(57)【要約】【課題】  本発明は、パターンの継ぎ目の精度を定量的に計測し、パターンの継ぎ目の精度を向上させることが可能な検査方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明は、基板を複数の領域に分けて別々に露光することで所定のパターンを形成する場合において、異なる露光によるパターンの継ぎ目の精度を検査する検査方法であって、複数の領域における第１領域と第２領域とが重なる重なり領域において、第１領域の露光に係る第１パターン要素と、第１パターン要素と略平行に配置される第１領域の露光に係る第２パターン要素との第１距離を計測するステップと、重なり領域において、第２領域の露光に係る、第１パターン要素と継ぎ合わされる第３パターン要素と、第２パターン要素との第２距離を計測するステップと、第１距離と第２距離との差を求め継ぎ目の精度を定量化し計測するステップとを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を複数の領域に分けて別々に露光することで所定のパターンを形成する場合において、異なる露光によるパターンの継ぎ目の精度を検査する検査方法であって、
前記複数の領域における第１領域と第２領域とが重なる重なり領域において、前記第１領域の露光に係る第１パターン要素と、前記第１パターン要素と略平行に配置される前記第１領域の露光に係る第２パターン要素との第１距離を計測するステップと、
前記重なり領域において、前記第２領域の露光に係る前記第１パターン要素と継ぎ合わされる第３パターン要素と、前記第２パターン要素との第２距離を計測するステップと、
前記第１距離と前記第２距離との差を求め継ぎ目の精度を定量化し計測するステップとを備える検査方法。
【請求項２】
基板を複数の領域に分けて別々に露光することで所定のパターンを形成する場合において、異なる露光によるパターンの継ぎ目の精度を検査する検査方法であって、
前記複数の領域における第１領域と第２領域とが重なる重なり領域において、前記所定のパターン外に、前記第１領域の露光に係る第１計測パターンを設けるステップと、
前記重なり領域において、前記所定のパターン外に、前記第２領域の露光に係る第２計測パターンを設けるステップと、
前記第１計測パターンに対する前記第２計測パターンの位置を計測することで継ぎ目の精度を定量化し計測するステップとを備える検査方法。
【請求項３】
基板を複数の領域に分けて別々に露光することで所定のパターンを形成する工程を含む液晶表示装置の製造方法であって、
（ａ）基板上の第１層目に対して前記所定のパターンを形成するステップと、
（ｂ）請求項１又は請求項２に記載の検査方法を用いて継ぎ目の精度を定量化し計測するステップと、
（ｃ）計測した前記継ぎ目の精度の値が所定の値以上か否かを判定するステップと、
（ｄ）前記工程（ｃ）で前記継ぎ目の精度の値が所定の値以上と判定された場合、前記第１領域及び前記第２領域の露光位置を補正し、新たな前記基板に対して前記工程（ａ），（ｂ）を行うステップと、
（ｅ）前記工程（ｂ）で前記継ぎ目の精度の値が所定の値より小さい場合、設定されている条件に基づき生産を開始するステップとを備える液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法に係る発明であって、特に、基板を複数の領域に分けて別々に露光することで所定のパターンを形成する場合の継ぎ目の検査方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）を用いた液晶表示装置では、一方の基板上に写真製版を用いて形成されたＴＦＴを有している。写真製版は、露光装置により所定のパターンを基板上にパターニングしているが、基板が大型化すると一枚のマスクで一括露光することが困難になる。そのため、基板が大型化するに従い、基板を複数の領域に分けて複数のマスクを用いて露光し所定のパターンを形成する必要がある。
【０００３】
しかし、基板を複数の領域に分けて露光する場合、それぞれの領域に形成されたパターン同士の継ぎ目が問題となる。つまり、露光装置の機差やマスク自身の製造誤差により、露光時におけるショット間のパターンの位置ズレ方向が異なり、領域の重なり部分においてパターンの継ぎ目にズレが生じる場合があった。
【０００４】
当該継ぎ目のズレは、基板上にＴＦＴを形成した際に、トランジスタ特性を変化させる。そして、トランジスタ特性の変化が大きいと、正常なトランジスタ特性の部分との差が大きくなり表示ムラとして人の目に認識される。この表示ムラは、ショットムラとも呼ばれ、不良パネルとなる場合がある。
【０００５】
継ぎ目のズレによる表示ムラを軽減するために、人の視認性を利用した対策が特許文献１や特許文献２に開示されている。特許文献１や特許文献２では、露光する一方の領域と他方の領域とが重なる重なり領域を設け、当該重なり領域内において、一方の領域を露光する際に露光する部分と、他方の領域を露光する際に露光する部分とを任意に設けている。なお、一方の領域を露光する際に露光される部分は、他方の領域を露光する際には非露光部分となる。逆に、他方の領域を露光する際に露光される部分は、一方の領域を露光する際に非露光部分となる。
【０００６】
特許文献１や特許文献２では、重なり領域内で、一方の領域を露光する際に露光する部分と他方の領域を露光する際に露光する部分とを任意に混在することにより、一方の領域と他方の領域とが直線状に継ぎ合わされるのではなく、継ぎ目のズレによる表示ムラを人が視認しづらくなる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３１５８３１号公報
【特許文献２】再公表特許ＷＯ９５／１６２７６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１や特許文献２に示す方法を用いたとしても、基板上に形成される各層の重ね合わせ精度がより厳しい場合や、露光装置の機差、マスクの製造誤差により表示ムラが人の目に認識される問題があった。
【０００９】
特に、第１層目を基板上にパターニングする写真製版の第１工程の場合、基板上には、露光する領域の位置合わせのための基準（アライメントマーク）が何ら設けられていない。そのため、露光するマスクに形成されているマスクアライメントマークと、基板を支持するステージ上の位置合わせマークとの相対位置により、露光する領域の位置合わせを行っている。なお、第２工程目以降は、第１工程目のパターンで形成したアライメントマークを用いて、露光する領域の位置合わせを行うことができる。
【００１０】
そのため、第２工程目以降における、露光する各領域の位置合わせ精度は、第１工程目のアライメントマークの影響を受けることになる。つまり、第１工程目における位置合わせ精度が悪いと、パターンの継ぎ目の精度が悪くなり、特許文献１や特許文献２を用いた場合でも表示ムラを視認できることがある。
【００１１】
具体例を示すと、写真製版の第１工程（以下、単に第１工程ともいう）により基板上にゲートパターンを、写真製版の第２工程（以下、単に第２工程ともいう）によりシリコンのエッチングパターンを、写真製版の第３工程（以下、単に第３工程ともいう）によりソースパターン及びドレインパターンをそれぞれパターニングしている。第１工程乃至第３工程を行うことにより、基板上にトランジスタを形成している。
【００１２】
第１工程では、上記で説明したように基板上にアライメントマークが存在しないので、露光装置の機差やマスクの製造誤差等により、パターンの継ぎ目の精度が悪くなる場合がある。第１工程で形成したパターンの継ぎ目の精度が悪いと、第２工程のパターン及び第３工程のパターンにも影響を与えることになり、シリコンのエッチングパターンがソースパターン又はドレインパターンの端部と重なり、当該箇所でリークが発生しやすくなる。
【００１３】
上記のような液晶パネルを表示させると、パターンの継ぎ目部分でリークが発生して画素の充電特性にバラツキが生じ、ちらつき現象と呼ばれる表示不良が起こる場合があった。
【００１４】
また、第１工程のパターンをパターニングすることが可能な露光装置が複数台存在する場合、露光装置間の機差により、同じ条件設定で露光を行ってもパターンの継ぎ目の精度が個々の露光装置間で異なってしまう。第１工程のパターンをパターニングした基板に、第２工程のパターンをパターニングする場合、第１工程でのパターンの継ぎ目の精度が露光装置間でばらつくと、第２工程でのパターンの継ぎ目の精度を調整することが困難となる。
【００１５】
具体的には、第２工程のパターンをパターニングする際に、どの露光装置で第１工程のパターンをパターニングしたかを確認し、その確認結果に合わせて第２工程の露光条件を設定する必要があるので、生産性が低下する問題があった。
【００１６】
そこで、本発明は、パターンの継ぎ目の精度を定量的に計測し、パターンの継ぎ目の精度を向上させることが可能な検査方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係る解決手段は、基板を複数の領域に分けて別々に露光することで所定のパターンを形成する場合において、異なる露光によるパターンの継ぎ目の精度を検査する検査方法であって、複数の領域における第１領域と第２領域とが重なる重なり領域において、第１領域の露光に係る第１パターン要素と、第１パターン要素と略平行に配置される第１領域の露光に係る第２パターン要素との第１距離を計測するステップと、重なり領域において、第２領域の露光に係る第１パターン要素と継ぎ合わされる第３パターン要素と、第２パターン要素との第２距離を計測するステップと、第１距離と第２距離との差を求め継ぎ目の精度を定量化し計測するステップとを備える。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に記載の検査方法は、第１距離と第２距離との差を求め継ぎ目の精度を定量化し計測するステップを備えるので、パターンの継ぎ目の精度を定量的に管理することができ、パターンの継ぎ目の精度を向上させることが可能となる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（実施の形態１）
基板を複数の領域に分けて別々に露光することで所定のパターンを形成する場合、特に、本実施の形態では、図１（ａ）に示すように２つの領域を設け、領域毎にマスクを用いて露光し、基板上に一つのパターンを形成する。図１（ａ）では、左側の細線で示した領域１と、右側の太線で示した領域２が示されている。領域１及び領域２を基板上に露光する場合、単純に領域１，２が並ぶように露光するのではなく、図１（ｂ）に示すように領域１と領域２とが重なる重なり領域３を設けるように露光する。なお、領域１から露光しても、領域２から露光してもどちらでも良い。また、重なり領域３は、図示していないが領域１を露光する際には露光されるが、領域２を露光する際には露光されない領域と、領域２を露光する際には露光されるが、領域１を露光する際には露光されない領域とが混在する領域である。
【００２０】
図１（ｂ）のように２つの領域１，２を分けて露光し形成したパターンを図２に示す。図２では、重なり領域３を除く領域１、重なり領域３を除く領域２及び重なり領域３のそれぞれに、ゲート配線４、容量配線５、シリコン層６、ソース配線７及びドレイン電極８の所定のパターンが模式的に図示されている。これらのパターンは、発明が解決しようとする課題で説明したように、写真製版の各工程でパターニングされる。具体的には、写真製版の第１工程でゲート配線４と容量配線５がパターニングされ、写真製版の第２工程でシリコン層６がパターニングされ、写真製版の第３工程でソース配線７及びドレイン電極８がパターニングされている。
【００２１】
また、背景技術でも説明したように、重なり領域３におけるパターンの継ぎ目の精度は、写真製版の第１工程のパターンが重要である。そのため、本実施の形態では、第１工程のパターンにおける継ぎ目の精度を定量的に検査する検査方法について説明する。そこで、第１工程でゲート配線４及び容量配線５のみがパターニングされた時点の基板を示す図を図３に示す。
【００２２】
図３に示す重なり領域３には、破線の内側の領域３Ａと破線の外側の領域３Ｂとがある。領域３Ａは、領域１を露光する際に露光される領域であり、領域３Ｂは、領域２を露光する際に露光される領域である。なお、領域１を露光する際に露光される領域３Ａは、領域２を露光する際には非露光部分であり、領域２を露光する際に露光される領域３Ｂは、領域１を露光する際には非露光部分である。
【００２３】
そのため、図３に示す重なり領域３では、領域１の露光によりパターニングされるゲート配線４及び容量配線５と、領域２の露光によりパターニングされるゲート配線４及び容量配線５とが継ぎ合わされている部分が存在することになる。この継ぎ合わされている部分（継ぎ目９）は、図３に示すようにパターンが三角状に内側にへこんだ形状である。そのため、顕微鏡等を用いて目視で継ぎ目９を確認することができる。なお、継ぎ目９の状態によっては、パターンが三角状に内側にへこんだ形状とはならず、段差が生じたような形状となる場合もある。
【００２４】
重なり領域３内の拡大した図を図４（ａ）に示す。図４（ａ）には、写真製版の第１工程においてパターニングされたゲート配線４及び容量配線５が示されているが、破線より下側の領域（以下、単に領域３Ａともいう）は、領域１を露光する際に露光される領域３Ａであり、且つ領域２を露光する際には非露光部分である。一方、破線より上側の領域（以下、単に領域３Ｂ）は、領域２を露光する際に露光される領域３Ｂであり、且つ領域１を露光する際には非露光部分である。
【００２５】
つまり、領域１の露光によりゲート配線４の破線左側部分と容量配線５とがパターニングされ、領域２の露光によりゲート配線４の破線右側部分がパターニングされる。なお、本発明は上記の場合に限られず、領域１の露光によりゲート配線４の破線右側部分がパターニングされ、領域２の露光によりゲート配線４の破線左側部分と容量配線５とがパターニングされる構成でも良い。
【００２６】
次に、本実施の形態では、ゲート配線４と容量配線５との距離を、ゲート配線４の継ぎ目９（領域３Ａと領域３Ｂとの境界）を境にして両側で計測する。つまり、図４（ａ）に示すように、容量配線５に対する領域３Ａのゲート配線４までの距離１０と、容量配線５に対する領域３Ｂのゲート配線４までの距離１１とをそれぞれ計測する。ここで、計測するゲート配線４と容量配線５との距離とは、ゲート配線４からゲート配線４と略平行に設けられた容量配線５部分までの最短距離をいう。
【００２７】
次に、計測した距離１０と距離１１の差を算出することで、パターン（ゲート配線４）の継ぎ目の精度を定量化することができる。これは、計測した距離１０は、領域３Ａ内でともにパターニングされたゲート配線４及び容量配線５に基づいて距離を計測しているが、一方、計測した距離１１は、領域３Ｂ内でパターニングされたゲート配線４と領域３Ａ内でパターニングされた容量配線５に基づいて距離を計測しているので、両者の差を求めることで継ぎ目の精度を定量化を図ることができる。
【００２８】
図４（ａ）に示す例では、距離１０と距離１１との差はほとんど無いが、図４（ｂ）に示すように、ゲート配線４の継ぎ目９が段差のような形状の場合、距離１０と距離１１との差が大きくなる。図４（ｂ）では、距離１０が距離１１に対して大きくなる例が示されているが、継ぎ目９の状態により逆の場合もある。
【００２９】
図４（ｂ）のように距離１０と距離１１との差が大きく、当該差が所定の値以上の場合露光装置の補正を行う。ここで、所定の値は、設計や過去の生産データ等から求めた目標値であり、当該目標値以上の場合、表示ムラ等の不良が生じる可能性が高い。
【００３０】
図５は、第１層目を基板上にパターニングする写真製版の第１工程で用いられる液晶表示装置の製造方法を示すフローチャートである。まず、ステップ１において、設定されている露光条件に基づいてパターニングを行う。ステップ２では、ステップ１でパターニングしたパターン（図４（ａ）（ｂ）の例では、ゲート配線４及び容量配線５）について、上記で述べた検査方法を用いて継ぎ目の精度を定量化し計測する。具体的に図４（ａ）（ｂ）の例では、重なり領域３において、領域１の露光時に形成されたゲート配線４と、ゲート配線４と略平行に配置される容量配線５との距離１０を計測し、領域２の露光時に形成され、領域３Ａのゲート配線４と継ぎ合わされる領域３Ｂのゲート配線４と、容量配線５との距離１１を計測し、距離１０と距離１１との差を計測し、継ぎ目の精度を定量化する。なお、計測した差が小さい方が継ぎ目の精度が高く、計測した差が大きい方が継ぎ目の精度が低い関係となっている。
【００３１】
ステップ３では、ステップ２で計測した差（具体的には距離１０と距離１１との差）が、所定の値以上か否かを判定する。ステップ３において、計測した差（継ぎ目の精度の値）が所定の値以上の場合ステップ４に進み、計測した差が所定の値より小さい場合ステップ５に進む。
【００３２】
ステップ４では、計測した差が所定の値より小さくなるように露光装置の露光条件を補正する。補正する当該露光条件としては、例えば露光する領域１及び領域２の位置を調整等がある。一方、計測した差が所定の値より小さい場合は、ステップ５において写真製版の第１工程の生産を開始する。
【００３３】
以上のように、本実施の形態に係る検査方法は、継ぎ目９の両側にあるパターン間の距離１０，１１を計測して差を取ることで、継ぎ目の精度を定量化することができる。また、継ぎ目の精度を定量化することで、継ぎ目の精度を管理し、継ぎ目の精度を向上させることが可能となる。
【００３４】
また、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法は、継ぎ目の精度を定量化する検査方法を用いて生産の準備段階における露光装置を補正するので、継ぎ目の精度を向上させ、継ぎ目の精度が悪いことに起因する表示不良（例えば、ショットムラ等）を低減することができる。具体的に、写真製版の第１工程において図４（ｂ）のように継ぎ目の精度が低い場合は、その後、第２工程及び第３工程を行っても図７に示すように継ぎ目の精度は第１工程の影響を受けることになる。そのため、図７に示すようにシリコン層６の端部がゲート配線４の端部と重なり、表示不良を生じさせる場合がある。しかし、本実施の形態では、上述のような露光装置の補正を行うので、写真製版の第１工程において図４（ａ）のように継ぎ目の精度が高くなり、その後、第２工程及び第３工程を行っても図６に示すように継ぎ目の精度が高くなるため、表示不良を低減することが可能となる。
【００３５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で示した検査方法と別の検査方法を示す。また、本実施の形態においても、基板を複数の領域に分けて別々に露光することで所定のパターンを形成している。そのため、図１（ａ）に示すように領域１及び領域２に分けて基板上に所定のパターンをパターニングすることになる。しかし、領域１及び領域２は、その領域内の全てにパターンを形成するのではなく、領域の一部分（以下、画素部ともいう）にのみ形成され、それ以外はパターンが形成されない非パターニング部分である。なお、画素部は、基板上に形成する所定のパターンの一部を構成している。
【００３６】
具体的に、領域１及び領域２に用いられるマスクを図８に示す。図８に示すマスクは、中央部に画素部１２を露光するためのマスクパターンが設けられている。そして、図８に示すマスクでは、非パターニング部分１３の画素部１２近傍に計測パターン１４，１５を設けている。
【００３７】
図８において領域１の下側に設ける計測パターン１４のマスクパターンは、外側に大きな四角形状の計測パターン１４ａ、内側に小さな四角形状の計測パターン１４ｂである。また、領域２の上側に設ける計測パターン１５のマスクパターンは、外側に小さな四角形状の計測パターン１５ａ、内側に大きな四角形状の計測パターン１５ｂである。この計測パターン１４ａ、１５ｂのマスクパターンで露光することにより、基板上には四角形状のパターンを形成することができる。一方、計測パターン１４ｂ、１５ａのマスクパターンで露光することにより、基板上には四角形状の抜き取りパターンを形成することができる。
【００３８】
なお、図８では、領域１の上側及び領域２の下側にも計測パターン１４，１５が設けられているが、これは領域１のさらに上側又は領域２のさらに下側に別の領域を重ね合わせる場合に用いるものである。
【００３９】
このような、図８に示す２枚のマスクを用いて、基板上にパターンを露光することで、計測パターン１４，１５が基板上にパターニングされる。図９に、計測パターン１４，１５がパターニングされた基板の概略図を示す。図９では、領域１と領域２とが重なり領域３を形成しており、この重なり領域３内で計測パターン１４と計測パターン１５とが重なり合っている。具体的には、四角形状の計測パターン１４ａに、計測パターン１５ａの抜き取りパターンが形成され、四角形状の計測パターン１５ｂに、計測パターン１４ｂの抜き取りパターンが形成されている。
【００４０】
本実施の形態では、このように計測パターン１４と計測パターン１５とを重ねて形成し、計測パターン１４に対する計測パターン１５の位置を計測することで、継ぎ目の精度を定量化している。具体的に、図１０（ａ）に画素部１２の両側に設けられた計測パターン１４ｂ及び計測パターン１５ｂの拡大図を示す。図１０（ａ）では、計測パターン１４ｂの端辺から計測パターン１５ｂの端辺までの左右方向の距離１６は細線の矢印で示し、計測パターン１４ｂの端辺から計測パターン１５ｂの端辺までの上下方向の距離１７は太線の矢印で示している。
【００４１】
図１０（ａ）では、画素部１２の両側の距離１６，１７は互いに等しいので、継ぎ目の精度が高いことが定量的に分かる。一方、図１０（ｂ）のように、画素部１２の両側の距離１６，１７が互いに異なる場合、継ぎ目の精度が低いことが定量的に分かる。具体的な定量化方法としては、例えば画素部１２の左側における計測パターン１４ｂの上端辺から計測パターン１５ｂの上端辺までの距離１７と、画素部１２の右側における計測パターン１４ｂの上端辺から計測パターン１５ｂの上端辺までの距離１７との差を求める方法が考えられる。このように継ぎ目の精度を定量化する検査方法も、図５に示すフローチャートに適用することができる。つまり、図５で示したステップ２の検査方法に代えて本実施の形態に係る検査方法を用いることができる。
【００４２】
次に、図１１は、基板を４つの領域に分け、それぞれの領域に異なるマスクを用いて所定のパターンをパターニングする場合の概略図を示している。図１１では、領域２１，２２，２３，２４のそれぞれが互いに重なる重なり領域２５が形成されている。また、図１１では、各領域の画素部１２の近傍に計測パターン２６，２７が形成されている。
【００４３】
図１２には、図１１のようなパターンを基板上に露光するためのマスクが示されている。図１２に示す領域２１のマスクは、画素部１２の上側及び左側近傍に計測パターン２６を形成するマスクパターンが設けられている。当該マスクパターンを露光することで、大きな四角形状の計測パターン２６を基板上に形成することができる。図１２に示す領域２２のマスクは、画素部１２の上側及び右側近傍に計測パターン２７を形成するマスクパターンが設けられている。当該マスクパターンを露光することで、小さい四角形状の抜き取りパターン（計測パターン２７）を基板上に形成することができる。
【００４４】
同様に、図１２に示す領域２３のマスクは、画素部１２の下側及び左側近傍に計測パターン２７を形成するマスクパターンが設けられている。図１２に示す領域２３のマスクは、画素部１２の下側及び右側近傍に計測パターン２６を形成するマスクパターンが設けられている。
【００４５】
そして、図１２に示す４つのマスクを用いて基板上にパターンを露光する。パターニングした結果として図１１のパターンが得られ、計測パターン２６に対する計測パターン２７の位置を図１０（ａ）（ｂ）で示した様に計測する。これにより、継ぎ目の精度の定量化をすることができる。この方法を図５に示すフローチャートに適用することで、継ぎ目の精度を向上させることができる。
【００４６】
なお、図１１に示すように４つの領域に分けて別々に露光する場合、一つの領域の２辺が他の領域と重なる関係上、計測パターン２６，２７を画素部１２の一つの対角線上にしか配置することができない。仮に、画素部１２の四隅に計測パターン２６，２７を設けると、計測パターン２６，２７が隣接する領域内にパターニングされてしまう。
【００４７】
但し、計測パターン２６，２７を画素部１２の一つの対角線上にしか配置しない場合、画素部１２の四隅に計測パターン２６，２７を設けた場合に比べ、継ぎ目の精度に関して得られる情報が少ないため十分な補正ができない場合も考えられる。その場合は、画素部１２内のパターンを解析し、各領域の回転成分を予め取り除いてから、上記の方法を適用すれば良い。
【００４８】
以上のように、本実施の形態に係る検査方法は、所定のパターンの一部（画素部１２）の近傍に計測パターン１４，１５，２６，２７を設け、計測パターン１４，２６に対する計測パターン１５，２７の位置を計測することで、継ぎ目の精度を定量化でき、継ぎ目の精度を管理し、継ぎ目の精度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る露光する領域を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係るゲート配線及び容量配線をパターニングした基板を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る重なり領域での継ぎ目を示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置において効果を説明するための平面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置において効果を説明するための平面図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置に使用するマスクを示す平面図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置の計測パターンを示す平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置の計測パターンを説明する平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２に係る別の液晶表示装置の計測パターンを示す平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係る別の液晶表示装置に使用するマスクを示す平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１，２，２１，２２，２３，２４  領域、３，２５  重なり領域、４  ゲート配線、５  容量配線、６  シリコン層、７  ソース配線、８  ドレイン電極、９  継ぎ目、１０，１１  距離、１２  画素部、１３  非パターニング部分、１４，１５，２６，２７  計測パターン、１６，１７  距離。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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