(57)【要約】【課題】コンデンサとして浮遊電極を用いた浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ型マイクロホンを提供する。【解決手段】回路板１００に電気的に接続され、空間１６を形成したハウジング１１をなすベース１と、ハウジング１１内に設置され、ハウジング１１に電気的に接続されている基板３１と、基板３１上に形成されている応答部３２とからなるコンデンサ型マイクロホンチップ３とから構成される。応答部３２は、基板３１に設けられている第１の伝導層３２１と、第１の伝導層３２１と所定の隙間３２５をおいて形成される第２の伝導層３２３と、第１，第２の伝導層３２１，３２３の間に介在されているスペーサ３２２と、基板３１上に形成されている浮遊ゲートエレクトレット層３３と、第２の伝導層３２３に設けられるダイヤフラム３２４とを備え、第１，第２の伝導層３２１，３２３は、浮遊ゲートエレクトレット層３３によって、コンデンサを構成している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路板に電気的に接続され、空間を形成したハウジングをなしているベースと、
前記ハウジング内に設置され、前記ハウジングに電気的に接続されている基板と、前記  基板上に形成されている応答部とからなるコンデンサ型マイクロホンチップとを備え、
前記応答部は、
前記基板に設けられている第１の伝導層と、
該第１の伝導層と所定の隙間をおいて形成された第２の伝導層と、
前記第１，第２の伝導層の間に前記隙間を形成するように介在されている複数のスペーサと、
前記基板上に形成されている浮遊ゲートエレクトレット層と、
前記第２の伝導層に設けられるダイヤフラムとを備え、
前記第１，第２の伝導層は、前記浮遊ゲートエレクトレット層によって、コンデンサを構成し、前記複数のスペーサにおける隣り合ったスペーサ間を連通するよう通路を形成していることを特徴とするエレクトレットコンデンサ型マイクロホン。
【請求項２】
回路板に電気的に接続され、第１の空間を形成したハウジングをなしているベースと、
前記ハウジング内に設置され、前記ハウジングに電気的に接続され、音声入力により変化される浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ振動ユニットと、該浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ振動ユニット上に形成される通気室とからなるコンデンサ型マイクロホンチップとからなり、
前記浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ振動ユニットは、基板と、前記基板の一面に設けられている第１の伝導層と、前記基板の逆側の他面に形成されている浮遊ゲートエレクトレット層と、前記基板の他面に前記浮遊ゲートエレクトレット層を覆うよう形成されている絶縁層とを有し、
前記通気室は、第２の伝導層と該第２の伝導層上に形成される第１の層とを有し、
前記第２の伝導層は、前記浮遊ゲートエレクトレット層上に前記絶縁層を介して形成されている第２の周壁と、該第２の周壁上に形成されている第３の周壁とが設けられ、
前記第１の層は、前記第３の周壁上に形成されている第１の周壁を有し、
前記第１，第２の伝導層は、前記浮遊ゲートエレクトレット層によって、コンデンサを構成し、
前記第１の周壁と前記第３の周壁とにより、第２の空間が形成されるリングブロックと、所定の隙間を開けた間隔ブロックとが形成され、前記隙間が、前記第２の空間と前記第１の空間との空間を連通させる通路を形成していることを特徴とするエレクトレットコンデンサ型マイクロホン。
【請求項３】
前記ベースに電気的に接続される電界効果トランジスタが更に設けられている請求項１又は請求項２に記載のエレクトレットコンデンサ型マイクロホン。
【請求項４】
前記浮遊ゲートエレクトレット層は、前記基板に形成されるｐ形領域と、該ｐ形領域内に所定の間隔をおかれた２つのｎ形領域と、前記ｐ形領域上に形成される絶縁膜と、前記ｎ形領域間の間隔に対応して前記絶縁膜上に形成される浮遊ゲートと、浮遊ゲート上に形成される絶縁膜と、前記浮遊ゲートに対応して該絶縁膜上に形成される制御ゲートとから構成されており、
前記浮遊ゲートにチャージされるよう、前記２つのｎ形領域に低めの電圧を、前記ｐ形領域に前記低めの電圧より低い電圧を加えると共に、前記制御ゲートに前記低めの電圧より高い電圧を印加することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のエレクトレットコンデンサ型マイクロホン。
【請求項５】
前記浮遊ゲートエレクトレット層は、前記基板に形成されるｎ形領域と、該ｐ形領域内に所定の間隔をおかれた２つのｐ形領域と、前記ｎ形領域上に形成される絶縁膜と、前記ｐ形領域間の間隔に対応して該絶縁膜上に形成される浮遊ゲートと、浮遊ゲート上に形成される絶縁膜と、前記浮遊ゲートに対応して前記絶縁膜上に形成される制御ゲートとから構成され、
前記浮遊ゲートにチャージされるよう、前記２つのｐ形領域にマイナス電圧を加えると共に、前記制御ゲートにプラス電圧を印加することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のエレクトレットコンデンサ型マイクロホン。
【請求項６】
前記浮遊ゲートエレクトレット層は、前記基板に形成されるｐ形領域と、該ｐ形領域内に所定の間隔をおかれた３つのｎ形領域と、前記ｐ形領域上に形成される絶縁膜と、前記３つのｎ形領域間の間隔にそれぞれ対応して前記絶縁膜上に形成される浮遊ゲート及び制御ゲートとから構成され、
前記浮遊ゲートにチャージされるよう、前記１つのｎ形領域にプラス電圧を印加し、前記他の１つのｎ形領域と前記ｐ形領域を接地すると共に、前記制御ゲートに前記プラス電圧より低いプラス電圧を印加することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のエレクトレットコンデンサ型マイクロホン。
【請求項７】
前記第２の伝導層は、電気メッキ、蒸着、及びスパッタリングの中のいずれかによって形成されていることを特徴とする請求項２に記載のエレクトレットコンデンサ型マイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロホンに関し、より具体的には、エレクトレットコンデンサ型マイクロホンに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マイクロホンに使われているマイクロホンチップはその構造上、絶縁基板上に直接各素子を形成したシングルチップタイプ（特許文献１参照）や構造が異なったチップを連結したダブルチップタイプ（特許文献２，３参照）に大別される。これらのシングルチップ型やダブルチップ型マイクロホンチップにおいては、外部からの音響入力がマイクロホンチップの振動膜を振動させ、電極板と該振動膜と共に構成されたコンデンサの電荷容量が前記入力された音波振動に応じて変化し、電極板に電気的に接続されたＦＥＴ素子によって前記変化に応じた電気信号を生成する。
【０００３】
また、マイクロホンチップのコンデンサとして、所定間隔をおいた２つの伝導層及びこれらの伝導層の間に挟まれたエレクトレット層によるエレクトレット型コンデンサがよく知られている。
【０００４】
また、マイクロホンにおいて電荷容量変化の応答（充電）効果の向上を図るコンデンサとして浮遊電極（floating electrode）を用いる研究が行われている（非特許文献１，２参照）。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５，８７０，４８２号
【特許文献２】日本国特開平１１−３３１９８８号
【特許文献３】米国特許第６，２４３，４７４号
【非特許文献１】Journal of Microelectromechanical Systems, Vol. 7, No.2, June 1998
【非特許文献２】Micro Electro Mechanical Systems, 1998. MEMS 98. Proceedings., The Eleventh Annual International Workshop on, 25-29 Jan. 1998, 586p-590p
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、マイクロホンチップの製造は、応用する技術知識が音声分野及び電子分野に跨り、半導体製造プロセス及びマイクロマシニングプロセスが必要となるため、いかにして両プロセスを整合することができるか、なおも大いに研究が待たれる。
【０００７】
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、コンデンサとして浮遊電極を用いた浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ型マイクロホンを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一観点によれば、本発明に係るコンデンサマイクロホンとして、ベースと、コンデンサ型マイクロホンチップとを備えてなるマイクロホンを提供しようとするものである。前記ベースは、回路板に電気的に接続され、空間を形成したハウジングをなす。前記コンデンサ型マイクロホンチップは、前記ハウジングの空間に設置され、前記ハウジングに電気的に接続されている基板と、前記基板上に形成されている応答部とからなる。該応答部は、前記基板に設けられている第１の伝導層と、前記第１の伝導層と所定の隙間をおいて形成される第２の伝導層と、前記第１，第２の伝導層の間に前記隙間を形成するように介在されている複数のスペーサと、前記基板上に形成されている浮遊ゲートエレクトレット層と、前記第２の伝導層に設けられるダイヤフラムとを備え、前記第１，第２の伝導層は、前記浮遊ゲートエレクトレット層によって、コンデンサを構成していることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、音声入力が前記応答部に加わると、前記ダイヤフラムを振動させ、前記コンデンサが前記振動に応じて電荷容量の変化をすると共に、前記音声波の振動は、前記第１，第２の伝導層間の隙間としての前記複数のスペーサにおける隣り合ったスペーサ間を連通するよう形成される通路を経て前記空間へ伝わる。
【００１０】
また、本発明の他のコンデンサマイクロホンとして、ベースと、コンデンサ型マイクロホンチップとを備えてなるマイクロホンを提供しようとするものである。前記ベースは、回路板に電気的に接続され、第１の空間を形成したハウジングをなしている。前記コンデンサ型マイクロホンチップは、前記ハウジングの空間に設置され、前記ハウジングに電気的に接続され、音声入力により変化される浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ振動ユニットと、該浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ振動ユニット上に形成される通気室とからなる。前記浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ振動ユニットは、基板、前記基板の一面に設けられている第１の伝導層と、前記基板の逆側の他面に形成されている浮遊ゲートエレクトレット層と、前記基板の他面に前記浮遊ゲートエレクトレット層を覆うよう形成されている絶縁層とからなる。前記通気室は、第２の伝導層と該第２の伝導層上に形成される第１の層とから構成され、前記第２の伝導層は、前記浮遊ゲートエレクトレット層上に前記絶縁層を介して形成されている第２の周壁と、該第２の周壁上に形成されている第３の周壁とが設けられ、前記第１の層は、前記第３の周壁上に形成されている第１の周壁を有し、前記第１，第２の伝導層は、前記浮遊ゲートエレクトレット層によって、コンデンサをなし、前記第１の周壁と前記第３の周壁とにより、第２の空間が形成されるリングブロックと、所定の隙間に開けて間隔ブロックとが形成され、前記隙間が、前記第２の空間と、前記第１の空間との空間を連通させる通路を形成することを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、音声入力が前記浮遊ゲートエレクトレット振動ユニットに加わると、前記浮遊ゲートエレクトレット振動ユニットを振動させ、前記コンデンサが前記振動に応じて電荷容量が変化すると共に、前記音波の振動は、前記通路を通過して前記空間へ伝わる。
【発明の効果】
【００１２】
前記構成によれば、半導体製造プロセスとマイクロマシニングプロセスを整合することにより、コンデンサを形成する浮遊ゲート構造を形成するエレクトレットコンデンサ型マイクロホンが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
この発明の特徴及び利点は、添付図面に例示する本発明の好ましい実施形態についての以下の詳しい説明により明らかである。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態に係る浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ型マイクロホンの概略を示す平面図、図２は、図１のII−II線の断面図、図３は、図１のIII−III線の断面図である。
【００１５】
本発明の実施形態に係るマイクロホンは、電気機器、例えば携帯電話に用いられる場合、携帯電話の印刷回路板に電気的に接続されて使用される。
【００１６】
本発明のマイクロホンは、図２に示すように、印刷回路板１００に電気的に接続されており、ベース１と、ベース１内に設けられているコンデンサ型マイクロホンチップ３とからなっている。
【００１７】
ベース１は、回路板１００に電気的に接続されているハウジング１１をなす。ハウジング１１は、底壁１２と、底壁１２の周縁から上向き延出した周壁１３と、周壁１３の上縁に被さるように展開した頂壁１４とにより空間１６を形成し、該頂壁１４の中央に開口を設けて蓋を被せ、音はここだけを伝って進入するようにしている。そして、表面実装方法（ＳＭＴ）により、底壁１２に複数の導電性端子１５が設けられ、マイクロホンチップ３を印刷回路板１００に電気的に接続させている。
【００１８】
コンデンサ型マイクロホンチップ３は、ハウジング１１に電気的に接続されるよう空間１６に配設されており、前記ハウジング１１の底壁１２に固着されている基板３１と、前記基板３１上に積層されている応答部３２とで構成される。
【００１９】
基板３１は、好ましくはシリコンウェハを用いる。
【００２０】
応答部３２は、基板３１に設けられている第１の伝導層３２１と、この第１の伝導層３２１と所定の隙間３２５をおいて形成される第２の伝導層３２３と、前記第１，第２の伝導層３２１，３２３の間に所定の隙間３２５を形成するように介挿させたスペーサ３２２と、基板３１上に形成されている浮遊ゲートエレクトレット層３３と、第２の伝導層３２３の第１の伝導層３２１を臨む側に設けられるダイヤフラム３２４とを備えている。
【００２１】
第１，第２の伝導層３２１，３２３としては、導体、例えば金属が用いられ、浮遊ゲートエレクトレット層３３によって、コンデンサをなす。
【００２２】
スペーサ３２２は、図１に示すように、所定の隙間３２５を形成するよう複数の間隔ブロックにより井の字形配置をし、隣り合ったスペーサ３２２同士によって第１の通路３２６Ａを複数形成する。第２の伝導層３２３は、音波の振動に同調しやすくするため、その中心部より放射状に丁度米の字形に翼部３２３Ｆが形成され、各先端部をスペーサ３２２にダイヤフラム３２４を挟んで乗せ、隣り合った翼部３２３Ｆの隙間に第２の通路３２６Ｂが複数形成されている。
【００２３】
第１，第２の通路３２６Ａ，３２６Ｂによって、ハウジング１１の空間１６と隙間３２５とは空間的に連通すると共に、第２の伝導層３２３に加わる応力を軽減することができる。
【００２４】
浮遊ゲートエレクトレット層３３は、図３に示すように、従来の半導体製造工程による、基板３１に形成されるｐ形領域３３１と、該ｐ形領域３３１内に所定の間隔をおかれた２つのｎ形領域３３２，３３３と、ｐ形領域３３１上に形成される図示しない絶縁膜と、ｎ形領域３３２，３３３間の間隔に対応して絶縁膜上に形成される浮遊ゲート３３４と、浮遊ゲート３３４上に形成される図示しない絶縁膜と、浮遊ゲート３３４に対応して絶縁膜上に形成される制御ゲート３３５から構成されている。ここで、一方のｎ形領域３３２を接地して、他のｎ形領域３３３及び制御ゲート３３５にプラス電圧を印加すると、ｎ形領域３３３の近傍で発生したホットエレクトロンは浮遊ゲート３３４にチャージされる。これによって第１，第２の伝導層３２１、３２３がエレクトレット型コンデンサを形成する。
【００２５】
なお、本実施形態では、ｎ形領域３３３と制御ゲート３３５の両方にｎ形領域３３２より高いプラス電圧の印加することが条件となっているが、制御ゲート３３５に加えるプラス電圧がｎ形領域３３２，３３３及びｐ形領域３３１より高くなるよう、ｐ形領域３３１に低めのプラス電圧又はマイナス電圧を加えてもよい。
【００２６】
そして、図２に示すように、基板３１には電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２が、ボンディングワイヤ２００によって第２の伝導層３２３とベース１に設けられた導電性端子１５と電気的に接続されるよう実装されており、音声入力を応答部３２の変位により、コンデンサの容量変化として電気的に捉える。
【００２７】
この構成によれば、音声入力が応答部３２に加わると、第２の伝導層３２３を振動させ、隙間３２５が前記振動に応じて変化すると共に、音声入力は、複数の間隔ブロック３２２における隣り合った間隔ブロック３２２、３２２間を連通する通路３２６Ａ，３２６Ｂを経てベース１内の空間１６へ伝わる。
【００２８】
さらに、浮遊ゲートエレクトレット層の他の例として、図４及び図５に示すゲート構造からなるエレクトレット層を形成してもよい。
【００２９】
具体的には、図４は、本発明によるコンデンサ型マイクロホンにおける浮遊ゲートエレクトレット層３４の他の例を示す断面図である。この浮遊ゲートエレクトレット層３４は、前記エレクトレット層３３と類似した構造をしているが、基板３１上に形成されるｎ形領域３４１と、該ｎ形領域３４１内に所定の間隔をおかれた２つのｐ形領域３４２，３４３と、ｎ形領域３４１上に形成される図示しない絶縁膜と、ｐ形領域３４２，３４３間の間隔に対応して該絶縁膜上に形成される浮遊ゲート３４４と、浮遊ゲート３４４上に形成される図示しない絶縁膜と、前記浮遊ゲート３３４に対応して絶縁膜上に形成される制御ゲート３４５とから構成される。
【００３０】
この構成により、ｐ形領域３４２，３４３にゼロ或いはマイナス電圧を印加し、ｎ形領域３４１に低めのプラス電圧を、制御ゲート３４５に高めのプラス電圧を印加すると、前記の例と同様に浮遊ゲート３４４に電荷がチャージされる。なお、ｐ形領域３４２，３４３に印加する電圧を制御ゲート３４５よりも低めにし、浮遊ゲート３４４への電荷を帯びるよう各領域に加える電圧を加減してもよく、前記の例に限定されない。
【００３１】
また、図５は、図３と図４に示す二重ゲート構造と違うゲート構造を用いたエレクトレット層３５を示す断面図である。このエレクトレット層３５は、従来の半導体製造プロセスにより、基板３１上に形成されるｐ形領域３５１と、該ｐ形領域３５１内に所定の間隔をおかれた３つのｎ形領域３５２，３５３，３５４と、ｐ形領域３５１上に図示しないゲート絶縁膜を介してｎ形領域３５２，３５３，３５４間の間隔に対応してそれぞれ形成される浮遊ゲート３５５と、制御ゲート３５６とから構成される。
【００３２】
この構成により、ｎ形領域３５２にプラス電圧を印加し、ｐ形領域３５１及びｎ形領域３５４を接地すると共に、制御ゲート３５６に、ｎ形領域３５２に加えた電圧よりやや低めのプラス電圧を印加することによっても、浮遊ゲート３４４に電荷がチャージされる。
【００３３】
また、本発明の浮遊ゲートエレクトレット層は、図６に示すように、他のタイプのコンデンサマイクロホンに用いることもできる。本実施形態に係るマイクロホンも、電気機器、例えば携帯電話に取付けられるものとして、電気機器内部の印刷回路板１００に電気的に接続使用される。図６は、本実施形態に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンを示す断面図、図７は、図６におけるVII−VII線の断面図である。この浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ型マイクロホンは、図示のように、ベース５と、コンデンサマイクロホンチップ６と、ＦＥＴ２Ａとからなる。
【００３４】
ベース５は、回路板１００に電気的に接続されているハウジング５１をなす。ハウジング５１は、底壁５２と、底壁５２の周縁から周囲に上向き延出した周壁５３と、周壁５３の上縁に被さるよう展開した頂壁５４とにより第１の空間５６を形成し、該頂壁５４の中央に開口を設けて蓋を被せ、音はここだけを伝って進入するようにしている。そして、表面実装方法（ＳＭＴ）により、頂壁５４に複数の導電性端子５５が設けられている。
【００３５】
コンデンサ型マイクロホンチップ６は、ハウジング５１に電気的に接続されるように第１の空間５６内に配設されており、ハウジング５１の頂壁５４に固着されている浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ振動ユニット７と、該浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ振動ユニット７上に形成される通気室８とからなる。
【００３６】
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２Ａは、ボンディングワイヤ２００によって第２の伝導層８１とベース５に設けられた導電性端子５５とに電気的に接続されるよう実装されており、音声入力をコンデンサマイクロホンチップ６の変位により、コンデンサの電荷容量変化として電気的に捉える。
【００３７】
浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ振動ユニット７は、基板７１、基板７１の一面に断面Ｖ字形の窪みを有するよう設けられている第１の伝導層７２と、基板７１の逆側の他面に形成されているエッチストップ層７３と、該エッチストップ層７３上に形成される浮遊ゲートエレクトレット層７４と、該エッチストップ層７３上に浮遊ゲートエレクトレット７４を覆うよう形成される絶縁層７５とからなる。
【００３８】
第１の伝導層７２としては、伝導体、例えば金属を用いるとよい。
【００３９】
浮遊ゲートエレクトレット層７４は、図７に示すように、従来の半導体製造プロセスによる、基板７１と接触せずエッチストップ層７３に形成されるｐ形領域７４１と、該ｐ形領域７４１内に所定の間隔をおかれた２つのｎ形領域７４２，７４３と、ｐ形領域７４１上に形成される図示しない絶縁膜と、ｎ形領域７４２，７４３間の間隔に対応して絶縁膜上に形成される浮遊ゲート７４５と、浮遊ゲート７４５上に形成される図示しない絶縁膜と、浮遊ゲート７４５に対応して絶縁膜上に形成される制御ゲート７４６とから構成されている。
【００４０】
通気室８は、図６に示すように、第２の伝導層８１と該第２の伝導層８１上に形成される第１の層８２とから構成されている。第２の伝導層８１は、導電性材料を用いて電気メッキ、蒸着、スパッタリングなどのいずれかによって、浮遊ゲートエレクトレット層７４上に絶縁層７５を介して形成されている第２の周壁８１１と、該第２の周壁８１１上に形成されている第３の周壁８１２とが設けられている。
【００４１】
第１の層８２は、第３の周壁８１２上に第１の周壁８２１が形成されている。この構成と、第１の周壁８２１と第３の周壁８１２とにより、第２の空間８３が形成されるリングブロック８４と、所定の隙間８６を開けた間隔ブロック８５とが形成され、隙間８６によって、第２の空間８３と第１の空間５６とが空間的に連通される。
【００４２】
この構成により、ｎ形領域７４２を接地し、他のｎ形領域７４３と制御ゲート７４６とにプラス電圧を印加すると、前記の例と同様に浮遊ゲート７４５にチャージされる。このようにして第１，第２の伝導層７２、８１は、エレクトレットコンデンサを形成する。
【００４３】
この構成によれば、音声入力が浮遊ゲートエレクトレット振動ユニット７に加わると、浮遊ゲートエレクトレット振動ユニット７を振動させ、振動に応じてコンデンサの電荷容量が変化すると共に、音波は、隙間８６を介して各空間５６，８３へ伝わる。
【００４４】
本発明によれば、半導体製造プロセスとマイクロマシニングプロセスを整合して浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ型マイクロホンが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態に係る浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ型マイクロホンを示す平面図。
【図２】図１のII−II線の断面図。
【図３】図１のIII−III線の断面図である。
【図４】本発明によるコンデンサ型マイクロホンにおける他の浮遊ゲートエレクトレット層を示す断面図。
【図５】本発明によるコンデンサ型マイクロホンにおける他の浮遊ゲートエレクトレット層を示す断面図。
【図６】本発明の他の浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ型マイクロホンを示す断面図。
【図７】図６におけるVII−VII線の断面図。
【符号の説明】
【００４６】
１，５…ベース
１００…回路板
１１，５１…ハウジング
１２，５２…底壁
１３，５３…周壁
１４，５４…頂壁
１５，５５…導電性端子
１６，５６…空間
２，２Ａ…電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
３，６…マイクロホンチップ
３１，７１…基板
３２…応答部
３２１…第１の伝導層
３２２…間隔ブロック
３２３…第２の伝導層
３２３Ｆ…翼部
３２４…ダイヤフラム
３２５…隙間
３２６Ａ…第１の通路
３２６Ｂ…第２の通路
３３，３４，３５…浮遊ゲートエレクトレット層
３３１，３４２，３４３，３５１，７４１…ｐ形領域
３３２，３３３，３４１，３５２，３５３，３５４，７４２，７４３…ｎ形領域
３３４，３４４，３５５，７４５…浮遊ゲート
３３５，３４５，３５６，７４６…制御ゲート
７…浮遊ゲートエレクトレットコンデンサ振動ユニット
７１…基板
７２…第１の伝導層
７３…エッチストップ層
７４…浮遊ゲートエレクトレット層
７４…浮遊ゲートエレクトレット層
７５…絶縁層
８…通気室
８１…第２の伝導層
８１１…第２の周壁
８１２…第３の周壁
８２…第１の層
８２１…第１の周壁
８３…第２の空間
８４…リングブロック
８５…間隔ブロック
８６…隙間
【図１】
2006157777.tif 000003
【図２】
2006157777.tif 000004
【図３】
2006157777.tif 000005
【図４】
2006157777.tif 000006
【図５】
2006157777.tif 000007
【図６】
2006157777.tif 000008
【図７】
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