(57)【要約】【課題】  流路の狭窄または閉塞が発生することなしにより安定した排熱特性が得られる、流路の寸法精度に優れた熱回路基板、およびその製造方法の提供。【解決手段】  第１の熱伝導体箔上に、その表面まで貫通する第１の溝を有する第１の硬化ポリイミド層を形成する工程と；第２の熱伝導体箔上に、その表面まで貫通する第２の溝を有する、第２の硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層の積層体を形成する工程と；第１および第２の熱伝導体箔を、第１の硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層が対向する状態で、第１および第２の溝の位置を合わせて貼り合わせて、貼り合わせ体を形成する工程と；貼り合わせ体を加熱して、第１および第２の硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層を一体化して硬化ポリイミド層を形成し、熱回路基板を得る工程とを含むことを特徴とする熱回路基板の製造方法。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の熱伝導体箔と、前記第１および第２の熱伝導体箔に挟持される硬化ポリイミド層とを有し、前記硬化ポリイミド層中に前記第１および第２の熱伝導体箔の少なくとも一方に直接接触する流路が設けられていることを特徴とする熱回路基板。
【請求項２】
前記流路は、前記第１および第２の熱伝導体箔に直接接触していることを特徴とする請求項１に記載の熱回路基板。
【請求項３】
前記硬化ポリイミド層と前記第２の熱伝導体箔との間に、硬化ポリイミド薄層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の熱回路基板。
【請求項４】
第１の熱伝導体箔上に、前記第１の熱伝導体箔表面まで貫通する第１の溝を有する第１の硬化ポリイミド層を形成する工程と、
第２の熱伝導体箔上に、前記第１の溝の位置に対応し、前記第２の熱伝導体箔表面まで貫通する第２の溝を有する、第２の硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層の積層体を形成する工程と、
前記第１および第２の熱伝導体箔を、第１の硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層が対向する状態で、第１および第２の溝の位置を合わせて貼り合わせて、貼り合わせ体を形成する工程と、
前記貼り合わせ体を、前記プレキュアポリイミド層のプレキュア温度よりも高い温度まで加熱して、前記第１および第２の硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層を一体化して硬化ポリイミド層を形成し、熱回路基板を得る工程と
を含むことを特徴とする熱回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１および第２の硬化ポリイミド層および前記プレキュアポリイミド層は、同一種のポリイミド材料から形成されることを特徴とする請求項４に記載の熱回路基板の製造方法。
【請求項６】
第１の熱伝導体箔上に、前記第１の熱伝導体箔表面まで貫通する溝を有する硬化ポリイミド層を形成する工程と、
第２の熱伝導体箔上に、プレキュアポリイミド層を形成する工程と、
前記第１および第２の熱伝導体箔を、第１の硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層が対向する状態で貼り合わせて、貼り合わせ体を形成する工程と、
前記貼り合わせ体を、前記プレキュアポリイミド層のプレキュア温度よりも高い温度まで加熱して、前記硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層を一体化して硬化ポリイミド層を形成し、熱回路基板を得る工程と
を含むことを特徴とする熱回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記硬化ポリイミド層および前記プレキュアポリイミド層は、同一種のポリイミド材料から形成されることを特徴とする請求項７に記載の熱回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品が実装された実装基板の温度を適切に保持するための熱回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品を実装した実装基板の温度を適切に保持するための排熱手段として、多数のフィンを有する金属製の放熱部品、あるいはヒートパイプなどを設けることが従来から行われてきている。しかしながら、これらの放熱部品およびヒートパイプなどは、排熱手段の大型化あるいは排熱効率の低下を招くものであった。
【０００３】
これに対して、発熱性電子部品に接触するコールドプレート内に冷媒を流すことによって該電子部品を冷却することが提案されている（特許文献１参照）。その具体的構造として熱伝導体箔をハーフエッチングして溝を形成した溝基板を製造し、２つの溝基板を接着剤を用いて接着して、それらの溝を冷媒の流路として用いる熱回路基板が提案されている（特許文献２、３参照）。
【０００４】
【特許文献１】実開昭６１−１２２８８号公報
【特許文献２】特開２００１−２３７５０３号公報
【特許文献３】特開平２−１１０９５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、熱伝導体箔のハーフエッチングにより得られる溝は、エッチングを途中で停止させるという工程上の理由から、得られる溝の寸法精度が低いという問題点を有する。熱回路基板中に、溝の寸法精度の低下による流路の狭窄が起こると、その部分の流路抵抗が増大し、より大容量の冷媒循環ポンプが必要になるとともに、熱回路基板による均一な冷却（排熱）が阻害される恐れがある。
【０００６】
したがって、より安定した排熱特性が得られる流路（溝）の寸法精度に優れた熱回路基板、およびその製造方法が求められているのが現状である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の実施形態の熱回路基板は、第１および第２の熱伝導体箔と、前記第１および第２の熱伝導体箔に挟持される硬化ポリイミド層とを有し、前記硬化ポリイミド層中に前記第１および第２の熱伝導体箔の少なくとも一方に直接接触する流路が設けられていることを特徴とする。ここで、前記流路は、前記第１および第２の熱伝導体箔に直接接触していていてもよい。本発明の第１の実施形態の熱回路基板は、第１の熱伝導体箔上に、前記第１の熱伝導体箔表面まで貫通する第１の溝を有する第１の硬化ポリイミド層を形成する工程と；第２の熱伝導体箔上に、前記第１の溝の位置に対応し、前記第２の熱伝導体箔表面まで貫通する第２の溝を有する、第２の硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層の積層体を形成する工程と；前記第１および第２の熱伝導体箔を、第１の硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層が対向する状態で、第１および第２の溝の位置を合わせて貼り合わせて、貼り合わせ体を形成する工程と；前記貼り合わせ体を、前記プレキュアポリイミド層のプレキュア温度よりも高い温度まで加熱して、前記第１および第２の硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層を一体化して硬化ポリイミド層を形成し、熱回路基板を得る工程とを含むことを特徴とする方法により製造することができる。ここで、前記第１および第２の硬化ポリイミド層および前記プレキュアポリイミド層は、同一種のポリイミド材料から形成されていることが望ましい。
【０００８】
本発明の第２の実施形態の熱回路基板は、第１および第２の熱伝導体箔と、前記第１および第２の熱伝導体箔に挟持される硬化ポリイミド層とを有し、前記硬化ポリイミド層中に前記第１の熱伝導体箔に直接接触する流路が設けられており、前記硬化ポリイミド層と前記第２の熱伝導体箔との間に、硬化ポリイミド薄層をさらに有することを特徴とする。本発明の第２の実施形態の熱回路基板は、第１の熱伝導体箔上に、前記第１の熱伝導体箔表面まで貫通する溝を有する硬化ポリイミド層を形成する工程と；第２の熱伝導体箔上に、プレキュアポリイミド層を形成する工程と；前記第１および第２の熱伝導体箔を、第１の硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層が対向する状態で貼り合わせて、貼り合わせ体を形成する工程と；前記貼り合わせ体を、前記プレキュアポリイミド層のプレキュア温度よりも高い温度まで加熱して、前記硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層を一体化して硬化ポリイミド層を形成し、熱回路基板を得る工程とを含むことを特徴とする方法により製造することができる。ここで、前記硬化ポリイミド層および前記プレキュアポリイミド層は、同一種のポリイミド材料から形成されていることが望ましい。
【発明の効果】
【０００９】
以上のような構成を採ることによって、本実施形態の熱回路基板における冷媒の流路の高さおよび幅は、それぞれ、硬化ポリイミド層を形成するために塗布されるポリイミド材料の膜厚および硬化ポリイミド層のエッチング幅によって決定される。該膜厚およびエッチング幅は当該技術において知られている任意の方法によって容易に、かつ高精度に制御することができる。したがって、本実施形態の熱回路基板の冷媒の流路の寸法は、熱伝導体箔のハーフエッチングによる溝形成と比較して、より高精度で制御することができ、流路の狭窄による大容量の冷媒循環ポンプの必要性、および均一な冷却の阻害などを排除することが可能となる。
【００１０】
さらに、硬化ポリイミド層とプレキュアポリイミド層とを同一種のポリイミド材料から形成することによって、熱回路基板中に均一の組成および特性を有する硬化ポリイミド層を与えることができる。このことは、熱回路基板の一体性、電気的特性、耐熱性、耐久性を向上させる上で重要である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の第１の実施形態の熱回路基板は、第１および第２の熱伝導体箔と、前記第１および第２の熱伝導体箔に挟持され、その中に１および第２の熱伝導体箔の少なくとも一方に直接接触する流路が設けられている硬化ポリイミド層とを有する。
【００１２】
第１および第２の熱伝導体箔は、高い熱伝導率を有する任意の材料を用いることができる。用いることができる材料は、銅、アルミニウム、マグネシウムのような金属、それら金属を含む合金、またはそれら金属の粉末を含むセラミック材料を含む。
【００１３】
硬化ポリイミド層は、熱伝導体箔に対して良好な接着性を有し、熱硬化を行うことができるポリイミド材料（ポリアミドイミドを含む）を用いて形成することができる。用いることができるポリイミド材料は、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製のDurimide 10Aなどを含む。本発明においては、市販のいわゆるポリイミド系接着剤は使用しない。市販のポリイミド系接着剤は、一般的に有機溶媒中のポリアミド酸の溶液または分散液であり、それらを硬化させて形成したポリイミドは、残存するポリアミド酸または硬化時の副生成物の影響などによって耐熱性および／または耐久性が不足する恐れがあるからである。
【００１４】
図１を参照して、本発明の第１の実施形態の熱回路基板の製造方法を説明する。図１（ａ）は、第１の熱伝導体箔１０ａ上に、ポリイミド材料を塗布および硬化させた溝未形成硬化ポリイミド層２０ａを設けた状態を示す断面図である。ポリイミド材料の塗布は、ポリイミドの溶液または分散液を、スピンコート、ディップコート、ロールコート、ナイフコート、スプレーコート、スクリーン印刷などの当該技術において知られている任意の方法を用いることができる。塗布されたポリイミド材料は、プレキュア温度より高い温度、好ましくは２５０℃超３５０℃以下に加熱することによって硬化し、溝未形成硬化ポリイミド層２０ａを与える。
【００１５】
次に、溝未形成硬化ポリイミド層２０ａをエッチングして、第１の熱伝導体箔１０ａ表面まで貫通する溝を形成し、図１（ｂ）に示すような第１の溝が形成された第１硬化ポリイミド層２５ａを得る。当該技術において知られているようにフォトリソグラフ法などを用いて溝未形成硬化ポリイミド層２０ａ表面上にレジストマスクを形成して、エッチングを行うことが好適である。本工程におけるエッチングは、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、化学エッチング（アルカリ水溶液などを用いることができる）などの手法を用いて行うことができる。なお、溝未形成硬化ポリイミド層２０ａの膜厚が薄い場合には、走査レーザービームを用いるレーザーアブレーションによって溝を形成してもよい。あるいはまた、溝未形成硬化ポリイミド層２０ａの膜厚が薄い場合には、均一な塗布の後にパターニングする方法に代えて、スクリーン印刷法を用いて所望のパターンにてポリイミド材料を付着してもよい。
【００１６】
一方、図１（ｃ）に示すように、第２の熱伝導体箔１０ｂ上に、ポリイミド材料を塗布および硬化させた溝未形成硬化ポリイミド層２０ｂ、およびポリイミド材料を塗布およびプレキュアさせたプレキュアポリイミド層３０の積層体を形成する。溝未形成硬化ポリイミド層２０ｂおよびプレキュアポリイミド層３０の形成におけるポリイミド材料の塗布は、ポリイミドの溶液または分散液を、スピンコート、ディップコート、ロールコート、ナイフコート、スプレーコート、スクリーン印刷などの当該技術において知られている任意の方法を用いることができる。最初に溝未形成硬化ポリイミド層２０ｂを形成するために塗布されたポリイミド材料を、プレキュア温度より高い温度、好ましくは２５０℃超３５０℃以下に加熱することによって硬化させ、溝未形成硬化ポリイミド層２０ａを得る。次に、硬化後の溝未形成硬化ポリイミド層２０ｂに対してプレキュアポリイミド層３０用のポリアミド材料を塗布し、プレキュア温度、好ましくは１００〜２５０℃の温度に加熱することによって、プレキュアポリイミド層３０を得る。溝未形成硬化ポリイミド層２０ａおよび２０ｂとプレキュアポリイミド層３０との差異は、溝未形成硬化ポリイミド層２０ａおよび２０ｂが完全に硬化しているのに対して、プレキュアポリイミド層は未だ完全には硬化していない点である。
【００１７】
次に、図１（ｄ）に示すように、溝未形成硬化ポリイミド層２０ｂおよびプレキュアポリイミド層３０の積層体をエッチングして、第２の熱伝導体箔１０ｂ表面まで貫通する第２の溝が形成された第２硬化ポリイミド層２５ｂおよびプレキュアポリイミド層３５の積層体を形成する。エッチング方法としては、第１硬化ポリイミド層２５ａの作製に用いられるものと同様の方法を用いることができる。
【００１８】
次に、図１（ｅ）に示すように、図１（ｂ）に示した第１の熱伝導体箔１０ａと、図１（ｄ）に示した第２の熱伝導体箔１０ｂとを、第１硬化ポリイミド層２５ａとプレキュアポリイミド層３５とを対向させた状態で、第１の溝と第２の溝との位置を合わせて貼り合わせる。本工程によって第１の溝および第２の溝が一緒になって、熱回路基板の流路が形成される。
【００１９】
最後に、図１（ｅ）に示した貼り合わせ体を、プレキュア温度より高い温度、好ましくは２５０℃超３５０℃以下に加熱することによって、プレキュアポリイミド層３５を硬化させる。この硬化によって、第１および第２の硬化ポリイミド層２５ａおよび２５ｂと、プレキュアポリイミド層３５とが一体化して硬化ポリイミド層４０となり、図１（ｆ）に示すような本発明の第１の実施形態の熱回路基板が得られる。
【００２０】
以上の方法で得られる本発明の第１の実施形態の熱回路基板においては、第１および第２の溝によって形成される冷媒の流路が第１および第２の熱伝導体箔１０ａおよび１０ｂに直接接触しているので、熱回路基板の両表面に接触する発熱性の電子部品の冷却を行うことが可能である。なお、冷媒の流路の上面形状は、蛇行状などの熱回路基板全体の均一な冷却を可能にする任意の形状を有しても良い。
【００２１】
第１の実施形態の熱回路基板において、第１および第２の硬化ポリイミド層と、プレキュアポリイミド層とを同一種のポリイミド材料から形成することが望ましい。それらの層を同一種のポリイミド材料から形成することによって、貼り合わせ体の加熱によるプレキュアポリイミド層の硬化の結果、第１の熱伝導体箔から第２の熱伝導体箔までの間に、均一の組成および特性を有する硬化ポリイミド層を与えることができる。このことは、熱回路基板の一体性、電気的特性、耐熱性、耐久性を向上させる上で重要である。
【００２２】
本発明の熱回路基板において、冷媒の流路の高さは、第１および第２の硬化ポリイミド層を形成するために塗布されるポリイミド材料の膜厚によって決定される。該膜厚は当該技術において知られている任意の方法によって容易に、かつ高精度に制御することができる。また、冷媒の流路の幅は、第１および第２の硬化ポリイミド層のエッチング幅によって決定される。エッチング幅についても当該技術において知られている任意の方法によって容易に、かつ高精度で制御することができる。したがって、本発明の熱回路基板の冷媒の流路の寸法は、熱伝導体箔のハーフエッチングによる溝形成と比較して、より高精度で制御することができ、流路の狭窄による大容量の冷媒循環ポンプの必要性、および均一な冷却の阻害などを排除することが可能となる。また、熱伝導体箔のハーフエッチングで流路を形成する場合、精度を保つために高さに上限（約１００μｍまで）が存在するが、本発明の熱回路基板の製造方法においては、形成する流路の高さに制限はなく、２０μｍ以下の高さを有するマイクロチャネルから２００μｍ以上の高さを有する大断面流路まで形成することができる。
【００２３】
さらに、本発明の熱回路基板は、熱伝導体箔に対する良好な接着性を有するポリイミド材料を用いることによって、いわゆるポリイミド系接着剤を使用することなしに製造することができる。ポリイミド系接着剤の使用の排除は、熱回路基板の耐熱性および耐久性を向上させる上で重要である。
【００２４】
本発明の第２の実施形態の熱回路基板は、第１および第２の熱伝導体箔と、前記第１および第２の熱伝導体箔に挟持される硬化ポリイミド層とを有し、前記硬化ポリイミド層中に前記第１の熱伝導体箔に直接接触するが、前記第二の熱伝導体箔とは直接接触しない流路が設けられていることを特徴とする。第１および第２の熱伝導体箔、および硬化ポリイミド層を作製するのに用いられる材料は、第１の実施形態の熱回路基板と同様である。
【００２５】
図２を参照して、本発明の第２の実施形態の熱回路基板の製造方法を説明する。図２（ａ）に示した第１の熱伝導体箔１０ａおよびその上に設けられた硬化ポリイミド層２５ａは、図１（ｂ）に示したものと同等の構造を有し、第１の実施形態において説明した方法で形成することができる。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示すように、第２の熱伝導体箔１０ｂの上に、ポリイミド材料を塗布およびプレキュアさせたプレキュアポリイミド層３０を形成する。プレキュアポリイミド層３０の形成におけるポリイミド材料の塗布は、ポリイミドの溶液または分散液を、スピンコート、ディップコート、ロールコート、ナイフコート、スプレーコート、スクリーン印刷などの当該技術において知られている任意の方法を用いることができる。塗布終了後、プレキュア温度、好ましくは１００〜２５０℃の温度に加熱することによって、プレキュアポリイミド層３０を得る。本実施形態のプレキュアポリイミド層３０は、硬化ポリイミド層２５ａとの接着を行うための層であり、エッチングされることなく平坦な上表面を有する。
【００２７】
次に、図２（ｃ）に示すように、図１（ａ）に示した第１の熱伝導体箔１０ａと、図２（ｂ）に示した第２の熱伝導体箔１０ｂとを、硬化ポリイミド層２５ａとプレキュアポリイミド層３０とを対向させた状態で、貼り合わせる。本実施形態においては、硬化ポリイミド層２５ａをエッチングして得られた溝が、熱回路基板の流路となる。
【００２８】
最後に、図２（ｃ）に示した貼り合わせ体を、プレキュア温度より高い温度、好ましくは２５０℃超３５０℃以下に加熱することによって、プレキュアポリイミド層３５を硬化させる。この硬化によって、硬化ポリイミド層２５ａと、プレキュアポリイミド層３０とが一体化して硬化ポリイミド層４５となり、図２（ｄ）に示すような本発明の第２の実施形態の熱回路基板が得られる。
【００２９】
本実施形態の熱回路基板は、第１の熱伝導体箔のみが流路と直接接触する構造を有するため、第１の熱伝導体箔１０ａ側の面に発熱性の電子部品を接触させて、該部品の冷却を行うのに有利な構造である。しかしながら、流路と第２の熱伝導体箔との間の硬化ポリイミド層４５を充分に薄くすることによって、第２の熱伝導体箔の側に接触する電子部品の冷却に用いることも可能である。
【００３０】
第１の実施形態と同様に、本実施形態の熱回路基板においても、硬化ポリイミド層とプレキュアポリイミド層とを同一種のポリイミド材料から形成することが望ましい。それらの層を同一種のポリイミド材料から形成することによって、貼り合わせ体の加熱によるプレキュアポリイミド層の硬化の結果、第１の熱伝導体箔から第２の熱伝導体箔までの間に、均一の組成および特性を有する硬化ポリイミド層を与えることができる。このことは、熱回路基板の一体性、電気的特性、耐熱性、耐久性を向上させる上で重要である。
【００３１】
本実施形態の熱回路基板において、冷媒の流路の高さおよび幅は、それぞれ、硬化ポリイミド層を形成するために塗布されるポリイミド材料の膜厚および硬化ポリイミド層のエッチング幅によって決定される。該膜厚およびエッチング幅は当該技術において知られている任意の方法によって容易に、かつ高精度に制御することができる。したがって、本実施形態の熱回路基板の冷媒の流路の寸法は、熱伝導体箔のハーフエッチングによる溝形成と比較して、より高精度で制御することができ、流路の狭窄による大容量の冷媒循環ポンプの必要性、および均一な冷却の阻害などを排除することが可能となる。また、第１の実施形態と同様に、本実施形態の熱回路基板の製造方法においては、形成する流路の高さに制限はなく、２０μｍ以下の高さを有するマイクロチャネルから２００μｍ以上の高さを有する大断面流路まで形成することができる。
【００３２】
本発明の第２の実施形態の熱回路基板についても、熱伝導体箔に対する良好な接着性を有するポリイミド材料を用いることによって、いわゆるポリイミド系接着剤を使用することなしに製造することができる。ポリイミド系接着剤の使用の排除は、熱回路基板の耐熱性および耐久性を向上させる上で重要である。
【実施例】
【００３３】
（実施例１）
本実施例は、図１に示した本発明の第１の実施形態の熱回路基板の製造を例示する。
【００３４】
厚さ１８μｍの銅箔（２５０×２５０ｍｍ）上に、ポリイミド材料Durimide 10A（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製）の６５％Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）溶液を印刷法を用いて塗布し、３５０℃に加熱して硬化させて、溝未形成硬化ポリイミド層を形成した。溝未形成硬化ポリイミド層の膜厚は２５μｍであった。
【００３５】
次に、溝未形成硬化ポリイミド層の上にレジスト材料（旭化成製ＡＱ２０７５）を塗布し、パターン露光および現像を行って幅１００μｍの開口部を有するレジスト層を形成した。レジスト層をマスクとして用いて、化学エッチングを行って、溝未形成硬化ポリイミド層に幅１００μｍの第１の溝を形成して、第１の硬化ポリイミド層を得た。次いで、レジスト層を除去した。
【００３６】
別の厚さ１８μｍの銅箔（２５０×２５０ｍｍ）上に、ポリイミド材料Durimide 10Aの６５％ＮＭＰ溶液を印刷法を用いて塗布し、３５０℃に加熱して硬化させて、溝未形成硬化ポリイミド層を形成した。溝未形成硬化ポリイミド層の膜厚は２５μｍであった。次いで、溝未形成硬化ポリイミド層の上に、再度ポリイミド材料Durimide 10Aの６５％ＮＭＰ溶液を塗布し、２５０℃に加熱してプレキュアさせて、プレキュアポリイミド層を形成した。プレキュアポリイミド層の膜厚は８μｍであった。
【００３７】
次に、プレキュアポリイミド層の上にレジスト材料（ＡＱ２０７５）を塗布し、パターン露光および現像を行って幅１００μｍの開口部を有するレジスト層を形成した。レジスト層をマスクとして用いて、化学エッチングを行って、溝未形成硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層の積層体に幅１００μｍの第２の溝を形成して、第１の硬化ポリイミド層とプレキュアポリイミド層の積層体を得た。次いで、レジスト層を除去した。
【００３８】
上記で得られた２つの銅箔を、第１の硬化ポリイミド層とプレキュアイミド層を対向させ、第１および第２の溝の位置合わせを行いながら貼り合わせて、貼り合わせ体を得た。最後に、貼り合わせ体を３５０℃に加熱して、第１および第２の硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層を一体化して、その中に流路（高さ５８μｍ、幅１００μｍ）が形成された硬化ポリイミド層を形成し、熱回路基板を得た。
【００３９】
得られた熱回路基板は、銅箔と硬化ポリイミド層との剥離などは発生せず、良好な一体性を示した。また、その中に形成された流路は、熱回路基板全体にわたって均一な寸法を有し、均一な冷却分布を有した。
【００４０】
（実施例２）
本実施例は、図２に示した本発明の第２の実施形態の熱回路基板の製造を例示する。
【００４１】
厚さ１８μｍの銅箔（２５０×２５０ｍｍ）上に、ポリイミド材料Durimide 10Aの６５％ＮＭＰ溶液をスピンコート法を用いて塗布し、３５０℃に加熱して硬化させて、溝未形成硬化ポリイミド層を形成した。溝未形成硬化ポリイミド層の膜厚は２５μｍであった。
【００４２】
次に、溝未形成硬化ポリイミド層の上にレジスト材料（ＡＱ２０７５）を塗布し、パターン露光および現像を行って幅１００μｍの開口部を有するレジスト層を形成した。レジスト層をマスクとして用いて、化学エッチングを行って、溝未形成硬化ポリイミド層に幅１００μｍの溝を形成して、硬化ポリイミド層を得た。次いで、レジスト層を除去した。
【００４３】
別の厚さ１８μｍの銅箔（２５０×２５０ｍｍ）上に、ポリイミド材料Durimide 10Aの６５％ＮＭＰ溶液をスピンコート法を用いて塗布し、２５０℃に加熱してプレキュアさせて、プレキュアポリイミド層を形成した。プレキュアポリイミド層の膜厚は２５μｍであった。
【００４４】
上記で得られた２つの銅箔を、第１の硬化ポリイミド層とプレキュアイミド層を対向させて貼り合わせて、貼り合わせ体を得た。最後に、貼り合わせ体を３５０℃に加熱して、硬化ポリイミド層およびプレキュアポリイミド層を一体化して、その中に流路（高さ５０μｍ、幅１００μｍ）が形成された硬化ポリイミド層を形成し、熱回路基板を得た。
【００４５】
得られた熱回路基板は、銅箔と硬化ポリイミド層との剥離などは発生せず、良好な一体性を示した。また、その中に形成された流路は、熱回路基板全体にわたって均一な寸法を有し、均一な冷却分布を有した。
【００４６】
（比較例１）
２枚の厚さ１８μｍの銅箔（２５０×２５０ｍｍ）上に、幅１００μｍの溝を与えるレジストマスクを形成し、化学エッチングを行って、深さ２５μｍの溝を形成した。それら２つの銅箔を、溝形成面を対向させて一体的に固着させて、熱回路基板を得た。
【００４７】
得られた熱回路基板中には、幅１００μｍ、高さ５０μｍの流路が形成されたが、冷却分布に不均一性が見られた。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の第１の実施形態の熱回路基板の製造方法を示す図であり、（ａ）〜（ｆ）は、各工程をしめす断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態の熱回路基板の製造方法を示す図であり、（ａ）〜（ｄ）は、各工程をしめす断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０（ａ，ｂ）    （第１、第２）熱伝導体箔
２０（ａ，ｂ）    （第１、第２）溝未形成硬化ポリイミド層
２５（ａ，ｂ）    （第１、第２）硬化ポリイミド層
３０    プレキュアポリイミド層
３５    プレキュアポリイミド層
４０、４５    硬化ポリイミド層
【図１】
2006202787.tif 000003
【図２】
2006202787.tif 000004