(57)【要約】【課題】  シール材によって覆われた配線の破損を防止する。【解決手段】  第１基板１０と第２基板とはシール材３０によって貼り合わされる。第１配線５１は、第１基板１０のうち第２基板２０と対向する面に形成される。第１絶縁層６１は第１配線５１を覆う。第２配線５２は、第１絶縁層６１の面上に形成される。この第２配線５２は、シール材３０によって覆われたシール領域Ａs内に位置する第１部分５２１と、シール領域Ａs以外の領域Ａaにて第１絶縁層６１を挟んで第１配線５１と対向する第２部分５２２とを有する。【選択図】            図３
2006208903.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に対向する第１基板および第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間隙に介在して両基板を固定するシール材と、
前記第１基板のうち前記第２基板と対向する面に形成された第１配線と、
前記第１配線を覆う絶縁層と、
前記第１基板のうち前記第２基板に対向する面に形成された配線であって、前記シール材によって覆われたシール領域内に位置する第１部分と、前記シール領域以外の領域にて前記絶縁層を挟んで前記第１配線と対向する第２部分とを有する第２配線と
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１部分と前記第２部分とは前記絶縁層の面上に一体に形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１部分は前記第１基板と前記絶縁層との間に介在し、前記第２部分は前記絶縁層の面上に形成されて前記第１部分に導通する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
複数の第２配線を具備し、
前記シール材は複数の粒子を含み、
前記各第２配線のうち前記第１部分の間隔は前記粒子の最小径よりも大きい
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
相互に対向する第１基板および第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間隙に介在して両基板を固定するシール材と、
前記第１基板のうち前記シール材によって覆われたシール領域に形成された第１配線と、
前記第１配線を覆う絶縁層と、
前記シール領域内にて前記絶縁層を挟んで前記第１配線と対向するように形成されて当該第１配線と導通する第２配線と
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
前記第２配線は、前記絶縁層のうち前記第１配線に沿って前記シール領域を挟む各位置に形成されたコンタクトホールを介して第１配線に導通する
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２配線は、前記絶縁層のうち前記シール領域内の部分に形成された第１コンタクトホールと、前記絶縁層のうち前記シール領域外の部分に形成された第２コンタクトホールとを介して前記第１配線に導通する
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記シール材は複数の粒子を含み、
前記第２配線のうち前記シール領域内に位置する部分の配線幅は前記粒子の最小径よりも大きい
ことを特徴とする請求項１から請求項７の何れかに記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８の何れか１項に記載の電気光学装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）素子などの電気光学素子を利用した電気光学装置およびこの電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置においては、枠状のシール材によって貼り合わされた第１基板と第２基板との間隙にＯＬＥＤ素子や液晶などの電気光学素子が配置される。例えば、ＯＬＥＤ素子を利用した電気光学装置においては、水分の付着などに起因したＯＬＥＤ素子の劣化を防止するために、ＯＬＥＤ素子が配列された第１基板を覆うように第２基板が配置される。また、液晶を利用した電気光学装置（液晶装置）においては、第１基板と第２基板とシール材とによって囲まれた空間に液晶が注入される。これらの電気光学装置の第１基板には、電気光学素子を駆動するための信号を伝送する多数の配線が形成される。各配線は、シール材によって囲まれた領域（すなわち電気光学素子が配列された領域）からその外側の領域に至るように引き廻されて外部の機器に接続される（例えば特許文献１参照）。したがって、各配線はシール材と重なり合う部分を有する。
【特許文献１】特開２００２−１１０３４３号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、この種の電気光学装置においては、第１基板上の各配線がシール材によって押圧される場合がある。例えば、電気光学装置の製造工程においては、各配線が形成された第１基板に対してシール材を介して第２基板が圧着されるが、この圧着に際して各配線にはシール材による圧力が作用する。また、電気光学装置の製造後においても、第２基板に外力が作用することによって各配線にはシール材による圧力が作用し得る。こうして圧力が作用すると各配線は破損する可能性がある。特に、フィラーなどの微粒子がシール材に混入された構成においては、これらの微粒子が各配線を押圧することによって断線や短絡といった欠陥が発生し易い。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、シール材によって覆われた配線の破損を防止するという課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の第１の特徴は、相互に対向する第１基板および第２基板と、第１基板と第２基板との間隙に介在して両基板を固定するシール材と、第１基板のうち第２基板と対向する面に形成された第１配線と、第１配線を覆う絶縁層（例えば各実施形態における第１絶縁層６１）と、第１基板のうち第２基板に対向する面に形成された配線であって、シール材によって覆われたシール領域内に位置する第１部分と、シール領域以外の領域にて絶縁層を挟んで第１配線と対向する第２部分とを有する第２配線とを具備することにある（後述する第１ないし第３実施形態）。
この構成によれば、第１配線と第２配線とがシール領域以外の領域（例えば各実施形態における領域Ａa）にて交差するから、第２配線の第１部分がシール材によって押圧された場合であっても、第１配線と第２配線との短絡は回避される。したがって、第１配線と第２配線とがシール領域内にて交差する構成と比較して歩留まりを向上させることができる。
【０００５】
本発明の望ましい態様において、第１部分と第２部分とは絶縁層の面上に一体に形成される。この構成によれば、第２配線の構成が簡素化される。なお、この態様の具体例は第１実施形態として後述される。さらに他の態様において、第１部分は第１基板と絶縁層との間に介在し、第２部分は絶縁層の面上に形成されて第１部分に導通する。この態様によれば、第１部分とシール材との間に絶縁層が介在することになる。すなわち、第２配線のうちシール領域内に位置する第１部分が絶縁層によって保護されるから、シール材からの圧力に起因した第２配線の断線を防止することができる。なお、この態様の具体例は第２実施形態として後述される。
【０００６】
本発明の望ましい態様において、複数の第２配線を具備し、シール材は複数の粒子を含み、各第２配線のうち第１部分の間隔（例えば図８の間隔Ｄ）は粒子の最小径よりも大きい。この態様によれば、相互に隣接する各第１部分の双方に粒子が接触してこれらの第１部分同士が短絡する事態が防止される。なお、この態様の具体例は第３実施形態として後述される。シール材に含められる粒子としては、例えばその強度や粘度を調整するためのフィラーや、第１基板の配線と第２基板の配線とを導通（いわゆる上下導通）させるための導電性粒子、あるいは第１基板と第２基板との間隙の寸法を維持するためのスペーサなどがある。なお、粒子の最小径とは、完全な球形でないひとつの粒子に着目したときに当該粒子の部位に応じた直径のうち最小の直径である。なお、シール材に分散された各粒子の直径がばらつく場合もあるが、この場合、第２配線のうちシール領域内に位置する部分の配線幅は、複数の粒子のうち最小の直径の粒子の最小径よりも大きい寸法とされる。
【０００７】
また、本発明に係る電気光学装置の第２の特徴は、相互に対向する第１基板および第２基板と、第１基板と第２基板との間隙に介在して両基板を固定するシール材と、第１基板のうちシール材によって覆われたシール領域に形成された第１配線と、第１配線を覆う絶縁層と、シール領域内にて絶縁層を挟んで第１配線と対向するように形成されて当該第１配線と導通する第２配線とを具備することにある（後述する第４および第５実施形態）。
この構成によれば、第１配線と第２配線とがシール領域内にて交差するが、これらの配線は相互に導通して同電位となるから、シール材からの圧力に起因して第１配線と第２配線とが短絡したとしても、電気光学装置の動作には何らの影響もない。したがって、各々に別個の電位が供給される第１配線と第２配線とがシール領域内にて交差する構成と比較して、歩留まりを向上させることができる。
【０００８】
第２の特徴に係る電気光学装置の望ましい態様において、第２配線は、絶縁層のうち第１配線に沿ってシール領域を挟む各位置に形成されたコンタクトホール（例えば図１１に示されるコンタクトホールＣＨ2）を介して第１配線に導通する。この態様によれば、シール材からの圧力に起因して第２配線が断線したとしても、ひとつのコンタクトホールから第１配線を介してもうひとつのコンタクトホールに至る経路は維持されるから、第２配線の断線の影響を低減して歩留まりを向上させることができる。さらに他の態様において、第２配線は、絶縁層のうちシール領域内の部分に形成された第１コンタクトホール（例えば図１１に示されるコンタクトホールＣＨ1）と、絶縁層のうちシール領域外の部分に形成された第２コンタクトホール（例えば図１１に示されるコンタクトホールＣＨ2）とを介して第１配線に導通する。これらの態様の具体例は第５実施形態として後述される。
【０００９】
第１および第２の特徴に係る電気光学装置の望ましい態様において、シール材は複数の粒子を含み、第２配線のうちシール領域内に位置する部分の配線幅（例えば図１の配線幅ＷL）は粒子の最小径よりも大きい。この態様によれば、シール材に混入された粒子の衝突に起因した第２配線の断線を抑制することができるという利点がある。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。このような電子機器としては、例えば、パーソナルコンピュータや携帯電話機がある。本発明に係る電気光学装置は、典型的には画像を表示する表示装置として使用されるが、このほかにも例えば光書込み型の画像形成装置（例えばプリンタやコピー機）におけるラインヘッドとしても使用され得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す平面図である。同図に示されるように、電気光学装置１は、所定の間隔をもって相互に対向するように配置された第１基板１０と第２基板２０とを有する。第１基板１０と第２基板２０とは、両者の間隙に介在するシール材３０によって貼り合わされる。このシール材３０は、画素領域Ａgを包囲するように略長方形の枠状に形成される。なお、図１においては、シール材３０が形成された領域（以下「シール領域」という）Ａsに対して便宜的にハッチングが施されている。本実施形態におけるシール材３０には、第１基板１０と第２基板２０との接着性の強化やシール材３０の粘度の調整のために、フィラーが多数の微粒子として混入されている。
【００１２】
画素領域Ａgには、Ｘ方向に延在する複数の走査線１１とＹ方向に延在する複数のデータ線１３とが形成される。走査線１１とデータ線１３との各交差に対応する位置には画素Ｐが配置される。したがって、これらの画素Ｐは、Ｘ方向およびＹ方向にわたって画素領域Ａg内にマトリクス状に配列する。
【００１３】
各画素Ｐは、電気光学素子たるＯＬＥＤ素子と、このＯＬＥＤ素子に供給される信号を制御するスイッチング素子とを含む（何れも図示略）。各スイッチング素子は、例えばドレイン電極がＯＬＥＤ素子の陽極に接続された薄膜トランジスタであり、そのゲート電極が走査線１１に接続されるとともにソース電極がデータ線１３に接続される。この構成のもと、走査線１１に対する電圧の印加によってスイッチング素子がオン状態に遷移すると、そのときにデータ線１３に供給されている信号がスイッチング素子を介してＯＬＥＤ素子に供給され、これによってＯＬＥＤ素子は所望の輝度にて発光する。もっとも、各画素Ｐの構成は任意に変更される。
【００１４】
第１基板１０のうち第２基板２０の周縁から張り出した領域（以下「張出領域」という）Ａ1には、Ｘ方向に配列された複数の接続端子１５が形成される。これらの接続端子１５には、張出領域Ａ1に接合されたフレキシブル配線基板（図示略）の配線が接続される。このフレキシブル基板には、各走査線１１に信号を供給する走査線駆動回路や各データ線１３に信号を供給するデータ線駆動回路といった各種の駆動回路が実装される。
【００１５】
次に、図２は、シール材３０の近傍を拡大して示す平面図であり、図３は、図２におけるIII−III線からみた断面図である。これらの図に示されるように、第２基板２０のうち第１基板１０との対向面は、第２基板２０の周縁から所定幅にわたる部分２０１がその内側の部分２０２よりも第１基板１０側に突出した形状となっている。シール材３０は部分２０１のうち第１基板１０と対向する面に形成される。一方、部分２０２は、第２基板２０の表面に垂直な方向からみると画素領域Ａgを包含する形状となっている。各画素ＰのＯＬＥＤ素子は、部分２０１の内壁面２０１ａと部分２０２と第１基板１０とによって囲まれた空間Ｒに配置される。この空間にＲは吸湿性を備えた物質が封止され、水分の付着に起因したＯＬＥＤ素子の劣化が防止される。
【００１６】
一方、第１基板１０のうち第２基板２０と対向する面には第１配線５１が形成される。この第１配線５１は、第１基板１０のうちシール領域Ａsの内周縁よりも内側（画素領域Ａg側）の領域Ａaに形成される。第１配線５１は、画素Ｐのスイッチング素子のゲート電極や走査線１１と同一の材料からなる配線であり、これらの要素と共通の工程において単一の膜体から形成される。すなわち、第１配線５１は、第１基板１０の全面を覆う導電性の膜体をフォトリソグラフィ技術やエッチング技術によって選択的に除去するときにゲート電極や走査線１１とともに一括的に形成される。
【００１７】
図３に示されるように、第１配線５１が形成された第１基板１０は第１絶縁層６１によって覆われる。この第１絶縁層６１は、画素Ｐのスイッチング素子のゲート電極とソース電極やドレイン電極との間に介挿される層間絶縁層と一体をなす膜体である。この第１絶縁層６１の面上には複数の第２配線５２が形成される。この第２配線５２は、画素Ｐのスイッチング素子のソース電極およびドレイン電極やデータ線１３と同一の材料によって共通の工程にて形成される。
【００１８】
各第１配線５１および各第２配線５２は、シール領域Ａsの内周縁よりも内側の領域Ａa内（特に画素領域Ａg内）内から、シール領域Ａsと当該シール領域Ａsの外周縁よりも外側の領域Ａbとを通過して張出領域Ａ1まで引き廻され、この張出領域Ａ1に至った端部が接続端子１５に導通する。第１配線５１および第２配線５２は、例えば、接続端子１５に入力された信号を走査線１１やデータ線１３に供給する配線、または接続端子１５に印加された電源電位を各ＯＬＥＤ素子に供給する配線である。
【００１９】
各第２配線５２が形成された第１絶縁層６１の表面は第２絶縁層６２によって覆われる。この第２絶縁層６２は、各画素Ｐのスイッチング素子のソース電極やドレイン電極とＯＬＥＤ素子との間に介挿される層間絶縁層と一体をなす膜体である。第１絶縁層６１や第２絶縁層６２は、酸化シリコンや窒化シリコンといった絶縁性の材料によって形成される。図３に示されるように、第２基板２０における部分２０１と第２絶縁層６２とにシール材３０が接触することによって第１基板１０と第２基板２０とが相互に固定される。
【００２０】
図２および図３に示されるように、第２配線５２は、シール領域Ａs内に位置する第１部分５２１と、領域Ａa内に位置する第２部分５２２とを有する。第１基板１０に垂直な方向からみると、第２配線５２は、シール領域Ａsの内周縁よりも内側の領域Ａaに位置する第２部分５２２のみにおいて、第１絶縁層６１を挟んで第１配線５１と重なり合う。すなわち、第２配線５２のうちシール領域Ａs内に位置する第１部分５２１は第１配線５１と交差しない。
【００２１】
このように、本実施形態においては、第１配線５１と第２配線５２とがシール領域Ａsにおいては交差しないから、第１配線５１と第２配線５２との短絡を防止することができる。この効果について詳述すると以下の通りである。
【００２２】
図４は、第１配線５１と第２配線５２とがシール領域Ａs内にて交差する構成を本実施形態との対比のために示す平面図であり、図５は、図４におけるＶ−Ｖ線からみた断面図である。これらの図に示される構成においては、第２基板２０に第１基板１０側への圧力が作用すると、図５に矢印にて示されるように、シール材３０に混入されているフィラーが第２絶縁層６２を突き破って第２配線５２に至る場合がある。そして、さらに過大な圧力が作用すると、フィラーが第２配線５２を押圧して第１絶縁層６１をも破損させる可能性がある。この場合には第２配線５２とその直下に位置する第１配線５１とが短絡することになるから、電気光学装置１の適正な動作が阻害されることになる。
【００２３】
また、第１基板１０とシール材３０との間に付着した異物によっても同様の問題が引き起こされる。ここで、第２基板２０における部分２０２の窪みは、第２基板２０のうち第１基板１０と対向する面に対して選択的にサンドブラスト処理を施すことによって形成される。このサンドブラスト処理にて飛散したガラス片が第１基板１０とシール材３０との間に付着すると、フィラーについて上述したのと同様の作用により、第１配線５１と第２配線５２との短絡が引き起こされる場合がある。
【００２４】
これに対し、本実施形態における第１配線５１と第２配線５２とはシール領域Ａsにて交差しないから（すなわち第２配線５２の直下に第１配線５１は存在しないから）、たとえ第２基板２０に圧力が作用してフィラーや異物が第２絶縁層６２および第２配線５２を押圧したとしても、この第２配線５２が第１配線５１に短絡することはない。したがって、第１配線５１と第２配線５２との短絡を防止して製造過程における歩留まりを向上させることができる。
【００２５】
ところで、第１配線５１と第２配線５２との短絡が防止されるとは言っても、フィラーによる圧力が作用することによって第２配線５２が断線する可能性はある。この断線を防止するために、第２配線５２のうちシール領域Ａs内に位置する第１部分５２１の配線幅ＷLは、フィラーの粒子の直径よりも大きい寸法とされる。ただし、フィラーは完全な球形ではないから、その着目する部位によって直径が相違する。図２に示される配線幅ＷLは、ひとつのフィラーの粒子における最小の直径よりも大きい寸法とされる。さらに望ましい態様において、配線幅ＷLは、ひとつのフィラーの粒子における最大の直径よりも大きい寸法とされる。これらの態様によれば、第２配線５２の第１部分５２１がフィラーによって押圧されたとしても、その配線幅ＷLの全体にわたって破損する事態は回避されるから、第２配線５２の完全な断線を抑制することができるという利点がある。
【００２６】
なお、シール材３０に分散されるフィラーの各粒子の直径は区々である場合が多い。そこで、配線幅ＷLは、多数のフィラーの粒子のうち最小の粒子の直径よりも大きい寸法とされ、より好ましくは、多数のフィラーの粒子のうち最大の粒子の直径よりも大きい寸法とされる。これらの態様によれば、フィラーからの圧力に起因した第２配線５２の断線が抑制される。
【００２７】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置１の構成を説明する。なお、本実施形態のうち第１実施形態と同様の要素については共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。以下の各実施形態においても同様である。
【００２８】
図６は、本実施形態に係る電気光学装置１のうちシール材３０の近傍を拡大して示す平面図（図２に対応する図）であり、図７は、図６におけるVII−VII線からみた断面図である。第１実施形態においては、第２配線５２の第１部分５２１と第２部分５２２とが第１絶縁層６１の面上に一体に形成された構成を例示した。これに対し、本実施形態における第２配線５２は、図６および図７に示されるように、第１部分５２１と第２部分５２２とが別個の膜体として構成されている。
【００２９】
第２配線５２のうち第１部分５２１は、第１基板１０に形成されて第１絶縁層６１によって覆われる。この第１部分５２１は、第１配線５１と共通の工程において単一の膜体から形成された部分である。一方、第２配線５２の第２部分５２２は、第１絶縁層６１の面上に形成された部分である。第２部分５２２は、第１絶縁層６１をその厚さ方向に貫通するコンタクトホールＣＨ1を介して第１部分５２１に導通する。
【００３０】
本実施形態においても、第１配線５１と第２配線５２とがシール領域Ａs内にて交差しないから、第１実施形態と同様の作用および効果が奏される。さらに、本実施形態においては、第２配線５２のうちシール領域Ａsに位置する第１部分５２１とシール材３０との間に第１絶縁層６１と第２絶縁層６２とが介在するから、第１実施形態と比較して、第２配線５２の断線を有効に防止することができるという利点がある。すなわち、第１実施形態においては、第２配線５２の第１部分５２１とシール材３０との間に第２絶縁層６２が介在するのみであるから（図３参照）、フィラーや異物によって第２絶縁層６２が破損すると第２配線５２も断線する可能性が高い。これに対し、本実施形態においては、フィラーや異物によって第２絶縁層６２が破損したとしても、これに加えて第１絶縁層６１によって被覆された第１部分５２１の破損は防止される。
【００３１】
＜Ｃ：第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図８は、本実施形態に係る電気光学装置１のうちシール材３０の近傍の構成を拡大して示す平面図（図２や図６に対応する図）である。同図に示されるように、相互に隣接する第２配線５２の第１部分５２１は間隔Ｄをあけて配列される。本実施形態においては、この間隔Ｄが、シール材３０に分散されたフィラーの粒子よりも大きい寸法とされる。すなわち、間隔Ｄは、ひとつのフィラーの粒子における最小の直径よりも大きい寸法とされ、より好ましくは、ひとつのフィラーの粒子における最大の直径よりも大きい寸法とされる。また、シール材３０に分散されるフィラーの各粒子の直径がばらつくことを考慮すると、間隔Ｄは、多数のフィラーの粒子のうち最小の粒子の直径よりも大きい寸法とされ、より好ましくは、多数のフィラーの粒子のうち最大の粒子の直径よりも大きい寸法とされる。
【００３２】
本実施形態によれば、たとえフィラーの粒子が第２絶縁層６２を突き破って第２配線５２に到達したとしても、相互に隣接する２本の第１部分５２１にわたって粒子が接触することはない。したがって、フィラーに起因した第２配線５２同士の短絡は有効に防止される。なお、図８においては第２実施形態の構成のもとで間隔Ｄをフィラーの粒子よりも大きい寸法とした構成を例示したが、第１実施形態の構成においても、同様の条件が満たされるように各第２配線５２の間隔Ｄが決定される。
【００３３】
＜Ｄ：第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。第１および第２実施形態においては、第１配線５１と第２配線５２とがシール領域Ａs内においては交差しない構成を例示した。これに対し、本実施形態においては、第１配線５１と第２配線５２とがシール領域Ａs内にて交差する一方、第１配線５１と第２配線５２とに同電位が印加される構成となっている。
【００３４】
図９は、本実施形態に係る電気光学装置１のうちシール材３０の近傍を拡大して示す平面図であり、図１０は、図９におけるＸ−Ｘ線からみた断面図である。これらの図に示されるように、本実施形態における第１配線５１と第２配線５２とは、シール領域Ａs内にて第１絶縁層６１を挟んで重なり合う。
【００３５】
図９に示されるように、第１配線５１は、第２配線５２が延在する方向に沿って分岐した部分（以下「導通部」という）５１１を有する。第２配線５２は、第１絶縁層６１を厚さ方向に貫通するコンタクトホールＣＨ1を介して第１配線５１の導通部５１１に接触する。したがって、第１配線５１と第２配線５２とは同電位となる。
【００３６】
この構成においては、第１配線５１と第２配線５２とが相互に導通して同電位とされるから、フィラーや異物によって第１配線５１と第２配線５２とが導通したとしても、電気光学装置１の動作には何らの影響も生じない。なお、本実施形態における第１配線５１や第２配線５２は、典型的には、画素領域Ａgに電源を供給するための電源線として使用される。
【００３７】
＜Ｅ：第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態に係る電気光学装置１の構成を説明する。図１１は、本実施形態に係る電気光学装置１のうちシール材３０の近傍を拡大して示す平面図であり、図１２は、図１１におけるXII−XII線からみた断面図である。これらの図に示されるように、本実施形態における第１配線５１は、第２配線５２と同方向に延在する配線である。さらに詳述すると、第１配線５１は、シール領域Ａsの外周縁よりも外側の領域Ａbからシール領域Ａsを通過してその内周縁よりも内側の領域Ａaに至るように直線状に延在する。第１配線５１と第２配線５２とは第１絶縁層６１を挟んで重なり合う。
【００３８】
第１絶縁層６１のうち第１基板１０の表面と垂直な方向からみて第１配線５１および第２配線５２と重なり合う部位には２個のコンタクトホールＣＨ1と２個のコンタクトホールＣＨ2とが形成される。各コンタクトホールＣＨ1は、シール領域Ａs内にて第１絶縁層６１を貫通する小孔である。一方、各コンタクトホールＣＨ2は、シール領域Ａs以外の領域にて第１絶縁層６１を貫通する小孔である。さらに詳述すると、ひとつのコンタクトホールＣＨ2は、シール領域Ａsの外周縁よりも外側の領域Ａbに形成され、もうひとつのコンタクトホールＣＨ2は、シール領域Ａsの内周縁よりも内側の領域Ａaに形成される。換言すると、２個のコンタクトホールＣＨ2は、第１配線５１に沿ってシール領域Ａsを挟む位置に形成される。第１絶縁層６１の面上に形成された第２配線５２は、各コンタクトホールＣＨ1および各コンタクトホールＣＨ2に入り込んで第１配線５１に接触する。すなわち、本実施形態においては、第４実施形態と同様に、第１配線５１と第２配線５２とが相互に導通して同電位となる。
【００３９】
この構成によっても、第４実施形態と同様の作用および効果が奏される。さらに、本実施形態においては、シール領域Ａs内に形成されたコンタクトホールＣＨ1とシール領域Ａs外に形成されたコンタクトホールＣＨ2とを介して第１配線５１と第２配線５２とが導通するから、たとえフィラーや異物からの圧力によって第２配線５２が断線したとしても、第１配線５１によって配線としての機能は維持される。特に、本実施形態においては、シール領域Ａsを挟む各位置にコンタクトホールＣＨ2が形成されているから、シール領域Ａs内の何れの位置にて第２配線５２が断線したとしても、ひとつのコンタクトホールＣＨ2から第１配線５１を経由してもうひとつのコンタクトホールＣＨ2に至る電気的な経路は維持される。したがって、フィラーや異物に起因した第２配線５２の断線の影響を低減することができるという利点がある。
【００４０】
＜Ｆ：変形例＞
各実施形態に対しては様々な変形が加えられる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以上に説明した各実施形態や以下に示す各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００４１】
（１）各実施形態においては、走査線駆動回路やデータ線駆動回路といった駆動回路がフレキシブル配線基板に実装された構成を例示したが、これらの駆動回路は、ＩＣチップの形態にて張出領域Ａ1に実装されてもよいし、第１基板１０に形成されたスイッチング素子（薄膜トランジスタ）によって構成されてもよい。第１基板１０に作り込まれたスイッチング素子によって駆動回路が形成される構成（以下「駆動回路内蔵型」という）において、第１配線５１は、この駆動回路を構成するスイッチング素子のゲート電極と同一の材料によって共通の工程にて形成され、第２配線５２は、駆動回路を構成するスイッチング素子のソース電極やドレイン電極と同一の材料によって共通の工程にて形成される。
【００４２】
また、駆動回路内蔵型の電気光学装置１においては、これらの駆動回路にて使用される各種の制御信号や電源電位が第１配線５１や第２配線５２によって伝送される。この制御信号としては、例えば、走査線駆動回路のシフトレジスタに入力されるスタートパルスや当該シフトレジスタから出力されるエンドパルス、データ線駆動回路に入力される画像信号、あるいはこれらの駆動回路の動作のタイミングを規定するクロック信号などがある。
【００４３】
（２）各実施形態においては、第２基板２０の部分２０１の全域にわたってシール材３０が形成された構成を例示した。この構成においては、部分２０１とシール領域Ａsとは略一致することになる。しかしながら、第２基板２０に対するシール材３０の関係はこれに限られない。例えば、第２基板２０の部分２０１の一部のみにシール材３０が形成された構成としてもよい。また、第２基板２０のうち第１基板１０との対向面をその全域にわたって窪みのない平面としてもよい。本発明におけるシール領域Ａsとはシール材３０が形成された領域であり、第２基板２０の形態や第２基板２０に対するシール材３０の位置は任意に変更される。
【００４４】
（３）各実施形態においてはアクティブマトリクス方式の電気光学装置１を例示したが、各画素Ｐがスイッチング素子を持たないパッシブマトリクス方式の電気光学装置にも本発明は適用される。また各実施形態においては電気光学素子としてＯＬＥＤ素子を利用した電気光学装置１を例示したが、これ以外の電気光学素子を利用した電気光学装置にも本発明は適用される。例えば、液晶を利用した液晶装置、無機ＥＬ素子を利用した表示装置、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field  Emission  Display）、表面導電型電子放出ディスプレイ（ＳＥＤ：Surface-conduction  Electron-emitter  Display）、弾道電子放出ディスプレイ（ＢＳＤ：Ballistic  electron  Surface  emitting  Display）、発光ダイオードを利用した表示装置といった各種の電気光学装置に対して各実施形態と同様の構成が採用される。
【００４５】
＜Ｆ：応用例＞
次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器について説明する。図１３は、各実施形態に係る電気光学装置１を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての電気光学装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。この電気光学装置１はＯＬＥＤ素子を用いるので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００４６】
図１４に、実施形態に係る電気光学装置１を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
【００４７】
図１５に、実施形態に係る電気光学装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１に表示される。
【００４８】
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図１３から図１５に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、電気光学装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置においては、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する書込みヘッドが使用されるが、この種の書込みヘッドとしても本発明の電気光学装置は使用される。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す平面図である。
【図２】シール材の近傍の構成を拡大して示す平面図である。
【図３】図２におけるIII−III線からみた断面図である。
【図４】第１配線と第２配線とがシール領域にて交差する構成を示す平面図である。
【図５】図４におけるＶ−Ｖ線からみた断面図である。
【図６】第２実施形態に係る電気光学装置のうちシール材の近傍の構成を示す平面図である。
【図７】図６におけるVII−VII線からみた断面図である。
【図８】第３実施形態に係る電気光学装置のうちシール材の近傍の構成を示す平面図である。
【図９】第４実施形態に係る電気光学装置のうちシール材の近傍の構成を示す平面図である。
【図１０】図９におけるＸ−Ｘ線からみた断面図である。
【図１１】第５実施形態に係る電気光学装置のうちシール材の近傍の構成を示す平面図である。
【図１２】図１１におけるXII−XII線からみた断面図である。
【図１３】本発明を適用したパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１４】本発明を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【図１５】本発明を適用した携帯型情報端末の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５０】
１……電気光学装置、Ａg……画素領域、Ａs……シール領域、Ｐ……画素、１０……第１基板、２０……第２基板、３０……シール材、５１……第１配線、５２……第２配線、５２１……第１部分、５２２……第２部分、６１……第１絶縁層、６２……第２絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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