(57)【要約】【課題】地球環境に悪影響を与える溶媒を使用せずに、高級アルキルチオールから高級アルカンスルホニルクロリドを工業的に高収率且つ高純度で製造する方法を提供する。【解決手段】  一般式（１）；    〔化１〕    Ｒ−ＳＨ                  （１）（式中、Ｒは炭素数１０〜１８のアルキル基を表す。）で表されるチオールを水溶媒中で塩素と反応させ、次いで、脂環式炭化水素溶媒で抽出することを特徴とする一般式（２）；    〔化２〕    Ｒ−ＳＯ２Ｃｌ              （２）（式中、Ｒは前記と同様である。）で表されるアルカンスルホニルクロリドの製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）；
〔化１〕
Ｒ−ＳＨ                （１）
（式中、Ｒは炭素数１０〜１８のアルキル基を表す。）で表されるチオールを水溶媒中で塩素と反応させ、次いで、脂環式炭化水素溶媒で抽出することを特徴とする一般式（２）；
〔化２〕
Ｒ−ＳＯ２Ｃｌ              （２）
（式中、Ｒは前記と同様である。）
で表されるアルカンスルホニルクロリドの製造方法。
【請求項２】
チオールが、ｎ−ドデシルメルカプタン又はｎ−ヘキサドデシルメルカプタンであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
脂環式炭化水素溶媒がシクロヘキサンであることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、新規な高級アルカンスルホニルクロリドの製造方法に関する。さらに詳しくは機能性材料、医薬品の原料として有用な高級アルカンスルホニルクロリドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来、高級アルキルチオールを出発原料とする方法としては、例えば、（１）アルコールの存在下にハロゲン系溶媒中で塩素と反応させる方法（例えば、特許文献１参照。）、また、（２）チオールと塩素および水とを反応させる方法（例えば、特許文献２参照。）が挙げられる。
【特許文献１】米国特許第２１４７３４６号公報
【特許文献２】特開昭５５−６９５５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】  しかしながら、上記（１）の方法を用いた場合、環境負荷物質として使用が制限されているハロゲン系溶媒を使用することになる。例えば、四塩化炭素、クロロホルムおよび塩化メチレンである。特に四塩化炭素は、特定物質の規制等によるオゾン層の保護に関する法律においてオゾン層破壊物質に指定されている。また、生成したアルカンスルホニルクロリドは、酸素源として用いたアルコールと反応してスルホン酸エステルを副生し易く、その副生物を複数回の再結晶による精製で除去するため、アルカンスルホニルクロリドの収率低下をまねく。【０００４】  一方、上記（２）の方法を用いた場合、生成したアルカンスルホニルクロリドは水と反応してスルホン酸を副生し、系が懸濁状態になるため、目的物質であるアルカンスルホニルクロリドの単離が非常に困難になる。【０００５】  従って、本発明の目的は、地球環境に悪影響を与える溶媒を使用せずに、高級アルキルチオールから高級アルカンスルホニルクロリドを工業的に高収率且つ高純度で製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  本発明者は、上記の課題に対し鋭意検討した結果、高級アルキルチオールを水溶媒中系で塩素と反応させ、副生するスルホン酸の生成を極力抑え、また、副生したスルホン酸を効率よく除去することで高純度の高級アルキルスルホニルクロリドを製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００７】  即ち、本発明は、以下に示すとおりの高級アルカンスルホニルクロリドの製造方法に関する。【０００８】項１．一般式（１）；
【化１】
Ｒ−ＳＨ                    （１）
（式中、Ｒは炭素数１０〜１８のアルキル基を表す。）で表されるチオールを水溶媒中で塩素と反応させ、次いで、脂環式炭化水素溶媒で抽出することを特徴とする一般式（２）；
【化２】
Ｒ−ＳＯ２Ｃｌ              （２）
（式中、Ｒは前記と同様である。）
で表されるアルカンスルホニルクロリドの製造方法。
項２．チオールが、ｎ−ドデシルメルカプタン又はｎ−ヘキサドデシルメルカプタンであることを特徴とする項１記載の方法。
項３．脂環式炭化水素溶媒がシクロヘキサンであることを特徴とする項１または２記載の方法。
【発明の効果】
【０００９】  本発明の方法によれば、地球環境に悪影響を与える溶媒を使用せずに、高級アルキルチオールから水溶媒中で塩素と反応させ、高級アルカンスルホニルクロリドを工業的に高収率且つ高純度で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】  以下、本発明を詳細に説明する。【００１１】  高級アルキルチオールと水の仕込割合は、１．０：５．０〜７．０重量比が好ましい。攪拌機の形態に応じてこの範囲内で調製すれば良い。【００１２】  反応に使用される塩素ガスの量は、高級アルキルチオール１モルに対して、２．９５〜３．１０モルであるのが好ましく、３．００〜３．０５モルであるのがより好ましい。塩素ガスの系内への吹込は、高級アルキルチオールと水混在の系を良く攪拌しながら、温度５℃〜２０℃であるのが好ましく、５℃〜１５℃であるのがより好ましい。なお、副生塩化水素ガスの発生量に注意しながら行う。塩素ガス吹込時間は、反応容器の冷却能力にもよるが、４〜１５時間であるのが好ましく、５〜１０時間であるのがより好ましい。【００１３】  高級アルキルスルホニルクロリドを反応系から単離する際は、高級アルキルチオールの仕込み量１．０に対し、１．５〜２．０の質量比の脂環式炭化水素溶媒を加えるのが好ましく、１．７〜１．８の質量比の脂環式炭化水素溶媒を加えるのがより好ましい。脂環式炭化水素溶媒は特に限定されないが、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタンおよびシクロオクタンが挙げられる。好ましくはシクロペンタン、シクロヘキサンおよびシクロヘプタンである。さらに好ましくはシクロヘキサンである。【００１４】  次いで、４５℃〜５５℃の範囲好ましくは４８〜５２℃に系を加温し、０．５時間攪拌し静置を２時間行い、下層の水層を分液除去する。上層の脂環式炭化水素溶媒層に、原料の高級アルキルチオール１．０に対し、２．０〜３．０の質量比の水を仕込み、系内を４８〜５２℃に加温した後、緩やかに５℃〜１５℃の範囲、好ましくは１０〜１２℃に冷却し、遠心分離工程および乾燥工程を経て高級アルキルスルホニルクロリドを得る。
【実施例】
【００１５】  以下の実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されない。【００１６】  実施例１  ｎ−ドデカンスルホニルクロライドの製造
メカニカルオーバーヘッド攪拌機、温度計、ジムロート冷却缶とジムロート冷却缶の先に１０％苛性ソーダを仕込んだ洗気瓶を備え付けた２０００ｍｌ四つ口フラスコに水１２００ｇとｎ−ドデシルメルカプタン２１０．０ｇ（１．０４ｍｏｌ）を仕込み洗気瓶内の１０％苛性ソーダの逆流に注意しながら内温を５℃に冷却した。反応系を内温５℃〜１５℃に保ち、用意していた塩素ボンベから塩素２２５ｇ（３．２ｍｏｌ、３．０５モル比）を１０時間かけて系内に吹き込んだ。反応後３時間内温を１５℃に保ち攪拌を行い反応を完了させた。次にシクロヘキサン３７５ｇを加え、５０℃に系を加温し０．５時間攪拌し静置を２時間行った後、下層の水層を分液除去した。上層のシクロヘキサン層に、水５００ｇを仕込み、系内を一度５０℃に加温した後緩やかに２時間かけて１０℃に冷却し、遠心分離を行い湿体のｎ−ドデカンスルホニルクロライド２６０ｇを得た。次に湿体を２０℃以下で一晩送風乾燥しｎ−ドデカンスルホニルクロライド２１０ｇ（純度：９９．５％、収率：７５％）を得た。【００１７】  実施例２  ｎ−ヘキサデカンスルホニルクロライドの製造
メカニカルオーバーヘッド攪拌機、温度計、ジムロート冷却缶とジムロート冷却缶の先に１０％苛性ソーダを仕込んだ洗気瓶を備え付けた２０００ｍｌ四つ口フラスコに水１２００ｇとｎ−ドデシルメルカプタン２１０．０ｇ（０．８１ｍｏｌ）を仕込み洗気瓶内の１０％苛性ソーダの逆流に注意しながら内温を５℃に冷却した。反応系を内温５℃〜１５℃に保ち、用意していた塩素ボンベから塩素１７５ｇ（２．５ｍｏｌ、３．０５モル比）を９時間かけて系内に吹き込んだ。反応後３時間内温を１５℃に保ち攪拌を行い反応を完了させた。次にシクロヘキサン３７５ｇを加え、５０℃に系を加温し０．５時間攪拌し静置を２時間行った後、下層の水層を分液除去した。上層のシクロヘキサン層に、水５００ｇを仕込み、系内を一度５０℃に加温した後緩やかに２時間かけて１０℃に冷却し、遠心分離を行い湿体のｎ−ヘキサドデカンスルホニルクロライド２６０ｇを得た。次に湿体を２０℃以下で一晩送風乾燥しｎ−ヘキサデカンスルホニルクロライド１９５ｇ（純度：９９．５％、収率：７４％）を得た。