(57)【要約】【課題】  カバープレートの過剰昇温を防止して、パーティクルの発生を低減する。【解決手段】  基板処理装置は、基板２０１を処理する反応室２００と、反応室２００内で基板２０１を支持するサセプタ（支持具）２０２と、サセプタ２０２下方に設けられ基板２０１を加熱するヒータ２０４と、少なくとも基板２０１の外周部を覆うように基板２０１上方に設けられたリング状のカバープレート２０３とを有する。このカバープレート２０３の基板２０１外周部と対向する部分には、反射板２０３ａを内挿する。【選択図】  図１
2006274316.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する反応室と、
前記反応室内で基板を支持する支持具と、
前記支持具下方に設けられ基板を加熱するヒータと、
少なくとも基板外周部を覆うように基板上方に設けられたリング状のカバープレートとを有し、
前記カバープレートの基板外周部と対向する部分に反射板を内挿したことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リング状のカバープレートを用いて基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体プロセスの薄膜化が進められている。それによりＭＯＣＶＤ(Metal Organic CVD）をはじめ薄膜化に有効な手法が積極的に研究・開発されている。
【０００３】
ＭＯＣＶＤにおいては、薄腹中の不純物除去や膜の組成を所望の品質に調整するために、反応ガスと、プラズマ・ラジカル等の膜質改善物質との交互供給が行われてきており、これはサイクル手法を適用したＭＯＣＶＤ、すなわちサイクリックＭＯＣＶＤと呼ばれている。また、ＡＬＤ(Atomic Layer Deposition)法による薄膜成長は、原子層堆積として知られ、レイヤー毎にセルフリミットがかかるように反応ガスとその余剰反応ガス及び気体反応物を一掃する保護ガスとの交互供給によって行われる。
【０００４】
上記のような成膜を行う基板処理装置は、基板を処理する反応室と、反応室内で基板を支持するサセプタと、サセプタ下方に設けられ基板を加熱する昇降可能なヒータとを備える。反応室は、反応容器の上部開口を蓋部で覆うことにより構成される。ＭＯＣＶＤの場合、特に蓋部にはシャワーヘッドが設けられ、シャワーヘッドから反応ガスを基板上に供給して薄膜を形成するようになっている。
上述した基板処理装置では、特に電極用の成膜に用いられる金属薄膜などにおいては、基板端部及び裏面への成膜が他のプロセス工程への汚染の原因として問題になってきている。そこで、従来、基板の端部及び裏面への成膜を防止するために、基板外周部を覆うように基板上方にリング状のカバープレートを設けることが行われている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、基板端部直上にリング状のカバープレートを設置して、基板の端部表面を約５〜２０ｍｍ程度を覆うことで、基板端部へのガスの回りこみを抑制している。その際、接ガス頻度の高い基板上方に載置されたカバープレート内周部は、基板からの輻射熱を受け、シャワーヘッドや蓋部に比べ、温度が過剰に上昇してしまう。これは、シャワーヘッド、蓋部などが一般的にアルミニウムで構成されており、輻射率が約０．０５〜０．２程度と低いのに対して、カバープレートには純度の高い石英が用いられており、石英の輻射率が一般に０．９よりも高いためである。
【０００６】
そのため、カバープレート内周部が高温となり、カバープレートにおいても成膜が進行し、膜の付着が避けられなくなる。しかも、基板端部の直上にカバープレートを設置しているため、ヒータの昇降を繰り返すと、カバープレートに付着していた膜が剥がれ落ち、パーティクルが発生するという問題があった。
【０００７】
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、カバープレートの過剰昇温を防止して、パーティクルの発生を低減することが可能な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の発明は、基板を処理する反応室と、前記反応室内で基板を支持する支持具と、前記支持具下方に設けられ基板を加熱するヒータと、少なくとも基板外周部を覆うように基板上方に設けられたリング状のカバープレートとを有し、前記カバープレートの基板外周部と対向する部分に反射板を内挿したことを特徴とする基板処理装置である。
カバープレートの基板外周部と対向する部分に反射板を内挿したので、カバープレートの過剰昇温を防止でき、パーティクルの発生を低減できる。特に、カバープレートに反射板を内挿したので、反射板材料による汚染を確実に回避できる。
【０００９】
第２の発明は、第１の発明において、前記反射板は、カバープレートを上下２枚に分割し、分割プレートの基板外周部と対向する部分であって、分割プレートの対向面に溝部を設け、この溝部に反射板を入れ、溝部以外の箇所を電着法で接合することにより、前記カバープレートに反射板を内挿したことを特徴とする基板処理装置である。
電着法による２枚の分割プレートの接合により、カバープレートに内挿した反射板が完全に反応室内と遮断されるため、反応室内にガスが導入されても直接反射板に触れることがなく、反射板を構成する材料による汚染をより確実に回避できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、カバープレートの過剰昇温を防止できるので、パーティクルの発生を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図２に本発明を適用した実施の形態の枚葉式ＣＶＤ装置の概略縦断面図を示す。枚葉式ＣＶＤ装置は、主に反応室２００とヒータ２０４とから構成される。
【００１２】
反応室２００は、上部開口を蓋部２１５で覆われた反応容器２３０の内部に構成される。反応容器２３０の一側に基板搬送口２２６が設けられ、他側に排気口２３６が設けられる。排気口２３６を設けた反応容器２３０の他側は、内部に排気室２１１を構成する排気フランジ２３１と連結される。これにより反応室２００は、排気口２３６を介して排気室２１１と連通するようになっている。排気室２１１には下流側に反応室２００内を減圧するための真空ポンプ２３４が設けられている。反応室２００内の圧力はこの排気室２１１から真空ポンプ２３４までの間に設けられた圧力制御手段２３３によって調整が可能である。
【００１３】
基板搬送口２２６を設けた反応容器２３０の一側は、接合フランジ２１２を介して基板搬送手段２３５を備えた搬送室２３８と連通されている。基板搬送口２２６にはゲートバルブ２１４が設けられ、基板の搬入出時には開放され、成膜時には遮断されるようになっている。この基板搬送口２２６は、通常の成膜過程において、短時間ではガス置換が困難な領域、すなわち淀みの領域となってしまうため、接合フランジ２１２の下部には搬送口パージ配管２１３が設置されており、成膜中は常時搬送口パージ配管２１３から基板搬出口２２６にＡｒガスなどの不活性ガスを供給するようになっている。
【００１４】
反応容器２３０の上部開口は蓋部２１５で気密に覆われている。蓋部２１５は、反応室２００内での保守・点検等の作業を行えることが可能なように、蓋部２１５を回動または昇降により開閉できるように構成されている。蓋部２１５には、原料ガス導入配管２１８ａと膜質改善物質導入配管２１８ｂとが気密接合されている。原料ガス導入配管２１８ａと膜質改善物質導入配管２１８ｂとの気密接合方法としては、配管端面を蓋部２１５に接合し、その接合されたシール面にＯリング（フッ素ゴム等）、メタル（ＳＵＳ等）などのシール材を使用し、反応室２００内を真空気密にしている。
【００１５】
原料ガス導入配管２１８ａと膜質改善物質導入配管２１８ｂとが気密接合された蓋部２１５には、分散板２１７及びシャワーヘッド２１６が設けられ、原料ガス導入配管２１８ａ、膜質改善物質導入配管２１８ｂから導入された処理ガスは、分散板２１７、シャワーヘッド２１６を通過し、基板２０１に供給されるようになっている。
【００１６】
基板２０１は、支持具としてのサセプタ２０２上に載置されている。このサセプタ２０２の外周部には、後述するカバープレート２０３との組合わせにより環状の排気バッファ流路２０３ｃが形成されている。また、リング状のカバープレート２０３は、反応容器２３０の内壁に形成された段差部２３７上に載置され、少なくとも基板２０１の外周部を覆うように基板２０１上方に設けられている。基板２０１はサセプタ２０２の下部に設けられているヒータ２０４から加熱され、サセプタ２０２を介して加熱される。
【００１７】
基板２０１を設置するサセプタ２０２の材質としては、石英、窒化アルミニウム、ＳｉＣなどが挙げられる。また、基板２０１の上方に設けられるカバープレート２０３には純度の高い石英を用いる。これにより、基板２０１の設置面及び基板２０１の上方の接ガス面としては、サセプタ２０２及びカバープレート２０３のみとなり、汚染の原因となり難い部材のみを載置したので、基板２０１の汚染を有効に低減できる。
【００１８】
ヒータ２０４は円板状をしており、円板裏面の中央に鉛直に取り付けられた支持軸により水平に支持されている。ヒータ２０４は、タングステン、モリブデン、ＳｉＣなどの抵抗発熱体を内挿した非金属（窒化アルミニウム、石英）にて形成されており、１〜３個程度の部品（配線類は除く）から構成されている。
【００１９】
本装置では、基板２０１上に均一に薄膜を堆積するために、基板２０１上での反応速度を同等にしてやる必要があり、そのためには基板２０１を均一に加熱することができるヒータ２０４が必要である。本実施の形態の温度均一性の適用範囲としては、基板温度４５０℃において、＜±２．５℃である。そのため円板状のヒータ２０４の内周部と外周部とにヒータ内の発熱体の制御を独立化してゾーン別に制御するか、または内周部の発熱体のモニタ温度に対する外周部の発熱体の温度を従属制御することにより、ヒータ２０４の均熱化を図っている。ヒータ２０４のゾーン分割数としては１〜３程度である。ヒータ２０４には、電極端子２２７及び温度モニタ用端子（サーモカップル等）２２８が連結されている。ヒータ２０４は、これらの端子２２７及び２２８を通じてヒータ制御手段２０８によって制御されるようになっている。
【００２０】
ヒータ２０４を水平に支持する支持軸は、反応容器２３０の底壁中央に設けた貫通孔に挿通されて、反応容器２３０の外部に設けられたヒータ台２０５に載置されている。ヒータ台２０５は昇降手段（図示せず）に連結され、基板２０１を昇降移動することを可能にしている。基板２０１は、反応室２００に対して基板搬送口２２６を経由して基板２０１が搬入出される際に、基板２０１が位置する搬入搬出位置と、反応室２００内で基板２０１を処理する基板処理位置（図２に示す位置）との間で移動するようになっている。
【００２１】
反応容器２３０の底部に、リフトピン台２０９を介してリフトピン２１０が立設されている。ヒータ２０４が昇降手段によって降下すると、リフトピン２１０の頂部はヒータ２０４及びサセプタ２０２に設けたピン孔よりサセプタ２０２の上に突き出し、このリフトピン２１０の頂部の位置が、基板２０１が搬入出される搬入搬出位置となる。基板２０１は、反応室２００に開口した基板搬送口２２６を介して搬送手段２３５により反応室２００内に搬入され、サセプタ２０２の上に突き出たリフトピン２１０の頂部上に搭載される。
【００２２】
ヒータ２０４が昇降手段により上昇すると、リフトピン２１０のサセプタ２０２に対する高さが下がり、リフトピン２１０の頂部がサセプタ２０２の上面よりも下側に位置することになり、基板２０１がサセプタ２０２上に載置されるようになる。このヒータ２０４の上昇した位置が基板２０１が処理される基板処理位置となる。
【００２３】
そして、反応容器２３０の底壁に設けた貫通孔を外気と遮断するため、反応容器２３０の底壁とヒータ台２０５のフランジ部２０５ａとの間に、ヒータ台２０５を包囲して気密性を保持する伸縮可能なベローズ２０６が取り付けられ、反応室２００内の気密性を保持するようになっている。
【００２４】
ヒータ台２０５には、反応室２００内において、淀みの領域となるヒータ２０４より下部の領域（反応室下部）２００ｂを短時間にてガス置換するために、ヒータ下部パージ配管２０７が設置されている。ヒータ下部パージ配管２０７は、搬送口パージ配管２１３と同様に、成膜時は通常、常時ヒータ台２０５とベローズ２０６との隙間から、反応室下部２００ｂにＡｒガスなどの不活性ガスを供給するようになっている。
【００２５】
反応容器２３０、蓋部２１５、原料ガス導入配管２１８ａ、膜質改善物質導入配管２１８ｂにはそれぞれ加熱手段である反応容器加熱ヒータ２２３、蓋部加熱ヒータ２２１、原料ガス配管加熱ヒータ２１９ａ、膜質改善物質配管加熱ヒータ２１９ｂが設置されている。また、安全保護及び保温効果のため、反応容器加熱ヒータ２２３、蓋部加熱ヒータ２２１、原料ガス配管加熱ヒータ２１９ａ、膜質改善物質配管加熱ヒータ２１９ｂのそれぞれに、断熱材である反応容器保護カバー２２４、蓋部保護カバー２２２、原料ガス配管保護カバー２２０ａ、膜質改善物質配管保護カバー２２０ｂが設置されている。その他のベローズ２０６を含む接ガス部にも各部位の熱容量に応じた加熱ヒータ（図示せず）及び保護カバー（図示せず）が取り付けられている。
【００２６】
次に上述したカバープレートの実施の形態を具体的に説明する。
図１は実施の形態のカバープレートの構成図を示し、（ａ）はサセプタ等を含むカバープレートの断面図、（ｂ）はカバープレートの平面図である。
【００２７】
円板状のヒータ２０４の上に、ヒータ２０４よりも径の大きな円形のサセプタ２０２が載置され、サセプタ２０２の外周部がヒータ２０４よりもはみ出している。このサセプタ２０２は、環状の排気バッファ流路２０３ｃを形成するために、ヒータ２０４の外周部に、上面が開放されたチャンネル状の溝２２５を有する。このチャネル状の溝２２５は、ヒータ２０４からはみ出したサセプタ２０２の外周部を折り曲げて形成される。また、チャネル状の溝２２５の排気口２３６側の側面に排出口２２９が開口されている。
【００２８】
外周部が段差部２３７上に載置されたリング状のカバープレート２０３は、基板２０１の上方に設けられる。このカバープレート２０３は、基板２０１の端部及び裏面への成膜を抑制するために、少なくとも基板２０１の外周部の上方近傍までを覆うようになっている。また、カバープレート２０３は、排気バッファ流路２０３ｃを形成するためにサセプタ２０２の溝２２５を覆うようになっている。
【００２９】
また、カバープレート２０３は、排気バッファ流路２０３ｃと対向する位置に、鉛直方向に貫通した複数の排気孔２０３ｅを有する。これにより、基板２０１に供給された処理ガスが、カバープレート２０３の上面に沿って径方向外方に流れ、複数の排気孔２０３ｅを通って、サセプタ２０２に形成された排気バッファ流路２０３ｃに速やかに排気されるようになっている。
【００３０】
また、カバープレート２０３は、カバープレート２０３の基板２０１の外周部と対向する温度上昇の懸念される内周部に、幅射率を低減する反射板２０３ａが内挿された構造をしており、基板２０１及びヒータ２０４からの輻射熱の影響によりカバープレート２０３が過剰昇温することを抑制できるようになっている。反射板２０３ａとしては、反射効果のあるシート状の金属材料、例えばＳＵＳ、モリブデン、ハステロイ等を挙げることができる。
【００３１】
反射板２０３ａの内挿の方法としては、例えば電着法を用いる。あらかじめ、カバープレート２０３を上下２枚に加工して分割プレートを形成する。この分割プレートの基板外周部と対向する部分であって、反射板２０３ａを内挿する分割プレートの接合面位置に、加工を施して溝部を形成する。この溝部に反射板２０３ａを入れ、溝部以外の箇所を電着法により接合する。
【００３２】
このように本実施の形態の枚葉式ＣＶＤ装置は、基板２０１の外周部と対向する部分に反射板２０３ａが内挿されたカバープレート２０３を備えている。
【００３３】
次に上述した枚葉式ＣＶＤ装置を用いて半導体装置を製造する工程の一工程として基板を処理する方法を説明する。ここでは、シリコン基板にルテニウム（Ｒｕ）膜の成膜を行うサイクル手法を適用したＭＯＣＶＤプロセスを例にとって説明する。
【００３４】
図２において、サセプタ２０２を搬入搬出位置に下降させた状態で、ゲートバルブ２１４を開放する。搬送室２３８内の搬送手段２３５により、１枚のシリコン基板２０１を基板搬送口２２６を介して、反応室２００内に搬入して、リフトピン２１０上に移載して保持する。ゲートバルブ２１４を閉じた後、昇降手段により、サセプタ２０２を所定の基板処理位置まで上昇させる。このとき、基板２０１は自動的にリフトピン２１０から、サセプタ２０２上に載置される。図２はこの状態を示している。なお、サセプタ２０２が基板処理位置まで上昇することにより、サセプタ２０２及びカバープレート２０３の上面と、蓋部２１５の内壁面との間に反応室上部２００ａが形成され、サセプタ２０２及びカバープレート２０３の下面と反応容器２３０の内壁面との間に反応室下部２００ｂが形成される。
【００３５】
ヒータ制御手段２０８によりヒータ２０４を制御してサセプタ２０２を加熱して、シリコン基板２０１を一定時間加熱する。成膜前に、搬送口パージ配管２１３、及びヒータ下部パージ配管２０７からパージガス（例えばＡｒガス）を導入して、基板搬送口２２６、及び底壁貫通孔から反応室下部２００ｂを通って排気室２１１へ向う一方向の流れを形成し、基板搬送口２２６、反応室下部２００ｂへの成膜時におけるガスの侵入を防ぐようにする。反応室２００内の圧力は、圧力制御手段２３３により制御する。シリコン基板２０１が所定の温度に加熱され、圧力が安定した後、成膜を開始する。成膜は次の４つの工程から成り、４つの工程を１サイクルとして、所望の厚さの膜が堆積するまで複数回サイクルが繰り返される。
【００３６】
なお、各工程における基板温度、反応室内圧力はそれぞれ、ヒータ制御手段２０８、圧力制御手段２３３で制御される。
【００３７】
工程１では、金属含有原料として液体から気化させたＲｕ（ＥｔＣｐ）2ガスを、原料ガス導入配管２１８ａから分散板２１７を介してシャワーヘッド２１６を通過させ、反応室上部２００ａ内にシャワー状に導入する。導入されたＲｕ（ＥｔＣｐ）2ガスは熱分解され、基板２０１上にルテニウム膜を形成する。余剰ガスはカバープレート２０３の上面に設けた複数の排気孔２０３ｅから環状の排気バッファ流路２０３ｃ内を流れ、サセプタ排出口２２９より排気され、排気室２１１から反応室２００外に排気される。
【００３８】
工程２では、Ａｒガスを原料ガス導入配管２１８ａから分散板２１７を介してシャワーヘッド２１６を通過させ、反応室上部２００ａ内にシャワー状に供給する。原料ガス導入配管２１８ａや反応室２００内に残留しているＲｕ（ＥｔＣｐ）2ガスは、Ａｒガスによりパージされ、カバープレート２０３の上面に設けた排気孔２０３ｅから排気バッファ流路２０３ｃ内を流れ、サセプタ排出口２２９より排気され、排気室２１１から反応室２００外に排気される。
【００３９】
工程３では、ラジカル酸素（活性化酸素）を膜質改善物質導入配管２１８ｂから分散板２１７を介してシャワーヘッド２１６を通過させ、反応室上部２００ａ内にシャワー状に供給する。活性化酸素はシリコン基板２０１上に供給されて、基板２０１上に成膜されているルテニウム膜の膜改質処理を行う。余剰ガスはカバープレート２０３の上面に設けた排気孔２０３ｅから排気バッファ流路２０３ｃ内を流れ、サセプタ排出口２２９より排気され、排気室２１１から反応室２００外に排気される。
【００４０】
工程４では、Ａｒガスを膜質改善物質導入配管２１８ｂから分散板２１７を介してシャワーヘッド２１６を通過させ、反応室上部２００ａ内にシャワー状に供給する。膜質改善物質導入配管２１８ｂや反応室２００内に残留している酸素は、Ａｒによりパージされ、カバープレート２０３の上面に設けた排気孔２０３ｅから排気バッファ流路２０３ｃ内を流れ、サセプタ排出口２２９より排気され、排気室２１１から反応室２００外に排気される。
【００４１】
上述した４つの工程を１サイクルとして、所望の厚さのルテニウム膜が堆積するまで複数回サイクルを繰り返す。工程１〜４に要する時間は、スループット向上のために、各工程で数秒、好ましくは１秒以下がよい。成膜終了後、サセプタ２０２は昇降手段により搬入搬出位置まで降下し、シリコン基板２０１は搬送手段２３５により、ゲートバルブ２１４を通って搬送室２３８に搬出される。
【００４２】
処理条件の範囲として、基板温度：２００〜５００℃、反応室内圧力：１０〜１０００Ｐａ、反応室内に供給するガスの総流量：０．１〜２ｓ１ｍ、膜厚：１〜５０ｎｍを挙げることができる。
【００４３】
ところで、サイクリックＭＯＣＶＤで成膜を行う場合、１サイクル当たり成膜は０．３〜１．０Åとなり、特に１枚ずつ基板に成膜するような枚葉式ではスループットが問題となる。特に基板２０１の大口径化により反応室２００容積が増大し、供給ガスの反応室下部２００ｂへの回りこみや、ポーラス状などの脱気が困難である部材への反応室２００内のガスの吸着が行われ、高速なガス置換が困難になってきている。
【００４４】
この点で、本実施の形態では、反応室２００内に容積の小さい排気バッファ流路２０３ｃを擬似的に形成し、この排気バッファ流路２０３ｃにガスを流して排気させるようにしたので、基板２０１の処理に使用するガスを速やかに排出し、かつ基板搬送口２２６やサセプタ２０２下部領域となる反応室下部２００ｂに拡散するのを抑制しているので、高速なガス置換を行うことができる。
【００４５】
この高速なガス置換をさらに有効なものとするためには、上述した各工程において、基板２０１上に供給されたガスが、基板２０１とカバープレート２０３との隙間２０３ｂから排気バッファ流路２０３ｃに進入したり、また、排気バッファ流路２０３ｃ内に流入したガスが反応室下部２００ｂへ流出したりしないようにする必要がある。このために、本実施の形態では、（基板とカバープレート間の隙間２０３ｂの流路コンダクタンス）＜＜（複数の排気孔２０３ｅ合計の流路コンダクタンス）となるように、昇降手段（図示せず）を用いて基板２０１の高さ方向の調整を行っている。この場合、基板２０１とカバープレート２０３間の隙間２０３ｂは５．０ｍｍ以下に設定している。
【００４６】
同様にサセプタ２０２の折り返し端部とカバープレート２０３間の隙間２０３ｄにおいても、（サセプタとカバープレートの折返し端部間の隙間２０３ｄの流路コンダクタンス）＜＜（排気バッフア流路２０３ｃのコンダクタンス）となるように、サセプタ２０２の折返し端部の高さを設定している。
【００４７】
このように隙間２０３ｂ、２０３ｄを設定することにより、基板２０１に供給後、排気される処理ガスが反応室２００全体に拡散することをできるだけ抑制し、また、反応室２００内において、接ガス面としてはサセプタ２０２及びカバープレート２０３のみとなるようにしたので、より高速なガス置換を行うことができる。
【００４８】
ここに高速ガス置換を行うことができる根拠を列挙すると次の通りである。
（１）接ガス容積が小さい
排気バッファ流路２０３ｃの容積は、反応室下部２００ｂの容積（排気バッファ流路２０３ｃを作成しない場合）に比べ、１／１０以下程度にすることが可能である。基板２０１を処理する上で、同じ圧力で同じ流量の処理ガスを供給する場合、単純比較では、初期濃度を１／１０００以下と規定とすると、それまでの置換時間が１／１０になることが分かる。実際には排気バッファ流路２０３ｃにより排気コンダクタンスが縮小し１／１０までは短縮できないが、反応室下部２００ｂの容積をガス置換するよりは十分に早い時間でガス置換を行うことが可能である。
【００４９】
（２）接ガス部の材質の限定が可能
排気経路において接ガス部の主となる排気バッファ流路２０３ｃを形成しているサセプタ２０２、カバープレート２０３として、ガス吸着の少ない材質を採用することで、置換時間を短縮することができる。本実施の形態のサセプタ２０２には、上述したように石英を使用し、カバープレート２０３には石英、窒化アルミニウム、ＳｉＣなどを使用し、アルマイト、アルミナなどの多孔質材（ポーラス）材を使用していないため、材質の面からも置換時間を短縮することが可能である。
【００５０】
（３）淀み領域が無い
基板搬送口２２６、反応室下部２００ｂの領域などに直接的にガスが放出されず、また基板搬送口２２６、反応室下部２００ｂの領域などを、常にＡｒガスでパージしているため、反応室２００内の残留ガスを抑制することが可能である。
【００５１】
以上述べたように、本実施の形態によれば、カバープレート２０３の内周部に反射板２０３ａを内挿したので、基板２０１及びヒータ２０４からの輻射熱の影響により、カバープレート２０３の内周部が高温になるのを確実に抑制することができる。このため、基板２０１の上方のカバープレート２０３において、自己分解又は反応により成膜されるのを有効に阻止でき、カバープレート２０３に付着していた膜が剥がれ落ちてパーティクルが発生するのを防止できる。特に、反射板２０３ａを構成するシート状の金属材の表面を研磨し鏡面状態に近づけることで、カバープレート２０３の幅射率をより低下させることができる。これによりカバープレート２０３の内周部での成膜をより有効に阻止でき、パーティクルが発生するのをより有効に防止できる。
【００５２】
また、カバープレートの過剰昇温を防止できるので、温度に敏感な原料の使用も可能になり、多原料化が想定される高誘電体膜形成装置をはじめ、多種多様な原料を使用する次世代薄膜を形成する基板処理装置に適用することも可能である。
【００５３】
また、カバープレートへの成膜に起因して経時的にカバープレートの輻射率が変化することを回避できるので、基板２０１の温度均一化を図ることができ、その結果、基板２０１を安定にかつ連続的に処理することが可能になる。
【００５４】
また、反射板２０３ａを電着法によりカバープレートに内挿することにより、反射板２０３ａを反応室２００内と完全に遮断できるため、膜質改善物質導入配管２１８ｂからラジカル種（Ｏ、Ｎなど）が導入されても、ラジカル種が反射板２０３ａを構成する金属材に直接触れることがなく、金属汚染の問題も回避できる。
【００５５】
また、カバープレート２０３に反射板２０３ａを内挿するだけで、カバープレート２０３への成膜を回避でき、パーティクルの発生を低減できるので、メンテナンス時期の延長が図れ、保守・管理が容易になる。
【００５６】
なお、本実施の形態の成膜法では、金属含有原料と酸素又は窒素を含有するガスを交互に供給するサイクリックＭＯＣＶＤについて説明したが、ＡＬＤや、従来から使用されているＭＯＣＶＤ（金属含有原料と酸素又は窒素を含有するガスを同時に供給する成膜や金属含有原料の熱分解による成膜によるＭＯＣＶＤ）においても利用できることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】実施の形態におけるカバープレートの構造を示し、（ａ）はサセプタ等を含むカバープレートの断面図、（ｂ）はカバープレートの平面図である。
【図２】実施の形態における枚葉式ＣＶＤ装置の概略縦断面図を示す。
【符号の説明】
【００５８】
２０１    基板
２００    反応室
２０２    サセプタ（支持具）
２０４    ヒータ
２０３    カバープレート
２０３ａ    反射板
【図１】
2006274316.tif 000003
【図２】
2006274316.tif 000004