(57)【要約】【課題】  実装性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  半導体装置は、配線基板１０と、配線基板１０の第１の面１４に搭載された第１の半導体チップ２０と、第１の面１４に直接形成された第１の導電パターン３０と、配線基板１０の第２の面１６に搭載された、第１の半導体チップ２０よりも小さい第２の半導体チップ４０と、第２の面１６に直接形成された第２の導電パターン５０とを有する。第１の導電パターン３０における第１の半導体チップ２０よりも外側に配置された部分の平面面積は、第２の導電パターン５０における第２の半導体チップ４０よりも外側に配置された部分の平面面積よりも大きい。【選択図】      図１
2006190747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の第１の面に搭載された第１の半導体チップと、
前記第１の面に直接形成された第１の導電パターンと、
前記配線基板の第２の面に搭載された、前記第１の半導体チップよりも小さい第２の半導体チップと、
前記第２の面に直接形成された第２の導電パターンと、
を有し、
前記第１の導電パターンは、前記配線基板よりも線膨張係数が大きく、
前記第１の導電パターンにおける前記第１の半導体チップよりも外側に配置された部分の平面面積は、前記第２の導電パターンにおける前記第２の半導体チップよりも外側に配置された部分の平面面積よりも大きい半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の導電パターンは、同じ材料で形成されてなる半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の導電パターンは、同じ厚みに形成されてなる半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記配線基板の前記第２の面には外部端子が形成されてなり、
前記第１の導電パターンは、前記外部端子とオーバーラップするように形成されてなる半導体装置。
【請求項５】
配線基板を用意すること、
前記配線基板の第１の面に第１の半導体チップを搭載すること、及び、
前記配線基板の第２の面に、前記第１の半導体チップよりも小さい第２の半導体チップを搭載することを含み、
前記配線基板は、前記第１の面に直接形成された第１の導電パターンと、前記第２の面に直接形成された第２の導電パターンとを有し、
前記第１の導電パターンは、前記配線基板よりも線膨張係数が大きく、
前記第１の導電パターンにおける前記第１の半導体チップを搭載するための領域よりも外側に配置された部分の平面面積は、前記第２の導電パターンにおける前記第２の半導体チップを搭載するための領域よりも外側に配置された部分の平面面積よりも大きい半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２の導電パターンは、同じ材料で形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２の導電パターンは、同じ厚みに形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５から請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の前記第２の面に外部端子を形成することをさらに含み、
前記第１の導電パターンは、前記外部端子を形成するための領域とオーバーラップするように形成されてなる半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１つの配線基板の両面に半導体チップが搭載された半導体装置が知られている。当該半導体装置を製造する際及び当該半導体装置を回路基板等に実装する際に平坦性を確保することが可能になれば、実装性に優れた半導体装置を提供することができる。
【０００３】
本発明の目的は、実装性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【特許文献１】特開平１０−２８４５４４号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置は、配線基板と、
前記配線基板の第１の面に搭載された第１の半導体チップと、
前記第１の面に直接形成された第１の導電パターンと、
前記配線基板の第２の面に搭載された、前記第１の半導体チップよりも小さい第２の半導体チップと、
前記第２の面に直接形成された第２の導電パターンと、
を有し、
前記第１の導電パターンは、前記配線基板よりも線膨張係数が大きく、
前記第１の導電パターンにおける前記第１の半導体チップよりも外側に配置された部分の平面面積は、前記第２の導電パターンにおける前記第２の半導体チップよりも外側に配置された部分の平面面積よりも大きい。本発明によれば、配線基板の第１及び第２の面の膨張・収縮量の差が小さい、実装性に優れた半導体装置を提供することができる。
（２）この半導体装置において、
前記第１及び第２の導電パターンは、同じ材料で形成されていてもよい。
（３）この半導体装置において、
前記第１及び第２の導電パターンは、同じ厚みに形成されていてもよい。
（４）この半導体装置において、
前記配線基板の前記第２の面には外部端子が形成されてなり、
前記第１の導電パターンは、前記外部端子とオーバーラップするように形成されていてもよい。
（５）本発明に係る半導体装置の製造方法は、配線基板を用意すること、
前記配線基板の第１の面に第１の半導体チップを搭載すること、及び、
前記配線基板の第２の面に、前記第１の半導体チップよりも小さい第２の半導体チップを搭載することを含み、
前記配線基板は、前記第１の面に直接形成された第１の導電パターンと、前記第２の面に直接形成された第２の導電パターンとを有し、
前記第１の導電パターンは、前記配線基板よりも線膨張係数が大きく、
前記第１の導電パターンにおける前記第１の半導体チップを搭載するための領域よりも外側に配置された部分の平面面積は、前記第２の導電パターンにおける前記第２の半導体チップを搭載するための領域よりも外側に配置された部分の平面面積よりも大きい。本発明によれば、配線基板の第１及び第２の面の膨張・収縮量の差が小さくなるため、実装性に優れた半導体装置を製造することができる。
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２の導電パターンは、同じ材料で形成されていてもよい。
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２の導電パターンは、同じ厚みに形成されていてもよい。
（８）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の前記第２の面に外部端子を形成することをさらに含み、
前記第１の導電パターンは、前記外部端子を形成するための領域とオーバーラップするように形成されていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
【０００６】
図１は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。なお、図１は、半導体装置１の断面図である。
【０００７】
本実施の形態に係る半導体装置は、配線基板１０を有する。配線基板１０の材料や構造は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの基板を利用してもよい。配線基板１０は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。あるいは、配線基板１０は、テープ基板であってもよい。配線基板１０は、積層型の基板であってもよく、あるいは、単層の基板であってもよい。また、配線基板１０の外形も特に限定されるものではない。配線基板１０は、配線パターン１２を有していてもよい。配線パターン１２は、配線基板１０の表面、あるいは、配線基板１０の層間に形成されていてもよい。配線パターン１２の構造や材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの配線を利用してもよい。例えば、配線パターン１２は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成されていてもよい。配線パターン１２は、配線基板１０の表面（第１及び第２の面１４，１６）に設けられたランド１３を有していてもよい。ランド１３は、電子部品の電極（例えば半導体チップの電極）との電気的な接続に利用される部分であってもよい。また、配線パターン１２は、外部端子を搭載するためのランド１５をさらに含んでいてもよい。配線基板１０は、第１の面１４と、第１の面１４と反対側の第２の面１６とを有する。このとき、後述する第１の半導体チップ２０が搭載される面を第１の面１４と、第２の半導体チップ４０が搭載される面を第２の面１６と、それぞれ称してもよい。そして、ランド１５は、第２の面１４に設けられていてもよい。配線基板１０は、図示しない保護膜をさらに有してもよい。なお、保護膜は、配線パターン１２の一部を覆うように形成されていてもよい。
【０００８】
本実施の形態に係る半導体装置は、第１の半導体チップ２０を有する。第１の半導体チップ２０は、例えばシリコンチップであってもよい。第１の半導体チップ２０は、集積回路２２を有していてもよい。集積回路２２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。また、第１の半導体チップ２０は、複数の電極２４を有していてもよい。電極２４は、第１の半導体チップ２０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極２４は、集積回路２２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路２２に電気的に接続されていない電極を含めて、電極２４と称してもよい。電極２４は、薄く平らに形成されたパッドと、該パッド上に形成されたバンプとを含んでいてもよい。このとき、パッド及びバンプの材料は特に限定されないが、例えば、パッドとしてアルミニウムや銅を、バンプとして金を、それぞれ利用してもよい。
【０００９】
第１の半導体チップ２０は、図１に示すように、配線基板１０に搭載されてなる。このとき、配線基板１０における第１の半導体チップ２０が搭載された面を、第１の面１４と称してもよい。すなわち、第１の半導体チップ２０は、配線基板１０の第１の面１４に搭載されていてもよい。第１の半導体チップ２０は、図１に示すように、電極２４が配線パターン１２（ランド１３）と対向するように、配線基板１０に搭載されていてもよい。このとき、電極２４とランド１３とが対向して電気的に接続されていてもよい。電極２４とランド１３とは、図１に示すように、接触して電気的に接続されていてもよい。このとき、電極２４とランド１３とは固着されていてもよい。例えば、電極２４とランド１３とは、共晶合金を介して接合（共晶合金接合）されていてもよい。ただし、これとは別に、電極２４とランド１３とは、導電粒子（図示せず）を介して電気的に接続されていてもよい。
【００１０】
本実施の形態に係る半導体装置は、配線基板１０の第１の面１４に形成された第１の導電パターン３０を含む。第１の導電パターン３０は、第１の面１４に直接形成されてなる。すなわち、第１の導電パターン３０は、接着剤を介することなく、第１の面１４に形成されてなる。第１の導電パターン３０は、配線パターン１２の一部であってもよい。第１の導電パターン３０は、半導体チップ（第１及び第２の半導体チップ２０，４０）と電気的に接続されていてもよい。ただし、第１の導電パターン３０は、半導体チップと電気的に接続されていないパターン（いわゆるダミーパターン）であってもよい。なお、第１の導電パターン３０の平面形状は特に限定されず、パターニングされていてもよく、あるいは、第１の面１４に箔状に拡がっていてもよい。そして、第１の導電パターン３０は、配線基板１０よりも線膨張係数が大きい。第１の導電パターン３０の材料や、配線基板１０の材料を調整することで、両者の線膨張係数を制御してもよい。なお、第１の導電パターン３０は、後述する外部端子６０とオーバーラップする領域に至るように形成されていてもよい。すなわち、第１の導電パターン３０は、ランド１５とオーバーラップする領域に至るように形成されていてもよい。
【００１１】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１に示すように、配線基板１０の第１の面１４に形成されて、配線基板１０と第１の半導体チップ２０とを接着する第１の樹脂部３５を有していてもよい。第１の樹脂部３５の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの材料を利用してもよい。
【００１２】
本実施の形態に係る半導体装置は、配線基板１０の第２の面１６に搭載された、第１の半導体チップ２０よりも小さい第２の半導体チップ４０を有する。第２の半導体チップ４０の構成は、第１の半導体チップ２０の説明で挙げたいずれかの内容を適用してもよい。第２の半導体チップ４０は、集積回路４２を有していてもよい。また、第２の半導体チップ４０は、電極４４を有していてもよい。第２の半導体チップ４０は、電極４４が配線パターン１２（ランド１３）と対向するように、配線基板１０に搭載されていてもよい。このとき、電極４４とランド１３とは固着されていてもよい。そして、電極４４とランド１３とは電気的に接続されていてもよい。なお、第２の半導体チップ４０は、第１の半導体チップ２０とオーバーラップするように配置されていてもよい。このとき、第１及び第２の半導体チップ２０，４０は、中心が配線基板１０の厚み方向に一致するように配置されていてもよい。言い換えると、第１及び第２の半導体チップ２０，４０は、第１の半導体チップ２０の中心と第２の半導体チップ４０の中心とが配線基板１０の平面垂直方向に一致するように搭載されていてもよい。
【００１３】
本実施の形態に係る半導体装置は、配線基板１０の第２の面１６に形成された第２の導電パターン５０を含む。第２の導電パターン５０は、第２の面１６に直接形成されてなる。すなわち、第２の導電パターン５０は、接着剤を介することなく、第２の面１６に形成されてなる。第２の導電パターン５０は、配線パターン１２の一部であってもよい。このとき、ランド１５は、第２の導電パターン５０の一部であってもよい。ただし、第２の導電パターン５０は、ランドとして機能しない部分を有していてもよい。また、配線パターン１２からランドとして機能する部分を除いた導電パターンのみを、第２の導電パターン５０と称してもよい。第２の導電パターン５０は、半導体チップ（第１及び第２の半導体チップ２０，４０）と電気的に接続されていてもよい。ただし、第２の導電パターン５０は、配線パターン１２及び半導体チップと電気的に接続されていないパターン（いわゆるダミーパターン）であってもよい。なお、第２の導電パターン５０は、配線基板１０よりも線膨張係数が大きくてもよい。第２の導電パターン５０は、第１の導電パターン３０と同じ線膨張係数をなしていてもよい。あるいは、第２の導電パターン５０の線膨張係数は、第１の導電パターン３０の線膨張係数よりも小さくてもよい。
【００１４】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１に示すように、配線基板１０の第２の面１６に形成されて、配線基板１０と第２の半導体チップ４０とを接着する第２の樹脂部５５を有していてもよい。第２の樹脂部５５の材料は特に限定されず、例えば、配線基板１０又は第１の樹脂部３５と同じ材料を利用してもよい。
【００１５】
本実施の形態に係る半導体装置では、第１の導電パターン３０における第１の半導体チップ２０よりも外側に配置された部分の平面面積は、第２の導電パターン５０における第２の半導体チップ４０よりも外側に配置された部分の平面面積よりも大きくなっている。なお、第１及び第２の導電パターン３０，５０は、同じ材料で形成されていてもよい。また、第１及び第２の導電パターン３０，５０は、同じ厚みをなしていてもよい。
【００１６】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１に示すように、外部端子６０を有していてもよい。外部端子６０は、配線基板１０の第２の面１６に設けられていてもよい。すなわち、配線基板１０の第２の面１６には、外部端子６０が形成されていてもよい。外部端子６０が配置される領域は特に限定されない。外部端子６０は、例えば、第１の半導体チップ２０とオーバーラップする領域内のみに配置されていてもよい（Fan−Inタイプ）。あるいは、外部端子６０は、第１の半導体チップ２０とオーバーラップする領域よりも外側のみに配置されていてもよい（Fan−Outタイプ）。あるいは、外部端子６０は、第１の半導体チップ２０とオーバーラップする領域の内側及び外側に設けられていてもよい（Fan−In／Outタイプ）。なお、外部端子６０は、配線パターン１２のランド１５上に設けられていてもよい。
【００１７】
本実施の形態に係る半導体装置１は、以上のように構成されていてもよい。先に説明したように、半導体装置１では、１つの配線基板（配線基板１０）の両面に、大きさの異なる半導体チップ（第１及び第２の半導体チップ２０，４０）が搭載されてなる。半導体装置は、通常、温度サイクル試験や、回路基板に実装される際、あるいは、実装後の環境の変化により、加熱・冷却されることがある。この加熱・冷却の影響を受けて、配線基板は膨張・収縮することがあった。ところで、半導体チップは、配線基板に較べて線膨張係数が低いことが多く、加熱・冷却された場合でも、配線基板に較べて大きさが変化しにくい。そのため、配線基板に半導体チップが搭載されている場合、配線基板の表面における半導体チップとオーバーラップする領域は、半導体チップに規制されるため大きさが変化しにくくなる。そして、１つの配線基板の両面のそれぞれに異なる大きさの半導体チップが搭載されている場合（図１参照）には、１つの配線基板の両面のそれぞれで膨張・収縮が規制される領域の面積が異なるため、配線基板の両面で、膨張・収縮による大きさの変化量が異なることがあった。具体的には、大きい半導体チップが搭載された面（第１の半導体チップ２０が搭載された第１の面１４）よりも、小さい半導体チップが搭載された面（第２の半導体チップ４０が搭載された第２の面１６）の方が、加熱・冷却による膨張・収縮量が大きくなることがあった。そして、膨張・収縮量の違いが原因となって、配線基板に反りが生じることがあった。ところで、半導体装置１では、先に説明したように、第１の導電パターン３０における第１の半導体チップ２０の外側に配置された部分の平面面積は、第２の導電パターン５０における第２の半導体チップ４０の外側に配置された部分の平面面積よりも大きくなっている。また、第１の導電パターン３０は、配線基板１０よりも線膨張係数が大きい。すなわち、第１の導電パターン３０は、配線基板１０よりも、大きく膨張・収縮する。そして、第１の導電パターン３０は、第１の面１４に直接形成されてなる。このことから、半導体装置１によれば、第１の導電パターン３０の膨張・収縮の影響を受けて、配線基板１０の第１の面１４の膨張・収縮量が大きくなる。すなわち、半導体装置１によれば、第１及び第２の面１４，１６の、膨張・収縮量の差を小さくすることができる。そのため、半導体装置の反りが発生しにくい、実装性に優れた半導体装置を提供することができる。また、第１の導電パターン３０は、外部端子６０とオーバーラップするように形成されていてもよい。これによると、外部端子６０が形成された領域で配線基板１０を平坦にすることができるため、実装性に優れた半導体装置を提供することができる。そして、図２には、半導体装置１が実装された回路基板１０００を示す。また、半導体装置１を有する電子機器として、図３にはノート型パーソナルコンピュータ２０００を、図４には携帯電話３０００を、それぞれ示す。
【００１８】
以下、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図５〜図９は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００１９】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図５に示す、配線基板１０を用意することを含む。なお、図５は、配線基板１０の断面図である。配線基板１０は、既に説明したいずれかの構成をなしていてもよい。すなわち、配線基板１０は、第１の面１４に直接形成された第１の導電パターン３０と、第２の面１６に直接形成された第２の導電パターン５０とを有する。第１の導電パターン３０は、配線基板１０よりも線膨張係数が大きい。そして、第１の導電パターン３０における第１の半導体チップ２０を搭載するための領域よりも外側に配置された部分の平面面積は、第２の導電パターン５０における第２の半導体チップ４０を搭載するための領域よりも外側に配置された部分の平面面積よりも大きい。なお、第１の導電パターン３０は、外部端子６０を形成するための領域（ランド１５）とオーバーラップするように形成されていてもよい。
【００２０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板１０に、第１の半導体チップ２０を搭載することを含む。以下、本工程について説明する。はじめに、配線基板１０の第１の面１４に、樹脂材料３６を設けてもよい（図６（Ａ）参照）。樹脂材料３６は、ペースト状で設けてもよくフィルム状で設けてもよい。樹脂材料３６は、内部に導電粒子が分散された異方性導電材料であってもよい。あるいは、樹脂材料３６は、絶縁性の材料であってもよい。そして、図６（Ａ）に示すように、配線基板１０上に第１の半導体チップ２０を配置してもよい。その後、図６（Ｂ）に示すように、配線基板１０に第１の半導体チップ２０を搭載してもよい。第１の半導体チップ２０を、樹脂材料３６を押し広げながら配線基板１０に向かって押圧して、配線基板１０に搭載してもよい。このとき、電極２４と配線パターン１２（ランド１３）とを対向させて電気的に接続してもよい。また、第１の半導体チップ２０を搭載する工程は、配線基板１０及び第１の半導体チップ２０の少なくとも一方を加熱しながら行ってもよい。なお、本工程によって、電極２４とランド１３とを固着してもよい。例えば、電極２４とランド１３との間に共晶合金層を形成することによって、両者を接合（共晶合金接合）してもよい。
【００２１】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図７に示すように、配線基板１０の第１の面１４に、配線基板１０と第１の半導体チップ２０とを接着する第１の樹脂部３５を形成することを含んでいてもよい。第１の樹脂部３５は、樹脂材料３６を硬化させることによって形成してもよい。樹脂材料３６を硬化させる方法は特に限定されず、樹脂材料３６に適したいずれかの方法を選択してもよい。樹脂材料３６は、例えば加熱により硬化させてもよい。
【００２２】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板１０の第２の面１６に、第２の半導体チップ４０を搭載することを含む。第２の半導体チップ４０は、第１の半導体チップ２０よりも小さい半導体チップである。第２の半導体チップ４０を搭載する方法は特に限定されない。例えば、第２の面１６に樹脂材料５６を設け（図８（Ａ）参照）、その後、第２の半導体チップ４０を、樹脂材料５６を押し広げながら配線基板１０に向かって押圧して、配線基板１０に第２の半導体チップ４０を搭載してもよい（図８（Ｂ）参照）。このとき、第２の半導体チップ４０の電極４４と配線基板１０のランド１３とを対向させて電気的に接続してもよい。なお、配線基板１０及び第２の半導体チップ４０の少なくとも一方を加熱しながら、第２の半導体チップ４０を搭載してもよい。本工程によって、電極４４とランド１３とを固着してもよい。
【００２３】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図９に示すように、配線基板１０の第２の面１６に、配線基板１０と第２の半導体チップ４０とを接着する第２の樹脂部５５を形成することを含んでいてもよい。第２の樹脂部５５は、樹脂材料５６を硬化させることによって形成してもよい。
【００２４】
なお、配線基板１０に第１及び第２の半導体チップ２０，４０を搭載する方法は上述の内容に限られるものではない。例えば、第１及び第２の半導体チップ２０，４０は、同時に搭載してもよい。また、第１及び第２の半導体チップ２０，４０を別々に搭載する場合には、第１及び第２の半導体チップ２０，４０のいずれを先に搭載してもよい。また、樹脂材料３６，５６についても、第１及び第２の半導体チップ２０，４０を搭載した後に設けてもよい。あるいは、第１及び第２の樹脂部３５，５５を有しない半導体装置を製造してもよい。
【００２５】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板１０の第２の面１６に外部端子６０を形成することを含んでいてもよい。以上の工程によって、半導体装置１を製造してもよい（図１参照）。一般的に、半導体装置を製造する際には、配線基板に熱が加えられる。具体的には、配線基板１０に第１及び第２の半導体チップ２０，４０を搭載する工程や、樹脂材料３６，５６を硬化させる工程は、加熱された環境で行われることがある。すなわち、半導体装置を製造する工程で、配線基板は加熱・冷却されることがある。そのため、半導体装置を製造する工程で、配線基板１０が膨張・収縮することがあった。そして、配線基板のそれぞれの面に大きさの異なる半導体チップを搭載する場合、配線基板の両面で、膨張・収縮量が異なることがあった。具体的には、大きい半導体チップが搭載された面（第１の半導体チップ２０が搭載された第１の面１４）よりも、小さい半導体チップが搭載された面（第２の半導体チップ４０が搭載された第２の面１６）の方が、加熱・冷却による膨張・収縮量が大きくなることがあった。そして、膨張・収縮量の違いが原因となって、半導体装置を製造する工程中に、配線基板１０に反りが生じることがあった。ところで、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、先に説明したように、第１の導電パターン３０における第１の半導体チップ２０を搭載するための領域の外側に配置された部分の平面面積は、第２の導電パターン５０における第２の半導体チップ４０を搭載するための領域の外側に配置された部分の平面面積よりも大きい。そして、第１の導電パターン３０は、配線基板１０よりも線膨張係数が大きく、かつ、第１の面１４に直接形成されてなる。そのため、第１の面１４の膨張・収縮量を大きくすることができ、配線基板１０の第１及び第２の面１４，１６の膨張・収縮量の差を小さくすることができる。そのため、配線基板１０が平坦な、実装性に優れた半導体装置を製造することができる。
【００２６】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。
【図２】図２は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図７】図７は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図８】図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図９】図９は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【符号の説明】
【００２８】
１０…配線基板、  １２…配線パターン、  １３…ランド、  １５…ランド、  ２０…第１の半導体チップ、  ２２…集積回路、  ２４…電極、  ３０…第１の導電パターン、  ３５…第１の樹脂部、  ３６…樹脂材料、  ４０…第２の半導体チップ、  ４２…集積回路、  ４４…電極、  ５０…第２の導電パターン、  ５５…第２の樹脂部、  ５６…樹脂材料、  ６０…外部端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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