(57)【要約】【課題】  僅かな透過率の変動を強調することで、ガラス基板の透過率を正確に測定してマスクブランク用ガラス基板を製造すること。【解決手段】  合成石英ガラスインゴットから所定の板形状に切り出して加工した後、この合成石英ガラス板の対向する両端面２、３を、露光波長の光が導入できるように鏡面研磨して合成石英ガラス基板４を得る端面鏡面研磨工程と、鏡面研磨された一方の端面２から露光波長の光を入射して他方の端面３から光を出射させ、入射した光の入射光量と上記出射した光の出射光量との差を第１パワーメータ２５及び第２パワーメータ２６を用いて測定し、上記合成石英ガラス基板４の端面の面内方向各位置における露光波長に対する透過率を測定する測定工程とを有するものである。【選択図】            図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の板形状に切り出して加工された合成石英ガラス板の対向する両端面を、露光波長の光が導入できるように鏡面研磨して合成石英ガラス基板を得る端面鏡面研磨工程と、
鏡面研磨した上記端面の一方から露光波長の光を入射して上記端面の他方から光を出射させ、上記入射した光の入射光量と上記出射した光の出射光量との差により、上記合成石英ガラス基板の上記端面の面内方向における露光波長に対する透過率を測定する測定工程と、を有することを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
上記合成石英ガラス基板の透過率を測定した後、当該ガラス基板の主表面を精密研磨して、マスクブランク用ガラス基板を得ることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
上記合成石英ガラス基板の端面に入射される光は、ＡｒＦエキシマレーザー光またはＦ２エキシマレーザー光の何れかであることを特徴とする請求項１または２に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
所定の板形状に切り出して加工された合成石英ガラス板の対向する両端面を、露光波長の光が導入できるように鏡面研磨して合成石英ガラス基板を得る端面鏡面研磨工程と、
鏡面研磨した上記端面の一方から露光波長の光を入射して上記端面の他方から光を出射させ、上記入射した光の入射光量と上記出射した光の出射光量との差により、上記合成石英ガラス基板の上記端面の面内方向における露光波長に対する透過率を測定する測定工程と、
この測定工程において測定した上記合成石英ガラス基板の透過率が合否の閾値近傍にある場合、この透過率が合否の閾値近傍にある合成石英ガラス基板に当該ガラス基板が蛍光を発する光を入射して、この蛍光に基づき当該ガラス基板の透過率の合否を判定する判定工程と、を有することを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
上記判定工程は、合成石英ガラス基板が発する蛍光のピーク波長が所定の閾値以下であれば、当該ガラス基板の透過率が透過率の合否の閾値以上であると判定することを特徴とする請求項４に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
上記合成石英ガラス基板の透過率を測定する測定工程の実施後、または上記合成石英ガラス基板の透過率の合否を判定する判定工程の実施後、当該ガラス基板の主表面を精密研磨して、マスクブランク用ガラス基板を得ることを特徴とする請求項４または５に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項７】
上記測定工程において合成石英ガラス基板の端面に入射される光、または上記判定工程において合成石英ガラス基板に入射される光は、ＡｒＦエキシマレーザー光またはＦ２エキシマレーザー光の何れかであることを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項８】
上記判定工程において合成石英ガラス基板に入射される光は、当該ガラス基板の端面に入射されることを特徴とする請求項４乃至７のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって得られたマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、マスクパターンとなる薄膜を形成してマスクブランクを製造することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項１０】
請求項９のマスクブランクにおける薄膜をパターンニングして、マスクブランク用ガラス基板の主表面上にマスクパターンを形成し、露光用マスクを製造することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板の透過率を測定してマスクブランク用ガラス基板を製造するマスクブランク用ガラス基板の製造方法、及びこのマスクブランク用ガラス基板を用いるマスクブランクの製造方法、並びにこのマスクブランクを用いる露光用マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、半導体デバイスの微細化により、光リソグラフィー技術において使用される露光光源はＡｒＦエキシマレーザー（露光波長１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（露光波長１５７ｎｍ）へと短波長化が進んでいる。上記光リソグラフィー技術において使用される露光用マスクや、この露光用マスクを製造するマスクブランクにあっては、上述の露光光源の露光波長に対して光を遮断する遮光膜や、位相を変化させる位相シフト膜の開発が急速に行われ、特許文献１や特許文献２にあるような様々な膜材料が提案されている。
【０００３】
また、それらの膜を形成する上で問題が予想される光学特性（例えば透過率や反射率、位相差）のばらつきを抑えたマスクブランクの製造方法が特許文献３のように提案されており、上記遮光膜や上記位相シフト膜の光学特性のばらつきが抑えられてきている。
【０００４】
ところで、合成石英ガラス基板をマスクブランクにしたときに上述の光学特性（例えば、透過率）を測定するのであるが、一定の割合で光学特性のばらつきの仕様を満足できないマスクブランクが製造されたり、露光用マスクに形成されたマスクパターンを、露光装置を用いて被転写体に転写して回路パターンを形成したときに、この露光用マスクに形成されているマスクパターンにはパターン欠陥はないが、被転写体にパターン欠陥(転写パターン欠陥)が発生する場合がある。
【０００５】
本発明者が様々な観点からその原因を突き止めたところ、それは従来問題視されていなかった、合成石英ガラス基板自体が光を吸収し又は光が散乱することにより発生する、基板の主表面における面内の各位置での透過率のばらつきが原因であることがわかった。
【０００６】
以下、光学特性のばらつきの仕様から逸脱したマスクブランクが製造される理由、及び転写パターン欠陥が発生する理由について、それぞれ詳細に説明する。  
【０００７】
現在、開発が急速に行われているＡｒＦエキシマレーザーを露光光源とするマスクブランクの基板材料としては、合成石英ガラスが使用されている。この合成石英ガラスは、実用化されているＫｒＦエキシマレーザーを露光光源とするマスクブランクの基板材料としても利用されている。ＫｒＦエキシマレーザーの露光波長は２４８ｎｍであり、合成石英ガラス基板の製造のばらつきがあってもその透過率は、６０２５サイズ（基板の長さ及び幅が１５２ｍｍ、板厚が６．３５ｍｍのサイズ）で８８％以上（波長λ：２４０ｎｍ）であり、問題視されることはない。しかし、露光光源の波長がＡｒＦエキシマレーザーの如く１９３ｎｍと短波長になると、合成石英ガラス基板の製造のばらつき等により基板自体がその光を吸収して、その透過率が上記６０２５サイズで約８０％まで低下する場合がある。
【０００８】
現段階でも、薄膜の成膜時における製造のばらつきが完全になくなったわけではないので、光学特性のばらつきの仕様を満足しないマスクブランクが発生するのは、基板材料の透過率のばらつきと薄膜の光学特性のばらつきとの相乗効果によるものと考えられる。
【０００９】
また、露光用マスクに形成されたマスクパターンにパターン欠陥がないにもかかわらず、この露光用マスクに形成されているマスクパターンを、露光装置を使用して被転写体に転写して回路パターンを形成したときにパターン欠陥が発生する理由は、次のとおりである。つまり、例えばマスクパターンとなる薄膜が遮光膜の場合であって、上述の合成石英ガラス基板自体の光の吸収により透過率が低下する領域が、遮光膜パターンの領域内に含まれる場合には被転写体にパターン欠陥は発生しない。しかし、合成石英ガラス基板自体の光の吸収により透過率が低下する領域が、マスクパターンが形成されていないガラス基板の表面が露出した箇所である場合や、マスクパターンに跨る場合などでは、露光用マスク上で本来露光光が遮断されるべきでない箇所が遮断されることになるので、被転写体に対する露光光の光強度に変化を与えてしまい、被転写体にパターン欠陥が発生するのである。
【００１０】
近年では、マスクパターンの微細化や高精細化が進んでいるので、被転写体に対するパターン転写に影響のある欠陥を露光用マスク上で特定できたとしても、パターンの修正や補正ができない場合があり、その場合においては、露光用マスクを一から作製しなおさなければならない。
【００１１】
一方、合成石英ガラスの透過率測定方法としては、例えば、特許文献４に記載されているような方法が提案されている。その方法は、測定対象の合成石英ガラス試料の両主表面を鏡面研磨してから、当該試料の温度ばらつきを所定範囲内に制御して行うものである。マスクブランク用ガラス基板の主表面は、表面粗さが自乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２ｎｍ以下になるまで研削工程と研磨工程を複数段階行うことで得られる。
【特許文献１】特開２００２−１６２７２７号公報
【特許文献２】特開２００３−２８０１６８号公報
【特許文献３】特開２００２−９０９７８号公報
【特許文献４】特開２００１−３１８０４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述のような特許文献４に記載の透過率測定方法では、精密研磨したガラス基板の主表面にレーザー光を照射して透過率を測定するので、万が一、透過率に異常が見つかった場合には、そのガラス基板を使用することができず、それまでの研削・研磨工程が無駄になるという問題がある。
【００１３】
また、ガラス基板自体の光の吸収による透過率の低下が小さい場合には、この透過率の低下は、ＡｒＦエキシマレーザー自体の出力変動、測定環境の変動、パワーメーターの出力変動に埋もれてしまい、透過率を正確に測定することができず、被転写体に転写されるパターンにパターン欠陥が発生するという問題がある。
【００１４】
本発明の目的は、上述の事情を考慮してなされたものであり、僅かな透過率の変動を強調することで、ガラス基板の透過率を正確に測定してマスクブランク用ガラス基板を製造するマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供し、このマスクブランク用ガラス基板を用いてマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法を提供し、このマスクブランクを用いて露光用マスクを製造する露光用マスクの製造方法を提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的は、マスクブランク用ガラス基板の製造工程の早い段階において透過率が保証されたガラス基板を選定することで、製造工程の無駄を省くことができるマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供し、このマスクブランク用ガラス基板を用いてマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法を提供し、このマスクブランクを用いて露光用マスクを製造する露光用マスクの製造方法を提供することにある。
【００１６】
本発明の更に他の目的は、上述の事情を考慮してなされたものであり、僅かな透過率の変動を強調することでガラス基板の透過率を正確に測定すると共に、当該ガラス基板が発する蛍光のピーク波長に基づき上記透過率を正確且つ簡便に測定してマスクブランク用ガラス基板を製造するマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供し、このマスクブランク用ガラス基板を用いてマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法を提供し、このマスクブランクを用いて露光用マスクを製造する露光用マスクの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
請求項１に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、所定の板形状に切り出して加工された合成石英ガラス板の対向する両端面を、露光波長の光が導入できるように鏡面研磨して合成石英ガラス基板を得る端面鏡面研磨工程と、鏡面研磨した上記端面の一方から露光波長の光を入射して上記端面の他方から光を出射させ、上記入射した光の入射光量と上記出射した光の出射光量との差により、上記合成石英ガラス基板の上記端面の面内方向における露光波長に対する透過率を測定する測定工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１８】
請求項２に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、請求項１に記載の発明において、上記合成石英ガラス基板の透過率を測定した後、当該ガラス基板の主表面を精密研磨して、マスクブランク用ガラス基板を得ることを特徴とするものである。
【００１９】
請求項３に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、請求項１または２に記載の発明において、上記合成石英ガラス基板の端面に入射される光は、ＡｒＦエキシマレーザー光またはＦ２エキシマレーザー光の何れかであることを特徴とするものである。
【００２０】
請求項４に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、所定の板形状に切り出して加工された合成石英ガラス板の対向する両端面を、露光波長の光が導入できるように鏡面研磨して合成石英ガラス基板を得る端面鏡面研磨工程と、鏡面研磨した上記端面の一方から露光波長の光を入射して上記端面の他方から光を出射させ、上記入射した光の入射光量と上記出射した光の出射光量との差により、上記合成石英ガラス基板の上記端面の面内方向における露光波長に対する透過率を測定する測定工程と、この測定工程において測定した上記合成石英ガラス基板の透過率が合否の閾値近傍にある場合、この透過率が合否の閾値近傍にある合成石英ガラス基板に当該ガラス基板が蛍光を発する光を入射して、この蛍光に基づき当該ガラス基板の透過率の合否を判定する判定工程と、を有することを特徴とするものである。
【００２１】
請求項５に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、請求項４に記載の発明において、上記判定工程は、合成石英ガラス基板が発する蛍光のピーク波長が所定の閾値以下であれば、当該ガラス基板の透過率が透過率の合否の閾値以上であると判定することを特徴とするものである。
【００２２】
請求項６に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、請求項４または５に記載の発明において、上記合成石英ガラス基板の透過率を測定する測定工程の実施後、または上記合成石英ガラス基板の透過率の合否を判定する判定工程の実施後、当該ガラス基板の主表面を精密研磨して、マスクブランク用ガラス基板を得ることを特徴とするものである。
【００２３】
請求項７に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、請求項４乃至６のいずれかに記載の発明において、上記測定工程において合成石英ガラス基板の端面に入射される光、または上記判定工程において合成石英ガラス基板に入射される光は、ＡｒＦエキシマレーザー光またはＦ２エキシマレーザー光の何れかであることを特徴とするものである。
【００２４】
請求項８に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、請求項４乃至７のいずれかに記載の発明において、上記判定工程において合成石英ガラス基板に入射される光は、当該ガラス基板の端面に入射されることを特徴とするものである。
【００２５】
請求項９に記載の発明に係るマスクブランクの製造方法は、請求項１乃至８のいずれか記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって得られたマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、マスクパターンとなる薄膜を形成してマスクブランクを製造することを特徴とするものである。
【００２６】
請求項１０に記載の発明に係る露光用マスクの製造方法は、請求項９のマスクブランクにおける薄膜をパターンニングして、マスクブランク用ガラス基板の主表面上にマスクパターンを形成し、露光用マスクを製造することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２７】
請求項１、３に記載の発明によれば、ガラス基板の板厚方向と比較して光路長が数十倍長い端面間方向に光を導入して、当該ガラス基板の端面の面内方向における透過率を測定することから、僅かな透過率の変動を強調させることができるので、透過率の良否の差を明瞭化でき、ガラス基板の透過率を正確に測定することができる。
【００２８】
上述のように、ガラス基板の端面間方向に光を導入して当該ガラス基板の透過率を測定することから、僅かな透過率の変動を強調させることができるので、ガラス基板に光を照射する照射装置の出力変動、測定環境の変動、出射した光の出射光量を検出する検出装置(パワーメータなど)の出力変動などの測定条件の変動が透過率の測定に与える影響を低減でき、この観点からも、ガラス基板の透過率を正確に測定することができる。
【００２９】
請求項２に記載の発明によれば、マスクブランク用ガラス基板の製造工程の、主表面を精密研磨する前の早い段階で合成石英ガラス基板の透過率を測定することから、透過率のばらつきが保証された合成石英ガラス基板に対してのみ主表面を精密研磨し、透過率のばらつきが保証されていない合成石英ガラス基板について主表面を精密研磨する無駄を省くことができる。
【００３０】
請求項４、５、７または８に記載の発明によれば、ガラス基板の板厚方向と比較して光路長が数十倍長い端面間方向に光を導入して、当該ガラス基板の端面の面内方向における透過率を測定することから、僅かな透過率の変動を強調させることができるので、透過率の良否の差を明瞭化でき、ガラス基板の透過率を正確に測定することができる。
【００３１】
また、上述のように、ガラス基板の端面間方向に光を導入して当該ガラス基板の透過率を測定することから、僅かな透過率の変動を強調させることができるので、ガラス基板に光を照射する照射装置の出力変動、測定環境の変動、出射した光の出射光量を検出する検出装置(パワーメータなど)の出力変動などの測定条件の変動が透過率の測定に与える影響を低減でき、この観点からも、ガラス基板の透過率を正確に測定することができる。
【００３２】
さらに、合成石英ガラス基板の透過率を測定する測定工程において、その透過率が合否の閾値近傍にある場合、この透過率が合否の閾値近傍にある合成石英ガラス基板に当該ガラス基板が蛍光を発する光を入射して、この蛍光に基づき当該ガラス基板の透過率の合否を判定する判定工程を有することから、測定工程において測定する透過率の測定精度を向上させるべく合成石英ガラス基板の端面の鏡面精度を上昇させたり、上記測定工程における測定条件を良好にするなどの煩雑な作業を実施することなく、合成石英ガラス基板の透過率を簡便且つ正確に測定することができる。
【００３３】
請求項６に記載の発明によれば、マスクブランク用ガラス基板の製造工程の、主表面を精密研磨する前の早い段階で合成石英ガラス基板の透過率を測定する測定工程を実施し、合成石英ガラス基板の透過率の合否を判定する判定工程を実施することから、透過率のばらつきが保証された合成石英ガラス基板に対してのみ主表面を精密研磨し、透過率のばらつきが保証されていない合成石英ガラス基板について主表面を精密研磨する無駄を省くことができる。
【００３４】
請求項９、１０に記載の発明によれば、請求項１乃至８のいずれか記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって得られたマスクブランク用ガラス基板を用いてマスクブランクを製造し、このマスクブランクにおける薄膜をパターンニングして露光用マスクを製造することから、これらのマスクブランク及び露光用マスクにおけるガラス基板には、ガラス基板自体が光を吸収し又は光が散乱することにより発生する、ガラス基板の主表面における面内の各位置での透過率のばらつきが所望範囲に抑制されているので、上記露光用マスクを用いて被転写体に転写されるパターンに、上述のガラス基板自体に起因するパターン欠陥の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法について最良の形態を、図面に基づき説明する。尚、以下、露光光源をＡｒＦエキシマレーザーとして説明する。
【００３６】
[第１の実施の形態（図１〜図５）]
〔Ａ〕マスクブランク用ガラス基板の製造方法
特開平８−３１７２３号公報や特開２００３−８１６５４号公報に記載された製造方法により合成石英ガラスインゴットを作製し、約１５２ｍｍ×約１５２ｍｍ×約６．５ｍｍに切り出して、合成石英ガラス板１を作製する(図1(ａ))。
【００３７】
次に、合成石英ガラス板１に面取り加工を施し、端面２、３及び面取り面(不図示)を、露光波長に対する透過率が測定できる程度に鏡面になるように研磨して合成石英ガラス基板４を得る(図1(ｂ))。この端面鏡面研磨工程においては、合成石英ガラス基板４の両主表面５、６の表面粗さは約０．５μｍであればよいが、鏡面研磨した端面２、３及び面取り面の表面粗さは約０．０３μｍ以下とする。
【００３８】
次に、図2に示す透過率測定装置２０に上記合成石英ガラス基板４を装着し、ＡｒＦエキシマレーザーを合成石英ガラス基板４の一方の端面２から入射する。合成石英ガラス基板４の他方の端面３から出射したレーザー光の出射光量を測定し、入射したレーザー光の入射光量と出射したレーザー光の出射光量との差から、合成石英ガラス基板４の端面２、３の面内方向各位置における透過率を測定する(図1(ｃ))。
【００３９】
上述の透過率測定工程を行う透過率測定装置２０は、図２に示すように、露光光源であるＡｒＦエキシマレーザーを照射するレーザー照射装置２１と、合成石英ガラス基板４を載置し、レーザー照射装置２１から照射されるレーザー光に対し合成石英ガラス基板４をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に移動させるＸＹＺステージ２２と、レーザー光照射装置２１から照射されるＡｒＦエキシマレーザーを、スリットを通して合成石英ガラス基板４の端面２、３の寸法に対応して整形する絞りプレート２３と、ＸＹＺステージ２２に載置された合成石英ガラス基板４と上記絞りプレート２３との間に配置され、レーザー光の一部を透過し、残部を反射させるハーフミラー２４と、このハーフミラー２４にて反射されたレーザー光の光量を検出して、合成石英ガラス基板４の端面２に入射するレーザー光の入射光量を測定する検出装置としての第１パワーメータ２５と、合成石英ガラス基板４の端面３から出射されるレーザー光の出射光量を測定する検出装置としての第２パワーメータ２６と、これらの第１パワーメータ２５及び第２パワーメータ２６に、例えばＵＳＢケーブルを用いて接続されたコンピューター２７とを有して構成される。
【００４０】
ＸＹＺステージ２２が合成石英ガラス基板４をＹ方向に移動させている間に、レーザー光照射装置２１がＡｒＦエキシマレーザーを合成石英ガラス基板４の端面２へ入射させ、このとき、コンピューター２７は、第１パワーメータ２５で測定された合成石英ガラス基板４の端面２への入射レーザー光の入射光量と、第２パワーメータ２６で測定された合成石英ガラス基板４の端面３からの出射レーザー光の出射光量との差により、合成石英ガラス基板４の端面２、３の面内方向各位置における露光波長に対する透過率を算出し、つまり、合成石英ガラス基板４の端面２、３のＹ方向（つまり端面２、３の長手方向）における各測定位置で露光波長に対する透過率を算出し、これらの測定位置と透過率との関係を記録し保存する。
【００４１】
コンピューター２７に記録・保存された測定位置と透過率との関係において、予め設定された透過率の合否の閾値である合否判定ラインを下回る透過率が検出されたときに、当該合成石英ガラス基板４の透過率が不合格であると判定する。具体的には、合成石英ガラス基板４が前記６０２５サイズである場合、合成石英ガラス基板４の主表面５、６間である板厚方向にレーザー光を導入して、当該合成石英ガラス基板４の主表面５、６の面内の各位置において透過率を測定したとき、この透過率の値は、１枚の合成石英ガラス基板４の主表面５、６の面内の各位置において異なった(ばらついた)値となる。この主表面５、６の各位置においてばらつく透過率の値(以下、「透過率ばらつき」と称する)を９０％以上に保証するためには、上述の如く合成石英ガラス基板４の端面２、３間方向にレーザー光を導入して測定される当該合成石英ガラス基板４の端面２、３の面内方向各位置における透過率は６５％以上が必要である。このため、上記合否判定ラインは６５％に設定される。尚、上述の透過率の合否判定は、コンピューター２７が実行してもよい。
【００４２】
次に、図1に示すように、上述の透過率の測定で透過率が合否判定ライン以上で合格となり、良品と判定された合成石英ガラス基板４の両主表面５、６を所望の表面粗さとなるように精密研磨し、洗浄処理してマスクブランク用ガラス基板７を得る(図1(ｄ))。
【００４３】
〔Ｂ〕マスクブランクの製造方法
次に、マスクブランク用ガラス基板７の主表面５、６上にマスクパターンとなる薄膜（ハーフトーン膜８）をスパッタリング法により形成して、マスクブランク9（ハーフトーン型位相シフトマスクブランク）を作製する(図1(ｅ))。ハーフトーン膜８の成膜は、マスクブランク９における主表面５、６に対応する面内の各位置での透過率ばらつき、位相差ばらつきを抑えるために以下の構成を有するスパッタリング装置を使って行う。上記位相差ばらつきは、１枚のマスクブランク９の主表面５、６に対応する面内の各位置において位相差が異なった(ばらついた)値となるが、この主表面５、６に対応する面内の各位置においてばらつく位相差の値を言う。
【００４４】
このスパッタリング装置は、図４に示すようなＤＣマグネトロンスパッタリング装置３０であり、真空槽３１を有しており、この真空槽３１の内部にマグネトロンカソード３２及び基板ホルダ３３が配置されている。マグネトロンカソード３２には、バッキングプレート３４に接着されたスパッタリングターゲット３５が装着されている。例えば、上記バッキングプレート３４に無酸素鋼を用い、スパッタリングターゲット３５とバッキングプレート３４との接着にインジウムを用いる。上記バッキングプレート３４は水冷機構により直接または間接的に冷却される。また、マグネトロンカソード３２、バッキングプレート３４及びスパッタリングターゲット３５は電気的に結合されている。基板ホルダ３３にガラス基板７が装着される。
【００４５】
上記スパッタリングターゲット３５とガラス基板７とは、図５に示すように、ガラス基板７とスパッタリングターゲット３５の対向する面が所定の角度を有するように配置されている。この場合、例えばスパッタリングターゲット３５とガラス基板７のオフセット距離は３４０ｍｍ、スパッタリングターゲット３５とガラス基板７間の垂直距離（Ｔ／Ｓ）は３８０ｍｍ、スパッタリングターゲットの傾斜角は１５°である。
【００４６】
図４の真空槽３１は、排気口３７を介して真空ポンプにより排気される。真空槽３１内の雰囲気が、形成する膜の特性に影響しない真空度に達した後に、ガス導入口３８から窒素を含む混合ガスを導入し、ＤＣ電源３９を用いてマグネトロンカソード３２に負電圧を加え、スパッタリングを行う。ＤＣ電源３９はアーク検出機能を持ち、スパッタリング中の放電状態を監視する。真空槽３１の内部圧力は圧力計３６によって測定される。
【００４７】
ガラス基板７上に形成するハーフトーン膜８(図１)の透過率は、ガス導入口３８から導入される混合ガスの種類及び混合比により調整する。混合ガスがアルゴンと窒素である場合には、窒素の比率を大きくすることで透過率が上昇する。窒素の比率を調整するだけでは所望の透過率が得られない場合には、窒素を含む混合ガスに酸素を添加することで、さらに透過率を上昇させることが可能である。ハーフトーン膜８の位相角はスパッタリング時間により調整し、露光波長における位相角を約１８０°に調整する。
【００４８】
次に、図1に示すように、上記マスクブランク9（ハーフトーン型位相シフトマスクブランク）のハーフトーン膜８における表面側の９箇所から当該マスクブランク９の板厚方向に重水素ランプから分光して得た波長１９３ｎｍの光を照射し、マスクブランク９における主表面５、６に対応する面内の各位置で透過率ばらつき、及び上記面内の各位置で位相差ばらつきを測定する(図1(ｆ))。
【００４９】
このとき、ＡｒＦエキシマレーザー露光用のマスクブランク９に求められる光学特性（透過率、位相差）の値の上記面内の各位置におけるばらつきが、それぞれ６．０％±０．２％、１８０°±３°の仕様に合っているか否かを確認する。
【００５０】
〔Ｃ〕露光用マスクの製造方法
上記マスクブランク９（ハーフトーン型位相シフトマスクブランク）のハーフトーン膜８の表面にレジストを塗布した後、加熱処理してレジスト膜１０を形成する。(図1(ｇ))。
【００５１】
次に、レジスト膜付きのマスクブランク１１におけるレジスト膜１０に所定のパターンを描画・現像処理し、レジストパターン１２を形成する(図1(ｈ))。
【００５２】
次に、上記レジストパターン１２をマスクにして、ハーフトーン膜８をドライエッチングしてハーフトーン膜パターン１３を形成する(図1(ｉ))。
【００５３】
最後に、レジストパターン１２を除去して、ガラス基板７上にハーフトーン膜パターン１３が形成された露光用マスク１４を得る(図1(ｊ))。
【００５４】
［Ｄ］第１の実施形態の効果
図1(ｄ)に示すマスクブランク用ガラス基板７を得る前に、透過率測定装置２０(図２)を用いて合成石英ガラス基板４の透過率を測定することから、上記実施の形態によれば次の効果（１）〜（４）を奏する。
（１）透過率測定装置２０では、合成石英ガラス基板４の板厚方向と比較して光路長が数十倍長い端面２、３間方向にレーザー光を導入して、当該合成石英ガラス基板４の端面２、３の面内方向各位置における透過率を測定することから、僅かな透過率の変動を強調させることができるので、透過率の良否の差を明瞭化でき、合成石英ガラス基板４、ひいてはマスクブランク用ガラス基板７の透過率を正確に測定することができる。
【００５５】
（２）合成石英ガラス基板４の端面２、３間方向にレーザー光を導入して当該合成石英ガラス基板４の透過率を測定することから、僅かな透過率の変動を強調させることができるので、合成石英ガラス基板４に光を照射するレーザー照射装置２１の出力変動、測定環境の変動、入射光量を検出する第１パワーメータ２５の出力変動、及び出射光量を検出する第２パワーメータ２６の出力変動などの測定条件の変動が透過率の測定に与える影響を低減でき、この観点からも合成石英ガラス基板４、ひいてはマスクブランク用ガラス基板７の透過率を正確に測定することができる。
【００５６】
（３）マスクブランク用ガラス基板７の製造工程の、主表面５、６を精密研磨する前の早い段階で合成石英ガラス基板４の透過率を測定することから、透過率のばらつきが保証された合成石英ガラス基板４に対してのみ主表面５、６を精密研磨してマスクブランク用ガラス基板７を作成し、透過率のばらつきが保証されていない合成石英ガラス基板４について主表面５、６を精密研磨する無駄を省くことができる。
【００５７】
（４）上述の（１）〜（３）のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって得られたマスクブランク用ガラス基板７を用いてマスクブランク９を製造し(図１(ｅ))、このマスクブランク９におけるハーフトーン膜８をパターンニングして露光用マスク１４を製造することから、これらのマスクブランク９及び露光用マスク１４におけるマスクブランク用ガラス基板７（合成石英ガラス基板４）には、当該マスクブランク用ガラス基板７が光を吸収し又は光が散乱することにより発生する透過率のばらつきが所望範囲に抑制されているので、上記露光用マスク１４を用いて被転写体に転写されるパターンに、上述のマスクブランク用ガラス基板７に起因するパターン欠陥の発生を防止することができる。
【００５８】
[第２の実施の形態（図６及び図７）]
この第２の実施の形態は、上記第１の実施の形態と同様に、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法を順次実施するものであるが、上記マスクブランク用ガラス基板の製造方法におけるガラス基板の透過率測定工程が、上記第１の実施の形態と異なる。
【００５９】
つまり、このガラス基板の透過率測定工程において使用される透過率測定装置４０は、図６に示すように、第１の実施の形態の透過率測定装置２０（図２）に分光器４１を追加して備えたものであり、この分光器４１を用いて合成石英ガラス基板４の透過率の合否を判定する判定工程を実施する。上記分光器４１は、受光部４２と分光器本体４３とが光ファイバー４４により接続されて構成される。受光部４２は、合成石英ガラス基板４の端面３側に設置され、また、分光器本体４３は、コンピュータ２７にＵＳＢケーブルなどを用いて接続される。
【００６０】
レーザー照射装置２１から合成石英ガラス基板４の端面２へＡｒＦエキシマレーザーまたはＦ２エキシマレーザーなどの高エネルギーの光が入射されると、当該合成石英ガラス基板４は蛍光を発するが、この蛍光を分光器４１の受光部４２が受光し、分光器本体４３はその蛍光を分光分析して、その蛍光のピーク波長を検出する。コンピュータ２７は、分光器４１にて検出された合成石英ガラス基板４の蛍光のピーク波長に基づき、当該合成石英ガラス基板４の透過率の合否を判定する。この透過率の合否を判定する判定工程を更に詳細に説明する。
【００６１】
透過率測定装置４０において、ＸＹＺステージ２２が合成石英ガラス基板４をＹ方向に移動させている間に、レーザー照射装置２１がＡｒＦエキシマレーザーを上記合成石英ガラス基板４の端面２へ入射させたとき、コンピュータ２７は、第１パワーメータ２５で測定された合成石英ガラス基板４の端面２へのレーザー光の入射光量と、第２パワーメータ２６で測定された合成石英ガラス基板４の端面３からの出射レーザー光の出射光量との差から、当該合成石英ガラス基板４の端面２、３の面内方向各位置における透過率を算出する。このとき、１枚の合成石英ガラス基板４における上記各位置での透過率の最低値が、図３及び図７に示すように、透過率の合否判定ライン（例えば透過率６５％）の近傍領域（例えば透過率６５％±３％）にある場合に、上述の透過率の合否を判定する判定工程を実施する。
【００６２】
即ち、１枚の合成石英ガラス基板４における透過率の最低値が、透過率の合否判定ラインの上記近傍領域にあるときに、図６に示すように、レーザー照射装置２１から当該合成石英ガラス基板４の端面２の任意の位置、例えば透過率が最低値を示す端面２の両端部にＡｒＦエキシマレーザを入射して、当該合成石英ガラス基板４に蛍光を発生させる。この蛍光を分光器４１が分光分析して、その蛍光のピーク波長を検出し、コンピュータ２７へ出力する。コンピュータ２７は、分光器４１にて検出された蛍光のピーク波長が所定の閾値（例えば、図７に示す５６０ｎｍ）以下であれば、当該合成石英ガラス基板４の透過率が、透過率の合否判定ライン（例えば透過率６５％）以上であり合格であると判定する。この合成石英ガラス基板４は、上記コンピュータ２７または作業者によって良品であるとして選別される。また、コンピュータ２７は、分光器４１にて検出された蛍光のピーク波長が上記所定の閾値を越えていれば、当該合成石英ガラス基板４の透過率が、透過率の合否判定ライン未満であって不合格であると判定する。この合成石英ガラス基板４は、上記コンピュータ２７または作業者によって不良品であるとして選別される。
【００６３】
このように、合成石英ガラス基板４に生ずる蛍光のピーク波長に基づいて当該合成石英ガラス基板４の透過率を判定する理由は、蛍光のピーク波長が上記閾値（例えば５６０ｎｍ）以下である合成石英ガラス基板４は、透過率が合否判定ライン（例えば透過率６５％）以上にある傾向が高く、また、蛍光のピーク波長が上記閾値を超える合成石英ガラス基板４は、透過率が上記合否判定ライン未満にある傾向が高いという経験則に基づくものである。
【００６４】
上述のように合成石英ガラス基板４に生ずる蛍光のピーク波長に基づいて当該合成石英ガラス基板４の透過率を判定することによって、合成石英ガラス基板４の端面２、３の表面状態や、第１パワーメータ２５及び第２パワーメータ２６等を用いた透過率の測定工程における測定環境などの不具合により、透過率の合否判定ライン近傍領域において、透過率が本来合格とされるべきものが不合格とされたり、透過率が本来不合格とされるべきものが合格とされるなどの誤差が解消され、透過率の測定精度の向上を図ることが可能となる。
【００６５】
上述のような透過率の判定工程を経て透過率が合格であると判定され、良品であるとして選別された合成石英ガラス基板４に対して、または、上記判定工程を経ず、透過率が合否判定ラインの近傍領域以上であると測定されて透過率が合格であると判定され、良品であるとして選別された合成石英ガラス基板４に対して、ともに、主表面５、６を精密研磨して所望の表面粗さとし、洗浄処理してマスクブランク用ガラス基板７を得る。
【００６６】
以上のように構成されたことから、上記第２の実施の形態においても、前記第１の実施の形態の効果（１）、（２）及び（４）と同様な効果を奏するほか、次の効果（５）及び（６）を奏する。
【００６７】
（５）第１パワーメータ２５及び第２パワーメータ２６等を用いて合成石英ガラス基板４の透過率を測定する測定工程において、その透過率が合否判定ラインの近傍領域（例えば透過率６５％±３％）にある場合、この合成石英ガラス基板４に当該ガラス基板４が蛍光を発するＡｒＦエキシマレーザーを入射して、この蛍光に基づき当該ガラス基板４の透過率の合否を判定する判定工程を実施することから、上記測定工程において測定する透過率の測定精度を向上させるべく合成石英ガラス基板４の端面２、３の鏡面精度を上昇させたり、上記測定工程における測定環境などの測定条件を良好にするなどの煩雑な作業を実施することなく、合成石英ガラス基板４の透過率を簡便且つ正確に測定することができる。
【００６８】
（６）マスクブランク用ガラス基板７の製造工程の、主表面５、６を精密研磨する前の早い段階で、第１パワーメータ２５及び第２パワーメータ２６等を用いて合成石英ガラス基板４の透過率を測定する測定工程を実施し、分光器４１等を用いて合成石英ガラス基板４の透過率の合否を判定する判定工程を適宜実施することから、透過率のばらつきが保証された合成石英ガラス基板４に対してのみ主表面５、６を精密研磨し、透過率のばらつきが保証されていない合成石英ガラス基板４について主表面５、６を精密研磨する無駄を省くことができる。
【００６９】
尚、この第２の実施の形態においては、合成石英ガラス基板４に蛍光を生じさせるために当該合成石英ガラス基板４に入射されるＡｒＦエキシマレーザーやＦ２エキシマレーザーなどの高エネルギーの光を、当該合成石英ガラス基板４の主表面５、６を精密研磨する前または後に、この主表面５、６から入射してもよい。或いは、上記高エネルギーの光を合成石英ガラス基板４の面取り面から、主表面５、６及び端面３、４にて全反射するような条件で入射してもよい。
【実施例１】
【００７０】
以下、実施例、参考例及び比較例を用いて、本発明のマスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法(特に、第１の実施の形態に関するもの)を具体的に説明する。
【００７１】
〔実施例〕
(Ａ)マスクブランク用ガラス基板の製造方法
４塩化珪素＋水素＋酸素の燃焼により作製した合成石英ガラスインゴットから、約１５２ｍｍ×約１５２ｍｍ×約６．５ｍｍに切り出して、合成石英ガラス板１００枚を作製した。
【００７２】
次に、合成石英ガラス板に面取り加工を施し、端面及び面取り面を、露光波長に対する透過率が測定できる程度に鏡面になるように研磨して合成石英ガラス基板を得た。このとき合成石英ガラス基板の両主表面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は約０．５μｍで、鏡面研磨した端面及び面取り面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は約０．０３μｍであった。
【００７３】
次に、図２に示す透過率測定装置を用いて、合成石英ガラス基板の端面の面内方向各位置における透過率を測定した。具体的には、ＡｒＦエキシマレーザー光（１０ｍＪ／パルス、周波数５００Ｈｚ）を、絞りプレート２３における横４ｍｍ×縦２ｍｍの矩形状のスリットを介して整形した後、合成石英ガラス基板の端面から入射させた。測定した結果、１００枚中９８枚は透過率が６５％以上に入っていた（良品）が、１００枚中２枚は、透過率が合否判定ラインの６５％未満であり（不良品）、透過率が１０％程度にまで低下していた領域が存在していた。
【００７４】
次に、上述の透過率の測定で良品と判定された合成石英ガラス基板の両主表面を自乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２ｎｍ以下となるように精密研磨し、洗浄処理してマスクブランク用ガラス基板を得た。
【００７５】
(Ｂ)ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法
次に、図4に示すスパッタリング装置を用い、ＡｒＦエキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを作製した。具体的には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝８：９２ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：Ｎ２：１０％：９０％、圧力：０．１Ｐａ）で、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、合成石英ガラス基板上に窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）のハーフトーン膜（膜厚約６７ｎｍ）を形成した。尚、ハーフトーン膜の組成は、Ｍｏ：Ｓｉ：Ｎ＝７：４５：４８であった。
【００７６】
上述の工程で作製されたＡｒＦエキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクブランクのハーフトーン膜における主表面に対応する面内の各位置で透過率ばらつき、位相差ばらつきを測定した。この結果、透過率ばらつきは全て６．０％±０．２％、位相差ばらつきは全て１８０°±３°であり、仕様に合っていることを確認した。
【００７７】
(Ｃ)ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
上記ハーフトーン膜の表面にレジストを塗布した後、加熱処理してレジスト膜を形成した。
【００７８】
次に、上記レジスト膜に所望のパターンを描画・現像処理してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして、酸素系ガスと弗素系ガスの混合ガス雰囲気によるドライエッチングによって、ハーフトーン膜にマスクパターン（ハーフトーン膜パターン）を形成した。
【００７９】
最後にハーフトーン膜パターン上に形成しているレジスト膜を除去し、ペリクルを装着して、ＡｒＦエキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。
【００８０】
(Ｄ)半導体デバイスの製造方法
得られたＡｒＦエキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクをステッパーに装着し、このハーフトーン型位相シフトマスクを使用し光リソグラフィ技術を用いて、レジスト膜が形成された半導体基板上に上記ハーフトーン型位相シフトマスクのマスクパターンを転写し、半導体基板上に所望の回路パターンを形成して半導体デバイスを作製した。得られた半導体デバイスにパターン欠陥はなく良好であった。
【００８１】
上記実施例では、マスクブランク用ガラス基板(合成石英ガラス基板)の板厚方向と比較して、光路長が約２４倍長い端面間方向で透過率を測定するため、僅かな透過率変動を強調させることができ、従って、合成石英ガラス基板、ひいてはマスクブランク用ガラス基板の透過率を正確に測定することができる。
【００８２】
また、上述のように僅かな透過率変動を強調させることができるので、ＡｒＦエキシマレーザー自体の出力変動や、測定環境の変動、パワーメーターの出力変動等の測定条件の変動が透過率の測定に与える影響を少なくすることができ、この結果、合成石英ガラス基板の透過率を正確に測定できる。これは、合成石英ガラス基板の良品率（不良品率）とハーフトーン型位相シフトマスクブランクの良品率（不良品率）とが一致していることからもわかる。
【００８３】
また、実施例では、マスクブランク用ガラス基板の製造工程の、主表面を精密研磨する前の早い段階で合成石英ガラス基板の透過率を測定するので、透過率のばらつきが保証された合成石英ガラス基板に対してのみ主表面を精密研磨し、透過率が保証されていない合成石英ガラス基板の主表面を精密研磨する無駄を省くことができる。
【００８４】
〔参考例〕
従来の精密研磨前の合成石英ガラス板の透過率がある一定以上に保証されたガラス板の表面を精密研磨し、１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ×６．３５ｍｍの合成石英ガラス基板を１００枚作製した。
【００８５】
次に、上述の如く精密研磨した合成石英ガラス基板の主表面にＡｒＦエキシマレーザーを照射し、ガラス基板の板厚方向における透過率を基板の主表面の面内に渡って測定した。その結果、１００枚中９５枚は９０％±２％に入っていた（良品）が、１００枚中５枚は、９０％±２％の範囲から逸脱しており（不良品）、透過率が８０％以下まで低下していた領域が存在しているガラス基板もあった。
【００８６】
次に、実施例と同様にして、図4に示すスパッタリング装置を用いて、ＡｒＦエキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを作製した。
上述の工程で作製されたＡｒＦエキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクブランクのハーフトーン膜における主表面に対応する面内の各位置で透過率ばらつき、位相差ばらつきを測定したところ、透過率ばらつきが６．０％±０．２％、位相差ばらつきが１８０°±３°の仕様に合っていたものは、１００枚中９７枚で、３枚が仕様から外れる結果となった。この３枚は、上述の不良品の５枚中のものである。
【００８７】
この仕様から外れた３枚のハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、上述の実施例と同様にして、ＡｒＦエキシマレーザー露光用ハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。得られたハーフトーン型位相シフトマスクに形成されているハーフトーン膜からなるマスクパターンには、パターン欠陥はなかった。
【００８８】
このハーフトーン型位相シフトマスクをステッパーに装着し、レジスト膜が形成された半導体基板上に上記ハーフトーン型位相シフトマスクのマスクパターンを転写し、半導体基板上に所望のパターンを形成して半導体デバイスを作製した。得られた半導体デバイスには、ガラス基板の透過率のばらつきが原因とみられるパターン欠陥が見つかった。
【００８９】
尚、この参考例では、合成石英ガラス基板の透過率の測定段階で不良と判断された５枚のうち２枚は、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける透過率のばらつき、位相差のばらつきについて仕様の範囲内にあった。これは、測定環境の変動や、パワーメーターの出力変動等の測定条件の変動により、合成石英ガラス基板の透過率を誤って不良と判定したためと考えられる。
【００９０】
〔比較例〕
次に、上述の参考例において合成石英ガラス基板の透過率を測定しない点を除いて、参考例と同様にしてハーフトーン型位相シフトマスクブランクを作製した。
【００９１】
上述の工程で作製されたハーフトーン型位相シフトマスクブランクのハーフトーン膜における主表面に対応する面内の各位置で透過率ばらつき、位相差ばらつきを測定したところ、透過率ばらつきが６．０％±０．２％、位相差ばらつきが１８０°±３°の仕様に合っていたものは、１０００枚中９９５枚で、５枚が仕様から外れる結果となった。
【００９２】
この仕様から外れた５枚のハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用いて、上述の実施例と同様にしてハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。得られたハーフトーン型位相シフトマスクに形成されているハーフトーン膜からなるマスクパターンには、パターン欠陥はなかった。
【００９３】
このハーフトーン型位相シフトマスクをステッパーに装着し、レジスト膜が形成された半導体基板上にマスクパターンを転写し、半導体基板上に所望のパターンを形成して半導体デバイスを作製した。得られた半導体デバイスには、ガラス基板の透過率のばらつきが原因とみられるパターン欠陥が見つかった。
【００９４】
尚、仕様から外れた５枚について、合成石英ガラス基板からハーフトーン膜を剥がした後、再研磨して合成石英ガラス基板における主表面の面内の各位置で透過率ばらつきを測定したところ、９０％±２％の範囲から逸脱していることがわかった。
【００９５】
この比較例では、合成石英ガラス基板の透過率を測定していないため、透過率が保証されていない合成石英ガラス基板の主表面を精密研磨してマスクブランク用ガラス基板を作製し、更に、このマスクブランク用ガラス基板からマスクブランクを作製するという無駄な工程を実施している。
【００９６】
以上、本発明を上記実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、上記実施の形態及び実施例では、露光光源がＡｒＦエキシマレーザーの場合を述べたが、Ｆ２エキシマレーザーであってもよい。
また、上記実施の形態及び実施例では、ガラス基板上にハーフトーン膜を形成したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの場合を述べたが、これに限定されるものではない。例えば、ガラス基板上にハーフトーン膜と、このハーフトーン膜上に遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクや、ガラス基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクであってもかまわない。
尚、これらのハーフトーン型位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランクの遮光膜上にレジスト膜を形成していてもかまわない。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法における第1の実施形態を示す製造工程図である。
【図２】図１のマスクブランク用ガラス基板の製造工程において用いられる透過率測定装置を示す斜視図である。
【図３】図２の透過率測定装置において測定された測定位置と透過率との関係を示し、（Ａ）が透過率の良好である場合、（Ｂ）が透過率の不良である場合をそれぞれ示すグラフである。
【図４】図１のマスクブランクの製造工程において用いられるスパッタリング装置を示す概略側面図である。
【図５】図４のスパッタリングターゲットとマスクブランク用ガラス基板との位置関係を示す側面図である。
【図６】本発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法における第２の実施の形態の製造工程において用いられる透過率測定装置を示す斜視図である。
【図７】図６の透過率測定装置で測定された透過率と蛍光のピーク波長との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００９８】
１  合成石英ガラス板
４  合成石英ガラス基板
７  マスクブランク用ガラス基板
８  ハーフトーン膜（薄膜）
９  マスクブランク
１３  ハーフトーン膜パターン（マスクパターン）
１４  露光用マスク
２０  透過率測定装置
２１  レーザー照射装置
２５  第１パワーメータ
２６  第２パワーメータ
２７  コンピュータ
４０  透過率測定装置
４１  分光器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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