(57)【要約】【課題】製造工程が簡単で、かつ下層を用いることなく突起部を形成できるガラス原盤、ガラス原盤の製造方法、光ディスク基板、光ディスク基板の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板１上にフォトレジスト２を塗布した後、レーザ光を照射して露光及び現像を行って、両端に突起部を有するフォトレストパターン７を形成して作製されるガラス原盤の製造方法において、フォトレジスト２は、厚さが２０〜２００ｎｍ、ガラス転移点温度が６０〜１５０℃、露光波長２００〜３００ｎｍにおけるＢ値が４．０μｍ-1〜６．５μｍ-1であり、前記レーザ光は、波長が２００〜３００ｎｍである。【選択図】      図１
2006202424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上にフォトレジストを塗布した後、レーザ光を照射して露光及び現像を行って、両端に突起部を有するフォトレストパターンを形成して作製されるガラス原盤の製造方法において、
前記フォトレジストは、厚さが２０〜２００ｎｍ、ガラス転移点温度が６０〜１５０℃、露光波長２００〜３００ｎｍにおけるＢ値が４．０μｍ-1〜６．５μｍ-1であり、前記レーザ光は、波長が２００〜３００ｎｍであることを特徴とするガラス原盤の製造方法。
【請求項２】
ガラス基板上に両端に突起部を有し、厚さが２０〜２００ｎｍ、ガラス転移点温度が６０〜１５０℃、露光波長２００〜３００ｎｍにおけるＢ値が４．０μｍ-1〜６．５μｍ-1であるフォトレジストパターンが形成されたことを特徴とするガラス原盤。
【請求項３】
光ディスクに用いられる光ディスク基板の製造方法において、
ガラス基板上に厚さが２０〜２００ｎｍ、ガラス転移点温度が６０〜１５０℃、露光波長２００〜３００ｎｍにおけるＢ値が４．０μｍ-1〜６．５μｍ-1であるフォトレジストを塗布した後、波長が２００〜３００ｎｍであるレーザ光を照射して露光及び現像を行って、両端に突起部を有するフォトレジストパターンを形成したガラス原盤を作製した後、前記ガラス原盤の前記フォトレジストパターン上にＮｉ層を形成してスタンパを作製し、次に、前記スタンパを用いて樹脂成型を行って、ランドの両端にグルーブに沿った突起部を有する光ディスク基板の製造方法。
【請求項４】
ランドの両端にグルーブに沿った突起部が形成されていることを特徴とする光ディスク基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス原盤、ガラス原盤の製造方法、光ディスク基板、光ディスク基板の製造方法に係り、クロストークの減少と狭トラックピッチ化したときのジッタの信号特性の向上に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報記録媒体の記録容量の増加の要求に対応するため光ディスクのトラックピッチを狭める必要がある。また、記録容量を上げる方法としてグルーブとランドの両方に記録がなされるランドグルーブ記録がなされている。このランドグルーブ記録では、隣接するグルーブとランドに記録したマークが近いために書き込み消去時にクロストークを生じるといった問題を生じていた。このクロストークを低減する方法が特開２００３−２２３７４３号公報に記載されている。
【０００３】
即ち、ガラス基板上に水溶性樹脂を塗布して下層を形成した後、フォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンをマスクとして波長が３２０ｎｍ以下の紫外線を照射して前記下層をエッチングし、３０〜５０℃の純水でエッチングを行った後、前記フォトレジストパターンを剥離する。こうして、前記下層の両端エッジ部に突起部を有した溝パターンを形成してガラス原盤を作製する。前記ガラス原盤の溝パターン上に厚さ５０ｎｍのＮｉ膜をスパッタリングした後、電鋳法により厚さ３００ｎｍのＮｉ層を積層し、前記ガラス基板からＮｉ層を剥離して、Ｎｉスタンパを作製する。
この後、Ｎｉスタンパを用いて射出成型により光ディスク基板を作製する。こうして、ランドとグルーブの両方に記録するときの熱が隣接するグルーブやランドに伝達することを防止でき、クロストークを低減することができる。
【特許文献１】特開２００３−２２３７４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、水溶性樹脂からなる下層を用いる必要があることや複数回のエッチングを行なう必要があることなど製造工程が複雑であった。
そこで、本発明は、前述の課題に鑑みて提案されるものであって、製造工程が簡単で、かつ下層を用いることなく突起部を形成できるガラス原盤、ガラス原盤の製造方法、光ディスク基板、光ディスク基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願発明の第１の発明は、ガラス基板上にフォトレジストを塗布した後、レーザ光を照射して露光及び現像を行って、両端に突起部を有するフォトレストパターンを形成して作製されるガラス原盤の製造方法において、前記フォトレジストは、厚さが２０〜２００ｎｍ、ガラス転移点温度が６０〜１５０℃であり、さらに、光学的パラメータであるＢ値が、露光波長２００〜３００ｎｍにおいて、４．０μｍ-1〜６．５μｍ-1であることを特徴とするガラス原盤の製造方法を提供する。
第２の発明は、ガラス基板に両端に突起部を有し、厚さが２０〜２００ｎｍ、ガラス転移点温度が６０〜１５０℃、露光波長２００〜３００ｎｍにおけるＢ値が４．０μｍ-1〜６．５μｍ-1であるフォトレジストパターンが形成されたことを特徴とするガラス原盤を提供する。
第３の発明は、光ディスクに用いられる光ディスク基板の製造方法において、ガラス基板上に厚さが２０〜２００ｎｍ、ガラス転移点温度が６０〜１５０℃、露光波長２００〜３００ｎｍにおけるＢ値が４．０μｍ-1〜６．５μｍ-1であるフォトレジストを塗布した後、波長が２００〜３００ｎｍであるレーザ光を照射して露光及び現像を行って、両端に突起部を有するフォトレジストパターンを形成したガラス原盤を作製した後、前記ガラス原盤の前記フォトレジストパターン上にＮｉ層を形成してスタンパを作製し、次に、前記スタンパを用いて樹脂成型を行って、ランドの両端にグルーブに沿った突起部を有する光ディスク基板の製造方法を提供する。
第４の発明は、ランドの両端にグルーブに沿った突起部が形成されていることを特徴とする光ディスク基板を提供する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、ガラス基板上にフォトレジストを塗布した後、レーザ光を照射して露光及び現像を行って、両端に突起部を有するフォトレストパターンを形成して作製されるガラス原盤の製造方法において、前記フォトレジストは、厚さが２０〜２００ｎｍ、ガラス転移点温度が６０〜１５０℃、波長２００〜３００ｎｍにおけるＢ値が４．０μｍ-1〜６．５μｍ-1であるので、製造工程が簡単で、かつ下層を用いることなく突起部を形成できる。このガラス原盤を用いることにより、クロストークを生じない記録マークが得られる光ディスクを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明に係るガラス原盤、ガラス原盤の製造方法、光ディスク基板、光ディスク基板の製造方法の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明に係るガラス原盤の製造方法を示す図であり、（Ａ）は、（ブランクマスタ作製工程）を示す断面図、（Ｂ）は、（突起部形成工程）を示す断面図、（Ｃ）は、（ガラス原盤作製工程）を示す断面図である。図２は、光ディスク基板の製造方法を示す図であり、（Ａ）は、（Ｎｉ膜形成工程）を示す図で、（Ｂ）は、（Ｎｉ層形成工程）を示す図、（Ｃ）は、（スタンパ作製工程）を示す図、（Ｄ）は、（樹脂成型工程）を示す図、（Ｅ）は、（光ディスク基板作製工程）を示す図である。図３は、光ディスクを示す断面図である。
【０００８】
（ブランクマスタ作製工程）
図１（Ａ）に示すように、ガラス基板１上にフォトレジスト２を塗布してブランクマスタ３を作製する。ここで用いられるフォトレジスト２は、ノボラック型フォトレジストであり、かつガラス転移点温度が６０℃〜１５０℃であり、厚さが２０ｎｍ〜２００ｎｍ、露光波長２００〜３００ｎｍにおけるＢ値が４．０μｍ-1〜６．５μｍ-1である。
【０００９】
（突起部形成工程）
次に、図１（Ｂ）に示すように、波長が２００ｎｍ〜３００ｎｍであるレーザ光を対物レンズ４でフォトレジスト２に集光させた状態でガラス基板１を回転させながら、前記レーザ光により断続的又は連続的にフォトレジスト２に露光して、ピット及びグルーブの潜像５をスパイラル状に形成する。この際、潜像５に隣接するフォトレジスト２の両端には突起部６が形成される。
【００１０】
この突起部６が形成するために、フォトレジスト２のガラス転移点温度を６０℃〜１５０℃、その厚さを２０ｎｍ〜２００ｎｍ、Ｂ値を４．０μｍ-1〜６．５μｍ-1にすることに関して以下に詳細に説明する。
この突起部６は、フォトレジスト２がレーザ光の熱による熱変形により生じるものである。
【００１１】
フォトレジスト２のガラス転移点温度が６０℃未満の場合は柔か過ぎてフォトレジストパターンの大きさにバラツキを生じ、１５０℃を超える場合には硬すぎて熱変形を生じない。また、その厚さが２０ｎｍ未満である場合には、ガラス転移点温度が上記範囲を満たしたとしてもフォトレジストパターンが体積的に不足することにより熱変形しない。２００ｎｍを超える場合には、フォトレジスト２の透明性の不足によりフォトジストパターンを形成することができない。
【００１２】
更に、フォトレジストのＢ値は４．０μｍ-1〜６．５μｍ-1である必要がある。Ｂ値とは、フォトレジスト２の単位深さ当たりのベースレジン及び分解物の光学濃度であり（１）式により表される。
Ｂ＝−（１／ｄ）ＩｎＴ（∞）…（１）
ここで、Ｔ（∞）はフォトレジスト完全分解時透過率であり、ｄはフォトレジストの厚さである、
【００１３】
このＢ値が４．０μｍ-1以下の場合には、フォトレジスト２の透明性が高すぎて熱変形が乏しくなり所望の高さの突起部６を形成することができない。また、６．５μｍ-1を超える場合には、フォトレジスト２の透明性が低すぎてフォトレジストパターンが形成することができない。
【００１４】
（ガラス原盤作製工程）
図１（Ｃ）に示すように、アルカリ溶液により現像処理をおこなってピット及びグルーブとなるフォトレジストパターン７を形成してガラス原盤８を作製する。
【００１５】
（Ｎｉ膜形成工程）
図２（Ａ）に示すように、ガラス原盤８のフォトレジストパターン７側にスパッタ法或いは無電解メッキ法によりＮｉの導電性膜９を形成する。
【００１６】
（スタンパ作製工程）
図２（Ｂ）に示すように、陰極を導電性膜９、陽極をＮｉ金属として、スルファミン酸ニッケル溶液中で通電させることによってガラス原盤８の導電性膜９上にＮｉ層１０を析出させる。この後、図２（Ｃ）に示すように、ガラス原盤８からＮｉ層１０を剥離してピット及びグルーブが形成されたスタンパ１１を作製する。
【００１７】
（樹脂成型工程）
図２（Ｄ）に示すように、スタンパ１１のピット及びグルーブが形成された側に射出成型により樹脂１２を形成する。
【００１８】
（光ディスク基板作製工程）
図２（Ｅ）に示すように、樹脂１２を剥離してランド１３Ａの両端にはグルーブ１３Ｂに沿った突起部１３Ｃが形成された光ディスク基板１３を作製する。
【００１９】
図３に示すように、光ディスク基板１３上に第1誘電体層１４、記録層１５、第２誘電体層１６、反射層１７、保護層１８を順次形成することによって光ディスク１９を作製できる。
このようにすることによって、ランド１３Ａとグルーブ１３Ｂの両方に記録するときの熱が隣接するグルーブ１３Ｂやランド１３Ａに伝達することを防ぐことができ、ランド１３Ａとグルーブ１３Ｂに安定した記録マークを記録できると共にクロストークを低減することができる。
【００２０】
以上のように、本発明の実施の形態によれば、ガラス基板１上に厚さ２０ｎｍ〜２００ｎｍでガラス転移点温度が６０℃〜１５０℃、露光波長２００〜３００ｎｍにおけるＢ値が４．０μｍ-1〜６．５μｍ-1であるフォトレジスト２を塗布した後、波長が２００ｎｍ〜３００ｎｍのレーザ光を用いて、フォトレジスト２を露光・現像を行って両端に突起部６を有したフォトレジストパターン７を形成してガラス原盤８を作製するので、従来例に比較して下層の形成が不要であるため、製造工程を簡単化できる。また、レーザ光を上記条件に基づいて照射するだけであるので、エッチングに比較すると面内分布がなく安定した形状の突起部６を得ることができる。
【００２１】
そして、光ディスク基板１３もガラス原盤８を用いて作製されるので、光ディスク基板１３のランド１３Ａの両端にもグルーブ１３Ｂに沿った突起部１３Ｃを形成することができる。
更に、この光ディスク基板１を用いて作製された光ディスク１８には、クロストークを生じることなく、ランド或いはグルーブに記録マークを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係るガラス原盤の製造方法を示す図であり、（Ａ）は、（ブランクマスタ作製工程）を示す断面図、（Ｂ）は、（突起部形成工程）を示す断面図、（Ｃ）は、（ガラス原盤作製工程）を示す断面図である。
【図２】光ディスク基板の製造方法を示す図であり、（Ａ）は、（Ｎｉ膜形成工程）を示す図で、（Ｂ）は、（Ｎｉ層形成工程）を示す図、（Ｃ）は、（スタンパ作製工程）を示す図、（Ｄ）は、（樹脂成型工程）を示す図、（Ｅ）は、（光ディスク基板作製工程）を示す図である。
【図３】光ディスクを示す断面図である。
【符号の説明】
【００２３】
１…ガラス基板、２…フォトレジスト、３…ブランクマスタ、４…対物レンズ、５…潜像、６…突起部、７…フォトレジストパターン、８…ガラス原盤、９…導電性膜、１０…Ｎｉ層、１１…スタンパ、１２…樹脂、１３…光ディスク基板、１３Ａ…ランド、１３Ｂ…グルーブ、１３Ｃ…突起部、１４…第１誘電体層、１５…記録層、１６…第２誘電体層、１７…反射層、１８…保護層、１９…光ディスク
【図１】
2006202424.tif 000003
【図２】
2006202424.tif 000004
【図３】
2006202424.tif 000005