(57)【要約】【課題】  表面にセンサ機能などの素子機能部が形成された電子素子を有する半導体装置において、従来シールド用として慣用されてきた金属板からなるフレームや導電材料を有するフレームを使用せず、小型化及び生産性の向上が図られた半導体装置、及びそれに用いる封止用樹脂組成物を提供する。【解決手段】  同一表面に外部接続用電極及び素子機能部が形成された電子素子と、前記外部接続用電極に接続された表面配線層を有し、かつ前記素子機能部との間に気密空間が形成されるように対向配置された基板と、前記電子素子と前記基板との間に形成された空間が気密状態を維持するように、前記外部接続用電極と前記表面配線層とによる接続部の周囲が、導電性粉体含有封止用樹脂組成物で絶縁封止された樹脂封止部とを有する半導体装置、並びにそれに用いる封止用樹脂組成物である。【選択図】  図２
2006340010.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一表面に外部接続用電極及び素子機能部が形成された電子素子と、
前記外部接続用電極に接続された表面配線層を有し、かつ前記素子機能部との間に気密空間が形成されるように対向配置された基板と、
前記電子素子と前記基板との間に形成された空間が気密状態を維持するように、前記外部接続用電極と前記表面配線層とによる接続部の周囲が、導電性粉体含有封止用樹脂組成物で絶縁封止された樹脂封止部とを具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
導電性粉体含有封止用樹脂組成物が、導電性粉体７０〜８０質量％を含むエポキシ樹脂組成物である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
導電性粉体が、ニッケル及びその合金の中から選ばれる粉体である請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
導電性粉体が、平均粒径０．１〜１０μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
弾性表面波デバイスである請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置に用いられる導電性粉体含有封止用樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びそれに用いる封止用樹脂組成物に関する。詳しくは、本発明は、特に表面にセンサ機能を備えた電子素子を有する電子部品を高周波ノイズからシールドする場合に、導電材料例えば金属からなる容器状のシールド材に代えて、導電性粉体含有封止用樹脂組成物を封止剤として用いることによってシールド効果が発揮されると共に、電子部品の小型化と高生産性とを実現した半導体装置、及びこの半導体装置に用いる導電性粉体含有封止用樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面にセンサ機能をもつ電子素子を有する半導体装置として、弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）が知られている。このＳＡＷデバイスは、水晶等の圧電基板上に櫛歯状の電極指から成るＩＤＴ（インターディジタルトランスジューサ）電極を配置した構成を備え、例えばＩＤＴ電極に高周波電界を印加することによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電反作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得るものである。
このようなＳＡＷデバイスにおいては、その内部に搭載される素子の特性に影響を与える高周波ノイズを低減するために、様々な手段が講ぜられている。
例えば、ＳＡＷデバイスとして、素子全体を基板や枠全体で支持すると共に、ＳＡＷチップの振動部と基板との間に空間が形成されるようにした後、全体を金属フレームで保持する構造のもの、あるいはフレーム材料としてセラミックやプラスチックを用い、内面側又は内部に導電層を設けてなるフレームによりシールドする構造のもの、具体的にはセラミック基板上に導電性金属をメタライズしたものを底板として使用した構造のものなど（例えば、特許文献１参照）が知られている。
図３及び図４は、それぞれ従来のＳＡＷデバイスにおけるシールドの構成の異なる例を示す概略縦断面図である。
【０００３】
図３において、３１はセンサ機能部３２を有する圧電基板からなるＳＡＷチップである。このＳＡＷチップ３１は、表面配線層３３を有する回路基板３４上に搭載されている。ＳＡＷチップ３１の電極部と回路基板３４の表面配線層３３とは、ボンディングワイヤ３５を介して電気的に接続されており、ボンディングワイヤ３５は樹脂組成物３６で絶縁封止されている。そして、ＳＡＷチップ３１全体を覆うように金属フレーム３７でシールドすることにより、ＳＡＷデバイス３０が得られる。なお、符号３８はダム枠である。
図４において、４１はセンサ機能部４２を有する圧電基板からなるＳＡＷチップである。このＳＡＷチップ４１の電極部と回路基板４４の表面配線層４３とは導体バンプ４５を介して、フェイスダウン方式で電気的に接続されている。圧電基板のセンサ機能部４２の反対側面には金属膜４７が設けられており、これがシールドの作用を有している。そして、ＳＡＷチップ４１全体を覆うようにプラスチックフレーム４８で封止することにより、ＳＡＷデバイス４０が得られる。なお、符号４６はダム枠である。
【０００４】
一方、近年、電子部品は、搭載して使用される機器の小型化や高機能化に伴い、電子部品自体の小型化や高生産性が要求されるようになってきた。
ＳＡＷデバイスにおいては、高周波ノイズを低減する手段として、これまで、前記のようなシールド構造を有することが一般的であった。しかしながら、このようなシールド構造のものでは、その小型化や生産性の向上に限界があった。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１６８９５４公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような状況下で、表面にセンサ機能などの素子機能部が形成された電子素子を有する半導体装置において、従来シールド用として慣用されてきた金属板からなるフレームや導電材料を有するフレームを使用せず、小型化及び生産性の向上が図られた半導体装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、導電性粉体含有封止用樹脂組成物を用いてデバイスを封止することにより、その目的を達成し得ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、
(１)同一表面に外部接続用電極及び素子機能部が形成された電子素子と、
前記外部接続用電極に接続された表面配線層を有し、かつ前記素子機能部との間に気密空間が形成されるように対向配置された基板と、
前記電子素子と前記基板との間に形成された空間が気密状態を維持するように、前記外部接続用電極と前記表面配線層とによる接続部の周囲が、導電性粉体含有封止用樹脂組成物で絶縁封止された樹脂封止部とを具備することを特徴とする半導体装置、
【０００８】
(２）導電性粉体含有封止用樹脂組成物が、導電性粉体７０〜８０質量％を含むエポキシ樹脂組成物である上記（１）項に記載の半導体装置、
(３)導電性粉体が、ニッケル及びその合金の中から選ばれる粉体である上記（１）又は（２）項に記載の半導体装置、
(４)導電性粉体が、平均粒径０．１〜１０μｍである上記（１）〜（３）項のいずれかに記載の半導体装置、
（５）弾性表面波デバイスである上記（１）〜（４）項のいずれかに記載の半導体装置、及び
（６）上記（１）〜（５）項のいずれかに記載の半導体装置に用いられる導電性粉体含有封止用樹脂組成物、
である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、特に表面にセンサ機能を備えた電子素子を有する電子部品を高周波ノイズからシールドする場合に、導電材料例えば金属からなる容器状のシールド材に代えて、導電性粉体含有封止用樹脂組成物を封止剤として用いることによってシールド効果が発揮されると共に、電子部品の小型化と高生産性とを実現した半導体装置、及びこの半導体装置に用いる導電性粉体含有封止用樹脂組成物を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の半導体装置は、（ａ）同一表面に外部接続用電極及び素子機能部が形成された電子素子と、（ｂ）前記外部接続用電極に接続された表面配線層を有し、かつ前記素子機能部との間に気密空間が形成されるように対向配置された基板と、（ｃ）前記電子素子と前記基板との間に形成された空間が気密状態を維持するように、前記外部接続用電極と前記表面配線層とによる接続部の周囲が、導電性粉体含有封止用樹脂組成物で絶縁封止された樹脂封止部とを有するものである。
次に、前記構成の本発明の半導体装置について、添付図面に従って説明する。
図１及び図２は、それぞれ本発明の半導体装置における樹脂封止部の形態の異なる例を示す概略縦断面図である。
【００１１】
図１における半導体装置１０は、同一表面に外部接続用電極（接続パッド、図示せず）及び素子機能部２が形成された電子素子１と、前記外部接続用電極に導体バンプ５を介して接続された表面配線層３を有し、かつ前記素子機能部２との間に気密空間７が形成されるように対向配置された回路基板４と、前記電子素子１と前記回路基板４との間に形成された空間７が気密状態を維持するように、前記外部接続用電極と前記表面配線層３とによる接続部の周囲のみが、導電性粉体含有封止用樹脂組成物で絶縁封止された樹脂封止部６とから構成されている。
この場合、電子素子１は、基板４に設けられた表面配線層３上に、導体バンプ５を介してフリップチップ実装されており、また、樹脂封止部６は、導電性粉体含有封止用樹脂組成物のディスペンサによる充填によって形成されることが好ましい。導体バンプ５としては、通常半田バンプが用いられる。
【００１２】
一方、図２における半導体装置２０は、樹脂封止部以外の構成は、前記図１と同様であるが、当該半導体装置２０においては、気密空間７を除いて、電子素子１の外面全体が、導電性粉体含有封止用樹脂組成物で絶縁封止された樹脂封止部８を有している。この場合、樹脂封止部８は、導電性粉体含有封止用樹脂組成物の印刷塗布によって形成されることが好ましい。印刷塗布法としては、スクリーン印刷法が好ましく用いられる。
前記図１及び図２で示される本発明の半導体装置としては、例えば弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）などを挙げることができる。このＳＡＷデバイスは、水晶などの圧電基板上にＩＤＴ（インターディジタルトランスジューサ）電極を配置した構成を有している。
本発明の半導体装置がＳＡＷデバイスである場合、前記図１及び図２における電子素子１は、ＳＡＷチップとなり、素子機能部２はＩＤＴ電極となる。
【００１３】
前記ＩＤＴ電極は、高周波電界を印加されることによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電反作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得ることができる。
ＳＡＷデバイスにおいて、ＳＡＷチップにおけるＩＤＴ電極及び外部接続電極（接続パッド）は、フォトエッチングなどの微細加工技術によって圧電基板の同一表面に形成される。
また、前記ＳＡＷチップに対向配置される回路基板の表面配線層は、例えばタングステン膜の表面にニッケルメッキ、金メッキを順次施すことにより形成することができる。
ＳＡＷデバイスにおいては、その内部に搭載される素子の特性に影響を与える高周波ノイズを低減するために、従来、図３で示すようにＳＡＷチップ全体を金属フレームでシールドする方式、あるいはフレーム材料としてセラミックやプラスチックを用い、内面側又は内部に導電層を設けてなるフレームによりシールドする方式、例えば図４に示す方式が採られてきた。しかしながら、このようなシールド方式ではＳＡＷデバイスの小型化や生産性の向上に限界があった。
これに対し、本発明のシールド方式では、ＳＡＷデバイスの小型化が容易であると共に、生産性の向上を図ることができる。
【００１４】
次に、本発明の半導体装置に用いられる導電性粉体含有封止用樹脂組成物について説明する。
この導電性粉体含有封止用樹脂組成物は、樹脂成分として、従来絶縁性材料として慣用されている樹脂を含み、かつこれに所定のチキソ（チキソトロピーの略称）性が付与されて、形状保持性に優れるものが好ましい。前記樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができるが、好ましくは、高粘度のエポキシ樹脂であって、１分子中に２個以上のエポキシ基を含有するものである。
このような導電性粉体含有封止用樹脂組成物としては、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）導電性粉体を含むエポキシ樹脂組成物を挙げることができる。
【００１５】
前記（Ａ）成分のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ（アセトアルデヒド）型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂はクロルイオンやナトリウムイオン含有量の低いものが好ましい。
【００１６】
これらのエポキシ樹脂は、単独又は２種以上の混合物としても用いることができる。また、これらのエポキシ樹脂に、他の族又は型のエポキシ樹脂を組合せた混合物又はそれらの相互反応物としても用いることができる。他の族又は型のエポキシ樹脂として、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、含複素環エポキシ樹脂、水添型（水素添加型）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、芳香族、脂肪族もしくは脂環式のカルボン酸とエピクロルヒドリンとの反応によって得られるエポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂などを適宜併用することができる。
【００１７】
前記（Ｂ）成分の硬化剤としては、前記のエポキシ樹脂と反応して硬化物を生成し得るものであれば如何なるものでも使用可能である。例えば、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物等の酸無水物、ノボラック型フェノール樹脂、クレゾールノボラック型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、無水フタル酸誘導体、ジシアンジアミド、イミダゾール化合物、アルミニウムキレート、ＢＦ3の様なルイス酸のアミン錯体等が挙げられる。これらの硬化剤は単独で又は硬化を阻害しない範囲において2種以上を組合せて用いることができる。
本発明においては、この（Ｂ）成分の硬化剤の使用量は、（Ａ）成分のエポキシ樹脂のエポキシ当量や該硬化剤の種類にもよるが、（Ａ）成分のエポキシ樹脂１００質量部に対し、通常２〜１５０質量部の範囲で選定される。
【００１８】
前記（Ｃ）成分の導電性粉体としては、金属粉体、例えば、ニッケル粉体やニッケル合金粉体、特に一般に用いられているニッケル粉体が好ましい。このニッケル粉体は、銀粉、酸化亜鉛粉体、アルミニウム粉体、亜鉛末（金属亜鉛の粉末）、真鍮粉体、鉄粉その他の単独又は２種以上の混合物として用いることもできる。
この導電性粉体の平均粒径は、封止用樹脂組成物中の分散性及び該組成物の流動性や印刷塗布性などの点から、０．１〜１０μｍが好ましく、２〜７μｍがより好ましい。また、封止用樹脂組成物中の該導電性粉体の含有量は、シールド性及び樹脂組成物の流動性や印刷塗布性などの点から、７０〜８０質量％の範囲が好ましい。
【００１９】
本発明で用いる導電性粉体含有封止用樹脂組成物においては、本発明の目的が損なわれない範囲で、必要に応じ、その他の無機充填剤、カップリング剤、消泡剤、着色剤、硬化促進剤、形状維持剤などを含有させることができる。
無機充填剤としては、例えばシリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末等が挙げられる。これらは単独でまたは２種以上を混合して用いることができる。
この無機充填剤の粒径に関しては、樹脂組成物の流動性などの点から、平均粒径が０．１〜１００μｍであることが好ましく、１〜３０μｍであると一層好ましい。
カップリング剤としては、シランカップリング剤が好ましい。このシランカップリング剤としては、例えばγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。これらのシランカップリング剤は、単独でまたは２種以上を混合して用いることができる。
【００２０】
本発明で用いる導電性粉体含有封止用樹脂組成物は、温度２５℃における粘度が３０〜１５０Ｐａ・ｓの範囲にあることが好ましい。この粘度が上記範囲にあれば、当該樹脂組成物を、半導体装置におけるデバイスの封止に用いる際の充填性や印刷塗布性及び気密空間部へのはみ出し防止性などが良好である。より好ましい粘度は３０〜８０Ｐａ・ｓの範囲である。
なお、この粘度はＥ型粘度計によって測定した値であり、例えばアエロジル（日本アエロジル社製）のような粘度調整剤を配合することにより、所望の値に調整することができる。
本発明はまた、本発明の半導体装置に用いられる前述の導電性粉体含有封止用樹脂組成物をも提供する。
【実施例】
【００２１】
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
なお、各例で得られた封止用樹脂組成物の性状、及びＳＡＷデバイスのノイズフロアレベルは、以下に示す方法に従って求めた。
（１）封止用樹脂組成物の粘度
温度２５℃における粘度を、Ｅ型粘度計を用い、３°コーン／１〜５                ｍｉｎの条件で測定した。
（２）封止用樹脂組成物の印刷塗布性
ＳＡＷデバイスの作製時において、ＳＡＷチップ全体を、封止用樹脂組成物でスクリーン印刷法により塗布し、シールドした際の印刷塗布性を、下記の判定基準に従って評価した。
○：ボイド無し
×：ボイド有り
（３）ＳＡＷデバイスのノイズフロアレベル
ＳＡＷデバイスのノイズフロアレベルを測定した。このノイズフロアレベルが７０ｄＢ以上が合格で、６３ｄＢ未満が不合格である。
【００２２】
実施例１
（１）封止用樹脂組成物の調製
エポキシ樹脂［ダウケミカル（株）製、商品名「ＤＥＲ−３３１Ｊ」１００質量部、硬化剤［旭電化（株）製、商品名「ＥＨ４０７０Ｓ」］３０質量部、消泡剤［ＧＥ東芝シリコーン（株）製、商品名「ＴＳＡ７２０」、シリコーン系］０．１質量部、シランカップリング剤［ＧＥ東芝シリコーン（株）製、商品名「ＴＳＬ８３５０」］１質量部及び金属粉体として、ニッケル粉体［ノバメット社製、商品名「ＣＮＳ−１０」、平均粒径７μｍ］４００質量部（組成物中の金属粉体含有量：７５質量％）を含有する封止用樹脂組成物を調製した。この封止用樹脂組成物の温度２５℃における粘度は、５０Ｐａ・ｓであった。
（２）ＳＡＷデバイスの作製
水晶からなる圧電基板の同一表面に、外部接続電極（接続パッド）及びＩＤＴ電極が形成されてなるＳＡＷチップと、表面配線層を有する回路基板と、前記（１）で得られた封止用樹脂組成物を用い、図２に示すＳＡＷデバイスを作製した。
なお、図２において、樹脂封止部８は、前記封止用樹脂組成物を用い、スクリーン印刷塗布法により形成した。
封止用樹脂組成物の印刷塗布性を評価すると共に、ＳＡＷデバイスのノイズフロアレベルを求めた。その結果を第１表に示す。
【００２３】
実施例２
実施例１（１）において、金属粉体として、ニッケル粉体（前出）４００質量部及び酸化亜鉛粉体［ハクスイテック（株）製、商品名「２３−Ｋ」、平均粒径５μｍ］２０質量部（組成物中の金属粉体含有量：７６質量％）を用いた以外は、実施例１と同様にして、封止用樹脂組成物を調製し、さらにＳＡＷデバイスを作製した。該封止用樹脂組成物の温度２５℃における粘度は４０Ｐａ・ｓであった。
封止用樹脂組成物の印刷塗布性を評価すると共に、ＳＡＷデバイスのノイズフロアレベルを求めた。その結果を第１表に示す。
【００２４】
実施例３
実施例１（１）において、金属粉体として、ニッケル粉体４００質量部の代わりに、銀粉［フェロー社製、商品名「ＳＦ−９」、平均粒径３．５μｍ］４００質量部（組成物中の金属粉体含有量：７５質量％）を用いた以外は、実施例１と同様にして、封止用樹脂組成物を調製し、さらにＳＡＷデバイスを作製した。該封止用樹脂組成物の温度２５℃における粘度は１６０Ｐａ・ｓであった。
封止用樹脂組成物の印刷塗布性を評価すると共に、ＳＡＷデバイスのノイズフロアレベルを求めた。その結果を第１表に示す。
【００２５】
実施例４
実施例１（１）において、金属粉体として、ニッケル粉体（前出）２００質量部（組成物中の金属粉体含有量：６０質量％）を用いた以外は、実施例１と同様にして、封止用樹脂組成物を調製し、さらにＳＡＷデバイスを作製した。該封止用樹脂組成物の温度２５℃における粘度は３０Ｐａ・ｓであった。
封止用樹脂組成物の印刷塗布性を評価すると共に、ＳＡＷデバイスのノイズフロアレベルを求めた。その結果を第１表に示す。
【００２６】
実施例５
実施例１（１）において、金属粉体として、ニッケル粉体（前出）５５０質量部（組成物中の金属粉体含有量：８１質量％）を用いた以外は、実施例１と同様にして、封止用樹脂組成物を調製し、さらにＳＡＷデバイスを作製した。該封止用樹脂組成物の温度２５℃における粘度は２００Ｐａ・ｓであった。
封止用樹脂組成物の印刷塗布性を評価すると共に、ＳＡＷデバイスのノイズフロアレベルを求めた。その結果を第１表に示す。
【００２７】
参考例
水晶からなる圧電基板の同一表面に、外部接続電極（接続パッド）及びＩＤＴ電極が形成されてなるＳＡＷチップと、表面配線層を有する回路基板と、金属フレームを用い、図３に示す金属フレームでシールドされたＳＡＷデバイスを作製し、そのノイズフロアレベルを求めた。結果を第１表に示す。
【００２８】
【表１】
2006340010.tif 000003
【００２９】
（注）
１）エポキシ樹脂：ダウケミカル（株）製、商品名「ＤＥＲ−３３１Ｊ」
２）硬化剤：旭電化（株）製、商品名「ＥＨ４０７０Ｓ」
３）消泡剤：ＧＥ東芝シリコーン（株）製、商品名「ＴＳＡ７２０」、シリコーン系
４）シランカップリング剤：ＧＥ東芝シリコーン（株）製、商品名「ＴＳＬ８３５０」
５）ニッケル粉体：ノバメット社製、商品名「ＣＮＳ−１０」、平均粒径７μｍ
６）銀粉：フェロー社製、商品名「ＳＦ−９」、平均粒径３．５μｍ
７）酸化亜鉛粉体：ハクスイテック（株）製、商品名「２３−Ｋ」、平均粒径５μｍ
【００３０】
第１表から分かるように、実施例１、２、３及び５のＳＡＷデバイスは、参考例である金属フレームによる従来のシールド方式のＳＡＷデバイスと同程度の良好なノイズフロアレベル（耐高周波ノイズ特性）を有するが、実施例３は、金属粉体として銀粉を用いており、実施例１のニッケル粉体を用いたものに比べて、組成物の印刷塗布性が悪い。また、実施例５は、組成物中の金属粉体の含有量が８０質量％を超えており、実施例１に比べて組成物の印刷塗布性が悪い。
実施例４は、組成物中の金属粉体の含有量が７０質量％未満であり、印刷塗布性は良好であるものの、ＳＡＷデバイスのノイズフロアレベルが、実施例１のものに比べて低く、耐高周波ノイズ特性に劣る。
なお、実施例１〜５のＳＡＷデバイスは、参考例のＳＡＷデバイスに比べて全体のサイズが小さく、かつ作製も容易であり、生産性を向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明の半導体装置は、特に表面にセンサ機能を備えた電子素子を有する電子部品を高周波ノイズからシールドする場合に、導電材料例えば金属からなる容器状のシールド材に代えて、導電性粉体含有封止用樹脂組成物も封止剤として用いることによってシールド効果が発揮されると共に、電子部品の小型化と高生産性とを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の半導体装置における樹脂封止部の形態の一例を示す概略縦断面図である。
【図２】本発明の半導体装置における樹脂封止部の形態の異なる例を示す概略縦断面図である。
【図３】従来のＳＡＷデバイスにおけるシールドの構成の一例を示す概略縦断面図である。
【図４】従来のＳＡＷデバイスにおけるシールドの構成の異なる例を示す概略縦断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１：電子素子
２：素子機能部
３：表面配線層
４：回路基板
５：導体バンプ
６，８：樹脂封止部
７：気密空間
１０，２０：半導体装置
３０，４０：ＳＡＷデバイス
３１，４１：ＳＡＷチップ
３２，４２：センサ機能部
３３，４３：表面配線層
３４，４４：回路基板
３５：ボンディングワイヤ
３６：樹脂組成物
３７：金属フレーム
３８，４６：ダム枠
４５：導体バンプ
４７：金属膜
４８：プラスチックフレーム
【図１】
2006340010.tif 000004
【図２】
2006340010.tif 000005
【図３】
2006340010.tif 000006
【図４】
2006340010.tif 000007