(57)【要約】【課題】レーザ加工、ビアめっき無しに、内蔵したチップとの接続が行える部品内蔵基板の製造方法を提供する。【解決手段】銅基材（例えば、クラッド箔）１０に配線パターン１１ａを形成し、この配線パターン１１ａ上に、薄型電子部品であるチップ２０を実装する。次に、クラッド箔１０と内層材４０との間に、チップ２０及び熱硬化性樹脂部材（プリプレグ）３０を介在させ、クラッド箔１０と内層材４０とを加熱しつつ加圧して、プリプレグ３０内にチップ２０を埋設して積層する。その後、クラッド箔１０をパターニングして、チップ２０及び内層材４０との電気的接続を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基材に薄型電子部品を実装し、前記金属基材と基板との間に前記電子部品及び熱硬化性樹脂部材を介在させ、前記金属基材と前記基板とを加熱しつつ加圧して前記樹脂部材内に前記電子部品を埋設して積層した後に、前記金属基材をパターニングして前記電子部品及び前記基板との電気的接続を行うことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
金属基材は、銅基材であることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項３】
金属基材にパッドが形成されてこのパッド上に薄型電子部品が実装されることを特徴とする請求項１又は２記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
銅基材は、上層の銅箔と下層の銅箔との間にバリア層を挟着したクラッド箔であることを特徴とする請求項２記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項５】
銅基材は、銅箔であることを特徴とする請求項２記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項６】
銅基材は、厚銅であることを特徴とする請求項２記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
銅基材は、銅箔にキャリアを付けたキャリア付き銅箔であることを特徴とする請求項２記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
銅基材は、剥離可能なキャリアが銅箔に形成されたキャリア付き銅箔であることを特徴とする請求項２記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
パッドをマスクにして金属基材をエッチングすることを特徴とする請求項３記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１０】
キャリア付き銅箔は、紫外線照射によりキャリアが銅箔から剥離されるものであることを特徴とする請求項８記載の部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄型（例えば、厚さ１００μｍ以下）の受動部品（抵抗、コンデンサ、インダクタ）や能動部品（半導体集積回路等）といった薄型電子部品（以下「チップ」という。）を積層構造で基板に内蔵させた部品内蔵基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、部品内蔵基板に関する技術としては、例えば、次のような文献に記載されるものがあった。
【０００３】
【非特許文献１】春原・村山・東著、「部品内蔵基板の開発」、マイクロファブリケーション研究会、第４回  研究成果報告会資料、２００４年５月１１日、ｐ．８５−８８
【０００４】
この非特許文献１には、５０μｍ以下（例えば、２０μｍ程度）のチップをビルドアップ層に埋め込んだ後、所定箇所にレーザを用いてビア（Via、穴）を形成し、このビア内を銅（Ｃｕ）めっきしてチップ等を接続する部品内蔵基板の製造方法の技術が記載されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の部品内蔵基板の製造方法では、ビルドアップ層にチップを埋め込んだ後、レーザによる穴あけ（ビア）加工とビアめっきとが、内蔵したチップとの接続に必要条件となる。そのため、端子数が多いチップでは精度が要求され、コスト（製造費）が掛かる上に、レーザ照射によるダメージ（損傷）が入り、更に、埋設（実装）後のリペア（repair、修復）が困難であるという課題があった。
【０００６】
本発明は、このような従来の課題を解決し、レーザ加工、ビアめっき無しに、内蔵したチップとの接続が行える部品内蔵基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の部品内蔵基板の製造方法では、金属基材（例えば、銅基材）にチップを実装し、前記金属基材と基板との間に前記チップ及び熱硬化性樹脂部材を介在させ、前記金属基材と前記基板とを加熱しつつ加圧して前記樹脂部材内に前記チップを埋設して積層した後に、前記金属基材をパターニングして前記チップ及び前記基板との電気的接続を行うようにしている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明では、チップの接続を行い、接続状態を確認してからそのチップを樹脂部材内に内蔵出来るので、チップのリペアを容易に行うことができる。つまり、チップを内蔵する前に接続してテストができるので、リペアが容易である。しかも、チップを積層した後に、このチップの電極を避けて例えばレーザによりビア穴をあける等して電気的接続を行う。そのため、例えば、チップの電極にレーザを照射しないので、ダメージが入らない等の効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の部品内蔵基板の製造方法における最良の実施形態では、銅基材にパッドを形成し、このパッド上にチップを実装する。次に、金属基材と基板との間にチップ及び熱硬化性樹脂部材を介在させ、金属基材と基板とを加熱しつつ加圧して樹脂部材内にチップを埋設して積層する。その後、金属基材をパターニングしてチップ及び基板との電気的接続を行う。
【実施例１】
【００１０】
図１（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施例１を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図である。
【００１１】
本実施例１では、例えば、以下の（１）〜（５）の工程により、部品内蔵基板が製造される。
【００１２】
（１）  図１（Ａ）の工程
金属基材として用いる銅基材（例えば、東洋鋼鈑社製の厚さ数十μｍのクラッド箔）１０を用意する。このクラッド箔１０は、上層の銅箔１１と下層の銅箔１３との間に、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）等のバリア層１３が設けられたサンドイッチ構造の薄板である。
【００１３】
（２）  図１（Ｂ）の工程
定法のホトリソグラフィ技術を用い、上層の銅箔１１上にレジストを形成し、紫外線露光でパターニングし、現像、エッチング、剥離により、銅箔１１のパターニング（銅箔１１の選択エッチング）を行って配線パターン１１ａを形成する。
【００１４】
ここで、レジストは、液レジストをスクリーン印刷法やカーテンコート法等により形成するか、又は、ドライフィルムレジストを用いても良い。エッチングに関しても、エッチャントは塩化第二鉄や塩化第二銅を用いるか、或いは、アンモニアアルカリ性のアルカリエッチャントを用いても良い。
【００１５】
必要に応じて、配線パターン１１ａの上に、錫をめっきするか、或いは、錫の代わりに、ニッケルをめっきして、この上に金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）をめっきしても良い。又、必要に応じて、露出したバリア層１２をエッチング液により除去して、後工程のために接着性向上処理を行っても良い。
【００１６】
（３）  図１（Ｃ）の工程
厚さ数十μｍの薄型の受動部品（抵抗、コンデンサ、インダクタ）や能動部品（半導体集積回路等）といったチップ２０を用意しておく。チップ２０の外部端子には、例えば半田ボールが形成されている。このチップ２０の半田ボールを配線パターン１１ａ上に載置し、クリーム半田、導電性異方性ペースト、導電性異方性フィルム等を用いて、チップ２０を配線パターン１１ａ上に固定する（チップマウントの実装工程）。
【００１７】
本実施例１では、この実装工程後に通電テストを行ってチップ２０の接続状態を確認する。接続状態に不具合があれば、リペアすることができる。
【００１８】
（４）  図１（Ｄ）の工程
熱硬化性樹脂部材（例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂等の熱硬化性のシート状プリプレグ）３０と、基板（例えば、プリント配線板（ＰＷＢ）等の内層材）４０とを、用意しておく。プリプレグ３０には、チップ収納凹部が形成されている。内層材４０は、例えば、絶縁性性の基材４１上に、銅箔の配線パターン４２が形成されたものである。
【００１９】
内層材４０の配線パターン４２面と、プリプレグ３０と、チップ２０を搭載したクラッド箔１０とを重ねる。この際、プリプレグ３０のチップ収納凹部に、チップ２０が挿入されるように位置合わせを行い、内層材４０とプリプレグ３０とクラッド箔１０とを重ねる。これを加熱（例えば、１７０°Ｃ程度）しつつ加圧（例えば、２０Ｋｇ／ｃｍ２程度）して一体化する。加熱及び加圧によりプリプレグ３０が軟化変形し、このプリプレグ３０内にクラッド箔１０側の配線パターン１１ａ、チップ２０、及び内層材４０側の配線パターン４２が埋設された積層状態になる。
【００２０】
（５）  図１（Ｅ）の工程
クラッド箔１０における下層の銅箔１３において、炭酸ガスレーザ等によるビア部５１の加工の場合、このビア部５１の銅をホトリソグラフィ技術を用いてエッチングにより取り除き、炭酸ガスレーザ等によるビア部５１の穴あけ（ビア加工）を行う。スルホール部５２の加工の場合、ビア加工の前又は後に、銅箔１３、プリプレグ３０及び内層材４０に対してドリル等でスルホール部５２の穴あけを行う。その後、ビア、スルホール壁面を含む表裏表面に銅めっき５３を施し、定法によりエッチングレジスト形成、エッチング等を施して回路形成を行えば、部品内蔵基板の製造工程が終了する。
【００２１】
このようにして製造された部品内蔵基板では、外部から、配線パターン１１ａ，４２、ビア、及びスルホールを介して内部のチップ２０に対して信号等の授受を行うことにより、そのチップ２０に所定の動作を行わせることが出来る。このような部品内蔵基板は、種々の小型電子機器等に搭載できる。
【００２２】
本実施例１では、従来のように、チップを埋め込んでからレーザでビアやスルホールを形成してめっきにより接続する方法に比べて、下記の（ａ）〜（ｃ）のような効果がある。
【００２３】
（ａ）  チップ２０の接続を行い、この接続状態を確認してから内蔵するので、チップ２０のリペアを容易に行うことができる。つまり、チップ２０を内蔵する前に接続してテストができるので、リペアが容易である。
【００２４】
（ｂ）  チップ２０側のピッチが細かい半田ボールを、この配置パターンが見える状態で、クラッド箔１０側の配線パターン１１ａに接続できるので、チップ２０の実装工程が容易になる。
【００２５】
（ｃ）  チップ２０を積層した後に、このチップ２０における半田ボール等の電極を避けてレーザによりビア穴をあけている。つまり、チップ２０の電極にレーザを照射しないので、ダメージが入らない等の効果がある。
【実施例２】
【００２６】
図２（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施例２を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図であり、実施例１を示す図１（Ａ）〜（Ｅ）中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００２７】
本実施例２の図２（Ａ）〜（Ｄ）の製造工程は、実施例１の図１（Ａ）〜（Ｄ）の製造工程と同一であり、本実施例２の図２（Ｅ）の製造工程が、実施例１の図１（Ｅ）の製造工程と異なっている。
【００２８】
本実施例２の図２（Ｅ）の工程では、図２（Ｄ）の積層工程の後に、クラッド箔１０側の下層の銅箔１３を、アルカリエッチング液等でエッチングして除去する。その後、ビア部５１のレーザ穴あけ等を行い、その穴を銅めっき５３により埋める等の処理を施せば、上面が平滑形態になった部品内蔵基板の製造工程が終了する。
【００２９】
本実施例２では、部品内蔵基板の上面の最終形態が平滑形態になっている点のみが実施例１と異なるだけであり、実施例１とほぼ同様の作用、効果が得られる。
【実施例３】
【００３０】
図３（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施例３を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図であり、実施例１を示す図１（Ａ）〜（Ｅ）中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００３１】
本実施例３の図３（Ａ）、（Ｃ）〜（Ｅ）の製造工程は、実施例１の図１（Ａ）、（Ｃ）〜（Ｅ）の製造工程と同一であり、本実施例３の図３（Ｂ−１）、（Ｂ−２）の製造工程が、実施例１の図１（Ｂ）の製造工程と異なっている。
【００３２】
本実施例３の図３（Ｂ−１）の製造工程では、図３（Ａ）の製造工程で用意したクラッド箔１０の上層の銅箔１１上に、めっきレジストを塗布（例えば、スクリーン印刷やカーテンコートによる液レジスト、或いは、ドライフィルムレジスト等）し、このめっきレジストに紫外線を照射し、現像して現像パターンを形成する。そして、現像パターン上に、錫又はニッケルめっき、或いは、その上に金又は銀めっき等を行い、不要部分の剥離を行って、銅箔１１上にパッド１４を形成する。
【００３３】
次に、図３（Ｂ−２）の製造工程において、ホトリソグラフィ技術を用いた定法により、パッド１４をマスクにしてアルカリエッチングにより、パッド１４以外の部分の銅箔１１を選択エッチングして配線パターン１１ａを形成する。
【００３４】
その後、実施例１と同様に、図３（Ｃ）のチップ実装工程、図３（Ｄ）の積層工程、及び図３（Ｅ）のＰＷＢ加工等を行うことにより、実施例１と同様の形態の部品内蔵基板の製造工程が終了する。
【００３５】
このように、本実施例３では、クラッド箔１０における上層の銅箔１１にパッド１４を形成した後にエッチングを行う点が実施例１と異なるだけであり、実施例１とほぼ同様の作用、効果が得られる。
【実施例４】
【００３６】
図４（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施例４を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図であり、実施例３を示す図３（Ａ）〜（Ｅ）中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００３７】
本実施例４の図４（Ａ）〜（Ｄ）の製造工程は、実施例３の図３（Ａ）〜（Ｄ）の製造工程と同一であり、本実施例４の図４（Ｅ）の製造工程が、実施例３の図３（Ｅ）の製造工程と異なっている。
【００３８】
本実施例４の図４（Ｅ）の工程では、実施例２の図２（Ｅ）の工程と同様に、図４（Ｄ）の積層工程の後に、クラッド箔１０側の下層の銅箔１３を、アルカリエッチング液等でエッチングして除去する。その後、ビア部５１のレーザ穴あけ等を行い、その穴を銅めっき５３により埋める等の処理を施せば、上面が平滑形態になった部品内蔵基板の製造工程が終了する。
【００３９】
本実施例４では、実施例２と同様に、部品内蔵基板の上面の最終形態が平滑形態になっている点のみが実施例３と異なるだけであり、実施例３とほぼ同様の作用、効果が得られる。
【実施例５】
【００４０】
図５（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施例５を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図であり、実施例１を示す図１（Ａ）〜（Ｅ）中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００４１】
本実施例５では、実施例１で使用しているクラッド箔１０に代えて、厚さが例えば７０μｍ以上の厚銅６０を使用することが特徴であり、以下の（１）〜（５）の工程により、部品内蔵基板が製造される。
【００４２】
（１）  図５（Ａ）の工程
厚さが例えば７０μｍ以上の厚銅６０を用意する。
【００４３】
（２）  図５（Ｂ）の工程
ホトリソグラフィ技術を用い、厚銅６０上にレジストを形成し、このレジストを紫外線露光でパターニングし、現像、エッチング、剥離により、パターニングを行い、厚銅６０に対し、所定の深さでハーフエッチングにてパッド６１を形成する。
【００４４】
これ以降は、実施例１のクラッド箔１０を用いる場合とほぼ同様に、以下のような工程が行われる。
【００４５】
（３）  図５（Ｃ）の工程
必要に応じて、パッド６１上に、ニッケル／金、錫、銀等のめっき６２を施し、後工程のために接着性向上処理を行っても良い。
【００４６】
予め用意しておいた厚さ数十μｍの薄型のチップ２０の半田ボールを、厚銅６０側のパッド６１（或いはこの上のめっき６２）上に載置し、クリーム半田、導電性異方性ペースト、導電性異方性フィルム等を用いて、チップ２０を固定する（チップマウントの実装工程）。
【００４７】
本実施例５では、実施例１と同様に、この実装工程後に通電テストを行ってチップ２０の接続状態を確認する。接続状態に不具合があれば、リペアすることができる。
【００４８】
（４）  図５（Ｄ）の工程
チップ収納凹部が形成された熱硬化性のプリプレグ３０を用い、そのチップ収納凹部にチップ２０が挿入されるように、厚銅６０の位置合わせを行い、プリプレグ３０と厚銅６０とを重ね、これを加熱（例えば、１７０°Ｃ程度）しつつ加圧（例えば、２０Ｋｇ／ｃｍ２程度）して一体化する。加熱及び加圧によりプリプレグ３０が軟化変形し、このプリプレグ３０内に厚銅６０側のパッド６１及びチップ２０が埋設された積層状態になる（成形工程）。この際、図１（Ｄ）のような他の内層材４０と厚銅６０とで、チップ２０及びプリプレグ３０をサンドイッチ状に積層しても良い。
【００４９】
（５）  図５（Ｅ）の工程
厚銅６０において、炭酸ガスレーザ等によるビア部５１の加工の場合、このビア部５１の銅をホトリソグラフィ技術を用いてエッチングにより取り除き、炭酸ガスレーザ等によるビア部５１の穴あけ（ビア加工）を行う。スルホール部５２の加工の場合、ビア加工の前又は後に、厚銅６０及びプリプレグ３０に対してドリル等でスルホール部５２の穴あけを行う。その後、ビア、スルホール壁面を含む表裏表面に銅めっき５３を施し、定法によりエッチングレジスト形成、エッチング等を施して回路形成を行えば、部品内蔵基板の製造工程が終了する。
【００５０】
このように、本実施例５では、例えば７０μｍ以上の厚銅６０を用い、これをハーフエッチングしてパッド６１を形成した後、実施例１とほぼ同様に、実装、成形等をして部品内蔵基板を製造するので、実施例１とほぼ同様の作用、効果が得られる。
【実施例６】
【００５１】
図６（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施例６を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図であり、実施例５を示す図５（Ａ）〜（Ｅ）中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００５２】
本実施例６の図６（Ａ）、（Ｃ）〜（Ｅ）の製造工程は、実施例５の図５（Ａ）、（Ｃ）〜（Ｅ）の製造工程と同一であり、本実施例６の図６（Ｂ−１）、（Ｂ−２）の製造工程が、実施例５の図５（Ｂ）の製造工程と異なっている。
【００５３】
第５実施例では、最初に厚銅６０のハーフエッチングを行ったが、本実施例６では、めっきレジストを用いて、錫又はニッケルと金や銀の積層パッド６３を形成し、このパッド６３をマスクとして厚銅６０をエッチングすることを特徴とする。
【００５４】
即ち、本実施例６の図６（Ｂ−１）の製造工程では、図６（Ａ）の製造工程で用意した厚さ例えば７０μｍ以上の厚銅６０に、めっきレジストを塗布（例えば、スクリーン印刷やカーテンコートによる液レジスト、或いは、ドライフィルムレジスト等）し、このめっきレジストに紫外線を照射し、現像して現像パターンを形成する。そして、現像パターン上にめっきを行い、不要部分の剥離を行って、厚銅６０上に積層パッド６３を形成する。
【００５５】
次に、図６（Ｂ−２）の製造工程において、ホトリソグラフィ技術を用いた定法により、パッド６３をマスクにしてアルカリエッチングにより、パッド６３以外の部分の厚銅６０に対して、所定の深さでハーフエッチングにてパッド６１を形成する。パッド６１以外のエッチングされた厚銅面に対し、必要に応じて接着向上処理を施す。
【００５６】
その後、実施例５と同様に、図６（Ｃ）のチップ実装工程、図６（Ｄ）の成形工程、及び図６（Ｅ）の回路加工等を行うことにより、実施例５と同様の形態の部品内蔵基板の製造工程が終了する。
【００５７】
このように、本実施例６では、めっきレジストを用いて積層パッド６３を形成し、このパッド６３をマスクとして厚銅６０をエッチングする点が実施例５と異なるだけであり、実施例５とほぼ同様の作用、効果が得られる。
【実施例７】
【００５８】
図７（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施例７を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図であり、実施例１を示す図１（Ａ）〜（Ｅ）中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００５９】
本実施例７では、実施例１のクラッド箔１０に代えて、ピーラブル・エッチャブル等のキャリア付き銅箔７０を用いることが特徴であり、例えば、以下の（１）〜（５）の工程により、部品内蔵基板が製造される。
【００６０】
（１）  図７（Ａ）の工程
キャリア付き銅箔７０を用意する。銅箔７２だけでは機械的強度が弱いので、剥離やエッチングができるキャリア（台座）７１を銅箔７２につける。キャリア７１として、銅、アルミニュウム（Ａｌ）、ステンレス（Ｓｕｓ）、錫、ニッケル等を用いる。アルミニュウムは、酸やアルカリで容易に溶解できるし、ニッケル等も硝酸系の選択エッチング液が市販されている。キャリア７１は、剥離できるものであれば材質はどれでも構わないが、エッチングで取り除く時（エッチャブル時）は、銅とのエッチングの選択比が取れる選択エッチング可能な金属を用いる。
【００６１】
（２）  図７（Ｂ）の工程
キャリア付き銅箔７０に、必要に応じて、ニッケル／金、金、銀、錫、鉛（Ｐｂ）−錫等により、実装面の表面処理をする。銅箔７２上に、錫やニッケルと金又は銀を形成したもの、半田等を用いて、めっき、印刷等にて、実装パッド７３を形成する。
【００６２】
（３）  図７（Ｃ）の工程
必要に応じて、実装パッド７３側の面に接着向上処理を行う。半田ボールを形成したチップ２０を、実装パッド７３上に載せて接続する（実装工程）。この接続は、クリーム半田、導電性ペースト、異方性導電性ペースト、異方性導電性フィルム等を用いて行う。本実施例７では、実施例１と同様に、この実装工程後に通電テストを行ってチップ２０の接続状態を確認する。接続状態に不具合があれば、リペアすることができる。
【００６３】
（４）  図７（Ｄ−１）の工程
チップ収納凹部が形成された熱硬化性のプリプレグ３０を用い、そのチップ収納凹部にチップ２０が挿入されるように、キャリア付き銅箔７０の位置合わせを行い、プリプレグ３０とキャリア付き銅箔７０とを重ね、これを加熱（例えば、１７０°Ｃ程度）しつつ加圧（例えば、２０Ｋｇ／ｃｍ２程度）して一体化する。加熱及び加圧によりプリプレグ３０が軟化変形し、このプリプレグ３０内にキャリア付き銅箔７０側の実装パッド７３及びチップ２０が埋設された積層状態になる（成形工程）。この際、図１（Ｄ）のような他の内層材４０とキャリア付き銅箔７０とで、チップ２０及びプリプレグ３０をサンドイッチ状に積層しても良い。
【００６４】
（５）  図７（Ｄ−２）の工程
薄型化のために、銅箔７２上のキャリア７１を剥離する。
【００６５】
（６）  図７（Ｅ）の工程
実施例１とほぼ同様に、銅箔７２において、スルホール部５２の加工の場合、銅箔７２及びプリプレグ３０に対してドリル等でスルホール部５２の穴あけを行う。図示しないが、炭酸ガスレーザ等によるビア部の加工の場合、スルホール部５２の穴あけの前又は後に、ビア部の銅箔７２をホトリソグラフィ技術を用いてエッチングにより取り除き、炭酸ガスレーザ等によるビア部の穴あけ（ビア加工）を行う。その後、スルホール壁面（及び必要に応じてビア）を含む表裏表面に銅めっき５３を施し、定法によりエッチングレジスト形成、エッチング等を施して回路形成を行えば、部品内蔵基板の製造工程が終了する。
【００６６】
このように、本実施例７では、キャリア付き銅箔７０を用いて実装パッド７３を形成した後、実施例１とほぼ同様に、実装、成形、回路加工等をして部品内蔵基板を製造しているので、実施例１とほぼ同様の作用、効果が得られる。
【実施例８】
【００６７】
図８（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施例８を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図であり、実施例１を示す図１（Ａ）〜（Ｅ）中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００６８】
本実施例８では、実施例１のクラッド箔１０に代えて、キャリア付き銅箔（例えば、紫外線により樹脂フィルムの剥離が容易な樹脂フィルム付き銅箔）８０を用いることが特徴であり、以下の（１）〜（５）の工程により、部品内蔵基板が製造される。
【００６９】
（１）  図８（Ａ）の工程
紫外線により樹脂フィルムの剥離が容易な樹脂フィルム付き銅箔８０を用意する。この樹脂フィルム付き銅箔８０は、紫外線を透過する樹脂フィルム８１上に、紫外線によりガスを発生する接着剤を塗布したものに、銅箔８２を貼り付けたものである。
【００７０】
（２）  図８（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ−３）の工程
図８（Ｂ−１）の工程において、ホトリソグラフィ技術を用い、樹脂フィルム付き銅箔８０の銅箔８２面に、めっきレジスト８３を形成してパターニングする。図８（Ｂ−２）の工程において、パターニングしためっきレジスト８３をマスクにして、錫、ニッケル／金等のめっきを施し、接続パッド８４を形成する。次に、図８（Ｂ−３）の工程において、エッチング液等でめっきレジスト８３を除去する。その後、必要に応じて、接続パッド８５側の銅箔８２面に対して接着向上処理を行う。
【００７１】
（３）  図８（Ｃ）の工程
厚さ数十μｍの薄型のチップ２０の半田ボールを、銅箔８２側の接続パッド８４上に載置し、クリーム半田、導電性異方性ペースト、導電性異方性フィルム等を用いて、チップ２０を固定する（チップマウントの実装工程）。本実施例８では、実施例１と同様に、この実装工程後に通電テストを行ってチップ２０の接続状態を確認する。接続状態に不具合があれば、リペアすることができる。
【００７２】
（４）  図８（Ｄ）の工程
チップ収納凹部が形成された熱硬化性のプリプレグ３０を用い、そのチップ収納凹部にチップ２０が挿入されるように、樹脂フィルム付き銅箔８０の位置合わせを行い、樹脂フィルム付き銅箔８０と、プリプレグ３０と、基材４１の両面に配線パターン４２，４３が形成された内層材４０とを重ね、これらを加熱（例えば、１７０°Ｃ程度）しつつ加圧（例えば、２０Ｋｇ／ｃｍ２程度）して一体化する。加熱及び加圧によりプリプレグ３０が軟化変形し、このプリプレグ３０内に接続パッド８４、チップ２０及び接続パターン４２が埋設された積層状態になる（成形工程）。次に、樹脂フィルム付き銅箔８０に紫外線を照射し、その接着剤からガスを発生させて、銅箔８２から樹脂フィルム８１を剥離する。
【００７３】
（５）  図８（Ｅ）の工程
表面の銅箔８２をパターニングして、積層した内層材４０との接続を行う。即ち、表面の銅箔８２において、炭酸ガスレーザ等によるビア部５１の加工の場合、このビア部５１の銅をホトリソグラフィ技術を用いてエッチングにより取り除き、炭酸ガスレーザ等によるビア部５１の穴あけ（ビア加工）を行う。スルホール部５２の加工の場合、ビア加工の前又は後に、銅箔８２、プリプレグ３０及び内層材４０に対してドリル等でスルホール部５２の穴あけを行う。その後、ビア、スルホール壁面を含む表裏表面に銅めっき５３を施し、定法によりエッチングレジスト形成、エッチング等を施して回路形成を行えば、部品内蔵基板の製造工程が終了する。
【００７４】
このように、本実施例８では、樹脂フィルム付き銅箔８０を用い、めっきにより接続パッド８４を形成した後、実施例１とほぼ同様に、実装、成形等をして部品内蔵基板を製造するので、実施例１とほぼ同様の作用、効果が得られる。特に、本実施例８では、紫外線照射により樹脂フィルム８１の剥離が容易な樹脂フィルム付き銅箔８０を用いているので、銅箔８２から樹脂フィルム８１をダメージ無く剥離出来る効果がある。
【００７５】
なお、紫外線照射の他に、熱や溶剤等を用いて樹脂フィルム８１を剥離しても良い。又、本実施例８では、樹脂フィルム付き銅箔８０を用いているが、これに代えて、チップ２０の実装可能な厚みの銅箔を用いることも可能である。
【実施例９】
【００７６】
本発明は、上記実施例１〜８に限定されず、種々の変形が可能である。この変形例である実施例９としては、例えば、下記の（ａ）、（ｂ）のようなものがある。
【００７７】
（ａ）  実施例１〜８では、チップ２０を実装するために、銅を用いたクラッド箔１０、厚銅６０、キャリア付き銅箔７０、樹脂フィルム付き銅箔８０を用いているが、銅に代えて、アルミニュウム等の他の金属を用い、この金属に適合する加工処理等を行うことにより、部品内蔵基板を製造することも可能である。
【００７８】
（ｂ）  実施例１〜８では、チップ２０を１層に埋設した例を説明したが、この積層数は２層以上の任意の積層数であっても良く、片面回路基板から多層回路基板にいたる部品内蔵基板の製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の実施例１を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図である。
【図２】本発明の実施例２を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図である。
【図３】本発明の実施例３を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図である。
【図４】本発明の実施例４を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図である。
【図５】本発明の実施例５を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図である。
【図６】本発明の実施例６を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図である。
【図７】本発明の実施例７を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図である。
【図８】本発明の実施例８を示す部品内蔵基板の製造方法例を示す製造工程図である。
【符号の説明】
【００８０】
１０      クラッド箔
２０      チップ
３０      プリプレグ
４０      内層材
５１      ビア部
５２      スルホール部
６０      厚銅
７０      キャリア付き銅箔
８０      樹脂フィルム付き銅箔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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