(57)【要約】【課題】製造工程中において必要とされるプロセスモニターの性能を損なうことなく当該プロセスモニターを撮像素子領域の外側に配置でき、これにより撮像素子領域の縮小化を図ることが可能な固体撮像装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】撮像素子領域２の外側に撮像素子領域２に近接して設けられたプロセスモニターを備えている。そしてさらに、このプロセスモニターのモニター電極８に達するパッド開口２１ａを有すると共に、プロセスモニターの上方から撮像素子領域２までを連続して覆う状態で基板１上に設けられた絶縁膜１１〜１３を備えている。【選択図】図７
2006202865.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上における撮像素子領域の外側に当該撮像素子領域に近接して設けられたプロセスモニターと、
前記プロセスモニターのモニター電極に達するパッド開口を有すると共に当該プロセスモニターの上方から前記撮像素子領域までを連続して覆う状態で前記基板上に設けられた絶縁膜とを備えた
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像装置において、
前記絶縁膜の平面視的な外形形状が矩形である
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
請求項１記載の固体撮像装置において、
前記撮像素子領域にはオンチップ・マイクロレンズが配列形成されており、
前記絶縁膜の最上層が前記オンチップ・マイクロレンズを構成する材料層で覆われている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項４】
基板上に配列形成された複数の撮像素子領域の外側に、当該撮像素子領域に近接してプロセスモニターを形成する第１工程と、
前記プロセスモニターを覆う状態で、前記基板上に絶縁膜を成膜する第２工程と、
前記絶縁膜をパターニングすることにより、前記プロセスモニターの上方から前記撮像素子領域までを当該絶縁膜によって連続して覆う状態で当該撮像素子領域間を分離する溝開口と、当該プロセスモニターのモニター電極に達するパッド開口とを、当該絶縁膜に形成する第３工程とを行う
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第２工程と前記第３工程との間に、
前記絶縁膜上にさらに第１のレンズ形成膜を成膜する工程と、
前記第１のレンズ形成膜をパターニングすることにより、前記プロセスモニターの上方から前記撮像素子領域までを当該第１のレンズ形成膜によって連続して覆う状態で当該撮像素子領域間を分離する溝パターンと、当該プロセスモニターのモニター電極上を開口する孔パターンとを、当該第１のレンズ形成膜に形成する工程と、
前記パターニングされた第１のレンズ形成膜を覆う状態で、前記絶縁膜上に第２のレンズ形成膜を成膜する工程と、
前記第２のレンズ形成膜をパターニングすることにより前記複数の撮像素子領域内にレンズパターンを配列形成する工程と、
前記レンズパターンをレンズ形状に整形した後、当該レンズパターンをマスクにして前記第１のレンズ形成膜をエッチングすることにより、当該レンズパターンのレンズ形状を前記第１のレンズ形成膜に転写してなるオンチップ・マイクロレンズを形成する工程とをこの順に行う
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第１のレンズ形成膜をパターニングする工程では、前記溝パターンの形成による当該第１のレンズ形成膜の平面視的な外形形状を矩形とする
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
請求項４記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第３工程の後、
前記パターニングされた絶縁膜を覆う状態でレンズ形成膜を成膜し、当該レンズ形成膜をパターニングすることにより前記複数の撮像素子領域内にレンズパターンを配列形成する第４工程と、
前記レンズパターンを整形することによってオンチップ・マイクロレンズを形成する第５工程とを行う
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記溝開口の形成による前記絶縁膜の平面視的な外形形状を矩形とする
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
請求項４記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第３工程の後に、前記溝開口の底部から前記基板を掘り下げることにより、前記複数の撮像素子領域を分割する工程を行う
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法に関し、特にはオンチップ・マイクロレンズを備えた固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ（Charge Coupled Device）撮像素子や、ＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像素子では、画素数の増大とチップサイズの小型化において著しい進歩を遂げてきた。この際、感度ムラや色ムラの防止と高い集光効率を実現するため、平坦化絶縁膜の上部にレンズ（オンチップ・レンズ）を形成し、カラーフィルタやレンズ形成工程についても工夫が施されている。
【０００３】
このような一例として、基板上に配置される複数の撮像素子領域を分離する素子分離領域（いわゆるスクライブライン）に、固体撮像素子の製造工程中で成膜した導電性膜を残してパターニングする方法が提案されている。これにより、以降の工程において、固体撮像素子を構成する導電性パターンを覆う状態で平坦化絶縁膜を形成した場合、平坦化絶縁膜の下地段差が基板の全域で均一化され、スクライブライン領域の近辺の撮像素子領域においても平坦化絶縁膜の表面平坦性を良好に保つことができる。したがって、このように表面平坦性が良好な平坦化絶縁膜上にオンチップ・マイクロレンズを配列形成することが可能になり、感度ムラや色むらを防止することができる（以上、下記特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２３４４６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、一般的な固体撮像装置においては、その素子領域内に、固体撮像素子を構成する駆動回路を検査するためのプロセスモニターが作り込まれている。そして、固体撮像装置の製造工程の最終段階においては、このプロセスモニターの端子であるモニター電極を介しての電気的導通により、固体撮像装置内における駆動回路の検査が行われる。
【０００６】
しかしながら、このようなプロセスモニターは、固体撮像装置が完成した後には不要であり、このようなプロセスモニターが、撮像素子領域の縮小化を妨げ、さらにはチップサイズの小型化を妨げる要因となっていた。
【０００７】
そこで本発明は、製造工程中において必要とされるプロセスモニターの性能を損なうことなく当該プロセスモニターを撮像素子領域の外側に配置でき、これにより撮像素子領域の縮小化を図ることが可能な固体撮像装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上のような目的を達成するための本発明の固体撮像装置は、撮像素子領域の外側に当該撮像素子領域に近接して設けられたプロセスモニターを備えている。そしてさらに、このプロセスモニターのモニター電極に達するパッド開口を有すると共に、プロセスモニターの上方から撮像素子領域までを連続して覆う状態で基板上に設けられた絶縁膜を備えている。
【０００９】
このような構成の固体撮像装置では、撮像素子領域の外側にプロセスモニターを設けたことにより、撮像素子領域内にプロセスモニターを設けた場合と比較して撮像素子領域自体が縮小される。また、プロセスモニターを撮像素子領域に近接して設け、このプロセスモニターと撮像素子領域とを絶縁膜によって連続して覆った構成としている。このため、撮像素子領域の外側に配置されるプロセスモニターに対しても、撮像素子領域の内部に形成される素子と同一の処理が最終工程まで施されることになり、当該プロセスモニターを用いて精度良好に撮像素子領域の素子機能が検査される。
【００１０】
また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、次の第１〜第３工程を行うことを特徴としている。先ず、第１工程では、基板上に配列形成された複数の撮像素子領域の外側に、当該撮像素子領域に近接してプロセスモニターを形成する。次いで第２工程では、プロセスモニターを覆う状態で、基板上に絶縁膜を成膜する。その後第３工程では、絶縁膜をパターニングすることにより、プロセスモニターの上方から撮像素子領域までを当該絶縁膜によって連続して覆う状態で当該撮像素子領域間を分離する溝開口と、プロセスモニターのモニター電極に達するパッド開口とを、当該絶縁膜に形成する。
【００１１】
このような製造方法により、上述した構成の固体撮像装置が得られる。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、本発明の固体撮像装置およびその製造方法によれば、製造工程中において必要とされるプロセスモニターの性能を損なうことなく当該プロセスモニターを撮像素子領域の外側に配置でき、これにより撮像素子領域の縮小化を図ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を、固体撮像装置の製造方法、これによって得られる固体撮像装置の構成の順に、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１４】
＜第１実施形態＞
図１は、固体撮像装置が形成される基板の平面図である。この図に示すように、固体撮像装置が形成される基板（半導体基板）１は、複数の撮像素子領域２がマトリックス状に配置され、これらの撮像素子領域２間は、素子分離領域（いわゆるスクライブライン）３で分離されている。そして先ず、このような基板１における撮像素子領域２の表面側に、ここでの図示を省略した拡散層パターンや導電性パターンからなるフォトダイオードや駆動用トランジスタを形成する。また、基板１における素子分離領域３の表面側には、同様の工程でプロセスモニター用の拡散層パターンや導電性パターンを必要に応じて形成する。
【００１５】
しかる後、図２（ａ）の平面図および図２（ｂ）の断面図に示すように、基板１の表面側を例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）や窒化シリコンからなる？第１の絶縁膜５（断面図のみに図示）で覆う。尚、図２（ａ）の平面図は、図１におけるＢ部の拡大図に相当する。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’断面に相当する。
【００１６】
次いで、この第１の絶縁膜５に形成した接続孔を介して、基板１表面の拡散層パターンや導電性パターンに接続された配線電極６，パッド電極７，モニター電極８を、例えばアルミニウム（Ａｌ）のような導電性材料を用いて形成する。これらの配線電極６，パッド電極７，およびモニター電極８は、多層配線構造においては最上層の導電パターンで構成されることとする。このうち、配線電極６は撮像素子領域２の中央部に設定された画素領域２ａに形成され、パッド電極７は撮像素子領域２の周縁部に設定された周辺領域２ｂに形成される。また、モニター電極８は、素子分離領域３におけるダイシングライン３ａを避けた部分で、各撮像素子領域２に隣接して形成される。ここで、素子分離領域３は、隣接配置された２つの素子分離領域３間の中央付近から一方（図面では左方）の撮像素子領域２に沿った領域をダイシングライン３ａとしている。このダイシングライン３ａは、最終工程において基板１を分割する部分となる。
【００１７】
尚、素子分離領域３の中央部には、配線電極６，パッド電極７，モニター電極８と同一層からなるマークパターン９（平面図のみに図示）も形成される。このマークパターン９は、例えば以降のパターニング工程での位置合わせに用いられ、その一部がダイシングライン内に配置される。
【００１８】
次に、図３（１）に示すように、配線電極６，パッド電極７，およびモニター電極８等を覆う状態で、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる第２の絶縁膜１１、プラズマＣＶＤ法によって形成した窒化シリコン膜１２、さらにレジスト材料等の有機材料からなる塗布絶縁膜１３をこの順に成膜する。
【００１９】
その後、図３（２）に示すように、塗布絶縁膜１３上に、カラーフィルタ層１４をパターン形成する。このカラーフィルタ層１４は、レジスト材料からなり、撮像素子領域２における画素領域２ａ上に選択的に形成され、撮像素子領域２における周辺領域２ｂおよび素子分離領域３上からは除去される。これにより画素領域２ａに配列された各画素の上には、最適な色のレジスト（カラーフィルタ）を配置する。
【００２０】
次に、このカラーフィルタ層１４を覆う状態で、塗布絶縁膜１３上にオンチップ・レンズを形成するための第1のレンズ形成膜１５を塗布成膜する。第1のレンズ形成膜１５は、有機材料からなり、２〜４μｍ程度の膜厚で成膜されることとする。
【００２１】
その後、この第１のレンズ形成膜１５をパターニングすることにより、パッド電極７およびモニター電極８上に孔パターン１５ａを形成する。またこのパターニング工程では、素子分離領域３におけるダイシングライン３ａ上を開口するように溝パターン１５ｂを設ける。
【００２２】
図４には、パターニングされた第１のレンズ形成膜１５の一部を切り欠いた平面図を示す。この図に示すように、第１のレンズ形成膜１５に、ダイシングライン３ａ上を開口するように溝パターン１５ｂを設けることにより、第１のレンズ形成膜１５の平面視な外形形状を、矩形形状とする。ここで、モニター電極８が設けられていない素子分離領域３部分、例えば図面上における上下の撮像素子領域２間は、全領域がダイシングライン３ａとなる。また、素子分離領域３の中央に設けられたマークパターン９は、一部が第１のレンズ形成膜１５で覆われた状態となる。尚、図４は、図１におけるＢ部に対応しており、一部を切り欠いて拡大した平面図となっている。このため、第１のレンズ形成膜１５の一方向の端部は示されていないが、この第１のレンズ形成膜１５の外形形状は、矩形となっているのである。
【００２３】
以上のような外形形状に第１のレンズ形成膜１５をパターニングした後、図５（１）に示すように、第１のレンズ形成膜１５に形成した孔パターン１５ａ内に、パッド電極７上、およびモニター電極８上を保護するための保護膜１６を埋め込む。この保護膜１６は、例えばレジスト材料からなり、レジスト材料を塗布した後、これをリソグラフィー処理によってパターニングすることにより、孔パターン１５ａ内のみを埋め込む形状に形成される。尚、溝パターン１５ｂ内のレジスト材料は除去する。
【００２４】
次に、図５（２）に示すように、基板１上の全面に、第１のレンズ形成膜１５を覆う状態で、第２のレンズ形成膜１８を成膜する。第２のレンズ形成膜１８は、例えば有機材料からなり、レジスト材料であっても良い。
【００２５】
次に、図５（３）に示すように、第２のレンズ形成膜１８をパターニングすることにより、オンチップ・マイクロレンズの形成部分に対応させて第２のレンズ形成膜１８からなるレンズパターン１８ａを配置する。このレンズパターン１８ａは、撮像素子領域２における画素領域２ａのカラーフィルタ層１４の上方に、各画素部に対応させてマトリックス状に配列形成される。ただし、図面においては、各画素領域２ａに１つのレンズパターン１８ａのみを図示した。
【００２６】
次に、図６（１）に示すように、リフロー処理によってレンズパターン１８ａをレンズ形状に整形する。
【００２７】
しかる後、図６（２）に示すように、レンズ形状に整形されたレンズパターン１８ａ上からのエッチングにより、レンズパターン１８ａおよび第１のレンズ形成膜１５をエッチバックし、これによりレンズパターン１８ａのレンズ形状を第１のレンズ形成膜１５に転写したオンチップ・マイクロレンズ１９を形成する。このエッチングでは、レジスト材料からなる保護膜１６およびその下層の塗布絶縁膜１３をエッチング除去する。
【００２８】
またさらに図６（３）に示すように、上記エッチングによって、引き続き窒化シリコン膜１２、酸化シリコンからなる第２の絶縁膜１１をエッチング除去する。これにより、パッド電極７およびモニター電極８にそれぞれ達するパッド開口２１ａを形成すると共に、素子分離領域３におけるダイシングライン３ａに沿って溝開口２１ｂを形成する。尚、図示したように、オンチップ・マイクロレンズ１９以外の部分に、第１のレンズ形成膜１５をパッシベーション膜として残す条件でエッチングを行う事が好ましい。
【００２９】
これにより、パッド電極７およびモニター電極８にそれぞれ達するパッド開口２１ａを形成すると共に、素子分離領域３におけるダイシングライン３ａに沿って溝開口２１ｂを形成する。尚、スクライブライン３ａ上においては、図示したように第２の絶縁膜１１が残っていても良く、またエッチング条件を調整することにより、酸化シリコンからなる第２の絶縁膜１１および第１の絶縁膜５が除去されて基板１が露出した状態となっても良い。
【００３０】
また、以上のようにしてパッド開口２１ａの底部にパッド電極７およびモニター電極８を露出させた状態で、素子分離領域３に形成されたプロセスモニターのモニター電極８を介しての電気的導通により、撮像素子領域２内における駆動回路の検査を行う。
【００３１】
以上の後、図７に示すように、ダイシングライン３ａに沿って形成された溝開口２１ｂ内にダイシング用のブレードを当てて基板１を切削して掘り下げ、各撮像素子領域２を分割して複数の固体撮像装置２３を得る。
【００３２】
以上のようにして、各個体撮像領域２にオンチップ・マイクロレンズ１９が設けられた固体撮像装置２３が得られる。
【００３３】
以上説明した第１実施形態の製造方法によれば、基板１上における撮像素子領域２の外側に、この撮像素子領域２に近接してプロセスモニター（モニター電極８）が設けられた固体撮像装置２３が得られる。
【００３４】
そして、この基板１上には、モニター電極８に達するパッド開口２１ａを有すると共に、このモニター電極８を備えたプロセスモニターの上方から撮像素子領域２までを連続して覆う絶縁膜１１〜１３が設けられ、さらにその最上部には、第１のレンズ形成膜１５がパッシベーション膜として残された状態となっている。したがって、撮像素子領域２の外側に配置されるプロセスモニターに対しても、撮像素子領域の内部に形成される素子と同一の処理が最終工程まで施されることになり、図６（３）を用いて説明したように、プロセスモニターを用いて精度良好に撮像素子領域の素子機能の検査を行うことが可能である。
【００３５】
この結果、製造工程中において必要とされるプロセスモニターの性能を損なうことなく当該プロセスモニターを撮像素子領域の外側に配置でき、これにより撮像素子領域の縮小化を図ることが可能になる。
【００３６】
そして特に、図３（２）および図４を用いて説明したように、第１のレンズ形成膜１５の外形形状を矩形にパターニングした状態で、図５（２）に示すように第２のレンズ形成膜１８を塗布成膜するため、撮像素子領域２における第２のレンズ形成膜１８の塗布ムラが防止される。したがって、撮像素子領域２の全面に均一なオンチップ・マイクロレンズを形成することが可能になる。この結果、感度ムラのない固体撮像装置を得ることが可能になる。
【００３７】
また、上述した図３（２）および図４を用いて説明した第１のレンズ形成膜１５のパターニング工程の後に、図５（１）を用いて説明したように保護膜１６を形成する工程を行うことで、撮像素子領域２における下地段差が軽減される。これにより、次の図５（２）を用いて説明した第２のレンズ形成膜１８の塗布成膜においては、さらに第２のレンズ形成膜１８の塗布ムラを防止する効果が高くなる。
【００３８】
尚、上述したような第２のレンズ形成膜１８の塗布ムラを防止する効果は低くなるが、図３（２）および図４を用いて説明したパターニング工程における第１のレンズ形成膜１５の外形形状は、図８の平面図に示すように、撮像素子領域２からモニター電極８を備えたプロセスモニター上方までを連続して覆う形状であれば、外形形状が矩形形状でなくてもよい。このような構成であっても、製造工程中において必要とされるプロセスモニターの性能を損なうことなく当該プロセスモニターを撮像素子領域の外側に配置でき、これにより撮像素子領域２の縮小化を図ることが可能である。
【００３９】
＜第２実施形態＞
図９は、第２実施形態の製造方法を説明するための断面工程図である。本第２実施形態の製造方法が、上述した第１実施形態の製造方法と異なる点は、画素領域に層内レンズを形成する工程を行うところにあり、次の手順で行われる。尚、第１実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４０】
先ず、上述した第１実施形態において、図２を用いて説明したように、基板１上に配線電極６，パッド電極７，モニター電極８，およびマークパターン９を形成するまでを行う。その後、図９（１）に示すように、これらを覆う状態で第２の絶縁膜１１を成膜した後、この第２の絶縁膜１１上に層内レンズ３１を形成する工程を行う。この層内レンズ３１は、上述したオンチップ・マイクロレンズの形成位置に対応させて配置する。また、この層内レンズ３１の形成は、例えば、第１実施形態において図３（２）〜図６（２）を用いて説明したオンチップ・マイクロレンズの形成と同様に行われる。ただし、図３（２）に対応する工程では、層内レンズ３１を構成する材料膜は、例えば撮像素子領域２における画素領域２ａのみに残されるようにパターニングされることとする。
【００４１】
以上の後は、再び図９（１）に戻り、この層内レンズ３１を覆う状態で、プラズマＣＶＤ法によって形成した窒化シリコン膜１２、塗布絶縁膜１３をこの順に成膜し、さらに上述した第１実施形態において図３（２）以降を用いて説明したと同様の工程を行うことにより、図９（２）に示すように、撮像素子領域２内に、オンチップ・レンズ１９と共に層内レンズ３１を有する固体撮像装置２４を得る。
【００４２】
このような製造方法であっても、図３（２）以降の工程が第１実施形態と同様に行われるため、この基板１上には、モニター電極８に達するパッド開口２１ａを有すると共に、このモニター電極８を備えたプロセスモニターの上方から撮像素子領域２までを連続して覆う絶縁膜１１〜１３が設けられ、さらにその最上部には、第１のレンズ形成膜１５がパッシベーション膜として残された状態となる。したがって、第１実施形態と同様に、製造工程中において必要とされるプロセスモニターの性能を損なうことなく当該プロセスモニターを撮像素子領域の外側に配置でき、これにより撮像素子領域の縮小化を図ることが可能になる。
【００４３】
また、図３（２）に示す工程において、第１のレンズ形成膜１５の外形形状を矩形にパターニングした場合には、感度ムラのない固体撮像装置を得ることが可能になる。
【００４４】
＜第３実施形態＞
図１０および図１１は、第３実施形態の製造方法を説明する断面工程図である。本第３実施形態の製造方法が、上述した第１実施形態の製造方法と異なる点は、オンチップ・マイクロレンズの形成をリフロー処理のみで行うところにあり、次の手順で行われる。尚、第１実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４５】
先ず、上述した第１実施形態において、図３（１）を用いて説明したように配線電極６，パッド電極７，モニター電極８，およびマークパターン９を覆う状態で、第２の絶縁膜１１、窒化シリコン膜１２、さらに塗布絶縁膜１３をこの順に成膜するまでを同様に行う。
【００４６】
次に、図１０（１）に示すように、塗布絶縁膜１３、窒化シリコン膜１２、第２の絶縁膜１１をパターニングし、パッド電極７およびモニター電極８にそれぞれ達するパッド開口２１ａを形成すると共に、素子分離領域３におけるダイシングライン３ａに沿って溝開口２１ｂを形成する。尚、このパターニング工程は、ここでの図示を省略したレジストパターンをマスクに用いたエッチングによって行い、エッチングが終了した後にはレジストパターンを除去する工程を行う。また、スクライブライン３ａ上においては、図示したように第２の絶縁膜１１が残っていても良く、またエッチング条件を調整することにより、酸化シリコンからなる第２の絶縁膜１１および第１の絶縁膜５が除去されて基板１が露出した状態となっても良い。
【００４７】
そして、以上のようなパターニング後の塗布絶縁膜１３の平面形状は、第１実施形態において図４を用いて説明した第１のレンズ形成膜１５の平面形状と同様であり、ダイシングライン３ａ上を開口するように溝パターン１５ｂを設けることにより、外形形状が矩形形状となるようにする。
【００４８】
その後、図１０（２）に示すように、塗布絶縁膜１３上に、カラーフィルタ層１４をパターン形成する。
【００４９】
次いで、カラーフィルタ層１４を覆う状態で、基板１上の全面に、レジスト材料からなるレンズ形成膜を成膜し、このレンズ形成膜をパターニングすることによって、レンズパターン３３ａを形成する。このレンズパターン３３ａは、撮像素子領域２における画素領域２ａのカラーフィルタ１４上に、各画素部に対応させてマトリックス状に配列形成される。ただし、図面においては、各画素領域２ａに１つのレンズパターン３３ａのみを示した。また、このレンズパターン３３ａの形成と同一工程で、素子分離領域３のダイシングライン３ａ以外の部分に膜パターン３３ｂを残す。この膜パターン３３ｂには、モニター電極８に達するパッド開口２１ｂを開口する、孔部３３ｃを設ける。
【００５０】
以上の後、図１０（３）に示すように、リフロー処理によってレンズパターン３３ａをレンズ形状に整形したオンチップ・マイクロレンズ３５を形成する。この工程では、素子分離領域３に形成した膜パターン３３ｂもリフロー処理されることになる。しかしながら、実際には、この膜パターン３３ｂはレンズパターン３３ａよりも幅が充分に広いため、レンズ形状にはならず、肩部が丸みを帯びる程度に整形される。
【００５１】
しかる後、図１１に示すように、ダイシングライン３ａに沿って形成された溝開口２１ｂ内にダイシング用のブレードを当てて基板１を切削し、各撮像素子領域２を分割して複数の固体撮像装置２５を得る。
【００５２】
尚、このような撮像素子領域２の分割の前で、かつ図１０（１）を用いて説明したように、パッド開口２１ａの底部にパッド電極７およびモニター電極８を露出させた後の何れかのタイミングで、素子分離領域３に形成されたプロセスモニターのモニター電極８を介しての電気的導通により、撮像素子領域２内における駆動回路の検査を行う。
【００５３】
以上のようにして、各個体撮像領域２にオンチップ・マイクロレンズ３５が設けられた固体撮像装置２３が得られる。
【００５４】
以上説明した第３実施形態の製造方法であっても、基板１上における撮像素子領域２の外側に、この撮像素子領域２に近接してプロセスモニター（モニター電極８）が設けられ、さらにモニター電極８に達するパッド開口２１ａを有すると共に、このモニター電極８を備えたプロセスモニターの上方から撮像素子領域２までを連続して覆う絶縁膜１１〜１３が設けられた固体撮像装置２５が得られる。また、プロセスモニターが配置されている素子分離領域３上には、レンズ形成膜からなる膜パターン３３ｂが残される。このため、第１実施形態と同様に、製造工程中において必要とされるプロセスモニターの性能を損なうことなく当該プロセスモニターを撮像素子領域の外側に配置でき、これにより撮像素子領域の縮小化を図ることが可能になる。
【００５５】
また、そして特に、図１０（１）を用いて説明したように、絶縁膜１１〜１３の外形形状を矩形にパターニングした状態で、図１０（２）に示すようにレンズ形成膜を塗布成膜する手順であるため、撮像素子領域２におけるレンズ形成膜の塗布ムラが防止される。したがって、撮像素子領域２の全面に均一なオンチップ・マイクロレンズ３５を形成することが可能になる。この結果、感度ムラを抑えた固体撮像装置を得ることが可能になる。
【００５６】
尚、本第３実施形態においても、図１０（１）を用いて説明したパターニング工程における絶縁膜１１〜１３の外形形状は、図８の平面図に示すように、撮像素子領域２からモニター電極８を備えたプロセスモニター上方までを連続して覆う形状であれば、外形形状が矩形形状でなくてもよい。このような構成であっても、製造工程中において必要とされるプロセスモニターの性能を損なうことなく当該プロセスモニターを撮像素子領域の外側に配置でき、これにより撮像素子領域の縮小化を図ることが可能である。
【００５７】
また、上述した第３実施形態においても、第２実施形態と組み合わせて層内レンズを形成する工程を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】第１実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する平面図である。
【図２】図１の一部を拡大した平面図およびそのＡ−Ａ’断面図である。
【図３】第１実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す断面工程図（その１）である。
【図４】図３（２）に対応する平面図である。
【図５】第１実施形態の製造方法を示す断面工程図（その２）である。
【図６】第１実施形態の製造方法を示す断面工程図（その３）である。
【図７】第１実施形態の製造方法を示す断面工程図（その４）である。
【図８】第１実施形態の他の例を示す平面図である。
【図９】第２実施形態の製造方法を示す断面工程図である。
【図１０】第３実施形態の製造方法を示す断面工程図（その１）である。
【図１１】第３実施形態の製造方法を示す断面工程図（その２）である。
【符号の説明】
【００５９】
１…基板、２…撮像素子領域、８…モニター電極、１１…第２の絶縁膜（絶縁膜）、１２…窒化シリコン膜（絶縁膜）、１３…塗布絶縁膜（絶縁膜）、１５…第１のレンズ形成膜、１５ａ…孔パターン、１５ｂ…溝パターン、１８…第２のレンズ形成膜、１８ａ，３３ａ…レンズパターン、１９，３５…オンチップ・マイクロレンズ、２１ａ…パッド開口、２１ｂ…溝開口、２３，２４，２５…固体撮像装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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