(57)【要約】    【課題】  信頼性、ボンド能力、及び、品質管理の結果を改善することのできるボンドパッド構造のトップビアパターンを提供する。    【解決手段】  ボンドパッド構造のトップビアパターン２２は、相互に近接した、少なくとも一つの第一ビア群１８と、少なくとも一つの第二ビア群２０とを有する。第一ビア群１８は、第一方向に延伸した少なくとも二つの第一ラインビア１８ａ、１８ｂ、１８ｃを有する。第二ビア群２０は、第一方向と異なる第二方向に延伸した少なくとも二つの第二ラインビア２０ａ、２０ｂ、２０ｃを有する。第一ビア群１８のラインビア１８ａ、１８ｂ、１８ｃは、第二ビア群２０のラインビア２０ａ、２０ｂ、２０ｃに交差しない。    【選択図】  図１
2006261631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一金属層と、
前記第一金属層の上の第二金属層と、
前記第一金属層と前記第二金属層との間の絶縁層と、
前記絶縁層の中に位置し、前記第一金属層と前記第二金属層とを電気的に接続する金属ビアパターンとを備え、前記金属ビアパターンは、相互に近接した、少なくとも一つの第一ビア群と、少なくとも一つの第二ビア群とを備え、
前記第一ビア群は、第一方向に延伸した少なくとも二つの第一ラインビアを備え、前記第二ビア群は、前記第一方向と異なる第二方向に延伸した少なくとも二つの第二ラインビアを備え、前記第一ラインビアは、前記第二ラインビアに交差しないことを特徴とするボンドパッド構造。
【請求項２】
前記第一ビア群の形状は、略正方形であることを特徴とする請求項１に記載のボンドパッド構造。
【請求項３】
前記第二ビア群の形状は、略正方形であることを特徴とする請求項１に記載のボンドパッド構造。
【請求項４】
前記第一ラインビアと前記第二ラインビアは、同一寸法であることを特徴とする請求項１に記載のボンドパッド構造。
【請求項５】
前記金属ビアパターンは、マトリクス配列に配置された複数の第一ビア群と第二ビア群からなることを特徴とする請求項１に記載のボンドパッド構造。
【請求項６】
更に、前記ボンドパッド構造の下に位置する集積回路を備えたことを特徴とする請求項１に記載のボンドパッド構造。
【請求項７】
第一金属層を有する集積回路基板を準備する工程と、
前記第一金属層の上に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に金属ビアパターンを形成し、前記第一金属層と電気的に接続する工程とを備え、
前記金属ビアパターンは、相互に近接した、少なくとも一つの第一ビア群と、少なくとも一つの第二ビア群とを備え、前記第一ビア群は、第一方向に延伸した少なくとも二つの第一ラインビアを備え、前記第二ビア群は、前記第一方向と異なる第二方向に延伸した少なくとも二つの第二ラインビアを備え、前記第一ラインビアは、前記第二ラインビアに交差しないことを特徴とするボンドパッド構造の形成方法。
【請求項８】
前記第一方向は、前記第二方向に垂直であることを特徴とする請求項１３に記載の形成方法。
【請求項９】
前記ビアパターンは、マトリクス配列に配置された複数の第一ビア群と第二ビア群とからなることを特徴とする請求項１３に記載の形成方法。
【請求項１０】
更に、前記絶縁層と前記金属ビアパターンの上の第二金属層を形成する工程を備え、前記第二金属層は、前記金属ビアパターンを通じて前記第一金属層と電気的に接続されることを特徴とする請求項１３に記載の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路用のボンドパッド構造に関するものであって、特に、ボンドパッド構造のトップビアパターンとその形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
物理的、電気的に半導体チップの下層にある回路に接続されるワイヤボンドは、プリント回路基板、或いは、セラミックモジュールなどのパッケージ素子へ特定の半導体チップを接続するために用いられている。ボンドパッドは、半導体チップに含まれる集積回路とチップパッケージ間のインターフェースである。電源／接地信号と入力／出力信号をチップデバイスに伝送するために、大量のボンドパッドが必要とされる。したがって、高い歩留まり率を保証するために、ボンドパッドの信頼性が充分に高いことが重要である。一般のボンドパッドは、層間絶縁（ＩＭＤ）層により隔てられた金属層と、その金属層を電気的に接続するためにＩＭＤ層を横切る金属ビアとからなる。保護層は、チップを汚染物質から密封するためと、擦り傷の防止のために、ボンディング側の上面を除く表面を被覆する。ワイヤーは、ボンドパッドと、チップとパッケージ間の電気的接続を形成するチップパッケージにボンディングされる。
【０００３】
ほとんどの場合、金属ビアは、最上層の金属層の下層のＩＭＤ層中で、格子の配列としてパターン化されている。しかし、金属ビアの小さい領域の周囲に位置する大きい露出したＩＭＤ層の表面領域は、ワイヤボンディングテストの間に受ける大きいボンディング力の結果として、欠陥構造、或いは、ＩＭＤ層のクラッキングを生じる可能性がある。ここで、大きいボンディング力は、上層のボンドパッドの至るところに分配される。ＩＭＤ層のクラッキングに伴って、重大な故障モードが生じる。一旦、小さいクラックが始まってＩＭＤ層に沿って広がると、それは圧力を受けて、その後の工程の間に広範囲に渡って成長する。クラックをなくすための一つのアプローチとして、トップ金属ビアが、メッシュパターンとして設計されている。このメッシュビアパターンは、主にパッド下部回路（ＣＵＰ）レイアウトにより誘発される不十分なフォトリソグラフィ工程ウィンドウのため、充分にホールを充填できない形で、形成、或いは、蒸着され、ラインビアが互いに交差する交差領域上に、不充分な被覆率を与えることが多い。このことは、信頼性、ボンド能力、品質管理（ＱＣ）の結果に影響を与え、歩留まりの影響は、チップ寸法の変化に依存して、１０〜１５％に達する可能性がある。不充分に充填された金属ビアから生じる可能性のある装置の問題を回避するために、設計ルールは、集積回路がボンドパッドの下になることを許容していない。
【特許文献１】特開２００２−１３４５０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、ラインビアの交差点での被覆率の不足を回避し、信頼性、ボンド能力、及び、品質管理の結果を改善することのできるボンドパッド構造のトップビアパターンを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施態様は、ラインビアの交差点での被覆率の不足を回避し、信頼性、ボンド能力、及び、品質管理の結果を改善するボンディングパッド構造のトップビアパターンを含む。
【０００６】
一つの形態において、本発明は、第一金属層と、この第一金属層の上の第二金属層と、前記第一金属層と前記第二金属層との間の絶縁層と、この絶縁層の中に位置し、前記第一金属層と前記第二金属層とを電気的に接続する金属ビアパターンとを有する。前記金属ビアパターンは、相互に近接した、少なくとも一つの第一ビア群と、少なくとも一つの第二ビア群とを有する。前記第一ビア群は、第一方向に延伸した少なくとも二つの第一ラインビアを有し、前記第二ビア群は、前記第一方向と異なる第二方向に延伸した少なくとも二つの第二ラインビアを有し、前記第一ラインビアは前記第二ラインビアに交差しない。
【０００７】
別の形態において、本発明は、マトリクス配列に配置された、複数の第一ビア群と第二ビア群を有する金属ビアパターンを備える。前記第一ビア群は、第一方向に延伸した少なくとも二つの第一ラインビアを有し、前記第二ビア群は、前記第一方向に垂直な第二方向に延伸した少なくとも二つの第二ラインビアを有する。前記第一ビア群は、平行に配置された三つのラインビアを有する。前記第二ビア群は、平行に配置された三つのラインビアを備える。集積回路は、ボンドパッド構造の下に位置する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のボンディングパッド構造のトップビアパターンにより、ラインビアの交差点での被覆率の不足を回避し、信頼性、ボンド能力、及び、品質管理の結果を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の実施形態は、ラインビアの交差点での不充分な被覆率に起因する前述の従来技術の問題を克服するための、ボンドパッド構造のトップビアパターンを備えている。本発明のトップビアパターンは、接着結果を保持するラインビアからなる少なくとも二つのビア群を備えている。特に、二つの近接するビア群は、その両者間に交差領域を生成しないで異なる方向に延伸したラインビアを有し、ビア被覆率の不足を回避して、信頼性、ボンド能力、及び、品質管理の結果を改善する。各ビア群は、好ましいボールシェアパフォーマンスのために、等分、且つ、均一に分布したラインビアを有してもよい。更に、パッド下の回路（ＣＵＰ）と呼ばれる、少なくともボンドパッド構造の下に位置する集積回路の部分は、より効果的なチップ領域の使用、或いは、チップ寸法の縮小を可能にする。
【００１０】
本明細書中で使用される「金属ビア」という用語は、ＩＭＤ層の金属充填開口を意味し、「トップビアパターン」は、ボンドパッド構造の最上層の金属層下のＩＭＤ層中の金属ビアパターンを意味し、「ラインビア」は、ＩＭＤ層のストライブ状の金属ビアを意味する。ラインの最終段階（ＢＥＯＬ）の配線技術において、「Ｍｔｏｐ金属層」は、トップ配線レベル金属層として形成される第一レベル金属層（最上層金属層）を意味し、「Ｍｔｏｐ−１金属層」は、Ｍｔｏｐ金属層の下に形成される第二レベル金属層を意味し、「Ｍｔｏｐ−Ｎ金属層」は、Ｍｔｏｐ−（Ｎ−１）金属層の下に形成される第（Ｎ＋１）レベル金属層を意味し、Ｎは、１以上の整数である。本発明の実施形態は、Ｍｔｏｐ金属層、及び、Ｍｔｏｐ−Ｎ金属層を形成するために、銅ベースの導電材料を使用する。銅ベースの導電材料は、実質的に純粋な元素銅を含むように意図され、銅は不可避な不純物を含み、銅合金は、タンタル、インジウム、スズ、亜鉛、マンガン、クロム、チタン、ゲルマニウム、ストロンチウム、プラチナ、マグネシウム、アルミニウム、或いは、ジルコニウム等の微量の元素を含む。標準的なダマスクプロセスは、銅ＢＥＯＬ配線とともに使用されてもよい。本発明の実施形態は、銅配線パターンを説明しているが、本発明はまた、ＢＥＯＬ配線に銅を除いた金属材料を使用した時の有用性をも提供する。
【００１１】
本発明の実施形態において、同様の部分には、可能な限り同じ符号が用いられる。図において、一実施形態の形状と厚さは、分かりやすくするために、誇張されている。特に示されない、或いは、説明されない素子は、当業者によく知られている様々な形態を採用してもよい。さらに、層が、他の層上、或いは、基板上にあるというときには、それは直接他の層又は基板上にあってもよく、或いは、中間層が存在してもよい。
【００１２】
図１の平面図は、トップビアパターンの典型的な実施形態を示し、図２の断面図は、図１の線２−２に沿ったトップビアパターンを有するボンドパッド構造を示す。配線工程に用いられる集積回路基板１０は、半導体集積回路工程で使用される半導体基板より構成され、集積回路は、その中、及び／又は、その上に形成される。半導体基板は、半導体材料からなる構造であることが定義され、これに限定されないが、バルクシリコン、半導体ウエハー、シリコン・オン・インシュレーター（ＳＯＩ）基板、或いは、ゲルマニウムＧｅ、ガリウム砒素ＧａＡｓ、ガリウムリンＧａＰ、インジウム砒素ＩｎＡｓ、及び、インジウムリンＩｎＰからなる基板を含む。集積回路は、複数の単一回路素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗器、コンデンサ、インダクタ、及び、その他の、受動、能動半導体素子を含む電子回路を意味する。
【００１３】
基板１０上で、層間絶縁（ＩＭＤ）層１４は、トップレベルのＩＭＤ層として形成され、Ｍｔｏｐ−１金属層１２とＭｔｏｐ金属層１６間に形成されるトップビアパターン２２を有する。パッシベーション層２４は、Ｍｔｏｐ金属層１６上に形成されて、ボンディング領域、探査領域、或いは、それらの組み合わせを含むパッドウィンドウ２６を規定する。Ｍｔｏｐ金属層１６は、導電経路の一部分であるターミナル接触領域を有し、金属パッドとボンディングワイヤに電気的に通じる露出表面（例えばパッドウィンドウ２６）を有する。更に、効率的にチップ領域を活用し、チップ寸法を縮小させるために、少なくとも集積回路の部分は、ボンドパッド構造の下に設計され、その結果としてＭｔｏｐ金属層１６にパッド下の回路（ＣＵＰ）領域がもたらされる。Ｍｔｏｐ−１金属層１２とＭｔｏｐ金属層１６の好ましい材料は、これに限定されないが、例えば、銅、銅合金、或いは、その他の銅ベースの導電材料である。ＩＭＤ層１４は、スピンコート、ＣＶＤ、及び、将来開発される蒸着工程等、様々な技術により、厚さが約１０００〜２００００オングストロームで形成される。ＩＭＤ層１４は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、Ｆ含有ＳｉＯ２、或いは、ｋ値が３．９以下、例えば、３．５、或いは、それ以下の比較的低誘電率の絶縁材料である様々なタイプの低ｋフィルムからなる。多種多様な低ｋ材料が、本発明の実施形態に用いられ、例えば、スピンオン無機絶縁体、スピンオン有機絶縁体、多孔性絶縁材料、有機ポリマー、有機シリカガラス、フッ化珪酸塩ガラス（ＦＳＧ）、ダイアモンド状カーボン、水素シルセスキオキサン（ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｓｉｌｓｅｑｕｉｏｘａｎｅ、ＨＳＱ）系材料、メチルシルセスキオキサン（ｍｅｔｈｙｌ  ｓｉｌｓｅｑｕｉｏｘａｎｅ、ＭＳＱ）系材料、或いは、多孔性有機系材料が用いられる。
【００１４】
トップビアパターン２２は、ラインビアと称される、複数の金属充填のストライブ形状の溝からなり、ラインビアの異なる延伸方向に従って、第一ビア群１８と第二ビア群２０と表示される。第一ビア群１８と第二ビア群２０は、ビア密度、機械強度、及び、装置性能の要求によって、特別に選択された様々な形式に配置される。一実施形態において、各第一ビア群１８は、マトリクス配列に配置されるように、各第二ビア群２０に近接して配置される。例えば、マトリクス配列の各列（或いは、行）に沿って、第一ビア群１８と第二ビア群２０は、相互に近接する列（或いは、行）に、異なる順序で、配置される。一実施形態において、各第一ビア群１８と第二ビア群２０は、略正方形形状になっている。もう一つの方法として、各第一ビア群１８と第二ビア群２０は、長方形形状、四角形形状、或いは、その他の幾何学形状にされる。各第一ビア群１８は、同一の、或いは、異なる方向に延伸する少なくとも二つのラインビアからなる。各第二ビア群２０は、同一の、或いは、異なる方向に延伸する少なくとも二つのラインビアからなる。特に、二つの近接するビア群１８、２０について、第一ビア群１８の各ラインビアは、第二ビア群２０の各ラインビアと交差しないので、二つのラインの交差点での被覆率不足を回避することができる。一つのビア群中のラインビアの配列、数量、面積は、本発明に限定されるものではない。例えば、一つのビア群のラインビアを無作為に分布させ、このビア群を正方形形状にしてもよい。
【００１５】
一実施形態において、各第一ビア群１８は、第一方向に延伸した少なくとも二つのラインビアからなる。各第二ビア群２０は、第一方向と異なる第二方向に延伸した少なくとも二つのラインビアからなる。例えば、第一方向は、第二方向に垂直である。一実施形態において、各第一ビア群１８は、平行に配列された三つのラインビア１８ａ、１８ｂ、及び、１８ｃからなり、各第二ビア群２０は、平行に配列された三つのラインビア２０ａ、２０ｂ、及び、２０ｃからなり、ラインビア１８ａ、１８ｂ、及び、１８ｃは、ラインビア２０ａ、２０ｂ、及び、２０ｃに垂直である。特に、二つの近接するビア群１８、２０について、第一ビア群１８の各ラインビア（１８ａ、１８ｂ、及び、１８ｃ）は、第二ビア群２０の各ラインビア（２０ａ、２０ｂ、及び、２０ｃ）に交差しないので、二つのラインビアの交差点での被覆率不足を回避することができる。
【００１６】
ラインビアは、所定の設計ルールにより許容される適切な距離で、互いに分離される。図３は、ラインビアの寸法設計の典型的な実施形態を示す平面図である。ラインビア１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、ラインビア２０ａ、２０ｂ、２０ｃは、同一寸法で、長さがｄ１、幅がｄ２、及び、二つのラインビア間のスペースｓ１、二つのビア群間のスペースｓ２、を有する。ｄ１、ｄ２、ｓ１の寸法は修正されて、ビア群１８、２０を正方形形状にする。或いは、各ビア群１８、２０は、長方形形状、四角形形状、又は、その他の幾何学形状にされる。一実施形態において、ラインビアの長さｄ１は、約３．０〜４．０μｍで、幅ｄ２は、約０．２５〜０．３５μｍ、一つのビア群内の二つのラインビア間のスペースｓ１は、約１．０〜２．０μｍ、二つのビア群間のスペースｓ２は、約１．５〜３．０μｍである。他の実施形態において、ｄ１、ｄ２、ｓ１の寸法は、所定の寸法設計により許容される適当な値に修正される。本発明の実施形態は、ビア群中で同一サイズを有するラインビアを示しているが、本発明は、ビア群中で、或いは、二つのビア群間で、相互に比較して形状と寸法において異なる特徴を有するラインビアを用いる時の有用性を提供する。
【００１７】
トップビアパターン２２は、既知の工程により、ＩＭＤ層１４に形成される。例えば、一般のリソグラフィ、及び、異方性エッチング操作（プラズマエッチング、或いは、反応性イオンエッチング）により、ラインビア（１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）の位置に相当する複数の開口がＩＭＤ層１４に形成されて、Ｍｔｏｐ−１金属層１２の一部が露出する。つぎに、一実施形態においてタングステンプラグ工程を用いて、開口は導電材料で充填される。他に知られている好ましいプラグ工程は、アルミニウムプラグ、銅プラグ、或いは、ケイ化物プラグ工程である。金属充填工程に続いて、必要であれば、表面を平坦化するために化学機械研磨（ＣＭＰ）が用いられる。Ｍｔｏｐ金属層１６、パッドウィンドウ２６を規定するパッシベーション層２４、金属パッド、及び、ボンディングワイヤは、その後、既知の技術により完成される。本発明の実施形態は、最高層のＩＭＤ層に形成されたビア群を示しているが、本発明は、銅配線システムの２レベルから８レベルまでの金属スタックボンドパッド構造のビア群等を形成する時の有用性を提供する。
【００１８】
本発明では好ましい実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変形を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】トップビアパターンの典型的な実施形態を示す平面図である。
【図２】図１の線２−２に沿ったトップビアパターンを有するボンドパッド構造を示す断面図である。
【図３】ラインビアの寸法設計の典型的な実施形態を示す平面図である。
【符号の説明】
【００２０】
１０  集積回路基板
１２  Ｍｔｏｐ−１金属層（第一金属層）
１４  ＩＭＤ層（絶縁層）
１６  Ｍｔｏｐ金属層（第二金属層）
１８  第一ビア群
１８ａ、１８ｂ、１８ｃ  ラインビア（第一ラインビア）
２０  第二ビア群
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ  ラインビア（第二ラインビア）
２２  トップビアパターン（金属ビアパターン）
２６  パッドウィンドウ
【図１】
2006261631.tif 000003
【図２】
2006261631.tif 000004
【図３】
2006261631.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記第一方向は、前記第二方向に垂直であることを特徴とする請求項７に記載の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記ビアパターンは、マトリクス配列に配置された複数の第一ビア群と第二ビア群とからなることを特徴とする請求項７に記載の形成方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
更に、前記絶縁層と前記金属ビアパターンの上の第二金属層を形成する工程を備え、前記第二金属層は、前記金属ビアパターンを通じて前記第一金属層と電気的に接続されることを特徴とする請求項７に記載の形成方法。