(57)【要約】【課題】  レーザ光を吐出口から吐出した機能材料を含む液滴に精度よく照射し、効率のよい乾燥・焼成を行なうことができる液滴吐出装置を提供する。【解決手段】  液滴吐出ヘッドの下面であってノズルプレート３１が搭載されたキャリッジに半導体レーザＬを搭載する。この半導体レーザＬの下方に半透鏡３９を配置する。この半透鏡３９は、レーザ光の一部（第１レーザ光）をその表面で反射させ、残りのレーザ光（第２レーザ光）を透過させる。第１レーザ光は、液滴Ｆｂの着弾位置の近傍に照射されて液滴を乾燥させ、第２レーザ光は、半導体レーザＬの直下に照射させて液滴Ｆｂの焼成を行なう。【選択図】      図７
2006272085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能性材料を含む液状体を、吐出口から液滴として吐出する液滴吐出手段と、前記吐出口から吐出され基板に着弾した前記液滴にレーザ光を供給するレーザ照射手段とを有した液滴吐出装置において、
前記レーザ照射手段からのレーザ光を分岐して、前記液滴吐出手段から吐出された液滴を乾燥させるための第１レーザ光と、前記液滴を焼成させるための第２レーザ光とを生成する分岐手段とを備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液滴吐出装置において、
前記分岐手段は、前記第２レーザ光の強度を、前記第１レーザ光の強度より大きくするように、前記第１レーザ光と前記第２レーザ光とを生成することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液滴吐出装置において、
前記分岐手段は、ハーフミラー、ビームスプリッタ又は回折素子のいずれかであることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記第２レーザ光を、前記基板に着弾した前記液滴に追従させる追従手段を設けたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液滴吐出装置において、
前記分岐手段を、前記レーザ照射手段から照射されるレーザ光の光軸上に設け、
前記追従手段は、前記分岐手段を移動させて、分岐した前記第２レーザ光を前記着弾した液滴に追従して照射できるようにしたことを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）等の電気光学装置には、画像を表示するための透明ガラス基板（以下単に、基板という。）が備えられている。この種の基板には、品質管理や製造管理を目的として、その製造元や製品番号等の製造情報をコード化した識別コード（例えば、２次元コード）が形成されている。こうした識別コードは、配列された多数のパターン形成領域（データセル）の一部に、コードパターン（例えば、有色の薄膜や凹部）を備え、そのコードパターンの有無によって製造情報をコード化している。
【０００３】
この識別コードの形成方法には、金属箔にレーザ光を照射してコードパターンをスパッタ成膜するレーザスパッタ法や、研磨材を含んだ水を基板等に噴射してコードパターンを刻印するウォータージェット法が提案されている（特許文献１、特許文献２）。
【０００４】
しかし、レーザスパッタ法では、所望するサイズのコードパターンを得るために、金属箔と基板の間隙を、数〜数十μｍに調整しなければならない。つまり、基板と金属箔の表面に対して非常に高い平坦性が要求され、しかも、これらの間隙をμｍオーダの精度で調整しなければならない。その結果、識別コードを形成できる対象基板が制限されて、その汎用性を損なう問題を招いていた。また、ウォータージェット法では、基板の刻印時に、水や塵埃、研磨剤等が飛散するため、同基板を汚染する問題があった。
【０００５】
近年、こうした生産上の問題を解消する識別コードの形成方法として、インクジェット法が注目されている。インクジェット法は、金属微粒子を含む微小液滴を液滴吐出装置から吐出し、その液滴を乾燥させることによってコードパターンを形成する。このため、対象基板の範囲を拡大することができ、同基板の汚染等を回避しながら識別コードを形成することができる。
【特許文献１】特開平１１−７７３４０号公報
【特許文献２】特開２００３−１２７５３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、インクジェット法は、基板に着弾させた液滴を乾燥させ、機能材料を焼成させて基板に密着させる。すなわち、乾燥工程により液滴の形状を固定し、焼成工程により機能材料を固める。このような乾燥・焼成工程は、適切な形状を形成するために必要な工程であるため、インクジェット法においては効率のよい乾燥・焼成が望まれていた。
【０００７】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、レーザ光を吐出口から吐出した機能材料を含む液滴に精度よく照射し、効率のよい乾燥・焼成を行なうことができる液滴吐出装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液滴吐出装置は、機能性材料を含む液状体を、吐出口から液滴として吐出する液滴吐出手段と、前記吐出口から吐出され基板に着弾した前記液滴にレーザ光を供給するレーザ照射手段とを有した液滴吐出装置において、前記レーザ照射手段からのレーザ光を分岐して、前記液滴吐出手段から吐出された液滴を乾燥させるための第１レーザ光と、前
記液滴を焼成させるための第２レーザ光とを生成する分岐手段とを備えた。
【０００９】
この液滴吐出装置によれば、レーザ照射手段からのレーザ光を分岐して、乾燥のための第１のレーザ光と、焼成させるための第２のレーザ光とを生成する。このため、一つのレーザ照射手段を用いて、乾燥と焼成という工程を実施することができる。乾燥と焼成とは、実施目的が異なるため、それぞれ実施することにより、それぞれの目的に応じた条件で照射することができる。更に、第１のレーザ光と第２のレーザ光とが、異なるタイミングで液滴に照射されるので、相対移動させる基板の速度を上げても、より長い時間レーザ光を液滴に照射することができる。よって、より効率よく液滴を乾燥及び焼成することができる。
【００１０】
この液滴吐出装置において、前記分岐手段は、前記第２レーザ光の強度を、前記第１レーザ光の強度より大きくするように、前記第１レーザ光と前記第２レーザ光とを生成する。
【００１１】
この液滴装置によれば、焼成するための第２レーザ光を、乾燥させる第１レーザ光より強くする。通常、乾燥に比べて、焼成にはより多くのエネルギが必要である。従って、焼成のためにより大きいエネルギの第２レーザ光を照射するので、より効率よく液滴の焼成を行なうことができる。ここにおける「ハーフミラー」とは、「入射した光を透過成分と反射成分に分配する光学部材」であって、透過成分と反射成分に分配するために透明部材の表面あるいは内部に何らかの処理を施した部材に限らず、処理を施していない素ガラスのような部材も含む。
【００１２】
この液滴吐出装置において、前記分岐手段は、ハーフミラー、ビームスプリッタ又は回折素子のいずれかでもよい。この液滴吐出装置によれば、ハーフミラー、ビームスプリッタ又は回折素子を用いて第１レーザ光及び第２レーザ光を生成することができる。
【００１３】
この液滴吐出装置において、前記第２レーザ光を、前記基板に着弾した前記液滴に追従させる追従手段を設けた。この液滴吐出装置によれば、第２レーザ光を、基板に着弾した液滴に追従させることができるので、より長時間、第２レーザ光を液滴に照射することができる。従って、より効率よく液滴の焼成を行なうことができる。
【００１４】
この液滴吐出装置において、前記分岐手段を、前記レーザ照射手段から照射されるレーザ光の光軸上に設け、前記追従手段は、前記分岐手段を移動させて、分岐した前記第２レーザ光を前記着弾した液滴に追従して照射できるようにした。この液滴吐出装置によれば、分岐手段を移動させることにより、第２レーザ光を液滴に追従させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態を図１〜図１０に従って説明する。
まず、本発明の液滴吐出装置を使って形成された識別コードを有する液晶表示装置の表示モジュールについて説明する。図１は液晶表示装置の液晶表示モジュールの正面図、図２は液晶表示モジュールの裏面に形成された識別コードの正面図、図３は液晶表示モジュールの裏面に形成された識別コードの側面図である。
【００１６】
図１において、液晶表示モジュール１は、光透過性の表示用基板としての透明ガラス基板（以下、単に基板２という。）を備えている。その基板２の表面２ａの略中央位置には、液晶分子を封入した四角形状の表示部３が形成され、その表示部３の外側には走査線駆動回路４及びデータ線駆動回路５が形成されている。そして、液晶表示モジュール１は、走査線駆動回路４の供給する走査信号とデータ線駆動回路５の供給するデータ信号に基づ
いて液晶分子の配向状態を制御し、図示しない照明装置から照射された平面光を、液晶分子の配向状態で変調することによって、表示部３に、所望の画像を表示するようになっている。
【００１７】
基板２の裏面２ｂの右隅には、パターンとしてドットＤで構成された液晶表示モジュール１の識別コード１０が形成されている。識別コード１０は、図２に示すように、パターン形成領域Ｚ１内に形成される複数のドットＤにて構成されている。
【００１８】
このパターン形成領域Ｚ１の外周には予め定めた余白領域Ｚ２が形成されている。そして、パターン形成領域Ｚ１に形成された識別コード１０は、本実施形態では２次元コードであって、２次元コードリーダで読み取ることができる。また、余白領域Ｚ２は、ドットＤが形成されない領域であって、２次元コードリーダがパターン形成領域Ｚ１を特定し同パターン形成領域Ｚ１内の識別コード１０の誤検出を防止するための領域である。
【００１９】
パターン形成領域Ｚ１は、１〜２ｍｍ角の正方形の領域であって、図４に示すように、１６行×１６列の２５６個のセルＣに仮想分割されている。そして、１６行×１６列の各セルＣに対して選択的にドットＤが形成され、その各ドットＤで構成する液晶表示モジュール１の製品番号やロット番号を識別するための識別コード１０が形成される。
【００２０】
本実施形態では、この分割されたセルＣであって、セルＣ内にドットＤが形成されるセルＣを黒セルＣ１とし、セルＣ内にドットＤが形成されないセルＣを白セルＣ０（非形成領域）とする。また、図４において上側から順に、１行目のセルＣ、２行目のセルＣ、・・・、１６行目のセルＣとし、図４において左側から順に、一列目のセルＣ、２列目のセルＣ、・・・、１６列目のセルＣという。
【００２１】
黒セルＣ１（ドット領域）に形成されるドットＤは、図２及び図３に示すように、半球状に基板２に密着して形成されている。このドットＤは、本実施形態ではインクジェット法によって形成されている。詳述すると、ドットＤは、後記する液滴吐出装置２０のノズルＮからパターン形成材料（例えば、マンガン微粒子等）を含む液状体Ｆａ（図８参照）の液滴ＦｂをセルＣ（黒セルＣ１）に吐出させる。次に、その黒セルＣ１に着弾した液滴Ｆｂを乾燥させ、液滴Ｆｂに含まれるマンガン微粒子を焼成させることによって、基板２に密着したマンガンよりなる半球状のドットＤが形成される。この乾燥・焼成はレーザ光を、基板２（黒セルＣ１）に着弾した液滴Ｆｂに照射することによって行われる。
【００２２】
次に、基板２の裏面２ｂに識別コード１０を形成するために使用される液滴吐出装置２０について説明する。図５は、液滴吐出装置２０の構成を示す斜視図である。
図５に示すように、液滴吐出装置２０には、直方体形状に形成される基台２１が備えられている。本実施形態では、この基台２１の長手方向をＹ矢印方向とし、同Ｙ矢印方向と直交する方向をＸ矢印方向とする。
【００２３】
基台２１の上面２１ａには、Ｙ矢印方向に延びる一対の案内凹溝２２が同Ｙ矢印方向全幅にわたり形成されている。その基台２１の上側には、一対の案内凹溝２２に対応する図示しない直動機構を備えた基板ステージ２３が取り付けられている。基板ステージ２３の直動機構は、例えば案内凹溝２２に沿って延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構であって、その駆動軸がステップモータよりなるＹ軸モータＭＹ（図９参照）に連結されている。そして、所定のステップ数に相対する駆動信号がＹ軸モータＭＹに入力されると、Ｙ軸モータＭＹが正転又は逆転して、基板ステージ２３が同ステップ数に相当する分だけ、Ｙ矢印方向に沿って所定の速度で往動又は復動する（Ｙ方向に移動する）ようになっている。
【００２４】
本実施形態では、この基板ステージ２３の配置位置であって、図５に示すように、基台２１の最も手前側に配置する位置を往動位置とする。
基板ステージ２３の上面には、載置面２４が形成され、その載置面２４には、図示しない吸引式の基板チャック機構が設けられている。そして、基板２が裏面２ｂを上側にして載置面２４に載置されると、その基板チャックによって、基板２が載置面２４の所定位置に位置決め固定されるようになっている。この際、パターン形成領域Ｚ１は、各セルＣの列方向がＹ矢印方向に沿うように設定され、かつ１行目のセルＣが最もＹ矢印方向側となるように配置される。
【００２５】
基台２１のＸ矢印方向両側には、一対の支持台２５ａ、２５ｂが立設され、その一対の支持台２５ａ、２５ｂには、Ｘ矢印方向に延びる案内部材２６が架設されている。案内部材２６は、その長手方向の幅が基板ステージ２３のＸ矢印方向よりも長く形成され、その一端が支持台２５ａ側に張り出すように配置されている。
【００２６】
案内部材２６の上側には、収容タンク２７が配設されている。その収容タンク２７には、分散媒にマンガン微粒子を分散させた液状体Ｆａが、導出可能に収容されている。一方、その案内部材２６の下側には、Ｘ矢印方向に延びる上下一対の案内レール２８がＸ矢印方向全幅にわたり凸設されている。この案内レール２８には、同案内レール２８に対応する図示しない直動機構を備えたキャリッジ２９が取り付けられている。キャリッジ２９の直動機構は、例えば案内レール２８に沿ってＸ矢印方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が、所定のパルス信号を受けてステップ単位で正逆転するＸ軸モータＭＸ（図９参照）に連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号をＸ軸モータＭＸに入力すると、Ｘ軸モータが正転又は逆転して、キャリッジ２９が同ステップ数に相当する分だけＸ矢印方向に沿って往動又は復動する。
【００２７】
また、キャリッジ２９には、液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド３０が一体に設けられている。図６は、液滴吐出ヘッド３０の下面（基板ステージ２３側の面）を上方に向けた場合の斜視図を示す。図７は、液滴吐出ヘッド３０の側面図を示す。液滴吐出ヘッド３０は、その下面にノズルプレート３１を備え、ノズルプレート３１には、本実施形態では識別コード１０を形成するための１６個の吐出口としてのノズルＮがＸ矢印方向に一列となって等間隔に貫通形成されている。
【００２８】
図８は、液滴吐出ヘッド３０の構造を説明するための要部断面図である。図８に示すように、ノズルプレート３１の上側であってノズルＮと相対する位置には、キャビティ３２が形成されている。キャビティ３２は収容タンク２７に連通し、収容タンク２７内の液状体Ｆａを、それぞれ対応する各キャビティ３２内に供給可能にする。キャビティ３２の上側には、上下方向に振動して、キャビティ３２内の容積を拡大縮小する振動板３３と、上下方向に伸縮して振動板３３を振動させるピエゾ素子等からなる圧電素子３４が配設されている。
【００２９】
そして、液滴吐出ヘッド３０が圧電素子３４を駆動制御するためのノズル駆動信号を受けると、圧電素子３４が伸縮して、キャビティ３２内の容積を拡大縮小させ、対応する各ノズルＮから縮小した容積分のマンガン微粒子を含む液状体Ｆａが液滴Ｆｂとなって基板２に吐出される。
【００３０】
液滴吐出ヘッド３０の下面であってノズルプレート３１の一側には、図６に示すように、レーザ照射装置３８が併設されている。レーザ照射装置３８は、１６個のノズルＮに対応して設けられた１６個のレーザ照射手段としての半導体レーザＬがＸ矢印方向に一列となって等間隔に並設されている。これら１６個の半導体レーザＬからなるレーザ列は、１
６個のノズルＮからなるノズル列と併設されていて、対応する各半導体レーザＬとノズルＮの間隔はそれぞれ同じになるように形成されている。
【００３１】
図７に示すように、半導体レーザＬの下方には、分岐手段としての半透鏡３９が配置されている。この半透鏡３９は、１６個のノズルＮの全体に対応して設置される。半透鏡３９は、レーザ光の一部（第１レーザ光）をその表面で反射させ、残りのレーザ光（第２レーザ光）を透過させる。ここで、第１レーザ光は、着弾した液滴Ｆｂの乾燥を行い、第２レーザ光は、乾燥された液滴Ｆｂの焼成を行なう。本実施形態では、液滴Ｆｂが基板２に着弾する位置の近傍に第１レーザ光が照射するように、着弾した液滴Ｆｂから所定列目に位置するセルに第２レーザ光が照射するように、半透鏡３９の取付位置が調節されている。
【００３２】
次に、上記のように構成した液滴吐出装置２０の電気的構成を図９に従って説明する。
図９において、制御装置４０には、外部コンピュータ等の入力装置４１から各種データを受信するＩ／Ｆ部４２と、ＣＰＵ等からなる制御部４３、ＤＲＡＭ及びＳＲＡＭからなり各種データを格納するＲＡＭ４４、各種制御プログラムを格納するＲＯＭ４５が備えられている。また、制御装置４０には、駆動波形生成回路４６、各種駆動信号を同期するためのクロック信号ＣＬＫを生成する発振回路４７、半導体レーザＬを駆動するためのレーザ駆動電圧ＶＤＬを生成する電源回路４８、各種駆動信号を送信するＩ／Ｆ部４９が備えられている。そして、制御装置４０では、これらＩ／Ｆ部４２、制御部４３、ＲＡＭ４４、ＲＯＭ４５、駆動波形生成回路４６、発振回路４７、電源回路４８及びＩ／Ｆ部４９が、バス５０を介して接続されている。
【００３３】
詳述すると、Ｉ／Ｆ部４２は、入力装置４１から、基板２の製品番号やロット番号等の識別データを公知の方法で２次元コード化した識別コード１０の画像を、既定形式の描画データＩａとして受信する。制御部４３は、Ｉ／Ｆ部４２の受信した描画データＩａに基づいて、識別コード作成処理動作を実行する。すなわち、制御部４３は、ＲＡＭ４４等を処理領域として、ＲＯＭ４５等に格納された制御プログラム（例えば、識別コード作成プログラム）に従って、基板ステージ２３を移動させて基板２の搬送処理動作を行い、液滴吐出ヘッド３０の各圧電素子３４を駆動させて液滴吐出処理動作を行なう。また、制御部４３は、識別コード作成プログラムに従って、各半導体レーザＬを駆動させて液滴Ｆｂを乾燥させる乾燥処理動作を行なう。
【００３４】
詳述すると、制御部４３は、Ｉ／Ｆ部４２の受信した描画データＩａに所定の展開処理を施し、２次元描画平面（パターン形成領域Ｚ１）上における各セルＣに、液滴Ｆｂを吐出するか否かを示すビットマップデータＢＭＤを生成してＲＡＭ４４に格納する。このビットマップデータＢＭＤは、圧電素子３４に対応して１６×１６ビットのビット長を有したシリアルデータであり、各ビットの値（０あるいは１）に応じて、圧電素子３４のオンあるいはオフを規定するものである。
【００３５】
また、制御部４３は、描画データＩａにビットマップデータＢＭＤの展開処理と異なる展開処理を施し、圧電素子３４に印加する圧電素子駆動電圧ＶＤＰの波形データを生成して、駆動波形生成回路４６に出力するようになっている。駆動波形生成回路４６は、制御部４３において生成された波形データを格納する波形メモリ４６ａと、同波形データをデジタル／アナログ変換してアナログ信号として出力するＤ／Ａ変換部４６ｂと、Ｄ／Ａ変換部から出力されるアナログの波形信号を増幅する信号増幅部４６ｃとを備えている。そして、駆動波形生成回路４６は、波形メモリ４６ａに格納した波形データをＤ／Ａ変換部４６ｂによりデジタル／アナログ変換し、アナログ信号の波形信号を信号増幅部４６ｃにより増幅して圧電素子駆動電圧ＶＤＰを生成する。
【００３６】
そして、制御部４３は、Ｉ／Ｆ部４９を介して、ビットマップデータＢＭＤを、発振回路４７の生成するクロック信号ＣＬＫに同期させた吐出制御信号ＳＩとして、後述するヘッド駆動回路５１（シフトレジスタ５６）に順次シリアル転送する。また、制御部４３は、転送した吐出制御信号ＳＩをラッチするためのラッチ信号ＬＡＴをヘッド駆動回路５１に出力する。更に、制御部４３は、発振回路４７の生成するクロック信号ＣＬＫに同期させて、圧電素子駆動電圧ＶＤＰをヘッド駆動回路５１（スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６）に出力する。
【００３７】
この制御装置４０には、Ｉ／Ｆ部４９を介して、ヘッド駆動回路５１、レーザ駆動回路５２、基板検出装置５３、Ｘ軸モータ駆動回路５４及びＹ軸モータ駆動回路５５が接続されている。
【００３８】
ヘッド駆動回路５１には、シフトレジスタ５６、ラッチ回路５７、レベルシフタ５８及びスイッチ回路５９が備えられている。シフトレジスタ５６は、クロック信号ＣＬＫに同期して制御装置４０（制御部４３）から転送された吐出制御信号ＳＩを、１６個の圧電素子３４に対応させてシリアル／パラレル変換する。ラッチ回路５７は、シフトレジスタ５６のパラレル変換した１６ビットの吐出制御信号ＳＩを、制御装置４０（制御部４３）から入力されるラッチ信号ＬＡＴに同期してラッチし、ラッチした吐出制御信号ＳＩをレベルシフタ５８及びレーザ駆動回路５２に出力する。レベルシフタ５８は、ラッチ回路５７のラッチした吐出制御信号ＳＩを、スイッチ回路５９が駆動する電圧まで昇圧して、１６個の各圧電素子３４に対応する開閉信号ＧＳ１をそれぞれ生成する。スイッチ回路５９には、各圧電素子３４に対応するスイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６がそれぞれ備えられ、各スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６の入力側には、共通する圧電素子駆動電圧ＶＤＰが入力され、出力側には、それぞれ対応する圧電素子３４が接続されている。そして、各スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６には、レベルシフタ５８から、対応する開閉信号ＧＳ１が入力され、同開閉信号ＧＳ１に応じて圧電素子駆動電圧ＶＤＰを圧電素子３４に供給するか否かを制御するようになっている。
【００３９】
すなわち、本実施形態の液滴吐出装置２０は、駆動波形生成回路４６の生成した圧電素子駆動電圧ＶＤＰを、各スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６を介して対応する各圧電素子３４に共通に印加する。また、同液滴吐出装置２０は、その各スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６の開閉を、制御装置４０（制御部４３）から出力する吐出制御信号ＳＩ（開閉信号ＧＳ１）で制御するようにしている。そして、スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６が閉じると、同スイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６に対応する圧電素子３４に、圧電素子駆動電圧ＶＤＰが供給され、同圧電素子３４に対応するノズルＮから液滴Ｆｂが吐出される。
【００４０】
図１０のラッチ信号ＬＡＴ、吐出制御信号ＳＩ及び開閉信号ＧＳ１のパルス波形と、開閉信号ＧＳ１に応答して圧電素子３４に印加される圧電素子駆動電圧ＶＤＰの波形を示す。
【００４１】
図１０に示すように、制御部４３からヘッド駆動回路５１に出力されたラッチ信号ＬＡＴが立ち下がると、１６ビット分の吐出制御信号ＳＩに基づいて開閉信号ＧＳ１が生成される。そして、１６個の開閉信号ＧＳ１のうち立ち上がった開閉信号ＧＳ１に対応する圧電素子３４に圧電素子駆動電圧ＶＤＰが供給される。圧電素子駆動電圧ＶＤＰの電圧の上昇とともに圧電素子３４が収縮してキャビティ３２内に液状体Ｆａが引き込まれ、圧電素子駆動電圧ＶＤＰの電圧値の下降とともに圧電素子３４が伸張してキャビティ３２内の液状体Ｆａが押し出され、液滴Ｆｂが吐出される。液滴Ｆｂを吐出すると、圧電素子駆動電圧ＶＤＰの電圧値は初期電圧まで戻り、圧電素子３４の駆動による液滴Ｆｂの吐出動作が終了する。
【００４２】
図９に示すように、レーザ駆動回路５２には、遅延パルス生成回路６１とスイッチ回路６２が備えられている。遅延パルス生成回路６１は、図１０に示すようにラッチ回路５７がラッチ信号ＬＡＴの立下りに応答してラッチした吐出制御信号ＳＩを、所定の時間Ｔ（具体的には、待機時間Ｔ１，Ｔ２）だけ遅延させたパルス信号（開閉信号ＧＳ２）を生成し、この開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路６２に出力する。ここで、待機時間Ｔ１とは、圧電素子３４（ノズルＮ）に対応する半導体レーザＬの第１レーザ光の照射位置に、液滴Ｆｂが着弾するまでに要する時間である。また、待機時間Ｔ２とは、圧電素子３４（ノズルＮ）に対応する半導体レーザＬの第２レーザ光の照射位置に、着弾した液滴Ｆｂが通過するために要する時間である。なお、これら待機時間Ｔ１，Ｔ２は、圧電素子３４の駆動タイミング（ラッチ信号ＬＡＴの立ち下がりタイミング）を基準（基準時間Ｔｋ）としており、各待機時間Ｔ１，Ｔ２は、予め試験等に基づいて設定した時間である。本実施形態では、第１レーザ光の照射位置のセルから所定列目のセルに第２レーザ光が照射されるように設定されているため、待機時間Ｔ２は、基板２が所定列分のセルを移動する時間だけ待機時間Ｔ１よりも長い。そして、遅延パルス生成回路６１は、待機時間Ｔ１，Ｔ２を経過したときにパルスを生成すると、開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路６２に出力する。
【００４３】
スイッチ回路６２には、各半導体レーザＬに対応するスイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６が備えられている。各スイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６の入力側には、電源回路４８の生成した共通のレーザ駆動電圧ＶＤＬが入力され、出力側には対応する各半導体レーザＬが接続されている。そして、各スイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６には、遅延パルス生成回路６１から対応する開閉信号ＧＳ２が入力され、同開閉信号ＧＳ２に応じてレーザ駆動電圧ＶＤＬを半導体レーザＬに供給するか否かを制御するようになっている。
【００４４】
すなわち、本実施形態の液滴吐出装置２０は、電源回路４８の生成したレーザ駆動電圧ＶＤＬを、各スイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６を介して対応する各半導体レーザＬに共通に印加する。液滴吐出装置２０は、そのスイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６の開閉を、制御装置４０（制御部４３）の供給する吐出制御信号ＳＩ（開閉信号ＧＳ２）によって制御するようにしている。そして、スイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６が閉じると、同スイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６に対応する半導体レーザＬにレーザ駆動電圧ＶＤＬが供給され、対応する半導体レーザＬからレーザ光が出射される。
【００４５】
つまり、図１０に示すように、ラッチ信号ＬＡＴがヘッド駆動回路５１に入力されると、すぐに開閉信号ＧＳ２が生成されるとともに、待機時間Ｔ１，Ｔ２後に開閉信号ＧＳ２が生成される。そして、開閉信号ＧＳ２が立ち上がった時に、対応する半導体レーザＬにレーザ駆動電圧ＶＤＬが印加され、丁度、半導体レーザＬの照射位置を通過する基板２（黒セルＣ１）に着弾した液滴Ｆｂに、同半導体レーザＬからレーザ光が出射される。そして、開閉信号ＧＳ２が立ち下がり、レーザ駆動電圧ＶＤＬの供給が遮断されて半導体レーザＬによる乾燥処理動作が終了する。
【００４６】
制御装置４０には、Ｉ／Ｆ部４９を介して基板検出装置５３が接続されている。基板検出装置５３は、基板２の端縁を検出し、制御装置４０によって液滴吐出ヘッド３０（ノズルＮ）の直下を通過する基板２の位置を算出する際に利用される。
【００４７】
制御装置４０には、Ｉ／Ｆ部４９を介してＸ軸モータ駆動回路５４が接続され、Ｘ軸モータ駆動回路５４にＸ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｘ軸モータ駆動回路５４は、制御装置４０からのＸ軸モータ駆動制御信号に応答して、キャリッジ２９を往復移動させるＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させるようになっている。そして、例えば、Ｘ軸モータＭＸを正転させると、キャリッジ２９はＸ矢印方向に移動し、逆転させるとキャリッジ２９は反Ｘ矢印方向に移動するようになっている。
【００４８】
制御装置４０には、Ｘ軸モータ駆動回路５４を介してＸ軸モータ回転検出器５４ａが接続され、Ｘ軸モータ回転検出器５４ａからの検出信号が入力される。制御装置４０は、この検出信号に基づいて、Ｘ軸モータＭＸの回転方向及び回転量を検出し、液滴吐出ヘッド３０（キャリッジ２９）のＸ矢印方向の移動量と、移動方向とを演算するようになっている。
【００４９】
制御装置４０には、Ｉ／Ｆ部４９を介してＹ軸モータ駆動回路５５が接続され、Ｙ軸モータ駆動回路５５にＹ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｙ軸モータ駆動回路５５は、制御装置４０からのＹ軸モータ駆動制御信号に応答して、基板ステージ２３を往復移動させるＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させ、同基板ステージ２３を予め定めた速度で移動させるようになっている。例えば、Ｙ軸モータＭＹを正転させると、基板ステージ２３（基板２）は予め定めた速度でＹ矢印方向に移動し、逆転させると、基板ステージ２３（基板２）は予め定めた速度で反Ｙ矢印方向に移動する。
【００５０】
制御装置４０には、Ｙ軸モータ駆動回路５５を介してＹ軸モータ回転検出器５５ａが接続され、Ｙ軸モータ回転検出器５５ａからの検出信号が入力される。制御装置４０は、Ｙ軸モータ回転検出器５５ａからの検出信号に基づいて、Ｙ軸モータＭＹの回転方向及び回転量を検出し、液滴吐出ヘッド３０に対する基板２のＹ矢印方向の移動方向及び移動量を演算する。
【００５１】
次に、液滴吐出装置２０を使って識別コード１０を基板２の裏面２ｂに形成する方法について説明する。
まず、図５に示すように、往動位置に位置する基板ステージ２３上に、基板２を、裏面２ｂが上側になるように配置固定する。このとき、基板２のＹ矢印方向側の辺は、案内部材２６より反Ｙ矢印方向側に配置されている。また、キャリッジ２９（液滴吐出ヘッド３０）は、基板２がＹ矢印方向に移動したとき、その直下を、識別コード１０を形成する位置（パターン形成領域Ｚ１）が通過する位置にセットされている。
【００５２】
この状態から、制御装置４０は、Ｙ軸モータＭＹを駆動制御し、基板ステージ２３を介して基板２を所定の速度でＹ矢印方向に搬送させる。やがて、基板検出装置５３が基板２のＹ矢印側の端縁を検出すると、制御装置４０は、Ｙ軸モータ回転検出器５５ａからの検出信号に基づいて、横一列のセルＣ（黒セルＣ１）がノズルＮの直下まで搬送されたかどうか演算する。
【００５３】
この間、制御装置４０は、識別コード作成プログラムに従って、ＲＡＭ４４に格納したビットマップデータＢＭＤに基づく吐出制御信号ＳＩと、駆動波形生成回路４６で生成した圧電素子駆動電圧ＶＤＰをヘッド駆動回路５１に出力する。また、制御装置４０は、電源回路４８で生成したレーザ駆動電圧ＶＤＬをレーザ駆動回路５２に出力する。そして、制御装置４０は、ラッチ信号ＬＡＴを出力するタイミングを待つ。
【００５４】
そして、１行目のセルＣ（黒セルＣ１）がノズルＮの直下（着弾位置）まで搬送されると、制御装置４０は、ラッチ信号ＬＡＴをヘッド駆動回路５１に出力する。ヘッド駆動回路５１は、制御装置４０からのラッチ信号ＬＡＴを受けると、吐出制御信号ＳＩに基づく開閉信号ＧＳ１を生成し、同開閉信号ＧＳ１をスイッチ回路５９に出力する。そして、閉じた状態のスイッチ素子Ｓａ１〜Ｓａ１６に対応する圧電素子３４に、圧電素子駆動電圧ＶＤＰを供給し、対応するノズルＮから、圧電素子駆動電圧ＶＤＰに相対する液滴Ｆｂを、一斉に吐出する。
【００５５】
一方、ラッチ信号ＬＡＴがヘッド駆動回路５１に入力されると、レーザ駆動回路５２（遅延パルス生成回路６１）は、ラッチ回路５７のラッチした吐出制御信号ＳＩを受けて開
閉信号ＧＳ２の生成を開始し、待機時間Ｔ１を経過するときに、生成した開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路６２に出力する。そして、レーザ駆動回路５２は、遅延パルス生成回路６１の生成した開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路６２に出力し、閉じた状態のスイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６に対応する半導体レーザＬに、レーザ駆動電圧ＶＤＬを供給する。これにより、各半導体レーザＬからレーザ光が照射される。そして、このレーザ光は、半透鏡３９によって第１レーザ光及び第２レーザ光に分岐される。このうち、第１レーザ光は、横一列の黒セルＣ１内に着弾した液滴Ｆｂに照射され、各第１レーザ光のエネルギによって、着弾した液滴Ｆｂの分散媒を蒸発させ、同液滴Ｆｂを乾燥させる。
【００５６】
その後、基板２がＹ方向に移動して待機時間Ｔ２を経過すると、レーザ駆動回路５２（遅延パルス生成回路６１）は、ラッチ回路５７のラッチした吐出制御信号ＳＩを受けて開閉信号ＧＳ２の生成を開始し、生成した開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路６２に出力する。そして、レーザ駆動回路５２は、遅延パルス生成回路６１の生成した開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路６２に出力し、閉じた状態のスイッチ素子Ｓｂ１〜Ｓｂ１６に対応する半導体レーザＬに、レーザ駆動電圧ＶＤＬを供給する。これにより、各半導体レーザＬからレーザ光が照射される。そして、このレーザ光は、半透鏡３９によって第１レーザ光及び第２レーザ光に分岐される。このうち、第２レーザ光は、第２レーザ光の照射位置に至った横一列の黒セルＣ１内に着弾した液滴Ｆｂに照射され、この第２レーザ光のエネルギによって、液滴Ｆｂに含まれていたマンガン微粒子が焼成され、基板２に密着される。これにより、基板２にマンガンよりなる半球状のドットＤが形成される。なお、半透鏡３９によって分岐された第１レーザ光は、第１レーザ光の照射位置、すなわち横一列から所定列目にあるセルを照射し、このセルに着弾した液滴Ｆｂの乾燥を行なう。
【００５７】
以後、同様に、各ノズルＮから吐出された液滴Ｆｂは、基板２に着弾するたびに、対応する半導体レーザＬの第１レーザ光の照射を受けて乾燥され、第２レーザ光の照射位置に搬送されるたびに、半導体レーザＬの第２レーザ光の照射を受けて焼成される。そして、識別コード１０を構成する半球状のドットＤが横一列毎に形成されてくる。
【００５８】
その後、パターン形成領域Ｚ１に形成される識別コード１０の全てドットＤを形成されると、制御装置４０は、Ｙ軸モータＭＹを制御して、基板２を液滴吐出ヘッド３０の下方位置から退出させる。
【００５９】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）本実施形態によれば、半導体レーザＬの下方に半透鏡３９が配置されている。この半透鏡３９は、レーザ光の一部（第１レーザ光）をその表面で反射させ、残りのレーザ光（第２レーザ光）を透過させる。第１レーザ光は、液滴Ｆｂの着弾位置の近傍に照射されて液滴を乾燥させ、第２レーザ光は、半導体レーザＬの直下に照射させて液滴Ｆｂの焼成を行なう。従って、各ノズルＮに対応する一つの半導体レーザＬを用いて、目的が異なる乾燥と焼成を、それぞれの目的に応じた条件で照射することが可能となる。更に、第１レーザ光と第２レーザ光とが、異なるタイミングで液滴に照射されるので、より長い時間、レーザ光を液滴に照射することができる。従って、効率よく液滴Ｆｂの乾燥及び焼成を行なうことができる。
【００６０】
（２）本実施形態によれば、１６個の半導体レーザＬは、駆動した圧電素子３４に対応する半導体レーザＬしか駆動させないようにした。このため、乾燥や焼成の必要にない領域においては、半導体レーザＬによるレーザ照射を抑制し、消費電力を抑えることができる。
【００６１】
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を、図１１及び図１２に基づいて説明する。な
お、第１実施形態と同様な部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００６２】
図１１に示すように、本実施形態では、上記第１実施形態の半導体レーザＬのレーザ光が基板２に対して斜めに照射されるように、取り付けられている。
この半導体レーザＬからのレーザ光の光軸上には、半透鏡３９が配置されている。本実施形態の半透鏡３９は、一部を透過させたレーザ光を半透鏡３９に通過させて液滴Ｆｂの乾燥を行なう第１レーザ光として用い、その表面で反射させた残りのレーザ光を、液滴Ｆｂの焼成を行なう第２レーザ光として用いる。また、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様に、液滴Ｆｂが基板２に着弾する位置の近傍に第１レーザ光が照射するように配置する。
【００６３】
更に、本実施形態では、半透鏡３９は、微小移動ステージを介してキャリッジ２９に設けられている。この微小移動ステージは、半透鏡３９をＹ矢印方向に微小移動させるための図示しない半透鏡駆動機構が設けられている。この半透鏡駆動機構は、例えば、Ｙ矢印方向に延びる案内レールに沿ってＹ矢印方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構である。更に、この半透鏡駆動機構の駆動軸は、所定のパルス信号を受けてステップ単位で正逆転する移動用モータＭＡ（図１２参照）に連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号を移動用モータＭＡに入力すると、移動用モータが正転又は逆転して、半透鏡３９が同ステップ数に相当する分だけＹ矢印方向に沿って往動又は復動する。従って、半透鏡駆動機構を駆動させて半透鏡３９をＹ矢印方向に移動させることにより、第１レーザ光の照射位置を液滴Ｆｂの着弾位置の近傍にほぼ固定した状態で、第２レーザ光の照射位置を、図１１の上図に示す位置から下図に示す位置になるように、基板２のＹ軸方向の移動に沿って移動させることができる。従って、基板２に着弾した液滴Ｆｂの移動に追従して、第２レーザ光を移動させることができる機構となっている。
【００６４】
本実施形態の制御装置４０には、図１２に示すように、Ｉ／Ｆ部４９を介して半透鏡移動駆動回路６５が接続され、これに駆動制御信号を出力するようになっている。また、この半透鏡移動駆動回路６５には、レーザ駆動回路５２の遅延パルス生成回路６１で生成したパルス信号が供給され、半透鏡３９を移動させる移動用モータＭＡを正転又は逆転させる。このとき、半透鏡移動駆動回路６５は、待機時間Ｔ２だけ遅延させたパルス信号（開閉信号ＧＳ２）に基づいてレーザ光を照射する場合、すなわち焼成工程においては、半透鏡移動駆動回路６５は移動用モータＭＡを駆動させる。具体的には、基板２の移動に併せて、分岐させたレーザ光を着弾した液滴Ｆｂに追従させるように、半透鏡３９をＹ矢印方向に移動させる。
【００６５】
本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
（３）本実施形態によれば、第２レーザ光の照射位置を変更し、基板２の移動に合わせて第２レーザ光の照射位置を変更できるように、半透鏡３９をＹ矢印方向に移動させる半透鏡駆動機構を設けた。通常、乾燥に比べて、焼成にはより多くにエネルギが必要である。従って、第２レーザ光の照射位置の移動と基板２の移動の相対速度差を小さくして、基板２に着弾した液滴Ｆｂに対して、第２レーザ光の照射時間を長くして、焼成を促進することができる。よって、描画速度を上げるために基板ステージ２３の移動を早くし、焼成のための半導体レーザＬのレーザ光の照射時間を確保でき、焼成を行なうことができる。
【００６６】
（４）本実施形態によれば、半透鏡３９を透過する光を第１レーザ光とし、半透鏡３９を反射する光を第２レーザ光とした。半透鏡３９を透過する光は、半透鏡３９を昇降移動及び平行移動させても、その照射位置は大きく移動しない。このため、第２レーザ光を液滴Ｆｂに追従させるように半透鏡３９を移動させても、第１レーザ光の照射位置をほぼ固
定することができる。従って、液滴Ｆｂが基板２に着弾するとすぐに乾燥を行なうことができるとともに、第２レーザ光をＦｂに長時間照射させて効率よく液滴Ｆｂの焼成を行なうことができる。
【００６７】
なお、上記各実施形態は、以下のように変更してもよい。
○上記第２実施形態では、半透鏡３９をＹ矢印方向に移動させることにより、第２レーザ光を、基板２に着弾した液滴Ｆｂに追従させた。第２レーザ光の追従方法はこれに限られるものではない。例えば、半透鏡３９を傾けて設置し、第２実施形態と同様に半透鏡３９を移動させてもよい。この場合、半透鏡３９にける反射点の位置が移動し、照射位置を変更することができる。また、半透鏡３９を回動させることにより照射位置を変更することも可能である。なお、半透鏡３９を回動させる場合には、反射させる第２レーザ光の照射位置の移動量に対して、第１レーザ光の照射位置の移動量は小さくなるため、第２レーザ光を液滴Ｆｂに追従させても、第１レーザ光をほぼ同じ位置に照射することができる。
【００６８】
○上記第２実施形態では、半透鏡３９をＹ矢印方向に移動させて、液滴Ｆｂの着弾位置の近傍に第１レーザ光を照射させ、第２レーザ光を液滴Ｆｂに追従させた。常に、第１レーザ光と第２レーザ光とに分岐させる必要はない。例えば、液滴Ｆｂの乾燥と焼成とを同じタイミングで行なわない場合には、第１レーザ光又は第２レーザ光のみを照射するように、半透鏡３９を移動又は回動させてもよい。例えば、第２レーザ光を照射しない場合には、半透鏡３９を、レーザの照射線から退避させて第１レーザ光のみを照射するようにしてもよい。また、第１レーザ光を照射しない場合には、半透鏡３９を回動させてレーザ光を全反射させて第２レーザ光のみを照射させるようにしてもよい。
【００６９】
具体的には、遅延パルス生成回路６１が待機時間Ｔ１で生成したパルスのみに基づいて照射を行なう場合には、レーザ光を全透過させて第１レーザ光を生成するように半透鏡３９の移動又は回動を制御する。また、遅延パルス生成回路６１が待機時間Ｔ２で生成したパルスのみに基づいて照射を行なう場合には、レーザ光を全反射させて第２レーザ光を生成するように半透鏡３９の移動又は回動を制御する。更に、遅延パルス生成回路６１が待機時間Ｔ１，Ｔ２において重畳して生成したパルスに基づいて照射を行なう場合には、第１レーザ光及び第２レーザ光を生成するように半透鏡３９の昇降及び回動を制御する。従って、第１レーザ光の照射又は第２レーザ光の照射が不要の場合には、その不要な照射を行なわず、その照射を行なわないエネルギを必要なレーザ光として照射することができる。
【００７０】
○上記各実施形態では、第１レーザ光と第２レーザ光とを分ける分岐手段として、半透鏡３９を用いた。分岐手段はこれに限らず、例えば、ビームスプリッタや回折素子などを用いてもよい。
【００７１】
○上記各実施形態では、液滴Ｆｂの乾燥を行なうために半導体レーザＬを用い、液滴Ｆｂの焼成を行なうために半導体レーザＬを用いた。これに限らず、液滴Ｆｂの乾燥を行なうレーザ又は液滴Ｆｂの焼成を行なうレーザは、他のレーザを用いてもよい。
【００７２】
○上記各実施形態では、半導体レーザＬから出射したレーザ光のレーザ照射位置を液滴Ｆｂの着弾位置とほぼ一致させたが、レーザ照射位置を液滴の着弾位置から相違させて照射してもよい。
【００７３】
○上記各実施形態では、半球状のドットＤで具体化したが、その形状は限定されるものではなく、例えば、その平面形状が楕円形のドットであったり、バーコードを構成するバーのように線状であったりしてもよい。
【００７４】
○上記各実施形態では、パターンは２次元コードの識別コードであったが、これに限定されるものではなく、例えばバーコードであってもよい。更に、パターンは、文字、数字、記号等であってもよい。
【００７５】
○上記各実施形態では、識別コード１０を表示用基板として基板２に形成したが、これをシリコンウェハ、樹脂フィルム、金属板等でもよい。
○上記各実施形態では、圧電素子３４の伸縮動によって液滴Ｆｂを吐出する構成にしたが、圧電素子３４以外の方法（例えば、キャビティ３２内に気泡を生成して破裂させる方法）によってキャビティ３２内を加圧し、液滴Ｆｂを吐出するようにしてもよい。
【００７６】
○上記各実施形態では、レーザ駆動回路５２の遅延パルス生成回路６１にて、待機時間Ｔ１，Ｔ２が経過した時、開閉信号ＧＳ２を出力するようにした。これを、制御装置４０で、待機時間Ｔ１，Ｔ２をそれぞれ計時して、待機時間Ｔ１，Ｔ２が経過した時、レーザ駆動回路５２に制御信号を出力する。そして、レーザ駆動回路５２は、制御信号に応答して、ヘッド駆動回路５１のラッチ回路５７から入力した吐出制御信号ＳＩに基づいて生成した開閉信号ＧＳ２を出力するようにしてもよい。
【００７７】
○上記各実施形態では、識別コード１０を構成するドットＤを形成するための液滴吐出装置２０に具体化した。これに限らず、例えば、機能性材料として配線材料を含む液滴を基板に吐出させて基板上に金属配線を形成したり、絶縁膜を形成したりする液滴吐出装置に応用してもよい。この場合にも、効率よく乾燥・焼成を液滴吐出装置で行なうことができる。
【００７８】
○上記各実施形態では、液晶表示モジュール１に具体化した。これに限らず、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置の表示モジュールであってもよく、あるいは平面状の電子放出素子を備え、同素子から放出された電子による蛍光物質の発光を利用した電界効果型装置（ＦＥＤやＳＥＤ等）を備えた表示モジュールであってもよい。また、識別コード１０が形成された基板２等は、これらの表示装置のみでなく、他の電子機器に使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】液晶表示装置の液晶表示モジュールの正面図。
【図２】液晶表示モジュールの裏面に形成されたドットパターンの正面図。
【図３】液晶表示モジュールの裏面に形成されたドットパターンの側面図。
【図４】ドットパターンの構成を説明するための説明図。
【図５】本実施形態の液滴吐出装置の要部斜視図。
【図６】液滴吐出ヘッドを説明するための斜視図。
【図７】液滴吐出ヘッドを説明するための側面図。
【図８】液滴吐出ヘッドを説明するための要部断面図。
【図９】液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。
【図１０】圧電素子と半導体レーザの駆動タイミングを説明するためのタイミングチャート。
【図１１】液滴吐出ヘッドを説明するための要部断面図。
【図１２】液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。
【符号の説明】
【００８０】
Ｆａ…液状体、Ｆｂ…液滴、Ｌ…レーザ照射手段としての半導体レーザ、Ｎ…吐出口としてのノズル、２…基板としてのガラス基板、２０…液滴吐出装置、２９…キャリッジ、３０…液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド、３９…分岐手段としての半透鏡。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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