(57)【要約】【課題】  本発明は液晶表示装置の表示品位の低下を改善する。とくに液晶の配向性を維持したまま、高速応答性を得ることを目的とする。【解決手段】  本発明の液晶表示装置は、基板の片面にそれぞれ電極が形成された一対の基板と、液晶と、強誘電体からなり、前記電極が対向するように前記一対の基板が配置され、前記液晶が前記一対の基板によって挟持され、前記強誘電体は有機物からなり、前記液晶に前記強誘電体の粒子が分散していること特徴とする。【選択図】  図１
2006154778.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の片面にそれぞれ電極が形成された一対の基板と、液晶と、強誘電体を含み、
前記電極が対向するように前記一対の基板が配置され、
前記液晶が前記一対の基板によって挟持され、
前記強誘電体は有機物を含み、
前記液晶に前記強誘電体の粒子が分散していること特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
基板の片面にそれぞれ電極が形成された一対の基板と、液晶と、強誘電体からなり、
前記電極の一方には突起物が形成され、
前記電極が対向するように前記一対の基板が配置され、
前記液晶が前記一対の基板によって挟持され、
前記液晶に前記強誘電体の粒子が分散していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
基板の片面にそれぞれ電極が形成された一対の基板と、液晶と、強誘電体からなり、
前記電極の一方の上方には突起物が形成され、
前記電極が対向するように前記一対の基板が配置され、
前記液晶が前記一対の基板によって挟持され、
前記強誘電体は有機物からなり、
前記液晶に前記強誘電体の粒子が分散していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
基板の片面にそれぞれ電極が形成された一対の基板と、液晶と、強誘電体からなり、
前記一対の基板のいずれか一方には能動素子が形成され、
前記電極の一方の上方には突起物が形成され、
前記電極が対向するように前記一対の基板が配置され、
前記液晶が前記一対の基板によって挟持され、
前記強誘電体は有機物からなり、
前記液晶に前記強誘電体の粒子が分散していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
基板の片面にそれぞれ電極が形成された一対の基板と、液晶と、強誘電体からなり、
前記一対の基板のいずれか一方には複数の電極および能動素子が形成され、
前記複数の電極間に突起物が形成され、
前記電極が対向するように前記一対の基板が配置され、
前記液晶が前記一対の基板によって挟持され、
前記強誘電体は有機物からなり、
前記液晶に前記強誘電体の粒子が分散していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記強誘電体はフッ化ビニリデンおよびトリフルオロエチレンの共重合体であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記強誘電体は、前記液晶材料に対する重量比が４０％以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記強誘電体の直径は４μｍ以下１０ｎｍ以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶を利用した表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
軽量薄型の表示装置として液晶材料を利用した表示装置は広く利用されている。この表示装置は、液晶材料をガラス基板などからなる２枚の平板に挟み、平板の液晶が配置されている少なくとも一方の平面に配置された電極によって電界が印加され、電界の強度、有無により液晶分子をスイッチングさせて、それに連動して液晶の光学的性質が変化するので、この光学的な性質の変化を利用して、画像の表示などを行っている。
【０００３】
液晶素子に用いられる液晶材料としてネマティック液晶が一般的に用いられている。ネマティック液晶というのは液晶材料を構成する液晶分子の配列状態から区別される分類の一つを指しており、そのほかに例えばスメクティック液晶といった材料もあるが、ネマティック液晶は使用温度範囲では液状、流動性があり、液晶分子の初期配向の容易さと配向状態の安定性、使用温度範囲の広さの点でディスプレイ用として広く使用されている。
【０００４】
ディスプレイの表示性能を決める要素の一つとして動画像表示時の残像の少なさがある。ここでいう残像とは、静止画では気がつかないが、動画表示したときに見られる画像がぼやけた状態を示す。これをなくすために必要とされる液晶の応答性としては、数ｍｓ以下の応答速度が望ましいと考えられているが、ネマティック液晶を用いると、駆動条件によっては数１０ｍｓまで要することもあり、応答速度の向上が望まれていた。
【０００５】
応答速度を改善する方法として強誘電性液晶を利用した液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。  
【０００６】
しかし、上記強誘電性液晶は液晶材料の配向欠陥が生じやすく、この配向欠陥を透過する光によって生じる光漏れによって黒表示時でも明状態の箇所が発生し、このためコントラストが低下しやすかった。
【０００７】
また、別の方法としてネマティック液晶に無機の強誘電体粒子を混入する方法が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開平５−２８１５８０号公報
【非特許文献１】Ｙ．  Ｒｅｚｎｉｋｏｖ，  Ｏ．  Ｂｕｃｈｎｅｖ，  Ｏ．  Ｔｅｒｅｓｈｃｈｅｎｋｏ，  Ｖ．  Ｒｅｓｈｅｔｎｙａｋ，  Ａ．  Ｇｌｕｓｈｃｈｅｎｋｏ，  Ｊ．  Ｗｅｓｔ，  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  Ｖｏｌ．  ８２，  Ｎｏ．１２，  １９１７（２００３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
発明者は、ネマティック液晶に無機強誘電体を混合する場合は、強誘電体が無機物であり硬度が高く、よって、液晶に混入する前に適切な状態に加工することが困難であるといった問題を認識している。
【００１０】
また、発明者は、ネマティック液晶に無機強誘電体を混合する場合、とくに液晶表示装置を立てて利用すると、時間経過によって強誘電体微粒子が場所によって濃度が異なるように変化する問題があった。
【００１１】
本発明はこのような表示品位の低下を改善することを課題とする。とくに液晶の配向性を維持したまま、高速応答性を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の構成は、基板の片面にそれぞれ電極が形成された一対の基板と、液晶と、強誘電体からなり、前記電極が対向するように前記一対の基板が配置され、前記液晶が前記一対の基板によって挟持され、前記強誘電体は有機物からなり、前記液晶に前記強誘電体の粒子が分散していること特徴とする液晶表示装置である。
【００１３】
また、本発明の別の構成は、基板の片面にそれぞれ電極が形成された一対の基板と、液晶と、強誘電体からなり、前記電極の一方には突起物が形成され、前記電極が対向するように前記一対の基板が配置され、前記液晶が前記一対の基板によって挟持され、前記液晶に前記強誘電体の粒子が分散していることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１４】
また、本発明の別の構成は、基板の片面にそれぞれ電極が形成された一対の基板と、液晶と、強誘電体からなり、前記電極の一方には突起物が形成され、前記電極が対向するように前記一対の基板が配置され、前記液晶が前記一対の基板によって挟持され、前記強誘電体は有機物からなり、前記液晶に前記強誘電体の粒子が分散していることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１５】
また、本発明の別の構成は、基板の片面にそれぞれ電極が形成された一対の基板と、液晶と、強誘電体からなり、前記一対の基板のいずれか一方には能動素子が形成され、前記電極の一方には突起物が形成され、前記電極が対向するように前記一対の基板が配置され、前記液晶が前記一対の基板によって挟持され、前記強誘電体は有機物からなり、前記液晶に前記強誘電体の粒子が分散していることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１６】
また、本発明の別の構成は、基板の片面にそれぞれ電極が形成された一対の基板と、液晶と、強誘電体からなり、前記一対の基板のいずれか一方には複数の電極および能動素子が形成され、前記複数の電極間に突起物が形成され、前記電極が対向するように前記一対の基板が配置され、前記液晶が前記一対の基板によって挟持され、前記強誘電体は有機物からなり、前記液晶に前記強誘電体の粒子が分散していることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１７】
なお、上記構成において、前記強誘電体としてフッ化ビニリデン（ＶＤＦ）／トリフルオロエチレン（ＴｒＦＥ）の共重合体（Ｐ）を利用することができる。また、強誘電体の大きさは液晶が形成される間隔よりも小さいことが望ましい。また、直径が４μｍ以下の微粒子であることが好ましい。また、液晶中に分散する強誘電体の重量比は、液晶材料に対して４０％以下であることが望ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の構成により応答速度が向上し、残像が低減し、表示品位の向上を図ることができる。
【００１９】
また、本発明では液晶材料中に強誘電体の微粒子を混合しているが、突起物を設けることにより、液晶表示装置内で温度や設置環境の影響を受けて、液晶材料中に微粒子の分布の偏りが生じることを防止し、また、微粒子の移動範囲が突起物と画素電極と対向基板に囲まれた領域に限定されるので、表示領域全体における混合物の比率の偏りを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（実施の形態１）
図面をもとに本発明の液晶表示装置の実施形態を説明する。図１は本発明の液晶表示装置の断面を示したものであり、本発明の一つの実施形態を示している。１０１、１０２は基板、１０３、１０４は電極、１０５、１０６は配向膜、１０７は液晶層、１０８は有機強誘電体、１０９はスペーサ、１１０はシール材である。
【００２１】
基板１０１、１０２は可視光を透過することができる材料であり、例えばガラス、プラスチック、石英を用いることが出来る。本発明のように液晶材料の光学変調を電気信号で制御する場合は、後述する電極や、電極を絶縁するための誘電体膜を前記基板の表面に任意の形状で配置することもあるが、所望の仕様で電極や誘電体膜を加工形成するため耐熱性、耐薬液性を満足するような材料を選択する。また、基板の厚みは加工工程において、さらに表示素子として完成した後にもそれ自身が物理的な衝撃による破損が生じない程度の厚みであればよい。例えばガラス基板であれば厚さ２ｍｍ以下の材料が好んで用いられている。この点では、プラスチック基板であればガラスよりも薄板化が可能である。また、１０１、１０２の光透過性について、液晶表示装置を透過型として利用する場合は両方の基板が光透過性を有する必要があり、反射型として利用する場合は少なくともいずれか一方がその性質を有していればよい。
【００２２】
また基板については光透過性以外に屈折率の異方性が実質的に無視できるぐらいに小さい基板を利用することが望ましい。これは液晶材料以外の光学的異方性が基板に含まれると、視野角によって色調が異なる表示になるなど不要な表示特性を示すことを避けるためである。
【００２３】
電極１０３、１０４はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの可視光の透過性を有する材料を利用する。特に液晶材料の光学変調を利用する部分においては透明性を有することが望ましい。また、いずれか一方の電極が可視光の透明性を有していれば、他方の電極は導電性があればよく、光透過性は必要条件ではない。
【００２４】
また、表示に寄与しない部分、あるいは電気信号を供給するための配線は必ずしも透明な電極である必要はない。
【００２５】
また、図１には液晶が満たされた領域内に画素電極が一つしかない構造の素子を示したが、必ずしもこれにとらわれる必要はなく、液晶が満たされた領域の基板上に複数の画素が形成されていても何ら問題はない。
【００２６】
配向膜１０５、１０６は、ポリイミドなどの有機物や、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）や、ＳｉＯ等の無機物を利用することができる。配向膜１０５、１０６の表面には必要に応じて液晶を所望の方向に配向させるための配向処理を行う。配向処理は配向膜の表面を布などの繊維でこするラビング処理を利用することができる。配向膜の表面の平坦性は利用する液晶によって適宜調整される。ネマティック液晶は粘性が低いので平坦でもよく、凹凸でも配向膜の表面形状に追従するので図２に示すように凹凸をつけても良い。
【００２７】
なお、配向膜１０５、１０６は、同一材料でもいいが、配向方向によってそれぞれ異なる材料を用いても良い。また、配向処理についても必ずしも同一方向に処理する必要はない。
【００２８】
配向膜の配向処理は液晶の表示モードによって方法の選択を行う。ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＩＰＳモードは液晶分子の長軸が水平配向になるように配向処理を行う。一方、ＶＡモードは液晶分子の長軸が垂直になるような垂直配向処理を行う。
【００２９】
配向処理は布などで配向膜の表面を一方向にこするラビング法でもよいし、感光性材料を利用して光を照射して配向処理を行う光配向処理を行っても良い。この場合の感光性材料としては光異性化材料、あるいは光二量化材料であり、アゾベンゼンなどが利用できる。感光性材料は配向膜に混合させる、あるいは配向膜を構成する材料に、感光性の部位を化学結合させて利用することができる。
【００３０】
液晶層１０７の液晶はネマティック材料を利用することができる。
【００３１】
液晶層１０７中には有機強誘電体微粒子１０８が分散している。有機強誘電体微粒子としては強誘電性を示す有機材料であり、かつ固体のものを利用できる。具体例としてＰ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）を利用することができる。ここでＶＤＦはフッ化ビニリデン、ＴｒＦＥはトリフルオロエチレンを示しており、Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）はそれらの共重合体を示す。
【００３２】
また、有機強誘電体微粒子の大きさは基板１０１、１０２の間隔以下であることが望ましい。また、直径が４μｍ以下の微粒子であることが好ましい。また液晶中に分散する有機強誘電体微粒子の重量比についてあまり有機強誘電体微粒子が多すぎると粒子同士が凝集してしまうだけでなく、開口率、つまり液晶が表示に寄与する部分の面積の割合が少なくなるので、あまり多すぎることは好ましくない。従って比率は液晶材料に対して重量比で４０％以下であることが望ましい。
【００３３】
有機強誘電体微粒子の直径は揃っていてもよいが、必ずしもこれに限られる物ではなく、大きさにばらつきがあっても構わない。
【００３４】
また、有機強誘電体微粒子の形状は球状であればよいが、この形状に限定される物ではなく、楕円球状でもよく、さらに多孔質など、表面に凹部があるようなものでも構わない。
【００３５】
スペーサ１０９は基板間隔を一定に保持する物であって、希望する基板間隔の大きさを維持できるようなものを利用する。スペーサは球形、柱状であればよい。台形状の断面の構成物でも良い。
【００３６】
シール材１１０は基板を接着する目的と液晶材料がシール材の外側に流出しないようにするために液晶材料を取り囲むように形成する。シール材は接着材であればよいが、熱硬化型、光硬化型の材料を利用できる。またエポキシ樹脂、アクリル樹脂、などを利用できる。
【００３７】
画素上には突起物１１１を形成しても良い。突起物１１１を構成した液晶表示装置を図２に示す。突起物１１１は画素電極面の高さからさらに突き出した形状の構成物であって、円筒形でも良いし、壁状でも良い。なお、本明細書では突起物の形状をたとえるために柱状、あるいは壁状という文言を用いるがそれらはすべて本明細書でいうところの突起物に含まれる。壁状の突起物１１１は、表示領域内で、直線状の複数の平行な壁状に形成しても良いし、一つ一つの画素電極を完全に囲むように井桁状に配置されていても良い。また、完全に閉じた壁状ではなく、壁と壁の間に空隙があっても良い。図２の（Ａ）に示すように突起物１１１は、対向基板に対して接触させても良いし、図２の（Ｂ）のように対向基板と突起物１１１の間に液晶が存在しても良い。突起物１１１、柱、壁は画素と同一周期であっても良い。また、表示の妨げにならない範囲で突起物１１１の一部分が画素電極の一部の領域にはみ出てもよいが、画素電極全体には広がらないようにしなければならない。なお、図２のように、突起物が電極上に形成された後、その突起物上に配向膜が形成されているが、電極上に配向膜を形成した後、その配向膜上に突起物をしてもよい。この突起物は配向膜の表面の高さからさらに突き出した形状の構成物であるといえる。
【００３８】
突起物１１１としては無機物や有機物が利用できる。無機物はＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなど、有機物はアクリル樹脂、エポキシ樹脂、レジスト、ジビニルベンゼンなどである。なお、隣接する画素電極は絶縁されていないと表示不能となるので、突起物１１１は絶縁物であることを要する。
【００３９】
突起物１１１の形成は、ＣＶＤ法又はスパッタ法により突起物１１１の構成材料を一旦成膜した後フォトリソグラフィにて形成しても良いし、印刷法、インクジェット法、蒸着法などを利用してもよい。
【００４０】
第１の基板１０１、及び第２の基板１０２の間に液晶層１０７を配置する。液晶層１０７を配置する場合は、真空中で行うとよい。また第１の基板１０１へ液晶を滴下した後、第２の基板１０２を張り合わせてもよい。特に、大型基板になると液晶を注入するよりも滴下する方が好ましい。なお、液晶層には有機強誘電体微粒子１０８が混合されている。（実施の形態２）
【００４１】
図面をもとに本明細書に示す発明をアクティブマトリクス型の液晶表示装置に適用した実施形態を示す。図３（Ａ）には、第１の基板２００上に信号線駆動回路２３０、走査線駆動回路２３８、及び画素部２３１が形成された液晶表示装置を示す。
【００４２】
図３（Ｂ）は液晶表示装置のＡ−Ａ’の断面図を示し、第１の基板２００上に、ｎチャネル型ＴＦＴ２２１とｐチャネル型ＴＦＴ２２２とを有するＣＭＯＳ回路を備えた信号線駆動回路２３０を示す。ｎチャネル型ＴＦＴ２２１とｐチャネル型ＴＦＴ２２２は、結晶性半導体膜を有するように形成するとよい。信号線駆動回路２３０や走査線駆動回路２３８を形成するＴＦＴは、ＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路又はＮＭＯＳ回路で形成してもよい。
【００４３】
画素部２３１は、スイッチング用ＴＦＴ２２３及び容量素子２５８を有する。スイッチング用ＴＦＴ２２３は、結晶性半導体膜を有するように形成するとよい。容量素子２５８は、不純物が添加された半導体膜と、ゲート電極とに挟まれたゲート絶縁膜により構成される。
【００４４】
なお、画素部２３１のＴＦＴは信号線駆動回路２３０や走査線駆動回路２３８のＴＦＴと比べると、高い結晶性を有する必要はない。
【００４５】
また画素部２３１は、スイッチング用ＴＦＴ２２３の一方の電極と接続された画素電極２１１を有する。そして、ｎチャネル型ＴＦＴ２２１、ｐチャネル型ＴＦＴ２２２、画素電極２１１、及びスイッチング用ＴＦＴ２２３等を覆うように第３の絶縁膜２０９が設けられている。
【００４６】
また対向基板となる第２の基板２４５を用意する。第２の基板２４５には、少なくとも信号線駆動回路２３０に相当する位置にブラックマトリクス２５１が設けられ、少なくとも画素部に相当する位置にカラーフィルタ２５２が設けられ、さらに対向電極２５３が設けられている。本発明は必ずしも、第２の基板２４５にブラックマトリクス、カラーフィルタ、又は対向電極を設ける必要はなく、第１の基板２００側へ設けてもよい。この後、基板間隔を保持するためのスペーサ２５６を形成しても良い。また液晶材料に混合した有機強誘電体微粒子の分布の偏りを防止することを目的とした液晶材料の対流防止のための突起物２５０を同時に形成してもよい。スペーサ２５６は球状のものを利用しても良いし、絶縁膜をエッチングして形成される所謂柱状スペーサを用いることができる。さらに突起物２５０の高さを液晶層２５４の厚みと同じにして、スペーサ２５６と同じ機能を突起物２５０に持たせても良く、スペーサ２５６と突起物２５０を別にするか同じにするかは適宜選択する。
【００４７】
次に第２の基板２４５に配向膜を形成し、配向処理を施し、第１の基板２００とシール材２４３を用いて張り合わせる。シール材２４３はエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。またシール材２４３を形成する位置に、第３の絶縁膜２０９を一部残しておいてもよい。その結果、接着面積が大きくなり、接着強度を高めることができる。なお、基板間隔を保持するためのスペーサ２５６は配向膜に配向処理を行った後に形成しても良い。
【００４８】
第１の基板２００、及び第２の基板２４５の間に液晶層２５４を注入する。液晶層２５４を注入する場合は、真空中で行うとよい。また第１の基板２００へ液晶を滴下した後、第２の基板２４５を張り合わせてもよい。特に、大型基板になると液晶を注入するより、滴下する方が好ましい。なお液晶層には有機強誘電体微粒子２５５が混合されている。
【００４９】
また、第１の基板２００や第２の基板２４５に適宜、偏光板又は円偏光板を設け、コントラストを高めるとよい。
【００５０】
また、第１の接続領域２３２に設けられた導電膜２０８には、異方性導電樹脂（ＡＣＦ）によりフレキシブルプリント基板２４６が接続されている。そして、フレキシブルプリント基板２４６を介して外部入力信号となるビデオ信号やクロック信号を受け取る。ここではフレキシブルプリント基板しか図示されていないが、このフレキシブルプリント基板を介して、プリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられている。そしてプリント配線基盤には、外部信号生成回路が搭載されている。
【００５１】
また加圧や加熱によりＡＣＦを接着するときに、フレキシブルプリント基板のフレキシブル性や加熱による軟化のため、クラックが生じないように注意する。例えば、少なくとも第１の接続領域２３２の下方に硬性の高い基板を補助として配置すればよい。
【００５２】
本実施の形態では、第１の基板２００上に信号線駆動回路２３０及び走査線駆動回路２３８を設けた、ドライバ一体型の表示装置を示すが、信号線駆動回路及び走査線駆動回路はＩＣにより形成し、ＳＯＧ法やＴＡＢ法により信号線、又は走査線等と接続しても構わない。
【００５３】
以上のように、アクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置を作製することができる。
【実施例１】
【００５４】
液晶材料の光学的な特性を評価するために、１画素の素子を作製した。厚さ０．７ｍｍ、外形２ｃｍ×２ｃｍのガラス基板を用いた。このガラス基板には透明電極としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜を形成した。インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜は、液晶を動作させるために２ｍｍ×２ｍｍの形状にパターニングされている電極部分と、液晶に外部から電界を印加するためにパターニングされている取り出し電極とに用いた。液晶材料を配向させるための配向膜としてポリイミドを用いた。前記基板にポリイミドの薄膜を形成し、その膜厚は６０ｎｍとした。ポリイミド膜の表面は布などでポリイミド膜の表面をこするラビング処理を施した。
【００５５】
このラビングまで行った基板を電極が形成されている部分を対向させて基板を貼り合わせた。一対の基板の間隔は５μｍとした。基板同士を接着固定する方法としてエポキシ樹脂からなるシール材を用いた。シール材にＳｉＯ２を主成分とする円筒形のファイバーを混合した。ファイバーの直径は５μｍである。対向基板を貼り合わせた後、ガラススクライバーとブレーカーを用いて基板の表示に直接寄与しない余分な部分を切り落として素子化した。
【００５６】
ネマティック液晶として市販のＺＬＩ４７９２を用いた。この液晶に強誘電体として有機高分子強誘電体Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）の微粒子を混合した。Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）を微粒子にするため粉砕機を用いた。粉砕機を用いればこの材料の直径は少なくとも４μｍ以下することは可能で本実施例では多少の範囲はあるものの、平均粒径として１００ｎｍになるように直径を調整した。このＰ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）微粒子を前記液晶材料と混合した。混合比率は重量比で液晶が９９．５％に対してＰ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）が０．５％となるように調整した。液晶とＰ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）は容積５ｃｃの試料ビンにいれスターラーにて攪拌した。時間はおよそ２４時間であった。
【００５７】
この材料を貼り合わせた基板の間に注入した。注入は、液晶素子作製にて一般的に行われている、真空注入法で行った。
【００５８】
この素子を５Ｖのパルスで駆動させたところ、パルス印加による液晶の応答時間が２ｍｓ、パルス電位除去による液晶の応答時間が１０ｍｓであった。
【実施例２】
【００５９】
ここでは液晶材料を、滴下封止法（Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌｉｎｇ：ＯＤＦ）を用いることで素子化した例を示す。利用した液晶材料とＰ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）の混合物（以下、混合物とする）は実施例１と同じである。
【００６０】
実施例１に示すインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）電極が形成された基板に、さらに突起物を形成した。突起物はここではアクリル樹脂を利用した。この突起物を形成した基板に配向膜を形成、配向処理まで行った。ここでは配向膜としてポリイミドにアゾベンゼンを添加した材料を利用した。配向膜には偏光フィルターにより直線偏光成分を取りだした紫外光を照射した。波長は３６５ｎｍである。次に、基板の電極を囲むようにシール材を塗布してシール材のパターンを形成した。ただしこの後の工程で対向する基板を接着しなければならないので、この段階でシール材はまだ硬化していない。このようにしてシールパターンを形成し、液晶を滴下する。なお、使用するシール材は実施例１に比べると粘度で１００倍程度高い材料を利用する。これは滴下した液晶がシール材と溶けあってしまうことがないようにするためである。
【００６１】
次に混合物を滴下した。混合物の量は２０μｌであった。滴下後、対向基板を貼り合わせた。貼り合わせた後、ガラススクライバーとブレーカーを用いて基板の表示に直接寄与しない余分な部分を切り落として素子化した。
【００６２】
この素子に５Ｖのパルスで駆動したところ、応答速度は実施例１と同等であった。
【実施例３】
【００６３】
図３（Ａ）には、第１の基板２００上に信号線駆動回路２３０、走査線駆動回路２３８、及び画素部２３１が形成された液晶表示装置を示す。
【００６４】
図３（Ｂ）は液晶表示装置のＡ−Ａ’の断面図を示し、第１の基板２００上に、ｎチャネル型ＴＦＴ２２１とｐチャネル型ＴＦＴ２２２とを有するＣＭＯＳ回路を備えた信号線駆動回路２３０を示す。ｎチャネル型ＴＦＴ２２１とｐチャネル型ＴＦＴ２２２は、上記実施の形態で示したように結晶性半導体膜を有するように形成した。信号線駆動回路２３０や走査線駆動回路２３８を形成するＴＦＴは、ＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路又はＮＭＯＳ回路で形成した。
【００６５】
画素部２３１は、スイッチング用ＴＦＴ２２３及び容量素子２５８を有する。スイッチング用ＴＦＴ２２３は、上記実施の形態で示したように結晶性半導体膜を有するように形成した。容量素子２５８は、不純物が添加された半導体膜と、ゲート電極とに挟まれたゲート絶縁膜により構成した。
【００６６】
画素部２３１は、スイッチング用ＴＦＴ２２３の一方の電極と接続された画素電極２１１を有する。そして、ｎチャネル型ＴＦＴ２２１、ｐチャネル型ＴＦＴ２２２、画素電極２１１、及びスイッチング用ＴＦＴ２２３等を覆うように第３の絶縁膜２０９を設けた。
【００６７】
また対向基板となる第２の基板２４５には、信号線駆動回路２３０に相当する位置にブラックマトリクス２５１が設け、画素部に相当する位置にカラーフィルタ２５２を設け、さらに対向電極２５３を設けた。このような第２の基板２４５に、配向処理を施し、第１の基板２００とシール材２４３を用いて張り合わせた。シール材２４３はエポキシ系樹脂を用いた。シール材２４３を形成する位置には、第３の絶縁膜２０９を一部残した。この後、液晶材料中に混合した有機強誘電体微粒子の分布に偏りが生じるのを防止する突起物２５０を形成した。さらにスペーサ２５６を配置した。
【００６８】
第１の基板２００へ液晶層を滴下した後、第２の基板２４５を張り合わせた。
【００６９】
この後、第１の基板２００と、第２の基板２４５とへ、適宜偏光板又は円偏光板を設けた。
【００７０】
また第１の接続領域２３２に設けられた導電膜２０８には、異方性導電樹脂（ＡＣＦ）によりフレキシブルプリント基板２４６が接続した。フレキシブルプリント基板２４６を介して外部入力信号となるビデオ信号やクロック信号を受け取る。ここではフレキシブルプリント基板しか図示されていないが、このフレキシブルプリント基板を介して、プリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられている。そしてプリント配線基盤には、外部信号生成回路が搭載した。
【００７１】
また加圧や加熱によりＡＣＦを接着するときに、フレキシブルプリント基板のフレキシブル性や加熱による軟化のため、クラックが生じないように注意する。例えば、少なくとも第１の接続領域２３２の下方に硬性の高い基板を補助として配置したりすればよい。
【００７２】
本実施例では、第１の基板２００上に信号線駆動回路２３０及び走査線駆動回路２３８を設けたドライバ一体型の液晶表示装置を示すが、信号線駆動回路及び走査線駆動回路はＩＣにより形成し、ＳＯＧ法やＴＡＢ法により信号線、又は走査線等と接続しても構わない。
【００７３】
以上のようにしてアクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置を作製した。
【実施例４】
【００７４】
本発明の液晶表示装置を備えた電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、携帯電話装置（単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図４を参照して説明する。
【００７５】
図４（Ａ）に示す携帯情報端末機器は、本体９２０１、表示部９２０２等を含んでいる。表示部９２０２は、本発明の液晶表示装置を適用することができる。その結果高速応答が可能になり動画表示性能が改善された携帯情報端末機器を提供することができる。
【００７６】
図４（Ｂ）に示すデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、表示部９７０２等を含んでいる。表示部９７０１に本発明の液晶表示装置を用いることにより、高速応答が可能になり動画表示性能が改善されたデジタルビデオカメラを提供することができる。
【００７７】
図４（Ｃ）に示す携帯電話機は、本体９１０１、表示部９１０２等を含んでいる。表示部９１０２に本発明の液晶表示装置を用いることにより、高速応答が可能になり動画表示性能が改善された携帯電話機を提供することができる。
【００７８】
図４（Ｄ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含んでいる。表示部９３０２に本発明の液晶表示装置を用いることにより、高速応答が可能になり動画表示性能が改善された携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本発明の液晶表示装置を適用することができる。携帯型のテレビジョン装置は、単に、携帯型のテレビジョンと呼ばれてもよい。
【００７９】
図４（Ｅ）に示す携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含んでいる。表示部９４０２に本発明の液晶表示装置を用いることにより、高速応答が可能になり動画表示性能が改善された携帯型のコンピュータを提供することができる。
【００８０】
図４（Ｆ）に示すテレビジョン装置は、本体９５０１、表示部９５０２等を含んでいる。表示部９５０２に本発明の液晶表示装置を用いることにより、高速応答が可能になり動画表示性能が改善されたテレビジョン装置を提供することができる。テレビジョン装置は、単に、テレビジョンと呼ばれてもよい。
【００８１】
このように本発明の液晶表示装置を用いることにより、高速応答が可能になり動画表示性能が改善された電子機器を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
動画表示を主に行うディスプレイなど、高速応答を求められる電子機器に本発明の液晶表示装置が利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の液晶表示装置の断面。
【図２】本発明の液晶表示装置の断面。
【図３】本発明の液晶表示装置の断面。
【図４】本発明の液晶表示装置を用いた電子機器を示す図。
【符号の説明】
【００８４】
１０１    基板
１０２    基板
１０３    電極
１０４    電極
１０５    配向膜
１０６    配向膜
１０７    液晶層
１０８    有機強誘電体微粒子
１０９    スペーサ
１１０    シール材
１１１    突起物
２００    基板
２０８    導電膜
２０９    絶縁膜
２１１    画素電極
２２１    ｎチャネル型ＴＦＴ
２２２    ｐチャネル型ＴＦＴ
２２３    スイッチング用ＴＦＴ
２３０    信号線駆動回路
２３１    画素部
２３２    接続領域
２３８    走査線駆動回路
２４３    シール材
２４５    基板
２４６    フレキシブルプリント基板
２５０    突起物
２５１    ブラックマトリクス
２５２    カラーフィルタ
２５３    対向電極
２５４    液晶層
２５５    有機強誘電体微粒子
２５６    スペーサ
２５８    容量素子
９１０１    本体
９１０２    表示部
９２０１    本体
９２０２    表示部
９３０１    本体
９３０２    表示部
９４０１    本体
９４０２    表示部
９５０１    本体
９５０２    表示部
９７０１    表示部
９７０２    表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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