(57)【要約】【課題】  印刷パターンの再現性を向上可能な有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】  有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機半導体膜４と、ソース電極５と、ドレイン電極６とを備える。ゲート電極２は、有機半導体膜４の膜厚方向に電界を生じさせる電界をゲート絶縁膜３を介して印加する。有機半導体膜４は、ソース電極５とドレイン電極６との間に形成される。そして、有機薄膜トランジスタ１０において、ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６は、銀粒子に対して銀ナノ粒子を５ｗｔ％の比率で混合し、スクリーン印刷により形成される。【選択図】        図１
2006261528.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された有機半導体膜と、
前記有機半導体膜を通じて電流を流すための第１および第２の電極と、
前記有機半導体膜に接して形成された絶縁膜と、
前記有機半導体膜の膜厚方向に電界を生じさせる電圧を前記絶縁膜を介して印加するための第３の電極とを備え、
前記第１から第３の電極の各々は、ナノメタルと前記ナノメタルの平均粒径よりも大きい平均粒径を有する金属粒子とを含む、有機薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記第１および第２の電極と、前記第３の電極との少なくとも１つは、０．２μｍ以上の膜厚を有する、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記絶縁膜、ポリパラキシリレン誘導体からなる、請求項１または請求項２に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタを備える表示装置。
【請求項５】
有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記有機薄膜トランジスタは、
基板上に形成された有機半導体膜と、
前記有機半導体膜を通じて電流を流すための第１および第２の電極と、
前記有機半導体膜に接して形成された絶縁膜と、
前記有機半導体膜の膜厚方向に電界を生じさせる電圧を前記絶縁膜を介して印加するための第３の電極とを備え、
前記製造方法は、
ナノメタルと前記ナノメタルの平均粒径よりも大きい平均粒径を有する金属粒子とを含むペーストを用いてスクリーン印刷により前記第１および第２の電極を形成する第１のステップと、
前記有機半導体膜を形成する第２のステップと、
前記絶縁膜を形成する第３のステップと、
前記ペーストを用いて前記スクリーン印刷により前記第３の電極を形成する第４のステップとを含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有機薄膜トランジスタ、それを備えた表示装置および有機薄膜トランジスタの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体は、無機半導体に比べ、低温成膜および大面積化が容易であることから、低コストなトランジスタ用の材料として注目されている。そして、導電性高分子または共役高分子を利用した有機半導体を活性層に用いた有機薄膜トランジスタが知られている（特許文献１）。また、低分子化合物からなる有機半導体を活性層に用いた有機薄膜トランジスタも知られている（特許文献２）。
【０００３】
そして、有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は、印刷法によって形成されることが知られている（特許文献３）。より具体的には、ゲート電極は、導電性ペーストまたはＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）を用いて形成される。導電性ペーストとして、導電性カーボンペースト、導電性銀ペースト、導電性銅ペースト、および導電性ニッケルペースト等を用い、スクリーン印刷法、ロールコーター法およびインクジェット法のいずれかの方法により所定のパターンに形成する。その後、所定のパターンに形成された導電性ペーストは、乾燥され、１００〜２００℃で硬化される。これにより、ゲート電極が形成される。
【０００４】
また、ソース電極およびドレイン電極は、金、白金、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデンおよびニッケル等の金属または合金材料を含む導電性ペーストを用いて印刷法またはロールコーター法により形成される。
【特許文献１】特開昭６１−２０２４６７号公報
【特許文献２】特許第２９８４３７０号公報
【特許文献３】特開２００４−８００２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献３におけるゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を印刷法により形成する方法では、印刷パターンの再現性を向上させることが困難である。
【０００６】
そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、印刷パターンの再現性を向上可能な有機薄膜トランジスタを提供することである。
【０００７】
また、この発明の別の目的は、印刷パターンの再現性を向上可能な有機薄膜トランジスタを備える表示装置を提供することである。
【０００８】
さらに、この発明の別の目的は、印刷パターンの再現性を向上可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明によれば、有機薄膜トランジスタは、有機半導体膜と、第１から第３の電極と、絶縁膜とを備える。有機半導体膜は、基板上に形成される。第１および第２の電極は、有機半導体膜を通じて電流を流すための電極である。絶縁膜は、有機半導体膜に接して形成される。第３の電極は、有機半導体膜の膜厚方向に電界を生じさせる電圧を絶縁膜を介して印加するための電極である。そして、第１から第３の電極の各々は、ナノメタルとナノメタルの平均粒径よりも大きい平均粒径を有する金属粒子とを含む。
【００１０】
好ましくは、第１および第２の電極と、第３の電極との少なくとも１つは、０．２μｍ以上の膜厚を有する。
【００１１】
好ましくは、絶縁膜、ポリパラキシリレン誘導体からなる。
【００１２】
また、この発明によれば、表示装置は、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタを備える。
【００１３】
さらに、この発明によれば、製造方法は、薄膜トランジスタの製造方法である。有機薄膜トランジスタは、基板上に形成された有機半導体膜と、有機半導体膜を通じて電流を流すための第１および第２の電極と、有機半導体膜に接して形成された絶縁膜と、有機半導体膜の膜厚方向に電界を生じさせる電圧を絶縁膜を介して印加するための第３の電極とを備える。そして、製造方法は、
ナノメタルとナノメタルの平均粒径よりも大きい平均粒径を有する金属粒子とを含むペーストを用いてスクリーン印刷により第１および第２の電極を形成する第１のステップと、有機半導体膜を形成する第２のステップと、絶縁膜を形成する第３のステップと、ペーストを用いてスクリーン印刷により第３の電極を形成する第４のステップとを含む。
【発明の効果】
【００１４】
この発明による有機薄膜トランジスタにおいては、第１から第３の電極の各々は、ナノメタルとナノメタルの平均粒径よりも大きい平均粒径を有する金属粒子とを含む。
【００１５】
したがって、有機薄膜トランジスタの電極の再現性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００１７】
図１は、この発明の実施の形態による有機薄膜トランジスタの第１の断面構造図であり、図２は、この発明の実施の形態による有機薄膜トランジスタの第２の断面構造図であり、図３は、この発明の実施の形態による有機薄膜トランジスタの第３の断面構造図である。
【００１８】
図１を参照して、この発明の実施の形態による有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機半導体膜４と、ソース電極５と、ドレイン電極６とを備える。
【００１９】
ゲート電極２は、基板１の一主面１Ａ上に形成される。そして、ゲート電極２は、有機半導体膜４の膜厚方向に電界を生じさせる電圧をゲート絶縁膜３を介して印加するための電極である。ゲート絶縁膜３は、ゲート電極２を覆うように基板１の一主面１Ａ上に形成される。
【００２０】
ソース電極５およびドレイン電極６は、ゲート絶縁膜３の一主面３Ａ上に所定の間隔で形成される。そして、ソース電極５およびドレイン電極６は、有機半導体膜４を通じて電流を流すための電極である。有機半導体膜４は、ソース電極５とドレイン電極６との間に形成される。
【００２１】
なお、図１に示す有機薄膜トランジスタの構造は、「ボトムゲート・ボトムコンタクト型」と呼ばれる。
【００２２】
この発明の実施の形態による有機薄膜トランジスタは、図２に示す有機薄膜トランジスタ１０Ａであってもよい。図２を参照して、有機薄膜トランジスタ１０Ａは、図１に示す有機薄膜トランジスタ１０と同じ構成要素からなる。そして、有機薄膜トランジスタ１０Ａにおいては、有機半導体膜４は、ゲート絶縁膜３の一主面３Ａ上に形成され、ソース電極５およびドレイン電極６が有機半導体膜４の一主面４Ａ上に所定の間隔で形成される。その他は、有機薄膜トランジスタ１０と同じである。
【００２３】
なお、図２に示す有機薄膜トランジスタの構造は、「ボトムゲート・トップコンタクト型」と呼ばれる。
【００２４】
また、この発明の実施の形態による有機薄膜トランジスタは、図３に示す有機薄膜トランジスタ１０Ｂであってもよい。図３を参照して、有機薄膜トランジスタ１０Ｂは、図１に示す有機薄膜トランジスタ１０と同じ構成要素からなる。有機薄膜トランジスタ１０Ｂにおいては、ソース電極５およびドレイン電極６は、基板１の一主面１Ａ上に所定の間隔で形成され、有機半導体膜４は、ソース電極５およびドレイン電極６を覆うように基板１の一主面１Ａ上に形成される。そして、ゲート絶縁膜３は、有機半導体膜４の一主面４Ａ上に形成され、ゲート電極２は、ゲート絶縁膜３の一主面３Ａ上に形成される。
【００２５】
なお、図３に示す有機薄膜トランジスタの構造は、「トップゲート・ボトムコンタクト型」と呼ばれる。
【００２６】
上述した有機薄膜トランジスタ１０，１０Ａ，１０Ｂの各々に用いられる基板１、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、有機半導体膜４、ソース電極５およびドレイン電極６について説明する。
【００２７】
基板１は、絶縁性を示し、電界効果トランジスタおよびその上に作製される表示素子、および表示パネル等を支持できるものであればよく、たとえば、ガラス、プラスチックおよび石英のいずれでもよい。
【００２８】
より具体的には、基板１は、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、アモルファスシリコン、アモルファスポリオレフィン、エポキシ樹脂およびガラス等のいずれであってもよい。そして、基板１の膜厚は、０．０５ｍｍ〜２ｍｍの範囲が好ましく、０．１ｍｍ〜１ｍｍの範囲が更に好ましい。基板１の膜厚がこのような範囲に設定されるのは、基板１をフレキシブル基板として機能させるためである。
【００２９】
ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６の各々は、金、銀、パラジウムおよび銅の金属粉とナノメタルとを混合したものから構成されてもよく、銀、パラジウム合金粉とナノメタルとを混合したものから構成されてもよい。そして、これらの金属粉は、０．１〜０．８μｍの範囲の平均粒径を有し、ナノメタルは、０．０５〜０．１μｍの範囲の平均粒径を有する。
【００３０】
ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６の各々は、スクリーン印刷法によって形成される。より具体的には、ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６の各々は、上述した各金属粉に５〜１０ｗｔ％のナノメタルを混合し、さらに熱硬化型樹脂を加えたペースト材をスクリーン印刷法によって下地に印刷し、その後、２００℃程度の熱処理により形成される。この場合、スクリーン版として、３２５ステンレスメッシュ、線径２８μｍおよび乳厚１５μｍのものが用いられ、好ましくは、３８０ステンレスメッシュ、線径１４μｍのものが用いられる。
【００３１】
このようにして形成される銀電極パターンは、膜厚が５μｍであり、表面粗さを示すＰＶ値（山と谷との差）は、約０．５μｍである。
【００３２】
ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６の各々の膜厚は、０．２μｍ以上である。
【００３３】
ゲート絶縁膜３は、ゲート電極２への電流の漏れを防止し、かつ、低ゲート電圧で電界効果トランジスタを駆動させることができるように絶縁性に優れ、かつ、比較的大きな比誘電率を有する材料からなる。
【００３４】
より具体的には、ゲート絶縁膜３は、ポリパラキシリレン誘導体、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマーおよびこれらを組み合わせた共重合体からなる。
【００３５】
山と谷との差が０．５μｍである下地に対し、良好な絶縁耐圧を示す絶縁材料としては、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成したポリパラキシリレンがあり、０．５μｍ程度の膜厚で十分な耐圧を示す。これは、ＣＶＤ法によって形成した膜は、段差被覆性に優れているからである。
【００３６】
ゲート絶縁膜３は、スクリーン印刷およびインクジェット印刷等の印刷法により形成される。
【００３７】
ゲート絶縁膜３の膜厚は、０．１μｍ〜４μｍの範囲であり、好ましくは、０．２μｍ〜２μｍの範囲である。ゲート絶縁膜の膜厚が上記の範囲に設定されるのは、ゲート絶縁膜３を下地であるゲート電極２上に形成する場合の段差被覆性を向上させるためである。
【００３８】
有機半導体膜４は、高分子有機半導体材料からなる。より具体的には、有機半導体膜４は、トリアリールアミンとフェニレンビニレンとの共重合体、トリアリールアミンとフルオレンとの共重合体、トリアリールアミンとチオフェンとの共重合体および一般的に知られている共役高分子材料のいずれかからなる。
【００３９】
そして、有機半導体膜４は、上記の有機半導体材料を溶媒に溶解し、その溶解液をスピンコート法、ドロップキャスト法、インクジェット法およびディップ法のいずれかによって塗布し、さらに、乾燥して形成される。
【００４０】
有機半導体膜４の膜厚は、１ｎｍ〜１００００ｎｍの範囲であり、好ましくは、１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である。有機半導体膜４の膜厚がこのような範囲に設定されるのは、有機半導体膜４をソース電極５およびドレイン電極６上に形成するときの段差被覆性を向上させるためである。
【００４１】
図１に示す有機薄膜トランジスタ１０の具体的な作製方法について説明する。銀粒子に対して銀ナノ粒子を５ｗｔ％の比率で混合し、スクリーン印刷によりゲート電極２をガラスからなる基板１上に形成する。この場合、スクリーン印刷の条件は、次のとおりである。３６０メッシュ、３５ｍｍ／ｓのスキージ速度、０．１Ｍｐａの印圧、および１．２ｍｍのクリアランスを用いて、大研化学社製ＣＡ−２５０２の銀ペーストを基板１（ガラス）上に塗布し、２００℃、３０分の条件で乾燥した。その後、フォトリソグラフィーによりパターンニングし、ゲート電極２を形成した。
【００４２】
引続いて、ポリパラキシリレンがＣＶＤ法によりゲート電極２を覆うように基板１上に堆積される。これにより、ゲート絶縁膜３が基板１上に形成される。この場合、ゲート絶縁膜３の膜厚は、６００ｎｍである。
【００４３】
そして、銀粒子に対して銀ナノ粒子を５ｗｔ％の比率で混合し、スクリーン印刷によりソース電極５およびドレイン電極６をゲート絶縁膜３上に形成する。この場合、スクリーン印刷の条件は、次のとおりである。３６０メッシュ、３５ｍｍ／ｓのスキージ速度、０．１Ｍｐａの印圧、および１．２ｍｍのクリアランスを用いて、大研化学社製ＣＡ−２５０２の銀ペーストをゲート絶縁膜３上に塗布し、１７０℃、３０分の条件で乾燥した。その後、フォトリソグラフィーによりパターンニングし、電極幅が３０μｍであり、電極長が１００００μｍである交差指電極からなるソース電極５およびドレイン電極６を形成した。
【００４４】
その後、下記の（化Ｉ）で示される有機半導体材料をキシレンおよびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）の混合溶媒に溶解させて塗布液（有機半導体重量％で１％）を作製し、その作製した塗布液をスピンコート法によって塗布し、膜厚１００ｎｍの有機半導体膜４をソース電極５とドレイン電極６との間のゲート絶縁膜３上に形成する。
【００４５】
【化Ｉ】
2006261528.tif 000003
【００４６】
このようにして作製した有機薄膜トランジスタ１０は、−２０Ｖのゲート電圧および−２０Ｖのソース・ドレイン電圧において、ソース・ドレイン電流（オン電流）が１μＡであり、０Ｖのゲート電圧および−２０Ｖのソース・ドレイン電圧において、ソース・ドレイン電流（オフ電流）が１００ｐＡであり、−２０Ｖのゲート電圧および−２０Ｖのソース・ドレイン電圧において、ゲート・ソース間に流れる電流（ゲートリーク電流）は、２０ｎＡであり、閾値電圧は、−０．９Ｖである。
【００４７】
なお、ノボラック樹脂を用いてゲート絶縁膜３を形成してもよい。この場合、ノボラック樹脂は、東京応化社製のものが用いられる。具体的には、フォトレジストとして市販されている材料のうち、ナフトキノンジアニド感光体を含まないものである。このノボラック樹脂は、スピンコート法によって塗布され、６００ｎｍの膜厚を有するゲート絶縁膜３が形成された。
【００４８】
ノボラック樹脂をゲート絶縁膜３として用いた有機薄膜トランジスタ１０において、オン電流は、０．５μＡである。
【００４９】
次に、図２に示す有機薄膜トランジスタ１０Ａの具体的な作製方法について説明する。有機薄膜トランジスタ１０のゲート電極２およびゲート絶縁膜３の形成方法と同じ方法によって、ゲート電極２およびゲート絶縁膜３をガラスからなる基板１上に形成する。
【００５０】
その後、上記の（化Ｉ）で示される有機半導体材料をキシレンおよびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）の混合溶媒に溶解させて塗布液（有機半導体重量％で１％）を作製し、その作製した塗布液をスピンコート法によって塗布し、膜厚１００ｎｍの有機半導体膜４をゲート絶縁膜３上に形成する。
【００５１】
そして、有機薄膜トランジスタ１０のソース電極５およびドレイン電極６の形成方法と同じ方法によってソース電極５およびドレイン電極６を有機半導体膜４上に形成する。
【００５２】
これによって、有機薄膜トランジスタ１０Ａが作製される。そして、このようにして作製した有機薄膜トランジスタ１０Ａは、有機薄膜トランジスタ１０と同じトランジスタ特性を示す。
【００５３】
なお、有機薄膜トランジスタ１０Ａにおいても、ノボラック樹脂を用いてゲート絶縁膜３を形成してもよい。
【００５４】
さらに、図３に示す有機薄膜トランジスタ１０Ｂの具体的な作製方法について説明する。有機薄膜トランジスタ１０のソース電極５およびドレイン電力６の形成方法と同じ方法によってソース電極５およびドレイン電極６をガラスからなる基板１上に形成する。
【００５５】
その後、上記の（化Ｉ）で示される有機半導体材料をキシレンおよびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）の混合溶媒に溶解させて塗布液（有機半導体重量％で１％）を作製し、その作製した塗布液をスピンコート法によって塗布し、膜厚１００ｎｍの有機半導体膜４をソース電極５およびドレイン電極６を覆うように基板１上に形成する。
【００５６】
引続いて、ポリパラキシリレンがＣＶＤ法により有機半導体膜４上に堆積される。これにより、ゲート絶縁膜３が有機半導体膜４上に形成される。この場合、ゲート絶縁膜３の膜厚は、６００ｎｍである。
【００５７】
その後、有機薄膜トランジスタ１０のゲート電極２の形成方法と同じ方法によってゲート電極２をゲート絶縁膜３上に形成する。
【００５８】
これによって、有機薄膜トランジスタ１０Ｂが作製される。そして、このようにして作製した有機薄膜トランジスタ１０Ｂは、有機薄膜トランジスタ１０と同じトランジスタ特性を示す。
【００５９】
なお、有機薄膜トランジスタ１０Ｂにおいても、ノボラック樹脂を用いてゲート絶縁膜３を形成してもよい。
【００６０】
なお、この発明においては、ゲート電極２と、ソース電極５およびドレイン電極６との少なくとも一方が０．２μｍ以上の膜厚を有すればよい。
【００６１】
上述したように、ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６を銀粒子に対して銀ナノ粒子を５ｗｔ％の比率で混合し、スクリーン印刷により形成することによって、各電極の再現性を向上できる。
【００６２】
そして、有機薄膜トランジスタ１０，１０Ａ，１０Ｂの各々は、表示装置の駆動デバイスとして用いられる。
【００６３】
次に、この発明による有機薄膜トランジスタを画像表示装置のアクティブマトリックス素子に用いた実施例につき説明する。図４は、この発明による有機薄膜トランジスタを画像表示装置のアクティブマトリックス基板に用いた例を示す平面図であり、図５は、この発明のアクティブマトリックス基板を用いた画像表示装置の縦断面図である。アクティブマトリックス基板に、液晶、電気泳動および有機ＥＬなどの画像表示装置を組み合わせることで、アクティブマトリックス型表示装置を構成できる。
【００６４】
図４に示すように、ガラス基板などの絶縁性基板１上に厚さ７０ｎｍのＣｒ膜をスパッタリング法により成膜し、フォトリソグラフィ・エッチング工程により、走査線２０、ゲート電極２が形成される。ゲート絶縁膜３および走査線２０と信号配線の層間絶縁膜となる絶縁膜として、厚さ２００ｎｍのエポキシ樹脂が形成される。
【００６５】
そして、このエポキシ樹脂の上に上記一般式（Ｉ）に示す有機半導体膜を半導体材料に用い、スピンコートにより成膜して、膜厚３０ｎｍの有機半導体層４を設ける。
【００６６】
続いて、この有機半導体層４上の所定領域に厚さ５０ｎｍのＡｕ膜をシャドウマスクを用いた真空蒸着法によりパターン成膜し、ソース電極５及びドレイン電極６と信号配線２１およびドレイン電極６と連なる画素配線２２を形成する。
【００６７】
続いて、図示しない分割化パターン化膜を形成する。なお、この分割化パターン化膜を形成する前に有機半導体層４にダメージを与えないためにポリモノクロロパラキシリレン膜からなる保護膜を形成しても良い。
【００６８】
そして、分割パターン化層をマスクとして、酸素ガスによるドライエッチングにより、分割ラインの下に位置する有機半導体層４及びゲート絶縁膜３を除去し、各ＴＦＴ素子に分離される。この実施例では、更にこれら素子上ポリモノクロロパラキシリレン膜からなるパッシベーション膜２３を設けて、アクティブマトリックス基板３１が形成される。
【００６９】
図５に示すように、画像表示装置３０は、前述のアクティブマトリックス基板３１と、透明導電膜３２を第２の基板３３との間に表示素子が設けられ、画素電極２２に連なるドレイン電極５上の表示素子がスイッチングされる。第２の基板３３としては、ガラスやポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等のプラスチックなどを用いることができる。表示素子としては、液晶、電気泳動、有機ＥＬ等の方式を用いることができる。
【００７０】
液晶パネルを構成する場合には、例えば、アクティブマトリックス基板３１の基板と第２の基板３３には、スピンコート法により、配向膜を形成して、配向処理が施されている。そして、両基板１、３３間にシリカスペーサを配置して接合し、ギャップ間に液晶性材料を封入することで液晶パネルが形成される。
【００７１】
また、電機泳動表示パネルは、透明導電膜を成膜後、対向基板にシリカスペーサを配置接合し、ギャップ間にマイクロカプセル型電気泳動素子を封入することで、電気泳動パネルが形成できる。
【００７２】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
この発明は、印刷パターンの再現性を向上可能な有機薄膜トランジスタに適用される。また、この発明は、印刷パターンの再現性を向上可能な有機薄膜トランジスタを備える表示装置に適用される。さらに、この発明は、印刷パターンの再現性を向上可能な有機薄膜トランジスタの製造方法に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】この発明の実施の形態による有機薄膜トランジスタの第１の断面構造図である。
【図２】この発明の実施の形態による有機薄膜トランジスタの第２の断面構造図である。
【図３】この発明の実施の形態による有機薄膜トランジスタの第３の断面構造図である。
【図４】この発明による有機薄膜トランジスタを画像表示装置のアクティブマトリックス基板に用いた例を示す平面図である。
【図５】この発明のアクティブマトリックス基板を用いた画像表示装置の縦断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１，３３  基板、１Ａ，３Ａ，４Ａ  一主面、２  ゲート電極、３  ゲート絶縁膜、４  有機半導体膜、５  ソース電極、６  ドレイン電極、１０，１０Ａ，１０Ｂ  有機薄膜トランジスタ、２１  信号配線、２２  画素電極、２３  パッシベーション膜、３０  画像表示装置、３１  アクティブマトリックス基板、３２  透明導電膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2006261528.tif 000007
【図５】
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