(57)【要約】      （修正有）【課題】異物によるノズル詰まりを防止することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】リザーバ部３１が形成されたリザーバ形成基板３０を流路形成基板１０に接着層を介して接合する工程と、流路形成基板１０をその他方面側からウェットエッチングして圧力発生室１２及び連通部１３を形成する工程と、貫通孔５０ａに対向する領域の不連続金属層９５をウェットエッチングによって除去してリザーバ部３１と連通部１３とを連通させてリザーバ１００を形成する工程と、少なくともリザーバ１００の内壁面に耐液体性を有する材料からなる保護膜１５を形成する工程とを具備し、且つ保護膜１５を形成する工程の前に、リザーバ部３１内に張り出した接着層３５の庇部３５ａを少なくとも除去する除去工程を実施する。【選択図】図６
2006272818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板からなり液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室と当該圧力発生室に連通する連通部とが形成される流路形成基板の一方面側に振動板を介して下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子を形成すると共に前記連通部となる領域の前記振動板を除去して貫通孔を形成する工程と、前記圧電素子から引き出されるリード電極を形成すると共に前記リード電極と同一の層からなるが当該リード電極とは不連続の不連続金属層で前記貫通孔を封止する工程と、前記連通部と連通してリザーバの一部を構成するリザーバ部が形成されたリザーバ形成基板を前記流路形成基板の前記一方面側に接着層を介して接合する工程と、前記流路形成基板をその他方面側からウェットエッチングして前記圧力発生室及び前記連通部を形成する工程と、前記貫通孔に対向する領域の前記不連続金属層をウェットエッチングによって除去して前記リザーバ部と前記連通部とを連通させて前記リザーバを形成する工程と、少なくとも前記リザーバの内壁面に耐液体性を有する材料からなる保護膜を形成する工程とを具備し、且つ前記保護膜を形成する工程の前に、前記リザーバ部内に張り出した前記接着層の庇部を少なくとも除去する除去工程を有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記除去工程では、前記接着層の端部が、前記貫通孔の縁部よりも外側に位置するように前記庇部を除去することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記除去工程を、前記リザーバを形成する工程の後に実施することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
請求項３において、前記除去工程では、前記連通部側から前記庇部を除去することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかにおいて、前記庇部をドライエッチングによって除去することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかにおいて、前記保護膜の材料として酸化タンタルを用いることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法に関し、特に、液体としてインクを吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドであるインクジェット式記録ヘッドとしては、例えば、ノズル開口に連通する圧力発生室とこの圧力発生室に連通する連通部とが形成される流路形成基板と、この流路形成基板の一方面側に形成される圧電素子と、流路形成基板の圧電素子側の面に接合され連通部と共にリザーバの一部を構成するリザーバ部を有するリザーバ形成基板とを具備されたものがある。そして、このリザーバは、振動板とこの振動板上に設けられた積層膜とを機械的に打ち抜くことによって貫通部を形成し、この貫通部を介してリザーバ部と連通部とを連通させることによって形成されていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、このように機械的な加工で貫通部を形成すると、加工カス等の異物が生じ、圧力発生室などの流路内にこの異物が入り込み、吐出不良等の原因となるという問題がある。なお、貫通部を形成後、例えば、洗浄等を行うことで、加工カス等の異物はある程度除去することはできるが、異物を完全に除去するのは難しい。また、貫通部を機械的に加工すると、貫通部の周囲に亀裂等が発生し、この亀裂が生じることによっても吐出不良が発生するという問題がある。すなわち、亀裂が発生した状態でインクを充填してノズル開口から吐出させると、亀裂部分から破片が脱落し、この破片がノズル開口に詰まり吐出不良が発生するという問題がある。
【０００４】
また、流路形成基板とリザーバ形成基板とは、一般的に接着剤によって接合されている。そして、この接着剤は両基板にから圧力を受け、例えば、リザーバ内に張り出した状態で硬化されてしまう。また、リザーバ等の流路の内面には、インクによる浸食を防止するために、耐インク性を有する材料からなる保護膜が形成され、この保護膜は、リザーバ内に張り出した接着剤の表面にも形成される。しかしながら、接着剤の表面に形成された保護膜は、保護膜とは熱膨張係数が大きく異なるため、環境温度の変化等によって比較的容易に剥がれてしまい、上述した異物と同様に、剥がれ落ちた保護膜によってもノズル詰まり等が発生してしまう虞がある。
【０００５】
なお、このような問題は、インクを吐出するインクジェット式記録ヘッドだけでなく、勿論、インク以外の液体を吐出する他の液体噴射ヘッドの製造方法においても、同様に存在する。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１５９８０１号公報（第７〜８図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑み、異物によるノズル詰まり等の吐出不良を確実に防止することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、シリコン基板からなり液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室と当該圧力発生室に連通する連通部とが形成される流路形成基板の一方面側に振動板を介して下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子を形成すると共に前記連通部となる領域の前記振動板を除去して貫通孔を形成する工程と、前記圧電素子から引き出されるリード電極を形成すると共に前記リード電極と同一の層からなるが当該リード電極とは不連続の不連続金属層で前記貫通孔を封止する工程と、前記連通部と連通してリザーバの一部を構成するリザーバ部が形成されたリザーバ形成基板を前記流路形成基板の前記一方面側に接着層を介して接合する工程と、前記流路形成基板をその他方面側からウェットエッチングして前記圧力発生室及び前記連通部を形成する工程と、前記貫通孔に対向する領域の前記不連続金属層をウェットエッチングによって除去して前記リザーバ部と前記連通部とを連通させて前記リザーバを形成する工程と、少なくとも前記リザーバの内壁面に耐液体性を有する材料からなる保護膜を形成する工程とを具備し、且つ前記保護膜を形成する工程の前に、前記リザーバ部内に張り出した前記接着層の庇部を少なくとも除去する除去工程を有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第１の態様では、接着層の表面に保護膜を形成することなく、リザーバの内壁に保護膜を良好に形成することができる。したがって、リザーバの内壁から保護膜が剥がれ落ちるのを防止でき、また剥がれ落ちた保護膜によるノズル詰まり等、吐出不良の発生を防止することができる。
【０００９】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記除去工程では、前記接着層の端部が、前記貫通孔の縁部よりも外側に位置するように前記庇部を除去することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第２の態様では、接着層の表面に保護膜が形成されるのをより確実に防止することができる。
【００１０】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様において、前記除去工程を、前記リザーバを形成する工程の後に実施することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第３の態様では、接着層の庇部が完全に露出されるため、庇部を短時間で良好に除去することができる。
【００１１】
本発明の第４の態様は、第３の態様において、前記除去工程では、前記連通部側から前記庇部を除去することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第４の態様では、接着層を除去する領域を比較的容易に調整することができる。
【００１２】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れかの態様において、前記庇部をドライエッチングによって除去することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第５の態様では、接着層の庇部を短時間で比較的容易に除去することができる。
【００１３】
本発明の第６の態様は、第１〜５の何れかの態様において、前記保護膜の材料として酸化タンタルを用いることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第６の態様では、リザーバ等の内部に供給される液体によって流路形成基板及びリザーバ形成基板が浸食されてしまうのをより確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る製造方法によって製造されるインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及び断面図である。図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化によって二酸化シリコンからなる厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。
【００１５】
流路形成基板１０には、複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、各圧力発生室は、インク供給路１４を介して連通部１３とそれぞれ連通されている。連通部１３は、後述するリザーバ形成基板３０のリザーバ部３１と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００の一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００１６】
ここで、流路形成基板１０に形成される流路、本実施形態では、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４の内壁表面には、耐インク性を有する材料、例えば、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の酸化タンタルからなる保護膜１５が、例えば、５０ｎｍ程度の厚さで設けられている。なお、ここでいう耐インク性とは、アルカリ性のインクに対する耐エッチング性のことである。また、本実施形態では、流路形成基板１０の圧力発生室１２等が開口する側の表面、すなわち、ノズルプレート２０が接合される接合面にも保護膜１５が設けられている。勿論、このような領域には、インクが実質的に接触しないため、保護膜１５は設けられていなくてもよい。
【００１７】
なお、このような保護膜１５の材料は、酸化タンタルに限定されず、使用するインクのｐＨ値によっては、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ニッケル（Ｎｉ）及びクロム（Ｃｒ）等を用いてもよい。
【００１８】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
【００１９】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、厚さが例えば約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５５が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とからなる圧電素子３００が形成されている。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、圧力発生室毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。
【００２０】
なお、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、密着層９１及び金属層９２からなるリード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。また、詳しくは後述するが、連通部１３の開口周縁部に対応する領域の弾性膜５０及び絶縁体膜５５上にも、このリード電極９０と同一の層、本実施形態では、密着層９１及び金属層９２からなるがリード電極９０とは不連続の不連続金属層９５が残存している。
【００２１】
このような流路形成基板１０の圧電素子３００側の面には、リザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部３１を有するリザーバ形成基板３０が、例えば、エポキシ系の接着剤等からなる接着層３５によって接着されている。リザーバ形成基板３０のリザーバ部３１は、弾性膜５０及び絶縁体膜５５に設けられた貫通孔５０ａ，５５ａを介して連通部１３と連通され、これらリザーバ部３１及び連通部１３によってリザーバ１００が形成されている。
【００２２】
また、リザーバ形成基板３０の圧電素子３００に対向する領域には、圧電素子保持部３２が設けられている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３２内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。なお、圧電素子保持部３２は、密封されていてもよいし密封されていなくてもよい。このようなリザーバ形成基板３０の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成している。
【００２３】
また、リザーバ形成基板３０上には、所定パターンで形成された接続配線２００が設けられ、この接続配線２００上には圧電素子３００を駆動するための駆動ＩＣ２１０が実装されている。そして、各圧電素子３００から圧電素子保持部３２の外側まで引き出された各リード電極９０の先端部と、駆動ＩＣ２１０とが駆動配線２２０を介して電気的に接続されている。
【００２４】
さらに、リザーバ形成基板３０のリザーバ部３１に対応する領域上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２５】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動ＩＣ２１０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、圧電素子３００及び振動板をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインクが吐出する。
【００２６】
以下、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図６を参照して説明する。なお、図３〜図５は、圧力発生室１２の長手方向の断面図であり、図６は、リザーバ近傍の拡大断面図である。
【００２７】
まず、図３（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０として、膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
【００２８】
次に、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５を形成する。
【００２９】
次いで、図３（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成した後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。次に、図３（ｄ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０とを流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成し、これら圧電体層７０及び上電極膜８０を、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。また、圧電素子３００を形成後に、絶縁体膜５５及び弾性膜５０をパターニングして、流路形成基板用ウェハ１１０の連通部（図示なし）が形成される領域の絶縁体膜５５及び弾性膜５０を貫通させる。すなわち、絶縁体膜５５をエッチングして貫通孔５５ａを形成し、さらに弾性膜５０をエッチングすることにより貫通孔５０ａを形成する。なお、本実施形態では、絶縁体膜５５の貫通孔５５ａを、弾性膜５０の貫通孔５０ａよりも開口面積が大きくなるように形成している。勿論、これら貫通孔５０ａ，５５ａは同じ大きさで形成されていてもよい。
【００３０】
ここで、圧電素子３００を構成する圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。その組成は、圧電素子３００の特性、用途等を考慮して適宜選択すればよいが、例えば、ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ３（ＰＺ）、Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＹ−ＰＴ）等が挙げられる。
【００３１】
また、圧電体層７０の形成方法は、特に限定されないが、例えば、本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成した。また、圧電体層７０は、例えば、ＭＯＤ(Metal-Organic Decomposition)法等を用いて形成するようにしてもよい。
【００３２】
次に、図４（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って密着性を確保するための密着層９１を介して金属層９２を形成し、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して、これら金属層９２及び密着層９１を圧電素子３００毎にパターニングすることでリード電極９０を形成する。
【００３３】
このとき、貫通孔５０ａ，５５ａに対応する領域の密着層９１及び金属層９２は、リード電極９０とは不連続となるように残しておく。すなわち、貫通孔５０ａ，５５ａに対向する領域の少なくとも一部に、リード電極９０とは不連続の密着層９１及び金属層９２からなる不連続金属層９５を形成し、この不連続金属層９５で貫通孔５０ａ，５５ａを封止する。なお、この不連続金属層９５は、後述する工程で、流路形成基板用ウェハ１１０にエッチングして圧力発生室１２等を形成する際に、エッチングの広がりを規制するための役割を果たす。
【００３４】
リード電極９０を構成する金属層９２の主材料としては、比較的導電性の高い材料であれば特に限定されず、例えば、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）が挙げられ、本実施形態では金（Ａｕ）を用いている。また、密着層９１の材料としては、金属層９２の密着性を確保できる材料であればよく、具体的には、チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン化合物（ＴｉＷ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）又はニッケルクロム化合物（ＮｉＣｒ）等が挙げられ、本実施形態ではニッケルクロム化合物（ＮｉＣｒ）を用いている。
【００３５】
次に、図４（ｂ）に示すように、リザーバ形成基板用ウェハ１３０を、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、エポキシ系の接着剤からなる接着層３５を介して接合する。このとき、接着層３５は、両基板からある程度の圧力を受けるため、ここでは図示しないが、両基板の端部からはみ出した状態で硬化される。当然、接着層３５はリザーバ部３１内にもはみ出した状態で硬化される。
【００３６】
なお、リザーバ形成基板用ウェハ１３０には、リザーバ部３１、圧電素子保持部３２等が予め形成されており、リザーバ形成基板用ウェハ１３０上には、上述した接続配線２００が予め形成されている。
【００３７】
次いで、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ硝酸によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚さとする。例えば、本実施形態では、研磨及びウェットエッチングによって、流路形成基板用ウェハ１１０を、約７０μｍの厚さとなるように加工した。次いで、図５（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるマスク膜５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図５（ｂ）に示すように、このマスク膜５２を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチング（ウェットエッチング）して、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等を形成する。すなわち、貫通孔５０ａ，５５ａを不連続金属層９５によって封止した状態で、流路形成基板用ウェハ１１０を、例えば、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液等のエッチング液によってエッチングする。そして、弾性膜５０及び不連続金属層９５が露出するまで流路形成基板用ウェハ１１０をエッチングすることより、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４を同時に形成する。
【００３８】
このとき、貫通孔５０ａ，５５ａが密着層９１及び金属層９２からなる不連続金属層９５によって封止されているため、貫通孔５０ａ，５５ａを介してリザーバ形成基板用ウェハ１３０側にエッチング液が流れ込むことがない。これにより、リザーバ形成基板用ウェハ１３０の表面に設けられている接続配線２００にエッチング液が付着することがなく、断線等の不良の発生を防止することができる。また、リザーバ部３１内にエッチング液が浸入してリザーバ形成基板用ウェハ１３０がエッチングされる虞もない。
【００３９】
なお、このような圧力発生室１２等を形成する際、リザーバ形成基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０側とは反対側の表面を、耐アルカリ性を有する材料、例えば、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＰＴＡ（ポリパラフェニレンテレフタルアミド）等からなる封止フィルムでさらに封止するようにしてもよい。これにより、接続配線２００の断線等の不良をより確実に防止することができる。
【００４０】
次に、図６（ａ）に示すように、リザーバ部３１（貫通孔５０ａ）に対向する領域の不連続金属層９５を除去する。すなわち、密着層９１を連通部１３側からウェットエッチングすることにより除去して金属層９２を露出させ、露出した金属層９２を、連通部１３側からさらにウェットエッチングすることによって除去する。これにより、リザーバ部３１と連通部１３とが連通してリザーバ１００が形成される。
【００４１】
そして、このように不連続金属層９５を最終的にエッチングにより除去してリザーバ１００を形成することで、従来の機械的な加工とは異なり、加工カス等の異物の発生を防止することができる。したがって、圧力発生室１２、連通部１３等のインク流路内に加工カスが残留し、残留した加工カスによってノズル詰まり等の吐出不良が発生するのを防止することができる。
【００４２】
なお、このように密着層９１及び金属層９２をウェットエッチングによって除去する場合、これら密着層９１及び金属層９２は厚さ方向だけでなく面方向にもエッチング（サイドエッチング）される。このため、密着層９１及び金属層９２をウェットエッチングにより除去すると、これら密着層９１及び金属層９２の端部は、弾性膜５０の端部、すなわち貫通孔５０ａの縁部よりも外側に位置することになる。そして、このようにリザーバ部３１に対向する領域の不連続金属層９５が除去されると、リザーバ１００（リザーバ部３１）内には、接着層３５が張り出した庇部３５ａのみが残った状態となる。
【００４３】
次に、図６（ｂ）に示すように、このようにリザーバ部３１内に張り出した接着層３５の庇部３５ａを、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ４）等のＣＦ系のエッチングガスを用いた反応性ドライエッチングによって少なくとも除去する。なお、庇部３５ａが除去された接着層３５の端部は、リザーバ部３１の内壁よりも外側に位置していればよいが、弾性膜５０の端部、すなわち貫通孔５０ａの縁部よりも外側に位置しているのが好ましい。また、ドライエッチングは、連通部１３又はリザーバ部３１の何れの側から行ってもよいが、連通部１３側から行うようにするのが好ましい。これにより、接着層３５の端部の位置を比較的容易に調整することができる。
【００４４】
また、本実施形態では、庇部３５ａを除去する際に、流路形成基板用ウェハ１１０表面のマスク膜５２も除去するようにした。勿論、このマスク膜５２は、除去せずに残しておいてもよい。
【００４５】
そして、このようにリザーバ１００内に張り出した庇部３５ａを除去した後は、図６（ｃ）に示すように、例えば、圧力発生室１２、リザーバ１００等の流路の内面に、耐液体性（耐インク性）を有する材料、例えば、五酸化タンタルからなる保護膜１５を、例えば、ＣＶＤ法によって形成する。
【００４６】
このとき、リザーバ部３１の内壁の内側に張り出していた接着層３５の庇部３５ａは除去されているため、特に、本実施形態では、接着層３５の端部が弾性膜５０の端部の外側に位置しているため、接着層３５の表面には保護膜１５が形成されることがない。すなわち、リザーバ１００の内壁には保護膜１５が良好に形成され、リザーバ１００の内面から保護膜１５が剥がれ落ちることはない。したがって、剥がれ落ちた保護膜１５によるノズル詰まり等、吐出不良の発生を防止することができる。
【００４７】
なお、このように保護膜１５を形成した後は、リザーバ形成基板用ウェハ１３０に形成されている接続配線２００上に駆動ＩＣ２１０を実装すると共に、駆動ＩＣ２１０とリード電極９０とを駆動配線２２０によって接続する（図２参照）。その後、流路形成基板用ウェハ１１０及びリザーバ形成基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０のリザーバ形成基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、リザーバ形成基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、これら流路形成基板用ウェハ１１０等を、図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって上述した構造のインクジェット式記録ヘッドが製造される。
【００４８】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、勿論、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態では、不連続金属層９５を除去してリザーバ１００を形成した後に、接着層３５の庇部３５ａを少なくとも除去する除去工程を実施するようにしたが、これに限定されず、除去工程は、保護膜１５を形成する前で、且つ接着層３５を完全に硬化した後であれば、何れのタイミングで行ってもよい。
【００４９】
また、上述した実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図７は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図７に示すように、インクジェット式記録ヘッドを有する記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モータ６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４にはキャリッジ軸５に沿ってプラテン８が設けられており、図示しない給紙ローラなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン８上を搬送されるようになっている。
【００５０】
また、上述した実施形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す拡大断面図である。
【図７】一実施形態に係る液体噴射ヘッドの概略図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  １３  連通部、  １４  インク供給路、  １５  保護膜、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  リザーバ形成基板、  ３１  リザーバ部、  ３２  圧電素子保持部、  ３５  接着層、  ３５ａ  庇部、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ５５  絶縁体膜、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  ９１  密着層、  ９２  金属層、  １００  リザーバ、  １１０  流路形成基板用ウェハ、  １３０  リザーバ形成基板用ウェハ、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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