(57)【要約】【課題】無線ＬＡＮ用の通信装置に用いられ、複数の周波数帯域の送信信号および受信信号を処理でき、且つ小型化できる高周波モジュールを実現する。【解決手段】高周波モジュール１は、アンテナ端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２に接続されたスイッチ回路１０と、受信信号端子ＲＸ１，ＲＸ２およびスイッチ回路１０に接続されたダイプレクサ１１と、送信信号端子ＴＸ１，ＴＸ２およびスイッチ回路１０に接続されたダイプレクサ１２とを備えている。ダイプレクサ１１は、２つのバンドパスフィルタ２０，３０と、ローパスフィルタ４０とを有している。ダイプレクサ１２は、２つのバンドパスフィルタ５０，６０と、ローパスフィルタ７０とを有している。各バンドパスフィルタ２０，３０，５０，６０は共振回路を用いて構成されている。【選択図】図１
2006157880.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナに接続されるアンテナ端子と、
第１の周波数帯域における受信信号である第１の受信信号を出力する第１の受信信号端子と、
前記第１の周波数帯域よりも高周波側の第２の周波数帯域における受信信号である第２の受信信号を出力する第２の受信信号端子と、
前記第１の周波数帯域における送信信号である第１の送信信号が入力される第１の送信信号端子と、
前記第２の周波数帯域における送信信号である第２の送信信号が入力される第２の送信信号端子と、
前記アンテナ端子に接続されたスイッチ回路と、
前記第１および第２の受信信号端子および前記スイッチ回路に直接または間接的に接続された第１のダイプレクサと、
前記第１および第２の送信信号端子および前記スイッチ回路に直接または間接的に接続された第２のダイプレクサと、
上記各要素を一体化する基板とを備え、
前記スイッチ回路は、前記第１および第２のダイプレクサのいずれかを前記アンテナ端子に接続するものであり、
前記第１のダイプレクサは、前記アンテナ端子に入力され前記スイッチ回路を通過した第１の受信信号を通過させて前記第１の受信信号端子に送る第１の受信用バンドパスフィルタと、前記アンテナ端子に入力され前記スイッチ回路を通過した第２の受信信号を通過させて前記第２の受信信号端子に送る第２の受信用バンドパスフィルタとを有し、
前記第２のダイプレクサは、前記第１の送信信号端子に入力された第１の送信信号を通過させて前記スイッチ回路に送る第１の送信用バンドパスフィルタと、前記第２の送信信号端子に入力された第２の送信信号を通過させて前記スイッチ回路に送る第２の送信用バンドパスフィルタとを有し、
前記各バンドパスフィルタは、共振回路を用いて構成されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記アンテナ端子として第１および第２のアンテナ端子を備え、前記スイッチ回路は、前記第１および第２のダイプレクサのいずれかを、前記第１および第２のアンテナ端子のいずれかに接続することを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記基板は、交互に積層された誘電体層と導体層とを含む積層基板であり、前記各共振回路は、前記誘電体層と導体層を用いて構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記各共振回路は、前記導体層を用いて構成された分布定数線路を含むことを特徴とする請求項３記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記各共振回路は、前記導体層を用いて構成されインダクタンスを有する伝送線路を含み、
前記第１の受信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる前記伝送線路の長手方向と前記第２の受信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる前記伝送線路の長手方向は直交し、
前記第１の送信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる前記伝送線路の長手方向と前記第２の送信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる前記伝送線路の長手方向は直交していることを特徴とする請求項３または４記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記基板は、前記第１のダイプレクサに含まれる全ての共振回路と前記第２のダイプレクサに含まれる全ての共振回路との間に配置されると共にグランドに接続される導体部を含むことを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記スイッチ回路は前記基板に搭載され、前記導体層は、前記スイッチ回路と全ての共振回路との間に配置されると共にグランドに接続されるグランド用導体層を含むことを特徴とする請求項３ないし６のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記スイッチ回路は、前記基板に搭載されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項９】
前記スイッチ回路は、ＧａＡｓ化合物半導体による電界効果トランジスタを用いて構成されていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１０】
前記第１のダイプレクサは、更に、前記第２の受信用バンドパスフィルタに直列に接続され、第２の受信信号を通過させるローパスフィルタを有し、
前記第２のダイプレクサは、更に、前記第２の送信用バンドパスフィルタに直列に接続され、第２の送信信号を通過させるローパスフィルタを有することを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１１】
前記第１のダイプレクサは、更に、前記スイッチ回路と前記第１の受信用バンドパスフィルタとの間に挿入されたインダクタと、前記スイッチ回路と前記第２の受信用バンドパスフィルタとの間に挿入されたキャパシタとを有し、
前記第２のダイプレクサは、更に、前記スイッチ回路と前記第１の送信用バンドパスフィルタとの間に挿入されたインダクタと、前記スイッチ回路と前記第２の送信用バンドパスフィルタとの間に挿入されたキャパシタとを有することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１２】
更に、
前記第１の受信信号端子と前記第１のダイプレクサとの間に挿入された第１のアンプおよび第３の受信用バンドパスフィルタと、
前記第２の受信信号端子と前記第１のダイプレクサとの間に挿入された第２のアンプおよび第４の受信用バンドパスフィルタと、
前記第１の送信信号端子と前記第２のダイプレクサとの間に挿入された第３のアンプおよび第３の送信用バンドパスフィルタと、
前記第２の送信信号端子と前記第２のダイプレクサとの間に挿入された第４のアンプおよび第４の送信用バンドパスフィルタとを備え、
前記基板は、交互に積層された誘電体層と導体層とを含み、高周波モジュールの構成要素を一体化する積層基板であり、
前記スイッチ回路および前記第１ないし第４のアンプは、前記基板に搭載されていることを特徴とする請求項１または２記載の高周波モジュール。
【請求項１３】
前記第１の受信信号端子は、平衡信号の形態の第１の受信信号を出力するものであり、
前記第２の受信信号端子は、平衡信号の形態の第２の受信信号を出力するものであり、
前記第１の送信信号端子は、平衡信号の形態の第１の送信信号が入力されるものであり、
前記第２の送信信号端子は、平衡信号の形態の第２の送信信号が入力されるものであり、
前記第１のダイプレクサは、不平衡信号の形態の第１および第２の受信信号を出力し、
前記第２のダイプレクサには、不平衡信号の形態の第１および第２の送信信号が入力され、
高周波モジュールは、更に、
前記第１のダイプレクサより出力される不平衡信号の形態の第１の受信信号を、平衡信号の形態の第１の受信信号に変換して、前記第１の受信信号端子に送る第１のバランと、
前記第１のダイプレクサより出力される不平衡信号の形態の第２の受信信号を、平衡信号の形態の第２の受信信号に変換して、前記第２の受信信号端子に送る第２のバランと、
前記第１の送信信号端子に入力された平衡信号の形態の第１の送信信号を、不平衡信号の形態の第１の送信信号に変換して、前記第２のダイプレクサに送る第３のバランと、
前記第２の送信信号端子に入力された平衡信号の形態の第２の送信信号を、不平衡信号の形態の第２の送信信号に変換して、前記第２のダイプレクサに送る第４のバランとを備えたことを特徴とする請求項１２記載の高周波モジュール。
【請求項１４】
前記基板は、互いに反対側を向く第１の面と第２の面とを有し、
前記スイッチ回路および前記第１ないし第４のアンプは、前記第１の面に搭載され、
高周波モジュールは、高周波モジュールの構成要素の一部を構成すると共に前記第１の面に搭載された複数の受動素子を含むことを特徴とする請求項１２または１３記載の高周波モジュール。
【請求項１５】
更に、前記第１の面およびこの第１の面に搭載された全ての要素を覆う樹脂層を備えたことを特徴とする請求項１４記載の高周波モジュール。
【請求項１６】
前記の全ての端子は、前記第２の面に配置されていることを特徴とする請求項１５記載の高周波モジュール。
【請求項１７】
前記スイッチ回路および前記第１ないし第４のアンプは、いずれも、前記複数の受動素子のうちの最も高いものの高さよりも小さい高さを有するベアチップの形態の半導体素子になっていることを特徴とする請求項１４ないし１６のいずれかに記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線ＬＡＮ（ローカルエリアネットワーク）用の通信装置に用いられる高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、簡単にネットワーク構築できる技術として、電波を用いてＬＡＮを構成する無線ＬＡＮが注目されている。この無線ＬＡＮには、周波数帯域として２．４ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ｂや、周波数帯域として５ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ａおよびＩＥＥＥ８０２．１１ｇのように、複数の規格が存在している。そのため、無線ＬＡＮ用の通信装置としては、複数の規格に対応できるものが望まれている。
【０００３】
また、無線ＬＡＮでは、通信装置の位置や環境によって通信状態が変動することから、複数のアンテナのうちの通信状態の良い方を選択するダイバシティを採用することが望ましい。
【０００４】
ところで、無線ＬＡＮ用の通信装置において、アンテナに接続され、高周波信号を処理する回路部分（以下、高周波回路部という。）は、例えば、カード型のアダプタに内蔵される。また、無線ＬＡＮ用の通信装置は、携帯電話機等の移動体通信機器に搭載することも期待されている。これらのことから、高周波回路部の小型化が望まれている。
【０００５】
携帯電話機等の移動体通信機器では、複数の周波数帯域に対応可能な高周波回路部をモジュール化したものが知られている。例えば、特許文献１には、２つのダイプレクサと１つのスイッチ回路とを含むモジュールが記載されている。このモジュールにおいて、スイッチ回路は、１つのアンテナに対して、２つのダイプレクサのうちの一方を切り替えて接続する。各ダイプレクサは、異なる周波数帯域の２つの信号を分離する。
【０００６】
また、特許文献２には、送信用ポートと受信用ポートを、それぞれ２つのアンテナのうちの一方に切り替えて接続できるようにした、ダイバシティ対応の高周波スイッチが記載されている。
【０００７】
また、特許文献３および特許文献４には、送信信号と受信信号を分離するデュプレクサを含むモジュールが記載されている。このモジュールは、２つのバンドパスフィルタを有し、これらは、複数の絶縁層と複数のインダクタ導体と複数のコンデンサ導体とを積み重ねて構成した積層体におけるインダクタ導体とコンデンサ導体によって構成されている。また、特許文献３および特許文献４には、一方のバンドパスフィルタを構成するインダクタ導体の軸と他方のバンドパスフィルタを構成するインダクタ導体の軸とを直交させる技術が記載されている。また、特許文献３および特許文献４には、上記の技術が適用されるモジュールの他の例として、ダイプレクサが挙げられている。特許文献３および特許文献４には、ダイプレクサは、例えばローパスフィルタとハイパスフィルタを組み合わせて構成される旨が記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１５２５８８号公報
【特許文献２】特開２００３−３７５２０号公報
【特許文献３】特開２００１−１３６０４５号公報
【特許文献４】特開２００１−１１９２０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前述のように、無線ＬＡＮ用の通信装置は、使用周波数帯域の異なる複数の規格に対応できることが望まれる。このことから、無線ＬＡＮ用の通信装置における高周波回路部としては、複数の周波数帯域の送信信号および受信信号を処理できることが望まれる。また、無線ＬＡＮ用の通信装置は、ダイバシティを採用することが望まれる。このことから、無線ＬＡＮ用の通信装置における高周波回路部としては、受信信号の出力ポートおよび送信信号の入力ポートに対して、複数のアンテナを切り替えて接続できる機能を有することが望まれる。更に、無線ＬＡＮ用の通信装置における高周波回路部は、小型化が望まれる。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、無線ＬＡＮ用の通信装置に用いられ、複数の周波数帯域の送信信号および受信信号を処理でき、且つ小型化できるようにした高周波モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の高周波モジュールは、
アンテナに接続されるアンテナ端子と、
第１の周波数帯域における受信信号である第１の受信信号を出力する第１の受信信号端子と、
第１の周波数帯域よりも高周波側の第２の周波数帯域における受信信号である第２の受信信号を出力する第２の受信信号端子と、
第１の周波数帯域における送信信号である第１の送信信号が入力される第１の送信信号端子と、
第２の周波数帯域における送信信号である第２の送信信号が入力される第２の送信信号端子と、
アンテナ端子に接続されたスイッチ回路と、
第１および第２の受信信号端子およびスイッチ回路に直接または間接的に接続された第１のダイプレクサと、
第１および第２の送信信号端子およびスイッチ回路に直接または間接的に接続された第２のダイプレクサと、
上記各要素を一体化する基板とを備えている。
【００１２】
本発明の高周波モジュールにおいて、スイッチ回路は、第１および第２のダイプレクサのいずれかをアンテナ端子に接続するものである。第１のダイプレクサは、アンテナ端子に入力されスイッチ回路を通過した第１の受信信号を通過させて第１の受信信号端子に送る第１の受信用バンドパスフィルタと、アンテナ端子に入力されスイッチ回路を通過した第２の受信信号を通過させて第２の受信信号端子に送る第２の受信用バンドパスフィルタとを有している。第２のダイプレクサは、第１の送信信号端子に入力された第１の送信信号を通過させてスイッチ回路に送る第１の送信用バンドパスフィルタと、第２の送信信号端子に入力された第２の送信信号を通過させてスイッチ回路に送る第２の送信用バンドパスフィルタとを有している。各バンドパスフィルタは、共振回路を用いて構成されている。
【００１３】
本発明の高周波モジュールでは、アンテナ端子に入力された第１の受信信号は、スイッチ回路、第１の受信用バンドパスフィルタを通過して第１の受信信号端子に送られる。また、アンテナ端子に入力された第２の受信信号は、スイッチ回路、第２の受信用バンドパスフィルタを通過して第２の受信信号端子に送られる。また、第１の送信信号端子に入力された第１の送信信号は、第１の送信用バンドパスフィルタおよびスイッチ回路を通過してアンテナ端子に送られる。また、第２の送信信号端子に入力された第２の送信信号は、第２の送信用バンドパスフィルタおよびスイッチ回路を通過してアンテナ端子に送られる。
【００１４】
本発明の高周波モジュールは、アンテナ端子として第１および第２のアンテナ端子を備えていてもよい。この場合、スイッチ回路は、第１および第２のダイプレクサのいずれかを、第１および第２のアンテナ端子のいずれかに接続する。
【００１５】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、基板は、交互に積層された誘電体層と導体層とを含む積層基板であってもよい。この場合、各共振回路は、誘電体層と導体層を用いて構成されていてもよい。
【００１６】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、基板が積層基板である場合には、各共振回路は、導体層を用いて構成された分布定数線路を含んでいてもよい。
【００１７】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、基板が積層基板である場合には、各共振回路は、導体層を用いて構成され、インダクタンスを有する伝送線路を含んでいてもよい。そして、第１の受信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる上記伝送線路の長手方向と第２の受信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる上記伝送線路の長手方向は直交していてもよい。また、第１の送信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる上記伝送線路の長手方向と第２の送信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる上記伝送線路の長手方向は直交していてもよい。
【００１８】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、基板が積層基板である場合には、基板は、第１のダイプレクサに含まれる全ての共振回路と第２のダイプレクサに含まれる全ての共振回路との間に配置されると共にグランドに接続される導体部を含んでいてもよい。
【００１９】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、基板が積層基板である場合には、スイッチ回路は基板に搭載され、導体層は、スイッチ回路と全ての共振回路との間に配置されると共にグランドに接続されるグランド用導体層を含んでいてもよい。
【００２０】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、スイッチ回路は、基板に搭載されていてもよい。また、スイッチ回路は、ＧａＡｓ化合物半導体による電界効果トランジスタを用いて構成されていてもよい。
【００２１】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、第１のダイプレクサは、更に、第２の受信用バンドパスフィルタに直列に接続され、第２の受信信号を通過させるローパスフィルタを有していてもよい。また、第２のダイプレクサは、更に、第２の送信用バンドパスフィルタに直列に接続され、第２の送信信号を通過させるローパスフィルタを有していてもよい。
【００２２】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、第１のダイプレクサは、更に、スイッチ回路と第１の受信用バンドパスフィルタとの間に挿入されたインダクタと、スイッチ回路と第２の受信用バンドパスフィルタとの間に挿入されたキャパシタとを有していてもよい。また、第２のダイプレクサは、更に、スイッチ回路と第１の送信用バンドパスフィルタとの間に挿入されたインダクタと、スイッチ回路と第２の送信用バンドパスフィルタとの間に挿入されたキャパシタとを有していてもよい。
【００２３】
また、本発明の高周波モジュールは、更に、第１の受信信号端子と第１のダイプレクサとの間に挿入された第１のアンプおよび第３の受信用バンドパスフィルタと、第２の受信信号端子と第１のダイプレクサとの間に挿入された第２のアンプおよび第４の受信用バンドパスフィルタと、第１の送信信号端子と第２のダイプレクサとの間に挿入された第３のアンプおよび第３の送信用バンドパスフィルタと、第２の送信信号端子と第２のダイプレクサとの間に挿入された第４のアンプおよび第４の送信用バンドパスフィルタとを備えていてもよい。この場合、基板は、交互に積層された誘電体層と導体層とを含み、高周波モジュールの構成要素を一体化する積層基板であり、基板は、スイッチ回路および第１ないし第４のアンプは、基板に搭載されていてもよい。
【００２４】
また、第１の受信信号端子は、平衡信号の形態の第１の受信信号を出力するものであり、第２の受信信号端子は、平衡信号の形態の第２の受信信号を出力するものであり、第１の送信信号端子は、平衡信号の形態の第１の送信信号が入力されるものであり、第２の送信信号端子は、平衡信号の形態の第２の送信信号が入力されるものであり、第１のダイプレクサは、不平衡信号の形態の第１および第２の受信信号を出力し、第２のダイプレクサには、不平衡信号の形態の第１および第２の送信信号が入力されてもよい。この場合、高周波モジュールは、更に、第１のダイプレクサより出力される不平衡信号の形態の第１の受信信号を、平衡信号の形態の第１の受信信号に変換して、第１の受信信号端子に送る第１のバランと、第１のダイプレクサより出力される不平衡信号の形態の第２の受信信号を、平衡信号の形態の第２の受信信号に変換して、第２の受信信号端子に送る第２のバランと、第１の送信信号端子に入力された平衡信号の形態の第１の送信信号を、不平衡信号の形態の第１の送信信号に変換して、第２のダイプレクサに送る第３のバランと、第２の送信信号端子に入力された平衡信号の形態の第２の送信信号を、不平衡信号の形態の第２の送信信号に変換して、第２のダイプレクサに送る第４のバランとを備えていてもよい。
【００２５】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、基板は、互いに反対側を向く第１の面と第２の面とを有し、スイッチ回路および第１ないし第４のアンプは、第１の面に搭載されていてもよい。また、高周波モジュールは、高周波モジュールの構成要素の一部を構成すると共に第１の面に搭載された複数の受動素子を含んでいてもよい。
【００２６】
また、本発明の高周波モジュールは、更に、第１の面およびこの第１の面に搭載された全ての要素を覆う樹脂層を備えていてもよい。この場合、全ての端子は、第２の面に配置されていてもよい。
【００２７】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、スイッチ回路および第１ないし第４のアンプは、いずれも、複数の受動素子のうちの最も高いものの高さよりも小さい高さを有するベアチップの形態の半導体素子になっていてもよい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の高周波モジュールでは、第１のダイプレクサは第１および第２の受信用バンドパスフィルタを有し、第２のダイプレクサは第１および第２の送信用バンドパスフィルタを有し、各バンドパスフィルタは共振回路を用いて構成されている。また、スイッチ回路と第１および第２のダイプレクサが基板によって一体化されている。これらのことから、本発明によれば、高周波モジュールを構成する素子の数を少なくでき、且つ高周波モジュールの実装面積を小さくすることができる。従って、本発明によれば、無線ＬＡＮ用の通信装置に用いられ、複数の周波数帯域の送信信号および受信信号を処理でき、且つ小型化が可能な高周波モジュールを実現することができるという効果を奏する。
【００２９】
本発明の高周波モジュールは、アンテナ端子として第１および第２のアンテナ端子を備え、スイッチ回路は、第１および第２のダイプレクサのいずれかを、第１および第２のアンテナ端子のいずれかに接続してもよい。この場合には、ダイバシティに対応した高周波モジュールを実現することができるという効果を奏する。
【００３０】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、基板は、交互に積層された誘電体層と導体層とを含む積層基板であってもよく、各共振回路は、誘電体層と導体層を用いて構成されていてもよい。この場合には、高周波モジュールをより小型化することができるという効果を奏する。
【００３１】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、基板が積層基板である場合には、各共振回路は、導体層を用いて構成された分布定数線路を含んでいてもよい。この場合には、バンドパスフィルタの通過帯域外の周波数領域において大きな減衰が必要で、且つ通過帯域と通過帯域外の周波数領域との境界近傍において挿入損失が急峻に変化する特性が必要なときに、バンドパスフィルタを集中定数素子のみによって構成する場合に比べて、高周波モジュールをより小型化することが可能になると共に、容易にバンドパスフィルタの所望の特性を実現することが可能になるという効果を奏する。
【００３２】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、基板が積層基板である場合には、各共振回路は、導体層を用いて構成されインダクタンスを有する伝送線路を含み、第１の受信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる上記伝送線路の長手方向と第２の受信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる上記伝送線路の長手方向は直交し、第１の送信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる上記伝送線路の長手方向と第２の送信用バンドパスフィルタにおける共振回路に含まれる上記伝送線路の長手方向は直交していてもよい。この場合には、第１の受信用バンドパスフィルタと第２の受信用バンドパスフィルタとの間における電磁気的な干渉、および第１の送信用バンドパスフィルタと第２の送信用バンドパスフィルタとの間における電磁気的な干渉の発生を防止することができるという効果を奏する。
【００３３】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、基板が積層基板である場合には、基板は、第１のダイプレクサに含まれる全ての共振回路と第２のダイプレクサに含まれる全ての共振回路との間に配置されると共にグランドに接続される導体部を含んでいてもよい。この場合には、第１のダイプレクサと第２のダイプレクサとの間における電磁気的な干渉の発生を防止することができるという効果を奏する。
【００３４】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、基板が積層基板である場合には、スイッチ回路は基板に搭載され、導体層は、スイッチ回路と全ての共振回路との間に配置されると共にグランドに接続されるグランド用導体層を含んでいてもよい。この場合には、スイッチ回路と第１および第２のダイプレクサとの間における電磁気的な干渉の発生を防止することができるという効果を奏する。
【００３５】
また、本発明の高周波モジュールにおいて、第１のダイプレクサは、更に、第２の受信用バンドパスフィルタに直列に接続され、第２の受信信号を通過させるローパスフィルタを有し、第２のダイプレクサは、更に、第２の送信用バンドパスフィルタに直列に接続され、第２の送信信号を通過させるローパスフィルタを有していてもよい。この場合には、第２の受信信号および第２の送信信号の各経路において、第２の周波数帯域における挿入損失の増加を抑制しながら、第２の周波数帯域よりも高周波側における挿入損失を増加させることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
始めに、本発明の第１の実施の形態に係る高周波モジュールについて説明する。本実施の形態に係る高周波モジュールは、無線ＬＡＮ用の通信装置に用いられ、第１の周波数帯域における受信信号および送信信号と、第１の周波数帯域よりも高周波側の第２の周波数帯域における受信信号および送信信号とを処理するものである。第１の周波数帯域は、例えばＩＥＥＥ８０２．１１ｂにおいて使用される２．４ＧＨｚ帯である。第２の周波数帯域は、例えばＩＥＥＥ８０２．１１ａやＩＥＥＥ８０２．１１ｇにおいて使用される５ＧＨｚ帯である。また、本実施の形態に係る高周波モジュールは、ダイバシティに対応可能なものである。
【００３７】
図１は、本実施の形態に係る高周波モジュールを示す回路図である。本実施の形態に係る高周波モジュール１は、それぞれ異なるアンテナ１０１，１０２に接続される２つのアンテナ端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２と、第１の周波数帯域における受信信号（以下、第１の受信信号という。）を出力する第１の受信信号端子ＲＸ１と、第２の周波数帯域における受信信号（以下、第２の受信信号という。）を出力する第２の受信信号端子ＲＸ２と、第１の周波数帯域における送信信号（以下、第１の送信信号という。）が入力される第１の送信信号端子ＴＸ１と、第２の周波数帯域における送信信号（以下、第２の送信信号という。）が入力される第２の送信信号端子ＴＸ２と、それぞれ制御信号ＶＣ１，ＶＣ２が入力される制御端子ＣＴ１，ＣＴ２とを備えている。制御端子ＣＴ１，ＣＴ２は、それぞれ、高周波モジュール１の外部に設けられるキャパシタ１０３，１０４を介して接地されるようになっている。
【００３８】
高周波モジュール１は、更に、アンテナ端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２に接続されたスイッチ回路１０と、受信信号端子ＲＸ１，ＲＸ２およびスイッチ回路１０に直接または間接的に接続された第１のダイプレクサ１１と、送信信号端子ＴＸ１，ＴＸ２およびスイッチ回路１０に直接または間接的に接続された第２のダイプレクサ１２とを備えている。
【００３９】
高周波モジュール１は、更に、キャパシタ１３，１４，１５，１６を備えている。キャパシタ１３は、スイッチ回路１０とアンテナ端子ＡＮＴ１との間の信号経路に直列に挿入されている。キャパシタ１４は、スイッチ回路１０とアンテナ端子ＡＮＴ２との間の信号経路に直列に挿入されている。キャパシタ１５は、スイッチ回路１０とダイプレクサ１１との間の信号経路に直列に挿入されている。キャパシタ１６は、スイッチ回路１０とダイプレクサ１２との間の信号経路に直列に挿入されている。キャパシタ１３，１４，１５，１６は、いずれも、制御信号ＶＣ１，ＶＣ２に起因する直流の通過を阻止するものである。
【００４０】
スイッチ回路１０は、６つのポートＰ１〜Ｐ６を有している。ポートＰ１は、キャパシタ１３を介してアンテナ端子ＡＮＴ１に接続されている。ポートＰ２は、キャパシタ１４を介してアンテナ端子ＡＮＴ２に接続されている。ポートＰ３は、キャパシタ１５を介してダイプレクサ１１に接続されている。ポートＰ４は、キャパシタ１６を介してダイプレクサ１２に接続されている。ポートＰ５，Ｐ６は、それぞれ、制御端子ＣＴ１，ＣＴ２に接続されている。
【００４１】
スイッチ回路１０は、更に、それぞれ導通状態と非導通状態が選択される４つのスイッチＳＷ１〜ＳＷ４を有している。各スイッチＳＷ１〜ＳＷ４は、それぞれ、例えばＧａＡｓ化合物半導体による電界効果トランジスタを用いて構成されている。スイッチＳＷ１の一端はポートＰ１に接続され、スイッチＳＷ１の他端はポートＰ３に接続されている。スイッチＳＷ２の一端はポートＰ２に接続され、スイッチＳＷ２の他端はポートＰ３に接続されている。スイッチＳＷ３の一端はポートＰ２に接続され、スイッチＳＷ３の他端はポートＰ４に接続されている。スイッチＳＷ４の一端はポートＰ１に接続され、スイッチＳＷ４の他端はポートＰ４に接続されている。
【００４２】
スイッチＳＷ１とスイッチＳＷ３は、ポートＰ５に入力される制御信号ＶＣ１がハイレベルのときに導通状態となり、制御信号ＶＣ１がローレベルのときに非導通状態となる。スイッチＳＷ２とスイッチＳＷ４は、ポートＰ６に入力される制御信号ＶＣ２がハイレベルのときに導通状態となり、制御信号ＶＣ２がローレベルのときに非導通状態となる。従って、制御信号ＶＣ１がハイレベルで、制御信号ＶＣ２がローレベルのときには、ポートＰ１とポートＰ３が接続され、ポートＰ２とポートＰ４が接続される。このとき、ダイプレクサ１１はアンテナ端子ＡＮＴ１に接続され、ダイプレクサ１２はアンテナ端子ＡＮＴ２に接続される。一方、制御信号ＶＣ１がローレベルで、制御信号ＶＣ２がハイレベルのときには、ポートＰ１とポートＰ４が接続され、ポートＰ２とポートＰ３が接続される。このとき、ダイプレクサ１１はアンテナ端子ＡＮＴ２に接続され、ダイプレクサ１２はアンテナ端子ＡＮＴ１に接続される。このように、スイッチ回路１０は、ダイプレクサ１１，１２のいずれかを、アンテナ端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２のいずれかに接続する。
【００４３】
ダイプレクサ１１は、３つのポートＰ１１〜Ｐ１３を有している。ポートＰ１１は、キャパシタ１５を介してスイッチ回路１０のポートＰ３に接続されている。ポートＰ１２は、受信信号端子ＲＸ１に接続されている。ポートＰ１３は、受信信号端子ＲＸ２に接続されている。
【００４４】
ダイプレクサ１１は、更に、２つのバンドパスフィルタ（以下、ＢＰＦと記す。）２０，３０と、ローパスフィルタ（以下、ＬＰＦとも記す。）４０と、インダクタ８１と、キャパシタ８２，８３，８４とを有している。ＢＰＦ２０の一端は、インダクタ８１を介してポートＰ１１に接続されている。ＢＰＦ２０の他端は、キャパシタ８２を介してポートＰ１２に接続されている。ＢＰＦ３０の一端は、キャパシタ８３を介してポートＰ１１に接続されている。ＢＰＦ３０の他端は、キャパシタ８４を介してＬＰＦ４０の一端に接続されている。ＬＰＦ４０の他端は、ポートＰ１３に接続されている。ＢＰＦ２０は、本発明における第１の受信用バンドパスフィルタに対応し、ＢＰＦ３０は、本発明における第２の受信用バンドパスフィルタに対応する。
【００４５】
ＢＰＦ２０は、インダクタンスを有する伝送線路２１，２４と、キャパシタ２２，２３，２５とを有している。伝送線路２１およびキャパシタ２２，２３の各一端は、インダクタ８１を介してポートＰ１１に接続されている。伝送線路２１およびキャパシタ２２の各他端は接地されている。伝送線路２４およびキャパシタ２５の各一端は、キャパシタ２３の他端に接続されていると共に、キャパシタ８２を介してポートＰ１２に接続されている。伝送線路２４およびキャパシタ２５の各他端は接地されている。伝送線路２１とキャパシタ２２は、並列共振回路を構成している。伝送線路２４とキャパシタ２５は、他の並列共振回路を構成している。このように、ＢＰＦ２０は、２つの並列共振回路を用いて構成されている。
【００４６】
ＢＰＦ３０は、インダクタンスを有する伝送線路３１，３４と、キャパシタ３２，３３，３５とを有している。伝送線路３１およびキャパシタ３２，３３の各一端は、キャパシタ８３を介してポートＰ１１に接続されている。伝送線路３１およびキャパシタ３２の各他端は接地されている。伝送線路３４およびキャパシタ３５の各一端は、キャパシタ３３の他端に接続されていると共に、キャパシタ８４を介してＬＰＦ４０に接続されている。伝送線路３４およびキャパシタ３５の各他端は接地されている。伝送線路３１とキャパシタ３２は、並列共振回路を構成している。伝送線路３４とキャパシタ３５は、他の並列共振回路を構成している。このように、ＢＰＦ３０は、２つの並列共振回路を用いて構成されている。
【００４７】
ＬＰＦ４０は、インダクタ４１と、キャパシタ４２，４３，４４とを有している。インダクタ４１およびキャパシタ４２，４３の各一端は、キャパシタ８４を介してＢＰＦ３０に接続されている。インダクタ４１およびキャパシタ４３の各他端は、ポートＰ１３に接続されている。キャパシタ４２の他端は接地されている。キャパシタ４４の一端はポートＰ１３に接続され、キャパシタ４４の他端は接地されている。
【００４８】
ＢＰＦ２０は、第１の周波数帯域内の周波数の信号を通過させ、第１の周波数帯域外の周波数の信号を遮断する。これにより、ＢＰＦ２０は、アンテナ端子ＡＮＴ１またはアンテナ端子ＡＮＴ２に入力されスイッチ回路１０を通過した第１の受信信号を通過させて受信信号端子ＲＸ１に送る。インダクタ８１およびキャパシタ８２は、ＢＰＦ２０を含む、第１の受信信号の経路における通過特性を改善する。
【００４９】
ＢＰＦ３０は、第２の周波数帯域内の周波数の信号を通過させ、第２の周波数帯域外の周波数の信号を遮断する。ＬＰＦ４０は、第２の周波数帯域内の周波数の信号および第２の周波数帯域よりも低周波側の周波数の信号を通過させ、第２の周波数帯域よりも高周波側の周波数の信号を遮断する。これにより、ＢＰＦ３０およびＬＰＦ４０は、アンテナ端子ＡＮＴ１またはアンテナ端子ＡＮＴ２に入力されスイッチ回路１０を通過した第２の受信信号を通過させて受信信号端子ＲＸ２に送る。キャパシタ８３，８４は、ＢＰＦ３０およびＬＰＦ４０を含む、第２の受信信号の経路における通過特性を改善する。
【００５０】
ダイプレクサ１２は、３つのポートＰ２１〜Ｐ２３を有している。ポートＰ２１は、キャパシタ１６を介してスイッチ回路１０のポートＰ４に接続されている。ポートＰ２２は、送信信号端子ＴＸ１に接続されている。ポートＰ２３は、送信信号端子ＴＸ２に接続されている。
【００５１】
ダイプレクサ１２は、更に、２つのＢＰＦ５０，６０と、ＬＰＦ７０と、インダクタ９１と、キャパシタ９２，９３，９４とを有している。ＢＰＦ５０の一端は、インダクタ９１を介してポートＰ２１に接続されている。ＢＰＦ５０の他端は、キャパシタ９２を介してポートＰ２２に接続されている。ＢＰＦ６０の一端は、キャパシタ９３を介してポートＰ２１に接続されている。ＢＰＦ６０の他端は、キャパシタ９４を介してＬＰＦ７０の一端に接続されている。ＬＰＦ７０の他端は、ポートＰ２３に接続されている。ＢＰＦ５０は、本発明における第１の送信用バンドパスフィルタに対応し、ＢＰＦ６０は、本発明における第２の送信用バンドパスフィルタに対応する。
【００５２】
ＢＰＦ５０は、インダクタンスを有する伝送線路５１，５４と、キャパシタ５２，５３，５５とを有している。伝送線路５１およびキャパシタ５２，５３の各一端は、インダクタ９１を介してポートＰ２１に接続されている。伝送線路５１およびキャパシタ５２の各他端は接地されている。伝送線路５４およびキャパシタ５５の各一端は、キャパシタ５３の他端に接続されていると共に、キャパシタ９２を介してポートＰ２２に接続されている。伝送線路５４およびキャパシタ５５の各他端は接地されている。伝送線路５１とキャパシタ５２は、並列共振回路を構成している。伝送線路５４とキャパシタ５５は、他の並列共振回路を構成している。このように、ＢＰＦ５０は、２つの並列共振回路を用いて構成されている。
【００５３】
ＢＰＦ６０は、インダクタンスを有する伝送線路６１，６４と、キャパシタ６２，６３，６５とを有している。伝送線路６１およびキャパシタ６２，６３の各一端は、キャパシタ９３を介してポートＰ２１に接続されている。伝送線路６１およびキャパシタ６２の各他端は接地されている。伝送線路６４およびキャパシタ６５の各一端は、キャパシタ６３の他端に接続されていると共に、キャパシタ９４を介してＬＰＦ７０に接続されている。伝送線路６４およびキャパシタ６５の各他端は接地されている。伝送線路６１とキャパシタ６２は、並列共振回路を構成している。伝送線路６４とキャパシタ６５は、他の並列共振回路を構成している。このように、ＢＰＦ６０は、２つの並列共振回路を用いて構成されている。
【００５４】
ＬＰＦ７０は、インダクタ７１と、キャパシタ７２，７３，７４とを有している。インダクタ７１およびキャパシタ７２，７３の各一端は、キャパシタ９４を介してＢＰＦ６０に接続されている。インダクタ７１およびキャパシタ７３の各他端は、ポートＰ２３に接続されている。キャパシタ７２の他端は接地されている。キャパシタ７４の一端はポートＰ２３に接続され、キャパシタ７４の他端は接地されている。
【００５５】
ＢＰＦ５０は、第１の周波数帯域内の周波数の信号を通過させ、第１の周波数帯域外の周波数の信号を遮断する。これにより、ＢＰＦ５０は、送信信号端子ＴＸ１に入力された第１の送信信号を通過させてスイッチ回路１０に送る。インダクタ９１およびキャパシタ９２は、ＢＰＦ５０を含む、第１の送信信号の経路における通過特性を改善する。
【００５６】
ＢＰＦ６０は、第２の周波数帯域内の周波数の信号を通過させ、第２の周波数帯域外の周波数の信号を遮断する。ＬＰＦ７０は、第２の周波数帯域内の周波数の信号および第２の周波数帯域よりも低周波側の周波数の信号を通過させ、第２の周波数帯域よりも高周波側の周波数の信号を遮断する。これにより、ＢＰＦ６０およびＬＰＦ７０は、送信信号端子ＴＸ２に入力された第２の送信信号を通過させてスイッチ回路１０に送る。キャパシタ９３，９４は、ＢＰＦ６０およびＬＰＦ７０を含む、第２の送信信号の経路における通過特性を改善する。
【００５７】
高周波モジュール１では、アンテナ端子ＡＮＴ１またはアンテナ端子ＡＮＴ２に入力された第１の受信信号は、スイッチ回路１０およびＢＰＦ２０を通過して受信信号端子ＲＸ１に送られる。また、アンテナ端子ＡＮＴ１またはアンテナ端子ＡＮＴ２に入力された第２の受信信号は、スイッチ回路１０、ＢＰＦ３０およびＬＰＦ４０を通過して受信信号端子ＲＸ２に送られる。また、送信信号端子ＴＸ１に入力された第１の送信信号は、ＢＰＦ５０およびスイッチ回路１０を通過してアンテナ端子ＡＮＴ１またはアンテナ端子ＡＮＴ２に送られる。また、送信信号端子ＴＸ２に入力された第２の送信信号は、ＬＰＦ７０、ＢＰＦ６０およびスイッチ回路１０を通過してアンテナ端子ＡＮＴ１またはアンテナ端子ＡＮＴ２に送られる。
【００５８】
次に、図２および図３を参照して、高周波モジュール１の構造について説明する。図２は、高周波モジュール１の外観を示す斜視図である。図３は、高周波モジュール１の平面図である。図２および図３に示したように、高周波モジュール１は、高周波モジュール１の上記各要素を一体化する積層基板２００を備えている。積層基板２００は、交互に積層された誘電体層と導体層とを有している。高周波モジュール１における回路は、積層基板２００の内部または表面上の導体層と、積層基板２００の上面に搭載された素子とを用いて構成されている。ここでは、一例として、図１におけるスイッチ回路１０およびキャパシタ１３〜１６が、積層基板２００に搭載されているものとする。スイッチ回路１０は、１個の部品の形態を有している。積層基板２００は、例えば低温同時焼成セラミック多層基板になっている。
【００５９】
積層基板２００の上面、下面および側面には、前述の各端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２，ＲＸ１，ＲＸ２，ＴＸ１，ＴＸ２，ＣＴ１，ＣＴ２と、６つのグランド端子Ｇ１〜Ｇ６と、端子ＮＣ１，ＮＣ２が設けられている。グランド端子Ｇ１〜Ｇ６は、グランドに接続されるようになっている。端子ＮＣ１，ＮＣ２は、積層基板２００の内部の導体層にも外部回路にも接続されない。
【００６０】
次に、図４を参照して、本実施の形態に係る高周波モジュール１が利用される無線ＬＡＮ用の通信装置における高周波回路部の構成の一例について説明する。図４に示した高周波回路部は、高周波モジュール１と、この高周波モジュール１に接続された２つのアンテナ１０１，１０２とを備えている。
【００６１】
高周波回路部は、更に、入力端が高周波モジュール１の受信信号端子ＲＸ１に接続されたローノイズアンプ１１１と、一端がローノイズアンプ１１１の出力端に接続されたＢＰＦ１１２と、不平衡端子がＢＰＦ１１２の他端に接続されたバラン１１３とを備えている。受信信号端子ＲＸ１より出力された第１の受信信号は、ローノイズアンプ１１１によって増幅された後、ＢＰＦ１１２を通過し、バラン１１３によって、平衡信号に変換されて、バラン１１３の２つの平衡端子より出力される。
【００６２】
高周波回路部は、更に、入力端が高周波モジュール１の受信信号端子ＲＸ２に接続されたローノイズアンプ１１４と、一端がローノイズアンプ１１４の出力端に接続されたＢＰＦ１１５と、不平衡端子がＢＰＦ１１５の他端に接続されたバラン１１６とを備えている。受信信号端子ＲＸ２より出力された第２の受信信号は、ローノイズアンプ１１４によって増幅された後、ＢＰＦ１１５を通過し、バラン１１６によって、平衡信号に変換されて、バラン１１６の２つの平衡端子より出力される。
【００６３】
高周波回路部は、更に、出力端が高周波モジュール１の送信信号端子ＴＸ１に接続されたパワーアンプ１２１と、一端がパワーアンプ１２１の入力端に接続されたＢＰＦ１２２と、不平衡端子がＢＰＦ１２２の他端に接続されたバラン１２３とを備えている。第１の送信信号に対応する平衡信号は、バラン１２３の２つの平衡端子に入力され、バラン１２３によって不平衡信号に変換され、ＢＰＦ１２２を通過し、パワーアンプ１２１によって増幅された後、第１の送信信号として送信信号端子ＴＸ１に与えられる。
【００６４】
高周波回路部は、更に、出力端が高周波モジュール１の送信信号端子ＴＸ２に接続されたパワーアンプ１２４と、一端がパワーアンプ１２４の入力端に接続されたＢＰＦ１２５と、不平衡端子がＢＰＦ１２５の他端に接続されたバラン１２６とを備えている。第２の送信信号に対応する平衡信号は、バラン１２６の２つの平衡端子に入力され、バラン１２６によって不平衡信号に変換され、ＢＰＦ１２５を通過し、パワーアンプ１２４によって増幅された後、第２の送信信号として送信信号端子ＴＸ２に与えられる。
【００６５】
なお、高周波回路部の構成は、図４に示した構成に限定されず、種々変更が可能である。例えば、高周波回路部は、バラン１１３，１１６を含まず、ＢＰＦ１１２，１１５を通過した信号を、不平衡信号のまま出力するものであってもよい。また、ローノイズアンプ１１１とＢＰＦ１１２の位置関係、およびローノイズアンプ１１４とＢＰＦ１１５の位置関係は、それぞれ、図４に示した位置関係とは逆であってもよい。また、ＢＰＦ１１２，１１５，１２２，１２５の代わりに、ローパスフィルタまたはハイパスフィルタが設けられていてもよい。
【００６６】
次に、図５ないし図２４を参照して、積層基板２００の構成の一例について説明する。図５ないし図２３は、それぞれ、上から１層目ないし１９層目（最下層）の誘電体層の上面を示している。図２４は、上から１９層目の誘電体層およびその下の導体層を示している。図５ないし図２３において、丸印はスルーホールを表している。
【００６７】
図５に示した１層目の誘電体層２０１の上面には、各端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２，ＲＸ１，ＲＸ２，ＴＸ１，ＴＸ２，ＣＴ１，ＣＴ２，Ｇ１〜Ｇ６，ＮＣ１，ＮＣ２を構成する導体層が形成されている。誘電体層２０１の上面には、更に、キャパシタ１３が接続される導体層３０１，３０２と、キャパシタ１４が接続される導体層４０１，４０２と、キャパシタ１５が接続される導体層３０３，３０４と、キャパシタ１６が接続される導体層４０３，４０４とが形成されている。誘電体層２０１の上面には、更に、スイッチ回路１０の各ポートＰ１〜Ｐ６が接続される６つの導体層２２１〜２２６と、グランドに接続される導体層２３０とが形成されている。
【００６８】
図６に示した２層目の誘電体層２０２の上面には、導体層２３１，２３２，３１１〜３１４，４１１〜４１４が形成されている。導体層２３１は端子Ｇ１に接続されている。導体層２３２は端子Ｇ４に接続されている。
【００６９】
導体層３１１は端子ＡＮＴ１に接続されている。導体層３１１には、誘電体層２０１に形成されたスルーホールを介して、図５に示した導体層３０１が接続されている。導体層３１２には、誘電体層２０１に形成された２つのスルーホールを介して、図５に示した導体層２２１，３０２が接続されている。導体層３１３は端子ＣＴ１に接続されている。導体層３１３には、誘電体層２０１に形成されたスルーホールを介して、図５に示した導体層２２５が接続されている。導体層３１４には、誘電体層２０１に形成された２つのスルーホールを介して、図５に示した導体層２２３，３０４が接続されている。
【００７０】
導体層４１１は端子ＡＮＴ２に接続されている。導体層４１１には、誘電体層２０１に形成されたスルーホールを介して、図５に示した導体層４０１が接続されている。導体層４１２には、誘電体層２０１に形成された２つのスルーホールを介して、図５に示した導体層２２２，４０２が接続されている。導体層４１３は端子ＣＴ２に接続されている。導体層４１３には、誘電体層２０１に形成されたスルーホールを介して、図５に示した導体層２２６が接続されている。導体層４１４には、誘電体層２０１に形成された２つのスルーホールを介して、図５に示した導体層２２４，４０４が接続されている。
【００７１】
図７に示した３層目の誘電体層２０３の上面には、グランド用導体層２３３，２３４が形成されている。導体層２３３は端子Ｇ１に接続されている。導体層２３３には、誘電体層２０２に形成されたスルーホールを介して、図６に示した導体層２３１が接続されている。導体層２３４は端子Ｇ２〜Ｇ６に接続されている。導体層２３４には、誘電体層２０２に形成されたスルーホールを介して、図６に示した導体層２３２が接続されている。また、導体層２３４には、誘電体層２０１，２０２に形成されたスルーホールを介して、図５に示した導体層２３０が接続されている。
【００７２】
図８に示した４層目の誘電体層２０４の上面には、グランド用導体層２３５、導体層３１６，４１６およびインダクタ用導体層３１７，４１７が形成されている。導体層２３５は、端子Ｇ１および端子Ｇ４に接続されている。導体層２３５には、誘電体層２０３に形成された複数のスルーホールを介して、図７に示した導体層２３３，２３４が接続されている。
【００７３】
導体層３１６には、誘電体層２０１〜２０３に形成されたスルーホールを介して、図５に示した導体層３０３が接続されている。導体層３１７の一端部は、端子ＲＸ２に接続されている。導体層３１７は、図１におけるインダクタ４１を構成する。
【００７４】
導体層４１６には、誘電体層２０１〜２０３に形成されたスルーホールを介して、図５に示した導体層４０３が接続されている。導体層４１７の一端部は、端子ＴＸ２に接続されている。導体層４１７は、図１におけるインダクタ７１を構成する。
【００７５】
図９に示した５層目の誘電体層２０５の上面には、キャパシタ用導体層３１９，４１９が形成されている。導体層３１９は端子Ｇ２に接続されている。導体層３１９は、図１におけるキャパシタ３２，３５，４２の各一部を構成する。導体層４１９は端子Ｇ６に接続されている。導体層４１９は、図１におけるキャパシタ６２，６５，７２の各一部を構成する。
【００７６】
図１０に示した６層目の誘電体層２０６の上面には、キャパシタ用導体層３２１，３２２，３２３，４２１，４２２，４２３が形成されている。
【００７７】
導体層３２１は、図９に示した導体層３１９と共に、図１におけるキャパシタ３２を構成する。導体層３２２は、図９に示した導体層３１９と共に、図１におけるキャパシタ３５を構成する。導体層３２３は、図９に示した導体層３１９と共に、図１におけるキャパシタ４２を構成すると共に、図１におけるキャパシタ４３の一部を構成する。導体層３２３には、誘電体層２０４，２０５に形成されたスルーホールを介して、図８に示した導体層３１７が接続されている。
【００７８】
導体層４２１は、図９に示した導体層４１９と共に、図１におけるキャパシタ６２を構成する。導体層４２２は、図９に示した導体層４１９と共に、図１におけるキャパシタ６５を構成する。導体層４２３は、図９に示した導体層４１９と共に、図１におけるキャパシタ７２を構成すると共に、図１におけるキャパシタ７３の一部を構成する。導体層４２３には、誘電体層２０４，２０５に形成されたスルーホールを介して、図８に示した導体層４１７が接続されている。
【００７９】
図１１に示した７層目の誘電体層２０７の上面には、グランド用導体層２３６およびキャパシタ用導体層３２４，３２５，３２６，４２４，４２５，４２６が形成されている。導体層２３６は、端子Ｇ１および端子Ｇ４に接続されている。導体層２３６には、誘電体層２０４〜２０６に形成されたスルーホールを介して、図８に示した導体層２３５が接続されている。
【００８０】
導体層３２４には、誘電体層２０１〜２０６に形成されたスルーホールを介して、図５に示した導体層３０３が接続されている。導体層３２５には、誘電体層２０６に形成されたスルーホールを介して、図１０に示した導体層３２３が接続されている。導体層３２６は端子ＲＸ２に接続されている。導体層３２４，３２５は、それぞれ、図１におけるキャパシタ８３，８４の各一部を構成する。導体層３２６は、図１０に示した導電層３２３と共に、図１におけるキャパシタ４３を構成する。
【００８１】
導体層４２４には、誘電体層２０１〜２０６に形成されたスルーホールを介して、図５に示した導体層４０３が接続されている。導体層４２５には、誘電体層２０６に形成されたスルーホールを介して、図１０に示した導体層４２３が接続されている。導体層４２６は端子ＴＸ２に接続されている。導体層４２４，４２５は、それぞれ、図１におけるキャパシタ９３，９４の各一部を構成する。導体層４２６は、図１０に示した導電層４２３と共に、図１におけるキャパシタ７３を構成する。
【００８２】
図１２に示した８層目の誘電体層２０８の上面には、キャパシタ用導体層３２８，３２９，４２８，４２９が形成されている。
【００８３】
導体層３２８には、誘電体層２０６，２０７に形成されたスルーホールを介して、図１０に示した導体層３２１が接続されている。導体層３２９には、誘電体層２０６，２０７に形成されたスルーホールを介して、図１０に示した導体層３２２が接続されている。導体層３２８は、図１１に示した導体層３２４と共に、図１におけるキャパシタ８３を構成する。導体層３２９は、図１１に示した導体層３２５と共に、図１におけるキャパシタ８４を構成する。
【００８４】
導体層４２８には、誘電体層２０６，２０７に形成されたスルーホールを介して、図１０に示した導体層４２１が接続されている。導体層４２９には、誘電体層２０６，２０７に形成されたスルーホールを介して、図１０に示した導体層４２２が接続されている。導体層４２８は、図１１に示した導体層４２４と共に、図１におけるキャパシタ９３を構成する。導体層４２９は、図１１に示した導体層４２５と共に、図１におけるキャパシタ９４を構成する。
【００８５】
図１３に示した９層目の誘電体層２０９の上面には、グランド用導体層２３７〜２４１と、キャパシタ用導体層３３１，３３２，４３１，４３２が形成されている。導体層２３７〜２４１には、誘電体層２０７，２０８に形成されたスルーホールを介して、図１１に示した導体層２３６が接続されている。
【００８６】
導体層３３１には、誘電体層２０８に形成されたスルーホールを介して、図１２に示した導体層３２８が接続されている。導体層３３２には、誘電体層２０８に形成されたスルーホールを介して、図１２に示した導体層３２９が接続されている。導体層３３１，３３２は、図１におけるキャパシタ３３を構成する。
【００８７】
導体層４３１には、誘電体層２０８に形成されたスルーホールを介して、図１２に示した導体層４２８が接続されている。導体層４３２には、誘電体層２０８に形成されたスルーホールを介して、図１２に示した導体層４２９が接続されている。導体層４３１，４３２は、図１におけるキャパシタ６３を構成する。
【００８８】
図１４に示した１０層目の誘電体層２１０の上面には、導体層３３４，３３５，３３６，３３７，４３４，４３５，４３６，４３７が形成されている。
【００８９】
導体層３３４には、誘電体層２０８，２０９に形成されたスルーホールを介して、図１２に示した導体層３２８が接続されている。導体層３３５には、誘電体層２０８，２０９に形成されたスルーホールを介して、図１２に示した導体層３２９が接続されている。また、導体層３３５には、誘電体層２０３〜２０９に形成されたスルーホールを介して、図７に示した導体層２３４が接続されている。導体層３３６には、誘電体層２０３〜２０９に形成されたスルーホールを介して、図７に示した導体層２３４が接続されている。導体層３３７は、端子Ｇ３に接続されている。導体層３３４，３３５，３３６，３３７は、それぞれ、図１における伝送線路３１，３４，２１，２４を構成する。また、導体層３３４，３３５，３３６，３３７を用いて構成された伝送線路３１，３４，２１，２４は、分布定数線路になっている。本実施の形態では、ＢＰＦ２０における共振回路に含まれる伝送線路２１，２４（導体層３３６，３３７）の長手方向とＢＰＦ３０における共振回路に含まれる伝送線路３１，３４（導体層３３４，３３５）の長手方向が直交している。
【００９０】
導体層４３４には、誘電体層２０８，２０９に形成されたスルーホールを介して、図１２に示した導体層４２８が接続されている。導体層４３５には、誘電体層２０８，２０９に形成されたスルーホールを介して、図１２に示した導体層４２９が接続されている。また、導体層４３５には、誘電体層２０３〜２０９に形成されたスルーホールを介して、図７に示した導体層２３４が接続されている。導体層４３６には、誘電体層２０３〜２０９に形成されたスルーホールを介して、図７に示した導体層２３４が接続されている。導体層４３７は、端子Ｇ５に接続されている。導体層４３４，４３５，４３６，４３７は、それぞれ、図１における伝送線路６１，６４，５１，５４を構成する。また、導体層４３４，４３５，４３６，４３７を用いて構成された伝送線路６１，６４，５１，５４は、分布定数線路になっている。本実施の形態では、ＢＰＦ５０における共振回路に含まれる伝送線路５１，５４（導体層４３６，４３７）の長手方向とＢＰＦ６０における共振回路に含まれる伝送線路６１，６４（導体層４３４，４３５）の長手方向が直交している。
【００９１】
図１５に示した１１層目の誘電体層２１１の上面には、グランド用導体層２４２と、インダクタ用導体層３３９，４３９が形成されている。導体層２４２には、誘電体層２０９，２１０に形成されたスルーホールを介して、図１３に示した導体層２３７〜２４１が接続されている。
【００９２】
導体層３３９には、誘電体層２０４〜２１０に形成されたスルーホールを介して、図８に示した導体層３１６が接続されている。導体層３３９は、図１におけるインダクタ８１の一部を構成する。導体層４３９には、誘電体層２０４〜２１０に形成されたスルーホールを介して、図８に示した導体層４１６が接続されている。導体層４３９は、図１におけるインダクタ９１の一部を構成する。
【００９３】
図１６に示した１２層目の誘電体層２１２の上面には、インダクタ用導体層３４０，４４０が形成されている。導体層３４０には、誘電体層２１１に形成されたスルーホールを介して、図１５に示した導体層３３９が接続されている。導体層３４０は、図１におけるインダクタ８１の一部を構成する。導体層４４０には、誘電体層２１１に形成されたスルーホールを介して、図１５に示した導体層４３９が接続されている。導体層４４０は、図１におけるインダクタ９１の一部を構成する。
【００９４】
図１７に示した１３層目の誘電体層２１３の上面には、インダクタ用導体層３４１，４４１が形成されている。導体層３４１には、誘電体層２１２に形成されたスルーホールを介して、図１６に示した導体層３４０が接続されている。図１におけるインダクタ８１は、導体層３３９〜３４１によって構成される。導体層４４１には、誘電体層２１２に形成されたスルーホールを介して、図１６に示した導体層４４０が接続されている。図１におけるインダクタ９１は、導体層４３９〜４４１によって構成される。
【００９５】
図１８に示した１４層目の誘電体層２１４の上面には、キャパシタ用導体層３４３，３４４，４４３，４４４が形成されている。導体層３４３は端子ＲＸ２に接続されている。導体層３４３は、図１におけるキャパシタ４４の一部を構成する。導体層３４４は端子ＲＸ１に接続されている。導体層３４４は、図１におけるキャパシタ８２の一部を構成する。導体層４４３は端子ＴＸ２に接続されている。導体層４４３は、図１におけるキャパシタ７４の一部を構成する。導体層４４４は端子ＴＸ１に接続されている。導体層４４４は、図１におけるキャパシタ９２の一部を構成する。
【００９６】
図１９に示した１５層目の誘電体層２１５の上面には、グランド用導体層２４３、導体層３４６，４４６およびキャパシタ用導体層３４７，４４７が形成されている。導体層２４３には、誘電体層２１１〜２１４に形成されたスルーホールを介して、図１５に示した導体層２４２が接続されている。
【００９７】
導体層３４６には、誘電体層２１０〜２１４に形成されたスルーホールを介して、図１４に示した導体層３３６が接続されている。また、導体層３４６には、誘電体層２１３，２１４に形成されたスルーホールを介して、図１７に示した導体層３４１が接続されている。導体層３４７には、誘電体層２１０〜２１４に形成されたスルーホールを介して、図１４に示した導体層３３７が接続されている。導体層３４７は、図１８に示した導体層３４４と共に、キャパシタ８２を構成する。
【００９８】
導体層４４６には、誘電体層２１０〜２１４に形成されたスルーホールを介して、図１４に示した導体層４３６が接続されている。また、導体層４４６には、誘電体層２１３，２１４に形成されたスルーホールを介して、図１７に示した導体層４４１が接続されている。導体層４４７には、誘電体層２１０〜２１４に形成されたスルーホールを介して、図１４に示した導体層４３７が接続されている。導体層４４７は、図１８に示した導体層４４４と共に、キャパシタ９２を構成する。
【００９９】
図２０に示した１６層目の誘電体層２１６の上面には、キャパシタ用導体層３４９，３５０，３５１，４４９，４５０，４５１が形成されている。
【０１００】
導体層３４９は端子Ｇ２，Ｇ３に接続されている。導体層３４９は、図１８に示した導体層３４３と共に、図１におけるキャパシタ４４を構成する。導体層３５０には、誘電体層２１５に形成されたスルーホールを介して、図１９に示した導体層３４６が接続されている。導体層３５１には、誘電体層２１５に形成されたスルーホールを介して、図１９に示した導体層３４７が接続されている。導体層３５０，３５１は、図１におけるキャパシタ２３を構成する。
【０１０１】
導体層４４９は端子Ｇ５，Ｇ６に接続されている。導体層４４９は、図１８に示した導体層４４３と共に、図１におけるキャパシタ７４を構成する。導体層４５０には、誘電体層２１５に形成されたスルーホールを介して、図１９に示した導体層４４６が接続されている。導体層４５１には、誘電体層２１５に形成されたスルーホールを介して、図１９に示した導体層４４７が接続されている。導体層４５０，４５１は、図１におけるキャパシタ５３を構成する。
【０１０２】
図２１に示した１７層目の誘電体層２１７の上面には、キャパシタ用導体層３５３，３５４，４５３，４５４が形成されている。
【０１０３】
導体層３５３には、誘電体層２１６に形成されたスルーホールを介して、図２０に示した導体層３５０が接続されている。導体層３５３は、図１におけるキャパシタ２２の一部を構成する。導体層３５４には、誘電体層２１６に形成されたスルーホールを介して、図２０に示した導体層３５１が接続されている。導体層３５４は、図１におけるキャパシタ２５の一部を構成する。
【０１０４】
導体層４５３には、誘電体層２１６に形成されたスルーホールを介して、図２０に示した導体層４５０が接続されている。導体層４５３は、図１におけるキャパシタ５２の一部を構成する。導体層４５４には、誘電体層２１６に形成されたスルーホールを介して、図２０に示した導体層４５１が接続されている。導体層４５４は、図１におけるキャパシタ５５の一部を構成する。
【０１０５】
図２２に示した１８層目の誘電体層２１８の上面にはグランド用導体層２４４が形成されている。導体層２４４は、端子Ｇ１〜Ｇ６に接続されている。導体層２４４は、図２１に示した導体層３５３と共に、図１におけるキャパシタ２２を構成する。また、導体層２４４は、図２１に示した導体層３５４と共に、図１におけるキャパシタ２５を構成する。
【０１０６】
導体層２４４には、誘電体層２１５〜２１７に形成されたスルーホールを介して、図１９に示した導体層２４３が接続されている。また、導体層２４４には、誘電体層２１０〜２１７に形成されたスルーホールを介して、図１４に示した導体層３３４，４３４が接続されている。誘電体層２１８には、導体層２４４に接続された８つのスルーホールが形成されている。
【０１０７】
図２３に示した１９層目の誘電体層２１９には、誘電体層２１８に形成された８つのスルーホールに接続された８つのスルーホールが形成されている。
【０１０８】
図２４に示したように、誘電体層２１９の下面には、各端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２，ＲＸ１，ＲＸ２，ＴＸ１，ＴＸ２，ＣＴ１，ＣＴ２，Ｇ１〜Ｇ６，ＮＣ１，ＮＣ２を構成する導体層と、グランド用導体層２４５とが形成されている。導体層２４５には、誘電体層２１８，２１９に形成されたスルーホールを介して、図２２に示した導体層２４４が接続されている。
【０１０９】
図２５は、積層基板２００の内部において、第１の受信信号、第２の受信信号、第１の送信信号および第２の送信信号の各経路を形成する要素が配置される領域を表している。図２５において、符号２５１は、第１の受信信号の経路を形成する要素が配置される領域を示している。符号２５２は、第２の受信信号の経路を形成する要素が配置される領域を示している。符号２６１は、第１の送信信号の経路を形成する要素が配置される領域を示している。符号２６２は、第２の送信信号の経路を形成する要素が配置される領域を示している。
【０１１０】
図２５に示したように、本実施の形態では、積層基板２００の内部において、第１および第２の受信信号の経路を形成する要素が配置される領域２５１，２５２は互いに分離され、第１および第２の送信信号の経路を形成する要素が配置される領域２６１，２６２は互いに分離されている。
【０１１１】
また、第１および第２の受信信号の経路を形成する要素が配置される領域２５１，２５２と、第１および第２の送信信号の経路を形成する要素が配置される領域２６１，２６２は、互いに分離されている。更に、領域２５１，２５２と、領域２６１，２６２の間には、グランドに接続される導体部２７０が設けられている。導体部２７０は、グランド用導体層２３５〜２４３と、これらに接続されたスルーホールとによって構成されている。
【０１１２】
ここで、図２６ないし図２９に、本実施の形態に係る高周波モジュール１の特性の一例を示す。図２６は、制御信号ＶＣ１がハイレベルで、制御信号ＶＣ２がローレベルのときの端子ＡＮＴ１、ＲＸ１間の信号経路の挿入損失の周波数特性および端子ＡＮＴ２、ＴＸ１間の信号経路の挿入損失の周波数特性を表している。図２７は、制御信号ＶＣ１がハイレベルで、制御信号ＶＣ２がローレベルのときの端子ＡＮＴ１、ＲＸ２間の信号経路の挿入損失の周波数特性および端子ＡＮＴ２、ＴＸ２間の信号経路の挿入損失の周波数特性を表している。図２８は、制御信号ＶＣ１がローレベルで、制御信号ＶＣ２がハイレベルのときの端子ＡＮＴ１、ＴＸ１間の信号経路の挿入損失の周波数特性および端子ＡＮＴ２、ＲＸ１間の信号経路の挿入損失の周波数特性を表している。図２９は、制御信号ＶＣ１がローレベルで、制御信号ＶＣ２がハイレベルのときの端子ＡＮＴ１、ＴＸ２間の信号経路の挿入損失の周波数特性および端子ＡＮＴ２、ＲＸ２間の信号経路の挿入損失の周波数特性を表している。
【０１１３】
次に、本実施の形態に係る高周波モジュール１の効果について説明する。本実施の形態に係る高周波モジュール１では、ダイプレクサ１１はＢＰＦ２０，３０を有し、ダイプレクサ１２はＢＰＦ５０，６０を有している。ＢＰＦを用いずに、ハイパスフィルタおよびローパスフィルタを用いてダイプレクサ１１，１２を構成することも可能である。しかし、この場合には、高周波モジュール１に接続される回路において多くのフィルタが必要になったり、高周波モジュール１に接続される回路に設けられるフィルタに要求される条件が厳しくなったりする。これに対し、本実施の形態によれば、ＢＰＦを用いてダイプレクサ１１，１２を構成することにより、高周波モジュール１に接続される回路に設けられるフィルタの数を少なくしたり、高周波モジュール１に接続される回路に設けられるフィルタに要求される条件を緩和したりすることができる。
【０１１４】
また、各ＢＰＦ２０，３０，５０，６０は共振回路を用いて構成されている。ＢＰＦは、ハイパスフィルタとローパスフィルタとを組み合わせて構成することも可能である。しかし、この場合には、ＢＰＦを構成する素子数が多くなったり、ＢＰＦの特性の調整が難しくなったりする。これに対し、本実施の形態によれば、各ＢＰＦ２０，３０，５０，６０が共振回路を用いて構成されているので、ＢＰＦ２０，３０，５０，６０を構成する素子数が少なくなり、且つＢＰＦ２０，３０，５０，６０の特性の調整が容易になる。
【０１１５】
また、スイッチ回路１０とダイプレクサ１１，１２は、積層基板２００によって一体化されている。これにより、高周波モジュール１の実装面積を小さくすることができる。例えば、縦３．２ｍｍ、横１．６ｍｍの大きさの単体のダイプレクサを２個と、縦３．０ｍｍ、横３．０ｍｍの大きさの単体のスイッチとを、基板に実装して高周波モジュールを構成した場合には、ランドも含めた高周波モジュールの実装面積は、約２３ｍｍ２となる。これに対し、本実施の形態によれば、ランドも含めた高周波モジュール１の実装面積は、約１６ｍｍ２となる。従って、本実施の形態によれば、２個の単体のダイプレクサと単体のスイッチとを基板に実装して高周波モジュールを構成した場合に比べて、実装面積を約３０％減らすことができる。
【０１１６】
また、本実施の形態によれば、２個の単体のダイプレクサと単体のスイッチとを基板に実装して高周波モジュールを構成する場合に比べて、部品の実装のための工程数が少なくなり、実装に要するコストを低減することができる。
【０１１７】
以上のことから、本実施の形態によれば、無線ＬＡＮ用の通信装置に用いられ、複数の周波数帯域の送信信号および受信信号を処理でき、且つ小型化が可能な高周波モジュール１を実現することができる。
【０１１８】
また、高周波モジュール１は、２つのアンテナ端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２を備え、スイッチ回路１０は、ダイプレクサ１１，１２のいずれかを、アンテナ端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２のいずれかに接続する。従って、本実施の形態によれば、ダイバシティに対応した高周波モジュール１を実現することができる。
【０１１９】
また、高周波モジュール１において、構成要素を一体化する基板は、交互に積層された誘電体層と導体層とを含む積層基板２００であり、ＢＰＦ２０，３０，５０，６０を構成する共振回路は、誘電体層と導体層を用いて構成されている。これにより、本実施の形態によれば、高周波モジュール１をより小型化することができる。
【０１２０】
また、本実施の形態では、各共振回路は、導体層を用いて構成された分布定数線路を含んでいる。これにより、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。無線ＬＡＮ用の高周波回路部には、各信号の経路における通過特性として、通過帯域外の周波数領域における減衰が大きいことが要求される傾向にある。この要求を満足するためには、ＢＰＦ２０，３０，５０，６０の挿入損失の周波数特性は、通過帯域と通過帯域外の周波数領域との境界近傍において、挿入損失が急峻に変化する特性であることが望まれる。このような特性を、集中定数素子のみによって構成されたＢＰＦによって実現しようとすると、フィルタの次数を多くしなければならない。そうすると、ＢＰＦを構成する素子の数が多くなる。その結果、高周波モジュールの小型化が困難になったり、調整する素子の数が多いことからＢＰＦの所望の特性を実現することが難しくなったりする。これに対し、本実施の形態のように、ＢＰＦ２０，３０，５０，６０を構成する共振回路が分布定数線路を含んでいる場合には、ＢＰＦを集中定数素子のみによって構成する場合に比べて、素子の数を少なくすることができると共に、所望の特性を実現するための調整が容易になる。従って、本実施の形態によれば、高周波モジュール１をより小型化することが可能になると共に、容易にＢＰＦ２０，３０，５０，６０の所望の特性を実現することが可能になる。
【０１２１】
また、本実施の形態では、各共振回路は、導体層を用いて構成されインダクタンスを有する伝送線路を含んでいる。ＢＰＦ２０における共振回路に含まれる伝送線路２１，２４（導体層３３６，３３７）の長手方向とＢＰＦ３０における共振回路に含まれる伝送線路３１，３４（導体層３３４，３３５）の長手方向が直交している。これにより、伝送線路２１，２４（導体層３３６，３３７）と伝送線路３１，３４（導体層３３４，３３５）との間における電磁気的な結合の発生を防止でき、その結果、ＢＰＦ２０とＢＰＦ３０との間における電磁気的な干渉の発生を防止することができる。
【０１２２】
同様に、ＢＰＦ５０における共振回路に含まれる伝送線路５１，５４（導体層４３６，４３７）の長手方向とＢＰＦ６０における共振回路に含まれる伝送線路６１，６４（導体層４３４，４３５）の長手方向が直交している。これにより、伝送線路５１，５４（導体層４３６，４３７）と伝送線路６１，６４（導体層４３４，４３５）との間における電磁気的な結合の発生を防止でき、その結果、ＢＰＦ５０とＢＰＦ６０との間における電磁気的な干渉の発生を防止することができる。
【０１２３】
また、図２５に示したように、本実施の形態では、積層基板２００は、ダイプレクサ１１に含まれる全ての共振回路とダイプレクサ１２に含まれる全ての共振回路との間に配置されると共にグランドに接続される導体部２７０を含んでいる。これにより、本実施の形態によれば、ダイプレクサ１１とダイプレクサ１２との間における電磁気的な干渉の発生を防止することができる。
【０１２４】
また、図２５に示したように、本実施の形態では、積層基板２００の内部において、第１および第２の受信信号の経路を形成する要素が配置される領域２５１，２５２は互いに分離されている。これにより、本実施の形態によれば、第１の受信信号の経路と第２の受信信号の経路との間における電磁気的な干渉の発生を防止することができる。
【０１２５】
同様に、積層基板２００の内部において、第１および第２の送信信号の経路を形成する要素が配置される領域２６１，２６２は互いに分離されている。これにより、本実施の形態によれば、第１の送信信号の経路と第２の送信信号の経路との間における電磁気的な干渉の発生を防止することができる。
【０１２６】
また、本実施の形態では、スイッチ回路１０は積層基板２００に搭載され、積層基板２００の導体層は、スイッチ回路１０と全ての共振回路との間に配置されると共にグランドに接続されるグランド用導体層２３３，２３４（図７参照。）を含んでいる。これにより、本実施の形態によれば、スイッチ回路１０とダイプレクサ１１，１２との間における電磁気的な干渉の発生を防止することができる。
【０１２７】
また、本実施の形態では、ダイプレクサ１１は、ＢＰＦ３０に直列に接続され、第２の周波数帯域における受信信号を通過させるＬＰＦ４０を有している。また、ダイプレクサ１２は、ＢＰＦ６０に直列に接続され、第２の周波数帯域における送信信号を通過させるＬＰＦ７０を有している。ＢＰＦ３０，６０において、共振回路の段数を多くすれば、第２の周波数帯域外における挿入損失を増加させることができるが、第２の周波数帯域における挿入損失も増加してしまう。これに対し、本実施の形態によれば、第２の周波数帯域における受信信号および送信信号の各経路において、第２の周波数帯域における挿入損失の増加を抑制しながら、第２の周波数帯域よりも高周波側における挿入損失を増加させることができる。
【０１２８】
また、本実施の形態に係る無線ＬＡＮ用の高周波モジュール１は、主に、ノート型パーソナルコンピュータ等、小型化または低背化が必要な機器に搭載される。そのため、高周波モジュール１の大きさは、縦５ｍｍ以下、横４ｍｍ以下、高さ２ｍｍ以下であることが好ましい。
【０１２９】
なお、本実施の形態において、積層基板２００としては、誘電体層の材料として樹脂、セラミック、あるいは両者を複合した材料を用いたもの等、種々のものを用いることができる。しかし、積層基板２００としては、特に、高周波特性に優れた低温同時焼成セラミック多層基板を用いることが好ましい。そして、この低温同時焼成セラミック多層基板を用いた積層基板２００には、図５ないし図２４を用いて説明したように、少なくとも、ダイプレクサ１１，１２を構成する複数のインダンタクス素子（インダクタンスを有する伝送線路およびインダクタ）およびキャパシタンス素子（キャパシタ）が内蔵されていることが好ましい。更に、スイッチ回路１０は、ＧａＡｓ化合物半導体による電界効果トランジスタを用いて構成されて、図２に示したように、低温同時焼成セラミック多層基板を用いた積層基板２００に搭載されていることが好ましい。また、図２に示したように、低温同時焼成セラミック多層基板を用いた積層基板２００の外周面には、スイッチ回路１０をアンテナに接続するためのアンテナ端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２と、ダイプレクサ１１，１２を外部回路に接続するための受信信号端子ＲＸ１，ＲＸ２および送信信号端子ＴＸ１，ＴＸ２と、制御端子ＣＴ１，ＣＴ２と、グランドに接続されるグランド端子Ｇ１〜Ｇ６とを含む複数の端子が設けられていることが好ましい。
【０１３０】
［第２の実施の形態］
次に、図３０ないし図３４を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る高周波モジュールについて説明する。まず、図３０を参照して、本実施の形態に係る高周波モジュールの回路構成について説明する。図３０は、本実施の形態に係る高周波モジュールの回路構成を示すブロック図である。本実施の形態に係る高周波モジュール５０１の回路構成は、基本的には、図４に示した高周波回路部の回路構成と同じである。本実施の形態に係る高周波モジュール５０１は、第１の実施の形態に係る高周波モジュール１における端子ＲＸ１，ＲＸ２，ＴＸ１，ＴＸ２を備えていない。代わりに、本実施の形態に係る高周波モジュール５０１は、平衡信号の形態の第１の受信信号を出力する２つの第１の受信信号端子ＲＸ１１，ＲＸ１２と、平衡信号の形態の第２の受信信号を出力する２つの第２の受信信号端子ＲＸ２１，ＲＸ２２と、平衡信号の形態の第１の送信信号が入力される２つの第１の送信信号端子ＴＸ１１，ＴＸ１２と、平衡信号の形態の第２の送信信号が入力される２つの第２の送信信号端子ＴＸ２１，ＴＸ２２とを備えている。
【０１３１】
本実施の形態に係る高周波モジュール５０１は、第１の実施の形態に係る高周波モジュール１の構成要素に加え、以下の構成要素を備えている。まず、高周波モジュール５０１は、入力端がダイプレクサ１１のＢＰＦ２０に接続されたローノイズアンプ１１１と、一端がローノイズアンプ１１１の出力端に接続されたＢＰＦ１１２と、不平衡端子がＢＰＦ１１２の他端に接続され、２つの平衡端子が受信信号端子ＲＸ１１，ＲＸ１２に接続されたバラン１１３とを備えている。このように、ローノイズアンプ１１１、ＢＰＦ１１２およびバラン１１３は、受信信号端子ＲＸ１１，ＲＸ１２とＢＰＦ２０との間に挿入されている。ローノイズアンプ１１１は、本発明における第１のアンプに対応する。ＢＰＦ１１２は、本発明における第３の受信用バンドパスフィルタに対応する。バラン１１３は、本発明における第１のバランに対応する。ＢＰＦ２０は、不平衡信号の形態の第１の受信信号を出力し、この受信信号は、ローノイズアンプ１１１によって増幅された後、ＢＰＦ１１２を通過し、バラン１１３によって、平衡信号の形態に変換されて、受信信号端子ＲＸ１１，ＲＸ１２に送られる。
【０１３２】
高周波モジュール５０１は、更に、入力端がダイプレクサ１１のＬＰＦ４０に接続されたローノイズアンプ１１４と、一端がローノイズアンプ１１４の出力端に接続されたＢＰＦ１１５と、不平衡端子がＢＰＦ１１５の他端に接続され、２つの平衡端子が受信信号端子ＲＸ２１，ＲＸ２２に接続されたバラン１１６とを備えている。このように、ローノイズアンプ１１４、ＢＰＦ１１５およびバラン１１６は、受信信号端子ＲＸ２１，ＲＸ２２とＬＰＦ４０との間に挿入されている。ローノイズアンプ１１４は、本発明における第２のアンプに対応する。ＢＰＦ１１５は、本発明における第４の受信用バンドパスフィルタに対応する。バラン１１６は、本発明における第２のバランに対応する。ＬＰＦ４０は、不平衡信号の形態の第２の受信信号を出力し、この受信信号は、ローノイズアンプ１１４によって増幅された後、ＢＰＦ１１５を通過し、バラン１１６によって、平衡信号の形態に変換されて、受信信号端子ＲＸ２１，ＲＸ２２に送られる。
【０１３３】
高周波モジュール５０１は、更に、出力端がダイプレクサ１２のＢＰＦ５０に接続されたパワーアンプ１２１と、一端がパワーアンプ１２１の入力端に接続されたＢＰＦ１２２と、不平衡端子がＢＰＦ１２２の他端に接続され、２つの平衡端子が送信信号端子ＴＸ１１，ＴＸ１２に接続されたバラン１２３とを備えている。このように、パワーアンプ１２１、ＢＰＦ１２２およびバラン１２３は、送信信号端子ＴＸ１１，ＴＸ１２とＢＰＦ５０との間に挿入されている。パワーアンプ１２１は、本発明における第３のアンプに対応する。ＢＰＦ１２２は、本発明における第３の送信用バンドパスフィルタに対応する。バラン１２３は、本発明における第３のバランに対応する。送信信号端子ＴＸ１１，ＴＸ１２に入力された平衡信号の形態の第１の送信信号は、バラン１２３によって不平衡信号の形態に変換され、ＢＰＦ１２２を通過し、パワーアンプ１２１によって増幅された後、ＢＰＦ５０に送られる。
【０１３４】
高周波モジュール５０１は、更に、出力端がダイプレクサ１２のＬＰＦ７０に接続されたパワーアンプ１２４と、一端がパワーアンプ１２４の入力端に接続されたＢＰＦ１２５と、不平衡端子がＢＰＦ１２５の他端に接続され、２つの平衡端子が送信信号端子ＴＸ２１，ＴＸ２２に接続されたバラン１２６とを備えている。このように、パワーアンプ１２４、ＢＰＦ１２５およびバラン１２６は、送信信号端子ＴＸ２１，ＴＸ２２とＬＰＦ７０との間に挿入されている。パワーアンプ１２４は、本発明における第４のアンプに対応する。ＢＰＦ１２５は、本発明における第４の送信用バンドパスフィルタに対応する。バラン１２６は、本発明における第４のバランに対応する。送信信号端子ＴＸ２１，ＴＸ２２に入力された平衡信号の形態の第２の送信信号は、バラン１２６によって不平衡信号の形態に変換され、ＢＰＦ１２５を通過し、パワーアンプ１２４によって増幅された後、ＬＰＦ７０に送られる。
【０１３５】
なお、ローノイズアンプ１１１とＢＰＦ１１２の位置関係、およびローノイズアンプ１１４とＢＰＦ１１５の位置関係は、それぞれ、図３０に示した位置関係とは逆であってもよい。また、本実施の形態では、２つのローノイズアンプ１１１，１１４は、これらを複合した１つの部品であるデュアルローノイズアンプ１１０に含まれている。また、２つのパワーアンプ１２１，１２４は、これらを複合した１つの部品であるデュアルパワーアンプ１２０に含まれている。
【０１３６】
次に、図３１ないし図３４を参照して、高周波モジュール５０１の構造について説明する。図３１は、高周波モジュール５０１の平面図である。図３２は、高周波モジュール５０１の底面に配置された端子および導体層を上から見た状態で表す平面図である。図３３は、高周波モジュール５０１の構成要素の接続関係を示す説明図である。図３４は、図３１における３４−３４線で示される断面を表す説明図である。
【０１３７】
図３１に示したように、高周波モジュール５０１は、高周波モジュール５０１の構成要素を一体化する積層基板５１０を備えている。積層基板５１０は、第１の実施の形態における積層基板２００と同様に、交互に積層された誘電体層と導体層とを有している。積層基板５１０は、互いに反対側を向く第１の面（上面）と第２の面（底面）と、４つの側面とを有している。高周波モジュール５０１における回路は、積層基板５１０の内部または表面上の導体層と、積層基板５１０の第１の面に搭載された素子とを用いて構成されている。積層基板５１０の第１の面には、スイッチ回路１０、デュアルローノイズアンプ１１０およびデュアルパワーアンプ１２０が搭載されている。これらは、それぞれベアチップの形態の半導体素子になっている。また、これらの半導体素子は、ワイヤーボンディングまたはフリップチップボンディングによって、積層基板５１０の第１の面に実装されている。積層基板５１０の第１の面には、更に、チップ部品の形態の受動素子５１１〜５２９が搭載されている。これらの受動素子５１１〜５２９は、キャパシタまたはインダクタとして機能する。また、これらの受動素子５１１〜５２９は、スイッチ回路１０、デュアルローノイズアンプ１１０およびデュアルパワーアンプ１２０以外の高周波モジュール５０１の構成要素の一部を構成している。積層基板５１０は、例えば低温同時焼成セラミック多層基板になっている。
【０１３８】
図３２に示したように、本実施の形態では、高周波モジュール５０１の複数の端子は、積層基板５１０の第２の面（底面）において、外周部の近傍に配置されている。これら複数の端子は、アンテナ端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２、受信信号端子ＲＸ１１，ＲＸ１２，ＲＸ２１，ＲＸ２２、送信信号端子ＴＸ１１，ＴＸ１２，ＴＸ２１，ＴＸ２２および制御端子ＣＴ１，ＣＴ２を含んでいる。その他の端子は、ローノイズアンプ１１１，１１４、パワーアンプ１２１，１２４の各電源端子やグランド端子等である。また、積層基板５１０の底面には、複数の端子に囲まれた領域に配置されたグランド用導体層５３０が設けられている。
【０１３９】
積層基板５１０の内部には、第１の実施の形態と同様に第１のダイプレクサ１１と第２のダイプレクサ１２を構成するための導体層およびスルーホールが設けられている。積層基板５１０の内部には、更に、バラン１１３，１１６，１２３，１２６を構成するための導体層およびスルーホールが設けられている。
【０１４０】
図３３に示したように、アンテナ端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２と制御端子ＣＴ１，ＣＴ２は、スイッチ回路１０に接続されている。スイッチ回路１０には、第１のダイプレクサ１１と第２のダイプレクサ１２が接続されている。第１のダイプレクサ１１には、デュアルローノイズアンプ１１０が接続されている。第２のダイプレクサ１２には、デュアルパワーアンプ１２０が接続されている。デュアルローノイズアンプ１１０には、バラン１１３，１１６が接続されている。デュアルパワーアンプ１２０には、バラン１２３，１２６が接続されている。バラン１１３には、受信信号端子ＲＸ１１，ＲＸ１２が接続されている。バラン１１６には、受信信号端子ＲＸ２１，ＲＸ２２が接続されている。バラン１２３には、送信信号端子ＴＸ１１，ＴＸ１２が接続されている。バラン１２６には、送信信号端子ＴＸ２１，ＴＸ２２が接続されている。
【０１４１】
ここで、図３４を参照して、ベアチップの形態の半導体素子であるスイッチ回路１０、デュアルローノイズアンプ１１０およびデュアルパワーアンプ１２０の高さと、積層基板５１０の第１の面に搭載された受動素子５１１〜５２９の高さとの関係について説明する。本実施の形態では、スイッチ回路１０、デュアルローノイズアンプ１１０およびデュアルパワーアンプ１２０は、いずれも、受動素子５１１〜５２９のうちの最も高いものの高さよりも小さい高さを有している。図３４には、一例として、デュアルパワーアンプ１２０と受動素子５１９，５２９の高さの関係を示している。スイッチ回路１０、デュアルローノイズアンプ１１０およびデュアルパワーアンプ１２０の各高さは、０．３ｍｍよりも小さいことが好ましい。
【０１４２】
また、図３４に示したように、高周波モジュール５０１は、更に、積層基板５１０の第１の面およびこの第１の面に搭載された全ての要素を覆う樹脂層５４０を備えている。樹脂層５４０は、樹脂をモールドすることによって形成されている。また、樹脂層５４０の上面は平坦になっている。
【０１４３】
本実施の形態に係る高周波モジュール５０１は、第１の実施の形態に係る高周波モジュール１よりも大規模になっている。本実施の形態では、積層基板５１０の第１の面に搭載される半導体素子（１０，１１０，１２０）は、積層基板５１０の第１の面に搭載される受動素子５１１〜５２９のうちの最も高いものの高さよりも小さい高さを有するベアチップの形態の半導体素子になっている。これにより、本実施の形態によれば、大規模な高周波モジュール５０１の小型化、低背化を容易に実現することができる。
【０１４４】
また、本実施の形態では、樹脂層５４０によって、積層基板５１０の第１の面およびこの第１の面に搭載された全ての要素を保護することができる。特に、スイッチ回路１０、デュアルローノイズアンプ１１０およびデュアルパワーアンプ１２０が、ワイヤーボンディングによって第１の面に実装されている場合には、ボンディングワイヤーによる素子と積層基板５１０との接続部分を樹脂層５４０によって保護することができる。これにより、本実施の形態によれば、高周波モジュール５０１の信頼性を向上させることができる。
【０１４５】
また、高周波モジュール５０１において、複数の端子は、樹脂層５４０の上面とは反対側の面となる積層基板５１０の第２の面に配置されている。また、樹脂層５４０の上面は平坦になっている。そのため、高周波モジュール５０１をマザーボードに実装する際には、部品を吸着して保持する治具によって、樹脂層５４０の上面を吸着して高周波モジュール５０１を保持することができる。従って、本実施の形態によれば、高周波モジュール５０１のマザーボードへの実装が容易になる。
【０１４６】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１４７】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、２つのアンテナ端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２の代わりに１つのアンテナ端子を設け、スイッチ回路１０の代わりに、ダイプレクサ１１，１２のいずれかを１つのアンテナ端子に選択的に接続するスイッチ回路を設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る高周波モジュールを示す回路図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る高周波モジュールの外観を示す斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る高周波モジュールの平面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る高周波モジュールが利用される無線ＬＡＮ用の通信装置における高周波回路部の構成の一例を示すブロック図である。
【図５】図３に示した積層基板における１層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図６】図３に示した積層基板における２層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図７】図３に示した積層基板における３層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図８】図３に示した積層基板における４層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図９】図３に示した積層基板における５層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図１０】図３に示した積層基板における６層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図１１】図３に示した積層基板における７層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図１２】図３に示した積層基板における８層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図１３】図３に示した積層基板における９層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図１４】図３に示した積層基板における１０層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図１５】図３に示した積層基板における１１層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図１６】図３に示した積層基板における１２層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図１７】図３に示した積層基板における１３層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図１８】図３に示した積層基板における１４層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図１９】図３に示した積層基板における１５層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図２０】図３に示した積層基板における１６層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図２１】図３に示した積層基板における１７層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図２２】図３に示した積層基板における１８層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図２３】図３に示した積層基板における１９層目の誘電体層の上面を示す平面図である。
【図２４】図３に示した積層基板における１９層目の誘電体層およびその下の導体層を示す平面図である。
【図２５】図３に示した積層基板の内部において、第１の受信信号、第２の受信信号、第１の送信信号および第２の送信信号の各経路を形成する要素が配置される領域を表す説明図である。
【図２６】本発明の第１の実施の形態に係る高周波モジュールの特性を示す特性図である。
【図２７】本発明の第１の実施の形態に係る高周波モジュールの特性を示す特性図である。
【図２８】本発明の第１の実施の形態に係る高周波モジュールの特性を示す特性図である。
【図２９】本発明の第１の実施の形態に係る高周波モジュールの特性を示す特性図である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態に係る高周波モジュールの回路構成を示すブロック図である。
【図３１】本発明の第２の実施の形態に係る高周波モジュールの平面図である。
【図３２】本発明の第２の実施の形態に係る高周波モジュールの底面に配置された端子および導体層を上から見た状態で表す平面図である。
【図３３】本発明の第２の実施の形態に係る高周波モジュールの構成要素の接続関係を示す説明図である。
【図３４】図３１における３４−３４線で示される断面を表す説明図である。
【符号の説明】
【０１４９】
１…高周波モジュール、１０…スイッチ回路、１１，１２…ダイプレクサ、２０，３０，５０，６０…ＢＰＦ、４０，７０…ＬＰＦ、２００…積層基板。
【図１】
2006157880.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006157880.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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