(57)【要約】【課題】転送電極の短絡や、受光部の開口面積を狭めることなく、単層の転送電極を形成することができる固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】受光部に対応する位置に予め保護膜２０を形成し、保護膜２０以外の領域に転送電極層１６ａを形成する。このような状態で、転送電極層１６ａにギャップ部１６ｃを形成した後に、ギャップ部１６ｃ内に絶縁膜１７を埋め込む。保護膜２０を除去した後に、転送電極１６を被覆する遮光膜１９を形成する。【選択図】図１０
2006196746.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の受光部形成領域に保護膜を形成し、前記保護膜の形成領域以外の領域に転送電極層を形成する工程と、
転送電極間となる領域の前記転送電極層を除去して、各転送電極に分離する工程と、
前記転送電極間に絶縁膜を埋め込む工程と、
前記保護膜を除去して、前記受光部形成領域を露出させる開口部を形成する工程と、
前記転送電極を被覆する遮光膜を形成する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記保護膜を形成し、前記転送電極層を形成する工程は、
前記基板の受光部形成領域に前記保護膜を形成する工程と、
前記保護膜を被覆するように前記基板上に、前記転送電極層を形成する工程と、
前記保護膜上の前記転送電極層を除去する工程と
を有する請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記保護膜を形成し、前記転送電極層を形成する工程は、
前記基板上に前記転送電極層を形成する工程と、
前記基板の前記受光形成領域における前記転送電極層を除去する工程と、
前記基板の前記受光形成領域に保護膜を形成する工程と
を有する請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記保護膜を形成し、前記転送電極層を形成する工程において、前記保護膜の上面と前記転送電極の上面とで略同一の平坦面を形成する
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記転送電極間に絶縁膜を埋め込む工程は、
前記転送電極間を埋め込むように、前記転送電極および前記保護膜上に前記絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をエッチバックして、前記転送電極および前記保護膜上の前記絶縁膜を除去する工程と
を有する請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記保護膜を形成し、前記転送電極層を形成する工程の前に、前記受光部形成領域における前記基板に不純物を導入して受光部を形成する工程をさらに有する
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記転送電極を形成する工程の後に、前記転送電極をマスクとして前記受光部形成領域における前記基板に不純物を導入して受光部を形成する工程をさらに有する
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の製造方法に関し、特に、単層構造の転送電極をもつ固体撮像装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ（Charge Coupled Device）からなる固体撮像装置においては、転送電極が２層の電極層より形成された構成が主流となっている。しかし、このような２層の電極層からなる転送電極は、転送電極に対する低抵抗化や微細化等の要求を十分に満たすことは困難となっている。そこで、転送電極を１層の電極層のみで形成することが行われている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
図１６は、従来の固体撮像装置における単層転送電極を示す平面図である。
【０００４】
図１６に示すように、転送電極１６には、受光部５の形成領域に開口部１６ｂが形成されており、転送方向に隣接する転送電極１６の間にはギャップ部１６ｃが形成されている。図示はしないが、ギャップ部１６ｃには、隣接する転送電極１６間における耐圧を確保するため、絶縁膜が埋め込まれている。
【０００５】
次に、上記の転送電極１６への開口部１６ｂとギャップ部１６ｃの形成方法について、図１７を参照して説明する。なお、図１７では、説明の簡略化のため、図１６における一つの受光部５を中心とする領域のみの平面図を示す。
【０００６】
まず、図１７（ａ）に示すように、基板上の全面に例えばポリシリコンからなる転送電極層１６ａを形成した後に、転送電極層１６ａ上に図示しないレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして転送電極層１６ａをエッチングすることにより、ギャップ部１６ｃを形成する。レジストパターンを除去した後、ギャップ部１６ｃに絶縁膜１７を埋め込む。絶縁膜１７としては、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜を用いる。
【０００７】
次に、図１７（ｂ）に示すように、転送電極層１６ａ上に図示しないレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして転送電極層１６ａをエッチングすることにより、開口部１６ｂを形成する。
【０００８】
上記の製造工程では、ギャップ部１６ｃと開口部１６ｂの重なり合う領域Ｅに絶縁膜１７が残ってしまう。開口部１６ｂ内に絶縁膜１７が残る結果、その上層に形成される遮光膜の開口面積が小さくなり、高集積化に伴い微細化された固体撮像装置においては感度低下の問題を生じる。
【０００９】
開口部１６ｂ内に突き出した絶縁膜１７を除去することは困難である。その理由は、転送電極層１６ａのエッチングでは、絶縁膜１７の材料に対する転送電極層１６ａのエッチング選択比が大きいエッチングを採用するためである。仮に、絶縁膜１７に対する転送電極層１６ａのエッチング選択比が小さいエッチング条件を採用すると、領域Ｅにおける絶縁膜１７が完全にエッチングされる前に、開口部１６ｂ内のゲート絶縁膜をもエッチングしてしまい、白傷の原因となるからである。
【００１０】
また、開口部１６ｂ内に絶縁膜１７が突き出るのを防止するため、ギャップ部１６ｃと開口部１６ｂとの重なり合う領域Ｅを小さく設定すると、開口部１６ｂの位置がずれた場合には、開口部１６ｂとギャップ部１６ｃとの間に転送電極層１６ａが残ることとなり、短絡を生じてしまう。
【００１１】
一方、未公開の先行出願には、転送電極層１６ａに開口部１６ｂとギャップ部１６ｃとを同時に形成する方法が記載されている（特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平４−２０７０７６号公報
【特許文献２】特開２００３−７９９７号公報
【特許文献３】特願２００４−１７０１１５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、この場合には、開口部１６ｂが形成された状態で、ギャップ部１６ｃ内に絶縁膜を埋め込む必要がある。従って、全面に絶縁膜を堆積させた後に、エッチバックを行うことによりギャップ部１６ｃに絶縁膜を残そうとすると、開口部１６ｂにおける転送電極１６の側壁に、絶縁膜が残ってしまう（特許文献３の図５参照）。
【００１３】
開口部１６ｂにおける転送電極１６の側壁に絶縁膜が残ってしまうと、上記したのと同様にして、その上層に形成される遮光膜の開口面積が小さくなり、高集積化に伴い微細化された固体撮像装置においては感度低下の問題を生じる。
【００１４】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、転送電極の短絡や、受光部の開口面積を狭めることなく、単層の転送電極を形成することができる固体撮像装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板の受光部形成領域に保護膜を形成し、前記保護膜の形成領域以外の領域に転送電極層を形成する工程と、転送電極間となる領域の前記転送電極層を除去して、各転送電極に分離する工程と、前記転送電極間に絶縁膜を埋め込む工程と、前記保護膜を除去して、前記受光部形成領域に開口部を形成する工程と、前記転送電極を被覆し、前記受光部形成領域を開口する遮光膜を形成する工程とを有する。
【００１６】
上記の本発明の固体撮像装置の製造方法では、転送電極間に絶縁膜を埋め込む工程において、基板の受光部形成領域には保護膜が形成されていることから、転送電極間のみに絶縁膜が埋め込まれ、受光部形成領域に絶縁膜が残ることはない。受光部形成領域とは、受光部を形成した、あるいは後に受光部を形成する領域である。
絶縁膜を埋め込んだ後に、保護膜を除去することにより受光部形成領域を露出させる開口部が形成され、その後、転送電極を被覆する遮光膜が形成される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る固体撮像装置の製造方法によれば、転送電極の短絡や、受光部の開口面積を狭めることなく、単層の転送電極を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。本実施形態では、本発明をインターライントランスファ方式の固体撮像装置に適用した例について説明する。
【００１９】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る固体撮像装置の概略構成図である。
【００２０】
本実施形態に係る固体撮像装置１は、撮像部２と、水平転送部３と、出力部４とを有する。
【００２１】
撮像部２には、行列状に配置された複数の受光部５と、受光部５の垂直列ごとに配置された複数本の垂直転送部７とを有する。
【００２２】
受光部５は、例えばフォトダイオードからなり、被写体から入射する像光（入射光）をその光量に応じた電荷量の信号電荷に光電変換して蓄積する。垂直転送部７は、４相のクロック信号φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４によって駆動され、受光部５から読み出された信号電荷を垂直方向（図中、下方）に転送する。なお、クロック信号としては、４相に限定されるものではない。
【００２３】
水平転送部３は、２相のクロック信号φＨ１，φＨ２によって駆動され、垂直転送部７から垂直転送された信号電荷を、水平方向（図中、左方向）に転送する。
【００２４】
垂直転送部７および水平転送部３は、基板に形成された転送方向に伸びる転送チャネル領域と、転送チャネル領域上に絶縁膜を介在させた状態で、転送方向に並べて形成された複数の転送電極とを有する。
【００２５】
転送電極に電圧を印加すると、転送チャネル領域に電位井戸が形成される。この電位井戸を形成するためのクロック信号が、転送方向に並べられた各転送電極に対して位相をずらして印加されることで、電位井戸の分布が順次変化し、電位井戸内の電荷が転送方向に沿って転送される。
【００２６】
出力部４は、例えば、フローティングディフュージョンにて構成された電荷−電圧変換部４ａを有し、水平転送部３により水平転送された信号電荷を電気信号に変換して、アナログ画像信号として出力する。
【００２７】
図２は、図１の撮像部２における要部平面図である。なお、図２では、遮光膜と、その上層の構成は省略している。
【００２８】
垂直転送部７には、垂直方向に複数の転送電極１６が配列されている。図２に示すように、垂直方向に配列した転送電極１６は互いに重なる部分がなく、単層の転送電極構造となっている。垂直方向に配列した転送電極１６の下層には、垂直方向に伸びる転送チャネル領域１２が形成されている。各転送電極１６間にはギャップ部１６ｃが設けられており、垂直方向に転送電極１６は分離されている。水平方向における転送電極１６は互いに接続されている。
【００２９】
転送電極１６には、受光部５に対応する位置に開口部１６ｂが形成されている。後述するように、転送電極１６の上層には、転送電極１６を被覆する遮光膜が形成され、この遮光膜にも開口部が形成される。入射光は、この開口部を通過して受光部５に入射する。
【００３０】
転送電極１６のギャップ部１６ｃには、絶縁膜１７が埋め込まれている。絶縁膜１７を埋め込むのは、転送電極１６間のギャップ部１６ｃは狭いため、転送電極１６間における耐圧を確保する必要があるからである。
【００３１】
図３（ａ）は図２のＡ−Ａ’線における断面図であり、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【００３２】
ｎ型のシリコンからなる半導体基板に形成されたｐ型ウェル、あるいはｐ型のシリコンからなる半導体基板（以下、基板１０と称する）に、受光部５を構成する電荷蓄積領域１１が形成されている。電荷蓄積領域１１は、例えばｎ型の半導体領域である。ｎ型の電荷蓄積領域１１と基板１０のｐ型領域との間でフォトダイオードが形成される。なお、図示はしないが、電荷蓄積領域１１の表面には、正電荷蓄積領域として薄いｐ型半導体領域が形成される。
【００３３】
電荷蓄積領域１１の両側には、ｎ型半導体領域からなる転送チャネル領域１２が形成されている。電荷蓄積領域１１と一方側（図中、左側）の転送チャネル領域１２との間に、ｐ型半導体領域からなる読み出しゲート領域１３が形成されている。電荷蓄積領域１１に蓄積された信号電荷は、読み出しゲート領域１３を介して転送チャネル領域１２に読み出される。
【００３４】
電荷蓄積領域１１と他方側（図中、右側）の転送チャネル領域１２との間には、高濃度のｐ型半導体領域からなるチャネルストップ領域１４が形成されている。チャネルストップ領域１４は、信号電荷の流出入を防止するために設けられている。
【００３５】
基板１０上には、例えば酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜１５が形成されている。なお、ゲート絶縁膜１５は、酸化シリコン膜と、窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜の積層膜、いわゆるＯＮＯ膜により形成されていてもよい。
【００３６】
転送チャネル領域１２および読み出しゲート領域１３上には、ゲート絶縁膜１５を介して転送電極１６が形成されている。転送電極１６は、例えばポリシリコンにより形成される。転送電極１６には受光部５に対応する位置に開口部１６ｂが形成されている。また、垂直方向における転送電極１６の間には、ギャップ部１６ｃが形成されている（図３（ｂ）参照）。
【００３７】
転送電極１６のギャップ部１６ｃには、絶縁膜１７が埋め込まれている。本実施形態では、絶縁膜１７として、酸化シリコン膜１７ａと、窒化シリコン膜１７ｂが埋め込まれている。なお、絶縁膜１７は、酸化シリコン膜１７ａの単層であってもよい。
【００３８】
転送電極１６上には、例えば酸化シリコン膜からなる絶縁膜１８が形成されている。絶縁膜１８上には、転送電極１６を被覆する遮光膜１９が形成されている。遮光膜１９は、例えば、アルミニウムや、タングステンからなる。遮光膜１９には、受光部５に対応する位置に開口部１９ａが形成されている。
【００３９】
図示はしないが、遮光膜１９の上層には、全面を覆ってパッシベーション膜が形成され、当該パッシベーション膜上に平坦化膜が形成されている。パッシベーション膜は、例えばプラズマＳｉＮにより形成され、平坦化膜は例えばＵＶＳｉＮにより形成される。平坦化膜上には、カラーフィルタが形成され、このカラーフィルタ上において受光部５に対応する位置にオンチップレンズが形成される。
【００４０】
次に、上記の本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の一例について、図４〜図１１を参照して説明する。図４〜図９および図１１において、各図の（ａ）は図３（ａ）に相当する工程断面図であり、各図の（ｂ）は図３（ｂ）に相当する断面図である。図１０は、製造工程中の平面図である。
【００４１】
まず、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、基板１０にｎ型不純物あるいはｐ型不純物をイオン注入することにより、電荷蓄積領域１１、転送チャネル領域１２、読み出しゲート領域１３、チャネルストップ領域１４を形成する。なお、この段階では、電荷蓄積領域１１を形成しなくてもよい。続いて、熱酸化法により、基板１０の表面に酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜１５を形成する。
【００４２】
続いて、ゲート絶縁膜１５上の電荷蓄積領域１１に対応する位置に、保護膜２０を形成する。なお、電荷蓄積領域１１が未だ形成されていない場合には、電荷蓄積領域１１を後に形成する位置に保護膜２０を形成する。保護膜２０の形成は、ゲート絶縁膜１５上の全面に絶縁膜を堆積させた後に、当該絶縁膜上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとしたエッチングにより行う。なお、保護膜２０としては、例えばボロン（Ｂ）およびリン（Ｐ）を添加した酸化シリコン膜（ＢＰＳＧ膜）、リン（Ｐ）を添加した酸化シリコン膜（ＰＳＧ膜）、ボロン（Ｂ）を添加した酸化シリコン膜（ＢＳＧ膜）、ＴＥＯＳ（tetraethylorthosilicate）を原料として形成した酸化シリコン膜（ＴＥＯＳ膜）を用いる。
【００４３】
次に、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１５上に、保護膜２０を被覆するように、例えばポリシリコンからなる転送電極層１６ａを形成する。
【００４４】
次に、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、保護膜２０上の転送電極層１６ａを除去して、平坦化する。これにより、保護膜２０の上面と、転送電極層１６ａの上面とが略一致する平坦面が形成される。当該保護膜２０上の転送電極層１６ａの除去は、例えば、フォトレジストをマスクとしたエッチバック、あるいはＣＭＰ（chemical mechanical polishing）により行う。エッチバックを用いた場合には、エッチバック後に、フォトレジストをアッシング処理や薬液処理により除去する。
【００４５】
次に、図７（ａ）および（ｂ）に示すように、転送電極層１６ａ上に不図示のレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより、ギャップ部１６ｃに対応する位置の転送電極層１６ａを除去する。その後、レジストパターンを除去する。これにより、転送電極層１６ａは、各転送電極１６に分離される。
【００４６】
次に、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、転送電極１６のギャップ部１６ｃを埋め込むように、転送電極１６および保護膜２０上に、酸化シリコン膜１７ａと、窒化シリコン膜１７ｂとを順に堆積させて、絶縁膜１７を形成する。
【００４７】
次に、図９（ａ）および（ｂ）に示すように、エッチバック法により、ギャップ部１６ｃ以外の転送電極１６および保護膜２０上の不要な絶縁膜１７を除去する。これにより、ギャップ部１６ｃのみに絶縁膜１７が残る。
【００４８】
以上の工程を経ると、図１０に示すような平面図となる。図１０に示すように、転送電極１６のギャップ部１６ｃには、絶縁膜１７が埋め込まれており、受光部５に対応する位置には、保護膜２０が形成されている。
【００４９】
次に、図１１（ａ）および（ｂ）に示すように、保護膜２０を薬液処理により選択的に除去して、転送電極１６に受光部５を露出させる開口部１６ｂを形成する。ここで、絶縁膜１７を構成する酸化シリコン膜１７ａ、およびゲート絶縁膜１５としての酸化シリコン膜に対して、保護膜２０を選択的に除去する必要がある。ここで、酸化シリコン膜１７ａおよびゲート絶縁膜１５を熱酸化法により形成された熱酸化膜とし、保護膜２０として上記の酸化膜を採用した場合には、１００以上のエッチング選択比で保護膜２０を除去できる。当該工程までを経ると、図２に示すような平面図となる。
【００５０】
以降の工程としては、転送電極１６上に例えば酸化シリコンからなる絶縁膜１８を形成する。なお、受光部５となる電荷蓄積領域１１を未だ形成していない場合には、後述する遮光膜を形成する前に、転送電極１６をマスクとして不純物をイオン注入することにより、電荷蓄積領域１１を形成する。
【００５１】
続いて、全面に遮光膜材料を堆積させ、受光部５上の遮光膜材料を除去することにより、開口部１９ａをもち、転送電極１６を被覆する遮光膜１９が形成される。さらに全面に、パッシベーション膜および平坦化膜を形成した後に、平坦化膜上にカラーフィルタを形成し、このカラーフィルタ上において各受光部５に対応する位置にオンチップレンズを形成する。
【００５２】
以上により、本実施形態に係る固体撮像装置が製造される。
【００５３】
上記した本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法では、受光部に対応する位置に予め保護膜２０を形成し、保護膜２０以外の領域に転送電極層１６ａを形成している。このような状態で、ギャップ部１６ｃを形成した後に、ギャップ部１６ｃ内に絶縁膜１７を埋め込んでいる。
【００５４】
また、ギャップ部１６ｃに絶縁膜１７を埋め込む際には、転送電極１６の開口部１６ｂは保護膜２０により埋め込まれていることから、開口部１６ｂ内に絶縁膜１７が形成されることはない。このため、受光部５の開口面積（遮光膜１９の開口部１９ａの面積）を狭めることもない。
【００５５】
開口部１６ｂ内に絶縁膜１７が形成されることはないため、ギャップ部１６ｃを形成する際に、開口部１６ｂとの重なり領域を確保したレジストパターンを用いることができる。このため、転送電極１６間を分離するギャップ部１６ｃを確実に形成することができ、転送電極１６間の短絡の発生を防止できる。
【００５６】
以上のようにして、転送電極１６の短絡や、受光部５の開口面積を狭めることなく、単層の転送電極を形成することができる。このため、特に高集積化され微細化された固体撮像装置において、感度低下の問題を解決することができる。
【００５７】
上記の固体撮像装置は、例えば、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、あるいは電子内視鏡用カメラなどのカメラに用いられる。
【００５８】
図１２は、上記の固体撮像装置が用いられるカメラの概略構成図である。
【００５９】
カメラ１００は、固体撮像装置（ＣＣＤ）１と、光学系１０２と、駆動回路１０３と、信号処理回路１０４とを有する。
【００６０】
光学系１０２は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置１の各受光部５において、入射光量に応じた信号電荷に変換され、受光部５の電荷蓄積領域１１において、一定期間当該信号電荷が蓄積される。
【００６１】
駆動回路１０３は、上述した４相のクロック信号φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４および２相のクロック信号φＨ１，φＨ２などの各種のタイミング信号を固体撮像装置１に与える。これにより、固体撮像装置１の信号電荷の読み出し、垂直転送、水平転送などの各種の駆動が行われる。また、この駆動により、固体撮像装置１の出力部４からアナログ画像信号が出力される。
【００６２】
信号処理回路１０４は、固体撮像装置１から出力されたアナログ画像信号に対して、ノイズ除去を行ったり、ディジタル信号に変換するといった各種の信号処理を行う。信号処理回路１０４による信号処理が行われた後に、メモリなどの記憶媒体に記憶される。
【００６３】
このように、ビデオカメラやデジタルスチルカメラなどのカメラ１００において、画素サイズが小さくても感度低下が抑制された上記の固体撮像装置１を用いることにより、カメラ１００の高画質化を図ることができる。
【００６４】
（第２実施形態）
第１実施形態では、保護膜２０を形成した後に、転送電極層１６ａを堆積させたが、本実施形態では、転送電極層１６ａを堆積させた後に保護膜２０を形成するものである。
【００６５】
図１３〜図１５は、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を説明するための工程断面図である。なお、各図の（ａ）は図３（ａ）に相当する工程断面図であり、各図の（ｂ）は図３（ｂ）に相当する断面図である。
【００６６】
まず、図１３（ａ）および（ｂ）に示すように、基板１０にｎ型不純物あるいはｐ型不純物をイオン注入することにより、電荷蓄積領域１１、転送チャネル領域１２、読み出しゲート領域１３、チャネルストップ領域１４を形成する。なお、この段階では、電荷蓄積領域１１を形成しなくてもよい。続いて、熱酸化法により、基板１０の表面に酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜１５を形成する。
【００６７】
続いて、ゲート絶縁膜１５上の全面に、例えばポリシリコンからなる転送電極層１６ａを形成する。さらに、転送電極層１６ａ上に受光部５に対応する位置に開口をもつレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、転送電極層１６ａに開口部１６ｂを形成する。その後、レジストパターンを除去する。
【００６８】
次に、図１４（ａ）および（ｂ）に示すように、開口部１６ｂを埋め込むように、転送電極層１６ａ上に保護膜２０を堆積させる。保護膜２０としては、第１実施形態で説明した材料を用いる。続いて、保護膜２０上において受光部５に対応する位置に、レジストパターン２１を形成する。なお、受光部５を構成する電荷蓄積領域１１が未だ形成されていない場合には、電荷蓄積領域１１を後に形成する位置に保護膜２０を形成する。
【００６９】
次に、図１５（ａ）および（ｂ）に示すように、レジストパターン２１をマスクとして、保護膜２０をエッチングすることにより、受光部５に対応する位置に保護膜２０を残す。ここで、保護膜２０は、レジストパターン２１のずれを考慮して、転送電極層１６ａに重なるようにして残す。
【００７０】
その後、ＣＭＰ法により、転送電極層１６ａ上の不要な保護膜２０を除去する。これにより、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、保護膜２０の上面と転送電極層１６ａの上面とが平坦化された構造が得られる。
【００７１】
以降の工程としては、第１実施形態と同様の工程を経ることにより、固体撮像装置が製造される。本実施形態においても、受光部５となる電荷蓄積領域１１を転送電極１６よりも後に形成する場合には、遮光膜１９を形成する前に、転送電極１６をマスクとして不純物をイオン注入することにより、電荷蓄積領域１１を形成すればよい。
【００７２】
なお、図１４（ａ）および（ｂ）に示すように、レジストパターン２１を形成した後に、保護膜２０をエッチバックすることにより、転送電極層１６ａ上の不要な保護膜２０を除去して、開口部１６ｂ内のみに保護膜２０を残すこともできる。
【００７３】
上記した本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法では、転送電極層１６ａを形成した後に、転送電極層１６ａに開口部１６ｂを形成し、当該開口部１６ｂ内に保護膜２０を埋め込んでいる。このような状態で、ギャップ部１６ｃを形成し、ギャップ部１６ｃ内に絶縁膜１７を埋め込んでいる。
【００７４】
また、ギャップ部１６ｃに絶縁膜１７を埋め込む際には、転送電極１６の開口部１６ｂは保護膜２０により埋め込まれていることから、開口部１６ｂ内に絶縁膜１７が形成されることはない。このため、受光部５の開口面積（遮光膜１９の開口部１９ａの面積）を狭めることもない。
【００７５】
開口部１６ｂ内に絶縁膜１７が形成されることはないため、ギャップ部１６ｃを形成する際に、開口部１６ｂとの重なり領域を確保したレジストパターンを用いることができる。このため、転送電極１６間を分離するギャップ部１６ｃを確実に形成することができ、転送電極１６間の短絡の発生を防止できる。
【００７６】
以上のようにして、転送電極１６の短絡や、受光部５の開口面積を狭めることなく、単層の転送電極を形成することができる。このため、特に高集積化され微細化された固体撮像装置において、感度低下の問題を解決することができる。
【００７７】
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
例えば、本発明の固体撮像装置は、フレームインターライントランスファ方式の固体撮像装置にも適用可能である。また、絶縁膜１７は、単層の絶縁膜であってもよい。この場合には、絶縁膜１７として、例えば、ＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜や、ＨＤＰ（High Density Plasma）法により形成した酸化シリコン膜を用いる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本実施形態に係る固体撮像装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る固体撮像装置の撮像部の平面図である。
【図３】（ａ）は図２のＡ−Ａ’線における断面図であり、（ｂ）は図２のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図４】第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０】本実施形態に係る固体撮像装置の製造工程における平面図である。
【図１１】第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１２】本実施形態に係る固体撮像装置が適用されるカメラの概略構成を示すブロック図である。
【図１３】第２実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１４】第２実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１５】第２実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１６】従来例の単層構造の転送電極をもつ固体撮像装置の平面図である。
【図１７】従来例の単層構造の転送電極の形成方法を示す図である。
【符号の説明】
【００７９】
１…固体撮像装置、２…撮像部、３…水平転送部、４…出力部、４ａ…電荷−電圧変換部、５…受光部、７…垂直転送部、１０…基板、１１…電荷蓄積領域、１２…転送チャネル領域、１３…読み出しゲート領域、１４…チャネルストップ領域、１５…ゲート絶縁膜、１６…転送電極、１６ａ…転送電極層、１６ｂ…開口部、１６ｃ…ギャップ部、１７…絶縁膜、１７ａ…酸化シリコン膜、１７ｂ…窒化シリコン膜、１８…絶縁膜、１９…遮光膜、１９ａ…開口部、２０…保護膜、２１…レジストパターン、１００…カメラ、１０２…光学系、１０３…駆動回路、１０４…信号処理回路
【図１】
2006196746.tif 000003
【図２】
2006196746.tif 000004
【図３】
2006196746.tif 000005
【図４】
2006196746.tif 000006
【図５】
2006196746.tif 000007
【図６】
2006196746.tif 000008
【図７】
2006196746.tif 000009
【図８】
2006196746.tif 000010
【図９】
2006196746.tif 000011
【図１０】
2006196746.tif 000012
【図１１】
2006196746.tif 000013
【図１２】
2006196746.tif 000014
【図１３】
2006196746.tif 000015
【図１４】
2006196746.tif 000016
【図１５】
2006196746.tif 000017
【図１６】
2006196746.tif 000018
【図１７】
2006196746.tif 000019