(57)【要約】      （修正有）【課題】  バインダーがなく高充填された蛍光体による放射線像変換パネルの製造方法、高感度でかつ高鮮鋭度の放射線像変換パネルを提供する。【解決手段】  ガラス基板等からなる絶縁性基板上に非晶質シリコンより成る半導体薄膜を用いたフォトダイオードとＴＦＴ（薄膜トランジスタ）よりなる光電変換素子が複数２次元に形成され、その表面に半導体保護層が形成され、全体として光検出器が構成される。ついで、上記光検出器に、蛍光体層を形成して放射線ディテクターが構成される。この場合、減圧下で蛍光体をプラズマ溶射して放射線像変換パネルの蛍光体膜を製造する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧下で蛍光体をプラズマ溶射して蛍光体膜を製造することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法において、蛍光体がＧｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂであることを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
減圧下でかつ硫黄を含む雰囲気ガス中で、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂをプラズマ溶射して蛍光体膜を製造することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の放射線像変換パネルの製造方法により製造されたことを特徴とする放射線像変換パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療診断機器に用いられる新規の放射線像変換パネルとその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の放射線写真法に代わる有効な診断手段として、最近ではＸ線蛍光体層と２次元光検出器を用いたフラットパネル型のデジタル放射線検出装置（ＦＰＤ）が普及しつつある。これは、画像特性が良好であること、画像の読み取り速度が高速であること等の利点があり、盛んに研究開発が行われている。
【０００３】
従来のＦＰＤの蛍光体層は、粒径０．１〜２０μｍ程度の微粉末からなる蛍光体粉、その蛍光体粉を結合させるための樹脂バインダー、これらの隙間に存在する空隙から構成されたシート状の形態からなっている。
【０００４】
しかしながら、従来の構成では、Ｘ線を照射された蛍光体から放出された光の一部が樹脂バインダーで吸収されることによって蛍光体層の発光量が低下するという問題があった。
【０００５】
また、バインダの存在により蛍光体の充填率に限界があり、所望のＸ線吸収量を得るためには蛍光体層を厚くする必要があり、そのためにＸ線画像の鮮鋭性が低下する問題があった。
【０００６】
この課題に対し、樹脂バインダーが存在しない蛍光体膜を用いた放射線像変換パネルとして、気相成長法（いわゆる真空蒸着法）によって支持体上に、細長い柱状結晶を形成した蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが開示されている（例えば、特許文献１参照）。しかし、このような真空蒸着法の適用が困難な蛍光体材料が多数あり、また製造装置は高真空を必要とするため高価であるという課題があった。真空蒸着法の適用が困難な蛍光体材料の例として、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂが挙げられる。Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：ＴｂはＸ線吸収率と発光強度が高く、理想的なＦＰＤ用蛍光体であるが、真空蒸着により製膜された例は少なく、膜質も十分なものではなかった（非特許文献１参照）。
【０００７】
一方、樹脂バインダーを用いずに高充填率の蛍光体膜を作製する方法として、プラズマ溶射による成膜法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。しかし、該公報に記載の蛍光体材料であるＣａＷＯ4やＣａＳｉＯ3はＦＰＤ用としては十分な性能を有していない。また我々の実験検討結果によれば、該公報に記載の製造条件でＧｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂの成膜を試みたところ、酸化によると推察される蛍光体粒子の分解が生じてしまい、良質なＧｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂの膜を得ることが出来なかった。
【特許文献１】特開昭５７−１３６７４４号公報
【非特許文献１】ＩＥＩＣＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．誌、Ｅ８１−Ｃ巻、１１号、ｐ１７２１
【特許文献２】特許第１６２１４７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、バインダーがなく高充填された蛍光体による放射線像変換パネルの製造方法、高感度でかつ高鮮鋭度の放射線像変換パネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、上記目的は以下に示す構成を採ることにより達成されることがわかった。
【００１０】
（請求項１）
減圧下で蛍光体をプラズマ溶射して蛍光体膜を製造することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【００１１】
（請求項２）
請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法において、蛍光体がＧｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂであることを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【００１２】
（請求項３）
減圧下でかつ硫黄を含む雰囲気ガス中で、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂをプラズマ溶射して蛍光体膜を製造することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【００１３】
（請求項４）
請求項１〜３の何れか１項に記載の放射線像変換パネルの製造方法により製造されたことを特徴とする放射線像変換パネル。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、バインダーがなく高充填された蛍光体による放射線像変換パネルの製造方法、高感度でかつ高鮮鋭度の放射線像変換パネルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１６】
（フラットパネル型放射線ディテクタ）
本発明の製造方法によって構成された放射線検出器の一実施形態として、フラットパネル型の放射線ディテクタ（ＦＰＤ）について例示する。
【００１７】
ガラス基板等からなる絶縁性基板上に非晶質シリコンより成る半導体薄膜を用いたフォトダイオードとＴＦＴ（薄膜トランジスタ）よりなる光電変換素子が複数２次元に形成され、その表面に半導体保護層が形成され、全体として光検出器が構成される。ついで、上記光検出器に、蛍光体層を形成してＦＰＤが構成される。
【００１８】
蛍光体層をＦＰＤに設ける方法としては、支持基板に形成された蛍光体層、すなわち放射線像変換パネルを光検出器に貼り合わせればよく、必要に応じて接着剤を使用することができる。支持基板が不透明な場合は、蛍光体層と光検出器と接するように形成するが、支持基板が光学的に透明な場合は、支持基板を光検出器と接するように形成することもできる。
【００１９】
また、光検出器が支持基板を兼ねても良く、光検出器の半導体保護層に、直接、蛍光体層を形成しても良い。また必要に応じて、光検出器と接しない面の蛍光体層には光反射層が配置されてもよい。
【００２０】
本実施形態において、光検出器の詳細な構成、材料、製法は、従来公知の技術を用いることができるので、詳しい説明は省略するが、特開２００３−５７３５３号公報に記載される構成、材料は、安価で軽量のＦＰＤが得られるため好ましい。
【００２１】
上述の蛍光体粉体としては、ＣａＷＯ4、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、ＢａＳＯ4：Ｐｂ等の従来知られている蛍光体材料を使用できる。Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ蛍光体粒子は、特に発光効率が高いので好ましい。
【００２２】
上述の蛍光体の支持基板としては、特に材料に限定されることはないが、一般的な基板、例えば、樹脂基板、セラミックス、石英ガラス等のほか、チタン、ステンレス等の金属基板も使用できる。
【００２３】
接着層、蛍光体保護層、半導体保護層は、これらの層の機能が発揮できる厚さであればできるだけ薄い方が、輝度、鮮鋭度を高めることができるために好ましく、概略２０μｍ以下が好ましい。
【００２４】
光反射層としては、一般的な光反射性材料を形成することにより蛍光体層の輝度を向上できる。これらの材料としては、スパッター、蒸着等の従来知られている成膜方法により作製される金属膜、例えば、チタン、ニッケル、白金、パラジウム等の単一金属又はそれらの合金が挙げられる。また、例えば、カーボン粉体をプレス成形し板状としたもの等により、光吸収層を形成することで蛍光体層の鮮鋭度を向上できる。反射層、吸収層の形成はＸ線撮影の目的により適宜選択すればよい。
【００２５】
更に、必要に応じて蛍光体の保護層として光透過性の高い樹脂フィルム、例えば、ポリエステルフィルム、塩化ビニルフィルム、ポリカーボネートフィルム等もしくはガラス等の無機基板等を蛍光体層に接着剤で貼り合わせることも可能である。以上のように蛍光体粒子が焼結により一体化された蛍光体層を含むシンチレータを光検出器に接着層を介して接合することにより、放射線検出装置を作製できる。
【００２６】
本発明の製造方法によって構成された放射線検出器の別の実施形態として、輝尽性蛍光体プレートについて例示する。
【００２７】
この態様は、支持体とその表面に設けられた輝尽性蛍光体層からなり、更に輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対側の表面には通常、ポリマーフィルムや無機物の蒸着膜からなる保護膜が設けられる。
【００２８】
輝尽性蛍光体としては、通常４００〜９００ｎｍの範囲にある励起光によって波長３００〜５００ｎｍの範囲にある輝尽発光を示すものが一般的に利用される。例えば、特開昭５５−１２１４５号、同５５−１６００７８号、同５６−７４１７５号、同５６−１１６７７７号、同５７−２３６７３号、同５７−２３６７５号、同５８−２０６６７８号、同５９−２７２８９号、同５９−２７９８０号、同５９−５６４７９号、同５９−５６４８０号等に記載の希土類元素賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体；特開昭５９−７５２００号、同６０−８４３８１号、同６０−１０６７５２号、同６０−１６６３７９号、同６０−２２１４８３号、同６０−２２８５９２号、同６０−２２８５９３号、同６１−２３６７９号、同６１−１２０８８２号、同６１−１２０８８３号、同６１−１２０８８５号、同６１−２３５４８６号、同６１−２３５４８７号等に記載の２価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体；特開昭５５−１２１４４号に記載の希土類元素賦活オキシハライド蛍光体；特開昭５８−６９２８１号に記載のセリウム賦活３価金属オキシハライド蛍光体；特開昭６０−７０４８４号に記載のビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体；特開昭６０−１４１７８３号、同６０−１５７１００号に記載の２価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属ハロ燐酸塩蛍光体；特開昭６０−１５７０９９号に記載の２価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属ハロホウ酸塩蛍光体；特開昭６０−２１７３５４号に記載の２価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属水素化ハロゲン化物蛍光体；特開昭６１−２１１７３号、同６１−２１１８２号に記載のセリウム賦活希土類複合ハロゲン化物蛍光体；特開昭６１−４０３９０号に記載のセリウム賦活希土類ハロ燐酸塩蛍光体；特開昭６０−７８１５１号に記載の２価のユーロピウム賦活ハロゲン化セリウム・ルビジウム蛍光体；特開昭６０−７８１５１号に記載の２価のユーロピウム賦活複合ハロゲン化物蛍光体、等が挙げられる。
【００２９】
中でも、沃素を含有する２価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体、沃素を含有する希土類元素賦活オキシハロゲン化物蛍光体及び沃素を含有するビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体は高輝度の輝尽発光を示す。
【００３０】
特に好ましい輝尽性蛍光体の組成としては、例えば下記の構造を有するものがある。
【００３１】
一般式Ｂａ1-x（Ｍ2）xＦＢｒyＩ1-y：ａＭ1，ｂＬｎ，ｃＯ
〔式中、Ｍ1:Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属、Ｍ2：Ｂｅ、Ｍｇ、Ｓｒ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属、Ｌｎ：Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ及びＹｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素、ｘ、ｙ、ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０≦ｘ≦０．３、０＜ｙ≦０．３、０≦ａ≦０．０５、０＜ｂ≦０．２，０＜ｃ≦０．１の範囲の数値を表す。〕
または、下記の構造を有するものも優れた特性を有する。
【００３２】
一般式Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2・ｂＭ3Ｘ″3：ｅＡ
〔式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子である。Ｘ、Ｘ′、Ｘ″は各々Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲンで原子であり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。〕
輝尽性蛍光体プレートに用いられる支持体としては、各種高分子材料、ガラス、金属等が用いられる。特に情報記録材料としての取り扱い上、可撓性のあるシートあるいはウェブに加工できるものが好適であり、この点からいえばセルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シートあるいは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。
【００３３】
また、これら支持体の膜厚は用いる支持体の材質等によって異なるが、一般的には８０〜１０００μｍであり、取り扱い上の点から、さらに好ましくは８０〜５００μｍである。
【００３４】
これらの支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面としても良い。更に、これら支持体は、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に、下引層を設けても良い。
【００３５】
輝尽性蛍光体プレートに設ける保護層としては、ポリエステルフィルム、ポリメタクリレートフィルム、ニトロセルロースフィルム、セルロースアセテートフィルム等が使用できるが、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルム等の延伸加工されたフィルムが、透明性、強さの面で保護層として好ましく、更には、これらのポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンテレフタレートフィルム上に金属酸化物、窒化珪素などの薄膜を蒸着した蒸着フィルムが防湿性の面からより好ましい。
【００３６】
保護層で用いるフィルムは、必要とされる防湿性に合わせて、樹脂フィルムや樹脂フィルムに金属酸化物などを蒸着した蒸着フィルムを、複数枚積層することで最適な防湿性とすることができ、蛍光体の吸湿劣化防止を考慮して、透湿度は少なくとも５０ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下であることが好ましい。樹脂フィルムの積層方法としては、特に制限はなく、公知のいずれの方法を用いても良い。
【００３７】
又、積層された樹脂フィルム間に励起光吸収層を設けることによって、励起光吸収層が物理的な衝撃や化学的な変質から保護され、安定したプレート性能が長期間維持でき好ましい。又、励起光吸収層は複数箇所設けてもよいし、積層する為の接着剤層に色剤を含有して、励起光吸収層としても良い。
【００３８】
保護層は、蛍光体層に接着層を介して密着していても良いが、蛍光体面を被覆するように設けられた構造（以下、封止又は封止構造ともいう）であることがより好ましい。蛍光体面を封止するに当たっては、公知のいずれの方法でもよいが、防湿性保護フィルムの蛍光体面に接する側の最外層樹脂層を熱融着性を有する樹脂フィルムとすることは、防湿性保護フィルムが融着可能となり、放射線画像変換パネルの封止作業が効率化される点で、好ましい形態の１つである。
【００３９】
尚、上記熱融着性を有する樹脂フィルムとは、一般に使用されるインパルスシーラーで融着可能な樹脂フィルムのことであり、例えば、エチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）やポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム等を挙げることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４０】
更には、輝尽性蛍光体プレートの上下に防湿性保護フィルムを配置し、その周縁が前記パネルの周縁より外側にある領域で、上下の防湿性保護フィルムをインパルスシーラー等で加熱、融着して封止構造とすることで、前記プレートの外周部からの水分進入も阻止でき好ましい。又、支持体面側の防湿性保護フィルムを１層以上のアルミフィルムをラミネートしてなる積層フィルムとすることで、より確実に水分の進入を低減でき、又この封止方法は作業的にも容易であり好ましい。上記インパルスシーラーで加熱融着する方法においては、減圧環境下で加熱融着することが、プレートの防湿性保護フィルム内での位置ずれ防止や大気中の湿気を排除する意味でより好ましい。
【００４１】
防湿性保護フィルムの蛍光体面が接する側の熱融着性を有する最外層の樹脂層と蛍光体面は、接着していても接着していなくてもかまわない。ここでいう接着していない状態とは、微視的には蛍光体面と防湿性保護フィルムとが点接触していても、光学的、力学的には殆ど蛍光体面と防湿性保護フィルムは不連続体として扱える状態のことである。
【００４２】
以上、本発明で作製できる放射線像変換パネルの利用例として、ＦＰＤと輝尽性蛍光体プレートについて示したが、本発明はこれらに限定されるものでは無い。他の利用例としては、従来の蛍光増感紙と放射線写真フィルムを組み合わせた所謂スクリーンフィルムシステムに用いる蛍光増感紙等が挙げられる。
【００４３】
〔蛍光体層の形成方法〕
本発明では蛍光体層の形成には、減圧下において原料である蛍光体の微粒子をプラズマによって溶融、射出し、基板上に融着する所謂減圧プラズマ溶射法を用いることを特徴とする。
【００４４】
プラズマ溶射装置としては、エアロプラズマ社製ＡＰＳ−７０００、ＴＡＦＡ社製Ｐｌａｚｊｅｔ、スルザーメテコ社製ＴＲＩＰＬＥＸ  II等が好ましく使用できる。特に好ましくはエアロプラズマ社製ＡＰＳ−７０００である。
【００４５】
パラメータの好ましい範囲は以下の通りである。
【００４６】
粉体の粒径：１０〜１００μｍ
プラズマガス流量：１〜２００Ｌ／ｍｉｎ
プラズマ出力：１０〜２００ｋＷ
キャリアガス流量：１〜２０Ｌ／ｍｉｎ
溶射距離：１０〜２００ｍｍ
粉体供給速度：１〜１００ｇ／ｍｉｎ
予熱（溶射前基板温度）：１０〜５００℃
上記のようなプラズマ溶射装置と、蛍光体層を溶射するための基板及び基板ホルダーとを減圧チャンバー内に設置することで本発明の減圧プラズマ溶射成膜装置が構成される。
【００４７】
以下に図面を参照して本発明のプラズマ溶射法の実施の形態を詳細に説明する。
【００４８】
図１は本発明のプラズマ溶射法の実施に好適なプラズマ溶射装置の概略的な縦断面図であり、図２は溶射ガンの断面図である。
【００４９】
減圧チャンバ２は、真空ポンプ１によって内部が真空引きされた後、不活性ガス等の雰囲気ガスが導入され、減圧下でプラズマ溶射を行うことができるように構成されている。即ち、減圧チャンバ２内にワーク移動装置３と溶射ガン移動装置４とが設置されて、ワーク移動装置３は、そのテーブル３ａの上面に載置されたワーク５を前後、左右、上下及び回転させうるようになっている。
【００５０】
溶射ガン移動装置４に取り付けられた軸方向粉末送給式プラズマ溶射ガン６にはＡｒ等のキャリアガスを流すことにより粉末送給管７を介して微粉送給装置８から粒径１０〜１００μｍの微粉が供給される。１３はパワーケーブルを示す。
【００５１】
図２の通り、この軸方向粉末送給式プラズマ溶射ガン６内においては、粉末送給管７の末端の微粉供給口９の周囲にプラズマ流路１０が設けられており、このプラズマ流路１０に対しＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスが供給される。このガスがアノード１１とカソード１２との間を流れることによりプラズマ流が発生し、このプラズマ流が微粉供給口９の前方において合流し、プラズマジェットとなる。このプラズマ流の合流部に対し供給口９からキャリアガスにより微粉が供給され、プラズマジェットによって溶融状態の微粉粒子がワーク５の表面に吹き付けられる。
【００５２】
このような軸方向粉末送給式プラズマ溶射ガンであれば、原料粉末の溶融、加速効果が高く、緻密でワークへの密着性の高い溶射皮膜を効率的に形成することができる。
【００５３】
本発明において用いる原料粉末は、好ましくは粒径１０〜１００μｍの微粉である。原料粉末の粒径が１００μｍよりも大きいと、未溶融粒子の存在で緻密な溶射皮膜を形成し得ない。なお、原料粉末の平均粒径は１５〜５０μｍであることが好ましい。
【００５４】
このような微粉の原料粉末であれば、溶融し易いため緻密な溶射皮膜を形成することができ、また、材料選択の自由度が拡大して皮膜の高純度化も可能となるという効果も奏される。
【００５５】
本発明において、溶射雰囲気は、減圧下、好ましくは１０，０００Ｐａ以下の不活性ガス（Ａｒ、Ｈｅ等）雰囲気下とする。このような減圧雰囲気で溶射を行うことにより、酸化による原料粉末の分解を抑制して、溶射粒子をワークに高速で衝突させることが可能となる。
【００５６】
また、減圧プラズマ溶射であれば、雰囲気制御が容易で、原料の材質変化が小さく、高温、高速ジェットで効率的な溶射を行えるという効果も奏される。
【００５７】
減圧チャンバーは真空ポンプによって内部が真空引きされた後、不活性ガスなどの雰囲気ガスが導入され、減圧下でプラズマ溶射が行なうことができるように構成される。本発明においては、真空引きの後にチャンバー内に導入されるガスとして、不活性ガスのほかに、硫黄を含む雰囲気ガスを用いることができる。硫黄を含む雰囲気ガスとしては、硫化水素、二酸化硫黄、６フッ化硫黄等が好ましく、硫化水素が特に好ましい。本発明では減圧雰囲気は好ましくは１０，０００Ｐａ以下であり、更に好ましくは１，０００Ｐａ以下である。
【００５８】
原料粒子の粒径測定方法としては、一般的なレーザー回折式粒径測定装置があげられ、具体的には、ＨＥＬＯＳ（ＪＥＯＬ社製）、Ｍｉｃｒｏｔｒａｃ  ＨＲＡ（日機装社製）、ＳＡＬＤ−１１００（島津製作所社製）、コールターカウンター（コールター社製）などがあげられる。特に好ましくはＭｉｃｒｏｔｒａｃ  ＨＲＡである。
【実施例】
【００５９】
以下、フラットパネル型のデジタル放射線検出装置（ＦＰＤ）による実施例を用いて本発明を説明する。
【００６０】
〔実施例１〕
（放射線検出装置１の作製：本発明）
厚さ１．０ｍｍの無アルカリガラス基板上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上に、フォトダイオードとＴＦＴからなる光電変換素子を形成し、その上にＳｉＮｘよりなる保護膜を形成して光検出器を作製した。
【００６１】
減圧チャンバーの中に設置したエアロプラズマ社製ＡＰＳ−７０００プラズマ溶射装置を用いて蛍光体層を形成した。減圧チャンバー内の真空度は、Ｎ2ガスにより５００Ｐａとした。
【００６２】
蛍光体層を形成するために粒度分布１０〜３０μｍ、平均粒径２０μｍのＧｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂの蛍光体粒子を用いた。
【００６３】
溶射の条件は、窒素プラズマガス流量５０（Ｌ／ｍｉｎ）プラズマ出力６０（ｋＷ）、粉体キャリアガス流量６（Ｌ／ｍｉｎ）、溶射距離６０ｍｍ、粉体供給速度２０（ｇ／ｍｉｎ）、予熱温度１５０℃とした。
【００６４】
上記の条件で蛍光体粒子を厚さ１ｍｍのステンレス製支持基板上に吹きつけて２００μｍの成膜を行った。更に、蛍光体層及び基板と光検出器を、アクリル系接着剤（協立化学社製；商品名ワールドロックＮＯ．ＸＳＧ−５）により接合することで放射線検出装置１を作製した。
【００６５】
〔実施例２〕
（放射線検出装置２の作製：本発明）
蛍光体層を形成するときの減圧雰囲気を窒素ガスから硫化水素ガスに変えたほかは実施例１と同様にして放射線検出装置２を作製した。
【００６６】
〔比較例１〕
（放射線検出装置３の作製：比較例）
蛍光体層を形成するときの雰囲気を常圧の大気に変えたほかは実施例１と同様にして放射線検出装置３を作製した。
【００６７】
〔比較例２〕
（放射線検出装置４の作製：比較例）
上記放射線検出装置１の作製と同様にして光検出器を作製した。また、蛍光体塗布液Ａとして、平均粒径３μｍのＧｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂを１００質量部、エチルセルロースを１０質量部、テルピネオールを５０質量部、キシレンを３０質量部、蛍光体塗布液Ｂとして、平均粒径７μｍのＧｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂを１００質量部、エチルセルロースを１０質量部、テルピネオールを５０質量部、キシレンを３０質量部、それぞれをサンドミルで混合、分散し、蛍光体塗布液Ａ、Ｂを調製した。
【００６８】
更に、厚さ０．３ｍｍの酸化チタン含有ポリエチレンテレフタレート製支持基板に、ナイフコーター法を用い、蛍光体塗布液Ａを用いて、厚さ３０μｍの蛍光体層を形成した。６０℃で６時間乾燥した後、更に、蛍光体塗布液Ｂを用いて、厚さ１７０μｍの蛍光体層を形成し、計２００μｍの蛍光体層を形成した。
【００６９】
更に、蛍光体層の上に６μｍの厚みのポリエチレンテレフタレートフィルムをラミネートし、更に、光検出器とを放射線検出装置１と同様に接合することで、放射線検出装置４を作製した。
【００７０】
〔比較例３〕
（放射線検出装置５の作製：比較例）
蛍光体粒子を粒度分布２０〜４０μｍ、平均粒径３０μｍのＣａＷＯ4に、蛍光体層を形成するときの雰囲気を常圧の大気に変えたほかは実施例１と同様にして放射線検出装置５を作製した。
【００７１】
〔放射線検出装置の評価〕
各放射線検出装置について、感度及び鮮鋭度を測定し、得られた結果を表１に示す。
【００７２】
感度測定は、厚さ１００ｍｍの水ファントムを通して、管電圧１００ｋＶのＸ線で撮影した時の値であり、比較例である放射線検出装置４の感度を１とした相対感度で表示した。また、鮮鋭度は空間周波数２本／ｍｍにおけるＭＴＦ値を求め、比較例である放射線検出装置４のＭＴＦ値を１とした相対値で表示した。
【００７３】
【表１】
2006208148.tif 000002
【００７４】
表１から明らかなように、本発明の製造方法で作製した放射線像変換パネルを用いた放射線検出装置は、比較例に対し、感度、鮮鋭度共に優れていることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】プラズマ溶射装置の概略的な縦断面図。
【図２】溶射ガンの断面図。
【符号の説明】
【００７６】
１  真空ポンプ
２  減圧チャンバ
３  ワーク移動装置
３ａ  テーブル
４  溶射ガン移動装置
５  ワーク
６  プラズマ溶射ガン
７  粉末送給管
８  微粉送給装置
９  微粉供給口
１０  プラズマ流路
１１  アノード
１２  カソード
【図１】
2006208148.tif 000003
【図２】
2006208148.tif 000004