(57)【要約】【課題】液晶表示装置において広視野角、かつ高い表示品質を実現する。【解決手段】第１電極２００を備える第１基板１００と第２電極３２０を備える第２基板３００との間に、垂直配向型液晶層４００が封入された液晶表示装置である。各画素領域内には、１画素領域内で液晶の配向を複数領域に分割するための電極不在部や突起部など、又はこれらの組み合わせからなる配向制御部５００が設けられ、第１電極２００及び第２電極３２０の少なくとも一方には、ＩＺＯが用いられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備え、第１電極を備える第１基板と第２電極を備える第２基板との間に、垂直配向型の液晶が封入された液晶表示装置であって、
前記第１基板側及び第２基板側のいずれか又は両方の１画素領域内には、それぞれ、液晶の配向方向を１画素領域内で分割するための配向制御部を有し、
前記配向制御部は、前記第１電極または前記第２電極のいずれか又は両方に形成された電極不在部を含み、
前記第１電極又は前記第２電極の内、少なくとも前記電極不在部が形成された電極は、インジウム亜鉛酸化物を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記第１電極は、画素毎の個別パターンを有する個別電極であって、前記インジウム亜鉛酸化物材料からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記第１電極は、画素毎の個別パターンを有する個別電極であり、
前記第２電極は、複数の画素に共通の共通電極であり、
前記第１及び第２電極のいずれの電極も前記インジウム亜鉛酸化物材料からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の液晶表示装置において、
前記配向制御部は、さらに、前記第１基板側または前記第２基板側のいずれか又は両方から前記液晶層に向かって突出する突起部を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
複数の画素を備え、第１電極を備える第１基板と第２電極を備える第２基板との間に、垂直配向型の液晶が封入された液晶表示装置であって、
前記第１基板側に形成された前記第１電極は、画素毎に個別のパターンに形成され、前記第１電極にはそれぞれ薄膜トランジスタが接続され、
前記第２基板側に形成された前記第２電極は、各画素共通の共通電極として形成され、
前記第１基板側及び第２基板側のいずれか又は両方の１画素領域内には、それぞれ、液晶の配向方向を１画素領域内で分割するための配向制御部を有し、
前記第１及び第２電極の内、少なくとも前記第１電極は、インジウム亜鉛酸化物を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の液晶表示装置において、
各画素領域は、反射領域と透過領域とを有し、
前記反射領域においては、前記第１基板側又は前記第２基板側の少なくとも一方に、液晶層へ入射された光の位相差を制御する該液晶層の厚さで規定されるギャップが、前記透過領域より前記反射領域において小さくするギャップ調整部を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の液晶表示装置において、
前記画素領域内における前記ギャップ調整部の端部面は前記配向制御部として機能することを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶の配向方向を一画素領域内で分割する配向制御部を備える液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（以下ＬＣＤという）は薄型で低消費電力であるという特徴を備え、現在、コンピュータモニターや、携帯情報機器などのモニターとして広く用いられている。このようなＬＣＤは、一対の基板間に液晶が封入され、それぞれの基板に形成され電極によって間に位置する液晶の配向を制御することで表示を行う。
【０００３】
このようなＬＣＤの液晶として、ＴＮ（Twisted Nematic）液晶が知られている。このＴＮ液晶を用いたＬＣＤでは、一対の基板の液晶との接触面側にそれぞれラビング処理の施された配向膜が形成されており、電圧を印加しない状況で、正の誘電率異方性をもつＴＮ液晶は、その分子の長軸がこの配向膜のラビングの方向に沿うように初期配向する。なお、この液晶の初期配向は、完全に基板平面に沿っているのではなく予め所定角度だけ分子の長軸が基板平面方向から立ち上がった、いわゆるプレチルトがつけられていることが多い。
【０００４】
一方の基板上の配向膜のラビング方向と、他方の対向基板上の配向膜のラビング方向とは、互いに９０°ねじれた方向になるように配置され、一対の基板間で液晶は９０°ねじれて配向する。そして、一対の基板の対向面側にそれぞれ形成されている電極によって間の液晶に対して電圧を印加することで、液晶分子はその長軸が基板の平面法線方向に向くように起きあがりねじれ配向状態が解消される。
【０００５】
一対の基板には、それぞれ互いに直交する偏光軸を持つ直線偏光板が設けられており、また、配向膜のラビング方向は、対応する基板の偏光板の偏光軸に沿った方向に設定されている。このため、電圧非印加状態において、光源側に配置される基板側の偏光板から液晶層に入射される直線偏光は、９０°ねじれ配向した液晶層で、ちょうど９０°偏光軸が異なる直線偏光となり、他方の基板に設けられ、上記入射側の偏光板と９０°異なる方向の偏光軸の直線偏光のみを透過する偏光板を透過し、光源からの光がＬＣＤを透過することとなり「白」が表示される。これに対し、電極間に電圧を印加して液晶のねじれ配向が完全に解け、液晶分子が基板平面の法線方向を向くと、光源側から液晶層に入射した直線偏光は、液晶層でその偏光光が変化せずに他方の基板に設けられた偏光板に到達するため、射出側のこの偏光板の直線偏光の偏光軸に一致せず、射出側の偏光板を透過することができない。よって「黒」が表示される。中間調は、液晶層でのねじれ配向が完全に解消されない電圧を該液晶に印加して、液晶層に入射した直線偏光のうちの一部を９０°逆の偏光軸の直線偏光として射出側の偏光板を通過可能な光量を調整して表現する。
【０００６】
このようにＴＮ液晶のＬＣＤでは、液晶の分子の長軸方向を基板平面方向に対してプレチルトの角度からどれだけ起立させるかを制御しており、図１２（ａ）に示すように、ＴＮＬＣＤを図中の右上方から観察したときにおける観察者に対する液晶分子の傾きと、左上方から観察したときの傾きとが大きく異なる。このためＴＮ液晶では、視覚依存性が大きく、色つきや表示の反転などが起きやすい。つまり、正常に表示を観察することのできる視野角が狭いことが知られている。
【０００７】
これに対し垂直配向（Vatically Aligned）型液晶（以下ＶＡ液晶）では、例えば負の誘電率異方性を持ち、垂直配向膜を採用して電圧非印加での液晶分子の長軸が垂直方向（基板平面の法線方向）を向く。このＶＡ液晶を用いたＬＣＤにおいて、一対の基板にはそれぞれ互いに９０°偏光軸の異なる偏光板が設けられている。電圧非印加状態において、光源側に配置される基板側の偏光板から液晶層に入射される直線偏光は、液晶が垂直配向しているため、液晶層で複屈折が起こらず、そのままの偏光状態で観察側の基板の偏光板に到達するため、この観察側の偏光板を透過することができず、「黒」が表示される。電極間に電圧を印加すると、ＶＡ液晶は、基板平面方向に分子の長軸が向くように倒れる。ここで、ＶＡ液晶は負の光学異方性（屈折率異方性）を備えており、液晶分子の短軸が基板平面の法線方向を向くこととなり、光源側から液晶層に入射した直線偏光は、この液晶層で複屈折を受け、直線偏光が、液晶層を進むにつれ楕円偏光となり、さらに円偏光、そして楕円偏光又は直線偏光（いずれの偏光も、入射直線偏光とは９０°異なる偏光軸を持つ）へと変化する。このため、入射された直線偏光の全てが液晶層による複屈折によって９０°逆の直線偏光になれば、これが観察側の基板の偏光板を透過し、表示は「白（最大輝度）」となる。複屈折量は、液晶分子の倒れ方によって決まる。よって、複屈折量によって、入射直線偏光が同じ偏光軸の楕円偏光、円偏光、或いは９０°異なる偏光軸の楕円偏光となり、射出側偏光板の透過率がその偏光状態によって決定され、中間調の表示が得られる。
【０００８】
このようなＶＡ液晶は、図１２（ｂ）に示すように、初期配向が基板１００の法線方向を向いており、観察方向が図の右上からの場合と、左上からの場合のいずれでも、その方向に対する液晶分子の傾きの角度の差は小さい。従って、上記ＴＮ液晶に比較すると、原理的に視覚依存性が低い。つまり、視野角が広いという特徴がある。しかし、ＶＡ液晶では、電圧を印加した際、垂直方向から液晶分子が倒れていく方角（配向ベクトル）までは一律には決まらず、１画素領域内で配向方角の異なる領域の境界（ディスクリネーションライン）が固定されないという問題がある。画素によって、或いは経時的に、このディスクリネーションラインの位置が異なると、これは表示のざらつきなどを生じ、表示品質の低下を招く。
【０００９】
そこで、ＶＡ液晶において、１画素内に配向分割手段を設け、ディスクリネーションラインをこの配向分割部に固定し、視野角の一層の拡大と、表示品質の向上を図ることが例えば下記特許文献１等に提案されている。
【００１０】
【特許文献１】特開平７−３１１３８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図１３は、ＶＡ−ＬＣＤを例に、従来の配向分割手段として用いられている突起部及び電極不在部による配向分割の様子を示す。
【００１２】
第１基板１００上には第１電極（例えば画素電極）２００が形成され、該第１電極２００を覆って配向膜２６０が形成されている。また第１基板１００と対向配置される第２基板上には第２電極（例えば共通電極）３２０が形成されている。この第２電極３２０の上には、液晶層４００に向かって突出する突起部５６０が形成され、この突起部５６０及び第２電極３２０を覆う基板全面に、第１基板側と同じ配向膜２６０が形成されている。第２基板３００側において、配向膜２６０の液晶層４００との接触面側には、下層の突起部５６０の傾斜に応じた斜面が形成され、配向膜２６０として垂直配向膜を採用している場合、この配向膜の斜面に対して液晶ダイレクタ４１０が垂直に配向制御される。従って、この突起部５６０を境に、液晶ダイレクタ４１０の配向方角（配向ベクトル）が図の左右に分割される。また、第１基板側に形成され、互いに隣接する第１電極２００の隣との間隙は、電極不在部５３０となる。このような電極不在部５３０では、対向する第１電極２００と第２電極３２０とに電圧を印加し始めたときに、図中、点線で示すような斜めの弱電界が発生する。そして、負の誘電率異方性を有する液晶分子の短軸方向がこの電界の電気力線（点線）に対して直交するよう配向する。従って、このような電極不在部５３０においても、この不在部５３０を境に液晶ダイレクタ４１０の配向方角が分割される。
【００１３】
以上のように突起部５６０や、電極不在部５３０によって１画素領域内で互いに配向方向の異なる（配向ベクトルの異なる）領域を形成することができる。ところが、これら突起部５６０や電極不在部５３０による液晶の配向方向を分割性能を高めるためには、突起部５６０の場合、その斜面の面積を大きく、傾斜角を大きくする、つまり突起部５６０を高くすることが必要となる。また、電極不在部５３０については、電極不在距離を大きくすることが要求される。
【００１４】
しかし、突起部５６０及び電極不在部５３０の形成領域では、上記ＶＡ液晶の場合、電圧を印加しても、液晶の配向方向が変化しにくいため、これら突起部５６０や電極不在部５３０の幅が大きいほど透過率が減少してしまう。このような突起部５６０や電極不在部５３０は、その大きさ（特に幅）や形状自体が配向分割制御及び表示品質に大きな影響を及ぼし、配向制御部の形状などについて改良が試みられているが最適化されていない。このため、ＶＡ型ＬＣＤで、配向制御することで、本来的には得られるはずである非常に高い表示品質は完全には実現されておらず、ＶＡ配向制御型ＬＣＤの本来の能力が発揮できていない。
【００１５】
本発明は、広視野角で、かつ表示品質の高いＬＣＤを実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は上記のようなＬＣＤを実現するものであり、以下のような特徴を備える。
【００１７】
即ち、複数の画素を備え、第１電極を備える第１基板と第２電極を備える第２基板との間に、垂直配向型の液晶が封入された液晶表示装置であって、前記第１基板側及び第２基板側のいずれか又は両方の１画素領域内には、それぞれ、液晶の配向方向を１画素領域内で分割するための配向制御部を有し、前記配向制御部は、前記第１電極または前記第２電極のいずれか又は両方に形成された電極不在部を含み、前記第１電極又は前記第２電極の内、少なくとも前記電極不在部が形成された電極は、インジウム亜鉛酸化物を含む。
【００１８】
本発明の他の態様において、上記液晶表示装置において、前記第１電極は、画素毎の個別パターンを有する個別電極であって、前記インジウム亜鉛酸化物材料からなる。
【００１９】
本発明の他の態様において、前記第１電極は、画素毎の個別パターンを有する個別電極であり、前記第２電極は、複数の画素に共通の共通電極であり、前記第１及び第２電極のいずれの電極も前記インジウム亜鉛酸化物材料からなる。
【００２０】
本発明の他の態様において、前記液晶表示装置では、前記配向制御部は、さらに、前記第１基板側または前記第２基板側のいずれか又は両方から前記液晶層に向かって突出する突起部を含む。
【００２１】
本発明の他の態様において、複数の画素を備え、第１電極を備える第１基板と第２電極を備える第２基板との間に、垂直配向型の液晶が封入された液晶表示装置であって、前記第１基板側に形成された前記第１電極は、画素毎に個別のパターンに形成され、前記第１電極にはそれぞれ薄膜トランジスタが接続され、前記第２基板側に形成された前記第２電極は、各画素共通の共通電極として形成され、前記第１基板側及び第２基板側のいずれか又は両方の１画素領域内には、それぞれ、液晶の配向方向を１画素領域内で分割するための配向制御部を有し、前記第１及び第２電極の内、少なくとも前記第１電極は、インジウム亜鉛酸化物を含む。
【００２２】
本発明の他の態様において、さらに、各画素領域は、反射領域と透過領域とを有し、前記反射領域において、前記第２基板側には、液晶層へ入射された光の位相差を制御する該液晶層の厚さで規定されるギャップが、前記透過領域より前記反射領域において小さくするギャップ調整部を有する。
【００２３】
本発明の他の態様において、前記画素領域内における前記ギャップ調整部の端部面は前記配向制御部として機能させることができる。
【００２４】
このように、垂直配向型の液晶層を採用し、かつ、液晶の配向方向を１画素領域内で分割するための配向制御部を１画素領域内に設ける場合に、第１又は第２電極としてインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を採用する。配向制御部は、電極のエッジや、積極的に形成した電極不在部及び突起部或いはこれらの組み合わせで構成することができ、正確な配向分割制御及び高い開口率及び表示品質の均一化を図るには、電極のパターンを厳密に制御する必要がある。ＩＺＯを用いることで、非常に高いパターン精度を実現できる。また、ＩＺＯ層は下層側ほど幅の大きくなる順テーパとしやすく、ＩＺＯ電極の上に形成する膜の被覆性も高く維持できる。このため、非常に表示特性がよく、かつ、広視野角のＬＣＤを実現できる。
【００２５】
さらに上記ＬＣＤは、前記一画素領域内には、外光を反射する反射領域と、光源光を透過する透過領域が設けたいわゆる半透過型ＬＣＤにも適用でき、外光の強い屋外でも、暗いところでも高コントラスト、広視野角の表示をすることができる。なお、反射領域内及び透過領域内でそれぞれ上記配向制御部を設けることにより、反射モード、透過モードのいずれの表示モードにおいても、一層の表示品質の向上を図ることが可能となる。この半透過型のＬＣＤの場合には、入射光が２回通過する反射領域と、１回しか通過しない透過領域とでは液晶層中でのトータル光路長が異なるが、ギャップ調整部を１画素領域内に設けることで、反射領域と透過領域とで、それぞれ最適な液晶層の厚さ（セルギャップ）を得ることができる。よって、反射領域でも透過領域でも色つきなどがなく、かつ最適な反射率、透過率を実現でき、明るくかつ色再現性の良い表示が可能となる。
【発明の効果】
【００２６】
以上説明したように、この発明では、ＬＣＤにおいて、高いパターン精度で電極及び配向制御部を形成することができるため、視野角を拡大し、高コントラストであって、透過率又は反射率が高く、かつ、表示の均一性に優れた表示品質の高いＬＣＤを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を用いて本発明の好適な実施の形態（以下実施形態という）について説明する。
【００２８】
図１は、本実施形態に係るＬＣＤの概略断面構成を示している。図１の例では、ＬＣＤは、光源からの光を透過させる透過型ＬＣＤであり、共に透明な第１基板１００と第２基板３００との間に液晶層４００が封入されており、各基板１００，３００の液晶層４００との対向面側には、それぞれ第１及び第２電極２００，３２０が形成されている。
【００２９】
第１及び第２基板１００，３００には、ガラスなどの透明基板が用いられている。第１基板１００側には、第１電極として、画素毎に個別のパターンの画素電極２００及びこの画素電極２００に接続された薄膜トランジスタなどのスイッチ素子が形成されている（図示せず。後述の図８参照）。
【００３０】
上記第１電極２００及び第２電極３２０の材料として、インジウム亜鉛酸化物（以下ＩＺＯ：Indium Zinc Oxide）又はインジウム錫酸化物（以下ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）などの透明導電材料を用いることができるが、本実施形態では、特に、第１電極２００、第２電極３２０の少なくとも一方にＩＺＯを用いる。
【００３１】
ＩＺＯは、現在ＬＣＤの電極に多用されている上記ＩＴＯと比較し、パターニングの精度が非常に高い。またパターニングした際、ＩＴＯは、断面形状が基板側ほど広くなる順テーパにはなりにくいが、ＩＺＯでは順テーパになりやすい。断面がテーパ形状となれば、第１電極２００や第２電極３２０の上に形成されるポリイミド（ＰＩ）などからなる配向膜２６０の被覆性を一層向上することができる。また、ラビングを実行するタイプの配向膜２６０を用いる場合にはラビング処理も確実に実行できる。
【００３２】
さらに、ＩＺＯは、ＩＴＯと比較し、エッチング残渣の発生も少なく、本実施形態のように電極の端部を積極的に配向制御に利用する配向制御部を備えた垂直配向型ＬＣＤにおいて、第１及び第２電極２００，３２０にＩＺＯを用いることで、配向をより正確に制御することが可能となる。
【００３３】
液晶層４００としては、負の誘電率異方性を備えた垂直配向型の液晶を採用し、かつ、１画素領域内を複数の配向領域に分割するための配向制御部５００（配向分割部）を第２基板３００及び第１基板１００側にそれぞれ設けている。この配向制御部５００のうち、第１基板１００側では、第１電極２００の間隙によって構成された電極不在部５３０が形成されている。そして、この電極不在部５３０と第１電極２００を覆う基板全面に配向膜２６０が形成されている。
【００３４】
第２基板３００側では、配向制御部５００として、第２電極３２０に電極不在部５１２が形成されている。また、図１の例では、この不在部５１２の上に液晶層４００に向かって突出する突起部５１４が形成されている。なお、本実施形態では、上記のように第１又は第２電極にＩＺＯを採用することで高い配向制御特性及び高開口率を実現でき、図１のように電極不在部５１２と突起部５１４とを重ねず、電極不在部５１２のみ、突起部５１４のみにより配向制御部５００を構成してもよい。２つを重ねて形成することで、電極不在部５３０のみからなる配向制御部５００での該不在部の幅よりも、電極不在部５１２の幅を狭くすることができる。電極不在部５１２と、突起部５１４とを同一箇所に重ねて形成するので、電極不在部の幅が狭くても、突起部による配向分割制御の効果により、十分な配向分割制御が可能となるためである（より具体的な作用については、後述する）。
【００３５】
以上のように、第２基板側において、電極不在部５１２を覆って形成された突起部５１４及び第２電極３２０を覆う全面には、第１基板１００側と同様の配向膜２６０が形成されている。第１基板側、第２基板側の配向膜２６０は、いずれも液晶の初期配向（電圧非印加状態での配向）を膜の平面方向に対して垂直に配向させる垂直配向膜であり、さらにラビングレスタイプを採用することができる。
【００３６】
このような構成で、第１電極２００と第２電極３２０との間に電圧を印加し始めて両電極間に弱電界が発生したとき、突起部５１４の下に位置する電極不在部５１２の端部（第２電極３２０の端部）では、図中点線で示す電気力線が、この電極３２０の端部から、電極不在部５１２の中央に向かって広がるように斜めに傾く。負の誘電率異方性を有する液晶の短軸は、この斜めの電気力線に沿うように配向していく。従って、液晶への印加電圧の上昇に追従して、液晶分子が初期の垂直配向状態から倒れていく方角が、この斜め電界によって規定される。従って、配向制御部５１０では、この配向制御部５１０を境に液晶の配向が互いに少なくとも異なる配向方位を向くように分割される。第１基板側の第１電極２００の間隙に形成された電極不在部５３０においても、同様の斜めの電界によって液晶の配向方角（配向方位）が制御され、この電極不在部５３０を境として液晶の配向方角が互いに異なる方向に分割される。
【００３７】
図２は、１画素あたりの第１電極（画素電極）２００と、第１又は第２基板側に設けられる配向制御部５００の形状の例を示している。図２（ａ）では、第１電極２００は、四角形（ここでは矩形）で、配向制御部５００は、電極不在部や突起、又は図１に示すように電極不在部と突起との組み合わせ（制御部５１０）などからなり、２つのＹ字の一方を上下逆として２つを連結したようなパターンとしている。図２（ｂ）では、同様に四角形の第１電極２００を採用し、配向制御部５００は、１画素領域の中心付近で交差するＸ字状のパターンを有する。図２（ｃ）では、第１電極２００の外形は同様に四角形で、配向制御部５００は、画素領域内の垂直走査方向の中央付近を頂点として折れ曲がる複数のＶ字状のパターン形状を有する。図１では、電極不在部５１２と突起部５１４の組み合わせからなる配向制御部５１０を第２電極３２０側に形成しているが、これは第１電極に形成しても良い。また、第２電極ではなく、画素毎に個別パターンとする第１電極２００に、図２のようなパターンの電極不在部や、図１に示すような電極不在部と突起部とを重ねた配向制御部５００を形成してもよい。
【００３８】
いずれのパターンの場合においても、垂直配向膜２６０は、その膜平面方向に対して垂直な方向に液晶を配向させるが、突起部５１４を覆う位置では、突起部５１４の形状を反映した斜面が形成される。従って、突起部５１４の形成位置では、これを覆う配向膜２６０の斜面に対し、液晶が垂直な方向に配向されることとなり、この突起部５１４を境に液晶の配向方位が分割される。分割領域は、例えば、図２（ａ），図２（ｂ）のパターンでは（ｉ）〜（ｉｖ）の４種類で、この領域はそれぞれ優先視野角度が異なる。従って、１画素領域内に、複数の異なる優先視野角度を与え、広視野角を実現することが可能となっている。
【００３９】
配向制御部５００を第１電極２００又は第２電極３２０のいずれか及び両方に設け、垂直配向液晶を制御する本実施形態では、配向制御部を構成する電極の端部、つまり電極のパターン形状の精度が高いことが非常に重要となる。さらに第１電極２００は、画素毎に個別パターンに形成する必要があり、また、そのエッジ部分で液晶の配向方位を少なくとも４辺方向から制御し、またその端部のテーパ形状が液晶配向に及ぼす影響も多大である。従って、この第１電極２００としては少なくともＩＺＯを採用することが好ましい。特に、第１電極２００の画素領域内に図２に示すようなパターンで電極不在部を形成する場合には、第１電極２００は非常に微細なパターンとなり、必ず、ＩＺＯを用いることが好ましい。さらに、第１電極２００は、後述するように薄膜トランジスタに接続されるので、コンタクト特性のよいＩＺＯを第１電極２００に採用することは、接続抵抗を低くする観点からも好ましい。
【００４０】
第２電極３２０は共通電極であるので、図１に示すような電極不在部５１２を画素毎に形成できればよいが、この電極不在部５１２の幅を含めそのパターン精度が高いことが要求される。従って、第２電極３２０にもＩＺＯを採用することが好ましい。
【００４１】
次に、第２電極３２０に形成する配向制御部５００として電極不在部５１２を採用した場合に、そのパターン精度と表示品質等との関係を図３及び図４を参照して説明する。
【００４２】
配向制御部５００のパターンとしては、図２（ａ）のような２つのＹ字が連結されたパターンを第２電極３２０に電極不在部５１２として形成している（但し第１電極２００のエッジも配向制御部５００を構成する）。また、測定に用いたパネルは、１．８型１３万画素で、画素数（Ｈ×Ｖ）は、５５７×２３４、画素ピッチ（Ｈ×Ｖ）は、６５．５×１１７とした。このような場合、電極不在部５１２の幅（スリット幅）は、約６μｍ程度が最適である。これに対し、ＩＴＯを電極材料として用いた場合そのパターニング精度のバラツキは、１．０μｍより大きい。一方、ＩＺＯを電極材料として用いた場合のパターニング精度のバラツキは０．５μｍ未満である。
【００４３】
図３は第２電極３２０側に形成する電極不在部５１２の幅と表示品質（表示のザラツキの５段階評価）との関係を示す。ザラツキの５段階評価は、全面白を表示した場合に（白ラスタ表示）、５人が目視により観察した結果であり、評価５はザラツキがわからない、評価４はザラツキがわかるが気にならない、評価３は、ザラツキが少し気になる、評価２はザラツキが気になる、評価１はザラツキが非常に気になるという基準である。スリット幅が大きくなると、配向分割機能が強くなり、ザラツキのない画面が得られる。ここで、ＬＣＤの開口率などとの関係でスリット幅としてはスリット幅６μｍが最適値となるが、ＩＴＯを電極に用いると、６μｍ±１．０μｍより大きなパターンずれが発生する。よって、表示のザラツキは評価５と評価４の間、つまり、ずれによって評価が１ランク変動することとなる。一方、ＩＺＯを電極に用いた場合、パターンずれは０．５μｍ未満であるから、表示のザラツキの評価はパターンずれが発生しても評価ランクは変動しない。即ち、電極材料としてＩＺＯを用いることで、画面全体において表示のザラツキの程度、つまり、表示の均一化を図ることができ、表示品質の向上に寄与できることが分かる。
【００４４】
図４は、図３と同様な第２電極３２０側に形成する電極不在部５１２の幅（スリット幅）と、透過率［％］との関係を示す。図４からも明らかなようにスリット幅が広くなるほど１画素当たりの開口率が低下するため、透過率が低くなる。ここで、上記のようにスリット幅として最適な６μｍを目標として該スリットを形成した場合、電極材料にＩＴＯを用いると６μｍ±１．０μｍより大きなパターンずれが発生する。このため、透過率は、０．３％程度以上の差が発生し、このような透過率の差は、ＬＣＤ全体として輝度のバラツキとして認識されうる。一方、ＩＺＯを電極に用いた場合、パターンずれは０．５μｍ未満であるから、透過率の差は０．１％程度未満であり、ＬＣＤ全体として輝度のバラツキとして認識されることが防止されている。
【００４５】
以上のように、配向制御部を有するＶＡ型ＬＣＤにおいて、電極材料としてＩＺＯを採用することにより、ザラツキの低くまた輝度のバラツキも小さくすることができ、表示品質の向上と広視野角とを実現させることが可能となることがわかる。
【００４６】
次に、図１に示すように電極不在部５１２と突起部５１４とを組み合わせた配向制御部５００の機能について説明する。電極不在部５１２の幅を狭くすると、電極不在部５１２の端部で発生する電界（電気力線）５１６の傾きは、電極不在部５３０の端部の電界（電気力線）５３６の傾きより小さくなる。傾きが小さいとこの電気力線５１６に直交する方向に配向する液晶分子の基板平面の法線に対する傾きが小さくなり、配向制御部以外の領域における垂直配向した液晶分子との差が小さくなる。つまり、この斜め電界による配向分割性能がその分低くなる。しかし、この斜め電界の発生する位置において、電極不在部５１２によって生ずる電気力線５１６と同様に、電極不在部５１２の端部からその中央に向かって液晶層方向に傾く斜面が突起部５１４が形成されている。従って、垂直配向膜２６０が用いられているから、ここでは、液晶ダイレクタ４１０が突起部５１４の斜面にする直交方向に向くように引力を受ける。このため、斜め電界５１６の傾きが小さくても確実にこの配向制御部５１０を境に液晶の配向方角が分割される。
【００４７】
また、突起部５１４が低くかつその幅が狭い、つまり突起部５１４が小さいと、基板平面に対する突起の斜面角が小さくなるので、配向制御部５１０の形成領域外で、基板平面の法線方向を向くように配向した液晶分子との配向の角度の差が小さくなる。このため、小さな突起部５１４だけでは液晶の配向制御性が低下する。しかし、ここに電極不在部５１２による斜めの電界５１６による液晶の配向制御力が加わるため、確実に配向の分割が行われる。このように、突起部５１４と電極不在部５１２とを重ねて配向制御部５１０を構成することで、小さな突起部５１４と幅の狭い電極不在部５１２によって確実に配向の分割ができ、また電極不在部５１２の幅が狭くできる分、画素の透過率又は反射率を高めることができ、突起部５１４は同様に幅（三角形の断面の底辺に相当）を狭く、かつ高さを低くでき、コントラストの低下を防ぐことができる。
【００４８】
なお、電極不在部５１２の幅と、突起部５１４の幅とは、図１の例では突起部５１４の方の幅を電極不在部５１２の幅よりも少し大きく設定し、電極不在部５１２の端部まで突起部５１４が完全に覆う関係となっている。しかし、この大小関係は特に限定されず、同一であっても良いし、また、逆に突起部５１４の幅の方が小さくても良い。同程度の幅でかつ狭いことが好適である。なお、液晶との接触面側に不要な斜面があると配向を乱す可能性があるので、配向乱れを防止するという観点から、図１のように電極不在部５１２の上に突起部５１４を重ねる場合、突起部５１４の幅は、電極不在部５１２をその幅方向において完全に覆うだけの幅とすることが好ましい。
【００４９】
図５は、本実施形態に係るＬＣＤの上記図１とは別の態様を示している。電極不在部と突起部とを同じ位置に重ねて配向制御部５００を構成する点は、上記図１と同じであるが、図５の態様では、突起部の上に電極不在部が形成されている点が異なる。即ち、例えば第２基板３００上に、断面が略三角形で液晶層４００に向かって突出する突起部５２４が形成され、この突起部５２４の上に第２電極３２０が形成されている。さらに、この突起部５２４の頂上付近において、第２電極３２０に電極不在部（窓又はスリット）５２２が形成されている。なお、突起部５２４を覆って形成される第２電極３２０は、電極不在部５２２の形成領域を除き、その液晶層との対向面側に、突起部５２４の傾斜に沿った斜面が形成されている。第２電極３２０及び電極不在部５２２で露出した突起部５２４を覆うように配向膜２６０が形成されている。図５のような配向制御部５２０においても、突起部５２４に起因した斜面に対して液晶ダイレクタ４１０が垂直に配向し、かつ電極不在部５２２の端部に形成される斜め電界５２６によって液晶配向が制御される。従って、図１の配向制御部５１０と同様に、小さい突起部５２４と幅の狭い電極不在部５２２とによって液晶の配向を確実に分割し、かつ、高コントラストで広視野角、かつ高透過率又は高反射率のＬＣＤとすることができる。
【００５０】
また、図５に示す例では、第１基板１００側においても突起部５２４と、第１電極５２２の電極不在部５２２を重ねた配向制御部５２１を形成している。このように第２基板３００側でも第１基板１００側でも、突起部５２４と電極不在部５２２との重ね合わせによる配向制御部５２１を採用すれば、画素間距離を最大限小さくすることができるため、高精細なＬＣＤにおいて有効である。なお、図１のように電極不在部５１２の上に突起部５１４を重ねた配向制御部５１０を第１基板側及び第２基板側の両方に採用しても、同様に、画素間距離を最大限小さくして、高精細ＬＣＤにおいて、高コントラスと、広視野角、高透過率又は高反射率を達成できる。なお、図５の第１基板側では、図１の第１基板側と同様に突起部を設けず、第１電極２００の電極不在部のみによって配向制御部を構成してもよい。
【００５１】
ここで、図１、図５において例えば第２電極３２０の厚さは数十ｎｍ（例えば１０ｎｍから５０ｎｍ）の厚さである。また、配向制御部５１０のための電極不在部５１２の幅は３μｍ程度、突起部５１４の高さは、０．５μｍ〜２μｍ程度、突起部５１４の幅（底面での幅）は、５〜７μｍとすることができる。数値はこれらに限られるものではないが、電極不在部のみによって配向分割する場合、上述のように不在部の幅として上記６μｍ程度又はそれ以上が要求されることも多いのに対し、３μｍと非常に狭い幅とすることが可能である。突起部５１４の斜面については、電極があれば表示が行われるので、表示に寄与しない電極不在部の幅を狭めることはＬＣＤの透過率又は反射率の向上に非常に有利である。
【００５２】
もちろん、本実施形態では、第２電極３２０として、上述のようにＩＺＯを採用することで、電極不在部５１２のパターン幅を狭くしてもエッチング残渣無く、かつ高いパターン精度と順テーパ断面が得られるため、画素毎のバラツキがなく、より一層高い表示品質を実現できる。
【００５３】
本実施形態に係るＬＣＤでは、いわゆるパッシブマトリクス型ＬＣＤにもアクティブマトリクス型ＬＣＤのいずれであっても、１画素領域内に図１又は図５に示すような突起部と電極不在部とを重畳させた配向制御部５００を配置することで、広視野角で、高コントラストかつ高透過率又は高反射率を実現できる。
【００５４】
パッシブマトリクス型ＬＣＤは、図１及び図５の例では、第１基板１００と第２基板３００にそれぞれストライプ状の第１電極２００、第２電極３２０を互いに直交するように形成し、第１電極２００と第２電極３２０とが液晶層を挟んで交差する領域が１画素領域となる。
【００５５】
アクティブマトリクス型ＬＣＤでは、各画素にスイッチ素子が設けられ、このスイッチ素子に画素毎に個別パターンの画素電極が接続され、画素電極と液晶層を挟んで対向するように各画素に共通の共通電極が形成される。図１及び図５に示す構成では、第１電極２００が画素毎に個別パターンに形成された画素電極として考えることができ、また第２電極３２０を共通電極として考えることができる。もちろん、第２電極３２０が個別の画素電極、第１電極２００が共通電極でもよい。なお、このアクティブマトリクス型ＬＣＤにおける、画素電極としての第１電極２００及びこれに接続されるスイッチ素子として接続される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の概略構成及び製造方法については後述する。
【００５６】
本実施形態は、上記のような透過型ＬＣＤだけでなく、反射型ＬＣＤにも採用可能である。反射型とする場合、第１及び第２基板のうちのいずれかに反射層を設け、液晶層に入射した外光をこの反射層で反射させ、再び液晶層を透過して観察側の基板から外部に射出される光量を液晶に印加する電圧に応じて制御することで、反射型ＬＣＤを得ることができる。なお、反射型ＬＣＤの場合には、例えば図１及び図５において、第１電極２００として、ＡｌやＡｇなどの反射電極材料を採用すればよい。あるいはこの第１電極２００の下層、例えば第１基板１００の背面側の表面に反射板を設けても良い。
【００５７】
また、半透過型ＬＣＤにも採用可能である。半透過型ＬＣＤの場合には、１画素領域内に、反射層を形成した反射領域と、透過領域とを設け、反射領域及び透過領域のいずれの領域内でも、上述のような構成の配向制御部５１０又は５２０を少なくとも一部に採用することで、反射モードでも、透過モードでも視野角を広げ、高コントラストな表示を得ることができる。半透過型ＬＣＤのうちアクティブマトリクス型では、図７及び図８に示すように、第１基板１００側に形成された画素電極としての第１電極２００と基板１００との間にこのＴＦＴを形成している。また１画素領域内にできる限り効率的に透過領域２１０及び反射領域２２０を配置し、特に透過領域２１０での透過率を低下させないという目的から、透過型ＬＣＤであっても通常遮光領域に形成するＴＦＴは、これを設けても透過率に影響を及ぼさない反射領域２２０に配置する。
【００５８】
図６は、本実施形態に係る配向制御部を備えたＶＡＬＣＤの半透過型の概略平面構成を示す。図７は、図６のＡ−Ａ’線に沿った概略断面構造である。なお、図６のＢ−Ｂ’に沿った概略断面構造は、上述の図１又は図５に示す概略断面構造と同一である。なお、ここでは、第１電極２００は画素毎に個別の画素電極でＴＦＴに接続され、第２電極３２０は共通電極として構成されたアクティブマトリクス型ＬＣＤを例に説明するが、パッシブマトリクス型ＬＣＤであってもよい。
【００５９】
図６の例では、画素電極２００は、それぞれ四角形（長方形）の形状を有し、その形成領域内に、それぞれ、四角形の透過領域２１０及び反射領域２２０が設けられている。透過領域２１０及び反射領域２２０の各領域内には、上述のように電極不在部５１２と突起部５１４とが重畳して構成された配向制御部５１０（図５の構成の配向制御部５２０を採用しても良い）が形成され、この配向制御部５１０は、四角形の斜辺に相当する位置に略Ｘ字状のパターンに形成されている。このように、図６では、１画素領域内に、少なくとも二つのＸ字状パターンの配向制御部５１０を設けているが、本実施形態では、その幅を最小限狭く、かつ突起部５１４を低く、そして、そのパターン精度は高く形成できる。よって、透過率又は反射率を損ねずかつコントラストの低下も防止しながら、反射モードでも透過モードでも、各領域にそれぞれ４つの配向領域を形成しているので非常に広い視野角を達成することが可能となっている。なお、上述したように、第２電極３２０側において配向制御部５００を電極不在部のみ、突起部のみから構成しても第２電極３２０と、第１電極２２０にＩＺＯを用いることで高い表示品質を実現できる。
【００６０】
半透過型ＬＣＤでは、図７に示すように、透過領域２１０でも反射領域２２０でもそれぞれ最適な透過率、反射率を達成するためにそれぞれの領域での光路長が最適値とするため、透明な例えばアクリル系樹脂などからなる絶縁性のギャップ調整部３４０を設けている。ギャップ調整部３４０は、液晶層４００での屈折率異方性Δｎと、液晶層４００の厚さ（セルギャップ）ｄとを考慮し、最低２回外光が通過することとなる反射領域２２０において、そのセルギャップｄｒが所望の値となるように（少なくとも、透過領域２１０のセルギャップｄｔよりも小さくなるように）、反射領域２２０内において第２基板３００と液晶層４００との間に形成されている。
【００６１】
図７の例では、ギャップ調整層３４０は、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ３４０の上の対応する反射領域位置に形成され、ギャップ調整部３４０を覆って基板全面に共通電極３２０が形成されている。また、共通電極３２０は、その反射領域２２０内に配向制御部５１０ｒのためのスリット状の電極不在部５１２ｒが形成され、透過領域２１０内に電極不在部５１２ｔが形成されている。電極不在部５１２ｒ、５１２ｔの上を覆って突起部５１４ｒ、５１４ｔがそれぞれ形成され、更にこれらを覆って配向膜２６０が形成されている。
【００６２】
透過領域２１０では、ギャップ調整部３４０は特に必要なく、カラーフィルタ３４０の上には共通電極３２０が形成されている。また、共通電極３２０、突起部５１４ｔ、５１４ｒを覆う基板全面には配向膜２６０が形成されている。なお、ギャップ調整部３４０の１画素領域内の端部は、反射領域２２０と透過領域２１０の境界に位置しており、このギャップ調整部３４０の端部には少なくとも傾斜面５２０が設けられており、この傾斜に従った配向膜２６０の斜面（５２０）でも突起部５１４による斜面と同様に液晶分子の配向をこの斜面平面に向かって制御しており、配向制御部５００の一種として機能している。
【００６３】
図６，図７に示す半透過型ＬＣＤでは、画素電極２００側の反射領域２２０と透過領域２１０の境界にも配向制御部として、電極不在部５３０が形成され、弱電界下での斜め電界により配向が制御されている。従って、透過領域２１０と反射領域２２０の境界領域では、第２電極側においてギャップ調整部３４０の斜面５２０によって液晶の初期配向がその斜面に垂直な方向に制御されると共に、第１基板側では、電極不在部５３０において弱電界の傾きにより、液晶の配向がその不在部５３０を境に異なる方角に制御される。従って、透過領域２１０と反射電極２２０との境界付近における液晶の配向分割がより確実に行われる。なお、この電極不在部５３０において更に第２基板側に示したように突起部を重ねて配向制御部とすることも可能であり、これらを覆って形成される配向膜２６０の斜面に対して液晶を配向させることで配向分割機能を高めることができる。このように突起部を設ければ、電極不在部５３０の幅を更に狭めることができ、透過率又は反射率の向上に有利である。
【００６４】
また、画素電極２００と、これと隣接する画素電極２００との間隙にも電極不在部５３０による配向制御部が構成され、この間隙においても突起部を重ねて配向制御部を構成すればＬＣＤの高精細化などに有利である。
【００６５】
なお、図７の例ではカラー表示装置の場合を想定しており、この場合、第２基板３００と共通電極３２０との間（図７では、ギャップ調整部３４０と基板３００との間）に、カラーフィルタ３３０が設けられている。なお各カラーフィルタの間には黒色カラーフィルタ材料などからなるブラックマトリクス３３０ＢＭが形成されている。また、半透過型では、一部に反射領域を含むため、ここでは液晶層のギャップの２倍の距離が液晶層で発生させる位相差に影響を及ぼすこととなり、Ｒ，Ｇ，Ｂの波長の差異が電圧透過率特性に与える影響が特に大きい。従って、特に色ずれをなくして一層の表示品質の向上を図るため、図７の例では、Ｒ，Ｇ，Ｂの表示色の波長毎に応じて液晶層の厚さｄ（反射領域及び透過領域の両方）を調整してＬＣＤの波長依存性を緩和している。図７では、具体的には第１基板側において、画素毎に形成されるＴＦＴと第１電極２００との間に形成される平坦化絶縁層３８の厚さを調整して液晶層４００の厚さをＲ，Ｇ，Ｂで変えている。
【００６６】
さらに、図７の例では、反射領域において第１電極２００の下層に形成される反射層４４の表面には平坦化絶縁層３８の表面に形成した凹凸を引き継いで凹凸が形成されており、これにより、反射層４４の表面で液晶層に入射した光を適度に散乱させ、反射領域での表示品質の向上を図っている。
【００６７】
また、図７において、第１基板１００の外側（光源６００側）には、λ／４位相差板及びλ／２位相差板の組み合わせからなる広帯域λ／４板１１１と、直線偏光板１１２とからなる広帯域円偏光板１１０が設けられ、同様に第２基板３００側にも、広帯域λ／４板１１１と直線偏光板１１２とからなる広帯域円偏光板１１０が設けられている。また第２基板３００とこの広帯域辺偏光板１１０との間には、ＬＣＤの色つきや意図しないプレチルトによる表示反転や色つきなどを防止するためのネタティブリターダ機能を備えた位相差板３１０が設けられている。
【００６８】
ここで、以上に説明した本実施形態に係る突起部５１４（５２４）は、透明材料でも良いし、光抜けを防止するために遮光性（例えば黒色フィルタ材料）の材料を用いても良いが、いずれの場合にも絶縁性であることが必要である。また、液晶層４００に向かって突出し、液晶を配向させるためのテーパ状の斜面をを有することが必要である。このテーパ状は、例えばポジ型のレジスト材料をこの突起部の材料として採用し、突起部形成領域を遮蔽したマスクを用いて露光させ、この露光時に露光の光を回折させることで実現することが可能である。
【００６９】
次に、図８を参照して、アクティブマトリクス型ＬＣＤ、特に、上記図６，及び図７に示すような半透過型ＬＣＤに適用可能な画素電極としての第１電極２００及びこれに接続されるＴＦＴについて説明する。
【００７０】
ＴＦＴとしては、トップゲート型を採用しており、また、能動層２０としてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）をレーザアニールで多結晶化して得た多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）を用いている。もちろん、ＴＦＴは、トップゲート型ｐ−Ｓｉに限定されるものではなく、ボトムゲート型でもよいし、能動層にａ−Ｓｉが採用されていてもよい。ＴＦＴの能動層２０のソース・ドレイン領域２０ｓ、２０ｄにドープされる不純物は、ｎ導電型、ｐ導電型のいずれでもよいが、本実施形態ではリンなどのｎ導電型不純物をドープし、ｎ−ｃｈ型のＴＦＴを採用している。
【００７１】
ＴＦＴの能動層２０はゲート絶縁膜３０に覆われ、ゲート絶縁膜３０上にＣｒやＭｏなどの高融点金属材料からなり、ゲートラインを兼用するゲート電極３２が形成されている。そして、このゲート電極３２形成後、このゲート電極３２をマスクとして能動層２０に上記不純物がドープされてソース及びドレイン領域２０ｓ、２０ｄ、そして不純物がドープされないチャネル領域２０ｃが形成される。次に、このＴＦＴ１１０全体を覆って層間絶縁膜３４が形成され、この層間絶縁膜３４にコンタクトホールを形成した後、電極材料が形成され、このコンタクトホールを介し、それぞれ、上記ｐ−Ｓｉ能動層２０のソース領域２０ｓにソース電極４０が接続され、ドレイン領域２０ｄにドレイン電極３６が接続される。なお、本実施形態では、ドレイン電極３６は、各ＴＦＴ１１０に表示内容に応じたデータ信号を供給するデータラインを兼用している。一方、ソース電極４０は、後述するように画素電極である第１電極５０に接続される。なお、ドレイン電極３６及びソース電極４０はいずれも高導電性の例えばＡｌなどが用いられている。
【００７２】
ソース電極４０及びドレイン電極３６の形成後、基板全面を覆ってアクリル樹脂などの樹脂材料からなる平坦化絶縁層３８を形成する。次に、この平坦化絶縁層３８のソース電極４０の形成領域にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールに接続用金属層４２を形成し、ソース電極４０とこの金属層４２とを接続する。ソース電極４０としてＡｌなどが用いられている場合に、金属層４２としてはＭｏ等の金属材料を採用することで、ソース電極４０とこの金属層４２との接続は良好なオーミックコンタクトとなる。なお、ソース電極４０は、省略することも可能であり、この場合、金属層４２は、ＴＦＴ１１０のシリコン能動層２０と接することとなるが、Ｍｏ等の金属は、このような半導体材料との間でオーミックコンタクトを確立することができる。
【００７３】
接続用金属層４２の積層・パターニング後、基板全面に、反射層用のＡｌ−Ｎｄ合金や、Ａｌなど、反射特性に優れた反射材料層が蒸着やスパッタリングなどによって積層される。積層されたこの反射材料層は、金属層４２及び後に形成される画素電極２００とＴＦＴとのコンタクトを妨げないように、ＴＦＴのソース領域付近（金属層４２の形成領域）からエッチング除去され、また同時に透過領域２１０に残存しないようにエッチング除去され、反射領域の形状に応じたパターンの反射層４４が形成される。なお、ＴＦＴ（特にチャネル領域２０ｃ）に光が照射されてリーク電流が発生してしまうことを防止し、かつ反射可能な領域（つまり表示領域）をできるだけ広くするために、本実施形態では、反射層４４は、図７のように、ＴＦＴ１１０のチャネル上方領域にも積極的に形成している。
【００７４】
このような反射層４４のパターニングに際し、上記Ｍｏ等からなる金属層４２は、十分な厚さ（例えば０．２μｍ）を備え、かつエッチング液に対して十分な耐性を備える。従って、金属層４２上の反射層４４をエッチング除去した後もこの金属層４２は完全に除去されずにコンタクトホール内に残存することができる。また、多くの場合、ソース電極４０等には、反射層４４と同様な材料（Ａｌ等）から構成されるため、上記金属層４２が存在しないと、ソース電極４０が反射層４４のエッチング液に浸食されて断線等が発生してしまう。しかし、本実施形態のように金属層４２を設けることで、反射層４４のパターニングに耐えて、ソース電極４０との良好な電気的接続が維持することができる。
【００７５】
反射層４４のパターニング後、ＩＺＯがスパッタリングによって反射層４４を含む基板全面を覆うように積層される。ここで、上述のようにＡｌなどからなる反射層４４の表面は、このとき絶縁性の自然酸化膜で覆われるが、Ｍｏ等の高融点金属は、スパッタリング雰囲気に晒されても表面は酸化されない。従って、コンタクト領域において露出した金属層４２は、この金属層４２の上に積層される画素電極用の透明導電層との間でオーミックコンタクトすることができる。なお、ＩＺＯ層は、成膜後、画素毎に独立し、かつ１画素領域内では反射領域と透過領域で、例えば図２、図６に示すような形状にパタニングされ、画素電極２００が得られる。画素電極２００の形成後、基板全面を覆って配向膜２６０が形成され第１基板側が完成する。第２基板３００側は、、図７に示すようなＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ、ギャップ調整層３４０、共通電極３２０及び電極不在部５１２（５１２ｒ、５１２ｔ）、突起部５１４（５１４ｒ、５１４ｔ）を形成し、これらを覆って配向膜２６０を形成して完成する。このようなた第２基板３００と、上記第１基板１００とを一定の間隔離して基板の周辺部分で貼り合わせ、基板間に液晶を封入することでＬＣＤを得る。
【００７６】
図９，図１０，図１１は、上記図６に示す画素及び配向制御部パターンとは異なる他のパターンの例を示す。上述の図と対応する部分には同一符号を付し説明を省略する。いずれもＶＡ液晶を用いた半透過型ＬＣＤであって配向制御部５００を備え、１画素領域内に反射領域２２０と透過領域２１０が設けられている。配向制御部５００は、第２基板側に形成されるギャップ調整層３４０の側面についても配向制御部５００の一部（傾斜部５２０）として用いる。なお、第２基板側に設けられる配向制御部５１０（５１０ｒ、５１ｔ）は、図１又は図５のような構成に限らず突起部だけ、電極不在部だけによって構成することもできる。
【００７７】
図９の場合、第１電極２００は、画面の垂直走査方向（図９の上下方向）に細長い６角形のパターンを有し、長手方向における２つの上辺を含む図中斜線で囲んだ四角形（図では菱形又は正方形）の領域に、選択的に図８に示すような反射層４４が形成されて反射領域２２０が設けられている。６角形の画素電極２００の残りの概略矢羽根形状の領域が透過領域２１０となっている。
【００７８】
図１０の場合、第１電極２００は、全体が矢羽根形状をしており、そのうちの反射領域２２０の形状、構成は、図９と同一で、残りの透過領域２１０のパターンは、横に配置した鼓型或いは略砂時計形状、或いは、Ｍ字が上下逆に連結したような形状である点が異なる。図１１においても、第１電極２００は矢羽根形状であり、透過領域２１０もこれに対応した矢羽根形状を有し、残りの反射領域２２０は、幅の太いＶ字形状を有する。
【００７９】
図６，図９〜図１１に示す配向制御部５００のパターンは、第１電極２００の辺（電極不在部）と、第２電極３２０側の配向制御部５１０（傾斜部５２０を含む）とを全て同一平面（基板平面）上へ投影した場合に、互いに交差する各投影線の交差角度が９０度以下となるように制御されている。これにより、液晶の配向方位の最大差が９０度未満に制御され、不定の位置にディスクリネーションラインが発生することが防止され、一層の表示品質の向上が図られている。また、図９〜図１１の例では、第１電極２００のパターンが複雑であるが、上述のようにＩＺＯを材料として用いることにより、正確な形状に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の実施形態に係るＬＣＤの概略断面構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に係る配向制御部のパターンの例を示す図である。
【図３】ＶＡ液晶に採用する配向制御部５００のスリット幅と表示ザラツキとの関係を示す図である。
【図４】ＶＡ液晶に採用する配向制御部５００のスリット幅と透過率との関係を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係るＬＣＤの概略断面構成を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る半透過型ＬＣＤの概略平面構成を示す図である。
【図７】図６のＡ−Ａ’線に沿った断面構造を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係るアクティブマトリクス型ＬＣＤの画素部の概略断面構造を示す図である。
【図９】本発明の実施形態に係る半透過型ＬＣＤの図６と別の概略平面構成を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る半透過型ＬＣＤの他の概略平面構成を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る半透過型ＬＣＤの更に別の概略平面構成を示す図である。
【図１２】ＴＮ液晶とＶＡ液晶の視野角の違いを説明する図である。
【図１３】従来の配向制御部による液晶の配向分割の様子を示す図である。
【符号の説明】
【００８１】
２０  能動層（ｐ−Ｓｉ層）、３０  ゲート絶縁膜、３２  ゲート電極（ゲートライン）、３４  層間絶縁膜、３６  ドレイン電極（データライン）、３８  平坦化絶縁層、４０  ソース電極、４２  接続用金属層、４４  反射層、１００  第１基板、２００  第１電極（画素電極）、２１０  透過領域、２２０  反射領域、２６０  配向膜、３００  第２基板、３２０  第２電極（共通電極）、３４０  ギャップ調整部、４００  液晶層、４１０  液晶ダイレクタ、５００  配向制御部、５１０，５１０ｔ，５１０ｒ，５２１  突起部と電極不在部との重畳による配向制御部、５１２、５２２  電極不在部、５１４，５２４  突起部、５２０  ギャップ調整部の斜面、５３０  電極不在部（スリット）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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