(57)【要約】【課題】  中間層・対称配置なく高低誘電率層を一体に備える積層セラミック部品及びその製法を提供する。【解決手段】  本部品は、ガラスとフィラーによるεｒ≦１０の低誘電率層とεｒ≧３０の高誘電率層との積層部を備え、ガラスが同一組成系である。低誘電率層ガラス及び高誘電率層ガラスはＢａ２５〜５５質量％、Ｚｎ５〜３０質量％、Ｂ１５〜３５質量％、Ｓｉ５〜３０質量％含有、低誘電率層は３５体積％以下、高誘電率層は４５体積％以下。低誘電率層フィラーは［ｘＣａＯ・ｙＭ１Ｏ・ｚＳｉＯ２］においてＭ１はＭｇ及びＺｎの少なくとも１種、ｘ、ｙ及びｚは図１におけるＡＢ、ＢＣ、ＣＤ及びＤＡに囲まれた領域。高誘電率層フィラーは［ａＢａＯ・ｂＴｉＯ２・ｃＲＥＯ３／２・ｄＢｉＯ３／２］において０．０９≦ａ≦０．１６、０．５４≦ｂ≦０．６２、０．２０≦ｃ≦０．３４、０≦ｄ≦０．１０。【選択図】      図１
2006261351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス及び無機フィラーを含有し比誘電率が１０以下である低誘電率層と、ガラス及び無機フィラーを含有し比誘電率が３０以上である高誘電率層と、が積層された積層部を備え、
該低誘電率層を構成しているガラスと該高誘電率層を構成しているガラスとが同一組成系であることを特徴とする積層セラミック部品。
【請求項２】
上記低誘電率層全体に対して該低誘電率層を構成しているガラスは３５体積％以下である請求項１に記載の積層セラミック部品。
【請求項３】
上記高誘電率層全体に対して該高誘電率層を構成しているガラスは４５体積％以下である請求項１又は２に記載の積層セラミック部品。
【請求項４】
上記低誘電率層を構成している上記ガラス、及び、上記高誘電率層を構成している上記ガラスの各々は、少なくともＢａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉの各元素を含有し、該各元素の酸化物換算合計量を１００質量％とした場合に、該ＢａをＢａＯ換算で２５〜５５質量％、該ＺｎをＺｎＯ換算で５〜３０質量％、該ＢをＢ２Ｏ３換算で１５〜３５質量％、該ＳｉをＳｉＯ２換算で５〜３０質量％、各々含有する請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の積層セラミック部品。
【請求項５】
上記低誘電率層を構成している上記無機フィラーは、組成式（１）［ｘＣａＯ・ｙＭ１Ｏ・ｚＳｉＯ２］（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％である。）で表した場合に下記条件（１）及び条件（２）を満たすアルカリ土類金属元素含有フィラーを主成分とする請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の積層セラミック部品。
条件（１）；上記組成式（１）中の該Ｍ１は、Ｍｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種である。
条件（２）；上記組成式（１）中の該ｘ、該ｙ及び該ｚは、各々の相関を三角図を用いて表した場合に対応する値が、図１における辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡ（点Ａはｘ＝２５、ｙ＝０、ｚ＝７５、点Ｂはｘ＝５、ｙ＝３５、ｚ＝６０、点Ｃはｘ＝３０、ｙ＝４０、ｚ＝３０及び点Ｄはｘ＝６５、ｙ＝０、ｚ＝３５である。）により囲まれた領域内（但し、辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡは全て該領域内に含まれる。）にある。
【請求項６】
上記アルカリ土類金属元素含有フィラーは、ディオプサイド、アケルマナイト、メルウィナイト、クリストバライト、フォルステライト、ワラストナイト、モンチセライト、エンスタタイト、クオーツ及びトリジマイトのうちの少なくとも１種の結晶相を有する請求項１乃至５のうちのいずれかに記載の積層セラミック部品。
【請求項７】
上記高誘電率層を構成している上記無機フィラーは、組成式（３）［ａＢａＯ・ｂＴｉＯ２・ｃＲＥＯ３／２・ｄＢｉＯ３／２］（但し、ＲＥは希土類金属元素であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄはモル比を表し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である。）で表した場合に下記条件（３）を満たす希土類金属元素含有フィラーを主成分とする請求項１乃至６のうちのいずれかに記載の積層セラミック部品。
条件（３）；上記組成式（３）中の該ａは０．０９≦ａ≦０．１６、該ｂは０．５４≦ｂ≦０．６２、該ｃは０．２０≦ｃ≦０．３４、該ｄは０≦ｄ≦０．１０を各々満たす。
【請求項８】
少なくともＢａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉの各元素を含有し、該各元素の酸化物換算合計量を１００質量％とした場合に、該ＢａをＢａＯ換算で２５〜５５質量％、該ＺｎをＺｎＯ換算で５〜３０質量％、該ＢをＢ２Ｏ３換算で１５〜３５質量％、該ＳｉをＳｉＯ２換算で５〜３０質量％、各々含有するガラスと、
組成式（１）［ｘＣａＯ・ｙＭ１Ｏ・ｚＳｉＯ２］（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％である。）で表した場合に下記条件（１）及び条件（２）を満たすアルカリ土類金属元素含有フィラーを主成分とする無機フィラーと、を混合して得られた混合物を成形して未焼成低誘電率シートを形成する未焼成低誘電率シート製造工程、
上記ガラスと、組成式（３）［ａＢａＯ・ｂＴｉＯ２・ｃＲＥＯ３／２・ｄＢｉＯ３／２］（但し、ＲＥは希土類金属元素であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄはモル比を表し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である。）で表した場合に下記条件（３）を満たす希土類金属元素含有フィラーを主成分とする無機フィラーと、を混合して得られた混合物を成形して未焼成高誘電率シートを形成する未焼成高誘電率シート製造工程、
上記未焼成低誘電率シート及び／又は上記未焼成高誘電率シートの表面にＡｇを含有する未焼成導体層を形成する未焼成導体層形成工程、
上記未焼成導体層形成工程を経たのちの上記未焼成低誘電率シートと上記未焼成高誘電率シートとを積層して未焼成積層体を製造する積層工程、並びに、
上記未焼成積層体を８００〜１０５０℃で焼成する焼成工程、を備えることを特徴とする積層セラミック部品の製造方法。
条件（１）；上記組成式中の該Ｍ１は、Ｍｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種である。
条件（２）；上記組成式中の該ｘ、該ｙ及び該ｚは、各々の相関を三角図を用いて表した場合に対応する値が、図１における辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡ（点Ａはｘ＝２５、ｙ＝０、ｚ＝７５、点Ｂはｘ＝５、ｙ＝３５、ｚ＝６０、点Ｃはｘ＝３０、ｙ＝４０、ｚ＝３０及び点Ｄはｘ＝６５、ｙ＝０、ｚ＝３５である。）により囲まれた領域内（但し、辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡは全て該領域内に含まれる。）にある。
条件（３）；上記組成式（３）中の該ａは０．０９≦ａ≦０．１６、該ｂは０．５４≦ｂ≦０．６２、該ｃは０．２０≦ｃ≦０．３４、該ｄは０≦ｄ≦０．１０を各々満たす。
【請求項９】
少なくともＢａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉの各元素を含有し、該各元素の酸化物換算合計量を１００質量％とした場合に、該ＢａをＢａＯ換算で２５〜５５質量％、該ＺｎをＺｎＯ換算で５〜３０質量％、該ＢをＢ２Ｏ３換算で１５〜３５質量％、該ＳｉをＳｉＯ２換算で５〜３０質量％、各々含有するガラスと、
組成式（１）［ｘＣａＯ・ｙＭ１Ｏ・ｚＳｉＯ２］（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％である。）で表した場合に下記条件（１）及び条件（２）を満たすアルカリ土類金属元素含有フィラーを主成分とする無機フィラーと、を混合して得られた混合物を成形して未焼成低誘電率シートを形成する未焼成低誘電率シート製造工程、
上記ガラスと、組成式（３）［ａＢａＯ・ｂＴｉＯ２・ｃＲＥＯ３／２・ｄＢｉＯ３／２］（但し、ＲＥは希土類金属元素であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄはモル比を表し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である。）で表した場合に下記条件（３）を満たす希土類金属元素含有フィラーを主成分とする無機フィラーと、を混合して得られた混合物を成形して未焼成高誘電率シートを形成する未焼成高誘電率シート製造工程、
所定位置及び所定枚数が各々積層されるように、上記未焼成低誘電率シートと上記未焼成高誘電率シートとを積層し、且つ、該積層の間にＡｇを含有する未焼成導体層を印刷形成して未焼成積層体を製造する積層工程、並びに、
上記未焼成積層体を８００〜１０５０℃で焼成する焼成工程、を備えることを特徴とする積層セラミック部品の製造方法。
条件（１）；上記組成式中の該Ｍ１は、Ｍｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種である。
条件（２）；上記組成式中の該ｘ、該ｙ及び該ｚは、各々の相関を三角図を用いて表した場合に対応する値が、図１における辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡ（点Ａはｘ＝２５、ｙ＝０、ｚ＝７５、点Ｂはｘ＝５、ｙ＝３５、ｚ＝６０、点Ｃはｘ＝３０、ｙ＝４０、ｚ＝３０及び点Ｄはｘ＝６５、ｙ＝０、ｚ＝３５である。）により囲まれた領域内（但し、辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡは全て該領域内に含まれる。）にある。
条件（３）；上記組成式（３）中の該ａは０．０９≦ａ≦０．１６、該ｂは０．５４≦ｂ≦０．６２、該ｃは０．２０≦ｃ≦０．３４、該ｄは０≦ｄ≦０．１０を各々満たす。
【請求項１０】
上記アルカリ土類金属元素含有フィラーは、上記各金属元素の酸化物、炭酸塩及び／又は水酸化物を混合したのち１０００〜１３００℃で仮焼して仮焼物を得、次いで、該仮焼物を粉砕して得られる請求項８又は９に記載の積層セラミック部品の製造方法。
【請求項１１】
上記アルカリ土類金属元素含有フィラーは、ディオプサイド、アケルマナイト、メルウィナイト、クリストバライト、フォルステライト、ワラストナイト、モンチセライト、エンスタタイト、クオーツ及びトリジマイトのうちの少なくとも１種の結晶相を有する請求項８乃至１０のうちのいずれかに記載の積層セラミック部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック部品及びその製造方法に関する。更に詳しくは、高誘電率層と低誘電率層とが隣接積層された積層部を備える積層セラミック部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化及び多機能化の要求に伴い、電子機器を構成する電子部品の複合化及び軽薄短小化が進められている。小型化では、基板上に形成する抵抗体及び配線パターンなどをより高密度化する方法やチップ部品をより高密度に集積する方法を用いることができる。しかし、これらの方法では、基板及び部品の小型化には限界があり、更に、高周波においては配線パターンの緻密化によるノイズやライン間容量が生じ易くなり、品質低下が危惧される。
【０００３】
このため、基板内部にコンデンサ及び共振器などを一体的に備える複合積層セラミック部品が注目されている。しかし、これらを一体的に備えるには、高誘電率材料と低誘電率材料とを不具合なく一体焼成する必要がある。しかし、高誘電率材料と低誘電率材料とは、焼結収縮率、焼成収縮挙動及び熱膨張率等の各種特性が大きく異なる材料であり、一体焼成するとクラック、デラミネーション及び反り等の不具合を生じる。
これに対して、高誘電率層と低誘電率層との間に両材料間の性質の差異を緩和するための中間層を設ける方法が下記特許文献１〜４に開示されている。また、高誘電率層を多層基板の厚さ方向に対称に配置する方法が下記特許文献５に開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開昭６３−１３３１８号公報
【特許文献２】特開平７−３１２５１１号公報
【特許文献３】特開平８−３２２４２号公報
【特許文献４】特開平９−９２９７８号公報
【特許文献５】特開平１０−３０８５８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１〜４の方法においては、電子部品の機能発現のためには本来必要のない中間層を形成しなければならない。また、中間層を作成するために工程数及びコストが大幅に増加している。更に、小型化を図る上でも障害となる。また、上記特許文献５のように、高誘電率層を多層基板の厚さ方向に対称に配置する方法では、回路設計のうえで自由度が低下することとなる。
【０００６】
本発明は上記問題を解決するものであり、中間層を設けることなく、対称配置とすることなく、高誘電率層と低誘電率層とを一体的に備える積層セラミック部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、低誘電率材料と高誘電率材料とを一体焼成する上で、各々の材料に用いるガラスを同一組成系とすることで、一体焼成に伴う不具合を大幅に抑制できることを知見し、本発明を完成させた。更に、本発明者らは、所定のガラスを用いた場合に、低誘電率及び高誘電率を各々実現できる所定の無機フィラーを見つけ出し、全く異なる誘電率を発揮しながら同じガラスに対して高いぬれ性を示し、更には、焼成挙動をもほぼ一致させることができる各種無機フィラーを見出し、本発明を完成させた。
【０００８】
即ち、本発明は以下の通りである。
（１）ガラス及び無機フィラーを含有し比誘電率が１０以下である低誘電率層と、ガラス及び無機フィラーを含有し比誘電率が３０以上である高誘電率層と、が積層された積層部を備え、
該低誘電率層を構成しているガラスと該高誘電率層を構成しているガラスとが同一組成系であることを特徴とする積層セラミック部品。
（２）上記低誘電率層全体に対して該低誘電率層を構成しているガラスは３５体積％以下である上記（１）に記載の積層セラミック部品。
（３）上記高誘電率層全体に対して該高誘電率層を構成しているガラスは４５体積％以下である上記（１）又は（２）に記載の積層セラミック部品。
（４）上記低誘電率層を構成している上記ガラス、及び、上記高誘電率層を構成している上記ガラスの各々は、少なくともＢａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉの各元素を含有し、該各元素の酸化物換算合計量を１００質量％とした場合に、該ＢａをＢａＯ換算で２５〜５５質量％、該ＺｎをＺｎＯ換算で５〜３０質量％、該ＢをＢ２Ｏ３換算で１５〜３５質量％、該ＳｉをＳｉＯ２換算で５〜３０質量％、各々含有する上記（１）乃至（３）のうちのいずれかに記載の積層セラミック部品。
（５）上記低誘電率層を構成している上記無機フィラーは、組成式（１）［ｘＣａＯ・ｙＭ１Ｏ・ｚＳｉＯ２］（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％である。）で表した場合に下記条件（１）及び条件（２）を満たすアルカリ土類金属元素含有フィラーを主成分とする上記（１）乃至（４）のうちのいずれかに記載の積層セラミック部品。
条件（１）；上記組成式（１）中の該Ｍ１は、Ｍｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種である。
条件（２）；上記組成式（１）中の該ｘ、該ｙ及び該ｚは、各々の相関を三角図を用いて表した場合に対応する値が、図１における辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡ（点Ａはｘ＝２５、ｙ＝０、ｚ＝７５、点Ｂはｘ＝５、ｙ＝３５、ｚ＝６０、点Ｃはｘ＝３０、ｙ＝４０、ｚ＝３０及び点Ｄはｘ＝６５、ｙ＝０、ｚ＝３５である。）により囲まれた領域内（但し、辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡは全て該領域内に含まれる。）にある。
（６）上記アルカリ土類金属元素含有フィラーは、ディオプサイド、アケルマナイト、メルウィナイト、クリストバライト、フォルステライト、ワラストナイト、モンチセライト、エンスタタイト、クオーツ及びトリジマイトのうちの少なくとも１種の結晶相を有する上記（１）乃至（５）のうちのいずれかに記載の積層セラミック部品。
（７）上記高誘電率層を構成している上記無機フィラーは、組成式（３）［ａＢａＯ・ｂＴｉＯ２・ｃＲＥＯ３／２・ｄＢｉＯ３／２］（但し、ＲＥは希土類金属元素であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄはモル比を表し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である。）で表した場合に下記条件（３）を満たす希土類金属元素含有フィラーを主成分とする上記（１）乃至（６）のうちのいずれかに記載の積層セラミック部品。
条件（３）；上記組成式（３）中の該ａは０．０９≦ａ≦０．１６、該ｂは０．５４≦ｂ≦０．６２、該ｃは０．２０≦ｃ≦０．３４、該ｄは０≦ｄ≦０．１０を各々満たす。
【０００９】
（８）少なくともＢａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉの各元素を含有し、該各元素の酸化物換算合計量を１００質量％とした場合に、該ＢａをＢａＯ換算で２５〜５５質量％、該ＺｎをＺｎＯ換算で５〜３０質量％、該ＢをＢ２Ｏ３換算で１５〜３５質量％、該ＳｉをＳｉＯ２換算で５〜３０質量％、各々含有するガラスと、
組成式（１）［ｘＣａＯ・ｙＭ１Ｏ・ｚＳｉＯ２］（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％である。）で表した場合に下記条件（１）及び条件（２）を満たすアルカリ土類金属元素含有フィラーを主成分とする無機フィラーと、を混合して得られた混合物を成形して未焼成低誘電率シートを形成する未焼成低誘電率シート製造工程、
上記ガラスと、組成式（３）［ａＢａＯ・ｂＴｉＯ２・ｃＲＥＯ３／２・ｄＢｉＯ３／２］（但し、ＲＥは希土類金属元素であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄはモル比を表し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である。）で表した場合に下記条件（３）を満たす希土類金属元素含有フィラーを主成分とする無機フィラーと、を混合して得られた混合物を成形して未焼成高誘電率シートを形成する未焼成高誘電率シート製造工程、
上記未焼成低誘電率シート及び／又は上記未焼成高誘電率シートの表面にＡｇを含有する未焼成導体層を形成する未焼成導体層形成工程、
上記未焼成導体層形成工程を経たのちの上記未焼成低誘電率シートと上記未焼成高誘電率シートとを積層して未焼成積層体を製造する積層工程、並びに、
上記未焼成積層体を８００〜１０５０℃で焼成する焼成工程、を備えることを特徴とする積層セラミック部品の製造方法。
条件（１）；上記組成式中の該Ｍ１は、Ｍｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種である。
条件（２）；上記組成式中の該ｘ、該ｙ及び該ｚは、各々の相関を三角図を用いて表した場合に対応する値が、図１における辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡ（点Ａはｘ＝２５、ｙ＝０、ｚ＝７５、点Ｂはｘ＝５、ｙ＝３５、ｚ＝６０、点Ｃはｘ＝３０、ｙ＝４０、ｚ＝３０及び点Ｄはｘ＝６５、ｙ＝０、ｚ＝３５である。）により囲まれた領域内（但し、辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡは全て該領域内に含まれる。）にある。
条件（３）；上記組成式（３）中の該ａは０．０９≦ａ≦０．１６、該ｂは０．５４≦ｂ≦０．６２、該ｃは０．２０≦ｃ≦０．３４、該ｄは０≦ｄ≦０．１０を各々満たす。
（９）少なくともＢａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉの各元素を含有し、該各元素の酸化物換算合計量を１００質量％とした場合に、該ＢａをＢａＯ換算で２５〜５５質量％、該ＺｎをＺｎＯ換算で５〜３０質量％、該ＢをＢ２Ｏ３換算で１５〜３５質量％、該ＳｉをＳｉＯ２換算で５〜３０質量％、各々含有するガラスと、
組成式（１）［ｘＣａＯ・ｙＭ１Ｏ・ｚＳｉＯ２］（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％である。）で表した場合に下記条件（１）及び条件（２）を満たすアルカリ土類金属元素含有フィラーを主成分とする無機フィラーと、を混合して得られた混合物を成形して未焼成低誘電率シートを形成する未焼成低誘電率シート製造工程、
上記ガラスと、組成式（３）［ａＢａＯ・ｂＴｉＯ２・ｃＲＥＯ３／２・ｄＢｉＯ３／２］（但し、ＲＥは希土類金属元素であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄはモル比を表し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である。）で表した場合に下記条件（３）を満たす希土類金属元素含有フィラーを主成分とする無機フィラーと、を混合して得られた混合物を成形して未焼成高誘電率シートを形成する未焼成高誘電率シート製造工程、
所定位置及び所定枚数が各々積層されるように、上記未焼成低誘電率シートと上記未焼成高誘電率シートとを積層し、且つ、該積層の間にＡｇを含有する未焼成導体層を印刷形成して未焼成積層体を製造する積層工程、並びに、
上記未焼成積層体を８００〜１０５０℃で焼成する焼成工程、を備えることを特徴とする積層セラミック部品の製造方法。
条件（１）；上記組成式中の該Ｍ１は、Ｍｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種である。
条件（２）；上記組成式中の該ｘ、該ｙ及び該ｚは、各々の相関を三角図を用いて表した場合に対応する値が、図１における辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡ（点Ａはｘ＝２５、ｙ＝０、ｚ＝７５、点Ｂはｘ＝５、ｙ＝３５、ｚ＝６０、点Ｃはｘ＝３０、ｙ＝４０、ｚ＝３０及び点Ｄはｘ＝６５、ｙ＝０、ｚ＝３５である。）により囲まれた領域内（但し、辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡは全て該領域内に含まれる。）にある。
条件（３）；上記組成式（３）中の該ａは０．０９≦ａ≦０．１６、該ｂは０．５４≦ｂ≦０．６２、該ｃは０．２０≦ｃ≦０．３４、該ｄは０≦ｄ≦０．１０を各々満たす。
（１０）上記アルカリ土類金属元素含有フィラーは、上記各金属元素の酸化物、炭酸塩及び／又は水酸化物を混合したのち１０００〜１３００℃で仮焼して仮焼物を得、次いで、該仮焼物を粉砕して得られる上記（８）又は（９）に記載の積層セラミック部品の製造方法。
（１１）上記アルカリ土類金属元素含有フィラーは、ディオプサイド、アケルマナイト、メルウィナイト、クリストバライト、フォルステライト、ワラストナイト、モンチセライト、エンスタタイト、クオーツ及びトリジマイトのうちの少なくとも１種の結晶相を有する上記（８）乃至（１０）のうちのいずれかに記載の積層セラミック部品の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の積層セラミック部品によれば、中間層などを設けることなく、また、対称配置とすることなく（積層配置及び平面配置のいずれにおいても対称とする必要がない）、低誘電率層と高誘電率層とを一体的に備える積層セラミック部品とすることができる。このため、工程数少なく効率よく小型の電子部品を得ることができる。また、優れた誘電特性及び焼結性を保持しながら、ガラス含有量を従来に比べて少なくでき、安価に電子部品を得ることができる。
低誘電率層を構成しているガラスが３５体積％以下である場合は、ガラスの使用量が少ないにも関わらず、上記積層セラミック部品の焼結性を保持しつつ、特に低誘電率層の誘電損失を小さくできる。
高誘電率層を構成しているガラスが４５体積％以下である場合は、ガラスの使用量が少ないにも関わらず、上記積層セラミック部品の焼結性を保持しつつ、特に高誘電率層のＱ値を大きくできる。
低誘電率層及び高誘電率層を構成しているガラスが所定のガラスである場合は、特にガラスの使用量を少なくすることができ、更に、層間剥離及び割れのない積層セラミック部品を得ることができる。
低誘電率層を構成している無機フィラーが所定の無機フィラーである場合は、特に前記所定のガラスとの相性がよく、優れた焼結性を示す。
アルカリ土類金属元素含有フィラーが所定の結晶相を有する場合は、特に低誘電率層の誘電損失を小さくできる。
高誘電率層を構成している無機フィラーが所定の無機フィラーである場合は、特に前記所定のガラスとの相性がよく、優れた焼結性を示す。
【００１１】
本発明の製造方法によれば、中間層などを設けることなく、また、対称配置とすることなく（積層配置及び平面配置のいずれにおいても対称とする必要がない）、低誘電率層と高誘電率層とを一体的に備える積層セラミック部品を得ることができる。このため、工程数少なく効率よく小型の電子部品を得ることができる。また、優れた誘電特性及び焼結性を保持しながら、ガラス含有量を従来に比べて少なくでき、安価（ガラスが高価であるため）に電子部品を得ることができる。
本発明の他の製造方法によれば、中間層などを設けることなく、また、対称配置とすることなく（積層配置及び平面配置のいずれにおいても対称とする必要がない）、低誘電率層と高誘電率層とを一体的に備える積層セラミック部品を得ることができる。このため、工程数少なく効率よく小型の電子部品を得ることができる。また、優れた誘電特性及び焼結性を保持しながら、ガラス含有量を従来に比べて少なくでき、安価（ガラスが高価であるため）に電子部品を得ることができる。
アルカリ土類金属元素含有フィラーが１０００〜１３００℃で仮焼してなる仮焼物を粉砕して得られる場合は、特に優れた焼結性を得ることができる。
アルカリ土類金属元素含有フィラーが、所定の結晶相を有する場合は、特に低誘電率層の誘電損失を小さくできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を詳しく説明する。
［１］積層セラミック部品
本発明の積層セラミック部品は、ガラス及び無機フィラーを含有し比誘電率が１０以下である低誘電率層と、ガラス及び無機フィラーを含有し比誘電率が３０以上である高誘電率層と、が積層された積層部を備え、該低誘電率層を構成しているガラスと該高誘電率層を構成しているガラスとが同一組成系であることを特徴とする。
【００１３】
上記「低誘電率層」は、ガラス（以下、単に「低誘電率層構成ガラス」ともいう）及び無機フィラー（以下、単に「低誘電率無機フィラー」ともいう）を含有し比誘電率が１０以下の層である。
上記「ガラス」（低誘電率層構成ガラス）は、後述する高誘電率層を構成しているガラス（以下、単に「高誘電率層構成ガラス」ともいう）と同一組成系のガラスである。この低誘電率層構成ガラスの組成は高誘電率層構成ガラスと同一組成系のものであれば特に限定されない。この「同一組成系」とは、低誘電率層構成ガラスに含まれる元素を含有量（酸化物換算）が多い順に積算した場合に７０質量％を超えるまでに積算される元素種と、高誘電率層構成ガラスについて同様に積算される元素種と、が同一であることをいう。但し、４０質量％を超えるまでに積算される元素種が同一であり、その他に共通して含有される元素種が２種以上あり、且つこれら２種以上の共通する元素種の各々の含有量差が両ガラス間で各々２Ｎ質量％以内（但し、Ｎ；共通する元素種の数）である場合には同一組成系であるものとする。尚、一方のガラスに含有される元素の酸化物換算含有量が２種以上で同じである場合は両元素共、同一組成系を判断するための元素種に含むものとする。また、上記酸化物換算は各元素において最も安定な酸化物によるものとする。
【００１４】
この低誘電率層構成ガラスは、少なくともＢａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉの各元素を含有することが好ましい。更に、これらの各元素の酸化物換算合計量を１００質量％とした場合に、ＢａをＢａＯ換算で２５〜５５質量％、ＺｎをＺｎＯ換算で５〜３０質量％、ＢをＢ２Ｏ３換算で１５〜３５質量％、ＳｉをＳｉＯ２換算で５〜３０質量％、各々含有することが好ましい。即ち、低誘電率層構成ガラスは、組成式（４）［ｋＢａＯ・ｌＺｎＯ・ｍＢ２Ｏ３・ｎＳｉＯ２］｛但し、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは含有割合を表し、ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＝１００（質量％）である。｝で表した場合に、２５≦ｋ≦５５、５≦ｌ≦３０、１５≦ｍ≦３５、５≦ｎ≦３０である。
【００１５】
上記Ｂａは、ＢａＯ換算で２５〜５５質量％であり、好ましくは２０〜５０質量％、より好ましくは３０〜４５質量％である。この範囲では特に焼結性に優れ、誘電損失が小さい。
上記Ｚｎは、ＺｎＯ換算で５〜３０質量％であり、好ましくは７〜２５質量％であり、より好ましくは１０〜２０質量％である。この範囲では特に焼結性に優れる。
上記Ｂは、Ｂ２Ｏ３換算で１５〜３５質量％であり、好ましくは１７〜３３質量％、より好ましくは２０〜３０質量％である。この範囲では特に焼結性に優れ、誘電損失が小さい。
上記Ｓｉは、ＳｉＯ２換算で５〜３０質量％であり、好ましくは７〜２５質量％、より好ましくは１０〜２０質量％である。この範囲では特に焼結性に優れ、誘電損失が小さい。
【００１６】
この低誘電率層構成ガラスは、低誘電率層構成ガラス全体を１００質量％とした場合、Ｂａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉの酸化物換算による合計含有割合は、５０質量％以上（より好ましくは６０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上、特に好ましくは９０質量％以上、１００質量％であってもよい）であることが好ましい。この範囲では、特に緻密な焼結体を低温焼成により得ることができる。
更に、低誘電率層構成ガラスには、上記各元素以外にも他の元素が含有されていてもよい。他の元素としては、アルカリ金属元素（Ｌｉ、Ｎａ及びＫ等）、Ｂａ以外のアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ及びＳｒ等）、その他の金属元素（Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ及びＳｉ等）が挙げられる。但し、この低誘電率層構成ガラスは、低温焼結性能を向上させるＰｂを含有することはできるが、環境保護の観点から含まれないことが好ましい。
【００１７】
また、この低誘電率層構成ガラスのガラス転移点は、５５０℃以下であることが好ましく、より好ましくは５００℃以下である（通常、３５０℃以上）。この範囲ではより低温焼成性に優れる。ガラス転移点は示差熱分析（ＤＴＡ）で測定できる。
【００１８】
更に、この低誘電率層構成ガラスの低誘電率層中の含有量（低誘電率層全体を１００体積％とした場合の低誘電率層構成ガラスの体積割合）は特に限定されないが、５〜３５体積％が好ましく、５〜２５体積％がより好ましく、１０〜２５体積％が更に好ましい。この範囲であれば、８５０〜１０５０℃の低温で焼結でき、更に、誘電損失を小さくできる。即ち、例えば、１０ＧＨｚにおける誘電損失を５×１０−４〜５０×１０−４（更には５×１０−４〜３３×１０−４、特に１５×１０−４〜３３×１０−４）にすることができる。
【００１９】
上記「無機フィラー」（低誘電率無機フィラー）は、低誘電率層全体の比誘電率を１０以下とすることができる無機フィラーであればよく特に限定されない。低誘電率無機フィラーとしては、ＣａＯ・（Ｍｇ，Ｚｎ）Ｏ・ＳｉＯ２系セラミックス｛例えば、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ・ＭｇＯ・ＳｉＯ２系セラミックス、ＣａＯ・ＭｇＯ・（Ｓｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ２系セラミックス等｝等が挙げられる。これらのなかでもＣａＯ・（Ｍｇ，Ｚｎ）Ｏ・ＳｉＯ２系セラミックスが好ましい。低誘電率フィラーは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２０】
上記の各種低誘電率無機フィラーのなかでも、ＣａＯ・（Ｍｇ，Ｚｎ）Ｏ・ＳｉＯ２系セラミックスが好ましく、更には、組成式（１）［ｘＣａＯ・ｙＭ１Ｏ・ｚＳｉＯ２］（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％である。）で表した場合に下記条件（１）及び条件（２）を満たすアルカリ土類金属元素含有フィラーを主成分とする無機フィラーが好ましい。
条件（１）；上記組成式（１）中の該Ｍ１は、Ｍｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種である。
条件（２）；上記組成式（１）中の該ｘ、該ｙ及び該ｚは、各々の相関を三角図を用いて表した場合に対応する値が、図１における辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡ（点Ａはｘ＝２５、ｙ＝０、ｚ＝７５、点Ｂはｘ＝５、ｙ＝３５、ｚ＝６０、点Ｃはｘ＝３０、ｙ＝４０、ｚ＝３０及び点Ｄはｘ＝６５、ｙ＝０、ｚ＝３５である。）により囲まれた領域内（但し、辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡは全て該領域内に含まれる。）にある。
【００２１】
上記組成式（１）におけるｘは、アルカリ土類金属元素含有フィラーに含有されるＣａＯとＭ１ＯとＳｉＯ２との合計を１００モル％とした場合のＣａＯの割合を表す。このｘは、５〜６５モル％であり、１０〜５５モル％が好ましく、１０〜４５モル％がより好ましい。この範囲では特に焼結性が良好である。
【００２２】
また、組成式（１）中のＣａＯは、ＳｒＯ及び／又はＢａＯにより、その一部が置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。置換されている場合は、この置換量は、通常、ＣａＯとＳｒＯとＢａＯとの合計を１００モル％とした場合に、ＳｒＯとＢａＯとの合計が２５モル％以下である。この範囲であれば、アルカリ土類金属元素含有フィラー中において結晶に固溶され、結晶量を増大させ、誘電損失を小さく保つことができる。これらのうち、ＳｒＯのみが含有される場合、ＣａＯとＳｒＯとの合計を１００モル％とした場合に、ＳｒＯは０モル％を超えて２５モル％以下が好ましく、０モル％を超えて２０モル％以下が好ましい。更に、ＢａＯのみが含有される場合、ＣａＯとＢａＯとの合計を１００モル％とした場合に、ＢａＯは０モル％を超えて２５モル％以下が好ましく、０モル％を超えて１５モル％以下が好ましい。
【００２３】
更に、上記組成式（１）中のｙは、アルカリ土類金属元素含有フィラーに含有されるＣａＯとＭ１ＯとＳｉＯ２との合計を１００モル％とした場合のＭ１Ｏの割合を表す。このｙは、０〜４０モル％であり、５〜３５モル％が好ましく、１０〜３５モル％がより好ましい。この範囲では特に焼結性が良好である。
この組成式（１）中のＭ１は、Ｍｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種である。即ち、アルカリ土類金属元素含有フィラーにはＭｇＯのみが含有されてもよく、ＺｎＯのみが含有されてもよく、ＭｇＯ及びＺｎＯの両方が含有されてもよい。これらのなかでは、ＭｇＯのみ、又は、ＭｇＯ及びＺｎＯが好ましく、ＭｇＯのみがより好ましい。
【００２４】
また、上記組成式（１）中のｚは、アルカリ土類金属元素含有フィラーに含有されるＣａＯとＭ１ＯとＳｉＯ２との合計を１００モル％とした場合のＳｉＯ２の割合を表す。このｚは、３０〜７５モル％であり、３５〜７０モル％が好ましく、３５〜６５モル％がより好ましい。この範囲では特に焼結性が良好である。
【００２５】
上記組成式（１）中のＳｉＯ２は、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２のうちの少なくとも１種により置換されていてもよく、置換されていてなくてもよい。置換されている場合は、ＳｉＯ２とＳｎＯ２とＴｉＯ２とＺｒＯ２との合計を１００モル％とした場合に、ＳｎＯ２とＴｉＯ２とＺｒＯ２との合計は１０モル％以下である。この範囲であれば誘電損失を十分に低く保つことができる。
【００２６】
更に、このアルカリ土類金属元素含有フィラーは、上記各元素以外にも他の金属元素を含有してもよく、含有しなくてもよい。他の金属元素を含有する場合、この金属元素としては、Ａｌ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍｎ及びＣｏが挙げられる。これらは、１種のみを含有してもよく、２種以上を含有してもよい。
【００２７】
更に、このアルカリ土類金属元素含有フィラーは、通常、ガラスの母相内に分散されて存在している。アルカリ土類金属元素含有フィラー自体は、通常、結晶相と非結晶相とを有する。このうち、結晶相として、ディオプサイド｛（Ｄｉｏｐｓｉｄｅ）、組成例ＣａＭｇ［Ｓｉ２Ｏ６］｝、アケルマナイト｛（Ａｋｅｒｍａｎｉｔｅ）、組成例Ｃａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７｝、メルウィナイト｛（Ｍｅｒｗｉｎｉｔｅ）、組成例Ｃａ３Ｍｇ（ＳｉＯ４）２｝｝、クリストバライト｛（Ｃｒｉｓｔｏｂａｌｉｔｅ）、組成例ＳｉＯ２｝、フォルステライト｛（Ｆｏｒｓｔｅｒｉｔｅ）、組成例（Ｍｇ２［ＳｉＯ４］）｝、ワラストナイト｛（Ｗｏｌｌａｓｔｏｎｉｔｅ）、組成例（Ｃａ３［Ｓｉ３Ｏ９］）｝、モンチセライト｛（Ｍｏｎｔｉｃｅｌｌｉｔｅ）、組成例（ＣａＭｇＳｉＯ４）｝、エンスタタイト｛（ｅｎｓｔａｔｉｔｅ）、組成例（ＭｇＳｉＯ３）｝、クオーツ｛（Ｑｕａｒｔｚ）、組成例ＳｉＯ２｝及びトリジマイト｛（Ｔｒｙｄｉｍｉｔｅ）、組成例ＳｉＯ２｝のうちの少なくとも１種を有することが好ましい。これらのなかでも、特にディオプサイド、ワラストナイト、アケルマナイト、フォルステライト、エンスタタイト及びメルウィナイトのうちの少なくとも１種が好ましく、ディオプサイド、ワラストナイト、アケルマナイト、フォルステライト及びエンスタタイトのうちの少なくとも１種がより好ましい。
また、これらの結晶相は主結晶相であることが好ましい。即ち、例えば、これらの結晶相はアルカリ土類金属元素含有フィラー全体を１００質量％とした場合に、合計で５０質量％以上（より好ましくは６０質量％以上、１００質量％であってもよい）含有されることが好ましい。この範囲では低温焼結性が特に優れている。
【００２８】
また、これらの各結晶相は、予め得られたアルカリ土類金属元素含有フィラー中に析出されている結晶相であることが好ましい。即ち、低誘電率層では、予め得られたアルカリ土類金属元素含有フィラーを主成分とする低誘電率無機フィラーを低誘電率層構成ガラスと混合して焼成して得ることができる。即ち、ＣａＯ・Ｍ１Ｏ・ＳｉＯ２系ガラスから焼成過程の温度を細かく制御しながら所定の結晶相を析出させる必要がなく、低誘電率無機フィラー自体のコストを大幅に抑制できる。
【００２９】
また、低誘電率層は、上記アルカリ土類金属元素含有フィラーを主成分とする低誘電率無機フィラーを含有することにより、少ないガラス含有量であっても、誘電損失を小さく抑えることができる。更に、低誘電率層構成ガラスの含有量を少なく抑えつつも優れた誘電特性を発揮させることができるために、安価に優れた積層セラミック部品を得ることができる。
また、上記ｘが１５〜６５モル％であり、上記ｙが０〜３５モル％であり、且つ、上記ｚが３５〜７５モル％である場合には、１０ＧＨｚにおける比誘電率が５〜１０であり、特に誘電損失が小さい（即ち、例えば、５×１０−４〜５０×１０−４）低誘電率層とすることができる。即ち、図２に示すように、辺ＡＥ、辺ＥＦ、辺ＦＤ及び辺ＤＡ（点Ｅはｘ＝１５、ｙ＝３５、ｚ＝５０、点Ｆはｘ＝３５、ｙ＝３０、ｚ＝３５である。）により囲まれた領域内（辺ＡＥ、辺ＥＦ、辺ＦＤ及び辺ＤＡは全て上記領域内に含まれる。）に上記ｘ、ｙ及びｚが含まれる場合である。
【００３０】
また、アルカリ土類金属元素含有フィラーは、上記低誘電率無機フィラー中に含有される主成分である。アルカリ土類金属元素含有フィラーの低誘電率無機フィラー中における含有量は特に限定されないが、通常、低誘電率無機フィラー全体を１００質量％とした場合に５０質量％を超える。この含有量は７０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましく、９０質量％以上であることが特に好ましい。更に、低誘電率無機フィラーは全てアルカリ土類金属元素含有フィラーであってもよい（即ち、アルカリ土類金属元素含有フィラーが１００質量％である。）。アルカリ土類金属元素含有フィラーが５０質量％以下であると低温焼結性が低下する傾向にある。
【００３１】
更に、低誘電率層では、上記低誘電率無機フィラーとして、上記アルカリ土類金属元素含有フィラー以外にも他の低誘電率無機フィラーを含有してもよく、他の低誘電率無機フィラーを含有しなくてもよい。他の低誘電率無機フィラーとしては、アルミナからなるアルミナフィラー、チタン酸カルシウム、ムライト、コーディエライト及びタルク等などからなる各種フィラーが挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのうちでも、アルミナフィラーが好ましい。これらの他の低誘電率無機フィラーは、上記アルカリ土類金属元素含有フィラーを主成分とする範囲（即ち、低誘電率無機フィラー全体の５０質量％以下）で含有することができる。
【００３２】
この低誘電率層では、ＪＩＳ  Ｒ１６４１に準ずる平行導体板型誘電体共振器法による１０ＧＨｚにおける比誘電率を１５以下とすることができる。更に、比誘電率を１２以下とすることができ、特に１０以下とすることができる。但し、比誘電率は、通常、５以上である。また、同法による１０ＧＨｚにおける誘電損失を１００×１０−４以下（通常、５×１０−４以上）とすることができる。更に、誘電損失を５０×１０−４以下（通常、５×１０−４以上）とすることができ、４５×１０−４以下とすることができ、特に４０×１０−４以下とすることができ、とりわけ３５×１０−４以下とすることができる。
【００３３】
上記「高誘電率層」は、高誘電率層構成ガラス及び無機フィラー（以下、単に「高誘電率無機フィラー」ともいう）を含有し比誘電率が３０以上の層である。
上記「ガラス」（高誘電率層構成ガラス）は、前記低誘電率層構成ガラスをそのまま適用できる。但し、両ガラスは、完全に同一のガラスであってもよく、前記同一組成系の範囲内で異なるガラスであってもよい。
【００３４】
この高誘電率層構成ガラスの高誘電率層中の含有量（高誘電率層全体を１００体積％とした場合の高誘電率層構成ガラスの体積割合）は特に限定されないが、５〜４５体積％が好ましく、５〜３５体積％がより好ましく、１０〜３０体積％が更に好ましい。この範囲であれば、８５０〜１０５０℃の低温で焼結でき、更に、特に高いＱ値を得ることができる。
また、高誘電率層構成ガラスの含有量は、上記範囲で調整することにより、高誘電率層の誘電特性、特にεｒ及びτｆを調整できる。εｒは高誘電率層構成ガラスの含有量の減少に伴い大きくでき、高誘電率層構成ガラスの含有量の増加に伴い小さくできる。また、τｆの絶対値は、高誘電率層構成ガラスの含有量の減少に伴い大きくでき、高誘電率層構成ガラスの含有量の増加に伴い小さくできる。
【００３５】
また、前記低誘電率層構成ガラスの低誘電率層中の含有量と、この高誘電率層構成ガラスの高誘電率層中の含有量との差は、１５体積％以下（より好ましくは０〜１２体積％、更に好ましくは０〜１０体積％）であることが好ましい。この範囲であれば、異種材料間での割りかけの違いによる大きな段差を発生することなく焼成することができる。
【００３６】
上記「無機フィラー」（高誘電率無機フィラー）は、高誘電率層全体の比誘電率を３０以上とすることができる無機フィラーであればよく特に限定されない。高誘電率無機フィラーとしては、ＢａＯ・ＴｉＯ２・ＲＥＯ３／２・ＢｉＯ３／２系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックスなどが挙げられる。これらのなかでも、ＢａＯ・ＴｉＯ２・ＲＥＯ３／２・ＢｉＯ３／２系セラミックスが好ましい。このセラミックスを用いた場合には特に焼成による不具合を生じ難いからである。これらの高誘電率無機フィラーは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。更に、ＢａＯ・ＴｉＯ２・ＲＥＯ３／２・ＢｉＯ３／２系セラミックスに含まれる希土類元素ＲＥの種類は特に限定されないが、例えば、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｌａ、Ｃｅ及びＰｒ等を用いることができる。これらのなかでもＮｄ、Ｓｍ及びＧｄが好ましい。高いεｒ及びＱ値を維持したまま、τｆの絶対値を０に近づけることができるからである。これらのＲＥは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３７】
このＢａＯ・ＴｉＯ２・ＲＥＯ３／２・ＢｉＯ３／２系セラミックスのなかでも、高誘電率無機フィラーは、組成式（３）［ａＢａＯ・ｂＴｉＯ２・ｃＲＥＯ３／２・ｄＢｉＯ３／２］（但し、ＲＥは希土類金属元素であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄはモル比を表し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である。）で表した場合に、ａ〜ｄの各々が０．０９≦ａ≦０．１６、０．５４≦ｂ≦０．６２、０．２０≦ｃ≦０．３４、０≦ｄ≦０．１０を満たす希土類金属元素含有フィラーを主成分とすることがより好ましい。
【００３８】
更に、上記組成式（３）における上記ａは、０．１０≦ａ≦０．１５が好ましく、０．１１≦ａ≦０．１５がより好ましい。この範囲であれば焼結性がよく、τｆの絶対値が特に小さい。また、上記ｂは、０．５５≦ｂ≦０．６１が好ましく、０．５６≦ｂ≦０．５９がより好ましい。この範囲であれば高誘電率層のＱ値が特に大きく、τｆの絶対値が特に小さい。更に、上記ｃは、０．２４≦ｃ≦０．３３が好ましく、０．２４≦ｃ≦０．３２がより好ましい。この範囲であれば焼結性がよく、Ｑ値が特に大きい。また、上記ｄは、０．０２≦ｄ≦０．０８が好ましく、０．０４≦ｄ≦０．０７がより好ましい。この範囲であればεｒが特に大きい。
【００３９】
この高誘電率層では、平行導体板型誘電体共振器法による測定周波数１〜５ＧＨｚのεｒは３０以上、特に４０以上、更には５０〜７０とすることができる。また、同様に測定したＱ値と共振周波数ｆと積ｆ・Ｑは、１５００ＧＨｚ以上、更には２０００ＧＨｚ以上、特に２５００ＧＨｚ以上とすることができる。更に、同様に測定したτｆ（温度範囲；２５〜８０℃）の絶対値は４０ｐｐｍ／℃以下、更には３０ｐｐｍ／℃以下、特に２０ｐｐｍ／℃以下とすることができる。
【００４０】
また、本積層セラミック部品では、上記低誘電率層と高誘電率層との積層は、両層が直接接した積層であってもよく、他の層を介した積層であってもよいが、通常、直接接して積層されている。但し、直接接する面積の割合は特に限定されないが、例えば、互いに対峙した両層の主面（低誘電率層の主面と高誘電率層の主面）のうち、より主面面積が小さい側の層において、他層（低誘電率層又は高誘電率層）との接触面積が主面総面積に対して５％以上（好ましくは２５％以上、１００％であってもよい）である。この低誘電率層と高誘電率層との間に介在層を有する場合、介在層は、通常、厚さ３０μｍ以下の層である。この介在層としては、導体層及びその他のセラミック層（同一組成系ではない低誘電率層、同一組成系ではない高誘電率層など）等が挙げられる。
上記「積層部」は、少なくとも低誘電率層と高誘電率層とを備え、これらが隣接して積層されてなる部位である。この積層部は、積層セラミック部品の一部であってもよく、積層セラミック部品の全体であってもよい。
【００４１】
本発明の積層セラミック部品では、低誘電率層及び高誘電率層以外にも他の部分を備えることができる。他の部分としては、導体層が挙げられる。導体層は、低誘電率層の表面、及び／又は、高誘電率層の表面等に配置することができる。この導体層を構成する導体金属は特に限定されず、電子部品分野において導電性を発揮できる金属及びその合金などを使用できる。このような導体金属としては、例えば、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｕ等、並びに、これらの合金が挙げられる。即ち、例えば、導体層は導体層全体を１００質量％とした場合にＡｇを８０質量％以上（更には９０質量％以上、１００質量％であってもよい）含有する導体層を用いることができる。
【００４２】
本発明の「積層セラミック部品」としては、コンデンサ及び／又は共振器とインダクタとを一体的に備える積層セラミック部品、コンデンサ及び／又は共振器とインダクタとバランとを一体的に備える積層セラミック部品、セラミック基板内にコンデンサを一体的に備える積層セラミック部品、セラミック基板内に共振器を一体的に備える積層セラミック部品、等が挙げられる。コンデンサ及び共振器等は小型化のために高誘電率材料が必要となる。これに対して、インダクタ等は浮遊容量の低減や特性インピーダンスの調整のために低誘電率材料が必要となる。従って、これらを一体的に備えるためには積層セラミック部品内に誘電特性の異なる誘電材料を２種以上用いる必要がある。
【００４３】
本発明の積層セラミック部品の具体例を図３を用いて説明する。
図３は、本発明の積層セラミック部品(100)の一例を示す分解斜視図である。この積層セラミック部品(100)は、バランの機能を一体的に備えるフィルタである。即ち、各種導体を介して積層された３層の低誘電率層（焼成されて一体化されている）からなる下部バラン部(B1)と、各種導体を介して積層された４層の高誘電率層（焼成されて一体化されている）からなるフィルタ部(F)と、各種導体を介して積層された４層の低誘電率層（焼成されて一体化されている）からなる上部バラン部(B2)と、を備える。これら各部は未焼成段階で積層成形されたのち一体に焼成されてなる。
【００４４】
また、下部バラン部(B1)は、外部接続用導体(111、図示せず)及び接地用導体(112)を備える低誘電率層(11)と、共振器用導体(121)を備える低誘電率層(12)と、共振器用導体(131)を備える低誘電率層(13)とが積層されてなる。
【００４５】
更に、フィルタ部(F)は、接地用導体(141)を備える高誘電率層(14)と、キャパシタ用導体(151及び152)を備える高誘電率層(15)と、共振器インダクタンス兼用導体(161及び163)及び共振器用導体(162)を備える高誘電率層(16)と、接地用導体(171)を備える高誘電率層(17)と、が積層されてなる。
【００４６】
また、上部バラン部(B2)は、共振器インダクタンス兼用電極(163)と共振器用導体(191)とを接続するための接続用導体(181)を備える低誘電率層(18)と、共振器用導体(191)を備える低誘電率層(19)と、共振器用導体(201)を備える低誘電率層(20)と、接地用導体(211)を備える低誘電率層(21)とが積層されてなる。
【００４７】
尚、図３中に示す点線は各導体間の電気的な接続を示す。即ち、下部バラン部(B1)の接地用導体(112)と共振器用導体(121)と、上部バラン部(B2)の接地用導体(211)と共振器用導体(201)と、及び、上部バラン部(B2)の接続用導体(181)と共振器用導体(191)と、は各々スルーホール導体（図示せず）により接続されている。また、下部バラン部(B1)の共振器用導体(131)と上部バラン部(B2)の共振器用導体(191)と、及び、フィルタ部(F)の共振器インダクタンス兼用導体(163)と上部バラン部(B2)の接続用導体(181)と、は各々本積層セラミック部品の外側に形成された各外部導体（図示せず）により接続されている。
【００４８】
［２］積層セラミック部品の製造方法（１）
本発明の製造方法は、未焼成低誘電率シート製造工程、未焼成高誘電率シート製造工程、未焼成導体層形成工程、積層工程、並びに、焼成工程、を備えることを特徴とする。
上記「未焼成低誘電率シート製造工程」は、所定組成のガラスと、アルカリ土類金属元素含有フィラーを主成分とする無機フィラーと、を混合して得られた混合物を成形して未焼成低誘電率シートを形成する工程である。
【００４９】
上記「ガラス」は、少なくともＢａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉの各元素を含有し、各元素の酸化物換算合計量を１００質量％とした場合に、ＢａをＢａＯ換算で２５〜５５質量％、ＺｎをＺｎＯ換算で５〜３０質量％、ＢをＢ２Ｏ３換算で１５〜３５質量％、ＳｉをＳｉＯ２換算で５〜３０質量％、各々含有するガラスである。このガラスについては、前記積層セラミック部品における同様の低誘電率層構成ガラスをそのまま適用できる。
【００５０】
また、用いる低誘電率層構成ガラスは、通常、粉末状である。この低誘電率層構成ガラス粉末の粒径等は特に限定されないが、その中心粒径が０．１〜３．０μｍ（より好ましくは０．１〜２．０μｍ、更に好ましくは０．１〜１．５μｍ）であることが好ましい。この範囲ではより低温焼結性に優れる。
【００５１】
上記「無機フィラー」は、組成式（１）［ｘＣａＯ・ｙＭ１Ｏ・ｚＳｉＯ２］（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％である。）で表した場合に下記条件（１）及び条件（２）を満たすアルカリ土類金属元素含有フィラーを主成分とする無機フィラーである。
条件（１）；上記組成式中の該Ｍ１は、Ｍｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種である。
条件（２）；上記組成式中の該ｘ、該ｙ及び該ｚは、各々の相関を三角図を用いて表した場合に対応する値が、図１における辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡ（点Ａはｘ＝２５、ｙ＝０、ｚ＝７５、点Ｂはｘ＝５、ｙ＝３５、ｚ＝６０、点Ｃはｘ＝３０、ｙ＝４０、ｚ＝３０及び点Ｄはｘ＝６５、ｙ＝０、ｚ＝３５である。）により囲まれた領域内（但し、辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡは全て該領域内に含まれる。）にある。
この無機フィラーについては、前記積層セラミック部品における同様の低誘電率無機フィラーをそのまま適用できる。
【００５２】
この無機フィラーのうち、アルカリ土類金属元素含有フィラーの製造方法は特に限定されないが、各金属元素の酸化物、炭酸塩及び／又は水酸化物を混合したのち１０００〜１３００℃で仮焼して仮焼物を得、次いで、この仮焼物を粉砕して得ることが好ましい。
即ち、各金属元素とは、無機フィラーに含有させる所定の全ての元素であり、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍｎ及びＣｏ等のうちの少なくともＣａ及びＳｉである。また、各元素は酸化物、炭酸塩及び水酸化物以外の他の化合物（例えば、塩化物など）を用いてもよいが、通常、酸化物、炭酸塩及び／又は水酸化物を用いる。各元素の酸化物、炭酸塩及び水酸化物が２種以上存在する場合は、このうちの１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、各化合物には、上記元素のうちの１種のみが含有されてもよく、２種以上が含有されてもよい。
【００５３】
上記仮焼とは、１０００〜１３００℃の仮焼温度で上記混合により得られた混合物を加熱することをいう。この仮焼温度は１１００〜１３００℃が好ましく、１１５０〜１２５０℃が特に好ましい。仮焼温度が１０００℃未満ではアルカリ土類金属元素含有フィラーの析出が十分に得られ難く、１３００℃を超えると得られる仮焼物の粉砕が困難となる傾向にある。また、仮焼時間は特に限定されないが、通常、１時間以上（好ましくは２〜５時間、通常、８時間以下）である。
更に、この仮焼により、アルカリ土類金属元素含有フィラーは、ディオプサイド、アケルマナイト、メルウィナイト、クリストバライト、フォルステライト、ワラストナイト、モンチセライト、エンスタタイト、クオーツ及びトリジマイトのうちの少なくとも１種の結晶相（特に主結晶相）を有するものとすることができる。これらのなかでも、特にディオプサイド、ワラストナイト、アケルマナイト、フォルステライト、エンスタタイト及びメルウィナイトのうちの少なくとも１種が好ましく、ディオプサイド、ワラストナイト、アケルマナイト、フォルステライト及びエンスタタイトのうちの少なくとも１種がより好ましい。
【００５４】
アルカリ土類金属元素含有フィラーは、どのような方法により得られたものを用いてもよい。即ち、例えば、所定の元素を含有するガラスを加熱温度を細かく制御しながら、ガラスから結晶相としてアルカリ土類金属元素含有フィラーを析出させて得ることができる。この方法は、非常にコスト高である。これに対して、アルカリ土類金属元素含有フィラーは、上記仮焼により極めて簡便に得ることができ、低コストで所望のフィラーが得られる。また、得られたアルカリ土類金属元素含有フィラーはガラスとの濡れ性、特にＢａＯ・ＺｎＯ・Ｂ２Ｏ３・ＳｉＯ２系ガラスとの濡れ性に優れており、少ないガラス量であっても低温で焼結できる。更に、得られたアルカリ土類金属元素含有フィラーはガラスを伴った最終焼成においても主結晶相の結晶相を大きく変えることなく焼成できる。
【００５５】
上記「混合」は、ガラスと無機フィラーとを混合する工程である。この混合を行う際は、通常、ガラス及び無機フィラーは粉末状である。また、バインダ、溶剤、可塑剤及び／又はその他の添加剤などを更に混合することができる。
バインダとしては、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、セルロース誘導体、ポリアミド、ポリペプチド、ポリイミド、ポリスチレン及びポリビニルアルコール等が挙げられる。バインダは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族溶剤、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン類、及びエタノール、ブタノール、イソプロパノール、ブチルカルビトール等のアルコール類などが挙げられる。溶剤は１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
更に、可塑剤及び各種の添加剤等が含有されていてもよい。可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジエチルフタレート、ブチルベンジルフタレート、２−エチルヘキシルフタレート、ジオクチルアジペート及び２−エチルヘキシルアジペート等が挙げられる。可塑剤は１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。更に、添加剤としては、着色剤、レベリング剤、消泡剤及び分散剤等が挙げられる。添加剤は１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５６】
上記「成形」は、上記混合により得られたガラスと無機フィラーとを含有する混合物をシート状にすることである。成形方法は特に限定されないが、ドクターブレード法及びスリップキャスト法等の方法により成形することができる。その後、更に、シート状の成形体は、乾燥させて溶剤を除去することができる。
【００５７】
上記「未焼成高誘電率シート製造工程」は、所定組成のガラスと、希土類金属元素含有フィラーを主成分とする無機フィラーと、を混合して得られた混合物を成形して未焼成高誘電率シートを形成する工程である。
上記「ガラス」は、前記未焼成低誘電率シート製造工程で用いるガラスをそのまま適用できる。但し、上記ガラスの範囲内であれば、未焼成低誘電率シート構成ガラスと未焼成高誘電率シート構成ガラスとは同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００５８】
上記「無機フィラー」は、組成式（３）［ａＢａＯ・ｂＴｉＯ２・ｃＲＥＯ３／２・ｄＢｉＯ３／２］（但し、ＲＥは希土類金属元素であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄはモル比を表し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である。）で表した場合に下記条件（３）を満たす希土類金属元素含有フィラーを主成分とする無機フィラーである。
条件（３）；上記組成式（３）中の該ａは０．０９≦ａ≦０．１６、該ｂは０．５４≦ｂ≦０．６２、該ｃは０．２０≦ｃ≦０．３４、該ｄは０≦ｄ≦０．１０を各々満たす。
この無機フィラーについては、前記積層セラミック部品における同様の高誘電率無機フィラーをそのまま適用できる。
上記「混合」及び上記「成形」については、上記未焼成低誘電率シート製造工程における各々をそのまま適用できる。
【００５９】
上記「未焼成導体層形成工程」は、未焼成低誘電率シート及び／又は未焼成高誘電率シートの表面にＡｇを含有する未焼成導体層を形成する工程である。
未焼成導体層の形成方法は特に限定されないが、例えば、Ａｇ粉末、バインダ及び溶剤等含有する未焼成導体層用スラリーを調製し、この未焼成導体層用スラリーを未焼成低誘電率シート及び／又は未焼成高誘電率シートの表面にスクリーン印刷することにより形成することができる。また、未焼成導体層は、未焼成低誘電率シートの表裏面の一方の表面のみであってもよく、両面であってもよい。また、各表面の一部を覆うものであってもよく、全部を覆うものであってもよい。未焼成高誘電率シートの表面においても同様である。
更に、未焼成導体層には、Ａｇが含有される。このＡｇの含有量は特に限定されないが、焼成後の導体層全体を１００質量％とした場合にＡｇが８０質量％以上（更には９０質量％以上、１００質量％であってもよい）含有されるものであることが好ましい。この未焼成導体層には、Ａｇ以外にも他の金属が含有されていてもよい。他の金属としては、Ｃｕ及びＡｕ等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６０】
上記「積層工程」は、未焼成導体層形成工程を経たのちの未焼成低誘電率シートと未焼成高誘電率シートとを積層して未焼成積層体を製造する工程である。この積層方法は特に限定されず、加熱を行ってもよく、加熱を行なわなくてもよい。また、加圧してもよく、加圧しなくてもよい。これらのなかでは、加熱圧着が好ましい。
【００６１】
上記「焼成工程」は、未焼成積層体を８００〜１０５０℃で焼成する工程である。この焼成温度は８００〜９５０℃が好ましく、８５０〜９５０℃がより好ましい。８００℃未満では、積層セラミック部品を十分に緻密に焼結することが困難となる場合がある。一方、１０５０℃を超える高温で焼成することもできるが、低融点導体との同時焼成は困難となる傾向にある。焼成雰囲気も特に限定されず、大気雰囲気、不活性雰囲気、還元雰囲気及び湿潤雰囲気等を用いることができる。
【００６２】
本製造方法では、上記未焼成低誘電率シート製造工程、上記未焼成高誘電率シート製造工程、上記未焼成導体層形成工程、上記積層工程、及び、上記焼成工程、以外にも他の工程を備えることができる。他の工程としては、例えば、脱脂工程が挙げられる。即ち、未焼成低低誘電率シート及び／又は未焼成高誘電率シートにバインダ及び可塑剤等が含有される場合などには、焼成工程前に脱脂工程を行うことができる。脱脂工程の加熱温度は特に限定されないが、例えば、１５０〜５００℃とすることができる。また、脱脂工程における加熱雰囲気も特に限定されず、前記焼成雰囲気と同様の雰囲を用いることができる。尚、この脱脂工程は、焼成工程と連続的に行ってもよく、別工程で行ってもよい。
【００６３】
［３］積層セラミック部品の製造方法（２）
本発明の他の製造方法は、未焼成低誘電率シート製造工程、未焼成高誘電率シート製造工程、積層工程、並びに、焼成工程、を備えることを特徴とする。
上記「未焼成低誘電率シート製造工程」、上記「未焼成高誘電率シート製造工程」及び上記「焼成工程」は前記製造方法における各工程をそのまま適用できる。
上記「積層工程」は、所定位置及び所定枚数が各々積層されるように、未焼成低誘電率シートと未焼成高誘電率シートとを積層し、且つ、この積層の間にＡｇを含有する未焼成導体層を印刷形成して未焼成積層体を製造する工程である。この工程における未焼成導体層の形成方法については、特に限定されないが、前記製造方法における未焼成導体層形成工程における方法をそのまま用いることができる。
【００６４】
本方法では、前記方法における未焼成導体の成形を積層工程で行う点において異なっている。即ち、前記方法では、予め未焼成導体層を各未焼成低誘電率シート及び未焼成高誘電率シートの表面に形成し、積層工程では、未焼成導体層が形成された未焼成低誘電率シート及び未焼成高誘電率シートを一括して積層するものである。これに対して、本方法では、積層工程において、未焼成低誘電率シート及び未焼成高誘電率シートを積層しながら、その都度、必要な部位に未焼成導体層を形成する方法である。
【実施例】
【００６５】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
［１］積層セラミック部品
（１）低誘電率層構成ガラス及び高誘電率層構成ガラス
表１の質量割合に調整された市販のガラス粉末Ｇ１及びＧ２を用意した。
このＧ１とＧ２とは本発明にいう同一組成系ではないガラスである。即ち、Ｇ１に含まれる元素を表１に示す酸化物換算含有量により多い順に積算した場合に７０質量％を超えるまでに積算される元素種は、「Ｂａ、Ｂ、Ｚｎ及びＳｉ」の４種である。対してＧ２について同様に積算した場合に７０質量％を超えるまでに積算される元素種は、「Ｂ、Ｚｎ及びＳｉ」の３種である。「Ｂ、Ｚｎ及びＳｉ」の３種の元素については共通しているが、Ｇ１とＧ２において「Ｂａ」が共通しないために同一組成系ではない。また、各々のガラスのガラス転移温度及び中心粒径を表１に併記した。
【００６６】
【表１】
2006261351.tif 000003
【００６７】
（２）低誘電率無機フィラーの調製
市販の各ＣａＣＯ３粉末（純度；９９％以上）、ＭｇＯ粉末（純度；９９．６％）及びＳｉＯ２粉末（純度；９９％以上）を用い、前記組成式（１）に含まれる係数ｘ、ｙ及びｚの各々が表２に示す値となるように、秤量した。その後、各粉末をエタノールを媒体として湿式混合した。次いで、得られた混合粉末を大気雰囲気において１２００℃で２時間仮焼した。その後、仮焼物に分散剤、バインダ及びエタノールを加え、ボールミルを用いて粉砕し、スラリー状の低誘電率無機フィラーを４種類得た。
【００６８】
（３）未焼成低誘電率シートの製造
上記（１）で用意したガラスと、上記（２）で得られた各低誘電率無機フィラーと、を表２に示す体積割合で混合し、得られた混合スラリーを用いてドクターブレード法により厚さ１２０μｍの未焼成低誘電率シート（実験例Ｌ１〜Ｌ４）を作製した。
【００６９】
（４）低誘電率層の単独特性評価用試験片の製造、及び、その特性評価
上記（３）で得られた混合スラリーを乾燥させて造粒し、φ１９ｍｍの金型を用いて、２０ＭＰａで一軸プレスにより円柱状に成形した。次いで、１５０ＭＰａの圧力でＣＩＰ（冷間等方静水圧プレス）処理を行い、得られた成形体を大気雰囲気下、８８０〜９４０℃で２時間焼成し磁器（実験例Ｌ１〜Ｌ４）を得た。
得られた円柱状の磁器（Ｌ１〜Ｌ４）の両端面を研磨し、研磨した各磁器を用いて、ＪＩＳ  Ｒ１６４１に準じ、平行導体板型誘電体共振器法により、測定周波数１０ＧＨｚにおける、比誘電率及び誘電損失を測定した。この結果を表１に併記した。各磁器の研磨表面のＸ線回折測定を行い、主結晶相の同定を行った。この結果認められた結晶相を表１に併記した。
【００７０】
【表２】
2006261351.tif 000004
【００７１】
（５）高誘電率無機フィラーの調製
市販のＢａＣＯ３粉末（純度；９９．９％）、ＴｉＯ２粉末（純度；９９．９％）、Ｎｄ２Ｏ３粉末（純度；９９．９％）及びＢｉ２Ｏ３粉末（純度；９９．９％）を原料とし、前記組成式（３）に含まれる係数ａ、ｂ、ｃ及びｄの各々が表３に示す値となるように配合し、ミキサにより２０〜３０分間乾式混合した後、振動ミルにより粉砕した。玉石としてはアルミナボールを使用し、粉砕時間は４時間とした。その後、得られた混合粉末を、大気雰囲気下、１１００℃で２時間仮焼し、次いで、得られた仮焼物をボールミルにより粉砕して高誘電率無機フィラー４種類を得た。
【００７２】
（６）未焼成高誘電率シートの製造
上記（１）で用意したガラスと、上記（５）で得られた各高誘電率無機フィラーと、を表３に示す割合で混合し、得られた混合スラリーを用いてドクターブレード法により厚さ１２０μｍの未焼成高誘電率シート（実験例Ｈ１〜Ｈ４）を作製した。
【００７３】
（７）高誘電率層の単独特性評価用試験片の製造、及び、その特性評価
上記（６）で得られた混合スラリーを乾燥させて造粒し、得られた造粒粉をプレス機（成形圧力；９８ＭＰａ）によって、直径１９ｍｍ、高さ８ｍｍの円柱状の成形体に成形し、その後、大気雰囲気下、９３０〜１０５０℃の温度で２時間焼成して磁器（実験例Ｈ１〜Ｈ４）を得た。
その後、得られた円柱状の磁器（Ｈ１〜Ｈ４）の両端面を研磨し、研磨した各磁器を用いて、ＪＩＳ  Ｒ１６４１に準じ、平行導体板型誘電体共振器法により、測定周波数１〜５ＧＨｚにおける、εｒ、Ｑ値及びτｆ（温度範囲；２５〜８０℃）を測定した。その結果を表３に併記した。尚、Ｑ値は、測定時の共振周波数（ｆ）とＱ値の測定値との積（ｆ・Ｑ）で表した。
【００７４】
【表３】
2006261351.tif 000005
【００７５】
（８）積層セラミック部品の製造
上記（３）で得られた厚さ１２０μｍの未焼成低誘電率シートを縦１５０ｍｍ、横１３０ｍｍに裁断し、上記（６）で得られた未焼成高誘電率シートを縦１５０ｍｍ、横１３０ｍｍに裁断し、表４の組合せにて各々を用い、下から順に未焼成低誘電率シート３層−未焼成高誘電率シート１層−未焼成低誘電率シート４層となるように８枚の各未焼成シートを積層し、熱圧着して未焼成積層体を得た。次いで、得られた未焼成積層体を縦２ｍｍ、横３ｍｍに裁断し、大気雰囲気下、９００℃の温度で２時間焼成して積層セラミック部品Ｐ１〜Ｐ５を得た。
【００７６】
（９）積層セラミック部品の評価
得られた積層セラミック部品Ｐ１〜Ｐ５の各々の中央部研磨面を走査型電子顕微鏡により１０００倍に拡大した画像で割れの有無を確認した。この結果、割れが見出できなかった積層セラミック部品については、表４の割れの欄に「◎」と示した。一方、割れが見出された積層セラミック部品については、表４の割れの欄に「×」と示した。
更に、積層セラミック部品Ｐ１〜Ｐ５の中央部研磨面を走査型電子顕微鏡により１０００倍に拡大した画像で層間剥離の有無を確認した。この結果、層間剥離が見出できなかった積層セラミック部品については、表４の層間剥離の欄に「◎」と示した。また、層間剥離が認められたが端部に５μｍ未満の僅かな層間剥離であり使用上問題がない積層セラミック部品については、表４の層間剥離の欄に「△」と示した。更に、５μｍ以上の層間剥離が見出された積層セラミック部品については、表４の層間剥離の欄に「×」と示した。
【００７７】
【表４】
2006261351.tif 000006
表４中の「＊」は本発明の範囲外であることを示す。
【００７８】
（１０）実施例の効果
上記表２のＬ１〜Ｌ４及び上記表３のＨ１〜Ｈ４より、未焼成低誘電率シート及び未焼成高誘電率シートは各々単独で焼成した場合にいずれも目的の誘電特性及び焼結性を示した。
これに対して、表４より、低誘電率層と高誘電率層とを構成するガラスが異なるＰ５では、層間剥離及び割れの両方が認められた。一方、Ｐ１〜Ｐ４では、低誘電率層と高誘電率層とで用いるガラスが同一組成系であるために、割れを生じていないことがない。但し、Ｐ４では、低誘電率層のガラス含有量と高誘電率層のガラス含有量との差（ガラス含有量差）が１６体積％と大きいために、層間剥離が使用上問題にならない程度に、端部に僅かに認められた。対して、Ｐ１〜Ｐ３では、このガラス含有量差が３〜４体積％と小さく、極めて良好な積層状態が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は電子部品分野において広く利用される。特にマイクロ波帯域及びミリ波帯域において使用される各種電子部品として好適である。この各種電子部品としては、コンデンサ及び／又は共振器とインダクタとを一体的に備える積層セラミック部品、コンデンサ及び／又は共振器とインダクタとバランとを一体的に備える積層セラミック部品、セラミック基板内にコンデンサを一体的に備える積層セラミック部品、セラミック基板内に共振器を一体的に備える積層セラミック部品、各種平衡出力型フィルタ、平衡出力型ＬＣフィルタ、平衡出力型誘電体フィルタ、平衡出力型ＳＡＷフィルタ等が挙げられる。更に、デュプレクサ、共振器、ＬＣデバイス、カプラ、ダイプレクサ、ダイオード、誘電体アンテナ及びセラミックコンデンサ等の個別部品が挙げられる。更には、汎用基板、各種機能部品が埋め込まれた機能基板（ＬＴＣＣ多層デバイス等）などの基板類、ＭＰＵ及びＳＡＷ等のパッケージ類、これら個別部品類、基板類及びパッケージ類の少なくともいずれかを備えるモジュール類等が挙げられる。また、これらの電子部品は、各種のマイクロ波帯域及び／又はミリ波帯域の電波を利用する移動体通信機器、移動体通信基地局機器、衛星通信機器、衛星通信基地局機器、衛星放送機器、無線ＬＡＮ機器、及びＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）用機器等に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】アルカリ土類金属元素含有フィラーに関する係数ｘ、ｙ及びｚの相関を示す三角図である。
【図２】アルカリ土類金属元素含有フィラーに関する係数ｘ、ｙ及びｚの相関の好ましい範囲を示す三角図である。尚、点線範囲は図１と同じ範囲を表す。
【図３】本発明の積層セラミック部品の一例を示す模式的な分解斜視図である。
【符号の説明】
【００８１】
１００；積層セラミック部品、
Ｂ１；下部バラン部、
Ｂ２；上部バラン部、
Ｆ；フィルタ部、
１１、１２、１３、１８、１９、２０、２１；低誘電率層、
１４、１５、１６、１７；高誘電率層、
１１２、１４１、１７１、２１１；接地用導体、
１２１、１３１、１６２、１９１、２０１；共振器用導体、
１５１、１５２；キャパシタ用導体、
１６１、１６３；共振器インダクタンス兼用導体、
１８１；接続用導体。
【図１】
2006261351.tif 000007
【図２】
2006261351.tif 000008
【図３】
2006261351.tif 000009