(57)【要約】【課題】記録部を非記録部によって分離し、且つ記録部と非記録部が面一である垂直磁気記録媒体における、前記記録部のみを磁化し、記録部に高品質の記録状態を実現する。【解決手段】複合型磁気ヘッド１０は、単磁極型磁極１２と、これに隣接して、単磁極型磁極１２よりも大きい消去用磁極１４を設けてなり、垂直磁気記録媒体３０は、トラック３４が高保磁力磁性膜、その両側のガードバンド３６が低保磁力磁性膜によりそれぞれ構成され、記録に際しては、単磁極型磁極１２によってトラック３４及びガードバンド３６を同時に磁化し、次に、消去用磁極１４によってヘッド消去磁界をかけて、トラック３４に記録されたデータが消去されることなく、ガードバンド３６の記録を消去する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直記録用の単磁極型磁極及び消去用磁極を含んでなる記録素子と、磁気抵抗効果素子を搭載した再生素子と、を有する複合型磁気ヘッドであって、
前記消去用磁極の先端は、垂直磁気記録媒体との相対移動方向と直交する幅方向での消去磁極幅が、前記単磁極型磁極の先端の、前記幅方向での記録磁極幅よりも大きく、且つ、前記相対移動方向から見て、前記単磁極型磁極の先端と重なるとともに、その先端よりも前記幅方向の両側に大きく形成されていることを特徴とする複合型磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１において、
前記垂直磁気記録媒体は、記録部となるトラック及びその両側の非記録部となるガードバンドを有し、前記消去用磁極の消去磁極幅は、前記トラック及びその両側のガードバンドの幅の和よりも大きくされたことを特徴とする複合型磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記消去用磁極の先端は、前記単磁極型磁極の先端に対して、前記相対移動方向後側に位置されていることを特徴とする複合型磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１、２又は３において、
前記磁気抵抗効果素子は、下部シールドと上部シールドを兼ねる下部磁極との間に配置され、前記単磁極型磁極は、記録ヘッド用コイルと共に、前記下部磁極とライターシールドとの間に配置され、このライターシールドを間にして、前記単磁極型磁極の反対側に前記消去用磁極が配置され、前記下部シールド、磁気抵抗効果素子、下部磁極、単磁極型磁極、ライターシールド及び消去用磁極の、記録媒体側先端が、略面一に配置されたことを特徴とする複合型磁気ヘッド。
【請求項５】
高保磁力磁性膜からなる記録部が、この記録部と面一に設けられた低保磁力磁性膜の間にパターニングされていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項５において、
前記高保磁力磁性膜は、Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方とＰｄ及びＰｔの少なくとも一方とを主成分とする膜にホウ素イオンのみが注入されていて、熱処理によりＣｕＡｕＩ型規則構造からなる磁性膜とされ、前記低保磁力磁性膜は、Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方とＰｄ及びＰｔの少なくとも一方とを主成分とする膜に、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種のイオン及びホウ素イオンが注入されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれかに記載の複合型磁気ヘッドと、垂直磁気記録媒体と、この垂直磁気記録媒体を駆動する駆動装置と、を有してなり、前記垂直磁気記録媒体は、高保磁力磁性膜からなる記録部が、この記録部と面一に設けられた低保磁力磁性膜の間にパターニングされていて、前記高保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｈｉが、低保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｌｏよりも大きくされ、前記記録素子は、前記単磁極型磁極での記録時のヘッド記録磁界が、前記高保磁力磁性膜の飽和磁界Ｈｓ-Ｈｉよりも大きく、前記消去用磁極での消去時のヘッド消去磁界が、前記低保磁力磁性膜の飽和磁界Ｈｓ-Ｌｏよりも大きく、且つ、前記高保磁力磁性膜の反転核発生磁界よりも小さくなるようにされたことを特徴とする磁気記録再生システム。
【請求項８】
請求項１乃至４のいずれかに記載の複合型磁気ヘッドと、垂直磁気記録媒体と、この垂直磁気記録媒体を駆動する駆動装置と、を有してなり、前記垂直磁気記録媒体は、高保磁力磁性膜からなる記録部が、この記録部と面一にも受けられた低保磁力磁性膜の間にパターニングされていて、前記消去用磁極での直流による消去時の直流消去磁界Ｈ（ｅ）が、前記高保磁力磁性膜での反転核発生磁界Ｈｎ-Ｈｉ、その標準偏差σＨｎ-Ｈｉ、前記低保磁力磁性膜の飽和磁界Ｈｓ-Ｌｏ、その標準偏差σＨｓ-Ｌｏに対して、式
Ｈｎ-Ｈｉ−３σＨｎ-Ｈｉ＞Ｈ（ｅ）＞Ｈｓ-Ｌｏ＋３σＨｓ-Ｌｏ
を満足することを特徴とする磁気記録再生システム。
【請求項９】
請求項７又は８において、
前記高保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｈｉの、前記低保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｌｏに対する比が４以上であることを特徴とする磁気記録再生システム。
【請求項１０】
請求項７又は８において、
前記高保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｈｉの、前記低保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｌｏの差が２０００Ｏｅ以上であることを特徴とする磁気記録再生システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録再生システム、この磁気記録再生システムに用いる複合型磁気ヘッド及び垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）における記録密度を向上させるために、記録層である磁性膜を、記録パターンに従って分離加工したパターンド媒体が提案されている。
【０００３】
このパターンド媒体には、隣接するトラック間を分離したディスクリートトラック媒体と、更に、記録方向にも記録ビットに従って分離加工を行なったディスクリートビット媒体がある。
【０００４】
これらのパターンド媒体の作成方法としては、記録パターンに従った凹凸形状を持つ非磁性基板に磁性膜を形成するもの及び、実質的に平坦な非磁性基板に製膜された連続膜状の磁性体をエッチング等の方法により記録パターンに従ったパターンに分離加工するものがある。
【０００５】
例えば、現在提案されているディスクリートトラック媒体は、記録部である磁性膜のトラックの間（ガードバンド）に溝を設けることにより各トラックを隣接するトラックから磁気的に分離したものがある。
【０００６】
しかしながら、このようにトラック間に物理的な溝が存在すると、浮上型ヘッドを用いるＨＤＤに適用する際に、ヘッドの浮上特性が劣化するという問題点を生じる。
【０００７】
この対策として、トラック間の溝に非磁性物質を充填した後に平坦加工することにより、磁気記録媒体上での磁気ヘッドの浮上特性を安定なものとする方法があるが、製造プロセスが複雑になり、製造コストが増大してしまうという問題点を生じる。
【０００８】
この対策として、イオンを磁性膜に照射して局所的に磁気特性を改質する加工方法が検討されている（例えば特許文献１、２参照）。この特許文献１に記載の方法は、軽イオンを積層膜に照射し、その衝撃により積層膜界面の原子をミキシングすることにより、照射部の磁気特性を改質するものであり、特許文献２に記載の方法は、イオンビームを照射することによる局所的な発熱を利用して照射部の磁気特性を改質するものである。
【０００９】
【特許文献１】特表２００２−５０１３００号公報
【特許文献２】特開２００３−２２５２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、表面が平坦で、且つ磁気特性の異なる部分を有し、記録されたデータを高品質に再生することができる垂直磁気記録媒体、この垂直磁気記録媒体に記録し、且つデータを再生するための複合型磁気ヘッド、これらを利用する磁気記録再生システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
即ち、以下の本発明により上記目的を達成することができる。
【００１２】
（１）垂直記録用の単磁極型磁極及び消去用磁極を含んでなる記録素子と、磁気抵抗効果素子を搭載した再生素子と、を有する複合型磁気ヘッドであって、前記消去用磁極の先端は、垂直磁気記録媒体との相対移動方向と直交する幅方向での消去磁極幅が、前記単磁極型磁極の先端の、前記幅方向での記録磁極幅よりも大きく、且つ、前記相対移動方向から見て、前記単磁極型磁極の先端と重なると共に、その先端よりも前記幅方向の両側に大きく形成されていることを特徴とする複合型磁気ヘッド。
【００１３】
（２）前記垂直磁気記録媒体は、記録部となるトラック及びその両側の非記録部となるガードバンドを有し、前記消去用磁極の消去磁極幅は、前記トラック及びその両側のガードバンドの幅の和よりも大きくされたことを特徴とする（１）に記載の複合型磁気ヘッド。
【００１４】
（３）前記消去用磁極の先端は、前記単磁極型磁極の先端に対して、前記相対移動方向後側に位置されていることを特徴とする（１）又は（２）に記載の複合型磁気ヘッド。
【００１５】
（４）前記磁気抵抗効果素子は、下部シールドと上部シールドを兼ねる下部磁極との間に配置され、前記単磁極型磁極は、記録ヘッド用コイルと共に、前記下部磁極とライターシールドとの間に配置され、このライターシールドを間にして、前記単磁極型磁極の反対側に前記消去用磁極が配置され、前記下部シールド、磁気抵抗効果素子、下部磁極、単磁極型磁極、ライターシールド及び消去用磁極の、記録媒体側先端が、略面一に配置されたことを特徴とする（１）、（２）又は（３）に記載の複合型磁気ヘッド。
【００１６】
（５）高保磁力磁性膜からなる記録部が、この記録部と面一に設けられた低保磁力磁性膜の間にパターニングされていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【００１７】
（６）前記高保磁力磁性膜は、Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方とＰｄ及びＰｔの少なくとも一方とを主成分とする膜にホウ素イオンのみが注入されていて、熱処理によりＣｕＡｕＩ型規則構造からなる磁性膜とされ、前記低保磁力磁性膜は、Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方とＰｄ及びＰｔの少なくとも一方とを主成分とする膜に、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種のイオン及びホウ素イオンが注入されていることを特徴とする（５）に記載の垂直磁気記録媒体。
【００１８】
（７）（１）乃至（４）のいずれかに記載の複合型磁気ヘッドと、垂直磁気記録媒体と、この垂直磁気記録媒体を駆動する駆動装置と、を有してなり、前記垂直磁気記録媒体は、高保磁力磁性膜からなる記録部が、この記録部と面一に設けられた低保磁力磁性膜の間にパターニングされていて、前記高保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｈｉが、低保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｌｏよりも大きくされ、前記記録素子は、前記単磁極型磁極での記録時のヘッド記録磁界が、前記高保磁力磁性膜の飽和磁界Ｈｓ-Ｈｉよりも大きく、前記消去用磁極での消去時のヘッド消去磁界が、前記低保磁力磁性膜の飽和磁界Ｈｓ-Ｌｏよりも大きく、且つ、前記高保磁力磁性膜の反転核発生磁界よりも小さくなるようにされたことを特徴とする磁気記録再生システム。
【００１９】
（８）（１）乃至（４）のいずれかに記載の複合型磁気ヘッドと、垂直磁気記録媒体と、この垂直磁気記録媒体を駆動する駆動装置と、を有してなり、前記垂直磁気記録媒体は、高保磁力磁性膜からなる記録部が、この記録部と面一にも受けられた低保磁力磁性膜の間にパターニングされていて、前記消去用磁極での直流による消去時の直流消去磁界Ｈ（ｅ）が、前記高保磁力磁性膜での反転核発生磁界Ｈｎ-Ｈｉ、その標準偏差σＨｎ-Ｈｉ、前記低保磁力磁性膜の飽和磁界Ｈｓ-Ｌｏ、その標準偏差σＨｓ-Ｌｏに対して、式
Ｈｎ-Ｈｉ−３σＨｎ-Ｈｉ＞Ｈ（ｅ）＞Ｈｓ-Ｌｏ＋３σＨｓ-Ｌｏ
を満足することを特徴とする磁気記録再生システム。
【００２０】
（９）前記高保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｈｉの、前記低保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｌｏに対する比が４以上であることを特徴とする（７）又は（８）に記載の磁気記録再生システム。
【００２１】
（１０）前記高保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｈｉの、前記低保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｌｏの差が２０００Ｏｅ以上であることを特徴とする（７）又は（８）に記載の磁気記録再生システム。
【発明の効果】
【００２２】
垂直磁気記録媒体における高保磁力磁性膜と低保磁力磁性膜とに、複合型磁気ヘッドによって記録する場合、単磁極型磁極により記録した後、直ちに消去用磁極から消去磁界をかけて、高保磁力磁性膜に記録されたデータが消去されることなく、低保磁力磁性膜部分のみを一様に磁化（消去）して、高保磁力磁性膜に記録されたデータを高品質に再生可能とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
この実施の形態における垂直磁気記録媒体は、高保磁力磁性膜からなる記録部が、この記録部と面一に設けられた低保磁力磁性膜からなる非記録部の間にパターニングされていて、高保磁力磁性膜の保磁力が低保磁力磁性膜の保磁力よりも大きくされている。
【００２４】
この垂直磁気記録媒体を記録再生するための複合型磁気ヘッドは、垂直記録用の単磁極型磁極及び消去用磁極を含んでなる記録素子と、磁気抵抗効果素子を搭載した再生素子と、を有してなり、前記消去用磁極の先端は、垂直磁気記録媒体との相対移動方向と直交する幅方向での消去磁極幅が、前記単磁極型磁極の先端の、前記幅方向での記録磁極幅よりも大きく、且つ、前記相対移動方向から見て、前記単磁極型磁極の先端と重なると共に、その先端よりも、前記幅方向の両側に大きく形成されていて、前記磁気抵抗効果素子は、前記単磁極型磁極での記録時のヘッド記録磁界が、前記高保磁力磁性膜の飽和磁界よりも大きく、且つ、前記消去用磁極での消去時のヘッド消去磁界が、前記低保磁力磁性膜の飽和磁界よりも大きく、且つ、前記高保磁力磁性膜の反転核発生磁界よりも小さくなるようにされている。
【実施例１】
【００２５】
次に、本発明の実施例１について、図１〜図３を参照して詳細に説明する。
【００２６】
この実施例１に係る複合型磁気ヘッド１０は、垂直記録用の単磁極型磁極１２及び消去用磁極１４を含んでなる記録素子１６と、磁気抵抗効果素子１８を搭載した再生素子２０とを有してなる。
【００２７】
図２に示されるように、前記磁気抵抗効果素子１８は、下部シールド２２と上部シールドを兼ねる下部磁極２４との間に配置され、前記単磁極型磁極１２は、記録ヘッド用コイル２６と共に、前記下部シールド２２とライターシールド２８との間に配置され、このライターシールド２８を間にして、前記単磁極型磁極１２の反対側に前記消去用磁極１４が配置されている。前記下部シールド２２、下部磁極２４、磁気抵抗効果素子１８、単磁極型磁極１２、ライターシールド２８及び消去用磁極１４の、垂直磁気記録媒体３０側の先端は略面一に配置されている。図１における符号３２は消去ヘッド用コイルを示す。
【００２８】
ここで、前記消去用磁極１４の先端１５は、図３に示されるように、垂直磁気記録媒体３０との相対移動方向と直交する幅方向の消去磁極幅が、前記単磁極型磁極１２の先端の、前記幅方向での記録磁極幅よりも大きく、且つ、前記相対移動方向から見て前記単磁極型磁極１２の先端１３と重なると共に、該先端１３の前記幅方向の両側に大きく形成するように構成されている。
【００２９】
前記垂直磁気記録媒体３０は、その一部が図４に拡大して模式的に示されるように、高保磁力磁性膜が形成されていて記録部となるトラック３４と、各トラック３４の間に設けられ、低保磁力磁性膜が形成されているガードバンド３６とを備えている。これらトラック３４とガードバンド３６とは凹凸や段差がなく、面一とされている。
【００３０】
これら高保磁力磁性膜からなる記録部を低保磁力磁性膜の間にパターニングする方法は、本出願人による特願２００４−０３３８４９号において提案されている。
【００３１】
具体的には、前記トラック３４を構成する高保磁力磁性膜は、Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方とＰｄ及びＰｔの少なくとも一方とを主成分とする膜にホウ素イオンのみが注入されていて、熱処理によりＣｕＡｕＩ型規則構造とされたものであり、又、前記ガードバンド３６を構成する低保磁力磁性膜は、Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方とＰｄ及びＰｔの少なくとも一方とを主成分とする膜に、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種のイオン及びホウ素イオンが注入されてなるものである。
【００３２】
そして、その製造方法は、Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方とＰｄ及びＰｔの少なくとも一方とを主成分とする膜に、記録部となる部分以外をマスキングしてホウ素イオンを注入し、又、記録部をマスキングして、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ及びＭｏからなる少なくとも１種のイオン及びホウ素イオンを注入し、その後熱処理をするものであり、ホウ素イオンのみが注入されていた箇所が、ＣｕＡｕＩ型規則構造からなる磁性膜となり、その周囲の部分は、熱処理によっても、ＣｕＡｕＩ型規則構造に十分に変化せずに、低い保磁力を示した低保磁力磁性膜となる。
【００３３】
前記トラック３４での記録膜となる高保磁力磁性膜は、その保磁力Ｈｃ-Ｈｉが、ガードバンド３６での低保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｌｏよりも大きくされている。
【００３４】
前記垂直磁気記録媒体３０における前記トラック３４を構成する高保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｈｉの、前記ガードバンド３６を構成する前記低保磁力磁性膜の保磁力Ｈｃ-Ｌｏに対する比が４以上となるように設定する。又、両者の差は、２０００Ｏｅ以上とすると良い。
【００３５】
これに対して、前記複合型磁気ヘッド１０における前記記録素子１６は、前記単磁極型磁極１２での記録時のヘッド記録磁界が、前記高保磁力磁性膜の飽和磁界Ｈｓ-Ｈｉよりも大きく、前記消去用磁極１４での消去時のヘッド消去磁界が、前記低保磁力磁性膜の飽和磁界Ｈｓ-Ｌｏよりも大きく、且つ、前記高保磁力磁性膜の反転核発生磁界Ｈｎ-Ｈｉよりも小さくなるように設定されている。
【００３６】
又、前記消去用磁極１４は、直流による消去時の直流消去磁界Ｈ（ｅ）が、前記高保磁力磁性膜での反転核発生磁界Ｈｎ-Ｈｉ、その標準偏差σＨｎ-Ｈｉ、前記低保磁力磁性膜の飽和磁界Ｈｓ-Ｌｏ、その標準偏差σＨｓ-Ｌｏに対して、次の（１）式を満足するように設定されている。
【００３７】
Ｈｎ-Ｈｉ−３σＨｎ-Ｈｉ＞Ｈ（ｅ）＞Ｈｓ-Ｌｏ＋３σＨｓ-Ｌｏ…（１）
【００３８】
次に、上記複合型磁気ヘッド１０により、垂直磁気記録媒体３０に磁気記録を実行する過程について説明する。
【００３９】
図４に拡大して模式的に示されるように、複合型磁気ヘッド１０を、垂直磁気記録媒体３０に対して相対的に、図４において右方向に移動させつつ、単磁極型磁極１２によってトラック３４にデータを記録する。
【００４０】
記録時に、前記単磁極型磁極１２の先端は、図４において一点鎖線で示されるように、トラック３４の幅内にある。このとき、単磁極型磁極１２によるヘッド記録磁界Ｈ（ｗ）は、Ｈ（ｗ）＞Ｈｓ-Ｈｉ（高保磁力磁性膜の飽和磁界）とすると、ヘッド記録磁界によって、図４において一点鎖線で示される領域１２Ａ内でトラック３４及びその両側のガードバンド３６も磁化される。
【００４１】
一方、図３に示されるように、前記消去用磁極１４の記録媒体側先端１５は、単磁極型磁極１２の先端１３よりも幅が広く、且つ、前記相対移動方向から見て先端１３と重なっていて、更に、垂直磁気記録媒体３０の移動方向後側に配置されているので、単磁極型磁極１２によって磁化された直後のトラック３４及びガードバンド３６に対して、図４において二点鎖線で示される領域１４Ａ内でヘッド消去磁界を与えることになる。
【００４２】
前述のように、ヘッド消去磁界Ｈ（ｅ）は、（１）式を満足するように設定されているので、低保磁力磁性膜からなるガードバンド３６の磁化は消去されるが、トラック３４の磁化は消去されることがない。従って、図５に示されるように、トラック３４部分の磁気記録のみが残る。
【００４３】
上記のような、トラック３４及びガードバンド３６の、単磁極型磁極１２による磁化及び消去用磁極１４による消去の過程を、図６に示す。図６において、実線は、トラック３４（高保磁力磁性膜）部分のヒステリシスループ、破線は、ガードバンド３６（低保磁力磁性膜）部分のヒステリシスループをそれぞれ示し、又、符号Ｍｒ-Ｈｉ及びＭｒ-Ｌｏは、高保磁力磁性膜及び低保磁力磁性膜の残留磁化をそれぞれ示す。
【００４４】
図６に示されるように、前記トラック３４とガードバンド３６での残留磁束密度の差は非常に大きく、従って、高保磁力磁性膜であるトラック３４に記録されたデータは、高品質に再生することが可能である。
【００４５】
ここで、前記反転核発生磁界Ｈｎ-Ｈｉは、一方向に外部磁界を加えて磁気記録媒体を十分に磁化した後、外部磁界を反転させ、逆方向の磁界強度を高めていったときに、磁化反転を起こすときの外部磁界を示す。図６においては、ヒステリシスループにおいて、上記逆方向の磁界強度を高めていったときに、保磁力を示す磁界からＭＨループに沿って接線を引き、飽和磁化を示すＭＨループに沿ってＸ軸（Ｈ軸）に平行に線を引いたときの交点の磁界を示す。
【００４６】
なお、上記実施例１において、垂直磁気記録媒体３０は、トラック３４がガードバンド３６に分離されたディスクリートトラック媒体であるが、本発明はこれに限定されるものでなく、記録方向にも記録ビットに従って分離加工を行なったディスクリートビット媒体、及びその記録再生システムにも適用されるものである。
【００４７】
又、高保磁力磁性膜を低保磁力磁性膜の間にパターニングする方法は、イオン注入に限定されるものでなく、イオンビームによりパターンを形成する方法であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施例１に係る複合型磁気ヘッドの要部を示す平面図
【図２】図１のII−II線に沿う拡大断面図
【図３】図１のIII−III線視図
【図４】本発明の実施例に係る垂直磁気記録媒体の一部を拡大して模式的に示す平面図
【図５】同垂直磁気記録媒体に本発明の複合型磁気ヘッドによってデータを記録した状態を示す平面図
【図６】実施例１に係る複合型磁気ヘッドによって垂直磁気記録媒体に磁気記録をした場合の、高保磁力磁性膜及び低保磁力磁性膜でのヒステリシスループを示す線図
【符号の説明】
【００４９】
１０…複合型磁気ヘッド
１２…単磁極型磁極
１３、１５…先端
１４…消去用磁極
１６…記録素子
１８…磁気抵抗効果素子
２０…再生素子
２２…下部シールド
２４…下部磁極
２６…記録ヘッド用コイル
２８…ライターシールド
３０…垂直磁気記録媒体
３２…消去ヘッド用コイル
３４…トラック
３６…ガードバンド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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