(57)【要約】【課題】  反りの発生が抑制されて信頼性の高いフレキシブルな電子部品実装構造体を提供する。【解決手段】  フレキシブル基板として機能する絶縁層１２，１４と、電子部品２０の全体が絶縁層１２，１４によって被覆された状態で絶縁層１２，１４に埋設された電子部品２０と、絶縁層１２，１４の中に埋設され、電子部品２０の接続パッド２０ａに電気的に接続された配線層１６とを含む。絶縁層に複数の電子部品を埋設し、折りたたんで電子部品同士を電気的に接続して実装してもよい。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板として機能する絶縁層と、
電子部品の全体が前記絶縁層によって被覆された状態で前記絶縁層に埋設された前記電子部品と、
前記絶縁層の中に埋設され、前記電子部品の接続パッドに電気的に接続された配線層とを有することを特徴とする電子部品実装構造体。
【請求項２】
前記絶縁層は、同一材料からなる第１絶縁層及び第２絶縁層から構成され、前記電子部品は、該電子部品の接続パッドが上側になった状態で前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装構造体。
【請求項３】
前記電子部品は、その下側の前記第１絶縁層の中に埋設されて、前記電子部品の段差が平坦化されていることを特徴とする請求項２に記載の電子部品実装構造体。
【請求項４】
前記配線層に電気的に接続される外部接続端子が前記配線層の上側又は下側の前記絶縁層の外面から突出して設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品実装構造体。
【請求項５】
前記電子部品実装構造体は、複数の前記電子部品が前記絶縁層の複数の実装領域にそれぞれ実装された構造体が、前記実装領域同士が重なるように折りたたまれて、上下の前記電子部品が電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品実装構造体。
【請求項６】
前記折りたたまれて重なる実装領域において、一方の実装領域には前記電子部品に接続される前記配線層にバンプが形成され、他方の実装領域には前記電子部品に接続される配線層が側面に露出する貫通孔が設けられており、前記電子部品実装構造体を折りたたむ際に、前記一方の実装領域のバンプが前記他方の実装領域の前記貫通孔に挿入され、前記上下の電子部品の配線層にそれぞれ電気的に接続される外部接続端子が前記貫通孔を通して前記他方の実装領域側に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の電子部品実装構造体。
【請求項７】
前記絶縁層は、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、及びシリコン系樹脂の群から選択されるいずれかよりなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子部品実装構造体。
【請求項８】
前記電子部品は、半導体チップ、キャパシタ、及び基板上に複数の電子素子が実装されて構成されるモジュール部品の群から選択されるいずれか、又はそれらの２つ以上の組合わせから構成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子部品実装構造体。
【請求項９】
前記電子部品実装構造体の前記外部接続端子が、電子機器の筐体に設けられた配線層にプラグイン実装によって接続されることを特徴とする請求項４又は６に記載の電子部品実装構造体。
【請求項１０】
金属板の上に半硬化の第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上に電子部品を配置する工程と、
前記第１絶縁層を熱処理によって硬化させることにより、前記電子部品を前記第１絶縁層に固着する工程と、
前記電子部品に電気的に接続される配線層を前記電子部品及び前記第１絶縁層の上に形成する工程と、
前記第１絶縁層と同一材料からなり、前記電子部品及び配線層を被覆する第２絶縁層を形成する工程と、
前記金属板を前記第１絶縁層に対して選択的に除去する工程とを有することを特徴とする電子部品実装構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記金属板の上面側にはキャビティが設けられており、
前記電子部品を前記第１絶縁層に固着する工程において、前記電子部品を前記キャビティの底部の前記第１絶縁層上に配置し、
前記電子部品を前記第１絶縁層に固着する工程において、前記第１絶縁層が流動化した状態で硬化し、前記電子部品の段差が前記第１絶縁層の流動によって平坦化されることを特徴とする請求項１０に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
【請求項１２】
金属板を除去する工程の後に、
前記配線層に電気的に接続される外部接続端子を前記第１絶縁層の下面から突出させて形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
【請求項１３】
金属板を除去する工程の前又は後に、
前記配線層に電気的に接続される外部接続端子を前記第２絶縁層の上面から突出させて形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁層の複数の実装領域に複数の前記電子部品が実装された構造体を折りたたむことにより、一方の実装領域と他方の実装領域を重ねる折りたたみ式の電子部品実装構造体を製造する方法であって、
前記第１絶縁層の上に電子部品を配置する工程において、複数の前記電子部品を複数の実装領域にそれぞれ位置し、
前記配線層を形成する工程、及び前記第２絶縁層を形成する工程で、一方の前記実装領域では、前記配線層に接続されるバンプが形成され、かつ前記第２絶縁層に該バンプが露出する開口部が形成されるようにし、
他方の前記実装領域では、前記折りたたむ際に前記バンプに対応する位置の前記第２絶縁層、前記配線層及び前記第１絶縁層の部分に貫通孔が形成されるようにし、
前記金属板を除去する工程の後に、
前記一方の実装領域の前記バンプが前記他方の実装領域の前記貫通孔に挿入されるように実装体を折りたたむ工程と、
前記一方の実装領域のバンプと前記他方の実装領域の配線層とに前記貫通孔を通して電気的に接続される外部接続端子を前記他方の実装領域の前記第１絶縁層側に形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
【請求項１５】
前記第１及び第２絶縁層は、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、及びシリコン系樹脂の群から選択されるいずれかよりなることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
【請求項１６】
前記電子部品は、半導体チップ、キャパシタ、及び基板上に複数の電子素子が実装されて構成されるモジュール部品の群から選択されるいずれか、又はそれらの２つ以上の組合わせから構成されることを特徴とする１０乃至１４のいずれか一項に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品実装構造体及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、半導体チップなどの電子部品が絶縁層に埋設された状態で実装された電子部品実装構造体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップなどの電子部品が絶縁層に埋設された状態で実装された構造の電子部品実装構造体（半導体装置など）がある。そのような電子部品実装構造体の製造方法の一例としては、まず、ガラスエポキシ樹脂などからなるベース基板上に半導体チップが接着層によって固着された後に、半導体チップが絶縁層（エポキシ樹脂層など）によって被覆される。その後に、樹脂層に設けられたビアホールを介して半導体チップの接続パッドに接続される配線層が樹脂層上に形成される。
【０００３】
特許文献１には、ベース基板上に半導体チップとそれに接続される配線層を絶縁層に埋設した状態で形成した後に、ベース基板を除去することにより、半導体チップがその背面が露出した状態で絶縁層に埋設された構造の電子部品実装構造体を得ることが記載されている。
【０００４】
また、特許文献２には、コア基板となる絶縁層（感光性樹脂）上に設けられた配線層上に、半導体チップがワイヤによって該配線層に接続された状態で実装され、さらに半導体チップがエポキシ樹脂によって封止された構造の電子部品実装構造体が記載されている。
【特許文献１】特開２００３−３１８３２３号公報
【特許文献２】特開平９−２８３９２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年では、実装が容易なフレキシブルの電子部品実装構造体が求められている。しかしながら、従来技術では、材料構成が最適化されているとは言えず、半導体チップ（シリコンチップ）とコア基板や絶縁層との熱膨張係数の差に基づいて熱応力が発生しやすく、それによって電子部品実装構造体に反りが発生しやすいという問題があり、信頼性の高いフレキシブルの電子部品実装構造体を製造することは困難である。このため、信頼性の高いフレキシブルな電子部品実装構造体を容易に形成できる方法が求められている。上記した特許文献１及び２では、フレキシブルな電子部品実装構造体を信頼性よく製造することに関しては何ら考慮されていない。
【０００６】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、反りの発生が抑制されて信頼性の高いフレキシブルな電子部品実装構造体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は電子部品実装構造体に係り、フレキシブル基板として機能する絶縁層と、電子部品の全体が前記絶縁層によって被覆された状態で前記絶縁層に埋設された前記電子部品と、前記絶縁層の中に埋設され、前記電子部品に電気的に接続された配線層とを有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の電子部品実装構造体では、絶縁層がフレキシブル絶縁基板として機能し、電子部品（半導体チップ、キャパシタ、モジュール部品など）が、その全体が絶縁層によって被覆されて実装されている。さらに、電子部品の接続パッドに電気的に接続される配線層が絶縁層の中に埋設されている。
【０００９】
本発明の一つの好適な態様では、絶縁層は、例えばポリイミド樹脂などの同一材料からなる第１絶縁層及び第２絶縁層により構成され、電子部品はその接続パッドが上になって第１絶縁層と第２絶縁層との間に配置される。また、電子部品は、その段差が解消されるように第１絶縁層に埋設されていることが好ましい。
【００１０】
本発明の電子部品実装構造体では、電子部品（例えば半導体（シリコン）チップ）は、その熱膨張係数が近似する第１、第２絶縁層（例えばポリイミド樹脂）に埋設されるので、熱応力による反りの発生を抑えることができる。しかも、電子部品の全外面側（両面側、全側面側）に同一材料からなる絶縁層が形成されているので、熱応力が発生するとしても応力が相殺される構造となっている。
【００１１】
また、電子部品は、柔軟性をもちながら剛直性を有するポリイミド樹脂などに埋設されて実装されるので、基板を故意に反らした状態であっても実装することが可能になる。従って、絶縁層の中に例えば２つの電子部品を水平方向に並べて埋設させた実装構造体を、折り曲げ、２つの電子部品に接続された配線層を相互接続して実装することも可能になる。これにより、水平方向に２つの半導体チップを並べて実装する場合に比べて電子部品実装構造体の面積を格段に少なくすることができ、小型化されたフレキシブルな電子部品実装構造体を容易に得ることができる。
【００１２】
さらには、フレキシブルな絶縁層の中に電子部品が実装されているので、電子機器の実装基板以外にも、電子機器の筐体（ケースなど）に直接実装することが可能になる。この場合、電子部品の筐体に所要の配線層が設けられ、本発明の電子部品実装構造体の外部接続端子がプラグイン実装によりその配線層に電気的に接続されて実装される。
【００１３】
また、本発明は電子部品実装構造体の製造方法に係り、金属板の上に半硬化の第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層の上に電子部品を配置する工程と、前記第１絶縁層を熱処理によって硬化させることにより、電子部品を前記第１絶縁層に固着する工程と、前記電子部品に電気的に接続される配線層を前記電子部品及び前記第１絶縁層の上に形成する工程と、前記第１絶縁層と同一材料からなり、前記電子部品及び配線層を被覆する第２絶縁層を形成する工程と、前記金属板を前記第１絶縁層に対して選択的に除去する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の好適な態様では、金属板の上部にはキャビティが設けられており、電子部品を第１絶縁層に固着する工程において、電子部品はキャビティの底部の前記第１絶縁層上に配置され、電子部品を第１絶縁層に固着する工程において、第１絶縁層は流動化した状態で硬化し、電子部品の段差が前記第１絶縁層の流動層によって平坦化される。
【００１５】
このような製造方法を使用することにより、上記したような構造の電子部品実装構造体が容易に製造される。しかも、電子部品は半硬化の絶縁層を硬化する際に絶縁層に固着されるので、特別に接着層を使用する必要がない。従って、電子部品と熱膨張係数の異なる接着層が実装構造体に残らないという観点からも実装構造体の反りの発生が防止される。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明では、信頼性の高いフレキシブルな電子部品実装構造体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１〜図３は本発明の第１実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図である。本発明の実施形態の電子部品実装構造体の製造方法は、図１（ａ）に示すように、まず、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）などからなる金属板１０を用意する。その後に、図１（ｂ）に示すように、プレス加工により金属板１０の上面側に凹部を形成してキャビティ１０ｘを得る。さらに、図１（ｃ）に示すように、半硬化（Ｂ−ステージ）状態のポリイミド樹脂などからなる樹脂フィルム１２ａを金属板１０の上面側に貼着する。
【００１９】
次いで、図２（ａ）に示すように、上面側に接続パッド２０ａ及びパッシベーション膜２０ｂが露出する構造の半導体チップ２０（電子部品）を用意し、その接続パッド２０ａを上側にして金属板１０のキャビティ１０ｘ内の樹脂フィルム１２ａ上に半導体チップ２０を配置する。半導体チップ２０は、薄型化されたものが使用され、その厚みは例えば５０μｍ以下（好適には２０μｍ程度）である。なお、半導体チップ２０の代わりにキャパシタなどの各種の電子部品を使用することができる。
【００２０】
次いで、図２（ｂ）に示すように、真空雰囲気（又は減圧雰囲気）で１５０〜２００℃の温度で加熱しながら加圧（熱プレス）することにより、半硬化の樹脂フィルム１２ａを流動化させた状態で硬化させて第１絶縁層１２を得る。このとき、樹脂フィルム１２ａは半導体チップ２０側に流動化した状態で硬化し、半導体チップ２０の側面側の隙間が第１樹脂層１２によって埋め込まれる。これにより、半導体チップ２０の段差は解消され、半導体チップ２０の上面と第１樹脂層１２の上面は同一面となって平坦化される。
【００２１】
このように、半導体チップ２０の段差が解消されるように金属板１０に形成されるキャビティ１０ｘの深さが適宜調整され、好適にはキャビティの１０ｘの深さが半導体チップ２０の厚みと同等になるように設定される。またこのとき、半導体チップ２０は、接着層を特別に使用することなく、樹脂フィルム１２ａの流動・硬化によって樹脂層１２に固着される。なお、必ずしも金属板１０にキャビティ１０ｘを形成する必要はない。
【００２２】
続いて、図２（ｃ）に示すように、半導体チップ２０及び第１絶縁層１２上に、半導体チップの接続パッド２０ａに電気的に接続される配線層１６を形成する。配線層１６は、例えばセミアディティブ法によって形成される。詳しく説明すると、まず、無電解めっき又はスパッタ法により、Ｃｕなどからなるシード層（不図示）を半導体チップ２０及び第１絶縁層１２の上に形成する。その後に、配線層１６が形成される部分に開口部が設けられたレジスト膜（不図示）をパターニングする。さらに、シード層をめっき給電層に利用する電解めっきによりレジスト膜の開口部内のシード層上に金属層パターン（不図示）を形成する。続いて、レジスト膜を剥離した後に、金属層パターンをマスクにしてシード層をエッチングすることにより配線層１６を得る。
【００２３】
なお、半導体チップ２０の接続パッド２０ａ上にビアホールが設けられた絶縁層を半導体チップ２０上に形成し、そのビアホールを介して接続パッド２０ａに接続される配線層１６を絶縁層上に形成するようにしてもよい。
【００２４】
次いで、図３（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂などからなる樹脂フィルムを貼着するなどして半導体チップ２０及び配線層１６を被覆する第２絶縁層１４を形成する。その後に、図３（ｂ）に示すように、金属板１０を第１絶縁層１２に対して選択的に除去する。金属板１０のエッチングは、金属板１０が銅からなる場合、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液などを用いたウェットエッチングが採用される。
【００２５】
次いで、図３（ｃ）に示すように、レーザなどによって第１絶縁層１２を加工することにより、配線層１６の下面に到達する深さのビアホール１２ｘを形成した後に、そのビアホール１２ｘ内に露出する配線層１６の部分にニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）めっき層（不図示）形成して接続部を得る。その後に、図４に示すように、配線層１６の接続部にはんだボールを搭載するなどして配線層１６に接続されて第１絶縁層１２から下側に突出する外部接続端子１８を形成する。
【００２６】
これにより、本実施形態の電子部品実装構造体１が得られる。なお、本実施形態では、半導体チップ２０の接続パッド２０ａに電気的に接続される１層の配線層１６が形成された形態を例示したが、ｎ層（ｎは２以上の整数）のビルドアップ配線層が形成された形態としてもよい。この場合、絶縁層は全て同一材料から形成される。
【００２７】
図４に示すように、本実施形態の電子部品実装構造体１では、半導体チップ２０の上面と第１絶縁層１２の上面とが略同一面になるように半導体チップ２０が第１絶縁層１２に埋設され、これによって半導体チップ２０の段差が平坦化されている。半導体チップ２０及び第１絶縁層１２の上には半導体チップ２０の接続パッド２０ａに接続される配線層１６が形成されている。さらに、半導体チップ２０及び配線層１６は第２絶縁層１４によって被覆されている。また、配線層１６の下側の第１絶縁層１２の部分にビアホール１２ｘが形成されており、そのビアホール１２ｘを介して配線層１６に接続される外部接続端子１８が設けられている。
【００２８】
このように、本実施形態の電子部品実装構造体１では、例えばポリイミド樹脂からなる第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４がフレキシブル絶縁基板として機能し、その絶縁基板の中に半導体チップ２０が埋設されて実装されている。つまり、半導体チップ２０は、その全体がポリイミド樹脂からなる第１、第２絶縁層１２，１４によって被覆されて実装されている。
【００２９】
従来技術のように、半導体（シリコン）チップ（熱膨張係数：３ｐｐｍ／℃程度）をコア基板（リジット基板）上にエポキシ樹脂（熱膨張係数：２０ｐｐｍ／℃程度）などで被覆した状態で実装する場合では、それらの熱膨張係数の差に基づく熱応力によって、電子部品実装構造体に反りが発生しやすい。しかしながら、本実施形態では、ポリイミド樹脂よりなる第１、第２絶縁層１２，１４（フレキシブル絶縁基板）の熱膨張係数は１１ｐｐｍ／℃程度であり、その中に埋設される半導体チップ（シリコンチップ）２０の熱膨張係数（３ｐｐｍ／℃程度）に近似させることができるので、熱応力の発生が抑制されて反りの発生が防止される。しかも、半導体チップ２０の全外面側（両面側、全側面側）に同一材料からなる絶縁層１２，１４が形成されているので、熱応力が発生するとしても相殺される構造となっている。
【００３０】
さらには、半導体チップ２０は、半硬化の第１絶縁層１２を硬化する際に第１絶縁層１２上に固着されるので、特別に接着層を使用する必要がない。従って、半導体チップ２０と熱膨張係数の異なる接着層が実装構造体に残らないという観点からも実装構造体の反りの発生が防止される。
【００３１】
このように、本実施形態では、半導体チップ２０は熱膨張係数が近似するポリイミド樹脂によって囲まれた状態で実装されているので、熱応力に基づく反りの発生が防止される。しかも、半導体チップ２０は、柔軟性をもちながら剛直性をも有するポリイミド樹脂の中に埋設されて実装されるので、基板を故意に反らした状態であっても実装することが可能になる。
【００３２】
フレキシブル絶縁基板として機能する第１、第２絶縁層１２，１４としては、電子部品実装構造体の反りの発生を最小限に抑えるという観点からはポリイミド樹脂を使用することが好ましいが、エポキシ系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、又はシリコン系樹脂などの絶縁材料を使用してもよい。そして、半導体チップ２０はそれらの中から選択される１つの絶縁層によって同様に被覆されて実装される。
【００３３】
図５には、本発明の第１実施形態の電子部品実装構造体の製造方法の変形例が示されている。図５（ａ）に示すように、まず、前述した図３（ａ）の構造体を用意し、第２絶縁層１４をレーザなどにより加工することにより、配線層１６の上面に到達する深さのビアホール１４ｘを形成する。さらに、ビアホール１４ｘ内に露出する配線層１６の部分にニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）めっき層（不図示）形成して接続部を得る。続いて、図５（ｂ）に示すように、配線層１６の接続部にはんだボールを搭載するなどして配線層１６に接続される外部接続端子１８を第２絶縁層１４から突出させて形成する。その後に、図５（ｃ）に示すように、金属板１０を第１絶縁層１２に対して選択的に除去する。
【００３４】
なお、ビアホール１４ｘと外部接続端子１８を形成した後に金属板１０を除去するようにしてもよい。
【００３５】
これにより、本実施形態の変形例の電子部品実装構造体１ａが得られる。変形例の電子部品実装構造体１ａにおいても、前述した電子部品実装構造体１と同様な効果を奏する。
【００３６】
（第２の実施の形態）
図６〜図１１は本発明の第２実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図である。第２実施形態は、本発明を折りたたみ式の電子部品実装構造体に適用する形態である。なお、第２実施形態では、第１実施形態と同一工程についてはその詳しい説明を省略する。
【００３７】
本発明の第２実施形態の電子部品実装構造体の製造方法は、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、まず、第１実施形態と同様に、金属板１０を用意し、プレス加工により金属板１０の上面側に凹部を形成してキャビティ１０ｘを得る。第２実施形態では、複数の実装領域に複数のキャビティがそれぞれ形成される。図６（ｂ）の例では、２つの第１、第２実装領域Ａ，Ｂにそれぞれキャビティ１０ｘが形成され、さらに２つのキャビティ１０ｘの間の金属板１０の部分に実装構造体を折りたたむ際の屈曲部を画定するための凹部１０ｙが同時に形成される。
【００３８】
次いで、図６（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様に、半硬化（Ｂ−ステージ）状態のポリイミド樹脂などからなる樹脂フォルム１２ａを金属板１０の上面側に貼着する。続いて、図７（ａ）に示すように、第１実施形態と同様な接続パッド２０ａとパッシベーション膜２０ｂが露出する構造の第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙ（電子部品）を用意し、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙをそれらの接続パッド２０ａを上側にして第１、第２実装領域Ａ，Ｂの樹脂フィルム１２ａ上にそれぞれ配置する。
【００３９】
次いで、図７（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様に、樹脂フィルム１２ａを加熱及び加圧（熱プレス）することにより、樹脂フィルム１２ａを流動化させた状態で硬化させて第１樹脂層１２を得る。これにより、第１、第２半導体チップ２０ｘ、２０ｙの側方の隙間が第１樹脂層１２によって埋め込まれ、第１、第２半導体チップ２０ｘ、２０ｙの上面と第１樹脂層１２の上面が略同一面となって平坦化される。
【００４０】
続いて、図７（ｃ）に示すように、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙ及び樹脂層１２の上にスパッタ法などによりクロム（Ｃｒ）層及び銅（Ｃｕ）層を順次成膜して導電層２２を得る。次いで、図８（ａ）に示すように、配線層を形成する部分に開口部２４ｘが設けられたレジスト膜２４をパターニングした後に、導電層２２の接続パッド部にワイヤボンディング法によってスタッド型のバンプ２６を形成する。バンプ２６は銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）からなり、ワイヤボンディングする際にＣｕ（又はＡｕ）ワイヤの先端部をボール状に溶融し、ボール状となった部分を接続パッド部に接合した後、ワイヤを引き上げて切断することにより、ボール状の部分からワイヤが突出するスタッド型のバンプ２６が形成される。
【００４１】
次いで、図８（ｂ）に示すように、導電層２２をめっき給電層に利用する電解めっきによりレジスト膜２４の開口部２４ｘ内の導電層２２上にＣｕ又はＡｕよりなる金属層パターン２８を形成する。このとき同時に、バンプ２６の表面上にも金属層パターン２８が形成される。
【００４２】
さらに、はんだの拡散を防止するためのめっき層（不図示）をバンプ２６の表面及び金属層パターン２８の表面に施す。めっき層としては、例えば、ニッケルめっき層、パラジウムめっき層及び金めっき層を順次形成する。
【００４３】
その後に、図９（ａ）に示すように、レジスト膜２４が除去されて導電層２２の一部が露出する。さらに、図９（ｂ）に示すように、金属層パターン２８をマスクにして導電層２２をエッチングすることにより、バンプ２６に接続される配線層３０を得る。このようにして、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙの接続パッド２０ａに配線層３０が接続されて形成される。配線層３０は、第２実装領域ＢのＣ部で示される部分に開口部３０ｓが設けられた状態で形成される。
【００４４】
次いで、図９（ｃ）に示すように、第２実装領域ＢのＣ部で示される部分の配線層３０の開口部３０ｓ内の第１絶縁層１２の部分をレーザなどで加工して開口部１２ｓを形成する。後に説明するように、実装構造体を折りたたむ際に、配線層３０の開口部３０ｓと第１絶縁層１２の開口部１２ｓの中に第１実装領域Ａのバンプ２６が対応して配置されるようになっている。
【００４５】
続いて、図１０（ａ）に示すように、バンプ２６及び配線層３０の開口部３０ｓを露出させる開口部１４ｓが設けられたポリイミド樹脂などよりなる第２絶縁層１４を第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙ及び配線層３０の上に形成する。これにより、第２絶縁層１４の開口部１４ｓ、配線層３０の開口部３０ｓ及び第１絶縁層１２の開口部１２ｓにより構成される貫通孔Ｓが形成される。
【００４６】
なお、貫通孔Ｓの形成方法は、前述した図９（ｂ）及び（ｃ）の工程で予め配線層３０及び第１絶縁層１２に開口部３０ｓ，１２ｓを形成せずに、図１０（ａ）の工程で第２絶縁層１４の開口部１４ｓを通して配線層３０及び第１絶縁層１２をエッチングして形成してもよい。
【００４７】
その後に、金属板１０が第１絶縁層１２に対して選択的に除去され、金属板１０の凹部１０ｙによって形成された第１絶縁層１２の凸部１２ｙが露出する。これによって、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙの全体がポリイミド樹脂からなる第１及び第２絶縁層１２，１４によってそれぞれ被覆された実装構造体が得られる。
【００４８】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、図１０（ａ）の実装構造体において第１絶縁層１２の凸部１２ｙを軸にして第２実装領域Ｂを第１実装領域Ａ側に折り曲げることにより、第１実装領域Ａのバンプ２６の先端側に第２実装領域Ｂの貫通孔Ｓ内が嵌合するようにして挿入する。このとき、第２絶縁層１４として半硬化の樹脂層を使用して熱処理することにより、第１実装領域Ａ及び第２実装領域Ｂの対向する第２絶縁層１４同士が接着される。
【００４９】
本実施形態では、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙがフレキシブル絶縁基板として機能する第１、第２絶縁層１２，１４に埋設されているので、容易に折りたたむことが可能となる。
【００５０】
その後に、図１１に示すように、第１実装領域Ａの上に重なって配置された第２実装領域Ｂの貫通孔Ｓにはんだを流し込むなどして外部接続端子３４を形成する。このようなプラグイン実装により、第１半導体チップ２０ｘと第２半導体チップ２０ｙとが電気的に接続されて実装される。そして、外部接続端子３４は、第１半導体チップ２０ｘに接続されたバンプ２６と第２半導体チップ２０ｙに接続された配線層３０にそれぞれ接続され、第１、第２半導体チップ２０ｘ、２０ｙの共通端子として機能する。
【００５１】
以上により、本発明の第２実施形態の電子部品実装構造体１ｂが得られる。
【００５２】
図１１に示すように、本実施形態の電子部品実装構造体１ｂでは、２つの第１、第２半導体チップ２０ｘ、２０ｙが、その全体がフレキシブル絶縁基板として機能する第１及び第２絶縁層１２，１４に被覆された状態で埋設されている。第１及び第２絶縁層１２，１４は屈曲部Ｄで折り曲げられており、第１半導体チップ２０ｘの上方に第２半導体チップ２０ｙが重なって配置されている。そして、第１半導体チップ２０ｘ上にはその接続パッド２０ａに接続される配線層３０が第２絶縁層１４に埋設された状態で形成されている。さらに、第１半導体チップ２０ｘに接続される配線層１６にはバンプ２６が設けられている。
【００５３】
また、第２半導体チップ２０ｙの上（図１１では下）にもその接続パッド２０ａに接続される配線層３０が第２絶縁層１４に埋設された状態で形成されている。また、第２半導体チップ２０ｙの側方近傍の第１、第２絶縁層１２、１４、及び配線層３０の部分に貫通孔Ｓが設けられており、第１半導体チップ２０ｘに接続されたバンプ２６の先端側がその貫通孔Ｓ内に挿入されて配置されている。さらに、貫通孔Ｓ内にははんだなどからなる外部接続端子３４が形成されている。その外部接続端子３４は、第１半導体チップ２０ｘに接続されるバンプ２６と第２半導体チップ２０ｙに接続される配線層３０にそれぞれ電気的に接続され、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙの共通端子となっている。なお、外部接続端子３４が、第１半導体チップ２０ｘ及び第２半導体チップ２０ｙのいずれか一方のみに接続される独立端子となるようにしてもよい。
【００５４】
本実施形態の電子部品実装構造体１ｂは第１実施形態と同様な効果を奏する。さらに、本実施形態の電子部品実装構造体１ｂは、フレキシブル絶縁基板として機能する第１、第２絶縁層１２，１４に第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙがそれぞれ埋設されて実装された構造体を折りたたんで実装したものである。従って、水平方向に２つの半導体チップを並べて実装する場合に比べて電子部品実装構造体の面積を格段に小さくすることができ、小型化されたフレキシブルな電子部品実装構造体を容易に得ることができる。
【００５５】
なお、本実施形態では、２つの半導体チップ２０ｘ、２０ｙが２つの実装領域Ａ、Ｂにそれぞれ実装されたものを折りたたむ形態を例示したが、複数の半導体チップを同様に実装し、任意の実装領域を折りたたむようにしてもよい。
【００５６】
（第３の実施の形態）
図１２は本発明の第３実施形態の電子部品実装構造体を示す断面図（図１３のＩ−Ｉに沿った断面図）、図１３は同じく電子部品実装構造体を示す平面図である。
【００５７】
第３実施形態では、本発明の電子部品実装構造体の実装例について説明する。なお、第１及び第２実施形態と同一要素については同一符号を付してその詳しい説明を省略する。
【００５８】
図１２及び図１３に示すように、第３実施形態の電子部品実装構造体１ｃは、第１実施形態と同様に、上面に接続パッド２０ａ及びパッシベーション膜２０ｂを備えた半導体チップ２０がポリイミド樹脂などからなる第１絶縁層１２の中にそれらの上面が略同一面となった状態で埋設されている。半導体チップ２０及び第１絶縁層１２の上には半導体チップ２０の接続パッド２０ａに接続される配線層３０が形成され、その配線層３０の接続部にはスタッド型のバンプ２６が形成されている。配線層３０及びバンプ２６は第２実施形態と同様な方法で形成される。さらに、半導体チップ２０の上面側にはバンプ２６の先端側が突出して露出するように設けられたポリイミド樹脂などよりなる第２絶縁層１４が形成されている。
【００５９】
このようにして、第１、第２実施形態と同様に、第１、第２絶縁層１２，１４がフレキシブル絶縁基板として機能し、その中に半導体チップ２０の全体が埋設されて実装され、半導体チップ２０の接続パッド２０ａに配線層３０を介して電気的に接続されるバンプ２６が第２絶縁層１４上から突出して設けられている。バンプ２６はＣｕ又はＡｕより構成される。さらに、本実施形態の電子部品実装構造体１ｃでは、特別に用意される実装基板に実装する以外に、各種電子機器の筐体（ケースやフレームなど）に直接実装する技術思想を有している。このため、電子部品実装構造体１ｃのコーナー部には電子機器の筐体に取り付けるための固定用穴４８（図１３）が設けられている。
【００６０】
図１４及び図１５には、第３の実施形態の電子部品実装構造体のバンプが被実装体の配線に接続される様子が示されている。図１４に示すように、被実装体側では、その配線層４２が絶縁層４４によって被覆され、配線層４２の接続部４２ａにはんだ層４６が形成される。そして、前述した本実施形態の電子部品実装構造体１ｃの配線層３０に接続されたスタッド型のバンプ２６がはんだ層４６を介して被実装体の配線層４４に電気的に接続される。
【００６１】
あるいは、図１５に示すように、被実装体側では、絶縁層４４で被覆された配線層４２の接続部に開口部４２ｘが設けられ、その側面に配線層４２に接続される側壁配線部４２ｂが設けられた構造としてもよい。この場合、本実施形態の電子部品実装構造体１ｃの配線層３０に接続されたバンプ２６は、その先端部が被実装体側の配線層４２の開口部４２ｘに挿入され、その開口部４２ｘ内に形成されるはんだ層４６を介して被実装体の配線層４２に電気的に接続される。図１５の例では、被実装体側の絶縁層４４で被覆された配線層４２に電子部品実装構造体１ｃを隙間なく接触させることができるので、図１４の例よりも薄型とすることができる。なお、電子部品実装構造体１ｃ側の接続部と被実装体側の接続部の構造を逆にして実装しても差し支えない。上記した図１４及び図１５で説明した接続方法はプラグイン実装と呼ばれる。
【００６２】
本実施形態の電子部品実装構造体１ｃはポリイミド樹脂などからなるフレキシブル絶縁基板（第１、第２絶縁層１２，１４）中に半導体チップ２０が埋設されて実装されて、しかもその厚みを薄型化できるので、各種の被実装体に実装することができる。
【００６３】
図１６には、携帯端末機器の筐体に設けられたアンテナに本実施形態の電子部品実装構造体を接続した例が示されている。携帯電話や携帯情報端末などの携帯端末機器が急速に普及していく中で、電波の出入り口であるアンテナには，小型・高性能化が強く求められている。本実施形態の電子部品実装構造体１ｃを使用することにより、特別に実装基板を用意することとなく、携帯端末機器の筐体（ケースやフレームなど）に実装することができる。
【００６４】
図１６に示すように、携帯端末機器２の第１筐体３内には実装基板（不図示）が設けられており、実装基板に接続される配線５を介してアンテナ６が第２筐体４に設けられている。前述した図１４及び図１５で説明したような被実装体側の配線層４２をアンテナ６の接続部に設けておくことにより、電子部品実装構造体１ｃを容易に携帯端末機器２のアンテナ６などの接続部に電気的に接続することができる。電子部品実装構造体１ｃの第２筐体４への固定は、電子部品実装構造体１ｃに設けられた固定用穴４８（図１３）を利用して、ねじ止め、フック接続、カシメ接続、又ははんだ接合などによって行われる。なお、携帯端末機器２の筐体３，４は、リジッド基板であってもよいし、フレキシブル基板であってもよい。
【００６５】
従来技術では、携帯端末機器２の第１筐体３の中に実装基板が設けられて、そこに電子部品がまとめて実装される。しかしながら、本実施形態の電子部品実装構造体１ｃは、携帯端末機器２の実装基板に実装する必要がなく、筐体３，４の所要部に実装できるので、実装基板を削減することができ、電子機器の小型化を図ることができる。
【００６６】
また、本実施形態の電子部品実装構造体１ｃでは、半導体チップ２０の他にキャパシタなどの各種電子部品が実装されたものであってもよい。図１６の携帯端末機器２の第２筐体４には、キャパシタが同様にポリイミド樹脂などからなる第１、第２絶縁層の中に埋設されて実装されたキャパシタ部品よりなる電子部品実装構造体１ｄが実装されている。そして、上記したようなプラグイン実装により携帯端末機器２の第２筐体４の配線層（不図示）に電気的に接続されて実装される。
【００６７】
このようにすることにより、携帯端末機器の筐体にアンテナを固定することができるので、小型のＲＦモジュールやＩＣタグを製造することができる。さらには、無線ラン、Bluetooth（近距離のワイヤレス通信）向けの通信機器の小型化・薄型化が可能になる。
【００６８】
図１７及び図１８には本実施形態の電子部品実装構造体をＩＣタグに適用した例が示されている。図１７に示すように、洋服７にＩＣタグ８を取り付けて流通管理などを行う方法がある。また、図１８に示すように、靴底９ａにＩＣタグ８を挿入して靴９の流通管理などを行う方法もある。この場合、靴９の本体とゴム製の靴底９ａとを加熱して接合する際に、左右のかかと部分にICタグ８を埋める。
【００６９】
このように、洋服７に取り付けたり、靴底９ａに埋め込んだりするＩＣタグ８を本実施形態の電子部品実装構造体から構成することにより、低コストで信頼性よくＩＣタグを製造することができる。
【００７０】
また、図１９には、前述した第２実施形態で説明した折りたたみ式の電子部品実装構造体の実装方法の一例が示されている。第２実施形態で説明したように、第１実装領域Ａの上に第２実装領域Ｂが重なるように折りたたまれ、外部接続領域Ｅに複数の半導体チップに電気的に接続される外部接続端子（不図示）が設けられている。この場合、前述した図１１の外部接続端子３４は、貫通孔Ｓから外部接続領域Ｅに延在する配線層の端部に設けられる。そして、前述した図１４及び図１５で説明したプラグイン実装によって、各種電子機器の筐体に設けられた配線層に電気的に接続される。
【００７１】
（第４の実施の形態）
図２０及び図２1は本発明の第４実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図である。第４実施形態は複数の半導体チップ及びキャパシタ部品を絶縁層で被覆して実装する形態である。第４実施形態では、第１〜第３実施形態と同一工程についてはその詳しい説明を省略する。
【００７２】
まず、図２０（ａ）に示すように、第１実施形態と同様に、キャビティ１０ｘが設けられた金属板１０の上に半硬化状態の樹脂フィルム１２ａを貼着する。その後に、図２０（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様な第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙ（電子部品）を用意し、それらの接続パッド２０ａを上側にして金属板１０のキャビティ１０ｘ内の樹脂フィルム１２ａ上に第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙをそれぞれ配置する。さらに、誘電体５０ａが第１電極５０ｂ及び第２電極５０ｃによって挟まれた構造のキャパシタ部品５０（電子部品）を用意し、その第１、第２電極５０ｂ，５０ｃが水平方向になるように第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙの間の第１絶縁層１２上にキャパシタ部品５０を配置する。
【００７３】
次いで、図２０（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様に、半硬化状態の樹脂フィルム１２ａを熱プレスして流動化させた状態で硬化させることにより、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙの段差を埋め込む第１絶縁層１２を得る。このとき、キャパシタ部品５０の下部が第１絶縁層１２に部分的に埋め込まれるように図２０（ｂ）の構造体が熱プレスされる。これによって、接着層を使用することなく、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙ及びキャパシタ部品５０が第１絶縁層１２に固着される。
【００７４】
次いで、図２１（ａ）に示すように、第２実施形態で説明した配線形成方法と同様な方法により、第１、第２半導体チップ２０ｘ、２０ｙの各接続パッド２０ａ及びキャパシタ部品５０の第１、第２電極５０ｂ、５０ｃに電気的に接続される配線層３０とそれに接続されるバンプ２６とを形成する。例えば、キャパシタ部品５０は、第１、第２半導体チップ２０ｘ、２０ｙの電源ラインとグランドラインとの間に接続されてデカップリングキャパシタとして機能する。
【００７５】
次いで、図２１（ｂ）に示すように、バンプ２６の先端側が露出するように、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙ及びキャパシタ部品５０を被覆する第２絶縁層１４を形成する。その後に、図２１（ｃ）に示すように、金属板１０を第１絶縁層１２に対して選択的に除去する。なお、第１実施形態の配線形成方法により、配線層と外部接続端子を設けてもよい。
【００７６】
これにより、第４実施形態の電子部品実装構造体１ｅが得られる。図２１（ｃ）に示すように、第４実施形態の電子部品実装構造体１ｅは、第１、第２半導体チップ２０ｘ、２０ｙ、キャパシタ部品５０及びそれらに電気接続された配線層３０が第１、第２絶縁層１２，１４（ポリイミド樹脂など）によって被覆されて実装されており、配線層３０に接続されるバンプ２６が第２絶縁層１４の上面から突出して設けられている。
【００７７】
第４実施形態の電子部品実装構造体１ｅは、複数の半導体チップやキャパシタ部品の全体をフレキシブル基板として機能する絶縁層で被覆して実装する形態であり、第１実施形態と同様な効果を奏する。これに加えて、本実施形態では、フォトリソグラフィに基づいて配線層をキャパシタ部品に接続して実装できるので、キャパシタ部品の小型化（例えば４×２ｍｍ以下）に容易に対応できるようになる。従来技術では、キャパシタ部品ははんだによって回路基板に直接実装されるため、キャパシタ部品が小型化される場合は実装が極めて困難になる。
【００７８】
なお、上記した形態では、２つの半導体チップと１つのキャパシタ部品が絶縁層で被覆されて実装された形態を例示したが、半導体チップとキャパシタ部品の数は任意に設定することができる、また、キャパシタ部品を省略して複数の半導体チップが絶縁層で被覆された形態としてもよい。また、半導体チップやキャパシタ部品以外の各種の電子素子が複数個同様な構成で実装された形態としてもよい。
【００７９】
（第５の実施の形態）
図２２及び図２３は本発明の第５実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図である。第５実施形態は複数の半導体チップ及びチップキャパシタを絶縁層で被覆して実装する形態である。第５実施形態では、第１〜第３実施形態と同一工程についてはその詳しい説明を省略する。
【００８０】
まず、図２２（ａ）に示すように、第１実施形態と同様に、キャビティ１０ｘが設けられた金属板１０の上に半硬化状態の樹脂フィルム１２ａを貼着する。その後に、図２２（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様な第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙ（電子部品）と、シリコン基板上にキャパシタが作り込まれ、上側に接続パッド６０ａとパッシベーション膜６０ｂが露出した構造のチップキャパシタ６０（電子部品）とを用意する。
【００８１】
そして、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙをそれらの各接続パッド２０ａを上側にして金属板１０のキャビティ１０ｘ内の樹脂フィルム１２ａ上に配置すると共に、チップキャパシタ６０をその接続パッド６０ａを上側にして第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙの間の樹脂フィルム１２ａ上に配置する。
【００８２】
続いて、図２２（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様に、半硬化状態の樹脂フィルム１２ａを熱プレスして流動化させた状態で硬化させることにより、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙ及びチップキャパシタ６０の段差を埋め込む第１絶縁層１２を得る。これによって、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙ及びチップキャパシタ６０が第１絶縁層１２に固着される。
【００８３】
さらに、図２２（ｄ）に示すように、第２実施形態で説明した配線形成方法と同様な方法により、第１、第２半導体チップ２０ｘ、２０ｙの各接続パッド２０ａ及びチップキャパシタ６０の接続パッド６０ａに電気的に接続される配線層３０とそれに接続されるバンプ２６とを形成する。
【００８４】
次いで、図２３（ａ）に示すように、バンプ２６の先端側が露出するように、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙ、チップキャパシタ６０及び配線層３０を被覆する第２絶縁層１４を形成する。その後に、図２３（ｂ）に示すように、金属板１０を第１絶縁層１２に対して選択的に除去する。
【００８５】
これにより、第５実施形態の電子部品実装構造体１ｆが得られる。図２３（ｂ）に示すように、第５実施形態の電子部品実装構造体１ｆは、第１、第２半導体チップ２０ｘ、２０ｙ、チップキャパシタ６０及びそれらに電気接続された配線層３０がフレキシブル基板として機能する第１、第２絶縁層１２，１４（ポリイミド樹脂など）によって被覆されて実装されており、配線層３０に接続されるバンプ２６が第２絶縁層１４の上面から突出して設けられている。
【００８６】
第５実施形態の電子部品実装構造体１ｆは、複数の半導体チップやチップキャパシタの全体をフレキシブル基板として機能する絶縁層で被覆して実装する形態であり、第１実施形態と同様な効果を奏する。
【００８７】
（第６の実施の形態）
図２４及び図２５は本発明の第６実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図である。第６実施形態では、第１〜第３実施形態と同一工程についてはその詳しい説明を省略する。
【００８８】
まず、図２４（ａ）に示すように、第１実施形態と同様に、キャビティ１０ｘが設けられた金属板１０の上に半硬化状態の樹脂フィルム１２ａを貼着する。その後に、図２４（ｂ）に示すようなモジュール部品７０（電子部品）を用意する。本実施形態では、基板の上に複数の半導体チップが実装されてモジュール化されたＭＣＭ（Multi Chip Module）が例示されている。本実施形態のモジュール部品７０では、シリコン基板７２にキャビティ７２ａが設けられており、そのキャビティ７０ａの底部に第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙが実装されている。第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙはその上面側に接続パッド２０ａとパッシベーション膜２０ｂを有している。そして、シリコン基板７２上には、第１、第２半導体チップ２０ｘ，２０ｙを被覆する絶縁層７４が形成されている。また、第１、第２半導体チップ２０ｘ、２０ｙの接続パッド２０ａ上の絶縁層７４の部分にはビアホール７４ｘがそれぞれ設けられており、ビアホール７４ｘから絶縁層７４の上面側にかけて、半導体チップ２０ｘ、２０ｙの各接続パッド２０ａに電気接続される配線パターン７６が形成されている。さらに、配線パターン７６の接続パッド７６ａ上に開口部が設けられた保護層７８が絶縁層７４の上に形成されている。
【００８９】
モジュール部品７０としては、上記の例の他に、基板の上に各種の電子素子（能動素子や受動素子）が複数個実装されてモジュール化されたものを使用することができる。
【００９０】
そして、同じく図２４（ｂ）に示すように、そのようなモジュール部品７０をその配線パターン７６が上側になるように金属板１０のキャビティ１０ｘ内の樹脂フィルム１２ａ上に配置する。さらに、図２４（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様に、半硬化状態の樹脂フィルム１２ａを熱プレスして流動化させた状態で硬化させることにより、モジュール部品７０の段差を埋め込む第１絶縁層１２を得る。これによって、モジュール部品７０が第１絶縁層１２に固着される。
【００９１】
次いで、図２５（ａ）に示すように、第１実施形態と同様なセミアディティブ法によりモジュール部品７０の配線パターン７６の接続パッド７６ａに電気的に接続される配線層１６をモジュール部品７０及び第２絶縁層１４の上に形成する。
【００９２】
次いで、図２５（ｂ）に示すように、配線層１６及びモジュール部品７０を被覆する第２絶縁層１４を形成した後に、金属板１０を第１絶縁層１２に対して選択的に除去する。さらに、図２５（ｃ）に示すように、レーザなどで第２絶縁層１４を加工することにより、配線層１６の上面に到達する深さのビアホール１４ｘを形成した後に、ビアホール１４ｘ内にはんだボールを搭載するなどして配線層１６に接続されて第２絶縁層１４から突出する外部接続端子１８を形成する。なお、第１絶縁層１２にビアホールを形成し、配線層１６の下側に外部接続端子を設けてもよい。また、第２実施形態の配線方法によって配線層とバンプを形成してもよい。
【００９３】
以上により、第６実施形態の電子部品実装構造体１ｇが得られる。第６実施形態の電子部品実装構造体１ｇは、基板上に複数の半導体チップなどが実装されて構成されるモジュール部品７０の全体をフレキシブル基板として機能する第１、第２絶縁層１２，１４で被覆して実装する形態であり、第１実施形態と同様な効果を奏する。なお、モジュール部品７０と個々の半導体チップやキャパシタなどを組み合わせて同様に絶縁層で被覆して実装するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図４】図４は本発明の第１実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の電子部品実装構造体の製造方法の変形例を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図８】図８（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図１０】図１０（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図１１】図１１は本発明の第２実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その６）である。
【図１２】図１２は本発明の第３実施形態の電子部品実装構造体を示す断面図（図１３のＩ−Ｉに沿った断面図）である。
【図１３】図１３は本発明の第３実施形態の電子部品実装構造体を示す平面図である。
【図１４】図１４は本発明の第３の実施形態の電子部品実装構造体が被実装体に実装される第１の方法を示す断面図である。
【図１５】図１５は本発明の第３の実施形態の電子部品実装構造体が被実装体に実装される第２の方法を示す断面図である。
【図１６】図１６は携帯端末機器の筐体に本発明の実施形態の電子部品実装構造体を実装した例を示す模式図である。
【図１７】図１７は本発明の実施形態の電子部品実装構造体をＩＣタグに適用した例を示す図（その１）である。
【図１８】図１８は本発明の実施形態の電子部品実装構造体をＩＣタグに適用した例を示す図（その２）である。
【図１９】図１９は本発明の第２実施形態の折りたたみ式の電子部品実装構造体の実装方法の一例を示す斜視図である。
【図２０】図２０は本発明の第４実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２１】図２１は本発明の第４実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図２２】図２２は本発明の第５実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２３】図２３は本発明の第５実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図２４】図２４は本発明の第６実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２５】図２５は本発明の第６実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図（その２）である。
【符号の説明】
【００９５】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ…電子部品実装構造体、２…携帯端末機器、３…第１筐体、４…第２筐体、５…配線、６…アンテナ、７…洋服、８…ＩＣタグ、９…靴、９ａ…靴底、１０…金属板、１０ｘ…キャビティ、１０ｙ…凹部、１２ａ…樹脂フィルム、１２…第１絶縁層、１２ｙ…凸部、１２ｘ，１４ｘ，７４ｘ…ビアホール、１２ｓ、３０ｓ，１４ｓ、２４ｘ，４２ｘ…開口部、１４…第２絶縁層、１６，３０，４２…配線層、１８，３４…外部接続端子、２０，２０ｘ，２０ｙ…半導体チップ、２０ａ，６０ａ，７６ａ…接続パッド、２０ｂ，６０ｂ…パッシベーション膜、２２…導電層、２４…レジスト膜、２６…バンプ、２８…金属層パターン、４２ａ…接続部、４２ｂ…側壁配線部、４４，７４…絶縁層、４６…はんだ層、４８…固定用穴、５０…キャパシタ部品、５０ａ…誘電体、５０ｂ，５０ｃ…電極、６０…チップキャパシタ、７０…モジュール部品、７２…シリコン基板、７４…絶縁層、７６…配線パターン、７８…保護層、Ｓ…貫通孔、Ａ…第１実装領域、Ｂ…第２実装領域、Ｄ…屈曲部、Ｅ…外部接続領域。
【図１】
2006196865.tif 000003
【図２】
2006196865.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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