(57)【要約】 【課題】  複雑な形状に加工された基体に対しても、加熱による損傷などを与えることなく、所望の部分にめっきを施すことのできる表面処理方法を提供する。【解決手段】  基体１４の長手状部分７の全表面に電着塗装によってレジスト層１５を形成した後、低濡れ性領域形成予定部２３に形成されたレジスト層１５を長手状部分７の周方向全周にわたって露光して現像することによってレジストパターン１６を形成し、基体１４の長手状部分７のレジスト層１５で覆われていない部分２２にめっきを施す。これによって、複雑な形状に加工された基体１４に対しても、また基体１４のピッチＴが０．１ｍｍ程度と狭い場合であっても、基体１４の長手状部分７の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができるので、長手状部分７の周方向全周にわたって、はんだ接合部とコネクタ嵌合部との間に低濡れ性領域が形成されたコネクタピンなどの接点部品を容易に製造することができる。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手状部分を有する基体の表面処理方法であって、基体の長手状部分の全表面にわたって電着塗装によってレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、形成されたレジスト層の少なくとも一部分を基体の長手状部分の周方向全周にわたって露光する露光工程と、露光されたレジスト層を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分にめっきを施すめっき工程とを含むことを特徴とする表面処理方法。
【請求項２】
前記レジスト層形成工程では、レジスト層を厚さが３μｍ以上３０μｍ以下になるように形成することを特徴とする請求項１記載の表面処理方法。
【請求項３】
前記露光工程では、基体の長手状部分に対して少なくとも２つの方向から光が照射されることを特徴とする請求項１または２記載の表面処理方法。
【請求項４】
前記露光工程では、基体を挟んで対向するように設けられる２つ以上の光源によって露光を行なうことを特徴とする請求項３記載の表面処理方法。
【請求項５】
基体の長手状部分は、少なくとも表面がはんだに対する濡れ性の低い低濡れ性金属を含有する低濡れ性金属層で構成され、前記めっき工程では、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分に、はんだに対する濡れ性の高い高濡れ性金属を含有する高濡れ性金属層をめっきによって形成し、前記めっき工程の後には、残存するレジスト層を除去するレジスト除去工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか１つに記載の表面処理方法。
【請求項６】
基体の長手状部分は、少なくとも表面がはんだに対する濡れ性の高い高濡れ性金属を含有する高濡れ性金属層で構成され、前記めっき工程では、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分に、はんだに対する濡れ性の低い低濡れ性金属を含有する低濡れ性金属層をめっきによって形成し、前記めっき工程の後には、残存するレジスト層を除去するレジスト除去工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか１つに記載の表面処理方法。
【請求項７】
低濡れ性金属が、ニッケル、コバルト、タングステンおよび鉄から選ばれる１種または２種以上を含むことを特徴とする請求項５または６記載の表面処理方法。
【請求項８】
高濡れ性金属が、金、金−ニッケル合金、金−コバルト合金、金−ニッケル−コバルト合金、金−銀合金、銀、銅、パラジウム、パラジウム−ニッケル合金、ロジウム、ルテニウム、錫、錫−亜鉛合金、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−鉛合金、ならびに錫と亜鉛、銀、銅およびビスマスのうちの少なくとも２種との合金から選ばれる１種または２種以上を含むことを特徴とする請求項５〜７のうちのいずれか１つに記載の表面処理方法。
【請求項９】
請求項１〜８のうちのいずれか１つに記載の表面処理方法を用いて電子部品を製造することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１０】
電子部品がコネクタであり、コネクタの接点部品が前記表面処理方法によって形成されることを特徴とする請求項９記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体の所望の部分にめっきを施すための表面処理方法およびそれを用いる電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コネクタなどの電子部品の接点部品には、回路基板または他の電子部品との電気的な接触の信頼性を得るためにめっき層が設けられる。コネクタの接点部品は、たとえば、板材を、帯状などの目的の形状を有する基体と支持フレームとを含む形状に予め打ち抜き加工した後（以後、このように加工された板材を条材と称する）、基体の全面または一部分にめっきを施し、その後、コネクタの接点部品として使用される必要部分を条材の支持フレームから切り離すことによって得られる。
【０００３】
コネクタには多くの種類があるが、例えば、基板実装用コネクタは、基板とのはんだ付けに使用されるはんだ接合部と、はんだ接合部から突出して延びて設けられ、別の対になるコネクタとの嵌合に使用される長手状のコネクタ嵌合部とを含んで構成される。基板実装用コネクタの基板への実装は、はんだ接合部をはんだ付けすることによって行われる。このはんだ接合の際に、溶融したはんだがコネクタ嵌合部にまで達する、いわゆるはんだ上がりが発生し、基板とコネクタとの電気的接触の信頼性を損なうという問題がある。最近では、情報家電機器などの電子機器の小型化および高機能化に伴い、電子部品の接点部品の微細化が進んでおり、はんだ接合工程において、はんだ上がりに起因する不良が一層発生しやすくなっている。
【０００４】
また、はんだ接合時に、はんだ上がりが発生すると、溶融したはんだがコネクタの樹脂ケースに付着し、その温度によって樹脂ケースに変形などの悪影響を与えることがある。ここで用いられるはんだとしては、従来、錫と鉛とから成るＳｎ−Ｐｂ系はんだが用いられていたけれども、地球環境への影響などを考慮して、鉛を含まない、いわゆる鉛フリーはんだが用いられるようになっている。鉛フリーはんだは、Ｓｎ−Ｐｂ系はんだに比べて、融点が高いので、はんだ接合時のはんだ上がりによるコネクタの樹脂ケースへの悪影響が大きい。
【０００５】
このはんだ上がりによる上述の問題を解決するための技術として、コネクタのはんだ接合部とコネクタ嵌合部との間に、はんだ接合部に比べてはんだとの濡れ性が劣る領域（以後、低濡れ性領域と称する）を形成することが提案されている。このような低濡れ性領域を有するコネクタは、たとえば、コネクタの基材となる条材の基体部分全面に、ニッケルなどのはんだとの濡れ性に劣る金属（以後、低濡れ性金属と称する）でめっきを施した後、はんだ接合部を形成するべく予め定める部分に、金などのはんだとの濡れ性に優れる金属（以後、高濡れ性金属と称する）で部分めっきを施すことによって形成される。この高濡れ性金属でめっきされた部分がはんだ接合部として使用される高濡れ性領域となり、高濡れ性金属によるめっきが施されず、低濡れ性金属が露出している部分が低濡れ性領域となる。
【０００６】
このようなコネクタでは、はんだ接合部にはんだ付けを行なう際、溶融したはんだは、低濡れ性領域によってはみ出しが防止され、コネクタ嵌合部には達しないので、コネクタ嵌合部にはんだ上がりを生じさせること無く実装を行なうことができる。
【０００７】
このような低濡れ性領域を有する接点部品の製造に用いられる部分めっきの方法としては、めっき液の液面の高さを制御して、めっきを施す部分のみをめっき液に浸漬させてめっきを行なう液面管理法がある。液面管理法では、基体の長手状部分の全表面に一度に部分めっきを施すことができるけれども、形成されるめっき層の幅の公差が±１．０ｍｍ程度と大きいので、微細な接点部品のめっきには使用できないという問題がある。
【０００８】
別の方法としては、めっきを施さない部分（以後、めっき不要部分とも称する）を覆う、いわゆるマスキングをしてめっき加工を行なうマスキング法がある。マスキング法には、めっき不要部分にめっき液に対して耐性を有するテープを貼り付けてめっきを行なうテープマスキング法、めっき不要部分に対応する部分が開口されたベルト状のマスクを基体に押し当てて、マスクの開口部からめっき液を噴射してめっきを行なうベルトマスキング法などがある。形成されるめっき層の幅の公差は、テープマスキング法が±０．１ｍｍ程度、ベルトマスキング法が±０．２ｍｍ程度であり、いずれの方法においても液面管理法よりも精度の高い部分めっきが可能である。しかしながら、複雑な形状に加工された基体に対しては、精度良くマスキングを行なうことが困難であり、これらの方法を使用することはできない。また、最近の接点部品の微細化に伴い、マスキングされるめっき不要部分の幅はたとえば１ｍｍ以下と狭小化しており、そのような幅の狭い部分をテープまたはベルト状のマスクでマスキングすることは困難である。
【０００９】
前述のような幅の狭い部分についても精度良くマスキングすることのできる方法として、めっき不要部分を覆うレジストマスクをインクジェットプリントによって形成する方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１には、インクジェットプリントでレジストマスクを形成することによって、幅が１ｍｍ程度と狭い部分であっても精度良くマスキングできることが開示される。
【００１０】
しかしながら、特許文献１に開示の方法では、はんだ上がりを防止するための低濡れ性領域が、基体の長手状部分の周方向一表面のみにしか設けられていないので、はんだ上がりの防止効果が充分に得られないという問題がある。はんだ上がりの防止効果を充分に発揮させるためには、基体の長手状部分の周方向全周にわたって精度良く部分めっきを施すことが求められるけれども、特許文献１に開示の方法では、レジスト液を基体に向けて吐出させてレジストマスクを形成するので、基体の周囲に複数の吐出部を設けることが必要であり、装置が大型化するとともに複雑化するという問題がある。また、複雑な形状の基体の場合、基体の長手状部分の周方向全周にわたってレジスト液を均一に付着させることは困難である。
【００１１】
基体の全表面にレジスト層を形成するための技術としては、電着塗装によってレジスト層を形成することが提案されている（たとえば、特許文献２参照）。しかしながら、特許文献２に開示の方法では、基体の全表面に電着塗装でレジスト層を形成した後、ボンディング面として使用される一表面に形成されたレジスト層の一部分を露光および現像によって除去し、ボンディング面の露出された部分にめっきを施している。めっきの際、基体の他の表面は、全体がレジスト層で覆われて露出していないので、めっきが施されない。すなわち、特許文献２に係る発明は、基体のボンディング面となる１つの表面に部分めっきを施すためになされたものであり、基体の長手状部分の周方向全周にわたって部分めっきを施す方法については特許文献２には開示されていない。
【００１２】
別の先行技術では、部分めっきに依らずに、前述の高濡れ性領域と低濡れ性領域とを形成する方法が提案されている（たとえば、特許文献３参照）。特許文献３に開示の技術では、基体の長手状部分の全表面にニッケルめっき層と金めっき層とを順次形成した後、所定の領域にレーザ光を照射して金めっき層の一部を除去することによって、長手状部分の周方向全周にわたって露出したニッケルめっき層で低濡れ性領域を形成し、残存する金めっき層で高濡れ性領域を形成している。
【００１３】
しかしながら、特許文献３に開示の技術において、基体の長手状部分の周方向全周にわたってレーザー光を照射するためには、基体の周囲に複数のレーザー光源を設けるか、または複数個の基体が接続された支持フレームをＳ字形状に折り曲げて搬送し、支持フレームが折れ曲がった部分二箇所でレーザー光を照射するなどの装置構成の変更が必要であり、装置の大型化および複雑化が避けられない。また、特許文献３に開示の技術では、ニッケルめっき層表面から除去された金めっき層が、周辺部に飛散して堆積し、他の部分を汚染する恐れもある。
【００１４】
また、特許文献３に開示の技術では、レーザー光の照射による加熱によって直接金めっき層を蒸発除去するので、基体が加熱による損傷を受け、作製された接点部品のばね特性、機械的強度などが低下するという問題もある。この機械的強度などの低下は、コネクタのように繰返し抜き差しされて使用される電子部品の接点部品において特に問題となる。また、金めっき層を除去する際には、下地のニッケルめっき層に対してもレーザー光の照射による熱が加わるので、ニッケルめっき層が基体表面から剥離しやすくなり、電子部品としての長期的な信頼性も低くなる。また、特許文献３に開示のように、ニッケルめっき層の表面全体に金めっき層を形成した後で不要な部分の金めっき層を除去することは、製造原価の大幅な上昇を招くので、汎用される接点部品の製造方法として現実的でない。
【００１５】
また、レーザー光の照射による金めっき層の除去には時間を要するので、生産性が悪いという問題もある。特許文献３に開示の技術は、レーザー光の照射時間を短縮するための方法として、低濡れ性領域となるニッケルめっき層表面の金めっき層の一部を残し、ニッケルと金との混合層で低濡れ性領域を形成することを提案する。しかしながら、低濡れ性領域をニッケルと金との混合層で形成すると、ニッケル単体層で低濡れ性領域を形成する場合に比べて、はんだ上がりの防止効果が低くなるという、本来の目的と異なる結果を招く。
【００１６】
【特許文献１】特開２００４−４３８５２号公報（第３−４頁，第１図）
【特許文献２】特開平６−１７３０７６号公報（第３−４頁）
【特許文献３】特開２００４−２７７８３７号（第５−７頁，第２−４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の目的は、複雑な形状に加工された基体に対しても、加熱による損傷などを与えることなく、所望の部分にめっきを施すことのできる表面処理方法およびそれを用いる電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、長手状部分を有する基体の表面処理方法であって、基体の長手状部分の全表面にわたって電着塗装によってレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、形成されたレジスト層の少なくとも一部分を基体の長手状部分の周方向全周にわたって露光する露光工程と、露光されたレジスト層を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分にめっきを施すめっき工程とを含むことを特徴とする表面処理方法である。
【００１９】
また本発明は、前記レジスト層形成工程では、レジスト層を厚さが３μｍ以上３０μｍ以下になるように形成することを特徴とする。
【００２０】
また本発明は、前記露光工程では、基体の長手状部分に対して少なくとも２つの方向から光が照射されることを特徴とする。
【００２１】
また本発明は、前記露光工程では、基体を挟んで対向するように設けられる２つ以上の光源によって露光を行なうことを特徴とする。
【００２２】
また本発明は、基体の長手状部分は、少なくとも表面がはんだに対する濡れ性の低い低濡れ性金属を含有する低濡れ性金属層で構成され、前記めっき工程では、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分に、はんだに対する濡れ性の高い高濡れ性金属を含有する高濡れ性金属層をめっきによって形成し、前記めっき工程の後には、残存するレジスト層を除去するレジスト除去工程をさらに含むことを特徴とする。
【００２３】
また本発明は、基体の長手状部分は、少なくとも表面がはんだに対する濡れ性の高い高濡れ性金属を含有する高濡れ性金属層で構成され、前記めっき工程では、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分に、はんだに対する濡れ性の低い低濡れ性金属を含有する低濡れ性金属層をめっきによって形成し、前記めっき工程の後には、残存するレジスト層を除去するレジスト除去工程をさらに含むことを特徴とする。
【００２４】
また本発明は、低濡れ性金属が、ニッケル、コバルト、タングステンおよび鉄から選ばれる１種または２種以上を含むことを特徴とする。
【００２５】
また本発明は、高濡れ性金属が、金、金−ニッケル合金、金−コバルト合金、金−ニッケル−コバルト合金、金−銀合金、銀、銅、パラジウム、パラジウム−ニッケル合金、ロジウム、ルテニウム、錫、錫−亜鉛合金、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−鉛合金、ならびに錫と亜鉛、銀、銅およびビスマスのうちの少なくとも２種との合金から選ばれる１種または２種以上を含むことを特徴とする。
【００２６】
また本発明は、前記本発明の表面処理方法を用いて電子部品を製造することを特徴とする電子部品の製造方法である。
【００２７】
また本発明は、電子部品がコネクタであり、コネクタの接点部品が前記本発明の表面処理方法によって形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、長手状部分を有する基体に対して、その長手状部分の全表面にわたって電着塗装によってレジスト層を形成し、形成されたレジスト層の少なくとも一部分を基体の長手状部分の周方向全周にわたって露光して現像することによってレジストパターンを形成し、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分（以後、レジスト非被覆部と称する）にめっきを施す。レジスト層を露光する際には、レジスト層を基体の長手状部分の周方向全周にわたって露光するので、現像後には基体の長手状部分の周方向全周にわたって連続してレジストパターンを形成することができる。したがって、複雑な形状に加工された基体に対しても、その長手状部分の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができる。また、このように必要な部分のみにめっきを施すことができるので、基体の長手状部分の全表面をめっきした後で不要な部分のめっき層を除去する場合に比べて、製造原価を大幅に低減することができる。さらに、不要な部分のめっき層をレーザ光の照射によって除去する場合のように基体に熱が加わることがないので、基体のばね特性、機械的強度などの低下および基体表面層の剥離を抑えることができる。
【００２９】
また本発明によれば、レジスト層は、厚さが３μｍ以上３０μｍ以下になるように形成されることが好ましい。レジスト層の厚さを前記範囲に選択することによって、基体の長手状部分の全表面に形成されたレジスト層に対して容易に精度良く露光を施すことができるので、レジストパターンを精度良く形成することができる。
【００３０】
また本発明によれば、レジスト層を露光する際には、基体の長手状部分に対して少なくとも２つの方向から光を照射することが好ましく、基体を挟んで対向するように設けられる２つ以上の光源によって露光を行なうことがさらに好ましい。このようにして露光を行なうことによって、レジスト層を容易に長手状部分の周方向全周にわたって露光することができる。また、このような露光は、簡単な構造の露光装置を用いて行なうことができるので、インクジェットプリントでレジストマスクを形成する場合に比べて、製造装置を小型化および簡略化することができる。
【００３１】
また本発明によれば、基体の長手状部分のレジスト非被覆部にめっきを施した後には、残存するレジスト層を除去する。基体の長手状部分の表面が低濡れ性金属層で構成され、長手状部分のレジスト非被覆部に高濡れ性金属層が形成される場合、レジスト層を除去した後には、長手状部分の表面を構成する低濡れ性金属層が露出する。また、基体の長手状部分の表面が高濡れ性金属層で構成され、長手状部分のレジスト非被覆部に低濡れ性金属層が形成される場合、レジスト層を除去した後には、長手状部分の表面を構成する高濡れ性金属層が露出する。したがって、基体の長手状部分の周方向全周にわたって、はんだに対する濡れ性の低い低濡れ性領域と、はんだに対する濡れ性の高い高濡れ性領域とを、長手状部分の長手方向に並べて形成することができる。
【００３２】
また本発明によれば、低濡れ性金属としては、ニッケル、コバルト、タングステンおよび鉄から選ばれる１種または２種以上を用いることが好ましい。
【００３３】
また本発明によれば、高濡れ性金属としては金、金−ニッケル合金、金−コバルト合金、金−ニッケル−コバルト合金、金−銀合金、銀、銅、パラジウム、パラジウム−ニッケル合金、ロジウム、ルテニウム、錫、錫−亜鉛合金、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−鉛合金、ならびに錫と亜鉛、銀、銅およびビスマスのうちの少なくとも２種との合金から選ばれる１種または２種以上を用いることが好ましい。これらの金属は、はんだに対する濡れ性に優れるとともに、電気的な接触抵抗が他の金属に比べて低く、かつ耐食性にも優れる。よって、これらの金属を用いることによって、高濡れ性領域とともに、電気的な接触抵抗が低く、かつ耐食性に優れる低接触抵抗領域を形成することができる。
【００３４】
また本発明によれば、電子部品は前記本発明の表面処理方法を用いて製造される。本発明の表面処理方法を用いることによって、前述のように複雑な形状に加工された基体に対しても、その長手状部分の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができる。したがって、所望の形状を有し、かつ所望の部分にめっきが施された電子部品を容易に製造することができる。
【００３５】
また本発明によれば、コネクタの接点部品は前記本発明の表面処理方法によって形成される。このことによって、レーザー光による加熱などでばね特性や機械的強度などを低下させることなく、低濡れ性領域と高濡れ性領域とを有する接点部品を作製することができる。このような接点部品を用いてコネクタを製造することによって、はんだ付け時のコネクタ嵌合部へのはんだ上がりが抑えられ、はんだ上がりによる不良がなく、かつ耐久性に優れるコネクタを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
図１は、本発明の電子部品の製造方法によって製造される電子部品に備わる接点部品の一例であるコネクタピン１の構成を簡略化して示す図である。図１（ａ）はコネクタピン１を長手状部分６側から見て示す斜視図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すコネクタピン１のコネクタ嵌合部５を切断面線Ｉ−Ｉから見て示す断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）に示すコネクタピン１の低濡れ性領域３を切断面線ＩＩ−ＩＩから見て示す断面図である。図１（ｄ）は、図１（ａ）に示すコネクタピン１のはんだ接合部４を切断面線ＩＩＩ−ＩＩＩから見て示す断面図である。なお、２つのコネクタ嵌合部５は同様の構成を有するので、図１（ｂ）では、２つのコネクタ嵌合部５のうち、一方のみを示す。また、２つの低濡れ性領域３は同様の構成を有するので、図１（ｃ）では、２つの低濡れ性領域３のうち、一方のみを示す。
【００３７】
コネクタピン１は、はんだ接合部４と、はんだ接合部４から互いに略平行に突出して延びる一対の長手状部分６とを含む。長手状部分６の有端側部分によってコネクタ嵌合部５が構成されている。本実施形態では、２つの長手状部分６は、いずれも略角柱形状である。
【００３８】
コネクタピン１は、はんだ接合部４ではんだ付けされて図示しない基板に実装され、コネクタ嵌合部５によって別の対になる図示しないコネクタと嵌合されて使用される。コネクタ嵌合部５に嵌合される別の対になるコネクタは、コネクタピン１が実装される基板と別の基板に実装される。コネクタ嵌合部５で別の対になるコネクタと嵌合することによって、コネクタピン１が実装される基板と、別の対になるコネクタが実装される基板とを電気的に接続することができる。
【００３９】
はんだ接合部４は、はんだ濡れ性に優れる高濡れ性領域２ｂを有する。本実施形態では、はんだ接合部４全体が高濡れ性領域２ｂとして形成される。コネクタ嵌合部５は、接触抵抗がたとえば１〜１０ｍΩ（接触荷重２５ｇ）と低く、耐食性に優れる低接触抵抗領域２ａを有する。本実施形態では、コネクタ嵌合部５全体が低接触抵抗領域２ａとして形成される。はんだ接合部４とコネクタ嵌合部５との間には、はんだとの濡れ性に劣る低濡れ性領域３が設けられる。本実施形態では、低濡れ性領域３は、２つの長手状部分６の長手方向中間部に、長手状部分６の周方向全周にわたってそれぞれ形成される。また、長手状部分６のはんだ接合部４に連なる基端部には、はんだ接合部４から連続して高濡れ性領域２ｂが形成されている。すなわち、本実施形態では、高濡れ性領域２ｂ、低濡れ性領域３および低接触抵抗領域２ａは、この順に、コネクタピン１の長手状部分６の長手方向に並んで形成される。
【００４０】
本実施形態のように、はんだ接合部４とコネクタ嵌合部５との間に低濡れ性領域３を設けることによって、はんだ接合部４にはんだ付けを行なう際のコネクタ嵌合部５へのはんだ上がりを防止することができる。具体的には、はんだ接合部４にはんだ付けを行なう際、溶融したはんだは、はんだ接合部４からコネクタ嵌合部５に向かって流れるけれども、はんだ接合部４とコネクタ嵌合部５との間には低濡れ性領域３が設けられているので、低濡れ性領域３によってコネクタ嵌合部５方向への流動が阻止され、コネクタ嵌合部５には達しない。したがって、はんだ接合部４からコネクタ嵌合部５へのはんだ上がりを防止することができる。特に、本実施の形態では、低濡れ性領域３が、長手状部分６の周方向全周にわたって形成されているので、はんだ上がりを確実に防ぐことができる。
【００４１】
コネクタピン１は、基体１４と、基体１４の表面に形成される高濡れ性金属層１３ｂおよび低接触抵抗金属層１３ａとを含む。基体１４は、基体本体１１と、基体本体１１の表面に形成される低濡れ性金属層１２とを含む。低濡れ性金属層１２は、はんだとの濡れ性の低い低濡れ性金属を含有する。高濡れ性金属層１３ｂは、はんだとの濡れ性の高い高濡れ性金属を含有する。低接触抵抗金属層１３ａは、接触抵抗がたとえば１〜１０ｍΩ（接触荷重２５ｇ）と低く、かつ耐食性に優れる低接触抵抗金属を含有する。
【００４２】
低濡れ性金属層１２は、基体本体１１の表面全体に形成され、基体１４の表面層を構成する。はんだ接合部４では、基体１４の表面に高濡れ性金属層１３ｂが形成される。高濡れ性金属層１３ｂが形成されている部分が高濡れ性領域２ｂを構成する。コネクタ嵌合部５では、基体１４の表面に低接触抵抗金属層１３ａが形成される。低接触抵抗金属層１３ａが形成されている部分が低接触抵抗領域２ａを構成する。低濡れ性領域３では、基体１４の表面に低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂが形成されず、低濡れ性金属層１２が露出している。この低濡れ性金属層１２が露出した部分が低濡れ性領域３を構成する。
【００４３】
本実施形態では、低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂは同一の材料で形成される。低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂは、異なる材料で形成されてもよいけれども、本実施態様のように同一の材料で形成されることが好ましい。これによって、後述するめっき工程において、低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂを同時に形成することができるので、製造工程を簡略化することができる。
【００４４】
図１に示すコネクタピン１などの接点部品を含む電子部品を製造する本発明の電子部品の製造方法は、本発明の表面処理方法を用いるものであり、以下ではまず本発明の表面処理方法について説明する。本発明の表面処理方法は、少なくとも、レジスト層形成工程と、露光工程と、現像工程と、めっき工程とを含む。本発明の実施の一態様である表面処理方法は、下地めっき工程と、レジスト層形成工程と、露光工程と、現像工程と、めっき工程と、レジスト除去工程とを含む。
【００４５】
［下地めっき工程］
図２は、基体本体１１の表面に低濡れ性金属層１２を形成した状態を示す図である。図２（ａ）は条材９を厚み方向一方側から見て示す側面図であり、図２（ｂ）は基体１４を長手状部分７側から見て示す斜視図である。なお、図２（ｂ）では、図２（ａ）に示す条材９に含まれる基体１４の１つを拡大して示す。本実施態様の表面処理方法では、まず、基体本体１１に対してめっきを施し、基体本体１１の表面全体にわたって低濡れ性金属層１２を形成する。これによって、基体本体１１と低濡れ性金属層１２とから成る基体１４が形成される。
【００４６】
本実施態様では、複数の基体本体１１を、基体支持部８を介して支持フレーム１０に支持した条材９ａの状態で、基体本体１１の厚み方向に垂直な方向であって長手状部分６の長手方向に垂直な方向である矢符１６方向に搬送しながら、連続して表面処理を行なう。条材９ａには、複数の基体本体１１および基体支持部８ａと、支持フレーム１０とが含まれる。本実施態様では、基体本体１１は、基体支持部８ａおよび支持フレーム１０と一体的に形成され、低濡れ性金属層１２は、基体本体１１および基体支持部８ａに形成される。低濡れ性金属層１２が形成されてなる基体１４は、基体支持部８を介して支持フレーム１０に接続された条材９の状態で次のレジスト形成工程に供される。
【００４７】
本実施形態では、基体１４は、その表面として、図２（ａ）の紙面に平行な表面であって基体１４の厚み方向一方側の表面である第１表面１４ａと、第１表面１４ａに連なる表面であって図２（ａ）の紙面に向かって第１表面１４ａの右側にある表面である第２表面１４ｂと、図２（ａ）の紙面に平行な表面であって基体１４の厚み方向他方側の表面である第３表面１４ｃと、第１表面１４ａに連なる表面であって図２（ａ）の紙面に向かって第１表面１４ａの左側にある側面である第４側面１４ｄと、２つの長手状部分７同士の対向する表面である第５表面１４ｅおよび第６表面１４ｆとを有する。
【００４８】
基体本体１１を構成する材料としては、公知の導電材料を用いることができ、その中でも、銅、銅−ニッケル合金、チタン−銅合金、りん青銅、真鍮などの銅合金、ニッケル−鉄合金などが好適に用いられる。これらの材料は、打ち抜き加工などによって所望の形状に加工されて基体本体１１として使用される。基体本体１１の形状は、製造するコネクタピン１の形状に応じて適宜選択される。支持フレーム１０および基体支持部８は、打ち抜き加工などによって基体本体１１と一体的に形成することができる。
【００４９】
低濡れ性金属層１２は、たとえばニッケルめっき層で形成される。低濡れ性金属層１２は、これに限定されず、はんだに対する濡れ性の低い低濡れ性金属を含有するものであればよい。低濡れ性金属としては、ニッケル、コバルト、タングステンおよび鉄から選ばれる１種または２種以上を含む単体金属または合金を用いることが好ましく、その中でもニッケルが特に好ましい。ここで、はんだに対する濡れ性の高低は、相対的なものであり、低濡れ性金属とは、高濡れ性金属層１３ｂに含有される高濡れ性金属と比較して、はんだに対する濡れ性が低い金属のことである。したがって、低濡れ性金属は、高濡れ性金属として使用される金属の種類に応じて適宜選択して使用される。低濡れ性金属層１２の厚さは、たとえば０．５〜５μｍである。
【００５０】
低濡れ性金属層１２を形成するための基体本体１１のめっきは、たとえば、電解めっき、化学めっきなどを用いて行なうことができる。電解めっきを用いる場合、基体本体１１のめっきは、基体本体１１を、低濡れ性金属層１２を形成する金属イオンを含むめっき浴に浸漬して通電することによって行なうことができる。めっき浴としては、ニッケルめっきを施す場合には、たとえばワット浴、スルファミン酸浴などを用いることができる。ワット浴としては、たとえば、硫酸ニッケル２００〜３００ｇ／Ｌ、塩化ニッケル３０〜６０ｇ／Ｌ、硼酸２０〜５０ｇ／Ｌおよびサッカリン０．１〜３ｇ／Ｌを含むものなどが挙げられる。スルファミン酸浴としては、たとえば、結晶スルファミン酸ニッケル３００〜４５０ｇ／Ｌ、硼酸２０〜５０ｇ／Ｌおよび界面活性剤０．１〜１ｇ／Ｌを含むもの、ならびにこれらに塩化ニッケル５〜３０ｇ／Ｌを添加したものなどが挙げられる。
【００５１】
以上のようにして基体本体１１表面に低濡れ性金属層１２を形成してなる基体１４の長手状部分７の長さと基体支持部８の長手方向の長さとの和Ｌは、たとえば１〜２０ｍｍである。基体１４の第１長手状部分７ａと第２長手状部分７ｂとの最短距離（以後、間隔と称する）Ｗは、たとえば０．５〜５ｍｍである。基体１４の厚さ、すなわち長手状部分７の長手方向に垂直な方向であって搬送方向１６に垂直な方向の長さＳは、たとえば０．１〜０．３ｍｍである。また、隣合う基体１４の対向する長手状部分７同士の間隔（以後、ピッチと称する）Ｔは、たとえば０．１〜５ｍｍである。
【００５２】
なお、前述のように低濡れ性金属層１２の厚さは０．５〜５μｍと薄いので、基体本体１１の長手状部分７となる部分の長手方向の長さと基体支持部８ａの長手方向の長さとの和Ｌ’、第１長手状部分７ａとなる部分と第２長手状部分７ｂとなる部分との間隔Ｗ’および厚さＳ’は、それぞれ、基体１４の長手状部分７の長さと基体支持部８の長手方向の長さとの和Ｌ、第１長手状部分７ａと第２長手状部分７ｂとの間隔Ｗおよび厚さＳと略等しい。また、隣合う基体本体１１の対向する長手状部分７となる部分同士の間隔であるピッチＴ’は、基体１４における前記ピッチＴと略等しい。
【００５３】
次いで、レジスト層形成工程および露光工程を行なう。図３は、露光工程における基体１４の状態を簡略化して示す断面図である。図３は、図２（ａ）に示す基体１４の第１長手状部分７ａを搬送方向１６に垂直な切断面線ＩＶ−ＩＶから見て示す断面図であり、図２（ａ）に示す基体１４の搬送方向１６は、図３の紙面に垂直な方向に相当する。なお、図３では、レジスト層１５を後述するネガ型レジスト電着塗料で形成する場合を示す。
【００５４】
［レジスト層形成工程］
レジスト層形成工程では、前述の基体本体１１に低濡れ性金属層１２が形成されてなる基体１４に対して、少なくともその長手状部分７の全表面にわたって、電着塗装によってレジスト層１５を形成する。本実施態様では、基体１４の長手状部分の全表面を含む露出する表面全体と、基体支持部８の表面全体とにわたって、連続してレジスト層１５を形成する。電着塗装によってレジスト層１５を形成することによって、基体１４の全表面および基体支持部８の全表面に均一な厚みでレジスト層１５を形成することができる。具体的には、隣合う基体１４に対向する表面である基体１４の第２表面１４ｂおよび第４表面１４ｄに対しても、基体１４の厚み方向一方側の表面である第１表面１４ａおよび厚み方向他方側の表面である第３表面１４ｃと同じ均一な厚みのレジスト層１５を容易に形成することができる。また、２つの長手状部分７ａおよび７ｂの互いに対向する表面である第５表面１４ｅおよび第６表面１４ｆに対しても、第１表面１４ａおよび第４表面１４ｄと同じ均一な厚みのレジスト層１５を形成することができる。このように、本実施態様では、長手状部分７の表面全体にわたって、均一な厚さのレジスト層１５を容易に形成することができる。
【００５５】
レジスト層１５の厚さｄは、３μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下である。この理由については後述する。本実施態様では、電着塗装によってレジスト層１５を形成するので、厚さの調整が容易であり、厚さが前記範囲内にあるレジスト層１５を容易に形成することができる。
【００５６】
基体１４に対する電着塗装は、公知の方法に従い、たとえば、電着塗料を満たした通電槽中に基体１４を浸漬し、この状態で通電することによって実施される。電着塗料としては、レジスト層１５として感光性を有する塗膜を形成することのできるレジスト電着塗料が用いられる。レジスト電着塗料としては、露光された部分が硬化して現像液に不溶性または難溶性となる塗膜を形成することのできるネガ型レジスト電着塗料、露光された部分が分解して現像液に可溶性となる塗膜を形成することのできるポジ型レジスト電着塗料のいずれを用いてもよい。また、これらのレジスト電着塗料は、カチオンタイプおよびアニオンタイプのいずれであってもよい。
【００５７】
ネガ型レジスト電着塗料としては、たとえば、アクリル酸エステル共重合体と、アクリロイル基、メタクリロイル基などの官能基を複数有する多官能不飽和アクリレートとの混合物を、適当な中和剤で中和させて水中に分散させたものなどが挙げられる。ポジ型レジスト電着塗料としては、たとえば、キノンジアジド基を有するアクリル酸エステル共重合体を適当な中和剤で中和させて水中に分散させたものなどが挙げられる。これらのレジスト電着塗料は、含有されるアクリル酸エステル共重合体などの樹脂に、適当な官能基を導入することによって、カチオンタイプまたはアニオンタイプに調整することができる。
【００５８】
アニオンタイプのレジスト電着塗料を用いる場合、基体１４を陽極とし、陰極として、たとえばカーボン板、ステンレス鋼板などを使用する。カチオンタイプのレジスト電着塗料を用いる場合には逆に、基体１４を陰極とし、カーボン板、ステンレス鋼板などを陽極として使用する。カチオンタイプおよびアニオンタイプのいずれのレジスト電着塗料を用いるかは、基体本体１１および低濡れ性金属層１２を構成する材料などに応じて適宜選択される。形成されるレジスト層１５の厚さｄは、電極間に印加する印加電圧および電圧印加時間などによって容易に調整することができる。電着塗装条件は、形成しようとするレジスト層１５の厚さｄ、使用するレジスト電着塗料の組成、基体１４の表面層である低濡れ性金属層１２を構成する金属の種類、通電槽の大きさおよび形状などの各種条件に応じて広い範囲から適宜選択でき、たとえば、レジスト電着塗料の液温１０〜５０℃程度、印加電圧１０〜２５０Ｖ程度、電圧印加時間５秒〜５分間程度である。
【００５９】
［露光工程］
露光工程では、基体１４の長手状部分７に形成されたレジスト層１５の少なくとも一部分を、長手状部分７の周方向全周にわたって露光する。このようにレジスト層１５を長手状部分７の周方向全周にわたって露光を施すことによって、基体１４が図２に示すように複雑な形状の場合であっても、現像後には、後述する図６に示すように基体１４の長手状部分７の周方向全周にわたってレジストパターン１６を形成することができる。したがって、後述するめっき工程において、基体１４の長手状部分７の周方向全周にわたって、精度よく部分めっきを施すことができる。
【００６０】
レジスト層１５に対する露光は、本実施態様では、前述の図１に示す低濡れ性領域３を形成するべく予め定める部分（以後、低濡れ性領域形成予定部と称する）２３に形成されたレジスト層１５ａが、現像後において残存するように行われる。たとえば、レジスト層１５をネガ型レジスト電着塗料で形成する場合には、図３に示すように、基体１４の長手状部分７の低濡れ性領域形成予定部２３に形成されたレジスト層１５を、長手状部分７の周方向全周にわたって露光して硬化させる。また、レジスト層１５をポジ型レジスト電着塗料で形成する場合には、基体１４の長手状部分７の低濡れ性領域形成予定部２３を除く部分２２に形成されたレジスト層１５ｂを露光して、現像液に対して可溶性に変化させる。
【００６１】
レジスト層１５に対する露光は、具体的には基体１４の長手状部分７に対して少なくとも２つの方向から光を照射することによって行なうことができる。本実施態様では、図３に示すように、基体１４を挟んで対向するように設けられる２つの光源１８，１９を用いて、基体１４を図３の紙面手前側から奥側に向かって搬送しながら、矢符２０および矢符２１で示される２つの方向から光を照射することによって露光を行なう。光源１８，１９としては、本実施形態では、拡散光を照射することのできるものを用いる。
【００６２】
光源１８，１９から出射される光は、露光マスク１７の開口部を通して基体１４表面のレジスト層１５に照射される。この露光において、基体１４が、第１光源１８と第２光源１９とを結ぶ仮想平面に関して基体１４の搬送方向上流側に位置するとき、基体１４の搬送方向下流側の表面、具体的には長手状部分７の第４表面１４ｄおよび第６表面１４ｆに対して光が照射される。基体１４が搬送されて、第１光源１８と第２光源１９とを結ぶ仮想平面近傍に位置するとき、基体１４の厚み方向両方の表面部である長手状部分７の第１表面１４ａおよび第３表面１４ｃに対して光が照射される。基体１４がさらに搬送されて、第１光源１８と第２光源１９とを結ぶ仮想平面に関して基体１４の搬送方向下流側に位置するとき、基体１４の搬送方向上流側の表面、具体的には長手状部分７の第２表面１４ｂおよび第５表面１４ｅに対して光が照射される。このように、本実施態様では、基体１４と、間隔を空けて設けられる２つ以上の光源、具体的には２つの光源１８，１９とを相対的に変位させながら露光するので、レジスト層１５を容易に長手状部分７の周方向全周にわたって露光することができる。また、このような露光は、簡易な構造の露光装置を用いて行なうことができるので、インクジェットプリントでレジストマスクを形成する場合に比べて、製造装置を小型化および簡略化することができる。
【００６３】
なお、レジスト層１５をポジ型レジスト電着塗料で形成する場合には、低濡れ性領域形成予定部２３を除く部分２２全体を露光する必要があるけれども、本実施態様では、はんだ接合部４となる部分のうち、前述の図２に示す長手状部分７を連結する連結部４ａに形成されたレジスト層１５に対しても、連結部４ａの周方向全周にわたって露光することができる。すなわち、連結部４ａの支持フレーム１０を臨む表面および長手状部分７同士によって形成される空間に臨む表面に形成されたレジスト層１５に対しても確実に露光を施すことができる。
【００６４】
レジスト層１５に対する露光精度を向上させるためには、レジスト層１５の厚さｄは、前述のように３μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。レジスト層１５を厚さｄが前記範囲内になるように形成することによって、基体１４の第１表面１４ａおよび第３表面１４ｃだけでなく、第２表面１４ｂおよび第４表面１４ｄ、ならびに長手状部分７同士の対向する表面である第５表面１４ｅおよび第６表面１４ｆに対しても、容易に精度の良い露光を施すことができる。
【００６５】
特に、本実施態様のように、レジスト層１５に対して、基体１４を搬送するとともに、基体１４を挟んで対向する２つの光源１８，１９から光を照射することによって露光を行なう場合には、レジスト層１５の厚さｄを前記範囲にすることが好ましい。これによって、形成されたレジスト層１５に対して長手状部分７の周方向全周にわたって確実に露光を施すことができる。したがって、現像後には、基体１４の長手状部分７の周方向全周にわたって、レジストパターン１６を精度良く形成することができる。
【００６６】
レジスト層１５の厚さｄが３０μｍを超えると、露光精度が低下し、レジストパターン１６の精度が低下する可能性がある。また、本実施態様のように基体１４を挟んで対向する２つの光源１８，１９から光を照射して露光する場合には、基体１４の表面のうち、光源１８，１９を臨まない表面である第２表面１４ｂおよび第４表面１４ｄ、ならびに長手状部分７同士の対向する表面である第５表面１４ｅおよび第６表面１４ｆに形成されたレジスト層１５に対する露光が不充分となり、レジスト層１５を長手状部分７の周方向全周にわたって露光できなくなるおそれがある。レジスト層１５の厚さが３μｍ未満であると、後述する現像工程において、残存すべきレジスト層１５、たとえばネガ型レジスト電着塗料で形成されるレジスト層１５の場合には露光された部分のレジスト層１５が剥離する恐れがあり、後述するめっき工程において精度の良い部分めっきを施すことができなくなる可能性がある。
【００６７】
本実施態様によるレジスト層１５の露光に好適に使用される露光装置としては、たとえば図４に示す露光装置２４などが挙げられる。図４は、レジスト層１５の露光に好適に使用される露光装置２４の構成を簡略化して示す側面図である。図５は、露光装置２４に備わる第１マスク部２５を鉛直上方向から見て示す斜視図である。なお、図４では、図３に示すレジスト層１５は、図が錯綜して理解が困難になるので、記載を省略する。露光装置２４は、第１マスク部２５、第２マスク部２６、第１光源１８および第２光源１９を含んで構成される。
【００６８】
第１マスク部２５は、第１上側マスク２７と、第１上側マスク２７の鉛直下方に設けられる第１下側マスク２８と、第１上側マスク２７を支持する第１上側支持体２９と、第１下側マスク２８を支持する第１下側支持体３０と、第１上側支持体２９および第１下側支持体３０を支持する第１支持基体３１とを含む。第１上側支持体２９および第１下側支持体３０は、互いに独立して、図４の紙面に向かって上下方向である鉛直方向に移動可能に第１支持基体３１に支持される。
【００６９】
第２マスク部２６は、第１マスク部２５と同様の構成を有し、第２上側マスク３２と、第２上側マスク３２の鉛直方向に設けられる第２下側マスク３３と、第２上側マスク３２を支持する第２上側支持体３４と、第２下側マスク３３を支持する第２下側支持体３５と、第２上側支持体３４および第２下側支持体３５を支持する第２支持基体３６とを含む。第２上側支持体３４および第２下側支持体３５は、互いに独立して、図４の紙面に向かって上下方向である鉛直方向に移動可能に第２支持基体３６に支持される。
【００７０】
第１上側マスク２７、第１下側マスク２８、第２上側マスク３２および第２下側マスク３３は、前述の図３に示す露光マスク１７として機能する。第１上側マスク２７、第１下側マスク２８、第２上側マスク３２および第２下側マスク３３は、互いに独立した部材であり、これらのマスクが支持される第１上側支持体２９、第１下側支持体３０、第２上側支持体３４または第２下側支持体３５を移動させることによって、図４の紙面に向かって上下方向である鉛直方向にそれぞれ移動させることができる。これによって、第１上側マスク２７と第１下側マスク２８との間隔、すなわち第１上側マスク２７と第１下側マスク２８とによって形成される開口部（以後、第１マスク開口部と称する）３７の幅Ｄ１、および第２上側マスク３２と第２下側マスク３３との間隔、すなわち第２上側マスク３２と第２下側マスク３３とによって形成される開口部（以後、第２マスク開口部と称する）３８の幅Ｄ２を、それぞれ調整することができる。
【００７１】
第１マスク部２５と第２マスク部２６とは、第１上側マスク２７と第２上側マスク３２とが対向し、第１下側マスク２８と第２下側マスク３３とが対向するように、間隔を空けて設けられる。露光に際し、基体１４は、この第１マスク部２５と第２マスク部２６とによって形成される開口部（以後、マスク間開口部と称する）３９を図４の紙面手前側から奥側に向かって搬送される。
【００７２】
図４に示す露光装置２４では、第１下側マスク２８は、第２下側マスク３３を臨む表面の鉛直下方側端部に連なる部分が凹曲面状に形成され、鉛直下方側端部が鉛直上方側端部よりも幅が狭くなっている。第２下側マスク３３も同様に、第１下側マスク２８を臨む表面の鉛直下方側端部に連なる部分が凹曲面状に形成され、鉛直下方側端部が鉛直上方側端部よりも幅が狭くなっている。このため、鉛直下方側端部では、鉛直上方側端部に比べて、第１下側マスク２８と第２下側マスク３３との間隔が広くなっている。この間隔の広がった部分は、基体１４を支持フレーム１０に接続して搬送する際に、支持フレーム１０を支持して搬送する基体搬送用ベルト４０が通過する部分として使用される。
【００７３】
このように間隔を広げた部分を設け、この部分を基体搬送用ベルト４０の通過部として使用することによって、基体１４の移動を妨げることなく、第１マスク部２５と基体１４との距離および第２マスク部２６と基体１４との距離を狭めることができる。これによって、基体１４に形成されたレジスト層１５に対する露光精度を向上させることができるので、レジストパターン１６を精度良く形成することができる。なお、マスク間開口部３９の幅の最小値、すなわち第１マスク部２５と第２マスク部２６との間隔（以後、この値をマスク間開口部３９の幅と称する）Ｄ３は、基体１４の厚さＳに応じて適宜選択される。
【００７４】
第１光源１８は、第１上側マスク２７および第１下側マスク２８を臨み、第１マスク開口部３７に向けて光を照射可能に設けられる。第２光源１９は、第２上側マスク３２および第２下側マスク３３を臨み、第２マスク開口部３８に向けて光を照射可能に設けられる。露光光としては、たとえば波長１５０〜４００ｎｍの紫外線を用いることができる。このような紫外線を出射することのできる第１および第２光源１８，１９としては、たとえば高圧水銀灯、メタルハライドランプなどを用いることができる。レジスト層１５に対する露光光の照射量は、たとえば５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２である。露光光の波長および照射量は、レジスト層１５を形成するレジスト電着塗料の感光性に応じて適宜選択される。
【００７５】
露光装置２４は、第１および第２光源１８，１９から第１および第２マスク開口部３７，３８に向けて光を照射することによって、基体１４に形成されたレジスト層１５のうち、第１および第２マスク開口部３７，３８に対応する部分のレジスト層１５に対して、前述の図３に示すように長手状部分７の周方向全周にわたって露光を施すことができる。また、露光装置２４では、第１マスク開口部３７の幅Ｄ１および第２マスク開口部３８の幅Ｄ２を調整することによって、レジスト層１５の長手状部分７の長手方向における露光される部分の幅を容易に調整することができる。
【００７６】
なお、本実施態様では、２つの光源１８，１９を用いて露光を行なうけれども、３つ以上の光源を用いて露光を行なってもよい。この場合には、各光源を、基体１４を挟んで互いに対向するように、基体１４の搬送方向に順に並べて設ける。たとえば、４つの光源を用いる場合、基体１４に関して反対側に、基体１４の搬送方向に並べて２つずつ光源を設ける。このように、基体１４に関して反対側に複数個の光源を基体１４の搬送方向に並べて設けることによって、より確実にレジスト層１５を長手状部分７の周方向全周にわたって露光することができる。
【００７７】
また、本実施態様では、基体１４を搬送しながら露光を行なうけれども、基体１４を固定し、光源１８，１９を含む露光装置を搬送しながら露光するようにしてもよい。
【００７８】
［現像工程］
図６は、レジスト層１５の現像後の状態を示す図である。図６（ａ）は基体１４を厚み方向一方側から見て示す側面図であり、図６（ｂ）は基体１４を長手状部分７側から見て示す斜視図である。なお、図６（ｂ）では、図６（ａ）に示す基体１４の１つを拡大して示す。現像工程では、前述のようにして露光されたレジスト層１５を現像する。これによって、低濡れ性領域形成予定部２３を除く部分２２に形成されたレジスト層１５が除去され、低濡れ性領域形成予定部２３のみにレジスト層１５が存在するレジストパターン１６が形成される。本実施態様では、前述のように低濡れ性領域形成予定部２３のレジスト層１５を長手状部分７の周方向全周にわたって露光するので、基体１４の長手状部分７の周方向全周にわたってレジストパターン１６を形成することができる。
【００７９】
レジスト層１５の現像には、公知の現像液を用いるができる。たとえば、レジスト層１５をネガ型レジスト電着塗料で形成する場合には、乳酸、蟻酸、酢酸、クエン酸等の有機酸０．５〜２０重量％と界面活性剤０．５〜２０重量％とを含む水溶液などを用いることができる。また、レジスト層１５をポジ型レジスト電着塗料で形成する場合には、５重量％メタケイ酸ナトリウム水溶液や１〜２重量％水酸化ナトリウム水溶液などを用いることができる。
【００８０】
［めっき工程］
めっき工程では、レジストパターン１６が形成された基体１４に対してめっきを施す。これによって、基体１４のレジスト非被覆部２２、すなわち長手状部分７のレジスト層１５で覆われていない表面とはんだ接合部４となる部分の表面とにめっきが施され、前述の図１に示すように低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂが形成される。この低接触抵抗金属層１３ａが形成された部分が低接触抵抗領域２ａとなり、高濡れ性金属層１３ｂが形成された部分が高濡れ性領域２ｂとなる。
【００８１】
このようにして形成される低接触抵抗金属層１３ａと高濡れ性金属層１３ｂとは同一の材料からなる。このように、低接触抵抗金属層１３ａと高濡れ性金属層１３ｂとを同一の材料で形成することによって、１回のめっきで低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂを同時に形成することができるので、低接触抵抗金属層１３ａと高濡れ性金属層１３ｂとを異なる材料で形成する場合に比べて製造工程を簡略化することができる。
【００８２】
低接触抵抗金属層１３ａと高濡れ性金属層１３ｂとを同一の材料で形成する場合、低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂとなる金属層は、たとえば金めっき層で形成される。低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂとなる金属層は、これに限定されず、前述の低接触抵抗金属の性質と高濡れ性金属の性質とを兼ね備えるものであれば、どのような金属で形成されてもよい。
【００８３】
低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂとなる金属層を形成する金属、すなわち接触抵抗が低く、耐食性に優れ、かつはんだとの濡れ性に優れる金属としては、金、金−ニッケル合金、金−コバルト合金、金−ニッケル−コバルト合金、金−銀合金、銀、銅、パラジウム、パラジウム−ニッケル合金、ロジウム、ルテニウム、錫、錫−亜鉛合金、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−鉛合金、ならびに錫と亜鉛、銀、銅およびビスマスのうちの少なくとも２種との合金から選ばれる１種または２種以上を用いることが好ましく、その中でも、金、金−ニッケル合金、金−コバルト合金、パラジウム−ニッケル合金、錫−銀合金、錫−銅合金が好ましく、金が特に好ましい。
【００８４】
低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂを形成するための基体１４のめっきは、たとえば、電解めっき、化学めっきなどを用いて行なうことができる。電解めっきを用いる場合、基体１４のめっきは、レジストパターン１６が形成された基体１４を、低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂを形成する金属イオンを含むめっき浴に浸漬して通電することによって行なうことができる。めっき浴としては、金めっきを施す場合には、公知の酸性、中性またはアルカリ性の金めっき浴を用いることができ、たとえば、シアン化金カリウム、クエン酸、コバルト塩を含む酸性の金めっき浴、シアン化金カリウム、リン酸ナトリウム塩を含む中性の金めっき浴などが挙げられる。また、錫−銅合金めっきを施す場合には、公知の酸性、中性またはアルカリ性の錫−銅合金めっき浴を用いることができ、たとえば、メタンスルホン酸スズ、硫酸銅、メタンスルホン酸を含む酸性の錫−銅合金めっき浴などが挙げられる。
【００８５】
前述のように、低接触抵抗金属層１３ａを構成する金属と高濡れ性金属層１３ｂを構成する金属とは、同一のものであることが好ましいけれども、異なるものであっても構わない。この場合、低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂを構成する金属としては、前述の低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂとなる金属層を形成する金属として例示したものから、それぞれ選択することができる。低接触抵抗金属層１３ａを構成する材料は、これに限定されず、接触抵抗が低く、かつ耐食性に優れる金属であればよい。また、高濡れ性金属層１３ｂを構成する材料は、これに限定されず、はんだとの濡れ性に優れる金属であればよい。低接触抵抗金属層１３ａと高濡れ性金属層１３ｂとを異なる材料で形成する場合には、たとえば、低接触抵抗金属層１３ａを形成するべく予め定められる部分の低濡れ性金属層１２をめっきマスクで覆った状態でめっきを行なって高濡れ性金属層１３ｂを形成した後、高濡れ性領域１３ｂの表面をめっきマスクで覆い、この状態でめっきを行なって低接触抵抗金属層１３ａを形成する。
【００８６】
［レジスト除去工程］
前述のようにして基体１４のレジスト非被覆部にめっきを施した後、レジスト除去工程において、残存するレジスト層１５を除去する。これによって、レジスト層１５で覆われていた低濡れ性金属層１２が露出し、前述の図１に示す低濡れ性領域３が形成される。レジスト層１５の除去は、たとえば、めっき後の基体１４をレジスト剥離液に浸漬させてレジスト層１５を剥離させることによって行なうことができる。レジスト剥離液としては、レジスト層１５をネガ型レジスト電着塗料で形成する場合には、乳酸、蟻酸、酢酸、クエン酸等の有機酸０．５〜２０重量％と、界面活性剤０．５〜２０重量％と、ベンジルアルコールなどの有機溶剤０．５〜５０重量％とを含む水溶液などを用いることができる。また、レジスト層１５をポジ型レジスト電着塗料で形成する場合には、５〜２５重量％の水酸化ナトリウム水溶液などを用いることができる。
【００８７】
このようにして低濡れ性領域３を形成した後、基体１４と基体支持部８とを仮想平面４１の部分で切断し、基体１４を支持フレーム１０から切り離す。これによって、はんだ接合部４とコネクタ嵌合部５との間に低濡れ性領域３が形成された前述の図１に示すコネクタピン１が得られる。
【００８８】
以上のように、本実施態様では、露光工程において、図３に示すようにレジスト層１５の少なくとも一部分を長手状部分７の周方向全周にわたって露光するので、現像後に基体１４の長手状部分７の周方向全周にわたってレジストパターン１６を形成することができる。したがって、複雑な形状に加工された基体１４に対しても、基体１４の長手状部分７の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができるので、図１に示すコネクタピン１のように、長手状部分６の周方向全周にわたって低濡れ性領域３が形成された接点部品を容易に製造することができる。
【００８９】
また、本実施態様の表面処理方法では、隣合う基体１４の対向する長手状部分７同士の間隔であるピッチＴが前述のように０．１〜５ｍｍと狭い場合であっても、隣合う基体１４の長手状部分７に対向する面である基体１４の第２表面１４ｂおよび第４表面１４ｄにおいて、所望の部分に精度良くめっきを施すことができる。このように、本発明の表面処理方法は、ピッチＴが０．１〜５ｍｍと狭い場合に好適に用いることができる。
【００９０】
また、本実施態様の表面処理方法では、図１に示す低濡れ性領域３の長手状部分６の長手方向における幅Ａ１は、図６に示す現像後に残存するレジスト層１５の長手状部分７の長手方向における幅Ａ３と略等しく、露光工程において使用する露光マスクの開口部の幅によって容易に調整することができる。たとえば、レジスト層１５をネガ型レジスト電着塗料で形成する場合には、図３に示す露光工程において使用する露光マスク１７の開口部の幅Ａ２、具体的には図４に示す露光装置２４における第１マスク開口部３７の幅Ｄ１および第２マスク開口部３８の幅Ｄ２を調整することによって、所望の幅Ａ１を有する低濡れ性領域３を容易に形成することができる。したがって、前記幅Ａ１が１００μｍ以下と狭い低濡れ性領域３であっても、容易に基体１４の長手状部分７の周方向全周にわたって形成することができる。
【００９１】
また、本実施態様の表面処理方法では、基体１４の長手状部分７の必要な部分のみにめっきを施すことができるので、長手状部分７の全表面にめっきを施して低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂとなる金属層を形成した後で該金属層の不要な部分を除去する場合に比べて、製造原価を大幅に低減することができる。特に、低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂとなる金属層として金めっき層を形成する場合には、製造原価の大幅な低減が可能である。
【００９２】
また、不要な部分の金属層をレーザ光の照射によって除去する場合のように基体１４に熱が加わることがないので、基体１４のばね特性、機械的強度などの低下を抑えることができる。また基体１４の表面層である低濡れ性金属層１２が、レーザ光の照射時に発生する熱によって基体本体１１から剥離することを防ぐこともできる。したがって、コネクタピン１などの接点部品を用いた電子部品の長期的な信頼性を向上させることができる。
【００９３】
本実施態様の表面処理方法は、コネクタの接点部品に低濡れ性領域を形成するための部分めっきに限定されず、種々の電子部品の接点部品を形成する際の部分めっきに用いることができる。たとえば、リードフレームの接点部品であるリード部に低濡れ性領域を形成するためにも用いることができる。前述のように、本実施態様では、複雑な形状に加工された基体１４に対しても、その長手状部分７の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができるので、所望の形状を有し、かつ所望の部分にめっきが施されたリードフレームなどの電子部品を容易に製造することができる。
【００９４】
以上に述べたように、本実施態様では、基体１４として、基体本体１１の表面全体に低濡れ性金属層１２が形成されたものを用い、めっき工程において、基体１４のレジスト層１５で覆われていない部分に低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂを形成するけれども、これに限定されず、基体１４として、基体本体１１の表面全体に低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂとなる金属層が形成されたものを用い、めっき工程において、基体１４のレジスト層１５で覆われていない部分に低濡れ性金属層１２を形成するようにしてもよい。
【００９５】
この場合には、露光工程において、レジスト層１５に対して、低濡れ性領域形成予定部２３のレジスト層１５が現像によって除去され、低濡れ性領域形成予定部２３を除く部分２２のレジスト層１５が残存するように露光を施す。このように露光されたレジスト層１５を現像することによって、低濡れ性領域形成予定部２３を除く部分２２にレジスト層１５が存在するレジストパターンが形成され、めっき工程において、低濡れ性領域形成予定部２３のみにめっきが施される。これによって、レジスト層１５の除去後には、低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂとなる金属層が露出して低接触抵抗領域２ａと高濡れ性領域２ｂが形成され、低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂとなる金属層の表面に低濡れ性金属層１２が形成されてなる低濡れ性領域３が形成される。
【００９６】
また、基体１４としては、基体本体１１そのものを用いてもよい。この場合、前述の下地めっき工程を省略し、基体本体１１の表面全体にレジスト層１５を形成した後、本実施態様と同様に、露光工程、現像工程、めっき工程およびレジスト除去工程を行なう。たとえば、銅または銅合金からなる基体本体１１を用いる場合には、基体本体１１の表面が低濡れ性金属層として機能するので、めっき工程では、本実施態様と同様に、低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂを形成する。これとは逆に、基体本体１１の表面を低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂとして用い、前述のようにめっき工程において低濡れ性金属層１２を形成するようにしてもよい。
【００９７】
本発明の実施の他の態様である電子部品の製造方法は、本実施態様の表面処理方法を含み、さらに以下の工程を付帯するものである。すなわち、本実施態様による表面処理が施されてなるコネクタピン１は樹脂ケースなどでパッケージングされて基板実装用コネクタとして組み立てられ、はんだ接合部４において回路基板とのはんだ付けが行なわれる。次いで、コネクタ嵌合部５において、他の回路基板にはんだ付けされた別の対になるコネクタと嵌合される。これによって、各回路基板に形成された電子回路同士の導通が行われ、電子部品の製造が終了する。
【００９８】
コネクタピン１は、長手状部分６の周方向全周にわたって、はんだ接合部４とコネクタ嵌合部５との間に低濡れ性領域３を有するので、はんだ付け時のコネクタ嵌合部５へのはんだ上がりは生じず、樹脂ケースの変形などを防ぐことができる。また、コネクタピン１は、本実施態様の表面処理方法によって形成され、前述の低接触抵抗金属層１３ａおよび高濡れ性金属層１３ｂとなる金属層の不要な部分をレーザ光の照射によって除去する場合のようにレーザ光の照射による加熱を受けていないので、ばね特性、機械的強度などの低下がなく、また低濡れ性金属層１２の剥離も発生しない。このようなコネクタピン１を用いることによって、耐久性に優れるコネクタを得ることができる。
【実施例】
【００９９】
（実施例１）
厚さ０．２ｍｍの銅板を打ち抜き加工して、図２に示す略角柱形状の長手状部分を有する複数の基体本体１１、基体支持部８ａおよび支持フレーム１０を一体的に形成して、条材９ａを得た。基体本体１１の長手状部分７となる部分の長手方向の長さと基体支持部８ａの長手方向の長さとの和Ｌ’を３ｍｍとし、長手状部分７となる部分同士の間隔Ｗ’を１ｍｍとし、隣合う基体本体１１のピッチＴ’を１ｍｍとした。作製した基体本体１１に、電解めっきによってニッケルめっきを施し、低濡れ性金属層１２として、厚さ２μｍのニッケルめっき層を形成した。めっき浴としては、ワット浴を用いた。以上のようにして、銅からなる基体本体１１の表面にニッケルめっき層が形成されてなる前述の図２に示す基体１４を得た。
【０１００】
次いで、ニッケルめっき層の表面全体に、電着塗装によって厚さ８μｍのレジスト層１５を形成した。電着塗料には、紫外線照射によって硬化するカチオンタイプのネガ型レジスト電着塗料（商品名：エレコートＥＵ−ＸＣ、株式会社シミズ製）を用いた。形成されたレジスト層１５を乾燥させた後、前述の図４に示す露光装置２４を用い、第１マスク開口部３７の幅Ｄ１および第２マスク開口部３８の幅Ｄ２をそれぞれ２５０μｍに設定して、基体１４の長手状部分７の低濡れ性領域形成予定部２３に形成されたレジスト層１５を長手状部分７の周方向全周にわたって露光して硬化させた。露光には波長３６５ｎｍの紫外線を用い、レジスト層１５に対する露光光の照射量が１５０ｍＪ／ｃｍ２になるように設定した。
【０１０１】
次いで、基体１４を現像液（商品名：ＤＬＰ−１、株式会社シミズ製）に浸漬してレジスト層１５を現像し、レジストパターン１６を形成した。形成されたレジストパターン１６を電子顕微鏡で観察したところ、レジスト層１５は、基体１４の長手状部分７の中間部に、周方向全周にわたって連続して残存していた。
【０１０２】
レジストパターン１６が形成された基体１４に電解めっきによって金めっきを施し、ニッケルめっき層のレジスト層１５で覆われていない部分に、高濡れ性金属層１３として、厚さ０．１μｍの金めっき層を形成した。めっき浴には、酸性金めっき浴を用いた。
【０１０３】
次いで、レジスト剥離液（商品名：ＤＬＰ−２、株式会社シミズ製）を用いて残存するレジスト層１５を剥離させ、ニッケルめっき層を露出させた。その後、支持フレーム１０から基体１４を切り離し、図１に示すコネクタピン１を得た。
【０１０４】
得られたコネクタピン１を電子顕微鏡で観察したところ、コネクタピン１の長手状部分６の周方向全周にわたって連続してニッケルめっき層が露出し、低濡れ性領域３が形成されていた。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の電子部品の製造方法によって製造される電子部品に備わる接点部品の一例であるコネクタピン１の構成を簡略化して示す図である。
【図２】基体本体１１の表面に低濡れ性金属層１２を形成した状態を示す図である。
【図３】露光工程における基体１４の状態を簡略化して示す断面図である。
【図４】レジスト層１５の露光に好適に使用される露光装置２４の構成を簡略化して示す側面図である。
【図５】露光装置２４に備わる第１マスク部２５を鉛直上方向から見て示す斜視図である。
【図６】レジスト層１５の現像後の状態を示す図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１  コネクタピン
２ａ  低接触抵抗領域
２ｂ  高濡れ性領域
３  低濡れ性領域
４  はんだ接合部
５  コネクタ嵌合部
６，７  長手状部分
８  基体支持部
９  条材
１０  支持フレーム
１１  基体本体
１２  低濡れ性金属層
１３ａ  低接触抵抗金属層
１３ｂ  高濡れ性金属層
１４  基体
１５  レジスト層
１７  露光マスク
１８  第１光源
１９  第２光源
２３  低濡れ性領域形成予定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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