(57)【要約】【課題】  半導体集積回路装置の動作状態に関係なく、低出力電流から高出力電流まで安定した電源電圧を供給する。【解決手段】  レギュレータ１１の出力電流が小さい（アイドルモード）場合、スイッチＳＷ１〜ＳＷ３がすべてＯＦＦとなる。それにより、トランジスタＭ１には抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して電源が供給され、トランジスタＭ１の負荷が大きくなり、レギュレータ１１の消費電流を低減することができる。また、トランジスタＭ３がＯＦＦとなるので、寄生容量を小さくすることができ、差動電圧比較器の出力とレギュレータとの出力信号との間で位相マージンを充分にとることができる。通常動作では、スイッチＳＷ１〜ＳＷ３がすべてＯＮとなり、負荷抵抗を小さくしてノイズを低減し、駆動能力を向上させて安定した電源電圧を供給する。【選択図】  図２
2006190021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信ブロックと、
送信ブロックと、
前記受信ブロック、および前記送信ブロックに電源電圧をそれぞれ供給する第１の電源供給部とを有し、
前記第１の電源供給部は、
前記受信ブロック、および前記送信ブロックの機能が停止しているアイドルモードの際に、前記受信ブロック、および前記送信ブロックが通常動作時よりも、前記第１の電源供給部の負荷抵抗を大きくする負荷素子制御部を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置において、
前記第１の電源供給部は、
位相補償用静電容量値を任意に可変する静電容量制御部を備え、
前記静電容量制御部は、
前記受信ブロック、および前記送信ブロックがアイドルモードの際に、前記受信ブロック、および前記送信ブロックが通常動作時よりも位相補償用静電容量値を小さくすることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体集積回路装置において、
前記静電容量制御部が可変する位相補償用静電容量値は、最終段出力トランジスタの寄生容量値であり、
前記静電容量制御部は、
少なくとも２つの最終段出力トランジスタの接続数を切り替えることにより、位相補償用静電容量値を可変することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体集積回路装置の内部温度を検出する温度検出手段を有し、
前記第１の電源供給部は、
前記温度検出手段に電源電圧を供給することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
受信ブロック、および送信ブロックに共通の回路からなるオシレータブロックと、
前記オシレータブロックに電源電圧を供給する第２の電源供給部とを備え、
前記第２の電源供給部は、
前記受信ブロック、および前記送信ブロックの機能が停止しているアイドルモードの際に、前記受信ブロックと前記送信ブロックとが通常動作時よりも、前記第２の電源供給部の負荷抵抗を大きくする負荷素子制御部を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体集積回路装置に外部接続されるフロントエンドモジュールに電源電圧を供給する第３の電源供給部を備え、
前記第３の電源供給部は、
前記受信ブロック、および前記送信ブロックがアイドルモードの際に、前記受信ブロック、および前記送信ブロックが通常動作時よりも、前記第３の電源供給部の負荷抵抗を大きくする負荷素子制御部を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
受信信号を復調、および送信信号を変調する高周波処理用の半導体集積回路装置を備えた無線通信システムであって、
前記半導体集積回路装置は、
受信ブロックと、
送信ブロックと、
前記受信ブロック、および前記送信ブロックに電源電圧をそれぞれ供給する第１の電源供給部とを有し、
前記第１の電源供給部は、
前記受信ブロック、および前記送信ブロックの機能が停止しているアイドルモードの際に、前記受信ブロック、および前記送信ブロックが通常動作時よりも、前記第１の電源供給部の負荷抵抗を大きくする負荷素子制御部を備えたことを特徴とする無線通信システム。
【請求項８】
請求項７記載の無線通信システムにおいて、
前記第１の電源供給部は、
位相補償用静電容量値を任意に可変する静電容量制御部を備え、
前記静電容量制御部は、
前記受信ブロック、および前記送信ブロックがアイドルモードの際に、前記受信ブロック、および前記送信ブロックが通常動作時よりも位相補償用静電容量値を小さくすることを特徴とする無線通信システム。
【請求項９】
請求項８記載の無線通信システムにおいて、
前記静電容量制御部が可変する位相補償用静電容量値は、最終段出力トランジスタの寄生容量値であり、
前記静電容量制御部は、
少なくとも２つの前記最終段出力トランジスタの接続数を切り替えることにより、位相補償用静電容量値を可変することを特徴とする無線通信システム。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか１項に記載の無線通信システムにおいて、
前記半導体集積回路装置の内部温度を検出する温度検出手段を有し、
前記第１の電源供給部は、
前記温度検出手段に電源電圧を供給することを特徴とする無線通信システム。
【請求項１１】
受信ブロック、および送信ブロックに共通の回路からなるオシレータブロックと、
前記オシレータブロックに電源電圧を供給する第２の電源供給部とを備え、
前記第２の電源供給部は、
前記受信ブロック、および前記送信ブロックの機能が停止しているアイドルモードの際に、前記受信ブロックと前記送信ブロックとが通常動作時よりも、前記第２の電源供給部の負荷抵抗を大きくする負荷素子制御部を備えたことを特徴とする無線通信システム。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか１項に記載の無線通信システムにおいて、
前記半導体集積回路装置に外部接続されるフロントエンドモジュールを有し、
前記半導体集積回路装置は、前記フロントエンドモジュールに電源電圧を供給する第３の電源供給部を備え、
前記第３の電源供給部は、
前記受信ブロック、および前記送信ブロックがアイドルモードの際に、前記受信ブロック、および前記送信ブロックが通常動作時よりも、前記第３の電源供給部の負荷抵抗を大きくする負荷素子制御部を備えたことを特徴とする無線通信システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路装置における電源電圧の供給技術に関し、特に、高周波処理用の半導体集積回路装置における内部電源電圧の安定供給に有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体通信の１つとして携帯電話が広く普及しており、その機能に対しても多様性が求められている。このような携帯電話においては、一般にＲＦ（高周波）処理用とベースバンド処理用との２つの半導体集積回路装置が用いられている。
【０００３】
ＲＦ処理用半導体集積回路装置は、受信した信号をベースバンドに変換し、いわゆるＩ信号、Ｑ信号として出力する。このＲＦ処理用半導体集積回路装置には、たとえば、受信ブロック、送信ブロックに供給するレギュレータ、ＲＦ（高周波）、ＴＸ（送信）、ＩＦ（中間周波数）における各ＶＣＯ（発振）回路に供給するレギュレータ、およびＲＦ処理用半導体集積回路装置の外部に接続されたフロントエンドモジュールに供給するレギュレータがそれぞれ備えられているものが知られている。
【０００４】
このレギュレータは、たとえば、バンドギャップ回路によって生成された電圧を基準として出力電圧を差動電圧比較器で比較し、その出力電圧が目的の電源電圧となるように制御を行う。
【０００５】
また、差動電圧比較器の出力部には、出力インピーダンスを下げる目的で、２段のアンプ（ＭＯＳトランジスタ）を設け、これらアンプを介することによって高ゲインを持たせる構成となっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記のような半導体集積回路装置に設けられたレギュレータでは、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。
【０００７】
ＲＦ処理用半導体集積回路装置においては、該ＲＦ処理用半導体集積回路装置内の温度を検出する温度センサ回路が設けられているものがある。温度センサ回路は、ＲＦ処理用半導体集積回路装置がアイドルモード時であっても動作するものがある。
【０００８】
レギュレータは、ＲＦ処理用半導体集積回路装置が通常動作時に、充分な電源電圧を供給できるようにアンプのトランジスタサイズを大きくして駆動能力を向上させているが、それにともない該アンプの寄生容量も大きくなっている。
【０００９】
温度センサ回路が消費する程度の少ない電流がレギュレータにおける最終段のアンプに流れた場合、寄生容量によって該アンプより出力される信号の遅延が大きくなり、上記差動電圧比較器へ帰還される該アンプの出力信号と該アンプを制御する上記差動電圧比較器の出力との間で位相マージンがなくなってしまう恐れがある。
【００１０】
そして、位相マージンがとれなくなることによって、レギュレータが発振し、該レギュレータの動作不良や素子破壊などが生じてしまうという問題がある。
【００１１】
本発明の目的は、半導体集積回路装置の動作状態に関係なく、低出力電流から高出力電流まで安定した電源電圧を供給することのできる技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１４】
本発明は、受信ブロックと、送信ブロックと、該受信ブロック、および送信ブロックに電源電圧をそれぞれ供給する第１の電源供給部とを有し、該第１の電源供給部は、受信ブロック、および送信ブロックの機能が停止しているアイドルモードの際に、受信ブロック、および送信ブロックが通常動作時よりも、第１の電源供給部の負荷抵抗を大きくする負荷素子制御部を備えたものである。
【００１５】
また、本発明は、受信ブロックと送信ブロックとに共通の回路からなるオシレータブロックと、該オシレータブロックに電源電圧を供給する第２の電源供給部とを備え、該第２の電源供給部は、受信系ブロック、および送信系ブロックの機能が停止しているアイドルモードの際に、受信ブロックと送信ブロックが通常動作時よりも、第２の電源供給部の負荷抵抗を大きくする負荷素子制御部を備えたものである。
【００１６】
また、本願のその他の発明の概要を簡単に示す。
【００１７】
本発明は、受信信号を復調、および送信信号を変調する高周波処理用の半導体集積回路装置を備えた無線通信システムであって、該半導体集積回路装置は、受信ブロックと、送信ブロックと、該受信ブロック、および送信ブロックに電源電圧をそれぞれ供給する第１の電源供給部とを有し、該第１の電源供給部は、受信ブロック、および送信ブロックの機能が停止しているアイドルモードの際に、受信ブロック、および送信ブロックが通常動作時よりも、第１の電源供給部の負荷抵抗を大きくする負荷素子制御部を備えたものである。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１９】
（１）出力電流が大きく変化しても差動電圧比較器の出力とレギュレータとの出力信号との間で位相マージンを保つことができ、レギュレータの発振動作不良を防止し、安定した電源電圧を供給することができる。
【００２０】
（２）また、半導体集積回路装置がアイドルモードであって電源供給部の低消費電力化を図ることができる。
【００２１】
（３）上記（１）、（２）により、半導体集積回路装置の信頼性を向上しながら、低消費電力化が可能となる。
【００２２】
（４）さらに、半導体集積回路装置を用いて無線通信システムを構成することにより、該無線通信システムの性能を向上させながら、消費電力を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施の形態によるＲＦ処理用半導体集積回路装置のブロック図、図２は、図１のＲＦ処理用半導体集積回路装置に設けられたレギュレータの一例を示す回路図、図３は、図１のＲＦ処理用半導体集積回路装置に設けられたレギュレータの他の例を示す回路図、図４は、図２のレギュレータにおける動作説明図、図５は、図２のレギュレータにおけるオープンループゲイン特性の一例を示した説明図、図６は、図２のレギュレータにおける動作説明図である。
【００２５】
本実施の形態において、ＲＦ処理用半導体集積回路装置（半導体集積回路装置）１は、たとえば、携帯電話などの無線通信システムに用いられる。ＲＦ処理用半導体集積回路装置１は、図１に示すように、受信系回路（受信ブロック）ＲＸ、送信系回路（送信ブロック）ＴＸ、温度センサ回路ＴＰ、ＶＣＯ回路（オシレータ）回路ＶＣ、およびそれ以外の制御回路やクロック系回路などの送受信系に共通の回路からなる制御系回路（送受信系ブロック）ＣＴなどから構成される。
【００２６】
受信系回路ＲＸは、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）２、ミキサ回路（ＭＩＸ）３、図示しない位相分周回路、高利得増幅部やオフセットキャンセル回路などからなる。
【００２７】
ローノイズアンプ２は、受信信号を増幅するアンプである。ミキサ回路３は、ローノイズアンプ２で増幅された受信信号に位相分周回路で分周された直交信号を合成することで復調を行う復調回路である。
【００２８】
位相分周回路は、後述する高周波用発振回路６で生成された発振信号を分周し互いに９０°位相がずれた直交信号を生成する。高利得増幅部は、復調されたＩ，Ｑ信号をそれぞれ増幅して後段のベースバンド回路へ出力する。オフセットキャンセル回路は、高利得増幅部内のアンプの入力ＤＣオフセットをキャンセルする。
【００２９】
送信系回路ＴＸは、変調回路４、オフセットミキサ５、分周回路、位相分周回路、加算器、アナログ位相比較器、ディジタル位相比較器、ループフィルタなどから構成されている。
【００３０】
変調回路４は、生成された直交信号をベースバンド回路から供給されるＩ信号とＱ信号により変調をかける。オフセットミキサ５は、送信用発振回路８から出力される送信信号をカプラなどで抽出したフィードバック信号と高周波用発振回路６で生成された発振信号を分周した信号とを合成することでそれらの周波数差に相当する周波数の信号を生成する。
【００３１】
分周回路は、高周波用発振回路６で生成された発振信号を１／４分周する。位相分周回路は、該分周回路で分周された信号をさらに分周しかつ互いに９０°位相がずれた直交信号を生成する。加算器は、変調された信号を合成する。
【００３２】
アナログ位相比較器、およびディジタル位相比較器は、オフセットミキサの出力と加算器で合成された信号とを比較して位相差を検出する。ループフィルタは、位相検出回路の出力に応じた電圧を生成する。
【００３３】
温度センサ回路ＴＰは、温度センサ回路１０から構成されている。温度センサ回路１０は、ＲＦ処理用半導体集積回路装置１内の温度を検出する。
【００３４】
ＶＣＯ回路ＶＣは、高周波用発振回路（ＲＦＶＣＯ）６、図示しないＲＦシンセサイザ、発振回路（ＩＦＶＣＯ）７、ＩＦシンセサイザ、および送信用発振回路（ＴＸＶＣＯ）８などから構成されている。
【００３５】
高周波用発振回路６は、高周波の発振信号を生成する。ＲＦシンセサイザは、高周波用発振回路６とともにＲＦ用ＰＬＬ回路を構成する。発振回路７は、中間周波数の発振信号を生成する。ＩＦシンセサイザは、発振回路７とともにＩＦ用ＰＬＬ回路を構成する。
【００３６】
送信用発振回路８は、所定の周波数の送信信号を発生する。制御系回路ＣＴは、コントロールロジック９より構成される。コントロールロジック９は、チップ全体の制御を司る。
【００３７】
レギュレータ１１〜１３は、バッテリなどから外部供給された電源電圧Ｖｂを任意の電圧に安定化して供給する。これらレギュレータ１１〜１３は、コントロールロジック９から出力されるレギュレータ制御信号に基づいて電圧供給能力を制御する。
【００３８】
レギュレータ（第１の電源供給部）１１は、受信系回路ＲＸ、送信系回路ＴＸ、ならびに温度センサ回路１０に供給する電源電圧ＶＣＣ１を生成する。レギュレータ（第２の電源供給部）１２は、ＶＣＯ回路ＶＣに供給する電源電圧ＶＣＣ２を生成する。
【００３９】
レギュレータ（第３の電源供給部）１３は、ＲＦ処理用半導体集積回路装置１に接続されたフロントエンドモジュールＦＥＭに電源電圧ＶＣＣｅｘを供給する。フロントエンドモジュールＦＥＭは、たとえば、アンテナスイッチ、高周波フィルタ、ならびに高周波電力増幅回路などからなる。
【００４０】
アンテナスイッチは、送受信した信号を切り替える。高周波フィルタは、受信信号から不要波を除去するＳＡＷフィルタなどからなる。高周波電力増幅回路は、送信信号を増幅する。
【００４１】
図２は、レギュレータ１１の回路図である。
【００４２】
レギュレータ１１は、バンドギャップ回路ＢＧ、差動アンプＡＭＰ１、トランジスタＭ１〜Ｍ３、スイッチＳＷ１〜ＳＷ３、ならびに抵抗Ｒ１〜Ｒ４から構成されている。トランジスタＭ１は、ＮチャネルＭＯＳからなり、トランジスタ（最終段出力トランジスタ）Ｍ２，Ｍ３は、ＰチャネルＭＯＳからなる。
【００４３】
差動アンプＡＭＰ１の正（＋）側入力端子には、バンドギャップ回路ＢＧが生成した基準電圧が入力されるように接続されており、該差動アンプＡＭＰ１の出力部には、トランジスタＭ１のゲートが接続されている。
【００４４】
トランジスタＭ１の一方の接続部と電源電圧Ｖｂとの間には、抵抗（負荷抵抗）Ｒ１，Ｒ２が直列接続されており、該トランジスタＭ１の他方の接続部には、基準電位ＶＳＳが接続されている。
【００４５】
抵抗Ｒ１，Ｒ２の接続部には、スイッチ（負荷素子制御部）ＳＷ１の他方の接続部が接続されており、このスイッチＳＷ１の一方の接続部には、電源電圧Ｖｂが接続されている。トランジスタＭ１の一方の接続部には、トランジスタＭ２のゲート、およびスイッチ（静電容量制御部）ＳＷ２の一方の接続部がそれぞれ接続されている。
【００４６】
トランジスタＭ２の一方の接続部には、スイッチ（静電容量制御部）ＳＷ３の一方の接続部が接続されており、該トランジスタＭ２の他方の接続部と基準電位ＶＳＳとの間には、抵抗Ｒ３，Ｒ４が直列接続されている。抵抗Ｒ３，Ｒ４の接続部には、差動アンプＡＭＰ１の負（−）側入力端子が接続されている。
【００４７】
スイッチＳＷ１〜ＳＷ３の制御端子には、ロジックコントロール９から出力されるレギュレータ制御信号Ｃｒが入力されるようにそれぞれ接続されている。レギュレータ制御信号Ｃｒは、ＲＦ処理用半導体集積回路装置１が、通常モード（Ｎｏｒｍａｌ  Ｐｏｗｅｒ）であるか、またはアイドルモード（Ｌｏｗ  Ｐｏｗｅｒ）であるかを示す信号である。
【００４８】
スイッチＳＷ３の他方の接続部には、トランジスタＭ３の一方の接続部が接続されている。このトランジスタＭ３のゲートには、スイッチＳＷ２の他方の接続部が接続されている。
【００４９】
トランジスタＭ３の他方の接続部には、トランジスタＭ２の他方の接続部、および抵抗Ｒ３の一方の接続部がそれぞれ接続されており、該トランジスタＭ３の他方の接続部がレギュレータ１１の出力部となる。
【００５０】
このように、レギュレータ１１は、差動アンプＡＭＰ１、トランジスタＭ１、およびトランジスタＭ２，Ｍ３の３段のアンプから構成されており、その出力は、抵抗Ｒ３を介して差動アンプＡＭＰ１の負（−）側入力端子に入力され、負帰還のオペアンプを構成している。
【００５１】
また、図３は、レギュレータ１２（，１３）の構成を示す回路図である。
【００５２】
レギュレータ１２（，１３）は、バンドギャップ回路ＢＧ、差動アンプＡＭＰ１、トランジスタＭ１，Ｍ２、スイッチＳＷ１、ならびに抵抗Ｒ１〜Ｒ４から構成されており、図２におけるレギュレータ１１から、スイッチＳＷ２，ＳＷ３、ならびにトランジスタＭ３を除いた点が異なっている。
【００５３】
よって、コントロールロジック９から出力されるレギュレータ制御信号Ｃｒは、スイッチＳＷ１にのみ入力され、トランジスタＭ２の他方の接続部がレギュレータ１２（，１３）の出力部となる。その他の接続構成は、レギュレータ１１と同様であるので説明は省略する。
【００５４】
次に、本実施の形態におけるレギュレータ１１（〜１３）の動作について説明する。
【００５５】
始めに、ＲＦ処理用半導体集積回路装置１がアイドルモード（Ｌｏｗ  Ｐｏｗｅｒ）時のレギュレータ１１の動作を、図４を用いて説明する。
【００５６】
まず、ＲＦ処理用半導体集積回路装置１がアイドルモードの場合には、温度センサ回路１０以外の機能ブロックは停止状態となっており、出力電流が小さい状態となっている。
【００５７】
このとき、レギュレータ制御信号Ｃｒは、たとえばＬｏ信号となり、図示するようにスイッチＳＷ１〜ＳＷ３がすべてＯＦＦとなる。スイッチＳＷ１がＯＦＦ（ＯＰＥＮ）となると、トランジスタＭ１には、抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して電源が供給されることになるので、トランジスタＭ１、すなわち２段目のアンプの負荷が大きくなる。これによって、レギュレータ１１の消費電流を低減することができる。
【００５８】
また、スイッチＳＷ２，ＳＷ３がＯＦＦ（ＯＰＥＮ）となると、トランジスタＭ３がＯＦＦとなるので、３段目のアンプは、トランジスタＭ２，Ｍ３のうち、トランジスタＭ２のみが動作することになる。これによって、３段目のアンプにおける寄生容量（位相補償用寄生容量値）は、実線で示したトランジスタＭ２の寄生容量のみとなり、３段目のアンプにおける全体の寄生容量を小さくすることができる。
【００５９】
アイドルモードでは、消費電力を極力抑えることが必要であるが、該アイドルモードではレギュレータ１１が小出力電流となるために、３段目のアンプ（トランジスタＭ２，Ｍ３）の周波数応答が悪くなる。
【００６０】
この３段目のアンプと差動アンプＡＭＰ１とトランジスタＭ１によって負帰還オペアンプを構成しているので、周波数応答の遅れから、負帰還ループの位相マージンがとれなくなり、発振が生じてしまう恐れがある。
【００６１】
しかし、レギュレータ１１においては、３段目のアンプをトランジスタＭ２のみを動作させることにより、該アンプの寄生容量を小さくすることができ、その結果、周波数応答の遅れを改善することが可能となり、位相マージンを充分にとることができる。
【００６２】
また、アイドルモードにおいては、レギュレータ１２，１３のスイッチＳＷ１もＯＦＦとなり、抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して電源が供給されることになるので、該レギュレータ１２，１３の消費電流を低減することができる。
【００６３】
図５は、レギュレータ１１におけるオープンループゲイン特性の一例を示した図である。
【００６４】
図５において、横軸は周波数（Ｈｚ）、左側の縦軸はレギュレータ１１のオープンループのゲイン（ｄＢ）、右側の縦軸は、オープンループ時の出力から入力までの位相（ｄｅｇ）をそれぞれ示している。
【００６５】
この場合、図示するように、ゲインが０ｄＢの時に位相差が約６５ｄｅｇ程度あるので、充分な位相マージンがとられていることになる。
【００６６】
ここで、トランジスタＭ２，Ｍ３において、トランジスタＭ２は、トランジスタＭ３よりもトランジスタサイズが小さくなるように形成されている。トランジスタＭ２のトランジスタは、アイドルモードにおいて、図５に示したようにゲインが０ｄＢの時に充分な位相（たとえば、６５ｄｅｇ程度以上）がとれるように決定される。
【００６７】
また、トランジスタＭ３のトランジスタサイズは、ノーマルモードにおいて、トランジスタＭ２，Ｍ３がＯＮした際に充分な駆動能力となるように決定される。
【００６８】
次に、ＲＦ処理用半導体集積回路装置１が通常モード（Ｎｏｒｍａｌ  Ｐｏｗｅｒ）時のレギュレータ１１の動作を、図６を用いて説明する。
【００６９】
ＲＦ処理用半導体集積回路装置１がＲＸ（受信）モードやＴＸ（送信）モードなどを行う通常モードでは、出力電流が大きい状態となっている。
【００７０】
このとき、レギュレータ制御信号Ｃｒは、たとえばＨｉ信号となり、図示するようにスイッチＳＷ１〜ＳＷ３がすべてＯＮとなる。スイッチＳＷ１がＯＮすることにより、トランジスタＭ１には、抵抗Ｒ２のみを介して電源が供給される。
【００７１】
通常モードでは、レギュレータ１１の消費電力の低減よりもノイズ特性が重視されるので、２段目のアンプであるトランジスタＭ１に抵抗Ｒ２のみを介して電源を供給することによって負荷抵抗が小さくなり、ノイズを低減することができる。
【００７２】
また、スイッチＳＷ２，ＳＷ３がＯＮすることにより、トランジスタＭ３がＯＮとなる。よって、３段目のアンプは、トランジスタＭ２，Ｍ３がいずれも動作することになる。よって、３段目のアンプは、トランジスタＭ２，Ｍ３のいずれもが動作することになり、駆動能力が向上し、安定した電源電圧ＶＣＣ１の供給を行うことができる。
【００７３】
同様に、レギュレータ１２，１３においても、スイッチＳＷ１がＯＮすることにより、ノイズを大幅に低減することができる。
【００７４】
それにより、本実施の形態によれば、ＲＦ処理用半導体集積回路装置１のアイドルモード／通常モードにおいて、出力電流が変化しても安定した電源電圧ＶＣＣ１を出力することができる。
【００７５】
また、アイドルモード時において、レギュレータ１１〜１３の低消費電力化を実現することができる。
【００７６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、携帯電話などの無線通信システムに用いられるＲＦ処理用の半導体集積回路装置における電源電圧の安定供給化技術に適している。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の一実施の形態によるＲＦ処理用半導体集積回路装置のブロック図である。
【図２】図１のＲＦ処理用半導体集積回路装置に設けられたレギュレータの一例を示す回路図である。
【図３】図１のＲＦ処理用半導体集積回路装置に設けられたレギュレータの他の例を示す回路図である。
【図４】図２のレギュレータにおける動作説明図である。
【図５】図２のレギュレータにおけるオープンループゲイン特性の一例を示した説明図である。
【図６】図２のレギュレータにおける動作説明図である。
【符号の説明】
【００７９】
１  ＲＦ処理用半導体集積回路装置（半導体集積回路装置）
２  ローノイズアンプ
３  ミキサ回路
４  変調回路
５  オフセットミキサ
６  高周波用発振回路
７  発振回路
８  送信用発振回路
９  コントロールロジック
１０  温度センサ回路
１１  レギュレータ（第１の電源供給部）
１２  レギュレータ（第２の電源供給部）
１３  レギュレータ（第３の電源供給部）
ＲＸ  受信系回路（受信ブロック）
ＴＸ  送信系回路（送信ブロック）
ＴＰ  温度センサ回路
ＶＣ  ＶＣＯ回路
ＣＴ  制御系回路（送受信系ブロック）
ＢＧ  バンドギャップ回路
ＡＭＰ１  差動アンプ
Ｍ１  トランジスタ
Ｍ２，Ｍ３  トランジスタ（最終段出力トランジスタ）
ＳＷ１  スイッチ（負荷素子制御部）
ＳＷ２，ＳＷ３  スイッチ（静電容量制御部）
Ｒ１  抵抗（負荷抵抗）
Ｒ２  抵抗（負荷抵抗）
Ｒ３，Ｒ４  抵抗
ＦＥＭ  フロントエンドモジュール
Ｃｒ  レギュレータ制御信号
ＶＣＣ１，ＶＣＣ２  電源電圧
ＶＳＳ  基準電位
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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