(57)【要約】【課題】  高記録密度化を図るとともに良好な記録磁界感度を実現するのに適した光磁気記録媒体を提供すること。【解決手段】  本発明の光磁気記録媒体Ｘ１は、複数の垂直磁化膜１１ａ,１１ｂからなる積層構造を有する記録層１１と、記録層１１の側に微細凹凸面２４ａを有する核形成層２４、とからなる積層構造を有する。記録層１１の各垂直磁化膜は、核形成層２４に近い垂直磁化膜ほど緻密な膜組織を有する。好ましくは、記録層１１の各垂直磁化膜は、核形成層２４に近い垂直磁化膜ほど低いガス圧条件で形成される。好ましくは、記録層１１の各垂直磁化膜は、核形成層２４に近い垂直磁化膜ほど薄い。好ましくは、記録層１１は窒素を含み、記録層１１の各垂直磁化膜は、核形成層２４に近い垂直磁化膜ほど高い窒素組成比を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の垂直磁化膜からなる積層構造を有する記録層と、
前記記録層の側に微細凹凸面を有する核形成層と、からなる積層構造を有し、
前記記録層の各垂直磁化膜は、前記核形成層に近い垂直磁化膜ほど緻密な膜組織を有する、光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記記録層の各垂直磁化膜は、前記核形成層に近い垂直磁化膜ほど低いガス圧条件で形成される、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記記録層の各垂直磁化膜は、前記核形成層に近い垂直磁化膜ほど薄い、請求項１または２に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
前記記録層は窒素を含み、当該記録層の各垂直磁化膜は、前記核形成層に近い垂直磁化膜ほど高い窒素組成比を有する、請求項１から３のいずれか一つに記載の光磁気記録媒体。
【請求項５】
垂直磁化膜よりなる記録層と、
前記記録層の側に微細凹凸面を有する核形成層と、からなる積層構造を有し、
前記記録層は、前記核形成層に近い部位ほど緻密な膜組織を有する、光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁化膜により構成される記録層を有する光磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学的に情報が読み取られる光メディアの一形態として、光磁気記録媒体が知られている。光磁気記録媒体は、熱磁気的に記録され且つ磁気光学効果を利用して再生される書き換え可能な媒体である。光磁気記録媒体については、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２９０４９６号公報
【特許文献２】特開２００１−５６９７７号公報
【特許文献３】特開２００３−１３２５９９号公報
【０００４】
図７は、従来の光磁気記録媒体の一例である光磁気ディスクＸ４を表す。光磁気ディスクＸ４は、基板Ｓと、記録磁性部７１と、プリグルーブ層７２と、熱伝導層７３と、誘電体層７４，７５と、保護膜７６とからなる積層構造を有し、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
【０００５】
記録磁性部７１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な磁性構造を有し、再生方式に応じた１または２以上の磁性膜よりなる（誘電体層７４に接する記録層を含む）。当該磁性膜は、希土類−遷移金属アモルファス合金垂直磁化膜である。プリグルーブ層７２は、樹脂材料よりなり、その記録磁性部７１の側の面には、プリグルーブなどの凹凸形状（図示略）が形成されている。熱伝導層７３は、レーザ照射時に記録磁性部７１などにて発生する熱を効率よく基板Ｓの側へ伝えるための部位であり、高熱伝導材料よりなる。誘電体層７４，７５は、記録磁性部７１に対する外部からの不当な磁気的影響等を回避するための部位である。保護膜７６は、記録磁性部７１を特に塵埃から保護するための部位であり、光透過性の樹脂材料よりなる。
【０００６】
このような構成を有する光磁気ディスクＸ４の製造においては、まず、例えばいわゆる２Ｐ法により、基板Ｓ上にプリグルーブ層７２が形成される。次に、例えばスパッタリング法により、プリグルーブ層７２上に、熱伝導層７３、誘電体層７４、記録磁性部７１（誘電体層７４に接する記録層を含む）、および誘電体層７５が順次形成される。その後、例えばスピンコーティング法により、誘電体層７５上に保護膜７６が形成される。
【０００７】
光磁気ディスクＸ４への情報記録に際しては、例えば、当該ディスクを回転させた状態で、記録用のレーザ（図示せず）を保護膜７６の側から記録磁性部７１に対して連続的なパルス信号として照射することにより記録磁性部７１を局所的に順次昇温させつつ、磁気記録ヘッド（図示せず）により、所定に変調された記録磁界を当該昇温箇所に印加する。これにより、記録磁性部７１ないしこれに含まれる記録層において、磁化方向が順次反転する複数の磁区（記録マーク）が光磁気ディスクＸ４の周方向ないしトラック延び方向に連なって形成される。このようにして、記録磁性部７１ないしこれに含まれる記録層に、磁化方向の変化として所定の情報ないし信号が記録される。
【０００８】
光磁気ディスクＸ４では、上述のような情報記録によって記録層内に安定に形成され得る最小の記録マーク（磁区）が微小であるほど、記録分解能が高く、記録密度が大きい。コンピュータシステムにおける情報処理量の増大に伴い、光磁気ディスクなど記録媒体については、より大きな記録密度が要求される。
【０００９】
一方、磁性材料の技術分野においては、アモルファス磁性膜内に形成され得る安定磁区の微小さの程度は、当該磁性膜が積層形成される下地面の微細凹凸形状の影響を受けることが知られている。具体的には、当該下地面に適度な粗さの凹凸が存在し且つ当該凹凸が微細なほど、その上に形成されるアモルファス磁性膜において、より小さな安定磁区を形成できる傾向があることが知られている。下地面の凹凸により、アモルファス磁性膜の磁壁抗磁力が増大し、当該膜内に存在する磁壁の位置の揺らぎ（磁壁移動）が抑制されて磁区が安定化され（ピンニング作用）、その結果、当該アモルファス磁性膜の磁区構造が微細化される。
【００１０】
そのため、光磁気ディスクＸ４においては、記録層内に安定に形成され得る最小記録マーク（磁区）の微小化を目的として、図８に示すように核形成層７７が設けられる場合がある。核形成層７７は、記録磁性部７１ないし記録層を形成する際の下地膜として誘電体層７４上に例えばスパッタリング法により形成されるものであり、その記録層側に、記録磁性部７１ないし記録層に対してピンニング作用を及ぼすための微細凹凸形状を伴う微細凹凸面７７ａを有する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
例えば光磁気ディスクＸ４において図８に示すように核形成層７７を採用する場合、採用しない場合よりも、上述のような情報記録時の昇温温度（記録層のキュリー温度以下）にある記録層の磁壁抗磁力は大きい。そのため、光磁気ディスクＸ４において図８に示すように核形成層７７を採用する場合、採用しない場合よりも、当該記録層に記録マーク（磁区）を形成するうえで必要な記録磁界の強度は大きい（記録磁界には、磁壁抗磁力に抗して磁区を形成し得る強度が求められるからである）。すなわち、いわゆる記録磁界感度は低下する。形成すべき記録マークが短いほど、記録磁界の必要強度は大きい（即ち記録磁界感度は低下する）傾向がある。
【００１２】
そして、光磁気ディスクＸ４において図８に示すように核形成層７７を採用すると、記録磁界の必要強度は過度に大きくなる場合がある。情報記録時に磁気記録ヘッドが発生することのできる磁界の強度には制約があるので、記録磁界の必要強度が過度に大きいと、適切に情報記録できない場合ある。この場合には、核形成層採用による高記録密度化の実効を図ることができない。
【００１３】
このように、核形成層７７を利用する従来の光磁気ディスクＸ４では、記録磁界感度が低下し過ぎて核形成層採用による高記録密度化の実効を図ることができない場合があるのである。
【００１４】
本発明は、以上のような事情の下で考え出されたものであって、高記録密度化を図るとともに良好な記録磁界感度を実現するのに適した光磁気記録媒体を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の側面によると光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、複数の垂直磁化膜からなる積層構造を有する記録層と、記録層の側に微細凹凸面を有する核形成層と、からなる積層構造を有する。また、記録層の各垂直磁化膜は、核形成層に近い垂直磁化膜ほど緻密な膜組織を有する。
【００１６】
磁性材料の技術分野においては、アモルファス磁性膜内に形成され得る安定磁区の微小さの程度は、当該磁性膜を構成する膜組織の影響を受けることが知られている。アモルファス磁性膜内には、微視的には空孔や空隙が存在し得るところ、これら空孔および空隙は、当該磁性膜内に磁気的に形成される磁壁の位置揺らぎを抑制して磁区を安定化させるピンニング作用を有する。アモルファス磁性膜の膜組織が粗であるために当該磁性膜内に存在する空孔および空隙が大きいほど、当該磁性膜において、より強いピンニング作用が生じてより小さな安定磁区を形成できる傾向がある。第１の側面の光磁気記録媒体の記録層においては、核形成層に近い垂直磁化膜ほど、緻密な膜組織を有して空孔や空隙が小さいか又は少ない傾向にあり、従って、核形成層に近い垂直磁化膜ほど膜組織に由来するピンニング作用は弱い。
【００１７】
一方、本光磁気記録媒体の記録層には、その直下に位置する核形成層の微細凹凸面の形状（微細凹凸形状）に由来するピンニング作用も生ずる。このピンニング作用は、記録層の厚さ全体にわたって生ずるが、記録層において核形成層（微細凹凸面）に近い部位ほど当該ピンニング作用は強い。
【００１８】
本光磁気記録媒体の記録層においては、核形成層に近い垂直磁化膜ほど、膜組織が緻密に（従って、膜組織に由来するピンニング作用は弱く）設定され、核形成層から遠い垂直磁化膜ほど、膜組織が粗に（従って、膜組織に由来するピンニング作用は強く）設定されている。このような構成は、記録層の厚さ全体にわたって充分なピンニング作用を得つつ、記録層における核形成層（微細凹凸面）近傍の部位にて、膜組織に由来するピンニング作用と核形成層に由来するピンニング作用との重畳的作用が過剰となることを回避するのに、適している。記録層の厚さ全体にわたって充分なピンニング作用を得つつ、膜組織に由来するピンニング作用と核形成層に由来するピンニング作用との重畳的作用が過剰となることを回避することにより、記録層（垂直磁化膜）において、磁壁抗磁力が過大となることを回避して、充分であって過大でない強さの磁壁抗磁力を得ることができるのである。磁壁抗磁力について充分な強さを実現することにより、記録層内にて微小磁区を安定化して高記録密度化を図ることが可能となる。一方、磁壁抗磁力について過大でない強さを実現することにより、当該安定な微小磁区を形成するために印加すべき記録磁界の強度を抑制して良好な記録磁界感度を得ることが可能である。以上のように、本発明の第１の側面の光磁気記録媒体は、高記録密度化を図るとともに良好な記録磁界感度を実現するのに適しているのである。
【００１９】
本発明の第１の側面において、好ましくは、記録層の各垂直磁化膜は、核形成層に近い垂直磁化膜ほど低いガス圧条件で形成される。すなわち、記録層の各垂直磁化膜は、核形成層から遠い垂直磁化膜ほど高いガス圧条件で形成される。このような手法によると、核形成層に近い垂直磁化膜ほど膜組織が緻密で且つ遠い垂直磁化膜ほど膜組織が粗な、本光磁気記録媒体の記録層を、適切に形成することができる。
【００２０】
好ましくは、記録層の各垂直磁化膜は、核形成層に近い垂直磁化膜ほど薄い。このような構成は、記録層の厚さ全体にわたって充分なピンニング作用を得つつ、膜組織に由来するピンニング作用と核形成層に由来するピンニング作用との重畳的作用が過剰となることを回避するうえで、好適である。
【００２１】
好ましくは、記録層は窒素を含み、当該記録層の各垂直磁化膜は、核形成層に近い垂直磁化膜ほど高い窒素組成比を有する。垂直磁化膜の窒化は、当該垂直磁化膜の垂直磁気異方性を低下せしめて当該垂直磁化膜の磁壁抗磁力を弱める傾向がある。したがって、本構成は、記録層において核形成層に近い垂直磁化膜ほどピンニング作用が弱くなるように設定するうえで、好適である。
【００２２】
本発明の第２の側面によると別の光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、垂直磁化膜よりなる記録層と、記録層の側に微細凹凸面を有する核形成層と、からなる積層構造を有する。また、記録層は、核形成層に近い部位ほど緻密な膜組織を有する。
【００２３】
第２の側面の光磁気記録媒体の記録層においては、核形成層に近い部位ほど、緻密な膜組織を有して空孔や空隙が小さいか又は少ない傾向にあり、従って、核形成層に近い部位ほど膜組織に由来するピンニング作用は弱い。一方、記録層には、その直下に位置する核形成層の微細凹凸面の形状（微細凹凸形状）に由来するピンニング作用も生ずる。このピンニング作用は、記録層の厚さ全体にわたって生ずるが、記録層において核形成層（微細凹凸面）に近い部位ほど当該ピンニング作用は強い。
【００２４】
本光磁気記録媒体の記録層においては、核形成層に近い部位ほど、膜組織が緻密に（従って、膜組織に由来するピンニング作用は弱く）設定され、核形成層から遠い部位ほど、膜組織が粗に（従って、膜組織に由来するピンニング作用は強く）設定されている。このような構成は、記録層の厚さ全体にわたって充分なピンニング作用を得つつ、記録層における核形成層（微細凹凸面）近傍の部位にて、膜組織に由来するピンニング作用と核形成層に由来するピンニング作用との重畳的作用が過剰となることを回避するのに、適している。記録層の厚さ全体にわたって充分なピンニング作用を得つつ、膜組織に由来するピンニング作用と核形成層に由来するピンニング作用との重畳的作用が過剰となることを回避することにより、記録層（垂直磁化膜）において、磁壁抗磁力が過大となることを回避して、充分であって過大でない強さの磁壁抗磁力を得ることができる。したがって、本発明の第２の側面の光磁気記録媒体も、第１の側面の光磁気記録媒体と同様に、高記録密度化を図るとともに良好な記録磁界感度を実現するのに適しているのである。
【００２５】
本発明の第２の側面において、好ましくは、記録層は、核形成層に近い部位ほど低いガス圧条件で形成される。すなわち、記録層は、核形成層から遠い部位ほど高いガス圧条件で形成される。このような手法によると、核形成層に近い部位ほど膜組織が緻密で且つ遠い部位ほど膜組織が粗な、本光磁気記録媒体の記録層を、適切に形成することができる。
【００２６】
好ましくは、記録層は、窒素を含み、核形成層に近い部位ほど高い窒素組成比を有する。記録層の窒化は、当該窒化部位の垂直磁気異方性を低下せしめて当該窒化部位の磁壁抗磁力を弱める傾向がある。したがって、本構成は、記録層において核形成層に近い部位ほどピンニング作用が弱くなるように設定するうえで、好適である。
【００２７】
本発明の第１および第２の側面において、好ましくは、記録層は、ＴｂＦｅＣｏ、Ｐｔ合金、またはＰｄ合金よりなる。これら磁性材料は、本発明における記録層の構成材料として好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気ディスクＸ１の部分断面図である。光磁気ディスクＸ１は、基板Ｓと、記録磁性部１０と、プリグルーブ層２１と、熱伝導層２２と、誘電体層２３，２５と、核形成層２４と、保護膜２６とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気ディスクＸ１は、プリグルーブ層２１から保護膜２６までの構造を基板Ｓの片側のみ又は両側に有する。
【００２９】
基板Ｓは、光磁気ディスクＸ１の剛性を確保するための部位であり、例えば、樹脂、シリコン、アルミニウム、またはガラスよりなるディスク基板である。
【００３０】
記録磁性部１０は、記録層１１、中間層１２、および再生層１３よりなる積層構造を有し、再生層１３内での磁壁移動ないし磁区拡大を伴う磁区拡大系再生方式（例えばＤＷＤＤやＭＡＭＭＯＳなど）に基づいて再生可能に構成されている。
【００３１】
記録層１１は、光磁気ディスクＸ１において記録機能を担う部位であり、内部構造層１１ａ，１１ｂよりなる。内部構造層１１ａ，１１ｂは、各々、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。また、記録層１１内において、内部構造層１１ａは相対的に緻密な膜組織を有し、内部構造層１１ｂは相対的に粗な膜組織を有する。具体的には、内部構造層１１ａの膜組織は、相対的に粒の細かい柱状粒からなり且つ空孔や空隙が相対的に小さいか又は少なく、内部構造層１１ｂの膜組織は、相対的に粒の粗い柱状粒からなり且つ空孔や空隙が相対的に大きいか又は多い。記録層１１内では、単一の磁区は、両内部構造層１１ａ，１１ｂにわたって生ずる。このような内部構造層１１ａ，１１ｂは、具体的には、所定の組成比の例えばＴｂＦｅＣо、ＴｂＤｙＦｅＣо、ＰｔＣｏ、ＰｄＣｏなどよりなる。両内部構造層１１ａ，１１ｂは、好ましくは、同一組成を有する。また、内部構造層１１ａには、当該垂直磁化膜の垂直磁気異方性を低下するための窒素を添加してもよい。内部構造層１１ａの厚さは例えば５〜２５ｎｍであり、内部構造層１１ｂの厚さは、内部構造層１１ａの厚さより大きい限りにおいて例えば１０〜６０ｎｍである。
【００３２】
中間層１２は、記録層１１および再生層１３の交換結合状態を変化させるための部位であって、昇温によりそのキュリー温度にて垂直磁化状態から自発磁化消失状態に転移し且つ降温によりキュリー温度にて自発磁化消失状態から垂直磁化状態に転移する希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。本実施形態では、中間層１２のキュリー温度は例えば１００〜１７０℃であり、従って、室温において中間層１２は垂直磁化膜である。このような中間層１２は、具体的には、所定の組成比の例えばＴｂＦｅやＴｂＦｅＣоなどよりなる。また、中間層１２の厚さは例えば１０〜３０ｎｍである。
【００３３】
再生層１３は、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う部位であり、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。このような再生層１３は、具体的には、所定の組成比の例えばＧｄＦｅＣｏやＧｄＤｙＦｅＣｏよりなる。また、再生層１３の厚さは１０〜５０ｎｍである。
【００３４】
プリグルーブ層２１は、樹脂材料よりなり、その熱伝導層２２との接触面には、プリグルーブなどの凹凸形状（図示せず）が形成されている。プリグルーブは渦巻き状または同心円状のパターン形状を有し、このプリグルーブを基に、光磁気ディスクＸ１におけるランドグルーブ形状が実現される。プリグルーブ層２１を構成する樹脂材料としては、例えば、２Ｐ法用の樹脂（フォトポリマ）を採用することができる。このようなプリグルーブ層２１の厚さは例えば５〜２５μｍである。
【００３５】
熱伝導層２２は、光磁気ディスクＸ１に対して記録用または再生用のレーザが照射されるときに記録磁性部１０などにて発生する熱を効率よく基板Ｓの側へ伝えるための部位であり、例えば、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕＳｉ，ＡｇＰｄＣｕなど）、Ａｌ合金（ＡｌＮ，ＡｌＳｉ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど）、Ａｕ、またはＰｔなどの、高熱伝導材料よりなる。熱伝導層２２の厚さは、例えば１０〜５０ｎｍである。
【００３６】
誘電体層２３，２５は、記録磁性部１０に対する外部からの不当な磁気的影響等を回避ないし抑制するための部位であり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＹＳｉＯ2、ＺｎＳｉＯ2、ＡｌＯ、またはＡｌＮよりなる。誘電体層２３，２５の厚さは、例えば５〜１００ｎｍである。
【００３７】
核形成層２４は、その直上の記録層１１を形成する際の下地膜として誘電体層２３上に設けられたものであり、その記録層１１の側に、記録層１１に対してピンニング作用を及ぼすための微細凹凸形状を伴う微細凹凸面２４ａを有する。微細凹凸面２４ａの表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は例えば０.５〜２ｎｍであり、微細凹凸面２４ａの凸部の平均高さ（最大高さＲｙの平均）は例えば１〜６ｎｍである。このような核形成層２４は例えばＰｔよりなる。核形成層２４の厚さは、例えば２〜１０ｎｍである。
【００３８】
保護膜２６は、記録磁性部１０を特に塵埃などから保護すべく記録磁性部１０を覆い、光磁気ディスクＸ１の記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する樹脂材料よりなる。保護膜２６を構成するための樹脂としては、例えば、紫外線硬化性の透明樹脂が採用される。
【００３９】
図２は、光磁気ディスクＸ１を製造するための方法を表す。本方法においては、まず、図２（ａ）に示すように、基板Ｓ上に、プリグルーブ層２１、熱伝導層２２、および誘電体層２３を、順次形成する。プリグルーブ層２１の形成手法としては、所定の樹脂を用いて行う２Ｐ法を採用することができる。また、熱伝導層２２および誘電体層２３の形成手法としては、各々、所定のスパッタリング装置および所定のターゲットを用いて所定材料の成膜を行うスパッタリング法を採用することができる。
【００４０】
次に、図２（ｂ）に示すように、スパッタリング法により、成長端に微細凹凸面２４ａを有する核形成層２４を誘電体層２３上に形成する。
【００４１】
次に、図２（ｃ）に示すように、核形成層２４上に記録層１１を形成する。具体的には、スパッタリング法により、核形成層２４上に内部構造層１１ａ，１１ｂを順次形成する。内部構造層１１ａの形成に際しては、相対的に低いガス圧条件（スパッタリング装置のチャンバ内のガス圧条件）で所定材料を核形成層２４上に成膜し、内部構造層１１ｂの形成に際しては、好ましくは同一材料を、相対的に高いガス圧条件で内部構造層１１ａ上に成膜する。このようにして、上述のように相対的に緻密な膜組織を有する内部構造層１１ａと、上述のように相対的に粗な膜組織を有する内部構造層１１ｂと、からなる記録層１１を形成することができる。また、内部構造層１１ａに窒素を添加する場合には、内部構造層１１ａの形成に際し、所定濃度の窒素を含有するガス雰囲気で且つ上述のように相対的に低いガス圧条件で、所定材料を核形成層２４上に成膜する。
【００４２】
次に、図２（ｄ）に示すように、記録層１１上に、中間層１２、再生層１３、誘電体層２５、および保護膜２６を順次形成する。中間層１２、再生層１３、および誘電体層２５の形成手法としては、スパッタリング法を採用することができる。保護膜２６については、例えば、透明な紫外線硬化性樹脂材料をスピンコート法により誘電体層２５上に成膜した後、当該樹脂材料に紫外線を照射することにより、形成することができる。以上のようにして、光磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００４３】
光磁気ディスクＸ１への情報記録においては、例えば、当該ディスクを回転させた状態で、記録用のレーザ（図示せず）を保護膜２６の側から記録磁性部１０に対して連続的なパルス信号として照射することにより記録磁性部１０内の記録層１１（内部構造層１１ａ，１１ｂ）を局所的に順次昇温させつつ、所定に変調された記録磁界を当該昇温箇所に対して磁気記録ヘッド（図示せず）により印加する。これにより、記録層１１において、磁化方向が順次反転する複数の磁区（記録マーク）を光磁気ディスクＸ１の周方向ないしトラック延び方向に連ねて形成する。このようにして、記録層１１に対し、磁化方向の変化として所定の情報ないし信号を記録することができる。
【００４４】
光磁気ディスクＸ１の記録層１１においては、核形成層２４に近い内部構造層１１ａ（垂直磁化膜）は、核形成層２４から遠い内部構造層１１ｂ（垂直磁化膜）よりも、緻密な膜組織を有して空孔や空隙が小さいか又は少なく、従って、膜組織に由来するピンニング作用は弱い。一方、記録層１１には、その直下に位置する核形成層２４の微細凹凸面２４ａの形状（微細凹凸形状）に由来するピンニング作用も生ずる。このピンニング作用は記録層１１の厚さ全体にわたって生ずるが、記録層１１において核形成層２４に近い部位ほど当該ピンニング作用は強い。
【００４５】
光磁気ディスクＸ１の記録層１１においては、核形成層２４に近い内部構造層１１ａは、内部構造層１１ｂよりも膜組織が緻密に（従って、膜組織に由来するピンニング作用は弱く）設定されているため、記録層１１の厚さ全体にわたって充分なピンニング作用を得つつ、記録層１１における核形成層２４近傍の部位にて、膜組織に由来するピンニング作用と核形成層２４に由来するピンニング作用との重畳的作用が過剰となることを回避することができる。記録層１１の厚さ全体にわたって充分なピンニング作用を得つつ、膜組織に由来するピンニング作用と核形成層２４に由来するピンニング作用との重畳的作用が過剰となることを回避することにより、記録層１１において、磁壁抗磁力が過大となることを回避して、充分であって過大でない強さの磁壁抗磁力を得ることができる。磁壁抗磁力について充分な強さを実現することにより、記録層１１内にて微小磁区を安定化して高記録密度化を図ることが可能となる。一方、磁壁抗磁力について過大でない強さを実現することにより、当該安定な微小磁区を形成するために印加すべき記録磁界の強度を抑制して良好な記録磁界感度を得ることが可能となる。以上のように、光磁気ディスクＸ１によると、高記録密度化を図るとともに良好な記録磁界感度を実現することが可能なのである。
【００４６】
図３は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気ディスクＸ２の部分断面図である。光磁気ディスクＸ２は、基板Ｓと、記録磁性部３０と、プリグルーブ層２１と、熱伝導層２２と、誘電体層２３，２５と、核形成層２４と、保護膜２６とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものであり、記録磁性部１０に代えて記録磁性部３０を備える点において光磁気ディスクＸ１と異なる。また、光磁気ディスクＸ２は、プリグルーブ層２１から保護膜２６までの構造を基板Ｓの片側のみ又は両側に有する。
【００４７】
記録磁性部３０は、記録層３１、中間層３２、および再生層３３よりなる積層構造を有し、再生層３３内での磁壁移動ないし磁区拡大を伴う磁区拡大系再生方式（例えばＤＷＤＤやＭＡＭＭＯＳなど）に基づいて再生可能に構成されている。
【００４８】
記録層３１は、光磁気ディスクＸ２において記録機能を担う部位であり、内部構造層３１ａ，３１ｂ，３１ｃよりなる。内部構造層３１ａ，３１ｂ，３１ｃは、各々、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。また、記録層３１内において、内部構造層３１ａは最も緻密な膜組織を有し、内部構造層３１ｃは最も粗な膜組織を有し、内部構造層３１ｂは、内部構造層３１ａよりも粗で内部構造層３１ｃよりも緻密な膜組織を有する。記録層３１内では、単一の磁区は、内部構造層３１ａ，３１ｂ，３１ｃにわたって生ずる。このような内部構造層３１ａ，３１ｂ，３１ｃは、具体的には、所定の組成比の例えばＴｂＦｅＣо、ＴｂＤｙＦｅＣо、ＰｔＣｏ、ＰｄＣｏなどよりなる。全ての内部構造層３１ａ，３１ｂ，３１ｃは、好ましくは、同一組成を有する。また、記録層３１には、窒素を添加してもよい。記録層３１に窒素を添加する場合、内部構造層３１ａの窒素組成比を最も高く設定し、且つ、内部構造層３１ｂの窒素組成比を２番目に高く設定する。この場合、内部構造層３１ｃの窒素組成比を最も低く設定するか、或は、内部構造層３１ｃには窒素を添加しない。内部構造層３１ａの厚さは例えば５〜１５ｎｍであり、内部構造層３１ｂの厚さは、内部構造層３１ａの厚さより大きい限りにおいて例えば１０〜３０ｎｍであり、内部構造層３１ｃの厚さは、内部構造層３１ｂの厚さ以上であって例えば１０〜５０ｎｍである。好ましくは、内部構造層３１ｃは内部構造層３１ｂよりも厚い。
【００４９】
記録磁性部３０の中間層３２および再生層３３については、第１の実施形態における記録磁性部１０の中間層１２および再生層１３に関して上述したのと同様である。
【００５０】
以上の構成を有する光磁気ディスクＸ２は、記録層１１に代えて記録層３１を形成する以外は光磁気ディスクＸ１と同様にして、製造することができる。
【００５１】
光磁気ディスクＸ２の記録層３１の形成においては、スパッタリング法により、核形成層２４上に内部構造層３１ａ，３１ｂ，３１ｃを順次形成する。内部構造層３１ａの形成に際しては、最も低いガス圧条件で所定材料を核形成層２４上に成膜し、内部構造層３１ｂの形成に際しては、好ましくは同一材料を、２番目に低いガス圧条件で内部構造層３１ａ上に成膜し、内部構造層３１ｃの形成に際しては、好ましくは同一材料を、最も高いガス圧条件で内部構造層３１ｂ上に成膜する。このようにして、最も緻密な膜組織を有する内部構造層３１ａと、最も粗な膜組織を有する内部構造層３１ｃと、内部構造層３１ａよりも粗で内部構造層３１ｃよりも緻密な膜組織を有する内部構造層３１ｂとからなる、記録層３１を形成することができる。また、内部構造層３１ａに窒素を添加する場合には、内部構造層３１ａの形成に際し、所定濃度の窒素を含有するガス雰囲気で且つ上述のように最も低いガス圧条件で、所定材料を核形成層２４上に成膜する。内部構造層３１ｂに窒素を添加する場合には、内部構造層３１ｂの形成に際し、内部構造層３１ａの形成時よりも低い濃度の窒素を含有するガス雰囲気で且つ上述のように２番目に低いガス圧条件で、所定材料を内部構造層３１ａ上に成膜する。
【００５２】
光磁気ディスクＸ２への情報記録においては、例えば、当該ディスクを回転させた状態で、記録用のレーザ（図示せず）を保護膜２６の側から記録磁性部３０に対して連続的なパルス信号として照射することにより記録磁性部３０内の記録層３１（内部構造層３１ａ，３１ｂ，３１ｃ）を局所的に順次昇温させつつ、所定に変調された記録磁界を当該昇温箇所に対して磁気記録ヘッド（図示せず）により印加する。このようにして、記録層３１に対し、磁化方向の変化として所定の情報ないし信号を記録することができる。
【００５３】
光磁気ディスクＸ２の記録層３１においては、核形成層２４に近い内部構造層ほど、緻密な膜組織を有して空孔や空隙が小さいか又は少ない傾向にあり、従って、核形成層２４に近い内部構造層ほど膜組織に由来するピンニング作用は弱い。一方、記録層３１には、その直下に位置する核形成層２４の微細凹凸面２４ａの形状（微細凹凸形状）に由来するピンニング作用も生ずる。このピンニング作用は、記録層３１の厚さ全体にわたって生ずるが、記録層３１において核形成層２４に近い部位ほど当該ピンニング作用は強い。
【００５４】
本光磁気ディスクＸ２の記録層３１においては、核形成層２４に近い内部構造層ほど、膜組織が緻密に（従って、膜組織に由来するピンニング作用は弱く）設定され、核形成層２４から遠い内部構造層ほど、膜組織が粗に（従って、膜組織に由来するピンニング作用は強く）設定されているため、記録層３１の厚さ全体にわたって充分なピンニング作用を得つつ、記録層３１における核形成層２４近傍の部位にて、膜組織に由来するピンニング作用と核形成層２４に由来するピンニング作用との重畳的作用が過剰となることを回避することができる。記録層３１の厚さ全体にわたって充分なピンニング作用を得つつ、膜組織に由来するピンニング作用と核形成層２４に由来するピンニング作用との重畳的作用が過剰となることを回避することにより、記録層３１において、磁壁抗磁力が過大となることを回避して、充分であって過大でない強さの磁壁抗磁力を得ることができる。したがって、光磁気ディスクＸ２によると、光磁気ディスクＸ１と同様に、高記録密度化を図るとともに良好な記録磁界感度を実現することが可能なのである。
【００５５】
図４は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気ディスクＸ３の部分断面図である。光磁気ディスクＸ３は、基板Ｓと、記録磁性部４０と、プリグルーブ層２１と、熱伝導層２２と、誘電体層２３，２５と、核形成層２４と、保護膜２６とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものであり、記録磁性部１０に代えて記録磁性部４０を備える点において光磁気ディスクＸ１と異なる。また、光磁気ディスクＸ３は、プリグルーブ層２１から保護膜２６までの構造を基板Ｓの片側のみ又は両側に有する。
【００５６】
記録磁性部４０は、記録層４１、中間層４２、および再生層４３よりなる積層構造を有し、再生層４３内での磁壁移動ないし磁区拡大を伴う磁区拡大系再生方式（例えばＤＷＤＤやＭＡＭＭＯＳなど）に基づいて再生可能に構成されている。
【００５７】
記録層４１は、光磁気ディスクＸ３において記録機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。また、記録層４１は、核形成層２４に近い部位ほど緻密な膜組織を有し、核形成層２４から遠い部位ほど粗な膜組織を有する。このような記録層４１は、具体的には、所定の組成比の例えばＴｂＦｅＣо、ＴｂＤｙＦｅＣо、ＰｔＣｏ、ＰｄＣｏなどよりなる。また、記録層４１には、窒素を添加してもよい。記録層４１に窒素を添加する場合、核形成層２４に近い部位ほど高い窒素組成比に設定する。記録層４１の厚さは例えば１５〜９０ｎｍである。
【００５８】
記録磁性部４０の中間層４２および再生層４３については、第１の実施形態における記録磁性部１０の中間層１２および再生層１３に関して上述したのと同様である。
【００５９】
以上の構成を有する光磁気ディスクＸ３は、記録層１１に代えて記録層４１を形成する以外は光磁気ディスクＸ１と同様にして、製造することができる。
【００６０】
光磁気ディスクＸ３の記録層４１の形成においては、スパッタリング法により、低ガス圧条件から高ガス圧条件へと連続的にガス圧条件を変化させつつ、所定材料を核形成層２４上に成膜する。このようにして、核形成層２４に近い部位ほど緻密な膜組織を有する記録層４１を形成することができる。また、記録層４１に窒素を添加する場合には、スパッタリング装置のチャンバ内の窒素濃度を高濃度から低濃度へと連続的に変化させつつ、且つ、上述のように低ガス圧条件から高ガス圧条件へと連続的にガス圧条件を変化させつつ、所定材料を核形成層２４上に成膜する。
【００６１】
光磁気ディスクＸ３への情報記録においては、例えば、当該ディスクを回転させた状態で、記録用のレーザ（図示せず）を保護膜２６の側から記録磁性部４０に対して連続的なパルス信号として照射することにより記録磁性部４０内の記録層４１を局所的に順次昇温させつつ、所定に変調された記録磁界を当該昇温箇所に対して磁気記録ヘッド（図示せず）により印加する。このようにして、記録層４１に対し、磁化方向の変化として所定の情報ないし信号を記録することができる。
【００６２】
光磁気ディスクＸ３の記録層４１においては、核形成層２４に近い部位ほど、緻密な膜組織を有して空孔や空隙が小さいか又は少ない傾向にあり、従って、核形成層２４に近い部位ほど膜組織に由来するピンニング作用は弱い。一方、記録層４１には、その直下に位置する核形成層２４の微細凹凸面２４ａの形状（微細凹凸形状）に由来するピンニング作用も生ずる。このピンニング作用は、記録層４１の厚さ全体にわたって生ずるが、記録層４１において核形成層２４に近い部位ほど当該ピンニング作用は強い。
【００６３】
本光磁気ディスクＸ３の記録層においては、核形成層２４に近い部位ほど、膜組織が緻密に（従って、膜組織に由来するピンニング作用は弱く）設定され、核形成層２４から遠い部位ほど、膜組織が粗に（従って、膜組織に由来するピンニング作用は強く）設定されているため、記録層４１の厚さ全体にわたって充分なピンニング作用を得つつ、記録層４１における核形成層２４近傍の部位にて、膜組織に由来するピンニング作用と核形成層２４に由来するピンニング作用との重畳的作用が過剰となることを回避することができる。記録層４１の厚さ全体にわたって充分なピンニング作用を得つつ、膜組織に由来するピンニング作用と核形成層２４に由来するピンニング作用との重畳的作用が過剰となることを回避することにより、記録層４１において、磁壁抗磁力が過大となることを回避して、充分であって過大でない強さの磁壁抗磁力を得ることができる。したがって、光磁気ディスクＸ３によると、光磁気ディスクＸ１，Ｘ２と同様に、高記録密度化を図るとともに良好な記録磁界感度を実現することが可能なのである。
【実施例１】
【００６４】
〔光磁気ディスクの作製〕
図５に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。
【００６５】
本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、２Ｐ法により、ガラス基板（直径１２０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ）上に厚さ１０μｍのプリグルーブ層を形成した。プリグルーブ層形成材料としては２Ｐ法用の樹脂（フォトポリマ）を採用した。また、プリグルーブ層の表面凹凸形状については、トラックピッチ３００ｎｍおよびプリグルーブ深さ５０ｎｍのランドグルーブ形状とした。
【００６６】
次に、スパッタリング法によりプリグルーブ層上にＡｌＳｉを成膜することによって、厚さ３０ｎｍの熱伝導層を形成した。具体的には、ＡｌターゲットおよびＳｉターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、プリグルーブ層上にＡｌＳｉを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガスとしてＡｒを使用し（反応性スパッタリングを除き、本実施例にける以下のスパッタリングにおいても同様）、スパッタガス圧力を０.６Ｐａとし、スパッタ電力を０.３ｋＷ（Ａｌターゲット）および０.２ｋＷ（Ｓｉターゲット）とした。
【００６７】
次に、スパッタリング法により熱伝導層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ１５ｎｍの誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、熱伝導層上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を７：３とし、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、スパッタ電力を０.８ｋＷとした。
【００６８】
次に、スパッタリング法により誘電体層上にＰｔを成膜することによって、表面に微細凹凸面を有する厚さ３ｎｍの核形成層を形成した。この核形成層の微細凹凸面の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは１.０ｎｍであり、微細凹凸面の凸部の平均高さ（最大高さＲｙの平均）は１.５ｎｍであった。本スパッタリングでは、Ｐｔターゲットを用い、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、スパッタ電力を０.５ｋＷとした。
【００６９】
次に、核形成層上に記録層を形成した。具体的には、まず、スパッタリング法により核形成層上にＴｂ20Ｆｅ65Ｃｏ15を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの第１内部構造層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂターゲットおよびＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、核形成層上にＴｂ20Ｆｅ65Ｃｏ15を成膜した。また、本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０.４Ｐａとし、スパッタ電力を０.５ｋＷ（Ｔｂターゲット）および１.５ｋＷ（ＦｅＣｏ合金ターゲット）とした。この後、スパッタリング法により第１内部構造層上に更にＴｂ20Ｆｅ65Ｃｏ15を成膜することによって、厚さ４０ｎｍの第２内部構造層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂターゲットおよびＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、第１内部構造層上にＴｂ20Ｆｅ65Ｃｏ15を成膜し、スパッタガス圧力を３.０Ｐａとし、スパッタ電力を０.５ｋＷ（Ｔｂターゲット）および１.５ｋＷ（ＦｅＣｏ合金ターゲット）とした。このようにして、本実施例における記録層を核形成層上に形成した。この記録層の構成および記録層形成時のガス圧条件については、図６の表に掲げる。下記の実施例および比較例における記録層の構成およびガス圧条件も、図６の表に掲げる。
【００７０】
次に、スパッタリング法により記録層上にＴｂ22Ｆｅ78を成膜することによって、厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。具体的には、ＴｂターゲットおよびＦｅターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、記録層上にＴｂ22Ｆｅ78を成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を１.０Ｐａとし、スパッタ電力を０.３ｋＷ（Ｔｂターゲット）および０.９ｋＷ（Ｆｅターゲット）とした。
【００７１】
次に、スパッタリング法により中間層上にＧｄ25Ｆｅ70Ｃｏ5を成膜することによって、厚さ２５ｎｍの再生層を形成した。具体的には、ＧｄターゲットおよびＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、中間層上にＧｄ25Ｆｅ70Ｃｏ5を成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０.４Ｐａとし、スパッタ電力を０.４ｋＷ（Ｇｄターゲット）および０.８ｋＷ（ＦｅＣｏ合金ターゲット）とした。
【００７２】
次に、スパッタリング法により再生層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ６０ｎｍの誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、再生層上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を７：３とし、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、スパッタ電力を０.８ｋＷとした。
【００７３】
次に、誘電体層上に厚さ２０μｍの保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、紫外線硬化性の透明樹脂を誘電体層上に塗布した。次に、紫外線照射により、当該樹脂膜を硬化させた。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。
【００７４】
〔記録磁界およびＣＮＲの測定〕
本実施例の光磁気ディスクについて、必要最小の記録磁界の強度および再生信号のＣＮＲを調べた。具体的には、再生信号の強度（ＣＮＲ）が飽和するように光磁気ディスクに対して情報記録を行うことが可能な、磁気記録ヘッドによる印加磁界のうち、最小の磁界を特定し、当該最小磁界印加時において媒体表面に形成される磁界の強度を、記録層を通過するように形成される記録磁界の強度として、ガウスメータにより測定した。情報記録は、磁界変調記録方式において、マーク長が８０ｎｍの記録マークを長さ８０ｎｍのスペースを介して繰り返し形成することにより、行った。このようにして測定された記録磁界の強度は４００Ｏｅであった。また、この記録磁界強度で情報記録を実行した場合の再生信号のＣＮＲは３９ｄＢであった。これらの値は、図６の表に掲げる。下記の実施例および比較例における記録磁界の強度および再生信号のＣＮＲの値も、図６の表に掲げる。
【実施例２】
【００７５】
記録層の形成以外は実施例１と同様にして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例における記録層は、第１内部構造層の厚さを１０ｎｍに代えて５ｎｍとし、且つ、第２内部構造層の厚さを４０ｎｍに代えて４５ｎｍとした以外は、実施例１における記録層と同様にして、形成した。また、本実施例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして記録磁界の強度および再生信号のＣＮＲを調べたところ、記録磁界の強度は６００Ｏｅであり、ＣＮＲは４０ｄＢであった。
【実施例３】
【００７６】
記録層の形成以外は実施例１と同様にして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例における記録層は、第１内部構造層の厚さを１０ｎｍに代えて１５ｎｍとし、且つ、第２内部構造層の厚さを４０ｎｍに代えて３５ｎｍとした以外は、実施例１における記録層と同様にして、形成した。また、本実施例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして記録磁界の強度および再生信号のＣＮＲを調べたところ、記録磁界の強度は３５０Ｏｅであり、ＣＮＲは３８ｄＢであった。
【実施例４】
【００７７】
記録層の形成以外は実施例１と同様にして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例における記録層は、第１内部構造層を形成する際のスパッタガス圧力を０.４Ｐａに代えて１.０Ｐａとした以外は、実施例１における記録層と同様にして、形成した。また、本実施例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして記録磁界の強度および再生信号のＣＮＲを調べたところ、記録磁界の強度は６００Ｏｅであり、ＣＮＲは３９ｄＢであった。
【実施例５】
【００７８】
記録層の形成以外は実施例１と同様にして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例における記録層は、第１内部構造層を形成する際のスパッタガス圧力を０.４Ｐａに代えて２.０Ｐａとした以外は、実施例１における記録層と同様にして、形成した。また、本実施例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして記録磁界の強度および再生信号のＣＮＲを調べたところ、記録磁界の強度は７００Ｏｅであり、ＣＮＲは３９ｄＢであった。
【実施例６】
【００７９】
記録層の形成以外は実施例１と同様にして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例における記録層は、第１内部構造層を形成する際のスパッタガスとして、所定濃度のＮ2を含有するＡｒを使用した以外は、実施例１における記録層と同様にして形成した。本実施例における第１内部構造層は５ａｔ％（アトミックパーセント）の窒素を含む。また、本実施例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして記録磁界の強度および再生信号のＣＮＲを調べたところ、記録磁界の強度は３００Ｏｅであり、ＣＮＲは３７ｄＢであった。
【比較例１】
【００８０】
〔光磁気ディスクの作製〕
図５に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。
【００８１】
本比較例の光磁気ディスクの作製においては、まず、実施例１と同様にして、ガラス基板（直径１２０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ）上に、プリグルーブ層（厚さ１０μｍ）、熱伝導層（厚さ３０ｎｍ）、誘電体層（厚さ１５ｎｍ）、および核形成層（厚さ３ｎｍ）を順次形成した。
【００８２】
次に、スパッタリング法により核形成層上にＴｂ20Ｆｅ65Ｃｏ15を成膜することによって、厚さ５０ｎｍの記録層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂターゲットおよびＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、核形成層上にＴｂ20Ｆｅ65Ｃｏ15を成膜した。また、本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を３.０Ｐａとし、スパッタ電力を０.５ｋＷ（Ｔｂターゲット）および１.５ｋＷ（ＦｅＣｏ合金ターゲット）とした。このようにして形成した記録層の膜組織は実質的に一様である。
【００８３】
この後、当該記録層上に、実施例１と同様にして、中間層（厚さ１５ｎｍ）、再生層（厚さ２５ｎｍ）、誘電体層（厚さ６０ｎｍ）、および保護膜（厚さ２０μｍ）を順次形成した。以上のようにして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。
【００８４】
〔記録磁界およびＣＮＲの測定〕
本比較例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして記録磁界の強度および再生信号のＣＮＲを調べたところ、記録磁界の強度は８００Ｏｅであり、ＣＮＲは４０ｄＢであった。
【比較例２】
【００８５】
記録層形成時のスパッタガス圧力を３.０Ｐａに代えて０.４Ｐａとした以外は比較例１と同様にして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。本比較例における記録層の膜組織も、比較例１における記録層と同様に、実質的に一様である。また、本比較例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして記録磁界の強度および再生信号のＣＮＲを調べたところ、記録磁界の強度は２５０Ｏｅであり、ＣＮＲは２５ｄＢであった。
【比較例３】
【００８６】
記録層の形成以外は実施例１と同様にして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。本比較例における記録層は、第１内部構造層の厚さを１０ｎｍに代えて４０ｎｍとして当該第１内部構造層を形成する際のスパッタガス圧力を０.４Ｐａに代えて３.０Ｐａとし、且つ、第２内部構造層の厚さを４０ｎｍに代えて１０ｎｍとして当該第２内部構造層を形成する際のスパッタガス圧力を３.０Ｐａに代えて０.４Ｐａとした以外は、実施例１における記録層と同様にして、形成した。また、本比較例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして記録磁界の強度および再生信号のＣＮＲを調べたところ、記録磁界の強度は３５０Ｏｅであり、ＣＮＲは３５ｄＢであった。
【評価】
【００８７】
図６の表に示すように、本発明に係る実施例１〜６の光磁気ディスクは、比較例１の光磁気ディスクよりも、記録磁界感度に優れている。比較的高い一様のガス圧条件で記録層が形成された比較例１の光磁気ディスクの必要最小の記録磁界は、８００Ｏｅと高い。これに対し、相対的に低いガス圧条件で形成された第１内部構造層と、相対的に高いガス圧条件で形成された第２内部構造層と、から記録層が構成される実施例１〜６の光磁気ディスクでは、必要最小の記録磁界が７００Ｏｅ以下と低く、良好な記録感度が得られた。
【００８８】
一方、本発明に係る実施例１〜６の光磁気ディスクは、比較例２,３の光磁気ディスクよりも、高いＣＮＲを示す。比較的低い一様のガス圧条件で記録層が形成された比較例２の光磁気ディスクのＣＮＲは、２５ｄＢと低すぎる。また、相対的に高いガス圧条件で形成された第１内部構造層と、相対的に低いガス圧条件で形成された第２内部構造層と、から記録層が構成される比較例３の光磁気ディスクのＣＮＲは、３５ｄＢと低すぎる。これらに対し、相対的に低いガス圧条件で形成された第１内部構造層と、相対的に高いガス圧条件で形成された第２内部構造層と、から記録層が構成される実施例１〜６の光磁気ディスクでは、ＣＮＲが３７以上であって、マーク長が８０ｎｍと短い記録マークについて、良好な再生特性が得られた。短マーク記録において良好な再生特性が得られる実施例１〜６の光磁気ディスクにおいては、高い記録密度での情報記録が可能である。
【００８９】
以上のように、本発明に係る実施例１〜６の光磁気ディスクにおいては、高記録密度化を図るとともに良好な記録磁界感度を実現することができた。
【００９０】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００９１】
（付記１）複数の垂直磁化膜からなる積層構造を有する記録層と、
前記記録層の側に微細凹凸面を有する核形成層と、からなる積層構造を有し、
前記記録層の各垂直磁化膜は、前記核形成層に近い垂直磁化膜ほど緻密な膜組織を有する、光磁気記録媒体。
（付記２）前記記録層の各垂直磁化膜は、前記核形成層に近い垂直磁化膜ほど低いガス圧条件で形成される、付記１に記載の光磁気記録媒体。
（付記３）前記記録層の各垂直磁化膜は、前記核形成層に近い垂直磁化膜ほど薄い、付記１または２に記載の光磁気記録媒体。
（付記４）前記記録層は窒素を含み、当該記録層の各垂直磁化膜は、前記核形成層に近い垂直磁化膜ほど高い窒素組成比を有する、付記１から３のいずれか一つに記載の光磁気記録媒体。
（付記５）垂直磁化膜よりなる記録層と、
前記記録層の側に微細凹凸面を有する核形成層と、からなる積層構造を有し、
前記記録層は、前記核形成層に近い部位ほど緻密な膜組織を有する、光磁気記録媒体。
（付記６）前記記録層は、前記核形成層に近い部位ほど低いガス圧条件で形成される、付記５に記載の光磁気記録媒体。
（付記７）前記記録層は、窒素を含み、前記核形成層に近い部位ほど高い窒素組成比を有する、付記５または６に記載の光磁気記録媒体。
（付記８）前記記録層は、ＴｂＦｅＣｏ、Ｐｔ合金、またはＰｄ合金よりなる、付記１から７のいずれか一つに記載の光磁気記録媒体。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光磁気ディスクの部分断面図である。
【図２】図１に示す光磁気ディスクを製造するための方法を表す。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る光磁気ディスクの部分断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る光磁気ディスクの部分断面図である。
【図５】実施例１〜５および比較例１〜３の光磁気ディスクに共通の積層構成を表す。
【図６】実施例１〜６および比較例１〜３の光磁気ディスクにおける記録層の構成、記録層形成時のスパッタガス圧力、並びに、記録磁界およびＣＮＲの測定結果を、まとめた表である。
【図７】従来の光磁気ディスクの部分断面図である。
【図８】核形成層を有する従来の光磁気ディスクの部分断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４      光磁気ディスク
Ｓ      基板
１０，３０，４０，７１      記録磁性部
１１，３１，４１      記録層
１２，３２，４２      中間層
１３，３３，４３      再生層
２１，７２      プリグルーブ層
２２，７３      熱伝導層
２３，２５，７４，７５      誘電体層
２４，７７      核形成層
２４ａ，７７ａ      微細凹凸面
２６，７６      保護膜
【図１】
2006190417.tif 000003
【図２】
2006190417.tif 000004
【図３】
2006190417.tif 000005
【図４】
2006190417.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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