(57)【要約】【課題】  ガスや液体を効率良く加熱でき、また構成も簡素で小型化、軽量化を図ったセラミックス多孔体ヒータを提供する。【解決手段】  低嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体と高嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体とが、該網目構造を構成する骨格により結合し一体化された三次元網目構造セラミックス多孔体からなり、前記高嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体部分を電極部としたセラミックス多孔体ヒータ。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
低嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体と高嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体とが、該網目構造を構成する骨格により結合し一体化された三次元網目構造セラミックス多孔体からなり、前記高嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体部分を電極部としたことを特徴とするセラミックス多孔体ヒータ。
【請求項２】
前記低嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体が、前記高嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体に比べて高抵抗であることを特徴とする請求項１記載のセラミックス多孔体ヒータ。
【請求項３】
前記高嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体の少なくとも一部に金属被膜を形成したことを特徴とする請求項１または２記載のセラミックス多孔体ヒータ。
【請求項４】
前記セラミックス多孔体が炭化珪素からなることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のセラミックス多孔体ヒータ。
【請求項５】
前記一体化された三次元網目構造セラミックス多孔体が、窒化処理されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のセラミックス多孔体ヒータ。
【請求項６】
ａ）気孔径の異なる高分子材料からなる芯材に熱硬化性樹脂を含浸させた後、前記芯材同士を当接させた状態で乾燥させてプリフォームを作製する工程と、
ｂ）前記プリフォームを不活性ガス雰囲気中で加熱して炭素質多孔体とする工程と、
ｃ）前記炭素質多孔体を反応容器内に配置し、所定の反応ガスを供給して炭素質多孔体表面にセラミックス被膜を化学蒸着する工程と、
ｄ）前記セラミックス被膜を蒸着した前記炭素質多孔体を酸化雰囲気中で加熱し、前記炭素質多孔体を焼失させる工程と、
を備えることを特徴とするセラミックス多孔体ヒータの製造方法。
【請求項７】
ｄ）炭素質多孔体を消失させる工程の後に、前記セラミクッス被膜を化学蒸着する工程を繰返し実施して所定の嵩密度とすることを特徴とする請求項６記載のセラミックス多孔体ヒータの製造方法。
【請求項８】
前記セラミックス被膜を化学蒸着する工程がパルスＣＶＩ法であることを特徴とする請求項６または７記載のセラミックス多孔体ヒータの製造方法。
【請求項９】
前記高分子材料が有機多孔質体からなり、前記熱硬化性樹脂がフェノール系樹脂、フラン系樹脂、メラミン系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリイミド系樹脂、ビニルエステル系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂及びメタクリル系樹脂から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする請求項６〜８の何れか１項に記載のセラミックス多孔体ヒータの製造方法。
【請求項１０】
前記セラミックス被膜が炭化珪素被膜であることを特徴とする請求項６〜９の何れか１項に記載のセラミックス多孔体ヒータの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種ガスや液体を加熱するためのセラミックス多孔体ヒータ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスに使用される不純物拡散炉、酸化炉、アニール炉、薄膜製造装置、エッチング装置等では、処理のための各種の薬液や反応ガスを加熱してウエハに供給することが行われている。これら処理流体を加熱するヒータとしては、石英ガラスビーズ等の充填物を充填してなる加熱管の周囲に発熱体を配し、更にその周囲を断熱材で包囲したものが一般的であり、処理流体を加熱管に供給し、充填物間を流通させる間に発熱体からの熱で加熱した後、加熱管から流出させる構成となっている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００３】
しかし、これらの加熱ヒータは、加熱管、更には充填物を介して処理流体を加熱する間接加熱方式であるため加熱効率が低い。また、加熱管や充填物、ハウジング等多くの部品で構成されるため構造も複雑で、装置全体として大型になる。更に、これらの部品は金属製やガラス製であるため高重量にもなる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２７７０５４号公報
【特許文献２】特開２００３−２９４３１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明はこのような状況に鑑みなされたものであり、ガスや液体を効率良く加熱でき、また構成も簡素で小型化、軽量化を図ったセラミックス多孔体ヒータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明は下記セラミックス多孔体ヒータ及びその製造方法を提供する。
（１）低嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体と高嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体とが、該網目構造を構成する骨格により結合し一体化された三次元網目構造セラミックス多孔体からなり、前記高嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体部分を電極部としたことを特徴とするセラミックス多孔体ヒータ。
（２）前記低嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体が、前記高嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体に比べて高抵抗であることを特徴とする上記（１）記載のセラミックス多孔体ヒータ。
（３）前記高嵩密度の三次元網目構造セラミックス多孔体の少なくとも一部に金属被膜を形成したことを特徴とする上記（１）または（２）記載のセラミックス多孔体ヒータ。
（４）前記セラミックス多孔体が炭化珪素からなることを特徴とする上記（１）〜（３）の何れか１項に記載のセラミックス多孔体ヒータ。
（５）前記一体化された三次元網目構造セラミックス多孔体が、窒化処理されていることを特徴とする上記（１）〜（４）の何れか１項に記載のセラミックス多孔体ヒータ。
（６）ａ）気孔径の異なる高分子材料からなる芯材に熱硬化性樹脂を含浸させた後、前記芯材同士を当接させた状態で乾燥させてプリフォームを作製する工程と、
ｂ）前記プリフォームを不活性ガス雰囲気中で加熱して炭素質多孔体とする工程と、
ｃ）前記炭素質多孔体を反応容器内に配置し、所定の反応ガスを供給して炭素質多孔体表面にセラミックス被膜を化学蒸着する工程と、
ｄ）前記セラミックス被膜を蒸着した前記炭素質多孔体を酸化雰囲気中で加熱し、前記炭素質多孔体を焼失させる工程と、
を備えることを特徴とするセラミックス多孔体ヒータの製造方法。
（７）ｄ）炭素質多孔体を消失させる工程の後に、前記セラミクッス被膜を化学蒸着する工程を繰返し実施して所定の嵩密度とすることを特徴とする上記（６）記載のセラミックス多孔体ヒータの製造方法。
（８）前記セラミックス被膜を化学蒸着する工程がパルスＣＶＩ法であることを特徴とする上記（６）または（７）記載のセラミックス多孔体ヒータの製造方法。
（９）前記高分子材料が有機多孔質体からなり、前記熱硬化性樹脂がフェノール系樹脂、フラン系樹脂、メラミン系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリイミド系樹脂、ビニルエステル系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂及びメタクリル系樹脂から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする上記（６）〜（８）の何れか１項に記載のセラミックス多孔体ヒータの製造方法。
（１０）前記セラミックス被膜が炭化珪素被膜であることを特徴とする上記（６）〜（９）の何れか１項に記載のセラミックス多孔体ヒータの製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のセラミックス多孔体ヒータは、流通させるガスや液体を直接加熱でき熱効率が高く、構成部品も少なく簡素であり、軽量でもある。また、２種のセラミックス多孔体の接合体であるが、接着剤等を用いて接合する構造でないため、接合部での機械的特性の低下が無く、強固で耐久性に優れ、更には接触抵抗の増加も無いことから消費電力増を招くこともない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明に関して図面を参照して詳細に説明する。
【０００９】
本発明のセラミックス多孔体ヒータは、ガスや液体を流通させる加熱部と、前記加熱部に接合される電極部とから構成されるが、加熱部及び電極部の形状や構成（配置）には制限がなく、ここでは図１に模式的に示すように、平板状の加熱部１０の両端に一対の電極部２０を接合した構成のセラミックス多孔体ヒータを例示して説明する。
【００１０】
加熱部１０は、嵩密度の低い三次元網目構造セラミックス多孔体（以下、「低嵩密度セラミックス多孔体」という）からなる。また、電極部２０は、嵩密度の高い三次元網目構造セラミックス多孔体（以下、高嵩密度セラミックス多孔体）という）からなる。そのため、電極部２０に電流を流すと、加熱部１０が抵抗となって発熱し、この加熱部１０にガスや液体を流通させることにより、ガスや液体を直接加熱できる。
【００１１】
ここで、三次元網目構造セラミックス多孔体とは、図２に模式的に示すように、セラミックスからなる棒状の要素が三次元的に結合して多数のセルが連結した構造を有しており、セルがそれぞれ空所となって全体として多孔質の三次元構造体となる。尚、図では同一形状のセルが示されているが、通常は異なる形状のセルとなる。
【００１２】
高嵩密度セラミックス多孔体は、低嵩密度セラミックス多孔体に比べて１．５倍以上、好ましくは２倍以上の嵩密度とする。この嵩密度比が１．５倍未満では、電極部２０での発熱が過大となり、加熱部１０での発熱機能が十分に発揮できなくなる。また、高嵩密度セラミックス多孔体は、電極としての機能とともに機械的強度を確保するために、例えばセラミックス多孔体を炭化珪素とする場合は嵩密度を０．１３ｇ／ｃｍ３以上とすることが好ましい。また、低嵩密度セラミックス多孔体の嵩密度は、目的とするガスや液体の加熱温度に応じて前記嵩密度比の範囲で適宜設定される。
【００１３】
本発明で、電極部２０をセラミックス多孔体としているのは、電極部２０を断熱材としても機能させるためである。
【００１４】
また、電極部２０での発熱防止及び省電力化のために電極部２０を低抵抗化することが好ましい。セラミックス多孔体を炭化珪素とする場合、低抵抗化の方法としては窒化処理があり、炭化珪素に窒素がドープされて電気抵抗が低下する。窒素のドープ量としては、１０１６〜１０２０原子／ｃｍ３が適当である。
【００１５】
更に、電極部２０の一部、好ましくは全部を金属被膜で被覆してもよい。金属被膜としては、成膜性や膜質、コスト等を考慮するとニッケルめっき膜が好ましい。また、膜厚としては０．１〜５０μｍが適当であり、０．１μｍよりも薄い金属被膜を成膜するのは困難で被覆されない部分ができやすく、５０μｍよりも厚いとセラミックス多孔体表面からの浮きが発生し易くなる。
【００１６】
また、低嵩密度セラミックス多孔体と高嵩密度セラミックス多孔体とを組成、種類を変えて用いることもできるが、ヒータ全体としての機械的特性の均一性を考慮すると、同一種とすることが好ましい。中でもセラミックスの種類としては、炭化珪素が好ましい。炭化珪素は、耐熱性は勿論のこと、耐薬品性にも優れ、コンタミの発生も少ないことから、ガスや液体の種類に係わらず、清浄な加熱ガスや加熱液体を得ることができ、特にクリーン性が要求される半導体製造装置に好適である。具体的には、特開２００３−３３８４９２号公報、特開２００２−１６００５号公報、特開平７−２９８８５号公報等に記載されているエッチング装置のガスシャワーヘッド等に好適に使用できる。
【００１７】
上記セラミックス多孔体ヒータを作製するには、先ず、気孔径の大きい第１の有機質多孔体を、目的とする加熱部１０の形状に合わせて成形して加熱部用部材を作製する。また、気孔径の小さい第２の有機質多孔体を、目的とする電極部２０の形状に合わせて成形して電極部用部材を作製する。有機質多孔体としては、汎用のカッター等で容易に目的形状に加工することができ、更に安価で市場から容易に入手できる等の理由から、メラミン樹脂発泡体やウレタン樹脂発泡体等の種々の樹脂発泡体、パルプ、綿、段ボール等を好適に用いることができる。中でも、目的に合わせて気孔径や気孔率を制御できることから、樹脂発泡体が好ましい。
【００１８】
次いで、加熱部用部材及び電極部用部材に熱硬化性樹脂を含浸させる。含浸方法としては、熱硬化性樹脂を適当な溶剤に溶解した溶液に、各部材を浸漬するディッピング法が簡便かつ効率的で好ましい。熱硬化性樹脂としてはフェノール系樹脂、フラン系樹脂、メラミン系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリイミド系樹脂、ビニルエステル系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、メタクリル系樹脂等が挙げられる。これらの中でもフェノール系樹脂が好ましい。溶剤としてはメタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、水等を使用できる。
【００１９】
上記のディッピングにおいて、熱硬化性樹脂溶液の粘度を調節することにより、各部材の有機質多孔体の気孔の閉塞を抑制することが出来る。また、各部材を熱硬化性樹脂溶液から取り出した後、余分な熱硬化性樹脂溶液を除去することにより、熱硬化性樹脂の含浸量の調節、及び熱硬化性樹脂による有機質多孔体の気孔の閉塞を防止することができる。  余分な熱硬化性樹脂溶液の除去はロール等での絞り出しや、遠心分離、エアー吹き等を利用することができる。中でも、気孔径の小さい有機質多孔体に対しては、エアー吹きや遠心分離が好ましい。熱硬化性樹脂の含浸量は、乾燥後に含浸前の部材重量の１〜２倍程度とするのが適当であり、含浸及び除去作業を繰り返し行う等して調整する。
【００２０】
次いで、熱硬化性樹脂を含浸させた加熱部用部材と電極部用部材とを、接着剤等を用いることなく、直接当接させて図１に示すような形状に組み立て、加熱乾燥して一体化し、プリフォームを作製する。尚、このときの組み立て状態を良好に維持できるように、上記において有機質多孔体を加熱部用部材及び電極部用部材に成形する際に、それぞれの接合面に入子状の凹凸を設けておくことも好ましい。また、加熱乾燥時の温度は６０℃〜２００℃、乾燥時間は０．１〜１２時間程度が適当である。
【００２１】
次いで、プリフォームを窒素、アルゴン、ヘリウム、キセノン等の不活性ガス雰囲気下で８００〜２０００℃の温度で焼成し、有機質多孔体及び熱硬化性樹脂を炭素化することで、全体が炭素骨格からなり、気孔径の大きい加熱部１０と気孔径の小さい電極部２０とが接合層を形成することなく接合した炭素質多孔体が得られる。
【００２２】
次いで、炭素質多孔体の炭素骨格をセラミックスで被覆する。セラミックスによる被覆は、パルス気相化学含浸法（以下、パルスＣＶＩ法と呼ぶ）、等温型ＣＶＩ法又は強制流型ＣＶＩ法により行うことができる。以下、炭素骨格を、パルスＣＶＩ法により炭化珪素（ＳｉＣ）で被覆する場合を例示して具体的に説明する。
【００２３】
図３は気相化学含浸法を実施するための装置の構成を示す模式図であるが、上記の炭素質多孔体４３を反応容器３０の試料台４５の上に載置する。尚、反応容器３０は、図示のように内管と外管との２重管構造とし、その隙間にアルゴンガスや窒素ガス等の非酸化性ガスを流通させるようになっている。これにより、内管から微量の処理ガスが漏れても、処理ガスが反応容器３０から排除されるため、爆発を起こす危険性がなくなる。この状態で先ず、真空ポンプ１２０によって反応容器３０の内部を真空排気する。次いで、後述する混合原料ガスの導入工程と、反応工程と、再真空排気工程とからなる一連のプロセスを所要回数繰り返し実施する。
【００２４】
混合原料ガスの導入工程では、反応容器３０を真空にした後、真空ポンプ側バルブ１０２を閉め、ガス導入側バルブ１０１を開けて、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、メチルトリクロロシラン（ＣＨ３ＳｉＣｌ３）等の塩化珪素ガス、水素、炭化水素からなる原料ガス、必要に応じてキャリアガスを反応容器３０に供給する。使用する塩化珪素ガスとしては、前記の中でも特に四塩化珪素、メチルトリクロロシランが好ましい。また、使用する炭化水素ガスとしては、メタンガスが好ましい。尚、塩化珪素ガスとして四塩化珪素を使用する場合の原料モル比は、水素：四塩化珪素：メタン＝７０〜９６：２〜１０：２〜２０が適当である。
【００２５】
反応工程では、加熱装置５０により反応容器３０を反応温度である８００〜１３００℃に維持し、混合原料ガスを供給して０．２〜１０秒間保持する。これによって、炭素骨格の表面に炭化珪素が析出し、炭化珪素被膜が形成される。
【００２６】
再真空化工程では、ガス導入側バルブ１０１を閉めた後、真空ポンプ側バルブ１０２を開けて真空ポンプ１２０により反応容器３０から残留未反応混合原料ガス及び反応生成ガス（ＨＣｌ等）の排気を行い、反応容器３０の再真空化を行う。
【００２７】
パルスＣＶＩ法では、ガスを炭素質多孔体に強制的に供給するため、多孔体の通気抵抗によらずガスが多孔体表面に一様に供給される。この場合、気孔径の大きい炭素質多孔体に比べて、気孔径が小さく表面積の大きな炭素質多孔体において、単位体積当たりの成膜量が多くなる。つまり、気孔径の小さい炭素質多孔体からは、高嵩密度の炭化珪素多孔体が得られる。
【００２８】
上記の炭化珪素被覆の厚さが２μｍ以上となった時点で、該炭化珪素被膜で被覆された炭素質多孔体を酸化雰囲気中で焼成し、炭素質多孔体を焼失させて炭化珪素からなる中空の骨格に転化して、本発明のセラミックス多孔体ヒータが得られる。更に、必要に応じて、再びセラミックス被覆を行い、セラミックス多孔体の嵩密度を増加させてもよい。
【００２９】
炭化珪素被膜の厚さは、混合原料ガス導入工程、反応工程、再真空工程からなる一連のプロセスの繰り返し回数により変わってくるが、前記一連のプロセスを合計２０００〜５００００サイクル実施した場合、炭化珪素被膜の厚さは１０〜２００μｍとなる。
【００３０】
また、窒化処理を行うには、窒素雰囲気で１５００℃以上の温度で加熱する。これにより炭化珪素中の炭素原子と窒素原子との置換（炭素サイトへの窒素原子の固溶）が起こり、窒素原子がドーパントとして働き、炭化珪素の電気抵抗が低くなる。ドープ量は、加熱時間、窒素濃度により調整することができる。
【００３１】
更に、電極部２０への金属被覆のためのニッケルめっきを行うには、先ず、前処理としてセラミックス多孔体を感受性化剤である塩化錫溶液等に浸漬し、水洗した後、活性化剤である塩化パラジウム溶液等に浸漬して水洗する。尚、この前処理は複数回行ってもよい。次いで、ニッケル−リン系等の無電解ニッケルめっき液に浸漬し、水洗、乾燥する。尚、各処理溶液の濃度や液温、浸漬時間等の処理条件は、セラミックス多孔体の形状、嵩密度、被膜厚等に応じて適宜設定される。
【実施例】
【００３２】
以下、実施例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
気孔径が２．５〜３．５ｍｍ、セル数が８個／２５ｍｍの三次元網目構造のウレタン発泡体（商品名：ＭＦ−８、（株）イノアックコーポレーション製）を縦１２５ｍｍ、横１００ｍｍ、厚さ１００ｍｍに裁断して第１の部材とした。また、気孔径が１．０ｍｍ〜１．５ｍｍ、セル数が２０個／２５ｍｍの三次元網目構造のウレタン発泡体（商品名：ＣＦＨ−２０、（株）イノアックコーポレーション製）を縦３０ｍｍ、横１００ｍｍ、厚さ１００ｍｍに裁断したものを第２の部材とした。第２の部材は２個用意した。
【００３３】
フェノール樹脂原液（商品名：フェノライトＪ−３２５、大日本インキ化学工業製）をエタノールで２０重量％に稀釈して熱硬化性樹脂溶液を調製し、この液中に第１の部材及び第２の部材を浸漬し、取り出した後に余分な熱硬化性樹脂溶液をローラーで絞り除去した。次いで、第１の部材及び第２の部材を９０℃で２時間乾燥させた後、重量を測定した。この含浸から乾燥までの工程を３回繰り返し、第１の部材及び第２の部材の重量が初期重量の１．５倍にした。
【００３４】
次いで、上記の熱硬化性樹脂を含浸させた第１の部材及び第２の部材を再び同一の熱硬化性樹脂溶液に浸漬し、取り出した後余分な熱硬化性樹脂溶液をローラーで絞り除去した。その後、図４に示すように、１００ｍｍ×１００ｍｍの面が互いに接するように第１の部材１を第２の部材２で挟み、更に第２の部材２を両側から鉄板で挟み込んで第１の部材１と第２の部材２とを密着させ、９０℃で２時間乾燥させ、縦１８５ｍｍ×横１００ｍｍ×厚さ１００ｍｍのプリフォームを作製した。
【００３５】
次いで、プリフォームをアルゴン雰囲気中１０００℃で２時間焼成し、炭素化させて炭素質多孔体とした。図５に示すように、得られた炭素質多孔体５は、炭化時の焼成収縮により縦１４８ｍｍ×横８０ｍｍ×厚さ８０ｍｍとなった。このとき、第１の部材に対応する部分１ａの縦寸法は約１００ｍｍであり、第２の部材に対応する部分２ａの縦寸法は約２４ｍｍであった。
【００３６】
次いで、炭素質多孔体５を、図６に示すように、第１の部材に対応する部分１ａの両側に第２の部材に対応する部分２ａが配置されるように、縦１４０ｍｍ（第１の部材に対応する部分１ａが１００ｍｍ、両端の第２の部材に対応する部分２ａが各２０ｍｍ）、横３０ｍｍ、厚さ１０ｍｍに裁断した。この裁断した炭素質多孔体５ａを図３に示す構成の装置の反応容器３０内に収容し、加熱装置５０を加熱して反応容器３０内を１１００℃に昇温した。そして、反応容器３０内を５ｋＰａ以下となるまで真空ポンプにより真空排気した後、反応容器３０に水素：四塩化珪素：メタン（モル比）＝２３：１：１である原料混合ガスを８０ｋＰａの圧力で供給し、１秒間反応させ、その後反応容器３０内を排気して真空（５ｋＰａ以下）とした。この一例のプロセスを３０００回繰り返し、炭素質多孔体５ａの炭素骨格を炭化珪素からなる約５μｍの被膜で被覆した。
【００３７】
次いで、炭化珪素で被覆された炭素質多孔体５ａを電気炉にて、大気中６５０℃で２５時間焼成し、炭素骨格を焼失させて炭化珪素多孔体を得た。
【００３８】
次いで、炭化珪素多孔体５ａを再び図３に示す装置の反応容器３０内に収容し、上記と同様の原料ガスの供給、反応、排気の一連のプロセスを２７０００回繰り返して行い、炭化珪素の膜厚を約４０μｍまで厚くした。
【００３９】
第１の部材に対応する部分１ａの嵩密度は０．２６ｇ／ｃｍ３、第２の部材に対応する部分２ａの嵩密度は０．５４ｇ／ｃｍ３であった。次いで、炭化珪素多孔体５ａを、感受性剤（日本カニゼン（株）製「ピンクシューマー」）を精製水で１０質量％に稀釈した溶液に１分間浸漬した。その後、取り出して３０秒間水洗した。引き続き、炭化珪素多孔体５ａを、活性化剤（日本カニゼン（株）製「レッドシューマー」）を精製水で２０質量％に稀釈した溶液に１分間浸漬した。その後、取り出して３０秒間水洗した。この感受性剤溶液及び活性化剤溶液への浸漬、水洗を４回繰り返した。
【００４０】
次いで、無電解ニッケルめっき薬剤（日本カニゼン（株）製「ブルーシューマー」）を精製水で２０質量％に稀釈し、湯煎して９０℃に調温した溶液に、上記前処理を施した炭化珪素多孔体５ａの第２の部材に対応する部分２ａの両端部の約半分を５分間浸漬し、取り出し後に十分に水洗して乾燥し、約１μｍの厚さのニッケルめっき膜を成膜した。
【００４１】
このようにして得られた炭化珪素多孔体ヒータは、全量１４０ｍｍ、幅３０ｍｍ、厚さ１０ｍｍで、加熱部の長さが１００ｍｍ、両端の電極部の長さが各２０ｍｍで、電極部には両端から約１０ｍｍにわたりニッケルめっき膜が成膜されたものである。
【００４２】
そして、この炭化珪素多孔体ヒータの電極部に交流電圧を印加したところ、下記の発熱特性を示した。
【００４３】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明のセラミックス多孔体ヒータの一例を示す模式図である。
【図２】三次元網目構造セラミックス多孔体を模式的に示す図である。
【図３】パルスＣＶＩ法を実施するための装置の構成を示す模式図である。
【図４】実施例において、第１の部材と第２の部材とを組み付けた状態を示す図である。
【図５】実施例において作製したプリフォームを示す図である。
【図６】実施例において作製した裁断後のプリフォームを示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  第１の部材
２  第２の部材
５  炭素質多孔体
１０  加熱部
２０  電極部
３０  反応容器
４３  炭素質多孔体
４５  試料台
５０  加熱装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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