(57)【要約】【課題】  Ｓｎ等の放射種に起因するデブリがＥＵＶ光源装置内部に付着して装置性能が劣化することを抑制するとともに、堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を効率よく除去すること。【解決手段】  高密度高温プラズマが発生するチャンバ１０内に極端紫外光放射種であるＳｎおよび／またはＳｎ化合物を含む原料を供給し、チャンバ１０内で上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させ、高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を取り出す。また、水素ラジカル発生部３１，３２を設け、水素ラジカルをチャンバ１０内で発生させ、集光鏡５などの装置低温部にＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積するのを抑制し、また、堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を除去する。【選択図】          図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度高温プラズマが発生する容器と、
この容器内に極端紫外光放射種であるＳｎおよび／またはＳｎ化合物を含む原料を供給する原料供給手段と、
上記容器内で上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段と、
容器に接続された排気手段と、高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を取り出す極端紫外光取り出し部とを有する極端紫外光光源装置において、
上記容器内に水素ラジカルを導入する水素ラジカル導入手段を設けた
ことを特徴とする極端紫外光光源装置。
【請求項２】
前記原料供給手段、加熱・励起手段、排気手段、および水素ラジカル導入手段の動作を制御する制御部を備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項３】
前記ラジカル導入手段は前記高密度高温プラズマが発生する部分と、前記極端紫外光取り出し部とにより規定される光路領域内にある加熱・励起後の前記原料から生ずる飛散物に対して、水素ラジカルを導入する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項４】
前記光路領域内に集光鏡が設けられ、この集光鏡の反射面上に存在する前記飛散物に対して水素ラジカルを導入する
ことを特徴とする請求項１，２または請求項３に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項５】
前記光路領域内に集光鏡が設けられ、前記高密度高温プラズマが発生する部分と、該集光鏡との間の光路領域内の空間に存在する前記飛散物に対して水素ラジカルを導入する
ことを特徴とする請求項１，２または請求項３に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記加熱・励起手段による高密度高温プラズマ発生動作の休止中に上記水素ラジカル導入手段を動作させる
ことを特徴とする請求項２，３または請求項４に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記加熱・励起手段による高密度高温プラズマ発生動作中に上記水素ラジカル導入手段を動作させる
ことを特徴とする請求項２，３，４または請求項５に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項８】
前記集光鏡の外周に水素ラジカル拡散防止壁を備えた
ことを特徴とする請求項４，５，６または請求項７に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項９】
前記集光鏡は、同一軸上に焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置した複数枚の鏡からなる多重配置構造であり、該多重配置構造を維持するために支柱により支持されてなり、
該支柱内に連続した空洞を設け、該支柱表面に複数の開口を設け、該空洞には前記水素ラジカル導入手段から水素ラジカルが導入され、該開口から水素ラジカルが放出される
ことを特徴とする請求項４，５，６，７または請求項８に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項１０】
前記加熱・励起手段による高密度高温プラズマ発生動作の休止中に、前記集光鏡または前記水素ラジカル導入手段の少なくとも一方を、前記集光鏡と前記水素ラジカル導入手段とが近接するように移動させる手段を備えた
ことを特徴とする請求項４，５，６，７，８または請求項９に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項１１】
前記高密度高温プラズマが発生する容器内に前記集光鏡が複数交換可能に配置されてなり、１つの集光鏡が極端紫外光光の集光機能を働かせている間に他の集光鏡の少なくとも１つの集光鏡に水素ラジカルが導入される
ことを特徴とする請求項４，５，６，７，８または請求項９に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項１２】
前記加熱・励起手段は、一対の放電電極を有し、放電によって上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる
ことを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０または請求項１１に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項１３】
前記加熱・励起手段は、レーザ光照射手段を有し、上記供給された原料にレーザ光を照射することにより加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる
ことを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０または請求項１１に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項１４】
前記原料が少なくとも高蒸気圧のＳｎ水素化物を含むガスである
ことを特徴とする１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２または請求項１３に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項１５】
前記Ｓｎ水素化物がＳｎＨ4 である
ことを特徴とする請求項１４に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項１６】
高密度高温プラズマが発生する容器内に極端紫外光放射種であるＳｎおよび／またはＳｎ化合物を含む原料を供給し、上記容器内で上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させ、高密度高温プラズマから放射される極端紫外光光を取り出す極端紫外光光源装置内で生ずるＳｎおよび／またはＳｎ化合物を含むデブリを除去する方法であって、
上記Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物を含むデブリに対して、水素ラジカルを導入する
ことを特徴とする極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光を放出する極端紫外光光源装置および極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法に関し、さらに詳細には、水素ラジカルを導入して極端紫外光光源装置の長寿命化を図るようにした極端紫外光光源装置およびデブリの除去方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、その製造用の投影露光装置においては解像力の向上が要請されている。その要請に応えるため、露光用光源の短波長化が進められ、エキシマレーザ装置に続く次世代の半導体露光用光源として、波長１３〜１４ｎｍ、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光とも言う）を放出する極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）が開発されている。
ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの一つにＥＵＶ放射種の加熱・励起により高密度高温プラズマを発生させ、このプラズマから放射されるＥＵＶ光を取り出す方法がある。
このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、高密度高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Laser Produced Plasma ：レーザ生成プラズマ）方式のＥＵＶ光源装置とＤＰＰ（Discharge Produced Plasma ：放電生成プラズマ）方式のＥＵＶ光源装置とに大きく分けられる（例えば非特許文献１参照）。
【０００３】
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、固体、液体、気体等のターゲットをパルスレーザで照射して発生する高密度高温プラズマからのＥＵＶ放射光を利用するものである。
一方、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、電流駆動によって生成した高密度高温プラズマからのＥＵＶ放射光を利用するものである。ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源における放電方式には、上記非特許文献１に記載されているように、Ｚピンチ方式、キャピラリー放電方式、プラズマフォーカス方式、ホローカソードトリガーＺピンチ方式等がある。
ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源と比較して、光源装置の小型化、光源システムの消費電力が小さいといった利点あり、実用化への期待も大きい。
上記した両方式のＥＵＶ光源装置において、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種、すなわち、高密度高温プラズマ用原料として、現在１０価前後のＸｅ（キセノン）イオンとＳｎ（錫）イオンが有望と考えられている。
ここで、Ｓｎは、高密度高温プラズマを発生させるための入力エネルギーに対する波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光放射強度の比である変換効率がＸｅより数倍大きい。このため、ＥＵＶ放射種としてＳｎが注目されている。
【０００４】
Ｓｎは、融点は２３０°Ｃ程度であるが、その蒸気圧は低く、２０００°Ｃを超えないと十分に蒸発しない性質を有する。このため、従来のＳｎのプラズマ生成領域への供給は、Ｓｎへのレーザ照射による蒸発、放電によるＳｎ供給源の自己加熱などで行っていた。しかしながら、上記したように蒸気圧の低いＳｎは室温では固体であり、加熱・励起して高密度高温プラズマを発生させる際、Ｓｎに起因する大量のデブリが発生するという不具合がある。また、蒸気圧が低いＳｎは、プラズマ状態から通常の気体状態に戻ったときに装置内の低温部に堆積し、装置性能が劣化してしまう。
ＥＵＶ光源装置は、一般的に、高密度高温プラズマから放出されるＥＵＶ放射光をプラズマに近い位置に配置された集光鏡で一旦集光した後に外部に放出する。この集光鏡は、上記した装置内の低温部に相当する例であり、この集光鏡にＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積してしまった場合、集光鏡の波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対する反射率が低下し、結果として外部に放出されるＥＵＶ光の強度が低下する。
【特許文献１】特開２００４−２７９２４６号公報
【特許文献２】特表２００２−５０４７４６号公報
【特許文献３】米国特許出願公開第２００３・０１９００１２Ａ１号明細書
【特許文献４】国際公開第ＷＯ２００４／０９２６９３Ａ２号パンフレット
【特許文献５】特表平１０−５１２０９２号公報
【特許文献６】特開２００３−２１８０２５号公報
【非特許文献１】「リソグラフィ用ＥＵＶ（極端紫外）光源研究の現状と将来展望」J.Plasma Fusion Res.2003年３月,Vol.79.No.3, P219-260
【非特許文献２】「スパタリング現象」金原粲著，東京大学出版会,1984 年,p.115
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した通り、Ｓｎは変換効率がＸｅより数倍大きく、ＥＵＶ放射種として有望である。しかしながら、常温でガス状態であって自身がデブリとならないＸｅと異なり、蒸気圧が低く常温で固体状態であるＳｎは、加熱・励起して高密度高温プラズマを発生させる際、Ｓｎに起因する大量のデブリが発生する。
一般に、ＥＵＶ光源装置においては、高密度高温プラズマと集光鏡との間にデブリを捕捉してＥＵＶ光のみを通過させるためのデブリトラップが設置される。デブリトラップは、例えば特許文献２に記載されているように、高密度高温プラズマ発生領域の径方向に設置される複数のプレートからなる。このデブリトラップは、高密度高温プラズマと接する金属（例えば、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置の場合、ＥＵＶ放射種をプラズマ生成領域に供給するためのノズル、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置の場合、タングステン等で構成される放電電極）が上記プラズマによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、上記したＳｎ等の放射種に起因するデブリ等を捕捉する。
【０００６】
しかしながら、デブリトラップを通過してしまうデブリも皆無ではなく、特に、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリのほとんどは、金属粉（例えばタングステン）等のデブリより重量が軽く（ＳｎＨ4 ＝１２２．７３，Ｗ＝１８３．８６）、直進性が弱いためデブリトラップを通過しやすい。すなわち、光源近傍より発射された金属粉等のデブリは、発生後等速度運動で一定方向に進行する。よって、それに対応して構成されるデブリトラップは金属粉等のデブリの捕獲に有効に働く。
一方、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリは、原子ガス状態のＳｎであり、その行程は複雑であるため、デブリトラップを通過してしまうことが多い。デブリトラップを通過したＳｎ等の放射種に起因するデブリは、例えば、ＥＵＶ集光鏡に堆積し、集光鏡のＥＵＶ光反射率の低下という事態を引き起こす。
【０００７】
このような不具合の改善するため、特許文献１に記載されているように、プラズマ生成領域にＳｎＨ4 を供給する方法が提案されている。
本方法の利点としては、（１）室温で固体のＳｎを蒸発させる方法と異なり高温に加熱する必要がないこと、（２）気体であるＳｎＨ4 はプラズマ生成領域である加熱・励起空間（高密度高温プラズマ生成空間）まで容易に搬送し易いこと、（３）希ガスと混合して、Ｓｎの濃度の制御が容易であること、（４）固体のＳｎと異なり通常気体であるので、高密度高温プラズマ生成空間にてプラズマ形成後、原子ガス状態で排出され易く、装置内の低温部に凝集し堆積しにくいこと等が挙げられる。
【０００８】
しかしながら、発明者らが鋭意研究・実験を行った結果、放射種供給材料としてＳｎＨ4 をＥＵＶ光源装置内の高密度高温プラズマ発生部に供給したとしても、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物（例えば、炭化物、酸化物など）は、ＥＵＶ光放射装置内の低温部に全く堆積しないわけではないことが判明した。
すなわち、ＳｎＨ4 のうちプラズマ形成に寄与しなかったものおよび／またはプラズマにより生じたＳｎやＳｎＨ、ＳｎＨ2 、ＳｎＨ3 （以下ＳｎＨx ）といったフラグメントが再結合したＳｎＨ4 や、高蒸気圧のフラグメントＳｎＨx は、ＥＵＶ光源装置のプラズマ生成領域と空間的に接続されている排気手段により、そのまま気体として排出される。  しかし、プラズマ形成の結果、分解生成する原子状ガスのＳｎ、Ｓｎx といった金属クラスタ（原子や分子の集合体）、フラグメントＳｎＨx 等の一部は、装置の低温部と接触して、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積してしまうことが判明した。例えば、ＳｎＨ4 は１５０°Ｃ程度の金属表面で分解し、スズ鏡を作る。なお、本発明でいうところのＳｎ化合物とは、例えば、Ｓｎの炭化物、酸化物などである。
また、ＥＵＶ放射種であるＳｎの供給方法としてプラズマ生成領域にＳｎＨ4 を導入する場合のみならず、Ｓｎ2 Ｈ6 など他の高蒸気圧Ｓｎ水素化物を用いた場合も同様の不具合が起こることは言うまでもない。
【０００９】
ここで、特許文献１には、上記排気手段の排気動作により生成される高密度高温プラズマ生成空間から排出されるＳｎ等の放射種に起因するデブリを含む排気流と交錯する方向に水素（Ｈ2 ）ガスを導入することが記載されている。このようにして、水素（Ｈ2 ）ガスと蒸気状Ｓｎとを反応させ、高蒸気圧のＳｎ水素化物を生成して、装置内に付着させることなく排気させようというものである。
このような手法を採用することにより、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリの影響は更に低減するが、上記のように、一旦、装置の低温部に堆積したＳｎ層は、単に水素（Ｈ2 ）ガスを導入しても除去することはできない。そのため、集光鏡にＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積してしまった場合、集光鏡の波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対する反射率が低下し、装置性能が劣化するという問題は依然として残る。
【００１０】
本発明はこのような事情を鑑みなされたものであって、その目的は、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリがＥＵＶ光源装置内部に付着して装置性能が劣化することを抑制するとともに、上記デブリがＳｎおよび／またはＳｎ化合物としてＥＵＶ光源装置内部に堆積したとしても、堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を効率よく除去することが可能な極端紫外光光源装置および上記デブリを除去する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリの影響を低減するために、以下の示す２つの方策について鋭意研究し、その結果、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリと水素ラジカルとを反応させ、高蒸気圧のＳｎ水素化物を生成して、生成したＳｎ水素化物を排気することにより、効果的に上記デブリの影響を劇的に低減することが可能であることを見出した。
高密度高温プラズマ生成してＥＵＶ放射を発生させる際、放射種であるＳｎをレーザ照射による蒸発、放電による加熱によって高密度高温プラズマ生成領域に供給する場合、上記したように、プラズマ生成後、原子状ガスのＳｎやＳｎx といった金属クラスタが形成される。また、放射種供給材料としてＳｎＨ4 を供給する場合、上記生成物質に加え、ＳｎＨx といったフラグメント（Ｓｎ水素化物）が形成される。
さらに、これらの原子状ＳｎやＳｎx あるいは、ＳｎＨx と装置内部に残留する微量の水（Ｈ2 Ｏ）、炭化水素などとが気相反応することで、Ｓｎ化合物が形成される。
これらがデブリとして集光鏡等の装置低温部に付着すると、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物（例えば、炭化物、酸化物など）が堆積する。
よって、このようなデブリの影響を低減する方策として、以下のような方策を取ることを検討した。
なお、ここで言うところのクラスターとは、原子が数個〜数千個集まったものであり、かつ、物質としての一般性質を顕わしていないものを指す。例えば、ＳｎのクラスタはＳｎ原子が数個〜数千個集まったものであるが、Ｓｎとしての一般的物性は示さない。一方、ここで言うフラグメントとは、安定な分子が分解して生成された不安定な分子や原子のことであり、例えばＳｎＨ4 が分解してできたＳｎＨやＳｎＨ2 等がこれに相当する。
【００１２】
〔方策１〕
プラズマ生成後に生成される気相状態のＳｎやＳｎx といった金属クラスタ、ＳｎＨx フラグメント（Ｓｎ水素化物）と水素とを気相状態で反応させて、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物、特により安定な（堆積しにくい）ＳｎＨ4 を形成し、ＥＵＶ光源装置に備えられる排気手段により排気する。
〔方策２〕
デブリとして集光鏡等の装置低温部に付着して上記装置低温部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物と水素を反応させ、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物、特により安定な（堆積しにくい）ＳｎＨ4 を形成し、例えば、ＥＵＶ光源装置に備えられる排気手段により排気するなどして、上記デブリを除去する。
すなわち、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリが気相状態で空間に存在する間に水素と反応させる、あるいは、デブリが装置低温部に接触してＳｎおよび／またはＳｎ化合物として堆積してしまった場合においても上記堆積と水素と反応させることにより、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物を形成し、上記デブリを除去する。
このようにすることにより、効果的にＥＵＶ放射後に発生するＳｎ等の放射種に起因するデブリをＥＵＶ光源装置内に滞留、あるいは、付着させることなく排出させたり、集光鏡等に堆積したデブリを除去することが可能となる。
【００１３】
発明者らは、上記した２つの方策において、反応させる水素の状態が水素ラジカルである場合、最も効率的に高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物を形成することが可能であることを見出した。
その結果、ＥＵＶ光源装置におけるＳｎ等の放射種に起因するデブリの影響を劇的に低減することが可能であることが分った。以下、上記方策１、２において、反応させる水素の状態が水素ラジカルである場合、最も効率的に高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物を形成することが可能であることについて、詳細に説明する。
【００１４】
（１）方策１について
高密度高温プラズマ生成空間においてプラズマ生成後に生成される気相状態のデブリの抑制方法としては、高密度高温プラズマ生成空間から排出されるＳｎ等の放射種に起因するデブリを含む排気流と交錯する方向にヘリウム（Ｈｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスを導入して不活性ガスカーテンを構成し、デブリが集光鏡等に到達しないようにすることが提案されている（特許文献３参照）。
しかしこのようなガスカーテンでも完全にデブリの集光鏡等への到達を阻止できるものではない。また、デブリの進行方向が集光鏡へ向かう方向から変化したとしても、ＥＵＶ装置内部の壁部に到達して付着し不純物として堆積してしまう。
これに対し、特許文献１には、高密度高温プラズマ生成空間から排出されるＳｎ等の放射種に起因するデブリを含む排気流と交錯する方向に水素ガスを導入することが記載されている。
この方法は、気相状態のＳｎやＳｎx といった金属クラスタ、ＳｎＨx フラグメントと水素ガスとを化学反応させ、より化学的に安定な（すなわち堆積しにくい）高蒸気圧のＳｎ水素化物を生成して、装置内に付着させることなく排気させようというものである。
この方法によれば、デブリを含む排気流と交錯する方向に水素ガス流によって生じる化学反応により高蒸気圧のＳｎ水素化物を生成するので、デブリの進行方向が集光鏡へ向かう方向から変化して、例えば、ＥＵＶ装置内部の壁部へと進行しても、壁部に到達して付着し不純物として堆積する量が大幅に減少することになる。
特許文献１に記載されている技術は有効な方法と言えるが、上記したように、発明者らの実験の結果、ＥＵＶ光放射装置内の低温部に全く堆積しないわけではないことが判明した。
【００１５】
発明者らが鋭意研究した結果、デブリを含む排気流と交錯する方向に水素ガスを導入する代わりに水素ラジカルを導入すると、水素ガスを導入する場合と比較して、ＥＵＶ光放射装置内の低温部に堆積する不純物の量が劇的に減少することが判明した。
図１は、水素ガス並びに水素ラジカルを導入したときのＥＵＶ光放射装置内の低温部に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物の量を調査したときの実験構成を示す概略図である。
図１に示すＥＵＶ発生方式はキャピラリー放電方式であり、後で詳細に説明するように、リング状の第１の主放電電極１ａ（カソード）と第２の主放電電極１ｂが、絶縁材２を挟んで配置される。絶縁材２により形成されている高密度高温プラズマ発生部であるキャピラリー放電部３の内径はφ３ｍｍであり、チャンバ１０には、ガス供給・排気ユニット２０から放射種を高効率に形成するための原料ガスが供給される。ここでは、ガス供給・排気ユニット２０より原料ガスとして希ガスとＳｎＨ4 との混合ガスを導入した。
その後、絶縁材２を挟む電極１ａ、電極１ｂ間に高電圧パルス発生部５０により高電圧パルスを印加して、キャピラリー放電部３にパルス状の放電を発生させ、高密度高温プラズマを生成した。ここで、パルスの繰り返し周波数は５ｋＨｚとした。
希ガスとＳｎＨ4 との混合ガスのうちプラズマ形成に寄与しなかったもの、および／またはプラズマにより生じたフラグメントＳｎＨx が再結合したＳｎＨ4 や、高蒸気圧のフラグメントＳｎＨx は、電極１ｂを有するチャンバ１０に接続されているガス供給・排気ユニット２０の排気手段により排出される。
【００１６】
チャンバ１０内において、キャピラリー放電部３に対向し、キャピラリー放電部３の中心から垂直方向に３００ｍｍ離れた位置にモリブデン（Ｍｏ）基板１００を配置した。Ｍｏ基板１００は冷却ステージ１０１上に載せられていて、冷却ステージ１０１により温度調節される。Ｍｏ基板１００は、Ｍｏ基板１００上に堆積したＳｎの自然蒸発が無視できる状態まで冷却され、例えば、Ｍｏ基板温度がほぼ８０°Ｃ以下になるように冷却される。
また、チャンバ内において、キャピラリー放電部３を見込むように水素噴出システム１０２を設置した。詳細には、この水素噴出システム１０２に設けられている水素噴出口１０２ｆがキャピラリー放電部３の中心から垂直方向に１００ｍｍ離れた位置であって、キャピラリー放電部３の中心軸と直交する方向に１００ｍｍ離れた位置に位置するよう、水素噴出システム１０２を設置した。
この水素噴出システム１０２は、タングステンからなる熱フィラメント１０２ａが内装されたバルブ１０２ｂを具え、バルブ１０２ｂは、例えば、石英ガラスよりなる。
熱フィラメント１０２ａは、交流電源１０２ｃとスイッチ１０２ｄを介して接続されている。スイッチ１０２ｄがｏｎ状態となって熱フィラメント１０２ａに交流電源１０２ｃから電力が給電されると、熱フィラメント１０２ａは約１８００°Ｃにまで加熱される。  熱フィラメント１０２ａが設置される発光空間の両端部近傍には、各々、水素導入口１０２ｅ、水素噴出口１０２ｆが設けられている。そして、水素（Ｈ2 ）供給ユニット１０３から水素ガスが水素導入口１０２ｅを介してフィラメント１０２ａが設置されたバルブ１０２ｂ内の発光空間に導入される。
【００１７】
上記のような構成において、水素供給ユニット１０３から水素ガス（Ｈ2 ）を流量１×１０-4ｍ3 ／ｍｉｎでフローさせた。そして、熱フィラメント１０２ａへ給電しない場合のＭｏ基板１００上に堆積されるＳｎ量と、熱フィラメント１０２ａへ給電する場合のＭｏ基板１００上に堆積されるＳｎ量とを比較した。
すなわち水素噴出口１０２ｆから水素分子のみが放出される場合と、水素分子のみならず熱フィラメント１０２ａによる加熱により生成される多量の水素ラジカルも噴出される場合とを比較した。
繰り返し周波数５ｋＨｚで１時間のパルス放電および水素噴出を行った結果、以下のような差異が見られた。スイッチ１０２ｄがｏｆｆ状態で熱フィラメント１０２ａへの給電を行わず、水素分子のみそのまま水素噴出口１０２ｆより噴射した場合には、Ｍｏ基板１００上に堆積したＳｎ膜の厚みは約８００ｎｍであった。
一方、スイッチ１０２ｄをｏｎ状態として熱フィラメント１０２ａへの給電を行い、多量の水素ラジカルを噴射した場合には、Ｍｏ基板１００上に堆積したＳｎ膜の厚みは約７０ｎｍと劇的に減少した。
【００１８】
水素ラジカルを導入すると、水素ガスを導入する場合と比較してＥＵＶ光放射装置内の低温部に堆積する量が劇的に減少する理由は明確ではないが、以下のように考えられる。  キャピラリー放電部３に導入される希ガスとＳｎＨ4 との混合ガスのうち、ＳｎＨ4 はキャピラリー放電部３で発生するパルス状の放電により分解され、上記したように、Ｓｎ微粒子や金属クラスタ状態のＳｎx をはじめ、フラグメントＳｎＨx となって、Ｍｏ基板１００に向かって飛来する。
このうち、フラグメントＳｎＨx は気相状態のまま排気され、Ｍｏ基板１００上に堆積するものはほとんどなく、主にＳｎ微粒子やＳｎx 金属クラスタがＭｏ基板１００上に堆積していくと考えられる。
このときＳｎ微粒子や金属クラスタ状態のＳｎx と水素分子との反応を考える。これらが衝突を行っても、どちらのエネルギー状態も低いため、Ｓｎ微粒子や金属クラスタ状態のＳｎx と水素ラジカルとの反応と比較すると、結合反応が発生する割合が小さい。また水素分子は非常に軽いため、Ｓｎ微粒子や金属クラスタ状態のＳｎx の運動方向を変えるほどにも至らず、Ｍｏ基板上に多量のＳｎが堆積したと考えられる。
【００１９】
一方、Ｓｎ微粒子や金属クラスタ状態のＳｎx と水素ラジカルとの反応を考える。水素ラジカルは水素分子に比して活性、すなわち、高エネルギー状態（２Ｈ＝Ｈ2 ＋４３６ｋＪ）であり、反応が進展する。すなわちＳｎはフラグメントＳｎＨx 、さらにはより安定なＳｎＨ4 と変化する。これらはすべて高蒸気圧であり、気相状態となってチャンバ１０に接続されているガス供給・排気ユニット２０の排気手段により排気されてしまう。その結果、Ｍｏ基板１００上へのＳｎ堆積量が劇的に減少したと考えられる。
すなわち、化学的に非常に活性な水素ラジカルを使用した場合、水素（Ｈ2 ）ガスを使用する場合より原子状ガスのＳｎや金属クラスタ状態のＳｎx との気相反応が促進されるものと考えられる。
原子状ガスのＳｎの場合、以下のような気相平衡反応が予想される。
Ｓｎ    ＋    Ｈ  ⇔  ＳｎＨ
ＳｎＨ  ＋    Ｈ  ⇔  ＳｎＨ2 
ＳｎＨ2 ＋    Ｈ  ⇔  ＳｎＨ3 
ＳｎＨ3 ＋    Ｈ  ⇔  ＳｎＨ4 
ＳｎＨ3 ＋ＳｎＨ3 ⇔  Ｓｎ2 Ｈ6 
水素ラジカルの存在下ではこのような気相平衡反応が促進され、ＳｎＨ4 、Ｓｎ2 Ｈ6 あるいはＳｎＨx といったフラグメントが生成される。これらのフラグメントは、ガス状原子のＳｎや金属クラスタ状態のＳｎx などのように、装置内表面に接しても凝集されにくいと予想される。すなわち、これらのフラグメントは、比較的容易にＥＵＶ光源装置の容器（チャンバ１０）外に排気される。
【００２０】
Ｓｎx のような金属原子のクラスタの場合、以下のような気相平衡反応が予想される。Ｓｎx   ＋  Ｈ  ⇔  Ｓｎx Ｈ
Ｓｎx   ＋  Ｈ  ⇔  Ｓｎx-1 ＋ＳｎＨ
Ｓｎx   ＋  Ｈ  ⇔  Ｓｎx-2 ＋Ｓｎ2 Ｈ
Ｓｎ2 Ｈ＋  Ｈ  ⇔  ２ＳｎＨ
Ｓｎ2 Ｈ＋  Ｈ  ⇔  Ｓｎ2 Ｈ2 
Ｓｎ2 Ｈ2 ＋  Ｈ  ⇔  Ｓｎ2 Ｈ3 
Ｓｎ2 Ｈ3 ＋  Ｈ  ⇔  Ｓｎ2 Ｈ4 
Ｓｎ2 Ｈ4 ＋  Ｈ  ⇔  Ｓｎ2 Ｈ5 
Ｓｎ2 Ｈ5 ＋  Ｈ  ⇔  Ｓｎ2 Ｈ6 
【００２１】
また、水素ラジカルが金属クラスタのＳｎx から複数（ｍ個）の金属原子と化合するような場合には、以下の気相平衡反応が予想される。
Ｓｎx ＋Ｈ    ⇔  Ｓｎx-m ＋Ｓｎm Ｈ
Ｓｎm Ｈ      ⇔  ＳｎＨ  ＋Ｓｎm-1 
Ｓｎm Ｈ＋Ｈ  ⇔  ＳｎＨ  ＋Ｓｎm-1 Ｈ
Ｓｎm Ｈ＋Ｈ  ⇔  ＳｎＨ2 ＋Ｓｎm-1 
Ｓｎm Ｈ＋Ｈ  ⇔  ２ＳｎＨ＋Ｓｎm-2 
Ｓｎm Ｈ＋Ｈ  ⇔  Ｓｎ2 Ｈ2 ＋Ｓｎm-2 
このように、水素ラジカルとの気相平衡反応により、原子状ガスのＳｎやＳｎx のような金属原子のクラスタは、水素化するか、気相平衡反応などによりフラグメントを生成する。
一方、水素（Ｈ2 ）ガスを使用する場合、水素ガス自体は安定な分子であるので、上記したような多岐にわたる気相平衡反応が促進されることは少ないと考えられる。すなわち、水素ラジカルを利用することで初めて多岐にわたる気相平衡反応が促進され、Ｍｏ基板１００上へのＳｎおよび／またはＳｎ化合物の堆積量が劇的に減少したと考えられる。
【００２２】
（２）方策２について
発明者らは、デブリとして集光鏡等の装置低温部に付着して上記装置低温部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を除去するには、これらの堆積物と水素ラジカルとを反応させると、高効率に高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物を形成することを見出した。このような方法により、ＥＵＶ光源装置の性能劣化に繋がる装置低温部への上記堆積物を装置内に付着させることなく装置外へ排気することが可能となった。
ここで、特許文献４には、ＥＵＶ放射種であるリチウム（Ｌｉ）に起因するデブリが集光鏡に付着した際、ヘリウム（Ｈｅ）イオンスパッタによりスパッタすることが記載されている。その際、スパッタ条件としては、集光鏡の多層膜を形成するモリブデン（Ｍｏ）層のスパッタレートが低く、付着したＬｉのスパッタレートが高くなるような条件でスパッタ処理を行うことが提案されている。
特許文献４は、更に具体的構成は明らかにしていないが、上記技術の転用例として、集光鏡に存在する錫の除去を水素イオン（プラズマ）スパッタを用いて行うことが示唆されている。
【００２３】
そこで、装置低温部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を除去するに際し、水素ラジカルによる化学反応と、水素イオンスパッタとの比較を行った。
図２は、水素ラジカルによる化学反応を発生させたとき、並びに、水素イオンスパッタ処理を行うときのＥＵＶ光放射装置内の低温部に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物の量を調査したときの実験構成を示す概略図である。
図１に示す例と同様、ＥＵＶ発生方式はキャピラリー放電方式である。リング状の第１の主放電電極１ａ（カソード）と第２の主放電電極１ｂが、絶縁材２を挟んで配置される。絶縁材２により形成されている高密度高温プラズマ発生部であるキャピラリー放電部３の内径はφ３ｍｍであり、前記したようにガス供給・排気ユニット２０より原料ガスとして希ガスとＳｎＨ4 との混合ガスを導入した。
その後、絶縁材２を挟む電極１ａ、電極１ｂ間に高電圧パルス発生部５０により高電圧パルスを印加して、キャピラリー放電部３にパルス状の放電を発生させ、高密度高温プラズマを生成した。ここで、パルスの繰り返し周波数は５ｋＨｚとした。
希ガスとＳｎＨ4 との混合ガスのうちプラズマ形成に寄与しなかったもの、および／またはプラズマにより生じたフラグメントＳｎＨx が再結合したＳｎＨ4 や、高蒸気圧のフラグメントＳｎＨx は、電極１ｂを有するチャンバ１０に接続されているガス供給・排気ユニット２０の排気手段により排出される。
【００２４】
チャンバ１０内において、キャピラリー放電部３を見込み、キャピラリー放電部３の中心から垂直方向に３００ｍｍ離れた位置にモリブデン（Ｍｏ）基板１００を配置した。
この状態で、キャピラリー放電部３において繰り返し周波数５ｋＨｚのパルス放電を１５分間発生させると、Ｍｏ基板上には約２００ｎｍのＳｎ膜が堆積した。
放電終了後、水素イオン・ラジカル源１１０からＭｏ基板１００に向かって水素イオンを照射した場合におけるＭｏ基板１００上のＳｎ膜厚の変化と、水素イオン・ラジカル源からＭｏ基板に向かって水素ラジカルを照射した場合におけるＭｏ基板上のＳｎ膜厚の変化とを比較した。
ここで、水素イオン・ラジカル源１１０としては、２００Ｗのマイクロ波プラズマ方式のものを採用した。すなわち、マイクロ波プラズマ方式のイオン・ラジカル源に水素（Ｈ2 ）供給ユニット１０３から水素ガスを供給し、所定の動作条件にて、水素イオン、もしくは、水素ラジカルを発生させた。
Ｍｏ基板上のＳｎ膜厚の変化を比較した結果、Ｍｏ基板に向かって水素イオンを照射した場合と水素ラジカルを照射した場合とでは、Ｓｎ膜厚の減少量はほぼ同等であった。いずれの場合においても、８時間程度の照射でＭｏ基板上のＳｎ膜は完全に除去された。
【００２５】
水素イオンのエネルギーは１３ｅＶ以上であり、１０ｅＶ程度のエネルギーの水素ラジカルよりも高い。また、非特許文献２によれば、グラファイト等のスパッタリングにおいては、水素イオンによる除去効率は、水素ラジカルによる除去効率と比較して、２桁以上大きいと言われている。
従って、Ｓｎの除去効率に関しても、水素イオンによる除去の方が水素ラジカルによる除去より大きいものと予測される。
しかしながら、上記したように、発明者らの実験結果によれば、水素イオン、水素ラジカルによるＳｎの除去効率はほぼ同等となった。これは、水素イオン・ラジカル源において生成される水素イオン量が水素ラジカル量に比して非常に少なく、結果として除去効率が同等程度になったためと思われる。
すなわち、装置低温部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を除去するにあたり、理論上は水素イオンによる除去の方が水素ラジカルによる除去より効率がよいと予測される。しかし、実際は水素イオンの生成効率が水素ラジカルの生成効率と比較して小さく同等の除去効果しか得られない。
【００２６】
また、水素イオン照射の場合、照射イオンエネルギーを精緻に制御しないと、Ｍｏ基板１００表面もイオンスパッタされ荒れてしまうことが判明した。すなわち、水素イオン源として、照射イオンエネルギーの精緻な設定が可能であって、かつ照射イオンエネルギーの安定度を高精度に実現できるものを使用しないと、水素イオン照射によるＳｎおよび／またはＳｎ化合物の除去は、実用的ではない。
例えば、ＥＵＶ集光ミラーなどの光学部品（Ｍｏ（モリブデン）／Ｓｉ（シリコン）多層膜やルテニウム（Ｒｈ）被覆したもの）上に堆積したＳｎ膜の除去に水素イオン照射を適用する場合、Ｓｎ膜の除去を実現することはできるが、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜等へのダメージを回避することは非常に困難であることが分った。
【００２７】
本比較実験は、ＥＵＶ発生のための放電の停止期間中における処理であった。しかし、放電動作中に水素イオンを用いてＭｏ基板上のＳｎ膜を除去しようとすると、以下のような理由でＳｎ膜の除去は困難となる。
すなわち、ＥＵＶ光源装置内ではガス圧が高々数百ｍＰａ程度と低く、Ｍｏ基板１００にイオン引き出し用の負バイアスを高くかけることはできない。ＥＵＶ光源装置内で望まない放電が生成されないようにするには負バイアスとしては−１００Ｖ程度が限界である。そのため、照射イオンエネルギーを自由に制御することが不可能となる。よって、Ｍｏ基板１００にダメージ与えることなくＳｎ膜を除去することは非常に困難となる。
一方、水素ラジカルを用いる場合、水素イオン・ラジカル源における水素ラジカルの生成効率は水素イオンと比較して大きい。また、水素イオンの場合と異なり、Ｍｏ基板１００の表面にダメージを与えることがないので、水素ラジカル源の高精度な制御が不要となり、大掛かりにならない。
以上のように、水素イオンスパッタによるＳｎおよび／またはＳｎ化合物の除去は、実用的ではなく、水素ラジカルによる化学反応によってのみＳｎおよび／またはＳｎ化合物を実用的、かつ、効果的に除去することが可能であることが判明した。
【００２８】
Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物と水素ラジカルとの化学反応が、装置低温部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を除去するのに効果的である理由は必ずしも明確ではないが、以下のように考えられる。
Ｍｏ基板上に堆積したＳｎ膜表面は，Ｓｎおよび／またはＳｎの水素や酸素などの化合物となっていると考えられる。そこに水素分子や、さらに高エネルギー状態の水素ラジカルが飛来すると、ＳｎはフラグメントＳｎＨx 、さらにはより安定なＳｎＨ4 と変化する。
このとき、水素ラジカルの持つエネルギーによりＳｎ膜表面が局所的に加熱されることとなり、このことによっても反応および気化が促進されると思われる。
フラグメントＳｎＨx はすべて高蒸気圧であり、気相状態となって排気されてしまう。その結果、Ｍｏ基板上へのＳｎ堆積膜が除去されると考えられる。
【００２９】
すなわち、ＥＵＶ光源装置においては、ＥＵＶ光源装置内表面や集光鏡の表面に付着したＳｎおよび／またはＳｎ化合物は凝集して固体となる。水素ラジカル源から発生した水素ラジカルによる上記固体の除去において、メカニズムの詳細は不明であるが、例えば、以下のような反応が発生しているものと考えられる。
固体のＳｎを、Ｓｎ（ｓ）、ここでｓはｓｏｌｉｄの意、またフラグメントＳｎＨ（ｇ）のｇはｇａｓ（気相）の意とし、”・・・ ”は固体表面の各々のＳｎ原子と化学結合していることを表し、Ｓｎ（Ｈn ）（ｓ）はｓｏｌｉｄ（固体）のＳｎ中にｎ個のＨ原子が取り込まれていることを表すとすると、以下の（１）式のような固体表面の脱着の平衡反応、あるいは、水素ラジカルが固体のＳｎ中に取り込まれたり放出されたりするような以下の（２）式のような平衡反応、あるいは、以下の（３）（４）式のような、水素によるＳｎ原子の引き抜き反応によりＳｎＨといったフラグメントが気相中に離脱する平衡反応が関連しているものと考えられる。
Ｓｎ（ｓ）＋ｎＨ  ⇔  Ｓｎ（ｓ）・・・ ｎＨ                （１）
Ｓｎ（ｓ）＋ｎＨ  ⇔  Ｓｎ（Ｈn ）（ｓ）                （２）
Ｓｎ（ｓ）・・・ ｎＨ  ⇔  Ｓｎ（ｓ）・・・ （ｎ−１）Ｈ＋ＳｎＨ（ｇ）  （３）
Ｓｎ（Ｈn ）（ｓ）⇔Ｓｎ（Ｈn-1 ）（ｓ）＋ＳｎＨ（ｇ）  （４）
【００３０】
また、Ｓｎ（ｓ）と表面結合したＨが、以下のような反応でＳｎＨ2 やＳｎ2 Ｈ2 として離脱する平衡反応が関連しているものと考えられる。
Ｓｎ（ｓ）・・・ ｎＨ＋Ｈ  ⇔  ＳｎＨ2 ＋Ｓｎ（ｓ）・・・ （ｎ−１）Ｈ
Ｓｎ（ｓ）・・・ ｎＨ  ＋Ｈ  ⇔  Ｓｎ2 Ｈ2 ＋Ｓｎ（ｓ）・・・ （ｎ−１）Ｈ
Ｓｎ（ｓ）・・・ ｎＨ＋Ｈ  ⇔  Ｓｎ2 Ｈ2 ＋Ｓｎ（ｓ）・・・ （ｎ−１）Ｈ
Ｓｎ（Ｈn ）（ｓ）＋  Ｈ  ⇔  Ｓｎ（Ｈn-1 ）（ｓ）＋ＳｎＨ2 （ｇ）
Ｓｎ（Ｈn ）（ｓ）＋  Ｈ  ⇔  Ｓｎ（Ｈn-1 ）（ｓ）＋Ｓｎ2 Ｈ2 （ｇ）
あるいは、Ｓｎの固体表面に付着した水素原子とＳｎ原子で、ＳｎＨx あるいはＳｎ2 Ｈ2 、を生成して、離脱する以下の平衡反応が関連しているものと考えられる。
Ｓｎ（ｓ）・・・ n Ｈ    ⇔  ＳｎＨ  ＋Ｓｎ（ｓ）・・・ （ｎ−１）Ｈ
Ｓｎ（ｓ）・・・ n Ｈ    ⇔  ＳｎＨ2   ＋Ｓｎ（ｓ）・・・ （ｎ−２）Ｈ
Ｓｎ（ｓ）・・・ n Ｈ    ⇔  ＳｎＨ3   ＋Ｓｎ（ｓ）・・・ （ｎ−３）Ｈ
Ｓｎ（ｓ）・・・ n Ｈ    ⇔  ＳｎＨ4   ＋Ｓｎ（ｓ）・・・ （ｎ−４）Ｈ
Ｓｎ（ｓ）・・・ n Ｈ    ⇔  Ｓｎ2 Ｈ2 ＋Ｓｎ（ｓ）・・・ （ｎ−２）Ｈ
Ｓｎ（Ｈn ）（ｓ）＋Ｈ⇔Ｓｎ（Ｈn-2 ）（ｓ）＋ＳｎＨ3 （ｇ）
Ｓｎ（Ｈn ）（ｓ）＋Ｈ⇔Ｓｎ（Ｈn-3 ）（ｓ）＋ＳｎＨ4 （ｇ）
さらに、この他、多数の複雑な平衡反応が関連していると考えられる。
【００３１】
以上の知見に基づき、本発明は上記課題を次のように解決する。
（１）高密度高温プラズマが発生する容器と、この容器内に極端紫外光放射種であるＳｎおよび／またはＳｎ化合物を含む原料を供給する原料供給手段と、上記容器内で上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段と、容器に接続された排気手段と、高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を取り出す極端紫外光取り出し部とを有する極端紫外光光源装置において、上記容器内に水素ラジカルを導入する水素ラジカル導入手段を設ける。
また、装置のメンテナンスの際等に、上記容器から装置低温部を取り外して、装置低温部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を含むデブリに対して上記水素ラジカルを導入することで、上記装置低温部に堆積した上記デブリを除去することができる。
更に、上記極端紫外光光源を以下のように構成することもできる。
（２）上記（１）の極端紫外光光源において、原料供給手段、加熱・励起手段、排気手段、および水素ラジカル導入手段の動作を制御する制御部を設ける。
（３）上記（１）（２）の極端紫外光光源装置において、ラジカル導入手段が、前記高密度高温プラズマが発生する部分と、前記極端紫外光取り出し部とにより規定される光路領域内にある加熱・励起後の前記原料から生ずる飛散物に対して、水素ラジカルを導入する。
（４）上記（１）（２）（３）の極端紫外光光源装置において、前記光路領域内に設けられた集光鏡の反射面上に存在する前記飛散物に対して水素ラジカルを導入する。
（５）上記（１）（２）（３）の極端紫外光光源装置において、前記光路領域内に設けられた集光鏡と、前記高密度高温プラズマが発生する部分との間の光路領域内の空間に存在する前記飛散物に対して水素ラジカルを導入する。
（６）上記（２）（３）（４）の極端紫外光光源装置において、前記制御部が前記加熱・励起手段による高密度高温プラズマ発生動作の休止中に上記水素ラジカル導入手段を動作させる。
（７）上記（２）（３）（４）（５）の極端紫外光光源装置において、前記制御部が前記加熱・励起手段による高密度高温プラズマ発生動作中に上記水素ラジカル導入手段を動作させる。
（８）上記（４）〜（７）の極端紫外光光源装置において、前記集光鏡の外周に水素ラジカル拡散防止壁を設ける。
（９）上記（４）〜（８）の極端紫外光光源装置において、前記集光鏡を、同一軸上に焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置した複数枚の鏡からなる多重配置構造とし、該多重配置構造を維持するために支柱により支持し、該支柱内に連続した空洞を設け、該支柱表面に複数の開口を設け、該空洞に前記水素ラジカル導入手段から水素ラジカルが導入され、該開口から水素ラジカルが放出する。
（１０）上記（４）〜（９）の極端紫外光光源装置において、前記加熱・励起手段による高密度高温プラズマ発生動作の休止中に、前記集光鏡または前記水素ラジカル導入手段の少なくとも一方を、前記集光鏡と前記水素ラジカル導入手段とが近接するように移動させる手段を設ける。
（１１）上記（４）〜（９）の極端紫外光光源装置において、前記高密度高温プラズマが発生する容器内に前記集光鏡を複数交換可能に配置し、１つの集光鏡が極端紫外光光の集光機能を働かせている間に他の集光鏡の少なくとも１つの集光鏡に水素ラジカルを導入する。
（１２）上記（１）〜（１１）の極端紫外光光源装置において、前記加熱・励起手段が一対の放電電極を有し、放電によって上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる。
（１３）上記（１）〜（１１）の極端紫外光光源装置において、前記加熱・励起手段が、レーザ光照射手段を有し、上記供給された原料にレーザ光を照射することにより加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる。
（１４）上記（１）〜（１３）の極端紫外光光源装置において、前記原料を少なくとも高蒸気圧のＳｎ水素化物を含むガスとする。
（１５）上記（１４）の極端紫外光光源装置において、前記Ｓｎ水素化物をＳｎＨ4 とする。
【発明の効果】
【００３２】
本発明においては、以下の効果を得ることができる。
（１）本出願人が先の出願で提案した放射種であるＳｎＨ4 を原料とすることにより、前記したようにプラズマ形成後、原子ガス状態で排出し易く、装置低温部に堆積しにくいといった利点が得られたが、それでも、装置低温部にＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積する不具合が生じた。
本発明においては水素ラジカルを導入するようにしたので、極端紫外光放射種であるＳｎおよび／またはＳｎ化合物を含む原料を供給しても、装置低温部にＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積するのを抑制することができ、また、堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を除去することが可能となった。このため、装置の低温部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物に起因する装置劣化を抑制することが可能となった。
（２）装置運転中、もしくは休止中に、前記集光鏡の反射面上に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物に対して、水素ラジカルを導入することにより、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物（例えば、ＳｎＨ4 ）を形成させ、排気手段により排気することが可能となる。このため、集光鏡のクリーニングを行うことが可能となった。
（３）前記光路領域内に設けられた集光鏡と、前記高密度高温プラズマが発生する部分との間の光路領域内の空間に存在する前記飛散物に対して水素ラジカルを導入することにより、気相状態のＳｎ、金属クラスタＳｎx 、フラグメントＳｎＨx 等と水素ラジカルとを反応させ、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物（例えば、ＳｎＨ4 ）を形成させ、排気手段により排気することが可能となる。このため、集光鏡等に到達するＳｎ微粒子、Ｓｎクラスタを低減させることが可能となった。
（４）集光鏡の外周に水素ラジカル拡散防止壁を設けることにより、集光鏡周辺の水素ラジカルの密度を高めることができ、集光鏡に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を迅速に除去することができる。
（５）前記集光鏡の多重配置構造を維持するための支柱表面に設けた開口から、水素ラジカルが放出することにより、水素ラジカルの放出を集光鏡の反射面に近い位置で行うことができ、集光鏡に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を、装置運転中でも短時間で除去することが可能となる。
（６）前記集光鏡または前記水素ラジカル導入手段の少なくとも一方を、両者が近接するように移動させる手段を設けることにより、高密度高温プラズマ発生動作の休止中に、水素ラジカル導入手段を上記光路領域内に挿入して、水素ラジカルを集光鏡表面に効果的に導入することができる。このため、集光鏡などに堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を短時間に効果的に除去することができる。
（７）高密度高温プラズマが発生する容器内に前記集光鏡を複数交換可能に配置し、１つの集光鏡が極端紫外光の集光機能を働かせている間に他の集光鏡の少なくとも１つの集光鏡に水素ラジカルを導入することにより、一方の集光鏡で集光しながら、他方の集光鏡に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を除去することができ、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物を除去するための装置停止時間を短縮もしくは無くすことができ、設備稼動率を向上させることができる。
（８）放電種である原料を、少なくとも高蒸気圧のＳｎ水素化物を含むガス、特にＳｎＨ4 とすることにより、高温に加熱する必要がなく、また、搬送が容易で、Ｓｎの濃度の制御が容易であり、さらに、プラズマ形成後、装置内の低温部に凝集し堆積しにくいという効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
図３に本発明を適用したＥＵＶ光源装置の概略構成を示し、同図では、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置の一例を示す。
図３に示すように、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、放電容器であるチャンバ１０を有する。チャンバ１０内には、例えば、リング状の第１の主放電電極（カソード）１ａと第２の主放電電極１ｂ（アノード）とがリング状の絶縁材２を挟んで配置される。第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂは、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属からなる。また、絶縁材２は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ダイヤモンド等からなる。
リング状の第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ、絶縁材２は、それぞれの貫通穴が略同軸上に位置するように配置し、連通穴を構成している。第１の主放電電極１ａおよび第２の主放電電極間１ｂに放電が発生したとき、この連通穴もしくは連通穴近傍にて高密度高温プラズマが生成される。
なお、第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ、絶縁材２はＤＰＰ方式のＥＵＶ光発生部１１を構成する。上記したように、ＤＰＰ方式には様々な構成例があるが、それについては前記非特許文献１を参照されたい。
チャンバ１０は、導電材で形成された第１の主放電電極１ａ側の第１の容器１０ａと、同じく導電材で形成された第２の主放電電極１ｂ側の第２の容器１０ｂとからなる。第１の容器１０ａと第２の容器１０ｂとは絶縁材２によって、分離・絶縁されている。ここで、チャンバ１０の上記第２の容器１０ｂと第２の主放電電極１ｂは接地されている。
【００３４】
チャンバ１０内に、原料供給ユニット２１ａより、第１の容器１０ａ側のノズル状の原料導入部２２から原料が導入される。原料はＥＵＶ光発生部１１の高密度高温プラズマ発生部３で波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種を高効率に形成するためのものであり、導入された原料は、ＥＵＶ光発生部１１に供給されてプラズマ形成に利用され、原料の内、プラズマ形成に寄与しなかったもの、および／またはプラズマにより生じたフラグメント等は、チャンバ１０内を流れて、第２の容器１０ｂ側に設けられた排出口１２から排出ユニット２１ｂへ排出される。
なお、放電種の供給するための原料としては、例えば前記したＳｎＨ4 等のＳｎ水素化物を含む放電用ガスでなくてもよく、例えば、液体状でも固体状でもよい。また、ＥＵＶ放射種としてＳｎを高密度高温プラズマ発生部に供給する際、ＳｎＨ4 に限らず、Ｓｎへのレーザ照射による蒸発、放電によるＳｎ供給源の自己加熱により、Ｓｎ蒸気として供給してもよい。また上記放電用ガスを希ガスで希釈したものであってもよい。
高密度高温プラズマ発生部３の圧力はメインコントローラ４０により１〜２０Ｐａに調節され、上記第２の容器１０ｂおよび第２の主放電電極１ｂと、上記第１の容器１０ａおよび第１の主放電電極１ａとには、高電圧パルス発生部５０からおよそ−５ｋＶ〜−２０ｋＶの電圧が印加される。その結果、リング状の第１、第２の各主放電電極１ａ，１ｂ間の高密度高温プラズマ発生部３には、高密度高温のプラズマ放電が発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
【００３５】
放射されたＥＵＶ光は、第２の主放電電極１ｂ側の第２の容器１０ｂ内に設けられたＥＵＶ集光鏡５により集光され、波長選択手段６ａを備えるＥＵＶ光取出部６より図示を省略した露光機側光学系である照射部に出射される。なお、波長選択手段６ａは、例えば、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を選択するものである。すなわち、波長選択手段６ａにより選択された、例えば、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が露光機側光学系に向けて出射される。
ＥＵＶ集光鏡５は、例えば、径の異なる回転楕円体、または、回転放物体形状のミラーを複数枚具える。これらのミラーは、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置される。このミラーは、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等からなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびロジウム（Ｒｈ）などの金属を緻密にコーティングすることで、０°〜２５°の斜入射角度のＥＵＶ光を良好に反射できるようにしたものである。
なお、高密度高温プラズマとＥＵＶ集光鏡５との間には、高密度高温プラズマと接する金属（例えば、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置の場合、ＥＵＶ放射種をプラズマ生成領域に供給するためのノズル、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置の場合、放電電極）が上記プラズマによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリ等を捕捉してＥＵＶ光のみを通過させるためのデブリトラップ４が設置される。デブリトラップ４は、例えば特許文献２に記載されているように、高密度高温プラズマ発生領域の径方向に設置される複数のプレートからなる。
【００３６】
ここで、蒸気圧が低く常温で固体状態であるＳｎは、加熱・励起して高密度高温プラズマを発生させる際、高密度高温プラズマと接する金属が上記プラズマによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、Ｓｎ等の放射種に起因する大量のデブリが発生する。これらのデブリはデブリトラップ４により捕捉されるが、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリのほとんどは、金属粉等のデブリより重量が軽く直進性が弱いためデブリトラップ４を通過しやすい。
デブリトラップ４を通過したＳｎ等の放射種に起因するデブリは、第２の容器１０ｂに飛来し、例えば、ＥＵＶ集光鏡５に付着・堆積し、ＥＵＶ集光鏡５のＥＵＶ光反射率の低下という事態を引き起こす。そのため、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリがＥＵＶ光源装置内部に付着して装置性能が劣化することを抑制するとともに、上記デブリがＳｎおよび／またはＳｎ化合物としてＥＵＶ光源装置内部に堆積したとしても、堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を効率よく除去することは、例えば、ＥＵＶ光出力といった装置性能を維持し劣化を抑制するためには不可欠となる。
【００３７】
本発明は、高密度高温プラズマ生成後に生成される気相状態のＳｎ、金属クラスタＳｎx 、フラグメントＳｎＨx と水素ラジカルとを気相状態で反応させて、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物、特に、より安定で堆積し難いＳｎＨ4 を形成し、排気手段により排気することにより、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリがＥＵＶ光源装置内部に付着して装置性能が劣化することを抑制するものである。
また、本発明は、デブリとしてＥＵＶ集光鏡５等の装置低温部に付着して上記装置低温部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物と水素ラジカルとを反応させ、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物、特に、より安定で堆積し難いＳｎＨ4 を形成し、排出ユニット２１ｂで排気することにより、堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を効率よく除去するものである。
すなわち、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリが気相状態で空間に存在する間に水素と反応させる、あるいは、デブリが装置低温部に接触してＳｎおよび／またはＳｎ化合物として堆積してしまった場合においても上記堆積物と水素と反応させることにより、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物を形成し、ＥＵＶ光源装置に備えられる排出ユニット２１ｂにより排気する。
このようにすることにより、効果的にＥＵＶ放射後に発生するＳｎ等の放射種に起因するデブリをＥＵＶ光源装置内に滞留、あるいは、付着させることなく排出することが可能となる。
【００３８】
そこで、図３に示す本発明を適用したＥＵＶ光源装置においては、水素ラジカル発生手段３０、モニタユニット３４、膜厚測定手段３５が設けられている。
水素ラジカル発生手段３０は、ラジカル発生部３１、ラジカル発生部３２および上記ラジカル発生部３１，３２で水素ラジカルを発生させるための駆動制御部３３からなる。
ラジカル発生部３１，３２は、図示を省略した移動機構に搭載され、チャンバ内において図３の上下方向、左右方向に移動可能に保持されている。
駆動制御部３３は、さらにラジカル発生部３１，３２に水素ラジカルの原料である水素ガスを供給するための水素供給源３３ａ、水素ガスが供給されたラジカル発生部３１，３２においてラジカルを発生させるためのエネルギーを供給するエネルギー供給源３３ｂ、およびラジカル発生部３１，３２の位置制御を行うための駆動ユニット３３ｃを含む。水素ラジカル発生手段３０は、メインコントローラ４０によりその動作が制御される。
上記したように、高密度高温プラズマ生成後に生成される気相状態のＳｎ、金属クラスタＳｎx 、フラグメントＳｎＨx は、第２の容器１０ｂに設けられた排出ユニット２１ｂから排気される。すなわち、第２の容器１０ｂ内でデブリを含む排気流が形成される。
ラジカル発生部３１は、ラジカル発生部３１から放出される水素ラジカルの放出方向が、デブリを含む排気流と交差するよう配置される。
一方、ラジカル発生部３２は、ラジカル発生部３２から放出される水素ラジカルの放出方向が、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積したチャンバ１０内の低温部、例えば、ＥＵＶ集光鏡５表面に対向するように設置される。
【００３９】
モニタユニット３４は、ＥＵＶ集光鏡５に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物量を検知するためものであり、ＥＵＶ集光鏡５に付着した堆積物の有無の確認、堆積物の処理速度等を算出するためのモニタとして使用する。モニタユニット３４は、例えば、水晶振動子式の膜厚モニタであり、ＥＵＶ集光鏡５の近傍であって、ＥＵＶ光の光路から外れた位置に配置される。
すなわち、ＥＵＶ集光鏡５の近傍に配置した膜厚モニタに堆積した堆積物を検出することにより、ＥＵＶ集光鏡５への堆積物の堆積状態を検出している。
モニタユニット３４からの検出信号は、膜厚測定手段３５に送出される。受信した検出信号に基づき膜厚測定手段３５は、ＥＵＶ集光鏡５に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物量および堆積物の処理速度等を算出したり、堆積物の有無の判断を行う。この算出結果、判断結果は、膜厚測定手段３５からメインコントローラ４０に送出される。
【００４０】
図３に示す水素ラジカル発生手段３０を有するＥＵＶ光源装置は、以下のように動作する。
ＥＵＶ光源装置がＥＵＶ光放出動作時、水素ラジカル発生手段３０は稼働しており、チャンバ１０内で水素ラジカルが生成される。
デブリを含む排気流とデブリ放出方向と交差するよう配置されているラジカル発生部３１において、水素ラジカルが生成され、放出される。ラジカル発生部３１から放出された水素ラジカルは、気相状態のＳｎ、金属クラスタＳｎx 、フラグメントＳｎＨx 等と反応し、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物（例えば、ＳｎＨ4 ）を形成し、排気手段である排出ユニット２１ｂにより排気される。すなわち、ＥＵＶ集光鏡５等に到達するＳｎ微粒子、Ｓｎクラスタを低減させる。
【００４１】
同様に、水素ラジカルの放出方向が、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積したＥＵＶ集光鏡５の表面等のチャンバ１０内低温部に対向するように設置されているラジカル発生部３２において、水素ラジカルが生成され放出される。ラジカル発生部３２から放出された水素ラジカルは、ＥＵＶ集光鏡５等の装置低温部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物と反応し、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物（例えば、ＳｎＨ4 ）を形成し、排出ユニット２１ｂにより排気される。すなわち、ＥＵＶ集光鏡５等のクリーニングを行う。
モニタユニット３４から送出される検出信号に基づき膜厚測定手段３５から送出されるＥＵＶ集光鏡５に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物量および堆積物の処理速度の算出結果、堆積物の有無の判断結果を受信したメインコントローラ４０は、最適な水素ラジカル処理条件を判定する。この最適な水素ラジカル処理条件を実現するようにメインコントローラ４０は、水素ラジカル発生手段３０を制御し、ＥＵＶ集光鏡５の装置性能に影響を及ぼすチャンバ１０内低温部にＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積しないように水素ラジカル発生部３１，３２を動作させる。
なお、上記した水素ラジカルによるＳｎ等の放射種に起因するデブリの処理は、ＥＵＶ光放出動作の停止時や休止時に行ってもよい。また、ラジカル発生部３１、ラジカル発生部３２のいずれか１つを設けるようにしてもよい。
【００４２】
ここで、上記したＥＵＶ集光鏡等に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物量の算定は、以下のように行ってもよい。
ＥＵＶ集光鏡５のＳｎおよび／またはＳｎ化合物の堆積量は、ＥＵＶ発光回数、高密度高温プラズマ発生部３へのエネルギー入力量（すなわち、第１の主放電電極１ａと第２の主放電電極１ｂとの間に供給される印加電圧等）、高密度高温プラズマ発生部３への単位時間あたりの放電種原料の導入量といった複数のパラメータに依存すると考えられる。
メインコントローラ４０は、これらの複数のパラメータの量とＥＵＶ集光鏡５のＳｎおよび／またはＳｎ化合物の堆積量との関係を示すテーブルを予め記憶させておき、かつ、これらのパラメータに関するデータを常に取得、蓄積させる。
このように、取得する諸パラメータデータと予め記憶しておいた上記テーブルとの比較により、ＥＵＶ集光鏡５等に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物量の算定を行うことができる。この場合、モニタユニット３４、膜厚測定手段３５は不要となる。
また、モニタユニット３４、膜厚測定手段３５の代わりに、ＥＵＶ光源装置から放出されるＥＵＶ光の一部をサンプリングしてＥＵＶ光強度を測定する光モニタ、並びに、演算手段を設けてもよい。演算手段は、光モニタで検出した光強度と、初期ＥＵＶ光強度（例えば、ＥＵＶ集光鏡５にＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積していないときの光強度）量とを比較し、ＥＵＶ光強度の減衰度合いによって、ＥＵＶ集光鏡５等に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物量の算定を行う。
【００４３】
図４は、本発明をＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置に適用した場合の概略構成を示す図である。なお、図４において、前記図３に示したものと同一のものには同一の符号が付されており、ここでは、同一の部分についての詳細な説明は省略する。
図４に示すように、ＬＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、放電容器であるチャンバ１０を有する。チャンバ１０には、チャンバ１０の内部に放電種である原料を供給するためのノズル状の原料導入部２２、レーザ光が導入されるレーザ光入射窓部１３、排出ユニット２１ｂが接続される排出口１２、波長選択手段６ａを備えるＥＵＶ光取出部６が設けられている。
原料は、原料供給ユニット２１ａに接続され、チャンバ１０を貫通している原料導入部２２より、チャンバ１０内に導入される。
原料はＥＵＶ発生部１１の高密度高温プラズマ発生部３で波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種を高効率に形成するためのものであり、例えば、前記したようにＳｎＨ4 である。導入された原料はチャンバ１０内を流れて、チャンバ１０に設けられたガス排出口１２に到達する。
【００４４】
排出ユニット２１ｂは、真空ポンプ等のガス排気手段から構成され、上記ガス排出口１２と接続されている。すなわち、前記したように、原料はＥＵＶ光発生部１１に供給されてプラズマ形成に利用され、原料の内、プラズマ形成に寄与しなかったもの、および／またはプラズマにより生じたフラグメント等は、チャンバ１０内を流れて、排出口１２から排出ユニット２１ｂへ排出される。
なお、放電種の供給するための原料としては、前記したように、例えば、液体状でも固体状、あるいはＳｎＨ4 等のガスでもよく、ＥＵＶ放射種としてＳｎを高密度高温プラズマ発生部に供給する際、Ｓｎをレーザ照射等により加熱して蒸発させ、Ｓｎ蒸気として供給してもよい。
【００４５】
レーザ光入射窓部１３を介してＥＵＶ光発生部１１に照射されるレーザ光を発生するレーザ装置１４は、例えば、繰り返し周波数が数ｋＨｚであるパルスレーザ装置であり、ＹＡＧレーザ装置、炭酸ガスレーザ装置、エキシマレーザ装置等が使用される。レーザ装置から放出されるレーザ光は、凸レンズ等のレーザ光集光手段１４ａにより集光されながら、レーザ光入射窓部１３よりチャンバ１０内部に導入される。原料導入部２２から供給される原料は、レーザ光入射窓部１３より導入されたレーザ光に照射される。なお、原料は、レーザ光集光手段１４ａにより集光されるレーザ光の集光点に向けて導入される。レーザ光に照射された原料は、加熱・励起され、その結果、高密度高温のプラズマが発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
放射されたＥＵＶ光は、チャンバ１０内に設けられたＥＵＶ集光鏡５に入射し、ＥＵＶ集光鏡５により反射され、波長選択手段６ａを備えるＥＵＶ光取出部６より図示を省略した露光機側光学系である照射部に出射される。
なお、波長選択手段６ａは、前記したように例えば、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を選択するものである。すなわち、波長選択手段により選択された、例えば、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が露光機側光学系に向けて出射される。
【００４６】
ＥＵＶ集光鏡５は、例えば、球面鏡であり、例えば、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を多層に形成した反射鏡とすることで、ＥＵＶ光を良好に反射できるようにしたものである。このような反射鏡の場合、反射鏡自体が波長選択性を具備するので、波長選択手段６ａを必要としない場合もある。
なお、高密度高温プラズマ発生部３とＥＵＶ集光鏡５との間には、高密度高温プラズマと接する金属（例えば、原料導入部２２）が上記プラズマによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリ等を捕捉してＥＵＶ光のみを通過させるためのデブリトラップ４が設置される。デブリトラップ４は、前記したように、例えば特許文献２に記載されているように、高密度高温プラズマ発生領域の径方向に設置される複数のプレートからなる。
【００４７】
また、図３に示したものと同様、図４に示すＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置にも、ＥＵＶ放射後に発生するＳｎ等の放射種に起因するデブリをＥＵＶ光源装置内に滞留、あるいは、付着させることなく排出するための、水素ラジカル発生手段３０、モニタユニット３４、膜厚測定手段３５が設けられている。
水素ラジカル発生手段３０は、前記したようにラジカル発生部３１、ラジカル発生部３２および上記ラジカル発生部３１，３２で水素ラジカルを発生させるための駆動制御部３３からなる。ラジカル発生部３１，３２は、図示を省略した移動機構に搭載され、チャンバ内において図４の上下方向、左右方向に移動可能に保持されている。
駆動制御部３３は、前記したようにラジカル発生部３１，３２に水素ラジカルの原料である水素ガスを供給するための水素供給源３３ａ、水素ガスが供給されたラジカル発生部３１，３２においてラジカルを発生させるためのエネルギーを供給するエネルギー供給源３３ｂ、およびラジカル発生部３１，３２の位置制御を行うための駆動ユニット３３ｃを含む。
【００４８】
ラジカル発生部３１は、ラジカル発生部３１から放出される水素ラジカルの放出方向が、デブリを含む排気流と交差するよう配置される。
一方、ラジカル発生部３２は、ラジカル発生部３２から放出される水素ラジカルの放出方向が、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積したチャンバ１０内の低温部、例えば、ＥＵＶ集光鏡５表面に対向するように設置される。
モニタユニット３４は、前記したようにＥＵＶ集光鏡５に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物量を検知し、この検出信号は、膜厚測定手段３５に送出される。受信した検出信号に基づき膜厚測定手段３５は、ＥＵＶ集光鏡５に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物量および堆積物の処理速度等を算出したり、堆積物の有無の判断を行う。この算出結果、判断結果は、膜厚測定手段からメインコントローラ４０に送出される。
【００４９】
図４に示す水素ラジカル発生手段を有するＥＵＶ光源装置は、以下のように動作する。  ＥＵＶ光源装置がＥＵＶ光放出動作時、水素ラジカル発生手段３０は稼働しており、チャンバ１０内で水素ラジカルが生成される。
デブリを含む排気流とデブリ放出方向と交差するよう配置されているラジカル発生部３１において、水素ラジカルが生成され、放出される。ラジカル発生部３１から放出された水素ラジカルは、気相状態のＳｎ、金属クラスタＳｎx 、フラグメントＳｎＨx 等と反応し、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物（例えば、ＳｎＨ4 ）を形成し、排出ユニット２１ｂにより排気される。
同様に、水素ラジカルの放出方向が、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積したＥＵＶ集光鏡５の表面等のチャンバ内低温部に対向するように設置されているラジカル発生部３２において、水素ラジカルが生成され、放出される。ラジカル発生部３２から放出された水素ラジカルは、ＥＵＶ集光鏡５等の装置低温部に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物と反応し、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物（例えば、ＳｎＨ4 ）を形成し、排出ユニット２１ｂにより排気される。すなわち、ＥＵＶ集光鏡等のクリーニングを行う。
モニタユニット３４から送出される検出信号に基づき、膜厚測定手段３５から送出されるＥＵＶ集光鏡５に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物量および堆積物の処理速度の算出結果、堆積物の有無の判断結果を受信したメインコントローラ４０は、最適な水素ラジカル処理条件を判定する。この最適な水素ラジカル処理条件を実現するようにメインコントローラ４０は、水素ラジカル発生手段３０を制御し、ＥＵＶ集光鏡５等の装置性能に影響を及ぼすチャンバ内低温部にＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積しないように水素ラジカル発生部３１，３２を動作させる。
【００５０】
以下、本発明のＥＵＶ光源装置の具体的な構成例について説明する。なお、以下では、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置について説明するが、上記ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置にも同様に適用することができる。また、以下では、原料としてＳｎＨ4 ガスを用いる場合について説明するが、前記したように、Ｓｎを含む固体状、液体状の原料、あるいは、Ｓｎ水素化物を含むガス、Ｓｎ水素化物を含むガスを希ガスで希釈したガス等を用いることもできる。
【００５１】
（１）第１の実施例
図５に、水素ラジカル発生手段を搭載した本発明の第１の実施例のＥＵＶ光源の具体的な構成例を示す。なお、図５は図３に示したＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置と同様の光源装置を示し、図３と同一のものには同一の符号を付しており、図３に示したものと同一の部分については、詳細な説明を省略する。
図５に示すように、放電容器であるチャンバ１０内には、例えば、リング状の第１の主放電電極（カソード）１ａと第２の主放電電極１ｂ（アノード）とがリング状の絶縁材２を挟んで配置される。リング状の第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ、絶縁材２は、前記したようにそれぞれの貫通穴が略同軸上に位置するように配置され、第１の主放電電極１ａおよび第２の主放電電極１ｂ間に放電が発生したとき、この連通穴もしくは連通穴近傍にて高密度高温プラズマが生成される。
チャンバ１０は、導電材で形成された第１の主放電電極側の第１の容器１０ａと、同じく導電材で形成された第２の主放電電極側の第２の容器１０ｂとからなる。第１の容器１０ａと第２の容器１０ｂとは絶縁材２によって、分離・絶縁され、上記第２の容器１０ｂと第２の主放電電極１ｂは接地されている。
【００５２】
チャンバ内に、ガス供給・排気ユニット２０より、第１の容器１０ａ側のガス供給口２４から放電用ガスが導入される。放電用ガスは、ＥＵＶ発生部の高密度高温プラズマ発生部で波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種を高効率に形成するための原料ガスであり、ここではＳｎＨ4 である。
導入されたＳｎＨ4 はチャンバ１０内を流れて、ＥＵＶ光発生部１１に供給されてプラズマ形成に利用され、原料の内、プラズマ形成に寄与しなかったもの、および／またはプラズマにより生じたフラグメント等は、チャンバ１０内を流れて、第２の容器１０ｂ側に設けられた第２の容器側に設けられたガス排出口２５に到達する。
ガス供給・排気ユニット２０は、真空ポンプ等のガス排気手段（不図示）を有しており、ガス排気手段は、上記ガス排出口と接続されている。すなわちガス排出口に到達した放電用ガスは、ガス排気・供給ユニットが具えるガス排気手段により排気される。
ここで、高密度高温プラズマ発生部３の圧力は１〜２０Ｐａに調節される。この圧力調節は、例えば、以下のように行われる。まず、メインコントローラ４０がチャンバ１０に備えられた不図示の圧力モニタより送出される圧力データを受信する。メインコントローラ４０は受信した圧力データに基づき、ガス・供給排気ユニット２０を制御して、チャンバ１０内へのＳｎＨ4 ガスの供給量ならびに排気量を調節することにより、高密度高温プラズマ発生部の圧力を所定の圧力に調節する。
【００５３】
上記したように接地されている上記第２の容器１０ｂおよび第２の主放電電極１ｂと、上記第１の容器１０ａおよび第１の主放電電極１ａとには、高電圧パルス発生部５０から前記したように、およそ−５ｋＶ〜−２０ｋＶの電圧が印加される。その結果、リング状の第１、第２の各主放電電極１ａ，１ｂ間の高密度高温プラズマ発生部３には、高密度高温のプラズマ放電が発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
放射されたＥＵＶ光は、前記したように第２の主放電電極１ｂ側の第２の容器１０ｂ内に設けられたＥＵＶ集光鏡５により反射され、波長選択手段６ａを備えるＥＵＶ光取出部６より図示を省略した露光機側光学系である照射部に出射される。これにより、例えば波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が露光機側光学系に向けて出射される。
ＥＵＶ集光鏡５は、前記したように径の異なる回転楕円体、または、回転放物体形状のミラーを複数枚具える。これらのミラーは、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置される。
【００５４】
図６に上記ＥＵＶ集光鏡５の概略構成を示す。同図は、ＥＵＶ集光鏡５の一部を切り欠いた斜視図でありＥＵＶ光出射側から見た図を示している。
同図に示すように、ＥＵＶ集光鏡５は、中心軸を含む平面で切ったときの断面形状が楕円もしくは放物線となる回転楕円体形状、もしくは回転放物体形状（以下この中心軸を回転中心軸という）のミラー５ａを複数枚（この例では２枚であるが、５〜７枚でも良い）具備する。これらのミラー５ａは、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸が重ねて配置されており、該回転中心軸の位置には、中央支柱５ｂが設けられ、該中央支柱５ｂには、放射状にハブ状支柱５ｃが取り付けられている。各ミラー５ａ（回転楕円体、回転放物体の内側の面がミラー面）は、このハブ状支柱５ｃにより支持されている。上記中央支柱５ｂ、ハブ状支柱５ｃは、集光鏡５に入出射するＥＵＶ光を出来るだけ遮らないような位置に配置される。上記ミラー５ａは、前記したように例えば、ニッケル（Ｎｉ）等からなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびロジウム（Ｒｈ）などの金属を緻密にコーティングすることで、ＥＵＶ光を良好に反射できるようにしたものである。
【００５５】
図５に戻り、前記したように、高密度高温プラズマ発生部３とＥＵＶ集光鏡５との間には、プラズマによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリ等を捕捉してＥＵＶ光のみを通過させるためのデブリトラップ４が設置される。
高電圧パルス発生部５０は、例えば、以下のように構成される。
高電圧パルス発生部５０は、可飽和リアクトルからなる２個の磁気スイッチＳＲ２、ＳＲ３、コンデンサＣ１、コンデンサＣ２とからなる２段の磁気パルス圧縮回路を有する。磁気スイッチＳＲ１はＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子である固体スイッチＳＷでのスイッチングロスの低減用のものであり、磁気アシストとも呼ばれる。
充電器ＣＨにより主コンデンサＣ０に充電されたエネルギーは、トランスＴｒ１を介して磁気パルス圧縮回路を移行するにつれ、各段を流れる電流パルスのパルス幅が順次狭くなるようなパルス圧縮動作が行われ、第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ間に高電圧パルスが印加される。
第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ間に高電圧パルスが印加されると、絶縁材２の表面に沿面放電（creeping discharge）が発生して第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ間は実質、発生したプラズマにより短絡状態になり、第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ間にパルス状の大電流が流れる。その後、プラズマの大電流による自己磁場のピンチ効果によるジュール加熱によって高密度高温プラズマ発生部３において高温プラズマが発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
このような放電動作が固体スイッチＳＷのスイッチング動作、高電圧電源動作によって繰り返し行なわれることにより、所定の繰り返し周波数でのＥＵＶ放射が行われる。
具体的数値例を示せば、第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ間に−２０ｋＶの放電電圧が印加され、約１０Ｊ／ｐｕｌｓｅのエネルギーが数ｋＨｚの周波数で第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ間に与えられる。従って、第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ間には数十ｋＷのエネルギーが入力される。
【００５６】
前記したように、高密度高温プラズマ発生部３の圧力は１〜２０Ｐａに調節される。このような低い圧力下においては、電極構造によっては放電が発生し難くなり、結果としてＥＵＶ光の出力が不安定となる場合もある。
放電が発生し難い状況下で、安定した放電を生じさせるには、予備電離を行うことが望ましい。このため、予備電離ユニット６０が第１の容器１０ａに設けられている。
予備電離ユニット６０としては、例えば、本出願人が特願２００４−２８３５２７号で提案しているように電子線発生装置を用いる。電子線発生装置としては、例えば、特許文献５に記載されている電子線発生装置を用いることができる。
予備電離ユニット６０を構成する電子線発生装置は、図５に示すように、ガラスなどの絶縁部材で構成された絶縁容器６０ａ内に、電子線源であるフィラメントヒータ６０ｂとカソード６０ｃとが設けられている。フィラメントヒータ６０ｂとカソード６０ｃの各々に具えられたには電力供給用の端子６０ｄは、絶縁容器６０ａ外部に突出している。絶縁容器６０ａは密閉され、内部は真空に保たれている。
また、絶縁容器６０ａには、電子線を透過させる電子線透過膜６０ｅが設けられる。この電子線透過膜６１ｅは導電性である。電子線透過膜６０ｅは、第１の容器１０ａに直接取り付けられる。
【００５７】
フィラメントヒータ６０ｂは、予備電離電源６１においてＡＣ電源６１ａに接続された絶縁トランスであるフィラメント電源トランス６１ｂから電流が供給され加熱される。また、カソードにはＡＣ電源６１ａに接続された絶縁トランス６１ｄからコッククロフト回路等の昇圧回路６１ｃを介してマイナス高電圧−ＨＶ２が印加される。通常、電子線透過膜６０ｅを接地電位とすることにより、電子線が引き出され、上記電子線透過膜６０ｅを介して、図５の点線矢印に示すように、電子線が放射される。ここで、ＥＵＶ集光鏡５等が設けられる側の第２の主放電電極１ｂは、上記ＥＵＶ集光鏡５等との間で放電が生じないようにするため、接地電位とされる。よって、高電圧パルス発生部５０からは、第１の主放電電極１ａおよび第１の容器１０ａに−数十ｋＶのマイナス高電圧−ＨＶ１が印加される。よって、電子線透過膜６０ｅの電位も−ＨＶ１となる。
そのため、電子線が効果的に引き出せるように、電子線発生装置のカソード６０ｃに印加するマイナス高電圧−ＨＶ２は、｜ＨＶ１｜＜｜ＨＶ２｜となるように設定される。
なお、予備電離は、電子線を用いて行うものでなくてもよく、例えば、特許文献６に記載されているように、チャンバ内で滑り放電を発生させ、滑り放電からの紫外線によって行ってもよい。
【００５８】
図５に示す露光用光源として用いられるＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、例えば、以下のように動作する。
露光機７０の制御部より、スタンバイ信号がメインコントローラ４０に送出される。メインコントローラ４０は、スタンバイ信号を受信すると、ガス供給・排気ユニット２０を制御してチャンバ１０内に放電用ガス、例えば、ＳｎＨ4 ガスを第１の容器１０ａに設けられたガス供給路を介して、ガス供給口２４よりチャンバ１０内部に供給するとともに、高密度高温プラズマ発生部３におけるガス圧力を所定の圧力値に制御する。
次に、露光機７０の制御部より、発光指令がメインコントローラ４０に送出される。発光指令の送出間隔は、例えば、数ｋＨｚである。
メインコントローラ４０は、発光指令を受け取ると、予備電離電源６１を制御して予備電離ユニット６０から電子線を高密度高温プラズマ発生部３に向けて照射し、予備電離を行うとともに、トリガ信号を高電圧パルス発生部５０の固体スイッチＳＷのゲートに送出する。固体スイッチＳＷはｏｎ状態になり、第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ間に高電圧パルスが印加され、高密度高温プラズマ発生部３において高温プラズマが発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
プラズマから放射されたＥＵＶ光は、第２の主放電電極１ｂ側の第２の容器１０ｂ内に設けられたＥＵＶ集光鏡５により反射され、波長選択手段６ａを有するＥＵＶ光取出部６を介して図示を省略した露光機側光学系である照射部に出射される。
【００５９】
また、前記したように、ＥＵＶ放射後に発生するＳｎ等の放射種に起因するデブリをＥＵＶ光源装置内に滞留、あるいは、付着させることなく排出するため、図５に示すＥＵＶ光源装置には水素ラジカルを発生する手段が設けられている。
水素ラジカルを発生する手段としては、水素ラジカルの放出方向がデブリを含む排気流と交差するよう配置された水素ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ、および、水素ラジカルの放出方向がＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積したＥＵＶ集光鏡５表面に対向するように設置されたラジカル発生部３２ａ，３２ｂが設けられている。ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂは、いずれも、デブリトラップ４とＥＵＶ集光鏡５との間の空間に配置されている。
【００６０】
図７に水素ラジカル発生部の具体的構成例を示す。
水素ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂは、内部の反応室３１１にフィラメント３１２が挿入されたバルブ３１０を有する。
反応室３１１間の両端部近傍には、各々、水素ガス導入管部３１３、水素ラジカル排出管部３１４が設けられている。水素ラジカル導入管部３１３は、駆動制御部３３が有する水素供給源であるＨ2 ガス供給ユニット３３ｄに接続される。このＨ2 ガス供給ユニット３３ｄより、水素ガス導入管部３１３からフィラメント３１２が挿入された反応室３１１に水素ガスが供給される。
フィラメント３１２は、直径０．４ｍｍ程度のタングステン（Ｗ）フィラメントである。フィラメント３１２の両端部は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）よりなる金属箔端部３１５と溶接等で接続されている。フィラメント３１２の端部と接続されている側と反対側の金属箔端部３１５には、金属棒３１６の一部が金属箔と溶接等で接続されている。
金属箔とこの金属箔両端部にそれそれ接続されているフィラメント３１２の端部、金属棒３１６の一部は、例えば、熱溶着によりシールされ、シール部３１７を形成している。各金属棒３１６のシール側とは反対側の端部は、駆動制御部３３が有するエネルギー供給源である加熱用電源３３ｅに接続される。すなわち、加熱用電源３３ｅよりタングステンのフィラメント３１２に電力が供給される。
フィラメント３１２が挿入された反応室３１１に水素ガスが供給された状態で、タングステン・フィラメント３１２に加熱用電源３３ｅから電力が供給されると、タングステン・フィラメント３１２は加熱される。そして通電加熱されたタングステン・フィラメント３１２と接触した水素分子は、解離して水素ラジカルとなる。
【００６１】
尚、水素ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂを構成するバルブは、必ずしも図７のようなシール部を設けなくてもよく、図８に示すように両端が開放されたバルブ３２０であってもよい。
バルブ３２０は、例えば、石英ガラスよりなる直径１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ程度の管である。この場合、管形状のバルブ３２０の一端部が水素ガス導入管部３１３であり、水素ガス導入管部３１３はＨ2 ガス供給ユニット３３ｄに接続される。すなわち、管形状のバルブ３２０の一端部から水素ガスが供給される。また、管形状のバルブの他端部は図７における水素ラジカル排出管部３１４に相当し、管形状のバルブの内側空洞が反応室３１１に相当する。
上記内側空洞である反応室３１１には、直径０．４ｍｍ程度のタングステン・フィラメント３２２が挿入される。タングステン・フィラメント３２２の両端は加熱用電源３３ｅに接続される。なお、タングステン・フィラメント３２２の水素ガス導入管部側の一端と加熱用電源３３ｅとの配線は、Ｈ2 ガス供給ユニット３３ｄと水素ガス導入管部３１３とを接続する配管を貫通してなされる。
本構成においても、タングステン・フィラメント３２２が挿入された反応室３１１に水素ガスが供給された状態で、タングステン・フィラメント３２２に加熱用電源３３ｅから電力が供給されると、タングステン・フィラメント３２２は加熱される。そして通電加熱されたタングステンフィラメント３２２と接触した水素分子は、解離して水素ラジカルとなり、開放された端部３１４から放出される。
図８に示す水素ラジカル発生部の構成はシール部を設けていないので、図７に示すものより、簡単に製作することが可能であり、製造コストも安価になる。
【００６２】
図５に戻り、ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂの水素ラジカル放出側端部と反対側の端部は、各々、駆動機構Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４に接続されている。駆動機構Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４は、駆動制御部３３が有するドライバである駆動ユニット３３ｃにより駆動され、ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂを、図５の左右方向、上下方向に移動させる。なお、駆動機構Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４は、チャンバ１０を構成する第２の容器１０ｂとの接続部分は気密に保たれている。
ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂの各フィラメントは、それぞれ、図７、図８に示したように、スイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４を介して駆動制御部３３が有する加熱用電源３３ｅと接続されている。
各フィラメントと加熱用電源３３ｅとの配線は、例えば、駆動機構Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４に設けられた、気密を保ちながら電源を供給することができる不図示の接続部（気密を保ちながら電源などを供給できる機構を以下ではフィードスルー部という）を介してなされる。そのため、配線によって、第２の容器１０ｂの気密性は損なわれない。
【００６３】
また、ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂは、それぞれ、バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３、Ｖ４を介して駆動制御部３３が有するＨ2 ガス供給ユニット３３ｄに接続される。各ラジカル発生部とＨ2 ガス供給ユニット３３ｄとの配管構造も、上記した電気配線と同様、例えば、駆動機構Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４に設けられた不図示のフィードスルー部を介してなされる。そのため、配管構造によって、第２の容器１０ｂの気密性は損なわれない。なお、配管は、例えば、金属ベローズ製のフレキシブル管によりなされる。そのため、ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂが駆動機構Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４によって、図５の左右方向、上下方向に移動する場合も、配管によって移動自由度が損なわれることはない。
駆動制御部３３は、メインコントローラ４０により制御される。ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂへの水素ガスの供給制御は、メインコントローラ４０の指令信号によるバルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３、Ｖ４の開閉制御により実現される。
同様に、ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂへの電力供給は、スイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の開閉制御により実現される。
また、ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂの位置決めは、メインコントローラ４０から位置決め信号に基づく駆動ユニット３３ｃによる位置制御により実現される。
【００６４】
本実施例によれば、デブリトラップ４とＥＵＶ集光鏡５との間に、デブリを含む排気流と水素ラジカルの放出方向とが交差するように、水素ラジカル発生部３１ａ，３１ｂを設けているので、デブリトラップ４を通過した気相状態のＳｎ、金属クラスタＳｎx 、フラグメントＳｎＨx 等と水素ラジカルとを反応させ、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物（例えば、ＳｎＨ4 ）を形成させ、排気手段により排気することが可能となった。すなわち、ＥＵＶ集光鏡等に到達するＳｎ微粒子、Ｓｎクラスタを低減させることが可能となった。  特に、複数のラジカル発生部３１ａ，３１ｂを設けているので、効率的に水素ラジカルとＳｎに起因するデブリとを反応させることが可能となった。
また、デブリトラップ４とＥＵＶ集光鏡５との間に、水素ラジカルの放出方向がＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積したＥＵＶ集光鏡表面に対向するように、水素ラジカル発生部３２ａ，３２ｂを設けているので、ＥＵＶ集光鏡５の表面に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物と水素ラジカルとを反応させ、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物（例えば、ＳｎＨ4 ）を形成させ、排気手段により排気することが可能となった。すなわち、ＥＵＶ集光鏡のクリーニングを行うことが可能となった。
【００６５】
特に、複数のラジカル発生部３２ａ，３２ｂを設けているので、効率的にＥＵＶ集光鏡表面に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物と水素ラジカルとを反応させることが可能となった。
また、各ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂは、位置決め制御が可能であるので、それぞれ、デブリトラップ４とＥＵＶ集光鏡５との間の空間であって、ＥＵＶ光がＥＵＶ集光鏡５に入射する入射光路外に配置させることが可能となる。よって、ＥＵＶ光源装置が稼動中であっても、集光効果を損なうことなく、水素ラジカルを照射することが可能となった。
なお、前記したようにラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂは、必ずしも全て設ける必要はなく、例えば、ラジカル発生部３１ａ，３１ｂのみ、あるいは、ラジカル発生部３２ａ，３２ｂのみであってもよい。これらの場合においても、従来と比較して、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリの影響を抑制することができる。
【００６６】
図５に示すＥＵＶ光源装置において、水素ラジカルよる反応実験を行った。ＥＵＶ放射種を供給するための原料としてＳｎＨ4 ガスを使用し、ＥＵＶ発生部で約６０分間放電させた。なお、放電中は、ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂからの水素ラジカル放出は行っていない。モニタユニットの検出結果より、ＥＵＶ集光鏡５には約５μｍのＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積していることが分った。
放電終了後、ラジカル発生部３２ａ，３２ｂからＥＵ集光鏡５に向けて水素ラジカルを放出した。このとき、ラジカル発生部３２ａ，３２ｂへの水素ガス供給量は、流量約１×１０-4  ｍ3 ／ｍｉｎ（２５°Ｃ、１気圧）であり、フィラメント温度が約１８００°Ｃとなるように通電加熱した。このときのチャンバ内圧力は、１００Ｐａ、ＥＵＶ集光鏡５の温度は室温程度に保った。
約５０分間の水素ラジカル照射後のＥＵＶ集光鏡表面をＸ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ）で分析したところ、Ｓｎ残存量は検出限界（０．１Ａｔ％）以下となり、また、照射前には見られなかったＥＵＶ集光鏡５の最表層を覆うモリブデン（Ｍｏ）が検出された。このときのＳｎ除去速度は２ｎｍ／秒以上であると推測される。
以上の結果より、水素ラジカルをＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積したＥＵＶ集光鏡表面に導入すると、効果的にＥＵＶ集光鏡表面に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を除去することが可能であることが実証された。また、詳細な分析により、ＥＵＶ集光鏡の最表層を覆うモリブデンには何らダメージを与えていないことも分った。
【００６７】
なお、水素ラジカル発生方法としては、上記したような水素ガス中でフィラメントを加熱して水素ラジカルを生成する熱触媒方式に限らず、マイクロ波プラズマや高周波プラズマを用いて水素ラジカルを生成するプラズマ生成方式を採用してもよい。
しかしながら、ＥＵＶ集光鏡表面に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を除去するのに両方式を適用して比較したところ、熱触媒方式を用いた方がプラズマ生成方式を用いる場合よりも短時間でＥＵＶ集光鏡表面に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を除去することができた。
この原因は必ずしも明らかではないが、熱触媒方式はプラズマ生成方式と比較して、水素ガス利用効率が高く、水素ラジカルが１桁〜２桁程度多く生成されたためであると考えられる。また、前者によれば、水素ラジカルの並進エネルギーが高いとともに、振動励起された水素分子も含まれていることも影響していると考えられる。
なお、プラズマ生成方式は、プラズマ放電電極、マイクロ波発生手段、高周波発生手段等が必要であって、大掛かりな発生装置が必要となる。よって、熱触媒方式はプラズマ生成方式と比較して、構造が簡単であり、経済性に優れるという利点も有する。
【００６８】
（２）第１の実施例の変形例
第１の実施例のＥＵＶ装置は、図５に示すものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
例えば、図９に示すように、ＥＵＶ集光鏡５およびラジカル発生部３２ａ，３２ｂの水素ラジカル排出管部を包囲するような、ラジカル拡散防止壁７を設けてもよい。このラジカル拡散防止壁７は、例えば、石英ガラス、セラミックス等の絶縁物からなり、円筒形状に構成される。このようなラジカル拡散防止壁７を設けることにより、ラジカル発生部３２ａ，３２ｂから放出される水素ラジカルのＥＵＶ集光鏡５の表面近傍における密度を高めることができる。発明者らが調査したところ、ラジカル拡散防止壁７を設けることにより、ＥＵＶ集光鏡５の表面に堆積したＳｎおよびＳｎ化合物の除去速度を、ラジカル拡散防止壁７を設けない場合と比較して、１．５倍以上にすることができた。
【００６９】
また、第１の実施例において、ガス供給・排気ユニット２０から、ＥＵＶ放射種の原料（例えば、ＳｎＨ4 ）の代わりに水素ガスを高密度高温プラズマ生成部３に供給して、第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ間に放電を発生させ、水素ラジカルを発生させてもよい。この場合、絶縁材２の開口近傍、および、その周辺に付着したＳｎおよびＳｎ化合物のクリーニングも可能となる。
また、ラジカル発生部３２ａ，３２ｂからＥＵＶ集光鏡５等への水素ラジカルの導入も併用して実施すると、ＥＵＶ集光鏡５における水素ラジカルの密度がさらに高まり、ＥＵＶ集光鏡５に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物を高速に除去することが可能となる。発明者らが調査したところ、水素放電およびラジカル発生部３２ａ，３２ｂにおけるラジカル発生を併用させると、ラジカル発生部３２ａ，３２ｂにおけるラジカル発生のみを行う場合と比較して、ＥＵＶ集光鏡５の表面に堆積したＳｎおよびＳｎ化合物の除去速度を、１．２倍以上にすることができた。
【００７０】
（３）第２の実施例
図１０に、本発明の第２の実施例の水素ラジカル発生手段を搭載したＥＵＶ光源の具体的な構成例を示す。尚、ＥＵＶ光源装置としては、図３、図５と同様、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置を示しており、図３、図５と同一のものには同一の符号が付されており、同一の部分については説明を省略する。
本実施例は、図５に示した第１の実施例の構成において、更にＥＵＶ集光鏡５のＥＵＶ光出射側に、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄを設けたものである。
すなわち、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄは、ＥＵＶ集光鏡５のＥＵＶ光出射側であって、水素ラジカルの放出方向がＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積したＥＵＶ集光鏡５の表面に対向するように設置される。ラジカル発生部３２ａ，３２ｂと同様、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄは、図８に示すような開放された端部から水素ラジカルを放出する構造となっている。
また、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄの水素ラジカル放出側端部と反対側の端部は、各々、駆動機構Ｇ５，Ｇ６に接続されている。駆動機構Ｇ５，Ｇ６は、駆動制御部３３が有するドライバである駆動ユニット３３ｃにより駆動され、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄを、図１０の左右方向、上下方向に移動させる。なお、駆動機構Ｇ５，Ｇ６は、チャンバを構成する第２の容器１０ｂとの接続部分は気密に保たれている。
【００７１】
ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄの各フィラメントは、それぞれ、スイッチＳ５，Ｓ６を介して駆動制御部３３が有する加熱用電源３３ｅと接続されている。
各フィラメントと加熱用電源３３ｅとの配線は、例えば、駆動機構Ｇ５，Ｇ６に設けられた不図示のフィードスルー部を介してなされる。そのため、配線によって、第２の容器１０ｂの気密性は損なわれない。
また、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄは、それぞれ、バルブＶ５，Ｖ６を介して駆動制御部３３が有するＨ2 ガス供給ユニット３３ｄに接続される。
各ラジカル発生部とＨ2 ガス供給ユニット３３ｄとの配管構造も、上記した電気配線と同様、例えば、駆動機構Ｇ５，Ｇ６に設けられた不図示のフィードスルー部を介してなされる。そのため、配管構造によって、第２の容器１０ｂの気密性は損なわれない。
なお、上記配管は、例えば、金属ベローズ製のフレキシブル管によりなされる。そのため、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄが駆動機構Ｇ５，Ｇ６によって、図１０の左右方向、上下方向に移動する場合も、配管によって移動自由度が損なわれることはない。
ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄへの水素ガスの供給制御は、メインコントローラ４０の指令信号によるバルブＶ５，Ｖ６の開閉制御により実現される。
同様に、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄへの電力供給は、スイッチＳ５，Ｓ６の開閉制御により実現される。
また、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄの位置決めは、メインコントローラ４０から位置決め信号に基づく駆動ユニット３３ｃによる位置制御により実現される。
なお、上記ラジカル発生部の構造、機能等は、第１の実施例に示すものと同様であるので、説明は省略する。
【００７２】
本実施例によれば、第１の実施例と同様の効果を奏することができる。さらに、ＥＵＶ集光鏡５のＥＵＶ光出射側であって、水素ラジカルの放出方向がＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積したＥＵＶ集光鏡５の表面に対向するようにラジカル発生部３２ｃ，３２ｄを設置したので、ＥＵＶ集光鏡表面に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物と水素ラジカルとを更に効率よく反応させることが可能となった。
すなわち、ＥＵＶ集光鏡５の上下部に、それぞれラジカル発生部３２ａ，３２ｂとラジカル発生部３２ｃ，３２ｄを設けたので、第１の実施例のものと比較して、約２倍以上の速度でＥＵＶ集光鏡のクリーニングを行うことが可能となった。
また、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄは、ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂと同様、位置決め制御が可能であるので、ＥＵＶ集光鏡の下部空間であって、集光領域外に配置させることが可能となる。よって、ＥＵＶ光源装置が稼動中であっても、集光効果を損なうことなく、水素ラジカルを照射することが可能である。
【００７３】
（４）第３の実施例
図１１に、本発明の第３の実施例として水素ラジカル発生手段を搭載したＥＵＶ光源の具体的な構成例を示す。尚、ＥＵＶ光源装置としては、図３、図５と同様、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置を示しており、図３、図５と同一のものには同一の符号が付されており、同一の部分については説明を省略する。
本実施例は、前記図６に示したＥＵＶ集光鏡５のミラー５ａを支持するために設けられたハブ状支柱５ｃを空洞とし、かつ、多数の開口部を設け、このハブ状支柱５ｃとラジカル発生部を結合して、水素ラジカルを上記ハブ状支柱５ｃの空洞に導入し、上記開口部から水素ラジカルをＥＵＶ集光鏡５の反射面に供給するようにしたものである。
前記したようにＥＵＶ集光鏡５は、径の異なる回転楕円体、または、回転放物体形状のミラーを複数枚具える。これらのミラーは、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置される。上記複数枚のミラーは、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置した多重配置構造を維持するために前記したように中央支柱５ｂ、ハブ状支柱５ｃを備える。
【００７４】
図１２（ａ）は、本実施例で用いるＥＵＶ集光鏡の構成例であり、図１１に示すＥＵＶ集光鏡のＡ−Ａ断面図である。
図１２（ａ）に示す例では、ＥＵＶ集光鏡５は、径の異なる回転楕円体、または、回転放物体形状のミラーを２枚備え、これらのミラー５ａ−１（内側ミラー），５ａ−２（外側ミラー）は、前記したように同一軸上に焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置され、中央支柱５ｂに固定されたハブ状支柱５ｃにより内側ミラー５ａ−１、外側ミラー５ａ−２は固定・位置決めされ、上記二重配置構造が維持されている。
ハブ状支柱５ｃは、図１２（ｂ）に示す断面図のように内部に空洞５ｅを有し、複数の開口５ｄが設けられる。この開口５ｄは、ハブ状支柱５ｃにおいて、内側ミラー５ａ−１の反射面、外側ミラー５ａ−２の反射面を見通すことが可能な部位に設けられる。ハブ状支柱５ｃの端部の一部は図示を省略した開口部を有し、この開口部と、図１１に示すラジカル発生部３２ｃ，３２ｄの水素ラジカル放出管部とが接続される。なお、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄと接続されないハブ状支柱５ｃの端部は閉塞構造となっている。
なお、ＥＵＶ集光鏡５の光軸と略一致する位置に設けられた中央支柱５ｂの内部に、ハブ状支柱５ｃと同様の内部に空洞を設け、図１１に示すように複数の開口を設けてもよい。中央支柱５ｂに設けられる空洞は、ハブ状支柱５ｃの空洞と接続される。また、中央支柱５ｂに設けられる複数の開口は、中央支柱５ｂの内側ミラー反射面と対向する部位に設けられる。
【００７５】
図１１に戻り、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄは、上記したようにＥＵＶ集光鏡５と接続され、第２の容器１０ｂ内に固定される。
ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄの各フィラメントは、それぞれ、スイッチＳ２，Ｓ４を介して駆動制御部３３が有する加熱用電源３３ｅと接続されている。
各フィラメントと加熱用電源３３ｅとの配線は、第２の容器１０ｂの壁部に設けられたフィードスルー部Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４を介してなされる。よって、配線によって、第２の容器の気密性は損なわれない。
また、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄは、それぞれ、バルブＶ２，Ｖ４を介して駆動制御部３３が有するＨ2 ガス供給ユニット３３ｄに接続される。各ラジカル発生部とＨ2 ガス供給ユニットとの配管構造も、上記した電気配線と同様、フィードスルー部Ｆ２，Ｆ４を介してなされる。そのため、配管構造によって、第２の容器１０ｂの気密性は損なわれない。
ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄへの水素ガスの供給制御は、メインコントローラ４０の指令信号によるバルブＶ２，Ｖ４の開閉制御により実現される。同様に、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄへの電力供給は、スイッチＳ２，Ｓ４の開閉制御により実現される。
なお、ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ｃ，３２ｄの構造、機能等は、第１の実施例に示すものと同様であるので、説明は省略する。
【００７６】
以上のように、本実施例においては、径の異なる回転楕円体、または、回転放物体形状の複数枚のミラーを、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置した多重配置構造のＥＵＶ集光鏡５を用い、このような一般的な構造のＥＵＶ集光鏡において、上記複数のミラーを位置決めして保持するハブ状支柱５ｃ（またはハブ状支柱５ｃと中央支柱５ｂ）を空洞構造とし、支柱における上記複数のミラーの反射面に対向する部位に複数の開口を設けている。そして、このような構造のハブ状支柱５ｃの空洞部とラジカル発生部３２ｃ，３２ｄとを接続し、ラジカル発生部３２ｃ，３２ｄより放出される水素ラジカルを上記空洞部に供給して、上記複数のミラーの反射面に対向する部位に設けた開口より水素ラジカルを放出している。
以上のような構成により、水素ラジカル供給をミラーの反射面に近い位置から行うことが可能となり、水素ラジカルがミラー反射面に到達するまでの拡散も抑制されるので、先に述べた実施例と比較して、ＥＵＶ集光鏡表面に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物と水素ラジカルとの反応を高効率に行うことが可能となり、迅速に高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物（例えば、ＳｎＨ4 ）を形成させ、排気手段により排気することが可能となった。すなわち、ＥＵＶ集光鏡のクリーニングを短時間で行うことが可能となった。
特に、ＥＵＶ集光鏡の光軸と略一致するハブ状支柱の中央部に、その内部に上記ハブ状支柱の空洞と接続された空洞を有し、複数の開口が内側ミラー反射面と対向する部位に設けられた例えば円柱状の中央支柱を設けることにより、上記効果はさらに促進することが可能となった。
上記構造のハブ状支柱、中央支柱を有するＥＵＶ集光鏡を用いて、水素ラジカルを供給したところ、第１の実施例と比較して、ＥＵＶ集光鏡に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物の除去速度を１．５倍以上にすることができた。
【００７７】
（５）第４の実施例
図１３に、本発明の第４の実施例として水素ラジカル発生手段を搭載したＥＵＶ光源の具体的な構成例を示す。尚、ＥＵＶ光源装置としては、図３、図５と同様、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置を示しており、図３と同一のものには同一の符号が付されており、同一の部分に関しては、説明を省略する。
本実施例は、第１の実施例の変形例である。第１の実施例に示したＥＵＶ光源装置においては、位置決め制御可能なラジカル発生部の配置を、高密度高温プラズマから放出されるＥＵＶ光がＥＵＶ集光鏡に入射する光路を遮光しない位置に位置決めすることにより、ＥＵＶ光源装置が稼動中であっても集光効果を損なうことなく、水素ラジカルを照射することが可能であった。
本実施例においては、ＥＵＶ光源装置が休止中に水素ラジカルによるデブリ処理を行うことに主眼を置いている。
例えば、高密度高温プラズマから放出されＥＵＶ集光鏡に入射するＥＵＶ光の入射光路外にラジカル発生部を配置させるとき、ラジカル発生部からＥＵＶ集光鏡に導入される水素ラジカルの量が、必ずしも十分でない場合がある。
【００７８】
その場合、ラジカル発生部とＥＵＶ集光鏡とが近接するようにラジカル発生部を移動させる必要がある。このとき、ラジカル発生部は、ＥＵＶ集光鏡に入射するＥＵＶ光を一部遮光する位置に配置される。よって、このような配置における水素ラジカルによる処理はＥＵＶ光源装置が休止中に実施することになる。
また、ＥＵＶ光源装置において、装置仕様によっては、高密度高温プラズマ発生部からより多くのＥＵＶ光をＥＵＶ集光鏡で捕集するために、ＥＵＶ光を放出する高密度高温プラズマ発生部とＥＵＶ集光鏡との距離をある程度短くしておく必要がある。その場合、デブリトラップとＥＵＶ集光鏡との間の空間にラジカル発生部を配置することが困難になることもある。
この場合、ＥＵＶ光源装置休止中に、ラジカル発生部のみならず、ＥＵＶ集光鏡も移動させて、水素ラジカルによる処理を行う必要がある。
以上のような事情に鑑み、図１３に示す第４の実施例におけるＥＵＶ光源装置は、図５に示した第１の実施例のものに、ＥＵＶ集光鏡を移動して位置制御するための構造を付加したものである。
【００７９】
図１３において、ＥＵＶ集光鏡５は、移動ステージ８の移動部８ａに接続される。移動ステージ８は、移動用ドライバを具える移動ステージ制御部８０により位置制御される。本実施例においては、メインコントローラ４０から送出される位置決め信号を、移動ステージ制御部８０が受信すると、移動ステージ８が駆動されＥＵＶ集光鏡５の位置制御が行われる。移動ステージ８の移動方向は、例えば、三次元方向であり、図１３の上下方向、左右方向、紙面に垂直な方向に移動可能である。また、左右方向、紙面に垂直な方向を軸としてＥＵＶ集光鏡５を回転させ。傾きを変えられるようにしてもよい。
なお、ラジカル発生部３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂの構成、機能等は第１の実施例のものと同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００８０】
図１４、図１５は本実施例の水素ラジカルによるクリーニング処理の一例を示すフローチャートであり、本実施例における水素ラジカルによるクリーニング処理は、例えば、以下のように行われる。
露光機の制御部７０より、メインコントローラ４０にＥＵＶ放射休止信号が送出される（Ｓ１０１）。
ＥＵＶ放射休止信号を受信したメインコントローラ４０は、高電圧パルス発生部５０を制御して、主放電電極１ａ，１ｂ間の放電を停止してＥＵＶ放射を休止させた後、ガス供給・排気ユニット２０に排気信号を送出する（Ｓ１０２）。
ガス供給・排気ユニット２０は、受信した排気信号に基づき、チャンバ１０内部の排気を開始する（Ｓ１０３）。ここで、単位時間あたりの排気量は、後のステップでラジカル発生部３２ａ，３２ｂから放出される水素ガスならびに水素ラジカルが効果的に排気される量に予め調整されている。
メインコントローラ４０は、移動ステージ制御部８０にＥＵＶ集光鏡移動指令を送出する（Ｓ１０４）。移動ステージ制御部８０は、移動ステージ８を駆動して、ＥＵＶ集光鏡５を、例えば、図１３の下側の所定位置へ移動させて位置決めする（Ｓ１０５）。なお、上記所定位置とは、例えば、ＥＵＶ集光鏡５の上部とデブリトラップ４との間の空間内にラジカル発生部３２ａ，３２ｂが進入可能となるように設定される位置である。
【００８１】
位置決め終了後、移動ステージ制御部８０は、位置決め終了信号をメインコントローラ４０に送出する（Ｓ１０６）。位置決め終了信号を受信したメインコントローラ４０は、駆動制御部３３に水素ラジカル発生開始信号を送出する（Ｓ１０７）。ここで、メインコントローラ４０は、膜厚測定手段３５よりＥＵＶ集光鏡５に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物量の算出結果を取得しているものとする。
駆動制御部３３は、メインコントローラ４０から受信した水素ラジカル発生開始信号に基づき、ラジカル発生部３２ａ，３２ｂの水素ラジカル排出管部を、水素ラジカル排出管部から放出される水素ラジカルがＥＵＶ集光鏡５のＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積した部分に効果的に導入される所定位置に位置決めするように、駆動ユニット３３ｃの動作を開始させる駆動開始信号を駆動ユニット３３ｃに送出する（Ｓ１０８）。
駆動ユニット３３ｃは、駆動開始信号に基づき駆動機構Ｇ２，Ｇ４を駆動して、ラジカル発生部３２ａ，３２ｂを上記所定位置に位置決めする（Ｓ１０９）。
駆動ユニット３３ｃによる位置決め終了後、駆動制御部３３は、バルブＶ２，Ｖ４を開状態とし水素ガス（Ｈ2 ）供給ユニット３３ｄから水素ガスをラジカル発生部３２ａ，３２ｂに供給する。同時に駆動制御部３３は、例えば、カウンタから構成される不図示の時間計測手段の動作を開始させる（Ｓ１１０）。
【００８２】
次に、駆動制御部３３は、所定時間経過後に上記時間計測手段から発せられるカウント終了信号に基づき、加熱用電源３３ｅに接続されているスイッチＳ２，Ｓ４をｏｎ状態にして、ラジカル発生部３２ａ，３２ｂの水素ガスが供給されている反応室に挿入されているフィラメントに電力を供給する（Ｓ１１１）。同時に、駆動制御部３３は、メインコントローラ４０にラジカル発生部動作開始信号を送出する（Ｓ１１２）。
ここで、上記所定時間とは、上記反応室内部に水素ガスが十分に行き渡る時間である。また、上記時間計測手段は、カウント終了信号送出後リセットされる。
フィラメント点灯が開始した時点で、水素ラジカルの発生が開始し、ラジカル発生部３２ａ，３２ｂの水素ラジカル排出管部から水素ラジカルがＥＵＶ集光鏡５のＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積した部位に導入される。
なお、メインコントローラ４０は、また、図示を省略した例えば、カウンタから構成されるクリーニング時間計測手段を有しており、ステップＳ１１２で駆動制御部から送出されたラジカル発生部動作開始信号を受信後、上記クリーニング時間計測手段のカウントの動作を開始させる（Ｓ１１３）。
【００８３】
所定時間経過後にクリーニング時間計測手段から発せられるカウント終了信号に基づき、メインコントローラ４０は、駆動制御部３３に水素ラジカル発生停止信号を送出する（Ｓ１１４）。ここで、上記所定時間とは、ＥＵＶ集光鏡５のＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積した部位からＳｎおよび／またはＳｎ化合物が除去される時間である。
上記したように、メインコントローラ４０は、膜厚測定手段３５よりＥＵＶ集光鏡５に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物量の算出結果を取得している。
一方、ラジカル発生部３２ａ，３２ｂより放出される水素ラジカルの量は一定であるとし、この一定量の水素ラジカルが単位時間あたりにＳｎおよび／またはＳｎ化合物と反応する量も予めメインコントローラ４０において記憶されているものとする。この単位時間あたりの反応量とＥＵＶ集光鏡５におけるＳｎおよび／またはＳｎ化合物の堆積量とから、ステップＳ１１４における上記所定時間は決定される。
【００８４】
駆動制御部３３は、ステップＳ１１４において水素ラジカル発生停止信号を受信後、スイッチＳ２，Ｓ４をｏｆｆ状態にして、ラジカル発生部３２ａ，３２ｂのフィラメントへの電力供給を停止する（Ｓ１１５）。次に、駆動制御部３３は、バルブＶ２，Ｖ４を閉状態としラジカル発生部３２ａ，３２ｂへの水素ガス供給ユニット３３ｄからの水素ガス供給を停止する（Ｓ１１６）。
さらに駆動制御部３３は、駆動ユニット３３ｃによって駆動機構Ｇ２，Ｇ４を駆動して、ラジカル発生手段３２ａ，３２ｂを、高密度高温プラズマから放出されるＥＵＶ光がＥＵＶ集光鏡５に入射する光路を遮光しない位置に退避するように、位置決めする（Ｓ１１７）。
駆動ユニット３３ｃによる位置決め終了後、駆動制御部３３は、メインコントローラ４０にラジカル発生部動作終了信号を送出する（Ｓ１１８）。
メインコントローラ４０は、駆動制御部３３よりラジカル発生部動作終了信号を受信後、移動ステージ制御部８０にＥＵＶ集光鏡移動指令を送出する（Ｓ１１９）。
移動ステージ制御部８０は、移動ステージ８を駆動して、ＥＵＶ集光鏡５を、高密度高温プラズマから放出されるＥＵＶ光を集光する所定へ移動させて位置決めする（Ｓ１２０）。位置決め終了後、移動ステージ制御部８０は、位置決め終了信号をメインコントローラ４０に送出する（Ｓ１２１）
【００８５】
メインコントローラ４０は、移動ステージ制御部８０から位置決め終了信号を受信後、ガス供給・排気ユニット２０に排気停止信号を送出する（Ｓ１２２）。
ガス供給・排気ユニット２０は、受信した排気停止信号に基づき、チャンバ１０内部の排気を停止する（Ｓ１２３）。なお、引き続き、ＥＵＶ光発生を開始する場合、ガス供給ユニット２０は、チャンバ１０内部の排気を停止せず、高密度高温プラズマ発生部３の圧力が所定の圧力に設定されるようにチャンバ内へのＳｎＨ4 ガスの供給量ならびに排気量を調節する。
ステップＳ１２３終了後、メインコントローラ４０は、露光機の制御部７０にＳｎおよび／またはＳｎ化合物の除去終了信号を送出する（Ｓ１２４）。
なお、本実施例における水素ラジカル処理において、ラジカル発生部とＥＵＶ集光鏡とが近接するようにラジカル発生部を移動させるにあたり、ＥＵＶ集光鏡の位置は所定の集光位置のままでよい場合は、上記手順において、ステップＳ１０４〜Ｓ１０６、Ｓ１１９〜Ｓ１２１は省略される。
【００８６】
本実施例によれば、ラジカル発生部の位置制御が可能であるので、ラジカル発生部とＥＵＶ集光鏡とが近接するようにラジカル発生部を移動させ、ラジカル発生部からＥＵＶ集光鏡に導入される水素ラジカルの量を十分に確保することができる。
特に、ＥＵＶ光源装置の休止時においては、高密度高温プラズマから放出されるＥＵＶ光がＥＵＶ集光鏡に入射する光路を遮光しない位置に位置決めするという制限も無くなるので、上記効果は増大する。
また、ＥＵＶ集光鏡の位置制御機構を設けたので、ＥＵＶ光源装置の休止時において、ＥＵＶ集光鏡、ラジカル発生部の位置を適切に調節することにより、ＥＵＶ集光鏡表面に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物と水素ラジカルとを反応させ、高蒸気圧でガス状のＳｎ水素化物（例えば、ＳｎＨ4 ）を形成させ、排気手段により排気することが可能となった。
よって、ＥＵＶ光を集光する場合のＥＵＶ集光鏡の位置による制限で、デブリトラップとＥＵＶ集光鏡との間の空間にラジカル発生部を配置することが困難である場合も、ＥＵＶ光源装置の休止時においては、ＥＵＶ集光鏡のクリーニングを効果的に行うことが可能となった。
すなわち、本実施例においては、ラジカル発生部、ＥＵＶ集光鏡が移動機構を持つことにより、放電時とクリーニング時とで両者の最適な位置制御が可能となった。
【００８７】
本実施例においては、ＥＵＶ集光鏡に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物と水素ラジカルとを反応させる場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、高密度高温プラズマ発生部３の直下に配置されるデブリトラップ４や、絶縁材２の開口部等にもＳｎに起因するデブリは堆積するので、駆動ユニット３３ｃによって駆動機構Ｇ１，Ｇ３を駆動して、ラジカル発生部３１ａ，３１ｂから放出される水素ラジカルがデブリトラップ４や絶縁材２の開口部等にも十分に導入されるように、ラジカル発生部３１ａ，３１ｂを位置決めしてもよい。
【００８８】
（６）第５の実施例
図１６に、第５の実施例として、水素ラジカル発生手段を搭載したＥＵＶ光源の具体的な構成例を示す。尚、ＥＵＶ光源装置としては、図３、図５と同様、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置を示しており、図３、図５と同一のものには同一の符号を付しており、同一の部分については説明を省略する。
本実施例のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ集光鏡５−１，５−２が２組連結して構成されるＥＵＶ集光鏡ユニット９１を備える。このＥＵＶ集光鏡ユニット９１は、一次元方向に往復移動可能な直動ステージ９３に搭載され、直動可能に保持される。
本実施例のＥＵＶ光源装置は、直動可能なＥＵＶ集光鏡ユニット９１の一方のＥＵＶ集光鏡が高密度高温プラズマから放出されるＥＵＶ光を集光する位置に配置されたときに、他方のＥＵＶ集光鏡に堆積したＳｎおよびＳｎ化合物をラジカル発生部から放出される水素ラジカルによって除去するものである。
【００８９】
図１７は本実施例で用いる直動機能を有するＥＵＶ集光鏡ユニットの構成例を示す図であり、図１６におけるＢ−Ｂ断面図である。
図１６、図１７において、ＥＵＶ集光鏡ユニット９１は、２つのＥＵＶ集光鏡５−１，５−２とを集光鏡保持部９２により連結した構造である。この集光鏡保持部９２は、更に、図１６、図１７の矢印方向である一次元方向に往復移動可能な直動ステージ９３に搭載される。直動ステージ９３の移動方向は、２本のレール９４により規制される。
直動ステージ９３は、移動用ドライバを具える直動機構制御部９０により位置制御される。本実施例においては、メインコントローラ４０から送出される位置決め信号を直動機構制御部９０が受信すると、直動ステージ９３が駆動されＥＵＶ集光鏡ユニット９１の位置制御が行われる。
【００９０】
図１６に戻り、上記ＥＵＶ集光鏡ユニット９１は、メインコントローラ４０により、ＥＵＶ集光鏡５−１が集光位置に配置され、ＥＵＶ集光鏡５−２が位置Ａに配置される状態と、ＥＵＶ集光鏡５−２が集光位置に配置されＥＵＶ集光鏡５−１が位置Ｂに配置される状態とが交互に実現されるように位置制御される。
ラジカル発生部３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂは、例えば、図７に示したようにシール部を有している。バルブ３１０の中央部の１箇所に水素ガス導入管部３１３が設けられ、バルブ３１０の両端部にそれぞれ１箇所ずつ、水素ラジカル排出管部３１４が設けられている。ラジカル発生部３６ｂ，３７ｂは、ＥＵＶ集光鏡５−２が位置Ａに位置決めされたとき、各ラジカル発生部３６ｂ，３７ｂのそれぞれ２箇所の水素ラジカル排出管部３１４から放出される水素ラジカルの放出方向がＥＵＶ集光鏡５−２の反射面に対向するように、第２の容器１０ｂに固定されている。ここで、ラジカル発生部３６ｂは上記位置決めされたＥＵＶ集光鏡５−２の上方に固定され、ラジカル発生部３７ｂは上記位置決めされたＥＵＶ集光鏡５−２の下方に固定される。
同様に、ラジカル発生部３６ａ，３７ａは、ＥＵＶ集光鏡５−１が位置Ｂに位置決めされたとき、各ラジカル発生部３６ａ，３７ａのそれぞれ２箇所の水素ラジカル排出管部から放出される水素ラジカルの放出方向がＥＵＶ集光鏡５−１の反射面に対向するように、第２の容器１０ｂに固定されている。ここで、ラジカル発生部３６ａは上記位置決めされたＥＵＶ集光鏡５−１の上方に固定され、ラジカル発生部３７ａは上記位置決めされたＥＵＶ集光鏡５−１の下方に固定される。
【００９１】
ラジカル発生部３６ｂ，３７ｂの各フィラメントは、それぞれ、スイッチＳ１，Ｓ２を介して駆動制御部３３が有する加熱用電源３３ｅと接続されている。各フィラメントと加熱用電源３３ｅとの配線は、第２の容器１０ｂの壁部に設けられたフィードスルー部Ｆ１，Ｆ３，Ｆ４，Ｆ６を介してなされる。よって、配線によって、第２の容器１０ｂの気密性は損なわれない。
同様に、ラジカル発生部３６ａ，３７ａの各フィラメントは、それぞれ、スイッチＳ３，Ｓ４を介して駆動制御部３３が有する加熱用電源３３ｅと接続されている。各フィラメントと加熱用電源３３ｅとの配線は、第２の容器の壁部に設けられたフィードスルー部Ｆ７，Ｆ９，Ｆ１０，Ｆ１２を介してなされる。よって、配線によって、第２の容器の気密性は損なわれない。
また、ラジカル発生部３６ｂ，３７ｂは、それぞれ、バルブＶ１，Ｖ２を介して駆動制御部３３が有するＨ2 ガス供給ユニット３３ｄに接続される。
各ラジカル発生部３６ｂ，３７ｂとＨ2 ガス供給ユニット３３ｄとの配管構造も、上記した電気配線と同様、フィードスルー部Ｆ２，Ｆ５を介してなされる。そのため、配管構造によって、第２１０ｂの容器の気密性は損なわれない。
同様に、ラジカル発生部３６ａ，３７ａは、それぞれ、バルブＶ３，Ｖ４を介して駆動制御部３３が有するＨ2 ガス供給ユニット３３ｄに接続される。各ラジカル発生部３６ａ，３７ａとＨ2 ガス供給ユニット３３ｄとの配管構造も、上記した電気配線と同様、フ
ィードスルー部Ｆ８，Ｆ１１を介してなされる。そのため、配管構造によって、第２の容器１０ｂの気密性は損なわれない。
ラジカル発生部３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂへの水素ガスの供給制御は、メインコントローラ４０の指令信号によるバルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４の開閉制御により実現される。同様に、ラジカル発生部３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂへの電力供給は、スイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の開閉制御により実現される。
【００９２】
図１８〜図２０は本実施例の処理手順の一例を示すフローチャートである。
まず、本実施例におけるＥＵＶ光源装置の動作手順について図１８により説明する。
露光機の制御部７０より、メインコントローラ４０にＥＵＶ発光指令信号が送出される（Ｓ２０１）。ＥＵＶ発光指令待機状態であったメインコントローラ４０は、ＥＵＶ発光指令信号を受信後、高電圧パルス発生部５０を駆動して第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ間に高電圧パルスが印加させる。上記電極間の高電圧パルスの印加により、高密度高温プラズマが発生して、ＥＵＶ光が放出される（Ｓ２０２）。
このとき、２つのＥＵＶ集光鏡５−１，５−２の表面はいずれもＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積していないものとする。また、ＥＵＶ集光鏡ユニット９１は、直動機構制御部９０により、ＥＵＶ集光鏡５−１が集光位置に配置され、ＥＵＶ集光鏡５−２が位置Ａに配置されるように位置決めされている。
【００９３】
ＥＵＶ発光後、モニタユニット３４より検出信号が膜厚測定手段３５に送出される（Ｓ２０３）。膜厚測定手段３５は、受信した検出信号に基づき、ＥＵＶ集光鏡５−１に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物量を算出し、算出結果をメインコントローラ４０に送出する（Ｓ２０４）。メインコントローラ４０は、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物量の許容堆積量のしきい値データ（ｔｍ）を予め記憶しているものとする。ステップＳ２０４において膜厚測定手段３５から算出堆積量データを受信したメインコントローラ４０は、この算出堆積量データ（ｔｃ）と上記しきい値データ（ｔｍ）との大小を検定する（Ｓ２０５）。検定の結果、ｔｃ＜ｔｍのとき、メインコントローラ４０はＥＵＶ発光指令待機状態に戻る。すなわち、ステップＳ２０１に戻る。
上記ステップＳ２０１〜２０５の動作を繰り返してＥＵＶ発光が行われ、ＥＵＶ集光鏡５−１により集光されたＥＵＶ光がＥＵＶ光取出部６から取り出される。
【００９４】
ここで、検定の結果、ｔｃ≧ｔｍになると、メインコントローラ４０は露光機の制御部７０に発光指令拒否信号を送出するとともに、高電圧パルス発生部の駆動を停止する（Ｓ２０６）。メインコントローラ４０より発光指令拒否信号を受信した露光機の制御部７０は、メインコントローラ４０へのＥＵＶ発光指令信号の送出を停止する（Ｓ２０７）。メインコントローラ４０は、直動機構制御部９０にＥＵＶ集光鏡ユニット移動指令を送出する（Ｓ２０８）。
直動機構制御部９０は、直動ステージ９３を駆動して、ＥＵＶ集光鏡ユニット９１を図１６の左側へ移動させ、ＥＵＶ集光鏡５−２が集光位置に配置され、ＥＵＶ集光鏡５−１が位置Ｂに配置されるようにＥＵＶ集光鏡ユニット９１を位置決めする（Ｓ２０９）。
位置決め終了後、直動機構制御部９０は、位置決め終了信号をメインコントローラ４０に送出する（Ｓ２１０）。
ＥＵＶ集光鏡５−１が上記位置Ｂに位置決めされると、この集光鏡５−１に対して、図１９（後述する）に示すクリーニング処理が行われる。
一方、メインコントローラ４０は、ステップＳ２１０において位置決め終了信号を受信後、露光機の制御部７０に発光指令許容信号を送出する（Ｓ２１１）。露光機の制御部７０より、メインコントローラ４０にＥＵＶ発光指令信号が送出される（Ｓ２１２）。
ＥＵＶ発光指令待機状態であったメインコントローラ４０は、ＥＵＶ発光指令信号を受信後、高電圧パルス発生部５０を駆動して第１の主放電電極１ａ、第２の主放電電極１ｂ間に高電圧パルスを印加させる。上記電極間の高電圧パルスの印加により、高密度高温プラズマが発生して、ＥＵＶ光が放出される（Ｓ２１３）。
【００９５】
ＥＵＶ発光後、モニタユニット３４より検出信号が膜厚測定手段３５に送出される（Ｓ２１４）。膜厚測定手段３５は、受信した検出信号に基づき、ＥＵＶ集光鏡５−２に堆積するＳｎおよび／またはＳｎ化合物量を算出し、算出結果をメインコントローラ４０に送出する（Ｓ２１５）。
メインコントローラ４０は、前記したようにＳｎおよび／またはＳｎ化合物量の許容堆積量のしきい値データ（ｔｍ）を予め記憶しており、ステップＳ２１５において膜厚測定手段３５から算出堆積量データを受信すると、メインコントローラ４０は、この算出堆積量データ（ｔｃ）と上記しきい値データ（ｔｍ）との大小を検定する（Ｓ２１６）。
検定の結果、ｔｃ＜ｔｍのとき、メインコントローラはＥＵＶ発光指令待機状態に戻る。すなわち、ステップＳ２１２に戻る。
上記ステップＳ２１２〜２１６の動作を繰り返してＥＵＶ発光が行われ、ＥＵＶ集光鏡５−２により集光されたＥＵＶ光がＥＵＶ光取出部６から取り出される。
【００９６】
ここで、検定の結果、ｔｃ≧ｔｍになると、メインコントローラ４０は露光機の制御部７０に発光指令拒否信号を送出するとともに、高電圧パルス発生部５０の駆動を停止する（Ｓ２１７）。メインコントローラ４０より発光指令拒否信号を受信した露光機の制御部７０は、メインコントローラ４０へのＥＵＶ発光指令信号の送出を停止する（Ｓ２１８）。メインコントローラ４０は、直動機構制御部９０にＥＵＶ集光鏡ユニット９１移動指令を送出する（Ｓ２１９）。
直動機構制御部９０は、直動ステージ９３を駆動して、ＥＵＶ集光鏡ユニット９１を図１６の右側へ移動させ、ＥＵＶ集光鏡５−１が集光位置に配置され、ＥＵＶ集光鏡５−２が位置Ａに配置されるようにＥＵＶ集光鏡ユニットを位置決めする（Ｓ２２０）。なお、ＥＵＶ集光鏡５−１は、図１９に示す処理によりクリーニング済みであるとする。
ＥＵＶ集光鏡５−２が上記位置Ａに位置決めされると、この集光鏡５−２に対して、図２０（後述する）に示すクリーニング処理が行われる。
位置決め終了後、直動機構制御部は、位置決め終了信号をメインコントローラに送出する（Ｓ２２１）
メインコントローラ４０は、ステップＳ２２１において位置決め終了信号を受信後、露光機の制御部７０に発光指令許容信号を送出する（Ｓ２２２）。以降、ステップＳ２０１〜ステップＳ２２２の動作が繰り返される。
【００９７】
ここで、上記工程は、ＥＵＶ集光鏡にＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積していない状態からＳｎおよび／またはＳｎ化合物の堆積量が許容堆積量を越えるまでの時間が、ＥＵＶ集光鏡に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物が、後に示す手順に則り、水素ラジカルにより除去されるまでの時間より長い場合に適用される。
ＥＵＶ集光鏡にＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積していない状態からＳｎおよび／またはＳｎ化合物の堆積量が許容堆積量を越えるまでの時間が、ＥＵＶ集光鏡に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物が水素ラジカルにより除去されるまでの時間より短い場合には、上記工程のステップＳ２０７とステップＳ２０８との間、および、ステップＳ２１８とステップＳ２１９との間に、所定の待機時間を設ける必要がある。
【００９８】
次に、本実施例における水素ラジカルによる集光鏡５−１，５−２に対するクリーニング処理について、図１９、図２０により説明する。
前記したように、ＥＵＶ集光鏡５−１が上記位置Ｂに位置決めされると、図１８のステップＳ２１０においてメインコントローラ４０は位置決め終了信号を受信して、ステップＳ２１１の処理へ移行するが、それと平行して、ＥＵＶ集光鏡５−１に対して、図１９に示すクリーニング処理を行う。
すなわち、図１８のステップＳ２１０において位置決め終了信号を受信したメインコントローラ４０は、駆動制御部３３に水素ラジカル発生開始信号を送出する（Ｓ３０１）。  水素ラジカル発生信号を受信した駆動制御部は、バルブＶ３，Ｖ４を開状態とし水素ガス供給ユニット３３ｄから水素ガスをラジカル発生部３６ａ，３７ａに供給する。同時に駆動制御部３３は、例えば、カウンタから構成される不図示の時間計測手段の動作を開始させる（Ｓ３０２）。
次に、駆動制御部３３は、所定時間経過後に時間計測手段から発せられるカウント終了信号に基づき、加熱用電源３３ｅに接続されているスイッチＳ３，Ｓ４をｏｎ状態にして、ラジカル発生部３６ａ，３７ａの水素ガスが供給されている反応室に挿入されているフィラメントに電力を供給する（Ｓ３０３）。同時に、駆動制御部３３は、メインコントローラ４０にラジカル発生部動作開始信号を送出する（Ｓ３０４）。
ここで、上記所定時間とは、上記反応室内部に水素ガスが十分に行き渡る時間である。また、時間計測手段は、カウント終了信号送出後リセットされる。
【００９９】
フィラメント点灯が開始した時点で、水素ラジカルの発生が開始し、ラジカル発生部３６ａ，３７ａの水素ラジカル排出管部から水素ラジカルがＥＵＶ集光鏡５−１のＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積した部位に導入される。
なお、メインコントローラ４０は、また、図示を省略した例えば、カウンタから構成されるクリーニング時間計測手段を有しており、ステップＳ３０４で駆動制御部３３から送出されたラジカル発生部動作開始信号を受信後、クリーニング時間計測手段のカウントの動作を開始させる（Ｓ３０５）。
所定時間経過後に上記クリーニング時間計測手段から発せられるカウント終了信号に基づき、メインコントローラ４０は、駆動制御部３３に水素ラジカル発生停止信号を送出する（Ｓ３０６）。ここで、上記所定時間とは、ＥＵＶ集光鏡５−１のＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積した部位からＳｎおよび／またはＳｎ化合物が除去される時間である。  前記したように、メインコントローラ４０は、しきい値データ（ｔｍ）を記憶しており、ＥＵＶ集光鏡５−１に堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物量は、上記ｔｍと略一致しているとする。一方、ラジカル発生部３６ａ，３７ａより放出される水素ラジカルの量は一定であるとする。
また、この一定量の水素ラジカルが単位時間あたりにＳｎおよび／またはＳｎ化合物と反応する量も予めメインコントローラ４０において記憶されているものとする。
メインコントローラ４０は、上記単位時間あたりの反応量とＥＵＶ集光鏡５−１におけるＳｎおよび／またはＳｎ化合物の堆積量とから、ステップＳ３０６における上記所定時間は決定する。
駆動制御部３３は、ステップＳ３０６において水素ラジカル発生停止信号を受信後、スイッチＳ３，Ｓ４をｏｆｆ状態にして、ラジカル発生部３６ａ，３７ａのフィラメントへの電力供給を停止する（Ｓ３０７）。次に、駆動制御部３３は、バルブＶ３，Ｖ４を閉状態としラジカル発生部３６ａ，３７ａへの水素ガス供給ユニット３３ｄからの水素ガス供給を停止する（Ｓ３０８）。
【０１００】
ラジカル発生部３６ｂ，３７ｂによる集光鏡５−２のクリーニング処理も上記ステップＳ３０１〜Ｓ３０８と同様に行われる。
すなわち、前記したように、ＥＵＶ集光鏡５−２が位置Ａに位置決めされると、図１８のステップＳ２２１においてメインコントローラ４０は位置決め終了信号を受信して、ステップＳ２２２の処理へ移行するが、それと平行して、ＥＵＶ集光鏡５−２に対して、図２１に示すクリーニング処理を行う。
以下簡潔に集光鏡５−２のクリーニング処理手順（Ｓ４０１〜Ｓ４０８）について説明する。
図１８のステップＳ２２２において位置決め終了信号を受信したメインコントローラ４０より、駆動制御部３３に水素ラジカル発生開始信号を送出（Ｓ４０１）。
駆動制御部３３は、バルブＶ１，Ｖ２を開状態とし水素ガスをラジカル発生部３６ｂ，３７ｂに供給する。同時に、不図示の時間計測手段の動作を開始する（Ｓ４０２）。
駆動制御部３３は、時間計測手段から発せられるカウント終了信号に基づき、加熱用電源３３ｅに接続されているスイッチＳ１，Ｓ２をｏｎ状態にして、ラジカル発生部３６ｂ，３７ｂのフィラメントに電力を供給する（Ｓ３０３）。
同時に、駆動制御部３３は、メインコントローラ４０に水素ラジカル発生開始信号を送出する（Ｓ４０４）。
フィラメント点灯が開始した時点で、水素ラジカルの発生が開始し、ラジカル発生部３６ｂ，３７ｂの水素ラジカル排出管部から水素ラジカルがＥＵＶ集光鏡５−２のＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積した部位に導入される。
【０１０１】
メインコントローラ４０は、ステップＳ４０４で水素ラジカル発生開始信号を受信後、クリーニング時間計測手段のカウントの動作を開始する（Ｓ４０５）。
クリーニング時間計測手段から発せられるカウント終了信号に基づき、メインコントローラ４０は、駆動制御部３３に水素ラジカル発生停止信号を送出する（Ｓ４０６）。
駆動制御部３３は、ステップ４０６において水素ラジカル発生停止信号を受信後、スイッチＳ１，Ｓ２をｏｆｆ状態にして、ラジカル発生部３６ｂ，３７ｂのフィラメントへの電力供給を停止する（Ｓ４０７）。
次に、駆動制御部３３は、バルブＶ１，Ｖ２を閉状態としラジカル発生部３６ｂ，３７ｂへの水素ガス供給ユニット３３ｄからの水素ガス供給を停止する（Ｓ４０８）。
【０１０２】
本実施例のＥＵＶ光源装置は、上述したように、ＥＵＶ集光鏡が２組連結して構成され、一次元方向に往復移動可能なＥＵＶ集光鏡ユニットを備え、一方のＥＵＶ集光鏡が高密度高温プラズマから放出されるＥＵＶ光を集光する位置に配置されたときに、他方のＥＵＶ集光鏡に堆積したＳｎおよびＳｎ化合物をラジカル発生部から放出される水素プラズマによって除去することが可能なように構成されている。
すなわち、一方のＥＵＶ集光鏡を用いてＥＵＶ光を集光すると同時に、他方のＥＵＶ集光鏡に堆積したＳｎおよびＳｎ化合物を水素ラジカルと反応させることで除去することが可能となっている。
よって、モニタユニット、膜厚測定手段でモニタしているデブリのＥＵＶ集光鏡への堆積量が許容範囲を超えた際にはクリーニング済みのＥＵＶ集光鏡と入れ替えることが可能であり、クリーニングによる放電休止時間、すなわち装置停止時間を短縮し、設備稼働率を上げることができる。
なお、上記したＥＵＶ集光鏡入れ替え機構は、図１６、図１７に示したような一次元方向の直線移動機構を採用しても良いが、回転移動機構（図示せず）採用してもよい。この場合、例えば、図１６において、ＥＵＶ集光鏡５−１の中心軸と、ＥＵＶ集光鏡５−２の中心軸と等距離の位置に、ＥＵＶ集光鏡ユニット９１の回転軸を配置し、この回転軸を回転させて、ＥＵＶ集光鏡５−１とＥＵＶ集光鏡５−２を、集光位置もしくはクリーニング位置（図１６の位置Ａ）移動させるようにすれば、ラジカル発生部３６ａ，３７ａは不要となり、装置が小型化し、構成が簡単になるという利点を有する。
また、本実施例において、第１の実施例と同様、デブリトラップとＥＵＶ集光鏡との間に、デブリを含む排気流とデブリ放出方向とが交差するように、水素ラジカル発生部３１ａ，３１ｂを設けてもよい。この場合、水素ラジカル発生部３１ａ，３１ｂにより、放電種Ｓｎに起因するデブリの一部がＥＵＶ集光鏡へ到達する前に除去されるので、上記ＥＵＶ集光鏡ユニットの駆動頻度を低減することができる。
【０１０３】
本発明のＥＵＶ光源装置は、上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
例えば、上記様々な実施例において、ラジカル発生部から放出される水素ラジカルの放出方向を、例えば、デブリトラップ４や絶縁材２の開口に向けてもよい。すなわち、高密度高温プラズマ発生部３の直下に配置されるデブリトラップ４や、絶縁材２の開口部等にもＳｎに起因するデブリは堆積するので、そういったデブリを効果的に除去することができる。
また、上記第１〜第５の実施例では、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置について示したが、前記図４に示したＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置に適用可能であることは言うまでも無い。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】水素ガス、水素ラジカルを導入し、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物の量を調査した際の実験構成を示す図である。
【図２】水素ラジカルによる化学反応、水素イオンスパッタ処理を行い、Ｓｎおよび／またはＳｎ化合物の量を調査した際の実験構成を示す図である。
【図３】本発明を適用したＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置に適用した場合の概略構成を示す図である。
【図４】本発明をＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置に適用した場合の概略構成を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施例のＥＵＶ光源の具体的な構成例を示す図である。
【図６】ＥＵＶ集光鏡の構成例を示す図である。
【図７】水素ラジカル発生部の具体的構成例を示す図である。
【図８】水素ラジカル発生部の他の具体的構成例を示す図である。
【図９】第１の実施例においてラジカル拡散防止壁を設けた場合の構成例を示す図である。、
【図１０】本発明の第２の実施例のＥＵＶ光源の具体的な構成例を示す図である。
【図１１】本発明の第３の実施例のＥＵＶ光源の具体的な構成例を示す図である。
【図１２】図１１の実施例のＥＵＶ集光鏡の構成例を示す図である。
【図１３】本発明の第４の実施例のＥＵＶ光源の具体的な構成例を示す図である。
【図１４】第４の実施例における水素ラジカルによるクリーニング処理の一例を示すフローチャート（１）である。
【図１５】第４の実施例における水素ラジカルによるクリーニング処理の一例を示すフローチャート（２）である。
【図１６】本発明の第５の実施例のＥＵＶ光源の具体的な構成例を示す図である。
【図１７】第５の実施例で用いる直動機能を有するＥＵＶ集光鏡ユニットの構成例を示す図である。
【図１８】第５の実施例におけるＥＵＶ光源装置の動作手順の一例を示すフローチャートである。
【図１９】水素ラジカルによる集光鏡に対するクリーニング処理の一例を示すフローチャート（１）である。
【図２０】水素ラジカルによる集光鏡に対するクリーニング処理の一例を示すフローチャート（２）である。
【符号の説明】
【０１０５】
１ａ，１ｂ  主放電電極
２          絶縁材
３          高密度高温プラズマ発生部
４          デブリトラップ
５，５−１，５−２  ＥＵＶ集光鏡
６          ＥＵＶ取出部
６ａ        波長選択手段
７          ラジカル拡散防止壁
８          移動ステージ
１０        チャンバ
１０ａ      第１の容器
１０ｂ      第２の容器
１１        ＥＵＶ発生部
１２        排出口
１３        レーザ光入射窓部
１４        レーザ装置
２０        ガス供給・排気ユニット
２１ａ      原料供給ユニット
２１ｂ      排出ユニット
２２        原料導入部
２３        排出口
２４        ガス供給口
２５        ガス排出口
３０        水素ラジカル発生手段
３１        ラジカル発生部
３１ａ，３１ｂ  ラジカル発生部
３２        ラジカル発生部
３２ａ，３２ｂ  ラジカル発生部
３３        駆動制御部
３４        モニタユニット
３５        膜厚測定手段
３６ａ，３６ｂ  ラジカル発生部
３７ａ，３７ｂ  ラジカル発生部
４０        メインコントローラ
５０        高圧パルス発生部
６０        予備電離ユニット
７０        露光機（制御部）
８０        移動ステージ制御部
９０        直動機構制御部
９１        集光鏡ユニット
９２        集光鏡保持部
９３        直動ステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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