(57)【要約】【課題】結晶が均一で抵抗値が低く電気的な動作が安定なＩＴＯ膜を成膜する液晶表示素子の作製方法を提供する。【解決手段】画素電極１０と光透過性共通電極（ＩＴＯ４）の間に注入された液晶層６を有する液晶表示素子１の作製方法において、真空槽にターゲットを載置する陰極板と、陰極板に対向配置され、ターゲットに対向配置するように光透過性基板２を支持する陽極板と、ターゲットをスパッタするスパッタ源とを有するスパッタ装置を用い、陽極板に支持された基板を温度２２０℃に保った状態で、スパッタレートを０．５ｎｍ〜０．７ｎｍ／分間にして、スパッタ源によりターゲットをスパッタして光透過性基板２上に光透過性共通電極を形成する。【選択図】      図１
2006337447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と光透過性共通電極の間に注入された液晶層を有する液晶表示素子の作製方法において、
真空槽にターゲットを載置する陰極板と、前記陰極板に対向配置され、前記ターゲットに対向配置するように光透過性基板を支持する陽極板と、前記ターゲットをスパッタするスパッタ源とを有するスパッタ装置を用い、前記陽極板に支持された基板を温度２２０℃に保った状態で、スパッタレートを０．５ｎｍ〜０．７ｎｍ／分間にして、前記スパッタ源により前記ターゲットをスパッタして前記光透過性基板上に前記光透過性共通電極を形成することを特徴とする液晶表示素子の作製方法。
【請求項２】
基板上に複数の反射画素電極と、液晶層と、光透過性共通電極と、光透過性基板が順次積層された液晶表示素子において、
前記光透過性共通電極は、前記光透過性基板側から厚さ０．６ｎｍ〜２．５ｎｍのＡｇ系金属膜と、厚さ４ｎｍ〜１８ｎｍの酸化物導電膜とが順次積層された構成であるか、又は厚さ２ｎｍ〜９ｎｍの第１の酸化物導電膜と厚さ０．６ｎｍ〜２．５ｎｍのＡｇ系金属膜と、厚さ２ｎｍ〜９ｎｍの第２の酸化物導電膜とが順次積層された構成であることを特徴とする液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示素子の作製方法及び液晶表示素子に係り、特にビデオプロジェクタ、リアプロジェクションＴＶなどの大画面ディスプレイに用いられる液晶表示素子の作製方法及び液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示素子を用いた大画面ディスプレイ用の光源としては、低消費電力で高輝度が得られる放電タイプのメタルハライドランプが用いられている。このメタルハライドランプは可視光波長領域で可視光波長の光に重畳して特定の波長の輝線光を放射する。
この輝線光の波長は４４０ｎｍ，５４０ｎｍ，５８０ｎｍ及びこれらの波長付近の波長である。
【０００３】
液晶表示素子の液晶層の厚さは数μｍと非常に薄いため、液晶表示素子を構成する透明基板や液晶の界面のわずかな凹凸が、輝線光による反射光となり干渉縞を発生させ大画面ディスプレイでの表示画像の画質を大きく劣化させる。
【０００４】
このため、従来は反射防止膜を液晶表示素子の内部に構成し反射光による干渉縞の発生を除去していた。
図９に従来の液晶表示素子の断面図と輝線光の反射特性を示す。（Ａ）は従来の液晶表示素子の断面を示す図であり、（Ｂ）は輝線光の反射特性を示す図である。
【０００５】
図９（Ａ）に示すように、従来の液晶表示素子１００は、光源からの入射光を最初に透過させ液晶を保護する前ガラス基板１０１と、透明導電膜での入射光による反射を防ぐために輝線光の波長の１／４λの厚さＡｌ２Ｏ３で形成される反射防止膜１０２と、前配向膜に電圧をかける輝線光の波長の１／２λの厚さＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）で形成される透明導電膜１０３と、透明導電膜１０３での反射電極からの反射光による反射を防ぐために輝線光の波長の１／４λの厚さＡｌ２Ｏ３で形成される反射防止膜１０４と、供給される電圧値に応じて液晶の配列を制御する前配向膜１０５と、配向膜間に加えられた電圧値により配列が設定される液晶１０６と、前配向膜１０５との間に加えられた電圧値により液晶の配列を制御する後配向膜１０７と、液晶表示素子の基盤である後基板１０８と、表示画像に応じて画素電極を制御するＴＦＴ１０９と、入射光を反射して画素毎の反射光とする画素電極１１０と、から構成される。
【０００６】
そして、光源からの入射光を前ガラス基板１０１から入射して表示する画像に応じて液晶で入射光の配列を制御し、次に画素電極で反射光に変換したのち再び画像に応じて液晶で反射光の配列を制御して前ガラス基板１０１から放射し、この放射された反射光を図示していないスクリーンに投影して投影画像とする。
図９（Ｂ）には、このときの入射光及び反射光の反射特性を示す。
【０００７】
反射防止膜１０２，１０４、を設定していない場合は、図示していないが反射率は各波長域で３％以上であり、反射防止膜１０２，１０４により反射特性を改善することができる。
【０００８】
つぎに、図１０に従来の液晶表示素子の配向膜の成膜までの作製手順を示す。
（１）まず透明なガラス基板を準備する。
（２）入射光側に汎用の反射防止膜を設ける。
（３）液晶側のガラス基板面にＩＴＯの入射光側の反射防止膜として１／４λの厚さのＡｌ２Ｏ３を成膜する。
（４）ＩＴＯ膜を２００〜２２０℃で１／２λの厚さに成膜する。
シート抵抗値５０Ω／□以下とする。（厚さ７０ｎｍ:３０Ω／□）
（５）ＩＴＯ膜ボンディングパット部をマスクし液晶側のガラス基板面にＩＴＯの反射光側の反射防止膜として１／４λの厚さのＡｌ２Ｏ３を成膜。
（６）配光膜を形成する。
【０００９】
このようにして反射防止膜１０２，１０４、を成膜することにより、従来の液晶表示素子の反射特性を改善することができる。
【００１０】
特許文献１には、光源からの入射光を前ガラス基板から入射して表示する画像に応じて液晶で入射光の配列を制御し、次に画素電極で反射光に変換したのち再び画像に応じて液晶で反射光の配列を制御して前ガラス基板１０１から放射する従来の液晶表示素子の反射特性の改善に、１／２λの厚さのＩＴＯ膜に対して１／４λの厚さのＡｌ２Ｏ３を成膜することが記載されている。
【特許文献１】特開２０００−５６２９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、光源からの入射光を前ガラス基板から入射して表示する画像に応じて液晶で入射光の配列を制御し、次に画素電極で反射光に変換したのち再び画像に応じて液晶で反射光の配列を制御して前ガラス基板１０１から放射する、従来の液晶表示素子の反射特性の改善に、１／２λの厚さのＩＴＯ膜に対して１／４λの厚さのＡｌ２Ｏ３を成膜することは、特に厚さの厚いＩＴＯ膜の成膜時に結晶の不均一性を生じて入射光及び反射光の透過特性を劣化させ、この対応に薄い厚さのＩＴＯ膜を成膜すると、結晶の不均一性は改善されるもののシート抵抗値が高くなり、このため電気的な動作が不安定となり外部雑音の影響を受けて反射光の透過特性が劣化すると言う問題点があった。
【００１２】
そこで、本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、結晶が均一で抵抗値が低く電気的な動作が安定なＩＴＯ膜を成膜する液晶表示素子の作製方法及び液晶表示素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願発明における第１の発明は、画素電極と光透過性共通電極の間に注入された液晶層を有する液晶表示素子の作製方法において、真空槽にターゲットを載置する陰極板と、前記陰極板に対向配置され、前記ターゲットに対向配置するように光透過性基板を支持する陽極板と、前記ターゲットをスパッタするスパッタ源とを有するスパッタ装置を用い、前記陽極板に支持された基板を温度２２０℃に保った状態で、スパッタレートを０．５ｎｍ〜０．７ｎｍ／分間にして、前記スパッタ源により前記ターゲットをスパッタして前記光透過性基板上に前記光透過性共通電極を形成することを特徴とする液晶表示素子の作製方法を提供する。
第２の発明は、基板上に複数の反射画素電極と、液晶層と、光透過性共通電極と、光透過性基板が順次積層された液晶表示素子において、前記光透過性共通電極は、前記光透過性基板側から厚さ０．６ｎｍ〜２．５ｎｍのＡｇ系金属膜と、厚さ４ｎｍ〜１８ｎｍの酸化物導電膜とが順次積層された構成であるか、又は厚さ２ｎｍ〜９ｎｍの第１の酸化物導電膜と厚さ０．６ｎｍ〜２．５ｎｍのＡｇ系金属膜と、厚さ２ｎｍ〜９ｎｍの第２の酸化物導電膜とが順次積層された構成であることを特徴とする液晶表示素子を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、画素電極と光透過性共通電極の間に注入された液晶層を有する液晶表示素子の作製方法において、真空槽にターゲットを載置する陰極板と、陰極板に対向配置され、ターゲットに対向配置するように光透過性基板を支持する陽極板と、ターゲットをスパッタするスパッタ源とを有するスパッタ装置を用い、陽極板に支持された基板を温度２２０℃に保った状態で、スパッタレートを０．５ｎｍ〜０．７ｎｍ／分間にして、スパッタ源によりターゲットをスパッタして光透過性基板上に光透過性共通電極を形成することにより、結晶の均一な薄い厚さのＩＴＯ膜を成膜しても抵抗値が低く電気的な動作が安定な液晶表示素子を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に本発明の実施形態に係る液晶表示素子の作製方法及び液晶素子について図１〜図８を用いて説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る液晶表示素子の断面図と輝線光の反射特性を示す。（Ａ）は液晶表示素子の断面を示す図であり、（Ｂ）は輝線光の反射特性を示す図である。
図２は、本発明の実施形態に係る液晶表示素子の作製方法を示す図である。
図３は、本発明の実施形態に係る液晶表示素子を用いた表示システムを示す図である。
図４は、図１における反射膜と透明導電膜の構成を示す図であり、（Ａ）は反射膜と透明導電膜を示す図であり、（Ｂ）は透明導電膜と反射膜と透明導電膜を示す図である。
図５は、前ガラス基板２（コーニング1737）／Ａｇ系金属膜３（膜厚ｔｎｍ）／配向膜５／液晶６（ＬＣ）を形成したときの単層Ａｇ系金属膜の膜厚ｔと透過率Ｔの波長特性の関係を示す図である。
図６は、（コーニング1737）／Ａｇ系金属膜３（膜厚ｔｎｍ）／ＩＴＯ４（膜厚ｄｎｍ）／配向膜５／液晶６（ＬＣ）を形成したときの単層Ａｇ系金属膜３の膜厚ｔ、ＩＴＯ膜厚ｄと透過率Ｔの波長特性の関係を示す図であり、（Ａ）は透過特性を示す図であり、（Ｂ）は反射特性を示す図である。
図７は、図６と同じ膜膜構成試料における反射率との波長の関係を示し、典型例としてＡｇ系金属膜３１．５ｎｍ、２ｎｍでＩＴＯ４膜厚１０、１５、２０ｎｍの結果を示した図である。
図８は、プロセスを説明するための構成図であり、（Ａ）は従来のプロセス構成を示す図であり、（Ｂ）は本発明の実施形態に係るプロセス構成を示す図である。
【００１６】
図１（Ａ）に示すように、本発明の実施形態に係る液晶表示素子１は、光源からの入射光を最初に透過させ液晶を保護する前ガラス基板２と、透明導電膜での入射光による反射を防ぐために略０．６ｎｍ〜２．５ｎｍの厚さのＡｇ系金属膜で形成される反射防止膜３と、前配向膜に電圧をかける略４ｎｍ〜１８ｎｍの厚さＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）で形成される透明導電膜４と、供給される電圧値に応じて液晶の配列を制御する前配向膜５と、前後の配向膜間に加えられた電圧値により配列が設定される液晶６と、前配向膜５との間に加えられた電圧値により液晶の配列を制御する後配向膜７と、液晶表示素子の基盤である後基板８と、表示画像に応じて画素電極を制御するＴＦＴ９と、入射光を反射して画素毎の反射光とする画素電極１０と、から構成される。
【００１７】
そして、本発明の実施形態に係る液晶表示素子１においては、光源からの入射光を前ガラス基板２から入射して表示する画像に応じて液晶６で入射光の配列を制御し、次に画素電極１０で反射光に変換したのち再び画像に応じて液晶６で反射光の配列を制御して前ガラス基板２から放射し、この放射された反射光を図示していないスクリーンに投影して投影画像とする。
図１（Ｂ）には、このときの入射光及び反射光の透明導電膜４界面における反射特性を示す。
【００１８】
図１［Ｂ］に示すように、従来の反射特性２に比較し、本発明の実施形態に係る液晶表示素子１の反射特性１は、略２ｎｍの厚さのＡｇ系金属膜で形成される反射防止膜３と、前配向膜５に電圧をかける略１５ｎｍの厚さＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）で形成される透明導電膜４と、により反射率を略半分以下とすることができる。
【００１９】
つぎに、図２により、本発明の実施形態に係る液晶表示素子１の配向膜の成膜までの作製手順を説明する。
（１）まず透明なガラス基板を準備する。
（２）入射光側に汎用の反射防止膜を設ける。
（３）液晶側のガラス基板面にＩＴＯの入射光側の反射防止膜としてＡｇ系金属膜を略０．５ｎｍ〜２．５ｎｍ成膜する。
（４）ＩＴＯ膜を２００〜２２０℃で４ｎｍ〜２０ｎｍの厚さに成膜する。
Ａｇ系金属膜と合わせシート抵抗値５０Ω／□以下とする。
＊反射光の状況により、ＩＴＯの反射光側の反射防止膜としてＡｇ系金属膜を略０．５ｎｍ〜２．５ｎｍ成膜する。
（５）配光膜を形成する。
【００２０】
このようにすれば、薄いＩＴＯ膜の反射防止膜としてＡｇ系金属膜を用いることにより、低いシート抵抗値でかつ凹凸がなく、反射特性が優れた液晶表示素子を作製することができる。
【００２１】
次に、画素電極１０と光透過性透明電極（ＩＴＯ４）の間に注入された液晶層６を有する液晶表示素子１の光透過性透明電極の作製方法について詳細に説明する。
まず、画素電極１０と光透過性共通電極４の間に注入された液晶層６を有する液晶表示素子１の作製方法において、真空槽にターゲットを載置する陰極板と、陰極板に対向配置され、ターゲットに対向配置するように光透過性基板２を支持する陽極板と、ターゲットをスパッタするスパッタ源とを有するスパッタ装置を用い、陽極板に支持された基板を温度２２０℃に保った状態で、スパッタレートを０．５ｎｍ〜０．７ｎｍ／分間にして、スパッタ源によりターゲットをスパッタして光透過性基板２上に光透過性共通電極を形成する。
【００２２】
以上述べた作製方法により、結晶の均一な薄い厚さのＩＴＯ膜を成膜しても抵抗値が低く電気的な動作が安定な液晶表示素子を作製することができる。そして、表面が平坦で反射特性に優れかつＡｇ系金属膜と合わせシート抵抗値５０Ω／□以下の光透過性透明電極（ＩＴＯ４）を得ることができる。
【００２３】
次に、図３により、本発明の実施形態に係る液晶表示素子を用いた表示システムを説明する。図３に示される表示システムにおいては、画像を表示する液晶表示素子１と、液晶表示素子１を駆動する駆動部１２と、液晶表示素子１に入射光を供給する光源１３と、光源１３から放射される赤外光を除去する赤外光除去フィルター１４と、液晶表示素子１の入射光は反射し反射光は透過させるハーフミラー１５と、反射光からの不要な光を除去する乱反射光除去フィルター１６と、反射光をスクリーンに投射レンズ１７と、投射レンズ１７により反射光を投影され画像を表示するスクリーン１８と、から構成される。
【００２４】
そして、本発明の実施形態に係る液晶表示素子を用いた表示システムの動作について説明する。
液晶表示素子１の画素電極１０の画素毎に駆動部１２から表示される画像に応じた制御を行うと、光源から放射された光がハーフミラー１５を経由して入射光となり、この入射光を画像に応じて制御することにより画素電極１０から反射された反射光が画像を形成して液晶表示素子１から出射され、この反射光はハーフミラー１５を経由して投射レンズ１７によりスクリーン１８に投影され画像を表示する。
【００２５】
以上述べてきたように、本発明の実施形態に係る液晶表示素子の作製方法によれば、結晶が均一で抵抗値が低く電気的な動作が安定なＩＴＯ膜を成膜することにより、干渉縞やムラのない良好な画像をスクリーンに表示することのできる液晶表示素子を作製することが出来る。
【００２６】
次に、本発明に係る液晶表示素子１の詳細を図１、図４〜図７の図面に示す実施形態に基づいて説明する。なお、本実施形態は、液晶プロジェクタに用いられる、画素電極が反射膜（反射板）としての機能を有する反射型のアクティブマトリックス駆動方式の液晶表示素子に本発明を適用したものである。
【００２７】
図１は本実施形態の液晶表示素子（液晶セル）の構成を示す要部断面説明図である。同図に示すように、本実施形態の液晶表示素子１では、前面側に位置する前ガラス基板２の背面の表示領域全体に、二層もしくは三層で構成される透明電極（共通電極）膜が形成され、その背面に前配向膜５が形成されている。
また、前ガラス基板２に対向する後基板８の前面側には光反射性を有するメタルでなる画素電極１０がマトリクス状に配置されそれぞれの電極にスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ９）が接続されている。これら画素電極１０、ＴＦＴ９、を含めた後基板８の前面には後配向膜７が形成されている。
前配向膜５と後配向膜７で所定の厚さに形成された間隙内に負の誘電異方性を有するネマティック型液晶６が封止されている。
本実施形態の液晶デバイス1は、反射方式の表示であるため、図１に示すように前ガラス基板2側から入射した入射光は、前基板2、共通電極3，４、前配向膜５、液晶６の配光状態に応じて偏光され後配向膜７を介して画素電極１０で反射され、入射と逆の光路を通り反射光として出射される。  
上記液晶と反射防止膜と配向膜を備えた前基板で発生する干渉縞の発生評価には、反射型液晶表示素子を従来の光源にメタルハライドランプを用いた液晶プロジェクタに組み込んで行った。この時可視光領域で光学反射率特性を、０．７％に制御することで干渉縞発生はゼロとなることを確認している。
【００２８】
まず、従来の液晶表示素子１００（液晶セル）の構成からなる反射防止透明電極（図８の１０２，１０３，１０４）のプロセスをまず説明する。
１．空気側表面に空気に対する反射防止（ＡＲ）多層膜を設けた（図８では省略）前ガラス基板の液晶側面に真空成膜法で第1層光学膜厚１／４λのＡｌ2Ｏ3膜と第２層１/２λのＩＴＯ膜を連続成膜する。成膜温度は結晶質低抵抗ＩＴＯを得るために２２０℃一定である。
２．取り出し、ＩＴＯ透明電極のボンディングパッド部に第３層絶縁膜が着かないようマスクした冶具に入れ替える。（このとき上記１．の成膜プロセスに付随の付着物を除去するため洗滌も行う）  
３．再度、真空成膜法で第３層の１／４λＡｌ2Ｏ3膜を形成する。
４．その上に前配向膜を形成し、以下液晶表示素子に仕上げていく。
この時、希少金属Ｉｎを用いたＩＴＯは約７０ｎｍの厚みでシート抵抗約３０Ω／□以下となる。
【００２９】
次に、本発明の実施形態の液晶表示素子（液晶セル）の反射防止透明電極（図１の３，４）のプロセスを図８(Ａ)，(Ｂ)を用いて説明する。
１．図８（Ａ）において、空気側表面に空気に対する反射防止（ＡＲ）多層膜を設けた（図１で    は省略）前ガラス基板の液晶側面に真空成膜法で第1層のＡｇ系金属膜３（図１の３）の膜厚約    ２ｎｍ以下と第２層の約１５ｎｍのＩＴＯ膜４（図１の４）を連続成膜する。成膜温度は２２０    ℃一定としている。
図８（Ｂ）においては、前記第1層のＡｇ系膜３の前にＩＴＯ膜４を約２ｎｍ成膜する。    
２．    前記従来プロセス４と同様に．その上に前配向膜５を形成し、以下液晶表示素子に仕上げて    いく。
この時、希少金属Ｉｎを用いたＩＴＯは従来の略１／５の厚みの約１５ｎｍと低コストでＡｇ系膜を含めたシート抵抗は約５０Ω／□となり安定する。
以上より明らかなように、本実施例のプロセスは従来プロセスに比べプロセスが簡単で安定した生産性の高い低コスト化が実現できる。
【００３０】
図５には、前ガラス基板２（コーニング1737）／Ａｇ系金属膜３（膜厚ｔｎｍ）／配向膜５／液晶６（ＬＣ）を形成したときの単層Ａｇ系金属膜の膜厚ｔと透過率Ｔの波長特性の関係を示す。４５０ｎｍ-６５０ｎｍ領域では波長増と共に単調減少し、膜厚ｔ増加で透過率Ｔは長波長ほど大きく減少する。
【００３１】
図６（Ａ）には、（コーニング1737）／Ａｇ系金属膜３（膜厚ｔｎｍ）／ＩＴＯ４（膜厚ｄｎｍ）／配向膜５／液晶６（ＬＣ）を形成したときの単層Ａｇ系金属膜３の膜厚ｔ、ＩＴＯ膜厚ｄと透過率Ｔの波長特性の関係を示す。煩雑になるので膜厚ｔが１、１．５、２、３ｎｍおよびＩＴＯ膜厚ｄが０と１２ｎｍを中心に示した。この系の２層膜は何れも極薄いＡｇ系金属膜３にＩＴＯ膜４を約４ｎｍ以上設けることでＡｇ系金属膜単体よりも５００ｎｍ以上ではより高い透過率を有する。図６（Ｂ）には反射特性を示す。
【００３２】
図７には、図６と同じ膜膜構成試料における反射率との波長の関係を示す。典型例としてＡｇ系金属膜３１．５ｎｍ、２ｎｍでＩＴＯ４膜厚１０、１５、２０ｎｍの結果を示した。可視光領域（ここでは４５０−６６０ｎｍ）で光学反射率が０．７％以下の領域の膜厚構成でコントラスト比の低下が無く且つ干渉縞は発生しないことを確認した。また、１％以上の反射率では干渉縞の発生する確率が増えることが分かった。
可視光領域の波長に対し反射率Ｒ０．７％で且つ高効率の透過率Ｔ９７．５％以上の優れた反射透過特性の膜厚構成は、概ねＡｇ(銀)系金属膜の膜厚が２．５ｎｍ以下で、ＩＴＯ４の膜厚は４ｎｍ−１８ｎｍで実現できる。Ａｇ(銀)系金属膜は非常に薄い０．６ｎｍにおいても良好な光学、電気特性が得られるものの、これより薄くすると電気抵抗が高くなり実用上好ましくない。
【００３３】
そして、前ガラス基板２に第1層のＩＴＯ膜４（膜厚ｔ1）を２−４ｎｍ成膜し、連続して第２層のＡｇ系金属膜３と第３層のＩＴＯ４（膜厚ｔ２）を成膜し、前記図６、図７と同様の評価を行った。その結果、光学的には前記２層電極膜と略同等の優れた特性が得られ、更には見かけのシート抵抗は膜厚ｔ１が２ｎｍ以上で約２０％低下することが明らかとなった。これは、第1層のＩＴＯ膜４によりＡｇ系金属膜３の結晶性が改善されたことに起因するものと考えられる。
【００３４】
以上述べてきたように、本発明の実施形態の液晶表示素子によれば、プロセスが簡単で安定した生産性の高い低コストで、且つ高コントラストで干渉縞の発生が抑制されて画像表示品質が高く、効率の高い光源を用いる液晶表示素子の提供ができる。大きなコストダウン効果に加えて希少資源の市場低減効果も大きい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示素子の断面図と輝線光の反射特性を示す。（Ａ）は液晶表示素子の断面を示す図であり、（Ｂ）は輝線光の反射特性を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に係る液晶表示素子の作製方法を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶表示素子を用いた表示システムを示す図である。
【図４】図１における反射膜と透明導電膜の構成を示す図であり、（Ａ）は反射膜と透明導電膜を示す図であり、（Ｂ）は導電膜と反射膜と透明導電膜を示す図である。
【図５】前ガラス基板２（コーニング1737）／Ａｇ系金属膜３（膜厚ｔｎｍ）／配向膜５／液晶６（ＬＣ）を形成したときの単層Ａｇ系金属膜の膜厚ｔと透過率Ｔの波長特性の関係を示す図である。
【図６】（コーニング1737）／Ａｇ系金属膜３（膜厚ｔｎｍ）／ＩＴＯ４（膜厚ｄｎｍ）／配向膜５／液晶６（ＬＣ）を形成したときの単層Ａｇ系金属膜３の膜厚ｔ、ＩＴＯ膜厚ｄと透過率Ｔの波長特性の関係を示す図であり、（Ａ）は透過特性を示す図であり、（Ｂ）は反射特性を示す図である。
【図７】図６と同じ膜膜構成試料における反射率との波長の関係を示し、典型例としてＡｇ系金属膜３１．５ｎｍ、２ｎｍでＩＴＯ４膜厚１０、１５、２０ｎｍの結果を示した図である。
【図８】プロセスを説明するための構成図であり、（Ａ）は従来のプロセス構成を示す図であり、（Ｂ）は本発明の実施形態に係るプロセス構成を示す図である。
【図９】従来の液晶表示素子の断面図と輝線光の反射特性を示す。（Ａ）は従来の液晶表示素子の断面を示す図であり、（Ｂ）は輝線光の反射特性を示す図である。
【図１０】従来の液晶表示素子の配向膜の成膜までの作製手順を示す。
【符号の説明】
【００３６】
１・・・液晶表示素子、２・・・前ガラス基板、光透過性基板、３・・・反射防止膜、Ａｇ系金属膜、４・・・透明導電膜，光透過性透明電極，ＩＴＯ、５・・・前配向膜、６・・・液晶、７・・・後配向膜、８・・・後基板、９・・・ＴＦＴ、１０・・・画素電極、１２・・・駆動部、１３・・・光源、１４・・・赤外光除去フィルター、１５・・・ハーフミラー、１６・・・乱反射光除去フィルター、１７・・・投射レンズ、１８・・・スクリーン
【図１】
2006337447.tif 000003
【図２】
2006337447.tif 000004
【図３】
2006337447.tif 000005
【図４】
2006337447.tif 000006
【図５】
2006337447.tif 000007
【図６】
2006337447.tif 000008
【図７】
2006337447.tif 000009
【図８】
2006337447.tif 000010
【図９】
2006337447.tif 000011
【図１０】
2006337447.tif 000012