(57)【要約】【課題】配向膜の表面を平坦化させることにより、ラビング不良を無くし、高画質化を図る。【解決手段】  アクティブマトリクス基板に電気光学物質を介して対向配置される対向基板２０と、前記対向基板上にパターン形成される遮光膜７２と、透光性を有し、前記遮光膜による前記対向基板表面の段差を緩和するために前記遮光膜及び対向基板上に形成される平坦化膜７３と、前記平坦化膜上に形成される対向電極２１と、前記対向電極上に形成される配向膜２２とを具備したことを特徴とする。【選択図】      図１
2006154167.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス基板に電気光学物質を介して対向配置される対向基板と、
前記対向基板上にパターン形成される遮光膜と、
透光性を有すると共にシリケートガラス膜によって構成され、前記遮光膜による前記対向基板表面の段差を緩和するために前記遮光膜及び対向基板上に形成される平坦化膜と、
前記平坦化膜上に形成される対向電極と、
前記対向電極上に形成される配向膜とを具備したことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
アクティブマトリクス基板に電気光学物質を介して対向配置される対向基板と、
前記対向基板上にパターン形成される遮光膜と、
前記遮光膜及び対向基板上に形成される対向電極と、
透光性を有すると共にシリケートガラス膜によって構成され、前記遮光膜による前記対向基板表面の段差を緩和するために前記対向電極上に形成される平坦化膜と、
前記平坦化膜上に形成される配向膜とを具備したことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記シリケートガラス膜は、不純物無添加ガラス膜、ボロンガラス膜又はボロンリンガラス膜であることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一方に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記平坦化膜は、塗布シリコン膜によって構成されることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一方に記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
前記平坦化膜は、ＣＶＤ法によって生成されていることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一方に記載の電気光学装置用基板。
【請求項６】
前記平坦化膜は、成膜後の加熱処理によってリフロー性が向上されていることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一方に記載の電気光学装置用基板。
【請求項７】
前記加熱処理は、６００℃以上の温度で行われることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置用基板。
【請求項８】
前記平坦化膜は、化学的機械研磨処理によって平坦化されていることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一方に記載の電気光学装置用基板。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１つに記載の電気光学装置用基板と、
前記電気光学装置用基板に電気光学物質を介して対向配置されるアクティブマトリクス基板とを具備したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス方式の表示装置等に好適な電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置においては、一対の基板のうちの一方は、縦横に夫々配列された多数の走査線（ゲート線）及びデータ線（ソース線）の各交点に対応して、画素電極及びスイッチング素子が配列されたアクティブマトリクス基板であり、他方は、共通電極が形成された対向基板である。
【０００３】
ＴＦＴ素子等のスイッチング素子は、ゲート線に供給されるオン信号によってオンとなり、ソース線を介して供給される画像信号を画素電極（透明電極（ＩＴＯ））に書込む。これにより、画素電極と共通電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。こうして、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
素子基板又は対向基板等の電気光学装置用基板は、ガラス又は石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。例えば、対向基板は、ガラス又は石英基板上に、遮光膜をパターン形成し、ガラス又は石英基板上及び遮光膜上に、ＩＴＯ膜を形成し、ＩＴＯ膜上に配向膜が形成される。なお、対向基板の具体的な構成については、特許文献１に開示されている。
【０００５】
ＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入される。パネル組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接する面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させる。シール部の一部には切り欠きが設けられており、この切り欠きを介して液晶を封入する。
【０００６】
配向膜にラビング処理を施すことで、電圧無印加時の液晶分子の配列が決定される。配向膜は、例えばポリイミドを約数十ナノメーターの厚さで塗布することにより形成される。液晶層に対向する両基板の面上に配向膜を形成することで、液晶分子を基板面に沿って配向処理することができる。ラビング処理は、配向膜表面に細かい溝を形成して配向異方性の膜にするものであり、配向膜に一定方向のラビング処理を施すことで、液晶分子の配列を規定することができる。
【特許文献１】特開平１１−３４４６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ラビング処理には、ローラの周りにラビング布が取り付けられたラビングロールが用いられる。即ち、先ず、ラビング装置の載置台上に配向膜となるポリイミド膜が成膜された基板をポリイミド膜を上にして配置する。次に、ラビングロールをポリイミド膜と接するように配置し、ラビングロールを所定の方向に移動させて、ポリイミド膜を擦ることにより、ラビング処理された配向膜を得る。
【０００８】
図８は対向基板の断面を示している。図８に示すように、対向基板においては、基板８０とＩＴＯ膜８２との間に、パターン形成された遮光膜８１が設けられている。ＩＴＯ膜８２はスパッタリングによって形成されており、ＩＴＯ膜８２は膜表面に対して略垂直方向に堆積する。従って、遮光膜８１が形成された部分と形成されていない部分との境界において、ＩＴＯ膜８２の表面には段差が生じ、この段差部分ではＩＴＯ膜８２がオーバーハング形状に形成される。このオーバーハング形状によって、配向膜８３表面にも凹凸が生じる。
【０００９】
そうすると、ラビング時に、配向膜８３の凹凸部分でラビングロールが均一な圧力で摺動しなくなり、凹凸部分では配向膜８３の剥がれが生じてラビング不良が発生することがある。また、配向膜８３の凹凸によってラビングローラに対する毛先の不揃い等のラビングロールの劣化が生じてしまうという問題もあった。
【００１０】
本発明は、配向膜の凹凸を少なくてしてラビング不良の発生を防止することができる電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る電気光学装置用基板は、アクティブマトリクス基板に電気光学物質を介して対向配置される対向基板と、前記対向基板上にパターン形成される遮光膜と、透光性を有すると共にシリケートガラス膜によって構成され、前記遮光膜による前記対向基板表面の段差を緩和するために前記遮光膜及び対向基板上に形成される平坦化膜と、前記平坦化膜上に形成される対向電極と、前記対向電極上に形成される配向膜とを具備したことを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、対向基板上には遮光膜がパターン形成されており、対向基板表面は遮光膜による段差を有する。平坦化膜はこれらの遮光膜及び対向基板上に形成される。平坦化膜のリフロー性によって、遮光膜による対向基板表面の段差は緩和され、平坦化膜の表面は平坦化される。これにより、平坦化膜上の対向電極の表面は平坦化され、対向電極上の配向膜も表面が平坦化される。配向膜の表面が平坦化されているので、例えば配向膜に対するラビング処理に際してラビング不良が発生することが防止される。
【００１３】
また、本発明に係る電気光学装置用基板は、アクティブマトリクス基板に電気光学物質を介して対向配置される対向基板と、前記対向基板上にパターン形成される遮光膜と、前記遮光膜及び対向基板上に形成される対向電極と、透光性を有すると共にシリケートガラス膜によって構成され、前記遮光膜による前記対向基板表面の段差を緩和するために前記対向電極上に形成される平坦化膜と、前記平坦化膜上に形成される配向膜とを具備したことを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、対向基板上には遮光膜がパターン形成されており、対向基板表面は遮光膜による段差を有する。これらの遮光膜及び対向基板上には対向電極が形成される。対向電極の表面は、遮光膜による対向基板表面の段差に応じて、オーバーハング形状の段差を有する。この対向電極上には平坦化膜が形成される。平坦化膜のリフロー性によって、対向電極の表面の段差は緩和され、平坦化膜の表面は平坦化される。これにより、平坦化膜上の配向膜も表面が平坦化される。配向膜の表面が平坦化されているので、例えば配向膜に対するラビング処理に際してラビング不良が発生することが防止される。
【００１５】
また、前記シリケートガラス膜は、不純物無添加ガラス膜、ボロンガラス膜又はボロンリンガラス膜であることを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、不純物無添加ガラス膜、ボロンガラス膜又はボロンリンガラス膜のリフロー性によって、平坦化膜の表面は平坦となる。
【００１７】
また、前記平坦化膜は、塗布シリコン膜によって構成されることを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、塗布シリコン膜の表面張力によって、平坦化膜の表面は平坦となる。
【００１９】
また、前記平坦化膜は、ＣＶＤ法によって生成されていることを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、ＣＶＤ法では、段差部分においても膜がコムフォーマルに成長するので、平坦化膜表面は平坦となる。
【００２１】
また、前記平坦化膜は、成膜後の加熱処理によってリフロー性が向上されていることを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、成膜後の加熱処理によって流動性が高まり、平坦化膜の表面の平坦化が促進される。
【００２３】
また、前記加熱処理は、６００℃以上の温度で行われることを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、確実にリフロー性を向上させることができる。
【００２５】
また、前記平坦化膜は、化学的機械研磨処理によって平坦化されていることを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、表面が確実に平坦化された平坦化膜が得られる。
【００２７】
本発明に係る電気光学装置は、上記電気光学装置用基板と、前記電気光学装置用基板に電気光学物質を介して対向配置されるアクティブマトリクス基板とを具備したことを特徴とする。
【００２８】
このような構成によれば、電気光学装置用基板にラビング不良が生じないので、高画質の画像を表示することができる。
【００２９】
本発明に係る電子機器は、上記電気光学装置を用いたことを特徴とする。
【００３０】
このような構成によれば、高画質の画像表示が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板を示す断面図である。本実施の形態は電気光学装置である液晶装置用の基板に適用したものである。図２はＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に本実施の形態を適用する対向基板側から見た平面図であり、図３は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図２のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図である。図４は本実施の形態を適用した液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、上記各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３２】
先ず、図２乃至図４を参照して本実施の形態の電気光学装置用基板を適用して対向基板を構成した液晶装置の全体構成について説明する。
【００３３】
液晶装置は、図２及び図３に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いたＴＦＴ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３４】
ＴＦＴ基板１０上には画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置される。また、対向基板２０上には全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられる。ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上には、液晶５０に接して、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられている。一方、対向基板２０側においても、液晶５０に接して、全面に渡って、ラビング処理が施された配向膜２２が設けられている。各配向膜１６，２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００３５】
図４は画素を構成するＴＦＴ基板１０上の素子の等価回路を示している。図４に示すように、画素領域においては、複数本の走査線１１ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線１１ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００３６】
ＴＦＴ３０は走査線１１ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００３７】
画素電極９ａは、ＴＦＴ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、アルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。ＴＦＴ３０は半導体層とゲート電極３ａとの間にゲート絶縁膜を配置して構成され、走査線１１ａは、半導体層中のチャネル領域に対向するゲート電極３ａに電気的に接続されている。すなわち、走査線１１ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、走査線１１ａに接続されたゲート電極３ａとチャネル領域とが対向配置されて画素スイッチング用のＴＦＴ３０が構成されている。
【００３８】
ＴＦＴ基板１０上には、ＴＦＴ３０や画素電極９ａの他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。即ち、ＴＦＴ基板１０上には、走査線１１ａを含む層、ＴＦＴ３０及びゲート電極３ａを含む層、蓄積容量７０を含む層、データ線６ａ等を含む層、並びに、画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む層が形成される。
【００３９】
各層の層間には、層間絶縁膜が配置されて、各要素間が短絡することが防止される。また、各層間絶縁膜には、上下の層を電気的に接続するためのコンタクトホールも設けられている。
【００４０】
また、図２及び図３に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜５３が設けられている。対向基板２０の全面には、上述したように、ＩＴＯ等の透明導電性膜が対向電極２１として形成され、更に、液晶５０に面して、全面にポリイミド系の配向膜２２が形成される。配向膜２２は、液晶分子に所定のプレティルト角を付与するように、所定方向にラビング処理されている。
【００４１】
遮光膜５３の外側の領域には液晶を封入するシール材５２が、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材５２は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材５２は、ＴＦＴ基板１０の１辺の一部において欠落しており、液晶５０を注入するための液晶注入口１０８が形成される。貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶注入口１０８より液晶が注入される。液晶注入後に、液晶注入口１０８を封止材１０９で封止するようになっている。
【００４２】
シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に隣接する二辺に沿って、走査線１１ａ及びゲート電極３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することによりゲート電極３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が設けられている。走査線駆動回路１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置においてＴＦＴ基板１０上に形成される。また、ＴＦＴ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００４３】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成される。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間には、下端が上下導通端子１０７に接触し、上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００４４】
図１は対向基板２０の具体的な構成を示している。図１に示すように、ガラス又はネオセラム等の材料によって構成された対向基板２０上には、パターン化された遮光膜７２が形成されている。遮光膜７２は、データ線６ａ及び走査線１１ａに沿って平面的にはマトリクス上に設けられている。遮光膜７２によって対向基板２０の表面は凹凸を有する。
【００４５】
本実施の形態においては、遮光膜７２及び対向基板２０上には、全面に、平坦化膜７３が形成されている。平坦化膜７３は、不純物が無添加の酸化シリコン（non-doped silicate glass : ＮＳＧ）膜、ボロンが添加された酸化シリコン（ＢＳＧ）膜、又は、ボロン及びリンが添加されたＢＰＳＧ膜等を採用することができる。ＮＳＧ膜、ＢＳＧ膜及びＢＰＳＧ膜はリフロー性に優れている。これらの膜は例えばＣＶＤ法によって成膜される。ＣＶＤ法による成膜では、平坦化膜７３は、段差部分においても、コムフォーマルに成長するので、遮光膜７２による対向基板２０表面の段差形状を緩和することができ、平坦化膜７３の表面は比較的平坦化されたものとなる。
【００４６】
なお、平坦化膜７３による平坦化は、完全な平坦化だけでなく、対向基板２０の表面の段差の勾配を多少なりとも緩和することをも意味する。平坦化膜７３の表面を略完全な平坦面にすることができる場合もあり、平坦化膜７３の表面に段差が残る場合もある。この場合でも、平坦化膜７３の表面の段差は、遮光膜７２による対向基板２０表面の段差に比べて緩やかである。
【００４７】
更に、平坦化膜７３は、高温処理されていてもよい。熱処理によって流動性を向上させ、平坦化膜７３の表面を一層平坦化させることが可能である。また、平坦化膜７３として、ＮＳＧ膜、ＢＳＧ膜及びＢＳＰＧ膜のうちの複数の膜を用いた多層構造を採用してもよい。
【００４８】
平坦化膜７３上には、全面に対向電極２１が形成されている。対向電極２１となるＩＴＯは、スパッタリングによって形成されるが、対向電極２１の下地となる平坦化膜７３の表面が平坦であるか又は表面の段差が十分に緩和されているので、対向電極２１の表面も、平坦であるか又は表面の段差が十分に緩和された状態で形成される。
【００４９】
対向基板２０上には、全面に配向膜２２が形成されている。配向膜２２となるポリイミドは、配向膜２２の下地となる対向電極２１の表面が平坦であるか又は表面の段差が十分に緩和されている。従って、配向膜２２の表面も、平坦であるか又は表面の段差が十分に緩和された状態で形成される。
【００５０】
このように構成された対向基板２０に対してラビングローラを用いたラビング処理が施される。ラビング処理においては、配向膜２２の表面が平坦であるか又は表面の段差が十分に緩和されているので、ラビングローラは配向膜２２の全面において略均一な圧力で接触する。従って、ラビング時に、配向膜２２が剥がれることはなく、ラビングロールが損傷を受けることもない。これにより、配向膜２２の全面に渡って均質なラビングが可能であり、ラビング不良の発生を防止することができる。
【００５１】
次に、本実施の形態に係る電気光学装置用基板である対向基板２０の製造方法について説明する。
【００５２】
対向基板２０としてガラス基板等を先ず用意する。用意したガラス基板等の表面には、データ線６ａ及び走査線１１ａに沿ってパターン化された遮光膜７２を形成する。遮光膜７２は、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等によって構成することができる。この遮光膜７２によって、ガラス基板等の表面には段差が生じている。
【００５３】
本実施の形態においては、遮光膜７２が形成されたガラス基板等の表面に、平坦化膜７３を形成する。いま、平坦化膜７３としてＢＰＳＧ膜を採用するものとして説明する。この場合には、遮光膜７２が形成されたガラス基板等の表面に、例えば常圧ＣＶＤ法を用いて、平坦化膜７３としてのＢＰＳＧ膜を成膜する。このＢＰＳＧ膜は、ボロン（Ｂ）を１重量％以上、リン（Ｐ）を７重量％以下、具体的にはボロン（Ｂ）を２重量％、リン（Ｐ）を６重量％の割合で含むように不純物添加量を調整して成膜される。
【００５４】
その際、成膜ガスとして、窒素(Ｎ２)ガス、Ｏ３ガス、ＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキソ・フォスレート：ＰＯ（ＯＣＨ３）３））ガス及びＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート：Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３））ガスを基板上に供給する。いずれのガスも始めは徐々にその量を増加させて供給され、５秒経過した時点で一定量の供給量に保持される。供給量が保持された時点での各ガスの流量は、例えば、Ｎ２ガスは１８ｌ／分、Ｏ３ガスは７．５ｌ／分である。また例えば、ＴＥＯＳガスの流量は２．５ｌ／分、ＴＭＯＰガスの流量は１．２ｌ／分、ＴＥＢガスの流量は０．５５ｌ／分である。
【００５５】
このようにして得られたＢＰＳＧ膜の表面には、遮光膜７２による基板表面の段差が多少緩和されて、緩やかな傾斜の凹凸が生じている。
【００５６】
次に、ＢＰＳＧ膜による平坦化膜７３を加熱により流動化させ、平坦化を促進させる。具体的には、６００°Ｃ以上の温度、例えば８００°Ｃ〜１０００°Ｃ程度に基板を加熱し、ＢＰＳＧ膜による平坦化膜７３を溶融させる。例えば、この加熱工程は、Ｎ２雰囲気、１０００°Ｃの炉内で２０分の熱処理により行う。ＢＰＳＧ膜による平坦化膜７３は、ボロン（Ｂ）を１重量％以上含んでいることから、上記の温度下で溶融される。即ち、平坦化膜７３は効果的にリフローされることとなり、その表面における段差が十分に緩和される。
【００５７】
なお、平坦化膜７３をＢＰＳＧ膜によって構成する場合において、ボロン及びリンの割合は上述した割合に限定されるものではない。
【００５８】
次に、表面が平坦化された平坦化膜７３の全面にスパッタ処理等を用いてＩＴＯ膜を約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。更に、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向にラビング処理を施すこと等により、配向膜２２を形成する。
【００５９】
このように本実施の形態においては、遮光膜による段差を有する対向基板と対向電極との間に、リフロー性に優れた平坦化膜を形成していることから、配向膜表面を十分に平坦化させることができる。これにより、ラビング不良の発生を抑制することができる。
【００６０】
上記製造方法の説明では、ＢＰＳＧ膜について説明したが、ＮＳＧ膜、ＢＳＧ膜についても同様に構成可能であることは明らかである。なお、ＢＳＧ膜はＮＳＧ膜に比べて吸湿性に優れており、対向電極の変動を抑え、焼き付き現象を抑制することができるという利点を有する。また、ＮＳＧ膜及びＢＳＧ膜を、ＣＶＤ法によって形成する場合には、成膜後に加熱アニールすることなく、十分なリフロー性が得られる。
【００６１】
また、平坦化膜７３として、ＮＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等のシリケートガラス膜を用いる例を説明したが、リフロー性に優れ、光をある程度透過させることが可能であれば、他の種類の絶縁膜を用いてもよく、導電性膜を採用してもよい。
【００６２】
また、平坦化膜７３を省略し、対向電極２１をより厚い膜厚で形成し、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理によって対向電極２１の表面を研磨することで、対向電極２１の表面を平坦化すると共に所定の膜厚に制御するようにしてもよい。
【００６３】
また、例えば、平坦化膜７３として、ＳＯＧ（スピンオンガラス：塗布シリコン膜）膜を採用してもよい。平坦化膜７３としてＳＯＧ膜を採用する場合には、遮光膜７２が形成されたガラス基板等の表面に、先ず、ＳＯＧ膜となる有機シリコン材料を回転塗布する。次に、例えばホットプレート上で、乾燥処理及び硬化処理を施す。有機シリコン材料を回転塗布していることから、塗布された膜は、表面張力によって、凸部には薄く、凹部には厚く形成される。これにより、遮光膜７２による基板表面の段差が緩和され、ＳＯＧ膜による平坦化膜７３の表面は略平坦化される。
【００６４】
このように、ＳＯＧ膜を採用した場合でも、対向電極２１の下地を平坦化させることができ、結果的に配向膜２２を平坦化させて、ラビング不良の発生を抑制することができる。
【００６５】
図５は本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板を示す断面図である。図５において図１と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００６６】
本実施の形態は対向電極と配向膜との間に平坦化膜を形成した点が第１の実施の形態と異なる。
【００６７】
図５に示すように、ガラス又はネオセラム等の材料によって構成された対向基板２０上には、パターン化された遮光膜７２が形成されている。遮光膜７２によって対向基板２０の表面は凹凸を有する。
【００６８】
遮光膜７２及び対向基板２０上には、ＩＴＯ膜からなる対向電極７５が形成されている。対向電極７５となるＩＴＯは、スパッタリングによって形成されており、下地となる対向基板２０が遮光膜７２による段差を有しているので、この段差部において、対向電極７５はオーバーハング形状を有して成膜される。
【００６９】
本実施の形態においては、対向電極７５上には、全面に、平坦化膜７６が形成されている。平坦化膜７６としては、ＮＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等のシリケートガラス膜、他の種類の絶縁膜、導電膜、ＳＯＧ膜等を採用することができる。即ち、本実施の形態においても、平坦化膜７６としては、リフロー性に優れ、光をある程度透過させることが可能であれば、いずれの種類の膜を用いてもよい。
【００７０】
平坦化膜７６のリフロー性によって、対向電極７５の段差は緩和され、平坦化膜７６の表面の段差は緩やかとなるか又は略完全に平坦化される。なお、ＮＳＧ膜、ＢＳＧ膜による平坦化膜７６については、ＣＶＤ法による成膜によって、表面の段差形状を十分に緩和することができる。また、ＢＰＳＧ膜による平坦化膜７６については、成膜後に加熱アニール処理することによって、十分な平坦化が可能である。また、ＳＯＧ膜による平坦化膜７６については、回転塗布によって、表面を十分に平坦化させることができる。
【００７１】
平坦化膜７６上には、全面に配向膜７７が形成される。配向膜７７の下地となる平坦化膜７６の表面が平坦であるか又は表面の段差が十分に緩和されているので、配向膜２２の表面も、平坦であるか又は表面の段差が十分に緩和された状態で形成される。
【００７２】
このように本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、表面が十分に平坦化された配向膜を形成することができ、ラビング不良の発生を防止することができる。これにより、本実施の形態における電気光学装置用基板を用いて電気光学装置を構成することで、表示むらが生じない高画質の画像を図ることができる。
【００７３】
更に、平坦化膜７６に対してＣＭＰ処理を施して、表面を完全平坦化することも可能である。図６はこの場合の断面構造を示す断面図である。図６に示すように、平坦化膜７６’は、平坦化されている。他の構成は図５と同様である。平坦化膜７６’の完全平坦化によって、配向膜７７の表面を完全に平坦化させることができ、ラビング不良を一層抑制することができる。
【００７４】
なお、平坦化膜に対するＣＭＰによる平坦化処理を、図１の第１の実施の形態についても適用可能であることは明らかである。
【００７５】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置用基板を用いて構成した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図７は、投射型カラー表示装置の説明図である。
【００７６】
図７において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトパルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【００７７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。電気光学装置としては、電気泳動装置やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置等に適用できる。
【００７８】
また、本発明の電気光学装置は、パッシブマトリクス型の液晶表示パネルだけでなく、アクティブマトリクス型の液晶パネル（例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示パネル）にも同様に適用することが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）（別名ＤＭＤ：Digital Micromirror Device）等の各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板を示す断面図。
【図２】ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に本実施の形態を適用する対向基板側から見た平面図。
【図３】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図２のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。
【図４】本実施の形態を適用した液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板を示す断面図。
【図６】ＣＭＰによる平坦化を説明するための断面図。
【図７】投射型カラー表示装置の説明図。
【図８】対向基板の断面を示す断面図。
【符号の説明】
【００８０】
２０…対向基板、２１…対向電極、２２…配向膜、７２…遮光膜、７３…平坦化膜。  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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