(57)【要約】【課題】  素子電極の形成面の段差に配慮され、素子電極の断線を生じにくい電子源および電子源の製造方法、並びに電気光学装置、電子機器を提供すること。【解決手段】  電子源１は、第１の信号線１６とほぼ同じ厚みで層状に、且つ、第１の信号線１６の反転パターンをなして形成された下層絶縁部２１と、素子電極１４，１５とほぼ同じ厚みで層状に、且つ、素子電極１４，１５の反転パターンをなして形成された上層絶縁部２２を備えている。電子源１は、第１の信号線１６と下層絶縁部２１とが第１の層をなし、素子電極１４，１５と上層絶縁部２２とが第２の層をなし、第２の層の上に導電性薄膜１２および第２の信号線１７が形成された積層構造となっている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出部を有する導電性薄膜と、前記導電性薄膜に電気機械的に接続する一対の素子電極と、前記一対の素子電極にそれぞれ対応して配線された第１および第２の信号線と、を備える電子源の製造方法であって、
基板の一面に、第１の信号線を形成する工程と、
前記基板の一面に、前記第１の信号線の膜厚に相当するスペーサとして機能する下層絶縁部を形成する工程と、
前記下層絶縁部上および前記第１の信号線上に、前記一対の素子電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする電子源の製造方法。
【請求項２】
前記下層絶縁部上および前記第１の信号線上に、前記一対の素子電極の膜厚に相当するスペーサとして機能すると共に、前記第１および第２の信号線間を電気的に絶縁する上層絶縁部を形成する工程と、
前記上層絶縁部上および前記第２の素子電極上に、前記第２の信号線を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の電子源の製造方法。
【請求項３】
前記下層絶縁部は、液滴吐出法を用いてパターン形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子源の製造方法。
【請求項４】
電子放出部を有する導電性薄膜と、
前記導電性薄膜に電気機械的に接続する一対の素子電極と、
前記一対の素子電極のそれぞれに対応して配線され、前記一対の素子電極の一面側に形成された第１の信号線および前記一対の素子電極の他面側に形成された第２の信号線と、
前記第１の信号線の膜厚に相当するスペーサとして機能する下層絶縁部と、を備えることを特徴とする電子源。
【請求項５】
請求項４に記載の電子源を備える電気光学装置。
【請求項６】
請求項４に記載の電子源を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面伝導型の電子放出素子を備える電子源、およびその製造方法、並びに、電子源を備える電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子放出素子として、熱電子放出型のものと冷陰極電子放出型のものが知られている。そして、冷陰極電子放出型の電子放出素子として、電界によって電子を放出させる電界放出型のものや、電極に電流を流して電極表面の伝導帯から電子を放出させる表面伝導型のものが知られている。
このうち表面伝導型の電子放出素子としては、導電性薄膜に通電フォーミングによって電子放出部が形成されたものが知られている。通電フォーミングにより、導電性薄膜には局所的に破壊された微小な亀裂（狭小ギャップ）が形成され、この状態で導電性薄膜に電流を流すと、この亀裂から真空準位の電子が漏れ出す性質を利用して、電子放出部とするものである。電子放出素子の駆動は導電性薄膜に接続された一対の素子電極に電気信号を印加することによって行われ、例えば、特許文献１には、電子放出素子と素子電極に電気信号を印加する電気配線とをマトリクス型に配した電子源が開示されている。
特許文献１に係る電子源は、下部信号線が形成された基板の全面に絶縁層を形成し、さらに当該絶縁層にコンタクトホールを形成した後、一対の素子電極、上部信号線、導電性薄膜を順次形成して製造される。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−３４２６３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上述の製造方法では、コンタクトホールの段差をまたいで形成される素子電極を均一な膜厚で形成することが困難なため、局所的に薄くなった素子電極が断線を生じる虞もある。コンタクトホールを導電性材料で埋めてから素子電極を形成する方法も考えられるが、これでは下部信号線と素子電極との間の接続部抵抗を増大させてしまうことになる。
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、素子電極の形成面の段差に配慮され、素子電極の断線を生じにくい電子源および電子源の製造方法、並びに電気光学装置、電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、電子放出部を有する導電性薄膜と、前記導電性薄膜に電気機械的に接続する一対の素子電極と、前記一対の素子電極にそれぞれ対応して配線された第１および第２の信号線と、を備える電子源の製造方法であって、基板の一面に、第１の信号線を形成する工程と、前記基板の一面に、前記第１の信号線の膜厚に相当するスペーサとして機能する下層絶縁部を形成する工程と、前記下層絶縁部上および前記第１の信号線上に、前記一対の素子電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
この発明の電子源の製造方法によれば、下層絶縁部によって第１の信号線の膜厚による段差が補償され、素子電極の形成面が平坦化されるので、素子電極の断線が生じにくくなる。
【０００７】
また、前記電子源の製造方法において、前記下層絶縁部上および前記第１の信号線上に、前記一対の素子電極の膜厚に相当するスペーサとして機能すると共に、前記第１および第２の信号線間を電気的に絶縁する上層絶縁部を形成する工程と、前記上層絶縁部上および前記第２の素子電極上に、前記第２の信号線を形成する工程と、を有することを特徴とする。また、好ましくは、前記上層絶縁部上および前記第２の素子電極上に、前記導電性薄膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする。
【０００８】
この発明の電子源の製造方法によれば、上層絶縁部によって素子電極の膜厚による段差が補償されると共に、下層絶縁部によって素子電極の膜厚による段差が補償される。かくして、第２の信号線の形成面が平坦化され、第２の信号線の断線が生じにくくなる。また、導電性薄膜の形成面が平坦化され、導電性薄膜の断線が生じにくくなる。
【０００９】
また、前記電子源の製造方法において、前記下層絶縁部は、液滴吐出法を用いてパターン形成されることを特徴とする。
この発明の製造方法の電子源によれば、下層絶縁部のパターン形成が容易である。
【００１０】
本発明の電子源は、電子放出部を有する導電性薄膜と、前記導電性薄膜に電気機械的に接続する一対の素子電極と、前記一対の素子電極のそれぞれに対応して配線され、前記一対の素子電極の一面側に形成された第１の信号線および前記一対の素子電極の他面側に形成された第２の信号線と、前記第１の信号線の膜厚に相当するスペーサとして機能する下層絶縁部と、を備えることを特徴とする。
この発明の電子源によれば、下層絶縁部によって第１の信号線の膜厚による段差が補償され、素子電極の形成面が平坦化されるので、素子電極の断線が生じにくくなる。
【００１１】
本発明の電気光学装置は、前記電子源を備えることを特徴とする。
この発明の電気光学装置は、表示部の画素に対応して電子放出部が配された電子源を備え、例えば、陽極に塗布された蛍光体に放出電子が当たって表示がなされる。この電気光学装置は、下層絶縁部および上層絶縁部により、信号線や素子電極の膜厚に依存したパターン形成面の段差が補償され、信号線、素子電極等の断線を生じにくいため、信頼性に優れている。
【００１２】
本発明の電子機器は、前記電子源を備えることを特徴とする。
この発明の電子機器は、下層絶縁部および上層絶縁部により、信号線や素子電極の膜厚に依存したパターン形成面の段差が補償され、信号線、素子電極等の断線を生じにくいため、信頼性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。また、以下の説明で参照する図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺やアスペクト比は実際のものとは異なるように表している。
【００１４】
（第１実施形態）
（電子放出素子の構成）
まずは、図１を参照して電子放出素子の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る電子源の主要部構造を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は一部破断の斜視図である。
図１において、電子源１は、基体をなす素子基板１１と、電子放出素子１０と、電子放出素子１０のオーミック電極として形成されている第１の素子電極１４、第２の素子電極１５と、素子電極１４，１５に印加する電気信号を伝達する第１の信号線１６、第２の信号線１７と、を備えている。また、電子源１は、第１の信号線１６とほぼ同じ厚みで形成された下層絶縁部２１と、素子電極１４，１５とほぼ同じ厚みで形成された上層絶縁部２２とを備えている。尚、電子源１の全体構造についての説明は省略するが、電子放出素子１０の周囲は、高真空で封止された状態となっている。
【００１５】
電子放出素子１０は、数オングストロームから数千オングストローム程度の膜厚の導電性薄膜１２に、通電フォーミング等で狭小な亀裂を形成して電子放出部１３（図示は模式的なもの）とした、いわゆる表面伝導型のものである。導電性薄膜１２の材料としては、例えば、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ等の金属や、ＰｄＯ，ＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＰｂＯ，Ｓｂ2Ｏ3等の酸化物、ＨｆＢ2，ＺｒＢ2，ＬａＢ6，ＣｅＢ6，ＹＢ4，ＧｄＢ4等の硼化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、およびカーボン等を用いることができ、本実施形態では特にＰｄＯを用いている。
【００１６】
素子電極１４，１５および信号線１６，１７は、共に導電体で形成された数十ｎｍから数μｍ程度の膜厚の導電膜であり、Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃｒ等の金属およびこれらの合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明性導電体などを用いることができる。本実施形態においては、素子電極１４，１５にはＮｉが、信号線１６，１７にはＡｕが用いられており、このように両者の材料を違えているのは、その目的とする主機能が異なるためである。すなわち、素子電極１４，１５は、導電性薄膜１２とのオーミック接続を確立する機能を、信号線１６，１７は、電気信号を低抵抗で伝達する機能を担っている。同じ趣旨により両者は膜厚も異なる場合があるが、このような事情から、素子電極１４，１５と信号線１６，１７とは、別々に形成される。
【００１７】
第１の信号線１６は、素子電極１４，１５の下面１４ｂ，１５ｂ側に形成され、第１の素子電極１４と下面１４ｂにおいて電気機械的に接続している。また、第２の信号線１７は、素子電極１４，１５の上面１４ａ，１５ａ側に形成され、第２の素子電極１５と上面１５ａにおいて電気機械的に接続している。
下層絶縁部２１は、ＳｉＯ2などの絶縁体で形成されており、第１の信号線１６とほぼ同じ厚みで層状をなし、また、平面視方向から見て、第１の信号線１６の反転パターンをなしている。下層絶縁部２１は、第１の信号線１６の膜厚に相当するスペーサとしての機能を果たし、第１の信号線１６と共に電子源１の断面構造における第１の層をなしている。
上層絶縁部２２は、ＳｉＯ2などの絶縁体で形成されており、素子電極１４，１５とほぼ同じ厚みで層状をなし、また、平面視方向から見て、素子電極１４，１５の反転パターンをなしている。上層絶縁部２２は、素子電極１４，１５の膜厚に相当するスペーサとしての機能を果たし、素子電極１４，１５と共に電子源１の断面構造における第２の層をなすと共に、第１の信号線１６と第２の信号線１７とを電気的に絶縁する役割を果たしている。
かくして、電子源１は、第１の信号線１６と下層絶縁部２１とが第１の層をなし、素子電極１４，１５と上層絶縁部２２とが第２の層をなし、第２の層の上に導電性薄膜１２および第２の信号線１７が形成された積層構造となっている。
【００１８】
電子源１は、平面構造的には、第１および第２の信号線１６，１７がそれぞれＹ軸方向、Ｘ軸方向に沿って伸長し、当該伸長方向に沿ってそれぞれ等間隔で素子電極１４，１５が配され、一対の素子電極１４，１５に対応して一つの電子放出素子１０が形成された、いわゆる単純マトリクス型の素子配列を有している。
第２の信号線１７には、電子放出素子１０を１行（図のＸ軸方向の並び）ずつ順次駆動してゆくための走査信号が、第１の信号線１６には、走査信号により選択された行の電子放出素子１０の電子放出を制御するための階調信号が印加される。かくして、信号線１６，１７を伝達する電気信号により、素子電極１４，１５間に電圧差が発生すると、電子放出部１３をまたいで導電性薄膜１２内に電子伝導が起こる。このとき、電子放出部１３の亀裂を介して伝導する電子の一部は、量子力学的な効果によって真空中に漏れ出し、この電子が放出電子として利用される。
【００１９】
（液滴吐出装置の構成）
次に、電子源１の製造に用いる液滴吐出装置の構成について、図２を参照して説明する。図２は、電子源の製造に用いる液滴吐出装置の一例を示す概略斜視図である。
液滴吐出装置１００は、図２に示すように、液滴を吐出するヘッド部１１０を有するヘッド機構部１０２と、ヘッド部１１０から吐出された液滴の吐出対象である基板１２０を載置する基板機構部１０３と、ヘッド部１１０に機能液１３３を供給する機能液供給部１０４と、これら各機構部および供給部を総括的に制御する制御部１０５とを備える。
ヘッド部１１０は、インクジェットプリンタに用いられるような複数のノズルを有する液滴吐出ヘッド（図示せず）を搭載しており、制御部１０５からの電気信号を受けて、機能液１３３を液滴として吐出する。また、液滴の吐出は、制御部１０５によってノズル毎に制御可能である。
【００２０】
基板１２０としては、ガラス基板、金属基板、合成樹脂基板など、平板状のものであれば大抵のものが利用できる。後述する電子源の製造においては、基板１２０として図１に示した素子基板１１が用いられる。
また機能液１３３としては、例えば、カラーフィルタのフィルタ材料、光学表示装置に使用する発光材料や蛍光材料、基板の表面にバンクや表面コーティング層を形成するための硬化性樹脂材料、電極や金属配線を形成するための導電性材料、絶縁膜を形成するための絶縁性材料、レジスト材料などを含む溶液が、目的に応じて用意される。
【００２１】
液滴吐出装置１００は、床上に設置された複数の支持脚１０６と、支持脚１０６の上側に設置された定盤１０７を備えている。定盤１０７の上側には、基板機構部１０３が定盤１０７の長手方向（Ｘ軸方向）にわたって配置されており、基板機構部１０３の上方には、定盤１０７に固定された２本の柱で両持ち支持されているヘッド機構部１０２が、基板機構部１０３と直交する方向（Ｙ軸方向）にわたって配置されている。
【００２２】
ヘッド機構部１０２は、機能液１３３を吐出するヘッド部１１０と、ヘッド部１１０を搭載したキャリッジ１１１と、キャリッジ１１１のＹ軸方向への移動をガイドするＹ軸ガイド１１３と、Ｙ軸ガイド１１３に沿って設置されたＹ軸ボールねじ１１５と、Ｙ軸ボールねじ１１５を正逆回転させるＹ軸モータ１１４と、キャリッジ１１１の下部にあって、Ｙ軸ボールねじ１１５と螺合してキャリッジ１１１を移動させる雌ねじ部が形成されたキャリッジ螺合部１１２とを備えている。
【００２３】
基板機構部１０３の移動機構は、ヘッド機構部１０２とほぼ同様の構成でＸ軸方向に配置されており、基板１２０を載置している載置台１２１と、載置台１２１の移動をガイドするＸ軸ガイド１２３と、Ｘ軸ガイド１２３に沿って設置されたＸ軸ボールねじ１２５と、Ｘ軸ボールねじ１２５を正逆回転させるＸ軸モータ１２４と、載置台１２１の下部にあって、Ｘ軸ボールねじ１２５と螺合して載置台１２１を移動させる載置台螺合部１２２とを備えている。
【００２４】
ヘッド部１１０に機能液１３３を供給する機能液供給部１０４は、ヘッド部１１０に連通する流路を形成するチューブ１３１ａと、チューブ１３１ａへ液体を送り込むポンプ１３２と、ポンプ１３２へ機能液１３３を供給するチューブ１３１ｂ（流路）と、チューブ１３１ｂに連通して機能液１３３を貯蔵するタンク１３０とから成っており、定盤１０７上の一端に配置されている。
【００２５】
これらの構成により、ヘッド部１１０は基板１２０に対して、それぞれＹ軸方向およびＸ軸方向に往復自在に相対移動することが可能であり、ヘッド部１１０から吐出された液滴を、基板１２０上の任意の位置に着弾させることができるようになっている。そして、この位置制御と、ヘッド部１１０におけるノズル毎の吐出制御とを同期させて行うことにより、基板１２０上に所定のパターンで機能液１３３を配置（描画）することができる。
尚、図２では、機能液供給部１０４は一種類の機能液をヘッド部１１０に供給するように描かれているが、実際には、複数種の機能液を一度に供給可能に構成されており、ヘッド部１１０は、複数種の機能液を同時に吐出することもできる。
【００２６】
（電子源の製造工程）
次に、電子源の製造工程について、図３、図４を参照して説明する。図３（ａ）〜（ｃ）および図４（ｄ）〜（ｆ）は、第１実施形態に係る電子源の製造工程における一過程を示す一部破断の斜視図である。
【００２７】
まず、図３（ａ）に示すように、ガラスやセラミックで形成された素子基板１１上に、
液滴吐出法を用いて、第１の信号線１６をパターン形成する。具体的には、図２に示す液滴吐出装置１００を用いて、導電性微粒子を分散媒中に分散させた機能液を素子基板１１上にパターン配置し、乾燥、焼成等により機能液を固化して成膜を行うものである。
導電性微粒子は、上述した信号線１６，１７に用いる導電体材料を微粒子化したものであり、分散性を向上させるためにその表面に有機物などをコーティングして用いることもできる。分散媒には、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物等が用いられ、その蒸気圧は、成膜時の乾燥速度や液滴吐出装置１００に保存されている際の保存安定性等の観点から、０．１Ｐａ以上２７ｋＰａ以下の範囲とするのが好ましい。機能液の表面張力は、吐出安定性等の観点から、０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲とするのが好ましく、界面活性剤を添加して調整することもできる。また、機能液には、成膜後の定着性を向上させるための樹脂や、粘度調整、保存安定性調整などのための各種添加剤を適宜添加することができる。
尚、描画に先立ち、前処理として、配置したいパターンに合わせて親液化および撥液化の表面処理（例えば、プラズマ処理や表面吸着分子による膜形成など）を行うことも可能である。このような前処理を行うことで、機能液をより高精度にパターン配置することが可能となる。また、このような液滴吐出法に代えて、フォトリソグラフィー技術や印刷法を用いて信号線１６をパターン形成してもよい。
【００２８】
次に、図３（ｂ）に示すように、液滴吐出法を用いて、素子基板１１上に下層絶縁部２１をパターン形成する。尚、このとき用いる機能液は、ＳｉＯ2等の絶縁体微粒子を含む機能液である。下層絶縁部２１は、第１の信号線１６とほぼ同じ厚みで層状に、且つ、平面視方向から見て第１の信号線１６の反転パターンをなすように形成される。下層絶縁部２１は液滴吐出法を用いて形成されるので、このような複雑なパターンであってもその工程は容易である。
かくして、第１の信号線１６の上面１６ａと下層絶縁部２１の上面２１ａとが一体となって、段差のほとんどない平滑面２３を構成する。
【００２９】
次に、図３（ｃ）に示すように、液滴吐出法やフォトリソグラフィー技術を用いて、第１の信号線１６および下層絶縁部２１によって形成された平滑面２３上に、素子電極１４，１５をパターン形成する。このとき、第１の素子電極１４は、第１の信号線１６と上面１６ａにおいて電気機械的に接続される。また、素子電極１４，１５は、平滑面２３上に形成されるため、ほぼ均一な膜厚で形成され、局所的な断線を生じにくい。
【００３０】
次に、図４（ｄ）に示すように、第１の信号線１６および下層絶縁部２１によって形成された平滑面２３上に、下層絶縁部２１の場合と同様の手順で上層絶縁部２２をパターン形成する。上層絶縁部２２は、素子電極１４，１５とほぼ同じ厚みで層状に、且つ、平面視方向から見て素子電極１４，１５の反転パターンをなすように形成される。上層絶縁部２２もまた液滴吐出法を用いて形成されるので、このような複雑なパターンであってもその工程は容易である。
かくして、素子電極１４，１５の上面１４ａ，１５ａと上層絶縁部２２の上面２２ａとが一体となって、段差のほとんどない平滑面２４を構成する。
【００３１】
次に、図４（ｅ）に示すように、素子電極１４，１５および上層絶縁部２２によって形成された平滑面２４上に、第１の信号線１６の場合と同様の手順で第２の信号線１７をパターン形成する。このとき、第２の信号線１７は、第２の素子電極１５と上面１５ａにおいて電気機械的に接続される。また、第２の信号線１７は、平滑面２４上に形成されるため、ほぼ均一な膜厚で形成され、局所的な断線を生じにくい。
【００３２】
次に、図４（ｆ）に示すように、素子電極１４，１５および上層絶縁部２２によって形成された平滑面２４上に、液滴吐出法やフォトリソグラフィー技術を用いて、導電性薄膜１２を形成する。このとき、導電性薄膜１２の両端部は、素子電極１４，１５とそれぞれ電気機械的に接続される。また、導電性薄膜１２は、平滑面２４上に形成されるため、ほぼ均一な膜厚で形成され、局所的な断線を生じにくい。
最後に、通電フォーミング等により、導電性薄膜１２に電子放出部１３（図１参照）を形成し、素子基板１１の実装面側（図の上面側）を高真空状態に封止して、図１に示す電子源１が完成する。
【００３３】
（電気光学装置の構成）
次に、図５を参照して、電気光学装置の構成について説明する。図５は、電気光学装置の主要部構造を示す部分断面図である。
図５において、電気光学装置７０は、素子基板１１上に電子放出素子１０、素子電極１４，１５、信号線１６，１７が配された電子源１と、素子基板１１に対向する表示基板７１とを備えている。素子基板１１と表示基板７１とは、図示しない外枠部材を介して一定間隔に保たれ、両基板１１，７１間の空間７２は、１０-7Ｐａ程度の真空状態に封止されている。また、両基板１１，７１間の間隔を維持するためのスペーサ部材を、第２の信号線１７上や平滑面２４上にＸ軸方向に伸長させて形成したり、真空度を維持させるために、空間７２に対する面に図示しないガス吸着膜を蒸着により形成する場合もある。
【００３４】
表示基板７１は、対向電極７３と、蛍光膜７４と、遮光膜７５とを備えている。遮光膜７５は、画素を区画するように電子放出素子１０の配列に合わせて形成されており、画素間におけるクロストークや蛍光膜７４からの外光反射を低減する役割を果たす。材料としては、黒鉛など、導電性および遮光性のある材料が用いられる。
蛍光膜７４は蛍光体を含んでおり、電子放出素子１０からの放出電子の衝突によって蛍光体が発光することで、画素を点灯させる役割を果たす。電気光学装置７０がカラー表示タイプの場合には、蛍光膜７４は、画素ごとに三原色に対応する蛍光体で分けられて形成される。
対向電極７３には加速電圧（例えば、１０ｋＶ程度）が印加され、蛍光膜７４の蛍光体を励起させるに十分なエネルギーを与えるために、放出電子を加速する役割を果たす。対向電極７３には、例えば、ＩＴＯ等の透明性導電体が用いられる。
【００３５】
上述の構成において、第２の信号線１７に印加する走査信号、第１の信号線１６に印加する階調信号を制御して電子放出素子１０から電子を放出させ、対向電極７３で加速された放出電子が蛍光膜７４に衝突することで画素が点灯し、所望の画像が表示される。この電気光学装置７０は、先に説明した電子源１を備えているので、信号線１６，１７や素子電極１４，１５等の断線を生じにくく、信頼性に優れている。また、スペーサ部材を第２の信号線１７上や平滑面２４上に形成する場合においては、形成面が平坦なため、スペーサの厚みにより両基板１１，７１間の間隔を規定しやすくなり、画素間の発光特性ばらつきを低減することができる。
【００３６】
（電子機器）
次に、図６を参照して、電子機器の具体例を説明する。図６は、電子機器の一例を示す概略斜視図である。
図６に示す電子機器としての携帯型情報処理装置７００は、キーボード７０１と、情報処理本体７０３と、電気光学装置７０２と、を備えている。このような携帯型情報処理装置７００のより具体的な例は、ワープロ、パソコンである。この携帯型情報処理装置７００は、先に説明した電子源１を備えた電気光学装置７０２を搭載しているので、信号線１６，１７や素子電極１４，１５等の断線を生じにくく、信頼性に優れている。
また、本発明に係る電子源を備える電子機器の別の例としては、電子放出素子１０をコヒーレント電子源として使用する様々な機器、例えば、コヒーレント電子ビーム収束装置、電子線ホログラフィー装置、単色化型電子銃、電子顕微鏡、多数本コヒーレント電子ビーム作成装置、電子ビーム露光装置、電子写真プリンタの描画装置などがある。
【００３７】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について、図７、図８を参照して説明する。尚、以下では、第１実施形態と重複する内容については説明を省略し、相違点を中心に説明する。図７（ａ）〜（ｃ）および図８（ｄ）〜（ｆ）は、第２実施形態に係る電子源の製造工程における一過程を示す一部破断の斜視図である。
【００３８】
この第２実施形態においては、電子源１の製造にあたり、まず図７（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いたパターンエッチングにより、素子基板１１に凹部３０を形成する。凹部３０は、この後に形成される第１の信号線１６（図７（ｂ）参照）のパターンに合わせて形成されており、かくして、素子基板１１において図中の仮想線で仕切られた上層の部分が、下層絶縁部３１として形成されることになる。そして、図７（ｂ）に示すように、凹部３０を埋め込むように第１の信号線１６をパターン形成し、第１の信号線１６の上面１６ａと下層絶縁部３１の上面３１ａとが一体となって、段差のほとんどない平滑面２３を構成する。
【００３９】
このように、本発明における下層絶縁部は、素子基板１１と一体に形成された態様であってもよい。別部材か否かに関わらず、実質的に第１の信号線１６の膜厚に相当するスペーサとしての機能を有していることが要件である。また、下層絶縁部の形成は、第１の信号線の形成前であっても形成後であってもよい。
【００４０】
次に、図７（ｃ）に示すように、第１の信号線１６および下層絶縁部３１によって形成された平滑面２３上に、液滴吐出法を用いて上層絶縁部３２をパターン形成する。上層絶縁部３２は、この後に平滑面２３上に形成される素子電極１４，１５（図８（ｄ）参照）とほぼ同じ厚みで層状に形成されている。また、第２の素子電極１５と干渉しないための切り欠き部３３および、導電性薄膜１２（図８（ｆ）参照）の形成面をなす突き出し部３４を有したパターンで形成されている。
次に、図８（ｄ）に示すように、素子電極１４，１５を形成する。かくして、素子電極１４，１５の上面１４ａ，１５ａと上層絶縁部３２の上面３２ａとが一体となって、段差のほとんどない平滑面２４を構成する。
最後に、図８（ｅ）、図８（ｆ）に示すように、平滑面２４上に第２の信号線１７および導電性薄膜１２を形成し、導電性薄膜１２に電子放出部１３を形成し、素子基板１１の実装面側（図の上面側）を高真空状態に封止して、電子源１が完成する。
【００４１】
このように、本発明における上層絶縁部は、素子電極１４，１５に先立って形成されてもよい。また、そのパターンは、第１実施形態のような素子電極１４，１５の反転パターンに限定されるものではなく、第２の素子電極１５と共に、第２の信号線１７の形成面としての平滑面２４を形成できるパターンであればよい。下層絶縁部のパターンについても同様のことが言え、この場合、第１の信号線１６と共に、素子電極１４，１５や導電性薄膜１２の形成面としての平滑面２３を形成できるパターンであればよい。
【００４２】
本発明は上述の実施形態に限定されない。また、各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略したり、図示しない他の構成と組み合わせたりすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】（ａ）は、第１実施形態に係る電子源の主要部構造を示す平面図。（ｂ）は、電子源の主要部構造を示す一部破断の斜視図。
【図２】電子源の製造に用いる液滴吐出装置の一例を示す概略斜視図。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に係る電子源の製造工程における一過程を示す一部破断の斜視図。
【図４】（ｄ）〜（ｆ）は、第１実施形態に係る電子源の製造工程における一過程を示す一部破断の斜視図。
【図５】電気光学装置の主要部構造を示す部分断面図。
【図６】電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態に係る電子源の製造工程における一過程を示す一部破断の斜視図。
【図８】（ｄ）〜（ｆ）は、第２実施形態に係る電子源の製造工程における一過程を示す一部破断の斜視図。
【符号の説明】
【００４４】
１…電子源、１０…電子放出素子、１１…素子基板、１２…導電性薄膜、１３…電子放出部、１４…第１の素子電極、１４ａ…素子電極の一面としての上面、１４ｂ…素子電極の他面としての下面、１５…第２の素子電極、１５ａ…素子電極の一面としての上面、１５ｂ…素子電極の他面としての下面、１６…第１の信号線、１６ａ…上面、１７…第２の信号線、２１…下層絶縁部、２１ａ…上面、２２…上層絶縁部、２２ａ…上面、２３…平滑面、２４…平滑面、３０…凹部、３１…下層絶縁部、３１ａ…上面、３２…上層絶縁部、３２ａ…上面、３３…切り欠き部、３４…突き出し部、７０…電気光学装置、７１…表示基板、７２…空間、７３…対向電極、７４…蛍光膜、７５…遮光膜、１００…液滴吐出装置、７００…電子機器としての携帯型情報処理装置、７０１…キーボード、７０２…電気光学装置、７０３…情報処理本体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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