(57)【要約】【課題】かしめ部の緩みあるいは半田やフラックスの入り込みを防止する。容易に製作でき、安価な基板を得る。【解決手段】表または裏の少なくとも一方に表れる端子１０、１１，１２とこの端子１０、１１、１２をつなぐ接続部分１４、１５とが構成されるリードフレーム用の金属板によって形成しかつ中央段差部１ａを周縁に対して突出して形成した構造体１を樹脂２にて固めて基板３とした。中央段差部１ａの段差１３の高さは変更可能である。樹脂は、耐熱性を有するＰＡ６Ｔ，ＰＰＳ，ＬＣＰのいずれかである。回路基板の底面より突出した段差部分が設けられ得るようにし、かつ安価に得られる。【選択図】図４
2006157894.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端に音波通過開口が形成された金属製の筒状カプセル内に、少なくとも振動膜、背極、インピーダンス変換回路が搭載された基板が収納され、上記筒状カプセルの他端部が基板の外面にかしめ部としてかしめられて、内部の部品が固定されたコンデンサマイクロホンにおいて、
上記基板は
上記かしめ部が対接された平板状周縁部、その平板状周縁部と一体に接続され、上記基板内面に位置した第１接続端子、上記平板状周縁部と一体に接続され、上記かしめ部の厚さ以上に上記基板の外面に位置した接地端子を有する板状金属が折曲げられた第１金属部材と、
上記基板の内面に位置した第２接続端子、その第２接続端子と一体に接続され、上記基板の外面において上記接地端子と同一平面上に位置した外部端子を有する板状金属が折曲げられた第２金属部材と、
上記第１金属部材および上記第２金属部材を一体化し上記第１接続端子、上記第２接続端子を基板内面に露出し、上記平板状周縁部の外面、上記外部端子、上記接地端子を上記基板外面に露出した樹脂モールド部とを具備すること特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項２】
請求項１記載のマイクロホンにおいて、
上記外部端子は上記基板外面の中心部に位置し、上記接地端子は上記外部端子を中心とする板リング状体であり、上記平板状周縁部も上記外部端子の外側において同心の板リング状体であり、
上記接地端子および上記平板状周縁部はそれぞれ、上記外部端子を中心とする同一放射方向において、少なくとも２箇所切断されたスリット部を具備することを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項３】
請求項１又は２記載のマイクロホンにおいて、
上記第１接続端子と上記平板状周縁部とは上記樹脂モールド部内に位置する曲げ部を通じて一体に連結されていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項４】
請求項２又は３記載のマイクロホンにおいて、
上記樹脂モールド部の上記スリット部外側端部は切り欠き部が構成され、かつ、第２接続端子と一端が一体に連結された細い連結片が、上記樹脂モールド部内で延長形成され、その連結片の他端が上記切り欠き部に臨んでいることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載のマイクロホンにおいて、
上記外部端子および上記接地端子は上記かしめ部と同一面上又はかしめ部よりも上記平板状周縁部に対し突出していることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項６】
請求項１記載のマイクロホンにおいて、
上記カプセル内で、これと同心的な導電状コイルバネが上記背極と上記基板との間に弾性的に介在され、上記インピーダンス変換回路の入力端子と、上記背極とが電気的に接続されていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項７】
請求項６記載のマイクロホンにおいて、
上記コイルバネと上記カプセルとの間にこれら間を電気的に絶縁するホルダが設けられていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項８】
一端に音波通過開口が形成された金属性筒状カプセル内に、その他端より、少なくとも振動膜、背極、インピーダンス変換回路が搭載された基板が収納され、上記筒状カプセルの他端部が上記基板の外面にかしめ部としてかしめられて内部の部品が固定されるコンデンサマイクロホンの上記基板の製造方法において、
金属板に孔が形成され、その孔の外側のフレームに細い第２連結片で連結された平板状周縁部を形成し、その平板状周縁部の一面を上記かしめ部がかしめつけられる外面とし、
上記平板状周縁部の外面の内側にリング状の接地端子を上記かしめ部の厚さ以上に突出して一体に形成し、
上記リング状接地端子の中心部にこれと離間して接地端子と同一面上に外部端子を形成し、
上記平板状周縁部および上記接地端子には上記外部端子を中心として放射方向に少なくとも２本のスリットを形成し、
上記平板状周縁部と上記外部端子との間において、上記外部端子と反対側に上記平板状周縁部より突出して、上記平板状周縁部と第１曲げ部で連結された第１接続端子を形成し、
上記第１接続端子と同一平面上で上記第２曲げ部で上記外部端子に接続されると共に、上記スリットと対向し、これらから離れた細い第２連結片で上記フレームに連結した第２接続端子を形成し、
その後、上記外部端子、上記接地端子、上記第１接続端子、上記第２接続端子、上記平板状周縁部の外面を露出させ、上記スリットの外端に切り欠き部を有する平板状樹脂モールド部２を樹脂材の充填モールドにより形成し、
上記第１連結片を上記平板状周縁部と連結位置で、上記第２連結片を上記切り欠き部の位置で切断して上記フレームから切離して上記基板を得ることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の製造方法において、
上記樹脂モールド部を形成する前の状態を上記金属板の打ち抜きとプレス加工により形成することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の製造方法において、
上記樹脂モールド部を形成する前の状態を、上記金属板に対するエッチング加工により形成することを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサマイクロホンと、それに用いる基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下に述べる関連技術では、いわゆるバックエレクトレット形式のエレクトレットコンデンサマイクロホン（以下ＥＣＭと称する）を例にとって述べる。図１は、関連技術にかかるＥＣＭの断面構成例を示し、特許文献１に記載されている構成を示したものである。図１において、ＥＣＭの外郭は円筒状のカプセル６１にて形成される。このカプセル６１の前面板６１ａには、音波通過開口部６１０が形成される。カプセル６１内には、前面板６１ａの内面側よりカプセル６１の後方（背面側）に向かって、振動板６２、絶縁スペーサ６３、背極６４、絶縁材からなるリング状背極ホルダ６５、導電性筒状体６６、および回路基板６７が、順に組み込まれている。ここで、振動板６２は、例えばポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳともいう）からなる誘電体フィルムの背極側の一面に導電層としてＮｉ、Ａｌなどの金属膜が形成されたものである。振動板６２の前面側周縁には、振動板リング６２ａが固定され、この振動板リング６２ａは、前面板６１ａに接している。絶縁スペーサ６３の厚さを隔てて振動板６２の後方に配置された背極６４は、絶縁材からなるリング状背極ホルダ６５にて支持される。背極６４と回路基板６７との間には、導電性筒状体６６が介在され、背極６４と回路基板６７の上面（前面）に形成された配線とが電気的に接続されている。なお、背極６４の前面、つまり背極６４の振動板６２との対向面には、ＦＥＰ（フッ化エチレンプロピレン）などの誘電体層がエレクトレット化されたエレクトレット層６４ａが形成されている。回路基板６７には、その上面にＦＥＴ（電界効果トランジスタ）などの回路素子６８が搭載され、その底面（背面）に外部接続電極である半田バンプ電極６９ａ、６９ｂが突出して形成されている。回路基板６７上には、例えば図２に示すような回路が形成されている。図２では、ＦＥＴのゲートは、図１の導電性筒状体６６を通じて背極６４に接続され、ＦＥＴのソースは、図１のカプセル６１を通じて振動板６２に接続されている。インピーダンス変換部であるＦＥＴのソース及びドレイン間は、二つのコンデンサＣが並列に接続されている。ＦＥＴのドレインは、回路基板６７に形成されたスルーホール（図示省略）を通じて出力端子７２（図１では、半田バンプ電極６９ｂ）に接続され、直流阻止コンデンサＣｐに通じている。ＦＥＴのソースは、回路基板６７に形成されたスルーホール（図示省略）を通じて接地端子７１（図１では、半田バンプ電極６９ａ）に接続されている。また、ＦＥＴのドレインは、抵抗素子Ｒを通じて基準電源に接続されている。図１にあって、カプセル６１の後方（背面側）端部は、かしめ部６１１として回路基板６７の背面にかしめ付けられており、このかしめによりカプセル６１内に収納された各素子部品が相互に固定される。音波通過開口部６１０を通じて音波がカプセル６１内に入った場合、この音波によって振動板６２が振動し、振動板６２及び背極６４間の静電容量が変化し、これによって音波が電気信号に変換されて出力端子７２（図１では半田バンプ電極６９ｂ）に出力される。
【０００３】
上述のＥＣＭを実装基板（図示省略）に搭載するには、半田バンプ電極６９ａ、６９ｂを実装基板の対応電極に半田付けすることで行われる。すなわち、ＥＣＭを実装基板に載置した状態で全体をリフロー槽に通して加熱する。この加熱により半田バンプ電極６９ａ、６９ｂが溶融されて半田接続が行われることになる。
【特許文献１】特開２００３−１５３３９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１に示すように回路基板６７の底面に半田バンプ電極６９ａ、６９ｂが突出して盛られておりかつ回路基板６７の底面でカプセル６１の端部にかしめ部６１１が存在する状態にあっては、次のような問題がある。すなわち、リフロー槽での半田の加熱・溶融に際して半田溶融熱によりかしめ部６１１にひずみが生起され、かしめが緩みあるいは溶融した半田やフラックスがかしめ部６１１と回路基板６７との間に入り込むという現象が生ずることである。このことは、導電性筒状体６６が介在される背極６４と回路基板６７の配線との電気的接続を不安定化し、背極６４のエレクトレット層６４ａを劣化させて振動板６２及び背極６４間の印加電圧が低下し、ひいてはＥＣＭの感度低下をもたらす。
【０００５】
また、上述のかしめ部６１１と回路基板６７との間での半田やフラックスの入り込みを防止するため、リフロー槽を通して半田接続を行うリフロータイプのＥＣＭでは、実装基板に直接半田付けを行なう場合、かしめ部６１１と実装基板との間に半田ペーストを盛り上げてかしめ部６１１と実装基板との間を離間させるようにして半田付けを行うという方策もあるが、信頼性の面で劣る。
また、回路基板６７の底面に更に別の基板を貼付してかしめ部６１１の厚さより突出するような段差を形成しその別の基板から半田バンプ電極を突出させ、リフロー槽にて実装基板に半田を接続する方策もある。このことは、回路基板６７に別の基板を貼付して段差を設けることに他ならないが、この回路基板６７への別の基板の取り付けについては、所定の位置精度をもって位置合わせを行い電気配線のためのスルーホールを形成し取り付け作業を行う必要がある。しかし、これらの作業を勘案すると結果として安価な基板が得られない。また、ルータにて切削加工して段差を形成した回路基板を得たとしても、同様に安価な基板が得られないという問題も生ずる。すなわち、段差を持たせる構造は、高価なものとなる。
【０００６】
更に、一般的に従来の回路基板自体を見た場合、普通、パターン配線基板を用いるのであるが、このパターン配線基板の製作に当たっては導体電極、ガラス、多層配線、スルーホール等多様な材料を多様な印刷工程にて製作することになるので、製作工程が複雑で高価なものとなる。  
本発明は、リフロー槽での加熱の影響をできるだけ少なくしてかしめ部の緩みを防止しかしめ部への半田やフラックスの入り込みなくすようにして、電気的不安定化をなくし感度低下を防ぐようにし、また、かしめ部に半田ペーストを盛り上げて実装基板との間隔をとることをしないで、段差により間隔を空けるようにしたことにより、信頼性を得るようにし、更に、基板を貼り合わせて段差を設け、あるいは基板をルータにて切削加工して段差を設けることはしないで安価な基板を得るようにし、また、基板を多様な材料を用いて多様な印刷工程にて製作することをしないで、つまり複雑で高価な製作工程を経ないで基板を得るようにしたコンデンサマイクロホン及びその基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、本発明は、一端に音波通過開口が形成された金属製の筒状カプセル内に、少なくとも振動膜、背極、インピーダンス変換回路が搭載された基板が収納され、筒状カプセルの他端部が基板の外面にかしめ部としてかしめられて、内部の部品が固定されたコンデンサマイクロホンにおいて、基板はかしめ部が対接された平板状周縁部、その平板状周縁部と一体に接続され、基板内面に位置した第１接続端子、平板状周縁部と一体に接続され、かしめ部の厚さ以上に基板の外面に位置した接地端子を有する板状金属が折曲げられた第１金属部材と、基板の内面に位置した第２接続端子、その第２接続端子と一体に接続され、基板の外面において接地端子と同一平面上に位置した外部端子を有する板状金属が折曲げられた第２金属部材と、第１金属部材および第２金属部材を一体化し上記第１接続端子、第２接続端子を基板内面に露出し、平板状周縁部の外面、外部端子、接地端子を基板外面に露出した樹脂モールド部とを具備すること特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、リードフレーム用の金属板からなる平板状周縁部と中央段差部と機器接続部とを骨格として樹脂をモールドした樹脂モールド部からなる基板とするだけであるので、従来のパターン配線基板を用いる場合とは異なりその製作工程が簡単になり安価となる。また、この基板は、金属と樹脂のみからなるので、環境を考慮した基板となる。更に、中央段差部で底面より突出した段差部分を形成することにより、基板底面にかしめ部が位置するとき、実装面からかしめ部を段差によって浮かせることができ、従来の信頼性が劣る半田ペーストを盛り上げ、基板を重ね、あるいはルータ加工のような高価な段差加工を行うことなく、リフローによるかしめ部への加熱の影響を軽減させまた半田やフラックスの流れ込みを防ぐことができ、マイクロホンにおいては感度変化の少ないものを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下図面を参照して本発明のコンデンサマイクロホンの実施形態を説明する。ここでは、バックエレクトレット形式のエレクトレットコンデンサマイクロホン（ＥＣＭ）を例にとって説明するが、いわゆるフロントエレクトレットのＥＣＭについても適用することができる。
この実施形態では、リードフレーム用の金属板を打ち抜き折り曲げることによって形成した平板状周縁部、中央段差部、機器接続端子をそれぞれ相互に連結した構造体を樹脂にて固めることにより基板を得たものである。
【００１０】
図３は、予め錫あるいは銀などがメッキされた黄銅あるいはりん青銅からなるリードフレーム用の金属板を打ち抜いて折り曲げた構造体１を示したものであり、図３Ａはこの構造体１を斜め上方から見た斜視図、図３Ｂはこの構造体１を斜め下方から見た斜視図である。この図３Ａに示すように構造体１の表面である実装面側は、この実装面側に突き出した平板状の中央段差部１ａと、この中央段差部1ａより一段下がったこの中央段差部１ａの裾となる周囲の平板状周縁部１ｂとを有する。中央段差部１ａは、その中央で円板に形成された外部端子１０を有し、そしてこの外部端子１０の周りにあって外部端子１０に対して離間（絶縁）した接地（ＧＮＤ）端子１１を有する。また、平板状周縁部１ｂは、中央段差部１ａの接地端子１１と段差１３を介して一体につながった接地端子である。また、図３Ｂに示すように構造体１の裏面である部品搭載面側は、５個の接続端子１２（１２Ｓ、１２Ｇ）が形成されている。これら接続端子１２は、略外部端子１０と接地端子１１との間に位置して平板上周縁部１ｂよりも部品搭載側に突出している。そして、この５個の接続端子１２の一部１２Ｓは、構造体１の内部にて外部端子１０に曲げ部１４を介して接続され、また接続端子１２の他の一部１２Ｇは、平板状周縁部１ｂに曲げ部１５を介して接続される。このようにして、構造体１は、平板状周縁部１ｂの位置を基準としてその実装面側に外部端子１０および接地端子１１が突き出し部品搭載面側に接続端子１２（１２Ｓ、１２Ｇ）が突き出すように構成されている。
【００１１】
また、この構造体１は、図３Ａから見れば平板状周縁部１ｂより中央が盛り上がるように段差１３が形成されて中央段差部１ａとなっており、平板状周縁部１ｂはドーナツ状の接地端子となっている。この場合、段差１３は、リードフレーム用の金属板の打ち抜きと曲げ加工によるので、その高さは自由に加減することができる。
図４は、本実施形態における基板の製造に当たって、構造体を形成する場合の金型による金属板の抜き成型時の状態を図示する。ここでは、黄銅あるいはりん青銅からなるリードフレーム用の帯状の金属板１００の長手方向に沿って構造体１を配列し形成する。つまり金属板１００の各構造体１の形成部分には、方形孔１０１が打ち抜かれると共に、方形孔１０１の内部にあってその中央部に、平板上周縁部１ｂ、接地端子１１、外部端子１０、接続端子１２Ｓ，１２Ｇ、曲げ部１４、１５を残して打ち抜かれる。ただし、平板状周縁部１ｂは、互いに反対方向に延長した細い連結片１０３でリードフレーム１０２に連結され、接続端子１２Ｓは、互いに反対方向に延長した細い連結片１０４でリードフレーム１０２に連結されている。これら連結片１０４の形成に伴って、接地端子１１及び平板状周縁部１ｂにスリット１ｂ１（図３参照）が形成される。この打ち抜き後に、図７、図８からも明らかであるが、外部端子１０と接地端子１１からなる中央段差部１ａを接地端子１１とつながる平板状周縁部１ｂから実装面側へ突き出し、更に接続端子１２Ｇを曲げ部１５と共に平板状周縁部１ｂから実装面側と反対の面側へ突き出し、同時に外部端子１０につながる接続端子１２Ｓが曲げ部１４を介して実装面側と反対面側へ突き出される。この際、連結片１０４も平板状周縁部１ｂから切り離されて接続端子１２Ｓと同様実装面側と反対面側に突き出される。この作業は、たとえば押し型による成型にて行うことができる。一般の押し出し作業としては、帯状の金属板１００と平板上周縁部１ｂとを同一面とし、これに対し外部端子１０、接地端子１１を一方向側に押し出し、接続端子１２Ｓ，１２Ｇを他方向側に押し出す。こうして、上記外部端子１０、上記接地端子１１、および上記平板状周縁部１ｂを上記実装面側に臨ませ、上記接続端子１２Ｓ及び上記他の接続端子１２Ｇを上記部品搭載面側にて臨ませ得る。
【００１２】
図５は、リードフレーム用の金属板１００を上述のように打ち抜き折り曲げた結果、形成された構造体１の平面構造を示すと共に帯状金属板の厚さ方向に至る曲げ部１４を除いて各端子等の立体位置をハッチングの向きや幅を区別して示す。すなわち、外部端子１０、一部接地端子１１が（Ｉ）の立体位置で構成され、ついで平板状周縁部１ｂが段差１３だけ離れて（II）の立体位置にて構成され、ついで主に平板状周縁部１ｂと接続端子１２Ｇとの曲げ部（接続部分）１５及び連結片１０４が（III）の立体位置にて構成され、そして外部端子１０及び平板状周縁部１ｂにつながる接続端子１２Ｓ、１２Ｇが部品搭載面側の露出面にて（IV）の立体位置にて構成される。なお、曲げ部１４は、斜めの立体位置であり、上記立体位置（Ｉ）〜（IV）に当てはまらない。また、図５にあって破線はＦＥＴ及びコンデンサＣの配置接続状態を示す。
【００１３】
構造体１の形成に当たっては、前述のようにリードフレーム用の金属板１００（図４参照）の打ち抜きおよび曲げ加工によるのであるが、微細な構成のためにファインピッチ加工が必要な場合には、この金属板をエッチングして曲げ、あるいは切断加工することにより、得ることができる。図６は、図３に示す構造体１を耐熱性樹脂にてモールドして樹脂モールド部２を設けた基板を示している。この図６も図３と同様に図６Ａは、斜め上方から見た斜視図、図６Ｂは斜め下方から見た斜視図である。このモールドした基板においては、外部端子１０と接地端子１１と平板状周縁部１ｂである接地端子が突出している側の面が構造体１の表面である実装面側に露出し、接続端子１２（１２Ｓ、１２Ｇ）が構造体１の裏面である部品搭載面側に露出している。ここで、樹脂モールド部２の耐熱性樹脂は、例えばリフロー槽での加熱に耐えられる耐熱性を有し、具体的にはＰＡ６Ｔ（ポリアミド６Ｔ）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＬＣＰ（液晶ポリマー）等が挙げられる。この樹脂モールド部２の形成は、構造体１が図４に示すリードフレーム１０２に連結されている状態で行われる。この樹脂モールド部２の形成後、図４に示す連結片１０３が平板状周縁部１ｂの外周縁位置で、連結片１０４は平板状周縁部１ｂの外周縁よりわずかに内側の位置でそれぞれ切断される。こうして基板３が取り出される。連結片１０４の切断を前述のように内側で行うことができるように、その平板状周縁部１ｂの外周縁の一部に切り欠き部２ａが形成されて、樹脂モールド部２が構成されている。その様子を図６Ｃに一部拡大して示す。切り欠き部２ａに臨む連結片１０４とカプセル６１との間隔は、これら間の絶縁が問題とならない範囲でなるべく小さくし、かつ連結片１０４の幅を小さくしたほうが、雑音に対するシールドの効果が大きくなる。
【００１４】
このようにプレス加工又はエッチング加工により形成した構造体１を骨格として、樹脂モールド部２を樹脂のモールドにて形成して基板３とすることで、関連技術の説明にて述べたような回路パターンが被着された基板が不要となり製作工程が簡単かつ安価になり、また、材料は金属と樹脂のみなので、環境対策を考慮した製品となる。
例えば図１の示したＥＣＭ中の回路基板６７の代わりに基板３を用い、その場合の基板３とカプセル６１のかしめ部６１１との関係を図７及び図８示す。図７は、図６ＡのＶ−Ｖ線矢印断面を示し、図３ＡのＶ−Ｖ線矢印断面と対応する。この図７では、外部端子１０と接続端子１２Ｓの接続状態が分かり、カプセル６１のかしめ部６１１が平板状周縁部１ｂの外側にかしめ付けられ、カプセル６１が接地端子１１と接続されている状態が分かる。ここでは、段差１３は、カプセル６１のかしめ部６１１の厚さより高い寸法を有している。また、連結片１０４の一部は、絶縁のためカプセル６１に接触しないように平板状周縁部１ｂの周縁より短く形成されている。外部端子１０及び接地端子１１表面上には、半田層１０ａ及び１１ａがそれぞれ形成されている。これら半田層１０ａ及び１１ａの厚さは、例えば１００μｍである。このように半田層１０ａ、１１ａが形成されるため、段差１３は、かしめ部６１１の厚さ以上の厚さがあればよい。段差１３の厚さを大きくし過ぎるときには、実装基板にＥＣＭを実装した時の高さが嵩むことになる。小型化のためには段差１３の厚さは、低いほうが良いのでかしめ部６１１の厚さを０．１５ｍｍとすると、段差１３は０．１５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度、つまりかしめ部６１１と端子１０、１１の基板との厚さ方向における差は０ｍｍ〜０．０５ｍｍ程度が良い。また、半田層１０ａ、１１ａの代わりに破線で示すように半田バンプ６９ａ，６９ｂを用いても良い。
【００１５】
図８は、図３Ａ及び図６ＡのVI―VI線矢印断面と対応する基板の断面とカプセル６１のかしめ部６１１の関係を示した図であり、かしめ部６１１が平板状周縁部１ｂと接続され、この平板状周縁部１ｂに接続端子１２Ｇが接続される状態が分かる。構造体１をＥＣＭの回路基板の骨格とした場合、図３Ａからみれば接地端子１１と一体に接続された平板状周縁部１ｂにＥＣＭのカプセル６１のかしめ部６１１が位置することになり、図３Ａの構造体１表面の実装面側にこのかしめ部６１１が位置する。このため、段差１３は、平板状周縁部１ｂにかしめられるカプセル６１の端部つまりかしめ部６１１の厚さより高い段差が形成され、外部端子１０と接地端子１１に半田層を実装面側へ突出させることで、かしめ部６１１へのリフロー時の加熱の影響を軽減しあるいは半田やフラックスの流れ込みを防止することができる。なお、図１のＥＣＭの回路基板６７と図３の構造体１とは、位置的に逆さの関係にあり中央段差部１ａの外部端子１０が図１に示したＥＣＭの底部つまりかしめ部６１１の底面より突出して位置することになる。なお、平板状周縁部１ｂ、接地端子１１、接続端子１２Ｇなどは、一つの板状金属が折り曲げられた第１金属部材２００（図３Ｂ参照）を構成し、外部端子１０、接続端子１２Ｓなどは他の板状金属が折り曲げられた第２金属部材２０１（図３Ｂ参照）を構成しているといえる。また、各図において、各部を分かりやすくするために相対的寸法は必ずしも適切な寸法に表示されていない。例えば、基板３の厚さは０．２ｍｍ程度、平板状周縁部１ｂなどを構成する金属板の厚さは０．１５ｍｍ程度である。
【００１６】
図９は、図６乃至図８にて示した基板３を用いてＥＣＭを形成した場合の分解斜視図である。この図９では、図１の構造と異なる構造を有するので図１と区別するため同一部分でも異なる符号を用いた。この分解斜視図においては、ホルダ５４内に背極５３及びコイルバネ５２が収納し得る構造で、基板３と背極５３との間にはコイルバネ５２が介在される構造である。そして、基板３上の接続端子１２Ｓ上に搭載されたＦＥＴのゲート端子ＴＧ上にコイルバネ５２の基板３側のリングのいずれかの部分を接触させ、各素子部品をカプセル５７内に封止した時にバネ力によりＦＥＴのゲート端子ＴＧと背極５３との接触を確保する。コイルバネ５２及び背極５３は、ホルダ５４内に位置され、ホルダ５４上にスペーサ５５を介して振動板５６が配置される。つまり、カプセル５７内に振動板５６、スペーサ５５、背極５３、コイルバネ５２が接続された基板３が順次組み込まれカプセル５７の端部が基板３の背面とかしめられて一体化される。この場合、背極５３の径はホルダ５４の径より小さいが、背極５３をホルダ５４内に容易に挿入できる範囲であれば、なるべく大きくしたほうが背極５３の位置決め上好ましい。また、図９では図示しないが、基板３の底面は、これまでの説明の段差１３を有するものである。したがって、リフロー槽における基板３の底面での半田の溶融に当たっては、かしめ部より突出した段差の形成により、かしめ部での熱による影響が軽減され、かしめ部と基板３の底面との間に半田やフラックスが流れ込むことはない。また、コイルバネ５２でゲート端子ＴＧを圧接して背極５３と接続する場合は、背極５３が傾くことなく振動板と背極との間隔が安定して得られる。図９において、基板上にはＦＥＴおよび二つのコンデンサＣが搭載されており、例えば図２に示したような回路構成とされている。この回路の出力端子７２は、外部端子１０につながる接続端子１２Ｓと接続され、この回路の接地端子７１は、この接地端子１１につながる接続端子１２Ｇと接続される。ホルダ５４は、コイルバネ５２及び背極５３とカプセル５７とを電気的に接続している。    
【００１７】
これまでの説明は、ＥＣＭを前提に説明してきたのであるが、段差部分の高さを自由に設定することができる点からすれば、フロントエレクトレットのＥＣＭやコンデンサマイクロホンにも適応することができる。
また、簡単で安価な基板を得ようとする観点からすれば、リードフレーム用の金属板を打ち抜き折り曲げて形成される構造体を樹脂モールドするのみにて金属と樹脂との材料だけで簡単に得られることにより、これまでのパターン配線基板とは全く異なる基板を得ることができる。                  
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、関連技術のＥＣＭの断面図である。
【図２】図２は、ＥＣＭの回路図である。
【図３】図３Ａは、本発明の実施形態のための構造体を斜め上方から見た一例の斜視図、図３Ｂは、本発明の実施形態のための構造体を斜め下方から見た一例の斜視図である。
【図４】図４は、金属板の抜き成型の一例の平面図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態の構造体の平面構造および立体構造の説明のための平面図である。
【図６】図６Ａは、本発明の実施形態のための基板の一例を斜め上方から見た斜視図、図６Ｂは、本発明の実施形態のための基板の一例を斜め下方から見た斜視図、図６Ｃは、本発明の実施形態のための基板の一例の切り欠き部の斜視図である。
【図７】図７は、図３ＡのＶ−Ｖ線断面図である。
【図８】図８は、図３ＡのVI−VI線断面図である。
【図９】図９は、ＥＣＭの分解斜視図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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