(57)【要約】【課題】  光源の明るさを下げた状態でもちらつきを防止する。【解決手段】  一定周期を持つパルス状の基準波形信号を基準波形信号発生回路８が発生する。基準波形信号と同一の極性を持ち、絶対値が最大である第１の値と絶対値が最小である第２の値との間で調整手段の操作によって変化可能な比較信号を調光ダイヤル１０が発生する。基準波形信号の絶対値が比較信号の絶対値を超える期間に、第１の状態から第２の状態に出力レベルが変化する矩形波信号を比較器６が発生する。比較信号の値を変化させることによって、一定周期に対する矩形波信号の第２の状態の比率を変化させ、前記矩形波信号に基づいて発光ダイオード２に電圧を印加する。基準波形信号の先端の角度を零度に近く設定してある。【選択図】        図１
2006196510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定周期を持つパルス状の基準波形信号を発生する基準波形信号発生手段と、
前記基準波形信号と同一の極性を持ち、絶対値が最大である第１の値と絶対値が最小である第２の値との間で調整手段の操作によって変化可能な比較信号を発生する比較信号発生手段と、
前記基準波形信号の絶対値が前記比較信号の絶対値を超える期間に、第1の状態から第2の状態に出力レベルが変化する矩形波信号を発生する比較手段とを、
備え、前記比較信号の値を変化させることによって、前記一定周期に対する前記矩形波信号の第２の状態の比率を変化させ、前記矩形波信号に基づいて光源に電圧を印加する調光装置において、
前記基準波形信号の先端の角度を零度に近く設定したことを特徴とする調光装置。
【請求項２】
請求項１記載の調光装置において、前記基準波形信号は、立ち上がり部分と立ち下がり部分とを有し、前記立ち上がり部分および立ち下がり部分の一方は、前記立下り部分から立ち上がり部分への変更点における接線が基準レベルに対してほぼ零度の角度をなし、前記立ち上がり部分および立ち下がり部分の他方は、前記立下り部分から立ち上がり部分への変更点における接線が基準レベルに対してほぼ直角の角度をなし、前記立ち上がり部分及び前記立下り部分の少なくとも一方は、指数関数状に変化する調光装置。
【請求項３】
請求項２記載の調光装置において、前記基準信号発生手段は、第１の状態と第２の状態とから１周期がなる基本波信号を発生する基本波発生回路と、前記基本波信号に基づいて前記基準波形信号を発生する波形整形回路とを、有し、
前記波形整形回路は、小さな充電時定数と、これよりも大きい放電時定数とを、有する充放電回路と、前記基本波の第１の状態から第２の状態への変化に応動して前記充電時定数に従って前記充放電回路に充電を開始させ、その充電電圧が所定値に達すると、前記放電時定数に従って前記充放電回路を放電させる充放電制御回路とを、有する
調光回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の明るさを調整する調光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光装置には、特許文献１に開示されているようなものがある。この発光装置では、基準波形信号として周期的に三角波信号を発生させ、これを比較器に供給するとともに、値を変化させることが可能な比較信号も比較器に供給し、三角波信号の値が比較信号よりも大きい期間に、比較器が例えばＨレベルとなる出力信号を発生する。比較信号の値を変化させることによってＨレベルである期間の三角波信号の１周期に対する比率（デュティ比）が変化する。デュティ比が変化する出力信号に基づいて駆動回路が、光源への電圧供給期間を調整する。従って、デュティ比が大きい期間には、前記１周期における長い期間にわたって光源に電圧が供給され、デュティ比が小さい期間には、前記１周期における短い期間にわたって光源に電圧が供給される。このように比較信号の値を変化させることによって、デュティ比を変化させ、光源の明るさが調整される。
【０００３】
【特許文献１】特開平８-２４１１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような調光装置は、例えば船舶等に使用される表示装置に使用されることがある。この場合、夜間に表示装置が明るすぎて視界を遮らないように、明るさを表示の内容が視認できる範囲でできるだけ低くする必要がある。例えば上記技術においては、デュティ比が小さくなるように比較信号の値を大きくする。この場合、使用されている電源電圧の値に変動がある場合、比較信号や三角波も変動し、デュティ比がばらつき、その結果、表示がちらつくことがあった。
【０００５】
本発明は、視認できる程度に明るさを低くしても、ちらつきを低減することができる調光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による調光装置では、基準波形信号発生手段が、一定周期を持つパルス状の基準波形信号を発生する。比較信号発生手段が、基準波形信号と同一の極性を持ち、絶対値が最大である第１の値と絶対値が最小である第２の値との間で調整手段の操作によって変化可能な比較信号を発生する。前記基準波形信号の絶対値が前記比較信号の絶対値を超える期間に、第１の状態から第２の状態に出力レベルが変化する矩形波信号を、比較手段が発生する。前記比較信号の値を変化させることによって、前記一定周期に対する前記矩形波信号の第２の状態の比率が変化し、前記矩形波信号に基づいて光源に電圧が印加される。例えば電圧が印加される期間が、矩形波信号に基づいて調整される。前記基準波形信号の先端の角度が零度に近く設定されている。例えば基準波形信号の先端においてその立ち上がり部分の接線と、立ち下がり部分の接線との交点がなす角度が零度に近くに設定されている。
【０００７】
このように構成した調光装置では、基準波形信号の先端の角度が零度に近い値であるので、明るさを視認できる程度に低くした場合、すなわち、比較信号の値が第１の値またはこれに近い値の状態では、基準波形信号が比較信号を超えている期間は、基準波形信号の１周期に対して短い。従って、基準波形信号の先端の値が変動しても、あるいは比較信号の値が変動しても、前記一定周期に対する前記矩形波信号の第２の状態の比率の変化は少なく、光源のちらつきも少なくなる。
【０００８】
前記基準波形信号は、立ち上がり部分と立ち下がり部分とを有するものとできる。この場合、前記立ち上がり部分および立ち下がり部分の一方は、前記立下り部分から立ち上がり部分への変更点における接線が基準レベルに対してほぼ零度の角度をなし、前記立ち上がり部分および立ち下がり部分の他方は、前記立下り部分から立ち上がり部分への変更点における接線が基準レベルに対してほぼ直角の角度をなし、前記立ち上がり部分及び前記立下り部分の少なくとも一方は、指数関数状に変化する。例えば立ち上がり部分が急峻に立ち上がる場合には、立下り部分は指数関数的に緩やかに立ち下がり、逆に立下がり部分が急峻に立ち下がる場合には、立ち上がり部分は指数関数的に緩やかに立ち上がる。なお、立ち上がり部分及び立ち下がり部分ともに指数関数的に変化させることも可能である。
【０００９】
このように構成すると、比較信号の値を小さい値として明るさを低くする場合には、立ち上がり部分及び立ち下がり部分の一方が緩やかに変化するので、前記一定周期に対する前記矩形波信号の第２の状態の比率は大きく、比較信号の値または基準波形信号の先端の値が変動しても、光源のちらつきが無い。しかも、明るさを変化させるために、比較信号の値を変化させた場合でも、基準波形信号の立ち上がり及び立下り部分の少なくとも一方は、指数関数的に緩やかに変化しているので、一定の比率で基準波形信号を変化させた場合と比較して、看者は明るさの変化を均一に感じる。
【００１０】
さらに、前記基準信号発生手段は、第１の状態と第２の状態とから１周期がなる基本波信号、例えば矩形波信号を発生する基本波発生回路と、前記基本波信号に基づいて前記基準波形信号を発生する波形整形回路とを有するものとできる。この場合、波形整形回路は、小さな充電時定数と、これよりも大きい放電時定数とを、有する充放電回路を備えている。充放電制御回路が、前記基本波の第１の状態から第２の状態への変化に応動して前記充電時定数に従って前記充放電回路に充電を開始させ、その充電電圧が所定値に達すると、前記放電時定数に従って前記充放電回路を放電させる。例えば充放電回路は、コンデンサと抵抗器とを備えたものとすることができる。コンデンサに接続される抵抗器の抵抗値を小さくして、充電時定数を小さくし、コンデンサに接続される抵抗器の抵抗値を大きくして放電時定数を大きくすることができる。この抵抗値の切換を充放電制御回路が行う。
【００１１】
このように構成すると、一定周期でデュティ比の誤差の少ない基本波に基づいて光源を制御することになるので、明るさのばらつきが低減し、より暗い明るさまで調光することが可能となる。なお、放電の開始時には、充電時定数と同じ時定数で急速に放電させ、所定値までコンデンサの電圧が低下すると、前記大きな放電時定数で放電させることもできる。このように構成すると、明るさを暗くする場合でも、比較信号の値または基準波形信号の先端の値が変動しても、前記一定周期に対する前記矩形波信号の第２の状態の比率の変化を少なくすることができて、ちらつきを無くすことができる上に、明るさを明るくする場合でも、前記一定周期に対する前記矩形波信号の第２の状態の比率は大きく、比較信号の値または基準波形信号の先端の値が変動しても、光源のちらつきが無い。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように、本発明によれば、光源の明るさを表示を視認できる程度に暗くしている状態でも、ちらつきが生じることを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の一実施形態の調光装置は、例えば船舶等に使用される表示装置の表示の明るさを調整するもので、図1に示すように、光源として発光素子、例えば発光ダイオード２を備えている。図1では、代表として１つの発光ダイオード２のみを示しているが、実際には多数の発光ダイオードが使用されている。この発光ダイオード２には、一定の直流電圧が、駆動回路４によってその供給期間が制御されて供給される。この供給期間は、繰り返される１周期の一部を占めており、この１周期に対する供給期間の比率（デュティ比）が多いほど、発光ダイオード２が1周期において発光する期間が長くなり、その結果、発光ダイオード２が明るく発光する。デュティ比が小さいほど、発光ダイオード２が１周期において発光する期間が短くなり、その結果、発光ダイオード２が暗く発光する。
【００１４】
駆動回路４は、このような制御を外部から供給されるデュティ比が変化する制御信号に基づいて行う。この制御信号には、例えば比較器６が発生する矩形波信号が使用される。比較器６には、基準波形信号発生手段、例えば基準波形信号発生部８からの基準波形信号と、比較信号発生手段、例えば調光ダイヤル１０からの比較信号とが供給され、基準波形信号が比較信号よりも小さいとき、第１の状態、例えばＬレベルで、基準波形信号が比較信号以上のとき、第２の状態、例えばＨレベルとなる矩形波信号を発生する。
【００１５】
基準波形信号発生部８は、基本波形発生回路８ａと、波形成形回路８ｂとからなる。基本波形発生回路８ａには、図３（ａ）に示す所定周期Ｔの矩形波信号を繰り返し発生する発振器、例えば持続発振器が使用されている。この矩形波信号の１周期は、第１の状態、例えばＬレベルの期間と、第２の状態、例えばＨレベルの期間とからなり、Ｌレベルの期間がＨレベルの期間よりも短い。波形成形回路８ｂは、基本波形発生回路８ａから供給される矩形波信号を波形成形して、基準波形信号を比較器６に供給する。この波形成形回路８ｂの詳細については、後述する。
【００１６】
調光ダイヤル１０は、比較信号として、例えば基準波形信号と同一極性、例えば正極性の直流電圧を比較器６に供給するもので、図示しない操作手段の操作によって、最も値が小さい第１の値と、最も値が大きい第２の値との間の任意の値の直流電圧を比較器６に供給する。なお、調光ダイヤル１０が発生する直流電圧は、操作手段の操作によって無段階に変化させることもできるし、段階的に変化させることもできる。
【００１７】
図２に示すように、波形成形回路８ｂは、充放電回路１２を有している。充放電回路１２は、コンデンサ１４を有し、その一端が基準電位点、例えば接地電位点に接続されている。コンデンサ１４の他端は、抵抗器１６、自己付勢開閉手段、例えばツェナーダイオード１８、抵抗器２０の直列回路を介して一方の極性、例えば正極性の電圧点＋Ｖｃｃに接続されている。ツェナーダイオード１８は、そのカソードが抵抗器１６側に、アノードが抵抗器２０側に位置するように接続されている。なお、自己付勢開閉手段は、その両端間に印加されている電圧の大きさに応じて自動的に開閉するもので、例えばツェナーダイオード１８は、そのカソード側がアノード側よりも正の状態で電圧が印加されている状態において、その電圧がツェナー電圧以上のときには導通し、ツェナー電圧よりも小さくなると非導通となる。無論、ツェナーダイオード１８は、アノード側がカソード側よりも正の状態では、通常のダイオードと同様に導通する。
【００１８】
抵抗器１６とツェナーダイオード１８との直列回路に並列に、抵抗器２２とツェナーダイオード２４との直列回路が接続されている。ツェナーダイオード２４は、カソードが抵抗器２２側に、アノードが抵抗器２０側に位置する極性で接続されている。抵抗器１６の抵抗値は、抵抗器２２の抵抗値よりも大きく設定され、ツェナーダイオード２２のツェナー電圧は、ツェナーダイオード１８のツェナー電圧よりも高く設定されている。
【００１９】
抵抗器２０とツェナーダイオード１８、２４のアノードとの接続点は、半導体スイッチング素子、例えばＮＰＮトランジスタ２６のコレクタ・エミッタ導電路を介して接地電位点に接続されている。半導体スイッチング素子は、その制御電極に所定の極性の制御信号が供給されたときに導通するもので、ＮＰＮトランジスタ２６の場合、ベース電極に正極性の電圧が供給されたときに、導通する。
【００２０】
従って、ＮＰＮトランジスタ２６が非導通の状態では、ツェナーダイオード１８、２４のアノード側に正の電圧が供給されているので、ツェナーダイオード１８、２４が導通し、抵抗器１６、２２の並列抵抗値とコンデンサ１４の容量とによって定まる充放電時定数に従ってコンデンサ１４が充電され、コンデンサ１４の他端（抵抗器１６、２２との接続点）の電圧が正の極性で上昇する。
【００２１】
ＮＰＮトランジスタ２６が導通したときには、コンデンサ１４の他端の電圧が大きく、ツェナーダイオード１８、２４の両端間の電圧は、それぞれのツェナー電圧以上の値であるので、導通を維持し、コンデンサ１４に充電された電荷は、抵抗器１６、２２、ツェナーダイオード１８、２４、トランジスタ２６を介して放電され、コンデンサ１４の他端の電圧は、抵抗器１６、２２の並列抵抗値とコンデンサ１４の容量とによって定まる充放電時定数に従って低下する。やがて、コンデンサ１４の他端の電圧が低下し、ツェナーダイオード２２のツェナー電圧よりも低下すると、ツェナーダイオード２４が非導通となる。但し、ツェナーダイオード１８のツェナー電圧は、ツェナーダイオード２４のツェナー電圧よりも小さく設定されているので、ツェナーダイオード１８は導通状態を維持している。従って、コンデンサ１４の電荷は、抵抗器１６、ツェナーダイオード１８、トランジスタ２６を介して放電される。このとき、コンデンサ１４の他端の電圧は、コンデンサ１４の容量と抵抗器１６の抵抗値によって定まる放電時定数に従って低下する。
【００２２】
ここで、抵抗器１６の抵抗値は、抵抗器２２の抵抗値よりも大きな値に設定されているので、抵抗器１６、２２の並列抵抗値は、抵抗器１６単独の抵抗値よりも小さくなる。従って、上述した充放電時定数は、上述した放電時定数よりも小さくなる。即ち、コンデンサ１４の充電は充放電時定数によって瞬時に行われ、コンデンサ１４の放電もその他端の電圧がツェナーダイオード２４のツェナー電圧まで低下するまでは充放電時定数に従って瞬時に行われるが、コンデンサ１４の他端の電圧がツェナーダイオード２４のツェナー電圧よりも低くなると、放電時定数に従って緩やかに行われる。
【００２３】
トランジスタ２６の導通、非導通の制御を行う充放電制御回路２８が、波形成形回路８ｂには設けられている。この充放電制御回路２８は、Ｓ−Ｒ型フリップフロップ３０を有している。Ｓ−Ｒ型フリップフロップ３０は、Ｑ端子及び／Ｑ端子を有し、／Ｑ端子が抵抗器３２を介してＮＰＮトランジスタ２６のベースに接続されている。Ｓ−Ｒ型フリップフロップ３０は、Ｓ端子とＲ端子とを有し、Ｓ端子に第１の状態、例えばＨレベルの電圧が供給され、Ｒ端子に第２の状態、例えばＬレベルの電圧が供給されたとき、Ｑ端子がＨレベル、／Ｑ端子がＬレベルの電圧となり、逆にＳ端子にＬレベルの電圧が供給され、Ｒ端子にＨレベルの電圧が供給されたとき、Ｑ端子がＬレベル、／Ｑ端子がＨレベルの電圧となる。また、Ｓ端子、Ｒ端子共にＬレベルの状態では、そのときのＱ端子、／Ｑ端子の電圧をそのまま維持する。
【００２４】
フィリップフロップ３０のＳ端子、Ｒ端子にＨまたはＬレベルの電圧を供給するために、比較器３４、３６が設けられている。比較器３４には、図１に示す基本波形発生回路８ａから、図３（ａ）に示す矩形波信号が供給されている。また、正極性の電圧点＋Ｖｃｃと接地電位点との間に直列に接続された３つの抵抗器３８、４０、４２のうち接地電位点に最も近い抵抗器３８の両端間電圧も比較器３４に供給されている。これら抵抗器３８、４０、４２の抵抗値は、等しい値に設定されている。従って、抵抗器３８の両端間の電圧は＋１／３Ｖｃｃである。基本波形発生回路８ａからの矩形波信号のＨレベルの値は、＋１／３Ｖｃｃよりも大きく設定され、Ｌレベルは＋１／３Ｖｃｃよりも小さく設定されている。そして、比較器３４は、基本波形発生回路８ａからの矩形波信号の値が＋１／３Ｖｃｃよりも小さくなったとき、Ｈレベルの電圧をフリップフロップ３０のＳ端子に供給する。
【００２５】
比較器３６には、充放電回路１２のコンデンサ１４の両端間電圧が供給され、かつ抵抗器３８、４０間の電圧、即ち＋２／３Ｖｃｃが供給されている。コンデンサ１４の両端間電圧は、最大に充電された際に、＋２／３Ｖｃｃ以上になるように、抵抗器１６、２０、２２の値が選択されている。そして、比較器３６は、コンデンサ１４の両端間電圧が＋２／３Ｖｃｃ以上になったとき、Ｈレベルの出力電圧をフリップフロップ３０のＲ端子に供給する。
【００２６】
次に、この波形整形回路８ｂの動作を図３を参照して説明する。当初、フリップフロップのＱ端子がＬレベル、／Ｑ端子がＨレベルであり、トランジスタ２６が導通し、コンデンサ１４は放電状態あり、比較器３６はＬレベルの電圧をＲ端子に供給し、また基本波形発生回路８ａからの矩形波信号はＨレベルであり、比較器３４もＬレベルの電圧をＲ端子に供給しているとする。
【００２７】
時刻ｔ１に、図３（ａ）に示すように基本波形発生回路８ａからの矩形波信号がＬレベルとなると、同図（ｂ）に示すように、比較器３４がＳ端子にＨレベルの電圧を供給する。このとき、同図（ｃ）に示すように、比較器３６はＲ端子にＬレベルの電圧を供給している。従って、フリップフロップ３０のＱ端子がＨレベル、／Ｑ端子がＬレベルとなり、トランジスタ２６は、同図（ｄ）に示すようにオフ（非導通）状態になる。
【００２８】
これによって、抵抗器２０からツェナーダイオード１８、抵抗器１６を介してコンデンサ１４に充電電流が流れると共に、抵抗器２０からツェナーダイオード２４、抵抗器２２を介してコンデンサ１４に充電電流が流れ、コンデンサ１４の充電が開始され、その充電電圧が同図（ｅ）に示すように上昇を開始する。この充電は、抵抗器１６、２２の並列抵抗値と抵抗器２０の抵抗値との直列抵抗値とコンデンサ１４の容量で定まる時定数に従って行われるが、抵抗値１６、２２の並列抵抗値は、抵抗器１６単独の抵抗値よりも小さいので、抵抗器１６及び２０の抵抗値とコンデンサ１４の容量とによって定まる時定数よりも小さく、同図（ｅ）に符号ｒで示すように急速に立ち上がる。
【００２９】
このようにコンデンサ１４の電圧が上昇している最中の時刻ｔ２において、基準波形発生回路８ａからの矩形波電圧がＨレベルとなり、比較器３４からＳ端子にはＬレベルの電圧が供給される。このとき、コンデンサ１４の両端間電圧は、まだ＋２／３Ｖｃｃを越えていないので、比較器３６はＬレベルの電圧をＲ端子に供給している。従って、Ｑ端子はＨレベル、／Ｑ端子はＬレベルの電圧を維持しており、トランジスタ２６は非導通状態を維持する。その結果、コンデンサ１４の充電が維持される。
【００３０】
そして時刻ｔ３に同図（ｅ）に示すように、コンデンサ１４の両端間電圧が＋２／３Ｖｃｃとなり、比較器３６がＨレベルの電圧をＲ端子に供給する。これによって、Ｑ端子がＨレベル、／Ｑ端子がＬレベルとなり、同図（ｄ）に示すように、トランジスタ２６がオン（導通）状態となる。
【００３１】
これによって、コンデンサ１４に充電された電荷が、抵抗器１６、ツエナーダイオード１８、トランジスタ２６を介して、かつ抵抗器２２、ツエナーダイオード２４、トランジスタ２６を介して放電され、コンデンサ１４の電圧が同図（ｅ）に立ち下がり始める。このときの放電時定数は、抵抗器１６、２２の並列抵抗値とコンデンサ１４の容量とで定められ、抵抗器１６単独の抵抗値とコンデンサ１４の容量とで定まる放電時定数よりも小さく、同図（ｅ）に符号ｄ１で示すようにコンデンサ１４の両端間電圧は急速に立ち下がる。
【００３２】
この放電によってコンデンサ１４の両端間電圧は、＋２／３Ｖｃｃよりも小さくなるので、時刻ｔ４には比較器３６からＲ端子にはＬレベルの電圧が供給される。これによって、Ｒ端子、Ｓ端子共にＬレベルとなるので、現在の状態がそのまま維持され、コンデンサ１４からの急速な放電が継続される。
【００３３】
やがて、コンデンサ１４の両端間電圧が、時刻ｔ５において、ツエナーダイオード２４のツェナー電圧以下になる。これによって、ツェナーダイオード２４がオフ状態になり、放電は抵抗器１６、ツェナーダイオード１８、トランジスタ２を介して行われるようになる。このときの放電時定数は、抵抗器１６の抵抗値とコンデンサ１４の容量とによって定まり、抵抗器１６単独の抵抗値は抵抗器１６、２２の並列抵抗値よりも大きいので、以後緩やかに放電が行われ、同図（ｅ）に符号ｄ２で示すようにコンデンサ１４の両端間電圧は緩やかに立ち下がり、やがてツェナーダイオード１８のツェナー電圧まで低下すると、ツェナーダイオード１８がオフとなり、放電が停止され、そのときの電圧をコンデンサ１４が維持する。その後、基本波形発生回路８ａの矩形波信号が再びＬレベルとなり、上述した動作を繰り返す。
【００３４】
このように充放電されるコンデンサ１４の両端間電圧が、波形整形回路８ｂからの基準波形信号として、図１に示す比較器６に供給される。この基準波形信号は、その立ち上がりの充電時定数と立ち下がりの初期の放電時定数とが小さく設定されているので、立ち上がりから立ち下がり変化する立ち上がり曲線ｒ１と立ち下がり曲線ｄ１との交点において、両曲線ｒ、ｄ１がなす角度であるピーク角度、例えば交点における曲線ｒ１の接線と曲線ｄ１の接線とがなす角度が鋭く、零度に近い角度である。
【００３５】
このような鋭いピーク角度を基準波形信号が持つので、次のような利点がある。例えば図４に示すように、比較器６に基準波形信号として通常の三角波信号が供給されている場合、調光ダイヤル１０からの比較信号として直流電圧の値が低い場合、即ち、発光ダイオード２を明るく光らせる場合、例えば電源電圧の変動によって三角波信号のピーク電圧の値が変動しても、同図（ｂ）に示すようにそのデュティ比の変化は余り大きくないので、発光ダイオード２のちらつきは目立たない。ところが、同図（ｃ）に示すように、調光ダイヤル１０からの比較信号としての直流電圧の値が調光ダイヤル１０が発生することができる最高電圧またはこれに近い場合、即ち、作業員が表示を視認できる程度に発光ダイオード２を暗く光らせる場合、電源電圧の変動によって三角波信号のピーク電圧の値が変動すると、同図（ｄ）に示すようにデュティ比の変化が大きく、発光ダイオード２のちらつきが目立つ。これは、三角波のピーク角度が緩やかであることに起因している。
【００３６】
これに対し、波形整形回路８ｂからの基準波形信号は、そのピーク角度が鋭いので、図５（ａ）に示すように調光ダイヤル１０からの比較信号としての基準電圧の値が最高電圧またはこれに近い値で、かつ電源電圧の変動があって基準波形信号のピーク電圧が変動しても、デュティ比の変化は余り大きくないので、発光ダイオード２がちらつくことはない。
【００３７】
また、基準波形信号の立ち下がり部分は、立ち下がり部分ｄ１では指数関数的に急速に変化し、立ち下がり部分ｄ２では指数関数的に緩やかに立ち下がるので、次のような利点がある。図６（ａ）は、基準波形信号として三角波信号と、調光ダイヤル１０からの比較電圧を１段階から７段階まで等間隔に変化させた場合を示し、同図（ｂ）は、各比較電圧を使用した場合に、比較器６が発生する電圧を示している。この場合、比較電圧を等間隔に例えば第１段階から第７段階まで変化させると、比較器６が電圧を発生する間隔も等間隔に変化し、発光ダイオード２が発光する期間も等間隔的に変化するが、人の目の感度の影響を受け、等間隔で明るさが変化したようには見えない。例えば比較電圧を１乃至３で変化させると明るさが大きく変化したように見え、比較電圧を３から５に変化させた場合には明るさが徐々に変化したように見え、比較電圧を５から７に変化させた場合には、殆ど明るさが変化したようには見えない。
【００３８】
一方、図７（ａ）は、波形成形回路８ｂが発生する基準波形信号と調光ダイヤル１０からの比較電圧を１段階から７段階まで等間隔に変化させた場合を示し、同図（ｂ）は、各比較電圧を使用した場合に、比較器６が発生する電圧を示している。この場合、比較電圧が１乃至４の場合、概ね立ち下がり曲線ｄ１の部分にこれら電圧は交差する。また、比較電圧４乃至７の場合、概ね立ち下がり曲線ｄ２の部分にこれら電圧は交差する。従って、比較電圧１乃至４の部分は細かく区切って、即ち、比較器６が電圧を発生する期間を等間隔ではなく細かく変化させ、比較電圧４乃至７の部分は比較器６が電圧を発生する期間を等間隔ではなく大きく変化させ、人の目には明るさが等間隔で変化したように見えるようにしている。
【００３９】
上記の実施の形態では、基準波形信号自体を立ち上がりが急峻で、ピーク電圧からの立ち下がりの初期段階で急峻に立ち下がるように構成したが、例えば図４に示したような三角波電圧のピーク付近に、三角波電圧のピークよりもピーク電圧が高く、そのピークでの立ち上がり部分と立ち下がり部分とがなす角度が零度に近い急峻なパルス信号を重畳することもできる。上記の実施の形態では、ツェナーダイオード１８、２４を用いて、基準波形信号の立ち下がり曲線を途中で切り換えたが、ツェナーダイオードと抵抗器との直列回路の数を更に増加させて、基準波形信号の立ち下がり曲線の形状を変化させることもできる。また、ツェナーダイオード２４に代えて通常のダイオードを使用し、充電はダイオードとツェナーダイオード１８とによって急速に充電し、放電はツェナーダイオード１８のみによって行うようにすることもできる。或いは、ツェナーダイオード１８、２４に平行に通常のダイオードを設け、充電はツェナーダイオード１８、２４、通常のダイオードによって急速に行い、放電はツェナーダイオード１８、２４によって緩やかに行うこともできる。また、抵抗器３８、４０、４２の値は等しい値としたが、それぞれ異なった値とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の１実施形態の調光装置のブロック図である。
【図２】図１の調光装置の波形成形回路の回路図である。
【図３】図２の波形成形回路の動作説明図である。
【図４】図１の調光装置において基準波形信号として三角波信号を使用した場合における比較電圧の値を大きくした場合の各部の動作説明図である。
【図５】図１の調光装置において比較電圧の値を大きくした場合の各部の動作説明図である。
【図６】図１の調光装置において基準波形信号として三角波信号を使用し、かつ比較電圧を等間隔に変化させた場合の各部の動作説明図である。
【図７】図１の調光装置において比較電圧を等間隔に変化させた場合の各部の動作説明図である。
【符号の説明】
【００４１】
２  発光ダイオード（光源）
４  駆動回路
６  比較器
８  基準波形発生回路（基準波形信号発生手段）
１０  調光ダイヤル（比較電圧発生手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006196510.tif 000007
【図６】
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【図７】
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