(57)【要約】【課題】ＰＤＰとして機能する構成要素を形成した前面側と背面側の基板を、これらの基板および構成要素への水分の付着が防止される温度以上で保持したまま対向させて、前面側の基板と背面側の基板の周辺を封着することにより、基板表面への不純物の物理吸着をなくして、パネル内に封入する放電ガスの汚染を防止する。【解決手段】プラズマディスプレイパネルとして機能する構成要素を形成した前面側と背面側の基板を、これらの基板および構成要素への水分の付着が防止される温度以上で保持し、保持した前面側と背面側の基板を対向させて周辺を封着する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルとして機能する構成要素を形成した前面側と背面側の基板を、これらの基板および構成要素への水分の付着が防止される温度以上で保持し、保持した前面側と背面側の基板を対向させて周辺を封着することからなるプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
背面側の基板にプラズマディスプレイパネルとして機能する構成要素が形成された後、背面側の基板の周辺に封着用のシール材を塗布して仮焼成する工程をさらに備え、背面側の基板が、その仮焼成の工程に引き続いて基板および構成要素への水分の付着が防止される温度以上で保持される請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前面側の基板にプラズマディスプレイパネルとして機能する構成要素が形成された後、前面側の基板が、その構成要素の形成工程に引き続いて基板および構成要素への水分の付着が防止される温度以上で保持される請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記基板および構成要素への水分の付着が防止される温度が約８０℃である請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記基板および構成要素への水分の付着が防止される温度が約１５０℃である請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
構成要素が形成された前面側の基板と背面側の基板は、これらの基板および構成要素への水分の付着が防止される温度以上で、かつ両基板の温度差が１０℃以下で保持されて周辺が封着される請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前面側の基板および背面側の基板を搬送する搬送経路にヒーターまたは温風機構を備え、搬送経路を基板および構成要素への水分の付着が防止される温度以上に保持することからなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の製造方法で製造されたプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」と記す）の製造方法に関し、さらに詳しくは、パネル内に封入する放電ガスの汚染防止を図ることで高い性能のＰＤＰを得るようにしたＰＤＰの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＰＤＰとして、ＡＣ型３電極面放電形式のＰＤＰが知られている。このＰＤＰは、前面側（表示面側）の基板の内面に面放電が可能な表示電極を水平方向に多数設け、背面側の基板の内面に発光セル選択用のアドレス電極を表示電極と交差する方向に多数設け、表示電極とアドレス電極との交差部をセルとするものである。
【０００３】
前面側の基板の表示電極は誘電体層で覆われ、その上にたとえばＭｇＯのような保護膜が形成されている。背面側の基板のアドレス電極も誘電体層で覆われ、アドレス電極とアドレス電極との間には隔壁が形成され、隔壁間には蛍光体層が形成されている。
【０００４】
ＰＤＰは、このように作製した前面側の基板と背面側の基板とを対向させて周辺を封止した後、内部に放電ガスを封入することにより製造されている。
【０００５】
このＰＤＰの製造に際しては、たとえば前面側の基板に蒸着法で表示電極を形成し、低融点ガラスペーストを塗布して焼成することにより誘電体層を形成し、蒸着法で保護膜を形成し、これにより前面側の基板を製造し、保持しておく。
【０００６】
また、これと並行して、背面側の基板に蒸着法でアドレス電極を形成し、低融点ガラスペーストを塗布して焼成することにより誘電体層を形成し、隔壁材料層を成形して焼成することで隔壁を形成し、蛍光体ペーストを塗布して焼成することで蛍光体層を形成し、これにより背面側の基板を製造し、保持しておく。
【０００７】
そして、背面側または前面側の基板の周囲に、低融点ガラスにバインダー樹脂を混入したペースト状のシール材を塗布し（一般的には背面側にシール材を塗布する）、仮焼成してシール材に含まれる樹脂成分を除去した後、背面側の基板に前面側の基板を対面させ、シール材の融着温度まで加熱することで、背面側の基板と前面側の基板とを封着するようにしている。
【０００８】
この場合、前面側の基板は、保護膜を形成した後、常温大気雰囲気で保持されている。背面側の基板は、シール材の塗布後、４００〜６００℃の温度で仮焼成される。そして、その後、背面側の基板と前面側の基板とが封着される。
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−２３１１２９号
【特許文献２】特開２０００−１５６１６０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、誘電体層、隔壁、及び蛍光体層や、ＭｇＯのような保護膜は、形成後の常温大気雰囲気保管により、大気中の水素、水、窒素、及び有機物質等の様々なガスを吸着してしまう。この吸着された不純物ガスは封着工程で脱離するため、封着後にパネル内に封入された放電ガスを汚染し、結果として放電電圧上昇等のパネル特性異常を引き起こす。
【００１１】
なお、上記のような放電ガスの汚染を防止するために、保護膜の形成から基板の封着までの工程を、乾燥雰囲気中で連続的に行うものが知られている（特許文献１参照）。
【００１２】
また、保護膜の形成から基板の封着までの工程を、真空中で連続的に行うものも知られている（特許文献２参照）。
【００１３】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、ＰＤＰとして機能する構成要素を形成した前面側と背面側の基板を、これらの基板および構成要素への水分の付着が防止される温度以上で保持したまま対向させて、前面側の基板と背面側の基板の周辺を封着することにより、基板表面への不純物の物理吸着をなくして、パネル内に封入する放電ガスの汚染を防止するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、プラズマディスプレイパネルとして機能する構成要素を形成した前面側と背面側の基板を、これらの基板および構成要素への水分の付着が防止される温度以上で保持し、保持した前面側と背面側の基板を対向させて周辺を封着することからなるプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
（１）放電ガスの汚染がなくなることで、保護膜表層の変質を防止できるため、基板の放置による放電電圧の変動が防止される。
（２）放電ガスの汚染がなくなることで、保護膜の電子放出特性を安定化できるため、初期パネル特性としてのマージンが拡がる。
（３）放電ガスの汚染がなくなることで、保護膜の電子放出特性を安定化できるため、放電電圧安定化処理（エージング）時間が短縮される。
（４）パネル内の構成要素の一つであるである蛍光体は、水分との化学反応により発光効率が低下するが、本発明により放電ガスを汚染する水分を低減できるため、蛍光体層の劣化が防止される。
（５）パネル内の構成要素に吸着される水分を低減できるため、パネル内の不純物ガスを排出するための排気処理時間が短縮される。
（６）封着前の加熱工程の熱量をそのまま封着に利用できるため、省エネルギーとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明において、前面側と背面側の基板としては、ガラス、石英、セラミックス等の基板が含まれる。プラズマディスプレイパネルとして機能する構成要素としては、電極、誘電体層、保護膜、隔壁、蛍光体層等が挙げられる。
【００１７】
電極は、当該分野で公知の各種の材料と方法を用いて形成することができる。電極に用いられる材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ2などの透明な導電性材料や、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどの金属の導電性材料が挙げられる。電極の形成方法としては、当該分野で公知の各種の方法を適用することができる。たとえば、印刷などの厚膜形成技術を用いて形成してもよいし、物理的堆積法または化学的堆積法からなる薄膜形成技術を用いて形成してもよい。厚膜形成技術としては、スクリーン印刷法などが挙げられる。薄膜形成技術の内、物理的堆積法としては、蒸着法やスパッタ法などが挙げられる。化学的堆積方法としては、熱ＣＶＤ法や光ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法などが挙げられる。
【００１８】
誘電体層は、低融点ガラスフリットとバインダー樹脂からなる低融点ガラスペーストを、基板にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することで形成することができる。低融点ガラスとしては、酸化シリコン、ホウケイ酸ガラス、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化鉛等のガラス材を適用することができる。またプラズマＣＶＤ法により成膜したＳｉＯ2等も適用できる。
【００１９】
保護膜は、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層を保護するためのものである。保護膜は、ＭｇＯやＳｉＯ2を用いて、薄膜形成プロセスで形成することができる。この保護膜は、電子ビーム蒸着法やスパッタ法のような、当該分野で公知の薄膜形成プロセスによって形成してもよい。
【００２０】
隔壁は、サンドブラスト法、印刷法、フォトエッチング法等によりストライプ状又はメッシュ状に形成することができる。例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒等からなるガラスペーストを誘電体層上に塗布して乾燥させた後、そのガラスペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹きつけて、マスクの開口に露出したガラスペースト層を切削し、さらに焼成することにより形成することができる。また、フォトエッチング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー樹脂に感光性の樹脂を使用し、マスクを用いた露光及び現像の後、焼成することにより形成することができる。
【００２１】
蛍光体層は、蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストを隔壁間の凹溝状の放電空間内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色毎に繰り返した後、焼成することにより形成することができる。この蛍光体層は、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料（いわゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この場合、所望の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを各色毎に繰り返すことで、対応する隔壁間に各色の蛍光体層を形成することができる。
【００２２】
上記製造方法においては、背面側の基板にプラズマディスプレイパネルとして機能する構成要素が形成された後、背面側の基板の周辺に封着用のシール材を塗布して仮焼成する工程をさらに備えることが望ましい。その場合、背面側の基板は、その仮焼成の工程に引き続いて基板および構成要素への水分の付着が防止される温度以上で保持されることが望ましい。
【００２３】
前面側の基板にプラズマディスプレイパネルとして機能する構成要素が形成された後、前面側の基板は、その構成要素の形成工程に引き続いて基板および構成要素への水分の付着が防止される温度以上で保持されることが望ましい。
【００２４】
基板および構成要素への水分の付着が防止される温度は、約８０℃以上であることが好ましいが、より好ましくは約１５０℃以上である。
【００２５】
構成要素が形成された前面側の基板と背面側の基板は、これらの基板および構成要素への水分の付着が防止される温度以上で、かつ両基板の温度差が１０℃以下で保持されて周辺が封着されることが望ましい。
【００２６】
本発明は、また、上記製造方法のいずれかで製造されたプラズマディスプレイパネルである。
【００２７】
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を詳述する。なお、本発明はこれによって限定されるものではなく、各種の変形が可能である。
【００２８】
図１（ａ）および図１（ｂ）は本発明の製造方法により製造されたＰＤＰの構成を示す説明図である。このＰＤＰはカラー表示用のＡＣ型３電極面放電形式のＰＤＰである。図１（ａ）はＰＤＰ全体を示し、図１（ｂ）はＰＤＰの部分分解斜視図である。
【００２９】
ＰＤＰ１０は、ＰＤＰとして機能する構成要素が形成された前面側の基板１１と背面側の基板２１から構成されている。前面側の基板１１と背面側の基板２１としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板等を使用することができる。
【００３０】
前面側の基板１１の内側面には、水平方向に対となる表示電極Ｘ，Ｙが放電の発生しない間隔（非放電ギャップ）を置いて形成されている。表示電極Ｘと表示電極Ｙとの間が表示ラインＬとなる。各表示電極Ｘ，Ｙは、ＩＴＯ、ＳｎＯ2などの幅の広い透明電極１２と、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる金属製の幅の狭いバス電極１３から構成されている。表示電極Ｘ，Ｙは、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００３１】
表示電極Ｘ，Ｙの上には、表示電極Ｘ，Ｙを覆うように交流（ＡＣ）駆動用の誘電体層１７が形成されている。誘電体層１７は、低融点ガラスペーストを、前面側の基板１１上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより形成している。
【００３２】
誘電体層１７の上には、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層１７を保護するための保護膜１８が形成されている。この保護膜はＭｇＯで形成されている。
【００３３】
背面側の基板２１の内側面には、平面的にみて表示電極Ｘ，Ｙと交差する方向に複数のアドレス電極Ａが形成され、そのアドレス電極Ａを覆って誘電体層２４が形成されている。アドレス電極Ａは、Ｙ電極との交差部で発光セルを選択するためのアドレス放電を発生させるものであり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造で形成されている。このアドレス電極Ａは、その他に、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等で形成することもできる。アドレス電極Ａも、表示電極Ｘ，Ｙと同様に、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。誘電体層２４は、誘電体層１７と同じ材料、同じ方法を用いて形成することができる。
【００３４】
隣接するアドレス電極Ａとアドレス電極Ａとの間の誘電体層２４上には、複数のストライプ状の隔壁２９が形成されている。隔壁２９は、サンドブラスト法、印刷法、フォトエッチング法等により形成することができる。例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒等からなるガラスペーストを誘電体層２４上に塗布して乾燥させた後、そのガラスペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹きつけて、マスクの開口に露出したガラスペースト層を切削し、さらに焼成することにより形成する。また、フォトエッチング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー樹脂に感光性の樹脂を使用し、マスクを用いた露光及び現像の後、焼成することにより形成する。
【００３５】
隔壁２９の側面及び隔壁間の誘電体層２４上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが形成されている。蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストを隔壁２９間の凹溝状の放電空間内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色毎に繰り返した後、焼成することにより形成している。この蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料（いわゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この場合、所望の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを各色毎に繰り返すことで、対応する隔壁間に各色の蛍光体層を形成することができる。
【００３６】
ＰＤＰは、このような構成要素を形成した前面側の基板１１と背面側の基板２１とを、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが交差するように対向配置し、周囲を封止し、隔壁２９で囲まれた放電空間３０に放電ガスを充填することにより作製されている。このＰＤＰでは、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとの交差部の放電空間３０が表示の最小単位である１つのセル領域（単位発光領域）となる。１画素はＲ、Ｇ、Ｂの３つのセルで構成される。
【００３７】
図２はパネル基板の製造から封着までの製造工程を示す説明図である。
前面側の基板の製造工程においては、まず、ガラス製の前面側の基板を投入した後（ステップＳ１）、その基板上に透明電極を形成し（ステップＳ２）、その透明電極上にバス電極を形成し（ステップＳ３）、それらの透明電極とバス電極とからなる表示電極を覆って基板全体に誘電体層を形成し（ステップＳ４）、その誘電体層上に保護膜を形成し（ステップＳ５）、これにより前面側の基板を製造する。
【００３８】
保護膜は、蒸着、スパッタ、印刷などで形成する。保護膜形成の際の温度は１５０〜４００℃である。
【００３９】
背面側の基板の製造工程においては、まず、ガラス製の背面側の基板を投入した後（ステップＳ６）、その基板上にアドレス電極を形成し（ステップＳ７）、そのアドレス電極を覆って基板全体に誘電体層を形成し（ステップＳ８）、その誘電体層上に隔壁を形成し（ステップＳ９）、隔壁間に蛍光体層を形成し（ステップＳ１０）、基板の周囲に封着用のシール材を塗布して仮焼成することで、基板の周囲にシール部を形成し（ステップＳ１１）、これにより背面側の基板を製造する。
【００４０】
シール部は、低融点ガラスにバインダー樹脂を混入した低融点ガラスペーストを基板の周囲に塗布し、これを仮焼成することで形成する。仮焼成の温度は３００〜６００℃である。
【００４１】
その後、背面側の基板に前面側の基板を対向させて、シール材が融着する温度である３５０〜４５０℃まで加熱して、背面側の基板と前面側の基板の周辺を封着する（ステップＳ１２）。
【００４２】
前面側の基板を製造した後は、保護膜の形成工程が終了した時点からパネル封着工程の時点まで、前面側の基板を８０℃以上、望ましくは１５０℃以上の温度で保持する。この温度維持の方法は、たとえば、搬送経路に切れ目なくヒーター（シースヒーター、ランプヒーターなど）を置いたり、温風循環機構を設けたり、前面側の基板の製造工程の現場とパネル封着工程の現場を近接させて配置するなど、各種の方法を適用することができる。
【００４３】
図３は温風循環機構の一例を示す説明図である。
温風循環機構は、例えば、前面側の基板１１または背面側の基板２１の搬送ローラー５１を備える作業室５２に通気路５３を接続し、この通気路５３内にヒーター５４、フィルター５５、温風循環ポンプ５６などを設けた機構とする。
【００４４】
図４は前面側の基板の製造工程を具体的に示す説明図である。
前面側の基板の製造は、まず、前面側の基板１１に透明電極１２を形成し（図４（ａ）参照）、その透明電極１２上にバス電極１３を形成し（図４（ｂ）参照）、それらの透明電極１２とバス電極１３を覆って基板全体に誘電体層１７を形成し（図４（ｃ）参照）、その誘電体層１７上に保護膜１８を形成し（図４（ｄ）参照）、これにより前面側の基板を製造する。
【００４５】
図５は背面側の基板の製造工程を具体的に示す説明図である。
背面側の基板の製造工程においては、まず、背面側の基板２１にアドレス電極Ａを形成し（図５（ａ）参照）、そのアドレス電極Ａを覆って基板全体に誘電体層２４を形成し（図５（ｂ）参照）、その誘電体層２４上に隔壁２９を形成し（図５（ｃ）参照）、隔壁間に蛍光体層を形成し（図５（ｄ）参照）、これにより背面側の基板を製造する。
【００４６】
図６はパネル封着の工程を具体的に示す説明図である。
パネル封着の工程においては、隔壁や蛍光体層のような構成要素を形成した背面側の基板３１の周辺に、低融点ガラスフリットにバインダー樹脂を混入した低融点ガラスペーストからなるシール材を塗布し、これを仮焼成することでシール部３２を形成する。
【００４７】
シール部３２の仮焼成の温度は３００〜６００℃である。そして、背面側の基板３１については、その仮焼成の後、８０℃以上、望ましくは１５０℃以上の温度で保持された状態のものである（図６（ａ）参照）。
【００４８】
そして、背面側の基板３１に対し、位置合わせを行って、表示電極や誘電体層のような構成要素を形成した前面側の基板４１を対面させ、図中矢印Ｐで示す方向に当接させる（図６（ｂ）参照）。
【００４９】
このとき、前面側の基板４１は、１５０〜４００℃の温度で保護膜を形成した後、８０℃以上、望ましくは１５０℃以上の温度で保持された状態のものである。
【００５０】
その後、シール部３２が融着する温度である３５０〜４５０℃まで加熱して、背面側の基板３１と前面側の基板４１の周辺を封着する（図６（ｃ）参照）。
【００５１】
図７は物理吸着水の脱離カーブを示すグラフである。
このグラフにおいて、横軸は、背面側の基板や前面側の基板のような試料の温度（℃）を示し、縦軸は水イオン強度（Ａ）を示している。
【００５２】
このグラフに示すように、物体からの物理吸着水の脱離温度は、７０℃と１００℃付近にピークを持っている。これは物体がその温度以上であれば物理吸着しないことを意味する。
【００５３】
つまり、物体（試料）の温度を上昇させていくと、まず、約７０℃の時点で物理吸着水の脱離がピークとなる。この時点で、試料に吸着している物理吸着水の半分近くが試料から脱離する。そして、さらに試料の温度を上昇させていくと、約１００℃（水の沸点）の時点で、物理吸着水の脱離が２度目のピークとなる。この時点で、試料に吸着している物理吸着水のほとんどが試料から脱離する。
【００５４】
したがって、試料の温度を１５０℃以上に保持しておけば、７０℃と１００℃に脱離のピークを持つ物理吸着水に対して、物理吸着を防止することができる。
【００５５】
また、試料の温度を８０℃以上に保持しておけば、７０℃に脱離のピークを持つ物理吸着水に対して、物理吸着を防止することができる。この場合、１００℃に脱離のピークを持つ物理吸着水に対しては、物理吸着を防止することはできないが、物理吸着水の半分近くの吸着については、防止することができる。したがって、温度を保持するための設備、手間、ランニングコストなどの観点から、いずれかを選択すればよい。
【００５６】
前面側の基板については、保護膜形成工程からパネル封着工程までの経路にヒーターのような保温機構を設けるか、または、工程の配置を考慮して、保護膜形成工程からパネル封着工程までの経路を短くするか、あるいは経路の搬送速度を上昇させて、前面側の基板の温度が保護膜形成時の温度（１５０〜４００℃）から１５０℃以下にならない内に、前面側の基板がパネル封着工程に到着するようにする。
【００５７】
また、背面側の基板についても同様に、シール材の仮焼成工程からパネル封着工程までの経路にヒーターのような保温機構を設けるか、または、工程の配置を考慮して、保護膜形成工程からパネル封着工程までの経路を短くするか、あるいは経路の搬送速度を上昇させて、背面側の基板の温度がシール材の仮焼成温度（３００〜６００℃）から１５０℃以下にならない内に、背面側の基板がパネル封着工程に到着するようにする。
【００５８】
図８はパネル基板を１５０℃で保持した場合の物理吸着水の脱離カーブを示すグラフである。
このグラフは、試料の温度を１５０℃以上に上昇させて水分を脱離した後、大気雰囲気に１５０℃で３０分間放置したサンプルの水分脱離カーブを示している。
【００５９】
この場合、試料からは、試料温度が１５０〜２００℃の間でわずかに物理吸着水が脱離する程度であり、試料にはほとんど物理吸着水が吸着されていない。つまり、試料を１５０℃以上で保持することで、物理吸着水の吸着がほぼ完全に防止されていることがわかる。
【００６０】
このように、パネル基板を１５０℃以上で保持しておけば、大気雰囲気であっても、水分の物理吸着を防止することができる。
【００６１】
前面側の基板と背面側の基板との温度差については、封着する際の基板のアライメント精度を考慮する必要がある。
【００６２】
最も規格の緩い製品である３２インチＶＧＡの場合には、前面側の基板と背面側の基板とのアライメント精度は±５５μｍである。表示領域の長辺の長さを７００ｍｍとし、ガラス基板の熱膨張係数を８５×１０-7／℃とすると、許容できる温度差は、
０．０５５／（７００×８５×１０-7）＝９．２℃
となる。これ以上の温度差があると、±５５μｍのアライメント精度が保てなくなる。
【００６３】
また、最も規格の厳しい製品である５０インチＦｕｌｌ  ＨＤの場合には、前面側の基板と背面側の基板とのアライメント精度は±２０μｍである。表示領域の長辺の長さを１１００ｍｍとし、ガラス基板の熱膨張係数を８５×１０-7／℃とすると、許容できる温度差は
０．０２／（１１００×８５×１０-7）＝２．１℃
となる。これ以上の温度差があると、±２０μｍのアライメント精度が保てなくなる。
【００６４】
したがって、前面側の基板と背面側の基板との温度差は、最も規格の緩い製品である３２インチＶＧＡの場合には、１０℃以下とすることが望ましい。また、最も規格の厳しい製品である５０インチＦｕｌｌ  ＨＤの場合には、３℃以下とすることが望ましい。よって、前面側の基板と背面側の基板との温度差は、１０℃以下、望ましくは３℃以下とする。
【００６５】
このように、前面側の基板と背面側の基板との温度差を１０℃以下、望ましくは３℃以下にして、前面側の基板と背面側の基板を８０℃以上、望ましくは１５０℃以上の温度でそれぞれ保持した状態で封着することにより、パネル内に封入する放電ガスの汚染を防止して、放電電圧上昇等のパネル特性異常の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の製造方法により製造されたＰＤＰの構成を示す説明図である。
【図２】パネル基板の製造から封着までの製造工程を示す説明図である。
【図３】温風循環機構の一例を示す説明図である。
【図４】前面側の基板の製造工程を具体的に示す説明図である。
【図５】背面側の基板の製造工程を具体的に示す説明図である。
【図６】パネル封着の工程を具体的に示す説明図である。
【図７】物理吸着水の脱離カーブを示すグラフである。
【図８】パネル基板を１５０℃で保持した場合の物理吸着水の脱離カーブを示すグラフである。
【符号の説明】
【００６７】
１０  ＰＤＰ
１１，４１  前面側の基板
１２  透明電極
１３  バス電極
１７，２４  誘電体層
１８  保護膜
２１，３１  背面側の基板
２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ  蛍光体層
２９  隔壁
３０  放電空間
５１  搬送ローラー
５２  作業室
５３  通気路
５４  ヒーター
５５  フィルター
５６  温風循環ポンプ
Ａ  アドレス電極
Ｌ  表示ライン
Ｘ，Ｙ  表示電極
【図１】
2006261047.tif 000003
【図２】
2006261047.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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