(57)【要約】【課題】  大型基板においても、基板変形を小さく抑えながら、高速に基板を昇温させ、短時間で基板全面を均一な温度にすることが可能な基板加熱装置を提供する。【解決手段】  均熱板５と、第１ヒータ１とを具備する基板加熱装置を用いる。均熱板５は、筐体１０内に設けられ、第１面９を有し、基板４を第１面９に密接させて保持可能である。第１ヒータ１は、筐体１０内に設けられ、第１面９に面し、基板４が第１面９に保持されたとき、基板４を加熱可能である。均熱板５は、基板４の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料で形成されている。均熱板５は、均熱板５を加熱する第２ヒータ２０を備えていても良い。【選択図】      図２
2006190731.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧された筐体内に設けられ、第１面を有し、基板を前記第１面に密接させて保持可能な均熱板と、
前記筐体内に設けられ、前記第１面に面し、前記基板が前記第１面に保持されたとき、前記基板を加熱可能な第１ヒータと
を具備し、
前記均熱板は、前記基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料で形成されている
基板加熱装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板加熱装置において、
前記均熱板は、前記均熱板を加熱する第２ヒータを備える
基板加熱装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板加熱装置において、
前記第１面に密接する、又は、離れるように前記基板を保持可能な保持機構を更に具備する
基板加熱装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の基板加熱装置において、
前記基板を前記均熱板と前記第１ヒータとの間で保持可能な保持機構と、
前記基板が前記保持機構に保持されたとき、前記基板に密接する、又は、離れるように前記均熱板を移動する駆動機構と
を更に具備する
基板加熱装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板加熱装置において、
前記均熱板と前記第１ヒータとの間に設けられ、前記第１ヒータで前記基板を加熱するとき、前記基板の外縁から所定の距離だけ内側の帯状の領域へ向う前記第１ヒータの輻射熱を遮る熱遮断枠を更に具備する
基板加熱装置。
【請求項６】
内部を減圧することが可能な筐体と、
前記減圧された筐体内に設けられ、請求項１乃至５のいずれか一行に記載の基板加熱装置と
を具備する
真空装置。
【請求項７】
（ａ）減圧された筐体内に設けられた均熱板の第１面に、基板を密接させて保持するステップと、
（ｂ）前記基板を第１ヒータで加熱するステップと
を具備し、
前記均熱板は、前記基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料で形成されている
基板加熱方法。
【請求項８】
請求項７に記載の基板加熱方法において、
前記（ｂ）ステップは、
（ｂ１）前記均熱板を第２ヒータで加熱するステップを備える
基板加熱方法。
【請求項９】
（ａ）減圧された筐体内に設けられた均熱板の第１面から離して基板を保持するステップと、
（ｂ）前記基板を第１ヒータで加熱するステップと、
（ｃ）前記第１面と前記基板とを密接するステップと
を具備し、
前記均熱板は、前記基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料で形成されている
基板加熱方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板加熱方法において、
前記（ｂ）ステップは、
（ｂ１）前記均熱板を第２ヒータで加熱するステップを備える
基板加熱方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の基板加熱方法において、
前記（ｃ）ステップは、
（ｃ１）前記均熱板を第２ヒータで加熱するステップを備える
基板加熱方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の基板加熱方法において、
前記（ａ）ステップは、
（ａ１）前記基板から前記均熱板を離すように前記基板又は前記均熱板を移動するステップを備え、
前記（ｃ）ステップは、
（ｃ１）前記基板に前記均熱板を密接するように前記基板又は前記均熱板を移動するステップを備える
基板加熱方法。
【請求項１３】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板加熱方法において、
前記（ｂ）ステップは、
（ｂ２）前記均熱板と前記第１ヒータとの間に設けられた熱遮断枠を介して、前記基板の外縁から所定の距離だけ内側の帯状の領域へ向う前記第１ヒータの輻射熱を遮るように、前記基板を前記第１ヒータで加熱するステップを具備する
基板加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板加熱装置、真空装置及び基板加熱方法に関し、特に製膜に関わる基板加熱装置、真空装置及び基板加熱方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光に反応して発電する太陽電池が知られている。その一つとして、アモルファスシリコンや微結晶シリコンの発電層を大型の基板に製膜した薄膜シリコン太陽電池が知られている。このような太陽電池を製造する場合、大型の基板（例示：１ｍ×１ｍ以上）の全面に渡って均一な薄膜シリコンを製膜することが重要である。その場合、薄膜シリコン製膜装置に搬入する基板を製膜温度付近まで予熱するにあたり基板の全面において、基板温度を均一に昇温する必要がある。
【０００３】
基板温度を昇温するにあたり均一化することは、大型基板の割れの防止に重要である。例えば、基板の中心付近の温度が高く、外縁（外周）付近の温度が低いと、中心部分は熱膨張しようとするが、外縁（外周）部分はそれほど熱膨張しようとしない。この熱膨張の違いにより、平坦な基板がうねるような変形（バックリング変形）が発生する。特に基板がガラス基板の時はガラス表面に微細なマイクロクラックが存在するために、基板が大型のガラスの場合、バックリング変形により基板が割れてしまうことがある。バックリング変形を生じる基板面内の温度差は、材料や基板の大きさや温度分布の形態にもよるが、１．１ｍ×１．４ｍ×４ｍｍの基板の場合、温度差３０℃〜５０℃程度で発生することもある。大型基板の全面で面内温度分布を少なくし、均一化することは非常に重要であり、その技術が望まれる。
【０００４】
薄膜シリコン製膜装置など連続して製膜処理する装置においては、搬入基板を予熱して製膜温度付近まで加熱して製膜室に搬入することで、製膜室での基板予熱時間を短縮して生産性の向上を図る。また装置に搬入される基板は基板表面に水分などの吸着物があるために、装置のロード室など製膜室へ搬入する前の真空排気時に同時に基板を加熱することは、基板表面吸着物を除去できるので望ましい。この搬入基板の予熱は加熱時間短縮のために高温熱源であるIR（赤外線加熱）ランプヒータを用いることが多い。１ｍを越えるような大型基板についてＩＲランプヒータで加熱しようとする場合、面内温度分布を改善するために、ＩＲランプの背面に反射板を設けて加熱指向性を改善する技術や、大型基板の周囲に追加のヒータを設ける技術（特開２００４−８４０３２号公報）が従来行われてきた。これらの従来技術の場合、基板変形（バックリング変形）の少ない面内温度分布≦３０℃とするには、基板への熱流束分布を均一化させる必要があり、ヒータ自体の温度分布の均一化を保ちながら所定の時間内に基板を加熱できるヒータ投入熱には限界がある。そのため、高速に基板温度を昇温することが困難であった。
【０００５】
また、大型基板の一部に低温領域を設けて基板変形（バックリング変形）を発生させる限界温度を上昇させて、高速昇温を可能にする技術（特開２００４−４３２４４号公報）も従来行われている。しかし、その後の製膜において、元々低温領域であった部分に製膜された膜の膜質が低下するために、製膜室などにおいて基板温度分布が均一化するまで待機時間が必要になる課題がある。
【０００６】
大型基板においても、基板変形を小さく抑えながら、高速に基板を昇温させることが可能な技術が望まれている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−８４０３２号公報
【特許文献２】特開２００４−４３２４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、本発明の目的は、大型基板においても、基板変形を小さく抑えながら、高速に基板を昇温させることが可能な基板加熱装置、真空装置及び基板加熱方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、大型基板においても、短時間で基板全面を均一な温度にすることが可能な基板加熱装置、真空装置及び基板加熱方法を提供することにある。
【００１０】
本発明の更に他の目的は、大型基板においても、基板全面を均一な所望の温度にするとともに、膜質に悪影響を与えることのない基板加熱装置、真空装置及び基板加熱方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
以下に、発明を実施するための最良の形態で使用される番号・符号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号・符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための最良の形態との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１２】
従って、上記課題を解決するために、本発明の基板加熱装置は、均熱板（５、１５）と第１ヒータ（１）とを具備する。均熱板（５、１５）は、減圧が可能な筐体（１０）内に設けられ、第１面（９）を有し、基板（４）を第１面（９）に密接させて保持可能である。第１ヒータ（１）は、筐体（１０）内に設けられ、第１面（９）に面し、基板（４）が第１面（９）に保持されたとき、基板（４）を加熱可能である。均熱板（５、１５）は、基板（４）の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料で形成されている。
基板（４）を均熱板（５、１５）に密接させることで、均熱板（５、１５）を介して基板（４）内の熱をより速く伝導させることが出来るので、基板（４）の面内温度分布を高速、短時間で均一化させることが可能となる。
【００１３】
上記の基板加熱装置において、均熱板（５、１５）は、均熱板（５、１５）を加熱する第２ヒータ（２０）を備えることが好ましい。
均熱板（５、１５）が加熱されることで、熱容量が大きな均熱板（５、１５）の加熱・昇温に必要な熱量が低減もしくは不要となり、基板（４）から均熱板（５、１５）への熱流束が減少するので、第１ヒータ（１）の熱の多くを基板（４）の加熱に用いることが出来、基板を高速に昇温することができる。
【００１４】
上記の基板加熱装置において、第１面（９）に密接する、又は、離れるように基板（４）を保持可能な保持機構（１４）を更に具備することが好ましい。
基板（４）を均熱板（５、１５）から離すと、基板（４）と均熱板（５、１５）との間の熱伝達率が低下して基板（４）から均熱板（５、１５）への熱流束が減少するために、第1ヒータ（１）からの熱の多くを基板（４）の加熱に用いることが出来るので、より高速に基板（４）を昇温できる。したがって、基板（４）を均熱板（５、１５）から離して高速に昇温し、昇温後に基板（４）と均熱板（５、１５）とを密接させて短時間で面内温度分布を均一化することで、昇温及び面内温度分布の均一化の全体工程を短時間で行うことが可能となる。
【００１５】
上記の基板加熱装置において、基板（４）を均熱板（５、１５）と第１ヒータ（１）との間で保持可能な保持機構（１４）と、基板（４）が保持機構（１４）に保持されたとき、基板（４）に密接する、又は、離れるように均熱板（５、１５）を移動する駆動機構（９、２１）を更に具備することが好ましい。
均熱板（５、１５）を基板（４）から離すと、より高速に基板（４）を昇温できる。したがって、均熱板（５、１５）を基板（４）から離して高速に昇温し、昇温後に均熱板（５、１５）と基板（４）とを密接させて短時間で面内温度分布を均一化することで、昇温及び面内温度分布の均一化の全体工程を短時間で行うことが可能となる。
【００１６】
上記の基板加熱装置において、均熱板（５、１５）と第１ヒータ（１）との間に設けられ、第１ヒータ（１）で基板（４）を加熱するとき、基板（４）の外縁から所定の距離だけ内側の帯状の領域（４ａ）へ向う第１ヒータ（１）の輻射熱を遮る熱遮断枠（８）を更に具備することが好ましい。
基板（４）の内側に低温領域（４ａ）を設けることで、昇温時に発生する基板（４）外縁の応力を緩和することが出来、バックリング変形を発生する許容面内温度分布が大きくなり、より高速に昇温することが可能となる。
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明の真空装置は、筐体（１０）と、基板加熱装置（３０）とを具備する。筐体（１０）は、内部を減圧することが可能である。基板加熱装置（３０）は、筐体（１０）内に設けられ、上記のいずれか一項に記載されている。
【００１８】
上記課題を解決するために、本発明の基板加熱方法は、（ａ）筐体（１０）内に設けられた均熱板（５、１５）の第１面（９）に、基板（４）を密接させて保持するステップと、（ｂ）基板（４）を第１ヒータ（１）で加熱するステップとを具備する。均熱板（５、１５）は、基板（４）の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料で形成されている。
【００１９】
上記の基板加熱方法において、（ｂ）ステップは、（ｂ１）均熱板（５、１５）を第２ヒータ（２０）で加熱するステップを備えることが好ましい。
【００２０】
上記課題を解決するために、本発明の基板加熱方法は、（ａ）筐体（１０）内に設けられた均熱板（５、１５）の第１面（９）から離して基板（４）を保持するステップと、（ｂ）基板（４）を第１ヒータ（１）で加熱するステップと、（ｃ）第１面（９）と基板（４）とを密接するステップとを具備する。均熱板（５、１５）は、基板（４）の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料で形成されている。
【００２１】
上記の基板加熱方法において、（ｂ）ステップは、（ｂ１）均熱板（５、１５）を第２ヒータ（２０）で加熱するステップを備えることが好ましい。
【００２２】
上記の基板加熱方法において、（ｃ）ステップは、（ｃ１）均熱板（５、１５）を第２ヒータ（２０）で加熱するステップを備えることが好ましい。
【００２３】
上記の基板加熱方法において、（ａ）ステップは、（ａ１）基板（４）から均熱板（５、１５）を離すように基板（４）又は均熱板（５、１５）を移動するステップを備える。（ｃ）ステップは、（ｃ１）基板（４）に均熱板（５、１５）を密接するように基板（４）又は均熱板（５、１５）を移動するステップを備えることが好ましい。
【００２４】
上記の基板加熱方法において、（ｂ）ステップは、（ｂ２）均熱板（５、１５）と第１ヒータ（１）との間に設けられた熱遮断枠（８）を介して、基板（４）の外縁から所定の距離だけ内側の帯状の領域（４ａ）へ向う第１ヒータ（１）の輻射熱を遮るように、基板（４）を第１ヒータ（１）で加熱するステップを具備することが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明により、大型基板においても、基板変形を小さく抑えながら、高速に基板を昇温させ、短時間で基板全面を均一な温度にすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の基板加熱装置、真空装置及び基板加熱方法の実施の形態に関して、添付図面を参照して説明する。
【００２７】
（第１の実施の形態）
まず、本発明の基板加熱装置及び真空装置の第１の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の基板加熱装置及び真空装置の第１の実施の形態を適用した製膜装置の構成を示す斜視図（部分透視図）である。製膜装置７０は、ロード室７１Ａ、アンロード室７１Ｂ、ローダ７２Ａ、アンローダ７２Ｂ、共通搬送室７３、台車移動待機室７４Ａ〜７４Ｇ、搬送台車７６Ａ〜７６Ｆ、製膜室（真空処理室）７７Ａ〜７７Ｅ、予備室７８を具備する。
【００２８】
製膜装置７０は、搬送台車の回転用の共通搬送室７３が中央に設けられている。５つの製膜室（真空処理室）７７Ａ〜７０Ｅ、ロード室７１Ａ、アンロード室７１Ｂ、予備室８０は、共通搬送室７３の周囲を取り囲むように、それぞれ台車移動待機室７４Ａ〜７４Ｇを介して共通搬送室７３に連通されて、配置されている。ただし、図示しないが、隣接する室同士の接続部分には、ゲート弁が設けられている。
【００２９】
２台の搬送台車７６Ａ、７６Ｂは、ローダ７２Ａで基板を受け取り、ロード室７１Ａへ搬送する。２台の搬送台車７６Ｅ、７６Ｆは、ロード室７１Ａで基板を受け取り、共通搬送室３０経由で各製膜室７７Ａ〜７０Ｅ（予備室８０）へ基板を搬送する。また、各製膜室７７Ａ〜７０Ｅ（予備室８０）で基板を受け取り、他の各製膜室７７Ａ〜７０Ｅ（予備室８０）、又は、アンロード室７１Ｂへ基板を搬送する。２台の搬送台車７６Ｃ、７６Ｄは、アンロード室７１Ｂで基板を受け取り、アンローダ７２Ｂへ搬送する。
【００３０】
本発明の基板加熱装置及び真空装置は、例えば、上記製膜装置７０におけるロード室７１Ａに設けられている。そして、基板を製膜室７７Ａ〜７０Ｅのいずれかへ搬送するとき、基板を予め製膜温度付近まで加熱しておくために用いる。それにより、製膜室７７において、基板を加熱する時間を大幅に短縮することができる。
ここで、製膜装置７０に搬入されるガラス基板は、前工程で既に下層膜を製膜処理されたものである場合と、製膜処理のないガラス板単体の場合、さらには下層膜が所定の形状にエッチングでパターニング処理された場合など各種基板があり得るが、本発明の基板加熱装置において基板加熱時間や設定温度を事前に検定して調整変更することで、いずれの基板においても対応可能である。
【００３１】
次に、本発明の基板加熱装置及び真空装置の第１の実施の形態の構成について説明する。
図２は、本発明の真空装置の第１の実施の形態の構成を示す斜視図である。真空装置は、例えば、ロード室７１Ａであり、基板の存在する場所の雰囲気を所定の真空度にすると共に、基板を所定の温度に加熱する。真空容器１０と基板加熱装置３０とを具備する。
【００３２】
真空容器１０は、真空ポンプのような減圧装置（図示されず）でその内部を減圧することが可能な筐体である。基板加熱装置３０は、真空容器１０内に設けられている。導入された基板を一時的に保持し、所定の温度に加熱する。基板加熱装置３０は、ヒータ部３と、均熱板５とを備える。
【００３３】
均熱板５は、基板４を保持し、基板４の面内温度分布を短時間で均一化する。
均熱板５は、真空容器１０内に設けられ、鉛直方向から７〜１２°程度傾いて保持具（図示されず）で保持されている。その第１面９の広さは、基板４を保持可能なように基板４よりもやや広くなっている。均熱板５の第１面９（上側の平面）の下側に基板支持爪７を含む。基板４は、基板支持爪７にその下端を支持され、第１面９上に基板自重により寝かされて保持されている。それにより、基板４を第１面９に密接させて保持することができる。
【００３４】
均熱板５は、全体が短時間で概ね均一な温度になるように、かつ、基板４の面内温度分布を短時間で均一化できるように、基板４の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する熱伝導性の良い材料で製造されている。熱伝導性の良い材料としては、ステンレス系金属、アルミニウム系金属や銅系金属、鉄系金属が例示される。特に銅系や鉄系金属を使用する際は酸化防止のために表面にＮｉのような高温での耐食性の高い金属をメッキしていることが好ましい。ステンレス系金属は強度と耐食性から望ましいが、熱伝導率が他金属より低いため均熱効果が劣ることを配慮して、状況に応じて選定する。これらは、使用温度や使用ガスに応じて適宜選択される。
【００３５】
均熱板５を用いるため、板状の基板４の表面が均熱板５の表面に接触したとき、均熱板５が熱の経路となり、基板４の温度分布を非常に短時間で緩和する。即ち、ガラス基板の熱伝導率は０．８W／ｍK程度であり、均熱板の材質として使用可能なアルミニウム材が１２０W／ｍK、ステンレス材が１６W／ｍKであり、均熱板はガラス基板よりも桁違いに熱伝導率が高いために、ガラス基板と均熱板の接触熱伝達率を考慮しても均熱板を経由した熱の均熱経路が大きな効果を発揮する。それにより、高速で基板４を昇温したときでも、基板４の温度を非常に短時間で概ね均一な温度に保つことができる。面内温度分布が高速で均一化されることで、大型基板で特に問題となるバックリング変形を大幅に抑制することが可能となる。このように、均熱板５は、基板４の面内温度分布を短時間で均一化する機能を有する。
【００３６】
ヒータ部３は、真空容器１０内に、均熱板５の第１面９に対向するように設けられている。基板４が真空容器１０に導入されたとき、基板４を所望の温度に加熱する。ヒータ部３は、ＩＲ（赤外線加熱）ヒータ１、反射板２を含む。ＩＲヒータ１は、第１面９に略平行に対向するように面している。基板４が真空容器１０に導入され、第１面９に保持されたとき、基板４の表面に略平行に対向し、所望の温度に加熱する。反射板２は、ＩＲヒータ１に対して均熱板５と反対の側に設けられ、ＩＲヒータ１の均熱板５側への加熱指向性を改善する。
【００３７】
均熱板５は、自身を所望の温度に加熱するヒータを有していてもよい。以下、それについて更に説明する。図３は、均熱板５の他の構成を示す斜視図である。
【００３８】
均熱板５ａは、第１部材２１ａ、第２部材２２ａ、シースヒータ２０ａを含む。この場合、アルミニウム系金属のような材料製の板状の第１部材２１ａと第２部材２２ａとの間に、波状にうねらせたシースヒータ２０ａを挟み、第１部材２１ａと第２部材２２ａとの合わせ目を溶接固定する。これにより、シースヒータ２０ａと１部材２１ａ及び第２部材２２ａとを密着させる。必要に応じて、中心付近をスタッド（図示されず）で固定することで両材が中央付近で浮き離れることを防止する。このシースヒータ２０ａは、均熱板５ａを所望の温度に加熱することが出来る。シースヒータ２０ａの配置の仕方は、例えば、熱の逃げ易い両端側を密に、中央付近を疎に配置することができる。これにより、基板５ａにおける加熱による面内温度分布の発生を抑制できる。なお、温度センサは、図示されていないが、例えば、第１部材２１ａの第１面９の近傍に埋め込むように設けることができる。
【００３９】
均熱板５ａは、例えば基板４の目標温度付近に自身の温度を上昇、維持することができる。シースヒータ２０を有することで、基板４をＩＲヒータ１で加熱する際、均熱板５ａの加熱に必要な熱量を大幅に低減する、又は、不要とすることができる。それにより、基板４の加熱時間を大幅に短縮することができる。基板４を載せられる前に所定の温度に加熱しておけば、更に、基板４の加熱時間を大幅に短縮することができる。
【００４０】
また、このような均熱板５ａは、ＩＲヒータ１から輻射される熱の反射板としての機能も有する。すなわち、基板４の裏面（基板４における均熱板５（ａ）側）から逃げる熱流束を小さくすることができ、基板４における表面（ＩＲヒータ１側）と裏面との温度差を小さくすることができる。それにより、基板４が凸変形（表面の温度が裏面よりも高くなり、表面がせり上がるような変形）の発生を抑制することが可能となる。
【００４１】
均熱板５ａの温度としては、基板４の目標加熱温度に対して、０℃よりも小さく−３０℃以上が好ましい。０℃以上になると、均熱板５ａから基板４へ熱が流入するので、温度制御が複雑になってしまう。−３０℃未満になると、基板４から均熱板５ａへの熱の流入が多くなるので、温度制御の安定性が低下してしまう。より好ましくは、−５℃以下、−２０℃以上である。
【００４２】
図４は、均熱板５の更に他の構成を示す斜視図である。
均熱板５ｂは、自身を所望の温度に加熱する。第１部材２１ｂ、第２部材２２ｂ、シースヒータ２０ｂを含む。この場合、アルミニウム系金属のような材料製の板状の第１部材２１ｂと第２部材２２ｂとの間に、渦巻状にシースヒータ２０ｂを挟み、第１部材２１ｂと第２部材２２ｂとの合わせ目を溶接固定する。これにより、シースヒータ２０ｂと１部材２１ｂ及び第２部材２２ｂとを密着させる。必要に応じて、中心付近をスタッド（図示されず）で固定する。このシースヒータ２０ｂは、均熱板５ｂを所望の温度に加熱することが出来る。シースヒータ２０ｂの配置の仕方は、例えば、熱の逃げ易い外縁（周囲）側を密に、中央付近を疎に配置することができる。これにより、基板５ｂにおける加熱による面内温度分布の発生をより抑制できる。なお、温度センサは、図示されていないが、例えば、第１部材２１ｂの第１面９の近傍に埋め込むように設けることができる。
【００４３】
図５は、均熱板５の別の構成を示す斜視図である。
均熱板５ｃは、自身を所望の温度に加熱する。第１部材２１ｃ、シースヒータ２０ｃ、固定具２５を含む。この場合、アルミニウム系金属のような材料製の板状の第１部材２１ｃにおける第１面９とは反対側の面に、波状にうねらせたシースヒータ２０ａを複数の固定部２５で固定、密着させる。このシースヒータ２０ｃは、均熱板５ｃを所望の温度に加熱することが出来る。シースヒータ２０ｃの配置の仕方は、例えば、熱の逃げ易い両端側を密に、中央付近を疎に配置することができる。これにより、基板５ｃにおける加熱による面内温度分布の発生を抑制できる。加えて、図３のように分離したものを接合しないので、均熱板５ｃを容易に製造することができる。第1面９の下側には図示されていない基板支持爪７がある。なお、温度センサは、図示されていないが、例えば、第１部材２１ｃの第１面９の近傍に埋め込むように設けることができる。
【００４４】
図６は、均熱板５の更に他の構成を示す斜視図である。
均熱板５ｄは、自身を所望の温度に加熱する。第１部材２１ｄ、シースヒータ２０ｄ、固定具２５を含む。この場合、アルミニウム系金属のような材料製の板状の第１部材２１ｄにおける第１面９とは反対側の面に、渦巻状にシースヒータ２０ｄを複数の固定部２５で固定、密着させる。このシースヒータ２０ｄは、均熱板５ｄを所望の温度に加熱することが出来る。シースヒータ２０ｂの配置の仕方は、例えば、熱の逃げ易い外縁（周囲）側を密に、中央付近を疎に配置することができる。これにより、基板５ｄにおける加熱による面内温度分布の発生をより抑制できる。加えて、図４のように分離したものを接合しないので、均熱板５ｄを容易に製造することができる。第1面９の下側には図示されていない基板支持爪７がある。なお、温度センサは、図示されていないが、例えば、第１部材２１ｂの第１面９の近傍に埋め込むように設けることができる。
【００４５】
次に、本発明の基板加熱方法の第１の実施の形態（基板加熱装置の第１の実施の形態を適用した製膜装置の動作）について説明する。図７は、本発明の基板加熱方法の第１の実施の形態を示すフロー図である。
【００４６】
以下の動作は、製膜装置７０の制御装置（図示されず）の制御プログラムに基づいて実行される。
（１）ステップＳ０１
ロード室７１Ａの台車移動待機室７４Ｆ側のゲート弁と、ローダ７２Ａ側のゲート弁（以下「ドア弁」という）とは、閉じられている。ロード室７１Ａの内部に気体を導入して、内部を大気圧にした後、ドア弁を開く。
（２）ステップＳ０２
ロード室７１Ａの搬送台車７６Ａ、７６Ｂをローダ７２Ａへ移動する。そして、ローダ７２Ａ上の搬送台車７６Ａ、７６Ｂの各々に基板４を載せる。その後、基板４を搭載した搬送台車７６Ａ、７６Ｂを、ローダ７２Ａからロード室７１Ａへ移動（搬入）する。
（３）ステップＳ０３
搬送台車７６Ａ、７６Ｂからロード室７１Ａ内の均熱板５へ基板４を受け渡す。均熱板５は、その第１面９に密接するようにして基板４を保持する。
（４）ステップＳ０４
ロード室７１Ａからローダ７２Ａ上へ搬送台車７６Ａ、７６Ｂを移動（搬出）する。
（５）ステップＳ０５
ロード室７１Ａのドア弁を閉じ、所定の真空度として例えば１０Ｐａになるまでロード室７１Ａの内部を真空排気する。
（６）ステップＳ０６
ロード室７１Ａの真空度が所定の真空度に到達した後、真空排気を続けながら、ＩＲヒータ１で基板４を加熱する。
このとき、同時に、シースヒータ２０で均熱板５を加熱していても良い。その場合、基板４から均熱板５への熱流束が抑制され、面内温度分布を抑えながら基板４をより短時間で所望の温度に上昇させることができる。シースヒータ２０は、ステップＳ０６より前（例示：ステップＳ０３や、Ｓ０１）から既に加熱し所定温度に制御していても良い。
（７）ステップＳ０７
ＩＲヒータ１が基板４を加熱した後、基板４の面内温度分布をより均一にするために、しばらくの間、基板４を均熱板５上で放置（待機）する。これとともに真空排気が続けられており、共通搬送室７３との間のゲート弁を開けても良い真空度として例えば１０−３Ｐａまで待機する。これにより、基板４は、短時間で所望の温度（例示：２００℃）、かつ、所望の面内温度分布（≦３０℃）となる。
（８）ステップＳ０８
ロード室７１Ａのゲート弁を開き、共通搬送室７３からロード室７１Ａへ搬送台車７６Ｅ、７６Ｆを搬入する。
（９）ステップＳ０９
基板４を均熱板５から搬送台車７６Ｅ、７６Ｆへ受け渡す。
（１０）ステップＳ１０
基板４を搭載した搬送台車７６Ｅ、７６Ｆをロード室７１Ａから共通搬送室７３へ移動（搬出）する。その後、ゲート弁を閉じる。そして、基板４を、搬送台車７６Ｅ、７６Ｆにより所定の製膜室７７へ搬入する。
（１１）ステップＳ１１
ローダ７２Ａ上に待機中の基板４がある場合、又は、次の基板４が予定されている場合（ステップＳ１１：Ｙｅｓ）、ステップＳ０１へ戻る。
ローダ７２Ａ上に待機中の基板４がない場合、又は、次の基板４が予定されていない場合（ステップＳ１１：Ｎｏ）、動作を終了（又は、一次休止）する。
【００４７】
このようにして、本発明の基板加熱方法が実施される。
【００４８】
図８は、基板加熱方法における基板温度と時間との関係を示すグラフである。（ａ）は基板温度と時間との関係を示す。縦軸は基板温度を、横軸は時間経過をそれぞれ示す。（ｂ）は基板温度分布と時間との関係を示す。縦軸は基板温度の面内温度分布を、横軸は時間経過をそれぞれ示す。いずれのグラフにおいても、曲線Ａは均熱板５を加熱した場合の第１の実施の形態、曲線Ｂは第２の実施の形態（後述）、曲線Ｃは従来の技術の場合をそれぞれ示す。
【００４９】
図８（ａ）を参照して、曲線Ａ（第１の実施の形態）と曲線Ｃ（従来の技術）とを比較すると、第１の実施の形態の場合の目標温度Ｔ０に達する時間（ｔＡ）が、従来の技術の場合の時間（ｔＣ）よりも大幅に短くなっていることがわかる。すなわち、本発明により、高速に短時間で基板温度を目標温度に昇温することが出来る。
【００５０】
図８（ｂ）を参照して、曲線Ａ（第１の実施の形態）と曲線Ｃ（従来の技術）とを比較すると、第１の実施の形態の場合の面内温度分布の最大値（約２０℃））が、従来の技術の場合の最大値（約５０℃）よりも大幅に小さくなっていることがわかる。すなわち、本発明により、面内温度分布を大幅に小さく抑えることができる。均熱板５を加熱しない場合は、昇温速度は低下するが均熱板５の効果で基板面内温度分布は小さく抑制される。
【００５１】
すなわち、本発明により、大型基板においても、高速かつ短時間で、面内温度分布を均一化して基板変形を小さく抑えつつ、基板を昇温させることができる。そして、基板全面を均一な所望の温度にするとが可能となる。
【００５２】
（第２の実施の形態）
まず、本発明の基板加熱装置及び真空装置の第２の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の基板加熱装置及び真空装置の第２の実施の形態を適用した製膜装置の構成を示す斜視図（部分透視図）である。第１の実施の形態と同様であるのでその説明を省略する。
【００５３】
次に、本発明の基板加熱装置及び真空装置の第２の実施の形態の構成について説明する。
図９は、本発明の真空装置の第２の実施の形態の構成を示す斜視図である。真空装置は、例えば、ロード室７１Ａであり、基板の存在する場所の雰囲気を所定の真空度にすると共に、基板を所定の温度に加熱する。真空容器１０と基板加熱装置３０ａとを具備する。
【００５４】
真空容器１０は、真空ポンプのような減圧装置（図示されず）でその内部を減圧することが可能な筐体である。基板加熱装置３０ａは、真空容器１０内に設けられている。導入された基板を一時的に保持し、所定の温度に加熱する。基板加熱装置３０ａは、ヒータ部３、保持機構１４、均熱板１５を備える。
【００５５】
均熱板１５は、基板４を保持し、基板４の面内温度分布を短時間で均一化する。保持機構１４（後述）のリフトピン１２（後述）を移動可能に支持する貫通穴１７を四隅に有する。それ以外は、第１の実施の形態の均熱板５（図３〜図６を含む）と同様であるので、その説明を省略する。
【００５６】
ヒータ部３についても、第１の実施の形態の均熱板５と同様であるので、その説明を省略する。
【００５７】
保持機構１４は、均熱板１５の第１面９に密接する、又は、離れるように基板４を保持可能である。いずれの場合にも、基板４は、第１面９に対して略平行に保持される。保持機構１４は、リフトピン支持枠１１、リフトピン１２、リフトピン前後進機構１３を含む。
【００５８】
リフトピン１２（１２−１〜１２−４）は、均熱板１５の四隅のそれぞれに設けられた貫通穴１７（１７−１〜１７−４）に、第１面９に垂直な方向に移動可能に支持され、第１面９に垂直な方向に伸びる棒状の部材である。図３に示した基板支持爪７が均熱板１５にあり、基板下辺は基板支持爪の上に保持されて脱落を防止する。リフトピン１２−１〜１２−４の一方の端部は、いずれも図示しない保持部材で基板４を保持する。他方の端部は、それぞれリフトピン支持枠１１の四隅に接続されている。
【００５９】
リフトピン支持枠１１は、均熱板１５に対してヒータ部３と反対の側に、均熱板１５に略平行に設けられた枠である。その一方の面の四隅には、リフトピン１２−１〜１２−４の他方の端部が接続されている。リフトピン支持枠１１の移動により、リフトピン１２−１〜１２−４が連動して移動する。
【００６０】
リフトピン前後進機構１３は、リフトピン支持枠１１における他方の面の所定の位置に接続されている。リフトピン前後進機構１３の一部である駆動棒１３ａは、Ｏリングシール１６を介して真空容器１０の外部に設けられたリフトピン前後進機構１３の本体と接続している。
【００６１】
リフトピン前後進機構１３は、駆動棒１３ａのＤ１方向の動作を介してリフトピン支持枠１１を押す、又は、引くように動作する。それに対応して、リフトピン支持枠１１は、均熱板１５に対して接近する、又は、遠のくように動作する。それに対応して、リフトピン１２−１〜１２−４は、均熱板１５に垂直な方向に、基板４を押し出す、又は、引き戻すように動作する。これにより、基板４は、均熱板１５の第１面９から所定の位置へ離れる、又は、第１面９に密接する。基板４’は第１面９に密接した場合を示している。
【００６２】
保持機構１４を用いれば、例えば、基板４の加熱の際、基板４の高温部が目標基板温度になるまで基板４と均熱板１５とを離しておき、その後は基板４と均熱板１５とを密接させるという動作を行わせることができる。ＩＲヒータ１からの熱流束は基板４から均熱板１５へ熱伝達されるが、基板４の周辺が真空雰囲気のために輻射伝熱が主体となりその熱流束も小さく基板４からの放熱量が小さくなるため、基板４への投入熱量が大きくなり、基板４の一方の面が均熱板１５と密接しているよりも、より高速に基板を加熱、昇温させることができるからである。ただし、高速に加熱、昇温させた場合、面内温度分布が大きくなるので、その後に基板４と均熱板１５とを密接させて、面内温度分布を改善させる。それにより、大型基板を用いても、高速で基板温度を昇温し、短時間で面内温度分布を均一化させることが可能となる。
【００６３】
図９では、基板４だけを動かしていたが、均熱板１５ａを動かすようにしても良い。それを示しているのが図１０である。図１０は、本発明の真空装置の第２の実施の形態の変形例の構成を示す斜視図である。図９の場合に比較して、基板加熱装置３０ｂは、ヒンジ機構２７と均熱板前後移動機構２６とを更に備える点、及び、保持機構１４におけるリフトピン前後進機構１３が無くリフトピン支持枠１１が固定である点が異なる。
【００６４】
ヒンジ機構２７は、均熱板１５ａの下側の辺に設けられている。均熱板１５ａを図に示すＲ１の方向に所定の角度だけ回転可能に保持している。それにより、均熱板１５ａは、本来の定位置（図９における均熱板１５の位置）と、その位置に対して基板４からやや離れる位置との間を移動する。
【００６５】
均熱板前後移動機構２６は、均熱板１５ａにおける基板４とは反対の側に接続されている。均熱板前後移動機構２６の一部である駆動棒２６ａは、Ｏリングシール２４を介して真空容器１０の外部に設けられた均熱板前後移動機構２６の本体２６ｂと接続している。駆動棒２６ａのＤ２方向の動作を介して均熱板１５ａを押す、又は、引くように動作する。それに対応して、均熱板１５ａは、基板４に対して接近する、又は、遠のくように動作する。
【００６６】
均熱板前後移動機構２６を用いれば、均熱板１５ａが回転移動するので、基板４を移動させずに、均熱板１５ａを基板４から離すことができる。それにより、基板４が均熱板１５ａに載せられる（密接する）際、基板４が基板支持爪７に上手く載らずに脱落してしまうことを防止することができる。
【００６７】
次に、本発明の基板加熱方法の第２の実施の形態（基板加熱装置の第２の実施の形態を適用した製膜装置の動作）について説明する。図７は、本発明の基板加熱方法の第２の実施の形態を示すフロー図である。
【００６８】
以下の動作は、製膜装置７０の制御装置（図示されず）の制御プログラムに基づいて実行される。
（１）ステップＳ０１〜（５）ステップＳ０５は、第１の実施の形態と同様であるのでその説明を省略する。ただし、均熱板１５は、均熱板５に対応する（以下同様）。
（６）ステップＳ０６
ロード室７１Ａの真空度が所定の真空度に到達した後、ＩＲヒータ１で基板４を加熱する。
このとき、真空装置として図９の構成を用いている場合には、保持機構１４を用いて基板４を移動させて、基板４と均熱板１５とを所定の距離だけ離す。図１０の構成を用いている場合には、均熱板前後移動機構２６を用いて均熱板１５ａを所定の角度だけ回転させて、均熱板１５ａと基板４とを所定の距離だけ離す。ここで、所定の距離とは熱接触が大きく低下できる距離であり１ｍｍ以上であれば良く、実際には移動機構の制御性や基板変形から考慮して、通常１〜１０ｍｍが選定される。
同時に、シースヒータ２０で均熱板１５（、１５ａ）を加熱していても良い。その場合、均熱板５（、１５）の昇温に必要な熱が減少または不要となり、基板４から均熱板１５（、１５ａ）への熱流束が抑制され、面内温度分布を抑えながら基板４をより短時間で所望の温度に上昇させることができる。
（７）ステップＳ０７
ＩＲヒータ１が基板４を加熱した後、基板４の面内温度分布をより均一にするために、基板４を均熱板１５（、１５ａ）に密接させる。このとき、真空装置として図９の構成を用いている場合には、保持機構１４を用いて基板４を移動させて、基板４を均熱板１５に密接させる。図１０の構成を用いている場合には、均熱板前後移動機構２６を用いて均熱板１５ａを所定の角度だけ回転させて、均熱板１５ａを基板４に密接させる。そして、しばらくの間、真空排気を続けながら基板４を均熱板１５（、１５ａ）上で放置（待機）する。これにより、基板４は、短時間で所望の温度（例示：２００℃）、かつ、所望の面内温度分布（≦３０℃）となる。
（８）ステップＳ０８〜（１１）ステップＳ１１は、第１の実施の形態と同様であるのでその説明を省略する。
【００６９】
このようにして、本発明の基板加熱方法が実施される。
【００７０】
図８は、基板加熱方法における基板温度と時間との関係を示すグラフである。（ａ）は基板温度と時間との関係を示す。縦軸は基板温度を、横軸は時間経過をそれぞれ示す。（ｂ）は基板温度分布と時間との関係を示す。縦軸は基板温度の面内温度分布を、横軸は時間経過をそれぞれ示す。いずれのグラフにおいても、曲線Ａは第１の形態、曲線Ｂは均熱板１５（、１５a）を加熱しながらの第２の実施の形態（後述）、曲線Ｃは従来の技術の場合をそれぞれ示す。
【００７１】
図８（ａ）を参照して、曲線Ｂ（第２の実施の形態）と曲線Ａ（第１の実施の形態）及び曲線Ｃ（従来の技術）とを比較すると、第２の実施の形態の場合の目標温度Ｔ０に達する時間（ｔＢ）が、第１の実施の形態の時間（ｔＡ）及び従来の技術の場合の時間（ｔＣ）よりも大幅に短くなっていることがわかる。すなわち、本発明により、より高速により短時間で基板温度を目標温度に昇温することが出来る。
【００７２】
図８（ｂ）を参照して、曲線Ｂ（第２の実施の形態）と曲線Ａ（第１の実施の形態）及び曲線Ｃ（従来の技術）とを比較すると、第２の実施の形態の場合の面内温度分布の最大値（約２０℃））は、第１の実施の形態の場合の最大値（約２０℃）とほぼ同等であり、従来の技術の場合の最大値（約５０℃）よりも大幅に小さくなっていることがわかる。すなわち、本発明により、面内温度分布を大幅に小さく抑えることができる。均熱板１５（、１５ａ）を加熱しない場合は、曲線Ｃのような昇温を経過するが、均熱化の時間が大きく短縮される。
【００７３】
すなわち、本発明により、大型基板においても、高速かつ短時間で、面内温度分布を均一化して基板変形を小さく抑えつつ、基板を昇温させることができる。そして、基板全面を均一な所望の温度にするとが可能となる。なお、図９の構成と図１０の構成とを同時に使用することも可能である。
【００７４】
（第３の実施の形態）
まず、本発明の基板加熱装置及び真空装置の第３の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の基板加熱装置及び真空装置の第３の実施の形態を適用した製膜装置の構成を示す斜視図（部分透視図）である。第１の実施の形態と同様であるのでその説明を省略する。
【００７５】
次に、本発明の基板加熱装置及び真空装置の第３の実施の形態の構成について説明する。
図１１は、本発明の真空装置の第３の実施の形態の構成を示す斜視図である。真空装置は、例えば、ロード室７１Ａであり、基板の存在する場所の雰囲気を所定の真空度にすると共に、基板を所定の温度に加熱する。真空容器１０と基板加熱装置３０ｃとを具備する。
【００７６】
真空容器１０は、真空ポンプのような減圧装置（図示されず）でその内部を減圧することが可能な筐体である。基板加熱装置３０ｃは、真空容器１０内に設けられている。導入された基板を一時的に保持し、所定の温度に加熱する。基板加熱装置３０ｃは、ヒータ部３、均熱板５、熱遮断枠８を備える。
【００７７】
熱遮断枠８は、ヒータ部３のＩＲヒータ１と均熱板５との間に、均熱板５の第１面９に略平行に設けられている。基板４よりもやや小さい面積を囲む枠の形状を有する。均熱板５の第１面９に基板４が保持されたとき、基板４の外縁から所定の距離だけ離れた帯状の領域（４ａ：後述）へ向うＩＲヒータ１の輻射熱を遮る。
【００７８】
ヒータ部３、均熱板５については、第１の実施の形態と同様（図３〜図６を含む）であるので、その説明を省略する。
【００７９】
図１２は、熱遮断枠８を介してＩＲヒータ１により加熱された基板４を示す概略図である。均熱板５の第１面９上に保持された基板４には、領域４ａと領域４ｂとが発生する。領域４ｂは、ＩＲヒータ１の輻射光が直接照射される領域である。領域４ａは、ＩＲヒータ１の輻射光が熱遮断枠８により遮られて、直接照射されない領域である。すなわち、熱遮断枠８の影が出来ている。そのため、この領域４ａの温度は、領域４ｂの温度に比較して低くなる。この領域４ａは、基板４の外縁よりも所定の距離だけ内側に入っていて、基板外周へつながるものがないことを特徴としている。所定の距離及び領域４ａの位置及び大きさは、基板の材質、大きさや厚み、目標温度、昇温速度などに基づいて実験やシミュレーションにより決定され、通常基板辺長の１／５０〜１／１０程度となる。
【００８０】
熱遮断枠８を用いると、高速に基板４を昇温した場合に、基板４の中心及び外縁の温度が高くなり、基板４の中心と外縁との間の温度が低くなる。このような面内温度分布にすると、基板の中心付近の温度が高く外縁付近の温度が低い場合に発生するバックリング変形を大幅に抑制することができる。すなわち、基板４の外縁近傍の内部に低温の領域が発生するので、基板４の外縁に集中する引張り応力や圧縮応力が緩和されて、基板４がバックリング変形を起こす熱座屈温度限界は大きく増大することができる。
【００８１】
このような熱遮断枠８を用いると、従来の技術の場合よりも高速に基板４を昇温しても、基板４がバックリング変形を起こすことがなくなる。すなわち、より高速に基板を加熱、昇温させることが可能となる。
【００８２】
加えて図９の構成や図１０の構成を用いることで、例えば、従来の技術の場合に比較して、２倍以上に高速に加熱することができる。ただし、この場合、基板４の面内に低温領域（領域４ａ）が存在することになるので、基板４昇温の後に基板４と均熱板５とを密接させて、面内温度分布を改善させる。それにより、大型基板を用いても、より高速で基板温度を昇温し、より短時間で面内温度分布を均一化させることが可能となる。
【００８３】
次に、本発明の基板加熱方法の第３の実施の形態（基板加熱装置の第３の実施の形態を適用した製膜装置の動作）について説明する。図１１は、本発明の基板加熱方法の第３の実施の形態を示すフロー図である。
【００８４】
以下の動作は、製膜装置７０の制御装置（図示されず）の制御プログラムに基づいて実行される。
（１）ステップＳ０１〜（５）ステップＳ０５は、第１の実施の形態と同様であるのでその説明を省略する。
（６）ステップＳ０６
ロード室７１Ａの真空度が所定の真空度に到達した後、ＩＲヒータ１で基板４を加熱する。すなわち、均熱板５とＩＲヒータ１との間に設けられた熱遮断枠８を介して、基板４の外縁から所定の距離だけ離れた帯状の領域４ａへ向うＩＲヒータ１の輻射熱を遮るようにしながら、基板４をＩＲヒータ１で加熱する。
このとき、真空装置として図１１の構成に加えて図９の構成を用いている場合には、保持機構１４を用いて基板４を移動させて、基板４と均熱板とを所定の距離だけ離す。図１１の構成に加えて図１０の構成を用いている場合には、均熱板前後移動機構２６を用いて均熱板を所定の角度だけ回転させて、均熱板と基板４とを所定の距離だけ離す。
同時に、シースヒータ２０で均熱板を加熱していても良い。その場合、基板４から均熱板への熱流束が抑制され、面内温度分布を抑えながら基板４をより短時間で所望の温度に上昇させることができる。
（７）ステップＳ０７
ＩＲヒータ１が基板４を加熱した後、基板４の面内温度分布をより均一にするために、基板４を均熱板に密接させる。
このとき、真空装置として図１１の構成に加えて図９の構成を用いている場合には、保持機構１４を用いて基板４を移動させて、基板４を均熱板に密接させる。図１１の構成に加えて図１０の構成を用いている場合には、均熱板前後移動機構２６を用いて均熱板を所定の角度だけ回転させて、均熱板を基板４に密接させる。そして、しばらくの間、基板４を均熱板上で放置（待機）する。これにより、基板４は、短時間で所望の温度（例示：２００℃）、かつ、所望の面内温度分布（≦３０℃）となる。
（８）ステップＳ０８〜（１１）ステップＳ１１は、第１の実施の形態と同様であるのでその説明を省略する。
【００８５】
このようにして、本発明の基板加熱方法が実施される。実施例２で記載したように、均熱板は加熱されている方が昇温速度が速くなる。
【００８６】
この場合、図８のような基板加熱方法における基板温度と時間との関係を示すグラフは示さないが、曲線Ｂよりも更に目標温度Ｔ０に達する時間を大幅に短くすることができる。すなわち、本発明により、より高速により短時間で基板温度を目標温度に昇温することが出来る。加えて、面内温度分布の最大値を曲線Ｂと同程度に抑えることが出来、従来の技術の場合の最大値よりも大幅に小さくなっていることができる。すなわち、本発明により、面内温度分布を大幅に小さく抑えることができる。加えて、ステップＳ０７の面内温度分布を均一化する工程により、その後に製膜された膜の膜質も均一にすることが出来る。
【００８７】
すなわち、本発明により、大型基板においても、高速かつ短時間で、面内温度分布を均一化して基板変形を小さく抑えつつ、基板を昇温させることができる。そして、基板全面を均一な所望の温度にするとが可能となる。なお、図３〜図６のいずれかと、図９または図１０と、図１１の構成を２つ同時にもしくは全てを同時に使用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】図１は、本発明の基板加熱装置及び真空装置の実施の形態を適用した製膜装置の構成を示す斜視図（部分透視図）である。
【図２】図２は、本発明の真空装置の第１の実施の形態の構成を示す斜視図である。
【図３】図３は、均熱板５の他の構成を示す斜視図である。
【図４】図４は、均熱板５の更に他の構成を示す斜視図である。
【図５】図５は、均熱板５の別の構成を示す斜視図である。
【図６】図６は、均熱板５の更に他の構成を示す斜視図である。
【図７】図７は、本発明の基板加熱方法の実施の形態を示すフロー図である。
【図８】図８は、基板加熱方法における基板温度と時間との関係を示すグラフである。
【図９】図９は、本発明の真空装置の第２の実施の形態の構成を示す斜視図である。
【図１０】図１０は、本発明の真空装置の第２の実施の形態の変形例の構成を示す斜視図である。
【図１１】図１１は、本発明の真空装置の第３の実施の形態の構成を示す斜視図である。
【図１２】図１２は、熱遮断枠８を介してＩＲヒータ１により加熱された基板４を示す概略図である。
【符号の説明】
【００８９】
１    ＩＲヒータ
２    反射板
３    ヒータ部
４    基板
４ａ、４ｂ    領域
５、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、１５、１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ    均熱板
７    基板支持爪
８    熱遮断枠
９    第１面
１０    真空容器
１１    リフトピン支持枠
１２、１２−１、１２−２、１２−３、１２−４    リフトピン
１３    リフトピン前後進機構
１３ａ    駆動棒
１４    保持機構
１６、２４    Ｏリングシール
１７、１７−１、１７−２、１７−３、１７−４    貫通穴
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ    シースヒータ
２１、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ    第１部材
２２、２２ａ、２２ｂ    第２部材
２５    固定具
２６    均熱板前後移動機構
２６ａ    駆動棒
２６ｂ    均熱板前後移動機構本体
２７    ヒンジ機構
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ    基板加熱装置
７０    製膜装置
７１Ａ    ロード室
７１Ｂ    アンロード室
７２Ａ    ローダ
７２Ｂ    アンローダ
７３    共通搬送室
７４Ａ〜７４Ｇ    台車移動待機室
７６Ａ〜７６Ｆ    搬送台車
７７Ａ〜７７Ｅ    製膜室（真空処理室）
７８    予備室
【図１】
2006190731.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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