(57)【要約】【課題】半導体レーザーダイオード装置とそれを製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザーダイオード装置は、半導体レーザー素子;上記半導体レーザー素子が搭載されるサブマウントを有する主リード部 ; 上記主リード部と電気的に絶縁されるよう配される少なくとも一つの副リード部 ; 上記主リード部と副リード部とを一体に固定しながら上記主リード部と副リード部同士を絶縁させる第１樹脂部;上記半導体レーザー素子のレーザービームが出射する出射孔を具備し、上記主リード部と第１樹脂部に伝達された熱を外部へ放出するよう上記主リード部と第１樹脂部を包囲する第２樹脂部;を含む。本発明の半導体レーザーダイオード装置によれば、熱放出特性が優れ製品の使用寿命を延長させられ、構成部品数を減らして組立工程を単純化し製造原価を節減することができる。【選択図】図３
2006190930.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザー素子と、
上記半導体レーザー素子が搭載されるサブマウントを有する主リード部と、
上記主リード部と電気的に絶縁されるよう配される少なくとも一つの副リード部と、
上記主リード部と副リード部を一体に固定しながら上記主リード部と副リード部同士を絶縁させる第１樹脂部と、
上記半導体レーザー素子のレーザービームが出射する出射孔を備え、上記主リード部と第１樹脂部に伝達された熱を外部へ放出するよう上記主リード部と第１樹脂部を包囲する第２樹脂部と
を備える半導体レーザーダイオード装置。
【請求項２】
上記副リード部は、上記半導体レーザー素子またはサブマウントとワイヤを介して電気的に連結される連結部と、上記連結部から下部へ一定の長さで延長される脚及び上記脚の長さ方向の中間に形成される係止部とを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項３】
上記主リード部は、上記サブマウントが配される素子配置部と、上記素子配置部から下部へ一定の長さで延長される脚及び上記脚の長さ方向の中間に形成される突出部とを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項４】
上記第１樹脂部は、上記副リード部の連結部を外部へ露出させる開口部を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオード装置。 
【請求項５】
上記第１樹脂部は、上記第２樹脂部と対応する外部面に上記第２樹脂部との結合力を高め得るよう突出部を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項６】
上記第１樹脂部は、絶縁性樹脂で射出成型されることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項７】
上記第１樹脂部は、絶縁性樹脂でトランスファーモールディングされることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオード装置。 
【請求項８】
上記第２樹脂部は、伝導性樹脂で射出成型されることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項９】
上記第２樹脂部は、伝導性樹脂でトランスファーモールディングされることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項１０】
上記伝導性樹脂は、１ないし４０W/m-Kの熱伝導度を有する樹脂材であることを特徴とする請求項８または９に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項１１】
上記伝導性樹脂は、金属製充填材を含むことを特徴とする請求項８または９に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項１２】
上記伝導性樹脂は、黒鉛充填材を含むことを特徴とする請求項８または９に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項１３】
上記第２樹脂部の出射孔には、レーザー素子のレーザービームが返ってくるのを防止するよう傾斜面を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項１４】
後面出射光をモニタリングする受光素子をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項１５】
上記受光素子は、サブマウントに一体型で備えられることを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項１６】
上記受光素子は、主リード部にサブマウントと独立して備えられることを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項１７】
上記受光素子は、第２樹脂部の内壁に備えられることを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザーダイオード装置。
【請求項１８】
半導体レーザー素子が配されるサブマウントと、上記サブマウントを有する主リード部と、上記主リード部と電気的に絶縁される少なくとも一つの副リード部とを有する半導体レーザーダイオード装置を製造する方法であって、
上記主リード部と副リード部を固定しながら上記主リード部と副リード部同士を絶縁させるよう上記主リード部と副リード部を包囲する第１樹脂部を成形し、上記半導体レーザー素子のレーザービームが出射する出射孔を形成しながら上記主リード部と第１樹脂部に伝達された熱を放熱するよう上記主リード部と第１樹脂部を包囲する第２樹脂部を成形する半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項１９】
上記第１樹脂部には、上記副リード部の上端に備えられる連結部を外部へ露出させる開口部を形成することを特徴とする請求項１８に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項２０】
上記第１樹脂部には、上記第２樹脂部に対応する外部面に上記第２樹脂部との結合力を高め得るよう突出部を突出形成することを特徴とする請求項１８に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項２１】
上記第１樹脂部は、絶縁性樹脂を素材として射出成型することを特徴とする請求項１８に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項２２】
上記第１樹脂部は、絶縁性樹脂を素材としてトランスファーモールディングされることを特徴とする請求項１８に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項２３】
上記第２樹脂部は、伝導性樹脂を素材として射出成型されることを特徴とする請求項１８に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項２４】
上記第２樹脂部は、伝導性樹脂を素材としてトランスファーモールディングされることを特徴とする請求項１８に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項２５】
上記伝導性樹脂は、１ないし４０W/m-Kの熱伝導度を有する樹脂材であることを特徴とする請求項２３または２４に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項２６】
上記伝導性樹脂は、金属製充填材を含むことを特徴とする請求項２３または２４に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項２７】
上記伝導性樹脂は、黒鉛充填材を含むことを特徴とする請求項２３または２４に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項２８】
上記第２樹脂部の出射孔は、レーザー素子のレーザービームが返ってくるのを防止するよう傾斜面を備えることを特徴とする請求項１８に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項２９】
a）リードフレームを提供する段階と、
b）上記リードフレームに少なくとも一つの主リード部と副リード部を形成する段階と、
c）上記主リード部と副リード部を一体に固定しながら、これら同士を絶縁させるよう上記主リード部と副リード部を包囲する第１樹脂部を形成する段階と、
d）上記主リード部と第１樹脂部から伝達される熱を外部へ放熱しながら出射孔を形成するよう上記主リード部と第１樹脂部を包囲する第２樹脂部を形成する段階と、
e）上記主リード部にレーザー素子を配する段階と、
f）上記レーザー素子と上記副リード部を電気的に連結する段階と、
g）上記主及び副リード部と上記リードフレームを切断する段階と
を含む半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項３０】
上記b）段階は、上記リードフレームをエッチングまたはパンチング加工して素子配置部と脚を有する主リード部を形成し、連結部と脚を有する副リード部を形成することを特徴とする請求項２９に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項３１】
上記b）段階は、上記主及び副リード部の脚に係止部を形成することを特徴とする請求項３０に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項３２】
上記c）段階は、上記副リード部の上端付近に対応する第１樹脂部に開口部を形成することを特徴とする請求項２９に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項３３】
上記c）段階は、上記第１樹脂部に上記第２樹脂部との結合力を高め得るよう突出部を突出形成することを特徴とする請求項２９に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項３４】
上記第１樹脂部は、絶縁性樹脂を素材として射出成型されることを特徴とする請求項２９に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項３５】
上記第１樹脂部は、絶縁性樹脂を素材としてトランスファーモールディングされることを特徴とする請求項２９に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項３６】
上記第２樹脂部は、伝導性樹脂を素材として射出成型されることを特徴とする請求項２９に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項３７】
上記第２樹脂部は、伝導性樹脂を素材としてトランスファーモールディングされることを特徴とする請求項２９に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項３８】
上記伝導性樹脂は、１ないし４０W/m-Kの熱伝導度を有する樹脂材であることを特徴とする請求項３６または３７に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項３９】
上記伝導性樹脂は、金属製充填材を含むことを特徴とする請求項３６または３７に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項４０】
上記伝導性樹脂は、黒鉛充填材を含むことを特徴とする請求項３６または３７に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項４１】
上記d）段階は、上記第２樹脂部の出射孔にレーザー素子のレーザービームが返ってくるのを防止するよう傾斜面を備えることを特徴とする請求項２９に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項４２】
上記e）段階は、上記主リード部の素子配置部にサブマウントを搭載した後、上記サブマウントに上記レーザー素子を接着固定することを特徴とする請求項２９に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【請求項４３】
上記e）段階は、上記レーザー素子をサブマウントに接着固定した後、上記サブマウントを上記主リード部の素子配置部に搭載することを特徴とする請求項２９に記載の半導体レーザーダイオード装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザーダイオード装置に関する。特に本発明は、熱放出特性が優れて製品の使用寿命を延長し得、構成部品数の減少及び組立工程の単純化によって製造原価を節減し得る半導体レーザーダイオード装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体レーザーダイオード装置は、順方向電流の注入によりレーザー発振を起こすp-n接合半導体素子の電気的な特性及び光特性を利用して動作し、ポインター（pointer）、レーザープリンター（Laser Printer）、スキャナ（Scanner）またはCD-P、CD-ROM、CD-RW、DVD-P、DVD-ROMなどのようなデータ格納（Data Storage）及び光ピックアップ（Optical Pick-up）機器に多様に応用されている。
【０００３】
かかる従来の半導体レーザーダイオード装置は、その形態に応じて缶型と、樹脂モールドリードフレーム型とに大きく分かれる。缶型半導体レーザーダイオード装置（１０）は、図１に示したように、レーザービームを出射するレーザーチップ（Laser Chip）（１９）が上部面に搭載されるサブマウント（１１）と、上記サブマウント（１１）が装着される放熱体（１３）を上部面に一定の高さで突出形成した円盤状のステム（Stem）（１２）と、メイン基板（図示せず）に容易に電気的に組立られるよう上記ステム（１２）の下部に延長される複数個のリード部（１４）とで構成される。
【０００４】
こうしたリード部（１４）はワイヤ部材（１５）を介して上記レーザーチップ（１９）と電気的に連結され、上記ステム（１２）の上部は上記レーザーチップ（１９）とサブマウント（１１）を外部環境から保護するキャップ部材（１６）を備え、上記キャップ部材（１６）の上部面中央に形成された出射孔（１６a）にはレーザービームが通過するガラス部材（１７）を装着する。
【０００５】
しかし、かかる従来の缶型半導体レーザーダイオード装置（１０）は金属製から成るキャップ部材（１６）をステム（１２）上に組み立て、特定波長の透過率を高めるために別途のガラス部材（１７）を上記キャップ部材（１６）の出射孔（１６a）に組み立てなければならないので、組立工程が大変複雑であり、構成部品数の多く製品の量産や製造原価の節減に限界があった。
【０００６】
これにより、かかる缶型の問題点を解決するために、リードフレームと樹脂部から成るリードフレームタイプの半導体レーザーダイオード装置を開発して来た。かかる従来の装置としては特許文献１に開示されたような半導体レーザー装置が周知である。
【０００７】
上記半導体レーザー装置は、レーザーチップを搭載する搭載部を有する第１リード部と、電極用の第２リード部と、上記第１及び第２リード部を固定する樹脂部とを設け、上記第２リード部の長さ方向に上記樹脂部と結合する結合部を上記第２リード部に設け、上記第２リード部を直下方へ延長して構成したものである。
【０００８】
しかし、かかる従来の装置は、リード部の電気的な連結の際リード部の外部離脱を防止し、製品を小型化するのに利点はあるが、熱が放出される経路が制限されており、上記樹脂部が熱伝導度の低い絶縁樹脂で構成されているので、作動の際発生する熱の放出特性が大変悪く、また上記樹脂部の絶縁樹脂に発生する静電気により異物が付着され易く、よってレーザーチップが損傷される虞がある。
【０００９】
特許文献２に開示された半導体レーザー装置は、レーザーチップが搭載される導電性支持体を有する基部と、第１及び第２リードから成るリードとを設け、上記基部の開口部に第２リードが挿入されると同時に樹脂ブロックが充填されながら上記リードが支持体に一体に固定されるものである。
【００１０】
しかし、かかる従来の装置は、缶型に比して組立部品数を減らせる利点があるが、支持体を別に用意しリードと組み立てなければならないので、製造工程が複雑であり、よって製造原価を節減するのに限界があった。また、絶縁樹脂が外部を包囲する形態で設けられて静電気の発生による異物付着の問題点はそのまま残されていた。
【特許文献１】特開平１４−１７６２２２号公報
【特許文献２】特開平１５−１１０１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
したがって、本発明は上記のように従来の問題点を解消するために提案されたものであって、その目的は熱放出特性に優れ、静電気の発生を抑制し製品の使用寿命を延長し得る半導体レーザーダイオード装置及びその製造方法を提供することである。
【００１２】
本発明の他の目的は、構成部品数を減らし組立工程を単純化して製造原価を節減し得る半導体レーザーダイオード装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記のような目的を成し遂げるための技術的な構成であって、本発明は、半導体レーザー素子; 上記半導体レーザー素子が搭載されるサブマウントを有する主リード部;上記主リード部と電気的に絶縁されるよう配される少なくとも一つの副リード部;上記主リード部と副リード部とを一体に固定しながら上記主リード部と副リード部同士を絶縁させる第１樹脂部;上記半導体レーザー素子のレーザービームが出射する出射孔を具備し、上記主リード部と第１樹脂部に伝達された熱を外部へ放出するよう上記主リード部と第１樹脂部を包囲する第２樹脂部;を含む半導体レーザーダイオード装置を提供する。
【００１４】
好ましくは、上記副リード部は、上記半導体レーザー素子またはサブマウントとワイヤを介して電気的に連結される連結部と、上記連結部から下部へ一定の長さで延長される脚及び上記脚の長さ方向の中間に形成される係止部を具備する。
【００１５】
好ましくは、上記サブマウントが配される素子配置部と、上記素子配置部から下部へ一定の長さ延長される脚及び上記脚の長さ方向の中間に形成される突出部を含む。
好ましくは、上記第１樹脂部は上記副リード部の連結部を外部へ露出させる開口部を具備する。
【００１６】
好ましくは、上記第１樹脂部は上記第２樹脂部と対応する外部面に上記第２樹脂部との結合力を高め得るよう突出部を具備する。
【００１７】
好ましくは、上記第１樹脂部は絶縁性樹脂で射出成型されるか絶縁性樹脂でトランスファーモールディングされる。
【００１８】
好ましくは、上記第２樹脂部は伝導性樹脂で射出成型されるか伝導性樹脂でトランスファーモールディングされ、上記伝導性樹脂は１ないし４０W/m-Kの熱伝導度を有する樹脂材か金属製充填材か黒鉛充填材が含まれることがより好ましい。
【００１９】
好ましくは、上記第２樹脂部の出射孔にはレーザー素子のレーザービームが返ってくるのを防止するよう傾斜面を具備する。
【００２０】
好ましくは、後面出射光をモニタリングする受光素子をさらに含み、上記受光素子はサブマウントに一体型で備えられるか主リード部にサブマウントと独立的に備えられるか第２樹脂部の内壁に備えられることがより好ましい。
【００２１】
本発明は、半導体レーザー素子が配されるサブマウントと、上記サブマウントを有する主リード部及び上記主リード部と電気的に絶縁される少なくとも一つの副リード部を有する半導体レーザーダイオード装置を製造する方法において、上記主リード部と副リード部を固定しながら上記主リード部と副リード部同士を絶縁させるよう上記主リード部と副リード部を包囲する第１樹脂部を成形し、上記半導体レーザー素子のレーザービームが出射する出射孔を形成しながら上記主リード部と第１樹脂部に伝達された熱を放熱するよう上記主リード部と第１樹脂部を包囲する第２樹脂部を成形することを特徴とする半導体レーザーダイオード装置の製造方法を提供する。
【００２２】
好ましくは、上記第１樹脂部には上記副リード部の上端に備えられる連結部を外部へ露出させる開口部を形成する。
【００２３】
好ましくは、上記第１樹脂部には上記第２樹脂部と対応する外部面に上記第２樹脂部との結合力を高め得るよう突出部を突出形成する。
【００２４】
好ましくは、上記第１樹脂部は絶縁性樹脂を素材として射出成型されるか絶縁性樹脂を素材としてトランスファーモールディングされる。
【００２５】
好ましくは、上記第２樹脂部は伝導性樹脂を素材として射出成型されるか伝導性樹脂を素材としてトランスファーモールディングされ、上記伝導性樹脂は１ないし４０W/m-Kの熱伝導度を有する樹脂材であるか金属製充填材を含むか黒鉛充填材を含むことがより好ましい。
【００２６】
好ましくは、上記第２樹脂部の出射孔にはレーザー素子のレーザービームが返ってくるのを防止するよう傾斜面を具備する。
【００２７】
本発明は、a）リードフレームを提供する段階;b）上記リードフレームに少なくとも一つの主リード部と副リード部を形成する段階;c）上記主リード部と副リード部を一体に固定しながら、これら同士を絶縁させるよう上記主リード部と副リード部を包囲する第１樹脂部を形成する段階;d）上記主リード部と第１樹脂部から伝達される熱を外部に放熱しながら出射孔を形成するよう上記主リード部と第１樹脂部を包囲する第２樹脂部を形成する段階;e）上記主リード部にレーザー素子を配する段階;f）上記レーザー素子と上記副リード部を電気的に連結する段階;及びg）上記主、副リード部と上記リードフレームを切断する段階;を含むことを特徴とする半導体レーザーダイオード装置の製造方法を提供する。
【００２８】
好ましくは、上記b）段階は上記リードフレームをエッチングまたはパンチング加工して素子配置部と脚を有する主リード部を形成し、連結部と脚を有する副リード部を形成する。
【００２９】
好ましくは、上記b）段階は上記主、副リード部の脚に係止部を形成する。
【００３０】
好ましくは、上記c）段階は上記副リード部の上端付近と対応する第１樹脂部に開口部を形成する。
【００３１】
好ましくは、上記c）段階は上記第１樹脂部に上記第２樹脂部との結合力を高め得るよう突出部を突出形成する。
【００３２】
好ましくは、上記第１樹脂部は絶縁性樹脂を素材として射出成型されるか絶縁性樹脂を素材としてトランスファーモールディングされる。
【００３３】
好ましくは、上記第２樹脂部は伝導性樹脂を素材として射出成型されるか伝導性樹脂を素材としてトランスファーモールディングされ、上記伝導性樹脂は１ないし４０W/m-Kの熱伝導度を有する樹脂材であるか金属製充填材を含むか黒鉛充填材を含む。
【００３４】
好ましくは、上記d）段階は上記第２樹脂部の出射孔にレーザー素子のレーザービームが返ってくるのを防止するよう傾斜面を具備する。
【００３５】
好ましくは、上記e）段階は上記主リード部の素子配置部にサブマウントを搭載した後、上記サブマウントに上記レーザー素子を接着固定する。
【００３６】
好ましくは、上記e）段階は上記レーザー素子をサブマウントに接着固定した後、上記サブマウントを上記主リード部の素子配置部に搭載する。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、主リード部と副リード部を絶縁性樹脂で絶縁するよう第１樹脂部を射出またはトランスファーモールディングにより成形し、これらを熱伝導性樹脂で包囲する第２樹脂部を射出またはトランスファーモールディングにより成形することにより、主リード部、第１樹脂部に伝達される熱を外部へ容易に放出し、従来より熱放出特性が優れ、静電気発生が少なくなり、これにより製品使用寿命を顕著に延長することができる。
【００３８】
また、全構成部品数を従来より減縮すると共に組立工程を単純化できるので、製品の製造原価を節減し価格競争力を向上させられる効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明について添付の図を参照に詳しく説明する。
【００４０】
図２は本発明による半導体レーザーダイオード装置の斜視図、図３は本発明による半導体レーザーダイオード装置の主、副リード部に第１樹脂部を成形した斜視図である。
【００４１】
本発明の装置（１００）は図２と図３に示したように、構成部品数を減らし組立工程を単純化し、製造原価を節減し、熱放出特性が優れ静電気発生を抑制し使用寿命を長寿命化できるもので、かかる装置（１００）は半導体レーザー素子（１１０）、主リード部（１２１）、副リード部（１２５）及び 第１、２樹脂部（１３０）（１４０）で構成される。
【００４２】
即ち、上記半導体レーザー素子（１１０）（以下、レーザー素子という）は電源印加時レーザービームを発生させながら熱を提供する発熱源で、かかる半導体レーザー素子（１１０）はモニター用受光素子を一体化でき、熱伝導性に優れた素材から成るサブマウント（sub-mount）（１１５）上に搭載される。
【００４３】
ここで、上記レーザー素子（１１０）は活性層とそれを包囲するクラッド層から成るGaAlAs系、高密度光ディスクの赤色半導体レーザー素子に使用されるAlGain系、AlGainP系、AlGainPAs系と、トランジスタなどの電子デバイスに使用されるGaN系などのような材料を利用して構成される。
【００４４】
上記レーザー素子（１１０）はAu-Sn、Pb-Snなどのようなハンダ材やAgペーストのような接着手段を介して上記サブマウント（１１５）の上部面に接着固定される。
【００４５】
さらに、上記受光素子を一体化したサブマウント（１１５）はSiを母材とする受光素子で、上記レーザー素子（１１０）の後面出射光をモニタリングできるよう備えられる。上記サブマウント（１１５）はSiの他にも、例えばAlN、SiC、Cuなど熱伝導性の優れたセラミック、金属材料などで構成されることもできる。
【００４６】
さらに、上記主リード部（１２１）は上記半導体レーザー素子（１１０）を搭載したサブマウント（１１５）が配されるよう広い面積を有する素子配置部（１２２）と、上記素子配置部（１２３）から直下方へ一定長さで延長される脚部（１２３）で構成される。
【００４７】
ここで、上記サブマウント（１１５）はAu-Sn、Pb-Sn、Au-Sn、Sn-Biなどのようなハンダ材やAgペーストを用いて上記主リード部（１２１）の素子配置部（１２２）に接着固定される。
【００４８】
この際、上記素子配置部（１２２）は上記第１樹脂部（１３０）によって前面一部が露出され、上記第２樹脂部（１４０）に包囲される。
【００４９】
また、上記副リード部（１２５）は上記半導体レーザー素子（１１０）が備えられる主リード部（１２１）と電気的に絶縁されるよう上記第１樹脂部（１３０）によって位置固定され、図示されないワイヤ（W）を介して上記レーザー素子（１１０）やサブマウント（１１５）と電気的に連結される。
【００５０】
かかる副リード部（１２５）は上記第１樹脂部（１３０）の開口部（１３５）を通して外部に露出され上記ワイヤ（W）の一端部が電気的に連結される連結部（１２６）と、上記連結部（１２６）から直下部に一定長さで延長され上記主リード部（１２１）の脚（１２３）と並んで配される一定長さの脚（１２７）で構成される。
【００５１】
そして、上記主リード部（１２１）は上記レーザー素子（１１０）から発生した熱をメイン基板側へ容易に放出できるよう熱伝導度が優れた金属素材で構成されることが好ましく、上記副リード部（１２５）は上記レーザー素子（１１０）、サブマウント（１１５）とメイン基板同士の電気的な連結が容易であるよう電極用伝導性金属素材で構成されることが好ましい。
【００５２】
かかる主、副リード部（１２１）（１２５）は上記脚（１２３）（１２７）の各長さの中間にメイン基板との組立の際その挿入深さを制御できるよう係止部（１２９）が同一な位置に各々備えられる。
【００５３】
さらに、上記第１樹脂部（１３０）の前面には上記副リード部（１２５）の連結部（１２６）を外部へ露出させられるよう少なくとも一つの開口部（１３５）を各々形成し、これにより上記レーザー素子（１１０）またはサブマウント（１１５）に一端がボンディングされたワイヤ（W）の他端は上記連結部（１２６）にワイヤボンディングされるのである。
【００５４】
また、上記第１樹脂部（１３０）には上記第２樹脂部（１４０）との結合面積をより広げ第１、２樹脂部（１３０）（１４０）同士の結合力を増大させられるよう突出部（１３２）を本体外部面に突出形成してもよい。
【００５５】
ここで、上記第１樹脂部（１３０）はPC、PA、PPS、LSP及びEMCなどのような樹脂材を素材として射出またはトランスファーモールディング方式により上記主リード部（１２１）と副リード部（１２５）同士が電気的に連結されない絶縁状態となるよう成形される。
【００５６】
一方、上記第２樹脂部（１４０）は上記主リード部（１２１）と第１樹脂部（１３０）に接してレーザービーム照射の際発生する熱を外部へ放出するよう上記主リード部（１２１）の素子配置部（１２２）と上記第１樹脂部（１３０）の一部を包囲する樹脂物である。
【００５７】
かかる第２樹脂部（１４０）は上記レーザー素子（１１０）と第１樹脂部（１３０）の一部を外部に露出させながらレーザービームが出射する出射窓（１４３）を上記素子配置部（１２２）の前方に形成するよう上記素子配置部（１２２）と第１樹脂部（１３０）の一部を包囲する上部樹脂物（１４１）と、上記第１樹脂部（１３０）の開口部を露出させながら上記第１樹脂部（１３０）の前、後面を包囲する下部樹脂物（１４２）で構成される。
【００５８】
ここで、上記第２樹脂部（１４０）はPC、PA、PPS、LSP及びEMCなどのような樹脂材に金属または黒鉛などの充填材が含まれ電気伝導度及び熱伝導度の優れた樹脂物で構成され、樹脂材と充填材との混合比率は上記第２樹脂部（１４０）を射出成型またはトランスファーモールディングする条件によって適切に可変する。
この際、上記第２樹脂部（１４０）は１ないし４０W/m-Kの熱伝導度を有する樹脂物で構成されることが好ましい。
【００５９】
これにより、上記レーザー素子（１１０）から発生し主リード部（１２１）と第１樹脂部（１３０）に伝達された熱は熱伝導度の優れた上記第２樹脂部（１４０）を通して外部へ容易に放出され、これにより上記第１樹脂部（１３０）における静電気の発生量を最少化し異物の付着を予防できる。
【００６０】
また、上記第２樹脂部（１４０）の出射孔（１４３）には図４に示したように、上記レーザー素子（１１０）から出射するレーザービームの出射角度を拡大しながら上記レーザー素子（１１０）から発生したレーザービームが返ってくるのを防止できるよう傾斜面（１４３a）を具備することが好ましい。
【００６１】
さらに、上記レーザー素子（１１０）から出射するビームを受光する受光領域には後面出射光をモニタリングできるよう受光素子（１５０）を具備し、かかる受光素子（１５０）は図５に示したように、上記レーザー素子（１１０）に近接する第２樹脂部（１４０）の一側面に配されることができ、この際電気伝導度を有する第２樹脂部（１４０）は上記受光素子（１５０）に電気的に連結される一つの電極として使用され、上記副リード部（１２５）は上記受光素子（１５０）とワイヤ（W）を介してワイヤボンディングされ、さらなる一つの電極として使用されることができるのである。
【００６２】
また、上記受光素子（１５０）は上記半導体素子（１１０）が搭載されるサブマウント（１１５）の上部面に一体に配されることもでき、上記サブマウント（１１５）が搭載される主リード部（１２１）に上記サブマウント（１１５）と独立して配されることもできる。
【００６３】
この際、上記受光素子（１５０）が上記第２樹脂部（１４０）、サブマウント（１１５）及び主リード部（１２１）中いずれかに配される場合、上記受光素子（１５０）は後面出射光をモニタリングできる受光領域内に位置されなければならない。
【００６４】
図６は本発明による半導体レーザーダイオード装置を製造する工程を示す順序図である。
【００６５】
先ず、図６（a）に示したように、主リード部（１２１）と副リード部（１２５）を構成するために熱伝導性及び電気伝導性が優れ、加工性に優れた金属材質から成るリードフレーム（L）を提供する。
【００６６】
上記リードフレーム（L）はパンチングまたはエッチング加工によって素子配置部（１２２）と脚（１２３）を有する主リード部（１２１）と、連結部（１２６）と脚（１２７）を有する副リード部（１２５）を同時に加工し、上記脚（１２３）（１２７）には係止部（１２９）が同一な高さで備えられることができる。
【００６７】
ここで、上記リードフレーム（L）に上記脚（１２３）（１２７）の下部端が一体に連結される主リード部（１２１）は一つ、そして副リード部（１２５）は３つずつ加工されるが、これに限定されるわけではなく多様に具備することができる。
【００６８】
続いて、図６（c）に示したように、上記第１樹脂部（１３０）は、上記素子配置部（１２２）と脚（１２３）との連結部位と上記連結部（１２６）と脚（１２７）との連結部位を包囲するよう、射出またはトランスファーモールディングにより成形されることにより、上記素子配置部（１２２）と脚（１２３）（１２７）の殆どは外部に露出する。
【００６９】
そして、上記第１樹脂部（１３０）の前面には上記副リード部（１２５）の上端が連結部を外部に露出させる開口部（１３５）を形成すると同時に、第２樹脂部（１４０）の成形の際上記第２樹脂部（１４０）との結合力を高め得るよう上記第２樹脂部と対応する第１樹脂部（１３０）の外部面には突出部（１３２）を突出形成する。
【００７０】
続いて、図６（d）に示したように、上記主リード部（１２１）と第１樹脂部（１３０）は金属充填材を含んだPC、PA、PPS、LCP及びEMCなどのような伝導性樹脂物に包囲されながら上記素子配置部（１２２）の前方にレーザービームが干渉無しで出射する出射孔（１４３）を形成するよう射出またはトランスファーモールディングにより第２樹脂部（１４０）を成形する。
【００７１】
そして、図６（e）に示したように、上記主リード部（１２１）の素子配置部（１２２）にはレーザー素子（１１０）を上部面に接着固定したサブマウント（１１５）を搭載するか上記サブマウント（１１５）を上記素子配置部（１２２）に接着固定した後上記サブマウント（１１５）上に上記レーザー素子（１１０）を接着固定する。
【００７２】
この際、上記サブマウント（１１５）は上記出射孔（１４３）の中心と略同一な垂直軸上に配されるよう上記素子配置部（１２２）に搭載されることが好ましい。
【００７３】
また、上記主リード部（１２１）の素子配置部（１２２）に上記レーザー素子（１１０）の配置が完了すると、図６（f）に示したように、上記レーザー素子（１１０）または上記サブマウント（１１５）に一端がワイヤボンディングされたワイヤ（W）の他端を上記副リード部（１２５）の連結部（１２６）に各々ワイヤボンディングすることによりこれらは相互電気的に連結され、上記主リード部（１２１）と副リード部（１２５）は上記第１樹脂部（１３０）により相互絶縁される。
【００７４】
そして、上記主、副リード部（１２１）（１２５）とリードフレーム（L）は切断工程によって上記主、副リード部の下部端と上記リードフレームとの境界部位が切断されることにより第１、２樹脂部（１３０）（１４０）を有する複数個の半導体レーザーダイオード装置を同時に製造できるものである。
【００７５】
一方、上記のように製造された半導体レーザーダイオード装置（１００）がメイン基板に装着された状態において上記レーザー素子（１１０）に電源が印加されると、上記レーザー素子（１１０）から発生するレーザービームは上記第２樹脂部（１４０）の出射孔（１４３）を通して前方へ出射する。
【００７６】
そして、上記レーザービーム出射の際発生する熱は上記サブマウント（１１５）から放熱されもするが、上記サブマウント（１１５）を通して素子配置部（１２２）側へ伝達され脚（１２３）を通してメイン基板側へ放熱される。
【００７７】
また、上記主、副リード部（１２１）（１２５）を包囲する第１樹脂部（１３０）側へ伝達された熱は上記素子配置部（１２２）と第１樹脂部（１３０）を包囲する第２樹脂部（１４０）へ伝達され、上記第２樹脂部（１４０）は熱伝導性樹脂から成っているので、熱を外部へ容易に放出し半導体レーザーダイオード装置の過熱を防止できる。
【００７８】
本発明は特定の実施例に係わり図示し説明したが、本発明の請求範囲により設けられる本発明の精神や分野を外れない限りで本発明を多様に改造及び変化できることは当業界において通常の知識を有する者であれば容易に理解することを明かしておく。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】一般的な缶型半導体レーザーダイオード装置を示した斜視図である。
【図２】本発明による半導体レーザーダイオード装置を示した斜視図である。
【図３】本発明による半導体レーザーダイオード装置の主、副リード部に第１樹脂部を成形した斜視図である。
【図４】本発明による半導体レーザーダイオード装置の他の実施例を示す斜視図である。
【図５】本発明による半導体レーザーダイオード装置のさらに他の実施例を示す斜視図である。
【図６（ａ）】本発明による半導体レーザーダイオード装置の製造工程を示す順序図である。
【図６（ｂ）】本発明による半導体レーザーダイオード装置の製造工程を示す順序図である。
【図６（ｃ）】本発明による半導体レーザーダイオード装置の製造工程を示す順序図である。
【図６（ｄ）】本発明による半導体レーザーダイオード装置の製造工程を示す順序図である。
【図６（ｅ）】本発明による半導体レーザーダイオード装置の製造工程を示す順序図である。
【図６（ｆ）】本発明による半導体レーザーダイオード装置の製造工程を示す順序図である。
【符号の説明】
【００８０】
１１０  レーザー素子
１１５  サブマウント
１２１  主リード部
１２２  素子配置部
１２３、１２７  脚
１２５  副リード部
１２６  連結部
１２９  係止部
１３０  第１樹脂部
１３５  開口部
１４０  第２樹脂部
１４１  上部樹脂物
１４２  下部樹脂物
１４３  出射孔
１４３a  傾斜面
１５０  受光素子
L  リードフレーム
W  ワイヤ
【図１】
2006190930.tif 000003
【図２】
2006190930.tif 000004
【図３】
2006190930.tif 000005
【図４】
2006190930.tif 000006
【図５】
2006190930.tif 000007
【図６（ａ）】
2006190930.tif 000008
【図６（ｂ）】
2006190930.tif 000009
【図６（ｃ）】
2006190930.tif 000010
【図６（ｄ）】
2006190930.tif 000011
【図６（ｅ）】
2006190930.tif 000012
【図６（ｆ）】
2006190930.tif 000013