(57)【要約】      （修正有）【課題】  チャックテーブルの加工送り開始位置から加工送り終了位置までの全区間に渡って被加工物にパルスレーザー光線を照射して均一な加工を施すことができるレーザ加工装置を提供する。【解決手段】  被加工物を保持するチャックテーブル３６と、チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５と、チャックテーブルとレーザー光線照射手段を相対的に加工送りする加工送り手段３７とを具備するレーザー加工装置であって、チャックテーブルの加工送り量を検出する送り量検出手段と、送り量検出手段からの検出信号に基づいてレーザー光線照射手段を制御する制御手段１０とを具備し、制御手段は送り量検出手段からの信号に基づいて所定加工送り量毎に該レーザー光線照射手段に照射信号を出力する。【選択図】          図１
2006159254.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を相対的に加工送りする加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該チャックテーブルの加工送り量を検出する送り量検出手段と、該送り量検出手段からの検出信号に基づいて該レーザー光線照射手段を制御する制御手段とを具備し、
該制御手段は、該送り量検出手段からの信号に基づいて所定加工送り量毎に該レーザー光線照射手段に照射信号を出力する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項２】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を相対的に加工送りする加工送り手段とを具備し、該加工送り手段は該チャックテーブルを加工送りする際に、加工送り開始位置から第１の所定送り量に達するまでの間に所定の加工送り速度に達するように加速度制御し、該第１の所定送り量から第２の所定送り量までは該所定の加工送り速度で等速度制御し、該第２の所定送り量から加工送り終了位置の間に加工送り速度がゼロになるように減速度制御する、レーザー加工装置において、
該チャックテーブルの加工送り量を検出する送り量検出手段と、該送り量検出手段からの検出信号に基づいて該レーザー光線照射手段を制御する制御手段とを具備し、
該制御手段は、該加工送り手段による該チャックテーブルの該加工送り開始位置から該加工送り終了位置のまでの加工送り量に対する加工送り速度に対応したレーザー光線の加工条件を設定した制御マップを格納する記憶手段を備えており、該送り量検出手段からの信号に基づいて該制御マップで設定された加工条件の照射信号を該レーザー加工手段に出力する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項３】
該制御マップは、該加工送り手段による該チャックテーブルの該加工送り開始位置から該加工送り終了位置のまでの加工送り量に対する加工送り速度に対応したレーザー光線の繰り返し周波数を設定した周波数制御マップである、請求項２記載のレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物に形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射するレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えたスピンドルユニットを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。
【０００４】
しかるに、サファイヤ基板、炭化珪素基板等はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。更に、切削ブレードは２０μｍ程度の厚さを有するため、デバイスを区画する分割予定ラインとしては幅が５０μｍ程度必要となる。このため、例えば大きさが３００μｍ×３００μｍ程度のデバイスの場合には、ストリートの占める面積比率が１４％にもなり、生産性が悪いという問題がある。
【０００５】
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【０００６】
上述したレーザー加工を施すレーザー加工装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、チャックテーブルとレーザー光線照射手段を相対的に加工送りする加工送り手段を具備している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したレーザー加工装置のチャックテーブルは、図１１に示す送り速度で加工送りされる。図１１において横軸はチャックテーブルの加工送り量、縦軸はチャックテーブルの加工送り速度を示す。図１１に示すようにチャックテーブルは、加工送り開始位置（ｍ0）から加速して第１の加工送り位置（ｍ1）で所定の加工送り速度(V)に達する。そして、チャックテーブルは所定の加工送り速度(V)で移動し第２の加工送り位置(m2)に達したら、減速して加工送り終了位置(m3)で加工送り速度が零（０）となる。しかるに、被加工物の分割予定ラインに沿って均一なレーザー加工を施すためには、チャックテーブルの加工送り速度が等速度運動をしている状態でパルスレーザー光線を照射する必要がある。このため、チャックテーブルが所定の加工送り速度(V)で等速度運動している第１の加工送り位置（ｍ1）から第２の加工送り位置(m2)の間にパルスレーザー光線を照射している。従って、実際にレーザー加工している加工範囲は第１の加工送り位置（ｍ1）から第２の加工送り位置(m2)の間であって、チャックテーブルが加速度運動している加工送り開始位置（ｍ0）から第１の加工送り位置（ｍ1）の間、およびチャックテーブルが減速度運動している第２の加工送り位置(m2)から加工送り終了位置(m3)の間においてはレーザー加工を行わない無効ストロークとなるため、生産性が低いとともに、チャックテーブルの移動ストロークが長くなり装置の小型化を阻害する要因となっている。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、チャックテーブルの加工送り開始位置から加工送り終了位置までの全区間に渡って被加工物にパルスレーザー光線を照射して均一な加工を施すことができるレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を相対的に加工送りする加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該チャックテーブルの加工送り量を検出する送り量検出手段と、該送り量検出手段からの検出信号に基づいて該レーザー光線照射手段を制御する制御手段とを具備し、
該制御手段は、該送り量検出手段からの信号に基づいて所定加工送り量毎に該レーザー光線照射手段に照射信号を出力する、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
【００１０】
また、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を相対的に加工送りする加工送り手段とを具備し、該加工送り手段は該チャックテーブルを加工送りする際に、加工送り開始位置から第１の所定送り量に達するまでの間に所定の加工送り速度に達するように加速度制御し、該第１の所定送り量から第２の所定送り量までは該所定の加工送り速度で等速度制御し、該第２の所定送り量から加工送り終了位置の間に加工送り速度がゼロになるように減速度制御する、レーザー加工装置において、
該チャックテーブルの加工送り量を検出する送り量検出手段と、該送り量検出手段からの検出信号に基づいて該レーザー光線照射手段を制御する制御手段とを具備し、
該制御手段は、該加工送り手段による該チャックテーブルの該加工送り開始位置から該加工送り終了位置のまでの加工送り量に対する加工送り速度に対応したレーザー光線の加工条件を設定した制御マップを格納する記憶手段を備えており、該送り量検出手段からの信号に基づいて該制御マップで設定された加工条件の照射信号を該レーザー加工手段に出力する、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
【００１１】
上記制御マップは、加工送り手段によるチャックテーブルの加工送り開始位置から加工送り終了位置のまでの加工送り量に対する加工送り速度に対応したレーザー光線の繰り返し周波数を設定した周波数制御マップである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルが所定加工送り量送られる毎にレーザー光線照射手段からパルスレーザー光線が照射されるので、チャックテーブルの加工送り速度が一定でない加速度運動領域および減速度運動領域においても、被加工物に等間隔でパルスレーザー光線が照射されることになり、加工送り開始位置から加工送り終了位置まで均一な加工が施される。従って、加工送り開始位置から加工送り終了位置までが加工範囲となり、チャックテーブルの無効ストロークがないため、加工時間を短縮することができるとともに、装置全体の小形化が可能となる。
また、本発明においては、上記制御手段は上記加工送り手段によるチャックテーブルの加工送り開始位置から加工送り終了位置のまでの加工送り量に対する加工送り速度に対応したレーザー光線の加工条件を設定した制御マップを格納する記憶手段を備えており、上記送り量検出手段からの信号に基づいて制御マップで設定された加工条件の照射信号をレーザー加工手段に出力するので、チャックテーブルの加工送り速度が一定でない加速度運動領域および減速度運動領域においても、被加工物に加工送り速度に対応した加工条件のパルスレーザー光線が照射されることになり、加工送り開始位置から加工送り終了位置まで均一な加工が施される。従って、加工送り開始位置から加工送り終了位置までが加工範囲となり、チャックテーブルの無効ストロークがないため、加工時間を短縮することができるとともに、装置全体の小形化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１４】
図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向と直角な矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。
【００１５】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。
【００１６】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられる。
【００１７】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記チャックテーブル３６の加工送り量を検出するための送り量検出手段３７４を備えている。送り量検出手段３７４は、案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７４aと、第１の滑動ブロック３２に配設され第１の滑動ブロック３２とともにリニアスケール３７４aに沿って移動する読み取りヘッド３７４bとからなっている。この送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bは、図示に実施形態においては０．1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出する。なお、上記加工送り手段３７の駆動源としてパルスモータ３７２を用いた場合には、パルスモータ３７２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出することができる。また、上記加工送り手段３７の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出することができる。
【００１８】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
【００１９】
上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための第２の割り出し送り手段４３を具備している。第２の割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ねじロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
【００２０】
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。
【００２１】
図示のレーザー光線照射手段５２は、上記ユニットホルダ５１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図２に示すようにパルスレーザー光線発振手段５２２と伝送光学系５２３とが配設されている。パルスレーザー光線発振手段５２２は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器５２２ａと、これに付設された繰り返し周波数調整手段５２２ｂとから構成されている。この繰り返し周波数調整手段５２２ｂは、後述する制御手段からの制御信号に基づいてパルスレーザー光線発振器５２２ａから発振される繰り返し周波数を調整する。伝送光学系５２３は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。上記ケーシング５２１の先端部には、それ自体は周知の形態でよい組レンズから構成される集光レンズ（図示せず）を収容した集光器５２４が装着されている。
【００２２】
上記パルスレーザー光線発振手段５２２から発振されたレーザー光線は、伝送光学系５２３を介して集光器５２４に至り、集光器５２４から上記チャックテーブル３６に保持される被加工物に所定の集光スポット径Ｄで照射される。この集光スポット径Ｄは、図３に示すようにガウス分布を示すパルスレーザー光線が集光器５２４の対物レンズ５２４ａを通して照射される場合、Ｄ（μｍ）＝４×λ×ｆ／（π×Ｗ）、ここでλはパルスレーザー光線の波長（μｍ）、Ｗは対物レンズ５２４ａに入射されるパルスレーザー光線の直径（ｍｍ）、ｆは対物レンズ５２４ａの焦点距離（ｍｍ）、で規定される。
【００２３】
図１に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の前端部には、撮像手段６が配設されている。この撮像手段６は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２４】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動させるための移動手段５３を具備している。移動手段５３は、一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザビーム照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ５３２を正転駆動することによりレーザビーム照射手段５２を上方に移動し、パルスモータ５３２を逆転駆動することによりレーザビーム照射手段５２を下方に移動するようになっている。
【００２５】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、制御手段１０を具備している。制御手段１０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）１０１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）１０２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３と、カウンター１０４と、入力インターフェース１０５および出力インターフェース１０６とを備えている。制御手段１０の入力インターフェース１０４には、上記送り量検出手段３７４および撮像手段６等からの検出信号が入力される。そして、制御手段１０の出力インターフェース１０５からは、上記パルスモータ３７２、パルスモータ３８２、パルスモータ４３２、パルスモータ５３２、レーザー光線照射手段５２等に制御信号を出力する。
【００２６】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図４にはレーザー加工される被加工物としての半導体ウエーハ２０の斜視図が示されている。図４に示すは、シリコンウエーハからなっており、その表面２０ａに格子状に配列された複数の分割予定ライン２０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路２０２が形成されている。
【００２７】
上述したレーザー加工装置を用い、上記半導体ウエーハ２０の分割予定ライン２０１に沿ってレーザー光線を照射し、半導体ウエーハ２０の内部に分割予定ライン２０１に沿って変質層を形成するレーザー加工の第１の実施形態について説明する。
先ず上述した図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル３６上に半導体ウエーハ２０を裏面２０ｂを上にして載置し、該チャックテーブル３６上に半導体ウエーハ２０を吸引保持する。半導体ウエーハ２０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７によって撮像手段６の直下に位置付けられる。
【００２８】
チャックテーブル３６が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６および制御手段１０によって半導体ウエーハ２０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６および制御手段１０は、半導体ウエーハ２０の所定方向に形成されている分割予定ライン２０１と、該分割予定ライン２０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２０に形成されている所定方向と直交する方向に形成されている分割予定ライン２０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ２０の分割予定ライン２０１が形成されている表面２０ａは下側に位置しているが、撮像手段２３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２０ｂから透かして分割予定ライン２０１を撮像することができる。
【００２９】
上述したようにアライメントが行われると、チャックテーブル３６上の半導体ウエーハ２０は、図５の（ａ）に示す座標位置に位置付けられた状態となる。なお、図５の（ｂ）はチャックテーブル３６即ち半導体ウエーハ２０を図５の（ａ）に示す状態から９０度回転した状態を示している。
【００３０】
上述したようにチャックテーブル３６上に保持されている半導体ウエーハ２０に形成されている分割予定ライン２０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル３６を移動して所定方向（図５の（ａ）において左右方向）に延びる図５の（ａ）において最上位の分割予定ライン２０１を撮像手段６の直下に位置付ける。そして、更に図６で示すように上記分割予定ライン２０１の一端（図６において左端）を撮像手段６の直下に位置付ける。この状態で撮像手段６が分割予定ライン２０１の一端（図６において左端）を検出したならばその座標値（図５の（ａ）においてＡ１）を加工送り開始位置座標値として制御手段１０に送る。次に、チャックテーブル３６を矢印X1で示す方向に移動し、分割予定ライン２０１の他端（図６において右端）を撮像手段６の直下に位置付ける。そして、撮像手段６は分割予定ライン２０１の他端を検出し、その座標値（図５の（ａ）においてＢ１）を加工送り終了位置座標値として制御手段１０に送る。制御手段１０は、入力した分割予定ライン２０１の加工送り開始位置座標値（Ａ１）と加工送り終了位置座標値（Ｂ１）をランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３に一時格納する（分割予定ライン検出工程）。従って、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３は撮像手段６によって検出された分割予定ラインの加工送り開始位置座標値と加工送り終了位置座標値を記憶する記憶手段として機能する。
【００３１】
このようにして図５の（ａ）において最上位の分割予定ライン２０１の加工送り開始位置座標値と加工送り終了位置座標値を検出したならば、チャックテーブル３６を分割予定ライン２０１の間隔だけ矢印Ｙで示す方向に割り出し送りして、図５の（ａ）において最上位から２番目の分割予定ライン２０１を撮像手段６の直下に位置付ける。そして、この最上位から２番目の分割予定ライン２０１に対して上述した分割予定ライン検出工程を実施して、最上位から２番目の分割予定ライン２０１の加工送り開始位置座標値（Ａ２）と加工送り終了位置座標値（Ｂ２）を検出し、これをランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３に一時格納する。以後、上述した割り出し送りと分割予定ライン検出工程を図５の（ａ）において最下位の切断予定ライン２０１まで繰り返し実行し、分割予定ライン２０１の加工送り開始位置座標値（Ａ３〜Ａｎ）と加工送り終了位置座標値（Ｂ３〜Ｂｎ）を検出して、これをランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３に一時格納する。
【００３２】
上述したように所定方向に延びる分割予定ライン２０１に対して分割予定ライン検出工程を実施したならば、チャックテーブル３６従って半導体ウエーハ２０を９０度回動して、図５の（ｂ）に示す状態に位置付ける。次に、上述した所定方向に延びる分割予定ライン２０１と直角な方向（図５の（ｂ）において左右方向）に延びる分割予定ライン２０１に対して上述した分割予定ライン検出工程を実施し、各分割予定ライン２０１の加工送り開始位置座標値（Ｃ１〜Ｃｎ）と加工送り終了位置座標値（Ｄ１〜Ｄｎ）を検出して、これをランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３に一時格納する。なお、半導体ウエーハ２０に形成された所定方向に延びる分割予定ライン２０１に対する加工送り開始位置座標値（Ａ１〜Ａｎ）と加工送り終了位置座標値（Ｂ１〜Ｂｎ）および所定方向と直角な方向の分割予定ライン２０１に対する加工送り開始位置座標値（Ｃ１〜Ｃｎ）と加工送り終了位置座標値（Ｄ１〜Ｄｎ）は、半導体ウエーハ２０の設計値を予めリードオンリメモリ（ＲＯＭ）１０２またはランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３に格納しておき、上述した分割予定ライン検出工程を省略することが好ましい。
【００３３】
次に、半導体ウエーハ２０に形成された切断予定ライン２０１に沿ってパルスレーザー光線を照射する変質層形成工程を実施する。
変質層形成工程は、先ずチャックテーブル３６を移動して図５の（ａ）において最上位の分割予定ライン２０１をレーザー光線照射手段５２の集光器５２４の直下に位置付ける。そして、更に図７の（ａ）で示すように分割予定ライン２０１の一端（図７の（ａ）において左端）である加工送り開始位置座標値（Ａ１）（図５の（ａ）参照）を集光器５２４の直下に位置付ける。そして、集光器５２４から被加工物である半導体ウエーハ２０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６即ち半導体ウエーハ２０を図７の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に加工送りする。そして、図７の（ｂ）で示すように分割予定ライン２０１の他端（図７の（ａ）において右端）即ち加工送り終了位置座標値（Ｂ１）がレーザー光線照射手段５２の集光器５２４の照射位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６即ち半導体ウエーハ２０の加工送りを停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを例えば半導体ウエーハ２０の表面２０ａ（下面）付近に合わせる。この結果、半導体ウエーハ２０の表面２０ａ（下面）に露出するとともに表面２０ａから内部に向けて変質層２１０が形成される。この変質層２１０は、溶融再固化層として形成され、強度を低下せしめられる。
【００３４】
上述した変質層形成工程においては、チャックテーブル３６即ち半導体ウエーハ２０の加工送り速度は図８に示すように変化する。図８は上記図１１と対応するもので、横軸はチャックテーブルの加工送り量、縦軸はチャックテーブルの加工送り速度を示す。図８に示すようにチャックテーブルは、加工送り開始位置（ｍ0）から加速して第１の加工送り位置（ｍ1）で所定の加工送り速度(V)に達する。そして、チャックテーブルは所定の加工送り速度(V)で移動し第２の加工送り位置(m2)に達したら、減速して加工送り終了位置(m3)で加工送り速度が零（０）となる。なお、加工送り開始位置（ｍ0）から加工送り終了位置(m3)までの加工送り量は、半導体ウエーハ２０に形成された所定方向に延びる切断予定ライン２０１の加工送り開始位置座標値（Ａ１〜Ａｎ）から加工送り終了位置座標値（Ｂ１〜Ｂｎ）までの距離および所定方向と直角な方向の分割予定ライン２０１の加工送り開始位置座標値（Ｃ１〜Ｃｎ）から加工送り終了位置座標値（Ｄ１〜Ｄｎ）までの距離によって異なる。しかしながら、加工送り開始位置（ｍ0）から第１の加工送り位置（ｍ1）までの長さは等加速度運動であるため分割予定ラインの長さに関係なく一定であり、また、第２の加工送り位置(m2)から加工送り終了位置(m3)までの長さも等加減速運動であるため分割予定ラインの長さに関係なく一定である。従って、分割予定ラインの長さによって変化する範囲は第１の加工送り位置（ｍ1）から第２の加工送り位置(m2)までの間の長さとなる。
【００３５】
図８に示すように、チャックテーブルが加速度運動している加工送り開始位置（ｍ0）から第１の加工送り位置（ｍ1）までの間、および減速度運動している第２の加工送り位置(m2)から加工送り終了位置(m3)までの間は、等速度運動する第１の加工送り位置（ｍ1）から第２の加工送り位置(m2)間の所定加工速度より遅い。従って、第１の加工送り位置（ｍ1）から第２の加工送り位置(m2)間の所定加工速度に対応してパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定すると、上記加速度運動領域および減速度運動領域においてはレーザー光線の照射パルスが過剰となる。
【００３６】
そこで、本発明の第１の実施形態においては、チャックテーブル３６即ち半導体ウエーハ２０の加工送り量が所定送り量となる毎に１パルスのレーザー光線を照射する。即ち、制御手段１０は、上記送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bの検出信号であるパルス信号を入力している。そして、制御手段１０は入力したパルスをカウンター１０４によってカウントし、そのパルス数が例えば１０パルスに達したら、レーザー光線照射手段５２に照射信号を出力する。従って、図示の実施形態においては、読み取りヘッド３７４bは０．1μm毎に１パルスのパルス信号を出力するので、チャックテーブル３６即ち半導体ウエーハ２０が１μm加工送りされる毎に１パルスのレーザー光線が半導体ウエーハ２０の分割予定ライン２０１に沿って照射される。この結果、チャックテーブル３６従って半導体ウエーハ２０の加工送り速度が一定でない上記加工送り開始位置（ｍ0）から第１の加工送り位置（ｍ1）までの加速度運動領域および第２の加工送り位置(m2)から加工送り終了位置(m3)までの減速度運動領域においても、半導体ウエーハ２０には分割予定ライン２０１に沿って等間隔でパルスレーザー光線が照射されることになり、加工送り開始位置から加工送り終了位置まで均一な加工が施される。従って、本実施形態においては、加工送り開始位置（ｍ0）から加工送り終了位置(m3)までの全てが加工範囲となり、チャックテーブル３６従って半導体ウエーハ２０の無効ストロークがないため、加工時間を短縮することができるとともに、装置全体の小形化が可能となる。
【００３７】
また、上記加工送り手段３７の駆動源としてパルスモータ３７２を用いた場合には、パルスモータ３７２に駆動信号を出力する制御手段１０の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出し、チャックテーブル３６即ち半導体ウエーハ２０の加工送り量が所定送り量となる毎に１パルスのレーザー光線を照射するようにしてもよい。即ち、図示の実施形態においては、加工送り手段３７はパルスモータ３７２に印可される駆動パルスが１パルスにつきチャックテーブル３６を０．１μm移動するようになっている。従って、制御手段１０は、所定加工送り速度（V）が１００mm／秒の場合には、パルスモータ３７２に対して駆動パルスを１秒間に１００万パルス出力する。そして、制御装置１０は、パルスモータ３７２に出力した駆動パルスをカウンター１０４によってカウントし、そのパルス数が１０パルスに達したらレーザー光線照射手段５２に照射信号を出力する。従って、チャックテーブル３６即ち半導体ウエーハ２０が１μm加工送りされる毎に１パルスのレーザー光線が半導体ウエーハ２０の分割予定ライン２０１に沿って照射される。
【００３８】
上記変質層形成加工における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４スレーザー
波長                    ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
エネルギー              ：３(J／秒)
集光スポット径          ：φ１μｍ
加工送り速度            ：第１の移動位置（ｍ1）から第２の移動位置(m2)までの間
は１００ｍｍ／秒
【００３９】
なお、半導体ウエーハ２０の厚さが厚い場合には、上記集光点Ｐを段階的に変えて上述した変質層形成加工を複数回実行することにより、複数の変質層２１０を形成する。なお、変質層２１０は、表面２０ａおよび裏面２０ｂに露出しないように内部だけに形成してもよい。
【００４０】
上述した変質層形成工程を半導体ウエーハ２０の所定方向に形成されている全ての分割予定ライン２０１に沿って実施する。次に、チャックテーブル３６即ち半導体ウエーハ２０を９０度回動し、半導体ウエーハ２０の所定方向に形成されている上記分割予定ライン２０１と直角に延びる分割予定ライン２０１に沿って上述した変質層形成工程を実施する。
【００４１】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
第２の実施形態においては、図７に示すように加工送り手段３７によるチャックテーブル３６の加工送り開始位置から加工送り終了位置のまでの加工送り量に対する加工送り速度から加工送り量に対応するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定した例えば図９に示す周波数制御マップを予め用意する。図９において、横軸はチャックテーブルの加工送り量、縦軸は加工送り量に対応したパルスレーザー光線の繰り返し周波数を示す。図９に示す周波数制御マップにおいては、第１の加工送り位置（ｍ1）から第２の加工送り位置(m2)までは例えば１００ｍｍ／秒の加工送り速度で等速度運動し、この間におけるパルスレーザー光線の繰り返し周波数(F)は例えば１００kHzに設定されている。そして、加工送り開始位置（ｍ0）から第１の加工送り位置（ｍ1）までの加速度運動領域および第２の加工送り位置(m2)から加工送り終了位置(m3)までの減速度運動領域に対応するパルスレーザー光線の繰り返し周波数は、次のように設定される。
【００４２】
チャックテーブル３６が加工送り開始位置（ｍ0）から第１の加工送り位置（ｍ1）までの等加速度運動をA(mm／s2)、第１の加工送り位置（ｍ1）から第２の加工送り位置(m2)までの等速度運動をV(mm／s)、加工送り開始位置（ｍ0）から第１の加工送り位置（ｍ1）までに要する時間即ちチャックテーブルの移動速度が０(mm／s)からV(mm／s)に達するまでの時間をｔ、第１の加工送り位置（ｍ1）から第２の加工送り位置(m2)までの等速度運動領域におけるパルスレーザー光線の繰り返し周波数をF(Hz)とすると、加工送り開始位置（ｍ0）から第１の加工送り位置（ｍ1）までの加速度運動領域におけるパルスレーザー光線の繰り返し周波数f(Hz)は、f(Hz)＝（F×A×t）／Vで求める。また、第２の加工送り位置(m2)から加工送り終了位置(m3) までの等減速度運動をB(m／s2)、第２の加工送り位置(m2)から加工送り終了位置(m3)にまでに要する時間即ちチャックテーブルの移動速度がV(mm)から０(mm／s)に達するまでの時間をｔとすると、第２の移動位置(m2)から移動終了位置(m3) までの等減速度運動量域におけるパルスレーザー光線の周波数f(Hz)は、f(Hz)＝（F×B×t）／Vで求める。
【００４３】
上述したように作成された加工条件を設定した制御マップとしての周波数制御マップは、制御手段１０のリードオンリメモリ（ＲＯＭ）１０２またはランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３に格納される。そして、制御手段１０は、上述した変質層形成工程において周波数制御マップに基づいてレーザー光線照射手段５２におけるパルスレーザー光線発振手段５２２の繰り返し周波数調整手段５２２ｂを制御する。
即ち、上述した変質層形成工程において制御手段１０は、送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bの検出信号であるパルス信号（または、加工送り手段３７の駆動源がパルスモータ３７２の場合には駆動パルス信号、加工送り手段３７の駆動源がサーボモータである場合にはロータリーエンコーダからのパルス信号）に基づいて上述したようにチャックテーブル３６従って半導体ウエーハ２０の加工送り量を把握している。そして、制御手段１０は、チャックテーブル３６従って半導体ウエーハ２０が加工送り開始位置（ｍ0）から第１の加工送り位置（ｍ1）まで移動する間は図９に示す等加速度で加速された速度に対応した繰り返し周波数のパルスレーザー光線を発生するようにパルスレーザー光線発振手段５２２の繰り返し周波数調整手段５２２ｂを制御する。チャックテーブル３６従って半導体ウエーハ２０が第１の加工送り位置（ｍ1）に達したら、制御手段１０は第１の加工送り位置（ｍ1）から第２の加工送り位置(m2)までの等速度運動領域においては予め設定された１００kHzのパルスレーザー光線を発生するようにパルスレーザー光線発振手段５２２の繰り返し周波数調整手段５２２ｂを制御する。そして、チャックテーブル３６従って半導体ウエーハ２０が第２の加工送り位置(m2) に達したら、制御手段１０は第２の加工送り位置(m2)から加工送り終了位置(m3) まで移動する間は図９に示す等減速度で減速された速度に対応した周波数のパルスレーザー光線を発生するようにパルスレーザー光線発振手段５２２の繰り返し周波数調整手段５２２ｂを制御する。
【００４４】
このように、本発明の第２の実施形態においてはチャックテーブル３６の加工送り開始位置から加工送り終了位置のまでの加工送り量に対する加工送り速度から加工送り量に対応するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定した周波数制御マップに基づいて、パルスレーザー光線の繰り返し周波数が制御されるので、半導体ウエーハ２０には分割予定ライン２０１および２１１に沿って等間隔でパルスレーザー光線が照射されることになり、加工送り開始位置から加工送り終了位置まで均一な加工が施される。従って、第２の実施形態においても、加工送り開始位置（ｍ0）から加工送り終了位置(m3)までが加工範囲となり、チャックテーブル３６従って半導体ウエーハ２０の無効ストロークがないため、加工時間を短縮することができるとともに、装置全体の小形化が可能となる。
【００４５】
上述した第１の実施形態および第２の実施形態においては、チャックテーブルの加工送り速度に対応してパルスレーザー光線のパルス数を制御する例を示したが、半導体ウエーハに形成された分割予定ラインに沿って単位距離当たりに照射するパルスレーザー光線のエネルギーを均一にするようにしてもよい。即ち、図１０はチャックテーブル３６の加工送り開始位置から加工送り終了位置のまでの加工送り量に対する加工送り速度に対応したパルスレーザー光線のエネルギーを加工条件として設定した制御マップであるエネルギー制御マップを示す。図１０において、横軸はチャックテーブルの加工送り量、縦軸は加工送り量に対応したパルスレーザー光線のエネルギーを示す。図１０に示すエネルギー制御マップにおいては、第１の加工送り位置（ｍ1）から第２の加工送り位置(m2)までは例えば１００ｍｍ／秒の加工送り速度で等速度運動し、この間におけるパルスレーザー光線のエネルギー(P)は例えば３(J／秒)に設定されている。そして、加工送り開始位置（ｍ0）から第１の加工送り位置（ｍ1）までの加速度運動領域および第２の加工送り位置(m2)から加工送り終了位置(m3)までの減速度運動領域に対応するパルスレーザー光線のエネルギーは、次のように設定される。
【００４６】
チャックテーブルが加工送り開始位置（ｍ0）から第１の加工送り位置（ｍ1）までの等加速度運動をA(mm／s2)、第１の加工送り位置（ｍ1）から第２の加工送り位置(m2)までの等速度運動をV(mm／s)、加工送り開始位置（ｍ0）から第１の加工送り位置（ｍ1）までに要する時間即ちチャックテーブルの加工送り速度が０(mm／s)からV(mm／s)に達するまでの時間をｔ、第１の加工送り位置（ｍ1）から第２の加工送り位置(m2) までの等速度運動量域におけるパルスレーザー光線のエネルギーをP(Ｊ／秒)とすると、加工送り開始位置（ｍ0）から第１の移動位置（ｍ1）までの加速度運動領域におけるパルスレーザー光線のエネルギーp(Ｊ／秒)は、p(Ｊ／秒)＝（P×A×t）／Vで求める。また、第２の移動位置(m2)から移動終了位置(m3) までの等減速度運動をB(m／s2)、第２の移動位置(m2)から移動終了位置(m3)にまでに要する時間即ちチャックテーブルの加工送り速度がV(mm)から０(mm／s)に達するまでの時間をｔとすると、第２の加工送り位置(m2)から加工送り終了位置(m3) までの等減速度運動領域におけるパルスレーザー光線のエネルギーをP(Ｊ／秒)とすると、第２の移動位置(m2)から加工送り終了位置(m3) までの等減速度運動領域におけるパルスレーザー光線のエネルギーをp(Ｊ／秒)は、p(Ｊ／秒)＝（P×B×t）／Vで求める。
【００４７】
上述したように作成されたエネルギー制御マップは、制御手段１０のリードオンリメモリ（ＲＯＭ）１０２またはランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３に格納される。そして、制御手段１０は、上述した変質層形成工程においてエネルギー制御マップに基づいてレーザー光線照射手段５２におけるパルスレーザー光線発振手段５２２を制御する。
即ち、上述した変質層形成工程において制御手段１０は、送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bの検出信号であるパルス信号（または、加工送り手段３７の駆動源がパルスモータ３７２の場合には駆動パルス信号、加工送り手段３７の駆動源がサーボモータである場合にはロータリーエンコーダからのパルス信号）に基づいて上述したようにチャックテーブル３６従って半導体ウエーハ２０の加工送り量を把握している。そして、制御手段１０は、チャックテーブル３６従って半導体ウエーハ２０が加工送り開始位置（ｍ0）から第１の加工送り位置（ｍ1）まで移動する間は図１０に示す等加速度で加速された速度に対応したエネルギーのパルスレーザー光線を発生するようにパルスレーザー光線発振手段５２２を制御する。チャックテーブル３６従って半導体ウエーハ２０が第１の加工送り位置（ｍ1）に達したら、制御手段１０は第１の加工送り位置（ｍ1）から第２の加工送り位置(m2)までの等速度運動量域においては予め設定された３(Ｊ／秒)のパルスレーザー光線を発生するようにパルスレーザー光線発振手段５２２を制御する。そして、チャックテーブル３６従って半導体ウエーハ２０が第２の加工送り位置(m2) に達したら、制御手段１０は第２の加工送り位置(m2)から加工送り終了位置(m3) まで移動する間は図１０に示す等減速度で減速された速度に対応したエネルギーのパルスレーザー光線を発生するようにパルスレーザー光線発振手段５２２を制御する。
【００４８】
このように、図１０に示すエネルギー制御マップを用いた実施形態においては、チャックテーブル３６の加工送り開始位置から加工送り終了位置のまでの加工送り量に対する加工送り速度から加工送り量に対応するパルスレーザー光線のエネルギーが制御されるので、半導体ウエーハ２０には分割予定ライン２０１に沿って単位距離当たりに照射されるパルスレーザー光線のエネルギーが加工送り開始位置から加工送り終了位置まで均一となる。従って、この実施形態においても、加工送り開始位置（ｍ0）から加工送り終了位置(m3)までが加工範囲となり、チャックテーブル３６従って半導体ウエーハ２０の無効ストロークがないため、加工時間を短縮することができるとともに、装置全体の小形化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザビーム加工手段の構成を簡略に示すブロック図。
【図３】図２に示すレーザビーム加工手段から照射されるレーザー光線の集光スポット径を説明するための簡略図。
【図４】被加工物としての半導体ウエーハの斜視図。
【図５】図４に示す半導体ウエーハが図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブルの所定位置に保持された状態における座標との関係を示す説明図。
【図６】図１に示すレーザー加工装置によって実施する分割予定ライン検出工程の説明図。
【図７】図１に示すレーザー加工装置によって実施するレーザー光線照射工程の説明図。
【図８】図１に示すレーザー加工装置に装備されるチャックテーブルの加工送り量と加工送り速度と加工範囲の関係を示す説明図。
【図９】図１に示すレーザー加工装置に装備される制御手段に格納される周波数制御マップを示す説明図。
【図１０】図１に示すレーザー加工装置に装備される制御手段に格納されるエネルギー制御マップを示す説明図。
【図１１】図１に示すレーザー加工装置に装備されるチャックテーブルの加工送り量と加工送り速度と従来の加工方法における加工範囲の関係を示す説明図。
【符号の説明】
【００５０】
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３１：案内レール
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３７４：送り量検出手段
３８：第１の割り出し送り手段 
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４１：案内レール
４２：可動支持基台
４３：第２の割り出し送り手段 
５：レーザー光線照射ユニット
５１：ユニットホルダ
５２：レーザー光線加工手段
５２２：レーザー光線発振手段
５２３：レーザー光線変調手段
５２４：集光器
６：撮像手段
１０：制御手段
２０：半導体ウエーハ
２０１：分割予定ライン
２０２：回路
【図１】
2006159254.tif 000003
【図２】
2006159254.tif 000004
【図３】
2006159254.tif 000005
【図４】
2006159254.tif 000006
【図５】
2006159254.tif 000007
【図６】
2006159254.tif 000008
【図７】
2006159254.tif 000009
【図８】
2006159254.tif 000010
【図９】
2006159254.tif 000011
【図１０】
2006159254.tif 000012
【図１１】
2006159254.tif 000013