(57)【要約】【課題】液晶分子の転移核形成を容易にして転移電圧を減少させ，表示装置の電力消耗を減らし，表示装置の応答速度及び階調表示能力を向上させることのできる，液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板１００と，基板１００上に交差して配列された走査信号線１及び映像信号線３と，走査信号線１と映像信号線３とにより区切られた複数の単位画素領域Ａと，走査信号線１と映像信号線３との交差領域に，少なくとも二つの単位画素領域Ａに渡って薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ領域Ｔｒと，単位画素領域Ａ上で，薄膜トランジスタ領域Ｔｒの少なくとも一部と重なる画素電極１４０と，基板１００上部に対向して位置し，共通電極２１５を有する対向基板２００と，基板１００と対向基板２００との間に介在する液晶層１５５と，を備えることを特徴とする。【選択図】図１
2006154821.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と；
前記基板上に一方向に配列された走査信号線及び前記走査信号線に交差して配列された映像信号線と；
前記走査信号線と前記映像信号線とにより区切られた複数の単位画素領域と；
前記走査信号線と前記映像信号線との交差領域に，少なくとも二つの前記単位画素領域に渡って薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ領域と；
前記単位画素領域上で，前記薄膜トランジスタ領域の少なくとも一部と重なる画素電極と；
前記基板上部に対向して位置し，共通電極を有する対向基板と；
前記基板と前記対向基板との間に介在する液晶層と；
を備えることを特徴とする，液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶層は，ＯＣＢモードであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記液晶層と前記画素電極との間には，配向膜が介在し，前記配向膜は一定のプレチルト角を有することを特徴とする，請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記画素電極の前記薄膜トランジスタ領域と重なる領域は，所定の傾斜を有することを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタ領域は，四個の前記単位画素領域に渡って位置することを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタ領域は，パターニングされた絶縁膜を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記パターニングされた絶縁膜は，ゲート絶縁膜であることを特徴とする，請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記薄膜トランジスタ領域の薄膜トランジスタと画素電極との間に，無機保護膜が介在すること特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記無機保護膜は，パターニング形成されていることを特徴とする，請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記画素電極の，前記薄膜トランジスタ上の位置と，前記薄膜トランジスタから離隔した発光領域上の位置との段差は，０．２〜１μｍであることを特徴とする，請求項１〜９のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
基板上に一方向に配列する走査信号線及び前記走査信号線に交差する映像信号線を形成し，前記走査信号線と前記映像信号線とにより複数の単位画素領域が区切られる段階と；
前記走査信号線と前記映像信号線との交差領域に，前記走査信号線と前記映像信号線とに接続される薄膜トランジスタが，少なくとも二つ以上の前記単位画素領域に渡って形成される薄膜トランジスタ領域を形成する段階と；
前記単位画素領域に，薄膜トランジスタ領域の少なくとも一部と重なって，前記薄膜トランジスタと接続される画素電極を形成する段階と；
対向基板上に共通電極を形成し，前記対向基板を前記基板上部に対向配置する段階と；
前記基板と前記対向基板との間に，液晶層を注入する段階と；
を含むことを特徴とする，液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記液晶層は，ＯＣＢ液晶であることを特徴とする，請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記液晶層を注入する段階の前に，前記画素電極及び前記対向電極上に，一定なプレチルト角を有するようにラビングされた配向膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする，請求項１１または１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記画素電極の前記薄膜トランジスタ領域と重なる領域は，所定の傾斜を有するように形成することを特徴とする，請求項１１〜１３のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記薄膜トランジスタ領域は，四個の前記単位画素領域に渡って形成することを特徴とする，請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記薄膜トランジスタ領域は，前記薄膜トランジスタを構成する絶縁膜をパターニングして形成することを特徴とする，請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁膜のパターニングは，ゲート絶縁膜のパターニングであることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記薄膜トランジスタと接続される画素電極を形成する段階において，前記薄膜トランジスタ領域の前記薄膜トランジスタ上に無機保護膜を形成し，前記無機保護膜上に画素電極を形成することを特徴とする，請求項１１〜１７のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記薄膜トランジスタと接続される画素電極を形成する段階において，前記薄膜トランジスタ上に形成された前記無機保護膜をパターニングすることを特徴とする，請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記画素電極の，前記薄膜トランジスタ上部の位置と，前記薄膜トランジスタから離隔した発光領域上の位置との段差は，０．２〜１μｍであることを特徴とする，請求項１１〜１９のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り，液晶がスプレイ状態からベンド状態に転移をした後に駆動される，液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は，一般的に薄膜トランジスタ，配線及び画素電極で構成されたアレイが形成された基板上に，対向電極とカラーフィルターなどが形成された対向基板を合着してその内部に液晶を注入することによって形成される。
【０００３】
液晶表示装置は，画素電極と対向電極間に電界が印加されて，電界によって液晶が配列することによって，光の透過率が調節され，それを通じて階調表示が行われる。したがって，液晶の配列によって視野角及び表示特性が左右されているといえる。
【０００４】
液晶表示装置のうちからＯＣＢモードの液晶表示装置は，広い視野角と速い応答速度が長所であり，最近研究が活発に進行している。このＯＣＢモードは，スプレイ状態からベンド状態に転移をした後，外部から電界が印加されるにことよるベンド状態での液晶の方向性によって，階調表示が行われる液晶層の配列及び駆動モードを言う。
【０００５】
したがって，ＯＣＢモードは表示面の全体にかけてすべての液晶分子の配向をスプレイ状態からベンド状態に均一に転移させることが重要である。配向を転移させる方法としては転移電圧（Ｖｃｒ）を高く加える方法がある。しかしこの方法で転移電圧を高めることは，電力消耗を増加させる問題がある。
【０００６】
配向を転移させる他の方法としては転移核を形成して，転移核周辺の液晶を転移させる方法がある。転移核を形成する方法は，配向を利用してプレチルト角を高め，転移核を形成して周辺の液晶を容易に転移されるようにすることにより，転移電圧を減少させることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし，プレチルト角を高めるための配向膜形成または配向膜下部の構造を得るためには，製造工程が複雑になる問題があった。
【０００８】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，液晶分子の転移核形成を容易にして転移電圧を減少させ，表示装置の電力消耗を減らし，表示装置の応答速度及び階調表示能力を向上させることのできる，液晶表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板と，基板上に一方向に配列された走査信号線及び走査信号線に交差して配列された映像信号線と，走査信号線と映像信号線とにより区切られた複数の単位画素領域と，走査信号線と映像信号線との交差領域に，少なくとも二つの単位画素領域に渡って薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ領域と，単位画素領域上で，薄膜トランジスタ領域の少なくとも一部と重なる画素電極と，基板上部に対向して位置し，共通電極を有する対向基板と，基板と対向基板との間に介在する液晶層と，を備えることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【００１０】
こうして，画素電極が，単位画素領域上で，薄膜トランジスタ領域の少なくとも一部と重なることによって，画素電極に段差（凸部）ができて薄膜トランジスタ周辺に傾斜構造を有することができる。これにより，単位画素領域の傾斜部分は，液晶の配向角度が増加してスプレイ状態からベンド状態への転移が容易になり，さらに薄膜トランジスタから離隔した平らな部分に比して，対向基板とのギャップが低減するので，液晶分子の転移核形成が容易になる。
【００１１】
また，単位画素領域の傾斜部分が転移核となって転移が容易に進み，対面基板とのギャップも低減したので，転移電圧を低減して表示装置の電力消耗を減らすことができ，さらに，表示装置の応答速度及び階調表示能力を向上させることができる。
【００１２】
液晶層は，ＯＣＢモードの液晶を用いることができる。ＯＣＢモードの液晶表示装置は，広い視野角と速い応答速度とを得ることができる。ＯＣＢモードは，液晶分子の配向をスプレイ状態からベンド状態に均一に転移させることが重要であるので，液晶分子の転移核を容易に形成することができれば，均一で速い転移が可能になる。
【００１３】
液晶層と画素電極との間には，配向膜が介在し，配向膜は一定のプレチルト角を有するとよい。配向膜により液晶分子が基板と平行に拘束され，所定のプレチルト角を有して液晶分子を傾けることにより，液晶分子が必ず一方向から立ち上がるようにすることができる。
【００１４】
画素電極の薄膜トランジスタ領域と重なる領域は，所定の傾斜を有することができる。単位画素領域の所定（一定）の領域（走査信号線及び映像信号線の交差領域）に所定（一定）の形態（薄膜トランジスタ領域と重なることによる段差）とで画素電極の一部分に所定の傾斜を形成することができるので，単位画素単位に均等に転移核を形成することができ，均一な液晶の転移を誘発し，基板全体に対して均一な配向が行われ，階調表示能力をさらに向上することができる。
【００１５】
また，薄膜トランジスタ領域は，四個の単位画素領域に渡って位置することができる。走査信号線と映像信号線との交差領域に薄膜トランジスタ領域を形成することにより，交差領域に四個の転移核が形成され，つまり，各単位画素領域に各々四個の転移核が形成されることになる。
【００１６】
薄膜トランジスタ領域は，パターニングされた絶縁膜を有することができる。このパターニングされた絶縁膜は，ゲート絶縁膜であることができる。また，薄膜トランジスタ領域の薄膜トランジスタと画素電極との間に，無機保護膜が介在するとよい。平坦化作用が起こらないように安定した絶縁膜を形成することによって画素電極の段差を維持して，液晶層の転移核形成に利用することができる。この無機保護膜は，パターニング形成されているとよい。
【００１７】
画素電極の，薄膜トランジスタ上の位置と，薄膜トランジスタから離隔した発光領域上の位置との段差は，０．２〜１μｍであるとよい。段差を０．２〜１μｍとすることによって，転移核を形成するための必要な傾斜角が得られ，段差の高さを調節することによって薄膜トランジスタ領域の傾斜角度が調節され，転移核を形成する領域の対向基板とのセルギャップを調節することができるので，好適な段差にするとよい。
【００１８】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板上に一方向に配列する走査信号線及び走査信号線に交差する映像信号線を形成し，走査信号線と映像信号線とにより複数の単位画素領域が区切られる段階と，走査信号線と映像信号線との交差領域に，走査信号線と映像信号線とに接続される薄膜トランジスタが，少なくとも二つ以上の単位画素領域に渡って形成される薄膜トランジスタ領域を形成する段階と，単位画素領域に，薄膜トランジスタ領域の少なくとも一部と重なって，薄膜トランジスタと接続される画素電極を形成する段階と，対向基板上に共通電極を形成し，対向基板を基板上部に対向配置する段階と，基板と対向基板との間に，液晶層を注入する段階と，を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。
【００１９】
画素電極が，単位画素領域上で，薄膜トランジスタ領域の少なくとも一部と重なることによって，画素電極に段差ができて，薄膜トランジスタ周辺に傾斜構造を有することができる。単位画素領域の傾斜部分では，液晶の配向角度が増加してスプレイ状態からベンド状態への転移が容易になり，さらに薄膜トランジスタから離隔した平らな部分に比して，対向基板とのギャップが低減するので，液晶分子の転移核形成が容易になる。
【００２０】
また，単位画素領域の傾斜部分が転移核となって転移が容易に進み，対面基板とのギャップも低減したので，転移電圧を低減して表示装置の電力消耗を減らすことができ，さらに，表示装置の応答速度及び階調表示能力を向上させることができる。
【００２１】
液晶層は，ＯＣＢ液晶とすることができる。上記のように，ＯＣＢモードの液晶表示装置は，広い視野角と速い応答速度とを得ることができ，液晶分子の配向をスプレイ状態からベンド状態に均一に転移させることが重要であるので，液晶分子の転移核を容易に形成することができれば，均一で速い転移が可能になる。
【００２２】
液晶層を注入する段階の前に，画素電極及び対向電極上に，一定なプレチルト角を有するようにラビングされた配向膜を形成する段階をさらに含むことができる。配向膜により液晶分子が基板と平行に拘束され，ラビングして所定のプレチルト角を有するよう液晶分子を傾けることにより，液晶分子が必ず一方向から立ち上がるようにすることができる。
【００２３】
画素電極の薄膜トランジスタ領域と重なる領域は，所定の傾斜を有するように形成することができる。単位画素領域の所定（一定）の領域に所定（一定）の形態で画素電極の一部分に所定の傾斜を形成することができるので，単位画素単位に均等に転移核を形成することができ，均一な液晶の転移を誘発し，基板全体に対して均一な配向が行われ，階調表示能力をさらに向上することができる。
【００２４】
薄膜トランジスタ領域は，四個の単位画素領域に渡って形成することができる。走査信号線と映像信号線との交差領域に薄膜トランジスタ領域を形成することにより，交差領域が角部四箇所に，各単位画素領域の転移核が形成される。
【００２５】
また，薄膜トランジスタ領域は，薄膜トランジスタを構成する絶縁膜をパターニングして形成することができる。この絶縁膜のパターニングは，ゲート絶縁膜のパターニングであることができる。
【００２６】
さらに，薄膜トランジスタと接続される画素電極を形成する段階において，薄膜トランジスタ領域の薄膜トランジスタ上に無機保護膜を形成し，無機保護膜上に画素電極を形成するとよい。また，薄膜トランジスタと接続される画素電極を形成する段階において，薄膜トランジスタ上に形成された無機保護膜をパターニングして形成することができる。平坦化作用が起こらないように安定した絶縁膜を形成することによって画素電極の段差を維持して，液晶層の転移核形成に利用することができる。
【００２７】
画素電極の，薄膜トランジスタ上部の位置と，薄膜トランジスタから離隔した発光領域上の位置との段差は，０．２〜１μｍとすることができる。段差を０．２〜１μｍとすることによって，転移核を形成するための必要な傾斜角が得られ，段差の高さを調節することによって薄膜トランジスタ領域の傾斜角度が調節され，転移核を形成する領域の対向基板とのセルギャップを調節することができるので，好適な段差にするとよい。
【発明の効果】
【００２８】
以上詳述したように本発明によれば，基板上の画素電極が，単位画素領域上で薄膜トランジスタ領域の少なくとも一部と重なることによって，段差により，画素電極の一部分に傾斜を形成することができ，傾斜部分では液晶の配向角度が増加して，液晶分子の転移核形成を容易にすることができる。基板と対向基板との間の電界は相対的に上昇するので，薄膜トランジスタ上部領域に存在する転移核は，周辺の液晶の転移をさらに誘発し，液晶の転移電圧を減少させることができる。したがって，表示装置の電力消耗を減らして，表示装置の応答速度及び階調表示能力を改善させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３０】
図１は本実施の形態による液晶表示装置のアレイ基板に対する平面図であって，図４は図１のＩ−Ｉ’に沿った断面図である。図１を参照すると，基板上に一方向に配列された走査信号線１，及び走査信号線１に交差するように配列された映像信号線３が位置している。そして，走査信号線１と映像信号線３とにより単位画素領域Ａが形成される。単位画素領域Ａは，単位画素領域Ａのそれぞれの画素電極１４０毎に連結された薄膜トランジスタ領域Ｔｒを含み，薄膜トランジスタに離隔して発光領域Ｂが形成されている。
【００３１】
薄膜トランジスタ領域Ｔｒは，走査信号線１と映像信号線３との交差領域に位置する。すなわち，それぞれの薄膜トランジスタ領域Ｔｒは，ゲートラインである走査信号線１とソースラインである映像信号線３と連結されて，配線の走査信号線１及び映像信号線３から入力される信号によって動作するようになる。
【００３２】
また，薄膜トランジスタ領域Ｔｒは，単位画素領域Ａのうち少なくとも２つ以上の単位画素領域Ａに渡って位置する。単位画素領域Ａには，画素電極１４０が位置して，画素電極１４０の薄膜トランジスタ領域Ｔｒの少なくとも一部と重なる。ひいては，薄膜トランジスタ領域Ｔｒに隣接するそれぞれの単位画素の画素電極１４０は，薄膜トランジスタ領域Ｔｒの四方一部分ａ，ｂ，ｃ，ｄと重なることができる。
【００３３】
画素電極１４０が薄膜トランジスタ領域Ｔｒの四方一部分ａ，ｂ，ｃ，ｄと重なる部位は，断面を見た場合に，一定な傾斜を有することができる。ひいては，画素電極１４０の四隅が薄膜トランジスタ領域Ｔｒの少なくとも２つ以上の一部分と重なって，画素電極１４０の隅部分は一定の（各隅とも同様な）傾斜を有することができる。
【００３４】
図４を参照して前記の構造を詳細に説明すると，基板１００上にはゲート電極１１０が位置する。ゲート電極１１０上にはパターニングされたゲート絶縁膜１１５が位置して，ゲート絶縁膜１１５上にゲート電極１１０と対応する半導体層１２０が位置する。また，ソース電極１３０ａ及びドレイン電極１３０ｂが半導体層１２０に一部接するように位置する。
【００３５】
半導体層１２０，ゲート電極１１０，ソース電極１３０ａ，及びドレイン電極１３０ｂで構成される薄膜トランジスタＫ上には，絶縁膜１３５が位置する。絶縁膜１３５は，無機保護膜とすることができる。この無機保護膜はパターニングされて形成される。
【００３６】
絶縁膜１３５上には，四方一部分ｄで，薄膜トランジスタＫのドレイン電極１３０ｂと連結される画素電極１４０が位置する。薄膜トランジスタＫ及び画素電極１４０を具備する基板１００上には，共通電極２１５を具備する対向基板２００が位置する。対向基板２００上にはブラックマトリックス２０５が位置して，対向基板２００と共通電極２１５との間にカラーフィルター２１０ａ，２１０ｂが介在される。
【００３７】
画素電極１４０の上部と共通電極２１５の上部には配向膜１４５，２２５が位置して，配向膜１４５，２２５間に液晶層１５５が介在される。本実施の形態の場合，液晶層はＯＣＢモードであり，液晶層は，プレチルト角を有する。
【００３８】
薄膜トランジスタ領域Ｔｒに隣接するそれぞれの単位画素の画素電極１４０は，薄膜トランジスタ領域Ｔｒの四方一部分ａ，ｂ，ｃ，ｄ（図１）と重なるようになる。画素電極と薄膜トランジスタとの重なる部分（四方一部分ａ，ｂ，ｃ）では下部膜の段差によって，画素電極１４０が段差を有するようになって，この段差が傾斜を作り出す。
【００３９】
画素電極１４０の，薄膜トランジスタ上部の位置と，薄膜トランジスタから離隔した発光領域Ｂ上の位置との段差は，０．２〜１μｍとすることができる。段差を０．２〜１μｍとすることによって，転移核を形成するための必要な傾斜角が得られ，この段差を調節することによって画素電極の傾斜角度を調節することができる。画素電極１４０の傾斜部分に位置する液晶１５５ａは，液晶層１５５のプレチルト角と画素電極１４０の傾斜部分の傾斜角を加えた値の傾斜角を有することができる。
【００４０】
傾斜部分の傾斜角は，傾斜部分に存在する液晶の配向角度を増加させるので，傾斜部分以外の部位に存在する液晶より転移が容易になる。これは，液晶の転移時に触媒の役割をする転移核として作用するようになる。したがって，基板１００上に形成された薄膜トランジスタＫ上部に形成される傾斜構造を利用して，画素電極１４０の一部分に傾斜を形成することによって，液晶分子の転移核形成を容易にすることができる。
【００４１】
上記のように，転移核形成が容易になることによって，転移電圧を減少させることができ，それにより表示装置の電力消耗を減らすことができる。また，転移核の形成により転移速度が増加するので，表示装置の応答速度及び階調表示能力が改善することができる。
【００４２】
さらに，画素電極１４０の一定領域または一定面積に転移核が形成されるので，単位画素全体に対して均等な転移核を形成することができる。これにより，それぞれの単位画素には均一な液晶の転移を誘発させることができて，基板全体に対して均一な配向が行われるので，階調表示能力をさらに向上することができる。
【００４３】
そして，画素電極の段差によって薄膜トランジスタ上部に位置する液晶は，発光領域上に位置する液晶より強い電界を受けるようになる。したがって，薄膜トランジスタ上部に位置する液晶層が転移核になると，液晶の転移をより容易に誘発させ，転移電圧を減少させる効果を有するようにする。
【００４４】
以下，図面を参照して本実施の形態による液晶表示装置の製造方法を詳細に叙述する。図２は図１のＩ−Ｉ’に沿った基板の断面図である。図２を参照すると，単位画素領域Ａを具備する基板１００上にそれぞれの単位画素領域Ａ毎に，薄膜トランジスタＫを形成する。薄膜トランジスタＫは，走査信号線と映像信号線との交差領域に複数の単位画素領域Ａのうち少なくとも二つ以上の単位画素領域Ａに渡るように形成され，薄膜トランジスタ領域Ｔｒ（図１）となる。
【００４５】
すなわち，基板１００上に導電膜を積層後，パターニングしてゲート電極１１０を形成する。ゲート電極１１０上にゲート絶縁膜１１５を形成して，パターニングを行う。ゲート絶縁膜１１５は，シリコン酸化膜とするとよく，基板下部のバックライトユニットで発生した光をさらによく透過させることができる。
【００４６】
ゲート絶縁膜１１５上に，非晶質シリコン膜を積層後パターニング，または多結晶シリコン膜に結晶化した後にパターニングして，半導体層１２０を形成する。そして，半導体層１２０上に導電膜を積層後，パターニングしてソース電極１３０ａ及びドレイン電極１３０ｂを形成することによって薄膜トランジスタＫを形成する。
【００４７】
薄膜トランジスタＫが形成された基板１００上に絶縁膜１３５を形成し，一つの単位画素領域Ａの四方一部分ｄにおいて，絶縁膜１３５内にドレイン電極１３０ｂを露出するビアホール１３７（図１）を形成する。絶縁膜１３５は，無機保護膜を用いるとよく，シリコン窒化膜を用いることができる。無機保護膜は，パターニングして形成する。こうしてシリコン窒化膜を用いることにより，基板下部のバックライトユニットで発生した光をさらによく透過させることができる。
【００４８】
絶縁膜１３５上には導電膜を積層後パターニングし，薄膜トランジスタＫのドレイン電極１３０ｂと連結して，薄膜トランジスタＫのゲート電極１１０上部の一部分を覆うように画素電極１４０を形成する。そして，画素電極１４０上には，さらに配向膜１４５を形成する。
【００４９】
ここで，画素電極１４０を形成する際には，絶縁膜１３５内に，各単位画素領域Ａに対応して１つのビアホール１３７を形成し，導電膜を積層後，パターニングして下部の薄膜トランジスタＫと接続されるようにする。この時，薄膜トランジスタ領域Ｔｒ（図１）に隣接するそれぞれの単位画素領域Ａの画素電極１４０は，単位画素領域Ａの隅部で，少なくとも２つの薄膜トランジスタ領域Ｔｒの一部分と重なるように形成する。
【００５０】
すなわち，四個の単位画素領域Ａに渡って位置するように形成された薄膜トランジスタ領域Ｔｒにより，一つの単位画素領域Ａの画素電極１４０の２個以上の角部（隅部）は，薄膜トランジスタ領域Ｔｒと重なるようになる。つまり，薄膜トランジスタ領域Ｔｒに隣接するそれぞれの単位画素の画素電極１４０は，薄膜トランジスタ領域Ｔｒの四方一部分ａ，ｂ，ｃ，ｄ（図１）と重なるように形成することができ，画素電極１４０の段差によって所定の（一定の）傾斜を有することができる。さらに，画素電極１４０上には配向膜を形成する。
【００５１】
図３は，対向基板２００の断面図である。図３を参照すると，基板１００と対向する対向基板２００を形成するために，先に，対向基板２００上に画素を定義するブラックマトリックス２０５を積層する。そして，ブラックマトリックス２０５が形成された対向基板２００上にカラーフィルター２１０ａ，２１０ｂを形成する。カラーフィルター２１０ａ，２１０ｂ上に対向電極である共通電極２１５を形成する。共通電極の材料としては，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明素材を用いることができる。共通電極２１５上には配向膜２２５を形成する。
【００５２】
図４は，本実施の形態による図１のＩ−Ｉ’に沿った液晶表示装置の断面図である。図４を参照すると，図２の基板１００と図３の対向基板２００ｔを，配向膜１４５，２２５が向い合うように対向させて封止し，液晶層１５５を注入する。
【００５３】
液晶層１５５は，ＯＣＢモードの液晶を用いることができる。また，液晶層１５５は，一定なプレチルト角を有するように配向させる段階を含んで形成されることができる。例えば，配向膜形成時のラビングの強度と方向とを調節して，一定なプレチルト角を有するように調節することができる。画素電極１４０の傾斜部分に位置する液晶１５５ａは，液晶層のプレチルト角と画素電極の傾斜角とを加えた値の傾斜角を有することができる。
【００５４】
すなわち，下部の構造（薄膜トランジスタＫ）によって凸部が形成された画素電極１４０の段差によって，画素電極１４０の四方には一定角度の傾斜が形成されて，傾斜が形成された部位の液晶１５５ａは，傾斜が形成された部位以外の領域よりも，大きい値のプレチルト角を得ることになる。
【００５５】
このようにして，画素電極１４０の薄膜トランジスタ上部の位置と発光領域（薄膜トランジスタと離隔した領域）上部の位置との段差は，０．２〜１μｍとするとよい。したがって，段差を調節することによって画素電極１４０の傾斜角度を調節することができる。
【００５６】
傾斜角により傾斜部位に存在する液晶の配向角度は増えて，それによって傾斜角以外の部位に存在する液晶より転移が容易になる。これにより，傾斜部位に存在する液晶は，液晶の転移時に触媒の役割をする転移核として作用するようになる。したがって，基板１００上に形成された薄膜トランジスタによって形成された傾斜構造を利用して，画素電極１４０の一部分に傾斜を形成することによって液晶分子の転移核形成を容易にすることができる。
【００５７】
したがって，転移核形成が容易になることによって転移電圧を減少させることができて，それによって表示装置の電力消耗を減らすことができる。また，転移核の形成により転移速度が増加することによって表示装置の応答速度及び階調表示能力を改善することができる。
【００５８】
さらに，画素電極１４０の一定領域または一定面積に転移核が形成されるので，単位画素全体に対して均等な転移核を形成することができる。これにより，それぞれの単位画素には，均一な液晶の転移を誘発させることができて，基板全体に対して均一な配向が行われるので，階調表示能力をさらに向上することができる。
【００５９】
そして，段差によって薄膜トランジスタ領域Ｔｒの上部に位置する画素電極１４０の領域に位置する液晶１５５ａは，基板１００の発光領域上に位置する液晶より相対的に強い電界を受けるようになる。したがって，薄膜トランジスタ上部に位置する液晶層１５５ａが転移核になって，液晶の転移をさらに誘発させて，転移電圧を減少させる効果を有するようになる。
【００６０】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は，液晶表示装置及びその製造方法に適用可能であり，液晶がスプレイ状態からベンド状態に転移をした後に駆動される，液晶表示装置及びその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本実施の形態による液晶表示装置のアレイ基板に対する説明図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’に沿った基板の断面図である。
【図３】図２の基板に対向する対向基板の断面図である。
【図４】本実施の形態による液晶表示装置の図１のＩ−Ｉ’に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１      走査信号線
３      映像信号線
１００      基板
１１０      ゲート電極
１１５      ゲート絶縁膜
１２０      半導体層
１３０ａ    ソース電極
１３０ｂ    ドレイン電極
１３５      絶縁膜
１４０      画素電極
１４５      配向膜
１５５      液晶層
２００      対向基板
２０５      ブラックマトリックス
２１０ａ    カラーフィルター
２１０ｂ    カラーフィルター
２１５      共通電極
２２５      配向膜
Ａ      単位画素領域
Ｔｒ      薄膜トランジスタ領域
【図１】
2006154821.tif 000003
【図２】
2006154821.tif 000004
【図３】
2006154821.tif 000005
【図４】
2006154821.tif 000006