(57)【要約】【課題】ガス絶縁機器の電圧検出装置における中間電極低圧側の電圧分担比を低減して電圧検出装置内の過電圧発生を抑制して絶縁破壊を防止する。【解決手段】接地金属タンク１内に母線２と所定の距離を隔てかつ同軸に筒状に形成された中間電極３と接地金属タンク１とで構成される第１のコンデンサと、電圧検出用の第２のコンデンサ１０との分圧を電圧センサ１２に印加して母線２の電圧検出を行う装置構成である。そして、中間電極３の外周に環状絶縁層５を介して環状支持導体３１を設け、環状支持導体３１を支持導体接続部材３１ａにより接地金属タンク１の内面に支持することで、中間電極３と接地金属タンク１との間のキャパシタンスを低減して電圧分担比を低減する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ガスが封入され接地された筒状の導電性容器と、該導電性容器内に同軸に配設された高電圧導体と、上記導電性容器内に上記高電圧導体と所定の距離を隔てかつ同軸に筒状に形成された中間電極とで構成されるガス絶縁機器の上記高電圧導体を電圧検出対象部分として、上記中間電極と上記導電性容器との間に接続された第２のコンデンサと、該第２のコンデンサに並列に接続された電圧センサとを備えて、上記高電圧導体と上記中間電極とで形成される第１のコンデンサと上記第２のコンデンサとの分圧電圧を上記電圧センサに印加することにより電圧検出を行うガス絶縁機器の電圧検出装置において、
上記中間電極を上記導電性容器内に支持する支持部材を備え、該支持部材は、上記筒状の中間電極の外周部に環状に形成された絶縁支持部材を介して設けられた第１の環状支持導体と該第１の環状支持導体を上記導電性容器に接続する第１の接続導体とを備えることを特徴とするガス絶縁機器の電圧検出装置。
【請求項２】
上記第１の環状支持導体を上記導電性容器に接続する第１の接続導体を、上記導電性容器の内周面に沿って環状に形成したことを特徴とする請求項１記載のガス絶縁機器の電圧検出装置。
【請求項３】
上記中間電極と上記絶縁支持部材との間に、第２の環状支持導体と該第２の環状支持導体を上記中間電極に接続する第２の接続導体とを備え、上記第１、第２の環状支持導体は、それぞれ凹部と凸部を備えて互いの凹部と凸部を上記絶縁支持部材を介して嵌合させたことを特徴とする請求項１記載のガス絶縁機器の電圧検出装置。
【請求項４】
上記第２のコンデンサの低圧側を上記導電性容器に電気的に接続する接地線導体と、上記中間電極を上記第２のコンデンサへ電気的に接続する接続導体とを備え、上記接地線導体を上記接続導体を囲むように配置して構成したことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のガス絶縁機器の電圧検出装置。
【請求項５】
絶縁ガスが封入され接地された筒状の導電性容器と、該導電性容器内に同軸に配設された高電圧導体と、上記導電性容器内に上記高電圧導体と所定の距離を隔てかつ同軸に筒状に形成された中間電極とで構成されるガス絶縁機器の上記高電圧導体を電圧検出対象部分として、上記中間電極と上記導電性容器との間に接続された第２のコンデンサと、該第２のコンデンサに並列に接続された電圧センサとを備えて、上記高電圧導体と上記中間電極とで形成される第１のコンデンサと上記第２のコンデンサとの分圧電圧を上記電圧センサに印加することにより電圧検出を行うガス絶縁機器の電圧検出装置において、
上記第２のコンデンサの低圧側を上記導電性容器に電気的に接続する接地線導体と、上記中間電極を上記第２のコンデンサへ電気的に接続する接続導体とを備え、上記接地線導体を上記接続導体を囲むように配置して構成したことを特徴とするガス絶縁機器の電圧検出装置。
【請求項６】
上記接地線導体は、上記接続導体の長手方向に平行に延在する複数の接地線素体で構成し、該複数の接地線素体を上記接続導体を囲むように配置したことを特徴とする請求項４または５記載のガス絶縁機器の電圧検出装置。
【請求項７】
上記接地線導体を筒状に構成して上記接続導体の周りに配置したことを特徴とする請求項４または５記載のガス絶縁機器の電圧検出装置。
【請求項８】
上記中間電極と上記導電性容器との間に避雷器を接続したことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のガス絶縁機器の電圧検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ガス絶縁機器の電圧検出装置に関し、特に、サージ電圧の対策に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ガス絶縁機器に適用される従来の電圧検出装置について以下に示す。図１５は、従来の電圧検出装置の構成を示す断面図である。
図１５に示すように、導電部材からなる導電性容器としての接地金属タンク１は、ガス絶縁開閉器等のガス絶縁機器の筒状外被を構成する。高電圧導体としての母線２は、接地金属タンク１の内部に同軸に配設されている。筒状の中間電極３は接地金属タンク１と母線２との間に接地金属タンク１と同軸に配設され、接地金属タンク１と母線２とのそれぞれと電気的に絶縁して取り付けられている。中間電極３は絶縁支持部材５によって接地金属タンク１の内面に絶縁支持されている。
接地金属タンク１の内部空間９において、中間電極３は、母線２との間で第１のコンデンサとなるキャパシタンスＣ１を構成する。中間電極３には電圧を引き出すための接続導体６が取り付けられ、接続導体６は絶縁スペーサ部材８を貫通して第２のコンデンサ１０の高圧側に接続される。第２のコンデンサ１０の低圧側は接地電位にある外箱１１に接続される。
光電圧センサ１２は第２のコンデンサ１０と並列に接続され、即ち、該光電圧センサ１２の一端がリード線１３により第２のコンデンサ１０の高圧側に接続され、他端は外箱１１に接続される。光電圧センサ１２の出力部には信号処理部１４が光ファイバケーブル１５を介して接続されている。
【０００３】
電圧検出動作について説明する。母線２と中間電極３との間で構成される第１のコンデンサとしてのキャパシタンスＣ１と、第２のコンデンサ１０によるキャパシタンスＣ２との静電容量比による分圧比によって、光電圧センサ１２への印加電圧が決定される。そして、光電圧センサ１２への印加電圧に応じた検出出力が光ファイバケーブル１５を介して信号処理部１４へ導出され、高電圧導体としての母線２の電圧を検出する。
【０００４】
このように構成される電圧検出装置では、母線２に高周波サージ電圧が印加されると、第２のコンデンサ１０と光電圧センサ１２とを含む閉回路にて共振現象が発生し、第２のコンデンサ１０の両端に発生する電圧および光電圧センサ１２の両端に発生する電圧が大きくなるものであった。このため、第２のコンデンサ１０と光電圧センサ１２との接続を無誘導性抵抗体にて行い、光電圧センサ１２に印加されるサージ電圧を抑制すると共に、サージ継続時間を短くしていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２０２００１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した従来のガス絶縁機器の電圧検出装置では、第２のコンデンサ１０と光電圧センサ１２とを含む閉回路内の共振現象には抑制対策が施されたものであったが、母線２に高周波サージ電圧が印加されると、中間電極３の低圧側の電圧分担が大きくなり、電圧検出装置内の各部で過電圧が生じて絶縁破壊に至ることがあった。
【０００７】
この発明は、上記のような問題点を解消するために成されたものであって、高周波サージ電圧の印加時における中間電極低圧側の分担電圧を低減し、電圧検出装置内の各部で過電圧が生じるのを防止して絶縁破壊を回避することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係る第１のガス絶縁機器の電圧検出装置は、絶縁ガスが封入され接地された筒状の導電性容器と、該導電性容器内に同軸に配設された高電圧導体と、上記導電性容器内に上記高電圧導体と所定の距離を隔てかつ同軸に筒状に形成された中間電極とで構成されるガス絶縁機器の上記高電圧導体を電圧検出対象部分として、上記中間電極と上記導電性容器との間に接続された第２のコンデンサと、該第２のコンデンサに並列に接続された電圧センサとを備えて、上記高電圧導体と上記中間電極とで形成される第１のコンデンサと上記第２のコンデンサとの分圧電圧を上記電圧センサに印加することにより電圧検出を行う。そして、上記中間電極を上記導電性容器内に支持する支持部材を備え、該支持部材は、上記筒状の中間電極の外周部に環状絶縁層を介して設けられた第１の環状支持導体と該第１の環状支持導体を上記導電性容器に接続する第１の接続導体とを備えるものである
【０００９】
この発明に係る第２のガス絶縁機器の電圧検出装置は、絶縁ガスが封入され接地された筒状の導電性容器と、該導電性容器内に同軸に配設された高電圧導体と、上記導電性容器内に上記高電圧導体と所定の距離を隔てかつ同軸に筒状に形成された中間電極とで構成されるガス絶縁機器の上記高電圧導体を電圧検出対象部分として、上記中間電極と上記導電性容器との間に接続された第２のコンデンサと、該第２のコンデンサに並列に接続された電圧センサとを備えて、上記高電圧導体と上記中間電極とで形成される第１のコンデンサと上記第２のコンデンサとの分圧電圧を上記電圧センサに印加することにより電圧検出を行う。そして、上記第２のコンデンサの低圧側を上記導電性容器に電気的に接続する接地線導体と、上記中間電極を上記第２のコンデンサへ電気的に接続する接続導体とを備え、上記接地線導体を上記接続導体を囲むように配置して構成したものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明の第１のガス絶縁機器の電圧検出装置によれば、中間電極を導電性容器内に支持する支持部材を備え、該支持部材は、筒状の中間電極の外周部に環状絶縁層を介して設けられた第１の環状支持導体と該第１の環状支持導体を上記導電性容器に接続する第１の接続導体とを備えるため、中間電極と導電性容器との間のキャパシタンスによるインピーダンスを低減できる。このため、高周波サージ電圧の印加時における中間電極低圧側の分担電圧を低減でき、電圧検出装置内の各部で過電圧が生じるのを防止して絶縁破壊を回避できる。
【００１１】
この発明の第２のガス絶縁機器の電圧検出装置によれば、第２のコンデンサの低圧側を導電性容器に電気的に接続する接地線導体と、中間電極を上記第２のコンデンサへ電気的に接続する接続導体とを備え、上記接地線導体を上記接続導体を囲むように配置して構成したため、第２のコンデンサの低圧側から接地電位までのインピーダンスを低減できる。このため、高周波サージ電圧の印加時における中間電極低圧側の分担電圧を低減でき、電圧検出装置内の各部で過電圧が生じるのを防止して絶縁破壊を回避できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１によるガス絶縁機器の電圧検出装置の構成を示す断面図であり、特に図１（ａ）は側断面図を示し、図１（ｂ）は部分横断面図を示している。
図１に示すように、導電部材からなる導電性容器としての接地金属タンク１は、ガス絶縁開閉器等のガス絶縁機器の筒状外被を構成しＳＦ６ガス等の絶縁ガスが充填されている。
電圧検出対象部分の高電圧導体としての母線２は、接地金属タンク１の内部に同軸に配設されている。筒状の中間電極３は接地金属タンク１と母線２との間に接地金属タンク１と同軸に配設され、接地金属タンク１と母線２とのそれぞれと電気的に絶縁して取り付けられている。
中間電極３は、絶縁支持部材としての環状絶縁層１５、第１の環状支持導体（以下、単に環状支持導体３１と称す）および第１の接続導体としての支持導体接続部材３１ａで構成される支持部材によって接地金属タンク１の内面に支持されている。環状絶縁層１５および環状支持導体３１は、中間電極３外周に環状に形成される。また、環状支持導体３１は環状絶縁層１５を介して中間電極３外周に設けられると共に、支持導体接続部材３１ａによって接地金属タンク１の内面に固着され、接地金属タンク１と電気的に接続される。
【００１３】
接地金属タンク１の内部のガス空間において、中間電極３は、母線２との間で第１のコンデンサとなるキャパシタンスＣ１を構成する。中間電極３には電圧を引き出すための接続導体６が取り付けられ、接続導体６は、接地金属タンク１の内部のガス空間と外側の気中とを仕切る絶縁スペーサ部材８を貫通し、第２のコンデンサ１０の高圧側に接続される。第２のコンデンサ１０の低圧側は接地電位にある外箱１１に接続される。２２は、外箱１１と接地金属タンク１とを接続する接地線である。
第２のコンデンサ１０は、電圧センサ１２と並列に接続され、第２のコンデンサ１０および電圧センサ１２は外箱１１に収納される。電圧センサ１２の出力部には、図示しない信号処理部が接続される。
【００１４】
電圧検出動作について説明する。母線２と中間電極３との間で構成される第１のコンデンサとしてのキャパシタンスＣ１と、第２のコンデンサ１０によるキャパシタンスＣ２との分圧比によって、電圧センサ１２への印加電圧が決定される。そして、電圧センサ１２への印加電圧に応じた検出出力が信号処理部へ導出され、信号処理により高電圧導体としての母線２の電圧が検出される。電圧センサ１２は、例えば、第２のコンデンサ１０で電圧分担されたアナログ電圧信号をデジタルに変換するＡ／Ｄ変換器や、抵抗を介して検出した電流を積分して電圧として出力する装置、あるいは光電圧素子から成る光電圧センサが用いられる。
【００１５】
図１で示す電圧検出装置の等価回路図を図２に示す。
図２において、Ｃ１〜Ｃ４、Ｌ１〜Ｌ４およびＲ１は次のように定義される。
Ｃ１：母線２と中間電極３との間のキャパシタンス（第１のコンデンサ１０のキャパシタンス）。
Ｃ２：第２のコンデンサ１０のキャパシタンス。
Ｃ３：絶縁支持部材（環状絶縁層）１５のキャパシタンス。
Ｃ４：電圧センサ１２のキャパシタンス。
Ｌ１：電圧センサ１２を接続するリード線のインダクタンス。
Ｌ２：第２のコンデンサ１０から接地部位までのインダクタンス（第２のコンデンサ１０が持つインダクタンスを含む）。
Ｌ３：絶縁支持部材（環状絶縁層）１５から接地部位までのインダクタンス。
Ｌ４：接続導体６のインダクタンス。
Ｒ１：放電抵抗。
【００１６】
母線２に印加される電圧を検出する電圧検出装置において、中間電極３の低圧側で分担する分担電圧について以下に説明する。
図２において、電圧分担比（分圧比）は電圧検出装置中のＣ１のインピーダンスとＣ１の低圧側の総インピーダンスとの比で決定される。このときの電圧分担比は、電圧センサ１２のキャパシタンスＣ４によるインピーダンスが非常に大きいため、Ｚ１のインピーダンス対Ｚ２、Ｚ３の合同インピーダンスの比となる。ここで、Ｚ１はＣ１によるインピーダンスである。Ｚ２は、Ｌ４、Ｃ２、およびＬ２によるインピーダンスである。Ｚ３は、Ｃ３およびＬ３によるインピーダンスである。
【００１７】
Ｌ１、Ｃ４、Ｒ１のインピーダンスはＣ２、Ｃ３、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４のインピーダンスよりも大きい。
母線２に印加される電圧波形が１００ｋＨｚ以下の低周波成分のみであれば、通常の構成ではＣ２のインピーダンスよりＬ２、Ｌ３、Ｌ４のインピーダンスは十分小さく、Ｃ３のインピーダンスは十分大きい。このため、電圧分担比は、Ｃ１とＣ２とのインピーダンス分担で決定される。
一方、断路器や遮断器などの動作によって生じるサージのような１００ｋＨｚを越える高周波成分を持つ電圧が母線２に印加された場合は、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｃ３はＣ２のインピーダンスと比較して無視できなくなるため、電圧分担比が変化する。母線２に高周波サージ電圧が印加されると、中間電極３の低圧側の分担電圧が大きくなるものであるが、該分担電圧の上昇は、低圧側の電圧分担比を低減することにより抑制できるものである。
【００１８】
図３は電圧分担比と印加電圧の周波数特性との関係を示すものである。従来技術による電圧分担比を示す曲線Ａから、Ｚ２を小さくすると曲線Ｂに示すように電圧分担比を低減でき、またＺ３を小さくすると曲線Ｃに示すように電圧分担比を低減できる。
図４は、電圧分担比の印加電圧周波数依存性を、Ｃ３の値を変化させて示すものである。ここでは、事例として、Ｌ２＝０．１μＨ、Ｌ３＝０．１μＨ、Ｌ４＝０．１μＨ、Ｃ１＝１０ｐＦ、Ｃ２＝１００００ｐＦとして電圧分担比を計算した。Ｃ３の値が大きくなると、Ｚ３が小さくなって電圧分担比が小さくなり、電圧検出装置内の各部に発生する過電圧を抑制できる。
図５、図６は、印加電圧の周波数１００ＭＨｚにおける電圧分担比のＣ３依存性を示すものである。特に、図６はＬ３の値を変化させて示した。図に示すように、Ｃ３の値が１０ｐＦから２０ｐＦで、従来のＣ３の値（０．１ｐＦ以下）に対して、電圧分担比が半分程度となる。ＬやＣ２の値にもよるが、Ｃ３を１０ｐＦ以上とすれば、電圧検出装置内の各部に発生する過電圧を十分抑制できる。また、Ｌ３の値が小さいほど電圧分担比も小さくできる。
【００１９】
この実施の形態１では、上述したように、中間電極３を接地金属タンク１の内面に支持する支持部材を、環状絶縁層１５、環状支持導体３１および支持導体接続部材３１ａで構成した。これにより、絶縁支持部材となる環状絶縁層１５を薄く、また面積を大きく形成できる。このため、図２で示す等価回路における絶縁支持部材（環状絶縁層）１５のキャパシタンスＣ３を増大してＺ３のインピーダンスが低減する。これにより、電圧検出装置の低圧側の電圧分担比が小さくなり、電圧検出装置内の各部に発生する過電圧を抑制できる。このため、絶縁部材、特に絶縁支持部材（環状絶縁層）１５および絶縁スペーサ部材８での絶縁破壊を防止できる。
【００２０】
図７は、この実施の形態１の別例によるガス絶縁機器の電圧検出装置の構成を示す部分断面図であり、特に図７（ａ）は側断面図を示し、図７（ｂ）は横断面図を示している。この例では、図１で示した電圧検出装置において、中間電極３と接地金属タンク１の接地部位との間にサージ抑制手段となるアレスタ（避雷器）ＡＲが接続されている。このように、環状絶縁層１５によるキャパシタンスＣ３と並列にアレスタ（避雷器）ＡＲが接続されることになり、環状絶縁層１５での過電圧の発生がさらに抑制され、環状絶縁層１５の絶縁破壊が確実に防止できる。
【００２１】
図８は、実施の形態１における更に別例によるガス絶縁機器の電圧検出装置の構成を示す部分断面図であり、特に図８（ａ）は側断面図を示し、図８（ｂ）は横断面図を示している。図１で示した電圧検出装置と同様に、環状支持導体３１は環状絶縁層１５を介して中間電極３外周に設けられると共に、第１の接続導体としての支持導体接続部材３１ｂによって接地金属タンク１の内面に固着され、接地金属タンク１と電気的に接続されるが、この例では、支持導体接続部材３１ｂが接地金属タンク１の内周面に沿って環状に形成される。このため、上記実施の形態１と同様にＣ３を増大できる効果が得られると共に、さらに絶縁支持部材（環状絶縁層）１５から接地部位までのインダクタンスＬ３を低減することができる。これにより、Ｚ３のインピーダンスをさらに低減できて電圧検出装置の低圧側の電圧分担比を一層低減でき、過電圧抑制効果が高まる。
【００２２】
実施の形態２．
なお、上記実施の形態１では、絶縁支持部材としての環状絶縁層１５は中間電極３の外周部に接して配置されるものであったが、中間電極３を接地金属タンク１の内面に支持する支持部材を図９、図１０のように構成しても良い。図９および図１０は、この発明の実施の形態２による、中間電極３を接地金属タンク１の内面に支持する支持部材の構造を示す側断面図および横断面図である。なお、図で示した支持部材以外の構造は、上記実施の形態１と同様である。
【００２３】
図９、図１０に示すように、第１の環状支持導体としてのタンク側環状支持導体２６ａと、第２の環状支持導体としての中間電極側環状支持導体２４ａとは、絶縁支持部材を構成する環状絶縁層２５を介して互いに嵌合し嵌合構造部ＣＳを構成している。タンク側環状支持導体２６ａは、第１の接続導体としてのタンク側接続導体２６によって接地金属タンク１と接続される。また、中間電極側環状支持導体２４ａは、第２の接続導体としての中間電極側接続導体２４によって中間電極３と接続される。また、図９に示すように、中間電極側環状支持導体２４ａおよびタンク側環状支持導体２６ａは、それぞれ凹部と凸部を備えて互いの凹部と凸部を環状絶縁層２５を介して互いに嵌合させる。ここでは、中間電極側環状支持導体２４ａの接地金属タンク１の軸方向に突出した凸部と、タンク側環状支持導体２６ａの凹部とが厚さＧの環状絶縁層２５を介して互いに嵌合された状態である。
【００２４】
これにより、中間電極３と接地金属タンク１との間の絶縁支持部材を構成する環状絶縁層２５は、実施の形態１の絶縁支持部材（環状絶縁層１５）よりもさらに薄く、また広い面積で形成でき、絶縁支持部材（環状絶縁層）のキャパシタンスＣ３をさらに増大できる。これにより、Ｚ３のインピーダンスをさらに低減して電圧検出装置の低圧側の電圧分担比が小さくなり、電圧検出装置内の各部に発生する過電圧をさらに抑制できる。
【００２５】
なお、上記実施の形態１、２では中間電極３と接地金属タンク１との間の絶縁支持部材を構成する環状絶縁層１５、２５の形状を薄く広く形成してキャパシタンスＣ３を増大させるものであったが、環状絶縁層１５、２５を高い誘電率を有する材料で構成するとより効果的にＣ３を増大できる。通常、Ｃ３部に広く使用される絶縁材料は、シリカ材料を使ったエポキシ樹脂や、ＦＲＰが中心であり、比誘電率は４であるが、ここでは、アルミナエポキシ樹脂（比誘電率６）などの高い誘電率材料を用いる。
また、Ｃ３部に並列にコンデンサを配置することによってもキャパシタンスＣ３を大きくできる。
【００２６】
実施の形態３．
図１１は、この実施の形態３によるガス絶縁機器の電圧検出装置の構成を示す部分断面図であり、特に図１１（ａ）は側断面図を示し、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）におけるXI(b)−XI(b)線による断面図を示している。
なお、図１１は、便宜上、中間電極３の低圧側のみを示し、さらに外箱１１内の図示を省略したが、省略された部分は、図１で示す上記実施の形態１と同様である。
図に示すように、中間電極３は、絶縁支持部材５によって接地金属タンク１の内面に支持されている。ここでの絶縁支持部材５は従来のものと同様に支柱である。中間電極３には電圧を引き出すための接続導体６が取り付けられ、接続導体６は、接地金属タンク１の内部のガス空間と外側の気中とを仕切る絶縁スペーサ部材８を貫通し、第２のコンデンサ１０の高圧側に接続される。第２のコンデンサ１０の低圧側は接地電位にある外箱１１に接続される。絶縁スペーサ部材８は、ボルト部材ＢＬによって接地金属タンク１のフランジ部１ｂに締結される。なお、１ａは、フランジ部１ｂのタンク側および外箱側に接続導体６を囲むように形成された筒状接続導体で、タンク側フランジ部１ｂを接地金属タンク１に、外箱側フランジ部１ｂを外箱１に接続する。２２は、図示しない第２のコンデンサ１０の低圧側端子および外箱１１を接地電位に保持されている接地金属タンク１へ電気的に接続する接地線導体である。
【００２７】
この場合、接地線導体２２を接続導体６の長手方向に平行に延在する複数の接地線素体２２ａで構成し、この複数の接地線素体２２ａを接続導体６を囲むように配置する。このように接地線導体２２を構成することにより接地線導体２２のインダクタンスを低減でき、図２の等価回路で示す、第２のコンデンサ１０から接地部位までのインダクタンスＬ２を低減できる。このため、Ｌ４、Ｃ２、およびＬ２によるインピーダンスであるＺ２を低減できる。
上述したように、Ｚ２の低減により電圧検出装置の電圧分担比は低減できる。図１２は、電圧分担比の印加電圧周波数依存性を、Ｌ２の値を変化させて示すものである。
Ｌ２の値が小さくなると、Ｚ２が小さくなって電圧分担比が小さくなり、電圧検出装置内の各部に発生する過電圧を抑制できる。このため、絶縁部材、特に絶縁支持部材（環状絶縁層）および絶縁スペーサ部材８での絶縁破壊を防止できる。
【００２８】
図１３は、この実施の形態３の別例によるガス絶縁機器の電圧検出装置の構成を示す部分断面図であり、特に図１３（ａ）は側断面図を示し、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）におけるXIII(b)−XIII(b)線による断面図を示している。
図１３に示すように、接地線導体２２は筒状導体２２ｂで構成して、該筒状導体２２ｂを接続導体６の周りに配置しても良い。この場合も、接地線導体２２のインダクタンスを低減でき上記実施の形態３と同様の効果が得られる。
【００２９】
図１４は、この実施の形態３のさらに別例によるガス絶縁機器の電圧検出装置の構成を示す部分断面図であり、特に図１４（ａ）は側断面図を示し、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）におけるXIV(b)−XIV(b)線による断面図を示している。
図１４に示すように、接地線導体２２は、絶縁スペーサ部材８の外周面を覆うように配設された筒状導体２２ｃで構成し、絶縁スペーサ部材８を介して対向する接地金属タンク１のタンク側および外箱側のフランジ１ｂを互いに電気的に接続する。この場合も、接地線導体２２のインダクタンスを低減でき上記実施の形態３と同様の効果が得られる。
。
【００３０】
なお、この実施の形態３で示した接地線導体２２の構造は、上記実施の形態１、２で示した、絶縁支持部材に環状絶縁層１５、２５を用いた電圧検出装置に適用しても良い。その場合、キャパシタンスＣ３を増大できるため、Ｚ２とＺ３との双方のインピーダンスが低減でき、電圧分担比がさらに低減できて過電圧抑制効果が向上する。
【００３１】
なお、上記実施の形態１〜３で示したガス絶縁機器の電圧検出装置は、３相ガス絶縁開閉装置（ＧＩＳ）用の電圧検出装置への適用も可能である。例えば、相別に３台の電圧検出装置に各々適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】この発明の実施の形態１におけるガス絶縁機器の電圧検出装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１で示す電圧検出装置の等価回路図である。
【図３】この発明の実施の形態１における電圧分担比と印加電圧の周波数特性との関係を示す図である。
【図４】この発明の実施の形態１における電圧分担比の印加電圧周波数依存性を、Ｃ３の値を変化させて示す図である。
【図５】この発明の実施の形態１における電圧分担比のＣ３依存性を示す図である。
【図６】この発明の実施の形態１における電圧分担比のＣ３依存性をＬ３の値を変化させて示す図である。
【図７】この発明の実施の形態１の別例におけるガス絶縁機器の電圧検出装置の構成を示す断面図である。
【図８】この発明の実施の形態１の別例におけるガス絶縁機器の電圧検出装置の構成を示す断面図である。
【図９】この発明の実施の形態２における、中間電極を接地金属タンク内面に支持する支持部材の構造を示す側断面図である。
【図１０】この発明の実施の形態２による、中間電極を接地金属タンク内面に支持する支持部材の構造を示す横断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態３におけるガス絶縁機器の電圧検出装置の構成を示す部分断面図である。
【図１２】この発明の実施の形態３における電圧分担比の印加電圧周波数依存性を、Ｌ２の値を変化させて示す図である。
【図１３】この発明の実施の形態３の別例におけるガス絶縁機器の電圧検出装置の構成を示す断面図である。
【図１４】この発明の実施の形態３の別例におけるガス絶縁機器の電圧検出装置の構成を示す断面図である。
【図１５】従来のガス絶縁機器の電圧検出装置の構成を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００３３】
１  導電性容器としての接地金属タンク、２  高電圧導体としての母線、
３  中間電極、６  接続導体、８  絶縁スペーサ部材、１０  第２のコンデンサ、
１２  電圧センサ、１５  絶縁支持部材としての環状絶縁層、
２２  接地線（接地線導体）、２２ａ  接地線素体、
２２ｂ，２２ｃ  筒状導体（接地線導体）、
２４  第２の接続導体としての中間電極側接続導体、
２４ａ  第２の環状支持導体としての中間電極側環状支持導体、
２５  絶縁支持部材としての環状絶縁層、
２６  第１の接続導体としてのタンク側接続導体、
２６ａ  第１の環状支持導体としてのタンク側環状支持導体、
３１  第１の環状支持導体、
３１ａ，３１ｂ  第１の接続導体としての支持導体接続部材、ＡＲ  避雷器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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