(57)【要約】【課題】  シンチレ−タセンサーパネルが交換可能な放射線検出装置を提供すること。【解決手段】  基板上に１次元又は２次元状に配置される複数の光電変換素子を有する光電変換部と、前記基板の外周部に配置される電極取り出し部を有するセンサーパネルと、前記光電変換部上配置され、且つ、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体からなるシンチレータパネルとを有する放射線検出装置であって、シンチレ−タセンサーパネルが交換可能な機構を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に１次元又は２次元状に配置される複数の光電変換素子を有する光電変換部と、前記基板の外周部に配置される電極取り出し部を有するセンサーパネルと、前記光電変換部上配置され、且つ、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体からなるシンチレータパネルとを有する放射線検出装置において、前記シンチレ−タセンサーパネルが交換可能な機構を有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
基板上に１次元又は２次元状に配置される複数の光電変換素子を有する光電変換部と、前記基板の外周部に配置される電極取り出し部を有するセンサーパネルと、前記光電変換部上配置され、且つ、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体を有する蛍光体からなるシンチレータパネルと、シンチレータパネルとセンサーパネル面間を減圧密着させる機構を有する保護樹脂層が形成されていることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項３】
該センサーパネル表面が、剥離層が接着層と樹からなることを特徴とする請求項１、又は請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
該シンチレータパネル表面が、剥離層が接着層となることを特徴とする請求項１、又は請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
該センサーパネルと該シンチレータパネルとの間にマッチングオイルが充填されていることを特徴とする請求項１、又は請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
該シンチレーターは、柱状構造結晶体、粉体からなる層であることを特徴とする請求項１、又は請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項７】
該シンチレーターは、沃化セシウム化合物、または酸化硫化ガドリニウム化合物からなる層であることを特徴とする請求項１、又は請求項２に記載の放射線検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられるシンチレータパネル、放射線検出装置、その製造方法、および放射線撮像システムに関し、特に、Ｘ線撮影等に用いられるシンチレータパネル、放射線検出装置および放射線撮像システムに関する。なお、本明細書においては、放射線の範疇に、Ｘ線、γ線などの電磁波も含むものとして説明する。
【背景技術】
【０００２】
従来、Ｘ線蛍光体層が内部に備えられた蛍光スクリーンと両面塗布剤とを有するＸ線フィルムシステムが一般的にＸ線写真撮影に使用されてきた。しかし、最近、Ｘ線蛍光体層と２次元光検出器とを有するデジタル放射線検出装置の画像特性が良好であること、また、データーがデジタルデーターであるためネットワーク化したコンピュータシステムに取り込むことによってデーターの共有化が図られる利点があることから、デジタル放射線検出装置について盛んに研究開発が行われ、種々の特許出願も行われている。
【０００３】
これらデジタル放射線検出装置の中でも、高感度で高鮮鋭な装置として、特許文献１、特許文献４に開示されているように、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）等の電気素子が２次元に配置されている光電変換素子部からなる光検出器上に放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するための蛍光体層を形成した支持板を張り合わせてなる放射線検出装置が知られている。また、特許文献２、特許文献３に開示されているように、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ等の電気素子が２次元に配置されている光電変換素子部からなる光検出器上に放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するための蛍光体層を直接形成してなる放射線検出装置が知られている。
【０００４】
図１０は従来の放射線検出装置を示す断面図である。図１０中、１０１はガラス基板、１０３はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部、１０２は配線部、１０４は電極取り出し部（電極パッド部）、２０３は窒化シリコン等よりなる第１の保護層を示し、２０２は有機膜よりなる第２の保護層を示す。（第２の保護層は必要に応じて形成される。）これら要素によってセンサーパネル１００が構成される。センサーパネル１００上には、光電変換素子部１０３に対応するように蛍光体層が形成されている。さらに、蛍光体層上と前記光電変換層上に保護膜が形成されている。
【０００５】
図１１は他の従来の放射線検出装置を示す断面図である。図１１中、１０１はガラス基板、１０３はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部、１０２は配線部、１０４は電極取り出し部（電極パッド部）、２０３は窒化シリコン等よりなる第１の保護層を示し、２０２は有機膜よりなる第２の保護層を示す。（第２の保護層は必要に応じて形成される。）これら要素によってセンサーパネル１００が構成される。センサーパネル１００上には、光電変換素子部１０３に対応するように蛍光体支持基板２０１に形成された蛍光体層２０４が張り合わされている。
【０００６】
なお、図９は、従来例の放射線検出装置を使った診断システムの構成を表す図である。
【特許文献１】特許第２６０９４９６号公報
【特許文献２】特許第２６８０２２８号公報
【特許文献３】特許第３０２９８７３号公報
【特許文献４】特開２０００−９８４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
これら従来例においては、(1)蛍光体層は光電変換素子上に形成された保護膜上に直接形成される。
【０００８】
(2)または、蛍光体支持基板上に形成された保護膜上に蛍光体層を形成し、蛍光体層を防湿保護層で覆ったのちに光電変換素子に対応するように蛍光体層を貼り合せて形成されている。(3)または、光電変換素子に対応するように形成された蛍光体層を配置したのち周辺部を密閉して固着して形成されている。
【０００９】
特に近年、放射線検出装置においては各種用途に対応可能な装置を提供できるようになってきている。旧来の増感紙をもちいたフィルムシステムにおいては、被写体部位によってもっとも高品位な画像を得るために増感紙の種類を選択し、増感紙を交換して画像を得ていた。しかしながら、光電変換素子を用いた上記従来例においては、蛍光体層をセンサーパネルに直接形成する場合でも、また、蛍光体層を支持基板に形成してのちセンサーパネルに貼り合せる場合でも、一度、形成した蛍光体は固定化され、用途に応じて最適な蛍光体層を選択することができなかった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
基板上に１次元又は２次元状に配置される複数の光電変換素子を有する光電変換部と、前記基板の外周部に配置される電極取り出し部を有するセンサーパネルと、前記光電変換部上配置され、且つ、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体からなるシンチレータパネルとを有する放射線検出装置において、前記シンチレ−タセンサーパネルが交換可能な機構を有する構成とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、以下の効果がある。
【００１２】
（１）光体層が交換可能な機構を有するので、被写体に対して最適な蛍光体層を選択することが可能になる。従って、最小被曝線量で高品位な画像を撮影することが可能となる。
【００１３】
（２）蛍光体層が交換可能な機構を有するので、蛍光体層に欠陥が発生した場合には蛍光体を交換すること可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係る放射線検出装置の構成を示す断面図である。図２、図３および図４は、本発明のその他の実施形態に係る放射線検出装置の構成を示す断面図である。図５は、本発明の実施形態に係る放射線検出装置のセンサーパネルの構成を示す断面図である。図６は、本発明の実施形態に係る放射線検出装置のシンチレータパネルの構成を示す断面図である。
【００１６】
図１に示す放射線検出装置において、３０１は筐体、３０２はＯリング、３０３は保護樹脂層である。センサーパネル１００とシンチレータパネル２００は筐体３０１と対向する位置にある保護樹脂層３０３によって密封され、保護樹脂層３０３と筐体３０１によって形成された閉空間内を減圧することによってシンチレータパネル２００とセンサーパネル１００を密着させている。閉空間を形成する層は、図１のように剛性の高い筐体３０１と柔軟性のある保護樹脂層３０３との組み合わせでも良いし、図２のように柔軟性の高い保護樹脂層同士によって形成されても良い。また、図３に示すように、目的で配置されシンチレータパネルと図５に示すセンサーパネルは、１０１はガラス基板、１０３はガラス基板１０１上に２次元状に形成され且つアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる画素に対応する光電変換素子部、１０２はガラス基板１０１上に形成され且つ光電変換素子部１０３に接続される配線部、１０４は配線部１０２に接続される電極取り出し部（電極パッド部）、１０５は光電変換素子部１０３および配線部１０２を覆い且つ窒化シリコン等よりなる保護層（第１の保護層）をそれぞれ示しこれら各要素１０１〜１０５によってセンサーパネル（「２次元光検出器」、「光電変換パネル」等とも呼ぶ）１００が構成される。必要に応じて、保護層１０５上には有機樹脂層からなる第２の保護層１０６が設けられても良い。
【００１７】
本発明で使用されるセンサーパネルの保護層１０５および１０６としては、ＳｉＮやＴｉＯ2 、ＬｉＦ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ等の他、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。保護層は、放射線照射時に蛍光体によって変換された光が通過することから、蛍光体が放出する光の波長において高い透過率を示すものが望ましい。
【００１８】
図６に示すように、蛍光体支持基板２０１上に、反射層保護層２０２および反射層２０３を形成し、反射層の腐食防止のため、再度、反射層保護層２０２を形成したのち、蛍光体層２０４を形成する。反射層保護層は、その必要性に応じて形成すればよく、支持基板上に反射層が直接形成したり、支持基板が反射層を兼ねるような構成であってもよい。また反射層保護層が反射層を挟み込むように反射層の両面に保護層が形成されても良い。
【００１９】
このようなシンチレータパネルを有する放射線検出装置において、蛍光体支持基板２０１としては、放射線検出装置用蛍光体パネルの支持基板として一般的に用いられている材料、Ａｌ、ガラス溶融石英、アモルファスカーボン基板、アモルファスカーボン含有基板、ポリイミド樹脂等の耐熱樹脂基板を挙げることができる。アモルファスカーボンはガラスやＡｌに比べ、Ｘ線の吸収量が少なくより多くのＸ線を蛍光体層に透過することができるため支持基板に大変適した材料である。
【００２０】
特に上記のような剛性の高い支持基板に形成する蛍光体としては、アルカリハライド：付活剤が好適に用いられ、ＣｓＩ：Ｔｌの他に、ＣｓＩ：Ｎａ，ＮａＩ：Ｔｌ，ＬｉＩ：Ｅｕ，ＫＩ：Ｔｌ等を用いることができる。蛍光体層２０４全体を覆う保護層２０５は、防湿保護の目的で設けられているものであって該目的にかなうものであればいずれの材料でもよいが、耐湿性の高いポリパラキシリレン等のＣＶＤ膜を用いるのが望ましい。
【００２１】
図７に示すように他のシンチレータパネルとしては、蛍光体基板２０１に蛍光体２０４を形成し、蛍光体保護層２０６を貼り合せただけの構成でもよい。蛍光体基板は、Ｘ線吸収の小さい材料であれば使用でき、樹脂フィルム、例えばポリエステルフィルム、塩化ビニルフィルム、ポリカーボネートフィルム等、もしくはガラス等の無機基板等、もしくはアルミニウム等の金属が使用できる。
【００２２】
蛍光体層２０１は、例えば以下のように作製される。まずＣａＷＯ4、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、ＢａＳＯ４：Ｐｂ等の蛍光体材料からなる蛍光体粒子に透明樹脂、溶剤及び必要に応じて分散剤、消泡剤等の添加剤を加え混合し、蛍光体塗布液を作製する。ここで、蛍光体塗布液に混合されている有機材料としては、コーティング又はスクリーン印刷で使われている有機材料が使用でき、バインダー樹脂としては、ニトロセルロース、酢酸セルロース、エチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリエステル、塩化ビニル、酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリウレタン等の樹脂もしくは、これら樹脂のモノマーが使用できる。さらに、有機溶剤としては、例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、酢酸ブチル、酢酸エチル等のエステル類、トルエン、キシレン等の環状炭化水素類、ブチルカルビトール、テルピネオール等の有機溶剤及び水が使用できる。
【００２３】
シンチレータパネルは、図８に示すように蛍光体２０４が蛍光体保護層２０５に覆われただけの簡素な構成であってもよい。蛍光体２０４としては上記蛍光体全てを使用することができる。
【００２４】
図３に本発明の放射線検出装置を示した。放射線検出装置は蛍光体層の上にさらに接着層１１３を介して蛍光体より発する光の反射と防湿と目的とする蛍光体防湿保護層１１４が形成される。防湿保護層は外部からの水分の浸入を防止し、かつ蛍光を反射する材料が望ましく、透湿率が低いことから特に金属材料が望ましく、具体的には、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＡｕ等の反射率の高い金属が望ましい。さらに、防湿保護膜には剛性保護目的で樹脂層を積層することが望ましい。放射線検出装置においては、センサーパネルをセンサーパネル１００の電極取り出し部１０４には、検出用集積回路ＩＣが実装されたフレキシブル回路基板の端子部が異方導電性接着剤（接続部）を介して貼り合わされる。
【００２５】
＜間接＞
図２は、本発明の他の実施例の放射線検出装置の要部を示す断面図である。図４は、本発明の他の実施例の放射検出装置のセンサーパネル全体を含む断面図である。
【００２６】
図２および図４に示す放射線検出装置において、１０１はガラス基板、１０３はガラス基板１０１上に２次元に形成され且つアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる画素に対応する光電変換素子部、１０２はガラス基板１０１上に形成され且つ光電変換素子部１０３に接続される配線部、１０４は配線部１０２に接続される電極取り出し部（電極パッド部）、１０５は光電変換素子部１０３および配線部１０２を覆い且つ窒化シリコン等よりなる保護層（第１の保護層）をそれぞれ示しこれら各要素１０１〜１０５によってセンサーパネル（「２次元光検出器」、「光電変換パネル」等とも呼ぶ）１００が構成される。必要に応じて、保護層１０５上には有機樹脂層からなる第２の保護層１０６が設けられても良い。
【００２７】
剥離層１１０の蛍光体層１１２を形成する表面は、蛍光体層との密着向上させるための処理をすることが望ましい。表面処理方法は一般的に知られている処理方法を用いることができ、コロナ処理、プラズマ処理、ＵＶ照射処理等の表面改質があげられる。
【００２８】
形成した蛍光体に欠陥が確認された場合、蛍光体支持基板を再生して使用するために、図５に示すように剥離層を蛍光体支持基板に形成された保護層（位置ａ）から剥離し、蛍光体と剥離層を同時に除去する。蛍光体および剥離層が除去された蛍光体支持基板面は蛍光体の残渣の付着がない。前記蛍光体支持基板に再び剥離層１１０を設けて蒸着することにより蛍光体支持基板を再度使用することが可能となる。
【００２９】
図４に本発明の他の実施例の放射線検出装置を示した。図２に示したシンチレータパネル２１０の蛍光体層１１２上に保護層１１８を形成し、該保護層を介してセンサーパネルの光電変換素子上に接着層２０３で張り合わせる。張り合わされたシンチレータパネル端部は必要に応じて防湿および剛性支持を目的とする封止層２０４を設ける。
【００３０】
また、放射線検出装置においては、センサーパネルをセンサーパネル１００の電極取り出し部１０４には、検出用集積回路ＩＣが実装されたフレキシブル回路基板の端子部が異方導電性接着剤（接続部）を介して貼り合わされる。
【００３１】
２次元光検出器として、ガラス基板上にアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴから成る光電変換素子部を形成した場合について説明したが、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサ等を２次元状に配置した撮像素子を形成した半導体単結晶基板上に下地層、蛍光体層を配置することで放射線検出装置を構成することができる。
【実施例１】
【００３２】
図１に示すように、センサーパネル１００を形成し、そのセンサーパネル上に剥離層および蛍光体層を形成した。具体的には、ガラス基板１０１上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上にフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部（光検出素子（画素））１０３および配線部１０２を形成し、その上にＳｉＮＸからなる保護膜（第１の保護層）１０５と電極取り出し部１０４とを形成した。
【００３３】
さらに蛍光体剥離層１１０として、シリコーン系粘着材がポリイミドに積層されたカプトンフィルムテープＮｏ．５４１９（住友３Ｍ社製）をセンサーパネル１００上の光電変換素子部（光検出素子（画素））１０３に対応する位置に貼り付けた。
【００３４】
次に前記剥離層１１０上にプラズマ処理を施した。プラズマ処理は、大気圧プラズマ洗浄装置（松下電工マシンアンドビジョン社製）を用い、反応管幅７５ｍｍ  被照射距離５ｍｍ  操作速度７５ｍｍ  出力０．８ｋｗにて操作した。
【００３５】
次に、上記パネル蛍光体下地層の画素領域に対応する位置にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を蒸着して蛍光体層１１２を得た。
【００３６】
次に、蛍光体層を形成したセンサーパネルの全面にアクリル系粘着剤  ５０μｍ／Ａｌ  ４０μｍ／ＰＥＴ  ５０μｍからなる蛍光体防湿保護層１１４を形成して蛍光体の形成されたセンサーパネルを得た。さらに、センサーパネル１００上の電極取り出し部１０４に、異方導電性接着剤３を介してフレキシブル回路基板の端子部を熱圧着して、放射線検出装置を得た。
【実施例２】
【００３７】
図２に示すように、シンチレータパネル１１０を作成し、図４に示すように、さらにセンサーパネル上にシンチレータパネルを張り合わせた。具体的には、ガラス基板１０１上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上にフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部（光検出素子（画素））１０３および配線部１０２を形成し、その上にＳｉＮＸからなる保護膜（第１の保護層）１０５と電極取り出し部１０４とを形成した。蛍光体支持基板としてアモルファスカーボン基板厚さ1ｍｍ上に、反射層保護層、反射層、剥離層を順次積層した。反射層保護層としてはポリイミド樹脂４μｍ、また反射層にはＡｌ３０００Åを形成した。
【００３８】
次に、剥離層１１０として、アクリル系粘着材がポリイミドに積層されたカプトンフィルムテープＮｏ．５５６３（住友３Ｍ社製）をセンサーパネル１００上の光電変換素子部（光検出素子（画素））１０３に対応する位置に貼り付けた。
【００３９】
次に前記剥離層１１０上にプラズマ処理を施した。プラズマ処理は、大気圧プラズマ洗浄装置（松下電工マシンアンドビジョン社製）を用い、反応管幅７５ｍｍ  被照射距離５ｍｍ  操作速度７５ｍｍ  出力０．８ｋｗにて操作した。
【００４０】
次に上記剥離層上にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を蒸着して蛍光体層１１２を得た。
【００４１】
さらに、蛍光体保護層としてポリパラキシリレン膜を熱ＣＶＤによって１５μｍ形成してシンチレータパネル１１０を得た。
【００４２】
次に、センサーパネル１１０の画素領域上にシンチレータパネル１１０をアクリル系粘着剤を介して張り合わせ、さらに、センサーパネル１００上の電極取り出し部１０４に、異方導電性接着剤３を介してフレキシブル回路基板の端子部を熱圧着して、放射線検出装置を得た。
【００４３】
上記実施例１，２で得られた放射線検出装置について、蛍光体欠陥の発生を調べたところ蛍光体下地層の欠陥が原因となって発生したものはなかった。また耐久性を調査するために、温度６０度、湿度９０％の環境で１０００時間放置した。放置後に放射線検出装置にたいしＸ線を照射して画像を取得し、得られた画像から蛍光体剥がれや破損による欠陥画像の有無を観察したところ、実施例１，２のいずれにも欠陥は検出されなかった。
【実施例３】
【００４４】
＜直接剥離＞
実施例１と同様にセンサーパネルおよび剥離層を形成した。
【００４５】
次に、上記パネル剥離層の画素領域に対応する位置にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を蒸着して蛍光体層１１２を得た。
【００４６】
得られた蛍光体に規格をこえる欠陥が発生していたので、蛍光体ごと剥離層をはがして蛍光体および剥離層を除去した。除去は剥離層を端部から接着層とセンサーパネルの界面から引き剥がした。
【００４７】
蛍光体層および剥離層を除去したセンサーパネルに、再度、剥離層を形成し、上記パネルの剥離層の画素領域に対応する位置にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を蒸着して蛍光体層１１２を得た。
【００４８】
次に、蛍光体層を形成したセンサーパネルの全面にアクリル系粘着剤  ５０μｍ／Ａｌ  ４０μｍ／ＰＥＴ  ５０μｍからなる蛍光体防湿保護層１１４を形成して蛍光体の形成されたセンサーパネルを得た。さらに、センサーパネル１００上の電極取り出し部１０４に、異方導電性接着剤３を介してフレキシブル回路基板の端子部を熱圧着して、放射線検出装置を得た。
【実施例４】
【００４９】
＜剥離間接タイプ＞
実施例２と同様にセンサーパネルを作成した。
【００５０】
さらに、実施例２と同様にして、蛍光体支持基板としてアモルファスカーボン基板  厚さ1ｍｍ上に、反射層保護層、反射層、剥離層を順次積層した。
【００５１】
次に上記剥離層上にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を蒸着して蛍光体層１１２を得た。
【００５２】
得られた蛍光体に規格をこえる欠陥が発生していたので、蛍光体ごと剥離層をはがして蛍光体および剥離層を除去した。除去は剥離層を端部から接着層とセンサーパネルの界面から引き剥がした。
【００５３】
蛍光体層および剥離層を除去した蛍光体支持基板の反射層上に、再度、剥離層を形成し、上記パネルの剥離層の画素領域に対応する位置にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を蒸着して蛍光体層１１２を得た。
【００５４】
さらに、蛍光体保護層としてポリパラキシリレン膜を熱ＣＶＤによって１５μｍ形成してシンチレータパネル１１０を得た。
【００５５】
次に、センサーパネル１１０の画素領域上にシンチレータパネル１１０をアクリル系粘着剤を介して張り合わせ、さらに、センサーパネル１００上の電極取り出し部１０４に、異方導電性接着剤３を介してフレキシブル回路基板の端子部を熱圧着して、放射線検出装置を得た。
【００５６】
上記実施例３，４で得られた放射線検出装置について、蛍光体欠陥の発生を調べたところ蛍光体下地層の欠陥が原因となって発生したものはなかった。また耐久性を調査するために、温度６０度、湿度９０％の環境で１０００時間放置した。放置後に放射線検出装置にたいしＸ線を照射して画像を取得し、得られた画像から蛍光体剥がれや破損による欠陥画像の有無を観察したところ、実施例３，４のいずれにも欠陥は検出されず、実施例１，２と同等の特性が得られた。
【００５７】
（比較例１）
＜通常直接タイプ＞
実施例１と同様にして、センサーパネル１００を形成し、そのセンサーパネル上に剥離層を形成した。具体的には、ガラス基板１０１上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上にフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部（光検出素子（画素））１０３および配線部１０２を形成し、その上にＳｉＮＸからなる保護膜（第１の保護層）１０５とさらにポリイミド樹脂よりなる保護層（第２の保護層）１０６と、電極取り出し部１０４とを形成した。次に、上記パネル蛍光体下地層の画素領域に対応する位置にＣｓＩ：Ｔｌを蒸着して蛍光体層１１２を得た。
【００５８】
（比較例２）
＜通常間接タイプ＞
実施例２と同様に蛍光体支持基板としてアモルファスカーボン基板  厚さ1ｍｍ上に、反射層保護層、反射層、剥離層を順次積層した。反射層保護層としてはポリイミド樹脂４μｍ、また反射層にはＡｌ３０００Åを形成した。
【００５９】
次に上記剥離層上にＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）を蒸着して蛍光体層１１２を得た。
【００６０】
比較例１，２は形成した蛍光体層に規格以上の欠陥が発生しても蛍光体を除去して被着体を再生することができない。
【００６１】
（産業上の利用可能性）
以上説明したように、本発明は、医療用のＸ線センサ等に応用することが可能であるが、無破壊検査等のそれ以外の用途に応用した場合にも有効である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施形態に係る放射線検出装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明のその他の実施形態に係る放射線検出装置の構成を示す断面図である。
【図３】本発明のその他の実施形態に係る放射線検出装置の構成を示す断面図である。
【図４】本発明のその他の実施形態に係る放射線検出装置の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る放射線検出装置のセンサーパネルの構成を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る放射線検出装置のシンチレータパネルの構成を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る放射線検出装置の、他のシンチレータパネルの構成を示す断面図である。
【図８】本発明の応用例に係る放射線撮影システムの構成を示す概念図である。
【図９】従来例の放射線検出装置を示す断面図である。
【図１０】従来の放射線検出装置を示す断面図である。
【図１１】他の従来の放射線検出装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１００  センサーパネル
１０１  ガラス基板
１０２  配線部
１０３  光電変換素子部
１０４  電極取り出し部（電極パッド部）
１０５  保護層（第１の保護層）
１０６  保護層（第２の保護層）
２００  シンチレータパネル
２０１  蛍光体支持基板
２０２  反射層保護層
２０３  反射層
２０４  蛍光体層
２０５  防湿保護層
２０６  蛍光体保護層
３０１  筐体
３０２  Ｏリング
３０３  保護樹脂層
３０４  保護板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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