(57)【要約】【課題】光機能性を有するプリント回路板を形成する方法を提供する。【解決手段】この方法は、（ａ）第１のプリント回路板基体を提供する工程、（ｂ）プリント回路板基体とは別の第２の基体上にクラッドおよびコア構造を含む光導波路構造を形成する工程であって、光導波路構造がケイ素含有物質を含む工程、（ｃ）第２の基体から光導波路構造を分離する工程、および（ｄ）プリント回路板基体に光導波路構造を固定させる工程を含む。本発明は、ハイブリッドプリント回路板の形成のためのエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス産業において格別の利用可能性を有する。【選択図】図１
2006072352.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光機能性を有するプリント回路板を形成する方法であって、
（ａ）第１のプリント回路板基体を提供する工程、
（ｂ）プリント回路板基体とは別の第２の基体上に、クラッドおよびコア構造を含む光導波路構造を形成する工程であって、光導波路構造がケイ素含有物質を含む工程、
（ｃ）第２の基体から光導波路構造を分離する工程、および
（ｄ）プリント回路板基体に光導波路構造を固定する工程
を含む方法。
【請求項２】
ケイ素含有物質が、ガラス、シロキサンまたはシルセスキオキサンである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ケイ素含有物質が、式（Ｒ１ＳｉＯ１．５）の単位を含むポリマーであり、式中Ｒ１は、置換または非置換の有機基である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ケイ素含有ポリマーが、式（Ｒ２ＳｉＯ１．５）の単位をさらに含み、Ｒ１は、置換または非置換のアルキル基であり、かつＲ２は、置換または非置換のアリール基である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
工程（ｂ）が、
（ｂ１）式（Ｒ１ＳｉＯ１．５）（式中Ｒ１は、置換または非置換の有機基）の単位、および複数の官能性末端基を含む組成物と、化学線への曝露の際に、当該組成物の溶解度を変更するための第１の成分とからコア層を形成する工程、
（ｂ２）化学線にコア層の一部を曝露する工程、および
（ｂ３）コア層を現像して、それによりコア構造を形成する工程
を含む請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
工程（ｂ）が、
（ｂ１）第２の基体上に第１クラッド層を形成する工程、
（ｂ２）第１クラッド層上にコア層を形成する工程、
（ｂ３）コア層をコア構造にパターン形成する工程、および
（ｂ４）第１クラッド層とコア構造の上に第２クラッド層を形成する工程
を含む請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
工程（ｂ）が、
（ｂ１）第２の基体上に第１クラッド層を形成する工程、
（ｂ２）第１クラッド層上にコア層を形成する工程、および
（ｂ３）コア層をコア構造にパターン形成する工程
を含み、ならびに
工程（ｄ）に先立って、プリント回路板基体上に、第２クラッド層を形成する工程をさらに含み、かつ工程（ｄ）は、第２クラッド層に、第１クラッド層およびコア構造を固定する工程を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
工程（ｂ）が、
（ｂ１）基体上にコア層を形成する工程、
（ｂ２）コア層をコア構造にパターン形成する工程、および
（ｂ３）第２の基体およびコア構造上に、第１クラッド層を形成する工程を含み、ならびに
工程（ｄ）に先立って、プリント回路板基体上に、第２クラッド層を形成する工程をさらに含み、かつ工程（ｄ）は、第２クラッド層に、第１クラッド層およびコア構造を固定する工程を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
工程（ｂ）が、第２の基体と光導波路構造との間に、剥離層を提供する工程をさらに含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
工程（ｃ）が、第２の基体および光導波路構造と熱水とを接触させる工程を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
第２の基体が、ガラスから形成される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかの方法から形成された、光機能性を有するプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概してプリント回路板（ＰＣＢ）に関する。特に、本発明は、プリント回路板とは別の基体上に形成された光導波路を、回路板に組み込むことによって、光機能性を有するプリント回路板を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光導波路は、コアと、コアを囲むクラッドとを含み、クラッドと比較してより高いコアの屈折率に起因する、コア内での光学的放射伝播性を有する。基体上に第１クラッド層をコーティングし、第１クラッド層上にコア層をコーティングし、コア層を１以上のコア構造にパターン形成し、および第１クラッド層およびコア構造の上に第２クラッド層を形成することにより、埋め込まれた光導波路をプリント回路板基体上に形成することができる。この導波路コア層を、典型的には、フォトレジストを用いた標準フォトリソグラフィおよびエッチングプロセスを使用し、または光画像形成性のコア層を露光および現像することによって、パターン形成する。たとえば、Ｓｈｅｌｎｕｔらによる米国特許第６，７３１，８５７号および米国公開出願第２００４０１０５６５２号は、プリント回路板基体上にシルセスキオキサン化学成分で形成された埋め込まれた光導波路を開示する。
【０００３】
他の回路板プロセスと同じ場所でこの光学層を形成することは、結果として生じる光学構造に悪影響を与える恐れがある。たとえば、標準的な回路板製造工程（たとえば、メッキおよびせん孔工程）の多くは、微粒子状および他の形態の汚染物を発生する。この汚染物は、導波路構造の形成過程において導波路層中に組み込まれる場合があり、たとえば、光の散乱および／または吸収による光学的ロスを増加させることにより、導波路の光伝達特性に悪影響を与える。これは、導波路コア層に対して特に問題である。一般に、導波路構造は、標準のＰＣＢ製造の典型より高い解像パターン技術を要求するので、かかる汚染物は、コアパターンの形成過程において欠陥を生じさせる恐れがある。したがって、他の回路板製造工程によって生成された汚染物から保護された環境において、導波路の製造を可能とする方法を有することが望ましい。
【特許文献１】米国特許第６，７３１，８５７号明細書
【特許文献２】米国出願公開第２００４０１０５６５２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、オプトエレクトロニクス産業では、上述された問題の１以上を克服する、または著しく改善する、光機能性を有するプリント回路板を形成するための改良方法が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
光機能性を有するプリント回路板を形成する方法を提供する。この方法は、（ａ）第１の、プリント回路板基体を提供する工程、（ｂ）プリント回路板基体とは別の第２の基体上に、クラッドおよびコア構造を含む光導波路構造を形成する工程であって、光導波路構造がケイ素含有物質を含む工程、（ｃ）第２の基体から光導波路構造を分離する工程、および（ｄ）プリント回路板基体に光導波路構造を固定する工程を含む。本発明は、ハイブリッドプリント回路板、すなわち、電気機能性および光機能性を有するプリント回路板の形成のためのエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス産業において格別の利用可能性を有する。
【０００６】
好都合にも、本発明に従って埋め込まれた導波路構造を、微粒子が生成する他の回路板製造工程によって生成された汚染物から保護された環境において形成することができ、導波路の光学的特性の向上を可能とする。
【０００７】
本発明の他の目的および利点は、以下の説明、特許請求の範囲および本明細書に添付された図面を精査する当業者に明らかとなるであろう。
本発明は添付の図面を参照して論じられる。図面における同様の参照番号は同様の構造を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明は、光機能性を有するプリント回路板を形成する方法を提供する。簡潔に言えば、当該方法は、第１の基体上に光導波路構造を形成する工程を含む。光導波路構造のクラッドおよび／またはコアを、ケイ素含有物質で形成する。光導波路構造を、第１の基体から分離し、プリント回路板基体に固定する。
【０００９】
他に別段の定めがない限り、記載された組成物の成分の量は、任意の溶媒が不存在の組成物に基づいて、重量百分率で与えられる。本明細書において使用される場合、用語「ポリマー」はオリゴマー、ダイマー、トリマー、テトラマー等を含み、ホモポリマー、およびより高次のポリマー、すなわち、２以上の異なるモノマー単位およびヘテロポリマーから形成されるポリマーを包含する。用語「アルキル」は、線形、分枝および環式アルキル基を指し、置換または非置換であり、鎖中または鎖上にヘテロ原子を含んでいてもよい。用語「芳香族」は、芳香族基を指し、置換または非置換であり、ヘテロ環を含んでいてもよい。用語「ハロゲン」および「ハロ」は、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素を含む。したがって、用語「ハロゲン化」は、フッ素化、塩素化、臭素化およびヨウ素化を指す。用語「上に」および「上方に」は、空間的関係を定義する際に互換的に使用され、間に入っている層または構造の存在または不存在を包含する。
【００１０】
本発明の代表的な実施例を参照して本発明を説明する。図１、２は、本発明の第１の代表的態様に従った光機能性を有するプリント回路板の形成のためのプロセスの流れを示す。
【００１１】
図１Ａに示すように、基体２を提供し、その上に光導波路を形成する。導波路構造へのダメージを与えることなく、形成される導波路構造を基体から分離することができるように、基体物質を選択する。典型的な基体物質としては、たとえば、ガラス、ステンレス鋼、銅箔をはじめとする金属箔、耐衝撃性（ｈｉｇｈ  ｉｍｐａｃｔ）ポリスチレン等が挙げられる。任意に、基体から導波路構造を容易に分離させうる剥離層３を基体上に形成することができる。任意の剥離層のための好適な物質としては、たとえば、熱的または光化学的に硬化されたシリコーン、ポリビニルステアレート、ポリビニルカーバメート、ポリＮ−エチル−ペルフルオロアクチルスルファンアミドエチルメタクリレートおよび他の剥離物質、たとえば「Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」、第２版、Ｖａｎ  Ｎｏｓｔｒａｎｄ／Ｒｅｉｎｈｏｌｄ（１９８９）に記載された剥離物質が挙げられる。任意に、基体は、導波路構造を剥離するために溶解される犠牲物質（たとえば、酸エッチング液中の銅箔基体）であってもよい。
【００１２】
導波路構造を、次いで基体２上に形成する。導波路を、たとえば、第１クラッド層形成、コア層形成、続いてコアパターン形成、および第２クラッド層形成を含む多層プロセスによって形成することができる。他の代表的な技術は、多光子吸収を使用して導波路層の内部容積を曝露して、曝露した容積の屈折率変化をもたらし、機械的にコア層をパターン形成する必要なしに導波路を形成する技術である。
【００１３】
導波路クラッドおよび／またはコアをケイ素含有物質で形成する。好適なケイ素含有物質としては、たとえば、シルセスキオキサン、ケージドシルセスキオキサン、シロキサン、ＳＯＧまたはドープガラスをはじめとするガラス（たとえば、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ）およびそれらの組み合わせが挙げられる。導波路は、たとえば、式（ＲＳｉＯ１．５）（式中Ｒは置換または非置換の有機基である）の単位を有するハイブリッド有機−無機ポリマーを含む組成物から形成することができる。ポリマーは、複数の官能性末端基を有していてもよい。ポリマーは、１〜９９．５重量％の量、たとえば、６０〜９８．５重量％の量で組成物中に存在することができる。Ｒの代表的な有機基としては、置換および非置換のアルキル基、アリール基および複素環基が挙げられる。該アルキル基は、たとえば１〜２０個の炭素原子を有する、直鎖、分岐または環式であってもよく、典型的には１〜２０個の炭素原子を有し、たとえばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｔ−アミル、オクチル、デシル、ドデシル、セチル、ステアリル、シクロヘキシルおよび２−エチルヘキシルが挙げられる。アルキル基は、アルキル鎖中および／またはアルキル鎖上においてヘテロ原子で置換されていてもよく、または、たとえば非芳香族環式基、たとえばシクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボニル、アダマンチル、ピペリジニル、テトラヒドロフラニル、およびテトラヒドロチオフェニル基であってもよい。代表的なアリール基としては、６〜２０個の炭素原子を有するものが挙げられ、たとえば６〜１５の炭素原子を有するもの、たとえばフェニル、トリル、ベンジル、１−ナフチル、２−ナフチルおよび２−フェナントリルが挙げられ、ならびに、ヘテロ原子、たとえば、水酸基および／またはアミノと置換されていてもよい。複素環基は、芳香族化合物、たとえば、チオフェン、ピリジン、ピリミジン、ピロール、ホスホール、アルソールおよびフランであってもよい。典型的なＲは、置換または非置換のメチル、エチル、プロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ベンジル、フェニル、アダマンチル基およびそれらの組み合わせである。
【００１４】
ポリマーは、ランダムまたはブロック体のいずれかの、共重合体またはより高次のポリマーの形態をとることができる。ポリマーは、たとえば、ポリマーを基準にして、１〜８５重量％、たとえば、１５〜８０重量％、または２５〜６０重量％、または２５〜５０重量％の範囲の各単位の割合で、１以上の更なるケイ素含有単位を含むことができる。更なる単位は、たとえば、シルセスキオキサン、ケージシロキサン、シロキサンおよびそれらの組み合わせを挙げることができる。たとえば、ポリマーは、式（Ｒ１ＳｉＯ１．５）（式中Ｒ１は、Ｒに関して上述したように、置換または非置換の有機基である）の単位をさらに含んでいてもよい。たとえば、ＲおよびＲ１の一方を、置換または非置換のアルキル基から選択することができ、ＲおよびＲ１の他方を、置換または非置換のアリール基から選択することができる。ポリマーは、たとえばアルキルケイ素ポリマー（たとえば、メチルシルセスキオキサン単位とブチルシルセスキオキサン単位を含むコポリマー）、アリールケイ素ポリマー（たとえばフェニルシルセスキオキサン単位とトリフルオロメチルフェニル−シルセスキオキサン単位を含むコポリマー）、またはアルアルキルケイ素コポリマー（たとえばメチルとフェニルシルセスキオキサン単位を含むコポリマー）であってよい。
【００１５】
好適なシロキサン単位としては、たとえば、式（（Ｒ２）２（ＳｉＯ））の単位が挙げられ、式中のＲ２は、アルキル基、たとえば、メチル、エチル、プロピルなど、またはアリール基、たとえば、フェニル、トリルなどの、置換または非置換の有機基である。
【００１６】
上述したように、ポリマーの側鎖基は、任意に置換されていてもよい。「置換」は、１以上の側鎖基上の１以上の水素原子が、他の置換基、たとえば、重水素、フッ素、臭素および塩素をはじめとするハロゲン、（Ｃ１−Ｃ６）アルキル基、（Ｃ１−Ｃ６）ハロアルキル、（Ｃ１−Ｃ１０）アルコキシ、（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルカルボニル、（Ｃ１−Ｃ１０）アルコキシカルボニル、（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルカルボニルオキシ、アルキルアミン、アルキル硫黄含有物質等によって置き換えられることを意味する。ポリマーは、ランダムまたはブロックのいずれかの、広範囲の繰り返し単位を含んでいてもよい。本発明で有益なポリマー単位は、たとえば、５〜１５０の繰り返し単位、典型的には約１０〜３５の繰り返し単位を有することができる。そして、本発明において有益なシロキサン単位は、たとえば、５〜１５０の繰り返し単位、典型的には約７〜２５の繰り返し単位を有することができる。したがって、ポリマーの分子量は、広く変化することができる。典型的には、ポリマーは、約５００〜１５，０００、より典型的には約１，０００〜１０，０００、さらに典型的には約１，０００〜５，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を有する。
【００１７】
ポリマーは、光活性化後に組成物中の溶解度が変化することを可能にする２以上の官能性末端基を含むことができる。かかる末端基は、たとえば、水酸基、アルコキシ基（たとえばエトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ）、カルボキシエステル、アミノ、アミド、エポキシ、イミノ、カルボキシ酸、無水物、オレフィン、アクリル、アセタール、オルトエステル、ビニルエーテルおよびそれらの組み合わせであってよい。たとえば、官能性末端の含有量は、ポリマーを基準として、約０．５〜３５重量％、たとえば、約１〜１０重量％または約２〜５重量％であってよい。
【００１８】
組成物は、さらに光活性成分を含むことができる。光活性成分は、典型的には、活性化の際に、酸または塩基を生成し、現像液中において、乾燥状態の組成物の溶解度を変化させる。種々様々な光活性成分を本発明において使用することができ、たとえば、これに限定されるわけではないが、光酸発生剤および光塩基発生剤が挙げられる。
【００１９】
本発明で有用な光酸発生剤は、光に曝露されると酸を生成する任意の化合物または化合物群であってよい。好適な光酸発生剤は公知であり、たとえば、これに限定されるわけではないが、ハロゲン化トリアジン、オニウム塩、スルホン化エステル、置換ヒドロキシルイミド、置換ヒドロキシルイミン、アジド、ジアゾナフトキノンをはじめとするナフトキノン、ジアゾ化合物およびそれらの組み合わせが挙げられる。
【００２０】
特に有用なハロゲン化トリアジンとしては、たとえば、トリハロメチル−ｓ−トリアジンをはじめとするハロゲン化アルキルトリアジンが挙げられる。ｓ−トリアジン化合物は、ある種のメチル−トリハロメチル−ｓ−トリアジン類と、ある種のアルデヒド類、またはアルデヒド誘導体との縮合反応生成物である。かかるｓ−トリアジン化合物は、米国特許第３，９５４，４７５号およびワカバヤシらの「Ｂｕｌｌｅｔｉｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｊａｐａｎ」第４２巻、２９２４〜３０（１９６９）に開示された手順に従って調製することができる。本発明において有益な他のトリアジン型光酸発生剤は、たとえば、米国特許第５，３６６，８４６号に開示されている。
【００２１】
弱い求核性アニオンを有するオニウム塩は、本発明において光酸発生剤としての使用に特に好適である。かかるアニオンの例は、２価〜７価の金属または非金属（たとえば、アンチモン、錫、鉄、ビスマス、アルミニウム、ガリウム、インジウム、チタン、ジルコニウム、スカンジウム、クロミウム、ハフニウム、銅、ホウ素、燐およびヒ素）のハロゲン錯体アニオンである。好適なオニウム塩の例としては、これらに限定されないが、ジアゾニウム塩、たとえばジアリール−ジアゾニウム塩、ならびに周期表の第ＶＡ属および第ＶＢ属、第ＩＩＡ属および第ＩＩＢ属、および第Ｉ属のオニウム塩、たとえば、ハロニウム塩、たとえばヨードニウム塩、第四アンモニウム、ホスホニウムおよびアルソニウム塩、スルホニウム塩、たとえば、芳香族スルホニウム塩、スルホキソニウム塩またはセレニウム塩が挙げられる。好適なオニウム塩の例は、たとえば、米国特許第４，４４２，１９７号、４，６０３，１０１号、および４，６２４，９１２号に開示されている。トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートおよびその混合物をはじめとするスルホニウム塩が典型的である。
【００２２】
本発明において光酸発生剤として有用であるスルホン化エステルとしては、たとえば、スルホニルオキシケトンが挙げられる。好適なスルホン化エステルには、これらに限定されないが、ベンゾイントシレート、ｔ−ブチルフェニルα−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−アセテート、２，６−ジニトロベンジルトシレートおよびｔ−ブチルα−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−アセテートが含まれる。かかるスルホン化エステルは、たとえば、「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」、第４巻、第３号、３３７〜３４０（１９９１）に開示されている。
【００２３】
使用することができる置換ヒドロキシイミドとしては、たとえば、ｎ−トリフルオロメチルスルホニルオキシ−２，３−ジフェニルマレイミドおよび２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ−２，３−ジフェニルマレイミドが挙げられる。好適な置換ヒドロキシルイミンとしては、たとえば、２−（ニトリロ−２−メチルベンジリデン）−（５−ヒドロキシイミノブチルスルホニル）−チオフェンが挙げられる。本発明において有益であるアジドとしては、たとえば、２，６−（４−アジドベンジリデン）シクロヘキサノンが挙げられる。ナフトキノンには、たとえば、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンの２，１−ジアゾナフトキノン−４−スルホネートエステルを挙げることができる。ジアゾ化合物の中では、１，７−ビス（４−クロロスルホニルフェニル）−４−ジアゾ−３，５−ヘプタンジオンを使用することができる。
【００２４】
本発明において有用な光塩基発生剤は、光への曝露の際に塩基を遊離する任意の化合物または化合物群であってよい。好適な光塩基発生剤としては、これらに限定されないが、ベンジルカルバメート、ベンゾインカルバメート、Ｏ−カルバモイルヒドロキシアミン、Ｏ−カルバモイルオキシム、芳香族スルホンアミド、α−ラクタム、Ｎ−（２−アリルエテニル）アミド、アリールアジド化合物、Ｎ−アリールホルムアミド、４−（オルト−ニトロフェニル）ジヒドロピリジンおよびそれらの組み合わせが挙げられる。
【００２５】
本発明において有用な、溶解度を変更するための光活性成分の量は、ネガ型材料の場合においては、化学線への曝露の際に組成の溶解度を変更し、かつ曝露部分を現像液中に不溶性とするのに十分な任意の量である。光活性成分は、典型的に、組成物中に０．１〜２５重量％、たとえば、０．１〜１２重量％の量で存在する。
【００２６】
前記組成物から形成された構造体の可撓性を改善するための１以上の成分が組成中に存在してもよい。これらの可撓性改良物質は、典型的には、ヒドロキシ、アミノ、チオール、スルホネートエステル、カルボキシレートエステル、シリルエステル、無水物、アジリジン、メチロールメチル、シリルエーテル、エポキシド、オキセタン、ビニルエーテル、シラノールおよびそれらの組み合わせから選択される複数の官能基を含有する。可撓性改良物質において、官能基は、典型的に主鎖物質に結合している。代表的な主鎖物質としては、置換および非置換のアルキルおよびアリール炭化水素類、エーテル、アクリレート、ノボラック、ポリイミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリスルホン、ポリケトン、フラーレン、ＰＯＳＳケイ素、ナノ粒子およびそれらの組み合わせが挙げられる。官能基は、主鎖上の末端基として、および／または主鎖に沿った１以上の位置で存在することができる。
【００２７】
可撓性付与成分の例は、式Ｒ３（ＯＨ）Ｘのポリオールであり、式中Ｒ３は、置換または非置換の（Ｃ２〜Ｃ２５）アルキル、（Ｃ７〜Ｃ２５）アリール、（Ｃ８〜Ｃ２５）アルアルキル、（Ｃ６〜Ｃ２５）シクロアルキルおよびそれらの組み合わせから選択された有機基であり、ｘは２以上であり、かつ炭素原子の数を超えない。ｘが２である場合、可撓性付与成分の例としては、ＨＯＣＨ２−ＣＨＯＨ−（ＣＨ２）ｙ−ＣＨ３（式中ｙは例えば０〜２２であってよい）をはじめとする１，２ジオールであるグリコール、たとえば、プロピレングリコールおよびブチレングルコールが挙げられる。他の例としては、ＨＯ−（ＣＨ２）ｚ−ＯＨをはじめとするα，ω−ジオールが挙げられ、ここで、ｚは、たとえば、２〜２５であり、たとえばエチレングリコール、１，３−プロパンジオールおよび１，４−ブタンジオールが挙げられる。ｘが３のときの例としては、グリセリンおよびトリメチロールプロパンが挙げられる。
【００２８】
また、Ｒ３は、式−Ｏ−（ＣＲ４２）Ｗ−のポリエーテルであってもよく、式中ｗは、たとえば１〜１３であり、Ｒ４は、同一または異なっており、たとえば、Ｈまたは式Ｃ１〜Ｃ１２アルキル、アリール、アルアルキルもしくはシクロアルキルの置換または非置換の有機基であってもよい。可撓性付与成分の例としては、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリブチレンオキシドおよびポリテトラヒドロフランのポリエーテルジオールが挙げられる。
【００２９】
可撓性改良成分は、たとえば、６２〜５０００、たとえば、６２〜２０００の重量平均分子量を有することができる。この成分は、活性化の前および後に乾燥状態において組成物の可撓性を改善するために有効な量で存在する。具体的な量は、たとえば、可撓性改良成分の主鎖および官能基のタイプおよび数に依存する。この成分は、たとえば０．５〜３５重量％、たとえば、２〜２０重量％の量で組成中に存在することができる。
【００３０】
上記の可撓剤に加えて、式（（Ｒ２）２ＳｉＯ）の単位を有するポリマーに関して上述されたものをはじめとするシロキサンを使用することができる。
【００３１】
他の添加物が、組成物中に任意に存在してもよく、たとえば、これらに限定されないが、表面平坦化剤、湿潤剤、消泡剤、接着促進剤、チキソトロープ剤、フィラー、粘性調整剤等が挙げられる。かかる添加物は、コーティング組成物の技術分野においてよく知られている。表面平坦化剤、たとえば、Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から入手可能なＳＩＬＷＥＴ  Ｌ−７６０４シリコーン系油をはじめとするシリコーン系油を、組成物中に使用することができる。１種より多くの添加物を、本発明の組成物中において組み合わせることができると認識される。たとえば、湿潤剤は、チキソトロープ剤と組み合わせることができる。本組成物で使用されるかかる任意の添加物の量は、個々の添加物および所望の効果に依存し、当業者の能力の範囲内である。かかる他の添加物は、典型的に５重量％未満、たとえば２．５重量％未満の量で組成物中に存在する。
【００３２】
本発明の方法において有用な組成物は、任意に１以上の有機架橋剤を含有することができる。架橋剤としては、たとえば、三次元的に組成物の成分を連結する物質が挙げられる。ケイ素含有ポリマーと反応する芳香族または脂肪族の架橋剤は、本発明で使用するのに好適である。かかる有機架橋剤は硬化して、ケイ素含有ポリマーと共に重合したネットワークを形成し、かつ、現像液中での溶解度を低減させる。かかる有機架橋剤は、モノマーまたはポリマーであってもよい。架橋剤の組み合わせを、本発明において成功裏に使用することができることが当業者によって理解される。
【００３３】
本発明において有用な、好適な有機架橋剤としては、これらに限定されないが、アミン含有化合物、エポキシ含有物質、少なくとも２つのビニルエーテル基を含有する化合物、アリル置換芳香族化合物およびそれらの組み合わせが挙げられる。典型的な架橋剤としては、アミン含有化合物およびエポキシ含有物質が挙げられる。
【００３４】
本発明の架橋剤として有用なアミン含有化合物としては、これらに限定されないが、メラミンモノマー、メラミンポリマー、アルキロールメチルメラミン、ベンゾグアナミン樹脂、ベンゾグアナミン−ホルムアルデヒド樹脂、尿素−ホルムアルデヒド樹脂、グリコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂およびそれらの組み合わせが挙げられる。
【００３５】
好適な有機架橋剤濃度は、架橋反応性および組成物の具体的な適用などの要因に応じて変化するであろうことが当業者によって理解される。使用時に、架橋剤（群）は、組成物中に典型的に０．１〜５０重量％、たとえば、０．５〜２５重量％または１〜２０重量％の量で存在する。
【００３６】
組成物は、任意に１以上の溶媒を含有することができる。かかる溶媒は、組成物を処方する際、および基体上に組成物をコーティングする際に助けとなる。種々様々な溶媒を使用することができる。好適な溶媒としては、これらに限定されないが、グリコールエーテル（たとえばエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、およびジプロピレングリコールモノメチルエーテル）、エステル（たとえばメチルセルソルブアセテート、エチルセルソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、二塩基エステル、炭酸エステル（たとえばプロピレンカーボネート）、γ−ブチロラクトン、エステル（たとえば乳酸エチル、酢酸ｎ−アミルおよび酢酸ｎ−ブチル）、アルコール（たとえばｎ−プロパノール、イソ−プロパノール）、ケトン（たとえばシクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトンおよび２−ヘプタノン）、ラクトン（たとえばγ−ブチロラクトンおよびγ−カプロラクトン）、エーテル（たとえばジフェニルエーテルおよびアニソール）、炭化水素（たとえばメシチレン、トルエンおよびキシレン）、複素環化合物（たとえばＮ−メチル−２−ピロリドンおよびＮ，Ｎ’−ジメチルプロピレンウレア）ならびにそれらの混合物が挙げられる。
【００３７】
前記組成物は、ケイ素含有ポリマーおよび他の任意の成分を任意の順序で混合して組み合わせることにより調製することができる。
【００３８】
ポリマー層を、様々な技術、たとえばこれらに限定されないが、スクリーン印刷、カーテンコーティング、ローラーコーティング、スロットコーティング、スピンコーティング、フラッドコーティング、静電気スプレー、スプレーコーティングまたは浸漬コーティング、によって形成することができる。組成物をスプレーコートする場合、加熱されたスプレーガンを任意に使用することができる。組成物の粘性は、粘度調整剤、チキソトロープ剤およびフィラー等による適用する各々の方法の必要条件を満たすように調節することができる。層の厚さは、個々の適用に依存する。しかし、乾燥状態における典型的な厚さは、１〜１００μｍ、たとえば、約１０〜５０μｍである。
【００３９】
コーティングされた基体を、次いで典型的に乾燥させ、実質的にコーティングから溶媒を取り除く。乾燥は、たとえば、赤外線オーブン、コンベクションオーブン、対流／伝導オーブン、真空オーブンなどのオーブン中において、またはホットプレート上で行うことができる。かかる乾燥は、選択された個々の溶媒および乾燥技術に依存し、様々な温度および時間で行うことができる。好適な温度は、存在するいかなる溶媒をも実質的に取り除くために十分な任意の温度である。典型的には、乾燥を、室温（２５℃）〜１７０℃の任意の温度および５秒〜１２０分の時間で行うことができる。オーブンを使用する場合、典型的な時間は、１０〜１２０分であり、およびホットプレートで１０秒〜１０分である。
【００４０】
第１クラッド層４を、基体２（剥離層３を有する、または有しない）上に形成し、コア層６を、第１クラッド層４上に形成する。光画像形成性コア物質の場合には、図１Ｂで示されるように、コア層６を、フォトマスク１０を介して、たとえば、化学線８への曝露によって画像形成する。図１Ｃに示すように、コア層６の未曝露部分は、残存する１以上のコア構造６’を残して、現像除去される。コア層６を、他の技術によって、たとえば、標準リソグラフィーおよびエッチング技術を使用して、パターン形成することができる。かかる場合、フォトレジストが導波路コア層上にコートされ、所望のパターンを含むアートワークを介して曝露することができる。曝露領域（ポジ型フォトレジストの場合）または未曝露領域（ネガ型フォトレジストの場合）は、現像液で洗い流される。パターンが、反応性イオンエッチングをはじめとするエッチングにより導波路コアに転写され、フォトレジストが取り除かれる。図１Ｄに示されるように、コア構造６’の形成に続いて、第２クラッド層１２を第１クラッド層４およびコア構造６’上に形成する。それによって、第１クラッド層４、コア層６および第２クラッド層１２を含む導波路構造１４を形成する。
【００４１】
第１クラッド、コアおよび第２クラッド層の物質を、最終のコア構造の屈折率がクラッドの屈折率より大きくあるべきであるということを理解した上で、独立して選択することができる。これらの層の厚さを、５〜５００μｍの厚さで広く変化させることができ、たとえば、８〜５０μｍが典型的である。シングルモード適用については、６〜１０μｍの厚さが典型的であり、一方、マルチモード適用については、４０〜６０μｍの厚みが典型的である。
【００４２】
図１Ｅで示されるように、導波路構造１４を、次いで基体２から分離する。これは、たとえば、ガラス基体と、シルセスキオキサン系導波路との場合には、基体２から導波路構造１４の分離を引き起こすのに効果的な温度および時間で、図１Ｄで示される構造を加熱された脱イオン水の浴中に浸漬することによって達成することができる。温度および時間は、使用される個々の導波路および基体物質に依存するであろうが、３０〜１００℃の水温、および６０〜１２０分の時間が典型的である。分離後、導波路構造は、浴から取り出され、たとえば、１１０℃で１５分間オーブン中で加熱することにより乾燥させて、存在する任意の液体を取り除く。
【００４３】
また、たとえば銅箔基体の場合には、基体の除去を、エッチングによって行うことができる。好適なエッチング液としては、たとえば、１％塩酸、１％硫酸、塩化第二銅、硫黄過酸化物が挙げられる。
【００４４】
剥離層が、基体２と導波路構造１４との間で使用される場合、分離技術は、導波路クラッドおよび剥離層物質に依存するであろう。ある種の剥離層、たとえば、ポリエチレンテレフタレート、熱的または光化学的に硬化されたシリコーン剥離層、ポリ（テトラフルオロエチレン）、プロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリシロキサンおよびポリアミド、についての分離は、液体メディアを使用せずに、単に、剥離層および基体から導波路をはがすことにより行うことができる。導波路構造の処理を支持するのに機械的に十分な場合は、基体として唯一剥離層のみを使用することができる。一般に、作業条件に耐えることができ、完成時に、導波路物質を容易に除去することが可能な任意の基体を使用することができる。
【００４５】
図１を参照して上述された導波路形成および分離プロセス、または分離までのプロセスを、クリーンな環境、たとえば、クラス１０００以上にクリーンな環境であって、プリント回路板基体が作製されている微粒子雰囲気から分離された環境において、有利に行うことができる。その結果、光学的ロス指数およびパターン欠陥をはじめとする導波路性能に対する汚染物に関連する影響を、最小限にしまたは取り除くことができる。その後、完成した導波路構造を、プリント回路板の組立てのために、プリント回路板作製領域に持ち込むことができる。  
【００４６】
図２Ａにおいて示されるように、プリント回路板基体１８を提供する。プリント回路板基体は、典型的には、一連のエポキシ樹脂と銅層を含む積層シートであり、その上に、エッチングされた電子回路、導電性トレースおよび電子部品を形成し、あるいは片側もしくは両側に形成する。基板の設計に応じて、導波路構造を、基板の作製プロセスにおける初期または後の段階で基板に組み込むことができる。
【００４７】
上述された導波路構造１４を、図２Ｃに示すように、プリント回路板基体１８に接触させ、固定する。その前に、接着剤２０、たとえば、エポキシ、アクリル、シリコーン、ゴム、ＡＢＳ、スチレン／ブタジエン、ポリイソブチレン、ポリイソプレン等を、図２Ｂに示すように、導波路１４およびプリント回路板基体１８の、接触表面の一方または両方に適用することができる。使用する接着剤に応じて、更なるプロセス、たとえば、加熱硬化、光硬化または溶媒を取り除くための乾燥を採用することができる。２つの構造体は、他の技術を使用して固定することができ、たとえば、熱および圧力による積層化；または部分的に硬化され粘着性のある第２クラッド層を使用し、接着剤層として第２クラッド層を使用して、基体に導波路構造を取り付けることが挙げられる。
【００４８】
プリント回路板基体１８への導波路構造１４の取り付けに続いて、プリント回路板をさらに処理することができる。たとえば、１以上の誘電体および／または金属層を、導波路構造１４上に形成して、シグナルルーティングのための金属化構造を形成することができる。光検出器またはレーザー放射装置をはじめとするオプトエレクトロニクス装置（たとえば、ＶＣＳＥＬチップ）を電気的に接続することも、この段階で行うことができる。「Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ」、第５版、マグローヒル（２００１）に記載される技術をはじめとする公知の技術を用いて、プリント回路板は完成まで処理される。
【００４９】
本発明の更なる代表的な態様は、残りの図面を参照して記載される。注記がある場合を除いて、先の記載は、更なる代表的な態様にも適用する。
【００５０】
図３は、本発明に従う更なる代表的な方法を示す。このプロセスは、導波路構造１４が部分的に形成される点で、図１を参照して上述されたものとは異なる。導波路構造は、第１クラッド層４および上述されるように形成された導波路コア構造６’を含む。導波路構造１４を、第１クラッド層４およびコア６’の形成後に基体２から分離する。図４Ａを参照すると、第２クラッド層１２を、プリント回路板基体１８の表面上に形成する。この態様では、第２クラッド層１２は、導波路構造１４のコア構造６’が、適用される圧力でそこに挿入することができるような粘性を有する必要がある。これは、第２のクラッド物質の部分的な乾燥により達成することができる。図４Ｂに示されるように、コアが回路板基体１８および第２クラッド層１２に面する状態で、コア構造６’が、たとえば積層化によって、第２クラッド層１２中へ接触し、押しつけられる。第２のクラッドの硬化は、加熱によってなすことができる。
【００５１】
図５、６は、本発明の更なる代表的な態様を示し、コア構造６’を、基体上に最初に形成し、図５Ａ〜Ｂで示されるように、クラッド層１２を基体２およびコア構造６’上に形成する。導波路構造１４を、図５Ｃで示されるように、基体から分離する。図６Ａを参照すると、クラッド層４をプリント回路板基体上に形成する。図６Ｂで示すように、コアの露出した部分が回路板基体１８およびクラッド層４に面するように、導波路構造１４をプリント回路板上のクラッド層４と接触させる。クラッド層４に導波路構造１４を固定させることは、熱および圧力による積層化などの技術によって行うことができる。
【００５２】
先の代表的な態様が、プリント回路板基体の一方の表面へ取り付けられた光導波路構造を示すが、複数の導波路構造が、基体の同じ側上および／または反対側上で、それらに取り付けられ得ることは明らかである。図７は、光導波路１４を基体の相対する面上に組み込むプリント回路板１８を示す。かかる構造は、光学相互接続の密度の増加を可能にする。
【００５３】
以下の机上の実施例は、本発明の種々の態様をさらに示すことが意図されるが、いかなる態様にも本発明の範囲を限定することを意図するものではない。
【実施例】
【００５４】
実施例１
Ａ．導波路形成
クラッド（１）形成
第１クラッド層の組成物を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート３９．８重量％、フェニル−メチルシルセスキオキサン（５０：５０）４９．９９重量％、ポリテトラヒドロフラン１０重量％、アミンブロック化ｐ−トルエンスルホン酸０．２重量％およびＤＯＷ  ＳＩＬＷＥＴ  Ｌ−７６０４シリコーン系油０．０１重量％を混合物として組み合わせることによって形成する。組成物を、ガラス基体上にローラーコートし、９０℃で１５分間、強制空気オーブン中においてソフトベークし、１５μｍの厚さにし、次いで１８０°Ｃで６０分間、強制空気オーブン中でハードベークする。
【００５５】
コア形成
コア層組成物を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４５重量％、フェニル−メチルシルセスキオキサン（５０：５０）４９重量％、ポリジフェニルシロキサン５重量％、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート０．９９重量％およびＤＯＷ  ＳＩＬＷＥＴ  Ｌ−７６０４シリコーン系油０．０１重量％を混合物として組み合わせることにより形成する。組成物を、第１クラッド層上にローラーコートし、９０℃で１０分間、強制空気オーブン中でソフトベークして５０μｍの厚さにする。コア構造を定めるアートワークを、コア層上に直接設置する。アートワークは、様々な寸法および形状の導波路（たとえば、長さ２〜１４ｃｍおよび幅２５〜７５μｍの線形、分枝および曲線形状の導波路）の形成のためのパターンを含む。８００ｍＪ／ｃｍ２の化学線を、当該構成物に適用し、次いで１５分間、９０℃で強制空気オーブン中での曝露後ベークを行う。曝露された基体を、０．７Ｎの水酸化ナトリウム現像液中に浸漬し、２分間、３８℃で保持する。基体を脱イオン水中ですすぎ、乾燥させる。層を１８０℃で６０分間、強制空気オーブン中でベークする。
【００５６】
クラッド（２）形成
ソフトベーク後の第２クラッド層の厚さが７０μｍであることを除いて、第１クラッド層の形成において使用されたのと同じ組成および手順を使用して、第２クラッド層を、コア構造および第１クラッド層上に形成する。それによって、光導波路を形成する。
【００５７】
導波路分離  
基体を、９９℃で３０分間、脱イオン水の浴中へ浸漬し、導波路構造を基体から分離する。導波路構造を浴から取り出し、９５℃で３０分間オーブン中において乾燥させる。
【００５８】
Ｂ．プリント回路板形成
エポキシプレプレグで層状化し、積層化することを含む標準積層化法によって調製される、銅回路の２つの内層およびプリント回路の２つの外層を有する多層銅ベース回路板を提供する。該回路板は、その表面上に、導波路構造が接合される領域を有する。シリコーン接着剤を、回路板の接合領域上にコートする。導波路構造を接着剤上に押しつけ、接着剤を５０℃で３０分間、硬化させる。導波路および回路板にスルーホールを開ける。銅を回路板上にメッキする。テンタブルフォトレジスト（ｔｅｎｔａｂｌｅ  ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）を基板表面に適用し、フォトマスクを介して露光し、現像して、金属トレースおよびメッキされたスルーホールを定めるためのマスクを形成する。銅をエッチングして、銅トレースおよびメッキされたスルーホールを形成し、フォトレジストマスクを取り除く。
【００５９】
実施例２
Ａ．導波路形成
クラッド（１）形成
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート３９．８重量％、フェニル−メチルシルセスキオキサン（３３：６７）４９．９９重量％、ブタンジオールジグリシジルエーテル１０重量％、アミンブロック化ｐ−トルエンスルホン酸０．２重量％およびＤＯＷ  ＳＩＬＷＥＴ  Ｌ−７６０４シリコーン系油０．０１重量％の混合物で、ステンレス鋼基体をカーテンコーティングすることにより、第１クラッド層を形成する。該組成物を、９０℃で１５分間、強制空気オーブン中においてソフトベークして１０μｍの厚さにする。当該組成物を、１８０℃で６０分間、強制空気オーブン中においてハードベークする。
【００６０】
コア形成
コア層組成物を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４５重量％、フェニル−メチル−ジメチルシルセスキオキサン（４８：４８：４）４９重量％、ポリジフェニルシロキサン５重量％、トリフェニルスルホニウムトリフレート０．９９重量％およびＤＯＷ  ＳＩＬＷＥＴ  Ｌ−７６０４シリコーン系油０．０１重量％を混合物として組み合わせることにより形成する。組成物を、第１クラッド層上にカーテンコートし、９０℃で１０分間、強制空気オーブン中においてソフトベークして５０μｍの厚さにする。適用する化学線が５００ｍＪ／ｃｍ２であることを除いて、実施例１の記載と同様のアートワークおよびその後の処理を使用して、コア構造を形成する。
【００６１】
クラッド（２）形成
ソフトベーク後の第２クラッド層の厚さが７０μｍであることを除いて、第１クラッド層の形成において使用されたのと同じ組成物および手順を使用して、第２クラッド層を、コア構造および第１クラッド層上に形成する。それによって、光導波路を形成する。
【００６２】
導波路分離  
基体を、１０分間、５０℃で脱イオン水の浴中へ浸漬し、導波路構造を基体から分離する。導波路構造を浴から取り出し、９５℃で３０分間、オーブン中において乾燥させる。
【００６３】
Ｂ．プリント回路板形成
アクリル接着剤をシリコーン接着剤の代わりに使用し、接着剤を１０００ｍＪ／ｃｍ２の化学線に曝露することによって硬化させることを除いて、実施例１の記載と同様に多層銅ベース回路板を調製する。
【００６４】
実施例３
Ａ．導波路形成
剥離層形成
３μｍの厚みのエポキシ−ポリシロキサン層を、ローラーコーティングによって銅クラッドパネル上に形成し、１００℃で１５分間硬化して剥離層を形成する。
【００６５】
クラッド（１）形成
第１クラッド層を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４４．８重量％、フェニル−メチルシルセスキオキサン（３３：６７）４９．９９重量％、ポリカプロラクトン５重量％、アミンブロック化ｐ−トルエンスルホン酸０．２重量％およびＤＯＷ  ＳＩＬＷＥＴ  Ｌ−７６０４シリコーン系油０．０１重量％を混合した組成物をローラーコートすることによって、剥離層上に形成する。組成物を、９０℃で１５分間、強制空気オーブン中においてソフトベークして１０μｍの厚さにする。当該組成物を、１８０℃で６０分間、強制空気オーブン中においてハードベークする。
【００６６】
コア形成
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４５重量％、フェニル−メチル−ジメチルシルセスキオキサン（４９：４９：２）４９重量％、ポリジフェニルシロキサン５重量％、トリフェニルスルホニウムトリフレート０．９９重量％およびＤＯＷ  ＳＩＬＷＥＴ  Ｌ−７６０４シリコーン系油０．０１重量％を混合物として組み合わせることにより形成される組成物を使用し、５００ｍＪ／ｃｍ２の化学線でコア層を曝露することを除いて、実施例１の記載と同様に第１クラッド層上にコア構造を形成する。
【００６７】
クラッド（２）形成
ソフトベーク後の第２クラッド層の厚さが７０μｍであることを除いて、第１クラッド層の形成において使用されたのと同じ組成物および手順を使用して、第２クラッド層を、コア構造および第１クラッド層上に形成する。それによって、光導波路を形成する。
【００６８】
導波路分離  
導波路をピーリングによって剥離層および基板から取り除く。
【００６９】
Ｂ．プリント回路板形成
ＵＶ硬化性シリコーン接着剤をシリコーン接着剤の代わりに使用し、接着剤を１０００ｍＪ／ｃｍ２の化学線に曝露することによって硬化させることを除いて、実施例１の記載と同様に多層銅ベース回路板を調製する。それによって、図１〜２に示されるような構造を形成する。
【００７０】
実施例４
Ａ．導波路形成
クラッド形成
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート３９．８重量％、フェニル−メチルシルセスキオキサン（３３：６７）４９．９９重量％、ブタンジオールジグリシジルエーテル１０重量％、アミンブロック化ｐ−トルエンスルホン酸０．２重量％およびＤＯＷ  ＳＩＬＷＥＴ  Ｌ−７６０４シリコーン系油０．０１重量％の混合物で、ステンレス鋼基体をカーテンコーティングすることによって、第１クラッド層を形成する。組成物を、９０℃で１５分間、強制空気オーブン中においてソフトベークして１０μｍの厚さにする。当該組成物を、１８０℃で６０分間、強制空気オーブンの中でハードベークする。
【００７１】
コア形成および導波路分離
コア構造を、第１クラッド層上に形成し、導波路構造を実施例２に記載されるように基体から分離し、処理する。
【００７２】
Ｂ．プリント回路板形成
エポキシプレプレグで層状化し、積層化することを含む標準積層化法によって調製される銅回路の２つの内層およびプリント回路の２つの外層を有する多層銅ベース回路板を提供する。回路板は、その表面上に導波路構造が接合される領域を有する。回路板の接合領域を、第１クラッド層の形成において使用されたのと同じクラッド物質でローラーコートして、第２クラッド層を生成する。９０℃で１０分間、強制空気オーブン中において第２クラッド層をソフトベークして８０μｍの厚さにする。分離された導波路構造のコア構造は、回路板上の第２クラッド層に接して配置され、コア構造は、２０ｐｓｉの圧力下でクラッドに押しつけられる。全体構造を、１８０℃で６０分間、強制空気オーブン中において硬化させる。導波路および回路板にスルーホールを開ける。銅を回路板上にメッキする。テンタブルフォトレジストを基板表面に適用し、フォトマスクを介して露光し、現像して、金属トレースおよびメッキされたスルーホールを定めるためのマスクを形成する。銅をエッチングして、銅トレースおよびメッキされたスルーホールを形成し、フォトレジストマスクを取り除く。このようにして、図３〜４において示されるような構造を形成する。
【００７３】
実施例５
Ａ．導波路形成
コア形成
ステンレス鋼基体上に形成することを除いて、実施例２に記載された材料と手順を用いて、コア構造を形成する。
【００７４】
クラッド形成および導波路分離
実施例２（クラッド（２）形成および導波路分離）に記載された物質と手順を使用して、基体から分離されたコア構造および結果生じる導波路構造の上にクラッド層を形成する。
【００７５】
Ｂ．プリント回路板形成
エポキシプレプレグで層状化し、積層化することを含む標準積層化法によって調製される銅回路の２つの内層およびプリント回路の２つの外層を有する多層銅ベース回路板を提供する。回路板は、その表面に導波路構造が接合される領域を有する。回路板の接合領域を、第１クラッド層の形成において使用されたのと同じクラッド物質でローラーコートして、第２クラッド層を生成する。第２クラッド層を９０℃で１０分間、強制空気オーブン中でソフトベークして１５μｍの厚さにする。回路板に面するように、コア構造の部分が露出した状態で、導波路構造を、回路板上のクラッド層に接して配置し、２０ｐｓｉの圧力下で１００℃でクラッドに対して押しつける。全体構造を、１８０℃で６０分間、強制空気オーブン中において硬化させる。導波路および回路板にスルーホールを開ける。銅を回路板上にメッキする。テンタブルフォトレジストを基板表面に適用し、フォトマスクを介して露光し、現像して、金属トレースおよびメッキされたスルーホールを定めるためのマスクを形成する。銅をエッチングして、銅トレースおよびメッキされたスルーホールを形成し、フォトレジストマスクを取り除く。このようにして、図５〜６で示されるような構造を形成する。
【００７６】
実施例６〜１０
実施例１〜５において調製された導波路を、それぞれ、各実施例に記載されたのと同じ手順を使用して、多層回路板の両側に適用する。このようにして、図７に示されるような構造を形成する。
【００７７】
本発明の特定の実施例を参照して本発明を詳細に記載しているが、特許請求の範囲の適用範囲を逸脱することなく、様々な変更および修正をなすことができ、均等物を用いることができることが当業者にとって明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】図１のＡ〜Ｅは、本発明による形成の様々な段階における、光導波路を示す。
【図２】図２のＡ〜Ｃは、本発明による形成の様々な段階における、図１の光導波路を組み込むプリント回路板を示す。
【図３】図３のＡ、Ｂは、本発明の更なる態様による形成の様々な段階における、光導波路を示す。
【図４】図４のＡ、Ｂは、本発明による形成の様々な段階における、図３の光導波路を組み込むプリント回路板を示す。
【図５】図５のＡ〜Ｃは、本発明の更なる態様による形成の様々な段階における、光導波路を示す。
【図６】図６のＡ、Ｂは、本発明による形成の様々な段階における、図５の光導波路を組み込むプリント回路板を示す。
【図７】図７のは、本発明の更なる態様による光導波路を組み込むプリント回路板を示す。
【符号の説明】
【００７９】
２      基体
３      剥離層
４      第１クラッド層
６      コア層
６’    コア構造
８      化学線
１０    フォトマスク
１２    第２クラッド層
１４    導波路構造
１８    プリント回路板基体
２０    接着剤
【図１】
2006072352.tif 000003
【図２】
2006072352.tif 000004
【図３】
2006072352.tif 000005
【図４】
2006072352.tif 000006
【図５】
2006072352.tif 000007
【図６】
2006072352.tif 000008
【図７】
2006072352.tif 000009
【外国語明細書】
2006072352000001.pdf
2006072352000002.pdf
2006072352000003.pdf
2006072352000004.pdf