(57)【要約】【課題】  本発明の目的の１つは、金属層の所望の厚みを容易に得ることができる、めっき方法及び電子デバイスの製造方法を提供することにある。【解決手段】  めっき方法は、基板１０の同一面の少なくとも第１及び第２のパターン領域１２，１４の上方に金属層を形成することを含み、（ａ）第１のパターン領域１２の上方に第１の界面活性剤層２０を形成し、第１の界面活性剤層２０の上方に第１の触媒層４０を形成し、第１の触媒層４０の上方に第１の金属層５０を析出させ、（ｂ）第２のパターン領域１４の上方に第２の界面活性剤層６０を形成し、第２の界面活性剤層６０の上方に第２の触媒層７０を形成し、第２の触媒層７０及び第１の金属層５０の上方に第２の金属層８０，８２を析出させる。【選択図】      図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の同一面の少なくとも第１及び第２のパターン領域の上方に金属層を形成することを含み、
（ａ）前記第１のパターン領域の上方に第１の界面活性剤層を形成し、前記第１の界面活性剤層の上方に第１の触媒層を形成し、前記第１の触媒層の上方に第１の金属層を析出させ、
（ｂ）前記第２のパターン領域の上方に第２の界面活性剤層を形成し、前記第２の界面活性剤層の上方に第２の触媒層を形成し、前記第２の触媒層及び前記第１の金属層の上方に第２の金属層を析出させる、めっき方法。
【請求項２】
請求項１記載のめっき方法において、
前記（ａ）工程で、前記第１の界面活性剤層を光照射によるパターニングにより前記第１のパターン領域の上方に形成し、
前記（ｂ）工程で、前記第２の界面活性剤層を光照射によるパターニングにより前記第２のパターン領域の上方に形成する、めっき方法。
【請求項３】
請求項２記載のめっき方法において、
前記第２の界面活性剤層を形成するときの光の照射条件は、前記第１の界面活性剤層を形成するときの光の照射条件と異なる、めっき方法。
【請求項４】
請求項３記載のめっき方法において、
前記第２の界面活性剤層を形成するときの光の照射時間は、前記第１の界面活性剤層を形成するときの光の照射時間よりも短い、めっき方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４記載のめっき方法において、
前記第２の界面活性剤層を形成するときの光の強度は、前記第１の界面活性剤層を形成するときの光の強度よりも弱い、めっき方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載のめっき方法において、
前記第１及び第２の界面活性剤層は、カチオン系界面活性剤からなる、めっき方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載のめっき方法において、
前記第１のパターン領域は、前記第２のパターン領域と接続されている、めっき方法。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれかに記載のめっき方法において、
前記第１のパターン領域は、第２のパターン領域と離間している、めっき方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載のめっき方法において、
前記第２のパターン領域は、前記第１のパターン領域よりも粗いパターンである、めっき方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載のめっき方法において、
前記第２のパターン領域のラインの最小幅は、前記第１のパターン領域のラインの最大幅よりも大きい、めっき方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のめっき方法を含む電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の電子デバイスの製造方法において、
前記（ａ）工程により、前記第１のパターン領域の上方に薄膜トランジスタの電極パターンを一部の厚みまで形成し、
前記（ｂ）工程により、前記第２のパターン領域の上方に画素電極パターンを所定の厚みまで形成するとともに、前記第１のパターン領域の上方に前記薄膜トランジスタの前記電極パターンを所定の厚みまで形成する、電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき方法及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電極パターンを形成する方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法では、基板の全面に金属層を形成し、金属層上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストをマスクとして金属層をエッチングする。アディティブ法では、基板上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストの開口部にめっき処理によって金属層を析出させる。
【０００３】
これらの方法によれば、いずれもフォトレジストを使用するため、製造プロセスが煩雑になるのみならず、資源及び材料の消費が課題となる。さらに、めっき処理によれば、金属層の析出速度がパターン面積（触媒吸着量）に依存するため、パターンの粗い領域と微細な領域が混在する場合、パターンの厚みが不均一となるという課題がある。また、パターンの粗い領域と微細な領域では最適露光条件が異なる場合があるが、このような場合でも高い精度によりパターニングすることが求められる。
【特許文献１】特開平８−６４９３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的の１つは、金属層の所望の厚みを容易に得ることができる、めっき方法及び電子デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明に係るめっき方法は、
基板の同一面の少なくとも第１及び第２のパターン領域の上方に金属層を形成することを含み、
（ａ）前記第１のパターン領域の上方に第１の界面活性剤層を形成し、前記第１の界面活性剤層の上方に第１の触媒層を形成し、前記第１の触媒層の上方に第１の金属層を析出させ、
（ｂ）前記第２のパターン領域の上方に第２の界面活性剤層を形成し、前記第２の界面活性剤層の上方に第２の触媒層を形成し、前記第２の触媒層及び前記第１の金属層の上方に第２の金属層を析出させる。本発明によれば、第１のパターン領域に対してめっき処理を行い、その後に第２のパターン領域に対してめっき処理を行う。第２のパターン領域に対して行うめっき処理では、第２の金属層を、第２のパターン領域の第２の触媒層及び第１のパターン領域の第１の金属層の両方に析出させる。これにより、例えば第１のパターン領域が第２のパターン領域よりもめっき反応が進行しにくい場合であっても、例えば第１及び第２のパターン領域に設けられる金属層の厚みの均一化を図ることができる。なお、本発明において、特定のＡの上方にＢが設けられているとは、Ａ上に直接Ｂが設けられている場合と、Ａ上に他の部材を介してＢが設けられている場合と、を含むものとする。このことは、以下の発明においても同様である。
（２）このめっき方法において、
前記（ａ）工程で、前記第１の界面活性剤層を光照射によるパターニングにより前記第１のパターン領域の上方に形成し、
前記（ｂ）工程で、前記第２の界面活性剤層を光照射によるパターニングにより前記第２のパターン領域の上方に形成してもよい。
（３）このめっき方法において、
前記第２の界面活性剤層を形成するときの光の照射条件は、前記第１の界面活性剤層を形成するときの光の照射条件と異なっていてもよい。これによれば、第１及び第２の界面活性剤層のそれぞれに対して光の照射条件の最適化を図ることができる。
（４）このめっき方法において、
前記第２の界面活性剤層を形成するときの光の照射時間は、前記第１の界面活性剤層を形成するときの光の照射時間よりも短くてもよい。
（５）このめっき方法において、
前記第２の界面活性剤層を形成するときの光の強度は、前記第１の界面活性剤層を形成するときの光の強度よりも弱くてもよい。
（６）このめっき方法において、
前記第１及び第２の界面活性剤層は、カチオン系界面活性剤からなるものであってもよい。
（７）このめっき方法において、
前記第１のパターン領域は、前記第２のパターン領域と接続されていてもよい。
（８）このめっき方法において、
前記第１のパターン領域は、第２のパターン領域と離間していてもよい。
（９）このめっき方法において、
前記第２のパターン領域は、前記第１のパターン領域よりも粗いパターンであってもよい。
（１０）このめっき方法において、
前記第２のパターン領域のラインの最小幅は、前記第１のパターン領域のラインの最大幅よりも大きくてもよい。
（１１）本発明に係る電子デバイスの製造方法は、上記めっき方法を含む。本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、電極パターンの厚みの均一化を図ることができるので、電子デバイスの信号特性の安定化を図ることができる。
（１２）この電子デバイスの製造方法において、
前記（ａ）工程により、前記第１のパターン領域の上方に薄膜トランジスタの電極パターンを一部の厚みまで形成し、
前記（ｂ）工程により、前記第２のパターン領域の上方に画素電極パターンを所定の厚みまで形成するとともに、前記第１のパターン領域の上方に前記薄膜トランジスタの前記電極パターンを所定の厚みまで形成してもよい。これによれば、薄膜トランジスタの電極パターンを形成するときのめっき反応が、画素電極パターンを形成するときのめっき反応よりも進行しにくい場合であっても、例えば両者の金属層の厚みの均一化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００７】
（第１の実施の形態）
図１〜図９は、本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっき方法により、基板上に金属層（電極パターン）を形成する。
【０００８】
（１）図１に示すように、基板１０を用意する。基板１０は、有機系基板（例えばプラスチック材、樹脂基板）であってもよいし、無機系基板（例えば石英ガラス、シリコンウエハ、酸化物層）であってもよい。プラスチック材としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。基板１０は、単層のみならず、ベース基板上に少なくとも１層の絶縁層が形成されている多層のものも含む。本実施の形態では、基板１０上に金属層を形成する。詳しくは、基板１０の同一面（最表面）の少なくとも第１及び第２のパターン領域１２，１４上に金属層を形成する。第１及び第２のパターン領域１２，１４は、同一レイヤーに配置されている領域である。
【０００９】
第１のパターン領域１２は、複数の独立した領域を有していてもよいし、一体的な領域であってもよい。第２のパターン領域１４は、複数の独立した領域を有していてもよいし、一体的な領域であってもよい。第１のパターン領域１２は、第２のパターン領域１４と接続されていてもよい。あるいは、第１のパターン領域１２は、第２のパターン領域と離間していてもよい。第２のパターン領域１４は、第１のパターン領域１２と異なるパターン形状をなしている。例えば、第２のパターン領域１４は、第１のパターン領域１２よりも粗いパターンであってもよい。粗いパターンとは、ライン幅（所定方向に延出される場合には延出方向と交差する方向の幅）、ライン間のスペース（又はピッチ）が大きいことを意味する。例えば、第２のパターン領域１４のラインの最小幅は、第１のパターン領域１２のラインの最大幅よりも大きくてもよい。第２のパターン領域１４のラインの最小幅（又は第１のパターン領域１２のラインの最大幅）は、例えば２０〜１００μｍであってもよい。本実施の形態では、このように基板１０の同一面に微細なパターン領域（例えば第１の領域１２）と粗いパターン領域（例えば第２の領域１４）とが混在する場合に極めて効果的である。
【００１０】
最初に基板１０を洗浄する。基板１０の洗浄は、ドライ洗浄又はウエット洗浄のいずれを適用してもよい。具体的には、例えば、真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。ウエット洗浄は、例えば、基板１０をオゾン水（オゾン濃度１０ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ）に室温状態で５分〜３０分程度浸漬することで行うことができる。基板１０を洗浄することによって、基板１０の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。また、基板１０の表面を撥水性から親水性に変化させることができる。また、基板１０の液中表面電位が負電位であれば、基板１０の洗浄により均一な負電位面を形成することができる。
【００１１】
（２）次に、図２及び図３に示すように、基板１０の第１のパターン領域１２上に第１の界面活性剤層２０をパターニングして形成する。例えば、第１の界面活性剤層２０は、光照射によるパターニングにより第１のパターン領域１２上に形成することができる。
【００１２】
具体的には、例えば界面活性剤成分を含む界面活性剤溶液に基板１０を浸漬させ、図２に示すように、基板１０の全面に第１の界面活性剤層２０ａを形成する。第１の界面活性剤層２０としては、例えば、カチオン系界面活性剤（カチオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの）を用いることができる。これによれば、基板１０の液中表面電位が負電位の場合、正電位を示すカチオン系を使用することにより、電位のコントラストを明確にして、後述の触媒層を選択的に吸着することができる。界面活性剤溶液としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤコンディショナー）の溶液や、アルキルアンモニウム系の溶液（例えば、セチルトリメチルアンンモニウムクロリド等）などを用いることができる。浸漬時間は、例えば、１分〜３分程度とすることができる。
【００１３】
次に、界面活性剤溶液から基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に３時間程度放置して乾燥させる。
【００１４】
そして、図３に示すように、第１の界面活性剤層２０ａをパターニングして、第１のパターン領域１２上に第１の界面活性剤層２０を形成する。言い換えれば、パターニングにより、基板１０の第１のパターン領域１２以外の領域上の界面活性剤層２０ａを光分解させて除去する。
【００１５】
光３０としては、例えば真空紫外線（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet）を用いることができる。光３０の波長を、例えば１７０ｎｍ〜２６０ｎｍとすることにより、原子間結合（例えば、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｎ、Ｃ＝Ｏ、Ｏ＝Ｏ、Ｏ−Ｈ、Ｈ−Ｆ、Ｈ−Ｃｌ、Ｎ−Ｈなど）を切断することができる。これにより、第１の界面活性剤層２０ａを光分解させることができる。また、この波長帯域の光３０を用いることにより、イエロールームなどの設備が不要となり、例えば白色灯下で本実施形態に係る一連の工程を行うことができる。
【００１６】
光３０の照射は、具体的には、例えば、光源３２として真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、５分〜３０分間行うことができる。光源３２は、例えばＸｅガスが封入されたエキシマランプであってもよい。なお、光３０の波長は、第１の界面活性剤層２０ａを光分解することができるものであれば、特に限定されない。
【００１７】
光３０は、マスク３４（例えばフォトマスク）を介して基板１０に照射される。詳しくは、光源３２と基板１０の間にマスク３４を配置し、光３０をマスク３４の遮光部３６（例えばクロムなどの金属パターン部）以外の領域に透過させる。本実施の形態では、第１のパターン領域１２上に第１の界面活性剤層２０を形成するため、光３０は第１のパターン領域１２以外の領域に透過する。すなわち、遮光部３６は、第１のパターン領域１２と面対称のパターン形状をなしている。マスク３４は、基板１０に接して配置されていてもよい。また、窒素雰囲気中で光照射処理を行えば、光３０が減衰しにくいので好ましい。
【００１８】
こうして、第１の界面活性剤層２０を第１のパターン領域１２上にパターニングして形成することができる。第１の界面活性剤層２０を形成した後、必要に応じて基板１０を洗浄することができる。洗浄方法は、ウエット洗浄（例えばシャワー方式や浸漬方式）であってもよいし、ドライ洗浄であってもよい。洗浄工程を行うことにより、第１のパターン領域１２以外の界面活性剤層の残渣を確実に除去することができる。
【００１９】
（４）次に、図４に示すように、第１の界面活性剤層２０上に第１の触媒層４０を形成する。具体的には、触媒成分を含む触媒溶液に基板１０を浸漬させる。これにより、触媒を第１の界面活性剤層２０上のみに選択的に吸着させ、第１の界面活性剤層２０上のみに第１の触媒層４０を形成することができる。
【００２０】
第１の界面活性剤層２０としてカチオン系のものを使用する場合、触媒として液中電位が負電位を示すものを選択することができる。第１の触媒層４０は、無電解めっき液中において第１の金属層５０の析出を誘発するものであり、例えばパラジウムなどからなることができる。第１の界面活性剤層２０上に吸着する触媒量を多くすると、第１の触媒層４０上に析出する第１の金属層５０の析出量が多くなる（析出スピードが速くなる）ので、触媒量を調整することにより第１の金属層５０の厚みをコントロールすることができる。触媒液としては、錫−パラジウムコロイド触媒液が挙げられるが、それに限定されるものではなく、第１の金属層５０の材料に応じて自由に選択することができる。なお、基板１０を錫−パラジウムコロイド触媒液に浸漬させた場合には、触媒活性化のために基板１０をホウフッ化酸水溶液に浸漬させることができる。こうして、錫コロイド粒子を除去して、パラジウムのみを第１の界面活性剤層２０上に吸着させることができる。
【００２１】
（５）次に、図５に示すように、第１の触媒層４０上に第１の金属層５０を析出させる。上述したように第１の触媒層４０は第１のパターン領域１２のみに形成されているため、第１の金属層５０を第１のパターン領域１２のみに形成することができる。第１の金属層５０の厚みは、最終的な厚みの５０％〜８０％程度にしてもよい。
【００２２】
具体的には、基板１０を無電解めっき液に浸漬させることによって、第１の触媒層４０上に第１の金属層５０を析出させることができる。第１の金属層５０としてニッケル層を析出させる場合を説明すると、無電解めっき液としては、硫酸ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることができる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度８０℃）に１分程度浸漬することによって、０．０５μｍ〜０．０８μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。あるいは、無電解めっき液として、塩化ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることもできる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度６０℃）に１分程度浸漬することによって、０．０５μｍ〜０．０８μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。なお、第１の金属層５０の材料は限定されず、例えば白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などからも形成することができる。
【００２３】
こうして、基板１０の第１のパターン領域１２上に第１の金属層５０を形成することができる。
【００２４】
（６）次に、図６及び図７に示すように、基板１０の第２のパターン領域１４上に第２の界面活性剤層６０をパターニングして形成する。例えば、第２の界面活性剤層６０は、光照射によるパターニングにより第２のパターン領域１４上に形成することができる。パターニングにより、基板１０の第２のパターン領域１４以外の領域上（第１の界面活性剤層２０上を含む）の界面活性剤層６０ａを光分解させて除去する。
【００２５】
第２の界面活性剤層６０のパターニング方法及び材料などの詳細は、第１の界面活性剤層２０の内容を適用することができる。例えば、界面活性剤成分を含む界面活性剤溶液に基板１０を浸漬させ、基板１０の全面（第１の金属層５０上を含む）に第２の界面活性剤層６０ａを形成し（図６参照）、光源３３からの光３１をマスク３５を介して照射することによりパターニングする（図７参照）。マスク３５の遮光部３７は、第２のパターン領域１４と面対称のパターン形状をなしており、これにより、光３１を第２の領域１４以外の領域に透過させることができる。マスク３５は、基板１０に接して配置されていてもよい。また、窒素雰囲気中で光照射処理を行えば、光３１が減衰しにくいので好ましい。なお、第２の界面活性剤層６０は、第１の界面活性剤層２０と同様のカチオン系界面活性剤であってもよく、同一材料を使用してもよい。
【００２６】
第２の界面活性剤層６０を形成するときの光の照射条件は、第１の界面活性剤層２０を形成するときの光の照射条件と異なっていてもよい。これによれば、第１及び第２の界面活性剤層２０，６０のそれぞれに対して光の照射条件の最適化を図ることができ、第１及び第２の界面活性剤層２０，６０（すなわち金属層）のパターン精度の安定化及び生産マージンの向上を図ることができる。光の照射条件は、照射時間、光の強度（単位面積当たり単位時間に通過する光のエネルギー）などである。光の強度は、光エネルギー（波長）の大きさ、設定温度、対象物までの照射距離などに応じて決められる。例えば、第１のパターン領域１２が微細なパターン領域であり、第２のパターン領域１４が粗いパターン領域である場合、第２の界面活性剤層６０の光３１の照射時間は、第１の界面活性剤層２０の光３０の照射時間よりも短くてもよい。あるいは、第２の界面活性剤層６０の光３１の強度は、第１の界面活性剤層２０の光３０の強度よりも弱くてもよい。これにより、それぞれのパターン精度に応じて適切に光分解の反応を進行させることができる。
【００２７】
あるいは、変形例として、第１及び第２の界面活性剤層２０，６０のそれぞれの光の照射条件は同一であってもよい。
【００２８】
（７）次に、図８に示すように、第２の界面活性剤層６０上に第２の触媒層７０を形成する。具体的には、触媒成分を含む触媒溶液に基板１０を浸漬させ、これにより、触媒を第２の界面活性剤層６０上のみに選択的に吸着させ、第２の界面活性剤層６０上のみに第２の触媒層７０を形成することができる。なお、第２の触媒層７０の形成方法及び材料などの詳細は、第１の触媒層４０の内容を適用することができる。
【００２９】
（８）そして、図９に示すように、例えば基板１０を無電解めっき液に浸漬させることにより、第２の金属層８０，８２を析出させる。これにより、第２の触媒層７０上に第２の金属層８０が析出され、第１の金属層５０上にさらに第２の金属層８２が析出される。めっき反応はパターン領域の面積に比例するので、第１のパターン領域１２が微細なパターンで第２のパターン領域１４が粗いパターンであれば、第２の触媒層７０上の第２の金属層８０は厚く形成され、第１の金属層５０上の第２の金属層８２は薄く形成される。したがって、上述した例によれば、第１のパターン領域１２上の第１及び第２の金属層５０，８２の合計の厚みと、第２のパターン領域１４上の第２の金属層８０の厚みとを均一にすることができる。すなわち、基板１０上の金属層の同一面に生じる格差を可能な限り抑えることができる。
【００３０】
なお、第２の金属層８０，８２は、第１の金属層５０と同一材料であってもよいし、あるいは第１の金属層５０上でめっき反応が進行するのであれば第１の金属層５０と異なる材料であってもよい。
【００３１】
本実施の形態に係るめっき方法によれば、第１のパターン領域１２に対してめっき処理を行い、その後に第２のパターン領域１４に対してめっき処理を行う。第２のパターン領域１４に対して行うめっき処理では、第２の金属層８０，８２を、第２のパターン領域１４の第２の触媒層７０及び第１のパターン領域１２の第１の金属層５０の両方に析出させる。これにより、例えば第１のパターン領域１２が第２のパターン領域１４よりもめっき反応が進行しにくい場合であっても、例えば第１及び第２のパターン領域１２，１４に設けられる金属層の厚みの均一化を図ることができる。
【００３２】
図１０は、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を示す図である。上述しためっき方法により、基板１０上の第１及び第２のパターン領域１２，１４に電極パターンを形成することができる。電極パターンは、電子部品同士を電気的に接続するためのいわゆる配線パターンであってもよい。その場合、基板１０は配線基板である。すなわち、上述しためっき方法により配線基板を製造することができる。図１０に示す例では、基板１０には、集積回路チップ９０が電気的に接続され、基板１０の一方の端部は、他の基板９２（例えば表示パネル）に電気的に接続されている。電子デバイス１０００は、液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、ＥＬ（Electroluminescence）ディスプレイ装置などの表示装置であってもよい。本実施の形態によれば、第１及び第２のパターン領域１２，１４に設けられる金属層（電極パターン）の厚みの均一化を図ることができるので、電子デバイスの信号特性の安定化を図ることができる。
【００３３】
上述した例では、基板１０の同一面を２つの領域に分けてめっき処理する例を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板１０の同一面を３つ以上の領域に分けてめっき処理することもできる。その場合、所定回数目のめっき処理では所定のパターン領域に上述した界面活性剤層、触媒層を形成し、その後の金属層を該触媒層及びその他のパターン領域にすでに形成されている金属層の両方の上に析出させることができる。
【００３４】
また、上述の第１及び第２の界面活性剤層２０，６０のパターニング方法の変形例として、例えば液滴吐出方式（例えばインクジェット方式）を使用することもできる。これによれば、無駄なく必要領域のみに界面活性剤層を形成することができる。
【００３５】
（第２の実施の形態）
図１１〜図１４は、本発明の第２の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図である。詳しくは、図１１は、電子デバイスの素子構造の平面図であり、図１２は、その部分拡大図であり、図１３は、図１２の部分断面図である。
【００３６】
電子デバイスの製造方法は上述しためっき方法を含む。電子デバイスは、例えば有機ＥＬディスプレイ装置である。アクティブマトリクス駆動型の電子デバイス（表示装置）であれば、複数の画素部（図示しない）のそれぞれにスイッチング素子が設けられている。画素部は、画素電極パターン１２０、共通電極パターン（図示しない）、及びそれらの間に設けられる機能素子（図示しない）により構成されている。有機ＥＬディスプレイ装置の場合、機能素子は少なくとも発光層（例えば高分子系有機層）を含む。また、有機ＥＬディスプレイ装置の場合、走査線により選択されたスイッチング素子（図示しない）がＯＮとなり、信号線からの電荷が該スイッチング素子を通過してキャパシタンス（図示しない）に蓄えられる。また、該キャパシタンスに蓄えられた電荷により他のスイッチング素子（薄膜トランジスタ１１０）が制御（例えばＯＮ）され、電源線（配線１１６）からの電流が該スイッチング素子（薄膜トランジスタ１１０）を通過して画素部に流れるようになっている。
【００３７】
薄膜トランジスタ１１０は、ソース電極１１２及びドレイン電極１１４と、半導体層１３０（例えば半導体ポリマーベンタゼンなどの有機半導体層）と、ゲート絶縁層１３２と、ゲート電極１３４を有する。図１３に示す例では、基板１０上にソース電極１１２及びドレイン電極１１４が形成され、ソース電極１１２及びドレイン電極１１４上に半導体層１３０が形成され、半導体層１３０上にゲート絶縁層１３２が形成され、ゲート絶縁層１３２上にゲート電極１３４が形成されている。そして、図１２に示す例では、ソース電極１１２及びドレイン電極１１４は、画素電極パターン１２０と同一面（同一レイヤー）に配置されている。また、ソース電極１１２及びドレイン電極１１４は、各ラインが交互に配列されるように櫛歯状に配列されている。なお、薄膜トランジスタ１１０は、上述したトップゲート型に限らず、各層が上下逆転して配置されるボトムゲート型であってもよい。
【００３８】
本実施の形態では、上述しためっき法により、第１のパターン領域１０２上に薄膜トランジスタ１１０の電極パターン（ソース電極１１２、ドレイン電極１１４）を形成する。例えば、第１のパターン領域１０２上には、画素電極１２０以外の電極パターン（例えばソース電極１１２、ドレイン電極１１４、配線１１６）を形成することができる。第１のパターン領域１０２のライン幅は例えば５μｍ〜２０μｍである。また、上述しためっき法により、第２のパターン領域１０４上に画素電極パターン１２０を形成する。第２のパターン領域１０４のライン幅は例えば０．２ｍｍ〜１．６ｍｍ（例えば０．２ｍｍ×０．２ｍｍ〜１．６ｍｍ×１．６ｍｍ）である。第１及び第２のパターン領域１０２，１０４に対するめっき処理の詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。これによれば、第１のパターン領域１０２は微細なパターンで第２のパターン領域１０４は粗いパターンであるので、薄膜トランジスタ１１０の電極パターンを形成するときのめっき反応が、画素電極パターン１２０を形成するときのめっき反応よりも進行しにくいが、本実施の形態によれば、両者の金属層の厚みの均一化を図ることができる。
【００３９】
図１４は、本実施の形態に係る電子デバイスの一例として電子ペーパー２０００が示されている。なお、本実施の形態に係るその他の詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。
【００４０】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係るめっき方法を示す図。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る電子デバイスの一例を示す図。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る電子デバイスの一例を示す図。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る電子デバイスの一例を示す図。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る電子デバイスの一例を示す図。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る電子デバイスの一例を示す図。
【符号の説明】
【００４２】
１０…基板  １２…第１のパターン領域  １４…第２のパターン領域
２０…第１の界面活性剤層  ３０，３１…光  ４０…第１の触媒層
５０…第１の金属層  ６０…第２の界面活性剤層  ７０…第２の触媒層
８０，８２…第２の金属層  １０２…第１のパターン領域
１０４…第２のパターン領域  １１０…薄膜トランジスタ  １１２…ソース電極
１１４…ドレイン電極  １２０…画素電極パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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