(57)【要約】【課題】  挿脱可能なコネクタの一方側に適式な与圧を発生させる。【解決手段】  内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、当該貫通穴に沿って一方端側から他方端側に一体的なバネ構造で構成されてなる接続端子が配設され、接触端子が押し当てられる押当部が形成されてなる構造のコネクタハウジングからなり、接続端子は、一方端側から挿入される第１の基板と接触する第１の接触部と、他方端側から挿入される第２の基板と接触する第２の接触部とが形成され、一方端側から第１の基板が挿入されて固定された場合に、第１の接触部と接触する第１の基板により接触端子がコネクタハウジングの内壁側に押し広げられ、押し広げられた当該接触端子が押当部に押し当てられ、第２の接触部に、第２の基板を挟む方向に与圧が発生する機構である。【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、当該貫通穴に沿って一方端側から他方端側に一体的なバネ構造で構成されてなる接続端子が配設され、上記接触端子が押し当てられる押当部が形成されてなる構造のコネクタハウジングからなり、
上記接続端子は、一方端側から挿入される第１の基板と接触する第１の接触部と、他方端側から挿入される第２の基板と接触する第２の接触部とが形成され、
一方端側から上記第１の基板が挿入されて固定された場合に、上記第１の接触部と接触する上記第１の基板により上記接触端子が上記コネクタハウジングの内壁側に押し広げられ、押し広げられた当該接触端子が上記押当部に押し当てられ、上記第２の接触部に、上記第２の基板を挟む方向に与圧が発生することを特徴とするコネクタ。
【請求項２】
上記接続端子は、上記第１の基板及び上記第２の基板に対して、上下方向から接触するように対面構造をなしていることを特徴とする請求項１記載のコネクタ。
【請求項３】
上記コネクタハウジングの他方端側には、上記接触端子の端部を係止するストッパーが形成されており、
上記第１の基板が一方端側に挿入された場合に、与圧によって上記接続端子の端部が上記ストッパーで係止されることを特徴とする請求項１記載のコネクタ。
【請求項４】
上記コネクタハウジングの一方端側は、上記第１の接触部とサイド電極を介して接触される縦型基板構造からなる上記第１の基板が挿入される幅広構造であることを特徴とする請求項１記載のコネクタ。
【請求項５】
上記コネクタハウジングの一方端側は、上記第１の基板が挿入された場合、当該第１の基板が半田付けにより固定されることを特徴とする請求項１記載のコネクタ。
【請求項６】
上記コネクタハウジングは、上記第１の基板が一方側に挿入された場合に、上記接続端子が押し広げられる方向に開口部が形成されており、
一方の側から上記第１の基板が挿入されて固定された場合に、上記第１の接触部と接触する上記第１の基板により上記コネクタハウジングに形成されている上記開口部から突出している上記接触端子を上記コネクタハウジングの内側に押し戻す押戻部を備えることを特徴とする請求項１記載のコネクタ。
【請求項７】
上記押戻部は、ラッチ構造により上記コネクタハウジングに固定されることを特徴とする請求項６記載のコネクタ。
【請求項８】
上記押戻部は、上記コネクタハウジングとねじ止め構造又は接着剤により固定されることを特徴とする請求項６記載のコネクタ。
【請求項９】
上記コネクタハウジングは、上記開口部を覆うスライド機構を備えており、
上記押戻部は、上記スライド機構に差し込むことにより固定されることを特徴とする請求項６記載のコネクタ。
【請求項１０】
上記押戻部は、内側が絶縁材料で形成されてなり、上記コネクタハウジングを包み込む囲い枠構造からなることを特徴とする請求項６記載のコネクタ。
【請求項１１】
上記コネクタハウジングは、上記開口部が設けられている面の両側端部に、貫通穴が設けられた突起部が直立して設けられており、
上記押戻部は、上記一方の突起部から上記他方の突起部へ差込棒を差し込んで回転式の板構造となるように、側面に貫通穴が設けられていることを特徴とする請求項６記載のコネクタ。
【請求項１２】
上記押戻部は、上記開口部から突出している接続端子を上記コネクタハウジング内部に押し込むための凸部が設けられていることを特徴とする請求項１１記載のコネクタ。
【請求項１３】
上記押戻部は、上記開口部から突出している接続端子を受けるための凹部が設けられていることを特徴とする請求項１１記載のコネクタ。
【請求項１４】
上記コネクタハウジングは、一方端側に上記第１の基板を係合する係合部が形成されていることを特徴とする請求項１記載のコネクタ。
【請求項１５】
上記コネクタハウジングは、一方端側に、当該コネクタハウジングの一方端側の外形形状で切り欠き部が形成されてなる上記第１の基板が挿入されることを特徴とする請求項１記載のコネクタ。
【請求項１６】
内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、当該貫通穴に沿って一方端側に配設され、他方端側から突出する一体的なバネ構造で構成されてなる接続端子と、上記接続端子が押し当てられる押当部が他方端側に形成されてなる構造の第１のコネクタハウジング部と、
内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、上記第１のコネクタハウジング部と接続されるときに、上記第１のコネクタハウジング部の他方端側から突出している部分の上記接続端子を囲う構造の第２のコネクタハウジング部とからなり、
上記接続端子は、上記第１のコネクタハウジング部の一方端側から挿入される第１の基板と接触する第１の接触部と、上記第２のコネクタハウジング部から突出している他方側から挿入される第２の基板と接触する第２の接触部とが形成され、
上記第１のコネクタハウジング部と上記第２のコネクタハウジング部は、ラッチ構造により接続され、
上記第１のコネクタハウジング部の一方端側から上記第１の基板が挿入されて固定された場合に、上記第１の接触部と接触する上記第１の基板により上記接触端子が押し広げられて上記押当部に押し当てられ、上記第２の接触部に、上記第２の基板を挟む方向に与圧が発生することを特徴とするコネクタ。
【請求項１７】
内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、当該貫通穴に沿って一方端側から他方端側に一体的なバネ構造で構成されてなる接続端子が配設され、上記接触端子が押し当てられる押当部が形成されてなる構造のコネクタハウジングからなり、上記接続端子は、一方端側から挿入される第１の基板と接触する第１の接触部と、他方端側から挿入される第２の基板と接触する第２の接触部とが形成され、一方端側から上記第１の基板が挿入されて固定された場合に、上記第１の接触部と接触する上記第１の基板により上記接触端子が上記コネクタハウジングの内壁側に押し広げられ、押し広げられた当該接触端子が上記押当部に押し当てられ、上記第２の接触部に、上記第２の基板を挟む方向に与圧が発生するコネクタと、
内側に突出して形成されてなる出縁部を有するハウジングとを備え、
上記コネクタは、上記出縁部が差し込まれる出縁差込部を有し、上記ハウジングに収納されることにより静電遮蔽されることを特徴とするコネクタ。
【請求項１８】
上記コネクタハウジングの他方端側には、上記接触端子の端部を係止するストッパーが形成されており、
上記コネクタが上記ハウジングに収納されたとき、上記出縁部が上記ストッパーと上記接触端子の端部の間に差し込まれ、
上記第１の基板が一方端側に挿入された場合に、与圧によって上記接続端子の端部が上記出縁部と直接接触し、上記ストッパーで係止されることを特徴とする請求項１７記載のコネクタ。
【請求項１９】
上記コネクタハウジングは、上記第１の基板が一方側に挿入された場合に、上記接続端子が押し広げられる方向に開口部が形成されており、
一方の側から上記第１の基板が挿入されて固定された場合に、上記第１の接触部と接触する上記第１の基板により上記コネクタハウジングに形成されている上記開口部から突出している上記接触端子を上記コネクタハウジングの内側に押し戻す押戻部を備えることを特徴とする請求項１７記載のコネクタ。
【請求項２０】
パラレル信号をシリアル信号に変換する信号変換部を有する基板を接続するコネクタと、
上記基板から上記コネクタを介して供給された電気信号を光信号に変換する電気光信号変換部と、
上記電気光信号変換部により変換された上記光信号を集光する第１の光学系と、
上記光学系から出射される光信号を伝送する光ファイバと、
上記光ファイバから伝送されてきた光信号を受信する第２の光学系と、
上記第２の光学系で受信した光信号を電気信号に変換し、変換後の上記電気信号を上記基板に供給する光電気信号変換部とを備え、
上記コネクタは、内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、当該貫通穴に沿って一方端側から他方端側に一体的なバネ構造で構成されてなる接続端子が配設され、上記接触端子が押し当てられる押当部が形成されてなる構造のコネクタハウジングからなり、上記接続端子は、一方端側から挿入される第１の基板と接触する第１の接触部と、他方端側から挿入される第２の基板と接触する第２の接触部とが形成され、一方端側から上記第１の基板が挿入されて固定された場合に、上記第１の接触部と接触する上記第１の基板により上記接触端子が上記コネクタハウジングの内壁側に押し広げられ、押し広げられた当該接触端子が上記押当部に押し当てられ、上記第２の接触部に、上記第２の基板を挟む方向に与圧が発生することを特徴とする光トランシーバ。
【請求項２１】
上記電気光信号変換部は、
上記コネクタを介して供給された電気信号を光信号に変換するレーザダイオードと、
上記レーザダイオードを駆動するレーザダイオード駆動部とからなることを特徴とする請求項２０記載の光トランシーバ。
【請求項２２】
上記光電気信号変換部は、
上記第２の光学系から供給された光信号を受光するフォトディテクタと、
上記フォトディテクタで受光された光信号を電気信号に変換するＴＩＡ（Transimpedance Amplifier）部と、
ＴＩＡ部で変換された上記電気信号の波形を整形するＬＩＡ（Limiting Amplifier）部とからなることを特徴とする請求項２０記載の光トランシーバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板同士を電気的に結合するコネクタ及び光トランシーバに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光伝送システムの例を図６６（ａ）、（ｂ）に示す。光伝送システムは、光ファイバ１００を保護し、精度のよい光ファイバ軸整列を行う光コネクタ１０１と、光コネクタ１０１が接続され、光信号を電気信号に変換し、また、電気信号を光信号に変換する光トランシーバ１０２と、シリアル信号を送受信する信号処理回路が実装されている基板１０３と、光トランシーバ１０２と基板１０３を結合するコネクタ１０４からなる。
【０００３】
光トランシーバ１０２は、光ファイバ１００とのカップリング用の光学系と光電変換素子や周辺回路で構成される。また、光コネクタ１０１は、ジルコニアを高い精度で加工して作られたフェルールからなり、光トランシーバ１０２と光ファイバ１００を結合している。
【０００４】
基板１０３には、シリアル信号を送受信する際の所定の信号処理を行う信号処理回路（SERDES，Serializer/Deserializer）のチップ（以下、ＳＥＲＤＥＳチップという。）が実装されている。
【０００５】
コネクタ１０４は、光トランシーバ１０２と基板１０３を結合しており、現在、１０Ｇｂｐｓまでのデータを伝送する光伝送システムにおいては、ＳＦＰコネクタ及びＸＦＰコネクタと呼ばれる規格品が広く使われている。ここで、図６７にＳＦＰ（Small Form Factor Pluggable）コネクタの外観図を示す。ＳＦＰコネクタは、高い高周波特性を得るために表面実装タイプのコネクタになっている。なお、ＸＦＰコネクタとは、ＳＦＰコネクタよりピン数が多いコネクタのことである。
【０００６】
光伝送システムは、図６６に示されるようなコンタクト用のパターンが形成された光トランシーバ基板を、ＳＦＰコネクタに挿入することで基板に実装されているＳＥＲＤＥＳチップと電気的に結合される。
【０００７】
【特許文献１】実開平４−３５３８０号公報
【特許文献２】特開２０００−１２１２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、ＳＦＰコネクタは、図６８に示すようなコネクタ端子を有している。図６８（ａ）は、下側のＳＦＰコネクタ端子１０４Ａを示しており、図６８（ｂ）は、上側のＳＦＰコネクタ端子１０４Ｂを示している。図６８から分かるように、コネクタ端子には樹脂モールドに固定するための突起部（スタブ）Ｇが形成されており、この突起部Ｇの影響により高周波特性が悪化してしまう（図６９）。また、構造上、上側のＳＦＰ端子１０４Ｂは、突起部Ａの長さが下側のＳＦＰ端子１０４Ａよりも長くなってしまうので、下側のＳＦＰ端子１０４Ａよりも信号透過特性が悪化してしまう。
【０００９】
図６９が示すように、既存のＳＦＰコネクタ、特に突起部Ｇが長大な上側のＳＦＰコネクタ１０４Ｂでは、周波数が３ＧＨｚを超えた付近から急激に信号透過特性が悪化してしまう。
【００１０】
この図６９に示した信号透過特性は、ＳＦＰコネクタのみの周波数特性であって、実際のシステムにおいては、基板上のパターンによっても特性が悪化してしまう。さらに、基板上の素子の半田付けに起因するばらつきによっても特性が悪化してしまう。
【００１１】
したがって、ＳＦＰコネクタを用いて１０Ｇｂｐｓ程度のデータ伝送を行うためには、ＣＤＲ（Clock Device Recovery）のような波形整形のためのバッファー回路等を設ける必要がある。しかし、このように設けたバッファー回路の特性により、１０Ｇｂｐｓ以上の高帯域データの伝送を行うことが困難となってしまう。
【００１２】
また、フェルールによって光ファイバと光トランシーバを結合する場合には、
１．フェルールには、高いメカ精度が要求されるので加工が困難でコストが高い、
２．光ファイバの端面が剥き出しになるので、傷や汚れにより特性が劣化しやすい、
３．フェルールの受け部（メス）側にゴミが混入すると除去するのが困難である、
４．光ファイバの端面には強いパワーのレーザ光が露出しているので安全面の問題がある、
５．光ファイバの挿抜の度に端面が汚れてしまうためクリーニングが必要となる、
等の問題点がある。
【００１３】
また、光トランシーバとＳＥＲＤＥＳチップは、ＳＦＰコネクタが結合される場合には、
１．周波数が３ＧＨｚ以上の帯域から信号透過特性が急激に特性が悪化する、
２．ＳＦＰコネクタは、マザー基板に半田付けで実装されるが、半田付けの形状によって信号透過特性がばらつく、
３．光トランシーバ側に放熱機構が必要となるので、光トランシーバが大型してしまう、
等の問題点がある。
【００１４】
また、高帯域データの伝送を行う場合には、インピーダンスマッチングをとる必要がある。そのためには、両基板同士を接近させて、最短のコネクタ端子で構成することにより信号の劣化を減らすことが可能となる。
【００１５】
これを実現する方法として、図７０に示すような技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。当該技術は、コネクタハウジング内に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴を設け、当該貫通穴に沿ってプリント基板を上下方向から保持できるように設けられた接触バネを配設し、この接触バネを介してコネクタハウジングの一方端側から挿入されるプリント基板と、他方端側から挿入されるプリント基板を電気的に接続するものである。
【００１６】
また、当該技術では、一方端側又は他方端側からプリント基板が挿入された場合、中央に設けられている端子保持部には、梃子の作用で非常に大きな力が発生するため、接触バネに適切なばね圧を加える必要がある。したがって、ばね定数を小さくして、接触バネを長くすることが考えられるが、接触バネを長くするとインダクタンス成分が増え、高周波特性が劣化してしまう。
【００１７】
また、基板間を電気的に接続する方法として、フレキシブル回路基板を用いて、基板間を電気的に接続する方法がある（例えば、特許文献２参照。）。当該方法によれば、各々の端子が、同一のフィルム上のパターンとなっているので、隣同士のパターンがメカ的につながっている。このような場合、フレキシブル回路基板上に形成されている各パッドに高さのずれがある場合には、接触不良を生ずる可能性がある。
【００１８】
また、フレキシブル回路基板を自由に曲げることは困難なので、所望する接触形状を作成することも困難である。また、フレキシブル回路基板自体が高価なものなので、当該基板を使用したコネクタは、高価なものとなってしまう。
【００１９】
また、平面上のパターンで１００オームのインピーダンスマッチングをとるためには、ピッチ間隔を狭くする必要がある。一方で、端子間を分離するためには、最低でも０．２〜０．３ｍｍ程度の隙間が必要であるが、フレキシブル回路基板を用いるコネクタでは、このようなピッチ間隔では、特性インピーダンスマッチングをとることは困難であり、インピーダンスのミスマッチによる反射が発生してしまい、高周波特性が悪化する要因となってしまう。
【００２０】
そこで、本発明では、波形整形のためのバッファー回路等を用いることなく高周波特性が劣化せずに高帯域データの伝送が可能となるコネクタ及び光トランシーバを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明に係るコネクタは、上述の課題を解決するために、内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、当該貫通穴に沿って一方端側から他方端側に一体的なバネ構造で構成されてなる接続端子が配設され、上記接触端子が押し当てられる押当部が形成されてなる構造のコネクタハウジングからなり、上記接続端子は、一方端側から挿入される第１の基板と接触する第１の接触部と、他方端側から挿入される第２の基板と接触する第２の接触部とが形成され、一方端側から上記第１の基板が挿入されて固定された場合に、上記第１の接触部と接触する上記第１の基板により上記接触端子が上記コネクタハウジングの内壁側に押し広げられ、押し広げられた当該接触端子が上記押当部に押し当てられ、上記第２の接触部に、上記第２の基板を挟む方向に与圧が発生する。
【００２２】
また、接続端子は、第１の基板及び第２の基板に対して、上下方向から接触するように対面構造をなしている。
【００２３】
また、コネクタハウジングの他方端側には、第１の基板が一方端側に挿入された場合に、与圧によって接続端子の端部が所定のクリアランス以上、第２の基板を挟む方向に進まないようにストッパーが形成されている。
【００２４】
また、コネクタハウジングの一方端側は、第１の接触部とサイド電極を介して接触される縦型基板構造からなる第１の基板が挿入される幅広構造である。
【００２５】
また、コネクタハウジングの一方端側は、第１の基板が挿入された場合、当該第１の基板が半田付けにより固定される。
【００２６】
また、コネクタハウジングは、内設されている接続端子の上面部分に開口部が設けられており、一方端側から第１の基板が挿入されて固定された場合に、第１の接触部と接触する第１の基板により接触端子が当該開口部に突出し、当該突出した接触端子を当該コネクタハウジングの内側に押し戻す押戻部が設けられている。
【００２７】
また、押戻部は、ラッチ構造によりコネクタハウジングに固定される。
【００２８】
また、押戻部は、コネクタハウジングとねじ止め構造又は接着剤により固定される。
【００２９】
また、コネクタハウジングは、開口部を覆うスライド機構を備えており、押戻部は、スライド機構に差し込むことにより固定される。
【００３０】
また、押戻部は、内側が絶縁材料で形成されてなり、コネクタハウジングを包み込む囲い枠構造からなる。
【００３１】
また、コネクタハウジングは、開口部が設けられている面の両側端部に、貫通穴が設けられた突起部が直立して設けられており、押戻部は、一方の突起部から他方の突起部へ差込棒を差し込んで回転式の板構造となるように、側面に貫通穴が設けられている。
【００３２】
また、押戻部は、開口部から突出している接続端子をコネクタハウジング内部に押し込むための凸部が設けられている。
【００３３】
また、押戻部は、開口部から突出している接続端子を受けるための凹部が設けられている。
【００３４】
また、コネクタハウジングは、一方端側に第１の基板を係合する係合部が形成されている。
【００３５】
また、コネクタハウジングは、一方端側に、当該コネクタハウジングの一方端側の外形形状で切り欠き部が形成されてなる第１の基板が挿入される。
【００３６】
また、コネクタハウジングは、上記第１の基板が一方側に挿入された場合に、上記接続端子が押し広げられる方向に開口部が形成されており、一方の側から上記第１の基板が挿入されて固定された場合に、上記第１の接触部と接触する上記第１の基板により上記コネクタハウジングに形成されている上記開口部から突出している上記接触端子を上記コネクタハウジングの内側に押し戻す押戻部を備える。
【００３７】
また、本発明に係るコネクタは、上述の課題を解決するために、内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、当該貫通穴に沿って一方端側に配設され、他方端側から突出する一体的なバネ構造で構成されてなる接続端子と、接続端子が押し当てられる押当部が他方端側に形成されてなる構造の第１のコネクタハウジング部と、内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、第１のコネクタハウジング部と接続されるときに、第１のコネクタハウジング部の他方端側から突出している部分の接続端子を囲う構造の第２のコネクタハウジング部とからなり、接続端子は、第１のコネクタハウジング部の一方端側から挿入される第１の基板と接触する第１の接触部と、第２のコネクタハウジング部から突出している他方側から挿入される第２の基板と接触する第２の接触部とが形成され、第１のコネクタハウジング部と第２のコネクタハウジング部は、ラッチ構造により接続され、第１のコネクタハウジング部の一方端側から第１の基板が挿入されて固定された場合に、第１の接触部と接触する第１の基板により接触端子が押し広げられて押当部に押し当てられ、第２の接触部に、第２の基板を挟む方向に与圧が発生する。
【００３８】
また、本発明に係るコネクタは、上述の課題を解決するために、内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、当該貫通穴に沿って一方端側から他方端側に一体的なバネ構造で構成されてなる接続端子が配設され、上記接触端子が押し当てられる押当部が形成されてなる構造のコネクタハウジングからなり、上記接続端子は、一方端側から挿入される第１の基板と接触する第１の接触部と、他方端側から挿入される第２の基板と接触する第２の接触部とが形成され、一方端側から上記第１の基板が挿入されて固定された場合に、上記第１の接触部と接触する上記第１の基板により上記接触端子が上記コネクタハウジングの内壁側に押し広げられ、押し広げられた当該接触端子が上記押当部に押し当てられ、上記第２の接触部に、上記第２の基板を挟む方向に与圧が発生するコネクタと、内側に突出して形成されてなる出縁部を有するハウジングとを備え、上記コネクタは、上記出縁部が差し込まれる出縁差込部を有し、上記ハウジングに収納されることにより静電遮蔽される。
【００３９】
また、コネクタハウジングの他方端側には、上記接触端子の端部を係止するストッパーが形成されており、上記コネクタが上記ハウジングに収納されたとき、上記出縁部が上記ストッパーと上記接触端子の端部の間に差し込まれ、上記第１の基板が一方端側に挿入された場合に、与圧によって上記接続端子の端部が上記出縁部と直接接触し、上記ストッパーで係止される。
【００４０】
また、コネクタハウジングは、上記第１の基板が一方側に挿入された場合に、上記接続端子が押し広げられる方向に開口部が形成されており、一方の側から上記第１の基板が挿入されて固定された場合に、上記第１の接触部と接触する上記第１の基板により上記コネクタハウジングに形成されている上記開口部から突出している上記接触端子を上記コネクタハウジングの内側に押し戻す押戻部を備える。
【００４１】
また、本発明に係る光トランシーバは、上述の課題を解決するために、パラレル信号をシリアル信号に変換する信号変換部を有する基板を接続するコネクタと、上記基板から上記コネクタを介して供給された電気信号を光信号に変換する電気光信号変換部と、上記電気光信号変換部により変換された上記光信号を集光する第１の光学系と、上記光学系から出射される光信号を伝送する光ファイバと、上記光ファイバから伝送されてきた光信号を受信する第２の光学系と、上記第２の光学系で受信した光信号を電気信号に変換し、変換後の上記電気信号を上記基板に供給する光電気信号変換部とを備え、上記コネクタは、内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、当該貫通穴に沿って一方端側から他方端側に一体的なバネ構造で構成されてなる接続端子が配設され、上記接触端子が押し当てられる押当部が形成されてなる構造のコネクタハウジングからなり、上記接続端子は、一方端側から挿入される第１の基板と接触する第１の接触部と、他方端側から挿入される第２の基板と接触する第２の接触部とが形成され、一方端側から上記第１の基板が挿入されて固定された場合に、上記第１の接触部と接触する上記第１の基板により上記接触端子が上記コネクタハウジングの内壁側に押し広げられ、押し広げられた当該接触端子が上記押当部に押し当てられ、上記第２の接触部に、上記第２の基板を挟む方向に与圧が発生する。
【００４２】
また、電気光信号変換部は、上記コネクタを介して供給された電気信号を光信号に変換するレーザダイオードと、上記レーザダイオードを駆動するレーザダイオード駆動部とからなる。
【００４３】
また、光電気信号変換部は、上記第２の光学系から供給された光信号を受光するフォトディテクタと、上記フォトディテクタで受光された光信号を電気信号に変換するＴＩＡ（Transimpedance Amplifier）部と、ＴＩＡ部で変換された上記電気信号の波形を整形するＬＩＡ（Limiting Amplifier）部とからなる。
【発明の効果】
【００４４】
従来のＳＦＰコネクタを使用する信号伝送用コネクタでは、３ＧＨｚ付近から周波数特性が極端に悪化するが、本発明に係る信号伝送用コネクタは、高周波帯域（２０ＧＨｚ）以上までフラットな信号透過特性を実現でき、４０Ｇｂｐｓ程度のデータ転送を可能にする。
【００４５】
また、本発明に係る信号伝送用コネクタは、従来のＳＦＰコネクタを利用する信号伝送用コネクタにより１０Ｇｂｐｓ程度のデータ伝送を行う場合に必須であった波形整形のためのバッファー回路等が不要になり、システムの小型化が実現でき、ローコスト化を実現できる。
【００４６】
また、本発明に係る信号伝送用コネクタは、光コネクタを不要とするため、フェルール等が不要となり、システムのローコスト化を図ることができ、光トランシーバの小型化を実現でき、光ファイバ端部を露出させない構成なので、レーザ光が直接目に入る危険性を回避でき、また、光ファイバが傷ついたり、汚れたりしないのでシステムの信頼性を向上することができ、さらに、光ファイバの挿抜のたびに、光ファイバ端面をクリーニングする作業が不要となる。
【００４７】
さらに、本発明に係る信号伝送用コネクタは、ＳＥＲＤＥＳチップが実装された基板側に放熱機構を備えるので、光トランシーバ側を小規模化することができ、また、ＳＥＲＤＥＳチップが実装された基板側にコネクタの固定部がある場合には、光トランシーバ側の端子長さを短くでき、その結果、周波数特性を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４９】
信号伝送用コネクタ１は、図１に示すように、光ファイバ１０と接続され、所定の信号変換を行う信号変換ブロック１１と、信号変換ブロック１１が固定的に接合される第１の挿入部１２Ａと、シリアル信号を送受信する際の信号処理を行う信号処理回路（SERDES，Serializer/Deserializer）のチップ（以下、ＳＥＲＤＥＳチップという。）１３Ａが実装されている基板１３を挿脱可能に接続する第２の挿入部１２Ｂを有するコネクタ１２とから構成される。
【００５０】
また、信号変換ブロック１１は、図１に示すように、光ファイバ１０の端部を固定する固定部１４と、光信号を集光するレンズを有するモールドレンズ部１５と、光電変換素子１６Ａが実装されてなる光電変換基板１６とが組み合わさって構成される。なお、図１では、固定部１４に送信用の光ファイバと受信用の光ファイバが固定されている構成例を示したが、固定部１４に固定される光ファイバ心線の数は、システムの構成に応じて適宜変更されるものである。
【００５１】
また、図２に示すように、静電対策を図るために、信号変換ブロック１１が組み込まれたコネクタ１２が、シールド用板金ハウジング１８内に収納される構成であっても良い。なお、シールド用板金ハウジング１８には、内側に突出した出縁部１８Ａが形成されている（図３）。
【００５２】
このような構成の場合には、図３に示すように、コネクタ１２には、出縁部１８Ａが差し込まれるように出縁差込部１９が形成されている。また、図４に、シールド用板金ハウジング１８にコネクタ１２が組み込まれた外観図を示す。
【００５３】
ここで、コネクタ１２により信号変換ブロック１１と基板１３が結合される様子について説明する。光電変換基板１６は、図５に示すように、基板下側面にサイド電極１６Ｃと呼ばれるコンタクト用の電極が形成されている。また、コンタクト１７は、弾性導電性材料で形成されており、サイド電極１６Ｃと基板１３とを電気的に結合する。
【００５４】
信号変換ブロック１１は、コネクタ１２の第１の挿入部１２Ａに挿入されることで、光電変換基板１６のサイド電極１６Ｃと、コネクタ１２の第１の挿入部１２Ａに形成されているコンタクト１７が接触する構造になっており、コネクタ１２の第１の挿入部１２Ａに形成されているラッチ機構により、一度、第１の挿入部１２Ａに挿入されると信号変換ブロック１１は固定され、一体のハウジング内に収納される構造になっている。
【００５５】
なお、図１においては、第１の挿入部１２Ａは、信号変換ブロック１１をラッチ構造により固定するようにしているが、接着剤等により信号変換ブロック１１とコネクタ１２とを接着するようにしても良いし、それ以外でも良い。以下に、信号変換ブロック１１とコネクタ１２とを固定する他の例について述べる。
【００５６】
図６に示すように、光電変換基板１６の表面には複数のスルーホールを形成し、また、コネクタ１２の接合部の表面には複数の接合端子を形成する。コネクタ１２の接合部に形成されている各接合端子は、光電変換基板１６の表面に形成されているスルーホールに嵌合され、嵌合された箇所を半田付けする。このように光電変換基板１６とコネクタ１２とを嵌合することにより、スルーホール−接合端子間において信号の送受信が行われるため、光電変換基板１６の側面にサイド電極１６Ｃを設ける必要がない。ゆえに、信号変換ブロック１１とコネクタ１２とを堅固に接合することができ、接合端子のメカ強度を向上し、かつ、スルーホールと接合端子の接触の信頼性を向上することができる。
【００５７】
また、図７に示すように、コネクタ１２の接合部に複数の接合端子を形成し、当該接合端子を光電変換基板１６のサイド電極１６Ｃが形成された側面に接触させ、接触させた箇所を半田付けすることにより、光電変換基板１６とコネクタ１２とを接合しても良い。
【００５８】
ここで、図８（ａ）に、コネクタ１２に信号変換ブロック１１及び基板１３が挿入される前のコネクタ１２の断面図を示し、図８（ｂ）に、コネクタ１２の第１の挿入部１２Ａに信号変換ブロック１１が挿入された後のコネクタ１２の断面図を示し、図８（ｃ）に、コネクタ１２の第２の挿入部１２Ｂに基板１３が挿入された時のコネクタ１２の断面図を示す。
【００５９】
コネクタ１２は、図８（ａ）に示すように、内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、当該貫通穴に沿って一方端側から他方端側に一体的なバネ構造で構成されてなるコンタクト１７（接続端子）が配設され、コンタクト１７が押し当てられる押当部１２Ｃが形成されてなる構造のコネクタハウジングからなっている。コンタクト１７は、第１の挿入部１２Ａから挿入される信号変換ブロック１１と接触する第１の接触部１２Ｄと、第２の挿入部１２Ｂから挿入される基板１３と接触する第２の接触部１２Ｅとが形成されている。また、押当部１２Ｃは、第１の接触部１２Ｄと第２の接触部１２Ｅの間に形成されている。
【００６０】
コネクタ１２は、図８（ｂ）に示すように、第１の挿入部１２Ａから信号変換ブロック１１が挿入されて固定された場合に、第１の接触部１２Ｄと接触する信号変換ブロック１１によりコンタクト１７がコネクタハウジングの内壁側に押し広げられ、押し広げられたコンタクト１７が押当部１２Ｃに押し当てられ、第２の接触部１２Ｅに、基板１３を挟む方向に与圧が発生する。
【００６１】
したがって、基板１３は、図８（ｃ）に示すように、第２の挿入部１２Ｂから与圧が発生しているコンタクト１７に挿入されることにより、第２の接触部１２Ｅでしっかりとホールドされる。また、図９には、基板１３側からコネクタ１２を見た図を示す。
【００６２】
また、コネクタ１２は、図８に示すように、第２の挿入部１２Ｂに、信号変換ブロック１１が挿入された場合に、与圧によってコンタクト１７の端部が所定のクリアランス以上、基板１３を挟む方向に進まないようにストッパー１２Ｆが形成されている。
【００６３】
また、基板１３には、図１に示すように、所定の回路パターンが形成された凸形状の突起部Ａがあり、コネクタ１２の第２の挿入部１２Ｂにこの突起部Ａが挿入されることにより、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａと信号変換ブロック１１が電気的に接続される。なお、この突起部Ａは、複数回の挿抜に耐える耐久性をもった構造になっている。
【００６４】
また、コンタクト１７は、コンタクト保持部１２Ｇによりコネクタ１２内に固定保持されている。
【００６５】
したがって、コネクタ１２では、第１の挿入部１２Ａに挿入された信号変換ブロック１１と接触する第１の接触部１２Ｄを力点とし、当該信号変換ブロック１１の挿入により押し広げられたコンタクト１７が押し当てられる押当部１２Ｃを支点とし、コンタクト１７の端部を受け止めるストッパー１２Ｆを作用点とする３点接触構造の梃子の原理により、コンタクト１７の位置が固定され、また、コンタクト１７に及ぼす力を均等に割り当てることができるので、コンタクト１７のバネ定数を大きくすることができ、かつ、コンタクト保持部１２Ｇの厚みを抑えることができる。なお、理論的には、上述した３点接触構造により、コンタクト保持部１２Ｇを設けなくても、コンタクト１７の位置を安定的に固定することができる。また、コンタクト１７の端部がストッパー１２Ｆに受け止められるまでは、形状が変化せずに動き、ストッパー１２Ｆに受け止められた後は、第２の接触部１２Ｅに所望の与圧を発生するように変形する。したがって、安定したセルフクリーニング効果と、規定の挿抜回数を実現することができる。
【００６６】
また、信号変換ブロック１１は、一度、コネクタ１２に挿入されると、固定され、抜かれることがないため、第１の接触部１２Ｄにかかるバネ定数を大きく（強く）しても良いため、コンタクト１７の長さを短くすることができる。したがって、コンタクト１７のインダクタンス成分を減少させることができ、コネクタ１２の高周波特性を改善することができる。
【００６７】
また、コネクタ１２内に並設されるコンタクト１７同士の間隔は、０．３ｍｍ程度にすることができるので、インピーダンスマッチングをとることができ、差動１００オームの特性インピーダンスを容易に得ることができる。
【００６８】
また、コネクタ１２は、図２に示した、静電対策用のシールド用板金ハウジング１８に収納される構成であっても良い。図１０（ａ）に、シールド用板金ハウジング１８に収納されたコネクタ１２に信号変換ブロック１１及び基板１３が挿入される前のコネクタ１２の断面図を示し、図１０（ｂ）に、シールド用板金ハウジング１８に収納されたコネクタ１２の第１の挿入部１２Ａに信号変換ブロック１１が挿入された後のコネクタ１２の断面図を示し、図１０（ｃ）に、シールド用板金ハウジング１８に収納されたコネクタ１２の第２の挿入部１２Ｂに基板１３が挿入された時のコネクタ１２の断面図を示す。
【００６９】
コネクタ１２がシールド用板金ハウジング１８に収納された場合には、図１０（ａ）に示すように、シールド用板金ハウジング１８の出縁部１８Ａがコネクタ１２のストッパー１２Ｆとコンタクト１７の他方端の間に差し込まれる。そして、第１の挿入部１２Ａから信号変換ブロック１１が挿入されて固定されると、図１０（ｂ）に示すように、第１の接触部１２Ｄと接触する信号変換ブロック１１によりコンタクト１７がコネクタハウジングの内壁側に押し広げられ、押し広げられたコンタクト１７が押当部１２Ｃに押し当てられることにより、第２の接触部１２Ｅに、基板１３を挟む方向に与圧が発生する。この与圧によって、コンタクト１７とシールド用板金ハウジング１８が接触する。したがって、コネクタ１２内に並設されている全てのコンタクト１７は、等電位になっており、外部からの静電気によりコンタクト１７の第１の接触部１２Ｄと接触している信号変換ブロック１１の静電破壊を防ぐことができる。
【００７０】
そして、図１０（ｃ）に示すように、基板１３が第２の挿入部１２Ｂに挿入されることにより、コンタクト１７とシールド用板金ハウジング１８が非接触状態となる。そして、基板１３は、第２の接触部１２Ｅでしっかりとホールドされる。
【００７１】
ここで、図１１に示すように、信号伝送用コネクタ１が光ファイバ１０の両端に形成され、一端側にＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａが実装されている一方の基板１３が接続され、他端側にＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａが実装されている他方の基板１３が接続され、一方の基板１３から他方の基板１３に信号が伝送される信号伝送システムについて説明する。
【００７２】
一方の基板１３は、信号伝送用コネクタ１に電気信号を供給する。信号伝送用コネクタ１は、コネクタ１２を介して光電変換基板１６に供給された電気信号を光電変換素子（ＬＤ，Laser Diode）１６Ａにより光信号に変換し、変換後の光信号をモールドレンズ部１５で集光し光ファイバ１０に出射する。
【００７３】
一方の信号伝送用コネクタ１から出射された光信号は、光ファイバ１０内を伝送され、他方の信号伝送用コネクタ１に供給される。他方の信号伝送用コネクタ１は、供給された光信号をモールドレンズ部１５を介して光ファイバ１０と結合用光学系でカップリングされている光電変換素子（ＰＤ、Photo Detector）１６Ａにより電気信号に変換し、変換後の電気信号をコネクタ１２を介して他方の基板１３に供給する。
【００７４】
ここで、図１２に、本願発明に係る信号伝送用コネクタ１の周波数特性ａと、ＳＦＰコネクタからなる信号伝送用コネクタの周波数特性ｂ，ｃの比較を示す。なお、周波数特性曲線ｂは、ＳＦＰコネクタの上側端子の特性を示し、周波数特性曲線ｃは、ＳＦＰコネクタの下側端子の特性を示す。
【００７５】
本発明に係る信号伝送用コネクタ１では、図１２から明らかなように、高周波数帯域（２０ＧＨｚ）においても、ほとんど信号を減衰させずにデータを伝送させることができ、ＳＦＰコネクタを用いる際に必須となっていた波形整形のためのバッファー回路を設ける必要がなく、４０Ｇｂｐｓ程度までのデータ転送を行うことができる。
【００７６】
このように構成される信号伝送用コネクタ１は、光ファイバ１０の端部を固定する固定部１４と、光信号を集光するモールドレンズ部１５と、光電変換素子１６Ａが実装される光電変換基板１６が組み合わされてなる信号変換ブロック１１と、信号変換ブロック１１を固定的に接合し、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａが実装される基板１３を挿脱可能に接続するコネクタ１２とを備えるので、光電変換基板１６に実装されている光電変換素子１６ＡとＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａを電気的に最短距離で結ぶことができ、従来のように、高周波特性悪化の要因となっていた突起部（スタブ）が形成されているＳＦＰコネクタ端子や、メンテナンスが困難なフェルールを用いないので、図１２に示すように、高周波数帯域（２０ＧＨｚ）までほとんど損失させることなく信号透過特性を維持することができる。
【００７７】
また、上述では、信号伝送用コネクタ１の光電変換基板１６を縦方向（縦型）に配置する実施例について述べたが、光電変換基板１６を横方向（横型）に配置して用いても良い。以下に、光電変換基板１６を横型に配置する実施例について述べる。なお、以下では、信号伝送用コネクタ１と同じ構成要素には同番号を付す。
【００７８】
信号伝送用コネクタ２は、図１３に示すように、光ファイバ１０を固定し、所定の信号変換を行う信号変換基板２０と、信号変換基板２０が固定的に接合される第１の挿入部２１Ａと、ＳＥＲＤＥＳチップが実装されている基板１３を挿脱可能に接続する第２の挿入部２１Ｂを有するコネクタ２１とからなる。
【００７９】
信号変換基板２０は、光信号を送受信する光トランシーバであって、シリコン基板上にＶ溝が形成され、光ファイバ１０と光導波路とが当該Ｖ溝に沿って高精度に結合され、かつ、光導波路の端面に形成されている４５°のミラーにより、基板上に実装された光電変換素子と光ファイバ１０とがカップリングされるように構成されている。
【００８０】
また、信号変換基板２０は、横型の配置を採用することにより、縦型に配置する場合に比べて、光トランシーバを薄く構成できる利点がある。なお、Ｖ溝は、シリコン基板の表面にエッチングで形成されたＶ字型の溝であり、光ファイバ１０の配列や位置合わせに用いられるものである。
【００８１】
また、信号変換基板２０が横型に配置される場合、サイド電極１６Ｃが不要となるので、基板材料としてガラスエポキシ等を用いることができ、信号伝送用コネクタの低価格化を実現することができる。また、コネクタ端子についても信号変換基板２０の厚さと、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａが実装されている基板１３の厚さがほぼ同等となるので、端子の長さを図１に示した信号伝送用コネクタ１の構造よりも短小化することができる。
【００８２】
これにより、信号変換基板２０が横型に配置された信号伝送用コネクタ２は、信号変換基板が縦型に配置された信号伝送用コネクタよりも高周波特性を更に向上させることができる。
【００８３】
また、図１４に示すように、静電対策を図るために、信号変換基板２０が組み込まれたコネクタ２１が、シールド用板金ハウジング１８内に収納される構成であっても良い。なお、シールド用板金ハウジング１８には、内側に突出した出縁部１８Ａが形成されている（図１５）。
【００８４】
このような構成の場合には、図１５に示すように、コネクタ２１には、出縁部１８Ａが差し込まれるように出縁差込部１９が形成されている。また、図１６に、シールド用板金ハウジング１８にコネクタ２１が組み込まれた外観図を示す。
【００８５】
ここで、図１７（ａ）に、コネクタ２１に信号変換基板２０及び基板１３が挿入される前のコネクタ２１の断面図を示し、図１７（ｂ）に、コネクタ２１の第１の挿入部２１Ａに信号変換基板２０が挿入された後のコネクタ２１の断面図を示し、図１７（ｃ）に、コネクタ２１の第２の挿入部２１Ｂに基板１３が挿入された時のコネクタ２１の断面図を示す。
【００８６】
コネクタ２１は、図１７（ａ）に示すように、内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、当該貫通穴に沿って一方端側から他方端側に一体的なバネ構造で構成されてなるコンタクト１７（接続端子）が配設され、コンタクト１７が押し当てられる押当部２１Ｃが形成されてなる構造のコネクタハウジングからなっている。コンタクト１７は、第１の挿入部２１Ａから挿入される信号変換基板２０と接触する第１の接触部２１Ｄと、第２の挿入部２１Ｂから挿入される基板１３と接触する第２の接触部２１Ｅとが形成されている。また、押当部２１Ｃは、第１の接触部２１Ｄと第２の接触部２１Ｅの間に形成されている。
【００８７】
コネクタ２１は、図１７（ｂ）に示すように、第１の挿入部２１Ａから信号変換基板２０が挿入されて固定された場合に、第１の接触部２１Ｄと接触する信号変換基板２０によりコンタクト１７がコネクタハウジングの内壁側に押し広げられ、押し広げられたコンタクト１７が押当部２１Ｃに押し当てられ、第２の接触部２１Ｅに、基板１３を挟む方向に与圧が発生する。
【００８８】
したがって、基板１３は、図１７（ｃ）に示すように、第２の挿入部２１Ｂから挿入された場合に、第２の接触部２１Ｅによりしっかりとホールドされる。また、図１８には、基板１３側からコネクタ２１を見た図を示す。
【００８９】
また、コネクタ２１は、図１７に示すように、第２の挿入部２１Ｂに、信号変換基板２０が挿入された場合に、与圧によってコンタクト１７の端部が所定のクリアランス以上、基板１３を挟む方向に進まないようにストッパー２１Ｆが形成されている。
【００９０】
また、基板１３には、図１に示すように、所定の回路パターンが形成された凸形状の突起部Ａがあり、コネクタ２１の第２の挿入部２１Ｂにこの突起部Ａが挿入されることにより、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａと信号変換基板２０が電気的に接続される。なお、この突起部Ａは、複数回の挿抜に耐える耐久性をもった構造になっている。
【００９１】
また、コンタクト１７は、コンタクト保持部２１Ｇによりコネクタ２１内に固定保持されている。
【００９２】
したがって、コネクタ２１では、第１の挿入部２１Ａに挿入された信号変換基板２０と接触する第１の接触部２１Ｄを力点とし、当該信号変換基板２０の挿入により押し広げられたコンタクト１７が押し当てられる押当部２１Ｃを支点とし、コンタクト１７の端部を受け止めるストッパー２１Ｆを作用点とする３点接触構造の梃子の原理により、コンタクト１７の位置が固定され、また、コンタクト１７に及ぼす力を均等に割り当てることができるので、コンタクト１７のバネ定数を大きくすることができ、かつ、コンタクト保持部２１Ｇの厚みを抑えることができる。なお、理論的には、上述した３点接触構造により、コンタクト保持部２１Ｇを設けなくても、コンタクト１７の位置を安定的に固定することができる。また、コンタクト１７の端部がストッパー２１Ｆに受け止められるまでは、形状が変化せずに動き、ストッパー２１Ｆに受け止められた後は、第２の接触部２１Ｅに所望の与圧を発生するように変形する。したがって、安定したセルフクリーニング効果と、規定の挿抜回数を実現することができる。
【００９３】
また、信号変換基板２０は、一度コネクタ２１に挿入されると、固定され、抜かれることがないため、第１の接触部２１Ｄにかかるバネ定数を大きく（強く）しても良いため、コンタクト１７の長さを短くすることができる。したがって、コンタクト１７のインダクタンス成分を減少させることができ、コネクタ２１の高周波特性を改善することができる。
【００９４】
また、コネクタ２１内に並設されるコンタクト１７同士の間隔は、０．３ｍｍ程度にすることができるので、インピーダンスマッチングをとることができ、差動１００オームの特性インピーダンスを容易に得ることができる。
【００９５】
また、コネクタ２１は、図１４に示した、静電対策用のシールド用板金ハウジング１８に収納される構成であっても良い。図１９（ａ）に、シールド用板金ハウジング１８に収納されたコネクタ２１に信号変換基板２０及び基板１３が挿入される前のコネクタ２１の断面図を示し、図１９（ｂ）に、シールド用板金ハウジング１８に収納されたコネクタ２１の第１の挿入部２１Ａに信号変換基板２０が挿入された後のコネクタ２１の断面図を示し、図１９（ｃ）に、シールド用板金ハウジング１８に収納されたコネクタ２１の第２の挿入部２１Ｂに基板１３が挿入された時のコネクタ２１の断面図を示す。
【００９６】
コネクタ２１がシールド用板金ハウジング１８に収納された場合には、図１９（ａ）に示すように、シールド用板金ハウジング１８の出縁部１８Ａがコネクタ２１のストッパー２１Ｆとコンタクト１７の他方端の間に差し込まれる。そして、第１の挿入部２１Ａから信号変換基板２０が挿入されて固定されると、図１９（ｂ）に示すように、第１の接触部２１Ｄと接触する信号変換基板２０によりコンタクト１７がコネクタハウジングの内壁側に押し広げられ、押し広げられたコンタクト１７が押当部２１Ｃに押し当てられることにより、第２の接触部２１Ｅに、基板１３を挟む方向に与圧が発生する。この与圧によって、コンタクト１７とシールド用板金ハウジング１８が接触する。したがって、コネクタ２１内に並設されている全てのコンタクト１７は、等電位になっており、外部からの静電気によりコンタクト１７の第１の接触部２１Ｄと接触している信号変換基板２０の静電破壊を防ぐことができる。
【００９７】
そして、図１９（ｃ）に示すように、基板１３が第２の挿入部２１Ｂに挿入されることにより、コンタクト１７とシールド用板金ハウジング１８が非接触状態となる。そして、基板１３は、第２の接触部２１Ｅでしっかりとホールドされる。
【００９８】
また、コネクタ２１は、第１の挿入部２１Ａから信号変換基板２０が挿入されて固定された場合に、第１の接触部２１Ｄと接触する信号変換基板２０により押し広げられたコンタクト１７が突出する開口部２１Ｈと、この突出したコンタクト１７をコネクタハウジングの内側に押し戻す押戻部２１Ｉが設けられている構造であっても良い。
【００９９】
ここで、コネクタ２１が、図２０に示すように、コンタクト１７が上下に５個互いに向かい合って並設されてなり、コンタクト１７が押し広げられる方向に開口部２１Ｈが設けられており、当該開口部２１Ｈから突出するコンタクト１７をコネクタ２１内に押し戻す押戻部２１Ｉがねじ止め構造又は接着剤により固定される構成となっている場合について説明する。
【０１００】
コネクタ２１は、第１の挿入部２１Ａから信号変換基板２０が挿入されて固定された場合に、コンタクト１７が信号変換基板２０により押し広げられ、コンタクト１７の一部が開口部２１Ｈから外側に突出する（図２１（ａ）、（ｂ））。したがって、信号変換基板２０は、コンタクト１７にストレスを与えることなくコネクタ２１に固定することができる。
【０１０１】
そして、コネクタ２１に押戻部２１Ｉを押し当てて、開口部２１Ｈから外側に突出しているコンタクト１７の一部をコネクタ２１のハウジング内に押し戻す（図２１（ｃ）、（ｄ））。このとき、押戻部２１Ｉは、ねじ止め構造又は接着剤によりコネクタ２１に固定される。また、押戻部２１Ｉをコネクタ２１に固定することにより、第２の接触部２１Ｅには、基板１３を挟む方向に与圧が発生する。
【０１０２】
したがって、基板１３は、第２の挿入部２１Ｂから挿入された場合に、第２の接触部２１Ｅによりしっかりとホールドされる（図２１（ｅ））。
【０１０３】
また、押戻部２１Ｉは、開口部２１Ｈから突出しているコンタクト１７の一部をより深くコネクタ２１内部に押し戻すために、コンタクト１７と接触する部分に凸部が形成されていても良い。さらに、凸部の形状は、接触するコンタクト１７の一部と同様の形状であっても良く、これにより、より強固にコンタクト１７を固定することができる。
【０１０４】
また、押戻部２１Ｉは、開口部２１Ｈから突出しているコンタクト１７の一部を収納するために、コンタクト１７の一部と接触する部分に凹部が形成されていても良い。これにより、第２の接触部２１Ｅに大きな与圧を発生することができる。
【０１０５】
また、図２２に示すように、静電対策を図るために、押戻部２１Ｉで固定されたコネクタ２１が、シールド用板金ハウジング１８内に収納される構成であっても良い。
【０１０６】
このような構成の場合には、コネクタ２１は、第１の挿入部２１Ａから信号変換基板２０が挿入されて固定された場合に、コンタクト１７が信号変換基板２０により押し広げられ、コンタクト１７の一部が開口部２１Ｈから外側に突出する（図２３（ａ）、（ｂ））。したがって、信号変換基板２０は、コンタクト１７にストレスを与えることなくコネクタ２１に固定することができる。
【０１０７】
そして、コネクタ２１に押戻部２１Ｉを押し当てて、開口部２１Ｈから外側に突出しているコンタクト１７の一部をコネクタ２１のハウジング内に押し戻す（図２３（ｃ）、（ｄ））。このとき、押戻部２１Ｉは、ねじ止め構造又は接着剤によりコネクタ２１に固定される。また、押戻部２１Ｉをコネクタ２１に固定することにより、第２の接触部２１Ｅには、基板１３を挟む方向に与圧が発生する。
【０１０８】
つぎに、コネクタ２１の第２の挿入部２１Ｂに基板１３と同等の厚みを有するダミー基板を挿入する（図２３（ｅ））。第２の接触部２１Ｅは、ダミー基板の挿入により押し広げられ、コンタクト１７の他方端がストッパー２１Ｆと非接触状態となる。そして、ダミー基板が挿入された状態で、シールド用板金ハウジング１８を挿入する。コネクタ２１がシールド用板金ハウジング１８に収納されることにより、出縁部１８Ａが出縁差込部１９に差し込まれ、出縁部１８Ａがコンタクト１７とストッパー２１Ｆの間に間挿される。
【０１０９】
つぎに、第２の挿入部２１Ｂからダミー基板を抜き出す（図２３（ｆ））。ダミー基板を抜き出すことにより、コンタクト１７の他方端は、与圧により出縁部１８Ａと接触状態となる。
【０１１０】
そして、基板１３が、第２の挿入部２１Ｂに挿入され、第２の接触部２１Ｅによりしっかりとホールドされる（図２３（ｇ））。
【０１１１】
つぎに、コネクタ２１が、図２４に示すように、コンタクト１７が上下に５個互いに向かい合って並設されてなり、コンタクト１７が押し広げられる方向に開口部２１Ｈが設けられており、当該開口部２１Ｈから突出するコンタクト１７をコネクタ２１内に押し戻す押戻部２１Ｉがスライド機構により固定される構成となっている場合について説明する。
【０１１２】
コネクタ２１は、第１の挿入部２１Ａから信号変換基板２０が挿入されて固定された場合に、コンタクト１７が信号変換基板２０により押し広げられ、コンタクト１７の一部が開口部２１Ｈから外側に突出する（図２５（ａ）、（ｂ））。したがって、信号変換基板２０は、コンタクト１７にストレスを与えることなくコネクタ２１に固定することができる。また、コネクタ２１には、図２４に示すように、スライド機構が形成されている。
【０１１３】
そして、コネクタ２１に形成されているスライド機構に押戻部２１Ｉを差し込み、開口部２１Ｈから外側に突出しているコンタクト１７の一部をコネクタ２１のハウジング内に押し戻す（図２５（ｃ）、（ｄ））。また、押戻部２１Ｉがコネクタ２１のスライド機構に差し込まれることにより、第２の接触部２１Ｅには、基板１３を挟む方向に与圧が発生する。
【０１１４】
したがって、基板１３は、第２の挿入部２１Ｂから挿入された場合に、第２の接触部２１Ｅによりしっかりとホールドされる（図２５（ｅ））。
【０１１５】
また、押戻部２１Ｉは、開口部２１Ｈから突出しているコンタクト１７の一部をより深くコネクタ２１内部に押し戻すために、コンタクト１７と接触する部分に凸部が形成されていても良い。さらに、凸部の形状は、接触するコンタクト１７の一部と同様の形状であっても良く、これにより、より強固にコンタクト１７を固定することができる。
【０１１６】
また、押戻部２１Ｉは、開口部２１Ｈから突出しているコンタクト１７の一部を収納するために、コンタクト１７の一部と接触する部分に凹部が形成されていても良い。これにより、第２の接触部２１Ｅに大きな与圧を発生することができる。
【０１１７】
つぎに、コネクタ２１が、図２６に示すように、コンタクト１７が上下に５個互いに向かい合って並設されてなり、コンタクト１７が押し広げられる方向に開口部２１Ｈが設けられており、当該開口部２１Ｈから突出するコンタクト１７をコネクタ２１内に押し戻す押戻部２１Ｉがラッチ構造により固定される構成となっている場合について説明する。
【０１１８】
コネクタ２１は、第１の挿入部２１Ａから信号変換基板２０が挿入されて固定された場合に、コンタクト１７が信号変換基板２０により押し広げられ、コンタクト１７の一部が開口部２１Ｈから外側に突出する（図２７（ａ）、（ｂ））。したがって、信号変換基板２０は、コンタクト１７にストレスを与えることなくコネクタ２１に固定することができる。また、コネクタ２１には、図２６に示すように、押戻部２１Ｉを取り付ける取付部２１Ｊが設けられている。
【０１１９】
そして、コネクタ２１に形成されている取付部２１Ｊに押戻部２１Ｉを取り付け、開口部２１Ｈから外側に突出しているコンタクト１７の一部をコネクタ２１のハウジング内に押し戻す（図２７（ｃ）、（ｄ））。また、押戻部２１Ｉがコネクタ２１の取付部２１Ｊに取り付けられることにより、第２の接触部２１Ｅには、基板１３を挟む方向に与圧が発生する。
【０１２０】
したがって、基板１３は、第２の挿入部２１Ｂから挿入された場合に、第２の接触部２１Ｅによりしっかりとホールドされる（図２７（ｅ））。
【０１２１】
また、押戻部２１Ｉは、開口部２１Ｈから突出しているコンタクト１７の一部をより深くコネクタ２１内部に押し戻すために、コンタクト１７と接触する部分に凸部が形成されていても良い。さらに、凸部の形状は、接触するコンタクト１７の一部と同様の形状であっても良く、これにより、より強固にコンタクト１７を固定することができる。
【０１２２】
また、押戻部２１Ｉは、開口部２１Ｈから突出しているコンタクト１７の一部を収納するために、コンタクト１７の一部と接触する部分に凹部が形成されていても良い。これにより、第２の接触部２１Ｅに大きな与圧を発生することができる。
【０１２３】
つぎに、コネクタ２１が、図２８に示すように、コンタクト１７が上下に５個互いに向かい合って並設されてなり、コンタクト１７が押し広げられる方向に開口部２１Ｈが設けられており、当該開口部２１Ｈから突出するコンタクト１７をコネクタ２１内に押し戻すとともに、コネクタ２１を収納する押戻部２１Ｉにより固定される構成となっている場合について説明する。なお、後述するが、押戻部２１Ｉは、シールド用板金ハウジング１８により代替されても良く、また、その内部（コネクタ２１と接触する部分）は、静電対策用の絶縁材料１８Ｂで形成されている（図２８）。
【０１２４】
コネクタ２１は、第１の挿入部２１Ａから信号変換基板２０が挿入されて固定された場合に、コンタクト１７が信号変換基板２０により押し広げられ、コンタクト１７の一部が開口部２１Ｈから外側に突出する（図２９（ａ）、（ｂ））。したがって、信号変換基板２０は、コンタクト１７にストレスを与えることなくコネクタ２１に固定することができる。
【０１２５】
そして、コネクタ２１が押戻部２１Ｉに押し込まれ、開口部２１Ｈから外側に突出しているコンタクト１７の一部がコネクタ２１のハウジング内に押し戻される（図２９（ｃ）、（ｄ））。また、コネクタ２１が押戻部２１Ｉに押し込まれることにより、第２の接触部２１Ｅには、基板１３を挟む方向に与圧が発生する。
【０１２６】
したがって、基板１３は、第２の挿入部２１Ｂから挿入された場合に、第２の接触部２１Ｅによりしっかりとホールドされる（図２９（ｅ））。
【０１２７】
また、押戻部２１Ｉは、開口部２１Ｈから突出しているコンタクト１７の一部をより深くコネクタ２１内部に押し戻すために、コンタクト１７と接触する部分に凸部が形成されていても良い。さらに、凸部の形状は、接触するコンタクト１７の一部と同様の形状であっても良く、これにより、より強固にコンタクト１７を固定することができる。
【０１２８】
また、押戻部２１Ｉは、開口部２１Ｈから突出しているコンタクト１７の一部を収納するために、コンタクト１７の一部と接触する部分に凹部が形成されていても良い。これにより、第２の接触部２１Ｅに大きな与圧を発生することができる。
【０１２９】
また、押戻部２１Ｉは、出縁部１８Ａが形成されてなるシールド用板金ハウジング１８により代替されても良い。なお、シールド用板金ハウジング１８の内側は、絶縁材料１８Ｂが形成されている。
【０１３０】
このような場合には、コネクタ２１は、第１の挿入部２１Ａから信号変換基板２０が挿入されて固定された場合に、コンタクト１７が信号変換基板２０により押し広げられ、コンタクト１７の一部が開口部２１Ｈから外側に突出する（図３０（ａ）、（ｂ））。したがって、信号変換基板２０は、コンタクト１７にストレスを与えることなくコネクタ２１に固定することができる。
【０１３１】
つぎに、第２の挿入部２１Ｂから基板１３と同等の厚みを有するダミー基板を挿入する（図３０（ｃ））。ダミー基板は、ほとんどコンタクト１７にストレスを与えることなく挿入される。また、コンタクト１７は、ダミー基板の挿入によりさらに開口部２１Ｈから外側に突出することになる。
【０１３２】
つぎに、コネクタ２１をシールド用板金ハウジング１８に収納する（図３０（ｄ））。シールド用板金ハウジング１８により、開口部２１Ｈから外側に突出していたコンタクト１７は、コネクタ２１の内側に押し戻され、信号変換基板２０及びダミー基板に、所定のばね圧をかけることができる。また、コネクタ２１がシールド用板金ハウジング１８に収納されることにより、出縁部１８Ａが出縁差込部１９に差し込まれ、出縁部１８Ａがコンタクト１７とストッパー２１Ｆの間に間挿される（図３０（ｅ））。
【０１３３】
そして、第２の挿入部２１Ｂからダミー基板を抜き出す（図３０（ｆ））。ダミー基板を抜き出すことにより、コンタクト１７の他方端は、与圧により出縁部１８Ａと接触状態となる。
【０１３４】
そして、基板１３が、第２の挿入部２１Ｂに挿入され、第２の接触部２１Ｅによりしっかりとホールドされる（図３０（ｇ））。なお、基板１３が第２の挿入部２１Ｂに挿入された際に、コンタクト１７の他端側と出縁部１８Ａとは非接触状態となる。
【０１３５】
また、コネクタ２１の開口部２１Ｈから突出しているコンタクト１７を押し戻す押戻部２１Ｉの構成は、上述したもの以外のものであっても良い。例えば、図３１に示すように、開口部２１Ｈが設けられている面の両側端部に、貫通穴が設けられた突起部２１Ｋが直立して設けられており、一方の突起部２１Ｋから他方の突起部２１Ｋへ差込棒２１Ｌを差し込んで回転式の板構造となるように、押戻部２１Ｉの側面に貫通穴が設けられている構成であっても良い。
【０１３６】
さらに、図３２に示すように、開口部２１Ｈが設けられている面の両側端部に、係止部２１Ｍが直立して設けられており、係止部２１Ｍに押戻部２１Ｉが挿入される構成であっても良い。
【０１３７】
また、コネクタ２１は、図３３に示すように、内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、当該貫通穴に沿って一方端側に配設され、他方端側から突出する一体的なバネ構造で構成されてなるコンタクト１７と、コンタクト１７を保持する保持部２１Ｇが他方端側に形成されてなる構造の第１のコネクタハウジング部２１Ｎと、内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、第１のコネクタハウジング部２１Ｎと接続されるときに、第１のコネクタハウジング部２１Ｎの他方端側から突出している部分のコンタクト１７を囲う構造の第２のコネクタハウジング部２１Ｏとからなる構成であっても良い。また、図３４には、第２のコネクタハウジング部２１Ｏから第１のコネクタハウジング部２１Ｎを見た図を示す。以下に、第１のコネクタハウジング部２１Ｎと第２のコネクタハウジング部２１Ｏが接続される手順を示す。
【０１３８】
コネクタ２１は、第１のコネクタハウジング部２１Ｎの一方端側から信号変換基板２０が挿入されて固定された場合に、信号変換基板２０によりコンタクト１７の一端側が押し広げられ、押し広げられたコンタクト１７の一部が第１のコネクタハウジング部２１Ｎの他方端側に押し当てられ、コンタクト１７の他端側に、基板１３を挟む方向に与圧が発生する構造である。また、第１のコネクタハウジング部２１Ｎと第２のコネクタハウジング部２１Ｏは、ラッチ構造により接続される。
【０１３９】
第１のコネクタハウジング部２１Ｎは、一方端側から信号変換基板２０が挿入されて固定された場合に、コンタクト１７が信号変換基板２０により押し広げられる（図３５（ａ）、（ｂ））。コンタクト１７の他端側は、第１のコネクタハウジング部２１Ｎによって囲われていない、いわゆるフリー状態なので、信号変換基板２０は、コンタクト１７にほとんどストレスを与えることなく第１のコネクタハウジング部２１Ｎに固定される。また、信号変換基板２０をコネクタハウジング部２１Ｎに固定することにより、コンタクト１７の他端側には、基板１３を挟む方向に与圧が発生する。
【０１４０】
そして、第１のコネクタハウジング部２１Ｎの他端側に、基板１３と同等の厚みを有するダミー基板を挿入する（図３５（ｃ））。つぎに、ダミー基板が挿入されている状態で、第２のコネクタハウジング部２１Ｏを第１のコネクタハウジング部２１Ｎに接続する（図３５（ｄ））。なお、第１のコネクタハウジング部２１Ｎと第２のコネクタハウジング部２１Ｏとは、ラッチ構造で接続されるものとするが、他の方法によって接続されても良い。
【０１４１】
また、第１のコネクタハウジング２１Ｎと第２のコネクタハウジング部２１Ｏが接続された後、ダミー基板が引き抜かれる（図３５（ｅ）、（ｆ））。第２のコネクタハウジング部２１Ｏには、コンタクト１７の他端側を支持するためのストッパー２１Ｆが形成されているため、ダミー基板が抜かれたときに、コンタクト１７の他端側がストッパー２１Ｆで支持される構造となる。そして、ダミー基板が抜かれた後に、基板１３が挿入される。
【０１４２】
このように、コネクタを前後の２体構造とすることによって、ストレスなしで信号変換基板２０をコネクタに固定することができ、基板１３が挿入される側に適式に与圧を発生させることができる。
【０１４３】
また、コネクタ２１は、図３６に示すように、上述した２体構造のコネクタを、静電対策を図るために、シールド用板金ハウジング１８内に収納される構成であっても良い。また、図３７には、シールド用板金ハウジング１８から第２のコネクタハウジング部２１Ｏ、第１のコネクタハウジング部２１Ｎを見た図を示す。以下に、第１のコネクタハウジング部２１Ｎと、第２のコネクタハウジング部２１Ｏが接続され、シールド用板金ハウジング１８に収納される手順を示す。
【０１４４】
コネクタ２１は、第１のコネクタハウジング部２１Ｎの一方端側から信号変換基板２０が挿入されて固定された場合に、信号変換基板２０によりコンタクト１７の一端側が押し広げられ、押し広げられたコンタクト１７の一部が第１のコネクタハウジング部２１Ｎの他方端側に押し当てられ、コンタクト１７の他端側に、基板１３を挟む方向に与圧が発生する構造である。また、第１のコネクタハウジング部２１Ｎと第２のコネクタハウジング部２１Ｏは、ラッチ構造により接続される。
【０１４５】
第１のコネクタハウジング部２１Ｎは、一方端側から信号変換基板２０が挿入されて固定された場合に、コンタクト１７が信号変換基板２０により押し広げられる（図３８（ａ））。コンタクト１７の他端側は、第１のコネクタハウジング部２１Ｎによって囲われていない、いわゆるフリー状態なので、信号変換基板２０は、コンタクト１７にほとんどストレスを与えることなく第１のコネクタハウジング部２１Ｎに固定される。また、信号変換基板２０をコネクタハウジング部２１Ｎに固定することにより、コンタクト１７の他端側には、基板１３を挟む方向に与圧が発生する。
【０１４６】
そして、第１のコネクタハウジング部２１Ｎの他端側に、基板１３と同等の厚みを有するダミー基板を挿入する（図３８（ｂ））。つぎに、ダミー基板が挿入されている状態で、第２のコネクタハウジング部２１Ｏを第１のコネクタハウジング部２１Ｎに接続する（図３８（ｃ））。なお、第１のコネクタハウジング部２１Ｎと第２のコネクタハウジング部２１Ｏとは、ラッチ構造で接続されるものとするが、他の方法によって接続されても良い。
【０１４７】
つぎに、接続された第１のコネクタハウジング部２１Ｎと第２のコネクタハウジング部２１Ｏをシールド用板金ハウジング１８に収納する（図３８（ｄ））。シールド用板金ハウジング１８に収納されることにより、出縁部１８Ａが第２のコネクタハウジング部２１Ｏに形成されている出縁差込部１９に差し込まれ、出縁部１８Ａがコンタクト１７とストッパー２１Ｆの間に間挿される（図３８（ｅ））。
【０１４８】
そして、ダミー基板が引き抜かれる（図３８（ｆ））。ダミー基板が引き抜かれたときに、コンタクト１７の他端側が、与圧により出縁部１８Ａと接触状態となる。
【０１４９】
そして、基板１３が、第２の挿入部２１Ｂに挿入され、第２の接触部２１Ｅによりしっかりとホールドされる（図３８（ｇ））。なお、基板１３が第２の挿入部２１Ｂに挿入された際に、コンタクト１７の他端側と出縁部１８Ａとは非接触状態となる。
【０１５０】
ここで、信号変換基板２０が横型に配置されてなる信号伝送用コネクタ２を用いた伝送システムの構成を図３９に示す。一対の信号伝送用コネクタ２が、光ファイバ１０によりつながれ、これを、一対のＳＥＲＤＥＳが実装された基板１３と接続することで、データ通信システムを実現する。
【０１５１】
また、図４０（ａ）に、コネクタ２１部分の断面図を示し、図４０（ｂ）に、基板１３側のコネクタ受け部分の断面図を示す。なお、上述したコネクタ２１に固定された信号変換基板２０と光ファイバ１０は、一体のコネクタハウジング２２内に実装されているものとする。また、光ファイバ１０の端部はフード２３で覆われており、コネクタ２１と信号変換基板２０は、ＥＭＩ（Electro Magnetic Interference）対策のための電磁シールドと、発生した熱を放熱させるための放熱板を兼用するシールド用板金ハウジング１８で囲われている。また、光ファイバ１０は、光信号を伝送するための光ファイバと、当該光ファイバを覆うテンションメンバと、当該テンションメンバを覆うゴム等の被覆線とからなっており、シリコン基板に固定するために、テンションメンバをシリコン基板に貼り付けている。
【０１５２】
また、基板１３は、コネクタ２１を受ける（挿抜される）ハウジング２５が搭載されており、当該ハウジング２５はシールド用の金属板金で形成されている。なお、ハウジング２５を基板側に延長して面積を拡大するようにすれば、放熱特性を向上することができる。また、信号伝送用コネクタ２が基板１３に接続された場合、信号伝送用コネクタ２に形成されている板金と基板１３に形成されている板金とが金属的に接触するので、信号伝送用コネクタ２が発する熱を基板１３側の受け用板金に効率よく伝達することができ、放熱特性を向上することができる。
【０１５３】
このように構成される信号伝送用コネクタ２は、光ファイバ１０を固定し、所定の信号変換を行う信号変換基板２０と、信号変換基板２０が固定的に接合される第１の挿入部２１Ａと、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａが実装されている基板１３を挿脱可能に接続する第２の挿入部２１Ｂを有するコネクタ２１とを備えるので、信号変換基板２０に実装されている光電変換素子１６ＡとＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａを電気的に最短距離で結ぶことができ、従来のように、高周波特性悪化の要因となっていた突起部（スタブ）が形成されているＳＦＰコネクタ端子や、メンテナンスが困難なフェルールを用いないので、高周波数帯域までほとんど損失させることなく信号透過特性を維持することができる。
【０１５４】
また、基板１３がコネクタハウジング２２に挿入されるときには、まず、シールド用板金ハウジング１８とハウジング２５が接触（ショート）する。したがって、もし、コネクタハウジング２２が帯電していても、この接触により放電することができる。また、同時に、コネクタハウジング２２のグランドと基板１３のグランドの電位を共通にさせることにもなる。なお、ハウジング２５は、接地（グランド）されている。
【０１５５】
また、シールド用板金ハウジング１８とハウジング２５が接触した後、さらに基板１３をコネクタハウジング２２に挿入することにより、基板端によりコンタクト１７が持ち上げられ、コンタクト１７とシールド用板金ハウジング１８との接触状態が解除される。そして、基板１３の接続用パターンとコンタクト１７が接触することにより、基板１３とコネクタハウジング２２の接続が完了する。
【０１５６】
また、基板１３上に形成されている接続用パターンは、活線挿抜を考慮して、グランド用パターン（以下、グランド線という。）が最初に接触し、次いで電源用パターン（以下、電源線という。）、信号用パターン（以下、信号線という。）という順序でコンタクト１７と接触する構造となっている。したがって、コンタクト１７にグランド線が最初に接触することにより、基板１３と信号変換基板２０の電位を同一のものにし、その後、電源線及び信号線が接触することとなり、回路にダメージを与えない接続シーケンスになっている。
【０１５７】
また、信号伝送用コネクタ１，２は、図４１に示すように、光ファイバ１０を固定し、所定の信号変換を行う信号変換基板３０のみで構成されていても良い。このような場合には、コネクタ３１は、信号変換基板３０が挿脱可能に接続される第３の挿入部３１Ａと、ＳＥＲＤＥＳチップが実装されている基板１３と固定的に接合される第４の挿入部３１Ｂを有する。
【０１５８】
信号変換基板３０は、光信号を送受信する光トランシーバであって、シリコン基板上にＶ溝が形成され、光ファイバ１０と光導波路とが当該Ｖ溝に沿って高精度に結合され、かつ、光導波路の端面に形成されている４５°のミラーにより、基板上に実装された光電変換素子３０Ａと光ファイバ１０とがカップリングされる。
【０１５９】
ここで、図４２（ａ）に、コネクタ３１の第４の挿入部３１Ｂ側に基板１３が接合された後、第３の挿入部３１Ａに信号変換基板３０が挿入される前のコネクタ３１の断面図を示し、図４２（ｂ）に、第３の挿入部３１Ａに信号変換基板３０が挿入された時のコネクタ３１の断面図を示す。信号変換基板３０と基板１３とを固定し、電気的に導通させるコネクタ３１のコンタクト１７は、図４２（ａ）、（ｂ）に示すように、支点位置が第４の挿入部３１Ｂ側に寄っている。したがって、第３の挿入部３１Ａに形成されているコンタクト１７の端部には、梃子の原理により基板１３をしっかりとホールドするように圧力がかかる。また、図４３には、基板１３側からコネクタ３１及び信号変換基板３０を見た図を示す。
【０１６０】
また、コネクタ３１には、基板１３と係合される係合部Ｂが形成されており、基板１３には、係合部Ｂと係合される係合孔Ｃが形成されている。係合部Ｂと係合孔Ｃとは半田付けにより結合される。
【０１６１】
高域周波数においては、コネクタ端子と基板間のインピーダンスマッチングも無視できない劣化要素となり、コネクタ端子がハウジングから突出している場合には、コネクタと基板の接触部の誘電率が変化し、インピーダンスのミスマッチを起こす場合がある。したがって、上述のように、コネクタ端子をハウジングから飛び出させることなく基板と結合する構造にすると、接触部における誘電率の変化が起こらないため、インピーダンスのミスマッチの問題を回避することができ、周波数特性を向上することができる。
【０１６２】
また、基板１３に固定的に接合されたコネクタ３１に、信号変換基板３０を接続する伝送システムの構成を図４４に示す。信号変換基板３０を有する一対の信号伝送用コネクタ３が、光ファイバ１０によりつながれ、これを、一対のＳＥＲＤＥＳが実装された基板１３と接続することによりデータを送受信するシステムを実現する。
【０１６３】
ここで、図４５（ａ）に、信号伝送用コネクタ３の信号変換基板３０の断面図を示し、また、図４５（ｂ）に、コネクタ３１が接合されている基板１３の断面図を示す。図４５（ａ）に示すように、光ファイバ１０の端部は、フード３１で覆われており、信号変換基板３０は、一体のハウジング３２内に実装されており、ＥＭＩ対策のために電磁シールドと、発生した熱を放熱させるための放熱板を兼用する金属板金３３で囲われている。また、光ファイバ１０は、光信号を伝送するための光ファイバと、当該光ファイバを覆うテンションメンバと、当該テンションメンバを覆うゴム等の被覆線とからなっており、シリコン基板に固定するために、テンションメンバをシリコン基板に貼り付けている。
【０１６４】
一方、基板１３は、信号変換基板３０を受けるハウジング３４がコネクタ３１を覆うように搭載されており、当該ハウジング３４は金属板金で形成されている。なお、ハウジング３４を基板側に延長して面積を拡大するようにすれば、放熱特性をさらに向上させることができる。また、信号変換基板３０が基板１３に固定されているコネクタ３１に接続された場合、信号変換基板３０に形成されている板金と、基板１３に形成されている板金とが金属的に接触するので、信号変換基板３０が発する熱を基板１３側の受け用板金に効率よく伝達することができ、放熱特性を向上することができる。
【０１６５】
このように構成される信号伝送用コネクタ３は、光ファイバ１０を固定し、所定の信号変換を行う信号変換基板３０を備え、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａが実装されている基板１３に接合されているコネクタ３１に接続されるので、信号変換基板３０に実装されている光電変換素子１６ＡとＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａを電気的に最短距離で結ぶことができ、従来のように、高周波特性悪化の要因となっていた突起部（スタブ）が形成されているＳＦＰコネクタ端子や、メンテナンスが困難なフェルールを用いないので、高周波数帯域（２０ＧＨｚ）までほとんど損失させることなく信号等化特性を維持することができる。
【０１６６】
また、本発明に係る信号伝送用コネクタが接続される基板１３は、図４６（ａ）に示すように、信号伝送用コネクタが挿入される突起部Ａが形成されている。なお、突起部Ａには、電気信号を送受信するための所定のパターンが形成されている。
【０１６７】
ところで、基板を製作する過程において、図４６（ａ）に示すような突起部Ａを形成すると、左右の部分は切り捨てる必要があり、資源を無駄にしてしまう。そこで、図４６（ｂ）に示すように、信号伝送用コネクタの外観形状に沿って突起部Ａの周辺に凹状の切り欠き部Ｄを形成しておく。こうすることにより、資源を有効利用することができる。
【０１６８】
また、図４７に示すように、子基板４０上にＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａを実装させ、当該子基板４０を親基板上にリードフレームにより接合する構造であっても良い。この構造では、親基板に突起部Ａや切り欠き部Ｄを形成する必要がなく、資源を有効に利用することができる。
【０１６９】
また、図４８に示すように、子基板４１上にＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａを実装させ、当該子基板４１をボードコネクタ４２により親基板上に接合する構造であっても良い。
【０１７０】
また、使用する信号が多チャンネルになり、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａの端子数が多くなるとインターポーザを利用する場面が増えてくる。そこで、例えば、図４９に示すように、インターポーザ４３にＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａを実装させ、インターポーザ４３をコネクションとして親基板上に接合する。このような構造にすることにより、インターポーザ４３に形成した接続用パターンに信号伝送用コネクタを接続することで、配線長、インピーダンスの不適合及び半田ボール部のインピーダンス不適合を無くすことができる。また、信号伝送用コネクタを結合するためのハウジング４４を取付ビス４５により基板１３に設置しても良い。
【０１７１】
なお、図４６の構造においても、図４９に示したようなハウジング４４を設置しても良い。
【０１７２】
また、信号伝送用コネクタは、図示しないレーザ光源、アンプ、ドライバ等の消費電力が大きなチップが実装されており、特に、高周波数の信号を伝送する際には大きな電力が必要となり、高熱を発してしまう。
【０１７３】
そこで、本願発明では、図５０及び図５１に示すように、基板に接合されたハウジングに放熱機構を設けることとしている。図５０及び図５１に示したハウジングは、全部または一部に熱伝導性の良い素材、例えば、金属材料で組成されており、これに放熱機構を持たせることで、ハウジングに接触した信号伝送用コネクタから発せられる熱を放熱させる構造になっている。
【０１７４】
また、図５０に示したハウジングは、表面に多数の穴Ｅが開けられて放熱フィン構造が形成されており、放熱性能を改善する構造になっている。例えば、周囲が電磁シールドを兼ねた金属板で囲われている信号伝送用コネクタが基板に挿入された場合、信号伝送用コネクタを囲っている金属板と、基板側のハウジングの金属部を接触させる構造にすることにより、さらに放熱特性を改善することができ、かつ、ノイズ対策にもなる。なお、図５０に示したハウジングは、基板に実装されているＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａから発せられた熱も放熱するように、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａもハウジングに含まれるようにしている。
【０１７５】
また、図５１に示したハウジングは、上方に別体の放熱フィンＦを付加した構造である。
【０１７６】
このようにして、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａが実装された基板に、放熱機構を有するハウジングを設けることにより、信号伝送用コネクタ側の放熱機構を減らすことができ、結果として、信号伝送用コネクタを小型化することができる。
【０１７７】
ここで、従来のコネクタによる場合の信号の流れと（図５２）、本発明に係るコネクタによる場合の信号の流れ（図５３）を比較して示す。
【０１７８】
図５２に、従来のコネクタのブロック図を示す。マザー基板１３には、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａと、ＳＦＰ（ＸＦＰ）コネクタ５０が実装されている。また、光トランシーバ５１は、ＳＦＰ（ＸＦＰ）コネクタ５０を介してマザー基板１３から供給された電気信号を光信号に変換する電気光変換部５２と、電気光変換部５２で変換された光信号を集光等する第１の光学系５３と、第１の光学系５３と光ファイバを接続する第１の光コネクタ１０４と、光ファイバと接続される第２の光コネクタ５５と、第２の光コネクタ５５から出射された光信号を集光等する第２の光学系５６と、第２の光学系５６から供給される光信号を電気信号に変換する光電気変換部５７とを備える。
【０１７９】
電気光変換部５２は、電気信号を光信号に変換するＬＤ（Laser Diode）部５２Ａと、ＬＤ部５２Ａを駆動するＬＤＤ（Laser Diode Driver）部５２Ｂからなっている。また、光電気変換部５７は、光信号を電気信号に変換するＰＤ（Photo Diode）部５７Ａと、ＰＤ部５７Ａから出力された電気信号を電圧信号に変換し、電気信号の波形整形を行うＴＩＡ（Transimpedance Amplifier）／ＬＡ（Limiting Amplifier）部５７Ｂとからなる。
【０１８０】
また、ＳＦＰ（ＸＦＰ）コネクタ５０は、一般的に、光トランシーバ５１が接続される際のガイドと、静電破壊を防止するための電磁シールドと、発生した熱を放熱する役割を果たす板金で覆われている。
【０１８１】
また、図５３に、本発明に係るコネクタのブロック図を示す。マザー基板１３には、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａが実装されている。また、一体型光トランシーバ６０は、トランシーバと光ファイバが一体的に構成されており、基板１３が挿入されるコネクタ１２，２１と、コネクタ１２，２１を介してマザー基板１３から供給された電気信号を光信号に変換する電気光変換部６１と、電気光変換部６１で変換された光信号を集光等し、光ファイバに出射する第１の光学系６２と、光ファイバから入射された光信号を集光等する第２の光学系６３と、第２の光学系６３から供給される光信号を電気信号に変換する光電気変換部６４とを備える。
【０１８２】
電気光変換部６１は、電気信号を光信号に変換するＬＤ部６１Ａと、ＬＤ部６１Ａを駆動するＬＤＤ部６１Ｂからなっている。また、光電気変換部６４は、光信号を電気信号に変換するＰＤ部６４Ａと、ＰＤ部６４Ａから出力された電気信号を電圧信号に変換し、電気信号の波形整形を行うＴＩＡ／ＬＡ部６４Ｂとからなる。
【０１８３】
したがって、本発明に係るコネクタでは、トランシーバと光ファイバは一体構造となっているので、従来必要とされていた第１の光コネクタ１０４及び第２の光コネクタ５５を必要とせず、また、ＳＦＰ（ＸＦＰ）コネクタ５０に代えて、コネクタ１２，２１を用いる。
【０１８４】
また、一体型光トランシーバ６０を小型化するために、ＬＤＤ部６１Ｂを基板１３側に設ける構成であっても良い。しかし、一般的に、ＬＤ部６１Ａには、静電対策用のダイオードを構成することは困難であり、ＬＤＤ部６１ＢとＬＤ部６１Ａを分離してしまうと、ＬＤ部６１Ａの静電対策が脆弱化してしまう問題がある。
【０１８５】
一方で、本発明に係るコネクタを用いると、上述したように非常に良好な静電対策を実現できるので、ＬＤＤ部６１ＢとＬＤ部６１Ａとを分離して構成することができる。したがって、ＬＤＤ部６１Ｂを一体型光トランシーバ６０に設けない構成にした場合、構成要素の小規模化を図ることができるので、トランシーバの小型化が実現でき、また、ローコスト化を実現できる。また、ＬＤＤ部６１Ｂの消費電力は大きいので、光トランシーバ全体の発熱量を減らすことができ、これもトランシーバの小型化及び信頼性の改善に貢献することができる。
【０１８６】
また、ＬＤＤ部６１Ｂには、搭載されているＬＤ部６１Ａに対応するバイアス電流値、変調電流値等の情報を入力するのが一般的であるが、ＬＤＤ部６１Ｂが基板側に実装される構成では、光トランシーバが他の光トランシーバに交換された場合に生じるパラメータ変化に対応することが困難である。
【０１８７】
そこで、図５４に示すように、一体型光トランシーバ６０に可変抵抗器６５を設け、可変抵抗器６５から出力された情報を、コネクタ１２，２１を介して基板１３に搭載されているＬＤＤ部６１Ｂに供給する構成にすることにより上述した問題を解決する。
【０１８８】
ＬＤＤ部６１Ｂには、ＬＤ部６１Ａのバイアス電流値、変調電流値等の情報が電圧値として入力されるので、可変抵抗器６５を、予め、ＬＤ部６１Ａのパラメータに適合する電圧になるように調整しておく。したがって、コネクタ１２，２１に基板１３が挿入されたときに、可変抵抗器６５からＬＤＤ部６１Ｂに電圧値を供給するので、光トランシーバが交換されてＬＤ部６１Ａのパラメータが変化した場合にも対応することができる。また、可変抵抗器の代わりにレーザトリミングの抵抗器等を用いても良い。
【０１８９】
また、図５５に示すように、一体型光トランシーバ６０は、ＬＤ部６１Ａのパラメータを記憶したＥＥＰＲＯＭ６６を備えるような構成であっても良い。このような構成にすることにより、コネクタ１２，２１に基板１３が挿入されたときに、基板１３に搭載されているＣＰＵ６７がＥＥＰＲＯＭ６６からＬＤ部６１Ａのパラメータを読み出し、読み出したパラメータに基づいて、Ｄ／Ａ変換部６８でＤ／Ａ変換し、Ｄ／Ａ変換した値をＬＤＤ部６１Ｂに供給する。また、ＥＥＰＲＯＭをシリアルタイプのものにすることにより、信号線の数を節約できるので、コネクタ１２，２１に並設されるコンタクト１７の数を減らすことができる。
【０１９０】
したがって、本発明に係るコネクタは、内側に一方端側から他方端側に貫通する貫通穴が設けられ、当該貫通穴に沿って一方端側から他方端側に一体的なバネ構造で構成されてなるコンタクト１７が配設され、コンタクト１７が押し当てられる押当部１２Ｃ，２１Ｃが形成されてなる構造のコネクタハウジングからなっており、コンタクト１７が、第１の挿入部１２Ａ，２１Ａから挿入される信号変換ブロック１１、信号変換基板２０と接触する第１の接触部１２Ｄ，２１Ｄと、第２の挿入部１２Ｂ，２１Ｂから挿入される基板１３と接触する第２の接触部１２Ｅ，２１Ｅとが形成されており、また、押当部１２Ｃ，２１Ｃが、第１の接触部１２Ｄ，２１Ｄと第２の接触部１２Ｅ，２１Ｅの間に形成されている。ゆえに、本発明に係るコネクタからなる信号伝送用コネクタは、高周波帯域（２０ＧＨｚ）以上までフラットな信号透過特性を実現でき、４０Ｇｂｐｓ程度のデータ転送が可能である。さらに、従来のＳＦＰコネクタを利用する信号伝送用コネクタにより１０Ｇｂｐｓ程度のデータ伝送を行う場合に必須であった波形整形のためのバッファー回路等が不要になり、システムの小型化が実現でき、ローコスト化を実現できる。
【０１９１】
また、コネクタの一方端側から挿入される基板１３は、第２の接触部１２Ｅ，２１Ｅと規定の回数挿抜を行える構成であるので、挿抜の際の摺動によってセルフクリーニング効果による信頼性を改善することもできる。
【０１９２】
近年、LCD（Liquid Crystal Display）やPDP（Plasma Display Panel）といったいわゆるフラットパネルテレビの普及が加速している。これらテレビはその特徴である薄型を強調しやすい、ディスプレイ部分（以下、Sink側という。）とチューナーを内蔵した本体部分（以下、Source側という。）を分離した形式採用する製品ラインナップが登場している。
【０１９３】
Source機器とSink機器間の伝送規格としては、主にコンピュータ系で普及しているDVI（Digital Visual Interface）とコンスーマー領域で今後大きく普及していくと予想されているHDMI（High-Definition Multimedia Interface）規格がある。どちらの規格も高速伝送部分の符号化にはTMDS（Transition Minimized Differential Signals）方式を採用している。
【０１９４】
TMDS方式は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のチャネル毎のデータ伝送路と、１チャネルのクロック伝送路を設けて、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各チャネルの画像信号がベースバンドで伝送される方式である。これとは別に高速シリアルバスよりも伝送速度の遅い双方向シリアル伝送路であるI2C（Inter-Integrated Circuit）バスを有しており、このI2CバスがVESA（Video Electronics Standards Association）で策定したプラグアンドプレイ用のDDC（Display Data Channel）規格用伝送路として用いられている。
【０１９５】
従来からSource機器とSink機器を結ぶ伝送媒体としてメタル線が使用されてきている。
【０１９６】
しかしながら、より鮮明な画像をより大画面で楽しみたいという人間の欲求に対しては伝送容量の増大が避けられない。従来のメタル線では高速伝送になるにつれ、信号が減衰しやすくビットエラーが生じるため、伝送距離は数メートル程度に限られてしまうという欠点があった。
【０１９７】
さらに、信号の減衰を少しでも抑制しようとするあまり線材径を太くせざるを得ないという状況に加え、高速になるにつれメタル線が受ける電磁波の影響が大きくなるためシールド対策も必要に迫られ、伝送距離を伸ばせたとしてもその外見や取り扱いやすさは大きな犠牲を強いられていた。
【０１９８】
また、このような対策を施したとしても、ノイズの流入又は流出や、回路の作りこみといったアナログ的な要因により、ある機器には正常に動作するが別の機器では正常に動作しない、といった相性問題を抱えていた。高速伝送になるにつれ問題はさらに顕在化してくると考えられる。
【０１９９】
また、実際の配置を考えてみると壁掛けにした際、本体部分はＡＶラックといったＤＶＤ等の周辺機器を同時に収納する箇所にまとめて設置され、ディスプレイとは離れた場所に位置することが多い。現在、主流となっている伝送方式で製品化する場合、いくらＬＣＤやＰＤＰ自体が薄くとも壁掛けにした時点で上述のような外見が太くて取り扱いづらいメタルケーブルが壁からぶら下がってしまうと美観を損ね、結果的に商品価値を損ねてしまうという欠点がある。
【０２００】
一方、このようなメタル線の欠点を克服すべくコンピュータディスプレイと本体を接続する手段として特開２００２−３６６３４０号公報のような光素子とファイバを用いた遠距離伝送方式が提案されているが、低速の双方向通信にはメタル線を使用するため、高速信号伝送に光ファイバを使用してもその伝送距離はメタル線の減衰距離に依存する上、メタル線を使う以上ケーブル径の増大は否めない。また、特開２００３−２７３８３４号公報では、低速双方向通信にメタル線を使用せず長距離化を可能とするものであり、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、クロック、低速用に各１本ずつ光ファイバを使用するのではなく、波長多重の技術によって使用本数を削減している。しかし、波長ごとに異なるＬＤが必要なのはもちろんのこと、合波又は分波も必要となるが、電気部品に比べコストが高く、システム全体として民生用に受け容れられる価格帯での製造は極めて困難となってしまうといった問題を抱えている。
【０２０１】
また、光ファイバとの接続は、通常、例えばＬＣコネクタ、ＳＣコネクタといった業界標準の光コネクタを採用していることがほとんどである。しかし、光システムを家庭内に導入する場合を考えると、光コネクタは次のような理由により好ましくない。
【０２０２】
第一に、安全上の問題がある。光コネクタであるためシステム側との接続する場合、ユーザが光を直接覗き込んでしまうことが考えられる。通常、アイセーフティが考慮されており直視した場合でも問題ないような設計となっているものの、直視してしまうような状況となること自体、家庭内では望ましくない。
【０２０３】
第二に、コネクタの挿抜にともなう光量減衰問題がある。光コネクタには高い実装精度が要求されており、接合間に異物が混入すると光量減衰を招いてしまう。挿抜にともない埃や手の油分の付着といった端面汚濁、さらには端面損傷が十分考えられる。従来、専門知識を持った業者が扱うことしか想定していないので、端面クリーニングを施す等で対策していたが、一般ユーザには伝送線の接続のたびに端面クリーニングをするという行為自体煩わしい。光コネクタはコンスーマーに広く普及させるうえで障害になる。したがって、従来は、端面汚れ等不確定な光量損失を見込んで設計しなければならず、光伝送システムの設計マージンを圧迫していた。
【０２０４】
第三に、コストの問題がある。高速伝送用に用いられる光ファイバは一般的にガラスファイバが使用されるが、そのコア径は５０ｕｍ〜６２．５ｕｍである。このコアに光を結合させなければならないため、必然的に実装精度はミクロンオーダーとなってしまう。さらに部品点数も多くなるため、コスト高となってしまう。光コネクタにかかるコスト上昇分は電気部品のそれよりもはるかに高い。家庭内に広く普及させるためには低コスト化は必須である。
【０２０５】
以上のような理由により、光コネクタはコンスーマー領域への普及に対し大きな足かせとなっていた。
【０２０６】
本発明はこれらの問題点の低減を図ることを目的としてなされたものである。
【０２０７】
そこで、本発明では、ＬＣＤやＰＤＰに代表されるフラットパネルディスプレイ（Sink機器）とチューナー内蔵本体（Source機器）間の接続において、取り扱い性に優れた光モジュールを提供し、美観を損なうことなく、高解像度の映像信号伝送可能な光伝送システムを提供することも目的の一つとしている。
【０２０８】
ここで、第１の実施形態（外付け型）として、信号送受信システムの全体構成図を図５６に示す。なお、信号送受信システムは、現行製品に搭載されているＩ／Ｆをそのまま使用できる利点があり、また、テレビ信号（映像信号および音声信号）Ｓ１が送信機（Source機器）に入力され、入力されたテレビ信号Ｓ１の中から、送信機内部にあるチューナー回路によって指定されたチャンネルのテレビ信号を選択して増幅される形態であっても良いし、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）やＨＤＤ（Hard Disc Drive）等のストレージメディアから読み出した信号Ｓ２が入力される形態であっても良い。
【０２０９】
信号送受信システムは、信号Ｓ１，Ｓ２が入力される送信機（Source機器）７０と、信号Ｓ１，Ｓ２を受信する受信機（Sink機器）７１と、送信機７０と受信機７１の間における信号の送受信に利用される信号伝送用ケーブル７２とから構成される。
【０２１０】
信号伝送用ケーブル７２は、図５７に示すように、両端に外付けユニット７３，７４を有している。外付けユニット７３は、ＲＧＢ  Ｉ／Ｆコネクタ７５と、制御信号Ｉ／Ｆコネクタ７６と、ＲＧＢ  Ｉ／Ｆデバイス７７と、論理回路部（Ｌｏｇｉｃ）７８と、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａと、光モジュール７９を備え、送信側となるSource機器７０が接続される。また、外付けユニット７４は、ＲＧＢ  Ｉ／Ｆコネクタ８０と、制御信号Ｉ／Ｆコネクタ８１と、ＲＧＢ  Ｉ／Ｆデバイス８２と、論理回路部（Ｌｏｇｉｃ）８３と、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａと、光モジュール８４を備え、受信側となるSink機器７１が接続される。
【０２１１】
また、外付けユニット７３は、Source機器７０から供給されたＲＧＢ信号がＲＧＢ  Ｉ／Ｆコネクタ７５、ＲＧＢ  Ｉ／Ｆデバイス７７を介してＬｏｇｉｃ７８に供給され、一方、Source機器７０から供給された制御信号（リモコン等の信号）が制御信号Ｉ／Ｆコネクタ７６を介してＬｏｇｉｃ７８に供給される。Ｌｏｇｉｃ７８は、ＲＧＢ信号と制御信号とを合成（多重化）し、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａに供給する。ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａは、供給された合成信号をシリアライズ（シリアル信号化）し、光モジュール７９に供給する。光モジュール７９は、本発明に係る信号伝送用コネクタ１，２，３であって、ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａから供給された信号（電気信号）を光信号に変換し、変換後の光信号を光ファイバを介して高速に他方の外付けユニット７４に送信する。
【０２１２】
また、外付けユニット７４は、光ファイバを介して高速に供給される光信号をＬｏｇｉｃ８３により制御されている本発明に係る信号伝送用コネクタ１，２，３である光モジュール８４で受信し、受信した光信号を電気信号に変換し、変換後の電気信号をＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａに供給する。ＳＥＲＤＥＳチップ１３Ａは、供給された電気信号をデシリアライズ（パラレル信号化）し、Ｌｏｇｉｃ８３に供給する。Ｌｏｇｉｃ８３は、供給された信号（多重化されているＲＧＢ信号及び制御信号）をＲＧＢ信号と制御信号に分離し、ＲＧＢ信号をＲＧＢ  Ｉ／Ｆデバイス８２に供給し、制御信号を制御信号Ｉ／Ｆコネクタ８１に供給する。ＲＧＢ  Ｉ／Ｆデバイス８２は、供給されたＲＧＢ信号をＲＧＢ  Ｉ／Ｆコネクタ８０へ供給する。Sink機器７１は、ＲＧＢ  Ｉ／Ｆコネクタ８０からＲＧＢ信号を受信し、制御信号Ｉ／Ｆコネクタ８１から制御信号を受信する。
【０２１３】
また、Sink機器７１からSource機器７０へ低速（数十Mbps程度）ではあるが、上り信号も存在する。Sink機器７１から制御信号が制御信号Ｉ／Ｆコネクタ８１を通じて下り信号とは逆の順路で光モジュール８４へと伝送される。一方の外付けユニット７３の光モジュール７９により光信号に変換された後、光ファイバを経由しSource機器７０に供給される。外付けユニット７３は、外付けユニット７４から供給された信号を光モジュール７９により、電気信号に変換し、ＲＧＢ  Ｉ／Ｆコネクタ７５及び制御信号Ｉ／Ｆコネクタ７６へと伝送し、Source機器７０内の受信回路に伝送される。
【０２１４】
また、Source機器７０及びSink機器７１は、外付けユニット７３，７４を接続するためのインターフェースの形状がメス型となっており、また、外付けユニット７３，７４は、各機器と接続するためのインターフェースの形状がオス型となっている。したがって、Source機器７０と一方端の外付けユニット７３、Sink機器７１と他方端の外付けユニット７４は、直接嵌合する形態をとる。
【０２１５】
但、外付けユニット７３がある程度奥行きを持つ場合、Source機器７０との接続には直接嵌合する形態ではなく、短い中継ケーブル（数十ｃｍ程度）を介して接続した方がよい場合があるので、使用状況に応じた形態であっても良い（図５８）。
【０２１６】
このように第１の実施の形態では、一般的なコア径５０ｕｍのマルチモードファイバの場合で１００ｍ以上の伝送も可能となり、加えて従来よりも細くしなやかで美観に優れた配線を提供することが可能となる。
【０２１７】
つぎに、第２の実施形態について説明する。第２の実施の形態は、信号伝送用ケーブル７２の両端に、光モジュール７９，８４のみが形成されているパターンである（図５９）。なお、光モジュール７９，８４は、上述した本発明に係る信号伝送用コネクタ１，２，３に対応するものである。
【０２１８】
信号の流れは、図６０に示すように、上述した第１の実施形態と同じであるが、信号伝送用ケーブルの両端部を光モジュールにすることによって、Source機器及びSink機器にＳＥＲＤＥＳチップ以降を取り込むため、コネクタ類の冗長部品を削減できる。また、外付けユニットが不要となり大幅にサイズを減少することができ、ユーザの利便性が向上する。
【０２１９】
また、Source機器７０と嵌合する一方側の外付けユニット７３の光モジュール７９のＬＤ部は、性能および価格の面で波長８５０ｎｍのＶＣＳＥＬ（Vertical-Cavity Surface Emitting Lasers）が有力候補であるが、ファブリペローレーザでも構わない。
【０２２０】
また、ＬＤＤ部により変調された光信号は、映像信号のベースバンド信号を含むため、例えば、１０８０ｐ＠６０Ｈｚの場合で４．５Ｇｂｐｓ相当となる。したがって、Source機器７０と接続される側の光モジュール７９のＬＤＤ部及びＬＤ部は、高速デバイスを使用する必要がある。
【０２２１】
また、Sink機器７１と嵌合する他方側の外付けユニット７４の光モジュール８４は、受信した光信号をＰＤ部で受光し、直ちにＴＩＡ部で電圧信号に変換し、変換後の電圧信号をＬＩＡ部で波形整形し、Sink機器７１に伝送する。
【０２２２】
ところで、両光モジュール７９，８４は、低速上り信号の伝送（Sink機器７１からSource機器７０への信号伝送）も担う。低速上り信号伝送に関わるSink機器７１と嵌合する他方側の光モジュール８４のＬＤＤ部、ＬＤ部や、Source機器７０と嵌合する一方側の光モジュール７９のＰＤ部、ＴＩＡ部、ＬＩＡ部は、高速デバイスを必要とせず、安価な低速デバイスを使用することができる。
【０２２３】
さらに、光モジュール７９，８４は、電気光変換及び光電気変換をモジュール内部で完結することができるので、各デバイスのパッケージサイズを大きくても４ｍｍ×４ｍｍ程度以下とすることができ、モジュール内にその他ＬＳＩ等を含まないため光モジュール全体のサイズ小さくできる利点がある。
【０２２４】
また、光ファイバの芯線は、ファイバ結合ブロックにてＬＤ部又はＰＤ部に結合し光軸調整を行う。なお、図６１に示すように光ファイバは、通常、テンションメンバと呼ばれる張力対策線材（鋼線、ケプラ等）が被覆内に設けられているため、光ファイバ自体の固定には例えばモジュール筐体、あるいは内部で接着等によって固定する。光ファイバ部分は、上述の通り固定されており着脱することはできない。
【０２２５】
また、信号伝送用ケーブル７２（図６２（ａ））は、結合する際には、１芯ファイバで双方向伝送しても良いし（図６２（ｂ））、上り信号、下り信号それぞれ１芯ずつ計２芯のファイバで構成しても構わない（図６２（ｃ））。このように、光モジュール７９，８４は、内部で光が終端されて外部には漏洩しない構造となっていることが特徴である。したがって、家庭内に普及した際に懸念されるアイセーフティや、光ファイバ端面の汚濁損傷問題が軽減され、ユーザに光を意識させることなく、高速伝送媒体提供が可能となる。
【０２２６】
また、インターフェースとなる光モジュール７９，８４は、高速なベースバンド伝送でも対応できるよう数Ｇｂｐｓ以上の特性を有する高速モジュールである。図６３に外観を示す。光モジュール７９，８４は、内部デバイスを駆動できる程度（１Ａ程度）の電源供給可能な電源端子及びＧＮＤ端子を有し、少なくとも、信号端子とを併せて、計６本以上の電極で構成される。機器間の信号の分離や電源の強化等を考慮し、さらに電源及びＧＮＤ端子を付加しても良い。なお、光モジュール７９，８４は、インターフェースがオス型形状であっても良いし（図６３（ａ））、メス型形状であっても良い（図６３（ｂ））。また、図示しないが、本体側のコネクタの実装はシリアライザおよびデシリアライザの信号端子と最短距離となるよう実装される。
【０２２７】
上述のように光モジュール７９，８４は、構造がシンプルであるので、小型化に適している。光モジュール７９，８４のインターフェースで挿抜可能であるため、例えばSource機器がＡＶラック等の中に収納されておりコード取入れ口が数ｃｍであるような場合においても、光モジュール部だけ取入れ口を通過すればSource機器７０及びSink機器７１の接続は可能となる。外付けユニットに付随して使用する場合においても取り扱い性に優れる。
【０２２８】
つぎに、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、光モジュール７９，８４が各機器に固定される形態である（図６４）。光モジュール７９，８４により着脱しなくても良い構成に使用される。なお、図６４では、光モジュール７９は、外付けユニット７３と一体的に構成され、また、光モジュール８４は、外付けユニット７４と一体的に構成されている。このような構成によると、光モジュール７９，８４での着脱が不要となるため、部品点数が減り低コストで美観に優れた配線を提供することができる。また、第１の実施形態と同様に、Source機器７０との接続部分に短い中継ケーブルを介した接続であっても良い（図６５）。
【０２２９】
したがって、第１の実施形態乃至第３の実施形態にすることにより、目立つことなく美観に優れ、かつ高解像度の映像信号に適用可能なスケーラビリティのある配線システムを提供できる。また、信号伝送用ケーブルの両端を光モジュールで構成することにより、アイセーフティに一層配慮が可能となり、光ファイバ端面の汚濁、損傷等を考慮する必要がなく、光学設計マージンに余裕を持たすことができ、インターフェースがコネクタ形状であるため、従来どおりの使い勝手を提供することができ、さらに、メタル線の伝送距離限界をはるかに上回る伝送距離を提供できる。
【０２３０】
また、Source機器からSink機器に伝送する信号を光にすることで、ケーブルを媒介してノイズの流出入を低減させることができ、ＥＭＩ対策に要する設計工数削減及びコスト削減が期待でき、また、ＤＶＩに代表されるような機器間の接続相性問題がなくなり、また、更なる高解像度対応となった場合でも、光のスケーラビリティによって、長距離化してもケーブル径を太くすることなく美観に優れた光伝送システムを提供できる。
【０２３１】
なお、本発明は、図面を参照して説明した上述の実施例に限定されるものではなく、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な変更、置換又はその同等のものを行うことができることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【０２３２】
【図１】本発明に係る信号伝送用コネクタの第１の構成を示す外観図である。
【図２】図１に示す信号伝送用コネクタをシールド用板金ハウジングにより収納する場合の外観図である。
【図３】シールド用板金ハウジングの構成を示す外観図である。
【図４】図１に示す信号伝送用コネクタがシールド用板金ハウジングにより収納された様子を示す外観図である。
【図５】本発明に係る信号伝送用コネクタに備えられているコネクタの説明に供する図である。
【図６】本発明に係る信号伝送用コネクタに備えられているコネクタと光電変換基板が接合される第１の形態を示す図である。
【図７】本発明に係る信号伝送用コネクタに備えられているコネクタと光電変換基板が接合される第２の形態を示す図である。
【図８】信号変換ブロックとＳＥＲＤＥＳチップが実装されている基板がコネクタに挿入される前後を示すコネクタの断面図である。
【図９】コネクタに基板が挿入される際の様子を示す図である。
【図１０】シールド用板金ハウジングに収納されたコネクタに信号変換ブロックとＳＥＲＤＥＳチップが実装されている基板が挿入される前後を示すコネクタの断面図である。
【図１１】本発明に係る信号伝送用コネクタを用いて一方の基板から他方の基板へ信号を伝送するシステムの説明に供する図である。
【図１２】本発明に係る信号伝送用コネクタの周波数に対する信号透過特性を示す図である。
【図１３】本発明に係る信号伝送用コネクタの第２の構成を示す外観図である。
【図１４】図１３に示す信号伝送用コネクタをシールド用板金ハウジングにより収納する場合の外観図である。
【図１５】シールド用板金ハウジングの構成を示す外観図である。
【図１６】図１３に示す信号伝送用コネクタがシールド用板金ハウジングにより収納された様子を示す外観図である。
【図１７】信号変換基板が接続された後、ＳＥＲＤＥＳチップが実装されている基板がコネクタに挿入される前後を示すコネクタの断面図である。
【図１８】コネクタに基板が挿入される際の様子を示す図である。
【図１９】シールド用板金ハウジングに収納されたコネクタに信号変換ブロックとＳＥＲＤＥＳチップが実装されている基板が挿入される前後を示すコネクタの断面図である。
【図２０】コネクタの開口部から突出しているコンタクトを押し戻す押戻部と、コネクタとが固定される第１の構成例を示す図である。
【図２１】押戻部とコネクタが図２０に示すように固定される構成において、基板が挿入される手順を示す図である。
【図２２】図２０に示す構成からなるコネクタをシールド用板金ハウジングで収納された場合の構成を示す図である。
【図２３】図２２に示す構成において、基板が挿入される手順を示す図である。
【図２４】コネクタの開口部から突出しているコンタクトを押し戻す押戻部と、コネクタとが固定される第２の構成例を示す図である。
【図２５】押戻部とコネクタが図２４に示すように固定される構成において、基板が挿入される手順を示す図である。
【図２６】コネクタの開口部から突出しているコンタクトを押し戻す押戻部と、コネクタとが固定される第３の構成例を示す図である。
【図２７】押戻部とコネクタが図２６に示すように固定される構成において、基板が挿入される手順を示す図である。
【図２８】コネクタの開口部から突出しているコンタクトを押し戻す押戻部と、コネクタとが固定される第４の構成例を示す図である。
【図２９】押戻部とコネクタが図２８に示すように固定される構成において、基板が挿入される手順を示す図である。
【図３０】シールド用板金ハウジングにより収納され、押戻部とコネクタが図２８に示すように固定される構成において、基板が挿入される手順を示す図である。
【図３１】コネクタの開口部から突出しているコンタクトを押し戻す押戻部と、コネクタとが固定される第５の構成例を示す図である。
【図３２】コネクタの開口部から突出しているコンタクトを押し戻す押戻部と、コネクタとが固定される第６の構成例を示す図である。
【図３３】コネクタが２体からなる構造を示す第１の図である。
【図３４】コネクタが２体からなる構造を示す第２の図である。
【図３５】コネクタが２体構造の場合において、基板が挿入される手順を示す図である。
【図３６】シールド用板金ハウジングにより収納され、コネクタが２体からなる構造を示す第１の図である。
【図３７】シールド用板金ハウジングにより収納され、コネクタが２体からなる構造を示す第２の図である。
【図３８】シールド用板金ハウジングにより収納され、コネクタが２体構造の場合において、基板が挿入される手順を示す図である。
【図３９】本発明に係る信号伝送用コネクタを用いて一方の基板から他方の基板へ信号を伝送するシステムの説明に供する図である。
【図４０】信号伝送用コネクタと、基板の断面図を示す。
【図４１】本発明に係る信号伝送用コネクタの第３の構成を示す外観図である。
【図４２】ＳＥＲＤＥＳチップが実装されている基板がコネクタに挿入された後、信号変換基板が挿入される前後を示す断面図である。
【図４３】コネクタに基板と、信号変換基板が挿入される際の様子を示す図である。
【図４４】本発明に係る信号伝送用コネクタを用いて一方の基板から他方の基板へ信号を伝送するシステムの構成を示す図である。
【図４５】信号伝送用コネクタと、コネクタが接合された基板の断面図を示す。
【図４６】信号伝送用コネクタが接続される基板の第１の形態を示す図である。
【図４７】信号伝送用コネクタが接続される基板の第２の形態を示す図である。
【図４８】信号伝送用コネクタが接続される基板の第３の形態を示す図である。
【図４９】信号伝送用コネクタが接続される基板の第４の形態を示す図である。
【図５０】基板に設けられるハウジングの第１の形態を示す図である。
【図５１】基板に設けられるハウジングの第２の形態を示す図である。
【図５２】従来のコネクタの信号の流れを示すブロック図である。
【図５３】本発明に係るコネクタの信号の流れを示す第１のブロック図である。
【図５４】本発明に係るコネクタの信号の流れを示す第２のブロック図である。
【図５５】本発明に係るコネクタの信号の流れを示す第３のブロック図である。
【図５６】信号送受信システムの第１の実施例を示すブロック図である。
【図５７】図５６に示す信号伝送用ケーブルの構成を示すブロック図である。
【図５８】図５６に示す第１の実施例の他のパターンを示すブロック図である。
【図５９】信号送受信システムの第２の実施例を示すブロック図である。
【図６０】図５９に示す信号伝送用ケーブルの構成を示すブロック図である。
【図６１】光ファイバの断面図である。
【図６２】光モジュールの構成を示すブロック図である。
【図６３】光モジュールの外観図である。
【図６４】信号送受信システムの第３の実施例を示すブロック図である。
【図６５】図６４に示す第３の実施例の他のパターンを示すブロック図である。
【図６６】従来の光伝送システムにおいて使用する信号伝送用コネクタの構成を示す外観斜視図である。
【図６７】ＳＦＰコネクタの外観を示す図である。
【図６８】ＳＦＰコネクタのコネクタ端子を示す図である。
【図６９】ＳＦＰコネクタのＳＦＰコネクタ端子の周波数に対する信号透過特性を示す図である。
【図７０】基板同士を接続する従来のコネクタの断面図である。
【符号の説明】
【０２３３】
１，２，３  信号伝送用コネクタ、１０  光ファイバ、１１  信号変換ブロック、１２，２１，３１  コネクタ、１２Ａ，２１Ａ  第１の挿入部、１２Ｂ，２１Ｂ  第２の挿入部、１３  基板、１４  固定部、１５  モールドレンズ部、１６  光電変換基板、１６Ａ  光電変換素子、１７  コンタクト、２０，３０  信号変換基板、２２  コネクタハウジング、２３  フード、２４，３３  金属板金、２５，３２，３４  ハウジング、３１Ａ  第３の挿入部、３１Ｂ  第４の挿入部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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