(57)【要約】【課題】基板表面における自然酸化膜形成を防止し、且つ高スループット化が可能な基板処理システムを提供する。【解決手段】基板処理システム１は、基板処理装置１０、ホストコンピュータ１２及び通信回線１４とを有する。基板処理装置１０は、コントローラ１６を有し、通信回線１４を介してホストコンピュータ１２と通信を行う。基板処理装置１０は、投入済みロットの基板処理を開始したタイミングで前処理ロットの払い出し完了までの時間及び、後処理ロットの基板処理開始可能までの時間を算出し、後処理ロットの基板処理開始可能までの時間の算出結果を後処理ロットの基板処理開始可能指示イベントとして送信する。ホストコンピュータ１２は、後処理ロットの基板処理開始可能指示イベントを受信し、後処理ロットの一連工程への投入待ち時間を算出し、後処理ロットの投入待ち時間が経過した後、後処理ロットの一連工程への投入開始を指示する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数ロットの基板を連続して処理する基板処理工程を含む基板処理装置がホストコンピュータと通信手段より接続される基板処理システムにおいて、
前記基板処理装置内のコントローラが、後処理ロットの基板処理開始時間までの時間を算出し、前記ホストコンピュータへこの時間を基板処理開始可能指示イベントとして送信し、
前記ホストコンピュータは受信した基板処理開始可能指示イベント内の前記時間を基に前記基板処理工程の前工程の基板処理装置に対し、該基板処理装置における基板処理開始時間を通知することを特徴とする基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハやガラス基板等の基板を処理する基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のロット（複数の基板のまとまり）において前洗浄処理を行い、基板を洗浄後、基板処理をおこなう基板処理システムが知られている。この種の基板処理システムにおいてロット処理を行う場合、先に基板処理されたロット（前処理ロット）を払い出したタイミングで、一連の工程（前洗浄処理、基板処理）に対して新たなロット（後処理ロット）の投入を開始し、順次基板処理を行っていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、図１０に示すように、前洗浄処理時間が２ロット目（投入済みロット）の基板の基板処理時間の残時間より長い場合、２ロット目の基板処理完了までに３ロット目（後処理ロット）が基板処理装置に投入されないため、基板を連続且つ同時並行に処理することができない時間が発生し、スループットが低下することがあった。また、後処理ロットが前洗浄処理後すぐに基板処理工程における基板処理装置に投入されない場合は、基板が大気雰囲気に滞留し、自然酸化膜が基板表面に形成されるおそれがある。
【０００４】
本発明の目的は、上述した従来の問題点を解消し、基板表面における自然酸化膜形成を防止し、且つ高スループット化が可能な基板処理システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の特徴とするところは、複数ロットの基板を連続して処理する基板処理工程を含む基板処理装置がホストコンピュータと通信手段より接続される基板処理システムにおいて、前記基板処理装置内のコントローラが、後処理ロットの基板処理開始時間までの時間を算出し、前記ホストコンピュータへこの時間を基板処理開始可能指示イベントとして送信し、前記ホストコンピュータは受信した基板処理開始可能指示イベント内の前記時間を基に前記基板処理工程の前工程の基板処理装置に対し、該基板処理装置における基板処理開始時間を通知する基板処理システムにある。
【０００６】
好適には、複数ロットの基板を連続して処理する基板処理工程を含む基板処理装置がホストコンピュータと通信手段より接続される基板処理システムの制御方法は、前記基板処理装置内のコントローラが、後処理ロットの基板処理開始時間までの時間を算出するステップと、前記ホストコンピュータへこの時間を基板処理開始指示イベントとして送信するステップと、前記ホストコンピュータは受信した基板処理開始可能指示イベント内の前記時間を基に基板処理工程の前工程の基板処理装置に対し、該基板処理装置における基板処理開始時間を通知するステップとを有する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、一連の工程において処理される複数ロットの基板が大気中に滞留しないので、基板表面における自然酸化膜形成を防止し、且つ複数ロットの基板が連続して処理されるので、高スループット化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【０００９】
図１及び図２に於いて、本発明に係る基板処理システムにおける基板処理装置１０を説明する。
【００１０】
図１，図２に示した前後左右は、以下の説明における前後左右に対応する。
また、図１，図２はそれぞれ、基板処理装置１０を、図２，図１に示した矢印Ｙ，Ｘの方向から見たときの構成が示されている。
なお、基板処理装置１０においては、ウエハなどの基板を収容する基板収納容器としては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod；ポッド）が使用される。
【００１１】
図１および図２に示されているように、基板処理装置１０は、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードチャックチャンバ構造に構成された第一の搬送室１０３を備えており、第一の搬送室１０３の筐体１０１は、平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１０３には、負圧下でウエハ２００を移載する第一のウエハ移載機１１２が設置されている。前記第一のウエハ移載機１１２は、エレベータ１１５によって、第一の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降する。
【００１２】
筐体１０１の六枚の側壁のうち、前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室１２２と搬出用の予備室１２３とがそれぞれゲートバルブ２４４，１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードチャックチャンバ構造に構成されている。さらに、予備室１２２には、搬入室用の基板置き台１４０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板置き台１４１が設置されている。
【００１３】
予備室１２２および予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第二の搬送室１２１には、ウエハ２００を移載する第二のウエハ移載機１２４が設置されている。第二のウエハ移載機１２４は、第二の搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６によって昇降されるように構成され、また、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動させられる。
【００１４】
図１に示すように、第二の搬送室１２１の左側にはオリフラ合わせ装置１０６が設置されている。また、図２に示すように、第二の搬送室１２１の上部には、クリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
【００１５】
図１，図２に示すように、第二の搬送室１２１の筐体１２５には、ウエハ２００を、第二の搬送室１２１に対して搬入および搬出するためのウエハ搬入搬出口１３４と、前記ウエハ搬入搬出口を閉塞する蓋１４２と、ポッドオープナ１０８とが設置されている。ポッドオープナ１０８は、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップおよび、ウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２をキャップ開閉機構１３６により開閉することにより、ポッド１００のウエハが出し入れ可能となる。また、ポッド１００は、工程内搬送装置（ＲＧＶ；図示せず）により、ＩＯステージ１０５に、供給および排出される。  
【００１６】
図１に示されているように、筐体１０１の六枚の側壁のうち背面側に位置する二枚の側壁には、ウエハに所望の処理を行う第一の処理炉２０２と、第二の処理炉１３７とが隣接して連結されている。第一の処理炉２０２および第二の処理炉１３７はいずれもコールドウオール式の処理炉によって構成される。また、筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第三の処理炉としての第一のクーリングユニット１３８および第二のクーリングユニット１３９とがそれぞれ連結される。第一のクーリングユニット１３８および第二のクーリングユニット１３９は、処理済みのウエハ２００を冷却する。
【００１７】
以下、図１，図２に示した基板処理装置１０による処理について説明する。
【００１８】
ウエハ２００は、例えば２５枚がポッド１００に収納された状態で、工程内搬送装置により、処理工程を行う基板処理装置１０へ搬送される。図１，図２に示すように、搬送されてきたポッド１００は、ＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を開閉する蓋１４２が、キャップ開閉機構１３６により取り外され、ポッド１００のウエハ出し入れ口が開放される。
【００１９】
ポッド１００が、ポッドオープナ１０８により開放されると、第二の搬送室１２１に設置された第二のウエハ移載機１２４は、ポッド１００からウエハ２００をピックアップし、予備室１２２に搬入し、ウエハ２００を基板置き台１４０に移載する。この移載作業の間、第一の搬送室１０３側のゲートバルブ１３１は閉じられており、第一の搬送室１０３の負圧は維持される。ウエハ２００の基板置き台１４０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２が、排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００２０】
予備室１２２が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ２４４，１３０が開かれ、予備室１２２、第一の搬送室１０３および第一の処理炉２０２が連通される。次に、第一の搬送室１０３の第一のウエハ移載機１１２は、基板置き台１４０から、ウエハ２００をピックアップして第一の処理炉２０２に搬入する。次に、第一の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理が、ウエハ２００に対して行われる。
【００２１】
第一の処理炉２０２で前記処理が完了すると、処理済みのウエハ２００は、第一の搬送室１０３の第一のウエハ移載機１１２により、第一の搬送室１０３に搬出される。
【００２２】
次に、第一のウエハ移載機１１２は第一の処理炉２０２から搬出したウエハ２００を第一のクーリングユニット１３８へ搬入し、処理済みのウエハを冷却する。
【００２３】
第一のクーリングユニット１３８にウエハ２００を移載すると、第一のウエハ移載機１１２は、予備室１２２の基板置き台１４０に、予め準備されたウエハ２００を上述したように第一の処理炉２０２に移載する。さらに、第一の処理炉内に処理ガスが供給され、所望の処理がウエハ２００に対して行われる。
【００２４】
第一のクーリングユニット１３８において、予め設定された冷却時間が経過すると、冷却済みのウエハ２００は、第一のウエハ移載機１１２により、第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出される。
【００２５】
冷却済みのウエハ２００が、第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出された後、ゲートバルブ１２７が開かれる。次に、第一のウエハ移載機が、第一のクーリングユニット１３８から搬出したウエハ２００を予備室１２３へ搬送し、基板置き台１４１に移載すると、予備室１２３は、ゲートバルブ１２７によって閉じられる。
【００２６】
予備室１２３がゲートバルブ１２７によって閉じられると、排出用予備室１２３内が不活性ガスにより、ほぼ大気圧に戻される。予備室１２３内がほぼ大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、第二の搬送室１２１の予備室１２３に対応したウエハ搬入搬出出口１３４を閉塞する蓋１４２と、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップとが、ポッドオープナ１０８によって開かれる。次に、第二の搬送室１２１の第二のウエハ移載機１２４は、基板置き台１４１からウエハ２００をピックアップして第二の搬送室１２１に搬出し、第二の搬送室１２１のウエハ搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納してゆく。
以上の動作が繰り返されることにより、基板処理装置１０により、ウエハが順次処理される。
【００２７】
処理済みの２５枚のウエハ２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップとウエハ搬入搬出口１３４とを閉塞する蓋１４２が、ポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００は、ＩＯステージ１０５の上から、次の工程へと、工程内搬送装置により搬送される。
なお、以上の説明においては、第一の処理炉２０２および第一のクーリングユニット１３８が使用される場合が具体例とされているが、第二の処理炉１３７および第二のクーリングユニット１３９が使用される場合も、同様の動作によりウエハに対する処理が行われる。
【００２８】
なお、基板処理装置１０では、予備室１２２を搬入用とし、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用とし、予備室１２２を搬出用としてもよい。また、第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７は、それぞれ同じ処理を行ってもよく、あるいは別の処理を行ってもよい。第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７とで別々の処理を行う場合には、例えば第一の処理炉２０２でウエハにある処理を行った後、続けて第二の処理炉１３７で、ウエハ２００に別の処理を行わせてもよい。また、第一の処理炉２０２でウエハ２００にある処理を行った後、第二の処理炉１３７で別の処理を行わせる場合、第一のクーリングユニット１３８（または第二のクーリングユニット１３９）を経由するようにしてもよい。
【００２９】
次に、上述した基板処理装置１０を含む基板処理システムについて説明する。
【００３０】
図３に示すように、基板処理システム１は、上述した基板処理装置１０、ホストコンピュータ１２及び通信手段としての通信回線１４を有する。基板処理装置１０は、この基板処理装置１０内にコントローラ１６を有する。このコントローラ１６は、通信回線１４を介してホストコンピュータ１２と通信を行う。
【００３１】
次に、本発明に係る一連の工程を簡単に説明する。
図４に示すように、基板は、ストッカから前工程の基板処理装置としての前洗浄処理装置１８に搬入されて、洗浄され（前洗浄処理工程）、基板処理装置１０に搬入され処理が行われる（基板処理工程）。このとき、基板が大気雰囲気に滞留すると、基板表面に自然酸化膜が形成されるおそれがあるため、前洗浄処理工程による洗浄後、直ちに基板処理工程における負圧雰囲気に入る。（以下、前洗浄処理工程および、前洗浄処理工程に続く基板処理工程を総称して一連工程という。）
また、この一連工程において、基板はロット単位で処理される。ここで、ロットとは、複数枚の基板のまとまりを示す。
【００３２】
次に、本発明に係る基板処理システムの第１の制御例について図５及び図６に基づいて詳細に説明する。
【００３３】
図５に基板処理システムの第１の制御例を示し、図６に各ロットにおけるタイムチャートを示す。
【００３４】
まず、予備室１４０（図１に示す）及び予備室１４１（図１に示す）にロットが存在しない状態で、１個目ロット（前処理ロット）及び２個目のロット（投入済みロット）を搬入する。このとき、１個目のロット（前処理ロット）は、例えば予備室１４０へ投入され、予備室１４０は負圧に排気される。２個目のロット（投入済みロット）は、例えば予備室１４１へ投入され、予備室１４１は負圧に排気される。このように予備室１４０内及び予備室１４１内のロットは負圧雰囲気で保持されるため基板表面に自然酸化膜が形成されることを防止できる。
【００３５】
図６に示すように、負圧雰囲気の予備室１４０から１個目のロット（前処理ロット）における複数枚の基板を処理炉へ搬送し、基板処理を行い、基板処理後、順次クーリングユニットにおいて基板を冷却する。冷却完了後、順次基板を予備室１４０へ戻す。このとき、ある基板においては基板処理中であり、またある基板おいては冷却中となり、１個目のロットの基板において基板処理中の基板と冷却中の基板とが存在する（図６：基板処理／冷却）。１個目のロットの全ての基板において基板処理が終了後、１個目のロットの基板の残りの一部が冷却される（図６：冷却）。２個目のロット（投入済みロット）における複数枚の基板は、１個目のロット（前処理ロット）の最終の基板処理に連続して基板処理を開始する。即ち、１個目のロットの基板と２個目のロットの基板は、処理炉において、基板処理が連続且つ同時平行に実施されることが可能である。
【００３６】
１個目のロット（前処理ロット）の全ての基板が冷却完了し、この全ての基板が予備室１４０に戻った後、予備室１４０がほぼ大気圧に戻され（図６：ＥＶ）、１個目のロット（前処理ロット）をポッド１００（図１に示す）へ払い出す（図６：払出）。
【００３７】
図５に示すように、基板処理装置１０のコントローラ１６は、投入済みロット（２個目のロット）の基板処理を開始したタイミングで前処理ロット（１個目のロット）の払い出し完了までの時間を算出する（図５，図６：Ａ）。さらに、コントローラ１６は、投入済みロット（２個目のロット）の基板枚数、処理炉における同時基板処理枚数、基板処理時間、クーリングユニットにおける同時基板冷却枚数及びクーリングユニットにおける基板冷却時間により、後処理ロット（３個目のロット）の基板処理開始可能までの時間を算出する（図５，図６：Ｂ）。  次に、基板処理装置１０のコントローラ１６よりホストコンピュータ１２へ通信回線１４を介して、後処理ロット（３個目のロット）の基板処理開始可能までの時間の算出結果を後処理ロットの基板処理開始可能指示イベントとして送信する（図５：Ｃ）。
【００３８】
ホストコンピュータ１２は、後処理ロット（３個目のロット）の基板処理開始可能指示イベントを受信し、前洗浄処理工程における後処理ロットの格納時間、後処理ロットの前洗浄処理時間および基板処理装置１０への投入時間より、後処理ロットの一連工程への投入待ち時間を算出する（図５，図６：Ｄ）。ホストコンピュータ１２は、後処理ロット投入待ち時間の監視を開始し、後処理ロットの投入待ち時間が経過した後、後処理ロットの一連工程への投入開始を指示する（図５，図６：Ｅ）。
【００３９】
図６に示すように、３個目のロット（後処理ロット）は、１個目のロット（前処理ロット）の払い出し完了後に基板処理装置１０の予備室１４０へ投入可能となるため、大気雰囲気に滞留せず自然酸化膜形成を防止することができる。さらに、３個目のロット（後処理ロット）は、２個目のロット（投入済みロット）の基板処理に対して連続に基板処理可能となり、ロット単位で処理される基板処理の高スループット化を実現することができる。
【００４０】
従来においては、後処理ロットまでの基板処理時間の算出を行い、ホストコンピュータへイベントとして通知していなかったため、ホストコンピュータは、前処理ロットの払い出しイベントをもとに後処理ロットの一連工程への投入開始を指示していた。これに対し、本実施例における基板処理システムにおいては、基板処理装置での投入済みロットの基板処理開始時に、基板処理装置からホストコンピュータへ後処理ロットの基板処理開始可能指示イベントを送信する。これにより、ホストコンピュータは、後処理ロットの一連工程への投入待ち時間を算出し、投入待ち時間経過後、後処理ロットを前洗浄装置に投入することにより、後処理ロットを大気雰囲気中に滞留させず、前処理ロットに対し連続且つ同時並行に基板処理することが可能となる。
【００４１】
次に、本発明に係る基板処理システムの第２の制御例について図７及び図８に基づいて詳細に説明する。
【００４２】
図７に基板処理システムの第２の制御例を示し、図８に各ロットのタイムチャートを示す。
【００４３】
なお、上述した基板処理システムの第１の制御例と重複する説明は省略する。
【００４４】
基板処理装置１０のコントローラ１６には、前洗浄処理時間及び前洗浄処理工程におけるロットの投入時間を含んだ指定時間（後処理ロット（３個目のロット）の前洗浄処理開始から後処理ロット（３個目のロット）の基板処理開始までの時間）が設定されている。この指定時間（図８：Ｆ）は、基板処理装置１０の入力手段（図示せず）またはホストコンピュータ１２から逐次設定可能である。
【００４５】
図７に示すように、基板処理装置１０のコントローラ１６は、投入済みロット（２個目のロット）の基板処理を開始したタイミングで前処理ロット（１個目のロット）の払い出し完了までの時間を算出する（図７，図８：Ｇ）。さらに、コントローラ１６は、上述した後処理ロット（３個目のロット）の基板処理開始までの待機指定時間（図８：Ｆ）が前処理ロットの払い出し完了までの時間より長いことを確認する（図７：Ｈ）。つまり、前処理ロット（１個目のロット）の払い出しと後処理ロット（３個目のロット）の投入とが重ならないかを確認する。
【００４６】
次に、基板処理装置１０のコントローラ１６は、上述した後処理ロット（３個目のロット）の基板処理開始までの待機指定時間により算出される、後処理ロット（３個目のロット）の一連工程への投入待ち時間（図８：Ｉ）の監視を開始する。後処理ロット（３個目のロット）の一連工程への投入待ち時間が経過したタイミングで、基板処理装置１０のコントローラ１０はホストコンピュータ１２へ通信回線１４を介して、後処理ロットの一連工程への投入開始指示イベントを送信する（図７：Ｊ）。ホストコンピュータ１２は、後処理ロット（３個目のロット）の基板処理開始可能指示イベントを受信し、後処理ロット（３個目のロット）の一連工程への投入開始を指示する（図７，図８：Ｋ）。
【００４７】
図８に示すように、３個目のロット（後処理ロット）は、１個目のロット（前処理ロット）の払い出し完了後に基板処理装置１０の予備室１４０へ投入可能となるため、大気雰囲気に滞留せず自然酸化膜形成を防止することができる。さらに、３個目のロット（後処理ロット）は、２個目のロット（投入済みロット）の基板処理に対して連続且つ同時並行に基板処理可能となり、ロット単位で処理される基板処理の高スループット化を実現することができる。
【００４８】
本実施例における基板処理システムにおいては、基板処理装置での投入済みロットの基板処理開始から投入待ち時間経過後、基板処理装置からホストコンピュータへ後処理ロットの一連工程への投入開始可能指示イベントを送信する。これにより、ホストコンピュータは、後処理ロットを一連工程へ投入することにより、後処理ロットを大気雰囲気中に滞留させず、前処理ロットに対し連続且つ同時並行に基板処理することが可能となる。
【００４９】
次に、本発明に係る第２の実施形態を図９に基いて説明する。
【００５０】
なお、第１の実施形態と重複する説明は省略する。
【００５１】
第２の実施形態における基板処理装置は、４つの処理炉（第１の処理炉、第２の処理炉、第３の処理炉及び第４の処理炉）を有する。また、この基板処理装置には、２つのクーリングユニット（第１のクーリングユニットおよび第２のクーリングユニット）が設けられる。また、この基板処理装置においては、基板収納容器としてのカセットが用いられ、このカセットには例えば２５枚の基板が収容される。なお、前記４つの処理炉は、運用に応じて対応できるもとする。例えば、４つの処理炉を全て同一処理にする。反対に、４つの処理炉を全て異なる処理にする。また、２つ（３つ）の処理炉だけ同一処理にするなどできるものとする。
【００５２】
図９に第２の実施形態における基板処理システムの制御例を示す。
【００５３】
図９に示すように、１つのロットの基板枚数は、例えば２５枚以上からなり、１つのロット（前ロット）は複数のカセット（カセット１〜カセット７）からなる。カセット８以降（次ロット）は前ロットと異なる基板処理を行う。
【００５４】
以下、第２の実施形態における基板処理システムによる処理について図９に基づいて説明する。
【００５５】
まず、予め基板処理装置にパラメータとして基板処理投入までにかかる時間（投入前処理時間）を設定する。この投入前処理時間（図９：Ｌ）には、基板処理装置への基板処理投入に際して実行すべき前準備処理（前洗浄処理等）の時間が含まれる。
【００５６】
基板処理装置は、前ロット（カセット１〜カセット７）の基板に対し、順次処理炉（第１の処理炉〜第４の処理炉）において基板処理をおこない、また順次クーリングユニット（第１のクーリングユニットおよび第２のクーリングユニット）において冷却処理をおこなう。このとき、各カセットにおける基板は、前のカセットの基板処理に対して連続且つ同時並行に基板処理を行う。
【００５７】
基板処理装置は、カセット７（前ロット）の基板に対してカセット８（次ロット）の基板が連続的に基板処理開始できる予定時間から設定した投入前処理時間（図９：Ｌ）を引いた時間になったタイミングで、ホストコンピュータに対し次ロット開始イベントを送信する。ホストコンピュータは次ロット開始イベントを受信したタイミングで次ロットのカセットを前準備処理装置（前洗浄処理装置等）に投入する。
【００５８】
図９に示すように、カセット８は例えば第４の処理炉において、カセット４（前ロット）に連続して基板処理が行われる。これにより、１つのロットが複数のカセットからなる場合であっても、基板処理の高スループット化を実現することができる。さらに、カセット８の基板は、大気雰囲気に滞留せず自然酸化膜形成を防止することができる。
【００５９】
従来においては、次ロットのカセット対して、投入前処理時間を設定し、次ロット開始イベントとして通知していなかったため、ホストコンピュータは、前ロットの最終カセットの払い出し完了を待って、次ロットのカセットの投入開始を指示していた。これに対し、本実施形態における基板処理システムにおいては、次ロット開始イベントを用いることにより、１つのロットが複数のカセットからなる場合であっても、次ロットのカセットを大気雰囲気中に滞留させず、前ロットのカセットに対し連続且つ同時並行に基板処理することが可能となる。
【００６０】
なお、上記実施形態の説明にあっては、工程内搬送装置からポッドを載置されるＩＯステージと、予備室の間に第二の搬送室が設けられていたが、特に本実施形態における第二の搬送室は無くても構わない。
なお、上記実施形態の説明にあっては、基板処理装置として枚葉装置について説明したが、例えば、横型装置及び縦型装置にも適用できる。また、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。
【００６１】
なお、ロット内の基板は全て同じ処理であっても異なる処理であっても関係なく、また、ロット間の処理には何等限定されるものでない。さらに、本発明における基板処理装置の炉内の処理には何等限定されず、ＣＶＤ、酸化、拡散、アニール等にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１に示した基板処理装置の断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板処理システムの通信手段を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施形態に係る一連の工程を示すブロック図である。
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理システムの第１の制御例を示すラダー図である。
【図６】図５で示した制御方法の第１例におけるタイムチャート図である。
【図７】本発明の実施形態に係る基板処理システムの第２の制御例を示すラダー図である。
【図８】図７で示した制御方法の第２例におけるタイムチャート図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る基板処理システムの制御方法を示すタイムチャート図である。
【図１０】従来の基板処理タイミングを示すタイムチャート図である。
【符号の説明】
【００６３】
１      基板処理システム
１０    基板処理装置
１２    ホストコンピュータ
１４    通信回線
１６    コントローラ
【図１】
2006202960.tif 000003
【図２】
2006202960.tif 000004
【図３】
2006202960.tif 000005
【図４】
2006202960.tif 000006
【図５】
2006202960.tif 000007
【図６】
2006202960.tif 000008
【図７】
2006202960.tif 000009
【図８】
2006202960.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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