(57)【要約】【課題】  小型化が可能な光学装置を提供する。【解決手段】  光学装置（１００）は、第１の光軸（８）に配置される複数の光学部品（１，２，３）を備え、複数の光学部品（１，２，３）の少なくとも２つの光学部品（２，３）の対向するそれぞれの面において少なくとも１回以上反射して前記第１の光軸（８）と異なる第２の光軸（９）を構成するように配置され、第２の光軸（９）上に、光を検知する第１の光検知素子（４）をさらに備える。この場合、第１の光軸（８）方向の光学部品を最小限にすることができる。その結果、光学装置（１００）を小型化することができる。【選択図】        図１
2006202915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光軸に配置される複数の光学部品を備え、
前記複数の光学部品の少なくとも２つの光学部品の対向する面は、前記第１の光軸に沿って入射される光が前記対向するそれぞれの面において少なくとも１回以上反射して前記第１の光軸と異なる第２の光軸を構成するように配置され、
前記第２の光軸上に、光を検知する第１の光検知素子をさらに備えることを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記複数の光学部品は、共通の基板に搭載されていることを特徴とする請求項１記載の光学装置。
【請求項３】
前記基板は、前記基板上に搭載された部品の温度を所定の温度に保持する温度制御装置であることを特徴とする請求項２記載の光学装置。
【請求項４】
前記第１の光軸上に光を検知する第２の光検知素子をさらに備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光学装置。
【請求項５】
第１の光軸に配置される複数の光学部品を備え、
前記複数の光学部品の少なくとも２つの光学部品の対向する面は、前記第１の光軸に沿って入射される光が前記対向するそれぞれの面において少なくとも１回以上反射して前記第１の光軸と異なる第２の光軸を構成するように配置され、
前記２つの光学部品は、互いに固定されていることを特徴とする光学装置。
【請求項６】
前記２つの光学部品は、スペーサを介して固定されていることを特徴とする請求項５記載の光学装置。
【請求項７】
前記第２の光軸上に、光を検知する第１の光検知素子をさらに備えることを特徴とする請求項５または６記載の光学装置。
【請求項８】
前記２つの光学部品のうち少なくとも一方は、エタロンであることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の光学装置。
【請求項９】
第１の光軸に光増幅器、所定の波長の光を透過する光学部品および入射光を反射するミラーを備える共振器と、
光を検知する第１の光検知素子とを備え、
前記光学部品および前記ミラーが対向する面は、前記第１の光軸に沿って入射される光が前記対向するそれぞれの面において少なくとも１回以上反射して前記第１の光軸と異なる第２の光軸を構成するように配置され、
前記第２の光軸上に、光を検知する第１の光検知素子をさらに備えることを特徴とするレーザ装置。
【請求項１０】
前記共振器は、温度制御装置上に配置されていることを特徴とする請求項９記載のレーザ装置。
【請求項１１】
前記光学部品の透過波長範囲は可変であり、
前記第１の光検知素子の検知結果に基づいて前記光増幅器の出力または前記光学部品の透過波長範囲を制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項９または１０記載のレーザ装置。
【請求項１２】
前記ミラーは、光透過性を有し、
前記ミラーの反射面と反対側に、光を検知する第２の光検知素子をさらに備えることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載のレーザ装置。
【請求項１３】
入射光に対する屈折率が可変であるエタロンと、
前記エタロンを透過した入射光を反射するミラーとを備え、
前記エタロンおよび前記ミラーは、互いに固定されており、
前記エタロンおよび前記ミラーが対向する面は、前記第１の光軸に沿って入射される光が前記対向するそれぞれの面において少なくとも１回以上反射して前記第１の光軸と異なる第２の光軸を構成するように配置されていることを特徴とするチューナブルミラー。
【請求項１４】
前記エタロンおよび前記ミラーは、スペーサを介して固定されていることを特徴とする請求項１３記載のチューナブルミラー。
【請求項１５】
光を検知する光検知素子をさらに備え、
前記光検知素子は、前記第２の光軸に配置されていることを特徴とする請求項１３または１４記載のチューナブルミラー。
【請求項１６】
前記対向する面は、非平行であることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれかに記載のチューナブルミラー。
【請求項１７】
第１の光軸上に配置される複数の光学部品を備える光学装置において、前記第１の光軸を進みかつ前記複数の光学部品の少なくとも２つの光学部品の対向するそれぞれの面において少なくとも１回以上反射して前記第１の光軸と異なる方向の第２の光軸に沿って進む光の出力を検知するステップを含むことを特徴とする光検知方法。
【請求項１８】
前記複数の光学部品は共通の基板上に配置されていることを特徴とする請求項１７記載の光検知方法。
【請求項１９】
前記第１の光軸に沿って進む光の出力をさらに検知するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１７または１８記載の光検知方法。
【請求項２０】
前記対向する面は、非平行であることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれかに記載の光検知方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学装置、レーザ装置、チューナブルミラーおよび光検知方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、複数の光学部品を有する光学装置においては、所定の光軸上にそれぞれの光学部品が配置される。例えば、半導体レーザ装置の場合、共振器の構成部品、レンズ等の部品が１つの光軸を構成する。この半導体レーザ装置において上記光軸上のレーザ光をモニタする技術が公開されている（例えば、特許文献１参照）。この技術によれば、上記光軸上にホトダイオードチップを配置することにより、上記光軸上のレーザ光をモニタすることができる。
【０００３】
【特許文献１】特開平２−２６０６８０号公報（第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、光軸上にホトダイオードチップを配置させる場合、上記半導体レーザ装置が光軸方向に大型化することになる。この場合、光軸上にミラー、ビームスプリッタ等を配置させて光軸を屈曲させることもできるが、光軸を屈曲させるための部品が必要になる。それにより、上記半導体レーザ装置が光軸方向に大型化する。
【０００５】
また、一般的に上記半導体装置においては、温度制御装置等により光学部品の温度を一定に保ち、光学特性を一定に維持することが必要となる。しかしながら、光軸方向に大型化するに伴い、各光学部品間の温度差が大きくなる。それにより、上記温度制御装置による温度制御が困難になる。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、小型化が可能な光学装置、レーザ装置、チューナブルミラーおよびそれらを用いた光検知方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る光学装置は、第１の光軸に配置される複数の光学部品を備え、複数の光学部品の少なくとも２つの光学部品の対向する面は、第１の光軸に沿って入射される光が対向するそれぞれの面において少なくとも１回以上反射して第１の光軸と異なる第２の光軸を構成するように配置され、第２の光軸上に光を検知する第１の光検知素子をさらに備えることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明に係る光学装置においては、必要最小限の光学部品により、入射光を第１の光軸を進む光と第２の光軸を進む光とに分割することができる。したがって、必要な光学部品を第２の光軸上に配置させることにより、第１の光軸方向の光学部品を最小限にすることができる。その結果、本発明に係る光学装置を小型化することができる。
【０００９】
複数の光学部品は、共通の基板に搭載されていてもよい。また、基板は、基板上に搭載された部品の温度を所定の温度に保持する温度制御装置であってもよい。この場合、温度制御装置を小型化することができることから、温度制御装置の温度分布を無視することができる。したがって、温度制御装置上に搭載される各光学部品の温度差を小さくすることができる。
【００１０】
第１の光軸上に光を検知する第２の光検知素子をさらに備えていてもよい。この場合、第１の光軸方向の光学部品を最小限にしつつ、光検知素子を第１の光軸方向にさらに配置させることができる。
【００１１】
本発明に係る他の光学装置は、第１の光軸に配置される複数の光学部品を備え、複数の光学部品の少なくとも２つの光学部品の対向する面は、第１の光軸に沿って入射される光が対向するそれぞれの面において少なくとも１回以上反射して第１の光軸と異なる第２の光軸を構成するように配置され、２つの光学部品は、互いに固定されていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明に係る光学装置においては、必要最小限の光学部品により、入射光を第１の光軸を進む光と第２の光軸を進む光とに分割することができる。したがって、必要な光学部品を第２の光軸上に配置させることにより、第１の光軸方向の光学部品を最小限にすることができる。その結果、本発明に係る光学装置を小型化することができる。また、２つの光学部品は、スペーサを介して固定されていてもよい。
【００１３】
第２の光軸上に、光を検知する第１の光検知素子をさらに備えていてもよい。この場合、第１の光軸上の光学部品を最小限にすることができる。その結果、本発明に係る光学装置を小型化することができる。また、２つの光学部品が一体化されることから、第１の光検知素子の位置が決定される。したがって、第１の光検知素子の取付作業が容易になる。
【００１４】
２つの光学部品のうち少なくとも一方は、エタロンであってもよい。この場合、エタロンを透過する光は周期的な波長ピークを有するようになる。それにより、単一波長の光を出力させることができる。
【００１５】
本発明に係るレーザ装置は、第１の光軸に光増幅器、所定の波長の光を透過する光学部品および入射光を反射するミラーを備える共振器と、光を検知する第１の光検知素子とを備え、光学部品およびミラーが対向する面は、第１の光軸に沿って入射される光が対向するそれぞれの面において少なくとも１回以上反射して第１の光軸と異なる第２の光軸を構成するように配置され、第２の光軸上に、光を検知する第１の光検知素子をさらに備えることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明に係るレーザ装置においては、共振器内を光が共振し、第１の光軸の沿って入射される光が光学部品とミラーとが対向するそれぞれの面において少なくとも１回以上反射して第２の光軸を進み、第１の光検知素子によって検知される。この場合、第１の光軸上に他の光学部品を配置することなく、第２の光軸を進む光を用いて光強度を検知することができる。したがって、本発明に係るレーザ装置を小型化することができる。
【００１７】
共振器は、温度制御装置上に配置されていてもよい。この場合、上述したようにレーザ装置を小型化することができることから、温度制御装置を小型化することができる。それにより、温度制御装置の温度分布を無視することができる。その結果、温度制御装置上に搭載される共振器内の各光学部品の温度差を小さくすることができる。
【００１８】
光学部品の透過波長範囲は可変であり、第１の光検知素子の検知結果に基づいて光増幅器の出力または光学部品の透過波長範囲を制御する制御手段をさらに備えていてもよい。この場合、第１の光軸方向の光学部品を最小限にしつつ、共振器内を共振する光の強度を制御することができる。
【００１９】
ミラーは光透過性を有し、ミラーの反射面と反対側に光を検知する第２の光検知素子をさらに備えていてもよい。この場合、第１の光軸上の光学部品を最小限にしつつ、ミラーを透過する光を検知することができる。
【００２０】
本発明に係るチューナブルミラーは、入射光に対する屈折率が可変であるエタロンと、エタロンを透過した入射光を反射するミラーとを備え、エタロンおよびミラーは互いに固定されており、エタロンおよびミラーが対向する面は、第１の光軸に沿って入射される光が対向するそれぞれの面において少なくとも１回以上反射して第１の光軸と異なる第２の光軸を構成するように配置されていることを特徴とするものである。
【００２１】
本発明に係るチューナブルミラーにおいては、必要最小限の光学部品により、入射光を第１の光軸を進む光と第２の光軸を進む光とに分割することができる。したがって、第２の光軸を進む光を利用する光学部品を配置させることにより、第１の光軸上の光学部品を最小限にすることができる。その結果、本発明に係るチューナブルミラーを小型化することができる。
【００２２】
波長フィルタおよびミラーは、スペーサを介して固定されていてもよい。この場合、波長フィルタおよびミラーが一体化されることから、第２の光軸上に配置される光学部品の位置が決定される。したがって、第２の光軸上に配置する光学部品の取付作業が容易になる。
【００２３】
光を検知する光検知素子をさらに備え、光検知素子は第２の光軸に配置されていてもよい。この場合、第１の光軸方向の光学部品を最小限にすることができる。その結果、本発明に係るチューナブルミラーを小型化することができる。
【００２４】
対向する面は非平行であってもよい。この場合、対向する面における反射回数を抑制することができる。その結果、第２の光軸を進む光の光強度の低減を防止することができる。
【００２５】
本発明に係る光検知方法は、第１の光軸上に配置される複数の光学部品を備える光学装置において、第１の光軸を進みかつ複数の光学部品の少なくとも２つの光学部品の対向するそれぞれの面において少なくとも１回以上反射して第１の光軸と異なる方向の第２の光軸に沿って進む光の出力を検知するステップを含むことを特徴とするものである。
【００２６】
本発明に係る光検知方法においては、必要最小限の光学部品により、第１の光軸を進む光と第２の光軸を進む光とに分割することができる。したがって、第２の光軸を進む光を利用する光学部品を配置させることにより、第１の光軸方向の光学部品を最小限にすることができる。その結果、本発明に係る光検知方法を用いることにより、光学装置を小型化することができる。
【００２７】
複数の光学部品は共通の基板上に配置されていてもよい。この場合、温度制御装置が小型化されることから、温度制御装置の温度分布を無視することができる。したがって、温度制御装置上に搭載される各光学部品の温度差を小さくなるように各光学部品の温度を制御することができる。
【００２８】
第１の光軸に沿って進む光の出力をさらに検知するステップをさらに含んでいてもよい。この場合、第１の光軸方向の光学部品を最小限にしつつ、第１の光軸に沿って進む光の出力を検知することができる。
【００２９】
対向する面は非平行であってもよい。この場合、対向する面における反射回数を抑制することができる。その結果、第２の光軸を進む光の光強度の低減を防止することができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、第１の光軸方向の光学部品を最小限にすることができる。その結果、本発明に係る光学装置を小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【実施例１】
【００３２】
図１は、第１実施例に係る半導体レーザ装置１００の全体構成を示す模式図である。図１に示すように、半導体レーザ装置１００は、半導体光増幅器１、エタロン２、ミラー３、光検知素子４、温度制御装置５および制御部６を含む。エタロン２およびミラー３は、光増幅器１の後方に順に配置されている。
【００３３】
半導体光増幅器１は、所定の有効波長帯域を有する入力光にゲインを与えてレーザ光を出力する。半導体光増幅器１の前部にはミラー７が設けられている。それにより、半導体光増幅器１により出力されたレーザ光はミラー７により反射され、半導体光増幅器１の後部からエタロン２に対して射出される。
【００３４】
エタロン２は、所定の波長周期で光を透過する液晶型バンドパスフィルタからなる。それにより、エタロン２に入射された光は、所定の周期の波長ピークを有する光となってエタロン２から射出される。以下、エタロン２が透過光に与える波長ピークのことをエタロンピークと呼ぶ。エタロン２の屈折率は、制御部６からエタロン２の液晶に印加される電圧に応じて変化する。エタロン２のエタロンピークの波長は、エタロン２の屈折率が変化することにより変化する。また、エタロン２は、半導体光増幅器１からの入射光に対して傾斜している。なお、エタロン２は、入射光に対する傾きに応じてエタロンピークの波長を変化させるものであってもよい。この場合、エタロン２としては、制御部６の指示に従って入射光に対する傾きを変化させる構造を有するものを用いることができる。
【００３５】
エタロン２を透過した光は、ミラー３に入射される。ミラー３は、所定の波長帯域の光を反射する一部反射ミラーまたは全反射ミラーのいずれを用いることもできる。ミラー３に入射された光は、ミラー３により反射されて再度エタロン２に入射される。ミラー３からエタロン２に入射された光は、エタロン２を透過して光増幅器１のミラー７により反射される。以上のように、半導体光増幅器１とミラー３とにより光が共振する。半導体光増幅器１とミラー３とを共振する光の光路を主光軸８と呼ぶ。主光軸８を共振した光は、半導体レーザ装置１００の外部に出力される。
【００３６】
また、エタロン２が主光軸８に対して傾斜していることから、ミラー３により反射された光のうち一部は、エタロン２を透過することなくエタロン２により反射されて再度ミラー３に入射される。以下、エタロン２とミラー３との間で反射が繰り返され、エタロン２によって反射された光がミラー３の反射面に入射されなくなる。この場合のエタロン２により反射した光の光路を副光軸９と呼ぶ。エタロン２は、エタロン２を透過した光がエタロン２とミラー３との間を少なくとも２回反射するように主光軸８に対して傾斜している。
【００３７】
光検知素子４は、副光軸９上に配置されている。したがって、光検知素子４は、副光軸８を進む光の光強度を検知する。光検知素子４は、その検知結果を制御部６に与える。制御部６は、光検知素子４の検知結果に基づいて半導体光増幅器１の出力またはエタロン２のエタロンピークを制御する。なお、副光軸９上を進む光の光強度は主光軸８上を進む光の光強度に比較して小さいが、光強度を測定するには十分である。
【００３８】
本実施例に係る半導体レーザ装置１００においては、入射光を第１の光軸上の光と第２の光軸上の光とに分割するために主光軸８上に配置される光学部品を最小限にすることができる。したがって、本発明を半導体レーザ装置１００に適用することにより、半導体レーザ装置１００を小型化することができる。また、エタロン２とミラー３とが非平行であることから、エタロン２とミラー３との間における反射回数を低減させることができる。その結果、光検知素子４によって検知する光強度の低下が防止される。
【００３９】
また、半導体光増幅器１、エタロン２、ミラー３および光検知素子４は、温度制御装置５上に搭載されている。温度制御装置５は、制御部６の指示に従って、半導体光増幅器１、エタロン２、ミラー３および光検知素子４の温度を制御する。この場合、半導体レーザ装置１００が小型化されることから、温度制御装置５も小型化される。それにより、温度制御装置５の温度分布を無視することができる。その結果、半導体光増幅器１、エタロン２、ミラー３および光検知素子４の温度差を小さくすることができる。
【００４０】
本実施例においては、主光軸８が第１の光軸に相当し、副光軸９が第２の光軸に相当し、半導体光増幅１、エタロン２およびミラー３が複数の光学部品または共振器に相当し、光検知素子４が第１の光検知素子に相当し、エタロン２およびミラー３が２つの光学部品に相当し、温度制御装置５が共通の基板に相当し、半導体レーザ装置１００が光学装置またはレーザ装置に相当する。
【実施例２】
【００４１】
図２は、第２実施例に係る半導体レーザ装置１００ａの全体構成を示す模式図である。半導体レーザ装置１００ａが図１の半導体レーザ装置１００と異なる点は、ミラー３の代わりに透過性ミラー３ａが配置されている点および透過性ミラー３ａの後方に光検知素子１０がさらに配置されている点である。透過性ミラー３ａは、入射光の一部を透過する。透過性ミラー３ａは、所定の膜厚の誘電体膜を組み合わせることにより形成することができる。
【００４２】
半導体光増幅器１とミラー３との間で共振する光の一部は、透過性ミラー３ａを透過して光検知素子１０に入射される。光検知素子１０は、透過性ミラー３ａを透過する光の光強度を検知し、その検知結果を制御部６に与える。
【００４３】
本実施例に係る半導体レーザ装置１００ａにおいては、光検知素子４，１０により光強度を検知することができる。例えば、半導体光増幅器１と透過性ミラー３ａとの間で共振する光の光強度を光検知素子４により検知し、半導体光増幅器１と透過性ミラー３ａとの間で共振する光の波長を光検知素子１０により検知することもできる。このように、本発明を適用することにより、光検知素子を複数含む構成の半導体レーザ装置を第１の光軸方向に大型化することを抑制することができる。
【００４４】
本実施例においては、半導体光増幅１、エタロン２および光透過性ミラー３ａが複数の光学部品または共振器に相当し、エタロン２および光透過性ミラー３ａが２つの光学部品に相当し、光検知素子１０が第２の光検知素子に相当する。
【実施例３】
【００４５】
図３は、第３実施例に係るチューナブルミラー２００の全体構成を示す模式図である。図３に示すようにチューナブルミラー２００は、エタロン１１、ミラー１２、スペーサ１３および光検知素子１６を備える。エタロン１１およびミラー１２は、スペーサ１３を介して固定されている。また、エタロン１１およびミラー１２は、エタロン１１とミラー１２との対向面が非平行になるように固定されている。
【００４６】
エタロン１１は、図１のエタロン２と同様に、透過光に周期的な波長ピークを持たせるバンドパスフィルタからなる。チューナブルミラー２００に入射される光は、エタロン１１に入射される。エタロン１１に入射された光は、エタロン１１を透過し、スペーサ１３を透過してミラー１２に入射される。スペーサ１３は光透過性を有するガラス等から構成される。
【００４７】
ミラー１２は、多層誘電体膜等から構成され、入射光を反射する。ミラー１２に入射された光は、ミラー１２により反射され、再度スペーサ１３を透過し、エタロン１１を透過し、チューナブルミラー２００の外部に出力される。本実施例においては、この場合の光路が主光軸１４となる。
【００４８】
また、エタロン１１が主光軸１４に対して傾斜していることから、ミラー１２により反射された光のうち一部は、エタロン１１を透過することなくエタロン１１により反射されて再度ミラー１２に入射される。以下、エタロン１１とミラー１２との間で反射が繰り返され、エタロン１１によって反射された光がミラー１２の反射面に入射されなくなる。この場合のエタロン１１により反射した光の光路を副光軸１５と呼ぶ。エタロン１１は、チューナブルミラー２００に入射される光がエタロン１１とミラー１２との間を少なくとも２回反射するように主光軸１４に対して傾斜している。
【００４９】
図３に示すように、光検知素子１６を副光軸１５上に配置することにより、エタロン１１による反射光の強度を検知することができる。したがって、光検知素子１６によって、主光軸１４とは異なる位置で光強度を検知することができる。
【００５０】
本実施例に係るチューナブルミラー２００においては、主光軸１４上に配置される光学部品を最小限にすることができる。したがって、本発明をチューナブルミラー２００に適用することにより、チューナブルミラー２００を小型化することができる。また、エタロン１１とミラー１２とが固定されていることから、副光軸１５が固定される。それにより、光検知素子１６の位置が決定される。その結果、光検知素子１６の取付作業が容易になる。
【００５１】
なお、本実施例においては、エタロン１１とミラー１２とがスペーサ１３を介して固定されているが、スペーサ１３を介さずに直接に固定されていてもよい。また、エタロン２の代わりに他の波長フィルタを用いることもできる。また、図１の制御部６をさらに備えていてもよい。
【００５２】
本実施例においては、主光軸１４が第１の光軸に相当し、副光軸１５が第２の光軸に相当し、エタロン１１、ミラー１２およびスペーサ１３が複数の光学部品に相当し、エタロン１１およびミラー１２が２つの光学部品に相当し、光検知素子１６が第１の光検知素子に相当する。
【実施例４】
【００５３】
図４は、第４実施例に係る光学装置３００の全体構成を示す模式図である。図４に示すように、光学装置３００は、波長フィルタ２１、プリズム２２および光検知素子２５を含む。波長フィルタ２１とプリズム２２とは互いに固定されている。
【００５４】
波長フィルタ２１は、所定の帯域の波長光を透過する特性を有するフィルタからなる。プリズム２２は、光透過性ガラス等から構成され、プリズム２２に入射される光の出射角度を変更する。プリズム２２の波長フィルタ２１とは反対側の出射面は、光学装置３００への入射光に対して傾斜している。光学装置３００に入射される光は、波長フィルタ２１を透過し、プリズム２２を透過し、光学装置３００の外部に出力される。この場合の光路を主光軸２３と呼ぶ。
【００５５】
また、プリズム２２の出射面が光学装置３００への入射光に対して傾斜していることから、プリズム２２の出射面まで透過した光の一部は、プリズム２２の出射面により反射されて再度波長フィルタ２１に入射される。以下、プリズム２２の出射面と波長フィルタ２１との間で反射が繰り返され、波長フィルタ２１によって反射された光がプリズム２２の出射面に入射されなくなる。この場合の波長フィルタ２１により反射した光の光路を副光軸２４と呼ぶ。プリズム２２の出射面は、光学装置３００に入射された光がプリズム２２の出射面とフィルタ２１との間を少なくとも２回反射するように傾斜している。光検知素子２５は、副光軸２４上に配置されている。したがって、光検知素子２５は、副光軸２４を進む光の光強度を検知する。
【００５６】
本実施例に係る光学装置３００においては、主光軸２３上に配置される光学部品を最小限にすることができる。したがって、本発明を光学装置３００に適用することにより、光学装置３００を小型化することができる。
【００５７】
本実施例においては、主光軸２３が第１の光軸に相当し、副光軸２４が第２の光軸に相当し、波長フィルタ２１およびプリズム２２が複数の光学部品および２つの光学部品に相当し、光検知素子２５が第１の光検知素子に相当する。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】第１実施例に係る半導体レーザ装置の全体構成を示す模式図である。
【図２】第２実施例に係る半導体レーザ装置の全体構成を示す模式図である。
【図３】第３実施例に係るチューナブルミラーの全体構成を示す模式図である。
【図４】第４実施例に係る光学装置の全体構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  半導体光増幅器
２  エタロン
３，１２  ミラー
３ａ  光透過性ミラー
４，１０，１６，２５  光検知素子
５  温度制御装置
６  制御部
８，１４，２３  主光軸
９，１５，２４  副光軸
１１  波長フィルタ
１３  スペーサ
２１  フィルタ
２２  プリズム
１００，１００ａ  半導体レーザ装置
２００  チューナブルミラー
２００  光学装置
【図１】
2006202915.tif 000003
【図２】
2006202915.tif 000004
【図３】
2006202915.tif 000005
【図４】
2006202915.tif 000006