(57)【要約】【課題】  試料上の電子線照射量の積算値を二次元的に表示することによって、電子線損傷を多く受けた場所の撮影を防止できる電子顕微鏡を提供する。【解決手段】  試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態に対して、試料に照射される電子線の試料上の電子線密度と電子線径と電子線の中心位置からのシフト量をキャリブレーションしたデータを記憶装置27に記憶しておく。電子レンズ等の設定状態とステージの座標値から算出される試料上での電子線照射量を二次元配列28に積算し、照射量マップを表示装置25に表示する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に電子線を照射して電子顕微鏡像を観察する電子顕微鏡であって、試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態と、試料の観察位置を移動させる試料ステージの座標値とを読み取る読取手段を有し、
前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態に対して、試料に照射される電子線の試料上の電子線密度と電子線径と電子線照射位置を記憶する手段と、試料上の各位置に対応した二次元配列の要素を持つ記憶手段と、前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態から試料上での電子線照射量を算出する算出手段と、前記算出手段により算出された照射量を試料の座標値に基づいて前記二次元配列に積算する積算手段と、前記二次元配列に記憶されている照射量の積算値を画像として表示する表示手段を備え、
前記読取手段によって、前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値を読み取った結果に基づいて、前記算出手段によって試料上での電子線照射量を算出して二次元配列に積算し、得られた照射量の積算値に基づいて前記表示手段により画像として表示する、ことを特徴とする電子顕微鏡。
【請求項２】
前記試料に照射される電子線の試料上の電子線密度と電子線径と電子線照射位置を記憶する手段によって記憶されるデータは、前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態に対して、前記試料に照射される電子線の試料上の電子線密度と電子線径と電子線照射位置の関係
を予めキャリブレーションして得られたデータである、ことを特徴とする請求項１に記載の電子顕微鏡。
【請求項３】
前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値について、その何れかが変更されたことを検知する手段を備えることにより、前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値のうちの少なくともひとつが変更された時に、前記変更された少なくともひとつの設定状態または試料ステージ座標値を読み取って電子線照射量の再計算と再表示を行う、ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子顕微鏡。
【請求項４】
前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値が更新されない間、予め設定された一定時間間隔で試料上での電子線照射量を算出して二次元配列に積算し、照射量の積算値を画像として表示する、ことを特徴とする請求項１、２または３に記載の電子顕微鏡。
【請求項５】
予め設定された一定時間間隔で、前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値を読み取って電子線照射量の再計算と再表示を行う、ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子顕微鏡。
【請求項６】
前記二次元配列に記憶されている積算された電子線照射量の画像と試料の電子顕微鏡像とを重ね合わせた画像として表示する手段を備えたことを特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の電子顕微鏡。
【請求項７】
前記二次元配列に記憶されている積算された電子線照射量を、その強度に応じてクラス分けし、各々のクラスに対応した色を割り当ててカラー画像として表示する手段を備えたことを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６に記載の電子顕微鏡。
【請求項８】
前記二次元配列に記憶されている積算された電子線照射量を、その強度に応じてクラス分けし、各々のクラスに対応した白黒の濃淡を割り当てた画像として表示する手段を備えたことを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６に記載の電子顕微鏡。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料に電子線を照射して透過電子像や二次電子像などを観察する透過型電子顕微鏡や走査型電子顕微鏡に係わり、特に電子線照射による損傷を受けやすい生物や高分子などの試料を観察する際に、試料の電子線照射量を定量的に評価して低照射観察を実現する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
透過型電子顕微鏡（以下、電子顕微鏡）における観察において、電子線照射による試料の損傷が問題となっている。特に生物学上の研究では、電子線による試料損傷は非常に重大な問題である。例えば、蛋白質分子やウィルスなどを結晶化させずに観察する単粒子解析という手法による研究を行う場合、試料上の撮影する部分に許される電子線照射量は、撮影を開始するまでに、10  electron/nm2以下とされている。これを超える量の電子線を照射すると、試料上のその部分にある粒子が撮影前に損傷してしまうためである。
こうした試料損傷を最小限にするため、操作者は実際に透過電子顕微鏡像（以下、顕微鏡像）を撮影する場所とは別の場所で非点補正や焦点合わせなどの調整を行ったり、視野探しなどで電子線を多く照射してしまった場所を覚えておいてそのような場所では撮影を行わないようにしたり、試料の上方に備えられている偏向器で電子線をブランキングし、必要な時以外は試料に電子線を照射しないなど、細心の注意をはらって観察を行っている。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−６９３４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来、試料を観察している場所への電子線照射量は、操作者の勘と記憶に頼っていた。そのため、撮影しようとする場所が許される照射量（例えば10  electron/nm2以下）を満たしているかを定量的に確認することができず、許される照射量をこえた照射によって損傷を受けている試料を撮影してしまうことがあった。また試料上のある場所で撮影を終えた後、その撮影のために非点補正や焦点合わせが行われて付近一帯が電子線照射されてしまっているため、次の撮影場所を選ぶ際にどれだけ離れた場所にすればよいかを決めるのにも、操作者の勘と記憶に頼らざるを得なかった。そのため、前の場所を撮影した時に、既に電子線の照射をかなり受けた場所を選んで撮影してしまうことがあった。また、逆にそうした危険を避けようとして、撮影場所を変えるごとに前の場所から離す距離を大きくとるために、ひとつの試料で撮影できる枚数が少なくなってしまうという問題もあった。
【０００５】
上記の問題に対して、特開平９−６９３４９号公報には、電子線が照射される視野のアドレスと、前記アドレスに対し電子線照射時の加速電圧と単位面積あたりの総電子線照射量を記憶する記憶手段を備えた電子顕微鏡が開示されている。しかし、この開示されている装置では、試料の移動が止まった場所（アドレス）においてその時の照射電子線量を積算して表示するだけである。従って、試料が移動している間に電子線が試料に照射される場所と照射量を知ることはできず、試料より上方にある電子レンズ、偏向器、絞りの状態が変化して試料に照射される電子線の照射量が変わっても、その変化を考慮した照射量の積算値を知ることができない。また、電子線の照射された場所とその照射量が二次元的に表示されないので、試料上の広い場所でどの場所が撮影に適するかを操作者が直感的に知りたいという問題が解決されていない。
【０００６】
本発明は、これらの問題を解決するために、電子線が試料に照射される状態と試料の座標位置を常に監視して、試料上の電子線が照射された場所とその場所における照射量の積算値を計算により求め、二次元的かつ定量的に表示する手段の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の問題を解決するために、本発明は、
試料に電子線を照射して電子顕微鏡像を観察する電子顕微鏡であって、試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態と、試料の観察位置を移動させる試料ステージの座標値とを読み取る読取手段を有し、
前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態に対して、試料に照射される電子線の試料上の電子線密度と電子線径と電子線照射位置を記憶する手段と、試料上の各位置に対応した二次元配列の要素を持つ記憶手段と、前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態から試料上での電子線照射量を算出する算出手段と、前記算出手段により算出された照射量を試料の座標値に基づいて前記二次元配列に積算する積算手段と、前記二次元配列に記憶されている照射量の積算値を画像として表示する表示手段を備え、
前記読取手段によって、前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値を読み取った結果に基づいて、前記算出手段によって試料上での電子線照射量を算出して二次元配列に積算し、得られた照射量の積算値に基づいて前記表示手段により画像として表示することを特徴とする。
【０００８】
また本発明は、前記試料に照射される電子線の試料上の電子線密度と電子線径と電子線照射位置を記憶する手段によって記憶されるデータは、前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態に対して、前記試料に照射される電子線の試料上の電子線密度と電子線径と電子線照射位置の関係を予めキャリブレーションして得られたデータであることを特徴とする。
【０００９】
また本発明は、前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値について、その何れかが変更されたことを検知する手段を備えることにより、前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値のうちの少なくともひとつが変更された時に、前記変更された少なくともひとつの設定状態または試料ステージ座標値を読み取って電子線照射量の再計算と再表示を行うことを特徴とする。
【００１０】
また本発明は、前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値が更新されない間、予め設定された一定時間間隔で試料上での電子線照射量を算出して二次元配列に積算し、照射量の積算値を画像として表示することを特徴とする。
【００１１】
また本発明は、予め設定された一定時間間隔で、前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値を読み取って照射量の再計算と再表示を行うことを特徴とする。
【００１２】
また本発明は、前記二次元配列に記憶されている積算された電子線照射量の画像と試料の電子顕微鏡像とを重ね合わせた画像として表示する手段を備えたことを特徴とする。
【００１３】
また本発明は、前記二次元配列に記憶されている積算された電子線照射量を、その強度に応じてクラス分けし、各々のクラスに対応した色を割り当ててカラー画像として表示する手段を備えたことを特徴とする。
【００１４】
また本発明は、前記二次元配列に記憶されている積算された電子線照射量を、その強度に応じてクラス分けし、各々のクラスに対応した白黒の濃淡を割り当てた画像として表示する手段を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態が変化したり、試料ステージにより試料上の電子線照射位置を移動させても、常に電子線が照射されている場所と照射量の積算値が画像表示されるので、試料上のどの場所が電子線の低照射場所で撮影に適しているかを、撮影直前に操作者が直感的かつ定量的に知ることができる。そのため、電子線の照射によって損傷しやすい生物試料などを観察／撮影する場合でも、許される照射量を超えた場所を選んで撮影してしまう問題や、前の撮影場所から次の場所へ移る際、必要以上に離れた場所を選んでしまって、ひとつの試料で撮影する枚数が少なくなってしまうといった問題を避けることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１に示す電子顕微鏡の構成を例にとり、本発明を実施する形態を説明する。
図１において、鏡筒１内の電子銃２から放射された電子線３は集束レンズ系５により集束されて試料８に照射される。ビームブランキング偏向器４をONにすると、電子線は大きく進行方向を曲げられて試料に照射しないようにできる。集束レンズ絞り６によって試料に照射される電子線の領域は制限を受けるが、通常穴径の異なる複数の絞り穴径が配置されていて制御部19により切換えられる構造となっている。集束レンズ偏向器によって電気的に試料８を照射する電子線の位置を変えることができる。また電子線の照射位置は一定でも、制御部21によって駆動される試料ステージ９によって、電子線の試料上での照射位置を変えることができる。試料８を透過した電子線は、対物レンズ系10、中間レンズ系11、投影レンズ系12を通って蛍光板14の上に顕微鏡像13が投影される。顕微鏡像13は蛍光板14を上げてＣＣＤカメラ15で撮影することが可能である。ＣＣＤカメラ15で得られた電子線強度データは画像処理部22に送られる。  蛍光板14の下にフィルムを置けば（図示せず）フィルムに顕微鏡像を撮影できる。
【００１７】
ビームブランキング偏向器４、集束レンズ系５、集束レンズ偏向器７はそれぞれ電源17、18、20によってレンズまたは偏向器の強さが変えられるようになっている。制御演算処理装置24はバス23を介して、電子顕微鏡全体を制御し、各種電子レンズ、偏向器、絞りの設定状態や試料ステージの座標位置を示すデータを受け取り、本発明に必要な処理を施して表示装置25に照射量マップを表示する。入力装置26はキーボード／マウス等であり、操作者が照射量を表示するマップの開始を指示したり、表示条件の指定等に使用される。記憶装置27には、試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態に対して、前記試料に照射される電子線の試料上の電子線密度と電子線径と電子線照射位置をキャリブレーションして得られたデータが記憶されている。二次元配列28は、試料上の各位置に対応して電子線照射量の積算値を記憶するためのメモリーである。
【００１８】
なお実際には、対物レンズ10、中間レンズ11、投影レンズ12や、これらレンズ系に付属する偏向器（図示せず）などもそれぞれの電源を介してバス23に接続されているが、図を簡単にするために省略している。
【００１９】
次に、図２に基づいて、本発明の実施形態１の動作フローについて概略を説明する。実施形態１は、前記試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値のうちの少なくともひとつが変更されたことを検知する手段により、少なくともひとつの設定状態が変更された時に、試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値のうちの少なくともひとつの設定状態を読み取ることにより、試料上の電子線照射量の再計算と再表示を行う方法である。
なお、照射量マップの表示開始前には、試料は既に試料ステージ９に載置されているが、電子線はビームブランキング偏向器４によって試料に照射されないように曲げられた状態になっているものとする。
（ステップ１）：操作者は、照射量マップの条件を入力装置26により入力する。このステップで、試料の各位置に対応する照射量マップの表示領域の大きさを指定する。また、顕微鏡像との重ね合わせの有無や、重ね合わせる場合の顕微鏡像の指定を行う。
（ステップ２）：操作者は、照射量マップの表示開始を入力装置26により指示する。
（ステップ３）：制御演算処理装置24は、試料の各位置に対応した要素からなる二次元配列を全てゼロで初期化する。初期状態の照射量マップを表示装置25に表示する。
（ステップ４）：制御演算処理装置24は、試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態と試料ステージ座標値を装置から読み取る。再読み取りの場合は、少なくとも設定状態の変更が検知されたものについてのみ再読み取りを行えば良い。
（ステップ５）：制御演算処理装置24は、試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態と試料ステージ座標値について読み取った状態に基づいて、予めキャリブレーションされて記憶装置27に記憶されている内容に従い、試料上のどの位置にいくらの電子線径で単位時間当たりどんな強度の電子線が照射されているかを計算する。ステップ８から戻ってきた場合、単位時間当たりの照射電子線強度のみを求め、そのままステップ６へ進めばよい。
（ステップ６）：制御演算処理装置24は、ステップ５で計算した試料上の照射範囲に対応する二次元配列28の各要素に対して、ステップ５で計算した単位時間当たりの照射電子線強度と照射時間（直前に照射量マップを更新してからの経過時間）を乗じた値を加算する。
（ステップ７）：制御演算処理装置24は、ステップ６で更新された二次元配列28の各要素に積算されている電子線照射量を、その強度に応じてクラス分けし、各々のクラスに対応した色を割り当ててカラー画像として照射量マップを再表示する。
（ステップ８）：制御演算処理装置24は、試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値のうちの少なくともひとつの変更が検知されたかを判断し、検知された場合はステップ９へ進む。変更が検知されなければ検知されるまでの間、予め設定された一定時間間隔をおいてステップ５に戻る。
（ステップ９）：制御演算処理装置24は、操作者が照射量マップの表示終了を指示したかを判断し、終了が指示された場合は照射量マップの表示を終了する。操作者による終了の指示がない場合はステップ４に戻り、設定状態の再読み取りが行われる。
【００２０】
次に、図３に基づいて、本発明の実施形態２の動作フローについて概略を説明する。実施形態２は、予め設定された一定時間間隔で、試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態及び試料ステージ座標値を読み出すことにより、試料上の電子線照射量を求める方法である。
なお、実施形態１と同様に、照射量マップの表示開始前には、試料は既に試料ステージ９に載置されているが、電子線はビームブランキング偏向器４によって試料に照射されないように曲げられた状態になっているものとする。
（ステップ１）：操作者は、照射量マップの条件を入力装置26により入力する。このステップで、試料の各位置に対応する照射量マップの表示領域の大きさを指定する。また、顕微鏡像との重ね合わせの有無や、重ね合わせる場合の顕微鏡像の指定を行う。
（ステップ２）：照射量マップの表示開始を、操作者が入力装置26により指示する。
（ステップ３）：制御演算処理装置24は、試料の各位置に対応した要素からなる二次元配列を全てゼロで初期化する。初期状態の照射量マップを表示装置25に表示する。
（ステップ４）：制御演算処理装置24は、試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態と試料ステージ座標値を装置から読み取る。
（ステップ５）：制御演算処理装置24は、試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態と試料ステージ座標値について読み取った状態に基づいて、予めキャリブレーションされて記憶装置27に記憶されている内容に従い、試料上のどの位置にいくらの電子線径で単位時間当たりどんな強度の電子線が照射されているかを計算する。再読み込みの場合、前に読み込んだ設定状態が更新されているか否かを判断し、何も更新されていなければ単位時間当たりの照射電子線強度のみを求め、そのままステップ６へ進めばよい。
（ステップ６）：制御演算処理装置24は、ステップ５で計算した試料上の照射範囲に対応する二次元配列28の各要素に対して、ステップ５で計算した単位時間当たりの照射電子線強度と照射時間（直前に照射量マップを更新してからの経過時間）を乗じた値を積算する。
（ステップ７）：制御演算処理装置24は、ステップ６で更新された二次元配列28の各要素に積算されている電子線照射量を、その強度に応じてクラス分けし、各々のクラスに対応した色を割り当ててカラー画像として照射量マップを再表示する。
（ステップ８）：制御演算処理装置24は、操作者が照射量マップの表示終了を指示したかを判断し、終了が指示された場合は照射量マップの表示を終了する。操作者による終了の指示がない場合は、予め設定された一定時間間隔でステップ４に戻り、操作者による終了の指示があるまでステップ４〜７が繰り返される。
【実施例】
【００２１】
図４〜13に基づいて実施形態１の実施例を説明する。
（図４）：制御演算処理装置24は、試料の各位置に対応した要素からなる二次元配列28をゼロで初期化し、表示装置25に照射量マップのウィンドウを表示する。装置の設定状態を読み込み、ビームブランキング偏向器４がONの設定状態になっていると、電子線が試料にあたっていないことが分かるので、配列には何も加算されない。従ってこの段階では、試料位置に対応したマップ表示部には何も表示されない。照射量マップのウィンドウ内右側のカラーバーは電子線の照射量をクラス分けしてカラー表示した場合に、各色がどれだけの強度を表すかを示すためのものである。[e/nm2]はnｍ平方あたりの電子個数を表す単位である。カラー表示の代わりに白黒の濃淡表示とすることも可能であるが、分かりやすさを考慮すると、望ましくはカラー表示とすべきである。
【００２２】
（図５）：操作者はビームブランキング偏向器をOFFにして、電子線を試料上の領域Ａに照射する。
（図６）：制御演算処理装置24は、装置から読み取った設定の値から試料上の領域Ａに電子線が照射されているかを判断する。照射されている場合はその領域と強度を計算し、二次元配列28の対応する要素に値を積算し、二次元配列28のデータをカラーマップとしてマップ表示部を再表示する。
（図７）：電子レンズなど装置の設定状態の変更が検知されない間、制御演算処理装置24は、予め設定された一定の時間間隔で、照射量の増分を二次元配列28に積算し、マップ表示部に再表示する。図６に示される照射領域Ａは図７でも変わらないが、積算値が増加した分だけ図７に示される照射領域Ａは濃く再表示される。
（図８）：例えば操作者はステージを移動させ（集束レンズ偏向器7の強度を操作するなどしてもよい）、電子線を試料上の領域Ｂに照射する。
（図９）：制御演算処理装置24は、装置から読み込んだ設定状態の値から、試料上の領域Ｂに電子線が照射されていることを計算し、さらにその強度も求め、二次元配列28の対応する要素に値を積算する。二次元配列28のデータをカラーマップとしてマップ表示部に再表示する。
（図１０）：操作者は電子レンズ強度を操作し、電子線を絞り込んで試料上の領域Ｃ（領域Ｂの内部）に照射する。
（図１１）：制御演算処理装置24は、装置から読み込んだ設定状態の値から、試料上の領域Ｃに電子線が照射されていることを計算し、さらにその強度も求め、二次元配列28の対応する要素に強度を積算する。二次元配列28の積算値をカラーマップとしてマップ表示部に再表示する。以下、操作者が終了を指示するまで、上記の処理が繰り返される。
【００２３】
次に、試料の顕微鏡像と照射量マップの重ね合わせ表示について説明する。図１２はＣＣＤカメラ15により試料全域の顕微鏡像を取り込んだデータである。試料全域の顕微鏡像はできるだけ低倍率で撮影する必要があるが、充分な低倍率像の撮影が困難であれば、試料を移動させて次々と顕微鏡象を取り込み、それをつなげて合成するなどしても試料全域の低倍率像を得ることが可能である。
【００２４】
上記のようにして得られた試料全域の顕微鏡像に、電子線の照射量マップを重ねて表示した例が図１３である。二つの像を重ねて表示することにより、試料上のどの位置に電子線が照射されているかをより正確に知ることができる。
【００２５】
以上に述べたようにして、操作者は常に電子線が照射されている場所と照射量の積算値をカラー画像により知ることができるので、試料上のどの場所が電子線の低照射場所で撮影に適しているかを、撮影直前に操作者が直感的かつ定量的に知ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明にかかわる電子顕微鏡の概略構成例を説明するための図。
【図２】本発明の実施形態１の動作フローを説明するための図。
【図３】本発明の実施形態２の動作フローを説明するための図。
【図４】二次元配列がゼロで初期化された照射量マップの表示例。
【図５】電子線が試料上の領域Ａに照射されている状態を説明するための図。
【図６】試料上の領域Ａ対応部に照射量が積算された状態を表示する照射量マップの例。
【図７】試料上の領域Ａ対応部に照射量の増分が積算されている状態を再表示する照射量マップの例。
【図８】電子線が試料上の領域Ｂに照射されている状態を説明するための図。
【図９】試料上の領域Ａ、領域Ｂ対応部に照射量が積算された状態を表示する照射量マップの例。
【図１０】電子線が試料上の領域Ｃに照射されている状態を説明するための図。
【図１１】試料上の領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃ対応部に照射量が積算された状態を表示する照射量マップの例。
【図１２】試料全域の顕微鏡像の例。
【図１３】試料全域の顕微鏡像に、電子線の照射量マップを重ねて表示した例。
【符号の説明】
【００２７】
（図１の符号の説明）
１：鏡筒                        15：ＣＣＤカメラ
２：電子銃                      16：（電子銃）電源
３：電子線                      17：（ビームブランキング偏向器）電源
４：ビームブランキング偏向器    18：（集束レンズ系）電源
５：集束レンズ系                19：（集束レンズ絞り）制御部
６：集束レンズ絞り              20：（集束レンズ偏向器）電源
７：集束レンズ偏向器            21：（ステージ）制御部
８：試料                        22：画像処理部
９：試料ステージ                23：バス
10：対物レンズ系                24：制御演算処理装置
11：中間レンズ系                25：表示装置
12：投影レンズ系                26：入力装置
13：顕微鏡像                    27：記憶装置
14：蛍光板                      28：二次元配列
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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