(57)【要約】【課題】液晶材料を利用して光を変調する空間光変調器のフレームレートを高めること。【解決手段】本発明の空間光変調器１では、液晶層ＬＣのうち、奇数行目の画素電極ＰＥと対向電極との間の領域は、第１電圧印加時に第１光学特性を示し且つ第２電圧印加時に第２光学特性を示し且つ第３電圧印加時に第１又は第２光学特性と等しい第３光学特性を示す第１電気光学応答と、第１電圧印加時に第２光学特性を示し且つ第２電圧印加時に第１光学特性を示し且つ第３電圧印加時に第３光学特性を示す第２電気光学応答との一方を示し、偶数行目の画素電極ＰＥと対向電極との間の領域は第１及び第２電気光学応答の他方を示す。本発明では、画素電極ＰＥを隣り合う１対の行毎に走査すると共に、列方向に隣り合う２つの画素電極ＰＥに同一の映像信号を同時に供給して、それら画素電極ＰＥと対向電極との間の電圧を第１乃至第３電圧の何れかとする。【選択図】      図１
2006201377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行方向と列方向とに配列した複数の画素電極と、
これら画素電極と向き合った対向電極と、
前記複数の画素電極と前記対向電極との間に介在する液晶層であって、奇数行目の前記画素電極と前記対向電極との間に、第１電圧印加時に第１光学特性を示し且つ前記第１電圧とは異なる第２電圧印加時に前記第１光学特性とは異なる第２光学特性を示し且つ前記第１及び第２電圧とは異なる第３電圧印加時に前記第１又は第２光学特性と等しい第３光学特性を示す第１電気光学応答と、前記第１電圧印加時に前記第２光学特性を示し且つ前記第２電圧印加時に前記第１光学特性を示し且つ前記第３電圧印加時に前記第３光学特性を示す第２電気光学応答との一方を示す領域を備え、偶数行目の前記画素電極と前記対向電極との間に前記第１及び第２電気光学応答の他方を示す領域を備える液晶層と、
前記複数の画素電極を隣り合う１対の前記行毎に走査すると共に、前記列方向に隣り合う２つの前記画素電極に同一の映像信号を同時に供給して、それら画素電極と前記対向電極との間の電圧を前記第１乃至第３電圧の何れかとする駆動回路とを具備したことを特徴とする空間光変調器。
【請求項２】
前記第１電圧と前記第２電圧とは逆極性であり且つ絶対値が互いに等しく、前記液晶層は強誘電性液晶材料を含有したことを特徴とする請求項１に記載の空間光変調器。
【請求項３】
行方向と列方向とに配列した複数の画素電極と、これら画素電極と向き合った対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極との間に介在する液晶層であって、奇数行目の前記画素電極と前記対向電極との間に、第１電圧印加時に第１光学特性を示し且つ前記第１電圧とは異なる第２電圧印加時に前記第１光学特性とは異なる第２光学特性を示し且つ前記第１及び第２電圧とは異なる第３電圧印加時に前記第１又は第２光学特性と等しい第３光学特性を示す第１電気光学応答と、前記第１電圧印加時に前記第２光学特性を示し且つ前記第２電圧印加時に前記第１光学特性を示し且つ前記第３電圧印加時に前記第３光学特性を示す第２電気光学応答との一方を示す領域を備え、偶数行目の前記画素電極と前記対向電極との間に前記第１及び第２電気光学応答の他方を示す領域を備える液晶層とを具備した光変調器の駆動方法であって、
前記複数の画素電極を隣り合う１対の前記行毎に走査すると共に、前記列方向に隣り合う２つの前記画素電極に同一の映像信号を同時に供給して、それら画素電極と前記対向電極との間の電圧を前記第１乃至第３電圧の何れかとすることを特徴とする空間光変調器の駆動方法。
【請求項４】
ホログラフィック記録媒体に情報を記録する記録装置であって、
光源と、
請求項１に記載の空間光変調器と、
前記光源が放出する光を空間光変調器へと導くと共に、これにより前記空間光変調器が出力する光を前記空間光変調器から前記ホログラフィック記録媒体へと導く光学系とを具備したことを特徴とする記録装置。
【請求項５】
互いに向き合った記録層及び反射層を備えたホログラフィック記録媒体に情報を記録する記録装置であって、
光源と、
請求項１に記載の空間光変調器と、
前記光源が放出する光を前記空間光変調器に導くと共に、これにより前記空間光変調器が出力する光を前記反射層の前記記録層との対向面にフォーカスさせる光学系と、
前記液晶層のうち前記第１光学特性を示している部分が前記第２光学特性を示している部分のみと前記行方向及び前記列方向に隣り合うように前記駆動回路の動作を制御する制御部とを具備したことを特徴とする記録装置。
【請求項６】
前記液晶層のうち前記第１及び第２光学特性を示している部分は、前記情報光が前記記録層の表面に形成する画像の明部及び暗部にそれぞれ対応し、前記第３光学特性は前記第２光学特性と等しいことを特徴とする請求項５に記載の記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶材料を利用して光を変調する空間光変調器、その駆動方法、及びその空間光変調器を使用してホログラフィック記録媒体に情報を記録する記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ホログラフィック記録では、以下の特許文献１に記載されるように、空間光変調器を用いて、記録すべき情報に対応した光学特性の二次元分布が与えられた情報光を生成する。そして、この情報光と記録用参照光とを、ホログラフィック記録媒体の記録層内で干渉させることにより、記録層内に三次元的に記録マークを形成する。
【０００３】
空間光変調器としては、例えば、液晶デバイスやデジタルミラーデバイスを使用することができる。液晶デバイスには、デジタルミラーデバイスと比較して安価であるという有利な特徴がある。しかしながら、液晶デバイスには、以下の問題がある。
【０００４】
すなわち、液晶デバイスの応答時間は、マイクロ秒乃至数１０ミリ秒程度と長い。しかも、液晶デバイスでは、通常、焼き付きを防止するために、例えば、１フレームを２つのフィールドに分割する。そして、各フレーム期間において、各画素の画素電極と対向電極との間に一方のフィールド期間で印加する電圧と他方のフィールド期間で印加する電圧との絶対値を等しくし且つその極性を逆にする。そのため、液晶デバイスでは、フレームレートを高くすることが難しい。
【０００５】
なお、以下の特許文献２には、カイラルスメクチック液晶を用いてアナログ階調表示を行う液晶デバイスが記載されている。この液晶デバイスは、電気光学応答が互いに異なる２種類の画素を含んでおり、これら画素は、信号線に沿って交互に配置されている。
【０００６】
但し、特許文献２には、空間光変調器は記載されていない。また、この文献には、画素を隣り合う１対の行毎に走査すること、及び信号線に沿って隣り合う２つの画素に同一の映像信号を同時に供給することの何れも記載されていない。
【特許文献１】特開２００２−１２３９４９号公報
【特許文献２】特開２０００−２７５６５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、液晶材料を利用して光を変調する空間光変調器のフレームレートを高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１側面によると、行方向と列方向とに配列した複数の画素電極と、これら画素電極と向き合った対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極との間に介在する液晶層であって、奇数行目の前記画素電極と前記対向電極との間に、第１電圧印加時に第１光学特性を示し且つ前記第１電圧とは異なる第２電圧印加時に前記第１光学特性とは異なる第２光学特性を示し且つ前記第１及び第２電圧とは異なる第３電圧印加時に前記第１又は第２光学特性と等しい第３光学特性を示す第１電気光学応答と、前記第１電圧印加時に前記第２光学特性を示し且つ前記第２電圧印加時に前記第１光学特性を示し且つ前記第３電圧印加時に前記第３光学特性を示す第２電気光学応答との一方を示す領域を備え、偶数行目の前記画素電極と前記対向電極との間に前記第１及び第２電気光学応答の他方を示す領域を備える液晶層と、前記複数の画素電極を隣り合う１対の前記行毎に走査すると共に、前記列方向に隣り合う２つの前記画素電極に同一の映像信号を同時に供給して、それら画素電極と前記対向電極との間の電圧を前記第１乃至第３電圧の何れかとする駆動回路とを具備したことを特徴とする空間光変調器が提供される。
【０００９】
本発明の第２側面によると、行方向と列方向とに配列した複数の画素電極と、これら画素電極と向き合った対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極との間に介在する液晶層であって、奇数行目の前記画素電極と前記対向電極との間に、第１電圧印加時に第１光学特性を示し且つ前記第１電圧とは異なる第２電圧印加時に前記第１光学特性とは異なる第２光学特性を示し且つ前記第１及び第２電圧とは異なる第３電圧印加時に前記第１又は第２光学特性と等しい第３光学特性を示す第１電気光学応答と、前記第１電圧印加時に前記第２光学特性を示し且つ前記第２電圧印加時に前記第１光学特性を示し且つ前記第３電圧印加時に前記第３光学特性を示す第２電気光学応答との一方を示す領域を備え、偶数行目の前記画素電極と前記対向電極との間に前記第１及び第２電気光学応答の他方を示す領域を備える液晶層とを具備した光変調器の駆動方法であって、前記複数の画素電極を隣り合う１対の前記行毎に走査すると共に、前記列方向に隣り合う２つの前記画素電極に同一の映像信号を同時に供給して、それら画素電極と前記対向電極との間の電圧を前記第１乃至第３電圧の何れかとすることを特徴とする空間光変調器の駆動方法が提供される。
【００１０】
本発明の第３側面によると、ホログラフィック記録媒体に情報を記録する記録装置であって、光源と、第１側面に係る空間光変調器と、前記光源が放出する光を空間光変調器へと導くと共に、これにより前記空間光変調器が出力する光を前記空間光変調器から前記ホログラフィック記録媒体へと導く光学系とを具備したことを特徴とする記録装置が提供される。
【００１１】
本発明の第４側面によると、互いに向き合った記録層及び反射層を備えたホログラフィック記録媒体に情報を記録する記録装置であって、光源と、第１側面に係る空間光変調器と、前記光源が放出する光を前記空間光変調器に導くと共に、これにより前記空間光変調器が出力する光を前記反射層の前記記録層との対向面にフォーカスさせる光学系と、前記液晶層のうち前記第１光学特性を示している部分が前記第２光学特性を示している部分のみと前記行方向及び前記列方向に隣り合うように前記駆動回路の動作を制御する制御部とを具備したことを特徴とする記録装置が提供される。
【００１２】
なお、「光学特性」とは、例えば、屈折率異方性の軸方向である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、液晶材料を利用して光を変調する空間光変調器のフレームレートを高めることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
図１は、本発明の一態様に係る空間光変調器を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す空間光変調器の液晶パネルに採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。
【００１６】
この空間光変調器１は、液晶パネルＬＣＰと、制御部ＣＮＴと、信号線駆動回路ＸＤＲと、走査線駆動回路ＹＤＲとを含んでいる。
【００１７】
液晶パネルＬＣＰは、アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳとを含んでいる。アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳとの間には、枠状の接着剤層（図示せず）が介在している。アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳと接着剤層とに囲まれた空間は液晶材料で満たされており、この液晶材料は液晶層ＬＣを形成している。
【００１８】
アレイ基板ＡＳは、例えば、ガラス基板や石英基板などの絶縁基板ＳＵＢ１を含んでいる。  
基板ＳＵＢ１上には、例えばＳｉＮx層及び／又はＳｉＯ2層などのアンダーコート層ＵＣが形成されている。
【００１９】
アンダーコート層ＵＣ上には、チャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層などの半導体層ＳＣが配置されている。
【００２０】
半導体層ＳＣ及びアンダーコート層ＵＣは、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えば、ＴＥＯＳ（tetraethoxyorthosilane）を用いて形成することができる。
【００２１】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、走査線ＳＬ、ゲート電極ＧＥ、参照配線ＲＬが並置されている。
【００２２】
走査線ＳＬは、行方向であるＸ方向に延在すると共に、列方向であるＹ方向に配列している。走査線ＳＬの材料としては金属材料を使用することができる。
【００２３】
ゲート電極ＧＥは、走査線ＳＬの一部として設けられている。また、ゲート電極ＧＥは、ゲート絶縁膜ＧＩを介して、半導体層ＳＣ内に形成されたチャネルと向き合っている。ゲート電極ＧＥとゲート絶縁膜ＧＩと半導体層ＳＣとは、走査線ＳＬと後述する信号線ＶＬとの交差部近傍に配置されたスイッチＳＷとして、薄膜トランジスタを構成している。
【００２４】
なお、ここでは、スイッチＳＷとしてトップゲート型の薄膜トランジスタを例示しているが、スイッチＳＷとしてボトムゲート型の薄膜トランジスタを使用してもよい。また、ここでは、スイッチＳＷとして薄膜トランジスタを例示しているが、ダイオードやＭＩＭ（metal-insulator-metal）素子などの他のスイッチング素子を使用してもよい。
【００２５】
参照配線ＲＬは、Ｘ方向に延在すると共に、このＸ方向と交差するＹ方向に配列している。この例では、走査線ＳＬ毎に１本の参照配線ＲＬを配置している。参照配線ＲＬは、例えば、走査線ＳＬと同一工程で形成することができる。
【００２６】
ゲート絶縁膜ＧＩ、走査線ＳＬ、ゲート電極ＧＥ及び参照配線ＲＬは、層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩには、例えば、ＳｉＯ2及び／又はＳｉＮxなどを使用することができる。
【００２７】
層間絶縁膜ＩＩ上には、信号線ＶＬとソース電極ＳＥとが配置されている。
【００２８】
信号線ＶＬは、それぞれＹ方向に延在すると共にＸ方向に配列している。信号線ＶＬの材料としては金属材料を使用することができる。
【００２９】
この例では、スイッチＳＷとして薄膜トランジスタを使用すると共に、信号線ＶＬを、層間絶縁膜ＩＩに設けた貫通孔を介して、スイッチＳＷのドレインに接続している。すなわち、この例では、信号線ＶＬは、ドレイン電極を兼ねている。
【００３０】
ソース電極ＳＥの一端は、層間絶縁膜ＩＩに設けた貫通孔を介して薄膜トランジスタＳＷのソースに接続されている。また、ソース電極ＳＥの他端は、層間絶縁膜ＩＩを介して、参照配線ＲＬと向き合っている。すなわち、この例では、ソース電極ＳＥと参照配線ＲＬと層間絶縁膜ＩＩとは、キャパシタＣを構成している。このソース電極ＳＥには、例えば、信号線ＶＬと同一の材料を使用することができる。
【００３１】
層間絶縁膜ＩＩ、信号線ＶＬ及びソース電極ＳＥは、絶縁下地層で被覆されている。絶縁下地層は、ここでは、例えばＳｉＮxからなるパッシベーション膜ＰＳと、例えば樹脂からなる平坦化層ＦＮとを含んでいる。ここでは、一例として、絶縁下地層を、パッシベーション膜ＰＳと平坦化層ＦＮとで構成しているが、パッシベーション膜ＰＳ及び平坦化層ＦＮの一方は省略することができる。また、絶縁下地層を省略してもよい。
【００３２】
絶縁下地層上では、薄膜トランジスタＳＷに対応して、画素電極ＰＥが配列している。これら画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳ及び平坦化層ＦＮに設けた貫通孔を介して、ソース電極ＳＥに接続されている。
【００３３】
空間光変調器１を反射型とする場合には、画素電極ＰＥの材料として、例えば、光反射性を有する金属材料を使用する。空間光変調器１を透過型とする場合には、画素電極ＰＥの材料として、例えばＩＴＯ（indium tin oxide）のように光透過性を有する導電性材料を使用する。後者の場合、基板ＳＵＢ１、アンダーコート層ＵＣ、ゲート絶縁膜ＧＩ、層間絶縁膜ＩＩ、パッシベーション膜ＰＳ及び平坦化層ＦＮにも、光透過性を有する材料を使用する。
【００３４】
画素電極ＰＥ及び平坦化層ＦＮは、配向膜ＡＬ１で被覆されている。配向膜ＡＬ１の材料には、例えば、ポリイミドなどの樹脂を使用することができる。この配向膜ＡＬ１には、例えばラビングなどの一軸性配向処理を施している。ここでは、一例として、配向膜ＡＬ１には、Ｙ方向に沿って一軸性配向処理を施していることとする。
【００３５】
対向基板ＣＳは、例えばガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢ２を含んでいる。基板ＳＵＢは、アレイ基板ＡＳの配向膜ＡＬ１が形成された面と向き合うように配置されている。
【００３６】
基板ＳＵＢ２のアレイ基板ＡＳとの対向面には、対向電極ＣＥが形成されている。この対向電極ＣＥは、この例では、各画素電極ＰＥと向き合った共通電極である。対向電極ＣＥには、例えばＩＴＯなどのように光透過性を有する導電性材料を使用する。
【００３７】
対向電極ＣＥは、配向膜ＡＬ２で被覆されている。配向膜ＡＬ２の材料には、例えば、ポリイミドなどの樹脂を使用することができる。この配向膜ＡＬ２には、例えば、Ｙ方向に沿ってラビングなどの一軸性配向処理を施している。ここでは、一例として、配向膜ＡＬ２には、Ｙ方向に沿って一軸性配向処理を施していることとする。
【００３８】
アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳとの間には、枠状の接着剤層（図示せず）が介在している。また、アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳとの間であって、接着剤層が形成している枠の内側には、図示しない粒状スペーサが介在している。或いは、アレイ基板ＡＳ及び対向基板ＣＳの少なくとも一方の対向面には、柱状スペーサが形成されている。これらスペーサは、アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳと接着剤層とで囲まれた空間の厚さを一定に保つ役割を果たしている。
【００３９】
液晶層ＬＣは、液晶材料を含んでいる。この液晶材料は、例えば、空間光変調器１の使用温度域ではカイラルスメクティックＣ（ＳｍＣ*）相を呈し、温度上昇に伴い、コレステリック（Ｃｈ）相及び等方性液体（Ｉｓｏ）相へとこの順に相変化する強誘電性液晶材料である。この液晶層ＬＣについては、後で詳述する。
【００４０】
制御部ＣＮＴは、信号線駆動回路ＸＤＲと走査信号線駆動回路ＹＤＲとに接続されている。制御部ＣＮＴは、映像信号をシリアル信号として信号線駆動回路ＸＤＲに供給すると共に、走査信号線駆動回路ＹＤＲ及び信号線駆動回路ＸＤＲにクロック信号などの制御信号を供給する。制御部ＣＮＴは、例えば、各フレームが２つのフィールドで構成されるように制御信号を出力すると共に、各画素の画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に一方のフィールド期間で印加する電圧と他方のフィールド期間で印加する電圧との絶対値が等しく且つその極性が逆になるように、一方のフィールド期間で出力する映像信号と他方のフィールド期間で出力する映像信号とを関連付ける。
【００４１】
信号線駆動回路ＸＤＲには、信号線ＶＬと図示しない電源回路と先の制御部ＣＮＴとが接続されている。信号線駆動回路ＸＤＲは、映像信号をシリアル信号からパラレル信号へと変換し、これら電圧パルスとしての映像信号を信号線ＶＬに同時に出力する。各フィールド期間において、信号線駆動回路ＸＤＲは、大きさが互いに異なる第１乃至第３映像信号を出力し得る。
【００４２】
信号線駆動回路ＸＤＲは、例えば、フレキシブル配線基板を介して液晶パネルＬＣＰと接続するか、又はテープキャリアパッケージとして液晶パネルＬＣＰと接続する。或いは、信号線駆動回路ＸＤＲは、例えば、液晶パネルＬＣＰに実装するか、又はアレイ基板ＡＳに形成する。
【００４３】
走査線駆動回路ＹＤＲには、走査線ＳＬと図示しない電源回路と先の制御部ＣＮＴとが接続されている。走査線駆動回路ＹＤＲは、例えば、スイッチＳＷを閉じる第１及び第２走査信号を電圧パルスとして生成し、第１走査信号を奇数行目の走査線ＳＬに順次出力すると共に、第２走査信号を偶数行目の走査線ＳＬに順次出力する。走査線駆動回路ＹＤＲが奇数行目の走査線ＳＬに第１走査信号を出力するタイミングと、偶数行目の走査線ＳＬに第２走査信号を出力するタイミングとは、例えば、制御部ＣＮＴからの制御信号によって、以下のように制御され得る。
【００４４】
後述する初期化の際には、例えば、奇数行目の走査線ＳＬに第１走査信号を出力するタイミングと、偶数行目の走査線ＳＬに第２走査信号を出力するタイミングとをずらす。これにより、スイッチＳＷを閉じる電圧パルスを走査線ＳＬに順次出力する。すなわち、例えば、（２Ｍ＋１）行目の走査線ＳＬに第１走査信号を出力し、次いで、（２Ｍ＋２）行目の走査線ＳＬに第２走査信号を出力し、次いで、（２Ｍ＋３）行目の走査線ＳＬに第１走査信号を出力し、次いで、（２Ｍ＋４）行目の走査線ＳＬに第２走査信号を出力する。なお、Ｍはゼロ又は自然数である。
【００４５】
また、通常の使用時には、例えば、奇数行目の走査線ＳＬに第１走査信号を出力するタイミングと、その次行の走査線ＳＬに第２走査信号を出力するタイミングとを同期させ、スイッチＳＷを閉じる電圧パルスを隣り合う１対の走査線ＳＬ毎に順次出力する。すなわち、例えば、（２Ｍ＋１）行目の走査線ＳＬと（２Ｍ＋２）行目の走査線ＳＬとにスイッチＳＷを閉じる電圧パルスを同時に出力し、次いで、（２Ｍ＋３）行目の走査線ＳＬと（２Ｍ＋４）行目の走査線ＳＬとにスイッチＳＷを閉じる電圧パルスを同時に出力する。
【００４６】
走査線駆動回路ＹＤＲは、例えば、フレキシブル配線基板を介して液晶パネルＬＣＰと接続するか、又はテープキャリアパッケージとして液晶パネルＬＣＰと接続する。或いは、走査線駆動回路ＹＤＲは、例えば、液晶パネルＬＣＰに実装するか、又はアレイ基板ＡＳに形成する。
【００４７】
次に、この空間光変調器１の駆動方法について説明する。  
図３は、図１に示す空間光変調器の駆動方法の例を示すタイミングチャートである。図３では、スイッチＳＷがｎチャネル薄膜トランジスタであり且つ対向電極ＣＥの電位が一定である場合を想定し、（２Ｍ＋１）行目乃至（２Ｍ＋４）行目の信号線ＳＬに供給する走査信号の波形と、或る信号線ＶＬに供給する映像信号の波形とを描いている。
【００４８】
この駆動方法では、信号線ＶＬには、映像信号として、第１電圧Ｖ1、第２電圧Ｖ2、第３電圧Ｖ3を供給している。ここで、第１電圧Ｖ1、第２電圧Ｖ2、第３電圧Ｖ3は、対向電極ＣＥの電位を基準とした電圧である。例えば、第１電圧Ｖ1と第２電圧Ｖ2とは極性が逆であり且つ絶対値がほぼ等しく、第３電圧Ｖ3はほぼゼロである。一例としては、第１電圧Ｖ1を−５Ｖとし、第２電圧Ｖ2を＋５Ｖとし、第３電圧Ｖ3を０Ｖとする。
【００４９】
なお、図３の例では、各フレーム期間を２つのフィールド期間に分割している。そして、各フレーム期間において、一方のフィールド期間で或る信号線ＶＬに供給する映像信号と、その信号線ＶＬに他方のフィールド期間で供給する映像信号とを、逆極性とすると共に絶対値をほぼ等しくしている。すなわち、フィールド反転駆動を行って、焼き付きを防止している。
【００５０】
また、各フレーム期間における情報光の生成は、例えば、１つ目のフィールド期間において全画素への映像信号の書き込みを完了した直後であって、２つ目のフィールド期間における画素への映像信号の書き込みを開始する前に、空間光変調器１に光パルスを入射させることにより行う。或いは、各フレーム期間における情報光の生成は、例えば、２つ目のフィールド期間において全画素への映像信号の書き込みを完了した直後であって、次のフレーム期間の１つ目のフィールド期間における画素への映像信号の書き込みを開始する前に、空間光変調器１に光パルスを入射させることにより行う。
【００５１】
図３の駆動方法では、スイッチＳＷを閉じる走査信号（ＯＮ）を隣り合う２本の走査線ＳＬに同時に供給すると共に、スイッチＳＷを開く走査信号（ＯＦＦ）を隣り合う２本の走査線ＳＬに同時に供給する。すなわち、或る画素電極ＰＥに映像信号を書き込んでいる書込期間において、その画素電極ＰＥとＹ方向に隣り合う１つの画素電極ＰＥにも、同一の映像信号を書き込む。
【００５２】
例えば、（２Ｍ＋１）行目の画素に映像信号を書き込んでいる書込期間では、（２Ｍ＋１）行目の画素と隣り合う（２Ｍ＋２）行目の画素にも同一の映像信号を書き込む。また、（２Ｍ＋３）行目の画素に映像信号を書き込んでいる書込期間では、（２Ｍ＋３）行目の画素と隣り合う（２Ｍ＋４）行目の画素にも同一の映像信号を書き込む。
【００５３】
そして、隣り合う２本の走査線ＳＬに供給する走査信号をスイッチＳＷを閉じる走査信号（ＯＮ）からスイッチＳＷを開く走査信号（ＯＦＦ）へと変化させた後、スイッチＳＷを閉じる走査信号（ＯＮ）を、隣り合う他の２本の走査線ＳＬに同時に供給する。このようにして、画素電極ＰＥを隣り合う１対の行毎に走査する。
【００５４】
この方法によると、ゲートパルス幅，すなわちスイッチＳＷを閉じる走査信号（ＯＮ）を走査線ＳＬに供給している時間，が一定の条件のもとでは、画素電極ＰＥを１行毎に走査する線順次駆動法と比較して、フレームレートが２倍になる。
【００５５】
次に、液晶層ＬＣが示す電気光学応答について説明する。  
図４は、図１及び図２に示す液晶パネルにおいて液晶層ＬＣが示す電気的応答の例を概略的に示す平面図である。図４では、スイッチＳＷ等は省略しており、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間の電圧を第３電圧Ｖ3としているときにおける、液晶分子ＬＣＭの配向状態を描いている。
【００５６】
図１及び図２に示すように、奇数行目の画素ＰＸ2m+1と偶数行目の画素ＰＸ2m+2とでは、カイラルスメクティック液晶の層法線方向、すなわち液晶分子が回転する円錐面の軸方向が異なっている。例えば、奇数行目の画素ＰＸ2m+1における層法線方向Ｎ１がＹ方向に対して為す角度は−αであり、偶数行目の画素ＰＸ2m+2における層法線方向Ｎ２がＹ方向に対して為す角度は＋αである。
【００５７】
画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に第３電圧Ｖ3を印加しているとき、奇数行目の画素ＰＸ2m+1及び偶数行目の画素ＰＸ2m+2では、図４に示すように、液晶分子ＬＣＭはＹ方向と略平行な方向に配向する。
【００５８】
画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に印加する電圧を第１電圧Ｖ1とすると、奇数行目の画素ＰＸ2m+1では、印加電圧を第３電圧Ｖ3としたときと同様に、液晶分子ＬＣＭはＹ方向と略平行な方向に配向する。他方、偶数行目の画素ＰＸ2m+2では、液晶分子ＬＣＭは、破線で示す円錐面に沿って方位を変化させる。例えば、偶数行目の画素ＰＸ2m+2では、液晶分子ＬＣＭは、Ｙ方向に対して為す角度が＋２αの方向に略平行に配向する。
【００５９】
画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に印加する電圧を第２電圧Ｖ2とすると、奇数行目の画素ＰＸ2m+1では、液晶分子ＬＣＭは、破線で示す円錐面に沿って方位を変化させる。例えば、奇数行目の画素ＰＸ2m+1では、液晶分子ＬＣＭは、Ｙ方向に対して為す角度が−２αの方向に略平行に配向する。他方、偶数行目の画素ＰＸ2m+2では、印加電圧を第３電圧Ｖ3としたときと同様に、液晶分子ＬＣＭはＹ方向と略平行な方向に配向する。
【００６０】
液晶層ＬＣで液晶分子ＬＣＭの配向方向が変化することは、その光学軸が変化することを意味する。したがって、例えば、以下の設計を採用して、記録すべき情報に対応した光学特性の二次元分布を有する情報光を生成することができる。
【００６１】
すなわち、空間光変調器１が反射型である場合には、液晶層ＬＣのリタデーションを入射光波長λの１／４とし、空間光変調器１が透過型である場合には、液晶層ＬＣのリタデーションを入射光波長λの１／２とする。そして、電極間に第２電圧Ｖ2を印加した奇数行目の画素ＰＸ2m+1において液晶分子ＬＣＭの配向方向がＹ方向に対して為す角度を−４５°とし、電極間に第１電圧Ｖ1を印加した偶数行目の画素ＰＸ2m+2において液晶分子ＬＣＭの配向方向がＹ方向に対して為す角度を＋４５°とする。
【００６２】
この空間光変調器１の液晶層ＬＣに、例えば、偏波面がＹ方向に対して−４５°の角度を為すように直線偏光を入射させる。こうすると、電極間に第１電圧Ｖ1を印加した奇数行目の画素ＰＸ2m+1からは、入射光に対して偏波面が垂直な直線偏光が出射し、電極間に第１電圧Ｖ1を印加した偶数行目の画素ＰＸ2m+2からは、入射光に対して偏波面が平行な直線偏光が出射する。また、電極間に第２電圧Ｖ2を印加した奇数行目の画素ＰＸ2m+1からは、入射光に対して偏波面が平行な直線偏光が出射し、電極間に第２電圧Ｖ2を印加した偶数行目の画素ＰＸ2m+2からは、入射光に対して偏波面が垂直な直線偏光が出射する。さらに、電極間に第３電圧Ｖ3を印加した奇数行目の画素ＰＸ2m+1及び偶数行目の画素ＰＸ2m+2からは、入射光に対して偏波面が垂直な直線偏光が出射する。
【００６３】
したがって、例えば、偏波面が入射光に対して垂直な直線偏光を情報“０”に対応させ、偏波面が入射光に対して平行な直線偏光を情報“１”に対応させると、奇数行目の画素ＰＸ2m+1と偶数行目の画素ＰＸ2m+2とで、３種の情報（０，１）、（１，０）、（０，０）を記録することができる。すなわち、以下の表に示すように、第１電圧Ｖ1、第２電圧Ｖ2、第３電圧Ｖ3を、それぞれ、情報（０，１）、（１，０）、（０，０）に対応させることができる。
【表１】
2006201377.tif 000003
【００６４】
上述したように、この空間光変調器１の各画素列では、奇数行目の画素ＰＸ2m+1の液晶層ＬＣが示す電気光学応答と、偶数行目の画素ＰＸ2m+2の液晶層ＬＣが示す光学応答とは、互いに異なっている。このような電気光学応答の相違は、例えば、以下の方法で生じさせることができる。
【００６５】
まず、アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳとを作製する。それらの配向膜ＡＬ１及びＡＬ２への一軸性配向処理は、アレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳとを貼り合わせたときに、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２の一軸性配向処理方向が互いに平行になるように行う。
【００６６】
次に、アレイ基板ＡＳの配向膜ＡＬ１側の面又は対向基板ＣＳの配向膜ＡＬ２側の面の周縁部に接着剤層を枠状に形成し、粒状スペーサを介してアレイ基板ＡＳと対向基板ＣＳとを貼り合わせる。なお、粒状スペーサを使用する代わりに柱状スペーサを使用してもよい。また、接着剤層が形成する枠形状には、液晶注入口として利用するための開口部を設ける。
【００６７】
次いで、このようにして得られた空セルに、空間光変調器１の使用温度域ではＳｍＣ*相を呈し、温度上昇に伴い、Ｃｈ相及びＩｓｏ相へとこの順に相変化する強誘電性液晶材料を、一定温度に加熱しながらＣｈ相或いはＩｓｏ相の状態で注入する。続いて、液晶注入口を、例えば紫外線硬化樹脂で封止する。なお、封止前或いは後の段階で室温に戻しても構わない。
【００６８】
その後、以下の初期化を実施する。まず、液晶層ＬＣをＣｈ相の温度にまで加熱する。この状態で、画素を線順次駆動し、各画素に初期化信号を書き込む。この初期化信号の書き込みは、例えば、各画素列において、電極間に−Ｖiの電圧が印加されている画素と、電極間に＋Ｖiの電圧が印加されている画素とが交互に配列するように行う。また、個々の画素で、印加電圧の極性は反転させず、実効的に直流電圧を印加する。
【００６９】
次に、各画素への初期化信号の書き込みを継続しつつ、液晶層ＬＣをＳｍＣ*相の温度にまで冷却する。カイラルスメクティック液晶の層法線方向は、この相変化の際に液晶層ＬＣに印加されている電圧の極性に依存する。したがって、この初期化により、各画素列において、奇数行目の画素ＰＸ2m+1の液晶層ＬＣが示す電気光学応答と、偶数行目の画素ＰＸ2m+2の液晶層ＬＣが示す光学応答とを、互いに異ならしめることができる。
【００７０】
奇数行目の画素ＰＸ2m+1の液晶層ＬＣが示す電気光学応答と、偶数行目の画素ＰＸ2m+2の液晶層ＬＣが示す光学応答とは、他の方法で異ならしめてもよい。
【００７１】
例えば、上記の方法により作製した空セルに、例えば液晶性（メタ）アクリレートの未硬化物と強誘電性液晶との混合物を注入する。これを封止した後、スメクティックＣ（ＳｍＣ）相の温度で先に説明した初期化信号の書き込みを継続するか、又は、スメクティックＡ（ＳｍＡ）相の温度で先に説明した初期化信号の書き込みを継続しながら液晶層ＬＣに紫外線を例えば数１０秒間照射する。このようにして高分子安定化強誘電性液晶材料を得ると、各画素列において、奇数行目の画素ＰＸ2m+1の液晶層ＬＣが示す電気光学応答と、偶数行目の画素ＰＸ2m+2の液晶層ＬＣが示す光学応答とを、互いに異ならしめることができる。
【００７２】
奇数行目の画素ＰＸ2m+1の液晶層ＬＣが示す電気光学応答と、偶数行目の画素ＰＸ2m+2の液晶層ＬＣが示す光学応答とは、さらに他の方法で異ならしめてもよい。
【００７３】
例えば、奇数行目の画素ＰＸ2m+1と偶数行目の画素ＰＸ2m+2とで、セルギャップを互いに異ならしめる。こうすると、奇数行目の画素ＰＸ2m+1と偶数行目の画素ＰＸ2m+2とで、液晶材料の閾値電圧及び／又は液晶層ＬＣのリタデーションを互いに異ならしめることができる。
【００７４】
図１の空間光変調器１には、様々な変形が可能である。  
図５は、図１に示す空間光変調器の一変形例を概略的に示す平面図である。
【００７５】
この空間光変調器１は、液晶パネルＬＣＰと、制御部ＣＮＴと、４つの信号線駆動回路ＸＤＲと、２つの走査線駆動回路ＹＤＲと、フィールドメモリＦＭとを含んでいる。
【００７６】
この空間光変調器１では、液晶パネルＬＣＰを破線で区切った４つの部分で構成している。各部分は図１などを参照しながら説明した方法で駆動し、４つの部分の駆動は並列的に行う。このような構造は、液晶パネルＬＣＰの画素数が多い場合に特に有用である。
【００７７】
また、図５の空間光変調器１では、制御部ＣＮＴにフィールドメモリＦＭが接続されている。このように、空間光変調器１には、映像信号を記憶させるフィールドメモリＦＭを設けてもよい。
【００７８】
図２には、画素電極ＰＥと配向膜ＡＬ１とが接触した構造を例示しているが、それらの間には無機絶縁膜が介在していてもよい。このような構造は、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの短絡を生じ難い。
【００７９】
図２には、基板ＳＵＢ１として絶縁基板を用いた構造を例示しているが、空間光変調器１が反射型である場合、アレイ基板ＡＳの基板ＳＵＢ１として、例えばシリコン基板などの半導体基板を使用してもよい。
【００８０】
次に、上述した空間光変調器１を用いた記録再生装置について説明する。  
図６は、ホログラフィック記録再生装置の一例を概略的に示す斜視図である。この記録再生装置は、アドバンストコリニア方式の記録再生装置であって、上記の空間光変調器１と、光源２と、ホログラフィック記録媒体３と、イメージセンサ４と、光学系５と、駆動機構６と、情報処理／制御部７とを含んでいる。
【００８１】
空間光変調器１は、この例では、反射型の空間光変調器である。空間光変調器１は、例えば、図１又は図５に示す構造を有しており、画素電極ＰＥとして反射電極を使用している。
【００８２】
光源２は、情報光、記録用参照光及び再生用参照光として利用可能な光を放出する。光源２としては、例えば、コヒーレントな直線偏光を出力するレーザを使用する。
【００８３】
記録媒体３は、この例では、反射型のホログラフィック記録媒体である。この記録媒体３は、互いに向き合い且つ互いから離間して配置された記録層と反射層とを含んでいる。記録層は、屈折率や透過率などの光学特性が照射光の強度に応じて変化するホログラム材料を含有している。
【００８４】
この記録媒体３は、典型的には、光透過性を有する一対の保護層で記録層を挟み、これらの積層体と向き合うように反射層を配置した構造を有している。例えば、記録媒体３は、カバーシートと、記録層と、第１保護層と、反射層と、第２保護層とを、この順に配置した構造を含んでいる。記録媒体３の形状に特に制限はないが、典型的には、円盤状またはカード状である。
【００８５】
イメージセンサ４は、再生信号読み出し用の二次元イメージセンサであって、その検出面に行方向と列方向とに配列した複数の画素を有している。イメージセンサ４は、各画素毎に光強度を検出する。
【００８６】
光学系５は、光源１が放出する光を空間光変調器１の対向基板ＣＳ側から液晶層ＬＣに入射させ、空間光変調器１が反射した光の一部を記録媒体３の反射層表面にフォーカスさせる。また、光学系は、記録媒体３が出力した回折光をイメージセンサ４の検出面へと導く。
【００８７】
光学系５は、この例では、ビームエキスパンダ５１と、ビームスプリッタ５２と、偏光装置５３と、対物レンズ５４とを含んでいる。
【００８８】
ビームエキスパンダ５１は、光源２が出力する光ビームのビーム径を増加させ、これを平行ビームとして出力する。
【００８９】
ビームスプリッタ５２は、ビームエキスパンダ５１を出射した直線偏光の一部を、空間光変調器１に向けて透過又は反射する。また、ビームスプリッタ５２は、空間光変調器１が反射した光の一部を、記録媒体３に向けて反射又は透過する。さらに、ビームスプリッタ５２は、記録媒体３からの戻り光の一部を、イメージセンサ４の検出面に向けて透過及び／又は反射する。
【００９０】
この例では、ビームスプリッタ５２は、ビームスプリッティング面５２ａと反射面５２ｂとを含んでいる。ビームスプリッティング面５２ａは、ビームエキスパンダ５１を出射した直線偏光の一部を空間光変調器１に向けて透過し、空間光変調器１が反射した光の一部を記録媒体３に向けて反射し、記録媒体３からの戻り光の一部を反射面５２ｂに向けて透過する。反射面５２ｂは、ビームスプリッティング面５２ａが透過した記録媒体３からの戻り光の少なくとも一部を、イメージセンサ４の検出面に向けて反射する。
【００９１】
偏光装置５３は、例えば、偏光板と透過型液晶デバイスとを含んでいる。偏光板は、ビームスプリッタ５２を空間光変調器１に向けて出射した直線偏光を透過するように配置される。また、透過型液晶デバイスは、互いに向き合った一対の透明電極と、それらの間に介在した液晶層とを含んでいる。透過型液晶デバイスは、ＯＮ状態において、偏光板の透過軸に対して偏波面が平行な直線偏光を入射させた場合、例えば、偏波面を回転させることなくその直線偏光を出射する。また、この透過型液晶デバイスは、ＯＦＦ状態において、偏光板の透過軸に対して偏波面が平行な直線偏光を入射させた場合、例えば、円偏光又は楕円偏光を出射する。
【００９２】
対物レンズ５４は、記録媒体３と向き合っている。対物レンズ５４は、ビームスプリッタ５２が出力する光ビームを、記録媒体３の反射層表面にフォーカスさせる。
【００９３】
駆動機構６は、対物レンズ５４と記録媒体３とを相対移動させる。具体的には、駆動機構６は、記録媒体３の記録トラックに沿った第１方向と、記録媒体３の主面に平行であり且つ第１方向と交差する第２方向と、記録媒体３の主面と交差する方向であって典型的には記録媒体３の主面に略垂直な第３方向とに、対物レンズ５４と記録媒体３とを相対移動させる。
【００９４】
駆動機構６は、この例では、モータ６１と図示しないアクチュエータとを含んでいる。モータ６１のスピンドルは、記録媒体３を回転可能に及び着脱可能に支持している。モータ６１は、記録媒体３を対物レンズ５４に対して第１方向に移動させる。また、アクチュエータは、記録／再生ヘッドを記録媒体３に対して第２方向に移動させると共に、対物レンズ５４を記録媒体３に対して第３方向に移動させる。なお、記録／再生ヘッドには、例えば、対物レンズ５４及びビームスプリッタ５２などを搭載する。
【００９５】
情報処理／制御部７は、例えば、記録すべき情報，例えば二進情報，を符号化処理してページデータを生成し、これに対応したページイメージを空間光変調器１が形成するように、空間光変調器１の制御部ＣＮＴに制御信号を供給する。また、情報処理／制御部７は、イメージセンサ４の出力からページデータを再生し、これを復号化処理する。
【００９６】
さらに、情報処理／制御部７は、例えば、空間光変調器１がページイメージを形成する動作に光源２が光パルスを出力する動作を同期させる書き込みのタイミング制御を行う。また、情報処理／制御部７は、例えば、記録時には偏光装置５３の透過型液晶デバイスをＯＮ状態とし、再生時には偏光装置５３の透過型液晶デバイスをＯＦＦ状態とする制御を行う。加えて、情報処理／制御部７は、例えば、イメージセンサ４及び／又は別途設けた光検出器からの出力を位置誤差信号やタイミング信号として利用して、光源２及び駆動機構６の動作を制御する。これにより、フォーカシング及びトラッキング並びに読み出しのタイミング制御を行う。
【００９７】
この記録再生装置を用いた情報の記録及び再生は、例えば、以下の方法により行うことができる。まず、記録方法について説明する。
【００９８】
光源２は、コヒーレントな直線偏光を出力する。ここでは、光源２は、偏波面が紙面に平行な直線偏光を出力することとする。また、以下、偏波面が紙面に平行な直線偏光をＰ偏光成分と呼び、偏波面が紙面に垂直な直線偏光をＳ偏光成分と呼ぶこととする。
【００９９】
ビームエキスパンダ５１は、光源２が放射する光ビームのビーム径を増加させ、平行ビームとしてビームスプリッタ５２に入射させる。
【０１００】
ビームスプリッタ５２のビームスプリッティング面は、Ｐ偏光成分の一部を透過する。したがって、ビームスプリッタ５２に入射したＰ偏光成分の一部は、ビームスプリッタ５２を偏光装置５３に向けて出射する。
【０１０１】
偏光装置５３は、記録時には、Ｐ偏光成分を、その偏波面を変化させることなく透過する。
【０１０２】
空間光変調器１は、例えば、Ｙ方向がＰ偏光成分の偏波面に対して−４５°又は＋４５°の角度を為すように配置する。また、空間光変調器１には、例えば、先に述べた設計を採用する。こうすると、電極間に第１電圧Ｖ1を印加した奇数行目の画素ＰＸ2m+1からはＳ偏光成分が出射し、電極間に第１電圧Ｖ1を印加した偶数行目の画素ＰＸ2m+2からはＰ偏光成分が出射する。また、電極間に第２電圧Ｖ2を印加した奇数行目の画素ＰＸ2m+1からはＰ偏光成分が出射し、電極間に第２電圧Ｖ2を印加した偶数行目の画素ＰＸ2m+2からはＳ偏光成分が出射する。さらに、電極間に第３電圧Ｖ3を印加した奇数行目の画素ＰＸ2m+1及び偶数行目の画素ＰＸ2m+2からは、Ｓ偏光成分が出射する。
【０１０３】
したがって、例えば、Ｓ偏光成分を情報“０”に対応させ、Ｐ偏光成分を情報“１”に対応させると、奇数行目の画素ＰＸ2m+1と偶数行目の画素ＰＸ2m+2とで、３種の情報（０，１）、（１，０）、（０，０）を記録することができる。すなわち、第１電圧Ｖ1、第２電圧Ｖ2、第３電圧Ｖ3を、それぞれ、情報（０，１）、（１，０）、（０，０）に対応させることができる。
【０１０４】
図６の記録再生装置では、このようにして偏波面の二次元分布が与えられた反射光を出力する。そして、この反射光の一部を情報光として利用し、他の一部を記録用参照光として利用する。
【０１０５】
図７は、図６の記録再生装置で生成する偏波面の二次元分布の一例を概略的に示す平面図である。図７には、記録時に空間光変調器１から偏光装置５３に向けて進行する光の進行方向に垂直な面内における偏波面分布を描いている。
【０１０６】
図７において、白抜き部ＯＰはＰ偏光成分を示し、斜線部ＨＰはＳ偏光成分を示している。また、四角形の破線ＢＬ１で囲まれた領域は情報光に対応し、円形の破線ＢＬ２及びＢＬ３で挟まれた領域は記録用参照光に対応している。
【０１０７】
図７から分かるように、この記録再生装置では、例えば、空間光変調器１の略中央部に位置した画素群を用いて情報光を生成し、周辺部に位置した画素群を用いて記録用参照光を生成する。また、この記録再生装置では、情報光に偏波面分布を与えるだけでなく、記録用参照光にも偏波面分布を与える。
【０１０８】
なお、破線ＢＬ１で囲まれた領域における白抜き部ＯＰの配列は、白抜き部ＯＰを縦方向及び横方向に隣接させないという条件のもと、記録すべき情報に対応して定められている。また、破線ＢＬ２及びＢＬ３で挟まれた領域における白抜き部ＯＰの配列は、白抜き部ＯＰが縦方向及び横方向に隣接しないように定められている。
【０１０９】
偏光装置５３は、記録時には、Ｐ偏光成分及びＳ偏光成分のうち、Ｐ偏光成分のみを透過する。したがって、偏光装置５３を出射した情報光及び記録用参照光には、先の偏波面分布に対応した強度分布が与えられている。
【０１１０】
ビームスプリッティング面５２ａは、ビームスプリッタ５２に入射した情報光及び記録用参照光の一部を対物レンズ５４に向けて反射する。
【０１１１】
対物レンズ５４は、情報光及び記録用参照光を、記録媒体３の反射層表面にフォーカスさせる。
【０１１２】
上記の通り、空間光変調器１は、図７の偏波面分布を有する情報光及び記録用参照光を生成するように駆動する。そのため、図７の白抜き部ＯＰに対応した空間光変調器１の各画素は微小開口とみなすことができる。したがって、情報光及び記録用参照光を記録媒体３の反射層表面にフォーカスさせているにも拘らず、記録層内でそれらの干渉を生じさせることができる。すなわち、記録層の内部に、情報光に対応した光学特性の分布を生じさせることができる。
【０１１３】
上述した方法により記録した情報は、以下のようにして再生することができる。すなわち、偏光装置５３の透過型液晶デバイスをＯＦＦ状態とすると共に空間光変調器１の全画素をＯＦＦ状態とすること以外は、記録時とほぼ同様の操作を行う。
【０１１４】
偏光装置５３の透過型液晶デバイスをＯＦＦ状態とすると、偏光装置５３の透過型液晶デバイスは、ビームスプリッタ５２が出射し且つ偏光装置５３の偏光板が透過したＰ偏光成分を、例えば、円偏光又は楕円偏光に変換する。ここでは、一例として、偏光装置５３は、ビームスプリッタ５２が出射したＰ偏光成分を、例えば、右円偏光に変換することとする。
【０１１５】
空間光変調器１は、全画素をＯＦＦ状態としているので、右円偏光を入射させると、反射光として右円偏光を出力する。偏光装置５３の透過型液晶デバイスは、この右円偏光をＰ偏光成分に変換し、偏光装置５３の偏光板はＰ偏光成分を透過する。したがって、このＰ偏光成分は、光学特性の二次元分布が与えられていない再生用参照光として利用することができる。
【０１１６】
偏光装置５３を出射した再生用参照光はビームスプリッタ５２に入射し、ビームスプリッティング面５２ａは、この再生用参照光の一部を対物レンズ５４に向けて反射する。対物レンズ５４は、再生用参照光を記録媒体３の反射層表面にフォーカスさせる。
【０１１７】
記録媒体３の記録層には、上記の方法により光学特性分布が形成されている。したがって、記録媒体３に入射したＰ偏光成分は、記録層内に形成された光学特性分布により回折され、再生光として記録媒体３を出射する。
【０１１８】
対物レンズ５４は、記録媒体３を出射した再生光を平行ビームに変換して、ビームスプリッタ５２に入射させる。ビームスプリッティング面５２ａは、再生光の一部を反射面５２ｂに向けて透過する。反射面５２ｂは、この再生光をイメージセンサ４の検出面に向けて反射する。
【０１１９】
イメージセンサ４は、再生光が検出面上に形成する再生画像の光強度分布を検出する。以上のようにして、情報を再生する。
【０１２０】
上記の通り、この記録再生装置で使用している空間光変調器１は、フレームレートが高い。したがって、この記録再生装置によると、情報の高速書き込みが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明の一態様に係る空間光変調器を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す空間光変調器の液晶パネルに採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
【図３】図１に示す空間光変調器の駆動方法の例を示すタイミングチャート。
【図４】図１及び図２に示す液晶パネルにおいて液晶層ＬＣが示す電気的応答の例を概略的に示す平面図。
【図５】図１に示す空間光変調器の一変形例を概略的に示す平面図。
【図６】記録再生装置の一例を概略的に示す斜視図。
【図７】図６の記録再生装置で生成する偏波面の二次元分布の一例を概略的に示す平面図。
【符号の説明】
【０１２２】
１…空間光変調器、２…光源、３…記録媒体、４…イメージセンサ、５…光学系、６…駆動機構、７…情報処理／制御部、５１…ビームエキスパンダ、５２…ビームスプリッタ、５２ａ…ビームスプリッティング面、５２ｂ…反射面、５３…偏光装置、５４…対物レンズ、６１…モータ、ＡＬ１…配向膜、ＡＬ２…配向膜、ＡＳ…アレイ基板、ＢＬ１…破線、ＢＬ２…破線、ＢＬ３…破線、Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＣＮＴ…制御部、ＣＳ…対向基板、ＦＮ…平坦化層、ＦＭ…フィールドメモリ、ＧＥ…ゲート電極、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＨＰ…斜線部、ＩＩ…層間絶縁膜、ＬＣ…液晶層、ＬＣＭ…液晶分子、ＬＣＰ…液晶パネル、ＯＰ…白抜き部、ＰＥ…画素電極、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＸ2m+1…画素、ＰＸ2m+2…画素、ＲＬ…参照配線、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ…走査線、ＳＵＢ１…基板、ＳＵＢ２…基板、ＳＷ…スイッチ、ＵＣ…アンダーコート層、ＶＬ…信号線、ＸＤＲ…信号線駆動回路、ＹＤＲ…走査線駆動回路。
【図１】
2006201377.tif 000004
【図２】
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【図３】
2006201377.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006201377.tif 000010