(57)【要約】 【課題】  成膜パターンを高精度に形成することができると共に、衝撃等による破損がない高強度のマスクを提供する。【解決手段】  本発明のマスクは、（１００）面方位のシリコン基板からなり、該基板には所定パターンの複数のマスク開口部Ｈが形成されてなる一方、前記マスク開口部Ｈの壁面２０は、前記基板の主面に対して所定角度で傾斜する第１傾斜面２０Ａと、該第１傾斜面２０Ａと連なり、前記基板の主面に対して垂直方向に延びる垂直面２０Ｂと、前記垂直面２０Ｂと連なり、前記基板の主面に対して前記第１傾斜面２０Ａと同じ角度で傾斜する第２傾斜面２０Ｃと、を有してなり、前記第１傾斜面２０Ａ及び前記第２傾斜面２０Ｃは、前記材料供給部側から前記材料受容部側に向けて前記マスク開口部Ｈの開口径を小さくする方向に傾斜してなることを特徴とする。【選択図】    図１
2006202548.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料供給部と材料受容部との間に配設して用いるマスクであって、
（１００）面方位のシリコン基板からなり、該基板には所定パターンの複数のマスク開口部が形成されてなる一方、
前記マスク開口部の開口内面は、前記基板の主面に対して所定角度で傾斜する第１傾斜面と、該第１傾斜面と連なり、前記基板の主面に対して垂直方向に延びる垂直面と、前記垂直面と連なり、前記基板の主面に対して前記第１傾斜面と同じ角度で傾斜する第２傾斜面と、を有してなり、
前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面は、前記材料供給部側から前記材料受容部側に向けて前記マスク開口部の開口径を小さくする方向に傾斜してなることを特徴とするマスク。
【請求項２】
所定パターンの複数のマスク開口部を有したマスクの製造方法であって、
（１００）面方位シリコンからなる基板の表面に、第１エッチング液に対して耐性を有する耐エッチング膜を形成する工程と、
前記基板のうち第１の主面側に形成された耐エッチング膜に対して、フォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチングを行い、該耐エッチング膜の一部を薄膜化し、形成するマスク開口部のパターンに対応したパターンの複数の凹部を形成する工程と、
前記凹部を形成する工程と同時に又は別工程で、前記基板のうち前記第１の主面とは反対側の第２の主面に形成された耐エッチング膜に対して、フォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチングを行い、前記複数の凹部を平面視開口内側に取り囲む第１開口部を形成する工程と、
前記第１開口部を含む耐エッチング膜をマスクとして、前記基板に対して前記第１エッチング液を用いた異方性エッチングを行い、当該基板を第２の主面側から薄膜化する工程と、
前記耐エッチング膜に対して、前記凹部の底から前記基板が露出するまでエッチングを行い、前記凹部の形成位置に第２開口部を形成する工程と、
前記耐エッチング膜をマスクとして、前記基板に対してドライエッチングを行い、前記第２開口部の配列パターンに応じた基板側開口部を形成する工程と、
ドライエッチングの後、当該基板を第１エッチング液中に浸漬させ、前記基板側開口部の開口内面に対して、エッチング速度の遅い（１１１）面が所望の大きさとなるまで異方性エッチングを行う工程と、
を含むことを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項３】
前記第１エッチング液がアルカリ性のエッチング液であって、前記耐エッチング膜に対してエッチングを行う工程では、非アルカリ性のエッチング液を用いることを特徴とする請求項２に記載のマスクの製造方法。
【請求項４】
前記第１エッチング液がテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液であることを特徴とする請求項２又は３に記載のマスクの製造方法。
【請求項５】
前記耐エッチング膜を形成する工程は、前記シリコンからなる基板を熱酸化し、酸化ケイ素膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載のマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク、及びマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称する。）装置は薄膜を積層した構造を有する自発光型の高速応答性表示素子を備えるため、軽くて動画対応に優れた表示パネルを形成でき、近年ではＦＰＤ（Flat Panel Display）テレビ等の表示パネルとして非常に注目されている。その代表的な製造方法としては、フォトリソグラフィ技術を用いることにより、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）等の透明陽極を所望の形状にパターニングし、更に透明陽極上に蒸着法を用いて有機材料を積層成膜し、その後に陰極を形成する方法が知られている。
【０００３】
特に、フルカラーの有機ＥＬ装置を製造する場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色の有機材料をマスクを介して蒸着することによりパターン形成する必要がある。このようなマスク蒸着法としては、例えばマスクとしてメタルマスクを用いた技術が特許文献１に開示されている。この特許文献１では、被成膜基板越しに配置された永久磁石により、該被成膜基板とメタルマスクを密着させた状態で蒸着を行っている。
【０００４】
ところで、パネルサイズが大きくなると、それに応じて大きなメタルマスクを形成する必要がある。しかしながら、大きくて薄いメタルマスクを高精度に作成することは非常に難しく、また、メタルマスクの熱膨張係数はガラス等の被成膜基板に比べて非常に大きいため、蒸着時の輻射熱の作用によってメタルマスクの寸法が被成膜基板の寸法よりも大きくなり、密着されていたメタルマスクと被成膜基板とがずれてしまい、蒸着部分において寸法の誤差が生じる場合がある。更に、大型パネルの製造の際には、その誤差が累積して大きくなるために、マスク蒸着によって製造できるパネルサイズは、およそ２０インチ以下の中小型を製造することが限界と言われている。
【０００５】
そこで、最近では、シリコン基板を用いてマスクを製造する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この技術は、フォトリソグラフィやドライエッチング等の半導体製造技術を用いてシリコン基板自体をマスクにするというものである。シリコンは熱膨張係数がガラス等の被成膜基板と略同じであり、熱膨張に起因するずれが生じることはない。更に、加工精度も非常に高い。また、結晶異方性エッチング法を用いることにより、（１００）面方位のシリコンウエハーをエッチングし、基板主面に対して開口内面が５４．７°傾斜したテーパ状の開口部を形成する技術が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００１−０９３６６７号公報
【特許文献２】特開２００１−１８５３５０号公報
【特許文献３】特開２００２−２２０６５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、シリコン基板はメタルマスクに比して脆いという課題を有しており、被成膜基板との接触の際の僅かな衝撃でマスクが破損してしまうという問題がある。
一方、上記特許文献３に開示された技術では、内面がテーパ形状の開口部を形成できるものの、特定の結晶面からなる構造体しか形成できず、つまり単一のテーパ形状しか形成することができない。したがって、マスク開口部の微細パターン化を実現しようとすると、テーパを形成する開口内面の傾斜角は一定のため、当該シリコン基板の厚さを小さくせざるを得ない事情がある。その結果、マスク開口部の微細パターン化に伴って、当該マスクの強度が一層低下する問題が生じ得ることとなる。
【０００７】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたもので、成膜パターンを高精度に形成することができると共に、衝撃等による破損がない高強度のマスクと、当該マスクの製造方法とを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のマスクは、材料供給部と材料受容部との間に配設して用いるマスクであって、（１００）面方位シリコンからなる基板を有し、該基板には所定パターンの複数のマスク開口部が形成されてなる一方、前記マスク開口部の開口内面は、前記基板の主面に対して所定角度で傾斜する第１傾斜面と、該第１傾斜面と連なり、前記基板の主面に対して垂直方向に延びる垂直面と、前記垂直面と連なり、前記基板の主面に対して前記第１傾斜面と同じ角度で傾斜する第２傾斜面と、を有してなり、前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面は、前記材料供給部側から前記材料受容部側に向けて前記マスク開口部の開口径を小さくする方向に傾斜してなることを特徴とする。
【０００９】
このようなマスクは、マスク開口部が材料受容部側から第２傾斜面（第１傾斜面）と垂直面と第１傾斜面（第２傾斜面）とを有しているため、２段階の傾斜形状を有することとなり、しかもその開口径が材料受容部側に向けて小さくなるように傾斜しているため、材料供給部側から段階的に材料を誘導することができ、斜めから入射する材料を好適に材料受容部側に誘導することができるようになる。また、特に第１傾斜面と第２傾斜面との間に垂直面を介在させたことにより、マスク開口部を微細パターン化した場合にも、当該垂直面の部分でマスクの厚さを確保することができるため、従来のように高精細化に伴ってマスクの厚さが小さくなり、その結果、当該マスクの強度が低下してしまう不具合も解消することができるようになる。
【００１０】
次に、上記課題を解決するために、本発明のマスクの製造方法は、所定パターンの複数のマスク開口部を有したマスクの製造方法であって、（１００）面方位シリコンからなる基板の表面に、第１エッチング液に対して耐性を有する耐エッチング膜を形成する工程と、前記基板のうち第１の主面側に形成された耐エッチング膜に対して、フォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチングを行い、該耐エッチング膜の一部を薄膜化し、形成するマスク開口部のパターンに対応したパターンの複数の凹部を形成する工程と、前記凹部を形成する工程と同時に又は別工程で、前記基板のうち前記第１の主面とは反対側の第２の主面に形成された耐エッチング膜に対して、フォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチングを行い、前記複数の凹部を平面視開口内側に取り囲む第１開口部を形成する工程と、前記第１開口部を含む耐エッチング膜をマスクとして、前記基板に対して前記第１エッチング液を用いた異方性エッチングを行い、当該基板を第２の主面側から薄膜化する工程と、前記耐エッチング膜に対して、前記凹部の底から前記基板が露出するまでエッチングを行い、前記凹部の形成位置に第２開口部を形成する工程と、前記耐エッチング膜をマスクとして、前記基板に対してドライエッチングを行い、前記第２開口部の配列パターンに応じた基板側開口部を形成する工程と、ドライエッチングの後、当該基板を第１エッチング液中に浸漬させ、前記基板側開口部の開口内面に対して、エッチング速度の遅い（１１１）面が所望の大きさとなるまで異方性エッチングを行う工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
このような製造方法により、上述した２段階の傾斜面を備えるマスク開口部を有したマスクを提供することが可能となる。つまり、高強度で高精細なマスクを製造することが可能となる。具体的には、シリコン基板に対するドライエッチングを行って基板側開口部を形成した後、ウェットエッチング（異方性エッチング）を行うことで、垂直面と、これを間に介在する第１傾斜面及び第２傾斜面とを形成することができるようになる。
【００１２】
本発明のマスクの製造方法において、前記第１エッチング液がアルカリ性のエッチング液であって、前記耐エッチング膜に対してエッチングを行う工程では、非アルカリ性のエッチング液を用いることができる。このようなエッチング液を採用することで、上述の高精細で高強度のマスクを確実に製造することができるようになる。
【００１３】
また、前記第１エッチング液としては、テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液を用いることができる。このようなエッチング液は、カリウムやナトリウムを使用しない有機アルカリであるためシリコン基板が汚染されず、当該マスクを用いた成膜中に、被成膜基板がカリウムやナトリウム等で汚染されることを防止ないし抑制することができるようになる。
【００１４】
また、前記耐エッチング膜を形成する工程は、前記シリコンからなる基板を熱酸化し、酸化ケイ素膜を形成する工程を含むものとすることができる。このような熱酸化による耐エッチング膜の形成は、非常に簡便であり好都合である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、以下の説明は、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００１６】
（マスク）
図１は、本発明のマスクの構造を説明するための図であり、図１（ａ）はマスクの断面斜視図、図１（ｂ）はマスク開口部（貫通穴）の近傍の詳細断面図である。
図１（ａ）に示すように、マスクＭは、当該マスクＭの外形をなす外枠部１０と、当該外枠部１０の内側に設けられた複数のマスク開口部Ｈとを有した構成となっている。また、マスクＭは、（１００）面方位を有するシリコンウエハ（基板）を後述の製造工程によって加工されたものである。外枠部１０はシリコンウエハの厚みをそのまま利用して形成されたものである。さらに、マスク開口部Ｈの開口内面（壁部）２０には、第１傾斜面（第１傾斜部）２０Ａと、垂直面（垂直部）２０Ｂと、第２傾斜面（第２傾斜部）２０Ｃとが形成されている。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、垂直部２０Ｂは、マスクＭの主面ＭＴ（材料供給部側主面）、ＭＢ（材料受容部側主面）に対して垂直方向（Ｚ方向）に延在して設けられており、第１傾斜部２０Ａ及び第２傾斜部２０Ｃは、Ｚ方向から所定の角度に傾斜する方向に延在して設けられている。更に、垂直部２０Ｂと第１傾斜部２０Ａ、垂直部２０Ｂと第２傾斜部２０Ｃはそれぞれ連続して接続され、第１傾斜部２０Ａの端部ＱはマスクＭの裏側主面ＭＢと接続されている。
【００１８】
ここで、裏側主面ＭＢは、蒸着やスパッタ等の各種成膜を行う際に成膜対象物と対向させる側の面であり、材料気体や原子が成膜対象物に到達する側の面である。また、マスクＭの表側主面ＭＴは、各種成膜を行う際に材料気体や原子が成膜対象物に向けて入射する面であり、第２傾斜部２０Ｃが配置された側の面である。
【００１９】
また、傾斜部２０Ｂは、（１１１）結晶面により構成された表面を有している。この（１１１）結晶面は裏側主面ＭＢに対して５４．７°の斜面を有して存在しているため、斜めに入ってくる材料気体や原子が遮られることなく、成膜対象物に到達させることができる。さらに、図１（ａ）に示すように、マスク開口部Ｈを囲う梁部Ｉは、Ｘ方向及びＹ方向に延在し、外枠１０から連結された構成となっている。そして、当該梁部Ｉが網目状に構成されることで、複数のマスク開口部Ｈがマトリクス状に配置されている。なお、本実施形態においては、複数のマスク開口部Ｈは、マトリクス状に等ピッチに配置された構成を有しているが、これに限定されるものではない。成膜対象物に形成するパターンに応じて、適宜変更可能である。
【００２０】
上述したように、本実施形態のマスクＭにおいては、マスク開口部Ｈの壁部２０において垂直部２０Ｂが設けられているので、マスクＭの厚さが大きくなり、撓みや曲げが生じ難く、剥離等の破損を防止することができ、即ち、マスクＭの強度を向上させることができる。また、シリコンを材料とするマスクは、比較的もろく、強度が劣るという欠点を有しているが、本実施形態のようにマスク開口部Ｈの壁部２０に垂直部２０Ｂを設けることによって当該欠点を解消している。
【００２１】
また、マスク開口部Ｈの壁部２０において、第１傾斜部２０Ａ及び第２傾斜部２０Ｃが２段階で設けられているので、マスク開口部ＨはマスクＭの少なくとも一方の主面（本実施形態では表側主面ＭＴ）に向けて段階的に口径が広がるテーパ形状を有することとなる。そして、マスクＭを用いて蒸着法やスパッタ法等の各種成膜を施した際には、裏側主面ＭＢに成膜対象物を配置することで、基板主面の垂直方向に対して斜めの角度から入射する材料気体や原子を、該テーパ形状に沿って成膜対象物側に誘導することができるようになる。したがって、マスク開口部Ｈのパターンに応じた成膜を確実に行うことができるようになる。
【００２２】
なお、マスク開口部Ｈの壁部２０に垂直部のみが形成されている場合には、材料気体や原子が入射せずに成膜されない非成膜部が垂直部の近傍に現れるが、本実施形態のようにマスク開口部Ｈの壁部２０に第１傾斜部２０Ａ及び第２傾斜部２０Ｃを設けることによって、斜方向から入射する材料気体や原子を上記の非成膜部にも到達させることが可能となり、当該非成膜部に対して各種成膜を施すことができる。したがって、本実施形態のようにマスク開口部Ｈの壁部２０に垂直部２０Ｂと各傾斜部２０Ａ，２０Ｃを兼ね備えることにより、撓み、曲げ、剥離等に対する強度の向上と、材料気体や原子の付き回りの両立を図ることができ、成膜対象物に対して所定パターンの各種成膜を高精度且つ確実に行うことができる。
【００２３】
また、傾斜部２０Ａ，２０Ｃの結晶面は（１１１）面であり、この（１１１）面は、（１００）面方位シリコン基板に対して結晶異方性エッチング処理を施すことによって形成できるので、研削加工等の物理的な加工が不要になり、化学的処理によって、容易にマスクＭを形成することができる。
【００２４】
（マスクの製造方法）
次に、図２及び図３を参照し、図１に記載したマスクＭの製造方法について説明する。
なお、図２及び図３は、図１に示したマスクＭの断面模式図を示しており、マスクＭを製造する工程を説明する工程図である。
【００２５】
まず、図２（ａ）に示すように、（１００）面方位のシリコンからなる基板Ｓに熱酸化処理を施して、酸化シリコンからなる耐エッチング膜３０Ａを形成する。
耐エッチング膜Ａ３０は、後述するように結晶異方性エッチング液（例えば、テトラメチル水酸化アンモニウム等の水溶液）に耐性を有する膜であり、上述のような熱酸化により形成した酸化シリコン膜以外にも、例えばＣＶＤ法により形成した酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、ＡｕやＰｔのスパッタ膜等からなるものであっても良い。
本実施形態における耐エッチング膜３０Ａは、熱酸化処理を施すことによって形成された酸化シリコン膜である。当該酸化シリコン膜の膜厚は、およそ１μｍ程度に形成されていることが好ましい。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示すように、基板Ｓの表面に形成した耐エッチング膜３０Ａのうち一主面（裏側主面ＭＢ）に形成された部分に複数の凹部３１を形成する。この凹部３１の配列パターンは、形成するマスク開口部Ｈの配列パターンに対応するものとする。なお、凹部３１は、耐エッチング膜３０Ａを基板Ｓの表面まで貫通するものでなく、底部に薄膜の酸化シリコン膜を残存した形で形成するものとする。また、凹部３１の形成と同時に、当該凹部３１を形成した主面（裏側主面ＭＢ）とは反対側の主面（表側主面ＭＴ）に形成された耐エッチング膜３０Ａを部分的に除去し裏側開口部３２を形成する。形成する裏側開口部３２は、その平面視開口内側に、表側の複数の凹部３１を取り囲むような構成とする。なお、これらの凹部形成工程及び開口部形成工程は、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術により行うものとしている。
【００２７】
次に、図２（ｃ）に示すように、耐エッチング膜３０Ａをマスクとして基板Ｓのエッチングを行う。ここでは、図２（ｃ）に示すように、耐エッチング膜３０Ａの裏側開口部３２を介して、シリコン結晶異方性エッチングにより当該基板Ｓの裏面を薄膜化する。
具体的には、マスクとしての耐エッチング膜３０Ａを備える基板Ｓをテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液（エッチング液）に所定時間浸漬することにより、異方性エッチングを行うものとしている。
このエッチング液は、カリウムやナトリウムを使用しない有機アルカリのため、シリコン基板を汚染せず、蒸着等の成膜中に成膜対象物（被成膜基板）がカリウムやナトリウムにより汚染されることを防ぐことができるものとされている。
【００２８】
上記異方性エッチングにより基板Ｓの厚さＸを７０μｍまで薄くした後、図２（ｄ）に示すように、耐エッチング膜３０Ａの凹部３１において基板Ｓが露出するまで、該耐エッチング膜３０Ａ全体をエッチングにより薄膜化する。これにより、耐エッチング膜３０Ａには、裏側開口部３２に加えて、表面開口部３３が所定の配列パターンで形成されることとなる。
【００２９】
その後、耐エッチング膜３０Ａをマスクとしたドライエッチングにより、図３（ａ）に示すように、耐エッチング膜３０Ａに形成された表側開口部３３の配列パターンに応じた配列パターンの基板側開口部３９を形成する。ここで、用いられるドライエッチング法としては、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術で使用されているＤｅｅｐ−ＲＩＥが採用される。なお、この基板側開口部３９を形成するためのエッチングには、タイムモジュレーションプラズマエッチング（側壁保護膜の形成とエッチングを交互に行う方法）を用いても良い。
【００３０】
さらに、図３（ａ）の基板Ｓをテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液に浸漬することによりシリコン結晶異方性エッチングを行い、エッチング速度の遅い（１１１）面を出現させる。３０分程度浸漬することにより、図３（ｂ）に示すような２段階のテーパを備えたマスク開口部Ｈを形成することができる。
【００３１】
最後に、図３（ｃ）に示すように、耐エッチング膜３０Ａを剥離して、本実施形態のマスクＭの製造が完成する。
【００３２】
ここで、シリコン結晶異方性エッチングを行うためのウエットエッチングについて具体的に説明する。当該ウエットエッチングにおいては、８０℃に加熱した２０重量％のテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液に基板Ｓを浸漬することで行われる。このようなウエットエッチング処理においては、基板Ｓが（１００）面方位のシリコンからなるので、基板Ｓに対して結晶異方性エッチングが行われる。つまり、基板Ｓのエッチングには結晶の面方位依存性があり、例えば（１１１）面に対するエッチング速度が、（１００）面に対するエッチング速度よりも遅いという特性を利用してエッチングを行うものである。
【００３３】
なお、図２〜図３の工程においては、マスク開口部Ｈを３つ示して模式的に説明したが、実際のマスクは縦２０６個、横１７６個有するものである。
上述したように、本実施形態のマスクの製造方法においては、マスク開口部Ｈの壁部２０に垂直部２０Ｂと第１傾斜部２０Ａ，２０Ｃを容易に形成することができる。従って、撓み、曲げ、剥離等に対する強度の向上と、材料気体や原子の付き回りの両立を図ることができ、成膜対象物に対して所定パターンの各種成膜を高精度かつ確実に行うこと可能なマスクＭを製造することができる。
【００３４】
ここで、マスク開口部Ｈを形成するために、従来のようにアルカリウェットエッチングのみを行った場合には、エッチング速度に結晶方位依存性があるため、図３（ｂ）に示す梁部Ｉの幅ｄと厚みｔとは、ｔ＝０．５ｄ×ｔａｎ（５４．７°）の関係を有している。高精細な、或いは高開口率なマスクでは、梁部Ｉの幅ｄが小さくなるために、必然的に厚さｔが小さくなり、強度を十分に保てない場合がある。例えば、高精細化のために梁部Ｉの幅ｄを５０μｍとすると、関係式からｔ＝３５μｍ以上とすることはできない。
【００３５】
しかしながら、本実施の形態では、図２（ｃ）の工程で、基板Ｓの厚さを多めに残すものとすれば、厚さｔを比較的自由に設計することができ、結晶方位依存性の制約を受けずに、高精細で高強度のマスクを製造することができるようになる。つまり、成膜対象物の高精細化、高開口率化に伴って幅ｄが小さくなるような場合でも、強度が高く、且つ成膜材料の入射し易い構造のマスクを提供することができるのである。
【００３６】
（マスクの使用方法）
次に、図４を参照してマスクの使用方法について説明する。
本実施形態においては、マスクを用いた蒸着方法について説明する。図４は、図１のマスクＭを使用してマスク蒸着を行う時の説明図である。図４に示すように、真空チャンバＣＨの底部に蒸着源７を配置し、その上方に蒸着マスクＭを配置し、更にその上に成膜対象物であるガラス基板（被成膜基板）Ｇを蒸着マスクＭと密着させながら行う。蒸着時は膜厚分布をよくするために、図４に示すようにガラス基板Ｇと蒸着マスクＭを固定したまま回転させてもよい。また、蒸着源７が発している蒸着物の速度（蒸着速度）は水晶振動子の膜厚センサ８により管理され、厳密な膜厚管理を行っている。膜厚センサ８によって蒸着した膜の膜厚が所定の値に達した際には、蒸着源７の直上にあるシャッター９を閉じて、蒸着を終了し、蒸着マスクＭとガラス基板Ｇの固定を解除し、ガラス基板Ｇのみを搬出する。
【００３７】
このような工程を１日当り３０回繰り返しても、従来から見られた蒸着マスクＭの破損、異常な撓みが生じることなく、安定して使用することができる。なお、本実施形態においては、マスクＭを蒸着用マスクとして用いる場合について説明したが、例えばスパッタリング用マスクや、ＣＶＤ用マスクとして用いることもできる。
【００３８】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、図５を参照して、上記マスクＭを用いた有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。ここでは、蒸着対象物であるガラス基板Ｇに、有機ＥＬ装置形成用材料を蒸着する場合について説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、ガラス基板Ｇ上には、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子を形成し、そのスイッチング素子に接続するように陽極４０を設ける。更に、その陽極４０に接続するように、正孔注入層４１及び正孔輸送層４２を形成する。
【００３９】
次に、マスクＭとガラス基板Ｇ（正孔輸送層４２）とを密着した状態で、赤色（Ｒ）発光層形成用材料Ｒをガラス基板Ｇ上に蒸着する。ガラス基板Ｇ上には、マスクＭのマスク開口部Ｈに応じて赤色発光層形成用材料Ｒが蒸着される。
【００４０】
次いで、図５（ｂ）に示すように、ガラス基板Ｇに対するマスクＭの位置をずらし（あるいはマスクＭを別のマスクＭと交換し）、マスクＭとガラス基板Ｇ（正孔輸送層４２）とを密着した状態で、緑色発光層形成用材料Ｇをガラス基板Ｇ上に蒸着する。ガラス基板Ｇ上には、マスクＭのマスク開口部Ｈに応じて緑色発光層形成用材料Ｇが蒸着される。
【００４１】
次いで、図５（ｃ）に示すように、ガラス基板Ｇに対するマスクＭの位置をずらし（あるいはマスクＭを別のマスクＭと交換し）、マスクＭとガラス基板Ｇ（正孔輸送層４２）とを密着した状態で、青色発光層形成用材料Ｂをガラス基板Ｇ上に蒸着する。ガラス基板Ｇ上には、マスクＭのマスク開口部Ｈに応じて青色発光層形成用材料Ｂが蒸着される。
以上のようにして、ガラス基板Ｇ上にＲＧＢ３色の有機材料からなる発光層４３が形成される。
【００４２】
次に、図５（ｄ）に示すように、発光層４３の上に、電子輸送層４４、及び陰極４５が形成されることにより、有機ＥＬ装置ＤＰが形成される。
なお、本実施形態に係る有機ＥＬ装置ＤＰは、発光層を含む発光素子からの発光を基板Ｇ側から装置外部に取り出す形態であり、基板Ｇの形成材料としては、透明なガラスの他に、光を透過可能な透明あるいは半透明材料、例えば、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板Ｇの形成材料としては安価なソーダガラスが好適に用いられる。一方、基板Ｇと反対側から発光を取り出す形態の場合には、基板Ｇは不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
【００４３】
このように、本実施形態の有機ＥＬ装置ＤＰの製造方法においては、先に記載のマスクを用いたマスク蒸着を用いたことを特徴としている。このようにすれば、強度が優れると共に、高精度かつ正確に各種成膜を施すマスクを用いるので、基板面内及び画素内の膜厚分布が非常に良く、発光光の輝度の均一化を実現することができ、表示ムラがない、鮮やかな画像表示が可能となる有機ＥＬ装置ＤＰを製造することができる。
【００４４】
なお、本実施の形態の有機ＥＬ装置ＤＰはアクティブマトリクス型であり、実際には複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に配置され、これらデータ線や走査線に区画されたマトリクス状に配置された各画素にスイッチングトランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを介して上記の発光素子が接続されている。そして、データ線や走査線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流れ、発光素子が発光して透明な基板の外面側に光が出射され、その画素が点灯する。なお、本発明は、アクティブマトリクス型に限られず、パッシブ駆動型の表示素子にも適用できることはいうまでもない。
【００４５】
（電子機器）
次に、上記実施形態の有機ＥＬ装置ＤＰを備えた電子機器の例について説明する。
図６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置ＤＰを用いた表示部を示している。
【００４６】
図６（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ装置ＤＰを用いた表示部を示している。
図６（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ装置ＤＰを用いた表示部を示している。
図６（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施の形態の有機ＥＬ装置ＤＰを備えているので、発光光の輝度の均一化を達成し、表示ムラがない、鮮やかな画像表示が可能な表示部を備えた電子機器となる。
【００４７】
なお、電子機器としては、前記の携帯電話などに限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、ノート型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本実施形態のマスクの構造を説明するための断面斜視図、及び詳細断面図。
【図２】図１のマスクの製造方法を説明するための工程図。
【図３】図２に続くマスクの製造方法を説明するための工程図。
【図４】図１のマスクを使用したマスク蒸着装置の構成を示す説明図。
【図５】図１のマスクを用いた有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための工程図。
【図６】図５の方法により製造された有機ＥＬ装置を備える電子機器を示す図。
【符号の説明】
【００４９】
２０…壁面（壁部）、２０Ａ…第１傾斜面、２０Ｂ…垂直面、２０Ｃ…第２傾斜面、ＭＴ…表側主面（材料供給部側主面）、ＭＢ…裏側主面（材料受容部側主面）、Ｓ…基板、Ｈ…マスク開口部、Ｍ…マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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