(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップを密封するパッケージを有する半導体装置の厚さを低減する手段を提供する。【解決手段】半導体装置１を、無底のパッケージ２と、パッケージのチップ収納空間のチップ設置側開口部７に配置される半導体チップ５と、半導体チップのおもて面に対向し、パッケージの蓋側開口部１０を覆う封止蓋９と、半導体チップのチップ側面５ａとパッケージのチップ設置側開口部の側のパッケージ内面２ｂとの間を封止する共に半導体チップを固定する結合層１６とで構成する。【選択図】図１
2006202916.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無底のパッケージと、該パッケージのチップ収納空間のチップ設置側開口部に配置される半導体チップと、該半導体チップのおもて面に対向し、前記パッケージの蓋側開口部を覆う封止蓋と、前記半導体チップのチップ側面と前記パッケージのチップ設置側開口部の側のパッケージ内面との間を封止すると共に前記半導体チップを固定する結合層とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体チップが、中空構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
片面に粘着層を形成したキャリアテープの粘着層に、無底のパッケージのチップ収納空間のチップ設置側開口部側のチップ側端面を粘着固定して前記キャリアテープに前記パッケージを設置する工程と、
前記チップ収納空間に半導体チップを裏面から挿入し、該半導体チップを前記チップ設置側開口部の中央部の前記キャリアテープに粘着固定する工程と、
前記半導体チップのチップ側面と前記パッケージのパッケージ内面との間に結合剤を充填し、該結合剤を硬化させて前記半導体チップのチップ側面と前記パッケージのパッケージ内面との間を封止する結合層を形成する工程と、
前記パッケージのチップ収納空間の蓋側開口部に、封止蓋を接合して前記チップ収納空間を密封する工程と。
前記キャリアテープを、前記パッケージから剥がす工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記封止蓋の接合後に、該封止蓋のおもて面を研磨して前記封止蓋の厚さを薄くする工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを密封するパッケージを有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置は、矩形状のセラミック基板とこのセラミック基板の周囲に形成された枠状のシームリングと、シームリングの内周側に形成されたリング状セラミック基板とで有底のパッケージを構成し、その内側に形成されたチップ収納空間の底面を構成するセラミック基板の中央部に半導体チップを実装し、半導体チップの反対側の開口を金属製蓋体で覆ってチップ収納空間に収納した半導体チップを密封している（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−１９８４２５号公報（第３頁段落００２１−第４頁段落００３２、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述した従来の技術においては、セラミック基板を底板として構成した有底のパッケージに半導体チップを収納して金属製蓋体で密封しているため、底板の厚さが完成後の半導体装置の厚さに加わり、半導体装置の厚さを薄くすることが困難であるという問題がある。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、半導体チップを密封するパッケージを有する半導体装置の厚さを低減する手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、上記課題を解決するために、無底のパッケージと、該パッケージのチップ収納空間のチップ設置側開口部に配置される半導体チップと、該半導体チップのおもて面に対向し、前記パッケージの蓋側開口部を覆う封止蓋と、前記半導体チップのチップ側面と前記パッケージのチップ設置側開口部の側のパッケージ内面との間を封止すると共に前記半導体チップを固定する結合層とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００５】
これにより、本発明は、半導体チップの裏面を底板として利用することができ、無底のパッケージによっても保護すべき半導体チップのおもて面側をチップ収納空間に密封することができると共に、裏板を省略して半導体チップを密封するパッケージを有する半導体装置の厚さを低減することができるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下に、図面を参照して本発明による半導体装置およびその製造方法の実施例について説明する。
【実施例１】
【０００７】
図１は実施例１の半導体装置を示す断面図、図２は実施例１の半導体装置を示す上面図、図３は実施例１のパッケージを示す断面図、図４は実施例１のキャリアテープを示す上面図、図５は実施例１の半導体装置の製造工程を示す説明図である。
なお、図２は図１の封止蓋を取外した状態で示した上面図であり、図１は図２のＡ−Ａ断面線に沿った断面図である。
【０００８】
図１、図２において、１は半導体装置である。
２はパッケージであり、図３に示すようにセラミック材料で形成されたＬ字状断面を有する無底の枠体であって、中央部に矩形の孔を有する端子形成板３とその外側の縁部に沿うように枠状に形成された側壁４とを接合して構成され、端子形成板３と側壁４とで囲まれた内側の空間が半導体チップ５を密封して収納するチップ収納空間６として機能する。
【０００９】
半導体チップ５は、パッケージ２のチップ収納空間６の端子形成板３の側の開口部（チップ設置側開口部７という。）に配置され、その一の面（図１において半導体チップ５の上面）には半導体チップ５の内部回路が形成され、その所定の部位に電気的に接続するパッド８が半導体チップ５の一の面側に複数形成されている（半導体チップ５の内部回路が形成されている側の面をおもて面、その反対側の面を裏面という。半導体装置１を構成する各部品においても同方向の面をそれぞれおもて面、裏面という。）。
【００１０】
９は封止蓋であり、セラミック材料で形成され、半導体チップ５のおもて面と対向してチップ収納空間６の側壁４側の開口部（蓋側開口部１０という。）を覆うようにパッケージ２の蓋側端面２ａに接合される。
このような接合は、蓋側端面２ａに塗布した接着剤または銀ペーストや絶縁ペースト等のペースト剤を塗布して密着させた後に接着剤やペースト剤を硬化させて接合する。または銀や金−錫等からなる金属箔のロウ材を蓋側端面２ａと封止蓋９と間に挟み込んで熱処理によりロウ材を溶融させるロウ付けにより接合する。
【００１１】
１２は内部端子であり、端子形成板３のおもて面のチップ収納空間６側に形成された接続端子であって、金やアルミニウム等の金属で形成された細い導線であるワイヤ１３により半導体チップ５のパッド８と電気的に接続される。
１４は外部端子であり、パッケージ２の端子形成板３の外側の側面に形成された半導体装置１と外部との間の信号の送受を中継する接続端子であって、図示しない外部回路を有する配線基板の配線端子に直接またはリード線を介して電気的に接続する。これにより外部回路と半導体チップ５の内部回路との間が、外部端子１４および内部端子１２、ワイヤ１３、パッド８を介して電気的に接続される。
【００１２】
本実施例の内部端子１２と外部端子１４は、これらを一体としたＬ字状部材として端子形成板３に形成され、端子形成板３と側壁４とを接合するときにこれらの接合面の間に挟み込こまれて固定される。
１６は結合層であり、レジン系またはエポキシ系の熱硬化性の接着剤である液状の結合剤１７をパッケージ２のチップ設置側開口部７のパッケージ内面２ｂと半導体チップ５のチップ側面５ａとの間の隙間に充填し、これを硬化させて形成され、パッケージ２のチップ収納空間６のチップ設置側開口部７に半導体チップ５を結合して固定すると共にパッケージ内面２ｂとチップ側面５ａとの間の隙間を封止する機能を有する。
【００１３】
この接合層１６と半導体チップ５によりチップ収納空間６のチップ設置側開口部７を覆い、封止蓋９によりチップ収納空間６の蓋側開口部１０を覆って半導体チップ５の内部回路が形成されているおもて面がチップ収納空間６に密封される。
また、半導体チップ５の裏面と結合層１６の裏面およびパッケージ２のチップ側端面２ｃは略同一平面となるように形成される。
【００１４】
本実施例の半導体チップ５は、半導体加速度センサであり、図１、図２に示すようにその中央領域に略正方形の４辺の中央部を残して貫通させたスリット２０を形成し、残された中央部の裏側を掘込んで可撓性を持たせた可撓部２１により重錘部２２を振幅可能に支持し、可撓部２１に形成された内部回路としてのピエゾ抵抗素子により構成されたブリッジ回路とおもて面に形成されたパッド８とを電気的に接続し、半導体チップ５の裏面側にガラス板２３を接合して構成されており、半導体チップ５の内部に中空部２５を有する中空構造の半導体チップである。
【００１５】
図４において、３０はキャリアテープであり、ポリイミド系またはポリエステル系等の樹脂材料で写真のフィルム状に形成された樹脂製テープであって、その長手方向に沿った両側の縁部にはスプロケットホール３１が設けられている。
また、キャリアテープ３０の片面にはパッケージ２や半導体チップ５をその粘着性により固定（粘着固定という。）する粘着剤を塗布して形成された粘着層３２が設けられている。
【００１６】
図５において、３５はパッケージコレットであり、金属材料、樹脂材料またはゴム材料で形成され、パッケージ２の蓋側端面２ａに対向配置されたスリットまたは複数の孔を負圧により吸引して保持し、パッケージ２をキャリアテープ３０に搬送して設置する機能を有している。
３７はチップコレットであり、金属材料、樹脂材料またはゴム材料で形成され、半導体チップ５のおもて面の縁部に対向配置されたスリットまたは複数の孔を負圧により吸引して保持し、半導体チップ５をキャリアテープ３０に搬送して設置する機能を有している。
【００１７】
３９は結合剤用ノズルであり、その吐出口から吐出した液状の結合剤１７をパッケージ２のチップ設置側開口部７のパッケージ内面２ｂと半導体チップ５のチップ側面５ａとの間に充填する機能を有している。
以下に、図５にＰで示す工程に従って本実施例の半導体装置の製造工程について説明する。
【００１８】
本実施例の製造工程においては、封止蓋９および図３に示した構造のパッケージ２が予め製造されて準備されている。
また、上記で説明した構成の中空部２５を有する半導体チップ５（本実施例では半導体加速度センサ）が半導体ウェハを用いて製造され、その後に個片に分割された状態で予め準備されている。
【００１９】
Ｐ１、キャリアテープ３０のスプロケットホール３１に嵌合する図示しないスプロケットを有する搬送レールを備えた搬送装置に、キャリアテープ３０の粘着層３２を上方にして装着し、スプロケットによりキャリアテープ３０を搬送してパッケージコレット３５が設置されている位置に停止させる。
そして、パッケージコレット３５によりパッケージ２を保持して搬送し、パッケージ２のチップ側端面２ｃをキャリアテープ３０の粘着面３２に粘着固定してキャリアテープ３０にパッケージ２を設置する（パッケージボンディング工程）。
【００２０】
Ｐ２、パッケージボンディング工程を終えたキャリアテープ３０を搬送してチップコレット３７が設置されている位置に停止させ、チップコレット３７により半導体チップ５を保持して搬送し、その裏面からパッケージ２のチップ収納空間６に挿入して半導体チップ５の裏面をキャリアテープ３０の粘着面３２に粘着固定してチップ設置側開口部７の中央部のキャリアテープ３０に半導体チップ５を設置する（ダイスボンディング工程）。
【００２１】
Ｐ３、ダイスボンディング工程を終えたキャリアテープ３０を搬送して図示しないワイヤボンダが設置されている位置に停止させ、半導体チップ５のパッド８と内部端子１２との間をワイヤ１３で接続する（ワイヤボンディング工程）。
Ｐ４、ワイヤボンディング工程を終えたキャリアテープ３０を搬送して結合剤用ノズル３９が設置されている位置に停止させ、結合剤用ノズル３９を用いて液状の結合剤１７をパッケージ２のチップ設置側開口部７のパッケージ内面２ｂと半導体チップ５のチップ側面５ａとの間に流し込んでこれらの間に形成された隙間に結合剤１７を充填し、その後に加熱等により結合剤１７を硬化させてパッケージ内面２ｂとチップ側面５ａとの間を封止する結合層１６を形成し、半導体チップ５をパッケージ２のチップ収納空間６のチップ設置側開口部７に固定する（結合層形成工程）。
【００２２】
この場合のパッケージ内面２ｂとチップ側面５ａとの間への結合剤１７の充填は、少なくともチップ側面５ａの高さを超えないように充填する。これにより半導体チップ５の中空部２５への結合剤１７の流入が防止される。
Ｐ５、結合層形成工程を終えたキャリアテープ３０を搬送して負圧により封止蓋のおもて面を保持する図示しない封止蓋コレットが設置されている位置に停止させ、そこに設けられている結合剤用ノズル３９と同様の図示しない接着剤用ノズルを用いて接着剤をパッケージ２の蓋側端面２ａに塗布し、封止蓋コレットにより封止蓋９を搬送して封止蓋９の裏面の縁部を蓋側端面２ａに密着させた後に加熱等により接着剤を硬化させて蓋側端面２ａに封止蓋９を接合し、パッケージ２のチップ収納空間６の蓋側開口部１０を封止する（パッケージ封止工程）。
【００２３】
これにより、半導体チップ５の内部回路が形成されているおもて面がチップ収納空間６に密封される。
その後、キャリアテープ３０に粘着固定されている半導体装置１を引き剥がし、図１および図２に示す本実施例の半導体装置１が製造される。
このようにして製造された半導体装置１は、その裏面がパッケージ２のチップ側端面２ｃおよび結合層１６の裏面、半導体チップ５の裏面で構成され、これらが略同一平面となっているので、半導体装置１の厚さは半導体チップ５の厚さにワイヤループ高さ等を考慮した必要最小限の空間の高さおよび封止蓋９のおもて面とパッケージ２の蓋側端面２ａとの間の厚さを加えた厚さとなり、厚さの薄い半導体装置１とすることができる。
【００２４】
また、半導体チップ５の裏面を底板として利用できるので、無底のパッケージ２によっても保護すべき半導体チップ５のおもて面側をチップ収納空間６に密封することが可能になる。
更に、封止蓋９により半導体チップ５のおもて面側をチップ収納空間６に密封しているので、外部からの水分や塵芥等の異物が半導体チップ５の中空部２５に侵入することがなく、半導体チップの機能を長期に渡って維持することができる他、半導体装置１の配線基板の実装作業時および半導体装置１を実装した配線基板の主装置への取付作業時等の工具や他の部位への衝突による衝撃から半導体チップ５のおもて面の内部回路やワイヤ１３等を保護することができる。
【００２５】
更に、粘着層３２を有するキャリアテープ３０にパッケージ２および半導体チップ５を粘着固定して各工程間をキャリアテープ３０により搬送するので、連続的な製造ラインの形成が容易になり、半導体装置１の生産効率を向上させることができる。
この場合に、複数のパッケージ２や封止蓋９をそれぞれマトリックス状に配置して連続させた板状部材として形成し、これらを個片に分割する切断装置を工程Ｐ１および工程Ｐ５のラインサイドに設置してパッケージ２や封止蓋９をそれぞれ個片に分割しながら供給するようにすれば、個片としたパッケージ２や封止蓋９を搬送する搬送ベルトまたは収納容器が不要になり、半導体装置１の生産効率を向上させることができると共に間接材料費を削減することができる。
【００２６】
同様に、半導体チップ５を複数形成した半導体ウェハを個片に分割する切断装置を工程Ｐ２のラインサイドに設置すれば前記と同様の効果を得ることができる。
なお、本実施例では、チップ収納空間６に中空構造を有する半導体チップ５を密封するとして説明したが、チップ収納空間６に密封する半導体チップ５は前記に限らず、中実の半導体チップ５であってもよい。
【００２７】
パッケージ収納空間６に密封する半導体チップ５が中実の場合には、そのおもて面を覆うように結合剤を充填してもよい。
半導体チップ５が中実の場合であっても、半導体装置１の配線基板の実装作業時および半導体装置１を実装した配線基板の主装置への取付作業時等の工具や他の部位への衝突による衝撃から半導体チップ５のおもて面の内部回路やワイヤ１３等を保護することができる。
【００２８】
以上説明したように、本実施例では、無底のパッケージのチップ収納空間のチップ設置側開口部に配置された半導体チップを結合層でパッケージに結合して封止すると共に、パッケージの蓋側開口部を封止蓋で覆って封止するようにしたことによって、半導体チップの裏面を底板として利用することができ、無底のパッケージによっても保護すべき半導体チップのおもて面をチップ収納空間に密封することができると共に、裏板を省略して半導体チップを密封するパッケージを有する半導体装置の厚さを低減することができる。
【００２９】
また、パッケージ収納空間に中空構造を有する半導体チップを密封するようにしたことによって、外部からの異物が半導体チップの中空部に侵入することを防止して中空構造の半導体チップの機能を長期に渡って維持することができる。
更に、パッケージおよび半導体チップを粘着層を有するキャリアテープに粘着固定して無底のパッケージのチップ収納空間のチップ設置側開口部のパッケージ内面とチップ側面の間に結合層を形成するようにしたことによって、半導体装置の裏面を半導体チップの裏面を利用して容易に略同一平面にすることができ、厚さの薄い半導体装置を容易に製造することができると共に、連続的な製造ラインの形成を容易にして半導体装置の生産効率を向上させることができる。
【実施例２】
【００３０】
図６、図７は実施例２の半導体装置の製造工程を示す説明図である。
なお、上記実施例１と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
図７において、４１は砥石であり、グラインダに用いる円盤状の砥石であって、封止蓋９のおもて面を研磨することが可能な硬度および粒度の砥粒をバインダで固めて形成される。本実施例では封止蓋９がセラミック材料で形成されているので砥石４１はダイヤモンド砥石等の高い硬度を有する砥粒で形成された砥石である。
【００３１】
以下に、図６、図７にＰＡで示す工程に従って本実施例の半導体装置の製造工程について説明する。
本実施例の工程ＰＡ１（図６）〜ＰＡ５（図７）は、上記実施例１の工程Ｐ１〜Ｐ５と同様であるのでその説明を省略する。
ＰＡ６（図７）、パッケージ封止工程を終えたキャリアテープ３０を搬送して砥石４１を備えたグラインダが設置されている位置に停止させ、砥石４１により封止蓋９のおもて面を研磨して封止蓋９の厚さを減少させる。（封止蓋研磨工程）。
【００３２】
この場合の研磨量は、封止蓋９のおもて面とパッケージ２の蓋側端面２ａとの間の厚さを０．１ｍｍ程度とするように設定する。
その後、キャリアテープ３０に粘着固定されている半導体装置１を引き剥がし、本実施例の半導体装置１が製造される。なお本実施例の半導体装置１は図１に示す半導体装置１の封止蓋９のおもて面とパッケージ２の蓋側端面２ａとの間の厚さが薄くなっている以外は図１に示すと同様の構成を有している。
【００３３】
このようにして製造された半導体装置１は、実施例１と同様にその裏面が半導体チップ５の裏面を利用して略同一平面になり、封止蓋９のおもて面とパッケージ２の蓋側端面２ａとの間の厚さを最小の厚さとすることができるので、半導体装置１の厚さを半導体チップ５の厚さに必要最小限の空間の高さおよび最小とした封止蓋の厚さを加えた厚さにして更に薄い半導体装置１、例えば厚さ１ｍｍ以下の半導体装置とすることができる。
【００３４】
以上説明したように、本実施例では、上記実施例１と同様の効果に加えて、封止蓋のおもて面とパッケージの蓋側端面との間の厚さを最小の厚さとすることができ、半導体装置の厚さを更に薄くすることができる。
また、封止蓋をパッケージに接合した後に封止蓋のおもて面を研磨して封止蓋の厚さを薄くするようにしたことによって、工程ＰＡ６の封止蓋研磨工程で既に接合されている封止蓋のおもて面を研磨することができ、工程ＰＡ５のパッケージ封止工程での接合時の封止蓋の破損の防止と、工程ＰＡ６の封止蓋研磨工程での研磨時の封止蓋の破損の防止を両立させて、製造工程における歩留りを向上させることができると共に、薄い封止蓋により半導体装置の薄型化を図ることができる。
【００３５】
なお、上記各実施例においては、パッケージは端子形成板と側壁を接合して形成するとして説明したが、これらを一体にして形成するようにしてもよい。
また、パッケージや封止蓋はセラミック材料で製作するとして説明したが、パッケージや封止蓋を製作する材料は前記に限らず、樹脂材料であってもよい。この場合のパッケージの製作は、内部端子と外部端子を一体としたＬ字状部材をインサート成形により樹脂成形すれば端子形成板と側壁を一体としたパッケージを容易に形成することができる。
【００３６】
更に、外部端子は端子形成板の外側の側面に形成するとして説明したが、外部端子を形成する場所は前記に限らず、端子形成板のおもて面の内部端子に電気的に接続させて端子形成板の裏面に形成するようにしてもよい。この場合に裏面に形成する外部端子はチップ側端面に埋め込んで裏面から突出しないように形成するとよい。裏面から突出させると結合剤の充填時に洩れが生じる虞があるからである。
【００３７】
更に、外部端子は端子形成板の外側の側面にチップ側端面まで伸長させて図示（図１等）したが、チップ側端面まで達しないように形成してもよい。
更に、キャリアテープは写真のフィルム状に形成した粘着層を有する樹脂製テープであるとして説明したが、写真のフィルム状の薄い金属板の片面に粘着層を形成してキャリアテープとして用いるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】実施例１の半導体装置を示す断面図
【図２】実施例１の半導体装置を示す上面図
【図３】実施例１のパッケージを示す断面図
【図４】実施例１のキャリアテープを示す上面図
【図５】実施例１の半導体装置の製造工程を示す説明図
【図６】実施例２の半導体装置の製造工程を示す説明図
【図７】実施例２の半導体装置の製造工程を示す説明図
【符号の説明】
【００３９】
１    半導体装置
２    パッケージ
２ａ  蓋側端面
２ｂ  パッケージ内面
２ｃ  チップ側端面
３    端子形成板
４    側壁
５    半導体チップ
５ａ  チップ側面
６    チップ収納空間
７    チップ設置側開口部
８    パッド
９    封止蓋
１０  蓋側開口部
１２  内部端子
１３  ワイヤ
１４  外部端子
１６  結合層
２０  スリット
２１  可撓部
２２  重錘部
２３  ガラス板
２５  中空部
３０  キャリアテープ
３１  スプロケットホール
３２  粘着層
３５  パッケージコレット
３７  チップコレット
３９  結合剤用ノズル
４１  砥石
【図１】
2006202916.tif 000003
【図２】
2006202916.tif 000004
【図３】
2006202916.tif 000005
【図４】
2006202916.tif 000006
【図５】
2006202916.tif 000007
【図６】
2006202916.tif 000008
【図７】
2006202916.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成18年1月6日(2006.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来の半導体装置は、矩形状のセラミック基板とこのセラミック基板の周囲に形成された枠状のシームリングと、シームリングの内周側に形成されたリング状セラミック基板とで有底のパッケージを構成し、その内側に形成されたチップ収納空間の底面を構成するセラミック基板の中央部に半導体チップを実装し、半導体チップの反対側の開口を金属製蓋体で覆ってチップ収納空間に収納した半導体チップを密封している（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−１９８４５２号公報（第３頁段落００２１−第４頁段落００３２、第１図）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、半導体チップ５の裏面を底板として利用できるので、無底のパッケージ２によっても保護すべき半導体チップ５のおもて面側をチップ収納空間６に密封することが可能になる。
更に、封止蓋９により半導体チップ５のおもて面側をチップ収納空間６に密封しているので、外部からの水分や塵芥等の異物が半導体チップ５の中空部２５に侵入することがなく、半導体チップの機能を長期に渡って維持することができる他、半導体装置１の配線基板への実装作業時および半導体装置１を実装した配線基板の主装置への取付作業時等の工具や他の部位への衝突による衝撃から半導体チップ５のおもて面の内部回路やワイヤ１３等を保護することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
パッケージ収納空間６に密封する半導体チップ５が中実の場合には、そのおもて面を覆うように結合剤を充填してもよい。
半導体チップ５が中実の場合であっても、半導体装置１の配線基板への実装作業時および半導体装置１を実装した配線基板の主装置への取付作業時等の工具や他の部位への衝突による衝撃から半導体チップ５のおもて面の内部回路やワイヤ１３等を保護することができる。