(57)【要約】【課題】小型化かつ低背化が可能であり、安定した回路動作を実現することができるモジュールを提供する。【解決手段】少なくとも１層の配線パターン１０２とシールド層１０３と電気絶縁層１０１を有する第１の配線板１０７と、少なくとも１層の配線パターンと、電気絶縁層を有する第２の配線板１０８と、前記第１の配線板１０７、前記第２の配線板１０８を固定する支持体１０５と、前記第１の配線板１０７、前記第２の配線板１０８と、前記支持体１０５に形成され、前記第１の配線板１０７、前記第２の配線板１０８間を電気接続するスルーホール電極１０６と、前記第１の配線板１０７、前記第２の配線板１０８の対向する前記配線パターン１０２に二つ以上の電子部品１０４を実装したモジュール。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１層の配線パターンとシールド層と電気絶縁層を有する第１の配線板と、
少なくとも１層の配線パターンと電気絶縁層を有する第２の配線板と、
前記第１、第２の配線板を固定する支持体と、
前記第１、第２の配線板と、前記支持体に形成され、前記第１の配線板と前記第２の配線板の間を電気接続するスルーホール電極と、
前記第１、第２の配線板の対向する前記配線パターンに二つ以上の電子部品を実装したモジュール。
【請求項２】
少なくとも１層の配線パターンとシールド層と電気絶縁層を有する第１の配線板と、
少なくとも１層の配線パターンと電気絶縁層を有する第２の配線板と、
前記第１、第２の配線板を固定する内蔵層と、
前記第１、第２の配線板と、前記内蔵層に形成され、前記第１の配線板と前記第２の配線板の間を電気接続するスルーホール電極と、
前記内蔵層に内蔵され、前記第１、第２の配線板の対向する前記配線パターンに二つ以上の電子部品を実装したモジュール。
【請求項３】
少なくとも１層の配線パターンとシールド層と電気絶縁層を有する第１の配線板と、
少なくとも１層の配線パターンと電気絶縁層を有する第２の配線板と、
前記第１、第２の配線板を固定する内蔵層および支持体と、
前記支持体および前記内蔵層の少なくとも一方、前記第１、第２の配線板とに形成され、前記第１の配線板と前記第２の配線板の間を電気接続するスルーホール電極と、
前記内蔵層に内蔵され、前記第１、第２の配線板の対向する前記配線パターンに二つ以上の電子部品を実装したモジュール。
【請求項４】
支持体と電気絶縁層の樹脂成分が同じである請求項１または３に記載のモジュール。
【請求項５】
支持体と内蔵層の樹脂成分が同じである請求項３に記載のモジュール。
【請求項６】
電気絶縁層と内蔵層の樹脂成分が同じである請求項２または３に記載のモジュール。
【請求項７】
電子部品のうち、最も背の高い電子部品に面対向する位置には他の電子部品を実装せず、かつ、支持体の高さを前記最も背の高い電子部品の高さより高くする、あるいは前記最も背の高い電子部品に面対向するように最も背の低い電子部品を実装し、前記支持体の高さを前記最も背の高い電子部品と前記最も背の低い電子部品の合計高さより高くするとともに、
互いに面対向する他の電子部品の合計高さを前記支持体の高さより低くした請求項１から６のいずれかに記載のモジュール。
【請求項８】
第１の配線板および第２の配線板の少なくとも一方が開口部を有し、
前記開口部に、前記第１、第２の配線板の間の距離より、実装高さの高い電子部品を配置した請求項１から６のいずれかに記載のモジュール。
【請求項９】
開口部に内蔵層が充填され、前記開口部の前記内蔵層にシールド層を形成した請求項８に記載のモジュール。
【請求項１０】
配線板が多層配線板である請求項１から９のいずれかに記載のモジュール。
【請求項１１】
第１、第２の配線板の配線パターンに電子部品を実装する工程と、
配線板同士を対向して、支持体で固定する工程と、
前記配線板および前記支持体にスルーホール電極を形成する工程を含むモジュールの製造方法。
【請求項１２】
第１、第２の配線板の配線パターンに電子部品を実装する工程と、
配線板同士を対向して、内蔵層で積層し固定する工程と、
前記配線板および前記内蔵層にスルーホール電極を形成する工程を含むモジュールの製造方法。
【請求項１３】
第１、第２の配線板の配線パターンに電子部品を実装する工程と、
配線板同士を対向して、支持体および内蔵層で固定する工程と、
前記支持体および前記内蔵層の少なくとも一方と、前記配線板とにスルーホール電極を形成する工程を含むモジュールの製造方法。
【請求項１４】
支持体および内蔵層の少なくとも一方と、配線板とにスルーホール電極を形成後、シールド層および配線パターンの少なくとも一方をパターニングする工程を含む請求項１１から１３のいずれかに記載のモジュールの製造方法。
【請求項１５】
支持体および内蔵層の少なくとも一方と、配線板とにスルーホール電極を形成後、モジュール単位に切断する工程を含む請求項１１から１３のいずれかに記載のモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話機などの電子機器に装備されるモジュールとその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高性能化、小型化の流れの中、回路部品の高密度、高機能化が一層求められている。回路部品を搭載したモジュールにおいても、高密度、高機能化への対応が要求されている。高密度に実装する方法として、ＬＴＣＣのように部品を積層する方法や、受動部品を基板内部に配置する３次元実装が開発されている。
【０００３】
ＬＴＣＣの積層モジュールにおいては、セラミックス積層基板に、コンデンサやインダクタを内蔵回路パターンとして作り込み、積層基板の表面に、基板中に作り込むことが出来ない電子部品を実装し、電子部品を覆う金属製カバーが取り付けられている（非特許文献１参照）。
【０００４】
また、ＬＴＣＣはコストが高く、パターン内部に形成できる部品にも制限があり、大容量のコンデンサや、半導体等は内蔵できないため、部品内蔵モジュールとして、ＬＴＣＣでは基板に作り込めなかった電子部品を絶縁層に内蔵することで、小型化を図る取り組みも行われている（特許文献１、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−１２８４１３号公報
【特許文献２】特開平１１−２２０２６２号公報
【非特許文献１】「日経エレクトロニクス」１９９９年７月２６日（Ｎｏ．７４８）ｐ．１４０−１５２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、携帯電話等の薄型化の要求に対しては、積層基板上の複数の電子部品を金属製カバーによって覆う構造が採用されているため、金属製カバーの内部には、チップ部品の周囲に拡がる大きな空間が形成されることとなり、これによってモジュール全体が大型化する問題があった。
【０００６】
特許文献１では、ＬＴＣＣ基板に凹部を形成し、チップ部品を実装し、接合パターンで上下のＬＴＣＣ基板を接続する構造をとっているが、凹部に配置できるチップ部品の高さが、凹部の深さや、接合パターンの高さ等から、限定され、半導体や、フィルター等の部品の実装は難しい。また、実装面積を増やしているわけではないので、大幅な小型化につながらない問題があった。
【０００７】
一方、部品内蔵モジュール（特許文献２）においては、内蔵する部品の高さによって内蔵層の厚みが決定されるため、背の高さによって内蔵できる部品が限られ、また、多段にすることで、面積を小型化している分、厚みが大きくなってしまう傾向にあった。
【０００８】
そこで本発明の目的は、小型低背化が可能なモジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載のモジュールは、少なくとも１層の配線パターン１０２とシールド層１０３と電気絶縁層１０１を有する第１の配線板１０７と、少なくとも１層の配線パターンと、電気絶縁層を有する第２の配線板１０８と、前記第１の配線板１０７、前記第２の配線板１０８を固定する支持体１０５と、前記第１の配線板１０７、前記第２の配線板１０８と、前記支持体１０５に形成され、前記第１の配線板１０７、前記第２の配線板１０８間を電気接続するスルーホール電極１０６と、前記第１の配線板１０７、前記第２の配線板１０８の対向する前記配線パターン１０２に二つ以上の電子部品１０４を実装したものである。
【００１０】
本構成によって、電子部品１０４を実装した第１の配線板１０７、第２の配線板１０８を面対向して配置し、支持体１０５で固定したので、従来の金属製カバーが削除でき小型低背化を実現でき、同時に部品点数も低減できる。
【００１１】
また、第１の配線板１０７の外側に配置したシールド層１０３により、高周波数域においても安定した回路動作を実現することが可能となる。
【００１２】
さらに、スルーホール電極１０６の形成において、給電パターンとしても使用することができ、電子部品１０４の高さに関係なく、信頼性の高い電気接続が得られる。
【００１３】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項２に記載のモジュールは、少なくとも１層の配線パターンとシールド層と電気絶縁層を有する第１の配線板と、少なくとも１層の配線パターンと、電気絶縁層を有する第２の配線板と、前記第１、第２の配線板を固定する内蔵層と、前記第１、第２の配線板と、前記内蔵層に形成され、前記第１の配線板と前記第２の配線板間を電気接続するスルーホール電極と、前記内蔵層に内蔵され、前記第１、第２の配線板の対向する前記配線パターンに二つ以上の電子部品を実装したものである。
【００１４】
本構成によって、２枚の配線板を使用することで実装面積が増える上、第１の配線板、第２の配線板の電子部品実装面を対向して配置し、内蔵層で固定したので、従来のＬＴＣＣ基板にチップ部品を実装する構成に比較し小型低背化を実現できる。
【００１５】
また、前記第１、第２の配線板の固定を配線板の面全体で行うことができ、信頼性が向上する。
【００１６】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項３に記載のモジュールは、少なくとも１層の配線パターンとシールド層と電気絶縁層を有する第１の配線板と、少なくとも１層の配線パターンと、電気絶縁層を有する第２の配線板と、前記第１、第２の配線板を固定する内蔵層および支持体と、前記支持体および前記内蔵層の少なくとも一方、前記第１、第２の配線板とに形成され、前記第１の配線板と前記第２の配線板の間を電気接続するスルーホール電極と、前記内蔵層に内蔵され、前記第１、第２の配線板の対向する前記配線パターンに二つ以上の電子部品を実装したものである。
【００１７】
本構成によって、２枚の配線板を使用することで実装面積が増える上、第１の配線板、第２の配線板の電子部品実装面を対向して配置し、内蔵層および支持体で固定したので、従来の部品内蔵モジュールのように多段にする必要がなくなり小型低背化を実現できる。
【００１８】
さらに、支持体および内蔵層の取り扱いが容易になると共に、前記第１、第２の配線板の固定を配線板の面全体で行うことができ、信頼性が向上する。
【００１９】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項４に記載のモジュールは、請求項１または３に記載のモジュールにおいて、支持体と電気絶縁層の樹脂成分が同じとしたものである。
【００２０】
本構成によって、支持体と電気絶縁層の熱膨張係数が等しくなり、リフロー等、温度変化のある状況における信頼性が向上する。
【００２１】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項５に記載のモジュールは、請求項３に記載のモジュールにおいて、支持体と内蔵層の樹脂成分が同じとしたものである。
【００２２】
本構成によって、支持体と電気絶縁層の熱膨張係数が等しくなり、リフロー等、温度変化のある状況における信頼性が向上する。
【００２３】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項６に記載のモジュールは、請求項２または３に記載のモジュールにおいて、電気絶縁層と内蔵層の樹脂成分が同じとしたものである。
【００２４】
本構成によって、支持体と電気絶縁層の熱膨張係数が等しくなり、リフロー等、温度変化のある状況における信頼性が向上する。
【００２５】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項７に記載のモジュールは、請求項１から６のいずれかに記載のモジュールにおいて、電子部品のうち、最も背の高い電子部品に面対向する位置には他の電子部品を実装せず、かつ、支持体の高さを前記最も背の高い電子部品の高さより高くする、あるいは前記最も背の高い電子部品に面対向するように最も背の低い電子部品を実装し、前記支持体の高さを前記最も背の高い電子部品と前記最も背の低い電子部品の合計高さより高くするとともに、互いに面対向する他の電子部品の合計高さを前記支持体の高さより低くしたものである。
【００２６】
本構成によって、電子部品を２枚の配線板のそれぞれに面対向して実装することで、電子部品の高さの違いを有効に活用し、小さい電子部品の上部の空間も有効に使用できるため、小型低背のモジュールを提供できる。
【００２７】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項８に記載のモジュールは、請求項１から６のいずれかに記載のモジュールにおいて、第１の配線板および第２の配線板の少なくとも一方が開口部を有し、前記開口部に、前記第１、第２の配線板の間の距離より、実装高さの高い電子部品を配置したものである。
【００２８】
本構成によって、実装高さの高い電子部品を配置しても、低背化が実現できる。
【００２９】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項９に記載のモジュールは、請求項８に記載のモジュールにおいて、開口部に内蔵層が充填され、前記開口部の前記内蔵層にシールド層を形成したものである。
【００３０】
本構成によって、配線板の開口部にもシールド層を形成でき、高周波における安定動作が行いやすくなる。
【００３１】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項１０に記載のモジュールは、請求項１から９のいずれかに記載のモジュールにおいて、配線板が多層配線板としたものである。
【００３２】
本構成によって、複雑な配線パターンに対応でき、より高機能のモジュールが作製できる。
【００３３】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項１１に記載のモジュールの製造方法は、第１、第２の配線板の配線パターンに電子部品を実装する工程と、配線板同士を対向して、支持体で固定する工程と、前記配線板および支持体にスルーホール電極を形成する工程を含むものである。
【００３４】
本方法によって、第１の配線板、第２の配線板を、両者に実装した電子部品が面対向するように配置し、支持体で固定した構造のモジュールを作製できるので、小型低背のモジュールを提供できる。
【００３５】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項１２に記載のモジュールの製造方法は、第１、第２の配線板の配線パターンに電子部品を実装する工程と、配線板同士を対向して、内蔵層で積層し固定する工程と、前記配線板および内蔵層にスルーホール電極を形成する工程を含むものである。
【００３６】
本方法によって、第１の配線板、第２の配線板を、両者に実装した電子部品が面対向するように配置し、内蔵層で固定した構造のモジュールを作製できるので、小型低背のモジュールを提供できる。
【００３７】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項１３に記載のモジュールの製造方法は、第１、第２の配線板の配線パターンに電子部品を実装する工程と、配線板同士を対向して、支持体および内蔵層で固定する工程と、前記支持体および前記内蔵層の少なくとも一方と、前記配線板とにスルーホール電極を形成する工程を含むものである。
【００３８】
本構成によって、第１の配線板、第２の配線板を、両者に実装した電子部品が面対向するように配置し、支持体および内蔵層で固定した構造のモジュールを作製できるので、小型低背のモジュールを提供できる。
【００３９】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項１４に記載のモジュールの製造方法は、請求項１１から１３のいずれかに記載のモジュールの製造方法において、支持体および内蔵層の少なくとも一方と、配線板とにスルーホール電極を形成後、シールド層および配線パターンの少なくとも一方をパターニングする工程を含むものである。
【００４０】
本構成によって、スルーホール電極を形成後に、シールド層および配線パターンの少なくとも一方を任意の形状に容易に加工できる。
【００４１】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項１５に記載のモジュールの製造方法は、請求項１１から１３のいずれかに記載のモジュールの製造方法において、支持体および内蔵層の少なくとも一方と、配線板とにスルーホール電極を形成後、モジュール単位に切断する工程を含むものである。
【００４２】
本構成によって、モジュールを一括に形成でき、端面スルーホール電極の形成も容易となる。
【発明の効果】
【００４３】
本発明の構成によれば、金属シールドをなくし、小型化かつ低背化が可能であり、安定した回路動作を実現することができるモジュールを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００４５】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１におけるモジュールの断面図である。
【００４６】
図１において、モジュールは、電気絶縁層１０１と、配線パターン１０２と、シールド層１０３と、電子部品１０４と、支持体１０５と、スルーホール電極１０６を有しており、第１の配線板１０７は、電気絶縁層１０１と、配線パターン１０２と、電磁シールド層１０３を有している。第２の配線板１０８は、電気絶縁層１０１と、配線パターン１０２を有している。
【００４７】
支持体１０５は、第１の配線板１０７と、第２の配線板１０８を固定している。
【００４８】
スルーホール電極１０６は、第１の配線板１０７と、支持体１０５と、第２の配線板１０８を貫通して形成されている。
【００４９】
第１の配線板１０７、第２の配線板１０８は、ガラスエポキシ基板や、ビルドアップ基板や、セラミック基板、フレキ基板といった基板を用いることができる。第１の配線板１０７、第２の配線板１０８が多層基板の場合は、複雑な回路形成が可能となる。また、表面にレジストを形成してもよい。なお、第１の配線板１０７と第２の配線板１０８が同じ材質であってもよい。
【００５０】
電気絶縁層１０１は、通常の配線板に用いられる、補強材と樹脂の混合物（例えばガラスエポキシ材や、アラミドエポキシ材）や絶縁性樹脂及び、フィラと絶縁性樹脂の混合物等を用いることができる。
【００５１】
絶縁性樹脂としては、熱硬化性樹脂や、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができ、例えば、エポキシ樹脂やフェノール樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、ＰＰＯ樹脂、ＰＰＥ樹脂、液晶ポリマー等である。
【００５２】
第１の配線板１０７、第２の配線板１０８の耐熱性や、誘電率、誘電正接を適切な樹脂を選択することにより調整できる。
【００５３】
また、フィラとしては、例えば、アルミナ、マグネシア、窒化ホウ素、窒化アルミ、窒化珪素、テフロン（登録商標）および、シリカなどを用いることができる。適切なフィラを選択することによって、第１の配線板１０７、第２の配線板１０８の線膨張係数、熱伝導度、誘電率、密度、強度などを容易に制御することができる。さらに分散剤、着色剤、カップリング剤または離型剤を含んでいてもよい。
【００５４】
配線パターン１０２は、電気伝導性を有する物質からなり、たとえば、金属箔や導電性樹脂組成物、金属板を加工したリードフレームを用いることができる。エッチングや、印刷、メッキ、打ち抜き等により配線パターンを作製できる。
【００５５】
また、配線パターン１０２は表面にメッキ処理や、粗化処理、レジストを形成してもよい。また、カプラーやフィルター等の機能を配線パターン１０２で形成することも可能である。また、電磁シールド１０３が形成されている層に配線パターン１０２を形成していてもよい。
【００５６】
シールド層１０３は、配線パターン１０２と同様の導電性材料、または磁気吸収材を用いることができ、配線パターン１０２と同様の工程で形成することができる。
【００５７】
シールド層１０３を形成することによって、電子部品１０４への電磁波の干渉または、電子部品１０４からの電磁波の放出を低減させることができる。
【００５８】
シールド層１０３をグランド電位にすることにより、モジュールの安定動作が図れ、金属カバーが不要となり、コスト・工程の削減、低背化が図れる。グランド電位はスルーホール電極１０６や基板内のビア等によって、第１の配線板１０７、第２の配線板１０８もしくは、モジュールが実装される基板のグランド電位と接続することで得られる。
【００５９】
なお、シールド層１０３は１層に限定するものではない。シールド層１０３を平滑な構造にすることで、マウンタによる吸着が行いやすくなる。
【００６０】
電子部品１０４は、例えば、パッケージやベアチップの半導体や、コンデンサやインダクタ、抵抗などのチップ部品や、ダイオード、サーミスタ、スイッチ等を用いることができる。
【００６１】
電子部品１０４の実装には、例えば、半田や導電性接着剤を用いることができる。モジュールには様々な電子部品１０４を使用するが、電子部品の実装高さはかなり異なっており、０６０３等のチップ部品と、パッケージに入っているＳＡＷフィルターや半導体とでは、１ｍｍ程度の差がある。
【００６２】
そこで、実装高さの低い電子部品を面対向して配置することで、通常使用されていない実装高さの低い電子部品の上の空間を利用することができ、モジュールの小型化が可能となる。
【００６３】
具体的には、電子部品１０４のうち最も背の高い電子部品に対向する位置には他の電子部品を何も実装しないか、あるいは最も背の高い電子部品に面対向するように最も背の低い電子部品を実装する。
【００６４】
この際、いずれも支持体１０５の高さを最も背の高い電子部品と最も背の低い電子部品の合計高さより高くする。
【００６５】
また、互いに面対向する上記以外の電子部品１０４の合計高さを支持体１０５の高さより低くする。
【００６６】
このような構造とすることで、モジュールの小型化、低背化が可能となる。
【００６７】
支持体１０５の材料は、電気絶縁性を有しており、電気絶縁層１０１と同じ材料を用いることができる。
【００６８】
スルーホール電極１０６は、ドリルやレーザー加工したスルーホールを形成後、メッキで電極を形成することで、第１の配線板１０７、第２の配線板１０８の配線パターン１０２の間を電気接続する機能を有している。
【００６９】
端面にスルーホール電極１０６を形成した場合、モジュールを基板に実装した際の半田等による実装状態をチェックできる。
【００７０】
メッキは、Ｎｉメッキ後にＡｕメッキを形成する等、複数のメッキをすることもできる。また、メッキ前にデスミア処理等を施していてもよい。
【００７１】
メッキはスルーホール電極１０６部分以外、例えば、配線パターン１０２上に形成されていても良い。
【００７２】
なお、スルーホール電極１０６の形状は、限定されるものではない。
【００７３】
本構造によって、金属製カバーがなく、厚みを低減し、高密度に電子部品を実装したモジュールを提供できる。
【００７４】
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２におけるモジュールの断面図である。
【００７５】
本実施の形態２におけるモジュールに関しては、内蔵層２０９に関する点以外は、上述した実施の形態１と同様である。したがって、実施の形態２で用いられる材料は、特に説明のない限り実施の形態１で説明したものである。
【００７６】
図２において、モジュールは、電気絶縁層２０１と、配線パターン２０２と、シールド層２０３と、電子部品２０４と、内蔵層２０９と、スルーホール電極２０６、ビア２１０を有しており、第１の配線板２０７は、電気絶縁層２０１と、配線パターン２０２と、電磁シールド層２０３と、ビア２１０を有している。
【００７７】
第２の配線板２０８は、電気絶縁層２０１と、配線パターン２０２、ビア２１０を有している。
【００７８】
内蔵層２０９は、電子部品２０４を内蔵し、第１の配線板２０７と第２の配線板２０８を接着固定している。
【００７９】
スルーホール電極２０６は、第１の配線板２０７と、内蔵層２０９と、第２の配線板２０８を貫通して形成されている。
【００８０】
第１の配線板２０７、第２の配線板２０８は、ビア２１０によって層間の配線パターン２０２を接続する多層基板を用いてもよい。
【００８１】
内蔵層２０９は、絶縁性樹脂、フィラ、絶縁性樹脂の混合物等を用いることができる。絶縁性樹脂としては、電気絶縁層２０１と同様の材料を用いることができる。また、電気絶縁層２０１と同じ材料の場合、熱膨張等が同じであるため、信頼性が向上する。
【００８２】
フィラとしては、アルミナのような熱伝導率の高い材料や、シリカ、窒化珪素やテフロン（登録商標）を用いても誘電率の低い内蔵層２０９を形成できる。内蔵層２０９を用いることで、第１の配線板２０７、第２の配線板２０８を面で固定でき、信頼性の向上や、低面積化が図れる。
【００８３】
ビア２１０は、配線パターン２０２の間を接続する機能を有し、たとえば、金属粉と、樹脂を混合した導電性物質や、メッキ、半田で形成することができる。
【００８４】
なお、本実施の形態２においては、第２の配線板２０８の配線パターンを４層としたが、層数を限定するものではない。
【００８５】
本構造によって、電子部品２０４を実装する基板が内蔵層２０９と一体化することで、電子部品を内蔵した最薄のモジュールを提供できる。
【００８６】
（実施の形態３）
図３は本発明の実施の形態３におけるモジュールの断面図である。
【００８７】
本実施の形態３におけるモジュールに関しては、支持体３０５、内蔵層３０９に関する点以外は、上述した実施の形態１、２と同様である。したがって、実施の形態３で用いられる材料は、特に説明のない限り実施の形態１、２で説明したものである。
【００８８】
図３において、モジュールは、電気絶縁層３０１と、配線パターン３０２と、シールド層３０３と、電子部品３０４と、支持体３０５と、スルーホール電極３０６と、内蔵層３０９と、ビア３１０を有しており、第１の配線板３０７は、電気絶縁層３０１と、配線パターン３０２と、電磁シールド層３０３と、ビア３１０を有している。
【００８９】
第２の配線板３０８は、電気絶縁層３０１と、配線パターン３０２、ビア３１０を有している。
【００９０】
支持体３０５および、内蔵層３０９は、第１の配線板３０７と、第２の配線板３０８を固定している。
【００９１】
スルーホール電極３０６は、支持体３０５と内蔵層３０９の少なくとも一方と、第１の配線板３０７と、第２の配線板３０８とを貫通して形成されている。
【００９２】
支持体３０５と内蔵層３０９の材料は同じ材料であってもよく、支持体３０５に含まれる樹脂成分が内蔵層３０９を形成していてもよい。
【００９３】
本構造によって、厚みを低減したモジュールが提供できるとともに、内蔵層３０９で満たされている部分にはスルーホール電極３０６を形成することが可能となり、モジュールの回路設計が容易となる。
【００９４】
（実施の形態４）
図４は本発明の実施の形態４におけるモジュールの断面図である。
【００９５】
本実施の形態４におけるモジュールに関しては、第１の配線板４０７に関する点以外は、上述した実施の形態１〜３と同様である。したがって、実施の形態４で用いられる材料は、特に説明のない限り実施の形態１〜３で説明したものである。
【００９６】
図４において、モジュールは、電気絶縁層４０１と、配線パターン４０２と、シールド層４０３と、電子部品４０４ａ、４０４ｂと、支持体４０５と、スルーホール電極４０６を有しており、第１の配線板４０７は、電気絶縁層４０１と、配線パターン４０２と、電磁シールド層４０３を有している。
【００９７】
第２の配線板４０８は、電気絶縁層４０１と、配線パターン４０２を有している。
【００９８】
支持体４０５は、第１の配線板４０７と、第２の配線板４０８を固定している。
【００９９】
スルーホール電極４０６は、第１の配線板４０７と、支持体４０５と、第２の配線板４０８を貫通して形成されている。
【０１００】
電子部品４０４ａは、第１の配線板４０７と第２の配線板４０８の間の距離より実装高さの高い部品である。
【０１０１】
電子部品４０４ｂは、第１の配線板４０７と第２の配線板４０８の間の距離より実装高さの低い部品である。
【０１０２】
第１の配線板４０７は、開口部４１１を有している。開口部４１１はレーザー加工やルーター等の方法により形成することができる。この開口部４１１に実装高さの高い電子部品４０４ａを配置することで、第１の配線板４０７の厚み分、モジュールの高さの増加を防ぐことができる。
【０１０３】
（実施の形態５）
図５は本発明の実施の形態５におけるモジュールの断面図である。
【０１０４】
本実施の形態５におけるモジュールに関しては、第１の配線板５０７、シールド層５０３に関する点以外は、上述した実施の形態１〜４と同様である。したがって、本実施の形態５で用いられる材料は、特に説明のない限り実施の形態１〜４で説明したものである。
【０１０５】
図５において、モジュールは、電気絶縁層５０１と、配線パターン５０２と、シールド層５０３ａ、５０３ｂと、電子部品５０４ａ、５０４ｂと、内蔵層５０９と、スルーホール電極５０６を有しており、第１の配線板５０７は、電気絶縁層５０１と、配線パターン５０２と、シールド層５０３ａを有している。
【０１０６】
第２の配線板５０８は、電気絶縁層５０１と、配線パターン５０２を有している。
【０１０７】
内蔵層５０９は、第１の配線板５０７と、第２の配線板５０８を固定している。
【０１０８】
スルーホール電極５０６は、第１の配線板５０７と、内蔵層５０９と、第２の配線板５０８を貫通して形成されている。
【０１０９】
第１の配線板５０７は、開口部５１１を有している。この開口部５１１に実装高さの高い電子部品５０４ａを配置し、内蔵層５０９で充填している。また、シールド層５０３ｂが形成されている。シールド層５０３ｂは、シールド層５０３ａと同様に金属箔や、導電性樹脂を用いて形成することができる。
【０１１０】
この構造により、第１の配線板５０７の厚み分、モジュールの高さの増加を防ぎ、開口部５１１にもシールド層５０３ｂを形成することで、電子部品５０４ａへの電磁波の干渉または、電子部品５０４ａからの電磁波の放出を低減させることができる。
【０１１１】
（実施の形態６）
図６は本発明の実施の形態６におけるモジュールの断面図である。
【０１１２】
本実施の形態６におけるモジュールに関しては、第１の配線板６０７、第２の配線板６０８、シールド層６０３に関する点以外は、上述した実施の形態１〜５と同様である。したがって、本実施の形態６で用いられる材料は、特に説明のない限り実施の形態１〜５で説明したものである。
【０１１３】
図６において、モジュールは、電気絶縁層６０１と、配線パターン６０２と、シールド層６０３ａ、６０３ｂと、電子部品６０４ａ、６０４ｂと、支持体６０５と、内蔵層６０９と、スルーホール電極６０６を有しており、第１の配線板６０７は、電気絶縁層６０１と、配線パターン６０２と、シールド層６０３ａを有している。
【０１１４】
第２の配線板６０８は、電気絶縁層６０１と、配線パターン６０２を有している。
【０１１５】
支持体６０５と、内蔵層６０９は、第１の配線板６０７と、第２の配線板６０８を固定している。
【０１１６】
スルーホール電極６０６は、第１の配線板６０７と、支持体６０５と、第２の配線板６０８を貫通して形成されている。
【０１１７】
第１の配線板６０７、第２の配線板６０８は、開口部６１１を有している。この開口部６１１に実装高さの高い電子部品６０４ａを配置し、内蔵層６０９で充填している。また、シールド層６０３ｂが形成されている。この構造により、第１の配線板６０７の厚み分、モジュールの高さの増加を防ぎ、開口部６１１にもシールド層６０３ｂを形成することで、電子部品６０４ａへの電磁波の干渉または、電子部品６０４ａからの電磁波の放出を低減させることができる。
【０１１８】
（実施の形態７）
図７（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態１におけるモジュールの製造工程の断面図である。本実施の形態７で用いられる材料は、実施の形態１で説明したものである。
【０１１９】
図７（ａ）に示すように、第１の配線板１０７、第２の配線板１０８上の配線パターン１０２に電子部品１０４を実装し、位置あわせして、支持体１０５を積層する。
【０１２０】
第１の配線板１０７、第２の配線板１０８上の配線パターン１０２に電子部品１０４を実装する方法としては、半田実装（クリーム半田の印刷や半田ボール後リフロー）の他、導電性接着剤、たとえば、金、銀、銅、銀−パラジウム合金などを熱硬化性樹脂で混練したものも使用できる。
【０１２１】
実装後、実装状態をチェックすることで、リペアや不良の原因解析を行うことができる。
【０１２２】
支持体１０５は、棒形状や、井桁形状のものを用いることができ、レーザー加工や、ルーター加工を行うことで、電子部品１０４が配置できる所望のスペースを形成できる。
【０１２３】
積層体を加熱・加圧して、支持体１０５を硬化後、図７（ｂ）の様にスルーホール１１２を形成する。
【０１２４】
スルーホール１１２の形成は、たとえば、レーザー加工やドリル加工、パンチング加工によって作製することができる。レーザー加工は微細なピッチでビアを形成することができ、削りくずも発生しないため望ましい。レーザー加工の場合、炭酸ガスレーザーやＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いることができる。また、ドリル加工、パンチング加工の場合、汎用性のある既存の設備でのスルーホール形成が容易である。
【０１２５】
次に図７（ｃ）の工程でスルーホール１１２にメッキすることで、スルーホール電極１０６を形成することができる。
【０１２６】
これらの工程はモジュール単体だけではなく、配線板上に複数のサンプルを配置し、スルーホール電極１０６を形成後にダイシング、レーザー加工等により個片に切断してもよい。切断位置をスルーホール電極位置にすることで、モジュール端面にスルーホール電極１０６が配置でき、モジュールを基板に実装する際の実装状態が把握しやすくなる。
【０１２７】
（実施の形態８）
図８（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態５におけるモジュールの製造工程の断面図である。本実施の形態８で用いられる材料は、実施の形態５で説明したものである。
【０１２８】
図８（ａ）に示すように、開口部５１１を形成した第１の配線板５０７、第２の配線板５０８上の配線パターン５０２に電子部品５０４を実装し、位置あわせして内蔵層５０９を積層する。内蔵層５０９は、シート形状のものを用いることができる。内蔵層５０９は絶縁樹脂とフィラの混合物を用いることができる。
【０１２９】
図８（ａ）で積層後、図８（ｂ）に示すように、加圧することによって、電子部品５０４を内蔵層５０９に埋設することができる。
【０１３０】
内蔵層５０９の絶縁性樹脂に熱硬化性樹脂を用いた場合、加圧後、加熱することによって、電気絶縁層５０９中の熱硬化性樹脂を硬化させる。加熱は、熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度で行う。
【０１３１】
この工程によって、内蔵層５０９と、第１の配線板５０７、第２の配線板５０８、電子部品５０４とが機械的に強固に接着する。
【０１３２】
積層体を加熱・加圧して、内蔵層５０９を硬化後、図８（ｂ）の様にスルーホール５１２を形成する。
【０１３３】
次に図８（ｃ）の工程でスルーホール５１２にメッキすることで、スルーホール電極５０６を形成することができる。スルーホール電極５０６のメッキ工程は、スルーホール５１２形成後、デスミア処理、無電解銅メッキ、電解銅メッキという工程を行うが、電解銅メッキ時の電界をシールド層５０３によって印加することが可能である。
【０１３４】
次に図８（ｄ）の工程で、シールド層５０３、配線パターン５０２をパターニングする。シールド層５０３、配線パターン５０２は、エッチングによってそれぞれシールド層のパターニング部５１３、配線パターンのパターニング部５１４を形成することができ、フォトリソ工法など微細な配線パターンの形成法を利用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１３５】
本発明にかかるモジュールとその製造方法は小型化かつ低背化が可能になるので、携帯電話機などの電子機器に装備されるモジュール等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】本発明の実施の形態１におけるモジュールの断面図
【図２】本発明の実施の形態２におけるモジュールの断面図
【図３】本発明の実施の形態３におけるモジュールの断面図
【図４】本発明の実施の形態４におけるモジュールの断面図
【図５】本発明の実施の形態５におけるモジュールの断面図
【図６】本発明の実施の形態６におけるモジュールの断面図
【図７】本発明の実施の形態７におけるモジュールの製造工程の断面図
【図８】本発明の実施の形態８におけるモジュールの製造工程の断面図
【符号の説明】
【０１３７】
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１  電気絶縁層
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２  配線パターン
１０３、２０３、３０３、４０３、５０３ａ、５０３ｂ、６０３ａ、６０３ｂ  シールド層
１０４、２０４、３０４、４０４ａ、４０４ｂ、５０４ａ、５０４ｂ、６０４ａ、６０４ｂ  電子部品
１０５、３０５、４０５、６０５  支持体
１０６、２０６、３０６、４０６、５０６、６０６  スルーホール電極
１０７、２０７、３０７、４０７、５０７、６０７  第１の配線板
１０８、２０８、３０８、４０８、５０８、６０８  第２の配線板
２０９、３０９、５０９、６０９  内蔵層
２１０、３１０  ビア
４１１、５１１、６１１  開口部
５１３  シールド層のパターニング部
５１４  配線パターンのパターニング部
【図１】
2006261387.tif 000003
【図２】
2006261387.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006261387.tif 000006
【図５】
2006261387.tif 000007
【図６】
2006261387.tif 000008
【図７】
2006261387.tif 000009
【図８】
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