(57)【要約】    【課題】  安定して配線層を形成することができると共に配線層を容易に分離することができる層形成用基板、配線基板及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法を提供する。    【解決手段】  支持基板上にエラストマを含有する樹脂からなる剥離層を形成する。この剥離層上に銅配線３を形成した後、銅配線３上にビア５を形成し、ビア５の上面以外の部分を覆うように絶縁膜４を形成する。そして、絶縁膜４上にビア５を介して銅配線３と電気的に接続された銅配線６を形成する。更に、銅配線６上にビア８を形成し、ビア８の上面以外の部分を覆うように絶縁層７を形成した後、絶縁膜７上に銅配線６とビア８を介して電気的に接続された銅配線９を形成する。配線層１１及び配線層１２が形成された支持基板１を、フッ化炭素ガスを含むガス中でプラズマ処理し、剥離層の密着力を低下させた後、配線層１１及び配線層１２を支持基板１から分離して、配線基板１０を得る。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、前記支持基板上に形成されプラズマ処理によって前記支持基板に対する密着力が低下する樹脂からなる剥離層と、を有することを特徴とする層形成用基板。
【請求項２】
前記樹脂は、エラストマを含有していることを特徴とする請求項１に記載の層形成用基板。
【請求項３】
前記エラストマは、スチレンブタジエンゴムであることを特徴とする請求項２に記載の層形成用基板。
【請求項４】
支持基板と、前記支持基板上に形成されプラズマ処理によって密着力が低下する樹脂からなる剥離層と、前記剥離層上に形成され絶縁膜及びこの絶縁膜上の第１の配線からなる配線層と、を有することを特徴とする配線基板。
【請求項５】
プラズマ処理により、前記剥離層にて前記支持基板と前記配線層とが分離されることを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記配線層は、更に、前記剥離層と前記絶縁層との間に形成された第２の配線と、この第２の配線と前記第１の配線とを電気的に接続するビアと、を有することを特徴とする請求項４又は５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記配線層が複数層積層されていることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記樹脂は、エラストマを含有していることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項９】
前記エラストマは、スチレンブタジエンゴムであることを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
支持基板上にプラズマ処理によって密着力が低下する樹脂からなる剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に絶縁膜とこの絶縁膜上の第１の配線とからなる配線層を形成する工程と、プラズマ処理により前記剥離層の密着力を低下させる工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記剥離層の密着力を低下させた後、前記配線層を前記支持基板から分離することを特徴とする請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記配線層には、更に、前記剥離層と前記絶縁層との間に形成された第２の配線と、この第２の配線と前記第１の配線とを電気的に接続するビアとが設けられていることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記配線層を複数層積層することを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記樹脂は、エラストマを含有していることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記エラストマは、スチレンブタジエンゴムであることを特徴とする請求項１４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記プラズマ処理は、フッ化炭素ガスを含むガス中で行うことを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１７】
支持基板上にプラズマ処理によって密着力が低下する樹脂からなる剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に絶縁膜とこの絶縁膜上の第１の配線とからなる配線層を形成する工程と、プラズマ処理により前記剥離層の密着力を低下させる工程と、前記配線層を前記支持基板から分離する工程と、前記配線層上に半導体素子を搭載する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
支持基板上にプラズマ処理によって密着力が低下する樹脂からなる剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に絶縁膜とこの絶縁膜上の第１の配線とからなる配線層を形成する工程と、前記配線層上に半導体素子を搭載する工程と、プラズマ処理により前記剥離層の密着力を低下させる工程と、前記半導体素子が搭載された前記配線層を前記支持基板から分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記配線層には、更に、前記剥離層と前記絶縁層との間に形成された第２の配線と、この第２の配線と前記第１の配線とを電気的に接続するビアとが設けられていることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記配線層を複数層積層することを特徴とする請求項１７乃至１９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記樹脂は、エラストマを含有していることを特徴とする請求項１７乃至２０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記エラストマは、スチレンブタジエンゴムであることを特徴とする請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記プラズマ処理は、フッ化炭素ガスを含むガス中で行うことを特徴とする請求項１７乃至２２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インターポーザ基板等の薄型で、高密度化が可能な配線基板を製造する際に使用される層形成用基板、この基板を使用した配線基板及びその製造方法、並びにこの配線基板を使用した半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、携帯電話、デジタルスチルカメラ及びデジタルビデオカメラ等の携帯機器が急激に小型化、薄型化及び高密度化しており、また、これらの携帯機器に搭載されるＬＳＩの高周波数化も進んでいる。このため、携帯機器に搭載される配線基板にも、薄型化、軽量化及び高密度化が求められている。
【０００３】
一般に、これらの携帯機器には、ビルトアップ基板等のスルーホールが形成された配線基板が使用されているが、このような配線基板は、厚さが厚く、また、スルーホールがあるために高周波信号の伝送には不利であるという問題点がある。一方、従来、テープ基板等の薄型の配線基板も使用されているが、このような基板は、配線層が単層又は２層に限定されると共に、基材の伸縮が大きいため、配線間間隔（ライン/スペース）を小さくすることができず、高密度化の要求に十分応えることができないという問題点がある。
【０００４】
そこで、上述した従来の配線基板の問題点を改善し、薄型で高密度の配線基板を製造するために、支持基板上に配線層を形成した後、支持基板と配線層とを分離する方法が提案されている（例えば、特許文献１乃至１０参照）。この支持基板と配線層とを分離する方法においては、配線層の剥離方法が重要であり、例えば、特許文献１には、表面にニッケルめっき層が形成されたステンレス板上に絶縁膜を介して配線層を形成した後、ニッケルめっき層とステンレス板との界面を剥離する方法が開示されている。また、特許文献２には、表面に銅スパッタ膜が形成されたセラミック板上に配線層を形成した後、銅スパッタ層とセラミック板との界面を剥離する方法が開示されている。この特許文献１及び２に記載の方法では、支持基板上にこの支持基板との密着力が低い材料からなる剥離層を形成し、この剥離層上に配線層を形成しているため、支持基板と配線層とを容易に分離することができる。
【０００５】
更に、特許文献３乃至５には、支持基板と配線層との間に、アルミニウム又は銅等の金属材料からなる剥離層を形成し、この剥離層をケミカルウエットエッチングすることにより、支持基板と配線層とを分離する方法が開示されている。更にまた、特許文献６乃至９には、ガラス等の支持基板上にシリコンからなる剥離層を形成し、この剥離層上に配線層を形成した後、ハロゲン化フッ素ガスを含む気流中に曝して剥離層を除去することにより、支持基板と配線層とを分離する方法が開示されている。
【０００６】
一方、特許文献１０に記載の方法では、薄型多層配線基板を製造する際のハンドリング性を向上するために、シリコン基板上形成されている配線層上に、熱発泡粘着材又は紫外線硬化型粘着材を介して支持基板を貼り付け、この状態でシリコン基板の除去を行い、その後、加熱又は紫外線照射により熱発泡粘着材又は紫外線硬化型粘着材の粘着力を低下させて配線層と支持基板と分離している。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３４３９２３号公報
【特許文献２】特開２００３−１４２６２４号公報
【特許文献３】特開２００３−３０９２１５号公報
【特許文献４】特開２００３−１５８２３９号公報
【特許文献５】特開平１１−９７３５７号公報
【特許文献６】特開平８−２５４６８６号公報
【特許文献７】特開２００１−２７２９２３号公報
【特許文献８】特開２００４−１５３２９０号公報
【特許文献９】特許第３４０６８９３号公報
【特許文献１０】特開２００４−７９６５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前述の従来の技術には以下に示す問題点がある。特許文献１及び２に記載の方法は、支持基板との密着力が低い金属膜上に配線層を形成するため、製造工程の途中で剥離が発生しやすく、配線層を安定して形成することが困難であるという問題点がある。また、セラミック製の支持基板上に、剥離層としてＣｕスパッタ層を形成した場合、セラミック中にＣｕが拡散して支持基板と剥離層との密着力が変化し、配線層が剥離しにくくなるという問題点がある。
【０００９】
また、特許文献３乃至５に記載の方法のように金属材料からなる剥離層を設け、剥離層をケミカルウエットエッチングで除去する方法では、配線層中の金属配線がエッチングされないように、エッチング液として選択エッチング性があるものを選択しなければならず、また、エッチングの際にパッド及び金属配線上に保護層を設けなければならないため、製造方法が煩雑になるという問題点がある。また、ウエットエッチングにより剥離層を溶解除去する場合、エッチング液が剥離層に染み込む速度が遅いため、迅速な剥離が困難であるという問題点もある。
【００１０】
更に、特許文献６乃至９に記載の方法は、剥離層をスパッタ法又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法等の真空工程で作製しなければならないため、製造コストが増加するという問題点がある。また、剥離層を除去しきれなかった場合、真空下でのドライエッチング工程又はフッ酸等の特殊な溶剤を使用したウエットエッチング工程が必要になるという問題点もある。
【００１１】
更にまた、特許文献１０に記載の方法のように、剥離層を熱発泡粘着材により形成する方法を適用した場合、高温下で処理を行うと支持基板と剥離層との密着力低下するため、絶縁膜及び配線層を低温下で形成しなければならず、これらの材料及び形成方法が限定されるという問題点がある。一方、紫外線硬化性粘着材により剥離層を形成する場合は、支持基板が紫外線を透過する材料で形成されていなければならず、支持基板の選択範囲が著しく限定されるという問題点がある。
【００１２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、安定して配線層を形成することができると共に配線層を容易に分離することができる層形成用基板、配線基板及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願第１発明に係る層形成用基板は、支持基板と、前記支持基板上に形成されプラズマ処理によって前記支持基板に対する密着力が低下する樹脂からなる剥離層と、を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明においては、プラズマ処理によって支持基板に対する密着力が低下する樹脂からなる剥離層が設けられているため、この剥離層上に形成された層と支持基板とを容易に分離することができる。
【００１５】
前記樹脂は、エラストマを含んでいてもよく、その場合、前記エラストマは、スチレンブタジエンゴムであることが好ましい。これにより、プラズマ処理による剥離層の密着力の低下の度合いが大きくなり、剥離層を容易に剥離することができる。
【００１６】
本願第２発明に係る配線基板は、支持基板と、前記支持基板上に形成されプラズマ処理によって密着力が低下する樹脂からなる剥離層と、前記剥離層上に形成され絶縁膜及びこの絶縁膜上の第１の配線からなる配線層と、を有する。
【００１７】
本発明においては、支持基板上にプラズマ処理によって密着力が低下する樹脂からなる剥離層が設けられているため、プラズマ処理を施し、剥離層の密着力を低下させることにより、支持基板と配線層とを容易に分離することができる。
【００１８】
この配線基板は、プラズマ処理により、前記剥離層にて前記支持基板と前記配線層とを分離することができる。また、前記配線層は、前記剥離層と前記絶縁層との間に形成された第２の配線と、この第２の配線と前記第１の配線とを電気的に接続するビアと、を有していてもよい。これにより、両面に半導体素子を搭載することができる。
【００１９】
更に、前記配線層は、複数層積層されていてもよい。これにより、高密度化することができる。更にまた、前記樹脂は、エラストマを含有していてもよく、その場合、前記エラストマは、スチレンブタジエンゴムであることが好ましい。これにより、支持基板と配線層とを分離しやすくなる。
【００２０】
本願第３発明に係る配線基板の製造方法は、支持基板上にプラズマ処理によって密着力が低下する樹脂からなる剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に絶縁膜とこの絶縁膜上の第１の配線とからなる配線層を形成する工程と、プラズマ処理により前記剥離層の密着力を低下させる工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】
本発明においては、支持基板と配線層との間にプラズマ処理により密着力が低下する樹脂からなる剥離層を設けており、この剥離層は、配線層形成時には強固な密着力があるため、安定して配線層を形成することができる。また、プラズマ処理後には剥離層の密着力が低下するため、支持基板と配線配線層とを容易に分離することができる。更に、本発明においては、分離後の支持基板を再利用できるため、製造コストを低減することもできる。その結果、配線層に過剰な応力をかけることなく製造することができるため、歩留まりが向上すると共に、信頼性の高い配線基板を安価に製造することができる。
【００２２】
この配線基板の製造方法においては、前記剥離層の密着力を低下させた後、前記配線層を前記支持基板から分離することができる。また、前記配線層には、更に、前記剥離層と前記絶縁層との間に形成された第２の配線と、この第２の配線と前記第１の配線とを電気的に接続するビアとが設けられていてもよい。これにより、両面に半導体素子を搭載することができる配線基板が得られる。
【００２３】
更に、前記配線層を複数層積層することもできる。これにより、配線基板を高密度化することができる。更にまた、前記樹脂は、エラストマを含んでいてもよく、その場合、前記エラストマは、スチレンブタジエンゴムであることが好ましい。これにより、プラズマ処理後の剥離層の密着力を低くすることができるため、支持基板と配線層とがより分離しやすくなる。更にまた、前記プラズマ処理は、フッ化炭素ガスを含むガス中で行ってもよい。これにより、プラズマ処理の効率が向上する。
【００２４】
本願第４発明に係る半導体装置の製造方法は、支持基板上にプラズマ処理によって密着力が低下する樹脂からなる剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に絶縁膜とこの絶縁膜上の第１の配線とからなる配線層を形成する工程と、プラズマ処理により前記剥離層の密着力を低下させる工程と、前記配線層を前記支持基板から分離する工程と、前記配線層上に半導体素子を搭載する工程と、を有することを特徴とする。
【００２５】
本発明においては、支持基板と配線層との間にプラズマ処理により密着力が低下する樹脂からなる剥離層を設けている。この剥離層は、配線層形成時には密着力が強いため、配線層を安定して形成することができる。また、プラズマ処理後には剥離層の密着力が低下するため、支持基板と配線配線層とを容易に分離することができる。その結果、信頼性が高い薄型の半導体装置が得られる。
【００２６】
本願第５発明に係る半導体装置の製造方法は、支持基板上にプラズマ処理によって密着力が低下する樹脂からなる剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に絶縁膜とこの絶縁膜上の第１の配線とからなる配線層を形成する工程と、前記配線層上に半導体素子を搭載する工程と、プラズマ処理により前記剥離層の密着力を低下させる工程と、前記半導体素子が搭載された前記配線層を前記支持基板から分離する工程と、を有することを特徴とする。
【００２７】
本発明においては、支持基板と配線層との間にプラズマ処理により密着力が低下する樹脂からなる剥離層を設けており、この剥離層は、配線層形成時及び半導体素子搭載時には密着力が強いため、安定して配線層を形成することができると共に安定して半導体素子を搭載することができる。また、プラズマ処理後には剥離層の密着力が低下するため、支持基板と配線配線層とを容易に分離することができる。更に、支持基板と分離する前に半導体素子を搭載しているため、ハンドリング性が優れている。その結果、配線層及び半導体素子に過剰な応力をかけることなく製造することができるため、信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００２８】
これらの半導体装置の製造方法においては、前記配線層には、更に、前記剥離層と前記絶縁層との間に形成された第２の配線と、この第２の配線と前記第１の配線とを電気的に接続するビアとが設けられていてもよい。また、前記配線層を複数層積層することもできる。更に、前記樹脂は、エラストマを含んでおり、前記エラストマは、スチレンブタジエンゴムであってもよい。更にまた、前記プラズマ処理は、フッ化炭素ガスを含むガス中で行うことができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、支持基板の表面にプラズマ処理により密着力が低下する樹脂からなる剥離層を設けているため、配線層の製造安定性が向上すると共に、プラズマ処理により支持基板と配線層とを容易に分離することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態に係る配線基板について添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本実施形態の配線基板を示す断面図である。図１に示すように、本実施形態の配線基板１０は、配線３上に絶縁膜４を介して配線６が形成されており、配線６上には絶縁膜７を介して配線９が形成されている。そして、配線３と配線６とはビア５を介して相互に接続されており、配線６と配線９とはビア８を介して相互に接続されている。即ち、配線基板１０は、配線３、絶縁膜４及びビア５により構成される配線層１１上に、配線６、絶縁膜７及びビア８により構成される配線層１２が形成されており、この配線層１２上に、更に、配線９が形成されている多層構造の薄型配線基板である。
【００３１】
次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について説明する。図２（ａ）乃至（ｄ）並びに図３（ａ）及び（ｂ）は本実施形態の配線基板の製造方法をその工程順に示す断面図である。先ず、図２（ａ）に示すように、シリコン、サファイア、ＧａＡｓ等の半導体材料、金属、石英、ガラス、セラミック又はプリント板からなる支持基板１を用意する。この支持基板１は、適度の剛性及び寸法安定性があることが好ましく、特に、半導体素子を１００μｍ以下の狭ピッチで接続する場合は、剛直で且つ線膨張係数が半導体素子と略等しいシリコン、サファイア及びＧａＡｓ等の半導体材料を使用することが望ましい。なお、半導体素子には一般にシリコンが使用されており、またシリコンウエハは比較的安価であるため、支持基板としてシリコンウエハを使用することがより望ましい。
【００３２】
次に、図２（ｂ）に示すように、支持基板１上に樹脂からなる剥離層２を形成する。この剥離層２は、形成時はその上に形成される配線層及び支持基板１との密着力が強く、且つプラズマ処理を施すことによりその密着力が低下する樹脂により形成されており、このような特性をもつ樹脂としては、例えば各種エラストマを含む樹脂がある。なお、剥離層２は、エラストマを含む樹脂の中でも、エラストマが微粒子で存在している樹脂により形成することがより好ましく、特に、プラズマ処理によってその密着力が大きく低下するスチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）の微粒子が含まれている樹脂により形成することがより好ましい。
【００３３】
その後、図２（ｃ）に示すように、剥離層２上に配線層１１を形成する。具体的には、例えば、サブトラクティブ法、セミアディティブ法又はフルアディティブ法等により、剥離層２上に銅等の導電材料からなり、例えば厚さが１乃至１０μｍ程度の配線３を形成する。次に、配線層３上にビア５を形成した後、剥離層２及び配線３を覆うように絶縁膜４を形成するか、又はビア５を形成する領域以外の部分に絶縁膜４を形成した後、ビア５を形成する。この絶縁膜４は、セラミック又は樹脂により形成することができるが、特に、樹脂により形成することが好ましい。絶縁膜４を形成する樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＣＢ（benzocyclobutene）樹脂、ＰＢＯ（polybenzoxazole）樹脂及びポリノルボルネン樹脂等が挙げられる。なお、前述の各樹脂のうち、ポリイミド樹脂及びＰＢＯ樹脂は、膜強度、引張弾性率及び破断伸び率等の機械的特性が優れているため、これらの樹脂により絶縁膜４を形成すると、高い信頼性を得ることができる。
【００３４】
次に、図２（ｄ）に示すように、絶縁膜４上に、配線３と同様の材料及び方法により、ビア５により配線３と相互に接続された配線６を形成する。引き続き、図３（ａ）に示すように、配線層１１と同様の材料及び方法で、絶縁層７及びビア８を形成し、これにより配線層１２を形成する。そして、絶縁膜７上に、配線３及び配線６と同様の材料及び方法により、ビア８により配線６と相互に接続された配線９を形成する。
【００３５】
次に、表面上に配線層１１及び配線層１２が形成された支持基板１を、例えば、ＣＨＦ３又はＣＦ４等のフッ化炭素ガスを含む混合ガス又はこれらのみを含む単一成分ガス雰囲気中でプラズマ処理する。これにより、剥離層２の密着力が低下し、図３（ｂ）に示すように、支持基板１と配線層１１から剥離層２が剥離し、その結果、支持基板１と配線基板１０とを分離することができる。特に、剥離層２を微粒子状のエラストマが含まれている樹脂により形成すると、プラズマ処理前後における剥離層２の密着力の差が大きくなるため、配線層１１及び配線層１２を安定して形成することができると共に、支持基板１と配線基板１０とを容易に分離することができる。
【００３６】
このように、プラズマ処理を施すことにより剥離層２の密着力が低下する理由は明らかではないが、プラズマは気体状態であるため、狭い空間にも入っていくことができ、また、低密度の樹脂層であれば気体は通過することができるため、剥離層２を形成している樹脂成分が、プラズマに曝されて変質したものと考えられる。更に、プラズマに曝された部分がエッチングされていることも考えられる。
【００３７】
なお、ここでいう「密着力の低下」とは、剥離層２を支持基板１及び／又は配線層１１から剥離できる程度の密着力になることであり、ほとんど応力を必要としない程度まで密着力が低下する場合も含むが、ある程度の密着力が残っており、応力を加えることによって剥離する程度であってもよい。仮に、剥離層２に多少の密着力が残っていても、プラズマ処理前後における密着力が大きく異なるため、配線層を安定して形成した後、剥離層２を容易に剥離することができる。
【００３８】
本実施形態の配線基板の製造方法においては、プラズマ処理前は剥離層２の密着力が高いため、配線層１１及び１２の製造工程における剥離の発生を防止することができると共に、配線層１１及び１２を高温下で形成することも可能になる。その結果、配線層１１及び１２の製造安定性が向上する。一方、剥離層２は、プラズマ処理により密着力が低下するため、配線基板１０と支持基板１とを容易に分離することができる。
【００３９】
また、剥離層２は、印刷法又はスピンコート法等により形成することができるため、剥離層をＣＶＤ法又はスパッタ法等により形成する従来の方法よりも生産性が向上する。更に、本実施形態の配線基板の製造方法においては、剥離層２が支持基板１又は配線層１１に残存した場合でも、溶剤等により容易に溶解除去することができる。更にまた、本実施形態の配線基板の製造方法においては、プラズマ処理により剥離層２の密着力を低下させており、プラズマは狭い空間にも入り込めるため、ウエットエッチングにより剥離層を除去する従来の方法よりも短時間の処理で、配線基板と支持基板とを分離することができる。更にまた、剥離層２を剥離した後の支持基板１は再利用が可能であるため、製造コストも低減することができる。
【００４０】
なお、図３（ｂ）においては、剥離層２が支持基板１及び配線層１１の両方から剥離しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、支持基板１又は配線層１１のいずれか一方からのみ剥離し、他方に残存していてもよい。但し、剥離層２が残存していないと、配線基板１０の両面に半導体素子を搭載することができるため、より高密度化することができる。また、図３（ａ）に示すように、支持基板と配線層とが分離していない状態で、配線基板として使用してもよい。その場合、半導体素子等を実装した後で、支持基板を分離して薄型化することができる。
【００４１】
更に、本実施形態の配線基板１０は、支持基板１上に配線層１１及び１２の２層の配線層を形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、配線層は単層でも多層でもよい。更にまた、配線層を構成する配線及び絶縁膜は明確な層構造になっている必要はなく、配線基板に搭載した半導体素子及び外部端子と電気的に接続するため、導電材料からなる配線とこの配線を電気的に絶縁する絶縁膜とを含んでいればよい。更にまた、本実施形態の配線基板１０は、複数個を並べて配置してもよく、又は、積層配置することもできる。
【００４２】
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体装置について説明する。本実施形態の半導体装置は、前述の第１実施形態の配線基板１０に、例えばフリップチップ接続又はワイヤーボンディング等の方法で、半導体素子を搭載したものである。その際、半導体素子は、低融点金属又は導電性樹脂を介して、配線基板１０に形成された配線３又は配線９と電気的に接続される。
【００４３】
図４は本実施形態の半導体装置を示す断面図である。図４に示すように、半導体素子２１を配線９にフリップチップ接続する場合、配線層１２上に半導体素子２１をフェイスダウンで配置し、例えば、はんだボール２２を介して配線９と電気的に接続する。このとき、はんだを使用せずに、異方性導電膜及び低融点金属によって、半導体素子と配線とを接続してもよい。また、接続部分の強度を向上するために、半導体素子と配線との間にアンダーフィルを充填することもできる。
【００４４】
なお、半導体素子をワイヤーボンディング接続する場合は、配線層１２上に半導体素子２１をフェイスアップで配置する。また、本実施形態の半導体装置においては、配線基板１０上に半導体素子２１以外に、キャパシタ及びインダクタ等の受動素子を搭載することもできる。特に、配線基板１０にＬＳＩを搭載し、これらの受動素子がこのＬＳＩに対するバイパスコンデンサとして機能するような場合、配線基板１０の厚さが薄いため、これらの受動素子をＬＳＩの極近傍に設けることができる。その結果、半導体装置を低インダクタンスにすることができ、良好な特性が得られる。更に、配線基板１０が、キャパシタ及びインダクタ等の受動素子を内蔵していてもよい。これにより、ＬＳＩの近傍に受動素子を配置することができると共に、限られた空間を有効に活用することができるため、半導体装置を小型化及び高密度化することができる。
【００４５】
本実施形態の半導体装置においては、支持基板１と配線基板１０とが分離されていない状態で、配線層１２上に半導体素２１を搭載し、この半導体素子２１をモールド材によって封止した後、プラズマ処理を施して、支持基板１と配線基板１０とを分離してもよい。この場合、半導体素子２１がモールド材で保護されているため、半導体素子２１に影響を与えずにプラズマ処理することができる。その際モールド材として使用する封止樹脂としては、線膨張係数を下げるために多量のシリカフィラーが充填されたエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００４６】
上述の第１及び第２の実施形態においては、剥離層２が形成された支持基板１上に配線層１１及び１２を形成して配線基板としているが、本発明はこれに限定されるものではなく、剥離層２上に配線層以外の層を形成してもよく、その場合も、プラズマ処理により剥離層２上に形成された層を、支持基板１から容易に分離することができる。
【実施例】
【００４７】
以下、本発明の実施例の効果について、本発明の範囲から外れる比較例と比較して説明する。先ず、実施例１の配線基板について説明する。支持基板として、直径が２００ｍｍ、厚さが０．７２５ｍｍのシリコンウエハを用意した。そして、この支持基板上に、スピンコート法により、ＳＢＲの微粒子を含有する樹脂を塗布し、乾燥した後、キュアすることにより、厚さが約２μｍの剥離層を形成した。次に、このＳＢＲの微粒子を含む樹脂からなる剥離層上に、アディティブ法めっきによってパッド及び下層銅配線を形成した。
【００４８】
次に、下層銅配線上に銅めっきによりビアとなるポストを形成した後、全面にエポキシ樹脂からなるドライフィルムをラミネートすると共に、このドライフィルムから銅めっきポストの上部を露出させた。そして、ドライフィルムをキュアし、硬化させることによって、絶縁膜及びビアを形成した。次に、絶縁膜上に、パッド及びビアにより下層配線と電気的に接続された上部銅配線を形成し、これにより、支持基板上に配線層が単層である配線基板を形成した。なお、この時点では、剥離層の密着力が高く、配線層（配線基板）と支持基板とを分離することはできなかった。
【００４９】
次に、配線層が形成された支持基板を、ＣＦ４及び酸素の混合ガス中でプラズマ処理した後、バキュームピンセットにより配線層（配線基板）を上方に引き上げたところ、剥離層と支持基板の界面で剥離が生じ、配線基板と支持基板とを容易に分離することができた。
【００５０】
次に、本発明の実施例２の半導体装置について説明する。本実施例においては、前述の実施例１と同様の材料及び方法で、支持基板上に配線層を形成した後、配線上にフリップチップ法により半導体素子を搭載し、更に、この半導体素子をエポキシ樹脂封止材によりモールディングした。なお、この時点では、剥離層の密着力が高く、配線層（配線基板）と支持基板とを分離することはできなかった。その後、前述の実施例１と同様の方法で、これらをプラズマ処理した後、バキュームピンセットにより配線層（配線基板）を上方に引き上げたところ、剥離層と支持基板の界面で剥離が生じ、配線基板と支持基板とを容易に分離することができた。なお、本発明は前述の実施例１及び実施例２に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【００５１】
次に、本発明の比較例の配線基板について説明する。先ず、支持基板として、直径が２００ｍｍ、厚さが０．７２５ｍｍのシリコンウエハを用意した。そして、この支持基板上に、スピンコート法により、エポキシ樹脂を塗布し、乾燥した後、キュアすることにより、厚さが約２μｍの剥離層を形成した。次に、このエポキシ樹脂からなる剥離層上に、アディティブ法めっきによってパッド及び下層銅配線を形成した。引き続き、下層銅配線上に銅めっきによりビアとなるポストを形成した後、全面にエポキシ樹脂からなるドライフィルムをラミネートすると共に、このドライフィルムから銅めっきポストの上部を露出させた。そして、ドライフィルムをキュアし、硬化させることによって、絶縁膜及びビアを形成した。
【００５２】
次に、絶縁膜上に、パッド及びビアにより下層配線と電気的に接続された上部銅配線を形成し、これにより、支持基板上に配線層が単層である配線基板を形成した。その後、配線層が形成された支持基板を、ＣＦ４及び酸素の混合ガス中でプラズマ処理した後、バキュームピンセットにより配線層（配線基板）を上方に引き上げたところ、配線基板と支持基板とを分離することはできなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、配線層を安定して形成することができると共に、配線層と支持基板とを容易に分離することができるため、半導体インターポーザー等の薄型で高密度の配線基板の製造に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１の実施形態の配線基板を示す断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第１の実施形態の配線基板の製造方法をその工程順に示す断面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態の配線基板の製造方法をその工程順に示す断面図であり、（ａ）は図２（ｄ）の次の工程を示す。
【図４】本発明の第２の実施形態の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１；支持基板
２；樹脂剥離層
３、６、９；配線
４、７；絶縁膜
５、８；ビア
１０；配線基板
１１、１２；配線層
２０；半導体装置
２１；半導体素子
２２；はんだボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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