(57)【要約】【課題】  簡易な製膜プロセスで作成できる信頼性の高い放射線画像検出器を提供する。【解決手段】  放射線画像検出器１０は、放射線を透過する第１の電極層１１、ブロッキング用光導電層１２、第１の電極層１１を透過した放射線の照射を受けることにより該放射線の照射量に応じた電荷を発生する記録用光導電層１３、記録用光導電層１３において発生した潜像電荷に対しては絶縁体として作用し、且つその潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては導電体として作用し、かつ読取光Ｌ２の照射により電荷を発生する読取用電荷輸送性光導電層１４、ブロッキング用光導電層１５、および読取光Ｌ２を透過する第２の電極層１６をこの順に積層してなるものである。蓄電部１７には、記録用光導電層１３内で発生した潜像電荷が蓄積され、読取光Ｌ２の照射により読み出される。従来必要であった、電荷輸送層の上に記録用光導電層を積層する製膜プロセスが不要になる。【選択図】          図１
2006261206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線画像を担持した放射線または記録光を透過する第１の電極層と、
該第１の電極層を透過した放射線または記録光の照射により該放射線または記録光の照射量に応じた電荷を発生する記録用光導電層と、
読取光の照射により電荷を発生し、該読取光が照射されない場合には、前記第１の電極層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する読取用電荷輸送性光導電層と、
前記読取光を透過する第２の電極層とを有し、
前記記録用光導電層と読取用電荷輸送性光導電層との界面に形成される蓄電部に潜像電荷として放射線画像を記録することを特徴とする放射線画像検出器。
【請求項２】
前記第１の電極層と前記記録用光導電層との間に、前記放射線または前記記録光を透過し、かつ前記放射線または前記記録光の照射により導電性を呈する第１のブロッキング用光導電層を有することを特徴とする請求項１記載の放射線画像検出器。
【請求項３】
前記第２の電極層と読取用電荷輸送性光導電層との間に、前記読取光を透過し、かつ前記読取光の照射により導電性を呈する第２のブロッキング用光導電層を有することを特徴とする請求項１または２記載の放射線画像検出器。
【請求項４】
前記読取用電荷輸送性光導電層が、Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｓ、Ｓｅ−Ｔｅ−Ｐ、Ｓｅ−ＡｓまたはＳｅ−Ｓｂの内少なくとも１つを主成分とする合金であることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の放射線画像検出器。
【請求項５】
放射線画像を担持した放射線または記録光を透過する第１の電極層と、
該第１の電極層を透過した放射線または記録光の照射により該放射線または記録光の照射量に応じた電荷を発生する記録用光導電層と、
読取光の照射により電荷を発生し、該読取光が照射されない場合には、前記第１の電極層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する読取用電荷輸送性光導電層と、
前記読取光を透過する第２の電極層とを有し、
前記第記録用導電層と前記読取用電荷輸送性光導電層との界面に形成される蓄電部に潜像電荷として放射線画像を記録する放射線画像検出器と、
該放射線画像検出器の前記読取用光導電層側に前記読取光を照射する読取光照射手段とを備え、
該読取光の照射により、前記蓄電部に蓄積された潜像電荷を読み出すことを特徴とする放射線画像検出システム。
【請求項６】
前記読取光照射手段が、前記読取光の照射と同時にかつ同位置に、前記読取光より長波長である励起光を照射するものであり、
該励起光の照射により、読取光の照射により発生する電荷が励起されることを特徴とする請求５記載の放射線画像検出システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像を担持した放射線または記録光が照射され、放射線または記録光の照射量に応じて発生した電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部を有し、読取光が照射されることにより該放射線画像を検出する放射線画像検出器と、該放射線画像検出器およびその放射線画像検出器に読取光を照射する読取光照射手段を有する放射線画像検出システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、被写体を透過したＸ線などの放射線の照射量に応じた量の電荷を蓄電部に蓄積することにより被写体の放射線画像を検出する放射線画像検出器を用いて放射線画像を記録するとともに、その放射線画像検出器に記録された放射線画像を電気信号をとして読み取る放射線画像検出システムが、医療用放射線画像の撮影などにおいて多く利用されており、種々のタイプのものが提案されている。
【０００３】
そして、上記のような放射線画像検出器としては、たとえば、記録用の放射線あるいは該放射線の励起により発せられる記録光に対して透過性を有する第１の電極層、前記放射線または記録光を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層、第１の電極層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取光に対して透過性を有する第２の電極層を、この順に積層して成り、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に形成される蓄電部に、画像情報を担持する潜像電荷を蓄積する放射線画像検出器を提案している（特許文献１および特許文献２参照）。
【０００４】
そして、上記特許文献２においては、特に、第２の電極を多数の線状読出電極とすると共に、蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための多数の線状補助電極を、前記線状読出電極と交互にかつ互いに平行となるように設け放射線画像検出器を提案している。なお、第２の電極を線状電極として構成する際には、線状電極の間を読取光が透過できるため、第２の電極そのものは必ずしも読取光に対して透過性を有する必要はない。
【特許文献１】特開２０００−１０５２９７号公報
【特許文献２】特開２０００−２８４０５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、上記特許文献１または２に記載された放射線画像検出器は多数の線状の第２の電極の上に、読取用光導電層、電荷輸送層、記録用光導電層を積層し、さらに第１の電極層を蒸着することにより作成されている。通常、読取用光導電層、電荷輸送層、記録用光導電層は、製膜プロセスにより積層されるが、読取用光導電層は、厚さ数十μｍ程度の薄膜であり、このような薄膜の上にさらに薄い（厚さ０．５μｍ程度の）電荷輸送層を積層する場合、電荷輸送層の平滑性が十分に得られず、放射線画像検出器の信頼性が低下する虞がある。特に、読取用光導電層の製膜温度より電荷輸送層の製膜温度の方が高い場合があり、このような場合には電荷輸送層の平滑性が悪化し、また電荷輸送性も低下し、その結果放射線画像検出器の信頼性が低下する。
【０００６】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、上記のような放射線画像検出器において、簡易な製膜プロセスで作成でき、高い信頼性を有する放射線画像検出器を提供することを目的とするものである。また、このような放射線画像検出器を用いた放射線画像検出システムを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による放射線画像検出器は、放射線画像を担持した放射線または記録光を透過する第１の電極層と、
該第１の電極層を透過した放射線または記録光の照射により該放射線または記録光の照射量に応じた電荷を発生する記録用光導電層と、
読取光の照射により電荷を発生し、該読取光が照射されない場合には、前記第１の電極層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する読取用電荷輸送性光導電層と、
前記読取光を透過する第２の電極層とを有し、
前記記録用光導電層と読取用電荷輸送性光導電層との界面に形成される蓄電部に潜像電荷として放射線画像を記録することを特徴とするものである。
【０００８】
なお、ここで、上記「記録光」としては、たとえば、被写体を透過した放射線の照射により蛍光体から発せられた蛍光などがあるが、被写体の放射線画像を担持した光であれば如何なるものでもよい。
【０００９】
上記放射線画像検出器は、前記第１の電極層と前記記録用光導電層との間に、前記放射線または前記記録光を透過し、かつ前記放射線または前記記録光の照射により導電性を呈する第１のブロッキング用光導電層を有するものであってもよい。
【００１０】
なお、ここで「第１のブロッキング用光導電層」は、前記放射線または前記記録光が照射されていない場合には、略絶縁体として作用するものである。
【００１１】
また、前記第２の電極層と読取用電荷輸送性光導電層との間に、前記読取光を透過し、かつ前記読取光の照射により導電性を呈する第２のブロッキング用光導電層を有するものであってもよい。
【００１２】
なお、ここで「第２のブロッキング用光導電層」は、前記読取光が照射されていない場合には、略絶縁体として作用するものである。
【００１３】
また、前記読取光の波長は、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。
【００１４】
前記読取用電荷輸送性光導電層は、Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｓ、Ｓｅ−Ｔｅ−Ｐ、Ｓｅ−ＡｓまたはＳｅ−Ｓｂの内少なくとも１つを主成分とする合金であってもよい。なお、これらの合金は、Ｃｌ等の希土類元素を微量含むものであってもよい。
【００１５】
本発明の放射線画像検出システムは、放射線画像を担持した放射線または記録光を透過する第１の電極層と、
該第１の電極層を透過した放射線または記録光の照射により該放射線または記録光の照射量に応じた電荷を発生する記録用光導電層と、
読取光の照射により電荷を発生し、該読取光が照射されない場合には、前記第１の電極層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する読取用電荷輸送性光導電層と、
前記読取光を透過する第２の電極層とを有し、
前記第記録用導電層と前記読取用電荷輸送性光導電層との界面に形成される蓄電部に潜像電荷として放射線画像を記録する放射線画像検出器と、
該放射線画像検出器の前記読取用電荷輸送性光導電層側に前記読取光を照射する読取光照射手段とを備え、
該読取光の照射により、前記蓄電部に蓄積された潜像電荷を読み出すことを特徴とするものである。
【００１６】
前記読取光照射手段は、前記読取光の照射と同時にかつ同位置に、前記読取光より長波長である励起光を照射するものであり、
該励起光の照射により、読取光の照射により発生する電荷が励起されるものであってもよい。
【００１７】
また、「光に対して透過性を有する」とは、光をほぼ透過することに加え、前記光の一部を透過することも含むものである。
【００１８】
前記読取光の波長は、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよく、また前記励起光の波長は、６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であってもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の放射線画像検出器では、放射線画像を担持した放射線または記録光を透過する第１の電極層と、該第１の電極層を透過した放射線または記録光の照射により該放射線または記録光の照射量に応じた電荷を発生する記録用光導電層と、読取光の照射により電荷を発生し、該読取光が照射されない場合には、前記第１の電極層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する読取用電荷輸送性光導電層と、前記読取光を透過する第２の電極層とを有するため、従来必要であった電荷輸送層の上に、記録用光導電層を積層する製膜プロセスが不要になり、作成が容易化される。また、読取用光導電層の上に、該読取用光導電層の製膜温度より製膜温度が高い電荷輸送層を積層することがないため、放射線画像検出器の信頼性が向上する。
【００２０】
また、放射線または記録光が照射されていない場合には略絶縁体として作用する第１のブロッキング用光導電層を、第１の電極層と記録用光導電層との間に設けることにより、記録用電圧が印加され、かつ放射線または記録光が照射されていない場合に、第１の電極層から負の電荷が記録用光導電層へ注入されることを確実に防止することができ、放射線画像検出器の信頼性を一層向上させることができる。
【００２１】
さらに、読取光が照射されていない場合には略絶縁体として作用する第２のブロッキング用光導電層を、第２の電極層と読取用電荷輸送性光導電層との間に設けることにより、記録用電圧が印加されている状態において、第２の電極層から正の電荷が読取用電荷輸送性光導電層へ注入されることを確実に防止することができ、放射線画像検出器の信頼性を一層向上させることができる。
【００２２】
前記読取用電荷輸送性光導電層が、Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｓ、Ｓｅ−Ｔｅ−Ｐ、Ｓｅ−ＡｓまたはＳｅ−Ｓｂの内少なくとも１つを主成分とする合金であれば、これらの物質のガラス転移温度は、通常、放射線画像検出器が使用される環境温度より高いため、結晶化防止膜が不要になり、また放射線画像検出器の熱安定性が向上する。
【００２３】
本発明の放射線画像検出システムは、放射線画像を担持した放射線または記録光を透過する第１の電極層と、該第１の電極層を透過した放射線または記録光の照射により該放射線または記録光の照射量に応じた電荷を発生する記録用光導電層と、読取光の照射により電荷を発生し、該読取光が照射されない場合には、前記第１の電極層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する読取用電荷輸送性光導電層と、前記読取光を透過する第２の電極層とを有し、前記第記録用導電層と前記読取用電荷輸送性光導電層との界面に形成される蓄電部に潜像電荷として放射線画像を記録する放射線画像検出器と、該放射線画像検出器の前記読取用光導電層側に前記読取光を照射する読取光照射手段とを備え、該読取光の照射により、前記蓄電部に蓄積された潜像電荷を読み出すことにより、容易に作成可能でかつ信頼性が向上した放射線画像検出器を用いて、放射線画像を検出することができる。
【００２４】
前記読取光照射手段が、前記読取光の照射と同時にかつ同位置に、前記読取光より長波長である励起光を照射するものであり、該励起光の照射により、読取光の照射により発生する電荷が励起される場合には、読取用電荷輸送性光導電層に発生した電荷と、記録された潜像電荷との結合が促進され、記録された放射線画像情報の読み出し速度を高速化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明の放射線画像検出器および放射線画像検出システムを適用した実施の形態である放射線画像記録読取装置について説明する。図１は本発明の実施の形態である放射線画像記録読取装置の概略構成図である。
【００２６】
本放射線画像記録読取装置は、図１に示すように、放射線を射出する放射線源５、放射線源５から射出され、被写体６を透過した放射線の照射により被写体の放射線画像を検出する放射線画像検出器１０、放射線画像検出器１０に記録された放射線画像を読み取るための読取光Ｌ２を放射線画像検出器１０に照射する面状光源２０、面状光源２０の読取光Ｌ２の照射により放射線画像検出器１０において発生した電流を検出するチャージアンプ３１が多数設けられた電流検出部３０、放射線画像検出器１０による放射線画像の記録の際に放射線画像検出器１０に電圧を印加する電圧源４０、放射線画像検出器１０から放射線画像を電流として読み取る際に放射線画像検出器１０の後述する第１の電極層１１と第２の電極層１６とを短絡する短絡手段５０、上記面状光源２０の動作を制御する読取光制御手段６０、上記電圧源４０の動作を制御する電圧制御手段８０、および上記短絡手段５０の動作を制御するスイッチ制御手段９０を備えている。
【００２７】
放射線画像検出器１０は、被写体６の放射線画像を担持した放射線を透過する第１の電極層１１、第１の電極層１１を透過した放射線の照射を受けることにより導電性を呈するブロッキング用光導電層１２、第１の電極層１１を透過した放射線の照射を受けることにより該放射線の照射量に応じた電荷を発生する記録用光導電層１３、読取光Ｌ２の照射により電荷を発生し、読取光Ｌ２が照射されない場合には、記録用光導電層１３において発生した潜像電荷に対しては絶縁体として作用し、且つその潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては導電体として作用する読取用電荷輸送性光導電層１４、読取光Ｌ２を透過し、かつ読取光Ｌ２の照射を受けることにより導電性を呈するブロッキング用光導電層１５、および読取光Ｌ２を透過する第２の電極層１６をこの順に積層してなるものである。記録用光導電層１３と読取用電荷輸送性光導電層１４との間には、記録用光導電層１３内で発生した潜像電荷を蓄積する蓄電部１７が形成されている。
【００２８】
第１の電極層１１としては、放射線を透過するものであればよく、たとえば、ネサ皮膜（ＳｎＯ２）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、アモルファス状光透過性酸化膜であるＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））などを５０〜２００ｎｍ厚にして用いることができ、また、１００ｎｍ厚のＡｌやＡｕなども用いることもできる。
【００２９】
第２の電極層１６は、図１および図２に示すように、多数の第１の線状電極１６ａからなる第１のストライプ電極１８と、第１の線状電極１６ａの間に配列された多数の第２の線状電極１６ｂからなる第２のストライプ電極１９とを備えている。第１のストライプ電極１８は、読取光Ｌ２を遮光するＡｌ、Ｃｒなどの金属から形成されている。また、第２のストライプ電極１９は、第１の電極層１と同様の材料で形成することができ、読取光Ｌ２を透過するものである。また、第１のストライプ電極１８についても、第２のストライプ電極１９と同様の材料により形成し、その後、読取光Ｌ２を遮光するようにＡｌ、Ｃｒなどの金属によりコーティングするようにしてもよい。
【００３０】
また、第２の電極層１６における第２のストライプ電極１９の各線状電極１６ｂには、上記線状電極１６ｂにより読み出された電荷を検出するためのチャージアンプ３１（図２においては図示省略）がそれぞれ接続されている。
【００３１】
記録用光導電層１３は、放射線の照射を受けることにより電荷を発生するものであればよく、放射線に対して比較的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点で優れているａ−Ｓｅを主成分とする合金を使用する。厚さは５００μｍ程度が適切である。
【００３２】
読取用電荷輸送性光導電層１３としては、第１の電極層１１に帯電する電荷の移動度と、その逆極性となる電荷の移動度の差が大きい程良く（例えば１０２以上、望ましくは１０３以上）、かつ読取光Ｌ２の照射により電荷を発生する光導電性を有するであればよく、例えば、Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｓ、Ｓｅ−Ｔｅ−Ｐ、Ｓｅ−ＡｓまたはＳｅ−Ｓｂの内少なくとも１つを主成分とする合金が好適である。なお、これらの合金は、Ｃｌ等の希土類元素を微量含むものであってもよい。
【００３３】
なお、放射線画像検出器１０の層構成は上記のような層構成に限らず、その他の層を含むものとしてもよく、また各層の材料についても上記各層の作用と同等の作用を有するものであれば上記以外の材料を利用するようにしてもよい。
【００３４】
そして、上記のように構成された放射線画像検出器１０には、図１に示すように、第２の電極層１６側に面状光源２０が設けられている。面状光源２０は、第１の導電層２１，ＥＬ層２２，第２の導電層２３から成るＥＬ発光体である。なお、放射線画像検出器１０の第２の電極層１６と第１の導電層２１との間には絶縁層２４が設けられている。
【００３５】
面状光源２０における第１の導電層２１は、多数の線状電極２１ａが平行に配列されてなるものであり、線状電極２１ａは、放射線画像検出器１０の第２の電極層１６の線状電極１６ａと直交するように配列されている。つまり、各線状電極２１ａとＥＬ層２２と第２の導電層２３とで、実質的にライン状の光源が第２の電極層１６の線状電極１６ａの長さ方向に多数配列された構成と同等となる。ＥＬ層２３としては、放射線画像検出器１０の読取用光導電層１４の主成分であるａ−Ｓｅとのマッチングを考慮して、波長４７０ｎｍ程度のＥＬ光が発せられるような物資を用いればよい。また、第１の導電層２１の線状電極２１ａはＥＬ光を透過する材料から形成されている。また、各線状電極２１ａ間は、線状電極２１ａ同志を絶縁するものであれば、ＥＬ光を透過する材料で形成してもよいし、ＥＬ光を遮断する材料で形成するようにしてもよい。
【００３６】
そして、上記面状光源２０の線状電極２１ａは、読取光制御手段６０に接続され、読取光制御手段６０は、面状光源２０の線状電極２１ａとそれに対向する第２の導電層２３との間に所定の電圧を印加し、読取光Ｌ２の照射を制御するものである。例えば、読取光制御手段６０が、線状電極２１ａを順次切り替えながら、夫々の線状電極２１ａと第２の導電層２３との間に所定の直流電圧を印加すると、線状電極２１ａと第２の導電層２３とに挟まれたＥＬ層２２からＥＬ光が発せられ、線状電極２１ａを透過したＥＬ光はライン状の読取光Ｌ２として利用される。そして、第２の電極層１６の線状電極１６ａの長手方向の一方の端から他方の端までの全部について線状電極２１ａを順次切り替えてＥＬ発光させることにより、ライン光で第２の電極層１６の全面を走査することになる。なお、第２の電極層１６の線状電極１６ａの長手方向が副走査方向に対応し、ライン光の延びる方向が主走査方向に対応する。
【００３７】
また、電圧源４０は、その電圧のＯＮ、ＯＦＦおよび電圧の大きさは電圧源４０に接続された電圧制御手段８０により制御される。
【００３８】
また、電流検出部３０は、第２の電極層１６の各線状電極１６ａ毎に接続された多数のチャージアンプ３１を有している。
【００３９】
また、短絡手段５０は、スイッチであり、図１に示すように、スイッチのａ端子には、電圧源４０の正極側の端子が接続され、ｂ端子には放射線画像検出器１０における第１の電極層１１が接続され、ｃ端子には電流検出部３０のチャージアンプ３１が接続されている。この短絡手段５０は、放射線画像検出器１０による放射線画像の記録および読取りの際に切換えられる。この短絡手段５０の切換えは、短絡手段５０に接続されたスイッチ制御手段９０により制御される。
【００４０】
また、必ずしも面状光源を利用する必要はなく、放射線画像検出器の全面を照射することができるものであれば、主走査方向に延びる線状光源を副走査方向に走査することにより全面を照射するようにしてもよいし、ビーム光源から発せられたビーム光により主走査方向および副走査方向に走査することにより全面を照射するようにしてもよい。
【００４１】
次に、上記実施の形態の放射線画像記録読取装置における放射線画像の記録および読取動作について説明する。図２は、放射線画像検出器１０における放射線画像の記録および読出し動作を説明するための模式図である。
【００４２】
放射線画像の記録は、まず、図２の（Ａ）に示すように、電圧制御手段８０により電圧源４０が制御されて放射線画像検出器１０の第１の電極層１１と第２の電極層１６との間に記録用電圧が印加される。このとき印加される記録用電圧の大きさは、５ｋＶ程度であり、第１の電極層１１が負の電位に、第２の電極層１６が正の電位となるように印加される。そして、この記録用電圧の印加の後、放射線源５から放射線を射出させ、被写体６を透過した放射線を放射線画像検出器１０に照射する。すると、放射線画像検出器１０の記録用光導電層１３内で正と負の電荷対が発生し、この電荷対のうち正の電荷は負に帯電した第１の電極層１１に向かって移動し、第１の電極層１１における負の電荷と結合して消滅する。一方、上記のようにして発生した電荷対のうち負の電荷は正に帯電した第２の電極層１６に向かって移動するが、読取用電荷輸送性光導電層１４は読取光Ｌ２が照射されていない場合には、負の電荷に対しては絶縁体として作用するため、上記負の電荷は、図２（Ａ）に示すように、記録用光導電層１３と読取用電荷輸送性光導電層１４との界面である蓄電部１７に蓄積される。なお、本実施の形態においては、上記記録における電極層への電圧印加および放射線の照射は１ｓ程度行われる。また、第１のブロッキング用光導電層１２を、第１の電極層１１と記録用光導電層１３の間に設けることにより、記録用電圧が印加され、かつ放射線が照射されていない状態において、第１の電極層１１から負の電荷が記録用光導電層１３へ注入されることを確実に防止することができる。なお、放射線が照射された場合には、第１のブロッキング用光導電層１２は導電性を呈するため、正の電荷の移動を妨げることはない。さらに、第２のブロッキング用光導電層１５を、第２の電極層１６と読取用電荷輸送性光導電層１４との間に設けることにより、記録用電圧が印加されている状態において、第２の電極層１６から正の電荷が読取用電荷輸送性光導電層１４へ注入されることを確実に防止することができる。
【００４３】
次に、上記のようにして放射線画像検出器１０に記録された放射線画像を読取る際の作用について説明する。図２（Ｂ）に示すように、第１の電極層１１および第２の電極層１６における第１の線状電極１６ａは接地され、第２の線状電極１６ｂはチャージアンプ３１にそれぞれ接続される。そして、読取光制御手段６０が面状光源２０の線状電極２１ａを順次切り替えながら、夫々の線状電極２１ａと第２の導電層２３との間に所定の直流電圧を印加して、ＥＬ層２２から発せられる読取光Ｌ２で放射線画像検出器１０の全面を走査する。上記のようにして読取光Ｌ２が照射されると、読取光Ｌ２は第２の電極層１６の第２の線状電極１６ｂおよび第２のブロッキング用光導電層１５を透過して読取用電荷輸送性光導電層１４に照射され、図２（Ｂ）に示すように、読取用電荷輸送性光導電層１４において電荷対が発生する。なお、読取光Ｌ２は波長４７０ｎｍの光であるため、読取用電荷輸送性光導電層１４に深く侵入することはなく、電荷対は主に読取用電荷輸送性光導電層１４の第２の電極層１６側において発生する。
【００４４】
そして、その電荷対のうち正の電荷は読取用電荷輸送性光導電層１４を通過して蓄電部１７の負の電荷と結合して消滅する。一方、読取用電荷輸送性光導電層１４において発生した電荷対のうち負の電荷は第２の電極層１６に帯電された正の電荷に向かって移動する。そして、第２の電極層１６における第２の線状電極１６ｂに帯電した正の電荷と結合するとともに、第１の線状電極１６ａに帯電した正の電荷ともチャージアンプ３１を介して結合する。そして、上記チャージアンプ３１におけるコンデンサ３１ａに電荷が蓄積されるとともに、チャージアンプ３１におけるスイッチ３１ｂが上記読取光Ｌ２の走査に応じて所定のタイミングで順次スイッチングされることにより放射線画像を構成する画素毎の電気信号が各チャージアンプ３１から順次出力される。
【００４５】
上記の説明であきらかなように、本実施の形態に用いられている放射線画像検出器を作成する際には、従来の放射線画像検出器を作成するために必要であった電荷輸送層の上に、記録用光導電層を積層する製膜プロセスが不要である。このため、本実施の形態に用いられている放射線画像検出器は、容易に作成可能である。また、読取用光導電層の上に、該読取用光導電層の製膜温度より製膜温度が高い電荷輸送層を積層することがないため、放射線画像検出器の信頼性が向上する。
【００４６】
読取用電荷輸送性光導電層が、Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｓ、Ｓｅ−Ｔｅ−Ｐ、Ｓｅ−ＡｓまたはＳｅ−Ｓｂの内少なくとも１つを主成分とする合金であれば、これらの物質のガラス転移温度は、通常、放射線画像検出器が使用される環境温度より高いため、結晶化防止膜が不要になり、また放射線画像検出器の熱安定性が向上する。
【００４７】
なお、上記実施の形態においては、面状光源２０として、波長４７０ｎｍの読取光Ｌ２を射出するものを用いたが、変形例として、図３に示すように、波長４７０ｎｍの光を射出するＥＬ層２２の変わりに、波長４７０ｎｍの光に加え、波長７５０ｎｍの光を射出するＥＬ層２７を有する面状光源２６を用いることも考えられる。放射線画像の読取時に、波長４７０ｎｍの読通光Ｌ２と重畳して波長７５０ｎｍの励起光を読取用電荷輸送性光導電層１４に照射することにより、読取用電荷輸送性光導電層１４において発生した正の電荷を励起し、発生した正の電荷が読取用電荷輸送性光導電層１４を通過して蓄電部１７の負の電荷と結合して消滅するまでの時間を短縮することができる。また励起光は波長７５０ｎｍの光であるため、蓄電部１７近傍まで達する。このため、読取用電荷輸送性光導電層１４を通過してきた正の電荷が、読取用電荷輸送性光導電層１４と記録用光導電層１３との境界においてトラップされてしまうことを防止でき、残像を低減することができる。なお、励起光の波長は７５０ｎｍに限定されるものではなく、第２の電極層１６および第２のブロッキング用光導電層１５を透過し、読取用電荷輸送性光導電層１４に発生した正の電荷を励起することのできる波長の光であればよい。また、面状光源２６としては、例えば波長４７０ｎｍの読通光Ｌ２を射出するＥＬ層と、波長７５０ｎｍの励起光を射出するＥＬ層が重畳された光源や、あるいは波長４７０ｎｍの読通光Ｌ２を射出するライン状のＥＬ層と、波長７５０ｎｍの励起光を射出するライン状のＥＬ層が交互に配置され、光学手段により重畳された光源等であってもよい。
【００４８】
なお面状光源は、上記のような構成に限らず、放射線画像検出器１０の全面を照射できるものであれば、ライン光源やビーム光源などのその他の構成を採用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態である放射線画像記録読取装置の概略構成図
【図２】図１に示す放射線画像記録読取装置の放射線画像検出器における記録および読取の動作を説明するための模式図
【図３】本発明の他の放射線画像記録読取装置の概略構成図
【符号の説明】
【００５０】
５  放射線源
６  被写体
１０  放射線画像検出器
１１  第１の電極層
１２  第１のブロッキング用光導電層
１３  記録用光導電層
１４  読取用電荷輸送性光導電層
１５  第２のブロッキング用光導電層
１６  第２の電極層
１７  蓄電部
２０，２６  面状光源
３０  電流検出部
３１  チャージアンプ
４０  電圧源
５０  短絡手段
６０  読取光制御手段
８０  電圧制御手段
９０  スイッチ制御手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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