(57)【要約】【課題】  露光装置の分解および高精度の調整を必要とせずに、露光装置の投影光学系の開口数を計測することができる方法を提供することにある。【解決手段】  まず、第１の光学部３１の複数の基本パターンをウェハ５にデフォーカス状態にて露光し、露光されたパターン域での上記ウェハ５のレジストの残膜量変化を測定する。そして、この測定値の変曲点となる上記第１の光学部３１のピッチサイズを求めることによって、投影光学系４の開口数を求める。【選択図】  図１
2006196669.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から発せられる光を照明光学系により光学部材に導き、この光学部材の像を投影光学系によりウェハ上に結像させる露光装置における上記投影光学系の開口数を求める方法であって、
上記光学部材は、開口数計測用の第１の光学部を含み、
この第１の光学部は、複数の基本パターンを有し、
この複数の基本パターンは、上記投影光学系に対して±１次光束および０次光束の干渉が可能なピッチサイズと上記投影光学系に対して０次光束のみが通過するピッチサイズとを含み、
上記第１の光学部の複数の基本パターンを上記ウェハにデフォーカス状態にて露光し、露光されたパターン域での上記ウェハのレジストの残膜量変化を測定して、この測定値の変曲点となる上記第１の光学部のピッチサイズを求めることによって、上記投影光学系の開口数を求めることを特徴とする露光装置の投影光学系の開口数計測方法。
【請求項２】
光源から発せられる光が照明光学系により導かれる光学部材と、
この光学部材の像をウェハ上に結像させる投影光学系と
を備え、
上記光学部材は、開口数計測用の第１の光学部を含み、
この第１の光学部は、複数の基本パターンを有し、
この複数の基本パターンは、上記投影光学系に対して±１次光束および０次光束の干渉が可能なピッチサイズと上記投影光学系に対して０次光束のみが通過するピッチサイズとを含み、
上記第１の光学部の複数の基本パターンを上記ウェハにデフォーカス状態にて露光したとき、この露光されたパターン域での上記ウェハのレジストの残膜量変化を測定する測定部と、
この測定部で測定された測定値の変曲点となる上記第１の光学部のピッチサイズを求めることによって上記投影光学系の開口数を求める算出部と
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の露光装置において、
上記光学部材は、所定パターンの像を上記ウェハに投影露光するための第２の光学部を含み、
上記光学部材を設置するステージと、
上記ステージを、上記第１の光学部を光軸上に設定する第１の設定位置と上記第２の光学部を光軸上に設定する第２の設定位置とに、移動するステージ移動部と
を備えることを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば、露光装置における投影光学系の開口数の計測方法、および、露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体デバイスを製作するために用いられる縮小投影型露光装置において、投影光学系の開口数（ＮＡ）をマスクの最小線幅に応じて変えることは、露光工程の中で一般的に行なわれている。
【０００３】
しかしながら、この開口数の計測を、装置全体が組み立てられた後に、装置を解体しないで行なう方法は過去にほとんど行なわれていないが、例えば、照射モニターを装置に搭載することにより、装置を分解せずに開口数を計測する方法がある（特開平８−９７１１６号公報：特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、この方法では、１ｍｍφ以下の微細な照度センサを複数個同一直線上に一連に密接して配列させる必要があり、簡便に測定を行えるとは言い難く、且つシミュレーションとの整合性を取ることも出来ない。
【０００５】
また、その他の方法として、レチクルの裏面に微細な孤立パターンか、または周期パターンを描き、露光して得たレジストパターンから判断する方法がある（ＳＰＩＥ  Ｐｒｏｃ．Ｖｏ１．３０５１，ｐｐ．６６０−６７１）。
【０００６】
この二重露光の方法では、まず、１回目の露光で、周囲が遮光領域である中に、孤立した微細なピンホールパターンを裏面に描いたマスクで露光する。次に、２回目の露光では、周囲が透光領域である、孤立したドットパターンを裏面に描いて露光する。この場合、ドットパターンとピンホールパターンは、同一サイズである。
【０００７】
なお、１回目のピンホールパターンと２回目のドットパターンは、マスクを入れ替えたときに同じ位置にあるように設置位置調整して露光する。その結果、光源の像がドットパターンにより転写され、投影光学系の瞳の輪郭の像が、ピンホールパターンにより描かれる。
【０００８】
具体的に述べると、投影光学系の瞳の輪郭の像は、２重露光されることで形成されるリング状のパターン（膜減り）である。ピンホールパターンは、ピンホールパターンの一次回折光部分とドットパターンの周りの透光部分とで形成される、２重露光されたリング状パターンである。
【０００９】
このように、既知の光源の大きさを基準にして、投影光学系（レンズ）の開口数が計測できる。より詳細には、ピンホールパターンで発生する１次回折光とドットパターンの透光部で形成される２重露光部の膜減りで判断するものであり、ピンホールパターンのサイズにより発生する回折光の角度が変化するため、大きな角度を持ちレンズ端からはみ出すと、その２重露光領域がなくなるために、そのピンホールサイズより回折角を計算して、ＮＡを算出する。
【００１０】
しかしながら、この方法には以下の欠点があった。
【００１１】
上述の二重露光の１回目の露光で、単独のピンホールを用いて、投影光学系の瞳の全域に到達する回折光を発生させている。このような回折現象を起すためには、ピンホールの大きさを極端に小さくしなければならない。ここで、半径ｒの円形のピンホールを例にとって考える。
【００１２】
投影光学系の瞳全体で、ある閾値以上の光強度を保つ条件として、瞳の端の光強度が、中心の光強度の１／ｅ（＝０．３６，ｅは自然対数の底）になる場合を仮定する。Ｍをレチクルの倍率、ＮＡを投影光学系の開口数、λを露光波長とすると、次の関係（式１）が成立する。
【００１３】
ｒ＝０．４１×Ｍ×λ／ＮＡ  ・・・（式１）
ＮＡ＝０．６、Ｍ＝４、ＫｒＦエキシマレーザ露光装置での露光波長（λ＝０．２４８μｍ）の場合、ｒ＝０．６８μｍとなる。レチクルの裏面に存在するこの大きさのサイズのピンホールを露光して、レジストを感光させるためには、非常に長い時間を必要とする。
【００１４】
実際の実験では、通常半導体デバイスを作成するときに設定する露光量（光のエネルギー）が約２０ｍＪ／ｃｍ２である露光装置及びフォトレジストに対して、レチクル裏面に設置したｒ＝２．５μｍのピンホールでフォトレジストの膜ベリ状態を作りだすためには、１００００ｍＪ／ｃｍ２という露光量が必要であった。
【００１５】
面積が約１／１４であるｒ＝０．６８μｍのピンホールを使用するならば、ｒ＝２．５μｍのピンホールの場合の少なくとも１４倍の量露光量（１４０００ｍＪ／ｃｍ２）という露光量が必要であると見積もられる。
【００１６】
このような露光量を加えることは、現実の露光装置では非常に困難である。また、膜減りの観測は、コントラストのわずかな違いを見分ける必要がある。
【００１７】
また、瞳の形状を判断するにはコンピュータを用いた画像処理が必要であり、手間がかかる。さらに、１回目と２回目の露光の両方について、膜減り状態を造りだす必要があるため、露光量の調節が極めて微妙なものになる。
【００１８】
以上のように、この方法では、露光装置を分解しないで測定するという問題は解決しているが、簡便な方法とは言いがたいものであった。
【００１９】
さらに、その他の方法として、限界解像パターン寸法を把握することによって、露光装置の投影光学系の開口数を計測する方法がある（特開２０００−２６９１１９号公報：特許文献２参照）。
【００２０】
しかし、この方法では、使用する材料の性能に依存して解像限界ピッチが変化するなど精度良く測定ができるとは言いがたい。
【００２１】
開口数の変化は露光装置の解像性能に直結するため、高精度な開口数の調整が求められる。また、露光装置のレンズ開口数の誤差は、シミュレーションと実際の結果の不一致の原因になる。
【００２２】
そのため、正しいプロセスマージン予測、レジスト形状設計に対しても開口数の正しさが要求されるようになってきている。それにもかかわらず、これまでは装置組み立て後の投影光学系の開口数を定量的に測定する手軽な手段が無く、現実には行なわれていなかった。
【００２３】
また、実露光による開口数の計測結果とリソプロセスシミュレーターの設定開口数の差分評価を行う場合、リソプロセスシミュレーターの材料に起因するパラメータ設定を精密に実行する必要があり、その妥当性の評価自体が困難であった。具体的なパラメータとしては、化学増幅レジストの増幅速度式における活性化エネルギー、ＰＥＢの拡散律速反応速度定数の活性化エネルギー、バルクの酸失活反応活性化エネルギー、完全感光したレジストの現像速度の最大値、未感光のレジストの現像速度の最小値などである。
【００２４】
また、実露光装置の開口数のバラツキは、複数の装置を用いて行われる製造過程において微妙な装置間差として現れ、同一設定処理を行った場合においても、解像性能に差を発生させることがあった。誤差補正を簡便に行う手法が無かったために、対応可能な装置台数への制約事項となり、生産効率及び生産装置投資へ大きな影響を及ぼしていた。
【００２５】
このように、従来の方法においては、ＮＡ計測にあたっては、２重露光が必要であり、膜減りを精密に測定するのが、非常に困難である。また、高精度の装置調整が必要になることに加え、計測に使用されるレジスト材料性能の影響を受けるという問題も生じていた。
【特許文献１】特開平８−９７１１６号公報
【特許文献２】特開２０００−２６９１１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
そこで、この発明の課題は、露光装置の分解および高精度の調整を必要とせずに、露光装置の投影光学系の開口数を計測することができる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
上記課題を解決するため、この発明の露光装置の開口数計測方法は、
光源から発せられる光を照明光学系により光学部材に導き、この光学部材の像を投影光学系によりウェハ上に結像させる露光装置における上記投影光学系の開口数を求める方法であって、
上記光学部材は、開口数計測用の第１の光学部を含み、
この第１の光学部は、複数の基本パターンを有し、
この複数の基本パターンは、上記投影光学系に対して±１次光束および０次光束の干渉が可能なピッチサイズと上記投影光学系に対して０次光束のみが通過するピッチサイズとを含み、
上記第１の光学部の複数の基本パターンを上記ウェハにデフォーカス状態にて露光し、露光されたパターン域での上記ウェハのレジストの残膜量変化を測定して、この測定値の変曲点となる上記第１の光学部のピッチサイズを求めることによって、上記投影光学系の開口数を求めることを特徴としている。
【００２８】
この発明の露光装置の開口数計測方法によれば、測定値の変曲点となる上記第１の光学部のピッチサイズを求めることによって、上記投影光学系の開口数を求めているので、露光装置を分解することなく、かつ、手間のかかる調整を行なわないで、上記投影光学系の開口数を、定量的に、精密にかつ簡便に測定できる。
【００２９】
また、使用するレジスト材料のコントラスト、および、このレジスト材料と上記ウェハとの密着性といった材料に起因する性能差の影響を受けない。また、完全なデフォーカス状態で測定するので、装置の微妙なフォーカス変動の影響を受けず、高精度の装置調整を行う必要がない。
【００３０】
また、この発明の露光装置は、
光源から発せられる光が照明光学系により導かれる光学部材と、
この光学部材の像をウェハ上に結像させる投影光学系と
を備え、
上記光学部材は、開口数計測用の第１の光学部を含み、
この第１の光学部は、複数の基本パターンを有し、
この複数の基本パターンは、上記投影光学系に対して±１次光束および０次光束の干渉が可能なピッチサイズと上記投影光学系に対して０次光束のみが通過するピッチサイズとを含み、
上記第１の光学部の複数の基本パターンを上記ウェハにデフォーカス状態にて露光したとき、この露光されたパターン域での上記ウェハのレジストの残膜量変化を測定する測定部と、
この測定部で測定された測定値の変曲点となる上記第１の光学部のピッチサイズを求めることによって上記投影光学系の開口数を求める算出部と
を備えることを特徴としている。
【００３１】
この発明の露光装置によれば、上記第１の光学部によって、定期的な開口数の計測および補正を行うことができる。そして、複数の露光装置の性能を均一に管理および保持することができる。特に、上記投影光学系が開口数可変機構を有する場合に、都合がよくなる。
【００３２】
また、使用するレジスト材料のコントラスト、および、このレジスト材料と上記ウェハとの密着性といった材料に起因する性能差の影響を受けない。また、完全なデフォーカス状態で測定するので、装置の微妙なフォーカス変動の影響を受けず、高精度の装置調整を行う必要がない。
【００３３】
また、一実施形態の露光装置では、
上記光学部材は、所定パターンの像を上記ウェハに投影露光するための第２の光学部を含み、
上記光学部材を設置するステージと、
上記ステージを、上記第１の光学部を光軸上に設定する第１の設定位置と上記第２の光学部を光軸上に設定する第２の設定位置とに、移動するステージ移動部と
を備えている。
【００３４】
この一実施形態の露光装置によれば、上記ステージ移動部によって、上記ステージを移動することにより、開口数の計測及び補正を実施できる。
【発明の効果】
【００３５】
この発明の露光装置の開口数計測方法によれば、測定値の変曲点となる第１の光学部のピッチサイズを求めることによって、投影光学系の開口数を求めているので、露光装置の分解および高精度の調整を必要とせずに、露光装置の投影光学系の開口数を計測することができる。
【００３６】
また、この発明の露光装置によれば、第１の光学部によって定期的な開口数の計測および補正を行うことができるので、露光装置の分解および高精度の調整を必要とせずに、露光装置の投影光学系の開口数を計測することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３８】
図１は、この発明の露光装置の一実施形態である簡略構成図を示している。この露光装置は、光源１から発せられる光が照明光学系２により導かれる光学部材３と、この光学部材３の像をウェハ５上に結像させる投影光学系４とを備える。
【００３９】
上記光源１は、例えば、水銀ランプやエキシマレーザ等である。上記照明光学系２は、例えば、フライアイレンズやコンデンサレンズ等を含む。
【００４０】
上記光学部材３は、開口数計測用の第１の光学部３１と、所定パターンの像を上記ウェハ５に投影露光するための（図示しない）第２の光学部とを含む。
【００４１】
上記投影光学系４は、例えば、縮小投影レンズであり、上記光学部材３側に、瞳面４ａを有する。
【００４２】
上記第１の光学部３１は、複数の基本パターンを有する。この複数の基本パターンは、上記投影光学系４の瞳面４ａに対して＋１次光束４１ａ、−１次光束４１ｂおよび０次光束４０の干渉が可能なピッチサイズと、上記投影光学系４の瞳面４ａに対して０次光束４０のみが通過するピッチサイズとを含む。
【００４３】
具体的に述べると、上記第１の光学部３１は、図２Ａの縦方向のライン・アンド・スペースパターン（Ｌ＆Ｓパターン）と、図２Ｂの横方向のライン・アンド・スペースパターン（Ｌ＆Ｓパターン）とを有する。すなわち、上記第１の光学部３１の基本パターンは、格子パターンである。
【００４４】
このライン・アンド・スペースパターンは、所定ピッチＰで、遮光部３１ａおよび透光部３１ｂを有し、寸法比は、１：１である（Ｌ／Ｓ＝１／１）。なお、図２Ａおよび図２Ｂでは、わかりやすいように、上記遮光部３１ａをハッチングにて示しています。
【００４５】
そして、光が上記第１の光学部３１を通過する際、次の関係（式２）を満たす回折光が発生する。
【００４６】
Ｐｓｉｎθ＝ｎλ  ・・・（式２）
ここで、Ｐは、ピッチサイズである。ｎは、ｎ次回折光である。λは、光源波長である。ｓｉｎθは、開口数（ＮＡ）である。
【００４７】
上記（式２）により、ピッチサイズＰが大きいと回折角θが小さく、ピッチサイズＰが小さいと回折角θが大きくなる。すなわち、ピッチサイズＰが大きいとき、図３Ａに示すように、＋１次光束４１ａ、−１次光束４１ｂおよび０次光束４０の３光束が、上記瞳面４ａに対して干渉する。そして、ピッチサイズＰが小さくなるにつれて、図３Ｂに示すように、＋１次光束４１ａおよび−１次光束４１ｂが、上記瞳面４ａからはみでて、ついには、図３Ｃに示すように、０次光束４０のみが、上記瞳面４ａに対して通過する。
【００４８】
ここで、図４の実線に示すように、＋１次光束４１ａが上記投影光学系４の瞳面４ａの端部４ｂに掛かる（はみ出し始め）ときのピッチサイズＰａを、求める。また、図４の仮想線に示すように、＋１次光束４１ａが上記投影光学系４の瞳面４ａの外側に完全に出る（はみ出し終わり）ときのピッチサイズＰｂを、求める。この各ピッチサイズＰａ，Ｐｂを、ＮＡに換算して、この中間値が、上記投影光学系４の開口数となる。なお、図４では、わかりやすくするために、上記端部４ｂを直線状に描いている。
【００４９】
すなわち、＋１次光束４１ａが、上記瞳面（レンズ面）４ａのどの位置を通るかで、上記投影光学系４の開口数を求めようとしている。「はみ出し始め」とは、上記瞳面４ａの端部４ｂに＋１次光束４１ａが到達し始めることを示し、「はみ出し終わり」とは、上記瞳面４ａの端部４ｂから＋１次光束４１ａが外れることを示す。このため、円形の＋１次光束４１ａの中心が上記瞳面４ａの端部４ｂに合致するときのピッチサイズが、上記各ピッチサイズＰａ，Ｐｂの中間値となる。
【００５０】
図１に戻って、この露光装置は、さらに、測定部６と算出部７とを備える。上記測定部６は、上記第１の光学部３１の複数の基本パターンを上記ウェハ５にデフォーカス状態にて露光したとき、この露光されたパターン域での上記ウェハ５のレジストの残膜量変化を測定する。上記算出部７は、上記測定部６で測定された測定値の変曲点となる上記第１の光学部３１のピッチサイズを求めることによって上記投影光学系の開口数を求める。
【００５１】
具体的に述べると、例えば、２００ｕｍ□のパターンサイズで、ピッチを２００〜４００ｎｍ（Ｓｔｅｐ＝４ｎｍ）に振ったＬ／Ｓ＝１／１の第１の光学部を用いて、各ピッチサイズ毎に、２００ｕｍ□のパターン領域のレジストを完全に抜くのに必要な照射時間を求め、Ｘ軸にピッチサイズ、Ｙ軸に照射時間をプロットして、図５に示す結果を得る。
【００５２】
このとき、ウェハは、１０μｍでデフォーカスさせている。これは、第１の光学部のパターンをウェハ上に転写させるのではなく、ウェハ上に到達する光エネルギー量の変化を捉えることを目的としているためである。
【００５３】
このように、ウェハへ到達する光エネルギー量の変化を評価するため、その使用するレジスト材料のコントラスト、および、このレジスト材料とウェハ基板との密着性といった材料に起因する性能差の影響を受けない。また、完全なデフォーカス状態で測定するので、装置の微妙なフォーカス変動の影響を受けず、高精度の装置調整を行う必要がない。
【００５４】
図５中の（Ｉ）の領域では、図３Ａに示すように、３光束が照射されることになるため、短い照射時間でレジストを抜くことが可能である。
【００５５】
また、図５中の（ＩＩ）の領域では、図３Ｂに示すように、＋１次光束４１ａおよび−１次光束４１ｂが、上記瞳面４ａ（有効レンズ領域）から外れるため、ウェハに到達する光エネルギー量は徐々に減少していき、レジストを抜くために必要な照射時間が変化する。
【００５６】
さらに、図５中の（ＩＩＩ）の領域では、図３Ｃに示すように、＋１次光束４１ａおよび−１次光束４１ｂが、上記瞳面４ａ（有効レンズ領域）から完全に外れて、ウェハには０次光束４０のみ到達するため、レジストを抜くためには長い照射時間が必要になる。
【００５７】
そして、図５中の（Ｉ）の領域と（ＩＩ）の領域との間の変曲点（はみ出し始め）となるピッチサイズＰａと、図５中の（ＩＩ）の領域と（ＩＩＩ）の領域との間の変曲点（はみ出し終わり）となるピッチサイズＰｂとを求めて、投影光学系の開口数に換算すればよい。
【００５８】
ここで、上記ピッチサイズＰａ，Ｐｂは、上記第１の光学部における２００〜４００ｎｍ（Ｓｔｅｐ＝４ｎｍ）の振り幅のうちの２３２〜３７２ｎｍの領域内に、３６種のピッチパターンを有している。
【００５９】
図１に戻って、この露光装置は、さらに、上記光学部材３を設置するステージ８と、このステージ８を移動するステージ移動部９とを備える。このステージ移動部９は、上記ステージ８を、上記第１の光学部３１を光軸上に設定する第１の設定位置と、上記第２の光学部を光軸上に設定する第２の設定位置とに、移動する。
【００６０】
そして、まず、上記ステージ移動部９によって、上記第１の光学部３１を光軸上に設定して、上記投影光学系４の開口数を求める。その後、上記ステージ移動部９によって、上記第２の光学部を光軸上に設定して、上記ウェハ５に、上記第２の光学部の所定パターンの像を投影露光する。
【００６１】
上記投影光学系４に、上記投影光学系４の開口数を可変する開口数可変機構１０を設けるようにしてもよい。このように、上記投影光学系４の開口数を、上記第２の光学部のパターンの最小線幅に応じて可変設定し、最適条件下で露光できる。
【００６２】
次に、上記構成の露光装置の投影光学系の開口数を計測する方法を説明する。
【００６３】
まず、上記第１の光学部３１の複数の基本パターンを上記ウェハ５にデフォーカス状態にて露光し、露光されたパターン域での上記ウェハ５のレジストの残膜量変化を測定する。そして、この測定値の変曲点となる上記第１の光学部３１のピッチサイズＰａ，Ｐｂを求めることによって、上記投影光学系４の開口数を求める。
【００６４】
上記構成の露光装置によれば、上記第１の光学部３１によって、定期的な開口数の計測および補正を行うことができる。そして、複数の露光装置の性能を均一に管理および保持することができる。特に、上記投影光学系４が開口数可変機構１０を有する場合に、都合がよくなる。上記ステージ移動部９によって、上記ステージ８を移動することにより、簡単に、開口数の計測及び補正を実施できる。
【００６５】
また、使用するレジスト材料のコントラスト、および、このレジスト材料と上記ウェハとの密着性といった材料に起因する性能差の影響を受けない。また、完全なデフォーカス状態で測定するので、装置の微妙なフォーカス変動の影響を受けず、高精度の装置調整を行う必要がない。
【００６６】
また、上記構成の露光装置の開口数計測方法によれば、この測定での変曲点となる上記第１の光学部３１のピッチサイズＰａ，Ｐｂを求めることによって、上記投影光学系４の開口数を求めているので、露光装置を分解することなく、かつ、手間のかかる調整を行なわないで、上記投影光学系４の開口数を、定量的に、精密にかつ簡便に測定できる。
【００６７】
なお、図示しないが、リソプロセスシミュレーターにおいても、同様の条件にて開口数を求めることができる。但し、リソプロセスシミュレーターのアウトプットは、光強度となるため、Ｘ軸にピッチサイズ、Ｙ軸に１ピッチ内の光強度の平均値の逆数をプロットすることで、変曲点を求め開口数を求めることができる。
【００６８】
リソプロセスシミュレーターでは、露光装置の光学特性を設定することで、光学部材を自動的に設定することが可能であり、その機能を使用すれば、開口数補正を自動的に算出することも可能となる。
【００６９】
この方式により、実露光装置の開口数計測結果とリソプロセスシミュレーターにて得られた結果の相違分を補正することにより、リソプロセスシミュレーターに設定すべき開口数を求めることができる。
【００７０】
また、リソプロセスシミュレーションにて設定された開口数の妥当性を評価する場合、デフォーカス状態での光強度をプロットすることで比較可能なため、レジスト及び現像プロセスのパラメータ設定に対して高い精度を追求する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の露光装置の一実施形態を示す構成図である。
【図２Ａ】開口数測定用の光学部材の平面図である。
【図２Ｂ】開口数測定用の光学部材の平面図である。
【図３Ａ】±１次光および０次光が瞳面内にある状態を示す作用説明図である。
【図３Ｂ】±１次光が瞳面からはみでている状態を示す作用説明図である。
【図３Ｃ】０次光のみが瞳面内にある状態を示す作用説明図である。
【図４】レンズ端部における１次回折光の状態を示す作用説明図である。
【図５】レジストを抜く照射時間と、光学部材のピッチサイズとの、関係を示すグラフ図である。
【符号の説明】
【００７２】
１    光源
２    照明光学系
３    光学部材
３１    第１の光学部
４    投影光学系
４ａ    瞳面
４ｂ    端部
５    ウェハ
６    測定部
７    算出部
８    ステージ
９    ステージ移動部
１０    開口数可変機構
４０    ０次光束
４１ａ    ＋１次光束
４１ｂ    −１次光束
【図１】
2006196669.tif 000003
【図２Ａ】
2006196669.tif 000004
【図２Ｂ】
2006196669.tif 000005
【図３Ａ】
2006196669.tif 000006
【図３Ｂ】
2006196669.tif 000007
【図３Ｃ】
2006196669.tif 000008
【図４】
2006196669.tif 000009
【図５】
2006196669.tif 000010