(57)【要約】【課題】  加工特性や接触部材の寿命に悪影響を与えることなく、常に良好で均一な電解加工を行うことができるようにする。【解決手段】  被加工物Ｗに近接自在な加工電極８４と、被加工物に給電する給電電極８６と、被加工物と加工電極及び／または給電電極との間に配置され被加工物と接触自在な接触部材４０と、加工電極と給電電極との間に電圧を印加する電源９０と、被加工物と加工電極及び／または給電電極とを相対運動させる駆動部６２，８２と、被加工物と加工電極及び／または給電電極との間に流体を供給する流体供給部８０ａ，９４と、接触部材の被加工物との接触面に接触して該接触面のコンディショニングを行うコンディショナー４８を備えたコンディショニング部５０を有する。【選択図】  図４
2006009103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物に近接自在な加工電極と、
前記被加工物に給電する給電電極と、
前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極との間の少なくとも一方に配置され前記被加工物と接触自在な接触部材と、
前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加する電源と、
前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極の少なくとも一方とを相対運動させる駆動部と、
前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極との間の少なくとも一方に流体を供給する流体供給部と、
前記接触部材の前記被加工物との接触面に接触して該接触面のコンディショニングを行うコンディショナーを備えたコンディショニング部を有することを特徴とする電解加工装置。
【請求項２】
被加工物に近接自在な加工電極と、
前記被加工物に給電する給電電極と、
前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極との間の少なくとも一方に配置され前記被加工物と接触自在な接触部材と、
前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加する電源と、
前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極の少なくとも一方とを相対運動させる駆動部と、
前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極との間の少なくとも一方に流体を供給する流体供給部と、
前記接触部材の前記被加工物との接触面に接触させて該接触面のコンディショニングするコンディショナーと前記被加工物の一方を選択的に保持する保持部を有することを特徴とする電解加工装置。
【請求項３】
前記接触部材は、電解質を含む部材または絶縁体、またはこれらの任意の組合せからなることを特徴とする請求項１または２記載の電解加工装置。
【請求項４】
前記電解質は、固体電解質からなることを特徴とする請求項３記載の電解加工装置。
【請求項５】
前記固体電解質は、イオン交換体からなることを特徴とする請求項４記載の電解加工装置。
【請求項６】
前記接触部材は導電性パッドからなり、前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極との間のいずれか一方に配置されることを特徴とする請求項１または２記載の電解加工装置。
【請求項７】
前記コンディショナーの少なくとも前記接触部材の接触面に接触する部位は、砥粒を固定した研磨体からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電解加工装置。
【請求項８】
前記研磨体の前記接触部材の接触面に接触する研磨面の平坦度は１００μｍ以下で、前記砥粒の直径は５μｍ以下であることを特徴とする請求項７記載の電解加工装置。
【請求項９】
前記コンディショナーは、遊離砥粒を用いて研磨を行う研磨パッドからなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電解加工装置。
【請求項１０】
前記遊離砥粒の直径は、５μｍ以下であることを特徴とする請求項９記載の電解加工装置。
【請求項１１】
被加工物に接触して電解加工を行う接触部材の該被加工物との接触面にコンディショナーを接触させ、
液体の存在下で、前記接触部材と前記コンディショナーとを相対的に移動させて接触部材のコンディショニングを行うことを特徴とする接触部材のコンディショニング方法。
【請求項１２】
前記接触部材のコンディショニングを、接触部材を設置または交換した後、電解加工のインターバル時、または被加工物の電解加工と同時に行うことを特徴とする請求項１１記載の接触部材のコンディショニング方法。
【請求項１３】
被加工物を着脱自在に保持する保持部でコンディショナーを保持し、
被加工物に接触して電解加工を行う接触部材の該被加工物との接触面に前記コンディショナーを接触させ、
液体の存在下で、前記接触部材と前記コンディショナーとを相対的に移動させて接触部材のコンディショニングを行うことを特徴とする接触部材のコンディショニング方法。
【請求項１４】
前記接触部材のコンディショニングを、接触部材を設置または交換した後、または電解加工のインターバル時に行うことを特徴とする請求項１３記載の接触部材のコンディショニング方法。
【請求項１５】
前記接触部材のコンディショニングにより、接触部材の前記被加工物との接触面の平坦度を１００μｍ以下、接触面の表面粗さを５μｍ以下にすることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれかに記載の接触部材のコンディショニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハ等の基板の表面に形成された導電性材料を加工したり、基板の表面に付着した不純物を除去したりするのに使用される電解加工装置及び該電解加工装置に備えられている接触部材のコンディショニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウエハ等の基板上に回路を形成するための配線材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレーション耐性が高い銅（Ｃｕ）を用いる動きが顕著になっている。この種の銅配線は、基板の表面に設けた微細凹みの内部に銅を埋め込むことによって一般に形成される。この銅配線を形成する方法としては、化学気相成長法（ＣＶＤ）、スパッタリング及びめっきといった手法があるが、いずれにしても、基板のほぼ全表面に銅を成膜して、化学機械的研磨（ＣＭＰ）により不要の銅を除去するようにしている。
【０００３】
図１（ａ）乃至図１（ｃ）は、この種の銅配線基板Ｗの一製造例を工程順に示す。先ず、図１（ａ）に示すように、半導体素子が形成された半導体基材１上の導電層１ａの上にＳｉＯ２からなる酸化膜やＬｏｗ−ｋ材膜などの絶縁膜２が堆積され、リソグラフィ・エッチング技術によりコンタクトホール３と配線溝４が形成される。これらの上にＴａＮ等からなるバリア膜５、更にその上に電解めっきの給電層としてのシード層７がスパッタリングやＣＶＤ等により形成される。
【０００４】
そして、基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、図１（ｂ）に示すように、半導体基板Ｗのコンタクトホール３及び配線溝４内に銅を充填するとともに、絶縁膜２上に銅膜６を堆積する。その後、化学機械的研磨（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上の銅膜６、シード層７及びバリア膜５を除去して、コンタクトホール３及び配線溝４内に充填させた銅膜６の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図１（ｃ）に示すように銅膜６からなる配線が形成される。
【０００５】
最近ではあらゆる機器の構成要素において微細化かつ高精度化が進み、サブミクロン領域での物作りが一般的となるにつれて、加工法自体が材料の特性に与える影響は益々大きくなっている。このような状況下においては、従来の機械加工のように、工具が被加工物を物理的に破壊しながら除去していく加工方法では、加工によって被加工物に多くの欠陥を生み出してしまうため、被加工物の特性が劣化してしまう。したがって、いかに材料の特性を損なうことなく加工を行うことができるかが問題となってくる。
【０００６】
この問題を解決する手段として開発された特殊加工法に、化学研磨や電解加工、電解研磨がある。これらの加工方法は、従来の物理的な加工とは対照的に、化学的溶解反応を起こすことによって、除去加工等を行うものである。したがって、塑性変形による加工変質層や転位等の欠陥は発生せず、上述の材料の特性を損なわずに加工を行うといった課題が達成される。
【０００７】
例えば、ＣＭＰ工程は、一般にかなり複雑な操作が必要で、制御も複雑となり、加工時間もかなり長い。更に、研磨後の基板の後洗浄を十分に行う必要があるばかりでなく、スラリーや洗浄液の排液処理のための負荷が大きい等の課題がある。このため、ＣＭＰ自体を省略もしくはこの負荷を軽減することが強く求められていた。また、今後、層間絶縁膜も誘電率の小さいＬｏｗ−ｋ材に変わると予想され、そのＬｏｗ−ｋ材は、機械的強度が弱くＣＭＰによるストレスに耐えられなくなる。従って、基板にストレスを与えることなく、平坦化できるようにしたプロセスが望まれている。
【０００８】
このような課題を解決する手段として、電極と被加工物の間に接触部材（例えばイオン交換体）を配置し、電解液として純水もしくは超純水のような電気抵抗の大きな液体を用いて加工を行うことで、被加工物に与える機械的ストレスをなくし、後洗浄も簡便な電解加工が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
これは、図２に示すように、被加工物１０の表面に、加工電極１４に取付けたイオン交換体（接触部材）１２ａと、給電電極１６に取付けたイオン交換体（接触部材）１２ｂとを接触乃至近接させ、加工電極１４と給電電極１６との間に電源１７を介して電圧を印加しつつ、加工電極１４及び給電電極１６と被加工物１０との間に液体供給部１９から超純水等の加工用液体１８を供給して、被加工物１０の表面層の除去加工を行うようにしたものである。この電解加工によれば、超純水等の加工用液体１８中の水分子２０をイオン交換体１２ａ，１２ｂで水酸化物イオン２２と水素イオン２４に解離し、例えば生成された水酸化物イオン２２を、被加工物１０と加工電極１４との間の電界と超純水等の加工用液体１８の流れによって、被加工物１０の加工電極１４と対面する表面に供給して、ここでの被加工物１０近傍の水酸化物イオン２２の密度を高め、被加工物１０の原子１０ａと水酸化物イオン２２を反応させる。反応によって生成された反応物質２６は、超純水等の加工用液体１８中に溶解し、被加工物１０の表面に沿った超純水等の加工用液体１８の流れによって被加工物１０から除去される。
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−１４５３５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
例えば、イオン交換体からなる接触部材を被加工物に接触させて電解加工を行う電解加工では、接触部材と被加工物の被加工表面との接触部乃至その近傍において選択的に加工が進む。従って、加工レートや加工の面内均一性等の加工特性を常に良好に維持するためには、接触部材の被加工物との接触面の状態（平面度及び表面粗さ）を常に一定に保つことが望まれる。
【００１２】
しかしながら、交換前後における接触部材の被加工物との接触面の状態（平面度及び表面粗さ）のばらつきや接触部材の被加工物との接触面の使用に伴う劣化等により、接触部材の被加工物との接触面の状態が変化することがある。すると、接触部材に接触して電解加工される被加工物の加工レートや加工の面内均一性等の加工特性が接触部材の被加工物との接触面の状態の影響を受けて変化する。例えば、被加工物の被加工表面と接触部材との接触面積が変化すると、加工電極と給電電極との間に印加される電圧や被加工物と加工電極及び／または給電電極との間を流れる電流の分布が変化したり、流体の流入量等が変化したりして、加工特性や接触部材の寿命に悪影響を与える。特に、接触面積が小さい場合は、接触部材の被加工物との接触面に電流が集中して流れ、この結果、接触部材の表面に加工生成物が付着したり、局部的な発熱が生じて接触部材が融解したりする。また、被加工物と接触部材の接触圧力が変化して高くなると、被加工物の表面がダメージを受けて該表面にスクラッチ等が生じてしまう。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、加工特性や接触部材の寿命に悪影響を与えることなく、常に良好で均一な電解加工を行うことができるようにした電解加工装置及び該電解加工装置に備えられている接触部材のコンディショニング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１に記載の発明は、被加工物に近接自在な加工電極と、前記被加工物に給電する給電電極と、前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極との間の少なくとも一方に配置され前記被加工物と接触自在な接触部材と、前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加する電源と、前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極の少なくとも一方とを相対運動させる駆動部と、前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極との間の少なくとも一方に流体を供給する流体供給部と、前記接触部材の前記被加工物との接触面に接触して該接触面のコンディショニングを行うコンディショナーを備えたコンディショニング部を有することを特徴とする電解加工装置である。
【００１５】
これにより、電解加工の際に被加工物に接触する接触部材の該被加工物との接触面を、この平面度及び表面粗さが所定値以下となるように、コンディショニング部のコンディショナーを介してコンディショニングすることができる。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、被加工物に近接自在な加工電極と、前記被加工物に給電する給電電極と、前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極との間の少なくとも一方に配置され前記被加工物と接触自在な接触部材と、前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加する電源と、前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極の少なくとも一方とを相対運動させる駆動部と、前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極との間の少なくとも一方に流体を供給する流体供給部と、前記接触部材の前記被加工物との接触面に接触させて該接触面のコンディショニングするコンディショナーと前記被加工物の一方を選択的に保持する保持部を有することを特徴とする電解加工装置である。
【００１７】
これにより、電解加工の際に被加工物を保持し電解加工後に基板の保持を解く保持部でコンディショナーを保持した状態で、このコンディショナーにあたかも電解加工を施すように操作することで、接触部材の被加工物との接触面を保持部で保持したコンディショナーでコンディショニングすることができる。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、前記接触部材は、電解質を含む部材または絶縁体、またはこれらの任意の組合せからなることを特徴とする請求項１または２記載の電解加工装置である。
請求項４に記載の発明は、前記電解質は、固体電解質からなることを特徴とする請求項３記載の電解加工装置である。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、前記固体電解質は、イオン交換体からなることを特徴とする請求項４記載の電解加工装置である。
このように、固体電解質としてイオン交換体を使用することで、超純水等の液体中の水分子の水酸化物イオンと水素イオンへの解離を促進して、水分子の解離量を増加させることができる。
請求項６に記載の発明は、前記接触部材は導電性パッドからなり、前記被加工物と前記加工電極または前記給電電極との間のいずれか一方に配置されることを特徴とする請求項１または２記載の電解加工装置である。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、前記コンディショナーの少なくとも前記接触部材の接触面に接触する部位は、砥粒を固定した研磨体からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電解加工装置である。
砥粒を固定した研磨体（固定砥粒）で硬質な研磨面を構成することで、接触部材の被加工物との接触面に傷（スクラッチ）が発生するのを防止しつつ、安定した研磨速度と高い平坦度を得ることができる。しかも、研磨砥粒を含まない研磨液、純水、超純水または電気伝導度が５００μｍ以下の液体を供給しつつコンディショニングを行うことができ、これによって、電解加工と同時に接触部材のコンディショニングを行うとともに、環境問題の負荷を低減することができる。
【００２１】
請求項８に記載の発明は、前記研磨体の前記接触部材の接触面に接触する研磨面の平坦度は１００μｍ以下で、前記砥粒の直径は５μｍ以下であることを特徴とする請求項７記載の電解加工装置である。
これにより、接触部材の被加工物との接触面の平坦度が１００μｍ以下、表面粗さが５μｍ以下となるように、接触部材をコンディショニングすることができる。
【００２２】
請求項９に記載の発明は、前記コンディショナーは、遊離砥粒を用いて研磨を行う研磨パッドからなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電解加工装置である。
研磨パッドは、一般に剛性が低いが、高い剛性を有するものを使用することで、平坦度を高めることができる。
請求項１０に記載の発明は、前記遊離砥粒の直径は、５μｍ以下であることを特徴とする請求項９記載の電解加工装置である。
【００２３】
請求項１１に記載の発明は、被加工物に接触して電解加工を行う接触部材の該被加工物との接触面にコンディショナーを接触させ、液体の存在下で、前記接触部材と前記コンディショナーとを相対的に移動させて接触部材のコンディショニングを行うことを特徴とする接触部材のコンディショニング方法である。
請求項１２に記載の発明は、前記接触部材のコンディショニングを、接触部材を設置または交換した後、電解加工のインターバル時、または被加工物の電解加工と同時に行うことを特徴とする請求項１１記載の接触部材のコンディショニング方法である。
【００２４】
請求項１３に記載の発明は、被加工物を着脱自在に保持する保持部でコンディショナーを保持し、被加工物に接触して電解加工を行う接触部材の該被加工物との接触面に前記コンディショナーを接触させ、液体の存在下で、前記接触部材と前記コンディショナーとを相対的に移動させて接触部材のコンディショニングを行うことを特徴とする接触部材のコンディショニング方法である。
請求項１４に記載の発明は、前記接触部材のコンディショニングを、接触部材を設置または交換した後、または電解加工のインターバル時に行うことを特徴とする請求項１３記載の接触部材のコンディショニング方法である。
【００２５】
請求項１５に記載の発明は、前記接触部材のコンディショニングにより、接触部材の前記被加工物との接触面の平坦度を１００μｍ以下、接触面の表面粗さを５μｍ以下にすることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれかに記載の接触部材のコンディショニング方法である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、電解加工の際に被加工物に接触する接触部材の該被加工物との接触面を、この平面度及び表面粗さが所定値以下となるように、コンディショナーを介してコンディショニングすることができ、これによって、接触部材の被加工物表面への接触状態を一定に保って、電解加工における加工特性の安定化や接触部材の長寿命化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態に係る電解加工装置について、図面を参照して詳細に説明する。
図３は、本発明の実施の形態に係る電解加工装置を備えた基板処理装置の構成を示す平面図である。図３に示すように、この基板処理装置は、例えば、図１（ｂ）に示すように、表面に導電体膜（被加工部）としての銅膜６を有する基板Ｗを収納したカセットを搬出入する搬出入部としての一対のロード・アンロード部３０と、基板Ｗを反転させる反転機３２と、電解加工装置３４と、電解加工後の基板Ｗを洗浄・乾燥する洗浄部３９を備えている。これらの機器は直列に配置されており、これらの機器の間で基板Ｗを搬送して授受する搬送装置としての搬送ロボット３６がこれらの機器と平行に配置されている。また、電解加工装置３４による電解加工の際に、後述する加工電極８４と給電電極８６との間に印加する電圧またはこれらの間を流れる電流をモニタするモニタ部３８がロード・アンロード部３０に隣接して配置されている。
【００２８】
図４は、電解加工装置３４を模式的に示す縦断面図、図５は、図４の平面図である。図４及び図５に示すように、電解加工装置３４は、表面に接触部材４０を取付けた電極部４２と、基板保持部４４で基板Ｗを着脱自在に保持して電極部４２との間で基板Ｗに電解加工を行う電解加工部４６と、接触部材４０の表面（上面）をコンディショナー４８でコンディショニングするコンディショニング部５０を有している。
【００２９】
この例では、電極部４２として、基板保持部４４で保持する基板Ｗの直径の２倍以上の直径を有するものを使用し、基板保持部４４とコンディショナー４８が電極部４２の中心を挟んで左右に位置するようにして、基板Ｗの表面全域を電解加工し、電極部４２の接触部材４０を同時にコンディショニングできるようにした例を示している。
【００３０】
電解加工部４６は、上下動可能かつ水平方向に揺動自在なアーム５２を備え、このアーム５２の自由端に、表面を下向き（フェースダウン）して基板Ｗを吸着保持する基板保持部４４が垂設されている。アーム５２は、揺動用モータ５４に連結された揺動軸５６の上端に取付けられており、揺動用モータ５４の駆動に伴って水平方向に揺動する。揺動軸５６は、上下方向に延びるボールねじ５８に連結されており、ボールねじ５８に連結された上下動用モータ６０の駆動に伴ってアーム５２と共に上下動する。
【００３１】
基板保持部４４は、基板保持部４４で保持した基板Ｗと電極部４２とを相対移動させる第１駆動部としての自転用モータ６２に接続されており、この自転用モータ６２の駆動に伴って回転（自転）する。また、上述したように、アーム５２は、上下動及び水平方向に揺動可能となっており、基板保持部４４は、アーム５２と一体となって上下動及び水平方向に揺動可能となっている。
【００３２】
コンディショニング部５０もほぼ同様に、上下動可能かつ水平方向に揺動自在なアーム６４を備え、このアーム６４の自由端に支持体６６が垂設され、この支持体６６の下面にコンディショナー４８が取付けられている。アーム６４は、揺動用モータ６８に連結された揺動軸７０の上端に取付けられており、揺動用モータ６８の駆動に伴って水平方向に揺動する。揺動軸７０は、上下方向に延びるボールねじ７２に連結されており、ボールねじ７２に連結された上下動用モータ７４の駆動に伴ってアーム６４と共に上下動する。
【００３３】
支持体６６は、支持体６６に取付けたコンディショナー４８と電極部４２とを相対移動させる駆動部としての自転用モータ７６に接続されており、この自転用モータ７６の駆動に伴って回転（自転）する。また、上述したように、アーム６４は、上下動及び水平方向に揺動可能となっており、支持体６６は、アーム６４と一体となって上下動及び水平方向に揺動可能となっている。
【００３４】
コンディショナー４８は、この例では、酸化セリウム（ＣｅＯ２）等の砥粒を、例えばフェノール樹脂等のバインダを用いて板状に固定した研磨体（固定砥粒）から構成されている。そして、この表面（下面）を研磨面４８ａとして、液体（研磨液）の存在下で、この研磨面４８ａを接触部材４０の基板Ｗとの接触面（上面）４０ａに所定の圧力で押圧しつつ、コンディショナー４８と接触部材４０とを相対運動させることで、接触部材４０の接触面４０ａの研磨によるコンディショニングを行う。
【００３５】
このように、砥粒を固定した研磨体（固定砥粒）でコンディショナー４８を構成することで、硬質な研磨面４８ａを得ることができ、これによって、接触部材４０の基板Ｗとの接触面４０ａの表面に傷（スクラッチ）が発生するのを防止しつつ、該接触面４０ａを安定した研磨速度で研磨して、高い平坦度を得ることができる。しかも、研磨砥粒を含まない研磨液、純水、超純水または電気伝導度が５００μｍ以下の液体を供給しつつ接触部材４０のコンディショニングを行うことができ、これによって、基板Ｗの電解加工と接触部材４０のコンディショニング（研磨）を同時に行うとともに、環境問題の負荷を低減することができる。
【００３６】
コンディショナー（研磨体）４８の、接触部材４０の接触面４０ａに接触する研磨面４８ａの平坦度は１００μｍ以下で、固定される砥粒の直径は５μｍ以下であることが好ましい。これにより、接触部材４０の基板Ｗとの接触面４０ａを、平坦度が１００μｍ以下、表面粗さが５μｍ以下となるように、コンディショナー４８でコンディショニング（研磨）することができる。
【００３７】
なお、例えば、不織布、スポンジまたは発泡ウレタン等の樹脂材料からなる研磨パッドでコンディショナーを構成し、遊離砥粒を用いて研磨（コンディショニング）を行うようにしてもよい。このような研磨パッドは、一般に剛性が低いが、高い剛性を有するものを使用することで、平坦度を高めることができる。また、直径が５μｍ以下の遊離砥粒を用いることで、接触部材４０の基板Ｗとの接触面４０ａを、表面粗さが５μｍ以下となるようにコンディショニング（研磨）することができる。
【００３８】
コンディショナー４８として研磨パッドを用いた場合は、例えば、研磨砥粒の材質や砥粒径、コンディショナー４８の接触部材４０の基板Ｗとの接触面４０ａへの接触圧力、コンディショナー４８の接触部材４０の基板Ｗとの接触面４０ａへの接触量、コンディショナー４８と接触部材４０との相対運動速度、及びコンディショニング時間（研磨時間）等でコンディショニング量（研磨量）が制御される。
【００３９】
電極部４２は、絶縁体からなる円板状のテーブル８０と、テーブル８０に直結されて該テーブル８０を回転（自転）させる駆動部としての中空モータ８２を有している。テーブル８０の上面には、扇状の複数の加工電極８４と給電電極８６が表面（上面）を露出させて交互に埋設され、これらの加工電極８４と給電電極８６は、電解加工の際に基板Ｗの表面（下面）と接触するシート状の接触部材４０で一体に覆われている。
【００４０】
加工電極８４は、スリップリング８８を介して電源９０の陰極に接続され、給電電極８６は、スリップリング８８を介して電源９０の陽極に接続される。例えば、銅を加工する場合においては、陰極側に電解加工作用が生じるので、陰極に接続した電極が加工電極となり、陽極に接続した電極が給電電極となる。一方、加工材料によっては、給電電極８６を電源９０の陰極に接続し、加工電極８４を電源９０の陽極に接続してもよい。例えば、被加工材料が例えばアルミニウムやシリコンである場合には、陽極側で電解加工作用が生じるため、電源の陽極に接続した電極が加工電極となり、陰極に接続した電極が給電電極となる。
【００４１】
ここで、加工電極８４及び給電電極８６は、電解反応により、酸化または溶出が一般に問題となる。このため、電極の素材として、電極に広く使用されている金属や金属化合物よりも、炭素、比較的不活性な貴金属、導電性酸化物または導電性セラミックスを使用することが好ましい。この貴金属を素材とした電極としては、例えば、下地の電極素材にチタンを用い、その表面にめっきやコーティングで白金またはイリジウムを付着させ、高温で焼結して安定化と強度を保つ処理を行ったものが挙げられる。セラミックス製品は、一般に無機物質を原料として熱処理によって得られ、各種の非金属・金属の酸化物・炭化物・窒化物などを原料として、様々な特性を持つ製品が作られている。この中に導電性を持つセラミックスもある。電極が酸化すると電極の電気抵抗値が増加し、印加電圧の上昇を招くが、このように、白金などの酸化しにくい材料やイリジウムなどの導電性酸化物で電極表面を保護することで、電極素材の酸化による導電性の低下を防止することができる。
【００４２】
接触部材４０は、この例では、電解質を有する部材、例えばイオン交換体から構成されている。このように、基板Ｗと加工電極８４及び給電電極８６との間にイオン交換体からなる接触部材４０を挟むことで、加工速度を大幅に向上させることができる。つまり、超純水電気化学的加工は、超純水中の水酸化物イオンと被加工材料との化学的相互作用によるものである。しかし、超純水中に含まれる反応種である水酸化物イオン濃度は、常温・常圧状態で１０−７ｍｏｌ／Ｌと微量であるため、除去加工反応以外の反応（酸化膜形成等）による除去加工効率の低下が考えられる。このため、除去加工反応を高効率で行うためには、水酸化物イオンを増加させる必要がある。そこで、水酸化物イオンを増加させる方法として、触媒材料により超純水の解離反応を促進させる方法があり、その有力な触媒材料としてイオン交換体が挙げられる。具体的には、イオン交換体中の官能基と水分子との相互作用により水分子の解離反応に関する活性化エネルギを低下させる。これによって、水の解離を促進させて、加工速度を向上させることができる。
【００４３】
更に、この例では、電解加工の際に、イオン交換体からなる接触部材４０が基板Ｗに接触するようにしている。イオン交換体からなる接触部材４０と基板Ｗとが近接した状態では、この間隔の大きさにもよるが、電気抵抗がある程度大きいので、必要とする電流密度を与えようとした時の電圧が大きくなる。しかし、一方では、非接触であるため、基板Ｗの表面に沿った純水または超純水の流れが作り易く、基板表面での反応生成物を高効率で除去することができる。これに対して、イオン交換体からなる接触部材４０を基板Ｗに接触させると、電気抵抗が極めて小さくなって、印加電圧も小さくて済み、消費電力も低減できる。
【００４４】
また、加工速度を上げるために電圧を上げて電流密度を大きくすると、電極と基板（被加工物）との間の抵抗が大きい場合では、放電が生じる場合がある。放電が生じると、被加工物表面にピッチングが起こり、加工面の均一性や平坦化が困難となる。これに対して、イオン交換体からなる接触部材４０を基板Ｗに接触させると、電気抵抗が極めて小さいことから、このような放電が生じることを防止することができる。
【００４５】
この実施の形態にあっては、電極部４２のテーブル８０に設けた貫通孔８０ａを通して、電極部４２の上面に、純水、好ましくは超純水を供給する。つまり、テーブル８０の中央部には、純水、好ましくは超純水を供給する液体供給部としての貫通孔８０ａが設けられている。そして、この貫通孔８０ａは、中空モータ８２の中空部の内部を延びる純水供給管９２に接続されている。純水（超純水）は、この貫通孔８０ａを通して電極部４２の上面に供給された後、接触部材４０の全域に供給される。
【００４６】
更に、図５に示すように、電極部４２の上方には、複数の供給口を有し、電極部４２の直径方向に沿って延びて、電極部４２の上面に、純水、好ましくは超純水を供給する液体供給部としての純水ノズル９４が配置されている。これによって、純水、好ましくは超純水が電極部４２の上下方向から同時に供給される。
【００４７】
次に、この実施の形態における電解加工装置３４を備えた基板処理装置を用いた基板処理（電解加工）について説明する。まず、例えば、図１（ｂ）に示すように、表面に導電体膜（被加工部）として銅膜６を形成した基板Ｗを収納したカセットをロード・アンロード部３０にセットし、このカセットから１枚の基板Ｗを搬送ロボット３６で取出す。搬送ロボット３６は、取出した基板Ｗを必要に応じて反転機３２に搬送し、基板Ｗの導電体膜（銅膜６）を形成した表面が下を向くように反転させる。
【００４８】
搬送ロボット３６は反転させた基板Ｗを受け取り、これを電解加工装置３４に搬送し、基板保持部４４に吸着保持させる。そして、電解加工部４６のアーム５２を移動させて基板Ｗを保持した基板保持部４４を電極部４２の上方の加工位置まで移動させる。次に、上下動用モータ６０を駆動して基板保持部４４を下降させて、この基板保持部４４で保持した基板Ｗを電極部４２の接触部材４０の上面に所定の圧力で接触させる。
【００４９】
この接触部材４０と基板Ｗとの接触圧力は、低接触圧力という観点から、１３．７ｋＰａ（１４０ｇｆ／ｃｍ２、２．０ｐｓｉ）以下、より好ましくは６．８６ｋＰａ（７０ｇｆ／ｃｍ２、１．０ｐｓｉ）以下、更に好ましくは３．４３Ｐａ（３５ｇｆ／ｃｍ２、０．５ｐｓｉ）以下である。
【００５０】
この状態で、自転用モータ６２を駆動して、基板Ｗを基板保持部４４と一体に回転（自転）させ、同時に、中空モータ８２を駆動して、電極部４２を回転（自転）させる。これによって、基板Ｗと電極部４２を相対運動させる。このとき、純水供給管９２及び電極部４２のテーブル８０に設けた貫通孔８０ａを通して、更には、純水ノズル９４を通して、電極部４２の上面に純水、好ましくは超純水等の流体を供給する。
なお、純水供給管９２及び電極部４２のテーブル８０に設けた貫通孔８０ａ、または純水ノズル９４の一方を通して電極部４２の上面に純水等を供給するようにしてもよい。またコンディショニング部５０にあっては、支持体６６及びコンディショナー４８の内部を通して、電極部４２に上面に純水等を供給するようにしてもよい。
【００５１】
そして、電源９０により加工電極８４と給電電極８６との間に所定の電圧を印加して、固体電解質からなる接触部材（イオン交換体）４０により生成された水素イオンまたは水酸化物イオンによって、加工電極８４において基板Ｗの表面の導電体膜（銅膜６）の電解加工を行う。
【００５２】
電解加工中には、加工電極８４と給電電極８６との間に印加する電圧、またはこの間を流れる電流をモニタ部３８でモニタして、エンドポイント（加工終点）を検知する。すなわち、同じ電圧（電流）を印加した状態で電解加工を行うと、材料によって流れる電流（印加される電圧）に違いが生じる。例えば、図６（ａ）に示すように、表面に材料Ｂと材料Ａとを順次成膜した基板Ｗの該表面に電解加工を施したときに流れる電流をモニタすると、材料Ａを電解加工している間は一定の電流が流れるが、異なる材料Ｂの加工に移行する時点で流れる電流が変化する。同様に、加工電極８４と給電電極８６との間に印加される電圧にあっても、図６（ｂ）に示すように、材料Ａを電解加工している間は一定の電圧が印加されるが、異なる材料Ｂの加工に移行する時点で印加される電圧が変化する。なお、図６（ａ）は、材料Ｂを電解加工するときの方が、材料Ａを電解加工するときよりも電流が流れにくくなる場合を、図６（ｂ）は、材料Ｂを電解加工するときの方が、材料Ａを電解加工するときよりも電圧が高くなる場合の例を示している。これにより、この電流または電圧の変化をモニタすることでエンドポイントを確実に検知することができる。
【００５３】
なお、モニタ部３８で加工電極８４と給電電極８６との間に印加する電圧、またはこの間を流れる電流をモニタして加工終点を検知するようにした例を説明したが、このモニタ部３８で、加工中における基板の状態の変化をモニタして、任意に設定した加工終点を検知するようにしてもよい。この場合、加工終点は、被加工面の指定した部位について、所望の加工量に達した時点、または加工量と相関関係を有するパラメータが所望の加工量に相当する量に達した時点を指す。このように、加工の途中においても、加工終点を任意に設定して検知できるようにすることで、多段プロセスでの電解加工が可能となる。
【００５４】
例えば、基板が異材料に達したときに生じる摩擦係数の違いによる摩擦力の変化や、基板の表面の凹凸を平坦化する際、凹凸を除去したことにより生じる摩擦力の変化等を検出することで加工量を判断し、加工終点を検出することとしてもよい。また、被加工面の電気抵抗による発熱や、加工面と被加工面との間に液体（純水）の中を移動するイオンと水分子の衝突による発熱が生じ、例えば基板の表面に堆積した銅膜を定電圧制御でする際には、電解加工が進み、バリア層や絶縁膜が露出するのに伴って、電気抵抗が大きくなり電流値が小さくなって発熱量が順に減少する。したがって、この発熱量の変化を検出することで加工量を判断し、加工終点を検出することとしてもよい。あるいは、異材料に達した時に生じる反射率の違いによる反射光の強度の変化を検出して、基板上の被加工膜の膜厚を検知し、これにより加工終点を検出してもよい。
【００５５】
また、銅膜等の導電性膜の内部に渦電流を発生させ、基板の内部を流れる渦電流をモニタし、例えば周波数やインピーダンスの変化を検出して、基板上の被加工膜の膜厚を検知し、これにより加工終点を検出してもよい。更に、電解加工にあっては、加工電極と給電電極との間を流れる電流値で加工レートが決まり、加工量は、この電流値と加工時間の積で求められる電気量に比例する。したがって、電流値と加工時間の積で求められる電気量を積算し、この積算値が所定の値に達したことを検出することで加工量を判断し、加工終点を検出してもよい。
【００５６】
この電解加工と同時に、必要に応じて、電極部４２の接触部材４０のコンディショナー４８によるコンディショニングを行う。つまり、コンディショニング部５０のアーム６４を移動させて、支持体６６に取付けたコンディショナー４８を電極部４２の上方のコンディショニング位置まで移動させる。次に、上下動用モータ７４を駆動し、コンディショナー４８を下降させて電極部４２の接触部材４０の基板Ｗとの接触面（上面）４０ａに所定の圧力で接触させ、同時に自転用モータ７６を駆動して、コンディショナー４８を回転（自転）させる。これにより、純水、好ましくは超純水の存在の下で、砥粒を固定した研磨体（固定砥粒）からなるコンディショナー４８により接触部材４０の基板Ｗとの接触面４０ａの研磨（コンディショニング）を行う。
【００５７】
つまり、前述のように、電極部４２の上面には純水、好ましくは超純水が供給されており、このため、コンディショナー４８を接触部材４０の接触面４０ａに所定の圧力で接触させ、コンディショナー４８と接触部材４０とを相対運動させることで、接触部材４０の基板Ｗとの接触面４０ａのコンディショナー４８による研磨（コンディショニング）を行うことができる。
【００５８】
このコンディショナー４８による研磨（コンディショニング）は、コンディショナー４８の接触部材４０の接触面４０ａへの接触圧力、コンディショナー４８の接触部材４０の接触面４０ａへの接触量、コンディショナー４８と接触部材４０との相対運動速度で制御することができる。コンディショニング時の接触圧力及び接触量は、例えば仕上げ時に接触圧力及び接触量を小さくする等、コンディショニング中において、任意に変化させるようにしてもよい。
【００５９】
そして、コンディショニング終了後、コンディショナー４８の回転を停止させ、しかる後、コンディショナー４８を上昇させ、アーム６４を移動させて、コンディショナー４８を基の位置に戻す。
なお、この例では、ボールねじの送り量でコンディショナー４８の接触部材４０の接触面４０ａへの接触圧力等を制御するようにしているが、シリンダを使用してコンディショナーを昇降させ、このシリンダの圧力を調整して接触部材４０の接触面４０ａへの接触圧力等を制御してもよく、また両者を併用してもよい。
【００６０】
電解加工完了後、電源９０の加工電極８４及び給電電極８６との接続を切り、基板保持部４４及び電極部４２の回転を停止させ、しかる後、基板保持部４４を上昇させ、アーム５２を移動させて、基板Ｗを搬送ロボット３６に受渡す。基板Ｗを受け取った搬送ロボット３６は、必要に応じて、基板Ｗを反転機３２に搬送して反転させ、洗浄部３９に搬送して洗浄乾燥し、乾燥後の基板Ｗをロード・アンロード部３０のカセットに戻す。
【００６１】
なお、例えば、接触部材４０を設置した後で、この設置した接触部材４０で電解加工を行う前や、接触部材４０を交換した後で、交換後の接触部材４０で電解加工を行う前、更には電解加工のインターバル時等に、接触部材４０のコンディショニングのみを、電解加工と独立に行ってもよい。この場合、加工電極８４と給電電極８６との間に電圧を印加することなく、電極部４２の上面に純水、好ましくは超純水を供給しつつ、コンディショナー４８を接触部材４０の接触面４０ａに所定の圧力で接触させ、コンディショナー４８と接触部材４０とを相対運動させる。
【００６２】
ここで、電解加工（及びコンディショニング）中に電極部４２の上面に供給する純水は、例えば、電気伝導度（１ａｔｍ，２５℃換算、以下同じ）が１０μＳ／ｃｍ以下の水であり、超純水は、例えば電気伝導度が０．１μＳ／ｃｍ以下の水である。このように電解質を含まない純水または超純水を使用して電解加工を行うことで、基板Ｗの表面に電解質等の余分な不純物が付着したり、残留したりすることをなくすことができる。更に、電解によって溶解した銅イオン等が、イオン交換体からなる接触部材４０にイオン交換反応で即座に捕捉されるため、溶解した銅イオン等が基板Ｗの他の部分に再度析出したり、酸化されて微粒子となり基板Ｗの表面を汚染したりすることがない。
【００６３】
しかも、砥粒を固定した研磨体でコンディショナー４８を構成することで、純水や超純水を供給しつつ、接触部材４０のコンディショニングを行うことができ、これによって、基板Ｗの電解加工と接触部材４０のコンディショニングを同時に行い、しかも環境問題の負荷を低減することができる。
【００６４】
純水または超純水の代わりに、電気伝導度５００μＳ／ｃｍ以下の液体、例えば純水または超純水に電解質を添加した電解液を使用してもよい。電解液を使用することで、電気抵抗を低減して消費電力を削減することができる。この電解液としては、例えば、ＮａＣｌやＮａ２ＳＯ４等の中性塩、ＨＣｌやＨ２ＳＯ４等の酸、更には、アンモニア等のアルカリなどの溶液を使用することができ、被加工物の特性によって適宜選択して使用することができる。
【００６５】
更に、純水または超純水の代わりに、純水または超純水に界面活性剤等を添加して、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下、好ましくは、５０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは、０．１μＳ／ｃｍ以下（比抵抗で１０ＭΩ・ｃｍ以上）にした液体を使用してもよい。このように、純水または超純水に界面活性剤を添加することで、基板Ｗと接触部材４０の界面にイオンの移動を防ぐ一様な抑制作用を有する層を形成し、これによって、イオン交換（金属の溶解）の集中を緩和して被加工面の平坦性を向上させることができる。ここで、界面活性剤濃度は、１００ｐｐｍ以下が好ましい。
【００６６】
ここで、接触部材（イオン交換体）４０としては、通水性に優れたものを使用することがより好ましい。純水または超純水が接触部材４０を通過するように流すことで、水の解離反応を促進させる官能基（強酸性陽イオン交換材料ではスルホン酸基）に十分な水を供給して水分子の解離量を増加させ、水酸化物イオン（もしくはＯＨラジカル）との反応により発生した加工生成物（ガスも含む）を水の流れにより除去して、加工効率を高めることができる。
【００６７】
上述した接触部材４０を構成するイオン交換体は、例えば、アニオン交換基またはカチオン交換基を付与した不織布等で構成することができる。カチオン交換基部は、好ましくは強酸性カチオン交換基（スルホン酸基）を担持したものであるが、弱酸性カチオン交換基（カルボキシル基）を担持したものでもよい。また、アニオン交換基部は、好ましくは強塩基性アニオン交換基（４級アンモニウム基）を担持したものであるが、弱塩基性アニオン交換基（３級以下のアミノ基）を担持したものでもよい。
【００６８】
ここで、例えば強塩基アニオン交換基を付与した不織布は、繊維径２０〜５０μｍで空隙率が約９０％のポリオレフィン製の不織布に、γ線を照射した後グラフト重合を行ういわゆる放射線グラフト重合法により、グラフト鎖を導入し、次に導入したグラフト鎖をアミノ化して第４級アンモニウム基を導入して作製される。導入されるイオン交換基の容量は、導入するグラフト鎖の量により決定される。グラフト重合を行うためには、例えばアクリル酸、スチレン、メタクリル酸グリシジル、更にはスチレンスルホン酸ナトリウム、クロロメチルスチレン等のモノマーを用い、これらのモノマー濃度、反応温度及び反応時間を制御することで、重合するグラフト量を制御することができる。したがって、グラフト重合前の素材の重量に対し、グラフト重合後の重量の比をグラフト率と呼ぶが、このグラフト率は、最大で５００％が可能であり、グラフト重合後に導入されるイオン交換基は、最大で５ｍｅｑ／ｇが可能である。
【００６９】
強酸性カチオン交換基を付与した不織布は、上記強塩基性アニオン交換基を付与する方法と同様に、繊維径２０〜５０μｍで空隙率が約９０％のポリオレフィン製の不織布に、γ線を照射した後グラフト重合を行ういわゆる放射線グラフト重合法により、グラフト鎖を導入し、次に導入したグラフト鎖を、例えば加熱した硫酸で処理してスルホン酸基を導入して作製される。また、加熱したリン酸で処理すればリン酸基が導入できる。ここでグラフト率は、最大で５００％が可能であり、グラフト重合後に導入されるイオン交換基は、最大で５ｍｅｑ／ｇが可能である。
【００７０】
なお、接触部材（イオン交換体）４０の素材の材質としては、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系高分子、またはその他有機高分子が挙げられる。また素材形態としては、不織布の他に、織布、シート、多孔質材、短繊維等が挙げられる。ここで、ポリエチレンやポリプロピレンは、放射線（γ線と電子線）を先に素材に照射する（前照射）ことで、素材にラジカルを発生させ、次にモノマーと反応させてグラフト重合することができる。これにより、均一性が高く、不純物が少ないグラフト鎖ができる。一方、その他の有機高分子は、モノマーを含浸させ、そこに放射線（γ線、電子線、紫外線）を照射（同時照射）することで、ラジカル重合することができる。この場合、均一性に欠けるが、ほとんどの素材に適用できる。
【００７１】
このように、接触部材（イオン交換体）４０をアニオン交換基またはカチオン交換基を付与した不織布で構成することで、純水または超純水や電解液等の液体が不織布の内部を自由に移動して、不織布内部の水分解触媒作用を有する活性点に容易に到達することが可能となって、多くの水分子が水素イオンと水酸化物イオンに解離される。更に、解離によって生成した水酸化物イオンが純水または超純水や電解液等の液体の移動に伴って効率良く運ばれるため、低い印加電圧でも高電流が得られる。
【００７２】
ここで、接触部材（イオン交換体）４０をアニオン交換基またはカチオン交換基の一方を付与したもののみで構成すると、電解加工できる被加工材料が制限されるばかりでなく、極性により不純物が生成しやすくなる。そこで、アニオン交換基を有するアニオン交換体とカチオン交換基を有するカチオン交換体とを重ね合わせたり、イオン交換基部自体にアニオン交換基とカチオン交換基の双方の交換基を付与するようにしたりしてもよく、これにより、被加工材料の範囲を拡げるとともに、不純物を生成しにくくすることができる。
【００７３】
本発明は、種々の電解加工装置に適用でき、加工液、接触部材の組合せは、種々に適用可能である。イオン交換体の他に、例えば内部に電解液を保持したセラミック含浸材で電解質を有する部材を構成してもよい。また、接触部材として、絶縁体または導電性パッド、更にはこれらと電解質を有する部材を任意に組合せたものを使用してもよい。
【００７４】
この例によれば、電解加工の際に基板Ｗに接触する接触部材４０の該基板Ｗとの接触面４０ａを、この平面度及び表面粗さが所定値以下となるように、コンディショニング部５０のコンディショナー４８を介してコンディショニングすることで、交換前後における接触部材４０の基板Ｗとの接触面４０ａの状態（平面度及び表面粗さ）のばらつきや接触部材４０の基板Ｗとの接触面４０ａの使用に伴う劣化等により、接触部材４０の基板Ｗとの接触面４０ａの状態が変化することを防止することができる。これによって、接触部材４０の基板Ｗ表面への接触状態を一定に保って、電解加工における加工特性の安定化や接触部材４０の長寿命化を図ることができる。
【００７５】
図７は、本発明の他の実施の形態の電解加工装置を示す。この図７に示す電解加工装置の図４及び図５に示す電解加工装置と異なる点は、コンディショニング部５０を省略し、基板Ｗとほぼ同じ形状とした、例えば砥粒を固定した研磨体からなるコンディショナー９６を別途用意して、基板保持部４４で基板Ｗとコンディショナー９６を選択的に保持できるようにした点である。
【００７６】
つまり、この例は、基板保持部４４で基板Ｗを保持し、電極部４２の上面に純水等を供給しながら、基板保持部４４で保持した基板Ｗを電極部４２の接触部材４０に所定の圧力で接触させつつ、基板Ｗと電極部４２を相対運動させる。同時に、電源９０により加工電極８４と給電電極８６との間に所定の電圧を印加することで電解加工を行う。そして、基板保持部４４でコンディショナー９６を保持し、電極部４２の上面に純水等を供給しながら、基板保持部４４で保持したコンディショナー９６を電極部４２の接触部材４０に所定の圧力で接触させつつ、基板Ｗと電極部４２を相対運動させることで、接触部材４０のコンディショニング（研磨）を行う。
【００７７】
この例によれば、接触部材４０のコンディショニングを基板Ｗの電解加工と同時に行うことはできず、例えば、接触部材４０を設置した後で、この設置した接触部材４０で電解加工を行う前や、接触部材４０を交換した後で、交換後の接触部材４０で電解加工を行う前、更には電解加工のインターバル時等に、接触部材４０のコンディショニングのみを電解加工と独立に行うのであるが、コンディショニング部を省略することで、構造の簡素化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】銅配線基板の一製造例を工程順に示す図である。
【図２】加工電極及び給電電極を基板（被加工物）に近接させ、加工電極及び給電電極と基板（被加工物）との間に純水等の液体を供給して電解加工を行う電解加工の原理の説明に付する図である。
【図３】本発明の実施の形態における電解加工装置を備えた基板処理装置の構成を示す平面図である。
【図４】図３に示す電解加工装置を模式的に示す縦断正面図である。
【図５】図４の平面図である。
【図６】（ａ）は、異なる材料を成膜した基板の表面に電解加工を施したときに流れる電流と時間の関係を、（ｂ）は、同じく印加される電圧と時間の関係をそれぞれ示すグラフである。
【図７】本発明の他の実施の形態の電解加工装置を模式的に示す縦断正面図である。
【符号の説明】
【００７９】
３０  ロード・アンロード部
３２  反転機
３４  電解加工装置
３８  モニタ部
３９  洗浄部
４０  接触部材（イオン交換体）
４０ａ  接触面
４２  電極部
４４  基板保持部
４６  電解加工部
４８，９６  コンディショナー
４８ａ  研磨面
５０  コンディショニング部
５２，６４  アーム
５４，６８  揺動用モータ
５６，７０  揺動軸
５８，７２  ボールねじ
６０，７４  上下動用モータ
６２，７６  自転用モータ
６６  支持体
８０  テーブル
８０ａ  貫通孔
８２  中空モータ
８４  加工電極
８６  給電電極
９０  電源
９２  純水供給管
９４  純水ノズル
【図１】
2006009103.tif 000003
【図２】
2006009103.tif 000004
【図３】
2006009103.tif 000005
【図４】
2006009103.tif 000006
【図６】
2006009103.tif 000007
【図７】
2006009103.tif 000008
【図５】
2006009103.tif 000009