(57)【要約】【課題】  （１００）面方位の結晶内部の歪複屈折が大幅に低減された（１００）結晶面の円筒状フッ化物単結晶の加工方法を提供すること。【解決手段】  育成された単結晶インゴットを切断して多角体を得、該多角体をアニール処理した後、さらに切断することを特徴とする、（１００）結晶面のフッ化物単結晶の加工方法。育成された単結晶インゴットを切断して多角体を得、該多角体をアニール処理した後、さらに切断、加工する、（１００）結晶面のフッ化物単結晶の加工方法であって、上記加工が円筒研削加工であり、該円筒研削加工後の単結晶円筒研削加工面の表面粗さ（ＲＭＳ）が０．１〜５．０μｍであることを特徴とする、（１００）結晶面の円筒状フッ化物単結晶の加工方法等を採用する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
育成された単結晶インゴットを切断して多角体を得、該多角体をアニール処理した後、さらに切断することを特徴とする、（１００）結晶面のフッ化物単結晶の加工方法。
【請求項２】
育成された単結晶インゴットを切断して多角体を得、該多角体をアニール処理した後、さらに切断、加工する、（１００）結晶面のフッ化物単結晶の加工方法であって、上記加工が円筒研削加工であり、該円筒研削加工後の単結晶円筒研削加工面の表面粗さ（ＲＭＳ）が０．１〜５．０μｍであることを特徴とする、（１００）結晶面の円筒状フッ化物単結晶の加工方法。
【請求項３】
上記円筒研削加工が円筒軸方向への砥石の切り込み速度１ｍｍ／ｍｉｎ〜３００ｍｍ／ｍｉｎ、砥石に対するフッ化物単結晶の回転速度５ｒｐｍ〜１５ｒｐｍで行われる請求項２記載の円筒状フッ化物単結晶の加工方法。
【請求項４】
上記円筒研削加工の砥石粒度が＃１００〜＃２４０である請求項２又は３記載の円筒状フッ化物単結晶の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、（１００）面方位の結晶内部の歪複屈折が大幅に低減された（１００）結晶面の円筒状フッ化物単結晶の加工方法に関する。なお、ここでいう（１００）結晶面とは、円筒体及び多角体の底面及び頂面であり、図１（ａ）に円筒体及び図１（ｂ）に六角柱状体の例を示す。
【背景技術】
【０００２】
近年、マイクロプロセッサー、メモリー、イメージセンサー等に用いられる半導体集積回路は、高集積化、高機能化が著しく進行している。そのため、ウエハの形成には微細な加工技術が要請されてきている。
【０００３】
フォトリソグラフィーは、上記集積回路の微細パターンをウエハ上に露光、転写するもので、ステッパーと呼ばれる露光装置が用いられている。上記微細な加工技術の要請から、このステッパーにも高い性能が要求されてきている。
【０００４】
このステッパーの投影レンズには、高い結像性能を得るために、高い解像度と深い焦点深度が必要である。解像度と焦点深度は、露光波長と開口数（ＮＡ）によって決まる。高い解像度を得るために、開口数を大きくすればよいが、焦点深度が浅くなる。従って、開口数を大きくすることには限度がある。露光波長は短いほど、同一パターンにおける回折光の角度は小さくなるので、レンズの開口数は少なくすむ。このため、露光波長を短波長化することが要求されている。
【０００５】
このような要求から露光装置の光源として、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２（波長１５７ｎｍ）等のエキシマレーザー光を光源とするステッパーも提案されている。しかし、このような短波長化に対して、従来の硝材は殆ど対応することができない。
【０００６】
このような短波長化に対応できる硝材としてフッ化物結晶が挙げられる。フッ化物結晶としては、結晶粒界や結晶方位の影響を回避すべく、単結晶が用いられ、ブリッジマン法等によって育成されている。
【０００７】
露光装置のレンズ材料等に用いられるフッ化物単結晶に要求される特性は、複屈折性（歪複屈折性）、光透過性、屈折率均質性等である。
【０００８】
歪複屈折等を低減するためには、単結晶を育成後にアニール処理を行うことが一般的である。そして、特許文献１（特許第３４６６９４８号公報）には、アニール処理を行い、その時の降温速度を制御することによって、フッ化物結晶の複屈折率（歪複屈折率）を短時間で低減できることが記載されている。
【０００９】
また、特許文献２（特許第３４６６９５０号公報）には、アニール処理時にフッ化物結晶の内部応力分布を補償するような力を加えた状態でアニールすることによって、にごりや着色が生じ難く、残留応力も低減されたフッ化物結晶が得られることが記載されている。
【００１０】
特許文献３（特開２０００−３４１９３号公報）には、アニール処理（加熱処理）工程前に表面清浄工程又はアニール処理工程後に変質層除去工程を各々設けることによって、透過率が高く、低歪で内部濁りがなく、表層部に変質層の存在しないフッ化物単結晶が製造できることが記載されている。
【００１１】
特許文献４（特開２００４−９９４０９号公報）には、蛍石単結晶の製造に伴う冷却において、塑性変形を生じない内部応力レベルに保ちつつ、連続的に冷却速度を増加しながら冷却を行うことによって、歪複屈折が増大しやすい大型の蛍石単結晶であっても高品質でかつ生産性が良好である旨記載されている。
【００１２】
特許文献５（特開平１０−２５１０９６号公報）には、最終製品の平面輪郭形状に近似又は相似する形状に加工した蛍石単結晶をアニール処理することにより、屈折率の均質性がよく、波面収差のパワー成分補正後のＲＭＳ値及び非回転対称成分のＲＭＳ値が小さい蛍石単結晶が得られると記載されている。
【００１３】
【特許文献１】特許第３４６６９４８号公報
【特許文献２】特許第３４６６９５０号公報
【特許文献３】特開２０００−３４１９３号公報
【特許文献４】特開２００４−９９４０９号公報
【特許文献５】特開平１０−２５１０９６号公報
【００１４】
特許文献１〜５は、フッ化カルシウム（蛍石）単結晶等のフッ化物単結晶の製造に際し、製造条件又は製造工程等を特定することによって、露光装置のレンズ材料等に用いられるフッ化物単結晶に要求される特性、例えば歪複屈折や透過率等を改善するものである。
【００１５】
露光装置の光学系に用いられるフッ化物単結晶には、（１１１）面方位と（１００）面方位の単結晶を組み合わせ真性複屈折を打ち消すようにさせており、（１００）面方位の結晶内部の歪複屈折を大幅に低減することは、露光装置のレンズ材料等の用途には極めて重要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
従って、本発明の目的は、（１００）面方位の結晶内部の歪複屈折が大幅に低減された（１００）結晶面の円筒状フッ化物単結晶の加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明者らは、検討の結果、アニール処理されたフッ化物単結晶の多角体を切断することにより、（１００）面方位の低歪単結晶の製造が達成し得ることを知見した。また上記切断後に加工するに際しては、加工として円筒研削加工（丸目加工）を用い、かつその際の単結晶円筒研削加工面の表面粗さ（ＲＭＳ）を一定範囲とすることによって、さらなる（１００）面方位の低歪単結晶の製造が達成し得ることを見出した。
【００１８】
すなわち、本発明は、育成された単結晶インゴットを切断して多角体を得、該多角体をアニール処理した後、さらに切断することを特徴とする、（１００）結晶面のフッ化物単結晶の加工方法を提供するものである。
【００１９】
また、本発明は、育成された単結晶インゴットを切断して多角体を得、該多角体をアニール処理した後、さらに切断、加工する、（１００）結晶面のフッ化物単結晶の加工方法であって、上記加工が円筒研削加工であり、該円筒研削加工後の単結晶円筒研削加工面（円筒体側面）の表面粗さ（ＲＭＳ：２乗平均粗さ）が０．１〜５．０μｍであることを特徴とする、（１００）結晶面の円筒状フッ化物単結晶の加工方法を提供するものである。
【００２０】
また、本発明に係る上記加工方法において、上記円筒加工が円筒軸方向への砥石の切り込み速度１ｍｍ／ｍｉｎ〜３００ｍｍ／ｍｉｎ、砥石に対するフッ化物単結晶の回転速度５ｒｐｍ〜１５ｒｐｍで行われることが望ましい。このような条件を用いることによって、（１００）面方位の結晶内部の歪複屈折がより低減できる。
【００２１】
さらに、本発明に係る上記加工方法において上記円筒研削加工の砥石粒度が＃１００〜＃２４０であることが望ましい。このような粒度の砥石を用いることによって、（１００）面方位の結晶内部の歪複屈折がより低減できる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る加工方法によって、円筒状フッ化物単結晶の（１００）面方位の結晶内部の歪複屈折を大幅に低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
（フッ化物単結晶インゴットの育成工程）
本発明に係る加工方法においては、先ずフッ化物単結晶を育成する。フッ化物単結晶としては、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化マグネシウム等が例示されるが、透過率の高い光学部品として用いられ、蛍石と呼称されるフッ化カルシウムが代表的である。
【００２４】
フッ化物粉末や溶解粉砕品等のフッ化物原料を育成用ルツボに入れて融解した後、徐冷して結晶成長させて直径２５０〜３５０ｍｍ程度のフッ化物単結晶インゴットを作製する。結晶育成方法としては、ブリッジマン法（ストックバーガー法、ルツボ降下法）やチョクラルスキー法が採用される。また、使用するルツボは黒鉛ルツボが好ましく用いられる。
【００２５】
このフッ化物単結晶の育成においては、炉内温度はルツボのフッ化物原料が融解する温度以上にまで上げ、ルツボ引き下げ終了後、５℃／ｈｒ〜２５℃／ｈｒの温度勾配で育成した単結晶を室温まで下げる。育成中はすべて真空雰囲気（１×１０−３Ｐａ〜１×１０−５Ｐａ）で行う。この単結晶の育成速度（引き下げ速度）は０．１ｍｍ／ｈｒ〜５．０ｍｍ／ｈｒで行う。
【００２６】
（フッ化物単結晶インゴットの簡易アニール処理及び切断工程）
このようにして育成されたフッ化物単結晶インゴットは、残留歪が大きすぎて、そのまま切断、加工を行うと、インゴット中にクラックが生じる。そこで、インゴット中のクラックを防止すべく、低温で簡易アニール、具体的には２００〜５００℃、７〜２１日、不活性雰囲気でアニールを行い、残留歪を低減させることが望ましい。
【００２７】
残留歪を低減したインゴットは、ダイヤモンドソー等を用いて、例えば１ｍｍ／ｍｉｎ〜１５ｍｍ／ｍｉｎの速度で切断され、多角体とされる。多角体としては六角柱状体や八角柱状体等の多角柱状体が一般的である。切断サイズ、側面方位は任意である。
【００２８】
（フッ化物単結晶多角体のアニール処理工程）
次に、フッ化物単結晶多角体をアニール炉中でアニール処理する。アニール処理の条件は、一般的には不活性雰囲気中で最高温度１１００℃〜１３００℃、アニール炉内の温度勾配０．４℃／ｃｍ以下であり、０．４℃／ｈｒ以上の降温速度で降温する。アニール処理期間は１〜２ヶ月である。このようにフッ化物単結晶多角体をアニール処理することにより、歪複屈折を低下させることができる。
【００２９】
（フッ化物単結晶多角体の切断、加工工程）
フッ化物単結晶多角体(六角柱状体)の切断、加工工程における底面（頂面）形状の一例をそれぞれ図２（a）〜（ｃ）に示す。図２（ａ）はフッ化物単結晶多角体のアニール処理前後の底面形状を示し、底面形状は不等辺六角形である。図２（ｂ）はアニール処理後のフッ化物単結晶多角体の切断後の底面形状を示し、底面形状は略正六角形である。なお、略正六角形内部の円は所定の円筒形状結晶を得る予定領域である。図２（ｃ）はフッ化物単結晶多角体を円筒研削加工後の底面形状を示し、底面形状は製品規格に適合させた真円である。
【００３０】
この工程では、先ずアニール処理が施されたフッ化物単結晶多角体を切断する。切断は上記と同様にダイヤモンドソー等を用いて上記と同様の速度で切断される。切断されるフッ化物の形状、切断サイズは、最終製品の形状、サイズにより任意に決定されるが、本発明では、最終的に円筒状とするのであるから、形状としてはこれに近い多角柱状体、例えば六角柱状体や八角柱状体とするのが好ましい。
【００３１】
本発明の加工方法では、このようにアニール処理されたフッ化物単結晶の多角体を切断することにより、（１００）面方位の低歪単結晶の製造が達成される。また、本発明の加工方法では、後述するように、切断後に特定条件で加工することにより、さらなる（１００）面方位の低歪単結晶の製造が達成される。
【００３２】
次に、底面形状が図２（ｂ）に示されるような切断された多角柱状体のフッ化物単結晶を加工する。加工は円筒研削加工、すなわち丸目加工が採用される。本発明では、この円筒研削加工において、円筒軸方向への砥石の切り込み速度を好ましくは１ｍｍ／ｍｉｎ〜３００ｍｍ／ｍｉｎ、さらに好ましくは５ｍｍ／ｍｉｎ〜１５ｍｍ／ｍｉｎ、砥石に対する被研削加工物（ワーク）、すなわちフッ化物単結晶の回転速度を好ましくは５ｒｐｍ〜１５ｒｐｍ、さらに好ましくは５ｒｐｍ〜１０ｒｐｍで行われることが望ましい。切り込み速度や回転速度が上記範囲外であると、（１００）面方位の結晶内部の歪複屈折が大幅に低減することができない。また、この円筒研削加工に用いられる砥石粒度は＃１００〜＃２４０、さらには＃１２０〜＃１８０であることが望ましい。このような粒度の砥石を用いることによって、（１００）面方位の結晶内部の歪複屈折がより低減される。円筒研削加工によって、図２（ｃ）に示されるような底面が真円の円筒体が得られる。底面の直径は製品規格によって決定される。
【００３３】
このようにして得られた円筒研削加工後の単結晶円筒研削加工面（円筒体側面）の表面粗さ（ＲＭＳ）は０．１〜５．０μｍ、さらには１．０〜２．０μｍである。このような表面粗さを有する単結晶は、（１００）面方位の結晶内部の歪複屈折を低減できる。
【００３４】
最後に、単結晶の対向する２面を平行にし、製品厚みとするために平面研削を行う。このときの切り込み速度は通常０．０５〜０．２ｍｍ／ｍｉｎで行われる。
【００３５】
このようにして製造された(１００) 面方位の結晶内部の歪複屈折が大幅に低減されたフッ化物単結晶は製品とされる。
【００３６】
以下、本発明を実施例等に基づき具体的に説明する。
【実施例１】
【００３７】
ブリッジマンストックバーガー法によって育成されたフッ化カルシウム単結晶インゴットを２５０℃、１４日、アルゴン雰囲気で簡易アニール処理した後、切断してフッ化カルシウム六角柱状体を得た。このフッ化カルシウム六角柱状体にアニール処理を施した。アニール処理は不活性雰囲気中で最高温度１１００℃〜１３００℃、アニール炉内の温度勾配０．４℃／ｃｍ以下、０．４℃／ｈ以上の降温速度で降温した。アニール処理期間は１ヶ月である。
【００３８】
アニール処理されたフッ化カルシウム六角柱状体をさらに切断し、一回り小さいフッ化カルシウム六角柱状体を得た。
【００３９】
アニール処理前後のフッ化カルシウム六角柱状体及び切断後のフッ化カルシウム六角柱状体における１５０ｍｍ径内の (１００)面方位の歪複屈折(平均、偏差、二乗平均平方根、最大、最小)を自動歪複屈折測定器を用いて測定した。結果を表１に示す。なお、歪複屈折の単位はいずれもｎｍ／ｃｍである。
【００４０】
【表１】
2006199528.tif 000003
【実施例２】
【００４１】
実施例１と同様に、ブリッジマンストックバーガー法によって育成されたフッ化カルシウム単結晶インゴットを簡易アニール処理した後、切断してフッ化カルシウム六角柱状体を得、さらにアニール処理を施した。
【００４２】
アニール処理されたフッ化カルシウム六角柱状体をさらに切断し、一回り小さいフッ化カルシウム六角柱状体を得た。
【００４３】
アニール処理前後のフッ化カルシウム六角柱状体及び切断後のフッ化カルシウム六角柱状体における１１０ｍｍ径内の (１００)面方位の歪複屈折(平均、偏差、二乗平均平方根、最大、最小)を自動歪複屈折測定器を用いて測定した。結果を表２に示す。
【００４４】
【表２】
2006199528.tif 000004
【実施例３】
【００４５】
ブリッジマンストックバーガー法によって育成されたフッ化カルシウム単結晶
インゴットを簡易アニール処理した後、切断してフッ化カルシウム六角柱状体を得た。このフッ化カルシウム六角柱状体にアニール処理を施した。アニール処理は不活性雰囲気中で最高温度１１００℃〜１３００℃、アニール炉内の温度勾配０．４℃／ｃｍ以下、０．４℃／ｈ以上の降温速度で降温した。アニール処理期間は１ヶ月である。
【００４６】
アニール処理されたフッ化カルシウム六角柱状体をさらに切断した後、円筒研削加工を行い、直径１００ｍｍのフッ化カルシウム円筒体を作製した。加工条件は円筒軸方向への砥石の切り込み速度５ｍｍ／ｍｉｎ、砥石に対するワークの回転速度１５ｒｐｍであり、砥石粒度は＃１５０である。
【００４７】
アニール処理後のフッ化カルシウム六角柱状体及び円筒研削加工後のフッ化カルシウム円筒体における５０から１１０ｍｍ径内の(１００)面方位の歪複屈折(平均、偏差、二乗平均平方根、最大、最小)を自動歪複屈折測定器を用いて測定した。結果を表３に示す。また、円筒研削加工後の単結晶円筒研削加工面（円筒体側面）の表面粗さ（ＲＭＳ）は１．１μｍであった。
【００４８】
【表３】
2006199528.tif 000005
【実施例４】
【００４９】
ブリッジマンストックバーガー法によって育成されたフッ化カルシウム単結晶インゴットを簡易アニール処理した後、切断してフッ化カルシウム六角柱状体を得た。
【００５０】
このフッ化カルシウム六角柱状体を実施例３に準じてアニール処理、切断及び円筒研削加工を行い、直径１５０ｍｍのフッ化カルシウム円筒体を作製した。
【００５１】
アニール処理後のフッ化カルシウム六角柱状体及び円筒研削加工後のフッ化カルシウム円筒体における５０から１５０ｍｍ径内の(１００)面方位の歪複屈折(平均、偏差、二乗平均平方根、最大、最小)を自動歪複屈折測定器を用いて測定した。結果を表４に示す。また、円筒研削加工後の単結晶円筒研削加工面（円筒体側面）の表面粗さ（ＲＭＳ）は１．６μｍであった。
【００５２】
【表４】
2006199528.tif 000006
【比較例】
【００５３】
（比較例１）
実施例３と同様に、ブリッジマンストックバーガー法によって育成されたフッ化カルシウム単結晶インゴットを簡易アニール処理した後、切断してフッ化カルシウム(１１１)面方位六角柱状体を得、このフッ化カルシウム六角柱状体を実施例３に準じてアニール処理、切断及び円筒研削加工を行った。アニール処理後のフッ化カルシウム六角柱状体及び円筒研削加工後のフッ化カルシウム円筒体における８７から２４０ｍｍ径内の(１１１)面方位の歪複屈折(平均、偏差、二乗平均平方根、最大、最小)を自動歪複屈折測定器を用いて測定した。結果を表５に示す。
【００５４】
【表５】
2006199528.tif 000007
【００５５】
(比較例２)
ブリッジマンストックバーガー法によって育成されたフッ化カルシウム単結晶インゴットを簡易アニール処理した後、切断してフッ化カルシウム六角柱状体を得た。
【００５６】
このフッ化カルシウム六角柱状体を実施例３と同様の条件で円筒研削加工を行い、フッ化カルシウム円筒体を作製した。次いで、このフッ化カルシウム円筒体に実施例３と同様の条件でアニール処理を施し、最終的に直径１３０ｍｍのフッ化カルシウム円筒体を作製した。
【００５７】
最終的に得られたフッ化カルシウム円筒体における５０から１２０ｍｍ径内の(１００)面方位の歪複屈折(平均、偏差、二乗平均平方根、最大、最小)を自動歪複屈折測定器を用いて測定した。結果を表６に示す。また、円筒研削加工後の単結晶円筒研削加工面（円筒体側面）の表面粗さ（ＲＭＳ）は１．７μｍであった。
【００５８】
【表６】
2006199528.tif 000008
【００５９】
(比較例３)
比較例２で作製したフッ化カルシウム円筒体について、再度、実施例３と同様の条件で円筒研削加工を行い、最終的に直径１２９ｍｍのフッ化カルシウム円筒体を作製した。
【００６０】
最終的に得られたフッ化カルシウム円筒体における５０から１２０ｍｍ径内の(１００)面方位の歪複屈折(平均、偏差、二乗平均平方根、最大、最小)を自動歪複屈折測定器を用いて測定した。結果を表７に示す。また、円筒研削加工後の単結晶円筒研削加工面（円筒体側面）の表面粗さ（ＲＭＳ）は１．８μｍであった。
【００６１】
【表７】
2006199528.tif 000009
【００６２】
(比較例４)
比較例３で作製した、フッ化カルシウム円筒体について、再度、実施例３と同様の条件で円筒研削加工を行い、最終的に直径１２０ｍｍのフッ化カルシウム円筒体を作製した。
【００６３】
最終的に得られたフッ化カルシウム円筒体における５０から１２０ｍｍ径内の(１００)面方位の歪複屈折(平均、偏差、二乗平均平方根、最大、最小)を自動歪複屈折測定器を用いて測定した。結果を表８に示す。また、円筒研削加工後の単結晶円筒研削加工面（円筒体側面）の表面粗さ（ＲＭＳ）は１．８μｍであった。
【００６４】
【表８】
2006199528.tif 000010
【００６５】
(比較例５)
ブリッジマンストックバーガー法によって育成されたフッ化カルシウム単結晶インゴットを簡易アニール処理した後、切断してフッ化カルシウム六角柱状体を得た。
【００６６】
このフッ化カルシウム六角柱状体を実施例３に準じてアニール処理後、エッチング液(Ｈ２Ｏ＋ＨＣｌ：濃度１０％)に浸漬し、表面を０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ溶解した。
【００６７】
エッチング処理前後のフッ化カルシウム六角柱状体の(１００)面方位における５０から１２０ｍｍ径内の歪複屈折(平均、偏差、二乗平均平方根、最大、最小)を自動歪複屈折測定器を用いて測定した。結果を表９に示す。
【００６８】
【表９】
2006199528.tif 000011
【００６９】
表１〜９の結果から次のことが判る。すなわち、実施例１及び２は、フッ化カルシウム六角柱状体を切断したものであるが、(１００)面方位の歪複屈折が小さくなることから、歪複屈折を低減することができる(表１及び表２参照)。また、実施例３及び４はフッ化カルシウム六角柱状体を切断後、一定条件で円筒研削加工したものであるが、(１００)面方位の歪複屈折がさらに小さくなることから、歪複屈折をさらに低減することができる(表３及び表４参照)。しかし、比較例１のように、フッ化カルシウム六角柱状体を一定条件で円筒研削加工しても、(１１１)面方位の歪複屈折は円筒加工前後で大きな変化は見られない(表５参照)。
【００７０】
比較例２〜４は、フッ化カルシウム六角柱状体をアニール処理する前に円筒研削加工し、アニール処理後、０〜２回円筒研削加工したものであるが、 (１００)面方位の歪複屈折は小さくならないことから、歪複屈折は低減されない(表６〜表８参照)。比較例５は、フッ化カルシウム六角柱状体をエッチング処理したものであるが、化学的研削では(１００)面方位の歪複屈折は小さくならないことから、歪複屈折は低減されない（表９参照）。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明に係る加工方法により得られた円筒状フッ化物単結晶は、（１００）面方位の結晶内部の歪複屈折が大幅に低減されていることから、露光装置のレンズとして好適に用いられるほか、他の光学部品の硝材としても用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】図１は、（１００）結晶面を示す図であり、図１（ａ）は円柱体、図１（ｂ）は六角柱状体である。
【図２】図２は、本発明に係る加工方法のフッ化物単結晶多角体(六角柱状体)の切断、加工工程における底面（頂面）形状の一例を示す図であり、図２（a）はアニール処理前後、図２（ｂ）は切断後、図２（ｃ）は円筒研削加工後である。
【図１】
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【図２】
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