(57)【要約】【課題】中間電極と接地金属タンクとの間のキャパシタンス、および電圧検出用コンデンサを含む閉回路における共振現象を抑制して、該閉回路内の各部に過電圧が発生することを防止する。【解決手段】接地金属タンク１内に母線２と所定の距離を隔てかつ同軸に筒状に形成された中間電極３と接地金属タンク１とで構成される第１のコンデンサと、電圧検出用の第２のコンデンサ１０との分圧を電圧センサ１２に印加して母線２の電圧検出を行う装置構成である。そして、中間電極３と接地金属タンク１との間のキャパシタンス、および第２のコンデンサ２を含む閉回路（１）内に抵抗２１を設置して閉回路（１）における共振現象を抑制する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧検出対象部分と対向するように接地電位部分から絶縁して設けられ上記電圧検出対象部分との間で第１のコンデンサを形成する中間電極と、上記中間電極と上記接地電位部分との間に接続された第２のコンデンサと、該第２のコンデンサに並列に接続された電圧センサとを備えて、上記第１のコンデンサと上記第２のコンデンサとの分圧電圧を上記電圧センサに印加することにより上記電圧検出対象部分の電圧を検出する電圧検出装置において、
上記中間電極と上記接地電位部分との間のキャパシタンス、および上記第２のコンデンサを含む閉回路内に共振抑制用抵抗を挿入したことを特徴とする電圧検出装置。
【請求項２】
上記共振抑制用抵抗の抵抗値を、１Ω〜１ＭΩとしたことを特徴とする請求項１に記載の電圧検出装置。
【請求項３】
上記共振抑制用抵抗の抵抗値の上限を１００Ωとしたことを特徴とする請求項２に記載の電圧検出装置。
【請求項４】
上記第２のコンデンサに並列接続される上記電圧センサに光電圧素子を用いることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電圧検出装置。
【請求項５】
上記共振抑制用抵抗を無誘導抵抗としたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電圧検出装置。
【請求項６】
絶縁ガスが封入された筒状の導電性容器と、該導電性容器内に同軸に配設された高電圧導体と、上記導電性容器内に上記高電圧導体と所定の距離を隔てかつ同軸に筒状に形成された筒状中間電極とによりガス絶縁機器を構成し、該ガス絶縁機器の上記導電性容器、上記高電圧導体、上記筒状中間電極をそれぞれ上記接地電位部分、上記電圧検出対象部分、上記中間電極とし、上記第２のコンデンサおよび上記電圧センサを上記導電性容器外側の気中に配設して、上記高電圧導体の電圧を検出することを特徴とした請求項１〜５のいずれかに記載の電圧検出装置。
【請求項７】
上記共振抑制用抵抗を上記導電性容器内のガス空間に配設したことを特徴とする請求項６に記載の電圧検出装置。
【請求項８】
上記共振抑制用抵抗を上記導電性容器外側の気中に配設したことを特徴とする請求項６に記載の電圧検出装置。
【請求項９】
上記中間電極を上記第２のコンデンサへ電気的に接続する接続導体を備え、該接続導体から上記第２のコンデンサの高圧側への導電経路内に上記共振抑制用抵抗を挿入したことを特徴とする請求項８に記載の電圧検出装置。
【請求項１０】
上記共振抑制用抵抗を筒状に構成してその中空部に上記接続導体を貫通させたことを特徴とする請求項９に記載の電圧検出装置。
【請求項１１】
上記接続導体の長手方向に平行に延在する複数の棒状抵抗体を上記接続導体を囲むように配置して上記共振抑制用抵抗を構成したことを特徴とする請求項９に記載の電圧検出装置。
【請求項１２】
上記第２のコンデンサの低圧側から上記導電性容器への導電経路内に上記共振抑制用抵抗を挿入したことを特徴とする請求項８に記載の電圧検出装置。
【請求項１３】
上記導電性容器内側のガス空間と外側の気中とを仕切る絶縁スペーサ部材と、該絶縁スペーサ部材を貫通して上記中間電極を上記第２のコンデンサへ電気的に接続する接続導体とを備え、上記絶縁スペーサ部材に上記共振抑制用抵抗を配設したことを特徴とする請求項１２に記載の電圧検出装置。
【請求項１４】
上記共振抑制用抵抗を上記絶縁スペーサ部材の外周部に配設し、上記第２のコンデンサの低圧側から上記導電性容器への導電経路内に上記共振抑制用抵抗を挿入したことを特徴とする請求項１３に記載の電圧検出装置。
【請求項１５】
上記絶縁スペーサ部材を上記導電性容器に締結するボルト部材を備え、該ボルト部材の軸部外周に該ボルト部材に接して上記共振抑制用抵抗を配置し、上記第２のコンデンサの低圧側から上記導電性容器への導電経路内に上記ボルト部材および上記共振抑制用抵抗を挿入したことを特徴とする請求項１３に記載の電圧検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電圧検出装置に関し、特に、ガス絶縁開閉装置等のガス絶縁機器に適用される電圧検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ガス絶縁機器に適用される従来の電圧検出装置について以下に示す。図２２は、従来の電圧検出装置の構成を示す断面図である。
図２２に示すように、導電部材からなる導電性容器としての接地金属タンク１は、ガス絶縁開閉器等のガス絶縁機器の筒状外被を構成する。高電圧導体としての母線２は、接地金属タンク１の内部に同軸に配設されている。筒状の中間電極３は接地金属タンク１と母線２との間に接地金属タンク１と同軸に配設され、接地金属タンク１と母線２とのそれぞれと電気的に絶縁して取り付けられている。中間電極３は絶縁支持部材５によって接地金属タンク１の内面に絶縁支持されている。
接地金属タンク１の内部空間９において、中間電極３は、母線２との間で第１のコンデンサとなるキャパシタンスＣ１を構成する。中間電極３には電圧を引き出すための接続導体６が取り付けられ、接続導体６は絶縁スペーサ部材８を貫通して第２のコンデンサ１０の高圧側に接続される。第２のコンデンサ１０の低圧側は接地電位にある外箱１１に接続される。
光電圧センサ１２は第２のコンデンサ１０と並列に接続され、即ち、該光電圧センサ１２の一端がリード線１３により第２のコンデンサ１０の高圧側に接続され、他端は外箱１１に接続される。光電圧センサ１２の出力部には信号処理部１４が光ファイバケーブル１５を介して接続されている。
【０００３】
電圧検出動作について説明する。母線２と中間電極３との間で構成される第１のコンデンサとしてのキャパシタンスＣ１と、第２のコンデンサ１０によるキャパシタンスＣ２との静電容量比による分圧比によって、光電圧センサ１２への印加電圧が決定される。そして、光電圧センサ１２への印加電圧に応じた検出出力が光ファイバケーブル１５を介して信号処理部１４へ導出され、高電圧導体としての母線２の電圧を検出する。
【０００４】
このように構成される電圧検出装置では、母線２に高周波サージ電圧が発生すると、第２のコンデンサ１０と光電圧センサ１２とを含む閉回路にて共振現象が発生し、第２のコンデンサ１０の両端に発生する電圧および光電圧センサ１２の両端に発生する電圧が大きくなるものであった。このため、第２のコンデンサ１０と光電圧センサ１２との接続を無誘導性抵抗体にて行い、光電圧センサ１２に印加されるサージ電圧を抑制すると共に、サージ継続時間を短くしていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２０２００１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した従来の電圧検出装置では、第２のコンデンサ１０と光電圧センサ１２とを含む閉回路内の共振現象には抑制対策が施され、光電圧センサ１２や信号処理部１４を保護できるものであったが、中間電極３の低圧側には、中間電極３と接地金属タンク１との間のキャパシタンスおよび第２のコンデンサ１０を含む閉回路も形成される。該閉回路においても、母線２に高周波サージ電圧が発生すると共振現象が発生して、閉回路内の絶縁物端子間の電圧が上昇して過電圧が発生する、また絶縁抵抗の低下や絶縁破壊が発生するという問題点があった。
【０００７】
この発明は、上記のような問題点を解消するために成されたものであって、中間電極と接地電位部分との間のキャパシタンス、および電圧検出用コンデンサである第２のコンデンサを含む閉回路における共振現象を抑制して、該閉回路内の各部に過電圧が発生することを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係る電圧検出装置は、電圧検出対象部分と対向するように接地電位部分から絶縁して設けられ上記電圧検出対象部分との間で第１のコンデンサを形成する中間電極と、上記中間電極と上記接地電位部分との間に接続された第２のコンデンサと、該第２のコンデンサに並列に接続された電圧センサとを備えて、上記第１のコンデンサと上記第２のコンデンサとの分圧電圧を上記電圧センサに印加することにより上記電圧検出対象部分の電圧を検出する装置構成である。そして、上記中間電極と上記接地電位部分との間のキャパシタンス、および上記第２のコンデンサを含む閉回路内に共振抑制用抵抗を挿入したものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、中間電極と接地電位部分との間のキャパシタンス、および第２のコンデンサを含む閉回路内に共振抑制用抵抗を挿入したため、上記閉回路における共振現象を抑制でき、該閉回路内の各部に過電圧が発生することが防止でき、絶縁抵抗の低下や絶縁破壊も防止できる。このため、異常電圧の抑制対策をより的確に推進でき万全を期し得る電圧検出装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
この発明の実施の形態１を、ガス絶縁機器に適用される電圧検出装置について以下に説明する。図１は、この発明の実施の形態１による電圧検出装置の概略構成図である。
導電部材からなる導電性容器としての接地金属タンク１は、ガス絶縁開閉器等のガス絶縁機器の筒状外被を構成しＳＦ６ガス等の絶縁ガスが充填されている。
電圧検出対象部分の高電圧導体としての母線２は、接地金属タンク１の内部に同軸に配設されている。筒状の中間電極３は接地金属タンク１と母線２との間に接地金属タンク１と同軸に配設され、接地金属タンク１と母線２とのそれぞれと電気的に絶縁して取り付けられている。中間電極３は絶縁支持部材２０によって接地金属タンク１の内面に絶縁支持されている。
【００１１】
接地金属タンク１の内部空間９において、中間電極３は、母線２との間で第１のコンデンサとなるキャパシタンスＣ１を構成する。中間電極３には電圧を引き出すための接続導体６が取り付けられ、接続導体６は、接地金属タンク１の内部空間９であるガス空間と外側の気中とを仕切る絶縁スペーサ部材８を貫通し、第２のコンデンサ１０の高圧側に共振抑制用抵抗としての抵抗２１を介して接続される。第２のコンデンサ１０の低圧側は接地電位にある外箱１１に接続される。２２は、外箱１１と接地金属タンク１とを接続する接地線である。
抵抗２１と第２のコンデンサ１０との直列接続体は、電圧センサ１２と並列に接続され、抵抗２１、第２のコンデンサ１０および電圧センサ１２は外箱１１に収納される。電圧センサ１２の出力部には、図示しない信号処理部が接続される。
【００１２】
電圧検出動作について説明する。母線２と中間電極３との間で構成される第１のコンデンサとしてのキャパシタンスＣ１と、第２のコンデンサ１０によるキャパシタンスＣ２との分圧比によって、電圧センサ１２への印加電圧が決定される。そして、電圧センサ１２への印加電圧に応じた検出出力が信号処理部へ導出され、信号処理により高電圧導体としての母線２の電圧が検出される。電圧センサ１２は、例えば、第２のコンデンサ１０で電圧分担されたアナログ電圧信号をデジタルに変換するＡ／Ｄ変換器や、抵抗を介して検出した電流を積分して電圧として出力する装置である。
【００１３】
図１で示す電圧検出装置の等価回路図を図２に示す。
図２において、Ｃ１〜Ｃ４、Ｌ１〜Ｌ４およびＲ１、Ｒ２は次のように定義される。
Ｃ１：母線２と中間電極３との間のキャパシタンス（第１のコンデンサ１０のキャパシタンス）。
Ｃ２：第２のコンデンサ１０のキャパシタンス。
Ｃ３：中間電極３と接地金属タンク１との間のキャパシタンス（絶縁支持部材２０のキャパシタンスおよび浮遊キャパシタンス）。
Ｃ４：電圧センサ１２のキャパシタンス。
Ｌ１：電圧センサ１２を接続するリード線のインダクタンス。
Ｌ２：第２のコンデンサ１０から接地部位までのインダクタンス（第２のコンデンサ１０が持つインダクタンスを含む）。
Ｌ３：絶縁支持部材２０から接地部位までのインダクタンス。
Ｌ４：接続導体６のインダクタンス。
Ｒ１：放電抵抗。
Ｒ２：抵抗２１の抵抗値。
【００１４】
母線２に印加される電圧を検出する電圧検出装置において、中間電極３の低圧側で分担する分担電圧Ｖ２について以下に説明する。
まず、共振を考慮しない場合の低圧側の分担電圧Ｖ２について説明する。
図２において、電圧分担比（分圧比）は電圧検出装置中のＣ１のインピーダンスとＣ１の低圧側の総インピーダンスとの比で決定される。このときの電圧分担比は、電圧センサ１２のキャパシタンスＣ４およびＲ１によるインピーダンスが非常に大きいため、Ｚ１のインピーダンス対Ｚ２、Ｚ３の合同インピーダンスの比となる。ここで、Ｚ１はＣ１によるインピーダンスである。Ｚ２は、Ｌ４、Ｒ２、Ｃ２、およびＬ２によるインピーダンスである。Ｚ３は、Ｃ３およびＬ３によるインピーダンスである。
母線２に印加される電圧波形が１００ｋＨｚ以下の低周波成分のみであれば、通常の構成ではＣ２のインピーダンスよりＬ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｒ２のインピーダンスは十分小さく、Ｃ３のインピーダンスは十分大きい。このため、分担電圧Ｖ２は、Ｃ１とＣ２とのインピーダンス分担で決定され、母線２の印加電圧をＶＬＦとすると、低圧側の分担電圧Ｖ２は式（１）のように表される。
Ｖ２＝（Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２））×ＶＬＦ…（１）
【００１５】
一方、断路器や遮断器などの動作によって生じるサージのような１００ｋＨｚを越える高周波成分を持つ電圧ＶＨＦが母線２に印加された場合は、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｃ３はＣ２のインピーダンスと比較して無視できなくなるため、分担電圧Ｖ２が変化する。この場合、低圧側の分担電圧Ｖ２は、下記の式（２）のようになる。なお、ωは角周波数である。
Ｖ２＝（ＺＬ／Ｚ）×ＶＨＦ…（２）
ただし、Ｚ１＝１／（ωＣ１）、Ｚ３＝ωＬ３＋１／（ωＣ３）、
Ｚ２＝ω（Ｌ２＋Ｌ４）＋１／（ωＣ２）＋Ｒ２、ＺＬ＝１／（１／Ｚ２＋１／Ｚ３）として、Ｚ＝Ｚ１＋ＺＬとする。
（２）式よりＣ２の端子間電圧ＶＣ２は、
ＶＣ２＝（（１／ωＣ２）／Ｚ２）×Ｖ２…（３）
中間電極３を支持する絶縁支持部材２０によるＣ３部の電圧ＶＣ３は、
ＶＣ３＝（（１／ωＣ３）／Ｚ３）×Ｖ２…（４）
【００１６】
図２に示すように、Ｃ１の低圧側にはＣ２およびＣ３を含む閉回路（１）が形成され、この閉回路（１）内に抵抗２１のＲ２が挿入されている。
サージ電圧が印加された際、電圧検出装置内部で共振現象が発生しなければ、閉回路（１）内のＣ２部である第２のコンデンサ１０の端子間電圧は式（３）からＶＣ２、Ｃ３部である絶縁支持部材２０の電圧は式（４）からＶＣ３として求められる。また絶縁スペーサ部材８の電圧Ｖ２ａは、中間電圧３に印加される分担電圧Ｖ２よりわずかに低い電圧となる。
【００１７】
次に、サージに起因した共振現象の発生メカニズムについて述べる。
母線２にサージ電圧が印加されると、図２の閉回路（１）内に式（２）に従って分担電圧Ｖ２が分担され、その後に印加電圧波形の周波数に同調して閉回路（１）内で共振が発生して過電圧が発生する。図２で示す閉回路（１）で発生する共振は、Ｃ２、Ｃ３、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４による直列共振となり、その周波数ｆは式（５）のように表せる。
ｆ＝１／（２π×√（Ｌ×Ｃ））…（５）
ただし、Ｌ＝Ｌ２＋Ｌ３＋Ｌ４、Ｃ＝１／（１／Ｃ２＋１／Ｃ３）である。
例えばＣ２＝１００００ｐｆ、Ｃ３＝１００ｐｆ、Ｌ２＝Ｌ３＝０．５μＨとすると共振周波数はｆ≒７０ＭＨｚと算出できる。サージ電圧の周波数はＤＣから１００ＭＨｚ程度まで成分を有しており、上記周波数は充分これに含まれる。サージの周波数成分の中で式（５）に従った周波数に同調して共振現象が起こる。
閉回路（１）内で共振現象が発生すると、共振による電流は閉回路（１）内を流れ抵抗２１を通過する際にエネルギを消費するため、共振が抑制され、閉回路（１）内のＣ３部、Ｃ２部、および絶縁スペーサ部材８で過電圧が発生するのが抑制される。また、Ｃ２部、即ち第２のコンデンサ１０にかかる過電圧が抑制できるため、電圧センサ１２にかかる電圧も抑制することができる。
【００１８】
図３は、抵抗２１の設置による共振抑制効果を説明する図であり、サージ電圧が印加された時のＣ２部の共振波形を用いて説明する。図３において、ＦＷは第１波、Ａは比較例として抵抗設置無しの場合の電圧波形、Ｂは抵抗設置有りの場合の電圧波形である。電圧波形Ａによる包絡線をＡｐ、電圧波形Ｂによる包絡線をＢｐで示す
抵抗２１を設置しない比較例の場合は、電圧波形Ａおよびその包絡線Ａｐに示すように、閉回路（１）内で発生した共振によって閉回路（１）内の電圧が上昇する。
一方、抵抗２１を設置した場合、適切な抵抗値を有することで、電圧波形Ｂおよびその包絡線Ｂｐに示すように、サージの高周波成分に呼応した共振に対して抵抗２１で減衰させることができ、電圧上昇を抑制できる。
このことにより、閉回路（１）内のサージ電流を抑制できるため、閉回路（１）内のＣ３部、Ｃ２部、および絶縁スペーサ部材８で過電圧が発生するのが抑制される。
なお、断路器や遮断器などの動作によって生じるサージについて述べたが、接地金属タンク１内部で起こる地絡によるサージに対しても同様に効果がある。
【００１９】
次に、抵抗設置の有無による電圧検出装置の閉回路（１）内部の発生電圧の違いについて説明する。図４〜図６は、共振現象の抑制作用を説明するためのオシロスコープ測定波形例およびスペクトルアナライザ測定波形例である。
母線２にサージ電圧を模擬して図４で示すような１００ＭＨｚまでの高周波成分を含むステップ波を入力した場合に、抵抗設置の有無による電圧検出装置の閉回路（１）内部の発生電圧の違いについて説明する。図５および図６は、閉回路（１）内部の発生電圧におけるオシロスコープ測定波形例およびスペクトルアナライザ測定波形例を示す図である。特に、図５は抵抗２１を設置しない比較例の場合、図６は抵抗２１を設置した場合を示す。なお、閉回路（１）内部の発生電圧は、この場合、接地タンク２から絶縁スペーサ部材８の間の電圧を測定したが、Ｃ２部、あるいはＣ３部の電圧を測定しても、電圧レベルは異なるが同様の現象が観測できる。
【００２０】
抵抗２１を設置しない比較例の場合、Ｃ２の端子間電圧は電圧分担されたステップ電圧に、電圧検出装置内の閉回路（１）で共振した電圧が重畳する。図５（ｂ）に示すように特定の周波数、この回路では２０〜２５ＭＨｚ付近で共振が発生し、図５（ａ）に示すように電圧のピーク値が上昇してしまう。過電圧の大きさは図５（ａ）によれば、ステップ電圧に対する電圧分担分が約４０ｍＶであり、これに振動電圧が２８ｍＶ程度重畳しており、共振現象により、６８ｍＶ÷４０ｍＶ＝約１．７５倍程度電圧が上昇している。もし、ここで母線２に印加されるステップ電圧が実際に発生しうる電圧レベルであれば、閉回路（１）内のＣ３部、Ｃ２部、および絶縁スペーサ部材８で絶縁破壊が起る可能性がある。
【００２１】
一方、抵抗２１を設置した場合、ステップ電圧が電圧分担された後に同様に共振が発生するが、抵抗２１により抑制されるため、図６（ａ）に示すように過電圧が抑制されている。過電圧の大きさは図６（ａ）によれば、ステップ電圧に対する電圧分担分が４０ｍＶに対して振動電圧が１０ｍＶ程度に抑制されている。図５で示した抵抗無しの場合の振動電圧上昇分が２８ｍＶであることから、抵抗設置による振動電圧抑制効果は、１０ｍＶ÷２８ｍＶ＝約１／３となる。
【００２２】
以上のように、この発明による実施の形態１の電圧検出装置では、中間電極３と接地金属タンク１との間のキャパシタンスＣ３および第２のコンデンサ１０のキャパシタンスＣ２を含む閉回路（１）内に抵抗２１を挿入したため、閉回路（１）内で共振が抑制され、閉回路（１）内のＣ３部、Ｃ２部、および絶縁スペーサ部材８で過電圧が発生するのが抑制される。また、Ｃ２部、即ち第２のコンデンサ１０にかかる過電圧が抑制できるため、電圧センサ１２にかかる電圧も抑制することができる。
さらに、共振現象による過電圧を抑制できるため、第２のコンデンサ１０や電圧センサ１２とこれを覆う外箱１１との間の絶縁距離を小さくすることができ、電圧検出装置の外箱１１の構成をコンパクト化できる。同様に接地金属タンク１の内部に関しても、電圧検出装置の各部の過電圧を抑制できることから、絶縁支持部材２０の絶縁耐電圧を小さくでき、中間電極３と接地金属タンク１との距離を短く、あるいは、絶縁支持部材２０の沿面長を短くできるため、絶縁支持部材２０のコンパクト化が図れる。また絶縁スペーサ部材８の絶縁耐電圧も小さくでき絶縁スペーサ部材８をコンパクト化することができる。
【００２３】
また、抵抗２１は接地金属タンク１の外側の気中に設置されているため、既設の電圧検出装置にも、ガス処理作業をすることなく簡易に抵抗２１を装着でき、共振現象を抑制することができる。
【００２４】
なお、共振抑制用の抵抗２１は、材質としては例えばカーボン抵抗のように、多数回のサージによって累積的なエネルギが注入されても熱的に破壊せず、抵抗値の変動が小さいものを使用する。形状については、沿面耐電圧性能を考慮する必要があるが、抵抗２１の端子間に発生する電圧は１０〜数十ｋＶ程度であるので、抵抗２１を電圧検出装置の接地金属タンク１外側の気中部に設置する場合は、電圧のかかる方向に対する厚みが数ｍｍ以上あれば良い。
【００２５】
この実施の形態１では、抵抗２１と第２のコンデンサ１０とを直列接続し、この直列接続体と電圧センサ１２とを並列に接続したものを示したが、電圧検出装置は図７に示すように構成しても良い。即ち、中間電極３から絶縁スペーサ部材８を貫通して外箱１１に導入される接続導体６と第２のコンデンサ１０との間に抵抗２１が挿入された状態で接続され、第２のコンデンサ１０と電圧センサ１２とは並列に接続される。この場合も、図１で示した電圧検出装置と同様に、抵抗２１は接地金属タンク１の外側の気中に設置され、閉回路（１）内で共振が抑制されて過電圧が発生するのが抑制できるため、上述した同様の効果が得られる。
【００２６】
次に、図１、図７で示したこの実施の形態による電圧検出装置で用いる抵抗２１の具体的設置構成を説明する。図８（ａ）は抵抗２１の詳細構成を含む電圧検出装置全体の構成を示す断面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のVIII(b)−VIII(b)線における断面図を示している。
図８に示すように、中間電極３から絶縁スペーサ部材８を貫通して外箱１１の内部に導入される接続導体６の下端には押さえ金具６ａが設けられる。また、抵抗２１を筒状に構成し、その中空部に接続導体６を貫通させ、抵抗２１の一方の端子部２１ａと押さえ金具６ａとは、これらの間に配設される抵抗押さえ用バネ６ｄを介して圧接される。また、端子部２１ａと押さえ金具６ａとは導通用金具６ｂ、６ｃにて短絡され、接続導体６と抵抗２１との間の電気的接続が確保される。抵抗２１の他方の端子は第２のコンデンサ１０に接続される。
【００２７】
図８で示した抵抗２１は、接続導体６を囲む筒状に形成されて表面積を大きくしているため、放熱量を増大できる。このため、過電圧や商用電圧印加に伴う発熱による抵抗素子の破壊や抵抗値低下を防止できる。また、抵抗２１の断面積を大きくすることで抵抗２１の内部のインダクタンスを小さくする効果もある。
【００２８】
なお、図８で示した抵抗２１は筒状に構成したが、図９に示すように、環状に形成された一方の端子部２１ａにカーボン抵抗からなる複数の棒状抵抗体２１ｎを接続して抵抗２１を構成しても良い。複数の棒状抵抗体２１ｎは接続導体６の長手方向に平行に延在し接続導体６を囲むように配置される。この場合も、接続導体６の下端の押さえ金具６ａと端子部２１ａとは抵抗押さえ用バネ６ｄを介して圧接され、端子部２１ａと押さえ金具６ａとは導通用金具６ｂ、６ｃにて短絡される。そして、図８で示した構成と同様に、放熱量が増大できると共に、インダクタンスの低減が図れ、同様の効果が得られる。
【００２９】
実施の形態２．
上記実施の形態１による電圧検出装置は、第２のコンデンサ１０および電圧センサ１２が収納される外箱１１内に抵抗２１を配設したが、電圧検出装置は図１０に示すように構成しても良い。即ち、抵抗２１は、外箱１１と接地金属タンク１とを接続する接地線２２の途中に挿入した状態で接続され、第２のコンデンサ１０の低圧側から接地金属タンク１への導電経路内に挿入されたものとなる。また、外箱１１を接地線電位に接続する接地用リード線３０を設ける。その他の構成は図１で示した電圧検出装置と同様である。
図１０で示す電圧検出装置の等価回路図を図１１に示す。図１１内のＣ１〜Ｃ４、Ｌ１〜Ｌ４、Ｒ１およびＲ２は上記実施の形態１の図２で示した場合と同様であり、Ｌ５は、接地用リード線３０のインダクタンスである。この場合も、上記実施の形態１と同様に、Ｃ１の低圧側にはＣ２およびＣ３を含む閉回路（１）が形成され、この閉回路（１）内に抵抗２１のＲ２が挿入されている。また、抵抗２１は接地金属タンク１の外側の気中に設置される。
【００３０】
接地用リード線３０のインダクタンスＬ５は、商用周波数ではＣ２のインピーダンスおよびＲ２より十分小さい値であり、高周波ではＲ２よりも大きい値となる。例えばＬ５＝１ｍＨ、Ｒ２＝１００Ω、Ｃ２＝１５０００ｐｆとすると、商用周波数６０ＨｚでＬ５のインピーダンスは約０．３８Ω、Ｃ２のインピーダンスは１７７０００Ωである。また、１０ＭＨｚの高周波が母線２に印加された場合、Ｌ５のインピーダンスは約６３０００ΩでＲ２よりも大きくなる。
このように、商用周波数が母線２に印加された場合、Ｌ５のインピーダンスはＣ２のインピーダンスより十分小さいため、図１１内のＰ部の電位は接地電位に近い値となる。従って、Ｒ２やＬ５の挿入により位相角度ずれが発生しない。低圧側の分担電圧Ｖ２も上記実施の形態１で示した式（１）に従うため、電圧分担比に影響しない。また、高周波が母線２に印加された場合、Ｌ５のインピーダンスはＲ２より大きいために無視できる。閉回路（１）内で共振現象が発生した場合、閉回路（１）内に設けられた抵抗２１のＲ２により、共振が抑制される。
【００３１】
以上のように、この実施の形態２においても、閉回路（１）内に設けられた抵抗２１のＲ２により、閉回路（１）内の共振現象が抑制されて過電圧が発生するのが抑制できるため、上記実施の形態１と同様の効果が得られる。さらに、中間電極３と母線２との間のキャパシタンスＣ１と第２のコンデンサ１０のキャパシタンスＣ２との間に抵抗２１が入らないために、位相角度ずれが発生しない。
このため、商用周波数に対して中間電極３の低圧側の電圧分担比が、抵抗２１の有無により変わらないため、既設の電圧検出装置に抵抗２１を設置しても電圧分担比の再調整をする必要が無く、既設の電圧検出装置の利用が容易になる。
【００３２】
図１０では、外箱１１と接地金属タンク１とを接続する接地線２２の途中に抵抗２１を挿入したが、この接地線２２を、接地金属タンク１内側のガス空間と外側の気中とを仕切る絶縁スペーサ部材８の周辺部で構成した例を以下に示す。
図１２は実施の形態２による抵抗２１の詳細構成を含む電圧検出装置の部分断面図である。図１２に示すように、共振現象を抑制するための抵抗２１を、カーボン抵抗等からなる抵抗体で構成して絶縁スペーサ部材８の外周部に配置する。この抵抗２１は、接続導体６と平行に延在する棒状抵抗体を絶縁スペーサ部材８の外周部に複数本配置して構成しても良いし、インダクタンス低減のために円筒形状あるいはドーナツ形状に構成しても良い。抵抗２１の両端子２１ａ、２１ｂはそれぞれタンクフランジＦＡ、ＦＢに接続される。タンクフランジＦＡは接地金属タンク１側のフランジ、タンクフランジＦＢは外箱１１に接続されるフランジであり、タンクフランジＦＡとタンクフランジＦＢとの間の導電経路により接地線２２が形成され、この導電経路内に抵抗２１が挿入される。
【００３３】
絶縁スペーサ部材８は、ボルト部材ＢＬを用いて接地金属タンク１に締結されているが、ボルト部材ＢＬは絶縁部材ＢＬａにより片側がタンクフランジＦＢと絶縁されているので、ボルト部材ＢＬを介してタンクフランジＦＡとタンクフランジＦＢとが直接に導通することはない。電流はタンクフランジＦＡとタンクフランジＦＢとの間を抵抗２１を介して流れる。
このように、抵抗２１を絶縁スペーサ部材８の外周部に配置するため、既設の電圧検出装置に対して抵抗２１の設置が容易となる。
【００３４】
なお、絶縁スペーサ部材８の外周部に配置する抵抗２１は、図１３に示すように、抵抗２１の両端をタンクフランジＦＡ、ＦＢにて挟み込んで配置しても良い。この場合も、ボルト部材ＢＬは絶縁部材ＢＬａにより片側がタンクフランジＦＢと絶縁され、電流はタンクフランジＦＡとタンクフランジＦＢとの間を抵抗２１を介して流れる。このような抵抗２１は、例えば、リング状のカーボン抵抗からなる抵抗体で構成したり、あるいは、カーボン等の導電材料を混ぜたエポキシ絶縁物で構成して配置する。また抵抗２１を絶縁スペーサ部材８と一体化して注型しても良い。
【００３５】
次に、抵抗２１を、絶縁スペーサ部材８を接地金属タンク１に締結するボルト部材ＢＬの軸部外周にボルト部材ＢＬに接して配置する例を示す。この場合、第２のコンデンサ１０の低圧側から接地金属タンク１への導電経路内に、抵抗２１とボルト部材ＢＬとが挿入されたものとなる。
図１４（ａ）は、実施の形態２の別例による抵抗２１の詳細構成を含む電圧検出装置の部分断面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）の部分拡大図である。図１４に示すように、絶縁材料へ導電材料を混ぜた材料、例えばカーボンを含んだエポキシ樹脂注型層で構成される抵抗２１を、絶縁スペーサ部材８の内部に埋め込んで形成する。ここでは、抵抗２１は、ボルト部材ＢＬの軸部外周部分にボルト部材ＢＬに接して配置される。ボルト部材ＢＬは絶縁部材ＢＬａにより片側がタンクフランジＦＢと絶縁され、タンクフランジＦＢは抵抗２１を介してボルト部材ＢＬに接続される。さらに他方のタンクフランジＦＡは、空隙ＳＰにより抵抗２１と絶縁される。
【００３６】
この場合、タンクフランジＦＡとタンクフランジＦＢとの間の導電経路により図１０で示した接地線２２が形成され、この導電経路内にボルト部材ＢＬと抵抗２１とが挿入される。電流はタンクフランジＦＡとタンクフランジＦＢとの間を、図１４（ｂ）に示すようにボルト部材ＢＬと抵抗２１とを介して流れる。
この場合も抵抗２１は絶縁スペーサ部材８に配設されるため、既設の電圧検出装置に対して抵抗２１の設置が容易となる。
【００３７】
なお、ボルト部材ＢＬの軸部外周に配置される抵抗２１は、図１５に示すように、ボルト部材ＢＬの片側とタンクフランジＦＢとの間に配置しても良い。即ち、上記図１２〜図１４で示した絶縁部材ＢＬａと同様の形状および配置で抵抗２１を構成する。この場合も、タンクフランジＦＡとタンクフランジＦＢとの間の導電経路内にボルト部材ＢＬと抵抗２１とが挿入され、電流はタンクフランジＦＡとタンクフランジＦＢとの間を、ボルト部材ＢＬと抵抗２１とを介して流れる。
【００３８】
実施の形態３．
上記実施の形態１、２で用いた共振抑制用の抵抗２１における抵抗値について説明する。
一般に抵抗値Ｒを大きくすると、閉回路中で発生する共振の鋭さを示すＱは下記の（６）式で表せる。
Ｑ＝１／Ｒ×√（Ｌ／Ｃ）…（６）
図２の等価回路にあてはめると、
Ｌ＝Ｌ２＋Ｌ３＋Ｌ４、Ｃ＝１／（１／Ｃ２＋１／Ｃ３）、Ｒ＝Ｒ２…（７）
となる。Ｑが大きいほど共振が大きくなるので、抵抗２１の抵抗値Ｒ２を大きくすればするほど閉回路（１）内の共振を抑制できる。
【００３９】
ところで、図２を用いて説明したように、電圧分担比（分圧比）は電圧検出装置中のＣ１のインピーダンスとＣ１の低圧側の総インピーダンスとの比で決定される。抵抗２１の抵抗値を大きくすると、共振抑制効果は大きくなるものであるが、サージ電圧が印加された場合の低圧側の分担電圧Ｖ２に関しては、低圧側のインピーダンスが大きくなるため、上記式（２）に示すように、分担電圧Ｖ２が大きくなり、絶縁スペーサ部材８にかかる電圧も大きくなる。また上記式（４）に示すように、Ｃ３部の電圧も大きくなる。
従って、設置する抵抗２１の抵抗値は共振現象を抑える効果と、逆に分担電圧を大きくしてしまう悪影響とのバランスをみて設定する必要がある。
【００４０】
図１６は共振現象抑制と低圧側の分担電圧との関係を示す特性線図である。図１６（ａ）で示すようなサージ電圧が母線２に印加された際、抵抗２１を設置しない比較例における低圧側の電圧波形を図１６（ｂ）に、抵抗値が比較的小さい抵抗２１を用いた場合における低圧側の電圧波形を図１６（ｃ）に、抵抗値が比較的大きい抵抗２１を用いた場合における低圧側の電圧波形を図１６（ｄ）に示す。
図１６（ｂ）に示すように、抵抗２１を設置しない比較例では、サージの高周波成分に呼応した共振による電圧上昇分がサージ電圧による分担電圧分に重畳した電圧波形となるため、過電圧が発生する。
図１６（ｃ）、図１６（ｄ）に示すように、抵抗２１を用いた場合は、サージの高周波成分に呼応した共振に対して抵抗２１で減衰させるため共振現象は抑制されるが、サージ電圧による分担電圧は上昇する。なお、抵抗２１を設置しない場合と比較して包絡線を図示した。
【００４１】
抵抗２１の抵抗値が比較的小さい図１６（ｃ）の場合は、共振現象を抑制して過電圧を抑制でき、また分担電圧の上昇は小さい。
抵抗２１の抵抗値が比較的大きい図１６（ｄ）の場合は、減衰時定数τ＝２Ｌ／Ｒが小さくなるため共振現象の抑制効果は増大するが、分担電圧の上昇が大きい。抵抗値を更に大きくすると共振の影響はほぼ無くすことができるが、分担電圧が更に大きくなり、抵抗値無しの場合と同等の過電圧が発生する可能性がある。なお、ここで過電圧の問題となる分担電圧は、サージ波頭電圧の瞬時分担電圧である。
【００４２】
図１７は抵抗２１の抵抗値と発生電圧との関係を示す特性線図である。図１８は断路器サージの印加電圧波形を示し、図１８で示すようなサージ電圧が印加された場合のＣ３部、Ｃ２部、絶縁スペーサ部材８および抵抗２１の各端子間電圧を演算して図１７に示す。
図１８に示すサージ電圧波形は変電所で発生しうる波形を実際に模擬し、回路定数としてＣ２＝１５０００ｐｆ、Ｌ２＝Ｌ３＝Ｌ４＝０．０１μＦ、Ｃ３＝１００ｐｆとした。
抵抗２１の抵抗値Ｒ２の選定について、閉回路（１）の時定数はτ＝２×（Ｌ２＋Ｌ３＋Ｌ４）／Ｒ２で決まるため、上記（５）式で決まる共振周波数ｆの逆数で決まるサージ周期＝１／ｆと同程度となるように抵抗値Ｒ２を選定してやることにより、共振現象が抑えられて発生電圧が小さくなり、例えば１Ωでも抵抗２１を設置すれば共振抑制効果が発揮される。
【００４３】
一方、抵抗２１の抵抗値を増やすと抵抗２１の端子間電圧が上昇し、上記（２）式の分担電圧Ｖ２も上昇してしまう。このように、共振現象の抑制と分担電圧の上昇とにより、Ｃ３部と絶縁スペーサ部材８との各電圧波形は、図１７で示すようにＶ字型の曲線となる。各部の電圧が、抵抗２１を設置しない場合の電圧を超えないようにするために、抵抗２１の抵抗値上限を１００Ω程度とする。このため、抵抗２１の抵抗値範囲を１〜１００Ωとすることにより、分担電圧上昇の悪影響よりも大きな共振抑制効果が得られ、過電圧抑制効果が得られる。
なお、この場合の演算結果では、最適な抵抗値は５〜１０Ωであり、抵抗２１の設置により過電圧を半分以下にすることができる。実際の変電所における断路器サージのバラツキや回路定数の設定により、最適な抵抗値は若干の変動がある。
【００４４】
この実施の形態３によれば、上記実施の形態１、２による電圧検出装置の構成において、共振抑制用の抵抗２１の抵抗値を１Ω以上としたため、共振現象抑制の効果が得られる。また、抵抗２１の抵抗値上限を１００Ωとしたので抵抗値増大による低圧側の分担電圧上昇を抑制することができる。これにより、閉回路（１）内のＣ３部、絶縁スペーサ部材８および抵抗２１の各端子間に過電圧が発生するのが抑制され、電圧検出装置内部の絶縁破壊を防止でき、電圧検出が信頼性よく実施できる。
また、抵抗２１の抵抗値を１〜１００Ωとしたので、商用周波数等の低い周波数電圧では、抵抗２１の設置によって中間電極３低圧側のインピーダンス増加が極めて小さい。このため、商用周波数に対して低圧側の電圧分担比が、抵抗２１の有無によりほぼ変わらず、既設の電圧検出装置に抵抗２１を設置しても電圧分担比の再調整をする必要が無く、既設の電圧検出装置の利用が容易になる。
【００４５】
実施の形態４．
上記実施の形態３では、抵抗２１の抵抗値上限を１００Ωとして抵抗値増大による低圧側の分担電圧上昇を抑制したが、Ｃ３部、絶縁スペーサ部材８および抵抗２１の各部が耐電圧の高い構造であれば、分担電圧上昇の抑制を考慮しなくても良い。この実施の形態４では、上記実施の形態１、２で用いた共振抑制用の抵抗２１における抵抗値について説明するもので、抵抗２１の設置によって発生する電圧位相角度のずれを許容範囲に抑える抵抗値を設定する。
抵抗２１を設置した場合に位相角度がずれる現象について説明する。抵抗やインダクタンスが無く単純にキャパシタンスＣ１の第１のコンデンサとキャパシタンスＣ２の第２のコンデンサとが直列に接続されている場合は、Ｃ２部の発生電圧Ｖ２は、全体の印加電圧Ｖに対して、Ｖ２＝Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）×Ｖで求められる。
次に、このＣ１とＣ２と間に直列に抵抗が配置されると、第１、第２のコンデンサ間に流れる電流が抵抗を介することにより抵抗端子間に電流に応じた電圧が発生する。このため、Ｃ２部の電圧と全体の印加電圧との位相に差異ができる。
【００４６】
図２で示した等価回路に用いて、Ｃ２部の電圧Ｖ２、および母線２の印加電圧ＶＬＨに対する位相角度のずれを演算して以下に示す。
商用周波数に対してＬのインピーダンスＬωはコンデンサのインピーダンス１／Ｃωより充分に大きく、Ｃ２に比べてＣ３、Ｃ４、Ｒ１のインピーダンスも大きいため、図２の回路はＣ１とＣ２、Ｒ２のみを考慮して、Ｃ２部の電圧Ｖ２は次の数式（８）で表せる。なお位相の関係を求めるため複素数を考慮した。
【００４７】
【数１】
2006337357.tif 000003
上記式（８）より、Ｃ２部の電圧Ｖ２における印加電圧ＶＬＨに対する位相ずれ角度θは次の式（９）で表現できる。
【００４８】
【数２】
2006337357.tif 000004
【００４９】
図１９は、設置される抵抗２１の抵抗値Ｒ２を変えた場合の位相ずれ角度を表す。位相ずれ角度は、図２で示した等価回路にて、商用周波数が６０Ｈｚの印加電圧波形を用いて上記式（９）に従って演算した。
この結果、抵抗２１の抵抗値Ｒ２の上限を１ＭΩ程度とすると、位相ずれ角度が、規定されている確度階級の限度値、例えば４０分に対して精度上で裕度があることが判る。
また、抵抗値を大きくすると商用周波数に対するＣ２部の発生電圧が上昇するが、Ｃ２部の電圧分担比の変化は僅かであり電気的な回路常数を大きく変更する必要がない。このＣ２部の電圧分担比の変化を上記式（８）に従って計算すると、１ＭΩの抵抗２１を設置した時でも抵抗無しの状態と比較して０．５％程度の増大となり、問題ない程度である。
【００５０】
上記実施の形態３で述べたように、共振現象抑制の効果を得るために、抵抗２１の抵抗値Ｒ２は１Ω以上とすることが望ましい。このため、この実施の形態４では、抵抗値Ｒ２を１Ω〜１ＭΩとする。これにより、共振現象に起因した過電圧を抑制でき、しかも抵抗設置による電圧位相角度のズレを許容範囲内に収めることができる。
【００５１】
これまで述べたように設置する抵抗値を大きくすると閉回路中の共振現象を抑制でき、抵抗値が大きいほど共振現象の抑制効果は大きい。また、抵抗２１の抵抗値Ｒ２を大きくした場合、サージ電圧が印加されると、分担電圧によって発生するＣ２部の電圧ＶＣ２は、上記式（３）にて演算される。このＣ２部の電圧ＶＣ２は、抵抗値Ｒ２の増大によるＺ２インピーダンスが増加するために更に小さくなり、Ｃ２部での過電圧の発生は抑制される。
なお、抵抗値Ｒ２が大きい場合は、分担電圧により抵抗２１にかかる過電圧を防止するために、抵抗２１の沿面長を適正に長くしておく。
【００５２】
実施の形態５．
図２０は、この発明の実施の形態５による電圧検出装置の概略構成図である。上記実施の形態１、２では、共振抑制用の抵抗２１を接地金属タンク１外側の気中に配設したが、この実施の形態５では、抵抗２１を接地金属タンク１内のガス空間９に配設する。
図２０に示すように、中間電極３と絶縁スペーサ部材８との間を接続する接続導体６の途中に抵抗２１を設ける。その他の構成は、図１で示した上記実施の形態１と同様である。
この実施の形態５においても、上記実施の形態１と同様に、中間電極３と接地金属タンク１との間のキャパシタンスＣ３および第２のコンデンサ１０のキャパシタンスＣ２を含む閉回路（１）内に抵抗２１を挿入するため、閉回路（１）内で共振が抑制され、閉回路（１）内のＣ３部、Ｃ２部、および絶縁スペーサ部材８で過電圧が発生するのが抑制される。また、Ｃ２部、即ち第２のコンデンサ１０にかかる過電圧が抑制できるため、電圧センサ１２にかかる電圧も抑制することができる。
【００５３】
また、抵抗２１を接地金属タンク１内のガス空間９に配設することにより、水分や異物が抵抗２１の表面に付着して耐電圧低下を招くことを防止できる。サージ電圧が印加された場合に抵抗２１の端子間に電圧が分担されるが、抵抗２１がガス空間９にあるため、ガスの耐電圧が高いことや汚損の心配が無いため、抵抗２１の沿面距離を小さくして抵抗２１を小型化できる。特に、ガス成分にＳＦ６等の高性能絶縁ガスが含まれている場合はガスの絶縁性能が高いため、抵抗２１をさらに小型化できる。
。また、抵抗２１を気中部分に取り付けずに、接地金属タンク１内としたことで電圧検出装置における接地金属タンク１の外側構成を小型化することができる。
【００５４】
なお、ガス空間９に配設する抵抗２１は、図２１で示すように、絶縁支持部材２０と接地金属タンク１との間に配設しても、また絶縁支持部材２０と中間電極３との間に配設しても良い。この場合についても、図２０で示した場合と同様の効果が得られる。さらにこの場合、中間電極３と母線２との間のキャパシタンスＣ１と第２のコンデンサ１０のキャパシタンスＣ２との間に抵抗２１が入らないために、位相角度ずれが発生しないという効果もある。
【００５５】
また、この実施の形態５においても、上記実施の形態３、４で説明したように抵抗２１の抵抗値を設定することで、上記実施の形態３、４で説明した同様の効果が得られる。
【００５６】
実施の形態６．
上記実施の形態１では、電圧センサ１２には、第２のコンデンサ１０で電圧分担されたアナログ電圧信号をデジタルに変換するＡ／Ｄ変換器や、抵抗を介して検出した電流を積分して電圧として出力する装置を用いたが、この実施の形態６では、電圧センサ１２を光電圧素子を用いた光電圧センサとする。
この場合も、上記実施の形態１と同様に、共振抑制用の抵抗２１が閉回路（１）内に挿入されているため、閉回路（１）内のＣ３部、Ｃ２部、および絶縁スペーサ部材８で過電圧が発生するのが抑制される。また、Ｃ２部、即ち第２のコンデンサ１０にかかる過電圧が抑制できるため、電圧センサ１２にかかる電圧も抑制することができる。これにより、光電圧素子（電圧センサ１２）を絶縁破壊から保護することができる。光電圧素子を用いた電圧センサ１２には、信号処理部となる例えば端末システムが絶縁されて接続されるものであるが、端末システムが過電圧の影響を受けるのを防止でき、高性能で信頼性の高い電圧検出が行える。
【００５７】
実施の形態７．
この実施の形態７では、上記実施の形態１で用いた共振抑制用の抵抗２１に、無誘導抵抗を用いる。この無誘導抵抗には、無誘導巻きを利用した抵抗が広く利用される。この実施の形態７では、上記実施の形態１と同様の効果を得ると共に、抵抗２１を無誘導抵抗とすることで、カーボン抵抗などに比べて抵抗内部にあるインダクタンス分が極めて小さいため、抵抗２１端子間に生じる過電圧を抑制できる。
【００５８】
なお、この発明で示す電圧検出装置は、３相絶縁ガス開閉装置（ＧＩＳ）用の電圧検出装置への適用も可能である。例えば、相別に３台の電圧検出装置に各々適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】この発明の実施の形態１における電圧検出装置の概略構成図である。
【図２】図１で示す電圧検出装置の等価回路図である。
【図３】この発明の実施の形態１における共振現象の抑制作用を説明する図である。
【図４】この発明の実施の形態１における共振現象の抑制作用を説明するためのオシロスコープ測定波形例およびスペクトルアナライザ測定波形例である。
【図５】この発明の実施の形態１における共振現象の抑制作用を説明するためのオシロスコープ測定波形例およびスペクトルアナライザ測定波形例である。
【図６】この発明の実施の形態１における共振現象の抑制作用を説明するためのオシロスコープ測定波形例およびスペクトルアナライザ測定波形例である。
【図７】この発明の実施の形態１の別例による電圧検出装置の概略構成図である。
【図８】この発明の実施の形態１における抵抗の詳細構成を含む電圧検出装置の断面構成図である。
【図９】この発明による実施の形態１における抵抗の別例による詳細構成図である。
【図１０】この発明の実施の形態２における電圧検出装置の概略構成図である。
【図１１】図１０で示す電圧検出装置の等価回路図である。
【図１２】この発明の実施の形態２における抵抗の詳細構成を含む電圧検出装置の部分断面図である。
【図１３】この発明の実施の形態２における抵抗の別例による詳細構成を含む電圧検出装置の部分断面図である。
【図１４】この発明の実施の形態２における抵抗の別例による詳細構成を含む電圧検出装置の部分断面図である。
【図１５】この発明の実施の形態２における抵抗の別例による詳細構成を含む電圧検出装置の部分断面図である。
【図１６】この発明の実施の形態３における共振現象抑制と分担電圧との関係を示す特性線図である。
【図１７】この発明の実施の形態３における共振抑制用抵抗の抵抗値と発生電圧との関係を示す特性線図である。
【図１８】この発明の実施の形態３における断路器サージの印加電圧波形を示す図である。
【図１９】この発明の実施の形態４における共振抑制用抵抗の抵抗値と位相ずれ角度の関係を示す特性線図である。
【図２０】この発明の実施の形態５における電圧検出装置の概略構成図である。
【図２１】この発明の実施の形態５の別例における電圧検出装置の概略構成図である。
【図２２】従来の電圧検出装置の構成を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  接地電位部分としての導電性容器（接地金属タンク）、
２  電圧検出対象部分としての高電圧導体（母線）、３  中間電極、６  接続導体、
８  絶縁スペーサ部材、９  ガス空間、１０  第２のコンデンサ、１２  電圧センサ、
２１  共振抑制用抵抗、２１ｎ  棒状抵抗体、２２  接地線、ＢＬ  ボルト部材。
【図１】
2006337357.tif 000005
【図２】
2006337357.tif 000006
【図３】
2006337357.tif 000007
【図４】
2006337357.tif 000008
【図５】
2006337357.tif 000009
【図６】
2006337357.tif 000010
【図７】
2006337357.tif 000011
【図８】
2006337357.tif 000012
【図９】
2006337357.tif 000013
【図１０】
2006337357.tif 000014
【図１１】
2006337357.tif 000015
【図１２】
2006337357.tif 000016
【図１３】
2006337357.tif 000017
【図１４】
2006337357.tif 000018
【図１５】
2006337357.tif 000019
【図１６】
2006337357.tif 000020
【図１７】
2006337357.tif 000021
【図１８】
2006337357.tif 000022
【図１９】
2006337357.tif 000023
【図２０】
2006337357.tif 000024
【図２１】
2006337357.tif 000025
【図２２】
2006337357.tif 000026