(57)【要約】【課題】プラズマを発生させるためにウェハ支持部材の給電端子に高周波電力を印加すると、給電端子が発熱するという問題があった。【解決手段】板状セラミック体４の一方の主面をウェハＷを載せる載置面４ａとし、その内部に電極１２を備えるとともに、上記載置面４ａ以外の板状セラミック体４の表面に凹部１４を形成するとともに、該凹部１４に上記電極１２と電気的に接続される給電端子１０を一方側が上記凹部１４から露出するように装着してなるウェハ支持部材２において、上記給電端子１０の上記凹部１４から露出した表面に溝２０を形成するとともに、該溝部２０を覆う導電層２２が形成されているウェハ支持部材２を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状セラミック体の一方の主面をウェハを載せる載置面とし、その内部に電極を備えるとともに、上記載置面以外の板状セラミック体の表面に凹部を形成するとともに、該凹部に上記電極と電気的に接続される給電端子を一方側が上記凹部から露出するように装着してなるウェハ支持部材において、上記給電端子の上記凹部から露出した表面に溝を形成するとともに、該溝部を覆う導電層が形成されていることを特徴とするウェハ支持部材。
【請求項２】
上記給電端子に形成する溝及び導電層を側面にのみ形成されていることを特徴とする請求項１に記載のウェハ支持部材。
【請求項３】
上記導電層の平均膜厚が、３〜１００μｍの範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載のウェハ支持部材。
【請求項４】
上記導電層の材質が金、銀、銅、アルミニウムの少なくともいずれか１つを主成分であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のウェハ支持部材。
【請求項５】
上記給電端子の表面に上記導電層と異なる金属層を介して上記導電層が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のウェハ支持部材。
【請求項６】
上記金属層がＮｉを主成分とすることを特徴とする請求項５に記載のウェハ支持部材。
【請求項７】
上記給電端子の導電層あるいは金属層を形成した表面の算術平均粗さＲａが０．１〜２であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のウェハ支持部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体や液晶基盤などの製造工程において、半導体ウェハや液晶用ガラス基板などのウェハを保持し、かつ高周波を印加してプラズマを発生させる機能を有するセラミック製静電チャック、セラミック製ヒーター等の如きウェハ支持部材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体や液晶基盤などの製造工程のうち、半導体ウェハや液晶用ガラス基板などのウェハ上へ薄膜を形成するＣＶＤ等の成膜工程や、上記ウェハに微細加工を施すドライエッチング工程ではプラズマ発生機構を備えた装置が用いられており、プラズマを発生させる電極のうち、一方の電極を板状セラミック体中に埋設し、板状セラミック体の表面をウェハを載せる載置面としたウェハ支持部材が用いられている。
【０００３】
図４は従来のウェハ支持部材３２を示す断面図である。
【０００４】
板状セラミック体３４の内部には静電吸着用電極４２が埋設されている。上記静電吸着用電極４２にはタンタル、タングステン、モリブデン、白金及びこれらの合金等が用いられていた。
【０００５】
また、主面のウェハ載置面３４ａには絶縁層３４ｂが形成されている。上記板状セラミック体３４及び上記絶縁層３４ｂを構成するセラミックとしては、耐熱衝撃性に優れた窒化珪素や耐食性に優れた窒化アルミニウムなど窒化物系セラミックが用いられている。また、他にも炭化珪素及びアルミナ−炭化珪素複合材料も用いられていた。
【０００６】
そして、板状セラミック体３４の他方の主面には給電端子４０が埋設されており、上記給電端子４０が静電吸着用電極４２に接続されている。上記給電端子４０の端面が、板状セラミック体３４の他方の主面に露出している。
【０００７】
また、ロウ付け時の熱や使用時の熱サイクルによる板状セラミック体３４の破損を防止するため、給電端子４０には板状セラミック体３４の熱膨張係数に近似したタングステンやモリブデンあるいはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金が用いられていた。
【特許文献１】特開平９−１３４９５１号公報
【特許文献２】特開２００３−１８８２４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来のウェハ支持部材３２ではプラズマを発生させるためにウェハ支持部材３２の給電端子４０に高周波電力を印加すると、上記給電端子４０が発熱するという問題があった。
【０００９】
これは、高周波は給電端子４０の表面を流れるのだが、板状セラミック体３４との熱膨張差を近似させるために使用したタングステンやモリブデンあるいはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等で形成した給電端子４０は高周波に対する抵抗が大きいために発熱し易いものであった。
【００１０】
そして、給電端子４０が発熱すると、給電端子４０の上方に位置する載置面３４ａの温度が部分的に高くなり、載置面３４ａ上に載せたウェハＷの温度も載置面３４ａの温度分布に倣って部分的に高くなり、ウェハＷの温度分布を均一にすることができず、成膜精度やエッチング精度が悪くなるといった問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
そこで、本発明は上記課題に鑑み、板状セラミック体の一方の主面をウェハを載せる載置面とし、その内部に電極を備えるとともに、上記載置面以外の板状セラミック体の表面に凹部を形成するとともに、該凹部に上記電極と電気的に接続される給電端子を一方側が上記凹部から露出するように装着してなるウェハ支持部材において、上記給電端子の上記凹部から露出した表面に溝を形成するとともに、該溝部を覆う導電層が形成されていることを特徴とする。
【００１２】
給電端子に形成する溝及び導電層を側面にのみ形成されていることを特徴とする。
【００１３】
導電層の平均膜厚が、３〜１００μｍの範囲であることを特徴とする。
【００１４】
導電層の材質が金、銀、銅、アルミニウムの少なくともいずれか１つを主成分であることを特徴とする。
【００１５】
給電端子の表面に上記導電層と異なる金属層を介して上記導電層が形成されていることを特徴とする。
【００１６】
金属層がＮｉを主成分とすることを特徴とする。
【００１７】
給電端子の導電層あるいは金属層を形成した表面の算術平均粗さＲａが０．１〜２であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、プラズマを発生させるためにウェハ支持部材の給電端子に高周波電力を印加する際給電端子が発熱することを抑え、ウェハ面内の温度差を均一にして、成膜速度やエッチング精度を向上させたウェハ支持部材を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００２０】
図１（ａ）は、本発明の一例を示すウェハ支持部材２の平面図であり、（ｂ）は、そのＸ−Ｘ線の断面図である。
【００２１】
板状セラミック体４は略円筒体に形成されたものであり、一方の主面にウェハ載置用の段差Ｑを有し、その段差Ｑの表面はウェハＷを載せる載置面４ａとしてあり、その内部には電極１２として静電吸着用電極１２を埋設してある。板状セラミック体４の載置面４ａと静電吸着用電極１２の間には絶縁部４ｂでもって絶縁が保たれている。また、板状セラミック体４の他方の主面には、柱状の凹部１４が形成されるとともに、この凹部１４に挿入され、静電吸着用電極１２と電気的に接続する給電端子１０が固定されているようになっている。この給電端子１０は柱状、例えば、円柱状に形成されたものであり、後述するように後端部側から静電吸着用電極１２に電力を印加可能に構成されている。
【００２２】
そして、静電吸着用電極１２に給電端子１０を介して直流電圧を印加するとウェハＷと載置面４ａの間に静電吸着力を発現してウェハＷを固定することができる。また、静電吸着用電極１２に高周波を印加すればウェハＷの上方にプラズマ等を発生させウェハＷへ成膜等の加工処理を施すことができる。
【００２３】
図２は本発明のウェハ支持部材２の給電端子１０周辺を詳細に示す断面図である。本発明のウェハ支持部材２の給電端子１０は、板状セラミック体４の他方の主面に形成する凹部１４は静電吸着用電極１２を貫通するように穿設されている。従って、この凹部１４の内壁面１６には静電吸着用電極１２が露出されることになる。この内壁面１６に導電層２２であるロウ材層１８を形成し、凹部１４に給電端子１０を挿入することでロウ材層１８を介して静電吸着用電極１２と給電端子１０が電気的に接続される。なお、給電端子１０は凹部１４に挿入すると一方側が凹部１４から露出するように装着される。
【００２４】
そして、上記給電端子１０の板状セラミックス体４から露出した表面には導電層２２を形成してある。これは、上記給電端子１０より抵抗値の小さい導電層２２を形成することにより、表面層に流れ易い高周波をスムーズに流すためである。高周波をスムーズに流すことにより、上記給電端子１０で異常発熱を抑えることができるのである。
【００２５】
更に、上記給電端子１０には溝２０が備えてある。溝２０は給電端子１０の表面のいずれの位置に形成してもよい。これは、給電端子１０の表面に導電層２２を均一に形成するためである。なお、この溝２０が上記給電端子１０に形成されていることで、導電層２２を形成する際に、例えば、図３に示すように溝２０にロウ材２３を引っ掛け溶融させ導電層２２を形成することができる。これにより、給電端子１０の表面全体に膜厚を均一にした導電層２２を形成することができる。溝２０は給電端子１０の側面に形成するのが好ましい。
【００２６】
なお、１８ａはロウ材層１８からなる導電層２２を形成するためのロウ材をペースト状にして塗布した層を示す。
【００２７】
そして、上述した溝２０を利用して導電層２２の膜厚を均一に形成することにより、導電層２２を備え上記給電端子１０の表面の抵抗を小さくすることができる。そして、高周波電流を流しても上記給電端子１０で異常発熱を抑えることができるのである。
【００２８】
従って、上記導電層２２は、上記溝２０の内表面１０ｂから上記給電端子の外表面１０ａに連続して形成されていることが好ましい。導電層２２となるロウ材２３を溝２０にセットして高温炉で加熱しロウ材２３を溶融することで導電層２２が溝内面１０ｂとこれと連続して給電端子１０の外表面１０ａに形成することができる。
【００２９】
また、導電層２２を均一に形成するには、板状セラミック体４側の溝２０の内表面１０ｂにおいて板状セラミック体４側の内表面１０ｂが外表面１０ａと６０〜１１０度の角度で交わる形状であると線状のロウ材２３が内表面１０ｂに固定されロウ材２３を加熱し溶融した際にロウ材２３が内表面１０ｂに溜まりながら導電層２２を形成すると考えられ、導電層２２の厚みが均一になると考えられる。また溝２０の断面形状としては線状のロウ材２３を確実に固定する上で矩形状であることが好ましく、矩形状であればロウ材２３を加熱しても位置ずれする虞が無く好ましい。また、給電端子１０に容易に加工できるとの理由から四角形が上記観点から好ましい。
【００３０】
特に溝２０は給電端子１０の外周に給電端子１０の長手方向に垂直で給電端子１０の周囲に環状に形成されていることが好ましい。また、上記導電層２２の平均膜厚は３〜１００μｍの範囲であることが好ましい。これは、上記導電層２２の平均膜厚が３μｍ未満だと給電端子１０表面の導電層２２による低抵抗効果が無くなり、上記給電端子１０が発熱してしまうからである。また、上記導電層２２の平均膜厚が１００μｍを超えると導電層２２が剥がれ、上記給電端子１０が発熱してしまうからである。よって、上記導電層２２の平均膜厚は３〜１００μｍの範囲が良い。更に好ましくは、１０〜５０μｍの範囲が良い。
【００３１】
なお、導電層２２の厚みは超音波探傷機（ＨＩＳ３ＨＦ）を用いて測定できる。超音波探傷機は、対象物を水が入った浴槽に入れ超音波を当てその対象物から反射した超音波の位置情報より画像処理をし、平面図、断面図に展開して対象物の内部の形状を算出し表示することができる。本件の給電端子１０の導電層２２の厚みは、超音波が導電層２２とその中の導電層２２以外の給電端子１０との界面で反射が起こることから超音波の反射の違いを画像処理して色付けし、色の違う導電層２２の厚みを超音波計測し導電層２２の厚みを求めた。
【００３２】
また、導電層２２は給電端子１０の例えば柱状の長手方向の中心断面を研摩加工し、断面から直接金属顕微鏡や走査型電子顕微鏡で導電層の厚みを測定できる。なお、導電層２２を検出し易くするために、研摩面をエッチング処理して観察することができる。
【００３３】
また、導電層２２の材質としては金、銀、銅、アルミニウムの少なくともいずれか１つが主成分であることが好ましい。これは、金、銀、銅、アルミニウムの体積固有抵抗値がそれぞれ２．４×１０−８Ω・ｍ、１．６×１０−８Ω・ｍ、１．６×１０−８Ω・ｍ、２．７×１０−８Ω・ｍと小さく、一般の給電端子１０の材質としてよく用いられるタングステン、モリブデン、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のそれぞれの体積固有抵抗値５．５×１０−８Ω・ｍ、５．８×１０−８Ω・ｍ、４８×１０−８Ω・ｍより小さいからである。即ち、給電端子１０を形成する材質より抵抗値が小さい導電層２２を高周波電流が流れるため、高周波電流をスムーズに流すことができ、給電端子１０の発熱を抑えることができるのである。
【００３４】
また、上記導電層２２は給電端子１０の側面１０ａ、１０ｂにのみ形成されていることが好ましい。つまり、給電端子１０の端面に導電層２２に形成してもよいが、端面に導電層２２がないことが給電端子１０の端部に給電ケーブル等を強固に接続することができることから好ましい。例えば、端面に雌ねじ１０ｃを形成しこの部分の導電層２２を除くことで、不図示の雄ねじで不図示の給電ケーブルを容易に固定することができるとともに給電ケーブルを強固に固定することができ、運転中に緩み等が発生する虞がなく好ましい。
【００３５】
また、給電端子１０の表面に導電層２２と異なる金属層を介して導電層２２を形成していることが好ましい。これは、給電端子１０に密着性の高い金属層を設けその上に、抵抗の小さい導電層２２を形成することにより、熱サイクルが加わっても耐久性のある抵抗が小さい導電層２２を上記給電端子１０の表面に形成できるからである。上記金属層としては導電層２２が銀・銅ロウ材である場合にＮｉであることが好ましい。これは、Ｎｉが上記給電端子１０や導電層２２の何れにも相互拡散して密着強度を増すからである。また、給電端子１０の耐酸化性の観点からＮｉは上記導電層２２の下地層として好ましい。
【００３６】
また、上記給電端子１０の導電層２２あるいは金属層形成した表面の算術平均粗さＲａが０．１〜２の範囲であることが好ましい。これは、上記給電端子１０の表面を荒らすことによりアンカー効果で導電層２２の密着性が良くなり、厚みのバラツキを抑えられるからである。また、上記給電端子１０の導電層２２あるいは金属層形成した表面の算術平均粗さＲａが０．１未満ならアンカー効果も小さく厚みのバラツキも抑えられない。更に、上記給電端子１０の導電層２２あるいは金属層形成した表面の算術平均粗さＲａが２を超えるなら、上記給電端子１０の表面の凹凸が大きいため高周波電流の流れに偏りができ上記給電端子１０が発熱してしまう。よって、上記給電端子１０の導電層２２あるいは金属層形成した表面の算術平均粗さＲａは０．１〜２の範囲であることが好ましい。更に好ましくは０．４〜１の範囲が良い。
【００３７】
なお、上記給電端子１０の算術平均粗さＲａは、ロウ付け前の給電端子１０の表面を表面粗さ計で３箇所測定しその平均値として求めることができる。
【００３８】
また、導電層２２の形成手段としては、ＣＶＤ法やＰＶＤ法等の薄膜形成手段、メッキ法、ロウ材１８を塗布し、焼き付けしたものを用いることができ、できるだけ緻密なものを用いることが好ましい。
【実施例１】
【００３９】
以下、本発明の実施例を説明する。
【００４０】
ウェハ支持部材の静電吸着用電極に高周波電力を印加した時の給電端子の発熱具合について調べる実験を行った。
【００４１】
本実験で使用するウェハ支持部材には高純度の窒化アルミニウム粉末にバインダーと溶媒を添加混合して泥漿を製作し、ドクターブレード法により複数枚のグリーンシートを成形した。また、窒化アルミニウム粉末とタングステン粉末とを混ぜたタングステンペーストを作製した。そして、グリーンシートに静電吸着用電極となる金属ペースト膜を上記タングステンペーストを使い印刷した。そして、各金属ペースト膜を敷設したグリーンシートと残りのグリーンシートを積層して８０℃、４．９ＭＰａの圧力で熱圧着して積層体を形成した後、切削加工を施して円板状とし、該円板状の積層体を４００℃の温度で真空脱脂したあと、２０００℃の窒素雰囲気で焼結することにより、外径約２００ｍｍ、肉厚約１２ｍｍの板状セラミック体を得た。
【００４２】
そして、板状セラミックス体の静電吸着用電極が埋設されている側の表面に研磨加工を施してウェハを載せる載置面を形成した。
【００４３】
また、板状セラミック体のウェハ載置面と反対側の表面に、静電吸着用電極を貫通する凹部を穿設し、凹部内壁面にメタライズ層を形成した後、モリブデンからなる柱状の給電端子を挿入し、凹部内に露出した電極と電気的に接続するとともに、給電端子の一方側が凹部から露出するようにロウ付けにて固定したウェハ支持部材（試料Ｎｏ．１）を作製した。なお、この場合、給電端子の凹部から露出した部位は導電層を形成する以外は溝を形成しなかった。
【００４４】
また、本発明のウェハ支持部材（試料Ｎｏ．２）においては、板状セラミック体の凹部に電極と電気的に接続される給電端子を一方側が上記凹部から露出するように装着した。
【００４５】
そして、直径４ｍｍで長さ１５ｍｍの給電端子の上記凹部から露出した表面に切削加工により幅１ｍｍ深さ０．５ｍｍの溝を形成するとともに、その溝に線状の銀銅ロウ材を巻き付け後、９００℃の温度で焼き付けることにより上記溝部を覆う導電層が形成した。尚、この時の線状の銀銅ロウ材の量は本発明品、従来品共に同じにした。
【００４６】
なお、メタライズ層を構成する金属には銀、銅、チタンの合金を、ロウ材には銅と銀を重量比で８：２の割合で含有した銀銅ロウを使用し、それぞれ９００℃の温度でロウ付け固定した。
【００４７】
そして、上記ウェハ支持部材を成膜用容器に据え付けて、載置面にウェハを載せ吸着し、静電吸着用電極にプラズマ発生用の１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、ウェハの表面における温度分布を測定する実験を行った。ウェハの温度分布は、ウェハの表面における等配置の９点を光ファイバを用いて測定し、その温度の最大値と最小値の差をウェハの温度差とした。また、導電層の厚みは超音波探傷機（ＨＩＳ３ＨＦ）にて測定した。本件の給電端子の導電層の厚みは、超音波が導電層とその中の導電層以外の給電端子との界面で反射起こることから超音波の反射の違いを画像処理して色付けし、色の違う導電層の厚みを超音波計測し、導電層の厚みを求めた。そして、導電層の最小厚みは導電層の厚みを５点測定した中で最小の厚みを導電層の最小厚みとした。 
【表１】
2006190898.tif 000003
【００４８】
この表１の測定結果から試料Ｎｏ．１の本発明の範囲外の上記給電端子の表面に溝が無いものは、導電層の最小厚みが０．８μｍと小さく、ウェハの温度差が１５℃と大きかった。これは、溝を形成していない状態で導電層を形成したため、導電層が均一に形成されず、導電層に薄い部分がうまれ、そこで、上記給電端子が発熱を起こし、ウェハの温度差が大きくなったと考えられる。
【００４９】
これに対して、本発明品の上記給電端子に溝がある試料Ｎｏ．２は導電層の最小厚みが４．２μｍと大きく、ウェハの温度差も８℃と小さく均熱性が優れている事が分かった。これは、溝を形成した上記給電端子に線状の銀銅ロウ材を巻き付けて導電層を形成することにより、給電端子表面に均一にばらつきのない導電層が形成され、導電層に薄い部分が無くなり、上記給電端子の発熱を抑えられたためウェハの温度差が小さかったと考えられる。
【００５０】
以上の結果から、板状セラミック体４の一方の主面をウェハＷを載せる載置面４ａとし、その内部に電極１２を備えるとともに、上記載置面４ａ以外の板状セラミック体４の表面に上記電極１２と電気的に接続される給電端子１０を有するウェハ支持部材２において、上記給電端子１０表面に導電層２２と溝２０を備えたことが良い事が分かった。
【実施例２】
【００５１】
次に、実施例１と同様に板状セラミック体４を作製し、導電層２２となる線状の銀銅ロウ材の量を異ならせ、導電層２２の平均厚みを異ならせたウェハ支持部材２をそれぞれ作製した。
【００５２】
そして、導電層２２の平均厚みに対するウェハＷの表面における温度分布を測定する実験を行った。ウェハＷの温度分布、導電層２２の厚みの測定方法は実施例１と同様に行った。また、導電層２２の平均厚みは導電層２２の厚みを５点測定した平均で導電層２２の平均厚みとした。その結果を表２に示す。
【表２】
2006190898.tif 000004
【００５３】
この表２から、導電層２２の平均厚みが３〜１００μｍの範囲の試料Ｎｏ．２２、２３、２４は、ウェハＷの温度差が６℃以下と非常に優れたウェハ支持部材を作製することができた。
【００５４】
それに対して導電層２２の平均厚みが２μｍと小さい試料Ｎｏ．２１はウェハＷの温度差が８℃と試料Ｎｏ．２２、２３、２４に比べて悪かった。これは、導電層２２の厚みが薄く、給電端子１０表面の導電層２２による低抵抗効果が少なく、上記給電端子１０が試料Ｎｏ．２２、２３、２４より発熱を起こしたため、ウェハＷの温度差が大きくなったと考えられる。
【００５５】
また、導電層２２の平均厚みが１１０μｍと厚かった試料Ｎｏ．２５は導電層２２が厚過ぎるため、導電層２２の一部剥がれが発生したため、給電端子１０の抵抗が高くなり、高周波電流がスムーズに流れなかったため試料Ｎｏ．２２、２３、２４より発熱を起こし、ウェハＷの温度差が８℃と大きくなったと考えられる。
【００５６】
以上の結果から、上記導電層２２の平均厚みが、３〜１００μｍの範囲であることが良い事が分かった。
【実施例３】
【００５７】
次に、給電端子１０の導電層２２平均厚みを一定にし、導電層２２の材質を異ならせて実施例１と同様にウェハ支持部材２を作製した。
【００５８】
そして、上記ウェハ支持部材２の給電端子１０と静電吸着用電極１２との間に、１３．５６ＭＨｚ、２ｋＷの高周波電力を印加し、この高周波電力の供給と停止をそれぞれ５分単位で行う通電サイクル試験を実施した。そして、この通電サイクル試験を１万回繰り返した後のウェハＷの表面における温度分布を測定する実験を行った。ウェハＷの温度分布の測定方法は実施例１と同様に行った。その結果を表３に示す。
【表３】
2006190898.tif 000005
【００５９】
この表３から、金、銀、銅、アルミニウムの少なくともいずれか１つを主成分である試料Ｎｏ．３１、３２、３３、３４、３５はいずれも、ウェハＷの温度差が６、５、５、６、５℃と１万回の通電後でも給電端子１０の発熱を生じることがなく、長期間にわたってウェハ支持部材２を安定して使用できた。
【００６０】
それに対して試料Ｎｏ．３６のクロムは１万サイクル後導電層２２が劣化し、ウェハＷの温度差が１０℃と均熱性が悪いことが分かる。
【００６１】
よって、以上の結果から導電層２２の材質が金、銀、銅、アルミニウムの少なくともいずれか１つを主成分であることがより良いことが分かる。
【実施例４】
【００６２】
次に、上記給電端子１０に導電層２２のみを被覆したウェハ支持部材２と上記給電端子１０にＮｉをメッキした後、導電層２２を被覆したウェハ支持部材２と上記給電端子１０に銅をメッキした後、導電層２２を被覆したウェハ支持部材２を作製した。導電層２２はそれぞれ銀銅ロウ材を使用して形成した。
【００６３】
そして、上記ウェハ支持部材２の給電端子１０と静電吸着用電極１２との間に、１３．５６ＭＨｚ、２ｋＷの高周波電力を印加し、この高周波電力の供給と停止をそれぞれ５分単位で行う通電サイクル試験を実施した。そして、この通電サイクル試験を２万回繰り返した後、導電層２２と給電端子１０の密着力を見るために、給電端子にセロハンテープを貼り、導電層２２が剥がれるか試験を行った。また、その後更に通電サイクル試験を１万回繰り返し、給電端子にセロハンテープを貼り、導電層２２が剥がれるか試験をもう一度行った。その結果を表４に示す。
【表４】
2006190898.tif 000006
【００６４】
この表４の結果から、Ｎｉ、銅の金属層を有した給電端子１０の試料Ｎｏ．４２、４３は通電サイクル試験を２万回行った後でも導電層２２が剥がれることなく、安定した密着強度を持つウェハ支持部材２を作製することができた。
【００６５】
また、更に行った１万回の通電サイクル後の導電層２２剥がれ試験では、Ｎｉの金属層を有した給電端子１０の試料Ｎｏ．４２のみが導電層２２の剥がれがなかった。
【００６６】
よって、以上の結果から、上記導電層と給電端子の界面に上記導電層と異なる金属層を形成していることが良いことが分かる。また、上記金属層がＮｉを主成分とすることは更に良いことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】（ａ）はウェハ支持部材２の平面図の一例であり、（ｂ）は、そのＸ−Ｘ線の断面図である。
【図２】本発明のウェハ支持部材２の給電端子１０周辺を詳細に示す断面図である。
【図３】本発明のウェハ支持部材２の給電端子１０に導電層２２を形成する前のロウ材１８を取り付けた状態。
【図４】従来のウェハ支持部材３２を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
２、３２：ウェハ支持部材
４、３４：板状セラミック体
４ａ、３４ａ：載置面
４ｂ、３４ｂ：絶縁層
１０、４０：給電端子
１０ａ：溝の外表面
１０ｂ：溝の内表面
１０ｃ：雌ねじ
１２、４２：電極、静電吸着用電極
１４：凹部
１６：凹部内壁面
１８：ロウ材層
１８ａ：ロウ材をペースト状にして塗布した層
２０：溝
２２：導電層
２３：線状のロウ材
Ｗ：ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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