(57)【要約】      （修正有）【課題】基板を搬送し片面処理を行うに際し、基板の処理面とは反対側の非処理面に対して処理液が回込むことを防止できる基板表面処理装置を提供する。【解決手段】基板２１の表面を処理する基板表面処理装置２０は、処理液２２を収容する処理液槽２３と、処理液槽２３に収容される処理液２２中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられて基板２１を搬送する複数の搬送ローラ２４と、搬送ローラ２４を回転駆動させるローラ駆動手段とを含む構成であり、搬送ローラ２４は、その回転軸線方向の長さＷ２が基板２１の幅Ｗ１以上であり、その表面に回転軸線方向に延びる溝を構成する凹凸が形成される。【選択図】図１
2006196784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の形状を有する基板の表面を処理する基板表面処理装置において、
基板の表面処理に用いる処理液を収容する処理液槽と、
基板を搬送する搬送ローラであって、処理液槽に収容される処理液中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラと、
搬送ローラを回転駆動させるローラ駆動手段とを含み、
搬送ローラの回転軸線方向の長さは、
基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における長さである基板幅以上であり、
搬送ローラの表面には、
溝を構成する凹凸が形成されることを特徴とする基板表面処理装置。
【請求項２】
溝を構成する搬送ローラ表面の凹凸は、
最大高さＲｍａｘが、１μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の基板表面処理装置。
【請求項３】
溝の延びる方向が、
搬送ローラの回転軸線の延びる方向と平行であることを特徴とする請求項１または２記載の基板表面処理装置。
【請求項４】
処理液が、
フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および純水からなる群より選択される１または２以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の基板表面処理装置。
【請求項５】
搬送ローラは、
少なくとも処理液に接する部位が、ポリテトラフルオロエチレンまたは塩化ビニルであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の基板表面処理装置。
【請求項６】
基板が、
シリコンウエハまたはガラスであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の基板表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえばシリコンウエハなどの基板の表面を化学的に処理することに用いる基板表面処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば電子デバイスの製造プロセスにおいては、デバイスを構成する部材である基板に対する化学的な表面処理が多用されている。基板に対する化学的な表面処理としては、反応性ガスによるドライ（乾式）プロセスと、化学的薬液によるウェット（湿式）プロセスとに分けられる。また処理基板枚数および基板の処理面の観点からは、複数の平板状基板を処理液に同時に浸漬させて全面処理するバッチ処理、また平板状基板の片面のみを処理液に接液させて処理する枚葉処理に分けられる。
【０００３】
平板状の形状を有する基板の片面のみを処理するプロセスは、ガラス基板、シリコンウエハなどを対象として、たとえば洗浄、表面変質層の除去、薄肉化、表面形状の加工などに多用されている。
【０００４】
通常、片面のみに化学的処理を施す場合、処理を必要としない面または保護したい面に処理液に対して耐性のあるマスキングテープを貼付けたり、ワックス、レジスト等の樹脂保護膜を形成して処理液に浸漬する方法が採られている。しかしながら、このような方法では、マスキングテープまたは樹脂保護膜の形成工程、表面処理後の剥離工程、さらに剥離後の状態によっては洗浄工程等を必要とするので、製造工程数が増大し、またマスク材、剥離処理液等の材料費が余分に必要となるので、製造コストの増大を招くという問題がある。
【０００５】
一方、反応性ガスによるドライプロセスは、基板ステージに密着して基板が設置されており、基板ステージに密着している裏面側には処理ガスがほとんど届かないので、保護マスクを形成することなく片面のみの処理を実施し易い。しかしながら、ウェットプロセスに比べて、ドライプロセスの装置は、真空排気系、ガス供給系等の設備が大掛かりになるので設備コストが高く、また材料ガスコストも高いという問題がある。また、ドライプロセスにおいても、反応性ガスが裏面に届き難いというだけであり、裏面へのわずかな回込みも許されない場合には特別な裏面回込み防止機構を追加して設けるか、または保護マスクの形成が必要となる等の問題がある。
【０００６】
このような問題を解決する従来技術として、耐化学薬品性の吸湿性物質に化学薬品を含浸させ、この吸湿性物質に基板の片面のみを接触させて表面処理する方法が提案されている（特許文献１参照）。しかしながら、特許文献１に開示される方法では、吸湿性物質に含浸させた液の迅速な入替えが困難である。したがって、連続処理時には、処理液の濃度低下等が生じた場合、処理液を迅速に入替えできないので、濃度が低下したまま連続処理を行うことになり、処理速度が遅くなるという問題がある。また、基板を吸湿性物質上に搬送するために、吸着ハンド等を装備した大掛かりな搬送ロボットが必要となり、設備コストが高くなるという問題がある。
【０００７】
このような問題を解決するために以下のような基板表面処理装置による片面処理が試みられている。図５は、従来の基板表面処理装置１の構成を簡略化して示す図である。図５（ａ）では従来の基板表面処理装置１の側面から見た断面図を示し、図５（ｂ）では従来の基板表面処理装置１の上面図を示す。従来の基板表面処理装置１は、基板２の表面を化学的に処理する処理液３を収容する処理液槽４と、回転自在に設けられて基板を搬送する複数の搬送ローラ５と、搬送ローラ５を駆動させる不図示の駆動手段とを含んで構成される。
【０００８】
搬送ローラ５は、細長い丸棒形状のシャフト６と、シャフト６の径よりも大きい外径を有するリング状のローラ部材７とを含んで構成され、複数個（図５の事例では１本の搬送ローラ５に対して３つ）のローラ部材７が、所定の間隔を空けてシャフト６に装着される。搬送ローラ５は、シャフト６が、処理液槽４に処理液３が漏れないようにシールされて設けられる不図示の軸受によって回転自在に支持され、処理液層４の外部に設けられる駆動手段に連結され、駆動手段によって矢符８方向に回転駆動される。基板２は、搬送ローラ５上に載置され、矢符８方向に回転する搬送ローラ５によって、矢符９方向に搬送される。
【０００９】
図５に示す事例では、搬送ローラ５厳密には搬送ローラ５のローラ部材７が、直径方向に２分の１程度処理液３に浸漬するように、処理液槽４中の処理液３の液面位置が設定される。すなわち、搬送ローラ５上に載置される基板２の処理液３を臨む側の面２ａ（以後、処理面２ａと呼ぶ）と処理液３の液面位置との間には間隙が形成されるように設定される。このような設定で、搬送ローラ５上に載置される基板２の処理面２ａに対する処理液３の接液は、たとえば搬送ローラ５上に基板２が載置されると同時に、処理液３の液面位置を基板２の処理面２ａに接する位置まで上昇させ、その後上記間隙が形成されるように処理液３の液面位置を下降させることによって行われる。処理液３の液面上昇によって基板２の処理面２ａに一旦接触した処理液３は、液面位置の下降後もその表面張力によって、矢符９方向に搬送される間を通じて基板２の処理面２ａに吸着保持されるので、処理液３によって処理面２ａが片面処理される。
【００１０】
しかしながら、従来の基板表面処理装置１では、搬送ローラ５のシャフト６が細径に構成されるので、たとえば搬送ローラ５自体の重さによって、シャフト６にたわみが発生する。シャフト６のたわみを防止しようとすると、シャフト６の径を大きくしなければならないので、ローラ部材７の径も大きくしなければならず、装置全体が大きくなり、装置コストが高くなる。
【００１１】
また、近年基板２が大型化しているけれども、大きい基板２の場合、１本のシャフト６に装着されるローラ部材７同士の装着間隔が長いと、基板２にたわみが生じるので、シャフト６に装着するローラ部材７の数を増やしてローラ部材７同士の間隔を短くするか、ローラ部材７の幅を広くしなければならない。さらに、基板２の一部に欠けが発生した場合、ローラ部材７の幅が狭いと基板２がローラ部材７に載らず、搬送ローラ５から外れて装置トラブルを引き起こす原因となる。
【００１２】
このような問題を解決するために、さらなる検討を加えた基板表面処理装置１０による片面処理が試みられている。図６は、もう一つの従来の基板表面処理装置１０の要部構成を簡略化して示す斜視図である。基板表面処理装置１０は、搬送ローラ１１の構成に特徴を有し、搬送ローラ１１以外は上記基板表面処理装置１と同一に構成されるので、全体構成図を省略して搬送ローラ１１の部分と基板２のみを表す。
【００１３】
基板表面処理装置１０に設けられる搬送ローラ１１は、基板２の搬送される方向（矢符９方向）に直交する方向である幅方向における長さである基板幅Ｗ１以上のローラ長さＷ２を有し、軸線方向に一様な直径を有する円柱状または円筒状の棒状部材として形成される。すなわち、一様な直径（太さ）を有する棒状部材とすることによって搬送ローラ１１をたわみにくくし、また基板２が搬送ローラ１１から外れにくくしたものである。
【００１４】
このような構成の基板表面処理装置１０において、搬送ローラ１１を矢符８方向に回転させて、基板２を矢符９方向に搬送しながら片面処理を行うと、搬送ローラ１１で搬送される基板２の後尾２ｂが搬送ローラ１１から離脱しようとするとき、処理液３が処理面２ａとは反対側の非処理面２ｃに回込む現象が発生する。
【００１５】
基板２が、たとえば液晶表示装置に使用される低温ポリシリコンからなるガラス基板であり、処理液３がフッ化水素酸系薬液の場合、処理液３の一部が非処理面２ｃへ回込むと、処理液３に接した部分が浸食されるので、処理むらの発生、また基板２をデバイス部品として用いる場合の特性劣化の原因になる。基板２がたとえば半導体ウエハで、処理液３がエッチング液の場合、処理液３の一部が非処理面２ｃへ回込むと、処理液３に接した部分が浸食され、特性がでなくなる。また、処理液３が純水の場合、純水が非処理面２ｃへ回込むと、ウオーターマークになり、洗浄むらの発生、また洗浄むらに起因する基板２の特性劣化を起こす。
【００１６】
したがって、単に搬送ローラ１１を直径が軸線方向に一様な棒状部材で構成するだけでは、基板２の非処理面２ｃ側に処理液３の一部が回込み、処理むらおよび特性劣化を引起すという問題がある。
【００１７】
【特許文献１】特開昭５８−４８４２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、基板を搬送し片面処理を行うに際し、装置トラブルを生じることなく、かつ基板の処理面とは反対側の非処理面に対して処理液が回込むことを防止できる基板表面処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、平板状の形状を有する基板の表面を処理する基板表面処理装置において、
基板の表面処理に用いる処理液を収容する処理液槽と、
基板を搬送する搬送ローラであって、処理液槽に収容される処理液中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラと、
搬送ローラを回転駆動させるローラ駆動手段とを含み、
搬送ローラの回転軸線方向の長さは、
基板の搬送される方向に直交する方向である幅方向における長さである基板幅以上であり、
搬送ローラの表面には、
溝を構成する凹凸が形成されることを特徴とする基板表面処理装置である。
【００２０】
また本発明は、溝を構成する搬送ローラ表面の凹凸は、最大高さＲｍａｘが、１μｍ以上であることを特徴とする。
【００２１】
また本発明は、溝の延びる方向が、搬送ローラの回転軸線の延びる方向と平行であることを特徴とする。
【００２２】
また本発明は、処理液が、
フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および純水からなる群より選択される１または２以上であることを特徴とする。
【００２３】
また本発明は、搬送ローラは、少なくとも処理液に接する部位が、ポリテトラフルオロエチレンまたは塩化ビニルであることを特徴とする。
また本発明は、基板が、シリコンウエハまたはガラスであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、平板状の形状を有する基板の表面を処理する基板表面処理装置に回転自在に設けられて基板を搬送する搬送ローラは、その回転軸線方向の長さが基板幅以上であり、その表面には溝を構成する凹凸が形成される。このように基板幅以上の長さの搬送ローラを設けることによって、基板をたわませることなく円滑に搬送することができ、搬送時の装置トラブルの発生が防止される。また搬送ローラ表面の溝を成す凹凸によって、処理液が搬送ローラ表面上を流過して円滑に排液されるので、基板の処理面とは反対側の非処理面に対して処理液が回込むことを防止できる。
【００２５】
また本発明によれば、溝を構成する搬送ローラ表面の凹凸は、最大高さＲｍａｘが、１μｍ以上になるように形成されるので、搬送ローラ表面上の処理液を一層円滑に排液することができる。
【００２６】
また本発明によれば、溝が搬送ローラの回転軸線の延びる方向と平行に延びるように形成され、搬送ローラ表面の処理液が搬送ローラの軸線方向の端面から容易に排液されるので、処理液が非処理面に対して確実に回込まないようにすることができる。
【００２７】
また本発明によれば、処理液として、フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および純水からなる群より選択される１または２以上が用いられる。このような処理液を用いることによって、洗浄、エッチング、表面形状加工など各種の表面処理を行うことのできる基板表面処理装置が実現される。
【００２８】
また本発明によれば、搬送ローラは、少なくとも処理液に接する部位が、ポリテトラフルオロエチレンまたは塩化ビニルで形成されるので、処理液として各種の化学薬品が用いられる場合においても、優れた耐久性を発現することができる。
【００２９】
また本発明によれば、シリコンウエハまたはガラス基板の片面処理に好適な基板表面処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
図１は本発明の実施の一形態である基板表面処理装置２０の構成を簡略化して示す図であり、図２は図１に示す基板表面処理装置２０に設けられる搬送ローラ２４の構成を示す斜視図である。
【００３１】
基板表面処理装置２０は、平板状の形状を有する基板２１の表面を片面処理することに用いられる装置であり、基板２１の表面処理に用いる処理液２２を収容する処理液槽２３と、基板２１を搬送する搬送ローラ２４であって、処理液槽２３に収容される処理液２２中に一部または全部が浸漬され回転自在に設けられる複数の搬送ローラ２４と、搬送ローラ２４を回転駆動させる不図示のローラ駆動手段とを含んで構成される。
【００３２】
基板表面処理装置２０において表面処理される基板２１としては、シリコンウエハまたはガラスを挙げることができる。シリコンウエハまたはガラスの表面処理としては、洗浄、エッチングによる表面変質層の除去、薄肉化、表面形状加工などを挙げることができ、後述する処理液２２の種類を選択することによって、上記いずれかの表面処理を行うことができる。
【００３３】
基板２１の表面処理に用いる処理液２２としては、フッ化水素酸、硝酸、塩酸、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および純水からなる群より選択される１または２以上が挙げられる。純水は、たとえば１．０×１０６Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する水であり、基板２１の洗浄処理に用いられるとともに、上記他の処理液の溶媒として用いられる。酸であるフッ化水素酸、硝酸、塩酸およびアルカリである水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液は、基板２１のエッチング処理に用いられる。
【００３４】
処理液２２を収容する処理液槽２３は、大略外形が直方体形状を有する箱形の容器である。本実施形態では、処理液槽２３は、上記の各処理液２２に対する耐性に優れる塩化ビニルで形成される。なお、処理液槽２３の素材は、塩化ビニルに限定されることなく、たとえばステンレス鋼に、上記の各処理液２２に対する耐性に優れるポリテトラフルオロエチレン（略称ＰＴＦＥ）を被覆処理したものが用いられても良い。処理液槽２３の長手方向の両側壁２３ａ，２３ｂには、対向する位置に貫通孔が形成され、該貫通孔には不図示の軸受が設けられる。なお、側壁２３ａ，２３ｂに対する軸受の装着部には、流体シール部材が設けられ、処理液槽２３内に収容される処理液２２の漏出が防止されるように構成される。
【００３５】
処理液槽２３の側壁２３ａ，２３ｂに設けられる軸受に搬送ローラ２４が回転自在に支持される。搬送ローラ２４は、複数本設けられ、その基板搬送方向における配置間隔は、表面処理するべき対象の基板２１が、少なくとも３本の搬送ローラ２４に同時に当接することができるように定められる。また複数の搬送ローラ２４は、その回転頂部を連ねる仮想線３５（基板２１を搬送するパスラインとなる）が、処理液２２の液面、すなわち水平面と平行になるように設けられる。搬送ローラ２４は、ローラ駆動手段に連結され、矢符２５方向に回転駆動される。基板２１は、搬送ローラ２４上に載置され、矢符２５方向に回転する搬送ローラ２４によって矢符２６方向に装置内を搬送され、その搬送の過程において、処理液２２を臨んで載置される側の面２１ａ（以後、処理面２１ａと呼ぶ）が表面処理される。
【００３６】
搬送ローラ２４は、円柱状のシャフト部３１と、シャフト部３１に積層されるようにして設けられる円筒状のローラ部３２とを含んで構成される。搬送ローラ２４は、少なくとも処理液２２に接する部位が、ＰＴＦＥまたは塩化ビニルで形成される。ここで、搬送ローラ２４の少なくとも処理液２２に接する部位とは、処理液２２中に浸漬されて処理液２２に接する部分、および処理液２２の外に出ている部分であっても処理液２２に濡れている部分を含める意味に用い、必ずしも搬送ローラ２４の素材全体を指すものではなく、処理液２２に接する表面部分だけであっても良い。ただし本実施形態では、搬送ローラ２４は、シャフト部３１とローラ部３２とが一体的に塩化ビニルで形成される。
【００３７】
なお、搬送ローラ２４の構成は、一体的に塩化ビニルで形成される上記に限定されるものではなく、剛性を高めるためにシャフト部３１に表面をＰＴＦＥで被覆したステンレス鋼を用い、ローラ部３２に塩化ビニルを用いる構成であっても良く、また一体的にステンレス鋼で形成したシャフト部３１およびローラ部３２の全体にＰＴＦＥを被覆したものであっても良く、各種の変形例が許される。
【００３８】
搬送ローラ２４の回転軸線方向の長さ、より厳密には基板２１の処理面２１ａに当接し基板２１に対して搬送の駆動力を伝達するローラ部３２の回転軸線方向の長さＷ２は、基板２１の搬送される方向２６に直交する方向である幅方向における長さである基板幅Ｗ１以上（Ｗ２≧Ｗ１）になるように形成される。このように、一様な太さを有して棒状を成し、かつ基板幅Ｗ１以上の長さを有するローラ部３２が形成される搬送ローラ２４を設けることによって、基板２１をたわませることなく円滑に搬送することができ、搬送時の装置トラブルの発生が防止される。
【００３９】
さらに搬送ローラ２４において最も注目すべきは、搬送ローラ２４のローラ部３２の表面に、搬送ローラ２４の回転軸線３４方向に対して平行に延びる溝３３を構成する凹凸が形成されることである。溝３３を構成する搬送ローラ２４表面の凹凸は、表面粗さ計を搬送ローラ２４の円周方向に走査させて計測される最大高さＲｍａｘが、１μｍ（１．０Ｓ）以上であることが好ましい。溝３３の凹凸の最大高さＲｍａｘを１μｍ以上とすることによって、ローラ部３２の表面から余剰の処理液２２を、ローラ部３２の回転軸線３４方向の端部から効果的に排液することができる。ここで最大高さＲｍａｘは、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１に規定されるものである。
【００４０】
搬送ローラ２４のローラ部３２に回転軸線３４方向に延びる溝３３を形成することによって、回転する搬送ローラ２４が、処理液２２に浸漬されさらに引上げられたとき、ローラ部３２の表面に保持される処理液２２は、溝３３を通って搬送ローラ表面上を流過し、ローラ部３２の軸線方向端部から円滑に排液される。したがって、基板２１の後尾２１ｂが搬送ローラ２４から離脱しようとするときにおいても、搬送ローラ２４表面における余剰の処理液２２が溝３３によって排液されるので、処理面２１ａとは反対側の非処理面２１ｃに対して処理液２２が回込むことを防止できる。このことによって、基板２１の片面処理を行う場合においても、基板２１の非処理面２１ｃに対して保護膜を形成する工程、また保護膜を除去する工程等を不要にすることができ、処理工程を簡素化することが可能になる。
【００４１】
なお、搬送ローラ２４の溝３３を成す凹凸の最大高さＲｍａｘの上限は、特に限定されるものではないけれども、１００μｍ以下であることが望ましい。凹凸の最大高さＲｍａｘが大き過ぎると、搬送ローラ２４表面からの排液作用が効果的に過ぎ、処理面２１ａにおける処理液２２の保持が難しくなるおそれがあるからである。
【００４２】
所望の最大高さＲｍａｘを有するローラ部３２の溝３３の形成は、たとえば適当な番手に選択した耐水ペーパーを用いて、ローラ部３２の表面を搬送ローラ２４の回転軸線３４方向に研磨することによって実現される。また耐水ペーパーによる研磨に限定されることなく、シェーパーなどによる切削加工によっても所望の最大高さＲｍａｘを有する溝３３を形成することができる。
【００４３】
以下、基板表面処理装置２０による基板２１の表面処理動作について簡単に説明する。
処理液槽２３には予め処理液２２が収容される。処理液２２の液面位置と搬送ローラ２４のローラ部３２の回転頂部すなわち基板２１が搬送されるパスライン３５との距離ｈが、０〜５ｍｍ、好ましくは２〜３ｍｍになるように、処理液槽２３中の処理液２２の収容量が設定される。上記距離ｈが０ｍｍ未満、すなわち搬送ローラ２４が処理液２２の中に全没を超えて深く沈み込むと、搬送ローラ２４に形成される溝３３による排液作用を有効に発現することができず、非処理面２１ｃに処理液２２が回込む。距離ｈが５ｍｍを超えると、基板２１の処理面２１ａに、表面張力によって処理液２２を保持させることが困難になる。
【００４４】
図１の紙面に向って左側に設けられる不図示のローダ側から、図１の矢符２６に示す方向に搬送されてきた基板２１は、処理面２１ａが処理液２２を臨むようにして基板表面処理装置２０へ装入される。基板２１が、装入されて搬送ローラ２４上に載置されると、たとえば以下のようにして基板２１の処理面２１ａに対して処理液２２を接触させる。処理液槽２３内へ処理液２２を供給する供給手段と、処理液槽２３内の処理液２２を排出する排出手段とを動作させ、搬送ローラ２４上に基板２１が載置されると、供給手段によって処理液２２の液面位置を基板２１の処理面２１ａに接する高さまで上昇させ、その後排出手段によって処理液２２の液面位置を基板２１の処理面２１ａと間隙を有する高さまで下降させる。
【００４５】
なお、基板２１の処理面２１ａと処理液２２との接触は、基板２１が搬送ローラ２４に載置される位置の下方であって、処理液槽２３内の処理液２２中に予め処理液吹上げノズルを設けておき、該ノズルによって処理液２２を基板２１の処理面２１ａに向って吹上げ、処理液２２の表面張力を利用して処理液２２を基板２１の処理面２１ａに接触保持させるようにしても良い。
【００４６】
処理液２２が基板２１の処理面２１ａに接触保持されている状態で、搬送ローラ２４を矢符２５方向へ回転駆動させて基板２１を矢符２６方向へ搬送する。この搬送期間中、処理液２２は、その表面張力によって基板２１の処理面２１ａに接触したままの状態が維持される。処理される基板２１および処理液２２ならびに表面処理の種類に応じて予め定められる時間を要して搬送される間に、基板２１の処理面２１ａのみが処理液２２によって表面処理される。
【００４７】
搬送ローラ２４は、前述のように構成されるので、搬送期間中に基板２１の後尾２１ｂが搬送ローラ２４を通過しさらに離脱するとき、処理液２２が非処理面２１ｃ側に回込むことが防止される。所定の時間を要して搬送された基板２１は、図１の紙面に向って右側に設けられるたとえば水洗槽へ搬送される。
【００４８】
基板表面処理装置２０によれば、このようにして基板２１の片面である処理面２１ａのみを枚葉処理することができる。
【００４９】
図３は本発明の実施の第２形態である基板表面処理装置４０の構成を簡略化して示す図であり、図４は図３に示す基板表面処理装置４０に設けられる搬送ローラ４１の構成を示す斜視図である。本実施の形態の基板表面処理装置４０は、実施の第１形態の基板表面処理装置２０に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００５０】
基板表面処理装置４０は、搬送ローラ４１の構成に特徴を有し、また搬送ローラ４１に接続される排出手段４２を含むことを特徴とする。
【００５１】
基板表面処理装置４０に設けられる搬送ローラ４１は、シャフト部４３およびローラ部４４を備えることにおいて実施の第１形態の搬送ローラ２４と構成を同じくする。しかしながら、シャフト部４３には、一方の端部に開口し、ほぼローラ部４４の長さに対応する長さにわたって穿たれる排出穴４６が形成される。またローラ部４４には、ローラ部４４に形成される溝３３上で外方に開口し、シャフト部４３に形成される排出穴４６まで貫通する小排出孔４７が形成される。本実施の形態では、小排出孔４７は、ローラ部４４に形成される溝３３の３本目ごとに、１本の溝３３についてローラ部４４の軸線方向に配列して５個が形成される。なお、この図４に示す小排出孔４７の個数と配置は、あくまでも１事例であり、これに限定されるものではない。
【００５２】
シャフト４３の排出穴４６に連通する小排出孔４７がローラ部４４に形成されることによって、ローラ部４４の表面上に保持される処理液２２は、溝３３を通ってローラ部４４の軸線方向端部から排液されるだけでなく、小排出孔４７からも排液される。また基板２１の処理面２１ａが処理液２２と反応して発生し、処理面２１ａに接して存在する反応ガスを、後述する排出手段４２による吸引によって、小排出孔４７および排出穴４６を通じて排出することができるので、処理面２１ａにおける反応ガスの滞留を防止し、処理面２１ａを均一に処理することが可能になる。
【００５３】
排出手段４２は、各搬送ローラ４１のシャフト部４３の排出穴４６に接続される配管４８と、配管４８を集合した集合配管４９に設けられる排出ポンプ５０とを含んで構成される。このような基板表面処理装置４０においては、排出ポンプ５０の吸引力によって、小排出孔４７および排出穴４６を介して、処理液２２および反応ガスが強制的に吸引され排出されるので、処理液２２が非処理面２１ｃに回込むことを一層確実に防止できるとともに、処理面２１ａをむらなく均一に表面処理することができる。
【００５４】
なお、基板表面処理装置４０には、上記の排出手段４２以外にも、集合配管４９の排出ポンプ５０の下流側に除塵フィルタ等を含み処理液２２を処理液槽２３へ還流させる循環手段が設けられても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の一形態である基板表面処理装置２０の構成を簡略化して示す図である。
【図２】図１に示す基板表面処理装置２０に設けられる搬送ローラ２４の構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の第２形態である基板表面処理装置４０の構成を簡略化して示す図である。
【図４】図３に示す基板表面処理装置４０に設けられる搬送ローラ４１の構成を示す斜視図である。
【図５】従来の基板表面処理装置１の構成を簡略化して示す図である。
【図６】もう一つの従来の基板表面処理装置１０の要部構成を簡略化して示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５６】
２０，４０  基板表面処理装置
２１  基板
２２  処理液
２３  処理液槽
２４，４１  搬送ローラ
４２  排出手段
３１，４３  シャフト部
３２，４４  ローラ部
３３  溝
４６  排出穴
４７  小排出孔
【図１】
2006196784.tif 000003
【図２】
2006196784.tif 000004
【図３】
2006196784.tif 000005
【図４】
2006196784.tif 000006
【図５】
2006196784.tif 000007
【図６】
2006196784.tif 000008