(57)【要約】【課題】有機膜による不良を防止する。【解決手段】基板１１０の表示領域Ａには薄膜トランジスタが形成され、薄膜トランジスタ上及び基板の周辺領域Ｂには有機膜が形成されている。画素電極は、表示領域の有機膜上に形成され、薄膜トランジスタと接続され、画素電極と同一層の基板の周辺領域に有機膜遮断部材１９９が形成され、周辺領域の有機膜上に、画素電極を取り囲む封止材３１０を備えている。画素電極形成時に有機膜露出領域にＩＴＯからなる有機膜遮断部材を形成することによって、UVを利用した仕上げ封止材工程において生じやすい有機膜不良を除去することができる。また、有機膜と接触している液晶の汚染を防止することができる。【選択図】図１
2006209130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素領域を有する表示領域及び前記表示領域を取り囲む周辺領域を有する基板と、
前記画素領域に各々形成されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆い、有機絶縁物質からなる保護膜と、
前記画素領域の保護膜上に形成され、前記薄膜トランジスタと各々接続されている画素電極と、
前記画素電極と同一層に形成され、前記周辺領域に形成されている有機膜遮断部材と、
前記周辺領域の保護膜上に形成され、前記表示領域を取り囲む封止材と
を備え、前記有機膜遮断部材は前記封止材と重畳している薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記有機膜遮断部材は前記画素電極と同一物質からなる請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記封止材は液晶注入口を有する一つの辺を有する請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記有機膜遮断部材は前記液晶注入口が位置する辺と重畳する請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
複数の画素領域を有する表示領域及び前記表示領域を取り囲む周辺領域からなる第１基板と、
前記画素領域に各々形成されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆い、有機絶縁物質からなる保護膜と、
前記画素領域の保護膜上に形成され、前記薄膜トランジスタと各々接続されている画素電極と、
前記画素電極と同一層に形成され、前記基板の周辺領域に形成されている有機膜遮断部材と、
前記周辺領域の有機膜上に形成され、前記表示領域を取り囲む封止材と、
前記第１基板と対向している第２基板と、
前記第１基板、第２基板及び前記封止材により取り囲まれた空間を充填する液晶層と
を備え、前記有機膜遮断部材は前記封止材と重畳している液晶表示装置。
【請求項６】
前記前記封止材は液晶注入口を有する一つの辺を有する請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記有機膜遮断部材は前記液晶注入口を有する辺と重畳する請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記液晶注入口にはUV硬化剤からなる仕上げ封止材が形成されている請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
表示領域及び周辺領域に区分される第１基板の表示領域に薄膜トランジスタを形成するステップと、
前記第１基板上に有機膜を形成するステップと、
前記表示領域に対応する有機膜上に画素電極及び有機膜遮断部材を形成するステップと、
前記周辺領域に対応する有機膜上に一辺が前記有機膜遮断部材と重畳する封止材を形成するステップと
を含む液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１基板上に前記封止材を介在して第２基板を付着するステップと、
前記封止材に形成されている液晶注入口を介して液晶を注入するステップと、
前記液晶注入口を仕上げ封止材で遮断するステップと、
前記仕上げ封止材をUVで硬化するステップと
を含む請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記有機膜遮断部材は前記前記液晶注入口が位置する辺に形成する請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ表示板、該表示板を有する液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在最も広く使用されている平板表示装置の一つであって、電界生成電極が備えられている二枚の基板と、その間に挿入されている液晶層とからなり、電極に電圧を調節して液晶層の液晶分子を再配列することによって液晶層を通過する光の透過率を調節する表示装置である。
【０００３】
液晶表示装置の中でも、電界生成電極が二つの表示板に各々備えられているものが主に用いられている。特に、一つの表示板には複数の画素電極が行列状に配列されており、もう一つの表示板には一つの共通電極が表示板全面を覆う構造の液晶表示装置が主流である。この液晶表示装置における画像表示は、各画素電極に別途の電圧を印加することによって行われる。そのために、画素電極に印加される電圧をスイッチングするための三端子素子である薄膜トランジスタを各画素電極に接続し、この薄膜トランジスタを制御するための信号を伝達するゲート線と画素電極に印加される電圧を伝達するデータ線を表示板に配設する。
【０００４】
このような薄膜トランジスタは、非晶質シリコン層（a-Si）または多結晶シリコン層（poly-Si）を半導体層として有し、ゲート電極と半導体層の相対的な位置によってトップゲート方式とボトムゲート方式に分類される。多結晶シリコン薄膜トランジスタ表示板の場合、ゲート電極が半導体層の上部に位置するトップゲート方式が主に用いられる。トップゲート方式では、多結晶シリコン層が絶縁基板上に形成され、多結晶シリコン層上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にゲート線及び保持（維持）電極線が形成される。
【０００５】
多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ表示板は、従来の非晶質シリコンを用いた薄膜トランジスタ表示板に比べて高い電荷移動度（mobility）を有しているので、液晶パネル内部に駆動回路が内装された液晶表示装置（ＣＯＧ）の実現が可能であり、高い解像度の高画質製品の開発が可能である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ表示板では、有機膜を保護膜で適用することによって高開口率構造を実現しているが、このような有機膜のため残像または液晶注入口にむら現象が発生する問題点がある。
即ち、有機膜は薄膜トランジスタ表示板の全領域を覆い、画素電極は表示領域にのみ形成されるので、画素電極が形成されていない薄膜トランジスタ表示板のエッジ部には有機膜が露出する。そのため、カラーフィルタ表示板と薄膜トランジスタ表示板を組立て、液晶を注入する際に露出した有機膜が液晶と直接接触する。特に、UV（ultra violet）硬化剤を仕上げ封止材として使用し、UVを照射して仕上げ封止材を硬化する場合、液晶注入口近くに形成された有機膜がUVによって損傷されて変形し、液晶注入口にむらが生じやすい。また、液晶と接触する有機膜がUVによって損傷されて液晶に溶融すると、液晶の不純物として作用して液晶の反応を遅らせて残像を起こす。このような不良は、高温駆動条件及び熱衝撃によって生じ易い。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、有機膜による不良を防止する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による薄膜トランジスタ表示板は、表示領域及び周辺領域からなる基板、前記基板の表示領域上に形成されている薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタ上及び前記基板の周辺領域に形成されている有機膜、前記表示領域の有機膜上に形成され、前記薄膜トランジスタと接続されている画素電極、前記画素電極と同一層に形成され、前記基板の周辺領域に形成されている有機膜遮断部材、前記周辺領域の有機膜上に形成され、前記画素電極を取り囲む封止材を有し、前記有機膜遮断部材は前記封止材と重畳することが好ましい。
【０００９】
前記有機膜遮断部材は前記画素電極と同一物質からなることが好ましい。
また、前記封止材は前記基板の４辺に沿って形成されることが好ましい。
また、前記有機膜遮断部材は前記封止材の４辺のうち液晶注入口が位置する辺に形成されることが好ましい。
【００１０】
また、本発明による液晶表示装置は、表示領域及び周辺領域からなる第１基板、前記薄膜トランジスタ上及び前記基板の周辺領域に形成されている有機膜、前記表示領域の有機膜上に形成され、前記薄膜トランジスタと接続されている画素電極、前記画素電極と同一層に形成され、前記基板の周辺領域に形成されている有機膜遮断部材、前記周辺領域の有機膜上に形成され、前記画素電極を取り囲む封止材、前記第１基板と対向している第２基板、前記第１基板、第２基板及び前記封止材によって取り囲まれた空間を充填する液晶層を備え、前記有機膜遮断部材は前記封止材と重畳することが好ましい。
【００１１】
前記封止材は前記基板の４辺に沿って形成されることが好ましい。
また、前記有機膜遮断部材は前記封止材の４辺のうちの液晶注入口が位置する辺に形成されることが好ましい。
また、前記液晶注入口にはUV硬化剤からなる仕上げ封止材が形成されることが好ましい。
【００１２】
また、本発明による液晶表示装置の製造方法は、表示領域及び周辺領域に区分される第１基板の表示領域に薄膜トランジスタを形成するステップ、前記第１基板上に有機膜を形成するステップ、前記表示領域に対応する有機膜上に画素電極及び有機膜遮断部材を形成するステップ、前記周辺領域に対応する有機膜上に封止材を形成するステップを含み、前記画素電極を取り囲む封止材は前記有機膜遮断部材と重畳することが好ましい。
【００１３】
さらに、前記第１基板上に前記封止材を介在して第２基板を付着するステップ、前記封止材に形成されている液晶注入口を介して液晶を注入するステップ、前記液晶注入口を仕上げ封止材で遮断するステップ、前記仕上げ封止材をUVで硬化するステップを含むことが好ましい。
また、前記有機膜遮断部材は前記封止材の４辺のうちの前記液晶注入口が位置する辺に形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、熱衝撃によって液晶注入口に発生するむら不良を防止することができる。また、有機膜と接触している液晶の汚染を防止することができる。これにより、有機膜の損傷によって液晶に流入する不純物を除去することで、不純物による液晶の応答速度の低下による残像問題を解決することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００１６】
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００１７】
本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板、該表示板を有する液晶表示装置及びその製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
まず、図１〜図４を参照して本発明の好適な一実施形態による薄膜トランジスタ表示板及び液晶表示装置について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示板の平面図であり、図２は、図１の薄膜トランジスタ表示板からなる液晶表示装置のII-II´線による断面図であり、図３は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図４は、図３の薄膜トランジスタ表示板からなる液晶表示装置のIV-IV´線による断面図である。
【００１８】
図１及び図２に示すように、本発明の実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する下部及び上部表示板１００、２００とこれらの間に形成されている液晶層と３を備える。また、二つの表示板１００、２００の間に形成されている封止材３１０を備えるが、封止材３１０は二つの表示板１００、２００の周縁に形成されて上部及び下部表示板２００、１００の間に注入されている液晶層３を封止し、上部及び下部表示板２００、１００を互いに接着させる役割を果たす。
【００１９】
下部基板１１０は、画像が表示される表示領域A及び表示領域Aの周囲外に配置されている周辺領域Bを有する。表示領域Aはマトリックス状に配列され画素領域の集合からなり、薄膜トランジスタ表示板には互いに交差して画素領域を画定するゲート線１２１及びデータ線１７１のような信号線及びこれと薄膜トランジスタを介して電気的に接続されている画素電極１９０が形成されている。この時、信号線１２１、１７１と画素電極１９０の間には、これらの間の層間絶縁のために低い誘電率を有する有機絶縁物質からなる保護膜１８０が配置されており、保護膜１８０は下部表示板１００の全ての領域に全面的に形成されている。
【００２０】
そして、画素電極１９０と同一層には有機膜遮断部材１９９が形成されており、有機膜遮断部材１９９は、画素電極１９０と所定間隔離隔して下部表示板１００の周辺領域Bに形成されている。このような有機膜遮断部材１９９は画素電極１９０と同一物質からなる。
【００２１】
周辺領域Bの有機膜１８０上には封止材３１０が形成されており、封止材３１０は表示領域Aを取り囲む。この時、有機膜遮断部材１９９は封止材３１０と重畳している。
即ち、封止材３１０は下部表示板１００の４辺に沿って下部表示板１００の周縁に形成されており、有機膜遮断部材１９９は封止材３１０の４辺のうちの液晶注入口が位置する辺に形成されている。このような液晶注入口は、液晶が注入された後、後述する仕上げ封止材３２０によって遮断される。このような仕上げ封止材３２０はUV硬化剤からなる。
【００２２】
表示領域はこのように、有機膜遮断部材１９９を液晶注入口及び仕上げ封止材３２０が形成される位置の有機膜１８０上に形成することによって、UV硬化剤からなる仕上げ封止材３２０を硬化するために照射するUVによって液晶注入口周辺の有機膜１８０が損傷されるのを防ぐ。また、熱衝撃によって液晶注入口周辺で発生するむら不良を防止することができる。
【００２３】
また、有機膜遮断部材１９９は、紫外線照射によって有機膜１８０が損傷されるのを防ぎ、液晶層３に流入する損傷された有機物質を除去することで、不純物による液晶の応答速度の低下による残像問題を解決することができる。
次に、図３及び図４を参照して、本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板の画素領域について具体的に説明する。
【００２４】
図３及び図４に示すように、透明な絶縁基板１０上に酸化ケイ素（SiO２）または窒化ケイ素（SiNx）からなる遮断層１１１が形成されている。この際に用いられる透明な絶縁基板１１０としてガラス、石英またはサファイアなどが好ましい。
遮断層１１１上には、ソース領域１５３、ドレイン領域１５５、チャネル領域１５４及び低濃度ドーピング領域（ＬＤＤ：Lightly Doped Drain）１５２が含まれた多結晶シリコン層１５０が形成されている。
【００２５】
ここで、遮断層１１１は、絶縁基板１１０と多結晶シリコン層１５０間の接着性を向上させ、製造工程において絶縁基板１１０内部に存在する導電性不純物が多結晶シリコン層１５０に拡散するのを防ぐ役割を果たす。
低濃度ドーピング領域１５２は、漏洩電流やパンチスルー現象が生じるのを防ぐ。ソース領域１５３とドレイン領域１５５は、N型またはP型導電型不純物が高濃度にドーピングされ、チャネル領域１５４には不純物がドーピングされない。
そして、多結晶シリコン層１５０上には、２０００Å以上の厚さにゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００２６】
さらに、ゲート絶縁膜１４０上には、一方向に長いゲート線１２１が形成され、ゲート線１２１の一部が延びて多結晶シリコン層１５０のチャンネル領域１５４と重畳しており、重畳するゲート線１２１の一部分が薄膜トランジスタのゲート電極１２４として用いられる。ゲート線１２１の一端部（図示せず）は、外部回路と接続するために、ゲート線１２１の幅より広く形成することができる。
【００２７】
また、画素の保持容量を増加させるための保持電極線１３１が、ゲート線１２１と平行に、同一物質で同一層に形成されている。多結晶シリコン層１５０と重畳する保持電極線１３１の一部分は保持電極１３７となり、保持電極１３７と重畳する多結晶シリコン層１５０は保持電極領域１５７となる。また、多結晶シリコン層１５０と保持電極線１３１の長さ及び幅の差のため、保持電極線１３１の外側に露出する多結晶シリコン層１５９が生じ、これらの領域もドーピングされており、保持電極領域１５７に隣接しドレイン領域１５５と分離されている。
【００２８】
ゲート線１２１及び保持電極線１３１は、抵抗特性が低い銀（Ag）や銀合金などの銀系金属、アルミニウム（Al）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属などからなる導電膜を含み、このような導電膜に加えて他の物質、特にＩＴＯまたはＩＺＯとの物理的、化学的、電気的接触特性が良いクロム（Cr）、チタニウム（Ti）、タンタル（Ta）、モリブデン（Mo）及びこれらの合金（例：モリブデン-タングステン（MoW）合金）などからなる他の導電膜を含む多層膜構造を有することもできる。下部膜と上部膜の組み合わせの例として、クロム（Cr）/アルミニウム-ネオジム（AlNd）合金が挙げられる。
【００２９】
ゲート線１２１及び保持電極線１３１が形成されているゲート絶縁膜１４０上には、層間絶縁膜１６０が酸化ケイ素（SiO２）または窒化ケイ素（SiNx）を用いて形成されている。層間絶縁膜１６０は、SiO２/SiNからなる二重層で形成することができ、この場合、SiO２/SiN二重層で形成する場合、SiO２単一層で形成するときに比べて薄膜トランジスタの信頼性が向上する。
層間絶縁膜１６０は、ソース領域１５３とドレイン領域１５５を各々露出させる第１及び第２コンタクトホール１６３、１６５を有する。
【００３０】
層間絶縁膜１６０上には、ゲート線１２１と交差して画素領域を画定するデータ線１７１が形成されている。データ線１７１の一部または分岐型部分は、第１コンタクトホール１６３を介してソース領域１５３と接続されており、ソース領域１５３と接続されている部分は、薄膜トランジスタのソース電極１７３として用いられる。データ線１７１の一端部は、外部回路と接続するためにデータ線１７１の幅より広く形成（図示せず）することができる。
そして、データ線１７１と同一層には、ソース電極１７３と一定の距離離れて、第２コンタクトホール１６５を介してドレイン領域１５５と接続されているドレイン電極１７５が形成されている。
【００３１】
データ線１７１及びドレイン電極１７５は、ＩＺＯまたはＩＴＯとの物理的、化学的、電気的接触特性が優れた物質、例えばモリブデン（Mo）、モリブデン合金（例：モリブデン-タングステン（MoW）合金）などのモリブデン系金属からなる。また、データ線１７１及びドレイン電極１７５もまた、銀系金属またはアルミニウム系金属などからなる導電膜であることもでき、このような導電膜に加えてクロム（Cr）、チタニウム（Ti）、タンタル（Ta）、モリブデン（Mo）及びこれらの合金などからなる他の導電膜を含む多層膜構造を有することができる。
【００３２】
データ線１７１及びドレイン電極１７５を有する層間絶縁膜１６０上に保護膜１８０が有機膜で形成されている。このような保護膜１８０は、ドレイン電極１７５を露出させる第３コンタクトホール１８５を有する。そして、保護膜１８０上に、ＩＴＯまたはＩＺＯからなり透過電極である画素電極１９０が形成されている。
【００３３】
この時、図１に示すように、保護膜は絶縁基板の全ての領域に形成され、画素電極は絶縁基板の領域Aにのみ形成される。
そして、画素電極と同一層に有機膜遮断部材が形成される。有機膜遮断部材は、画素電極と所定間隔を置いて周辺領域Bに形成される。有機膜遮断部材が形成される位置は、絶縁基板の４辺のうちの仕上げ封止材が形成される位置であって、UVが照射される位置に形成される。
【００３４】
以下、上述したような構成を有する本発明による液晶表示装置の製造方法を詳細に説明する。
まず、本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を図５〜１７を参照して説明する。
【００３５】
図５に示すように、透明な絶縁基板１１０上に遮断層１１１を形成する。この時、透明な絶縁基板１１０としてガラス、石英またはサファイアなどを用いることができ、遮断層１１１は酸化ケイ素（SiO２）または窒化ケイ素（SiNx）を蒸着して形成する。このような遮断層１１１の形成には、低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）法、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法を用いる。ここで、ＬＰＣＶＤ法はその蒸着温度が５５０℃以上であり、ＰＥＣＶＤ法はSiF４/SiH４/H２混合ガスを使用して４００℃以下で蒸着を行なう。
【００３６】
そして、遮断層１１１の上面に非晶質シリコン層１５０Aを形成する。非晶質シリコン層１５０Aは、非晶質シリコンを化学気相蒸着（ＣＶＤ）法で蒸着して形成する。
次に、非晶質シリコン層１５０AをＳＬＳ（Sequential Lateral Solidification）結晶化方式でレーザ熱処理（laser annealing）することによって、非晶質シリコン層１５０Aを溶融した後に冷却して多結晶シリコン層１５０に形成する。
ここで、遮断層１１１は、絶縁基板１１０と多結晶シリコン層１５０間の接着性を向上させ、絶縁基板１１０内部に存在する導電性不純物が多結晶シリコン層１５０に拡散するのを防ぐ役割を果たす。
【００３７】
次に、図６及び図７に示すように、多結晶シリコン層１５０をフォトエッチング法でパターニングする。そして、多結晶シリコン層１５０上にゲート絶縁膜１４０を形成する。このようなゲート絶縁膜１４０は、ＰＥＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法で６００〜１，８００Å以上の厚さに形成する。
【００３８】
次に、図８に示すように、ゲート絶縁膜１４０上にゲート導電層１２０を形成する。このようなゲート導電層１２０は、ゲート絶縁膜１４０の上面にアルミニウム（Al）またはアルミニウムネオジム（AlNd）のようなアルミニウム含有金属層を蒸着して形成する。そして、ゲート導電層１２０上にクロム層を蒸着し、クロム層上に感光膜パターンを形成する。そして、感光膜パターンをマスクとしてドーピングマスク５８を形成する。このようなドーピングマスク５８は、後述する低濃度ドーピング領域を形成するためにゲート電極１２４より大きい所定の幅を有する。
【００３９】
次に、図９に示すように、ドーピングマスク５８をマスクとしてゲート導電層１２０をパターニングして、ゲート絶縁膜１４０上にゲート電極１２４、ゲート線１２１を形成し、同時に保持電極１３７及び保持電極線１３１を形成する。この場合、ゲート導電層１２０のエッチング時間などを延長することによって、ゲート導電層がより多くエッチングされるようにして、ゲート電極１２３の幅をドーピングマスク５８の幅より狭くする。そして、ドーピングマスク５８をマスクとして多結晶シリコン層１５０上にp型またはn型導電型不純物を注入して、ソース領域１５３、ドレイン領域１５５及びチャンネル領域１５４を形成する。チャンネル領域１５４は、不純物がドーピングされない領域であってゲート電極１２４下に位置し、ソース領域１５３とドレイン領域１５５を分離させる。
【００４０】
次に、図１０及び図１１に示すように、ドーピングマスク５８を除去した後、ゲート電極１２４をマスクとして低濃度のp型またはn型導電型不純物を注入して低濃度ドーピング領域１５２を形成する。即ち、ソース領域１５３とチャンネル領域１５４の間に、またドレイン領域１５３とチャンネル領域１５４の間には低濃度ドーピング領域１５２が形成される。
【００４１】
ゲート線１２１、１２４及び保持電極線１３１、１３７の形成と、多結晶シリコン層１５０にp型及びn型導電型不純物の注入過程及び低濃度ドーピング領域の形成過程を、より具体的に説明する。
感光膜を用いるフォトエッチング工程によってp型薄膜トランジスタ領域のゲート導電層１２０をエッチングしてp型薄膜トランジスタのゲート線（図示せず）を形成した後、p型不純物を注入してp型薄膜トランジスタのソース領域、ドレイン領域、チャンネル領域を形成する。この時、n型薄膜トランジスタが形成される部分は感光層によって覆われて保護される。その後、感光層を除去する。
【００４２】
そして既に説明したように、ゲート導電層１２０の上部にドーピングマスク５８を形成するための金属層を形成する。ドーピングマスク５８はソース及びドレイン領域１５３、１５５を形成するためのドーピングマスクとして用い、ゲート線１２１及び保持電極線１３１を形成するためのエッチングマスクとして用いる。ドーピングマスク用金属層は、ゲート導電層１２０と同一なエッチング液でエッチングすることができ、互いに異なるエッチング比を有する金属を用いることもできる。本発明では、マスク金属層としてクロム層を用いた。
【００４３】
次に、既に説明したように、ゲート線１２１及び保持電極線１３１を形成し、半導体層１５０にソース及びドレイン領域１５３、１５５と低濃度ドーピング領域１５２を形成し、チャンネル領域１５４を画定する。この時、p型薄膜トランジスタが形成されている部分は、マスク金属層によって覆われて保護される。n型及びp型薄膜トランジスタ領域の形成において、工程順が入れ替っても構わなく、ソース及びドレイン領域１５３、１５５と低濃度ドーピング領域１５２を形成する方法は、様々に変更することができる。
【００４４】
次に、図１２及び図１３に示すように、ソース領域１５３、ドレイン領域１５５及びチャネル領域１５４が形成された絶縁基板１１０の全面に絶縁物質を積層して、層間絶縁膜１６０を形成する。このような層間絶縁膜１６０は、まず酸化ケイ素（SiO２）層を形成した後、窒化ケイ素（SiNx）層を形成して二重層に形成することもできる。そして、層間絶縁膜１６０をプラズマでエッチングして、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５と多結晶シリコン層のソース領域１５３及びドレイン領域１５５が各々接触するための第１コンタクトホール１６３及び第２コンタクトホール１６５を形成する。
【００４５】
次に、図１４及び図１５に示すように、ソース電極１７３を有するデータ線１７１及びドレイン電極１７５を層間絶縁膜１６０上に形成する。データ線１７１のソース電極１７３は、第１コンタクトホール１６３を介してソース領域１５３と接続され、ドレイン電極１７５の一端が第２コンタクトホール１６５を介してドレイン領域１５５と接続される。データ線１７１はゲート線１２１と垂直に交差するように形成し、データ線１７１とゲート線１２１により後述する画素電極１９０が形成される画素領域が画定される。そして、層間絶縁膜１６０上に有機膜で保護膜１８０を形成する。このような有機膜は下部基板１１０の全ての領域に形成する。
【００４６】
次に、図１６及び図１７に示すように、ドレイン電極１７５を露出させる第３コンタクトホール１８５を保護膜１８０に形成する。
次に、図３及び図４に示すように、保護膜１６０上にＩＴＯを蒸着しこれをパターニングして画素電極１９０を形成する。この場合、ドレイン電極１７５の他端が、第３コンタクトホール１８５を介して画素電極１９０と接続される。
この時、下部基板１１０の周辺領域Bに有機膜遮断部材１９９を形成する。このような有機膜遮断部材１９９は、画素電極１９０と所定間隔離隔して下部基板１１０の周辺領域Bに形成し、画素電極１９０と同一物質で形成する。
【００４７】
次に、下部基板１１０の周辺領域Bの有機膜１８０上に表示領域Aを取り囲む封止材３１０を形成し、封止材３１０は有機膜遮断部材１９９と重畳するように形成する。
即ち、封止材３１０は下部基板１１０の４辺に沿って下部基板１１０の周縁に形成し、有機膜遮断部材１９９は封止材の４辺のうちの液晶注入口が位置する辺に形成する。
次に、下部基板１１０上に上部基板１１０を重畳し、封止材３１０の液晶注入口を介して液晶を注入する。そして、UV硬化剤からなる仕上げ封止材３２０で液晶注入口を遮断し、UVを照射して仕上げ封止材３２０を硬化させる。
【００４８】
このように、有機膜遮断部材１９９を液晶注入口及び仕上げ封止材３２０が形成される位置の有機膜１８０上に形成して有機膜１８０を外部から遮断することで、UV硬化剤からなる仕上げ封止材３２０を硬化するために照射するUVによって液晶注入口周辺の有機膜１８０が損傷されるのを防ぐ。また、熱衝撃によって液晶注入口に発生するむら不良を防止することができる。
また、有機膜１８０と接触している液晶の汚染を防止することができる。その結果、有機膜の損傷によって液晶に流入する不純物を除去することで、不純物による液晶の応答速度の低下による残像問題を解決することができる。
【００４９】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明に基づいて様々な変形及び均等な他の実施例が可能であることが理解できるであろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲で画定している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示板の平面図である。
【図２】図１の薄膜トランジスタ表示板からなる液晶表示装置のII-II線による断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図４】図３の薄膜トランジスタ表示板からなる液晶表示装置のIV-IV線による断面図である。
【図５】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法における、図５に示した工程の後に実行される工程を説明するための図である。
【図７】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法における、図６に示した工程の後に実行される工程を説明するための図である。
【図８】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法における、図７に示した工程の後に実行される工程を説明するための図である。
【図９】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法における、図８に示した工程の後に実行される工程を説明するための図である。
【図１０】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法における、図９に示した工程の後に実行される工程を説明するための図である。
【図１１】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法における、図１０に示した工程の後に実行される工程を説明するための図である。
【図１２】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法における、図１１に示した工程の後に実行される工程を説明するための図である。
【図１３】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法における、図１２に示した工程の後に実行される工程を説明するための図である。
【図１４】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法における、図１３に示した工程の後に実行される工程を説明するための図である。
【図１５】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法における、図１４に示した工程の後に実行される工程を説明するための図である。
【図１６】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法における、図１５に示した工程の後に実行される工程を説明するための図である。
【図１７】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法における、図１６に示した工程の後に実行される工程を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５１】
１１０  基板
１１１  遮断層
１２１  ゲート線
１２４  ゲート電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５０  半導体層
１７１  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレイン電極
１６０  層間絶縁膜
１８０  保護膜
１６３、１６５、１８５  コンタクトホール
１９０  画素電極
１９９  有機膜遮断部材
３１０  封止材
３２０  仕上げ封止材
【図１】
2006209130.tif 000003
【図２】
2006209130.tif 000004
【図３】
2006209130.tif 000005
【図４】
2006209130.tif 000006
【図５】
2006209130.tif 000007
【図６】
2006209130.tif 000008
【図７】
2006209130.tif 000009
【図８】
2006209130.tif 000010
【図９】
2006209130.tif 000011
【図１０】
2006209130.tif 000012
【図１１】
2006209130.tif 000013
【図１２】
2006209130.tif 000014
【図１３】
2006209130.tif 000015
【図１４】
2006209130.tif 000016
【図１５】
2006209130.tif 000017
【図１６】
2006209130.tif 000018
【図１７】
2006209130.tif 000019