組み立て後のヒータミラー５０を示す斜視図である。
【図１１】ヒータミラー５０における電源入力部５０’付近の拡大断面図である。
【図１２】実施例４における電源入力部６０’付近の拡大断面図である。
【図１３】実施例５においてヒータミラーの一部をなす複合材７０の背面を示す図である。
【図１４】複合材７０における舌片部７０’付近の拡大断面を示す図である。
【図１５】複合材７０を用いて組み立てられたヒータミラーにおける電源入力部８０’付近の拡大断面図である。
【図１６】実施例６においてヒータミラーの一部をなす複合材９０の背面を示す図である。
【図１７】複合材９０における舌片部９０’付近の拡大断面を示す図である。
【図１８】複合材９０を用いて組み立てられたヒータミラーにおける電源入力部１００’付近の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１０・・・複合材、１０’・・・舌片部、１１・・・基板、１２・・・反射膜、１３ａ・・・第一電極、１３ａ’・・・第一銅箔、１３ａ”・・・接着剤、１３ｂ・・・第二電極、１３ｂ’・・・第二銅箔、１４・・・抵抗発熱体、１５・・・保護材、１６ａ・・・第一リード線、１６ｂ・・・第二リード線、１７・・・防水絶縁材、２０・・・ヒータミラー、２０’・・・電源入力部、２１・・・基板、２２・・・反射膜、２３ａ・・・第一電極、２３ａ’・・・第一銅箔、２３ａ”・・・接着剤、２４・・・抵抗発熱体、２５・・・保護材、２６ａ・・・第一接続端子、２６ａ’・・・第一カシメ継手、２７・・・防水絶縁材、３０’・・・電源入力部、３１・・・基板、３２・・・反射膜、３０１・・・可撓性絶縁フィルム基板、３３ａ・・・第一電極、３３ｂ・・・第二電極、３４・・・抵抗発熱体、３０５・・・接着剤、３６ａ・・・第一接続端子、３６ａ’・・・第一カシメ継手、３６ｂ・・・第二接続端子、３６ｂ’・・・第二カシメ継手、３７・・・防水絶縁材、３８・・・接着剤、３９・・・可撓性絶縁フィルム、４０・・・複合材、４０’・・・舌片部、４１・・・基板、４２・・・反射膜、４３ａ・・・第一電極、４３ｂ・・・第二電極、４０１・・・可撓性絶縁フィルム基板、４０５・・・接着剤、４４・・・抵抗発熱体、４６ａ・・・第一接続端子、４６ａ’・・・第一カシメ継手、４７・・・防水絶縁材、４８・・・接着剤、４９・・・可撓性絶縁フィルム、５０・・・ヒータミラー、５０’・・・電源入力部、５１・・・基板、５２・・・反射膜、５０５・・・接着剤、５３ａ・・・第一電極、５３ｂ・・・第二電極、５４・・・抵抗発熱体、５５・・・保護材、５６ａ・・・第一リード線、５７・・・防水絶縁材、６０’・・・電源入力部、６１・・・基板、６２・・・反射膜、６３ａ・・・第一電極、６３ｂ・・・第二電極、６０１・・・可撓性絶縁フィルム基板、６０５・・・接着剤、６６ａ・・・第一接続端子、６６ａ’・・・第一カシメ継手、６６ｂ・・・第二接続端子、６６ｂ’・・・第二カシメ継手、６４・・・抵抗発熱体、６７・・・防水絶縁材、６７’・・・防水絶縁材、７０・・・複合材、７０’・・・舌片部、８０’・・・電源入力部、９０・・・複合材、９０’・・・舌片部、１００’・・・電源入力部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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