(57)【要約】【課題】ＡＣ型のプラズマディスプレイパネルにおいて、気相成膜法で形成される誘電体層を平坦化し、誘電体層上に形成する保護膜を平坦にして、電極間の放電電圧の均一化を図る。【解決手段】電極を形成した基板上に、その電極を覆うように気相成膜法で誘電体層を形成し、その誘電体層上に保護膜を形成する。そして、誘電体層を形成する際に、誘電体層に平坦化処理を施す。【選択図】図３
2006196307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けた電極を誘電体層で被覆してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
電極を形成した基板上に、その電極を覆うように気相成膜法で誘電体層を形成し、
その誘電体層上に保護膜を形成することからなり、
誘電体層に平坦化処理を施す工程を設けたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
誘電体層がＳｉＯ2膜からなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
誘電体層に平坦化処理を施す工程が、誘電体層を形成する前に、電極を形成した基板上に低融点ガラスペーストを用いた厚膜法で平坦化層を形成することからなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
基板上に形成された電極が厚膜法で形成された電極からなり、誘電体層に平坦化処理を施す工程が、その厚膜法で形成された電極を押圧して平坦化することからなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
誘電体層に平坦化処理を施す工程が、誘電体層を形成する前に、電極のエッジ部を除去することからなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
電極のエッジ部を除去する工程が、電極を形成した後、スパッタエッチング法により電極のエッジを削ることからなる請求項５記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
電極のエッジ部を除去する工程が、電極をウエットエッチングで形成する際のエッチング時間を多目に設定して、オーバーエッチにより電極のエッジを削ることからなる請求項５記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
保護膜が、ＭｇＯを用い、かつ平均膜厚１μｍ前後の薄膜形成プロセスで形成されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
基板上に設けた電極を覆う誘電体層と、その誘電体層を覆う保護膜を有してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルであって、
誘電体層の少なくとも一部の層が気相成膜法で形成された層であり、その誘電体層が下層の電極の凹凸に関係なく基板の平面度に沿って略平坦であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
誘電体層がＳｉＯ2膜からなる請求項９記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」と記す）及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、表示ムラの緩和を図ったＰＤＰ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰとして、ＡＣ型３電極面放電形式のＰＤＰが知られている。このＰＤＰの汎用例は、前面側（表示面側）の基板の内面に面放電が可能な表示電極を水平方向に多数設け、背面側の基板の内面に発光セル選択用のアドレス電極を表示電極と交差する方向に多数設け、表示電極とアドレス電極との交差部をセルとするものである。
【０００３】
表示電極は誘電体層で覆われ、その上に保護膜が形成されている。アドレス電極も誘電体層で覆われ、アドレス電極とアドレス電極との間には隔壁が形成され、隔壁間には蛍光体層が形成されている。
【０００４】
ＰＤＰは、このように作製した前面側のパネルアセンブリと背面側のパネルアセンブリとを対向させて周辺を封止した後、内部に放電ガスを封入することにより作製されている。
【０００５】
このＰＤＰでは、前面側の基板に着目した場合、表示電極が誘電体層で被覆され、その上に保護膜が形成される。一般に、誘電体層は厚み１０μｍ以上の低融点ガラス層が厚膜形成プロセスで形成され、保護膜は厚さ１μｍ前後の薄膜形成プロセスで形成されることが多い。
【０００６】
しかしながら、近年は省エネルギーの観点から、誘電率の低い誘電体層が求められてきており、このため、誘電体層として気相成膜法でＳｉＯ2膜を形成することが行われるようになってきている。
【０００７】
気相成膜法で誘電体層を形成した場合、誘電体層の表面は電極等の下地の形状にならう形になる。結果として誘電体層の表面が凹凸となる（特許文献１参照）。特に膜厚の大きい電極などが下地にある場合、この電極の表面の凹凸は激しいため、誘電体層の表面の凹凸も激しくなる。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−２１３０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このように誘電体層の表面の凹凸が激しいと、誘電体層上に形成する保護膜の表面積が大きくなり、ＰＤＰの内部に封入した放電ガスが保護膜に吸着されやすくなる。このため、保護膜の放電ガス吸着量の増加による放電電圧の上昇等を招く。特に下地の表面形状の凹凸や段差が、保護膜の厚みと同等レベルの曲率半径を持つ場合、保護膜の結晶間に隙間が生じ、さらなる表面積の増大をもたらす。
【００１０】
また、このような凹凸が基板表面にあると、対向する基板上に隔壁が設けられているパネル構造では当該隔壁との接触部に凹凸ができるので、荷重が集中して隔壁の欠け等の原因となる。
【００１１】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、表示電極を被覆する誘電体層に平坦化処理を施すことで誘電体層を平坦化し、それによって誘電体層上に形成する保護膜を平坦にして、表示電極間の放電電圧の均一化を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、基板上に設けた電極を誘電体層で被覆してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、電極を形成した基板上に、その電極を覆うように気相成膜法で誘電体層を形成し、その誘電体層上に保護膜を形成することからなり、誘電体層に平坦化処理を施す工程を設けたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、誘電体層の平坦化を図ることにより、保護膜が平坦になり、これにより、保護膜の放電ガス吸着量を抑えることができ、表示電極間の放電電圧の均一化を図ることができる。また、隔壁の欠けが防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明において、前面側のパネルアセンブリおよび背面側のパネルアセンブリとしては、ガラス、石英、セラミックス等からなる前面側の基板および背面側の基板に、それぞれ電極、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構成物を形成した基板が含まれる。
【００１５】
前面側の基板に形成する電極は、当該分野で公知の各種の材料と方法を用いて形成することができる。電極に用いられる材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ2などの透明な導電性材料や、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどの金属の導電性材料が挙げられる。電極の形成方法としては、当該分野で公知の各種の方法を適用することができる。たとえば、印刷などの厚膜形成技術（厚膜形成プロセス）を用いて形成してもよいし、物理的堆積法または化学的堆積法からなる薄膜形成技術（薄膜形成プロセス）を用いて形成してもよい。厚膜形成技術としては、スクリーン印刷法などが挙げられる。薄膜形成技術の内、物理的堆積法としては、蒸着法やスパッタ法などが挙げられる。化学的堆積方法としては、熱ＣＶＤ法や光ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法などが挙げられる。
【００１６】
誘電体層は、電極を覆うように気相成膜法で形成される。この誘電体層は、当該分野で公知の各種の材料を用いて形成することができる。たとえばＳｉＯ2膜を気相成膜法で形成したものを適用することができる。気相成膜法としては、上述の熱ＣＶＤ法や光ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法のような各種の化学的堆積方法を用いることができる。
【００１７】
保護膜は、誘電体層上に形成されていればよい。この保護膜は、電子ビーム蒸着法やプラズマＣＶＤ法のような、当該分野で公知の薄膜形成プロセスによって形成することができる。この保護膜は、ＭｇＯを用い、かつ平均膜厚１μｍ前後の薄膜形成プロセスで形成されていることが望ましい。
【００１８】
本発明においては、誘電体層に平坦化処理を施す。この平坦化処理の工程としては、たとえば、誘電体層を形成する前に、電極を形成した基板上に低融点ガラスペーストを用いた厚膜法で平坦化層を形成する工程を適用するようにしてもよい。
【００１９】
上記平坦化処理の工程としては、基板上に形成された電極が厚膜形成プロセスで形成された電極である場合には、その厚膜形成プロセスで形成された電極を押圧して平坦化する工程を適用するようにしてもよい。
【００２０】
上記平坦化処理の工程としては、誘電体層を形成する前に、電極のエッジ部を除去する工程を含むものである。この場合、電極のエッジ部を除去する工程は、電極を形成した後、スパッタエッチング法により電極のエッジを削るようにしてもよい。また、電極をウエットエッチングで形成する際には、エッチング時間を多目に設定して、オーバーエッチにより電極のエッジを削るようにしてもよい。
【００２１】
本発明は、また、前面側の基板と背面側の基板との間に放電空間を形成し、前面側の基板の内面に、電極を覆う誘電体層と、その誘電体層を覆う保護膜を有してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルであって、誘電体層の少なくとも一部の層が気相成膜法で形成された層であり、その誘電体層が下層の電極の凹凸に関係なく基板の平面度に沿って略平坦であることを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
上記構成においては、誘電体層をＳｉＯ2膜で構成することができる。
【００２２】
以下、図面に示す実施形態に基づいて本発明を詳述する。なお、本発明はこれによって限定されるものではなく、各種の変形が可能である。
【００２３】
図１（ａ）および図１（ｂ）は本発明の製造方法を適用したＰＤＰの構成を示す部分分解斜視図である。このＰＤＰはカラー表示用のＡＣ型３電極面放電形式のＰＤＰである。
【００２４】
本ＰＤＰ１は、前面側の基板１１を含む前面側のパネルアセンブリ１０と、背面側の基板２１を含む背面側のパネルアセンブリ２０から構成されている。前面側の基板１１と背面側の基板２１としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板等を使用することができる。前面側のパネルアセンブリ１０と背面側のパネルアセンブリ２０との間の周辺部にシール材による封止領域３５が形成され、この封止領域３５の内側が表示領域ＥＳとなる。
【００２５】
前面側の基板１１の内側面には、横方向に一対の表示電極Ｘ，Ｙが電極対間で放電が生じない間隔を隔てて形成されている。表示電極Ｘと表示電極Ｙとの間が表示ラインＬとなる。各表示電極Ｘ，Ｙは、ＩＴＯ、ＳｎＯ2などの幅の広い透明電極４１と、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層膜）等からなる幅の狭い金属電極４２から構成されている。金属電極は一般にバス電極と呼ばれる。表示電極Ｘ，Ｙは、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００２６】
表示電極Ｘ，Ｙの上には、表示電極Ｘ，Ｙを覆うように交流（ＡＣ）駆動用の誘電体層１７が形成されている。誘電体層１７は、気相成膜法でＳｉＯ2膜を成膜することにより形成している。
【００２７】
誘電体層１７の上には、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層１７を保護するための保護膜１８が形成されている。この保護膜はＭｇＯで形成されている。
【００２８】
背面側の基板２１の内側面には、平面的にみて表示電極Ｘ，Ｙと交差する方向に複数のアドレス電極Ａが形成され、そのアドレス電極Ａを覆って誘電体層２４が形成されている。アドレス電極Ａは、表示電極対の一方のＹ電極との交差部で発光セルを選択するためのアドレス放電を発生させるものであり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造で形成されている。このアドレス電極Ａは、その他に、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等で形成することもできる。アドレス電極Ａも、表示電極Ｘ，Ｙと同様に、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。誘電体層２４は、低融点ガラスペーストを、背面側の基板２１上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより形成している。
【００２９】
隣接するアドレス電極Ａとアドレス電極Ａとの間の誘電体層２４上には、複数の隔壁２９が形成されている。隔壁２９は、サンドブラスト法、印刷法、フォトエッチング法等により形成することができる。例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒等からなるガラスペーストを誘電体層２４上に塗布して乾燥させた後、そのガラスペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹きつけて、マスクの開口に露出したガラスペースト層を切削し、さらに焼成することにより形成する。また、フォトエッチング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー樹脂に感光性の樹脂を使用し、マスクを用いた露光及び現像の後、焼成することにより形成する。
【００３０】
隔壁２９の側面及び隔壁間の誘電体層２４上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが形成されている。蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストを隔壁２９間の凹溝状の放電空間内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色毎に繰り返した後、焼成することにより形成している。この蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料（いわゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この場合、所望の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを各色毎に繰り返すことで、対応する隔壁間に各色の蛍光体層を形成することができる。
【００３１】
ＰＤＰは、上記した前面側のパネルアセンブリと背面側のパネルアセンブリとを、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが交差するように対向配置し、周囲をシール材で封止し、隔壁２９で囲まれた放電空間３０に放電ガスを充填することにより作製されている。このＰＤＰでは、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとの交差部の放電空間３０が表示の最小単位である１つのセル領域（単位発光領域）となる。１画素はＲ、Ｇ、Ｂの３つのセルで構成される。
【００３２】
誘電体層１７の下には本発明の特徴とする平坦化処理が施されており、以下の実施形態によってその平坦化処理について説明する。
【００３３】
図２は誘電体層の平坦化の一例を示す説明図である。
前面側の基板１１上には、表示電極Ｘ，Ｙとして透明電極４１と金属電極４２が形成される。透明電極４１はＩＴＯからなる電極であり、金属電極４２は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの三層の積層膜からなる金属電極である。この金属電極４２は、スクリーン印刷のような厚膜法により、Ａｇ、Ａｕなどで形成してもよい。
【００３４】
このように、前面側の基板１１上に透明電極４１と金属電極４２が形成されていると、その上に直接気相成膜法で誘電体層１７を形成しても、誘電体層１７の表面が平坦にならない。これに対応するため、本形態では、誘電体層１７の下に平坦化層１９を形成することで、誘電体層１７の平坦化を図る。
【００３５】
すなわち、透明電極４１と金属電極４２の上に平坦化層１９を形成し、その平坦化層１９の上に気相成膜法でＳｉＯ2膜からなる誘電体層１７を形成し、その誘電体層１７の上に保護膜１８を形成する。
【００３６】
透明電極４１と金属電極４２の凹凸が平坦化層１９によって平坦化され、その上に誘電体層１７が形成されるので、誘電体層１７が平坦になる。そして、その平坦化された誘電体層１７上に保護膜１８が形成されるので、保護膜１８が平坦に形成される。
【００３７】
図３は誘電体層の平坦化方法の一例を示す説明図である。
まず、前面側の基板１１上に、薄膜法（薄膜プロセス法）あるいは厚膜法（厚膜プロセス法）により、透明電極４１および金属電極４２を形成する（図３（ａ）参照）。
【００３８】
次に、レベリングにより表面が平坦になる平坦化層１９を形成する。この平坦化層１９は、低融点ガラス、バインダー樹脂、溶剤等からなるペーストをスクリーン印刷等の手法により透明電極４１および金属電極４２上にコーティングする（図３（ｂ）参照）。
【００３９】
その後、乾燥工程（１５０〜２５０℃）により溶剤を蒸発させ（図３（ｃ）参照）、焼成工程（５００〜６００℃）にてバインダー樹脂を焼失させ、低融点ガラスを溶融、固化させることで、平坦化層１９を形成する（図３（ｄ）参照）。
【００４０】
この際、乾燥工程および焼成工程でのレベリング作用により層の表面が平坦化される。十分な平坦化のためには、平坦化層１９の厚みを透明電極４１および金属電極４２の厚みの３倍以上にすることが望ましい。低融点ガラスペーストのコーティングに代えて、グリーンシートに加工した低融点ガラスをラミネートにより張り付けてもよい。
【００４１】
次に、平坦化層１９の上に薄膜法で誘電体層１７を形成する（図３（ｅ）参照）。ここでは、誘電体層１７は、気相成膜法でＳｉＯ2膜を厚み１μｍ前後に形成する。
【００４２】
最後に、誘電体層１７の上に薄膜法で保護膜１８を形成する（図３（ｆ）参照）。ここでは、保護膜１８は、蒸着法でＭｇＯ膜を厚さ約５０００Åに形成する。
【００４３】
誘電体層１７が平坦になることにより、保護膜１８が平坦になり、保護膜１８の吸着ガスの増大が防止できる。また隔壁の欠けが防止できる。
【００４４】
図４は金属電極の平坦化の一例を示す説明図である。
前面側の基板１１上に、透明電極４１を形成した後、厚膜法でＡｇ、Ａｕなどの金属電極４２を形成した場合、金属電極４２が平坦に形成されない。本形態では、これに対応するため、金属電極４２を押圧して平坦化し、その上に誘電体層１７を形成することで、誘電体層１７の平坦化を図る。
【００４５】
図５は金属電極の平坦化方法の一例を示す説明図である。
まず、前面側の基板１１上に、薄膜法で透明電極４１を形成し、その透明電極４１の上に厚膜法で金属電極４２を形成する（図５（ａ）参照）。
厚膜法で金属電極４２を形成した場合、金属粒子は直径数ミクロンレベルであり、表面の凹凸が激しい。そのため、研磨用シート等により、厚膜の金属電極４２の表面を研磨する。もしくは厚膜の金属電極４２をローラー５１で加圧する（図５（ｂ）参照）。あるいはプレッサー５２でプレスすることにより（図５（ｃ）参照）、厚膜の金属電極４２を変形させ表面を平坦化する。
【００４６】
その後、気相成膜法で誘電体層１７を形成し（図５（ｄ）参照）、その上に保護膜を形成する。
【００４７】
この場合、金属電極の形成に用いる材料を数ナノレベルの微小な粒子にすることにより、金属表面の平坦性を改善してもよい。
【００４８】
図６は電極エッジの平坦化の一例を示す説明図である。
本形態では、薄膜法で形成した金属電極のエッジに傾斜をつけることで、誘電体層の平坦化を図る。
【００４９】
図７は電極エッジの平坦化方法の一例を示す説明図である。
まず、前面側の基板１１全体に金属電極膜を形成し、フォトリソ法でレジストをパターニングし、ウエットエッチングで金属電極４２を形成する（図７（ａ）参照）。
【００５０】
次に、スパッタエッチング法により金属電極４２のエッジを削る（図７（ｂ）参照）。本形態においては、Ａｒイオンによるイオンスパッタエッチングを行う例を示している。
または、金属電極４２を研磨布等で機械的に研磨する。
【００５１】
図８は電極エッジの平坦化方法の他の例を示す説明図である。
まず、前面側の基板１１全体に金属電極膜を形成する。次に、フォトリソ法でレジスト５３をパターニングする。そして、ウエットエッチングを行う際、通常であれば、エッチングの時間を適切に設定して、図８（ａ）に示すように、ジャストエッチの状態でエッチングを終了するのであるが、本形態においては、図８（ｂ）に示すように、意識的にエッチング時間を長く設定し、オーバーエッチとなるようにする。これにより、金属電極４２のエッジに傾斜をつける。
【００５２】
図９は積層電極のエッジの平坦化の一例を示す説明図である。
本形態では、薄膜法で複数の層を積層した金属電極である場合、上層電極のようが下層電極よりも幅が狭くなる形状（ピラミッド形状）にする。
【００５３】
本形態では、金属電極４２は、第１層をＣｒ層４２ａ、第２層をＣｕ層４２ｂ、第３層をＣｒ層４２ｃとしている。このように傾斜をつけて積層電極を形成することで、誘電体層の平坦化と、その上の保護膜の平坦化を図る。
【００５４】
図１０は積層電極のエッジの平坦化方法の一例を示す説明図である。
まず、前面側の基板１１全体に３層の金属電極膜を形成する。第１層はＣｒ層４２ａ、第２層はＣｕ層４２ｂ、第３層はＣｒ層４２ｃである。
【００５５】
次に、フォトリソ法でレジスト５３をパターニングする（図１０（ａ）参照）。その後、Ｃｒ用のエッリング液を用いて、第３層のＣｒ層４２ｃのウエットエッチングを行う（図１０（ｂ）参照）。Ｃｒ層４２ｃはレジスト５３の幅に対してやや狭くなる。
【００５６】
次に、Ｃｕ用のエッチング液を用いて、第２層のＣｕ層４２ｂのウエットエッチングを行う（図１０（ｃ）参照）。Ｃｕ層４２ｂはＣｒ層４２ｃの幅に対してやや狭くなる。
【００５７】
次に、Ｃｒ用のエッチング液を用いて、第１層のＣｒ層４２ａのウエットエッチングを行う（図１０（ｄ）参照）。この際、上層のＣｒ層４２ｃも同時にエッチングされる。
【００５８】
次に、再度、Ｃｕ用のエッチング液を用いて、第２層のＣｕ層４２ｂのウエットエッチングを行う（図１０（ｅ）参照）。このエッチングは短時間で処理する。
【００５９】
最後にレジスト５３を剥離する（図１０（ｆ）参照）。これにより、３層の金属電極４２をピラミッド形状に形成し、誘電体層の平坦化と、その上の保護膜の平坦化を図る。
【００６０】
図１１は２層電極のエッジの平坦化方法の一例を示す説明図である。
金属電極は、本来Ｃｕの単層であってもよいが、Ｃｕの単層であると、基板との接合性の問題や、上層に厚膜の誘電体層を形成する際に腐食の問題が発生するので、これを防止するために前述したようなＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造にしている。しかし、金属電極の上層にＳｉＯ2膜を形成するのであれば、腐食の問題が発生しないため第３層のＣｒ層を形成する必要がない。
【００６１】
本形態は、このように２層の金属電極を形成する際のエッジの平坦化方法である。
まず、前面側の基板１１全体に２層の金属電極膜を形成する。第１層はＣｒ層４２ａ、第２層はＣｕ層４２ｂである。
【００６２】
次に、フォトリソ法でレジスト５３をパターニングする（図１１（ａ）参照）。その後、Ｃｕ用のエッリング液を用いて、第２層のＣｕ層４２ｂのウエットエッチングを行う（図１１（ｂ）参照）。
【００６３】
次に、Ｃｒ用のエッチング液を用いて、第１層のＣｒ層４２ａのウエットエッチングを行う（図１１（ｃ）参照）。
【００６４】
次に、再度、Ｃｕ用のエッチング液を用いて、第２層のＣｕ層４２ｂのウエットエッチングを行う（図１１（ｄ）参照）。このエッチングは短時間で処理する。
【００６５】
最後にレジスト５３を剥離する（図１１（ｅ）参照）。これにより、２層の金属電極４２をピラミッド形状に形成し、誘電体層の平坦化と、その上の保護膜の平坦化を図る。
【００６６】
図１２および図１３は比較例である。
図１２は誘電体層１７の平坦化処理を行わないで保護膜１８を形成した例である。誘電体層１７の平坦化処理を行わずに、誘電体層１７の上に保護膜１８を形成すると、保護膜１８が誘電体層１７の凹凸にならう形になるので、保護膜１８の表面積が大きくなり、ＰＤＰの内部に封入した放電ガスが保護膜１８に吸着されやすくなる。このため、保護膜の放電ガス吸着量の増加による放電電圧の上昇等を招く。また、背面側の基板に形成した隔壁との接触部に凹凸ができるので、凸部に荷重が集中して隔壁の欠け等の原因となる。
【００６７】
図１３は厚膜電極の平坦化処理を行わないで誘電体層１７を形成した例である。この場合も上記と同様に、誘電体層１７に凹凸が生じ、その誘電体層１７の上に保護膜１８を形成すると、保護膜１８の表面積が大きくなり、ＰＤＰの内部に封入した放電ガスが保護膜１８に吸着されやすくなる。また、背面側の基板に形成した隔壁との接触部に凹凸ができるので、荷重が集中して隔壁の欠け等の原因となる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の製造方法を適用したＰＤＰの構成を示す部分分解斜視図である。
【図２】誘電体層の平坦化の一例を示す説明図である。
【図３】誘電体層の平坦化方法の一例を示す説明図である。
【図４】金属電極の平坦化の一例を示す説明図である。
【図５】金属電極の平坦化方法の一例を示す説明図である。
【図６】電極エッジの平坦化の一例を示す説明図である。
【図７】電極エッジの平坦化方法の一例を示す説明図である。
【図８】電極エッジの平坦化方法の他の例を示す説明図である。
【図９】積層電極のエッジの平坦化の一例を示す説明図である。
【図１０】積層電極のエッジの平坦化方法の一例を示す説明図である。
【図１１】２層電極のエッジの平坦化方法の一例を示す説明図である。
【図１２】誘電体層の平坦化処理を行わない比較例である。
【図１３】厚膜電極の平坦化処理を行わない比較例である。
【符号の説明】
【００６９】
１０  前面側のパネルアセンブリ
１１  前面側の基板
１７，２４  誘電体層
１８  保護膜
１９  平坦化層
２０  背面側のパネルアセンブリ
２１  背面側の基板
２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ  蛍光体層
２９  隔壁
３０  放電空間
３５  表示可能領域
４１  透明電極
４２  金属電極
４２ａ  第１層のＣｒ層
４２ｂ  第２層のＣｕ層
４２ｃ  第３層のＣｒ層
５１  ローラー
５２  プレッサー
５３  レジスト
Ａ  アドレス電極
ＥＳ  表示領域
Ｘ，Ｙ  表示電極
【図１】
2006196307.tif 000003
【図２】
2006196307.tif 000004
【図３】
2006196307.tif 000005
【図４】
2006196307.tif 000006
【図５】
2006196307.tif 000007
【図６】
2006196307.tif 000008
【図７】
2006196307.tif 000009
【図８】
2006196307.tif 000010
【図９】
2006196307.tif 000011
【図１０】
2006196307.tif 000012
【図１１】
2006196307.tif 000013
【図１２】
2006196307.tif 000014
【図１３】
2006196307.tif 000015