(57)【要約】【課題】  ホトマスク製造中にクロム層をエッチングする方法を提供する。【解決手段】  クロムをエッチングしホトマスクを形成する方法が提供される。一実施形態において、クロムをエッチングする方法は、クロム層を有する膜スタックを処理チャンバー内に用意するステップと、膜スタック上でホトレジスト層をパターン化するステップと、パターン化されたホトレジスト層に適合保護層を堆積するステップと、その適合保護層をエッチングして、パターン化されたホトレジスト層を通してクロム層を露出させるステップと、クロム層をエッチングするステップとを備えている。本発明のクロムエッチング方法は、ホトマスクを製造するのに特に適している。【選択図】      図２
2006209128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロム層をエッチングする方法において、
クロム層及びパターン化されたホトレジスト層を有する膜スタックを処理チャンバー内に用意するステップと、
上記パターン化されたホトレジスト層に適合保護層を堆積するステップと、
上記適合保護層をエッチングして、上記パターン化されたホトレジスト層を通して上記クロム層を露出させるステップと、
上記クロム層をエッチングするステップと、
を備えた方法。
【請求項２】
上記堆積ステップは、約１００から約５００Åの厚みにポリマーを堆積することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記ポリマーは、水素を伴う炭素ポリマーである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記堆積ステップは、更に、１つ以上のフルオロカーボンプロセスガスからプラズマを形成する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記１つ以上のフルオロカーボンプロセスガスは、ＣＨＦ３又はＣ４Ｆ８の少なくとも１つである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
上記堆積ステップは、更に、プラズマにＡｒを導入する段階を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
上記堆積ステップは、約０から約２０Ｗのバイアス電力を印加することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
上記堆積ステップは、約１０Ｗ未満のバイアス電力を印加することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
上記堆積ステップは、更に、
約１００ｓｃｃｍのＣＨＦ３を上記処理チャンバーへ流し込む段階と、
約１００ｓｃｃｍのＡｒを上記処理チャンバーへ流し込む段階と、
ＣＨＦ３及びＡｒガスからプラズマを形成するステップと、
約３から約２０ミリトールのチャンバー圧力を維持する段階と、
を備えた請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
上記堆積ステップは、更に、約１５０から約２００Åの厚みに炭素ポリマーを堆積することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
上記エッチングステップは、更に、パルス状のバイアス電力を印加する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
上記堆積ステップ及びエッチングステップは、上記処理チャンバーにおいてその場で引き続き実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
ホトマスクを形成する方法において、
少なくともクロム層を含むホトマスク層上でマスク層をパターン化するステップと、
上記マスク層上に適合保護層を堆積するステップと、
上記保護層が配置された上記マスク層を通して上記クロム層をエッチングして、基底層を露出させるステップと、
上記マスク層及び上記保護層を除去するステップと、
を備えた方法。
【請求項１４】
上記堆積ステップは、約１００から約５００Åの厚みにポリマーを堆積することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
上記ポリマーは、水素を伴う炭素ポリマーである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
上記堆積ステップは、更に、ＣＨＦ３又はＣ４Ｆ８の少なくとも１つからプラズマを形成する段階を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
上記堆積ステップは、更に、プラズマにＡｒを導入する段階を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
上記堆積ステップは、約０から約２０Ｗのバイアス電力を印加することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
クロム層をエッチングする上記ステップは、更に、
少なくとも１つのフルオロカーボンプロセスガスを処理チャンバーへ供給する段階と、
上記処理チャンバー内の基板支持体に配置されたマスク層を６００Ｗ未満の複数の電力パルスでバイアスする段階と、
を備えた請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
上記マスク層及び保護層を除去する上記ステップは、上記クロム層をエッチングする上記ステップが実行された上記処理チャンバーにおいてその場で引き続き実行される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
上記マスク層及び保護層を除去する上記ステップは、上記処理チャンバーが結合された処理システムにおいてその場で引き続き実行される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
上記パターン化されたクロム層を使用して減衰層をエッチングするステップを更に備えた、請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
上記減衰層はモリブデンを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
上記パターン化されたクロム層を除去するステップを更に備えた、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
上記パターン化されたクロム層上にパターン化されたレジスト層を形成するステップであって、上記クロム層の少なくとも第１開口にレジストを充填すると共に、上記クロム層の少なくとも第２開口を、上記パターン化されたレジストを経て開放するようなステップと、
上記第２開口を通して上記石英層をエッチングするステップと、
上記パターン化されたレジスト層を除去するステップと、
を更に備えた請求項１３に記載の方法。
【請求項２６】
クロム含有層を有する膜スタック上でレジスト層をパターン化するステップと、
上記パターン化されたレジスト層に２０Ｗ未満のバイアス電力を使用して適合保護層を堆積するステップと、
上記パターン化されたレジスト層及び上記保護層をエッチングマスクとして使用してクロム含有層をエッチングするステップと、
上記エッチングマスクを除去するステップと、
を備えた方法により形成されたホトマスク。
【請求項２７】
上記堆積ステップは、約１００から約５００Åの厚みにポリマーを堆積することを含む、請求項２６に記載のホトマスク。
【請求項２８】
上記膜スタックは、更に、上記パターン化されたクロム含有層をエッチングマスクとして使用してパターン化されたモリブデン層を含み、
上記パターン化されたクロム含有層の少なくとも一部分が除去される、請求項２６に記載のホトマスク。
【請求項２９】
石英層にエッチング特徴部を更に含む、請求項２６に記載のホトマスク。
【請求項３０】
上記石英層のエッチング特徴部は、
上記パターン化されたクロム含有層に第２のパターン化されたレジスト層を形成するステップであって、上記クロム含有層の少なくとも第１開口にレジストを充填すると共に、上記クロム含有層の少なくとも第２開口を、上記第２のパターン化されたレジストを通して開放するようなステップと、
上記第２開口を通して上記石英層をエッチングするステップと、
上記第２のパターン化されたレジスト層を除去するステップと、
を備えたプロセスにより形成される請求項２９に記載のホトマスク。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、一般に、クロムをプラズマエッチングする方法に係り、より詳細には、ホトマスク製造中にクロム層をエッチングする方法に関する。
【０００２】
関連技術の説明
[0002]集積回路（ＩＣ）又はチップの製造においては、チップの異なる層を表わすパターンがチップデザイナーによって作成される。製造プロセス中に各チップ層のデザインを半導体基板に転写するためにこれらのパターンから一連の再使用可能なマスク又はホトマスクが作成される。マスクパターン作成システムは、高精度レーザ又は電子ビームを使用して、チップの各層のデザインを各マスクに像形成する。次いで、マスクは、写真のネガとほぼ同様に使用されて、各層の回路パターンを半導体基板に転写する。これらの層は、一連のプロセスを使用して作り上げられて、各完成チップを構成する小さなトランジスタ及び電気回路へ変換される。従って、マスクに欠陥があると、チップに転写されて、性能に潜在的に悪影響を及ぼすことがある。充分過酷な欠陥は、マスクを完全に無用なものにし得る。通常、１組の１５−３０個のマスクを使用してチップが構成され、これらを繰り返し使用することができる。
【０００３】
[0003]マスクは、通常、ガラス又は石英基板で、その片面にクロム層を有している。クロム層は、反射防止コーティング及び感光性レジストで覆われる。パターン化プロセス中に、レジストの部分を紫外光線に露出して、その露出した部分が現像溶液中で溶解し得るようにすることにより、マスクに回路デザインが書き込まれる。次いで、レジストの可溶性部分を除去して、パターンが作成される。このパターンは、露出した基底のクロムをエッチングするのを許容する。エッチングプロセスは、レジストが除去された場所、即ち露出したクロムが除去される場所において、クロム及び反射防止層をマスクから除去する。
【０００４】
[0004]パターンとして使用される別のマスクは、石英の位相シフトマスクとして知られている。石英の位相シフトマスクは、上述したマスクと同様であるが、パターン化されたクロム層を通して露出される石英領域の交互の隣接エリアを、製造中に基板に回路パターンを転写するのに使用される光の波長の半分にほぼ等しい深さまでエッチングする。石英エッチングの後にクロム層が除去される。従って、光が石英の位相シフトマスクを通過して、基板に配置されたレジストを露出することが示されるときには、マスクの１つの開口を経てレジストに当たる光は、それに直接隣接する開口を通過する光に対して１８０度位相がずれる。それ故、マスクの開口の縁で散乱され得る光は、その隣接開口の縁で散乱する１８０度位相ずれした光によって打ち消され、レジストの所定の領域に、より緊密な光の分布を生じさせる。より緊密な光の分布は、小さなクリティカル寸法をもつ特徴部の書き込みを容易にする。同様に、クロムなしのエッチングリソグラフィーに使用されるマスクも、２つのマスクの石英部分を通過する光の位相シフトを使用してレジストを順次像形成し、これにより、レジストパターンを現像するのに使用される光の分布を改善する。また、マスクを通る光の位相シフトは、モリブデン（Ｍｂ）をドープした窒化シリコン（ＳｉＮ）のパターン化された層を使用して実現することもでき、これは、マスクのパターン化された部分を通過する像形成光を、パターン化された層の開口を通して露出された石英基板を通過する光に対して１８０度位相ずれさせる。
【０００５】
[0005]乾式エッチング、反応性イオンエッチング又はプラズマエッチングとして知られている１つのエッチングプロセスでは、プラズマを使用して化学反応を促進すると共に、マスクのパターン化されたクロムエリアをエッチングする。望ましからぬことに、従来のクロムエッチングプロセスは、クロム層をパターン化するのに使用されるホトレジスト材料に攻撃するために、エッチングバイアスをしばしば示す。クロムエッチング中にレジストが攻撃されるので、パターン化されたレジストのクリティカル寸法がクロム層に正確に転写されない。従って、従来のクロムエッチングプロセスは、クリティカル寸法が約５μｍ未満のマスクとして受け容れられる結果を生じないことがある。これは、マスクのエッチングされた特徴部を非均一なものにし、対応的に、マスクを使用して小さなクリティカル寸法をもつデバイスの特徴部を形成する能力を低減させることになる。
【０００６】
[0006]マスクのクリティカル寸法は縮小を続けているので、エッチングの均一性の重要性が高くなっている。従って、高いエッチング均一性をもつクロムエッチングプロセスが強く望まれる。
【０００７】
[0007]そこで、改良されたクロムエッチングプロセスが要望される。
【発明の概要】
【０００８】
本発明は、一般に、クロムをエッチングする方法を提供する。一実施形態において、クロムをエッチングする方法は、クロム層及びパターン化されたホトレジスト層を有する膜スタックを処理チャンバー内に用意するステップと、パターン化されたホトレジスト層に適合保護層を堆積するステップと、その適合保護層をエッチングして、パターン化されたホトレジスト層を通してクロム層を露出させるステップと、クロム層をエッチングするステップとを備えている。
【０００９】
[0008]本発明は、更に、ホトマスクを形成する方法を提供する。一実施形態において、ホトマスクを形成する方法は、少なくともクロム層を含むホトマスク層の上でマスク層をパターン化するステップと、ホトマスク層に適合保護層を堆積するステップと、保護層が配置されたマスク層を通してクロム層をエッチングして、基底層を露出させるステップと、マスク層及び保護層を除去するステップとを備えている。
【００１０】
[0009]本発明の上述した特徴を詳細に理解できるように、前記で簡単に要約した本発明を、添付図面に幾つか示された実施形態を参照して、より詳細に説明する。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態を示すに過ぎず、それ故、本発明の範囲を何ら限定するものではなく、本発明は、他の等しく有効な実施形態も受け入れられることに注意されたい。
【００１１】
[0016]理解を容易にするために、図面間で共通である同一素子を示すのに、できる限り、同じ参照番号を使用する。
【詳細な説明】
【００１２】
[0017]図１は、本発明の石英エッチング方法を実施できるエッチング処理チャンバー１００の一実施形態を示す概略図である。ここに開示する教示に使用するように適応できる適当なリアクタは、例えば、デカップルドプラズマソース（ＤＰＳ（登録商標））IIリアクタ、又はテトラＩ及びテトラIIホトマスクエッチングシステムを含み、これらは全てカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から入手できる。また、エッチング処理チャンバー１００は、例えば、これもアプライドマテリアルズ社から入手できるＣｅｎｔｕｒａ（登録商標）集積半導体ウェハ処理システムのように、図６に示す処理システム１７０の処理モジュールとして使用されてもよい。また、処理システムは、アッシングに適した第１チャンバー１７２、及びポリマー堆積に適した第２チャンバー１７４も含むことができる。適当なアッシング及び堆積チャンバーは、例えば、これもアプライドマテリアルズ社から入手できるＡＸＩＯＭ  ＨＴ（登録商標）及びテトラII処理チャンバーを含む。ここに示す処理チャンバー１００の特定の実施形態は、例示の目的で設けられたもので、本発明の範囲を限定するのに使用するものではない。
【００１３】
[0018]図１に戻ると、処理チャンバー１００は、一般に、基板ペデスタル１２４を有する処理チャンバー本体１０２と、コントローラ１４６とを備えている。チャンバー本体１０２は、実質的に平坦な誘電体の天井１０８を支持する導電性の壁１０４を有する。処理チャンバー１００の他の実施形態は、他の形式の天井、例えば、ドーム状の天井を有してもよい。アンテナ１１０が天井１０８の上に配置される。アンテナ１１０は、選択的に制御できる１つ以上の誘導性コイル素子を備えている（図１には、２つの同軸的な素子１１０ａ及び１１０ｂが示されている）。アンテナ１１０は、第１マッチングネットワーク１１４を経てプラズマ電源１１２に結合される。プラズマ電源１１２は、通常、約５０ｋＨｚから約１３．５６ＭＨｚの範囲の同調可能な周波数において約３０００ワット（Ｗ）まで発生することができる。一実施形態では、プラズマ電源１１２は、約１３．５６ＭＨｚの周波数において約１００から約６００Ｗの誘導性結合ＲＦ電力を供給する。
【００１４】
[0019]基板ペデスタル（カソード）１２４は、第２マッチングネットワーク１４２を経てバイアス電源１４０に結合される。バイアス電源１４０は、約１から約１０ｋＨｚの範囲の同調可能なパルス周波数において約０から約６００Ｗを供給する。バイアス電源１４０は、パルスＲＦ電源出力を発生する。或いは又、バイアス電源１４０は、パルスＤＣ電力出力を発生することもできる。また、電源１４０は、一定ＤＣ及び／又はＲＦ電力出力も供給できることが意図される。
【００１５】
[0020]一実施形態では、バイアス電源１４０は、約１０から約９５％のデューティサイクルで約１から約１０ｋＨｚの周波数において約６００ワット未満のＲＦ電力を供給するように構成される。別の実施形態では、バイアス電源１４０は、約８０から約９５％のデューティサイクルで約２から約５ｋＨｚの周波数において約２０から約１５０ワットのＲＦ電力を供給するように構成される。
【００１６】
[0021]ＤＰＳ（登録商標）リアクタとして構成された一実施形態では、基板支持ペデスタル１２４は、静電チャック１６０を備えている。この静電チャック１６０は、少なくとも１つのクランプ電極１３２を備え、チャック電源１６６により制御される。別の実施形態では、基板ペデスタル１２４は、サセプタクランプリング、真空チャック、機械的チャック等の基板保持メカニズムを備えてもよい。
【００１７】
[0022]プロセスチャンバー本体１０２の内部にプロセスガス及び／又は他のガスを供給するためにガスパネル１２０が処理チャンバー１００に結合される。図１に示す実施形態では、ガスパネル１２０は、チャンバー本体１０２の側壁１０４のチャンネル１１８に形成された１つ以上の入口１１６に結合される。１つ以上の入口１１６は、他の場所に設けられてもよく、例えば、処理チャンバー１００の天井１０８に設けられてもよいことが意図される。
【００１８】
[0023]一実施形態では、ガスパネル１２０は、入口１１６を経てプロセスチャンバー本体１０２の内部にフッ素化プロセスガスを供給するように適応される。処理中に、プラズマ電源１１２からの電力の誘導性結合によりプロセスガスからプラズマが形成されて維持される。或いは又、プラズマは、離れたところで形成されてもよいし、又は他の方法で点火されてもよい。一実施形態では、ガスパネル１２０から供給されるプロセスガスは、少なくともフッ素化ガス及び炭素含有ガスを含む。フッ素化ガス及び炭素含有ガスは、例えば、ＣＨＦ３及びＣＦ４を含む。他のフッ素化ガスは、Ｃ２Ｆ、Ｃ４Ｆ６、Ｃ３Ｆ８及びＣ５Ｆ８の１つ以上を含んでもよい。
【００１９】
[0024]処理チャンバー１００の圧力は、スロットルバルブ１６２及び真空ポンプ１６４を使用して制御される。真空ポンプ１６４及びスロットルバルブ１６２は、チャンバー圧力を約１から約２０ミリトールの範囲に維持することができる。
【００２０】
[0025]壁１０４の温度は、壁１０４を通して延びる液体含有コンジット（図示せず）を使用して制御することができる。壁の温度は、一般に、約６５℃に維持される。通常、チャンバー壁１０４は、金属（例えば、アルミニウム、ステンレススチール等）で形成され、電気的接地点１０６に結合される。また、処理チャンバー１００は、プロセス制御、内部診断、終了点検出等のための従来のシステムも備えている。このようなシステムは、サポートシステム１５４として集合的に示されている。
【００２１】
[0026]基板（レチクル又は他のワークピースのような）１２２を基板支持ペデスタル１２４に固定するためにレチクルアダプタ１８２が使用される。このレチクルアダプタ１８２は、一般に、ペデスタル１２４の上面（例えば、静電チャック１６０）を覆うようにミリングされた下部１８４と、基板１２２を保持するサイズ及び形状にされた開口１８８を有する上部１８６とを備えている。開口１８８は、一般に、ペデスタル１２４に対して実質的に中心にある。アダプタ１８２は、一般に、ポリイミドセラミック又は石英のような耐エッチング性耐高温材料の単一部片で形成される。適当なレチクルアダプタは、参考としてここに援用する２００１年６月２６日付の米国特許第６，２５１，２１７号に開示されている。エッジリング１２６は、アダプタ１８２を覆い及び又はそれをペデスタル１２４に固定することができる。
【００２２】
[0027]リフトメカニズム１３８を使用して、アダプタ１８２を下降又は上昇させ、ひいては、基板１２２を基板支持ペデスタル１２４にのせたり外したりする。一般に、リフトメカニズム１３８は、各ガイドホール１３６を通して進む複数のリフトピンを備えている（１つのリフトピン１３０しか示されていない）。
【００２３】
[0028]動作中に、基板１２２の温度は、基板ペデスタル１２４の温度を安定化することにより制御される。一実施形態では、基板支持ペデスタル１２４は、ヒータ１４４及びオプションのヒートシンク１２８を備えている。ヒータ１４４は、これに熱伝達流体を通流させるように構成された１つ以上の流体コンジットでよい。別の実施形態では、ヒータ１４４は、ヒータ電源１６８により調整される少なくとも１つの加熱素子１３４を含んでもよい。任意であるが、ガス源１５６からの背面ガス（例えば、ヘリウム（Ｈｅ））が、ガスコンジット１５８を経て、基板１２２の下でペデスタル面に形成されたチャンネルへ供給される。この背面ガスは、ペデスタル１２４と基板１２２との間の熱伝達を容易にするために使用される。処理中に、ペデスタル１２４は、埋設ヒータ１４４により定常温度に加熱されてもよく、これは、ヘリウムの背面ガスと組み合わされて、基板１２２の均一加熱を容易にする。
【００２４】
[0029]コントローラ１４６は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１５０と、メモリ１４８と、ＣＰＵ１５０のサポート回路１５２とを備え、以下に詳細に述べるように、処理チャンバー１００のコンポーネントの制御を容易にし、ひいては、エッチングプロセスの制御を容易にする。コントローラ１４６は、種々のチャンバー及びサブプロセッサを制御するための工業用設定に使用できる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの１つでよい。ＣＰＵ１５０のメモリ１４８は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、或いは他の形態のデジタル記憶装置、ローカル又はリモート、のような容易に入手できるメモリの１つ以上でよい。サポート回路１５２は、従来の仕方でプロセッサをサポートするためにＣＰＵ１５０に結合される。これら回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路及びサブシステム等を含む。本発明の方法は、一般に、ＣＰＵ１５０にアクセスできるメモリ１４８又は他のコンピュータ読み取り可能な媒体にソフトウェアルーチンとして記憶される。或いは又、このようなソフトウェアルーチンは、ＣＰＵ１５０により制御されるハードウェアから離れた場所にある第２のＣＰＵ（図示せず）により記憶され及び／又は実行されてもよい。
【００２５】
[0030]図２は、クロムをエッチングする方法２００の一実施形態を示すフローチャートである。方法２００は、ホトマスクを製造するのに使用される基板を参照して以下に説明するが、他のクロムエッチング用途にも効果的に使用することができる。
【００２６】
[0031]コントローラ１４６のメモリ１４８又は他の記憶媒体にコンピュータ読み取り可能な形態で記憶できる方法２００は、ステップ２０２において、膜スタックを配置した基板１２２が支持ペデスタル１２４に置かれたときに開始される。一実施形態では、基板１２２は、アダプタ１８２の開口１８８に置かれる。図１に示す基板１２２に配置された膜スタックは、光学的に透明なシリコン系材料、例えば、石英（即ち二酸化シリコン（ＳｉＯ２））の層１９２を含み、更に、ホトマスク材料として知られている不透明な光遮蔽クロム層１９０が石英層１９２の表面上にパターン化されたマスクを形成する。クロム層１９０は、クロム及び／又はクロムオキシニトライドでよい。また、膜スタックは、モリブデン（Ｍｏ）又はモリブデンシリコン（ＭｏＳｉ）がドープされた窒化シリコン（ＳｉＮ）のような減衰層（図示せず）を石英層１９２とクロム層１９０との間に介在させて含んでもよい。
【００２７】
[0032]ステップ２０４において、クロム層の上でレジスト層をパターン化する。レジスト層は、適当な方法によりパターン化することができる。レジストが既にパターン化された膜スタックを処理チャンバー内に配置してもよいことが意図される。
【００２８】
[0033]ステップ２０６では、パターン化されたレジスト層の上に適合保護層を堆積する。保護層は、水素を伴う炭素ポリマーのようなポリマーでよい。保護層は、約１００から約５００Åの厚みに堆積してもよく、また、別の実施形態では、約１５０から約２００Åである。
【００２９】
[0034]一実施形態では、保護層は、とりわけ、１つ以上のフルオロカーボンプロセスガス、例えば、ＣＨＦ３及び／又はＣ４Ｆ８から形成されたプラズマを使用することにより堆積される。任意であるが、プラズマは、Ａｒを含んでもよく、これは堆積の均一性を改善する。一実施形態では、保護層は、約２００から約５００Ｗのプラズマ電力、約０から約２０Ｗのバイアス電力を使用して堆積されてもよい。別の実施形態では、バイアス電力は、約１０Ｗ未満である。プラズマプロセスにおいて保護層を形成するのに使用される１つの例示的プロセスガスは、約１００ｓｃｃｍのＣＨＦ３及び約１００ｓｃｃｍのＡｒを使用するもので、これは、約３から約２０ミリトールのチャンバー圧力に維持されて、約５００Å厚みまでの保護層を形成する。
【００３０】
[0035]ステップ２０８において、保護層及びレジストをエッチングマスクとして使用してクロム層をエッチングする。クロムエッチングステップ２０８は、先ず、パターン化されたレジストの開口に配置された保護層の水平部分をクロム層の露出部分まで除去することを含む。パターン化されたレジストの側壁に配置された保護層の垂直部分は、保護層の水平部分に比して非常にゆっくり除去されるので、クロム層はエッチングされるが、パターン化されたレジストの側壁に配置された保護層は、開口のクリティカル寸法（ＣＤ）を実質的に保持し、これにより、エッチングステップ２０８の間にクロム層に形成された開口へマスクＣＤを正確に転写するのを許容する。
【００３１】
[0036]一実施形態では、エッチングステップ２０８は、ガス入口１１６を経て処理チャンバー１００へ導入される１つ以上のフッ素化プロセスガスからプラズマを形成する。例示的なプロセスガスは、とりわけ、ＣＦ４及びＣＨＦ３を含んでもよい。プロセスガスは、更に、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎｅ及びＫｒのような不活性ガスを含んでもよい。
【００３２】
[0037]別の実施形態では、クロムで構成される基板１２２は、ＣＦ４を２−５０標準立法センチメーター／分（ｓｃｃｍ）の流量で且つＣＦＨ３を１０−５０ｓｃｃｍの流量で供給することにより、テトラＩ、テトラII又はＤＰＳ（登録商標）IIエッチングモジュールを使用してエッチングされる。１つの特定のプロセスレシピは、ＣＦ４を９ｓｃｃｍの流量で、ＣＨＦ３を２６ｓｃｃｍの流量で供給する。プロセスチャンバーの圧力は、約４ミリトール未満に制御され、一実施形態では、約１から約１０ミリトール、例えば、２ミリトールに制御される。
【００３３】
[0038]クロムエッチングステップ２０８の間に、約６００Ｗ未満の基板バイアス電力、即ち第１の実施例では、約１００Ｗ未満、また、第２の実施例では、３０から約８０Ｗの基板バイアス電力を支持ペデスタル１２４に印加して、基板１２２をバイアスする。１つの特定のプロセスレシピは、約１から約１０ｋＨｚの範囲の同調可能なパルス周波数において約６５Ｗのバイアス電力を印加する。任意であるが、バイアス電力は、上述したようにパルス化されてもよい。
【００３４】
[0039]ステップ２０８の間に、プロセスガスから形成されたプラズマは、プラズマ電源１１２からアンテナ１１０へ約３００から約６００ＷのＲＦ電力を印加することにより維持される。プラズマは、多数の方法で点火できることが意図される。一実施形態では、約４２０ＷのＲＦ電力が約１３．５６ＭＨｚの周波数でアンテナ１１０に印加される。
【００３５】
[0040]基板１２２に露出したクロム層１９０は、終了点に到達するまでエッチングされる。終了点は、時間、光学的干渉計法、チャンバーガス放出分光写真術、又は他の適当な方法により決定することができる。エッチングステップは、堆積ステップ２０６が実行された処理システム１７０又は処理チャンバー１００においてその場で引き続き実行されてもよい。
【００３６】
[0041]別の例示的エッチングプロセスが、参考としてここに援用する２００２年９月４日に出願された米国特許出願第１０／２３５，２２３号に説明されている。他の適当な金属エッチングプロセスを使用してもよいことが意図される。
【００３７】
[0042]ステップ２１０では、エッチングステップ２０８の後に残っているレジスト及び保護層を除去する。一実施形態では、残りのレジスト及び保護層は、アッシングにより除去する。除去ステップ２１０は、エッチングステップ２０８が実行された処理システム１７０又は処理チャンバー１００においてその場で引き続き実行されてもよい。
【００３８】
[0043]従来のエッチング方法に勝るクロムエッチング方法２００の効果は、エッチングバイアスが低いことを含み、従って、方法２００は、小さなクリティカル寸法を生じさせるエッチング用途において非常に望ましいものとなる。更に、クロムエッチング方法２００は、クリティカル寸法を、レジストから、クロム層に形成された開口へより正確に転写することを許容するので、パターン化されたクロム層を使用してその後にエッチングされる層は、クリティカル寸法の良好な転写を示し、これにより、方法２００は、４５ｎｍノード用途のように小さな線幅を有するマスクの製造に非常に望ましいものとなる。
【００３９】
[0044]図３Ａ−Ｇは、上述した方法２００を使用して石英ホトマスク３４０へと製造される膜スタック３００ｉの一実施形態を示す。添え字「ｉ」は、図３Ａ−Ｇに示す膜スタックの異なる製造段階を表わす整数である。
【００４０】
[0045]図３Ａに示す膜スタック３００１は、クロム層３０４が配置された石英層３０２を備えている。クロム層３０４は、通常、上述したようなクロム及び／又は酸化クロムである。膜スタック３００１は、クロム層３０４に形成された任意の反射防止層３０６（仮想線で示す）を含んでもよい。この反射防止層３０６は、酸化クロム又は他の適当な材料の薄い層でよい。また、膜スタック３００１は、クロム層３０４に配置されるか又は反射防止層３０６があるときはこれに配置された第１レジスト層３０８も備えている。
【００４１】
[0046]第１レジスト層３０８は、クロム層３０４をエッチングするためのエッチングマスクとしてパターン化されて使用され、図３Ｂに示す膜スタック３００２で示されたように、基底の石英層３０２を露出する特徴部３２０を形成する。
【００４２】
[0047]レジスト３０８の上に適合保護層３１０を堆積する。この保護層３１０は、レジスト３０８に形成された特徴部３２０の側壁を所定の厚みで覆い、図３Ｃに示す膜スタック３００３で示された幅３１６を有するトレンチ３１４を画成する。幅３１６は、クロム層３０４に転写されるべき所定のクリティカル寸法をもつように選択される。
【００４３】
[0048]クロム層３０４は、塩素含有ガス（Ｃｌ２のような）又はフッ素含有ガス（ＳＦ６又はＣＦ４のような）から形成されたプラズマを使用してエッチングされてもよい。エッチングプロセスは、実質的に非等方性であり、従って、トレンチ３１４の底部で保護層を突破して、クロム層を露出させ、その後、幅３１６を著しく変化せずにクロム層をエッチングする。従って、図３Ｄに示す膜スタック３００４で示されたように、クリティカル寸法３１６が、クロム層３０４に形成される開口３１８に転写される。
【００４４】
[0049]クロム層３０４に開口３１８が形成された後、残りの第１レジスト層３０８を、例えば、アッシングにより除去し、図３Ｅに示すように膜スタック３００５が残される。レジスト層３０８に対する除去プロセスは、更に、残りの保護層３１０を除去し、バイナリーホトマスク３４０が残される。
【００４５】
[0050]任意であるが、膜スタック３００５を更に処理して、図３Ｆ−Ｉに示す位相シフトマスクを形成することができる。この位相シフトマスクを形成するために、第２レジスト層３２４を最初に膜スタック３００５に配置して、図３Ｆに示す膜スタック３００６で示されたように、開口３１８を埋める。次いで、第２レジスト層３２４をパターン化する。通常、石英位相シフトマスクを形成するときには、パターン化された第２レジスト層３２４が、図３Ｇに示す膜スタック３００７で示されたように、交互の開口３１８の底部において石英層３０２を露出させる。
【００４６】
[0051]パターン化された第２レジスト層３１２を通して露出された石英層３０２を、１つ以上のフッ素化プロセスガスから形成されたプラズマを使用してエッチングする。例示的なプロセスガスは、とりわけ、ＣＦ４及びＣＨＦ３を含んでもよい。プロセスガスは、更に、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎｅ及びＫｒのような不活性ガスを含んでもよい。石英層３０２のエッチング中に、基板支持体に印加されるバイアス電力は、上述したように、パルス化されてもよい。
【００４７】
[0052]石英エッチングの終了点は、図３Ｈに示す膜スタック３００８で示されたエッチングされた石英トレンチ３２６の深さ３２８が、石英位相シフトマスクに使用するよう意図された光の所定波長に対して石英層３０２を通る１８０度位相シフトの長さにほぼ等しくなるように選択される。典型的な波長は、１９３及び２４８ｎｍである。従って、深さ３２８は、通常、約１７２又は２４０ｎｍであるが、異なるリソグラフィー光波長に使用するよう意図されたマスクについては他の深さを使用してもよい。石英トレンチ３２６がエッチングされた後に、残りの第２レジスト層３２４を、例えば、アッシングにより除去し、残りの膜スタック３００９が、図３１に示すように、石英位相シフトマスク３３０を形成するようにする。
【００４８】
[0053]図４Ａ−Ｇは、上述した方法２００を使用して石英位相シフトマスク４１８へと製造される膜スタック４００ｉの一実施形態を示す。添え字「ｉ」は、図４Ａ−Ｇに示す膜スタックの異なる製造段階を表わす整数である。
【００４９】
[0054]図４Ａに示す膜スタック４００１は、クロム層４０４が配置された石英層４０２を備えている。クロム層４０４は、通常、上述したようなクロム及び／又は酸化クロムである。膜スタック４００１は、クロム層４０４に配置された任意の反射防止層４０６（仮想線で示す）を含んでもよい。また、膜スタック４００１は、クロム層４０４に配置されるか又は反射防止層４０６があるときはこれに配置された第１レジスト層４０８も備えている。第１レジスト層４０８は、図３Ｂに示す膜スタック４００２で示されたように、クロム層４０４を露出する開口４３０を形成するようにパターン化される。
【００５０】
[0055]クロム層４０４及び第１レジスト層４０８に適合保護層４３２を堆積して、図４Ｃに示す膜スタック４００３で示されたように、開口４３０の側壁及び底部を覆う。この保護層４３２は、上記保護層３１０を参照して説明したように堆積することができる。保護層４３２の厚みは、保護層４３２の垂直部分間に画成される特徴部４３４が所定幅４３６を有するように選択される。
【００５１】
[0056]保護層４３２及び第１レジスト層４０８は、クロム層４０４に開口４１０をエッチングするためのマスクとして使用されて、図４Ｄに示す膜スタック４００４で示されたように、基底の石英層４０２を露出させる。エッチングプロセスは、実質的に非等方性であり、従って、特徴部４３４の底部で保護層４３２を突破して、クロム層４０４を露出させ、その後、幅４３６を著しく変化せずにクロム層をエッチングする。従って、特徴部４１０で画成されたクリティカル寸法が、クロム層３０４に形成される開口４３８に転写される。クロム層４０４は、上述したようにエッチングされる。保護層４３２及び第１レジスト層４０８は、図４Ｅに示す膜スタック４００５で示されたように、例えば、アッシング又は他の適当なプロセスにより除去されてもよい。
【００５２】
[0057]クロム層４０４は、次いで、図４Ｆに示す膜スタック４００６で示されたように、石英層４０２をエッチングするためのエッチングマスクとして使用される。石英層４０２は、上述したようにエッチングされて、底部４１６を有するトレンチ４４０を形成することができる。開口４３８を通しての石英層４０４のエッチングは、幅４３６をトレンチ４４０へ実質的に転写する。
【００５３】
[0058]石英エッチングの終了点は、エッチングされた石英トレンチ４４０の底部４１６の深さ４１４が、上述したように、石英位相シフトマスクに使用するよう意図された光の所定波長に対して石英層４０２を通る１８０度位相シフトの長さにほぼ等しくなるように選択される。
【００５４】
[0059]トレンチ４４０が石英層４０２に形成された後に、残りのクロム層４０４を、適当なプロセス、例えば、上述したクロムエッチングにより除去して、図４Ｇに示すように、膜スタック４００７を石英位相シフトマスク４４２として残す。
【００５５】
[0060]図５Ａ−Ｆは、上述した方法２００を使用してクロムなしエッチングリソグラフィーマスク５４０へと製造される膜スタック５００ｉの一実施形態を示す。添え字「ｉ」は、図５Ａ−Ｆに示す膜スタックの異なる製造段階を表わす整数である。
【００５６】
[0061]図５Ａに示す膜スタック５００１は、ホトマスク層５０４が配置された石英層５０２を備えている。このホトマスク層５０４は、クロム層５５２、例えば、上述したクロム及び／又は酸化クロムを減衰層５５４の上に備えている。減衰層５５４は、一般に、石英位相シフトマスクに使用するよう意図された光の所定波長に対して石英層５０２を通る１８０度位相シフトの長さにほぼ等しい厚みを有する。典型的な波長は、１９３及び２４８ｎｍである。従って、減衰層の厚みは、通常、約５０から約１００ｎｍ厚みであるが、異なるリソグラフィー光波長及び／又は異なる減衰材料に使用するように意図されたマスクに対して他の深さを使用してもよい。
【００５７】
[0062]ホトマスク層５０４に任意の反射防止層５０６（仮想線で示す）を形成することができる。第１レジスト層５０８は、ホトマスク層５０４に配置されるか又は反射防止層５０６があるときはこれに配置される。
【００５８】
[0063]第１レジスト層５０８は、ホトマスク層５０４をエッチングするためのエッチングマスクとしてパターン化されて使用され、図５Ｂに示す膜スタック５００２で示されたように、基底の石英層５０２を露出する特徴部５２０を形成する。
【００５９】
[0064]レジスト５０８の上に適合保護層５１０を堆積する。この保護層５１０は、レジスト５０８に形成された特徴部５２０の側壁を所定の厚みで覆って、図５Ｃに示す膜スタック５００３で示されたように、幅５１６をもつトレンチ５１４を画成する。幅５１６は、ホトマスク層５０４（例えば、減衰層５５４、及びクロム層５５２）に転写されるべき所定のクリティカル寸法をもつように選択される。
【００６０】
[0065]ホトマスク層５０４は、最初にクロム層５５２をエッチングした後に減衰層５５４をエッチングするという２段階プロセスでエッチングすることができる。クロム層５５２は、塩素含有ガス（Ｃｌ２のような）又はフッ素含有ガス（ＳＦ６又はＣＦ４のような）から形成されたプラズマを使用してエッチングされてもよい。エッチングプロセスは、実質的に非等方性であり、従って、トレンチ５１４の底部で保護層の底部５１２を突破して、クロム層を露出させ、その後に、幅５１６を著しく変化せずにクロム層をエッチングする。
【００６１】
[0066]減衰層５５４は、塩素含有ガス（Ｃｌ２のような）及び又はフッ素含有ガス（ＳＦ６又はＣＦ４のような）から形成されたプラズマを使用してエッチングされてもよい。２段階エッチングプロセスは、実質的に非等方性であり、従って、トレンチ５１４の底部で保護層を突破して、クロム層を露出させ、その後、幅５１６を著しく変化せずにクロム層をエッチングする。パターン化されたクロム層は、減衰層５５４をエッチングするためのマスクとして機能する。従って、ここでは幅５１６を定義するクリティカル寸法は、図５Ｄに示す膜スタック５００４で示されたように、ホトマスク層５０４に形成される開口５１８へ転写される。
【００６２】
[0067]減衰層５５４は、（ｉ）１つ以上のフッ素含有ポリマー化材料、（ii）塩素含有ガス、及び任意であるが、（iii）不活性ガスを含むプロセスガスによりプラズマエッチングすることができる。プロセスガスには、ポリマー化制限又は防止ガスが含まれてもよい。
【００６３】
[0068]１つ以上のフッ素含有ガスは、１つ以上のフッ素含有炭化水素、水素のないフッ素含有ガス、又はその組み合せを含んでもよい。１つ以上のフッ素含有炭化水素は、一般的な式ＣＸＨＹＦＺをもつことができ、但し、Ｘは炭素原子の１から５の整数、Ｙは水素原子の１から８の整数、更に、Ｚはフッ素原子の１から８の整数である。フッ素含有炭化水素ガスは、例えば、ＣＨＦ３、ＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、及びその組み合せを含む。１から２の炭素原子、１から４の水素原子、１から５のフッ素原子を有するフッ素含有炭化水素ガス、例えば、ＣＨＦ３は、減衰層５５４をエッチングするときに使用できる。
【００６４】
[0069]水素のないフルオロカーボンガスは、１から５の炭素原子と、４から８のフッ素原子とをもつことができる。水素のないフルオロカーボンガスは、例えば、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８及びその組み合せを含む。任意であるが、プロセスガスは、付加的なエッチングガス、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ６）のようなフッ化硫黄を含んでもよい。
【００６５】
[0070]フッ素含有ガスは、パターン化されたレジスト材料及びエッチングされた光学的に透明な材料に形成された開口の表面、特に、側壁に、不動態化ポリマー堆積物を形成するのに効果的に使用できる。不動態化ポリマー堆積物は、特徴画成部の過剰なエッチングを防止し、減衰層５５４への計画されたクリティカル寸法の転写を改善する。１つ以上のフッ素含有炭化水素ガスから形成されるプラズマは、酸化ガスを生じることなく、基板１２２上の減衰層５５４をエッチングするフッ素含有種を発生する。
【００６６】
[0071]塩素含有ガスは、塩素（Ｃｌ２）、四塩化炭素（ＣＣＬ４）、塩化水素酸（ＨＣｌ）、及びその組み合せのグループから選択され、これを使用して、光学的に透明な材料をエッチングするための高反応性の基を供給する。塩素含有ガスは、エッチング基の発生源をなし、また、水素又は炭素含有塩素含有ガスは、不動態化ポリマー堆積物を形成するための材料源をなし、これは、エッチングバイアスを改良することができる。
【００６７】
[0072]また、プロセスガスは、このプロセスガスで構成されるプラズマの一部分としてイオン化されたときに、スパッタ種を生じて特徴画成部のエッチングレートを高める不活性ガスを含んでもよい。また、プラズマの一部分として不活性ガスが存在すると、プロセスガスの解離を促進することができる。更に、プロセスガスに追加される不活性ガスは、イオン化されたスパッタ種を形成し、更に、新たにエッチングされた特徴画成部の側壁に形成されたポリマー堆積物をスパッタ除去して、不動態化堆積物を減少すると共に、制御可能なエッチングレートを与えることができる。プロセスガスに不活性ガスを含ませることで、改良されたプラズマ安定性及び改良されたエッチング均一性を与えることが観察されている。不活性ガスは、例えば、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、クリプトン（Ｋｒ）及びその組み合せを含み、そのうちのアルゴン及びヘリウムが一般に使用される。
【００６８】
[0073]一実施例では、減衰層５５４をエッチングするためのプロセスガスは、塩素（Ｃｌ２）ガス、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、及び不活性ガスとしてのアルゴンを含むことができる。任意であるが、プロセスガスは、１つ以上のポリマー化制限ガス、例えば、酸素、オゾン、窒素又はその組み合せを含むことができ、これを使用して、基板上における不動態化ポリマー堆積物の形成及び除去を制御することによりプロセスガスのエッチングレートを制御することができる。酸素含有ガスは、他の種と反応する自由酸素種の形成を促進して、エッチングされた特徴画成部の表面に不動態化堆積物として堆積するポリマーの形成を減少する。例えば、酸素ガスは、ＣＦ２のようなプラズマプロセスの幾つかの基と反応して、ＣＯＦ２のような揮発性の基を生成し、これらは、処理チャンバーから排出される。
【００６９】
[0074]不活性ガス及び任意のガスを含むプロセスガスの全流量は、１５０ｍｍｘ１５０ｍｍ平方のホトリソグラフィーレチクル基板をエッチングチャンバー内でエッチングするために、約１５ｓｃｃｍより大きい流量、例えば、約１５ｓｃｃｍから約２００ｓｃｃｍの流量で導入される。塩素含有ガスは、１５０ｍｍｘ１５０ｍｍ平方のホトリソグラフィーレチクル基板をエッチングするために、約５ｓｃｃｍから約１００ｓｃｃｍの流量で処理チャンバーに導入される。フッ素含有ガスが処理チャンバーに導入されるときには、１５０ｍｍｘ１５０ｍｍ平方のホトリソグラフィーレチクル基板をエッチングするために約１ｓｃｃｍから約５０ｓｃｃｍの流量が使用される。不活性ガスが処理チャンバーに導入されるときには、１５０ｍｍｘ１５０ｍｍ平方のホトリソグラフィーレチクル基板をエッチングするために約０ｓｃｃｍから約１００ｓｃｃｍの流量が使用される。任意であるが、ポリマー化制限ガスが処理チャンバーに導入されるときには、１５０ｍｍｘ１５０ｍｍ平方のホトリソグラフィーレチクル基板をエッチングするために約１ｓｃｃｍから約１００ｓｃｃｍの流量が使用される。プロセスガスの個々の流量及び全ガス流量は、多数の処理ファクタ、例えば、処理チャンバーのサイズ、処理される基板のサイズ、及びオペレータが希望する特定のエッチングプロフィールに基づいて変更してもよい。
【００７０】
[0075]一般に、処理チャンバーの圧力は、約２ミリトールから約５０ミリトールに維持される。エッチングプロセス中に、約３ミリトールから約２０ミリトールのチャンバー圧力、例えば、３ミリトールから１０ミリトールを維持することができる。
【００７１】
[0076]ホトマスク層５０４に開口５１８が形成された後に、残りの第１レジスト層５０８を、例えば、アッシングにより除去し、図５Ｅに示すように、膜スタック５００５を残す。レジスト層５０８の除去プロセスは、更に、残りの保護層５１０を除去する。
【００７２】
[0077]ホトマスク層５０４のクロム部分（例えば、パターン化されたクロム層５５２）は、上述したように、乾式エッチングプロセスのような適当なプロセスにより除去される。膜スタック５００６から残っている石英層５０２及びパターン化されたＭｏＳｉ層５５４は、図５Ｆに示すクロムなしのエッチングリソグラフィーマスク５４０を形成する。
【００７３】
[0078]従って、クロム層をエッチングする方法であって、従来のプロセスよりもトレンチ属性を効果的に改善する方法が提供された。従って、ここに述べたクロム層のエッチング方法は、小さなクリティカル寸法を有する特徴部をパターン化するのに適したホトマスクの製造を効果的に容易にするものである。
【００７４】
[0079]以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明の基本的な範囲から逸脱せずに、他の及び更に別の実施形態を案出することもでき、従って、本発明の範囲は、特許請求の範囲によって決定される。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】クロム層をエッチングするのに適したエッチングリアクタの一実施形態を示す概略断面図である。
【図２】クロム層をエッチングする方法の一実施形態のフローチャートである。
【図３Ａ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英ホトマスクの一実施形態を示す図である。
【図３Ｂ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英ホトマスクの一実施形態を示す図である。
【図３Ｃ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英ホトマスクの一実施形態を示す図である。
【図３Ｄ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英ホトマスクの一実施形態を示す図である。
【図３Ｅ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英ホトマスクの一実施形態を示す図である。
【図３Ｆ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英ホトマスクの一実施形態を示す図である。
【図３Ｇ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英ホトマスクの一実施形態を示す図である。
【図３Ｈ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英ホトマスクの一実施形態を示す図である。
【図３Ｉ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英ホトマスクの一実施形態を示す図である。
【図４Ａ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英位相シフトマスクの一実施形態を示す図である。
【図４Ｂ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英位相シフトマスクの一実施形態を示す図である。
【図４Ｃ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英位相シフトマスクの一実施形態を示す図である。
【図４Ｄ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英位相シフトマスクの一実施形態を示す図である。
【図４Ｅ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英位相シフトマスクの一実施形態を示す図である。
【図４Ｆ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英位相シフトマスクの一実施形態を示す図である。
【図４Ｇ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英位相シフトマスクの一実施形態を示す図である。
【図５Ａ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英位相シフトマスクの一実施形態を示す図である。
【図５Ｂ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英位相シフトマスクの一実施形態を示す図である。
【図５Ｃ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英位相シフトマスクの一実施形態を示す図である。
【図５Ｄ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英位相シフトマスクの一実施形態を示す図である。
【図５Ｅ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英位相シフトマスクの一実施形態を示す図である。
【図５Ｆ】本発明のクロム層エッチング方法の一実施形態を使用して製造された石英位相シフトマスクの一実施形態を示す図である。
【図６】例えば、図１のリアクタを含むクラスターツールである処理システムの一実施形態を示す概略図である。
【符号の説明】
【００７６】
１００…チャンバー、１０２…本体、１０４…壁、１０６…接地点、１０８…天井、１１０…アンテナ、１１０ａ…同軸素子、１１０ｂ…同軸素子、１１２…プラズマ電源、１１４…第１マッチングネットワーク、１１６…入口、１１８…チャンネル、１２０…ガスパネル、１２２…基板、１２４…ペデスタル、１２６…エッジリング、１２８…ヒートシンク、１３０…リフトピン、１３２…電極、１３４…加熱素子、１３６…ガイドホール、１３８…リフトメカニズム、１４０…バイアス電源、１４２…第２マッチングネットワーク、１４４…ヒータ、１４６…コントローラ、１４８…メモリ、１５０…ＣＰＵ、１５２…サポート回路、１５４…サポートシステム、１５６…ガス源、１５８…コンジット、１６０…チャック、１６２…スロットルバルブ、１６４…真空ポンプ、１６６…チャック電源、１６８…ヒータ電源、１７０…システム、１７２…第１チャンバー、１７４…第２チャンバー、１８２…アダプタ、１８４…下部、１８６…上部、１８８…開口、１９０…クロム層、１９２…石英層、２００…方法、２０２…入れるステップ、２０４…パターン化ステップ、２０６…堆積ステップ、２０８…エッチングステップ、２１０…除去ステップ、３００…膜スタック、３０２…石英層、３０４…クロム層、３０６…反射防止層、３０８…第１レジスト層、３１０…適合保護層、３１２…パターン化された第２レジスト層、３１４…トレンチ、３１６…幅、３１８…開口、３２０…特徴部形成、３２４…第２レジスト層、３２６…エッチングされた石英トレンチ、３２８…深さ、３３０…石英位相シフトマスク、３４０…ホトマスク、４００…膜スタック、４０２…石英層、４０４…クロム層、４０６…反射防止層、４０８…第１レジスト層、４１０…開口、４１４…深さ、４１６…底部、４１８…石英位相シフトマスク、４３０…開口、４３２…適合保護層、４３４…特徴部、４３６…幅、４３８…開口、４４０…エッチングされた石英トレンチ、４４２…石英位相シフトマスク、５００…膜スタック、５０２…石英層、５０４…ホトマスク層、５０６…反射防止層、５０８…第１レジスト層、５１０…保護層、５１２…底部、５１４…トレンチ、５１６…幅、５１８…開口、５２０…特徴部、５４０…リソグラフィーマスク、５５２…クロム層、５５４…減衰層
【図１】
2006209128.tif 000003
【図２】
2006209128.tif 000004
【図３Ａ】
2006209128.tif 000005
【図３Ｂ】
2006209128.tif 000006
【図３Ｃ】
2006209128.tif 000007
【図３Ｄ】
2006209128.tif 000008
【図３Ｅ】
2006209128.tif 000009
【図３Ｆ】
2006209128.tif 000010
【図３Ｇ】
2006209128.tif 000011
【図３Ｈ】
2006209128.tif 000012
【図３Ｉ】
2006209128.tif 000013
【図４Ａ】
2006209128.tif 000014
【図４Ｂ】
2006209128.tif 000015
【図４Ｃ】
2006209128.tif 000016
【図４Ｄ】
2006209128.tif 000017
【図４Ｅ】
2006209128.tif 000018
【図４Ｆ】
2006209128.tif 000019
【図４Ｇ】
2006209128.tif 000020
【図５Ａ】
2006209128.tif 000021
【図５Ｂ】
2006209128.tif 000022
【図５Ｃ】
2006209128.tif 000023
【図５Ｄ】
2006209128.tif 000024
【図５Ｅ】
2006209128.tif 000025
【図５Ｆ】
2006209128.tif 000026
【図６】
2006209128.tif 000027
【外国語明細書】
2006209128000001.pdf