(57)【要約】【課題】  立体回路基板において、基板の温度に対する膨張収縮を抑えることで熱歪に対する接続信頼性向上と基板の変形を抑制できるようにする。また、電子素子の実装部の熱伝導性に高めることでベアチップ実装性向上と放熱性を高める。【解決手段】  立体回路基板１は、樹脂成形体２に配線パターン４が形成されてなり、樹脂成形体２表面上にＩＣ５等の電子素子が実装される。樹脂成形体２は当該樹脂成形体２より線膨張係数が小さい材料で形成されたインサート部材３の表面に形成されている。また、インサート部材３は樹脂成形体４より熱伝導率が高い。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂成形体に導体配線が形成され、前記樹脂成形体の表面上に電子素子が実装される立体回路基板において、
前記樹脂成形体より線膨張係数が小さい材料がインサート部材としてインサートされており、このインサートされた部位の樹脂成形体表層部に前記電子素子が実装される樹脂成形体が形成されていることを特徴とする立体回路基板。
【請求項２】
樹脂成形体に導体配線が形成され、前記樹脂成形体の表面上に電子素子が実装される立体回路基板において、
前記樹脂成形体より熱伝導率が高い材料がインサート部材としてインサートされており、このインサートされた部位の樹脂成形体表層部に前記電子素子が実装される樹脂成形体が形成されていることを特徴とする立体回路基板。
【請求項３】
前記インサート部材は無機材料であることを特徴とする請求項１又は２に記載の立体回路基板。
【請求項４】
前記インサート部材の表面には凹凸形状が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の立体回路基板。
【請求項５】
前記インサート部材の一部が露出していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の立体回路基板。
【請求項６】
前記インサート部材の前記露出部分には、当該部材の位置決めの基準が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の立体回路基板。
【請求項７】
前記インサート部材は、着磁性を有する材料により形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の立体回路基板。
【請求項８】
前記樹脂成形体の表面上であって、前記電子素子が実装される実装部分を凹形状にしたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の立体回路基板。
【請求項９】
前記樹脂成形体が熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の立体回路基板。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の立体回路基板上に電子素子がフリップチップ実装されていることを特徴とする電気回路構造体。
【請求項１１】
請求項８に記載の立体回路基板の前記凹形状内に前記電子素子がダイボンディングされ、前記電子素子がワイヤボンディングにより前記導体配線と接続されていることを特徴とする電気回路構造体。
【請求項１２】
前記インサート部材が、前記凹形状部にて露出していることを特徴とする請求項１１に記載の電気回路構造体。
【請求項１３】
前記電子素子として発光素子及び受光素子の少なくとも一方が実装されていることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の電気回路構造体。
【請求項１４】
請求項６に記載の立体回路基板のインサート部材露出部に可動できる機能性デバイスが実装され、立体回路基板上の配線と接続されていることを特徴とする電気回路構造体。
【請求項１５】
樹脂成形体に導体配線が形成され、前記樹脂成形体の表面上に電子素子が実装される立体回路基板を製造する立体回路基板の製造方法において、
内部の一部に親疎水パターンが形成された成形用型に触媒コロイド溶液を供給する第１工程と、
前記触媒コロイド溶液の溶媒を揮発させて触媒下地配線を形成する第２工程と、
表面に樹脂を形成する部材を成形用型内に位置決めする第３工程と、
前記成形用型内に前記樹脂成形体となる流動性の樹脂を供給して硬化することにより前記触媒下地配線を前記部材表面に転写する第４工程と、
無電解めっきで前記触媒下地配線上に前記導体配線を形成する第５工程と、
を備え、
前記インサート部材は、前記樹脂より線膨張係数が小さい材料又は熱伝導率が高い材料により構成されていることを特徴とする立体回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記触媒コロイド溶液が１００ｎｍ以下の粒径を持つ金属ナノ粒子を含むコロイド溶液であることを特徴とする請求項１５に記載の立体回路基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第１工程は、金属ナノ粒子コロイド溶液を前記触媒コロイド溶液とし、
前記第４工程は、流動性の樹脂を流動性のあるプラスチックとしていることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の立体回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、立体回路基板、立体回路基板を備えた電気回路構造体、及び立体回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイス実装技術において、小型化及び構成部材の削減による実装構造の簡素化を狙いとして、プリント基板あるいはフレキシブル配線基板を用いず、樹脂成形体に配線を形成した立体回路基板が採用される場合が増えている。
この立体回路基板に対してＩＣを実装するには、ワイヤボンディングあるいはフリップチップ実装が行われているが、樹脂成形された立体回路基板は熱伝導性が低く、接続部において接続に必要な温度を確保するためには基板全体の温度を高くする必要があった。
また、同時に発熱素子を実装した後にも熱伝導性が悪いため、放熱が充分に行えないという問題もあった。
これに対して、特許文献１に開示の技術が提案されている。これは立体回路基板のＩＣを実装部分の基板厚みを薄くすることにより裏面側からの熱伝導を高めることを狙いとしている。
また、一般的なプリント基板はガラス布を含有した多層基板構造となっており、面方向の線膨張係数を小さく抑える構造がとられている。
一方、立体回路基板は樹脂成形体を基本としており、フィラー等が含有されてはいるものの、樹脂材料自身の特性に大きく依存してしまうため、線膨張係数が大きくなってしまう。
なお、特許文献２に立体回路基板にベアチップ実装した光学ヘッドに関する技術が提案されている。
【特許文献１】特開平６−２４４３０２号公報
【特許文献２】特開２００２−１０９７８１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に示されている構造では、裏面側に部品を実装することができなくなり、実装構造設計に対して大きな制約となってしまうという問題がある。
また、特許文献２に示されている構造においては、周囲の温度変化による立体回路基板自体の膨張収縮が起こり、受発光素子が動いてしまうことから、光軸がずれてしまうという不具合があり、光軸精度の厳しいデバイスにおいては使用温度範囲に大きな制限があるという問題がある。
さらに、フリップチップ実装部の接続信頼性においても、ＩＣと立体回路基板との膨張差が大きいことから、その熱歪が接続部に集中してしまうため、サイズの小さなＩＣにおいてのみ信頼性を確保できていた。つまり、熱歪が大きくなってしまう大型ＩＣチップのフリップチップ実装における接続信頼性を確保することができないという問題もある。
そこで、本発明の目的は、立体回路基板において、基板の温度に対する膨張収縮を抑えることで熱歪に対する接続信頼性向上と基板の変形を抑制できるようにすることである。
また、本発明の別の目的は、立体回路基板において、電子素子の実装部の熱伝導性に高めることでベアチップ実装性向上と放熱性を高めることである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
請求項１に記載の発明は、樹脂成形体に導体配線が形成され、前記樹脂成形体の表面上に電子素子が実装される立体回路基板において、前記樹脂成形体より線膨張係数が小さい材料がインサート部材としてインサートされており、このインサートされた部位の樹脂成形体表層部に前記電子素子が実装される樹脂成形体が形成されていることを特徴とする。
請求項２に記載の発明は、樹脂成形体に導体配線が形成され、前記樹脂成形体の表面上に電子素子が実装される立体回路基板において、前記樹脂成形体より熱伝導率が高い材料がインサート部材としてインサートされており、このインサートされた部位の樹脂成形体表層部に前記電子素子が実装される樹脂成形体が形成されていることを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記インサート部材は無機材料であることを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発明において、前記インサート部材の表面には凹凸形状が形成されていることを特徴とする。
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発明において、前記インサート部材の一部が露出していることを特徴とする。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記インサート部材の前記露出部分には、当該部材の位置決めの基準が形成されていることを特徴とする。
請求項７に記載の発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載の発明において、前記インサート部材は着磁性を有する材料により形成されていることを特徴とする。
【０００５】
請求項８に記載の発明は、請求項１〜７のいずれか一項に記載の発明は、前記樹脂成形体の表面上であって、前記電子素子が実装される実装部分を凹形状にしたことを特徴とする。
請求項９に記載の発明は、請求項１〜８のいずれか一項に記載の発明において、前記樹脂成形体が熱硬化性樹脂であることを特徴とする。
請求項１０に記載の発明は、請求項１〜９のいずれか一項に記載の立体回路基板上に電子素子がフリップチップ実装されている電気回路構造体であることを特徴とする。
請求項１１に記載の発明は、請求項８に記載の立体回路基板の前記凹形状内に前記電子素子がダイボンディングされ、前記電子素子がワイヤボンディングにより前記導体配線と接続されている電気回路構造体であることを特徴とする。
請求項１２に記載の発明は、前記インサート部材が前記凹形状部にて露出している電気回路構造体であることを特徴とする。
請求項１３に記載の発明は、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の発明において、前記電子素子として発光素子及び受光素子の少なくとも一方が実装されている電気回路構造体であることを特徴とする。
請求項１４に記載の発明は、請求項６に記載の立体回路基板のインサート部材露出部に可動できる機能性デバイスが実装され、立体回路基板上の配線と接続されている電気回路構造体であることを特徴とする。
【０００６】
請求項１５に記載の発明は、樹脂成形体に導体配線が形成され、前記樹脂成形体の表面上に電子素子が実装される立体回路基板を製造する立体回路基板の製造方法において、内部の一部に親疎水パターンが形成された成形用型に触媒コロイド溶液を供給する第１工程と、前記触媒コロイド溶液の溶媒を揮発させて触媒下地配線を形成する第２工程と、表面に樹脂を形成する部材を成形用型内に位置決めする第３工程と、前記成形用型内に前記樹脂成形体となる流動性の樹脂を供給して硬化することにより前記触媒下地配線を前記部材表面に転写する第４工程と、無電解めっきで前記触媒下地配線上に前記導体配線を形成する第５工程とを備え、前記インサート部材は、前記樹脂より線膨張係数が小さい材料又は熱伝導率が高い材料により構成されていることを特徴とする。
請求項１６に記載の発明は、請求項１５に記載の立体回路基板の製造方法において、前記触媒コロイド溶液が１００ｎｍ以下の粒径を持つ金属ナノ粒子を含むコロイド溶液であることを特徴とする。
請求項１７に記載の発明は、請求項１５又は１６に記載の発明において、前記第１工程は金属ナノ粒子コロイド溶液を前記触媒コロイド溶液とし、前記第４工程は流動性の樹脂を流動性のあるプラスチックとしていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１に記載の発明によれば、樹脂成形体の温度変化に対する膨張収縮を抑制することができ、電子素子と立体回路基板との接続部に膨張差による熱歪が及びにくく、製品の信頼性を向上させることができる。
請求項２に記載の発明によれば、電子素子の動作時の発熱を効率よく放熱することができるようになる。
請求項３に記載の発明によれば、金属、セラミックス等の無機物で樹脂成形体を形成するインサート部材を作成することができる。
請求項４に記載の発明によれば、樹脂成形体とインサート部材との密着力を向上できるとともに、樹脂成形体の膨張収縮に対する拘束力を高められる。
請求項５に記載の発明によれば、インサート部材の露出部分を加熱することにより、効率よく電子素子の接続部を加熱することができ、肉厚の立体回路基板への電子素子のベアチップ実装等において安定した接続品質を確保することができるようになる。
請求項６に記載の発明によれば、インサート部材に樹脂成形体を形成する際の部材の位置決めが容易になる。
請求項７に記載の発明によれば、立体回路基板の固定が電気磁石等により行うことができ、電子素子の実装時等のハンドリング性が向上するとともに、立体回路基板にクランプ等のための固定台を設ける必要がなくなる。
請求項８に記載の発明によれば、電子素子を実装しても、電子素子が出張らないようにすることができる。
請求項９に記載の発明によれば、立体回路基板の耐熱性が向上し、電子素子のフリップチップ実装時に金／スズの共晶接合等を行うことができるようになる。
請求項１０に記載の発明によれば、立体回路基板に電子素子をフリップチップ実装することができる。
【０００８】
請求項１１に記載の発明によれば、ダイボンディング、ワイヤボンディングにより電子素子の実装を行うことができる。
請求項１２に記載の発明によれば、部材の露出部分を加熱することにより、効率よく電子素子の接続部を加熱することができ、肉厚の立体回路基板への電子素子のベアチップ実装等において、安定した接続品質を確保することができるようになる。
請求項１３に記載の発明によれば、立体回路基板に発光素子や受光素子を実装することができる。
請求項１４に記載の発明によれば、立体回路基板に圧電素子等の機能性デバイスを実装することができる。
請求項１５に記載の発明によれば、個別の製品に対するパターニングが不要で、エッチング等の除去加工のない請求項１、２に記載の立体回路基板を製造することができる。
請求項１６に記載の発明によれば、乾燥後に加熱すると金属ナノ粒子は融着し、導体配線の下地配線を形成することができる。
請求項１７に記載の発明によれば、熱硬化性樹脂の樹脂成形体の表面に密着力の高い微細な配線パターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための最良の形態について複数例説明する。
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態としての立体回路基板の縦断面図である。
本実施形態の立体回路基板１は、インサート部材３の表面に樹脂成形体２の層が形成されている。インサート部材３は、成形樹脂よりも線膨張係数が小さい材料、あるいは熱伝導率が高い材料で構成されており、例えば、金属、セラミックス等の無機材料が用いられる。このインサート部材３は、樹脂成形体２の少なくともＩＣ５の実装部の下あるいはその側部に設けられている。このような立体回路基板１の樹脂成形体２表面上にはＩＣ５がフリップチップ実装されて電子部品を構成する。
すなわち、本実施形態の立体回路基板１は、樹脂成形体２を備え、この樹脂成形体２の表面上に導体配線となる導体パターン４が形成されていて、樹脂成形体２表面上には電子素子であるＩＣ５が実装される基板である。
ところで、一般的に成形樹脂の線膨張係数は大きく、従来のＩＣのフリップチップ実装においては、膨張差による熱歪がＩＣと立体回路基板１との接続部に直接加わることから、製品の信頼性が低かった。
これに対して、本実施形態の立体回路基板１は、インサート部材３を線膨張係数が小さい材料で構成することにより、樹脂成形体２の温度変化に対する膨張収縮を抑制することができ、ＩＣ５と立体回路基板１との接続部に膨張差による熱歪が及びにくく、製品の信頼性を向上させることができる。
またインサート部材３の表面には凹凸を形成しておくことが望ましく、そのように構成すると、樹脂成形体２との密着力が向上できると共に、樹脂の膨張収縮に対する拘束力を高めることができる。
また従来品は成形樹脂の熱伝導率が低く、ＩＣ５動作時の発熱を放熱することができず、放熱部材を付加するなどが必要であった。
これに対して、本実施形態の立体回路基板１は、インサート部材３を熱伝導率の高い材料で構成しているので、ＩＣ５の動作時の発熱を効率よく放熱することができるようになる。
【００１０】
また、インサート部材３は、前述のように金属、セラミックス等の無機物で構成され、樹脂成形体２から一部が外部に露出している（符号１１の部分）。この構成によれば、インサート部材３の露出部分１１を加熱することにより、効率よくＩＣ５接続部を加熱することができ、肉厚の立体回路基板１へのＩＣ５のベアチップ実装等において、安定した接続品質を確保することができるようになる。
また、インサート部材３には、インサート部材３の位置決めの目印、例えば、ピン穴等の位置決め基準１２を機械加工等で形成している。これにより、樹脂成形時の収縮等に対する樹脂成形体２の成形形状精度を厳しく管理しなくても、立体回路基板１の位置決め（後述する）を精度良く行うことができるようになる。
また、インサート部材３を着磁性を有する無機材料により構成すると、本実施形態の立体回路基板１の固定が電気磁石等により行うことができ、ＩＣ５の実装時等のハンドリング性が向上するとともに、立体回路基板１にクランプ等のための固定台を設ける必要がなくなる。また、この場合に磁石固定部に加熱手段を設けることにより、固定と加熱を効率良く行うことができるようになる。
樹脂成形体２としてはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることが考えられる。これにより、立体回路基板１の耐熱性が向上し、フリップチップ実装時に金／スズの共晶接合等を行うことができるようになる。
なお、樹脂成形体２を形成する場合の樹脂成形方法については、射出形成、押出成形、注型及び樹脂をインサート部材３表面にコートするなど、様々の方法が可能であり、これらの方法により、インサート部材３の表面を樹脂被覆して樹脂成形体２を形成し、樹脂成形体２表面に導体配線となる導体パターン４を形成して立体回路基板１を製造することができる。
【００１１】
［第２の実施形態］
図２は、本発明の第２の実施形態としての立体回路基板の縦断面図である。
図２において、図１と同一符号の部材などは第１の実施形態と同様の部材などであり、詳細な説明は省略する。
図２（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す立体回路基板１が図１に示す立体回路基板１と相違する点は、図２の場合は樹脂成形体４表面のＩＣ５が実装される部分は凹形状２１をなしていることである。
図２（ａ）の例では、この凹形状２１にも導体配線となる導体パターン４を形成し、ＩＣ５をフリップチップ実装している。この凹形状２１の深さをＩＣ５の厚みよりも深くすることで、ＩＣ５を実装してもＩＣ５が出張らないようにすることができる。
ここで、インサート部材３にも、凹形状２１に合わせて凹形状を形成し、ＩＣ５が実装されていない樹脂成形体４の他の面においてインサート部材３を大きく露出させ、その機能を有効に活用することができる。
図２（ｂ）の例では、凹形状２１にＩＣ５をダイボンディング２２で固定し、立体回路基板１上の導体パターン４とワイヤボンディング２３により接続している。
本実施形態では、凹形状２１にまで導体パターン４を形成し、凹形状２１内でワイヤボンディングする構造も含むが、導体パターン４を同一面内に形成することも可能であり、同一面内に形成する方が配線パターン形成プロセスを単純化できる。
【００１２】
図２（ｃ）の例では、図２（ｂ）の構成において、インサート部材３が凹形状２１内で立体回路基板１外に露出しており、この露出部分にＩＣ５が直接ダイボンディング２２で固定されている。
このようにインサート部材３へＩＣ５を直接ダイボンディングしているため、図２（ｃ）の例では、ＩＣ５からの放熱性が更に向上させることができる。
なお、以上の例では電子素子としてＩＣ５を実装する例で説明したが、発光素子や受光素子などを実装するようにしてもよい。
ここで、一般的な樹脂成形体に形成された回路基板においては、温度変化に対して基板の膨張、収縮及びねじれ等が発生し、発光素子や受光素子などを実装した場合に光軸がズレてしまうため、精度の要求されるデバイスへの適用が困難であった。
一方、本実施形態の立体回路基板１においてはインサート部材３をインサート成形することにより、立体回路基板１自体の膨張収縮等による光軸のズレを抑えることができ、使用環境下においても発光素子や受光素子等の光軸ずれのない精度の高い受発光素子を実装した電子部品を形成することができる。
なお、図３（ａ）に示すように、インサート部材３の露出した表面に、圧電素子４１等の動作を伴う電子素子である機能性デバイスを実装するようにしてもよい。この場合に、インサート部材３は、機能デバイスの特性を充分に発揮させることのできる材料で形成することが好ましい。
【００１３】
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態として前述したような構成の立体回路基板の製造方法について説明する。
この製造方法は、次の第１工程〜第５工程を順次実行することにより実施する。
（１）第１工程
樹脂成型体２を成形する成形用型を用意する。この成形用型は、内表面の一部に疎水領域を形成していて、これにより、その疎水領域外に親水パターンを形成している。この成形用型に触媒コロイド溶液を供給すると、親水パターンのみに触媒コロイド溶液が集まる。
（２）第２工程
その後、成形用型内を乾燥させることで、触媒コロイド溶液は揮発し、触媒が親水パターン上に残り、配線パターン４の下地配線を形成することができる。
この触媒として１００ｎｍ以下の粒径を持つ金属ナノ粒子を用いれば、乾燥後に加熱すると金属ナノ粒子は融着し、配線パターン４の下地配線を形成することができる。
図５（ａ）の拡大縦断面図において、符号５１は融着した金属ナノ粒子を示す（なお、符号５２は成形用型を示す）
（３）第３工程
この触媒コロイド溶液揮発後の成形用型内に前述のインサート部材３を位置決めする。この位置決めには、前述の位置決め基準１２を用いることができる。
（４）第４工程
次に、射出形成あるいは注型等のプロセスにより、成形用型内に流動性のある樹脂を供給して硬化し、離型することで、配線パターン４の触媒下地配線（樹脂成形体２となる）をインサート部材３表面に転写することができる。
（５）第５工程
その後、転写された触媒下地配線に対して無電解めっきで配線パターン４を形成する。
これにより、個別の製品に対するパターニングが不要で、エッチング等の除去加工のない立体回路基板１を製造することができる。
なお、無電解めっきの触媒として作用しない導電体を、導電性を有する状態の下地配線として形成し、樹脂成形体２となる樹脂表面に転写した後、電解めっきにより配線パターン４とすることでも、立体回路基板１を製造することができる。
本製造方法によれば、熱硬化性樹脂の樹脂成形体２表面に密着力の高い微細な配線パターン４を形成することができる。
【実施例】
【００１４】
以下、本発明の実施例を説明する。
［実施例１］
実施例１は第１の実施形態に対応する。
樹脂成形体４表面に導体パターン４を形成した立体回路基板１上に、ＩＣ５をはんだフリップチップ実装したサンプルを作成した。ここでは、線膨張係数が小さく熱伝導率が高いセラミックスブロックをインサート部材３として樹脂成形体２の内部にインサート成形した場合と、しない場合のＩＣ５の接続部における熱歪信頼性を比較評価した。
立体回路基板１の形状としては３０×１０×６ｍｍとなるように樹脂成形し、表面に銅パターンで導体パターン４を形成した。
ここで、インサートするセラミックスは２０×１０×５．４ｍｍとした。これにより、セラミックスをインサートしたサンプルにおけるＩＣ５のフリップチップ実装面のセラミックス上樹脂厚は、約０．３ｍｍとなっている。
樹脂成形体４の材料としてはポリフタルアミド（ＰＰＡ）を使用した。
ＩＣ５のサイズは１０×３×０．５ｍｍであり、０．２ｍｍピッチではんだフリップチップ実装を行った。
フリップチップ実装後に温度サイクル試験（−２５〜１２５℃）を５００サイクル実施し、下記の表１の結果を得た。
表１に明らかなように、セラミックスをインサート部材３とした本実施例の立体回路基板１においては、熱歪に対して高い接続信頼性を確保できている。
【表１】
2006196793.tif 000003
【００１５】
［実施例２］
実施例２は、第１及び第２の実施形態に対応する。
ここでは、電子素子である機能性デバイスの一例としてインクジェットヘッドとなる圧電素子４１を立体回路基板１に実装して、特性を評価した。
圧電素子４１の振動を吸収しないように、インサート部材３としてステンレスを使用した。このステンレスをインサート成形した場合（図３（ａ））と、しない場合（図３（ｂ））との立体回路基板１に対するインクジェット特性を圧電素子４１の振動特性として比較評価した。
立体回路基板１のサイズとしては３０×１０×６ｍｍとなるように樹脂成形体４を樹脂成形し、表面に銅パターンの配線パターン４を形成し、更にワイヤボンディング２３によりＩＣ５実装等をするためのニッケル、金めっきを施した。
樹脂成形体４の材料としてはポリフタルアミド（ＰＰＡ）を使用した。
立体回路基板１上に圧電素子４１駆動用のＩＣ５をワイヤボンディング２３により実装した後、溝加工を施した圧電素子４１を接着した。ここで、ステンレスをインサートしたサンプルには（図３（ａ））、ステンレス上に圧電素子４１を実装し、ステンレスをインサートしていないサンプルには（図３（ｂ））、樹脂成形体４上に圧電素子４１を実装した。
この圧電素子４１の端子と立体回路基板１上の配線パターン４とをワイヤボンディング２３により接続し、圧電素子４１の振動特性をレーザー変位系にて計測した。
結果として、ステンレスをインサート成形し、圧電素子４１を実装したサンプルにおいては（図３（ａ））、良好な振幅特性を示したが、インサート成形せずに樹脂成形体４上に接着したサンプルにおいては（図３（ｂ））、圧電素子４１の振動が吸収されてしまい、振幅が減衰してしまうことを確認した。
ここで、ＩＣ５の実装部に凹形状２１形成した立体回路基板１とすることで（図４）、圧電素子４１のような機能性デバイスの特性を充分に生かしつつ、ＩＣ５の実装部分の出張りをなくすことができるので、モジュールとしての小型化が可能となる。
【００１６】
［実施例３］
実施例３は、第３の実施形態に対応する。
（１）第１工程
成形型上にフッ素コーティング剤（フロロサーフＦＧ−５０１０）をコーティングし、疎水膜を形成した。この疎水膜に対してエキシマレーザーによりパターン状に除去加工を施すことで親水パターンを形成した。
この親疎水パターンを形成した成形型上に１００ｎｍ未満の銀コロイド水溶液（ファインスフィアＳＶＷ１０２（日本ペイント製））を供給し、エアーブローすることで、銀コロイド水溶液を親水パターン部のみに付着させた。
（２）第２工程
その後、溶媒を揮発させることにより、銀ナノ粒子を親水パターン部のみに析出させた。
（３）第３工程
成形用型内に前述のインサート部材３を位置決めした。
（４）第４工程
その後、成形用型を２００℃の条件で加熱することで銀ナノ粒子は融着させた状態で、この成形用型内に熱硬化型液状エポキシ樹脂（ＣＥＬ−Ｃ−７７００）を供給し、２００℃の温度で３０分間の硬化条件で硬化させた。
硬化後、型からエポキシ樹脂を剥離することにより、銀ナノ粒子が融着して多孔質膜を形成した状態でエポキシ樹脂側にパターン上に転写することができた。図５（ｂ）の拡大縦断面図において、符号５３は銀ナノ粒子が融着した多孔質膜（樹脂成型体２）を示す。
（５）第５工程
その後、液温４０℃の無電解銅めっき浴に浸漬することで、下地配線として転写された触媒に対して銅がめっき成長し、導体パターン４が形成できた。
【００１７】
［実施例４］
本実施例も第３の実施形態に対応する。
（１）第１工程
成形用型上にフッ素コーティング剤（フロロサーフＦＧ−５０１０）をコーティングし、疎水膜を形成した。この疎水膜に対してエキシマレーザーによりパターン状に除去加工を施すことで親水パターンを形成した。
この親疎水パターンを形成した成形型上に１００ｎｍ未満の銀コロイド水溶液（ファインスフィアＳＶＷ１０２（日本ペイント製））を供給し、エアーブローすることで、銀コロイド水溶液を親水パターン部のみに付着させた。
（２）第２工程
その後、溶媒を揮発させることにより、銀ナノ粒子を親水パターン部のみに析出させた。この析出厚みを約１μｍまで厚付けした。
その後、型を２００℃の条件で加熱することで銀ナノ粒子は融着し、型上にて銀が融着した多孔質膜の導体パターン４を形成することができた。
（３）第３工程
成形用型内に前述のインサート部材３を位置決めした。
（４）第４工程
成形用型内に熱硬化型液状エポキシ樹脂（ＣＥＬ−Ｃ−７７００）を供給し、２００℃の温度で３０分間の硬化条件で硬化させた。
硬化後、成形用型からエポキシ樹脂を剥離することにより、銀ナノ粒子が融着して多孔質膜を形成した状態でエポキシ樹脂側に導体パターン４を転写することができた。
（５）第５工程
その後、ピロリン酸浴銅メッキにて電流密度は４Ａ／ｄｍ2、２０℃で理論厚さ１０μｍとなるように配線パターン４を形成した。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態としての立体回路基板及び電子部品の縦断面図。
【図２】本発明の第２の実施形態としての立体回路基板及び電子部品の縦断面図。
【図３】圧電素子を実装した立体回路基板（電子部品）の縦断面図。
【図４】圧電素子を実装した立体回路基板（電子部品）の縦断面図。
【図５】本発明の実施形態について説明する拡大縦断面図。
【符号の説明】
【００１９】
１  立体回路基板、２  樹脂成型体、３  インサート部材、４  導体配線、５  電子素子、１２  目印、２２  ダイボンディング、２３  ワイヤボンディング、４１  機能性デバイス、５１  金属ナノ粒子、５２  成型用型
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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