(57)【要約】【課題】表示装置の温度を正確に感知するセンサーを提供する。また、温度を感知するセンサーによるコスト増加を低減させる。さらに、センサーを付着するための空間的な制限を減らす。さらに、温度変化に応じて安定な表示動作が実現される表示装置を提供する。【解決手段】本発明は、センサー及びそれを備えた薄膜トランジスタ表示板に関し、前記センサーは、基板上に形成されているセンサー制御電極、前記センサー制御電極上に形成されている絶縁膜、前記絶縁膜上に形成されている半導体層、前記半導体層上に形成されているオーミック接触部材、前記オーミック接触部材上に形成されているセンサー入力電極及びセンサー出力電極、並びに前記センサー入力電極及び前記センサー出力電極上に形成されている保護膜を備える。【選択図】図４
2006201784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されているゲート線及びセンサー制御電極と、
前記ゲート線及び前記センサー制御電極上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層と、
前記半導体層上に形成されているオーミック接触部材と、
前記オーミック接触部材上に形成されているデータ線、ドレイン電極、センサー入力電極及びセンサー出力電極と、
前記データ線及び前記ドレイン電極、前記センサー入力電極及び前記センサー出力電極上に形成されている保護膜とを備えることを特徴とする、薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記センサー入力電極は、櫛目状に一定の間隔をおいて形成されている複数の第１枝を有し、
前記センサー出力電極は、櫛目状に一定の間隔をおいて形成されている複数の第２枝を有し、
前記複数の第１枝は、露出する半導体層を介在して前記複数の第２枝とそれぞれ噛み合っていることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記センサー制御電極に接続されたセンサー制御線と、
前記センサー入力電極に接続されたセンサー入力線と、
前記センサー出力電極に接続されたセンサー出力線とをさらに備え、
前記保護膜は、前記センサー制御電極上に追加でさらに形成されており、
前記センサー制御線の一部を露出させる第１コンタクトホールと、
前記センサー入力線の一部を露出させる第２コンタクトホールと、
前記センサー出力線の一部を露出させる第３コンタクトホールとを備えることを特徴とする、請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記保護膜は、前記ドレイン電極の一部を露出させる第４コンタクトホールをさらに備えることを特徴とする、請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記第４コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続される画素電極をさらに備えることを特徴とする、請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記第１コンタクトホール、前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを介してそれぞれ前記センサー制御線、前記センサー入力線、及び前記センサー出力線に接続されている接触補助部材をさらに備えることを特徴とする、請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
前記接触補助部材は、前記画素電極と同一層に形成されることを特徴とする、請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項８】
前記センサー制御電極、前記センサー入力電極及び前記センサー出力電極は周縁に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項９】
前記センサー制御電極、前記センサー入力電極及び前記センサー出力電極は、ダイオード型温度センサーを形成することを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１０】
基板上に形成されているゲート線と、
前記ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層と、
前記半導体層上に形成されているオーミック接触部材と、
前記オーミック接触部材上に形成されているデータ線、ドレイン電極、センサー入力電極及びセンサー出力電極と、
前記データ線及び前記ドレイン電極、前記センサー入力電極及び前記センサー出力電極上に形成されている保護膜とを備えることを特徴とする、薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１１】
前記センサー入力電極は、櫛目状に一定の間隔をおいて形成されている複数の第１枝を有し、
前記センサー出力電極は、櫛目状に一定の間隔をおいて形成されている複数の第２枝を有し、
前記複数の第１枝は、露出する半導体層を介在して前記複数の第２枝とそれぞれ噛み合っていることを特徴とする、請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１２】
前記センサー入力電極に接続されたセンサー入力線と、
前記センサー出力電極に接続されたセンサー出力線とをさらに備え、
前記保護膜は、
前記センサー入力線の一部を露出させる第１コンタクトホールと、
前記センサー出力線の一部を露出させる第２コンタクトホールとを備えることを特徴とする、請求項１１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１３】
前記保護膜は、前記ドレイン電極の一部を露出させる第３コンタクトホールをさらに備えることを特徴とする、請求項１２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１４】
前記第３コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続される画素電極をさらに備えることを特徴とする、請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１５】
前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホールを介してそれぞれ前記センサー入力線及び前記センサー出力線に接続される接触補助部材をさらに備えることを特徴とする、請求項１４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１６】
前記接触補助部材は、前記画素電極と同一層に形成されることを特徴とする、請求項１４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１７】
前記センサー入力電極及び前記センサー出力電極は周縁に形成されていることを特徴とする、請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１８】
前記センサー入力電極及び前記センサー出力電極は抵抗型温度センサーを形成することを特徴とする、請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１９】
第１表示板と、
第２表示板と、
前記第１及び第２表示板の間に注入された液晶層と、
前記第１表示板の第１面上に形成された温度センサーとを備え、
前記第１面は前記液晶層と対向していることを特徴とする、液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第１表示板は薄膜トランジスタ表示板であることを特徴とする、請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記温度センサーは前記第１表示板の非表示領域に形成されることを特徴とする、請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記第１表示板の前記第１面に形成された複数の温度センサーをさらに備えることを特徴とする、請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記第１表示板は、少なくとも一つのデータ線を有し、
前記温度センサーは、前記データ線と同一層に形成されたセンサー入力電極とセンサー出力電極を有することを特徴とする、請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記第１表示板は、基板と前記基板上に形成された少なくとも一つのゲート線を有し、
前記温度センサーは、前記ゲート線と同一層に形成されたセンサー制御電極をさらに有することを特徴とする、請求項２３に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサー及びそれを備えた薄膜トランジスタ表示板に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置には、自ら発光する陰極線管、有機発光表示装置、及びプラズマ表示装置（ＰＤＰ ）などと、自ら発光できず別途の光源を必要とする液晶表示装置などがある。
液晶表示装置は、一般に、二つの表示板とその間に入っている誘電率異方性を有する液晶層とを備える。液晶層に電界を印加し、この電界の強さを調節して液晶層を通過する光の透過率を調節することによって所望の画像を得る。この時の光は、別途具備された人工光源であるか、自然光であることができる。
【０００３】
液晶層に充填されている液晶は、温度に応じて光学的特性が変わるので、液晶表示装置の信頼性を向上させるために、液晶表示装置の温度変化を考慮する必要がある。即ち、液晶の光学的特性である屈折率、誘電率、弾性係数、粘性等は、液晶分子の熱運動エネルギーと反比例関係にあるものと知られており、このような特性は、液晶の温度が増加すればその値が減少する傾向がある。このように、温度変化に応じて液晶の光学的特性が変わるので、最適の状態で液晶を駆動して、液晶表示装置の駆動を最適化するためには、周辺環境や内部で発生する発熱などによる液晶表示装置の温度変化を感知することが要求される。
【０００４】
そのために、従来は、複数の駆動回路が装着されているプリント回路基板（ＰＣＢ）に温度センサーを装着して液晶表示装置の温度変化を感知している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来のプリント回路基板は、通常液晶表示装置の前面ではなく背面に装着されている。そのため、外部と直接接している液晶層が形成されている液晶表示装置の前面に対する温度ではなく、液晶表示装置の背面に対する温度を感知している。よって、人工光源及び多くの電気的な素子等から発生する熱のために、外部との温度偏差が大きくなってしまう。
【０００６】
その結果、温度センサーによって感知された温度は、実際の液晶層の温度と差が大きく、液晶層の温度を考慮した正確な温度補償動作が実現できない。また、別途の温度センサーをＰＣＢ上に付着することになり、空間的な制限と経済的な負担を招く。
そこで、本発明の目的は、表示装置の温度を正確に感知するセンサーを提供することである。
【０００７】
本発明の他の目的は、温度を感知するセンサーによるコスト増加を低減させることである。
さらに、本発明の目的は、センサーを付着するための空間的な制限を減らすことである。
さらに、本発明の目的は、温度変化に応じて安定な表示動作が実現される表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的を達成するために、
本願１発明の他の特徴による薄膜トランジスタ表示板は、基板上に形成されているゲート線及びセンサー制御電極、前記ゲート線及び前記センサー制御電極上に形成されているゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層、前記半導体層上に形成されているオーミック接触部材、前記オーミック接触部材上に形成されているデータ線、ドレイン電極、センサー入力電極及びセンサー出力電極、並びに前記データ線及び前記ドレイン電極、前記センサー入力電極及び前記センサー出力電極上に形成されている保護膜を備える。
【０００９】
表示装置の温度を感知する温度センサーを表示装置の薄膜トランジスタ表示板に直接実装するので、製造コストを大きく増加することなく、外部と隣接している液晶層の温度に近接した温度を感知することができる。温度センサで感知された温度は、感知信号Vsとして表示装置の信号制御部に送信され、信号制御部は感知信号Vsに応じてゲート制御信号やデータ制御信号等を制御する。これにより、周辺環境の温度に近似する感知温度に基づいて表示装置の動作を制御するので、温度変化に応じた補償動作が行われて表示装置の画質が良くなる。また、温度センサーを直接、表示装置の薄膜トランジスタ表示板に実装するので、別途の温度センサーを付着することによる空間的な制限がなくなり、温度センサーを購入する必要がなく、コストが減少する。
【００１０】
第２発明は、第１発明において、前記センサー入力電極は、櫛目状に一定の間隔を置いて形成されている複数の第１枝を有し、前記センサー出力電極は、櫛目状に一定の間隔を置いて形成されている複数の第２枝を有し、前記複数の第１枝は、露出した半導体層を間に介在して前記複数の第２枝とそれぞれ噛みあうことが好ましい。
温度センサーを櫛目状に形成して、表面と接する面積が増加して感知動作の信頼性が良くなる。また、温度センサーから出力される信号を特に増幅することなく、直接利用できるので、増幅回路などのような別途の付加回路が不要である。
【００１１】
第３発明は、第２発明において、前記薄膜トランジスタ表示板は、前記センサー制御電極に接続されたセンサー制御線、前記センサー入力電極に接続されたセンサー入力線、並びに前記センサー出力電極に接続されたセンサー出力線をさらに備え、前記保護膜は、前記センサー制御電極上に追加してさらに形成されており、前記センサー制御線の一部を露出させる第１コンタクトホール、前記センサー入力線の一部を露出させる第２コンタクトホール、並びに前記センサー出力線の一部を露出させる第３コンタクトホールを有することができる。
【００１２】
また、第４発明は、第３発明において、前記保護膜は、前記ドレイン電極の一部を露出させる第４コンタクトホールをさらに有することができる。
第５発明は、第４発明において、前記特徴による薄膜トランジスタ表示板は、前記第４コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続される画素電極をさらに含む。
第６発明は、第５発明において、前記第１コンタクトホール、前記第２コンタクトホール及び前記第３コンタクトホールを介してそれぞれ前記センサー制御線、前記センサー入力線及び前記センサー出力線に接続されている接触補助部材をさらに備えることができる。
【００１３】
第７発明は、第６発明において、前記接触補助部材は、前記画素電極と同一層に形成されることができる。
第８発明は、第１発明において、前記センサー制御電極、前記センサー入力電極及び前記センサー出力電極は、周縁に形成されることができる。
第９発明は、第１発明において、前記センサー制御電極、前記センサー入力電極及び前記センサー出力電極は、ダイオード型温度センサーを形成することができる。
【００１４】
本願第１０発明の他の特徴による薄膜トランジスタ表示板は、基板上に形成されているゲート線、前記ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層、前記半導体層上に形成されているオーミック接触部材、前記オーミック接触部材上に形成されているデータ線、ドレイン電極、センサー入力電極及びセンサー出力電極、並びに前記データ線及び前記ドレイン電極、前記センサー入力電極及び前記センサー出力電極上に形成されている保護膜を備える。
【００１５】
温度センサーの連結状態を変更して温度センサーの動作特性を変えることができ、これによって表示装置や周辺環境に適切な特性を有する温度センサーを選択的に実現して利用できるので、温度センサーの効率と表示装置の動作効率が良くなる。
第１１発明は、第１０発明において、前記センサー入力電極は、櫛目状に一定の間隔を置いて形成されている複数の第１枝を有し、前記センサー出力電極は、櫛目状に一定の間隔を置いて形成されている複数の第２枝を有し、前記複数の第１枝は、露出した半導体層を間に介在して前記複数の第２枝とそれぞれ噛みあうことが好ましい。
【００１６】
温度センサーを櫛目状に形成して、表面と接する面積が増加して感知動作の信頼性が良くなる。また、温度センサーから出力される信号を特に増幅することなく、直接利用できるので、増幅回路などのような別途の付加回路が不要である。
第１２発明は、第１１発明において、前記センサー入力電極に接続されたセンサー入力線、及び前記センサー出力電極に接続されたセンサー出力線をさらに有し、前記保護膜は、前記センサー入力線の一部を露出させる第１コンタクトホール、及び前記センサー出力線の一部を露出させる第２コンタクトホールを有することができる。
【００１７】
また、第１３発明は、第１２発明において、前記保護膜は、前記ドレイン電極の一部を露出させる第３コンタクトホールをさらに有することができる。
第１４発明は、第１３発明において、前記特徴による薄膜トランジスタ表示板は、前記第３コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続される画素電極を含む。
第１５発明は、第１４発明において、前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホールを介してそれぞれ前記センサー入力線及び前記センサー出力線に連結されている接触補助部材をさらに備えることができる。
【００１８】
第１６発明は、第１４発明において、前記接触補助部材は、前記画素電極と同一層に形成されることができる。
第１７発明は、第１０発明において、前記センサー入力電極及び前記センサー出力電極は、周縁に形成されることができる。
第１８発明は、第１０発明において、前記センサー制御電極、前記センサー入力電極及び前記センサー出力電極は、ダイオード型温度センサーを形成することができる。
【００１９】
本願第１９発明の他の特徴による液晶表示装置は、第１表示板、第２表示板、前記第１及び第２表示板の間に注入された液晶層、及び前記第１表示板の第１面上に形成された温度センサーを備え、前記第１面は、前記液晶層と対向している。
第２０発明は、第１９発明において、前記第１表示板は、薄膜トランジスタ表示板であることができる。
【００２０】
第２１発明は、第１９発明において、前記温度センサーは、前記第１表示板の非表示領域に形成されるのが良い。
第２２発明は、第１９発明において、前記第１表示板の前記第１面に形成された複数の温度センサーをさらに備えることができる。
第２３発明は、第１９発明において、前記第１表示板は、少なくとも一つのデータ線を有し、前記温度センサーは、前記データ線と同一層に形成されたセンサー入力電極とセンサー出力電極を有することが好ましい。
【００２１】
第２４発明は、第２３発明において、前記第１表示板は、基板と前記基板上に形成された少なくとも一つのゲート線を有し、前記温度センサーは、前記ゲート線と同一層に形成されたセンサー制御電極をさらに有するのが良い。
添付した図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明することによって本発明のいろいろな効果を明らかにしたい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、表示装置と一体の温度センサを設けるため、別途の温度センサを設けることなく、表示装置の温度を正確に感知するセンサーを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
添付した図面を参照して、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００２４】
以下、本発明の実施形態によるセンサー及びそれを備えた薄膜トランジスタ表示板について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図であり、図２は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図であり、図３は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の分解斜視図である。
【００２５】
図１に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、液晶表示板組立体３００及びこれに接続されたゲート駆動部４００、データ駆動部５００、データ駆動部５００に接続された階調電圧生成部８００、温度センサー部５０、並びにこれらを制御する信号制御部６００を備える。
液晶表示板組立体３００は、等価回路的には、複数の表示信号線（Ｇ1−Ｇn、Ｄ1−Ｄm）とこれに接続されて略行列状に配列された複数の画素を有する。また、液晶表示板組立体３００は、互いに対向する下部及び上部表示板１００、２００とその間に入っている液晶層３を有する。
【００２６】
表示信号線（Ｇ1−Ｇn、Ｄ1−Ｄm）は、ゲート信号（走査信号とも言う。）を伝達する複数のゲート線（Ｇ1−Ｇn）と、データ信号を伝達するデータ線（Ｄ1−Ｄm）を有する。ゲート線（Ｇ1−Ｇn）は略行方向に延在して互いに略平行であり、データ線（Ｄ1−Ｄm）は略列方向に延在して互いに略平行である。
各画素は、ゲート線（Ｇ1−Ｇn）及びデータ線（Ｄ1−Ｄm）に接続されたスイッチング素子Ｑと、これに接続された液晶キャパシタＣLC及びストレージキャパシタＣSTを有する。ストレージキャパシタＣSTは、必要に応じて省略することができる。
【００２７】
各画素のスイッチング素子Ｑは、下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどからなり、ゲート線（Ｇ1−Ｇn）に接続されている制御端子、データ線（Ｄ1−Ｄm）に接続されている入力端子、そして液晶キャパシタＣLC及びストレージキャパシタＣSTに接続されている出力端子を有する三端子素子である。
液晶キャパシタＣLCは、下部表示板１００の画素電極１９０と上部表示板２００の共通電極２７０を二つの端子とし、二つの電極１９０、２７０間の液晶層３は誘電体として機能する。画素電極１９０は、スイッチング素子Ｑに接続され、共通電極２７０は、上部表示板２００の全面に形成されて共通電圧Ｖcomの印加を受ける。図２とは異なって、共通電極２７０が下部表示板１００に具備されることもあり、その場合には、二つの電極１９０、２７０の少なくとも一つを線形状または棒形状に形成することができる。
【００２８】
液晶キャパシタＣLCの補助的な役割を果たすストレージキャパシタＣSTは、下部表示板１００に具備された別個の信号線（図示せず）と画素電極１９０とが絶縁体を間に介在して重畳してなる。この別個の信号線には、共通電圧Ｖcomなどの定められた電圧が印加される。しかし、ストレージキャパシタＣSTは、画素電極１９０が絶縁体を媒介としてすぐ上の前段ゲート線と重畳してなることもできる。
【００２９】
一方、色表示を実現するために各画素が原色のうちの一つを固有に表示したり（空間分割）、各画素が時間によって交互に原色を表示する（時間分割）ようにし、これら原色の空間的、時間的な作用で所望の色相が認識されるようにする。原色の例には赤色、緑色及び青色などがある。
上部表示板２００には、光漏れを遮断するためのブラックマトリックス２２０（図２での斜線部分）が形成され、ブラックマトリックス２２０は、画素電極１９０またはカラーフィルタ２３０に対応する領域に開口部を有する。
【００３０】
図２は、空間分割の一例であって、各画素が上部表示板２００の領域に原色の一つを表示するカラーフィルタ２３０を備えるものを示す。図２とは異なって、カラーフィルタ２３０は、下部表示板１００の画素電極１９０上または下に形成することもできる。
液晶表示板組立体３００の二つの表示板１００、２００の少なくとも一つの外側面には、光を偏光させる偏光子（図示せず）が付着されている。
【００３１】
階調電圧生成部８００は、画素の透過率に関連する、複数の二組の階調電圧を生成する。そのうち一組は、共通電圧Ｖcomに対してプラスの値を有し、もう一組はマイナスの値を有する。
ゲート駆動部４００は、液晶表示板組立体３００のゲート線（Ｇ1−Ｇn）に接続され、外部からのゲートオン電圧Ｖｏｎとゲートオフ電圧Ｖｏｆｆの組み合わせからなるゲート信号をゲート線（Ｇ1−Ｇn）に印加し、複数の集積回路からなることができる。
【００３２】
データ駆動部５００は、液晶表示板組立体３００のデータ線（Ｄ1−Ｄm）に接続され、階調電圧生成部８００からの階調電圧を選択してデータ信号として画素に印加し、複数の集積回路からなることができる。
ゲート駆動部４００またはデータ駆動部５００は、複数の駆動集積回路チップの形態で液晶表示板組立体３００上に直接装着されたり、フレキシブルプリント回路膜（図示せず）上に装着され、ＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）の形態で液晶表示板組立体３００に付着されることもできる。これとは異なって、ゲート駆動部４００またはデータ駆動部５００が表示信号線（Ｇ1−Ｇn、Ｄ1−Ｄm）と薄膜トランジスタスイッチング素子Ｑなどと共に液晶表示板組立体３００に集積されることもできる。
【００３３】
温度センサー部５０は、少なくとも一つの温度センサー５１を有し、各温度センサー５１は、感知された温度に応じて対応する感知信号Ｖｓを生成して信号制御部６００に出力する。
信号制御部６００は、ゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００などの動作を制御する。
【００３４】
一方、図３に示すように、液晶表示板組立体３００は、液晶層３が主に形成されている表示領域ＤＲと表示領域ＤＲを除いた非表示領域Ｂとに分けられる。ここで、非表示領域Ｂは、主に液晶表示板組立体３００の周縁領域に該当し、ブラックマトリックス２２０で覆われている。温度センサー部５０の温度センサー５１は、このうち非表示領域Ｂに装着される。温度センサー部５０を、ブラックマトリックス２２０で覆われている非表示領域Ｂに設けることで、表示領域ＤＲの開口率を下げることなく温度を感知できる。
【００３５】
温度センサー５１は、図３に示すように、液晶表示板組立体３００の上下にそれぞれ２つずつ形成されているが、これら温度センサー５１の形成位置及び個数は、これに限定されるものではなく、液晶表示板組立体３００の左右など、液晶表示板組立体３００の温度を最適に感知できる非表示領域Ｂのいずれかの位置及び最適な個数であれば良い。
以下、このような液晶表示装置の表示動作についてより詳細に説明する。
【００３６】
信号制御部６００は、外部のグラフィック制御部（図示せず）から入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂ、その表示を制御する入力制御信号、例えば、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃと水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、メインクロックＭＣＬＫ、データイネーブル信号ＤＥ、及び温度センサー部５０からの温度感知信号Ｖｓなどの提供を受ける。信号制御部６００は、入力制御信号及び温度感知信号Ｖｓに基づいて、映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを液晶表示板組立体３００の動作条件に合うように適切に処理し、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１及びデータ制御信号ＣＯＮＴ２などを生成した後、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１をゲート駆動部４００に送出し、データ制御信号ＣＯＮＴ２と処理した映像信号ＤＡＴは、データ駆動部５００に送出する。
【００３７】
ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、走査開始を指示する走査開始信号ＳＴＶとゲートオン電圧Ｖｏｎの出力時間を制御する少なくとも一つのクロック信号を含む。さらに、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、ゲートオン電圧Ｖｏｎの持続時間を限定する出力イネーブル信号ＯＥを含むことができる。
データ制御信号ＣＯＮＴ２は、一つの画素行のデータ伝送を知らせる水平同期開始信号ＳＴＨとデータ線（Ｄ1−Ｄm）に当該データ電圧の印加を指示するロード信号ＬＯＡＤ、共通電圧Ｖｃｏｍに対するデータ電圧の極性（以下、共通電圧に対するデータ電圧の極性を略してデータ電圧の極性と言う。）を反転させる反転信号ＲＶＳ及びデータクロック信号ＨＣＬＫなどを含む。
【００３８】
信号制御部６００からのデータ制御信号ＣＯＮＴ２に従って、データ駆動部５００は、一つの行の画素に対する映像データＤＡＴを受信する。そして、階調電圧生成部８００からの階調電圧のうち各映像データＤＡＴに対応する階調電圧を選択することによって、映像データＤＡＴを当該アナログデータ電圧に変換した後、これを当該データ線（Ｄ1−Ｄm）に印加する。
【００３９】
ゲート駆動部４００は、信号制御部６００からのゲート制御信号ＣＯＮＴ１に従ってゲートオン電圧Ｖｏｎをゲート線（Ｇ1−Ｇn）に印加して、該ゲート線（Ｇ1−Ｇn）に接続されたスイッチング素子Ｑをターンオンさせる。これにより、データ線（Ｄ1−Ｄm）に印加されたデータ電圧が、導通したスイッチング素子Ｑを介して当該画素に印加される。
画素に印加されたデータ電圧と共通電圧Ｖｃｏｍとの差は、液晶キャパシタＣLCの充電電圧、つまり画素電圧として表れる。液晶分子は、画素電圧の大きさに応じてその配列が異なり、その結果、液晶層３を通過する光の偏光が変化する。このような偏光の変化は、表示板１００、２００に付着された偏光子（図示せず）によって光透過率の変化として表れる。
【００４０】
１水平周期（または１Ｈ）（水平同期信号Ｈｓｙｎｃ及びゲートクロックＣＰＶの一周期）を単位としてデータ駆動部５００とゲート駆動部４００は同一な動作を繰り返す。このような方法で、１フレーム期間の間、全てのゲート線（Ｇ1−Ｇn）に対して順次にゲートオン電圧Ｖｏｎを印加して、全ての画素にデータ電圧を印加する。１フレームが終了すれば次のフレームが開始され、各画素に印加されるデータ電圧の極性が直前フレームでの極性と逆となるように、データ駆動部５００に印加される反転信号ＲＶＳの状態が制御される（フレーム反転）。この時、１フレーム内でも反転信号ＲＶＳの特性に応じて、一つのデータ線を介して流れるデータ電圧の極性が変わったり（例：行反転、ドット反転）、隣接データ線を介して同時に流れるデータ電圧の極性も互いに異なることができる（例：列反転、ドット反転）。
【００４１】
以下、本発明の一実施形態による温度センサー及びそれを備えた液晶表示装置の構造について図４乃至図５Ｂを参照して説明する。
図４は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図の一例であり、図５Ａは、図４に示した液晶表示装置のＶａ-Ｖａ´線に沿った断面図であり、図５Ｂは、図４に示した液晶表示装置のＶｂ-Ｖｂ´線に沿った断面図である。
【００４２】
透明なガラスなどからなる絶縁基板１１０上に、ゲート信号を伝達する複数のゲート線１２１、センサー制御電極１２６及びセンサー制御線１２８、並びに複数の維持電極線１３１が形成されている。
ゲート線１２１は、主に横方向に延在しており、各ゲート線１２１の一部は複数のゲート電極１２４をなす。また、ゲート線１２１の一端部１２９は、他の層または外部装置との接続のために、幅が拡張されている。センサー制御電極１２６は、横軸、つまりゲート線１２１に沿った行方向が長い略長方形状を有し、センサー制御線１２８は、センサー制御電極１２６に対して垂直方向、つまりデータ線に沿った列方向に延在している。各センサー制御線１２８の端部は、他の層または外部装置との接続のために、幅が拡張されている。
【００４３】
維持電極線１３１は、図４に示すように、隣接した二つのゲート線１２１のうち、画素の下側のゲート線１２１に隣接して横方向に延在している。
ゲート線１２１、センサー制御電極１２６、センサー制御線１２８、及び維持電極線１３１は、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、及び銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、及びこれらの合金などからなる導電膜を有する。しかし、ゲート線１２１、センサー制御電極１２６及びセンサー制御線１２８は、物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多層膜構造を有することもできる。この場合、一つの導電膜は、ゲート線１２１、センサー制御電極１２６及びセンサー制御線１２８の信号遅延や電圧降下を減らすために低い比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）の金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属または銅系金属からなる。これとは異なって、他方の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ及びＩＺＯとの接触特性が優れた物質、例えばクロム、モリブデン、チタニウム、タンタル、またはこれらの合金などからなる。比抵抗が低い導電膜が上部に位置し、接触特性が優れた導電膜が下部に位置する構造には、クロム下部膜とアルミニウム-ネオジム（Ｎｄ）合金の上部膜があり、逆の例には、アルミニウム-ネオジム下部膜とモリブデン上部膜がある。
【００４４】
また、ゲート線１２１、センサー制御電極１２６、センサー制御線１２８、及び維持電極線１３１の側面は、基板１１０表面に対して傾斜しており、傾斜角は約３０〜８０°の範囲である。このように側面が傾斜しているとその上部の膜を平坦化し易く、また上部の配線の断線を防止することができる。
ゲート線１２１、センサー制御電極１２６、センサー制御線１２８、及び維持電極線１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００４５】
ゲート絶縁膜１４０上部には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは、ａ-Ｓｉと略称する。）などからなる複数の半導体１５１、１５５が形成されている。線状半導体１５１は、データ線１７１と同様に、主に図４中縦方向に延在しており、ここから複数の突出部１５４がゲート電極１２４に向けて延在する。半導体１５５は、線状半導体１５１と分離されており、横軸が長い略長方形形状で、センサー制御電極１２６に似た形態を有する。
【００４６】
半導体１５１、１５５上部には、シリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ+水素化非晶質シリコンなどの物質で形成された複数の線状及び島状オーミック接触部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６１、１６５、１６２、１６４が形成されている。線状オーミック接触部材１６１は複数の突出部１６３を有し、この突出部１６３と島状オーミック接触部材１６５とは対をなして半導体１５１の突出部１５４上に位置する。
【００４７】
島状オーミック接触部材１６２、１６４は、それぞれ半導体１５５上に位置して互いに分離されている。
半導体１５１とオーミック接触部材１６１、１６５、１６２、１６４の側面も基板１１０表面に対して傾斜しており、傾斜角は３０〜８０°である。
オーミック接触部材１６１、１６５、１６２、１６４及びゲート絶縁膜１４０上には、それぞれ複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５、センサー入力電極１７２、センサー入力線１７６、センサー出力電極１７４及びセンサー出力線１７８が形成されている。
【００４８】
データ線１７１は、主に図４中、縦方向に延在してゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差し、データ電圧を伝達する。
各データ線１７１は、他の層または外部装置との接続のために、面積が広い端部１７９を有する。各データ線１７１からドレイン電極１７５に向けて延在する複数の枝がソース電極１７３をなす。一対のソース電極１７３とドレイン電極１７５は互いに分離されており、ゲート電極１２４に対して互いに対向するように位置する。
【００４９】
センサー入力線１７６は主に図４中、縦方向に延在しており、センサー入力電極１７２はセンサー入力線１７６に接続され、複数の枝が櫛目状に一定の間隔をおいて略垂直、つまりデータ線に沿う方向に形成されている。
センサー出力線１７８は主に縦方向に延在しており、センサー出力電極１７４はセンサー出力線１７８に接続され、複数の枝が櫛目状に一定の間隔をおいて略垂直に、つまりデータ線に沿う方向に形成されている。
【００５０】
センサー入力電極１７２とセンサー出力電極１７４とは、露出した半導体層１５５を介在して互いに噛み合うように配置されている。
ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をなし、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５間の突出部１５４に形成される。センサー制御電極１２６、センサー入力電極１７２及びセンサー出力電極１７４は、半導体１５５と共に温度センサー５１のためのセンサートランジスタを構成する。センサートランジスタの特性は、電極１２６、１７２間の幅（Ｗ）と距離（Ｌ）、及び半導体層１５５の厚さ（Ｔ）によって決められる。
【００５１】
データ線１７１、ドレイン電極１７５、センサー入力線１７６、センサー入力電極１７２、センサー出力線１７８、センサー出力電極１７４は、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどの耐火性金属からなることが好ましく、抵抗が低い上部膜と接触特性が良い下部膜を含む多層膜構造を有することができる。
データ線１７１、ドレイン電極１７５、センサー入力線１７６、センサー入力電極１７２、センサー出力電極１７４及びセンサー出力線１７８もゲート線１２１と同様に、その側面が約３０〜８０度の角度でそれぞれ傾斜している。
【００５２】
データ線１７１、ドレイン電極１７５、センサー入力線１７６、センサー入力電極１７２、センサー出力電極１７４及びセンサー出力線１７８上には、平坦化特性が優れて、かつ感光性を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなど、誘電率４．０以下の低誘電率絶縁物質、または無機物質である窒化ケイ素などからなる保護膜１８０が形成されている。これとは異なって、保護膜１８０は有機物と無機物の二重層からなることができる。
【００５３】
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９、ドレイン電極１７５、センサー入力線１７６の端部、及びセンサー出力線１７８の端部をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８２、１８５、１８６、１８７が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９とセンサー制御線１２８の端部を露出させる複数のコンタクトホール１８１、１８９がさらに形成されている。
【００５４】
保護膜１８０上には、ＩＴＯまたはＩＺＯからなる複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２、８６、８７、８９が形成されている。
画素電極１９０は、コンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続されてドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９０は、共通電圧の印加を受ける他の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって、二つの画素電極１９０及び共通電極間の液晶層（図示せず）の液晶分子を再配列する。また、画素電極１９０は、隣接するゲート線１２１及びデータ線１７１と重畳して開口率を向上させているが、重畳しないこともできる。
【００５５】
接触補助部材８１、８２、８６、８７、８９は、コンタクトホール１８１、１８２、１８６、１８７、１８９を介してゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９とセンサー入力線１７６の端部、センサー出力線１７８の端部及びセンサー制御線１２８の端部とそれぞれ接続する。接触補助部材８１、８２、８６、８７、８９は、ゲート線１２１及びデータ線１７１とセンサー入力線１７６、センサー出力線１７８及びセンサー制御線１２８と入力装置との接着性を補完し、それらを保護する役割を果たす。
【００５６】
ゲート線１２１にゲート信号を印加するゲート駆動部４００が液晶表示板組立体３００上に集積された場合、接触部材８１は、ゲート線１２１の端部１２９とゲート駆動部４００を連結する連結部材の役割を果たすことができ、場合によっては省略することもできる。
本発明の他の実施形態によれば、画素電極１９０の材料として透明な導電性ポリマーなどを使用し、反射型液晶表示装置の場合には不透明な反射性金属を使用しても良い。この時、接触補助部材８１、８２、８６、８７、８９は、画素電極１９０と異なる物質、特にＩＴＯまたはＩＺＯで形成することができる。
【００５７】
このように、ゲート線１２１及びデータ線１７１などと共に実装されて温度に応じて動作状態や抵抗値が変化する温度センサー５１の大きさは、大略２ｍｍ×２ｍｍ以下の大きさを有することができる。また、基板１１０上に形成されたセンサー制御電極１２６は、液晶表示板組立体３００下部に装着された光源（図示せず）から出力される光を遮断する役割も果たす。
【００５８】
このように、液晶表示装置の非表示領域（Ｂ）にゲート線１２１及びデータ線１７１などと共に形成される温度センサー５１は、センサー制御線１２８、センサー入力線１７６及びセンサー出力線１７８の接続状態によって図６Ａ乃至図７Ｂに示すように、大きくダイオード型温度センサーと抵抗型温度センサーに分けられる。以下、詳細に説明する。
図６Ａは、本発明の一実施形態による温度センサーがダイオード型温度センサーに接続される時の等価回路図であり、図６Ｂは、図６Ａによるダイオード型温度センサーの温度変化による出力電圧の特性を示したグラフである。また、図７Ａは、本発明の一実施形態による温度センサーが抵抗型温度センサーに接続される時の等価回路図であり、図７Ｂは、図７Ａによる抵抗型温度センサーの温度変化による出力電圧の特性を示したグラフである。
【００５９】
まず、図６Ａ及び図６Ｂを参照して、温度センサー５１をダイオード型温度センサーに接続する場合について説明する。
図６Ａに示すように、温度センサー５１のセンサー制御線Ｇとセンサー出力線Ｄを接続し、センサー入力線Ｓは接地電圧ＧＮＤに接続する。このように、センサートランジスタの制御線Ｇとセンサー出力線Ｄを接続すれば、センサートランジスタ、つまり温度センサー５１はダイオードのように動作する。
【００６０】
この時、センサー出力線Ｄから出力される電圧ＶDは、次式（１）により求めることができる。
図６Ａにおいて、Ｒは外部に接続された抵抗であり、Ｖｄｄは入力電圧である。
【００６１】
【数１】
2006201784.tif 000003
ここで、ＩDはセンサー出力線Ｄに流れる電流であり、この時、制御線Ｇと出力線Ｄが接続されて、制御線Ｇと入力線Ｓと間の電圧と、出力線Ｄと入力線Ｓ間の電圧が同じであるので、ＩDは次式（２）で表される。
【００６２】
【数２】
2006201784.tif 000004
ここで、μnは温度変化による電子移動度であり、Ｃｇはセンサー入力電極の容量、Ｗはチャンネル幅、Ｌはチャンネル長さ、ＶTHはしきい電圧である。
温度変化による電子移動度（μn）は、次式（３）で表される。
【００６３】
【数３】
2006201784.tif 000005
μ0は固有電子移動度（ｅｘｔｅｎｄｅｄ ｓｔａｔｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ）であり、Ｎｃは移動度境界面における状態密度（ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｓｔａｔｅ ａｔ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｅｄｇｅ）、ｋはボルツマン定数（ｂｏｌｔｚｍａｎ ｃｏｎｓｔａｎｔ）、Ｔは温度（Ｋ）であり、ｎは総電子密度（ｔｏｔａｌ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｅｎｓｉｔｙ）、Ｅａは電子活性エネルギー（ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ ｅｎｅｒｇｙ）である。
【００６４】
この時、μ0は約６（ｃｍ2／ｖｓ）であり、Ｎｃは約２×１０21（ｃｍ2／ｅＶ）であり、ｋは１．３８０５×１０-23（Ｊ／Ｋ）である。また、Ｅａは０．１３（ｅＶ）である。
その結果、式（１）乃至式（３）を参照すれば、センサー出力線Ｄを介して出力される電圧ＶDは温度によって変わることが分かる。
【００６５】
図６Ａの等価回路のように、接続された温度センサー５１の出力端Ｄから出力される電圧ＶDは、図６Ｂに示すように、温度が変化することによって非常に線形的に変化する値を出力する。
次に、図７Ａ及び図７Ｂを参照して温度センサー５１を抵抗型で接続する場合について説明する。
【００６６】
図７Ａに示すように、センサー制御線Ｇには何の信号も印加せず、センサー入力線Ｓに抵抗Ｒｃを介して接地電圧ＧＮＤを接続し、センサー出力線Ｄは駆動電圧Ｖｄｄの印加を受ける。これにより、センサー制御電極に何の信号も印加されないので、センサートランジスタ５１は一つの抵抗Ｒｓとして作用する。
このように、温度センサー５１が抵抗Ｒｓで作用すれば、センサートランジスタ、つまり温度センサー５１から出力される電圧Ｖｏｕｔは、次式（４）により求めることができる。
【００６７】
【数４】
2006201784.tif 000006
ρは抵抗Rsの抵抗率、Lは抵抗Rsの長さ、Wは抵抗Rsの幅、Dは抵抗Rsの厚みである。
電子移動度（μn）を式（３）のように表すことができるので、センサー出力線Ｄから出力される電圧Ｖｏｕｔは温度によって変化する値となる。
【００６８】
このような温度センサー５１の温度変化による出力電圧の特性は、図７Ｂにようになる。図７Ｂに示すように、抵抗型温度センサーは、温度変化に対して非線形的な電圧を出力する。このように非線形的な電圧が出力されても、抵抗の特性上、感度が優れた温度センサーを設計することが可能である。
このような抵抗型温度センサーは、センサー入力線に何の信号も印加されないので、センサー入力線とセンサー入力電極を形成しなくて済む。
【００６９】
次に、図８Ａと図８Ｂを参照して抵抗型温度センサーに対する他の例を説明する。抵抗型温度センサーを備える液晶表示装置の構造は、図４及び図５Ａに示されたものと同一であるので説明は省略する。
図８Ａは、本発明の他の実施形態による抵抗型温度センサーの配置図であり、図８Ｂは、図８Ａの温度センサーのＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ´線に沿った断面図である。
【００７０】
図８Ａ及び図８Ｂに示すように、本発明の他の実施形態による抵抗型温度センサーの構造は、ゲート線１２１と共に形成されるセンサー制御電極１２６とセンサー制御線１２８が形成されないこと以外は、図４及び図５Ｂに示すものと類似している。
即ち、絶縁基板１１０上に直接ゲート絶縁膜１４０が形成され、このゲート絶縁膜１４０上に横軸が長い略長方形形状を有する半導体層１５５が形成されている。半導体層１５５上に複数のオーミック接触部材１６２、１６４が形成されており、オーミック接触部材１６２、１６４とゲート絶縁膜１４０上にセンサー入力線１７６、センサー入力電極１７２、センサー出力電極１７４及びセンサー出力線１７８が形成されている。
【００７１】
これらセンサー入力線１７６、センサー入力電極１７２、センサー出力電極１７４及びセンサー出力線１７８上には保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０にはセンサー入力線１７６の端部を露出させるコンタクトホール１８６と、センサー出力線１７８の端部を露出させるコンタクトホール１８７が形成されている。保護膜１８０上には、複数の接触補助部材８６、８７が形成されている。
【００７２】
このように、センサー制御線１２８とセンサー制御電極１２６に信号が入力されない場合には、センサー制御線１２８とセンサー制御電極１２６を形成しなくても抵抗型温度センサーを設計することができる。
このように、ダイオード型温度センサーと抵抗型温度センサーを設計する際に、実際温度変化による出力電圧の波形を図９及び図１０を参照して説明する。
【００７３】
図９は、本発明の一実施形態によるダイオード型温度センサーにおける温度変化に対する出力電圧を示したグラフであり、図１０は、本発明の実施形態による抵抗型温度センサーにおける温度変化に対する出力電圧を示したグラフである。
図９及び図１０において、駆動電圧Ｖｄｄは約５Ｖであり、Ｗ／Ｌは３２００／４．５である。つまり、図６AのTFT及び図７AのRsのＷ／Ｌは３２００／４．５である。また、図９において、抵抗Ｒ（図６A参照）は約６２０ΚΩであり、図１０において、抵抗Ｒｃ（図７A参照）は約２ＭΩである。
【００７４】
図９及び図１０に示すように、約−２０乃至８０℃の範囲で液晶表示装置の温度を測定した。図９に示すグラフは、約１０℃単位で温度測定を実施して得られたものであり、図１０に示すグラフは、約２．５℃ごとに温度測定を実施して得られたものである。図９において、ダイオード型温度センサーから出力される電圧変化幅（△ＶＤ）は約１．３１Ｖであり、図１０において、抵抗型温度センサーから出力される電圧変化幅（△Ｖｏｕｔ）は約４．３７Ｖであり、各センサーにおけるダイナミック感度が大きいので、直接センサーから出力される信号を利用することができ、別途の増幅回路が不要である。
【００７５】
このように、液晶表示装置の温度を感知する温度センサーは、ゲート線及びデータ線などと共に設計して液晶表示板組立体に直接実装するので、液晶層の温度変化に近接した温度を感知する。
以上のように、液晶表示装置の温度を感知する温度センサーを液晶表示装置に直接実装するので、製造コストを大きく増加することなく、外部と隣接している液晶層の温度に近接した温度を感知する。温度センサで感知された温度は、感知信号Vsとして信号制御部６００に送信され、信号制御部６００は感知信号Vsに応じてゲート制御信号CONT1やデータ制御信号CONT2等を制御する。これにより、周辺環境の温度に近似する感知温度に基づいて液晶表示装置の動作を制御するので、温度変化に応じた補償動作が行われて表示装置の画質が良くなる。また、温度センサーを直接液晶表示装置に実装するので、別途の温度センサーを付着することによる空間的な制限がなくなり、温度センサーを購入する必要がなく、コストが減少する。
【００７６】
さらに、温度センサーの連結状態を変更して温度センサーの動作特性を変えることができ、これによって表示装置や周辺環境に適切な特性を有する温度センサーを選択的に実現して利用できるので、温度センサーの効率と表示装置の動作効率が良くなる。
また、温度センサーを櫛目状に形成して、表面と接する面積が増加して感知動作の信頼性が良くなる。また、温度センサーから出力される信号を特に増幅することなく、直接利用できるので、増幅回路などのような別途の付加回路が不要である。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態による液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。
【図３】本発明の一実施形態による液晶表示装置の分解斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図の一例である。
【図５Ａ】図４に示した液晶表示装置のＶａ−Ｖａ´線に沿った断面図である。
【図５Ｂ】図４に示した液晶表示装置のＶｂ−Ｖｂ´線に沿った断面図である。
【図６Ａ】本発明の一実施形態による温度センサーがダイオード型温度センサーに接続される時の等価回路図である。
【図６Ｂ】図６Ａによるダイオード型温度センサーの温度変化による出力電圧の特性を示したグラフである。
【図７Ａ】本発明の一実施形態による温度センサーが抵抗型温度センサーに接続される時の等価回路図である。
【図７Ｂ】図７Ａによる抵抗型温度センサーの温度変化による出力電圧の特性を示したグラフである。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態による抵抗型温度センサーの配置図である。
【図８Ｂ】図８Ａの温度センサーのＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ´線に沿った断面図である。
【図９】本発明の一実施形態によるダイオード型温度センサーにおける温度変化に対する出力電圧を示したグラフである。
【図１０】本発明の一実施形態による抵抗型温度センサーにおける温度変化に対する出力電圧を示したグラフである。
【符号の説明】
【００７８】
１００  下部表示板
２００  上部表示板
１９０  画素電極
２３０  カラーフィルタ
３００  液晶表示板組立体
４００  ゲート駆動部
５００  データ駆動部
６００  信号制御部
８００  階調電圧生成部
１２１  ゲート線
１２６  センサー制御電極
１２８  センサー制御線
１４０  ゲート絶縁膜
１５１、１５４、１５５  半導体層
１６１、１６２、１６４、１６５  オーミック接触部材
１７１  データ線
１７５  ドレイン電極
１７２  センサー入力電極
１７４  センサー出力電極
１７６  センサー入力線
１８０  保護膜
１９０  画素電極
８１、８２、８６、８７、８９  接触補助部材
【図１】
2006201784.tif 000007
【図２】
2006201784.tif 000008
【図３】
2006201784.tif 000009
【図４】
2006201784.tif 000010
【図５Ａ】
2006201784.tif 000011
【図５Ｂ】
2006201784.tif 000012
【図６Ａ】
2006201784.tif 000013
【図６Ｂ】
2006201784.tif 000014
【図７Ａ】
2006201784.tif 000015
【図７Ｂ】
2006201784.tif 000016
【図８Ａ】
2006201784.tif 000017
【図８Ｂ】
2006201784.tif 000018
【図９】
2006201784.tif 000019
【図１０】
2006201784.tif 000020