(57)【要約】【課題】発光材料や電荷輸送材料として有用で、耐熱性などの素子特性に優れた高分子化合物を提供する。【解決手段】下記式（１）で表される繰返し単位を主成分とすることを特徴とする高分子化合物。2006225556.tif 000145（式中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に、３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基又は３環以上の２価の縮合多環系複素環基を表す。Ｙ１は単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基、単環若しくは２環性の２価の複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される繰返し単位を主成分として含むことを特徴とする高分子化合物。
2006225556.tif 000130
（式中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に、３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基又は３環以上の２価の縮合多環系複素環基を表す。Ｙ１は単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基、単環若しくは２環性の２価の複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基を含むアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。）
【請求項２】
上記式（１）で表される繰返し単位が下記式（２）で表される請求項１に記載の高分子化合物。
2006225556.tif 000131
（式中、Ａ１環、Ａ２環、Ｂ１環及びＢ２環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｚ１はＡ１環とＢ１環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表し、Ｚ２はＡ２環とＢ２環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表す。Ｙ２は単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基、単環若しくは２環性の２価の複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基を含むアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表し、一方の結合手はＡ１環又はＢ１環に結合し、もう一方の結合手はＡ２環又はＢ２環に結合する。）
【請求項３】
上記式（２）で表される繰返し単位が下記式（３）で表される請求項２に記載の高分子化合物。
2006225556.tif 000132
（式中、Ａ１環、Ａ２環、Ｂ１環、Ｂ２環及びＹ２は上記と同じである。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表し、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。）
【請求項４】
上記式（３）で表される繰返し単位が下記式（４）で表される請求項３に記載の高分子化合物。
2006225556.tif 000133
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＹ２は上記と同じである。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ａ１及びａ４はそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、ａ２及びａ３はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。ａ１、ａ２、ａ３及びａ４のいずれかが２以上の場合で、対応する置換基が芳香環上の隣接する炭素原子上にある場合、互いに結合して環を形成してもよい。）
【請求項５】
下記式（５）で表される化合物を重合して得られる請求項１〜４のいずれか一項に記載の高分子化合物。
Ｗ１−Ｘ１−Ｙ１−Ｘ２−Ｗ２          （５）
（式中、Ｘ１、Ｘ２及びＹ１はそれぞれ上記と同じである。Ｗ１及びＷ２はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。）
【請求項６】
上記式（１）で表される繰返し単位が左右対称又はＣ２対称である請求項１〜５のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項７】
上記式（１）で表される繰返し単位中、Ｘ１及びＸ２で表される繰返し単位が左右対称でもＣ２対称でもない請求項６に記載の高分子化合物。
【請求項８】
下記式（６）、式（７）、式（８）又は式（９）で示される繰り返し単位を含む請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物。
−Ａｒ１−                           （６）
−（Ａｒ２−Ｘ３）ｋ−Ａｒ３−          （７）
−Ａｒ４−Ｘ４−                      （８）
−Ｘ５−                             （９）
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４はそれぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｘ３、Ｘ４及びＸ５はそれぞれ独立に、−ＣＲ９＝ＣＲ１０−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ１１）−、又は（ＳｉＲ１２Ｒ１３）ｍ−を表す。Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はアリールアルキル基を示す。ｋは１又は２を表す。ｍは１〜１２の整数を表す。Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
【請求項９】
上記式（６）で表される繰り返し単位が、下記式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）又は（１５）で表される繰り返し単位である請求項８に記載の高分子化合物。
2006225556.tif 000134
（式中、Ｒ１４は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｎは０〜４の整数を表す。Ｒ１４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000135
（式中、Ｒ１５及びＲ１６は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ｒ１５及びＲ１６がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000136
（式中、Ｒ１７及びＲ２０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｑ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ１８及びＲ１９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｒ１７及びＲ２０がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000137
（式中、Ｒ２１は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｓは０〜２の整数を表す。Ａｒ５及びＡｒ６はそれぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。ｔ及びｕはそれぞれ独立に０又は１を表す。Ｚ１１は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ２、Ｓｅ、又はＴｅを表す。Ｒ２１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000138
（式中、Ｒ２２及びＲ２３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｖ及びｗはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｚ１２は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ−Ｒ２４、又はＳｉＲ２５Ｒ２６を表す。Ｚ１３及びＺ１４は、それぞれ独立に、Ｎ又はＣ−Ｒ２７を表す。Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表す。Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２７がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000139
（式中、Ｒ２８及びＲ３３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｘ及びｙはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ２９、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ａｒ７はアリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｒ２８及びＲ３３がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
【請求項１０】
上記式（７）で表される繰り返し単位が、下記式（１６）で示される繰り返し単位である請求項８に記載の高分子化合物。
2006225556.tif 000140
（式中、Ａｒ８、Ａｒ９、Ａｒ１０及びＡｒ１１はそれぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ１２、Ａｒ１３及びＡｒ１４はそれぞれ独立に、アリール基、又は１価の複素環基を表す。Ａｒ８、Ａｒ９、Ａｒ１０、Ａｒ１１、及びＡｒ１２は置換基を有していてもよい。ｚ及びｚｚはそれぞれ独立に０又は正の整数を表す。）
【請求項１１】
上記式（１６）で表される繰り返し単位において、ｚ＋ｚｚ＝１であり、かつＡｒ１２、Ａｒ１３及びＡｒ１４が、それぞれ独立に、下記式（１６−１）で表される基から選ばれる請求項１０に記載の高分子化合物。
2006225556.tif 000141
（式中、Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇは、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる１つを表す。Ｒｈ及びＲｉは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる１つを表す。Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇに含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。ベンゼン環上の隣接する２つの置換基は互いに結合して環を形成してもよい。）
【請求項１２】
上記式（５）で表される化合物を重合又は共重合することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の高分子化合物の製造方法。
【請求項１３】
上記式（５）で表される化合物。
【請求項１４】
上記式（５）で表される化合物が下記式（１７）で表される請求項１３に記載の化合物。
2006225556.tif 000142
（式中、Ａ３環及びＢ３環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｚ３はＡ３環とＢ３環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表す。Ｙ３は単環若しくは２環の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基、単環若しくは２環の２価の縮合多環系複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表し、２つのＡ３環に結合する。Ｗ３は重合に関与しうる置換基を表し、Ｂ３環に結合する。）
【請求項１５】
上記式（１７）で表される化合物のうち、Ｗ３がハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基である請求項１４に記載の化合物。
【請求項１６】
請求項１５に記載の化合物の製造方法であって、下記式（１８）及び（１９）で表される化合物を遷移金属錯体の存在下に反応させることを特徴とする上記製造方法。
2006225556.tif 000143
（式中、Ａ３環、Ｂ３環、Ｚ３及びＹ３は上記と同じである。Ｗ４及びＷ５はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表すが、Ｗ４はＷ５と同じではない。Ｗ６は−Ｂ（ＯＨ）２、ホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基、置換スタニル基、シリル基又は置換シリル基を表す。）
【請求項１７】
上記式（１８）で表される化合物。
【請求項１８】
請求項１５に記載の化合物の製造方法であって、下記式（２０）及び（２１）で表される化合物を遷移金属錯体の存在下に反応させることを特徴とする上記製造方法。
2006225556.tif 000144
（式中、Ａ３環、Ｂ３環、Ｗ４、Ｚ３及びＹ３は上記と同じである。Ｗ７は−Ｂ（ＯＨ）２、ホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基、置換スタニル基、シリル基又は置換シリル基を表す。Ｗ８はハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表すが、Ｗ４はＷ８と同じではない。）
【請求項１９】
上記式（２０）で表される化合物。
【請求項２０】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする溶液。
【請求項２１】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする発光性薄膜。
【請求項２２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする導電性薄膜。
【請求項２３】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項２４】
インクジェット法を用いることを特徴とする請求項２１〜２３のいずれか一項に記載の薄膜の製膜方法。
【請求項２５】
陽極及び陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が請求項１〜１１のいずれか一項に記載の高分子化合物を含むことを特徴とする高分子発光素子。
【請求項２６】
請求項２５に記載の高分子発光素子を用いることを特徴とする面状光源。
【請求項２７】
請求項２５に記載の高分子発光素子を用いることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物、該高分子化合物の製造方法、該高分子化合物の合成原料に用いられる化合物、及び該高分子化合物を用いた高分子発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
高分子量の発光材料や電荷輸送材料は、低分子量のそれらとは異なり溶媒に可溶で塗布法により発光素子における有機層を形成できることから、種々の材料が検討されている。その例として、繰り返し単位として、下記の構造を有する高分子化合物及びそれを用いた有機ＥＬデバイスが知られている（ＵＳ２００４／０１３１８８０、ＵＳ２００４／０１３１８８１）。
2006225556.tif 000002
【０００３】
【特許文献１】ＵＳ２００４／０１３１８８０
【特許文献２】ＵＳ２００４／０１３１８８１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上記の高分子化合物は、耐熱性などの特性が必ずしも十分でないという問題があった。
本発明の目的は、発光材料や電荷輸送材料として有用で、耐熱性等の特性に優れた高分子化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、下記（１）の繰返し単位を主成分として含む高分子化合物が、発光材料や電荷輸送材料として有用で、耐熱性等の特性に優れることを見出し、本発明を完成した。
即ち本発明は、
１．  下記式（１）で表される繰返し単位を主成分として含む高分子化合物。
2006225556.tif 000003
（式中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に、３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基又は３環以上の２価の縮合多環系複素環基を表す。Ｙ１は単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基、単環若しくは２環性の２価の複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基を含むアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。）
を提供するものである。
また、本発明は以下の通りである。
２．  上記式（１）で表される繰返し単位が下記式（２）で表される上記１．に記載の高分子化合物。
2006225556.tif 000004
（式中、Ａ１環、Ａ２環、Ｂ１環及びＢ２環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｚ１はＡ１環とＢ１環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表し、Ｚ２はＡ２環とＢ２環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表す。Ｙ２は単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基、単環若しくは２環性の２価の複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基を含むアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表し、一方の結合手はＡ１環又はＢ１環に結合し、もう一方の結合手はＡ２環又はＢ２環に結合する。）
３．  上記式（２）で表される繰返し単位が下記式（３）で表される上記２．に記載の高分子化合物。
2006225556.tif 000005
（式中、Ａ１環、Ａ２環、Ｂ１環、Ｂ２環及びＹ２は上記と同じである。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表し、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。）
４．  上記式（３）で表される繰返し単位が下記式（４）で表される上記３．に記載の高分子化合物。
2006225556.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＹ２は上記と同じである。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ａ１及びａ４はそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、ａ２及びａ３はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。ａ１、ａ２、ａ３及びａ４のいずれかが２以上の場合で、対応する置換基が芳香環上の隣接する炭素原子上にある場合、互いに結合して環を形成してもよい。）
５．  下記式（５）で表される化合物を重合して得られる上記１．〜４．のいずれか一項に記載の高分子化合物。
Ｗ１−Ｘ１−Ｙ１−Ｘ２−Ｗ２          （５）
（式中、Ｘ１、Ｘ２及びＹ１はそれぞれ上記と同じである。Ｗ１及びＷ２はそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。）
６．  上記式（１）で表される繰返し単位が左右対称又はＣ２対称である上記１．〜５．のいずれか一項に記載の高分子化合物。
７．  上記式（１）で表される繰返し単位中、Ｘ１及びＸ２で表される繰返し単位が左右対称でもＣ２対称でもない上記６．に記載の高分子化合物。
８．  下記式（６）、式（７）、式（８）又は式（９）で示される繰り返し単位を含む上記１．〜７．のいずれか一項に記載の高分子化合物。
−Ａｒ１−                          （６）
−（Ａｒ２−Ｘ３）ｋ−Ａｒ３−         （７）
−Ａｒ４−Ｘ４−                     （８）
−Ｘ５−                            （９）
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４はそれぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｘ３、Ｘ４及びＸ５はそれぞれ独立に、−ＣＲ９＝ＣＲ１０−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ１１）−、又は（ＳｉＲ１２Ｒ１３）ｍ−を表す。Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はアリールアルキル基を示す。ｋは１又は２を表す。ｍは１〜１２の整数を表す。Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
９．  上記式（６）で表される繰り返し単位が、下記式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）又は（１５）で表される繰り返し単位である上記８．に記載の高分子化合物。
2006225556.tif 000007
（式中、Ｒ１４は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｎは０〜４の整数を表す。Ｒ１４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000008
（式中、Ｒ１５及びＲ１６は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ｒ１５及びＲ１６がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000009
（式中、Ｒ１７及びＲ２０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｑ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ１８及びＲ１９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｒ１７及びＲ２０がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000010
（式中、Ｒ２１は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｓは０〜２の整数を表す。Ａｒ５及びＡｒ６はそれぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。ｔ及びｕはそれぞれ独立に０又は１を表す。Ｚ１１は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ２、Ｓｅ、又はＴｅを表す。Ｒ２１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000011
（式中、Ｒ２２及びＲ２３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｖ及びｗはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｚ１２は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ−Ｒ２４、又はＳｉＲ２５Ｒ２６を表す。Ｚ１３及びＺ１４は、それぞれ独立に、Ｎ又はＣ−Ｒ２７を表す。Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を表す。Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２７がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000012
（式中、Ｒ２８及びＲ３３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ｘ及びｙはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ２９、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ａｒ７はアリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｒ２８及びＲ３３がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
１０．  上記式（７）で表される繰り返し単位が、下記式（１６）で示される繰り返し単位である上記８．に記載の高分子化合物。
2006225556.tif 000013
（式中、Ａｒ８、Ａｒ９、Ａｒ１０及びＡｒ１１はそれぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ１２、Ａｒ１３及びＡｒ１４はそれぞれ独立に、アリール基、又は１価の複素環基を表す。Ａｒ８、Ａｒ９、Ａｒ１０、Ａｒ１１、及びＡｒ１２は置換基を有していてもよい。ｚ及びｚｚはそれぞれ独立に０又は正の整数を表す。）
１１．  上記式（１６）で表される繰り返し単位において、ｚ＋ｚｚ＝１であり、かつＡｒ１２、Ａｒ１３及びＡｒ１４が、それぞれ独立に、下記式（１６−１）で表される基から選ばれる上記１０．に記載の高分子化合物。
2006225556.tif 000014
（式中、Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇは、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる１つを表す。Ｒｈ及びＲｉは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる１つを表す。Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇに含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。ベンゼン環上の隣接する２つの置換基は互いに結合して環を形成してもよい。）
１２．  上記式（５）で表される化合物を重合又は共重合することを特徴とする上記１．〜１１．のいずれか一項に記載の高分子化合物の製造方法。
１３．  上記式（５）で表される化合物。
１４．  上記式（５）で表される化合物が下記式（１７）で表される上記１３．に記載の化合物。
2006225556.tif 000015
（式中、Ａ３環及びＢ３環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｚ３はＡ３環とＢ３環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表す。Ｙ３は単環若しくは２環の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基、単環若しくは２環の２価の縮合多環系複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表し、２つのＡ３環に結合する。Ｗ３は重合に関与しうる置換基を表し、Ｂ３環に結合する。）
１５．  上記式（１７）で表される化合物のうち、Ｗ３がハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基である上記１４．に記載の化合物。
１６．  上記１５．に記載の化合物の製造方法であって、下記式（１８）及び（１９）で表される化合物を遷移金属錯体の存在下に反応させることを特徴とする上記製造方法。
2006225556.tif 000016
（式中、Ａ３環、Ｂ３環、Ｚ３及びＹ３は上記と同じである。Ｗ４及びＷ５はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表すが、Ｗ４はＷ５と同じではない。Ｗ６は−Ｂ（ＯＨ）２、ホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基、置換スタニル基、シリル基又は置換シリル基を表す。）
１７．  上記式（１８）で表される化合物。
１８．  上記１５．に記載の化合物の製造方法であって、下記式（２０）及び（２１）で表される化合物を遷移金属錯体の存在下に反応させることを特徴とする上記製造方法。
2006225556.tif 000017
（式中、Ａ３環、Ｂ３環、Ｗ４、Ｚ３及びＹ３は上記と同じである。Ｗ７は−Ｂ（ＯＨ）２、ホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基、置換スタニル基、シリル基又は置換シリル基を表す。Ｗ８はハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表すが、Ｗ４はＷ８と同じではない。）
１９．  上記式（２０）で表される化合物。
２０．  上記１．〜１１．のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする溶液。
２１．  上記１．〜１１．のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする発光性薄膜。
２２．  上記１．〜１１．のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする導電性薄膜。
２３．  上記１．〜１１．のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする有機トランジスタ。
２４．  インクジェット法を用いることを特徴とする上記２１．〜２３．のいずれか一項に記載の薄膜の製膜方法。
２５．  陽極及び陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が上記１．〜１１．のいずれか一項に記載の高分子化合物を含むことを特徴とする高分子発光素子。
２６．  上記２５．に記載の高分子発光素子を用いることを特徴とする面状光源。
２７．  上記２５．に記載の高分子発光素子を用いることを特徴とする表示装置。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の高分子化合物は、発光材料や電荷輸送材料として有用で、耐熱性、素子駆動後の色変化、素子にした時の寿命等に優れる。したがって、本発明の高分子化合物を含む高分子ＬＥＤは、液晶ディスプレイのバックライト又は照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明の高分子化合物は上記式（１）で示される繰り返し単位を主成分として含むことを特徴とする。
【０００８】
式中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に、３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基又は３環以上の２価の縮合多環系複素環基を表す。Ｙ１は単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基、単環若しくは２環の２価の複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。
【０００９】
３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基としては、ビフェニレン、インダセン、アセナフチレン、フルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、アセナフチリレン、アセアンチリレン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン及びペンタセンからなる群から選ばれる１つから２つの水素原子を除いた基が例示される。上記縮合多環系芳香族炭化水素化合物の水素原子は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基で置換されていてもよい。
【００１０】
ここに、アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、溶媒への溶解性の観点から好ましくは炭素数３〜２０である。その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられる。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００１１】
アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、溶媒への溶解性の観点から好ましくは炭素数３〜２０である。その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられる。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００１２】
アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、溶媒への溶解性の観点から好ましくは炭素数３〜２０である。その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられる。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【００１３】
アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８である。その具体例としては、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基（Ｃ１〜Ｃ１２は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基が好ましい。Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基として具体的には、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。
【００１４】
アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８である。その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基として具体的には、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。
【００１５】
アリールチオ基は、炭素数が通常３〜６０程度である。その具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基が好ましい。
【００１６】
アリールアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８である。その具体例としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基が好ましい。
【００１７】
アリールアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８である。その具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基が好ましい。
【００１８】
アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８である。その具体的としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基が好ましい。
【００１９】
アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度である。その具体的としては、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルケニル基が好ましい。
【００２０】
アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度である。その具体的としては、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基などが例示される。有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基が好ましい。
【００２１】
置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基が挙げられる。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は、該置換基の炭素数を含めずに、通常１〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基などが例示される。
【００２２】
置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は通常１〜６０程度、好ましくは炭素数３〜４８である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。
【００２３】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が例示される。
【００２４】
アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８である。その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。
【００２５】
アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８である。その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。
【００２６】
イミン残基としては、イミン化合物（分子内に、−Ｎ＝Ｃを持つ有機化合物のことを言う。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物が挙げられる）から水素原子１個を除いた残基が挙げられ、通常、炭素数は２〜２０程度であり、好ましくは炭素数は２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。
2006225556.tif 000018
【００２７】
アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８である。その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基などが例示される。
【００２８】
酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が４〜２０程度であり、具体的には以下に示す基などが例示される。
2006225556.tif 000019
【００２９】
１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団を言い、炭素数は通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものを言う。具体的には、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基が好ましい。
【００３０】
置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基が挙げられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８である。その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。
【００３１】
３環以上の２価の縮合多環系複素環基としては、ビフェニレン、インダセン、アセナフチレン、フルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、アセナフチリレン、アセアンチリレン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン及びペンタセンの少なくとも１つの炭素原子をホウ素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子、硫黄原子又はセレン原子で置換し、２つの水素原子を除いた基が例示される。上記縮合多環系複素環化合物の水素原子は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基で置換されていてもよい。
【００３２】
３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基としては、下記の式１Ａ−０〜１Ａ−６４、式１Ｂ−１〜１Ｂ−６４、式１Ｃ−１〜１Ｃ−６４、及び式１Ｄ−１〜１Ｄ−１８、並びに、これらの式の基に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基等からなる群から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、芳香族炭化水素環における結合手は、任意の位置を取り得ることを表す。
【００３３】
2006225556.tif 000020
【００３４】
2006225556.tif 000021
【００３５】
2006225556.tif 000022
【００３６】
2006225556.tif 000023
【００３７】
2006225556.tif 000024
【００３８】
2006225556.tif 000025
【００３９】
2006225556.tif 000026
【００４０】
2006225556.tif 000027
【００４１】
2006225556.tif 000028
【００４２】
2006225556.tif 000029
【００４３】
2006225556.tif 000030
【００４４】
2006225556.tif 000031
【００４５】
2006225556.tif 000032
【００４６】
2006225556.tif 000033
【００４７】
2006225556.tif 000034
【００４８】
2006225556.tif 000035
【００４９】
2006225556.tif 000036
【００５０】
2006225556.tif 000037
【００５１】
2006225556.tif 000038
【００５２】
2006225556.tif 000039
【００５３】
2006225556.tif 000040
【００５４】
2006225556.tif 000041
（式中、Ｒｗ及びＲｘはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる１つを表す。ＲｗとＲｘはそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。）
【００５５】
以下に３環以上の２価の縮合多環系複素環基の例を示す。
これらの基は、その複素環上に置換基を有していてもよい。その置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基又はシアノ基が例示され、互いに結合して環を形成してもよい。
【００５６】
2006225556.tif 000042
【００５７】
2006225556.tif 000043
【００５８】
2006225556.tif 000044
【００５９】
2006225556.tif 000045
【００６０】
2006225556.tif 000046
【００６１】
2006225556.tif 000047
【００６２】
2006225556.tif 000048
【００６３】
2006225556.tif 000049
上記式中、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基又は１価の複素環基を表す。複数のＲ’を有する場合、互いに結合して環を形成してもよい。
【００６４】
３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基又は３環以上の２価の縮合多環系複素環基としては、下記式（３０）で表される化合物のＡ環及び／又はＢ環から２つの水素原子を除いた基が好ましい。
2006225556.tif 000050
式中、Ａ環及びＢ環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。ＺはＡ環とＢ環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表す。
【００６５】
芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環単独又は複数個のベンゼン環が縮合したものが好ましい。その例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられる。
【００６６】
Ａ環とＢ環との組合せとして、好ましくはベンゼン環とベンゼン環、ベンゼン環とナフタレン環、ベンゼン環とアントラセン環、ベンゼン環とフェナントレン環、ナフタレン環とアントラセン環、ナフタレン環とフェナントレン環、アントラセン環とフェナントレン環の組合せが挙げられ、ベンゼン環とナフタレン環の組合わせがより好ましい。
【００６７】
Ａ環とＢ環における置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基が例示される。
【００６８】
Ｚで表される２価の基のうち、５員環を形成するものとしては、下記式グループＡ及びグループＢで表される基が例示される。
【００６９】
2006225556.tif 000051
【００７０】
2006225556.tif 000052
式中、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基又は１価の複素環基を表す。１つの原子に２つのＲ’を有する場合、互いに結合して環を形成してもよい。
【００７１】
Ｚで表される２価の基のうち、６員環を形成するものとしては、下記式グループＣ、グループＤ、グループＥ、グループＦで表されるものが例示される。
【００７２】
2006225556.tif 000053
【００７３】
2006225556.tif 000054
【００７４】
2006225556.tif 000055
【００７５】
2006225556.tif 000056
式中、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基又は１価の複素環基を表す。Ｒ’を複数有する場合、互いに結合して環を形成してもよい。
【００７６】
Ｘ１又はＸ２が対称性を有しない場合、グループＣ、グループＤ、グループＥの基が例示される。対称性を有する場合、グループＦの基が例示される。
【００７７】
Ｚで表される２価の基のうち、７員環を形成するものとしては、下記グループＧで表されるものが例示される。
【００７８】
2006225556.tif 000057
【００７９】
中でも、化合物の安定性の観点から、グループＡ、グループＤ及びグループＥの基が好ましく、より好ましくはグループＡ及びグループＥの基であり、更に好ましくはこれらのＺを有するＸ１又はＸ２が左右対称でもＣ２対称でもない場合である。
【００８０】
素子寿命、素子駆動後の色変化抑制などの素子特性の観点から、３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基又は３環以上の２価の縮合多環系複素環基としては、下記式（３１）で表される化合物から２つの水素原子を除いたものが好ましい。左右対称でもＣ２対称でもない場合が、更に好ましい。
2006225556.tif 000058
式中、Ａ環及びＢ環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。２つのＲは互いに結合して環を形成してもよい。
【００８１】
Ａ環及びＢ環における定義及び例示は上記式（３０）と同様である。
【００８２】
更に好ましくは、下記式（３２）、（３３）、（３４）及び（３５）のいずれかで表される場合である。
2006225556.tif 000059
式中、Ｒｐ１、Ｒｑ１、Ｒｐ２、Ｒｑ２、Ｒｐ３、Ｒｑ３、Ｒｐ４及びＲｑ４はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。ｂ１、ｂ２、ｂ３及びｂ４はそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｃ１、ｃ２、ｃ３及びｃ４はそれぞれ独立に０〜５の整数を表す。Ｒｐ１、Ｒｑ１、Ｒｐ２、Ｒｑ２、Ｒｐ３、Ｒｑ３、Ｒｐ４及びＲｑ４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒｗ１、Ｒｘ１、Ｒｗ２、Ｒｘ２、Ｒｗ３、Ｒｘ３、Ｒｗ４及びＲｘ４はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｒｗ１とＲｘ１、Ｒｗ２とＲｘ２、Ｒｗ３とＲｘ３、Ｒｗ４とＲｘ４はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。
【００８３】
もっとも好ましくは、上記式（３２）で表される場合である。
【００８４】
単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基としては、ベンゼン、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アズレン、ヘプタレン又はビフェニルから２つの水素原子を除いた基が例示される。中でも、ベンゼン又はビフェニルから２つの水素原子を除いた基が好ましい。上記芳香族炭化水素化合物の水素原子は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基で置換されていてもよい。
【００８５】
単環若しくは２環性の２価の複素環基としては、フラン、チオフェン、ピロール、ピロン、チオピラン、ピリジン、オキサゾール、チアゾール、フラザン、イミダゾール、ピラゾール、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、インドリジン、クロメン、ベンゾピラン、キノリン、ベンズイミダゾール、インダゾール、キノキサリン又はフタラジンから２つの水素原子を除いた基が例示される。中でも、単環の２価の複素環基が好ましい。上記複素環化合物の水素原子は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基で置換されていてもよい。
【００８６】
単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造とは、具体的には下記式（３７）で表される。
2006225556.tif 000060
（式中、Ａｒｄ１、Ａｒｄ２、Ａｒｄ３及びＡｒｄ４はそれぞれ独立に、単環若しくは２環性のアリーレン基、又は単環若しくは２環性の２価の複素環基を表す。Ａｒｄ５、Ａｒｄ６及びＡｒｄ７はそれぞれ独立に、単環若しくは２環性のアリール基、又は単環若しくは２環性の１価の複素環基を表す。Ａｒｄ１、Ａｒｄ２、Ａｒｄ３、Ａｒｄ４、Ａｒｄ５、Ａｒｄ６及びＡｒｄ７は置換基を有していてもよい。ｄ１及びｄ２はそれぞれ独立に０又は正の整数を表す。）
【００８７】
Ａｒｄ１、Ａｒｄ２、Ａｒｄ３及びＡｒｄ４における単環若しくは２環性のアリーレン基、及び単環若しくは２環性の１価の複素環基の例示は、上記に記載のものと同様である。Ａｒｄ１及びＡｒｄ３は単環のアリーレン基又は単環の複素環基が好ましい。
【００８８】
Ａｒｄ５、Ａｒｄ６及びＡｒｄ７における単環若しくは２環性のアリール基としては、ベンゼン、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アズレン、ヘプタレン又はビフェニルから水素原子１個を除いた原子団が例示される。
【００８９】
Ａｒｄ１、Ａｒｄ２、Ａｒｄ３、Ａｒｄ４、Ａｒｄ５、Ａｒｄ６及びＡｒｄ７における置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基が例示される。
【００９０】
ｄは好ましくは０、１又は２である。
【００９１】
金属錯体構造を有する２価の基とは、有機配位子を有する金属錯体の有機配位子から水素原子を２個除いた残りの２価の基である。該有機配位子の炭素数は、通常４〜６０程度である。その例としては、８−キノリノール及びその誘導体、ベンゾキノリノール及びその誘導体、２−フェニル−ピリジン及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾール及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾキサゾール及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体などが挙げられる。また、該錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムなどが挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体などが挙げられる。
【００９２】
金属錯体構造を有する２価の基としては、具体的には、以下の式１２６〜１３２が例示される。
2006225556.tif 000061
2006225556.tif 000062
2006225556.tif 000063
【００９３】
上記の式１２６〜１３２において、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。また、式１２６〜１３２の基が有する炭素原子は、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
ここに、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基の定義、具体例、及び好ましい例は、前記芳香族炭化水素環が置換基を有する場合におけるそれらと同様である。
【００９４】
単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基としては、好ましくは単環の２価の芳香族炭化水素基、単環の２価の複素環基、又は上記式（３７）においてＡｒｄ１及びＡｒｄ３が単環の芳香族炭化水素基、又は単環の２価の複素環基の場合である。
【００９５】
３環以上の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基又は３環以上の２価の縮合多環系複素環基をＸとし、単環若しくは２環性の２価の芳香族炭化水素基、単環若しくは２環性の２価の複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基をＹとした場合、３つの連続する繰返し単位に着目すると、高分子中には下記の８種類のシーケンスが存在する。
−Ｘ−Ｘ−Ｘ−        （Ｓ１）
−Ｘ−Ｘ−Ｙ−        （Ｓ２）
−Ｘ−Ｙ−Ｘ−        （Ｓ３）
−Ｘ−Ｙ−Ｙ−        （Ｓ４）
−Ｙ−Ｘ−Ｘ−        （Ｓ５）
−Ｙ−Ｘ−Ｙ−        （Ｓ６）
−Ｙ−Ｙ−Ｘ−        （Ｓ７）
−Ｙ−Ｙ−Ｙ−        （Ｓ８）
上記式（１）で表される繰り返し単位を主成分として含むということは、下記の通りである。
（Ｓ３）＞（Ｓ１）かつ（Ｓ３）≧（Ｓ２）かつ（Ｓ３）＞（Ｓ４）かつ
（Ｓ３）≧（Ｓ５）かつ（Ｓ３）＞（Ｓ６）かつ（Ｓ３）＞（Ｓ７）かつ
（Ｓ３）＞（Ｓ８）
【００９６】
例えば、ＸとＹの交互共重合体は含まれない。下記式（５）で表される化合物を重合することにより得られた高分子化合物が好ましい。
Ｗ１−Ｘ１−Ｙ１−Ｘ２−Ｗ２          （５）
（式中、Ｘ１、Ｘ２及びＹ１はそれぞれ上記と同じである。Ｗ１及びＷ２はそれぞれ独立に、重合に関与しうる置換基を表す。）
また、上記式（１）で表される繰返しのみからなる高分子化合物、又は上記式（１）で表される繰返し単位とそれ以外の繰返し単位からなる高分子化合物であって、上記式（１）で表される繰返し単位を５０％を超えるモル比で含む共重合体が好ましい。
この場合、上記式（１）で表される繰返し単位の割合をα、それ以外の繰返し単位の割合をβとすると、下記式の関係が成り立ち、上記式（１）で表される繰返し単位を主成分として含む。
α＞β
−Ｘ−Ｙ−Ｘ−（Ｓ３）で表されるシーケンスの数：α
−Ｕ−Ｘ−Ｙ−で表されるシーケンス（（Ｓ２）と（Ｓ６）の和）の数：α
（−Ｕ−Ｘ−Ｙ−Ｘ−に由来する構造）
−Ｙ−Ｘ−Ｕ−で表されるシーケンス（（Ｓ５）と（Ｓ６）の和）の数：α
（−Ｘ−Ｙ−Ｘ−Ｕ−に由来する構造）
その他のシーケンスの数：β−２
全体のシーケンスの和：３α＋β−２
（式中、ＵはＸでもＹでもよい）
【００９７】
また、本発明の高分子化合物は上記式（１）で表される繰返し単位が左右対称又はＣ２対称であることが好ましい。
【００９８】
上記式（１）で表される繰返し単位が左右対称であるとは、下記式において紙面上の分子の中心軸（Ｃａ軸）を含む紙面に垂直な面に対して該繰返し単位が対称である場合を指す。また、Ｃ２対称であるとは、下記式をＣａ軸（二回軸）を中心に１８０°回転した時に、回転前と回転後の構造が一致する場合を指す。
2006225556.tif 000064
【００９９】
上記式（１）で表される繰返し単位が左右対称である場合の例示としては、下記式で表されるものが例示される。ただし、対称性を失わない範囲で置換基を有していても、炭素原子が他の原子で置換されていてもよい。
【０１００】
2006225556.tif 000065
【０１０１】
2006225556.tif 000066
【０１０２】
2006225556.tif 000067
【０１０３】
上記式（１）で表される繰返し単位がＣ２対称である場合の例示としては、下記式で表されるものが例示される。ただし、対称性を失わない範囲で置換基を有していても、炭素原子が他の原子で置換されていてもよい。
2006225556.tif 000068
【０１０４】
上記式（１）で表される繰返し単位中、Ｘ１及びＸ２で表される繰返し単位が左右対称でもＣ２対称でもないとは、上記のいずれの対称性も有しない場合を指す。
【０１０５】
Ｘ１及びＸ２で表される繰返し単位は左右非対称でもＣ２対称でもない場合が好ましい。
【０１０６】
本発明の高分子化合物は、素子にした時の電荷の注入・輸送性の制御、発光色の調整、発光効率を高める観点、耐熱性の向上の観点などから、下記式（６）、（７）、（８）及び／又は（９）で表される繰返し単位を含む場合が好ましい。該繰返し単位は、上記Ｙ１又はＹ２として含まれていてもよいし、又はＹ１及びＹ２とは別個の繰返し単位として含まれていてもよい。
【０１０７】
−Ａｒ１−                          （６）
−（Ａｒ２−Ｘ３）ｋ−Ａｒ３−        （７）
−Ａｒ４−Ｘ４−                    （８）
−Ｘ５−                            （９）
【０１０８】
式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４はそれぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｘ３、Ｘ４及びＸ５はそれぞれ独立に、−ＣＲ９＝ＣＲ１０−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ１１）−、又は（ＳｉＲ１２Ｒ１３）ｍ−を表す。Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はアリールアルキル基を示す。ｋは１又は２を表す。ｍは１〜１２の整数を表す。Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１０９】
ここでアリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基が挙げられる。
アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常６〜１００程度である。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（下図の式４〜１３）、アントラセン−ジイル基（下図の式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（下図の式２０〜２５）、フルオレン−ジイル基（下図の式３６〜３８）、ターフェニル−ジイル基（下図の式２６〜２８）、縮合環化合物基（下図の式２９〜３５）、スチルベン−ジイル（下図の式Ａ〜Ｄ），ジスチルベン−ジイル（下図の式Ｅ及びＦ）などが例示される。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン−ジイル基、スチルベン−ジイル基が好ましい。
【０１１０】
2006225556.tif 000069
【０１１１】
2006225556.tif 000070
【０１１２】
2006225556.tif 000071
【０１１３】
2006225556.tif 000072
【０１１４】
2006225556.tif 000073
【０１１５】
2006225556.tif 000074
【０１１６】
また、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４における２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団を言い、該基は置換基を有していてもよい。
ここに複素環化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものを言う。２価の複素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい。
置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基が挙げられる。
２価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常３〜６０程度である。また、２価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常３〜１００程度である。
【０１１７】
２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として窒素を含む２価の複素環基である、ピリジンジイル基（下図の式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（下図の式４５〜４８）、キノリンジイル基（下図の式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下図の式６４〜６８）、アクリジンジイル基（下図の式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下図の式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（下図の式７６〜７８）など。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式７９〜９３）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基（下図の式９４〜９８）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素基（下図の式９９〜１１０）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基で、そのヘテロ原子のα位で結合して２量体やオリゴマーになっている基（下図の式１１１〜１１２）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基で、そのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（下図の式１１３〜１１９）。
ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基（下図の式１２０〜１２５）。
【０１１８】
2006225556.tif 000075
【０１１９】
2006225556.tif 000076
【０１２０】
2006225556.tif 000077
【０１２１】
2006225556.tif 000078
【０１２２】
2006225556.tif 000079
【０１２３】
2006225556.tif 000080
【０１２４】
2006225556.tif 000081
【０１２５】
2006225556.tif 000082
【０１２６】
2006225556.tif 000083
【０１２７】
2006225556.tif 000084
【０１２８】
また、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４における金属錯体構造を有する２価の基の定義及び例示はＹ１における定義及び例示と同様である。
【０１２９】
上記の式１〜１２５において、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。また、式１〜１３２の基が有する炭素原子は、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
【０１３０】
上記式（６）で示される好ましい繰り返し単位であるアリーレン基としては、下記式（１０）、式（１１）、式（１２）、式（１３）、式（１４）、又は式（１５）で示される繰り返し単位が好ましい。
2006225556.tif 000085
（式中、Ｒ１４は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。ｎは０〜４の整数を示す。Ｒ１４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000086
（式中、Ｒ１５及びＲ１６は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。Ｒ１５及びＲ１６がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000087
（式中、Ｒ１７及びＲ２０は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。ｑ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ１８及びＲ１９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。Ｒ１７及びＲ２０が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000088
（式中、Ｒ２１は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。ｓは０〜２の整数を示す。Ａｒ５及びＡｒ６はそれぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体構造を有する２価の基を示す。ｔ及びｕはそれぞれ独立に０又は１を示す。Ｘ４は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ２、Ｓｅ，又はＴｅを示す。Ｒ２１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
2006225556.tif 000089
（式中、Ｒ２２及びＲ２３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。ｖ及びｗはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｚ１２は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、Ｓｅ，Ｔｅ、Ｎ−Ｒ２４、又はＳｉＲ２５Ｒ２６を示す。Ｚ１３及びＺ１４は、それぞれ独立に、Ｎ又はＣ−Ｒ２７を示す。Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を示す。Ｒ２２及びＲ２３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
式（１４）で示される繰り返し単位の中央の５員環の例としては、チアジアゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、チオフェン、フラン、シロールなどが挙げられる。
【０１３１】
2006225556.tif 000090
（式中、Ｒ２８及びＲ３３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。ｘ及びｙはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ２９、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。Ａｒ７はアリーレン基、２価の複素環基、又は金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｒ２８及びＲ３３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
【０１３２】
また、上記式（７）で示される繰り返し単位の中で、下記式（１６）で示される繰り返し単位が、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点からも好ましい。
2006225556.tif 000091
（式中、Ａｒ８、Ａｒ９、Ａｒ１０及びＡｒ１１はそれぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を示す。Ａｒ１２、Ａｒ１３及びＡｒ１４はそれぞれ独立に、アリール基、又は１価の複素環基を示す。Ａｒ８、Ａｒ９、Ａｒ１０、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３及びＡｒ１４は置換基を有していてもよい。ｚ及びｚｚはそれぞれ独立に０又は正の整数を示す。）
【０１３３】
発光素子の安定性の観点や合成の行いやすさから、式（１６）で示される繰り返し単位を１種類以上含むことが好ましく、１種類又は２種類含むことがより好ましい。
【０１３４】
本発明において発光強度、素子寿命特性などの素子特性の観点から、前記式Ｘ１及びＸ２で示される繰返し単位の合計と、前記式（１６）で示される繰返し単位の合計のモル比は、９８：２〜６０：４０であることが好ましく、より好ましくは９５：５〜７０：３０である。
【０１３５】
上記式（１６）で示される繰り返し単位の具体例としては、以下の式１３３〜１４０で示されるものが挙げられる。
2006225556.tif 000092
【０１３６】
2006225556.tif 000093
【０１３７】
2006225556.tif 000094
【０１３８】
上記式においてＲはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を示す。
【０１３９】
上記式においてＲがアルキル基を含む置換基である場合、高分子化合物の有機溶媒への溶解性を高めるために、１つ以上に環状又は分岐のあるアルキル基が含まれることが好ましい。さらに、上記式においてＲがアリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらがさらに１つ以上の置換基を有していてもよい。
上記式１３３〜１４０で示される構造のうち、発光波長を調節する観点から、上記式１３４及び上記式１３７で示される構造が好ましい。
【０１４０】
上記式（１６）で示される繰り返し単位において、発光波長の調節、素子寿命などの素子特性の観点から、Ａｒ８、Ａｒ９、Ａｒ１０及びＡｒ１１がそれぞれ独立にアリーレン基であり、Ａｒ１２、Ａｒ１３及びＡｒ１４がそれぞれ独立にアリール基であるものが好ましい。
【０１４１】
Ａｒ８、Ａｒ９及びＡｒ１０としては、それぞれ独立に、無置換のフェニレン基、無置換のビフェニル基、無置換のナフチレン基、無置換のアントラセンジイル基である場合が好ましい。
【０１４２】
Ａｒ１２、Ａｒ１３及びＡｒ１４としては、有機溶媒への溶解性、素子特性等の観点から、それぞれ独立に、１つ以上の置換基を有するアリール基が好ましく、３つ以上の置換基を有するアリール基がより好ましい。Ａｒ１２、Ａｒ１３及びＡｒ１４が、置換基を３つ以上有するフェニル基、３つ以上の置換基を有するナフチル基又は３つ以上の置換基を有するアントラニル基であるものがより好ましい。Ａｒ１２、Ａｒ１３及びＡｒ１４が置換基を３つ以上有するフェニル基であるものがさらに好ましい。
【０１４３】
中でも、Ａｒ１２、Ａｒ１３及びＡｒ１４が、それぞれ独立に、下記式（１６−１）で表され、かつｚ＋ｚｚ≦３であるものが好ましく、ｚ＋ｚｚ＝１であるものがより好ましく、さらに好ましくはｚ＝１、ｚｚ＝０の場合である。
2006225556.tif 000095
（式中、Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇに含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。Ｒｈ及びＲｉは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇに含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。ベンゼン環上の隣接する２つの置換基は互いに結合して環を形成してもよい。）
【０１４４】
より好ましくは、上記式（１６−１）において、Ｒｅ及びＲｆがそれぞれ独立に、炭素数３以下のアルキル基、炭素数３以下のアルコキシ基、又は炭素数３以下のアルキルチオ基であり、かつＲｇが炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、又は炭素数１〜２０のアルキルチオ基であるものが挙げられる。
【０１４５】
前記式（１６）で示される繰り返し単位において、Ａｒ９が下記式（１６−２）又は（１６−３）であることが好ましい。
2006225556.tif 000096
（ここで、（１６−２）又は（１６−３）で示される構造に含まれるベンゼン環は、無置換のものが好ましいが、それぞれ独立に１個以上４個以下の置換基を有していてもよい。それら置換基は、互いに同一であっても、異なっていてもよい。また、複数の置換基が連結して環を形成していてもよい。また、該ベンゼン環に他の芳香族炭化水素環又は複素環が縮合していてもよい。）
【０１４６】
前記式（１６）で示される繰り返し単位として、特に好ましい具体例としては、以下の式１４１〜１４３で示されるものが挙げられる。
2006225556.tif 000097
式中、Ｒｅ、Ｒｆ、Ｒｇ、Ｒｈ及びＲｉは上記と同じである。
上記式（１６）の好ましい具体例としては、蛍光強度、発光波長の調整、耐熱性などの素子特性の観点から、下記式（２２）、（２３）、（２４）で示される繰り返し単位が好ましい。中でも式（２３）又は式（２４）が好ましく、もっとも好ましくは式（２４）で示される繰り返し単位である。
2006225556.tif 000098
【０１４７】
なお、本発明の高分子化合物としては、共役系高分子化合物が好ましい。ここに、共役系高分子化合物とは高分子化合物の主鎖骨格に沿って非局在π電子系が存在している高分子化合物を意味する。この非局在電子としては、２重結合の代わりに不対電子又は孤立電子対が共鳴に加わる場合もある。
【０１４８】
発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、上記式、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１及び式（６）〜式（１６）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。また、これらの繰り返し単位や他の繰り返し単位が、非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。結合構造としては、以下に示すもの、及び以下に示すもののうち２つ以上を組み合わせたものなどが例示される。ここで、Ｒは前記のものと同じ置換基から選ばれる基であり、Ａｒはヘテロ原子（酸素、硫黄、窒素、ケイ素、セレン）を含んでいてもよい炭素数６〜６０個の炭化水素基を示す。
2006225556.tif 000099
【０１４９】
また、本発明の高分子化合物は、ランダム、ブロック又はグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光又はりん光の量子収率の高い高分子発光体を得る観点からは、完全なランダム共重合体よりも、ブロック性を帯びたランダム共重合体やブロック又はグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【０１５０】
次に本発明の高分子化合物の製造方法について述べる。本発明の高分子化合物は、好ましくは下記式（５）で表される化合物を重合又は共重合することによって製造することができる。
Ｗ１−Ｘ１−Ｙ１−Ｘ２−Ｗ２          （５）
（式中、Ｘ１、Ｘ２及びＹ１はそれぞれ上記と同じである。Ｗ１、Ｗ２及びはそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。）
【０１５１】
−Ｘ１−Ｙ１−Ｘ２−  で表される構造としては、上記式（１）に例示の構造が挙げられる。
【０１５２】
上記式（５）で表される化合物のうち、好ましくは、下記式（１７）で表される化合物が好ましい。
2006225556.tif 000100
式中、Ａ３環及びＢ３環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｚ３はＡ３環とＢ３環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表す。Ｙ３は単環若しくは２環の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基、単環若しくは２環の２価の縮合多環系複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表し、２つのＡ３環に結合する。Ｗ３は重合に関与しうる置換基を表し、Ｂ３環に結合する。
【０１５３】
Ｗ１及びＷ２の重合に関与しうる置換基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、シリル基又は置換シリル基、スタニル基又は置換スタニル基、−Ｂ（ＯＨ）２、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等が挙げられる。
【０１５４】
ここに、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、好ましくは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子である。
【０１５５】
アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基などが例示される。
アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基などが例示される。
アリールアルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。
【０１５６】
ホウ酸エステル基としては、ジアルキルエステル、ジアリールエステル、ジアリールアルキルエステルが挙げられ、下記式で示される基が例示される。
2006225556.tif 000101
【０１５７】
スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ２Ｓ＋Ｍｅ２Ｘ−、−ＣＨ２Ｓ＋Ｐｈ２Ｘ−
（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｐｈはフェニル基を示す。）
【０１５８】
ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ２Ｐ＋Ｐｈ３Ｘ−（Ｘはハロゲン原子を示す。）
【０１５９】
ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ２ＰＯ（ＯＲ’）２（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ’はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基を示す。）
【０１６０】
モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。
【０１６１】
−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）におけるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【０１６２】
置換シリル基としては、シリル基（−ＳｉＨ３）の水素原子の１つ以上が、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基及びアリールアルキル基からなる群から選ばれる基で置換された基が挙げられ、その具体例としては、トリクロロシリル基、トリブロモシリル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、トリベンジルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチルシリル基、ジメチルフェニルシリル基が例示される。
【０１６３】
置換スタニル基としては、スタニル基（−ＳｎＨ３）の水素原子の１つ以上が、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基及びアリールアルキル基からなる群から選ばれる基で置換された基が挙げられ、その具体例としては、トリクロロスタニル基、トリメチルスタニル基、トリエチルスタニル基、トリ−ｎ−ブチルスタニル基、トリフェニルスタニル基、トリベンジルスタニル基が例示される。
【０１６４】
縮合重合に関与する置換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが、例えばＹａｍａｍｏｔｏカップリング反応など０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基が挙げられる。またＳｕｚｕｋｉカップリング反応などニッケル触媒あるいはパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル基、−Ｂ（ＯＨ）２などが挙げられる。
【０１６５】
本発明の製造方法は、具体的には、モノマーとなる、重合に関与する置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で重合させることを含む。例えば、“オルガニック  リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック  シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル  オブ  オルガノメタリック  ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー  ケミストリー  マクロモレキュラー  シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。
【０１６６】
本発明の高分子化合物の製造方法において、縮合重合させる方法としては、上記式（５）で表される化合物の重合に関与しうる置換基に応じて、既知の縮合反応を用いる。
【０１６７】
また、重合に関与しうる置換基を２つ以上有する上記式（５）以外で表される化合物の共存下に重合を実施することにより、共重合体を製造することができる。重合に関与しうる置換基を３つ以上有する化合物を共重合することにより分岐構造を有する高分子化合物を製造することができる。
【０１６８】
共重合相手として、好ましくは下記式（６−０）、（７−０）、（８−０）及び（９−０）の構造の化合物が例示される。
Ｗ−Ａｒ１−Ｗ                          （６−０）
Ｗ−（Ａｒ２−Ｘ３）ｋ−Ａｒ３−Ｗ        （７−０）
Ｗ−Ａｒ４−Ｘ４−Ｗ                    （８−０）
Ｗ−Ｘ５−Ｗ                            （９−０）
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、及びｋは上記と同じである。Ｗはそれぞれ独立に重合に関与しうる置換基を表す。）
【０１６９】
本発明の高分子化合物の重合による製造において、二重結合が生成する場合は、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を２つ以上有する化合物とホスホニウムメチル基を２つ以上有する化合物との、又はホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を２つ以上有する化合物とハロゲン原子を２つ以上有する化合物との、又はビニル基とハロゲン原子とを有する化合物のＨｅｃｋ反応による重合、モノハロゲン化メチル基を２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウムメチル基を２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミル基を２つ以上有する化合物とシアノ基を２つ以上有する化合物との、又はホルミル基とシアノ基とを有する化合物のＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、ホルミル基を２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合などの方法が例示される。
本発明の高分子化合物の縮合重合による製造において、主鎖に三重結合が生成する場合には、例えば、Ｓｏｎｏｇａｓｈｉｒａ反応が利用できる。
【０１７０】
また、二重結合や三重結合が生成しない場合には、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ３等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、又は適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。
【０１７１】
これらのうち、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、及びＳｕｚｕｋｉカップリング反応による重合、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応による重合、ニッケルゼロ価錯体による重合が、構造制御がしやすいので好ましい。中でも、分子量制御のしやすさの観点、共重合の場合の組成比制御のしやすさの観点からニッケルゼロ化錯体により重合する方法が好ましい。
【０１７２】
本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基から選ばれ、０価ニッケル錯体の存在下で縮合重合を行う製造方法が好ましい。
原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。
【０１７３】
例えば、原料化合物としてハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物を用いることにより、繰り返し単位の向きやシーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。
【０１７４】
また、本発明の製造方法の中で、縮合重合に関与する置換基がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、又はホウ酸エステル基から選ばれ、全原料化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（Ｊ）と、ホウ酸基（−Ｂ（ＯＨ）２）及びホウ酸エステル基のモル数の合計（Ｋ）の比が、実質的に１（通常  Ｋ／Ｊ  は０．７〜１．２の範囲）であり、ニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いて縮合重合を行う製造方法が好ましい。
具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物又はビス（アリールアルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
また、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物が挙げられる。
【０１７５】
例えば、原料化合物としてハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物を用いることにより、繰り返し単位の向きやシーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。
【０１７６】
有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
【０１７７】
溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジンなどのアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシドなどのアミド類などが例示される。溶媒は単一で、又はこれらの混合溶媒として用いてもよい。これらの中で、エーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルがさらに好ましい。
【０１７８】
反応を進行させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。アルカリ又は触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
【０１７９】
本発明の高分子化合物を高分子ＬＥＤ等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理を行うことが好ましい。本発明の高分子化合物の中では、０価ニッケル錯体により重合する方法により製造されたものが、分子量の制御、共重合時の組成比の制御のしやすさ等の観点から好ましい。
【０１８０】
上記式（５）で表される化合物は、例えば、
Ｈ−Ｘ１−Ｙ１−Ｘ２−Ｈ
（式中、Ｈは水素原子を表す。）
で表される化合物をハロゲン化剤によりハロゲン化する方法、
Ｗｐ１−Ｘ１−Ｙ１−Ｘ２−Ｗｐ２
（式中、Ｗｐ１及びＷｐ２はそれぞれＷ１及びＷ２に変換可能な水素以外の置換基を表す。）
で表される化合物を変換する方法、
下記の３つの化合物の共存下、縮合反応により製造する方法
Ｗ１−Ｘ１−Ｗ１１
Ｗ１２−Ｙ１−Ｗ１３
Ｗ１４−Ｘ２−Ｗ２
（式中、Ｗ１１、Ｗ１２、Ｗ１３及びＷ１４はそれぞれ独立に縮合反応に関与しうる置換基を表す。）
などにより製造することができる。
【０１８１】
左右対称又はＣ２対称の構造を有する下記式（１７−１）で表される化合物は、下記式（１８）及び（１９）で表される化合物を、遷移金属錯体の存在下に反応させることによって製造することができる。
2006225556.tif 000102
式中、Ａ３環及びＢ３環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。Ｚ３はＡ３環とＢ３環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基を表す。Ｙ３は単環若しくは２環の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基、単環若しくは２環の２価の縮合多環系複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基を表し、２つのＡ３環に結合する。Ｗ４はハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表し、Ｂ３環に結合する。
【０１８２】
2006225556.tif 000103
式中、Ａ３環、Ｂ３環、Ｚ３及びＹ３は上記と同じ。Ｗ４及びＷ５はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表すが、Ｗ４はＷ５と同じではない。Ｗ６はホウ酸基、ホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基、置換スタニル基、シリル基又は置換シリル基を表す。
【０１８３】
Ａ３環及びＢ３環における置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環の定義及び例示は、上記式（２）のＡ１環及びＢ１環と同様である。
Ｚ３におけるＡ３環とＢ３環と結合し、５員環、６員環又は７員環を形成する２価の基の定義及び例示は上記式（２）のＺ１及びＺ２と同様である。
Ｙ３における単環若しくは２環の２価の縮合多環系芳香族炭化水素基、単環若しくは２環の２価の縮合多環系複素環基、単環若しくは２環性の芳香族炭化水素、又は単環若しくは２環性の複素環基からなるアミン構造、又は金属錯体構造を有する２価の基の定義及び例示は上記式（２）のＹ１と同様である。
Ｗ４及びＷ５におけるハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基及びＷ６におけるホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基又は置換スタニル基、及びシリル基又は置換シリル基の定義及び例示は上記式（５）のＷ１及びＷ２と同様である。
【０１８４】
上記式（１８）で表される化合物としては、下記のものが例示される。
2006225556.tif 000104
式中、Ｔｓはｐ−トルエンスルホニル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。
【０１８５】
Ｗ４とＷ５の組み合わせとしては、臭素原子とヨウ素原子、臭素原子とトリフルオロメタンスルホネート基の組み合わせが好ましい。
【０１８６】
式中、下記式（１８−０）で表される構造の例示及び好ましい範囲としては、上記式（１）におけるＸ１及びＸ２に例示の基が挙げられる。
2006225556.tif 000105
【０１８７】
中でも好ましくは、上記式（３１）で表される化合物から２つの水素原子を除いた基であり、更に好ましくは（３２）、（３３）、（３４）又は（３５）で表される基であり、最も好ましくは（３２）で表される基である。
【０１８８】
上記式（１８）で表される化合物のうち、下記式（１８−１）で表される化合物は下記の工程で合成することができる。
2006225556.tif 000106
【０１８９】
また、上記式（１７−１）で表される化合物は、下記式（２０）及び（２１）で表される化合物を遷移金属錯体の存在下に反応させることによっても製造することができる。
【０１９０】
2006225556.tif 000107
式中、Ａ３環、Ｂ３環、Ｗ４、Ｚ３及びＹ３は上記と同じである。Ｗ７は−Ｂ（ＯＨ）２、ホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基、置換スタニル基、シリル基又は置換シリル基を表す。Ｗ８はハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表すが、Ｗ４はＷ８と同じではない。
【０１９１】
Ｗ７におけるホウ酸エステル基、−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、スタニル基又は置換スタニル基、シリル基又は置換シリル基、及びＷ８におけるハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基の定義及び例示は上記式（５）のＷ１及びＷ２と同様である。
【０１９２】
上記式（２０）で表される化合物としては、下記のものが例示される。
2006225556.tif 000108
2006225556.tif 000109
式中、Ｔｓはｐ−トルエンスルホニル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。Ｒｒ１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を表し、Ｒｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を表し、Ｒｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基及びアリールアルキル基を表す。Ｘｒ１は、ハロゲン原子を表す。
【０１９３】
Ｗ４とＷ１の組み合わせとしては、臭素原子と−Ｂ（ＯＨ）２基、臭素原子とホウ酸エステル基、臭素原子と−ＭｇＸで示される基（ここにＸはハロゲン原子を表す）、臭素原子とスタニル基又は置換スタニル基の組合せが好ましい。
【０１９４】
式中、下記式（２０−０）で表される構造の例示及び好ましい範囲としては、上記式（１）におけるＸ１及びＸ２に例示の基が挙げられる。
2006225556.tif 000110
【０１９５】
中でも好ましくは、上記式（３１）で表される化合物から２つの水素原子を除いた基であり、更に好ましくは（３２）、（３３）、（３４）又は（３５）で表される基であり、最も好ましくは（３２）で表される基である。
【０１９６】
上記式（２０）で表される化合物は例えば下記の工程で合成することができる。
2006225556.tif 000111
【０１９７】
次に本発明の高分子化合物の用途について説明する。
本発明の高分子化合物は、通常は、固体状態で蛍光又は燐光を発し、高分子発光体（高分子量の発光材料）として用いることができる。
また、本発明の高分子化合物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子ＬＥＤ用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。本発明の高分子発光体を用いた高分子ＬＥＤは、低電圧、高効率で駆動できる高性能の高分子ＬＥＤである。従って、該高分子ＬＥＤは液晶ディスプレイのバックライト、照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。
また、本発明の高分子化合物は、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜などの伝導性薄膜用材料としても用いることができる。
さらに、蛍光や燐光を発する発光性薄膜材料としても用いることができる。
【０１９８】
次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。
本発明の高分子ＬＥＤは、陽極及び陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が本発明の高分子化合物を含むことを特徴とする。
有機層（有機物を含む層）は、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。
【０１９９】
ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
【０２００】
有機層が発光層である場合、有機層である発光層がさらに正孔輸送性材料、電子輸送性材料又は発光性材料を含んでいてもよい。ここで、発光性材料とは、蛍光及び／又は燐光を示す材料のことをさす。
また、上記式（１）で表される繰返し単位を有する２種以上の高分子化合物の混合物であってもよい。
【０２０１】
本発明の高分子化合物と正孔輸送性材料と混合する場合には、その混合物全体に対して、正孔輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子材料と電子輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して電子輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。さらに、本発明の高分子化合物と発光性材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子化合物と発光性材料、正孔輸送性材料及び／又は電子輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、正孔輸送性材料と電子輸送性材料は、それらの合計で１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、本発明の高分子化合物の含有量は９９ｗｔ％〜２０ｗｔ％である。
【０２０２】
上記式（１）で表される繰返し単位を有する２種以上の高分子化合物の混合物で該高分子組成物において、好ましい例としては、上記式（１）で表される繰返し単位を含み上記式（１６）で表される繰返し単位を含まない高分子化合物と、前記式（１）及び（１６）で表される繰返し単位を含む高分子化合物との混合物である。
また、別の好ましい例としては、前記式（１）及び（１６）で表される繰返し単位を含む２種類の高分子化合物の混合物である。
【０２０３】
混合する正孔輸送性材料、電子輸送性材料、及び発光性材料は、公知の低分子化合物、三重項発光錯体、又は高分子化合物が使用できるが、高分子化合物を用いることが好ましい。高分子化合物の正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び発光性材料としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開平２００１−１８１６１８、特開平２００１−１２３１５６、特開平２００１−３０４５、特開平２０００−３５１９６７、特開平２０００−３０３０６６、特開平２０００−２９９１８９、特開平２０００−２５２０６５、特開平２０００−１３６３７９、特開平２０００−１０４０５７、特開平２０００−８０１６７、特開平１０−３２４８７０、特開平１０−１１４８９１、特開平９−１１１２３３、特開平９−４５４７８等に開示されているポリフルオレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体及び共重合体、芳香族アミン及びその誘導体の（共）重合体が例示される。
低分子化合物の蛍光性材料としでは、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン若しくはその誘導体、又はテトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
【０２０４】
三重項発光錯体としては、例えば、イリジウムを中心金属とするＩｒ（ｐｐｙ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、白金を中心金属とするＰｔＯＥＰ、ユーロピウムを中心金属とするＥｕ（ＴＴＡ）３ｐｈｅｎ等が挙げられる。
【０２０５】
2006225556.tif 000112
【０２０６】
2006225556.tif 000113
【０２０７】
2006225556.tif 000114
【０２０８】
2006225556.tif 000115
三重項発光錯体は、具体的には、例えばＮａｔｕｒｅ，（１９９８），３９５，１５１、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．（１９９９），７５（１），４、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．（２００１），４１０５（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  ＩＶ），１１９、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（２００１），１２３，４３０４、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，（１９９７），７１（１８），２５９６、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９８），９４（１），１０３、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９９），９９（２），１３６１、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，（１９９９），１１（１０），８５２、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３４，１８８３（１９９５）などに記載されている。
【０２０９】
本発明の組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料、及び発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の高分子化合物とを含有し、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。
その正孔輸送材料、電子輸送材料、及び発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の高分子化合物との含有比率は、用途に応じて決めればよいが、発光材料の用途の場合は、上記の発光層におけると同じ含有比率が好ましい。
【０２１０】
本発明の高分子ＬＥＤが有する発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２１１】
発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
【０２１２】
印刷法等で用いる溶液（インク組成物）としては、少なくとも１種類の本発明の高分子化合物が含有されていればよく、また本発明の高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の高分子化合物の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して、通常は２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
またインク組成物中に溶媒が含まれる場合の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して、１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．５ｗｔ％であり、さらに好ましく８０ｗｔ％〜９９．０ｗｔ％である。
インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などインク組成物中が吐出装置を経由する場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために、粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましく、５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることがより好ましく、７〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることがさらに好ましい。
【０２１３】
本発明の溶液は、発明の高分子化合物の他に、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤を含有していてもよい。該添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の高分子化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤などを適宜組み合わせて使用すればよい。
【０２１４】
前記の高分子量の高分子化合物としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、又は本発明の高分子化合物のうち分子量が大きいものなどを用いることができる。重量平均分子量が５０万以上が好ましく、１００万以上がより好ましい。
貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。すなわち、溶液中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、溶液全体に対して５０ｗｔ％以下であることが好ましく、３０ｗｔ％以下であることが更に好ましい。
【０２１５】
また、本発明の溶液は、保存安定性を改善するために、本発明の高分子化合物の他に、酸化防止剤を含有していてもよい。酸化防止剤としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などが例示される。
【０２１６】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。上記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが好ましい。
【０２１７】
溶媒の種類としては、有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。
【０２１８】
溶液中の溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。
【０２１９】
溶液中に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が２００℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、２種類の溶媒ともに、６０℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましい。
【０２２０】
溶液中に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１〜２種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が２００℃以上３００℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、６０℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において１ｗｔ％以上の高分子化合物が溶解することが好ましい。
【０２２１】
溶液中に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、溶液中の全溶媒の重量の４０〜９０ｗｔ％であることが好ましく、５０〜９０ｗｔ％であることがより好ましく、６５〜８５ｗｔ％であることがさらに好ましい。
【０２２２】
本発明の溶液としては、粘度及び成膜性の観点から、アニソール及びビシクロヘキシルからなる溶液、アニソール及びシクロヘキシルベンゼンからなる溶液、キシレン及びビシクロヘキシルからなる溶液、キシレン及びシクロヘキシルベンゼンからなる溶液が好ましい。
【０２２３】
高分子化合物の溶媒への溶解性の観点から、溶媒の溶解度パラメータと、高分子化合物の溶解度パラメータとの差が１０以下であることをが好ましく、７以下であることがより好ましい。
【０２２４】
溶媒の溶解度パラメーターと高分子化合物の溶解度パラメーターは、「溶剤ハンドブック（講談社刊、１９７６年）」に記載の方法で求めることができる。
【０２２５】
溶液中に含まれる本発明の高分子化合物は、１種類でも２種類以上でもよく、素子特性等を損なわない範囲で本発明の高分子化合物以外の高分子化合物を含んでいてもよい。
【０２２６】
溶液中に含まれる本発明の高分子化合物が１種類の場合は、素子特性等の観点から、上記式（１）で示される繰り返し単位を１種類と上記式（１３）で示される繰り返し単位を１種類又は２種類含む高分子化合物であることが好ましく、上記式（１６）で示される繰り返し単位を１種類と上記式（１３）で示される繰り返し単位を１種類又は２種類含む高分子化合物であることがより好ましい。上記式（１３）で示される繰り返し単位の少なくとも１種類は、上記式（１７）又は上記式（２０）で示される繰り返し単位であることが好ましく、上記式（１７）で示される繰り返し単位であることがより好ましい。
【０２２７】
本発明の溶液には、水、金属及びその塩を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。金属としては、具体的には、リチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等が挙げられる。また、ケイ素、リン、フッ素、塩素、臭素を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。
【０２２８】
本発明の溶液を用いて、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等により薄膜を作製することができる。中でも、本発明の溶液をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法により成膜する用途に用いることが好ましく、インクジェット法で成膜する用途に用いることがより好ましい。
【０２２９】
本発明の溶液を用いて薄膜を作製する場合、溶液に含まれる高分子化合物のガラス転移温度が高いため、１００℃以上の温度でベークすることが可能であり、１３０℃の温度でベークしても素子特性の低下が非常に小さい。また、高分子化合物の種類によっては、１６０℃以上の温度でベークすることも可能である。
【０２３０】
本発明の溶液を用いて作製できる薄膜としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が例示される。
【０２３１】
本発明の発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が５０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがさらに好ましい。
【０２３２】
本発明の導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物などをドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□であることがさらに好ましい。
【０２３３】
本発明の有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きい方が、１０−５ｃｍ２／Ｖ／秒以上であることが好ましい。より好ましくは、１０−３ｃｍ２／Ｖ／秒以上であり、さらに好ましくは、１０−１ｃｍ２／Ｖ／秒以上である。
ＳｉＯ２などの絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に該有機半導体薄膜を形成し、Ａｕなどでソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。
【０２３４】
本発明の高分子発光素子は、素子の輝度等の観点から陽極と陰極との間に３．５Ｖ以上の電圧を印加したときの最大外部量子収率が１％以上であることが好ましく、１．５％以上がより好ましい。
【０２３５】
また、本発明の高分子発光素子（以下、高分子ＬＥＤ）としては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。
【０２３６】
例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【０２３７】
本発明の高分子ＬＥＤとしては、本発明の高分子化合物が正孔輸送層及び／又は電子輸送層に含まれているものも含む。
本発明の高分子化合物が正孔輸送層に用いられる場合には、本発明の高分子化合物が正孔輸送性基を含む高分子化合物であることが好ましく、その具体例としては、芳香族アミンとの共重合体、スチルベンとの共重合体などが例示される。
また、本発明の高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合には、本発明の高分子化合物が電子輸送性基を含む高分子化合物であることが好ましい。その具体例としては、オキサジアゾールとの共重合体、トリアゾールとの共重合体、キノリンとの共重合体、キノキサリンとの共重合体、ベンゾチアジアゾールとの共重合体などが例示される。
【０２３８】
本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などが例示される。
【０２３９】
具体的には、該正孔輸送性材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２４０】
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送性材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等の高分子正孔輸送性材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。
【０２４１】
また、低分子化合物の正孔輸送性材料としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送性材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０２４２】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【０２４３】
ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。
【０２４４】
ポリシラン若しくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【０２４５】
ポリシロキサン若しくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。
【０２４６】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２４７】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
【０２４８】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２４９】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２５０】
本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送性材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が例示される。
【０２５１】
具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２５２】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、又はポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０２５３】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法が、それぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。
【０２５４】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
【０２５５】
溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２５６】
本発明の高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。
【０２５７】
高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板の材質としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。
【０２５８】
電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば特開平５−１１００６９号公報記載の方法により製造することができる。
【０２５９】
活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の高分子を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。高分子を有機溶剤に溶解した溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。
【０２６０】
高分子電界効果トランジスタを作成後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界トランジスタの特性の低下を抑えることができる。
封止する方法としては、ＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜などでカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂などで張り合わせる方法などが挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作成後封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中などで）行うことが好ましい。
【０２６１】
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２６２】
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
【０２６３】
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して、前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよい。また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、及び各層の厚さは、発光効率や素子寿命を勘案して適宜決めることができる。
【０２６４】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｇ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｊ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｋ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｍ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｎ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｐ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
【０２６５】
本発明の高分子ＬＥＤとしては、前述のとおり、本発明の高分子化合物が正孔輸送層及び／又は電子輸送層に含まれているものも含む。
また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、本発明の高分子化合物が正孔注入層及び／又は電子注入層に含まれているものも含む。本発明の高分子化合物が正孔注入層に用いられる場合には、電子受容性化合物と共に用いられることが好ましい。また、本発明の高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合には、電子供与性化合物と共に用いられることが好ましい。ここで、共に用いるためには、混合、共重合、側鎖としての導入などの方法がある。
【０２６６】
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。
【０２６７】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０３以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０２以下がより好ましく、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０１以下がさらに好ましい。
【０２６８】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０３Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０２Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０１Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０３以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０２６９】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０２７０】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。
【０２７１】
膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０２７２】
具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
本発明の高分子ＬＥＤは、上記ａ）〜ａｂ）に例示した素子構造において、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のうちのいずれかに、本発明の高分子化合物を含むものが挙げられる。
【０２７３】
本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。
【０２７４】
通常本発明の高分子ＬＥＤが有する陽極及び陰極の少なくとも一方が透明又は半透明である。陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【０２７５】
本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、それらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２７６】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。
【０２７７】
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより、製造工程で吸着した水分が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０２７８】
本発明の高分子ＬＥＤは面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一方又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
【０２７９】
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０２８０】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（数平均分子量及び重量平均分子量）
ここで、数平均分子量及び重量平均分子量は、ＧＰＣ（島津製作所製：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量として求めた。測定する重合体は、約０．５ｗｔ％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
【０２８１】
（蛍光スペクトル）
蛍光スペクトルの測定は以下の方法で行った。重合体の０．８ｗｔ％トルエン又はクロロホルム溶液を石英上にスピンコートして重合体の薄膜を作製した。この薄膜を３５０ｎｍの波長で励起し、蛍光分光光度計（堀場製作所製Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ（商標））を用いて蛍光スペクトルを測定した。薄膜での相対的な蛍光強度を得るために、水のラマン線の強度を標準に、波数プロットした蛍光スペクトルをスペクトル測定範囲で積分して、分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製  Ｃａｒｙ５Ｅ）を用いて測定した、励起波長での吸光度で割り付けた値を求めた。
【０２８２】
（ガラス転移温度）
ガラス転移温度はＤＳＣ（ＤＳＣ２９２０、ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製）により求めた。
【０２８３】
合成例１    ＜化合物Ｅの合成＞
（化合物Ａの合成）
2006225556.tif 000116
不活性雰囲気下、３００ｍｌ三つ口フラスコに１‐ナフタレンボロン酸５．００ｇ（２９ｍｍｏｌ）、２−ブロモベンズアルデヒド６．４６ｇ（３５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１０．０ｇ（７３ｍｍｏｌ）、トルエン３６ｍｌ、イオン交換水３６ｍｌを入れ、室温で撹拌しつつ２０分間アルゴンでバブリングした。続いてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１６．８ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）を入れ、さらに室温で撹拌しつつ１０分間アルゴンでバブリングした。１００℃に昇温し、２５時間反応させた。室温まで冷却後、トルエンで有機層を抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。トルエン：シクロヘキサン＝１：２混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ａ５．１８ｇ（収率８６％）を白色結晶として得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ７．３９〜７．６２（ｍ、５Ｈ）、７．７０（ｍ、２Ｈ）、７．９４（ｄ、２Ｈ）、８．１２（ｄｄ、２Ｈ）、９．６３（ｓ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）＋  ２３３
【０２８４】
（化合物Ｂの合成）
2006225556.tif 000117
不活性雰囲気下で３００ｍｌの三つ口フラスコに化合物Ａ  ８．００ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）と脱水ＴＨＦ４６ｍｌを入れ、−７８℃まで冷却した。続いてｎ−オクチルマグネシウムブロミド（１．０ｍｏｌ／ｌＴＨＦ溶液）５２ｍｌを３０分かけて滴下した。滴下終了後０℃まで昇温し、１時間撹拌後、室温まで昇温して４５分間撹拌した。氷浴して１Ｎ塩酸２０ｍｌを加えて反応を終了させ、酢酸エチルで有機層を抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去した後トルエン：ヘキサン＝１０：１混合溶媒を展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｂ７．６４ｇ（収率６４％）を淡黄色のオイルとして得た。ＨＰＬＣ測定では２本のピークが見られたが、ＬＣ−ＭＳ測定では同一の質量数であることから、異性体の混合物であると判断した。
【０２８５】
（化合物Ｃの合成）
2006225556.tif 000118
不活性雰囲気下、５００ｍｌ三つ口フラスコに化合物Ｂ（異性体の混合物）５．００ｇ（１４．４ｍｍｏｌ）と脱水ジクロロメタン７４ｍｌを入れ、室温で撹拌、溶解させた。続いて、三フッ化ホウ素のエーテラート錯体を室温で１時間かけて滴下し、滴下終了後室温で４時間撹拌した。撹拌しながらエタノール１２５ｍｌをゆっくりと加え、発熱がおさまったらクロロホルムで有機層を抽出し、２回水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｃ３．２２ｇ（収率６８％）を無色のオイルとして得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ０．９０（ｔ、３Ｈ）、１．０３〜１．２６（ｍ、１４Ｈ）、２．１３（ｍ、２Ｈ）、４．０５（ｔ、１Ｈ）、７．３５（ｄｄ、１Ｈ）、７．４６〜７．５０（ｍ、２Ｈ）、７．５９〜７．６５（ｍ、３Ｈ）、７．８２（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３５（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）＋  ３２９
【０２８６】
（化合物Ｄの合成）
2006225556.tif 000119
不活性雰囲気下２００ｍｌ三つ口フラスコにイオン交換水２０ｍｌをいれ、撹拌しながら水酸化ナトリウム１８．９ｇ（０．４７ｍｏｌ）を少量ずつ加え、溶解させた。水溶液が室温まで冷却した後、トルエン２０ｍｌ、化合物Ｃ５．１７ｇ（１５．７ｍｍｏｌ）、臭化トリブチルアンモニウム１．５２ｇ（４．７２ｍｍｏｌ）を加え、５０℃に昇温した。臭化ｎ−オクチルを滴下し、滴下終了後５０℃で９時間反応させた。反応終了後トルエンで有機層を抽出し、２回水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｄ５．１３ｇ（収率７４％）を黄色のオイルとして得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ０．５２（ｍ、２Ｈ）、０．７９（ｔ、６Ｈ）、１．００〜１．２０（ｍ、２２Ｈ）、２．０５（ｔ、４Ｈ）、７．３４（ｄ、１Ｈ）、７．４０〜７．５３（ｍ、２Ｈ）、７．６３（ｍ、３Ｈ）、７．８３（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３１（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）＋  ４４１
【０２８７】
（化合物Ｅの合成）
2006225556.tif 000120
空気雰囲気下、５０ｍｌの三つ口フラスコに化合物Ｄ４．００ｇ（９．０８ｍｍｏｌ）と酢酸：ジクロロメタン＝１：１混合溶媒５７ｍｌを入れ、室温で撹拌、溶解させた。続いて三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム７．７９ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加えて撹拌しつつ、塩化亜鉛を三臭化ベンジルトリメチルアンモニウムが完溶するまで加えた。室温で２０時間撹拌後、５％亜硫酸水素ナトリウム水溶液１０ｍｌを加えて反応を停止し、クロロホルムで有機層を抽出し、炭酸カリウム水溶液で２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ヘキサンを展開溶媒とするフラッシュカラムで２回精製した後、エタノール：ヘキサン＝１：１、続いて１０：１混合溶媒で再結晶することにより、化合物Ｅ４．１３ｇ（収率７６％）を白色結晶として得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ０．６０（ｍ、２Ｈ）、０．９１（ｔ、６Ｈ）、１．０１〜１．３８（ｍ、２２Ｈ）、２．０９（ｔ、４Ｈ）、７．６２〜７．７５（ｍ、３Ｈ）、７．８９（ｓ、１Ｈ）、８．２０（ｄ、１Ｈ）、８．４７（ｄ、１Ｈ）、８．７２（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）＋  ５９８
実施例１    ＜化合物Ｆの合成＞
2006225556.tif 000121
窒素雰囲気下、５００ｍｌの三つ口フラスコに化合物Ｅ５．００ｇを２００ｍｌのテトラヒドロフランに溶解し、−１００℃に冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）５．２ｍｌを１５分で滴下した。３時間保温後、マグネシウムと１，２−ジブロモエタンから調製した臭化マグネシウム２．３０ｇを１０ｍｌのテトラヒドロフランに溶解させた溶液を滴下し、０℃まで昇温し、１時間保温した。再度−７８℃まで冷却し、トリメトキシボラン１．３２ｇを７ｍｌのテトラヒドロフランに溶解させた溶液を滴下した。１時間保温後、冷浴を外し、３時間攪拌した。アルミナを通して無機塩を除き、溶媒を留去したところ、５．６７ｇの化合物Ｆの粗生成物を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ０．５２（ｂｒｓ、４Ｈ）、０．８２（ｔ、６Ｈ）、１．００〜１．１９（ｍ、２０Ｈ）、１．９７〜２．０４（ｍ、４Ｈ）７．４８〜７．５６（ｍ、４Ｈ）、７．６４（ｔ、１Ｈ）、７．９６（ｄ、１Ｈ）、８．１６（ｄ、１Ｈ）、８．６８（ｄ、１Ｈ）
実施例２    ＜化合物Ｇの合成＞
2006225556.tif 000122
窒素雰囲気下、５０ｍｌ２口フラスコに炭酸カリウム０．６２ｇ、水３．５ｍｌ、トルエン３．５ｍｌ、１，４−ジヨードベンゼン０．５０ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．０３ｇ、化合物Ｆ１．７０ｇを取り、７０℃で８時間攪拌した。室温まで冷却後、水５ｍｌ加えて分液し、水相をさらに５ｍｌのトルエンで２回抽出した。有機相を合わせ、水、飽和食塩水で洗浄後、溶媒を留去したところ、１．３４ｇの粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサンのみ）で精製後、０．４４ｇの化合物Ｇを得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ０．６３（ｂｒｓ、８Ｈ）、０．８０（ｔ、１２Ｈ）、０．８８〜１．２０（ｍ、４０Ｈ）、２．０７（ｂｒｓ、８Ｈ）、７．５３〜７．６１（ｍ、８Ｈ）、７．６８〜７．７３（ｍ、６Ｈ）、８．２０〜８．２５（ｍ、４Ｈ）、８．７７（ｄ、２Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：［Ｍ］＋  １１１１
実施例３    ＜化合物Ｈの合成＞
2006225556.tif 000123
窒素雰囲気下、５００ｍｌ３口フラスコに化合物Ｅ１０．００ｇ、テトラヒドロフラン１００ｍｌを取り、−４０〜−５０℃に保温し、１０．９ｍｌのｎ−ブチルリチウム（１．５４Ｍヘキサン溶液）を２０分で滴下した。１５分保温後、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン３．６１ｇを１８ｍｌのテトラヒドロフランに溶解させた溶液を滴下した。１時間保温後、０℃まで昇温し３０分保温した。１規定塩酸５０ｍｌを滴下し、トルエン１００ｍｌを加え分液した。水相をさらに１００ｍｌのトルエンで抽出し、有機相を合わせ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過で硫酸ナトリウムを除き、溶媒を留去したところ、１１．２２ｇの化合物Ｈを黄色粘性オイルとして得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ０．５０（ｂｒｓ、４Ｈ）、０．８０（ｔ、６Ｈ）、１．００〜１．２７（ｍ、２０Ｈ）、１．４６（ｓ、１２Ｈ）、１．９７〜２．１４（ｍ、４Ｈ）７．５４〜７．６５（ｍ、４Ｈ）、８．０３（ｓ、１Ｈ）、８．１９（ｄ、１Ｈ）、８．６６（ｄ、１Ｈ）、８．９２（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：［Ｍ］＋  ６４４
実施例４    ＜化合物Ｇの合成（別法）＞
窒素雰囲気下、１００ｍｌ３口フラスコに化合物Ｈ１．１２ｇ、トルエン６ｍｌ、水３ｍｌ、１，４−ジヨードベンゼン０．２０ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１４ｍｇ、水酸化カリウム０．５９ｇ、臭化テトラブチルアンモニウム４８ｍｇを取り、６０℃で５時間保温した。室温まで冷却後、分液し、水相をトルエンで抽出した。有機相を合わせ、水、飽和食塩水で洗浄し、シリカゲルを敷いたグラスフィルターを通した後、溶媒を留去したところ、１．０２ｇの化合物Ｇを得た。
実施例５  ＜化合物Ｉの合成＞
2006225556.tif 000124
窒素雰囲気下、２００ｍｌ３口フラスコに化合物Ｅ３．００ｇをとり、３０ｍｌのテトラヒドロフランに溶解させた。−４０〜−５０℃に保温し、ｎ−ブチルリチウム３．３ｍｌ（１．５４Ｍヘキサン溶液）を１５分で滴下した。滴下後１５分保温し、ヨウ素１．５０ｇを加えた。室温まで昇温し、４時間攪拌後、５％塩酸２０ｍｌを滴下し、３０ｍｌのトルエンで２回抽出した。有機相を合わせ、飽和亜硫酸水素ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄後、シリカゲルを敷いたグラスフィルターを通した後、溶媒を留去したところ、３．３６ｇの化合物Ｉを得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ０．５１（ｂｒｓ、４Ｈ）、０．７９（ｔ、６Ｈ）、１．０１〜１．２４（ｍ、２０Ｈ）、１．９９（ｔ、４Ｈ）７．４８〜７．６８（ｍ、４Ｈ）、８．０９（ｓ、１Ｈ）、８．１２（ｄ、１Ｈ）、８．２４（ｄ、１Ｈ）、８．５８（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：［Ｍ］＋  ６４４
【０２８８】
合成例２  ＜化合物Ｌの合成＞
（化合物Ｊの合成）
2006225556.tif 000125
不活性雰囲気下で、５００ｍｌの３つ口フラスコに酢酸２２５ｇを入れ、５−ｔ−ブチル−ｍ−キシレン２４．３ｇを加えた。続いて臭素３１．２ｇを加えた後、１５〜２０℃で３時間反応させた。
反応液を水５００ｍｌに加え析出した沈殿をろ過した。水２５０ｍｌで２回洗浄し、白色固体の化合物Ｊを３４．２ｇを得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：
δ（ｐｐｍ）＝１．３〔ｓ，９Ｈ〕、２．４〔ｓ，６Ｈ〕、７．１〔ｓ，２Ｈ〕
ＭＳ（ＦＤ＋）Ｍ＋  ２４１
【０２８９】
（化合物Ｋの合成）
2006225556.tif 000126
不活性雰囲気下で、１００ｍｌの３つ口フラスコに脱気した脱水トルエン３６ｍｌを入れ、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン０．６３ｇを加えた。続いてトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム  ０．４１ｇ、化合物Ｊ９．６ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム５．２ｇ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン４．７ｇを加えた後、１００℃で３時間反応させた。
反応液を飽和食塩水３００ｍｌに加え、約５０℃に温めたクロロホルム３００ｍｌで抽出した。溶媒を留去した後、トルエン１００ｍｌを加えて、固体が溶解するまで加熱し、放冷した後、沈殿をろ過し、白色固体の化合物Ｋ９．９ｇを得た。
【０２９０】
（化合物Ｌの合成）
2006225556.tif 000127
不活性雰囲気下で、１０００ｍｌの３つ口フラスコに脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３５０ｍｌを入れ、化合物Ｋ５．２ｇを溶解した後、氷浴下でＮ−ブロモスクシンイミド３．５ｇ／Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液を滴下し、一昼夜反応させた。
反応液に水１５０ｍｌを加え、析出した沈殿をろ過し、メタノール５０ｍｌで２回洗浄し白色固体の化合物Ｌ４．４ｇを得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＴＨＦ−ｄ８）：
δ（ｐｐｍ）＝１．３〔ｓ，１８Ｈ〕、２．０〔ｓ，１２Ｈ〕、６．６〜６．７〔ｄ，４Ｈ〕、６．８〜６．９〔ｂｒ，４Ｈ〕、７．１〔ｓ，４Ｈ〕、７．２〜７．３〔ｄ，４Ｈ〕
ＭＳ（ＦＤ＋）Ｍ＋  ７３８
【０２９１】
合成例３  ＜化合物Ｎの合成＞
（化合物Ｍの合成）
2006225556.tif 000128
不活性雰囲気下で、３００ｍｌの３つ口フラスコに脱気した脱水トルエン１６６０ｍｌを入れ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン２７５．０ｇ、化合物Ｊ４４９．０ｇを加えた。続いてトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム  ７．４８ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１９６．４ｇ、を加えた後、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン５．０ｇを加えた。その後、１０５℃で７時間反応させた。
反応液にトルエン２０００ｍｌを加え、セライト濾過し、濾液を水１０００ｍｌで３回洗浄した後、７００ｍｌまで濃縮した。これにトルエン／メタノール（１：１）溶液１６００ｍｌを加え、析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄した。白色固体の化合物Ｍ４７９．４ｇを得た。
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）＋  ６５７．４
（化合物Ｎの合成）
2006225556.tif 000129
不活性雰囲気下で、クロロホルム４７３０ｇに、化合物Ｍ４７２．８ｇを溶解した後、遮光及び氷浴下でＮ−ブロモスクシンイミド２８１．８ｇを１２分割で１時間かけて仕込み、３時間反応させた。
クロロホルム１４３９ｍｌを反応液に加え、濾過し、濾液のクロロホルム溶液を５％チオ硫酸ナトリウム２１５９ｍｌで洗浄し、トルエンを溶媒留去して白色結晶を得た。得られた白色結晶をトルエン／エタノールで再結晶し、白色結晶の化合物Ｎ６７８．７ｇを得た。
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）＋  ８１５．２
【０２９２】
実施例６  ＜高分子化合物１の合成＞
化合物Ｇ  ９．０ｇと２，２’−ビピリジル３．３６ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）１５００ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を６．０ｇ加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この反応溶液を冷却した後、この溶液に、２５％アンモニア水１００ｍｌ／メタノール５００ｍｌ／イオン交換水５００ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、１規定塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、約３％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。
次に、生成した沈殿を回収し、メタノールで洗浄した後、この沈殿を減圧乾燥して、重合体６．０ｇを得た。この重合体を高分子化合物１と呼ぶ。得られた高分子化合物１のポリスチレン換算数平均分子量及び重量平均分子量はそれぞれＭｎ＝８．１ｘ１０４、Ｍｗ＝６．４ｘ１０５であった。Ｔｇは１６１℃であった。
【０２９３】
実施例７  ＜高分子化合物２の合成＞
化合物Ｇ（３．１０ｇ、２．７８ｍｍｏｌ）、化合物Ｎ（１．９３ｇ、２．３７ｍｍｏｌ）及び２，２’−ビピリジル（２．１７ｇ、１３．９ｍｍｏｌ）を脱水したテトラヒドロフラン２２０ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。次に、攪拌を開始し５５℃まで昇温した後、窒素雰囲気下において、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝（３．８３ｇ、１３．９ｍｍｏｌ）を加え、６０℃まで昇温し、攪拌しながら３時間反応させた。反応後、この反応液を室温（約２５℃）まで冷却し、２５％アンモニア水１９ｍＬ／メタノール２２０ｍＬ／イオン交換水２２０ｍＬ混合溶液中に滴下して攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、その後、トルエン１５５ｍＬに溶解させてからろ過を行い、ろ液をアルミナカラムに通して精製し、トルエン層を、５．２％塩酸水約３００ｍＬで３時間、４％アンモニア水約３００ｍＬで２時間、さらにイオン交換水約３００ｍＬで洗浄した。有機層をメタノール約４６０ｍＬに滴下して１時間攪拌し、ろ過して２時間減圧乾燥した。収量は３．６５ｇであった。この重合体を高分子化合物２と呼ぶ。ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝５．６ｘ１０４、Ｍｗ＝３．３ｘ１０５であった。Ｔｇは２３４℃であった。
【０２９４】
実施例８  ＜高分子化合物３の合成＞
化合物Ｅ（０．７２１ｇ）、化合物Ｌ（０．４０８ｇ）、２，２’−ビピリジル（０．５０６ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン４３ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。６０℃まで昇温後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝（０．８９１ｇ）を加え、攪拌し、３時間反応させた。この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水４ｍＬ／メタノール４３ｍＬ／イオン交換水４３ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、トルエン３６ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライトを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。そして、得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。次に５．２％塩酸水７１ｍＬを加え３時間攪拌した後に水層を除去した。つづいて４％アンモニア水７１ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約７１ｍＬを加え１時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール１１３ｍｌに注加して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物３と呼ぶ）の収量は０．６４９ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝３．３ｘ１０４、Ｍｗ＝５．２ｘ１０５であった。Ｔｇは１５４℃であった。
【０２９５】
合成例４  ＜高分子化合物４の合成＞
化合物Ｅ９．８７５ｇ、２，２’−ビピリジル  ６．９５８ｇを脱水したテトラヒドロフラン１１８８ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において６０℃まで昇温し、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝１２．２５３ｇを加え、３時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水５９ｍｌ／メタノール１１８８ｍｌ／イオン交換水１１８８ｍｌ混合溶液中に滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥した、続いて同様に合成したもの（但し、スケールは１．０９倍）２バッチと混合し、トルエン１５７５ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライト６．３０ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。次に５．２％塩酸水３０９８ｍＬを加え３時間攪拌した後に水層を除去した。続いて４％アンモニア水３０９８ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約３０９８ｍＬを加え１時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール４９３５ｍｌに注加して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物４と呼ぶ）の収量は１５．４６０ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝７．８ｘ１０４、Ｍｗ＝４．１ｘ１０５であった。Ｔｇは１２１℃であった。
【０２９６】
合成例５  ＜高分子化合物５の合成＞
化合物Ｅ  １．８８ｇと化合物Ｎ  １．１ｇと２，２’−ビピリジル１．６８ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）１５０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を３．０ｇを加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この反応溶液を冷却した後、この溶液に、２５％アンモニア水２０ｍｌ／メタノール１５０ｍｌ／イオン交換水１５０ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことにより精製した。次に、このトルエン溶液を、約３％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。
次に、生成した沈殿を回収し、この沈殿を減圧乾燥して、重合体１．１ｇを得た。この重合体を高分子化合物５と呼ぶ。得られた高分子化合物のポリスチレン換算数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝２．３ｘ１０４、Ｍｗ＝１．１ｘ１０５であった。Ｔｇは２２０℃であった。
【０２９７】
実施例９＜素子１の作成＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより、８０ｎｍの厚みで成膜を行い、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、重量比で高分子化合物１：高分子化合物２＝３：２の混合物のトルエン溶液を用いてスピンコートにより約８０ｎｍの厚みで成膜を行った。さらにこれを減圧下１１０℃にて乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍの厚みに蒸着し、陰極として、カルシウムを約５ｎｍの厚みに蒸着し、アルミニウムを約１５０ｎｍの厚みに蒸着してＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は、すべて１〜８×１０−６Ｔｏｒｒであった。得られた素子に電圧を引加することにより、４５５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、１０００ｃｄ／ｍ２におけるＣＩＥ１９３１で規格された色度座標は、ＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１３１，０．１４０）であり、初期輝度の４０％まで劣化させた後はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１４６，０．１４９）であった。
比較例１＜素子２の作成＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより、８０ｎｍの厚みで成膜を行い、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、重量比で高分子化合物４：高分子化合物５＝３：１の混合物のトルエン溶液を用いてスピンコートにより約７０ｎｍの厚みで成膜を行った。さらにこれを減圧下１１０℃にて乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍの厚みに蒸着し、陰極として、カルシウムを約５ｎｍの厚みに蒸着し、アルミニウムを約１５０ｎｍの厚みに蒸着してＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は、すべて１〜８×１０−６Ｔｏｒｒであった。得られた素子に電圧を引加することにより、４５５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、１０００ｃｄ／ｍ２におけるＣＩＥ１９３１で規格された色度座標は、ＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１４７，０．１４６）であり、初期輝度の４０％まで劣化させた後はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１９０，０．２１５）であった。
【０２９８】
実施例１０  ＜高分子化合物６の合成＞
化合物Ｇ（５．１０３ｇ）、２，２’−ビピリジル（１．９３３ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン１３２０ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において６０℃まで昇温後、この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝（３．４０４ｇ）を加え、攪拌し、３時間反応させた。反応後、室温まで冷却し、この反応液を２５％アンモニア水１７ｍＬ／メタノール１３２０ｍＬ／イオン交換水１３２０ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。同様に合成した２バッチとあわせ、トルエン１７００ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライト１５０ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。得られた精製液を８００ｍｌまで濃縮後、５．２％塩酸水８００ｍＬを加え３時間攪拌した後に水層を除去した。次に４％アンモニア水８００ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。続いてイオン交換水約８００ｍＬを加え、１時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール２４００ｍｌに注加して０．５時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物６と呼ぶ）の収量は７．６０ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝９．７ｘ１０４、Ｍｗ＝４．３ｘ１０５であった。Ｔｇは１５７℃であった。
【０２９９】
実施例１１  ＜高分子化合物７の合成＞
化合物Ｇ（５．５１１ｇ）、化合物Ｌ（３．１１５ｇ）、２，２’−ビピリジル（３．８６５ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン１３２０ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において６０℃まで昇温後、この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝（６．８０７ｇ）を加え、攪拌し、３時間反応させた。反応後、室温まで冷却し、この反応液を２５％アンモニア水３３ｍＬ／メタノール１３２０ｍＬ／イオン交換水１３２０ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、トルエン２７５ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライト１１ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。得られた精製液を４％アンモニア水５４１ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。続いてイオン交換水約５４１ｍＬを加え、１時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール８６２ｍｌに注加して０．５時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物７と呼ぶ）の収量は５．４８ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝２．０ｘ１０４、Ｍｗ＝１．７ｘ１０５であった。Ｔｇは２１４℃であった。
【０３００】
合成例６
＜高分子化合物８の合成＞
化合物Ｅ（１１．７３０ｇ）、化合物Ｌ（０．２９５ｇ）、２，２’−ビピリジル（８．４３４ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン１１５２ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において６０℃まで昇温後、この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝（１４．８５３ｇ）を加え、攪拌し、３時間反応させた。反応後、室温まで冷却し、この反応液を２５％アンモニア水７２ｍＬ／メタノール１１５２ｍＬ／イオン交換水１１５２ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。同様に合成したもの数バッチ（Ｆ０１８トータル３７．１２５ｇスケール）とあわせ、トルエン１９００ｍｌに溶解後、ラヂオライト１５２ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。得られた精製液に５．２％塩酸水２３５０ｍＬを加え、３時間攪拌した後に水層を除去した。次に４％アンモニア水２３５０ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。続いてイオン交換水約２３５０ｍＬを加え１時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール４０００ｍｌに注加して０．５時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物８と呼ぶ）の収量は２２．８９０ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝６．７ｘ１０４、Ｍｗ＝４．２ｘ１０５であった。Ｔｇは１３０℃であった。
【０３０１】
合成例７
＜高分子化合物９の合成＞
化合物Ｅ（２０．９４７ｇ）、化合物Ｌ（１１．０８０ｇ）、２，２’−ビピリジル（２１．０８４ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン１１７０ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において６０℃まで昇温後、この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝（３７．１３２ｇ）を加え、攪拌し、３時間反応させた。反応後、室温まで冷却し、この反応液を２５％アンモニア水１８０ｍＬ／メタノール１１７０ｍＬ／イオン交換水１１７０ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、トルエン１５００ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライト６ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。得られた精製液を４％アンモニア水２９５０ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。続いてイオン交換水約２９５０ｍＬを加え、１時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール４７００ｍｌに注加して０．５時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物９と呼ぶ）の収量は２２．７３０ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝２．７ｘ１０４、Ｍｗ＝２．６ｘ１０５であった。Ｔｇは２０７℃であった。
【０３０２】
実施例１２＜素子３の作成＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより、８０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、重量比で高分子化合物６：高分子化合物７＝１：１の混合物のトルエン溶液を用いてスピンコートにより約８０ｎｍの厚みで成膜した。さらにこれを減圧下１１０℃にて乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着し、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ蒸着し、アルミニウムを約１５０ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は、すべて１〜８×１０−６Ｔｏｒｒであった。得られた素子に電圧を印加することにより、４７５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、１０００ｃｄ／ｍ２におけるＣＩＥ１９３１で規格された駆動前のＥＬ素子の色度座標はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１５７、０．２７０）であり、７５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で１９７．４時間駆動し、初期輝度の４０％まで劣化させた後はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１６６、０．２７９）であった。また、ＥＬ素子の輝度半減寿命は、初期輝度１５２１ｃｄ／ｍ２で１２０．７時間であった。
【０３０３】
比較例２＜素子４の作成＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより、８４ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、重量比で高分子化合物８：高分子化合物９＝７１：２９の混合物のトルエン溶液を用いてスピンコートにより約８０ｎｍの厚みで成膜した。さらにこれを減圧下１１０℃にて乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着し、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ蒸着し、アルミニウムを約１５０ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は、すべて１〜８×１０−６Ｔｏｒｒであった。得られた素子に電圧を印加することにより、４８０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、１０００ｃｄ／ｍ２におけるＣＩＥ１９３１で規格された色度座標はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１５５、０．２７８）であり、７５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で７９．５時間駆動し、初期輝度の４０％まで劣化させた後はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１８３、０．２８９）であった。また、ＥＬ素子の輝度半減寿命は、初期輝度２４００ｃｄ／ｍ２で４５．９１時間であった。
【産業上の利用可能性】
【０３０４】
本発明の高分子化合物は、発光材料や電荷輸送材料として有用で、これを用いた高分子ＬＥＤは、液晶ディスプレイのバックライト又は照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに使用できる。