(57)【要約】    【課題】  少なくとも透明中間層を介して積層された複数の情報層を備え、複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料で形成された記録膜を含んでいる場合にも、繰り返しオーバーライト特性に優れた光記録媒体を提供する。    【解決手段】  支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成されたＬ１記録膜３４と、Ｌ１記録膜３４に対して、支持基板側に設けられた反射膜３２と、反射膜３２を挟むように、反射膜３２に隣接して、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物を主成分として含む材料で形成された第一の誘電体膜３３および第二の誘電体膜３１とを含むことを特徴とする光記録媒体。【選択図】  図４
2006202430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、前記複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜と、前記記録膜に対して、前記支持基板側に設けられた反射膜と、前記記録膜と前記反射膜との間に、前記反射膜に隣接して設けられた少なくとも一層の第一の誘電体膜と、前記反射膜に対して、前記支持基板側に、前記反射膜に隣接して設けられた少なくとも一層の第二の誘電体膜とを含み、前記第一の誘電体膜および前記第二の誘電体膜が、それぞれ、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物を主成分として含む材料によって形成されたことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記第二の誘電体膜が、前記反射膜に隣接して設けられ、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物を主成分として含む材料によって形成された第一の膜と、前記第一の膜に対して、前記支持基板側に設けられた第二の膜とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物が、ＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３との混合酸化物であることを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体に関するものであり、さらに詳細には、支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜を含んでいる場合にも、繰り返しオーバーライト特性に優れた光記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されており、記録されたデータの書き換えが可能なものとして、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷなどの書き換え型の光記録媒体が知られている。
【０００３】
近年においては、光記録媒体の記録容量を高めるとともに、非常に高いデータ転送レートを実現するために、光記録媒体の情報層に、高密度で、データを記録する技術が提案され、たとえば、約３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームと、約０．８５の開口数ＮＡを有する対物レンズとを用いて、データを記録し、データを再生する次世代型の光記録媒体の開発が盛んに行われており、次世代型の書き換え型の光記録媒体も提案されている。
【０００４】
これらの書き換え型の光記録媒体においては、一般に、相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層に照射されるレーザビームのパワーを、記録パワーＰｗ、基底パワーＰｂおよび消去パワーＰｅに対応する複数のレベルに変調することによって、情報層にデータを記録し、情報層に記録されたデータを再生し、あるいは、消去することができ、さらに、このようにして複数のレベルに変調されたレーザビームを、複数回にわたり、繰り返して、情報層に照射することによって、情報層に既に記録されたデータを、複数回にわたり、繰り返して、ダイレクトオーバーライトすることができるように構成されている。
【０００５】
一方、光記録媒体の記録容量を高めるために、情報層の数を増やして、記録領域の面積を増大させる技術が開発されており、複数の情報層を備えた書き換え型の光記録媒体が提案されている。
【０００６】
ところが、複数の情報層を備えた書き換え型の光記録媒体においては、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層に記録されたデータを、繰り返して、ダイレクトオーバーライトして、新たに記録されたデータを再生した場合に、ダイレクトオーバーライトする回数が多くなるにしたがって、次第に、再生信号のジッタが悪化する傾向があり、とくに、従来のＣＤやＤＶＤに用いられるレーザビームに比して、エネルギーが非常に大きなレーザビームを用いる次世代型の光記録媒体においては、ダイレクトオーバーライトする回数が多くなるにしたがって、再生信号のジッタが大きく悪化し、所望の繰り返しオーバーライト特性が得られないという問題があった。
【０００７】
ダイレクトオーバーライトする回数が多くなるにしたがって、再生信号のジッタが大きく悪化し、所望の繰り返しオーバーライト特性を得ることができないというかかる問題は、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層に、それぞれ、記録膜を挟むように、記録膜に隣接する誘電体膜を設け、記録膜を保護することによって、解決することができる。
【０００８】
このように構成されたレーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層を備えた光記録媒体として、たとえば、基板と複数の情報層とを含む光記録媒体であって、前記複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層が、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも一方の元素、ＣｒおよびＯを含む第一の誘電体膜と、前記第一の誘電体膜上に設けられ、ＳｂおよびＢｉから選択される少なくとも一方の元素とＧｅとＴｅとを含み、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録膜と、前記記録膜上に設けられ、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも一方の元素、ＣｒおよびＯを含む第二の誘電体膜とを、レーザ光入射側からこの順に含み、前記第一の誘電体膜中のＣｒ原子濃度が少なくとも６原子％以上、前記第二の誘電体膜中のＣｒ原子濃度が少なくとも９原子％以上であって、かつ、前記第二の誘電体膜中のＣｒ原子濃度が前記第一の誘電体膜中のＣｒ原子濃度よりも大きいことを特徴とする光記録媒体が提案されている（特開２００３−３４６３８２号公報（特許文献１）参照）。
【特許文献１】特開２００３−３４６３８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特開２００３−３４６３８２号公報に記載されているように、従来より、書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜を形成するための相変化材料として、カルコゲナイド化合物などの周期表の第１６族元素（Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＴｅおよびＰｏ）を含む化合物組成を有する相変化材料が広く用いられているが、近年、Ｓｂ共晶組成を有する相変化材料（Ｓｂ共晶系の相変化材料）が提案され、このような相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体が実用化されつつある（たとえば、特開２００３−３４１２４０号公報）。
【００１０】
しかしながら、かかる相変化材料によって、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層に含まれた記録膜を形成した場合には、特開２００３−３４６３８２号公報に記載されているように、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層に、それぞれ、記録膜に隣接して、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも一方の元素、ＣｒおよびＯを含む材料によって形成された誘電体膜を、記録膜を挟むように設けても、繰り返しオーバーライト特性を改善することは困難であった。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜を含んでいる場合にも、繰り返しオーバーライト特性に優れた光記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、本発明の前記目的を達成するため、鋭意研究を重ねた結果、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備えた光記録媒体において、複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜を含んでいる場合に、各情報層に、記録膜を挟むように、記録膜に隣接して、それぞれ、ＺｒおよびＨｆから選択される少なくとも一方の元素、ＣｒおよびＯを含む誘電体膜を形成するのではなく、各情報層に含まれる反射膜を挟むように、反射膜に隣接して、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物を主成分として含む材料によって、誘電体膜を形成したときには、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層に記録されたデータを、新たなデータによって、繰り返し、ダイレクトオーバーライトしても、再生信号のジッタが悪化することを防止することができ、繰り返しオーバーライト特性を改善し得ることを見出した。
【００１３】
本発明は、かかる知見に基づくものであり、本発明によれば、本発明の前記目的は、支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、前記複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の少なくとも一つの情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜と、前記記録膜に対して、前記支持基板側に設けられた反射膜と、前記記録膜と前記反射膜との間に、前記反射膜に隣接して設けられた少なくとも一層の第一の誘電体膜と、前記反射膜に対して、前記支持基板側に、前記反射膜に隣接して設けられた少なくとも一層の第二の誘電体膜とを含み、前記第一の誘電体膜および前記第二の誘電体膜が、それぞれ、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物を主成分として含む材料によって形成されたことを特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００１４】
本発明において、反射膜を挟むように、反射膜に隣接して、それぞれ、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物を主成分として含む材料によって、第一の誘電体膜および第二の誘電体膜を形成した場合に、繰り返しオーバーライト特性を改善し得る理由は、必ずしも、明らかではないが、周期表の第１６族元素を含む化合物組成を有する相変化材料に比して、Ｓｂ共晶系の相変化材料は、結晶状態とアモルファス状態との相変化における体積変化が大きいため、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜に、レーザビームを照射することによって、かかる相変化材料を繰り返して相変化させた場合には、繰り返して生じる相変化材料の体積変化に起因して、薄く形成された反射膜が変形し、または劣化することなどによって、繰り返しオーバーライト特性が悪化すると考えられるが、反射膜を挟むように、反射膜に隣接して、混合酸化物を主成分として含む材料によって、第一の誘電体膜および第二の誘電体膜を形成した場合には、相変化材料の体積変化が繰り返して生じても、反射膜が変形し、または劣化することを防止して、反射膜の機能を充分に維持させることが可能になり、したがって、繰り返して、ダイレクトオーバーライトしたときの再生信号のジッタが悪化することを防止することが可能になるためであると考えられる。
【００１５】
本発明の好ましい実施形態においては、前記第二の誘電体膜が、前記反射膜に隣接して設けられ、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物を主成分として含む材料によって形成された第一の膜と、前記第一の膜に対して、前記支持基板側に設けられた第二の膜とを備えている。本発明の好ましい実施形態によれば、良好な記録特性を実現することが可能になるとともに、繰り返しオーバーライト特性をさらに改善することが可能になる。
【００１６】
本発明において、Ｓｂ共晶系の相変化材料は、とくに限定されるものではないが、Ｓｂと、Ｓｂと共晶を持つ元素の少なくとも一種とを主成分として含むＳｂ共晶系の相変化材料が好ましく用いられる。
【００１７】
ここに、Ｓｂと共晶を持つ元素は、Ｓｂと共晶を持ち得る元素であれば、とくに限定されるものではないが、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｇａ、Ａｓ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎなどの元素が好ましく用いられる。
【００１８】
このようなＳｂ共晶系の相変化材料の中でも、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを含む相変化材料、および、７０原子％ないし９５原子％のＳｂと、０原子％を超え、３０原子％未満のＧｅと、０原子％を超え、２５原子％以下のＭｇを含む相変化材料がとくに好ましい。かかる相変化材料によって記録膜を形成した場合には、かかる記録膜を含む情報層に記録したデータを、長期間にわたって、高温下で保存した後に、このデータを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることができ、保存特性を向上させることができる。
【００１９】
本発明において、Ｓｂ共晶系の相変化材料が、さらに、Ｓｂ、および、Ｓｂと共晶を持つ元素以外の元素を含んでいてもよい。
【００２０】
本発明において、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物を主成分として含む材料は、とくに限定されるものではなく、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物に加えて、さらに、他の酸化物や窒化物などを含んでいてもよく、たとえば、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２などの（部分）安定化ジルコニアを形成し得る第三の酸化物を含んでいてもよい。かかる材料が第三の酸化物を含んでいる場合には、第三の酸化物の含有量は、Ｚｒの酸化物と第三の酸化物との合計１００モル％に対して、２モル％ないし１５モル％であることが好ましい。
【００２１】
本発明において、ある混合酸化物を主成分として含むとは、材料に含まれる酸化物や窒化物などの化合物のうち、ある混合酸化物の含有率が最も大きいことを意味する。
【００２２】
本発明において、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物は、とくに限定されるものではないが、ＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３との混合酸化物であることが好ましい。混合酸化物として、ＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３との混合酸化物を用いた場合には、繰り返しオーバーライト特性をさらに改善することが可能になる。
【００２３】
混合酸化物中のＺｒの酸化物の含有率は、とくに限定されるものではないが、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との合計１００モル％に対して、６０モル％以上、１００モル％未満であることが好ましく、７０モル％以上、９５モル％以下であることがより好ましい。混合酸化物中のＺｒの酸化物の含有率が、６０モル％未満であると、混合酸化物の透過率が低下することがあり、その一方で、１００モル％である場合には、Ｚｒの酸化物が持つ大きな内部応力によって信頼性が低下するおそれがある。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、支持基板上に、少なくとも透明中間層を介して、積層された複数の情報層を備え、複数の情報層のうち、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層以外の情報層が、Ｓｂ共晶系の相変化材料によって形成された記録膜を含んでいる場合にも、繰り返しオーバーライト特性に優れた光記録媒体を提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００２６】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体を示す一部切り欠き略斜視図であり、図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。
【００２７】
図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、円盤状に形成され、約１２０ｍｍの外径と、約１．２ｍｍの厚さを有している。
【００２８】
本実施態様にかかる光記録媒体１０は、書き換え型の光記録媒体として構成され、図２に示されるように、支持基板１１と、透明中間層１２と、光透過層１３と、支持基板１１と透明中間層１２との間に設けられたＬ０情報層２０と、透明中間層１２と光透過層１３との間に設けられたＬ１情報層３０を備え、光透過層１３の一方の表面によって、レーザビームＬが入射する光入射面１３ａが構成されている。
【００２９】
本実施態様において、Ｌ０情報層２０は、光入射面１３ａから遠い情報層を構成し、Ｌ１情報層３０は、光入射面１３ａに近い情報層を構成している。
【００３０】
本実施態様にかかる光記録媒体１０は、図２において、矢印Ｌで示される方向から、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬが、約０．８５の開口数ＮＡを有する対物レンズ（図示せず）を介して、光透過層１３に照射されるように構成されている。
【００３１】
支持基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。
【００３２】
支持基板１１を形成するための材料は、光記録媒体１０の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではないが、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、加工性などの点から、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂がとくに好ましく、本実施態様においては、支持基板１１は、ポリカーボネート樹脂によって形成されている。
【００３３】
本実施形態においては、支持基板１１は、約１．１ｍｍの厚さを有している。
【００３４】
本実施形態においては、レーザビームＬは、支持基板１１とは反対側に位置する光透過層１３を介して、照射されるから、支持基板１１が、光透過性を有していることは必ずしも必要ではない。
【００３５】
支持基板１１は、図２に示されるように、その表面には、グルーブ１１ａが形成されている。グルーブ１１ａは、Ｌ０情報層２０にデータを記録し、Ｌ０情報層２０からデータを再生する場合に、レーザビームＬのガイドトラックとしての役割を果たす。
【００３６】
表面に、グルーブ１１ａ有する支持基体１１は、たとえば、スタンパ（図示せず）を用いた射出成形法などによって作製される。
【００３７】
透明中間層１２は、Ｌ０情報層２０とＬ１情報層３０とを、物理的に、かつ、光学的に十分な距離をもって離間させる機能を有している。
【００３８】
図２に示されるように、透明中間層１２の表面には、グルーブ１２ａが形成されている。透明中間層１２の表面に形成されたグルーブ１２ａは、Ｌ１情報層３０にデータを記録し、Ｌ１情報層３０からデータを再生する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。
【００３９】
透明中間層１２は、Ｌ０情報層２０にデータを記録し、Ｌ０情報層２０からデータを再生する場合に、レーザビームＬが通過するため、十分に高い光透過性を有している必要がある。したがって、透明中間層１２を形成するための材料は、近赤外から紫外の波長領域での光学吸収や反射が少なく、複屈折率が小さいことが要求される。透明中間層１２を形成するための材料は、これらの条件を満足する材料であれば、とくに限定されるものではないが、紫外線硬化型アクリル樹脂などの紫外線硬化型樹脂を含む紫外線硬化型樹脂組成物によって、透明中間層１２が形成されることが好ましい。
【００４０】
透明中間層１２は、Ｌ０情報層２０上に、紫外線硬化型樹脂組成物の溶液をスピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜の表面に、支持基板１１を作製するのに用いたスタンパと同様の凹凸パターンが形成されたスタンパ（図示せず）を被せた状態で、スタンパを介して、紫外線を照射することによって、形成されることが好ましい。
【００４１】
光透過層１３は、レーザビームＬが透過する層であり、その一方の表面によって、光入射面１３ａが構成されている。
【００４２】
光透過層１３を形成するための材料は、近赤外から紫外の波長領域で吸収が小さく、かつ、複屈折率が小さいことが要求される。光透過層１３を形成するための材料は、これらの条件を満足する材料であれば、とくに限定されるものではないが、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などを含有する樹脂組成物が、光透過層１３を形成するために、好ましく使用され、紫外線硬化型アクリル樹脂を含有する樹脂組成物が、より好ましく使用される。
【００４３】
光透過層１３は、３０μｍないし２００μｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。
【００４４】
光透過層１３は、樹脂組成物の溶液を、スピンコーティング法によって、Ｌ１情報層３０の表面上に塗布して、形成されることが好ましいが、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、Ｌ１情報層３０の表面に接着して、光透過層１３を形成することもできる。
【００４５】
図３は、Ｌ０情報層２０の略拡大断面図である。
【００４６】
図３に示されるように、本実施態様においては、Ｌ０情報層２０は、支持基板１１側から、反射膜２１、第二の誘電体膜２２、Ｌ０記録膜２３、第一の誘電体膜２４および放熱膜２５が積層されて、構成されている。
【００４７】
反射膜２１は、光透過層１３およびＬ１情報層３０を介して、Ｌ０記録膜２３に照射されるレーザビームＬを反射し、再び、光透過層１３から出射させる役割を果たすとともに、レーザビームＬが照射されることによって、Ｌ０記録膜２３に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。
【００４８】
反射膜２１を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｄなどが用いられるが、これらのうちでも、高い反射率を有しているＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、ＡｇとＣｕとの合金など、これらの金属の少なくとも１つを含む合金などの金属材料が、反射膜２１を形成するために、好ましく用いられる。とくに、反射膜２１が、Ａｇを含んでいる場合には、表面平滑性に優れた反射膜２１を形成することができ、再生信号のノイズレベルを低減することが可能になり、好ましい。
【００４９】
反射膜２１は、単一の膜によって構成されても、２以上の膜が積層されて構成されてもよいが、本実施態様においては、反射膜２１は、Ａｇを含む金属材料によって形成された第一の膜２１２と第二の膜２１１とが積層されて、構成されている。
【００５０】
反射膜２１の厚さは、とくに限定されるものではないが、１０ｎｍないし３００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍないし２００ｎｍであることが、とくに好ましい。
【００５１】
反射膜２１は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００５２】
第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４は、Ｌ０記録膜２３を物理的および化学的に保護するとともに、Ｌ０記録膜２３に生成された熱を放熱させ、さらに、レーザビームＬを照射する前後の光学特性の変化を増大する機能を有している。
【００５３】
第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４を形成するための材料は、レーザビームＬの波長領域である３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長において、透明な誘電体材料であれば、とくに限定されるものではないが、第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４は、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物から形成されることが好ましい。
【００５４】
第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４は、それぞれ、単一の膜によって構成されても、二以上の膜が積層されて構成されてもよいが、本実施態様においては、第二の誘電体膜２２は、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物によって形成された第一の膜２２２と、ＣｅとＡｌの酸化物によって形成された第二の膜２２１とが積層されて、構成され、第一の誘電体膜２４は、単一の膜によって、構成されている。
【００５５】
第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４の厚さは、とくに限定されるものではないが、第二の誘電体膜２２の厚さは５ｎｍないし３５ｎｍであることが好ましく、第一の誘電体膜２４の厚さは１０ｎｍないし８０ｎｍであることが好ましい。
【００５６】
第二の誘電体膜２２および第一の誘電体膜２４は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００５７】
Ｌ０記録膜２３は、記録マークを形成して、データを記録するための膜であり、相変化材料によって形成され、単一の膜によって構成されている。相変化材料は、結晶状態である場合の反射率と、アモルファス状態である場合の反射率とが異なるため、これを利用して、データが記録され、記録されたデータが再生される。
【００５８】
Ｌ０記録膜２３を形成するための相変化材料は、とくに限定されるものではないが、Ｌ０記録膜２３は、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ、ＴｂおよびＭｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含む相変化材料を含んで形成されるのが好ましい。
【００５９】
Ｌ０記録膜２３の厚さは、とくに限定されるものではないが、８ｎｍないし２５ｎｍであることが好ましい。
【００６０】
Ｌ０記録膜２３は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００６１】
放熱膜２５は、第一の誘電体膜２４を介して、Ｌ０記録膜２３から伝達された熱を放熱する役割を果たす。
【００６２】
放熱膜２５を形成するための材料は、レーザビームＬに対して高い光透過性を有し、かつ、記録膜２３に生じた熱を放熱することができれば、とくに限定されるものではないが、第一の誘電体膜２４の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料が好ましく、具体的には、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２などが、放熱膜２５を形成するために、好ましく使用される。
【００６３】
放熱膜２５は、１０ｎｍないし１２０ｎｍの厚さを有するように形成されるのが好ましい。
【００６４】
放熱膜２５は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００６５】
図４は、Ｌ１情報層３０の略拡大断面図である。
【００６６】
図４に示されるように、本実施態様においては、Ｌ１情報層３０は、支持基板１１側から、第四の誘電体膜３１、反射膜３２、第三の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３４、第二の誘電体膜３５、第一の誘電体膜３６および放熱膜３７が積層されて、構成されている。
【００６７】
第四の誘電体膜３１は、第三の誘電体膜３３とともに、後に詳述する反射膜３２の機能を充分に維持させる役割を果たし、さらに、反射膜３２とともに、レーザビームＬの照射によって、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。
【００６８】
第四の誘電体膜３１を形成するための材料は、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物を主成分として含む材料であれば、とくに限定されるものではなく、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物に加えて、さらに、他の酸化物や窒化物などを含んでいてもよく、たとえば、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２などの（部分）安定化ジルコニアを形成し得る第三の酸化物を含んでいてもよい。かかる材料が第三の酸化物を含んでいる場合には、第三の酸化物の含有量は、Ｚｒの酸化物と第三の酸化物との合計１００モル％に対して、２モル％ないし１５モル％であることが好ましい。
【００６９】
Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物は、とくに限定されるものではないが、ＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３との混合酸化物であることが好ましく、混合酸化物中のＺｒの酸化物の含有率は、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との合計１００モル％に対して、６０モル％以上、１００モル％未満であることが好ましく、７０モル％以上、９５モル％以下であることがより好ましい。混合酸化物中のＺｒの酸化物の含有率が、６０モル％未満であると、混合酸化物の透過率が低下することがあり、その一方で、１００モル％である場合には、Ｚｒの酸化物が持つ大きな内部応力によって信頼性が低下するおそれがある。
【００７０】
本実施態様においては、第四の誘電体膜３１は、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物を主成分とする材料によって形成されている。第四の誘電体膜３１がかかる混合酸化物によって形成されている場合には、繰り返しオーバーライト特性をさらに改善することが可能になる。
【００７１】
第四の誘電体膜３１は、単一の膜によって構成されても、２以上の膜が積層されて構成されてもよいが、本実施態様においては、単一の膜によって構成されている。
【００７２】
第四の誘電体膜３１は、２ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第四の誘電体膜３１の厚さが２ｎｍ未満の場合には、放熱効果が低下するとともに、後に詳述する反射膜３２の機能を充分に維持させることが困難になるおそれがあり、その一方で、第四の誘電体膜３１の厚さが５０ｎｍを越えている場合には、第四の誘電体膜３１を成膜するときに生じる内部応力が大きくなり、第四の誘電体膜３１にクラックが生じやすくなるとともに、かえって、繰り返しオーバーライト特性が低下するおそれがある。
【００７３】
第四の誘電体膜３１は、たとえば、第四の誘電体膜３１の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、透明中間層１２の表面上に形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられるが、スパッタリング法によって、第四の誘電体膜３１を形成することが好ましい。
【００７４】
反射膜３２は、光透過層１３を介して、Ｌ１記録膜３４に照射されるレーザビームＬを反射し、再び、光透過層１３から出射させる役割を果たすとともに、レーザビームＬが照射されることによって、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。
【００７５】
反射膜３２を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、図３に示されたＬ０情報層２０の反射膜２１を形成するために、好ましく用いられる金属材料と同様の金属材料が、好ましく用いられる。とくに、反射膜３２が、Ａｇを含んでいる場合には、表面平滑性に優れた反射膜３２を形成することができ、再生信号のノイズレベルを低減することが可能になり、好ましい。
【００７６】
反射膜３２は、Ｌ１情報層３０の光透過率を高めるために、薄く形成される必要があるが、本実施態様においては、反射膜を薄く形成した場合にも、繰り返しオーバーライト特性を改善することができる。したがって、反射膜３２は、５ｎｍないし２５ｎｍの厚さを有するように形成されるのが好ましく、１０ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されるのがより好ましい。
【００７７】
反射膜３２は、たとえば、第四の誘電体膜３１の表面上に、スパッタリング法などによって形成される。
【００７８】
第三の誘電体膜３３は、第四の誘電体膜３１とともに、反射膜３２の上述した機能を充分に維持させる役割を果たし、さらに、第二の誘電体膜３５とともに、Ｌ１記録膜３４を物理的および化学的に保護するとともに、レーザビームＬの照射によって、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を、反射膜３２側に放熱させる役割を果たす。
【００７９】
第三の誘電体膜３３を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、第四の誘電体膜３１を形成するための材料と同様の材料が用いられる。本実施態様において、第三の誘電体膜３３は、第四の誘電体膜３１と同様に、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物を主成分とする材料によって、形成されている。第三の誘電体膜３３がかかる混合酸化物によって形成されている場合には、繰り返しオーバーライト特性をさらに改善することが可能になる。
【００８０】
第三の誘電体膜３３は、単一の膜によって構成されても、２以上の膜が積層されて構成されてもよいが、本実施態様においては、単一の膜によって構成されている。
【００８１】
第三の誘電体膜３３は、２ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第三の誘電体膜３３の厚さが２ｎｍ未満の場合には、第三の誘電体膜３３を連続膜として形成することが困難になるとともに、反射膜３２の機能を充分に維持させることが困難になるおそれがあり、その一方で、第三の誘電体膜３３の厚さが１５ｎｍを越えている場合には、Ｌ１記録膜３４の熱を効果的に反射膜に逃がすことが困難になるとともに、かえって、繰り返しオーバーライト特性が低下するおそれがある。
【００８２】
第三の誘電体膜３３は、たとえば、第三の誘電体膜３３の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、反射膜３２の表面上に形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられるが、スパッタリング法によって、第四の誘電体膜３１を形成することが好ましい。
【００８３】
Ｌ１記録膜３４は、記録マークを形成して、データを記録するための膜であり、相変化材料によって形成され、単一の膜によって構成されている。相変化材料は、結晶状態である場合の反射率とアモルファス状態である場合の反射率とが異なるため、これを利用して、データが記録され、記録されたデータが再生される。
【００８４】
Ｌ１記録膜３４を形成するためのＳｂ共晶系の相変化材料は、とくに限定されるものではないが、Ｓｂと、Ｓｂと共晶を持つ元素の少なくとも一種とを主成分として含む相変化材料が好ましく用いられ、とくに、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを含む相変化材料、および、７０原子％ないし９５原子％のＳｂと、０原子％を超え、３０原子％未満のＧｅと、０原子％を超え、２５原子％以下のＭｇを含む相変化材料が好ましく用いられる。本実施態様において、Ｌ１記録膜３４は、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを含む相変化材料によって、形成されている。Ｌ１記録膜３４がかかる相変化材料によって形成されている場合には、Ｌ１記録膜３４の膜厚にかかわらず、Ｌ１情報層３０の保存特性が向上する。
【００８５】
Ｌ１記録膜３４は、２ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましく、４ｎｍないし９ｎｍの膜厚を有するように形成されていることがより好ましい。Ｌ１記録膜３４が２ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成された場合には、Ｌ１情報層３０の保存特性が、より一層、向上する。
【００８６】
Ｌ１記録膜３４は、たとえば、Ｌ１記録膜３４の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられるが、スパッタリング法によって、Ｌ１記録膜３４を形成することが好ましい。
【００８７】
第二の誘電体膜３５は、第三の誘電体膜３３とともに、Ｌ１記録膜３４を物理的および化学的に保護する役割を果たすとともに、レーザビームＬの照射によって、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を、後述する放熱膜３７側に放熱させる機能を有している。また、第二の誘電体膜３５は、第一誘電体膜３６を構成する元素がＬ１記録膜３４に拡散することを防ぐバリア膜としての役割をも果たす。
【００８８】
第二の誘電体膜３５を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物などが、第二の誘電体膜３５を形成するために用いられる。これらの中でも、ＺｒＯ２を主成分として含む材料によって、第二の誘電体膜３５を形成することが好ましい。第二の誘電体膜３５がかかる材料によって形成されている場合には、Ｌ１記録膜３４に生成された熱を速やかに放熱させることができる。
【００８９】
第二の誘電体膜３５は、３ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第二の誘電体膜３５の厚さが、３ｎｍ未満である場合には、バリア膜としての役割を充分に果たすことが困難になるとともに、放熱効果が低下し、その一方で、１５ｎｍを越えている場合には、第二の誘電体膜３５を成膜するときに生じる内部応力が大きくなり、第二の誘電体膜３５にクラックが生じやすくなる。
【００９０】
第二の誘電体膜３５は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００９１】
第一の誘電体膜３６は、第二の誘電体膜３５と放熱膜３７との密着性を高める機能を有している。
【００９２】
第一の誘電体膜３６を形成するための材料は、レーザビームＬに対して高い光透過性を有し、かつ、第二の誘電体膜３５および放熱膜３７との密着性が高い材料であれば、とくに限定されるものではないが、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物によって、第一の誘電体膜３６を形成することが好ましい。第一の誘電体膜３６を、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物によって形成する場合には、ＺｎＳとＳｉＯ２のモル比は、６０：４０ないし９５：５であることが好ましい。ＺｎＳのモル比が、６０％未満の場合には、第一の誘電体膜３６の屈折率が低下して、記録マークが形成されたＬ１記録膜３４の領域と、記録マークが形成されていないＬ１記録膜３４の領域との反射率の差が低下するおそれがある。その一方で、ＺｎＳのモル比が、９５％を越えている場合には、第一の誘電体膜３６を完全な透明膜として形成することが困難であり、信号出力が低下するなどの悪影響がでてくる。
【００９３】
第一の誘電体膜３６は、５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第一の誘電体膜３６の厚さが、５ｎｍ未満の場合には、放熱膜３７にクラックが生じやすくなり、５０ｎｍを越える場合には、放熱効果が低下するおそれがある。
【００９４】
第一の誘電体膜３６は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００９５】
放熱膜３７は、第二の誘電体膜３５および第一の誘電体膜３６を介して、Ｌ１記録膜３４から伝達された熱を放熱する役割を果たす。
【００９６】
放熱膜３７を形成するための材料は、レーザビームＬに対して高い光透過性を有し、かつ、Ｌ１記録膜３４に生じた熱を放熱することができれば、とくに限定されるものではないが、第二の誘電体膜３５の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料が、具体的には、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２などが好ましく用いられる。
【００９７】
放熱膜３７は、２０ｎｍないし７０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。放熱膜３７の厚さが、２０ｎｍ未満の場合には、充分な放熱効果を得られないおそれがあり、その一方で、７０ｎｍを越える場合には、放熱膜３７の成膜に長い時間を要するため、光記録媒体１０の生産性が低下するおそれがある。
【００９８】
放熱膜３７は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００９９】
以上のように構成された本実施態様にかかる光記録媒体１０のＬ０情報層２０またはＬ１情報層３０に、データを記録し、Ｌ０情報層２０またはＬ１情報層３０に記録されたデータをダイレクトオーバーライトする場合には、記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅおよび基底パワーＰｂとの間で、そのパワーが変調されたレーザビームＬが、光透過層１３から、Ｌ０情報層２０に含まれたＬ０記録膜２３またはＬ１情報層３０に含まれたＬ１記録膜３４にフォーカスされる。
【０１００】
本実施態様においては、Ｌ１情報層３０は、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを含む共晶系の相変化材料によって、形成されたＬ１記録膜３４と、５ｎｍないし２５ｎｍの厚さを有するように形成された反射膜３２を挟むように、反射膜３２に隣接して、それぞれ、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物を主成分とする材料によって、形成された第三の誘電体膜３３および第四の誘電体膜３１とを備えており、本発明者の研究によれば、かかる場合には、保存特性を向上させるとともに、繰り返しオーバーライト特性を改善することが可能になることが見出されている。したがって、本実施態様においては、Ｌ１情報層３０に、所望のように、データを記録し、また、所望のように、Ｌ１情報層３０に記録されたデータを、繰り返して、ダイレクトオーバーライトすることが可能になる。
【０１０１】
また、本実施態様においては、上述したように、保存特性を向上させつつ、Ｌ１記録膜３４を薄く形成することが可能になるとともに、繰り返しオーバーライト特性を改善しつつ、反射膜３２を薄く形成することができるから、Ｌ１情報層３０を薄く形成することが可能になり、したがって、Ｌ１情報層３０は、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームＬに対して、高い光透過率を有し、レーザビームＬがＬ１情報層３０を透過する際に、レーザビームＬの光量が減少することを最小限に抑制することが可能になる。したがって、本実施態様においては、Ｌ１情報層３０を介して、Ｌ０情報層２０に含まれたＬ０記録膜２３に、レーザビームＬを照射することができ、Ｌ０情報層２０に、所望のように、データを記録し、Ｌ０情報層２０に記録されたデータを、所望のように、再生、あるいは、消去することが可能になる。
【０１０２】
図５は、本発明の別の好ましい実施態様にかかる光記録媒体のＬ１情報層の略拡大断面図である。
【０１０３】
本実施態様にかかる光記録媒体１００は、図１ないし図４に示される光記録媒体１０と同様に、円盤状に形成され、約１２０ｍｍの外径と、約１．２ｍｍの厚さを有している。
【０１０４】
本実施態様にかかる光記録媒体１００は、図５に示されるように、Ｌ１情報層１３０が、透明中間層１１２側から、第四の誘電体膜１３１、反射膜１３２、第三の誘電体膜１３３、Ｌ１記録膜１３４、第二の誘電体膜１３５、第一の誘電体膜１３６および放熱膜１３７が積層されて、構成され、Ｌ１情報層１３０の第四の誘電体膜１３１が、反射膜１３２に隣接して、Ｚｒの酸化物とＣｒの酸化物との混合酸化物を主成分として含む材料によって形成された第一の膜１３１２と、第一の膜１３１２に対して、透明中間層１１２側に設けられた第二の膜１３１１とを備えている点を除いて、図１ないし図４に示される光記録媒体１０と同様に、構成されている。
【０１０５】
本発明者の研究によれば、このように、第四の誘電体膜１３１が、第一の膜１３１２と第二の膜１３１１とを備えている場合には、透過率などの光学特性を向上させることが可能になるとともに、繰り返しオーバーライト特性をさらに改善することが可能になることが見出されている。
【０１０６】
第四の誘電体膜１３１を構成する第一の膜１３１２は、図１ないし図４に示される光記録媒体１０の第四の誘電体膜３１と同様の役割を果たし、同様の材料によって形成されている。本実施態様においては、第一の膜１３１２は、図１ないし図４に示される光記録媒体１０の第四の誘電体膜３１と同様に、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物を主成分とする材料によって、形成されている。第一の膜１３１２がかかる混合酸化物によって形成された場合には、繰り返しオーバーライト特性を、より一層、改善することが可能になる。
【０１０７】
第一の膜１３１２は、２ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第一の膜１３１２の厚さが２ｎｍ未満の場合には、放熱効果が低下するとともに、反射膜３２の機能を充分に維持させることが困難になるおそれがあり、その一方で、第一の膜１３１２の厚さが１５ｎｍを越えている場合には、第一の膜１３１２を成膜するときに生じる内部応力が大きくなり、第一の膜１３１２にクラックが生じやすくなるとともに、かえって、繰り返しオーバーライト特性が低下するおそれがある。
【０１０８】
第四の誘電体膜１３１を構成する第二の膜１３１１は、Ｌ１情報層１３０の光透過率を高めるとともに、光学特性を向上させる役割を果たす。
【０１０９】
第二の膜１３１１を形成するための材料は、レーザビームＬに対して高い光透過性を有している材料であることが好ましく、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物によって、第二の膜１３１１を形成することがとくに好ましい。第二の膜１３１１を、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物によって形成する場合には、Ｌ１情報層１３０の光透過率を高めるとともに、繰り返しオーバーライト特性を改善することが可能になる。第二の膜１３１１を、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物によって形成する場合には、図１ないし図４に示される光記録媒体１０の第一の誘電体膜３６と同様に、ＺｎＳとＳｉＯ２のモル比は、６０：４０ないし９５：５であることが好ましい。
【０１１０】
第二の膜１３１１は、５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第二の膜１３１１の厚さが、５ｎｍ未満の場合には、放熱膜３７にクラックが生じやすくなり、その一方で、５０ｎｍを越える場合には、放熱効果が低下するおそれがある。
【０１１１】
本実施態様においては、Ｌ１情報層１３０は、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを含む共晶系の相変化材料によって形成されたＬ１記録膜１３４と、５ｎｍないし２５ｎｍの厚さを有するように形成された反射膜１３２を挟むように、反射膜１３２に隣接して、それぞれ、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物を主成分とする材料によって、形成された第三の誘電体膜１３３および第一の膜１３１２と、第一の膜１３１２に対して、透明中間層１１２側に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物によって、形成された第二の膜１３１１とを備えており、本発明者の研究によれば、かかる場合には、光透過率および保存特性を向上させるとともに、繰り返しオーバーライト特性を改善することが可能になることが見出されている。したがって、本実施態様においては、Ｌ１情報層１３０に、所望のように、データを記録し、また、所望のように、Ｌ１情報層１３０に記録されたデータを、繰り返して、ダイレクトオーバーライトすることが可能になる。
【実施例】
【０１１２】
以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。
【０１１３】
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃１を作製した。
【０１１４】
まず、射出成型法により、厚さが１．１ｍｍ、直径が１２０ｍｍで、表面に、グルーブが、０．３２μｍのグルーブピッチで形成されたポリカーボネート基板を作製した。
【０１１５】
次いで、ポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、グルーブが形成された表面上に、９８．４原子％のＡｇ、０．７原子％のＮｄ、０．９原子％のＣｕおよびＮからなる４０ｎｍの厚さを有する第一の膜と、９８．４原子％のＡｇ、０．７原子％のＮｄおよび０．９原子％のＣｕからなる６０ｎｍ厚さを有する第二の膜とから構成された反射膜、モル比が８０：２０のＣｅＯ２とＡｌ２Ｏ３の混合物からなる１０ｎｍの厚さを有する第一の膜と、モル比が５０：５０のＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を主成分として含み、１０ｎｍの厚さを有する第二の膜とから構成された第二の誘電体膜、７７．１原子％のＳｂと１８．７原子％のＴｅと４．２原子％のＧｅを含む相変化材料を主成分として含み、１０ｎｍの厚さを有するＬ０記録膜、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を主成分として含み、４０ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜、ならびに、ＡｌＮを主成分として含み、３０ｎｍの厚さを有する放熱膜を、順次、スパッタリング法により形成し、Ｌ０情報層を形成した。
【０１１６】
ここに、反射膜を構成する第二の膜、第二の誘電体膜を構成する第一の膜および第二の膜、Ｌ０記録膜ならびに第一の誘電体膜は、アルゴンガス雰囲気中で、それぞれの膜に対応する組成を有するターゲットを用いたスパッタリング法によって形成した。
【０１１７】
一方、反射膜を構成する第一の膜および放熱膜は、それぞれ、ＡｇＮｄＣｕまたはＡｌターゲットを用いて、アルゴンおよび窒素ガス雰囲気中で、反応性スパッタリング法によって形成した。
【０１１８】
次いで、Ｌ０情報層が形成されたポリカーボネート基板をスピンコート装置にセットし、Ｌ０情報層上に、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物の溶液を、塗布して、その上に、グルーブが形成された透明のスタンパを重ね、ポリカーボネート基板を回転させながら、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物の溶液を展開させつつ、紫外線を照射して、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物を硬化させ、２５μｍの厚さを有する透明中間層を形成した。透明中間層に形成されたグルーブは、０．３２μｍのグルーブピッチを有していた。
【０１１９】
さらに、８１０ｎｍの波長を有する半導体レーザを用いて、出力５００ｍＷで、Ｌ０記録膜に初期化処理を施し、Ｌ０記録膜を結晶化させた。
【０１２０】
次いで、Ｌ０情報層および透明中間層が形成されたポリカーボネート基板を、スパッタリング装置にセットし、透明中間層の表面上に、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物を主成分として含み、２０ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜、９８原子％のＡｇ、１原子％のＰｄおよび１原子％のＣｕからなる合金を含み、１５ｎｍの厚さを有する反射膜、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物を主成分として含み、６ｎｍの厚さを有する第三の誘電体膜、８７．０原子％のＳｂと、１３．０原子％のＧｅとを含む相変化材料を主成分として含み、６ｎｍの厚さを有するＬ１記録膜、モル比が９７：３のＺｒＯ２とＹ２Ｏ３の混合物を主成分として含み、６ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を主成分として含み、１２．５ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜、ならびに、ＡｌＮを主成分として含み、３５ｎｍの厚さを有する放熱膜を、順次、スパッタリング法により形成し、Ｌ１情報層を形成した。
【０１２１】
ここに、放熱膜は、アルゴンガスおよび窒素ガス雰囲気中で、Ａｌターゲットを用いた反応性スパッタリング法によって形成した。
【０１２２】
一方、第一の誘電体膜、第二の誘電体膜、第三の誘電体膜、第四の誘電体膜、反射膜およびＬ１記録膜は、アルゴンガス雰囲気中で、それぞれの膜に対応する組成を有するターゲットを用いたスパッタリング法によって形成した。
【０１２３】
次いで、Ｌ１情報層の放熱膜の表面上に、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物の溶液を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化型アクリル樹脂組成物を硬化させ、７５μｍの厚さを有する光透過層を形成した。
【０１２４】
さらに、８１０ｎｍの波長を有する半導体レーザを用いて、出力５００ｍＷで、Ｌ１記録膜に初期化処理を施し、Ｌ１記録膜を結晶化させた。
【０１２５】
こうして、光記録媒体サンプル＃１を作製した。
【０１２６】
次いで、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物を主成分として含み、２０ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜に代えて、透明中間層の表面上に、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を主成分として含み、１５ｎｍの厚さを有する第二の膜と、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物を主成分として含み、４ｎｍの厚さを有する第一の膜とから構成された第四の誘電体膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃２を作製した。
【０１２７】
次いで、８７．０原子％のＳｂと１３．０原子％のＧｅとを含む相変化材料に代えて、８９．０原子％のＳｂと１１．０原子％のＧａとを含む相変化材料を用いてＬ１記録膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃３を作製した。
【０１２８】
さらに、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物に代えて、モル比が９７：３のＺｒＯ２とＹ２Ｏ３の混合物を用いて、第三の誘電体膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃１を作製した。
【０１２９】
次いで、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物に代えて、モル比が９７：３のＺｒＯ２とＹ２Ｏ３の混合物を用いて、第三の誘電体膜および第四の誘電体膜を構成する第一の膜を、それぞれ、形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃２と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃２を作製した。
【０１３０】
さらに、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物に代えて、モル比が９７：３のＺｒＯ２とＹ２Ｏ３の混合物を用いて、第三の誘電体膜および第四の誘電体膜を構成する第一の膜を、それぞれ、形成し、さらに、モル比が９７：３のＺｒＯ２とＹ２Ｏ３の混合物に代えて、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物を用いて、Ｌ１情報層の第二の誘電体膜形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃２と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃３を作製した。
【０１３１】
次いで、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物に代えて、モル比が９７：３のＺｒＯ２とＹ２Ｏ３の混合物を用いて、第四の誘電体膜を構成する第一の膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃２と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃４を作製した。
【０１３２】
さらに、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物に代えて、モル比が９７：３のＺｒＯ２とＹ２Ｏ３の混合物を用いて、第三の誘電体膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃２と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃５を作製した。
【０１３３】
次いで、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物に代えて、モル比が９７：３のＺｒＯ２とＹ２Ｏ３の混合物を用いて、第四の誘電体膜を構成する第一の膜を形成し、さらに、モル比が９７：３のＺｒＯ２とＹ２Ｏ３の混合物に代えて、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物を用いて、Ｌ１情報層の第二の誘電体膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃２と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃６を作製した。
【０１３４】
さらに、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物に代えて、モル比が９７：３のＺｒＯ２とＹ２Ｏ３の混合物を用いて、第三の誘電体膜および第四の誘電体膜を構成する第一の膜を、それぞれ、形成し、さらに、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ２の混合物に代えて、ＴｉＯ２を用いて、１２．５ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜を構成する第二の膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃２と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃７を作製した。
【０１３５】
次いで、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物に代えて、モル比が８０：２０のＺｒＯ２とＴｉＯ２の混合物を用いて、第三の誘電体膜および第四の誘電体膜を、それぞれ、形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃８を作製した。
【０１３６】
さらに、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物に代えて、モル比が８０：２０のＺｒＯ２とＳｉＯ２の混合物を用いて、第三の誘電体膜および第四の誘電体膜を、それぞれ、形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃９を作製した。
【０１３７】
次いで、モル比が９０：１０のＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３の混合酸化物に代えて、モル比が４０：４０：２０のＺｒＯ２とＴｉＯ２とＳｉＯ２の混合物を用いて、第三の誘電体膜および第四の誘電体膜を、それぞれ、形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃１０を作製した。
【０１３８】
このようにして作製した光記録媒体サンプル＃１および＃２ならびに光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃１０を、それぞれ、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、１０．５ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、チャンネルクロック周波数１３２ＭＨｚ、チャンネルビット長０．１２μｍ／ｂｉｔで、４０５ｎｍの波長を有し、そのパワーが、記録パワーＰｗと基底パワーＰｂとの間で、所定のパターンにしたがって、変調されたレーザビームを、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、光透過層を介して、各サンプルのＬ１記録膜に照射し、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ信号ないし８Ｔ信号に対応する長さを有する記録マークを、１回ないし１０００回の間で所定の回数にわたり、繰り返して、形成して、Ｌ１情報層に、ランダム信号を、１回ないし１０００回の間で所定の回数にわたり、繰り返して、オーバーライトした。
【０１３９】
ここに、各サンプルのＬ１情報層にランダム信号をオーバーライトする場合には、いずれも、レーザビームの記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、再生パワーＰｒおよび基底パワーＰｂを、それぞれ、１０．６ｍＷ、４．０ｍＷ、０．７ｍＷおよび０．３ｍＷに設定した。
【０１４０】
次いで、レーザビームの再生パワーＰｒを０．７ｍＷに設定して、上述したのと同様にして、１回ないし１０００回の間で所定の回数にわたり、繰り返して、オーバーライトしたランダム信号を、それぞれ、再生し、再生信号のクロックジッタ（％）を測定して、繰り返しオーバーライト特性を評価した。
【０１４１】
ここに、クロックジッタは、タイムインターバルアナライザによって、再生信号のゆらぎσを求め、σ／Ｔｗ（Ｔｗ：クロックの１周期）によって、算出した。
【０１４２】
光記録媒体サンプル＃１および＃３の繰り返しオーバーライト特性の測定結果は、それぞれ、図６の曲線Ａないし曲線Ｃによって、光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃５の繰り返しオーバーライト特性の測定結果は、それぞれ、図７の曲線Ｄないし曲線Ｈによって、光記録媒体比較サンプル＃６ないし＃１０の繰り返しオーバーライト特性の測定結果は、それぞれ、図８の曲線Ｉないし曲線Ｍによって、それぞれ、示されている。
【０１４３】
図６に示されるように、光記録媒体サンプル＃１および＃３にあっては、ともに、各サンプルのＬ１情報層に記録されたランダム信号を、新たなランダム信号によって、繰り返して、ダイレクトオーバーライトしたときに、ダイレクトオーバーライトする回数が多くなるにしたがって、次第に、再生信号のジッタが悪化することを防止することができ、とくに、１０００回にわたり、繰り返して、ダイレクトオーバーライトしたときのジッタが、１０回にわたり、繰り返して、ダイレクトオーバーライトしたときのジッタに比して、著しく悪化することを効果的に防止することが可能になることが判明した。また、光記録媒体サンプル＃１にあっては、ダイレクトオーバーライトする回数にかかわらず、再生信号のジッタが悪化することを確実に防止することが可能になり、一方、光記録媒体サンプル＃２および＃３にあっては、ダイレクトオーバーライトする回数が多くなるにしたがって、次第に、再生信号のジッタが悪化することを確実に防止することが可能になることが判明した。
【０１４４】
これに対して、図７および図８に示されるように、光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃１０にあっては、いずれも、ダイレクトオーバーライトする回数が多くなるにしたがって、次第に、再生信号のジッタが悪化し、とくに、１０００回にわたり、繰り返して、ダイレクトオーバーライトしたときのジッタが、１０回にわたり、繰り返して、ダイレクトオーバーライトしたときのジッタに比して、著しく悪化しており、繰り返し、ダイレクトオーバーライトしたときの再生信号のジッタが悪化することを防止することができないことが判明した。
【０１４５】
さらに、Ｌ１情報層にランダム信号を記録したのと同様にして、レーザビームを、光透過層およびＬ１情報層を介して、光記録媒体サンプル＃１および＃３の各Ｌ０記録膜に照射し、各Ｌ０記録膜に、記録マークを形成して、Ｌ０情報層にランダム信号を記録し、Ｌ１情報層に記録されたランダム信号を再生したのと同様にして、記録されたランダム信号を再生したところ、所望のように、Ｌ０情報層にランダム信号を記録し、Ｌ０情報層に記録されたランダム信号を再生することができた。
【０１４６】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【０１４７】
たとえば、図１ないし図４に示された光記録媒体１０および図５に示された光記録媒体１００においては、Ｌ１情報層３０、１３０は、いずれも、第四の誘電体膜３１、１３１と、反射膜３２、１３２と、第三の誘電体膜３３、１３３と、Ｌ１記録膜３４、１３４と、第二の誘電体膜３５、１３５と、第一の誘電体膜３６、１３６と、放熱膜３７、１３７とが積層されて、構成されているが、Ｌ１情報層は、支持基板側から、第四の誘電体膜と、反射膜と、第三の誘電体膜と、Ｌ１記録膜とを含んでいればよく、他の構成はとくに限定されるものではない。たとえば、Ｌ１情報層が、支持基板側から、第四の誘電体膜と、反射膜と、第三の誘電体膜と、Ｌ１記録膜と、第二の誘電体膜と、第一の誘電体膜とが積層されて、構成されていてもよく、また、支持基板側から、第四の誘電体膜と、反射膜と、第三の誘電体膜と、Ｌ１記録膜と、第二の誘電体膜および第一の誘電体膜のいずれか一方と、放熱膜とが積層されて、構成されていてもよい。
【０１４８】
また、図１ないし図４に示された光記録媒体１０および図５に示された光記録媒体１００は、Ｌ０情報層２０、１２０と、Ｌ１情報層３０、１３０とを備え、二層の情報層が設けられているが、光記録媒体が、二層の情報層を備えていることは必ずしも必要でなく、光記録媒体が、透明中間層を介して、積層された三層以上の情報層を備えていてもよい。光記録媒体が、三層以上の情報層を備えている場合には、情報層がすべて、支持基板側から、第四の誘電体膜と、反射膜と、第三の誘電体膜と、Ｌ１記録膜とを含んでいる必要はなく、少なくとも一つの情報層が、支持基板側から、第四の誘電体膜と、反射膜と、第三の誘電体膜と、Ｌ１記録膜とを含んでいればよい。
【０１４９】
さらに、図１ないし図４に示された光記録媒体１０および図５に示された光記録媒体１００においては、レーザビームの光入射面から最も遠いＬ０情報層が、相変化材料によって形成されたＬ０記録膜を含み、書き換え型の情報層として構成されているが、レーザビームの光入射面から最も遠いＬ０情報層が、書き換え型の情報層として構成されていることは必ずしも必要でなく、Ｌ０情報層が、再生専用の情報層や追記型の情報層として構成されてもよい。たとえば、Ｌ０情報層が再生専用の情報層として構成される場合には、Ｌ０情報層には、Ｌ０記録膜が設けられず、支持基板が、レーザビームの光入射面から最も遠い情報層として機能し、支持基板の表面上に、プリピットが形成され、かかるプリピットによって、データが記録される。
【図面の簡単な説明】
【０１５０】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体を示す一部切り欠き略斜視図である。
【図２】図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。
【図３】図３は、Ｌ０情報層の略拡大断面図である。
【図４】図４は、Ｌ１情報層の略拡大断面図である。
【図５】図５は、本発明の他の好ましい実施態様にかかる光記録媒体のＬ１情報層の略拡大断面図である。
【図６】図６は、光記録媒体サンプル＃１および＃３の繰り返しオーバーライト特性を示すグラフである。
【図７】図７は、光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃５の繰り返しオーバーライト特性を示すグラフである。
【図８】図８は、光記録媒体比較サンプル＃６ないし＃１０の繰り返しオーバーライト特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１５１】
１０：光記録媒体
１１：支持基板
１２、１１２：透明中間層
１３、１１３：光透過層
２０：Ｌ０情報層
２１、３２、１３２：反射膜、
２２：第二の誘電体膜
２３：Ｌ０記録膜
２４：第一の誘電体膜
２５、３７、１３７：放熱膜
３０、１３０：Ｌ１情報層
３１、１３１：第四の誘電体膜
３３、１３３：第三の誘電体膜
３４、１３４：Ｌ１記録膜
３５、１３５：第二の誘電体膜
３６、１３６：第一の誘電体膜
１３１１：第二の膜
１３１２：第一の膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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