(57)【要約】【課題】本発明は封止空間内において電気信号を印加することにより機械的動作を行うアクティブ素子を有する封止型電子部品を含む複合型電子部品に関して、それを用いた電子機器の小型化や多機能化に貢献することができる。【解決手段】封止空間内において電気信号を印加することにより機械的動作を行うアクティブ領域９を有する封止型電子部品４を含む複数の電子部品からなる電子機器において、封止型電子部品４における封止空間を形成するパッケージ１０の少なくとも一壁面を他の電子部品３の外表面を用いて形成する構成とした。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
封止空間内において電気信号を印加することにより機械的動作を行うアクティブ領域を有する封止型電子部品を含む複数の電子部品からなり、前記封止型電子部品における封止空間を形成するパッケージの少なくとも一壁面を前記他の電子部品の外表面を用いて形成したことを特徴とする複合型電子部品。
【請求項２】
封止型電子部品における封止空間を形成するパッケージの少なくとも一壁面を、他の電子部品の外表面と常温接合することにより形成したことを特徴とする請求項１に記載の複合型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止空間内において電気信号を印加することにより機械的動作を行うアクティブ領域を有する封止型電子部品を含む複合型電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話等のモバイル電子機器においては、カメラ機能の付加といった多機能化が進められており、その中でモバイル型電子機器を形成する各種電子部品は、その多機能化に対して素子数の増大を招き、その外形寸法の小型化が重要となっている。
【０００３】
そして、従来、この様な電子機器を形成する電子部品において、特に封止空間内において機械的動作を行うアクティブ領域を有する封止型電子部品の小型化についてはチップサイズパッケージ（以下、ＣＳＰと称する）等の手法が知られている。
【０００４】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平０６−９７７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、近年におけるモバイル電子機器自体の小型化や、多機能化の進行が早く、封止空間内において機械的動作を行うアクティブ領域を有する各封止型電子のＣＳＰ化などを用いて小型化を進めても、この電子機器自体の小型化、多機能化の進行に伴う電子部品の小型化が非常に困難なものとなっている。
【０００６】
そこで、本発明はこのような課題を解決し、電子機器の小型化や多機能化に適した複合型電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的を達成するために本発明は、特に、封止空間内において電気信号を印加することにより機械的動作を行うアクティブ領域を有する封止型電子部品を含む複数の電子部品からなる電子機器において、封止型電子部品における封止空間を形成するパッケージの少なくとも一壁面を他の電子部品の外表面を用いて形成する構成としたのである。
【発明の効果】
【０００８】
この構成によれば、封止型電子部品を封止するパッケージの少なくとも一壁面と他の電子部品の外表面とを共有化でき部品占有体積を削減できるとともに、封止型実装部品の実装領域を他の部品の実装領域として利用可能とでき、結果として電子部品の小型化や多機能化に貢献することができるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態について図を用いて説明する。
【００１０】
図１は、携帯電話等の電子機器における内部回路構造を模式的に示したもので、回路基板１上にはコンデンサやインダクタやパワーアンプを形成するＩＣなどのチップ部品２、内層部分においてパターン電極３ａを用いて適宜回路構成した積層部品３、ＳＡＷフィルタ４のような封止型電子部品といったモバイル型電子機器を構成する複数の電子部品が実装された構成となっている。
【００１１】
また、ＳＡＷフィルタ４は図２に示されるように、圧電基板５の表面に櫛形電極からなるトランスデューサ６が適宜形成され、一方の櫛形電極に高周波信号を入力することでこの高周波信号により圧電基板５に弾性表面波という機械的動作が生じ、この弾性表面波により高周波信号が他の櫛形電極に伝達する破線で囲むアクティブ領域９を基本構造とし、このアクティブ領域９の機械的動作に要する空間を確保すべく、後述する金属パッド８ａ，８ｂ及び積層部品３の上面部分からなるパッケージ１０によりアクティブ領域９を封止した封止型電子部品となっている。なお、トランスデューサ６に対する高周波信号の導通はバンプ７により行われるもので、このバンプ７による電気的接続は金属パッド８ａ，８ｂの接合と同時に電気的接続が行われている。
【００１２】
また、積層部品３は低温焼成セラミクスなどの誘電体からなる多層構造であり、内層部分において電極パターン３ａを適宜配置するとともに上面部分において電極パターン３ａとして形成し難いダイオード素子３ｂなどを別に実装し、高周波スイッチなどの所定の電子回路を形成したものである。
【００１３】
そして、この実装形態においては図２に示されるように、ＳＡＷフィルタ４と積層部品３を一体化した複合型電子部品として取り扱っており、この積層部品３の上面に一体化されたＳＡＷフィルタ４は、先にも述べたようにＳＡＷフィルタ４を形成するパッケージ１０の一壁面として積層部品３の上面部分を活用した構造としている。
【００１４】
この構造によれば、トランスデューサ６からなるアクティブ領域９を封止するパッケージ１０が部分的に他の電子部品となる積層部品３の上面部分と共用化されることから、電子機器の内部空間においてＳＡＷフィルタ４と積層部品３の占める部品占有体積を削減できるとともに、図１に示す回路基板１上において積層部品３とＳＡＷフィルタ４が個別に実装されていたものと比べ、積層部品３上にＳＡＷフィルタ４を実装させることで実装領域を新たな部品実装領域として活用できるようになるため、電子機器の多機能化、つまり部品点数の増加に対応できるのである。
【００１５】
また、このようにトランスデューサ６からなるアクティブ領域９を封止するパッケージ１０の開口端と電子部品（積層部品３）の外表面とを接続するにあたっては、封止するアクティブ領域９を囲む領域と、それに対向する電子部品（積層部品３）の外表面に、それぞれ金や銅などで金属パッド８ａ，８ｂを形成し、この金属パッド８ａ，８ｂの表面をプラズマにより活性化させ、この活性化された金属パッド８ａ，８ｂ同士を直接貼り合わせることにより常温接合することが望ましい。
【００１６】
すなわち、このような工法でトランスデューサ６からなるアクティブ領域９を封止するパッケージ１０の開口端と電子部品（積層部品３）の外表面とを接続することで、接合時には常温による加工が施されることになり、アクティブ領域９を内蔵するパッケージ１０に熱的応力が加わることを防止でき、その結果として熱的応力に伴うアクティブ領域９の性能劣化が抑制できるのである。
【００１７】
なお、上述した一実施形態においては、アクティブ領域９として圧電基板５にトランスデューサ６を適宜配置したＳＡＷフィルタを挙げて説明したが、このアクティブ領域９としてＦＢＡＲ，ＭＥＭＳといった機械的動作空間を要するものにおいても同様の作用効果を奏することができるのである。
【００１８】
また、パッケージ１０の一部を構成する電子部品としては、積層部品３の他にもＩＣなどを用いても同様の効果を奏するものであり、この場合ＩＣの外表面が平坦度の非常に高いものであるため、先に述べたような常温接合には有効な条件を備えたものとなる。
【産業上の利用可能性】
【００１９】
以上のように本発明は、封止空間内において電気信号を印加することにより機械的動作を行うアクティブ領域を有する封止型電子部品を含む複数の電子部品において、電子機器の小型化や多機能化に貢献できるという作用を有し、特にモバイル電子機器に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態を示す電子機器における内部回路構造の模式図
【図２】同電子機器を構成するＳＡＷフィルタの断面図
【符号の説明】
【００２１】
３  積層部品（電子部品）
４  ＳＡＷフィルタ（封止型電子部品）
９  アクティブ領域
１０  パッケージ
【図１】
2006202799.tif 000003
【図２】
2006202799.tif 000004