(57)【要約】【課題】  スペクトラムアナライザにおける信号の切換えを低損失に行う。【解決手段】  一端が接地されたキャパシタンス要素Ｃ３２と、キャパシタンス要素Ｃ３２の他端に、二次ダイオードＤ３’を介して、一端が接続された一次ダイオードＤ３と、一次ダイオードＤ３の一端に電位を与える電源（電位V3）とを備えた信号処理手段３０であって、一次ダイオードＤ３の他端から一次ダイオードＤ３の一端に電流が流れ、一次ダイオードＤ３の一端に内部校正信号（５０MHz）が与えられ、一次ダイオードＤ３の他端に内部校正信号よりも周波数が高いベースバンド信号（０〜３GHz）が与えられる。【選択図】  図１
2006208228.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が接地されたキャパシタンス要素と、
前記キャパシタンス要素の他端に、一端が接続された一次ダイオードと、
前記一次ダイオードの一端に電位を与える電位付与手段と、
を備え、
前記一次ダイオードの他端に与えられた電流が前記一次ダイオードの一端に流れ、
前記一次ダイオードの一端に第一信号が与えられ、
前記一次ダイオードの他端に第二信号が与えられる、
信号処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の信号処理装置であって、
前記一次ダイオードの一端と、前記キャパシタンス要素の他端との間に接続された二次ダイオードを備え、
前記二次ダイオードは、前記一次ダイオードの一端から前記キャパシタンス要素の他端へ電流を流す、
信号処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の信号処理装置であって、
前記一次ダイオードの他端に接続された第一付加信号処理手段を備え、
第一付加信号処理手段は、
一端が接地された第一付加キャパシタンス要素と、
前記第一付加キャパシタンス要素の他端に、一端が接続された第一付加ダイオードと、
前記第一付加ダイオードの一端に電位を与える第一付加電位付与手段と、
を有し、
前記第一付加ダイオードの他端に与えられた電流が前記第一付加ダイオードの一端に流れる、
信号処理装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の信号処理装置であって、
前記一次ダイオードの他端に接続された第二付加信号処理手段を備え、
第二付加信号処理手段は、
一端が接地された第二付加キャパシタンス要素と、
前記第二付加キャパシタンス要素の他端に、一端が接続された第二付加ダイオードと、
前記第二付加ダイオードの一端に電位を与える第二付加電位付与手段と、
を有し、
前記第二付加ダイオードの一端に与えられた電流が前記第二付加ダイオードの他端に流れる、
信号処理装置。
【請求項５】
請求項３に記載の信号処理装置であって、
前記一次ダイオードの他端に接続された第二付加信号処理手段を備え、
第二付加信号処理手段は、
一端が接地された第二付加キャパシタンス要素と、
前記第二付加キャパシタンス要素の他端に、一端が接続された第二付加ダイオードと、
前記第二付加ダイオードの一端に電位を与える第二付加電位付与手段と、
を有し、
前記第二付加ダイオードの一端に与えられた電流が前記第二付加ダイオードの他端に流れる、
信号処理装置。
【請求項６】
請求項４に記載の信号処理装置であって、
前記電位付与手段が正電位を与え、
前記第二付加電位付与手段が負電位を与える、
信号処理装置。
【請求項７】
請求項４に記載の信号処理装置であって、
前記電位付与手段が負電位を与え、
前記第二付加電位付与手段が正電位を与える、
信号処理装置。
【請求項８】
請求項５に記載の信号処理装置であって、
前記電位付与手段が正電位を与え、
前記第一付加電位付与手段が負電位を与え、
前記第二付加電位付与手段が正電位を与える、
信号処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載の信号処理装置と、
前記信号処理装置が出力する出力信号を受けてローカル信号と混合する混合手段と、
前記混合手段の出力を解析する解析手段と、
を備えたスペクトラムアナライザ。
【請求項１０】
請求項９に記載のスペクトラムアナライザであって、
前記第一信号が、前記混合手段の校正用の信号であり、
前記第二信号が、前記解析手段による解析の対象の信号である、
スペクトラムアナライザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スペクトラムアナライザにおけるハイバンド信号、ベースバンド信号および内部校正信号の切換えに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、スペクトラムアナライザを使用して、被測定信号の周波数領域のスペクトルを測定することが行なわれている。この際、低周波（例えば、０〜３GHz）のベースバンド信号と、高周波（例えば、３〜１３GHz）のハイバンド信号とに分けて処理を行うことがある。受信信号を、ベースバンド信号とハイバンド信号とに分けるためには、スイッチ（例えば、機械式スイッチや半導体スイッチ）を使用する（例えば、特許文献１および特許文献２の図３を参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２６４８４７号公報
【特許文献２】特開平１−２２０５１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、機械式スイッチは寿命が短い。また、半導体スイッチには、ダイオードスイッチとFETスイッチがある。前者は低周波において歪特性が悪く、後者は静電気等により壊れやすい。
【０００５】
なお、内部校正のために５０MHz程度の周波数の内部校正信号をスペクトラムアナライザのミキサに与えることもあるが、その場合にも、機械式スイッチや半導体スイッチを使用すれば同様な問題が発生する。
【０００６】
また、特許文献２（図１参照）によれば、YIG球を使用して、受信信号をベースバンド信号とハイバンド信号とに分けることができる。この場合も、スペクトラムアナライザのミキサに与える信号を、内部校正信号またはベースバンド信号に切換えるためにはスイッチを使用することになるので、同様な問題が発生する。
【０００７】
そこで、本発明は、スペクトラムアナライザにおける信号の切換えを歪み特性を悪化させないで行うことを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明にかかる信号処理装置は、一端が接地されたキャパシタンス要素と、前記キャパシタンス要素の他端に、一端が接続された一次ダイオードと、前記一次ダイオードの一端に電位を与える電位付与手段と、を備え、前記一次ダイオードの他端に与えられた電流が前記一次ダイオードの一端に流れ、前記一次ダイオードの一端に第一信号が与えられ、前記一次ダイオードの他端に第二信号が与えられるように構成される。
【０００９】
上記のように構成された信号処理装置によれば、キャパシタンス要素は、一端が接地されている。一次ダイオードは、前記キャパシタンス要素の他端に、一端が接続されている。電位付与手段は、前記一次ダイオードの一端に電位を与える。前記一次ダイオードの他端に与えられた電流が前記一次ダイオードの一端に流れる。前記一次ダイオードの一端に第一信号が与えられる。前記一次ダイオードの他端に第二信号が与えられる。
【００１０】
また、本発明にかかる信号処理装置は、前記一次ダイオードの一端と、前記キャパシタンス要素の他端との間に接続された二次ダイオードを備え、前記二次ダイオードは、前記一次ダイオードの一端から前記キャパシタンス要素の他端へ電流を流すようにしてもよい。
【００１１】
また、本発明にかかる信号処理装置は、前記一次ダイオードの他端に接続された第一付加信号処理手段を備え、第一付加信号処理手段は、一端が接地された第一付加キャパシタンス要素と、前記第一付加キャパシタンス要素の他端に、一端が接続された第一付加ダイオードと、前記第一付加ダイオードの一端に電位を与える第一付加電位付与手段と、を有し、前記第一付加ダイオードの他端に与えられた電流が前記第一付加ダイオードの一端に流れるようにしてもよい。
【００１２】
また、本発明にかかる信号処理装置は、前記一次ダイオードの他端に接続された第二付加信号処理手段を備え、第二付加信号処理手段は、一端が接地された第二付加キャパシタンス要素と、前記第二付加キャパシタンス要素の他端に、一端が接続された第二付加ダイオードと、前記第二付加ダイオードの一端に電位を与える第二付加電位付与手段と、を有し、前記第二付加ダイオードの一端に与えられた電流が前記第二付加ダイオードの他端に流れるようにしてもよい。
【００１３】
また、本発明にかかる信号処理装置は、上記のような第一付加信号処理手段を備え、さらに前記一次ダイオードの他端に接続された第二付加信号処理手段を備え、第二付加信号処理手段は、一端が接地された第二付加キャパシタンス要素と、前記第二付加キャパシタンス要素の他端に、一端が接続された第二付加ダイオードと、前記第二付加ダイオードの一端に電位を与える第二付加電位付与手段と、を有し、前記第二付加ダイオードの一端に与えられた電流が前記第二付加ダイオードの他端に流れるようにしてもよい。
【００１４】
また、本発明にかかる信号処理装置は、上記のような第二付加信号処理手段を備え、前記電位付与手段が正電位を与え、前記第二付加電位付与手段が負電位を与えるようにしてもよい。
【００１５】
また、本発明にかかる信号処理装置は、上記のような第二付加信号処理手段を備え、前記電位付与手段が負電位を与え、前記第二付加電位付与手段が正電位を与えるようにしてもよい。
【００１６】
また、本発明にかかる信号処理装置は、上記のような第一付加信号処理手段および第二付加信号処理手段を備え、前記電位付与手段が正電位を与え、前記第一付加電位付与手段が負電位を与え、前記第二付加電位付与手段が正電位を与えるようにしてもよい。
【００１７】
本発明にかかるスペクトラムアナライザは、本発明にかかる信号処理装置と、前記信号処理装置が出力する出力信号を受けてローカル信号と混合する混合手段と、前記混合手段の出力を解析する解析手段とを備えるように構成される。
【００１８】
また、本発明にかかるスペクトラムアナライザは、前記第一信号が、前記混合手段の校正用の信号であり、前記第二信号が、前記解析手段による解析の対象の信号であるようにしてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図１は、本発明の実施形態にかかるスペクトラムアナライザ１の構成を示すブロック図である。スペクトラムアナライザ１は、入力端子２、減衰器４、信号分離器６、ミキサ（混合手段）８、解析部９、前段信号処理手段（第一付加信号処理手段）１０、後段信号処理手段（第二付加信号処理手段）２０、信号処理手段３０を備える。なお、前段信号処理手段１０、後段信号処理手段２０および信号処理手段３０が信号処理装置を構成する。
【００２１】
入力端子２は、ＲＦ信号が入力される端子である。ＲＦ信号には、低周波（例えば、０〜３GHz）のベースバンド信号と、高周波（例えば、３〜１３GHz）のハイバンド信号とが含まれている。
【００２２】
減衰器４は、入力端子２に入力されたＲＦ信号を減衰させる。
【００２３】
信号分離器６は、ベースバンド信号とハイバンド信号とを分離する。ベースバンド信号は、前段信号処理手段１０に与えられる。ハイバンド信号は、図示省略したハイバンド信号の処理回路に与えられる。信号分離器６は、例えば、YIG同調ミキサ（特許文献２の図１参照）である。
【００２４】
ミキサ（混合手段）８は、前段信号処理手段１０、後段信号処理手段２０および信号処理手段３０により構成される信号処理装置の出力する出力信号（ベースバンド信号または内部校正信号）を（第一次）ローカル信号と乗算することにより混合する。
【００２５】
解析部９は、ミキサ８の出力を解析する。具体的には、ベースバンド信号（第二信号）を（第一次）ローカル信号と混合した信号を解析する。また、解析部９は、内部校正信号（第一信号）とローカル信号とを混合した信号に基づき、ミキサ８などの校正を行う。
【００２６】
なお、ミキサ８と解析部９との間にさらなるミキサを備え、さらなる（第二次、第三次などの）ローカル信号との混合を行ってもよい。
【００２７】
前段信号処理手段（第一付加信号処理手段）１０は、信号処理手段３０よりも前にベースバンド信号を受ける。前段信号処理手段１０は、前段キャパシタンス要素Ｃ１、前段ダイオードＤ１、前段抵抗Ｒ１を有する。
【００２８】
前段キャパシタンス要素Ｃ１は、一端が接地されている。
【００２９】
前段ダイオードＤ１は、その一端が前段キャパシタンス要素Ｃ１の他端に接続されている。なお、前段ダイオードＤ１は、その他端からその一端に電流が流れる。また、前段ダイオードＤ１の他端にはベースバンド信号が与えられる。具体的には、ベースバンド信号が流れる線路１０Ｌに、前段ダイオードＤ１の他端が接続されている。
【００３０】
前段抵抗Ｒ１は、その一端に電源（電位V1）が接続されている。前段抵抗Ｒ１の他端は、前段ダイオードＤ１の一端に接続されている。なお、電源の電位V1は正にも負にも設定することができる。また、前段抵抗Ｒ１および電源（電位V1）が、前段ダイオードＤ１の一端に電位を与える前段電位付与手段を構成する。
【００３１】
信号処理手段３０は、キャパシタンス要素Ｃ３２、一次ダイオードＤ３、二次ダイオードＤ３’、補助キャパシタンス要素Ｃ３１、補助ダイオードＤ３２、抵抗Ｒ３を備える。
【００３２】
キャパシタンス要素Ｃ３２は、一端が接地されている。
【００３３】
一次ダイオードＤ３は、その一端がキャパシタンス要素Ｃ３２の他端に、二次ダイオードＤ３’を介して接続されている。なお、一次ダイオードＤ３は、その他端からその一端に電流が流れる。また、一次ダイオードＤ３の他端にはベースバンド信号（第二信号）が与えられる。具体的には、ベースバンド信号が流れる線路３０Ｌに、一次ダイオードＤ３の他端が接続されている。なお、線路３０Ｌは、線路１０Ｌに接続されている。
【００３４】
二次ダイオードＤ３’は、一次ダイオードＤ３の一端とキャパシタンス要素Ｃ３２の他端との間に接続されている。なお、二次ダイオードＤ３’は、一次ダイオードＤ３の一端からキャパシタンス要素Ｃ３２の他端に電流を流す。
【００３５】
補助キャパシタンス要素Ｃ３１は、その一端に内部校正信号（第一信号）を生成する信号源が接続されている。内部校正信号は、ミキサ８等の校正のために、ミキサ８に与える信号である。内部校正信号（第一信号）は、ベースバンド信号（第二信号）よりも低周波（例えば、５０MHz）である。補助キャパシタンス要素Ｃ３１の他端は、一次ダイオードＤ３の一端に接続される。よって、内部校正信号は、補助キャパシタンス要素Ｃ３１を介して、一次ダイオードＤ３の一端に与えられる。
【００３６】
補助ダイオードＤ３２は、キャパシタンス要素Ｃ３２の一端および他端を接続する。補助ダイオードＤ３２は、ツェナーダイオードであり、キャパシタンス要素Ｃ３２の他端から一端へ電流を流す。
【００３７】
抵抗Ｒ３は、その一端に電源（電位V3）が接続されている。抵抗Ｒ３の他端は、一次ダイオードＤ３の一端に接続されている。なお、電源の電位V3は正にも負にも設定することができる。また、抵抗Ｒ３および電源（電位V3）が、一次ダイオードＤ３の一端に電位を与える電位付与手段を構成する。
【００３８】
後段信号処理手段（第二付加信号処理手段）２０は、信号処理手段３０の線路３０Ｌを通った通過信号を受ける。後段信号処理手段２０は、後段キャパシタンス要素Ｃ２、一次後段ダイオードＤ２、二次後段ダイオードＤ２’、補助ダイオードＤ２１、後段抵抗Ｒ２を備える。
【００３９】
後段キャパシタンス要素Ｃ２は、一端が接地されている。
【００４０】
一次後段ダイオードＤ２は、その一端が後段キャパシタンス要素Ｃ２の他端に、二次後段ダイオードＤ２’を介して接続されている。なお、一次後段ダイオードＤ２は、その一端からその他端に電流が流れる。また、一次後段ダイオードＤ２の他端には、信号処理手段３０の線路３０Ｌを通った通過信号が与えられる。具体的には、通過信号が流れる線路２０Ｌに、一次後段ダイオードＤ２の他端が接続されている。なお、線路２０Ｌは、線路３０Ｌに接続されている。また、線路２０Ｌは、ミキサ８に接続されている。通過信号は、内部校正信号（第一信号）またはベースバンド信号（第二信号）なので、ミキサ８には内部校正信号またはベースバンド信号が与えられることになる。
【００４１】
二次後段ダイオードＤ２’は、一次後段ダイオードＤ２の一端と後段キャパシタンス要素Ｃ２の他端との間に接続されている。なお、二次後段ダイオードＤ２’は、後段キャパシタンス要素Ｃ２の他端から一次後段ダイオードＤ２の一端に電流を流す。
【００４２】
補助ダイオードＤ２１は、後段キャパシタンス要素Ｃ２の一端および他端を接続する。補助ダイオードＤ２１は、ツェナーダイオードであり、後段キャパシタンス要素Ｃ２の一端から他端へ電流を流す。
【００４３】
後段抵抗Ｒ２は、その一端に電源（電位V2）が接続されている。後段抵抗Ｒ２の他端は、一次後段ダイオードＤ２の一端に接続されている。なお、電源の電位V2は正にも負にも設定することができる。また、後段抵抗Ｒ２および電源（電位V2）が、一次後段ダイオードＤ２の一端に電位を与える後段電位付与手段を構成する。
【００４４】
次に、本発明の実施形態の動作を説明する。
【００４５】
スペクトラムアナライザ１は、（１）ベースバンド信号（０〜３GHz）の測定、（２）ハイバンド信号（３〜１３GHz）の測定、（３）内部校正信号（５０MHz）による校正、の三種類の動作を行う。そこで、各種類の動作について説明する。
【００４６】
なお、各種類の動作における、電源の電位（V1,V3,V2）およびダイオードＤ１、Ｄ３、Ｄ２のON/OFFは下記の表に示す通りである。
【００４７】
【表１】
2006208228.tif 000003
ＲＦ信号は入力端子２からスペクトラムアナライザ１に入力され、減衰器４によりパワーが減衰されてから信号分離器６に与えられる。信号分離器６は、減衰器４から受けたＲＦ信号に含まれるベースバンド信号とハイバンド信号とを分離する。ベースバンド信号は、前段信号処理手段１０に与えられる。ハイバンド信号は、図示省略したハイバンド信号の処理回路に与えられる。
【００４８】
（１）ベースバンド信号（０〜３GHz）の測定
電位V1を正（＋）、電位V3を正（＋）、電位V2を負（−）とする。すると、前段ダイオードＤ１に電流が流れず（OFF）、一次ダイオードＤ３に電流が流れず（OFF）、一次後段ダイオードＤ２に電流が流れない（OFF）。
【００４９】
よって、前段信号処理手段１０に与えられたベースバンド信号は、線路１０Ｌ、線路３０Ｌおよび線路２０Ｌを通過する。そして、前段信号処理手段１０、後段信号処理手段２０および信号処理手段３０により構成される信号処理装置の出力するベースバンド信号が、ミキサ８により、（第一次）ローカル信号と乗算されることにより混合される。解析部９は、ミキサ８の出力を解析する。これにより、ベースバンド信号（０〜３GHz）の測定が行われる。
【００５０】
なお、電位V2を負（−）としているので、二次後段ダイオードＤ２’に電流が流れる（ON）。また、補助ダイオードＤ２１は定電圧ダイオード（ツェナーダイオード）とし、両端の電圧をVzとする。すると、一次後段ダイオードＤ２の一端の電位は、二次後段ダイオードＤ２’の順方向電圧をVfとすると−(Vf + Vz)となる。よって、一次後段ダイオードＤ２の他端の電位が、−(Vf + Vz)以下になると、一次後段ダイオードＤ２に電流が流れる（ON）ので、一次後段ダイオードＤ２の他端の電位が高まり、−(Vf + Vz)に固定される。すなわち、ミキサ８に与えられるベースバンド信号をクランプする入力保護リミッタとして機能する。なお、後段キャパシタンス要素Ｃ２は、補助ダイオードＤ２１から発生する雑音電圧を接地し抑圧する。
【００５１】
また、電位V3を正（＋）としているので、二次ダイオードＤ３’に電流が流れる（ON）。また、補助ダイオードＤ３２は定電圧ダイオード（ツェナーダイオード）とし、両端の電圧をVzとする。すると、一次ダイオードＤ３の一端の電位は、二次ダイオードＤ３’の順方向電圧をVfとすると＋(Vf + Vz)となる。よって、一次ダイオードＤ３の他端の電位が、＋(Vf + Vz)以上になると、一次ダイオードＤ３に電流が流れる（ON）ので、一次ダイオードＤ３の他端の電位が低くなり、＋(Vf + Vz)に固定される。すなわち、ミキサ８に与えられるベースバンド信号をクランプする入力保護リミッタとして機能する。なお、キャパシタンス要素Ｃ３２は、補助ダイオードＤ３２から発生する雑音電圧を接地して抑圧し、かつ内部校正信号を接地する。
【００５２】
（２）ハイバンド信号（３〜１３GHz）の測定
ハイバンド信号の測定は、図示省略したハイバンド信号の処理回路により行われる。ただし、ハイバンド信号の一部が前段信号処理手段１０に出力されてしまうことがある。これがミキサ８にまで到達することは好ましいことではない。
【００５３】
ここで、電位V1を負（−）、電位V3を正（＋）、電位V2を正（＋）とする。すると、電源（電位V2）から、電源（電位V1）に向けて電流が流れる。電流は、電源（電位V2）から、後段抵抗Ｒ２を通り、その後で一次後段ダイオードＤ２を通り、その後で線路２０Ｌ、線路３０Ｌ、線路１０Ｌを通り、その後で前段ダイオードＤ１を通り、その後で前段抵抗Ｒ１を通り、電源（電位V1）に達する。よって、前段ダイオードＤ１に電流が流れ（ON）、一次ダイオードＤ３に電流が流れず（OFF）、一次後段ダイオードＤ２に電流が流れる（ON）。なお、二次後段ダイオードＤ２’には、電流が流れない（OFF）。
【００５４】
また、キャパシタンスＣのインピーダンスは、周波数をｆとすれば、１／（２πｆ・Ｃ）である。よって、高周波におけるキャパシタンスＣのインピーダンスは小さい。また、低周波におけるキャパシタンスＣのインピーダンスは大きい。
【００５５】
ここで、前段ダイオードＤ１に電流が流れている。ハイバンド信号が高周波であることから、前段キャパシタンス要素Ｃ１のインピーダンスは小さい。よって、線路１０Ｌを流れるハイバンド信号が、前段ダイオードＤ１および前段キャパシタンス要素Ｃ１を通って、アースに逃げていく。
【００５６】
また、一次ダイオードＤ３に電流が流れない（OFF）ので、特に線路３０Ｌには影響を与えない。
【００５７】
よって、ハイバンド信号は、前段信号処理手段１０におけるアースに逃げていき、ミキサ８にまで到達しない。すなわち、ベースバンド信号が流れる経路に侵入するハイバンド信号をアイソレーションできる。
【００５８】
また、前段抵抗Ｒ１の抵抗値＝後段抵抗Ｒ２の抵抗値とし、かつ|V1|=|V2|とすれば、線路２０Ｌ、線路３０Ｌおよび線路１０Ｌの直流電圧を0Vにすることができる。よって、入力端子２に直流電圧が与えられることを防止できる。
【００５９】
（３）内部校正信号（５０MHz）による校正
ここで、電位V1を正（＋）、電位V3を負（−）、電位V2を正（＋）とする。すると、電源（電位V2）から、電源（電位V3）に向けて電流が流れる。電流は、電源（電位V2）から、後段抵抗Ｒ２を通り、その後で一次後段ダイオードＤ２を通り、その後で線路２０Ｌ、線路３０Ｌを通り、その後で一次ダイオードＤ３を通り、その後で抵抗Ｒ３を通り、電源（電位V3）に達する。よって、前段ダイオードＤ１に電流が流れず（OFF）、一次ダイオードＤ３に電流が流れ（ON）、一次後段ダイオードＤ２に電流が流れる（ON）。なお、二次ダイオードＤ３’および二次後段ダイオードＤ２’には、電流が流れない（OFF）。
【００６０】
一方、内部校正信号は、補助キャパシタンス要素Ｃ３１を介して、一次ダイオードＤ３の一端に与えられる。また、一次ダイオードＤ３に電流が流れているので、内部校正信号は一次ダイオードＤ３を介して線路３０Ｌを流れる。
【００６１】
線路３０Ｌを流れる内部校正信号は、線路２０Ｌに流れる。一次後段ダイオードＤ２に電流が流れている。線路２０Ｌを流れる内部校正信号はアースに逃げていかない。
【００６２】
よって、内部校正信号は、信号処理手段３０および後段信号処理手段２０を通って、ミキサ８に到達する。
【００６３】
なお、前段ダイオードＤ１には電流が流れない（OFF）ため、内部校正信号には前段ダイオードＤ１による影響が与えられない。また、内部校正信号に対して、後段抵抗Ｒ２および抵抗Ｒ３は負荷となる。しかし、ミキサ８の入力インピーダンス５０Ωに対して、充分大きい（十倍以上）の値を、抵抗Ｒ３の抵抗値および後段抵抗Ｒ２の抵抗値とすれば、内部校正信号に対して大きな影響は与えられない。
【００６４】
このようにして、ベースバンド信号をミキサ８に与えないで、内部校正信号をミキサ８に与えることができる。ミキサ８は、内部校正信号とローカル信号とを混合した信号を出力する。解析部９は、ミキサ８の出力に基づき、ミキサ８などの校正を行う。
【００６５】
また、抵抗Ｒ３の抵抗値＝後段抵抗Ｒ２の抵抗値とし、かつ|V3|=|V2|とすれば、線路２０Ｌおよび線路３０Ｌの直流電圧を0Vにすることができる。よって、ミキサ８に直流電圧が与えられることを防止できる。
【００６６】
本発明の実施形態によれば、ミキサ８に与える信号の切換えは、電源（電位V3）の正（＋）、負（−）の切換えにより、一次ダイオードＤ３の導通状態を切換えることで行うことができる。このようにダイオードを使用した場合、一般的には低周波における歪特性の悪化が問題となる。
【００６７】
しかし、本発明の実施形態によれば、一次ダイオードＤ３がONのときに一次ダイオードＤ３を流れる内部校正信号（５０MHz）に対しては歪みは問題にはならない。内部校正信号（５０MHz）の周波数においては、歪特性がさほど悪くないからである。
【００６８】
また、ベースバンド信号（０〜３GHz）の測定の際には、一次ダイオードＤ３をOFFにしているので、ベースバンド信号に歪みを与えることがない。よって、歪特性の悪化を防ぐことができる。
【００６９】
また、ベースバンド信号測定時は、静電気等の影響により、ベースバンド信号の電位が高すぎれば一次ダイオードＤ３に電流が流れ（ON）、低すぎれば一次後段ダイオードＤ２に電流が流れる（ON）ので、ベースバンド信号の電位が固定される。すなわち、ミキサ８の入力保護リミッタとなる。
【００７０】
さらに、前段ダイオードＤ１の一端に前段抵抗Ｒ１を介して接続された電源（電位V1）および一次後段ダイオードＤ２の一端に後段抵抗Ｒ２を介して接続された電源（電位V2）の正負を切換えることにより、ハイバンド信号をミキサ８に与えないようにすることができる。
【００７１】
なお、本発明の実施形態においては、入力端子２から順に、前段信号処理手段１０、信号処理手段３０および後段信号処理手段２０が接続されている。しかし、前段信号処理手段１０、信号処理手段３０および後段信号処理手段２０の接続の順番は必ずしも、それに限定されない。
【００７２】
例えば、前段信号処理手段１０、後段信号処理手段２０、信号処理手段３０の順でもよい。すなわち、信号処理手段３０が、後段信号処理手段２０を介して、前段信号処理手段１０に接続されていてもよい。また、後段信号処理手段２０、前段信号処理手段１０、信号処理手段３０の順でもよい。すなわち、信号処理手段３０が、前段信号処理手段１０を介して、後段信号処理手段２０に接続されていてもよい。
【００７３】
ただし、前段信号処理手段１０は、信号処理手段３０および後段信号処理手段２０よりも、入力端子２に近いことが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の実施形態にかかるスペクトラムアナライザ１の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００７５】
１  スペクトラムアナライザ
８  ミキサ（混合手段）
９  解析部
１０  前段信号処理手段（第一付加信号処理手段）
Ｃ１  前段キャパシタンス要素
Ｄ１  前段ダイオード
Ｒ１  前段抵抗
V1  電源の電位
２０  後段信号処理手段（第二付加信号処理手段）
Ｃ２  後段キャパシタンス要素
Ｄ２  一次後段ダイオード
Ｄ２’  二次後段ダイオード
Ｄ２１  補助ダイオード
Ｒ２  後段抵抗
V2  電源の電位
３０  信号処理手段
Ｃ３２  キャパシタンス要素
Ｄ３  一次ダイオード
Ｄ３’  二次ダイオード
Ｃ３１  補助キャパシタンス要素
Ｄ３２  補助ダイオード
Ｒ３  抵抗
V3  電源の電位
【図１】
2006208228.tif 000004