(57)【要約】【課題】  絶縁性の低下を防止することが可能な配線回路基板を提供する。【解決手段】  熱硬化性ポリイミドフィルムからなるベース絶縁層１ｂの両面に熱可塑性ポリイミドからなる絶縁層（以下、薄膜絶縁層と呼ぶ）１ａ，１ｃがそれぞれ形成された絶縁層１を用意する。この絶縁層１の薄膜絶縁層１ａ上に電解銅めっきにより例えば５〜５０μｍ、好ましくは５〜２０μｍの厚さを有する所定の導体パターン２が形成される。導体パターン２間の間隔は、１００μｍ未満である。薄膜絶縁層１ｃ上に例えば５〜５０μｍ、好ましくは１０〜２０μｍの厚さを有する接着剤層３ａを介して補強のための例えば５〜５０μｍ、好ましくは１０〜３０μｍの厚さを有する補強層４ａが形成される。薄膜絶縁層１ｃ上に形成される接着剤層３ａの導電率は、絶縁層１の導電率の１０倍以下とする。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の層からなる絶縁層と、
前記絶縁層の一方の面上に形成された第１の導体パターンと、
前記絶縁層の他方の面上に形成された第１の保護層とを備え、
前記第１の保護層の導電率は、前記絶縁層の導電率の１０倍以下であることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記絶縁層と前記第１の保護層との間に第１の接着剤層をさらに備え、
前記第１の接着剤層の導電率は、前記絶縁層の導電率の１０倍以下であることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記絶縁層の前記他方の面上に形成された第２の導体パターンと、
前記絶縁層の前記一方の面上の前記第２の導体パターンに対向する位置に形成された第２の保護層とをさらに備え、
前記第２の保護層の導電率は、前記絶縁層の導電率の１０倍以下であることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記絶縁層と前記第２の保護層との間に第２の接着剤層をさらに備え、
前記第２の接着剤層の導電率は、前記絶縁層の導電率の１０倍以下であることを特徴とする請求項３記載の配線回路基板。
【請求項５】
複数の層からなる絶縁層と、
前記絶縁層の一方の面上に形成された第１の導体パターンと、
前記絶縁層の他方の面上で前記第１の導体パターンに対向する位置を除く位置に形成された第２の導体パターンと、
前記第２の導体パターンを覆うように形成された第１の保護層とを備え、
前記第１の保護層の導電率は、前記絶縁層の導電率の１０倍以下であることを特徴とする配線回路基板。
【請求項６】
前記絶縁層と前記第１の保護層との間に第１の接着剤層をさらに備え、
前記第１の接着剤層の導電率は、前記絶縁層の導電率の１０倍以下であることを特徴とする請求項５記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記第１の導体パターンを覆うように形成された第２の保護層をさらに備え、
前記第１の導体パターンは前記絶縁層の前記一方の面上の前記第２の導体パターンに対向する位置を除く位置に形成され、
前記第２の保護層の導電率は、前記絶縁層の導電率の１０倍以下であることを特徴とする請求項５または６記載の配線回路基板。
【請求項８】
前記絶縁層と前記第２の保護層との間に第２の接着剤層をさらに備え、
前記第２の接着剤層の導電率は、前記絶縁層の導電率の１０倍以下であることを特徴とする請求項７記載の配線回路基板。
【請求項９】
前記絶縁層の複数の層は、熱硬化性ポリイミドからなる層と、前記熱硬化性ポリイミドからなる層の両面に形成された熱可塑性ポリイミドからなる層とを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項１０】
前記第１の導体パターン間の間隔は１００μｍ未満であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項１１】
前記第２の導体パターン間の間隔は１００μｍ未満であることを特徴とする請求項３、４、７および８のいずれかに記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の電子機器に用いられる配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、配線回路基板における絶縁層と、この絶縁層の両面に形成される例えば銅箔からなる導体層（導体パターン）との密着性を向上するために、上記絶縁層として熱可塑性ポリイミドを含んだ複数の層からなる積層膜が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図７に示すように、上記絶縁層１は、例えば熱硬化性ポリイミドからなるベース絶縁層１ｂと、このベース絶縁層１ｂの両面に形成される熱可塑性ポリイミドからなる絶縁層（以下、薄膜絶縁層と呼ぶ）１ａ，１ｃとを含む。
【０００４】
薄膜絶縁層１ａ上には、導体パターン２が形成され、また、薄膜絶縁層１ｃ上には接着剤層３ａを介して補強層４ａが形成される。
【特許文献１】特開平４−１６２４９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の配線回路基板のように、絶縁層１が積層膜からなる場合、絶縁層１は、ベース絶縁層１ｂと薄膜絶縁層１ａとの間に界面を有することとなる。
【０００６】
このような絶縁層１上に導体パターン２を形成することにより配線回路基板を製造し、製造された配線回路基板に対し長時間にわたり直流高電圧を印加すると、図７に示す導体パターン２の下方の上記界面に沿って放電が生じる場合がある。
【０００７】
その結果、絶縁層１による絶縁性が低下する場合がある。特に、導体パターン２間の間隔が１００μｍ未満の領域（以下、微細配線領域と呼ぶ）１０においては上記放電が生じやすい。
【０００８】
本発明の目的は、絶縁性の低下を防止することが可能な配線回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の発明に係る配線回路基板は、複数の層からなる絶縁層と、絶縁層の一方の面上に形成された第１の導体パターンと、絶縁層の他方の面上に形成された第１の保護層とを備え、第１の保護層の導電率は、絶縁層の導電率の１０倍以下であるものである。
【００１０】
本発明に係る配線回路基板においては、複数の層からなる絶縁層の一方の面上に第１の導体パターンが形成される。また、上記絶縁層の他方の面上に第１の保護層が形成される。
【００１１】
本発明に係る配線回路基板では、第１の保護層の導電率が絶縁層の導電率の１０倍以下であることにより、第１の導体パターンの下方で絶縁層内の一方の層と他方の層との界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層による絶縁性が低下することが防止される。
【００１２】
配線回路基板は、絶縁層と第１の保護層との間に第１の接着剤層をさらに備え、第１の接着剤層の導電率は、絶縁層の導電率の１０倍以下であってもよい。それにより、第１の導体パターンの下方で絶縁層内の一方の層と他方の層との界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層による絶縁性が低下することが防止される。
【００１３】
配線回路基板は、絶縁層の他方の面上に形成された第２の導体パターンと、絶縁層の一方の面上の第２の導体パターンに対向する位置に形成された第２の保護層とをさらに備え、第２の保護層の導電率は、絶縁層の導電率の１０倍以下であってもよい。
【００１４】
この場合、絶縁層の他方の面上に第２の導体パターンが形成される。また、絶縁層の一方の面上の第２の導体パターンに対向する位置に第２の保護層が形成される。第２の保護層の導電率が絶縁層の導電率の１０倍以下であることにより、第２の導体パターンの下方で絶縁層内の一方の層と他方の層との界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層による絶縁性が低下することが防止される。
【００１５】
配線回路基板は、絶縁層と第２の保護層との間に第２の接着剤層をさらに備え、第２の接着剤層の導電率は、絶縁層の導電率の１０倍以下であってもよい。それにより、第２の導体パターンの下方で絶縁層内の一方の層と他方の層との界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層による絶縁性が低下することが防止される。
【００１６】
第２の発明に係る配線回路基板は、複数の層からなる絶縁層と、絶縁層の一方の面上に形成された第１の導体パターンと、絶縁層の他方の面上で第１の導体パターンに対向する位置を除く位置に形成された第２の導体パターンと、第２の導体パターンを覆うように形成された第１の保護層とを備え、第１の保護層の導電率は、絶縁層の導電率の１０倍以下であるものである。
【００１７】
本発明に係る配線回路基板においては、複数の層からなる絶縁層の一方の面上に第１の導体パターンが形成される。また、上記絶縁層の他方の面上で第１の導体パターンに対向する位置を除く位置に第２の導体パターンが形成される。第２の導体パターンを覆うように第１の保護層が形成される。
【００１８】
本発明に係る配線回路基板では、第１の保護層の導電率が絶縁層の導電率の１０倍以下であることにより、第１の導体パターンの下方で絶縁層内の一方の層と他方の層との界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層による絶縁性が低下することが防止される。
【００１９】
配線回路基板は、絶縁層と第１の保護層との間に第１の接着剤層をさらに備え、第１の接着剤層の導電率は、絶縁層の導電率の１０倍以下であってもよい。それにより、第１の導体パターンの下方で絶縁層内の一方の層と他方の層との界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層による絶縁性が低下することが防止される。
【００２０】
配線回路基板は、第１の導体パターンを覆うように形成された第２の保護層をさらに備え、第１の導体パターンは絶縁層の一方の面上の第２の導体パターンに対向する位置を除く位置に形成され、第２の保護層の導電率は、絶縁層の導電率の１０倍以下であってもよい。
【００２１】
この場合、第１の導体パターンを覆うように第２の保護層が形成され、絶縁層の一方の面上の第２の導体パターンに対向する位置を除く位置に第１の導体パターンが形成される。第２の保護層の導電率が絶縁層の導電率の１０倍以下であることにより、第２の導体パターンの下方で絶縁層内の一方の層と他方の層との界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層による絶縁性が低下することが防止される。
【００２２】
配線回路基板は、絶縁層と第２の保護層との間に第２の接着剤層をさらに備え、第２の接着剤層の導電率は、絶縁層の導電率の１０倍以下であってもよい。それにより、第２の導体パターンの下方で絶縁層内の一方の層と他方の層との界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層による絶縁性が低下することが防止される。
【００２３】
絶縁層の複数の層は、熱硬化性ポリイミドからなる層と、熱硬化性ポリイミドからなる層の両面に形成された熱可塑性ポリイミドからなる層とを含んでもよい。この場合、熱硬化性ポリイミドからなる層の両面に形成された熱可塑性ポリイミドからなる層上に第１および第２の導体パターンが形成されることにより、熱可塑性ポリイミドからなる層と第１および第２の導体パターンとの密着性が向上される。
【００２４】
第１の導体パターン間の間隔は１００μｍ未満であってもよい。この場合、第１の導体パターンのファインピッチ化が実現される。このように、第１の導体パターンのファインピッチ化されても、第１の導体パターンの下方で絶縁層内の一方の層と他方の層との界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層による絶縁性が低下することが防止される。
【００２５】
第２の導体パターン間の間隔は１００μｍ未満であってもよい。この場合、第２の導体パターンのファインピッチ化が実現される。このように、第２の導体パターンのファインピッチ化されても、第２の導体パターンの下方で絶縁層内の一方の層と他方の層との界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層による絶縁性が低下することが防止される。
【００２６】
第１の保護層は、補強層およびカバー絶縁層を含んでもよい。この場合、補強層により配線回路基板が補強され、カバー絶縁層により配線回路基板が保護される。
【００２７】
第２の保護層は、補強層およびカバー絶縁層を含んでもよい。この場合、補強層により配線回路基板が補強され、カバー絶縁層により配線回路基板が保護される。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、第１の保護層の導電率が絶縁層の導電率の１０倍以下であることにより、第１の導体パターンの下方で絶縁層内の一方の層と他方の層との界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層による絶縁性が低下することが防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明に係る配線回路基板について図面を参照しながら説明する。
【００３０】
（第１の実施の形態）
本実施の形態に係る配線回路基板の製造方法としては、例えばサブトラクティブ法が用いられる。
【００３１】
図１および図２は、サブトラクティブ法による配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【００３２】
図１（ａ）に示すように、例えば厚さ５〜５０μｍ、好ましくは１０〜３０μｍの熱硬化性ポリイミドフィルムからなるベース絶縁層１ｂの両面に熱可塑性ポリイミドからなる絶縁層（以下、薄膜絶縁層と呼ぶ）１ａ，１ｃがそれぞれ形成された絶縁層１を用意する。
【００３３】
この絶縁層１の薄膜絶縁層１ａ上に電解銅めっきにより例えば５〜５０μｍ、好ましくは５〜２０μｍの厚さを有する導体層６が形成される。
【００３４】
次に、図１（ｂ）に示すように、導体層６上にエッチングレジスト７が形成される。
【００３５】
続いて、図１（ｃ）に示すように、導体層６上に形成されたエッチングレジスト７に対して露光処理および現像処理を施すことにより、導体層６上に所定のエッチングレジストパターン８が形成される。
【００３６】
次に、図１（ｄ）に示すように、化学エッチングによりエッチングレジストパターン８下の領域を除く領域の導体層６が除去されることによって、所定の導体パターン２が形成される。
【００３７】
次いで、図１（ｅ）に示すように、導体パターン２上のエッチングレジスト８が剥離等により除去される。なお、以下の説明において導体パターン２間の間隔が１００μｍ未満の領域を微細配線領域１０と呼ぶ。
【００３８】
続いて、図２（ｆ）に示すように、薄膜絶縁層１ｃ上に例えば５〜５０μｍ、好ましくは１０〜２０μｍの厚さを有する接着剤層３ａを介して補強のための例えば５〜５０μｍ、好ましくは１０〜３０μｍの厚さを有する補強層４ａが形成される。
【００３９】
また、接着剤層３ａを設けなくても薄膜絶縁層１ｃに対する接着性に問題のない例えばソルダーレジストおよびポリイミド前駆体等からなる後述のカバー絶縁層５ａを薄膜絶縁層１ｃ上に塗布してもよい。
【００４０】
上記の薄膜絶縁層１ｃ上に形成される接着剤層３ａおよびカバー絶縁層５ａの導電率は、絶縁層１の導電率の１０倍以下である。
【００４１】
次に、図２（ｇ）に示すように、必要に応じて薄膜絶縁層１ａ上に形成された導体パターン２を覆うように金属めっき層９が形成される。
【００４２】
一般的に、配線回路基板の反りおよび熱特性等を考慮して、絶縁層１は薄膜絶縁層１ａ，１ｃおよびベース絶縁層１ｂの３つの層から構成されることが多く、ベース絶縁層１ｂの厚さは最も厚く、絶縁層１の厚さの５０〜９０％を占める。
【００４３】
本実施の形態においては、薄膜絶縁層１ｃ上に形成される接着剤層３ａおよびカバー絶縁層５ａの導電率が絶縁層１の導電率の１０倍以下であることにより、微細配線領域１０において導体パターン２の下方で薄膜絶縁層１ａとベース絶縁層１ｂとの界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層１による絶縁性が低下することが防止される。
【００４４】
（第２の実施の形態）
図３は、第２の実施の形態に係る配線回路基板の一例を示す模式的断面図である。
【００４５】
図３に示すように、本実施の形態に係る配線回路基板が第１の実施の形態に係る配線回路基板と異なる点は以下の点である。なお、図３において第１の実施の形態に係る配線回路基板と同じ構成部分を点線の領域１２により示す。
【００４６】
本実施の形態では、薄膜絶縁層１ｃ上の微細配線領域３０において導体パターン２０が形成される。なお、微細配線領域３０とは、導体パターン２０間の間隔が１００μｍ未満の領域をいう。
【００４７】
また、導体パターン２０に対向する側の薄膜絶縁層１ａ上に接着剤層３ｂを介して補強層４ｂが形成される。
【００４８】
なお、接着剤層３ｂを設けなくても薄膜絶縁層１ａに対する接着性に問題のない例えばソルダーレジストおよびポリイミド前駆体等からなる後述のカバー絶縁層５ｂを薄膜絶縁層１ａ上に塗布してもよい。
【００４９】
上記の薄膜絶縁層１ａ上に形成される接着剤層３ｂおよびカバー絶縁層５ｂの導電率は、絶縁層１の導電率の１０倍以下である。
【００５０】
本実施の形態においては、薄膜絶縁層１ｃ上に形成される接着剤層３ａおよびカバー絶縁層５ａの導電率が絶縁層１の導電率の１０倍以下であることにより、微細配線領域１０において導体パターン２の下方で薄膜絶縁層１ａとベース絶縁層１ｂとの界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層１による絶縁性が低下することが防止される。
【００５１】
また、薄膜絶縁層１ａ上に形成される接着剤層３ｂおよびカバー絶縁層５ｂの導電率が絶縁層１の導電率の１０倍以下であることにより、微細配線領域３０において導体パターン２０の下方で薄膜絶縁層１ｃとベース絶縁層１ｂとの界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層１による絶縁性が低下することが防止される。
【００５２】
（第３の実施の形態）
図４は、第３の実施の形態に係る配線回路基板の一例を示す模式的断面図である。
【００５３】
図４に示すように、本実施の形態に係る配線回路基板が第１の実施の形態に係る配線回路基板と異なる点は以下の点である。なお、図４において第１の実施の形態に係る配線回路基板と同じ構成部分を点線の領域１２により示す。
【００５４】
本実施の形態では、薄膜絶縁層１ｃ上の領域１２を除く領域において導体パターン２０が形成される。すなわち、微細配線領域１０に対向する側の薄膜絶縁層１ｃ上には導体パターン２０は形成されない。
【００５５】
また、導体パターン２０を覆うように接着剤層３ａが形成され、この接着剤層３ａ上にカバー絶縁層５ａが形成される。なお、接着剤層３ａを設けずにカバー絶縁層５ａを薄膜絶縁層１ｃ上に直接的に形成してもよい。
【００５６】
上記の薄膜絶縁層１ｃ上に形成される接着剤層３ａおよびカバー絶縁層５ａの導電率は、絶縁層１の導電率の１０倍以下である。
【００５７】
本実施の形態においては、薄膜絶縁層１ｃ上に形成される接着剤層３ａおよびカバー絶縁層５ａの導電率が絶縁層１の導電率の１０倍以下であることにより、微細配線領域１０において導体パターン２の下方で薄膜絶縁層１ａとベース絶縁層１ｂとの界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層１による絶縁性が低下することが防止される。
【００５８】
（第４の実施の形態）
図５は、第４の実施の形態に係る配線回路基板の一例を示す模式的断面図である。
【００５９】
図５に示すように、本実施の形態に係る配線回路基板が第３の実施の形態に係る配線回路基板と異なる点は以下の点である。なお、図５において第１の実施の形態に係る配線回路基板と同じ構成部分を点線の領域１２により示す。
【００６０】
本実施の形態では、薄膜絶縁層１ｃ上の領域１２を除く領域である微細配線領域３０において導体パターン２０が形成される。
【００６１】
微細配線領域３０において形成された導体パターン２０に対向する側の薄膜絶縁層１ａ上には導体パターン２は形成されない。
【００６２】
また、薄膜絶縁層１ａ上に形成された導体パターン２を覆うように接着剤層３ｂが形成され、この接着剤層３ｂ上にカバー絶縁層５ｂが形成される。なお、接着剤層３ｂを設けずにカバー絶縁層５ｂを薄膜絶縁層１ａ上に直接的に形成してもよい。
【００６３】
上記の薄膜絶縁層１ａ上に形成される接着剤層３ｂおよびカバー絶縁層５ｂの導電率は、絶縁層１の導電率の１０倍以下である。
【００６４】
本実施の形態においては、薄膜絶縁層１ａ上に形成される接着剤層３ｂおよびカバー絶縁層５ｂの導電率が絶縁層１の導電率の１０倍以下であることにより、微細配線領域１０において導体パターン２の下方で薄膜絶縁層１ａとベース絶縁層１ｂとの界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層１による絶縁性が低下することが防止される。
【００６５】
また、薄膜絶縁層１ａ上に形成される接着剤層３ｂおよびカバー絶縁層５ｂの導電率が絶縁層１の導電率の１０倍以下であることにより、微細配線領域３０において導体パターン２０の下方で薄膜絶縁層１ｃとベース絶縁層１ｂとの界面に沿って放電が生じない。それにより、絶縁層１による絶縁性が低下することが防止される。
【００６６】
（他の実施の形態）
なお、上記実施の形態では、絶縁層１は３つの層から構成されているが、これに限定されるものではなく、例えば４つ以上の層から構成されてもよい。
【００６７】
また、上記実施の形態では、絶縁層１の材料としては上記のようにポリイミドが好ましいが、これに限定されず、絶縁性を有する他の材料でも構わない。
【００６８】
さらに、上記実施の形態では、薄膜絶縁層１ｃ上に接着剤層３ａを介して補強層４ａを設け、薄膜絶縁層１ａ上に接着剤層３ｂを介して補強層４ｂを設けているが、接着性に問題がなければ、薄膜絶縁層１ｃ上に直接的に補強層４ａを設け、薄膜絶縁層１ａ上に直接的に補強層４ｂを設けてもよい。
【００６９】
（請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応）
上記実施の形態においては、導体パターン２が第１の導体パターンに相当し、補強層４ａおよびカバー絶縁層５ａが第１の保護層に相当し、接着剤層３ａが第１の接着剤層に相当し、導体パターン２０が第２の導体パターンに相当し、補強層４ｂおよびカバー絶縁層５ｂが第２の保護層に相当し、接着剤層３ｂが第２の接着剤層に相当し、ベース絶縁層１ｂが熱硬化性ポリイミドからなる層に相当し、薄膜絶縁層１ａ，１ｃが熱可塑性ポリイミドからなる層に相当する。
【実施例】
【００７０】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００７１】
（実施例１）
本実施例では、上述した第１の実施の形態に基づいて以下のように配線回路基板を製造した。なお、以下の例においては、上述の図１および図２と異なり、絶縁層１の両面に導体層６が形成されるものとする。また、本例では、図２の金属めっき層９は形成しなかった。
【００７２】
最初に、厚さ２０μｍの熱硬化性ポリイミドからなるベース絶縁層１ｂの両面に厚さ２．５μｍの熱可塑性ポリイミドからなる薄膜絶縁層１ａ，１ｃがそれぞれ形成された絶縁層１の両面に、厚さ１８μｍの銅箔からなる導体層６が形成された銅張積層板を用意した。この銅張積層板は、（株）有沢製作所製の型番ＰＫＷ１０１８ＥＢＬのものである。
【００７３】
上記絶縁層１の導電率は、１×１０-16 Ｓ／ｃｍであった。この導電率は、アドバンテスト（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ）社製の型番Ｒ８３４０の絶縁抵抗計を用い、材料の性質または構造を決定するための規格ＡＳＴＭ  Ｄ２５７に準拠した測定方法により絶縁層１の体積抵抗率を測定し、測定された体積抵抗率の逆数を絶縁層１の導電率とした。
【００７４】
次に、上記銅張積層板の薄膜絶縁層１ａ側の導体層６上に厚さ１０μｍのエッチングレジスト７をそれぞれ形成し、形成されたエッチングレジスト７に対して露光処理および現像処理を施すことにより、導体層６上に所定のエッチングレジストパターン８を形成した。
【００７５】
続いて、化学エッチングによりエッチングレジストパターン８下の領域を除く領域の導体層６を除去することにより所定の導体パターン２を形成するとともに、薄膜絶縁層１ｃ上に形成された導体層６を全て除去した。
【００７６】
次いで、形成された導体パターン２上のエッチングレジスト８を剥離等により除去した。
【００７７】
本実施例では、図６に示すように、櫛形形状を有する２つの導体パターン２を互いに対向するように絶縁層１上に形成した。図６において、導体パターン２の並列的に形成された隣り合う線状部分間の間隔Ａを９０μｍとし、この線状部分の幅Ｂを５０μｍとした。
【００７８】
次に、薄膜絶縁層１ｃ上にブチラール樹脂およびエポキシ樹脂からなる厚さ１５μｍの接着剤層３ａを介して厚さ２５μｍのポリイミドフィルムからなる補強層４ａを形成した。接着剤層３ａの導電率は１×１０-15 Ｓ／ｃｍであり、補強層４ａの導電率は１×１０-16 Ｓ／ｃｍであった。
【００７９】
このようにして得られた配線回路基板に、８５℃の温度および８５％の湿度環境下で２５０Ｖの直流電圧を印加した。なお、試験した配線回路基板の数は３である。
【００８０】
（実施例２）
実施例２の配線回路基板が実施例１の配線回路基板と異なる点は、導体パターン２の間隔Ａが５０μｍである点である。
【００８１】
このような配線回路基板に、実施例１と同様に、８５℃の温度および８５％の湿度環境下で２５０Ｖの直流電圧を印加した。なお、試験した配線回路基板の数は３である。
【００８２】
（実施例３）
実施例３の配線回路基板が実施例１の配線回路基板と異なる点は、以下の点である。
【００８３】
本例では、薄膜絶縁層１ｃ上に接着剤層３ａおよび補強層４ａを形成する代わりに、薄膜絶縁層１ｃ上に日東電工株式会社製の型番ＪＲ３１２０Ｐの感光性ポリイミド前駆体を塗布および乾燥させ、露光、現像および硬化処理を行うことによりカバー絶縁層５ａを形成した点である。
【００８４】
このようにして得られた配線回路基板に、実施例１と同様に、８５℃の温度および８５％の湿度環境下で２５０Ｖの直流電圧を印加した。なお、試験した配線回路基板の数は３である。
【００８５】
（比較例）
比較例の配線回路基板が実施例１の配線回路基板と異なる点は、接着剤層３ａの種類である。本比較例では、臭素化エポキシ樹脂、カルボキシル変性アクリロニトリル−ブタジエンゴムおよびエチレン−メチルアクリレート共重合体からなる接着剤層３ａを用いた。接着剤層３ａの導電率は１×１０-14 Ｓ／ｃｍであった。
【００８６】
このようにして得られた配線回路基板に、実施例１と同様に、８５℃の温度および８５％の湿度環境下で２５０Ｖの直流電圧を印加した。なお、試験した配線回路基板の数は３である。
【００８７】
（評価）
上記のように、実施例１〜３および比較例の配線回路基板に、所定時間直流電圧を印加した結果を表１に示す。
【００８８】
【表１】
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【００８９】
表１に示すように、実施例１および実施例３の配線回路基板においては、１０００時間継続して直流電圧を印加しても絶縁破壊および放電痕は生じなかったが、実施例２の配線回路基板では１０００時間経過後に絶縁破壊が生じ、比較例の配線回路基板では７５０時間経過後に絶縁破壊が生じた。
【００９０】
これらの結果より、７５０時間継続して直流電圧を印加しても絶縁破壊および放電痕が生じない条件は、薄膜絶縁層１ｃ上に形成される接着剤層３ａおよびカバー絶縁層５ａの導電率が、絶縁層１の導電率の１０倍以下であることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、種々の電気機器および電子機器等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】サブトラクティブ法による配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【図２】サブトラクティブ法による配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【図３】第２の実施の形態に係る配線回路基板の一例を示す模式的断面図である。
【図４】第３の実施の形態に係る配線回路基板の一例を示す模式的断面図である。
【図５】第４の実施の形態に係る配線回路基板の一例を示す模式的断面図である。
【図６】実施例１の配線回路基板の平面図である。
【図７】従来の配線回路基板の一例を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
１  絶縁層
１ａ，１ｃ  薄膜絶縁層
１ｂ  ベース絶縁層
２，２０  導体パターン
３ａ，３ｂ  接着剤層
４ａ，４ｂ  補強層
５ａ，５ｂ  カバー絶縁層
６  導体層
７  エッチングレジスト
８  エッチングレジストパターン
９  金属めっき層
１０，３０  微細配線領域
１２  領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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