(57)【要約】【課題】  液滴を乾燥して形成するパターンの形状制御性を向上した液滴吐出装置、パターン形成方法、識別コードの製造方法、識別コード、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供する。【解決手段】  着弾位置の領域で、Ｘ矢印方向に沿ってセル幅Ｒａよりも若干長い帯状のスポットと、Ｙ矢印方向に沿ってセル幅Ｒａよりも若干長い帯状のスポットとからなる十字状のピニングスポットＢ１を成形するようにした。そして、着弾位置に着弾した微小液滴Ｆｂの外径が、セル幅Ｒａよりも若干小さい照射径Ｒｅになるタイミングで、そのピニングスポットＢ１のレーザビームを照射するようにした。【選択図】      図９
2006272191.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成材料を含む液滴を、被吐出面のパターン形成領域に吐出する液滴吐出手段を備えた液滴吐出装置において、
前記パターン形成領域に着弾した前記液滴の濡れ広がりを抑制する位置にエネルギービームを照射するエネルギービーム照射手段を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液滴吐出装置において、
前記エネルギービーム照射手段は、少なくとも前記パターン形成領域の一側辺に、前記エネルギービームを照射して、着弾した前記液滴の濡れ広がりを抑制することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液滴吐出装置において、
前記エネルギービームは、光であることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記エネルギービームは、コヒーレント光であることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記エネルギービーム照射手段は、前記液滴を乾燥させるためのエネルギービームをさらに照射することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
着弾した前記液滴の領域に、相対的に、静止したビームスポットのエネルギービームを照射可能にするエネルギービーム走査手段を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記被吐出面は、前記液滴を親液する親液性を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項８】
パターン形成材料を含む液滴を被吐出面に吐出し、前記被吐出面に着弾した前記液滴を乾燥することによってパターンを形成するようにしたパターン形成方法において、
被吐出面に着弾した前記液滴の濡れ広がりを抑制する位置にエネルギービームを照射するようにしたこと特徴とするパターン形成方法。
【請求項９】
請求項８に記載のパターン形成方法において、
前記液滴を吐出する前に、前記液滴の濡れ広がりを抑制する位置に、予め前記エネルギービームを照射するようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載のパターン形成方法において、
前記液滴を乾燥する前に、前記液滴の濡れ広がりを抑制する位置に、前記エネルギービームを照射するようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０に記載のパターン形成方法において、
前記液滴の濡れ広がりを抑制する位置にエネルギービームを照射した後に、前記液滴を乾燥させるためのエネルギービームをさらに照射するようにしたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項１２】
基板の一側面に設けられたコード形成領域を分割する複数のデータセルに、パターン形成材料を含む液滴を吐出し、前記データセルに着弾した前記液滴を乾燥することによって前記データセルにコードパターンを形成するようにした識別コードの製造方法において、
前記コードパターンを、請求項８〜１１のいずれか１つに記載のパターン形成方法によって形成するようにしたことを特徴とする識別コードの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載する識別コードの製造方法によって製造した識別コード。
【請求項１４】
基板の着色層形成領域に着色層形成材料を含む液滴を吐出し、前記着色層形成領域に着弾した前記液滴を乾燥することによって着色層を形成するようにした電気光学装置の製造方法において、
前記着色層を、請求項８〜１１のいずれか１つに記載のパターン形成方法によって形成するようにしたこと特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
基板の発光素子形成領域に発光素子形成材料を含む液滴を吐出し、前記発光素子形成領域内に着弾した前記液滴を乾燥することによって発光素子を形成するようにした電気光学装置の製造方法において、
前記発光素子を、請求項８〜１１のいずれか１つに記載のパターン形成方法によって形成するようにしたこと特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４又は１５に記載の電気光学装置の製造方法によって製造した電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出装置、パターン形成方法、識別コードの製造方法、識別コード、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）等の電気光学装置には、画像を表示するための透明ガラス基板（以下単に、基板という。）が備えられている。この種の基板には、品質管理や製造管理を目的として、その製造元や製品番号等の製造情報をコード化した識別コード（例えば、２次元コード）が形成されている。こうした識別コードは、配列された多数のパターン形成領域（データセル）の一部に、コード全体を再生するために必要となる、識別可能なパターン形状（例えば、有色の薄膜や凹部等のドット）を備え、そのコードパターンの有無によって前記製造情報をコード化している。
【０００３】
その識別コードの形成方法には、金属箔にレーザビームを照射してコードパターンをスパッタ成膜するレーザスパッタ法や、研磨材を含んだ水を基板等に噴射してコードパターンを刻印するウォータージェット法が提案されている（特許文献１、特許文献２）。
【０００４】
しかし、上記レーザスパッタ法では、所望するサイズのコードパターンを得るために、金属箔と基板の間隙を、数〜数十μｍに調整しなければならない。つまり、基板と金属箔の表面に対して非常に高い平坦性が要求され、しかも、これらの間隙をμｍオーダの精度で調整しなければならない。その結果、識別コードを形成できる対象基板が制限されて、その汎用性を損なう問題を招いていた。また、ウォータージェット法では、基板の刻印時に、水や塵埃、研磨剤等が飛散するため、基板を汚染する問題があった。
【０００５】
近年、こうした生産上の問題を解消する識別コードの形成方法として、インクジェット法が注目されている。インクジェット法は、金属微粒子を含む微小液滴を液滴吐出装置から吐出し、その液滴を乾燥させることによってコードパターンを形成する。そのため、識別コードを形成する基板の対象範囲を拡大することができ、同基板の汚染等を回避して識別コードを形成することができる。
【０００６】
また、こうしたインクジェット法は、微小液滴のサイズに応じたパターンを形成できる利便性から、上記液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の画素領域に備えられるカラーフィルタや発光素子の製造方法としても利用されている。すなわち、カラーフィルタを形成するカラー着色層形成領域に、各色の着色層形成材料を含む微小液滴を吐出し、その液滴を乾燥させることによってカラーフィルタを形成する。また、発光素子を形成する発光素子形成領域に、発光層形成材料を含む微小液滴を吐出し、その液滴を乾燥させることによって発光素子を形成する。これによって、パターンを形成するためのマスクや、そのマスクを形成するためのフォトリソグラフィ工程を削減することができ、各パターンの生産性を向上することができる。
【特許文献１】特開平１１−７７３４０号公報
【特許文献２】特開２００３−１２７５３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記するデータセルやカラー着色層形成領域、発光素子形成領域の形状
は、その使用用途に応じて、楕円形状や矩形状等、多種類にわたる形状に形成されている。そのため、上記するインクジェット法では、以下の問題を生じていた。
【０００８】
すなわち、吐出された微小液滴は、パターン形成領域で同心円状に濡れ広がり、略半球面状に定着する。その結果、所望するパターン形状が楕円形状や矩形状等の場合、パターン形成領域から食み出すパターンを形成したり、パターン形成領域にパターンの形成されない部位を残したりする問題があった。
【０００９】
こうした問題は、パターン形成領域全体を囲う隔壁に、微小液滴を撥液する撥液性を付与し、さらにパターン形成領域内全体に、微小液滴を濡れ広がらせる親液性を付与することによって回避可能と考えられる。しかし、パターン形成領域に着弾した微小液滴を、所望の方向に濡れ広がらせるには十分ではなかった。しかも、隔壁を形成するためのパターニング工程が付加され、パターンを製造するための工程数を増加させる問題があった。
【００１０】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、液滴を乾燥して形成するパターンの形状制御性を向上した液滴吐出装置、パターン形成方法、識別コードの製造方法、識別コード、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の液滴吐出装置は、パターン形成材料を含む液滴を、被吐出面のパターン形成領域に吐出する液滴吐出手段を備えた液滴吐出装置において、前記パターン形成領域に着弾した液滴の濡れ広がりを抑制する位置にエネルギービームを照射するエネルギービーム照射手段を備えた。
【００１２】
本発明の液滴吐出装置によれば、エネルギービームの照射によって、着弾した液滴の過剰な濡れ広がりを抑制し、液滴を、所望の領域内に閉じ込める（ピニングする）ことができる。従って、着弾した液滴をピニングする分だけ、パターン形状の制御性を向上することができる。
【００１３】
この液滴吐出装置において、前記エネルギービーム照射手段は、少なくとも前記パターン形成領域の一側辺に、前記エネルギービームを照射して、着弾した前記液滴の濡れ広がりを抑制するようにしてもよい。
【００１４】
この液滴吐出装置によれば、少なくともパターン形成領域の一側辺において、液滴の濡れ広がりを、パターン形成領域側に抑制することができ、液滴の一側辺外側への食み出しを回避することができる。
【００１５】
この液滴吐出装置において、前記エネルギービームは、光であってもよい。
この液滴吐出装置によれば、エネルギービームを光で構成することにより、液滴の構成材料（例えば、溶媒や分散媒等）の選択範囲を拡大することができる。
【００１６】
この液滴吐出装置において、前記エネルギービームは、コヒーレント光であってもよい。
この液滴吐出装置によれば、エネルギービームをコヒーレント光で構成することにより、所望のビーム形状を、より高い精度で成形することができ、液滴の過剰な濡れ広がりを、より確実に抑制することができる。
【００１７】
この液滴吐出装置において、前記エネルギービーム照射手段は、前記液滴を乾燥させるためのエネルギービームをさらに照射するようにしてもよい。
この液滴吐出装置によれば、液滴を所望の領域内に閉じ込めた後に、その液滴を乾燥させることができる。従って、パターンの形状制御性を、より確実に向上することができる。
【００１８】
この液滴吐出装置において、着弾した液滴の領域に、相対的に、静止したビーム断面（ビームスポット）のエネルギービームを照射可能にするエネルギービーム走査手段を備えるようにしてもよい。
【００１９】
この液滴吐出装置によれば、被吐出面が搬送される場合等、移動する液滴に対して、相対的に、静止したエネルギービームを照射することができ、その照射位置を維持することができる。また、ビームスポットの形状や強度を所定の時間で変更する場合等、液滴の移動速度や移動量等に制約されることなく、その形状や強度を変更することができ、パターンの形状制御性を、さらに向上することができる。
【００２０】
この液滴吐出装置において、前記被吐出面は、前記液滴を親液する親液性を備えるようにしてもよい。
この液滴吐出装置によれば、エネルギービームを照射しない方向に、液滴を濡れ広がらせることができ、パターン形状を、より確実に所望の形状に制御することができる。
【００２１】
本発明のパターン形成方法は、パターン形成材料を含む液滴を被吐出面に吐出し、前記被吐出面に着弾した前記液滴を乾燥することによってパターンを形成するようにしたパターン形成方法において、被吐出面に着弾した液滴の濡れ広がりを抑制する位置にエネルギービームを照射するようにした。
【００２２】
本発明のパターン形成方法によれば、エネルギービームの照射によって、着弾した液滴の過剰な濡れ広がりを抑制し、液滴を、所望の領域内に閉じ込める（ピニングする）ことができる。従って、着弾した液滴をピニングする分だけ、パターン形状の制御性を向上することができる。
【００２３】
このパターン形成方法において、前記液滴を吐出する前に、前記液滴の濡れ広がりを抑制する位置に、予め前記エネルギービームを照射するようにしてもよい。
このパターン形成方法によれば、照射タイミングのズレによる過剰な濡れ広がりを回避することができ、液滴の形状を、より確実に所望の形状に制御することができる。
【００２４】
このパターン形成方法において、前記液滴を乾燥する前に、前記液滴の濡れ広がりを抑制する位置にエネルギービームを照射するようにしてもよい。
このパターン形成方法によれば、乾燥する前に液滴をピニングすることができ、乾燥途中でピニングする場合に比べ、より高い精度で、パターン形状を制御することができる。
【００２５】
このパターン形成方法において、被吐出面に着弾した液滴の濡れ広がりを抑制する位置にエネルギービームを照射した後に、前記液滴を乾燥させるためのエネルギービームを、さらに照射するようにしてもよい。
【００２６】
このパターン形成方法によれば、液滴を所望の領域内に閉じ込めた後に、その液滴を、エネルギービームによって瞬時に乾燥させることができる。従って、パターンの形状を、確実に、所望の形状に形成することができる。
【００２７】
本発明の識別コードの製造方法において、基板の一側面に設けられたコード形成領域を分割する複数のデータセルに、パターン形成材料を含む液滴を吐出し、前記データセルに着弾した液滴を乾燥することによって前記データセルにコードパターンを形成するように
した識別コードの製造方法において、前記コードパターンを、上記するパターン形成方法によって形成するようにした。
【００２８】
本発明の識別コードの製造方法によれば、コードパターンの形状制御性を向上することができる。
本発明の識別コードは、上記する識別コードの製造方法によって製造した。
【００２９】
本発明の識別コードによれば、所望の形状に制御されたコードパターンによって、識別コードの読み取り誤差等を回避することができ、識別情報を確実に再生することができる。
【００３０】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板の着色層形成領域に着色層形成材料を含む液滴を吐出し、前記着色層形成領域に着弾した前記液滴を乾燥することによって着色層を形成するようにした電気光学装置の製造方法において、前記着色層を、上記するパターン形成方法によって形成するようにした。
【００３１】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、着色層の形状制御性を向上することができる。
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板の発光素子形成領域に発光素子形成材料を含む液滴を吐出し、前記発光素子形成領域内に着弾した前記液滴を乾燥することによって発光素子を形成するようにした電気光学装置の製造方法において、前記発光素子を、上記するパターン形成方法によって形成するようにした。
【００３２】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、発光素子の形状制御性を向上することができる。
本発明の電気光学装置は、上記する電気光学装置の製造方法によって製造した。
【００３３】
本発明の電気光学装置によれば、着色層又は発光素子の形状を所望の形状に制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図１２に従って説明する。
まず、本発明の液滴吐出装置を使って形成された識別コードを有する電気光学装置としての液晶表示装置の表示モジュールについて説明する。図１は液晶表示装置の液晶表示モジュールの正面図、図２は液晶表示モジュールの裏面に形成された識別コードの正面図、図３は液晶表示モジュールの裏面に形成された識別コードの側面図である。
【００３５】
図１において、液晶表示モジュール１は、四角形状に形成された光透過性の透明ガラス基板２（以下単に、基板２という。）を備えている。本実施形態では、図１において、基板２の長手方向（横方向）をＸ矢印方向とし、Ｘ矢印方向と直交する方向をＹ矢印方向とする。
【００３６】
基板２の表面２ａであって、その略中央位置には、カラーフィルタ基板３（図１７参照）が貼り合わされ、そのカラーフィルタ基板３と基板２との間の間隙に液晶分子を封入した四角形状の表示部３ｓが形成されている。
【００３７】
その表示部３ｓの外側には、走査線駆動回路４及びデータ線駆動回路５が形成されている。そして、液晶表示モジュール１は、これら走査線駆動回路４の供給する走査信号と、データ線駆動回路５の供給するデータ信号に基づいて、前記液晶分子の配向状態を制御す
るようになっている。そして、液晶表示モジュール１は、図示しない照明装置から照射された平面光を、液晶分子の配向状態で変調し、表示部３ｓに、所望の画像を表示するようになっている。
【００３８】
基板２の被吐出面としての裏面２ｂには、後述する微小液滴Ｆｂを親液する親液性が付与され、図１における右側上隅には、該液晶表示モジュール１の識別コード１０が形成されている。識別コード１０は、図２に示すように、コード形成領域Ｓ内に形成される複数のパターンとしてのドットＤによって構成されている。コード形成領域Ｓは、図４に示すように、１６行×１６列からなるパターン形成領域としての２５６個のデータセル（以下単に、セルＣという。）に均等に仮想分割されている。詳述すると、本実施形態におけるコード形成領域Ｓは、２．２４ｍｍ角の正方形の領域であって、一辺の長さが１４０μｍの正方形のセルＣに仮想分割されている。そして、１６行×１６列の各セルＣ内に、選択的にドットＤが形成され、各セルＣ内のドットＤの有無によって、該液晶表示モジュール１の製品番号やロット番号等を識別可能にしている。
【００３９】
本実施形態では、このセルＣの一辺の長さをセル幅Ｒａという。また、この分割されたセルＣであって、ドットＤが形成されるセルＣを黒セルＣ１とし、セルＣ内にドットＤが形成されないセルＣを白セルＣ０という。また、図４において左側（Ｘ矢印方向側）から順に、１列目のセルＣ（１列目の黒セルＣ１）、２列目のセルＣ（２列目の黒セルＣ１）、・・・、１６列目のセルＣとし、図４において上側（Ｙ矢印方向側）から順に、１行目のセルＣ、２行目のセルＣ、・・・、１６行目のセルＣという。
【００４０】
黒セルＣ１に形成されたドットＤは、図２に示すように、平面視方向から見て各黒セルＣ１と略整合した四角形状に形成され、図３に示すように、基板２に密着した半球状に形成されている。このドットＤは、インクジェット法によって形成されている。
【００４１】
詳述すると、ドットＤは、後述する液滴吐出装置２０（図５参照）の吐出ノズルＮ（図７参照）からパターン形成材料としての金属微粒子（例えば、ニッケル微粒子等）を含む微小液滴Ｆｂ（図７参照）をセルＣ（黒セルＣ１）に吐出させ、セルＣ（黒セルＣ１）に着弾した微小液滴Ｆｂを乾燥し、金属微粒子を焼成させることによって形成されている。
【００４２】
次に、前記識別コード１０を形成するために使用する液滴吐出装置２０について説明する。図５は、液滴吐出装置２０の構成を示す斜視図である。
図５において、液滴吐出装置２０には、直方体形状に形成される基台２１が備えられている。基台２１は、後述する基板ステージ２３に前記基板２を載置する状態で、その長手方向が、前記Ｘ矢印方向に沿うように形成されている。その基台２１の上面には、Ｘ矢印方向に延びる１対の案内凹溝２２が、Ｘ矢印方向全幅にわたり形成され、前記案内凹溝２２に対応する図示しない直動機構を備えた基板ステージ２３が取付けられている。基板ステージ２３の直動機構は、例えば案内凹溝２２に沿ってＸ矢印方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構であって、その駆動軸がステッピングモータよりなるＸ軸モータＭＸ（図１１参照）に連結されている。そして、所定のステップ数に相対する駆動信号がＸ軸モータＭＸに入力されると、Ｘ軸モータＭＸが正転又は逆転して、基板ステージ２３が同ステップ数に相当する分だけ、Ｘ矢印方向に沿って所定の速度（搬送速度Ｖｘ）で往動又は復動する（Ｘ矢印方向に移動する）ようになっている。
【００４３】
本実施形態では、図５に示すように、最も反Ｘ矢印方向に位置する基台２１の配置位置を往動位置とし、最もＸ矢印方向の配置位置（図５に示す２点鎖線）を復動位置という。
基板ステージ２３の上面（載置面２４）には、図示しない吸引式の基板チャック機構が設けられている。そして、基板２が、その裏面２ｂ（コード形成領域Ｓ）を上側にして載
置面２４に載置されると、裏面２ｂが載置面２４に対して位置決めされ、１列目のセルＣが、最もＸ矢印方向側（復動位置側）となるように配置されるようになっている。この状態から基板ステージ２３を搬送速度ＶｘでＸ矢印方向に往動すると、基板ステージ２３は、裏面２ｂ（セルＣ）を、搬送速度Ｖｘで同Ｘ矢印方向に移動させるようになっている。
【００４４】
基台２１のＹ矢印方向両側には、一対の支持台２５a、２５ｂが立設され、その一対の
支持台２５a、２５ｂには、Ｙ矢印方向に延びる案内部材２６が架設されている。案内部
材２６は、その長手方向の幅が基板ステージ２３のＹ矢印方向の幅よりも長く形成され、その一端が支持台２５a側に張り出すように配置されている。この支持台２５ａの張り出
した部分の直下には、後述する吐出ヘッド３０のノズル形成面３１ａ（図６参照）を払拭して、そのノズル形成面３１ａを洗浄する図示しないメンテナンスユニットが配設されている。
【００４５】
案内部材２６の上側には、収容タンク２７が配設されている。収容タンク２７内には、前記金属微粒子を分散させた液体としての機能液Ｆ（図７参照）が、後述する液滴吐出ヘッド３０（吐出ノズルＮ）に導出可能に収容されている。
【００４６】
案内部材２６の下側には、Ｙ矢印方向に延びる上下一対の案内レール２８に対応する図示しない直動機構を備えたキャリッジ２９が取付けられている。キャリッジ２９の直動機構は、例えば案内レール２８に沿ってＹ矢印方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が、ステッピングモータよりなるＹ軸モータＭＹ（図１１参照）に連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号をＹ軸モータＭＹに入力すると、Ｙ軸モータが正転又は逆転して、キャリッジ２９が同ステップ数に相当する分だけＹ矢印方向に沿って往動又は復動する（Ｙ矢印方向に移動する）ようになっている。
【００４７】
本実施形態では、図５に示すように、最も支持台２５ａ側（反Ｙ矢印方向側）に位置するキャリッジ２９の配置位置を往動位置とし、最も支持台２５ｂ側（Ｙ矢印方向側）に位置する配置位置（図５に示す２点鎖線）を復動位置という。
【００４８】
図５に示すように、そのキャリッジ２９の下側には、液滴吐出ヘッド（以下単に、吐出ヘッド３０という。）が設けられている。図６は、その吐出ヘッド３０の下面（基板ステージ２３側の面）を上方に向けた場合の斜視図を示す。図７は、その吐出ヘッド３０の内部構造を説明するための要部断面図である。
【００４９】
吐出ヘッド３０には、その下側にノズルプレート３１が備えられ、そのノズルプレート３１の下面（ノズル形成面３１ａ）には、後述する微小液滴Ｆｂを形成するための１６個のノズルＮが、Ｙ矢印方向（前記セルＣの列方向）に一列となって等間隔に貫通形成されている。
【００５０】
ノズルＮは、その形成ピッチの幅が、セルＣの形成ピッチ（セル幅Ｒａ）と同じ大きさで形成される円形孔であって、基板２（コード形成領域Ｓ）がＸ矢印方向に沿って往復直線移動するときに、それぞれが列方向に沿う各セルＣと対峙可能に配置形成されている。図７に示すように、各ノズルＮの形成方向は、ノズル形成面３１ａに対して垂直であって、基板２（裏面２ｂ）の法線方向（Ｚ矢印方向）に沿って形成されている。
【００５１】
ノズルプレート３１（ノズルＮ）のＺ矢印方向には、圧力室としてのキャビティ３２が形成されている。キャビティ３２は、それぞれ対応する連通孔３３及び各連通孔３３に共通する供給路３４を介して、前記収容タンク２７に連通し、収容タンク２７内の導出する機能液Ｆが導入されるようになっている。そして、キャビティ３２は、導入された機能液
Ｆを、それぞれ対応する吐出ノズルＮ内に供給するようになっている。
【００５２】
キャビティ３２のＺ矢印方向には、振動板３５が備えられている。振動板３５は、例えば、厚さが約２μｍからなるポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルムであって、Ｚ矢印方向及び反Ｚ矢印方向に振動可能に貼り付けられ、キャビティ３２内の容積を拡大・縮小するようになっている。
【００５３】
振動板３５のＺ矢印方向には、各吐出ノズルＮに対応する１６個の圧電素子ＰＺが配設されている。圧電素子ＰＺは、その圧電素子ＰＺを駆動制御するための信号（圧電素子駆動信号ＣＯＭ１：図１１参照）を受けて収縮・伸張し、前記振動板３５を、Ｚ矢印方向及び反Ｚ矢印方向に振動させるようになっている。
【００５４】
そして、圧電素子ＰＺが収縮・伸張すると、キャビティ３２内の容積が拡大・縮小し、縮小した容積に対応する機能液Ｆが、ノズルＮから微小液滴Ｆｂとして吐出される。吐出された微小液滴Ｆｂは、裏面２ｂに着弾し、裏面２ｂの親液性によって、半球面状を呈しながらその径方向外側に向かって濡れ広がる。
【００５５】
本実施形態では、裏面２ｂ上であってノズルＮの直下、すなわち微小液滴Ｆｂの着弾する位置を、着弾位置Ｐａという。
図５に示すように、キャリッジ２９の下側であって前記吐出ヘッド３０のＸ矢印方向側には、エネルギービーム照射手段としてのレーザヘッド３６が併設されている。
【００５６】
図６及び図７に示すように、レーザヘッド３６の下面であって、前記１６個のノズルＮのＸ矢印方向には、各ノズルＮに対応する１６個の出射口３７が形成されている。
図７に示すように、レーザヘッド３６の内部には、前記１６個の出射口３７に対応する半導体レーザアレイＬＤが備えられ、エネルギービームとしてのレーザビームＢを出力するようになっている。本実施形態におけるレーザビームＢは、微小液滴Ｆｂの分散媒の蒸発と金属微粒子の焼成を可能にする波長領域（例えば、８００ｎｍ）の光であって、コヒーレント光である。
【００５７】
レーザヘッド３６の内部であって、前記半導体レーザアレイＬＤの出射口３７側には、半導体レーザアレイＬＤ側から順に、コリメータ３６ａ、回折素子３６ｂ、反射鏡３６ｃ及び対物レンズ３６ｄが備えられている。コリメータ３６ａは、半導体レーザアレイＬＤの出射するレーザビームＢを平行光束にして回折素子３６ｂに導くようになっている。回折素子３６ｂは、機械的あるいは電気的に駆動し、その回折素子３６ｂを駆動制御するための信号（ピニングスポット成形信号ＳＢ１（図１１参照）及び乾燥強度成形信号ＳＢ２（図１１参照））を受けて、コリメータ３６ａを介したレーザビームＢに、予め設定された所定の位相変調を付与するようになっている。反射鏡３６ｃは、位相変調されたレーザビームＢを対物レンズ３６ｄに導くためのものである。対物レンズ３６ｄは、反射鏡３６ｃの反射したレーザビームＢを着弾位置Ｐａの領域で集光するようになっている。
【００５８】
そして、本実施形態のレーザヘッド３６は、上記するピニング強度成形信号ＳＢ１及び乾燥強度成形信号ＳＢ２に基づいて回折素子３６ｂを駆動制御し、着弾位置Ｐａの領域に、２種類のレーザビーム断面（ビームスポット）を成形するようになっている。一つは、前記ピニング強度成形信号ＳＢ１に基づく位相変調によって、図８に示すように、Ｘ矢印方向に沿ってセル幅Ｒａよりも若干長い帯状のスポットと、Ｙ矢印方向に沿ってセル幅Ｒａよりも若干長い帯状のスポットとからなる十字状のビームスポット（ピニングスポットＢ１）である。もうひとつは、図８に示すように、セルＣ（黒セルＣ１）全体を覆う略四角形状のビームスポット（乾燥スポットＢ２）である。
【００５９】
尚、本実施形態のレーザヘッド３６は、これらコリメータ３６ａ、回折素子３６ｂ、反射鏡３６ｃ及び対物レンズ３６ｄからなる光学系によって、ピニングスポットＢ１及び乾燥スポットＢ２を成形するようにしたが、これに限らず、例えばマスクや回折格子等からなる光学系によって、ピニングスポットＢ１あるいは乾燥スポットＢ２を成形する構成にしてもよい。
【００６０】
そして、図９に示すように、着弾した微小液滴Ｆｂの外径がセル幅Ｒａよりも若干小さい外径（照射径Ｒｅ）になるタイミングで、その微小液滴Ｆｂに、ピニングスポットＢ１のレーザビームＢを照射する。すると、レーザビームＢは、微小液滴Ｆｂの外縁であって、黒セルＣ１の枠に最も近い縁（抑制部Ｆｂ１）と、微小液滴Ｆｂ内であって、前記抑制部Ｆｂ１を含む径方向の領域（照射領域Ｆｓ１）を照射し、抑制部Ｆｂ１及び照射領域Ｆｓ１の微小液滴Ｆｂを、乾燥して定着させる。
【００６１】
従って、ピニングスポットＢ１のレーザビームＢは、微小液滴Ｆｂの径方向外側に向かう濡れ広がりを、抑制部Ｆｂ１の近傍で抑制し、その抑制部Ｆｂ１で、微小液滴Ｆｂを黒セルＣ１内に閉じ込める（ピニングする）。
【００６２】
一方、レーザビームＢの照射されない微小液滴Ｆｂの領域は、裏面２ｂの親液性によって、図１０の破線矢印で示すように、径方向外側への濡れ広がりを続け、抑制部Ｆｂ１から最も離間する位置（張出位置Ｆｂ２）で、その濡れ広がり量を最大にするように張り出す。
【００６３】
そこで、図１０に示すように、前記張出位置Ｆｂ２が、黒セルＣ１の隅と近接するタイミングで、その微小液滴Ｆｂに、乾燥スポットＢ２のレーザビームＢを照射する。すると、レーザビームＢは、黒セルＣ１の枠と略整合した微小液滴Ｆｂの全体を覆うように照射され、微小液滴Ｆｂの全体を乾燥・焼成する。
【００６４】
従って、乾燥スポットＢ２のレーザビームＢは、黒セルＣ１の略全体に広がる状態で微小液滴Ｆｂを乾燥・焼成し、黒セルＣ１の枠と略整合したドットＤを形成する。
本実施形態では、圧電素子ＰＺが吐出動作を開始する時から、着弾した微小液滴Ｆｂの外径が照射径Ｒｅになる時（ピニングスポットＢ１のレーザビームＢを照射する時）までの時間を、第１待機時間Ｔ１という。また、圧電素子ＰＺが吐出動作を開始する時から、張出位置Ｆｂ２が黒セルＣ１の隅と近接する時（乾燥スポットＢ２のレーザビームＢを照射する時）までの時間を、第２待機時間Ｔ２という。尚、本実施形態では、超高速度カメラ等によって、着弾時からの微小液滴Ｆｂの形状を観測し、上記する第１待機時間Ｔ１及び第２待機時間Ｔ２を計測した。
【００６５】
次に、上記のように構成した液滴吐出装置２０の電気的構成を図１１に従って説明する。
図１１において、制御装置４０には、ＣＰＵ等からなる制御部４１、ＤＲＡＭ及びＳＲＡＭからなり各種データを格納するＲＡＭ４２、各種制御プログラムを格納するＲＯＭ４３が備えられている。また、制御装置４０には、前記圧電素子駆動信号ＣＯＭ１を生成する駆動信号生成回路４４、前記レーザ駆動信号ＣＯＭ２を生成する電源回路４５、各種信号を同期するためのクロック信号ＣＬＫを生成する発振回路４６等が備えられている。
【００６６】
そして、制御装置４０には、これら制御部４１、ＲＡＭ４２、ＲＯＭ４３、駆動信号生成回路４４、電源回路４５、発振回路４６が、図示しないバスを介して接続されている。
制御装置４０には、入力装置５１が接続されている。入力装置５１は、起動スイッチ、停止スイッチ等の操作スイッチを有し、各スイッチの操作による操作信号を制御装置４０（制御部４１）に出力する。また、入力装置５１は、基板２の製品番号やロット番号等の
識別データを公知の方法で２次元コード化した識別コード１０の画像を既定形式の描画データＩａとして制御装置４０に出力する。制御装置４０は、入力装置５１からの描画データＩａと、ＲＯＭ４３等に格納された制御プログラム（例えば、識別コード作成プログラム）に従って、基板ステージ２３を移動させて基板２の搬送処理動作を行い、吐出ヘッド３０の各圧電素子ＰＺを駆動させて液滴吐出処理動作を行う。また、制御装置４０は、識別コード作成プログラムに従って、半導体レーザアレイＬＤを駆動させて微小液滴Ｆｂを乾燥・焼成させる乾燥・焼成処理動作を行う。
【００６７】
詳述すると、制御部４１は、入力装置５１からの描画データＩａに所定の展開処理を施し、二次元描画平面（コード形成領域Ｓ）上における各セルＣに、微小液滴Ｆｂを吐出するか否かを示すビットマップデータＢＭＤを生成し、生成したビットマップデータＢＭＤをＲＡＭに格納するようになっている。このビットマップデータＢＭＤは、前記セルＣに対応した１６×１６ビットのデータであり、各ビットの値（０あるいは１）に応じて、前記圧電素子ＰＺのオンあるいはオフ（微小液滴Ｆｂを吐出するか否か）を規定するものである。
【００６８】
また、制御部４１は、入力装置５１からの描画データＩａに前記ビットマップデータＢＭＤの展開処理と異なる展開処理を施し、描画条件に応じた圧電素子駆動信号ＣＯＭ１の波形データを生成して駆動信号生成回路４４に出力するようになっている。駆動信号生成回路４４は、制御部４１からの波形データを図示しない波形メモリに格納する。そして、駆動信号生成回路４４は、格納した波形データをデジタル／アナログ変換して、アナログ信号の波形信号を増幅することにより、対応する圧電素子駆動信号ＣＯＭ１を生成するようになっている。
【００６９】
そして、制御部４１は、前記ビットマップデータＢＭＤを、発振回路４６の生成するクロック信号ＣＬＫに同期させて、後述する吐出ヘッド駆動回路５７（シフトレジスタ５７ａ）に、吐出制御データＳＩとしてシリアル転送する。そして、制御部４１は、シリアル転送した吐出制御データＳＩをラッチするためのラッチ信号ＬＡＴを出力する。
【００７０】
また、制御部４１は、前記圧電素子駆動信号ＣＯＭ１を、発振回路４６の生成するクロック信号ＣＬＫに同期させて、後述する吐出ヘッド駆動回路５７（スイッチ回路５７ｄ）に出力する。また、制御部４１は、圧電素子駆動信号ＣＯＭ１を選択するための選択信号ＳＥＬを、吐出ヘッド駆動回路５７（スイッチ回路５７ｄ）に出力し、選択信号ＳＥＬに対応する圧電素子駆動信号ＣＯＭ１を、各圧電素子ＰＺ（ＰＺ１〜ＰＺ１６）に印加させるように構成されている。
【００７１】
図１１に示すように、制御装置４０には、Ｘ軸モータ駆動回路５２が接続され、Ｘ軸モータ駆動回路５２にＸ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｘ軸モータ駆動回路５２は、制御装置４０からのＸ軸モータ駆動制御信号に応答して、前記基板ステージ２３を往復移動させるＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させるようになっている。そして、例えば、Ｘ軸モータＭＸを正転させると、基板ステージ２３はＸ矢印方向に移動し、逆転させると、基板ステージ２３は反Ｘ矢印方向に移動するようになっている。
【００７２】
制御装置４０には、Ｙ軸モータ駆動回路５３が接続され、Ｙ軸モータ駆動回路５３にＹ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｙ軸モータ駆動回路５３は、制御装置４０からのＹ軸モータ駆動制御信号に応答して、前記キャリッジ２９を往復移動させるＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させるようになっている。例えば、Ｙ軸モータＭＹを正転させると、キャリッジ２９はＹ矢印方向に移動し、逆転させると、キャリッジ２９は反Ｙ矢印方向に移動する。
【００７３】
制御装置４０には、基板検出装置５４が接続されている。基板検出装置５４は、基板２の端縁を検出し、制御装置４０によって吐出ヘッド３０（ノズルＮ）の直下を通過する基板２の位置を算出する際に利用される。
【００７４】
制御装置４０には、Ｘ軸モータ回転検出器５５が接続され、Ｘ軸モータ回転検出器５５からの検出信号が入力される。制御装置４０は、Ｘ軸モータ回転検出器５５からの検出信号に基づいて、Ｘ軸モータＭＸの回転方向及び回転量を検出し、基板ステージ２３のＸ矢印方向の移動量と、移動方向とを演算するようになっている。
【００７５】
制御装置４０には、Ｙ軸モータ回転検出器５６が接続され、Ｙ軸モータ回転検出器５６からの検出信号が入力される。制御装置４０は、Ｙ軸モータ回転検出器５６からの検出信号に基づいて、Ｙ軸モータＭＹの回転方向及び回転量を検出し、キャリッジ２９のＹ矢印方向の移動方向及び移動量を演算する。
【００７６】
制御装置４０には、吐出ヘッド駆動回路５７及びレーザヘッド駆動回路５８が接続されている。
吐出ヘッド駆動回路５７には、シフトレジスタ５７ａ、ラッチ回路５７ｂ、レベルシフタ５７ｃ及びスイッチ回路５７ｄが備えられている。シフトレジスタ５７ａは、クロック信号ＣＬＫに同期した制御装置４０からの吐出制御データＳＩを、１６個の圧電素子ＰＺ（ＰＺ１〜ＰＺ１６）に対応させたシリアル／パラレル変換を行う。ラッチ回路５７ｂは、シフトレジスタ５７ａのパラレル変換した１６ビットの吐出制御データＳＩを、制御装置４０からのラッチ信号ＬＡＴに同期してラッチし、ラッチした吐出制御データＳＩを、レベルシフタ５７ｃ及びレーザヘッド駆動回路５８（遅延回路５８ａ）に出力する。レベルシフタ５７ｃは、ラッチ回路５７ｂのラッチした吐出制御データＳＩを、スイッチ回路５７ｄの駆動する電圧まで昇圧して、各圧電素子ＰＺ（ＰＺ１〜ＰＺ１６）に対応する第１開閉信号ＧＳ１（図１２参照）を生成する。
【００７７】
スイッチ回路５７ｄには、各圧電素子ＰＺに対応する図示しない１６個のスイッチ素子が備えられている。各スイッチ素子の入力側には、前記選択信号ＳＥＬに対応した圧電素子駆動信号ＣＯＭ１が入力され、出力側には、それぞれ対応する圧電素子ＰＺ（ＰＺ１〜ＰＺ１６）が接続されている。そして、スイッチ回路５７ｄの各スイッチ素子には、レベルシフタ５７ｃからの対応する第１開閉信号ＧＳ１がそれぞれ入力され、各第１開閉信号ＧＳ１に応じて、圧電素子駆動信号ＣＯＭ１を、対応する圧電素子ＰＺに供給するか否かを制御するようになっている。
【００７８】
すなわち、本実施形態の液滴吐出装置２０は、駆動信号生成回路４４の生成した圧電素子駆動信号ＣＯＭ１を、対応する各圧電素子ＰＺに印加するとともに、その圧電素子駆動信号ＣＯＭ１の印加を、制御装置４０からの吐出制御データＳＩ（第１開閉信号ＧＳ１）で制御するようになっている。そして、吐出制御データＳＩに基づいて、閉じた状態のスイッチ素子に対応する圧電素子ＰＺに、圧電素子駆動信号ＣＯＭ１が印加されると、その圧電素子ＰＺに対応するノズルＮから微小液滴Ｆｂが吐出される。
【００７９】
図１２は、上記するラッチ信号ＬＡＴ、吐出制御データＳＩ及び第１開閉信号ＧＳ１のパルス波形を示すタイミングチャートである。
図１２に示すように、吐出ヘッド駆動回路５７に入力されるラッチ信号ＬＡＴが立ち下がると、１６ビット分の吐出制御データＳＩに基づいて第１開閉信号ＧＳ１が生成され、第１開閉信号ＧＳ１が立ち上がった時に、対応する圧電素子ＰＺに圧電素子駆動信号ＣＯＭ１が供給される。そして、圧電素子駆動信号ＣＯＭ１に基づいた圧電素子ＰＺの伸縮動によって、対応するノズルＮから、微小液滴Ｆｂが吐出される。そして、第１開閉信号ＧＳ１が立ち下がると、圧電素子ＰＺの駆動による微小液滴Ｆｂの吐出動作が終了する。
【００８０】
レーザヘッド駆動回路５８には、遅延回路５８ａ、回折素子駆動回路５８ｂ及びスイッチ回路５８ｃが備えられている。
遅延回路５８ａは、ラッチ回路５７ｂのラッチした吐出制御データＳＩを、前記第１待機時間Ｔ１だけ遅延させた所定の時間幅のパルス信号（第２開閉信号ＧＳ２及びスポット形成信号ＧＳ３ａ）を生成する。また、遅延回路５８ａは、ラッチ回路５７ｂのラッチした吐出制御データＳＩを、前記第２待機時間Ｔ２だけ遅延させた所定の時間幅のパルス信号（スポット切替信号ＧＳ３ｂ）を生成する。
【００８１】
そして、遅延回路５８ａは、スポット形成信号ＧＳ３ａ及びスポット切替信号ＧＳ３ｂを回折素子駆動回路５８ｂに出力する。また、遅延回路５８ａは、第２開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路５８ｃに出力する。
【００８２】
回折素子駆動回路５８ｂは、遅延回路５８ａからのスポット形成信号ＧＳ３ａを受けて、ピニング強度成形信号ＳＢ１を、対応する回折素子３６ｂに出力する。また、回折素子駆動回路５８ｂは、遅延回路５８ａからのスポット切替信号ＧＳ３ｂを受けて、乾燥強度成形信号ＳＢ２を、対応する回折素子３６ｂに出力する。そして、回折素子駆動回路５８ｂは、スポット形成信号ＧＳ３ａ及びスポット切替信号ＧＳ３ｂを受けるタイミングで、それぞれピニングスポットＢ１及び乾燥スポットＢ２を成形するための各回折素子３６ｂの駆動制御を行う。
【００８３】
スイッチ回路５８ｃには、各半導体レーザアレイＬＤに対応する図示しない１６個のスイッチ素子が備えられている。各スイッチ素子の入力側には、電源回路４５の生成したレーザ駆動信号ＣＯＭ２が入力され、出力側には、対応する各半導体レーザアレイＬＤ（ＬＤ１〜ＬＤ１６）が接続されている。そして、スイッチ回路５８ｃの各スイッチ素子には、遅延回路５８ａからの対応する第２開閉信号ＧＳ２がそれぞれ入力され、各第２開閉信号ＧＳ２に応じて、レーザ駆動信号ＣＯＭ２を半導体レーザアレイＬＤに供給するか否かを制御するようになっている。
【００８４】
すなわち、本実施形態の液滴吐出装置２０は、電源回路４５の生成したレーザ駆動信号ＣＯＭ２を、対応する各半導体レーザアレイＬＤに共通に印加するとともに、そのレーザ駆動信号ＣＯＭ２の印加を、制御装置４０（吐出ヘッド駆動回路５７）からの吐出制御データＳＩ（第２開閉信号ＧＳ２）によって制御するようにしている。そして、吐出制御データＳＩに基づいて、閉じた状態のスイッチ素子に対応する半導体レーザアレイＬＤに、レーザ駆動信号ＣＯＭ２が供給されると、対応する半導体レーザアレイＬＤからレーザビームＢが出射され、着弾位置Ｐａに、ピニング強度成形信号ＳＢ１もしくは乾燥強度成形信号ＳＢ２のレーザビームＢが照射される。
【００８５】
そして、図１２に示すように、ラッチ信号ＬＡＴが吐出ヘッド駆動回路５７に入力されてから、第１待機時間Ｔ１を経過すると、遅延回路５８ａによって、スポット形成信号ＧＳ３ａ及び第２開閉信号ＧＳ２が生成され、そのスポット形成信号ＧＳ３ａ及び第２開閉信号ＧＳ２が、それぞれ回折素子駆動回路５８ｂ及びスイッチ回路５８ｃに供給される。
【００８６】
そして、スポット形成信号ＧＳ３ａが立ち上がった時に、回折素子駆動回路５８ｂは、ピニング強度成形信号ＳＢ１を回折素子３６ｂに出力して、ピニング強度成形信号ＳＢ１に基づく駆動制御を行う。これと同時に、第２開閉信号ＧＳ２が立ち上がった時に、スイッチ回路５８ｃは、対応する半導体レーザアレイＬＤにレーザ駆動信号ＣＯＭ２を印加して、半導体レーザアレイＬＤからレーザビームＢを出射させる。
【００８７】
従って、第１待機時間Ｔ１を経過すると、照射径Ｒｅからなる着弾位置Ｐａの微小液滴
Ｆｂには、ピニングスポットＢ１のレーザビームＢが一斉に照射される。
続いて、ラッチ信号ＬＡＴが吐出ヘッド駆動回路５７に入力されて、第２待機時間Ｔ２を経過すると、遅延回路５８ａによって、スポット切替信号ＧＳ３ｂが生成され、そのスポット切替信号ＧＳ３ｂが、回折素子駆動回路５８ｂに供給される。そして、スポット切替信号ＧＳ３ｂが立ち上がった時に、回折素子駆動回路５８ｂは、乾燥強度成形信号ＳＢ２を回折素子３６ｂに出力して、乾燥強度成形信号ＳＢ２に基づく駆動制御を行う。
【００８８】
従って、第２待機時間Ｔ２を経過すると、ピニングされた着弾位置Ｐａの微小液滴Ｆｂに、乾燥スポットＢ２のレーザビームＢが一斉に照射される。
そして、第２開閉信号ＧＳ２が立ち下がると、レーザ駆動信号ＣＯＭ２の供給が遮断されて半導体レーザアレイＬＤによる乾燥・焼成処理動作が終了する。
【００８９】
次に、液滴吐出装置２０を使って識別コード１０を形成する方法について説明する。
まず、図５に示すように、往動位置に位置する基板ステージ２３上に、基板２を、裏面２ｂが上側になるように配置固定する。このとき、基板２のＹ矢印方向側の辺は、案内部材２６より反Ｘ矢印方向側に配置されている。また、キャリッジ２９（吐出ヘッド３０）は、基板２がＸ矢印方向に移動したとき、その直下を、識別コード１０を形成する位置（コード形成領域Ｓ）が通過する位置にセットされている。
【００９０】
この状態から、制御装置４０は、Ｘ軸モータＭＸを駆動制御し、基板ステージ２３を介して基板２を搬送速度ＶｘでＸ矢印方向に搬送させる。やがて、基板検出装置５４が基板２のＸ矢印側の端縁を検出すると、制御装置４０は、Ｙ軸モータ回転検出器５６からの検出信号に基づいて、１列目のセルＣ（黒セルＣ１）の中心位置が着弾位置Ｐａまで搬送されたかどうか演算する。
【００９１】
この間、制御装置４０は、コード作成プログラムに従って、ＲＡＭ４２に格納したビットマップデータＢＭＤに基づく吐出制御データＳＩと、駆動信号生成回路４４で生成した圧電素子駆動信号ＣＯＭ１を吐出ヘッド駆動回路５７に出力する。また、制御装置４０は、電源回路４５で生成したレーザ駆動信号ＣＯＭ２をレーザヘッド駆動回路５８に出力する。そして、制御部４１は、吐出ヘッド駆動回路５７に、ラッチ信号ＬＡＴを出力するタイミングを待つ。
【００９２】
そして、１列目のセルＣ（黒セルＣ１）が着弾位置Ｐａまで搬送されると、制御装置４０は、Ｘ軸モータ駆動回路５２を介して基板２の搬送を停止し、ラッチ信号ＬＡＴを、吐出ヘッド駆動回路５７に出力する。吐出ヘッド駆動回路５７は、制御装置４０からのラッチ信号ＬＡＴを受けると、吐出制御データＳＩに基づいて第１開閉信号ＧＳ１を生成し、その第１開閉信号ＧＳ１をスイッチ回路５７ｄに出力する。そして、閉じた状態のスイッチ素子に対応する圧電素子ＰＺに、選択信号ＳＥＬに対応した圧電素子駆動信号ＣＯＭ１を供給し、対応するノズルＮから、圧電素子駆動信号ＣＯＭ１に相対する微小液滴Ｆｂを一斉に吐出する。吐出された微小液滴Ｆｂは、一斉に、対応する黒セルＣ１に着弾する。
【００９３】
一方、ラッチ信号ＬＡＴが吐出ヘッド駆動回路５７に入力されると、レーザヘッド駆動回路５８（遅延回路５８ａ）は、ラッチ回路５７ｂからの吐出制御データＳＩを受けて、スポット形成信号ＧＳ３ａ、スポット切替信号ＧＳ３ｂ及び第２開閉信号ＧＳ２の生成を開始し、スポット形成信号ＧＳ３ａ、スポット切替信号ＧＳ３ｂ及び第２開閉信号ＧＳ２を、それぞれ回折素子駆動回路５８ｂ及びスイッチ回路５８ｃに出力するタイミングを待つ。
【００９４】
そして、圧電素子ＰＺが吐出動作を開始した時から、すなわち制御装置４０がラッチ信号ＬＡＴを出力した時から、第１待機時間Ｔ１だけ経過すると、レーザヘッド駆動回路５
８は、スポット形成信号ＧＳ３ａを回折素子駆動回路５８ｂに出力し、第２開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路５８ｃに出力する。
【００９５】
すると、回折素子駆動回路５８ｂは、ピニング強度成形信号ＳＢ１を回折素子３６ｂに出力し、そのピニング強度成形信号ＳＢ１に基づく回折素子３６ｂの駆動制御を行う。また、スイッチ回路５８ｃは、第２開閉信号ＧＳ２に基づいて、閉じた状態のスイッチ素子に対応する半導体レーザアレイＬＤに、レーザ駆動信号ＣＯＭ２を供給し、対応する半導体レーザアレイＬＤから、一斉にレーザビームＢを出射する。
【００９６】
この際、黒セルＣ１に着弾した微小液滴Ｆｂは、第１待機時間Ｔ１の経過によって、その外径が照射径Ｒｅになるまで濡れ広がる。
従って、着弾位置Ｐａに位置する微小液滴Ｆｂには、その外径が照射径Ｒｅになるタイミングで、ピニングスポットＢ１のレーザビームＢが照射されて、その径方向外側に向かう濡れ広がりを、抑制部Ｆｂ１の近傍で抑制される（黒セルＣ１内にピニングされる）。
【００９７】
続いて、制御装置４０がラッチ信号ＬＡＴを出力した時から、第２待機時間Ｔ２だけ経過すると、レーザヘッド駆動回路５８は、スポット切替信号ＧＳ３ｂを、回折素子駆動回路５８ｂに出力する。
【００９８】
すると、回折素子駆動回路５８ｂは、乾燥強度成形信号ＳＢ２を回折素子３６ｂに出力し、その乾燥強度成形信号ＳＢ２に基づく回折素子３６ｂの駆動制御を行う。
この際、ピニングされた微小液滴Ｆｂは、第２待機時間Ｔ２の経過によって、その張出位置Ｆｂ２が、黒セルＣ１の隅と近接する位置まで濡れ広がる。
【００９９】
従って、着弾位置Ｐａに位置する微小液滴Ｆｂには、その張出位置Ｆｂ２が、黒セルＣ１の隅と近接するタイミングで、乾燥スポットＢ２のレーザビームＢが照射されて、黒セルＣ１の枠に略整合する状態で乾燥・焼成される。すなわち、黒セルＣ１の枠と略整合した一列目のドットＤが形成される。
【０１００】
以後、同様に、制御装置４０は、各列のセルＣが着弾位置Ｐａに位置する状態で、その黒セルＣ１に対応するノズルＮから、微小液滴Ｆｂを一斉に吐出し、第１待機時間Ｔ１及び第２待機時間Ｔ２を経過するタイミングで、順にピニングスポットＢ１と乾燥スポットＢ２のレーザビームＢを照射させる。
【０１０１】
そして、コード形成領域Ｓに形成される識別コード１０の全てドットＤを形成されると、制御装置４０は、Ｘ軸モータＭＸを制御して、基板２を吐出ヘッド３０の下方位置から退出させる。
【０１０２】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、着弾位置Ｐａの領域で、Ｘ矢印方向に沿ってセル幅Ｒａよりも若干長い帯状のスポットと、Ｙ矢印方向に沿ってセル幅Ｒａよりも若干長い帯状のスポットとからなる十字状のピニングスポットＢ１を成形するようにした。そして、着弾位置Ｐａに着弾した微小液滴Ｆｂの外径が、セル幅Ｒａよりも若干小さい照射径Ｒｅになるタイミングで、そのピニングスポットＢ１のレーザビームＢを、微小液滴Ｆｂに照射するようにした。
【０１０３】
その結果、微小液滴Ｆｂの抑制部Ｆｂ１と照射領域Ｆｓ１を乾燥して定着させることができ、微小液滴Ｆｂの径方向外側に向かう濡れ広がりを、抑制部Ｆｂ１の近傍で抑制し、その抑制部Ｆｂ１で、微小液滴Ｆｂを黒セルＣ１にピニングすることができる。
【０１０４】
従って、ドットＤの形状を、セルＣから食み出すことのない形状に制御することができる。
（２）上記実施形態によれば、着弾位置Ｐａの領域で、セルＣ（黒セルＣ１）全体を覆う略四角形状のビームスポット（乾燥スポットＢ２）を成形するようにした。そして、ピニングされた微小液滴Ｆｂの張出位置Ｆｂ２が、黒セルＣ１の隅と近接するタイミングで、その乾燥スポットＢ２のレーザビームＢを、微小液滴Ｆｂに照射するようにした。
【０１０５】
その結果、微小液滴Ｆｂが黒セルＣ１の枠と略整合した形状になるタイミングで、微小液滴Ｆｂの全体を乾燥・焼成することができ、黒セルＣ１の枠と略整合した形状のドットＤを形成することができる。
【０１０６】
（３）上記実施形態によれば、ピニング強度成形信号ＳＢ１及び乾燥強度成形信号ＳＢ２に基づいて回折素子３６ｂを駆動制御し、上記するピニングスポットＢ１と乾燥スポットＢ２を動的に成形するようにした。その結果、ピニングした微小液滴Ｆｂを、所望のタイミングで乾燥させることができ、より高い精度で、ドットＤの形状を制御することができる。
【０１０７】
（４）上記実施形態によれば、半導体レーザアレイＬＤからのレーザビームＢによって、ピニングスポットＢ１及び乾燥スポットＢ２を成形するようにした。その結果、微小液滴Ｆｂの乾燥・焼成条件に対応した波長領域の光によって、ピニングスポットＢ１及び乾燥スポットＢ２を、より高い精度で成形することができる。従って、黒セルＣ１の枠と略整合した形状のドットＤを、さらに高い精度で形成することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を、図１３〜図１６に従って説明する。尚、第２実施形態では、第１実施形態におけるレーザヘッド３６の光学系を変更した構成である。そのため以下では、レーザヘッド３６の変更点ついて詳細に説明する。
【０１０８】
図１３において、レーザヘッド３６には、第１実施形態に示す半導体レーザアレイＬＤ、コリメータ３６ａ及び回折素子３６ｂに加え、シリンドリカルレンズ６１、エネルギービーム走査手段を構成するポリゴンミラー６２及び走査レンズ６３が配設されている。
【０１０９】
シリンドリカルレンズ６１は、Ｚ矢印方向にのみ曲率を有するレンズであって、ポリゴンミラー６２の面倒れを補正して、レーザビームＢをポリゴンミラー６２に導入するようになっている。ポリゴンミラー６２は、正三十六角形を構成する位置に配置された３６枚の反射面Ｍを有し、これらの反射面Ｍを、ポリゴンモータ（図１５参照）によって、図１３に示す矢印Ｒ方向に回転させるようになっている。すなわち、本実施形態のポリゴンミラー６２は、その回転角θｐが矢印Ｒ方向に１０°回転する毎に、レーザビームＢの導入される反射面Ｍが、後続する反射面Ｍに切り替わるようになっている。走査レンズ６３は、ポリゴンミラー６２によって反射されたレーザビームＢの裏面２ｂ上での走査速度を一定に制御する、いわゆるｆθレンズである。
【０１１０】
本実施形態では、図１３に示すように、レーザビームＢがポリゴンミラー６２の反射面Ｍ（反射面Ｍａ）の矢印Ｒ方向側端部に導入される状態であって、反射偏向されたレーザビームＢの偏向角が、走査レンズ６３の光軸６３Ａを基準として、偏向角θ１（本実施形態では５°）だけ偏向されようになっている。
【０１１１】
本実施形態では、図１３に示す状態を、ポリゴンミラー６２の回転角θｐが０°であるという。
そして、ポリゴンミラー６２の回転角θｐが０°のときに、回折素子３６ｂで位相変調されたレーザビームＢがシリンドリカルレンズ６１に導入されると、シリンドリカルレン
ズ６１は、紙面に直交する方向に対するレーザビームＢの光軸を調整して、レーザビームＢをポリゴンミラー６２に導く。レーザビームＢの導入されたポリゴンミラー６２は、反射面Ｍａによって、レーザビームＢを、光軸６３Ａに対する偏向角θ１の方向に反射偏向し、走査レンズ６３を介して、裏面２ｂ上に導く。
【０１１２】
本実施形態では、回転角θｐが０°のときに、レーザビームＢの照射される裏面２ｂ上の位置を照射開始位置Ｐｅ１という。この照射開始位置Ｐｅ１は、第１実施形態における着弾位置ＰａからＸ矢印方向に所定の距離だけ離間した位置に設定され、この照射開始位置Ｐｅ１と前記着弾位置Ｐａ（図７参照）との間の距離は、以下に示す距離に設定されている。すなわち、着弾位置Ｐａ（図７参照）と照射開始位置Ｐｅ１との間の距離は、微小液滴Ｆｂが、第１待機時間Ｔ１で搬送される距離であって、着弾した微小液滴Ｆｂの外径が、照射開始位置Ｐｅ１で照射径Ｒｅとなる距離に設定されている。
【０１１３】
従って、図１３に示すように、ポリゴンミラー６２の回転角θｐが０°になるときに、微小液滴Ｆｂが前記照射開始位置Ｐｅ１に搬送されると、照射径Ｒｅからなる微小液滴Ｆｂに、反射面Ｍａの偏向反射したピニングスポットＢ１のレーザビームＢが照射される。
【０１１４】
そして、ポリゴンミラー６２を矢印Ｒ方向に回転し、その回転角θｐが略１０°になると、図１４に示すように、ポリゴンミラー６２は、反射面Ｍａの反矢印Ｒ方向側の端部によって、レーザビームＢを、光軸６３Ａに対する偏向角θ２（本実施形態では−５°）の方向に偏向反射し、走査レンズ６３を介して、裏面２ｂ上に導く。
【０１１５】
本実施形態では、回転角θｐが１０°のときに、レーザビームＢの照射される裏面２ｂ上の位置を照射終了位置Ｐｅ２とし、この照射終了位置Ｐｅ２と前記照射開始位置Ｐｅ１との間の領域を走査領域Ｌｓとする。この走査領域ＬｓのＸ矢印方向の幅（走査幅）は、セル幅Ｒａに設定されている。
【０１１６】
つまり、レーザヘッド３６は、ポリゴンミラー６２の偏向反射によって、レーザビームＢ（ビームスポット）を、セルＣ（セル幅Ｒａ）単位で走査する（照射開始位置Ｐｅ１から照射終了位置Ｐｅ２まで移動する）ように構成されている。
【０１１７】
また、本実施形態における基板ステージ２３（黒セルＣ１）の搬送速度Ｖｘは、ビームスポットが一回走査される間に、黒セルＣ１の中心位置を、照射開始位置Ｐｅ１から照射終了位置Ｐｅ２まで搬送する速度に設定されている。しかも、本実施形態における搬送速度Ｖｘは、各微小液滴Ｆｂが、前記走査領域Ｌｓの途中に位置するときに、それぞれが第１実施形態における第２待機時間Ｔ２（乾燥スポットＢ２のレーザビームＢを照射する時間）を経過する速度に設定されている。
【０１１８】
従って、走査領域Ｌｓを通過する微小液滴Ｆｂには、レーザビームＢのセルＣ単位の走査によって、相対的に、静止した状態のピニングスポットＢ１と乾燥スポットＢ２のレーザビームＢが順に照射される。
【０１１９】
次に、上記のように構成した液滴吐出装置２０の電気的構成を図１５に従って説明する。
レーザヘッド駆動回路５８には、ポリゴンモータ駆動回路５８ｄが備えられている。ポリゴンモータ駆動回路５８ｄは、制御装置４０からのポリゴンモータ駆動開始信号ＳＳＰを受けてポリゴンモータ駆動制御信号ＳＭＰを生成し、そのポリゴンモータ駆動制御信号ＳＭＰをポリゴンモータＭＰに出力してポリゴンモータＭＰを回転駆動する。
【０１２０】
制御装置４０は、基板検出装置５４からの検出信号に基づいて、ポリゴンモータＭＰの
回転駆動を開始させる。詳述すると、制御装置４０は、１列目の黒セルＣ１の中心位置が前記照射開始位置Ｐｅ１に位置するときに、ポリゴンミラー６２の回転角θｐを０°にする所定のタイミングで、ポリゴンモータ駆動開始信号ＳＳＰを前記レーザヘッド駆動回路５８に出力する。
【０１２１】
図１６は、ポリゴンモータ駆動開始信号ＳＳＰ、ラッチ信号ＬＡＴ、第１開閉信号ＧＳ１、第２開閉信号ＧＳ２、スポット形成信号ＧＳ３ａ、スポット切替信号ＧＳ３ｂ、回転角θｐ及び走査領域Ｌｓに位置するセルＣの列番号を示す。尚、図１５では、１、２，４、６列目のセルＣが黒セルＣ１であって、３、５列目のセルＣが白セルＣ０となる行のドットＤを形成する場合について示す。
【０１２２】
基板ステージ２３に載置された基板２が、搬送速度ＶｘでＸ矢印方向に搬送され、基板検出装置５４が、基板２のＸ矢印側の端縁を検出すると、図１６に示すように、上記する所定のタイミングで、制御装置４０が、ポリゴンモータ駆動開始信号ＳＳＰを生成する。そして、ポリゴンモータ駆動開始信号ＳＳＰが立ち上がった時に、ポリゴンモータ駆動回路５８ｄによってポリゴンモータ駆動制御信号ＳＭＰが生成され、ポリゴンミラー６２が矢印Ｒ方向に回転駆動する。これによって、１列目の黒セルＣ１の中心位置が前記照射開始位置Ｐｅ１に位置するときに、ポリゴンミラー６２の回転角θｐが０°となる。
【０１２３】
続いて、第１実施形態と同じく、１列目のセルＣ（黒セルＣ１）が着弾位置Ｐａまで搬送されて、ラッチ信号ＬＡＴが立ち下がると、第１開閉信号ＧＳ１が生成され、対応するノズルＮから、一斉に微小液滴Ｆｂが吐出される。吐出された微小液滴Ｆｂは、対応する１列目の黒セルＣ１に一斉に着弾する。
【０１２４】
そして、ラッチ信号ＬＡＴが立ち下がった時（１列目に対する吐出動作開始時）から、第１待機時間Ｔ１だけ経過すると、着弾した微小液滴Ｆｂが、その外径を照射径Ｒｅにして照射開始位置Ｐｅ１に搬送される（１列目の黒セルＣ１の中心位置が走査領域Ｌｓに侵入する）。これと同時に、レーザヘッド駆動回路５８で第２開閉信号ＧＳ２及びスポット形成信号ＧＳ３ａが生成されて、これら第２開閉信号ＧＳ２及びスポット形成信号ＧＳ３ａが立ち上がった時に、対応する出射口３７から、一斉にピニングスポットＢ１のレーザビームＢが出射される。
【０１２５】
この時、図１６に示すように、回転駆動するポリゴンミラー６２の回転角θｐは０°である。そのため、ピニングスポットＢ１のレーザビームＢは、照射開始位置Ｐｅ１に位置する微小液滴Ｆｂに照射される。
【０１２６】
そして、微小液滴Ｆｂが走査領域Ｌｓ内に搬送され続けると、その微小液滴Ｆｂには、レーザビームＢの走査によって、相対的に、静止した状態のピニングスポットＢ１のレーザビームＢが照射され続ける。
【０１２７】
やがて、ラッチ信号ＬＡＴが立ち下がった時から、第２待機時間Ｔ２だけ経過すると、レーザヘッド駆動回路５８でスポット切替信号ＧＳ３ｂが生成され、そのスポット切替信号ＧＳ３ｂが立ち上がった時に、レーザビームＢのビームスポットが、ピニングスポットＢ１から乾燥スポットＢ２に切り替わる。
【０１２８】
そして、搬送速度Ｖｘで搬送される微小液滴Ｆｂには、レーザビームＢの走査によって、相対的に、静止した状態の乾燥スポットＢ２のレーザビームＢが照射され続ける。これによって、搬送される微小液滴Ｆｂに、相対的に、静止したピニングスポットＢ１と乾燥スポットＢ２のレーザビームＢが照射され、黒セルＣ１の枠と略整合した一列目のドットＤが形成される。
【０１２９】
やがて、第２開閉信号ＧＳ２が立ち下がると、半導体レーザアレイＬＤからのレーザビームＢの出射が停止され、一列目の微小液滴Ｆｂの乾燥・焼成処理動作が終了する。
そして、２列目の吐出動作の開始時から第１待機時間Ｔ１だけ経過すると、後続する２列目の黒セルＣ１の中心位置が、走査領域Ｌｓに侵入して、１列目の黒セルＣ１の中心位置が、走査領域Ｌｓから離間する。そして、レーザヘッド駆動回路５８で第２開閉信号ＧＳ２及びスポット形成信号ＧＳ３ａが生成されて、これら第２開閉信号ＧＳ２及びスポット形成信号ＧＳ３ａが立ち上がった時に、対応する出射口３７から、一斉にピニングスポットＢ１のレーザビームＢが出射される。
【０１３０】
この時、図１６に示すように、回転駆動するポリゴンミラー６２の回転角θｐは１０°である。従って、反射面Ｍに反射偏向されたピニングスポットＢ１のレーザビームＢは、照射開始位置Ｐｅ１に位置する２列目の微小液滴Ｆｂに照射される。
【０１３１】
以後、同様に、後続するセルＣ（黒セルＣ１）が、着弾した微小液滴Ｆｂを有して、走査領域Ｌｓ内を通過する度に、相対的に、静止したピニングスポットＢ１と乾燥スポットＢ２のレーザビームＢが微小液滴Ｆｂに対して照射され、黒セルＣ１の枠と略整合したドットＤが形成される。
【０１３２】
上記実施形態によれば、搬送移動される微小液滴Ｆｂに対して、相対的に、静止したピニングスポットＢ１と乾燥スポットＢ２のレーザビームＢを照射することができる。従って、識別コード１０の生産性を損なうことなく、ピニング位置を安定させることができ、黒セルＣ１の枠と略整合したドットＤが形成することができる。
【０１３３】
また、スポット切替信号ＧＳ３ｂによって、ピニングスポットＢ１と乾燥スポットＢ２を動的に切り替えるため、基板２の搬送速度Ｖｘに依存しないタイミングで、ビームスポットを変更することができる。従って、着弾後の微小液滴Ｆｂの形状変動に対応させてビームスポットを変更させることができ、ドットＤの形状制御性を、さらに向上することができる。
（第３実施形態）
次に、本発明を具体化した第３実施形態を、図１７〜図１９に従って説明する。尚、第３実施形態では、パターンを前記液晶表示モジュール１のカラーフィルタ基板３の着色層に具体化したものである。そのため以下では、カラーフィルタ基板３について詳細に説明する。図１７は、カラーフィルタ基板３を示す斜視図であり、図１８は、カラーフィルタ基板３の製造工程を説明する説明図である。また、図１９は、図１７のＡ−Ａに沿う断面図である。
【０１３４】
図１７において、カラーフィルタ基板３には、無アルカリガラスからなる四角形状の透明ガラス基板６５が備えられている。透明ガラス基板６５の一側面であって、第１実施形態に示す基板２側の側面（着色層形成面６５ａ）には、遮光層６６が形成されている。遮光層６６は、クロムやカーボンブラック等の遮光性材料を含有する樹脂によって形成され、Ｘ矢印方向とＹ矢印方向で交差する格子状に形成されている。
【０１３５】
そして、この格子状の遮光層６６が形成されることによって、着色層形成面６５ａの略全面に、四角形状に区画形成された着色層形成領域６７が、マトリックス状に配列されている。
【０１３６】
各着色層形成領域６７には、第１実施形態あるいは第２実施形態で示す液滴吐出装置２０によって、各色の着色層（赤色着色層６８Ｒ、緑色着色層６８Ｇ及び青色着色層６８Ｂ）が形成されている。
【０１３７】
詳述すると、各色の着色層６８Ｒ，６８Ｇ，６８Ｂは、図１８に示すように、各色の着色層形成材料を含む微小液滴Ｆｂ（図７参照）を、対応する着色層形成領域６７に吐出させ、着色層形成面６５ａに着弾した微小液滴Ｆｂに対して、着色層形成領域６７に対応したピニングスポットＢ１及び乾燥スポットＢ２のレーザビームＢを照射することにより形成されている。
【０１３８】
従って、図１９に示すように、遮光層６６の厚さよりも厚い各色の着色層６８Ｒ，６８Ｇ，６８Ｂが、対応する着色層形成領域６７から食み出す（混色する）ことなく形成することができる。その結果、吐出した微小液滴Ｆｂの周囲に、食み出しを防止するための隔壁等を別途形成することなく、着色層形成領域６７に略整合した各色の着色層６８Ｒ，６８Ｇ，６８Ｂを形成することができる。
【０１３９】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○上記実施形態では、ピニングスポットＢ１を十字状のビームスポットに具体化したが、これに限らず、例えば、図２０に示すように、抑制部Ｆｂ１の近傍のみに、円形状のビームスポットを照射するようにしてもよい。あるいは、黒セルＣ１や着色層形成領域６７の枠に沿った形状のビームスポットを照射するようにしてもよい。
【０１４０】
○上記実施形態では、着弾した微小液滴Ｆｂの外径が、照射径Ｒｅになるタイミングで、ピニングスポットＢ１のレーザビームＢを微小液滴Ｆｂに照射するようにした。これに限らす、例えば、微小液滴Ｆｂの外径が、照射径Ｒｅになる前に、予め照射するようにしてもよい。あるいは、微小液滴Ｆｂの外径が、セル幅Ｒａになるタイミングで、レーザビームＢを照射するようにしてもよく、微小液滴Ｆｂの外縁が、セルＣ（黒セルＣ１）内にあるタイミングで照射するタイミングであればよい。
【０１４１】
○上記実施形態では、電気的あるいは機械的に駆動する回折素子３６ｂを利用してピニングスポットＢ１及び乾燥スポットＢ２を成形するようにした。これに限らず、例えば、回折格子やマスク、分岐素子等を利用して、ピニングスポットＢ１あるいは乾燥スポットＢ２を成形するようにしてもよく、微小液滴Ｆｂの領域で、ピニングスポットＢ１あるいは乾燥スポットＢ２を成形可能な光学系であればよい。
【０１４２】
○上記実施形態では、ピニングスポットＢ１のレーザビームＢを照射した後に、乾燥スポットＢ２のレーザビームＢを照射するようにした。これに限らず、乾燥スポットＢ２のレーザビームＢにピニングスポットＢ１のレーザビームＢを重畳した強度分布のレーザビームＢを照射して、ピニングと乾燥を同時に行うようにしてもよい。
【０１４３】
○上記第１実施形態では、ピニングスポットＢ１及び乾燥スポットＢ２を着弾位置Ｐａの領域に成形する構成にした。これに限らず、例えばこれらのビームスポットを、それぞれ着弾位置ＰａのＸ矢印方向側に成形し、第１待機時間Ｔ１を経過するタイミングで、搬送される微小液滴Ｆｂが、ピニングスポットＢ１の領域を通過し、第２待機時間Ｔ２を経過するタイミングで、搬送される微小液滴Ｆｂが、乾燥スポットＢ２の領域を通過するようにしてもよい。
【０１４４】
○上記第１及び第２実施形態では、ドットＤを半円球状に具体化したが、その形状は限定されるものではなく、例えば、その平面形状が楕円形のドットであったり、バーコードを構成するバーのように線状であったりしてもよい。
【０１４５】
○上記第２実施形態では、ポリゴンミラー６２によって、レーザビームＢの走査光学系を構成するようにした。これに限らず、例えば、ガルバノミラーで走査光学系を構成する
ようにしてもよい。
【０１４６】
○上記実施形態では、レーザ出力手段を半導体レーザアレイＬＤで具体化したが、これに限らず、例えば炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザであってもよく、黒セルＣ１内に乾燥あるいは焼成可能な波長領域のレーザビームを出力するものであればよい。
【０１４７】
○上記実施形態では、エネルギービームをレーザビームとして具体化したが、これに限らず、例えば、インコヒーレント光、イオンビーム、さらにはプラスマ光や電子線であってもよく、着弾した微小液滴Ｆｂを、黒セルＣ１内に乾燥あるいは焼成可能なエネルギービームであればよい。
【０１４８】
○上記実施形態では、ノズルＮの数量分だけ半導体レーザアレイＬＤを設ける構成にしたが、これに限らず、レーザ光源から出射された単一のレーザビームＢを、回折素子等の分岐素子によって１６分割する光学系によって構成してもよい。
【０１４９】
○上記実施形態では、パターンを識別コード１０のドットＤ、カラーフィルタ基板３の着色層に具体化した。これに限らず、例えば、吐出した微小液滴Ｆｂによって形成する絶縁膜や金属配線のパターンに具体化してもよい。この場合にも、上記実施形態と同様に、パターンの形状を制御することができる。
【０１５０】
○上記実施形態では、電気光学装置を液晶表示装置として具体化し、パターンをドットＤもしくは着色層に具体化した。これに限らず、例えば、電気光学装置をエレクトロルミネッセンス表示装置として具体化し、発光素子形成材料を含む微小液滴Ｆｂを吐出して、パターンとしての発光素子を形成する構成にしてもよい。この構成においても、発光素子の形状を制御することができ、エレクトロルミネッセンス表示装置の生産性を向上することができる。
【０１５１】
○上記実施形態では、ドットＤ（識別コード１０）を液晶表示モジュール１に適用した。これに限らず、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置の表示モジュールであってもよく、あるいは平面状の電子放出素子を備え、同素子から放出された電子による蛍光物質の発光を利用した電界効果型装置（ＦＥＤやＳＥＤ等）を備えた表示モジュールであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１５２】
【図１】第１実施形態における液晶表示モジュールの正面図。
【図２】同じく、液晶表示モジュールの裏面に形成された識別コードの正面図。
【図３】同じく、識別コードの側面図。
【図４】同じく、識別コードの構成を説明するための説明図。
【図５】同じく、液滴吐出装置の要部斜視図。
【図６】同じく、液滴吐出ヘッドを説明するための斜視図。
【図７】同じく、液滴吐出ヘッドを説明するための要部概略断面図。
【図８】同じく、ビームスポットを説明するための説明図。
【図９】同じく、ビームスポットを説明するための説明図。
【図１０】同じく、ビームスポットを説明するための説明図。
【図１１】同じく、液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。
【図１２】同じく、圧電素子と半導体レーザの駆動タイミングを説明するためのタイミングチャート。
【図１３】第２実施形態におけるレーザヘッドを説明するための要部概略断面図。
【図１４】同じく、レーザヘッドを説明するための要部概略断面図。
【図１５】同じく、液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。
【図１６】同じく、圧電素子と半導体レーザの駆動タイミングを説明するためのタイミングチャート。
【図１７】第３実施形態におけるカラーフィルタ基板を示す概略斜視図。
【図１８】同じく、カラーフィルタ基板を説明するための説明図。
【図１９】同じく、カラーフィルタ基板を説明するための説明図。
【図２０】変更例におけるビームスポットを説明するための説明図。
【符号の説明】
【０１５３】
２…基板としての透明ガラス基板、１０…識別コード、１１…パターンとしてのドット、２０…液滴吐出装置、２３…基板ステージ、３０…液滴吐出ヘッド、３６…エネルギービーム照射手段を構成するレーザヘッド、５８…エネルギー照射手段を構成するレーザヘッド駆動回路、６２…エネルギービーム走査手段を構成するポリゴンミラー、６７…パターン形成領域としての着色層形成領域、６８Ｒ…パターンとしての赤色着色層、６８Ｇ…パターンとしての緑色着色層、６８Ｂ…パターンとしての青色着色層、Ｂ…エネルギービームとしてのレーザビーム、Ｂ１…ピニングスポット、Ｂ２…乾燥スポット、Ｃ…パターン形成領域としてのデータセル、Ｄ…パターンとしてのドット、Ｆｂ…微小液滴、Ｆｂ１…抑制部、ＬＤ…エネルギー照射手段を構成する半導体レーザ、Ｓ…コード形成領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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