(57)【要約】【課題】接続対象部材の接続端子と面接続可能なコンデンサ、また、２つの電子部品の間に介在させて、コンデンサの両極をいずれの電子部品にも接続可能なコンデンサを提供する。【解決手段】コンデンサ１１００は、積層コンデンサ部１１１０とその上下の第１，第２ビア−ビア転換部１１２０，１１３０とに大別される。積層コンデンサ部の積層方向上下にそれぞれ位置する第１，第２転ビア−ビア転換部１１２０，１１３０は、接続対象部材の複数のコンデンサ接続端子ＣＴＣ，ＷＴＣと面接続可能な複数の接続パッド１１２４，１１３４、及びこれと一対の共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂとをそれぞれ導通させる転換ビア導体１１２５，１１２６や転換電極層１１２３，１１３３を有する。【選択図】  図１９
2006157031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を備える積層コンデンサ部と、
上記積層コンデンサ部の積層方向両外側のいずれかに位置する転換部と、
を備え、
上記転換部は、
それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、
上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、
を有する
ことを特徴とするコンデンサ。
【請求項２】
高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を備える積層コンデンサ部と、
上記積層コンデンサ部の積層方向両外側にそれぞれ位置する第１転換部及び第２転換部と、
を備え、
上記第１転換部及び第２転換部はいずれも、
それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、
上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、
を有する
ことを特徴とするコンデンサ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のコンデンサであって、
前記転換部、または前記第１転換部または第２転換部のうち少なくともいずれかの転換部は、
前記積層コンデンサ部の積層方向外側に積層された転換絶縁層を備えると共に、
この転換部に属する前記複数の接続パッドは、上記転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、
この転換部に属する前記複数の転換配線は、
前記一対の共通電極層のうちの一方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッドに接続する第１側面経由転換配線と、
前記一対の共通電極層のうちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッドに接続する第２側面経由転換配線と、
を有する
側面−側面転換部であることを特徴とするコンデンサ。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載のコンデンサであって、
前記積層コンデンサ部は、前記電極層のうち積層方向最外側に積層され、前記一対の共通電極層のうちの一方と導通する最外側電極層を備え、
前記転換部、または前記第１転換部または第２転換部のうち少なくともいずれかの転換部は、
上記最外側電極層の積層方向外側に積層された転換絶縁層を備えると共に、
この転換部に属する前記複数の接続パッドは、上記転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、
この転換部に属する前記複数の転換配線は、
上記最外側電極層から上記転換絶縁層を貫通して上記外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する転換ビア導体と、
前記一対の共通電極層のうちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び上記外表面を経由して、上記接続パッドのいずれかに接続する側面経由転換配線と、
を有する
ビア−側面転換部であることを特徴とするコンデンサ。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載のコンデンサであって、
前記積層コンデンサ部は、前記電極層のうち積層方向最外側に積層され、前記一対の共通電極層のうちの一方と導通する最外側電極層を備え、
前記転換部、または前記第１転換部または第２転換部のうち少なくともいずれかの転換部は、
上記最外側電極層の積層方向外側に積層された第１転換絶縁層と、
上記第１転換絶縁層の積層方向外側に積層された第２転換絶縁層と、
上記第１転換絶縁層と第２転換絶縁層との層間に形成され、前記一対の共通電極層のうちの他方と接続する転換電極層と、
を備えると共に、
この転換部に属する前記複数の接続パッドは、上記第２転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、
この転換部に属する前記複数の転換配線歯、
上記最外側電極層から上記第１転換絶縁層及び第２転換絶縁層を貫通して第２転換絶縁層の外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する複数の第１転換ビア導体と、
上記転換電極層から上記第２転換絶縁層を貫通してその外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する複数の第２転換ビア導体と、
を有する
ビア−ビア転換部であることを特徴とするコンデンサ。
【請求項６】
請求項５に記載のコンデンサであって、
前記複数の接続パッドは、略格子状に配置され、
前記複数の第１転換ビア導体及び複数の第２転換ビア導体は、上記複数の接続パッドにそれぞれ交互に接続していることを特徴とするコンデンサ。
【請求項７】
請求項１〜請求項５のいずれかに記載のコンデンサであって、
前記接続パッドのうち少なくともいずれかは、接続させる前記接続対象部材の接続端子のうち複数の接続端子と面接続可能な複数接続パッドであること
を特徴とするコンデンサ。
【請求項８】
請求項３または請求項４に記載のコンデンサであって、
前記側面経由転換配線に接続する前記接続パッドのいずれもが、接続させる前記接続対象部材の接続端子のうち複数の接続端子と接続可能な複数接続パッドであること
を特徴とするコンデンサ。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載のコンデンサであって、
少なくとも前記複数接続パッドの表面上には、この複数接続パッドの表面を、この複数接続パッドに接続させる前記接続対象部材の複数の接続端子がそれぞれ１つずつ接続可能な複数の領域に分離する分離層を備えること
を特徴とするコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサでありながら、他の部材と面接続可能な接続パッドを有するコンデンサに関する。具体的には、例えば、ＩＣチップ、これを搭載した中継基板やＣＳＰ（チップスケールパッケージ）等の配線基板、マザーボード等の配線基板などの電子部品の接続面に設けたバンプやパッド等の多数の接続端子と、あるいはコンデンサ内蔵配線基板などコンデンサ内蔵電子部品のための電子部品における内蔵コンデンサ用接続端子などと面接続可能なコンデンサに関する。また、２つの電子部品の間に介在させて、コンデンサの両極をいずれの電子部品にも接続可能なコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、図２０に示すように、ＢａＴｉＯ3等の高誘電率セラミックを誘電体層１として用い、この誘電体層１と電極層２とを交互に積層した積層体３を形成し、各電極層２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層４Ａ，４Ｂを積層体３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面３Ａ，３Ｂにそれぞれ形成した積層セラミックコンデンサ１０が知られている。この積層セラミックコンデンサ１０は、小型で、比較的大きな静電容量とすることができ、高周波特性が良好で、長寿命であることから、各種の電子機器に多数用いられている。
【０００３】
例えば、ＩＣチップの高速動作に伴い、電源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすことがあるので、このノイズ除去のためのデカップリングコンデンサとして積層セラミックコンデンサを用いることがある。即ち、例えば図２１に示すように、ＩＣチップ１１を搭載する配線基板１２の上面１２Ａあるいは下面１２Ｂに、別途、一対の共通電極層４Ａ，４Ｂを持つ積層セラミックコンデンサからなるチップコンデンサ１０を搭載し、コンデンサ１０の２つの側面にそれぞれ形成された共通電極層４Ａ，４Ｂとそれぞれ接続するコンデンサ接続配線１４を配線基板１２の内部に設ける。これにより、コンデンサ接続配線１４及びフリップチップパッド１５を経由してチップコンデンサ１０をＩＣチップ１１に接続することが行われている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、ＩＣチップ１１内では、各所において電源電位や接地電位が必要となるため、ＩＣチップやこれに対応する配線基板に形成されるパッドやバンプ等の接続端子のうちの多数、時には半数近くが電源電位や接地電位用の接続端子とされる。
しかしながら、一般に、コンデンサ１０は、一対の共通電極層４Ａ，４Ｂを有するのみであるため、このコンデンサ１０を直接ＩＣチップ１１の接続端子と直接接続させることはできない。そこで、このコンデンサ１０の共通電極層４Ａ，４ＢとＩＣチップ１１の接続端子との間を複雑な経路を通るコンデンサ接続配線１４でそれぞれの接続端子と接続することとなる。さらに、他の配線等に制限されて、ＩＣチップ１１とチップコンデンサ１０とを結ぶコンデンサ接続配線１４の長さが長く、また細くなりやすいため、コンデンサ接続配線１４自身の持つ抵抗やインダクタンスが大きくなりがちで、低抵抗、低インダクタンスの要請に十分に応えられない。
また、コンデンサ１０の図中上方に、さらに他の電子部品を搭載し、さらにこれとコンデンサを接続することも困難である。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、接続対象部材の接続端子、例えば、ＩＣチップや配線基板等の電子部品の接続端子やコンデンサ内蔵電子部品のため電子部品における内蔵コンデンサ用接続端子などと面接続可能なコンデンサ、また、２つの電子部品の間に介在させて、コンデンサの両極をいずれの電子部品にも接続可能なコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そして、その解決手段は、高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を備える積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部の積層方向両外側のいずれかに位置する転換部と、を備え、上記転換部は、それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、を有することを特徴とするコンデンサである。
【０００７】
本発明のコンデンサでは、積層コンデンサ部の他に転換部を備え、その転換部の接続パッドは、転換配線によって積層コンデンサ部の共通電極層のいずれかと導通している。従って、本発明のコンデンサでは、その接続パッドを、例えば、ＩＣチップ、配線基板などの電子部品等、接続対象部材の複数の接続端子と面接続させることができる。またこのため、前記したように、コンデンサの共通電極層と接続対象部材の接続端子とを結ぶコンデンサ接続配線を形成する必要が無く、ごく短い距離で電子部品等の接続対象部材と接続でき、インダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。
しかも、転換部において、一対の共通電極層のいずれも複数の接続パッドのうちの少なくともいずれかと導通する。このため、転換部の接続パッドから、コンデンサの両極を取り出すことができる。従って、接続した接続対象部材（例えばＩＣチップ）において、あるいは接続対象部材（たとえば配線基板）を通じて、コンデンサの２つの電極を利用することができる。このため、例えば、コンデンサの２つの電極の一方を電源電位に、他方を接地電位にすることで、コンデンサの両極（一対の共通電極層）を利用して、ノイズ除去の役割を果たさせることができる。特に、このコンデンサをＩＣチップと接続させると、各所で電源電位や接地電位の必要なＩＣチップにおいて、コンデンサから必要部位に各電位を供給することもできる。
【０００８】
なお、本発明のコンデンサと接続させる接続対象部材としては、例えば、ＩＣチップ、これを搭載した中継基板やＣＳＰ等の配線基板、ＩＣチップの他にもトランジスタ等の能動部品や抵抗等の受動部品を搭載した配線基板、マザーボード等の配線基板、多数の接続端子が形成された抵抗アレイなどの電子部品が挙げられる。また本発明のコンデンサを、コンデンサ内蔵配線基板などのコンデンサ内蔵電子部品における内蔵コンデンサとして用いる場合には、内蔵したコンデンサと接続させるパッドやバンプなどを有するコア基板などの内蔵用部材、ビア導体やパッド、バンプなどを有するビルドアップ絶縁層等の部材も含まれる。
また、接続対象部材の接続端子には、例えばパッド、バンプ、ピン、ビア導体などが挙げられる。
【０００９】
さらに、面接続とは、接続対象部材、例えば電子部品の接続面内の各所に形成された接続端子と、これに対応してコンデンサの接続パッド形成面内の各所に形成された接続パッドとを、電子部品の接続面とコンデンサの接続パッド形成面とを対向させて、直接、あるいはハンダや導電性樹脂、異方性導電性シート等によって、電気的に接続するなど、コンデンサの接続パッド形成面内に形成した各接続パッドと接続対象部材の接続端子とを対向させてこれらの間を導通させる接続を指す。例えば、ＩＣチップの接続面に格子状に形成した多数のハンダバンプと、コンデンサの接続パッド形成面に格子状に形成した接続パッドとを、ハンダバンプを溶融させてパッドにハンダ付けして接続する場合、あるいは、接続パッドに形成した低温ハンダバンプを溶融させて、ＩＣチップのハンダバンプに溶着させて接続する場合などが挙げられる。また、配線基板内にコンデンサを内蔵する場合には、例えば、コンデンサの接続パッド形成面上に絶縁層を形成し、その絶縁層を貫通してコンデンサの接続パッドと直接接続するビア導体を形成する場合などが挙げられる。
【００１０】
なお、このコンデンサは、積層コンデンサ部、転換部共に同時焼成によって形成されてなるものとすると良い。焼成によって一挙に形成できるため、コンデンサを安価に形成できるからである。
また、コンデンサの接続パッドには、ハンダや導電性樹脂を盛り上げてバンプとしても良い。
【００１１】
さらに他の解決手段は、高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を備える積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部の積層方向両外側にそれぞれ位置する第１転換部及び第２転換部と、を備え、上記第１転換部及び第２転換部はいずれも、それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、を有することを特徴とするコンデンサである。
【００１２】
本発明のコンデンサでは、積層コンデンサ部の他に、積層方向両側にそれぞれ第１転換部と第２転換部の２つの転換部を備え、この２つの転換部の接続パッドは、いずれも転換配線によって積層コンデンサ部の共通電極層のいずれかと導通している。このため、本発明のコンデンサでは、２つの転換部のいずれにおいても、その接続パッドをＩＣチップなどの接続対象部材の複数の接続端子と面接続させることができる。従って、前記と同様に、ごく短い距離で接続対象部材と接続できる。このため、インダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。
【００１３】
しかも、２つの転換部のいずれにおいても、複数の接続パッドと、接続パッドと一対の共通電極層のうちいずれかとをそれぞれ導通させ、しかも、一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線を備える。
つまり、第１転換部において、一対の共通電極層のいずれも第１転換部内の複数の接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する。このため、第１転換部の接続パッドから、コンデンサの両極を取り出すことができる。
また、第２転換部においても、一対の共通電極層のいずれも第２転換部内の複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通する。従って同様に、第２転換部の接続パッドから、コンデンサの両極を取り出すことができる。即ち、第１転換部と第２転換部の両側から、コンデンサの両極を取り出すことができる。
このため、例えば、ＩＣチップ（第１の電子部品）と配線基板（第２の電子部品）との間にこのコンデンサを介在させることにより、配線基板からＩＣチップへ電力を供給する電源配線及び接地配線の一部としての役割を果たさせると共に、電源配線と接地配線との間をこのコンデンサで結び、これらの配線に重畳されるノイズを除去する役割をも果たさせることができる。
【００１４】
さらに上記いずれかのコンデンサであって、前記転換部、または前記第１転換部または第２転換部のうち少なくともいずれかの転換部は、前記積層コンデンサ部の積層方向外側に積層された転換絶縁層を備えると共に、この転換部に属する前記複数の接続パッドは、上記転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、この転換部に属する前記複数の転換配線は、前記一対の共通電極層のうちの一方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッドに接続する第１側面経由転換配線と、前記一対の共通電極層のうちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッドに接続する第２側面経由転換配線と、を有する側面−側面転換部であることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００１５】
本発明では、転換絶縁層及び第１側面経由転換配線、第２側面経由転換配線を用いて、各接続パッドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続させる。これにより、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続端子と面接続可能な接続パッドに転換する。このようにすると、１層の転換絶縁層を用い、これに貫通孔を形成することもなく、その側面及び外表面に第１及び第２側面経由転換配線を形成する簡単な構造で共通電極層と各接続パッドとを接続することができる。従って、面接続可能でありながら、安価で形成容易なコンデンサとすることができる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することができるので、小型のコンデンサとすることができる。
【００１６】
あるいは、前記いずれかのコンデンサであって、前記積層コンデンサ部は、前記電極層のうち積層方向最外側に積層され、前記一対の共通電極層のうちの一方と導通する最外側電極層を備え、前記転換部、または前記第１転換部または第２転換部のうち少なくともいずれかの転換部は、上記最外側電極層の積層方向外側に積層された転換絶縁層を備えると共に、この転換部に属する前記複数の接続パッドは、上記転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、この転換部に属する前記複数の転換配線は、上記最外側電極層から上記転換絶縁層を貫通して上記外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する転換ビア導体と、前記一対の共通電極層のうちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び上記外表面を経由して、上記接続パッドのいずれかに接続する側面経由転換配線と、を有するビア−側面転換部であることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００１７】
本発明では、転換絶縁層、転換ビア導体及び側面経由転換配線を用いて、接続パッドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続させる。これにより、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続配線と面接続可能な接続パッドに転換する。このようにすると、１層の転換絶縁層を用い、これに転換ビア導体及び側面経由転換配線を形成する簡単な構造で共通電極層と接続パッドとをそれぞれ接続することができる。従って、安価で形成容易なコンデンサとすることができる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することができるので、小型化のコンデンサとすることができる。
【００１８】
ところで、側面経由転換配線は、転換絶縁層の側面及び外表面を経由するため、転換絶縁層を貫通して形成する転換ビア導体に比較して、形成位置の自由度が低く、側面における形成位置や外表面における引き回しが制限される。このため、多数の側面経由転換配線を形成したい場合には、形成困難となる場合がある。これに対し本発明では、側面経由転換配線の他に、転換ビア導体を用いるので、その分、形成すべき側面経由転換配線数を少なくでき、その形成位置の選択が容易になる。また、各側面経由転換配線の幅を広くすることができるので、各側面経由転換配線のインダクタンスや抵抗も低減させることができる。
【００１９】
あるいは、前記いずれかのコンデンサであって、前記積層コンデンサ部は、前記電極層のうち積層方向最外側に積層され、前記一対の共通電極層のうちの一方と導通する最外側電極層を備え、前記転換部、または前記第１転換部または第２転換部のうち少なくともいずれかの転換部は、上記最外側電極層の積層方向外側に積層された第１転換絶縁層と、上記第１転換絶縁層の積層方向外側に積層された第２転換絶縁層と、上記第１転換絶縁層と第２転換絶縁層との層間に形成され、前記一対の共通電極層のうちの他方と接続する転換電極層と、を備えると共に、この転換部に属する前記複数の接続パッドは、上記第２転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、この転換部に属する前記複数の転換配線は、上記最外側電極層から上記第１転換絶縁層及び第２転換絶縁層を貫通して第２転換絶縁層の外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する複数の第１転換ビア導体と、上記転換電極層から上記第２転換絶縁層を貫通してその外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する複数の第２転換ビア導体と、を有するビア−ビア転換部であることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００２０】
このように、第１転換絶縁層、第２転換絶縁層、転換電極層、第１転換ビア導体、及び第２転換ビア導体を用いて、接続パッドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続して、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続配線と面接続可能な接続パッドに転換すると、簡単な構造で共通電極層と接続パッドとを接続することができる。また、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体は、形成位置の自由度が高いので、接続する接続パッドの位置に応じて、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体を形成できるため、設計が容易である。また、転換ビア導体は、側面経由転換配線よりも長さが短くなるため、転換部において発生するインダクタンスや抵抗をより小さくできる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することができるので、小型化のコンデンサとすることができる。
【００２１】
ここで、上記コンデンサであって、前記複数の接続パッドは、略格子状に配置され、前記複数の第１転換ビア導体及び複数の第２転換ビア導体は、上記複数の接続パッドにそれぞれ交互に接続していることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００２２】
このように、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体が、略格子状に並んだ接続パッドにそれぞれ交互に接続するようにすると、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体に発生するインダクタンスをより低下させることができる。例えば、一方の共通電極層を＋電位（電源電位）とし、他方の共通電極層を−電位（接地電位）とすると、第１転換ビア導体から流れ出る電流の向きと、第２転換ビア導体に流入する電流の向きとが互いに逆向きとなるため、発生する磁界がうち消しあい、結果としてこれらのインダクタンスが小さく見える。従って、このように配置することで、コンデンサの自身が持つインダクタンスを小さくすることができ、更にノイズを効率よく除去することができる。
【００２３】
なお、上記側面−側面転換部、ビア−側面転換部、ビア−ビア転換部を有するコンデンサであって、転換絶縁層、または、第１転換絶縁層及び第２転換絶縁層は、樹脂を主成分とする材質からなり、前記第１側面経由転換配線及び第２側面経由転換配線、または側面経由転換配線は、フォトリソグラフィ技術により形成されてなり、前記転換ビア導体、または第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体は、フォトリソグラフィ技術、またはフォトリソグラフィ技術及びレーザ孔空け技術により形成されてなることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
フォトリソグラフィ技術を用いて側面経由転換配線を、また、フォトリソグラフィ技術あるいはレーザ孔空け技術を用いて転換ビア導体を形成すると、微細な側面経由転換配線や転換ビア導体を精度良く形成することができるので、多数の側面経由転換配線や転換ビア導体を確実に形成したコンデンサとすることができる。
【００２４】
さらに、上記いずれかのコンデンサであって、前記接続パッドのうち少なくともいずれかは、接続させる前記接続対象部材の接続端子のうち複数の接続端子と面接続可能な複数接続パッドであることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００２５】
このように複数接続パッドを形成すると、つまり、コンデンサの１つの接続パッドに複数の接続端子が接続されるようにすると、このコンデンサと接続させる接続端子数に比較して接続パッド数を減らすことができる。これにより、転換部において形成する転換配線の数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を減らすことができる。従って、さらに製造容易となり安価にでき、コンデンサの信頼性も向上させることができる。
【００２６】
なお、上記コンデンサであって、前記接続パッドのいずれもが、前記複数接続パッドであることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
このように接続パッドをすべて複数接続パッドとすると、形成する接続パッドの数を十分少なくできるので、転換配線の数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を少なくできるので、製造が容易となる。
【００２７】
さらに、上記側面−側面転換部、またはビア−側面転換部を有するコンデンサであって、前記側面経由転換配線に接続する前記接続パッドのいずれもが、接続させる前記接続対象部材の接続端子のうち複数の接続端子と接続可能な複数接続パッドであることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００２８】
側面経由転換配線は、転換絶縁層の側面及び外表面を経由して接続パッドと接続するため、転換ビア導体に比べて形成位置の自由度が低く、形成する接続パッドの数が多い場合には、側面の形成位置や外表面での引き回しが困難となることがある。これに対し、側面経由転換配線に接続する接続パッドを複数接続パッドとすると、形成する側面経由転換配線の数を減らせるため、配線が容易になる。また、各側面経由転換配線の幅を広くすることができるので、各側面経由転換配線のインダクタンスや抵抗も低減させることができる。
【００２９】
上記複数接続パッドを有するいずれかのコンデンサであって、少なくとも前記複数接続パッドの表面上には、この複数接続パッドの表面を、この複数接続パッドに接続させる前記接続対象部材の複数の接続端子がそれぞれ１つずつ接続可能な複数の領域に分離する分離層を備えることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００３０】
接続対象部材、例えば、ＩＣチップ等の電子部品の接続端子と接続パッドとを面接続させる際に、２つ以上の接続端子を共通の複数接続パッドに接続させる場合を考える。この場合には、溶融前には、個々の接続端子に対応させてハンダペーストを塗布しておいたり、個々の接続端子（ハンダバンプ）に所定量のハンダが保持されていても、ハンダを溶融させた際に、隣り合う接続端子にかかるハンダが、共通の複数接続パッド上に濡れ拡がって互いに接触して一体となることがある。すると、複数接続パッドと各接続端子との接続に使われるハンダ量が各接続端子について不均一になって、各接続端子の中には、複数接続パッドと接続端子との接続が不完全なものが発生するなどの不具合を生じることがある。導電性樹脂を用いて接続する場合にも、このようなことが起こりうる。
【００３１】
これに対し、本発明では、複数接続パッドを接続端子が１つずつ接続可能な複数の領域に分離する分離層を有しているので、接続の際、隣り合う接続端子の間で、ハンダなどが接触して一体となることが無く、これによる接続不良などの不具合が生じない。従って、確実に複数接続パッドとこれに対応する接続端子とをそれぞれ接続させることができる。
【００３２】
なお、上記コンデンサであって、前記分離層により分離される前記複数の領域は、いずれも略等しい面積を有することを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
複数の領域を等しい面積にすると、ハンダな導電静樹脂の濡れ拡がりによる高さを均一にできるので、より信頼性の高い接続ができる。
【００３３】
また、上記コンデンサであって、前記分離層は、前記複数接続パッド及びその周縁の前記転換絶縁層または第２転換絶縁層の外表面に形成したソルダレジスト層であり、前記複数の領域は、いずれも上記ソルダレジスト層に形成した複数の透孔により形成されていることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
ソルダレジスト層に形成した透孔により複数の領域を形成する場合には、スクリーン印刷技術やフォトリソグラフィ技術やレーザ孔空け技術により透孔が容易に形成できる。また、接続対象部材との接続時にハンダがその周縁に拡がることを確実に防止できる。また、透孔内にハンダペーストを塗布しリフローすることでハンダバンプを容易に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
（実施形態１）
本発明の配線基板等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図１に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ１００は、平面視略正方形板状で、大別して積層部１１０とビア−側面転換部１２０とを有する。
このうち積層部１１０は、高誘電体セラミック、具体的には、ＢａＴｉＯ3を主成分とする多数の誘電体層１０１とＰｄを主成分とする電極層１０２とを交互に積層した略正方形板状の積層体１０３を有する。さらに、この積層体１０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面１０３Ａ，１０３Ｂには、各電極層１０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂがそれぞれ形成されている。つまりこの積層部１１０は、共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂと、共通電極層１０４Ａで互いに導通された第１電極層１０２Ａの群及び共通電極層１０４Ｂで互いに導通された第２電極層１０２Ｂの群と、これらに挟まれた誘電体層１０１とを有し、上記した従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされている。なお、この積層部１１０のうち積層方向最外側（図中上方）には、一方の共通電極層１０４Ｂと導通する最上第２電極層１０２ＢＵが積層形成されている。
【００３５】
一方、ビア−側面転換部１２０は、積層部１１０の最上第２電極層１０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層１２１を備え、この転換絶縁層１２１の外表面（図中上方面）１２１Ｔには、図１（ａ）に破線で示す第１接続パッド１２２Ａ、及び第２接続パッド１２２Ｂの２種類の接続パッド１２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド１２２は、後述するように、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとそれぞれ接続するものである（図２参照）。
【００３６】
また、一方の共通電極層１０４Ａから転換絶縁層１２１の側面１２１Ａを経由して、外表面１２１Ｔのうち第２接続パッド１２２Ｂの周縁及び共通電極層１０４Ｂに近い右端近傍を除く部分に拡がる側面経由配線層１２３を備える。この側面経由配線１２３は、そのうちの一部が上記した第１接続パッド１２２Ａとなっている。つまり側面経由配線１２３によって、第１接続パッド１２２Ａと一方の共通電極層１０４Ａとが導通している。また、この側面経由配線１２３は、図１（ａ）に破線で示すように、多数の第１接続パッド１２２Ａを含む、つまり多数の第１接続パッド１２２Ａと同時に接続している。第１接続パッド１２２Ａ毎に、転換絶縁層１２１の側面１２１Ａを経由する側面経由配線で共通電極層１０４Ａと接続させると、形成すべき側面経由配線の数が多くなって各側面経由配線の幅が狭くなり、各側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスが高くなりがちである。しかし、本実施形態の側面経由配線１２３は、同時に多数の第１接続パッド１２２Ａと接続しているので、形成容易で、側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。
さらに、最上第２電極層１０２ＢＵから転換絶縁層１２１を貫通して外表面１２１Ｔに延出し、第２接続パッド１２２Ｂにそれぞれ接続する転換ビア導体１２５を備える。したがって、転換ビア導体１２５及び最上第２電極層１０２ＢＵを通じて、第２接続パッド１２２Ｂと他方の共通電極層１０４Ｂとが導通している。
【００３７】
このようにビア−側面転換部１２０に形成した側面経由配線１２３及び転換ビア導体１２５により、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂは、それぞれ接続パッド１２２、即ち、第１接続パッド１２２Ａ及び第２接続パッド１２２Ｂに転換される。
逆に言えば、多数の接続パッド１２２は、コンデンサ１００のうち積層部１１０の２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂのいずれかに接続している。しかも、上述のように、この共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂのいずれも複数の接続パッド１２２のうちの少なくともいずれか、具体的には共通電極層１０４Ａは第１接続パッド１２２Ａと、共通電極層１０４Ｂは第２接続パッド１２２Ｂと接続している。
このため、このコンデンサ１００の図中上方から、接続パッド１２２を通じて、一対の共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂのいずれとも導通することができる。
【００３８】
従って、図２に示すように、このコンデンサ１００とＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとを面接続によって直接接続することができる。即ち、図２に示すコンデンサ付属配線基板１５０は、配線基板１５１とこれに収容固着された上記コンデンサ１００とからなる。
この配線基板１５１は、その内部に配線層１５２を備えるとともに、その上面１５１Ｔには、ＩＣチップＣＨの基板接続端子ＣＴＷと面接続可能な接続パッド１５３を多数備え、下面１５１Ｖには、マザーボードなど他の配線基板と面接続可能なＬＧＡパッド１５４を多数備えている。さらに、この配線基板１５１の略中央には、コンデンサ１００を収容可能な平面視略正方形の貫通孔１５１Ｈが形成されており、上述した基板接続端子ＣＴＷは、この貫通孔１５１Ｈの周縁近傍に形成されている。
貫通孔１５１Ｈ内に収容されたコンデンサ１００の接続パッド１２２、及び配線基板１５１の接続パッド１５３は、それぞれ図中破線で示すＩＣチップＣＨの接続端子ＣＴ、即ち、コンデンサ接続端子ＣＴＣ及び基板接続端子ＣＴＷとそれぞれ面接続する。例えば、高温ハンダからなる球状バンプタイプの接続端子ＣＴと、接続パッド１２２及び１５３とを、Ａｇ−Ｓｎハンダ等によって接続するなど公知の手法により、ＩＣチップＣＨをコンデンサ付属配線基板１５０（コンデンサ１００及び配線基板１５１）にフリップチップ接続する。
【００３９】
このようにして、コンデンサ１００とＩＣチップＣＨとを面接続によって直接接続すると、コンデンサ１００の共通電極層１０４Ａ，１０４ＢとＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとを結ぶコンデンサ接続配線を配線基板１５１内に形成する必要が無く、ごく短い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のインダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しかも、接続パッド１２２から、コンデンサ１００の両方の共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを取り出すことができる。このため、接続したＩＣチップＣＨにおいて、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを利用し、一方の共通電極層（例えば１０４Ａ）を電源電位に、他方（例えば１０４Ｂ）を接地電位にすることで、コンデンサ１００を利用して、両電位間のノイズを確実に除去することができる。
さらに、ＩＣチップＣＨ内の電源電位や接地電位が必要な各所に、コンデンサ接続端子ＣＴＣを通じて、コンデンサ１００から低抵抗、低インダクタンスで電源電位や接地電位を供給することができる。
なお、コンデンサ１００の内部構造は、既に説明した（図１（ｂ）参照）ので、本図では略記している。
【００４０】
次いで、コンデンサ１００の製造方法について、図３を参照して説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、公知のグリーンシート製造技術により、ＢａＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘電体セラミックグリーンシート（以下、単にシートともいう）１８１を多数製造する。
次いで、このシート１８１のうち１枚については、図３（ｂ）に示すように、このシート１８１の所定位置に、Ｐｄペーストからなり、表面１８１Ｔ及び裏面１８１Ｖ間を貫通する未焼成ビア導体１８３を形成する。さらに、表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成導体層１８４及び未焼成接続パッド１８５を形成する。このうち、未焼成接続パッド１８５は、それぞれ未焼成ビア導体１８３と接続する位置に形成する。
【００４１】
他のシート１８１の半数については、図３（ｃ）に示すように、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層１８２Ａを形成する。また、残りの半数については、図３（ｄ）に示すように、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層１８２Ｂを形成する。未焼成第１電極層１８２Ａ及び未焼成第２電極層１８２Ｂはいずれも、シート１８１の表面１８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層１８２Ａはシート１８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層１８２Ｂはシート１８１の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
【００４２】
次いで、未焼成第１電極層１８２Ａが形成されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成されたシート１８１とを交互に積層し、さらに最も上に、未焼成導体層１８４及び未焼成接続パッド１８５を形成したシート１８１を積層し圧着して、図３（ｅ）に示すように、積層体１８６を形成する。この積層体１８６の側面１８６Ａには、未焼成第１電極層１８２Ａが、また側面１８６Ｂには、未焼成第２電極層１８２Ｂが露出する。さらにこの側面１８６Ａ，１８６Ｂに、Ｐｄからなる未焼成共通電極層１８７Ａ，１８７Ｂをそれぞれ形成する。なお、未焼成共通電極層１８７Ａは未焼成導体層１８４とも接続するように形成する。
【００４３】
この積層体１８６では、未焼成共通電極層１８７Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続し、しかも、未焼成導体層１８４とも接続する。一方、未焼成共通電極層１８７Ｂはいずれの未焼成第２電極層１８２Ｂとも接続し、しかも、そのうち積層方向最外側（図中最上）の最上未焼成第２電極層１８２ＢＵ、未焼成ビア導体１８３を経由して未焼成接続パッド１８５とも接続する。
次いで、この積層体１８６を焼成（同時焼成）して、図１に示すコンデンサ１００を形成する。コンデンサ１００をこのようにして形成したので、焼成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。なお、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣ等との接続時のハンダ濡れ性改善のため、焼成後に、側面経由配線層１２３（第１接続パッド１２２Ａ）や第２接続パッド１２２Ｂについて、Ｎｉ−Ａｕメッキなどのメッキを施すようにしても良い。
このように、同時焼成によってコンデンサ１００を形成すると、容易かつ安価にコンデンサ１００を形成することができる。
【００４４】
（変形形態１）
上記実施形態１では、積層部１１０とビア−側面転換部１２０とを有するコンデンサ１００を同時焼成によって形成した。しかし、先に積層部を形成した後にビア−側面転換部を形成して同様な構造のコンデンサとすることもできる。
本変形形態のコンデンサ２００は、上記コンデンサ１００とは製造方法や材質が異なるのみで、コンデンサの構造やＩＣチップＣＨ等と接続した場合の利点は変わらないので、同様の部分についての説明を省略あるいは簡略化する。
【００４５】
本変形形態のコンデンサ２００は、図４に示すようにして、まず積層部２１０を形成する。即ち、図４（ａ）に示すように、実施形態１と同様に、ＢａＴｉＯ3粉末を主成分とするシート２８１を多数製造する。
このシート２８１の半数については、実施形態１において図３（ｃ）を参照して説明したのと同様に、その表面２８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層２８２Ａを形成する（図４（ｂ）参照）。また、残りの半数についても、図３（ｄ）と同様に、その表面２８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層２８２Ｂを形成する（図４（ｂ）参照）。これらの未焼成第１電極層２８２Ａ及び未焼成第２電極層２８２Ｂはいずれも、シート２８１の表面２８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層２８２Ａはシート２８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層２８２Ｂはシート２８１の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
【００４６】
次いで、未焼成第１電極層２８２Ａが形成されたシート２８１と、未焼成第２電極層２８２Ｂが形成されたシート２８１とを交互に積層し圧着して未焼成積層体を形成し、その２つの側面に、Ｐｄからなる未焼成共通電極層をそれぞれ形成する。この未焼成積層体を同時焼成することで、図４（ｃ）に示す積層部２１０が出来上がる。この積層部２１０は、多数の誘電体層２０１と電極層２０２とを交互に積層した積層体２０３を有する。さらに、この積層体２０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面２０３Ａ，２０３Ｂには、各電極層２０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂがそれぞれ形成されている。
つまりこの積層部２１０は、共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂと、共通電極層２０４Ａで互いに導通された第１電極層２０２Ａの群及び共通電極層２０４Ｂで互いに導通された第２電極層２０２Ｂの群と、これらに挟まれた誘電体層２０１とを有し、上記した従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされ、２つの共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂを持つコンデンサとして機能させることができる。
なお、この積層部２１０のうち積層方向最外側（図中上方）には、一方の共通電極層２０４Ｂと導通する最上第２電極層２０２ＢＵが積層形成されている。
【００４７】
続いて、この積層部２１０上にビア−側面転換部２２０を形成する。まず図５（ａ）に示すように、最上第２電極層２０２ＢＵの上面２０２ＢＵＴ及び最上第２電極層２０２ＢＵの直下に位置する最上誘電体層２０１Ｕの上面２０１ＵＴのうち露出部分（図中左端部分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる転換絶縁層２０５を形成する。具体的には、フィルム状の未硬化樹脂を貼り付け、硬化させて形成する。
【００４８】
次いで、図５（ｂ）に示すように、この転換絶縁層２０５の所定位置に、レーザにより最上第２電極層２０２ＢＵまで届く貫通孔２０５Ｈを形成する。
その後、図５（ｃ）に示すように、貫通孔２０５Ｈ内、転換絶縁層２０５の上面２０５Ｔ、及び共通電極層２０４Ａに近い転換絶縁層２０５の側面２０５Ａに、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを充填・塗布し、硬化させて、共通電極層２０４Ａと接続する側面経由配線層２０６、転換ビア導体２０７、及び第２接続パッド２０８を形成してビア−側面転換部２２０とする。なお、転換経由配線層２０６のうち破線で示す部分は、第１接続パッド２０６Ｐの役割を果たす。
これによりコンデンサの機能を有する積層部２１０と、２つの共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂを面接続可能な第１接続パッド２０６Ｐ及び第２接続パッド２０８に転換するビア−側面転換部２２０とを有するコンデンサ２００が形成される。このコンデンサ２００は、前記コンデンサ１００と同様に、ＩＣチップＣＨ等に直接面接続でき、ノイズ除去や各部への電位供給の役割を果たさせることができる。
上記変形形態では、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを用いて転換経由配線層２０６等を形成したが、接続時に使用するハンダ材等を考慮して、その他の導電性樹脂ペーストを用いることもできる。
【００４９】
（変形形態２）
上記変形形態１では、積層部２１０上に転換絶縁層２０５を形成しレーザで穿孔したが、感光性樹脂層を用いることもできる。また、上記変形形態１では、Ａｇペーストを用いて側面経由配線層２０６、転換ビア導体２０７、及び第２接続パッド２０８を形成したが、メッキ技術によってこれらを形成しても良い。
本変形形態では、上記変形形態１と同様にして積層部２１０を形成した後、図６（ａ）に示すように、最上第２電極層２０２ＢＵの上面２０２ＢＵＴ及び最上第２電極層２０２ＢＵの直下に位置する最上誘電体層２０１Ｕの上面２０２ＵＴのうち露出部分（図中左端部分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる未硬化の感光性樹脂絶縁層を形成する。具体的には、フィルム状の未硬化感光性樹脂を貼り付ける。その後、露光現像して所定位置に貫通孔を形成した後、硬化させて、貫通孔３０５Ｈを有する転換絶縁層３０５を形成する。
【００５０】
次いで、図６（ｂ）に示すように、共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂ、転換絶縁層３０５の側面３０５Ａ、上面３０５Ｔ、貫通孔３０５Ｈ内などに無電解Ｃｕメッキ層３０１を形成する。さらに、フィルム状のメッキレジストを貼り付け露光現像して所定形状のメッキレジスト層Ｒを形成する。
【００５１】
続いて、無電解Ｃｕメッキ層３０１を電極として電解Ｃｕメッキを施し、メッキレジスト層Ｒを除去後、その下の不要な無電解Ｃｕメッキ層３０１をソフトエッチングによって除去することで、図６（ｃ）に示すように、側面経由配線層３０６、転換ビア導体３０７、及び第２接続パッド３０８を形成してビア−側面転換部３２０とする。なお、転換経由配線層３０６のうち破線で示す部分は、第１接続パッド３０６Ｐの役割を果たす。また、３つの共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂ上にもＣｕメッキが施されてその厚さが厚くなった共通電極層３０４Ａ，３０４Ｂとなる。
【００５２】
これによりコンデンサの機能を有する積層部２１０と、２つの共通電極層３０４Ａ，３０４Ｂを面接続可能な第１接続パッド３０６Ｐ及び第２接続パッド３０８に転換するビア−側面転換部３２０とを有するコンデンサ３００が形成される。このコンデンサ３００も、前記コンデンサ１００，２００と同様に、ＩＣチップＣＨ等に直接面接続でき、ノイズ除去や各部への電位供給の役割を果たさせることができる。さらに本変形形態のコンデンサ３００では、フォトリソグラフィ技術を用いて側面経由配線層３０６や第２接続パッド３０８などを形成したので、その位置精度を高くすることができる。従って、微細な寸法のコンデンサ接続端子ＣＴＣを持つＩＣチップＣＨ等との面接続を、より確実に行うことができる。
なお上記では、いわゆるセミアディティブ法を用いたが、サブトラクティブ法、フルアディティブ法など他の手法を用いることもできる。また、ＩＣチップとの接続の際のハンダ濡れ性等を考慮して、Ｃｕメッキの後にＮｉメッキ、あるいはＮｉ及びＡｕメッキを施しても良い。
【００５３】
（実施形態２）
上記実施形態１等では、積層部の積層方向片側（図中上部）にビア−側面転換部を設け、このビア−側面転換部でＩＣチップ等と面接続できるようにしたコンデンサを示したが、ビア−側面転換部は積層部の積層方向両側に設けても良い。即ち、図７に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ４００は、平面視略正方形板状で、大別して積層部４１０と、この上下に２つの転換部、第１ビア−側面転換部４２０と第２ビア−側面転換部４３０とを有する。なお、このコンデンサ４００は、転換部を２つ備える点を除き、実施形態１のコンデンサ１００とほぼ同様であるので、同様な部分については、説明を省略あるいは簡略化する。
【００５４】
積層部４１０は、実施形態１と同様に多数の誘電体層４０１と電極層４０２とを交互に積層した略正方形板状の積層体４０３を有する。さらに、この積層体４０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面４０３Ａ，４０３Ｂには、各電極層４０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂがそれぞれ形成されている。つまりこの積層部４１０は、共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂと、共通電極層４０４Ａで互いに導通された第１電極層４０２Ａの群及び共通電極層４０４Ｂで互いに導通された第２電極層４０２Ｂの群と、これらに挟まれた誘電体層４０１とを有し、従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされている。なお、この積層部４１０のうち積層方向最外側（図中上方及び下方）には、それぞれ一方の共通電極層４０４Ｂと導通する最上第２電極層４０２ＢＵ及び最下第２電極層４０２ＢＳが積層形成されている。
【００５５】
また、第１ビア−側面転換部４２０も、実施形態１におけるビア−側面転換部１２０と同様である。即ち、積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層４２１を備え、この転換絶縁層４２１の外表面（図中上面）４２１Ｔには、図７（ａ）に破線で示す第１接続パッド４２２Ａ、及び第２接続パッド４２２Ｂの２種類の接続パッド４２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド４２２は、前記実施形態１の場合と同様に、直接ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとそれぞれ面接続する（図８参照）ことができるほか、コンデンサを内蔵するコンデンサ付属配線基板とした上で、樹脂絶縁層等を介してＩＣチップやマザーボード等の他の電子部品の接続端子と接続することもできる。
また、一方の共通電極層４０４Ａから転換絶縁層４２１の側面４２１Ａを経由して、外表面４２１Ｔのうち第２接続パッド４２２Ｂの周縁及び共通電極層４０４Ｂに近い右端近傍を除く部分に拡がる側面経由配線層４２３を備える。この側面経由配線４２３は、そのうちの一部が上記した第１接続パッド４２２Ａとなっている。つまり側面経由配線４２３によって、第１接続パッド４２２Ａと一方の共通電極層４０４Ａとが導通している。また、この側面経由配線４２３は、多数の第１接続パッド４２２Ａと同時に接続しており、形成容易で、側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。
【００５６】
また、最上第２電極層４０２ＢＵから転換絶縁層４２１を貫通して外表面４２１Ｔに延出し、第２接続パッド４２２Ｂにそれぞれ接続する転換ビア導体４２５を備える。したがって、転換ビア導体４２５及び最上第２電極層４０２ＢＵを通じて、第２接続パッド４２２Ｂと他方の共通電極層４０４Ｂとが導通している。
【００５７】
さらに、本実施形態では、積層部４１０の図中下方に第２ビア−側面転換部４３０を有する。この第２ビア−側面転換部４３０は、上記第１ビア−側面転換部４２０とほぼ同様な構造を有している。即ち、積層部４１０の最下第２電極層４０２ＢＳの積層方向外側（図中下方）に積層された転換絶縁層４３１を備え、この転換絶縁層４３１の外表面（図中下面）４３１Ｖには、図７（ｂ）下方に破線で示す第３接続パッド４３２Ａ、及び第４接続パッド４３２Ｂの２種類の接続パッド４３２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド４３２は、直接マザーボード等の配線基板のコンデンサ接続端子とそれぞれ面接続する（図８参照）ことができるほか、コンデンサを内蔵するコンデンサ付属配線基板とした上で、樹脂絶縁層等を介してマザーボード等の他の電子部品の接続端子と接続することもできる。
【００５８】
また、一方の共通電極層４０４Ａから転換絶縁層４３１の側面４３１Ａを経由して、外表面４３１Ｖのうち第４接続パッド４３２Ｂの周縁及び共通電極層４０４Ｂに近い右端近傍を除く部分に拡がる側面経由配線層４３３を備える。この側面経由配線４３３は、そのうちの一部が上記した第３接続パッド４３２Ａとなっている。つまり側面経由配線４３３によって、第３接続パッド４３２Ａと一方の共通電極層４０４Ａとが導通している。また、この側面経由配線４３３は、同時に多数の第３接続パッド４３２Ａと接続しており、形成容易で、側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。
【００５９】
また、最下第２電極層４０２ＢＳから転換絶縁層４３１を貫通して外表面４３１Ｔに延出し、第４接続パッド４３２Ｂにそれぞれ接続する転換ビア導体４３５を備える。したがって、転換ビア導体４３５及び最下第２電極層４０２ＢＳを通じて、第２接続パッド４３２Ｂと他方の共通電極層４０４Ｂとが導通している。
【００６０】
このコンデンサ４００は、第１ビア−側面転換部４２０のみならず第２ビア−側面転換部４３０を有する点で前記コンデンサ１００と異なる。しかし、その製造方法については、表面に未焼成第１電極層１８２Ａまたは未焼成第２電極層１８２Ｂを形成し、裏面及び内部に図３（ｂ）に示したシート１８１と略同様の未焼成ビア導体、未焼成導体層、未焼成接続パッドを形成したシートを形成して積層し、同時焼成して形成すれば、ほぼ同様に手法によって形成することができる。
また、前記変形形態１，２と同様にして、予め積層部２１０を形成しておき、第２ビア−側面転換部４３０についても、樹脂絶縁層及び導体ペーストやメッキによって形成するようにしても良い。
【００６１】
本実施形態のコンデンサ４００は、実施形態１と同様に、直接ＩＣチップと接続することができ、さらに第２ビア−側面転換部４３０でマザーボード等の配線基板と接続させることができる。即ち、図８に示すように、マザーボードＷＢとＩＣチップＣＨとの間に貫通孔１５１Ｈ内にコンデンサ４００を有するコンデンサ付属配線基板４５０を介在させるようにして、両者間を接続することができる。このようにすると、マザーボードＷＢの基板接続端子ＷＴＷから配線基板１５１内の内部配線１５２を介してＩＣチップＣＨの基板接続端子ＣＴＷに接続できるほか、マザーボードＷＢのコンデンサ接続端子ＷＴＣから、接続パッド４３２及び接続パッド４２２を通じてＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣと接続することができる。しかも、図９の回路図に示すように、コンデンサ接続端子ＷＴＣ，ＣＴＣがそれぞれ接続する第１接続パッド４２２Ａと第３接続パッド４３２Ａ、第２接続パッド４２２Ｂと第４接続パッド４３２Ｂとが、それぞれ共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂ電極を介して導通し、しかも、その間をコンデンサ４００が結ぶ構造となる。
【００６２】
従って、例えば接地電位を第３接続パッド４３２Ａに、電源電位を第４接続パッド４３２Ｂにそれぞれ接続することで、配線基板１５０の内部配線１５２を介することなく、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップＣＨに電源電位及び接地電位を供給することができる。しかも、この電位間に生じるノイズをＩＣチップＣＨのごく近くにおいてコンデンサ４００によって確実に除去することもできる。
なお、コンデンサ４００の内部構造は、既に説明した（図７（ｂ）参照）ので、本図では略記している。
【００６３】
あるいは、コンデンサ４００を配線基板内に内蔵固着させたコンデンサ付属配線基板を形成し、コンデンサ４００の接続端子４２２，４３２を、樹脂絶縁層やコア基板等に形成した内部配線を経由して、ＩＣチップＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させることもできる。このようにしても、コンデンサ４００を介して、低抵抗、低インダクタンスで、マザーボードＷＢからＩＣチップＣＨに電源電位や接地電位を供給することができる。また、コンデンサ４００によってＩＣチップＣＨのごく近傍でこれらの間のノイズも除去することができる。
【００６４】
（変形形態３）
上記コンデンサ４００では、第１接続パッド４２２Ａはいずれも側面経由配線層４２３の一部として形成され、第１接続パッド４２２Ａが互いに連結した複数接続パッドとなっていた。一方、第２接続パッド４２２Ｂはいずれも他から独立し、それぞれ転換ビア導体４２５を通じて最上第２電極層４０２ＢＵに接続していた。しかし、第２接続パッドについても、複数の第２接続パッドが連結した複数接続パッドとしても良い。
図１０に示す本変形形態にかかるコンデンサ５００では、上記実施形態３と同様の積層部４１０と第２ビア−側面転換部４３０を有する他、第２複数接続パッド５２４を備えた第１ビア−側面転換部５２０を有する。
第１ビア−側面転換部５２０は、積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層５２１を備え、この転換絶縁層５２１の外表面（図中上面）５２１Ｔには、図１０（ａ）に破線で示す第１接続パッド５２２Ａ、及び第２接続パッド５２２Ｂの２種類の接続パッド５２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド５２２は、前記実施形態３の場合と同様に、直接ＩＣチップのコンデンサ接続端子とそれぞれ面接続させたり、コンデンサ付属配線基板に内蔵させた上で、ＩＣチップなどの電子部品の接続端子と接続させることができる。
【００６５】
第２接続パッド５２２Ｂには、上記実施形態３と同様に、他から独立した独立第２接続パッド５２２ＢＤの他、複数の接続パッドを含む第２複数接続パッド５２４に属する連結第２接続パッド５２２ＢＣの２種類がある。独立第２接続パッド５２２ＢＤは上記実施形態３と同様に、転換ビア導体５２５によって個別に最上第２電極層４０２ＢＵに接続しているが、連結第２接続パッド５２２ＢＣについては、図１０（ｂ）に示すように、複数の連結第２接続パッド５２２ＢＣを含む１つの第２複数接続パッド５２４が、１つの転換ビア導体５２５によって最上第２電極層４０２ＢＵに接続している。
このように複数の連結第２接続パッド５２２ＢＣを含む第２複数接続パッド５２４を形成すると、転換絶縁層５２１に形成する転換ビア導体５２５の数を、形成する第２接続パッド５２２Ｂの数より減少させることができ、コンデンサ５００の形成が容易になる。
【００６６】
（実施形態３）
次いで、他の実施形態について説明する。上記実施形態では、コンデンサはいずれも積層部の他、ビア−側面転換部（第１，第２ビア−側面転換部）を有し、積層部側面に形成された共通電極層のうち一方は側面経由配線層により、他方は転換ビア導体により、面接続可能な第１，第２接続パッドなどに転換された。これに対し、本実施形態では、例えば、図１１に示すように、共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを、いずれも側面経由配線層によって面接続可能な接続パッドに変換する。
即ち、本実施形態にかかるコンデンサ６００は、実施形態１と同様の積層部１１０の他、側面−側面転換部６２０を有する。この側面−側面転換部６２０には、積層部１１０の最上第２電極層１０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層６２１を備え、この転換絶縁層６２１の外表面（図中上方面）６２１Ｔには、図１１に破線で示す第１接続パッド６２２Ａ、及び第２接続パッド６２２Ｂの２種類の接続パッド６２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド６２２は、実施形態１と同様にＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣなどとそれぞれ接続するものである（図２参照）。
【００６７】
さらに、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層６２１の側面６２１Ａ，６２１Ｂを経由して外表面６２１Ｔに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第１側面経由配線層６２３及び第２側面経由配線層６２４を備える。これらの第１側面経由配線層６２３及び第２側面経由配線６２４は、そのうちの一部がそれぞれ上記した第１接続パッド６２２Ａ及び第２接続パッド６２２Ｂとなっている。つまり第１側面経由配線６２３によって、第１接続パッド６２２Ａと一方の共通電極層１０４Ａとが導通している。同じく第２側面経由配線６２４によって、第２接続パッド６２２Ｂと他方の共通電極層１０４Ｂとが導通している。
また、この第１側面経由配線６２３は、図１１に破線で示すように、多数の第１接続パッド６２２Ａを含む、つまり多数の第１接続パッド６２２Ａと同時に接続している。第１接続パッド６２２Ａ毎に、転換絶縁層６２１の側面６２１Ａを経由する側面経由配線で共通電極層６０４Ａと接続させると、形成すべき側面経由配線の数が多くなって各側面経由配線の幅が狭くなり、各側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスが高くなりがちである。しかし、本実施形態の側面経由配線６２３は、同時に多数の第１接続パッド６２２Ａと接続しているので、形成容易で、側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。第２側面経由配線６２４も第２接続パッド６２２Ｂとの関係について同様である。
【００６８】
このようなコンデンサ６００によっても、積層部１１０の側面部分に形成された２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを、面接続可能な接続パッド６２２（６２２Ａ，６２２Ｂ）に転換できたので、コンデンサ６００を直接ＩＣチップＣＨと接続させるなど、ごく短い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のインダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しかも、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを利用し、一方の共通電極層（例えば１０４Ａ）を電源電位に、他方（例えば１０４Ｂ）を接地電位にすることで、コンデンサ１００を利用して、両電位間のノイズを確実に除去することができる。
【００６９】
次いで、コンデンサ６００の製造方法について、図１２を参照して説明する。まず、図１２（ａ）に示すように、実施形態１と同様のＢａＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘電体セラミックグリーンシート１８１を多数製造する。
次いで、このシート１８１のうち１枚について、図１２（ｂ）に示すように、このシート１８１の表面１８１の所定位置に、Ｐｄペーストからなり互いにかみ合った櫛歯状パターン（図１１参照）を有する未焼成導体層６８３，６８４を形成する。
【００７０】
他のシート１８１の半数については、図１２（ｃ）に示すように、実施形態１と同様に、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層１８２Ａを形成する。また、残りの半数については、図１２（ｄ）に示すように、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層１８２Ｂを形成する。未焼成第１電極層１８２Ａ及び未焼成第２電極層１８２Ｂはいずれも、シート１８１の表面１８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層１８２Ａはシート１８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層１８２Ｂはシート１８１の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
【００７１】
次いで、未焼成第１電極層１８２Ａが形成されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成されたシート１８１とを交互に積層し、さらに最も上に、未焼成導体層６８３，６８４形成したシート１８１を積層し圧着して、図１２（ｄ）に示すように、積層体６８６を形成する。この積層体６８６の側面６８６Ａには、未焼成導体層６８３及び未焼成第１電極層１８２Ａが、また側面６８６Ｂには、未焼成導体層６８４及び未焼成第２電極層１８２Ｂが露出する。さらにこの側面６８６Ａ，６８６Ｂに、Ｐｄからなる未焼成共通電極層６８７Ａ，６８７Ｂをそれぞれ形成する。
【００７２】
この積層体６８６では、未焼成共通電極層６８７Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続し、しかも、未焼成導体層６８３とも接続する。一方、未焼成共通電極層６８７Ｂはいずれの未焼成第２電極層１８２Ｂとも接続し、しかも、未焼成導体層６８４とも接続する。
次いで、この積層体１８６を焼成（同時焼成）して、図１１に示すコンデンサ６００を形成する。コンデンサ６００をこのようにして形成したので、実施形態１と同様に焼成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。なお、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣ等との接続時のハンダ濡れ性改善のため、焼成後に、第１側面経由配線層６２３（第１接続パッド６２２Ａ）や第２側面経由配線層６２４（第２接続パッド６２２Ｂ）について、Ｎｉ−Ａｕメッキなどのメッキを施すようにしても良い。
このように、同時焼成によってコンデンサ６００を形成すると、容易かつ安価にコンデンサ６００を形成することができる。さらに、このコンデンサ６００では、シート１８１に未焼成ビア導体１８３を形成する必要が無い（図３（ｂ）参照）ので、実施形態１のコンデンサ１００と比較しても、形成が容易になる。
【００７３】
（実施形態４）
次いで、積層部の積層方向両側（図中上下部）に側面−側面転換部を設け、この側面−側面転換部でＩＣチップ等を面接続できるようにしたコンデンサを示す。即ち、図１３に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ７００は、平面視略正方形板状で、大別して実施形態２と同様の積層部４１０と、この上下に２つの転換部、第１側面−側面転換部７２０と第２側面−側面転換部７３０とを有する。なお、このコンデンサ７００のうち、積層部４１０は実施形態４のコンデンサ４００と同様であり、第１側面−側面転換部７２０は実施形態３のコンデンサ６００の側面−側面転換部６２０と同様であるので、同様な部分については、説明を省略あるいは簡略化する。
【００７４】
積層部４１０は、実施形態４と同様の構造を有し、その積層方向（図中上下方向）に平行な側面４０３Ａ，４０３Ｂには、一対の共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂがそれぞれ形成されている。なお、この積層部４１０のうち積層方向最外側（図中上方及び下方）には、それぞれ一方の共通電極層４０４Ｂと導通する最上第２電極層４０２ＢＵ及び最下第２電極層４０２ＢＳが積層形成されている。
【００７５】
一方、第１側面−側面転換部７２０は、実施形態３のコンデンサ６００における側面−側面転換部６２０と同様である。この第１側面−側面転換部７２０には、積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層７２１を備え、この転換絶縁層７２１の外表面（図中上方面）７２１Ｔには、図１３に破線で示す第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂの２種類の接続パッド７２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド７２２も、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとなどそれぞれ面接続可能となっている（図２参照）。
【００７６】
さらに、２つの共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７２１の側面７２１Ａ，７２１Ｂを経由して外表面７２１Ｔに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第１側面経由配線層７２３及び第２側面経由配線層７２４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂとなっている。つまり第１側面経由配線７２３によって、第１接続パッド７２２Ａと一方の共通電極層４０４Ａとが導通し、同じく第２側面経由配線７２４によって、第２接続パッド７２２Ｂと他方の共通電極層４０４Ｂとが導通している。
また、この第１側面経由配線７２３は、図１３に破線で示すように、多数の第１接続パッド７２２Ａを含み、多数の第１接続パッド７２２Ａと同時に接続している。このように、第１側面経由配線７２３を同時に多数の第１接続パッド７２２Ａと接続させると、形成容易で、第１側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。第２側面経由配線７２４も第２接続パッド７２２Ｂとの関係について同様である。
【００７７】
さらに、本実施形態では、積層部４１０の図中下方に第２側面−側面転換部７３０を有する。この第２側面−側面転換部７３０は、上記第１側面−側面転換部７２０とほぼ同様な構造を有している。即ち、積層部４１０の最下第２電極層４０２ＢＳの積層方向外側（図中下方）に積層された転換絶縁層７３１を備え、この転換絶縁層７３１の外表面（図中下面）７３１Ｖには、図１３（ｂ）下方に破線で示す第３接続パッド７３２Ａ、及び第４接続パッド（図示しない）の２種類の接続パッド７３２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド７３２も、実施形態２と同様に、直接マザーボード等の配線基板のコンデンサ接続端子とそれぞれ面接続する（図８参照）ことができるほか、コンデンサを内蔵するコンデンサ付属配線基板とした上で、樹脂絶縁層等を介してマザーボード等の他の電子部品の接続端子と接続させることもできる。
【００７８】
さらに、２つの共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７３１の側面７３１Ａ，７３１Ｂを経由して外表面７３１Ｖに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第３側面経由配線層７３３及び第４側面経由配線層７３４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドとなっている。つまり第３側面経由配線７３３によって、第３接続パッド７３２Ａと一方の共通電極層４０４Ａとが導通し、同じく第４側面経由配線７３４によって、第４接続パッド（図示しない）と他方の共通電極層４０４Ｂとが導通している。
また、この第３側面経由配線７３３は、図１３（ｂ）に破線で示すように、多数の第３接続パッド７３２Ａを含み、多数の第３接続パッド７３２Ａと同時に接続している。このように、第３側面経由配線７３３を同時に多数の第３接続パッド７３２Ａと接続させると、形成容易で、第３側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。第４側面経由配線７３４も第４接続パッドとの関係について同様である。
【００７９】
本実施形態のコンデンサ７００も、実施形態２のコンデンサ４００と同様に、直接ＩＣチップと接続することができ、さらに第２側面−側面転換部７３０でマザーボード等の配線基板と接続させることができる（図８、図９参照）。
従って、配線基板の内部配線を介することなく、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップＣＨに電源電位及び接地電位を供給することができる。しかも、この電位間に生じるノイズをＩＣチップＣＨのごく近くにおいてコンデンサ７００によって確実に除去することもできる。
あるいは、実施形態２と同様に、コンデンサ７００を内蔵固着したコンデンサ付属配線基板を形成し、コンデンサ７００の接続端子７２２，７３２を、樹脂絶縁層やコア基板等の形成した内部配線を経由して、ＩＣチップＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させることもできる。このようにしても、コンデンサ７００を介して、低抵抗、低インダクタンスで、マザーボードＷＢからＩＣチップＣＨに電源電位や接地電位を供給することができる。また、コンデンサ７００によってＩＣチップＣＨのごく近傍でこれらの間のノイズも除去することができる。
なお、このコンデンサ７００は、実施形態３のコンデンサ６００と同様にして容易に形成することができ、未焼成転換ビア導体を形成する必要がない点でも特に形成が容易である。
【００８０】
（変形形態４）
上記実施形態４では、Ｐｄからなり上面が平坦な第１側面経由配線層７２３、第２側面経由配線層７２４、第３接続パッド７３２Ａ、及び第４接続パッド（図示しない）の一部をそれぞれ接続パッド７２２，７３２として用いたが、例えば、ＩＣチップＣＨのコンデンサ端子ＣＴＣとの接続の際、ハンダが濡れ拡がって接続に寄与するハンダ量が不安定になったり、隣接する接続パッド間でハンダが接触してハンダ量が偏る場合がある。
そこで、例えば本変形形態のコンデンサ８００のように、ＩＣチップや配線基板など他の電子部品との接続の際、ハンダの濡れ拡がりを防止し、隣接する接続パッド間を分離する分離層（ソルダーレジスト層）を形成すると良い。
即ち、図１４に示すコンデンサ８００は、上記実施形態４のコンデンサ７００の上下に、各接続パッド７２２，７３２に対応した位置に透孔８２１Ｈ，８３１Ｈを形成したソルダーレジスト層８２１，８３１をそれぞれ形成したものである。
【００８１】
本変形形態のコンデンサ８００は、積層部４１０の他、上下に２つの転換部、第１側面−側面転換部８２０及び第２側面−側面転換部８３０を有する。
このうち、第１側面−側面転換部８２０は、実施形態４と同じく積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層７２１を備え、この転換絶縁層７２１の外表面７２１Ｔには、図１４に破線で示す第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂの２種類の接続パッド７２２が、格子状に多数形成されている。さらに２つの共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７２１の側面７２１Ａ，７２１Ｂを経由して外表面７２１Ｔに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第１側面経由配線層７２３及び第２側面経由配線層７２４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂとなっている。
【００８２】
さらに、この第１側面経由配線層７２３及び第２側面経由配線層７２４上には、エポキシ樹脂からなり、図１４に破線で示す上記第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂにそれぞれ対応する位置に透孔８２１Ｈが形成されたパターンのソルダーレジスト層８２１が形成されている。
このため、例えば、第１接続パッド７２２Ａや第２接続パッド７２２Ｂと、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとの接続に際して（図８参照）、ハンダが第１接続パッド７２２Ａ等以外の第１側面経由配線層７２３や第２側面経由配線層７２４上に濡れ拡がることが無くなる。
従って、このコンデンサ８００の第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂと他の電子部品との接続に与るハンダ量が安定し、確実に接続することができる。
【００８３】
同様に第２側面−側面転換部８３０も、実施形態４と同じく積層部４１０の最下第２電極層４０２ＢＳの積層方向外側（図中下方）に積層された転換絶縁層７３１を備え、この転換絶縁層７３１の外表面７３１Ｖには、図１４に破線で示す第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッド（図示しない）の２種類の接続パッド７３２が、格子状に多数形成されている。さらに２つの共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７３１の側面７３１Ａ，７３１Ｂを経由して外表面７３１Ｖに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第３側面経由配線層７３３及び第４側面経由配線層７３４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドとなっている。
【００８４】
さらに、この第３側面経由配線層７３３及び第４側面経由配線層７３４上にも、エポキシ樹脂からなり、図１４に破線で示す上記第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドにそれぞれ対応する位置に透孔８３１Ｈが形成されたパターンのソルダーレジスト層８３１が形成されている。
このため、例えば、第３接続パッド７３２Ａや第４接続パッドと、マザーボードＷＢのコンデンサ接続端子ＷＴＷとの接続に際して（図８参照）、ハンダが第３接続パッド７３２Ａ等以外の第３側面経由配線層７３３や第４側面経由配線層７３４上に濡れ拡がることが無くなる。
従って、このコンデンサ８００の第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドと他の電子部品との接続に与るハンダ量が安定し、確実に接続することができる。
【００８５】
なお、このコンデンサ８００は、コンデンサ７００を形成した後、所定パターンの樹脂ペーストの塗布や、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ技術により透孔８２１Ｈや８３１Ｈを有するソルダーレジスト層８２１，８３１を形成するなど公知の手法によれば良い。
また、上記変形形態では、ソルダーレジスト層８２１，８３１を、円形の透孔８２１Ｈ，８３１Ｈの部分を除き、コンデンサ７００の上下の略全面に形成したが、ソルダーレジスト層は、ハンダの濡れ拡がりを防止し、隣接する接続パッド間を分離できれば良く、略全面に形成する必要はない。また、透孔の形状も円形とは限らず、正方形状等適宜の形状とすることができる。但し、個々の接続パッド７２２等に対応する開口の面積を互いに等しくするのが好ましい。ハンダの濡れ拡がる面積を一定にすることで、接続に与るハンダ量を均一にできるからである。
【００８６】
（実施形態５）
次いで、さらに他の実施形態について説明する。上記実施形態では、コンデンサはいずれも積層部の他、ビア−側面転換部あるいは側面−側面転換部を有していた。これに対し、本実施形態では、例えば、図１５に示すように、共通電極層９０４Ａ，９０４Ｂを、いずれも転換ビア導体によって面接続可能な接続パッドに変換する。
即ち、本実施形態にかかるコンデンサ９００は、積層部９１０の他、ビア−ビア転換部９２０を有する。
このうち積層部９１０は、実施形態１の積層部１１０とほぼ同様の構造を有し、多数の誘電体層９０１と電極層９０２とが交互に積層した略正方形板状の積層セラミックコンデンサ構造の積層体９０３を有する。さらに、この積層体９０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面９０３Ａ，９０３Ｂには、各電極層９０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層９０４Ａ，９０４Ｂがそれぞれ形成されている。つまりこの積層部９１０も、従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされている。なお、この積層部９１０のうち積層方向最外側（図中上方）には、一方の共通電極層９０４Ａと導通する最上第１電極層９０２ＡＵが積層形成されている。
【００８７】
一方、ビア−ビア転換部９２０には、積層部９１０の最上第１電極層９０２ＡＵの積層方向外側（図中上方）に積層された第１転換絶縁層９２１、及びさらにその外側（図中上方）に積層された第２転換絶縁層９２２を備える。この２つの転換絶縁層９２１，９２２の間には、転換電極層９２３が形成されている。また、この第２転換絶縁層９２２の外表面（図中上方面）９２２Ｔには、第１接続パッド９２４Ａ及び第２接続パッド９２４Ｂの２種類の接続パッド９２４が、格子状に多数形成されている。この接続パッド９２４は、実施形態１と同様にＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣなどとそれぞれ接続するものである（図２参照）。
さらに、第１接続パッド９２４Ａは、第１転換絶縁層９２１及び第２転換絶縁層９２２を貫通する第１転換ビア導体９２５によって、最上第１電極層９０２ＡＵを通じて一方の共通電極層９０４Ａに接続している。また、第２接続パッド９２３Ｂは、第２転換絶縁層９２２を貫通する第２転換ビア導体９２６によって転換電極層９２３に接続しており、この転換電極層９２３は、他方の共通電極層９０４Ｂがビア−ビア転換部９２０に延出した延在電極層９２７に接続している。つまり、第２接続パッド９２３Ｂは、他方の共通電極層９０４Ｂと導通している。
【００８８】
従って、このコンデンサ９００においても、図中上方から第１接続パッド９２４Ａ及び第２接続パッド９２４Ｂによって、２つの共通電極９０４Ａ，９０４Ｂを引き出すことができる。従って、前記コンデンサ１００と同様に（図２参照）、このコンデンサ９００とＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとを面接続によって直接接続させることができる。つまり、ごく短い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のインダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しかも、接続したＩＣチップＣＨにおいて、２つの共通電極層９０４Ａ，９０４Ｂを利用し、一方の共通電極層を電源電位に、他方を接地電位にすることで、コンデンサ９００を利用して、両電位間のノイズを確実に除去することができる。さらに、ＩＣチップＣＨ内の電源電位や接地電位が必要な各所に、コンデンサ接続端子ＣＴＣを通じて、コンデンサ９００から低抵抗、低インダクタンスで電源電位や接地電位を供給することができる。
【００８９】
なお、上記では、格子状に配置された接続パッド９２４のうち、いずれが第１転換ビア導体９２５を経由して最上第１電極層９０２ＡＵに接続する第１接続パッド９２４Ａで、いずれが第２転換ビア導体９２６を経由して転換電極層９２３に接続しする第２接続パッド９２４Ｂであるか説明しなかった。接続するＩＣチップ等に応じて適宜の配置とすればよいからである。
しかし、格子状に配置した接続パッド９２４が、第１転換ビア導体９２５及び第２転換ビア導体と交互に接続するように配置すると良い。即ち、第１転換ビア導体９２５に接続する第１接続パッド９２４Ａと、第２転換ビア導体９２６に接続する第２接続パッド９２４Ｂとが、格子上の各点に交互に並ぶように、第１転換ビア導体９２５及び第２転換ビア導体９２６を形成すると良い。
【００９０】
例えば、このようにしたコンデンサ９００の一方の共通電極層９０４Ａに＋電位を、他方の共通電極層９０４Ｂに−電位（接地電位）を接続すると、図１６（ａ）（ｂ）に示すように、第１電極層９０２Ａ及び第１転換ビア導体９２５が＋電位となり、第２電極層９０２Ｂ、転換電極層９２３及び第２転換ビア導体９２６が−電位となる。さらに、第１接続パッド９２４Ａが＋電位に、第２接続パッド９２４Ｂが−電位になり、図１６（ａ）に示すように、接続パッド９２４について、＋電位と−電位が交互に格子上の各点に並んだ状態に見える。
このようにすると、図１６（ｃ）に矢印で示すように、第１転換ビア導体９２５から流れ出る電流Ｉ１と、第２転換ビア導体９２６に流れ込む電流Ｉ２の向きがちょうど逆向きとなるため、この電流によって第１転換ビア導体９２５と第２転換ビア導体９２６の周りに発生する磁界が打ち消しあう。このため、第１転換ビア導体９２５及び第２転換ビア導体９２６に生じるインダクタンスが低減され、ひいては、コンデンサ９００のインダクタンスを低減させることができる。従って、このように配置したコンデンサ９００では、更に低インダクタンスとなって、ノイズを有効に除去することができる。
【００９１】
次いで、コンデンサ９００の製造方法について、図１７を参照して説明する。まず、図１７（ａ）に示すように、実施形態１と同様の高誘電体セラミックグリーンシート１８１を多数製造する。
次いで、このシート１８１のうち１枚については、図１７（ｂ）に示すように、このシート１８１の所定位置に、Ｐｄペーストからなり、表面１８１Ｔ及び裏面１８１Ｖ間を貫通する第１未焼成ビア導体９８１及び第２未焼成ビア導体９８２を形成する。さらに、表面１８１Ｔのうちこれらの未焼成ビア導体９８１，９８２に接続する位置に、Ｐｄペーストからなる第１未焼成接続パッド９８３及び第２未焼成接続パッド９８４を形成する。
また、このシート１８１のうち他の１枚については、図１７（ｃ）に示すように、このシート１８１のうち上記第１未焼成ビア導体９８１に対応する位置に、Ｐｄペーストからなり、表面１８１Ｔ及び裏面１８１Ｖ間を貫通する第３未焼成ビア導体９８５を形成する。さらに、表面１８１Ｔのうち、この第３未焼成ビア導体９８５に接続する位置にＰｄペーストからなる未焼成カバーパッド９８６を、また、その余の部分に未焼成転換電極層９８７を形成する。この未焼成カバーパッド９８６は、上記した第１未焼成ビア導体９８１と第３未焼成ビア導体９８５と間に介在して両者間を確実に接続するための役割を有する。
【００９２】
他のシート１８１のうち半数については、図１７（ｄ）に示すように、実施形態１と同様にその表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層１８２Ａを形成する。また、残りの半数については、図１７（ｅ）に示すように実施形態１と同様、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層１８２Ｂを形成する。未焼成第１電極層１８２Ａ及び未焼成第２電極層１８２Ｂはいずれも、シート１８１の表面１８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層１８２Ａはシート１８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層１８２Ｂはシート１８１の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
【００９３】
次いで、未焼成第１電極層１８２Ａが形成されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成されたシート１８１とを交互に積層する。これらの上に、未焼成転換電極層９８７や第３未焼成ビア導体９８５が形成されたシート１８１を積層し、さらに第１未焼成接続パッド９８３や第２未焼成接続パッド９８４が形成されたシート１８１を積層し、圧着して、図１７（ｆ）に示すように、積層体９８８を形成する。この積層体９８８の側面９８８Ａには未焼成第１電極層１８２Ａが、また側面９８８Ｂには未焼成第２電極層１８２Ｂ及び未焼成転換電極層９８７が、露出する。さらにこの側面９８８Ａ，９８８Ｂに、Ｐｄからなる未焼成共通電極層９８９Ａ，９８９Ｂをそれぞれ形成する。なお、未焼成共通電極層９８９Ｂは未焼成転換電極層９８７とも接続するように形成する。
【００９４】
この積層体９８８では、未焼成共通電極層９８９Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続し、しかも、そのうち積層方向最外側（図中最上）の最上未焼成第１電極層１８２ＡＵ、第３未焼成ビア導体９８５、未焼成カバーパッド９８６，第１未焼成ビア導体９８１を経由して第１未焼成接続パッド９８３とも接続する。一方、未焼成共通電極層９８８Ｂは、いずれの未焼成第２電極層１８２Ｂとも接続し、しかも、未焼成転換電極層９８７、第２未焼成ビア導体９８２を経由して第２未焼成接続パッド９８４とも接続する。
次いで、この積層体９８８を焼成（同時焼成）して、図１５に示すコンデンサ９００を形成する。コンデンサ９００をこのようにして形成したので、コンデンサ１００と同様、焼成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。なお、ハンダ濡れ性改善のため、焼成後に、第１接続パッド９２４Ａ及び第２接続パッド９２４Ｂについて、Ｎｉ−Ａｕメッキなどのメッキを施すようにしても良い。
このように、同時焼成によって形成すると、容易かつ安価にコンデンサ９００を形成することができる。
【００９５】
（変形形態５）
上記実施形態５では、積層部９１０とビア−ビア転換部９２０とを有するコンデンサ９００を同時焼成によって形成した。しかし、先に積層部を形成した後にビア−ビア転換部を形成して同様な構造のコンデンサとすることもできる。
本変形形態のコンデンサ１０００は、上記コンデンサ９００とは製造方法が異なり、前記変形形態１と同様にレーザを用いるが、コンデンサの構造やＩＣチップＣＨ等と接続した場合の利点は変わらないので、同様の部分についての説明を省略あるいは簡略化する。
【００９６】
本変形形態のコンデンサ１０００の製造方法としては、前記変形形態１と同様にして、未焼成第１電極層１８２Ａが形成されたシート１８１（図１７（ｄ）参照）と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成されたシート１８１（図１７（ｅ）参照）とを交互に積層し、さらに未焼成共通電極層９８９Ａ，９８９Ｂ形成後に同時焼成して、まず積層部１０１０を形成する。
続いて、この積層部１０１０上にビア−ビア転換部１０２０を形成する。まず図１８（ａ）に示すように、最上第１電極層１００２ＡＵの上面１００２ＡＵＴ及びこの最上第１電極層１００２ＡＵの直下に位置する最上誘電体層１００１Ｕの上面１００１ＵＴのうち露出部分（図中右端部分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる第１転換絶縁層１０２１を形成する。具体的には、フィルム状の未硬化樹脂を貼り付け、硬化させて形成する。
【００９７】
次いで、図１８（ｂ）に示すように、この第１転換絶縁層１０２１の所定位置に、レーザにより最上第１電極層１００２ＡＵまで届く貫通孔１０２１Ｈを形成する。
その後、図１８（ｃ）に示すように、貫通孔１０２１Ｈ内、第１転換絶縁層１０２１の上面１０２１Ｔ、及び共通電極層１００４Ｂに近い第１転換絶縁層１０２１の側面１０２１Ｂに、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを充填・塗布し硬化させて、第３転換ビア導体１０２２、延在電極層１０２３Ｂを含む転換電極層１０２３、及びカバーパッド１０２４を形成する。
【００９８】
さらに、図１８（ｄ）に示すように、これらの上に第２転換絶縁層１０２５を形成する。
この第２転換絶縁層１０２５のうち転換電極層１０２３及びカバーパッド１０２４に対応する所定位置に、図１８（ｅ）に示すように、同じくレーザにより貫通孔１０２５Ｈを穿孔する。
さらに、貫通孔１０２５Ｈ内及び転換絶縁層１０２５の上面１０２５Ｔに、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを充填・塗布し硬化させて、第１転換ビア導体１０２６、第２転換ビア導体１０２７、第１接続パッド１０２８Ａ、及び第２接続パッド１０２８Ｂを形成してビア−ビア転換部１０２０とする。
これによりコンデンサの機能を有する積層部１０１０と、２つの共通電極層１００４Ａ，１００４Ｂを面接続可能な第１接続パッド１０２８Ａ及び第２接続パッド１０２８Ｂに転換するビア−ビア転換部１０２０とを有するコンデンサ１０００が形成される。このコンデンサ１０００は、前記コンデンサ９００と同様に、ＩＣチップＣＨ等に直接面接続でき、ノイズ除去や各部への電位供給の役割を果たさせることができる。
また、前記変形形態２と同様に、フォトリソグラフィ技術を用いて貫通孔を有する転換絶縁層を形成したり、メッキ技術によって転換ビア導体や接続パッド等を形成することもできる。
【００９９】
（実施形態６）
上記実施形態５及び変形形態５では、積層部の積層方向片側（図中上部）にビア−ビア転換部を設け、このビア−ビア転換部でＩＣチップ等を面接続できるようにしたコンデンサを示したが、ビア−ビア転換部は積層部の積層方向両側に設けても良い。即ち、図１９に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ１１００は、平面視略正方形板状で、大別して積層部１１１０と、この上下に２つの転換部、第１ビア−ビア転換部１１２０と第２ビア−ビア転換部１１３０とを有する。なお、このコンデンサ１１００は、転換部を２つ備える点を除き、実施形態５のコンデンサ９００とほぼ同様であるので、同様な部分については、説明を省略あるいは簡略化する。
【０１００】
積層部１１１０は、実施形態５と同様に多数の誘電体層１１０１と電極層１１０２とを交互に積層した略正方形板状の積層体１１０３を有する。さらに、この積層体１１０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面１１０３Ａ，１１０３Ｂには、各電極層１１０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂがそれぞれ形成されている。なお、この積層部１１１０のうち積層方向最外側（図中上方及び下方）には、それぞれ一方の共通電極層４０４Ａと導通する最上第１電極層１１０２ＡＵ及び最下第１電極層１１０２ＡＳが積層形成されている。
【０１０１】
また、第１ビア−ビア転換部１１２０も、実施形態５におけるビア−ビア転換部９２０と同様である。即ち、第１ビア−ビア転換部１１２０には、積層部１１１０の最上第１電極層１１０２ＡＵの積層方向外側（図中上方）に積層された第１転換絶縁層１１２１、さらにその外側の第２転換絶縁層１１２２を備える。この間には第１転換電極層１１２３が形成されている。この第２転換絶縁層１１２２の外表面１１２２Ｔには、ＩＣチップのコンデンサ接続端子等に対応する位置に、第１接続パッド１１２４Ａ及び第２接続パッド１１２４Ｂの２種類の接続パッド１１２４が、格子状に多数形成されている。
さらに、第１接続パッド１１２４Ａは、第１転換絶縁層１１２１及び第２転換絶縁層１１２２を貫通する第１転換ビア導体１１２５によって、最上第１電極層１１０２ＡＵを通じて一方の共通電極層１１０４Ａに接続している。また、第２接続パッド１１２４Ｂは、第２転換絶縁層１１２２を貫通する第２転換ビア導体１１２６によって第１転換電極層１１２３に接続し、さらに上部延在電極層１１２７によって他方の共通電極層１１０４Ｂに接続している。
【０１０２】
さらに、本実施形態のコンデンサ１１００では、第２ビア−ビア転換部１１３０を有する。この第２ビア−ビア転換部１１３０は、第１ビア−ビア転換部１１２０と概略同様な構造であり、積層部１１１０の最下第１電極層１１０２ＡＳの積層方向外側（図中下方）に積層された第３転換絶縁層１１３１、さらにその外側の第４転換絶縁層１１３２を備える。この間には第２転換電極層１１３３が形成されている。この第４転換絶縁層１１３２の外表面１１３２Ｖには、マザーボードのコンデンサ接続端子等に対応する位置に、第３接続パッド１１３４Ａ及び第４接続パッド１１３４Ｂの２種類の接続パッド１１３４が、格子状に多数形成されている。
さらに、第３接続パッド１１３４Ａは、第３転換絶縁層１１３１及び第４転換絶縁層１１３２を貫通する第３転換ビア導体１１３５によって、最下第１電極層１１０２ＡＳを通じて一方の共通電極層１１０４Ａに接続している。また、第４接続パッド１１３４Ｂは、第４転換絶縁層１１３２を貫通する第４転換ビア導体１１３６によって第２転換電極層１１３３に接続し、さらに下部延在電極層１１３７によって他方の共通電極層１１０４Ｂに接続している。
【０１０３】
従って、このコンデンサ１１００では、実施形態５と同様に、例えばＩＣチップと直接接続することができ、さらに第２ビア−ビア転換部１１３０でマザーボード等の配線基板と接続させることができる。つまり、実施形態２のコンデンサ４００と同様、マザーボードＷＢとＩＣチップＣＨとの間に貫通孔内にコンデンサを有するコンデンサ付属配線基板を介在させるようにして、両者間を接続することができる（図８、図９参照）。
従って、配線基板の内部配線を介することなく、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップＣＨに電源電位及び接地電位を供給することができる。しかも、この電位間に生じるノイズをＩＣチップＣＨのごく近くにおいてコンデンサ１１００によって確実に除去することもできる。
【０１０４】
あるいは、コンデンサ１１００を内蔵固着したコンデンサ付属配線基板を形成し、コンデンサ１１００の接続パッド１１２４，１１３４を、樹脂絶縁層やコア基板等の形成した内部配線を経由して、ＩＣチップＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させることもできる。このようにしても、コンデンサ１１００を介して、低抵抗、低インダクタンスで、マザーボードＷＢからＩＣチップＣＨに電源電位や接地電位を供給することができる。また、コンデンサ１１００によってＩＣチップＣＨのごく近傍でこれらの間のノイズも除去することができる。
なお、このコンデンサ１１００は、実施形態５のコンデンサ９００と同様に同時焼成により、あるいは、変形形態５のコンデンサ１０００と同様にして樹脂製の転換絶縁層を形成しレーザによって穿孔するなどの手法により形成することができる。
コンデンサ１１００では、側面経由配線層を形成せず、各接続パッド１１２４，１１３４と共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂと転換ビア導体１１２５等を介して接続するので、ＩＣチップやマザーボード等の接続端子の位置に合わせて接続パッド１１２４，１１３４を容易に形成できる。
【０１０５】
なお、本実施形態６においても、上記実施形態５における接続パッド９２４、第１転換ビア導体９２５、及び第２転換ビア導体９２６と同様に、格子状に配置した接続パッド１１２４が、第１転換ビア導体１１２５及び第２転換ビア導体１１２６と交互に接続するように配置すると良い。各ビアにおいてインダクタンスを低減できるからである。さらに、格子状に配置した接続パッド１１３４が、第３転換ビア導体１１３５及び第４転換ビア導体１１３６と交互に接続するように配置すると良い。これらのビアにおいてもインダクタンスを低減でき、コンデンサ１１００のインダクタンスをより低くできるからである。
【０１０６】
以上において、本発明を実施形態及び変形形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態等に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態等では、誘電体層１０１等にＢａＴｉＯ3を主成分とする高誘電体セラミックを用いたが、誘電体層の材質はこれに限定されず、例えば、ＰｂＴｉＯ3，ＰｂＺｒＯ3，ＴｉＯ2，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＭｇＴｉＯ3，ＫＮｂＯ3，ＮａＴｉＯ3，ＫＴａＯ3，ＲｂＴａＯ3，（Ｎａ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3，Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3，（Ｋ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3などが挙げられ、要求されるコンデンサの静電容量その他に応じて適宜選択すればよい。
また、電極層１０２等や共通電極層１０４等、側面経由配線層１２３等、転換ビア導体１２５等に、Ｐｄを用いたが、誘電体層の材質等との適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙げられる。
【０１０７】
変形形態１等では、転換絶縁層２０５等に、エポキシ樹脂を用いたが、耐熱性、パターン成形性等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げられる。
また、側面経由配線層２０６、転換ビア導体２０７、第２接続パッド２０８等を、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを充填塗布して形成したが、他の材質の導電性ペーストを用いて形成しても良い。
また、変形形態２等では、側面経由配線層３０６、転換ビア導体３０７、第２接続パッド３０８等を無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキによって形成したが、その他の材質、例えば、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良い。
【０１０８】
上記実施形態１等では、側面経由配線層１２３等が、多数の第１接続パッド１２２Ａを含み、複数接続パッドとなっているものを示したが、ここの第１接続パッドと共通電極層とをそれぞれ接続する側面経由配線としても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】実施形態１にかかり、一方（図（ｂ）中上方）にビア−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図２】コンデンサを収納する貫通孔を有する配線基板と、この貫通孔内に収容された実施形態１にかかるコンデンサからなるコンデンサ付属配線基板の説明図である。
【図３】実施形態１にかかるコンデンサの製造方法を説明する説明図である。
【図４】変形形態１にかかるコンデンサの製造方法のうち積層部を形成するまでを説明する説明図である。
【図５】変形形態１にかかるコンデンサの製造方法のうちビア−側面転換部をレーザ孔空けによって形成する工程を説明する説明図である。
【図６】変形形態２にかかるコンデンサの製造方法のうちビア−側面転換部をフォトリソグラフィ技術によって形成する工程を説明する説明図である。
【図７】実施形態２にかかり、両側（図中上下）にビア−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図８】実施形態２にかかるコンデンサを貫通孔内に収容したコンデンサ付属配線基板の説明図である。
【図９】図８のコンデンサ付属配線基板に収容したコンデンサの接続回路図である。
【図１０】変形形態３にかかり、接続パッドの一部を複数接続パッドとしたビア−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１１】実施形態３にかかり、一方（図（ｂ）中上方）に側面−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１２】実施形態３にかかるコンデンサの製造方法を説明する説明図である。
【図１３】実施形態４にかかり、両側（図中上下）に側面−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１４】変形形態４にかかり、図１３のコンデンサの上下に円形の開口を有する分離層を形成したコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１５】実施形態５にかかり、一方（図（ｂ）中上方）にビア−ビア転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１６】実施形態５のコンデンサにかかり、一方の共通電極層に＋電位を他方の共通電極に−電位を接続したときの様子を示す説明図である。
【図１７】実施形態５にかかるコンデンサの製造方法を説明する説明図である。
【図１８】変形形態５にかかるコンデンサの製造方法のうち積層部上にレーザ孔空けを用いてビア−ビア転換部を形成する工程を説明する説明図である。
【図１９】実施形態６にかかり、両側（図中上下）にビア−ビア転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図２０】従来の積層セラミックコンデンサの構造を示す断面説明図である。
【図２１】コンデンサを上面や下面に搭載した従来の配線基板におけるコンデンサ接続配線の様子を説明する説明図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００，９０，１０００，１１００  コンデンサ
１１０，２１０，３１０，４１０，５１０，６１０，７１０，８１０，９１０，１０１０，１１１０  積層部
１２０，２２０，３２０，４２０，４３０，５２０  ビア−側面転換部
６２０，７２０，７３０，８２０，８３０  側面−側面転換部
９２０，１０２０，１１２０，１１３０  ビア−ビア転換部
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１，７０１，８０１，９０１，１００１，１１０１  誘電体層
１０２，２０２，４０２，９０２，１０２１，１１０２  電極層
１０３，２０３，４０３，９０３，１１０３  積層体
１０４，２０４，３０４，４０４，５０４，６０４，７０４，８０４，９０４，１００４，１１０４  共通電極層
１２１，２０５，３０５，４２１，４３１，５２１，６２１，７２１，７３１，９２１，９２２，１０２１，１０２５，１１２１，１１２２，１１３１，１１３２  転換絶縁層
１２２，２０８，３０６Ｐ，３０８，４２２，４３２，５２２，５２４，６２２，７２２，７３２，９２４，１０２８、１１２４，１１３４  接続パッド
１２５，２０７，３０７，５２５，９２５，９２６，１０２２，１０２６，１０２７，１１２５，１１２６，１１３５，１１３６転換ビア導体
ＣＨ  ＩＣチップ（接続対象部材）
ＣＴＣ  コンデンサ接続端子
１５０  コンデンサ付属配線基板
ＷＢ  マザーボード（接続対象部材）
【図１】
2006157031.tif 000003
【図２】
2006157031.tif 000004
【図３】
2006157031.tif 000005
【図４】
2006157031.tif 000006
【図５】
2006157031.tif 000007
【図６】
2006157031.tif 000008
【図７】
2006157031.tif 000009
【図８】
2006157031.tif 000010
【図９】
2006157031.tif 000011
【図１０】
2006157031.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2006157031.tif 000014
【図１３】
2006157031.tif 000015
【図１４】
2006157031.tif 000016
【図１５】
2006157031.tif 000017
【図１６】
2006157031.tif 000018
【図１７】
2006157031.tif 000019
【図１８】
2006157031.tif 000020
【図１９】
2006157031.tif 000021
【図２０】
2006157031.tif 000022
【図２１】
2006157031.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月6日(2006.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層された積層コンデンサ部と、
上記積層コンデンサ部の積層方向外側に積層された絶縁層と、
上記絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、それぞれ接続対象部材の接続端子と面接続可能な接続パッド複数と、
を備えるコンデンサであって、
上記接続パッドのうち少なくともいずれかは、接続させる上記接続対象部材の接続端子のうち複数の接続端子と面接続可能な複数接続パッドである
コンデンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のコンデンサであって、
前記接続パッドのうち、
前記積層コンデンサ部の一方の極に導通する第１接続パッドは、いずれも互いに連結して前記複数接続パッドをなし、
上記積層コンデンサ部の他方の極に導通する第２接続パッドは、いずれも互いに独立してなる
コンデンサ。
【請求項３】
請求項１に記載のコンデンサであって、
前記接続パッドのいずれもが、前記複数接続パッドをなす
コンデンサ。
【請求項４】
請求項１または請求項３に記載のコンデンサであって、
前記絶縁層の前記外表面に、
前記積層コンデンサ部の一方の極に導通する第１配線層、及び、
上記積層コンデンサ部の他方の極に導通する第２配線層を有し、
上記第１配線層と第２配線層とは、互いに絶縁されながらも互いにかみ合ったパターンをなし、
上記第１配線層及び第２配線層の一部が、それぞれ、前記接続パッドをなすと共に、これらが互いに連結して前記複数接続パッドとされてなる
コンデンサ。
【請求項５】
請求項３に記載のコンデンサであって、
前記接続パッドのうち、
前記積層コンデンサ部の一方の極に導通する第１接続パッドは、いずれも、互いに連結して前記複数接続パッドのうち１または複数の第１複数接続パッドをなし、
上記積層コンデンサ部の他方の極に導通する第２接続パッドは、いずれも、互いに連結して上記複数接続パッドのうち１または複数の第２複数接続パッドをなし、
上記第１複数接続パッドは、複数の上記第１接続パッドが一列に並んで、直線状に延びる形態を有し、
上記第２複数接続パッドは、複数の上記第２接続パッドが一列に並んで、直線状に延びる形態を有し、
上記第１複数接続パッドと上記第２複数接続パッドとが、互いに絶縁されつつ、交互に並んで配置されてなる
コンデンサ。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のコンデンサであって、
少なくとも、前記複数接続パッド、または、前記第１複数接続パッド及び第２複数接続パッドの表面上には、その表面を、これに接続させる前記接続対象部材の複数の接続端子がそれぞれ１つずつ接続可能な複数の領域に分離する分離層を備える
コンデンサ。
【請求項７】
請求項６に記載のコンデンサであって、
前記分離層により分離される前記複数の領域は、いずれも等しい面積を有する
コンデンサ。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のコンデンサであって、
前記複数接続パッド、または、前記第１複数接続パッド及び第２複数接続パッドは、ビア導体を介して、前記電極層に接続されてなる
コンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサでありながら、他の部材と面接続可能な接続パッドを有するコンデンサに関する。具体的には、例えば、ＩＣチップ、これを搭載した中継基板やＣＳＰ（チップスケールパッケージ）等の配線基板、マザーボード等の配線基板などの電子部品の接続面に設けたバンプやパッド等の多数の接続端子と、あるいはコンデンサ内蔵配線基板などコンデンサ内蔵電子部品のための電子部品における内蔵コンデンサ用接続端子などと面接続可能なコンデンサに関する。また、２つの電子部品の間に介在させて、コンデンサの両極をいずれの電子部品にも接続可能なコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、図２０に示すように、ＢａＴｉＯ3等の高誘電率セラミックを誘電体層１として用い、この誘電体層１と電極層２とを交互に積層した積層体３を形成し、各電極層２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層４Ａ，４Ｂを積層体３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面３Ａ，３Ｂにそれぞれ形成した積層セラミックコンデンサ１０が知られている。この積層セラミックコンデンサ１０は、小型で、比較的大きな静電容量とすることができ、高周波特性が良好で、長寿命であることから、各種の電子機器に多数用いられている。
【０００３】
例えば、ＩＣチップの高速動作に伴い、電源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすことがあるので、このノイズ除去のためのデカップリングコンデンサとして積層セラミックコンデンサを用いることがある。即ち、例えば図２１に示すように、ＩＣチップ１１を搭載する配線基板１２の上面１２Ａあるいは下面１２Ｂに、別途、一対の共通電極層４Ａ，４Ｂを持つ積層セラミックコンデンサからなるチップコンデンサ１０を搭載し、コンデンサ１０の２つの側面にそれぞれ形成された共通電極層４Ａ，４Ｂとそれぞれ接続するコンデンサ接続配線１４を配線基板１２の内部に設ける。これにより、コンデンサ接続配線１４及びフリップチップパッド１５を経由してチップコンデンサ１０をＩＣチップ１１に接続することが行われている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、ＩＣチップ１１内では、各所において電源電位や接地電位が必要となるため、ＩＣチップやこれに対応する配線基板に形成されるパッドやバンプ等の接続端子のうちの多数、時には半数近くが電源電位や接地電位用の接続端子とされる。
しかしながら、一般に、コンデンサ１０は、一対の共通電極層４Ａ，４Ｂを有するのみであるため、このコンデンサ１０を直接ＩＣチップ１１の接続端子と直接接続させることはできない。そこで、このコンデンサ１０の共通電極層４Ａ，４ＢとＩＣチップ１１の接続端子との間を複雑な経路を通るコンデンサ接続配線１４でそれぞれの接続端子と接続することとなる。さらに、他の配線等に制限されて、ＩＣチップ１１とチップコンデンサ１０とを結ぶコンデンサ接続配線１４の長さが長く、また細くなりやすいため、コンデンサ接続配線１４自身の持つ抵抗やインダクタンスが大きくなりがちで、低抵抗、低インダクタンスの要請に十分に応えられない。
また、コンデンサ１０の図中上方に、さらに他の電子部品を搭載し、さらにこれとコンデンサを接続することも困難である。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、接続対象部材の接続端子、例えば、ＩＣチップや配線基板等の電子部品の接続端子や、コンデンサ内蔵電子部品に用いる電子部品における内蔵コンデンサ用接続端子などと面接続可能なコンデンサ、また、２つの電子部品の間に介在させて、コンデンサの両極をいずれの電子部品にも接続可能なコンデンサにおいて、さらに、接続対象部材の接続端子数に比較して、これに接続する各パッドと電極層とを導通させる配線の数を減らしたコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そしてその解決手段は、高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層された積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部の積層方向外側に積層された絶縁層と、上記絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、それぞれ接続対象部材の接続端子と面接続可能な接続パッド複数と、を備えるコンデンサであって、上記接続パッドのうち少なくともいずれかは、接続させる上記接続対象部材の接続端子のうち複数の接続端子と面接続可能な複数接続パッドであるコンデンサである。
【０００７】
本発明のコンデンサでは、接続パッドのうち少なくともいずれかが複数接続パッドとされている。このようにコンデンサに複数接続パッドを形成すると、つまり、コンデンサの１つのパッドに複数の接続端子が接続されるようにすると、このコンデンサと接続させる接続端子数に比較してパッド数（接続パッド及び複数接続パッドの総数）を減らすことができる。これにより、各パッドと電極層とを導通させる配線の数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を減らすことができる。従って、さらに製造容易となり安価にでき、コンデンサの信頼性も向上させることができる。
【０００８】
なお、本発明のコンデンサと接続させる接続対象部材としては、例えば、ＩＣチップ、これを搭載した中継基板やＣＳＰ等の配線基板、ＩＣチップの他にもトランジスタ等の能動部品や抵抗等の受動部品を搭載した配線基板、マザーボード等の配線基板、多数の接続端子が形成された抵抗アレイなどの電子部品が挙げられる。また本発明のコンデンサを、コンデンサ内蔵配線基板などのコンデンサ内蔵電子部品における内蔵コンデンサとして用いる場合には、内蔵したコンデンサと接続させるパッドやバンプなどを有するコア基板などの内蔵用部材、ビア導体やパッド、バンプなどを有するビルドアップ絶縁層等の部材も含まれる。
また、接続対象部材の接続端子には、例えばパッド、バンプ、ピン、ビア導体などが挙げられる。
【０００９】
さらに、面接続とは、接続対象部材、例えば電子部品の接続面内の各所に形成された接続端子と、これに対応してコンデンサの接続パッド形成面内の各所に形成された接続パッドとを、電子部品の接続面とコンデンサの接続パッド形成面とを対向させて、直接、あるいはハンダや導電性樹脂、異方性導電性シート等によって、電気的に接続するなど、コンデンサの接続パッド形成面内に形成した各接続パッドと接続対象部材の接続端子とを対向させてこれらの間を導通させる接続を指す。例えば、ＩＣチップの接続面に格子状に形成した多数のハンダバンプと、コンデンサの接続パッド形成面に格子状に形成した接続パッドとを、ハンダバンプを溶融させてパッドにハンダ付けして接続する場合、あるいは、接続パッドに形成した低温ハンダバンプを溶融させて、ＩＣチップのハンダバンプに溶着させて接続する場合などが挙げられる。また、配線基板内にコンデンサを内蔵する場合には、例えば、コンデンサの接続パッド形成面上に絶縁層を形成し、その絶縁層を貫通してコンデンサの接続パッドと直接接続するビア導体を形成する場合などが挙げられる。
【００１０】
なお、このコンデンサは、積層コンデンサ部、転換部共に同時焼成によって形成されてなるものとすると良い。焼成によって一挙に形成できるため、コンデンサを安価に形成できるからである。
また、コンデンサの接続パッドには、ハンダや導電性樹脂を盛り上げてバンプとしても良い。
【００１１】
さらに、上記コンデンサであって、前記接続パッドのうち、前記積層コンデンサ部の一方の極に導通する第１接続パッドは、いずれも互いに連結して前記複数接続パッドをなし、上記積層コンデンサ部の他方の極に導通する第２接続パッドは、いずれも互いに独立してなるコンデンサとすると良い。
なお、第１接続パッドを連結してなる複数接続パッドは、１つ即ち第１接続パッドすべてが互いに連結したパターンの複数接続パッドであっても良いし、複数の複数接続パッドからなっていても良い。
【００１２】
あるいは、前述のコンデンサであって、前記接続パッドのいずれもが、前記複数接続パッドをなすコンデンサとすると良い。
【００１３】
このように接続パッドがすべて複数接続パッドをなすようにすると、形成するパッド（複数接続パッド）の数を十分少なくできるので、各複数接続パッドと電極層とを導通させる配線の数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を少なくできるので、製造が容易となる。
【００１４】
さらに、前述の請求項１または請求項３に記載のコンデンサであって、前記絶縁層の前記外表面に、前記積層コンデンサ部の一方の極に導通する第１配線層、及び、上記積層コンデンサ部の他方の極に導通する第２配線層を有し、上記第１配線層と第２配線層とは、互いに絶縁されながらも互いにかみ合ったパターンをなし、上記第１配線層及び第２配線層の一部が、それぞれ、前記接続パッドをなすと共に、これらが互いに連結して前記複数接続パッドとされてなるコンデンサとすると良い。
【００１５】
本発明のコンデンサでは、第１配線層は、同時に多数の第１接続パッドと接続しているので、形成容易で、この第１配線層の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。同様に、第２配線層も同時に多数の第２接続パッドと接続しているので、形成容易で、第２配線層の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。
【００１６】
あるいは、前述の請求項３に記載のコンデンサであって、前記接続パッドのうち、前記積層コンデンサ部の一方の極に導通する第１接続パッドは、いずれも、互いに連結して前記複数接続パッドのうち１または複数の第１複数接続パッドをなし、上記積層コンデンサ部の他方の極に導通する第２接続パッドは、いずれも、互いに連結して上記複数接続パッドのうち１または複数の第２複数接続パッドをなし、上記第１複数接続パッドは、複数の上記第１接続パッドが一列に並んで、直線状に延びる形態を有し、上記第２複数接続パッドは、複数の上記第２接続パッドが一列に並んで、直線状に延びる形態を有し、上記第１複数接続パッドと上記第２複数接続パッドとが、互いに絶縁されつつ、交互に並んで配置されてなるコンデンサとすると良い。
【００１７】
さらに上記いずれか１項に記載のコンデンサであって、少なくとも、前記複数接続パッド、または、前記第１複数接続パッド及び第２複数接続パッドの表面上には、その表面を、これに接続させる前記接続対象部材の複数の接続端子がそれぞれ１つずつ接続可能な複数の領域に分離する分離層を備えるコンデンサとすると良い。
【００１８】
接続対象部材、例えば、ＩＣチップ等の電子部品の接続端子と接続パッドとを面接続させる際に、２つ以上の接続端子を共通の複数接続パッドに接続させる場合を考える。この場合には、溶融前には、個々の接続端子に対応させてハンダペーストを塗布しておいたり、個々の接続端子（ハンダバンプ）に所定量のハンダが保持されていても、ハンダを溶融させた際に、隣り合う接続端子にかかるハンダが、共通の複数接続パッド上に濡れ拡がって互いに接触して一体となることがある。すると、複数接続パッドと各接続端子との接続に使われるハンダ量が各接続端子について不均一になって、各接続端子の中には、複数接続パッドと接続端子との接続が不完全なものが発生するなどの不具合を生じることがある。導電性樹脂を用いて接続する場合にも、このようなことが起こりうる。
【００１９】
これに対し、本発明のコンデンサでは、複数接続パッドを接続端子が１つずつ接続可能な複数の領域に分離する分離層を有しているので、接続の際、隣り合う接続端子の間で、ハンダなどが接触して一体となることが無く、これによる接続不良などの不具合が生じない。従って、確実に複数接続パッドとこれに対応する接続端子とをそれぞれ接続させることができる。
【００２０】
さらに、上述のコンデンサであって、前記分離層により分離される前記複数の領域は、いずれも等しい面積を有するコンデンサとすると良い。
分離層で分離される複数の領域を等しい面積にすると、ハンダな導電静樹脂の濡れ拡がりによる高さを均一にできるので、より信頼性の高い接続ができる。
【００２１】
また、上記コンデンサであって、前記分離層は、前記複数接続パッド及びその周縁の前記絶縁層の前記外表面に形成したソルダレジスト層であり、前記複数の領域は、いずれも上記ソルダレジスト層に形成した複数の透孔により形成されていることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
ソルダレジスト層に形成した透孔により複数の領域を形成する場合には、スクリーン印刷技術やフォトリソグラフィ技術やレーザ孔空け技術により透孔が容易に形成できる。また、接続対象部材との接続時にハンダがその周縁に拡がることを確実に防止できる。また、透孔内にハンダペーストを塗布しリフローすることでハンダバンプを容易に形成することができる。
【００２２】
また、高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を備える積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部の積層方向両外側のいずれかに位置する転換部と、を備え、上記転換部は、それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、を有することを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
【００２３】
このコンデンサでは、積層コンデンサ部の他に転換部を備え、その転換部の接続パッドは、転換配線によって積層コンデンサ部の共通電極層のいずれかと導通している。従って、このコンデンサでは、その接続パッドを、例えば、ＩＣチップ、配線基板などの電子部品等、接続対象部材の複数の接続端子と面接続させることができる。またこのため、前記したように、コンデンサの共通電極層と接続対象部材の接続端子とを結ぶコンデンサ接続配線を形成する必要が無く、ごく短い距離で電子部品等の接続対象部材と接続でき、インダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。
しかも、転換部において、一対の共通電極層のいずれも複数の接続パッドのうちの少なくともいずれかと導通する。このため、転換部の接続パッドから、コンデンサの両極を取り出すことができる。従って、接続した接続対象部材（例えばＩＣチップ）において、あるいは接続対象部材（たとえば配線基板）を通じて、コンデンサの２つの電極を利用することができる。このため、例えば、コンデンサの２つの電極の一方を電源電位に、他方を接地電位にすることで、コンデンサの両極（一対の共通電極層）を利用して、ノイズ除去の役割を果たさせることができる。特に、このコンデンサをＩＣチップと接続させると、各所で電源電位や接地電位の必要なＩＣチップにおいて、コンデンサから必要部位に各電位を供給することもできる。
【００２４】
さらに、高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を備える積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部の積層方向両外側にそれぞれ位置する第１転換部及び第２転換部と、を備え、上記第１転換部及び第２転換部はいずれも、それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、を有することを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
【００２５】
このコンデンサでは、積層コンデンサ部の他に、積層方向両側にそれぞれ第１転換部と第２転換部の２つの転換部を備え、この２つの転換部の接続パッドは、いずれも転換配線によって積層コンデンサ部の共通電極層のいずれかと導通している。このため、このコンデンサでは、２つの転換部のいずれにおいても、その接続パッドをＩＣチップなどの接続対象部材の複数の接続端子と面接続させることができる。従って、前記と同様に、ごく短い距離で接続対象部材と接続できる。このため、インダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。
【００２６】
しかも、２つの転換部のいずれにおいても、複数の接続パッドと、接続パッドと一対の共通電極層のうちいずれかとをそれぞれ導通させ、しかも、一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線を備える。
つまり、第１転換部において、一対の共通電極層のいずれも第１転換部内の複数の接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する。このため、第１転換部の接続パッドから、コンデンサの両極を取り出すことができる。
また、第２転換部においても、一対の共通電極層のいずれも第２転換部内の複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通する。従って同様に、第２転換部の接続パッドから、コンデンサの両極を取り出すことができる。即ち、第１転換部と第２転換部の両側から、コンデンサの両極を取り出すことができる。
このため、例えば、ＩＣチップ（第１の電子部品）と配線基板（第２の電子部品）との間にこのコンデンサを介在させることにより、配線基板からＩＣチップへ電力を供給する電源配線及び接地配線の一部としての役割を果たさせると共に、電源配線と接地配線との間をこのコンデンサで結び、これらの配線に重畳されるノイズを除去する役割をも果たさせることができる。
【００２７】
さらに上記いずれかのコンデンサであって、前記転換部、または前記第１転換部または第２転換部のうち少なくともいずれかの転換部は、前記積層コンデンサ部の積層方向外側に積層された転換絶縁層を備えると共に、この転換部に属する前記複数の接続パッドは、上記転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、この転換部に属する前記複数の転換配線は、前記一対の共通電極層のうちの一方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッドに接続する第１側面経由転換配線と、前記一対の共通電極層のうちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッドに接続する第２側面経由転換配線と、を有する側面−側面転換部であることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
【００２８】
このコンデンサでは、転換絶縁層及び第１側面経由転換配線、第２側面経由転換配線を用いて、各接続パッドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続させる。これにより、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続端子と面接続可能な接続パッドに転換する。このようにすると、１層の転換絶縁層を用い、これに貫通孔を形成することもなく、その側面及び外表面に第１及び第２側面経由転換配線を形成する簡単な構造で共通電極層と各接続パッドとを接続することができる。従って、面接続可能でありながら、安価で形成容易なコンデンサとすることができる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することができるので、小型のコンデンサとすることができる。
【００２９】
あるいは、前記いずれかのコンデンサであって、前記積層コンデンサ部は、前記電極層のうち積層方向最外側に積層され、前記一対の共通電極層のうちの一方と導通する最外側電極層を備え、前記転換部、または前記第１転換部または第２転換部のうち少なくともいずれかの転換部は、上記最外側電極層の積層方向外側に積層された転換絶縁層を備えると共に、この転換部に属する前記複数の接続パッドは、上記転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、この転換部に属する前記複数の転換配線は、上記最外側電極層から上記転換絶縁層を貫通して上記外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する転換ビア導体と、前記一対の共通電極層のうちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び上記外表面を経由して、上記接続パッドのいずれかに接続する側面経由転換配線と、を有するビア−側面転換部であることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
【００３０】
このコンデンサでは、転換絶縁層、転換ビア導体及び側面経由転換配線を用いて、接続パッドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続させる。これにより、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続配線と面接続可能な接続パッドに転換する。このようにすると、１層の転換絶縁層を用い、これに転換ビア導体及び側面経由転換配線を形成する簡単な構造で共通電極層と接続パッドとをそれぞれ接続することができる。従って、安価で形成容易なコンデンサとすることができる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することができるので、小型化のコンデンサとすることができる。
【００３１】
ところで、側面経由転換配線は、転換絶縁層の側面及び外表面を経由するため、転換絶縁層を貫通して形成する転換ビア導体に比較して、形成位置の自由度が低く、側面における形成位置や外表面における引き回しが制限される。このため、多数の側面経由転換配線を形成したい場合には、形成困難となる場合がある。これに対し本発明では、側面経由転換配線の他に、転換ビア導体を用いるので、その分、形成すべき側面経由転換配線数を少なくでき、その形成位置の選択が容易になる。また、各側面経由転換配線の幅を広くすることができるので、各側面経由転換配線のインダクタンスや抵抗も低減させることができる。
【００３２】
あるいは、前記いずれかのコンデンサであって、前記積層コンデンサ部は、前記電極層のうち積層方向最外側に積層され、前記一対の共通電極層のうちの一方と導通する最外側電極層を備え、前記転換部、または前記第１転換部または第２転換部のうち少なくともいずれかの転換部は、上記最外側電極層の積層方向外側に積層された第１転換絶縁層と、上記第１転換絶縁層の積層方向外側に積層された第２転換絶縁層と、上記第１転換絶縁層と第２転換絶縁層との層間に形成され、前記一対の共通電極層のうちの他方と接続する転換電極層と、を備えると共に、この転換部に属する前記複数の接続パッドは、上記第２転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、この転換部に属する前記複数の転換配線は、上記最外側電極層から上記第１転換絶縁層及び第２転換絶縁層を貫通して第２転換絶縁層の外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する複数の第１転換ビア導体と、上記転換電極層から上記第２転換絶縁層を貫通してその外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する複数の第２転換ビア導体と、を有するビア−ビア転換部であることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
【００３３】
このように、第１転換絶縁層、第２転換絶縁層、転換電極層、第１転換ビア導体、及び第２転換ビア導体を用いて、接続パッドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続して、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続配線と面接続可能な接続パッドに転換すると、簡単な構造で共通電極層と接続パッドとを接続することができる。また、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体は、形成位置の自由度が高いので、接続する接続パッドの位置に応じて、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体を形成できるため、設計が容易である。また、転換ビア導体は、側面経由転換配線よりも長さが短くなるため、転換部において発生するインダクタンスや抵抗をより小さくできる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することができるので、小型化のコンデンサとすることができる。
【００３４】
ここで、上記コンデンサであって、前記複数の接続パッドは、略格子状に配置され、前記複数の第１転換ビア導体及び複数の第２転換ビア導体は、上記複数の接続パッドにそれぞれ交互に接続していることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００３５】
このように、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体が、略格子状に並んだ接続パッドにそれぞれ交互に接続するようにすると、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体に発生するインダクタンスをより低下させることができる。例えば、一方の共通電極層を＋電位（電源電位）とし、他方の共通電極層を−電位（接地電位）とすると、第１転換ビア導体から流れ出る電流の向きと、第２転換ビア導体に流入する電流の向きとが互いに逆向きとなるため、発生する磁界がうち消しあい、結果としてこれらのインダクタンスが小さく見える。従って、このように配置することで、コンデンサの自身が持つインダクタンスを小さくすることができ、更にノイズを効率よく除去することができる。
【００３６】
なお、上記側面−側面転換部、ビア−側面転換部、ビア−ビア転換部を有するコンデンサであって、転換絶縁層、または、第１転換絶縁層及び第２転換絶縁層は、樹脂を主成分とする材質からなり、前記第１側面経由転換配線及び第２側面経由転換配線、または側面経由転換配線は、フォトリソグラフィ技術により形成されてなり、前記転換ビア導体、または第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体は、フォトリソグラフィ技術、またはフォトリソグラフィ技術及びレーザ孔空け技術により形成されてなることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
フォトリソグラフィ技術を用いて側面経由転換配線を、また、フォトリソグラフィ技術あるいはレーザ孔空け技術を用いて転換ビア導体を形成すると、微細な側面経由転換配線や転換ビア導体を精度良く形成することができるので、多数の側面経由転換配線や転換ビア導体を確実に形成したコンデンサとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
（実施形態１）
本発明の配線基板等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図１に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ１００は、平面視略正方形板状で、大別して積層部１１０とビア−側面転換部１２０とを有する。
このうち積層部１１０は、高誘電体セラミック、具体的には、ＢａＴｉＯ3を主成分とする多数の誘電体層１０１とＰｄを主成分とする電極層１０２とを交互に積層した略正方形板状の積層体１０３を有する。さらに、この積層体１０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面１０３Ａ，１０３Ｂには、各電極層１０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂがそれぞれ形成されている。つまりこの積層部１１０は、共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂと、共通電極層１０４Ａで互いに導通され一方の極をなす第１電極層１０２Ａの群、及び、共通電極層１０４Ｂで互いに導通され他方の極をなす第２電極層１０２Ｂの群と、これらに挟まれた誘電体層１０１とを有し、上記した従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされている。なお、この積層部１１０のうち積層方向最外側（図中上方）には、一方の共通電極層１０４Ｂと導通する最上第２電極層１０２ＢＵが積層形成されている。
【００３８】
一方、ビア−側面転換部１２０は、積層部１１０の最上第２電極層１０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層１２１を備え、この転換絶縁層１２１の外表面（図中上方面）１２１Ｔには、図１（ａ）に破線で示す第１接続パッド１２２Ａ、及び第２接続パッド１２２Ｂの２種類の接続パッド１２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド１２２は、後述するように、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとそれぞれ接続するものである（図２参照）。
【００３９】
また、一方の共通電極層１０４Ａから転換絶縁層１２１の側面１２１Ａを経由して、外表面１２１Ｔのうち第２接続パッド１２２Ｂの周縁及び共通電極層１０４Ｂに近い右端近傍を除く部分に拡がる側面経由配線層１２３を備える。この側面経由配線層１２３は、そのうちの一部が上記した第１接続パッド１２２Ａとなっている。つまり側面経由配線層１２３によって、第１接続パッド１２２Ａと積層部１１０の一方の極をなす一方の共通電極層１０４Ａ及び第１電極層１０２Ａの群とが導通している。また、この側面経由配線層１２３は、図１（ａ）に破線で示すように、多数の第１接続パッド１２２Ａを含む、つまり多数の第１接続パッド１２２Ａと同時に接続している。本実施形態では、この側面経由配線層１２３のうち、転換絶縁層１２１の外表面１２１Ｔに拡がり、第１接続パッド１２２Ａ同士が連結した部分が、本発明における複数接続パッドに相当する。第１接続パッド１２２Ａ毎に、転換絶縁層１２１の側面１２１Ａを経由する側面経由配線で共通電極層１０４Ａと接続させると、形成すべき側面経由配線の数が多くなって各側面経由配線の幅が狭くなり、各側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスが高くなりがちである。しかし、本実施形態の側面経由配線層１２３（複数接続パッド）は、同時に多数の第１接続パッド１２２Ａと接続しているので、形成容易で、側面経由配線層１２３（複数接続パッド）の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。
さらに、最上第２電極層１０２ＢＵから転換絶縁層１２１を貫通して外表面１２１Ｔに延出し、第２接続パッド１２２Ｂにそれぞれ接続する転換ビア導体１２５を備える。したがって、転換ビア導体１２５及び最上第２電極層１０２ＢＵを通じて、各々の第２接続パッド１２２Ｂと積層部１１０の他方の極をなす他方の共通電極層１０４Ｂ及び第２電極層１０２Ｂの群とがそれぞれ導通している。第２接続パッド１２２Ｂは、他の接続パッドとは連結しない独立の接続パッドである。
【００４０】
このようにビア−側面転換部１２０に形成した側面経由配線層１２３及び転換ビア導体１２５により、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂは、それぞれ接続パッド１２２、即ち、第１接続パッド１２２Ａ及び第２接続パッド１２２Ｂに転換される。
逆に言えば、多数の接続パッド１２２は、コンデンサ１００のうち積層部１１０の２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂのいずれかに接続している。しかも、上述のように、この共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂのいずれも複数の接続パッド１２２のうちの少なくともいずれか、具体的には共通電極層１０４Ａは第１接続パッド１２２Ａと、共通電極層１０４Ｂは第２接続パッド１２２Ｂと接続している。
このため、このコンデンサ１００の図中上方から、接続パッド１２２を通じて、一対の共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂのいずれとも導通することができる。
【００４１】
従って、図２に示すように、このコンデンサ１００とＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとを面接続によって直接接続することができる。即ち、図２に示すコンデンサ付属配線基板１５０は、配線基板１５１とこれに収容固着された上記コンデンサ１００とからなる。
この配線基板１５１は、その内部に配線層１５２を備えるとともに、その上面１５１Ｔには、ＩＣチップＣＨの基板接続端子ＣＴＷと面接続可能な接続パッド１５３を多数備え、下面１５１Ｖには、マザーボードなど他の配線基板と面接続可能なＬＧＡパッド１５４を多数備えている。さらに、この配線基板１５１の略中央には、コンデンサ１００を収容可能な平面視略正方形の貫通孔１５１Ｈが形成されており、上述した基板接続端子ＣＴＷは、この貫通孔１５１Ｈの周縁近傍に形成されている。
貫通孔１５１Ｈ内に収容されたコンデンサ１００の接続パッド１２２、及び配線基板１５１の接続パッド１５３は、それぞれ図中破線で示すＩＣチップＣＨの接続端子ＣＴ、即ち、コンデンサ接続端子ＣＴＣ及び基板接続端子ＣＴＷとそれぞれ面接続する。例えば、高温ハンダからなる球状バンプタイプの接続端子ＣＴと、接続パッド１２２及び１５３とを、Ａｇ−Ｓｎハンダ等によって接続するなど公知の手法により、ＩＣチップＣＨをコンデンサ付属配線基板１５０（コンデンサ１００及び配線基板１５１）にフリップチップ接続する。
【００４２】
このようにして、コンデンサ１００とＩＣチップＣＨとを面接続によって直接接続すると、コンデンサ１００の共通電極層１０４Ａ，１０４ＢとＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとを結ぶコンデンサ接続配線を配線基板１５１内に形成する必要が無く、ごく短い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のインダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しかも、接続パッド１２２から、コンデンサ１００の両方の共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを取り出すことができる。このため、接続したＩＣチップＣＨにおいて、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを利用し、一方の共通電極層（例えば１０４Ａ）を電源電位に、他方（例えば１０４Ｂ）を接地電位にすることで、コンデンサ１００を利用して、両電位間のノイズを確実に除去することができる。
さらに、ＩＣチップＣＨ内の電源電位や接地電位が必要な各所に、コンデンサ接続端子ＣＴＣを通じて、コンデンサ１００から低抵抗、低インダクタンスで電源電位や接地電位を供給することができる。
なお、コンデンサ１００の内部構造は、既に説明した（図１（ｂ）参照）ので、本図では略記している。
【００４３】
次いで、コンデンサ１００の製造方法について、図３を参照して説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、公知のグリーンシート製造技術により、ＢａＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘電体セラミックグリーンシート（以下、単にシートともいう）１８１を多数製造する。
次いで、このシート１８１のうち１枚については、図３（ｂ）に示すように、このシート１８１の所定位置に、Ｐｄペーストからなり、表面１８１Ｔ及び裏面１８１Ｖ間を貫通する未焼成ビア導体１８３を形成する。さらに、表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成導体層１８４及び未焼成接続パッド１８５を形成する。このうち、未焼成接続パッド１８５は、それぞれ未焼成ビア導体１８３と接続する位置に形成する。
【００４４】
他のシート１８１の半数については、図３（ｃ）に示すように、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層１８２Ａを形成する。また、残りの半数については、図３（ｄ）に示すように、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層１８２Ｂを形成する。未焼成第１電極層１８２Ａ及び未焼成第２電極層１８２Ｂはいずれも、シート１８１の表面１８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層１８２Ａはシート１８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層１８２Ｂはシート１８１の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
【００４５】
次いで、未焼成第１電極層１８２Ａが形成されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成されたシート１８１とを交互に積層し、さらに最も上に、未焼成導体層１８４及び未焼成接続パッド１８５を形成したシート１８１を積層し圧着して、図３（ｅ）に示すように、積層体１８６を形成する。この積層体１８６の側面１８６Ａには、未焼成第１電極層１８２Ａが、また側面１８６Ｂには、未焼成第２電極層１８２Ｂが露出する。さらにこの側面１８６Ａ，１８６Ｂに、Ｐｄからなる未焼成共通電極層１８７Ａ，１８７Ｂをそれぞれ形成する。なお、未焼成共通電極層１８７Ａは未焼成導体層１８４とも接続するように形成する。
【００４６】
この積層体１８６では、未焼成共通電極層１８７Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続し、しかも、未焼成導体層１８４とも接続する。一方、未焼成共通電極層１８７Ｂはいずれの未焼成第２電極層１８２Ｂとも接続し、しかも、そのうち積層方向最外側（図中最上）の最上未焼成第２電極層１８２ＢＵ、未焼成ビア導体１８３を経由して未焼成接続パッド１８５とも接続する。
次いで、この積層体１８６を焼成（同時焼成）して、図１に示すコンデンサ１００を形成する。コンデンサ１００をこのようにして形成したので、焼成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。なお、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣ等との接続時のハンダ濡れ性改善のため、焼成後に、側面経由配線層１２３（第１接続パッド１２２Ａ）や第２接続パッド１２２Ｂについて、Ｎｉ−Ａｕメッキなどのメッキを施すようにしても良い。
このように、同時焼成によってコンデンサ１００を形成すると、容易かつ安価にコンデンサ１００を形成することができる。
【００４７】
（変形形態１）
上記実施形態１では、積層部１１０とビア−側面転換部１２０とを有するコンデンサ１００を同時焼成によって形成した。しかし、先に積層部を形成した後にビア−側面転換部を形成して同様な構造のコンデンサとすることもできる。
本変形形態のコンデンサ２００は、上記コンデンサ１００とは製造方法や材質が異なるのみで、コンデンサの構造やＩＣチップＣＨ等と接続した場合の利点は変わらないので、同様の部分についての説明を省略あるいは簡略化する。
【００４８】
本変形形態のコンデンサ２００は、図４に示すようにして、まず積層部２１０を形成する。即ち、図４（ａ）に示すように、実施形態１と同様に、ＢａＴｉＯ3粉末を主成分とするシート２８１を多数製造する。
このシート２８１の半数については、実施形態１において図３（ｃ）を参照して説明したのと同様に、その表面２８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層２８２Ａを形成する（図４（ｂ）参照）。また、残りの半数についても、図３（ｄ）と同様に、その表面２８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層２８２Ｂを形成する（図４（ｂ）参照）。これらの未焼成第１電極層２８２Ａ及び未焼成第２電極層２８２Ｂはいずれも、シート２８１の表面２８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層２８２Ａはシート２８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層２８２Ｂはシート２８１の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
【００４９】
次いで、未焼成第１電極層２８２Ａが形成されたシート２８１と、未焼成第２電極層２８２Ｂが形成されたシート２８１とを交互に積層し圧着して未焼成積層体を形成し、その２つの側面に、Ｐｄからなる未焼成共通電極層をそれぞれ形成する。この未焼成積層体を同時焼成することで、図４（ｃ）に示す積層部２１０が出来上がる。この積層部２１０は、多数の誘電体層２０１と電極層２０２とを交互に積層した積層体２０３を有する。さらに、この積層体２０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面２０３Ａ，２０３Ｂには、各電極層２０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂがそれぞれ形成されている。
つまりこの積層部２１０は、共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂと、共通電極層２０４Ａで互いに導通された第１電極層２０２Ａの群及び共通電極層２０４Ｂで互いに導通された第２電極層２０２Ｂの群と、これらに挟まれた誘電体層２０１とを有し、上記した従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされ、２つの共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂを持つコンデンサとして機能させることができる。
なお、この積層部２１０のうち積層方向最外側（図中上方）には、一方の共通電極層２０４Ｂと導通する最上第２電極層２０２ＢＵが積層形成されている。
【００５０】
続いて、この積層部２１０上にビア−側面転換部２２０を形成する。まず図５（ａ）に示すように、最上第２電極層２０２ＢＵの上面２０２ＢＵＴ及び最上第２電極層２０２ＢＵの直下に位置する最上誘電体層２０１Ｕの上面２０１ＵＴのうち露出部分（図中左端部分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる転換絶縁層２０５を形成する。具体的には、フィルム状の未硬化樹脂を貼り付け、硬化させて形成する。
【００５１】
次いで、図５（ｂ）に示すように、この転換絶縁層２０５の所定位置に、レーザにより最上第２電極層２０２ＢＵまで届く貫通孔２０５Ｈを形成する。
その後、図５（ｃ）に示すように、貫通孔２０５Ｈ内、転換絶縁層２０５の上面２０５Ｔ、及び共通電極層２０４Ａに近い転換絶縁層２０５の側面２０５Ａに、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを充填・塗布し、硬化させて、共通電極層２０４Ａと接続する側面経由配線層２０６、転換ビア導体２０７、及び第２接続パッド２０８を形成してビア−側面転換部２２０とする。なお、転換経由配線層２０６のうち破線で示す部分は、第１接続パッド２０６Ｐの役割を果たす。
これによりコンデンサの機能を有する積層部２１０と、２つの共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂを面接続可能な第１接続パッド２０６Ｐ及び第２接続パッド２０８に転換するビア−側面転換部２２０とを有するコンデンサ２００が形成される。このコンデンサ２００は、前記コンデンサ１００と同様に、ＩＣチップＣＨ等に直接面接続でき、ノイズ除去や各部への電位供給の役割を果たさせることができる。
上記変形形態では、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを用いて転換経由配線層２０６等を形成したが、接続時に使用するハンダ材等を考慮して、その他の導電性樹脂ペーストを用いることもできる。
【００５２】
（変形形態２）
上記変形形態１では、積層部２１０上に転換絶縁層２０５を形成しレーザで穿孔したが、感光性樹脂層を用いることもできる。また、上記変形形態１では、Ａｇペーストを用いて側面経由配線層２０６、転換ビア導体２０７、及び第２接続パッド２０８を形成したが、メッキ技術によってこれらを形成しても良い。
本変形形態では、上記変形形態１と同様にして積層部２１０を形成した後、図６（ａ）に示すように、最上第２電極層２０２ＢＵの上面２０２ＢＵＴ及び最上第２電極層２０２ＢＵの直下に位置する最上誘電体層２０１Ｕの上面２０２ＵＴのうち露出部分（図中左端部分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる未硬化の感光性樹脂絶縁層を形成する。具体的には、フィルム状の未硬化感光性樹脂を貼り付ける。その後、露光現像して所定位置に貫通孔を形成した後、硬化させて、貫通孔３０５Ｈを有する転換絶縁層３０５を形成する。
【００５３】
次いで、図６（ｂ）に示すように、共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂ、転換絶縁層３０５の側面３０５Ａ、上面３０５Ｔ、貫通孔３０５Ｈ内などに無電解Ｃｕメッキ層３０１を形成する。さらに、フィルム状のメッキレジストを貼り付け露光現像して所定形状のメッキレジスト層Ｒを形成する。
【００５４】
続いて、無電解Ｃｕメッキ層３０１を電極として電解Ｃｕメッキを施し、メッキレジスト層Ｒを除去後、その下の不要な無電解Ｃｕメッキ層３０１をソフトエッチングによって除去することで、図６（ｃ）に示すように、側面経由配線層３０６、転換ビア導体３０７、及び第２接続パッド３０８を形成してビア−側面転換部３２０とする。なお、転換経由配線層３０６のうち破線で示す部分は、第１接続パッド３０６Ｐの役割を果たす。また、３つの共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂ上にもＣｕメッキが施されてその厚さが厚くなった共通電極層３０４Ａ，３０４Ｂとなる。
【００５５】
これによりコンデンサの機能を有する積層部２１０と、２つの共通電極層３０４Ａ，３０４Ｂを面接続可能な第１接続パッド３０６Ｐ及び第２接続パッド３０８に転換するビア−側面転換部３２０とを有するコンデンサ３００が形成される。このコンデンサ３００も、前記コンデンサ１００，２００と同様に、ＩＣチップＣＨ等に直接面接続でき、ノイズ除去や各部への電位供給の役割を果たさせることができる。さらに本変形形態のコンデンサ３００では、フォトリソグラフィ技術を用いて側面経由配線層３０６や第２接続パッド３０８などを形成したので、その位置精度を高くすることができる。従って、微細な寸法のコンデンサ接続端子ＣＴＣを持つＩＣチップＣＨ等との面接続を、より確実に行うことができる。
なお上記では、いわゆるセミアディティブ法を用いたが、サブトラクティブ法、フルアディティブ法など他の手法を用いることもできる。また、ＩＣチップとの接続の際のハンダ濡れ性等を考慮して、Ｃｕメッキの後にＮｉメッキ、あるいはＮｉ及びＡｕメッキを施しても良い。
【００５６】
（実施形態２）
上記実施形態１等では、積層部の積層方向片側（図中上部）にビア−側面転換部を設け、このビア−側面転換部でＩＣチップ等と面接続できるようにしたコンデンサを示したが、ビア−側面転換部は積層部の積層方向両側に設けても良い。即ち、図７に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ４００は、平面視略正方形板状で、大別して積層部４１０と、この上下に２つの転換部、第１ビア−側面転換部４２０と第２ビア−側面転換部４３０とを有する。なお、このコンデンサ４００は、転換部を２つ備える点を除き、実施形態１のコンデンサ１００とほぼ同様であるので、同様な部分については、説明を省略あるいは簡略化する。
【００５７】
積層部４１０は、実施形態１と同様に多数の誘電体層４０１と電極層４０２とを交互に積層した略正方形板状の積層体４０３を有する。さらに、この積層体４０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面４０３Ａ，４０３Ｂには、各電極層４０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂがそれぞれ形成されている。つまりこの積層部４１０は、共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂと、共通電極層４０４Ａで互いに導通され一方の極をなす第１電極層４０２Ａの群、及び、共通電極層４０４Ｂで互いに導通され他方の極をなす第２電極層４０２Ｂの群と、これらに挟まれた誘電体層４０１とを有し、従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされている。なお、この積層部４１０のうち積層方向最外側（図中上方及び下方）には、それぞれ一方の共通電極層４０４Ｂと導通する最上第２電極層４０２ＢＵ及び最下第２電極層４０２ＢＳが積層形成されている。
【００５８】
また、第１ビア−側面転換部４２０も、実施形態１におけるビア−側面転換部１２０と同様である。即ち、積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層４２１を備え、この転換絶縁層４２１の外表面（図中上面）４２１Ｔには、図７（ａ）に破線で示す第１接続パッド４２２Ａ、及び第２接続パッド４２２Ｂの２種類の接続パッド４２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド４２２は、前記実施形態１の場合と同様に、直接ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとそれぞれ面接続する（図８参照）ことができるほか、コンデンサを内蔵するコンデンサ付属配線基板とした上で、樹脂絶縁層等を介してＩＣチップやマザーボード等の他の電子部品の接続端子と接続することもできる。
また、一方の共通電極層４０４Ａから転換絶縁層４２１の側面４２１Ａを経由して、外表面４２１Ｔのうち第２接続パッド４２２Ｂの周縁及び共通電極層４０４Ｂに近い右端近傍を除く部分に拡がる側面経由配線層４２３を備える。この側面経由配線層４２３は、そのうちの一部が上記した第１接続パッド４２２Ａとなっている。つまり側面経由配線層４２３によって、第１接続パッド４２２Ａと積層部４１０の一方の極をなす一方の共通電極層４０４Ａ及び第１電極層４０２Ａの群とが導通している。また、第１接続パッド４２２Ａは互いに連結して複数接続パッドを構成している。また、この側面経由配線層４２３（複数接続パッド）は、多数の第１接続パッド４２２Ａと同時に接続しており、形成容易で、側面経由配線層４２３（複数接続パッド）の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。
【００５９】
また、最上第２電極層４０２ＢＵから転換絶縁層４２１を貫通して外表面４２１Ｔに延出し、第２接続パッド４２２Ｂにそれぞれ接続する転換ビア導体４２５を備える。したがって、転換ビア導体４２５及び最上第２電極層４０２ＢＵを通じて、各々の第２接続パッド４２２Ｂと積層部４１０の他方の極をなす他方の共通電極層４０４Ｂ及び第２電極層４０２Ｂの群とがそれぞれ導通している。第２接続パッド４２２Ｂは、他の接続パッドとは連結しない独立の接続パッドである。
【００６０】
さらに、本実施形態では、積層部４１０の図中下方に第２ビア−側面転換部４３０を有する。この第２ビア−側面転換部４３０は、上記第１ビア−側面転換部４２０とほぼ同様な構造を有している。即ち、積層部４１０の最下第２電極層４０２ＢＳの積層方向外側（図中下方）に積層された転換絶縁層４３１を備え、この転換絶縁層４３１の外表面（図中下面）４３１Ｖには、図７（ｂ）下方に破線で示す第３接続パッド４３２Ａ、及び第４接続パッド４３２Ｂの２種類の接続パッド４３２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド４３２は、直接マザーボード等の配線基板のコンデンサ接続端子とそれぞれ面接続する（図８参照）ことができるほか、コンデンサを内蔵するコンデンサ付属配線基板とした上で、樹脂絶縁層等を介してマザーボード等の他の電子部品の接続端子と接続することもできる。
【００６１】
また、一方の共通電極層４０４Ａから転換絶縁層４３１の側面４３１Ａを経由して、外表面４３１Ｖのうち第４接続パッド４３２Ｂの周縁及び共通電極層４０４Ｂに近い右端近傍を除く部分に拡がる側面経由配線層４３３を備える。この側面経由配線層４３３は、そのうちの一部が上記した第３接続パッド４３２Ａとなっている。つまり側面経由配線層４３３によって、第３接続パッド４３２Ａと積層部４１０の一方の極である一方の共通電極層４０４Ａ及び第１電極層４０２Ａの群とが導通している。また、第３接続パッド４３２Ａは互いに連結して複数接続パッドを構成している。また、この側面経由配線層４３３は、同時に多数の第３接続パッド４３２Ａと接続しており、形成容易で、側面経由配線層４３３（複数接続パッド）の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。
【００６２】
また、最下第２電極層４０２ＢＳから転換絶縁層４３１を貫通して外表面４３１Ｔに延出し、第４接続パッド４３２Ｂにそれぞれ接続する転換ビア導体４３５を備える。したがって、転換ビア導体４３５及び最下第２電極層４０２ＢＳを通じて、各々の第４接続パッド４３２Ｂと積層部４１０の他方の極をなす他方の共通電極層４０４Ｂ及び第２電極層４０２Ｂの群とがそれぞれ導通している。第４接続パッド４３２Ｂも、他の接続パッドとは連結しない独立の接続パッドである。
【００６３】
このコンデンサ４００は、第１ビア−側面転換部４２０のみならず第２ビア−側面転換部４３０を有する点で前記コンデンサ１００と異なる。しかし、その製造方法については、表面に未焼成第１電極層１８２Ａまたは未焼成第２電極層１８２Ｂを形成し、裏面及び内部に図３（ｂ）に示したシート１８１と略同様の未焼成ビア導体、未焼成導体層、未焼成接続パッドを形成したシートを形成して積層し、同時焼成して形成すれば、ほぼ同様に手法によって形成することができる。
また、前記変形形態１，２と同様にして、予め積層部２１０を形成しておき、第２ビア−側面転換部４３０についても、樹脂絶縁層及び導体ペーストやメッキによって形成するようにしても良い。
【００６４】
本実施形態のコンデンサ４００は、実施形態１と同様に、直接ＩＣチップと接続することができ、さらに第２ビア−側面転換部４３０でマザーボード等の配線基板と接続させることができる。即ち、図８に示すように、マザーボードＷＢとＩＣチップＣＨとの間に貫通孔１５１Ｈ内にコンデンサ４００を有するコンデンサ付属配線基板４５０を介在させるようにして、両者間を接続することができる。このようにすると、マザーボードＷＢの基板接続端子ＷＴＷから配線基板１５１内の内部配線１５２を介してＩＣチップＣＨの基板接続端子ＣＴＷに接続できるほか、マザーボードＷＢのコンデンサ接続端子ＷＴＣから、接続パッド４３２及び接続パッド４２２を通じてＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣと接続することができる。しかも、図９の回路図に示すように、コンデンサ接続端子ＷＴＣ，ＣＴＣがそれぞれ接続する第１接続パッド４２２Ａと第３接続パッド４３２Ａ、第２接続パッド４２２Ｂと第４接続パッド４３２Ｂとが、それぞれ共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂ電極を介して導通し、しかも、その間をコンデンサ４００が結ぶ構造となる。
【００６５】
従って、例えば接地電位を第３接続パッド４３２Ａに、電源電位を第４接続パッド４３２Ｂにそれぞれ接続することで、配線基板１５０の内部配線１５２を介することなく、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップＣＨに電源電位及び接地電位を供給することができる。しかも、この電位間に生じるノイズをＩＣチップＣＨのごく近くにおいてコンデンサ４００によって確実に除去することもできる。
なお、コンデンサ４００の内部構造は、既に説明した（図７（ｂ）参照）ので、本図では略記している。
【００６６】
あるいは、コンデンサ４００を配線基板内に内蔵固着させたコンデンサ付属配線基板を形成し、コンデンサ４００の接続端子４２２，４３２を、樹脂絶縁層やコア基板等に形成した内部配線を経由して、ＩＣチップＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させることもできる。このようにしても、コンデンサ４００を介して、低抵抗、低インダクタンスで、マザーボードＷＢからＩＣチップＣＨに電源電位や接地電位を供給することができる。また、コンデンサ４００によってＩＣチップＣＨのごく近傍でこれらの間のノイズも除去することができる。
【００６７】
（変形形態３）
上記コンデンサ４００では、第１接続パッド４２２Ａはいずれも側面経由配線層４２３の一部として形成され、第１接続パッド４２２Ａは互いに連結して複数接続パッドを構成していた。一方、第２接続パッド４２２Ｂはいずれも他から独立し、それぞれ転換ビア導体４２５を通じて最上第２電極層４０２ＢＵに接続していた。しかし、第２接続パッドについても、複数の第２接続パッドが連結した複数接続パッドとしても良い。
図１０に示す本変形形態にかかるコンデンサ５００では、上記実施形態３と同様の積層部４１０と第２ビア−側面転換部４３０を有する他、第２複数接続パッド５２４を備えた第１ビア−側面転換部５２０を有する。
第１ビア−側面転換部５２０は、積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層５２１を備え、この転換絶縁層５２１の外表面（図中上面）５２１Ｔには、図１０（ａ）に破線で示す第１接続パッド５２２Ａ、及び第２接続パッド５２２Ｂの２種類の接続パッド５２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド５２２は、前記実施形態３の場合と同様に、直接ＩＣチップのコンデンサ接続端子とそれぞれ面接続させたり、コンデンサ付属配線基板に内蔵させた上で、ＩＣチップなどの電子部品の接続端子と接続させることができる。
【００６８】
第２接続パッド５２２Ｂには、上記実施形態３と同様に、他から独立した独立第２接続パッド５２２ＢＤの他、複数の接続パッドを含む第２複数接続パッド５２４に属する連結第２接続パッド５２２ＢＣの２種類がある。独立第２接続パッド５２２ＢＤは上記実施形態３と同様に、転換ビア導体５２５によって個別に最上第２電極層４０２ＢＵに接続しているが、連結第２接続パッド５２２ＢＣについては、図１０（ｂ）に示すように、複数の連結第２接続パッド５２２ＢＣを含む１つの第２複数接続パッド５２４が、１つの転換ビア導体５２５によって最上第２電極層４０２ＢＵに接続している。
このように複数の連結第２接続パッド５２２ＢＣを含む第２複数接続パッド５２４を形成すると、転換絶縁層５２１に形成する転換ビア導体５２５の数を、形成する第２接続パッド５２２Ｂの数より減少させることができ、コンデンサ５００の形成が容易になる。
【００６９】
（実施形態３）
次いで、他の実施形態について説明する。上記実施形態では、コンデンサはいずれも積層部の他、ビア−側面転換部（第１，第２ビア−側面転換部）を有し、積層部側面に形成された共通電極層のうち一方は側面経由配線層により、他方は転換ビア導体により、面接続可能な第１，第２接続パッドなどに転換された。これに対し、本実施形態では、例えば、図１１に示すように、共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを、いずれも側面経由配線層によって面接続可能な接続パッドに変換する。
即ち、本実施形態にかかるコンデンサ６００は、実施形態１と同様の積層部１１０の他、側面−側面転換部６２０を有する。この側面−側面転換部６２０には、積層部１１０の最上第２電極層１０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層６２１を備え、この転換絶縁層６２１の外表面（図中上方面）６２１Ｔには、図１１に破線で示す第１接続パッド６２２Ａ、及び第２接続パッド６２２Ｂの２種類の接続パッド６２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド６２２は、実施形態１と同様にＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣなどとそれぞれ接続するものである（図２参照）。
【００７０】
さらに、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層６２１の側面６２１Ａ，６２１Ｂを経由して外表面６２１Ｔに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第１側面経由配線層６２３及び第２側面経由配線層６２４を備える。これらの第１側面経由配線層６２３及び第２側面経由配線層６２４は、そのうちの一部がそれぞれ上記した第１接続パッド６２２Ａ及び第２接続パッド６２２Ｂとなっている。つまり第１側面経由配線層６２３によって、第１接続パッド６２２Ａと積層部１１０の一方の極をなす一方の共通電極層１０４Ａ及び第１電極層１０２Ａの群とが導通している。同じく第２側面経由配線層６２４によって、第２接続パッド６２２Ｂと積層部１１０の他方の極をなす他方の共通電極層１０４Ｂ及び第２電極層１０２Ｂの群とが導通している。また、第１接続パッド６２２Ａは互いに連結して第１複数接続パッドを構成している。同様に、第２接続パッド６２２Ｂも互いに連結して第２複数接続パッドを構成している。
本実施形態においては、具体的には、５つの第１接続パッド６２２Ａが一列に並んで、直線状に延びる形態の第１複数接続パッドをなしている。従って、第１側面経由配線層６２３には、５つの第１接続パッド６２２Ａを有する第１複数接続パッドが３つ含まれている。同様に、５つの第２接続パッド６２２Ｂが一列に並んで、直線状に延びる形態の第２複数接続パッドをなしている。従って、第２側面経由配線層６２４にも、５つの第２接続パッド６２２Ｂを有する第２複数接続パッドが３つ含まれている。また、第１複数接続パッドと第２複数接続パッドとが交互に並んで配置されている。
また、この第１側面経由配線層６２３は、図１１に破線で示すように、多数の第１接続パッド６２２Ａを含む、つまり多数の第１接続パッド６２２Ａと同時に接続している。第１接続パッド６２２Ａ毎に、転換絶縁層６２１の側面６２１Ａを経由する側面経由配線で共通電極層６０４Ａと接続させると、形成すべき側面経由配線の数が多くなって各側面経由配線の幅が狭くなり、各側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスが高くなりがちである。しかし、本実施形態の側面経由配線層６２３（第１複数接続パッド）は、同時に多数の第１接続パッド６２２Ａと接続している。具体的には、第１複数接続パッドは各々５ヶ、側面経由配線層６２３は合計１５ヶの第１接続パッド６２２Ａと接続しているので、形成容易で、側面経由配線層６２３（第１複数接続パッド）の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。第２側面経由配線層６２４（第２複数接続パッド）も第２接続パッド６２２Ｂとの関係について同様である。
【００７１】
このようなコンデンサ６００によっても、積層部１１０の側面部分に形成された２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを、面接続可能な接続パッド６２２（６２２Ａ，６２２Ｂ）に転換できたので、コンデンサ６００を直接ＩＣチップＣＨと接続させるなど、ごく短い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のインダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しかも、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを利用し、一方の共通電極層（例えば１０４Ａ）を電源電位に、他方（例えば１０４Ｂ）を接地電位にすることで、コンデンサ１００を利用して、両電位間のノイズを確実に除去することができる。
【００７２】
次いで、コンデンサ６００の製造方法について、図１２を参照して説明する。まず、図１２（ａ）に示すように、実施形態１と同様のＢａＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘電体セラミックグリーンシート１８１を多数製造する。
次いで、このシート１８１のうち１枚について、図１２（ｂ）に示すように、このシート１８１の表面１８１の所定位置に、Ｐｄペーストからなり互いにかみ合った櫛歯状パターン（図１１参照）を有する未焼成導体層６８３，６８４を形成する。
【００７３】
他のシート１８１の半数については、図１２（ｃ）に示すように、実施形態１と同様に、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層１８２Ａを形成する。また、残りの半数については、図１２（ｄ）に示すように、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層１８２Ｂを形成する。未焼成第１電極層１８２Ａ及び未焼成第２電極層１８２Ｂはいずれも、シート１８１の表面１８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層１８２Ａはシート１８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層１８２Ｂはシート１８１の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
【００７４】
次いで、未焼成第１電極層１８２Ａが形成されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成されたシート１８１とを交互に積層し、さらに最も上に、未焼成導体層６８３，６８４形成したシート１８１を積層し圧着して、図１２（ｄ）に示すように、積層体６８６を形成する。この積層体６８６の側面６８６Ａには、未焼成導体層６８３及び未焼成第１電極層１８２Ａが、また側面６８６Ｂには、未焼成導体層６８４及び未焼成第２電極層１８２Ｂが露出する。さらにこの側面６８６Ａ，６８６Ｂに、Ｐｄからなる未焼成共通電極層６８７Ａ，６８７Ｂをそれぞれ形成する。
【００７５】
この積層体６８６では、未焼成共通電極層６８７Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続し、しかも、未焼成導体層６８３とも接続する。一方、未焼成共通電極層６８７Ｂはいずれの未焼成第２電極層１８２Ｂとも接続し、しかも、未焼成導体層６８４とも接続する。
次いで、この積層体１８６を焼成（同時焼成）して、図１１に示すコンデンサ６００を形成する。コンデンサ６００をこのようにして形成したので、実施形態１と同様に焼成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。なお、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣ等との接続時のハンダ濡れ性改善のため、焼成後に、第１側面経由配線層６２３（第１接続パッド６２２Ａ）や第２側面経由配線層６２４（第２接続パッド６２２Ｂ）について、Ｎｉ−Ａｕメッキなどのメッキを施すようにしても良い。
このように、同時焼成によってコンデンサ６００を形成すると、容易かつ安価にコンデンサ６００を形成することができる。さらに、このコンデンサ６００では、シート１８１に未焼成ビア導体１８３を形成する必要が無い（図３（ｂ）参照）ので、実施形態１のコンデンサ１００と比較しても、形成が容易になる。
【００７６】
（実施形態４）
次いで、積層部の積層方向両側（図中上下部）に側面−側面転換部を設け、この側面−側面転換部でＩＣチップ等を面接続できるようにしたコンデンサを示す。即ち、図１３に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ７００は、平面視略正方形板状で、大別して実施形態２と同様の積層部４１０と、この上下に２つの転換部、第１側面−側面転換部７２０と第２側面−側面転換部７３０とを有する。なお、このコンデンサ７００のうち、積層部４１０は実施形態４のコンデンサ４００と同様であり、第１側面−側面転換部７２０は実施形態３のコンデンサ６００の側面−側面転換部６２０と同様であるので、同様な部分については、説明を省略あるいは簡略化する。
【００７７】
積層部４１０は、実施形態４と同様の構造を有し（図７参照）、その積層方向（図中上下方向）に平行な側面４０３Ａ，４０３Ｂには、一対の共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂがそれぞれ形成されている。なお、この積層部４１０のうち積層方向最外側（図中上方及び下方）には、それぞれ一方の共通電極層４０４Ｂと導通する最上第２電極層４０２ＢＵ及び最下第２電極層４０２ＢＳが積層形成されている。
【００７８】
一方、第１側面−側面転換部７２０は、実施形態３のコンデンサ６００における側面−側面転換部６２０と同様である。この第１側面−側面転換部７２０には、積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層７２１を備え、この転換絶縁層７２１の外表面（図中上方面）７２１Ｔには、図１３に破線で示す第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂの２種類の接続パッド７２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド７２２も、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとなどそれぞれ面接続可能となっている（図２参照）。
【００７９】
さらに、２つの共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７２１の側面７２１Ａ，７２１Ｂを経由して外表面７２１Ｔに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第１側面経由配線層７２３及び第２側面経由配線層７２４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂとなっている。つまり第１側面経由配線層７２３によって、第１接続パッド７２２Ａと積層部４１０の一方の極をなす一方の共通電極層４０４Ａ及び第１電極層４０２Ａの群（図７参照）とが導通し、同じく第２側面経由配線層７２４によって、第２接続パッド７２２Ｂと積層部４１０の他方の極をなす他方の共通電極層４０４Ｂ及び第２電極層４０２Ｂの群（図７参照）とが導通している。また、第１接続パッド７２２Ａは互いに連結して第１複数接続パッドを構成している。同様に、第２接続パッド７２２Ｂも互いに連結して第２複数接続パッドを構成している。
具体的には、本実施形態においても、５つの第１接続パッド７２２Ａが一列に並んで、直線状に延びる形態の第１複数接続パッドをなしている。従って、第１側面経由配線層７２３には、５つの第１接続パッド７２２Ａを有する第１複数接続パッドが３つ含まれている。同様に、５つの第２接続パッド７２２Ｂが一列に並んで、直線状に延びる形態の第２複数接続パッドをなしている。従って、第２側面経由配線層７２４にも、５つの第２接続パッド７２２Ｂを有する第２複数接続パッドが３つ含まれている。また、第１複数接続パッドと第２複数接続パッドとが交互に並んで配置されている。
また、この第１側面経由配線層７２３（第１複数接続パッド）は、図１３に破線で示すように、多数の第１接続パッド７２２Ａを含み、多数の第１接続パッド７２２Ａと同時に接続している。具体的には、第１複数接続パッドは各々５ヶ、側面経由配線層６２３は合計１５ヶの第１接続パッド７２２Ａと接続している。このように、第１側面経由配線層７２３（第１複数接続パッド）を同時に多数の第１接続パッド７２２Ａと接続させると、形成容易で、第１側面経由配線層７２３（第１複数接続パッド）の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。第２側面経由配線層７２４（第２複数接続パッド）も第２接続パッド７２２Ｂとの関係について同様である。
【００８０】
さらに、本実施形態では、積層部４１０の図中下方に第２側面−側面転換部７３０を有する。この第２側面−側面転換部７３０は、上記第１側面−側面転換部７２０とほぼ同様な構造を有している。即ち、積層部４１０の最下第２電極層４０２ＢＳの積層方向外側（図中下方）に積層された転換絶縁層７３１を備え、この転換絶縁層７３１の外表面（図中下面）７３１Ｖには、図１３（ｂ）下方に破線で示す第３接続パッド７３２Ａ、及び第４接続パッド（図示しない）の２種類の接続パッド７３２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド７３２も、実施形態２と同様に、直接マザーボード等の配線基板のコンデンサ接続端子とそれぞれ面接続する（図８参照）ことができるほか、コンデンサを内蔵するコンデンサ付属配線基板とした上で、樹脂絶縁層等を介してマザーボード等の他の電子部品の接続端子と接続させることもできる。
【００８１】
さらに、２つの共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７３１の側面７３１Ａ，７３１Ｂを経由して外表面７３１Ｖに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第３側面経由配線層７３３及び第４側面経由配線層７３４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドとなっている。つまり第３側面経由配線層７３３によって、第３接続パッド７３２Ａと積層部４１０の一方の極をなす一方の共通電極層４０４Ａ及び第１電極層４０２Ａの群（図７参照）とが導通し、同じく第４側面経由配線層７３４によって、第４接続パッド（図示しない）と積層部４１０の他方の極をなす他方の共通電極層４０４Ｂ及び第２電極層４０２Ｂの群（図７参照）とが導通している。また、第３接続パッド７３２Ａは互いに連結して第３複数接続パッドを構成している。同様に、第４接続パッド７３２Ｂも互いに連結して第４複数接続パッドを構成している。
具体的には、本実施形態においても、５つの第３接続パッド７３２Ａが一列に並んで、直線状に延びる形態の第３複数接続パッドをなしている。従って、第３側面経由配線層７３３には、５つの第３接続パッド７３２Ａを有する第３複数接続パッドが３つ含まれている。同様に、５つの第４接続パッド７３２Ｂが一列に並んで、直線状に延びる形態の第４複数接続パッドをなしている。従って、第４側面経由配線層７３４にも、５つの第４接続パッド７３２Ｂを有する第４複数接続パッドが３つ含まれている。また、第３複数接続パッドと第４複数接続パッドとが交互に並んで配置されている。
また、この第３側面経由配線層７３３（第１複数接続パッド）は、図１３（ｂ）に破線で示すように、多数の第３接続パッド７３２Ａを含み、多数の第３接続パッド７３２Ａと同時に接続している。具体的には、第３複数接続パッドは各々５ヶ、側面経由配線層７３３は合計１５ヶの第３接続パッド７３２Ａと接続している。このように、第３側面経由配線層７３３（第３複数接続パッド）を同時に多数の第３接続パッド７３２Ａと接続させると、形成容易で、第３側面経由配線層７３３（第３複数接続パッド）の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。第４側面経由配線層７３４（第４複数接続パッド）も第４接続パッドとの関係について同様である。
【００８２】
本実施形態のコンデンサ７００も、実施形態２のコンデンサ４００と同様に、直接ＩＣチップと接続することができ、さらに第２側面−側面転換部７３０でマザーボード等の配線基板と接続させることができる（図８、図９参照）。
従って、配線基板の内部配線を介することなく、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップＣＨに電源電位及び接地電位を供給することができる。しかも、この電位間に生じるノイズをＩＣチップＣＨのごく近くにおいてコンデンサ７００によって確実に除去することもできる。
あるいは、実施形態２と同様に、コンデンサ７００を内蔵固着したコンデンサ付属配線基板を形成し、コンデンサ７００の接続端子７２２，７３２を、樹脂絶縁層やコア基板等の形成した内部配線を経由して、ＩＣチップＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させることもできる。このようにしても、コンデンサ７００を介して、低抵抗、低インダクタンスで、マザーボードＷＢからＩＣチップＣＨに電源電位や接地電位を供給することができる。また、コンデンサ７００によってＩＣチップＣＨのごく近傍でこれらの間のノイズも除去することができる。
なお、このコンデンサ７００は、実施形態３のコンデンサ６００と同様にして容易に形成することができ、未焼成転換ビア導体を形成する必要がない点でも特に形成が容易である。
【００８３】
（変形形態４）
上記実施形態４では、Ｐｄからなり上面が平坦な第１側面経由配線層７２３及びそのうちの第１複数接続パッド、第２側面経由配線層７２４及びそのうちの第２複数接続パッド、第３側面経由配線層７３３及びそのうちの第３複数接続パッド、第４側面経由配線層７３４及びそのうちの第４複数接続パッドの一部をそれぞれ接続パッド７２２，７３２として用いたが、例えば、ＩＣチップＣＨのコンデンサ端子ＣＴＣとの接続の際、ハンダが濡れ拡がって接続に寄与するハンダ量が不安定になったり、隣接する接続パッド間でハンダが接触してハンダ量が偏る場合がある。
そこで、例えば本変形形態のコンデンサ８００のように、ＩＣチップや配線基板など他の電子部品との接続の際、ハンダの濡れ拡がりを防止し、隣接する接続パッド間を分離する分離層（ソルダーレジスト層）を形成すると良い。
即ち、図１４に示すコンデンサ８００は、上記実施形態４のコンデンサ７００の上下に、各接続パッド７２２，７３２に対応した位置に透孔８２１Ｈ，８３１Ｈを形成したソルダーレジスト層８２１，８３１をそれぞれ形成したものである。
【００８４】
本変形形態のコンデンサ８００は、積層部４１０の他、上下に２つの転換部、第１側面−側面転換部８２０及び第２側面−側面転換部８３０を有する。
このうち、第１側面−側面転換部８２０は、実施形態４と同じく積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層７２１を備え、この転換絶縁層７２１の外表面７２１Ｔには、図１４に破線で示す第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂの２種類の接続パッド７２２が、格子状に多数形成されている。さらに２つの共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７２１の側面７２１Ａ，７２１Ｂを経由して外表面７２１Ｔに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第１側面経由配線層７２３及び第２側面経由配線層７２４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂとなっている。本変形形態においても、５つの第１接続パッド７２２Ａが一列に並んで、直線状に延びる形態の第１複数接続パッドをなしている。同様に、５つの第２接続パッド７２２Ｂが一列に並んで、直線状に延びる形態の第２複数接続パッドをなしている。また、第１複数接続パッドと第２複数接続パッドとが交互に並んで配置されている。
【００８５】
さらに、この第１側面経由配線層７２３（第１複数接続パッド）及び第２側面経由配線層７２４（第２複数接続パッド）上には、エポキシ樹脂からなり、図１４に破線で示す上記第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂにそれぞれ対応する位置に透孔８２１Ｈが形成されたパターンのソルダーレジスト層８２１が形成されている。
このため、例えば、第１接続パッド７２２Ａや第２接続パッド７２２Ｂと、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとの接続に際して（図８参照）、ハンダが第１接続パッド７２２Ａ等以外の第１側面経由配線層７２３（第１複数接続パッド）や第２側面経由配線層７２４（第２複数接続パッド）上に濡れ拡がることが無くなる。
従って、このコンデンサ８００の第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂと他の電子部品との接続に与るハンダ量が安定し、確実に接続することができる。
【００８６】
同様に第２側面−側面転換部８３０も、実施形態４と同じく積層部４１０の最下第２電極層４０２ＢＳの積層方向外側（図中下方）に積層された転換絶縁層７３１を備え、この転換絶縁層７３１の外表面７３１Ｖには、図１４に破線で示す第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッド（図示しない）の２種類の接続パッド７３２が、格子状に多数形成されている。さらに２つの共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７３１の側面７３１Ａ，７３１Ｂを経由して外表面７３１Ｖに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第３側面経由配線層７３３及び第４側面経由配線層７３４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドとなっている。本変形形態においても、５つの第１接続パッド７２２Ａが一列に並んで、直線状に延びる形態の第１複数接続パッドをなしている。同様に、５つの第２接続パッド７２２Ｂが一列に並んで、直線状に延びる形態の第２複数接続パッドをなしている。また、第１複数接続パッドと第２複数接続パッドとが交互に並んで配置されている。
【００８７】
さらに、この第３側面経由配線層７３３（第３複数接続パッド）及び第４側面経由配線層７３４（第４複数接続パッド）上にも、エポキシ樹脂からなり、図１４に破線で示す上記第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドにそれぞれ対応する位置に透孔８３１Ｈが形成されたパターンのソルダーレジスト層８３１が形成されている。
このため、例えば、第３接続パッド７３２Ａや第４接続パッドと、マザーボードＷＢのコンデンサ接続端子ＷＴＷとの接続に際して（図８参照）、ハンダが第３接続パッド７３２Ａ等以外の第３側面経由配線層７３３（第３複数接続パッド）や第４側面経由配線層７３４（第４複数接続パッド）上に濡れ拡がることが無くなる。
従って、このコンデンサ８００の第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドと他の電子部品との接続に与るハンダ量が安定し、確実に接続することができる。
【００８８】
なお、このコンデンサ８００は、コンデンサ７００を形成した後、所定パターンの樹脂ペーストの塗布や、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ技術により透孔８２１Ｈや８３１Ｈを有するソルダーレジスト層８２１，８３１を形成するなど公知の手法によれば良い。
また、上記変形形態では、ソルダーレジスト層８２１，８３１を、円形の透孔８２１Ｈ，８３１Ｈの部分を除き、コンデンサ７００の上下の略全面に形成したが、ソルダーレジスト層は、ハンダの濡れ拡がりを防止し、隣接する接続パッド間を分離できれば良く、略全面に形成する必要はない。また、透孔の形状も円形とは限らず、正方形状等適宜の形状とすることができる。但し、個々の接続パッド７２２等に対応する開口の面積を互いに等しくするのが好ましい。ハンダの濡れ拡がる面積を一定にすることで、接続に与るハンダ量を均一にできるからである。
【００８９】
（参考形態１）
次いで、第１の参考形態について説明する。上記実施形態及び変形形態では、コンデンサはいずれも積層部の他、ビア−側面転換部あるいは側面−側面転換部を有していた。接続パッドが連結した複数接続パッドを備えていた。これに対し、本参考形態では、例えば、図１５に示すように、共通電極層９０４Ａ，９０４Ｂを、いずれも転換ビア導体によって面接続可能な接続パッドに変換する。即ち、本参考形態にかかるコンデンサ９００は、積層部９１０の他、ビア−ビア転換部９２０を有する。さらに、各々の接続パッドが、他の接続パッドとは連結しない独立の接続パッドとなっている。
このうち積層部９１０は、実施形態１の積層部１１０とほぼ同様の構造を有し、多数の誘電体層９０１と電極層９０２とが交互に積層した略正方形板状の積層セラミックコンデンサ構造の積層体９０３を有する。さらに、この積層体９０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面９０３Ａ，９０３Ｂには、各電極層９０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層９０４Ａ，９０４Ｂがそれぞれ形成されている。つまりこの積層部９１０も、従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされている。なお、この積層部９１０のうち積層方向最外側（図中上方）には、一方の共通電極層９０４Ａと導通する最上第１電極層９０２ＡＵが積層形成されている。
【００９０】
一方、ビア−ビア転換部９２０には、積層部９１０の最上第１電極層９０２ＡＵの積層方向外側（図中上方）に積層された第１転換絶縁層９２１、及びさらにその外側（図中上方）に積層された第２転換絶縁層９２２を備える。この２つの転換絶縁層９２１，９２２の間には、転換電極層９２３が形成されている。また、この第２転換絶縁層９２２の外表面（図中上方面）９２２Ｔには、第１接続パッド９２４Ａ及び第２接続パッド９２４Ｂの２種類の接続パッド９２４が、格子状に多数形成されている。この接続パッド９２４は、実施形態１と同様にＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣなどとそれぞれ接続するものである（図２参照）。
さらに、第１接続パッド９２４Ａは、第１転換絶縁層９２１及び第２転換絶縁層９２２を貫通する第１転換ビア導体９２５によって、最上第１電極層９０２ＡＵを通じて一方の共通電極層９０４Ａに接続している。また、第２接続パッド９２３Ｂは、第２転換絶縁層９２２を貫通する第２転換ビア導体９２６によって転換電極層９２３に接続しており、この転換電極層９２３は、他方の共通電極層９０４Ｂがビア−ビア転換部９２０に延出した延在電極層９２７に接続している。つまり、第２接続パッド９２３Ｂは、他方の共通電極層９０４Ｂと導通している。
【００９１】
従って、このコンデンサ９００においても、図中上方から第１接続パッド９２４Ａ及び第２接続パッド９２４Ｂによって、２つの共通電極層９０４Ａ，９０４Ｂを引き出すことができる。従って、前記コンデンサ１００と同様に（図２参照）、このコンデンサ９００とＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとを面接続によって直接接続させることができる。つまり、ごく短い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のインダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しかも、接続したＩＣチップＣＨにおいて、２つの共通電極層９０４Ａ，９０４Ｂを利用し、一方の共通電極層を電源電位に、他方を接地電位にすることで、コンデンサ９００を利用して、両電位間のノイズを確実に除去することができる。さらに、ＩＣチップＣＨ内の電源電位や接地電位が必要な各所に、コンデンサ接続端子ＣＴＣを通じて、コンデンサ９００から低抵抗、低インダクタンスで電源電位や接地電位を供給することができる。
【００９２】
なお、上記では、格子状に配置された接続パッド９２４のうち、いずれが第１転換ビア導体９２５を経由して最上第１電極層９０２ＡＵに接続する第１接続パッド９２４Ａで、いずれが第２転換ビア導体９２６を経由して転換電極層９２３に接続しする第２接続パッド９２４Ｂであるか説明しなかった。接続するＩＣチップ等に応じて適宜の配置とすればよいからである。
しかし、格子状に配置した接続パッド９２４が、第１転換ビア導体９２５及び第２転換ビア導体と交互に接続するように配置すると良い。即ち、第１転換ビア導体９２５に接続する第１接続パッド９２４Ａと、第２転換ビア導体９２６に接続する第２接続パッド９２４Ｂとが、格子上の各点に交互に並ぶように、第１転換ビア導体９２５及び第２転換ビア導体９２６を形成すると良い。
【００９３】
例えば、このようにしたコンデンサ９００の一方の共通電極層９０４Ａに＋電位を、他方の共通電極層９０４Ｂに−電位（接地電位）を接続すると、図１６（ａ）（ｂ）に示すように、第１電極層９０２Ａ及び第１転換ビア導体９２５が＋電位となり、第２電極層９０２Ｂ、転換電極層９２３及び第２転換ビア導体９２６が−電位となる。さらに、第１接続パッド９２４Ａが＋電位に、第２接続パッド９２４Ｂが−電位になり、図１６（ａ）に示すように、接続パッド９２４について、＋電位と−電位が交互に格子上の各点に並んだ状態に見える。
このようにすると、図１６（ｃ）に矢印で示すように、第１転換ビア導体９２５から流れ出る電流Ｉ１と、第２転換ビア導体９２６に流れ込む電流Ｉ２の向きがちょうど逆向きとなるため、この電流によって第１転換ビア導体９２５と第２転換ビア導体９２６の周りに発生する磁界が打ち消しあう。このため、第１転換ビア導体９２５及び第２転換ビア導体９２６に生じるインダクタンスが低減され、ひいては、コンデンサ９００のインダクタンスを低減させることができる。従って、このように配置したコンデンサ９００では、更に低インダクタンスとなって、ノイズを有効に除去することができる。
【００９４】
次いで、コンデンサ９００の製造方法について、図１７を参照して説明する。まず、図１７（ａ）に示すように、実施形態１と同様の高誘電体セラミックグリーンシート１８１を多数製造する。
次いで、このシート１８１のうち１枚については、図１７（ｂ）に示すように、このシート１８１の所定位置に、Ｐｄペーストからなり、表面１８１Ｔ及び裏面１８１Ｖ間を貫通する第１未焼成ビア導体９８１及び第２未焼成ビア導体９８２を形成する。さらに、表面１８１Ｔのうちこれらの未焼成ビア導体９８１，９８２に接続する位置に、Ｐｄペーストからなる第１未焼成接続パッド９８３及び第２未焼成接続パッド９８４を形成する。
また、このシート１８１のうち他の１枚については、図１７（ｃ）に示すように、このシート１８１のうち上記第１未焼成ビア導体９８１に対応する位置に、Ｐｄペーストからなり、表面１８１Ｔ及び裏面１８１Ｖ間を貫通する第３未焼成ビア導体９８５を形成する。さらに、表面１８１Ｔのうち、この第３未焼成ビア導体９８５に接続する位置にＰｄペーストからなる未焼成カバーパッド９８６を、また、その余の部分に未焼成転換電極層９８７を形成する。この未焼成カバーパッド９８６は、上記した第１未焼成ビア導体９８１と第３未焼成ビア導体９８５と間に介在して両者間を確実に接続するための役割を有する。
【００９５】
他のシート１８１のうち半数については、図１７（ｄ）に示すように、実施形態１と同様にその表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層１８２Ａを形成する。また、残りの半数については、図１７（ｅ）に示すように実施形態１と同様、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層１８２Ｂを形成する。未焼成第１電極層１８２Ａ及び未焼成第２電極層１８２Ｂはいずれも、シート１８１の表面１８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層１８２Ａはシート１８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層１８２Ｂはシート１８１の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
【００９６】
次いで、未焼成第１電極層１８２Ａが形成されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成されたシート１８１とを交互に積層する。これらの上に、未焼成転換電極層９８７や第３未焼成ビア導体９８５が形成されたシート１８１を積層し、さらに第１未焼成接続パッド９８３や第２未焼成接続パッド９８４が形成されたシート１８１を積層し、圧着して、図１７（ｆ）に示すように、積層体９８８を形成する。この積層体９８８の側面９８８Ａには未焼成第１電極層１８２Ａが、また側面９８８Ｂには未焼成第２電極層１８２Ｂ及び未焼成転換電極層９８７が、露出する。さらにこの側面９８８Ａ，９８８Ｂに、Ｐｄからなる未焼成共通電極層９８９Ａ，９８９Ｂをそれぞれ形成する。なお、未焼成共通電極層９８９Ｂは未焼成転換電極層９８７とも接続するように形成する。
【００９７】
この積層体９８８では、未焼成共通電極層９８９Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続し、しかも、そのうち積層方向最外側（図中最上）の最上未焼成第１電極層１８２ＡＵ、第３未焼成ビア導体９８５、未焼成カバーパッド９８６，第１未焼成ビア導体９８１を経由して第１未焼成接続パッド９８３とも接続する。一方、未焼成共通電極層９８８Ｂは、いずれの未焼成第２電極層１８２Ｂとも接続し、しかも、未焼成転換電極層９８７、第２未焼成ビア導体９８２を経由して第２未焼成接続パッド９８４とも接続する。
次いで、この積層体９８８を焼成（同時焼成）して、図１５に示すコンデンサ９００を形成する。コンデンサ９００をこのようにして形成したので、コンデンサ１００と同様、焼成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。なお、ハンダ濡れ性改善のため、焼成後に、第１接続パッド９２４Ａ及び第２接続パッド９２４Ｂについて、Ｎｉ−Ａｕメッキなどのメッキを施すようにしても良い。
このように、同時焼成によって形成すると、容易かつ安価にコンデンサ９００を形成することができる。
【００９８】
（参考形態２）
上記参考形態１では、積層部９１０とビア−ビア転換部９２０とを有するコンデンサ９００を同時焼成によって形成した。しかし、先に積層部を形成した後にビア−ビア転換部を形成して同様な構造のコンデンサとすることもできる。
本参考形態のコンデンサ１０００は、上記コンデンサ９００とは製造方法が異なり、前記変形形態１と同様にレーザを用いるが、コンデンサの構造やＩＣチップＣＨ等と接続した場合の利点は変わらないので、同様の部分についての説明を省略あるいは簡略化する。
【００９９】
本参考形態のコンデンサ１０００の製造方法としては、前記変形形態１と同様にして、未焼成第１電極層１８２Ａが形成されたシート１８１（図１７（ｄ）参照）と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成されたシート１８１（図１７（ｅ）参照）とを交互に積層し、さらに未焼成共通電極層９８９Ａ，９８９Ｂ形成後に同時焼成して、まず積層部１０１０を形成する。
続いて、この積層部１０１０上にビア−ビア転換部１０２０を形成する。まず図１８（ａ）に示すように、最上第１電極層１００２ＡＵの上面１００２ＡＵＴ及びこの最上第１電極層１００２ＡＵの直下に位置する最上誘電体層１００１Ｕの上面１００１ＵＴのうち露出部分（図中右端部分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる第１転換絶縁層１０２１を形成する。具体的には、フィルム状の未硬化樹脂を貼り付け、硬化させて形成する。
【０１００】
次いで、図１８（ｂ）に示すように、この第１転換絶縁層１０２１の所定位置に、レーザにより最上第１電極層１００２ＡＵまで届く貫通孔１０２１Ｈを形成する。
その後、図１８（ｃ）に示すように、貫通孔１０２１Ｈ内、第１転換絶縁層１０２１の上面１０２１Ｔ、及び共通電極層１００４Ｂに近い第１転換絶縁層１０２１の側面１０２１Ｂに、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを充填・塗布し硬化させて、第３転換ビア導体１０２２、延在電極層１０２３Ｂを含む転換電極層１０２３、及びカバーパッド１０２４を形成する。
【０１０１】
さらに、図１８（ｄ）に示すように、これらの上に第２転換絶縁層１０２５を形成する。
この第２転換絶縁層１０２５のうち転換電極層１０２３及びカバーパッド１０２４に対応する所定位置に、図１８（ｅ）に示すように、同じくレーザにより貫通孔１０２５Ｈを穿孔する。
さらに、貫通孔１０２５Ｈ内及び転換絶縁層１０２５の上面１０２５Ｔに、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを充填・塗布し硬化させて、第１転換ビア導体１０２６、第２転換ビア導体１０２７、第１接続パッド１０２８Ａ、及び第２接続パッド１０２８Ｂを形成してビア−ビア転換部１０２０とする。
これによりコンデンサの機能を有する積層部１０１０と、２つの共通電極層１００４Ａ，１００４Ｂを面接続可能な第１接続パッド１０２８Ａ及び第２接続パッド１０２８Ｂに転換するビア−ビア転換部１０２０とを有するコンデンサ１０００が形成される。このコンデンサ１０００は、前記コンデンサ９００と同様に、ＩＣチップＣＨ等に直接面接続でき、ノイズ除去や各部への電位供給の役割を果たさせることができる。
また、前記変形形態２と同様に、フォトリソグラフィ技術を用いて貫通孔を有する転換絶縁層を形成したり、メッキ技術によって転換ビア導体や接続パッド等を形成することもできる。
【０１０２】
（参考形態３）
上記参考形態１及び参考形態２では、積層部の積層方向片側（図中上部）にビア−ビア転換部を設け、このビア−ビア転換部でＩＣチップ等を面接続できるようにしたコンデンサを示したが、ビア−ビア転換部は積層部の積層方向両側に設けても良い。即ち、図１９に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ１１００は、平面視略正方形板状で、大別して積層部１１１０と、この上下に２つの転換部、第１ビア−ビア転換部１１２０と第２ビア−ビア転換部１１３０とを有する。なお、このコンデンサ１１００は、転換部を２つ備える点を除き、参考形態１のコンデンサ９００とほぼ同様であるので、同様な部分については、説明を省略あるいは簡略化する。
【０１０３】
積層部１１１０は、参考形態１と同様に多数の誘電体層１１０１と電極層１１０２とを交互に積層した略正方形板状の積層体１１０３を有する。さらに、この積層体１１０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面１１０３Ａ，１１０３Ｂには、各電極層１１０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂがそれぞれ形成されている。なお、この積層部１１１０のうち積層方向最外側（図中上方及び下方）には、それぞれ一方の共通電極層４０４Ａと導通する最上第１電極層１１０２ＡＵ及び最下第１電極層１１０２ＡＳが積層形成されている。
【０１０４】
また、第１ビア−ビア転換部１１２０も、参考形態１におけるビア−ビア転換部９２０と同様である。即ち、第１ビア−ビア転換部１１２０には、積層部１１１０の最上第１電極層１１０２ＡＵの積層方向外側（図中上方）に積層された第１転換絶縁層１１２１、さらにその外側の第２転換絶縁層１１２２を備える。この間には第１転換電極層１１２３が形成されている。この第２転換絶縁層１１２２の外表面１１２２Ｔには、ＩＣチップのコンデンサ接続端子等に対応する位置に、第１接続パッド１１２４Ａ及び第２接続パッド１１２４Ｂの２種類の接続パッド１１２４が、格子状に多数形成されている。
さらに、第１接続パッド１１２４Ａは、第１転換絶縁層１１２１及び第２転換絶縁層１１２２を貫通する第１転換ビア導体１１２５によって、最上第１電極層１１０２ＡＵを通じて一方の共通電極層１１０４Ａに接続している。また、第２接続パッド１１２４Ｂは、第２転換絶縁層１１２２を貫通する第２転換ビア導体１１２６によって第１転換電極層１１２３に接続し、さらに上部延在電極層１１２７によって他方の共通電極層１１０４Ｂに接続している。
【０１０５】
さらに、本参考形態のコンデンサ１１００では、第２ビア−ビア転換部１１３０を有する。この第２ビア−ビア転換部１１３０は、第１ビア−ビア転換部１１２０と概略同様な構造であり、積層部１１１０の最下第１電極層１１０２ＡＳの積層方向外側（図中下方）に積層された第３転換絶縁層１１３１、さらにその外側の第４転換絶縁層１１３２を備える。この間には第２転換電極層１１３３が形成されている。この第４転換絶縁層１１３２の外表面１１３２Ｖには、マザーボードのコンデンサ接続端子等に対応する位置に、第３接続パッド１１３４Ａ及び第４接続パッド１１３４Ｂの２種類の接続パッド１１３４が、格子状に多数形成されている。
さらに、第３接続パッド１１３４Ａは、第３転換絶縁層１１３１及び第４転換絶縁層１１３２を貫通する第３転換ビア導体１１３５によって、最下第１電極層１１０２ＡＳを通じて一方の共通電極層１１０４Ａに接続している。また、第４接続パッド１１３４Ｂは、第４転換絶縁層１１３２を貫通する第４転換ビア導体１１３６によって第２転換電極層１１３３に接続し、さらに下部延在電極層１１３７によって他方の共通電極層１１０４Ｂに接続している。
【０１０６】
従って、このコンデンサ１１００では、参考形態１と同様に、例えばＩＣチップと直接接続することができ、さらに第２ビア−ビア転換部１１３０でマザーボード等の配線基板と接続させることができる。つまり、実施形態２のコンデンサ４００と同様、マザーボードＷＢとＩＣチップＣＨとの間に貫通孔内にコンデンサを有するコンデンサ付属配線基板を介在させるようにして、両者間を接続することができる（図８、図９参照）。
従って、配線基板の内部配線を介することなく、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップＣＨに電源電位及び接地電位を供給することができる。しかも、この電位間に生じるノイズをＩＣチップＣＨのごく近くにおいてコンデンサ１１００によって確実に除去することもできる。
【０１０７】
あるいは、コンデンサ１１００を内蔵固着したコンデンサ付属配線基板を形成し、コンデンサ１１００の接続パッド１１２４，１１３４を、樹脂絶縁層やコア基板等の形成した内部配線を経由して、ＩＣチップＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させることもできる。このようにしても、コンデンサ１１００を介して、低抵抗、低インダクタンスで、マザーボードＷＢからＩＣチップＣＨに電源電位や接地電位を供給することができる。また、コンデンサ１１００によってＩＣチップＣＨのごく近傍でこれらの間のノイズも除去することができる。
なお、このコンデンサ１１００は、参考形態１のコンデンサ９００と同様に同時焼成により、あるいは、参考形態２のコンデンサ１０００と同様にして樹脂製の転換絶縁層を形成しレーザによって穿孔するなどの手法により形成することができる。
コンデンサ１１００では、側面経由配線層を形成せず、各接続パッド１１２４，１１３４と共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂと転換ビア導体１１２５等を介して接続するので、ＩＣチップやマザーボード等の接続端子の位置に合わせて接続パッド１１２４，１１３４を容易に形成できる。
【０１０８】
なお、本参考形態３においても、上記参考形態１における接続パッド９２４、第１転換ビア導体９２５、及び第２転換ビア導体９２６と同様に、格子状に配置した接続パッド１１２４が、第１転換ビア導体１１２５及び第２転換ビア導体１１２６と交互に接続するように配置すると良い。各ビアにおいてインダクタンスを低減できるからである。さらに、格子状に配置した接続パッド１１３４が、第３転換ビア導体１１３５及び第４転換ビア導体１１３６と交互に接続するように配置すると良い。これらのビアにおいてもインダクタンスを低減でき、コンデンサ１１００のインダクタンスをより低くできるからである。
【０１０９】
以上において、本発明を実施形態及び変形形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態等に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態等では、誘電体層１０１等にＢａＴｉＯ3を主成分とする高誘電体セラミックを用いたが、誘電体層の材質はこれに限定されず、例えば、ＰｂＴｉＯ3，ＰｂＺｒＯ3，ＴｉＯ2，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＭｇＴｉＯ3，ＫＮｂＯ3，ＮａＴｉＯ3，ＫＴａＯ3，ＲｂＴａＯ3，（Ｎａ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3，Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3，（Ｋ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3などが挙げられ、要求されるコンデンサの静電容量その他に応じて適宜選択すればよい。
また、電極層１０２等や共通電極層１０４等、側面経由配線層１２３等、転換ビア導体１２５等に、Ｐｄを用いたが、誘電体層の材質等との適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙げられる。
【０１１０】
変形形態１等では、転換絶縁層２０５等に、エポキシ樹脂を用いたが、耐熱性、パターン成形性等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げられる。
また、側面経由配線層２０６、転換ビア導体２０７、第２接続パッド２０８等を、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを充填塗布して形成したが、他の材質の導電性ペーストを用いて形成しても良い。
また、変形形態２等では、側面経由配線層３０６、転換ビア導体３０７、第２接続パッド３０８等を無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキによって形成したが、その他の材質、例えば、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良い。
【０１１１】
上記実施形態１等では、側面経由配線層１２３等が、多数の第１接続パッド１２２Ａを含み、複数接続パッドとなっているものを示したが、個々の第１接続パッドと共通電極層とをそれぞれ接続する側面経由配線としても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】実施形態１にかかり、一方（図（ｂ）中上方）にビア−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図２】コンデンサを収納する貫通孔を有する配線基板と、この貫通孔内に収容された実施形態１にかかるコンデンサからなるコンデンサ付属配線基板の説明図である。
【図３】実施形態１にかかるコンデンサの製造方法を説明する説明図である。
【図４】変形形態１にかかるコンデンサの製造方法のうち積層部を形成するまでを説明する説明図である。
【図５】変形形態１にかかるコンデンサの製造方法のうちビア−側面転換部をレーザ孔空けによって形成する工程を説明する説明図である。
【図６】変形形態２にかかるコンデンサの製造方法のうちビア−側面転換部をフォトリソグラフィ技術によって形成する工程を説明する説明図である。
【図７】実施形態２にかかり、両側（図中上下）にビア−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図８】実施形態２にかかるコンデンサを貫通孔内に収容したコンデンサ付属配線基板の説明図である。
【図９】図８のコンデンサ付属配線基板に収容したコンデンサの接続回路図である。
【図１０】変形形態３にかかり、接続パッドの一部を複数接続パッドとしたビア−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１１】実施形態３にかかり、一方（図（ｂ）中上方）に側面−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１２】実施形態３にかかるコンデンサの製造方法を説明する説明図である。
【図１３】実施形態４にかかり、両側（図中上下）に側面−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１４】変形形態４にかかり、図１３のコンデンサの上下に円形の開口を有する分離層を形成したコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１５】参考形態１にかかり、一方（図（ｂ）中上方）にビア−ビア転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１６】参考形態１のコンデンサにかかり、一方の共通電極層に＋電位を他方の共通電極に−電位を接続したときの様子を示す説明図である。
【図１７】参考形態１にかかるコンデンサの製造方法を説明する説明図である。
【図１８】参考形態２にかかるコンデンサの製造方法のうち積層部上にレーザ孔空けを用いてビア−ビア転換部を形成する工程を説明する説明図である。
【図１９】参考形態３にかかり、両側（図中上下）にビア−ビア転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図２０】従来の積層セラミックコンデンサの構造を示す断面説明図である。
【図２１】コンデンサを上面や下面に搭載した従来の配線基板におけるコンデンサ接続配線の様子を説明する説明図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００，９０，１０００，１１００  コンデンサ
１１０，２１０，３１０，４１０，５１０，６１０，７１０，８１０，９１０，１０１０，１１１０  積層部（積層コンデンサ部）
１２０，２２０，３２０，４２０，４３０，５２０  ビア−側面転換部
６２０，７２０，７３０，８２０，８３０  側面−側面転換部
９２０，１０２０，１１２０，１１３０  ビア−ビア転換部
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１，７０１，８０１，９０１，１００１，１１０１  誘電体層
１０２，２０２，４０２，９０２，１０２１，１１０２  電極層
１０３，２０３，４０３，９０３，１１０３  積層体
１０４，２０４，３０４，４０４，５０４，６０４，７０４，８０４，９０４，１００４，１１０４  共通電極層
１２１，２０５，３０５，４２１，４３１，５２１，６２１，７２１，７３１，９２１，９２２，１０２１，１０２５，１１２１，１１２２，１１３１，１１３２  転換絶縁層
１２２，２０８，３０６Ｐ，３０８，４２２，４３２，５２２，５２４，６２２，７２２，７３２，９２４，１０２８、１１２４，１１３４  接続パッド
１２５，２０７，３０７，５２５，９２５，９２６，１０２２，１０２６，１０２７，１１２５，１１２６，１１３５，１１３６  転換ビア導体
ＣＨ  ＩＣチップ（接続対象部材）
ＣＴＣ  コンデンサ接続端子
１５０  コンデンサ付属配線基板
ＷＢ  マザーボード（接続対象部材）