(57)【要約】 【課題】  被検出体の厚みの差異に拘わらす測定が可能で、かつ温度特性に優れる渦電流式検出センサを提供することを目的とする。【解決手段】  渦電流式検出センサ１は発振回路１０、検波回路２０、比較回路３０を主体として構成され、このうちの発振回路１０は検出コイルＬとコンデンサＣとからなるＬＣ並列共振回路１１と増幅回路１２とを備えてなる。そして、検出コイルＬは互いに逆向きに巻かれたコイル部Ｌａ、Ｌｂとから構成されており、検出コイルＬに対して励磁電流が流されたときに、互いが作る磁束同士が打ち消しあうようになっている。これにより、検出コイル全体では、必要な抵抗成分を確保しつつ、インダクタンス成分を小さくすることが可能となり、被検出体の厚みの差異に拘わらす測定が可能で、かつ温度特性に優れる渦電流式検出センサを提供することが可能となる。【選択図】  図４
2006208331.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出コイルと、
前記検出コイルを含む発振回路と、
前記検出コイルを被検出体に接近させたときに同被検出体に生ずる渦電流に起因する前記発振回路の発振振幅の大きさの変化に基づいて前記被検出体を検出する検出手段と、を備えた渦電流式検出センサであって、
前記検出コイルは電気的に直列接続された第一コイル部と、第二コイル部よりなるとともに、
この第二コイル部はインダクタンスの大きさが前記第一コイル部のインダクタンスの大きさより小さく設定され、かつ検出コイルに励磁電流がながされたときに、第一コイル部に生じる磁束を打ち消すべくコイルの巻き方向が前記第一コイル部の巻き方向に対して反対方向に巻かれていることを特徴とする渦電流式検出センサ。
【請求項２】
前記両コイル部の中心径は同一径とされ、前記第二コイル部の巻き数を第一コイル部の巻き数に比べて少なくすることでインダクタンスの大きさを異ならせるようにしてあることを特徴とする請求項１に記載の渦電流式検出センサ。
【請求項３】
前記第一コイル部と前記第二コイル部は同一のボビンに巻かれていることを特徴とする請求項１に記載の渦電流式検出センサ。
【請求項４】
前記検出コイルは前記第一コイル部並びに、前記第二のコイル部を前記ボビンの中心軸方向に連なるように配置してなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の渦電流式検出センサ。
【請求項５】
前記検出コイルはいずれか一方側のコイル部の外周側に他方側のコイル部を巻きつけてなることを特徴とする請求項３に記載の渦電流式検出センサ。
【請求項６】
前記第一コイル部が前記第二コイル部の外周側に巻かれていることを特徴とする請求項５に記載の渦電流式検出センサ。
【請求項７】
前記ボビンには第一コイル部と前記第二コイル部との境目となる部分を保持するための保持部が設けられていることを特徴とする請求項３ないし請求項６のいずれかに記載の渦電流式検出センサ。
【請求項８】
前記検出手段は前記発振回路の発振振幅を測定する振幅測定手段と、前記振幅測定手段で測定された振幅レベルに基づいて前記検出物までの距離を決定する距離決定手段とからなり、
この距離決定手段で決定された結果を出力する出力部を備えてなることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の渦電流式検出センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、渦電流式検出センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、コイルを有する発振回路、検波回路（整流回路）を主体として構成される渦電式の検出センサが広く知られている（特許文献１）。
この種の検出センサはヘッドに発振コイルが内臓されており、発振回路によって発振コイルに交流の励磁電流を流すと、ヘッドの発振コイルに磁界が生ずる。このヘッドを検出体に近接させると、コイルの磁界が金属体に鎖交するため金属体に渦電流（誘導電流）が流れる。この渦電流により、検出体では電力損失が生ずるが、これは発振コイル側のエネルギーが誘導現象によって検出体側に引き出されたものである。そのため、発振コイル側ではエネルギーの低下、すなわち発振振幅が小さくなる。従って、この発振振幅の変化に基づいて、検出体とヘッド間の距離の変動を検出することが出来る。
【０００３】
ところで、渦電流式の検出センサの測定誤差要因には、次の２点が挙げられる。
一点目としては温度特性である。コイルはインダクタンス成分と抵抗成分があり、両成分とも温度変化によって、その値が変化する。
ここで、両成分が発振振幅に与える影響について簡単に説明すると、インダクタンス成分は温度変化に対して線形性を示すから、温度が上昇するとその分、インダクタンス成分が大きくなる。これにより、発振周波数が温度上昇前の状態に比べて低くなる。すると、被検出体に鎖交する磁束の変化が小さくなるため、渦電流が小さくなり発振コイル側から引き出されるエネルギーが減少する。これにより、インダクタンス成分の影響のみを考えると、温度上昇によって発振振幅は増加方向に変化する。一方、温度の上昇に伴って抵抗成分が大きくなるが、これにより、発振回路内部での電力消費が起こる。すなわち、抵抗成分は発振振幅を減少させるように作用する。以上のことから、インダクタンス成分と抵抗成分のバランスがとれるように、回路定数を決めてやる（発振周波数の選択）ことで、両成分が発振振幅に与える影響を相殺させ、これにより温度ドリフトを最小限に留めることが可能となる。
【０００４】
二点目としては、被検出体の厚みの差異である。厚みの異なる検出体では、ヘッドと検出体の対向距離が同じであっても、磁束の鎖交面積が変わるから同検出体に鎖交する磁束の変化の度合いが変わる。
これにより、渦電流の分布、大きさが変わるため、発振振幅のレベルが変化してしまう。係る渦電流値の変動を小さくするためには、高周波で発振させてやればよく、これを実現するには、発振回路を構成するコイルのインダクタンスの値、或いはコンデンサのキャパシタンスの値を小さくしてやればよい。
ここで、コンデンサのキャパシタンスを小さくするのは製造上の限界（対向する電極の面積を小さくする必要がある）がある。これに対し、インダクタンスの値を小さくするにはコイルの巻き数を減じてやればよく、実行可能である。
【特許文献１】特開２００１−１６５６０３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、コイルの巻き数を減らせば、インダクタンスの値を小さくすることができるから、被検出体の厚みの差異に起因する測定誤差を最小限に留めることが出来る。
しかし、コイルの巻き数を減じて高周波にした場合に、温度が上昇すると先に述べたようにインダクタンスの値が大きくなるから発振周波数が小さくなるが、高周波であるがゆえに、この場合の発振振幅の増加が大きく、これを相殺するには抵抗成分を大きくしてやる必要がある。しかしながら、巻き数を減ずるという事はそれだけ線長が短くなるという事であるから、抵抗成分が小さくなる。そのため、インダクタンス成分とのバランスがとれず、温度補償を十分に行うことができなくなる。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、被検出体の厚みの差異に拘わらす測定が可能で、かつ温度特性に優れる渦電流式検出センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、検出コイルと、前記検出コイルを含む発振回路と、前記検出コイルを被検出体に接近させたときに同被検出体に生ずる渦電流に起因する前記発振回路の発振振幅の大きさの変化に基づいて前記被検出体を検出する検出手段と、を備えた渦電流式検出センサであって、前記検出コイルは電気的に直列接続された第一コイル部と、第二コイル部よりなるとともに、この第二コイル部はインダクタンスの大きさが前記第一コイル部のインダクタンスの大きさより小さく設定され、かつ検出コイルに励磁電流がながされたときに、第一コイル部に生じる磁束を打ち消すべくコイルの巻き方向が前記第一コイル部の巻き方向に対して反対方向に巻かれているところに特徴を有する。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１に記載のものにおいて、前記両コイル部の中心径は同一径とされ、前記第二コイル部の巻き数を第一コイル部の巻き数に比べて少なくすることでインダクタンスの大きさを異ならせるようにしてあるところに特徴を有する。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１に記載のものにおいて、前記第一コイル部と前記第二コイル部は同一のボビンに巻かれているところに特徴を有する。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のものにおいて、前記検出コイルは前記第一コイル部並びに、前記第二のコイル部を前記ボビンの中心軸方向に連なるように配置してなるところに特徴を有する。
【００１０】
請求項５の発明は、請求項３に記載のものにおいて、前記検出コイルはいずれか一方側のコイル部の外周側に他方側のコイル部を巻きつけてなるところに特徴を有する。
【００１１】
請求項６の発明は、請求項５に記載のものにおいて、前記第一コイル部が前記第二コイル部の外周側に巻かれているところに特徴を有する。
【００１２】
請求項７の発明は、請求項３ないし請求項６に記載のものにおいて、前記ボビンには第一コイル部と前記第二コイル部との境目となる部分を保持するための保持部が設けられているところに特徴を有する。
【００１３】
請求項８の発明は、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のものにおいて、前記検出手段は前記発振回路の発振振幅を測定する振幅測定手段と、前記振幅測定手段で測定された振幅レベルに基づいて前記検出物までの距離を決定する距離決定手段とからなり、この距離決定手段で決定された結果を出力する出力部を備えてなるところに特徴を有する。
【発明の効果】
【００１４】
＜請求項１の発明＞
被検出体の厚さの差異に起因する測定誤差を最小限に留めるには、高周波での発振が必要であり、これにはコイルのインダクタンス成分を小さくすることが必要である。一方、高周波で発振させたときに温度の変動に起因する測定誤差を最小限に留めるには、ある程度の抵抗成分を確保しておく必要がある。
請求項１の発明によれば、検出コイルは互いに逆方向に巻かれた第一コイル部と、第二コイル部とからなる。これらコイル部に励磁電流がながされると、両コイル部には磁束が生ずるが、両コイルは巻き方向が反対になっている。そのため、両コイルの磁束は互いに打ち消しあい、コイルに鎖交する有効な磁束を減少させる。すなわち、有効な磁束が少ないということは、それだけインダクタンスの値が小さくなるということである。これにより、高周波での発振が可能となるから厚さの差異による測定誤差を最小限に留めることが出来る。
また、検出コイルの抵抗成分は第一コイルの抵抗成分と、第二コイルの抵抗成分の和であるから、抵抗成分を確保できる。従って、温度の変動に起因する測定誤差に関しても、最小限に留めることが可能となる。
【００１５】
＜請求項２の発明＞
このような構成であれば、インダクタンスの値を巻き数に基づいて、調整することが出来るから、調整作業が容易に出来る。
【００１６】
＜請求項３の発明＞
このような構成であれば、各コイル部ごとに専用のボビンを設ける場合に比べて、部品点数を削減できる。
【００１７】
＜請求項４の発明＞
このような構成によれば、ボビンの径方向に関し、小型化を図ることが可能となる。
＜請求項５の発明＞
このような構成によれば、ボビンの軸方向に関し、小型化を図ることが可能となる。
【００１８】
＜請求項６の発明＞
コイルのインダクタンスの値を小さくすると、発生する磁束が少なくなるため、その分磁界が弱くなり、検出範囲が狭くなるという問題がある。巻き方向の異なるコイルを重ねて巻いた場合に、有効側を内側とし打ち消される側を外側とする巻き方と、これとは反対に打ち消される側を内側とし、有効側を外側とする巻き方とがあるが、前者の巻き方に比べて後者の巻き方であれば、コイル径の大きいものが有効となるからコイルの中心部分の磁界がそれだけ強くなることが期待でき、若干ではあるが検出コイルの中心軸方向に関し検出範囲が広くなる。
【００１９】
＜請求項７の発明＞
検出コイルは巻き方向の異なる２つのコイル部よりなるから、両コイル部の境目となる部分を固定しておかないと、その部分からコイル線がほどけてしまう恐れがある。この点に関し、請求項７の発明によれば、同部分を保持部によって保持するから、係る問題が生じることを未然に回避することが可能となる。また、保持部をボビンに設けているから、専用の部品によって境目部分の保持を行う場合に比べて、部品点数を削減できる。
【００２０】
＜請求項８の発明＞
振幅測定手段で発振振幅を測定し、得られた発振振幅のレベルに基づいて距離決定手段で被検出体までの距離を算出する。このように、被検出体の有無のみならず、センサと被検出体間の距離を測定することが可能であるから、商品性に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１ないし図４によって説明する。
図１は、渦電流式検出センサ１の電気的構成を示すブロック図であって、符号１０は発振回路、符号２０は検波回路、符号３０は比較回路である。発振回路１０は検出コイルＬとコンデンサＣとからなるＬＣ並列共振回路１１と増幅回路１２とを備えてなる。尚、検波回路並びに比較回路が本発明の検出手段に相当し、このうちの検波回路が本発明の振幅測定手段に相当するものである。
【００２２】
このＬＣ並列共振回路１１に対して図示しない電源回路から直流電圧が印加されると、ＬＣ並列共振回路の検出コイルＬとコンデンサＣとの間に電気振動が生じる。これにより、コンデンサＣの両端には振幅レベルがほぼ一定な交流の電圧（以下、発振振幅とする）が生じ、これが検波回路２０に出力される。
【００２３】
ここで、被検出体（金属体）Ｗと検出コイルＬとが離れている場合には、検出コイルＬに生ずる磁束が被検出体Ｗにほとんど鎖交しない。そのため、被検出体Ｗには誘導電流（渦電流）が流れず、同被検出体Ｗでのエネルギー損失がないため、検出コイルＬとコンデンサＣによる電気振動は一定の振幅レベルを保った状態で持続する。
これに対して、検出コイルＬが被検出体Ｗに接近すると、検出コイルＬに渦電流が流れる。これは検出センサ１側から被検出体Ｗ側にエネルギーが引き出されたということであるから、検出センサ１側にエネルギーの損失が生じて、発振振幅のレベルが低下する。
【００２４】
そして、発振回路１０からの出力は交流電圧であるから、これを検波回路２０で、整流して直流電圧に変換し、比較回路３０に出力する。比較回路３０は例えば、コンパレータからなり、所定の基準電圧レベルと検波回路２０から出力された電圧レベルとを比較して、それに応じた出力を行う。
【００２５】
より具体的には、コンパレータの基準電圧レベルは、被検出体Ｗと検出コイルＬとが離間した状態の発振振幅のレベルより幾らか小さな値に設定されている。そのため、コンパレータは検波回路２０から出力される電圧のレベルが基準電圧レベルより大きいときには、非検出状態の出力（例えば、ＯＦＦ信号を出力して動作表示灯を消灯）を行い、これとは反対に、検波回路２０から出力される電圧のレベルが基準電圧レベルより小さいときには、検出状態の出力（例えば、ＯＮ信号を出力して動作表示灯を点灯）を行うように構成されている。
【００２６】
図２は渦電流式検出センサ１の分解斜視図であり、同図における符号５０はヘッド部、符号６１はセンサ本体である。センサ本体６１は円筒形をなし、内部には先に説明した検波回路２０、比較回路３０が実装される回路基板（図示せず）が収容されるとともに、前方からヘッド部５０が嵌めあわされるようになっている。
【００２７】
ヘッド部５０は検出コイルＬが巻きつけられるボビン５１と、ホルダ５７とからなる。ボビン５１は円筒形状をなす軸部５４の両端に鍔部５２、５３を備えてなる。一方、ホルダ５７はボビン５１の軸部５４の内周側に嵌合される内管部５７Ａと、その外周側に設けられる外壁部５７Ｂとを備えてなり、ホルダ５７をボビン５１に重ねあわせると、検出コイルＬの外周にホルダ５７の外壁部５７Ｂが位置して同検出コイルＬを取り囲むようになっている。
また、鍔部５３の外周部分には径方向外向きに開口する切り欠き部５３Ａが２箇所設けられているが、これはボビン５１に巻かれた検出コイルＬの端部をセンサ本体６１側に引き出すためのものである。
【００２８】
また、同図に示す符号６５はヘッド部５０とセンサ本体６１とを電気的に接続するためのケーブルである。そして、この両ケーブル６５間に寄生する寄生容量によりＬＣ並列共振回路を構成する発振用のコンデンサＣが形成されている。
【００２９】
さて、本実施形態では、図３に示すように検出コイルＬは第一コイル部Ｌａと第二コイル部Ｌｂとからなり、第一コイル部Ｌａが第二コイル部Ｌｂの外周に重ねて巻かれている。そして、これら両コイル部Ｌａ、ＬｂのインダクタンスはＬａの方がＬｂより大きな値に設定されるとともに、両コイル部Ｌａ、Ｌｂは、図４に示すように電気的には直列に接続され、しかも両コイル部Ｌａ、Ｌｂの巻き方向が互いに逆向きになっている。
【００３０】
以上のことから、発振回路１０を通じて同検出コイルＬに励磁電流が流されると、第一コイル部Ｌａ並びに第二コイル部Ｌｂにはそれぞれ同コイルを上下に貫くような磁束Φａ、Φｂが生ずるが、第一コイル部Ｌａと第二コイル部Ｌｂでは磁界の向きが逆向き（図４では、第一コイル部Ｌａ側の磁界が下向き、第二コイル部Ｌｂ側の磁界が上向きとしてある）となり、互いに打ち消しあう。
【００３１】
そのため、検出コイルＬ全体の有効な磁束の大きさは、第一コイル部Ｌａの磁束Φａから第二コイル部Ｌｂの磁束Φｂを減じた大きさになる。従って、検出コイルＬ全体のインダクタンスの値も、第一コイル部Ｌａのインダクタンスの値から第二コイル部Ｌｂのインダクタンスの値を減じた大きさとなる。
【００３２】
一方、検出コイルＬ全体の抵抗成分の大きさは第一コイル部Ｌａの抵抗成分ｒａと第二コイル部Ｌｂの抵抗成分ｒｂの和となる。すなわち、検出コイルＬは巻き方の異なるコイルを組み合わせた構成とすることで、抵抗成分を確保しつつ、インダクタンスを小さくすることを可能としている。
尚、本実施形態では、発振周波数を約１ＭＨｚ（９５０ｋＨｚ〜１０５０ｋＨｚ）とするため、回路素子を以下のような設定としている。第一コイル部Ｌａのインダクタンスの大きさを約１３０μＨとし、第二コイル部Ｌｂのインダクタンスの大きさを約５０μＨとし、検出コイル全体Ｌの有効なインダクタンスの大きさは約８０μＨとしている。コンデンサのキャパシタンスの大きさは約３００ｐＦとしている。
【００３３】
また、図２に示すように、鍔部５３に形成される切り欠き部５３Ａの側方位置には、鍔部５３の外周側から中心に向かってスリット５３Ｂが設けられている。検出コイルＬは第二コイル部Ｌｂを巻き終えた後、巻き方向を逆方向に反転させる際に、スリット５３Ｂにコイル線を挿通させて鍔部５３の外周側に引き出し、その後、切り欠き部５３Ａを通じて軸部５４側に引き込んでいる。このような構成とすることで、両コイル部Ｌａ、Ｌｂの境目部分Ｔがスリット５３Ｂと切り欠き部５３Ａとの間に形成される支持縁５３Ｃに巻きつけるられてしっかりと保持されるから、巻き方向が反転されているにも拘わらす、コイルを弛みなくしっかりと巻きつけることが可能であり、更に、巻付け後にコイルがほどけ難くなる。尚、スリット５３Ｂ、支持縁５３Ｃが本発明の保持部に相当するものである。
【００３４】
次に、本実施形態の作用・効果について説明する。
上記のように、検出コイルＬのインダクタンスの値は小さく設定されているから、その分発振周波数が高くなる（発振周波数約１ＭＨｚ）。これにより、板厚の差異に拘わらず、渦電流は被検出体Ｗの表面部分に集中的に流れるから、渦電流損がほぼ一定となる。従って、板厚の差異に起因する発振振幅のレベルの変動、すなわち測定誤差を最小限に留めることが可能となる。
【００３５】
一方、発振回路１０の高周波化を行った場合に被検出体Ｗに鎖交する磁束の変化がそれだけ大きくなるので、温度変化があったときに、その影響が大きく現れる。例えば、室温が上昇したときでは、発振コイルＬのインダクタンスの値が大きくなるから発振周波数が低くなるが、高周波であるがゆえに、その際の渦電流損の減少量は大きく、結果として、発振振幅のレベルが増加方向に大きく振れる。しかし、先にも、述べたように、検出コイルＬの抵抗成分は大きくとってあるので、このときには発振回路１０自体で消費される熱損失が大きくなる。すなわち、検出コイルＬのインダクタンス成分が発振振幅に及ぼす影響を検出コイルＬの抵抗成分が打ち消すように作用することで、良好な温度特性が得られる。
【００３６】
尚、抵抗成分を確保しつつ、インダクタンスの値を小さくするということは、インダクタンスのＱの大きさを変えることなく高周波化を図ることでもある。すなわち、基準となるＱｏに対する発振角周波数の大きさをωｏ、インダクタンスの大きさをＬｘｏ、抵抗の大きさをｒｏとした場合に、インダクタンスの値をＬｘｏより小さな値（Ｌｘ１）にすると、それに応じて発振角周波数ω１は高くなる（高周波化）。
この場合に、単にコイルの巻き数を減らしてインダクタンスの値を小さくすると、インダクタンスＬｘと抵抗ｒが同じ割合で減少するから（Ｌｘ/ｒがほぼ一定となるため）、発振角周波数が高くなった分、Ｑの値が大きくなり過ぎてしまうが、抵抗成分を確保しつつ、インダクタンスの値を小さくすることでＱの値を一定に保つことが可能となる。
Ｑ＝ωＬｘ/ｒ・・・・・・（１）式
【００３７】
また、抵抗成分を確保しつつ、インダクタンスの値を小さくするには、例えば、抵抗等の回路素子を外付けすることでも可能であるが、これでは、部品点数が増えるから、本実施例のようなシンプルな構造（ＬＣ並列共振回路をコイル線とケーブルのみで形成する構造）を実現できない。
【００３８】
加えて、本実施形態では、有効となる側のコイル部Ｌｂを打ち消される側のコイル部Ｌｂの外周側に重ねて巻いている。このような構成とすることで、コイル径の大きいものが有効となるからコイルの中心部分の磁界がそれだけ強くなることが期待でき、若干ではあるがセンサの検出範囲がコイルの軸方向に関し広くなる。
【００３９】
＜実施形態２＞
次に、本発明の実施形態２を図５によって説明する。
実施形態１のものは、検波回路２０から出力された電圧レベルに基づいて、被検出体Ｗの有無を検出するものであったが、実施形態２のものは、検出回路２０から出力された電圧レベルに基づいてヘッド部の先端から被検出体Ｗまでの距離を算出するものである。
【００４０】
実施形態２では、実施形態１における比較回路３０に変えてＣＰＵ８０並びにメモリ８１を備え、更に、駆動回路８３並びに７セグメントＬＥＤ表示板からなる表示部８５を備えている。尚、ＣＰＵ８０並びに、メモリ８１が本発明の距離測定手段に相当するものであり、駆動回路８３が本発明の出力部に相当する。
【００４１】
ＣＰＵ８０はＡ／Ｄ変換ポート（図示せず）を備え、検波回路２０からの出力信号（電圧レベル）をディジタル値に変換した後に、取り込むようになっている。そして、ＣＰＵ８０はディジタル信号が取り込まれると、メモリ８１から距離−電圧レベル特性を読み出すようになっている。  距離−電圧レベル特性は予め試験、すなわちヘッド部５０と被検出体Ｗとの対向距離を種々変えて発振振幅の値を実測する試験を行い、これを相関式にまとめたものである。
【００４２】
そして、距離−電圧レベル特性が呼び出されると、ＣＰＵ８０は同特性と検波回路２０からの出力された電圧レベルとに基づいて演算処理を行い、ヘッド部５０から被検出体Ｗまでの距離を算出する。その後、ＣＰＵ８０は得られた演算結果に基づいて、駆動回路８３に対して制御信号を出力する。すると、制御信号を受けた駆動回路８３は表示部８５に対して駆動電流を供給するため、これにより、表示部８５には、測定結果たる被検出体Ｗまでの距離がディジタル表示されることとなる。このように、被検出体Ｗまでの距離を算出可能であるから、被検出体Ｗの有無を検出するだけのものに比べて、商品性に優れるものとなる。
【００４３】
尚、先に述べたように、予め試験を行って距離−電圧特性を取得しておくのは、本センサは磁気センサであるため、距離と電圧レベルとの関係が非線形性を示すためである。
【００４４】
＜実施形態３＞
実施形態１では、第一コイル部Ｌａを第二コイル部Ｌｂの外周に重ね巻きしたが、励磁電流が流されたときに、両コイル部Ｌａ、Ｌｂの磁束が打ち消し合うものであればよく、例えば、図６に示すように両コイル部Ｌｃ、Ｌｄをボビン１００の中心軸Ｃ方向に並べて配置してもよい。係る構成であれば、ヘッド部の径を小さくすることが可能となる。
【００４５】
また、係る構成であれば、第一コイル部Ｌｃと第二コイル部Ｌｄのコイル径（中心径）を同一径にすることが可能となる。
従って、検出コイルＬ全体の有効となるインダクタンスの値が、両コイル部Ｌｃ、Ｌｄの巻き数の差に比例するから、インダクタンスの大きさの設定、並びに調整が簡単に出来る。
【００４６】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００４７】
実施形態１ないし実施形態３では、同一ボビンに両コイル部を巻きつけたが、各コイル部ごとに専用のボビンを設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施形態１に係る、検出センサの電気的構成を示すブロック図
【図２】検出センサの分解斜視図
【図３】第一コイル部が、第二コイル部の外周側に巻かれている状態を示す図
【図４】第一コイル部の磁束と、第二コイル部の磁束が打ち消し合う状態を示す図
【図５】実施形態２に係る、検出センサの電気的構成を示すブロック図
【図６】実施形態３に係る、ボビンに両コイル部が巻き付けされた状態を示す図
【符号の説明】
【００４９】
１…渦電流式検出センサ
１０…発振回路
１１…ＬＣ並列共振回路
２０…検波回路
３０…比較回路（検出手段）
Ｌ…検出コイル
Ｌａ…第一コイル部
Ｌｂ…第二コイル部
【図１】
2006208331.tif 000003
【図２】
2006208331.tif 000004
【図３】
2006208331.tif 000005
【図４】
2006208331.tif 000006
【図５】
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【図６】
2006208331.tif 000008