(57)【要約】【課題】電子シャワー処理された正孔注入層を備える有機電界発光素子を提供する。【解決手段】基板(24)上に形成された正極と、正極上に形成され、電子シャワー処理された正孔注入層(26)と、正孔注入層上に形成された正孔輸送層と、正孔輸送層上に形成された発光層と、発光層上に形成された電子注入層と、電子注入層上に形成された電子輸送層と、電子輸送層上に形成された負極と、を備える有機電界発光素子である。これにより、正孔注入層に対して電子シャワー処理を行って、正孔注入層の不純物を除去して電気的表面抵抗を増加させることにより、性能及び寿命が向上する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された正極と、
前記正極上に形成され、電子シャワー処理された正孔注入層と、
前記正孔注入層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成された負極と、を備えることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
前記電子シャワー処理は、側面シャワー方式によって行われたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記電子シャワー処理において、前記電子のエネルギーは、１０ｅＶないし１００ｅＶであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記電子シャワー処理において、処理時間は、前記正孔注入層の表面抵抗が初基値に対して１０％以内になるように調節されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記電子シャワー処理は、窒素雰囲気下でのブローイング処理を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記電子シャワー処理は、真空または窒素雰囲気下での焼成処理を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記基板は、有機基板、または透明プラスチック基板であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記正極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯまたはその混合物からなることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記正孔注入層は、銅フタロシアニン、スターバースト型のアミノ類、ＰＥＤＯＴまたはその混合物からなることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１０】
前記有機電界発光素子は、前記正孔注入層の上層に、ＴＦＢ、ＰＦＢ、ＢＦＥ及びその混合物、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、ＩＤＥ  ３２０及びその混合物からなる群から選択された正孔輸送層が積層されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１１】
前記有機電界発光素子は、前記発光層の上層に電子輸送層が積層されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１２】
前記有機電界発光素子は、前記電子輸送層の上層に電子注入層が積層されることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
前記有機電界発光素子は、前記発光層の上層にＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、Ｌｉｑ及びその混合物からなる群から選択された電子注入層が積層されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１４】
前記負極は、Ｌｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｌ−Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｇ−Ｉｎ、Ｍｇ−Ａｇ及びその合金からなる群から選択されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１５】
基板上に正極を形成する工程と、
前記正極上に正孔注入層を形成する工程と、
前記正孔注入層に対して電子シャワー処理を行う工程と、
前記正孔注入層上に発光層を形成する工程と、
前記発光層上に負極を形成する工程と、を含む有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記電子シャワー処理は、側面シャワー方式によって行われたことを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記電子シャワー処理において、前記電子のエネルギーは、１０ｅＶないし１００ｅＶであることを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記電子シャワー処理において、処理時間は、前記正孔注入層の表面抵抗が初基値に対して１０％以内になるように調節されることを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記電子シャワー処理は、窒素雰囲気下でのブローイング処理を含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記電子シャワー処理は、真空または窒素雰囲気下での焼成処理を含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子シャワー処理された正孔注入層を備える有機電界発光（Ｅｌｅｃｔ  ｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）素子及びその製造方法に係り、より具体的には、有機ＥＬ素子において正孔の注入を容易にする正孔注入層に対して電子シャワー処理を施し、正孔注入層の不純物を除去して電気的表面抵抗を大きくすることにより、性能及び寿命が向上した有機ＥＬ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、蛍光または燐光有機膜に電流を流すと、電子と正孔とが有機膜で結合して光が発生する現象を利用した自発光型ディスプレイであって、軽量、簡素な部品、簡単な製作工程、高画質及び高色純度、低消費電力、及び高動画再現性といった多様な長所を備えているため、現在活発な研究が行われている。
【０００３】
前記のような有機ＥＬ素子において、有機膜として単一発光層のみを使用せずに、効率の向上及び駆動電圧の低下のために、正孔注入層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、及び発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）といった複数層の有機膜を積層させることが一般的であり、このような複数層の有機膜は、基本的に正孔関連層、電子関連層、及びＥＭＬに区分できる。
【０００４】
図１は、従来の一般的な有機ＥＬ素子（低分子ＥＭＬを採用するシステムの場合）の断面図であり、これによれば、基板１１上に正極またはアノード電極１２が積層され、その上に正孔関連層としてＨＩＬ１３とＨＴＬ１４が積層され、またＥＭＬ１５が積層され、その上に電子関連層としてＥＴＬ１６と電子注入層（ＥｌｅｃｔｒｏｎＩｎｊｅｃｔｉｏｎＬａｙｅｒ：ＥＩＬ）１７が積層された後に、最終的に負極またはカソード電極１８が積層された構造を有するということが分かる。
【０００５】
前記のような積層構造を有する有機ＥＬ素子において、ＨＩＬ１３は、印加される電圧を減少させ、放出効率を増加して、寿命を延長させるための目的として形成され、ＨＩＬ１３を形成する物質としては、銅フタロシアニン、スターバースト型のアミノ類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＴＤＡＴＡ、またはＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）などの物質が使用される。
【０００６】
しかし、前記正孔注入物質を別途の処理なしにＨＩＬとして使用する場合には、表面不純物の存在によって性能が劣化して、電気的な表面抵抗が減少しうるなどの問題があり、好ましくない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記のような問題を解決して、ＨＩＬに対して電子シャワー処理を行って、ＨＩＬの不純物を除去し、電気的な表面抵抗を増加させることにより、性能及び寿命が向上した有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供するところにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、前記技術的課題を達成するための一具現例で、基板上に形成された正極と、前記正極上に形成され、電子シャワー処理されたＨＩＬと、前記ＨＩＬ上に形成されたＥＭＬと、前記ＥＭＬ上に形成された負極と、を備える有機ＥＬ素子を提供する。
【０００９】
また、本発明は、前記技術的課題を達成するための他の具現例で、基板上に正極を形成する工程と、前記正極上にＨＩＬを形成する工程と、前記ＨＩＬに対して電子シャワー処理を行う工程と、前記ＨＩＬ上にＥＭＬを形成する工程と、前記ＥＭＬ上に負極を形成する工程と、を含む有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ＨＩＬに対して電子シャワー処理を行ってＨＩＬの不純物を除去し、電気的な表面抵抗を増加させることにより、性能及び寿命が向上した有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
【００１２】
本発明は、有機ＥＬ素子及びその製造方法に係り、有機ＥＬ素子の製造過程中で、ＥＭＬへの正孔注入を容易にする役割を行うＨＩＬに電子シャワー処理を施して、ＨＩＬの表面特性を変化させることにより、ＨＩＬ表面の不安定な不純物を除去して性能及び寿命が向上した有機ＥＬ素子及びその製造方法に関する。
【００１３】
本発明は、このための一具現例で、基板上に形成された正極と、前記正極上に形成され、電子シャワー処理されたＨＩＬと、前記ＨＩＬ上に形成されたＥＭＬと、前記ＥＴＬ上に形成された負極と、を備える有機ＥＬ素子を提供する。
【００１４】
本発明では、ＨＩＬに電子シャワー処理を加えることにより、ＨＩＬの表面の前分解または不安定な不純物の除去を図り、ＨＩＬの結合破壊及び組成変化などにより、ハロゲン不純物及び硫イオン硫イオンのような不安定なイオン種による性能の低下を最小化できる変形ＨＩＬを形成する。
【００１５】
好ましくは、前記電子シャワー処理は、低電流密度を得るために、直接シャワー方式ではない、側面シャワー方式によって行われる。
【００１６】
図２には、電子シャワー方式についての概略的な比較図が図示されており、図２から分かるように、本発明に係る側面電子シャワー方式は、電子放出源２１からの電子放出経路２２上に処理対象となるＨＩＬを位置させずに、前記経路から離れた位置２３に基板２４及びＨＩＬ２５が積層された被照射体を位置させて、電子の被照射による変形ＨＩＬ２６を形成する方式である。このような側面シャワー方式を使用することにより、界面処理の効果が得られる。
【００１７】
さらに具体的に説明すれば、本発明に係る側面シャワー方式は、被照射体の位置を直接シャワーする時に照射される面積から離れるが、位置は、電子銃を製造する会社で提示する直径を逸脱してはならず、電子銃との距離は、最小１００ｍｍから最大２００ｍｍが適当であるが、これは、表面処理特性の変化と処理時間との問題で実験的に最適化が可能である。例えば、電子銃との距離を長くするほど、処理効果に対する処理時間が長くなるが、短くすれば、処理時間は短くなるものの、長い場合に比べて処理効果の調節が難しくなる可能性がある。ここで期待する界面処理効果には、伝導性の高分子表面の電気的に不安定な部分を安定化させ、界面抵抗を増加させて、電気的な駆動時に発生する不純物の移動を抑制することが含まれる。
【００１８】
また、前記電子シャワー処理において、前記電子のエネルギーは、１０ｅＶないし１００ｅＶであることが好ましいが、電子のエネルギーが１０ｅＶ未満である場合には、側面シャワー方式では十分なエネルギーで表面処理を行えないという問題があることから好ましくなく、一方、１００ｅＶを超える場合には、側面シャワー時に過度な表面処理が発生するという問題があることから好ましくない。
【００１９】
また、前記電子シャワー処理において、処理時間は、ＨＩＬの表面抵抗が初期値に対して１０％以内に減少するように調節されることが好ましいが、処理時間が短すぎる場合には、界面処理が十分に行われないという問題があり、好ましくなく、処理時間が長すぎる場合には、界面抵抗の増加により伝導性高分子の役割を良好に行えないという問題があり、好ましくない。
【００２０】
また、前記電子シャワー処理は、窒素雰囲気下でのブローイング処理を含むことにより、前記ＨＩＬの表面から離れた残留物質を除去することが好ましいが、残留物質が残っている場合には、このような残留物質によって漏れ電流及びデバイス不安定などの問題点が発生しうるためである。
【００２１】
また、前記電子シャワー処理は、ブローイング処理以外にも、真空または窒素雰囲気下での焼成処理を含むことが好ましく、このような焼成処理によって表面安定化の効果が得られる。この時、焼成条件は、ＨＩＬの伝導性高分子のＴｇより低い温度で高分子が熱的に損失されないほどのパワー（温度＊時間）で行う。
【００２２】
以下、本発明に係る有機ＥＬ素子に積層される各層についてさらに詳細に説明する。
【００２３】
本発明に係る有機ＥＬ素子は、高分子ＥＭＬを採用する場合及び低分子ＥＭＬを採用する場合の２つのシステムに分けられる。
【００２４】
高分子ＥＭＬを採用するシステムの場合には、本発明に係る有機ＥＬ素子は、基板上に形成された正極と、前記正極上に形成され、電子シャワー処理されたＨＩＬと、前記ＨＩＬ上に形成されたＥＭＬと、前記ＥＴＬ上に形成された負極と、を備える。
【００２５】
本発明に係る有機ＥＬ素子において、前記基板は、一般的な有機ＥＬ素子で使用される基板を使用するが、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性に優れた有機基板、または透明プラスチック基板が好ましい。
【００２６】
本発明で、基板上に形成される正極としては、前面発光構造である場合には、反射膜の金属膜を使用し、背面発光構造の場合には、透明かつ伝導性に優れた酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）またはその混合物などの物質を使用できる。
【００２７】
ＨＩＬとして使用される物質としては、当業界で通常的にＨＩＬ物質として採用される物質が使用されうるが、必ずしもこれに制限されるものではないが、銅フタロシアニン、スターバースト型のアミノ類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＰＥＤＯＴまたはその混合物などの物質が使用されうる。
【００２８】
前記ＨＩＬの厚さは、３００ないし１０００Åであることが好ましいが、もし、ＨＩＬの厚さが３００Å未満である場合には、正孔注入の特性が低下し、１０００Åを超える場合には、駆動電圧の上昇のため好ましくない。
【００２９】
前記ＨＩＬの上層には、選択的にＨＴＬが積層されうるが、前記ＨＴＬとして使用される物質としては、特に制限はないが、ＴＦＢ、ＰＦＢ、ＢＦＥまたはその混合物などが使用されうる。
【００３０】
前記ＨＴＬの厚さは、３００ないし１０００Åであることが好ましいが、もしＨＴＬの厚さが３００Å未満である場合には、正孔伝達特性が低下し、１０００Åを超える場合には、駆動電圧の上昇のため好ましくない。
【００３１】
高分子システムの場合に、ＥＭＬとしては燐光及び蛍光物質などが使用されうる。
【００３２】
また、前記ＥＭＬ上層には、選択的にＥＩＬが積層されうるが、前記ＥＩＬの物質は、特別に制限されず、ＬｉＦ、Ｌｉ、Ｂａ、ＢａＦ２／Ｃａなどの物質を利用できる。
【００３３】
最終的に、前記ＥＭＬ（ＥＩＬを含んでいない場合）またはＥＩＬ上には、第２電極の負極用の金属が積層され、前記負極金属としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などが使用されうる。
【００３４】
低分子ＥＭＬを採用するシステムの場合に、本発明に係る有機ＥＬ素子は、基板上に形成された正極と、前記正極上に形成され、電子シャワー処理されたＨＩＬと、前記ＨＩＬ上に形成されたＨＴＬと、前記ＨＴＬ上に形成されたＥＭＬと、前記ＥＭＬ上に形成されたＥＩＬと、前記ＥＩＬ上に形成されたＥＴＬと、前記ＥＴＬ上に形成された負極と、を備える。
【００３５】
前記基板、正極及びＨＩＬとしては、高分子ＥＭＬシステムと同じ基板及び正極が使用されうる。
【００３６】
低分子ＥＭＬを採用するシステムにおいて、前記ＨＩＬの厚さは、５０ないし１５００Åであることが好ましいが、もしＨＩＬの厚さが５０Å未満である場合には、正孔注入の特性が低下し、１５００Åを超える場合には、駆動電圧の上昇のため好ましくない。
【００３７】
また、低分子ＥＭＬを採用するシステムにおいて、ＨＴＬとして使用される物質としては、特に制限はないが、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、ＩＤＥ  ３２０（出光社製）またはその混合物などが使用されうる。
【００３８】
前記ＨＴＬの厚さも、５０ないし１５００Åであることが好ましいが、もしＨＴＬの厚さが５０Å未満である場合には、正孔伝達の特性が低下し、１５００Åを超える場合には、駆動電圧が上昇するため好ましくない。
【００３９】
低分子ＥＭＬ採用システムにおいて、前記ＨＩＬ及びＨＴＬ上の画素領域のうち、Ｒ、Ｇ、Ｂ領域には、赤色発光物質、緑色発光物質及び青色発光物質をパターン化して画素領域であるＥＭＬを形成する。前記発光材料は、２つ以上の混合ホスト物質を使用しても良い。
【００４０】
ＥＭＬの厚さは、１００ないし８００Åであることが好ましく、より好ましくは、３００ないし４００Åである。もし、ＥＭＬの厚さが１００Å未満であれば、効率及び寿命が低下し、８００Åを超えれば、駆動電圧が上昇するので好ましくない。
【００４１】
次いで、低分子ＥＭＬの採用システムでは、ＥＭＬの上面にＥＴＬが形成されるが、ＥＴＬの物質は、当業界で通常的にＥＴＬとして採用される物質が使用され、例えば、Ａｌｑ３が使用されうる。一方、前記ＥＴＬの厚さは、５０ないし６００Åであることが好ましいが、もしＥＴＬの厚さが５０Å未満である場合には、寿命特性が低下し、６００Åを超える場合には、駆動電圧が上昇するため好ましくない。
【００４２】
また、前記ＥＴＬ上にＥＩＬが選択的に積層されうる。前記ＥＩＬの物質は、特別に制限されず、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、Ｌｉｑなどの物質を利用できる。前記ＥＩＬの厚さは、１ないし１００Åであることが好ましいが、もしＥＩＬの厚さが１Å未満である場合には、効果的なＥＩＬとしての役割を行うことができず、駆動電圧が高く、１００Åを超える場合には、絶縁層として作用して、駆動電圧が高くなるので好ましくない。
【００４３】
最終的に、前記ＥＴＬ上には、第２電極の負極用の金属が積層され、前記負極金属としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｌ−Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｇ−Ｉｎ、Ｍｇ−Ａｇなどが使用されうる。
【００４４】
また、本発明は、他の具現例で、基板上に正極を形成する工程と、前記正極上にＨＩＬを形成する工程と、前記ＨＩＬに対して電子シャワー処理を行う工程と、前記ＨＩＬ上にＥＭＬを形成する工程と、前記ＥＭＬ上に負極を形成する工程と、を含む有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【００４５】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、まず、基板上部に第１電極の正極用の物質を蒸着することで開始される。前記正極上には、画素領域を定義する絶縁膜（ＰＤＬ）が形成されても良い。
【００４６】
次いで、ＨＩＬが基板の全面にかけて有機膜として積層されるが、これは、当業界で通常的に使用される方法、例えば、真空熱蒸着またはスピンコーティング法によって積層されうる。
【００４７】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、このように形成されたＨＩＬに対して電子シャワー処理工程を含む。
【００４８】
前記のように、前記電子シャワー処理は、直接シャワー方式ではない側面シャワー方式によって行われることが好ましく、また、前記電子のエネルギーは、１０ｅＶないし１００ｅＶであることが好ましく、処理時間は、ＨＩＬの表面抵抗が初期値に対して１０％以内に減少するように調節されることが好ましい。
【００４９】
また、前記のように、このような電子シャワー処理は、窒素雰囲気下でのブローイング処理及び真空または窒素雰囲気下での焼成処理をさらに含むことが好ましい。
【００５０】
次いで、前記ＨＩＬ上には、真空熱蒸着またはスピンコーティングなどの方法によって選択的にＨＴＬが積層されてもよく、前記ＨＩＬ（ＨＴＬを備えていない場合）または前記ＨＴＬ（ＨＴＬを備える場合）上にはＥＭＬが積層され、前記ＥＭＬの形成方法は、特別に制限されないが、真空蒸着、インクジェットプリンティング、レーザー転写法、フォトリソグラフィ法などの方法が使用されうる。
【００５１】
次いで、前記ＥＭＬ上に真空蒸着法、またはスピンコーティング法によって、選択的にＥＴＬ（高分子ＥＭＬを採用するシステムの場合には積層されない）及びＥＩＬを形成し、また、その上に第２電極である負極金属を真空熱蒸着して基板の全面にかけて塗布及び封止することにより、本発明に係る有機ＥＬ素子を完成させうる。
【００５２】
以下、本発明の好ましい実施例を提示する。ただし、下記の実施例は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明が下記実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００５３】
［実施例１］
正極は、コーニング  １５Ω／ｃｍ２（１６００Å）ＩＴＯガラス基板を５０ｍｍｘ５０ｍｍｘ０．７ｍｍのサイズに切って、イソプロピルアルコール及び純水の中で５分間超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ、オゾン洗浄して使用した。
【００５４】
前記基板の上部にＰＥＤＯＴ（Ｂａｙｅｒ社のＡＩ４０８３）をスピンして、ＨＩＬを５０ｎｍの厚さに形成した。前記のようにＨＩＬを形成した後には、１００ｅＶ、１０μＡのエネルギーで１０分間、側面シャワー方式による電子シャワー処理装置（コリアバーキュム社製）を使用して電子シャワー処理を行い、窒素雰囲気下でのブローイング処理を数秒間実施し、窒素雰囲気下の２００℃での焼成処理を５分間行った。
【００５５】
次いで、前記ＨＩＬの上部にＨＴＬとしてＰＦＢをスピンコーティングして、２０ｎｍの厚さに製造した。次いで、前記ＨＴＬの上部にＥＭＬとしてポリフルオレン系の発光物質ＴＳ−９を７０ないし８０ｎｍの厚さにスピンコーティングした。
【００５６】
次いで、前記ＥＭＬの上部に負極としてＢａＦ２／Ｃａをそれぞれ５ｎｍ及び３．１ｎｍの厚さに順次に真空蒸着して、本発明による有機ＥＬ素子を製造した。
【００５７】
［比較例１］
ＨＩＬに対して電子シャワー処理、ブローイング処理、及び焼成処理を行っていない点を除いては、実施例１と同じ方法で従来技術に係る有機ＥＬ素子を製造した。
【００５８】
（性能の実験）
図３に示すように、寿命曲線には、初期に輝度が速く減少する部分と、次いで遅く減少する部分とが観察されるが、初期に輝度が速く減少する部分において、電子シャワーを施した曲線と、電子シャワーを施していない曲線との輝度差が確実であるということが分かる。しかし、輝度が遅く減少する部分では、ほぼ同じ傾斜が観察されるが、これは、電子シャワーによりＨＩＬのＰＥＤＯＴの表面にあった初期の電気的に不安定な部分が除去されたことが原因として作用したと判断される。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、有機電界発光素子に関連した技術分野に好適に適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】従来の通常的な有機ＥＬ素子についての断面図である。
【図２】直接電子シャワー方式と本発明で採用される側面電子シャワー方式とを概略的に比較した比較図である。
【図３】本発明の実施例及び従来技術の比較例によって製造された素子の寿命と輝度との関係を示す曲線である。
【００６１】
１１    基板、
１２    正極、
１３    ＨＩＬ、
１４    ＨＴＬ、
１５    ＥＭＬ、
１６    ＥＴＬ、
１７    ＥＩＬ、
１８    負極、
２１    電子放出源、
２２    電子放出経路、
２３    電子放出経路から離れた位置、
２４    基板、
２５    ＨＩＬ、
２６    変形ＨＩＬ。
【図１】
2006190654.tif 000003
【図２】
2006190654.tif 000004
【図３】
2006190654.tif 000005