(57)【要約】【課題】  半導体装置のテスト時間の短縮を図る。【解決手段】  半導体ウェハ上に形成された複数の半導体素子の各々に対する検査をウェハテストで行い、各半導体素子の各々の半導体ウェハ上の座標位置データとウェハテストの結果とを対応付けて保存（データベース１）し、半導体ウェハをダイシングし個片化した半導体素子を各々パッケージ内に組み込んでから最終テストを行う製造方法において、パッケージ内に半導体素子を組み込むとき半導体素子の半導体ウェハ上の座標位置データとパッケージに刻印されているマークとを対応付けた関連付けデータを生成して保存（データベース２）しておき、最終テストを行うときにパッケージのマークから関連付けデータを参照して求めたパッケージ内の半導体素子に対するウェハテストの結果を求め、最終テストで行うテスト項目のうちウェハテストの結果を利用できるテスト項目の実施をスキップする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ上に形成された複数の半導体素子の各々に対する検査をウェハテストで行い、各半導体素子の各々の該半導体ウェハ上の座標位置データと前記ウェハテストの結果とを対応付けて保存し、該半導体ウェハをダイシングし個片化した前記半導体素子を各々パッケージ内に組み込んでから最終テストを行う半導体装置の製造方法において、前記パッケージ内に前記半導体素子を組み込むとき該半導体素子の前記半導体ウェハ上の座標位置データと該パッケージに刻印されているマークとを対応付けた関連付けデータを生成して保存しておき、前記最終テストを行うときに前記パッケージの前記マークから前記関連付けデータを参照して求めた該パッケージ内の前記半導体素子に対する前記ウェハテストの結果を求め、前記最終テストで行うテスト項目のうち前記ウェハテストの結果を利用できるテスト項目の実施をスキップすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体素子は固体撮像素子であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
最終テストの結果と前記ウェハテストの結果により前記半導体素子のグレード分けを行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハテストと最終テストとを行う半導体装置の製造方法に係り、特に、テスト時間の短縮を図るのに好適な半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路技術を用いて製造される半導体素子は、例えば下記特許文献１に記載されている様に、半導体ウェハ上に半導体素子を製造した段階で各半導体素子を検査（ウェハテスト）し、その後に半導体ウェハをダイシングし個片化した各半導体素子をパッケージ内に組み立てた段階でも検査（最終テスト）を行い、この最終テストの結果により、半導体装置（パッケージ化した半導体素子）をグレード分けしている。
【０００３】
固体撮像素子も同様であり、図２に示す様に、半導体ウェハ上に多数の固体撮像素子を製造（ステップＳ１）した後、ウェハテスト（ステップＳ２）を行うことでウェハ上の個々の固体撮像素子を検査し、次に半導体ウェハをダイシング（ステップＳ３）して個々の固体撮像素子を個片化し、次にウェハテストで良品とされた固体撮像素子のみ例えば夫々セラミック製パッケージ内に封止し（ステップＳ４）、固体撮像素子をパッケージ化した固体撮像装置の検査（最終テスト）を再び行い（ステップＳ５）、この最終テストの結果により固体撮像装置をグレード分け（ステップＳ６）している。
【０００４】
【特許文献１】特開平８―１６２５１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置を製造する場合、ウェハテストの他に最終テストも行っている。メモリやＣＰＵ等の半導体素子のグレード分けは、動作スピードによるものが一般的であり、高速動作可能な半導体装置ほど高いグレードとなる。
【０００６】
これに対し、固体撮像装置の場合には、単に動作スピードだけでグレード分けすることができず、様々な検査データが必要となる。例えば、画素欠陥の少ない固体撮像装置ほど高いグレードになるが、テスト時に試験光を固体撮像装置に当ててシェーディングが発生しないのであればグレードは高いが、シェーディングが発生すれば、画素欠陥が少なくてもグレードは低くなってしまう。
【０００７】
この様に、固体撮像装置のグレード分けは単純でなく、グレード分けに必要なデータは多岐にわたり、固体撮像装置のテスト項目数は、メモリ等の半導体装置に比較して多いため、テスト工程にそれだけ長時間が必要になる。しかも、ウェハテストと最終テストの２回のテストが必要なため、テスト工程に要する時間が製造コストを増大させてしまうという問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、固体撮像装置等の半導体装置のテスト時間の短縮を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ上に形成された複数の半導体素子の各々に対する検査をウェハテストで行い、各半導体素子の各々の該半導体ウェハ上の座標位置データと前記ウェハテストの結果とを対応付けて保存し、該半導体ウェハをダイシングし個片化した前記半導体素子を各々パッケージ内に組み込んでから最終テストを行う半導体装置の製造方法において、前記パッケージ内に前記半導体素子を組み込むとき該半導体素子の前記半導体ウェハ上の座標位置データと該パッケージに刻印されているマークとを対応付けた関連付けデータを生成して保存しておき、前記最終テストを行うときに前記パッケージの前記マークから前記関連付けデータを参照して求めた該パッケージ内の前記半導体素子に対する前記ウェハテストの結果を求め、前記最終テストで行うテスト項目のうち前記ウェハテストの結果を利用できるテスト項目の実施をスキップすることを特徴とする。
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法の前記半導体素子は固体撮像素子であることを特徴とする。
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法は、最終テストの結果と前記ウェハテストの結果により前記半導体素子のグレード分けを行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、最終テストで行うテスト項目のうち、既にウェハテストで実施されそのテスト結果をそのまま利用できるテスト項目については最終テストでスキップできるため、最終テストのテスト時間の短縮を図ることが可能となる。特に、テスト項目が多数に渡る固体撮像装置に適用することで固体撮像装置のコスト低減が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態に係る固体撮像装置の製造手順を示すフローチャートである。先ず、複数枚の夫々の半導体ウェハ上にＣＣＤ等の固体撮像素子を夫々複数個製造する（ステップＳ１１）。１枚１枚の半導体ウェハは管理番号等で管理され、夫々の製造データと対応付けられるが、ウェハ上の個々の固体撮像素子には識別番号等のマーキングは従来と同様に施さない。個々の固体撮像素子にマーキングするマーキング装置を既設の製造システムに付設することも可能であるが、マーキング装置の製造コストが嵩んでしまうため、本実施形態では、この段階での固体撮像素子へのマーキングは行わない。
【００１５】
次に、プローバ装置を用い、半導体ウェハ上の個々の固体撮像素子に試験光を照射しながら個々の固体撮像素子を検査するウェハテストを実施する（ステップＳ１２）。このウェハテストの結果は、データベース１に格納される。データベース１には、管理番号Ｎの半導体ウェハ上に形成されているＸ座標＝ａ，Ｙ座標＝ｂの位置の固体撮像素子とこの固体撮像素子に対するテスト結果とが対応付けられて格納される。
【００１６】
次に、半導体ウェハをダイシングテープ上に貼り、個々の固体撮像素子間をダイシングブレードにより分離して個々の固体撮像素子を個片化する（ステップＳ１３）。
【００１７】
次に、ダイボンド装置で固体撮像素子をセラミック製パッケージ内に封止するのであるが、ダイボンド装置の制御装置は、データベース１を検索することでウェハテストで良品とされた固体撮像素子のＸＹ座標位置を求め、このＸＹ座標位置の固体撮像素子をダイシングテープから剥がしてセラミック製パッケージ内に移し、ボンディングしてからセラミック製パッケージを封止する（ステップＳ１４）。
【００１８】
このステップＳ１４において、セラミック製パッケージには製造番号等のマークが刻印されているので、この製造番号等をカメラ等で読み取って文字認識し、セラミック製パッケージの製造番号等とこのセラミック製パッケージ内に封止した固体撮像素子の半導体ウェハ上のＸＹ座標位置とを対応付けた関連付けデータをデータベース２に保存する。
【００１９】
パッケージ化された固体撮像装置は、従来と同様に最終テストする必要があるが、本実施形態では、最終テストのテスト時間の短縮を図るために、先ず、テスト対象とする固体撮像装置のセラミック製パッケージの製造番号等を読み取り、データベース２を検索してパッケージ製造番号に対応する半導体ウェハ上のＸＹ座標位置を求め、該ＸＹ座標位置に該当する固体撮像素子のウェハテスト結果をデータベース１を検索して求める（ステップＳ１５）。最終テストを行う検査装置には元々カメラが付属するため、このカメラを用いてパッケージ製造番号を読み取ることができ、新たにカメラを設置する必要はない。
【００２０】
そして、ウェハテスト結果をそのまま利用できるテスト項目については最終テストにおける検査をスキップし、最終テストで検査しなければならないテスト項目についてのみテストを行う（ステップＳ１６）。
【００２１】
最終テストを行わずにウェハテスト結果を利用できるテスト項目としては、例えば、
（ａ）感度テスト
（ｂ）電荷転送効率テスト
（ｃ）ＯＦＤ電圧最適化スキャン
などがあり、ウェハテストで既に検査しているが、再度同じ検査を最終テストで行わなければならないテスト項目としては、例えば、
（ｄ）ＤＣ特性テスト
（ｅ）異物による受光面の画素欠陥テスト
などがある。
【００２２】
最後に、ウェハテスト結果と最終テスト結果とにより得られる固体撮像装置特有の電気的特性に基づいて、固体撮像装置のグレード分類を行う（ステップＳ１７）。
【００２３】
このグレード分類は、パッケージ化された固体撮像装置のテストを行う検査装置に付属するハンドラー装置に元々存在する分類機能（テストした固体撮像装置を良品，不良品に分類し別々の収納台に搬送する機能）を用いて行う。固体撮像装置のグレード分類は、例えば次の様に行う。
【００２４】
分類１：シェーディング特性が良いもの（レンズ径が小さく、シェーディング特性が要求されるデジタルスチルカメラ向け固体撮像装置とする）
分類２：シェーディング特性が良くないもの（光学系にマージンがあり、固体撮像素子が持つ特性の悪さ影響が少ないデジタルスチルカメラ向け固体撮像装置とする）
分類３：受光面に点状の画素欠陥があるもの（点状の画素欠陥の補正機能を搭載したデジタルスチルカメラ向け固体撮像装置とする）
分類４：受光面に線状の画素欠陥があるもの（線状の画素欠陥の補正機能を搭載したデジタルスチルカメラ向け固体撮像装置とする）
分類５：様々な欠陥があるが動作が可能なもの（画質として妥協できる範囲で低価格のデジタルスチルカメラや玩具用の固体撮像装置とする）
分類６：主要性能においてバランス良く完成度の高いもの（高級機種のデジタルスチルカメラ向け固体撮像装置とする）
【００２５】
以上述べた様に、本実施形態に係る製造方法によれば、パッケージ化された固体撮像装置内の固体撮像素子に対するウェハテスト結果と、パッケージに刻印されている製造番号とを関連付けるために、固体撮像素子をパッケージ化するときに当該固体撮像素子のウェハ上のＸＹ座標位置とパッケージに刻印されている製造番号とを対応付けた関連付けデータを生成したため、既設の固体撮像装置製造システムを大幅に改変することなく、ウェハテスト結果を利用できるテスト項目については最終テストにおいて検査をスキップ可能となり、最終テストに要する時間を短縮することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明に係る半導体装置の製造方法では既設の製造システムを大幅に改変することなく最終テストに要する時間の短縮を図ることができるため、半導体装置とくに固体撮像装置の製造方法に適用すると有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。
【図２】従来の固体撮像装置の製造手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００２８】
１  ＸＹ座標位置対応のウェハテスト結果を格納したデータベース
２  パッケージの製造番号とＸＹ座標位置との関連付けデータベース
【図１】
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【図２】
2006337189.tif 000004