(57)【要約】【課題】  電極と端子との接続抵抗を抑えると同時に、これら電極と端子との接続の信頼性を維持することができる電気光学装置、当該電気光学装置の製造方法及び電子機器を提供すること。【解決手段】  出力電極１２及び入力電極１３の接続部１２ｃ及び１３ｃを電気抵抗の低い金属の一種であるモリブデンからなることとしたので、接続抵抗の低減を図ることができる。また、端部電極２０の接続部を金属よりも耐食性の高いＩＺＯからなることとしたので、フレキシブル基板３から水分が浸入した場合であっても、端部電極２０が電食等により腐食されるのを抑えることができる。これにより、接続抵抗を抑えると同時に、接続性の信頼を高めることができる。【選択図】  図３
2006072085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に実装された電子部品と、前記基板上に実装された外部基板とを有する電気光学装置であって、
前記基板上に、電子部品側電極及び外部基板側電極が設けられ、
前記電子部品が、前記電子部品側電極に電気的に接続される第１端子を実装面に有し、
前記外部基板が、前記外部基板側電極に電気的に接続される第２端子を実装面に有し、
前記電子部品側電極のうち少なくとも一部が、前記第１端子に電気的に接続される接続部が金属からなり、
前記外部基板側電極のうち、前記第２端子に電気的に接続される接続部が前記金属よりも耐食性の高い導電材料からなる
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記電子部品側電極が、前記導電材料からなる下層と前記金属からなる上層とが積層されてなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記外部基板側電極が、前記導電材料からなる上層と前記金属からなる下層とが積層されてなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記電子部品側電極及び前記外部基板側電極の金属層が、複数種類の金属が積層されてなることを特徴とする請求項２乃至請求項３のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
導電性を有する樹脂又は導電粒子が混入された樹脂であって、前記第２端子と前記外部基板側電極との間で当該第２端子と当該外部基板側電極とを電気的に接続する樹脂と、
少なくとも前記樹脂を覆うように前記外部基板の周りに設けられたモールド部材と
を更に具備することを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に電気光学装置。
【請求項６】
前記電子部品側電極と前記外部基板側電極とが、前記金属からなる配線で接続されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記電子部品側電極に接続された前記金属からなる配線と、前記外部基板側電極に接続された前記導電材料からなる配線とがそれぞれ接続されることで、前記電子部品側電極と前記外部基板側電極とが接続されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記電子部品側電極と前記外部基板側電極とが、前記導電材料からなる配線で接続されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記電子部品側電極及び前記外部基板側電極の接続部を除いて、前記第１端子及び外部基板側電極及び前記配線が形成された領域を覆うように設けられた保護層を更に具備することを特徴とする請求項６乃至請求項８のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記導電材料が、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物及びインジウムスズ亜鉛酸化物のうち少なくとも１つであることを特徴とする請求項１乃至請求項９のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
基板上に電子部品及び外部基板を実装する電気光学装置の製造方法であって、
少なくとも表面にモリブデン及びモリブデンを含む金属の層が形成され前記電子部品の実装面に設けられる端子に電気的に接続される電子部品側電極を前記基板上に形成する工程と、
前記基板上に、前記モリブデンよりも耐食性の高い導電材料によって、前記外部基板の実装面に設けられる第２端子に電気的に接続される外部基板側電極を形成する工程と、
少なくとも前記電極上を覆うように窒化シリコンからなる保護層を形成する工程と、
前記電極のうち前記端子と接続させる部分を覆うように設けられた前記保護層を、前記モリブデン及びモリブデンを含む金属をエッチングしないようにウエットエッチングする工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ウエットエッチングする工程では、前記保護層のエッチングにバッファードフッ酸が用いられることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１０のうちいずれか一項に記載の電気光学装置又は請求項１１若しくは請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置や、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）装置、無機ＥＬ装置に代表される発光装置等の電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＣＯＧ（Chip On Glass）型の液晶装置のガラス基板上には、当該液晶装置の駆動ドライバと、例えばポリイミド等から形成されたフレキシブル基板とが実装される。駆動ドライバは、いわゆるフリップチップ実装により実装されるのが一般的である。フレキシブル基板には、この駆動ドライバに電源信号等を供給するための回路などが設けられる。
【０００３】
各実装領域には、それぞれ電極が設けられ、駆動ドライバ及びフレキシブル基板に形成される端子とこれら電極とがそれぞれ電気的に接続される。電極と端子との接続抵抗を低減するため、電極は電気抵抗の低い材料、具体的には金属から形成される（例えば、特許文献１参照。）。  
【特許文献１】特開２００４−１５８４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、駆動ドライバの実装部分に比べて、フレキシブル基板の実装部分には水分が浸入しやすい。このように実装部分に浸入した水分は、電極に到達すると、電極に印加される電圧の作用により当該電極を腐食（電食）させてしまうため、接続の信頼性の面で問題がある。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、電極と端子との接続抵抗を抑えると同時に、これら電極と端子との接続の信頼性を維持することができる電気光学装置、当該電気光学装置の製造方法及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る電気光学装置は、基板上に実装された電子部品と、前記基板上に実装された外部基板とを有する電気光学装置であって、前記基板上に、電子部品側電極及び外部基板側電極が設けられ、前記電子部品が、前記電子部品側電極に電気的に接続される第１端子を実装面に有し、前記外部基板が、前記外部基板側電極に電気的に接続される第２端子を実装面に有し、前記電子部品側電極のうち少なくとも一部が、前記第１端子に電気的に接続される接続部が金属からなり、前記外部基板側電極のうち、前記第２端子に電気的に接続される接続部が前記金属よりも耐食性の高い導電材料からなることを特徴とする。  
ここで、「耐食性が高い」には、例えば、水分を含有する雰囲気で電極に電圧をかけたときに電食されにくい、という性質も含まれる。
【０００７】
本発明者らは、電子部品の実装部分では、当該電子部品自身により水分の浸入が守られるのに対して、外部基板の実装部分では、当該外部基板が例えばポリイミドのように水分の浸入を十分に防ぐことができない材料からなる場合、電子部品の実装部分に比べて水分が浸入しやすいことを見出した。
【０００８】
そこで、本発明の構成のように、電子部品側電極の接続部を金属からなるようにし、外部基板側電極の接続部を金属よりも耐食性の高い導電材料からなるようにすることで、水分が比較的浸入しにくい電子部品側の接続部については接続抵抗の低減を図るとともに、外部基板側の接続部に水分が浸入した場合であっても電極が電食等により腐食されるのを抑えることができるようにした。これにより、接続抵抗を抑えると同時に、接続性の信頼を維持することができる。なお、外部基板側電極は、一般的に電子部品側電極と比べて面積が大きいため、外部基板側電極と第２端子との間の接続について、金属と導電材料との材質の違いによる接続抵抗増加の影響は少なくて済む。
【０００９】
また、前記電子部品側電極が、前記導電材料からなる下層と前記金属からなる上層とが積層されてなることが好ましい。  
金属よりも耐食性の高い導電材料を下層に設けることで、電子部品側電極の耐食性を高めることができ、接続の信頼を高めることができる。
【００１０】
また、前記外部基板側電極が、前記導電材料からなる上層と前記金属からなる下層とが積層されてなることが好ましい。  
導電材料よりも電気抵抗の低い金属を下層に設けることで、外部基板側電極の耐食性を高く維持しつつも、当該電極自体の電気抵抗を低く抑えることができる。
【００１１】
また、前記電子部品側電極及び前記外部基板側電極の金属層が、複数種類の金属が積層されてなることが好ましい。  
金属の種類によっても、耐食性や電気抵抗が異なっている。本発明の構成により、耐食性が高く、配線抵抗を低く抑えることができるような最適な金属を選択して電極を形成することができる。この場合、例えば耐食性の優れた金属の層と、電気抵抗が低い金属の層とを組み合わせて電極を形成することが可能である。
【００１２】
また、導電性を有する樹脂又は導電粒子が混入された樹脂であって、前記第２端子と前記外部基板側電極との間で当該第２端子と当該外部基板側電極とを電気的に接続する樹脂と、少なくとも前記樹脂を覆うように前記外部基板の周りに設けられたモールド部材とを更に具備することが好ましい。
【００１３】
本発明では、外部基板側電極の接続部が、樹脂及びモールド部材によって二重に覆われているので、外部基板の接続部に水分等が浸入するのを抑えることができ、外部基板側電極の接続部における耐食性を高めることができる。これにより、接続の信頼性を確保することができる。
【００１４】
また、前記電子部品側電極と前記外部基板側電極とが、前記金属からなる配線で接続されることが好ましい。  
本発明のように、電子部品側電極と外部基板側電極との間を接続する配線の材料を金属にすることで、これら電極間の配線抵抗を低く抑えることができる。
【００１５】
また、前記電子部品側電極に接続された前記金属からなる配線と、前記外部基板側電極に接続された前記導電材料からなる配線とがそれぞれ接続されることで、前記電子部品側電極と前記外部基板側電極とが接続されることが好ましい。
【００１６】
本発明のように、金属の配線と導電材料の配線とを併用することにより、金属の配線により配線抵抗を低く抑えつつ、導電材料の配線により耐食性を高めることができる。これにより、電子部品側電極と外部基板側電極との間においても、電気抵抗を抑えることができ、かつ、接続の信頼性を高めることができる。
【００１７】
また、前記電子部品側電極と前記外部基板側電極とが、前記導電材料からなる配線で接続されることが好ましい。  
このように、電子部品側電極と外部基板側電極との間を接続する配線の材料を導電材料にすることで、当該配線の耐食性を高めることができる。これにより、電極間の接続の信頼性を維持することができる。
【００１８】
また、前記電子部品側電極及び前記外部基板側電極の接続部を除いて、前記第１及び外部基板側電極及び前記配線が形成された領域を覆うように設けられた保護層を更に具備することが好ましい。
【００１９】
このように、上記の各電極や配線を覆う保護層により、当該配線や電極に水分等が浸入するのを抑えることができ、耐食性を高めることができる。これにより、接続の信頼性を確保することができる。
【００２０】
前記導電材料が、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物及びインジウムスズ亜鉛酸化物のうち少なくとも１つであることが好ましい。  
インジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物及びインジウムスズ亜鉛酸化物は、金属よりも高い耐食性を有している。このような材料を導電材料として用いることで、外部基板側電極の耐食性を高めることができ、接続の信頼性を維持することができる。なお、一般的にこれらの導電材料は、金属に比べて電気抵抗が高くなっているが、接続部の面積を一定以上に広くすることで、接続抵抗の増加を緩和することができる。したがって、導電材料を用いても接続抵抗を低く抑えることは可能である。
【００２１】
本発明の別の観点に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に電子部品及び外部基板を実装する電気光学装置の製造方法であって、少なくとも表面にモリブデン及びモリブデンを含む金属の層が形成され前記電子部品の実装面に設けられる端子に電気的に接続される電子部品側電極を前記基板上に形成する工程と、前記基板上に、前記モリブデンよりも耐食性の高い導電材料によって、前記外部基板の実装面に設けられる第２端子に電気的に接続される外部基板側電極を形成する工程と、少なくとも前記電極上を覆うように窒化シリコンからなる保護層を形成する工程と、前記電極のうち前記端子と接続させる部分を覆うように設けられた前記保護層を、前記モリブデン及びモリブデンを含む金属をエッチングしないようにウエットエッチングする工程とを具備することを特徴とする。
【００２２】
電子部品側電極に保護層を形成し、接続部の保護層を除去するようエッチングする工程では、過度のエッチングを避ける必要がある。つまり、保護層のみならず電子部品側電極をエッチングしてしまうような事態を避ける必要がある。本発明によれば、窒化シリコンからなる保護層をエッチングし、モリブデン及びモリブデンを含む金属をエッチングしないようにウエットエッチングすることとしたので、かかる事態を避けることができる。
【００２３】
また、前記ウエットエッチングする工程では、前記保護層のエッチングにバッファードフッ酸が用いられることが好ましい。  
例えば、保護層として窒化シリコンを用い、電子部品側電極の表面にモリブデンを用いた場合に、窒化シリコンをドライエッチングしようとすると、その下のモリブデンも侵食されてしまう。しかし、本発明のように、バッファードフッ酸でウエットエッチングすることにより、窒化シリコンからなる保護層のみをエッチングすることができ、モリブデンの層をエッチングしてしまうようなことは無い。
【００２４】
本発明の別の観点に係る電子機器は、上記の電気光学装置又は上記の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置を搭載したことを特徴とする。  
本発明では、基板上に形成される配線の接続抵抗を抑えつつも、接続の信頼性を高めることができる電気光学装置を搭載することで、表示特性の良好な電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の第１実施形態を図面に基づき説明する。  
図１は、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成を示す斜視図である。  
液晶装置１は、液晶パネル２、この液晶パネル２に接続され電源等の回路や液晶パネル２に接続する端子等が形成されたフレキシブル基板３を有する。必要に応じて、図示しないバックライト等の照明装置やケース体が取り付けられる。
【００２６】
この液晶装置１は、例えばスイッチング素子としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成されたアクティブマトリクス型構造となっており、当該液晶装置１を駆動する駆動ドライバが直接基板に実装されるＣＯＧ方式により構成される。なお、スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）を用いても良いし、駆動ドライバが例えばフレキシブル基板に実装されたＣＯＦ方式により構成しても構わない。また、液晶装置１がパッシブマトリクス型構造であっても勿論構わない。
【００２７】
液晶パネル２は、配線基板４とカラーフィルタ基板５とが、シール材（本図では示さず）によって貼り合わされると共に、両基板４及び５とシール材によって囲まれた表示領域６に電気光学材料としての液晶が封入された構成となっている。液晶パネル２の外側、すなわち、配線基板４の外側表面及びカラーフィルタ基板５の外側表面には、それぞれ入射光を偏光させる偏光板や、干渉色を補償するための位相差板等が適宜貼着される（図示は省略）。
【００２８】
配線基板４は、ガラスや石英、プラスチック等の透明あるいは光透過性の高い材料からなる。配線基板４には、内側の面、すなわち液晶を保持する面に、走査線７やデータ線８等の配線が引き回されている。走査線７は、主に配線基板４の表示領域６にＹ方向に沿って形成され、そのまま表示領域６外に引き回される。データ線８は、表示領域６にＸ方向に沿って形成され、配線基板４の両端部分から表示領域６外に引き回される。走査線７とデータ線８との各交点には、スイッチング素子として、例えば図示しないＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が設けられる。
【００２９】
カラーフィルタ基板５は、配線基板４と同様に、ガラスや石英、プラスチック等の透明あるいは光透過性の高い材料から形成される。カラーフィルタ基板５には、表示領域６の各画素（ピクセル）ごとに、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の３色のカラーフィルタ（図示せず）がそれぞれ１つずつ形成される。
【００３０】
配線基板４は、カラーフィルタ基板５から張り出した領域（以下、「張出領域」という。）４ａを有している。この張出領域４ａには、液晶パネル２を駆動するための駆動ドライバ９及びこの駆動ドライバ９に電気信号を伝えるフレキシブル基板３が、例えば異方性導電膜（以下、「ＡＣＦ」という。）１０を介して実装されている。
【００３１】
駆動ドライバ９は、電源からの入力信号に基づき、液晶パネル２を駆動する駆動信号を出力する。表示領域６から引き回された走査線７及びデータ線８は、この駆動ドライバ９の出力側に電気的に接続される。駆動ドライバ９の入力側には、電源からの入力信号を伝える配線１１が接続される。
【００３２】
図２は、液晶装置１の張出領域４ａの様子、特にドライバ下及び張出領域４ａの端部の様子を示す平面図である。  
駆動ドライバ９のドライバ下の領域には、出力側（図の上側）に、走査線７及びデータ線８に接続される出力電極１２（１２ａ及び１２ｂ）が設けられる。出力電極１２ａが走査線７に接続され、出力電極１２ｂがデータ線８に接続される。また、入力側（図の下側）に、配線１１に接続される電子部品側電極としての入力電極１３が設けられる。入力電極１３は、各電極の接続面の面積Ｓ１が、約２０００μｍ２〜３０００μｍ２となっている。
【００３３】
張出領域４の端部４ｂには、外部基板側電極としての端部電極２０が複数設けられる。端部電極２０は、フレキシブル基板３の端子に電気的に接続され、入力信号を電源から駆動ドライバ９に伝達するためのものである。配線基板４の張出領域４ａ上では、配線１１を介して駆動ドライバ９に接続されている。また、端部電極２０は、各電極の接続面の面積Ｓ２が、約５００００μｍ２〜１０００００μｍ２となっており、入力電極の接続面の面積Ｓ１に比べて、１７〜５０倍程度になっている。
【００３４】
図３は、図２におけるＡ−Ａ断面図であり、液晶装置１の張出領域４ａの様子をドライバ下及び端部４ｂの様子も含めて示している。  
駆動ドライバ９は、実装面９ａの出力側（図の右側）にバンプ電極９ｂ、入力側（図の左側）に第１端子としてのバンプ電極９ｃを有している。ＡＣＦ１０は、導電粒子が混入された樹脂として、樹脂１０ａと、この樹脂１０ａに混入された導電粒子１０ｂとからなる。樹脂１０ａは、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなる。導電粒子１０ｂは、表面が例えば銀、金、銅、ニッケル等の金属でメッキされて形成され、バンプ電極９ｂ、９ｃと出力電極１２、入力電極１３との間に挟まれることで、各電極を電気的に接続する。
【００３５】
バンプ電極９ｂ、９ｃと出力電極１２、入力電極１３との間に挟まれる樹脂としては、導電性を有する樹脂又は導電粒子が混入された樹脂のうちどちらの樹脂を用いても良く、本実施形態では導電粒子が混入された樹脂（ＡＣＦ１０）を用いている。しかし、導電粒子が混入されておらず樹脂自体に導電性がある樹脂を用いても一向に構わない。
【００３６】
出力電極１２及び入力電極１３は、例えばモリブデンとアルミニウムの２層構造になっている。例えば、上層がモリブデン層１２ａ及び１３ａ、下層がアルミニウム層１２ｂ及び１３ｂとなっている。出力電極１２に接続される走査線７やデータ線８、入力電極１３に接続される配線１１についても同様にモリブデン層とアルミニウム層との２層構造になっている。
【００３７】
また、出力電極１２及び入力電極１３の導電粒子１０ｂと接している接続部１２ｃ、３ｃには、金属（この場合はモリブデン層１３ａ）が露出している。この露出した金属部分を介して駆動ドライバ９のバンプ電極９ｂ及び９ｃに電気的に接続される構成となっている。
【００３８】
金属は、例えばＩＴＯやＩＺＯ等の他の導電材料と比べて電気抵抗が低いため、当該金属を介して電気的に接続させることで、出力電極１２、入力電極１３とバンプ電極９ｂ、９ｃとの接続抵抗を低減することができる。出力電極１２、入力電極１３は接触面積が小さいバンプ電極９ｂ、９ｃとの接続になるので、電気抵抗の低い材料で構成する利点が大きい。
【００３９】
一方、金属からなる電極は、水分を含んだ雰囲気下では当該電極に印加される電圧の作用によっていわゆる電食を引き起こしてしまうという面もある。接続部が電食されると接続の信頼性を損ねることになる。しかし、駆動ドライバ９のドライバ下は、例えばシリコンで形成された駆動ドライバ９自身が水分の浸入を防いでいる。よって、この場所で接続部にモリブデン層１２ａ、１３ａを露出させても電食される可能性が低く、接続の信頼性を維持することができる。
【００４０】
フレキシブル基板３は、実装面３ａに第２端子としての接続端子３ｂを有している。接続端子３ｂと端部電極２０との間に導電粒子１０ｂを挟むことで、当該接続端子３ｂと端部電極２０とが電気的に接続される。
【００４１】
接続端子３ｂは、例えば銅等の金属からなる。端部電極２０は、上層が透明層２０ａ、中層がモリブデン層２０ｂ、下層がアルミニウム層２０ｃの３層構造になっている。モリブデン層２０ｂ及びアルミニウム層２０ｃの構造は、上述した配線１１や出力電極１２、入力電極１３等と同様の構造になっている。このように、配線・電極の構造を同様にしたのは、配線及び電極を形成する工程で纏めて作ることができるからである。
【００４２】
透明層２０ａは、例えばＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）からなる透明電極である。このような透明電極を構成する材料には、ＩＺＯの他に、例えばＩＴＯやＩＴＺＯ等が挙げられる。上層として、このうちのいずれを材料として用いても良く、２種類以上の材料を組み合わせて用いても勿論構わない。
【００４３】
この透明層２０ａの表面は、導電粒子１０ｂを介して接続端子３ｂに電気的に接続する接続部２０ｄであり、モリブデン層２０ｂが露出しないように、当該モリブデン層２０ｂの表面を覆うように形成されている。
【００４４】
ＩＺＯやＩＴＯ、ＩＴＺＯ等の導電材料からなる電極は、一般に金属からなる電極よりも電食されにくい。例えばモリブデンやアルミニウムからなる電極が１Ｖ〜２Ｖの電圧を印加すると電食されるのに対して、ＩＴＯからなる電極は５Ｖ、ＩＺＯからなる電極は９Ｖ程度の電圧が印加されるまで電食されない。
【００４５】
このことから、電極の特性についてモリブデンやアルミニウム等の金属からなる電極とＩＺＯやＩＴＯ、ＩＴＺＯ等の導電材料からなる電極とを比較してみると、金属からなる電極は導電材料からなる電極よりも、接続抵抗が低い点では優れているが、耐食性（耐電食性）が低い点で劣っており、ＩＺＯやＩＴＯ、ＩＴＺＯ等の導電材料からなる電極は金属からなる電極よりも、接続抵抗が高い点では劣っているが、耐食性が高い点で優れていることがわかる。
【００４６】
各接続部１３ｃ及び２０ｄを除いて、上述した電極や配線の上、例えば出力電極１２上（接続部は除く）、入力電極１３上、出力電極１２と入力電極１３との間（ドライバ下の領域）、配線１１上、端部電極２０上等に、これらを覆うようにパシベーション膜２１が形成される。パシベーション膜２１は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮ）やシリコン酸化物（ＳｉＯ２）等からなる透明な薄膜である。
【００４７】
また、フレキシブル基板３と駆動ドライバ９との間、駆動ドライバ９とカラーフィルタ基板５との間を埋めるように、モールド樹脂２２が設けられる。モールド樹脂２２は、例えばシリコーン等からなる。接続部１３ｃや接続部２０ｄは、ＡＣＦ１０及びモールド樹脂２２で２重に覆われることになる。これにより、当該接続部１３ｃ、２０ｄに水分が浸入しにくくなり、特にフレキシブル基板３側の接続部２０ｄにおいては、水分の浸入を妨げることで端部電極２０の電食を予防することができる。
【００４８】
次に、このように構成された液晶装置１の製造工程について説明する。  
図４は、液晶装置１の製造工程を示すフローチャートである。本実施形態では、大面積のマザー基板を用いて複数の液晶装置を一括して形成し、切断によって個々の液晶装置１に分離する方法を例に挙げて説明する。
【００４９】
ＳＴ１からＳＴ５までの工程により、カラーフィルタが設けられたカラーフィルタ側マザー基板が形成され、ＳＴ１１からＳＴ１６まで工程によって配線や例えばアクティブマトリクス型の液晶装置であればスイッチング素子等が設けられた配線側マザー基板が形成される。なお、配線側マザー基板は、配線基板４となる複数の矩形の表示領域６を含む大判の基板であり、カラーフィルタ側マザー基板は、カラーフィルタ基板５となる複数の矩形の表示領域６を含む大判の基板である。
【００５０】
まず、カラーフィルタ側マザー基板の形成工程（ＳＴ１〜ＳＴ６）について簡単に説明する。ガラスやプラスチック等の透光性材料からなる大判の基材の各表示領域６に液晶装置複数分のカラーフィルタを形成し、図示しない電極や配線等を形成し、平坦化膜を形成する（ＳＴ１）。
【００５１】
次に、当該基材の表面にギャップ制御用の図示しないスペーサ及び隔壁を形成する（ＳＴ２）。スペーサは、各表示領域６に形成する。  
この基材に形成された配線やカラーフィルタを覆うように配向膜を形成し（ＳＴ３）、この配向膜に対してラビング処理を実行する（ＳＴ４）。配向膜は、例えばポリイミドを塗布又は印刷することによって形成することができる。
【００５２】
各表示領域６の周縁部には、当該表示領域６を囲むようにエポキシ樹脂等からなるシール材を矩形枠状に形成する（ＳＴ５）。このシール材は、ディスペンサ等を用いて設計された位置に正確に形成する。シール材は表示領域６の角部を開始点として一筆書きで閉環状に形成される。
【００５３】
そして、シール材で囲まれた表示領域６に液晶を塗布する（ＳＴ６）。例えば液晶滴下装置内にカラーフィルタ側マザー基板を配置させ、液滴吐出ヘッドから液晶を液滴状にして吐出し、これを基板表面に連続的に多数配置することによって所定の広さを持った液膜を形成する。
【００５４】
次に、配線側マザー基板の形成工程（ＳＴ１１〜ＳＴ１６）について簡単に説明する。
カラーフィルタ側マザー基板の場合と同様に、ガラスやプラスチック等の透光性材料からなる大判の基材の各表示領域６に走査線７、データ線８等を形成し、例えば張出部分４ａとなる部分には、出力電極１２、入力電極１３、配線１１及び端部電極２０等を形成する（ＳＴ１１）。これら走査線７やデータ線８については、例えば基材の表面全体にＩＴＯ等の透光性導電膜をスパッタし、これをエッチングすることによって、各表示領域６に対して一括的に形成することができる。また、出力電極１２、入力電極１３、配線１１及び端部電極２０については、まず、モリブデン層１２ａ、１３ａ、１１ａ、２０ｂとアルミニウム層１２ｂ、１３ｂ、１１ｂ、２０ｃとを一の工程でまとめて形成する。
【００５５】
次に、走査線７やデータ線８等が形成された表示領域６や、出力電極１２、入力電極１３、配線１１及び端部電極２０が形成された領域に、パシベーション膜２１を形成する（ＳＴ１２）。
【００５６】
次に、図５に示すように、このパシベーション膜２１のうち、接続部１２ｃ、１３ｃ及び接続部２０ｄの部分をエッチングにより除去する（ＳＴ１３）。この工程では、バッファードフッ酸２５を用いてウエットエッチングする。ドライエッチングだと、エッチングの際に用いられるフッ酸ガスによってパシベーション膜２１の下層のモリブデン層までもが除去されてしまうからである。
【００５７】
次に、エッチングによりモリブデン層２０ｂが露出された接続部２０ｄを覆うように透明層２０ａを形成する（ＳＴ１４）。  
透明層２０ａを形成したら、各表示領域６内にポリイミド等からなる配向膜を形成し（ＳＴ１５）、この配向膜に対してラビング処理を実行する（ＳＴ１６）。
【００５８】
次に、カラーフィルタ側マザー基板と配線側マザー基板とを貼り合わせる（ＳＴ２１）。両基板を近接させ、配線側マザー基板がカラーフィルタ側マザー基板上のシール材２３に接着させるようにする。その後、配線基板４及びカラーフィルタ基板５にスクライブ線を形成し、当該スクライブ線に沿って液晶パネルを切断し（ＳＴ２２）、各液晶パネルの洗浄を行い（ＳＴ２３）、各液晶パネルの外側表面に偏光板を貼着（ＳＴ２４）する。
【００５９】
次に、各液晶パネル２にＡＣＦ１０を介して駆動ドライバ９を実装する（ＳＴ２５）。まず、駆動ドライバ９のバンプ９ｂ及び９ｃと、出力電極１２及び入力電極１３との位置合わせをする。位置が合ったところで、パシベーション膜２１の上にＡＣＦ１０を載置する。次に、駆動ドライバ９を熱を加えながら圧着して、導電粒子１０ｂをバンプ９ｂ、９ｃと出力電極１２、入力電極１３との間に挟持させる。
【００６０】
次に、各液晶パネル２にＡＣＦ１０を介してフレキシブル基板３を実装する（ＳＴ２６）。駆動ドライバ９の実装と同様に、接続端子３ｂと端部電極２０との位置合わせをし、ＡＣＦ１０を端部電極２０上に載置し、ＡＣＦ１０に熱を加えながら圧着して、導電粒子１０ｂを接続端子３ｂ及び端部電極２０の間に挟持させる。
【００６１】
この状態からＡＣＦ１０を冷却させ、フレキシブル基板３と駆動ドライバ９との間、また、駆動ドライバ９とカラーフィルタ基板５との間にモールド樹脂２３を形成する（ＳＴ２７）。そして、必要に応じてバックライトや偏光板等を取り付けて、液晶装置１が完成する。
【００６２】
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、駆動ドライバ９の実装部分は、例えばシリコン等からなる駆動ドライバ９自身が外気に含まれる水分の浸入を防いでいるのに対して、例えばポリイミドからなるフレキシブル基板３は、自身で水分の浸入を防ぐことができず、外気に含まれる水分を接続部まで浸入させてしまう。
【００６３】
このため、図６（ａ）に示すように、端部電極２０が金属部分を介して接続端子３ｂに電気的に接続される場合、当該金属は電食により腐食されてしまう。電極がこのように腐食されると、接続の信頼性が損なわれる。一方、図６（ｂ）に示すように、金属よりも耐食性の高い導電材料、例えばＩＺＯやＩＴＯ、ＩＴＺＯ等の導電材料で接続部を構成することで、接続部が電食されにくくなるので、接続の信頼性を確保することができるのである。
【００６４】
このように、本実施形態によれば、出力電極１２及び入力電極１３の接続部１２ｃ及び１３ｃを電気抵抗の低い金属の一種であるモリブデンからなることとしたので、接続抵抗の低減を図ることができる。また、端部電極２０の接続部を金属よりも耐食性の高いＩＺＯからなることとしたので、フレキシブル基板３から水分が浸入した場合であっても、端部電極２０が電食等により腐食されるのを抑えることができる。これにより、接続抵抗を抑えると同時に、接続性の信頼を高めることができる。なお、端部電極２０は、入力電極１３と比べて面積が大きい（約１７倍〜５０倍）ため、端部電極２０と接続端子３ｂとの間の接続については、金属とＩＺＯやＩＴＯ、ＩＴＺＯ等の導電材料との材質の違いによる接続抵抗の影響はほとんど無い。
【００６５】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。  
図７は、携帯電話３００の全体構成を示す斜視図である。  
携帯電話３００は、筺体３０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部３０２、画像や動画、文字等を表示する表示部３０３を有する。表示部３０３には、本発明に係る液晶装置１が搭載される。
【００６６】
このように、配線基板４上に形成される電極の接続抵抗を抑えつつも、接続の信頼性を維持することができる液晶装置１を搭載したので、表示特性の良好な電子機器を得ることができる。
【００６７】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、図８に示すように、入力電極１３の接続部１３ｃのみモリブデン層１３ａを露出させるようにし、出力電極１２の接続部１２ｃについては、例えばＩＺＯやＩＴＯ等の透明層１２ｄで覆うようにしても良い。
【００６８】
駆動ドライバ９からの出力信号は、バンプ電極９ｂと出力電極１２との接続抵抗の影響をそれほど受けずに、ある程度接続抵抗が高くても、信号を伝達することが可能である。一方で、電源から駆動ドライバ９への入力信号は、電気抵抗の影響を強く受けるため、少なくとも入力電極１３とバンプ電極９ｃとの電気的接続については、接続抵抗ができるだけ低いことが望まれる。
【００６９】
したがって、このように入力電極１３の接続部１３ｃのみモリブデン層１３ａを露出させるようにすることで、入力信号の信頼性を確保することができる。また、出力電極１２については、例えばモリブデンよりも耐電食性が高いＩＺＯ等の導電材料を接続部１２ｃの表面に形成することで、電食を防止することができ、接続の信頼性を確保することができる。
【００７０】
また、例えば、図９に示すように、入力電極１３の２層構造の間に、例えばＩＺＯやＩＴＯ、ＩＴＺＯ等の耐電食性が高い導電材料からなる透明層１３ｄを挿入することも可能である。
【００７１】
耐電食性が高い導電材料がモリブデン層１３ａとアルミニウム層１３ｂとの間に挿入されているため、入力電極１３の耐電食性を高く維持することができると共に、表面にはモリブデン層１３ａが露出しているので、入力電極１３とバンプ電極９ｃとの接続抵抗を低く抑えることができる。
【００７２】
また、例えば、図１０に示すように、端部電極２０の構成について、透明層２０ａ、モリブデン層２０ｂ、アルミニウム層２０ｃの３層構造であったのを、透明層２０ａを１層だけの構成にすることも可能である。また、端部電極２０から入力電極１３に接続される配線１１の途中までをＩＺＯやＩＴＯ、ＩＴＺＯ等の導電材料の層１層で形成し、途中から入力電極１３までをモリブデン層１１ａ、アルミニウム層１１ｂの２層に形成することも可能である。
【００７３】
端部電極２０を透明層２０ａの１層だけに形成することで、モリブデン層２０ｂ及びアルミニウム層２０ｃを形成する手間を省くことができるし、これらの金属の層を設けなくとも端部電極２０と接続端子３ｂとの接続抵抗を必要範囲内に抑えることができるからである。
【００７４】
また、配線１１の材料として、導電材料と金属とを併用することで、金属の部分では配線抵抗を低く抑えることができ、導電材料の部分では耐食性を高めることができる。これにより、配線１１においても、電気抵抗を抑えることができ、かつ、接続の信頼性を高めることができる。
【００７５】
さらに、図１１に示すように、また、端部電極２０から入力電極１３に接続される配線１１を総てＩＺＯやＩＴＯ、ＩＴＺＯ等の導電材料の層１層で形成することも可能である。このように、配線１１の材料を導電材料にすることで、当該配線１１の耐食性を高めることができる。これにより、端部電極２０と入力電極１３の間の接続の信頼性を維持することができる。
【００７６】
また、同図に示すように、入力電極１３の接続部のみに金属（例えば、モリブデン）の層を形成し、残りの部分をＩＺＯやＩＴＯ、ＩＴＺＯ等の導電材料で形成するようにしても構わない。これにより、端部電極２０、配線１１及び入力電極１３の一部を一度に形成することができる。また、端部電極２０、配線１１及び入力電極１３にかけて耐電食性を高めることができると同時に、入力電極１３の接続部１３ｃにおいては接続抵抗を低く抑えることができる。
【００７７】
また、上記各実施形態において、例えば入力電極１３を金属（モリブデン等）とし、出力電極１２については、例えばＩＺＯやＩＴＯ、ＩＴＺＯ等の透明な導電材料で形成しても勿論構わない。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る液晶装置の張出領域を示す平面図である。
【図３】液晶装置の張出領域を示す断面図である。
【図４】液晶装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図５】液晶装置の製造工程の一部であるエッチング工程を示す図である。
【図６】金属電極が腐食される様子及び腐食を逃れる様子を示す図である。
【図７】液晶装置が搭載された携帯電話を示す図である。
【図８】本実施形態の変形（その１）を示す図である。
【図９】本実施形態の変形（その２）を示す図である。
【図１０】本実施形態の変形（その３）を示す図である。
【図１１】本実施形態の変形（その４）を示す図である。
【符号の説明】
【００７９】
１…液晶装置  ２…液晶パネル  ３…フレキシブル基板  ３ａ…実装面  ３ｂ…接続端子  ４…配線基板  ４ａ…張出領域  ４ｂ…端部  ６…表示領域  ９…駆動ドライバ  ９ａ…実装面  ９ｂ、９ｃ…バンプ電極  １０…ＡＣＦ  １０ａ…樹脂  １０ｂ…導電粒子１１…配線  １１ａ…モリブデン層  １１ｂ…アルミニウム層  １２…出力電極  １２ａ…モリブデン層  １２ｂ…アルミニウム層  １２ｃ…接続部  １３…入力電極  １３ａ…モリブデン層  １３ｂ…アルミニウム層  １３ｃ…接続部  １３ｄ…透明層  ２０…端部電極  ２０ａ…透明層  ２０ｂ…モリブデン層  ２０ｃ…アルミニウム層  ２０ｄ…接続部  ２１…パシベーション膜  ２２…モールド樹脂  ３００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2006072085.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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