(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体素子と外部電極とがリード配線で接続された半導体装置において、封止樹脂の未充填領域の発生を防ぎ、かつ試験工程が容易な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置が、表面と裏面とを備えた半導体基板と、表面に設けられた第１電極と、裏面に設けられた第２電極と、表面に設けられ、第１電極と第２電極との間の電流を制御する制御電極とを備えた半導体素子と、半導体素子の第１電極に接続された接合部と、接合部から半導体素子の表面と略平行に延びた配線部とを備えたリード５と、少なくとも半導体素子とリード５を埋込む絶縁樹脂からなる筐体８とを含む。リード５が配線部に貫通孔１０を有し、貫通孔１０の内部に絶縁樹脂が充填されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と裏面とを備えた半導体基板と、該表面に設けられた第１電極と、該裏面に設けられた第２電極と、該表面に設けられ、該第１電極と該第２電極との間の電流を制御する制御電極とを備えた半導体素子と、
該半導体素子の該第１電極に接続された接合部と、該接合部から該半導体素子の表面と略平行に延びた配線部とを備えたリードと、
少なくとも該半導体素子と該リードを埋込む絶縁樹脂を有する筐体とを備えた半導体装置であって、
該リードが該配線部に貫通孔を有し、該貫通孔の内部に該絶縁樹脂が充填されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記配線部が、上記半導体素子の表面に対して略平行でありかつ該表面を覆うように、段差部を介して上記接合部に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記配線部の該配線部を挟んで対向する位置に、上記接合部が接続されたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記配線部の貫通孔が、少なくとも上記半導体素子の表面を覆っている部分に形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、半導体素子と外部電極とがリードで接続された電力用半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力用半導体装置に含まれる半導体素子から電気信号を取り出すために、半導体素子の表面電極と外部電極との間が、例えばアルミニウムワイヤ等の配線で接続される。また、最近では、配線抵抗を低減するために、ワイヤの代わりに板状のリードが配線に用いられている。更に、筐体となる封止樹脂との密着性を向上させるために、リードに粗面処理を施した構造も提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−１５１５５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、板状のリード配線を用いた場合、封止樹脂がリード配線の下方に回り込みにくく、封止樹脂の未充填領域ができるという問題があった。かかる未充填領域は、封止樹脂の剥離の起点や絶縁不良の原因となり、電力用半導体装置の信頼性を低下させていた。特に、薄型化した電力用半導体装置において、未充填領域の発生が顕著であった。
また、リード配線は、ワイヤ配線に比較して幅が広いため、半導体素子の接合状態等を目視等で検査する場合にじゃまになり、検査工程が煩雑になるという問題もあった。
【０００４】
そこで、本発明は、半導体素子と外部電極とがリード配線で接続された半導体装置において、封止樹脂の未充填領域の発生を防ぎ、かつ試験工程が容易な半導体装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、表面と裏面とを備えた半導体基板と、表面に設けられた第１電極と、裏面に設けられた第２電極と、表面に設けられ、第１電極と第２電極との間の電流を制御する制御電極とを備えた半導体素子と、半導体素子の第１電極に接続された接合部と、接合部から半導体素子の表面と略平行に延びた配線部とを備えたリードと、少なくとも半導体素子とリードを埋込む絶縁樹脂からなる筐体とを含む半導体装置であって、リードが配線部に貫通孔を有し、貫通孔の内部に絶縁樹脂が充填されていることを特徴とする半導体装置である。
【発明の効果】
【０００６】
以上のように、本発明にかかる半導体装置では、リードに設けられた貫通孔を通って封止樹脂が充填できるため、特に薄型の半導体装置においても完全な樹脂封止が可能となる。また、貫通孔を通して目視等による検査が可能となり、検査工程が簡略化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下に、図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、以下の説明では、「上」、「下」、「左」、「右」およびこれらの用語を含む名称を適宜使用するが、これらの方向は図面を参照した発明の理解を容易にするために用いるものであり、実施形態を上下反転、あるいは任意の方向に回転した形態も、当然に本願発明の技術的範囲に含まれる。
【０００８】
実施の形態１．
図１は、全体が１００で表される、本発明の実施の形態１にかかる電力用半導体装置の斜視図であり、図２は、図１をＩ−Ｉ方向に見た場合の断面図である。図１において、理解が容易となるように、樹脂筐体等を省略してある。
【０００９】
電力用半導体装置１００は、放熱ブロック１を含む。放熱ブロック１は、電気伝導率、熱伝導率の高いものが好ましく、例えば厚さ３ｍｍの銅板からなる。放熱ブロック１の上には、ＩＧＢＴ２の第２主電極であるコレクタ電極（図示せず）およびＦＷＤｉ（フリーホイールダイオード）３の裏面電極がはんだ４によって、電気的かつ機械的に接続されている。ＩＧＢＴ２は、例えば厚さが０．２５ｍｍ、縦横の長さがそれぞれ１２ｍｍであり、ＦＷＤｉ３は、例えば厚さが０．２５ｍｍ、縦の長さが１３．５ｍｍ、横の長さが１２ｍｍである。また、はんだ４には、例えば厚さが０．１５ｍｍのＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだが用いられる。
放熱ブロック１は、ＩＧＢＴ２およびＦＷＤｉ３の放熱手段と、両素子の裏面側の配線との双方を兼ねる。
【００１０】
ＩＧＢＴ２の第１主電極であるエミッタ電極（図示せず）およびＦＷＤｉ３の表面電極には、例えば厚さ０．３ｍｍ、幅１０ｍｍのＣｕからなるリード５が、はんだ４を用いて接合されている。具体的には、ＩＧＢＴ２およびＦＷＤｉ３の表面には、はんだ接合性の良好な金属膜として、最表面からＡｕ／Ｎｉ／Ｍｏ／Ａｌの積層金属膜（図示せず）が蒸着により形成されており、この金属膜上にリード５が接合される。
リード５は、ＩＧＢＴ２との接合部５Ａ、ＦＷＤｉ３との接合部５Ｂ、および段差部５Ｅを介して接合部５Ａ、５Ｂに接続された配線部５Ｃ、５Ｄを有する。段差部５Ｅの高さは０．３ｍｍで、リード５を折り曲げて形成されている。接合部５Ａ、５ＢとＩＧＢＴ２およびＦＷＤｉ３の電極とは、それぞれ電気的に接続されている。はんだ４には、例えば厚さが０．１ｍｍのＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだが用いられる。接合部５Ａ、５Ｂと配線部５Ｃ、５Ｄは、略平行となっている。
【００１１】
放熱ブロック１およびリード５は、それぞれリードフレームからなる電極端子６Ａ、６Ｂに電気的に接続されており、外部と電流の入出力が行われる。
【００１２】
リード５と電極端子６Ｂとは、放熱ブロック１の外側において、例えば超音波溶接などを用いて接続される。放熱ブロック１の近傍で接合する場合は、固定治具などを放熱ブロック１上に配置する必要が有り、治具の干渉や工具の取り合い等の干渉を避ける工夫が必要となる。このため、リード５と電極端子６Ｂとの接合工程が煩雑にならないように、放熱ブロック１の外側で接合するのが好ましい。
【００１３】
ＩＧＢＴ２の第３の電極であるゲート電極（図示せず）と、電極端子６Ａ、６Ｂと共にリードフレームから形成された電極端子６Ｃとは、例えばアルミニウムのボンディングワイヤ７で接続されている。更に、放熱ブロック１、ＩＧＢＴ２、ＦＷＤｉ３、リード５等は、トランスファモールド法を用いて、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂により樹脂封止され、樹脂筐体８が形成される。
【００１４】
放熱ブロック１の裏面には、例えば、厚さが０．２ｍｍで、樹脂筐体８よりも熱伝導性に優れた、エポキシ系材料を主とする絶縁層９が固着されており、電力用半導体装置１００と、裏面に取り付けられる放熱フィン（図示せず）などとの絶縁を保つ構造となっている。
なお、樹脂封止後にリードフレームが切断され、それぞれの電極端子６Ａ、６Ｂ、６Ｃの樹脂筐体８から露出した部分が、外部端子となる。
【００１５】
リード５の接合部５Ａ、５Ｂの間の配線部５Ｃ、および接合部５Ｂと電極端子６Ｂとの接続部の間には直径が略２ｍｍの円形の貫通孔１０が設けられている。
このように、本実施の形態１にかかる電力用半導体装置１００では、放熱ブロック１と対向する位置にあるリード５に、貫通孔１０が設けられている。
【００１６】
貫通孔を有しないリードを用いた場合、放熱ブロック１とリード５の間には略０．８ｍｍの間隙が設けられ、ＩＧＢＴ２およびＦＷＤｉ３の表面とリード５（折り曲げ部）の間には略０．４ｍｍの間隙が設けられる。放熱ブロック１とリード５は互いに電気的に絶縁されている必要がある。この場合、空気のみでは空間絶縁距離が不足するため、この空間に絶縁樹脂を充填することが必要となる。また、ＩＧＢＴ２、ＦＷＤｉ３の外周部もおいて、それぞれの素子の表裏の沿面絶縁距離を確保するために、絶縁樹脂が充填されることが必要である。
【００１７】
しかしながら、リード５の幅が例えば１０ｍｍの場合には、リード５の横側から中央部までの距離は５ｍｍと長くなる。また、樹脂が充填される領域の、放熱ブロック１とリード５との間隔は、上述のように０．８ｍｍや、０．４ｍｍである。このため、特に、高さが０．４ｍｍの領域には樹脂が充填されにくく、およそ１０％の確率で未充填領域が残るという問題があった。
【００１８】
これに対して、樹脂の流入距離を短くしたり高さを大きくすることが、未充填領域をなくすためには効果的であるため、リード５の幅を小さくすることや接合部５Ａ、５Ｂの曲げ高さを大きくすることによって樹脂の流入を容易にすることも可能である。しかしながら、かかる手段では、リード５に通電可能な電流の容量が小さくなるという問題が発生し、また、高さを大きくすると、電力用半導体装置の薄型化が困難になるという問題もあった。
【００１９】
そこで、電力用半導体装置１００では、リード５に貫通孔１０を設けることにより、貫通孔１０を通って樹脂を充填できるようにした。この結果、ＩＧＢＴ２、ＦＷＤｉ３の外周部への樹脂の流入距離が従来の半分以下となり、特に、外周部の中央近傍では貫通孔１０からの距離を２ｍｍまで短縮することが可能となり、未充填領域の発生を著しく軽減できた。
【００２０】
以上のように、本実施の形態１にかかる電力用半導体装置１００では、トランスファモールドにおける樹脂の注入工程において、放熱ブロック１とリード５の狭隘な間隙、ＩＧＢＴ２とＦＷＤｉ３との間の更に狭隘な間隙に樹脂の未充填領域を残すことなく注入することが可能となり、絶縁特性などに悪影響を及ぼすことなく薄型パッケージを製造することが可能となる。
【００２１】
なお、電力用半導体装置１００では、ＩＧＢＴを用いる場合について説明したが、ＩＧＢＴと同じくゲート配線を有する電力用半導体素子であるＭＯＳＦＥＴ等でも同様の効果を得ることができる。また、電力用の半導体素子のみならず、他の小電流制御用の半導体素子にも、かかる構造を適用しても構わない。
【００２２】
また、本実施の形態では、はんだ４の材料としてＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだを示したが、Ｓｎ−Ｐｂ系はんだやＡｕ−Ｓｎ系、Ａｕ−Ｓｉ系はんだ等の、半導体素子の接合に適用可能な他のはんだ材料を用いてもかまわない。また、Ａｇペーストなどの比較的熱伝導率の高い導電性接着剤を用いても良い。
【００２３】
リード５の材質としてＣｕを用いたが、半導体素子の主材料であるＳｉとの熱膨張率の差を小さくするために、ＣｕとＭｏとのクラッド材料やＣｕとインバーとのクラッド材料、４２Ａｌｌｏｙやインバーなどの鉄系材料にＮｉやＳｎ等のメッキを施した材料をリード５として使用しても良い。
【００２４】
ＩＧＢＴ２のエミッタ電極（図示せず）上に形成する金属膜としてＡｕ／Ｎｉ／Ｍｏ／Ａｌの積層構造を用いたが、かかる積層構造の作成には、金属製のマスクパターンを用いた真空蒸着やスパッタリング、ウェハ上に有機系材料からなるレジストパターンを形成して行うＡｕ／Ｎｉ／Ａｌの無電解メッキなどを用いることができる。金属膜としては、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、はんだなどの、はんだの濡れ性の良い金属層を最表面に形成していれば良い。
なお、導電性接着剤を用いる場合には、はんだの濡れ性の良い金属膜を必ずしも最表面に形成する必要はないが、金属層の酸化によって電気抵抗が増加するため、Ａｕなどの酸化防止層を最表面に形成することが好ましい。
【００２５】
本実施の形態１では、熱封止樹脂および筐体の樹脂材料に関しては、本実施の形態１においては、熱硬化性樹脂を用いたトランスファモールド法により樹脂筐体８が形成しているが、代わりに、ＰＰＳ（ポリフェニルサルファイド）などの熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールド法によって形成しても構わない。
【００２６】
本実施の形態１では、放熱ブロック１の裏面にはエポキシ系の絶縁層９が固着され、リード５および引き出し電極部５Ａは樹脂筐体８によって封止された形状となっている。このように、放熱ブロック１やリード５、引き出し電極５Ａを外部表面に対して絶縁構造とすることで、例えば、数百ボルトから数キロボルトの絶縁耐圧が求められる、複数の電力用半導体装置１００を近接配置したシステムにおいても、絶縁を必要とする部分の沿面距離を小さくすることができる。これにより、例えば、冷却フィンの小型化が可能となり、システム全体の小型化、軽量化、低コスト化が可能となる。
【００２７】
なお、電力用半導体装置１００で選択される材料や半導体素子は、以下で述べる他の実施の形態２〜５にも適用することができる。ここで、半導体素子は、表面と裏面とを備えた半導体基板と、表面に設けられた第１電極と、裏面に設けられた第２電極と、表面に設けられ、第１電極と第２電極との間の電流を制御する制御電極とを備えた素子をいうものとする。
【００２８】
実施の形態２．
図３は、全体を２００で表される、本発明の実施の形態２にかかる電力用半導体装置の断面図である。図３中、図１と同一符合は、同一又は相当箇所を示す。
電力用半導体装置２００では、ＩＧＢＴ２およびＦＷＤｉ３が、はんだ４を用いて絶縁基板１１に電気的、機械的に接続されている。絶縁基板１１は、ＡｌＮ（窒化アルミ）板と、その両面に固着された、厚さが０．２５ｍｍのＣｕの配線パターン１１Ｂからなる。ＩＧＢＴ２およびＦＷＤｉ３は、配線パターンに１１Ｂに電気的に接続されている。
【００２９】
絶縁基板１１の裏面には、厚さ０．２５ｍｍのはんだ４によって、厚さ３ｍｍのＣｕからなるベース板１２が接合されている。
更に、ベース板１２の外周には、接着剤（図示せず）を用いて、ＰＰＳ（ポリフェニルサルファイド）樹脂を用いたケース１３が接着され、筐体の一部を形成している
【００３０】
ＩＧＢＴ２およびＦＷＤｉ３の表面にはリード５の接合部５Ａ、５Ｂがはんだ４により接合されている。
【００３１】
ケース１３には、外部電極６Ａ、６Ｂ、６Ｃがインサート成型により取り付けられており、リード５や絶縁基板１１の配線パターン１１Ｂとは、例えば超音波溶接により接合される。また、ＩＧＢＴ２のゲート電極とは、アルミニウムワイヤ７により電気的に接続される。
【００３２】
また、接合部５Ａと接合部５Ｂの間の配線部５Ｃと、および接合部５Ｂと外部電極６Ｂとの間の部分に、貫通孔１０が設けられている。
【００３３】
ケース１３内には、内部の絶縁を確保するためにシリコーンゲル１４が充填され、約１２５℃でキュアされる。更に、シリコーンゲル１４を覆うように蓋部１５が設けられる。
【００３４】
シリコーンゲル１４がケース１３内に充填される際に、リード５の下方には、リード５に設けられた貫通孔１０からもシリコーンゲル１４が注入される。この結果、リード５の下方において、シリコーンゲル１４の未充填領域の発生が防止でき、絶縁信頼性の高い電力用半導体装置２００を得ることができる。
【００３５】
また、シリコーンゲル１４を、真空注入、真空脱泡する場合にも、貫通孔１０からの注入、脱泡が可能となり、シリコーンゲル１４の未充填領域の発生を防止できる。
【００３６】
このため、リード５の曲げ高さ（段差部の高さ）を小さくすることができ、薄型の電力用半導体装置２００を提供することが可能となる。
【００３７】
実施の形態３．
図４は、全体が３００で表される、本発明の実施の形態３にかかる電力用半導体装置の斜視図である。図４中、図１と同一符号は同一または相当箇所を示す。また、図４において、理解が容易となるように、樹脂筐体等を省略してある。
【００３８】
電力用半導体装置３００では、リード５の配線部５Ｃが、ＩＧＢＴ２等の半導体素子の表面（または放熱ブロック１の表面）に対して略平行に配置された板状体となっている。配線部５Ｃの両側から接合部５Ａ、５Ｂが延び、その一部が段差部を兼ねるとともに、先端においてＩＧＢＴ２等と接合されている。段差の高さは１ｍｍであり、接合部５Ａ、５Ｂは、配線部５Ｃから両側に延びて、Ｕ字形に折り返されて段差部を形成し、その先がＩＧＢＴ２等と接合されている。配線部５Ｃの両側から延びた接合部５Ａは、互いにその先端がＩＧＢＴ２の上で向き合うようになっている。
【００３９】
ＩＧＢＴ２およびＦＷＤｉ３との接合部５Ａ、５Ｂの上方の配線部５Ｃには、それぞれリード５の配線方向の長さが５ｍｍで、最大幅が２ｍｍの楕円形の貫通孔１０Ａが設けられている。
また、ＩＧＢＴ２とＦＷＤｉ３とに挟まれた冷却ブロック１上の配線部５Ｃ、およびＦＷＤｉ３より外方の配線部５Ｃには、直径が略２ｍｍの略円形の貫通孔１０が設けられている。
【００４０】
図５には示していないが、冷却ブロック１やＩＧＢＴ２等は、図２に示したように、トランスファモールド法を用いて、絶縁樹脂からなる樹脂状態で封止される。
【００４１】
本実施の形態にかかる電力用半導体装置３００では、リード５に貫通孔１０Ａを設けることにより、リード５の下方において封止樹脂の未充填領域の発生を防止できるとともに、ＩＧＢＴ２等の半導体素子の周辺部でリード５と封止樹脂との密着性を向上させることができる。
【００４２】
また、ＩＧＢＴ２とＦＷＤｉ３の間や、ＦＷＤｉ３とリードフレームにて形成される外部電極５Ｃとの間にも貫通孔１０を設けることにより、更に、放熱ブロック１とリード５との間隙への樹脂の充填が容易となる。
【００４３】
加えて、ＩＧＢＴ２やＦＷＤｉ３との接合部５Ａ、５Ｂが、両側から互いに向き合うように形成され、その上方のリード５に貫通孔１０Ａを設けることにより、接合部５Ａ、５Ｂのはんだフィレットの状態などを目視等で検査することが容易となり、リード５の接合状態の検査工程を短時間で、簡単に行うことができる。
【００４４】
更に、電力用半導体装置の熱特性を評価する場合においても、貫通孔の無い構造では、ＩＧＢＴ２表面、ＦＷＤｉ３表面の温度実測は、予め熱電対を取り付けた熱特性を測定するためのサンプルを別途作成する必要があったが、貫通孔１０、１０Ａを設けることによってサーモグラフィを用いた測定が可能となり、別途測定用サンプルを作製する必要がなくなった。また、測定誤差の少ない正確な温度測定が可能となった。
【００４５】
実施の形態４．
図５は、全体が４００で表される、本発明の実施の形態４にかかる電力用半導体装置の斜視図である。図５中、図１と同一符号は同一または相当箇所を示す。また、図５において、理解が容易となるように、樹脂筐体等を省略してある。
【００４６】
電力用半導体装置４００では、ＩＧＢＴ２およびＦＷＤｉ３との接合部５Ａ、５Ｂの上方のリード５（配線部５Ｃ）には、それぞれ直径が２ｍｍの円形の貫通孔１０が、配線方向に２つずつ形成されている。他の構造は、上述の電力用半導体装置３００と同様である。
【００４７】
かかる電力用半導体装置４００では、リード５の機械的剛性、電気伝導面積を著しく減少させることなく、リード５および接合部５Ａ、５Ｂとの狭隘な間隙への封止樹脂の充填が容易となる。また、ＩＧＢＴ２やＦＷＤｉ３表面のはんだ４の外観検査や、電力用半導体装置の熱特性評価を容易に行うことができる。
【００４８】
なお、図６は、電力用半導体装置４００に用いることができる、他のリード５の斜視図である。図６では、リード５の接合部５Ａ、５Ｂが、配線部５Ｃとは別部材から形成されている。リード５の配線部５Ｃと接合部５Ａ、５Ｂとは、例えば、ろう付けや溶接などにより接続される。
【００４９】
図６に示すようなリード５では、リード５の厚さを１．０ｍｍ、接合部５Ａ、５Ｂの厚さを０．３ｍｍとし、両者の厚さに差異を設けたり、接合部５Ａ、５Ｂを、リード５の材料と比べて熱膨張率の小さい材料から形成したりすることができる。これにより、接合部５Ａ、５ＢとＩＧＢＴ２、ＦＷＤｉ３とを接続する例えばはんだ４の熱応力による破壊を抑制することが可能となり、より信頼性の高く、環境変化の影響を受けにくい電力用半導体装置を得ることが可能となる。
【００５０】
実施の形態５．
図７は、本発明の実施の形態５にかかる電力用半導体装置に用いるリードの展開図であり、図８は、図７のリードを用いた、全体が５００で表される電力用半導体装置の斜視図である。図７、８中、図１と同一符号は同一または相当箇所を示す。また、図８において、理解が容易となるように、樹脂筐体等を省略してある。
【００５１】
電力用半導体装置５００では、リード５のＩＧＢＴ２およびＦＷＤｉ３との接合部５Ａ、５Ｂがそれぞれ櫛歯状になっており、それぞれＵ字形に折り曲げられてＩＧＢＴ２等に接合されている。
ＩＧＢＴ２、ＦＷＤｉ３と接合された接合部５Ａ、５Ｂの上方に位置するリード５（配線部５Ｃ）には貫通孔１０Ａが設けられている。また、ＩＧＢＴ２とＦＷＤｉ３との間の、冷却ブロック１の上方に位置するリード５（配線部５Ｃ）には、貫通孔１０Ａより開口面積の小さい貫通孔１０が設けられている。
【００５２】
かかる電力用半導体装置５００では、半導体素子であるＩＧＢＴ２やＦＷＤｉ３とリード５の接合部５Ａ、５Ｂとの接合面積が小さくなる。この結果、電力用半導体装置全体に温度サイクルが付加された場合に、はんだ４にかかる熱応力が小さくなり、破損等が防止できる。
【００５３】
また、接合部５Ａ、５Ｂでは、はんだ量のばらつきにより一部が未接合となる可能性が有り、何らかの形での検査が必要となる。リード５に貫通孔１０Ａを形成することにより、ＩＧＢＴ２およびＦＷＤｉ３との接合部がそれぞれの半導体素子の直上から目視等で確認でき、検査工程の簡略化が可能となる。
【００５４】
特に、図７の展開図を示したように、それぞれ櫛歯状に分割された接合部を折り曲げた場合に、その直上に貫通孔１０Ａが位置するような構成とすることが好ましい。
【００５５】
なお、冷却ブロック１の上方に位置するリード５（配線部５Ｃ）設けられた貫通孔１０は、樹脂を充填する際に未充填領域を残さないために形成されたものであり、貫通穴１０Ａに比べて面積が小さくても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる電力用半導体装置の斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる電力用半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２にかかる電力用半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３にかかる電力用半導体装置の斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態４にかかる電力用半導体装置の斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態４にかかる電力用半導体装置に用いられるリードの概略図である。
【図７】本発明の実施の形態５にかかる電力用半導体装置に用いられるリードの展開図である。
【図８】本発明の実施の形態５にかかる電力用半導体装置の斜視図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  放熱ブロック、２  ＩＧＢＴ、３  ＦＷＤｉ、４  はんだ、５  リード、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ  外部端子、７  アルミニウムワイヤ、８  樹脂筐体、９  絶縁層、１０、１０Ａ  貫通孔、１００  電力用半導体装置。
【図１】
2006202885.tif 000003
【図２】
2006202885.tif 000004
【図３】
2006202885.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006202885.tif 000007
【図６】
2006202885.tif 000008
【図７】
2006202885.tif 000009
【図８】
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