(57)【要約】【課題】ワイヤ高さの低い半導体装置を提供する。【解決手段】下段面電極７を有する基板６と、基板６に固定され上段面電極８を有する上段半導体チップ４と、下段面電極７の上方に設けられた下段くさび電極３４と、上段面電極８の上に設けられた上段バンプ２ａと、上段バンプ２ａの上に設けられた上段くさび電極３５と、下段くさび電極３４と上段くさび電極３５を接続するワイヤ１ｃを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下段面電極を有する基板と、
前記基板に固定され、上段面電極を有する上段半導体チップと、
前記下段面電極の上方に設けられた下段くさび電極と、
前記上段面電極の上に設けられた上段バンプと、
前記上段バンプの上に設けられた上段くさび電極と、
前記下段くさび電極と前記上段くさび電極を接続するワイヤを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記下段くさび電極と前記上段くさび電極は、前記ワイヤが太さ方向につぶれた形状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記下段面電極と前記下段くさび電極との間に設けられる下段バンプをさらに有し、
前記基板が下段半導体チップであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
キャピラリの先端面から出た金属線の先端に金属ボールを形成し、
前記先端面で前記金属ボールを半導体チップの電極に圧着させ、
前記キャピラリを移動させ前記金属線を前記先端面から繰り出し、
クランパで前記金属線を固定したまま、前記キャピラリを第１方向に移動させ、前記金属線を前記先端面の下方に配置したまま切断し、
前記先端面で前記金属線を前記金属ボールに圧着させ、
前記先端面で前記金属線を前記半導体チップを固定している基板の電極に圧着させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１方向が、前記半導体チップの電極から前記基板の電極への第２方向と、前記第２方向とは逆の第３方向のどちらかであり、
前記第２方向であれば、前記金属線を前記金属ボールに圧着させてから、前記金属線を前記基板の電極に圧着させ、
前記第３方向であれば、前記金属線を前記基板の電極に圧着させてから、前記金属線を前記金属ボールに圧着させることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップと半導体チップに接続する金属線を有する半導体装置とこの半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属線を半導体チップに接続する従来のワイヤボンディング方法は、金属細線の先端を放電加熱によって溶融させて、金属細線の先端に金属ボールを形成し、この金属ボールをバンプとして半導体チップの電極に、超音波、熱や荷重を利用して接合させている。この場合、金属細線がワイヤとしてバンプから垂直に立ち上がるために、ワイヤが描くループの半導体チップの接合面からの最高点での高さであるワイヤ高さが１００〜２００μｍに達する。
【０００３】
近年、半導体パッケージの薄型化が進んでおり、このワイヤ高さも低く抑える必要が生じている。特にチップスタックタイプのパッケージでは、下段半導体チップ上に更に上段半導体チップが搭載されるためワイヤと上段半導体チップの裏面が接触しないように、ワイヤ高さを低くする必要がある。
【０００４】
ワイヤ高さを低くするために、インナーリードから半導体チップの電極にワイヤを結線する方法いわゆる逆ボンディング方式を採用して、半導体チップ上のワイヤの垂直な立ち上がりをなくしている（例えば、特許文献１参照。）。逆ボンディング方式をする場合、半導体チップの電極上で金属細線をキャピラリにて潰すことで、金属細線を半導体チップの電極に接続させなければならない。金属細線を潰す際に、電極下の絶縁膜を破壊するなどのダメージが生ずる場合があった。このダメージを解消するために、あらかじめ電極上に金属細線の先端に形成される金属ボールを用いてスタッドバンプ（ＳｔｕｄＢｕｍｐ）を形成しておき、このスタッドバンプの上に第２ボンディングを実施している。この場合、半導体チップの厚さが薄くなったりした際に、第１ボンディングにおいてワイヤは垂直に立ち上がっているので、この垂直な立ち上がりによって、ワイヤ高さを低くすることができなくなると考えられた。
【特許文献１】特開平５−１６０１９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ワイヤ高さの低い半導体装置を提供することにある。
【０００６】
また、本発明の目的は、ワイヤ高さの低い半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題点を解決するための本発明の一態様に係る半導体装置は、下段面電極を有する基板と、この基板に固定され上段面電極を有する上段半導体チップと、下段面電極の上方に設けられた下段くさび電極と、上段面電極の上に設けられた上段バンプと、上段バンプの上に設けられた上段くさび電極と、下段くさび電極と上段くさび電極を接続するワイヤを有することを特徴としている。
【０００８】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、キャピラリの先端面から出た金属線の先端に金属ボールを形成し、キャピラリの先端面で金属ボールを半導体チップの電極に圧着させ、キャピラリを移動させ金属線をキャピラリの先端面から繰り出し、クランパで金属線を固定したままキャピラリを第１方向に移動させ金属線をキャピラリの先端面の下方に配置したまま切断し、キャピラリの先端面で金属線を金属ボールに圧着させ、キャピラリの先端面で金属線を半導体チップを固定している基板の電極に圧着させることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
以上説明したように、本発明の一態様に係る半導体装置およびその製造方法によれば、ワイヤ高さの低い半導体装置を提供できる。また、ワイヤ高さの低い半導体装置の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下では本発明の実施形態を図面に基づいて説明するが、図解のためだけであり、本発明はそれらの図面に限定されるものではない。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。
【実施例１】
【００１１】
図１と図２に示すように、実施例１に係る半導体装置は、基板６と半導体チップ４、１５、１６を有している。半導体チップ４は基板６の上に設けられ、基板６に固定されている。半導体チップ１５は半導体チップ４の上に設けられ、半導体チップ４に固定されている。半導体チップ１６は半導体チップ１５の上に設けられ、半導体チップ１５に固定されている。
【００１２】
基板６はインナーリード７を有している。半導体チップ４は、半導体チップ１６の下方に設けられたパッド８を有している。くさび状の電極であるウェッジ３４がインナーリード７の上に設けられている。バンプ３２はパッド８の上に設けられている。バンプ３２は、バンプ下部２ａを有している。くさび状の電極であるウェッジ３５がバンプ３２の上に設けられている。ワイヤ１ｃはウェッジ３４とウェッジ３５の間を接続している。ウェッジ３４とウェッジ３５は、ワイヤ１ｃを太さ方向につぶした形状をしている。これらのことから、ウェッジ３５から立ち上がるワイヤ１ｃの方向の半導体チップ４の表面からの仰角を鋭角に設定することができる。また、ウェッジ３４から立ち上がるワイヤ１ｃの方向の基板６の表面からの仰角を鋭角に設定することができる。そして、これらの仰角を小さくすることでワイヤ高さを低くすることができる。半導体チップ１５の厚さが薄くなっても、ワイヤ高さを低くすることができるので、ワイヤ１ｃは半導体チップ１６の裏面に接することはない。
【００１３】
同様に、基板６はインナーリード２０を有している。半導体チップ１６はパッド１７を有している。くさび状の電極であるウェッジ３３がインナーリード２０の上に設けられている。バンプ１８はパッド１７の上に設けられている。くさび状の電極であるウェッジ３６がバンプ１８の上に設けられている。ワイヤ１９はウェッジ３３とウェッジ３６の間を接続している。ウェッジ３３とウェッジ３６は、ワイヤ１９を太さ方向につぶした形状をしている。これらのことから、ウェッジ３６から立ち上がるワイヤ１９の方向の半導体チップ１６の表面からの仰角を鋭角に設定することができる。また、ウェッジ３３から立ち上がるワイヤ１９の方向の基板６の表面からの仰角を鋭角に設定することができる。そして、これらの仰角を小さくすることでワイヤ高さを低くすることができる。
【００１４】
また、同様に、半導体チップ４はパッド２４を有している。半導体チップ１６はパッド２１を有している。バンプ２５はパッド２４の上に設けられている。くさび状の電極であるウェッジ４０がバンプ２５の上に設けられている。バンプ２２はパッド２１の上に設けられている。くさび状の電極であるウェッジ３７がバンプ２２の上に設けられている。ワイヤ２３はウェッジ３７とウェッジ４０の間を接続している。ウェッジ３７とウェッジ４０は、ワイヤ２３を太さ方向につぶした形状をしている。これらのことから、ウェッジ３７から立ち上がるワイヤ２３の方向の半導体チップ１６の表面からの仰角を鋭角に設定することができる。また、ウェッジ４０から立ち上がるワイヤ２３の方向の半導体チップ４の表面からの仰角を鋭角に設定することができる。そして、これらの仰角を小さくすることでワイヤ高さを低くすることができる。
【００１５】
また、同様に、半導体チップ１５はパッド２９を有している。半導体チップ１６はパッド２７を有している。バンプ３０はパッド２９の上に設けられている。くさび状の電極であるウェッジ３９がバンプ３０の上に設けられている。バンプ２８はパッド２７の上に設けられている。くさび状の電極であるウェッジ３８がバンプ２８の上に設けられている。ワイヤ３１はウェッジ３８とウェッジ３９の間を接続している。ウェッジ３８とウェッジ３９は、ワイヤ３１を太さ方向につぶした形状をしている。これらのことから、ウェッジ３８から立ち上がるワイヤ３１の方向の半導体チップ１６の表面からの仰角を鋭角に設定することができる。また、ウェッジ３９から立ち上がるワイヤ３１の方向の半導体チップ１５の表面からの仰角を鋭角に設定することができる。そして、これらの仰角を小さくすることでワイヤ高さを低くすることができる。ワイヤ２３のワイヤ高さが低くなっても、ワイヤ３１のワイヤ高さも低くすることができるので、ワイヤ３１はワイヤ２３に接することはない。
【００１６】
図３と図４に示すように、バンプ３２は、バンプ下部２ａと、バンプ上部２ｂと、バンプからはみ出した金属細線１ｂを有している。バンプ下部２ａの形状、特に上面の形状はキャピラリの先端面の押し型である。バンプ上部２ｂの形状は、キャピラリの内側の筒内部の押し型である。バンプからはみ出した金属細線１ｂの先端は、ワイヤ１の方向を向いている。ウェッジ３５には、キャピラリの先端面の押し型がある。キャピラリの先端面の外周の圧痕９と内周の圧痕１０の円弧の中心は、圧痕９、１０に対してワイヤ１側に存在している。ウェッジ３５のワイヤ１と圧痕９の間がくさび形状をしている。くさび形状の上面と下面がほぼ半導体チップ４の表面と平行になっているので、ワイヤ１の仰角を小さくすることができる。なお、ウェッジ３５には、キャピラリからはみ出した金属細線１ａが付いている。
【００１７】
図５と図６に示すように、ウェッジ３４には、キャピラリの先端面の押し型がある。キャピラリの先端面の外周の圧痕１２と内周の圧痕１３の円弧の中心は、圧痕１２、１３に対してワイヤ１ｃ側の反対側に存在している。ウェッジ３４のワイヤ１ｃと圧痕１３の間が、特にワイヤ１ｃと圧痕１２の間がくさび形状をしている。くさび形状の下面が基板６の表面と平行になっているので、ワイヤ１ｃの仰角を小さくすることができる。
【００１８】
次に、実施例１に係る半導体装置の製造方法を説明する。
【００１９】
まず、図７に示すように、キャピラリ３の先端面から出た金属線１の先端に金属ボール２を形成する。
【００２０】
図８に示すように、キャピラリ３の先端面で金属ボール２を半導体チップ４のパッド電極８に圧着させる。このことによりバンプ２ａ、２ｂが形成される。
【００２１】
図９に示すように、キャピラリ３をある高さまで上昇させ、金属線１をキャピラリ３の先端面から繰り出す。ある高さとは、図１０で説明するように金属線１を繰り出しながら金属線１を断線させることなくキャピラリ３を半導体チップ４の表面と平行に移動させることができる高さ以上の高さのことである。
【００２２】
図１０に示すように、金属線１をキャピラリ３の先端面から繰り出しながら、半導体チップ４の表面と平行に、パッド電極８からインナーリード７へ向かう方向に移動させる。
【００２３】
図１１に示すように、クランパ５で金属線１を固定する。クランパ５で金属線１を固定したまま、キャピラリ３を、さらに、パッド電極８からインナーリード７へ向かう方向に移動させる。金属線１は折れ曲がり、キャピラリ３の先端面の下方に配置される。そして、金属線１は、キャピラリ３の先端面の下方に配置された配線部よりもバンプ２ａ、２ｂよりの配線部において切断される。したがって、金属細線１ａは、キャピラリ３からわずかにはみ出し、キャピラリ３の先端面に沿うように折れ曲がっている。キャピラリ３からはみ出した金属細線１ａの先端は、パッド電極８からインナーリード７へ向かう方向とは反対の方向を向いている。また、バンプ２ａ、２ｂからはみ出した金属細線１ｂの先端は、パッド電極８からインナーリード７へ向かう方向を向いている。なお、金属線１の切断箇所がバンプ２ａ、２ｂの近傍になるのは、図７の金属ボール２を形成した際に、金属ボール２と金属ボール２近傍の金属線１が再結晶化し、金属ボール２と金属ボール２近傍の金属線１の硬度が低下しているからと考えられる。
【００２４】
図１２に示すように、バンプ２ａ、２ｂ、１ｂの直上に、キャピラリ３からはみ出した金属細線１ａと、キャピラリ３の先端面がくるように、キャピラリ３を移動する。
【００２５】
図１３に示すように、キャピラリ３を降下させ、キャピラリ３の先端面で金属線１ａをバンプ２ａ、２ｂ、１ｂに圧着させる。金属線１ａとバンプ２ａ、２ｂ、１ｂは接合する。金属線１ａがキャピラリ３で潰され、ウェッジ３５が形成される。
【００２６】
図１４に示すように、キャピラリ３を上昇させながら、パッド電極８からインナーリード７へ向かう方向へ移動させる。キャピラリ３を、金属線１のループがワイヤ高さが低い適切なループ形状となるような軌跡にそって移動させる。
【００２７】
図１５に示すように、キャピラリ３の先端面で金属線１ｃをインナーリード７に圧着させる。金属線１ｃがキャピラリ３で潰され、ウェッジ３４が形成される。金属線１ｃとインナーリード７は接合する。
【００２８】
なお、図１のワイヤ１９等については、上記の金属線１ｃ等と同様に形成することができる。また、ワイヤ２３と３１については、実施例１の半導体装置の製造方法に先立ち、バンプ３０と２５として、スタッドバンプを形成すればよい。以下は、実施例１の製造方法と同様に実施することができる。すなわち、最終的にはインナーリード７の上の換わりに、バンプ３０、２５の上に、ウェッジ３９、４０が形成されことになる。
【００２９】
実施例１によれば、薄型パッケージのワイヤボンディングにおいて、高速でかつワイヤ高さの低い半導体パッケージが製造可能となる。
【実施例２】
【００３０】
図１６乃至図２０に示すように、実施例２に係る半導体装置は、図１乃至図６の実施例１の半導体装置と比較して、図１６のウェッジ４１と４２の形状が図１のウェッジ３３乃至４０の形状と異なっている。以下では、代表として、ワイヤ１ｃに共に接続するが、図１のウェッジ３５、３４とは形状が異なることとなった図１６のウェッジ４２、４１について説明する。
【００３１】
図１６に示すように、基板６はインナーリード７を有している。半導体チップ４はパッド８を有している。くさび状の電極であるウェッジ４１がインナーリード７の上に設けられている。バンプ２ａ、２ｂはパッド８の上に設けられている。くさび状の電極であるウェッジ４２がバンプ２ａ、２ｂの上に設けられている。ワイヤ１ｃはウェッジ４２とウェッジ４１の間を接続している。ウェッジ４２とウェッジ４１は、ワイヤ１ｃを太さ方向につぶした形状をしている。これらのことから、ウェッジ４２から立ち上がるワイヤ１ｃの方向の半導体チップ４の表面からの仰角を鋭角に設定することができる。また、ウェッジ４１から立ち上がるワイヤ１ｃの方向の基板６の表面からの仰角を鋭角に設定することができる。そして、これらの仰角を小さくすることでワイヤ高さを低くすることができる。
【００３２】
図１７と図１８に示すように、バンプは、バンプ下部２ａと、バンプ上部２ｂと、バンプからはみ出した金属細線１ｂを有している。バンプ下部２ａの形状、特に上面の形状はキャピラリの先端面の押し型である。バンプ上部２ｂの形状は、キャピラリの内側の筒内部の押し型である。バンプからはみ出した金属細線１ｂの先端は、ワイヤ１ｃの方向と反対の方向を向いている。ウェッジ４２には、キャピラリ３の先端面の押し型がある。キャピラリ３の先端面の外周の圧痕４３と内周の圧痕４４の円弧の中心は、圧痕４３、４４に対してワイヤ１ｃ側とは反対の側に存在している。ウェッジ４２のワイヤ１ｃと圧痕４４の間がくさび形状をしている。くさび形状の上面と下面がほぼ半導体チップ４の表面と平行になっているので、ワイヤ１ｃの仰角を小さくすることができる。
【００３３】
図１９と図２０に示すように、ウェッジ４１には、キャピラリ３の先端面の押し型がある。キャピラリ３の先端面の外周の圧痕４５と内周の圧痕４６の円弧の中心は、圧痕４５、４６に対してワイヤ１ｃ側に存在している。ウェッジ４１のワイヤ１ｃと圧痕４５の間が、特にワイヤ１ｃと圧痕４６の間がくさび形状をしている。くさび形状の下面が基板６の表面と平行になっているので、ワイヤ１ｃの仰角を小さくすることができる。
【００３４】
次に、実施例２に係る半導体装置の製造方法を説明する。まず、実施例１の半導体装置の製造方法と同様に図７乃至図９に相当する工程を実施する。
【００３５】
次に、図２１に示すように、金属線１をキャピラリ３の先端面から繰り出しながら、半導体チップ４の表面と平行に、パッド電極８からインナーリード７へ向かう方向とは反対の方向に移動させる。
【００３６】
図２２に示すように、クランパ５で金属線１を固定する。クランパ５で金属線１を固定したまま、キャピラリ３を、さらに、パッド電極８からインナーリード７へ向かう方向とは反対の方向に移動させる。金属線１は折れ曲がり、キャピラリ３の先端面の下方に配置される。そして、金属線１は、キャピラリ３の先端面の下方に配置された配線部よりもバンプ２ａ、２ｂよりの配線部において切断される。したがって、金属細線１ａは、キャピラリ３からわずかにはみ出し、キャピラリ３の先端面に沿うように折れ曲がっている。キャピラリ３からはみ出した金属細線１ａの先端は、パッド電極８からインナーリード７へ向かう方向を向いている。また、バンプ２ａ、２ｂからはみ出した金属細線１ｂの先端は、パッド電極８からインナーリード７へ向かう方向とは反対の方向を向いている。
【００３７】
図２３に示すように、インナーリード７の直上に、キャピラリ３からはみ出した金属細線１ａと、キャピラリ３の先端面がくるように、キャピラリ３を移動する。
【００３８】
図２４に示すように、キャピラリ３を降下させ、キャピラリ３の先端面で金属線１ａをインナーリード７に圧着させる。金属線１ａとインナーリード７は接合する。金属線１ａがキャピラリ３で潰され、ウェッジ４１が形成される。
【００３９】
図２５に示すように、キャピラリ３を上昇させながら、インナーリード７からパッド電極８へ向かう方向へ移動させる。キャピラリ３を、金属線１のループがワイヤ高さが低い適切なループ形状となるような軌跡にそって移動させる。
【００４０】
図２６に示すように、キャピラリ３の先端面で金属線１ｃをバンプ１ｂ、２ａ、２ｂに圧着させる。金属線１ｃがキャピラリ３で潰され、ウェッジ４２が形成される。金属線１ｃとバンプ１ｂ、２ａ、２ｂは接合する。
【００４１】
なお、図１のワイヤ１９等については、上記の金属線１ｃ等と同様に形成することができる。また、ワイヤ２３と３１については、実施例２の半導体装置の製造方法に先立ち、バンプ３０と２５として、スタッドバンプを形成すればよい。以下は、実施例２の製造方法と同様に実施することができる。すなわち、最終的には、インナーリード７の上の換わりに、バンプ３０、２５の上に、ウェッジ３９、４０が形成されことになる。
【００４２】
実施例２によっても、薄型パッケージのワイヤボンディングにおいて、高速でかつワイヤ高さの低い半導体パッケージが製造可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の上面図（ａ）と側面図（ｂ）である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の側面図の拡大図である。図１（ｂ）のワイヤ１ｃの周辺の拡大図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の側面図の拡大図である。図２のバンプ２ａの周辺の拡大図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の上面図の拡大図である。図３のバンプ２ａの周辺の上面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体装置の側面図の拡大図である。図２のインナーリード７の周辺の拡大図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体装置の上面図の拡大図である。図５のインナーリード７の周辺の上面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その１）である。
【図８】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その２）である。
【図９】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その３）である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その４）である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その５）である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その６）である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その７）である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その８）である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その９）である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る半導体装置の側面図である。図１（ｂ）のワイヤ１ｃの周辺の拡大図である。
【図１７】本発明の一実施形態に係る半導体装置の側面図の拡大図である。図１６のバンプ２ａの周辺の拡大図である。
【図１８】本発明の一実施形態に係る半導体装置の上面図の拡大図である。図１７のバンプ２ａの周辺の上面図である。
【図１９】本発明の一実施形態に係る半導体装置の側面図の拡大図である。図１６のインナーリード７の周辺の拡大図である。
【図２０】本発明の一実施形態に係る半導体装置の上面図の拡大図である。図１９のインナーリード７の周辺の上面図である。
【図２１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その１）である。
【図２２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その２）である。
【図２３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その３）である。
【図２４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その４）である。
【図２５】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その５）である。
【図２６】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための半導体装置の側面図（その６）である。
【符号の説明】
【００４４】
１    金属細線
１ａ  キャピラリからはみ出した金属細線
１ｂ  バンプからはみ出した金属細線
１ｃ  ワイヤ
２    ボール
２ａ、２ｂ  バンプ
３    キャピラリ
４    半導体チップ
５    クランパ
６    基板
７    インナーリード
８    パッド
９    キャピラリの外周の圧痕
１０    キャピラリの内周の圧痕
１２    キャピラリの外周の圧痕
１３    キャピラリの内周の圧痕
１５、１６    半導体チップ
１７、２１、２４、２７、２９    パッド
１８、２２、２５、２８、３０、３２    バンプ
１９、２３、３１    ワイヤ
２０    インナーリード
３３乃至４２    ウェッジ    
４３    キャピラリの外周の圧痕
４４    キャピラリの内周の圧痕
４５    キャピラリの外周の圧痕
４６    キャピラリの内周の圧痕
【図１】
2006261448.tif 000003
【図２】
2006261448.tif 000004
【図３】
2006261448.tif 000005
【図４】
2006261448.tif 000006
【図５】
2006261448.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006261448.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2006261448.tif 000014
【図１３】
2006261448.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2006261448.tif 000018
【図１７】
2006261448.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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