(57)【要約】【課題】  本発明は、駆動回路の駆動周波数を抑えつつ、擬似輪郭の発生を抑えることができる半導体表示装置の駆動方法の提案を課題とする。また本発明は、画質の低下を抑えつつ、擬似輪郭の発生を抑えることができる表示装置の駆動方法の提案を課題とする。【解決手段】  本発明の一形態は、１フレーム期間に、１組を成す複数のサブフレーム期間を有し、１組を成す複数のサブフレーム期間はある点で反転して設けられていることを特徴とする表示装置の駆動方法である。【選択図】図１
2006072331.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１フレーム期間に、１組を成す複数のサブフレーム期間を有し、
前記１組を成す複数のサブフレーム期間は、前記１フレーム期間のある点で反転するように設けられている
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項２】
１フレーム期間に、１組を成す複数のサブフレーム期間を有し、
前記１フレーム期間において、前記１組を成す複数のサブフレーム期間は、前記１フレーム期間のある時点で反転するように設けられている
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項３】
１フレーム期間に、１組を成す複数のサブフレーム期間を有し、
前記複数のサブフレーム期間の長さは２0：２1：２2・・・・：２nであり、
前記１フレーム期間において、前記１組を成す複数のサブフレーム期間は、前記１フレーム期間のある時点で反転するように設けられている
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項４】
１フレーム期間に、１組を成す複数のサブフレーム期間を有し、
前記複数のサブフレーム期間の長さは、共有率Ｒshにより求められたサブフレーム率ＲSFに従って決定されており、
前記１フレーム期間において、前記１組を成す複数のサブフレーム期間は、前記１フレーム期間のある時点で反転するように設けられている
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項５】
複数のサブフレームを有する第１のサブフレーム期間では、前記サブフレーム期間が順に短くなるように現れ、
複数のサブフレームを有する第２のサブフレーム期間では、前記サブフレーム期間の順が反転して現れるように設けられている
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項６】
１フレーム期間は複数のサブフレームを有する第１のサブフレーム期間では、前記サブフレーム期間が順に短くなるように現れ、
複数のサブフレームを有する第２のサブフレーム期間では、前記サブフレーム期間の順が反転して現れるように設けられている
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項７】
複数のサブフレームを有する第１のサブフレーム期間では、前記サブフレーム期間の順が２n：・・・・２2：２1：２0となるように現れ、
複数のサブフレームを有する第２のサブフレーム期間では、前記サブフレーム期間の順が２0：２1：２2・・・・：２nと現れるように設けられている
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記ある点は、前記１フレーム期間内に複数設けられ、前記反転して設けられたサブフレーム期間の直前の１組のサブフレーム期間を反転して設けられている
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記ある点は、前記１フレーム期間内の半期である
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記１フレーム期間のフレーム周波数は６０Ｈｚ以上、好ましくは９０Ｈｚ以上である
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、時間階調法で表示を行う表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一つである発光装置の駆動方法に、デジタルのビデオ信号が有する２値の電圧を用い、１フレーム期間中において画素が発光する時間を制御することで、階調を表示する時間階調法がある。一般的に液晶などに比べて電界発光材料の応答速度は速いため、時間階調法により適していると言える。具体的に時間階調法で表示を行う場合、１フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割する。そしてビデオ信号に従い、各サブフレーム期間において画素の発光素子を発光または非発光の状態にする。上記構成により、１フレーム期間中に画素が実際に発光する期間の合計の長さを、ビデオ信号により制御し、階調を表示することができる。
【０００３】
しかし時間階調法で表示を行う場合、フレーム周波数によっては画素部に擬似輪郭が表示されてしまうという問題があった。擬似輪郭とは、時間階調法で中間階調を表示したときに度々視認される不自然な輪郭線であって、人間の視覚の特性によって生じる知覚輝度の変動が主な原因とされている。
【０００４】
上述した擬似輪郭を防止するための技術として、発光の状態にあるサブフレーム期間を１フレーム期間内に連続的に出現させるプラズマディスプレイの駆動方法が提案されている（特許文献１参照）。この駆動方法により、隣り合うフレーム期間同士で、１フレーム期間内において発光の状態にある期間と、非発光の状態にある期間とが互いに反転するような事態が生じなくなるので、擬似輪郭を抑制出来るとされている。
【特許文献１】特開２０００−２３１３６２号公報（第５ページ  段落００２３      ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしこのような駆動方法では、総階調数と、１フレーム期間内に出現するサブフレーム期間の数とが一致している。よって、総階調数を高めるためにサブフレーム期間の数を増やすと、各サブフレーム期間を短くする必要が生じる。ところが通常では、ビデオ信号をサブフレーム期間ごとに全ての行の画素に入力しなくてはならない。そのため、サブフレーム期間が短すぎる場合、駆動回路の駆動周波数を高める必要がある。よって、駆動回路の信頼性を考慮すると、むやみにサブフレーム期間を短くするのは好ましくない。
【０００６】
なお、フレーム期間を長くすることで、各サブフレーム期間をある程度長くすることはできる。しかし、フレーム期間を長くしても総階調数を飛躍的に増やすことは期待できず、その上フリッカーが発生しやすくなるので好ましくない。
【０００７】
特許文献１では、ディザなどの画像処理を行ない、サブフレームの数を増やさずに、表示する総階調数を擬似的に高める技術についても記載されている。しかしディザなどの画像処理を行うと、高い総階調数を表示することはできるが、砂を撒いたように画像がざらついて表示されるため、画質の低下は免れない。
【０００８】
そこで本発明は上述した問題に鑑み、駆動回路の駆動周波数を抑えつつ、擬似輪郭の発生を抑えることができる表示装置の駆動方法の提案を課題とする。また本発明は、画質の低下を抑えつつ、擬似輪郭の発生を抑えることができる表示装置、及びその駆動方法の提案を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を鑑み本発明は、１組のサブフレーム期間をある点で反転して設けられている表示装置の駆動方法を特徴とする。
【００１０】
具体的な本発明の一形態は、１フレーム期間に、１組を成す複数のサブフレーム期間を有し、１組を成す複数のサブフレーム期間はある点で反転して設けられていることを特徴とする表示装置の駆動方法である。
【００１１】
また本発明の別形態は、１フレーム期間に、１組を成す複数のサブフレーム期間を有し、１フレーム期間において、１組を成す複数のサブフレーム期間はある点で反転して設けられていることを特徴とする表示装置の駆動方法である。
【００１２】
また本発明において、複数のサブフレーム期間の長さは２0：２1：２2・・・・：２n（ｎは自然数）である。または本発明において、複数のサブフレーム期間の長さは、共有率Ｒshにより求められたサブフレーム率ＲSFに従って決定されている。
【００１３】
また本発明の別形態は、複数のサブフレームを有する第１のサブフレーム期間では、サブフレーム期間が順に短くなるように現れ、複数のサブフレームを有する第２のサブフレーム期間では、サブフレーム期間の順が反転して現れるように設けられていることを特徴とする表示装置の駆動方法である。
【００１４】
また本発明の別形態は、１フレーム期間は複数のサブフレームを有する第１のサブフレーム期間では、サブフレーム期間が順に短くなるように現れ、複数のサブフレームを有する第２のサブフレーム期間では、サブフレーム期間の順が反転して現れるように設けられていることを特徴とする表示装置の駆動方法である。
【００１５】
また本発明の別形態は、複数のサブフレームを有する第１のサブフレーム期間では、サブフレーム期間の順が２n：・・・・２2：２1：２0となるように現れ、複数のサブフレームを有する第２のサブフレーム期間では、サブフレーム期間の順が２0：２1：２2・・・・：２nと現れるように設けられていることを特徴とする表示装置の駆動方法である。
【００１６】
また本発明の表示装置には、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子を備えた発光装置、液晶表示装置、ＤＭＤ（Digital Micromirror Device）、ＰＤＰ（Plasma Display Panel）、ＦＥＤ（Field Emission Display）、その他の時間階調法で表示が可能な表示装置がその範疇に含まれる。これら表示装置において、時間階調法を用いる場合、本発明の駆動方法を適用することができる。また発光装置は、発光素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含んだ状態を指す。
【発明の効果】
【００１７】
このような本発明の駆動方法により、擬似輪郭の発生を低減することができる。さらにフレーム周波数を６０Ｈｚ以上、好ましくは９０Ｈｚ以上とすると、フリッカーの発生を低減することができ好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】
（実施の形態１）
本実施の形態では、サブフレーム期間を、１フレーム期間のある点で対称となるように設けた本発明のタイミングチャートについて説明する。
【００２０】
図１（Ａ）に示すように、１フレーム期間をサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ６に分け、ＳＦ１とＳＦ６、ＳＦ２とＳＦ５、ＳＦ３とＳＦ４のサブフレーム期間の長さがそれぞれ等しくなるようにする。すなわち、ＳＦ３とＳＦ４との間（矢印箇所）で、１組のサブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ３）を反転させている。言い換えると、１組のサブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ３）の終端で、１組のサブフレーム期間を反転させている。このような矢印箇所はフレーム期間の半期ともいうことができる。
【００２１】
また発光期間を有する第１のサブフレーム期間及び第２のサブフレーム期間を有し、第１のサブフレーム期間では発光期間が順に短くなるように現れ、第２のサブフレーム期間では、発光期間の長さの順が反転して現れるように設けられていると記すこともできる。なお本発明において、発光期間の長さの順は第１のサブフレーム期間において順に短くなる必要はない。例えば、発光期間の長さの順がランダムに現れる場合であっても、それと反転するように第２のサブフレーム期間を設ければよい。例えば、第１のサブフレーム期間でのサブフレーム期間の順が２n：・・・・２2：２1：２0となるように現れるとき、第２のサブフレーム期間では、サブフレーム期間の順が２0：２1：２2・・・・：２nと現れるようにする。
【００２２】
さらに１フレーム期間に第１のサブフレーム期間及び第２のサブフレーム期間を有する必要はなく、２つのフレーム期間にわたって第１のサブフレーム期間及び第２のサブフレーム期間を有してもよい。
【００２３】
図１（Ｂ）には、図１（Ａ）に示したタイミングチャートに、逆方向電圧印加期間（ＤＳ）を設けたことを特徴とするタイミングチャートを示す。その他の構成は、図１（Ａ）に示した構成と同様であるため、説明を省略する。このように逆方向電圧印加期間において、発光素子へ印加する結果、その劣化状態を改善し、信頼性を向上させることができる。また、発光素子は、異物の付着や、陽極又は陰極にある微細な突起によるピンホール、電界発光層の不均一性を起因として、陽極と陰極が短絡する初期不良が生じることがある。逆方向電圧を印加することにより、この初期不良を解消し、画像の表示を良好に行うことができる。なお、このような短絡部の絶縁化は、出荷前に行うと好ましい。
【００２４】
なお本実施の形態において、逆方向電圧印加期間を設ける箇所は図１（Ｂ）に限定されない。例えば、各ＳＦ１〜ＳＦ６の前又は後に設けることができる。また逆方向電圧を印加する場合、必ずしも１フレーム期間に１回の割合で逆方向電圧印加期間を設ける必要もない。
【００２５】
以上のように、本実施の形態では、１フレーム期間中にある点で１組のサブフレーム期間が、反転していることを特徴とする。その結果、擬似輪郭を防止することができる。
【００２６】
なお本実施の形態において、１組のサブフレーム期間が有するサブフレーム期間数や長さは、図１に限定されない。また反転するある点の数も、図１のように１つに限定されず、複数設けてもよい。
【００２７】
図３には従来のサブフレーム期間を用いた表示と、本発明のサブフレーム期間を用いた表示とを示し、これら比較する。まず図３（Ａ）（Ｂ）にはそれぞれ、フレーム毎に表示が移動する従来例、及び本発明例を示しており、模様が付されている箇所が黒表示を指し、模様が付されていない箇所が発光状態を指す。また図３（Ａ）（Ｂ）において、横軸が画素部の行方向、又は列方向、縦軸が時間を示す。１フレーム期間は、４つのサブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ４）を有し、図３（Ａ）ではＳＦ１とＳＦ３、ＳＦ２とＳＦ４とが等しい発光状態となる。本発明では、１フレーム中において、前半と後半で、サブフレーム期間を反転させているため、図３（Ｂ）に示すような表示となり、ＳＦ１とＳＦ４、ＳＦ２とＳＦ３とが等しい発光状態となる。
【００２８】
図３（Ａ）において矢印方向に視線をやると、黒表示箇所が多く、そのため本来ないはずの黒い輪郭線、すなわち動画擬似輪郭がみえてしまう。一方図３（Ｂ）において矢印方向に視線をやると、黒表示箇所と、白表示箇所とが同等あることがわかる。すなわち、図３（Ｂ）では、黒表示箇所と、白表示箇所とが打ち消しあうため、動画擬似輪郭を防止することができるのである。
【００２９】
また図３（Ｃ）（Ｄ）にはそれぞれ、図３（Ａ）（Ｂ）と逆の発光タイミングを有する場合の従来例、及び本発明例を示している。
【００３０】
図３（Ｃ）において矢印方向に視線をやると、白表示箇所が多く、そのため本来ないはずの白い輪郭線、すなわち動画擬似輪郭がみえてしまう。一方図３（Ｄ）において矢印方向に視線をやると、白表示箇所と、黒表示箇所とが同等あることがわかる。すなわち、図３（Ｄ）では、白表示箇所と、黒表示箇所とが打ち消しあうため、動画擬似輪郭を防止することができるのである。
【００３１】
なお擬似輪郭を防止するためには、フレーム周波数を高めると好ましい。またフリッカーを防止するためにも、本実施の形態においてフレーム周波数を６０Ｈｚ以上、好ましくは９０Ｈｚ以上とするとよい。
【００３２】
また本実施の形態において、長い発光期間を有するサブフレーム期間ほど、１組のサブフレーム期間の中心付近、つまりフレーム期間の半期となるように、タイミングを決定することが望ましい。例えば、１組のサブフレーム期間がＳＦ１〜ＳＦ５である場合、ＳＦ１が最も長い発光時間で、その他のサブフレーム期間ＳＦ２〜ＳＦ５が順に短くなる場合、サブフレーム期間の順をＳＦ４、ＳＦ２、ＳＦ１、ＳＦ３、ＳＦ５、又はその逆であるＳＦ５、ＳＦ３、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ４とすると望ましい。なぜなら、１組のサブフレーム期間の反転箇所（以下、発光重心とも記す）を、そのフレーム期間の中心付近、つまり半期とすることで、１組のサブフレーム期間を反転させたときの発光重心とのずれを少なくすることができるからである。その結果、フリッカーをより低減することができる。
【００３３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なるタイミングチャートについて説明する。
【００３４】
図２（Ａ）には、１フレーム期間をサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ９に分け、ＳＦ１とＳＦ６とＳＦ７、ＳＦ２とＳＦ５とＳＦ８、ＳＦ３とＳＦ４とＳＦ９のサブフレーム期間の長さがそれぞれ等しくなるようにする。すなわち、ＳＦ３とＳＦ４との間（矢印箇所）、及びＳＦ６とＳＦ７との間（矢印箇所）で、それぞれ直前の１組のサブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ３）を反転させている。言い換えると、１組のサブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦ３）の終端で、それぞれ直前の１組のサブフレーム期間を反転させている。
【００３５】
図２（Ｂ）には、図２（Ａ）に示したタイミングチャートに、逆方向電圧印加期間（ＤＳ）を設けたことを特徴とする。その他の構成は、図２（Ａ）に示した構成と同様であるため、説明を省略する。このように逆方向電圧印加期間において、発光素子へ印加する結果、その劣化状態を改善し、信頼性を向上させることができる。また、発光素子は、異物の付着や、陽極又は陰極にある微細な突起によるピンホール、電界発光層の不均一性を起因として、陽極と陰極が短絡する初期不良が生じることがある。逆方向電圧を印加することにより、この初期不良を解消し、画像の表示を良好に行うことができる。なお、このような短絡部の絶縁化は、出荷前に行うと好ましい。
【００３６】
なお本実施の形態において、逆方向電圧印加期間を設ける箇所は図２（Ｂ）に限定されない。例えば、各ＳＦ１〜ＳＦ６の前又は後に設けることができる。また逆方向電圧を印加する場合、必ずしも１フレーム期間に逆方向電圧印加期間を設ける必要もない。
【００３７】
以上のように、本実施の形態では、１フレーム期間中の複数のある点で、直前の１組のサブフレーム期間が、反転していることを特徴とする。その結果、擬似輪郭を防止することができる。
【００３８】
なお本実施の形態において、１組のサブフレーム期間が有するサブフレーム期間数や長さは、図２に限定されない。また反転するある点の数も、図２は限定されない。
【００３９】
擬似輪郭を防止するためには、フレーム周波数を高めると好ましいため、本実施の形態においてもフレーム周波数を６０Ｈｚ以上、好ましくは９０Ｈｚ以上とする。
【００４０】
また本実施の形態において、長い発光期間を有するサブフレーム期間ほど、１組のサブフレーム期間の中心付近、つまりフレーム期間の半期となるように、タイミングを決定することが望ましい。例えば、１組のサブフレーム期間がＳＦ１〜ＳＦ５である場合、ＳＦ１が最も長い発光時間で、その他のサブフレーム期間ＳＦ２〜ＳＦ５が順に短くなる場合、サブフレーム期間の順をＳＦ４、ＳＦ２、ＳＦ１、ＳＦ３、ＳＦ５、又はその逆であるＳＦ５、ＳＦ３、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ４とすると望ましい。なぜなら、１組のサブフレーム期間の発光重心を、そのフレーム期間の中心付近、つまり半期とすることで、１組のサブフレーム期間を反転させたときの発光重心とのずれを少なくすることができるからである。その結果、フリッカーをより低減することができる。
【００４１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、表示装置の一つである発光装置の具体的な構成について説明する。図４に、本発明の発光装置の構成を、ブロック図で一例として示す。図４（Ａ）に示す発光装置は、パネル１０１と、コントローラ１０２と、テーブル１０３とを有している。さらにパネル１０１は、各画素に発光素子を有する画素部１０４と、信号線駆動回路１０５と、走査線駆動回路１０６とを有している。
【００４２】
テーブル１０３は、ハードウェアとしてはＲＯＭやＲＡＭ等のメモリで構成され、またテーブルは、画素に応じて複数設けられている。またメモリには、各テーブルに対応した画素配置の情報等も記憶されている。そして該メモリには、サブフレーム率ＲSFに従って、１フレーム期間に含まれる複数のサブフレーム期間の数及び長さと、各階調において複数のサブフレーム期間のうち、発光の状態となるサブフレーム期間を定めるためのデータが記憶される。そしてサブフレーム率ＲSFは、フレーム周波数により定められた共有率Ｒshに従い、算出される。
【００４３】
コントローラ１０２は、テーブル１０３に記憶されているデータに従って、入力されたビデオ信号の階調に応じて、発光の状態となるサブフレーム期間を定め、それを出力することができる。またコントローラ１０２はフレームメモリを有しており、テーブル１０３に記憶されている複数の各サブフレーム期間の長さ、信号線駆動回路１０５または走査線駆動回路１０６の駆動周波数などに合わせて、クロック信号、スタートパルス信号などの、各種制御信号を生成することができる。
【００４４】
なお図４（Ａ）では、ビデオ信号の変換と、制御信号の生成とを、共にコントローラ１０２で行う例について示したが、本発明はこの構成に限定されない。ビデオ信号の変換を行うコントローラと、制御信号を生成するコントローラとを、別個に発光装置に設けるようにしても良い。
【００４５】
図４（Ｂ）に、図４（Ａ）に示したパネル１０１の、より具体的な構成の一例を示す。
【００４６】
図４（Ｂ）において信号線駆動回路１０５は、シフトレジスタ１１０、ラッチＡ１１１、ラッチＢ１１２を有している。シフトレジスタ１１０には、クロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス信号（ＳＰ）などの各種制御信号が入力されている。クロック信号（ＣＬＫ）とスタートパルス信号（ＳＰ）が入力されると、シフトレジスタ１１０においてタイミング信号が生成される。生成したタイミング信号は、一段目のラッチＡ１１１に順に入力される。ラッチＡ１１１にタイミング信号が入力されると、該タイミング信号のパルスに同期して、コントローラ１０２から入力されたビデオ信号が、順にラッチＡ１１１に書き込まれ、保持される。なお、本実施の形態ではラッチＡ１１１に順にビデオ信号を書き込んでいるが、本発明はこの構成に限定されない。複数のステージのラッチＡ１１１をいくつかのグループに分け、グループごとに並行してビデオ信号を入力する、いわゆる分割駆動を行っても良い。なおこのときのグループの数を分割数と呼ぶ。例えば４つのステージごとにラッチをグループに分けた場合、４分割で分割駆動するといえる。
【００４７】
ラッチＡ１１１の全ステージのラッチへの、ビデオ信号の書き込みが一通り終了するまでの期間を、行選択期間と呼ぶ。実際には、上記行選択期間に水平帰線期間が加えられた期間を行選択期間に含むことがある。
【００４８】
１行選択期間が終了すると、２段目のラッチＢ１１２に、制御信号の一つに相当するラッチ信号が供給され、該ラッチ信号に同期してラッチＡ１１１に保持されているビデオ信号が、ラッチＢ１１２に一斉に書き込まれる。ビデオ信号をラッチＢ１１２に送出し終えたラッチＡ１１１には、再びシフトレジスタ１１０からのタイミング信号に同期して、次のビットのビデオ信号の書き込みが順次行われる。この２順目の１行選択期間中には、ラッチＢ１１２に書き込まれ、保持されているビデオ信号が画素部１０４に入力される。
【００４９】
なお、シフトレジスタ１１０の代わりに、例えばデコーダのような信号線の選択ができる回路を用いても良い。
【００５０】
次に、走査線駆動回路１０６の構成について説明する。走査線駆動回路１０６は、シフトレジスタ１１３、バッファ１１４を有している。また、レベルシフタを有していても良い。走査線駆動回路１０６において、シフトレジスタ１１３にクロック信号（ＣＬＫ）及びスタートパルス信号（ＳＰ）が入力されることによって、選択信号が生成される。生成された選択信号はバッファ１１４において増幅され、対応する走査線に供給される。走査線に供給される選択信号によって、１行分の画素に含まれているトランジスタの動作が制御されるので、バッファ１１４には、比較的大きな電流を走査線に供給することができるものを用いることが望ましい。
【００５１】
なお、シフトレジスタ１１３の代わりに、例えばデコーダのような信号線の選択ができる回路を用いても良い。
【００５２】
本発明において、走査線駆動回路１０６、信号線駆動回路１０５は、画素部１０４と同じ基板上に形成していても、異なる基板上に形成していても、どちらでも良い。また走査線駆動回路１０６、又は信号線駆動回路１０５をＩＣチップにより形成し、実装しても良い。また本発明の発光装置が有するパネルは、図４（Ａ）、図４（Ｂ）に示す構成に限定されない。パネル１０１は、コントローラ１０２から入力されたビデオ信号に従って、画素の階調が制御されるような構成を有していれば良い。
【００５３】
このような発光装置に、複数のテーブルを用いることにより、擬似輪郭を防止することができる。
【００５４】
またその他の表示装置においても、複数のテーブルが記憶されているメモリを用いることに入り、擬似輪郭を防止することができる。
【００５５】
（実施の形態４）
次に、本発明の発光装置が有する画素の等価回路図について、図５を用いて説明する。
【００５６】
図５（Ａ）は、画素の等価回路図の一例を示したものであり、信号線６１１４、電源線６１１５、走査線６１１６、発光素子６１１３、トランジスタ６１１０、６１１１、容量素子６１１２を有する。信号線６１１４には信号線駆動回路によってビデオ信号が入力される。トランジスタ６１１０は、走査線６１１６に入力される選択信号に従って、トランジスタ６１１１のゲートへの、該ビデオ信号の電位の供給を制御することができる。トランジスタ６１１１は、該ビデオ信号の電位に従って、発光素子６１１３への電流の供給を制御することができる。容量素子６１１２は、トランジスタ６１１１のゲート・ソース間の電圧を保持することができる。なお、図５（Ａ）では、容量素子６１１２を図示したが、トランジスタ６１１１のゲート容量や他の寄生容量で賄うことが可能な場合には、設けなくてもよい。
【００５７】
図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示した画素に、トランジスタ６１１８と走査線６１１９を新たに設けた画素の等価回路図である。トランジスタ６１１８により、トランジスタ６１１１のゲートとソースを同電位とし、強制的に発光素子６１１３に電流が流れない状態を作ることができるため、全ての画素にビデオ信号が入力される期間よりも、サブフレーム期間の長さを短くすることができる。従って、駆動周波数を抑えつつ、高い総階調数の表示を行うことができる。
【００５８】
図５（Ｃ）は、図５（Ｂ）に示した画素に、新たにトランジスタ６１２５と、配線６１２６を設けた画素の等価回路図である。トランジスタ６１２５は、そのゲートの電位が、配線６１２６によって固定されている。そして、トランジスタ６１１１とトランジスタ６１２５は、電源線６１１５と発光素子６１１３との間に直列に接続されている。よって図５（Ｃ）では、トランジスタ６１２５により発光素子６１１３に供給される電流の値が制御され、トランジスタ６１１１により発光素子６１１３への該電流の供給の有無が制御できる。
【００５９】
なお、本発明の発光装置が有する画素回路は、本実施の形態で示した構成に限定されず、時間階調表示を行う表示装置であれば、本発明を適用することができる。また本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【００６０】
（実施の形態５）
本実施の形態では、発光素子への電流の供給を制御するトランジスタがｐ型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の場合における、画素の断面構造について、図６を用いて説明する。なお本発明では、発光素子が有する陽極と陰極の２つの電極のうち、トランジスタによって電位を制御することができる一方の電極を第１の電極、他方の電極を第２の電極とする。そして図６では、第１の電極が陽極、第２の電極が陰極の場合について説明するが、第１の電極が陰極、第２の電極が陽極であってもよい。
【００６１】
図６（Ａ）に、ＴＦＴ６００１がｐ型で、発光素子６００３から発せられる光を第１の電極６００４側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図６（Ａ）では、発光素子６００３の第１の電極６００４と、ＴＦＴ６００１が電気的に接続されている。
【００６２】
ＴＦＴ６００１はパターニングされた半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極、該半導体膜の不純物領域に接続されたソース電極及びドレイン電極を有する。このようなＴＦＴ６００１は層間絶縁膜６００７で覆われており、層間絶縁膜６００７上には開口部を有する隔壁６００８が形成されている。隔壁６００８の開口部において第１の電極６００４が一部露出しており、該開口部において第１の電極６００４、電界発光層６００５、第２の電極６００６が順に積層されている。
【００６３】
層間絶縁膜６００７は、有機樹脂膜、無機絶縁膜またはシロキサンを出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む絶縁膜（以下、シロキサン絶縁膜とも記す）を用いて形成することができる。なお、シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。層間絶縁膜６００７に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）と呼ばれる材料を用いていても良い。
【００６４】
隔壁６００８は、有機樹脂膜、無機絶縁膜またはシロキサン絶縁膜を用いて形成することができる。有機樹脂膜ならば、例えばアクリル、ポリイミド、ポリアミドなど、無機絶縁膜ならば酸化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができる。特に感光性の有機樹脂膜を隔壁６００８に用い、第１の電極６００４上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することで、第１の電極６００４と第２の電極６００６とが接続してしまうのを防ぐことができる。
【００６５】
第１の電極６００４は、光を透過する材料又は、光を透過する程度の膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の大きな材料で形成し、陽極として用いるのに適するように形成する。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などその他の透光性酸化物導電材料を第１の電極６００４に用いることが可能である。またＩＴＯ、酸化珪素を含む酸化亜鉛、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（以下、ＩＴＳＯとも記す）、ＩＴＳＯにさらに２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したものを第１の電極６００４に用いても良い。また上記透光性酸化物導電材料の他に、例えばＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つまたは複数からなる単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を第１の電極６００４に用いることもできる。ただし透光性酸化物導電材料以外の材料を用いる場合、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で第１の電極６００４を形成する。
【００６６】
また第２の電極６００６は、光を反射もしくは遮蔽する材料及び膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などで形成することができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ2、ＣａＮ）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。また電界発光層の第２の電極に接する位置に電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの他の導電層を用いることも可能である。
【００６７】
電界発光層６００５は、単数または複数の層で構成されている。複数の層で構成されている場合、これらの層は、キャリア輸送特性の観点から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などに分類することができる。電界発光層６００５が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第１の電極６００４から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層する。なお各層の境目は必ずしも明確である必要はなく、互いの層を構成している材料が一部混合し、界面が不明瞭になっている場合もある。各層には、有機系の材料、無機系の材料を用いることが可能である。有機系の材料として、高分子系、中分子系、低分子系のいずれの材料も用いることが可能である。なお中分子系の材料とは、構造単位の繰返しの数（重合度）が２から２０程度の低重合体に相当する。正孔注入層と正孔輸送層との区別は必ずしも厳密なものではなく、これらは正孔輸送性（正孔移動度）が特に重要な特性である意味において同じである。便宜上正孔注入層は陽極に接する側の層であり、正孔注入層に接する層を正孔輸送層と呼んで区別する。電子輸送層、電子注入層についても同様に、電子輸送性（電子移動度）が特に重要な特性である意味で同じであり、便宜上陰極に接する層を電子注入層と呼び、電子注入層に接する層を電子輸送層と呼んでいる。発光層は電子輸送層を兼ねる場合もあり、発光性電子輸送層とも呼ばれる。
【００６８】
図６（Ａ）に示した画素の場合、発光素子６００３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極６００４側から取り出すことができる。
【００６９】
次に図６（Ｂ）に、ＴＦＴ６０１１がｐ型で、発光素子６０１３から発せられる光を第２の電極６０１６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図６（Ｂ）では、発光素子６０１３の第１の電極６０１４と、ＴＦＴ６０１１が電気的に接続されている。また第１の電極６０１４上に電界発光層６０１５、第２の電極６０１６が順に積層されている。
【００７０】
第１の電極６０１４は、光を反射もしくは遮蔽する材料及び膜厚で形成し、なおかつ陽極として用いるのに適する材料で形成する。例えば、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つまたは複数からなる単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を第１の電極６０１４に用いることができる。
【００７１】
また第２の電極６０１６は、光を透過する材料または光を透過する程度の膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などで形成することができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ2、ＣａＮ）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの他の導電層を用いることも可能である。そして第２の電極６０１６を、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で形成する。なお、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などその他の透光性酸化物導電材料を用いることも可能である。またＩＴＯ、酸化珪素を含む酸化亜鉛、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）、ＩＴＳＯにさらに２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合されるもの用いても良い。透光性酸化物導電材料を用いる場合、電界発光層６０１５において、第２の電極６０１６に接する位置に電子注入層を設けるのが望ましい。
【００７２】
電界発光層６０１５は、図６（Ａ）の電界発光層６００５と同様に形成することができる。
【００７３】
このような図６（Ｂ）に示した画素の場合、発光素子６０１３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第２の電極６０１６側から取り出すことができる。
【００７４】
次に図６（Ｃ）に、ＴＦＴ６０２１がｐ型で、発光素子６０２３から発せられる光を第１の電極６０２４側及び第２の電極６０２６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図６（Ｃ）では、発光素子６０２３の第１の電極６０２４と、ＴＦＴ６０２１が電気的に接続されている。また第１の電極６０２４上に電界発光層６０２５、第２の電極６０２６が順に積層されている。
【００７５】
第１の電極６０２４は、図６（Ａ）の第１の電極６００４と同様に形成することができる。また第２の電極６０２６は、図６（Ｂ）の第２の電極６０１６と同様に形成することができる。電界発光層６０２５は、図６（Ａ）の電界発光層６００５と同様に形成することができる。
【００７６】
図６（Ｃ）に示した画素の場合、発光素子６０２３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極６０２４側及び第２の電極６０２６側から取り出すことができる。
【００７７】
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【００７８】
（実施の形態６）
本実施の形態では、発光素子への電流の供給を制御するトランジスタがｎ型ＴＦＴの場合における、画素の断面構造について、図７を用いて説明する。なお図７では、第１の電極が陰極、第２の電極が陽極の場合について説明するが、第１の電極が陽極、第２の電極が陰極であっても良い。
【００７９】
図７（Ａ）に、ＴＦＴ６０３１がｎ型で、発光素子６０３３から発せられる光を第１の電極６０３４側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図７（Ａ）では、発光素子６０３３の第１の電極６０３４と、ＴＦＴ６０３１が電気的に接続されている。また第１の電極６０３４上に電界発光層６０３５、第２の電極６０３６が順に積層されている。
【００８０】
第１の電極６０３４は、光を透過する材料または光を透過する程度の膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などで形成することができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ2、ＣａＮ）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。また電界発光層の第１の電極に接する位置に電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの他の導電層を用いることも可能である。そして第１の電極６０３４を、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で形成する。さらに、光が透過する程度の膜厚を有する上記導電層の上または下に接するように、透光性酸化物導電材料を用いて透光性を有する導電層を形成し、第１の電極６０３４のシート抵抗を抑えるようにしても良い。なお、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などその他の透光性酸化物導電材料を用いた導電層だけを用いることも可能である。またＩＴＯ、酸化珪素を含む酸化亜鉛、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）、ＩＴＳＯにさらに２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合されるものを用いても良い。透光性酸化物導電材料を用いる場合、電界発光層６０３５において第１の電極６０３４に接する位置に電子注入層を設けるのが望ましい。
【００８１】
また第２の電極６０３６は、光を反射もしくは遮蔽する材料及び膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の大きい材料が好ましく、陽極として用いるのに適するように形成する。例えば、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つまたは複数からなる単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を第２の電極６０３６に用いることができる。
【００８２】
電界発光層６０３５は、図６（Ａ）の電界発光層６００５と同様に形成することができる。ただし、電界発光層６０３５が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第１の電極６０３４から、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層の順に積層する。
【００８３】
図７（Ａ）に示した画素の場合、発光素子６０３３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極６０３４側から取り出すことができる。
【００８４】
次に図７（Ｂ）に、ＴＦＴ６０４１がｎ型で、発光素子６０４３から発せられる光を第２の電極６０４６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図７（Ｂ）では、発光素子６０４３の第１の電極６０４４と、ＴＦＴ６０４１が電気的に接続されている。また第１の電極６０４４上に電界発光層６０４５、第２の電極６０４６が順に積層されている。
【００８５】
第１の電極６０４４は、光を反射もしくは遮蔽する材料及び膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などで形成することができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ2、ＣａＮ）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの他の導電層を用いることも可能である。
【００８６】
また第２の電極６０４６は、光を透過する材料または光を透過する程度の膜厚で形成し、なおかつ陽極として用いるのに適する材料で形成する。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などその他の透光性酸化物導電材料を第２の電極６０４６に用いることが可能である。またＩＴＯ、酸化珪素を含む酸化亜鉛、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）、ＩＴＳＯにさらに２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したものを第２の電極６０４６に用いても良い。また上記透光性酸化物導電材料の他に、例えばＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つまたは複数からなる単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を第２の電極６０４６に用いることもできる。ただし透光性酸化物導電材料以外の材料を用いる場合、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で第２の電極６０４６を形成する。
【００８７】
電界発光層６０４５は、図７（Ａ）の電界発光層６０３５と同様に形成することができる。
【００８８】
図７（Ｂ）に示した画素の場合、発光素子６０４３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第２の電極６０４６側から取り出すことができる。
【００８９】
次に図７（Ｃ）に、ＴＦＴ６０５１がｎ型で、発光素子６０５３から発せられる光を第１の電極６０５４側及び第２の電極６０５６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図７（Ｃ）では、発光素子６０５３の第１の電極６０５４と、ＴＦＴ６０５１が電気的に接続されている。また第１の電極６０５４上に電界発光層６０５５、第２の電極６０５６が順に積層されている。
【００９０】
第１の電極６０５４は、図７（Ａ）の第１の電極６０３４と同様に形成することができる。また第２の電極６０５６は、図７（Ｂ）の第２の電極６０４６と同様に形成することができる。電界発光層６０５５は、図７（Ａ）の電界発光層６０３５と同様に形成することができる。
【００９１】
図７（Ｃ）に示した画素の場合、発光素子６０５３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極６０５４側及び第２の電極６０５６側から取り出すことができる。
【００９２】
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【００９３】
（実施の形態７）
本実施の形態では、スクリーン印刷法、オフセット印刷法に代表される印刷法、または液滴吐出法を用いて発光装置を形成する場合について説明する。なお液滴吐出法とは、所定の組成物を含む液滴を細孔から吐出して所定のパターンを形成する方法を意味し、インクジェット法などがその範疇に含まれる。上記印刷法、液滴吐出法を用いることで、露光用のマスクを用いずとも、信号線、走査線、選択線に代表される各種配線、ＴＦＴのゲート、発光素子の電極などを形成することが可能になる。ただし、パターンを形成する全ての工程に、印刷法または液滴吐出法を用いる必要はない。よって、例えば配線及びゲートの形成には印刷法または液滴吐出法を用い、半導体膜のパターニングにはリソグラフィ法を用いる、というように、少なくとも一部の工程において印刷法または液滴吐出法を用いていれば良く、リソグラフィ法も併用していても良い。またパターニングの際に用いるマスクは、印刷法または液滴吐出法で形成しても良い。
【００９４】
図８に、液滴吐出法を用いて形成された、本発明の発光装置の断面図を、一例として示す。図８において、発光装置は、ＴＦＴ１３０１、ＴＦＴ１３０２、及び発光素子１３０４を有する。ＴＦＴ１３０２は、発光素子１３０４の第１の電極１３５０と電気的に接続されている。ＴＦＴ１３０２はｎ型であることが望ましく、この場合、第１の電極１３５０は陰極として用い、第２の電極１３３１を陽極として用いるのが望ましい。
【００９５】
スイッチング素子として機能するＴＦＴ１３０１は、ゲート電極１３１０と、チャネル形成領域を含む第１の半導体膜１３１１と、ゲート電極１３１０と第１の半導体膜１３１１との間に形成されたゲート絶縁膜１３１７と、ソースまたはドレインとして機能する第２の半導体膜１３１２、１３１３と、第２の半導体膜１３１２に接続された配線１３１４と、第２の半導体膜１３１３に接続された配線１３１５とを有している。
【００９６】
ＴＦＴ１３０２は、ゲート電極１３２０と、チャネル形成領域を含む第１の半導体膜１３２１と、ゲート電極１３２０と第１の半導体膜１３２１に形成されたゲート絶縁膜１３１７と、ソースまたはドレインとして機能する第２の半導体膜１３２２、１３２３と、第２の半導体膜１３２２に接続された配線１３２４と、第２の半導体膜１３２３に接続された配線１３２５とを有している。
【００９７】
配線１３１４は信号線に相当し、配線１３１５はＴＦＴ１３０２のゲート電極１３２０に電気的に接続されている。また配線１３２５は電源線に相当する。
【００９８】
液滴吐出法、印刷法を用いてパターンを形成することで、リソグラフィ法で行なわれるフォトレジストの成膜、露光、現像、エッチング、剥離などの一連の工程を簡略化することができる。また、液滴吐出法や印刷法は、リソグラフィ法と異なり、エッチングにより除去されてしまうような材料の無駄がない。また高価な露光用のマスクを用いなくとも良いので、発光装置の作製に費やされるコストを抑えることができる。
【００９９】
さらに、リソグラフィ法とは異なり、配線を形成するためにエッチングを行う必要がない。よって、配線を形成する工程に費やされる時間をリソグラフィ法の場合に比べて著しく短くすることが可能である。特に、印刷法を用いて配線の厚さを０．５μｍ以上、より望ましくは２μｍ以上で形成する場合、配線抵抗を抑えることができるので、配線の作製工程に費やされる時間を抑えつつ、発光装置の大型化に伴う配線抵抗の上昇を抑えることができる。
【０１００】
なお第１の半導体膜１３１１、１３２１は非晶質半導体であっても、セミアモルファス半導体（以下、ＳＡＳとも記す）であってもどちらでも良い。
【０１０１】
非晶質半導体は、珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化物気体としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6が挙げられる。この珪化物気体は、水素、水素とヘリウムで希釈して用いても良い。
【０１０２】
またＳＡＳも珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化物気体としては、ＳｉＨ4であり、その他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＳｉＦ4などを用いることができる。また水素や、水素にヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素を加えたガスで、この珪化物気体を希釈して用いることで、ＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。希釈率は２倍〜１０００倍の範囲で珪化物気体を希釈することが好ましい。またさらに、珪化物気体中に、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6などの炭化物気体、ＧｅＨ4、ＧｅＦ4などのゲルマニウム化気体、Ｆ2などを混入させて、エネルギーバンド幅を１．５〜２．４ｅＶ、若しくは０．９〜１．１ｅＶに調節しても良い。ＳＡＳを第１の半導体膜として用いたＴＦＴは、１〜１０ｃｍ2／Ｖｓｅｃや、それ以上の移動度を得ることができる。
【０１０３】
また第１の半導体膜１３１１、１３２１は、非晶質半導体またはＳＡＳを結晶化した半導体を用いてもよい。例えば、レーザーや加熱炉を用いて、非晶質半導体又はＳＡＳを結晶化することができる。
【０１０４】
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【０１０５】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の発光装置の一形態に相当するパネルの外観について、図９を用いて説明する。図９は、第１の基板上に形成されたＴＦＴ及び発光素子を、第２の基板との間にシール材によって封止した、パネルの上面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図に相当する。
【０１０６】
第１の基板４００１上には画素部４００２と、信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４が設けられており、少なくとも画素部を囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また少なくとも画素部４００２上には、シール材４００５を介して、第２の基板４００６が設けられている。図９に示す発光装置では、画素部４００２と、信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６とによって、充填材４００７と共に密封されている。充填材４００７として、窒素やアルゴンなどの不活性ガスを用いることができる。
【０１０７】
また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４とは、複数のＴＦＴを有しており、図９（Ｂ）では、信号線駆動回路４００３に含まれるＴＦＴ４００８と、画素部４００２に含まれるＴＦＴ４００９とを例示している。
【０１０８】
また４０１１は発光素子に相当し、ＴＦＴ４００９のドレインと接続されている配線４０１７の一部が、発光素子４０１１の第１の電極として機能する。また透明導電膜４０１２が、発光素子４０１１の第２の電極として機能する。なお発光素子４０１１の構成は、本実施の形態に示した構成に限定されない。上記実施の形態のように、発光素子４０１１から取り出す光の方向や、ＴＦＴ４００９の極性などに合わせて、発光素子４０１１の構成は適宜変えることができる。
【０１０９】
また信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４または画素部４００２に与えられる各種信号や電圧は、図９（Ｂ）に示す断面図では図示されていないが、引き回し配線４０１４及び４０１５を介して、接続端子４０１６から供給されている。
【０１１０】
本実施の形態では、接続端子４０１６が、発光素子４０１１が有する第１の電極と同じ導電膜から形成されている。また、引き回し配線４０１４は、配線４０１７と同じ導電膜から形成されている。また引き回し配線４０１５は、ＴＦＴ４００９、ＴＦＴ４００８がそれぞれ有するゲート電極と、同じ導電膜から形成されている。
【０１１１】
接続端子４０１６は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。
【０１１２】
なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、ガラス、金属（代表的にはステンレス）、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０１１３】
但し、発光素子４０１１からの光の取り出し方向に位置する基板には、第２の基板４００６は透光性を有していなければならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。
【０１１４】
また、充填材４００７としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、これらとしてＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）がある。本実施の形態では充填材として窒素を用いる。
【０１１５】
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【０１１６】
（実施の形態９）
本発明の表示装置は、擬似輪郭の発生を抑えることができるので、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等の、携帯用の電子機器が有する表示部として用いるのに最適である。また本発明の表示装置は、擬似輪郭を防止することができるので、表示装置などの動画の再生を行うことができる、映像を観賞するための表示部を有する電子機器に最適である。
【０１１７】
その他、本発明の表示装置を用いることができる電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、記録媒体を備えた画像再生装置（代表的にはＤＶＤ：Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置）などが挙げられる。本実施の形態では、これら電子機器の具体例を図１０に示す。
【０１１８】
図１０（Ａ）は携帯電話であり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、音声出力部２１０４、操作キー２１０５を含む。本発明の表示装置を用いて表示部２１０２を作製することで、本発明の電子機器の一つである携帯電話を完成させることができる。
【０１１９】
図１０（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本発明の表示装置を用いて表示部２６０２を作製することで、本発明の電子機器の一つであるビデオカメラを完成させることができる。
【０１２０】
図１０（Ｃ）は表示装置であり、筐体２４０１、表示部２４０２、スピーカー部２４０３等を含む。本発明の表示装置を用いて表示部２４０２を作製することで、本発明の電子機器の一つである表示装置を完成させることができる。なお、表示装置には、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
【０１２１】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。また本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【実施例】
【０１２２】
（実施例１）
本実施例では、実施の形態１に示したタイミングチャートにおいて、フレーム周波数６０Ｈｚ、サブフレーム数３２としたときのタイミングチャートの具体例を示す。
【０１２３】
フレーム周波数は６０Ｈｚであり、１秒間には、６０フレーム存在することになる。このとき、１フレーム期間の長さは、およそ１６．６７ｍｓとなる。１つのフレーム期間には、サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ１６と、これらが反転した分とを合わせて１６×２＝３２サブフレーム期間が設けられており、これらサブフレームＳＦ１〜ＳＦ１６は発光重心がＳＦ１〜ＳＦ１６の中心付近となるように、並べられる。本実施例では、ＳＦ２、ＳＦ４、ＳＦ６、ＳＦ８、ＳＦ１０、ＳＦ１２、ＳＦ１４、ＳＦ１６、ＳＦ１５、ＳＦ１３、ＳＦ１１、ＳＦ９、ＳＦ７、ＳＦ５、ＳＦ３、ＳＦ１の順にサブフレーム期間が現れる。そして、１フレーム期間にあるＳＦ１の終端を介して、サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ１６がそれぞれ反転している。
【０１２４】
各サブフレーム期間の長さのそれぞれの比率は、ＳＦ１：ＳＦ２：ＳＦ３：ＳＦ４：ＳＦ５：ＳＦ６：ＳＦ７：ＳＦ８：ＳＦ９：ＳＦ１０：ＳＦ１１：ＳＦ１２：ＳＦ１３：ＳＦ１４：ＳＦ１５：ＳＦ１６＝１：２：４：８：１０：１０：１０：１２：１２：１４：１７：２１：２５：３０：３６：４３となっている。
【０１２５】
本実施例では、図１１に示すように、同じ長さを有するサブフレーム期間を複数設けることも特徴とする。これは共有率を考慮した上、サブフレーム期間の長さを決定したためである。なお共有率とは、階調が１段階異なっている２つのフレーム期間において、共通して発光の状態にあるサブフレーム期間の長さの割合である。
【０１２６】
共有率を考慮したサブフレーム期間の数や長さの具体的な決め方について、説明する。まず共有率Ｒshを決定したら、次は共有率Ｒshから各サブフレーム期間の長さを決める。１フレーム期間に含まれるｎ個のサブフレーム期間を、最も短いほうから順にＳＦ1〜ＳＦnとする。そして、ＳＦ1〜ＳＦp（ｐ＜ｎとする）を全て発光させたときに、階調ｍ（ｍ＜２n）の表示を行うことができると仮定する。この場合、階調ｍを表示する際に発光するサブフレーム期間ＳＦ1〜ＳＦpの、合計の長さをＴmとすると、Ｔmは以下の式１で表すことができる。
【０１２７】
【数１】
2006072331.tif 000003
【０１２８】
次に、階調（ｍ＋１）を表示する場合について考える。ＳＦ1〜ＳＦpを全て発光させたときに、階調ｍの表示を行うことができるので、階調（ｍ＋１）を表示するためには、ＳＦpよりも長いＳＦp+1を用いる必要がある。またそれと共に、ＳＦp+1から１階調分の長さ（例えばＳＦ1に相当する長さ）を差し引いた分に相当する、単数または複数のサブフレーム期間を、ＳＦ1〜ＳＦpから除いて表示を行う必要がある。よって、階調（ｍ＋１）を表示する際に発光するサブフレーム期間の、合計の長さをＴm+1とすると、Ｔm+1は以下の式２で表すことができる。
【０１２９】
【数２】
2006072331.tif 000004
【０１３０】
ここで、Σ（ＳＦ１〜ＳＦｐ＋１）に対するＳＦp+1の割合を、サブフレーム率ＲSFとすると、ＲSFは以下の式３で表すことができる。
【０１３１】
【数３】
2006072331.tif 000005
【０１３２】
式３から、以下の式４を導き出すことができる。
【０１３３】
【数４】
2006072331.tif 000006
【０１３４】
また、階調ｍを表示する場合と、階調（ｍ＋１）を表示する場合とで、共に発光するサブフレーム期間の、合計の長さをＷm/m+1とすると、Ｗm/m+1は以下の式５で表すことができる。
【０１３５】
【数５】
2006072331.tif 000007
【０１３６】
よって、式１、式４、式５から、以下の式６が導き出される。
【０１３７】
【数６】
2006072331.tif 000008
【０１３８】
また、階調ｍを表示する場合と、階調（ｍ＋１）を表示する場合とで、共に発光するサブフレーム期間の共有率Ｒshは、以下の式７のように表される。
【０１３９】
【数７】
2006072331.tif 000009
【０１４０】
よって、式２、式４、式６、式７から、以下の式８が導き出される。
【０１４１】
【数８】
2006072331.tif 000010
【０１４２】
したがって、式８から、以下の式９を導き出すことができる。
【０１４３】
【数９】
2006072331.tif 000011
【０１４４】
よって式９に、共有率Ｒshの値を代入することで、サブフレーム率ＲSFの値を導き出すことができる。サブフレーム率ＲSFはΣ（ＳＦ１〜ＳＦｐ＋１）に対するＳＦp+1の割合である。上記サブフレーム率ＲSFを用いることで、最も長いサブフレーム期間ＳＦnから順に、各サブフレーム期間の長さを決めることができる。すなわち、共有率Ｒshにより求められたサブフレーム率ＲSFに従って複数のサブフレーム期間の数及び長さを決定することができる。
【０１４５】
そして、このようなサブフレーム期間に従い、図１１（Ｂ）に示すように、最初行から最終行の画素へ順に表示が行われる。図１１（Ｂ）に、サブフレーム期間の長さの比率を示す。
【０１４６】
また図１１（Ｃ）には、消去用走査線駆動回路による走査のタイミングを示している。本実施例では、サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ１５、及び反転したサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ１５において、消去期間Ｓｅ１〜Ｓｅ１５をそれぞれ設けている。
【０１４７】
図１１（Ｄ）には、書き込み用の走査線駆動回路による走査のタイミングを示しており、各サブフレーム期間には、書き込み期間Ｔａ１〜Ｔａ１６、及び反転した書き込み期間Ｔａ１〜Ｔａ１６が設けられている。
【０１４８】
また図１１（Ｅ）に示すように、１つの書き込み期間には、１列走査期間が設けられており、この間に全行（本実施例では３２４行）を選択する。
【０１４９】
また１フレーム期間には、逆方向電圧印加期間（ＤＳ）が設けられている。逆方向電圧を発光素子へ印加する結果、発光素子の劣化状態を改善し、信頼性を向上させることができる。
【０１５０】
（実施例２）
本実施例では、実施の形態２に示したような、１フレーム期間内に複数のある点が設けられたタイミングチャートにおいて、フレーム周波数６０Ｈｚ、サブフレーム数４８としたときの具体例を示す。
【０１５１】
フレーム周波数は６０Ｈｚであり、１秒間には、６０フレーム存在することになる。このとき、１フレーム期間の長さは、およそ１６．６７ｍｓとなる。１つのフレーム期間には、サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ１６と、これらが２回反転した分とを合わせて１６×３＝４８サブフレーム期間が設けられている。これらサブフレームＳＦ１〜ＳＦ１６はランダムに現れる。本実施例では、ＳＦ２、ＳＦ４、ＳＦ６、ＳＦ８、ＳＦ１０、ＳＦ１２、ＳＦ１４、ＳＦ１６、ＳＦ１５、ＳＦ１３、ＳＦ１１、ＳＦ９、ＳＦ７、ＳＦ５、ＳＦ３、ＳＦ１の順にサブフレーム期間が現れる。そして、１フレーム期間の１／３のタイミング、及び２／３のタイミングで、サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ１６がそれぞれ反転している。図１２にはタイミングチャートＡを、図１３にはタイミングチャートＢを示す。本実施例において、図１２に示すタイミングチャートと、図１３に示すタイミングチャートとが交互に現れる。そして、図１２に示すタイミングチャートと、図１３に示すタイミングチャートとは、互いに反転した関係を有する。
【０１５２】
各サブフレーム期間の長さのそれぞれの比率は、ＳＦ１：ＳＦ２：ＳＦ３：ＳＦ４：ＳＦ５：ＳＦ６：ＳＦ７：ＳＦ８：ＳＦ９：ＳＦ１０：ＳＦ１１：ＳＦ１２：ＳＦ１３：ＳＦ１４：ＳＦ１５：ＳＦ１６＝１：２：４：８：１０：１０：１０：１２：１２：１４：１７：２１：２５：３０：３６：４３となっている。
【０１５３】
本実施例では、図１２及び図１３に示すように、同じ長さを有するサブフレーム期間を複数設けることも特徴とする。これは共有率を考慮した上、サブフレーム期間の長さを決定したためである。なお共有率とは、階調が１段階異なっている２つのフレーム期間において、共通して発光の状態にあるサブフレーム期間の長さの割合である。具体的な共有率を考慮したサブフレーム期間の数や長さの決め方は、実施例１を参照すればよい。
【０１５４】
そして、このようなサブフレーム期間に従い、図１２（Ｂ）、及び図１３（Ｂ）に示すように、最初行から最終行の画素へ順に表示が行われる。図１２（Ｂ）、及び図１３（Ｂ）は、サブフレーム期間の長さの比率を示す。
【０１５５】
また図１２（Ｃ）、及び図１３（Ｃ）には、消去用走査線駆動回路による走査のタイミングを示している。本実施例では、サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ１５、及び反転したサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ１５において、消去期間Ｓｅ１〜Ｓｅ１５をそれぞれ設けている。
【０１５６】
図１２（Ｄ）、及び図１３（Ｄ）には、書き込み用の走査線駆動回路による走査のタイミングを示しており、各サブフレーム期間には、書き込み期間Ｔａ１〜Ｔａ１６、及び反転した書き込み期間Ｔａ１〜Ｔａ１６が設けられている。
【０１５７】
また図１２（Ｅ）、及び図１３（Ｅ）に示すように、１つの書き込み期間には、１列走査期間が設けられており、この間に全行（本実施例では３２４行）を選択する。
【０１５８】
また１フレーム期間には、逆方向電圧印加期間（ＤＳ）が設けられている。逆方向電圧を発光素子へ印加する結果、発光素子の劣化状態を改善し、信頼性を向上させることができる。
【０１５９】
このように、１フレーム期間で２回反転する場合には、タイミングチャートＡ（Ａ）と、タイミングチャートＢ（Ｂ）との順番を、奇数フレームにおいてＡＢＡ、偶数フレームにおいてＢＡＢとする。また本実施例に限定されず、奇数フレームにおいてＢＡＢ、偶数フレームにおいてＡＢＡとしてもよい。すなわち、１フレーム期間を奇数個に分割する場合であっても、本発明の技術思想を適用することができる。そして、このような本発明のタイミングチャートにより擬似輪郭を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】本発明のタイミングチャートを示した図である
【図２】本発明のタイミングチャートを示した図である
【図３】本発明と、従来例とを対比した図である
【図４】本発明の発光装置を示した図である
【図５】本発明の発光装置の画素の等価回路を示した図である
【図６】本発明の発光装置の断面図を示した図である
【図７】本発明の発光装置の断面図を示した図である
【図８】本発明の発光装置の断面図を示した図である
【図９】本発明の発光装置の上面図と断面図を示した図である
【図１０】本発明の電子機器を示した図である
【図１１】本発明の具体的なタイミングチャートを示した図である
【図１２】本発明の具体的なタイミングチャートを示した図である
【図１３】本発明の具体的なタイミングチャートを示した図である
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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