(57)【要約】【課題】  容易に接続不良を防止することができる半導体電子部品の実装方法及び半導体電子部品の配線基板を提供すること。【解決手段】  まず、図３（ａ）に示すように、絶縁基板上に、配線基板１０に実装されるＢＧＡチップ２０の反り量に応じた面積となるようにパターニングして複数のＩＯランド１１ａ、複数のサーマルランド１１ｂを形成する。そして、図３（ｂ）示すように、ＢＧＡチップ２０を上面（紙面上側）から図示しない吸着ノズルによって吸着し、配線基板１０の上側に搬送して、配線基板１０上に搭載する。次に、図３（ｃ）に示すよう、ＢＧＡチップ２０が搭載された配線基板１０を、ハンダリフロー装置へ搬送して、ハンダリフロー装置において、ＢＧＡチップ２０が搭載された配線基板１０を所定温度で過熱することによってＩＯバンプ２１ａとＩＯランド１１ａ、サーマルバンプ２１ｂとサーマルランド１１ｂとを接続する。【選択図】        図３
2006190902.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のハンダバンプを有する半導体電子部品を当該複数のハンダバンプに対応する複数のランドを有す配線基板に実装する方法であって、
前記半導体電子部品の実装面と前記配線基板の実装面との間隔が長い位置に対応するランドの面積を当該間隔が短い位置に対応するランドの面積よりも小さくなるように当該配線基板にランドを形成するランド形成工程と、
前記ハンダバンプと前記ランドとが対向するように前記半導体電子部品を前記配線基板上に載置し、ハンダリフローにて当該ハンダバンプと当該ランドとを接続することによって当該半導体電子部品を当該配線基板上に実装するハンダリフロー工程と、
を備えることを特徴とする半導体電子部品の実装方法。
【請求項２】
前記複数のハンダバンプが前記半導体電子部品の前記配線基板と対向する面における中央付近に形成される複数の中央バンプと、当該複数の中央バンプから所定距離離れた位置に形成される周辺バンプとからなる場合、前記ランド形成工程は、前記間隔に応じて当該中央バンプに対応するランド及び／又は当該周辺バンプに対応するランドを形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体電子部品の実装方法。
【請求項３】
前記複数の中央バンプは、前記半導体電子部品の放熱用のサーマルバンプであり、前記複数の周辺バンプは、当該半導体電子部品の入出力用の入出力バンプであることを特徴とする請求項２に記載の半導体電子部品の実装方法。
【請求項４】
前記半導体電子部品及び／又は前記配線基板が、当該半導体電子部品及び／又は当該配線基板の実装面が凹状となっている場合、前記ランド形成工程は、前記サーマルバンプに対応するランドの面積を小さくすることによって、前記間隔の長い位置に対応するランドの面積を間隔の短い位置に対応するランドの面積よりも小さくなるようにランドを形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体電子部品の実装方法。
【請求項５】
複数のハンダバンプを有する半導体電子部品が実装される配線基板であって、前記複数のハンダバンプと接続されるものであり、前記半導体電子部品の実装面と前記配線基板の実装面との間隔が長い位置に対応する面積が当該間隔が短い位置に対応する面積よりも小さい複数のランドを備えることを特徴とする半導体電子部品の配線基板。
【請求項６】
前記複数のハンダバンプが前記半導体電子部品の前記配線基板と対向する面における中央付近に形成される複数の中央バンプと、当該複数の中央バンプから所定距離離れた位置に形成される周辺バンプとからなる場合、当該中央バンプに対応する各ランドの面積はそれぞれ略同じであると共に、当該周辺バンプに対応する各ランドの面積はそれぞれ略同等であり、当該中央バンプに対応するランドと当該周辺バンプに対応するランドとは、前記間隔に応じた面積であることを特徴とする請求項５に記載の半導体電子部品の配線基板。
【請求項７】
前記中央バンプに対応するランドは、前記半導体電子部品の放熱用のサーマルバンプと接続するランドであり、前記周辺バンプに対応するランドは、当該半導体電子部品の入出力用の入出力バンプと接続するランドであることを特徴とする請求項６に記載の半導体電子部品の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体電子部品の実装方法及び半導体電子部品の配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体電子部品を実装する配線基板の反りによるハンダの接続不良を防止するための半導体電子部品の実装方法として特許文献１に示すものがある。
【０００３】
特許文献１に示す半導体電子部品の実装方法は、配線基板の各ランドに、配線基板の反り量に応じた量だけハンダペーストを供給し、その配線基板上にハンダバンプを有する半導体電子部品実装するものである。すなわち、配線基板の反り量が多いほどハンダペーストの量を多くすることによってハンダの接続不良を防止するものである。
【特許文献１】特開平１５−２４３８１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方、半導体電子部品に関しても、基板に搭載された半導体チップをモールド樹脂にてモールドするような場合、基板とモールド樹脂との熱膨張率の違いによって反りが生じる可能性がある。このような場合も、半導体電子部品と配線基板との間でハンダの接続不良が生じる可能性がある。
【０００５】
そして、半導体電子部品に反りが生じている場合は、半導体電子部品の反り量に応じて配線基板の各ランドにハンダペーストを供給するか、もしくは、半導体電子部品の反り量に応じて半導体電子部品のハンダバンプの量を調整することが考えられる。
【０００６】
しかしながら、配線基板もしくは半導体電子部品の反り量に応じて各ランドにハンダペーストを供給したり、ハンダバンプの量を調整したりするのは困難である。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、容易に接続不良を防止することができる半導体電子部品の実装方法及び半導体電子部品の配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために請求項１に記載の半導体電子部品の実装方法は、複数のハンダバンプを有する半導体電子部品を複数のハンダバンプに対応する複数のランドを有す配線基板に実装する方法であって、半導体電子部品の実装面と配線基板の実装面との間隔が長い位置に対応するランドの面積を間隔が短い位置に対応するランドの面積よりも小さくなるように配線基板にランドを形成するランド形成工程と、ハンダバンプとランドとが対向するように半導体電子部品を配線基板上に載置し、ハンダリフローにてハンダバンプとランドとを接続することによって半導体電子部品を配線基板上に実装するハンダリフロー工程とを備えることを特徴とするものである。
【０００９】
半導体電子部品は、基板とモールド樹脂との熱膨張率の差によって反ったり、配線基板は、プリント基板と配線パターンとの熱膨張率の差によって反ったりする。このように、半導体電子部品、配線基板が反ってしまうと、半導体電子部品の実装面と配線基板の実装面との間隔が長くなったり、短くなったりする。
【００１０】
一方、ハンダバンプは、ハンダリフロー時において対応するランドの面積が大きい方が平面方向に広がりやすい。そこで請求項１に示すように、半導体電子部品の実装面と配線基板の実装面との間隔が長い位置に対応するランドの面積を間隔が短い位置に対応するランドの面積よりも小さくなるようにランドを形成してハンダリフローすることによって、ハンダリフロー時のハンダバンプの平面方向への広がり量は、間隔が長い位置に対応するハンダバンプよりも間隔が短い位置に対応するハンダバンプの方が多くなる。
【００１１】
また、ハンダリフロー時におけるハンダバンプの高さは、ハンダバンプの広がり量が多くなるにつれて低くなる。よって、間隔が短い位置に対応するハンダバンプは、ハンダリフロー時に、間隔が長い位置に対応するハンダバンプに比べて平面方向へ多く広がり高さが低くなるので、間隔が長い位置に対応するハンダバンプがランドに接続されやすくなる。
【００１２】
このように、間隔に応じてランドの面積を調整することによって、間隔が長い位置に対応するハンダバンプもランドに接続されやすくなるので、ハンダバンプの量を調整するのに比べて容易に接続不良を防止することができる。
【００１３】
また、請求項２に記載の半導体電子部品の実装方法では、複数のハンダバンプが半導体電子部品の配線基板と対向する面における中央付近に形成される複数の中央バンプと、複数の中央バンプから所定距離離れた位置に形成される周辺バンプとからなる場合、ランド形成工程は、間隔に応じて中央バンプに対応するランド及び／又は周辺バンプに対応するランドを形成することを特徴とするものである。
【００１４】
このように、電子部品が中央付近に形成される中央バンプと、その中央バンプから所定距離離れた位置に形成される周辺バンプとを備えるような場合、間隔に応じて中央バンプに対応するランド及び／又は周辺バンプに対応するランドを形成することによって、中央バンプと周辺バンプの面積を調整するだけでよいのでランドの形成が容易になり、より一層容易に接続不良を防止することができる。
【００１５】
また、複数の中央バンプ及び複数の周辺バンプとしては、請求項３に示すように、半導体電子部品の放熱用のサーマルバンプ及び半導体電子部品の入出力用の入出力バンプとすることができる。
【００１６】
また、請求項４に記載の半導体電子部品の実装方法では、半導体電子部品及び／又は配線基板が、半導体電子部品及び／又は配線基板の実装面が凹状となっている場合、ランド形成工程は、サーマルバンプに対応するランドの面積を小さくすることによって、間隔の長い位置に対応するランドの面積を間隔の短い位置に対応するランドの面積よりも小さくなるようにランドを形成することを特徴とするものである。
【００１７】
ランドの面積を調整する場合、入出力バンプに対応するランドの面積を大きくすると入出力バンプ間が接続される可能性がある。入出力バンプ間が接続してしまうと、半導体電子部品が不具合となる可能性がある。そこで、請求項４に示すように、半導体電子部品及び／又は配線基板の実装面が凹状となっている場合は、サーマルバンプに対応するランドの面積を小さくすることにより、間隔が長い位置に対応するランドの面積を間隔が短い位置に対応するランドの面積よりも小さくなるようにランドを形成することによって、入出力バンプ間が接続されることを防止することができる。
【００１８】
また、請求項５に記載の半導体電子部品の配線基板では、複数のハンダバンプを有する半導体電子部品が実装される配線基板であって、複数のハンダバンプと接続されるものであり、半導体電子部品の実装面と配線基板の実装面との間隔が長い位置に対応する面積が当該間隔が短い位置に対応する面積よりも小さい複数のランドを備えることを特徴とするものである。
【００１９】
半導体電子部品は、基板とモールド樹脂との熱膨張率の差によって反ったり、配線基板は、プリント基板と配線パターンとの熱膨張率の差によって反ったりすることがある。このように、半導体電子部品、配線基板が反ってしまうと、半導体電子部品の実装面と配線基板の実装面との間隔が長くなったり、短くなったりする。
【００２０】
一方、ハンダバンプは、ハンダリフロー時においてハンダバンプに対応するランドの面積が大きい方が平面方向に広がりやすい。そこで請求項６に示すように、半導体電子部品の実装面と配線基板の実装面との間隔が長い位置に対応する面積が間隔が短い位置に対応する面積よりも小さい複数のランドを備えることによって、ハンダリフロー時のハンダバンプの平面方向への広がり量は、間隔が長い位置に対応するハンダバンプよりも間隔が短い位置に対応するハンダバンプの方が多くなる。
【００２１】
また、ハンダリフロー時におけるハンダバンプの高さは、ハンダバンプの広がり量が多くなるにつれて低くなる。よって、間隔が短い位置に対応するハンダバンプは、ハンダリフロー時に、間隔が長い位置に対応するハンダバンプに比べて平面方向へ多く広がり高さが低くなるので、間隔が長い位置に対応するハンダバンプがランドに接続されやすくなる。
【００２２】
このように、半導体電子部品の実装面と配線基板の実装面との間隔が長い位置に対応する面積が間隔が短い位置に対応する面積よりも小さい複数のランドを備えることによって、間隔が長い位置に対応するハンダバンプもランドに接続されやすくなるので、ハンダバンプの量を調整するのに比べて容易に接続不良を防止することができる。
【００２３】
また、請求項６に記載の半導体電子部品の配線基板では、複数のハンダバンプが半導体電子部品の配線基板と対向する面における中央付近に形成される複数の中央バンプと、複数の中央バンプから所定距離離れた位置に形成される周辺バンプとからなる場合、中央バンプに対応する各ランドの面積はそれぞれ略同じであると共に、周辺バンプに対応する各ランドの面積はそれぞれ略同等であり、中央バンプに対応するランドと周辺バンプに対応するランドとは、間隔に応じた面積であることを特徴とするものである。
【００２４】
このように、電子部品が中央付近に形成される中央バンプと、その中央バンプから所定距離離れた位置に形成される周辺バンプとを備えるような場合、間隔に応じて中央バンプに対応するランド及び／又は周辺バンプに対応するランドを形成することによって、配線基板のランド構造を簡素化することができる。
【００２５】
また、中央バンプに対応するランド及び周辺バンプに対応するランドは、請求項７に示すように、半導体電子部品のサーマルバンプと接続するランド及び入出力バンプと接続するランドとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。図１（ａ）は本発明の実施の形態における配線基板の概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は平面図である。図２（ａ）は本発明の実施の形態における半導体電子部品の概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は平面図である。図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態における半導体電子部品の実装方法を示す工程別断面図である。
【００２７】
本実施の形態における配線基板１０は、絶縁基板におけるＢＧＡチップ２０が実装される実装面に、パターニングされた導体層である配線パターン（図示せず）を備え、図１に示すように、複数のＩＯランド１１ａ、複数のサーマルランド１１ｂ、ソルダーレジスト１２などを備える。
【００２８】
ＩＯランド１１ａは、配線パターンの一部であり、後ほど説明するＩＯバンプ２１ａと電気的に接続されるものである。このＩＯランド１１ａは、ＩＯバンプ２１ａに対応する位置に形成されるものであり、ＢＧＡチップ２０に対向する領域の周辺領域、すなわち図１（ｂ）における一点差線で示すＩＯランド領域ＩＬに複数形成されている。また、複数のＩＯランド１１ａ間には、ＩＯランド１１ａ以外の配線パターンにＩＯバンプ２１ａなどのハンダバンプが付着しないように、またはＩＯバンプ２１ａどうしが接続されないようにするためのソルダーレジスト１２を備える。
【００２９】
サーマルランド１１ｂは、配線基板１０に形成される導体パターンであり、後ほど説明するサーマルバンプ２１ｂと接続されるものである。すなわち、このサーマルランド１１ｂは、ＢＧＡチップ２０（ベアチップ２３）から発せられる熱を配線基板１０に放熱するためのランドである。また、このサーマルランド１１ｂは、サーマルバンプ２１ｂに対応する位置に形成されるものであり、ＢＧＡチップ２０に対向する領域の中央領域、すなわち図１（ｂ）における点線で示すサーマルランド領域ＩＬに複数形成されている。また、複数のサーマルランド１１ｂ間には、サーマルランド１１ｂ以外の配線パターンにサーマルバンプ２１ｂなどのハンダバンプが付着しないように、またはサーマルバンプ２１ｂどうしが接続されないようにするためのソルダーレジスト１２を備える。
【００３０】
また、ＩＯランド１１ａ及びサーマルランド１１ｂの面積、すなわちＩＯバンプ２１ａ及びサーマルバンプ２１ｂと接続する面積は、ＢＧＡチップ２０の実装面と配線基板１０の実装面との間隔、すなわちＢＧＡチップ２０の反り量に応じて調整されるものである。そこで、本実施の形態においては、ＢＧＡチップ２０の実装面と配線基板１０の実装面との間隔が長い位置をＢＧＡチップ２０の反り量が多いものとし、ＢＧＡチップ２０の実装面と配線基板１０の実装面との間隔が短い位置をＢＧＡチップ２０の反り量が少ないものとする。したがって、具体的には、ＢＧＡチップ２０の反り量が多い位置に対応するＩＯランド１１ａあるいはサーマルランド１１ｂの面積は、ＢＧＡチップ２０の反り量が少ない位置に対応するＩＯランド１１ａあるいはサーマルランド１１ｂの面積に比べて小さくなるように調整されている。よって、本実施の形態においては、ＩＯランド１１ａの面積をサーマルランド１１ｂの面積よりも小さくするので、図１に示すようにＩＯランド１１ａの直径Ａはサーマルランド１１ｂの直径Ｂよりも小さくなる。
【００３１】
一方、半導体電子部品は、本実施の形態においては図２に示すようにＢＧＡ（Ball gridarray）チップ２０を用いている。ＢＧＡチップ２０は、複数のＩＯバンプ２１ａ、複数のサーマルバンプ２１ｂ、基板２２、ベアチップ２３、モールド樹脂２４などを備える。
【００３２】
基板２２は、所謂インターポーザであり、ベアチップ２３を搭載する搭載面には配線パターンが形成されている。この配線パターンは、ベアチップ２３が搭載された状態において、ベアチップ２３の電極と直接あるいはワイヤなどによって電気的に接続される。また、基板２２は、スルーホールなどが形成され、このスルーホールを介して配線パターンと電気的に接続されるランド及び複数のハンダバンプ（２１ａ、２１ｂ）を備える。
【００３３】
このハンダバンプ（２１ａ、２１ｂ）は、ＩＯバンプ２１ａ、サーマルバンプ２１ｂとからなる。ＩＯバンプ２１ａは、ベアチップ２３の入出力用のバンプであり、基板２２の周辺領域、すなわち図２（ｂ）における一点差線で示すＩＯバンプ領域ＩＢに複数形成されている。また、ＩＯバンプ２１ａは、ＢＧＡチップ２０が配線基板１０に実装される際に、配線基板１０のＩＯランド１１ａと電気的に接続される。
【００３４】
サーマルバンプ２１ｂは、ベアチップ２３の放熱用のバンプであり、ベアチップ２３から発せられる熱を放熱するためにベアチップ２３に対向する領域、すなわち図２（ｂ）において点線で示すサーマルバンプ領域ＳＢに複数形成されている。また、サーマルバンプ２１ａは、ＢＧＡチップ２０が配線基板１０に実装される際に、配線基板１０のサーマルランド１１ａと電気的に接続される。なお、複数のＩＯバンプ２１ａ及び複数のサーマルバンプ２１ｂのハンダの量は全て略同一である。
【００３５】
そして、ＢＧＡチップ２０は、基板２２にベアチップ２３が搭載され、このベアチップ２３と配線パターンとが電気的に接続された状態において、モールド樹脂２４にてモールド封止されている。
【００３６】
ここで、図３に基づいてＢＧＡチップ２０の配線基板１０への実装方法について説明する。
【００３７】
まず、図３（ａ）に示すように、絶縁基板におけるＢＧＡチップ２０が実装される実装面に、導体層を形成してパターニングすることによって配線パターン及び複数のＩＯランド１１ａ、複数のサーマルランド１１ｂを形成する。そして、複数のＩＯランド１１ａ間及び複数のサーマルランド１１ｂ上にソルダーレジスト１２を形成する。
【００３８】
この複数のＩＯランド１１ａ、複数のサーマルランド１１ｂを形成する際には、配線基板１０に実装されるＢＧＡチップ２０の反り量に応じた面積となるようにパターニングによって面積を調整して形成する。例えば、ＢＧＡチップ２０の反り量が多い位置に対応するＩＯランド１１ａあるいはサーマルランド１１ｂの面積は、ＢＧＡチップ２０の反り量が少ない位置に対応するＩＯランド１１ａあるいはサーマルランド１１ｂの面積に比べて小さくなるように形成する。なお、ＢＧＡチップ２０の反り量は、周知のモアレ法などによって測定することができる。
【００３９】
本実施の形態においては、ＢＧＡチップ２０のサーマルバンプ２１ｂに比べてＩＯバンプ２１ａの方が反り量は多い。よって、反り量の多い位置に対応するランド、すなわちＩＯランド１１ａの面積が、反り量が少ないランド、すなわちサーマルランド１１ｂの面積よりも小さくなるようにパターニングによって調整する。したがって、図１に示すようにＩＯランド１１ａの直径Ａはサーマルランド１１ｂの直径Ｂよりも小さくなる。
【００４０】
なお、本実施の形態のように、ＢＧＡチップ２０がサーマルバンプ２１ｂと、サーマルバンプ２１ｂから所定距離離れた位置に形成されるＩＯバンプ２１ａとを備える場合、配線基板１０のＩＯランド１１ａ単位及びサーマルランド１１ｂ単位で面積を調整すればよい。すなわち、複数のＩＯランド１１ａの各々は略同一の面積とし、複数のサーマルランド１１ｂの各々は略同一の面積とする。このように、ＩＯランド１１ａ単位及びサーマルランド１１ｂ単位で面積を調整することによって、ランドの面積の調整が容易となる。
【００４１】
また、ランド（１１ａ、１１ｂ）の面積を調整する場合、ＩＯバンプ２１ａに対応するＩＯランド１１ａの面積を大きくするとＩＯバンプ２１ａ間が接続される可能性がある。このようにＩＯバンプ２１ａ間が接続してしまうと、ＢＧＡチップ２０が不具合となる可能性があるからである。
【００４２】
したがって、ＢＧＡチップ２０の配線基板１０と対向する面が凹状に反っている場合は、サーマルランド１１ｂの面積をパターニングによって調整することによって、サーマルランド１１ｂの面積がＩＯランド１１ａの面積よりも小さくなるようにする。こうすることによって、ＩＯバンプ２１ａ間が接続されることを防止することができる。
【００４３】
次に、図３（ｂ）示すように、上述のようにして形成した配線基板１０上にＢＧＡチップ２０を搭載する。ＢＧＡチップ２０を配線基板１０上に搭載する場合、ＢＧＡチップ２０を上面（紙面上側）から図示しない吸着ノズルによって吸着し、配線基板１０の上側に搬送する。そして、ＢＧＡチップ２０のＩＯバンプ２１ａと配線基板１０のＩＯランド１１ａ、ＢＧＡチップ２０のサーマルバンプ２１ｂと配線基板１０のサーマルランド１１ｂとが対応するように位置合せして、ＢＧＡチップ２０を配線基板１０上に搭載する。
【００４４】
さらに、図３（ｃ）に示すよう、ＢＧＡチップ２０が搭載された配線基板１０を、ハンダリフロー装置へ搬送する。そして、ハンダリフロー装置において、ＢＧＡチップ２０が搭載された配線基板１０を所定温度で過熱することによってＩＯバンプ２１ａとＩＯランド１１ａ、サーマルバンプ２１ｂとサーマルランド１１ｂとを接続することによって、ＢＧＡチップ２０を配線基板１０上に実装する。
【００４５】
このように、ＢＧＡチップ２０の反り量に応じて面積を調整されたＩＯランド１１ａもしくはサーマルランド１１ｂを備える配線基板１０上にＢＧＡチップ２０を搭載してハンダリフローすることによって、面積の広いランド（本実施の形態においては、サーマルランド１１ｂ）に対応するハンダバンプ（本実施の形態においては、サーマルバンプ２１ｂ）は、平面方向に広がりやすくなる。
【００４６】
このように、ハンダバンプ（サーマルバンプ２１ｂ）が平面方向に広がると、ハンダバンプ（サーマルバンプ２１ｂ）の高さは低くなる。よって、ハンダリフロー時に反り量が多い位置に対応するハンダバンプ（サーマルバンプ２１ｂ）の高さが低くなるので、反り量が少ない位置に対応するハンダバンプ（ＩＯバンプ２１ａ）は、ランド（ＩＯランド１１ａ）に接続されやすくなる。
【００４７】
このように、反り量に応じてＩＯランド１１ａあるいはサーマルランド１１ｂの面積を調整することによって、反り量が多い位置に対応するＩＯバンプ２１ａあるいはサーマルバンプ２１ｂもＩＯランド１１ａあるいはサーマルランド１１ｂに接続されやすくなるので、ハンダバンプの量を調整するのに比べて容易に接続不良を防止することができる。
【００４８】
なお、本実施の形態においては、ＢＧＡチップ２０が反っている場合を例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。配線基板１０に関しても、配線パターンとプリント基板の熱膨張率の違いから反る可能性がある。したがって、配線基板１０が反っている場合においても、ランドの面積を調整するなどによって本発明の目的が達成できるものである。また、ＢＧＡチップ２０と配線基板１０の両方が反っている場合においても、同様にランドの面積を調整するなどによって本発明の目的が達成できるものである。
【００４９】
また、本実施の形態においては、配線基板１０として、中央付近に形成されるサーマルランド１１ｂと、そのサーマルランド１１ｂから所定距離離れた位置に形成されるＩＯランド１１ａとを備える例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、配線基板１０に格子状にランドを形成するものであっても、ランドの面積を調整するなどによって本発明の目的は達成できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態における配線基板の概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施の形態における半導体電子部品の概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態における半導体電子部品の実装方法を示す工程別断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０  配線基板、１１ａ  ＩＯランド、１１ｂ  サーマルランド、１２  ソルダーレジスト、２０  ＢＧＡチップ、２１ａ  ＩＯバンプ、２１ｂ  サーマルバンプ、２２  基板、２３  ベアチップ、２４  モールド樹脂、ＩＬ  ＩＯランド領域、ＳＬ  サーマルランド領域、ＩＢ  ＩＯバンプ領域、ＳＢ  サーマルバンプ領域
【図１】
2006190902.tif 000003
【図２】
2006190902.tif 000004
【図３】
2006190902.tif 000005