(57)【要約】【課題】ＣＩＳ薄膜やＣＩＧＳ薄膜などのｐ型半導体薄膜を全数検査できる薄膜太陽電池の検査方法を提供する。【解決手段】基板上に導電膜と光吸収層としてのｐ型化合物半導体薄膜とｎ型半導体薄膜と透明導電膜とを順次に形成して薄膜太陽電池を製造する際に、前記ｐ型化合物半導体薄膜の形成後に、その任意領域の表面凹凸形状に沿う表面積を測定し、前記任意領域の外形で規定される平坦面の面積と比較し、前記平坦面に対する前記表面積の面積比が１より大きく且つ所定値以下、たとえば１.３以下の時に、前記ｐ型化合物半導体薄膜を良品と判定する。ｐ型化合物半導体薄膜を、短時間に、非破壊で、したがって全数を評価して、それより形成される薄膜太陽電池の太陽電池特性を予測することができ、それより高い変換効率が得られるかどうかを高い確度で判断できるため、歩留まりが向上する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電膜と光吸収層としてのｐ型化合物半導体薄膜とｎ型半導体薄膜と透明導電膜とを順次に形成して薄膜太陽電池を製造する際の検査方法であって、
前記ｐ型化合物半導体薄膜の形成後に、その任意領域の表面凹凸形状に沿う表面積を測定し、前記任意領域の内側に想定される平坦面の面積と比較し、前記平坦面に対する前記表面積の面積比が１より大きく所定値以下である時に前記ｐ型化合物半導体薄膜を良品と判定する薄膜太陽電池の検査方法。
【請求項２】
所定値が１．３である請求項１記載の薄膜太陽電池の検査方法。
【請求項３】
表面積の測定を原子間力顕微鏡により行う請求項１記載の薄膜太陽電池の検査方法。
【請求項４】
原子間力顕微鏡の走査間隔が１０−３μｍ以上、１０−１μｍ以下である請求項３記載の薄膜太陽電池の検査方法。
【請求項５】
任意領域の平坦面積が１０μｍ２以上、１０６μｍ２以下である請求項１記載の薄膜太陽電池の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜太陽電池の検査方法に関し、特にカルコパイライト型化合物半導体薄膜を光吸収層に用いる薄膜太陽電池の検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の薄膜太陽電池に、Ｉ族、III族、VI族元素からなるＩ−III−VI２型のカルコパイライト型化合物半導体薄膜を光吸収層に用いた薄膜太陽電池、具体的にはＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳと呼ばれる）またはＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳと呼ばれる）を光吸収層に用いた薄膜太陽電池がある。
【０００３】
図６はＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）薄膜太陽電池の代表的な構造を形成する製造工程を示す。ガラス基板１上に導電膜２としてのＭｏ電極膜が形成され、その上にｐ型化合物半導体薄膜（以下ｐ型半導体薄膜と言う）３としてのＣＩＳ半導体薄膜（以下ＣＩＳ薄膜と言う）と、ｎ型半導体薄膜４としてのＺｎＯ／ＣｄＳ膜と、透明導電膜５としてのＩＴＯ透明導電膜とがこの順に形成される。この積層構造に透明導電膜５側から光が入射した時に、主にｐ型半導体薄膜３で吸収され、吸収された光のエネルギーによりキャリアが発生し、ｐｎ接合の電界によって光起電力が発生するので、この電力が導電膜２と透明導電膜５から取り出される。
【０００４】
ＣＩＳ薄膜太陽電池の製造方法を特許文献１に基づいて、図７のフローチャートをも参照しながら詳述する。
ガラス基板１を洗浄し（ステップＳ１１）、その上に導電膜２としてのＭｏ電極膜をスパッタリング法によって厚さ０．５μｍとなるように形成する（ステップＳ１２）。
【０００５】
導電膜２上にｐ型半導体薄膜３としてのＣＩＳ薄膜を厚さ１〜４μｍとなるように形成する（ステップＳ１３）。このＣＩＳ薄膜は、たとえば非特許文献１に記載されているようにスパッタ法や多元同時蒸着法で形成するのであるが、いずれの方法を用いる場合も構成元素であるＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅの組成を制御することが重要であり、この組成が太陽電池特性を決定する要因となっていることが知られている。たとえば、Ｃｕ（Ｉ族元素）とＩｎ（III族元素）との組成比Ｃｕ／Ｉｎが１以上である場合、ＣＩＳ薄膜にＣｕ−Ｓｅ相が析出する。Ｃｕ−Ｓｅ相は低抵抗であるため、シャントが起こり、太陽電池特性はほとんどの場合において変換効率が０．１％未満になってしまう。そのため、Ｃｕ／Ｉｎが１未満になるように成膜工程を制御する。
【０００６】
成膜終了後にＣＩＳ薄膜の検査を行う（ステップＳ１４）。一般にはＣＩＳ薄膜の組成測定を行うのであるが、特許文献１では、複数枚形成したＣＩＳ薄膜のうち１枚をテストピースとしてフォトルミネッセンス測定を行い、発光ピークの強度によって良品、不良品を判定している。
【０００７】
検査で良品と判定されたＣＩＳ薄膜の上に、ｎ型半導体薄膜４としてのＺｎＯ／ＣｄＳ膜を厚さ数百ｎｍとなるように形成する（ステップＳ１５）。その際には、ＣｄＳ膜をＣＢＤ法で形成した後にＺｎＯ膜をスパッタ法で形成する。最後に、透明導電膜５としてのＩＴＯ透明導電膜を厚さ５００ｎｍとなるようにスパッタリング法で形成する（ステップＳ１６）。
【特許文献１】特許第２９８４１１４号公報
【非特許文献１】小長井誠  編著、「薄膜太陽電池の基礎と応用−環境にやさしい太陽光発電の新しい展開」、オーム社、２００１年３月２０日（第５章ｐ１７５−２１２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１にも述べられていることであるが、ＣＩＳ薄膜の検査工程で組成測定によって良品と判断されても、最終工程まで終えた太陽電池で変換効率が０．１％未満となるものがある。組成測定によってはＣＩＳ薄膜の太陽電池特性を十分に評価できないのである。特許文献１に提案されたフォトルミネッセンス測定により、ＣＩＳ薄膜について、変換効率が約１０％となるものと０．１％となるものとの区別が可能となった。
【０００９】
しかし実際の量産工程で変換効率０．１％のＣＩＳ薄膜が形成されることはほとんど無く、フォトルミネッセンス測定による区別は、ＣＩＳ薄膜太陽電池として良品となるか否かの予測には十分でない。さらに、光吸収層としてＣＩＧＳ薄膜を用いたＣＩＧＳ薄膜太陽電池ではＣＩＳ薄膜太陽電池よりも高い変換効率が得られ、その量産工程で変換効率は８％以上となり、変換効率が１％未満となることはほとんど無い。ＣＩＧＳ薄膜太陽電池の良品率を向上させるためには、ＣＩＧＳ薄膜の検査工程において変換効率が８％以上になるか否かを高い確率で予測することが必要である。その方法としてフォトルミネッセンス測定を適用することは適切ではない。
【００１０】
またフォトルミネッセンス測定による検査工程では、上述したように、複数枚形成されたＣＩＳ薄膜の内の１枚をテストピースとして検査を行っている。これは次のような理由による。バンドギャップ内の欠陥準位の状態をより正確に示すフォトルミネッセンススペクトルを得るためには、熱の影響を減らす目的で、被検体を液体窒素に浸漬して７７Ｋに冷却するか、あるいは液体ヘリウムに浸漬して４．２Ｋに冷却する必要がある。被検体をこのような極低温に冷却した後に室温に戻すと収縮と膨張とによって内部破壊が起こり、その後の工程を行っても太陽電池として機能しないことがある。被検体が太陽電池パネルとして利用される１０ｃｍ２以上のものである場合には、極低温まで冷却することは現状では困難である。しかしこのようにテストピースによる検査であるため、つまり全数検査ではないため、この段階で良品と判断されても完成品としての薄膜太陽電池で十分な太陽電池特性が得られないことがあり、良品率の向上に十分でない。
【００１１】
本発明は上記問題に鑑み、ＣＩＳ薄膜などのｐ型半導体薄膜を全数検査して太陽電池特性を予測できる薄膜太陽電池の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の薄膜太陽電池の検査方法は、基板上に導電膜と光吸収層としてのｐ型化合物半導体薄膜とｎ型半導体薄膜と透明導電膜とを順次に形成して薄膜太陽電池を製造する際の検査方法であって、前記ｐ型化合物半導体薄膜の形成後に、その任意領域の表面凹凸形状に沿う表面積を測定し、前記任意領域の外形で規定される平坦面の面積と比較し、前記平坦面に対する前記表面積の面積比が１より大きく所定値以下である時に前記ｐ型化合物半導体薄膜を良品と判定することを特徴とする。これによれば、ｐ型化合物半導体薄膜を短時間に、非破壊で、したがって検査対象品の全数を評価して、当該化合物半導体薄膜を用いて形成される薄膜太陽電池の太陽電池特性を高い確度で予測可能である。
【００１３】
所定値として１．３を用いることにより、変換効率が１０％以上となる薄膜太陽電池を得ることが可能となる。
表面積の測定は原子間力顕微鏡により好適に行うことができる。原子間力顕微鏡の走査間隔は１０−３μｍ以上、１０−１μｍ以下とするのが好ましい。走査間隔が１０−１μｍ以下であれば十分に精度よい表面積測定が可能であり、その一方で１０−３μｍ未満であれば測定時間が長くなりすぎるためである。
【００１４】
任意領域の平坦面積は１０μｍ２以上、１０６μｍ２以下とするのが好ましい。１０μｍ２以上であれば、その領域内にＣＩＧＳ薄膜の結晶粒子（一般に数百ｎｍから数μｍ）が少なくとも数個存在するためＣＩＧＳ薄膜を十分に代表できるからであり、その一方で１０６μｍ２を超えると測定時間が長くなりすぎるためである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の薄膜太陽電池の検査方法によれば、光吸収層として用いるｐ型化合物半導体薄膜を製膜した後にその任意領域の表面積を測定することにより、それ以降の工程を行うことなく、薄膜太陽電池の変換効率を高い確度で予測することができる。表面積の測定は非破壊で行えるため全数検査が可能であり、不良品と判定された場合にはその段階で排除すればよいので、薄膜太陽電池の良品率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
本発明の検査方法を実施する薄膜太陽電池は、先に図６を用いて説明した従来のものと同様の構造を有するので、図６を援用して説明する。ただし光吸収層として機能するｐ型半導体薄膜３は、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）薄膜を形成するものとする。
【００１７】
ＣＩＧＳ薄膜太陽電池においては、ガラス基板１上に導電膜２としてのＭｏ電極膜が形成され、その上にｐ型半導体薄膜３としてのＣＩＧＳ半導体薄膜（以下ＣＩＧＳ薄膜と言う）と、ｎ型半導体薄膜４としてのＺｎＯ／ＣｄＳ膜と、透明導電膜５としてのＩＴＯ透明導電膜とがこの順に形成される。
【００１８】
ＣＩＧＳ薄膜太陽電池の製造方法を図１のフローチャートをも参照しながら詳述する。
ガラス基板１を洗浄した後（ステップＳ１）、その上に導電膜２としてのＭｏ電極膜をスパッタリング法によって厚さ０．５μｍとなるように形成し（ステップＳ２）、さらにその上にｐ型半導体薄膜３としてのＣＩＧＳ薄膜を多元同時蒸着法により膜厚約３μｍとなるように形成する（ステップＳ３）。
【００１９】
形成したＣＩＧＳ薄膜の検査を後述するようにして行う（ステップＳ４）。検査で良品と判定されたＣＩＧＳ薄膜の上にのみ、ｎ型半導体薄膜４としてのＺｎＯ／ＣｄＳ膜を厚さ数百ｎｍとなるように形成する（ステップＳ５）。その際には、ＣｄＳ膜をＣＢＤ法で形成した後にＺｎＯ膜をスパッタ法で形成する。最後に、透明導電膜５としてのＩＴＯ透明導電膜を厚さ５００ｎｍとなるようにスパッタリング法で形成する（ステップＳ６）。
【００２０】
ＣＩＧＳ薄膜の検査方法について説明する。
まず、ＣＩＧＳ薄膜の化学組成の測定を蛍光Ｘ線分析装置を用いて非破壊的に行う。
ここではＣＩＧＳ薄膜について、Ｉ族元素のＣｕとIII族元素のＩｎおよびＧａとの組成比Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．９０〜０．９８となり、１以下であることが確認された。この段階でＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）が１より大きいと、ＣＩＧＳ相の他に異相としてＣｕ−Ｓｅ相が主にＣＩＧＳ薄膜の表面に形成される。Ｃｕ−Ｓｅ相は低抵抗であるためシャントの原因となり、Ｃｕ−Ｓｅ相が存在するＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＞１のＣＩＧＳ薄膜を備えたＣＩＧＳ薄膜太陽電池はほとんどの場合、変換効率０．１％未満となる。このため、Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＞１であるＣＩＧＳ薄膜は不良品と判定し、それ以降の工程は行わない。
【００２１】
次に、ＣＩＧＳ薄膜の表面積測定を原子間力顕微鏡を用いて行う。
ここでは、原子間力顕微鏡（日本電子（JEOL）社製、JSPM-5700）を用い、測定領域１０μｍ×１０μｍ内を５１２ラインにて走査することで表面積測定を行った。この走査間隔は約０．０２μｍ（１０μｍ／５１２ライン≒０．０２μｍ）に相応する。なお「表面積」とは、ＣＩＧＳ薄膜の上面、つまり次工程でその上にＺｎＯ／ＣｄＳ膜が積層される面の面積である。Ｍｏ電極膜に密着した面は含まれない。
【００２２】
原子間力顕微鏡による表面積測定の原理は次の通りである。
図２に示すように、ＣＩＧＳ薄膜３ａの上面の任意の測定領域ａ（μｍ）×ｂ（μｍ）をｍライン走査し、各ラインについて所定の間隔をおいたｎ箇所で高さデータを取得する。この場合、測定領域内に桝目状にｍ×ｎ個の測定点Ｐが存在することになる。
【００２３】
任意の測定点Ｐｉ，ｊの座標を（ｘｉ，ｊ，ｙｉ，ｊ，ｚｉ，ｊ）（ただし、ｉ＝１〜ｍ−１，ｊ＝１〜ｎ−１）とし、隣接する３点（Ｐｉ，ｊ，Ｐｉ＋１，ｊ，Ｐｉ，ｊ＋１）、３点（Ｐｉ＋１，ｊ，Ｐｉ，ｊ＋１，Ｐｉ＋１，ｊ＋１）をそれぞれ頂点とする三角形の面積をＳａｉ，ｊ、Ｓｂｉ，ｊとすると、測定領域の表面積Ｓｓは次の式（１）で表わされる。
【００２４】
【数１】
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表面積測定が終了したら、測定領域の「表面積」に対する「平坦面積」の比を算出する。ここで「平坦面積」とは凹凸の全く無い理想的な平面の面積を言い、測定領域が上記した寸法の長方形であれば、平坦面積Ｓｆ＝ａ×ｂ（μｍ２）で表される。
【００２５】
その後に、算出された「表面積／平坦面積比」、すなわちＳｓ／Ｓｆに基づいて、良品、不良品を判定する。「表面積／平坦面積比」が１より大きく且つ所定の値以下の時に、ＣＩＧＳ薄膜を良品と判定する。
【００２６】
図３は、複数のＣＩＧＳ薄膜の表面積測定を行い、各ＣＩＧＳ薄膜にそれ以降の工程を行って作製したＣＩＧＳ薄膜太陽電池について、Ｉ−Ｖ特性の測定結果より得られる逆飽和電流密度Ｊ０と、表面積測定結果より得られる「表面積／平坦面積比」との相関を示したものである。図４は、「表面積／平坦面積比」とＣＩＧＳ薄膜太陽電池の変換効率Ｅｆｆ．との相関を示す。
【００２７】
逆飽和電流密度Ｊ０（Ａ／ｃｍ２）の求め方を説明する。
図５に示す薄膜太陽電池の等価回路において、太陽電池の両端子で測定される電流密度Ｊと電圧Ｖとの関係は以下の式（２）で表すことができる。
【００２８】
【数２】
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［式中、Ｊscは短絡電流密度、Ｒsは直列抵抗、Ｒshは並列抵抗、ｑは電子電荷（Ｃ）、ｎはダイオード因子、ｋはボルツマン定数1.38×10Ｅ-23，Ｔは絶対温度（Ｋ）である］
電流Ｉと電流密度Ｊの関係は、太陽電池の受光面積をＳとすると、Ｉ／Ｓ＝Ｊとなる。したがって、Ｊ０値は、ＣＩＧＳ薄膜太陽電池のＩ−Ｖ測定を行い、得られたＩ−Ｖカーブを式（２）にフィッティングすることで求めることができる。
【００２９】
逆飽和電流密度Ｊ０等の太陽電池特性と「表面積／平坦面積比」との関係を説明する。
ＣＩＧＳ薄膜太陽電池では、ｐ型のＣＩＧＳ薄膜とｎ型のＺｎＯ／ＣｄＳ膜との界面にｐｎ接合が形成される。ｐｎ接合は、太陽電池において照射光によって生成したキャリアを分離し、光起電力を生むための最も重要な要素である。ｐｎ接合の界面に欠陥が存在すると、キャリアの再結合が起こり、逆飽和電流が流れる。逆飽和電流値が大きくなると、太陽電池特性は低下する。
【００３０】
ｐｎ接合の接合面積（界面の面積）はＣＩＧＳ薄膜の表面積に相当する。単位接合面積あたりの欠陥量が均一であれば、接合面積（表面積）が広いほど欠陥量も多くなり、逆飽和電流値も大きくなる。しかるに、ＣＩＧＳ薄膜の結晶粒子のサイズが小さいと表面積は一般に大きくなり、また結晶粒子のサイズが小さくなるような不適当な条件下で形成されたＣＩＧＳ薄膜は単位表面積あたりの欠陥量も多くなると考えられる。つまり、表面積が大きいＣＩＧＳ薄膜では、単位表面積あたりの欠陥量も大きくなるため、相乗的に逆飽和電流値が大きくなり、太陽電池特性は低下する。
【００３１】
再び図３および図４を参照すると、図３では「表面積／平坦面積比」が増大するにしたがって逆飽和電流密度Ｊ０が増大している。図４では「表面積／平坦面積比」が増大するにしたがって変換効率Ｅｆｆ．が減少している。これら図３および図４においては、「表面積／平坦面積比」が接合面積に対応し、それが小さいほど逆飽和電流密度Ｊ０は小さくなり、その結果として変換効率Ｅｆｆ．が高くなったと考えられる。したがって、表面積測定を行うことにより、その後の工程を行って作製される薄膜太陽電池の太陽電池特性を予測することが可能である。
【００３２】
図４に基づくと、変換効率が１４％以上の高効率の薄膜太陽電池を得るためには、「表面積／平坦面積比」が１．２以下である必要がある。変換効率が１０％以上の薄膜太陽電池を得るためには、「表面積／平坦面積比」が１．３以下であればよい。「表面積／平坦面積比」が１．３より大きいと、変換効率が１０％未満となってしまい、変換効率が１０％以上の太陽電池と接続して使用するのに十分な電力を得ることができず、太陽電池としての利用が難しい。
【００３３】
このようにして、ＣＩＧＳ薄膜の製膜後に表面積測定する検査を行うことにより、好ましくはＣＩＧＳ薄膜の全数に対して検査を行うことにより、その後の工程を行って作製されるＣＩＧＳ薄膜太陽電池の変換効率を高い確率で予測可能であり、例えば１４％以上のＣＩＧＳ薄膜太陽電池が得られる可能性のあるＣＩＧＳ薄膜であるかを判断することができる。
【００３４】
判断結果に基づいてその後の工程を行わないなどの対処をすることにより、工程ロスによる無駄をなくすことができ、ＣＩＧＳ薄膜の製膜プロセスへのフィードバックも可能となり、良品率を飛躍的に向上させることが可能である。
【００３５】
作製したＣＩＧＳ薄膜太陽電池は、酸性水溶液に浸漬することで、ＣＩＧＳ薄膜の上に積層したＺｎＯ／ＣｄＳ膜およびＩＴＯ透明導電膜を溶解して除去することができる。このようにして膜除去したＣＩＧＳ薄膜の表面積測定を行ったところ、ＺｎＯ／ＣｄＳ膜の製膜前に測定した表面積とほぼ同等であり、変化量は±２％であった。この結果は、ＣＩＧＳ薄膜の製膜後（ＺｎＯ／ＣｄＳ膜の製膜前）に検査することにより、ＣＩＧＳ薄膜太陽電池の完成品を検査するのと同等の検査精度を実現できることを示すものである。
【００３６】
なお、上記した実施形態において、原子間力顕微鏡を用いたＣＩＧＳ薄膜の表面積測定条件として、測定領域を１０μｍ×１０μｍ＝１００μｍ２とし、５１２ラインで走査（走査間隔約０．０２μｍ）するようにしたのは、ＣＩＧＳ薄膜の結晶粒子サイズが一般に数百ｎｍから数μｍであるため、測定領域内に結晶粒子が少なくとも数個存在し、ＣＩＧＳ薄膜を十分に代表できるようにするためである。
【００３７】
しかしこれに限らず、例えば２μｍ×５μｍ＝１０μｍ２の測定領域を２０ライン走査して、走査間隔を０．１μｍ（２μｍ÷２０ライン＝０．１μｍ）としてもよく、これによっても精度良い表面積の測定が可能である。
【００３８】
また上記した実施形態において、ＣＩＧＳ薄膜の製膜方法として多元同時蒸着法を例示したが、セレン化法、スパッタ法、スプレー法、電着法などを用いる場合も、本発明の検査方法を適用できるのは言うまでも無い。また、ＣＩＧＳ薄膜に限らず、ＣＩＳ薄膜や、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２薄膜など、他のＩ−III−VI族化合物半導体薄膜を光吸収層とする薄膜太陽電池にも本発明の検査方法を適用できる。
【００３９】
上記した実施の形態では、ｎ型半導体薄膜としてＣｄＳとＺｎＯから成る積層膜を例示したが、ＺｎＭｇＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅなどを用いてもよい。透明導電膜としてＩＴＯ透明導電膜を例示したが、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｂ、ＳｎＯ２などを用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の薄膜太陽電池の検査方法は、光吸収層に用いるＣＩＧＳ薄膜等のＩ−III−VI族化合物半導体薄膜などの検査に有用であり、高品質の薄膜太陽電池を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施形態における薄膜太陽電池の検査方法を実施する薄膜太陽電池製造工程のフローチャート
【図２】本発明の薄膜太陽電池の検査方法で用いる原子間力顕微鏡による表面積測定の原理を示す模式図
【図３】本発明の薄膜太陽電池の検査方法で求められる表面積／平坦面積比と逆飽和電流密度との相関図
【図４】本発明の薄膜太陽電池の検査方法で求められる表面積／平坦面積比と薄膜太陽電池完成品の変換効率との相関図
【図５】薄膜太陽電池の逆飽和電流密度の求め方を説明するための等価回路図
【図６】本発明および従来の薄膜太陽電池の製造工程断面図
【図７】従来よりある薄膜太陽電池の検査方法を実施する薄膜太陽電池製造工程のフローチャート
【符号の説明】
【００４２】
１    ガラス基板
２    導電膜
３    ｐ型化合物半導体薄膜
４    ｎ型半導体薄膜
５    透明導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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