(57)【要約】【課題】  電子放出特性のばらつきが小さく製造が容易な電子放出素子およびその製造方法、並びに電子放出素子を備える電気光学装置、電子機器を提供すること。【解決手段】  素子基板１１上に、液滴吐出法を用いて導電性機能液３０をパターン配置し、乾燥により導電膜１２を形成する。さらに、導電膜１２上に同様の手順でレジスト膜３３をパターン形成し、レジスト膜３３をマスクとして、導電膜１２の外縁部１２ａをエッチングして除去する。【選択図】      図４
2006190525.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電膜に形成された電子放出部から電子を放出する電子放出素子の製造方法であって、
液滴吐出法を用いて基板上に前記導電膜をパターン形成する成膜工程と、
前記導電膜の一部を選択除去する整形工程と、
前記導電膜に前記電子放出部を形成する電子放出部形成工程と、を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項２】
前記整形工程は、液滴吐出法を用いて前記導電膜上にダミー機能膜をパターン形成するダミー機能膜形成工程と、
前記ダミー機能膜をマスクとして前記導電膜の露出部分をエッチングするエッチング工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項３】
前記整形工程において、前記導電膜の外縁部が除去されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項４】
基板上に形成された導電膜を備え、前記導電膜に形成された電子放出部から電子を放出する電子放出素子であって、
前記導電膜は、液滴吐出法を用いて成膜されたうちの一部が除去されてなることを特徴とする電子放出素子。
【請求項５】
請求項４に記載の電子放出素子を備える電気光学装置。
【請求項６】
請求項４に記載の電子放出素子を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子および電子放出素子の製造方法、並びに電子放出素子を備える電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子放出素子として、熱電子放出型のものと冷陰極電子放出型のものが知られている。そして、冷陰極電子放出型の電子放出素子として、電界によって電子を放出させる電界放出型のものや、電極に電流を流して電極表面の伝導帯から電子を放出させる表面伝導型のものが知られている。
このうち表面伝導型の電子放出素子としては、導電性薄膜（導電膜）に通電フォーミングによって電子放出部が形成されたものが知られている。通電フォーミングにより、導電性薄膜には局所的に破壊された微小な亀裂（狭小ギャップ）が形成され、この状態で導電性薄膜に電流を流すと、この亀裂から真空準位の電子が漏れ出す性質を利用して、電子放出部とするものである（例えば、特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２１３２１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に係る電子放出素子の導電性薄膜は、いわゆる液滴吐出法（インクジェット方式）により形成されている。これは、液滴吐出法を用いて導電性材料を含む機能液を基板上にパターン配置し、その後乾燥等により機能液の溶媒を除去して成膜を行うものである。
この方法によれば、パターン化された導電性薄膜の形成を比較的容易に行うことができるが、一方で、膜面の制御が困難であるという課題を有する。すなわち、液滴吐出法によって成膜された導電性薄膜は、成膜後の膜面が乱れやすく、特に、パターンの外縁部分において顕著に現れる。そして、このような導電性薄膜を備える電子放出素子の電子放出特性は、導電性薄膜の膜面の乱れに影響されて、素子内および素子間における特性ばらつきを生じることがある。
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、電子放出特性のばらつきが小さく製造が容易な電子放出素子およびその製造方法、並びに電子放出素子を備える電気光学装置、電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、導電膜に形成された電子放出部から電子を放出する電子放出素子の製造方法であって、液滴吐出法を用いて基板上に前記導電膜をパターン形成する成膜工程と、前記導電膜の一部を選択除去する整形工程と、前記導電膜に前記電子放出部を形成する電子放出部形成工程と、を有することを特徴とする。
この発明の電子放出素子の製造方法によれば、液滴吐出法により成膜された導電膜のうち、膜面の平坦性のよい部分を残して利用できるので、電子放出特性のばらつきの小さな電子放出素子を製造することができる。
【０００７】
また、前記電子放出素子の製造方法において、前記整形工程は、液滴吐出法を用いて前記導電膜上にダミー機能膜をパターン形成するダミー機能膜形成工程と、前記ダミー機能膜をマスクとして前記導電膜の露出部分をエッチングするエッチング工程と、を有することを特徴とする。
この電子放出素子の製造方法によれば、エッチングマスクとして機能するダミー機能膜を液滴吐出法を用いて形成するので、成膜工程と共通の装置（液滴吐出装置や乾燥装置）を利用することができ、製造が容易である。
【０００８】
また、前記電子放出素子の製造方法は、前記整形工程において、前記導電膜の外縁部が除去されることを特徴とする。
この電子放出素子の製造方法によれば、液滴吐出法を用いて形成された導電膜のうち、特に膜面の乱れを生じやすい外縁部が除去されるため、整形後の導電膜の平坦性が良くなる。
【０００９】
本発明は、基板上に形成された導電膜を備え、前記導電膜に形成された電子放出部から電子を放出する電子放出素子であって、前記導電膜は、液滴吐出法を用いて成膜されたうちの一部が除去されてなることを特徴とする。
この発明の電子放出素子によれば、液滴吐出法により成膜されたうちの、膜面の平坦性のよい部分が導電膜をなすので、電子放出特性のばらつきが小さい。
【００１０】
本発明の電気光学装置は、前記電子放出素子を備えることを特徴とする。
この発明の電気光学装置は、表示部の画素に対応して形成された電子放出素子を備え、例えば、陽極に塗布された蛍光体に放出電子が当たって表示がなされる。この電気光学装置における電子放出素子は膜面の平坦性の良い導電膜を備えているので、素子内および素子間における電子放出特性のばらつきが小さく、高品質な画像表示が可能である。
【００１１】
本発明の電子機器は、前記電子放出素子を備えることを特徴とする。
この発明の電子機器における電子放出素子は膜面の平坦性の良い導電膜を備えているので、電子放出特性のばらつきが小さく、電子機器として優れた性能を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。また、以下の説明で参照する図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺やアスペクト比は実際のものとは異なるように表している。
【００１３】
（第１実施形態）
（電子放出素子の構成）
まずは、図１を参照して電子放出素子の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る電子放出素子を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
図１において、電子放出素子１０は、素子基板１１上に、導電膜１２と第１素子電極１４と第２素子電極１５とを備えている。また、素子電極１４，１５にそれぞれ駆動信号を印加するための第１信号線１６および第２信号線１７が素子基板１１上に配線され、信号線１６，１７間は層間絶縁膜１８で絶縁されている。また、電子放出素子１０の周囲は、高真空で封止された状態となっている。
【００１４】
素子基板１１としては、ガラス基板やセラミック基板が用いられる。
第１素子電極１４、第２素子電極１５は、それぞれ導電膜１２の両端側において接触するように形成されており、その膜厚は、数百ｎｍから数μｍ程度である。そして、その材料としては、Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃｒ等の金属およびこれらの合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明性導電体などを利用することができる。
【００１５】
導電膜１２は、数オングストロームから数千オングストローム程度の膜厚の薄膜であり、Ｘ軸方向に伸長して形成され、その中央付近には狭小な亀裂が形成された電子放出部１３（図示は模式的なもの）を備えている。また、その材料としては、例えば、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ等の金属や、ＰｄＯ，ＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＰｂＯ，Ｓｂ2Ｏ3等の酸化物、ＨｆＢ2，ＺｒＢ2，ＬａＢ6，ＣｅＢ6，ＹＢ4，ＧｄＢ4等の硼化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、およびカーボン等が用いられる。
【００１６】
上述の構成において、信号線１６，１７を介して素子電極１４，１５間に電圧を印加すると、電子放出部１３をまたいで導電膜１２内に電子伝導が起こる。このとき、電子放出部１３の亀裂を介して伝導する電子の一部は、量子力学的な効果によって真空中に漏れ出し、この電子を放出電子として利用することができる。
【００１７】
（液滴吐出装置の構成）
次に、電子放出素子１０の製造に用いる液滴吐出装置の構成について、図２を参照して説明する。図２は、電子放出素子の製造に用いる液滴吐出装置の一例を示す概略斜視図である。
液滴吐出装置１００は、図２に示すように、液滴を吐出するヘッド部１１０を有するヘッド機構部１０２と、ヘッド部１１０から吐出された液滴の吐出対象である基板１２０を載置する基板機構部１０３と、ヘッド部１１０に機能液１３３を供給する機能液供給部１０４と、これら各機構部および供給部を総括的に制御する制御部１０５とを備える。
ヘッド部１１０は、インクジェットプリンタに用いられるような複数のノズルを有する液滴吐出ヘッド（図示せず）を搭載しており、制御部１０５からの電気信号を受けて、機能液１３３を液滴として吐出する。また、液滴の吐出は、制御部１０５によってノズル毎に制御可能である。
【００１８】
基板１２０としては、ガラス基板、金属基板、合成樹脂基板など、平板状のものであれば大抵のものが利用できる。後述する電子放出素子の製造においては、基板１２０として図１に示した素子基板１１が用いられる。
また機能液１３３としては、例えば、カラーフィルタのフィルタ材料、光学表示装置に使用する発光材料や蛍光材料、基板の表面にバンクや表面コーティング層を形成するための硬化性樹脂材料、電極や金属配線を形成するための導電性材料、レジスト材料などを含む溶液が、描画の目的に応じて用意される。後述する電子放出素子の製造においては、導電膜１２（図１参照）等を形成するための導電性機能液と、レジスト液とが用いられる。
【００１９】
液滴吐出装置１００は、床上に設置された複数の支持脚１０６と、支持脚１０６の上側に設置された定盤１０７を備えている。定盤１０７の上側には、基板機構部１０３が定盤１０７の長手方向（Ｘ軸方向）にわたって配置されており、基板機構部１０３の上方には、定盤１０７に固定された２本の柱で両持ち支持されているヘッド機構部１０２が、基板機構部１０３と直交する方向（Ｙ軸方向）にわたって配置されている。また、定盤１０７の一方の端部上には、ヘッド機構部１０２のヘッド部１１０から連通して機能液１３３を供給する機能液供給部１０４が配置されている。
【００２０】
ヘッド機構部１０２は、機能液１３３を吐出するヘッド部１１０と、ヘッド部１１０を搭載したキャリッジ１１１と、キャリッジ１１１のＹ軸方向への移動をガイドするＹ軸ガイド１１３と、Ｙ軸ガイド１１３に沿って設置されたＹ軸ボールねじ１１５と、Ｙ軸ボールねじ１１５を正逆回転させるＹ軸モータ１１４と、キャリッジ１１１の下部にあって、Ｙ軸ボールねじ１１５と螺合してキャリッジ１１１を移動させる雌ねじ部が形成されたキャリッジ螺合部１１２とを備えている。
【００２１】
基板機構部１０３の移動機構は、ヘッド機構部１０２とほぼ同様の構成でＸ軸方向に配置されており、基板１２０を載置している載置台１２１と、載置台１２１の移動をガイドするＸ軸ガイド１２３と、Ｘ軸ガイド１２３に沿って設置されたＸ軸ボールねじ１２５と、Ｘ軸ボールねじ１２５を正逆回転させるＸ軸モータ１２４と、載置台１２１の下部にあって、Ｘ軸ボールねじ１２５と螺合して載置台１２１を移動させる載置台螺合部１２２とから構成されている。
【００２２】
ヘッド部１１０に機能液１３３を供給する機能液供給部１０４は、ヘッド部１１０に連通する流路を形成するチューブ１３１ａと、チューブ１３１ａへ液体を送り込むポンプ１３２と、ポンプ１３２へ機能液１３３を供給するチューブ１３１ｂ（流路）と、チューブ１３１ｂに連通して機能液１３３を貯蔵するタンク１３０とから成っており、定盤１０７上の一端に配置されている。
【００２３】
これらの構成により、ヘッド部１１０は基板１２０に対して、それぞれＹ軸方向およびＸ軸方向に往復自在に相対移動することが可能であり、ヘッド部１１０から吐出された液滴を、基板１２０上の任意の位置に着弾させることができるようになっている。そして、この位置制御と、ヘッド部１１０におけるノズル毎の吐出制御とを同期させて行うことにより、基板１２０上に所定のパターンで機能液１３３を配置（描画）することができる。
尚、図２では、機能液供給部１０４は一種類の機能液をヘッド部１１０に供給するように描かれているが、実際には、複数種の機能液を一度に供給可能に構成されており、ヘッド部１１０は、複数種の機能液を同時に吐出することができる。
【００２４】
（電子放出素子の製造工程）
次に、図３のフローチャートに沿って、図４を参照して、電子放出素子の製造工程について説明する。図３は、第１実施形態に係る電子放出素子の製造工程を示すフローチャートである。図４（ａ）〜（ｆ）は、第１実施形態に係る電子放出素子の製造工程における一過程を示す概略断面図である。
【００２５】
まず、図２に示す液滴吐出装置１００を用いて、図４（ａ）に示すように、素子基板１１上に導電性機能液３０をパターン配置する（成膜工程を構成する図３のステップＳ１）。ここで、導電性機能液３０としては、導電性微粒子を分散媒に分散させたものが用いられる。
導電性微粒子は、上述した導電膜１２の形成材料を微粒子化したものであり、分散性を向上させるためにその表面に有機物などをコーティングして用いることもできる。分散媒には、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物等が用いられ、その蒸気圧は、成膜時の乾燥速度や液滴吐出装置１００に保存されている際の保存安定性等の観点から、０．１Ｐａ以上２７ｋＰａ以下の範囲とするのが好ましい。導電性機能液３０の表面張力は、吐出安定性等の観点から、０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲とするのが好ましく、界面活性剤を添加して調整することもできる。また、導電性機能液３０には、成膜後の定着性を向上させるための樹脂や、粘度調整、保存安定性調整などのための各種添加剤を適宜添加することができる。
尚、描画に先立ち、前処理として、配置したいパターンに合わせて親液化および撥液化の表面処理（例えば、プラズマ処理や表面吸着分子による膜形成など）を行ったり、バンクと呼ばれる隔壁によりパターンを区画したりすることも可能である。このような前処理を行うことで、導電性機能液３０のより高精度なパターン配置が可能となる。
【００２６】
導電性機能液３０をパターン配置したら、次に、図４（ｂ）に示すように、乾燥ないし焼成により導電性機能液３０の分散媒を除去し、導電膜１２を成膜する（成膜工程を構成する図３のステップＳ２）。このとき導電膜１２は、乾燥条件にもよるが、中央部１２ｂにおいて膜面が比較的平坦に、外縁部１２ａにおいて膜面が隆起して外輪を描くように形成される。これは、図４（ａ）に示すように、導電性機能液３０の液面が曲面をなす関係で、中央部３０ｂと外縁部３０ａとの間で乾燥速度に差が生じ、内部対流によって導電性微粒子の濃度ムラが発生するためと考えられている。
このように、液滴吐出法を用いて成膜された導電膜１２は、特に外縁部１２ａにおいて大きく乱れた膜面を有するため、次に説明する整形工程により、このような膜面の乱れを排除することが望ましい。
【００２７】
整形工程は、大きくダミー機能膜形成工程とエッチング工程とを有している。
まず、図２に示す液滴吐出装置１００を用いて、図４（ｃ）に示すように、導電膜１２の中央部１２ｂ上にレジスト液３２をパターン配置する（ダミー機能膜形成工程を構成する図３のステップＳ３）。次いで、レジスト液３２を乾燥させて、図４（ｄ）に示すようにダミー機能膜としてのレジスト膜３３を成膜する（ダミー機能膜形成工程を構成する図３のステップＳ４）。レジスト膜３３は導電膜１２をマスキングする役割を果たしており、必要に応じ（例えば、既に電極等が形成されている場合）、素子基板１１上の他の箇所にも形成される。
【００２８】
次に、図４（ｅ）に示すように、レジスト膜３３をマスクとして、導電膜１２の外縁部１２ａをエッチングし（エッチング工程としての図３のステップＳ５）、その後図４（ｆ）に示すように、レジスト膜３３を除去する（図３のステップＳ６）。エッチングは、ウェットエッチング、ドライエッチング、電解エッチングなどを用いることができる。エッチングマスクとして機能するレジスト膜３３は、液滴吐出法を用いて形成されるので、成膜工程（ステップＳ１，Ｓ２）と共通の装置（液滴吐出装置１００や乾燥装置）を利用することができ、製造が容易である。
上述のように、ステップＳ１，Ｓ２の成膜工程、ステップＳ３〜ステップＳ６の整形工程を経て、膜面の平坦性のよい導電膜１２が、素子基板１１上に形成される。
【００２９】
最後に、素子電極１４，１５、信号線１６，１７、層間絶縁膜１８をパターン形成し（図３のステップＳ７）、さらに、導電膜１２に通電フォーミング等により電子放出部１３を形成して（電子放出部形成工程としての図３のステップＳ８）、図１に示す電子放出素子１０が完成する。
このように、本実施形態において導電膜１２は、完成状態におけるサイズよりもあらかじめ一回り大きく成膜され、乱れた膜面を有する外縁部１２ａが除去された状態で完成される。かくして、導電膜１２の膜面の平坦性が良好であるので、電子放出特性のばらつきの小さい電子放出素子１０を提供することができる。
【００３０】
（電気光学装置の構成）
次に、図５を参照して、電気光学装置の構成について説明する。図５（ａ）は、電気光学装置の主要部構造を示す概略断面図、図５（ｂ）は、素子基板上における電子放出素子の配列を示す概略平面図である。
図５（ａ）において、電気光学装置７０は、電子放出素子１０が配列された素子基板１１と、素子基板１１に対向する表示基板７１とを備えている。素子基板１１と表示基板７１とは、図示しない外枠部材を介して一定間隔に保たれ、両基板１１，７１間の空間７２は、１０-7Ｔｏｒｒ程度の真空状態に封止されている。ここで、真空度を維持させるために、空間７２に対する面に図示しないガス吸着膜を蒸着により形成する場合もある。
【００３１】
図５（ｂ）に示すように、素子基板１１は、第１信号線１６、第２信号線１７がマトリクス状に配線され、両信号線１６，１７に沿って形成された第１素子電極１４、第２素子電極１５を備えて電子放出素子１０が画素単位で配設された、いわゆる単純マトリクス型の素子配列を備えている。第１信号線１６と第２信号線１７とは、絶縁体で形成された層間絶縁膜１８によって絶縁され、それぞれ異なる信号が印加される。すなわち、第２信号線１７には、電子放出素子１０を１行（図のＸ軸方向の並び）ずつ順次駆動してゆくための走査信号が印加され、第１信号線１６には、走査信号により選択された行の電子放出素子１０の電子放出を制御するための階調信号が印加されて、画素単位での電子放出が制御される。
【００３２】
図５（ａ）において、表示基板７１は、対向電極７３と、蛍光膜７４と、遮光膜７５とを備えている。遮光膜７５は、画素を区画するように電子放出素子１０の配列に合わせて形成されており、画素間におけるクロストークや蛍光膜７４からの外光反射を低減する役割を果たす。材料としては、黒鉛など、導電性および遮光性のある材料が用いられる。
蛍光膜７４は蛍光体を含んでおり、電子放出素子１０からの放出電子の衝突によって蛍光体が発光することで、画素を点灯させる役割を果たす。電気光学装置７０がカラー表示タイプの場合には、蛍光膜７４は、画素ごとに三原色に対応する蛍光体で分けられて形成される。
対向電極７３には加速電圧（例えば、１０ｋＶ程度）が印加され、蛍光膜７４の蛍光体を励起させるに十分なエネルギーを与えるために、放出電子を加速する役割を果たす。対向電極７３には、例えば、ＩＴＯ等の透明性導電体が用いられる。
【００３３】
上述の構成において、第２信号線１７に印加する走査信号、第１信号線１６に印加する階調信号を制御して電子放出素子１０から電子を放出させ、対向電極７３で加速された放出電子が蛍光膜７４に衝突することで画素が点灯し、所望の画像が表示される。この電気光学装置７０は、先に説明した電子放出素子１０を備えているので、放出電子の照射精度に優れ、精細な画像表示が可能である。
【００３４】
（電子機器）
次に、図６を参照して、電子機器の具体例を説明する。図６は、電子機器の一例を示す概略斜視図である。
図６に示す電子機器としての携帯型情報処理装置７００は、キーボード７０１と、情報処理本体７０３と、電気光学装置７０２と、を備えている。このような携帯型情報処理装置７００のより具体的な例は、ワープロ、パソコンである。この携帯型情報処理装置７００は、先に説明した電子放出素子１０を備えた電気光学装置７０２を搭載しているので、放出電子の照射精度に優れ、高画質の画像を表示することができる。
また、電子放出素子１０を備える電子機器の別の例としては、電子放出素子１０をコヒーレント電子源として使用する様々な機器、例えば、コヒーレント電子ビーム収束装置、電子線ホログラフィー装置、単色化型電子銃、電子顕微鏡、多数本コヒーレント電子ビーム作成装置、電子ビーム露光装置、電子写真プリンタの描画装置などがある。
【００３５】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について、図７のフローチャートに沿って、図８、図９を参照して説明する。尚、以下では、先の実施形態と重複する内容については説明を省略し、相違点を中心に説明する。
図７は、第２実施形態に係る電子放出素子の製造工程を示すフローチャートである。図８（ａ）〜（ｅ）および図９（ｆ）〜（ｉ）は、第２実施形態に係る電子放出素子の製造工程における一過程を示す概略断面図である。
【００３６】
この第２実施形態においては、まず、図８（ａ）に示すように、素子基板１１上に第１の導電膜２１を、液滴吐出法によりパターン形成する（成膜工程としての図７のステップＳ１１）。次いで、図８（ｂ）に示すように、ダミー機能膜としてのＳｉＯ2膜２５を、第１の導電膜２１の中央部２１ｂ上にパターン形成し（図７のステップＳ１２）、さらに図８（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2膜２５をマスクとして第１の導電膜２１の外縁部２１ａをエッチングして（図７のステップＳ１３）、整形する。
このように、整形工程におけるダミー機能膜は、レジスト材料によるものに限られるものではなく、エッチング工程においてエッチングマスクとしての機能を果たすことができれば、どのような材料が用いられていてもよい。
【００３７】
次に、ＳｉＯ2膜２５を、ＨＦ溶液等を用いたエッチングで一旦除去し（図７のステップＳ１４）、図８（ｄ）に示すように、第１の導電膜２１の全体を覆うようにＳｉＯ2膜２６を、１ｎｍ〜５０ｎｍ程度の極薄膜として形成する（図７のステップＳ１５）。そして、図８（ｅ）に示すように、第２の導電膜２２を、ＳｉＯ2膜２６を介して第１の導電膜２１と一部重なるように形成する（図７のステップＳ１６）。
ここで形成されるＳｉＯ2膜２６は、上述のＳｉＯ2膜２５のようなマスキングのための機能膜ではなく、導電膜２１，２２間にＳｉＯ2膜２６の膜厚で規定される狭小なギャップを形成する機能を果たしている。
【００３８】
次に、図９（ｆ）に示すように、ダミー機能膜としてのＳｉＯ2膜２７を第２の導電膜２２上にパターン成膜し（図７のステップＳ１７）し、さらに、ＳｉＯ2膜２７をマスクとして第２の導電膜２２の外縁部２２ａおよび中央部２２ｂの一部をエッチングする（図７のステップＳ１８）。かくして、図９（ｇ）に示すように、第１の導電膜２１の新たな外縁部２１ｃと、第２の導電膜２２の新たな外縁部２２ｃとが、ＳｉＯ2膜２６を介して対向した構造を有することになる。そして、図９（ｈ）に示すように、ＳｉＯ2膜２６およびＳｉＯ2膜２７を除去すると（図７のステップＳ１９）、当該対向構造部分に狭小な空隙が形成され、電子放出部２３として機能することになる。最後に、図９（ｉ）に示すように、素子電極１４，１５、信号線１６，１７をパターン形成して（図７のステップＳ２０）、電子放出素子２０が完成する。
このように、成膜工程および整形工程は、複数回に分けられてなされてもよいし、また、電子放出部形成工程と成膜工程および整形工程とが、重複した工程として構成されてもよい。
【００３９】
本発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、第１実施形態の整形工程（図３のステップＳ３〜Ｓ６）において、導電膜１２の外縁部１２ａのエッチングは、その全体に対してではなく、一部（例えば、電子放出部１３が形成される部位）のみについてのエッチングであってもよい。
また、第１実施形態において、通電フォーミングに代えて、電子線によるフォーミングや局所的な研磨によっても電子放出部を形成してもよい。
また、第１実施形態において、成膜工程と整形工程の間のタイミングで電子放出部が形成されてもよい。
また、各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略したり、図示しない他の構成と組み合わせたりすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】（ａ）は、第１実施形態に係る電子放出素子を示す平面図。（ｂ）は、第１実施形態に係る電子放出素子を示す断面図。
【図２】電子放出素子の製造に用いる液滴吐出装置の一例を示す概略斜視図。
【図３】第１実施形態に係る電子放出素子の製造工程を示すフローチャート。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、第１実施形態に係る電子放出素子の製造工程における一過程を示す概略断面図。
【図５】（ａ）は、電気光学装置の主要部構造を示す概略断面図。（ｂ）は、素子基板上における電子放出素子の配列を示す概略平面図。
【図６】電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図７】第２実施形態に係る電子放出素子の製造工程を示すフローチャート。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は、第２実施形態に係る電子放出素子の製造工程における一過程を示す概略断面図。
【図９】（ｆ）〜（ｉ）は、第２実施形態に係る電子放出素子の製造工程における一過程を示す概略断面図。
【符号の説明】
【００４１】
１０…電子放出素子、１１…基板としての素子基板、１２…導電膜、１２ａ…外縁部、１２ｂ…中央部、１３…電子放出部、１４…第１素子電極、１５…第２素子電極、１６…第１信号線、１７…第２信号線、１８…層間絶縁膜、２０…電子放出素子、２１…導電膜、２１ａ…外縁部、２１ｂ…中央部、２１ｃ…外縁部、２２…導電膜、２２ａ…外縁部、２２ｂ…中央部、２２ｃ…外縁部、２３…電子放出部、２５…ダミー機能膜としてのＳｉＯ2膜、２６…ＳｉＯ2膜、２７…ダミー機能膜としてのＳｉＯ2膜、３０…導電性機能液、３０ａ…外縁部、３０ｂ…中央部、３２…レジスト液、３３…ダミー機能膜としてのレジスト膜、７０…電気光学装置、７１…表示基板、７２…空間、７３…対向電極、７４…蛍光膜、７５…遮光膜、１００…液滴吐出装置、７００…電子機器としての携帯型情報処理装置、７０１…キーボード、７０２…電気光学装置、７０３…情報処理本体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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