(57)【要約】 【課題】  ディスペンサの吐出口で導電性物質含有液体が乾燥することがなく、電子回路基板の配線の断線部に導電性物質含有液体を確実に塗布して導電性薄膜を形成し、かつ断線部に形成された導電性薄膜を基板上に密着させる。【解決手段】  ＴＦＴ基板（電子回路基板）１上に形成された配線３の断線部３ａに、不揮発性溶媒に導電性物質を分散させてなる導電性物質含有液体７を、ディスペンサ４によって断線部３ａを間にして対向する配線３の端部３ｃ，３ｃどうしを接続するように塗布した後に、塗布した導電性物質含有液体７を連続発振レーザ光Ｌａの照射によって加熱して断線部３ａに導電性薄膜７ａを析出させ、しかる後に、導電性薄膜７ａの全体を覆うようにＵＶ硬化樹脂（紫外線硬化樹脂）８を塗布すると共に、この塗布したＵＶ硬化樹脂８をＵＶ光（紫外線光）を照射して硬化させる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路基板上に形成された配線の断線部に対応する配線修正領域に、不揮発性溶媒に導電性物質を分散させてなる導電性物質含有液体を、ディスペンサによって前記断線部を間にして対向する配線の対向端部どうしを接続するように塗布した後に、塗布した導電性物質含有液体を加熱して前記配線修正領域に導電性薄膜を析出させ、しかる後に、その導電性薄膜の全体を覆うように紫外線硬化樹脂を塗布すると共に、この塗布した紫外線硬化樹脂を紫外線光を照射して硬化させることを特徴とする電子回路基板の配線修正方法。
【請求項２】
予め、前記配線の断線部と対向端部とを含む配線修正領域を覆うように紫外線硬化樹脂を塗布し、塗布した紫外線硬化樹脂を紫外線光を照射して硬化させた後、この硬化した紫外線硬化樹脂の被覆層における前記配線修正領域に対応する部分を、レーザ光の照射によって除去する予備加工を施し、この後に、該被覆層の除去部分において前記配線の対向端部どうしを接続するように導電性物質含有液体を塗布することを特徴とする請求項１に記載の電子回路基板の配線修正方法。
【請求項３】
前記配線が保護膜で被覆されている場合、予め配線の前記対向端部における保護膜をレーザ光の照射によって除去する予備加工を施し、この後に、該保護膜の除去部分を介して前記配線の対向端部どうしを接続するように導電性物質含有液体を塗布することを特徴とする請求項１に記載の電子回路基板の配線修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置、半導体集積回路等の電子回路基板上に形成された配線の断線欠陥を修正するための配線修正方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の電子回路基板の配線修正方法として、電子回路基板上の配線の断線部に、金属錯体や有機金属化合物を有機溶媒に溶かし込んだ溶液または金属粒子または金属粉末を有機溶媒に分散させた溶液を塗布した後に、その塗布部にレーザ光を照射し、前記溶液中の有機溶媒を蒸発させて金属薄膜を前記断線部に析出させることにより、前記金属薄膜により前記断線部の両端側の配線どうしを接続、導通させる方法が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【特許文献１】特開平７−２９９８２号公報
【特許文献２】特開平２−１９８３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記従来の電子回路基板の配線修正方法においては、金属粒子または金属粉末を含む溶液をペースト状に形成するために、溶媒として、アセトニトリル、トルエン、メタノール、メチルエチルケトン等の揮発性の高い有機溶媒を単独にまたは複数混合したものが使用されているので、金属粒子または金属粉末を含む溶液（金属ペースト）をディスペンサによって断線部へ塗布する場合に、ディスペンサの吐出口で金属ペースト中の溶剤分が速やかに揮発することにより、前記吐出口で金属ペーストが乾燥してしまい、断線部へ適切に塗布することができなくなる問題があった。
そのため、溶媒として不揮発性の溶媒を使用してこれに金属粒子または金属粉末を分散させて金属ペーストを形成することも考えられるが、この場合には、電子回路基板の断線部に析出した金属薄膜の電子回路基板に対する密着性を上げるために、溶媒中に接着剤成分も同時に分散させる必要がある。しかし、一般に、前記接着剤成分は不揮発性溶媒に溶けにくく、金属ペーストを容易に得ることができない問題がある。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、ディスペンサの吐出口で導電性物質含有液体が乾燥することがなく、電子回路基板の配線の断線部に導電性物質含有液体を確実に塗布して導電性薄膜を形成することができ、かつ断線部に形成された導電性薄膜を電子回路基板上に密着して固定させることができる電子回路基板の配線修正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、前記課題を解決するために、以下の点を特徴としている。
すなわち、請求項１に係る電子回路基板の配線修正方法は、電子回路基板上に形成された配線の断線部に対応する配線修正領域に、不揮発性溶媒に導電性物質を分散させてなる導電性物質含有液体を、ディスペンサによって前記断線部を間にして対向する配線の対向端部どうしを接続するように塗布した後に、塗布した導電性物質含有液体を加熱して前記配線修正領域に導電性薄膜を析出させ、しかる後に、その導電性薄膜の全体を覆うように紫外線硬化樹脂を塗布すると共に、この塗布した紫外線硬化樹脂を紫外線光を照射して硬化させることを特徴としている。
【０００６】
請求項２に係る電子回路基板の配線修正方法は、請求項１に記載の配線修正方法において、予め、前記配線の断線部と対向端部とを含む配線修正領域を覆うように紫外線硬化樹脂を塗布し、塗布した紫外線硬化樹脂を紫外線光を照射して硬化させた後、この硬化した紫外線硬化樹脂の被覆層における前記配線修正領域に対応する部分を、レーザ光の照射によって除去する予備加工を施し、この後に、該被覆層の除去部分において前記配線の対向端部どうしを接続するように導電性物質含有液体を塗布することを特徴としている。
【０００７】
請求項３に係る電子回路基板の配線修正方法は、請求項１に記載の配線修正方法において、前記配線が保護膜で被覆されている場合、予め配線の前記対向端部における保護膜をレーザ光の照射によって除去する予備加工を施し、この後に、該保護膜の除去部分を介して前記配線の対向端部どうしを接続するように導電性物質含有液体を塗布することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、以下の優れた効果を奏する。
すなわち、請求項１に係る電子回路基板の配線修正方法によれば、導電性物質含有液体が不揮発性溶媒に導電性物質を分散させて形成されているので、導電性物質含有液体をディスペンサで電子回路基板上の配線修正領域に塗布する際、従来のように、導電性物質含有液体中の揮発性溶媒が揮発することにより導電性物質含有液体がディスペンサの吐出口で乾燥して、配線修正部領域に塗布できなくなるといった問題が生じることはない。また、導電性物質含有液体は、配線修正領域に析出する導電性薄膜の電子回路基板に対する密着性を上げるための接着剤成分を含んでいないので、不揮発溶媒に導電性物質を分散させてなる導電性物質含有液体を容易に調製することができると共に、電子回路基板上に析出した導電性薄膜は、接着剤成分が混入することがなく、電気抵抗を低く抑えることができる。さらに、前記導電性薄膜は紫外線硬化樹脂の被覆層で覆われるので、導電性薄膜からなる修正配線は前記被覆層で保護されると共に、電子回路基板に対する密着性を確保することができる。
【０００９】
また、請求項２に係る電子回路基板の配線修正方法によれば、予備加工によって配線修正領域に導電性物質含有液体を塗布する部分を区画する配線修正溝を、紫外線硬化樹脂で配線形状に合わせて形成することができるので、該配線修正溝によって修正配線を正確に形成することができる。
また、請求項３に係る電子回路基板の配線修正方法によれば、電子回路基板の配線が保護膜で被覆されている場合でも、その保護膜を予備加工する量を可及的に少なくして、配線の断線部を接続する修正作業を容易、迅速に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法について、添付図面を参照して説明する。
はじめに、本発明の第１の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法について説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法を、液晶表示装置のＴＦＴ基板（電子回路基板）１における配線の断線部を修正する場合に適用した例の修正工程を示す斜視図である。
前記ＴＦＴ基板１は、基板２の上に複数のＴＦＴ配線（配線）３がＸ軸方向に沿いＹ軸方向に間隔をあけて平行に形成され、該ＴＦＴ配線３の一つにＴＦＴ基板１を製造する過程において断線部３ａが生じている例である。
【００１１】
本発明の第１の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法は、先ず、図１（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１を配線修正装置のテーブルＴの上に載置して固定する。
前記配線修正装置は、詳細は図示しないが、前記テーブルＴが適宜架台に支持され、溶液塗布装置としてのディスペンサ４と、レーザ加工装置５と、ＵＶ光源（紫外線光源）６と、撮像装置等を備えた補修ヘッドが適宜支持部材に支持され、前記テーブルＴと前記補修ヘッド（ディスペンサ４，レーザ加工装置５、ＵＶ光源６等）とが、相対的にＸ軸方向ｘ、Ｙ軸方向ｙ、Ｚ軸方向ｚに、それぞれＸ、Ｙ、Ｚ軸駆動手段によって移動、制御されるようになっている。
【００１２】
前記ディスペンサ４は、圧力印加機構によってパルス状のガス圧を液体材料に印加して中空のガラス製ピペットの先端の吐出口から液体材料を吐出させる従来周知のものであり、異なる液体材料を吐出する一対のディスペンサ４ａ，４ｂが前記補修ヘッドに備えられ、ディスペンサ交換機構によって各ディスペンサ４ａ，４ｂが切り換えられて、所要の液体をＴＦＴ基板１上に吐出されるようになっている。
前記レーザ加工装置５は、連続発振レーザ光Ｌａとパルス発振レーザ光Ｌｂをそれぞれ発振する２つの発振器を備え、それらの切り換えによって共通の光学系を通して前記ＴＦＴ基板１上に所要のレーザ光を照射することができるようになっている。
【００１３】
次に、図１（ｂ）に示すように、予め、検査装置によって測定された前記ＴＦＴ基板１のＴＦＴ配線３の断線部３ａの位置に応じて、前記Ｘ、Ｙ、Ｚ軸駆動手段を作動させて、前記テーブルＴと前記補修ヘッドを相対的にＸ、Ｙ、Ｚ軸方向ｘ，ｙ，ｚへ移動させることにより、第１のディスペンサ４ａを前記断線部３ａに対応する配線修正領域３ｂの中央の上方位置に位置決めした後、第１のディスペンサ４ａの吐出口を下げて断線部３ａのＴＦＴ基板１上に軽く接触させて、前記圧力印加機構の作動で導電性物質含有液体７を所定量吐出させると、該導電性物質含有液体７が断線部３ａを満たし、かつ断線部３ａを間にして対向する配線３の端部（対向端部）３ｃ，３ｃどうしを接続するようにＴＦＴ基板１上に塗布された状態となる。
【００１４】
前記導電性物質含有液体７は、貴金属、銅、クロム等の金属、それらの化合物からなる金属、炭素等の導電性を有する物質（導電性物質）の粒子（粉末）を低揮発性溶媒、非揮発性溶媒（両者を「非揮発性溶媒」と称する）中に均一に分散させた状態で存在させた溶液であり、接着剤成分、分散剤成分を含まないものである。前記非揮発性溶媒としては、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール等の高級アルコール類、エチレングリコール、ポリエチレングリコール等の多価アルコール類、ブチルセロソルブ、酢酸セロソルブ等のセロソルブ類、ノナン等の高級炭化水素類、γ−ブチロラクトン等の複素環化合物類、常温で液状の高分子材料等が挙げられる。
【００１５】
続いて、図１（ｃ）に示すように、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸駆動手段を作動させて、前記レーザ加工装置５のレーザ光軸の位置を、前記断線部３ａの一方（図１（ｃ）で左上方）の端部に位置決めすると共に、前記導電性物質含有液体７の表面にレーザ光の焦点を合わせた後、レーザ加工装置６の一方の発振器から連続発振レーザ光Ｌａを前記ＴＦＴ基板１上に塗布された導電性物質含有液体７に照射しながら、断線部３ａの他方（図１（ｃ）で右下方）の端部までレーザ加工装置５をＸ軸方向ｘに相対的に移動させると、前記連続発振レーザ光Ｌａによって導電性物質含有液体７が加熱されることにより、導電性物質含有液体７中の非揮発性溶媒が飛散して導電性薄膜７ａがＴＦＴ基板１上の配線修正領域３ｂ内に析出し、これにより修正配線部が形成される。
【００１６】
次に、図１（ｄ）に示すように、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸駆動手段を作動させて、前記第２のディスペンサ４ｂを前記修正領域３ｂの中央の上方位置に位置決めした後、該第２のディスペンサ４ｂの吐出口を下げて前記導電性薄膜７ａ上に軽く接触させて、前記圧力印加機構の作動で、光重合開始剤の入った高粘度オリゴマー、光重合開始剤の入った低粘度オリゴマー、光重合開始剤の入ったモノマー類等のＵＶ硬化樹脂（紫外線硬化樹脂）８を所定量吐出させると、該ＵＶ硬化樹脂８が前記導電性薄膜７ａと断線部３ａの両側の配線３の端部３ｃ，３ｃを覆うように塗布された状態となる。この後に、図１（ｅ）に示すように、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸駆動手段を作動させて、前記ＵＶ光源６をＵＶ硬化樹脂８が塗布された領域の上方に移動位置決めした後、ＵＶ光源６からＵＶ光（紫外線光）６ａを前記ＵＶ硬化樹脂８に照射すると、図１（ｆ）に示すように、該ＵＶ硬化樹脂８は、紫外線光６ａによって硬化して、前記導電性薄膜７ａと断線部３ａの両側の配線３の端部３ｃ，３ｃをしっかりと覆う被覆層８ａを形成し、前記配線修正領域３ｂ内の配線修正部を保護した状態となって、配線３の断線部３ａの修正が完了する。
【００１７】
前記ＴＦＴ基板１の配線修正方法によれば、導電性物質含有液体７が不揮発性溶媒に導電性物質を分散させて形成されているので、導電性物質含有液体７を第１のディスペンサ４ａでＴＦＴ基板１上の配線修正領域３ｂに塗布する際、従来のように、導電性物質含有液体中の揮発性溶媒が揮発することにより導電性物質含有液体７が第１のディスペンサ４ａの吐出口で乾燥して、配線修正部領域３ｂに塗布できなくなるといった問題が生じることはない。また、導電性物質含有液体７は、配線修正領域３ｂに析出する導電性薄膜７ａのＴＦＴ基板１に対する密着性を上げるための接着剤成分を含んでいないので、不揮発溶媒に導電性物質を分散させてなる導電性物質含有液体７を容易に調製することができると共に、ＴＦＴ基板１上に析出した導電性薄膜７ａは、接着剤成分が混入することがなく、電気抵抗を低く抑えることができる。さらに、前記導電性薄膜７ａはＵＶ硬化樹脂８の被覆層８ａで覆われるので、導電性薄膜７ａからなる修正配線部分は前記被覆層８ａで保護されると共に、ＴＦＴ基板１に対する密着性を確保することができる。
【００１８】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法について図２、図３を参照して説明する。
この実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法は、前記第１の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法が第１のディスペンサ４ａによって導電性物質含有液体７をＴＦＴ基板１の断線部３ａに塗布することから配線の修正工程を開始しているのに対して、断線部３ａに導電性物質含有液体７を塗布するに先立って、配線修正領域３ｂに導電性物質含有液体７を塗布する部分を区画する配線修正溝９をＵＶ硬化樹脂８’で配線形状に合わせて形成する予備加工を行い、該配線修正溝９内に導電性物質含有液体７を塗布するようにした点で、第１の実施の形態に係る配線修正方法と相違している。その他の構成は第１の実施の形態に係る配線修正方法と同様であるので、同様の部分には同一の符号を付してそれらの詳細説明は省略する。
【００１９】
すなわち、第２の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法においては、先ず、図２（ａ）に示すように、前記Ｘ，Ｙ，Ｚ軸駆動手段を作動させて、前記第２のディスペンサ４ｂを前記断線部３ａに対応する配線修正力域３ｂの中央の上方位置に位置決めした後、第２のディスペンサ４ｂの吐出口を下げて断線部３ａのＴＦＴ基板１上に軽く接触させて、前記圧力印加機構の作動でＵＶ硬化樹脂８’を所定量吐出させると、該ＵＶ硬化樹脂８’が断線部３ａとその両側の配線３の端部３ｃ，３ｃを覆うようにＴＦＴ基板１上に塗布された状態となる（図２（ｂ）参照）。次に、図２（ｃ）に示すように、前記Ｘ，Ｙ，Ｚ軸駆動手段を作動させて、前記ＵＶ光源６をＵＶ硬化樹脂８’が塗布された領域の上方に移動位置決めした後、ＵＶ光源６からＵＶ光６ａを前記ＵＶ硬化樹脂８’に照射すると、該ＵＶ硬化樹脂８は、ＵＶ光６ａによって硬化して、前記断線部３ａとその両側の配線３の端部３ｃ，３ｃを所定厚さに覆った被覆層８ａ’を形成した状態となる。
【００２０】
次に、図２（ｄ）に示すように、前記Ｘ、Ｙ，Ｚ軸駆動手段を作動させて、前記テーブルＴと前記補修ヘッドを相対的にＸ、Ｙ、Ｚ軸方向ｘ，ｙ，ｚへ移動させることにより、前記レーザ加工装置５のレーザ光軸の位置を、前記断線部３ａの一方（図２（ｄ）で左上方）のＴＦＴ配線３の端部３ｃの位置に位置決めすると共に、前記ＴＦＴ配線３の表面にレーザ光の焦点を合わせた後、レーザ加工装置５の他方の発振器からパルス発振レーザ光Ｌｂを前記被覆層８ａ’に照射しながら、Ｘ，Ｙ軸駆動手段を作動させて、レーザ加工装置６をＴＦＴ基板１のＴＦＴ配線３の形成方向（図２でＸ軸方向ｘ）に向けて、前記断線部３ａの他方（図２で右下方）のＴＦＴ配線３の端部３ｃの位置まで移動させる。
その際、前記パルス発振レーザ光Ｌｂによって前記被覆層８ａ’がＸ軸方向ｘに沿って直線状に加熱されて除去され、前記硬化樹脂被膜８ａ’の上部にＸ軸方向ｘに沿って、両端部に前記ＴＦＴ配線３の両端部３ｃ，３ｃが露出した直線状の配線修正溝９が形成される（図２（ｅ）参照）。
【００２１】
この後は、第１の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法における図１（ｂ）〜図１（ｆ）と同様な修正工程を実施する。すなわち、前記配線修正領域３ｂに硬化樹脂膜８の被覆層８ａ’で囲まれて形成された前記配線修正溝９内に第１のディスペンサ４ａによって導電性物質含有液体７を塗布した（図２（ｆ）参照）後、レーザ加工装置５によって連続発振レーザ光Ｌａを前記配線修正溝９に沿って移動させながら、該配線修正溝９内の導電性物質含有液体７に照射する（図３（ａ）参照）と、配線修正溝９内において断線部３ａの両側のＴＦＴ配線３の端部３ｃ，３ｃどうしを接続する導電性薄膜７ａが形成される（図３（ｂ）参照）。
この場合、前記レーザ加工装置５による配線修正溝９の加工深さがＴＦＴ配線３の上面に至る程度であるので、前記導電性薄膜７ａは、断線部３ａに満たされた被覆層８ａ’の上方にあって、断線部３ａを跨るようにしてＴＦＴ配線３の端部３ｃ，３ｃどうしを接続した状態となるが、これに限らず、前記レーザ加工装置５による配線修正溝９の加工深さを深くして、断線部３ａに満たされた被膜層８ａ’とＴＦＴ配線３の両端部３ｃ，３ｃを除去して、それらの除去部においてＴＦＴ配線３の高さと面一の導電性薄膜７ａ（修正配線部）を形成するようにしてもよい。
【００２２】
次に、前記配線修正溝９内に形成された導電性薄膜７ａ上に、第２のディスペンサ４ｂによって前記被覆層８ａ’部に重なるようにしてＵＶ硬化樹脂８を塗布し（図３（ｃ）参照）、この塗布したＵＶ硬化樹脂８にＵＶ光源６によってＵＶ光６ａを照射する（図３（ｄ）参照）と、前記配線修正溝９内に形成された導電性薄膜７ａ（修正配線部）がＵＶ硬化樹脂８の被覆層８ａで覆われてＴＦＴ基板１上にしっかりと密着された状態となって配線３の断線部３ａの修正が完了する（図３（ｅ））参照。
前記第２の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法によれば、第１の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法によると同様な作用効果を奏するほかに、予備加工によって配線修正領域３ｂに導電性物質含有液体７を塗布する部分を区画する配線修正溝９を、ＵＶ硬化樹脂８の被覆層８ａ’で配線形状に合わせて形成することができるので、該配線修正溝９によって修正配線部を正確に形成することができると共に、導電性薄膜７ａ（補修配線部）を正確に形成することができると共に、配線修正領域３ｂに塗布した導電性物質含有液体７が周辺に広がってしまうことがなく、導電性物質含有液体７を無駄なく効率よく使用することができる。
【００２３】
次に、本発明の第３の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法について図４を参照して説明する。
この実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法は、図４（ａ）に示すように、前記ＴＦＴ基板１に形成されている配線３が保護膜１０で被覆されている場合のＴＦＴ配線３の断線部３ａを修正するのに適用する。
この場合は、予め、ＴＦＴ配線３の断線部３ａの両側の端部３ｃ、３ｃにおける保護膜１０の被膜層をレーザ光の照射によって除去する予備加工を施し、この後に、第１の実施の形態に係る配線修正方法における修正工程（図１（ｂ）〜図１（ｆ））と同様な修正工程によって、前記保護膜１０の除去部分を介して前記ＴＦＴ配線３の対向端部３ｂ，３ｂどうしを接続するように導電性物質含有液体７を塗布して導電性薄膜７ａを形成し、該導電性薄膜７ａをＵＶ硬化樹脂８の被覆層８ａで保護するようにする。
【００２４】
すなわち、前記Ｘ，Ｙ，Ｚ軸駆動手段を作動させて、前記レーザ加工装置５の光軸の位置を、前記ＴＦＴ配線３の一方（図４（ｂ）で左上方）の端部３ｃの位置に位置決めすると共に、前記保護膜１０の表面にレーザ光の焦点を合わせた後、レーザ加工装置５の他方の発振器からパルス発振レーザ光Ｌｂを前記保護膜１０に照射して、前記一方の端部３ｃの上面に達する一方の修正配線結合孔１１を形成する。続いて、レーザ加工装置５をＴＦＴ基板１に対してＸ軸方向ｘに相対的に移動させ、前記ＴＦＴ配線３の他方（図４（ｂ）で右下方）の端部３ｃの位置に位置決めして、同様にして該他方の端部３ｃの上面に達する他方の修正配線結合孔１１を前記保護膜１０に形成して予備加工を終了する（図４（ｂ）参照）。
【００２５】
以後は、図１（ｂ）〜図１（ｆ）に示す修正工程と同様に、第１のディスペンサ４ａによって配線修正領域３ｂの前記修正配線結合孔１１，１１に跨る範囲に導電性物質含有液体７を塗布した（図４（ｃ）参照）後、該導電性物質含有液体７にレーザ加工装置５によって連続発振レーザ光Ｌａを照射して導電性薄膜７ａを形成し（図４（ｄ）参照）、さらに、第２のディスペンサ４ｂによって前記導電性薄膜７ａの上にＵＶ硬化樹脂８を塗布してから（図４（ｅ）参照）、この塗布したＵＶ硬化樹脂８をＵＶ光源６によってＵＶ光６ａを照射して硬化させ（図４（ｆ）参照）、この硬化したＵＶ硬化樹脂８の被覆層８ａによって配線修正領域３ｂに形成された導電性薄膜７ａを保護し、かつＴＦＴ基板１にしっかりと密着した状態を得る（図４（ｇ）参照）。
【００２６】
なお、この実施の形態に係る配線修正方法においては、塗布した導電性物質含有液体をレーザ光を使用して加熱しているが、これに限らず、ヒータ等によって加熱してもよい。また、ＴＦＴ配線３の断線部３ａの両側における端部３ｃ，３ｃの保護膜１０に設けた修正配線結合用孔１１，１１を、前記断線部３ａの上方の保護膜１０の上面において、相互に連結するように形成されたコ字状（Ｙ軸方向ｙに見て）の導電性薄膜７ａ（修正配線部）によって、断線部３ａを迂回してＴＦＴ配線３の端部３ｃ，３ｃどうしが接合された状態となるので、断線区間が長い場合には、保護膜１０をパルス発振レーザ光Ｌｂにより予備加工する量が少なくて短時間に該予備加工が行えて好ましいが、これに限らず、断線部３ａの区間が短い場合には、該断線部３ａよりやや広い区間（配線修正領域３ｂ）に対応する保護膜１０にパルス発振レーザ光Ｌｂを照射して、該区間の保護膜１０（断線部３ａ内を埋めている保護膜１０を含む）を除去する予備加工を行い、該予備加工部分に導電性物質含有液体７を塗布して、その塗布部を連続発振レーザ光Ｌａによって加熱することにより、導電性薄膜７ａを析出させてＴＦＴ配線３の断線部３ａを一直線状に接続して修正配線を形成するようにしてもよい。
第３の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法によれば、ＴＦＴ基板１の配線３が保護膜１０で被覆されている場合でも、その保護膜１０を予備加工する量を可及的に少なくして、配線３の断線部３ａを接続する修正作業を容易、迅速に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法を示す斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法を示す斜視図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法（つづき）を示す斜視図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る電子回路基板の配線修正方法を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００２８】
１  ＴＦＴ基板（電子回路基板）
２  基板
３  ＴＦＴ配線（配線）
３ａ  断線部
３ｂ  配線修正領域
３ｃ  配線の端部
４  ディスペンサ
５  レーザ加工装置
６  ＵＶ光源（紫外線光源）
６ａ  ＵＶ光（紫外線光）
７  導電性物質含有液体
７ａ  導電性薄膜
８，８’  ＵＶ硬化樹脂（紫外線硬化樹脂）
８ａ，８ａ’  被覆層
９  配線修正溝
１０  保護膜
１１  修正配線結合用孔
Ｌａ  連続発振レーザ光
Ｌｂ  パルス発振レーザ光
【図１】
2006202828.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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