(57)【要約】【課題】本発明は連続動作を実行する半導体メモリ装置の動作方法を提供する。【解決手段】本発明による半導体メモリ装置の動作方法は第１動作の実行段階で第２動作を実行するためのアドレスをセットアップする。そして第２動作の実行段階で第３動作を実行するためのアドレスをセットアップする。本発明による半導体メモリ装置の動作方法は連続的な動作を実行するとき、全体の動作時間を減らすことができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体メモリ装置の動作方法において、
ａ）アドレスレジスタにアドレスをセットアップする段階と、
ｂ）コマンドレジスタにコマンドをセットアップする段階と、
ｃ）前記コマンドによる第１動作を行う間に、前記アドレスレジスタに第２動作を行うためのアドレスをセットアップする段階とを含むことを特徴とする動作方法。
【請求項２】
ｄ）前記第１動作が終わった後に、前記コマンドレジスタに前記第２動作を行うためのコマンドをセットアップする段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項３】
ｅ）前記第２動作を行うためのコマンドによる前記第２動作を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の動作方法。
【請求項４】
前記半導体メモリ装置はフラッシュメモリ装置であることを特徴とする請求項１に記載の動作方法。
【請求項５】
半導体メモリ装置の動作方法において、
ａ）第１アドレスレジスタに第１動作を行うためのアドレスをセットアップする段階と、
ｂ）コマンドレジスタに前記第１動作を行うためのコマンドをセットアップする段階と、
ｃ）前記コマンドによる前記第１動作を行う間に、第２アドレスレジスタに第２動作を行うためのアドレスをセットアップする段階とを含むことを特徴とする動作方法。
【請求項６】
ｄ）前記第１動作が終わった後に、前記コマンドレジスタに前記第２動作を行うためのコマンドをセットアップする段階をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の動作方法。
【請求項７】
ｅ）前記第２動作を行うためのコマンドによる前記第２動作を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の動作方法。
【請求項８】
前記半導体メモリ装置はフラッシュメモリ装置であることを特徴とする請求項５に記載の動作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体メモリ装置に係り、さらに詳細には半導体メモリ装置の動作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリ装置（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｍｅｍｏｒｙ ｄｅｖｉｃｅ）はデータを貯蔵しておいて必要時取り出して読める記憶装置である。半導体メモリ装置は大きくＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、とＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙＲｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）に分けることができる。ＲＡＭは電源が切れれば貯蔵されたデータが消滅する揮発性メモリ装置である。ＲＯＭは電源が切れても貯蔵されたデータが消滅しない不揮発性メモリである。ＲＡＭはＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ ＲＡＭ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）などを含む。ＲＯＭはＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ ＰＲＯＭ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ＥＰＲＯＭ）、フラッシュメモリ装置などを含む。フラッシュメモリ装置はＮＡＮＤフラッシュメモリ装置とＮＯＲフラッシュメモリ装置などに区分される。
【０００３】
図１は一般的な半導体メモリ装置の動作方法を示すための概念図である。例として、半導体メモリ装置は連続的に３回の動作を実行すると仮定する。
【０００４】
まず、第１動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ１”が実行される。第１動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ１”を実行するための第１アドレス“ＡＤＤ１”が半導体メモリ装置内にあるアドレスレジスタにセットアップされる（ｓｅｔｕｐ）。前記第１アドレス“ＡＤＤ１”がセットアップされた後に、コマンドレジスタに第１動作を実行するための第１コマンド“ＣＭＤ１”がセットアップされる。第１コマンドがセットアップされた後に、第１コマンドに応じて第１動作が実行される（ＥＸＥ１）。
【０００５】
次に、第１動作が終わった後に、第２動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ２”が実行される。第１動作と同様に、第２動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ２”を実行するための第２アドレス“ＡＤＤ２”及び第２コマンド“ＣＭＤ２”がセットアップされる。そして第２コマンドに応じて第２動作が実行される（ＥＸＥ２）。
【０００６】
次に、第２動作が終わった後に、第３動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ３”が実行される。第３動作は第１及び第２動作と同様の方法によって実行される。
【０００７】
従来の半導体メモリ装置の動作方法は第１動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ１”が終わった後に第２動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ２”を開始して、第２動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ２”が終わった後に第３動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ３”を開始する。したがって、連続的な動作を実行する半導体メモリ装置において、従来の方法は全体の動作時間が長くなるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上述の問題点を解決するために提案されたものであり、本発明の目的は連続動作を実行する半導体メモリ装置で全体の動作時間を減らす動作方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するために本発明による半導体メモリ装置の動作方法は、ａ）アドレスレジスタにアドレスをセットアップする段階と、ｂ）コマンドレジスタにコマンドをセットアップする段階と、ｃ）前記コマンドによる第１動作を行う間に、前記アドレスレジスタに第２動作を行うためのアドレスをセットアップする段階とを含む。
【００１０】
この実施例において、ｄ）前記第１動作が終わった後に、前記コマンドレジスタに前記第２動作を行うためのコマンドをセットアップする段階をさらに含む。
【００１１】
この実施例において、ｅ）前記第２動作を行うためのコマンドによる前記第２動作を行う段階をさらに含む。
【００１２】
この実施例において、前記半導体メモリ装置はフラッシュメモリ装置であることを特徴とする。
【００１３】
本発明による半導体メモリ装置の動作方法の他の一面は、ａ）第１アドレスレジスタに第１動作を行うためのアドレスをセットアップする段階と、ｂ）コマンドレジスタに前記第１動作を行うためのコマンドをセットアップする段階と、ｃ）前記コマンドによる前記第１動作を行う間に、第２アドレスレジスタに第２動作を行うためのアドレスをセットアップする段階とを含む。
【００１４】
この実施例において、ｄ）前記第１動作が終わった後に、前記コマンドレジスタに前記第２動作を行うためのコマンドをセットアップする段階をさらに含む。
【００１５】
この実施例において、ｅ）前記第２動作を行うためのコマンドによる前記第２動作を行う段階をさらに含む。
【００１６】
この実施例において、前記半導体メモリ装置はフラッシュメモリ装置であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明による半導体メモリ装置の動作方法は前段階の動作を行う間に次の段階のアドレスをセットアップするので、連続動作を実行する半導体メモリ装置の全体の動作時間を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明が属する技術分野で通常の知識を持った者が本発明の技術的思想を容易に実施することができる程度に詳細に説明するために、本発明の最も望ましい実施例を添付の図を参照して説明する。
【００１９】
図２は本発明の望ましい実施例による半導体メモリ装置の動作方法を示すための概念図である。図２を参照すると、本発明の望ましい実施例による半導体メモリ装置の動作方法は連続的に３回の動作（ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）を実行する。ここで、半導体メモリ装置はフラッシュメモリ装置であると仮定する。そして第１動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ１”は読み出し動作（ｒｅａｄ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）、第２動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ２”は書き込み動作（ｗｒｉｔｅ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）、及び第３動作は消去動作（ｅｒａｓｅ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）であると仮定する。
【００２０】
まず、読み出し動作に該当する第１動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ１”が実行される。図２を参照すると、読み出し動作を実行するための第１アドレス“ＡＤＤ１”がフラッシュメモリ装置内にあるアドレスレジスタにセットアップされる（ｓｅｔｕｐ）。前記第１アドレス“ＡＤＤ１”がセットアップされた後に、コマンドレジスタに読み出し動作を実行するための読み出しコマンド（rｅａｄ ｃｏｍｍａｎｄ）がセットアップされる。読み出しコマンドがセットアップされた後に、フラッシュメモリ装置は読み出しコマンドによって読み出し動作を実行する（ＥＸＥ１）。
【００２１】
本発明の実施例によるフラッシュメモリ装置の動作方法は、読み出し動作を実行する間（ＥＸＥ１）に、前記アドレスレジスタに書き込み動作（ｗｒｉｔｅ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）に該当する第２動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ２”を実行するための第２アドレス“ＡＤＤ２”がセットアップされる。
【００２２】
前記第２アドレス“ＡＤＤ２”がセットアップされ、読み出し動作が終わった後に、コマンドレジスタに書き込み動作を行うための書き込みコマンド（ｗｒｉｔｅ ｃｏｍｍａｎｄ）がセットアップされる。書き込みコマンドがセットアップされた後に、フラッシュメモリ装置は書き込みコマンドに応じて書き込み動作を実行する（ＥＸＥ２）。
【００２３】
書き込み動作を実行する間（ＥＸＥ２）に、アドレスレジスタに消去動作（ｅｒａｓｅ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ）に該当する第３動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ３”を実行するための第３アドレス“ＡＤＤ３”がセットアップされる。前記第３アドレス“ＡＤＤ３”がセットアップされ、消去動作が終わった後に、コマンドレジスタに消去動作を行うための消去コマンド（ｅｒａｓｅ ｃｏｍｍａｎｄ）がセットアップされる。消去コマンドがセットアップされた後に、フラッシュメモリ装置は消去コマンドに応じて消去動作を実行する（ＥＸＥ３）。
【００２４】
本発明による半導体メモリ装置の動作方法は第１動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ１”の実行段階“ＥＸＥ１”で第２動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ２”を実行するための第２アドレス“ＡＤＤ２”をセットアップする。そして第２動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ２”の実行段階“ＥＸＥ２”で第３動作“ｏｐｅｒａｔｉｏｎ３”を実行するための第３アドレス“ＡＤＤ３”をセットアップする。したがって、連続的な動作を実行する本発明による半導体メモリ装置の動作方法は全体の動作時間を減らすことができる。
【００２５】
また、本発明による半導体メモリ装置の動作方法で、第２アドレス“ＡＤＤ２”をセットアップする第２アドレスレジスタは第１アドレスをセットアップする第１アドレスレジスタと互いに別個に存在することができる。すなわち、第１動作が実行される間に第２動作を実行するためのアドレスセットアップは、第１アドレスレジスタと違う第２アドレスレジスタで実行される。
【００２６】
一方、本発明の詳細な説明では具体的な実施例に関して説明したが、本発明の範囲から逸脱しない限度内で様々な変形が可能であるは勿論である。したがって、本発明の範囲は上述の実施例に限定して決められてはならず、特許請求の範囲だけでなく、この発明の特許請求範囲と均等なものなどによって決められなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】一般的な半導体メモリ装置の動作方法を示す概念図である。
【図２】本発明の望ましい実施例による半導体メモリ装置の動作方法を示す図である。
【図１】
2006190445.tif 000003
【図２】
2006190445.tif 000004