(57)【要約】【課題】  被加工物の加工精度を向上させることができるレーザ加工装置を提供する。【解決手段】  複数のパルスからなるパルスレーザ光を被加工物に照射するレーザ加工装置において、パルスレーザ光を発生するレーザ発振器と、被加工物に照射するパルスレーザ光の各パルス毎に発振出力Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔを任意に設定可能な加工情報設定手段と、被加工物の識別情報と、当該識別情報に対応して加工情報設定手段によって設定される各パルス毎の発振出力Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔを含む加工情報とを記憶する記憶手段と、記憶手段に記憶された被加工物の識別情報の内の１つを選択する識別情報選択手段と、パルスレーザ光のパルス数を任意に設定可能なパルス数設定手段とを有する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパルスからなるパルスレーザ光を被加工物に照射するレーザ加工装置において、
前記パルスレーザ光を発生するレーザ発振器と、
前記被加工物に照射するパルスレーザ光の各パルス毎に発振出力と発振パルス幅と発振周期とを任意に設定可能な加工情報設定手段と
を有することを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項２】
前記被加工物の識別情報と、当該識別情報に対応して前記加工情報設定手段によって設定される各パルス毎の発振出力と発振パルス幅と発振周期とを含む加工情報とを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された被加工物の識別情報の内の一つを選択する識別情報選択手段とを有し、
前記識別情報選択手段によって選択された識別情報に対応した前記加工情報を前記記憶手段から読み出して前記被加工物に前記パルスレーザ光を照射することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
【請求項３】
前記加工情報は、当該加工情報に含まれる一つの情報が前記加工情報設定手段によって変化したことに連動して少なくとも他の一つの情報が変化するように設定されたものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザ加工装置。
【請求項４】
前記パルスレーザ光のパルス数を任意に設定可能なパルス数設定手段を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザ加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、被加工物は、材質や板厚等が異なり、レーザ加工装置によって各被加工物毎に最適な加工条件を決定して加工される。最適な加工条件を決定する方法として、加工が可能な加工速度の範囲が最も大きくなる加工条件を最適な加工条件として決定するものが知られている（特許文献１参照。）。この加工条件の決定方法は、レーザ加工装置によって複数の加工条件の下で加工速度を段階的に変更し、各加工速度での被加工物の加工状態に基づいて、加工が可能な加工速度の範囲が最も大きくなる加工条件を最適な加工条件として決定するものである。
【特許文献１】特開２００２−２３９７６０公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、この種のレーザ加工装置は、例えば被加工物の任意の一面を切断する工程では、照射するレーザ光の加工条件を変更することができるものではなかった。また、この種のレーザ加工装置は、照射するレーザ光が被加工物の材質によっては加工進度を急速に早めてしまうことがあり、被加工物の加工精度を低下させてしまうものであった。
【０００４】
本発明は、このような状況に鑑み提案されたものであって、被加工物の加工精度を向上させることができるレーザ加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１の発明は、複数のパルスからなるパルスレーザ光を被加工物に照射するレーザ加工装置において、前記パルスレーザ光を発生するレーザ発振器と、前記被加工物に照射するパルスレーザ光の各パルス毎に発振出力と発振パルス幅と発振周期とを任意に設定可能な加工情報設定手段とを有することを特徴とする。
【０００６】
請求項２の発明は、請求項１において、前記被加工物の識別情報と、当該識別情報に対応して前記加工情報設定手段によって設定される各パルス毎の発振出力と発振パルス幅と発振周期とを含む加工情報とを記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された被加工物の識別情報の内の一つを選択する識別情報選択手段とを有し、前記識別情報選択手段によって選択された識別情報に対応した前記加工情報を前記記憶手段から読み出して前記被加工物に前記パルスレーザ光を照射することを特徴とする。
【０００７】
請求項３の発明は、請求項１又は２において、前記加工情報は、当該加工情報に含まれる一つの情報が前記加工情報設定手段によって変化したことに連動して少なくとも他の一つの情報が変化するように設定されたものであることを特徴とする。
【０００８】
請求項４の発明は、請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記パルスレーザ光のパルス数を任意に設定可能なパルス数設定手段を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
＜請求項１の発明＞
本発明によれば、被加工物に照射するパルスレーザ光の各パルス毎に発振出力と発振パルス幅と発振周期とを任意に設定することができ、パルスレーザ光の各パルス毎に加工条件を変更し、被加工物の加工精度を向上させることができるレーザ加工装置を提供することができる。
【００１０】
＜請求項２の発明＞
本発明によれば、識別情報選択手段によって選択された識別情報に対応した加工情報を記憶手段から読み出して被加工物にパルスレーザ光を照射し、最適な加工条件を容易に選択して被加工物の加工精度を向上させることができるレーザ加工装置を提供することができる。
【００１１】
＜請求項３の発明＞
本発明によれば、加工情報は、当該加工情報に含まれる一つの情報が前記加工情報設定手段によって変化したことに連動して少なくとも他の一つの情報が変化するように設定されたものであり、最適な加工条件を設定して被加工物の加工精度を向上させることができる。
【００１２】
＜請求項４の発明＞
本発明によれば、パルスレーザ光のパルス数を任意に設定可能なパルス数設定手段を有しており、当該パルス数を任意に選択して加工形状に合わせた最適な加工条件を設定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１のレーザ加工装置１を、添付の図面に従って、貫通孔を形成する方法とともに説明する。図１は、本実施形態のレーザ加工装置１を示すものである。このレーザ加工装置１は、１つの貫通孔を形成するために、３つのパルスからなるパルスレーザ光を、例えば樹脂Ｇ（被加工物、一例としてポリエチレンテレフタレート製樹脂）に照射するものである。
【００１４】
このレーザ加工装置１は、図示するように、レーザ発振器１０を備えるものである。このレーザ発振器１０は、図２に図示するように、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）結晶中にＮｄ（ネオジム）イオンを含ませたレーザ媒質１１の両端に、全反射ミラー１２と部分透過ミラー１３とを設けるとともに、レーザ媒質１１の周りにコントローラ２０により駆動制御される一対の励起用光源１４，１４（例えばクリプトンランプ）を備えてなる。そして、例えば部分透過ミラー１３とレーザ媒質１１との間に、コントローラ２０からの発振信号に基づいてオンオフ動作を行うＱスイッチ１５が配置されている。このＱスイッチ１５は、例えば電気光学効果（具体的には、ポッケルス効果又はカー効果）を利用するものである。より詳しくは、レーザ媒質１１から部分透過ミラー１３側へ向うレーザ光Ｌ１の光路途中に、電界による屈折率変化が大きい光学結晶を配し、その光学結晶に対して前記光路と直交する方向の両端間に所定の電圧を印加するオン動作により、その光学結晶内を通過するレーザ光を屈折させるように作用するものである。
【００１５】
レーザ加工装置１の図示しない起動用スイッチをオン操作すると、図１中のコンソール２５（後述の加工情報設定手段）によって設定された３つのパルスのそれぞれの発振出力（波高値）Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔに基づいて、コントローラ２０により、励起用光源１４，１４には起動信号、Ｑスイッチ１５には発振信号がそれぞれ送信される。すると、レーザ発振器１０では、励起用光源１４，１４が駆動すると共に、Ｑスイッチ１５が前記発振信号に同期してオンオフ動作を開始する。
【００１６】
励起用光源１４，１４の駆動によりレーザ媒質１１内のＮｄイオンが励起されレーザ媒質１１からレーザ光Ｌ１が放出される。そして、このレーザ光Ｌ１は、Ｑスイッチ１５がオフ状態のときは、光学結晶内を直進して全反射ミラー１２及び部分透過ミラー１３間で反射を繰り返す。それに伴って、レーザ光Ｌ１はレーザ媒質１１内における誘導放出により増幅されつつ部分透過ミラー１３を透過してレーザ発振器１０の外部に出力される。
【００１７】
これに対し、Ｑスイッチ１５がオン状態のときは、上述したように光学結晶内に電界が印加され、レーザ光Ｌ１は光学結晶内で屈折されて部分透過ミラー１３から逸れた方向に向かう。従って、上記の反射動作が阻止され、レーザ媒質１１内での誘導放出が起こらず、レーザ媒質１１はより高い励起状態に保持されることになる。そして、このようなＱスイッチ１５のオンオフ動作によって、過渡的に大電力光パルス（パルスレーザ光Ｌ）が部分透過ミラー１３を透過してレーザ発振器１０の外部に出力される。
【００１８】
パルスレーザ光Ｌの３つのパルスのそれぞれの発振出力Ｈの大きさは、コントローラ２０から送信される制御信号によって、励起用光源１４，１４の発振出力を調節して変更される。また、前記３つのパルスのそれぞれの発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔの大きさは、コントローラ２０からＱスイッチ１５に送信される発振信号の送信間隔を調節して変更される。
【００１９】
パルスレーザ光Ｌは、図１に図示するように、反射ミラーＭ１によって進行方向が変化する。そして、進行方向が変化したパルスレーザ光Ｌは、集光レンズＭ２によって集光され、樹脂Ｇに照射される。樹脂Ｇは、照射されるパルスレーザ光Ｌによって、所定の貫通孔が形成される。
【００２０】
樹脂Ｇは、図示するように、テーブル１９に載置される。この樹脂Ｇは、人手によって、所定の孔加工ができる位置に移動される。なお、このテーブル１９は、コントローラ２０が送信する移動操作信号を受信し、樹脂Ｇを所定の孔加工ができる位置に移動させることができるものであってもよい。
【００２１】
本実施形態のレーザ加工装置１は、図示するように、コンソール２５を有するものである。このコンソール２５は、本発明の加工情報設定手段に相当する。コンソール２５は、パルスレーザ光Ｌの３つのパルスの各パルス毎の発振出力Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔを任意に設定可能なものである。コンソール２５は、図示するように、信号線Ｓを介してコントローラ２０に取り付けられる。コントローラ２０は、本発明のパルスレーザ光発生制御手段に相当する。このコントローラ２０（パルスレーザ光発生制御手段）は、レーザ発振器１０がパルスレーザ光Ｌを発生するように制御するものである。レーザ発振器１０は、コンソール２５（加工情報設定手段）によって設定された３つのパルスの各パルス毎の発振出力Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔに基づいてパルスレーザ光Ｌを発生するものである。
【００２２】
本実施形態のレーザ加工装置１は、１つの貫通孔を形成するために、コンソール２５の操作ボタンを選択し、パルスレーザ光Ｌの３つのパルスの各パルス毎の発振出力Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔを適宜に設定することができるものである。図３は、発振出力Ｈ等を適宜に設定した３つのパルス列（Ｐ１〜Ｐ３）の一例を示すものである。１つの貫通孔は、３つのパルス列（Ｐ１〜Ｐ３）からなるパルスレーザ光Ｌによって、樹脂Ｇに形成される。
【００２３】
樹脂Ｇは、図３に図示するように、最初に、パルス光Ｐ１が照射される。このパルス光Ｐ１は、コンソール２５によって、発振出力Ｈをレベル１、発振パルス幅をＷ１にそれぞれ設定したものである。
【００２４】
樹脂Ｇは、図示するように、パルス光Ｐ１に続けて、パルス光Ｐ２が照射される。なお、前記パルス光Ｐ１は、パルス光Ｐ２をパルス光Ｐ１に続けて間断なく発生させるため、当該Ｐ１と当該Ｐ２の間の発振周期（パルス間隔）の値を０に設定したものである。
【００２５】
パルス光Ｐ２は、コンソール２５によって、発振出力Ｈをレベル３、発振パルス幅をＷ２、当該パルス光Ｐ２とパルス光Ｐ３との間の発振周期をＴ２にそれぞれ設定したものである。なお、発振出力Ｈはレベル１＜レベル３、発振パルス幅はＷ１＝Ｗ２の関係をそれぞれ有する。
【００２６】
さらに、樹脂Ｇは、図示するように、パルス光Ｐ２に続けて、パルス光Ｐ３が照射され、貫通孔が形成される。このパルス光Ｐ３は、コンソール２５によって、発振出力Ｈをレベル３、発振パルス幅をＷ３、当該パルス光Ｐ３と次のパルス光Ｐ１との間の発振周期をＴ３にそれぞれ設定したものである。なお、発振パルス幅はＷ１＝Ｗ２＝Ｗ３、発振周期はＴ２＜Ｔ３の関係をそれぞれ有する。
【００２７】
レーザ加工装置１は、テーブル１９をコントローラ２０からの移動操作信号によって移動させるようにすると、樹脂Ｇを当該テーブル１９が移動することにより所定の位置に移動させ、上述したパルスレーザ光Ｌを照射し、新たな貫通孔を移動後の樹脂Ｇに形成することができるものとなる。なお、このレーザ加工装置１は、反射ミラーＭ１を、Ｔ３（図３参照。）の間にコントローラ２０からの制御信号によって駆動し、パルスレーザ光Ｌを当該反射ミラーＭ１によって向きを変えて照射して貫通孔を樹脂Ｇの所定の位置に形成するようにしたものであってもよい。
【００２８】
パルスレーザ光Ｌをパルス列のすべてのパルス光を同一の発振出力Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔに設定して樹脂Ｇに照射すると、当該パルスレーザ光Ｌが照射時間の経過に従って貫通孔の形成速度を急激に早めてしまうことがあり、同径の貫通孔を樹脂Ｇに形成することができないことがあった。
【００２９】
これに対し、このレーザ加工装置１は、パルス列の各パルス（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３）毎に発振出力Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔを適宜に設定して各パルス毎に発振出力Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔを変更することができ、貫通孔の形成速度を一定に保ち、同径の貫通孔を樹脂Ｇに形成することができるものである。樹脂Ｇは、パルス光Ｐ１，Ｐ２が照射されると、化学結合が切断されるとともに凹部が形成されて軟化する。この樹脂Ｇは、図３に図示するように、レーザ光がＴ２の間は照射されず、硬化し始める。その後、この樹脂Ｇは、発振出力（レベル３）が大きいパルス光Ｐ３が照射され、硬化する前にクラックが発生することなく同径の貫通孔が形成される。
【００３０】
本実施形態のレーザ加工装置１は、図１に図示するように、ＲＯＭ４０を有する。このＲＯＭ４０は、本発明の記憶手段に相当する。なお、図示のコントローラ２０及びコンソール２５は、本発明の識別情報選択手段にも相当する。符号Ｓ１は信号線である。
【００３１】
ＲＯＭ４０は、被加工物の材質や厚みに関する情報（被加工物の識別情報）を記憶するものである。本実施形態のレーザ加工装置１は、ＲＯＭ４０が、ガラス、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製樹脂、金属（アルミニウム）及びそれらの厚みに関する情報を記憶するものである。
【００３２】
加えて、ＲＯＭ４０は、ガラス等の材質に関する情報に対応させた加工情報を記憶するものである。この加工情報は、前記３つのパルス列（Ｐ１〜Ｐ３）の各パルス毎の発振出力Ｈ，発信パルス幅Ｗ，発振周期Ｔである。ここでは、表１に示すように、前記各パルス毎の発振出力Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔが、ガラス等の材質の違いに対応させて、ＲＯＭ４０にそれぞれ記憶される。なお、貫通孔を表１の加工情報に基づいて形成すると、気泡が、各被加工物（ガラス、ＰＥＴ製樹脂）の貫通孔の中心軸からφ１８０〜２２０μｍの範囲に発生することがない。
【００３３】
【表１】
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【００３４】
ガラス等の材質の違いに対応させて記憶されたパルス列（Ｐ１〜Ｐ３）の発振出力Ｈ，発振パルスＷ，発振周期Ｔは、コンソール２５の操作ボタンによってそれぞれ選択される。例えば、作業者がコンソール２５を操作して樹脂の材質と貫通孔の形成径を設定すると、コントローラ２０は、当該材質と当該形成径に対応してＲＯＭ４０に記憶された前記パルス列（Ｐ１〜Ｐ３）の発振出力Ｈ等の加工情報を読み出す。このコントローラ２０は、読み出した加工情報に対応したパルスレーザ光Ｌを発生させる信号をレーザ発信器１０に送信し、当該レーザ発振器１０がパルスレーザ光Ｌを出力（発生）するように制御するものである。なお、コントローラ２０は、本発明のパルスレーザ光発生変更制御手段に相当する。符号Ｓ２は信号線である。
【００３５】
レーザ発振器１０は、受信した信号に基づいて、パルスレーザ光Ｌを出力する。例えば、被加工物が樹脂であるときは、表１の加工情報（発振出力Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔ）に基づいて、パルスレーザ光Ｌが照射され、貫通孔が当該樹脂に形成される。このレーザ加工装置１は、ガラス等の材質と貫通孔の形成径をコンソール２５の操作ボタンによって設定することにより、最適な孔加工の条件を容易に選択し、貫通孔をガラス等に形成することができるものである。
【００３６】
本実施形態のレーザ加工装置１は、ＲＯＭ４０に記憶されたパルス列（Ｐ１〜Ｐ３）の発振出力Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔを、コンソール２５に表示することができるものである。コントローラ２０は、ＲＯＭ４０に記憶されたパルス列（Ｐ１〜Ｐ３）の発振出力Ｈ，発振パルスＷ，発振周期Ｔの内の一つがコンソール２５によって変更されると、他の一つの加工情報（発振出力Ｈ，発振パルスＷ，発振周期Ｔ）を変化させるように働くものである。そして、コントローラ２０は、変化した前記発振出力Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔに対応した各信号を、レーザ発振器１０に送信する。レーザ発振器１０は、受信した各信号に基づいて、パルスレーザ光Ｌを出力する。
【００３７】
例えば、コンソール２５を操作することによって前記発振出力Ｈが増加すると、前記発振周期Ｔが、コントローラ２０によって、長くなるように変更される。コントローラ２０は、Ｑスイッチ１５の発振信号の送信間隔を変更し、レーザ発振器１０の発振周期を変更する。これによって、熱が被加工物（ガラス、樹脂等）に籠もることを防ぎ、被加工物の反り等を防ぎながら孔加工の精度を向上させることができる。
【００３８】
一方、コンソール２５を操作することによって前記発振パルス幅Ｗが広くなると、前記発振周期Ｔが、コントローラ２０によって、長くなるように変更される。コントローラ２０は、Ｑスイッチ１５の発振信号の送信間隔を変更し、レーザ発振器１０の発振周期を変更する。これによって、熱が被加工物（ガラス、樹脂等）に籠もることを防ぎ、被加工物の反り等を防ぎながら孔加工の精度を向上させることができる。
【００３９】
なお、コントローラ２０は、パルス光Ｐ１の発振出力Ｈが増加若しくは当該Ｐ１の発振パルス幅Ｗが広くなると、前記パルス光Ｐ１の発振周期Ｔを長くすることができるとともに、前記パルス光Ｐ１及び前記パルス光Ｐ２の発振周期Ｔを長くすることができるものであってもよい。
【００４０】
パルスレーザ光Ｌのパルス数は、コントローラ２０及びコンソール２５によって変更することができる。このコントローラ２０及びコンソール２５は、本発明のパルス数設定手段に相当する。例えば、コンソール２５を操作することによって、パルスレーザ光Ｌの各パルスの発振パルス幅Ｗと発振周期Ｔを適宜に変更し、当該発振パルス幅Ｗと当該発振周期Ｔに対応した信号を、コントローラ２０に送信する。コントローラ２０は、受信した信号に基づいて、Ｑスイッチ１５の発振信号の送信間隔を変更し、レーザ発振器１０が１つの貫通孔を樹脂等の被加工物に形成する過程で６つのパルスからなるパルスレーザ光Ｌを発生させるように制御することができる。なお、本実施形態では、パルスレーザ光Ｌのパルス数を、１つの貫通孔を樹脂等に形成するために定めた加工時間（図３中の符号Ｔ４）内で任意に設定することができる。
【００４１】
厚み寸法が大きい樹脂等は、貫通孔を形成するために、多くのレーザ光を照射することが必要となる。熱吸収率が高い樹脂等（金属、ガラスを含む。）も、厚み寸法が大きい樹脂と同様に、貫通孔を形成するために、多くのレーザ光を照射することが必要となる。そこで、例えば、パルス数を３つから６つに増加させてパルスレーザ光を照射すると、貫通孔を、厚み寸法が大きい樹脂等や熱吸収率が高い樹脂等に形成することができる。コントローラ２０及びコンソール２５によってパルスレーザ光のパルス数を任意に設定することで、貫通孔を厚み寸法が大きい樹脂等や熱吸収率が高い樹脂等にも形成することができ、パルス数を孔加工の形状に合わせて最適に設定することができる。
【００４２】
＜実施形態２＞
実施形態２のレーザ加工装置１Ａを、図１及び図４を用いて説明する。ここでは、実施形態１のレーザ加工装置１と同一の構成は同一の符号を付しその説明を省略する。レーザ加工装置１Ａは、図４に図示するレーザ発振器１０Ａを有する。このレーザ発振器１０Ａは、図示するように、信号用半導体レーザ１８を有するものである。この信号用半導体レーザ１８は、ＩｎＧａＡｓ（インジウム・ガリウム・砒素）を活性層とする半導体レーザ素子によって構成される。
【００４３】
この実施形態のレーザ加工装置１Ａは、孔開け加工を開始する前は、励起用光源１４，１４がコントローラ２０から受信した駆動信号によって駆動されてレーザ光Ｌ１が放出されるものである。これに対し、このレーザ加工装置１Ａは、孔開け加工を開始すると、レーザ光Ｌ１が放出されるとともに信号用半導体レーザ１８がコントローラ２０から受信した起動信号によって駆動されてレーザ光Ｌ３が放出されるものである。
【００４４】
そして、図４に図示するように、レーザ光Ｌ１とレーザ光Ｌ３が合流し、パルスレーザ光Ｌが部分透過ミラー１３を透過してレーザ発振器１０Ａの外部に出力される。樹脂Ｇは、図１に図示するように、パルスレーザ光Ｌが照射されて貫通孔が形成される。この貫通孔は、実施形態１と同様の方法によって形成される。なお、パルスレーザ光Ｌ１の３つのパルスのそれぞれの発振出力Ｈの大きさは、コントローラ２０から送信される制御信号によって、励起用光源１４，１４又は信号用半導体レーザ１８の発振出力を調節して変更される。また、前記３つのパルスのそれぞれの発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔの大きさは、励起用光源１４，１４及び信号用半導体レーザ１８のオンオフ動作を調節して変更される。
【００４５】
＜他の実施形態＞
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において構成の一部を適宜変更して実施することができる。
（１）レーザ加工装置１，１Ａは、レーザ光源を、波長が１．０６μｍの光を放出するＹＡＧレーザに代えて、貫通孔をガラスに形成するために適した波長（１０．６μｍ）の光を放出する炭酸ガスレーザとしたものであってもよい。
（２）レーザ加工装置１，１Ａは、ガラス等の色に関する情報及び当該情報に対応させた３つのパルス列（Ｐ１〜Ｐ３）の各パルス毎の発信出力Ｈ，発信パルス幅Ｗ，発信周期Ｔを、ＲＯＭ４０に記憶するものであってもよい。
（３）レーザ加工装置１，１Ａは、ガラス等の材質に関する情報及び当該情報に対応させた３つのパルス列（Ｐ１〜Ｐ３）の各パルス毎の発振出力Ｈ，発振パルス幅Ｗ，発振周期Ｔを、ＲＯＭ４０に記憶しているが、ＲＯＭとＲＡＭとに記憶するものであってもよい。
（４）レーザ加工装置１，１Ａは、ガラス等の材質に関する情報及び前記３つのパルス列（Ｐ１〜Ｐ３）の各パルス毎の発振出力Ｈ等を、コンソール２５の操作ボタンによって選択するようにしたが、タッチパネルを備えた入力装置を操作して選択するようにしたものであってもよい。
（５）レーザ加工装置１，１Ａは、コンソール２５を操作して前記発振出力Ｈが増加すると前記発振パルス幅Ｗを狭くしたり、当該コンソール２５を操作して発振パルス幅Ｗを広くすると発振出力Ｈを減少させるものであってもよい。
（６）レーザ加工装置１，１Ａは、一つの貫通孔を、３つ若しくは６つのパルスからなるパルスレーザ光を樹脂等に照射して形成したが、例えば４つのパルスからなるパルスレーザ光を樹脂等に照射して形成するものであってもよい。
（７）レーザ加工装置１，１Ａは、貫通孔を樹脂等に形成するものに限らず、ガラス等の切断加工若しくはミシン目加工等を行うものであってもよい。このレーザ加工装置１，１Ａは、前記パルス列の各パルス（Ｐ１，Ｐ１，Ｐ３）の発振出力Ｈを徐々に減少させるようにしたり、発振パルス幅Ｗを徐々に狭くしたり発振周期Ｔを徐々に長くし、加工速度が急激に早まることを防止してガラス等の切断加工の精度を向上させることができるものとすることができる。なお、このレーザ加工装置１，１Ａは、ミシン目加工を、上述した貫通孔を形成する方法と同様にして行うことができるものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態１に係るレーザ加工装置の概略構成図
【図２】実施形態１のレーザ加工装置のレーザ発振器の概略ブロック図
【図３】実施形態１のレーザ加工装置の加工方法に関するタイミングチャート図
【図４】本発明の実施形態２に係るレーザ加工装置のレーザ発振器の概略ブロック図
【符号の説明】
【００４７】
１，１Ａ・・・レーザ加工装置
１０，１０Ａ・・・レーザ発振器
２０・・・コントローラ
２５・・・コンソール
４０・・・ＲＯＭ
Ｇ・・・樹脂
Ｈ・・・発振出力
Ｌ・・・パルスレーザ光
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３・・・パルス光
Ｔ・・・発振周期
Ｗ・・・発振パルス幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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