(57)【要約】【課題】  プラズマ発生部と被処理基材の処理面との間に大きな圧力差を形成することができ、以って高密度のプラズマを生成する。【解決手段】  一対の電極を設け、該一対の電極間に処理ガスを導入し、両電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理装置は、一方の電極上に前記被処理基材を載置し、他方の電極に高周波電源によって高周波を印加するようにして両電極を近接配置し、前記処理ガスに膨張性のあるガスを使用し、絞り部を配置した処理ガス導入部を設けて、処理ガスを前記絞り部を介して導入して膨張させ、両電極間に圧力差領域を形成する処理部を構成している。【選択図】図１
2006202618.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極を設け、該一対の電極間に処理ガスを導入し、両電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理装置において、
一方の電極上に前記被処理基材を載置し、他方の電極に高周波電源によって高周波を印加するようにして両電極を近接配置し、
前記処理ガスに膨張性のあるガスを使用し、
絞り部を配置した処理ガス導入部を設けて、処理ガスを前記絞り部を介して導入して膨張させ、両電極間に圧力差領域を形成する処理部を構成したこと
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１において、前記一方の電極を回転体で形成し、該回転体上を前記被処理基材を連続して供給する被処理基材供給装置を設けることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
一対の電極を設け、該一対の電極間に処理ガスを導入し、両電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理装置において、
一方の電極上に前記被処理基材を載置し、他方の電極に高周波電源によって高周波を印加するようにして両電極を近接配置し、
前記処理ガスに膨張性のあるガスを使用し、
前記他方の電極付近に、絞り部を配置した処理ガス導入部を設けて、処理ガスを前記絞り部を介して導入して膨張させ、両電極間に圧力差領域を形成し、一方の電極付近に比べて他方の電極付近に高圧力領域かつ高密度電気力線領域を形成する処理部を構成したこと
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
一対の電極を設け、該一対の電極間に処理ガスを導入し、両電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理装置において、
一方の電極上に前記被処理基材を載置し、他方の電極に高周波電源によって高周波を印加するようにして両電極を近接配置し、
前記処理ガスに膨張性のあるガスを使用し、
前記一方の電極付近に、絞り部を配置した処理ガス導入部を設けて、処理ガスを前記絞り部を介して導入して膨張させ、両電極間に圧力差領域を形成し、一方の電極付近に他方の電極付近に比べて高圧力領域を形成する処理部を構成したこと
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
一対の電極間に処理ガスを導入し、両電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理方法において、
近接配置した両電極の一方の電極上に前記被処理基材が載置され、他方の電極に高周波電源によって高周波が印加され、
絞り部を配置した処理ガス導入部から処理部に膨張性の処理ガスが導入され、両電極間に圧力差領域が形成されて該圧力差領域に放電プラズマが形成されること  
を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
請求項５において、回転体で形成された前記一方の電極上を前記被処理基材が連続して供給されることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
請求項５または６において、前記圧力差領域は一方の電極付近が高圧であって、他方の電極付近が低圧であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項５または６において、前記圧力差領域は一方の電極付近が低圧領域であって、他方の電極付近が高圧領域であり、この高圧領域に、低圧領域に形成される電気力線密度よりも高い電気力線密度が形成されるようにしたことを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関し、特に生成したプラズマを利用して幅広のフィルム表面を改質する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマ処理に用いるプラズマの生成は、密閉したチャンバ内を真空排気し、前記チャンバ内に処理ガスを必要圧力まで導入した空間で行っている。
【０００３】
このため、処理対象であるワークを処理チャンバ内に出し入れするためには、一旦、処理チャンバを大気開放し、ワーク導入後真空排気する方法がとられる。また、処理チャンバに併設してロードさらにはアンロード専用のチャンバを設け、処理チャンバは真空を維持した状態で、前記ロード又はアンロードチャンバを大気開放及び真空排気することで、大気中のワークを真空の処理チャンバに出し入れする方法も取られる。
【０００４】
これらの方法は、ロード，アンロードチャンバの有無にかかわらず、真空排気及び大気開放時間を必要とするため処理タクトが低下する問題がある。また、ワークの処理がバッチ式となるため、フィルムのような長尺形状を持つワークに対しては不向きである。また、特にロード，アンロードチャンバを持つ場合、真空内でワークを移動する機構が必要となり、装置が複雑化すること及び装置コストの上昇が問題となる。
【０００５】
また、前記処理チャンバで生成されるプラズマは、荷電粒子の密度が低いため処理が遅いことも欠点である。これは、低気圧中で処理を行うため電極やワークの放熱が困難であり、プラズマ生成に大電流を投入できないことによる。このため、マグネトロンを用いて荷電粒子に回転運動を与え、荷電粒子密度を上げる等の手法も用いられるが、装置が煩雑化し、装置コストの上昇が問題となる。
【０００６】
以上の問題を解決するために、電極を機械的に高速回転させることによって、大気中において高密度なプラズマを生成する方法（例えば、特許文献１参照）が提案されている。またこれを広い面に対して行う方法（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）が提案されている。これらの方法においては、大気圧下でプラズマを生成すること、また、電極が高速で回転していることから放熱効果が高く高密度なプラズマを生成することが可能である。
【０００７】
特許文献４には、大気圧近傍の圧力下に、一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の電極間に処理ガスを導入し、電界を引火することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理方法であって、非処理基材の背面から排気してプラズマ発生部と被処理基材の処理面に圧力差を生じさせるプラズマ処理方法が記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開９−３１６７０号公報
【特許文献２】特開２００１−３４８６６５号公報
【特許文献３】特開２００２−２６１０１８号公報
【特許文献４】特開２００３−２２９００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記回転電極法においては、回転電極直径が大きく、また電極の回転速度が高いほど高密度なプラズマを生成しやすい。例えば、前記特許文献３において、回転電極の寸法は、直径３００mm，回転速度５０００回転／min-1と説明されている。このように大きな電極を高速回転するため、大きな処理部及び大容量の回転機構を必要とする。さらに、電極が高速回転するため、電極への電力供給はブラシ、または端子を押し付ける構造となり、安定した電力の供給が難しく、マッチングが取りづらい。さらに、ワーク上面にて、常時電極が回転しているため、異物が発生しやすい。
【００１０】
特許文献４に記載されるプラズマ処理方法は、非処理基材の背面から排気してプラズマ発生部と被処理基材の処理面に圧力差を生じさせ、圧力差による流体の流れを利用し、プラズマを処理面に効率よく接触させようとするものである。上述のように、この方法は吸気によって圧力差を形成しようとするものであるが、形成される圧力差の絶対値および領域には限界がある。
【００１１】
本発明は、以上のような問題に鑑み、回転電極のような機械構造を設けることなく、またプラズマ発生部と被処理基材の処理面との間に大きな圧力差を形成することができ、以って高密度のプラズマを生成することのできるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の特徴は、プラズマを生成する領域において処理ガスに大きな圧力差を設けること、すなわち大きな圧力差のある領域を形成することにある。この大きな圧力差領域を形成するために処理ガスに膨張性のあるガスを使用し、処理室に導入するに当たって絞り部（絞り弁，絞り手段）を介して行い、処理室導入時に膨張させることを行う。形成された大きな圧力差領域は、高密度プラズマ生成に利用される。
【００１３】
プラズマは、空間中の荷電粒子が、電界によって加速され、高いエネルギーを持って他の粒子に衝突し、前記粒子を電離するといった一連の作用が連続して起こることで生成する。
【００１４】
高密度なプラズマを得るためには、効果的に加速を行うために電界強度を大きくすること、即ち大きな電流を投入することはもちろん、処理ガスの粒子密度が高い状態、すなわち高い圧力下がよい。また、処理ガスの粒子密度が高く、電気力線との交差密度を高くするのがよい。
【００１５】
本発明にあっては、上記圧力差を得るために、処理ガスの流路に絞り部を設け、処理ガスの流れ方向に対して、絞り部の僅かに下流側に電極を設置してプラズマを生成している。このように行うことで、電極相当位置では処理ガスが膨張するため圧力差が生じ、機械的な機構を排除した高密度なプラズマの生成が可能である。
【００１６】
機械的な機構を排除したため、電極は固定することが可能であり、電極に安定した電力を供給することが可能である。また、機械的な機構を排除したため、異物の発生が無い。
【００１７】
本発明は、具体的には、一対の電極を設け、該一対の電極間に処理ガスを導入し、両電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理装置において、
一方の電極上に前記被処理基材を載置し、他方の電極に高周波電源によって高周波を印加するようにして両電極を近接配置し、
前記処理ガスに膨張性のあるガスを使用し、
絞り部を配置した処理ガス導入部を設けて、処理ガスを前記絞り部を介して導入して膨張させ、両電極間に圧力差領域を形成する処理部（処理室）を構成したプラズマ処理装置を提供する。
【００１８】
また、本発明は、一対の電極間に処理ガスを導入し、両電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理方法において、
近接配置した両電極の一方の電極上に前記被処理基材が載置され、他方の電極に高周波電源によって高周波が印加され、
絞り部を配置した処理ガス導入部から処理部に膨張性の処理ガスが導入され、両電極間に圧力差領域が形成されて該圧力差領域に放電プラズマが形成されるプラズマ処理方法を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、上述のように、両電極を近接配置し、膨張性のある処理ガスを使用して、絞り部を介して処理部に導入，膨張させるようにしているのでプラズマ発生部、そしてプラズマ発生部と被処理基材の処理面との間に高い圧力差のある領域（高圧力差領域）を形成することができ、高密度プラズマ生成に有効な領域を持つプラズマ処理装置が提供され、当該プラズマ処理装置を使用したプラズマ処理方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の実施例であるプラズマ処理装置は、一対の電極を設け、該一対の電極間に処理ガスを導入し、両電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理装置であって、
一方の電極上に前記被処理基材を載置し、他方の電極に高周波電源によって高周波を印加するようにして両電極を近接配置し、
前記処理ガスに膨張性のあるガスを使用し、
前記他方の電極付近に、絞り部を配置した処理ガス導入部を設けて、処理ガスを前記絞り部を介して導入して膨張させ、両電極間に圧力差領域を形成し、他方の電極付近に一方の電極付近に比べて高圧力領域かつ高密度電気力線領域を形成する処理部を構成している。
【００２１】
また、一対の電極を設け、該一対の電極間に処理ガスを導入し、両電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理装置であって、
一方の電極上に前記被処理基材を載置し、他方の電極に高周波電源によって高周波を印加するようにして両電極を近接配置し、
前記処理ガスに膨張性のあるガスを使用し、
前記一方の電極付近に、絞り部を配置した処理ガス導入部を設けて、処理ガスを前記絞り部を介して導入して膨張させ、両電極間に圧力差領域を形成し、一方の電極付近に他方の電極付近に比べて高圧力領域を形成する処理部を構成している。
【００２２】
上記プラズマ処理装置は、前記一方の電極を回転体で形成し、該回転体上を前記被処理基材を連続して供給する被処理基材供給装置を設けることができる。
【００２３】
また、上記プラズマ処理装置によって、一対の電極間に処理ガスを導入し、両電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理方法であって、
近接配置した両電極の一方の電極上に前記被処理基材が載置され、他方の電極に高周波電源によって高周波が印加され、
絞り部を配置した処理ガス導入部から処理部に膨張性の処理ガスが導入され、両電極間に圧力差領域が形成されて該圧力差領域に放電プラズマが形成されるプラズマ処理方法が構成される。
【００２４】
前記圧力差領域は一方の電極付近が高圧であって、他方の電極付近が低圧とされる。
【００２５】
前記圧力差領域は一方の電極付近が低圧領域であって、他方の電極付近が高圧領域であり、この高圧領域に、低圧領域に形成される電気力線密度よりも高い電気力線密度が形成される。
【００２６】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【実施例１】
【００２７】
図１は、本発明の実施例１の形態を表したプラズマ処理装置１００の断面図であり、実際の構成は紙面に垂直方向に長い構造となる。
【００２８】
図１において、プラズマ処理装置１００は、処理室（処理部）１０を備え、処理室１０は、以下の構成を備え、あるいは以下の構成が接続される。１は陽極、２は陰極でフィルムを送るロールを兼ねている。ロール２は矢印方向に回転し、接地される。本実施形態における陽極１と陰極２の間隔は２mmである。３は処理対象の被処理基材であり、その例示としての高分子フィルムで、図が煩雑化するため記載していないが、フィルム３を連続して処理するために上流側に巻出装置，下流側に巻取装置を備えている。４はフィルム３を送るための補助ロール、５は処理ガスを導入，排出するための供給管（処理ガス導入部５０，処理ガス排出部６０）で、供給管上壁５Ａ，供給管上流下壁５Ｂ，供給管下流下壁５Ｃからなっている。６Ａは供給管５への吸気方向（供給方向）、６Ｂは供給管５からの排気方向を示している。７は高周波電源、８は高周波電源のマッチングボックスを示している。この供給管５の系統の一部に処理室１０が形成される。すなわち処理室は処理ガス導入部５０および処理ガス排出部６０を備える。
【００２９】
図２は、図１に示すプラズマ処理装置１００の電極部であるプラズマ生成部を拡大した図である。図２において、９は陽極１と陰極２によって形成される電気力線、２０Ａは陽極表面シースであり、この領域においてはプラズマは形成されない。２０Ｂは陰極表面シースであり陽極表面シース２０Ａと同じくプラズマは形成されない。１２は電極周辺における処理ガスの圧力分布をあらわす圧力等高線である。尚、本発明の説明では、陰極２を一方の電極と称し、陽極１を他方の電極と称している。
【００３０】
なお、本実施形態では電源に高周波電源７を用いているため、電界の方向は時間的に変化する。これに伴って電気力線９の方向及び強度，陽極表面シース２０Ａ，陰極表面シース２０Ｂの領域や物理的構成も変化するが、本説明は、以下、陽極１の電位が陰極２の電位を上回っている時間において説明する。
【００３１】
上述のように、本実施例では、被処理基材としてフィルムを使用しているが、本発明はフィルムに限定されず、他の材料を用いて材料の改質を行うことができる。
【００３２】
本実施例にあっては、フィルム３表面にプラズマを照射することでフィルム３表面に接着性をよくする目的で親水性を持たせることを行う。一般に高分子フィルムは疎水性である。これは高分子フィルムを構成する分子が極性基を持たないからである。ここで、フィルム３表面にプラズマを照射すると、プラズマ中の荷電粒子がフィルム３表面に衝突する際の物理的エネルギーによって高分子鎖を寸断し、次いで、大気中の水分が寸断された高分子鎖に結合して極性を持つ水酸基を形成し、フィルム３表面は親水性を持つようになる。
【００３３】
また、本実施例にあっては、処理ガスとして膨張性のあるガスが使用され、供給管５からは高圧の膨張性ガスが吸気室１０に導入される。その場合に供給管５の一部、例えば出口部には絞り機能を有する絞り部１１が形成してある。従って、高圧の膨張性ガスは供給管５を流れ、絞り部１１を介して断面積の大きな処理室１０に導入され、急激に膨張する構造としている。
【００３４】
図１および図２に示される実施例の構造の特徴の１つは、供給管５の出口部が陰極２の近傍に設けられていることにある。
【００３５】
以下、本実施形態における処理の流れを説明する。なお、処理に用いられるガスは親水性処理の目的から空気又はアルゴン，窒素を用いる。処理の目的が膜形成やエッチング等の場合は、その他のガスの使用も可能である。
【００３６】
先ず、供給管５に供給方向６Ａ側より高圧の処理ガスを供給する。同時に排気方向６Ｂ側から排気を行う。供給管５は、次第に断面積を小さくしながら、陽極１，陰極２の上流で最も狭くなっている。すなわち、絞り部１１が形成されている。従って、処理ガスは次第に速度を増し、絞り部１１を通過し、最も狭い陽極１と陰極２の上流側で最高速となる。処理ガスはさらに流れると、供給管５は急激に断面積を増やすため、処理ガスは、陽極１，陰極２近傍で膨張し、１２に示すように、陽極１，陰極２の直下から下流にかけて圧力が減じる圧力分布を示す。図２に示すように、陽極１と陰極２の間には圧力差領域１３が形成され、この圧力差領域１３は陰極２付近が高圧領域１４となり、陽極１付近が低圧領域１５となる。
【００３７】
以上の状態が安定後、マッチングボックスを介して高周波電源７より陽極１に高周波を印加すると、陽極１と陰極２の間には電界が生じ、電気力線９が形成される。
【００３８】
電気力線９が形成されると、電気力線９周辺に存在した電子は電界からエネルギーをもらいながら、電気力線９に沿って加速する。このとき、特に、処理ガスが低圧の領域においては、障害物となる粒子が少なく、電子は、粒子との衝突によってエネルギーを失うことなく長い距離加速できるため、電子の運動エネルギーは高くなる。なお、電子の移動速度は、処理ガスの流速に対して数千倍であり、処理ガスの流れは無視できる。
【００３９】
高い運動エネルギーを持った電子は、電気力線９に沿って移動し、処理ガス圧力の高い領域に突入する。そして、そこに存在する粒子と衝突することでこれを電離し、プラズマを生成する。圧力の高い領域においては粒子が多いこと及び前記のように衝突する電子の運動エネルギーが高いことから、ここで生成されるプラズマの密度は高くなる。
【００４０】
生成されたプラズマ中の荷電粒子は、電荷を持つことから、電気力線に沿って移動し、フィルム表面に衝突，フィルム表面の分子鎖を切断することで親水性処理を行う。
【００４１】
プラズマの生成後、陰極２を駆動し、フィルム３を移動することで、連続してフィルム表面に親水性処理を行うことが可能である。
【００４２】
以上のように、本実施例のプラズマ処理装置１００は、次の構成を持っている。
・一対の電極を設け、該一対の電極間に処理ガスを導入し、両電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理装置である。
・一方の電極上に前記被処理基材を載置し、他方の電極に高周波電源によって高周波を印加するようにして両電極を近接配置している。
・前記処理ガスに膨張性のあるガスを使用している。
・絞り部を配置した処理ガス導入部を設けて、処理ガスを前記絞り部を介して導入して膨張させ、両電極間に圧力差領域を形成する処理部を構成している。
・一方の電極を回転体で形成し、該回転体上を前記被処理基材を連続して供給する被処理基材供給装置を設けている。尚、電極は回転体でなく、平板上に構成してもよい。
・一方の電極付近に、絞り部を配置した処理ガス導入部を設けて、処理ガスを前記絞り部を介して処理部に導入して膨張させ、両電極間に圧力差領域を形成し、一方の電極付近に他方の電極付近に比べて高圧力領域を形成している。
【実施例２】
【００４３】
図３は、実施例２を示す断面図である。基本的には図２に示す例と同様であり、同一の構成には同一の番号を付し、それらについての説明は図２について行った説明を援用するものとして、主に異なった構成，作用について説明するものとする。
【００４４】
図３は、吸気方向６Ａを、図２図示のような供給管上壁５Ａとフィルム３の間から、供給管上壁５Ａ側壁へと移したものである。図２図示構成においては、供給管上壁５Ａとフィルム３の間がそのまま処理ガスの導入，排出経路となるため、フィルムのハンドリングがやり易く、現実の装置構成として有効である。対して図３図示手法は、供給管上壁５Ａとフィルム３の間をシールする必要があり、実際の装置構成には難を持っている。しかしながら、吸気方向６Ａをフィルム３から遠ざけたことによって、圧力等高線１２に対して電気力線９が垂直に交差しやすくなり、圧力差領域のあるプラズマの生成領域において、高圧領域かつ高密度電気力線領域１６を設けやすいメリットがある。
【００４５】
陽極１と陰極２との間に形成される圧力差領域１３には、供給管５を処理室１０の上方部に、すなわち陽極１の側方近傍に設けたことによって陽極１の近傍、すなわち陰極２側の近傍には高圧領域かつ高密度電気力線領域１６が形成され、陰極２の近傍、すなわち陽極１側の近傍には低圧領域かつ低密度電気力線領域１７が形成される。この高圧領域かつ高密度電気力線領域１６では圧力等高線１２に対して電気力線９が垂直に交差しやく、かつ高密度に公差がなされることになって高密度のプラズマを生成しやすくなる。
【００４６】
以上のように、本実施例のプラズマ処理装置１００は、次の構成を持っている。
・一対の電極を設け、該一対の電極間に処理ガスを導入し、両電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理装置である。
・一方の電極上に前記被処理基材を載置し、他方の電極に高周波電源によって高周波を印加するようにして両電極を近接配置している。
・前記処理ガスに膨張性のあるガスを使用している。
・絞り部を配置した処理ガス導入部を設けて、処理ガスを前記絞り部を介して導入して膨張させ、両電極間に圧力差領域を形成する処理部を構成している。
・一方の電極を回転体で形成し、該回転体上を前記被処理基材を連続して供給する被処理基材供給装置を設けている。
・他方の電極付近に、絞り部を配置した処理ガス導入部を設けて、処理ガスを前記絞り部を介して処理部に導入して膨張させ、両電極間に圧力差領域を形成し、他方の電極付近に一方の電極付近に比べて高圧力領域かつ高密度電気力線領域を形成している。
【実施例３】
【００４７】
図４は実施例３を示す。実施例３は実施例２の変形例である。
【００４８】
図４は図２図示構成の特徴と図３図示構成の特徴を併せ持つ構成例である。図４において吸気方向６Ａは陽極１の上方にあり、供給管上壁５Ａとフィルム３の間は排気方向６Ｂの流路となる。また、陽極１の設置される空間は、図４縦方向に対して図４横方向に広い構造となっており、圧力等高線１２に対して電気力線９が垂直に交差しやすくかつ、供給管上壁５Ａとフィルム３の間は排気に利用するためシールの必要が無い。このため実際の装置構成が安易になるメリットがある。
【００４９】
また図４図示構成において、陽極１の設置される空間が図４縦方向に対して図４横方向に広い構造であることを利用して、陽極１を、陽極１′のように複数設置して効率を高めることも可能である。
【００５０】
陽極１と陰極２との間に形成される圧力差領域１３には、供給管５を処理室１０の上方部に、すなわち陽極１の上方近傍に設けたことによって陽極１の近傍、すなわち陰極２側の近傍には高圧領域かつ高密度電気力線領域１８が形成され、陽極２の近傍、すなわち陽極１側の近傍には低圧領域かつ低密度電気力線領域１９が形成される。この高圧領域かつ高密度電気力線領域１８では圧力等高線１２に対して電気力線９が垂直に交差しやすく、かつ高密度に公差がなされることになって高密度のプラズマを生成しやすくなる。
【００５１】
以上のように、本実施例のプラズマ処理装置１００は、次の構成を持っている。
・一対の電極を設け、該一対の電極間に処理ガスを導入し、両電極間に電界を印加することにより発生させた放電プラズマを用い被処理基材を処理するプラズマ処理装置である。
・一方の電極上に前記被処理基材を載置し、他方の電極に高周波電源によって高周波を印加するようにして両電極を近接配置している。
・前記処理ガスに膨張性のあるガスを使用している。
・絞り部を配置した処理ガス導入部を設けて、処理ガスを前記絞り部を介して導入して膨張させ、両電極間に圧力差領域を形成する処理部を構成している。
・一方の電極を回転体で形成し、該回転体上を前記被処理基材を連続して供給する被処理基材供給装置を設けている。
・他方の電極付近に、絞り部を配置した処理ガス導入部を設けて、処理ガスを前記絞り部を介して処理部に導入して膨張させ、両電極間に圧力差領域を形成し、他方の電極付近に一方の電気付近に比べて高圧力領域かつ高密度電気力線領域を形成している。
【００５２】
以上説明した実施形態に関わらず次のように実施してもよい。
本方式を密閉したチャンバ内で行っても良い。
高周波電源７に変えて直流電源を用いても良い。また高周波電源７に直流電源を併用しても良い。
【００５３】
以上のように実施することにより、機械的な機構を用いることなく、高密度なプラズマを生成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態を表す断面図である。
【図２】本発明の電極周辺を説明する詳細図である。
【図３】本発明の他の実施形態を表す断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態であり、図３の変形例を表す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１，１′…陽極（他方の電極）、２…陰極（ロール、一方の電極）、３…フィルム（被処理基材）、５…供給管（処理ガス導入部および処理ガス排出部）、７…高周波電源、８…マッチングボックス、９…電気力線、１０…処理室（処理部）、１１…絞り部（絞り弁，絞り手段）、１２…圧力等高線、１３…圧力差領域、１４…高圧領域、１５…低圧領域、１６，１８…高圧領域かつ高密度電気力線領域、１７，１９…低圧領域かつ低密度電気力線領域、５０…処理ガス導入部、６０…処理ガス排出部、１００…プラズマ処理装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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