(57)【要約】    【課題】薄膜磁気ヘッドからドライブ回路までの電気配線の抵抗をキャンセルして、薄膜磁気ヘッドの書込素子の抵抗値を正確に検出し、それによって磁気ディスクに対する書込み電流を最適化する。    【解決手段】  温度補正線３５は、薄膜磁気ヘッド２からドライブ回路１までの電気配線であるフレキシブル配線ＦＰＣと同視しえる抵抗特性を有している。温度検出回路３３は、書込素子２１の抵抗値と、温度補正配線３５の抵抗値とを検出し、書込素子２１及びフレキシブル配線ＦＰＣの抵抗値を、温度補正配線３５の抵抗値によって補正した温度信号Ｓｔを得る。【選択図】      図１
2006202351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持体と、磁気ディスクと、ドライブ回路と、温度補正配線と、温度検出回路とを含む磁気ディスク装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、前記ヘッド支持体の一端に取り付けられており、
前記磁気ディスクは、前記薄膜磁気ヘッドと向き合い、ディスク駆動装置により回転駆動されるものであり、
前記ドライブ回路は、前記薄膜磁気ヘッドに書込電流を供給し、前記薄膜磁気ヘッドから供給される読取信号を処理する回路であり、
前記温度補正線は、前記薄膜磁気ヘッドから前記ドライブ回路までの電気配線と同視しえる抵抗特性を有しており、
前記温度検出回路は、前記書込素子及び前記電気配線の抵抗値と、前記温度補正配線の抵抗値とを検出し、前記書込素子及び前記電気配線の抵抗値を、前記温度補正配線の抵抗値によって補正した温度信号を得る、
磁気ディスク装置。
【請求項２】
請求項１に記載された磁気ディスク装置であって、前記ドライブ回路は、前記温度検出回路からに供給される前記温度信号により、前記書込み電流を最適化する、磁気ディスク装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された磁気ディスク装置であって、前記温度補正配線は、前記ヘッド支持体に沿わせてある磁気ディスク装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載された磁気ディスク装置であって、前記温度補正配線は、前記ドライブ回路及び前記温度検出回路を搭載した基板に備えられている磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は、高速回転する磁気ディスクと、この磁気ディスクの磁気記録面に対して空気ベアリングによって軸受けされ、サスペンションによって支持された薄膜磁気ヘッドとの協働により、磁気ディスクに対する磁気記録及び再生を行う。磁気ディスクへの磁気記録にあたっては、その信頼性確保のために、面内記録であれ、垂直記録であれ、使用状態において、書込み電流値を最適化しなければならない。そのためには、次のような問題点を解決しなければならない。
【０００３】
問題点１
磁気ディスク装置では、磁気記録及び再生の動作に伴い、磁気ディスクの温度が上昇する。磁気ディスクの磁気記録層の磁気特性は、一般に、温度上昇とともに変化する。例えば、磁気記録層の保磁力Ｈｃは、温度上昇とともに、ほぼ直線的に低下する。保磁力Ｈｃが低下すれば、書込み易くなり、隣接トラック消去（ＡＴＥ）などの問題を生じる。逆に、温度が低くなると、保磁力Ｈｃが高くなり、書込みにくくなる。
【０００４】
そこで、磁気ディスクの温度を検出し、温度管理をすることにより、書込み電流を、磁気ディスクの温度に適した値にコントロールする必要がある。しかし、磁気ディスクは、高速回転するものであるから、その温度を検出することが、本質的に困難である。
【０００５】
上述した問題点を解決する手段として、特許文献１は、磁記録装置内の抵抗体、例えば読み取り素子や書込素子で磁気記録装置内の温度を測定し、書込み電流等を温度に応じた最適値に制御する技術を開示している。
【０００６】
しかし、特許文献１には、以下に指摘する問題点の解決手段が開示されておらず、磁気ディスクの温度を高精度で検出するには、なお不十分である。
【０００７】
問題点２
スピンバルブ膜（以下、SV膜と称する）等を用いた読取素子は温度以外の条件でも抵抗が変化してしまう。例えば長期期間使用した場合は読取素子を構成する各磁性層間の原子の拡散や、エレクトロマイグレーションにより抵抗値は徐々に変化する。特許文献２にはその解決手段が開示されていない。
【０００８】
問題点３
薄膜磁気ヘッドの書込素子は、電気配線をとおしてドライブ回路に接続される。この場合、書込素子の抵抗は３Ω程度であるのに対し、電気配線も３Ω程度の抵抗値があり、しかも、電気配線の材料は主に銅で、書込素子を構成するコイル膜と同様な温度係数を有するから、書込素子の抵抗値から、磁気ディスクの温度を検出しようとする場合、電気配線の抵抗値及び温度特性を無視することができない。
【０００９】
また、書込素子は１０nm程度の隙間で磁気ディスクと対向しているため、書込素子の抵抗は磁気ディスクの温度を反映するが、電気配線は磁気ディスクとは距離を隔てて配置されるため、磁気ディスクの温度を反映していない。このため、仮に、書込素子の抵抗値が磁気ディスクの温度に対応しているとしても、これを正確に検出することができない。特許文献１にはこのような問題の所在及びその解決手段が開示されていない。
【００１０】
問題点４
また、磁気ディスク装置は、携帯電話等への搭載を考慮すると、極低温で電源投入後直ちに動作できるものでなければならない。前述したように、磁気ディスクの温度が低いときは、磁気記録層の保磁力Ｈｃが高く、大きな書込み電流を供給する必要があるから、極低温で電源投入後直ちに動作できるようにするためには、磁気ディスクの温度を正確に測定する必要がある。しかし、電源投入直後の急な温度上昇は、スピンドルモータを主熱源とするものであり、スピンドルモータに直接取り付けられている磁気ディスク、及び、薄膜磁気ヘッドと、スイングアームやサスペンション上にある電気配線とでは、温度上昇は異なる。このため、電源投入直後に、磁気ディスクの温度を正確に測定して、書込み電流を最適化することが困難である。
【特許文献１】:特開平１１―３９８３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、薄膜磁気ヘッドからドライブ回路までの電気配線の抵抗をキャンセルして、薄膜磁気ヘッドの書込素子の抵抗値を正確に検出し、それによって磁気ディスクに対する書込み電流を最適化し得る磁気ディスク装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決するため、本発明に係る磁気ディスク装置は、薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持体と、磁気ディスクと、ドライブ回路と、温度補正配線と、温度検出回路とを含む。前記薄膜磁気ヘッドは、前記ヘッド支持体の一端に取り付けられており、前記磁気ディスクは、前記薄膜磁気ヘッドと向き合い、ディスク駆動装置により回転駆動される。
【００１３】
前記ドライブ回路は、前記薄膜磁気ヘッドに書込電流を供給し、前記薄膜磁気ヘッドから供給される読取信号を処理する。前記温度補正線は、前記薄膜磁気ヘッドから前記ドライブ回路までの電気配線と同視しえる抵抗特性を有している。
【００１４】
前記温度検出回路は、前記書込素子及び前記電気配線の抵抗値と、前記温度補正配線の抵抗値とを検出し、前記書込素子及び前記電気配線の抵抗値を、前記温度補正配線の抵抗値によって補正した温度信号を得る。
【００１５】
上述した本発明に係る磁気ディスク装置によれば、先に指摘した問題点１〜４を、全て解決できる。
【００１６】
問題点１／解決手段
問題点１を解決する手段として、本発明では、まず、温度検出回路により、薄膜磁気ヘッドの書込素子の抵抗値を検出する。薄膜磁気ヘッドは、たとえば、１０ｎｍ程度の隙間で磁気ディスクに対向しており、しかも、その形状からして、磁気ディスクよりも熱容量が著しく小さいから、磁気ディスクの温度が、ほぼ正確に薄膜磁気ヘッドの温度として反映される。薄膜磁気ヘッドの書込素子はコイル膜を有しており、このコイル膜の抵抗値は温度によって変化する。従って、書込素子のコイル膜の抵抗値を検出することにより、薄膜磁気ヘッドの温度、延いては、磁気ディスクの温度を検出し、磁気ディスクへの書込み電流を最適化し得る。
【００１７】
問題点２／解決手段
本発明では、薄膜磁気ヘッドに含まれる２種類の素子、即ち、書込素子と読取素子のうち、書込素子を温度検出対象とする。読取素子は対象外である。これにより、SV膜等を用いた読取素子を検出対象とした場合の問題点、即ち、長期期間使用した場合、各磁性層間の原子の拡散や、エレクトロマイグレーションにより抵抗値が徐々に変化するという問題点の発生を回避できる。
【００１８】
問題点３／解決手段
問題点３は、薄膜磁気ヘッドからドライブ回路までの電気配線に起因する測定誤差が生じることであった。
【００１９】
この問題点３を解決する手段として、本発明では、前記薄膜磁気ヘッドから前記ドライブ回路までの電気配線と同視しえる抵抗特性を有する温度補正配線を備え、薄膜磁気ヘッドの書込素子及び電気配線の抵抗値を、温度補正配線の抵抗値によって補正した温度信号を得る。
【００２０】
この構成によれば、薄膜磁気ヘッドからドライブ回路までの電気配線による電気抵抗を、温度補正配線の抵抗値によってキャンセルし、磁気ディスクの温度を高精度で検出し、磁気ディスクに対する書込み電流を最適化することができる。
【００２１】
また、書込素子に対する電気配線の温度の違いによる抵抗測定誤差を、温度補正配線の抵抗値によってキャンセルし、磁気ディスクの温度を高精度で検出し、磁気ディスクに対する書込み電流を最適化することができる。
【００２２】
問題点４／解決手段
問題点４は、電源投入直後の急な温度上昇時は、主な熱源であるスピンドルモータに直接取り付けられている磁気ディスクと、スイングアームとサスペンション上にある電気配線の温度が異なるため、磁気ディスクの温度を正確に測定できないということにあった。
この問題に対しても、書込素子に対する電気配線の温度の違いによる抵抗測定誤差を、温度補正配線の抵抗値によってキャンセルし、磁気ディスクの温度を高精度で検出し、磁気ディスクに対する書込み電流を最適化することができる。このため、極低温で電源投入後直ちに動作しなければならない携帯電話等への搭載に関しても、問題はない。
【００２３】
具体的には、温度補正配線は、ヘッド支持体に沿わせる。好ましくは、薄膜磁気ヘッドからドライブ回路に導かれる電気配線と同じ材質、断面径及び長さを持つ導線を用いる。ヘッド支持体には、サスペンション、その後端に連結されるスイングアーム及びそれらの組み合わせを含む。
【００２４】
別の態様として、前記温度補正配線は、前記ドライブ回路及び前記温度検出回路を搭載した基板に備えられていてもよい。
【００２５】
更に別の態様として、温度補正配線は、書込電流及び読取信号の伝送線を構成するフレキシブル配線に取り付けられていてもよい。
【００２６】
本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施例によって更に詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
図１は本発明に係る磁気ディスク装置について、第１の実施の形態を示す図である。図１に図示された磁気ディスク装置は、薄膜磁気ヘッド２と、ヘッド支持体と、磁気ディスク５１と、ドライブ回路１と、温度補正配線３５と、温度検出回路３３とを含む。これらは、密閉された筐体７の内部に配置されている。
【００２８】
薄膜磁気ヘッド２は、周知のように、ヘッド支持体の一端に取り付けられている。磁気ヘッド２は、ドライブ回路１から供給される書込電圧により生じる書込電流の作用により、磁気ディスク５１に磁気記録を与える。磁気ヘッド２は、書込素子２１と、読取素子２２とを有する。書込素子２１は、一般には、誘導型電磁変換素子で構成され、読取素子２２は、ＳＶ膜又はＴＭＲ膜などのＭＲ素子によって構成される。
【００２９】
ヘッド支持体は、通常、薄膜磁気ヘッド２を直接に支持し、薄膜磁気ヘッド２にロール運動及びピッチ運動を許容するサスペンションと、スイングアームとの組み合わせとして構成される。
【００３０】
磁気ディスク５２は、磁気記録面が薄膜磁気ヘッド２と向き合い、ディスク駆動装置、即ちスピンドルモータ５２により、高速で回転駆動される。
【００３１】
ドライブ回路１は、薄膜磁気ヘッド２に書込電流を供給し、薄膜磁気ヘッド３から供給される読取信号を処理する。ドライブ回路１は、書込回路３１と、読出し回路３２とをふくむ。
【００３２】
書込回路３１には、書込データ信号Ｓｗ、シリアルインターフェース信号及び（W/R）ゲート信号Ｓｇが入力され、入力された信号に基づき、書込電圧が出力される。書込データ信号Ｓｗは周波数信号である。シリアルインターフェース信号は，書込電流のオーバシュートの設定や、読出し電流の設定などのために用いられる。（W/R）ゲート信号Ｓｇは、書込及び読出しのON、OFFを指令する。また、読取回路４からは、読取素子２２によって得られた再生信号を処理した読出しデータ信号Ｓｒが出力される。
【００３３】
ドライブ回路１と薄膜磁気ヘッド２の書込素子２１及び読取素子２２との間における電気信号の伝送を担う電気配線には、通常、フレキシブル配線ＦＰＣが用いられる。
【００３４】
温度補正線３５は、薄膜磁気ヘッド２からドライブ回路１までの電気配線、即ち、フレキシブル配線ＦＰＣと同視しえる抵抗特性を有している。同視し得る抵抗特性とは、温度補正線３５の全体としての電気抵抗及び抵抗温度特性が、フレキシブル配線ＦＰＣのそれと実質的に同一視し得ることを意味する。具体的には、温度補正配線３５が、フレキシブル配線ＦＰＣに用いられている導体と、材質、断面径及び長さにおいて、ほぼ同一であれば、この要件を満たす。
【００３５】
図２は、温度補正配線３５の具体的な配置を示す斜視図である。温度補正配線３５は、ヘッド支持装置（図の場合はサスペンション）４１に沿わせてある。ヘッド支持装置４１の一端には、薄膜磁気ヘッド２が装着されており、薄膜磁気ヘッド２にはフレキシブル配線ＦＰＣの一端が接続されている。フレキシブル配線ＦＰＣの他端は、長く延長されドライブ回路１（図１参照）に導かれる。温度補正配線３５は、このフレキシブル配線ＦＰＣの態様にあわせて、薄膜磁気ヘッド２の位置からドライブ回路１に至る経路で導かれる。温度補正配線３５は、フレキシブル配線ＦＰＣに余裕があれば、その内部の導体として構成してもよい。
【００３６】
温度検出回路３３は、書込素子２１及びフレキシブル配線ＦＰＣの書込素子用導体の抵抗値と、温度補正配線３５の抵抗値とを検出し、書込素子２１及びフレキシブル配線ＦＰＣの抵抗値を、温度補正配線３５の抵抗値によって補正した温度信号Ｓｔを得る。温度検出回路３３は、単に、温度検出信号Ｓｔを出力するのみで、磁気ディスク５１の温度を推定する機能は、コンピュータなど、他の外部機器に委ねてもよい。また、温度検出回路３３は、書込回路３１などの回路部分として設けてもよい。
【００３７】
上述した磁気ディスク装置において、磁気記録及び再生の動作に伴い、磁気ディスク５１の温度が上昇すると、磁気ディスク５１の磁気記録層の磁気特性が、温度上昇とともに変化する。例えば、図３に図示するように、磁気ディスク５１の磁気記録層の保磁力Ｈｃは、温度上昇とともに、ほぼ直線的に変化する。
【００３８】
保磁力Ｈｃが低下すると、図４に例示するように、オーバーライト特性（Ｏ／Ｗ特性）が変化し、隣接トラック消去（ＡＴＥ）などの問題を生じる。逆に、温度が低くなると、保磁力Ｈｃが高くなり、書込みにくくなる。図４の場合、温度が１℃だけ変化すると、保磁力Ｈｃは１６（Ｏｅ）だけ変化する。
【００３９】
この問題を解決する手段として、本発明では、温度検出回路３３により、薄膜磁気ヘッド２の書込素子２１の抵抗値を検出し、その抵抗値から、間接的に、磁気ディスク５１の温度を推定するものである。この推定による温度検出が正当化されるためには、まず、薄膜磁気ヘッド２の温度と磁気ディスク５１の温度との間に対応関係があり、しかも、薄膜磁気ヘッド２の書込素子２１の抵抗値が温度に比例するものでなければならない。
【００４０】
まず、第１の点については、図５のデータを参照する。図５は書込電流―温度上昇特性を示すデータである。横軸に書込電流（Ａ）をとり，縦軸に薄膜磁気ヘッド２の温度の上昇分（℃）をとってある。縦軸の温度上昇は、薄膜磁気ヘッド２を磁気ディスク５１上で停止させたときの停止時温度特性（四角印で表示）と、磁気ディスク５１を実使用状態で高速回転させたときの浮上時温度特性（×印で表示）を含んでいる。
【００４１】
図示するように、停止時温度特性（四角印）及び浮上時温度特性（×印）とも、両特性はほぼ完全に重なるから、停止時及び浮上時の磁気ディスクと薄膜磁気ヘッド素子の熱的結合状態は同等と考えられる。従って、薄膜磁気ヘッド素子は浮上時でも、熱容量が大きい磁気ディスクと温度が等しくなる。
【００４２】
次に、第２の点については、図６のデータを参照する。勿論、書込素子２１の抵抗値及び読取素子２２の抵抗値―温度特性は、これらの素子の具体的な構造によって異なるものであるが、図６はその典型例についてのデータを示している。
【００４３】
図６は、書込素子２１の抵抗―温度特性を示すデータである。横軸に書込素子２１の温度（℃）をとり、縦軸に書込素子２１（正確にはコイル膜）の抵抗値（Ω）をとってある。図示するように、書込素子２１の抵抗値は、温度が上昇すると、ほぼ直線的に上昇する。この例の場合、横軸（温度）をｘ軸、縦軸（抵抗）をｙ軸として、温度及び抵抗は、
ｙ＝0.011ｘ＋3.1079
の近似式を満たす。
【００４４】
上記データから明らかなように、書込素子２１の抵抗値は、温度にほぼ比例して変化する。書込素子２１の温度は、薄膜磁気ヘッド２の温度に反映されるから、書込素子２１の抵抗値を測定することにより、薄膜磁気ヘッド２の温度を検出することができることになる。
【００４５】
そして、磁気ディスク５１の温度が、薄膜磁気ヘッド２の温度と一致することは、前述したとおりであるから、結局、薄膜磁気ヘッド２の温度を検出することにより、磁気ディスク５１の温度を知ることができることになる。
【００４６】
そして、磁気ディスク５１の温度が、薄膜磁気ヘッド２の温度と一致することは、前述したとおりであるから、結局、薄膜磁気ヘッド２の温度を検出することにより、磁気ディスク５１の温度を知ることができることになる。
【００４７】
従って、温度検出回路３３により、薄膜磁気ヘッド２の書込素子２１の抵抗値（コイル膜の抵抗値）の抵抗値を検出し、その抵抗値から、磁気ディスク５１の温度を推定することができる（問題点１の解決）。
【００４８】
本発明では、薄膜磁気ヘッド２に含まれる２種類の素子、即ち、書込素子２１と読取素子２２のうち、書込素子２１を温度検出対象とする。読取素子２２は対象外である。これにより、ＳＶ膜等を用いた読取素子２２を検出対象とした場合の問題点、即ち、長期期間使用した場合、各磁性層間の原子の拡散や、エレクトロマイグレーションにより抵抗値が徐々に変化するという問題点の発生を回避できる（問題点２の解決）。
【００４９】
次に、書込素子２１の抵抗値を正確に測定するためには、書込素子２１からドライブ回路１に至る電気配線、即ち、フレキシブル配線ＦＰＣの導体の抵抗による影響を除去することが必要である。その手段として、本発明では、薄膜磁気ヘッド２からドライブ回路１までのフレキシブル配線ＦＰＣと同視しえる抵抗特性を有する温度補正配線３５を備え、薄膜磁気ヘッド２の書込素子２１及びフレキシブル配線ＦＰＣの抵抗値を、温度補正配線３５の抵抗値によって補正した温度信号Ｓｔを得る。
【００５０】
この構成によれば、薄膜磁気ヘッド２からドライブ回路１までのフレキシブル配線ＦＰＣによる電気抵抗を、温度補正配線３５の抵抗値によってキャンセルし、磁気ディスク５１の温度を高精度で検出し、磁気ディスク５１に対する書込み電流を最適化することができる（問題点３の解決）。
【００５１】
更に、本発明では、薄膜磁気ヘッド２からドライブ回路１までのフレキシブル配線ＦＰＣと同視しえる抵抗特性を有する温度補正配線３５を備え、薄膜磁気ヘッド２の書込素子２１及びフレキシブル配線ＦＰＣの抵抗値を、温度補正配線３５の抵抗値によって補正した温度信号Ｓｔを得るので、書込素子２１に対するフレキシブル配線ＦＰＣの温度の違いによる抵抗測定誤差を、温度補正配線３５の抵抗値によってキャンセルし、磁気ディスク５１の温度を高精度で検出し、磁気ディスク５１に対する書込み電流を最適化することができる（問題点４の解決）。
【００５２】
また、電源投入直後の急な温度上昇時は、主な熱源であるスピンドルモータ５２に直接取り付けられている磁気ディスク５１と、スイングアームとサスペンション上にあるフレキシブル配線ＦＰＣの温度が異なるため、磁気ディスク５１の温度を正確に測定できないという問題に対しては、書込素子２１に対するフレキシブル配線ＦＰＣの温度の違いによる抵抗測定誤差を、温度補正配線３５の抵抗値によってキャンセルし、磁気ディスク５１の温度を高精度で検出し、磁気ディスク５１に対する書込み電流を最適化することができる。このため、極低温で電源投入後直ちに動作しなければならない携帯電話等への搭載に関しても、問題はない（問題点５の解決）。
【００５３】
なお、温度検出は常時行なう必要はなく、切換回路などを備えて、定期的に、或いは任意に行なうことができる。
【００５４】
検出された温度信号Ｓｔの利用態様としては、種々考えられるが、その典型例の一つとして、書込み電流の制御がある。書込素子２１による磁気ディスク５１への書き込みにおいて、通常、３０（ｄＢ）以上のＯ／Ｗ特性が得られればよいとされている。書込み電流による磁気ディスク５１への書込みは、磁気ディスク温度によって異なる。
【００５５】
図７は書込み電流―Ｏ／Ｗ特性を示すデータであり、横軸に書込み電流（ｍＡＯ−Ｐ）をとり、縦軸に磁気ディスク５１のオーバーライトＯ／Ｗ（ｄＢ）をとってある。特性Ｃ１、Ｃ２及びＣ３は、それぞれ、磁気ディスク５１の温度が０℃、１０℃、及び、２３℃のときの特性を示している。
【００５６】
図７に示されるように、書込み電流による磁気ディスク５１への書込みは、磁気ディスク温度によって異なる。従って、磁気ディスク５１の温度を検出し、その温度に応じて、書き込み電流値を調整することにより、必要なＯ／Ｗ（ｄＢ）を確保することができる。
【００５７】
図８は本発明に係る磁気ディスク装置の別の実施例を示している。図において、図１に現れた構成部分に相当する部分については、同一の参照符号を付してある。図８に図示された磁気ディスク装置では、温度補正配線３５は、ドライブ回路１及び温度検出回路３３を搭載した基板に備えられている。このような構成であっても、図１、図２に示した実施例と同様の作用効果を奏する。
【００５８】
図９は磁気ディスク装置の具体的な構造を示す斜視図である。図示された磁気ディスク装置は、軸７０の回りに回転可能に設けられた磁気ディスク５１と、磁気ディスク５１に対して情報の記録及び再生を行う薄膜磁気ヘッド２と、薄膜磁気ヘッド２を磁気ディスク５１のトラック上に位置決めするためのアッセンブリキャリッジ装置７３とを備えており、これらは、密閉された筐体７の内部に配置されている。
【００５９】
アセンブリキャリッジ装置７３は、軸７４を中心にして回動可能なキャリッジ７５と、このキャリッジ７５を回動駆動する例えばボイスコイルモータ(ＶＣＭ)からなるアクチュエータ７６とから主として構成されている。
【００６０】
キャリッジ７５には、軸７４の方向にスタックされた複数の駆動アーム７７の基部が取り付けられており、各駆動アーム７７の先端部には、薄膜磁気ヘッド２を搭載したサスペンション４１が固着されている。各ヘッドサスペンション４１は、その先端部に有する薄膜磁気ヘッド２が、磁気ディスク５１の表面に対して対向するように設けられている。
【００６１】
ドライブ回路１は、アクチュエータ７６の隣に備えられている。但し、ドライブ回路１は、外部に設けてもよい。図１０に示した磁気ディスク装置において、ドライブ回路１は、既に述べたように、磁気ディスク５１の温度を推定する機能を有するから、本発明に係る磁気ディスク装置は、ドライブ回路１の有する作用効果を全て享受できる。
【００６２】
図１0は薄膜磁気ヘッドの一例を示す図で、媒体対向面側から見た平面図、図１1は図１０に図示された薄膜磁気ヘッド２の断面図、図１２は図１０及び図１１に図示された薄膜磁気ヘッド２の磁気変換素子部分を拡大して示す図である。図示された薄膜磁気ヘッド２は、スライダ基体６１と、書込素子２１及び読取素子２２とを含む。
【００６３】
スライダ基体６１は、例えば、アルティック（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）等のセラミック材料からなり、媒体対向面に浮上特性制御用の幾何学的形状を有している。そのような幾何学的形状の代表例として、実施例では、スライダ基体６１の基底面８０に、第１の段部８１、第２の段部８２、第３の段部８３、第４の段部８４、及び、第５の段部８５を備える例を示してある。基底面８０は、矢印Aで示す空気の流れ方向に対する負圧発生部となり、第２の段部８２及び第３の段部８３は、第１の段部８１から立ち上がるステップ状の空気軸受けを構成する。第２の段部８２及び第３の段部８３の表面はＡＢＳとなる。
【００６４】
第４の段部８４は、基底面８０からステップ状に立ち上がり、第５の段部８５は第４の段部８４からステップ状に立ちあがっている。書込素子２１及び読取素子２２は第５の段部８５に設けられている。
【００６５】
図１２を参照すると、スライダ基体６１の端面には絶縁膜６７が設けられている。絶縁膜６７は、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、ＳｉＯ2等の絶縁材料からなり、１〜５μｍの厚みである。読取素子２２は、ＭＲ素子６６を含む。ＭＲ素子６６は、ＳＶ膜またはＴＭＲ膜を含んでいる。
【００６６】
書込素子２１は、誘導型磁気変換素子であり、書込用の第１のポール部がＡＢＳに面している。書込素子２１は、MＲ素子６６と近接して配置され、保護膜６１２によって覆われている。ＭＲ素子６６は、第１のシールド層６７と第２のシールド層６２との間の絶縁ギャップ層６８の内部に配置されている。
【００６７】
書込素子２１は、第１の磁性層６０と、第２の磁性膜６３と、記録ギャップ層６５と、薄膜コイル６４とを含む。第１の磁性層６０は第２の磁性膜６３と磁気的に連結されている。記録ギャップ層６５は第１の磁性層６０の磁極部分Ｐ１と、第２の磁性膜６３を構成する第２のポール部Ｐ２との間に設けられている。薄膜コイル６４は、第１の磁性層６０及び第２の磁性膜６３の間に存在するインナーギャップ内の絶縁膜６９内に、絶縁された状態で配設されている。
【００６８】
第２の磁性膜６３は、上部ポール部Ｐ２が、第１の磁性層６０の第１のポール部Ｐ１と、記録ギャップ層６５を介して向き合っている。第２の磁性膜６３は、上部ポール部Ｐ２から見て後方側において、第１の磁性層６０に結合され、それによって薄膜磁気回路を構成する。
【００６９】
本発明は、上述した構造を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、書込素子２１の抵抗値を測定して、磁気ディスクの温度を検出するものであることは、前述したとおりである。
【００７０】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明に係る磁気ディスク装置について、第１の実施の形態を示す図である。
【図２】温度補正線をヘッド支持体に設けた一例を示す図である。
【図３】磁気ディスクの温度―保磁力特性を示すデータである。
【図４】磁気ディスクの保磁力―Ｏ／Ｗ特性を示すデータである。
【図５】書込素子について、書込電流―温度上昇特性を示すデータである。
【図６】書込素子の抵抗―温度特性を示すデータである。
【図７】書込み電流とオーバーライト特性との関係を示すグラフである。
【図８】本発明に係る磁気ディスク装置について、第２の実施の形態を示す図である。
【図９】磁気ディスク装置の具体的な構造を示す斜視図である。
【図１０】薄膜磁気ヘッドの一例を示す図である。
【図１１】図１０に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図１２】図１０及び図１１に図示された薄膜磁気ヘッド２の磁気変換素子部分を拡大して示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
１            ドライブ回路
２            磁気ヘッド
２１          書込素子
２２          読取素子
３１          書込回路
３２          読取回路
３３          温度検出回路
３４          温度検出素子
【図１】
2006202351.tif 000003
【図２】
2006202351.tif 000004
【図３】
2006202351.tif 000005
【図４】
2006202351.tif 000006
【図５】
2006202351.tif 000007
【図６】
2006202351.tif 000008
【図７】
2006202351.tif 000009
【図８】
2006202351.tif 000010
【図９】
2006202351.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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