(57)【要約】【課題】放熱性を向上させた半導体装置を提供すること。【解決手段】金属製ベース基板１０と、このベース基板１０上に搭載した発熱半導体素子１１と、ベース基板１０の材料よりも熱伝導率の大きい絶縁材料で形成され、発熱半導体素子１１近傍のベース基板１０上に配置した第１誘電体基板１２および第２誘電体基板１３とを具備している。【選択図】図１
2006190711.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製ベース基板と、このベース基板上に搭載した発熱半導体素子と、前記ベース基板の材料よりも熱伝導率の大きい絶縁材料で形成され、前記発熱半導体素子近傍の前記ベース基板上に配置した絶縁部材とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁部材上に回路パターンを形成した請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
発熱半導体素子と絶縁部材との間に間隙が設けられ、前記間隙に絶縁性樹脂を充填した請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波帯などで使用される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高周波帯などで使用される半導体装置、たとえばガリウム砒素電界効果トランジスタ（以下、ＧａＡｓＦＥＴという）などを用いた半導体装置は高密度化が進み、動作時に発生する熱への対応が求められている。
【０００３】
ここで、従来の半導体装置について、ＧａＡｓＦＥＴを用いた半導体装置を例にとり図２を参照して説明する。
【０００４】
金属製ベース基板２０上に電力増幅などに使用する発熱半導体素子２１、たとえばＧａＡｓＦＥＴが配置されている。発熱半導体素子２１のたとえば図示左側に位置する入力側に、第１誘電体基板２２が配置されている。第１誘電体基板２２上には、たとえば入力側整合回路などを構成する回路パターン２２ａが形成されている。半導体素子２１のたとえば図示右側に位置する出力側に、第２誘電体基板２３が配置されている。第２誘電体基板２３上には、たとえば出力側整合回路などを構成する回路パターン２３ａが形成されている。また、発熱半導体素子２１および第１誘電体基板２２、第２誘電体基板２３などを囲み、ベース基板２０上に矩形枠状の側壁２４がある高さに形成されている。側壁２４は、たとえば一部を除いて多くの部分が金属で形成され、また、上部の矩形状開口はたとえば金属製の蓋２５で封止されている。
【０００５】
側壁２４の図示左側に位置する入力側側壁部分２４ａは絶縁物で形成され、その入力側側壁部分２４ａを入力用線路２６ａが貫通している。入力用線路２６ａに入力用リード線２７ａが接続されている。側壁２４の図示右側に位置する出力側側壁部分２４ｂも絶縁物で形成され、その出力側側壁部分２４ｂを出力用線路２６ｂが貫通している。出力用線路２６ｂに出力用リード線２７ｂが接続されている。
【０００６】
また、入力用線路２６ａと第１誘電体基板２２上の回路パターン２２ａとの間、および、回路パターン２２ａと半導体素子２１との間、半導体素子２１と第２誘電体基板２３上の回路パターン２３ａとの間、パターン２３ａと出力用リード線２７ｂとの間は、それぞれワイヤーＷ１〜Ｗ４で接続されている。
【０００７】
上記した構成において、入力用線路２６ａから入力する入力信号は半導体素子２１で増幅され、出力用線路２６ｂから出力される。
【０００８】
上記の半導体装置は、動作時、発熱半導体素子２１から熱が発生する。この熱は、図３に示すように、半導体素子２１直下に位置するベース基板２０に伝達する。そして、点線矢印Ｙで示すように、たとえば半導体素子２１直下の領域からほぼ４５°の角度範囲に緩やかに広がりながらベース基板２０を伝達し、外部に放出される。
【０００９】
なお、図３は、図２に対応する部分に同じ符号を付し、重複する説明を一部省略する。
【００１０】
上記したような半導体装置、たとえばベース基板２０上に側壁を設け、その側壁の開口を蓋で覆ったパッケージ内に、発熱半導体素子などを配置する半導体装置は特許文献１などに開示されている。
【特許文献１】特開平９−１５３８３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来の半導体装置の場合、発熱半導体素子２１が発生した熱は、発熱半導体素子２１を搭載するベース基板２０などを通して外部に放出される。このとき、ベース基板２０の放熱性は、発熱半導体素子２１など熱源の面積とベース基板２０の熱抵抗との積で決定する。従来の半導体装置は、発熱半導体素子２１が小さく、熱源の面積が小さいため、十分な放熱効果が得られない場合がある。
【００１２】
また、ベース基板２０は接地電極としても機能するため、ベース基板２０には放熱性と同時に導電性も求められる。したがって、ベース基板２０には、通常、銅単体、あるいは銅板の間に補強用のモリブデンやタングステンを挟んだ多層構造が用いられている。
【００１３】
銅は導電性が高く、金属材料の中では高い熱伝導性を有している。しかし、その熱伝導率は４００Ｗ／ｍ程度であり、半導体装置が高密度化し、発熱半導体素子２１の発熱量が大きくなると、十分な放熱効果が得られない。また、ベース基板２０が多層構造の場合は、モリブデンやタングステンの熱伝導率が銅よりも小さいため、銅単体の場合よりも放熱性が低下する。
【００１４】
本発明は、上記した問題を解決し、放熱性を向上させた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、金属製ベース基板と、このベース基板上に搭載した発熱半導体素子と、前記ベース基板の材料よりも熱伝導率の大きい絶縁材料で形成され、前記発熱半導体素子近傍の前記ベース基板上に配置した絶縁部材とを具備したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、発熱半導体素子近傍のベース基板上に、ベース基板の材料よりも熱伝導率の大きい絶縁部材を配置している。この場合、発熱半導体素子が発生した熱はその近傍の絶縁部材に伝達し、絶縁部材の直下領域を含む広い範囲でベース基板を伝達する。したがって、熱源の面積が大きくなり、放熱性のよい半導体装置が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施形態について、ＧａＡｓＦＥＴを用いた半導体装置を例にとり図１の概略断面図を参照して説明する。
【００１８】
銅などの金属製ベース基板１０上に、動作時に発熱する発熱半導体素子１１、たとえば電力増幅用のＧａＡｓＦＥＴが配置されている。発熱半導体素子１１の図示左側の近傍、たとえばその入力側に隣接して、ベース基板１０よりも熱伝導率の大きい絶縁部材、たとえばダイヤモンドからなる第１誘電体基板１２が、発熱半導体素子１１との間にたとえば狭い間隙Ｇａをもって配置されている。第１誘電体基板１２上には、たとえば入力側整合回路などの回路パターン１２ａが形成されている。
【００１９】
半導体素子１１の図示右側の近傍、たとえばその出力側に隣接して、ベース基板１０よりも熱伝導率の大きい絶縁部材、たとえばダイヤモンドからなる第２誘電体基板１３が、発熱半導体素子１１との間に狭いたとえば間隙Ｇｂをもって配置されている。第２誘電体基板１３上には、たとえば出力側整合回路などの回路パターン１３ａが形成されている。
【００２０】
また、半導体素子１１および第１誘電体基板１２、第２誘電体基板１３などを囲んで矩形枠状の側壁１４がある高さに設けられている。側壁１４は、たとえば一部を除いて多くの部分が金属で形成され、また、上部の矩形状開口はたとえば金属製の蓋１５で封止されている。
【００２１】
側壁１４の図示左側に位置する入力側の側壁部分１４ａはセラミックなどの絶縁物で形成され、その側壁部分１４ａを入力用線路１６ａが貫通している。入力用線路１６ａに入力用リード線１７ａが接続されている。側壁１４の図示右側に位置する出力側の側壁部分１４ｂも、セラミックなどの絶縁物で形成され、その側壁部分１４ｂを出力用線路１６ｂが貫通している。出力用線路１６ｂに出力用リード線１７ｂが接続されている。
【００２２】
また、入力用線路１６ａと第１誘電体基板１２上の回路パターン１２ａとの間、および回路パターン１２ａと半導体素子１１との間、半導体素子１１と第２誘電体基板１３上の回路パターン１３ａとの間、パターン１３ａと出力用リード線１７ｂとの間は、それぞれワイヤーＷ１〜Ｗ４で接続されている。
【００２３】
上記した構成において、入力用線路１６ａから入力する入力信号は発熱半導体素子１１で増幅され、出力用線路１６ｂから出力される。
【００２４】
上記の半導体装置は、動作時に発熱する発熱半導体素子１１の近傍に、ベース基板１０よりも熱伝導率が大きい、たとえばダイヤモンドで形成された第１誘電体基板１２および第２誘電体基板１３が配置されている。ダイヤモンドは熱伝導率が４ｋＷ／ｍと高くなっている。そのため、発熱半導体素子１１が発生した熱は、ベース基板１０の厚さよりも狭い間隙Ｇａ、Ｇｂ直下のベース基板１０などを経て、第１誘電体基板１２および第２誘電体基板１３に伝達する。その後、半導体素子１１および第１誘電体基板１２、第２誘電体基板１３それぞれの直下領域を含む広い範囲を、点線矢印Ｙで示すように、たとえばほぼ４５°の角度範囲に緩やかに広がりながらベース基板１０部分を伝達し、外部に放出される。
【００２５】
上記した構成によれば、発熱半導体素子１１が発生した熱は、第１誘電体基板１２および第２誘電体基板１３へと横方向に拡散し、ベース基板２０の広い範囲を広がりながら伝達する。したがって、熱源の実質的な面積が大きくなり、良好な放熱性が実現する。
【００２６】
ベース基板１０部分を伝達する熱は、熱源からほぼ４５°の角度範囲に広がる。したがって、半導体素子１１で発生した熱が第１誘電体基板１２や第２誘電体基板１３へと横方向に拡散するように、半導体素子１１と第１および第２誘電体基板１２、１３との間隙Ｇａ、Ｇｂは、ベース基板１０の厚さ以下にすることが望ましい。
【００２７】
また、半導体素子１１と第１および第２誘電体基板１２、１３との間の間隙Ｇａ、Ｇｂは空気層になっている。したがって、その間隙Ｇａ、Ｇｂを、空気よりも熱伝導率の高い材料、たとえば絶縁性の樹脂フィラーなどで充填すれば、半導体素子１１で発生した熱の第１および第２誘電体基板１２、１３への熱伝達効率が改善し、より良好な放熱性が得られる。
【００２８】
また、上記の実施形態は、発熱半導体素子がＧａＡｓＦＥＴの場合で説明している。しかし、本発明は、ＧａＡｓＦＥＴに限るものではなく、動作時に発熱するその他の半導体素子を用いた場合にも適用できる。
【００２９】
また、ベース基板を銅で形成している。しかし、本発明は、ベース基板が、銅板の間に補強用のモリブデンやタングステンを挟んだ多層構造の場合にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施形態を説明する概略の断面図である。
【図２】従来例を説明する概略の断面図である。
【図３】従来例の熱の伝達経路を説明する概略の断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０…ベース基板
１１…発熱半導体素子
１２…第１誘電体基板
１３…第２誘電体基板
１４…側壁
１４ａ…入力側側壁部分
１４ｂ…出力側側壁部分
１５…蓋
１６ａ…入力用線路
１６ｂ…出力用線路
１７ａ…入力用リード線
１７ｂ…出力用リード線
Ｗ１〜Ｗ４…ワイヤー
Ｇａ、Ｇｂ…間隙
【図１】
2006190711.tif 000003
【図２】
2006190711.tif 000004
【図３】
2006190711.tif 000005