(57)【要約】【課題】被測定デバイスにおける配線の開放不良を、効率よく検出することができる試験装置を提供する。【解決手段】被測定デバイスの開放不良を試験する試験装置であって、開放不良を試験するべき、被測定デバイスの基板の表面に形成された配線を含む被測定領域に、電荷を与える電荷供給部と、被測定デバイスの表面に対向して設けられ、導電材料で形成される測定プローブと、測定プローブを移動させ、測定プローブと配線との距離を変化させるプローブ駆動部と、測定プローブの電位を測定する測定部と、プローブ駆動部が測定プローブを移動させたときの、測定プローブの電位の変化に基づいて、配線に開放不良が有るか否かを判定する判定部とを備える試験装置を提供する。【選択図】図１
2006337073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定デバイスの開放不良を試験する試験装置であって、
前記開放不良を試験するべき、前記被測定デバイスの基板の表面に形成された配線を含む被測定領域に、電荷を与える電荷供給部と、
前記被測定デバイスの表面に対向して設けられ、導電材料で形成される測定プローブと、
前記測定プローブを移動させ、前記測定プローブと前記配線との距離を変化させるプローブ駆動部と、
前記測定プローブの電位を測定する測定部と、
前記プローブ駆動部が前記測定プローブを移動させたときの、前記測定プローブの電位の変化に基づいて、前記配線に前記開放不良が有るか否かを判定する判定部と
を備える試験装置。
【請求項２】
前記判定部は、前記測定プローブの電位の変化量が、予め定められた基準値以上である場合に、前記配線に前記開放不良が有ると判定する
請求項１に記載の試験装置。
【請求項３】
前記プローブ駆動部は、前記配線と対向する位置で、前記被測定デバイスの表面と略垂直な方向に、前記測定プローブを移動させる
請求項１に記載の試験装置。
【請求項４】
前記プローブ駆動部は、前記被測定デバイスの表面と略平行な面内で、前記測定プローブを移動させる
請求項１に記載の試験装置。
【請求項５】
前記被測定領域には、複数の前記配線が含まれ、
前記プローブ駆動部は、前記測定プローブに前記被測定領域を走査させ、
前記判定部は、それぞれの前記配線に前記開放不良が有るか否かを判定する
請求項４に記載の試験装置。
【請求項６】
前記被測定デバイスの表面と略平行な面内の第１の方向における位置が、それぞれ予め定められた距離を有し、前記面内の前記第１の方向と直交する第２の方向における位置が、順次隣接する複数の前記測定プローブを備え、
前記プローブ駆動部は、前記複数の測定プローブを、前記第１の方向に走査させ、
前記判定部は、それぞれの前記測定プローブ毎に、前記電位の変化を検出し、それぞれの前記配線に前記開放不良が有るか否かを判定する
請求項５に記載の試験装置。
【請求項７】
前記被測定領域には、複数の前記配線が含まれ、
前記測定プローブの、前記被測定領域と対向する面の面積は、前記被測定領域の面積と略同一であり、
前記プローブ駆動部は、前記測定プローブを、前記被測定領域に対向する位置で、前記被測定デバイスの表面と略垂直な方向に移動させ、
前記判定部は、前記被測定領域に前記開放不良が有るか否かを判定する
請求項１に記載の試験装置。
【請求項８】
前記プローブ駆動部は、前記配線のビアホールと、前記測定プローブとの距離を変化させ、
前記判定部は、前記ビアホールに前記開放不良が有るか否かを判定する
請求項１に記載の試験装置。
【請求項９】
前記被測定領域には、複数の前記配線が含まれ、
前記複数の配線のうち、フローティング状態が正常であるフローティング配線を示す測定マスク情報を予め格納するマスク格納部を更に備え、
前記プローブ駆動部は、前記フローティング配線以外の前記配線に対して、前記測定プローブを順次走査させる
請求項４に記載の試験装置。
【請求項１０】
電子デバイスを製造する製造方法であって、
前記電子デバイスを形成する基板を準備する段階と、
前記基板に、前記電子デバイスのパターン層を、半導体プロセスにより形成する積層段階と、
前記パターン層に形成された配線の開放不良を検出する不良検出段階と
を備え、
前記不良検出段階は、
前記開放不良を試験するべき、前記電子デバイスの基板の表面に形成された前記配線を含む被測定領域に、電荷を与える電荷供給段階と、
導電材料で形成される測定プローブを、前記配線と対向する位置で、前記配線との距離が変化するように移動させるプローブ駆動段階と、
前記測定プローブの電位を測定する測定段階と、
前記プローブ駆動段階において前記測定プローブを移動させたときの、前記測定プローブの電位の変化に基づいて、前記配線に前記開放不良が有るか否かを判定する判定段階と
を備えるデバイス製造方法。
【請求項１１】
前記積層段階は、複数の前記パターン層を前記基板の表面に積層し、
前記不良検出段階は、前記パターン層を積層する毎に、当該パターン層における前記配線の開放不良を検出する
請求項１０に記載のデバイス製造方法。
【請求項１２】
被測定デバイスの開放不良を試験する試験装置であって、
前記開放不良を試験するべき、前記被測定デバイスの基板の表面に形成された配線と対向して設けられ、導電材料で形成される測定プローブと、
前記測定プローブに、交流電圧を印加する電源部と、
前記電源部から前記測定プローブに流れる交流電流を測定する測定部と、
前記交流電流の値に基づいて、前記配線に前記開放不良が有るか否かを判定する判定部と
を備える試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体回路等の被測定デバイスを試験する試験装置、及び半導体回路等の電子デバイスを製造するデバイス製造方法に関する。特に本発明は、被測定デバイスの開放不良を試験する試験装置、及び開放不良を低減した電子デバイスのデバイス製造方法に関する
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体回路等の被測定デバイスにおいて、ビアホール、パターン等の配線の開放不良を検出する試験が行われている。当該試験の一例として、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、被測定デバイスの内部状態を測定する方法が知られている（例えば、被特許文献１参照）。例えば、ビアホールの穴底の導通状態を検出する場合、ビアホールの穴底に残留するＳｉＯ２を検出することにより、内部の開放不良を検出することができる。
【０００３】
【非特許文献１】「半導体デバイスの高品質・高効率生産を支援する検査・解析ソリューション」、日立評論、２００３年４月号、ｐ．１１−１６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ＳＥＭを用いて試験を行う場合、被測定デバイスを真空中に配置し、insituで測定を行う必要がある。このため、試験の効率、作業性が悪かった。特に、複数の被測定デバイスを連続して試験する場合に、試験効率が低下してしまう。また、デバイスの製造工程でこのような試験を行うと、製造効率が著しく悪化してしまう。
【０００５】
このため本発明は、上述した課題を解決することのできる試験装置、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。この目的は、請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態においては、被測定デバイスの開放不良を試験する試験装置であって、開放不良を試験するべき、被測定デバイスの基板の表面に形成された配線を含む被測定領域に、電荷を与える電荷供給部と、被測定デバイスの表面に対向して設けられ、導電材料で形成される測定プローブと、測定プローブを移動させ、測定プローブと配線との距離を変化させるプローブ駆動部と、測定プローブの電位を測定する測定部と、プローブ駆動部が測定プローブを移動させたときの、測定プローブの電位の変化に基づいて、配線に開放不良が有るか否かを判定する判定部とを備える試験装置を提供する。
【０００７】
判定部は、測定プローブの電位の変化量が、予め定められた基準値以上である場合に、配線に前記開放不良が有ると判定してよい。プローブ駆動部は、配線と対向する位置で、被測定デバイスの表面と略垂直な方向に、測定プローブを移動させてよい。
【０００８】
プローブ駆動部は、被測定デバイスの表面と略平行な面内で、測定プローブを移動させてよい。被測定領域には、複数の配線が含まれ、プローブ駆動部は、測定プローブに被測定領域を走査させ、判定部は、それぞれの配線に開放不良が有るか否かを判定してよい。
【０００９】
被測定デバイスの表面と略平行な面内の第１の方向における位置が、それぞれ予め定められた距離を有し、面内の第１の方向と直交する第２の方向における位置が、順次隣接する複数の測定プローブを備え、プローブ駆動部は、複数の測定プローブを、第１の方向に走査させ、判定部は、それぞれの測定プローブ毎に、電位の変化を検出し、それぞれの配線に開放不良が有るか否かを判定してよい。
【００１０】
被測定領域には、複数の配線が含まれ、測定プローブの、被測定領域と対向する面の面積は、被測定領域の面積と略同一であり、プローブ駆動部は、測定プローブを、被測定領域に対向する位置で、被測定デバイスの表面と略垂直な方向に移動させ、判定部は、被測定領域に開放不良が有るか否かを判定してよい。
【００１１】
プローブ駆動部は、配線のビアホールと、測定プローブとの距離を変化させ、判定部は、ビアホールに開放不良が有るか否かを判定してよい。被測定領域には、複数の配線が含まれ、複数の配線のうち、フローティング状態が正常であるフローティング配線を示す測定マスク情報を予め格納するマスク格納部を更に備え、プローブ駆動部は、フローティング配線以外の配線に対して、測定プローブを順次走査させてよい。
【００１２】
本発明の第２の形態においては、電子デバイスを製造する製造方法であって、電子デバイスを形成する基板を準備する段階と、基板に、電子デバイスのパターン層を、半導体プロセスにより形成する積層段階と、パターン層に形成された配線の開放不良を検出する不良検出段階とを備え、不良検出段階は、開放不良を試験するべき、電子デバイスの基板の表面に形成された配線を含む被測定領域に、電荷を与える電荷供給段階と、導電材料で形成される測定プローブを、配線と対向する位置で、配線との距離が変化するように移動させるプローブ駆動段階と、測定プローブの電位を測定する測定段階と、プローブ駆動段階において測定プローブを移動させたときの、測定プローブの電位の変化に基づいて、配線に前記開放不良が有るか否かを判定する判定段階とを備えるデバイス製造方法を提供する。
【００１３】
積層段階は、複数のパターン層を基板の表面に積層し、不良検出段階は、パターン層を積層する毎に、当該パターン層における配線の開放不良を検出してよい。
【００１４】
本発明の第３の形態においては、被測定デバイスの開放不良を試験する試験装置であって、開放不良を試験するべき、被測定デバイスの基板の表面に形成された配線と対向して設けられ、導電材料で形成される測定プローブと、測定プローブに、交流電圧を印加する電源部と、電源部から測定プローブに流れる交流電流を測定する測定部と、交流電流の値に基づいて、配線に開放不良が有るか否かを判定する判定部とを備える試験装置を提供する。
【００１５】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に係る試験装置１００の構成の一例を示す図である。試験装置１００は、半導体回路等の被測定デバイス２００の開放不良を試験する。試験装置１００は、電荷供給部１０、測定プローブ２０、プローブ駆動部３０、測定部４０、判定部５０、及びマスク格納部７０を備える。
【００１８】
電荷供給部１０は、開放不良を試験するべき、被測定デバイス２００の基板の表面に形成された配線を含む被測定領域に、電荷を与える。但し、電荷供給部１０は、被測定領域以外の領域にも電荷を与えてよい。すなわち、電荷供給部１０は、少なくとも被測定領域に電荷を与える。本例において、電荷供給部１０は、被測定デバイス２００のウエハ全体に、微弱なイオンビームを照射することにより、被測定デバイス２００を帯電させる。電荷供給部１０は、被測定デバイス２００のパターンが形成される面に対向して設けられ、当該面にイオンビームを照射してよい。ここで、配線とは、例えば被測定デバイス２００に形成されるパターン配線、及び被測定デバイス２００の各層を導通するビアホールを含む。本例では、ビアホールの開放不良を測定する場合について説明する。
【００１９】
例えば被測定デバイス２００は、シリコン基板２１０にパターン層（２２０、２３０、２４０）が順次積層されるデバイスである。例えば、パターン層（２２０、２４０）は、絶縁膜にビアホール（２４２、２４４）が形成される層であり、パターン層２３０は、パターン配線等が形成されるメタル層である。このような構造により、各層が導通される。また、試験を行う場合、シリコン基板２１０を接地してよい。
【００２０】
被測定デバイス２００の表面に電荷が与えられた場合、当該電荷はビアホール（２４２、２４４）を介して接地電位に流れる。しかし、例えばビアホール２４２とパターン層２３０との間に、絶縁膜２４６による開放不良が存在する場合、ビアホール２４２に与えられる電荷はビアホール２４２に残留する。
【００２１】
測定プローブ２０は、被測定デバイス２００の表面に対向して設けられる。当該表面は、例えば電荷供給部１０がイオンビームを照射する面である。また、測定プローブ２０は、導電材料で形成される。プローブ駆動部３０は、測定プローブ２０を移動させ、測定プローブ２０とビアホール２４２等の配線との距離を変化させる。例えば、測定プローブ２０は、開放不良を測定するべきビアホール２４２に対向して設けられ、プローブ駆動部３０は、測定プローブ２０を、被測定デバイス２００の表面と垂直な方向に振動させてよい。
【００２２】
ビアホール２４２に電荷が残留している場合、当該電荷により電界が生じる。このような場合に、ビアホール２４２と測定プローブ２０との距離を変化させると、当該電界により測定プローブ２０の電位が変化する。つまり、ビアホール２４２に開放不良が生じている場合、測定プローブ２０の移動に伴って測定プローブ２０の電位が変化し、開放不良が生じていない場合、測定プローブ２０の電位は変化しない。
【００２３】
測定部４０は、測定プローブ２０の電位を測定する。そして、判定部５０は、プローブ駆動部３０が測定プローブ２０を移動させたときの、測定プローブ２０の電位の変化に基づいて、ビアホール２４２に開放不良が有るか否かを判定する。試験装置１００は、当該測定を、被測定デバイス２００の表面に形成されたビアホール毎に行ってよい。
【００２４】
本例においては、ビアホールの開放不良について説明したが、パターン配線の開放不良についても、同様に検出することができる。つまり、パターン配線に開放不良が生じている場合、当該パターン配線がフローティング状態となり、当該パターン配線に電荷が残留する。このため、測定プローブ２０とパターン配線との距離を変化させることにより、当該パターン配線に開放不良が生じているか否かを測定することができる。
【００２５】
また、被測定デバイス２００の被測定領域に複数の配線が含まれている場合、プローブ駆動部３０は、測定プローブ２０に被測定領域の全体を走査させてよい。この場合、判定部５０は、測定プローブ２０が走査したそれぞれの配線に開放不良が有るか否かを判定する。
【００２６】
また、パターン配線等には、フローティング状態が正常な状態である配線も存在する。マスク格納部７０は、被測定デバイス２００に形成される配線のうち、フローティング状態が正常であるフローティング配線を示す測定マスク情報を予め格納する。判定部５０は、測定マスク情報に基づいて、それぞれの配線に開放不良が生じているか否かを測定してよい。
【００２７】
また、プローブ駆動部３０は、被測定デバイス２００の配線のうち、フローティング配線以外の配線を順次測定するべく、測定プローブ２０を走査させてよい。この場合、判定部５０が、測定マスク情報に基づいて、プローブ駆動部３０を制御してよい。また、判定部５０は、電荷供給部１０がイオンビーム等を照射するタイミング等を制御してもよい。
【００２８】
また、判定部５０は、プローブ駆動部３０から、測定プローブ２０の位置情報を取得してよい。この場合、いずれの配線において開放不良が生じているかを判定することができる。
【００２９】
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、開放不良を検出する場合の、測定プローブ２０の動作の一例を説明する図である。本例においては、ビアホール２４２の開放不良を検出する場合について説明する。図２（ａ）に示すように、プローブ駆動部３０は、ビアホール２４２と対向する位置で、被測定デバイス２００の表面と略垂直な方向に、測定プローブ２０を移動させてよい。例えば、プローブ駆動部３０は、当該位置において、当該方向に測定プローブ２０を振動させてよい。
【００３０】
また、被測定領域に複数の配線が有る場合、プローブ駆動部３０は、測定するべきそれぞれの配線に対向する位置に、測定プローブ２０を順次走査する。そして、それぞれの配線に対向する位置において、測定プローブ２０を、被測定デバイス２００の表面と略垂直な方向に振動させる。
【００３１】
ビアホール２４２に電荷が残留している場合、測定プローブ２０とビアホール２４２との距離が小さくなると測定プローブ２０の電位は増大し、当該距離が大きくなると測定プローブ２０の電位は減少する。判定部５０は、測定プローブ２０の電位の変化量が、予め定められた基準値以上である場合に、ビアホール２４２に開放不良が有ると判定してよい。当該距離の変動量が大きい程、測定プローブ２０の電位の変動量が大きくなるので、当該基準値は、測定プローブ２０とビアホール２４２との距離の変動量に応じて定められてよい。また、当該基準値は、測定プローブ２０の面積、電荷供給部１０が供給する電荷量に更に基づいて定められてもよい。
【００３２】
また、ビアホール２４２に開放不良が生じていない場合であっても、ビアホール２４２の近傍の配線に開放不良が生じている場合、当該配線に残留する電荷により、測定プローブ２０の電位が変動する場合もある。しかし、測定するべきビアホール２４２と、測定プローブ２０との距離の変動量は、近傍の配線と測定プローブ２０との距離の変動量とは異なる。このため、当該距離の変動量に基づいて、当該基準値を定めることにより、近傍の配線の開放不良による電位の変動の影響を排除し、測定するべき配線の開放不良を検出することができる。これにより、開放不良が生じている配線の位置を、精度よく検出することができる。
【００３３】
また、図２（ｂ）に示すように、プローブ駆動部３０は、被測定デバイス２００の表面と略平行な面内において、測定プローブ２０を移動させてよい。このような形態であっても、測定プローブ２０とビアホール２４２との距離が変動する。このため、ビアホール２４２に電荷が残留している場合、測定プローブ２０の電位は変動する。また、被測定領域に複数の配線が有る場合、プローブ駆動部３０は、被測定領域の全体を走査するように、測定プローブ２０を移動させてよい。
【００３４】
図３は、測定プローブ２０の電位の変化の一例を示す図である。図３において、横軸は、測定プローブ２０と、測定するべき配線との距離Ｌを示し、縦軸は、測定プローブ２０の電位Ｖを示す。測定するべき配線に開放不良が生じている場合、距離Ｌが最小となるときに、測定プローブ２０の電位は最大となる。
【００３５】
図４は、被測定デバイス２００における開放不良を検出する方法の一例を示す図である。本例において、試験装置１００は、複数の測定プローブ２０を備える。複数の測定プローブ２０は、被測定デバイス２００の表面と略平行な面内の第１の方向における位置が、それぞれ予め定められた距離ｘを有して設けられる。また、複数の測定プローブ２０は、当該面内において第１の方向と略直交する第２の方向における位置が、順次隣接して設けられる。そして、プローブ駆動部３０は、複数の測定プローブ２０を、第１の方向に走査させる。判定部５０は、それぞれの測定プローブ２０毎に電位の変化を検出し、それぞれの測定プローブ２０が走査した位置における配線に、開放不良が有るか否かを判定する。このような構成により、第２の方向における測定分解能を高く維持し、且つ測定プローブ２０間の干渉を低減することができる。
【００３６】
図５は、被測定デバイス２００における開放不良を検出する方法の他の例を示す図である。本例において、測定プローブ２０の、被測定領域と対向する面の面積は、被測定領域の面積と略同一である。また、測定プローブ２０の、被測定デバイス２００と対向する面の面積は、被測定デバイス２００の面積と略同一であってよい。
【００３７】
プローブ駆動部３０は、測定プローブ２０を、被測定領域に対向する位置で、被測定デバイス２００の表面と略垂直な方向に移動させる。このような構成により、判定部５０は、当該被測定領域に少なくとも一つの開放不良が存在するか否かを判定することができる。例えば、図５に示すように、被測定領域に形成された複数のビアホール２４２のうち一つのビアホール２４２に開放不良が生じている場合、測定プローブ２０の電位の変化により、当該被測定領域に少なくとも一つの開放不良が生じていることが判定できる。当該方法は、複数の被測定領域毎に行ってよい。本例によれば、被測定領域に開放不良が存在するか否かを、効率よく試験することができる。
【００３８】
図６は、本発明の実施形態に係るデバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。当該デバイス製造方法においては、まず基板準備段階Ｓ３００で、電子デバイスを形成する基板を準備する。当該基板は、例えば図１において説明したシリコン基板２１０である。
【００３９】
次に、積層段階Ｓ３０２において、当該基板に、電子デバイスのパターン層を、半導体プロセスにより形成する。次に、不良検出段階Ｓ３０４において、パターン層に形成された配線の開放不良を検出する。不良検出段階Ｓ３０４では、図１から図５において説明したように、配線の開放不良を検出してよい。例えば、不良検出段階Ｓ３０４は、開放不良を試験するべき、電子デバイスの基板の表面に形成された配線を含む被測定領域に、電荷を与える電荷供給段階と、導電材料で形成される測定プローブを、配線と対向する位置で、配線との距離が変化するように移動させるプローブ駆動段階と、測定プローブの電位を測定する測定段階と、プローブ駆動段階において測定プローブを移動させたときの、測定プローブの電位の変化に基づいて、配線に開放不良が有るか否かを判定する判定段階とを有してよい。
【００４０】
積層段階Ｓ３０２は、複数のパターン層を基板の表面に積層してよい。この場合、不良検出段階は、積層段階Ｓ３０２においてパターン層を積層する毎に、当該パターン層における配線の開放不良を検出することが好ましい。
【００４１】
そして、不良検出段階Ｓ３０４において、開放不良が検出された場合、当該電子デバイスの製造を中止する（Ｓ３０６）。また、不良検出段階Ｓ３０４において、開放不良が検出されなかった場合、基板に積層するべき全てのパターン層を積層したか否かを判定する（Ｓ３０８）。全てのパターン層を積層した場合、当該電子デバイスの製造を終了する。また、全てのパターン層を積層していない場合、Ｓ３０２〜Ｓ３０６の処理を繰り返し、パターン層を形成する毎に開放不良の試験を行う。このようなデバイス製造方法によれば、不良が発生した電子デバイスの製造を中断することができるので、製造効率を向上させることができる。
【００４２】
図７は、試験装置１００の構成の他の例を示す図である。本例における試験装置１００は、測定プローブ２０、プローブ駆動部３０、判定部５０、及び電源部６０を備える。測定プローブ２０の構成及び機能は、図１に関連して説明した測定プローブ２０と同一であってよい。
【００４３】
プローブ駆動部３０は、測定プローブ２０を、測定するべき配線と対向する位置に移動させる。本例においては、プローブ駆動部３０は、ビアホール２４２に対向する位置に、測定プローブ２０を移動させる。これにより、ビアホール２４２と測定プローブ２０との間には容量成分Ｃ１が生じる。また、ビアホール２４２に開放不良が生じている場合、ビアホール２４２とパターン層２３０との間にも、容量成分Ｃ２が生じる。容量成分Ｃ１と容量成分Ｃ２とは、等価的に直列に接続されるので、ビアホール２４２に開放不良が生じているか否かにより、測定プローブ２０から見た容量成分は変動する。
【００４４】
電源部６０は、測定プローブ２０に交流電圧を印加する。測定プローブ２０とビアホール２４２との間には容量成分が生じているので、当該交流電圧に応じた交流電流が、測定プローブ２０に流れる。判定部５０は、当該交流電流の値に基づいて、ビアホール２４２に開放不良が生じているか否かを判定する。
【００４５】
上述したように、ビアホール２４２に開放不良が生じている場合、測定プローブ２０から見た容量成分は、ビアホール２４２に開放不良が生じていない場合に比べて減少する。このため、当該交流電流の値に基づいて、ビアホール２４２に開放不良が生じているか否かを判定することができる。例えば、判定部５０は、ビアホール２４２に開放不良が生じていない場合に検出されるべき交流電流の値を、基準値として予め与えられてよい。この場合、検出した交流電流の値が、基準値より小さい場合、判定部５０は、当該ビアホール２４２に開放不良が生じていると判定してよい。
【００４６】
また、プローブ駆動部３０は、同一の条件で形成された複数のビアホールに対して、順次測定プローブ２０を走査させてよい。判定部５０は、同一の条件で形成された複数のビアホールに対して検出した交流電流の値に基づいて、これらのビアホールに開放不良が生じているか否かを判定してよい。
【００４７】
例えば、同一の条件で形成された複数のビアホールに対して測定した交流電流の値のバラツキが、予め定められた範囲に無い場合に、複数のビアホールの少なくとも一つに開放不良があると判定してよい。
【００４８】
図８は、マスク格納部７０が格納する測定マスク情報の生成方法の一例を示す図である。本例において試験装置１００は、同一のパターンを有する複数の被測定デバイス２００を測定する。プローブ駆動部３０は、測定プローブ２０を、被測定デバイス２００の表面の全ての領域について走査させてよい。
【００４９】
判定部５０は、各被測定デバイス２００の表面の全ての領域において、開放不良を検出した位置２４８を示す測定結果を格納する。そして、それぞれの測定結果において、同一の位置２４８で開放不良を検出した場合、当該位置の配線は、フローティング状態であることが正常であるものとして、測定マスク情報を生成する。
【００５０】
また、判定部５０は、同一の位置で開放不良を検出した測定結果の、全ての測定結果に対する割合が予め定められた基準値以上である場合に、当該位置の配線は、フローティング状態であることが正常であるものとして、測定マスク情報を生成してもよい。
【００５１】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
以上から明らかなように、本発明によれば、被測定デバイスにおける配線の開放不良を、効率よく検出することができる。また、当該開放不良を非接触で検出することができる。また、開放不良の無い電子デバイスを効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施形態に係る試験装置１００の構成の一例を示す図である。
【図２】開放不良を検出する場合の、測定プローブ２０の動作の一例を説明する図である。
【図３】測定プローブ２０の電位の変化の一例を示す図である。
【図４】被測定デバイス２００における開放不良を検出する方法の一例を示す図である。
【図５】被測定デバイス２００における開放不良を検出する方法の他の例を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係るデバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図７】試験装置１００の構成の他の例を示す図である。
【図８】マスク格納部７０が格納する測定マスク情報の生成方法の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０・・・電荷供給部、２０・・・測定プローブ、３０・・・プローブ駆動部、４０・・・測定部、５０・・・判定部、６０・・・電源部、７０・・・マスク格納部、１００・・・試験装置、２００・・・被測定デバイス、２１０・・・シリコン基板、２２０、２３０、２４０・・・パターン層、２４２、２４４・・・ビアホール、２４６・・・絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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