(57)【要約】【課題】  赤外線通信とリモコン操作用通信との双方に利用可能であり、高出力、かつ、高速応答可能な、赤外発光ダイオードを提供する。【解決手段】  赤外発光ダイオード１は、ｐ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０．１５≦ｘ≦０．４５）を含む少なくとも１層のｐ型クラッド層２と、ｐ型のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ（０≦ｙ≦０．０１）を含む活性層３と、ｎ型のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ（０．１５≦ｚ≦０．４５）を含む少なくとも１層のｎ型クラッド層４とを有し、活性層３の厚みは、２〜６μｍであり、赤外線通信とリモコン操作通信との双方の赤外光源として使用できる。室温における発光ピーク波長を８８０〜８９０ｎｍとすることができ、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方への、高出力、高速応答可能な赤外光源として利用可能である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０．１５≦ｘ≦０．４５）を含む少なくとも１層のｐ型クラッド層と、
ｐ型のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ（０≦ｙ≦０．０１）を含む活性層と、
ｎ型のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ（０．１５≦ｚ≦０．４５）を含む少なくとも１層のｎ型クラッド層と、を有し、
上記活性層の厚みは、２〜６μｍであり、赤外線通信とリモコン操作通信との双方の赤外光源として使用できることを特徴とする、赤外発光ダイオード。
【請求項２】
前記活性層の実効的不純物が、Ｇｅで形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の赤外発光ダイオード。
【請求項３】
前記赤外発光ダイオードの室温における発光ピーク波長は、８８０〜８９０ｎｍであることを特徴とする、請求項１又は２に記載の赤外発光ダイオード。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかに記載の赤外発光ダイオードの製造方法であって、
前記ｐ型クラッド層と、前記ｐ型活性層と、前記ｎ型クラッド層とが、ＧａＡｓ基板上にエピタキシャル成長により形成され、
上記エピタキシャル成長後に、上記基板が除去されることにより製造されることを特徴とする、赤外発光ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方に利用可能である、赤外発光ダイオード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体のｐｎ接合に順方向電流を流して発光させる発光ダイオード（以下、適宜、ＬＥＤと呼ぶ）のうち、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓ系ＬＥＤは赤外線通信やリモコン操作等の分野で広く使われている。
例えば、赤外線通信に使用されるＬＥＤとしては、大容量のデータ通信に対応するため、より高出力化、高速化が要求されるので、ダブルへテロ（ＤＨ）構造のＬＥＤが使用されている。ＤＨ構造のＬＥＤにおいて、活性層の厚みは薄いほど出力及び応答性に有利であり、通常１μｍ程度とされている。
特許文献１には、上記ＤＨ構造のＬＥＤが開示されており、活性層へ添加する実効的不純物（ドーパント）としてゲルマニウム（Ｇｅ）を用い、活性層の厚みを０．５〜１．５μｍとすることにより、高出力、高信頼性、かつ応答性の良いＬＥＤが得られることが記載されている。
【０００３】
また、リモコン操作用に使用されるＬＥＤとしては、ＧａＡｓの液相成長によるホモ接合型ＬＥＤが使用されている。このＬＥＤのｐｎ接合は、液相成長する時にドーパントとして用いるシリコン（Ｓｉ）が成長温度によりｐ型からｎ型へ変換する、所謂ｐｎ反転を利用して形成されている。Ｓｉは、ＧａＡｓ中に他のドーパントに比べて深い不純物準位を形成するため、ＧａＡｓホモ接合型ＬＥＤの発光波長はＧａＡｓ吸収端（８７０ｎｍ）よりも長い波長側に広く分布する。しかしながら、キャリアの拡散距離が長いために、そのパルス応答性は遅いものであった。このため、パルス応答における、Ｔｒ（立ち上がり時間）及びＴｆ（立ち下がり時間）は、数μｓｅｃが限界であった。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２９３６２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、携帯電話等の小型の端末機器が各種開発され、赤外線通信とリモコン操作通信の両機能を兼ね備えた端末機器も開発されている。
ここで、機器間の送受信に用いられる赤外通信の場合には、例えば、８５０〜９００ｎｍの赤外線が用いられ、リモコン操作通信の場合には、受光部の感度が高い波長帯である、例えば８８０〜９４０ｎｍの赤外線が用いられている。従来はこれら２つの機能を兼ね備える場合、発光波長の異なる２種類のＬＥＤを用意する必要があった。
【０００６】
上記の赤外線通信とリモコン操作通信の双方に使用できるＬＥＤとしては、発光波長が、例えば受光部の感度が高い波長である８８０ｎｍより長波長側にピーク波長領域を有する必要があった。
しかしながら、特許文献１に記載されたＤＨ構造ＬＥＤにおいては、その発光ピーク波長は８００〜８７０ｎｍであり、８７０ｎｍより長波長のＬＥＤが得られないという課題がある。
【０００７】
一方、Ｓｉ添加のＧａＡｓホモ接合型ＬＥＤでは、８７０ｎｍより長波長の赤外発光が得られるが、赤外線通信に対応できる高速な応答性が得られないという課題がある。
【０００８】
本発明は、以上の点に鑑み、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方に利用可能であり、高出力、かつ、高速応答可能な、赤外発光ダイオードを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは鋭意研究した結果、ＡｌＧａＡｓ系赤外ＬＥＤにおいて、活性層厚みを２〜６μｍとすることにより８７０ｎｍより長波長側の発光ピーク波長が得られること、ｐ型活性層の実効的不純物をＧｅとすれば、８８０〜８９０ｎｍの範囲に発光ピーク波長を有し、ホモ接合型ＬＥＤに比べ高出力で、且つ、Ｔｒ及びＴｆが短いことにより高速応答性のＬＥＤを作製できること、そして、赤外線通信及びリモコン操作用通信に兼用できる発光特性が得られること、などの知見を得て本発明に至ったものである。
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の赤外発光ダイオードは、ｐ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０．１５≦ｘ≦０．４５）を含む少なくとも１層のｐ型クラッド層と、ｐ型のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ（０≦ｙ≦０．０１）を含む活性層と、ｎ型のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ（０．１５≦ｚ≦０．４５）を含む少なくとも１層のｎ型クラッド層とを有し、活性層の厚みは、２〜６μｍであり、赤外線通信とリモコン操作通信との双方の赤外光源として使用できることを特徴とする。
上記構成によれば、ｐ型活性層の厚みを２〜６μｍとすることにより、赤外線発光波長を所望の波長に制御して、赤外線通信とリモコン操作通信との双方の赤外光源として使用できる赤外発光ダイオードを提供することができる。
【００１１】
好ましくは、活性層の実効的不純物は、Ｇｅで形成されている。この構成によれば、活性層の実効的不純物はＧｅであるので、高出力、高速応答の赤外発光ダイオードを実現することができる。
【００１２】
赤外発光ダイオードの室温における発光ピーク波長は、好ましくは８８０〜８９０ｎｍである。このため、本発明の赤外発光ダイオードを、赤外線通信とリモコン操作用通信との両方の用途への赤外光源として使用することができる。
【００１３】
また、上記の赤外発光ダイオードの製造方法は、ｐ型クラッド層と、ｐ型活性層と、ｎ型クラッド層とが、ＧａＡｓ基板上にエピタキシャル成長により形成され、エピタキシャル成長後に、基板が除去されることにより製造されることを特徴とする。
上記製造方法によれば、発光ピーク波長が８８０〜８９０ｎｍであり、赤外線通信とリモコン操作用通信との両方の用途への高出力、高速応答ができる赤外発光ダイオードを、量産性よく、低コストで製造することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方に利用可能であり、高出力、高速応答ができる赤外発光ダイオードを提供することができる。このため、赤外線通信及びリモコン操作用通信機能を有する機器では、波長の異なる２種類の赤外発光ダイオードを使用する必要があったものが、本発明では、赤外発光ダイオードを１個使用するだけでよく、２種類の赤外発光ダイオードを使用する必要がなくなる。
また、本発明の赤外発光ダイオードの製造方法によれば、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方に利用可能であり、高出力、高速応答ができる赤外発光ダイオードを量産性よく、低コストで製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態に係る赤外発光ダイオードの構造について、図１を参照しながら説明する。
図１は、本発明の赤外発光ダイオードの構造を示す模式的な断面図である。本発明の赤外発光ダイオード１は、ｐ型クラッド層２と、活性層３と、ｎ型クラッド層４と、からなるＤＨ構造（ダブルヘテロ構造）を有し、ｐ型クラッド層２及びｎ型クラッド層４には、それぞれ、ｐ層電極５及びｎ層電極６が形成されている。赤外発光ダイオード１の上下両面に形成される電極５，６の形状は任意に選定することができる。
なお、赤外発光ダイオード１は、図１とは逆、すなわち、上方から順に、ｐ層電極５、ｐ型クラッド層２、活性層３、ｎ型クラッド層４、ｎ層電極６としてもよい。
【００１６】
ｐ型クラッド層２は、ｐ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ここで、ｘは混晶組成であり、０．１５≦ｘ≦０．４５）を含む少なくとも１層のｐ型クラッド層２からなる。ｐ型クラッド層２は、上記ｐ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ層上に、さらに、ｐ型ＧａＡｓ層が形成される、２層構造を有していてもよい。例えば、ｐ型ＧａＡｓ層を高不純物密度層とすれば、ｐ層電極５を容易に形成でき、直列抵抗の低減ができると共に、応答性能を向上させることができる。
【００１７】
ｎ型クラッド層４は、ｎ型のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ（ここで、ｚは混晶組成であり、０．１５≦ｚ≦０．４５）を含む少なくとも１層のｎ型クラッド層４からなる。ｎ型クラッド層４は、上記ｎ型のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層上に、さらに、ｎ型ＧａＡｓ層が形成される、２層構造を有していてもよい。例えば、ｎ型ＧａＡｓ層を高不純物密度層とすれば、ｎ層電極６を容易に形成し、直列抵抗の低減ができ、応答性能を向上させることができる。
【００１８】
ここで、ｐ型及びｎ型クラッド層２，４には、活性層３に対して、キャリアとなる電子及び正孔の閉じこめ効果と、光の閉じこめ効果と、の両方の作用が要求されるので、上記Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ及びＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ層のＡｌ組成であるｘ及びｚを、０．１５以上とする必要がある。
一方、Ａｌ組成ｘ，ｚの上限としては、キャリア及び光の閉じ込めのためには、原理的には高くてもよい。しかしながら、Ａｌ組成の上昇に伴い、通電による赤外発光ダイオードの腐食劣化の問題が生じたり、また、オーミックロスによる順方向電圧の上昇が引き起こされるので好ましくない。このため、Ａｌ組成は、０．１５≦ｘ，ｚ≦０．４５であることが望ましい。
【００１９】
活性層３は、ｐ型及びｎ型のクラッド層２，４の間に挿入される層であり、発光層となる領域である。活性層３は、ｐ型のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ（０≦ｙ≦０．０１）を含む層、すなわち、ＧａＡｓを含む層、又はＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ（ここで、ｙは混晶組成であり、０＜ｙ≦０．０１）を含む層からなる。Ａｌの組成ｙは、０．０１以上では、長波長の赤外光が発光しにくくなるので、好ましくない。
活性層３の導電型は、発光効率からはｐ型が好ましい。そして、高速応答性及び高信頼性のためにはｐ型活性層３の実効的不純物としては、Ｇｅが好ましい。この際、本発明の赤外発光ダイオード１を高速応答性とするためには、ｐ型活性層３の不純物密度としては、おおよそ、１×１０18ｃｍ-3以上とすればよい。
なお、本発明において実効的不純物とは、実効的に支配する不純物を示すものである。例えば、ｐ型活性層３のＧｅによる不純物密度よりも低い、少量のＺｎ（亜鉛）やＭｇ（マグネシウム）が添加されてもよい。
【００２０】
そして、活性層３の厚さを、２〜６μｍとすることにより、赤外発光ダイオードの室温における発光ピーク波長を８８０〜８９０ｎｍとすることができる。
ここで、活性層３の厚さが２μｍ以下では、発光波長が８８０ｎｍよりも短波長側にずれるので好ましくない。一方、活性層３の厚さを、６μｍ以上としても、発光波長の長波長側へのシフト量が飽和し、発光出力も低下するので好ましくない。
なお、ＬＥＤの発光波長は、発光部すなわちｐｎ接合部の温度に依存して変化し、周囲温度が高い場合や高電流動作で接合部の温度が高い場合には、発光強度の最も大きい発光波長、すなわち発光ピーク波長は、長波長側に移動する。このため、本発明の赤外発光ダイオードのピーク発光波長は、室温において、直流順方向電流が２０ｍＡのときの測定値で定義する。
【００２１】
本発明の赤外発光ダイオードによれば、発光ピーク波長を８８０〜８９０ｎｍとすることができるので、赤外線通信とリモコン操作用通信との両方の用途への高出力赤外光源として使用することができる。
そして、発光時のパルス応答が高速であるので、速度の遅いリモコン操作用通信用のみならず、高速赤外線通信に対応できる。
【００２２】
次に、本発明の実施形態に係る赤外発光ダイオードの製造方法について説明する。
本発明の赤外発光ダイオード１は、以下のようにして製造することができる。最初に、ＧａＡｓ基板上に、ｐ型クラッド層２、活性層３、ｎ型クラッド層４の順に、エピタキシャル成長を行い、ＤＨ構造を得る。また、成長の順序は、上記とは逆の、ｎ型クラッド層４、活性層３、ｐ型クラッド層２の順番でもよい。ここで、用いるＧａＡｓ基板は、後述するように、エピタキシャル成長の後で除去する場合には、ｐ型、ｎ型、半絶縁性、アンドープの何れであってもよい。そして、ＧａＡｓ基板を除去しない場合には、最初に成長させるクラッド層の導電型に対応するｐ型又はｎ型のＧａＡｓ基板を使用すればよい。
続いて、ＤＨ構造が形成されたＧａＡｓ基板から、ＧａＡｓ基板を除去し、ＤＨ構造を得る。
次に、ＤＨ構造のｐ型クラッド層２及びｎ型クラッド層４にそれぞれ電極５，６を形成し、所定の面積のチップに分割する。その後で、光の取り出し効率を高めるためにチップ表面を荒らしてもよい。
その後、上記チップの下面電極をリードフレームの一方に固着し、リードフレームの他方と、上面電極と、の間を金線やＡｌ線を用いたワイヤーボンディングにより接続して、チップが搭載されたリードフレームの上方をエポキシコートすることにより砲弾型の赤外発光ダイオードを製造することができる。
【００２３】
エピタキシャル成長は、液相成長法やＭＯＣＶＤ法などを用いることができる。液相成長法の場合には、徐冷法や温度差法を用いることができる。光の取り出し効率向上のためにはＧａＡｓ基板を除去することが好適である。この場合には、ＤＨ構造自体の膜厚は、電極形成などの後工程で破損しないように、１００μｍ〜２００μｍとすることが好ましい。このため、エピタキシャル結晶成長方法としては、厚い成長層と高品質の結晶が容易に得られ、かつ、量産ができ、低コストである、液相成長法が好適である。
【００２４】
次に、ＤＨ構造のエピタキシャル成長について、詳しく説明する。
図２は、本発明の赤外発光ダイオードのエピタキシャル成長に使用するボートの模式断面図である。図２に示すように赤外発光ダイオードのエピタキシャル成長に使用するボート１０は、るつぼ１１と、ベース１２と、仕切り１３と、の３点の部品から構成されている。これらの部品の材料としては、カーボンを用いることができる。
るつぼ１１は、少なくとも３槽からなる。これは、ｐ型クラッド層２、活性層３、ｎ型クラッド層４のエピタキシャル成長に必要な、組成及びドーパントの異なる溶液槽が３槽必要なことによる。るつぼ１１の各槽には、ＤＨ構造の各層の所定組成になるような、Ｇａ原料、Ａｌ原料、ＧａＡｓ原料、及びドーパントが、それぞれ調合され、充填されている。
ここで、各槽に充填された各層の成長原料は、原料溶液となる。また、ベース１２の中にはＧａＡｓ基板１４が収納されている。
【００２５】
次に、ボート１０を用いたＤＨ構造の徐冷法によるエピタキシャル成長について説明する。
最初に、るつぼ１１内に原料が充填されたボート１０は、電気炉内の石英管に収容され、窒素ガスパージや真空引きの後、水素ガスなどが流され、電気炉により成長温度まで昇温され、所定の時間保持される。
次に、ボート１０が、電気炉の制御により徐冷されるとともに、つぼ８を動かして原料溶液を、ＧａＡｓ基板１４が収納されているベース１２内に導入する。そして、所定の温度、時間、及び徐冷速度により、エピタキシャル成長を行い、仕切り１３を操作して成長後の原料溶液をＧａＡｓ基板から分離する。この繰り返しによりＤＨ構造の各層２，３，４を成長させることができる。
ここで、ＡｌＡｓの偏析係数がＧａＡｓのそれより大きいため、クラッド層２，４の厚い層を成長させる場合に、Ｇａ中のＡｌＡｓ成分が減少し、クラッド層２，４内のＡｌ組成ｘ，ｚが傾斜する。一方、活性層３は、厚みがクラッド層２，４の厚さに比べて非常に薄いので、Ａｌ組成ｙの変動は殆ど生起しない。
【００２６】
本発明の赤外発光ダイオードの製造方法によれば、発光ピーク波長を８８０〜８９０ｎｍとすることで、赤外線通信とリモコン操作用通信との両方の用途への高出力、高速応答ができる赤外発光ダイオードを、量産性よく、低コストで製造することができる。
【実施例】
【００２７】
以下、実施例に基づいて、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明の実施例においては、液相成長法として徐冷法を用い、ＧａＡｓ基板上にｐ型クラッド層２と、ｐ型活性層３と、ｎ型クラッド層４と、からなるＤＨ構造をエピタキシャル成長させた。エピタキシャル成長は、ｐ型クラッド層２及びｎ型クラッド層４の厚さを、それぞれ約１００μｍ、約６０μｍと固定し、ｐ型活性層３となるＡｌＧａ1-y Ａｓ層の厚さを種々変化させた。ここで、成長温度は、６００〜９００℃の範囲であった。
【表１】
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表１は、実施例で製造したＤＨ構造の各層のＡｌ組成、不純物密度、用いた不純物（ドーパント）、厚さの一例を示す表である。
表１から明らかなように、ｐ型クラッド層２の組成ｘは０．１５〜０．４５であり、Ｚｎによる不純物密度は３×１０17ｃｍ3 であり、厚さは１００μｍである。ｐ型活性層３の組成ｙは０、すなわち、ＧａＡｓであり、Ｇｅによる実効的不純物密度は２×１０18ｃｍ3 であり、厚さは種々変えたのでｄμｍと表記しているが、０．５μｍ〜８μｍ程度の厚さとした。
ｎ型クラッド層４の組成ｚは０．２０〜０．４５であり、Ｔｅによる不純物密度は６×１０17ｃｍ3 であり、厚さは６０μｍである。
なお、上記組成ｘ，ｚは、上記したようにそれぞれ各膜厚内の変動幅を示している。
【００２８】
次に、ＧａＡｓ基板を除去し、ｐ型クラッド層２及びｎ型クラッド層４にそれぞれ、電極５，６を形成し、所定の面積のチップに分割し、赤外発光ダイオード１を上記で説明した方法により製造した。
この赤外発光ダイオードのチップの大きさは、０．３２ｍｍ×０．３２ｍｍの面積を有し、その厚さは、活性層の厚さがクラッド層よりも十分に薄いので無視すると、約１６０μｍである。
【００２９】
次に、上記実施例の赤外発光ダイオードの発光特性について説明する。
図３は、実施例の赤外発光ダイオードにおける、活性層厚さｄを変化させたときのピーク発光波長及びピーク発光波長における発光出力を示すものである。図において、横軸は活性層厚さｄ（μｍ）を、左縦軸はピーク発光波長（ｎｍ）を、右縦軸はピーク発光波長での光出力（ｍＷ）を示している。この際、発光ダイオード１には、室温（２５℃）で、２０ｍＡの電流を流している。ここで、発光特性は、分光器（ＭＣＰＤ３０００大塚電子（株）製）を用いて測定した。
図から明らかように、活性層厚さｄを０．５μｍから６μｍまで変化させたときに、ピーク発光波長が約８７０〜８９０ｎｍまで変化する。そして、活性層厚さｄが２μｍ〜６μｍの間では、ピーク発光波長が約８８０ｎｍ〜８９０ｎｍとなることが分かる。この際、ピーク発光波長における出力は、４ｍＷ前後の高出力が得られた。これにより、上記８８０ｎｍ〜８９０ｎｍのピーク発光波長は、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方に利用できる赤外光領域の境界に当たる波長に相当し、しかも、高出力である。
【００３０】
図４は、実施例の赤外発光ダイオードにおける、活性層厚さｄを変化させたときの発光の立ち上がり時間Ｔｒ及び立ち下がり時間Ｔｆを示す図である。図において、横軸は活性層厚さｄ（μｍ）を示し、縦軸は立ち上がり時間Ｔｒ及び立ち下がり時間Ｔｆ（ｎｓｅｃ）を示し、立ち上がり時間Ｔｒは菱形（◆印）で、立ち下がり時間Ｔｆ（ｎｓｅｃ）は四角（■印）で表わしている。
ここで、立ち上がり時間Ｔｒ及び立ち下がり時間Ｔｆの測定は、赤外発光ダイオード１に、パルス幅１２５ｎｓｅｃ、デューティ比２５％、ピーク電流５００ｍＡのパルスを印加して測定した。
図から明らかように、活性層厚さｄを２μｍから６μｍまで変化させたときに、立ち上がり時間Ｔｒ及び立ち下がり時間Ｔｆはほぼ同じ値であり、約３７ｎｓｅｃから５５ｎｓｅｃ程度であり、赤外線通信に要求される遮断周波数に対応できる応答性能であることが分かる。
【００３１】
次に、活性層厚さを２．８μｍ及び４．８μｍとした赤外発光ダイオード１の発光特性例を説明する。
ピーク発光波長等の測定は、室温で、直流順方向電流を２０ｍＡ印加したときの値である。活性層厚さを２．８μｍとした赤外発光ダイオードにおいては、ピーク発光波長は８８５ｎｍであり、その半値幅（発光出力が１／２となる発光波長幅）は５１ｎｍであった。その発光出力は３．８２ｍＷであった。また、パルス電流５００ｍＡ駆動時の立ち上がり時間Ｔｒ及び立ち下がり時間Ｔｆは、それぞれ、３０ｎｓｅｃであった。活性層厚さを４．８μｍとした赤外発光ダイオードにおいては、ピーク発光波長は８８５ｎｍであり、その半値幅は５１ｎｍであった。その発光出力は３．５９ｍＷであった。また、パルス電流５００ｍＡ駆動時の立ち上がり時間Ｔｒ及び立ち下がり時間Ｔｆは、それぞれ、６５ｎｓｅｃであった。
【００３２】
これにより、実施例の赤外発光ダイオードによれば、発光ピーク波長を８８０ｎｍ〜８９０ｎｍとすることができるので、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方への、高出力、高速応答可能な、赤外光源として使用することができる。したがって、高速赤外通信用の赤外光源として使用できる。例えば、ＩｒＤＡ（赤外線通信の規格制定団体であるＩｎｆｒａｒｅｄ  Ｄａｔａ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎの略称）用赤外光源として利用できる。
【００３３】
本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれることはいうまでもない。例えば、エポキシコートの赤外発光ダイオードだけに限定されることなく、各種のモデュール用赤外発光ダイオードチップなどにも使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の赤外発光ダイオードの構造を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明の赤外発光ダイオードのエピタキシャル成長に使用するボートの模式断面図である。
【図３】実施例の赤外発光ダイオードにおける、活性層厚さｄを変化させたときのピーク発光波長及びピーク発光波長における発光出力を示すグラフである。
【図４】実施例の赤外発光ダイオードにおける、活性層厚さｄを変化させたときの発光の立ち上がり時間Ｔｒ及び立ち下がり時間Ｔｆを示すグラフである。
【符号の説明】
【００３５】
１：赤外発光ダイオード
２：ｐ型クラッド層
３：活性層（ｐ型活性層）
４：ｎ型クラッド層
５：ｐ層電極
６：ｎ層電極
１０：ボート
１１：るつぼ
１２：ベース
１３：仕切り
１４：ＧａＡｓ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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