(57)【要約】【課題】  液浸露光において、投影光学系の最終光学素子の信頼性を高め、優れた結像性能の実現を可能とする光学素子、かかる光学素子を有する露光装置を提供する。【解決手段】  石英を材料とする第１の光学素子と、フッ化カルシウムを材料とする第２の光学素子と、前記第１の光学素子と前記第２の光学素子とを接合する少なくとも一層以上の酸化物光学薄膜とを有することを特徴とする光学素子を提供する。【選択図】          図１
2006202929.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英を材料とする第１の光学素子と、
フッ化カルシウムを材料とする第２の光学素子と、
前記第１の光学素子と前記第２の光学素子とを接合する少なくとも一層以上の酸化物光学薄膜とを有することを特徴とする光学素子。
【請求項２】
前記接合は、オプティカルコンタクトであることを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項３】
前記酸化物光学薄膜は、石英を材料とすることを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項４】
前記酸化物光学薄膜は、１２０ｎｍ以上の膜厚を有することを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項５】
石英を材料とする第１の光学素子と、
フッ化カルシウムを材料とする第２の光学素子と、
前記第１の光学素子と前記第２の光学素子とを接合する液体とを有することを特徴とする光学素子。
【請求項６】
前記液体は、７ｐｐｍ以上のカルシウムイオン濃度を有するフッ化カルシウム水溶液であることを特徴とする請求項５記載の光学素子。
【請求項７】
レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記被処理体との間の少なくとも一部に供給される液浸液を介して前記被処理体を露光する露光装置であって、
前記投影光学系において、前記被処理体と対向する位置に配置される請求項１乃至６のうちいずれか一項記載の光学素子を有し、
前記光学素子は、前記第１の光学素子の前記第２の光学素子と接合する面の反対側の面が前記液浸液と接触することを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項７記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、露光装置に係り、特に、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体チップ、液晶パネルなどの表示素子、磁気ヘッドなどの検出素子、ＣＣＤなどの撮像素子といった各種デバイス、マイクロメカニクスで用いる微細パターンの製造に用いられる露光装置に関する。本発明は、投影光学系の最終面と被処理体の表面を液体で浸漬して、かかる液体を介して被処理体を露光する、所謂、液浸型の露光装置に好適である。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子又は液晶表示素子を製造する際に、レチクル（マスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する縮小投影露光装置が従来から使用されている。
【０００３】
縮小投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。従って、波長を短くすればするほど、及び、ＮＡを上げれば上げるほど、解像度はよくなる。このため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い露光光の短波長化が進められ、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）と用いられる紫外光の波長は短くなってきた。現在は、次の光源としてＦ２レーザー（波長約１５７ｎｍ）や極端紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光の実現に向けて開発が進められている。
【０００４】
このような中で、ＡｒＦエキシマレーザーなどの光源を用いながら、更に解像度を向上させる技術として、液浸露光が注目されている（例えば、特許文献１参照。）。液浸露光とは、投影光学系の最終面（最終光学素子）とウェハの像面との間を液体（液浸液）で満たす（即ち、投影光学系のウェハ側の媒質を液体にする）ことで露光光の実効波長を短波長化し、投影光学系のＮＡを見掛け上大きくして解像度の向上を図るものである。投影光学系のＮＡは、媒質の屈折率をｎとすると、ＮＡ＝ｎ・ｓｉｎθであるので、空気の屈折率よりも高い屈折率（ｎ＞１）の媒質を満たすことでＮＡをｎまで大きくすることができる。
【０００５】
例えば、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーにおいては、水が良好な透過率を有し、且つ、屈折率も約１．４４と比較的高く、液浸液として適している。そのため、ＡｒＦエキシマレーザーを光源とし、液浸液として水を用いた液浸型の露光装置（以下、「液浸露光装置」と称する。）の実用化が有望視されている。
【特許文献１】特開平６−１２４８７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、液浸露光装置では、投影光学系の最終光学素子（ウェハと対向する光学素子）が問題となる。ＡｒＦエキシマレーザーに対して良好な光学特性を有する硝材としては、石英（フッ素添加）及びフッ化カルシウム（ＣａＦ２）が一般的に知られている。但し、石英は、レーザー照射に対する耐性が悪く、コンパクションの発生や透過率の低下等の変化を生じ、結像性能及びスループットの低下などを引き起こす原因となる。
【０００７】
一方、フッ化カルシウムは、超純水によって容易にエッチングされる性質を有しており、例えば、液浸液として脱気処理が施された超純水を用いた場合、液浸液中に多量のカルシウムイオンを発生させてしまう。カルシウムイオンなどの金属コンタミは、ウェハ表面に付着するとその後の加熱工程などにより容易にウェハ内部まで拡散する性質を有しており、デバイス素子の耐圧不良、キャリアライフタイムの減少など様々な障害を引き起こす原因となる。従って、液浸液中の軽金属イオンの溶出量を可能な限り抑制する必要がある。
【０００８】
そこで、本発明は、液浸露光において、投影光学系の最終光学素子の信頼性を高め、優れた結像性能の実現を可能とする光学素子、かかる光学素子を有する露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての光学素子は、石英を材料とする第１の光学素子と、フッ化カルシウムを材料とする第２の光学素子と、前記第１の光学素子と前記第２の光学素子とを接合する少なくとも一層以上の酸化物光学薄膜とを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の別の側面としての光学素子は、石英を材料とする第１の光学素子と、フッ化カルシウムを材料とする第２の光学素子と、前記第１の光学素子と前記第２の光学素子とを接合する液体とを有することを特徴とする。
【００１１】
本発明の更に別の側面としての露光装置は、レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記被処理体との間の少なくとも一部に供給される液浸液を介して前記被処理体を露光する露光装置であって、前記投影光学系において、前記被処理体と対向する位置に配置される上述の光学素子を有し、前記光学素子は、前記第１の光学素子の前記第２の光学素子と接合する面の反対側の面が前記液浸液と接触することを特徴とする。
【００１２】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、液浸露光において、投影光学系の最終光学素子の信頼性を高め、優れた結像性能の実現を可能とする光学素子、かかる光学素子を有する露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての露光装置について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明の露光装置１の構成を示す概略断面図である。
【００１６】
露光装置１は、投影光学系３０の被処理体４０側にある最終面（最も被処理体４０側の光学素子１００）と被処理体４０との間に供給される液浸液ＬＷを介して、レチクル２０に形成された回路パターンをステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式で被処理体４０に露光する液浸型の投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、レチクルに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してレチクルパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。また、「ステップ・アンド・リピート方式」とは、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次の露光領域に移動する露光方法である。
【００１７】
露光装置１は、図１に示すように、照明装置１０と、レチクル２０を載置するレチクルステージ２５と、投影光学系３０と、被処理体４０を載置するウェハステージ４５と、給排機構５０と、制御部６０とを有する。
【００１８】
照明装置１０は、転写用の回路パターンが形成されたレチクル２０を照明し、光源部１２と、照明光学系１４とを有する。
【００１９】
光源部１２は、例えば、光源としては、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーなどを使用することができるが、光源の種類はエキシマレーザーに限定されず、例えば、波長約１５７ｎｍのＦ２レーザーを使用してもよいし、その光源の個数も限定されない。例えば、独立に動作する２個の固体レーザーを使用すれば固体レーザー間相互のコヒーレンスはなく、コヒーレンスに起因するスペックルはかなり低減する。更にスペックルを低減するために光路中に配置した図示しない光学系を直線的又は回動的に揺動させてもよい。また、光源部１２にレーザーが使用される場合、レーザー光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部１２に使用可能な光源はレーザーに限定するものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００２０】
照明光学系１４は、レチクル２０を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、オプティカルインテグレーター、絞り等を含む。例えば、コンデンサーレンズ、ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリット、結像光学系の順で配列する等である。オプティカルインテグレーターは、ハエの目レンズや２組のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレンズ）板を重ねることによって構成されるインテグレーターを含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場合もある。
【００２１】
レチクル２０は、図示しないレチクル搬送系により露光装置１の外部から搬送され、レチクルステージ２５に支持及び駆動される。レチクル２０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターンが形成されている。レチクル２０から発せられた回折光は、投影光学系３０を通り、被処理体４０上に投影される。レチクル２０と被処理体４０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置１は、スキャナーであるため、レチクル２０と被処理体４０を縮小倍率比の速度比で走査することにより、レチクル２０のパターンを被処理体４０上に転写する。なお、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（「ステッパー」とも呼ばれる。）の場合は、レチクル２０と被処理体４０を静止させた状態で露光が行われる。
【００２２】
レチクルステージ２５は、図示しないレチクルチャックを介してレチクル２０を支持し、図示しない移動機構に接続されている。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及び各軸の回転方向にレチクルステージ２５を駆動することでレチクル２０を移動することができる。ここで、レチクル２０又は被処理体４０の面内で走査方向をＹ軸、それに垂直な方向をＸ軸、レチクル２０又は被処理体４０の面に垂直な方向をＺ軸とする。
【００２３】
投影光学系３０は、レチクル２０に形成されたパターンを経た回折光を被処理体４０上に結像する機能を有する。投影光学系３０は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。
【００２４】
被処理体４０は、図示しないウェハ搬送系により露光装置１の外部から搬送され、ウェハステージ４５に支持及び駆動される。被処理体４０は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板、その他の被処理体を広く含む。被処理体４０にはフォトレジストが塗布されている。
【００２５】
ウェハステージ４５は、図示しないウェハチャックによって被処理体４０を支持する。ウェハステージ４５は、レチクルステージ２５と同様に、リニアモーターを利用して、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及び各軸の回転方向に被処理体４０を移動する。また、レチクルステージ２５の位置とウェハステージ４５の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ウェハステージ４５は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられ、レチクルステージ２５及び投影光学系３０は、例えば、床等に載置されたベースフレーム上にダンパを介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００２６】
給排機構５０は、給排ノズル５２を介して、投影光学系３０と被処理体４０との間、詳細には、投影光学系３０の被処理体４０側の最終面（光学素子１００）と被処理体４０との間に液浸液ＬＷを供給すると共に、供給した液浸液ＬＷを回収する。換言すれば、給排機構５０は、投影光学系４０の最終面（光学素子１００）の周囲に配置された給排ノズル５２を介して液浸液ＬＷを供給し、投影光学系３０と被処理体４０との間の間隙に液浸液ＬＷの液膜を形成する。
【００２７】
給排機構５０は、液浸液ＬＷの供給と回収を兼用する構造を有し、後述する制御部６０に制御され、露光時のウェハステージ４５の移動方向等の条件に基づいて、給排ノズル５２による液浸液ＬＷの供給と回収、液浸液ＬＷの供給量及び回収量が制御される。給排機構５０は、ウェハステージ４５の移動の際にも、液浸液ＬＷの供給及び回収を行う。これにより、投影光学系３０と被処理体４０との間に存在する液浸液ＬＷを循環させることができ、溶存ガス、或いは、不純物の除去などの効果を得ることができるため、液浸液ＬＷの状態を一定に維持することができる。
【００２８】
給排ノズル５２は、異物の溶出が少なく、且つ、液浸液ＬＷに対して耐久性に優れた材質から構成することが好ましく、例えば、フッ素系樹脂等が好ましい。給排ノズル５２は、後述するように、本実施形態では、投影光学系３０の最も被処理体４０側に配置される光学素子１００を保持する機能も有する。
【００２９】
液浸液ＬＷは、光源部１２からの露光光の等価的な露光波長を短くし、露光における解像度を向上させる機能を有する。液浸液ＬＷは、本実施形態では、超純水である。超純水は、一般に、半導体素子の製造工程において大量に用いられており、被処理体４０やフォトレジストとの相性がよいという利点を有する。但し、液浸液ＬＷは、特に超純水に限定するものではなく、露光光の波長に対して高い透過特性及び高い屈折率特性を有し、投影光学系３０や被処理体４０に塗布されているフォトレジストに対して化学的安定性の高い液体を使用することができる。
【００３０】
制御部６０は、図示しないＣＰＵ、メモリを有し、露光装置１の動作を制御する。制御部６０は、照明装置１０、レチクルステージ２５（即ち、レチクルステージ２５の図示しない移動機構）、ウェハステージ４５（即ち、ウェハステージ４５の図示しない移動機構）及び給排機構５０と電気的に接続されている。ＣＰＵは、ＭＰＵなど名前の如何を問わずいかなるプロセッサも含み、各部の動作を制御する。メモリはＲＯＭ及びＲＡＭより構成され、露光装置１を動作するファームウェアを格納する。
【００３１】
制御部６０は、ウェハステージ４５の現在位置、速度、加速度、目標位置、移動方向といった情報を取得し、これらの情報に基づいて、液浸露光に係る制御も行う。換言すれば、制御部６０は、液浸液ＬＷの供給及び回収の切り替え、停止、供給及び回収する液浸液ＬＷの量の制御等の制御指令を、給排機構５０に与える。
【００３２】
ここで、投影光学系３０の最も被処理体４０側（即ち、被処理体４０と対向する位置）に配置され、液浸液ＬＷと接触する光学素子１００について説明する。図２は、投影光学系３０の光学素子１００を模式的に示す拡大断面図である。図２を参照するに、光学素子１００は、本実施形態ではレンズであり、石英（ＳｉＯ２）を材料とする第１の光学素子１１０と、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）を材料とする第２の光学素子１２０とを接合材１３０を介して接合して構成される。光学素子１００は、第１の光学素子１１０の第２の光学素子１２０と接合する面１１０ａの反対側の面１１０ｂが液浸液ＬＷと接触するように配置され、本実施形態では、給排ノズル５２によって保持されている。なお、第２の光学素子１２０と給排ノズル５２との間には、スペーサーＳＰを配置し、後述する接合材（特に、液体の場合）１３０の乾燥を防止することが好ましい。
【００３３】
第１の光学素子１１０である石英は、超純水などの液浸液ＬＷに対して化学的に安定しているので、第２の光学素子１２０であるフッ化カルシウムのように、液浸液ＬＷによってエッチングされることがない。換言すれば、第１の光学素子１１０は、第２の光学素子１２０が液浸液ＬＷに接触することを防止し、液浸液ＬＷ中に金属コンタミが発生することを防止することができる。
第１の光学素子１１０は、後述するように、レーザー光の照射によってコンパクションや透過率の変化を生じ、結像性能やスループットに影響を及ぼしてしまう。なお、かかる問題は、第１の光学素子１１０の厚さに依存するため、第１の光学素子１１０の厚さは可能な限り薄くするのが好ましいが、光学素子１００の保持や研磨精度を考慮すると、第１の光学素子１１０の実用的な厚さは３ｍｍ乃至５ｍｍ程度である。
【００３４】
第２の光学素子１２０であるフッ化カルシウムは、例えば、ＡｒＦエキシマレーザーに対する透過率に優れているため、第１の光学素子１１０のみで製造された光学素子と比較して、ＡｒＦエキシマレーザーの照射に起因する光学性能への影響を少なくすることができる。即ち、石英を硝材とする光学素子では、ＡｒＦエキシマレーザーの照射により、原子間の結合ネットワークが変化するため、コンパクションや透過率の低下が生じるが、本実施形態では、フッ化カルシウムと組み合わせて光学素子を構成することで、コンパクションや透過率の低下を低減している。
【００３５】
接合材１３０は、第１の光学素子１１０と第２の光学素子１２０とを接合する機能を有する。接合材１３０は、酸化物光学薄膜や液体で具現化され、本実施形態では、第１の光学素子１１０と第２の光学素子１２０とをオプティカルコンタクト（光学密着）によって張り合わせる。
【００３６】
接合材１３０として液体を用いる場合、液体の種類によっては接合後に時間の経過と共に、第２の光学素子（フッ化カルシウム）１２０の表面の表面粗さが悪化し、第１の光学素子１１０と第２の光学素子１２０との接合面に曇りが発生することがある。第２の光学素子（フッ化カルシウム）１２０を液体に浸漬させたときの経過時間と表面粗さとの関係を図３に示す。図３では、縦軸に第２の光学素子（フッ化カルシウム）１２０の表面粗さを、横軸に経過時間を採用する。図３を参照するに、液体としてのフッ化カルシウム溶液のカルシウムイオン濃度が１．５ｐｐｍの場合には、時間経過と共に表面粗さの悪化が顕著になるのに対して、フッ化カルシウム溶液のカルシウムイオン濃度が７ｐｐｍ以上の場合には、時間経過による表面粗さの悪化は抑制されている。従って、接合材１３０としてフッ化カルシウム溶液を用いる場合には、カルシウムイオン濃度を７ｐｐｍ以上とすることが好ましい。また、光学素子１２０の表面に酸化物光学薄膜を１２０ｎｍ以上積層することで、接合面での曇りを更に改善することができる。
【００３７】
本実施形態では、第１の光学素子１１０と第２の光学素子１２０とを接合する接合材１３０としてフッ化カルシウム水溶液を用いると共に、第２の光学素子１２０の接合面にはＲＦ放電方式のスパッタ装置で膜厚が２００ｎｍとなるようにＳｉＯ２薄膜が成膜されており、第１の光学素子１１０と第２の光学素子１２０とを接合材１３０を介して接合し、光学素子１００を作成した。
【００３８】
このように、光学素子１００は、コンパクション発生による結像性能の低下及び透過率低下によるスループットの低下などを低減すると共に、液浸液ＬＷへのカルシウムイオン等の溶出を完全に防止することができる。換言すれば、光学素子１００は、投影光学系３０の最終光学素子としての信頼性を向上させることができる。
【００３９】
露光において、光源部１２から発せされた光束は、照明光学系１４によりレチクル２０を、例えば、ケーラー照明する。レチクル２０を通過してレチクルパターンを反映する光は、投影光学系３０により、液体ＬＷを介して被処理体４０に結像される。露光装置１が用いる投影光学系３０は、コンパクション発生による結像性能の低下及び透過率低下によるスループットの低下などを低減すると共に、液浸液ＬＷへのカルシウムイオン等の溶出を完全に防止する光学素子１００を有し、極めて高い解像力でレチクル２０のパターンを露光することができる。これにより、露光装置１は、高いスループットで経済性よくデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００４０】
次に、図４及び図５を参照して、上述の露光装置１を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図４は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する行程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４１】
図５は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置１を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】図１に示す投影光学系の光学素子を模式的に示す拡大断面図である。
【図３】第２の光学素子（フッ化カルシウム）を液体に浸漬させたときの経過時間と表面粗さとの関係を示すグラフである。
【図４】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図５】図４に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００４４】
１                      露光装置
１０                    照明装置
２０                    レチクル
２５                    レチクルステージ
３０                    投影光学系
４０                    被処理体
４５                    ウェハステージ
５０                    給排機構
５２                    給排ノズル
６０                    制御部
１００                  光学素子
１１０                  第１の光学素子
１２０                  第２の光学素子
１３０                  接合材
ＬＷ                    液浸液
ＳＰ                    スペーサー
【図１】
2006202929.tif 000003
【図２】
2006202929.tif 000004
【図３】
2006202929.tif 000005
【図４】
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【図５】
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