(57)【要約】【課題】  多品種の製品を少量生産するのに適した半導体装置及びその製造方法、半導体製造装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜１０１上にパッド１０２を形成する工程と、前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜１０３を形成する工程と、前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する開口部１０４を形成する工程と、前記開口部内及び前記パッシベーション膜上にバリア金属層１０５を形成する工程と、前記パッドの上方に位置する前記バリア金属層に、金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記バリア金属層上にバンプ１５を形成する工程と、前記バンプをマスクとして前記バリア金属層をエッチングすることにより、該バリア金属層を除去する工程と、を具備するものである。【選択図】      図２
2006202886.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記金属ガスを前記電子線により加熱分解して前記基板上に金属層を気相成長させて該基板上に電極を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する開口部を形成する工程と、
前記開口部内及び前記パッシベーション膜上に、金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記開口部内及び前記パッシベーション膜上にバンプを形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する開口部を形成する工程と、
前記開口部内及び前記パッシベーション膜上にバリア金属層を形成する工程と、
前記パッドの上方に位置する前記バリア金属層に、金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記バリア金属層上にバンプを形成する工程と、
前記バンプをマスクとして前記バリア金属層をエッチングすることにより、該バリア金属層を除去する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する開口部を形成する工程と、
前記開口部内及び前記パッド上に位置する前記パッシベーション膜上に、第１の金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記開口部内及び前記パッシベーション膜上にバリア金属層を形成する工程と、
前記バリア金属層上に、第２の金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記バリア金属層上にバンプを形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、前記バンプを形成する工程の後に、前記電子線を照射していない部分に金属ガスによって付着した金属をエッチングにより除去する工程をさらに具備する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する開口部を形成する工程と、
前記開口部内及び前記パッシベーション膜上に、第１の金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記開口部内及び前記パッシベーション膜上に第１の金属からなるバンプ下部を形成する工程と、
前記バンプ下部上に、第２の金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記バンプ下部上に第２の金属からなるバンプ上部を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記電子線を照射する際は電子線をスキャン照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に形成された電極と、
を具備し、
前記電極は、前記基板上に金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、該基板上に形成されたものである半導体装置。
【請求項９】
絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記パッド及び前記絶縁膜の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置する開口部と、
前記開口部内及び前記パッシベーション膜上に形成されたバンプと、
を具備し、
前記バンプは、金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記開口部内及び前記パッシベーション膜上に形成されたものである半導体装置。
【請求項１０】
真空槽と、
前記真空槽内に配置され、被処理基板を保持する保持機構と、
前記被処理基板上に金属ガスを供給するガス供給機構と、
前記被処理基板に電子線を照射する電子線照射機構と、
を具備する半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、半導体製造装置に係わり、特に、多品種の製品を少量生産するのに適した半導体装置及びその製造方法、半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４及び図５は、従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
まず、図４（Ａ）に示すように、絶縁膜１０１の上に金属パッド１０２を形成した後、この金属パッド１０２及び絶縁膜１０１の上にパッシベーション膜１０３を形成する。その後、パッシベーション膜１０３に開口部１０４を形成し、この開口部１０４は金属パッド１０２上に位置している。
【０００３】
次に、図４（Ｂ）に示すように、開口部１０４内及びパッシベーション膜１０３の上にスパッタリングによりバリア金属層１０５を形成する。この後、連続してスパッタリングを行うことにより、バリア金属層１０５の上に密着金属層１０６を形成する。次に、図４（Ｃ）に示すように、密着金属層１０６の上にフォトレジスト膜１０７を塗布した後、露光、現像の工程を経て、フォトレジスト膜１０７に選択メッキ用開口部１０８を形成する。この開口部１０８は金属パッド１０２の上方に位置しており、この開口部１０８によって金属パッド１０２上の密着金属層１０６が露出する。
【０００４】
この後、図５（Ａ）に示すように、金属メッキ法を用いてＡｕを析出、成長させることにより、選択メッキ用開口部１０８の内部に金バンプ１０９を形成する。次に、図５（Ｂ）に示すように、フォトレジスト膜１０７を剥離する。この後、図５（Ｃ）に示すように、金バンプ１０９をマスクとして密着金属層１０６をエッチングする。その後、連続してバンプ１０９をマスクとしてバリア金属層１０５をエッチングする（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１８８３０４号公報（第２８段落〜第３３段落、図２〜７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述した従来の半導体装置の製造方法では、露光及び現像などのフォトリソグラフィー工程を使用するため、製造コストが高くなる。つまり、非常に高価なフォトマスクを作製しなければならないため、イニシャルコストが高くなる上、フォトマスクの作製には長時間が必要となる。従って、上記従来の半導体装置の製造方法は、少品種の製品を大量生産するには適しているが、多品種の製品を少量生産するには適さない。
【０００７】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、多品種の製品を少量生産するのに適した半導体装置及びその製造方法、半導体製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記金属ガスを前記電子線により加熱分解して前記基板上に金属層を気相成長させて該基板上に電極を形成する。
【０００９】
上記半導体装置の製造方法によれば、基板上に金属ガスを供給しながら電子線を照射し、その電子線を照射した位置に電極を形成するため、電極の形成する場所を自由に選択できる。従って、フォトリソグラフィー工程を使用する必要がなくなるため、高価で作製に長時間かかるフォトマスクを使用する必要もなくなり、イニシャルコスト及びイニシャルの納期を削減することができる。よって、多品種の製品を少量生産するのに適した製造方法といえる。
【００１０】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する開口部を形成する工程と、
前記開口部内及び前記パッシベーション膜上に、金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記開口部内及び前記パッシベーション膜上にバンプを形成する工程と、
を具備するものである。
【００１１】
上記半導体装置の製造方法によれば、金属ガスを供給しながら電子線を照射し、その照射した位置にバンプを形成することができる。従って、フォトリソグラフィー工程を使用する必要がなく、多品種の製品を少量生産するのに適している。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する開口部を形成する工程と、
前記開口部内及び前記パッシベーション膜上にバリア金属層を形成する工程と、
前記パッドの上方に位置する前記バリア金属層に、金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記バリア金属層上にバンプを形成する工程と、
前記バンプをマスクとして前記バリア金属層をエッチングすることにより、該バリア金属層を除去する工程と、
を具備するものである。
【００１３】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する開口部を形成する工程と、
前記開口部内及び前記パッド上に位置する前記パッシベーション膜上に、第１の金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記開口部内及び前記パッシベーション膜上にバリア金属層を形成する工程と、
前記バリア金属層上に、第２の金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記バリア金属層上にバンプを形成する工程と、
を具備するものである。
【００１４】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記バンプを形成する工程の後に、前記電子線を照射していない部分に金属ガスによって付着した金属をエッチングにより除去する工程をさらに具備することも可能である。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する開口部を形成する工程と、
前記開口部内及び前記パッシベーション膜上に、第１の金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記開口部内及び前記パッシベーション膜上に第１の金属からなるバンプ下部を形成する工程と、
前記バンプ下部上に、第２の金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記バンプ下部上に第２の金属からなるバンプ上部を形成する工程と、
を具備するものである。
【００１６】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記電子線を照射する際は電子線をスキャン照射することも可能である。これにより、所定のパターン形状を有する電極又はバンプを形成することができる。
【００１７】
本発明に係る半導体装置は、基板と、
前記基板上に形成された電極と、
を具備し、
前記電極は、前記基板上に金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、該基板上に形成されたものである。
【００１８】
本発明に係る半導体装置は、絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記パッド及び前記絶縁膜の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置する開口部と、
前記開口部内及び前記パッシベーション膜上に形成されたバンプと、
を具備し、
前記バンプは、金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記開口部内及び前記パッシベーション膜上に形成されたものである。
【００１９】
本発明に係る半導体製造装置は、真空槽と、
前記真空槽内に配置され、被処理基板を保持する保持機構と、
前記被処理基板上に金属ガスを供給するガス供給機構と、
前記被処理基板に電子線を照射する電子線照射機構と、
を具備するものである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１による半導体製造装置を模式的に示す構成図である。この半導体製造装置は、金属ガスを電子線により加熱分解することにより基板上に金属層を気相成長させて突起電極を形成する装置である。
【００２１】
この半導体製造装置は真空槽１０を備えている。この真空槽１０は、真空ポンプなどの真空排気機構（図示せず）に接続されており、所定の圧力まで減圧できるようになっている。真空槽１０の内部には被処理基板としてのウエハ１１を保持する保持機構（図示せず）が配置されている。また、半導体製造装置は、ウエハ１１の表面に金属ガス１２を供給するガス供給機構を有している。前記金属ガス１２としては、種々の金属ガスを用いることが可能であり、例えば有機金属ガス、無機金属ガスを用いることができる。
【００２２】
真空槽１０の内部には電子線１４を照射する電子線照射機構としての電子銃１３が配置されており、この電子銃１３はウエハ１１の表面に電子線１４を照射するものである。また、前記保持機構は、移動機構（図示せず）に取り付けられており、この移動機構によって平面上を自在に移動させることができるようになっている。また、半導体製造装置は電子線１４を走査するための電子線走査機構（図示せず）を有している。この電子線走査機構は、電子線１４を所定のパターンに沿って走査することができるようになっている。これにより、保持機構に保持されたウエハ１１の表面に電子線１４をスキャン照射させることができる。
【００２３】
次に、図１に示す半導体製造装置を用いてウエハ上に突起電極を形成する方法について説明する。図２（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
まず、図２（Ａ）に示すように、絶縁膜１０１の上にＡｌ合金膜をスパッタリングにより形成し、このＡｌ合金膜をパターニングすることにより、絶縁膜１０１の上にはＡｌ合金膜からなる金属パッド１０２が形成される。
【００２４】
次いで、この金属パッド１０２及び絶縁膜１０１の上にパッシベーション膜１０３を形成する。このパッシベーション膜１０３は、下層がＣＶＤ(chemical vapor deposition)法により成膜されたシリコン酸化膜で、上層がＣＶＤ法により成膜されたシリコン窒化膜によって形成されている。この後、パッシベーション膜１０３をエッチングすることにより、該パッシベーション膜１０３には開口部１０４が形成され、この開口部１０４は金属パッド１０２上に位置している。従って、開口部１０４により金属パッド１０２の表面の一部が露出する。
【００２５】
次に、図２（Ｂ）に示すように、開口部１０４内及びパッシベーション膜１０３の上にスパッタリングによりＴｉ又はＴｉＷからなるバリア金属層１０５を形成する。
この後、図１に示す半導体製造装置を用いて図２（Ｃ）に示すバンプ１５をバリア金属層１０５の上に形成する。以下、バンプの形成方法について詳細に説明する。
【００２６】
図２（Ｂ）に示す状態のウエハを図１に示す半導体製造装置の真空槽１０に挿入し、前記ウエハを真空槽１０内の保持機構に保持させる。次いで、真空排気機構によって真空槽１０を所定の圧力まで減圧する。
【００２７】
次いで、ガス供給機構によってウエハの表面に金属ガス１２、例えば金を含むジメチルゴールドヘキサフルオロアセチルアセトネート（Ｃ７Ｈ７ Ｆ６ Ｏ２ Ａｕ：dimethyl gold hexafluoroacetylacetonate ）ガスを吹き付けながら、電子線１４をバンプ形成部のみにスキャン照射する。これにより、バンプ形成部にＡｕが析出され、そのＡｕが成長することでＡｕバンプ１５が形成される。尚、バンプ形成部とは、図２に示すように金属パッド１０２の上方に位置する開口部１０４内及びその上を意味する。
【００２８】
上述した方法でウエハ上に一つのＡｕバンプ１５が形成された後、電子銃に対してウエハを相対的に移動させ、ウエハの表面に金属ガス１２を吹き付けながら、次のバンプ形成部に電子線１４をスキャン照射する。これを繰り返すことにより、ウエハ上の全てのバンプ形成部に電子線をスキャン照射してＡｕバンプ１５を形成する。
【００２９】
この後、真空槽１０からウエハを取り出し、ウエハ全面に短時間のエッチングを行う。これにより、ウエハのバンプ形成部以外に付着した金属が除去される。
次いで、図２（Ｄ）に示すように、Ａｕバンプ１５をマスクとして過酸化水素水と水の混合液を用いてバリア金属層１０５をエッチングする。このようにしてウエハ上に突起電極であるＡｕバンプ１５を作製する。
【００３０】
尚、本実施の形態では、金属ガス１２として金を含むジメチルゴールドヘキサフルオロアセチルアセトネートガスを用いているが、これに限定されるものではなく、他の金属ガスを用いることも可能であり、他の金属ガスを用いることによりＡｕ以外の金属からなるバンプを形成することが可能となる。他の金属ガスとしては、例えば、白金を含むトリメチレンメチルシクロペンタジエニルプラチニウム（ＣＨ３ （ＣＨ）５ ＨＰｔＣＨ２ ＣＨ２ＣＨ２ ：Trimethylene metil cyclopentadienyl platinum）ガス、酢酸パラジウム（Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ３）２ ）ガス、パラジウムアセチルアセナート（Ｃ１０Ｈ１４Ｏ４ Ｐｄ）ガスなどを用いることが可能である。
【００３１】
また、本実施の形態では、１種類の金属ガスを用いてバンプを形成しているが、複数種類の金属ガスを用いてバンプを形成することも可能である。
例えば、ウエハの表面に第１の金属ガスを吹き付けながら電子線をバンプ形成部のみにスキャン照射することにより、第１の金属からなるバンプ下部をバンプ形成部に形成する。その後、ウエハの表面に第２の金属ガスを吹き付けながら電子線を前記バンプ下部上にスキャン照射することにより、バンプ下部の上に第２の金属からなるバンプ上部を形成する。このようにして下層が第１の金属からなり、上層が第２の金属からなるバンプを作製することができる。
【００３２】
上記実施の形態１によれば、金属ガス１２をウエハ１１の表面に供給しながらウエハ１１のバンプ形成部のみに電子線１４を照射する。これにより、ウエハ１１のバンプ形成部にバンプ１５を形成することができる。つまり、従来の半導体装置の製造方法では、フォトリソグラフィー工程を使用してバンプを形成していたのに対し、本実施の形態による半導体装置の製造方法では、フォトリソグラフィー工程を使用する必要がないため、高価で作製に長時間かかるフォトマスクを使用する必要がない。従って、イニシャルコスト及びイニシャルの納期を削減することができる。
【００３３】
また、本実施の形態のようにフォトマスクなしでバンプを形成することにより、多品種の製品を少量生産する際に大変効果的に製造コストを低減できる。従って、本実施の形態による半導体装置の製造方法は、多品種の製品を少量生産するのに適したものと言える。
【００３４】
また、本実施の形態による半導体装置の製造方法は、電子線１４のスキャン照射によってバンプの形成箇所を自由に選択できるものである。このため、電子線を絞ることにより、原理的には電子線のスポットサイズであるｎｍクラス（例えば１μｍ未満）の超微細なバンプを作製することも可能である。このような超微細なバンプは、半導体チップと半導体チップとをバンプによって接続するような場合に適用することが可能である。また、微小ピッチバンプに対応することもできる。
【００３５】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２による半導体装置を示すものであり、実施の形態１による半導体装置の製造方法で製造されたＡｕバンプ１５を適用した半導体チップの一部を示す断面図である。
【００３６】
シリコン基板１の表面にはＬＯＣＯＳ法により素子分離膜４が形成されており、この素子分離膜４の相互間のシリコン基板１にはソース及びドレインとして機能する拡散層５及びゲート酸化膜６が形成されている。ゲート酸化膜６上にはゲート電極７が形成されており、ゲート電極７、素子分離膜４及びシリコン基板１の上には第１の絶縁膜８が形成されている。
【００３７】
第１の絶縁膜８にはコンタクトホール１７が形成されており、コンタクトホール１７内及び第１の絶縁膜８上には導電膜９が形成されている。導電膜９及び第１の絶縁膜８の上には絶縁膜１０１が形成されている。この絶縁膜１０１は、例えばＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜である。絶縁膜１０１には接続孔１８が設けられており、この接続孔１８内及び絶縁膜１０１上にはＡｌ合金からなる金属パッド１０２が形成されている。この金属パッド１０２は導電膜９に電気的に接続されている。
【００３８】
金属パッド１０２及び絶縁膜１０１の上にはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層構造からなるパッシベーション膜１０３が形成されている。このパッシベーション膜１０３には、金属パッド１０２の上に位置する開口部１０４が形成されている。この開口部１０４内及びパッシベーション膜１０３の上にはＴｉ又はＴｉＷからなるバリア金属層１０５が形成されている。このバリア金属層１０５の上にはＡｕバンプ１５が形成されている。このＡｕバンプ１５は実施の形態１と同様の方法で形成されたものである。
【００３９】
上記実施の形態２においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３による半導体装置の製造方法について説明する。
ウエハ上にバンプを形成する際に用いる半導体製造装置は実施の形態１と同様であるので、半導体製造装置の詳細な説明は省略する。
【００４１】
次に、図１に示す半導体製造装置を用いてウエハ上に突起電極を形成する方法（即ち、半導体装置の製造方法）について説明する。
図２（Ａ）に示す工程までは実施の形態１と同様であるので、説明を省略する。
次いで、図２（Ａ）に示す状態のウエハを図１に示す半導体製造装置の真空槽１０に挿入し、前記ウエハを真空槽１０内の保持機構に保持させる。次いで、真空排気機構によって真空槽１０を所定の圧力まで減圧する。
【００４２】
次いで、ガス供給機構によってウエハの表面に金属ガスを吹き付けながら、電子線１４をバンプ形成部のみにスキャン照射する。これにより、バンプ形成部にＴｉ又はＴｉＷが析出され、そのＴｉ又はＴｉＷが成長することでバリア金属層が形成される。
【００４３】
上述した方法でウエハ上に一つのバリア金属層が形成された後、電子銃に対してウエハを相対的に移動させ、ウエハの表面に金属ガスを吹き付けながら、次のバンプ形成部に電子線１４をスキャン照射する。これを繰り返すことにより、ウエハ上の全てのバンプ形成部に電子線をスキャン照射してバリア金属層を形成する。
【００４４】
次いで、ガス供給機構によってウエハの表面に金属ガス１２、例えば金を含むジメチルゴールドヘキサフルオロアセチルアセトネート（Ｃ７Ｈ７ Ｆ６ Ｏ２ Ａｕ：dimethyl gold hexafluoroacetylacetonate ）ガスを吹き付けながら、電子線１４を前記バリア金属層のみにスキャン照射する。これにより、前記バリア金属層にＡｕが析出され、そのＡｕが成長することでＡｕバンプ１５が形成される。
【００４５】
上述した方法でウエハ上に一つのＡｕバンプ１５が形成された後、電子銃に対してウエハを相対的に移動させ、ウエハの表面に金属ガス１２を吹き付けながら、次のバリア金属層に電子線１４をスキャン照射する。これを繰り返すことにより、ウエハ上の全てのバリア金属層上に電子線をスキャン照射してＡｕバンプ１５を形成する。
【００４６】
この後、真空槽１０からウエハを取り出し、ウエハ全面に短時間のエッチングを行う。これにより、ウエハのバンプ形成部以外に付着した金属が除去される。このようにして図２（Ｄ）に示すようなＡｕバンプ１５を作製する。
尚、本実施の形態においても実施の形態１と同様に他の金属ガスを用いても良いし、複数種類の金属ガスを用いても良い。
【００４７】
上記実施の形態３においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
尚、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体製造装置を模式的に示す構成図。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図３】本発明の実施の形態２による半導体装置を示す断面図。
【図４】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図５】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【００４９】
１  シリコン基板、４  素子分離膜、５  ソース・ドレイン拡散層、６  ゲート酸化膜、７  ゲート電極、８  第１の絶縁膜、９  導電膜、１０  真空槽、１１  ウエハ、１２  金属ガス、１３  電子銃、１４  電子線、１５  Ａｕバンプ、１７  コンタクトホール、１８  接続孔、１０１  絶縁膜（シリコン酸化膜）、１０２  金属パッド、１０３  パッシベーション膜、１０４  開口部、１０５  バリア金属層、１０６  密着金属層、１０７  フォトレジスト膜、１０８  選択メッキ用開口部、１０９  金バンプ
【図１】
2006202886.tif 000003
【図２】
2006202886.tif 000004
【図３】
2006202886.tif 000005
【図４】
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【図５】
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