(57)【要約】【課題】ガスを安定して供給することが可能な処理装置を提供する。【解決手段】処理装置１は、処理対象物２を保持する基体１１を備える。基体１１には、基体１１の外周にガスＡを供給する、断面が円形状のガス供給路１１ａが形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象物を保持する基体を備え、
該基体に該基体の外周部にガスを供給する、断面が円形状のガス供給路が形成されていることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記基体は、抵抗発熱体を備えていることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記ガス供給路は、前記抵抗発熱体よりも基体の裏面に近接して配置されていることを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記基体に接合され、前記ガス供給路にガスを導入するガス導入路を有する管状部材を備え、
前記基体に、前記ガス供給路と前記ガス導入路とを連通させる連結路が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項５】
前記ガス供給路は、複数形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項６】
前記基体に、前記複数のガス供給路を連結する連結路が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の処理装置。
【請求項７】
前記ガス供給路は、機械加工によって形成されてなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造工程や液晶製造工程では、半導体基板や液晶基板などの基板に対して加熱処理を行う加熱装置が用いられている。加熱装置には、雰囲気ガスを加熱装置の外周に供給するガス供給路が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この従来のガス供給路は、加熱装置が有する抵抗発熱体の上方に形成されていた。また、従来のガス供給路は、表面が平面状に形成されたセラミックプレートと、断面形状が矩形の溝が形成されたセラミックプレートとを接合することにより形成されていた。
【特許文献１】特開２００２−９３８９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のガス供給路によれば、ガス供給路内の雰囲気ガスの流れが不安定になるという課題があった。更に、接合時に加熱されることなどにより、ガス供給路が変形してしまう場合があった。このような変形が生じた場合は、ガス供給路内の雰囲気ガスの流れをより不安定にさせてしまうおそれがあり、その結果、ガスを安定して供給することが困難であった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、ガスを安定して供給することができる処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するために、本発明に係る処理装置は、処理対象物を保持する基体を備える。そして、基体には、基体の外周部にガスを供給する、断面が円形状のガス供給路が形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る処理装置によれば、ガス供給路の断面を円形状としたことにより、ガス供給路内のガスの流れを安定させることができる。よって、ガスを基体の外周部に安定して供給することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【０００９】
図１〜図３に示す加熱装置１は、処理対象物を保持し、処理対象物に対して様々な処理を行う処理装置の１つである。加熱装置１は、処理対象物に対して加熱処理を行う。処理対象物には、例えば、半導体基板や液晶基板などの基板２などがある。加熱装置１は、基板載置面１ａを有しており、基板載置面１ａに基板２が載置される。そして、加熱装置１は、基板載置面１ａ上の基板２を加熱する。
【００１０】
加熱装置１は、基体１１と、抵抗発熱体１２と、管状部材１３と、給電部材１４と、絶縁管１５とを備える。基体１１は、基板載置面１ａを有しており、処理対象物である基板２を保持する。基板載置面１ａには、基板２を載置するための凹部（ポケット）、基板２を支持する複数の凸部（エンボス）、溝などを形成してもよい。基体１１の形状は、限定されない。例えば、基体１１は、円盤状、多角形の板状とすることができる。基体１１の厚さは、３０ｍｍ以下であることが好ましい。これによれば、基体１１の熱伝導性を向上でき、基板載置面１ａの均熱性を向上できる。
【００１１】
基体１１には、基体１１の外周にガスを供給するガス供給路１１ａが形成されている。ガス供給路１１ａは、管状部材１３に供給され、管状部材１３から導入されるガスＡを基体１１の外周部に供給する。そして、外周面に形成された排出穴からガスＡは排出される。ガス供給路１１ａは、例えば、図２に示すように、基体１１の内部から基体１１の外周に向かってガスＡを供給することができる。ガス供給路１１ａは、例えば、基板２におけるプロセスを安定化させる雰囲気ガス、反応ガスなどを供給することができる。ガス供給路１１ａは、例えば、雰囲気ガスとして、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどを供給することができる。
【００１２】
ガス供給路１１ａは、断面が円形状となっている。これにより、ガス供給路１１ａ内で層流を発生しやすくさせ、ガスの流れを安定させることができる。よって、加熱装置１は、ガスを基体１１の外周に安定して供給することができる。例えば、ガス供給路１１ａ内のガスの流れを安定させることができ、ガス流の損失を低減できる。よって、加熱装置１は、所望の流量のガスを安定して供給できる。
【００１３】
ガス供給路１１ａは、抵抗発熱体１２よりも基体１１の裏面１ｂに近い位置、即ち、図２において抵抗発熱体１２よりも下方に形成されていることが好ましい。従来の加熱装置では、ガス供給路が抵抗発熱体よりも上方に形成されていた。そのため、ガス供給路内を流れるガスの熱伝達により基板載置面１ａの温度分布が変化し、基板載置面１ａの均熱性を確保することが困難であった。これに対し、ガス供給路１１ａを抵抗発熱体１２よりも下方に形成することにより、ガス供給路１１ａが抵抗発熱体１２からの熱伝導に影響を及ぼすことを防止できる。よって、ガス供給路１１ａが、基板載置面１ａの温度分布に与える影響を低減でき、基板載置面１ａの均熱性を向上できる。
【００１４】
更に、ガス供給路１１ａは、機械加工により形成されていることが好ましい。これによれば、ガス供給路１１ａの変形を防止でき、ガス供給路１１ａ内のガスの流れをより安定させることができる。よって、加熱装置１は、ガスをより安定して供給することができる。例えば、加熱装置１は、所望の流量のガスをより安定して供給できる。
【００１５】
ガス供給路１１ａは、基体１１の外周部にガスを供給できるように、基体１１の外周部まで形成されている。例えば、ガス供給路１１ａは、基体１１の径方向中心から径方向外側に向かって形成されている。ガス供給路１１ａは、屈曲部を有してもよいが、直線状であることが好ましい。これによれば、ガスの流れをより安定させることができ、ガス流の損失をより低減できる。
【００１６】
ガス供給路１１ａの直径（内径）は、０．５〜２０ｍｍであることが好ましい。これによれば、ガス供給路１１ａ内のガスの流れをより安定させることができる。また、ガス供給路１１ａの長さは、５０〜３００ｍｍであることが好ましい。このように、ガス供給路１１ａは、円筒形状となっているため、ガス流の損失をより低減できる。
【００１７】
基体１１には、ガス供給路１１ａと連結路１１ｂとが形成されている。連結路１１ｂは、管状部材１３に形成された、ガス供給路１１ａにガスを導入するガス導入路１３ａと、ガス供給路１１ａとを連結する。具体的には、基板載置面１ａと反対側の面である基体１１の裏面１ｂに、連結路１１ｂとしてガス供給路１１ａ及びガス導入路１３ａの両者とつながる貫通孔が形成されている。連結路１１ｂは、ガス供給路１１ａとガス導入路１３ａとを連結し、ガス導入路１３ａから供給されるガスＡをガス供給路１１ａに導く。
【００１８】
更に、ガス供給路１１ａは、複数形成することができる。これにより、各ガス供給路１１ａからのガス流量を調整したガスの供給を行うことができる。例えば、全てのガス供給路１１ａからのガス流量がほぼ同一になるように調整することができる。これによれば、加熱装置１は、複数のガス供給路１１ａからほぼ均等量のガスを供給することができる。あるいは、基体１１の外周のうち、集中してガスを供給したい部分にガスを供給するガス供給路１１ａのガス流量が、他のガス供給路１１ａよりも多くなるように調整することができる。これによれば、加熱装置１は、目的とする部分のガス流量を他の部分よりも高めて供給することができる。例えば、各ガス供給路１１ａの直径や長さ、表面粗さなどを調整することにより、各ガス供給路１１ａからのガス流量を調整できる。
【００１９】
ガス供給路１１ａを複数形成する場合、例えば、図１に示すように基体１１の周方向に沿って１８０°の間隔を設けて２つ形成することができる。また、図４に示すように、１２０°の間隔を設けて３つのガス供給路２１ａ〜２１ｃを形成することもできる。更に、図５に示すように、９０°の間隔を設けて４つのガス供給路３１ａ〜３１ｄを形成することもできる。ガス供給路の数は限定されず、もちろん、５つ以上のガス供給路を形成してもよい。又、ガス供給路間の周方向の間隔は等間隔に限定されず、異なる間隔であってもよい。
【００２０】
このように、複数のガス供給路を形成する場合、基体１１に複数のガス供給路を連結する連結路を形成することができる。これによれば、各ガス供給路にガスを行き渡らせることができる。よって、加熱装置１は、各ガス供給路から所望の流量のガスを安定して供給できる。
【００２１】
例えば、図４に示すように、複数のガス供給路２１ａ〜２１ｃを連結する連結路２１ｄを形成することができる。更に、連結路も複数形成することができる。例えば、図５に示すように、ガス供給路３１ａとガス供給路３１ｂを連結する連結路３１ｅと、ガス供給路３１ｃとガス供給路３１ｄを連結する連結路３１ｆを形成することができる。
【００２２】
連結路２１ｄ，３１ｅ，３１ｆは、例えば、基体１１の裏面に形成することができる。連結路２１ｄ，３１ｅ，３１ｆとして、例えば、溝などを形成できる。
【００２３】
例えば、図４に示すように、連結路２１ｄは、連結路１１ｂと接続する位置に形成できる。これにより、連結路１１ｂと接続するガス供給路２１ａ，２１ｂにガスを導入できる。更に、基体１１の裏面に、連結路２１ｄと、連結路１１ｂと接続していないガス供給路２１ｃとをつなぐ連結路１１ｃを形成できる。連結路１１ｃとして、例えば、ガス供給路２１ｃ及び連結路２１ｄの両者とつながる貫通孔を形成できる。これにより、連結路１１ｂと接続しないガス供給路２１ｃにもガスを導入できる。例えば、このような連結路２１ｄとして、連結路１１ｂと連結路１１ｃをつなぐ円弧状の溝を形成できる。連結路として、直線状の溝などを形成してもよい。円弧状の溝とすることにより、各ガス供給路の長さを均一にすることができ、好ましい。
【００２４】
あるいは、図５に示すように、基体１１の裏面に、ガス供給路３１ａと連結路３１ｅをつなぐ連結路１１ｄ、ガス供給路３１ｂと連結路３１ｅとをつなぐ連結路１１ｅを形成できる。例えば、連結路１１ｄとして、ガス供給路３１ａと連結路３１ｅの両者とつながる貫通孔を形成できる。連結路１１ｅとして、ガス供給路３１ｂと連結路３１ｅの両者とつながる貫通孔を形成できる。連結路３１ｅとして、例えば、連結路１１ｄと連結路１１ｅとをつなぐ円弧状の溝を形成できる。この場合、連結路３１ｅが、管状部材１３のガス導入路１３ａと接続し、ガス供給路３１ａ，３１ｂとガス導入路１３ａとを連結する連結路としても機能する。
【００２５】
同様に、基体１１の裏面に、ガス供給路３１ｃと連結路３１ｆをつなぐ連結路１１ｆ、ガス供給路３１ｄと連結路３１ｆとをつなぐ連結路１１ｇを形成できる。例えば、連結路１１ｆとして、ガス供給路３１ｃと連結路３１ｆの両者とつながる貫通孔を形成できる。連結路１１ｇとして、ガス供給路３１ｄと連結路３１ｆの両者とつながる貫通孔を形成できる。連結路３１ｆとして、例えば、連結路１１ｆと連結路１１ｇとをつなぐ円弧状の溝を形成できる。この場合、連結路３１ｆが、管状部材１３のガス導入路１３ａと接続し、ガス供給路３１ｃ，３１ｄとガス導入路１３ａとを連結する連結路としても機能する。
【００２６】
連結路２１ｄ，３１ｅ，３１ｆも、機械加工により形成することが好ましい。連結路２１ｄ，３１ｅ，３１ｆ（溝）の幅は、０．５〜２０ｍｍであることが好ましい。
【００２７】
基体１１は、セラミックスで形成されることが好ましい。基体１１は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）、炭化珪素（ＳｉＣ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）などを含むことができる。これによれば、耐食性や耐熱性に優れた加熱装置１を提供できる。基体１１は、窒化アルミニウムを含むことがより好ましい。これによれば、基板載置面１ａの均熱性を向上できる。
【００２８】
抵抗発熱体１２は、基体１１に形成されている。抵抗発熱体１２は、基体１１に埋設されていることが好ましい。抵抗発熱体１２は、電力供給を受けて発熱し、基板加熱面１ａの温度を上昇させる。抵抗発熱体１２は、例えば、高融点材料で形成できる。抵抗発熱体１２は、例えば、タングステン、モリブデン、タングステン−モリブデン合金、炭化タングステン、炭化モリブデンなどにより形成できる。抵抗発熱体１２の形態は限定されず、例えば、高融点材料粉末を含む印刷ペーストを印刷したもの、高融点材料の線状、コイル状、帯状などのバルク体やシート（箔）、ＣＶＤやＰＶＤによる薄膜などを用いることができる。又、抵抗発熱体１２の形状も限定されず、渦巻状、メッシュ状（金網）、孔あき形状（パンチングメタル）、複数の折り返し部を有する形状などにできる。
【００２９】
図２に示すように、管状部材１３は、基体１１を支持する。又、管状部材１３は、基体１１のガス供給路１１ａにガスを導入する。具体的には、管状部材１３は、ガス供給路１１ａにガスを導入するガス導入路１３ａを有する。ガス導入路１３ａは、基体１１の連結路１１ｂと連通し、連結路１１ｂを介してガスＡをガス供給路１１ａに導入する。尚、図５に示すガス供給路３１ａ〜３１ｄが形成される場合には、ガス導入路１３ａは、基体１１の連結路３１ｅ，３１ｆと接続する。ガス導入路１３ａは、例えば、管状部材１３の下端から上端まで貫通した貫通孔とすることができる。ガス導入路１３ａの直径は、２〜１０ｍｍであることが好ましい。更に、管状部材１３は、その内周側に給電部材１４及び絶縁管１５が配置されている。
【００３０】
管状部材１３は、基体１１の裏面に接合されている。例えば、管状部材１３は、接合剤を用いた固相接合法や液相接合法などにより、基体１１と接合できる。この場合、基体１１と接合部材１３とを一体化でき、管状部材１３のガス導入路１３ａと基体１１のガス供給路１１ａの気密性を確保できる。あるいは、管状部材１３は、Ｏリングやメタルパッキングなどのシール材を介して、基体１１と結合させることもできる。これによっても、管状部材１３のガス導入路１３ａと基体１１のガス供給路１１ａの気密性を確保できる。尚、基体１１と管状部材１３の接合方法はこれらに限定されず、管状部材１３のガス導入路１３ａと基体１１のガス供給路１１ａの気密性を確保できる種々の接合方法を用いることができる。
【００３１】
管状部材１３は、基体１１と同様にセラミックスで形成することができる。管状部材１３は、基体１１と同種のセラミックスで形成されることが好ましい。
【００３２】
給電部材１４は、抵抗発熱体１２と電気的に接続しており、抵抗発熱体１２に電力を供給する。給電部材１４は、抵抗発熱体１２と、ロウ接合、溶接、共晶、かしめ接合、嵌合、ネジ止めなどにより接続できる。給電部材１４は、給電ロッド、給電線（給電ワイヤー）、給電ロッドと給電線の複合体などを用いることができる。給電部材１４は、金属で形成されていることが好ましく、ニッケルで形成されていることがより好ましい。給電部材１４は、絶縁管１５内に収容されている。絶縁管１５は、基体１１の裏面に接合されている。
【００３３】
このような加熱装置１は、例えば、以下のようにして作製できる。主成分となるセラミックス粉末と焼結助剤とを混合し、セラミックス原料粉末を調整する。セラミックス原料粉末に、バインダー、水、分散剤などを添加して混合し、スラリーを作製する。スラリーを噴霧造粒法などにより造粒して造粒粉を作製する。造粒粉を用いて、金型成形法、ＣＩＰ法、スリップキャスト法などによりセラミックス成形体を作製する。セラミックス成形体をセラミックス原料粉末に応じた焼成条件（焼成温度、焼成雰囲気、焼成方法など）で焼成し、セラミックス焼結体を作製する。
【００３４】
セラミックス焼結体上に抵抗発熱体１２を形成する。例えば、抵抗発熱体１２は、セラミックス焼結体上に高融点材料粉末を含む印刷ペーストを、スクリーン印刷法などを用いて印刷することにより形成できる。あるいは、セラミックス焼結体上に高融点材料のバルク体やシート（箔）を載置することや、セラミックス焼結体上に高融点材料の薄膜をＣＶＤやＰＶＤによって形成することによっても、抵抗発熱体１２を形成できる。
【００３５】
次に、セラミックス焼結体及び抵抗発熱体１２上に、セラミックス成形体を形成する。例えば、金型などに、抵抗発熱体１２が形成されたセラミックス焼結体をセットし、セラミックス焼結体及び抵抗発熱体１２上に、造粒粉を充填してセラミックス成形体を形成できる。あるいは、造粒粉を用いて、金型成形法、ＣＩＰ法、スリップキャスト法などによりセラミックス成形体を作製し、セラミックス焼結体及び抵抗発熱体１２上にセラミックス成形体を載置してプレスしてもよい。
【００３６】
そして、セラミックス焼結体と、抵抗発熱体１２と、セラミックス成形体とを、セラミックス原料粉末に応じた焼成条件に従って一体に焼成する。これにより、抵抗発熱体１２が埋設された基体１１を作製できる。例えば、ホットプレス法などを用いて、一軸方向に加圧しながら焼成することができる。
【００３７】
尚、セラミックス焼結体に代えてセラミックス仮焼体を作製し、セラミックス仮焼体上に抵抗発熱体１２を形成してもよい。あるいは、セラミックス成形体と、抵抗発熱体１２と、セラミックス成形体の積層体を作製し、その積層体をホットプレス法などにより一体に焼成してもよい。
【００３８】
得られた基体１１に、ガス供給路１１ａを機械加工により形成する。例えば、基体１１にＭＣ（マシニングセンター）などを用いた穴あけ加工により、基体１１の径方向外側から径方向内側に向かってガス供給路１１ａを形成する。更に、基体１１に、連結路１１ｂや、給電部材１４を挿入するための穴を加工により形成する。
【００３９】
別途、基体１１と同様にして調整した造粒粉を用いて、金型成形法、ＣＩＰ法、スリップキャスト法などにより管状部材１３となるセラミックス成形体を作製する。そして、セラミックス成形体を、セラミックス原料粉末に応じた焼成条件で焼成し、管状部材１３を作製する。得られた管状部材１３に、ガス導入路１３ａを機械加工により形成する。
【００４０】
そして、基体１１と管状部材１３とを接合する。このとき、連結路１１ｂとガス導入路１３ａとが一致するように接合する。基体１１と管状部材１３とは、接合剤を用いた固相接合法や液相接合法、Ｏリングやメタルパッキングなどを用いたシール接合により、接合できる。更に、管状部材１３内に絶縁管１５を挿入し、基体１１と絶縁管１５も同様にして接合する。最後に、絶縁管１５に給電部材１４を挿入し、抵抗発熱体１２と電気的に接続する。
【００４１】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、ガス供給路は、基体１１の外周部にガスを供給できるように、基体１１の外周部まで形成されていればよく、例えば、図６に示すように、基体１１の外周部の内部から上方に向かってガス供給路４１ａを形成してもよい。
【００４２】
具体的には、ガス供給路４１ａは、基体１１の径方向内側から径方向外側に延びる経路４１ｂと、基体１１の外周部における内部から上方に延びる経路４１ｃとを有する断面略Ｌ字状に形成されている。
【００４３】
このようなガス供給路４１ａは、例えば、以下のようにして形成できる。まず、図６に示すように、基体１１側面から径方向内側に向けて経路４１ｂ（横穴）を機械加工により形成する。次に、基体１１の外周部付近の上面から、経路４１ｂにつながる経路４１ａ（縦穴）を機械加工により形成する。そして、経路４１ｂ（横穴）の基体１１側面側の端部を、封止部材４１ｄを用いて塞ぐ。具体的には、基体１１側面に形成されている穴に嵌合するセラミックスなどで形成された封止部材４１ｄを、ロウ接合、かしめ接合、ネジ止めなどにより固定する。
【００４４】
又、抵抗発熱体１２は、基体１１内部に埋設させずに、基体１１表面に設けてもよい。更に、加熱装置１は、静電吸着力を発生させる静電電極や、反応ガスを励起させる高周波電極を備えることができる。具体的には、基体１１に、静電電極や高周波電極も埋設させることができる。又、処理装置として、加熱装置１以外に、基板２に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置や、スパッタ処理を行うスパッタ処理装置などを用いることができる。
【実施例】
【００４５】
次に、実施例を通して本発明を具体的に説明する。
【００４６】
[本発明例]
窒化アルミニウム粉末９５重量％と、酸化イットリウム粉末（焼結助剤）５重量％とを混合し、セラミックス原料粉末を調整した。セラミックス原料粉末にバインダー（PVA）、水、分散剤を添加し、ボールミルを用いて混合してスラリーを作製した。スラリーをスプレードライヤーを用いて噴霧乾燥し、造粒粉を作製した。造粒粉を用いて金型成形法により、窒化アルミニウム成形体を作製した。窒化アルミニウム成形体をホットプレス法を用い、窒素ガス雰囲気において１９００℃で焼成し、窒化アルミニウム焼結体を作製した。
【００４７】
次に、タングステンカーバイド８０重量％と窒化アルミニウム粉末２０重量％の混合粉末に、バインダーとしてエチルセルロースを混合して印刷ペーストを調整した。窒化アルミニウム焼結体上にスクリーン印刷法により、抵抗発熱体１２を形成し、乾燥させた。
【００４８】
次に、金型に抵抗発熱体１２が形成された窒化アルミニウム焼結体をセットし、窒化アルミニウム焼結体及び抵抗発熱体１２上に、造粒粉を充填、加圧して、窒化アルミニウム成形体を作製した。そして、窒化アルミニウム焼結体、抵抗発熱体１２、窒化アルミニウム成形体をカーボン製のサヤにセットし、窒素ガス雰囲気において１９００℃でホットプレス法により焼成した。
【００４９】
このようにして、直径３３０ｍｍ、厚さ２５ｍｍの窒化アルミニウム焼結体の基体１１を作製した。基体１１に、図５に示したガス供給路３１ａ〜３１ｄ、連結路３１ｅ，３１ｆ，１１ｄ〜１１ｇを、ＭＣ（マシニングセンター）を用いた機械加工により形成した。具体的には、基体１１の周方向に沿って９０°の間隔を設けて４つのガス供給路３１ａ〜３１ｄを、基体１１側面から径方向内側に向かって加工して形成した。各ガス供給路３１ａ〜３１ｄの直径（φ）は４ｍｍ、長さは１３５ｍｍとした。更に、基体１１の裏面に、２つの円弧状の連結路３１ｅ，３１ｆ（溝）を形成した。各連結路３１ｅ,３１ｆの幅は５ｍｍ、深さは２ｍｍ、ＰＣＤ（円弧の直径）は６０ｍｍとした。又、給電部材１４を挿入するための穴を加工により形成した。
【００５０】
更に、同様の造粒粉を用いてＣＩＰ法により管状の窒化アルミニウム成形体を作製した。そして、管状の窒化アルミニウム成形体を常圧焼成法により、窒素ガス雰囲気において１９００℃で焼成した。このようにして、直径３０ｍｍ、長さ２５０ｍｍの窒化アルミニウム焼結体の管状部材１３を作製した。管状部材１３に、ガス導入路１３ａとして、直径（φ）５ｍｍの貫通孔を２つ、ＭＣ（マシニングセンター）を用いた機械加工により形成した。
【００５１】
基体１１に形成した連結路３１ｅ，３１ｆの中央部と、管状部材１３のガス導入路１３ａとが一致するようにして、基体１１と管状部材１３とを接合した。このようにして、ガス導入路１３ａとガス供給路３１ａ〜３１ｄとを、連結路３１ｅ，３１ｆを介して接続した。具体的には、基体１１の裏面と管状部材１３の端面に接合剤を塗布し、１８５０℃で熱処理することにより、固相接合法により接合した。同様にして基体１１と絶縁管１５も接合した。最後に、絶縁管１５に給電部材１４としてニッケルの給電ロッドを挿入し、抵抗発熱体１２とロウ接合した。以上のようにして、本発明例による加熱装置１を作製した。
【００５２】
得られた加熱装置１の管状部材１３の各ガス導入路１３ａに雰囲気ガスとして窒素ガスを２０sccm（standard  cc/min）供給した。そして、基体１１の各ガス供給路３１ａ〜３１ｄから基体１１の外周に供給されるガス流量を、流量計を用いて測定した。
【００５３】
ガス供給路３１ａからのガス流量は９．７sccm、ガス供給路３１ｂからのガス流量は９．２sccm、ガス供給路３１ｃからのガス流量は９．３sccm、ガス供給路３１ｄからのガス流量は９．６sccmであった。各ガス供給路３１ａ〜３１ｄからのガス流量のばらつきは１sccm以下と極めて小さく抑えられており、雰囲気ガスを基体１１の外周に安定して供給することができた。
【００５４】
[比較例]
次いで、比較例による加熱装置を作製した。基本的には、本発明例による加熱装置と同様の材料及び手順で作製した。ただし、基体におけるガス供給路は、表面に溝を有する２枚のプレート材同士を接合することによって形成した。具体的には、円板状のプレートを２枚作製し、１枚のプレートの表面側に矩形状の溝を径方向に沿って延設し、この矩形状の溝が形成されたプレートと表面が平面状に形成されたプレートとを接合した。これによって、幅が６ｍｍで、高さが２ｍｍの断面矩形状のガス供給路を形成した。なお、基体の径と厚さ、ガス供給路の長さ、数、配置は本発明例と同様にした。
【００５５】
得られた加熱装置の管状部材の各ガス導入路に雰囲気ガスとして窒素ガスを２０sccm（standard  cc/min）供給した。そして、基体の各ガス供給路から基体の外周に供給されるガス流量を、流量計を用いて測定した。
【００５６】
ガス供給路からのガス流量は、以下に示す表１のように、７．３sccm、８．３sccm、６．８sccm、９．４sccmであった。このように、比較例によるガス流量のばらつきは２．６sccmであり、本発明例に比較して２倍以上になった。
【表１】
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【００５７】
なお、以上のガス流量のバラツキに加えて、基体表面における均熱性のバラツキも検証した。真空雰囲気中に加熱部材を収容し、該加熱部材の基体表面における温度の平均値が５００℃になったときの複数箇所の温度の差を赤外線放射温度計を用いて測定した。前記表１に示すように、本発明例による基体の表面における温度の最大値と最小値との差は５．３℃であり、比較例による基体の表面における温度の最大値と最小値との差は１２．３℃であった。このように、本発明例の温度差は比較例の温度差の半分以下となり、本発明例の方が均熱性に優れることが判明した。
【００５８】
また、比較例の場合、基体の表面のうち、ガス供給路が形成されている部分に対応する表面の温度は、その他の部分の温度に比べ温度が低下していた。しかし、本発明例の場合は温度低下が発生しなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態に係る処理装置の平面図である。
【図２】図１のII−II線による断面図である。
【図３】図２を矢印Ｃ方向から見た側面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る処理装置のガス供給路及び連結路を示す平面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る処理装置のガス供給路及び連結路を示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る処理装置の部分断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
２・・・処理対象物
１１・・・基体
１１ａ，２１ａ，２１ｂ，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，４１ａ・・・ガス供給路
１２・・・抵抗発熱体
１３ａ・・・ガス導入路
１３・・・管状部材
１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ，２１ｄ，３１ｅ，３１ｆ・・・連結路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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