(57)【要約】【課題】  開口率が高くて表示装置の輝度が向上し、瞬間残像、しみ、フィンガープリントのような不良が最少化されて表示品質が向上した広視野角の表示装置を提供する。【解決手段】  第１基板と、前記第１基板上に形成される第１副画素電極と、前記第１基板上に形成されて、前記第１副画素電極と離隔している第２副画素電極と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第２基板上に形成されて、前記第１副画素電極と対向している第１切開部及び前記第２副画素電極と対向している第２切開部を有する共通電極とを有し、前記第１切開部の少なくとも一部分は第１幅を有し、前記第２切開部の少なくとも一部分は第２幅を有し、前記第１幅及び前記第２幅は互いに異なる。【選択図】      図３
2006154755.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に形成される第１副画素電極と、
前記第１基板上に形成されて、前記第１副画素電極と離隔している第２副画素電極と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第２基板上に形成されて、前記第１副画素電極と対向している第１切開部及び前記第２副画素電極と対向している第２切開部を有する共通電極とを有し、
前記第１切開部の少なくとも一部分は第１幅を有し、前記第２切開部の少なくとも一部分は第２幅を有し、前記第１幅及び前記第２幅は互いに異なることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１副画素電極及び前記第２副画素電極の電圧は互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１幅が前記第２幅より１０％乃至６２％大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１幅が前記第２幅より１５％乃至４０％大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１幅が前記第２幅より１．０μｍ乃至４．０μｍ大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１幅が前記第２幅より１．５μｍ乃至３．０μｍ大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１副画素電極と連結されていて、前記第２副画素電極と容量性結合されている結合電極をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２副画素電極に印加される電圧が前記第１副画素電極に印加される電圧の６０％乃至８０％であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記結合電極は前記第１切開部または第２切開部と重畳していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
第１基板と、
前記第１基板上に形成される複数のゲート線と、
前記第１基板上に形成されて、前記ゲート線と交差する複数のデータ線と、
前記ゲート線及び前記データ線と連結される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと連結される第１副画素電極と、
前記第１副画素電極と連結される結合電極と、
前記第１副画素電極と離隔していて、前記結合電極と重畳している複数の第２副画素電極と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第２基板上に形成されて、前記第１副画素電極と対向している第１切開部及び前記第２副画素電極と対向している第２切開部を有する共通電極とを有し、
前記第１切開部の少なくとも一部分は第１幅を有し、前記第２切開部の少なくとも一部分は第２幅を有し、前記第１幅及び第２幅は互いに異なることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
前記第１副画素電極及び前記第２副画素電極の電圧は互いに異なることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１幅が前記第２幅より１０％乃至６２％大きいことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１幅が前記第２幅より１．０μｍ乃至４．０μｍ大きいことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層をさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第２副画素電極は、孤立（ｆｌｏａｔｉｎｇ）していることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１副画素電極または第２副画素電極と重畳している維持電極をさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記切開部は、前記ゲート線または前記データ線と４５度の角度をなすことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記薄膜トランジスタは、前記ゲート線に連結されるゲート電極、前記データ線に連結されるソース電極、及び前記第１副画素電極に連結されるドレイン電極を有し、前記結合電極は前記ドレイン電極と一体であることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記結合電極は、前記第１切開部または第２切開部と重畳していることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、特に瞬間残像及びしみ（ｓｔａｉｎ）のような不良を減少させることのできる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、一般に、共通電極やカラーフィルタなどが形成されている上部基板、薄膜トランジスタや画素電極などが形成されている下部基板、及び上部基板と下部基板との間に注入されている液晶層を含む。液晶表示装置では、共通電極及び画素電極に印加される電圧の差によって液晶層に生成された電場の強さを調整して、液晶層に入射される光量を調整することによって、所望の画像を表示する。液晶表示装置は、他の表示装置に比べて薄くて軽く、消費電力及び駆動電圧が低くて、陰極線管に近い画像の表示が可能であるため、様々な電子装置に広範囲に使用されている。
【０００３】
しかし、液晶表示装置は、一般に、視野角が狭い短所がある。そこで、最近では、視野角を広くするための様々な方法が開発されているが、その例として、液晶分子３１０を二つの基板に対して垂直に配向し、画素電極及び共通電極に一定の切開パターンや突起を形成する方法を挙げることができる。
切開パターンを形成する場合、画素電極及び共通電極に各々切開パターンを形成して、これら切開パターンによって形成されるフリンジフィールド（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ）を利用して液晶分子３１０が傾く方向を調整することによって、視野角を広くする（例えば、特許文献１参照）。
このような技術を利用した液晶表示装置は、１：１０のコントラスト比基準の視野角や階調反転基準の視野角が優れている。
【０００４】
しかし、正面のガンマ（ｇａｍｍａ）曲線及び側面のガンマ曲線が一致しない側面ガンマ曲線歪曲現象が発生して、左右の側面で劣った視認性を示すという問題点があった。
最近では、液晶表示装置がマルチメディア用に使用されるため、絵を見たり動画像を見ることが増加して、視認性がさらに重要視されてきている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−０４２３６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は上記従来の表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、瞬間残像及びしみ（ｓｔａｉｎ）のような不良を減少することのできる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような課題を解決するために、本発明では、画素電極を二つに分割し、二つの副画素電極に互いに異なる電位が印加されるようにして、各副画素電極に対応する共通電極の切開部の幅を互いに異ならせる。
具体的には、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に形成される第１副画素電極と、前記第１基板上に形成されて、前記第１副画素電極と離隔している第２副画素電極と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第２基板上に形成されて、前記第１副画素電極と対向している第１切開部及び前記第２副画素電極と対向している第２切開部を有する共通電極とを有し、前記第１切開部の少なくとも一部分は第１幅を有し、前記第２切開部の少なくとも一部分は第２幅を有し、前記第１幅及び前記第２幅は互いに異なることを特徴とする。
【０００８】
前記第１副画素電極及び前記第２副画素電極の電圧は互いに異なることが好ましい。
前記第１幅が前記第２幅より１０％乃至６２％大きいことが好ましい。
前記第１幅が前記第２幅より１５％乃至４０％大きいことが好ましい。
前記第１幅が前記第２幅より１．０μｍ乃至４．０μｍ大きいことが好ましい。
前記第１幅が前記第２幅より１．５μｍ乃至３．０μｍ大きいことが好ましい。
前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層をさらに有することが好ましい。
前記第１副画素電極と連結されていて、前記第２副画素電極と容量性結合されている結合電極をさらに有することが好ましい。
前記第２副画素電極に印加される電圧が前記第１副画素電極に印加される電圧の６０％乃至８０％であることが好ましい。
前記結合電極は前記第１切開部または第２切開部と重畳していることが好ましい。
【０００９】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に形成される複数のゲート線と、前記第１基板上に形成されて、前記ゲート線と交差する複数のデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線と連結される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと連結される第１副画素電極と、前記第１副画素電極と連結される結合電極と、前記第１副画素電極と離隔していて、前記結合電極と重畳している複数の第２副画素電極と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第２基板上に形成されて、前記第１副画素電極と対向している第１切開部及び前記第２副画素電極と対向している第２切開部を有する共通電極とを有し、前記第１切開部の少なくとも一部分は第１幅を有し、前記第２切開部の少なくとも一部分は第２幅を有し、前記第１幅及び第２幅は互いに異なることを特徴とする。
【００１０】
前記第１副画素電極及び前記第２副画素電極の電圧は互いに異なることが好ましい。
前記第１幅が前記第２幅より１０％乃至６２％大きいことが好ましい。
前記第１幅が前記第２幅より１．０μｍ乃至４．０μｍ大きいことが好ましい。
前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層をさらに有することが好ましい。
前記第２副画素電極は、孤立（ｆｌｏａｔｉｎｇ）していることが好ましい。
前記第１副画素電極または第２副画素電極と重畳している維持電極をさらに有することが好ましい。
前記切開部は、前記ゲート線または前記データ線と４５度の角度をなすことが好ましい。
前記薄膜トランジスタは、前記ゲート線に連結されるゲート電極、前記データ線に連結されるソース電極、及び前記第１副画素電極に連結されるドレイン電極を有し、前記結合電極は前記ドレイン電極と一体であることが好ましい。
前記結合電極は、前記第１切開部または第２切開部と重畳していることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る表示装置によれば、互いに異なる副画素電極と対向する切開部の幅を異ならせることによって、液晶表示装置の開口率を高めて輝度を向上させる効果がある。
また、瞬間残像、しみ、フィンガープリントのような不良を最少化して表示装置の表示品質を向上させる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
次に、本発明に係る表示装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図面においては、各層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。明細書全体において類似した部分については、同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“真上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も意味する。反対に、ある部分が他の部分の“真上に”あるとする時、これはその中間に他の部分がない場合を意味する。
【実施例】
【００１３】
図１は、本発明の一実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２は本発明の一実施例による液晶表示装置用共通電極表示板の配置図であり、図３は図１に示した薄膜トランジスタ表示板及び図２に示した共通電極表示板を含む液晶表示装置の配置図であり、図４は図３の液晶表示装置のＩＶ−ＩＶ’線による断面図である。
図１乃至図４を参照すれば、本実施例による液晶表示装置４００は、薄膜トランジスタ表示板１００、これと対向している共通電極表示板２００、及び薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００との間に注入されている液晶層３００を含む（図４参照）。
【００１４】
まず、図１、図３、及び図４を参考にして、薄膜トランジスタ表示板１００について詳細に説明する。
透明なガラスなどからなる第１絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１及び維持電極線１３１が形成されている。
ゲート信号を伝達するゲート線１２１は、主に図上では横方向にのびていて、上下に拡張されている複数のゲート電極１２４を含む。ゲート線１２１は、また、第１絶縁基板（第１基板）１１０上に集積されている駆動回路（図示せず）と連結されている。ゲート線１２１は、また、第１絶縁基板１１０上に装着されている可撓性回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｆｉｌｍ：ＦＰＣ  ｆｉｌｍ）などの装置に連結されたり、第１絶縁基板１１０上に装着されている外部の駆動回路または他の層との連結のために、面積の広い端部（図示せず）を含むこともできる。
【００１５】
各維持電極線１３１は、主に横方向にのびていて、維持電極（１３３ａ−１３３ｃ）を各々含む複数の維持電極集合を有する。各々の維持電極集合（１３３ａ−１３３ｃ）は、互いにほぼ平行に縦方向にのびている第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂ、及び横方向にのびて第１維持電極１３３ａ及び第２維持電極１３３ｂをほぼ中央で連結する第３維持電極１３３ｃを有する。
第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂは、維持電極線１３１に連結される固定端及び連結されていない自由端を有する。維持電極線１３１には、液晶表示装置の共通電極表示板２００の共通電極２７０に印加される共通電圧など所定の電圧が印加される。これとは異なって、一つの維持電極集合が、二つの平行な縦方向維持電極（図示せず）、及び斜線方向にのびて二つの縦方向維持電極を連結する一対の斜線方向維持電極を有することもできる。上記形状以外にも、維持電極は様々な形状に形成することができる。
【００１６】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、クロム、銅、チタン、タンタル、モリブデンなどの金属から形成される。ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、物理的性質が異なる二つの膜を含む多重層構造を有することもでき、この場合、二つの膜のうちの一つは、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性が優れているクロム、モリブデン、チタン、タンタルなどの金属より形成し、他の一つは、ゲート線１２１及び維持電極線１３１の信号遅延や電圧降下を減少させることができるように、比抵抗の小さいアルミニウムまたは銀系列の金属より形成することができる。このような組み合わせの例としては、クロム下部膜及びアルミニウム上部膜やアルミニウム下部膜及びモリブデン上部膜を挙げることができる。その他にも、多様な金属または導電体でゲート線１２１及び維持電極線１３１を形成することができる。
【００１７】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は第１絶縁基板１１０の表面に対して傾き、その傾斜角は約３０゜乃至８０゜であるのが好ましい。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１、及び第１絶縁基板１１０上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０の上部には、水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は、主に縦方向にのびていて、これから複数の突出部（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）１５４がゲート電極１２４に向かってのびて出ている。
線状半導体１５１の上部には、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなる複数の線状及び島型抵抗性接触部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）１６１、１６５が形成されている。線状接触部材１６１は、複数の突出部１６３を有していて、この突出部１６３及び島型接触部材１６５が対をなして線状半導体１５１の突出部１５４上に位置する。
線状半導体１５１及び抵抗性接触部材１６１、１６５の側面も第１絶縁基板１１０の表面に対して傾き、その傾斜角は３０°乃至８０゜であるのが好ましい。
【００１８】
抵抗性接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極（ｄｒａｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５、及び複数の架橋部金属片（ｕｎｄｅｒ−ｂｒｉｄｇｅ  ｍｅｔａｌ  ｐｉｅｃｅ）１７２が形成されている。
データ線１７１は、主に縦方向にのびていて、ゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差してデータ電圧（ｄａｔａ  ｖｏｌｔａｇｅ）を伝達する。各データ線１７１は、維持電極線１３１の隣接した維持電極集合１３３ａ−１３３ｃの第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂの間に位置して、他の層または外部の装置との連結のために面積の広い端部を有する。また、データ線１７１は、各ドレイン電極１７５の方向に複数の分枝がのびて出て、薄膜トランジスタのソース電極（ｓｏｕｒｃｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３を形成する。
各ドレイン電極１７５は、線状半導体１５１の突出部１５４上に位置する棒状端部から出て、他の層との連結のために面積の広い拡張部を有し、拡張部から第２維持電極１３３ｂに沿って上にのびて「く」の字型に曲がって再び第２維持電極１３３ｂに沿って上にのびた形状の延長部（ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ）を有し、この延長部を結合電極（ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）という。
【００１９】
各ソース電極１７３は、ドレイン電極１７５の棒状端部を囲むように曲がっている。ゲート電極１２４、ソース電極１７３、及びドレイン電極１７５は、線状半導体１５１の突出部１５４と共に薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）を形成し、薄膜トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の突出部１５４に形成される。
架橋部金属片１７２は、第１維持電極１３３ａの端部付近でゲート線１２１と重畳している。
データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び架橋部金属片１７２は、モリブデン、クロム、タンタル、チタンなどの耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ  ｍｅｔａｌ）またはこれらの合金からなるのが好ましい。しかし、これらも、抵抗の低い導電膜との接触特性が優れている導電膜を含む多層膜構造を有することができる。多層膜構造の例としては、先に説明したクロム下部膜及びアルミニウム上部膜またはアルミニウム下部膜及びモリブデン上部膜の二重膜以外にも、モリブデン膜／アルミニウム膜／モリブデン膜の三重膜等を挙げることができる。
【００２０】
データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び架橋部金属片１７２も、ゲート線１２１及び維持電極線１３１と同様に、その側面が第１絶縁基板１１０の表面に対して約３０°乃至８０゜の角度で傾いているのが好ましい。
抵抗性接触部材１６１、１６５は、その下部の線状半導体１５１とその上部のデータ線１７１及びドレイン電極１７５との間にだけ存在して、接触抵抗を低くする役割を果たす。
データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び架橋部金属片１７２、及び露出された線状半導体１５１部分上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、平坦化特性が優れていて感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有する有機物、プラズマ化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどの誘電定数が４．０以下の低誘電率絶縁物、または窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機物などからなるのが好ましい。場合によっては、保護膜１８０が無機物下部膜及び有機物下部膜を含むこともできる。
【００２１】
保護膜１８０には、データ線１７１の端部及びドレイン電極１７５の少なくとも一部分を各々露出させる複数の接触孔１８２、１８５が形成されている。また、第１維持電極１３３ａの自由端の突出部及び維持電極線１３１で第１維持電極１３３ａの固定端と近い部分を各々露出する複数の接触孔１８３、１８４が、ゲート絶縁膜１４０及び保護膜１８０を貫通している。
保護膜１８０上には、一対の第１及び第２副画素電極１９０ａ、１９０ｂを各々含む複数の画素電極１９０、複数の接触補助部材（ｃｏｎｔａｃｔ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）８２、及び複数の維持電極線連結架橋（ｓｔｏｒａｇｅ  ｏｖｅｒｐａｓｓ）９１が形成されている。画素電極１９０、接触補助部材８２、及び維持電極線連結架橋９１は、ＩＴＯやＩＺＯなどのような透明導電体やアルミニウムのような光反射特性の優れている不透明導電体などからなる。
【００２２】
第１副画素電極１９０ａは、接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と連結されていて、データ電圧の印加を受け、第２副画素電極１９０ｂは、第１副画素電極１９０ａと電気的に連結されている結合電極１７６と重畳していて、第１副画素電極１９０ａと容量性結合されている。
データ電圧が印加された第１副画素電極１９０ａ及びこれに容量性結合されている第２副画素電極１９０ｂは、共通電極２７０と共に電場を生成することによって、液晶層３００の液晶分子３１０の配向を決定する。
また、各副画素電極１９０ａ、１９０ｂ及び共通電極は、キャパシタ（以下、“液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）”とする）を構成して、薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持するが、電圧の維持能力を強化するために、液晶キャパシタと並列に連結される他のキャパシタを構成することもでき、これをストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）という。ストレージキャパシタは、副画素電極１９０ａ、１９０ｂ及び維持電極１３３ａ−１３３ｃを含む維持電極線１３１の重畳によって形成される。
【００２３】
各画素電極１９０は、四つの角が面取りされていて、面取りされた斜辺はゲート線１２１に対して約４５°の角度をなす。
一つの画素電極１９０を形成する一対の第１及び第２副画素電極１９０ａ、１９０ｂは、間隙（ｇａｐ）１９４を隔てて互いに噛み合っていて、その外側境界はほぼ四角形である。第２副画素電極１９０ｂは、回転した等辺台形であって、第１維持電極１３３ａの付近に位置する左側辺、第２維持電極１３３ｂの付近に位置する右側辺、そしてゲート線１２１とほぼ４５゜の角度をなす上側斜辺及び下側斜辺を有する。
第１副画素電極１９０ａは、第２副画素電極１９０ｂの斜辺と対向している一対の台形部、及び第２副画素電極１９０ｂの左側辺と対向している縦部を含む。したがって、第１副画素電極１９０ａと第２副画素電極１９０ｂとの間の間隙１９４は、ほぼ均一な幅を有し、ゲート線１２１と約４５゜の角度をなす下部及び上部斜線部１９１、１９３、そして実質的に均一な幅を有する縦部１９５を含む。なお、間隙１９４の下部及び上部斜線部１９１、１９３は縦部１９５より長い。
【００２４】
第２副画素電極１９０ｂは、第３維持電極１３３ｃに沿ってのびた切開部（ｃｕｔｏｕｔ）１９２を有し、この切開部１９２によって下半部及び上半部に二等分される。切開部１９２は、第２副画素電極１９０ｂの右側辺に入口を有している。切開部１９２の入口は間隙１９４の下部斜線部１９１及び上部斜線部１９３と各々実質的に平行な一対の斜辺を有している。間隙１９４及び切開部１９２は、第３維持電極１３３ｃに対してほぼ反転対称（ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ  ｓｙｍｍｅｔｒｙ）をなしている。
この時、分割された部分の数または切開部の数は、画素の大きさ、画素電極１９０の横辺及び縦辺の長さ比、液晶層３００の種類や特性などの設計要素によって変わる。以下では、説明の便宜のために、間隙１９４も切開部として称して以下、表示、説明する。
【００２５】
維持電極線連結架橋９１は、ゲート線１２１を横切って、接触孔１８３、１８４を通じてゲート線１２１を介在して隣接する第１維持電極１３３ａの固定端の突出部及び維持電極線１３１の露出された部分に連結されている。維持電極線連結架橋９１は、架橋部金属片１７２と重畳していて、これらは互いに電気的に連結することもできる。維持電極１３３ａ−１３３ｃをはじめとする維持電極線１３１は、維持電極線連結架橋９１及び金属片１７２と共にゲート線１２１やデータ線１７１または薄膜トランジスタの欠陥を修理するのに使用される。ゲート線１２１を修理する時には、ゲート線１２１と維持電極線連結架橋９１との交差点にレーザーを照射してゲート線１２１及び維持電極線連結架橋９１を電気的に連結することによって、ゲート線１２１及び維持電極線１３１を電気的に連結する。この時、架橋部金属片１７２は、ゲート線１２１及び維持電極線連結架橋９１の電気的連結を強化する。
接触補助部材８２は、接触孔１８２を通じてデータ線１７１の端部に連結されている。接触補助部材８２は、データ線１７１の端部と外部の装置との接触性を補完して、これらを保護する役割を果たすものであって、必須ではなく、これらの適用有無は選択的である。
【００２６】
次に、図２、図３、及び図４を参照して、共通電極表示板２００について説明する。但し、図３では、遮光部材及びカラーフィルターを分けて表示していない。
ガラスなどの透明な絶縁物質からなる第２絶縁基板（第２基板）２１０上に、光漏れを防止するための、ブラックマトリックスとも称する遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、画素電極１９０と対向していて、画素電極１９０とほぼ同一な形状を有する複数の開口部を有している。しかし、遮光部材２２０は、画素電極１９０及び薄膜トランジスタの付近での光漏れを遮断するために、他の様々な形状を有することもできる。
また、第２絶縁基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は、遮光部材２３０で囲まれた領域内に大部分が位置し、画素電極１９０に沿って縦方向に長くのびることができる。カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、及び青色などの原色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示することができる。
【００２７】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には、カラーフィルタ２３０が露出されるのを防止しながら、平坦面を提供するための、蓋膜２５０が形成されている。
蓋膜２５０上には、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電体などからなる共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０には、複数の切開部（２７１−２７３）の集合が形成されている。
一つの切開部の集合（２７１−２７３）は、一つの画素電極１９０と対向していて、下部切開部２７１、中央切開部２７２、及び上部切開部２７３を含む。切開部の集合（２７１−２７３）の各々は、画素電極１９０の隣接している切開部１９２、１９４の間、または切開部１９４と画素電極１９０の斜辺との間に配置されている。また、切開部の集合（２７１−２７３）は、画素電極１９０の下部切開部１９１または上部切開部１９３と平行にのびた少なくとも一つの斜線部を含む。切開部の集合（２７１−２７３）は、第３維持電極１３３ｃに対してほぼ反転対称をなしている。
【００２８】
下部及び上部切開部２７１、２７３は、第１副画素電極１９０ａと対向していて、これらの各々はほぼ画素電極１９０の左側辺から上側または下側辺に向かってのびた斜線部、そして斜線部の各端部から画素電極１９０の辺に沿って辺と重畳しながらのびて斜線部と鈍角をなす横部及び縦部を含む。
中央切開部２７２は、第２副画素電極１９０ｂと対向していて、結合電極１７６と重畳しており、ほぼ画素電極１９０の左側辺から維持電極線１３１に沿ってのびた中央横部、この中央横部の端部で中央横部と斜角をなして画素電極１９０の右側辺に向かってのびた一対の斜線部、そして斜線部の各端部から画素電極１９０の右側辺に沿って右側辺と重畳しながらのびて斜線部と鈍角をなす縦断縦部を含む。中央切開部２７２の大部分は第２副画素電極１９０ｂと重畳しているが、一部領域は切開部１９４及び第１副画素電極１９０ａと重畳している。
【００２９】
図２を参考にすれば、下部及び上部切開部２７１、２７３の少なくとも一部は第１幅（ｗ１）を有し、中央切開部２７２の少なくとも一部は第２幅（ｗ２）を有する。第１幅（ｗ１）及び第２幅（ｗ２）は互いに異なるが、第１幅（ｗ１）が第２幅（ｗ２）より大きいのが好ましい。
このような第１及び第２幅（ｗ１、ｗ２）は、各副画素電極１９０ａ１９０ｂ及び共通電極２７０に印加される電圧の差によって変わることが可能である。例えば、第１副画素電極１９０ａと共通電極２７０との最大電圧差が約５．６Ｖ乃至約７．０Ｖであり、第２副画素電極１９０ｂと共通電極２７０との最大電圧差が約３．３Ｖ乃至５．６Ｖである場合、第１幅（ｗ１）は約１０．５μｍ乃至約１１．５μｍであり、第２幅（ｗ２）は約６．５μｍ乃至約１０．５μｍであるのが好ましく、約７．５μｍ乃至約１０．０μｍであるのがより好ましい。この時、切開部２７１−２７３の幅の誤差範囲は１．０μｍである。また、第１幅（ｗ１）が第２幅（ｗ２）より約１．０μｍ乃至約４．０μｍ大きいのが好ましく、約１．５μｍ乃至約３．０μｍ大きいのがより好ましい。つまり、第１幅（ｗ１）が第２幅（ｗ２）より約１０％乃至６２％、好ましくは１５％乃至４０％大きいのが好ましい。
【００３０】
切開部の集合（２７１−２７３）の数は設計要素によって変わることがあり、遮光部材２２０が切開部の集合（２７１−２７３）と重畳して、切開部の集合（２７１−２７３）の付近の光漏れを遮断することができる。また、薄膜トランジスタ表示板の維持電極線１３１は、下部及び上部切開部２７１、２７３と重畳する維持電極（図示せず）を含むこともできる。
薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００の内側面には、液晶分子３１０を配向する配向膜（図示せず）が塗布されていて、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００の外面には、直交偏光板１２、２２が形成されている。二つの偏光板１２、２２の透過軸は直交する。反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光板１２、２２のうちの一つを省略することができる。
液晶層３００は、負の誘電率異方性を有し、液晶分子３１０は、電界が生成されていない時にその長軸が薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００の表面に対して実質的に垂直をなすように配向されている。
【００３１】
一方、一つの切開部の集合（１９２、１９４、２７１−２７３）は、画素電極１９０を複数の副領域（ｓｕｂ  ａｒｅａ）に分割し、図３に示すように、各副領域は、二つの周辺を有する。切開部の集合（１９２、１９４、２７１−２７３）は、液晶層３００の液晶分子３１０が傾く方向を制御する。詳細に説明すると、画素電極１９０、共通電極２７０のそれぞれの切開部（１９２、１９４、２７１−２７３）は、画素電極１９０、共通電極２７０によって液晶層３００に生成された電界を歪曲して、それぞれの切開部（１９２、１９４、２７１−２７３）の辺に対して垂直な水平成分を形成する。したがって、液晶分子３１０が傾く方向が副領域によって変わって、これにより基準視野角が拡大される。図３から分かるように、液晶分子３１０が傾く方向はほぼ四つの方向になる。
それぞれの切開部（１９２、１９４、２７１−２７３）の少なくとも一つは、突起や陥没部で代替することができ、それぞれの切開部（１９２、１９４、２７１−２７３）の形状及び配置は変更することができる。
また、結合電極１７６の形状と位置も変更することができる。
【００３２】
図１乃至図４に示した液晶表示装置は、図５に示した等価回路でほぼ示すことができる。
図５を参考にすれば、薄膜トランジスタ表示板は、複数のゲート線１２１、複数のデータ線１７１、及び複数の画素を含み、各画素は、一対の第１及び第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）、薄膜トランジスタ（Ｑ）、及び結合キャパシタ（Ｃｃｐ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を含む。
ここで、第１及び第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）は、各々第１及び第２副画素電極１９０ａと共通電極２７０との間のキャパシタを示し、結合キャパシタ（Ｃｃｐ）は、第１副画素電極１９０ａと第２副画素電極１９０ｂとの間のキャパシタを示し、薄膜トランジスタ（Ｑ）は、ゲート線１２１、データ線１７１、及び第１副画素電極１９０ａに連結されている。
【００３３】
次に、画素の動作について詳細に説明する。
薄膜トランジスタ（Ｑ）に連結されているゲート線１２１にゲートオン電圧が印加されると、薄膜トランジスタ（Ｑ）がターンオンされて、データ線１７１のデータ電圧を第１副画素電極１９０ａに伝達する。そうすると、第１副画素電極１９０ａはデータ電圧で充電されて、第１副画素電極１９０ａと容量性結合されている孤立した（ｆｌｏａｔｉｎｇ）第２副画素電極１９０ｂの電圧も変化する。共通電極２７０の電圧に対する第１副画素電極１９０ａの電圧をＶａとし、第２副画素電極１９０ｂの電圧をＶｂとすれば、電圧分配の法則によって下記の数式１のようになる。
【００３４】
（数１）
Ｖｂ＝Ｖａ×［Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｂ）］
（但し、ここで、Ｃｃｐ及びＣｌｃｂは各々結合キャパシタ及び第２液晶キャパシタの静電容量を示し、当該キャパシタと同一な図面符号を使用した。）
ここで、Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｂ）は常に１より小さいので、第２副画素電極１９０ｂの電圧（Ｖｂ）の大きさは第１副画素電極１９０ａの電圧（Ｖａ）の大きさに比べて常に小さい。
【００３５】
一方、第２副画素電極１９０ｂの電圧（Ｖｂ）及び第１副画素電極１９０ａの電圧（Ｖａ）の比は、結合キャパシタの容量（以下、結合容量とする）（Ｃｃｐ）を調整することによって調整することができる。結合容量（Ｃｃｐ）の調整は、結合電極１７６と第２副画素電極１９０ｂとの重畳面積及び距離を調整することによって可能である。重畳面積は結合電極１７６の幅を変化させることによって容易に調整することができ、距離は結合電極１７６の形成位置を変化させることによって調整することができる。、例えば、図１乃至図４とは異なって、結合電極１７６をゲート線１２１と同じ層に形成すれば、結合電極１７６と第２副画素電極１９０ｂとの間の距離を増加させることができる。
このような方法で、第１及び第２副画素電極１９０ａ、１９０ｂの電圧が互いに変わって、これによりガンマ曲線の歪曲が減少する。
【００３６】
一方、それぞれの切開部（１９２、１９４、２７１−２７３）内では、互いに対向する周縁によって生じる電場が互いに重畳する。この時、それぞれの切開部（１９２、１９４、２７１−２７３）内の互いに対向する周縁による二つの電場の垂直成分は同一な方向であり、水平成分は互いに異なる方向になる。したがって、各電場の強さが大きくなるほど合成電場の垂直成分が大きくなり、各電場の強さは変わらなくても、それぞれの切開部（１９２、１９４、２７１−２７３）の切開部の幅が狭いほど合成電場の水平成分が小さくなる。
ところが、それぞれの切開部（１９２、１９４、２７１−２７３）の両側で液晶分子３１０が傾く方向が周縁に垂直で互いに反対であるので、それぞれの切開部（１９２、１９４、２７１−２７３）を中心に液晶分子３１０が傾く方向が順次に変化する。合成電場の垂直成分が大きくなったり水平成分が小さくなる場合、その方位角方向（ａｚｉｍｕｔｈａｌ）のスプレー（ｓｐｌａｙ）弾性のために、液晶分子３１０がそれぞれの切開部（１９２、１９４、２７１−２７３）の周縁に垂直な傾きの方向を維持することができずに他の方向にななめに傾く程度が大きくなって、それぞれの切開部（１９２、１９４、２７１−２７３）の付近での瞬間残像やしみなどの不良が増加する。
【００３７】
したがって、画素電極１９０の電圧と関係なくそれぞれの切開部（１９２、１９４、２７１−２７３）の幅を広くするのが好ましいが、そのような場合、開口率が低下するので、画素電極１９０の電圧に見合うようにそれぞれの切開部（１９２、１９４、２７１−２７３）の幅を適正な程度に設定する必要がある。
【００３８】
それでは、電場の強さ、つまり画素電極１９０の電圧と共通電極２７０の電圧との差による適正な切開部の幅について、図６を参照して説明する。
図６は、液晶キャパシタの両端の電圧（以下、副画素電圧とする）による適正な切開部の幅を示したグラフである。ここで、適正な切開部の幅は、瞬間残像やしみが発生せず、輝度が一定水準に維持されて、フィンガープリントのような不良を発生しない範囲に決められるものである。
【００３９】
図１乃至図５に示した液晶表示装置を使用して画像を表示する場合、第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）に印加される最大電圧が約５．６Ｖ乃至７．０Ｖであり、第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）に印加される最大電圧が第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）に印加される最大電圧の約６０％乃至８０％である約３．３Ｖ乃至５．６Ｖである。したがって、図６から分かるように、第１幅（ｗ１）は約１０．５μｍ乃至約１１．５μｍであり、第２幅（ｗ２）は約６．５μｍ乃至約１０．５μｍであるのが好ましく、約７．５μｍ乃至約１０．０μｍであるのがより好ましい。この時、それぞれの切開部（２７１−２７３）の幅の誤差範囲は１．０μｍである。また、第１幅（ｗ１）が第２幅（ｗ２）より約１．０μｍ乃至約４．０μｍ大きいのが好ましく、約１．５μｍ乃至約３．０μｍ大きいのがより好ましい。つまり、第１幅（ｗ１）が第２幅（ｗ２）より約１０％乃至６２％、好ましくは１５％乃至４０％大きいのが好ましい。
【００４０】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。特に、画素電極及び共通電極に形成される切開部の配置は多様な変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図２】本発明の一実施例による液晶表示装置の共通電極表示板の配置図である。
【図３】図１に示した薄膜トランジスタ表示板及び図２に示した共通電極表示板を含む液晶表示装置の配置図である。
【図４】図３の液晶表示装置のＩＶ−ＩＶ’線による断面図である。
【図５】図１乃至図４に示した液晶表示装置の概略的な等価回路図である。
【図６】液晶キャパシタの両端の電圧による適正な切開部幅を示したグラフである。
【符号の説明】
【００４２】
１２、２２    直交偏光板
８２        接触補助部材
９１        維持電極線連結架橋
１００      薄膜トランジスタ表示板
１１０      第１絶縁基板（第１基板）
１２１      ゲート線
１２４      ゲート電極
１３１      維持電極線
１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ    維持電極
１４０      ゲート絶縁膜
１５１      線状半導体
１５４      突出部
１６１、１６５    線状及び島型抵抗性接触部材
１６３      突出部
１７１      データ線
１７２      架橋部金属片
１７３      ソース電極
１７５      ドレイン電極
１７６      結合電極
１８２、１８３、１８４、１８５    接触孔
１９０      画素電極、
１９０ａ    第１副画素電極
１９０ｂ    第２副画素電極
１９２      切開部
１９４、１９１、１９３、１９５  間隙（切開部）
２００      共通電極表示板
２１０      第２絶縁基板（第２基板）
２２０      遮光部材
２３０      カラーフィルタ
２５０      蓋膜
２７０      共通電極
２７１、２７２、２７３    切開部
３００      液晶層
４００      液晶表示装置
【図１】
2006154755.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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