(57)【要約】【課題】  等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンス化が図られている積層コンデンサを提供すること。【解決手段】    積層体１は、第１及び第２のコンデンサ部１１、１３を有する。第１のコンデンサ部１１は、誘電体層１０を介して第１及び第２の内部電極２１，２３が交互に積層されることにより構成される。第２のコンデンサ部１３は、誘電体層１０を介して第３及び第４の内部電極２５、２７が交互に積層されることにより構成される。第１〜第４の内部電極２１、２３、２５、２７は引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄ、３５、３７を介してそれぞれ第１〜第４の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄ、７、９に電気的に接続されている。積層数の違いにより、第１及び第２のコンデンサ部１１、１３の静電容量は異なる。【選択図】  図２
2006261584.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、当該積層体の側面上に形成された複数の端子電極と、を備えた積層コンデンサであって、
前記積層体は、交互に配置される複数の第１の内部電極と複数の第２の内部電極とを前記複数の内部電極として含む第１のコンデンサ部と、第３の内部電極と第４の内部電極とを前記複数の内部電極として含む第２のコンデンサ部とを有しており、
前記複数の端子電極は、互いに電気的に絶縁された複数の第１及び第２の端子電極と、互いに電気的に絶縁された第３及び第４の端子電極とを含み、
前記複数の第１及び第２の端子電極が形成された前記積層体の側面上において、前記複数の第１及び第２の端子電極が交互に配置されており、
前記複数の第１の内部電極はそれぞれ、引き出し導体を介して前記複数の第１の端子電極のうちいずれか１つに電気的に接続されるとともに、前記複数の第１の端子電極はそれぞれ、前記複数の第１の内部電極の少なくとも１つに電気的に接続され、
前記複数の第２の内部電極はそれぞれ、引き出し導体を介して前記複数の第２の端子電極のうちいずれか１つに電気的に接続されるとともに、前記複数の第２の端子電極はそれぞれ、前記複数の第２の内部電極の少なくとも１つに電気的に接続され、
前記第３の内部電極は、引き出し導体を介して前記第３の端子電極に電気的に接続され、
前記第４の内部電極は、引き出し導体を介して前記第４の端子電極に電気的に接続され、
前記第３の内部電極と前記第４の内部電極とが、前記積層体の積層方向で互いに隣り合うように配置されるとともに、
前記第１のコンデンサ部の静電容量と、前記第２のコンデンサ部の静電容量とが異なることを特徴とする積層コンデンサ。
【請求項２】
複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、当該積層体の側面上に形成された複数の端子電極と、を備えた積層コンデンサであって、
前記積層体は、第１の内部電極と第２の内部電極とを前記複数の内部電極として含む第１のコンデンサ部と、第３の内部電極と第４の内部電極とを前記複数の内部電極として含む第２のコンデンサ部とを有しており、
前記複数の端子電極は、互いに電気的に絶縁された複数の第１及び第２の端子電極と、互いに電気的に絶縁された第３及び第４の端子電極とを含み、
前記複数の第１及び第２の端子電極が形成された前記積層体の側面上において、前記複数の第１及び第２の端子電極が交互に配置されており、
前記第１の内部電極は、複数の引き出し導体を介して前記複数の第１の端子電極それぞれと電気的に接続され、
前記第２の内部電極は、複数の引き出し導体を介して前記複数の第２の端子電極それぞれと電気的に接続され、
前記第３の内部電極は、引き出し導体を介して前記第３の端子電極に電気的に接続され、
前記第４の内部電極は、引き出し導体を介して前記第４の端子電極に電気的に接続され、
前記第３の内部電極と前記第４の内部電極とが、前記積層体の積層方向で互いに隣り合うように配置されるとともに、
前記第１のコンデンサ部の静電容量と、前記第２のコンデンサ部の静電容量とが異なることを特徴とする積層コンデンサ。
【請求項３】
前記第２のコンデンサ部の静電容量は、前記第１のコンデンサ部の静電容量に比べて小さいことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の積層コンデンサ。
【請求項４】
前記第２のコンデンサ部は、前記第３及び第４の内部電極を複数含み、
前記複数の第３の内部電極と前記複数の第４の内部電極とは、交互に配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の積層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の積層コンデンサとして、複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、当該積層体に形成された複数の端子電極とを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、ノイズ除去のため電子機器の電源回路等に接続される積層コンデンサは、広い周波数帯域でノイズ除去の効果を発揮することが要求される。広い周波数帯域でノイズを効果的に除去できるよう、この種の積層コンデンサでは広帯域にわたって低インピーダンスであることが求められている。
【０００４】
特許文献１には、内部電極を分割することにより得られる２つの静電容量の異なるコンデンサを一体に形成した積層コンデンサが開示されている。この積層コンデンサは、２つの静電容量の異なるコンデンサを一体に形成することによって、広帯域での低インピーダンス化を図っている。
【特許文献１】特開平０７−１４２２８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、電子機器に用いられる電源回路の高周波数化に伴い、電源回路に適用される積層コンデンサの等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）の低減化がより一層求められている。ところが、特許文献１に記載の積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの増大を抑制する有効な対策がとられていない。そのため、特許文献１に記載の積層コンデンサでは等価直列インダクタンスが高くなってしまうおそれがある。また、等価直列インダクタンスが高いと、インピーダンスの十分な低下を図ることが困難になってしまうおそれもある。
【０００６】
本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンスである積層コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的を達成するために、本発明による積層コンデンサは、複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、当該積層体の側面上に形成された複数の端子電極と、を備えた積層コンデンサであって、積層体は、交互に配置される複数の第１の内部電極と複数の第２の内部電極とを複数の内部電極として含む第１のコンデンサ部と、第３の内部電極と第４の内部電極とを複数の内部電極として含む第２のコンデンサ部とを有しており、複数の端子電極は、互いに電気的に絶縁された複数の第１及び第２の端子電極と、互いに電気的に絶縁された第３及び第４の端子電極とを含み、複数の第１及び第２の端子電極が形成された積層体の側面上において、複数の第１及び第２の端子電極が交互に配置されており、複数の第１の内部電極はそれぞれ、引き出し導体を介して複数の第１の端子電極のうちいずれか１つに電気的に接続されるとともに、複数の第１の端子電極はそれぞれ、複数の第１の内部電極の少なくとも１つに電気的に接続され、複数の第２の内部電極はそれぞれ、引き出し導体を介して複数の第２の端子電極のうちいずれか１つに電気的に接続されるとともに、複数の第２の端子電極はそれぞれ、複数の第２の内部電極の少なくとも１つに電気的に接続され、第３の内部電極は、引き出し導体を介して第３の端子電極に電気的に接続され、第４の内部電極は、引き出し導体を介して第４の端子電極に電気的に接続され、第３の内部電極と第４の内部電極とが、積層体の積層方向で互いに隣り合うように配置されるとともに、第１のコンデンサ部の静電容量と、第２のコンデンサ部の静電容量とが異なることを特徴とする。
【０００８】
本発明による積層コンデンサは、複数の誘電体層と複数の内部電極とが交互に積層された積層体と、当該積層体の側面上に形成された複数の端子電極と、を備えた積層コンデンサであって、積層体は、第１の内部電極と第２の内部電極とを複数の内部電極として含む第１のコンデンサ部と、第３の内部電極と第４の内部電極とを複数の内部電極として含む第２のコンデンサ部とを有しており、複数の端子電極は、互いに電気的に絶縁された複数の第１及び第２の端子電極と、互いに電気的に絶縁された第３及び第４の端子電極とを含み、複数の第１及び第２の端子電極が形成された積層体の側面上において、複数の第１及び第２の端子電極が交互に配置されており、第１の内部電極は、複数の引き出し導体を介して複数の第１の端子電極それぞれと電気的に接続され、第２の内部電極は、複数の引き出し導体を介して複数の第２の端子電極それぞれと電気的に接続され、第３の内部電極は、引き出し導体を介して第３の端子電極に電気的に接続され、第４の内部電極は、引き出し導体を介して第４の端子電極に電気的に接続され、第３の内部電極と第４の内部電極とが、積層体の積層方向で互いに隣り合うように配置されるとともに、第１のコンデンサ部の静電容量と、第２のコンデンサ部の静電容量とが異なることを特徴とする。
【０００９】
これらの積層コンデンサは、静電容量の異なる第１及び第２のコンデンサ部を有するため、２つの共振周波数を持つ。その結果、この積層コンデンサでは、広い周波数帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となる。また、第１及び第２の内部電極は、第１及び第２の端子電極にそれぞれ引き出し導体を介して接続される。第１及び第２の端子電極は積層体の側面上で交互に配置されるため、第１の内部電極を第１の端子電極に接続させる引き出し導体を流れる電流と、第２の内部電極を第２の端子電極に接続させる引き出し導体を流れる電流とが互いに逆向きに流れる。そのため、これらの電流に起因して発生する磁界が相殺され、この積層コンデンサでは等価直列インダクタンスが低減されることとなる。このように、この積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスが低減されるとともに、広帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となっている。
【００１０】
また、第２のコンデンサ部の静電容量は、第１のコンデンサ部の静電容量に比べて小さいことが好ましい。この場合、第２のコンデンサ部によって、高周波数帯域での低インピーダンス化が実現される。
【００１１】
また、第２のコンデンサ部は、第３及び第４の内部電極を複数含み、複数の第３の内部電極と複数の第４の内部電極とは、交互に配置されていることが好ましい。第３及び第４の内部電極を複数有し、これらを交互に配置することで、第２のコンデンサ部の静電容量を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部に所望の周波数帯域での低インピーダンス化を担わせることが可能となる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンスである積層コンデンサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、説明中、「上」及び「下」なる語を使用することがあるが、これは各図の上下方向に対応したものである。
【００１４】
（第１実施形態）
図１及び図２を参照して、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２は、第１実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【００１５】
積層コンデンサＣ１は、図１に示すように、略直方体形状をした積層体１と、積層体１に形成された第１〜第４の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄ、７、９とを備える。第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄは、積層体１の互いに対向する側面１ａ、１ｂ上に形成されている。第３及び第４の端子電極７、９は、積層体１の互いに対向する側面１ｃ、１ｄ上に形成されている。
【００１６】
第１の端子電極３Ａ、３Ｂは、積層体１の側面１ａ上に形成されている。第１の端子電極３Ｃ、３Ｄは、側面１ａと対向する積層体１の側面１ｂ上に形成されている。第２の端子電極５Ａ、５Ｂは、積層体１の側面１ａ上に形成されている。第２の端子電極５Ｃ、５Ｄは、側面１ａと対向する積層体１の側面１ｂ上に形成されている。
【００１７】
側面１ａ、１ｂ上では、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄが交互に配置されている。すなわち、側面１ａ上では、側面１ｃ側から側面１ｄ側に向かって、第１の端子電極３Ａ、第２の端子電極５Ａ、第１の端子電極３Ｂ、第２の端子電極５Ｂがこの順で配置されている。側面１ｂ上では、側面１ｃ側から側面１ｄ側に向かって、第１の端子電極３Ｃ、第２の端子電極５Ｃ、第１の端子電極３Ｄ、第２の端子電極５Ｄがこの順で配置されている。第１の端子電極３Ａ〜３Ｄと第２の端子電極５Ａ〜５Ｄとは、互いに電気的に絶縁されている。
【００１８】
第３の端子電極７は、積層体１の側面１ｃ上に形成されている。第４の端子電極９は、側面１ｃと対向する積層体１の側面１ｄ上に形成されている。第３の端子電極７と第４の端子電極９とは、互いに電気的に絶縁されている。
【００１９】
積層体１は、図２に示すように、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３とを有する。積層体１は、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３とが積層され、一体となって形成されている。
【００２０】
まず、第１のコンデンサ部１１の構成について説明する。第１のコンデンサ部１１は、複数（例えば、１０１層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各５０層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２のコンデンサ部１１、１３が積層される方向（以下、積層方向という）に沿って、積層される。実際の積層コンデンサＣ１では、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００２１】
各第１の内部電極２１は、図２に示すように、矩形状を呈している。各第１の内部電極２１は、積層方向と平行な積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。また、各誘電体層１０も、図２に示すように、矩形状を呈している。
【００２２】
複数の第１の内部電極２１にはそれぞれ、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄが一つずつ形成されている。引き出し導体３１Ａ、３１Ｂは、積層体１の側面１ａに引き出されるように第１の内部電極２１から伸びている。引き出し導体３１Ｃ、３１Ｄは、積層体１の側面１ｂに引き出されるように第１の内部電極２１から伸びている。
【００２３】
各第１の内部電極２１は、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを介して４つある第１の端子電極３Ａ〜３Ｄのうちいずれか一つに電気的に接続されている。また、４つの第１の端子電極３Ａ〜３Ｄはそれぞれ、複数の第１の内部電極２１の少なくとも１つに電気的に接続されている。
【００２４】
具体的には、引き出し導体３１Ａが形成された第１の内部電極２１は、この引き出し導体３１Ａを介して第１の端子電極３Ａに電気的に接続される。引き出し導体３１Ｂが形成された第１の内部電極２１は、この引き出し導体３１Ｂを介して第１の端子電極３Ｂに電気的に接続される。引き出し導体３１Ｃが形成された第１の内部電極２１は、この引き出し導体３１Ｃを介して第１の端子電極３Ｃに電気的に接続される。引き出し導体３１Ｄが形成された第１の内部電極２１は、この引き出し導体３１Ｄを介して第１の端子電極３Ｄに電気的に接続される。
【００２５】
各第２の内部電極２３は、図２に示すように、矩形状を呈している。各第２の内部電極２３は、積層方向と平行な積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。
【００２６】
複数の第２の内部電極２３にはそれぞれ、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄが一つずつ形成されている。引き出し導体３３Ａ、３３Ｂは、積層体１の側面１ａに引き出されるように第２の内部電極２３から伸びている。引き出し導体３３Ｃ、３３Ｄは、積層体１の側面１ｂに引き出されるように第２の内部電極２３から伸びている。
【００２７】
各第２の内部電極２３は、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを介して４つある第２の端子電極５Ａ〜５Ｄのうちいずれか一つに電気的に接続されている。また、４つの第２の端子電極５Ａ〜５Ｄはそれぞれ、複数の第２の内部電極２３の少なくとも１つに電気的に接続されている。
【００２８】
具体的には、引き出し導体３３Ａが形成された第２の内部電極２３は、この引き出し導体３３Ａを介して第２の端子電極５Ａに電気的に接続される。引き出し導体３３Ｂが形成された第２の内部電極２３は、この引き出し導体３３Ｂを介して第２の端子電極５Ｂに電気的に接続される。引き出し導体３３Ｃが形成された第２の内部電極２３は、この引き出し導体３３Ｃを介して第２の端子電極５Ｃに電気的に接続される。引き出し導体３３Ｄが形成された第２の内部電極２３は、この引き出し導体３３Ｄを介して第２の端子電極５Ｄに電気的に接続される。
【００２９】
次に、第２のコンデンサ部１３の構成について説明する。第２のコンデンサ部１３は、複数（例えば、４層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２層）の第３及び第４の内部電極２５、２７とを含む。第３及び第４の内部電極２５、２７は、積層体１の積層方向で互いに隣り合うように配置される。第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数は、第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数と異なる。特に、本実施形態で例示したように、第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数の方が、第１及び第２の内部電極２１、２３より少ないことが好ましい。また、実際の積層コンデンサＣ１では、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００３０】
各第３の内部電極２５は、図２に示すように、矩形状を呈している。各第３の内部電極２５は、積層方向と平行な積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。
【００３１】
複数の第３の内部電極２５にはそれぞれ、引き出し導体３５が一つずつ形成されている。引き出し導体３５は、積層体１の側面１ｃに引き出されるように第３の内部電極２５から伸びている。各第３の内部電極２５は、引き出し導体３５を介して第３の端子電極７に電気的に接続されている。
【００３２】
各第４の内部電極２７は、図２に示すように、矩形状を呈している。各第４の内部電極２７は、積層方向と平行な積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。
【００３３】
複数の第４の内部電極２７にはそれぞれ、引き出し導体３７が一つずつ形成されている。引き出し導体３７は、積層体１の側面１ｄに引き出されるように第４の内部電極２７から伸びている。各第４の内部電極２７は、引き出し導体３７を介して第４の端子電極９に電気的に接続されている。
【００３４】
第１のコンデンサ部１１に含まれる第１及び第２の内部電極２１、２３はそれぞれ、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄと電気的に接続される。一方、第２のコンデンサ部１３に含まれる第３及び第４の内部電極２５、２７はそれぞれ、第３及び第４の端子電極７、９と電気的に接続される。したがって、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３とは並列に接続される関係となる。
【００３５】
積層コンデンサＣ１の等価回路図を図３に示す。積層コンデンサＣ１の等価回路は、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３との並列回路からなる。一般的に、コンデンサには残留インダクタンスと残留抵抗が存在する。そのため、図３に示すように、第１のコンデンサ部１１の等価回路には静電容量Ｃ１１のほか、インダクタンスＬ１１及び抵抗Ｒ１２が存在する。第２のコンデンサ部１３の等価回路には静電容量Ｃ１３のほか、インダクタンスＬ１３及び抵抗Ｒ１３が存在する。
【００３６】
第１及び第２のコンデンサ部１１、１３はそれぞれ、内部電極の積層数が異なり、静電容量が異なる。すなわち、積層コンデンサＣ１では、第１のコンデンサ部１１に含まれる第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数が、第２のコンデンサ部１３に含まれる第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数より大きい。したがって、第１のコンデンサ部１１の静電容量Ｃ１１は第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３より大きい。
【００３７】
コンデンサのインダクタンスをＬ、静電容量をＣとすると、コンデンサの共振周波数ｆは式（１）によって表される。式（１）より、第１のコンデンサ部１１の共振周波数ｆ１と、第２のコンデンサ部１３の共振周波数ｆ２とでは値が異なることがわかる。
ｆ＝１／２π・sqrt（Ｌ・Ｃ）    …（１）
【００３８】
特に、第２のコンデンサ部１３に含まれる第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数が、第１のコンデンサ部１１に含まれる第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数より小さいと、共振周波数ｆ２は共振周波数ｆ１に比べて大きくなる。
【００３９】
図４に、積層コンデンサＣ１の周波数に関するインピーダンス特性を表すグラフを示す。図４に示したグラフの横軸は周波数（Ｈｚ）を表し、縦軸はインピーダンス（Ω）を表す。静電容量の大きい第１のコンデンサ部１１単体のインピーダンス特性は、グラフＧ１１、Ｇ１２で表され、共振周波数ｆ１にのみインピーダンスが極小となる点を有する。第１のコンデンサ部１１より静電容量の小さい第２のコンデンサ部１３単体のインピーダンス特性は、グラフＧ１３、Ｇ１４で表され、共振周波数ｆ２にのみインピーダンスが極小となる点を有する。一方、静電容量の異なる第１及び第２のコンデンサ部１１、１３を並列接続してなる積層コンデンサＣ１のインピーダンス特性は、グラフＧ１１、Ｇ１４で表され、共振周波数ｆ１、ｆ２の双方にインピーダンスが極小となる点を有する。このように、積層コンデンサＣ１は静電容量の異なる第１及び第２のコンデンサ部１１、１３を有しているため、１つの静電容量をもつ場合と比べ、広い周波数帯域にわたってインピーダンスを低くすることが可能となる。
【００４０】
特に、積層コンデンサＣ１では、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３が、第１のコンデンサ部１１の静電容量Ｃ１１に比べて小さい。そのため、第２のコンデンサ部１３の共振周波数ｆ２は第１のコンデンサ部１１の共振周波数ｆ１より小さくなる。したがって、第２のコンデンサ部１３は第１のコンデンサ部１１だけではインピーダンス特性を良好にできない高周波数帯において、低インピーダンス化を担うこととなる。その結果、積層コンデンサＣ１では、高周波数帯域においてもインピーダンスを低下させることが可能となる。
【００４１】
第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄにそれぞれ引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄを介して接続される。また、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄは積層体１の側面１ａ、１ｂ上で交互に配置される。そのため、第１の内部電極２１を第１の端子電極３Ａ〜３Ｄに接続させる引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄと第２の内部電極２３を第２の端子電極５Ａ〜５Ｄに接続させる引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄとは、積層体１の側面１ｃから側面１ｄに向かう方向で、交互に配置されることとなる。また、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流とでは、その向きは互いに逆向きとなる。したがって、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界とが相殺される。その結果、積層コンデンサＣ１の等価直列インダクタンスは低減される。
【００４２】
このように、積層コンデンサＣ１では、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンス化を図ることが可能となる。
【００４３】
また、積層コンデンサＣ１では、交互に配置された第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数によって、第２のコンデンサ部１３の静電容量を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部１３では、高周波数帯域に所望の共振周波数を有することが可能となる。
【００４４】
（第２実施形態）
図５を参照して、第２実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第２実施形態に係る積層コンデンサは、第２のコンデンサ部１３が第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの間に位置する点で、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と相違する。図５は、第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【００４５】
第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体１は、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂと第２のコンデンサ部１３とを有する。第２のコンデンサ部１３が第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの間に位置するように積層され、これらのコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂ、１３が積層され一体となって積層体１を形成する。
【００４６】
第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの構成について説明する。第２のコンデンサ部１３が第１のコンデンサ部の間に位置するので、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂは第２のコンデンサ部１３の上下に位置される。そのため、第１のコンデンサ部の構成を便宜上、第２のコンデンサ部１３を挟んで上に位置する第１のコンデンサ部１１Ａと下に位置する第１のコンデンサ部１１Ｂとに区別して説明する。
【００４７】
第１のコンデンサ部１１Ａは、複数（例えば、５１層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２５層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂ、１３が積層される方向（以下、積層方向という）に沿って、積層される。
【００４８】
第１のコンデンサ部１１Ｂは、複数（例えば、５０層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２５層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、積層方向に沿って、積層される。実際の第２実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００４９】
第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂと第２のコンデンサ部１３とが並列に接続される関係となる。第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数と第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数とは異なるため、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１と第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３とが異なる。そのため、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１同様、広い周波数帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となる。
【００５０】
特に、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、例示したように第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数に比して、第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数が少ない。そのため、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３は、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１に比べて小さくなる。したがって、第２のコンデンサ部１３は第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂだけではインピーダンス特性を良好にできない高周波数帯において、低インピーダンス化を担うこととなる。その結果、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、高周波数帯域においてもインピーダンスを低下させることが可能となる。
【００５１】
第２実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄを複数有し、これらは積層体１の側面１ａ、１ｂ上で交互に配置されている。そのため、第１及び第２の内部電極２１、２３を第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄにそれぞれ接続する引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄは、積層体１の側面１ｃから側面１ｄに向かう方向で、交互に配置されることとなる。したがって、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界とが相殺され、第２実施形態に係る積層コンデンサの等価直列インダクタンスは低減される。
【００５２】
このように、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンス化を図ることが可能となる。
【００５３】
また、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、交互に配置された第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数によって、第２のコンデンサ部１３の静電容量を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部１３では、高周波数帯域に所望の共振周波数を有することが可能となる。
【００５４】
なお、第２のコンデンサ部１３内での第３及び第４の内部電極２５、２７の積層順は、例えば、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１のように第３の内部電極２５、第２の内部電極２７の順であっても、第２実施形態のように第４の内部電極２７、第３の内部電極２５の順であってもよい。
【００５５】
（第３実施形態）
図６を参照して、第３実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第３実施形態に係る積層コンデンサは、第２のコンデンサ部１３に含まれる第３の内部電極２５の積層数と第４の内部電極２７の積層数とが異なる点で、第２実施形態に係る積層コンデンサと相違する。図６は、第３実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【００５６】
第１のコンデンサ部１１Ａは、複数（例えば、５層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂ、１３が積層される方向（以下、積層方向という）に沿って、積層される。
【００５７】
第１のコンデンサ部１１Ｂは、複数（例えば４層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば各２層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、積層方向に沿って、積層される。実際の第２実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００５８】
第２のコンデンサ部１３の構成について説明する。第２のコンデンサ部１３は、複数（例えば、３層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される第３及び第４の内部電極２５、２７とを含む。第３及び第４の内部電極２５、２７は、積層体１の積層方向で互いに隣り合うように配置される。第３の内部電極２５は、例えば１層である。第４の内部電極２７は、第３の内部電極２５とは異なる数（例えば、２層）である。第３及び第４の内部電極２５、２７は、積層方向に沿って積層される。実際の第３実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００５９】
第３実施形態に係る積層コンデンサでは、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂと第２のコンデンサ部１３とが並列に接続される関係となる。第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数と第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数とは異なるため、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１と第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３とが異なる。そのため、第３実施形態に係る積層コンデンサでは、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１同様、広い周波数帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となる。
【００６０】
特に、第３実施形態に係る積層コンデンサでは、例示したように第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数に比して、第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数が少ない。そのため、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３は、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１に比べて小さくなる。したがって、第２のコンデンサ部１３は第１のコンデンサ部１１だけではインピーダンス特性を良好にできない高周波数帯において、低インピーダンス化を担うこととなる。その結果、第３実施形態に係る積層コンデンサでは、高周波数帯域においてもインピーダンスを低下させることが可能となる。
【００６１】
第３実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄを複数有し、これらは積層体１の側面１ａ、１ｂ上で交互に配置されている。そのため、第１及び第２の内部電極２１、２３を第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄにそれぞれ接続する引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄは、積層体１の側面１ｃから側面１ｄに向かう方向で、交互に配置されることとなる。したがって、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界とが相殺され、第３実施形態に係る積層コンデンサの等価直列インダクタンスは低減される。
【００６２】
このように、第３実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンス化を図ることが可能となる。
【００６３】
また、第３実施形態に係る積層コンデンサでは、交互に配置された第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数によって、第２のコンデンサ部１３の静電容量を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部１３では、高周波数帯域に所望の共振周波数を有することが可能となる。
【００６４】
また、第３実施形態に係る積層コンデンサのように、第２のコンデンサ部１３が含む第３の内部電極２５の積層数と第４の内部電極２７の積層数とは、同じ数でなくてもよい。
【００６５】
（第４実施形態）
図７を参照して、第４実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第４実施形態に係る積層コンデンサは、複数の第１及び第２の内部電極それぞれが電気的に接続される第１及び第２の端子電極の数の点で、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と相違する。図７は、第４実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【００６６】
積層体１は、図７に示すように、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３とを有する。積層体１は、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３とが積層され、一体となって形成されている。
【００６７】
まず、第１のコンデンサ部１１の構成について説明する。第１のコンデンサ部１１は、複数（例えば、１０１層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各５０層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２のコンデンサ部１１、１３が積層される方向（以下、積層方向という）に沿って、積層される。実際の第４実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００６８】
各第１の内部電極２１は、図７に示すように、矩形状を呈している。各第１の内部電極２１は、積層方向と平行な積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。また、各誘電体層１０も、図７に示すように、矩形状を呈している。
【００６９】
複数の第１の内部電極２１にはそれぞれ、４つの引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄが形成されている。引き出し導体３１Ａ、３１Ｂは、積層体１の側面１ａに引き出されるように第１の内部電極２１から伸びている。引き出し導体３１Ｃ、３１Ｄは、積層体１の側面１ｂに引き出されるように第１の内部電極２１から伸びている。
【００７０】
各第１の内部電極２１は、４つの引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを介して、４つの第１の端子電極３Ａ〜３Ｄそれぞれと電気的に接続されている。すなわち、第１の内部電極２１は、引き出し導体３１Ａを介して第１の端子電極３Ａに、引き出し導体３１Ｂを介して第１の端子電極３Ｂに、引き出し導体３１Ｃを介して第１の端子電極３Ｃに、引き出し導体３１Ｄを介して第１の端子電極３Ｄに電気的に接続されている。
【００７１】
各第２の内部電極２３は、図７に示すように、矩形状を呈している。各第２の内部電極２３は、積層方向と平行な積層体１の各側面１ａ〜１ｄから所定の間隔を有して位置している。
【００７２】
複数の第２の内部電極２３にはそれぞれ、４つの引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄが形成されている。引き出し導体３３Ａ、３３Ｂは、積層体１の側面１ａに引き出されるように第２の内部電極２３から伸びている。引き出し導体３３Ｃ、３３Ｄは、積層体１の側面１ｂに引き出されるように第２の内部電極２３から伸びている。
【００７３】
各第２の内部電極２３は、４つの引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを介して、４つの第２の端子電極５Ａ〜５Ｄそれぞれと電気的に接続されている。すなわち、第２の内部電極２３は、引き出し導体３３Ａを介して第２の端子電極５Ａに、引き出し導体３３Ｂを介して第２の端子電極５Ｂに、引き出し導体３３Ｃを介して第２の端子電極５Ｃに、引き出し導体３３Ｄを介して第２の端子電極５Ｄに電気的に接続されている。
【００７４】
第４実施形態に係る積層コンデンサでは、第１のコンデンサ部１１と第２のコンデンサ部１３とが並列に接続される関係となる。第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数と第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数とは異なるため、第１のコンデンサ部１１の静電容量Ｃ１１と第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３とが異なる。そのため、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１同様、広い周波数帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となる。
【００７５】
特に、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、例示したように第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数に比して、第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数が少ない。そのため、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３は、第１のコンデンサ部１１の静電容量Ｃ１１に比べて小さくなる。したがって、第２のコンデンサ部１３は第１のコンデンサ部１１だけではインピーダンス特性を良好にできない高周波数帯において、低インピーダンス化を担うこととなる。その結果、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、高周波数帯域においてもインピーダンスを低下させることが可能となる。
【００７６】
第４実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄを複数有し、これらは積層体１の側面１ａ、１ｂ上で交互に配置されている。そのため、第１及び第２の内部電極２１、２３を第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄそれぞれに接続する引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄは、積層体１の側面１ｃから側面１ｄに向かう方向で、交互に配置されることとなる。したがって、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界とが相殺され、第４実施形態に係る積層コンデンサの等価直列インダクタンスは低減される。
【００７７】
このように、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンス化を図ることが可能となる。
【００７８】
また、第４実施形態に係る積層コンデンサでは、交互に配置された第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数によって、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部１３では、高周波数帯域に所望の共振周波数を有することが可能となる。
【００７９】
（第５実施形態）
図８を参照して、第５実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第５実施形態に係る積層コンデンサは、第２のコンデンサ部１３が第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの間に位置する点で、第４実施形態に係る積層コンデンサと相違する。図８は、第５実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【００８０】
第５実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体１は、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂと第２のコンデンサ部１３とを有する。第２のコンデンサ部１３が第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの間に位置するように、これらのコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂ、１３が積層され一体となって積層体１を形成している。
【００８１】
第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの構成について説明する。第２のコンデンサ部１３が第１のコンデンサ部の間に位置するので、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂは第２のコンデンサ部１３の上下に位置される。そのため、第１のコンデンサ部の構成を便宜上、第２のコンデンサ部１３を挟んで上に位置する第１のコンデンサ部１１Ａと下に位置する第１のコンデンサ部１１Ｂとに区別して説明する。
【００８２】
第１のコンデンサ部１１Ａは、複数（例えば、５１層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２５層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂ、１３が積層される方向（以下、積層方向という）に沿って、積層される。
【００８３】
第１のコンデンサ部１１Ｂは、複数（例えば、５０層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２５層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、積層方向に沿って積層される。実際の第５実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００８４】
第５実施形態に係る積層コンデンサでは、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂと第２のコンデンサ部１３とが並列に接続される関係となる。第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数と第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数とは異なるため、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１と第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３とが異なる。そのため、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１同様、広い周波数帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となる。
【００８５】
特に、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、例示したように第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数に比して、第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数が少ない。そのため、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３は、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１に比べて小さくなる。したがって、第２のコンデンサ部１３は第１のコンデンサ部１１だけではインピーダンス特性を良好にできない高周波数帯において、低インピーダンス化を担うこととなる。その結果、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、高周波数帯域においてもインピーダンスを低下させることが可能となる。
【００８６】
第５実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄを複数有し、これらは積層体１の側面１ａ、１ｂ上で交互に配置されている。そのため、第１及び第２の内部電極２１、２３を第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄにそれぞれ接続する引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄは、積層体１の側面１ｃから側面１ｄに向かう方向で、交互に配置されることとなる。したがって、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界とが相殺され、第５実施形態に係る積層コンデンサの等価直列インダクタンスは低減される。
【００８７】
このように、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンス化を図ることが可能となる。
【００８８】
また、第５実施形態に係る積層コンデンサでは、交互に配置された第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数によって、第２のコンデンサ部１３の静電容量を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部１３では、高周波数帯域に所望の共振周波数を有することが可能となる。
【００８９】
なお、第２のコンデンサ部１３内での第３及び第４の内部電極２５、２７の積層順は、例えば、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１のように第３の内部電極２５、第２の内部電極２７の順であっても、第５実施形態のように第４の内部電極２７、第３の内部電極２５の順であってもよい。
【００９０】
（第６実施形態）
図９を参照して、第６実施形態に係る積層コンデンサの構成について説明する。第６実施形態に係る積層コンデンサは、第２のコンデンサ部１３に含まれる第３の内部電極２５の積層数と第４の内部電極２７の積層数とが異なる点で、第５実施形態に係る積層コンデンサと相違する。図９は、第６実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【００９１】
第１のコンデンサ部１１Ａは、複数（例えば、５層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば、各２層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、第１及び第２のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂ、１３が積層される方向（以下、積層方向という）に沿って、積層される。
【００９２】
第１のコンデンサ部１１Ｂは、複数（例えば４層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される複数（例えば各２層）の第１及び第２の内部電極２１、２３とを含む。第１及び第２の内部電極２１、２３は、積層方向に沿って、積層される。実際の第２実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００９３】
第２のコンデンサ部１３の構成について説明する。第２のコンデンサ部１３は、複数（例えば、３層）の誘電体層１０と、誘電体層１０を介して交互に配置される第３及び第４の内部電極２５、２７とを含む。第３及び第４の内部電極２５、２７は、積層体１の積層方向で互いに隣り合うように配置される。第３の内部電極２５は、例えば１層である。第４の内部電極２７は、第３の内部電極２５とは異なる数（例えば、２層）である。第３及び第４の内部電極２５、２７は、積層方向に沿って積層される。実際の第６実施形態に係る積層コンデンサでは、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００９４】
第６実施形態に係る積層コンデンサでは、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂと第２のコンデンサ部１３とが並列に接続される関係となる。第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数と第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数とは異なるため、第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂの静電容量Ｃ１１と第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３とが異なる。そのため、第６実施形態に係る積層コンデンサでは、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１同様、広い周波数帯域にわたっての低インピーダンス化が可能となる。
【００９５】
特に、第６実施形態に係る積層コンデンサでは、例示したように第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数に比して、第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数が少ない。そのため、第２のコンデンサ部１３の静電容量Ｃ１３は、複数の第１のコンデンサ部１１Ａ、１１Ｂすべてによって形成される静電容量Ｃ１１に比べて小さくなる。したがって、第２のコンデンサ部１３は第１のコンデンサ部１１だけではインピーダンス特性を良好にできない高周波数帯において、低インピーダンス化を担うこととなる。その結果、第６実施形態に係る積層コンデンサでは、高周波数帯域においてもインピーダンスを低下させることが可能となる。
【００９６】
第６実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄを複数有し、これらは積層体１の側面１ａ、１ｂ上で交互に配置されている。そのため、第１及び第２の内部電極２１、２３を第１及び第２の端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄにそれぞれ接続する引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄは、積層体１の側面１ｃから側面１ｄに向かう方向で、交互に配置されることとなる。したがって、引き出し導体３１Ａ〜３１Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界と、引き出し導体３３Ａ〜３３Ｄを流れる電流に起因して発生する磁界とが相殺され、第６実施形態に係る積層コンデンサの等価直列インダクタンスは低減される。
【００９７】
このように、第６実施形態に係る積層コンデンサでは、等価直列インダクタンスの低減を図りつつ、広帯域にわたって低インピーダンス化を図ることが可能となる。
【００９８】
また、第６実施形態に係る積層コンデンサでは、交互に配置された第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数によって、第２のコンデンサ部１３の静電容量を変えることができる。その結果、第２のコンデンサ部１３では、高周波数帯域に所望の共振周波数を有することが可能となる。
【００９９】
また、第６実施形態に係る積層コンデンサのように、第２のコンデンサ部１３が含む第３の内部電極２５の積層数と第４の内部電極２７の積層数とは、同じ数でなくてもよい。
【０１００】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。例えば、誘電体層１０の積層数、第１及び第２の内部電極２１、２３の積層数、及び第３及び第４の内部電極２５、２７の積層数は、上述した実施形態に記載された数に限られない。また、端子電極３Ａ〜３Ｄ、５Ａ〜５Ｄ、７、９の数も、上述した実施形態に記載された数に限られない。第１及び第２の端子電極は２つ以上であればよく、第３及び第４の端子電極は１つ以上であればよい。また、第１のコンデンサ部１１、１１Ａ、１１Ｂ及び第２のコンデンサ部１３の積層方向での位置は、上述した実施形態に記載された位置に限られない。また、第１のコンデンサ部１１、１１Ａ、１１Ｂに含まれる第１の内部電極２１の数と第２の内部電極２３の数とは、必ずしも同じでなくてもよい。また、第２のコンデンサ部１３に含まれる第３の内部電極２５の数と第４の内部電極２７の数とは、必ずしも同じでなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】第１実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【図３】第１実施形態に係る積層コンデンサの等価回路図である。
【図４】第１実施形態に係る積層コンデンサの周波数に関するインピーダンス特性を表すグラフである。
【図５】第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【図６】第３実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【図７】第４実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【図８】第５実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【図９】第６実施形態に係る積層コンデンサに含まれる積層体の分解斜視図である。
【符号の説明】
【０１０２】
Ｃ１…積層コンデンサ、１…積層体、３Ａ〜３Ｄ…第１の端子電極、５Ａ〜５Ｄ…第２の端子電極、７…第３の端子電極、９…第４の端子電極、１０…誘電体層、１１、１１Ａ、１１Ｂ…第１のコンデンサ部、１３…第２のコンデンサ部、２１…第１の内部電極、２３…第２の内部電極、２５…第３の内部電極、２７…第４の内部電極、３１Ａ〜３１Ｄ、３３Ａ〜３３Ｄ、３５、３７…引き出し導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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