(57)【要約】【課題】  大面積の被処理物用のプラズマ処理装置において、電極のクーロン力による撓み量を低減するとともに表面処理の均一性を確保する。【解決手段】  プラズマ処理装置の電極構造３０は、左右にそれぞれ延びるとともに前後に互いに対峙する一対の電極列３１，３２からなる。各電極列は、左右に並べられた複数の電極部材にて構成され、左右方向の実質的に同じ位置に配置された一方の電極列と他方の電極列の電極部材どうしが、互いに逆の極性を有して互いの対向面の間に列間部分隙間３３ａを形成している。導入口２１における隣り合う列間部分３３ａ，３３ａどうしの境に対応する部位２１ｂには、処理ガス流を渦流にする渦形成部材５０が設けられている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスを導入口から略大気圧の放電空間に導きプラズマ化して吹出し口から吹出し、被処理物に当てることによりプラズマ処理を行なう処理装置であって、
（ａ）前記導入口から吹出し口へ向かう方向とは交差する方向に並べられた複数の電極部材からなる第１電極列と、この第１電極列と平行に並べられた他の複数の電極部材からなる第２電極列とを含み、前記並び方向の実質的に同位置に配置された第１電極列の電極部材と第２電極列の電極部材どうしが、互いに逆の極性を有して互いの間に前記放電空間の一部分となる列間部分隙間を形成し、隣り合う列間部分隙間どうしが一列に連通している電極構造と、
（ｂ）前記導入口における隣り合う列間部分どうしの境に対応する部位に設けられ、処理ガス流を渦流にする渦形成部材と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第１電極列の電極部材と第２電極列の電極部材がそれぞれ前記並び方向に延び、ひいては前記列間部分隙間及びその上流側の導入口が前記並び方向に延びていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
更に、前記導入口における列間部分隙間の中間部に対応する部位にも、処理ガス流を渦流にする１又は複数の他の渦形成部材が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記境及び中間部の渦形成部材が、前記導入口の延び方向に等間隔に配置されていることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理ガスを電極間でプラズマ化し、被処理物の表面処理を行なう所謂リモート式のプラズマ処理装置に関し、特に大面積の被処理物の処理に適したプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、処理ガスを電極間の放電空間でプラズマ化して吹出し、搬送手段で送られて来た被処理物に当てる所謂リモート式のプラズマ処理装置が記載されている。該装置の電極は、２つの平らな電極板を平行に対向配置した構造になっている。通常、これら電極板は、被処理物の幅（搬送方向と直交する方向）以上の長さのものが用いられる。したがって、これら電極板の間の放電空間およびそれに連なるプラズマ吹出し口も、被処理物の幅寸法以上の長さになっている。これによって、電極間でプラズマ化した処理ガスを吹出し口の全長域から一様に吹出し、被処理物の全幅を一度にプラズマ処理できる。この結果、処理効率を向上させることができる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１４３７９５号公報（第１頁、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、液晶用ガラス基板などの被処理物は、大型化が進んでおり、例えば１辺が１．５ｍ〜数ｍのものも登場して来ている。このような幅広・大面積の被処理物に対応するには、プラズマ処理装置の電極板を長尺化する必要がある。
しかし、電極板が長くなればなるほど、寸法精度を確保するのが難しくなるだけでなく、両電極板間に作用するクーロン力や、電極を構成する金属本体とその表面の固体誘電体との熱膨張率の違いや電極内部の温度差による熱応力等によって撓みやすくなる。そのため、放電空間の厚さが不均一になりやすく、ひいては表面処理の均一性が損なわれやすい。クーロン力に対抗するには、電極板を厚肉にし剛性を高めることが考えられるが、そうすると電極重量が増大し、これを支える電極支持構造に負担が掛かるだけでなく、材料費や加工費も上昇してしまう。また、電極板の単位面積あたりの供給電力を確保するために、電源を大容量化する必要も出てくる。
そこで、電極を長手方向に複数の電極部材に分割することが考えられるが、その場合、隣り合う電極部材どうしの境で十分なプラズマを得、該境に対応する位置でのプラズマ処理を確保し、処理ムラを防止する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、処理ガスを導入口から放電空間（望ましくは略大気圧の放電空間）に導きプラズマ化して吹出し口から吹出し、被処理物に当てることによりプラズマ処理を行なう処理装置であって、
（ａ）前記導入口から吹出し口へ向かう方向（第１方向）とは交差する方向（第２方向）に並べられた複数の電極部材からなる第１電極列と、この第１電極列と平行に並べられた他の複数の電極部材からなる第２電極列とを含み、前記並び方向（第２方向）の実質的に同位置に配置された第１電極列の電極部材と第２電極列の電極部材どうし（第１方向及び第２方向の何れとも交差する第３方向に対向する電極部材どうし（正対しているのは勿論、多少ずれて対向していてもよい。））が、互いに逆の極性を有して互いの間に前記放電空間の一部分となる列間部分隙間を形成し、隣り合う列間部分隙間どうしが一列に連通している電極構造と、
（ｂ）前記導入口における隣り合う列間部分どうしの境に対応する部位（境側導入口部分）に設けられ、処理ガス流をカルマン渦などの渦流にする渦形成部材と、
を備えたことを特徴とする。
この特徴構成によれば、個々の電極部材の長さを被処理物の幅の数分の１程度に短くすることができる。或いは、被処理物の幅寸法に依らず、個々の電極部材をある短い長さにし、その並び数を調節することによって、被処理物の幅に対応させることができる。これによって、寸法精度の確保が容易になるだけでなく、クーロン力等による電極部材の撓み量を小さくできる。しかも、隣り合う列間部分隙間どうしの境に渦を形成でき、列間部分隙間の上記境寄りの部分でプラズマ化した処理ガスを渦状にして吹出すことができる。これによって、被処理物における上記境に対応する箇所にもプラズマを十分に吹き付けることができる。ひいては、前記撓み抑制効果などと相俟って、表面処理の均一性を十分に確保することができる。電極部材を厚肉にする必要もなく、重量増大を回避して支持構造への負担を軽減でき、材料費等の上昇を抑えることができる。
【０００６】
前記第１電極列の電極部材と第２電極列の電極部材がそれぞれ前記並び方向に延び、ひいては前記列間部分隙間及びその上流側の導入口が前記並び方向に延びていることが望ましい。
更に、前記導入口における列間部分隙間の中間部（上記境を除く部分）に対応する部位（主導入口部分）にも、処理ガス流を渦流にする１又は複数の他の渦形成部材が設けられていることが望ましい。これによって、列間部分隙間の中間部にも渦流を形成することができる。
前記境及び中間部の渦形成部材が、前記導入口の延び方向に等間隔に配置されていることが望ましい。
前記渦形成部材は、その下流側にのみ該渦形成部材の大きさに応じた渦流を形成し、該渦形成部材の配置部位に対応しない部位の処理ガス流には影響を与えないようになっているのが望ましい。
【０００７】
本発明のプラズマ処理は、好ましくは、大気圧近傍の圧力下（略常圧）で実行される。
大気圧近傍とは、１．０１３×１０4〜５０．６６３×１０4Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａ（１００〜８００Ｔｏｒｒ）が好ましく、９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａ（７００〜７８０Ｔｏｒｒ）がより好ましい。
本発明は、好ましくは、大気圧グロー放電すなわち大気圧近傍の圧力下でグロー放電を起こすことによりプラズマを発生させ、処理を実行する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、個々の電極部材の長さを被処理物の幅の数分の１程度に短くすることができる。或いは、被処理物の幅寸法に依らず、個々の電極部材をある短い長さにし、その並び数を調節することによって、被処理物の幅に対応させることができる。これによって、寸法精度の確保が容易になるだけでなく、クーロン力等による電極部材の撓み量を小さくできる。しかも、隣り合う列間部分隙間どうしの境に渦を形成でき、列間部分隙間の上記境寄りの部分でプラズマ化した処理ガスを渦状にして吹出すことができる。これによって、被処理物における上記境に対応する箇所にもプラズマを十分に吹き付けることができる。ひいては、前記撓み抑制効果などと相俟って、表面処理の均一性を十分に確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を説明する。
図１及び図２は、第１実施形態に係るリモート式常圧プラズマ処理装置Ｍを示したものである。プラズマ処理装置Ｍは、処理ヘッド１と、処理ガス源２と、電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃ（図４）と、搬送手段４を備えている。
処理ガス源２には、処理目的に応じた処理ガスが蓄えられている。
【００１０】
図４に示すように、電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃは複数（ここでは３つ）設備されている。これら電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、互いに同一の高周波の連続波やパルス波状の電圧を出力するようになっている。パルス電圧の場合、立上がり時間及び／又は立下り時間は、１０μｓ以下、後記列間部分隙間３３ｐでの電界強度は１０〜１０００ｋＶ／ｃｍ、周波数は０．５ｋＨｚ以上であることが望ましい。これら電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃは互いに同期していてもよく同期していなくてもよい。
【００１１】
図１及び図２に示すように、搬送手段４は、例えばローラコンベアからなり、処理すべき基材Ｗを図１の紙面と直交する前後方向に搬送して処理ヘッド１の下側に通すようになっている。基材Ｗは、例えば大型の液晶用ガラス基板であり、その左右幅方向の寸法は、１．５ｍ〜２ｍ若しくはそれ以上である。基材Ｗは、加熱されていてもよく、冷却されていてもよく、常温に保たれていてもよい。
【００１２】
この基材Ｗに、処理ヘッド１でプラズマ化（励起、活性化、イオン化を含む）された処理ガスが吹き付けられ、プラズマ表面処理が略常圧下で行なわれるようになっている。勿論、基材Ｗが固定され、処理ヘッド１が移動するようになっていてもよい。搬送手段４として、ベルトコンベアや、上下のローラで基材Ｗを挟んで搬送するもの等の他の搬送手段で構成してもよい。
【００１３】
リモート式常圧プラズマ処理装置の処理ヘッド１について詳述する。
図１及び図２に示すように、処理ヘッド１は、軸線を上下（第１方向）に向けるとともに左右（第２方向）に延びている。
【００１４】
処理ヘッド１には、上から順次、ガス均一化部１０と、導入口形成部２０と、電極構造３０と、吹出し口形成部４０が設けられている。
詳細な図示は省略するが、ガス均一化部１０には、チャンバーやスリット等からなるガス均一化路１１が設けられており、このガス均一化路１１によって処理ガス源２からの処理ガスを左右方向に均一化するようになっている。
【００１５】
図１及び図３に示すように、導入口形成部２０には、導入口２１が形成されている。導入口２１は、左右に延びるスリット状をなしている。この導入口２１の上端部の左右全長にガス均一化路１１の下流端の左右全長が連なっている。
【００１６】
図４に示すように、電極構造３０は、前後（第３方向、図４において上下）に対向する第１電極列３１と第２電極列３２を備えている。
第１電極列３１は、複数（ここでは３つ）の電極部材３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃで構成されている。これら電極部材３１Ａ〜３１Ｃは、左右に延びるとともに互いに左右に一列（一直線）に並べられている。隣り合う電極部材３１Ａと３１Ｂどうし、３１Ｂと３１Ｃどうしの間には列内隙間３４が形成されている。
【００１７】
同様に、第２電極列３２は、複数（ここでは３つ）の電極部材３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃで構成されている。これら電極部材３２Ａ〜３２Ｃは、上記第１電極列３１の電極部材３１Ａ〜３１Ｃと同じく左右に延びるとともに互いに左右に一列（一直線）に並べられている。隣り合う電極部材３２Ａと３２Ｂどうし、３２Ｂと３２Ｃどうしの間には列内隙間３４が形成されている。列内隙間３４の厚さ（左右方向に沿う寸法）は、適宜設定される。後記列間隙間３３の厚さ（前後方向に沿う寸法）より若干小さくてもよく、等しくてもよく、若干大きくてもよい。各列内隙間３４の奥側部（他方の電極列側とは反対側）には、列内隙間３４の厚さを維持するためのスペーサ３６が設けられている。
【００１８】
図５に示すように、各電極部材３１Ａ〜３１Ｃ，３２Ａ〜３２Ｃの左右方向の長さは、基材Ｗの左右方向の幅寸法の３分の１（ｎ分の１）程度である。３つの電極部材からなる電極列３１，３２全体の長さひいては電極構造３０の長さは、基材Ｗの左右寸法より少し大きくなっている。
【００１９】
なお、これら電極部材３１Ａ〜３１Ｃ，３２Ａ〜３２Ｃどうしの長さは、互いに同一になっていてもよく異なっていてもよい。
左右方向の同位置に配置された第１電極列３１の電極部材３１Ａと第２電極列３２の電極部材３１Ａどうし、３１Ｂと３２Ｂどうし、３１Ｃと３２Ｃどうしは、それぞれ前後に正対しているが、実質的に同位置であればよく多少ずれていてもよい。
【００２０】
図４に示すように、第１電極列３１と第２電極列３２の間には列間隙間３３が形成されている。
詳述すると、左右方向の同位置に配置された第１電極列３１の電極部材３１Ａと第２電極列３２の電極部材３１Ａどうし、３１Ｂと３２Ｂどうし、３１Ｃと３２Ｃどうしの間にそれぞれ列間部分隙間３３ａ，３３ａ，３３ａが形成されている。各列間部分隙間３３ａは、左右に延びている。
【００２１】
左右に隣り合う列間部分隙間３３ａ，３３ａどうしが、連結隙間３３ｂを介して一列（一直線）に連なっている。連結隙間３３ｂは、４つの電極部材３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂどうし、３１Ｂ，３１Ｃ，３２Ｂ，３２Ｃどうしの角によって形成されている。連結隙間３３ｂは、第１電極列３１の列内隙間３４と第２電極列３２の列内隙間３４にそれぞれ直接連なっている。電極構造３０全体の複数の列間部分隙間３３ａ及び連結隙間３３ｂによって列間隙間３３が構成されている。
【００２２】
列間隙間３３は、左右に延びている。列間隙間３３の左右長さは、導入口２１と略同じ大きさになっている。列間隙間３３の上端部の左右全長が、導入口２１の左右全長に連なっている。
列間隙間３３の前後方向の厚さひいては各列間部分隙間３３ａの厚さ（前後の対向電極部材間の距離）は、１ｍｍ〜３ｍｍ程度が好ましく、１ｍｍ〜２ｍｍ程度がより好ましい。
列間隙間３３の左右長手方向の両端部には、厚さを維持するためのスペーサ３５が設けられている。
【００２３】
電極構造３０の左側部を「第１位置」とし、左側の電極部材３１Ａ，３２Ａ間の列間部分隙間３３ａを「第１列間部分隙間」とすると、中央部が「第１位置の隣の第２位置」となり、中央の電極部材３１Ｂ，３２Ｂ間の列間部分隙間３３ａが「第２列間部分隙間」となる。
電極構造３０の中央部を「第１位置」とし、中央の電極部材３１Ｂ，３２Ｂ間の列間部分隙間３３ａを「第１列間部分隙間」とすると、左側部又は右側部がが「第１位置の隣の第２位置」となり、左側の電極部材３１Ａ，３２Ｂ間の列間部分隙間３３ａ又は右側の電極部材３１Ｃ，３２Ｃ間の列間部分隙間３３ａが「第２列間部分隙間」となる。
電極構造３０の右側部を「第１位置」とし、右側の電極部材３１Ｃ，３２Ｃ間の列間部分隙間３３ａを「第１列間部分隙間」とすると、中央部が「第１位置の隣の第２位置」となり、中央の電極部材３１Ｂ，３２Ｂ間の列間部分隙間３３ａが「第２列間部分隙間」となる。
【００２４】
図４に示すように、電極構造３０の極性配置は、互い違いになっている。すなわち、第１電極列３１の左側の電極部材３１Ａは電源３Ａに、第２電極列３２の中央の電極部材３２Ｂは電源３Ｂに、第１電極列３１の右側の電極部材３１Ｃは電源３Ｃにそれぞれ接続されてホット電極となり、電極部材３２Ａ，３１Ｂ，３２Ｃが電気的に接地されてアース電極となっている。
【００２５】
言い換えると、左右方向の同位置に配置された第１電極列３１の電極部材３１Ａと第２電極列３２の電極部材３１Ａどうし、３１Ｂと３２Ｂどうし、３１Ｃと３２Ｃどうしのうち一方は、電源に接続されてホット電極となり、他方は電気的に接地されてアース電極となっている。
【００２６】
また、第１電極列３１において左右に隣り合う電極部材３１Ａと３１Ｂどうし、３１Ｂと３１Ｃどうしのうち一方は、電源に接続されてホット電極となり、他方は電気的に接地されてアース電極となっている。同様に、第２電極列３２において左右に隣り合う電極部材３２Ａと３２Ｂどうし、３２Ｂと３２Ｃどうしのうち一方は、電源に接続されてホット電極となり、他方は電気的に接地されてアース電極となっている。
【００２７】
電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃからホット電極部材３１Ａ，３２Ｂ，３１Ｃへの電圧供給によって、各列間部分隙間３３ａがプラズマ放電空間となるとともに、各列内隙間３４もプラズマ放電空間となるようになっている。
各列間部分隙間３３ａ又は各列内隙間３４を形成する２つの電極部材のうち少なくとも一方の電極部材のプラズマ放電空間形成面には、固体誘電体層（図示省略）が設けられている。
【００２８】
図５に示すように、吹出し口形成部４０には、吹出し口４１が形成されている。吹出し口４１は、左右に延びるスリット状をなしている。吹出し口４１の左右長さは、列間隙間３３と略同じ大きさになっている。この吹出し口４１の上端部の左右全長に列間隙間３３の下端部の左右全長が連なっている。吹出し口４１の下端部から処理ガスが下方へ吹き出されるようになっている。
【００２９】
図１及び図３に示すように、導入口２１における列間部分隙間３３ａの中間部に対応する部位（主導入口部分２１ａ）には、介在物が一切設けられていない。
これに対し、導入口２１における連結隙間３３ｂ（隣り合う列間部分隙間３３ａ，３３どうしの境）に対応する部位（境側導入口部分２１ｂ）には、渦形成部材５０が設けられている。渦形成部材５０は、セラミックなどの絶縁性かつ耐プラズマ性の材料にて構成するのが望ましい。渦形成部材５０は、軸線を前後に向けた円柱形状をなしている。その大きさ（直径）は、連結隙間３３ｂの左右方向の寸法（左右に隣り合う電極部材どうしの離間距離）より若干大きい程度であり、各電極部材３１Ａ〜３２Ｃの左右方向の長さと比べると十分に小さい。
【００３０】
上記のように構成されたリモート式常圧プラズマ処理装置Ｍ１の作用を説明する。
図６に示すように、処理ガス源２からの処理ガスは、ガス均一化路１１で左右に均一化され、導入口２１へ導入される。そのうち主導入口部分２１ａに導入された処理ガス流ｆａは、渦形成部材５０の影響を受けることなくそのまま真っ直ぐ下方へ流れ、列間部分隙間３３ａへ導入される。別途、ホット電極部材３１Ａ，３２Ｂ，３１Ｃには、それぞれ対応する電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃから電圧が供給される。これによって、各列間部分隙間３３ａが大気圧プラズマ空間となり、そこに導入された処理ガスがプラズマ化される。このプラズマガスが、吹出し口４１の各列間部分隙間３３ａに対応する部分（主吹出し口部分４１ａ）から吹き出され、下方の基材Ｗに当たる。これによって、基材Ｗの列間部分隙間３３ａに対応する箇所Ｗａ（図５）をプラズマ処理することができる。
【００３１】
一方、ガス均一化路１１から導入口２１の境側導入口部分２１ｂに導入された処理ガス流ｆｂは、渦形成部材５０に当たりその外周に沿って左右両側に分かれる。そして、両側の列間部分隙間３３ａ，３３ａを通過することによってプラズマ化されるとともに渦形成部材５０の真下すなわち連結隙間３３ｂに回り込みカルマン渦流ｆｃとなる。そして、吹出し口４１の連結隙間３３ｂに対応する部分（境側吹出し口部分４１ｂ）から吹き出される。これによって、基材Ｗの連結隙間３３ｂに対応する箇所Ｗｂ（図５）をも十分にプラズマ処理することができる。この結果、大面積の基材Ｗの左右全幅を一度に、略均一にプラズマ表面処理することができる。同時に、搬送手段４にて基材Ｗを前後に移動させることにより、基材Ｗの全面を処理することができる。
【００３２】
また、各列内隙間３４でもプラズマ放電が起き、そこに入り込んだ処理ガスをプラズマ化することができる。このプラズマガスが境側吹出し口部分４１ｂから吹き出される。これによって、基材Ｗの連結隙間３３ｂに対応する箇所を一層十分にプラズマ処理でき、処理の一層の均一化を図ることができる。
【００３３】
電極構造３０は、全体として基材Ｗの幅寸法に対応する長さを有する一方、各電極部材３１Ａ〜３２Ｃは、その数分の１（ここでは３分の１）程度の長さしかないため寸法精度を容易に確保できる。それだけでなく、印加電界によってクーロン力が強く働いたり、電極部材３１Ａ〜３２Ｃを構成する金属本体と表面の固体誘電体との熱膨張率の違いや電極部材内部の温度差等で熱応力が発生したりしても、撓み量が大きくならないようにすることができる。これによって、列間部分隙間３３ａの幅を一定に維持することができる。したがって、列間部分隙間３３ａ内での処理ガスの流れを均一に維持でき、ひいては、表面処理の均一性を確実に得ることができる。また、電極部材を剛性アップのために厚肉にする必要がなく、重量増大を回避して支持構造への負担を軽減でき、材料費等の上昇を抑えることができる。
【００３４】
電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、短小の各電極部材３１Ａ．３２Ｂ，３１Ｃごとに設けられているので、各電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃの容量が小さくても、単位面積あたりの投入電力を十分に大きくすることができる。ひいては、処理ガスを十分にプラズマ化することができ、高い処理能力を確保することができる。また、これら電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、互いに別の電極部材に接続されているので、同期させる必要がない。さらに、極性が互い違いになっており、ホット電極部材３１Ａ，３２Ｂ，３１Ｃどうしが左右に隣接していないので、電源３Ａ，３Ｂ，３Ｃどうしが同期していなくても、隣接電極部材どうし間に異常電界が形成されアークが発生するおそれがない。
【００３５】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において、既述の実施形態と重複する構成に関しては、図面に同一符号を付して説明を省略する。
渦形成部材５０の形状は、下流側に渦流を形成できる形状であれば円柱形に限られず多様な断面形状を採用し得る。例えば、図７（ａ）に示すように、半円断面の柱状でもよく、同図（ｂ）に示すように、三角柱形でもよく、同図（ｃ）に示すように、六角柱等の多角形断面の柱状でもよい。或いは、円錐や四角錐等の錐形でもよく球形でもよい。
【００３６】
図７（ａ）において、半円断面の柱状の渦形成部材５０は、半円部を下流方向に向けて配置されているが、平面部を下流方向に向けるように配置してもよい。
図７（ｂ）において、三角柱状の渦形成部材５０は、頂部を下流方向へ向けて配置されているが、平面部を下流方向へ向けるように配置してもよい。
図７（ｃ）において、六角柱状の渦形成部材５０は、平面部を真っ直ぐ下流方向（真下）へ向けて配置されているが、頂部を真下へ向けるように配置してもよい。
円錐や四角錐等の錐形の渦形成部材５０を用いる場合、尖部を下流方向へ向けてもよく、底部を下流方向へ向けてもよい。
【００３７】
図８（ａ）に示す実施形態では、導入口２１における列間部分隙間３３ａの中間部に対応する部位（主導入口部分２１ａ）にも、渦形成部材５０Ａが設けられている。これによって、渦形成部材５０Ａの下流側にもカルマン渦流を形成することができる。
【００３８】
渦形成部材５０Ａは、上記境側の渦形成部材５０と同一形状及び同一の大きさになっているが、渦形成部材５０とは形・大きさを異ならせてもよい。図７に示す渦形成部材５０と同様に、渦形成部材５０Ａについても円柱形状に限られず、半円断面の柱状、三角柱形、六角柱形等の多様な断面形状を採用することができる。
【００３９】
図８（ａ）では、渦形成部材５０Ａは各主導入口部分２１ａのちょうど中央部に１つ設けられているが、図８（ｂ）に示すように、各主導入口部分２１ａに左右に離して２つ設けてもよい。更に、各主導入口部分２１ａに左右に離して３つ以上設けてもよい。
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、これら渦形成部材５０，５０Ａは、導入口２１の長手方向に等間隔置きに配置されているのが望ましいが、配置間隔を異ならせてもよい。
【００４０】
図９に示すように、電極構造３０の極性配置を列ごとに揃えてもよい。すなわち、第１電極列３１のすべての電極部材３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃを電源３に接続することによってホット電極とし、第２電極列３２のすべての電極部材３２Ａ，３２Ｂ．３２Ｃを接地することによってアース電極とする。この場合でも、左右方向の同位置において前後（図９において上下）に対向する電極部材３１Ａと３２Ａどうし、３１Ｂと３２Ｂどうし、３１Ｃと３２Ｃどうしは、互いに極性が異なり、列間部分隙間３３ａがプラズマ放電空間となる。
【００４１】
電源は、すべてのホット電極部材３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃに対し共通の単一電源３が用いられているが、上記第１実施形態と同様に電極部材ごとに異なる電源を用いてもよい。異なる電源を用いる場合には、それら電源どうしの同期を取るか、左右に隣り合うホット電極部材３１Ａと３１Ｂ、３１Ｂと３１Ｃどうし間に絶縁部材を挟むとよい。
【００４２】
各電極列３１，３２において左右に隣り合う電極部材どうしは互いに突き合わされており、スペーサ３６は無く、列内隙間３４及び連結隙間３３ｂは形成されていない。隣り合う列間部分隙間３３ａ，３３ａどうしは、直接的に連通している。図９において仮想線で示すように、これら列間部分隙間３３ａ，３３ａどうしの境の真上に渦形成部材５０が配置されている。
【００４３】
本発明は、上記形態に限定されるものではなく、本発明の精神を逸脱しない限りにおいて種々の改変をなすことができる。
例えば、渦形成部材５０，５０Ａによって形成される渦流は、カルマン渦流に限らず、双子渦流でもよく、乱流でもよい。渦の形態は、渦形成部材５０，５０Ａの大きさ、処理ガスの流速、密度、粘性等によって操作することができる。
第１実施形態において、導入口形成部２０に列内隙間３４の上流端へ直接連なる導入枝路を設けてもよく、吹出し口形成部４０に列内隙間３４の下流端に直接連なる吹出し枝路を設けてもよい。
第１実施形態において各電極列３１，３２の左右に隣り合う電極部材どうし間の奥側のスペーサ３６（図４）の前後方向の寸法や配置位置を調節することにより、列内隙間３４の処理ガス通路としての大きさを適宜調節することにしてもよい。
各電極列３１，３２の左右に隣り合う電極部材どうし間を絶縁性の隔壁で埋め、列内隙間が形成されないようにしてもよい。
列間隙間３３の下流端が、そのまま吹出し口になっていてもよい。
電極構造３０を、前後に複数段配置することにしてもよい。
本発明は、洗浄、成膜、エッチング、表面改質（親水性処理や撥水性処理等）、アッシング等の種々のプラズマ表面処理に遍く適用でき、グロー放電に限らず、コロナ放電、沿面放電、アーク放電などによるプラズマ表面処理にも適用でき、略常圧に限らず減圧下でのプラズマ表面処理にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】第１実施形態のリモート式常圧プラズマ処理装置を示し、図２のI−I線に沿う上記装置の処理ヘッドの正面断面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う上記処理ヘッドの側面断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿う上記処理ヘッドの導入口形成部の平面断面図である。
【図４】図１のIV−IV線に沿う上記処理ヘッドの電極構造の平面断面図である。
【図５】図１のV−V線に沿う上記処理ヘッドの吹出し口形成部の平面断面図である。
【図６】上記処理ヘッドの処理ガス流を矢印で示す正面断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、渦形成部材の変形例を示す断面図である。
【図８（ａ）】渦形成部材を境側導入口部分に加え主導入口部分にも設けた実施形態を示す正面断面図である。
【図８（ｂ）】渦形成部材を境側導入口部分に加え主導入口部分にも設けた実施形態の他の態様を示す正面断面図である。
【図９】電極構造の極性配置の変形例を示す平面断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
Ｍ      プラズマ処理装置
Ｗ      基材（被処理物）
Ｗａ    基材の列間部分隙間に対応する箇所
Ｗｂ    基材の連結隙間に対応する箇所
ｆａ    主導入口部分に導入された処理ガス流
ｆｂ    境側導入口部分に導入された処理ガス流
ｆｃ    渦流
１      処理ヘッド
２      処理ガス源
３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３  電源
４      搬送手段
１０    ガス均一化部
１１    ガス均一化路
２０    導入口形成部
２１    導入口
２１ａ  主導入口部分（導入口における列間部分隙間の中間部に対応する部位）
２１ｂ  境側導入口部分（導入口における列間部分どうしの境に対応する部位）
３０    電極構造
３１    第１電極列
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ  第１電極列の電極部材
３２    第２電極列
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ  第２電極列の電極部材
３３    列間隙間
３３ａ  列間部分隙間
３３ｂ  連結隙間
３４    列内隙間
３５    第１電極列の電極部材と第２電極列の電極部材の間隔維持用のスペーサ
３６    各電極列の隣接電極部材どうしの間隔維持用のスペーサ
４０    吹出し口形成部
４１    吹出し口
４１ａ  主吹出し口部分
４１ｂ  境側吹出し口部分
５０    境側導入口部分の渦形成部材
５０Ａ  主導入口部分の渦形成部材（他の渦形成部材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８（ａ）】
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【図８（ｂ）】
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【図９】
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