(57)【要約】【課題】  特に前記スパイラル接触子の表面に形成されるＡｕメッキ層の形成領域を限定することで、前記電子部品と接点部材とを半田付けにて接合したときの電気的特性の安定性や、前記接点部材の損傷等を防止することが可能な接点部材及等を提供することを目的としている。【解決手段】  Ａｕメッキ層４１をスパイラル接触子の変形部の先端領域３６ｂのみに設けている。よって、前記Ａｕメッキ層４１を介して前記先端領域３６ｂと電子部品の端子部とを半田接合でき、このとき溶融した半田は前記スパイラル接触子の先端領域３６ｂのみに留まり、スパイラル接触子３４の支持部３５方向へ伝わって流れない。また、前記端子部と半田接合させたときの接触抵抗も従来に比べて安定させやすい。さらに振動や衝撃によって前記変形部３６の先端領域３６ｂと前記接続端子との半田接合部等が損傷を受けるのを適切に防止できる。【選択図】図２
2006208062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相手側部材に設けられた端子部との間で半田接合が可能な接点部材であって、
前記接点部材は、支持部と、前記支持部から延出形成された変形部とを有し、前記変形部の先端領域にのみ半田接合層が設けられ、前記半田接合層は前記先端領域のうち、少なくとも前記端子部との当接面に設けられていることを特徴とする接点部材。
【請求項２】
前記半田接合層は、前記先端領域から前記支持部方向へ間を空けて前記変形部の後端領域にも設けられている請求項１記載の接点部材。
【請求項３】
前記半田接合層はＡｕメッキ層である請求項１記載の接点部材。
【請求項４】
前記半田接合層が設けられていない領域の表面にはＮｉメッキ層が露出している請求項１ないし３のいずれかに記載の接点部材。
【請求項５】
前記変形部は、外周側から内周側に向って螺旋状に延出形成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の接点部材。
【請求項６】
請求項１ないし５に記載された接点部材と、シート部材とを有し、
前記シート部材には貫通孔が形成され、前記貫通孔の縁部に前記支持部が固定され、かつ前記変形部が前記貫通孔に配置されていることを特徴とする接点シート。
【請求項７】
請求項６に記載された接点シートと、絶縁基板とを有し、
前記絶縁基板には前記貫通孔と高さ方向にて対向する位置にスルーホールが形成されており、前記スルーホールの内周面から絶縁基板の上面にわたって電極が形成され、前記絶縁基板の上面に延出した電極上に前記支持部が接続されていることを特徴とする接点基板。
【請求項８】
請求項７に記載された接点基板と、端子部を有する電子部品を有し、
前記端子部は前記変形部の少なくとも先端領域に当接しており、前記端子部と前記変形部の先端領域とが前記半田接合層を介して接合されていることを特徴とする電子機器ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＢＧＡやＬＧＡ等の端子を備えた電子部品に対して電気的に接続される接点部材に係わり、特に、前記電子部品と接点部材とを半田付けにて接合したときに電気的特性の安定性や、前記接点部材の損傷等を防止することが可能な接点部材及び、前記接点部材を用いた接点シート、接点基板、ならびに電子機器ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載されている半導体検査装置は、半導体を外部の回路基板などに電気的に仮接続させるものである。半導体の背面側には格子状またはマトリックス状に配置された多数の球状接触子が設けられており、これに対向する絶縁基板上には多数の凹部が設けられ、この凹部内にスパイラル接触子が対向配置されている。
【０００３】
前記半導体の背面側を前記絶縁基板に向けて押圧すると、前記球状接触子の外表面に前記スパイラル接触子が螺旋状に巻き付くように接触するため、個々の球状接触子と個々のスパイラル接触子との間の電気的接続が確実に行われるようになっている。
【０００４】
ところで、前記半導体の接続端子とスパイラル接触子とを接合する場合、特許文献１の詳細な説明の［０００５］欄に記載されているように、前記接続端子は、半田等で形成されているから、前記スパイラル接触子と当接させた状態で加熱すれば半田付けにて、前記半導体の接続端子とスパイラル接触子とを接合することが可能になっている。
【０００５】
ところで前記スパイラル接触子の表面全体には前記スパイラル接触子の電気伝導性を向上させるためにＡｕメッキ層を形成することが好ましいとされていた。そして前記Ａｕメッキ層は半田濡れ性にも優れるから、特に従来のスパイラル接触子構造を改良することなく、適切に前記スパイラル接触子と前記半導体の接続端子とを半田接合できると期待された。
【特許文献１】特開２００２−１７５８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１６は、特許文献１の図５と同じ図面である。なお部材の名称は特許文献１に記載されている名称をそのまま用いず適宜変更している。
【０００７】
図１６に示す電子部品８が下方向へ押圧されると、前記スパイラル接触子２は電子部品８の接続端子７と当接した状態で下方向へ向けて弾性変形する。図１６に示す状態で加熱を行なうと、前記接続端子７の表面の半田層が溶ける。このとき前記スパイラル接触子２の表面に半田濡れ性に優れたＡｕメッキ層が形成されていると、前記スパイラル接触子２と前記接続端子７とが良好に半田接合される。
【０００８】
しかし前記スパイラル接触子２の表面全体がＡｕメッキ層であると次のような問題点があった。
【０００９】
すなわち、スパイラル接触子２の表面全体がＡｕメッキ層であると、前記スパイラル接触子２の表面全体が半田濡れ性に優れた状態になっているから、溶融した半田は前記スパイラル接触子２の表面を先端（巻き終端）から後端（巻き始端）方向へ伝って、例えば図１６に示す基板６の電極４や接続部５等にまで到達する可能性があった。このとき前記電極４や接続部５が半田濡れ性に優れたＡｕ等で形成されていると半田が前記電極４など思わぬ箇所に付着することで、高周波特性に代表される電気的特性に悪影響を及ぼす結果となった。
【００１０】
またスパイラル接触子２の表面全体が半田濡れ性に優れた状態であるから、スパイラル接触子２はどの位置でも前記接続端子７の表面と半田接合できる状態となっている。このため前記接続端子７に対する前記スパイラル接触子２の半田接合位置が製品によってばらつき易く、この結果、接触抵抗のばらつきが大きくなり易い。あるいは、前記スパイラル接触子２の大部分が前記接続端子７に半田付けにて接合されていると、前記スパイラル接触子２の弾性接点としての機能が適切に働かないため、強い振動・衝撃が前記スパイラル接触子２に与えられたときに、前記接続端子７とスパイラル接触子２との半田接合部等が切断されやすく、また上記のようにスパイラル接触子２の大部分が接続端子７に半田付けにて接合されているとフレッティングコロージョンが生じやすい等、スパイラル接触子２の表面全体にＡｕメッキ層を施した従来構造では、前記スパイラル接触子２と接続端子７とを半田付けにて接合したときに、電気的特性を安定化できず、またスパイラル接触子２が損傷がうけやすくなっていた。
【００１１】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に前記スパイラル接触子の表面に形成されるＡｕメッキ層の形成領域を限定することで、前記電子部品と接点部材とを半田付けにて接合したときの電気的特性の安定性や、前記接点部材の損傷等を防止することが可能な接点部材及び、前記接点部材を用いた接点シート、接点基板、ならびに電子機器ユニットを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、相手側部材に設けられた端子部との間で半田接合が可能な接点部材であって、
前記接点部材は、支持部と、前記支持部から延出形成された変形部とを有し、前記変形部の先端領域にのみ半田接合層が設けられ、前記半田接合層は前記先端領域のうち、少なくとも前記端子部との当接面に設けられていることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明では前記半田接合層を前記変形部の先端領域のみに設けている。よって、前記半田接合層を介して前記接点部材の先端領域と端子部とを半田接合でき、このとき溶融した半田は前記接点部材の先端領域のみに留まり、支持部方向へ伝わって流れない。また、前記変形部の前記端子部に対する半田接合位置も前記先端領域と決まっているから前記端子部と半田接合したときの接触抵抗も従来に比べて安定させやすい。さらに前記変形部の先端領域のみが前記端子部と半田接合され、前記変形部の他の箇所は前記端子部と半田接合されないため前記変形部は、振動や衝撃が加わったときに適切に弾性変形し、衝撃力を前記変形部で緩和できるから、振動や衝撃によって前記変形部の先端領域と前記接続端子との半田接合部等が損傷を受けることを適切に防止できる。
【００１４】
本発明では、前記半田接合層は、前記先端領域から前記支持部方向へ間を空けて前記変形部の後端領域にも設けられていてもよい。
【００１５】
また、前記半田接合層はＡｕメッキ層であることが好ましい。前記Ａｕメッキ層は半田濡れ性に優れているので、半田接合層として非常に優れた材質である。
【００１６】
また、前記半田接合層が設けられていない領域の表面にはＮｉメッキ層が露出していることが好ましい。Ｎｉメッキ層は半田濡れ性が悪いため、半田は前記Ｎｉメッキ層上を伝わって前記支持部方向へ流れることができない。よって溶融した半田を適切に前記変形部の先端領域に設けられた半田接合層上に留めて置くことが出来る。
【００１７】
本発明では、前記変形部は、外周側から内周側に向って螺旋状に延出形成されていることが好ましい。
【００１８】
本発明における接点シートは、上記のいずれかに記載された接点部材と、シート部材とを有し、
前記シート部材には貫通孔が形成され、前記貫通孔の縁部に前記支持部が固定され、かつ前記変形部が前記貫通孔に配置されていることを特徴とするものである。
【００１９】
また本発明における接点基板は、上記に記載された接点シートと、絶縁基板とを有し、
前記絶縁基板には前記貫通孔と高さ方向にて対向する位置にスルーホールが形成されており、前記スルーホールの内周面から絶縁基板の上面にわたって電極が形成され、前記絶縁基板の上面に延出した電極上に前記支持部が接続されていることを特徴とするものである。
【００２０】
上記に記載した接点基板では、特に前記絶縁基板に形成された電極がＡｕ等、半田濡れ性に優れた材質であっても、電子部品を組み込み、半田付けにて前記電子部品の端子部と接点部材とを接合したとき、溶融した半田は、前記スパイラル接触子の先端領域に留まり、支持部方向へ流れないため、従来のように前記電極にまで半田が及ぶということはなく、従来より電気的安定性に優れる接点基板を製造することが出来る。
【００２１】
さらに本発明における電子機器ユニットは、上記に記載された接点基板と、端子部を有する電子部品を有し、
前記端子部は前記変形部の少なくとも先端領域に当接しており、前記端子部と前記変形部の先端領域とが前記半田接合層を介して接合されていることを特徴とするものである。
【００２２】
本発明では、前記電子部品の端子部と、変形部の先端領域とが半田接合層を介して接合され、このように、前記変形部の先端領域が、前記端子部への半田接合位置と決まっているから接触抵抗を従来に比べて安定させやすい。しかも上記したように、溶融半田は前記接点部材の先端領域のみに留まり支持部方向へ伝わって流れない等、従来よりも電気的特性に優れた電子機器ユニットを製造できるし、また、接点部材の変形部は先端領域を除いて前記端子部に半田接合されていないから、従来に比べて弾性変形可能な状態となっており、この結果、強い衝撃等によっても前記接合部材と端子部との接合部等が損傷をうけにくい電子機器ユニットを提供できる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明では半田接合層を接点部材の変形部の先端領域のみに設けている。よって、前記半田接合層を介して前記接点部材の先端領域と電子部品の端子部とを半田接合でき、このとき溶融した半田は前記接点部材の先端領域のみに留まり、接点部材の支持部方向へ伝わって流れない。また、前記変形部の前記端子部に対する半田接合位置も前記先端領域と決まっているから前記端子部と半田接合したときの接触抵抗も従来に比べて安定させやすい。さらに前記変形部の先端領域のみが前記端子部と半田接合され、前記変形部の他の箇所は前記端子部と半田接合されないため前記変形部は、振動や衝撃が加わったときに適切に弾性変形し、衝撃力を前記変形部で緩和できるから、振動や衝撃によって前記変形部の先端領域と前記接続端子との半田接合部等が損傷を受けるのを適切に防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、図２は本発明におけるスパイラル接触子の斜視図（第１の実施形態）、図３は図２とは異なる形態のスパイラル接触子の斜視図（第２の実施形態）、図４は図２に示すスパイラル接触子を真上から見たときの平面図、図５は本発明における接点基板上に、電子部品の接続端子を当接させる前の前記接点基板と電子部品との部分断面図、図６は、電子部品の接続端子を接点基板上に当接させた状態の前記接点基板と電子部品との部分断面図、図７は、図６に示す接続端子とスパイラル接触子の変形部との部分拡大断面図、図８，図９は、本発明における前記変形部の先端領域の層構造を説明するための部分拡大断面図、図１０は、Ａｕメッキ層が形成されていない箇所のスパイラル接触子の層構造を説明するための部分拡大断面図、図１１ないし図１５は本発明におけるスパイラル接触子の製造方法の一例を説明するための工程図（部分断面図）、である。
【００２５】
図１に示すように、検査装置２０はソケット２１と、このソケット２１の一方の縁部に設けられたひんじ部１３を介して回動自在に支持された蓋体１２とで構成されている。前記ソケット２１および蓋体１２は絶縁性の樹脂材料などで形成されており、前記ソケット２１の中心部には図示Ｚ２方向に凹となる装填領域２１Ａが形成されている。そして、前記装填領域２１Ａ内に半導体などの電子部品１が装着できるようになっている。またソケット２１の他方の縁部には、被ロック部１４が形成されている。また蓋体１２の縁部にはロック部１５が形成されている。
【００２６】
前記装填領域２１Ａには、図５に示す接点基板３１が設けられている。前記接点基板３１は、シート部材３３とスパイラル接触子３４とを有して成る接点シート３０と、前記接点シート３０の下面側に設けられた絶縁基板３２とを有して構成される。図５にはスパイラル接触子３４は一つしか図示されていないが、実際にはシート部材３３に多数のスパイラル接触子３４が設けられている。
【００２７】
本発明における前記スパイラル接触子３４は、図２，図４及び図５に示すように、支持部（固定部）３５と螺旋形状で形成された変形部３６とを有している。前記変形部３６は、外周側の巻き始端Ｅから内周側の巻き終端（自由端）Ｄに向かって螺旋状に延びており、前記変形部３６の外周側の位置で前記巻き始端Ｅに支持部３５が連続して設けられている。
【００２８】
図４に示すように、前記変形部３６の先端領域３６ｂは巻き終端Ｄから、巻き始端Ｅ方向へ向う所定の領域である。前記先端領域３６ｂについて定義すると、図４に示すように前記スパイラル接触子３４の変形部３６の巻き終端Ｄから巻き始端Ｅにかけて前記変形部３６の幅寸法の中心に中心線Ａを引く。前記巻き終端Ｄから前記中心線Ａ上を辿っていき、このとき前記中心線Ａの接線Ｂに対し直交する方向に直交線Ｃを引く。中心線Ａ上をある位置まで辿ると直交線Ｃが最初に前記巻き終端Ｄに当接した、前記直交線Ｃの位置を先端領域３６ｂの最後方端３６ｂ２とし、前記先端領域３６ｂの後方端３６ｂ３は、前記最後方端３６ｂ２上あるいは前記最後方端３６ｂ２よりも巻き終端Ｅ側に設けられる。前記先端領域３６ｂは前記巻き終端Ｄから前記後方端３６ｂ３までの領域である。あるいは、前記スパイラル接触子３４の変形部３６に、図４と同じように幅方向の中心に中心線Ａを引き、巻き終端Ｄから、巻き始端Ｅまでの中心線Ａの全長に対し、１／２０〜１／２程度の長さ寸法の領域を、巻き終端Ｄから巻き始端Ｅ方向へ向けての先端領域３６ｂと定義する。
【００２９】
一方、前記変形部３６の後端領域３６ａは、図２，図４では、巻き始端Ｅから、先端領域３６ｂの後方端３６ｂ３までの領域である。
【００３０】
なお前記後端領域３６ａの後方端及び前方端は、適宜変更できる。変更した例は図３に示されているが、図３については後で説明する。
【００３１】
図４の実施形態では、変形部３６は先端領域３６ｂ以外の領域が後端領域３６ａとして画定されている。
【００３２】
また、領域とは図８で説明すると、スパイラル接触子３４の上面、下面及び両側面の全ての面上を指す。
【００３３】
前記シート部材３３には、図２，図４，図５に示すように貫通孔３３ａが形成されており、前記スパイラル接触子３４の支持部３５は、前記貫通孔３３ａの周縁部の下面３３ｂ（Ｚ２側の面）に対して導電性接着剤などを介して固着されている。前記スパイラル接触子３４の変形部３６の一部は、図２，図５に示すように前記貫通孔３３ａを介して前記シート部材３３の上面３３ｃから上方（図示Ｚ１方向）へ向けて突出している。
【００３４】
図５に示すように、前記シート部材３３の下側には、ガラスエポキシやＰＷＢなどで形成された絶縁基板３２が設けられている。前記絶縁基板３２には、前記シート部材３３に形成された貫通孔３３ａと高さ方向（図示Ｚ１−Ｚ２方向）にて対向する位置にスルーホール３２ａが形成されている。前記スルーホール３２ａの内周面には、導電性材料、例えばＡｕ等で形成された電極３７が形成されており、前記電極３７は前記絶縁基板３２の上面３２ｃ及び下面３２ｂの前記スルーホール３２ａの周縁部にまで延出して形成されている。図５に示すように前記絶縁基板３２の上面３２ｃに延出形成された前記電極３７は、前記スパイラル接触子３４の支持部３５上に導電性接着剤等を介して接合されている。また、前記絶縁基板３２の下面３２ｂに延出形成された前記電極３７は、プリント配線基板３８上の接続端子３９上に導電性接着剤等を介して導通接続されている。
【００３５】
図２及び図４に示すように、前記スパイラル接触子３４の先端領域３６ｂには前記電子部品１の接続端子４０との当接面（上面）３６ｂ１に、Ａｕメッキ層（半田接合層）４１が形成されている。前記Ａｕメッキ層４１の形成領域（先端領域３６ｂの当接面３６ｂ）を、図２，図４では斜線部で示している。
【００３６】
図８（図２，図４に示すスパイラル接触子の断面図）に示すようにスパイラル接触子３４は、銅箔４２と、その上に形成されたメッキ層４１，４３からなり、前記銅箔４２はスパイラル接触子形状にエッチング等で形作られている。前記銅箔４２の上にＮｉメッキ層４３がメッキ形成されている。さらに前記スパイラル接触子３４の先端領域３６ｂの上面（当接面３６ｂ１）には、前記Ｎｉメッキ層４３の上にＡｕメッキ層４１がメッキ形成されている。一方、図１０に示すように前記スパイラル接触子３４の前記後端領域３６ａでは、銅箔４２の上にＮｉメッキ層４３が形成されているが、前記Ｎｉメッキ層４３の上にＡｕメッキ層４１は形成されていない。
【００３７】
ここで前記銅箔４２の部分は、銅箔以外の材質の箔体で形成されてもよいし、あるいはメッキ層であってもよい。Ｎｉメッキ層４３は特にスパイラル接触子３４の弾性力を向上させるために設けられた層である。前記Ｎｉメッキ層４３は図２に示す変形部３６の後端領域３６ａの表面に露出している。またＮｉメッキ層４３は半田濡れ性が非常に悪い。このためＮｉメッキ層４３が露出した前記後端領域３６ａに半田は付き難くなっている。またＮｉメッキ層４３には、Ｎｉ以外に元素が添加されていてもよい。メッキ層４３は、Ｎｉを主体としたメッキ層であっても他の材質のメッキ層であってもよいが、少なくとも半田濡れ性が先端領域３６ｂの当接面３６ｂ１よりも悪いことが条件である。Ａｕメッキ層４１は、電気伝導性に優れた材質である。このためＡｕメッキ層４１を前記電子部品１の接続端子４０に当接させると、スパイラル接触子３４と前記電子部品１間の電気伝導性を良好に出来る。前記Ａｕメッキ層４１は、半田濡れ性に非常に優れる。このためスパイラル接触子３４の変形部３６では、先端領域３６ｂが後端領域３６ａに比べて半田濡れ性に優れた状態になっている。メッキ層４１はＡｕでなくてもよいが少なくとも半田濡れ性が後端領域３６ａよりも優れている必要があり、半田濡れ性に優れた材質が選択される。
【００３８】
図８，図１０では、Ｎｉメッキ層４３及びＡｕメッキ層４１は前記銅箔４２上に電解メッキ法によってメッキ形成されている。図９では、前記銅箔４２に無電解メッキ法にてＮｉメッキ層４３及びＡｕメッキ層４１をメッキ形成した実施形態である。無電解メッキ法によりＮｉメッキ層４３は前記銅箔４２の周囲全体にメッキ形成され、前記Ａｕメッキ層４１はＮｉメッキ層４３の周囲全体にメッキ形成される。すなわち図９の無電解メッキ法では前記Ａｕメッキ層４１を前記接続端子４０との上面（当接面３６ｂ１）以外の面（下面、両側面）にもメッキ形成することが出来る。なお図９は、スパイラル接触子３４の先端領域３６ｂでの層構造であり、前記後端領域３６ａでの層構造は、銅箔４２と前記銅箔４２の周囲に形成されたＮｉメッキ層４３で構成される。
【００３９】
図１に示すように、装填領域２１Ａに電子部品１を載せ、このとき図５に示すように、電子部品１の接続端子４０を接点基板３１側に向け、図１に示す蓋体１２を閉じると、前記電子部品１が矢印方向（図５，図示Ｚ２方向）に向けて移動し、前記電子部品１の接続端子４０が前記スパイラル接触子３４の変形部３６を下方向（図示Ｚ２方向）へ向けて押圧する。このとき、少なくとも前記変形部３６の先端領域３６ｂの当接面３６ｂ１の一部が、前記接続端子４０の表面に当接する（図６を参照）。
【００４０】
図６に示す状態で、前記電子部品１に対し所定の電気試験を行なう。図６に示す接点基板３１を前記電気試験のためだけに使用するときは、試験終了後、図６の状態から電子部品１を取り外し、新たな電子部品１に対し再び、前記電気試験を行なうが、電気試験によって所定の電気的特性が正常と判断された電子部品１を前記接点基板３１に接合させるときは、図６に示す状態から加熱を施す。
【００４１】
図７に示すように前記接続端子４０は、樹脂や金属等で形成された端子中心部５０の周囲に半田層５１が設けられている。図７に示す接続端子４０は、ＢＧＡ（Ball Grid Array：球状接触子）である。
【００４２】
図６の状態で加熱を施すと前記接続端子４０の半田層５１が溶解し、半田が、スパイラル接触子３４の変形部３６の先端領域３６ｂの当接面３６ｂ１上に流れる。このとき、前記当接面３６ｂ１には、Ａｕメッキ層４１が露出しているため、半田濡れ性に優れたＡｕメッキ層４１上に良好に半田が流れる。しかし前記Ａｕメッキ層４１は、前記変形部３６の先端領域３６ｂにのみ設けられ、後端領域３６ａには半田濡れ性の悪いＮｉメッキ層４３が露出した状態であるから、前記半田は前記変形部３６の先端領域３６ｂ上にのみ留まり、前記先端領域３６ｂから後端領域３６ａ方向へ向けて流れにくい状態になっている。この結果、半田が、スパイラル接触子３４の表面を伝って例えば図６に示す絶縁基板３２に形成された電極３７等に付着することを適切に回避することが出来る。前記電極３７は電気伝導性を良好にすべくＡｕ等で形成される。かかる場合、前記電極３７も半田濡れ性が良好であるから、半田が前記スパイラル接触子３４の支持部３５付近まで流れると、前記支持部３５と導電性接着剤等で接合された前記電極３７にまで半田が流れる可能性があったが、本発明では、前記半田は前記変形部３６の先端領域３６ｂのみに留まるため、半田が前記電極３７にまで流れることを防止できる。
【００４３】
図７に示すように、前記スパイラル接触子３４の変形部３６は、その先端領域３６ｂのみで前記接続端子４０に半田接合される。すなわち前記変形部３６の後端領域３６ａが前記接続端子４０と半田接合されない。このように前記変形部３６における前記接続端子４０との半田接合位置は先端領域３６ｂのみと決まっている。しかも通常、前記先端領域３６ｂは螺旋状の巻き中心付近に設けられるから、ＢＧＡタイプの接続端子４０の大体、真下に前記変形部３６の先端領域３６ｂが当接する。従って前記接続端子４０と変形部４６との半田接合位置がほぼ所定箇所で決まり、この結果、接触抵抗を安定化させることが出来る。
【００４４】
また図７に示すように、前記変形部３６はその先端領域３６ｂのみが前記接続端子４０と半田接合され、変形部３６の後端領域３６ａは前記接続端子４０と半田接合されない。このため前記変形部３６の後端領域３６ａは、依然として弾性力を発揮し、衝撃や振動が加わっても、前記変形部３６が上下方向（図示Ｚ１−Ｚ２方向）へ弾性変形することで衝撃力を緩和（吸収）でき、前記先端領域３６ｂと前記接続端子４０との接合面に加わる前記衝撃力を低減できる。この結果、強い衝撃や振動が加わっても前記先端領域３６ｂと前記接続端子４０との半田接合部あるいは変形部３６自体が切断されたりする等の損傷を受けにくい。
【００４５】
本発明では上記のようにスパイラル接触子３４の変形部３６の先端領域３６ｂにのみ半田濡れ性に優れたＡｕメッキ層４１を設け、前記後端領域３６ａには半田濡れ性の悪いＮｉメッキ層４３を露出させているため、前記先端領域３６ｂと接続端子４０とを半田接合しても、半田がスパイラル接触子３４の表面を伝わって前記変形部３６の後端領域３６ａ上に流れず、半田が絶縁基板３２の電極３７などに付着するのを抑制でき、また前記変形部３６と接続端子４０との半田接合をほぼ所定位置で行なうことが出来るから接触抵抗も安定化でき、高周波特性に代表される電気的特性を従来に比べて安定化でき、さらに振動・衝撃によって前記変形部３６と接続端子４０との半田接合部等が損傷することを適切に防止でき、さらにフレッティングコロージョンの発生も抑制できる。
【００４６】
図５，図６及び図７での接続端子４０はＢＧＡ構造であったが、ＬＧＡ（Land Grid Array：平面状接触子）構造であってもよい。
【００４７】
図３のように、前記Ａｕメッキ層４１の形成領域を先端領域３６ｂのみならず、前記先端領域３６ｂから所定の間隔を空けて前記スパイラル接触子３４の変形部３６の後端領域３６ａにも前記Ａｕメッキ層６０を設けてもよい。このとき、前記先端領域３６ｂに形成されたＡｕメッキ層４１と後端領域３６ａに形成されたＡｕメッキ層６０との間の中間領域３６ｃには、Ｎｉメッキ層４３が表面に露出した状態になっている。
【００４８】
図２の実施形態では、前記後端領域３６ａの前方端が、前記先端領域３６ｂの後方端３６ｂ３と一致しており、すなわち図２は変形部３６を先端領域３６ｂと後端領域３６ａとに画定していたが、図３の実施形態では、前記後端領域３６ａの前方端３６ａ１を、前記先端領域３６ｂの後方端３６ｂ３よりも、前記巻き始端Ｅ側にずらし、前記先端領域３６ｂと後端領域３６ａとの間に中間領域３６ｃを設けている。
【００４９】
前記Ａｕメッキ層４１，６０はＮｉメッキ層４３に比べて電気伝導性に優れ、しかも錆び等の腐食に強いといったメリットがある。またＡｕメッキ層４１，６０はＮｉメッキ層４３に比べて半田濡れ性が良好である。図３に示す実施形態では、前記Ａｕメッキ層４１，６０は中間領域３６ｃの部分で分断されているから、スパイラル接触子３４の先端領域３６ｂと前記接続端子４０とが半田にて接合されるとき、溶融した半田は、前記先端領域３６ｂに留まる。すなわち、半田は、中間領域３６ｃを越えて、後端領域３６ａに形成された前記Ａｕメッキ層６０にまで流れることがない。従って半田が絶縁基板３２の電極３７などに付着するのを抑制でき、高周波特性に代表される電気的特性を従来に比べて安定化できる。また図３に示す実施形態では、前記Ａｕメッキ層６０の形成領域の後方端を前記巻き始端Ｅ上ではなく巻き終端Ｄ寄りにすることも出来る。これによって前記巻き始端Ｅと前記後端領域３６ａの後方端との間に隙間（最後端領域）が生まれ、この隙間にＮｉメッキ層を露出させておくことで、仮に、前記後方領域３６ａのＡｕメッキ層６０上に半田が付着した場合でも、前記半田が、後方領域３６ａ上に留まり、前記支持部３５方向へ流れず絶縁基板３２の電極３７などに付着するのを抑制することが出来る。
【００５０】
図１１ないし図１５を用いて本発明におけるスパイラル接触子３４の製造方法について説明する。
【００５１】
図１１に示す符号７０は、銅などで形成された基台であり、前記基台７０上に銅箔４２を貼り付ける。図１２に示す工程では図示しないレジスト層を前記銅箔４２上に塗布し、露光現像にてスパイラル接触子形状の前記レジスト層を前記銅箔４２上に残す。前記レジスト層に覆われていない銅箔４２をエッチング等で除去すると図１２に示すように、前記基台７０上にスパイラル接触子３４形状の銅箔４２が残される。スパイラル接触子３４は図４に示すように、支持部３５と前記支持部３５から螺旋形状に延出する変形部３６とで構成される。
【００５２】
次に前記スパイラル接触子３４上にＮｉメッキ層４３を電解メッキ法にてメッキ形成する。次に図１３に示す工程では、前記スパイラル接触子３４のうち、前記スパイラル接触子３４の変形部３６の先端領域３６ｂ以外の前記スパイラル接触子３４上及び基台７０上にレジスト層７１を塗布する。そして電解メッキ法にてＡｕメッキ層４１を前記先端領域３６ｂのＮｉメッキ層４３上にのみメッキ形成する。そして前記レジスト層７１を除去する。
【００５３】
図１４に示す工程では、予め貫通孔３３ａが形成されたシート部材３３を前記スパイラル接触子３４の支持部３５上に導電性接着剤等を用いて貼り付ける。このとき前記貫通孔３３ａから前記スパイラル接触子３４の変形部３６が露出するように位置合わせを行ない、前記支持部３５をシート部材３３に形成された前記貫通孔３３ａの周縁部の下面に接合する。これによって接点シート３０が完成する。次に前記基台７０を前記接点シート３０から外し、図１５の状態から前記スパイラル接触子３４の変形部３６を上方へ螺旋階段状に突出させるためのフォーミングを行い、その後、絶縁基板３２と前記接点シート３０とを接合すれば、接点基板３１が完成し、さらに電子部品１の接続端子４０を前記スパイラル接触子３４の変形部３６上に当接させ加熱して前記変形部３６の先端領域３６ｂと前記接続端子４０とを半田接合すれば、電子機器ユニットが完成する。
【００５４】
なおスパイラル接触子３４の製造方法は、図１１ないし図１５に示す工程のものに限らない。例えばスパイラル接触子３４の上面全面にＮｉメッキ層４３およびＡｕメッキ層４１をメッキ形成した後、不要な箇所のＡｕメッキ層４１をエッチング等にて除去してもよい。図３に示すスパイラル接触子３４も図１１ないし図１５に示す工程を利用して、図１３工程時のときにスパイラル接触子３４の先端領域３６ｂ上のみらなず後端領域３６ａ上にもレジスト層を設けず、前記後端領域３６ａ上にもＡｕメッキ層がメッキ形成されるようにしておけばよい。
【００５５】
また本実施形態の接点部材はスパイラル接触子であったが、本発明では前記接点部材の変形部の形状をスパイラル形状に限定するものではない。前記接点部材の変形部は単なる直線的な棒形状などであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、
【図２】本発明におけるスパイラル接触子の斜視図、
【図３】図２とは異なる形態のスパイラル接触子の斜視図、
【図４】図２に示すスパイラル接触子を真上から見たときの平面図、
【図５】本発明における接点基板上に、電子部品の接続端子を当接させる前の、前記接点基板と電子部品との部分断面図、
【図６】電子部品の接続端子を接点基板上に当接させた状態の前記接点基板と電子部品との部分断面図、
【図７】図６に示す接続端子とスパイラル接触子の変形部との部分拡大断面図、
【図８】本発明における前記変形部の先端領域の層構造を説明するための部分拡大断面図、
【図９】図８とは異なる形態であって、前記変形部の先端領域の層構造を説明するための部分拡大断面図、
【図１０】Ａｕメッキ層が形成されていない箇所（後端領域）のスパイラル接触子の層構造を説明するための部分拡大断面図、
【図１１】スパイラル接触子の製造方法の一例を説明するための工程図（部分断面図）、
【図１２】図１１の次に行なわれる工程図（部分断面図）、
【図１３】図１２の次に行なわれる工程図（部分断面図）、
【図１４】図１３の次に行なわれる工程図（部分断面図）、
【図１５】図１４の次に行なわれる工程図（部分断面図）、
【図１６】従来の接点基板の構造について問題点を説明するための、前記接点基板及び電子部品の部分断面図、
【符号の説明】
【００５７】
１  電子部品
２０  検査装置
３０  接点シート
３１  接点基板
３２  絶縁基板
３３  シート部材
３４  スパイラル接触子
３５  支持部
３６  変形部
３６ａ  後端領域
３６ｂ  先端領域
３７  電極
４０  接続端子
４１、６０  Ａｕメッキ層
４２  銅箔
４３  Ｎｉメッキ層
５０  半田層
７０  基台
７１  レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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