(57)【要約】【課題】  磁気記録ヘッドが安定に浮上し、耐久性、信頼性が高く、更に、電磁変換特性に優れた、薄い保護層を有する垂直磁気記録媒体ならびにその製造方法を提供する。【解決手段】  非磁性基体上に少なくとも磁気記録層、保護層及び潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、該保護層の酸素濃度を５原子％以上３０原子％以下とし、垂直磁気記録媒体の表面電位を−０．５Ｖ以下とすることを特徴とする。  保護層の膜厚は１ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることが好ましい。  また、保護層を形成後、その表面に酸化処理を施した後に潤滑剤層を形成することが好ましい。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に少なくとも磁気記録層、保護層及び潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、該保護層の酸素濃度が５原子％以上３０原子％以下であり、垂直磁気記録媒体の表面電位が−０．５Ｖ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記保護層の膜厚が１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記保護層を形成後、該保護層の表面に酸化処理を施した後に潤滑剤層を形成したことを特徴とする請求項１ないし２のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
非磁性基体上に少なくとも磁気記録層、保護層及び潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、前記保護層を形成後に、テープクリーニング処理を施す工程、表面酸化処理を施す工程、液体潤滑剤を塗布する工程をこの順に実施することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はコンピュータの外部記憶装置をはじめとする各種磁気記録装置に搭載される垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
固定磁気記録装置（ＨＤＤ）の分野においては、記録容量の大容量化に伴い、磁気記録媒体に対する高記録密度化の要求が高まっており、高密度化を実現する技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。このために、垂直磁気記録媒体や垂直磁気記録ヘッドの開発が盛んに行なわれており、例えば、磁気記録媒体においては、磁気記録層の結晶粒径の微細化や粒径分布の低減、結晶粒間の磁気的な相互作用の低減等の試みが行なわれている。高記録密度を実現するためには、磁気記録媒体、磁気記録ヘッドのそれぞれの特性に関する高性能化が必要であることは言うまでもないが、更に、磁気スペーシングの削減が必要とされている。磁気スペーシングとは、磁気記録ヘッドで読み書きを担う素子と磁気記録媒体で記録を担う磁気記録層との距離のことであり、この削減のために、磁気記録媒体の保護層膜厚の低減並びに磁気記録ヘッドの浮上量の低減が必要とされる。
【０００３】
しかしながら、保護層の膜厚を単純に薄くした場合、保護層の耐久性、長期信頼性等が低下することが容易に想定される。また、磁気記録ヘッドの浮上量を低減した場合、磁気記録ヘッドが媒体表面に接触する確率が急激に増加する。したがって、両者の相乗効果により、磁気記録ヘッドが磁気記録媒体に衝突して両者が損傷するヘッドクラッシュと呼ばれる現象が発生しやすくなり、耐久性、信頼性等の急激な低下が問題となってくる。
このような現象を回避するために、磁気記録媒体、磁気記録ヘッドの両者に液体潤滑剤を塗布し、両者の液体潤滑剤を同符合に帯電することにより、磁気記録媒体と磁気記録ヘッドとの接触を抑制し、摺動特性と耐久性を向上させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。具体的には、液体潤滑剤を塗布する際に電圧を印加することにより、保護層と液体潤滑剤層で互いに異符号の電荷を帯電させ、さらに、磁気記録媒体と磁気記録ヘッドスライダーの液体潤滑剤を同符号に帯電させる。しかしながら、磁気記録媒体並びに磁気記録ヘッドスライダーに電圧を印加しながら液体潤滑剤塗布を行う方法は、量産を行う上では生産性が低下する。また、液体潤滑剤の塗布方法は現実的にはディップコート法に限られることとなる。さらに、電荷を帯電しやすくするために保護層に半導体以上の導電性を持たせることが必要とされているため、磁気記録媒体を磁気記録装置に装着した後に、装置のスピンドルを通して電荷が徐々に逃げてしまうこととなり、長期耐久性並びに信頼性に問題を生じることとなる。
【特許文献１】特開２０００−２５１２４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上述の問題に鑑みなされたもので、その目的とするところは、磁気記録ヘッドが安定に浮上し、耐久性、信頼性が高く、更に、電磁変換特性に優れた、薄い保護層を有する垂直磁気記録媒体ならびにその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
発明者らは、鋭意検討の結果、磁気記録媒体の保護層を所定の構成とし、磁気記録媒体の表面電位を所定の値とすることにより上述の目的を達成できることを見出し本発明を完成するに至ったものである。
即ち、本発明は、非磁性基体上に少なくとも磁気記録層、保護層及び潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、該保護層の酸素濃度を５原子％以上３０原子％以下とし、垂直磁気記録媒体の表面電位を−０．５Ｖ以下とすることを特徴とする。
保護層の膜厚は１ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることが好ましい。
また、保護層を形成後、その表面に酸化処理を施した後に潤滑剤層を形成することが好ましい。
また、本発明の製造方法は、非磁性基体上に少なくとも磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、前記保護層を形成後に、テープクリーニング処理を施す工程、表面酸化処理を施す工程、液体潤滑剤を塗布する工程をこの順に実施することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
このような特徴を有する本発明の垂直磁気記録媒体においては、垂直磁気記録媒体は自発的に帯電し、その表面電位を安定的に所定の値に維持できるようになる。併せて、垂直磁気記録媒体の表面電位を−０．５Ｖ以下とすることにより、前記特許文献１に示されているような磁気記録ヘッドスライダーに対する処理が不要となる。つまり、通常の磁気記録ヘッドスライダーの表面は高抵抗のカーボン保護層により形成されており、なんからの要因により垂直磁気記録媒体表面と接触した際、垂直磁気記録媒体表面と同電位に帯電する。この結果、磁気記録媒体と磁気記録ヘッドの間に電気的斥力が働き、両者の接触が抑制される。たとえ磁気記録ヘッドスライダーに帯電した電荷が徐々に減衰したとしても、磁気記録媒体との接触等により磁気記録媒体表面から再び供給されて帯電するため、再び電気的斥力の作用により接触が抑制される。
【０００７】
以上のようにして、本発明によれば、磁気記録ヘッドの浮上安定性、垂直磁気記録媒体の耐久性、信頼性が向上し、高記録密度においても優れた特性を有する垂直磁気記録媒体を提供することが出来る。
さらに、表面酸化処理を行なう前に、テープクリーニング処理を行なうことにより、良好な信頼性を維持しつつ、より浮上安定性に優れた垂直磁気記録媒体を作製することが可能となる。
さらに、特殊な装置を用いることなく、大量生産に適した既存の製造装置を用いることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の垂直磁気記録媒体の構成例を説明するための図で、断面模式図で示している。磁気記録媒体は非磁性基体１上に軟磁性裏打ち層２、中間層３、磁気記録層４及び保護層５が順に形成されており、さらにその上に潤滑剤層６が形成されている。
保護層５の材料としては、炭素を主体とする材料が好適に用いられる。例えば、ダイアモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）、テトラヘドラル・アモルファス・カーボン（ｔａ−Ｃ）、アモルファスカーボン、グラファイト等を用いることができる。抵抗値、硬度等を調整する目的で窒素、珪素等を添加することも可能である。
保護層５を形成後、その表面を酸化処理することにより、磁気記録媒体の磁気記録ヘッド浮上特性を安定化することが可能となる。酸化処理の方法としては、保護層成膜後、成膜装置から取り出して放置することにより自然酸化させる方法や、オゾン照射により酸化させる方法、大気あるいは酸素雰囲気中で熱処理をおこなうことにより酸化させる方法等を用いることができる。更に、保護層成膜後、同じ成膜装置内にて酸化処理を施すことも可能である。その場合、酸素プラズマ処理、オゾン照射、酸素雰囲気中加熱等の方法が用いられる。前記表面酸化処理後の保護層中に含まれる酸素の濃度は５原子％以上３０原子％以下であることが必要である。酸素濃度が５原子％よりも低い場合、酸化処理の効果が十分に現れないため、特に保護層５の膜厚が薄い場合に、磁気記録ヘッドの浮上性が不安定となる。逆に３０原子％よりも多い場合には、保護層としての特性が劣化し、信頼性が低下してしまう。
【０００９】
表面酸化処理を施した後の磁気記録媒体の表面電位は−０．５Ｖ以下であることが、磁気記録ヘッドの浮上を安定化させるためには必要である。ここで、−０．５Ｖ以下とは、表面電位の絶対値としては０．５Ｖ以上であり、例えば−０．６Ｖ、−０．８Ｖ等であることを意味する。表面電位が−０．５Ｖ以上の場合には、垂直磁気記録媒体と磁気記録ヘッドスライダー間の電位差が小さく、大きな斥力が得られないために、表面電位が大きくなればなるほど垂直磁気記録媒体と磁気記録ヘッドスライダー間の接触が頻繁に発生する。保護層５の膜厚が薄く、酸化度合いが少ないほど表面電位は増加する。したがい、表面酸化処理の条件は、保護層５の膜質と膜厚に対して適宜調整する必要がある。なお、本発明における表面電位は、表面電位計を用いて測定を行ない、金の表面電位を０Ｖとした時の値である。
【００１０】
保護層５の膜厚は、１ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることが好ましい。膜厚が１ｎｍよりも薄い場合、耐久性、浮上性、信頼性等が磁気記録装置として必要とされる値を満足することが出来なくなる。逆に、５ｎｍよりも厚い場合には、磁気記録層４の最表面と磁気記録ヘッドの素子の間の距離が遠くなるために、記録密度を高めることが難しくなる。
さらに、保護層５を形成後、テープクリーニング処理を施した後に、表面酸化処理を施し、連続して潤滑剤層６を形成することにより、成膜時に媒体表面等に付着した突起を確実に除去でき、なおかつ引き続き行われる表面酸化処理により、テープクリーニング処理により付着、形成された有害物質を取り除くことが可能となる。テープクリーニング処理としては、通常の磁気記録媒体で用いられる、磁気記録媒体を回転させながら砥粒付きのテープを押し付けながら媒体表面全体をシークさせる方法等をそのまま用いることができる。処理条件は磁気記録媒体の性能により適宜調整される。
【００１１】
潤滑剤層６としては、従来より使用されている材料を用いることができる。例えば、パーフルオロポリエーテル系の液体潤滑剤をもちいることができる。潤滑剤層６の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができる。
軟磁性裏打ち層２としては、ＮｉＦｅ系合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、飽和磁束密度の大きなＦｅＣｏ合金等を用いることが出来るが、非晶質のＣｏ合金、例えばＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることにより良好な電磁変換特性を得ることが出来る。軟磁性裏打ち層２の膜厚は、記録に使用する磁気記録ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが、生産性との兼ね合いから好ましい。
【００１２】
軟磁性裏打ち層２として、Ａｌ合金基板やガラス基板にめっき法により軟磁性膜を形成したものを使用することもできる。この場合のめっき軟磁性膜としては、Ｐ濃度を低下させたＮｉＰや、ＣｏＮｉＰ、ＣｏＮｉＦｅＰ、ＮｉＢ、ＣｏＮｉＢ、ＣｏＮｉＦｅＢ等を用いることが出来る。この場合のめっき軟磁性膜の膜厚は、生産性との兼合いから０．１ｕｍ以上５ｕｍ以下であることが好ましい。
軟磁性裏打ち層２に起因して発生するスパイクノイズを抑制する目的で、非磁性基体１と軟磁性裏打ち層２の間に、磁区制御層を用いることが出来る。磁区制御の方法としては、Ｃｏ合金等の強磁性層を形成しこれを所望の方向に磁化させるように着磁する方法や、反強磁性薄膜を形成し交換結合を利用して磁化をピン止めする方法、軟磁性層裏打ち層と非磁性層を多数回積層することにより磁壁の形成を抑制する方法等が挙げられる。この磁区制御層として、非磁性基体１の半径方向に磁化を配向させたＣｏ合金等の硬質磁性膜を用いる場合には、その下地層としてＣｒ合金等を用いることが好ましい。さらにその下地層の微細構造を制御するために複数層の下地層を設けてもよい。磁区制御層として、Ｍｎを含む合金系からなる反強磁性膜を用いることも出来る。下地層としては、面心立方構造を有する非磁性単金属あるいは非磁性合金等を用いることが好ましい。さらにその下地層の微細構造を制御するためにさらに複数の下地層を設けることも大きな交換結合磁界を導出するために有効である。磁区制御の目的で軟磁性層と非磁性層を多数回積層する場合には、例えば非磁性層としてＣ、Ｓｉなどを用いることが出来る。
【００１３】
中間層３は、磁気記録層４の結晶配向性、結晶粒径及び粒界偏析を好適に制御するために用いられる。材料としては、面心立方（ｆｃｃ）構造あるいは六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する単金属膜あるいは合金膜が好ましく、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔやそれらを含む合金膜が挙げられる。その膜厚は特に限定されるものではないが、必要最小限にすることが、生産性の面からも、また記録特性の面からも好ましい。
さらに、中間層３の結晶配向性、結晶粒径及び粒界偏析を好適に制御するために軟磁性裏打ち層２と中間層３の間にシード層を用いることが出来る。材料としては、面心立方（ｆｃｃ）構造あるいは六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する単金属膜あるいは合金膜が好ましい。シード層としてＮｉＦｅ系合金のような軟磁性材料を用いた場合、磁気記録ヘッドと軟磁性裏打ち層との距離を広げることなく中間層３の構造制御が出来るため、非常に好ましい。その膜厚は特に限定されるものではないが、中間層３の構造制御のために必要な最小限の膜厚とすることが好ましい。
【００１４】
磁気記録層４は、強磁性を有するＣｏＣｒ系合金結晶粒とそれを取り巻く非磁性粒界からなり、かつその非磁性粒界が、金属の酸化物または窒化物からなる、いわゆるグラニュラー磁気記録層と呼ばれる明瞭な偏析構造を有する磁気記録層を用いることが、高い記録密度を実現するためには好ましい。このような構造は、例えば非磁性粒界を構成する酸化物を含有する強磁性金属をターゲットとして、スパッタリングにより成膜することや、強磁性金属をターゲットとして酸素を含有するＡｒガス中で反応性スパッタリングにより成膜することで作製することができる。グラニュラー磁気記録層として良好な特性を得るためには、成膜時のガス圧を１０ｍＴｏｒｒ以上にすることが好ましい。
強磁性を有する結晶を構成する材料としてはＣｏＣｒＰｔ系合金が好適に用いられる。一方、非磁性粒界を構成する材料としては、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒのうちの少なくとも１つの元素の酸化物または窒化物を用いることが、安定なグラニュラー構造を形成するためには好ましい。また磁気記録性４の膜厚は、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。膜厚が５ｎｍよりも薄い場合には、磁気記録層としての特性が十分に得られない。また、記録再生分解能を高めるためには３０ｎｍよりも薄くする必要がある。
【００１５】
以下に本発明の実施例を説明するが、以下の実施例は、本発明を好適に説明するための代表例に過ぎず、本発明をなんら限定するものではない。
【実施例１】
【００１６】
非磁性基体１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ３Ｚｒ５Ｎｂターゲット（ここで、単位が省略されている大文字の数字は引き続く元素の原子％を表し、Ｚｒが３原子％、Ｎｂが５原子％、残余がＣｏであることを表す。以下同様である。）を用いてＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層２を膜厚２００ｎｍにて成膜し、引き続き、Ｒｕターゲットを用いてＲｕ中間層３を膜厚３０ｎｍにて成膜し、連続して９０モル％（Ｃｏ１０Ｃｒ２０Ｐｔ）−１０モル％ＳｉＯ２ターゲットを用い磁気記録層４を膜厚２０ｎｍにて成膜を行なった。最後にＣ２Ｈ２ガスを用い、ＣＶＤ法にてカーボンを主成分とする保護層５を膜厚３ｎｍにて成膜し、成膜装置から取り出した。その状態にて、クリーンルーム中で2４時間放置後パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤層６を膜厚２ｎｍにてディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
【００１７】
液体潤滑剤層塗布後の表面電位は、表面電位計にて測定を行なった。磁気記録ヘッドの浮上安定性の評価は、ピエゾ素子が付いたグライド・ハイト測定用ヘッドを用いて、作製した垂直磁気記録媒体上を全面浮上させ、媒体との接触回数を測定することにより評価した。電磁変換特性の評価はスピンスタンドテスターを用いて行なった。信頼性の評価は、作製した垂直磁気記録媒体を温度８０℃、相対湿度８５％の環境下に５日間放置した前後のエラー個数を比較して、その増加個数により判断した。エラー個数の評価は、スピンスタンドテスターを用い、磁気記録媒体全面をＤＣイレーズした後の再生波形において、低密度信号記録時の再生出力の３０％を超えるものをエラーとして、磁気記録媒体全面に対して計測を行なった。
【実施例２】
【００１８】
実施例１において、成膜装置から取り出した後に、紫外線ランプにより発生させたオゾンを照射することにより酸化処理を行なった後に、連続してパーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤層２ｎｍをディップ法により形成した以外は実施例１に示した方法と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。オゾン照射時間は１０秒とした。
【実施例３】
【００１９】
実施例１において、成膜装置から取り出した後に、１５０℃に加熱した熱処理炉にて大気中で１時間熱処理を施し、垂直磁気記録媒体の温度が室温まで戻った後に、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤層２ｎｍをディップ法により形成した以外は実施例１に示した方法と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。
（比較例１）
実施例１において、保護層成膜後に成膜装置から取り出し、表面酸化処理を施すことなく、連続してパーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤層２ｎｍをディップ法により形成した以外は実施例１に示した方法と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。
表１は上記各条件で作製した磁気記録媒体の、液体潤滑剤層塗布後の表面電位と、完成した垂直磁気記録媒体に対するグライド・ハイト測定ヘッドと垂直磁気記録媒体の接触回数をまとめたものである。表面酸化処理を施していない比較例１の磁気記録媒体においては、表面電位が−０．３Ｖと高いため、接触回数が５７回と非常に多い回数となっている。これは、ヘッドの浮上安定性が低いためである。これに対し、実施例１〜３に示した表面酸化処理を施した垂直磁気記録媒体においては、表面電位は何れも−０．５Ｖ以下の値を示している。これにより、接触回数も１〜４回程度と、表面処理を施していない比較例１に対して浮上安定性が大幅に改善していることがわかる。
【００２０】
【表１】
2006190361.tif 000003
【実施例４】
【００２１】
オゾン処理時間を変更することにより、保護層中に含まれる酸素濃度を各種変更した以外は、実施例２に示した方法と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。
図２は、保護層中に含まれる酸素濃度に対して、ヘッドの接触回数とエラーの増加個数を示したものである。酸素濃度が５原子％よりも少ない場合には、接触回数が多く、ヘッドの浮上性が不安定であることがわかる。酸素濃度を増加させ、５原子％以上となると接触回数は急激に低下し、ヘッドの浮上が安定していることがわかる。しかしながら、さらに酸素濃度を増加させ、３０原子％を超えると、保護層膜質が劣化するためにエラーの増加個数が急激に増加し、垂直磁気記録媒体としての信頼性が低下してしまう。したがい、保護層中に含まれる酸素濃度は５原子％以上３０原子％以下であることが必要であることがわかる。
【実施例５】
【００２２】
保護層の膜厚を０〜１０ｎｍまで変化させた以外は、実施例３に示した方法と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。
図３には、ヘッドの接触回数ならびに電磁変換特性の重ね書き特性であるＯ／Ｗ値を保護層膜厚に対して示した。ここでＯ／Ｗ値は５０ｋＦＣＩ（ｋｉｌｏ  ｆｌｕｘ  ｃｈａｎｇｅ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）の信号に６００ｋＦＣＩの信号を上書きした時の元の信号に対する消し残り量の比で測定した。保護層膜厚を低下させ、１ｎｍよりも薄くなるとヘッドの接触回数が急激に増加し、浮上性が不安定になることがわかる。図には示していないが、保護層膜厚が１ｎｍよりも薄くなるとエラーの増加個数も急激に増加し、信頼性も低下する。一方、膜厚を厚くした場合、浮上性並びに信頼性は増加するが、５ｎｍを超えると、Ｏ／Ｗ値が磁気記録装置として動作させるのに必要とされる４０ｄＢよりも低下する。したがって、保護層の膜厚は、１ｎｍ以上５ｎｍ以下にする必要があることがわかる。
【実施例６】
【００２３】
成膜装置から取り出した後、表面酸化処理を施す前にテープクリーニング処理を行なった後に、オゾン照射により表面酸化処理をおこなったこと以外は、実施例２に示した方法と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。
テープクリーニング処理並びに表面酸化処理の有無による、ヘッドの接触回数とエラーの増加個数の相違を表２にまとめた。テープクリーニング処理を行なった場合、酸化処理の有無に依らず、ヘッドの接触回数は０回となり、確実にパーティクルが除去できていることがわかる。しかしながら、表面酸化処理を行なわない場合には、エラーの増加個数は６個であり、信頼性の観点からはあまり望ましくない、これに対し、表面酸化処理を行なうことにより、ヘッドの接触回数も０回であり、更にエラーの増加個数も０個となる。
【００２４】
【表２】
2006190361.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の構成例を説明するための断面模式図である。
【図２】実施例４の垂直磁気記録媒体における、酸素濃度に対する磁気記録ヘッドの接触回数とエラーの増加個数の関係を説明するための図である。
【図３】実施例５の垂直磁気記録媒体における、保護層膜厚に対する磁気記録ヘッドの接触回数とＯ／Ｗの関係を説明するための図である。
【符号の説明】
【００２６】
１  非磁性基体
２  軟磁性裏打ち層
３  中間層
４  磁気記録層
５  保護層
６  潤滑剤層
【図１】
2006190361.tif 000005
【図２】
2006190361.tif 000006
【図３】
2006190361.tif 000007