(57)【要約】【課題】  例えば液晶装置等の電気光学装置において、電磁波の発生や漏洩を抑制可能であり且つ高品質な表示を可能とする。【解決手段】  電気光学装置は、基板上に、複数の走査線に走査信号を供給して画素部の水平走査を行う走査線駆動部と、複数のデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動部と、基板の辺に沿って配列された複数の外部回路接続端子と、複数の外部回路接続端子から夫々引き回されており、複数系列の第１イネーブル信号を供給する複数本の第１イネーブル供給線、一系列の第２イネーブル信号を供給する第２イネーブル供給線、該第２イネーブル供給線に対応して配線されており且つ前記第２イネーブル信号とは所定電位に対して電位が逆極性の信号を供給する逆極性配線、及び前記画像信号を前記データ線駆動部に供給する画像信号線を含む複数の引回配線とを備える。【選択図】  図３
2006208599.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
互いに交差して延びる複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記データ線及び前記走査線に夫々電気的に接続された複数の画素部と、
前記複数の走査線に走査信号を供給して前記画素部の水平走査を行う走査線駆動部と、
前記複数のデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動部と、
複数系列の第１イネーブル信号を供給する複数本の第１イネーブル供給線、一系列の第２イネーブル信号を供給する第２イネーブル供給線、該第２イネーブル供給線に対応して配線されており且つ前記第２イネーブル信号とは所定電位に対して電位が逆極性の信号を供給する逆極性配線、及び前記画像信号を前記データ線駆動部に供給する画像信号線を含む複数の引回配線と
を備えており、
前記データ線駆動部及び前記走査線駆動部の少なくとも一方は、(i)所定周期のクロック信号に基づいて複数の段から夫々転送信号を順次出力するシフトレジスタ、(ii)前記順次出力された転送信号における各パルスのパルス幅を、該パルス幅よりも狭い、前記複数系列の第１イネーブル信号の夫々が有する第１パルス幅に制限し、更に、該第１パルス幅に制限された転送信号における各パルスのパルス幅を、前記第１パルス幅よりも狭い、前記一系列の第２イネーブル信号が有する第２パルス幅に制限するパルス幅制限手段、及び(iii)前記第２パルス幅に制限された転送信号に応じて、前記画像信号及び前記走査信号の少なくとも一方を供給する供給手段を含む
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記基板上に、前記基板の辺に沿って配列されると共に前記複数の引回配線の一端側が接続された複数の外部回路接続端子を更に備え、
該複数の外部回路接続端子のうち前記第２イネーブル信号を供給する一の端子及び前記逆極性の信号を供給する他の端子は、相隣接していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記基板上に、前記基板の辺に沿って配列されると共に前記複数の引回配線の一端側が接続された複数の外部回路接続端子を更に備え、
前記第２イネーブル供給線は、前記複数の外部回路接続端子のうち一の端子から引き回されており、
前記逆極性配線は、前記複数の外部回路接続端子のうち他の端子から、少なくとも部分的に前記第２イネーブル供給線に沿って、引き回されており、
前記第２イネーブル信号及び前記逆極性の信号は、前記外部回路接続端子に電気的に接続された外部回路から供給されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２イネーブル信号及び前記逆極性の信号は、前記外部回路から、前記複数の外部回路接続端子に接続されたフレキシブル基板を介して、前記一の端子及び前記他の端子に夫々供給されることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記フレキシブル基板を構成する複数の配線のうち、前記第２イネーブル信号を供給する一の配線と前記逆極性の信号を供給する他の配線とは、前記フレキシブル基板を構成する可塑性の基材上で相隣接して配置されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記基板上に、前記第２イネーブル信号に基づいて、前記逆極性の信号を生成する逆極性信号生成回路を更に備え、
前記逆極性配線は、前記逆極性信号生成回路から、少なくとも部分的に前記第２イネーブル供給線に沿って、引き回されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記基板上に、前記第２イネーブル信号及び前記逆極性の信号間の位相差を低減する位相差補正回路を更に備えたことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第２イネーブル供給線と前記逆極性配線とは、前記複数の引回配線の配列中で、少なくとも部分的に相隣接していることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記逆極性配線の端又は途中に設けられており、前記データ線駆動部を構成する回路の少なくとも一部を模擬するダミーの回路を更に備えたことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第２イネーブル供給線及び前記逆極性配線は少なくとも部分的に、前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された相互に別層で形成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
基板上に、互いに交差して延びる複数のデータ線及び複数の走査線と、前記データ線及び前記走査線に夫々電気的に接続された複数の画素部と、前記複数の走査線に走査信号を供給して前記画素部の水平走査を行う走査線駆動部と、前記複数のデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動部と、複数系列の第１イネーブル信号を供給する複数本の第１イネーブル供給線、一系列の第２イネーブル信号を供給する第２イネーブル供給線、該第２イネーブル供給線に対応して配線されており且つ前記第２イネーブル信号とは所定電位に対して電位が逆極性の信号を供給する逆極性配線、及び前記画像信号を前記データ線駆動部に供給する画像信号線を含む複数の引回配線とを備えた電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、
前記データ線駆動部及び前記走査線駆動部の少なくとも一方において、
所定周期のクロック信号に基づいて複数の段から夫々転送信号を順次出力する順次出力工程と、
前記順次出力された転送信号における各パルスのパルス幅を、該パルス幅よりも狭い、前記複数系列の第１イネーブル信号の夫々が有する第１パルス幅に制限し、更に、該第１パルス幅に制限された転送信号における各パルスのパルス幅を、前記第１パルス幅よりも狭い、前記一系列の第２イネーブル信号が有する第２パルス幅に制限するパルス幅制限工程と、
前記第２パルス幅に制限された転送信号に応じて、前記画像信号及び前記走査信号の少なくとも一方を供給する供給工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその駆動方法、並びに該電気光学装置を備えて構成される、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、例えばその基板上に、データ線を駆動するためのデータ線駆動回路や走査線を駆動するための走査線駆動回路等が作り込まれる。即ち、この場合には、電気光学装置は、駆動回路内蔵型として構築される。その動作時には、データ線駆動回路は、画像信号線に供給される画像信号をサンプリングパルスのタイミングでサンプリングし、データ線に供給するように構成されている。ここで特に高い駆動周波数になると、サンプリングに用いられる時間的に相前後するサンプリングパルスの先端と後端とが僅かに重なってしまうため、相異なる時間にサンプリングされる筈の画像信号が部分的に重畳されてデータ線に供給されてしまう。この結果、解像度劣化やゴーストが発生する。
【０００３】
このため従来から、高い駆動周波数に追従して高精細な画像表示を実現するために、サンプリングパルスの各パルスを、順に選択される複数系列のイネーブル信号により夫々規定する技術がある。但し、サンプリングパルスの位相がずれると、やはり、相異なる時間にサンプリングされる筈の画像信号が重畳されてしまい、解像度劣化やゴーストが発生することがある。例えば特許文献１に記載された技術によれば、シフトレジスタ出力（一次クロック信号）を、二次クロック信号で整形してサンプリングパルスを生成し、サンプリングスイッチの開閉制御に用いる。この場合、サンプリングパルスのばらつきは、二次クロック信号のばらつき内に収められる。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２８６６４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、サンプリングパルスの形状やパルス幅は、イネーブル信号の系列間誤差に起因して系列毎に異なる場合がある。その場合は、表示面に系列に対応した筋状の輝度斑が発生するおそれがあるが、特許文献１に記載されているような技術はこうした問題に十分に対応していない。駆動周波数が高くなる程、このようなイネーブル信号の系列間誤差の影響は相対的に増大するので、この問題は深刻さを増す。尚、以上の問題は液晶装置に限ったものではなく、他の電気光学装置であっても原理的に同様の問題が生じる可能性がある。
【０００６】
更に、イネーブル信号は、サンプリングパルスのパルス幅に制限を加えるというその性質上、一般に高周波の信号である。このため、外部に対する高周波数の電磁波の発生や漏洩が、問題となる。しかも、パルス幅の制限を夫々行う複数系列のイネーブル信号における、系列差を低減するために、一系列のイネーブル信号で更なるパルス幅の制限を行うことは、理論上は可能である。しかしながら、その場合には、一系列のイネーブル信号は、一系列のみで全てのサンプリングパルスのパルス幅に制限を加えるという性質上、更に高周波の信号となる筈である。このため、仮にこのような一系列のイネーブル信号を何らかの形で使用すると、系列差の問題を解決することは可能であったとしても、今度は、上述の如き外部に対する高周波数の電磁波の発生や漏洩は、顕著に深刻さを増すことになる筈である。この問題の対処法としては、例えば、複板式の液晶プロジェクタ内で、プリズムを挟んで組み立てられたライトバルブの部分や、該ライトバルブに接続されたＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：フレキシブル基板）の部分を、銅箔、アルミ箔等で電磁シールドすることなどが考えられるが、これは、コストアップや装置構成の複雑化につながるという技術的問題点がある。
【０００７】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みなされたものであり、電磁波の発生や漏洩を抑制可能であり且つ高品質な表示を可能とする電気光学装置及びその駆動方法、並びに該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差して延びる複数のデータ線及び複数の走査線と、前記データ線及び前記走査線に夫々電気的に接続された複数の画素部と、前記複数の走査線に走査信号を供給して前記画素部の水平走査を行う走査線駆動部と、前記複数のデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動部と、複数系列の第１イネーブル信号を供給する複数本の第１イネーブル供給線、一系列の第２イネーブル信号を供給する第２イネーブル供給線、該第２イネーブル供給線に対応して配線されており且つ前記第２イネーブル信号とは所定電位に対して電位が逆極性の信号を供給する逆極性配線、及び前記画像信号を前記データ線駆動部に供給する画像信号線を含む複数の引回配線とを備えており、前記データ線駆動部及び前記走査線駆動部の少なくとも一方は、(i)所定周期のクロック信号に基づいて複数の段から夫々転送信号を順次出力するシフトレジスタ、(ii)前記順次出力された転送信号における各パルスのパルス幅を、該パルス幅よりも狭い、前記複数系列の第１イネーブル信号の夫々が有する第１パルス幅に制限し、更に、該第１パルス幅に制限された転送信号における各パルスのパルス幅を、前記第１パルス幅よりも狭い、前記一系列の第２イネーブル信号が有する第２パルス幅に制限するパルス幅制限手段、及び(iii)前記第２パルス幅に制限された転送信号に応じて、前記画像信号及び前記走査信号の少なくとも一方を供給する供給手段を含む。
【０００９】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時に、走査線駆動部による水平走査で選択された画素部列に、データ線駆動部からデータ線を通じて画像信号が供給され、データが書き込まれる。これらにより、複数の画素部における、アクティブマトリクス駆動等の所定種類の動作が可能となる。
【００１０】
この際、データ線駆動部では、シフトレジスタによって、転送信号が出力され、そのパルス幅が、パルス幅制限手段によって、先ず複数系列の第１イネーブル信号のパルス幅に制限され、更に一系列の第２イネーブル信号のパルス幅に制限される。これらにより、パルス幅が一定となるように制限された転送信号が、サンプリングパルスとして得られる。このサンプリングパルスに応じて、サンプリング手段によって、画像信号がサンプリングされ、サンプリングされた画像信号が対応するデータ線に入力される。尚、「サンプリングパルス」とは、画像信号線に供給される画像信号をデータ線に選択的に供給するためのサンプリングの際のタイミング制御用の信号であり、一般には、画像信号線とデータ線との間に設けた、サンプリング手段の一例たる、サンプリングスイッチの開閉を制御するように構成されている。また、シフトレジスタからの転送信号は各段から「順次」出力されるが、これは、各段から次々に出力される、といった意味であり、必ずしも、転送信号の時系列が各段の物理的な配列と対応している場合に限定されない。また、幾つかのサンプリングスイッチを一グループとして、同一サンプリングパルスにより同時開閉してもよい。
【００１１】
このような転送信号は、高周波化の常套手段として、本発明に係る「第１イネーブル信号」に相当する、複数系列のイネーブル信号によって整形される。即ち、転送信号のパルス幅は、より幅が狭い、複数系列のイネーブル信号のパルス幅によって制限される。ここで「複数系列」というのは、例えば同一構成又は異なる構成を有すると共に相互に独立して設けられる、複数のイネーブル信号生成回路や複数のイネーブル信号供給経路など、信号の発生起源又は供給経路が互いに異なっていることを指しており、最終的に重畳されて一つの連続信号として取り扱われる場合であっても、この概念に含まれる。そのような場合には、たとえ元々同一波形であることが意図されていても、回路素子の特性や素子や配線の電気的影響によって波形が僅かながら異なることがあり得る。複数系列のイネーブル信号は互いに独立した信号として取り扱うことができるため、一つの転送信号を時分割して複数の信号線に分配供給することができる。但し、仮にこのような複数系列のイネーブル信号を用いた波形整形のみでは、系列差に起因して表示上の不具合が生じるおそれがある。例えば、データ線駆動部では、イネーブル信号のパルス形状が画像信号に反映されるため、系列間でのパルス幅の違いが輝度差として顕在化し、表示品質を低下させることがある。具体的には、系列周期に対応する縦筋状の輝度斑となって現れる。
【００１２】
そこで、本発明の電気光学装置は、パルス幅制限手段において、転送信号を、このような複数系列の第１イネーブル信号による整形の後に、更に一系列の第２イネーブル信号で整形するように構成されている。この第２イネーブル信号は、例えば最終的な出力信号のパルス幅とパルス周波数とを備えている。ここで「一系列」というのは、発生起源又は供給経路が同一であることを指しており、そのような場合には、信号の各パルスの幅や間隔（即ち、周波数）、立ち上がり時及び立ち下がり時の歪み具合を含めた形状等はほぼ一定となる。少なくとも、複数系列の第１イネーブル信号と比べると、極めて顕著に同一系列の第２イネーブル信号におけるパルス幅等は均一になる。そのため、この整形により、転送信号における各パルスの幅は均一化される。即ち、先の整形段階で生じた転送信号のパルス幅の系列差による変動を、この整形段階で解消することが可能となる。
【００１３】
このように、複数系列の第１イネーブル信号と一系列の第２イネーブル信号を用い、転送信号に少なくとも２段階の整形を施すようにすれば、最終的にパルス幅一定の信号を得ることが可能である。或いは、このような２段階の整形を施すようにすれば、１段目の複数系列の第１イネーブル信号のみを用いて波形整形をおこなった場合と比較して、最終的に出力される、サンプリングパルス等の転送信号におけるパルス幅を、格段に一定にできると言える。即ち、本発明においては、少なくとも以上に説明した２段階の整形が必要であるが、例えば同様の整形工程を更に行うことも可能である。但し、その場合には、一系列の第２イネーブル信号による整形工程を必ず最後に入れるようにする必要がある。
【００１４】
データ線駆動部では、以上のように２段階でパルス幅が整形された転送信号に応じて、即ち、この信号をサンプリングパルスとして、画像信号のサンプリングが行われることから、データ線に供給される画像信号は、パルス幅が一定化される。この際、転送信号の処理に際して複数系列の第１イネーブル信号を用いながらも、これらの系列差に起因する輝度斑を殆ど又は実践上全く生じさせないで済む。
【００１５】
本発明では特に、一系列の第２イネーブル信号のパルス幅（即ち、「第２パルス幅」）は、パルス幅を複数系列の第１イネーブル信号のパルス幅（即ち、「第１パルス幅」）で制限された転送信号を整形することから、複数系列の第２イネーブル信号のパルス幅よりも小さい。更に言えば、第２イネーブル信号は、例えば最終的なサンプリングパルスとしての整形後の転送信号と同一の周波数を備えている。即ち、第２イネーブル信号の周波数は、第１イネーブル信号や、その他の電源信号、各種制御信号などの低周波数の信号と比べて、かなり高い。従って、本発明に係る上述の如き第１及び第２イネーブル信号を利用した構成の場合には、伝統的な第１イネーブル信号に相当するイネーブル信号のみを利用する構成と比較して、第２イネーブル供給線から発生し、電気光学装置の外部に発信される或いは漏洩する高周波の電磁波は、無視し得ない程に大きくなる。
【００１６】
しかるに本発明によれば、複数の引回配線は、第２イネーブル供給線に対応して配線されており且つ第２イネーブル信号とは所定電位に対して電位が逆極性の信号を供給する逆極性配線を含む。例えば、逆極性の信号は、外部回路で生成されて、第２イネーブル信号と共に外部回路接続端子を介して供給される。或いは、逆極性の信号は、電気光学装置内部にて生成され、好ましくは第２イネーブル信号が入力される外部回路接続端子の付近で生成される。いずれにせよ、第２イネーブル供給線に、好ましくは隣接して又は隣接せずとも近接して引き回されるなど、逆極性配線は、第２イネーブル供給線に対応して配線されている。従って、第２イネーブル供給線から発生する高周波の電磁波を、逆極性配線から発生する高周波の電磁波であり且つ第２イネーブル信号に対して逆極性の信号に基づく逆極性の電磁波により、少なくとも部分的に、理想的には実践的な意味で殆ど又は完全に相殺することが可能となる。本発明に係る「逆極性の信号」とは、このように第２イネーブル信号が発生する電磁波を、相殺する電磁波を発生させる極性を有する信号を意味する。典型的には、パルス信号たる第２イネーブル信号に対し、反転したパルス信号が逆極性の信号ということになる。言い換えれば、周波数が同一であり、位相が反転されている信号、即ち逆位相の信号ということになる。また、このような逆極性の信号を供給する「逆極性配線」は、好ましくは、その配線としての属性（例えば、配線長、配線幅、配線厚、配線容量、配線抵抗、配線インピーダンス等）が、第２イネーブル供給線のそれと類似している、或いは揃えられていることが好ましい。これにより、逆極性配線による電磁波を相殺する効果を高めることが可能となる。
【００１７】
この結果、高周波の信号である第２イネーブル信号を利用しても、外部に対する高周波数の電磁波の発生や漏洩を、低減することが可能となる。これにより例えば、複板式の液晶プロジェクタ内で、プリズムを挟んで組み立てられたライトバルブの部分や、該ライトバルブに接続されたＦＰＣの部分を、銅箔、アルミ箔等で電磁シールドする必要もなくなる。理想的には、外部回路接続端子からの全体について、第２イネーブル供給線に沿って、このような逆極性配線を隣接して配線すれば、上述の如き電磁波を相殺する効果は大きくなるが、基板上におけるいずれかの場所に逆極性配線を任意の平面レイアウトにて配線しておけば、大なり小なり相応の効果が得られる。加えて、例えばＦＰＣ上など、電気光学装置に第２イネーブル信号が供給される段階までも含めて、このような逆極性の信号から発せられる電磁波で、第２イネーブル信号から発せられる電磁波を相殺することも可能である。
【００１８】
以上詳細に説明したように本発明の電気光学装置によれば、第２イネーブル信号に起因する高周波の電磁波の発生や漏洩を抑制しつつ、第１及び第２イネーブル信号を有効に利用することで、最終的に高品位の画像を表示可能となる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記基板上に、前記基板の辺に沿って配列されると共に前記複数の引回配線の一端側が接続された複数の外部回路接続端子を更に備え、該複数の外部回路接続端子のうち前記第２イネーブル信号を供給する一の端子及び前記逆極性の信号を供給する他の端子は、相隣接している。
【００２０】
この態様によれば、基板の辺に沿った複数の外部回路接続端子の配列において、第２イネーブル供給線に接続された一の端子と、逆極性配線に接続された他の端子とは隣接しているので、外部回路接続端子付近における第２イネーブル供給線から発生する電磁波を、逆極性配線から発生する電磁波で、効率的に相殺することが可能となる。特に、このように一及び他の端子を相隣接させておけば、外部回路接続端子に接続されるＦＰＣ等の接続配線上でも、第２イネーブル供給線と逆極性配線とを相隣接させる構成や、外部回路接続端子から引き回される引回配線上でも、第２イネーブル供給線と逆極性配線とを相隣接させる構成を、無理なく採ることが可能となり、実践上極めて有利である。
【００２１】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上に、前記基板の辺に沿って配列されると共に前記複数の引回配線の一端側が接続された複数の外部回路接続端子を更に備え、前記第２イネーブル供給線は、前記複数の外部回路接続端子のうち一の端子から引き回されており、前記逆極性配線は、前記複数の外部回路接続端子のうち他の端子から、少なくとも部分的に前記第２イネーブル供給線に沿って、引き回されており、前記第２イネーブル信号及び前記逆極性の信号は、前記外部回路接続端子に電気的に接続された外部回路から供給される。
【００２２】
この態様によれば、外部回路接続端子からデータ線駆動部や走査線駆動部にいたる配線全体について、逆極性配線を第２イネーブル供給線に沿って配線することができ、第２イネーブル供給線から発生或いは漏洩する電磁波を強固に抑制することが可能となる。
【００２３】
この態様では、前記第２イネーブル信号及び前記逆極性の信号は、前記外部回路から、前記複数の外部回路接続端子に接続されたフレキシブル基板を介して、前記一の端子及び前記他の端子に夫々供給されるように構成してもよい。
【００２４】
このように構成すれば、外部回路で生成された逆極性の信号を利用することで、引間回配線の末端である、外部回路接続端子のところから、第２イネーブル供給線から発生或いは漏洩する電磁波を抑制することが可能となる。
【００２５】
この場合更に、前記フレキシブル基板を構成する複数の配線のうち、前記第２イネーブル信号を供給する一の配線と前記逆極性の信号を供給する他の配線とは、前記フレキシブル基板を構成する可塑性の基材上で相隣接して配置されているように構成してもよい。
【００２６】
このように構成すれば、ＦＰＣ等のフレキシブル基板を含めてデータ線駆動部や走査線駆動部にいたる配線全体について、逆極性の信号の供給経路を、第２イネーブル信号の供給経路に沿って配線することができ、第２イネーブル供給線から発生或いは漏洩する電磁波を、より強固に抑制することが可能となる。
【００２７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上に、前記第２イネーブル信号に基づいて、前記逆極性の信号を生成する逆極性信号生成回路を更に備え、前記逆極性配線は、前記逆極性信号生成回路から、少なくとも部分的に前記第２イネーブル供給線に沿って、引き回されている。
【００２８】
この態様によれば、逆極性の信号を、基板上で生成することができるので、外部回路において逆極性の信号を生成する機能を有しなくても、逆極性信号生成回路のところから、第２イネーブル供給線から発生或いは漏洩する電磁波を抑制することが可能となる。従って、このような逆極性信号生成回路は、第２イネーブル信号が供給される外部回路接続端子に、なるべく近付けて配置することが好ましい。これにより、第２イネーブル供給線のなるべく広範囲について、逆極性配線による電磁波の相殺という作用を発揮させることが可能となる。
【００２９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上に、前記第２イネーブル信号及び前記逆極性の信号間の位相差を低減する位相差補正回路を更に備える。
【００３０】
この態様によれば、位相差補正回路は、外部回路で生成された又は電気光学装置内で生成された逆極性の信号の位相を、第２イネーブル信号の位相に合わせる或いは近付けることができる。従って、両信号間の位相差が低減された分だけ、逆極性の信号に係る電磁波の相殺という機能を高めることが可能となる。従って、このような位相差補正回路は、第２イネーブル信号が供給される外部回路接続端子に、なるべく近付けて配置することが好ましい。これにより、第２イネーブル供給線のなるべく広範囲について、より正確に逆極性の信号を供給する逆極性配線によって、電磁波を相殺することが可能となる。
【００３１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２イネーブル供給線と前記逆極性配線とは、前記複数の引回配線の配列中で、少なくとも部分的に相隣接している。
【００３２】
この態様によれば、基板上における複数の引回配線の配列中で、第２イネーブル供給線と逆極性配線とは、少なくとも部分的に相隣接しているので、この部分において、極めて効率的に電磁波を相殺することが可能となる。尚、このように隣接していなくても、即ち、間に、他の一又は複数の配線が配線されていても、本発明に係る逆極性配線による電磁波を相殺する効果は、第２イネーブル供給線と逆極性配線との相対的な距離等に応じて相応に得られる。
【００３３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記逆極性配線の端又は途中に設けられており、前記データ線駆動回路を構成する回路の少なくとも一部を模擬するダミーの回路を更に備える。
【００３４】
この態様によれば、ダミー回路によって、逆極性配線と第２イネーブル供給線との配線としての属性を、その先端側に接続された回路も含めて相互に類似したものにでき、これにより、逆極性配線による電磁波を相殺する効果を高めることが可能となる。例えば、位相差補正回路は、外部回路接続端子に並んで設けられ、ダミー回路は、外部回路接続端子の横に並べて配置される。或いは、データ線駆動部内に、分散して配置されてもよい。加えて、第２イネーブル供給線と逆極性配線との間の存在する、配線容量等の配線としての属性の差異を、当該ダミー回路で調整するように構成してもよい。即ち、係る配線としての属性の差異に対応する分だけ、敢えて、その模擬対象とする回路部分とは異なるようにダミー回路を構成してもよい。これにより、より一層、逆極性配線による電磁波を相殺する効果を高めることが可能となる。
【００３５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２イネーブル供給線及び前記逆極性配線は少なくとも部分的に、前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された相互に別層で形成されている。
【００３６】
この態様によれば、層間絶縁膜を介して、極めて接近した位置において、逆極性配線を第２イネーブル供給線に沿って配線することができる。これにより、より一層、逆極性配線による電磁波を相殺する効果を高めることが可能となる。尚、このような逆極性配線は、好ましくは、平面的に見て少なくとも部分的に重ねられており、配線幅、配線長さ等の配線としての属性についても揃えられていることが好ましい。
【００３７】
但し、逆極性配線と第２イネーブル供給線とは、基板上に構築された積層構造において同層で形成されてもよい。
【００３８】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差して延びる複数のデータ線及び複数の走査線と、前記データ線及び前記走査線に夫々電気的に接続された複数の画素部と、前記複数の走査線に走査信号を供給して前記画素部の水平走査を行う走査線駆動部と、前記複数のデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動部と、複数系列の第１イネーブル信号を供給する複数本の第１イネーブル供給線、一系列の第２イネーブル信号を供給する第２イネーブル供給線、該第２イネーブル供給線に対応して配線されており且つ前記第２イネーブル信号とは所定電位に対して電位が逆極性の信号を供給する逆極性配線、及び前記画像信号を前記データ線駆動部に供給する画像信号線を含む複数の引回配線とを備えた電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、前記データ線駆動部及び前記走査線駆動部の少なくとも一方において、所定周期のクロック信号に基づいて複数の段から夫々転送信号を順次出力する順次出力工程と、前記順次出力された転送信号における各パルスのパルス幅を、該パルス幅よりも狭い、前記複数系列の第１イネーブル信号の夫々が有する第１パルス幅に制限し、更に、該第１パルス幅に制限された転送信号における各パルスのパルス幅を、前記第１パルス幅よりも狭い、前記一系列の第２イネーブル信号が有する第２パルス幅に制限するパルス幅制限工程と、前記第２パルス幅に制限された転送信号に応じて、前記画像信号及び前記走査信号の少なくとも一方を供給する供給工程とを含む。
【００３９】
本発明の電気光学装置の駆動方法によれば、上述した本発明に係る電気光学装置の場合と同様に、第２イネーブル信号に起因する高周波の電磁波の発生や漏洩を抑制しつつ、第１及び第２イネーブル信号を有効に利用することで、最終的に高品位の画像を表示可能となる。
【００４０】
尚、本発明の電気光学装置の駆動方法においても、上述した本発明に係る電気光学装置における各種態様と同様の各種態様を採ることが可能である。
【００４１】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００４２】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の画像を表示可能な、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなど、更には電気光学装置を露光用ヘッドとして用いたプリンタ、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置など、各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば、電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）等を実現することも可能である。
【００４３】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図１から図７を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４５】
＜液晶装置の構成＞
先ず、本実施形態における液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、対向基板側から見た液晶装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００４６】
図１及び図２において、液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とから構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４７】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域では、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の間には、両基板間の電気的導通を確保するための上下導通端子１０６が配置されている。
【００４８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用ＴＦＴや各種配線等の上に画素電極９ａが、更にその上から配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上の画像表示領域１０ａには、液晶層５０を介して複数の画素電極９ａと対向する対向電極２１が形成されている。即ち、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９ａと対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。この対向電極２１上には、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が形成され、更にその上を配向膜が覆っている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４９】
データ線駆動回路１０１は、後に詳述するように、シフトレジスタ、論理回路及びサンプリング回路を含んで構成されているが、このうち例えばサンプリング回路については、図１中で額縁領域５３に覆われる額縁領域内に配置されていてもよい。
【００５０】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、後述する位相差補正回路１０８等が形成されている。これに加えて、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。以上が、この液晶装置の構成の概要である。
【００５１】
次に、この液晶装置の主要な構成について図３及び図４を参照して説明する。ここに、図３は、当該液晶装置の要部の構成を示している。図４は、図３に示した構成のうち転送信号の整形に関する回路系を表している。
【００５２】
図３において、液晶装置は、例えば石英基板、ガラス基板或いはシリコン基板等からなるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０（ここでは図示せず）とが液晶層を介して対向配置され、画像表示領域１０ａにおいて区画配列された画素電極９ａに印加する電圧を制御し、液晶層にかかる電界を画素毎に変調する構成となっている。これにより、両基板間の透過光量が制御され、画像が階調表示される。この液晶装置はＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採り、ＴＦＴアレイ基板１０における画素表示領域１０ａには、マトリクス状に配置された複数の画素電極９ａと、互いに交差して配列された複数の走査線２及びデータ線３とが形成され、画素に対応する画素部が構築されている。尚、ここでは図示しないが、各画素電極９ａとデータ線３との間には、走査線２を介して夫々供給される走査信号に応じて導通、非導通が制御されるＴＦＴや、画素電極９ａに印加した電圧を維持するための蓄積容量が形成されている。また、画像表示領域１０ａの周辺領域には、データ線駆動回路１０１等の駆動回路、外部回路接続端子１０２、位相差補正回路１０８及びダミー回路１１０が形成されている。
【００５３】
データ線駆動回路１０１は、シフトレジスタ５１、論理回路５５及びサンプリング回路７からなる。シフトレジスタ５１は、データ線駆動回路１０１内に入力される所定周期のＸ側クロック信号ＣＬＸ（及びその反転信号ＣＬＸＢ）及びシフトレジスタスタート信号ＤＸに基づいて、各段から転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、…、ｎ）を順次出力するように構成されている。
【００５４】
論理回路５５は、本発明の「パルス幅制限手段」の一具体例であり、転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、…、ｎ）をイネーブル信号に基づいて整形し、それを基にして最終的にサンプリング回路駆動信号Ｓｉ（ｉ＝１、…、ｎ）を出力する機能を有している。
【００５５】
図４において、論理回路５５はＡＮＤ回路５５Ａ、ＯＲ回路５５Ｄ及びＡＮＤ回路５５Ｂの３段で構成されている。ＡＮＤ回路５５Ａは、シフトレジスタ５１から入力される転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、…、ｎ）と、４本のイネーブル供給線８１の夫々から供給されるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のうちの一つとの論理積を、一次整形信号Ｑｉ（ｉ＝１、…、ｎ）として出力するように構成されている。ＯＲ回路５５Ｄは、ＡＮＤ回路５５Ａの後段、かつ、ＡＮＤ回路５５Ｂの前段に設けられており、ＡＮＤ回路５５Ａの出力、及び、プリチャージタイミング信号供給線８３からプリチャージタイミング信号ＮＲＧ（Noise Reduction Gate）が入力されるように構成され、これらの信号の少なくとも一方が入力されたときに“Ｈｉｇｈ"を出力する。プリチャージタイミング信号ＮＲＧは外部回路接続端子１０２を介して、ＴＦＴアレイ基板１０の外部から供給される。ＡＮＤ回路５５Ｂは、ＯＲ回路５５Ｄの後段に設けられ、一次整形信号Ｑｉ（ｉ＝１、…、ｎ）と本発明の「第２イネーブル供給線」の一例としてのマスターイネーブル供給線９２から供給されるマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢとの論理積をサンプリング回路駆動信号Ｓｉ（ｉ＝１、…、ｎ）として出力するように構成されている。論理積を求めることにより、転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、…、ｎ）や一次整形信号Ｑｉ（ｉ＝１、…、ｎ）の波形は、よりパルス幅の狭いイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４やマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢの波形に基づいてトリミングされ、パルス幅がイネーブル信号のパルス幅に制限される。ここで、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４は、本発明に係る「複数系列の第１イネーブル信号」の一例であり、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢは、本発明に係る「一系列の第２イネーブル信号」の一例である。
【００５６】
サンプリング回路７は、画像信号線６に供給される画像信号ＶＩＤを、基準クロック信号であるサンプリング回路駆動信号Ｓｉ（ｉ＝１、…、ｎ）に応じてサンプリングし、夫々をデータ信号としてデータ線３に印加する。サンプリング回路７は、例えば図４に示したように、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ７１からなる。
【００５７】
尚、ここでは説明の簡便のために画像信号線６は一本とし、いずれのサンプリングスイッチ７１もこの画像信号線６から画像信号ＶＩＤを供給されるようにしたが、画像信号は、シリアル−パラレル展開（即ち、相展開）されていてもよい。例えば、画像信号を画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の６相にシリアル−パラレル展開した場合、これらの画像信号は、６本の画像信号線を夫々介してサンプリング回路７に入力される。複数の画像信号線に対し、シリアルな画像信号を変換して得たパラレルな画像信号を同時供給すると、データ線３への画像信号入力をグループ毎に行うことができ、駆動周波数が抑えられる。
【００５８】
走査線駆動回路１０４は、マトリクス状に配置された複数の画素電極９ａをデータ信号及び走査信号により走査線２の配列方向に走査するために、走査信号印加の基準クロックであるＹ側クロック信号ＣＬＹ（及びその反転信号ＣＬＹＢ）及びシフトレジスタスタート信号ＤＹに基づいて生成される走査信号を、複数の走査線２に順次印加するように構成されている。その際には、各走査線２には、両端から同時に電圧が印加される。
【００５９】
尚、クロック信号等の各種タイミング信号は、図示しないタイミングジェネレータにて生成され、ＴＦＴアレイ基板１０上の各回路に供給される。また、各駆動回路の駆動に必要な電源電圧ＶＤＤＸ、ＶＤＤＹ等もまた外部回路から供給される。更に、上下導通端子１０６から引き出された信号線には、外部回路から対向電極電位ＬＣＣが供給される。対向電極電位ＬＣＣは、上下導通端子１０６を介して対向電極２１に供給される。対向電極電位ＬＣＣは、画素電極９ａとの電位差を適正に保持して液晶保持容量を形成するための対向電極２１の基準電位となる。
【００６０】
＜液晶装置の駆動方法＞
次に、この液晶装置の動作、特に転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、…、ｎ）をサンプリング回路駆動信号Ｓｉ（ｉ＝１、…、ｎ）に整形する過程について図３から図５を参照して説明する。図５は、図４に示した駆動系における各種信号のタイミングチャートである。
【００６１】
図５のタイミングチャートに示したように、データ線駆動回路１０１では、先ずシフトレジスタ５１から転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、…、ｎ）がＰ１、Ｐ２、…と順に出力される。転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、…、ｎ）の夫々は、ＡＮＤ回路５５Ａにおいて、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のいずれかとの論理積をとることによって、そのパルス幅がイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のパルス幅ｄ１に制限される（即ち、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４によって整形される）。ここで、パルス幅ｄ１は、本発明に係る「第１パルス幅」の一例である。転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、…、ｎ）は、シフトレジスタ５１に入力されるクロック信号ＣＬＸ等に応じて出力されることから、その高周波化にはクロック周期による制限のために一定の限界があるが、このように論理回路５５にてイネーブル信号との論理積をとることでパルス幅を制限すれば、狭小化することができる。
【００６２】
ＡＮＤ回路５５Ａの各出力は、ここで一次整形信号Ｑｉ（ｉ＝１、…、ｎ）とされる。ここで、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４は夫々系列の異なる信号であるために、波形が完全に揃わない場合が考えられる。そのような場合、一次整形信号Ｑｉ（ｉ＝１、…、ｎ）内に他のパルスと比べて幅が異なるパルスが混在することになる。例えば、図５に示したように、イネーブル信号ＥＮＢ３が、基準とするパルス幅ｄ１よりも広いパルス幅ｄ１’を有するとき、対応する一次整形信号Ｑ３のパルス幅もまたパルス幅ｄ１’となる。
【００６３】
プリチャージタイミング信号ＮＲＧは、画像信号ＶＩＤのサンプリング期間に先立つプリチャージ期間を規定し、ＯＲ回路５５Ｄに一斉に供給される。その間、ＡＮＤ回路５５Ｂには、イネーブル供給線８２を介してプリチャージタイミング信号ＮＲＧと同様の信号が入力される。従って、プリチャージタイミング信号ＮＲＧの入力期間には、全てのサンプリングスイッチ７１が同時に導通し、全データ線３が一斉に画素信号線６に接続された導通状態とされる。論理回路５５は、プリチャージタイミング信号ＮＲＧの入力期間には、全てのサンプリングスイッチ７１が同時に導通し、全データ線３が一斉に画素信号線６に接続された導通状態とされるように動作する。このとき、データ線３は、プリチャージ期間において画像信号線６から画像信号の供給を受けるようにされてもよいし、画像信号の電位とは別の所定電位に接続されてもよい。或いは、画像信号線６により導通状態とされるのみで、画像信号線６から信号の供給は受けないようにされてもよい。
【００６４】
そして、サンプリング期間では、論理回路５５は、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４とマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢとに応じてサンプリング回路駆動信号Ｓｉ（ｉ＝１、…、ｎ）を生成出力する。即ち、この期間のＯＲ回路５５Ｄは、プリチャージタイミング信号ＮＲＧが入力されないので、ＡＮＤ回路５５Ａが出力する一次整形信号Ｑｉ（ｉ＝１、…、ｎ）に対応して“Ｈｉｇｈ”を出力する。
【００６５】
プリチャージ期間では、データ線３と対向電極２１との間に生じる容量や、サンプリングスイッチ７１のトランジスタ容量及び画像信号線６の配線容量が、画像信号線６を通じて、充電又は放電される。そのため、プリチャージ後のデータ線３相互間の電位ばらつきは殆ど又は実践上全く問題となることは無くなる。その結果、後続するサンプリング期間でのデータ信号の書き込みばらつきが抑制され、表示斑が低減された高品位の表示が可能となる。  以上のＡＮＤ回路５５Ａにおける転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、…、ｎ）の整形工程は、一次整形工程に過ぎず、続いてＡＮＤ回路５５Ｂにおける二次整形工程が行われる。
【００６６】
一次整形信号Ｑｉ（ｉ＝１、…、ｎ）の夫々は、ＡＮＤ回路５５Ｂにおいて、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢとの論理積をとることによって、そのパルス幅がマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢのパルス幅ｄ２に制限される（即ち、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢによって整形される）。ここで、パルス幅ｄ２は、本発明に係る「第２のパルス幅」の一例である。マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢは、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４とは異なり、単一の系列からなることから、そのパルス幅ｄ２は常に一定とされる。また、パルス幅ｄ２は、パルス幅ｄ１より更に狭い。そのため、ＡＮＤ回路５５Ｂでは、一次整形信号Ｑ３のパルス幅ｄ１’もまたパルス幅ｄ２によって制限され、サンプリング回路駆動信号Ｓ３が生成出力される。
【００６７】
このように、一次整形信号Ｑｉ（ｉ＝１、…、ｎ）の各パルスは、単一のマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢの波形に基づいて整形されるので、生成出力されるサンプリング回路駆動信号Ｓｉ（ｉ＝１、…、ｎ）は、パルス幅がパルス幅ｄ２に揃えられる。即ち、論理回路５５では、最終的にパルス幅がパルス幅ｄ２に規定されたサンプリング回路駆動信号Ｓｉ（ｉ＝１、…、ｎ）が得られる。
【００６８】
サンプリング回路駆動信号Ｓｉ（ｉ＝１、…、ｎ）は、サンプリング回路７のサンプリングスイッチ７１群を駆動し、サンプリングスイッチ７１に画像信号線６から画像信号ＶＩＤを供給する。こうして画像信号ＶＩＤはサンプリングされるが、ここでサンプリング回路駆動信号Ｓｉ（ｉ＝１、…、ｎ）のパルス幅がパルス幅ｄ２に揃っているために、生成されるデータ信号のパルス幅もパルス幅ｄ２に規定されており、また一様に揃えられている。
【００６９】
データ信号は、各データ線３から選択画素列の画素電極９ａに印加され、また図示しない蓄積容量を充電又は放電して、データの書き込みを行う。その際、データ信号は、上述したようにパルス幅やパルス形状等が揃っているために輝度を相対的な適正値として表すことができ、表示像におけるパルス幅の差に基づく輝度斑の発生を低減或いは防止することができる。即ち、表示上の輝度は、画素電極９ａに供給されるデータ信号の高さ、幅、そして立ち上がり時及び立ち下がり時の歪み具合等によって左右されるからである。
【００７０】
上述したように、本実施形態では、４系列のイネーブル信号ＥＮＢと一系列のマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢを用い、転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、…ｎ）に少なくとも２段階の整形を施し、最終的にパルス幅一定の信号を得ている。このような２段階の整形を施すようにすれば、１段目の４系列のイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のみを用いて波形整形をおこなった場合と比較して、最終的に出力される、サンプリングパルス等の転送信号におけるパルス幅を、格段に一定にできると言える。
【００７１】
本実施形態では、特に、一系列のマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢのパルス幅ｄ２は、パルス幅を４系列のイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のパルス幅ｄ１で制限された転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、…ｎ）を整形することから、４系列のイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のパルス幅ｄ１よりも小さい。更に言えば、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢは、例えば最終的なサンプリングパルスとしての整形後の転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、…ｎ）、即ち、サンプリング回路駆動信号Ｓｉ（ｉ＝１、…、ｎ）と同一の周波数を備えている。即ち、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢの周波数は、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４や、その他の電源信号、各種制御信号などの低周波数の信号と比べて、かなり高い。従って、本実施形態に係る上述のようなイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４及びマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢを利用した構成の場合には、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のみを利用する構成と比較して、マスターイネーブル供給線Ｍ−ＥＮＢから発生し、電気光学装置の外部に発信される或いは漏洩する高周波の電磁波は、無視し得ない程に大きくなる。
【００７２】
図３に示すように、本実施形態では、特に、マスターイネーブル供給線９２に対応して配線されており且つマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢの逆極性の信号である反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢを供給する反転マスターイネーブル供給線９３を備えている。ここで、反転マスターイネーブル供給線９３及び反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢは夫々、本発明の「逆極性配線」及び「逆極性の信号」の一例であり、反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢはマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢの所定電位に対する電位の極性を反転した信号である。一般的には、規則的な周期を持つ信号の反転信号は信号の位相を１８０度ずらすことで生成される。
【００７３】
尚、ここでいう逆極性とは、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢの電位が所定電位に対して高位側にあるときは、低位側の電位を逆極性と呼び、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢの電位が所定電位に対して低位側にあるときは、高位側の電位を逆極性と呼ぶものとする。
【００７４】
また、上述の所定電位はＧＮＤ電位（アース）とするのが簡便で良いが、ＧＮＤ電位に限られたものではない。例えば、安定した電圧源があれば、その電圧源の電位を所定電位としてもよい。この場合、所定電位の電位値は特に限定されず、実施上の都合に応じて適宜設定可能なものである。
【００７５】
反転マスターイネーブル供給線９３は、マスターイネーブル供給線９２に、隣接して又は近接して引き回されている。反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢは、外部回路で生成されて、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢと共に外部回路接続端子１０２を介して供給される。尚、反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢは、電気光学装置内部にて生成され、好ましくはマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢが入力されるマスターイネーブル供給端子１０２ｂの付近で生成されてもよい。
【００７６】
従って、マスターイネーブル供給線９２から発生する高周波の電磁波を、反転マスターイネーブル供給線９３から発生する高周波の電磁波であり且つマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢに対して逆極性の信号に基づく逆極性の電磁波により、少なくとも部分的に、理想的には実践的な意味で殆ど又は完全に相殺することが可能となる。即ち、反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢは、このようにマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢが発生する電磁波を、相殺する電磁波を発生させる極性を有する。
【００７７】
図４に示すように、反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢは、パルス信号たるマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢに対し、反転したパルス信号が逆極性の信号である。また、反転マスターイネーブル供給線９３は、その配線としての属性（例えば、配線長、配線幅、配線厚、配線容量、配線抵抗、配線インピーダンス等）が、マスターイネーブル供給線９２のそれと類似している、或いは揃えられている。これにより、反転マスターイネーブル供給線９３による電磁波を相殺する効果を高めることが可能となる。
【００７８】
この結果、高周波の信号であるマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢを利用しても、外部に対する高周波数の電磁波の発生や漏洩を、低減することが可能となる。これにより例えば、複板式の液晶プロジェクタ内で、プリズムを挟んで組み立てられたライトバルブの部分や、該ライトバルブに接続されたＦＰＣの部分を、銅箔、アルミ箔等で電磁シールドする必要もなくなる。
【００７９】
更に、本実施形態では、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢ及び反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢは、外部回路から、複数の外部回路接続端子１０２に接続されたフレキシブル基板（ＦＰＣ）を介して、マスターイネーブル供給端子１０２ａ及びマスターイネーブル供給端子１０２ｂに夫々供給される。
【００８０】
このように構成されているので、外部回路で生成された反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢを利用することで、引間回配線の末端である、マスターイネーブル供給端子１０２ａのところから、マスターイネーブル供給線９２から発生或いは漏洩する電磁波を抑制することが可能となる。
【００８１】
更にまた、反転マスターイネーブル供給線９３は、反転マスターイネーブル供給１０２ｂから、少なくとも部分的にマスターイネーブル供給線９２に沿って、引き回されており、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢ及び反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢは、外部回路接続端子１０２に電気的に接続された外部回路から供給される。
【００８２】
このように構成されているので、外部回路接続端子１０２からデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４にいたる配線全体について、反転マスターイネーブル供給線９３をマスターイネーブル供給線９２に沿って配線することができ、マスターイネーブル供給線９２から発生或いは漏洩する電磁波を強固に抑制することが可能となる。
【００８３】
加えて、フレキシブル基板を構成する複数の配線のうち、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢを供給するマスターイネーブル供給配線と反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢを供給する反転マスターイネーブル供給配線とは、フレキシブル基板（ＦＰＣ）を構成する可塑性の基材上で相隣接して配置されている。よって、ＦＰＣ等のフレキシブル基板を含めてデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４にいたる配線全体について、反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢの供給経路を、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢの供給経路に沿って配線することができ、マスターイネーブル供給線ＥＮＢから発生或いは漏洩する電磁波を、より強固に抑制することが可能となる。
【００８４】
更に、本実施形態では、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢを供給するマスターイネーブル供給端子１０２ａ及び反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢを供給する反転マスターイネーブル供給端子１０２ｂは、相隣接している。
【００８５】
このように構成されているので、外部回路接続端子１０２付近におけるマスターイネーブル供給線９２から発生する電磁波を、反転マスターイネーブル供給線９３から発生する電磁波で、効率的に相殺することが可能となる。特に、このようにマスターイネーブル供給端子１０２ａ及び反転マスターイネーブル供給端子１０２ｂを相隣接させておけば、外部回路接続端子１０２に接続されるＦＰＣ等の接続配線上でも、マスターイネーブル供給線９２と反転マスターイネーブル供給線９３とを相隣接させる構成や、外部回路接続端子１０２ａ及び１０２ｂから夫々引き回されるマスターイネーブル供給線９２と反転マスターイネーブル供給線９３とを相隣接させる構成を、無理なく採ることが可能となり、実践上極めて有利である。
【００８６】
更に、外部回路接続端子１０２からのほぼ全体について、マスターイネーブル供給線９２に沿って、反転マスターイネーブル供給線９３を隣接して配線しているので、上述の如き電磁波を相殺する効果は大きくなる。尚、このように隣接していなくても、即ち、間に、他の一又は複数の配線が配線されていても、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるいずれかの場所に反転マスターイネーブル供給線９３を任意の平面レイアウトにて配線しておけば、大なり小なり相応の効果が得られる。
【００８７】
以上詳細に説明したように本実施形態の電気光学装置によれば、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢに起因する高周波の電磁波の発生や漏洩を抑制しつつ、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４及びマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢを有効に利用することで、最終的に高品位の画像を表示可能となる。
【００８８】
次に、位相差補正回路１０８について、図３及び図６を参照しつつ説明する。ここに図６は、位相差補正回路の構成を示す図であり、（ａ）は位相差補正回路の構成を示す回路図であり、（ｂ）は（ａ）の回路における各位置での信号波形を示すタイミングチャートである。
【００８９】
本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢ及び反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢ間の位相差を低減する位相差補正回路１０８を更に備える。
【００９０】
位相差補正回路１０８は、図６（ａ）に示すように、第１バッファ回路５０１と、双安定性回路５０２と、弟２バッファ回路５０３とから構成されている。弟１バッファ回路はインバータ５０１ａ及び５０１ｂから、双安定性回路５０２はインバータ５０２ａ及び５０２ｂから、第２バッファ回路５０３はインバータ５０３ａ、５０３ａ’５０３ｂ及び５０３ｂ’から夫々、構成されている。
【００９１】
図６（ｂ）に示すように、反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢの位相が、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢの位相に対し、Ｒ１及びＲ１’の地点で期間Ｔだけ位相差が生じたとしても、双安定性回路５０２により、位相差が補正され、当該双安定性回路５０２から出力した地点Ｒ３及びＲ３’では位相差が発生しない。
【００９２】
位相差補正回路１０８では、インバータ５０１ａ及び５０１ｂから構成されるバッファ回路５０１において、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢと反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢを供給する回路におけるトランジスタの駆動能力を補うと共に、双方向性回路５０２の一方のインバータ５０２ａの出力を他方のインバータ５０２ｂの入力に、また他方のインバータ５０２ｂの出力を一方のインバータ５０２ａの入力に夫々供給することによって、夫々のインバータ５０２ａ及び５０２ｂの入力信号に正帰還をかけて位相差を無くす構成となっている。
【００９３】
また、双安定性回路５０２の後に、弟２バッファ回路５０３が設けてあり、この第２バッファ回路の働きにより、双安定性回路５０２の駆動能力の低下を防止している。つまり、双安定性回路５０２からマスターイネーブル供給線９２及び反転マスターイネーブル供給線９３を引き回すことにより各回路にマスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢ及び反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢを供給した場合には、マスターイネーブル供給線９２及び反転マスターイネーブル供給線９３の容量により、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢ及び反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢが劣化することが考えられる。しかし、双安定性回路５０２の駆動能力の低下は第２バッファ回路５０３により防止され、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢ及び反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢが良好に各駆動回路に供給されることになる。
【００９４】
尚、図６に示した位相差補正回路１０８の回路構成は、一例であり、他の回路構成を採用することは勿論可能である。
【００９５】
上述したように、位相差補正回路１０８は、外部回路で生成された又は電気光学装置内で生成された反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢの位相を、マスターネーブル信号Ｍ−ＥＮＢの位相に合わせる或いは近付けることができる。従って、両信号間の位相差が低減された分だけ、反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢに係る電磁波の相殺という機能を高めることが可能となる。従って、このような位相差補正回路１０８は、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢが供給される外部回路接続端子１０２ａに、なるべく近付けて配置することが好ましい。これにより、マスターイネーブル供給線９２のなるべく広範囲について、より正確に反転マスターイネーブル供給線９３によって、電磁波を相殺することが可能となる。
【００９６】
再び図３において、本実施形態では、反転イネーブル供給線９３の端に設けられており、データ線駆動回路１０１を構成する回路の少なくとも一部を模擬するダミー回路１１０を更に備えている。
【００９７】
ダミー回路１１０は、反転マスターイネーブル供給線９３とマスターイネーブル供給線９２との配線としての属性を、その先端側に接続された回路も含めて相互に類似したものにできる。これにより、反転マスターイネーブル供給線９３による電磁波を相殺する効果を高めることが可能となる。
【００９８】
尚、ダミー回路１１０は、反転イネーブル供給線９３の途中に設けてもよいし、或いは、位相差補正回路１０８は、外部回路接続端子１０２に並んで設けられ、ダミー回路１１０は、外部回路接続端子１０２の横に並べて配置されてもよい。或いは、データ線駆動回路１０１内に、分散して配置されてもよい。加えて、マスターイネーブル供給線９２と反転マスターイネーブル供給線９３との間の存在する、配線容量等の配線としての属性の差異を、当該ダミー回路で調整するように構成してもよい。即ち、係る配線としての属性の差異に対応する分だけ、敢えて、その模擬対象とする回路部分とは異なるようにダミー回路を構成してもよい。これにより、より一層、反転マスターイネーブル供給線９３による電磁波を相殺する効果を高めることが可能となる。
【００９９】
尚、図４に示した本実施形態において、ＡＮＤ回路５５Ａ及び５５Ｂの替わりにＮＡＮＤ回路を用いても同様の機能を果たすことができる。また、ＯＲ回路５５Ｄについても替わりにＮＯＲ回路を用いてもよい。この場合には、インバータ（反転回路）を用いてサンプリングスイッチ７１に供給されるサンプリング回路駆動信号の論理の整合性が取れるようにすればよい。
【０１００】
（第１実施形態の変形例）
次に、図３及び図７から図９を参照しつつ、本実施形態の変形例について説明する。ここに図７は、図３の点線円Ｃ１の部分拡大斜視図である。図８は、本変形例における図７と同趣旨の部分拡大斜視図である。図９は、本変形例における図３のＡ−Ａ’断面図である。
【０１０１】
図７において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、順に、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２、第３層間絶縁膜４３、第４層間絶縁膜４４が、この順に積層されている。本実施形態では、反転マスターイネーブル供給線９３とマスターイネーブル供給線９２とは、この積層構造において第３層間絶縁膜４３の上に同層で形成されているが、本実施形態の変形例では、図８及び図９に示すように、マスターイネーブル供給線９２及び反転マスターイネーブル供給線９３は少なくとも部分的に、ＴＦＴアレイ基板１０上に層間絶縁膜４１、４２及び４３を介して積層された相互に別層で形成されている。即ち、マスターイネーブル供給線９２は、下地絶縁膜１２上に形成され、反転マスターイネーブル供給線９３は、第３層間絶縁膜４３上に形成されている。マスターイネーブル供給線９２は、層間絶縁膜４１、４２及び４３に開孔されたコンタクトホール１５を介して、マスターイネーブル供給端子１０２ｂと電気的に接続されている。尚、反転マスターイネーブル供給線９３が、下地絶縁膜１２上に形成され、マスターイネーブル供給線９２が、第３層間絶縁膜４３上に形成されるようにしてもよい。
【０１０２】
このように構成されているので、層間絶縁膜４１、４２及び４３を介して、極めて接近した位置において、反転マスターイネーブル供給線９３をマスターイネーブル供給線９２に沿って配線することができる。これにより、より一層、反転マスターイネーブル供給線９３による電磁波を相殺する効果を高めることが可能となる。尚、このような反転マスターイネーブル供給線９３は、好ましくは、平面的に見て少なくとも部分的に重ねられており、配線幅、配線長さ等の配線としての属性についても揃えられていることが好ましい。
【０１０３】
（第２実施形態）
第２実施形態に係る電気光学装置について、図１０を参照して説明する。ここに図１０は、第２実施形態における図３と同趣旨の図である。尚、図１０において、図３に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【０１０４】
第２実施形態に係る電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マスターイネーブル信号Ｍ−ＥＮＢに基づいて、反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢを生成する反転マスターイネーブル信号生成回路１０９を更に備え、反転マスターイネーブル供給線９３は、反転マスターイネーブル信号生成回路１０９から、少なくとも部分的にマスターイネーブル供給線９２に沿って、引き回されている。ここで、反転マスターイネーブル信号生成回路１０９は、本発明に係る「逆極性信号生成回路」の一例である。
【０１０５】
第２実施形態によれば、反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢを、ＴＦＴアレイ基板１０上で生成することができるので、外部回路において反転マスターイネーブル信号ＮＭ−ＥＮＢの信号を生成する機能を有しなくても、反転マスターイネーブル信号生成回路１０９のところから、マスターイネーブル供給線９２から発生或いは漏洩する電磁波を抑制することが可能となる。従って、このような反転マスターイネーブル信号生成回路１０９は、マスターイネーブル供給端子１０２ａに、なるべく近付けて配置することが好ましい。これにより、マスターイネーブル供給線９２のなるべく広範囲について、マスターイネーブル供給線９３による電磁波の相殺という作用を発揮させることが可能となる。
【０１０６】
（電子機器）
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【０１０７】
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図１１に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【０１０８】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１０９】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１１０】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１１１】
次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１２は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図１２において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【０１１２】
さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１３は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図１３において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１１３】
尚、図１１から図１３を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１１４】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】第１実施形態に係る電気光学装置のＴＦアレイ基板上の回路構成を示す平面図である。
【図４】第１実施形態に係る電気光学装置の主要な駆動系の構成を示すブロック図である。
【図５】第１実施形態に係る電気光学装置の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図６】第１実施形態に係る電気光学装置の位相差補正回路の構成を示す図であり、（ａ）は回路図、（ｂ）はタイミングチャートである。
【図７】図３の点線円Ｃ１の部分拡大斜視図である。
【図８】第１実施形態の変形例における図７と同趣旨の部分拡大斜視図である。
【図９】第１実施形態の変形例における図３のＡ−Ａ’断面図である。
【図１０】第２実施形態における図３と同趣旨の図である。
【図１１】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１２】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１３】電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１１６】
２…走査線、３…データ線、６…画像信号線、７…サンプリング回路、１０…ＴＦＴアレイ基板、９ａ…画素電極、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、２１…対向電極、４１、４２、４３、４４…層間絶縁膜、５０…液晶層、５１…シフトレジスタ、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、５５…論理回路、５５Ａ、５５Ｂ…ＡＮＤ回路、５５Ｄ…ＯＲ回路、７１…サンプリングスイッチ、８３…プリチャージタイミング信号供給線、９２…マスターイネーブル供給線、９３…反転マスターイネーブル供給線、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０２ａ…マスターイネーブル供給端子、１０２ｂ…反転マスターイネーブル供給端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、１０８…位相差補正回路、１０９…反転マスターイネーブル信号生成回路、１１０…ダミー回路、５０１…第１バッファ回路、５０２…双安定性回路、５０３…第２バッファ回路、ｄ１、ｄ２…パルス幅、ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４…イネーブル信号、Ｍ−ＥＮＢ…マスターイネーブル信号、ＮＭ−ＥＮＢ…反転マスターイネーブル信号、ＮＲＧ…プリチャージタイミング信号、Ｐｉ…転送信号、Ｑｉ…一次整形信号、Ｓｉ…サンプリング回路駆動信号、ＶＩＤ…画像信号
【図１】
2006208599.tif 000003
【図２】
2006208599.tif 000004
【図３】
2006208599.tif 000005
【図４】
2006208599.tif 000006
【図５】
2006208599.tif 000007
【図６】
2006208599.tif 000008
【図７】
2006208599.tif 000009
【図８】
2006208599.tif 000010
【図９】
2006208599.tif 000011
【図１０】
2006208599.tif 000012
【図１１】
2006208599.tif 000013
【図１２】
2006208599.tif 000014
【図１３】
2006208599.tif 000015