(57)【要約】【課題】  照射電子線が再生トラックに隣接するトラックへリークしてノイズとして検出されることを防止する。【解決手段】  本発明に係る情報記録媒体１は、基板２と、基板２上に形成された導電層３と、導電層３上に形成されており記録状態と非記録状態とで導電率が異なる材料からなる記録層４とを含む。情報記録媒体１は、さらに、記録層４を基板２の上面に平行な少なくとも１の方向において信号が記録されるべき複数の領域に電気的に分離するパターンを持つ分離領域６，６，…を含む。【選択図】    図４
2006196040.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成されており記録状態と非記録状態とで導電率が異なる材料からなる記録層とを含む情報記録媒体であって、
前記記録層を前記基板の上面に平行な少なくとも１の方向において信号が記録されるべき複数の領域に電気的に分離するパターンを持つ分離領域を含むことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の情報記録媒体であって、前記分離領域は、前記記録層よりも低い導電率の材料からなる層を含むことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項３】
請求項２記載の情報記録媒体であって、前記材料は電気絶縁材料であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項４】
請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の情報記録媒体であって、前記分離領域は、前記記録層に形成された溝部を含むことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項５】
請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の情報記録媒体であって、前記記録層を被覆し照射電子線の表面反射を軽減させる反射防止層をさらに含むことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項６】
請求項５記載の情報記録媒体であって、前記反射防止層は金属酸化物を主体として含むことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項７】
請求項１から６のうちのいずれか１項に記載の情報記録媒体であって、前記基板は円盤形状を有し、前記分離領域は、前記記録層上に同心円状または螺旋状に設けられた記録トラック間に形成されていることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項８】
請求項１から７のうちのいずれか１項に記載の情報記録媒体であって、前記記録層は、一の相から他の相へ転移し得て各相毎に導電率が異なる相変化膜を含むことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項９】
請求項１から８のうちのいずれか１項に記載の情報記録媒体であって、前記分離領域は、さらに、トラッキングサーボ用およびアドレス情報用の一方または双方のパターンを有することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項１０】
情報記録媒体の製造方法であって、
（ａ）基板上に導電層を形成する工程と、
（ｂ）前記導電層上に、記録状態と非記録状態とで導電率が異なる材料からなる記録層を形成する工程と、
（ｃ）前記記録層を前記基板の上面に平行な少なくとも１の方向において信号が記録されるべき複数の領域に電気的に分離するパターンを持つ分離領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の情報記録媒体の製造方法であって、前記工程（ｃ）は、前記記録層よりも低い導電率の材料からなる層を形成する工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の情報記録媒体の製造方法であって、前記材料は電気絶縁材料であることを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０から１２のうちのいずれか１項に記載の情報記録媒体の製造方法であって、前記工程（ｃ）は、前記分離領域として前記記録層に溝部を形成する工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０から１３のうちのいずれか１項に記載の情報記録媒体の製造方法であって、前記記録層を被覆するように、照射電子線の表面反射を軽減させる反射防止層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の情報記録媒体の製造方法であって、前記反射防止層は金属酸化物を主体として含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０から１５のうちのいずれか１項に記載の情報記録媒体の製造方法であって、前記基板は円盤形状を有し、前記工程（ｃ）は、前記記録層上に同心円状または螺旋状に設けられた記録トラック間に前記分離領域を形成する工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１０から１６のうちのいずれか１項に記載の情報記録媒体の製造方法であって、前記工程（ｂ）は、一の相から他の相へ転移し得て各相毎に導電率が異なる相変化膜を形成する工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
請求項１０から１７のうちのいずれか１項に記載の情報記録媒体の製造方法であって、前記工程（ｃ）は、トラッキングサーボ用およびアドレス情報用の一方または双方のパターンを有するように前記分離領域を形成する工程を含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体に電子などの荷電粒子を照射することにより記録媒体から情報を再生する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
高密度記録ディスクとして、アモルファス相および結晶相のうちの一方から他方へ転移し得る相変化膜を記録層として用いた相変化型ディスクが広く知られている。相変化材料としては、一般に、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ（ゲルマニウム−アンチモン−テルル）系材料や、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ（銀−インジウム−アンチモン−テルル）系材料などが使用されている。相変化膜の初期状態がアモルファス状態の場合、情報を記録するときは、記録装置は、その相変化膜へ比較的低出力のレーザー光または電子線を照射することでその照射部分を所定温度に加熱し徐冷すれば、その照射部分がアモルファス状態から結晶状態に変化して記録マークを形成する。一方、記録マークを消去するときは、記録装置は、その記録マークへ高出力のレーザー光または電子線を照射することでその照射部分を溶解し急冷すれば、照射部分は結晶状態から初期のアモルファス状態に戻ることとなる。なお、相変化膜の初期状態が結晶状態の場合は、記録層へのレーザー光または電子線の照射によりその照射部分が結晶状態からアモルファス状態へ変化して記録マークを形成する。
【０００３】
結晶状態とアモルファス状態間には大きな屈折率の差があり、アモルファス状態の記録マークの反射率は結晶状態の反射率よりも低い。よって、相変化型ディスクから記録情報を再生するときは、再生装置は、レーザー光などの再生光を記録層に照射し、その反射光を検出してその反射光量に応じた再生信号を生成する。
【０００４】
特許文献１（特開２００２−２７９７１１号公報）によれば、近年、短波長レーザー光源の使用による高記録密度化が進行しているが、レーザー光源を使用するが故の再生限界が存在する。この再生限界を克服するために、特許文献１記載の再生方法は、レーザー光の代わりに、空間分解能を格段に高める電子線を使用している。しかしながら、以下に説明するように電子線の使用による問題が存在する。
【０００５】
図１（Ａ）は、従来の相変化型ディスク１００の断面を概略的に示す図である。相変化型ディスク１００は、基板１０１、導電層１０２および記録層１０３をこの順で形成したものである。基板１０１は、ポリカーボネート樹脂またはアクリル樹脂などの有機材料からなり、記録層１０３は、アモルファス状態の相変化材料からなる。導電層１０２としては、たとえば、銅，銀もしくはアルミニウムなどの金属材料からなる金属膜または合金膜が挙げられる。
【０００６】
図１（Ｂ）に示すように、記録層１０３には、結晶相の記録マーク（記録領域）Ａｃ，Ａｂ，Ａｄが形成されているものとする。図２は、図１（Ｂ）に示した相変化型ディスク１００の上面図（上方から視た図）であり、図３は、図２に示した相変化型ディスク１００のＸ１−Ｘ２線断面図である。図２に示すように、電子ビームは再生トラックＴｃに沿って照射され、電子ビームの軌跡Ｂｔをつくる。図１（Ｂ）に戻ると、記録層１０３の記録マークＡｃが電子ビーム１１１ａによって照射されると、照射電子は、高い電気伝導度を持つ記録マークＡｃを介して導電層１０２に到達し、導電層１０２を伝播して外部の電流測定器１０４で測定される。一方、記録層１０３のアモルファス状態の非記録領域が電子ビーム１１１ｂによって照射されると、照射電子の大部分は記録層１０３に侵入せず、反射される。よって、原理的には、電子ビーム１１１ａが記録マークＡｃを照射するときは、電流測定器１０４による測定電流のレベルは高く、電子ビーム１１１ｂが記録層１０３の非記録領域を照射するときは、測定電流のレベルは低くなる。したがって、測定電流のレベルに応じた再生信号を生成することができる。
【０００７】
しかしながら、図３に示されるように、照射電子が記録層１０３の記録マークＡｃに侵入した後、その照射電子の一部が再生トラックＴｃに隣接するトラックＴａ，Ｔｂの記録マークＡａ，Ａｂにリークし（図中の波線矢印参照）、そのリーク電子が導電層１０２に到達し、電流測定器１０４によりノイズとして検出されることが起こり得る。このようなリーク電子は、再生信号の精度を低下させるという問題がある。
【０００８】
また、図１（Ｂ）に示されるように、記録層１０３の非記録領域で反射した電子１１１ｒが、その照射点に近接する周辺部品１０５で反射し、記録マークＡｂを介して導電層１０２に到達することがある。このような反射電子が電流測定器１０４でノイズとして検出され、再生信号の精度を低下させるという問題もある。
【０００９】
なお、結晶相の記録層１０３にアモルファス相の記録マークが形成される場合も、上述と同様の問題が発生し得ることは明らかである。この場合には、図１（Ｂ）を参照すると、電子がアモルファス相の記録領域（記録マーク）Ａｃを照射するときは、測定電流のレベルは低く、電子が結晶相の非記録領域を照射するときは、測定電流のレベルは高くなる。しかしながら、照射電子が再生トラックの記録領域を照射した後、その照射電子の一部が当該再生トラックに隣接する他のトラックの非記録領域にリークし、導電層１０２に達して電流測定器１０４でノイズとして検出されることが起こり得る。また、アモルファス相の記録領域で反射した電子が、その照射点に近接する周辺部品１０５で反射し、再び記録層を照射し導電層１０２に達して電流測定器１０４でノイズとして検出されることも起こり得る。
【特許文献１】特開２００２−２７９７１１号公報（段落「０００３」〜「０００５」，「０００６」）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記に鑑みて本発明の目的は、照射電子線が記録層内の一の記録領域からこれに隣接する他の記録領域（または非記録領域）へリークしてノイズとして検出されることを防止し得る情報記録媒体およびその製造方法を提供すること、特に、照射電子線が再生トラックに隣接するトラックへリークしてノイズとして検出されることを防止し得る情報記録媒体およびその製造方法を提供することである。また、本発明の他の目的は、照射電子線が媒体表面で反射しノイズとして検出されることを防止し得る情報記録媒体およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成すべく、請求項１記載の発明は、基板と、前記基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成されており記録状態と非記録状態とで導電率が異なる材料からなる記録層とを含む情報記録媒体であって、前記記録層を前記基板の上面に平行な少なくとも１の方向において信号が記録されるべき複数の領域に電気的に分離するパターンを持つ分離領域を含むことを特徴としている。
【００１２】
請求項１０記載の発明は、情報記録媒体の製造方法であって、（ａ）基板上に導電層を形成する工程と、（ｂ）前記導電層上に、記録状態と非記録状態とで導電率が異なる材料からなる記録層を形成する工程と、（ｃ）前記記録層を前記基板の上面に平行な少なくとも１の方向において信号が記録されるべき複数の領域に電気的に分離するパターンを持つ分離領域を形成する工程と、を含むことを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に係る種々の実施例について説明する。
【００１４】
図４（Ａ）は、本発明に係る実施例である情報記録媒体１の上面を概略的に示す図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示した情報記録媒体１のＡ１−Ａ２線断面図である。この情報記録媒体１は、基板２と、この基板２上に形成された導電層３と、この導電層３上に形成された記録層４と、この記録層４上に形成された反射防止層５と、記録層４内に形成された分離層（分離領域）６，６，６，…とで構成されている。但し、図４（Ａ）に示した図では、反射防止層５が省略された上面が表示されている。また、本実施例では、基板２は好適な円盤形状を有しているが、これに限定されず、基板２の上面形状として楕円形状や矩形状を有してもよい。
【００１５】
基板２の材料は、たとえば、ガラス、セラミックスまたは樹脂などの電気絶縁物であればよい。樹脂材料としては、たとえば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂もしくはウレタン樹脂が挙げられる。また、基板２は、導電層３に対する電気絶縁性を有していれば足りるので、金属などの導電性基板と、この導電性基板を被覆する電気絶縁層とで構成されてもよい。
【００１６】
記録層４は、導電率の高い記録領域（記録マーク）と、記録領域に比べて導電率の低い非記録領域とを形成し得る材料で構成されるか、あるいは、導電率の低い記録領域と、記録領域に比べて導電率の高い非記録領域とを形成し得る材料で構成されていればよい。本実施例では、好適な記録層４として、アモルファス相と結晶相との一方から他方へ可逆的に相転移し得る相変化膜が採用される。アモルファス相の導電率（ｒａ）に対する結晶相の導電率（ｒｃ）の比（ｒｃ／ｒａ）は、およそ１０2〜１０6の範囲内である。このような相変化膜の材料としては、たとえば、Ｓｂ−Ｔｅ系材料を主成分として含み、Ｇｅ（ゲルマニウム），Ａｇ（銀），Ｉｎ（インジウム），Ｇａ（ガリウム）の群から選択した少なくとも１種の元素が添加された相変化材料が挙げられる。
【００１７】
また、記録層４の初期の原子配列状態は導電率の低いアモルファス相であり、記録マークの原子配列状態は導電率の高い結晶相であるが、この代わりに、記録層４の初期状態を結晶相とし、記録マークの状態をアモルファス相としてもよい。さらに、説明の便宜上、記録層４は単一の相変化膜で構成されているが、これに限定されず、相変化膜を含む複数の膜から構成されてもよい。
【００１８】
導電層３の材料は、金属材料または導電性有機材料であればよく、特に、低価格で且つ生産性の高いＡｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）もしくはＮｉ（ニッケル）が好ましい。図４（Ｂ）に概略的に示されるように、導電層３は、外部の電流測定器２０と電気的に接続されている。この電流測定器２０によって導電層３を流れる電流量が測定される。信号検出部２１は、その測定電流のレベルに応じて記録マークの有無を検出し得る。
【００１９】
分離層６，６，…は、記録層４および導電層３の双方よりも低い導電率を有し、特に電気絶縁材料からなることが好ましい。図４（Ａ），（Ｂ）に示されるように、分離層６，６，…は、それぞれ、螺旋状または同心円状に設けられた記録トラックＴａ，Ｔｃ，Ｔｂ間の非記録領域に形成されている。ここで、記録トラックが螺旋状に設けられている場合は、説明の便宜上、各周毎に存在する記録トラックの複数本によって一本の螺旋状トラックが構成されるものとする。さらに、分離層６，６，…は、記録層４を、信号が記録されるべき記録トラックＴａ，Ｔｃ，Ｔｂ，…にそれぞれ対応する複数の領域へ電気的に分離するパターンを形成している。図示した例では、分離層６，６，…は、記録層４と略同じ厚み（垂直方向寸法）を有しており、記録層４を、基板２の上面に平行なトラック方向（記録トラックの接線方向に対して垂直な方向）において複数の領域へ完全に分離している。
【００２０】
図４（Ａ）に示されるように、記録トラックの幅Ｌｔは、電子ビームによる記録および再生に適した幅、すなわち、１０ｎｍ（＝１０×１０-9メートル）〜１μｍ（＝１×１０-6メートル）の範囲内にあることが望ましい。集積度を高めるためには記録トラック幅Ｌｔが１μｍ以下であることが望ましく、記録トラック幅Ｌｔが１０ｎｍ未満では、電子ビームの照射面積が小さくなり十分な電流量を検出できないのでＳ／Ｎ比が低下すると考えられる。
【００２１】
また、分離層６，６の幅Ｌｉは、記録トラック幅Ｌｔの１％〜３０％の範囲内にあることが好ましく、特には、記録トラック幅Ｌｔの３％〜２０％の範囲内にあることが好ましい。分離層６の幅Ｌｉが記録トラック幅Ｌｔの３０％を超えると、記録トラック幅Ｌｔが小さくなるので集積度が低下する。また、分離層６の幅Ｌｉが記録トラック幅Ｌｔの１％未満では、記録トラック間の電子のリークを十分に防止できないと考えられる。
【００２２】
反射防止層５は、照射電子の表面反射を軽減させる機能と、記録層４を保護する機能とを有する。反射防止層５の主成分としては、照射電子の透過率が高く、照射電子の表面反射率が低く、且つ高い耐熱性と低い導電率を有する材料が好ましく、具体的には、酸化アルミもしくは酸化シリコンなどの金属酸化物が挙げられる。このような金属酸化物からなる反射防止層５の厚みは、５ｎｍ以下、特には１ｎｍ以下であることが望ましい。その理由は、反射防止層５の厚みが５ｎｍを超えると、照射電子の透過率が低くなり過ぎて記録マークの検出精度が低下するからである。
【００２３】
上記情報記録媒体１から記録情報を読み出す記録再生装置の一例を図５に概略的に示す。この記録再生装置は、情報記録媒体１に電子ビーム７を照射する電子線照射装置２２と、情報記録媒体１を下方から支持する軸部２４と、この軸部２４に回動自在に取り付けられている接続ボックス２５と、導電層３を流れた電流量を測定する電流測定器２０と、その測定結果に基づいて記録マークを検出する信号検出部２１とを有している。これら構成要素２０，２１，２２，２４，２５の他に、記録再生装置は、図示されない構成要素として、軸部２４に情報記録媒体１を固定する部材、軸部２４を回転させるスピンドルモータ、情報記録媒体１を水平方向に移動させる移動機構、電子線照射装置２２や信号検出部２１を制御し得るコントローラなどを有している。
【００２４】
図６は、図５に示した記録再生装置の一部断面を概略的に示す図である。情報記録媒体１の中心孔には軸部２４の先端部が挿入され、情報記録媒体１と固定されている。軸部２４は、その軸方向途中部に環状のフランジ２４ａを有しており、垂直保持機構３０は、このフランジ２４ａを下方から支持することで高速回転する軸部２４の垂直姿勢を維持することができる。また、水平保持機構３１，３２は、軸部２４を２カ所で支持することで軸部２４の水平姿勢を維持することが可能である。また、軸部２４は、導電層３から延びる導通線２６を有し、この導通線２６と電気的に接続する環状の内部電極２７を有している。
【００２５】
接続ボックス２５は、軸部２４の外周面に回動自在且つ摺動自在に取り付けられている。この接続ボックス２５は、環状の磁性流体コンタクト２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃを有し、これら磁性流体コンタクト２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃの外周部と接する環状の外部電極２８を有している。このような構造を有する外部電極２８は、磁性流体コンタクト２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，内部電極２７および導通線２６を介して導電層３と導通する。電流測定器２０は、ケーブルなどを介して外部電極２８と電気的に接続されており、情報記録媒体１の導電層３を流れる電流量を測定することができる。特に磁性流体コンタクト２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃを使用しているので、導電層３から取り出された電流へのノイズ混入を抑制することが可能である。なお、情報記録媒体１から電流を取り出す方法としては、低ノイズの電流を取り出せるのであれば上記の方法に限らない。その他の方法としては、スリップリングや水銀コンタクトを使用する方法が挙げられる。
【００２６】
電子線照射装置２２は、エミッタ（図示せず）から放出された電子を収束させ、偏向させ、さらに収束させることで情報記録媒体１の表面に電子ビーム７を照射する。この電子線照射装置２２は、アモルファス状態の記録層４（図４（Ｂ））に低出力の電子ビーム７を照射し徐冷して、その照射部分を結晶化することで記録マークを形成し得て、一方、その記録マークに高出力の電子ビームを照射し急冷して、その照射部分を非晶質化することで記録マークを消去し得る。
【００２７】
記録情報を再生するときは、図７に示されるように、電子線照射装置２２は、情報記録媒体１に対して再生トラックＴｃに沿って再生用の電子ビームを照射し、この電子ビームの軌跡Ｂｔがつくられる。かかる場合に図４（Ｂ）に示されるように、電子ビームが記録マークＡａを照射するとき、照射電子は、高い電気伝導度を持つ記録マークＡａを介して導電層３に到達し、導電層３を伝播して電流測定器２０によって測定される。また、記録マークＡａに侵入した照射電子は、再生トラックＴｃに隣接する隣接トラックＴａ，Ｔｂの記録マークＡａ，Ａｂへリークすることを分離層６，６によって阻止される。したがって、信号検出部２１は、電流測定器２０による測定結果に基づいて記録マークを示す高精度の再生信号を生成できる。
【００２８】
一方、電子ビームが非記録領域を照射するときは、照射電子の大部分は、アモルファス相の記録層４に侵入せず、照射電子の表面反射は反射防止層５によって抑制される。よって、非記録領域を照射する電子は電流測定器２０によって検出されず、ノイズとしても検出されない。したがって、信号検出部２１は、電流測定器２０による測定結果に基づいて非記録領域を示す高精度の再生信号を生成できる。また、反射防止層５により、表面反射した電子が、周辺部品（図示せず）で反射し記録マークに侵入する事態を防止できるので、記録マークを示す再生信号へのノイズの混入を大幅に低減させることが可能である。
【００２９】
次に、上記情報記録媒体１の製造方法の一例を以下に概説する。図８（Ａ）〜（Ｅ）は、その製造方法を工程順に示す図である。先ず、図８（Ａ）に示されるように、ポリカーボネート樹脂からなる基板２上に、スパッタリング法または真空蒸着法により、Ａｌ，ＣｕまたはＮｉなどの導電性材料からなる導電層３を形成する。導電層３の厚みは、５０ｎｍ〜５０μｍ程度である。次に、導電層３の全面上に、スパッタリング法により、絶縁物からなる分離層６ｐを５ｎｍ〜５００ｎｍ程度の厚みで成膜する。さらに、その分離層６ｐの全面上にレジスト膜１０ｐを塗布する。その後、電子線描画またはレーザー光による露光により、レジスト膜１０ｐにレジストパターンを形成する。
【００３０】
次に、レジスト膜１０ｐに形成されたレジストパターンを現像することで、図８（Ｂ）に示されるレジスト膜１０，１０，…が形成される。次いで、エッチングガス１１を照射し、レジスト膜１０，１０，…をマスクとして用いたドライエッチングを行う。この結果、図８（Ｃ）に示されるような分離層６，６，…が形成される。その後、レジスト膜１０，１０，…は除去される。
【００３１】
次に、図８（Ｄ）に示されるように、スパッタリング法により、全面上に記録層４ｐが堆積される。その後、エッチバックにより記録層４ｐを平坦化し、次いで、スパッタリング法により、酸化アルミなどの金属酸化物からなる反射防止層５を１ｎｍ以下の厚みで形成する。この結果、図８（Ｅ）に示す情報記録媒体１が完成する。なお、上記記録層４の初期状態はアモルファス相であるが、記録層４の初期状態を結晶相にする場合は、記録層４ｐが形成された直後に、記録層４ｐにレーザー光または電子線を照射して記録層４ｐを結晶化すればよい。
【００３２】
図８（Ｅ）に示した情報記録媒体１の変形例として、図９（Ａ），（Ｂ）に情報記録媒体１ｂ，１ｃの概略断面図を示す。図９（Ａ）に示す情報記録媒体１ｂは、図８（Ａ）〜（Ｄ）に示す一連の工程が終了した直後に記録層４ｐ上に反射防止層５を形成することで完成するものである。この情報記録媒体１ｂにおいては、分離層６，６，…は、記録層４ｐをトラック方向に完全に分離せず、記録層４ｐは、上方でトラック方向に連続している。また、図９（Ｂ）に示す情報記録媒体１ｃは、記録層４が分離層６，６，…よりも大きな厚みを有し且つ分離層６，６，…を被覆するように形成される点で図９（Ａ）に示した情報記録媒体１ｂと相違するが、その他の構造は情報記録媒体１ｂの構造と同じである。
【００３３】
次に、本発明に係る第２の実施例の情報記録媒体を以下に説明する。図１０（Ａ）〜（Ｄ）は、第２の実施例の情報記録媒体１ｄの製造方法の一例を工程順に示す図である。先ず、図１０（Ａ）に示されるように、ポリカーボネート樹脂からなる基板２上に、スパッタリング法または真空蒸着法により、Ａｌ，ＣｕまたはＮｉなどの導電性材料からなる導電層３を形成する。導電層３の厚みは、５０ｎｍ〜５０μｍ程度である。続けて、スパッタリング法により、導電層３の全面上に記録層４ｐが堆積される。この記録層４ｐの全面上にレジスト膜１３ｐを塗布した後、電子線描画またはレーザー光による露光により、レジスト膜１３ｐにレジストパターンを形成する。次に、レジスト膜１３ｐに形成されたレジストパターンを現像することで、図１０（Ｂ）に示されるレジスト膜１３，１３，…が形成される。
【００３４】
次いで、これらレジスト膜１３，１３，…をマスクとして用いて記録層４ｐに選択的にドライエッチングを施す。この結果、図１０（Ｃ）に示されるように、導電層３の上面を露出させる溝部（分離領域）１４，１４，…を持つ記録層４が形成される。その後、レジスト膜１３，１３，…は除去される。なお、記録層４の初期状態はアモルファス相であるが、記録層４の初期状態を結晶相にする場合は、記録層４ｐが形成された直後に、記録層４ｐにレーザー光または電子線を照射して記録層４ｐを結晶化すればよい。かかる場合、結晶化された記録層４ｐの上に、図５（Ｂ）に示すが如きレジスト膜１３，１３，…を形成し、続けて、これらレジスト膜１３，１３，…をマスクとして用いて、記録層４ｐにドライエッチングを選択的に施してもよいし、あるいは、アルカリイオンなどのエッチング溶液を使用したウェットエッチングを選択的に施してもよい。
【００３５】
次に、図１０（Ｄ）に示されるように、スパッタリング法により、全面上に、酸化アルミなどの金属酸化物からなる反射防止層５を１ｎｍ以下の厚みで形成する。この結果、情報記録媒体１ｄが完成する。記録層４は、反射防止層５が形成されている溝部１４ａ，１４ａ，…によって、トラック方向において複数の領域へ電気的に分離されている。
【００３６】
図１１は、記録層４に記録マークＡｃ，Ａａが形成されている情報記録媒体１ｄの概略断面図である。この情報記録媒体１ｄによれば、再生用の電子ビームが記録マークＡｃを照射するとき、照射電子は、その記録マークＡｃを介して導電層３に到達し、導電層３を伝播して電流測定器２０によって測定される。また、記録マークＡｃに侵入した照射電子は、記録層４を介して隣接トラックの記録マークＡａへリークすることを、溝部１４ａによって阻止される。したがって、信号検出部２１は、電流測定器２０による測定電流のレベルに応じて高精度の再生信号を生成することが可能である。
【００３７】
図１２（Ａ）は、第２の実施例の情報記録媒体１ｄの変形例１ｅを概略的に示す断面図である。この変形例１ｅでは、記録層４に形成された溝部１４ａ，１４ａ，…は、導電層３の上面に到達せず、記録層４をトラック方向において電気的に不完全に分離する構造を持つ。このような構造でも、再生トラックから隣接トラックへの入射電子のリークを防止できる。また、上記情報記録媒体１（図４（Ｂ））および情報記録媒体１ｄ（図１１）の各構造を組み合わせることにより、図１２（Ｂ）に示す変形例１ｆを構成することが可能である。この変形例の情報記録媒体１ｆの製造方法は以下の通りである。図８（Ａ）〜（Ｄ）の一連の工程が終了した後、エッチバックにより記録層４ｐを平坦化する。その後、記録層４ｐと同じ材料からなる記録層を堆積し、レジスト膜を形成し、分離層６，６，…の上の記録層を選択的にエッチングする。そして、全面上に反射防止層５を成膜することで、溝部１４ａ，１４ａ，…を持つ情報記録媒体１ｆが完成する。この変形例１ｆによれば、記録層４に形成された溝部１４ａと分離層６とにより、入射電子が再生トラックから隣接トラックへリークすることを確実に阻止できる。
【００３８】
ところで、上記分離層６，…および溝部１４ａ，…は、記録層４をトラック方向に電気的に分離するパターンのみならず、トラッキングサーボ用のパターンや、アドレス情報用のパターンを形成してもよい。トラッキングサーボ用のパターンとしては、たとえば、公知のプッシュプル法でトラッキングエラーを検出するために回折格子として機能するパターンが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】（Ａ）は、従来の相変化型ディスクの断面を概略的に示す図であり、（Ｂ）は、記録マークが形成された相変化型ディスクの断面を概略的に示す図である。
【図２】図１（Ｂ）に示した相変化型ディスクの上面を概略的に示す図である。
【図３】図２に示した相変化型ディスク１００のＸ１−Ｘ２線断面図である。
【図４】（Ａ）は、本発明に係る第１の実施例である情報記録媒体の上面を概略的に示す図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示した情報記録媒体のＡ１−Ａ２線断面図である。
【図５】情報記録媒体から記録情報を読み出す記録再生装置の一例を概略的に示す斜視図である。
【図６】図５に示した記録再生装置の一部断面を概略的に示す図である。
【図７】反射防止層が省略された相変化型ディスクの上面を概略的に示す図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｅ）は、情報記録媒体の製造方法の一例を工程順に示す図である。
【図９】（Ａ）は、第１の実施例の変形例である相変化型ディスクの断面を概略的に示す図であり、（Ｂ）は、第１の実施例の他の変形例である相変化型ディスクの断面を概略的に示す図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明に係る第２の実施例の情報記録媒体の製造方法の一例を工程順に示す図である。
【図１１】記録マークが形成された情報記録媒体の断面を概略的に示す図である。
【図１２】（Ａ）は、第２の実施例の変形例である相変化型ディスクの断面を概略的に示す図であり、（Ｂ）は、第１および第２の実施例の他の変形例である相変化型ディスクの断面を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
１，１ｂ〜１ｆ  情報記録媒体
２  基板
３  導電層
３ｄ  絶縁領域（分離層）
４，４ｐ  記録層
５  反射防止層
６  分離層
１４ａ  溝部
【図１】
2006196040.tif 000003
【図２】
2006196040.tif 000004
【図３】
2006196040.tif 000005
【図４】
2006196040.tif 000006
【図５】
2006196040.tif 000007
【図６】
2006196040.tif 000008
【図７】
2006196040.tif 000009
【図８】
2006196040.tif 000010
【図９】
2006196040.tif 000011
【図１０】
2006196040.tif 000012
【図１１】
2006196040.tif 000013
【図１２】
2006196040.tif 000014