(57)【要約】【課題】  安価でかつ所望の光の指向特性が得られる半導体装置を提供する。【解決手段】  正のリード電極と負のリード電極とを有する支持体と、その支持体に実装される発光素子と、その発光素子を覆う透光性カバーとを有する発光装置であって、その発光素子は、半導体発光素子チップが保護被膜によって覆われてなり、発光素子が透光性カバーと支持体とによって構成される中空部の中に配置されている。【選択図】図１
2006202894.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正のリード電極と負のリード電極とを有する支持体と、該支持体に実装される発光素子と、該発光素子を覆う透光性カバーとを有する発光装置であって、
前記発光素子は、半導体発光素子チップが保護被膜によって覆われてなり、前記発光素子は前記透光性カバーと前記支持体とによって構成される中空部の中に配置されたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光素子は、前記発光装置を発光素子の側面に直交する方向から見たときに、前記発光素子の側面が前記透光性カバーを介して視認可能な位置に配置されている請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記支持体は、凹部とその凹部の底面から突出するように設けられた実装台とを有し、該実装台の上に前記発光素子が実装された請求項１及び２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記支持体は、前記実装台を有する第１部材と、前記支持体の側壁部を構成し前記リード電極を保持する第２部材とを有し、前記第１部材が前記第２部材の中央部に組み合わされてなる請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１部材は、前記第２部材に比較して熱伝導率が高い請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記透光性カバーは、少なくとも外形が半球形状である請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項７】
前記透光性カバーの内壁面は、半球形状である請求項６記載の発光装置。
【請求項８】
前記透光性カバーの内壁面は、前記半導体発光素子チップからの光を、前記半導体発光素子チップの載置面に対して略平行となるように反射させる反射面を有する請求項６記載の発光装置。
【請求項９】
前記反射面は、錐形状である請求項８記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子チップを備えた光源、特に、照明用器具の光源として搭載することができる半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子チップを搭載した半導体発光装置において、半導体発光素子チップを外部環境から保護するため、その半導体発光素子チップを樹脂により被覆した半導体装置が提案されている。例えば、特許文献１において従来例として開示された発光ダイオードは、ＬＥＤチップが正負一対のリード電極の一方に載置されており、そのＬＥＤチップの電極が導電性ワイヤを介して他方のリード電極に電気的に接続されている。さらに、ＬＥＤチップおよび導電性ワイヤは、透光性樹脂にて被覆されている。このような発光ダイオードは、発光および消灯を繰り返すことで、ＬＥＤチップの発熱による透光性樹脂の膨張および収縮が繰り返され、ＬＥＤチップや導電性ワイヤの剥がれが生じることがある。また、透光性樹脂の黄変やヒビ割れという劣化により、発光効率が低下したり、発光ダイオードの寿命が短くなったりするという問題もある。
【０００３】
このような問題点を解決するために、特開平８−１５３８９６号公報では、半導体素子を収納する中空部に不活性ガスが封入された半導体装置が提案されている。すなわち、特許文献１に開示された半導体装置は、ＬＥＤチップと、そのＬＥＤチップに電流を供給するリード電極と、ＬＥＤチップを収納するための封止部と、その封止部の内部に封入された不活性ガスとを有している。より具体的には、リード電極は、ＬＥＤチップがボンディングされる逆Ｌ字形状の第１リード電極と、Ｉ字形状の第２リード電極とからなり、それらのリード電極の上端部は中空部に露出されている。さらに、第１リード電極の上端部にはＬＥＤチップがボンディングされ、ＬＥＤチップの電極と第２リード電極の上端部とは導電性ワイヤで接続されている。
【０００４】
また、封止部は、ＬＥＤチップの発光が外部に放射されるキャップ部と、第１リード電極及び第２リード電極を保持し、キャップ部を固定する支持体とを有している。そして、封止部は、キャップ部と支持体とで密封された中空部を形成している。キャップ部は、ＬＥＤチップ側に空洞を有するようなドーム状に形成されており、光透過性の良い透光性樹脂からなる。なお、キャップ部と支持体とはいずれも樹脂材料で形成されている。
【特許文献１】特開平８−１５３８９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような従来の中空構造を有する半導体発光装置は、密封された封止構造を必要としていたために、高価であるという問題点があった。
また、気密封止構造であったために、所望の配光特性を得ることが困難な場合もあった。
そこで、本発明は、特に、光半導体素子を搭載した半導体装置において、安価でかつ所望の光の指向特性が得られる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の目的を達成するために、本発明に係る発光装置は、正のリード電極と負のリード電極とを有する支持体と、該支持体に実装される発光素子と、該発光素子を覆う透光性カバーとを有する発光装置であって、
前記発光素子は、半導体発光素子チップが保護被膜によって覆われてなり、前記発光素子は前記透光性カバーと前記支持体とによって構成される中空部の中に配置されたことを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る発光装置において、前記発光素子は、前記発光装置を発光素子の側面に直交する方向から見たときに、前記発光装置の側面が前記透光性カバーを介して視認可能な位置に配置することができる。
このようにすると、発光素子の側面方向から出射する光を利用した配光が可能な発光装置を構成できる。
【０００８】
本発明に係る発光装置は、前記支持体は、凹部とその凹部の底面から突出するように設けられた実装台とを有し、該実装台の上に前記発光素子を実装するようにしてもよい。
【０００９】
本発明に係る発光装置において、第１部材を第２部材の中央部に組み合わすようにして構成することもできる。ここで、前記第１部材は前記実装台を有し、前記第２部材は前記支持体の側壁部を構成し前記リード電極を保持する。
【００１０】
本発明に係る発光装置において、前記第１部材は、前記第２部材に比較して熱伝導率が高いことが好ましい。
【００１１】
本発明に係る発光装置において、前記透光性カバーの外形は半球形状にすることができる。
この場合、前記透光性カバーの内壁面は、半球形状であってもよいし、前記半導体発光素子チップからの光を、前記半導体発光素子チップの載置面に対して略平行となるように反射させる反射面が形成されていてもよい。その反射面は、錐形状であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように構成された本発明に係る発光装置によれば、光半導体素子を搭載した半導体装置において、安価でかつ所望の光の指向特性が得られる半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら本発明に係る実施の形態について説明する。
ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための半導体装置を例示するものであって、本発明を以下の実施の形態に限定するものではない。
【００１４】
実施の形態１．
本実施の形態１の発光装置は、正負のリード電極１１３を有する支持体１１０上に、マウント１を介して発光素子１０を実装して、その発光素子１０を覆うように透光性カバー１２０を取り付けることにより構成されている（図１，図２等）。
ここで、特に、本実施の形態１の発光装置において、発光素子１０は、半導体ベアチップからなる半導体発光素子チップ２が保護被膜３によって覆われており、気密封止することなく透光性カバー１２０と支持体１１０によって構成される中空部の中に配置されていることを特徴とする。このように実施の形態１の発光装置は、気密封止構造に比較して極めて安価な構造となっている。
【００１５】
特に、本実施の形態１においては、保護被膜３は、半導体発光素子チップ２の上面及び側面並びに実装面（半導体発光素子チップ２が実装される面、例えば、以下の具体例ではマウント１の上面）の一部まで被覆して、中空部を気密封止することなく高い信頼性が得られるようにしている。
【００１６】
また、本実施の形態１では、保護被膜３中に、蛍光物質６を混入させており、これにより、所望の発光色を得ている。尚、蛍光物質６は、保護被膜３中にほぼ均一に混合されていることが好ましい。また、保護被膜３中には、所望の用途に応じて、顔料、拡散剤などを混入することもできる。
【００１７】
さらに、本実施の形態１の発光装置では、支持体１１０は、凹部１１０ｒとその凹部１１０ｒの底面から突出するように設けられた実装台１１１ａとを有し、該実装台１１１ａの上にマウント１を介して発光素子１０が実装されている。このようにして、実施の形態１の発光装置において、発光素子１０は、発光装置を横方向（発光素子１０の側面に直交する方向）から見たときに、発光素子１０の側面が透光性カバー１２０を介して視認できるような位置に配置され、発光素子１０の側面から出射される光を効果的に利用できるようにしている。
【００１８】
以下、本実施の形態１の発光装置の構成についてより具体的に説明する。
以下の具体例では、マウント一体型発光素子１０１を作製し、そのマウント一体型発光素子１０１を透光性カバー１２０と支持体１１０によって構成される中空部の中に配置している。本具体例では、マウント一体型発光素子１０１は、マウント１上に半導体発光素子チップ２を実装して、半導体発光素子チップ２の上面と側面及びマウント１の上面の一部を保護被膜３で被覆することにより構成されており、この構成により高い信頼性を確保して、透光性カバー１２０と支持体１１０によって構成される中空部の中に気密封止することなく配置することを可能にしている。
【００１９】
＜マウント一体型発光素子１０１＞
図５Ａは、マウント１に半導体発光素子チップをフリップチップ実装した後の平面図であり、図５Ｂは、図５ＡのＡ−Ａ’線についての断面図である。
本実施の形態１では、マウント１の上面に半導体発光素子チップ２を載置して、半導体発光素子チップ２の上面及び側面並びにマウント１の上面の一部を保護被膜３で被覆している。マウント１には、半導体発光素子チップ２の電極パターンに対向する電極４が形成されており、半導体発光素子チップ２は、マウント１の上面にフリップチップ（フェイスダウン）実装されている。半導体発光素子チップ２の正負の電極はそれぞれ対向するマウント１の電極４と接合部材５を介して電気的に接続されている。その接続方法として、例えば、電極４側に半田バンプを設け、その半田バンプの上に半導体発光素子チップ２を載置して超音波振動を加えながら固着させる方法を用いることができる。接合部材として、例えばＡｕ、共晶材（Ａｕ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｓｎ）、ハンダ（Ｐｂ−Ｓｎ）、鉛フリーハンダなどを用いることができる。
【００２０】
電極４は、半導体発光素子チップ２との接続部分と支持体の正負のリード電極と接続するためのワイヤーボンディング用のパッド部分がマウントの実装面に露出されている他はマウント内部に埋め込まれている。半導体発光素子チップ２とマウント１の隙間には、短絡防止のため絶縁性のアンダーフィル２ｕが挿入されている。また、保護被膜３には、半導体発光素子チップ２からの光を吸収して吸収した光とは異なる波長の光を放出する蛍光物質６が混入されている。また、接合部材５には、はんだ、金バンプを導電パターンとパッド電極との間に超音波接合したもの、金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性ペースト、カーボンペースト、ＩＴＯペースト、異方性導電ペーストなどを用いることができる。使用する半導体発光素子チップ２の大きさは、特に限定されないが、１ｍｍ角のものや、０．５ｍｍ角のもの、２ｍｍ角のもの、２ｍｍ×１ｍｍのものなどを用いることができる。
【００２１】
このマウント１として、ガラスエポキシ積層基板、液晶ポリマー基板、ポリイミド樹脂基板、セラミック基板などを用いることができる。
また、マウント１の材料として、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＢＮ、Ｃ（ダイヤモンド）などを使用することもできる。マウント１の材料としては、半導体発光素子チップと熱膨張係数がほぼ等しいものが好ましく、例えば窒化物半導体発光素子チップを用いる場合には、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）が好ましい。このように、半導体発光素子チップと熱膨張係数がほぼ等しい材料を使用することにより、支持基板と半導体素子との間に発生する熱応力の影響を緩和することができる。
【００２２】
さらに、マウント１の材料として、Ｓｉ（シリコン）を用いることもでき、このＳｉ基板に、半導体発光素子チップを静電破壊から保護する保護素子を形成してもよい。例えば、ｎ型シリコン基板内に選択的に不純物イオンの注入を行うことによりｐ型半導体領域を形成し、逆方向ブレークダウン電圧を所定の電圧に設定することにより、Ｓｉダイオード素子が構成できる。
導電パターンには、銅、リン青銅、鉄、ニッケルなどの電気良導体を用いることができる。また、導電パターンの表面に銀、金、パラジウム、ロジウムなどの貴金属メッキを施すこともできる。
【００２３】
本具体例において、保護被膜３は、半導体発光素子チップ２の上面及び側面並びにその側面に続くマウント１の上面の少なくとも一部を被覆している。
保護被膜３の材料として、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物を用いることが好ましいが、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物などの透光性を有する絶縁樹脂組成物を用いることができる。
本具体例では、保護被膜３中に、蛍光物質６を混入させているが、所望の用途に応じて、さらに顔料、拡散剤などを混入することもできる。
また、例えば、蛍光体を含む保護被膜は、蛍光体を含む透光性材料を用いて、孔版印刷あるいはスクリーン印刷などにより形成することができる。
【００２４】
マウント１を支持体（放熱部材）に固着させる接合部材としては、例えばＡｕペースト、Ａｇペーストなどの導電性接着剤を用いることが好ましく、これにより、半導体発光素子チップが発生する熱の放熱性を向上させることができる。
【００２５】
＜支持体＞
本実施の形態１において、図３等に示すように、支持体１１０は、側壁部を構成し前記正及び負のリード電極を保持する第２部材１１２と、実装台１１１ａを持っていて第２部材１１２の中央部に組み合わされる第１部材１１１によって構成されている。ここで、第２部材１１２は、例えば、熱可塑性樹脂からなり、第１部材１１１は、例えば、金属からなる。このような支持体は、トランスファーモールド成型、インサート成形などにより比較的簡単に形成することができる。
【００２６】
第２部材１１２を構成する熱可塑性材料として、芳香族ナイロン系樹脂、ポリフタルアミド樹脂（ＰＰＡ）、サルホン系樹脂、ポリアミドイミド樹脂（ＰＡＩ）、ポリケトン樹脂（ＰＫ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、ＰＢＴ樹脂等の熱可塑性樹脂などを用いることができる。なお、これらの熱可塑性樹脂にガラス繊維を含有させたものを、第２部材１１２を構成する材料として、使用しても構わない。このようにガラス繊維を含有させることにより、高剛性を有し、高強度な支持体を形成することが可能である。
【００２７】
また、本発明に係る発光装置を複数個配列させてディスプレイを構成するような場合には、支持体には遮光性を持たせるために黒や灰色などの暗色系に着色されることが好ましい。支持体を暗色系に着色させる着色剤として、熱可塑性樹脂に種々の染料や顔料を混合して用いてもよい。具体的には、染料や顔料として、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３やカーボンブラックなどが挙げられる。
【００２８】
本実施の形態１において、第１部材１１１は、発光素子が発生する熱を効果的に放熱するために、第２部材１１２に比較して熱伝導率が高い材料により構成することが好ましく、例えば、その材料として、金属が用いられる。
本実施の形態１の第２部材１１２は、支持体の凹部側において発光素子を載置すると同時に、発光素子から放出される熱を背面から放熱させる機能を有する。
【００２９】
したがって、第１部材１１１の材料は、放熱部材として効率良く熱を外部に放出するために熱伝導性がよい、例えば、金属であることが好ましい。第２部材１１２の材料の熱伝導度は、０．０１ｃａｌ／(ｓ)(ｃｍ２)(℃／ｃｍ）以上が好ましく、より好ましくは ０．５ｃａｌ／(ｓ)(ｃｍ２)(℃／ｃｍ）以上である。
【００３０】
このような第１部材１１１の材料として、銅やりん青銅板表面に銀、パラジュウム或いは銀、金などの金属メッキや半田メッキなどを施したものが好適に用いられる。このように銀メッキした場合にあっては、発光素子から出射された光の反射率が高くなり、発光装置の光取り出し効率が向上するという効果もある。また、第１部材１１１の形状は円柱状、角柱状等の種々の形状が適用できるが、導電性ワイヤが第１部材１１１に接触しないような形状とする。
【００３１】
また、第１部材１１１は、第２部材１１２から分離しないように（抜け防止のために）、図１及び図２等に示すように側面に環状の鍔部又は複数の配列された突起を形成することが好ましく、これにより信頼性の高い半導体装置とすることができる。
【００３２】
第２部材１１２は、図３，図４等に示されるように、透光性カバーの端部が接合される断面形状がＶ字型の溝１１２ｂと、支持体１１０の凹部を構成するために側壁上端面より順次低くなるように形成された第１ステップ１１２ｓ１と第２ステップ１１２ｓ２とを有している。尚、正負のリード電極１１３は、その上面が第２ステップ１１２ｓ２とほぼ同じ高さになるように第１部材１１１に挿入されて保持されており、第１ステップ１１２ｓ１の一部に切り欠き部１１２ａを形成することにより露出されている。
【００３３】
また、第１部材１１１は、実装台１１１ａと、支持体１１０の凹部１１０ｒの底面の最も低い部分を構成する第３ステップ１１１ｂとを有しており、第２部材１１２の中央部に組み合わされる。具体的には、例えば、金属からなる第１部材１１１を金型内に保持して第２部材１１２を構成する樹脂を金型内に射出するインサート成型を用いて、第１部材１１１と第２部材１１２は組み合わされる。
【００３４】
支持体におけるリード電極は、半導体装置の外部の電極と、支持体に配された半導体素子とを電気的に接続させるための部材である。本形態におけるリード電極は、支持体の側面から突出している部分であるアウターリード部と、支持体の外壁面を貫通し支持体の凹部内まで延伸し、その端部が露出しているインナーリード部とからなる。また、リード電極は放熱性、電気伝導性、半導体素子の特性などを考慮して種々の大きさに形成させることができる。リード電極の具体的な電気抵抗としては３００μΩ・ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは、３μΩ・ｃｍ以下である。また、具体的な熱伝導度は、０．０１ｃａｌ／(ｓ)(ｃｍ２)(℃／ｃｍ）以上が好ましく、より好ましくは ０．５ｃａｌ／(ｓ)(ｃｍ２)(℃／ｃｍ)以上である。
【００３５】
このようなリード電極としては、銅やりん青銅板表面に銀、パラジュウム或いは金、銀などの金属メッキや半田メッキなどを施したものが好適に用いられる。このように銀メッキした場合にあっては、発光素子から出光した光の反射率が高くなり、半導体発光装置の光取り出し効率が向上するため好ましい。本形態にあっては、電気伝導度、熱伝導度によって種々利用できるが加工性の観点から板厚０．１ｍｍ〜２．０ｍｍが好ましい。
【００３６】
図３等に示す形態では、支持体は、インサート成形により第１部材１１１、第２部材１１２及びリード電極１１３が一体的に成型されるが、第２部材１１２に、第１部材１１１及びリード電極１１３がはめ込みなどにより作製されていてもよい。
なお、本明細書に添付される図面において支持体の外形は、上面から見て円形としたが、本発明では、楕円形、直方体あるいは多角形など任意の立体的形状で構わない。
【００３７】
＜透光性カバー＞
本実施の形態１において、透光性カバー１２０は、透光性を有する樹脂が例えばドーム形状（半球形状）に成型されてなり、その端部（支持体との接合部分）はＶ字型の溝１１２ｂの形状に合わせて尖った形状に加工されている。
本形態において透光性カバーは、発光素子や導電性ワイヤなどを主として外力による破壊から保護するため、それらの部材を覆うように支持体に配されるものであり、好ましくは半球状の球面を有する透光性のレンズである。
【００３８】
本形態にかかる透光性カバー１２０の材料は、透光性を有するエポキシ樹脂やシリコーン樹脂とすることができる。あるいは、ソーダガラス、シリカガラス、ホウ珪酸塩ガラス、アルミノホウ珪酸塩ガラス、アルミノ珪酸塩ガラス、オキシナイトライドガラス、カルコゲナイドガラスから選択された少なくとも一種を含む透光性無機材料により構成されていてもよい。このような材料で構成することにより、耐光性の高い半導体装置とすることができる。また、透光性カバー１２０の材料として、支持体１１０（特に、．．第２部材１１２）の材料と線膨張係数の等しい材料を選択することにより、信頼性の高い半導体装置とすることができる。
【００３９】
また、透光性カバー１２０を支持体１１０に接着するための接着剤は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素系エラストマー、ガラス、ホットメルト系材料、変性シリコーンおよび有機無機ハイブリッド樹脂から選択された少なくとも一種を含む材料とすることができる。
【００４０】
本実施の形態１では、以上のように構成された支持体１１０の実装台１１１ａにマウント一体型発光素子１０１を実装した後、透光性カバー１２０の端部を支持体１１０の溝１１２ｂに合わせて接着剤により固定する。
ここでは、マウント一体型発光素子１０１は、実装台１１１ａの中央部にダイボンディングされた後、マウント１の上面に露出された２つの電極４がそれぞれ、切り欠き部１１２ａが形成されることによって露出された正負のリード電極１１３にワイヤーボンディングにより電気的に接続される。
ここで、実装台１１１ａ上のマウント一体型発光素子１０１の接着は、熱硬化性樹脂などによって行うことができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド樹脂などが挙げられる。
【００４１】
そして、マウント一体型発光素子１０１を支持体１１０に実装した後、透光性カバー１２０の端部を支持体１１０のＶ字型の溝１１２ｂにより位置決めして、接着剤で透光性カバー１２０を支持体１１０に固定する。
本実施の形態１では、支持体１１０における透光性カバー１２０との接合部分には、図４において１１２ｃ，１１２ｄの符号を付して示すように、接着剤貯まり部が形成されており、余分な接着剤のはみ出しを防止している。
【００４２】
以上のように構成された実施の形態１の発光装置は、支持体１１０と透光性カバー１２０の接合部分、支持体１１０における第１部材１１１と第２部材１１２との境界部分を気密封止する必要がないので、安価に製造することができる。
【００４３】
以上のように構成された本実施の形態１の発光装置１００は、図６に示すように、懐中電灯の豆電球に代えて使用することができる。すなわち、筐体２００の中に設けられた円錐形状の反射鏡２０１の中央部に配置され、発光した光のうち横方向に出射された光が主として反射鏡２０１で反射されて前方に向けて出射される。
【００４４】
また、例えばサファイアや窒化物半導体基板等のような透光性基板上に窒化物半導体層を成長させることにより構成された窒化物半導体発光素子は、比較的多くの光が素子の側面から出射されるが、実施の形態１で示した構造とすることにより発光素子の側面から出射される光をより効果的に利用できる。
また、図１に示す基本構造を変形することにより、本発明に係る発光装置は、所望の光の指向特性を得ることが可能である。
【００４５】
さらに、本実施の形態１の発光装置では、凹部１１０ｒの底面から突出するように設けられた実装台１１１ａの上に発光素子１０が実装されて、発光素子１０が発光装置を真横からから見たときに、発光素子１０の側面が透光性カバー１２０を介して視認できるような位置に配置されているので、発光素子の側方から出射された光は、支持体の側壁に遮光されることなく出射される。
また、第１ステップ１１２ｓ１の一部に切り欠き部１１２ａを形成することにより露出された第１ステップ１１２ｓ１より一段低い位置でワイヤボンディングされているので、リード電極の端部の形状及びボンディング部分の光学特性に与える影響を抑えることができ、横方向における指向特性の均一性が保たれる。
【００４６】
実施の形態２．
本発明に係る実施の形態２の発光装置は、実施の形態１の発光装置における透光性カバー１２０に代えて、内壁面に反射面を１２１ａを有する透光性カバー１２１を用いて構成した以外は、実施の形態１の発光装置と同様に構成される。すなわち、本実施の形態２における透光性カバー１２１の内壁面は、半導体発光素子チップからの光を半導体発光素子チップの載置面に対して略平行となるように反射させる反射面を有している。
【００４７】
具体的には、透光性カバー１２１は、その半球面の中心を通りかつ半導体発光素子チップの載置面に直交する直線を中心軸とする円錐形状の突起１２１ａが透光性カバー１２１の内壁面に形成されており、その円錐面に反射膜１２１ｂが形成されている。
【００４８】
以上のように構成された実施の形態２の発光装置は、図８に示すように、実施の形態１の発光装置に比較してより横方向に強い光が出射されるようになる。この横方向に強い光が出射される実施の形態２の発光装置を図６に示す懐中電灯に用いると、より前方に強い光を放射させることができ、指向性の高い懐中電灯を構成できる（図７）。
【００４９】
変形例．
以上の実施の形態では、支持体１１０の外周部分に溝１１２ｂを形成して、透光性カバー１２０を位置決めして接着剤により固定するようにしたが、本発明はこれに限られるものではない。
例えば、図９に示すように、溝１１２ｂに代えて透光性カバー１２０を位置決めするための外周ガイド１１２ｇを形成するようにして透光性カバー１２０を支持体１１０に固定するようにしてもよい。
【００５０】
また、図１０に示すように、透光性カバーの端部の外周に凸部１２０ｋを形成し、その凸部１２０ｋが嵌り合う凹部１１２ｋを溝１１２ｂに代えて支持体１１０に形成して、嵌合により、透光性カバーと支持体１１０とを固定するようにしてもよい。
【００５１】
本発明に係る発光装置では、支持体内に、発光素子に代えて受光素子などの発光素子以外の半導体素子を実装するようにすることもできる。
また、本発明に係る発光装置では、支持体内に、発光素子と共に、例えば、半導体発光素子が静電気やサージ電圧等によって損傷するのを防ぐための保護素子（ツェナーダイオード、コンデンサー等）を設けることもできる。
【００５２】
本発明に係る発光装置では、中空部には、不活性ガスを封入することもできる。これにより、リード電極及び導電性ワイヤなどの酸化を防止できより信頼性を向上させることができる。不活性ガスとして、例えばアルゴンやヘリウムなどが利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明に係る実施の形態１の発光装置の構成を示す斜視図である。
【図２】実施の形態１の発光装置において、透光性カバーを除いた状態の構成を示す斜視図である。
【図３】本発明に係る実施の形態１の発光装置の構成を示す断面斜視図である。
【図４】図３における透光性カバーと支持体１１０との接合部分を拡大して示す断面図である。
【図５Ａ】実施の形態１におけるマウント一体型発光素子の構成を示す平面図である。
【図５Ｂ】図５ＡのＡ−Ａ線についての概略断面図である。
【図６】実施の形態１の発光装置の一応用例の懐中電灯の構成を示す部分断面図である。
【図７】本発明に係る実施の形態２の発光装置の構成を示す部分断面図である。
【図８】実施の形態２の発光装置の配光特性を模式的に示すグラフである。
【図９】本発明に係る変形例の発光装置における透光性カバーと支持体との接合部分の構成を示す部分断面図である。
【図１０】本発明に係る別の変形例の発光装置における透光性カバーと支持体との接合部分の構成を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１…マウント、
２…半導体発光素子チップ、
２ｕ…アンダーフィル、
３…保護被膜、
４…電極、
５…接合部材、
６…蛍光物質、
１０…発光素子、
１００…発光装置、
１０１…マウント一体型発光素子、
１１０…支持体、
１１０ｒ…凹部、
１１１…第１部材、
１１１ａ…実装台、
１１１ｂ…第３ステップ、
１１２…第２部材、
１１２ｓ１…第１ステップ、
１１２ｓ２…第２ステップ、
１１２ａ…切り欠き部、
１１２ｂ…Ｖ字型の溝、
１１３…リード電極、
１２０…透光性カバー、
１２１ａ…反射面、
１２１ｂ…反射膜、
２００…筐体、
２０１…反射鏡。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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