(57)【要約】【課題】安価で、高い絶縁性を持つ絶縁膜を用い、トランジスタ特性を向上させた、薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも第１のゲート絶縁膜１１の片面にゲート電極１３を、他方の面に該第１のゲート絶縁膜よりも比誘電率の低い第２のゲート絶縁膜１２を形成しその上に、ソース電極１４、ドレイン電極１４、半導体膜１５を形成した薄膜トランジスタ１０であって、該第１のゲート絶縁膜１１として樹脂フィルムを用いることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１のゲート絶縁膜の片面にゲート電極を、他方の面に該第１のゲート絶縁膜よりも比誘電率の低い第２のゲート絶縁膜を形成しその上に、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成した薄膜トランジスタであって、該第１のゲート絶縁膜として樹脂フィルムを用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記第２のゲート絶縁膜の比誘電率が１．５から２．５であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記第２のゲート絶縁膜が有機物質であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記第２のゲート絶縁膜が多孔質であることを特徴とする請求項１から３いずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記半導体が有機半導体であることを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１から５いずれか１項記載の薄膜トランジスタの製造方法において、第１のゲート絶縁膜として用いる樹脂フィルムの片面にゲート電極を形成し、該樹脂フィルムを反転させた後に第２のゲート絶縁膜を形成しその上に、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
請求項１から５いずれか１項記載の薄膜トランジスタの製造方法において、第１のゲート絶縁膜として用いる樹脂フィルムの片面に第２のゲート絶縁膜を形成しその上に、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成し、該樹脂フィルムの他方の面に、予め他の支持基材上に設けたゲート電極と対向して貼り合わせることによりゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
少なくともウェブ状の樹脂フィルムを巻き出す工程、巻き出された樹脂フィルムの片面にゲート電極、他方の面に第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成する工程、ゲート電極、第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜の形成された樹脂フィルムを巻き取る工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
請求項１から５いずれか１項記載の薄膜トランジスタの製造方法において、少なくともウェブ状の樹脂フィルムを巻き出す工程、巻き出された樹脂フィルムの片面に第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成する工程、該樹脂フィルムの他方の面に、予め他の支持基材上に設けたゲート電極と対向して貼り合せることによりゲート電極を形成する工程、ゲート電極、第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成した樹脂フィルムを巻き取る工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記第２のゲート絶縁膜が塗布法により形成されることを特徴とする請求項６から９いずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記塗布法がグラビア印刷、ダイコートであることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極のうち少なくとも一つが印刷法で形成されることを特徴とする請求項６から１１いずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子ペーパーやＲＦＩＤタグ等の普及が注目され、その低価格化が求められている。これらにはトランジスタが必要である。しかし、現在のトランジスタ製造プロセスでは真空プロセスとフォトプロセスが必要であり、その製造コストは高い。このため、これらを現実のものとするには、従来のトランジスタよりも安価かつ大量に生産する必要がある。またフレキシブル基材上にトランジスタを形成することも求められている。
【０００３】
このため印刷法を用いたトランジスタ、特に有機トランジスタが注目されている（例えば特許文献１参照）。この方法が注目されているのは、以下の理由による。
【０００４】
まず、低温での加工が可能であるので基材に樹脂フィルムを用いることが可能である。また、半導体が有機物であるので、これを溶媒に溶解した溶液を印刷インキと同様に用いた印刷法での加工が可能である。このため基材として樹脂フィルムを用い、これをロール状で製造装置に供給する、いわゆるロール・トゥ・ロールプロセスでの印刷法による製造が可能である。したがって、トランジスタを安価かつ大量に製造できる。
【０００５】
半導体として有機物を用いた薄膜トランジスタの製法として、ゲート絶縁膜については、基板としてシリコンを用い、その熱酸化膜をゲート絶縁膜として用いた報告が多く、少数の溶液プロセスによりゲート絶縁膜を用いた例でもその方法はスピンコートについてのものが多い。その理由は、スピンコートでは、ゲート絶縁膜として必要な１マイクロメートル程度あるいはそれ以下の厚さの薄膜を容易に得ることが可能だからである。
【０００６】
しかし、スピンコートではロール・トゥ・ロールプロセスへの適用は困難であり、それ以外の方法でゲート絶縁膜を形成することが必要となる。ただしこの場合、以下のような制約事項がある。
【０００７】
すなわち、電極形成を印刷法で行おうとすると、現状ではスクリーン印刷法が最適であるが、その場合、電極材料の導電性および断線を回避するといった実用上の観点から、通常その厚さは１０から２０ミクロンとすることが求められる。
【０００８】
したがってこのような場合、すなわちゲート電極を所定の基材にスクリーン印刷で形成した場合、その表面にゲート絶縁膜をピンホールなく均一な膜厚で形成する必要があるが、ゲート電極の膜厚が厚いことによる基板表面の凹凸に追従するためには、ゲート絶縁膜の厚さをゲート電極と同程度にする必要がある。
【０００９】
しかし、この場合ゲート絶縁膜が厚くなりすぎるため、実際に薄膜トランジスタを構成できたとしても、それを動作させるためのゲート電圧が非常に高くなるため、現実的には利用が困難である。
【００１０】
これを回避する手段のひとつとして、ゲート絶縁膜としてあらかじめ製膜された樹脂フィルムを用いることが考えられる。
【００１１】
そして実際にその手段で有機トランジスタを作製した研究報告として、非特許文献１、２などが挙げられる。
【００１２】
しかし、これらの研究においても半導体や電極については真空プロセスやフォトプロセスを用いており、結果的には高コストのトランジスタ作製プロセスとなっている。また、具体的なロール・トゥ・ロールプロセスについての言及はされていない。
【００１３】
また一方で、ゲート絶縁膜の比誘電率によりゲート絶縁膜上に形成される半導体膜の形態が異なり、得られるトランジスタ特性が異なることが指摘されている（非特許文献３）。
【００１４】
非特許文献３によれば、ゲート絶縁膜の比誘電率が高い場合、半導体膜との界面においてゲート絶縁膜の極性の影響により、半導体膜中のキャリヤの局在化が起こるためとされている。
【００１５】
ゲート絶縁膜として樹脂フィルムを用いる場合、コストおよび熱安定性などの問題から主としてポリエステルフィルムを用いるが、この場合比誘電率が３程度となり半導体膜中のキャリヤは局在化され、得られるキャリヤ移動度は低くなる。
【特許文献１】特開２００３−２４９６５６号公報
【非特許文献１】Ｇａｒｎｉｅｒ他  Ｓｃｉｅｎｃｅ 第２６５巻１８８４ページから１８８６ページ（１９９４年）
【非特許文献２】Ｂｏｎｆｉｇｌｉｏ他  Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ 第８２巻２０号３５５０ページから３５５２ページ（２００３年）
【非特許文献３】Ｖｅｒｅｓ他  Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  第１３巻３号１９９ページから２０４ページ（２００３年）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明はそのような問題点に鑑みてなされたものであり、安価で、高い絶縁性を持つ絶縁膜を用い、トランジスタ特性を向上させた、薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の請求項１記載の発明は、少なくとも第１のゲート絶縁膜の片面にゲート電極を、他方の面に該第１のゲート絶縁膜よりも比誘電率の低い第２のゲート絶縁膜を形成しその上に、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成した薄膜トランジスタであって、該第１のゲート絶縁膜として樹脂フィルムを用いることを特徴とする薄膜トランジスタとしたものである。
【００１８】
請求項２記載の発明は、前記第２のゲート絶縁膜の比誘電率が１．５から２．５であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタとしたものである。
【００１９】
請求項３記載の発明は、前記第２のゲート絶縁膜が有機物質であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜トランジスタとしたものである。
【００２０】
請求項４記載の発明は、前記第２のゲート絶縁膜が多孔質であることを特徴とする請求項１から３いずれか１項に記載の薄膜トランジスタとしたものである。
【００２１】
請求項５記載の発明は、前記半導体が有機半導体であることを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載の薄膜トランジスタとしたものである。
【００２２】
請求項６記載の発明は、請求項１から５いずれか１項記載の薄膜トランジスタの製造方
法において、第１のゲート絶縁膜として用いる樹脂フィルムの片面にゲート電極を形成し、該樹脂フィルムを反転させた後に第２のゲート絶縁膜を形成しその上に、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法としたものである。
【００２３】
請求項７記載の発明は、請求項１から５いずれか１項記載の薄膜トランジスタの製造方法において、第１のゲート絶縁膜として用いる樹脂フィルムの片面に第２のゲート絶縁膜を形成しその上に、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成し、該樹脂フィルムの他方の面に、予め他の支持基材上に設けたゲート電極と対向して貼り合わせることによりゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法としたものである。
【００２４】
請求項８記載の発明は、少なくともウェブ状の樹脂フィルムを巻き出す工程、巻き出された樹脂フィルムの片面にゲート電極、他方の面に第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成する工程、ゲート電極、第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜の形成された樹脂フィルムを巻き取る工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法としたものである。
【００２５】
請求項９記載の発明は、請求項１から５いずれか１項記載の薄膜トランジスタの製造方法において、少なくともウェブ状の樹脂フィルムを巻き出す工程、巻き出された樹脂フィルムの片面に第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成する工程、該樹脂フィルムの他方の面に、予め他の支持基材上に設けたゲート電極と対向して貼り合せることによりゲート電極を形成する工程、ゲート電極、第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成した樹脂フィルムを巻き取る工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法としたものである。
【００２６】
請求項１０記載の発明は、前記第２のゲート絶縁膜が塗布法により形成されることを特徴とする請求項６から９いずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法としたものである。
【００２７】
請求項１１記載の発明は、前記塗布法がグラビア印刷、ダイコートであることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法としたものである。
【００２８】
請求項１２記載の発明は、前記ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極のうち少なくとも一つが印刷法で形成されることを特徴とする請求項６から１１いずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法としたものである。
【発明の効果】
【００２９】
以上説明したように、本発明によれば第１のゲート絶縁膜として樹脂フィルムを用い、該樹脂フィルムの片方の面、すなわち半導体膜を形成する面に第２のゲート絶縁膜として該第１のゲート絶縁膜よりも比誘電率の低い層を設けることにより、安価で高い絶縁性を保ち且つ高いトランジスタ特性をもつ薄膜トランジスタ及びその製造方法とすることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明の実施形態における第１のゲート絶縁膜に用いる材料は特に限定されるものではなく、一般に用いられる材料として、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネートなどがある。但し、前述のようにコストや熱安定性を考慮するとＰＥＴやＰＥＮなどのポリエステルが望ましい。
【００３１】
また、前記第１のゲート絶縁膜の厚さは０．１から２ミクロンの範囲内であることが望ましい。２ミクロンを超えるとトランジスタを動作させる場合のゲート電圧が高くなり、０．１ミクロン以下であるとフィルムとしての強度が保てなくなるからである。
【００３２】
本発明の実施形態における第２のゲート絶縁膜に用いられる材料は第１のゲート絶縁膜に用いられる樹脂フィルムよりも比誘電率が低い材料であれば特に限定されるものではないが、比誘電率が１．５より小さい材料は現状では入手困難であり、また第１のゲート絶縁膜よりも比誘電率を低くすること、および半導体膜との界面における半導体膜中のキャリヤの局在化を抑えるためには２．５以下が望ましい。また、比誘電率を下げる方法として、空気を内包した多孔質材料が用いられることもある。一般に用いられる材料として、フッ素樹脂やパーフロロ環状重合体、フッ素化ポリイミドなどのフッ素化樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂、シンジオタクチックポリスチレンなどがあるが、耐熱性や耐溶剤性、溶液からの塗布法による製膜を考慮するとパーフロロ環状重合体が望ましい。また、第２のゲート絶縁膜の形成方法としては蒸着やスパッタなどの乾式製膜法やグラビア印刷やダイコートなどの湿式製膜法など、公知の方法を用いることが出来る。
【００３３】
前記第２のゲート絶縁膜の厚さは１ミクロン以下であることが望ましい。前述のようにゲート絶縁膜の合計の厚さが厚いとトランジスタを動作させる場合のゲート電圧が高くなるためである。また、第２のゲート絶縁膜は第１のゲート絶縁膜の表面を覆っていれば良く、そのため単分子膜以上の厚さであれば良い。
【００３４】
本発明の実施形態において、電極材料として用いられる材料は特に限定されるものではないが、一般に用いられる材料には金、白金、ニッケル、インジウム錫酸化物などの金属あるいは酸化物の薄膜若しくはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）やポリアニリンなどの導電性高分子や金や銀、ニッケルなどの金属コロイド粒子を分散させた溶液若しくは銀やカーボン、ニッケルなどの金属粒子を導電材料として用いた厚膜ペーストなどがあるが、コストを勘案し印刷法で電極を形成することを考慮すると金属コロイド粒子を分散させた溶液若しくは金属粒子を導電材料として用いた厚膜ペーストなどが望ましい。また、電極の形成方法としては、蒸着やスパッタなどの製膜法やグラビア印刷やスクリーン印刷、インクジェットなどの塗布法など、公知の方法を用いることが出来る。
【００３５】
本発明の実施形態において、半導体として用いられる材料は特に限定されるものではないが、低コスト化、フレキシブル化、大面積化を考慮すると印刷法が適用できる有機半導体を用いることが望ましい。即ち、ポリチオフェン、ポリアリルアミン、フルオレンビチオフェン共重合体、およびそれらの誘導体のような高分子有機半導体材料、およびペンタセン、テトラセン、銅フタロシアニン、ペリレン、およびそれらの誘導体のような低分子有機半導体材料を用いることができる。また、カーボンナノチューブあるいはフラーレンなどの炭素化合物や半導体ナノ粒子分散液なども半導体材料として用いることができる。さらに半導体層としては、ＩｎＧａＺｎＯ系、ＩｎＧａＯ系、ＺｎＧａＯ系、ＩｎＺｎＯ系、ＺｎＯ、ＳｎＯ2等の酸化物半導体が使用可能である。
【００３６】
有機半導体の印刷方法としては、グラビア印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷およびインクジェット法など、公知の方法を用いることが出来る。一般に、上記の有機半導体に関しては、溶剤に対する溶解度が低いため、低粘度溶液の印刷に適したインクジェット法若しくはグラビア印刷を用いることが望ましい。
【００３７】
また、本発明の薄膜トランジスタにはさらに支持基材を貼り合わせることが出来る。このような支持基材としては、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン
、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネートなどの樹脂フィルムを用いることが出来るが、コストおよび熱安定性を考慮するとポリエステルフィルムが最良である。
【００３８】
本発明の薄膜トランジスタは、第１のゲート絶縁膜としての樹脂フィルムを基材としてゲート電極、第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を上述したような方法で形成するものである。また、本発明では図１に示すようにウェブ状の樹脂フィルムを巻き出し、片面にゲート電極、他方の面に第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成された樹脂フィルムを巻き取るいわゆるロール・トゥ・ロール法を用いて製造することが出来る。
【００３９】
さらに、図３に示すようにロール・トゥ・ロール法により樹脂フィルム上にゲート電極、第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成する際、樹脂フィルムに剥離可能な弱粘着性の粘着層を有する支持体を貼り合わせ、形成後に剥離することも出来る。
【００４０】
また、図５に示すようにウェブ状の樹脂フィルムを巻き出し、片面に第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成し、他方の面に予め他の支持基材上に設けたゲート電極と対向して貼り合わせることによりゲート電極を形成することもできる。
【００４１】
以下、実施例を基に具体的に説明する。
【実施例１】
【００４２】
図１に示すように、第１のゲート絶縁膜１１として厚さ１．２ミクロンのＰＥＮフィルム（帝人デュポン製テオネックスＱ７０、比誘電率２．９）を用い、ゲート電極１３として銀およびカーボンを導電材料とする厚膜ペースト（アサヒ化学研究所製）を用いてスクリーン印刷機２０により印刷、１５０℃で３０分乾燥機２３で乾燥して形成した。続いて密着性向上のための前処理として第１のゲート絶縁膜を酸素プラズマ処理し、第２のゲート絶縁膜１２としてパーフロロ環状重合体（旭硝子製サイトップ、比誘電率２．１）をフッ素系溶媒（旭硝子製ＣＴ−Ｓｏｌｖ．１８０）に溶解させた溶液（ＣＴＸ−８０５Ａ）をダイコーター２１により製膜、１００℃で３０分乾燥機２３で乾燥して膜厚０．４ミクロンで形成した。密着性向上のために第２のゲート絶縁膜上にアルゴンプラズマ処理を施し、ソース電極、ドレイン電極１４として銀およびカーボンを導電材料とする厚膜ペースト（アサヒ化学研究所製）を用いてスクリーン印刷機２０により印刷、１５０℃で３０分乾燥機２３で乾燥して形成した。しかる後、半導体膜１５としてポリ（３−ヘキシルチオフェン）（シグマアルドリッチジャパン製）のアニソール溶液をインクジェット装置２２で印刷、１００℃で乾燥機２３で乾燥して形成した。この結果、図２に示すような第１のゲート絶縁膜として樹脂フィルムを用い、片面にゲート電極、他方の面に第１のゲート絶縁膜より比誘電率の低い第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成した薄膜トランジスタ１０を形成することが出来た。
【実施例２】
【００４３】
図３に示すように、第１のゲート絶縁膜１１として厚さ１．２ミクロンのＰＥＮフィルム（帝人デュポン製テオネックスＱ７０、比誘電率２．９）を用い、支持基材として厚さ１００ミクロンのＰＥＴ上に熱発泡粘着層が形成された再剥離粘着フィルム１６（ソマール製ＰＳ２１３−ＴＥ）とラミネーター２４で貼り合わせた。ゲート電極１３として銀およびカーボンを導電材料とする厚膜ペースト（アサヒ化学研究所製）を用いてスクリーン印刷機２０により印刷、１５０℃で３０分乾燥機２３で乾燥して形成すると同時に、１５０℃で熱発泡粘着層が発泡した支持基材を剥がした。続いて支持基材として粘着フィルム１７（日東電工製ＴＰ３００）をラミネーター２４で貼り合わせた後、密着性向上のための前処理として第１のゲート絶縁膜を酸素プラズマ処理し、第２のゲート絶縁膜１２とし
てパーフロロ環状重合体（旭硝子製サイトップ、比誘電率２．１）をフッ素系溶媒（旭硝子製ＣＴ−Ｓｏｌｖ．１８０）に溶解させた溶液（ＣＴＸ−８０５Ａ）をダイコーター２１により製膜、１００℃で３０分乾燥機２３で乾燥して膜厚０．４ミクロンで形成した。密着性向上のために第２のゲート絶縁膜上にアルゴンプラズマ処理を施し、ソース電極、ドレイン電極１４として銀およびカーボンを導電材料とする厚膜ペースト（アサヒ化学研究所製）を用いてスクリーン印刷機２０により印刷、１５０℃で３０分乾燥機２３で乾燥して形成した。しかる後、半導体膜１５としてポリ（３−ヘキシルチオフェン）（シグマアルドリッチジャパン製）のアニソール溶液をインクジェット装置２２で印刷、１００℃で乾燥機２３で乾燥して形成した。この結果、図４に示すような粘着フィルムを支持基材上に第１のゲート絶縁膜として樹脂フィルムを用い、片面にゲート電極、他方の面に第１のゲート絶縁膜より比誘電率の低い第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜を形成した薄膜トランジスタを形成することが出来た。
【実施例３】
【００４４】
図５に示すように、第１のゲート絶縁膜１１として厚さ１．２ミクロンのＰＥＮフィルム（帝人デュポン製テオネックスＱ７０、比誘電率２．９）を用い、続いて密着性向上のための前処理として第１のゲート絶縁膜を酸素プラズマ処理し、第２のゲート絶縁膜１２としてパーフロロ環状重合体（旭硝子製サイトップ、比誘電率２．１）をフッ素系溶媒（旭硝子製ＣＴ−Ｓｏｌｖ．１８０）に溶解させた溶液（ＣＴＸ−８０５Ａ）をダイコーター２１により製膜、１００℃で３０分乾燥機２３で乾燥して膜厚０．４ミクロンで形成した。密着性向上のために第２のゲート絶縁膜上にアルゴンプラズマ処理を施し、ソース電極、ドレイン電極１４として銀およびカーボンを導電材料とする厚膜ペースト（アサヒ化学研究所製）を用いてスクリーン印刷機２０により印刷、１５０℃で３０分乾燥機２３で乾燥して形成した。しかる後、半導体膜１５としてポリ（３−ヘキシルチオフェン）（シグマアルドリッチジャパン製）のアニソール溶液をインクジェット装置２２で印刷、１００℃で乾燥機２３で乾燥して形成した。一方で、支持基材１８として厚さ１２５ミクロンのＰＥＮフィルム（帝人デュポン製テオネックスＱ５１）を用い、ゲート電極１３として銀およびカーボンを導電材料とする厚膜ペースト（アサヒ化学研究所製）を用いてスクリーン印刷機２０により印刷、１５０℃で３０分乾燥機２３で乾燥して形成した。続いて接着剤１９として不飽和ポリエステル（東洋紡製バイロン３００）をグラビア印刷機２５で０．２ミクロン塗布し、８０℃で２０分乾燥させた。しかる後、第１のゲート絶縁膜上に形成したソース電極、ドレイン電極と支持基材上のゲート電極を対向させてラミネーターで貼り合わせた。この結果、図６に示すような予め他の支持基材上に形成したゲート電極と、第１のゲート絶縁膜上に形成した第２のゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜とを貼り合わせる事により薄膜トランジスタを作製することが出来た。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の薄膜トランジスタの製造方法の１例を示す説明図である。
【図２】本発明の薄膜トランジスタの１例を断面で示した説明図である。
【図３】本発明の薄膜トランジスタの製造方法の他の例を示す説明図である。
【図４】本発明の薄膜トランジスタの他の例を断面で示した説明図である。
【図５】本発明の薄膜トランジスタの製造方法のその他の例を示す説明図である。
【図６】本発明の薄膜トランジスタのその他の例を断面で示した説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０…薄膜トランジスタ
１１…第１のゲート絶縁膜
１２…第２のゲート絶縁膜
１３…ゲート電極
１４…ソース電極、ドレイン電極
１５…半導体膜
１６…再剥離粘着フィルム
１７…粘着フィルム
１８…支持基材
１９…接着剤
２０…スクリーン印刷機
２１…ダイコーター
２２…インクジェット装置
２３…乾燥機
２４…ラミネーター
２５…グラビア印刷機
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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