(57)【要約】【課題】  近赤外線を発振する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から得られる近赤外線を第２高調波によって所定波長の可視光に変換する波長変換部と、前記半導体レーザ素子から発振された前記近赤外線を前記波長変換部に導く光ファイバとがベース部材に配置された半導体レーザ光源装置を、装置の組立て時やメンテナンス時などに光ファイバが傷付けられ難く、また、環境温度が変動しても出力が不安定とならないようにする。【解決手段】  ベース部材２１に光ファイバＦを収納する環状の収納溝３７を形成し、収納溝３７が、光ファイバＦを固定するための第１領域３７ａと、光ファイバＦの長さに関する目標値からの偏差を吸収するために第１領域よりも広い幅を有する巻き径調節用の第２領域３７ｂとを有する半導体レーザ光源装置とした。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
近赤外線を発振する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から得られる近赤外線を第２高調波によって所定波長の可視光に変換する波長変換部と、前記半導体レーザ素子から発振された前記近赤外線を前記波長変換部に導く光ファイバとがベース部材に配置された半導体レーザ光源装置であって、
前記ベース部材に、前記光ファイバを収納する環状の収納溝が形成されており、前記収納溝が、前記光ファイバを固定するための第１領域と、前記光ファイバの長さに関する目標値からの偏差を吸収するために前記第１領域よりも広い幅を有する巻き径調節用の第２領域とを有する半導体レーザ光源装置。
【請求項２】
前記第１領域と前記第２領域とは曲線状の遷移領域を介して滑らかに連続している請求項１に記載の半導体レーザ光源装置。
【請求項３】
前記収納溝が長円形を呈しており、前記長円形の長辺が前記第１領域を構成し、前記長円形の短辺が前記第２領域を構成している請求項１または２に記載の半導体レーザ光源装置。
【請求項４】
前記半導体レーザ素子と前記波長変換部とが前記長円形の内部に同長円形の長軸に沿って並設されており、前記第２領域は前記半導体レーザ素子から遠隔側の短辺に設けられている請求項３に記載の半導体レーザ光源装置。
【請求項５】
前記光ファイバの一部に特定波長の光を反射するファイバ・ブラッグ・グレーティングが設けられており、前記半導体レーザ素子と前記ファイバ・ブラッグ・グレーティングとを同時に温調する温調素子が前記長円形の長辺に沿って設けられている請求項４に記載の半導体レーザ光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近赤外線を発振する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から得られる近赤外線を第２高調波によって所定波長の可視光に変換する波長変換部と、前記半導体レーザ素子から発振された前記近赤外線を前記波長変換部に導く光ファイバとがベース部材に配置された半導体レーザ光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体レーザ光源装置としては、近赤外線からなるレーザ光を基本波として発振する半導体レーザ素子と、この基本波の第２高調波としてＧ（緑色）光或いはＢ（青色）光の可視光を出力する波長変換素子とを用いることで、印画紙などにＲＧＢの３色からなるカラー画像を露光する写真処理装置における露光エンジン用に使用されているものがある。尚、半導体レーザ光源装置を写真処理装置における印画紙の露光エンジンとして用い、装置で得られるレーザ光の出力を高めるために、特定波長の光を反射するファイバ・ブラッグ・グレーティング（ＦＢＧ）を半導体レーザ素子と波長変換部との間に設けた場合、光ファイバの基準長さは、例えば緑色光（Ｇ）用では、半導体レーザ光源装置からＦＢＧまでが１０６０ｍｍ、ＦＢＧから波長変換部までが５３８ｍｍとされている。そして、上記の従来技術による半導体レーザ光源装置では、半導体レーザ素子とＳＨＧ素子などからなる波長変換部とは、板状などのベース部材の上に設置され、両素子の間を光学的に接続する一般に１メートル以上に及ぶ長尺の光ファイバは、光源装置を小型化するために、何重かに巻き回されたループ状にして、半導体レーザ素子及び波長変換素子を取り囲むようにベース部材上に仮止めされている。
尚、上記従来技術について開示した公報は、本発明の出願時点で該当するものが見当たらない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上記の従来技術による半導体レーザ光源装置では、ループ状に束ねられた長尺の光ファイバが、ベース部材上に樹脂バンド等によって仮止めされているだけなので、装置の組立て時やメンテナンス時などに光ファイバが傷付けられ易いという問題があった。また、光ファイバの位置が不安定なため、環境温度の変動によって光ファイバの曲率が変化し、光ファイバの終端部における偏光面が回転して、波長変換部に用いられる結晶の偏光面との相対関係が変化して、波長変換部による波長変換効率に影響を及ぼし、光源装置からの出力が不安定となる虞があるという問題があった。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、上に例示した従来技術による半導体レーザ光源装置の持つ前述した欠点に鑑み、装置の組立て時やメンテナンス時などに光ファイバが傷付けられ難く、また、環境温度が変動しても出力が不安定となり難い半導体レーザ光源装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の特徴構成は、近近赤外線を発振する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から得られる近赤外線を第２高調波によって所定波長の可視光に変換する波長変換部と、前記半導体レーザ素子から発振された前記近赤外線を前記波長変換部に導く光ファイバとがベース部材に配置された半導体レーザ光源装置であって、
前記ベース部材に、前記光ファイバを収納する環状の収納溝が形成されており、前記収納溝が、前記光ファイバを固定するための第１領域と、前記光ファイバの長さに関する目標値からの偏差を吸収するために前記第１領域よりも広い幅を有する巻き径調節用の第２領域とを有する点にある。
【０００６】
すなわち、本発明の第１の特徴構成による半導体レーザ光源装置では、光ファイバの少なくとも大半部分をベース部材上の収納溝内に収納し、ループのうちの数箇所を接着剤などで収納溝の内面に固定することができるので、装置のメンテナンス時などに光ファイバが傷付けられ難く、しかも、長尺の光ファイバを用いるにも関わらず装置自身をよりコンパクトなものにできる。また、光ファイバの少なくとも大半部分については、位置がより安定となるため、環境温度の変動によって光ファイバの曲率が変化し難くなり、光源装置からの出力が安定化する、という効果が得られる。
【０００７】
しかも、収納溝が、固定用の第１領域とは別に巻き径調節用の幅広の第２領域を有するので、幅狭に設定された第１領域において光ファイバを確実に固定できると同時に、幅広の第２領域では、基準よりも長めの光ファイバは径方向外側寄りに配置し、基準よりも短めの光ファイバは径方向内側寄りに配置するという具合に、納入された導波系モジュールに取り付けられた光ファイバの長さに応じて、巻き径を第２領域内で自由に調整することで、従来に比して種々の長さの光ファイバでも無理に曲げることなく溝内にスムースに収納できるようになり、結果的に、導波系モジュールの製造歩留まりの高い半導体レーザ光源装置が提供されることになる。すなわち、半導体レーザ素子と波長変換部の配置箇所は予め決定されているので、収納溝の幅が全て約１ｍｍと狭ければ、光ファイバを無理に曲げることなく収納溝にスムースに収納できるようにするためには、光ファイバの長さを、図５（ｂ）に示すように、半導体レーザ素子からＦＢＧまでが１０６０±２ｍｍ、ＦＢＧから波長変換部までが５３８±１ｍｍという比較的狭い範囲内に収める必要があった。したがって、先端に半導体レーザ素子が取り付けられ、後端に波長変換部が取り付けられ、中間の所定位置にＦＢＧが配置された光ファイバからなる導波系モジュールの製造歩留まりが著しく低くなるという問題が生じる。しかし、本願発明のように、例えば、第１領域を約１ｍｍ幅に設定する一方、第２領域を約３ｍｍ幅に設定した場合、半導体レーザ素子からＦＢＧまでが１０６０±１０ｍｍで、ＦＢＧから波長変換部までが５３８±５ｍｍの範囲に入っていれば光ファイバ（導波系モジュール）を使用可能になる。また、光ファイバの位置の径方向に関する位置の調節は飽くまでも収納溝の一部である第２領域のみで実施し、第２領域以外の箇所（第１領域）では、光ファイバを位置調整などの煩雑な操作無しに単に溝内に配置するだけで良いので、例えば収納溝の全周を幅広に形成した場合に比して、光ファイバの設置作業が容易となる。
【０００８】
本発明の第２の特徴構成は、前記第１領域と前記第２領域とは曲線状の遷移領域を介して滑らかに連続している点にある。
【０００９】
このように構成することによって、光ファイバを収納溝の内部に巻き回す際に、第１領域と第２領域との間に突起部などが形成されている場合に比して、突起部に押し付けられた光ファイバが折れ曲がる、などの支障が生じ難いという効果が得られる。
【００１０】
本発明の第３の特徴構成は、前記収納溝が長円形を呈しており、前記長円形の長辺が前記第１領域を構成し、前記長円形の短辺が前記第２領域を構成している点にある。
【００１１】
このように構成すると、収納溝が全体として鋭い角部を持たない長円形であることから、光ファイバを収納溝内に巻き回した時に、光ファイバに無理な曲げ応力が加えられ難いという利点があり、しかも、光ファイバを固定するための第１領域は、専ら、収納溝の長さの半分以上を占める長辺によって構成されるので、短辺が第１領域を構成する形態などに比して、光ファイバをより確実に固定することができる。
【００１２】
本発明の第４の特徴構成は、前記半導体レーザ素子と前記波長変換部とが前記長円形の内部に同長円形の長軸に沿って並設されており、前記第２領域は前記半導体レーザ素子から遠隔側の短辺に設けられている点にある。
【００１３】
このように構成することによって、半導体レーザ素子付近における光ファイバの曲率が大きめに保持され、光ファイバの捩れが少なく抑えられるので、第２領域が半導体レーザ素子に近接した側に位置する形態に比して、光ファイバの捩れなどによって光ファイバ内を通過する光の偏光面が回転する等の支障が生じ難いという効果が得られる。
【００１４】
本発明の第５の特徴構成は、前記光ファイバの一部に特定波長の光を反射する回折格子としてのファイバ・ブラッグ・グレーティングが設けられており、前記半導体レーザ素子と前記ファイバ・ブラッグ・グレーティングとを同時に温調する温調素子が前記長円形の長辺に沿って設けられている点にある。
【００１５】
このように構成すると、特定波長の光を反射するファイバ・ブラッグ・グレーティングを設けることで主縦モードのみのレーザ光が出力されるので、波長特性が安定するという効果が得られる。また、一つの温調素子を半導体レーザ素子とファイバ・ブラッグ・グレーティングとで共有させることができ、同時に、面状の温調素子に沿わせるように配置することで最も効率的な温調ができるストリング状のファイバ・ブラッグ・グレーティングを長円形の長辺に沿って配置し、温調素子と交差するように配置することで最も効率的に温調できるブロック状の半導体レーザ素子を長円形の短辺に沿って配置する、という合理的な配置が、光ファイバの曲率を大きめに保持したままで可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に本発明による最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１に示す半導体レーザ光源装置１は、デジタルミニラボ等と称される写真プリント装置に備えられる露光エンジンの光源部を構成する装置である。このような写真プリント装置では、印画紙を搬送機構によって副走査方向に搬送しながら、搬送速度と同期したタイミングで、印画紙に対して半導体レーザ光源装置から前記副走査方向と直交する主走査方向にライン状にレーザビームによって走査露光が行われる。カラー用印画紙に画像を形成するためには、Ｒ・Ｇ・Ｂの各波長の可視光を走査する必要がある。そして、Ｒ（赤）用の光源装置には、半導体レーザ素子からのレーザビームを直接的に送り出す半導体レーザ型を用い、Ｇ（緑）用とＢ（青）用の光源装置には、半導体レーザ素子から出射される近赤外線を、波長変換素子で波長変換して可視光線を得る形態が知られている。本発明による半導体レーザ光源装置は、後者のＧ（緑）用及びＢ（青）用の光源装置に該当する。
尚、Ｇ（緑）用の半導体レーザ光源装置とＢ（青）用の半導体レーザ光源装置のレーザ光源装置とは基本的に同じ構成を有するので、以下の詳細説明では、半導体レーザ光源装置１を、基本的に専らＧ（緑）用の半導体レーザ光源装置として解説する。
【００１７】
半導体レーザ光源装置１は、図１〜図４に示すように、金属製のベース部材２１の上面に、近赤外線を発振する半導体レーザ素子（レーザダイオード）２と、半導体レーザ素子２から得られる近赤外線を第２高調波によって約５３２ｎｍの可視光のレーザビームＬＢに変換する波長変換部４とが配置され、半導体レーザ素子２と波長変換部４とは、近赤外線を導く長尺の光ファイバＦによって光学的に接続されている。そして、光ファイバＦの一部には、特定波長の光を反射することによって、主縦モードのレーザ光を増幅する回折格子としてのＦＢＧ（ファイバ・ブラッグ・グレーティング）３が介装されている。尚、ベース部材２１の上部には、カバー部材２２がシール用のＯリングを介して被せられ、半導体レーザ素子２、波長変換部４、ＦＢＧ３を含む光ファイバＦなどの各構成部材は、カバー部材２２内に形成された空間内に密閉されて、基本的に外気から遮断される。
【００１８】
後に詳細説明する図５に示すように、半導体レーザ素子２には光反射面３５と光出射面３６とが形成されており、高出力の主縦モードのレーザ光を光出射面３６から出射させるために、光反射面３５は反射被膜を形成することにより９０％を超える高い反射率を持たせ、他方、光出射面３６は反射防止コーティング（ＡＲコーティング）を施すことなどにより、約０．１％の非常に低い反射率を持たせている。
図２と図３に示すように、波長変換部４は、ステンレス等の金属製の素子ホルダ３３と、素子ホルダ３３の上面の溝部３３Ｇに嵌め込まれ、レーザ光を透過させる光導波路４ａとからなり、ここでは、光導波路４ａとしては非線形光学結晶の一例である周期分極ニオブ酸リチウム（Ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ Ｐｏｌｅｄ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ；ＰＰＬＮ）結晶が用いられている。
【００１９】
ベース部材２１の上面の一部からは、平板状の第１ペルチエ素子（温調素子の一例）をほぼ垂直な姿勢で収納した調温プレート３１が立設されており、半導体レーザ素子２がこの調温プレート３１の前面に密着固定され、ＦＢＧ３を含む光ファイバＦの部位が調温プレート３１の一部に形成された水平な貫通孔３１ａ内に密着固定されることで、半導体レーザ素子２とＦＢＧ３とが共通の第１ペルチエ素子によって目標温度に維持される構成となっている。
また、波長変換部４を構成する素子ホルダ３３の底面とベース部材２１との間には、光導波路４ａを構成するＰＰＬＮを目標温度に維持するための、平板状の第２ペルチエ素子（温調素子の一例）をほぼ水平に収納した調温プレート３２が配置されている。
【００２０】
尚、Ｇ（緑）用の半導体レーザ光源装置１の場合、安定した高い出力を得るためには、光ファイバＦの長さは、半導体レーザ素子２からＦＢＧ３までの第１光ファイバＦ１の長さＬ１を１０６０ｍｍ、ＦＢＧ３から波長変換部４までの第２光ファイバＦ２の長さＬ２を５３８ｍｍに設定するのが適切であり、これらの値が基準とされている。
図５は、半導体レーザ素子２、第１光ファイバＦ１、ＦＢＧ３、第２光ファイバＦ２、及び、第２光ファイバＦ２の後端に取り付けられたフェルール５からなる導波系モジュールＭの概要を示している。フェルール５は、第２光ファイバＦ２の後端と一体形成されたステンレス鋼製の円筒状部材であり、波長変換部４を構成する素子ホルダ３３の貫通孔内に挿通されて溶接で固定される。
【００２１】
光ファイバＦはこのように長尺であるため、半導体レーザ光源装置１を小型化するために、光ファイバＦを何重かの束になったループ状にして、カバー部材２２内に形成された空間内に収納する構成となっている。そして、装置組立て時およびメンテナンス時などに光ファイバＦを損傷することのないように、ループ状にされた光ファイバＦの大半は、ベース部材２１に形成された環状の収納溝３７の中に収納され、ループの周方向における所定の数箇所にて接着剤４０によりベース部材２１に固定されている。
収納溝３７は、概して長円形を呈しており、幅が約１ｍｍの固定用の第１領域３７ａ、及び、幅が約３ｍｍと第１領域３７ａよりも幅広の第２領域３７ｂからなる。第２領域３７ｂは、収納溝３７を構成する長円形の内で、半導体レーザ素子２から遠隔側の短辺に相当する位置に設けられているので、固定用の第１領域３７ａが収納溝３７の大半を占めているといえる。収納溝３７の深さは、第１領域３７ａ及び第２領域３７ｂのいずれの箇所でも共通で約２ｍｍとなっている。
収納溝３７の更に外側に形成された環状溝３８は、ベース部材２１とカバー部材２２の間を密閉するためのＯリング（不図示）を嵌め込むためのものである。
【００２２】
光ファイバＦの固定は専ら幅狭の第１領域３７ａにおいて行われ、幅広の第２領域３７ｂは、製造元などから納入された導波系モジュールＭに取り付けられた光ファイバＦの長さに応じて、第２領域内での位置を自由に調整するために用いられる。すなわち、製造元から納入された導波系モジュールＭの第１光ファイバＦ１が基準よりも短めの場合は、光ファイバＦを径が小さめのループに束ねることで、図６（ａ）や図７（ａ）に例示するように、第２領域３７ｂ内の径方向内側寄りに配置し、逆に、基準よりも長めの場合は、光ファイバＦの束を大きめのループに束ねることで、図６（ｂ）や図７（ｂ）に例示するように、第２領域３７ｂ内の径方向外側寄りに配置する、という臨機応変の配置方法を取ることが可能になる。すなわち、光ファイバＦの長さに関する目標値からの偏差を吸収する手段として第２領域３７ｂを設けたことで、無理に曲げることなく収納溝３７内にスムースに収納可能な光ファイバＦの長さの許容範囲を従来に比して広げ、導波系モジュールの製造歩留まりを高めることができる。
【００２３】
具体的には、本実施形態のように幅が約３ｍｍの第２領域３７ｂを設けることで、収納溝３７内にスムースに収納可能な光ファイバＦの長さの許容範囲を、図５（ａ）に示すように、半導体レーザ素子２からＦＢＧ３までの第１光ファイバＦ１が１０６０±１０ｍｍで、ＦＢＧ３からフェルール５までの第２光ファイバＦ２が５３８±５ｍｍという幅の広い値まで広げることが可能になる。因みに、従来のように、収納溝３７の幅が全長にわたって１ｍｍである場合、光ファイバＦの長さの許容範囲は、図５（ｂ）に示すように、半導体レーザ素子２からＦＢＧ３までが１０６０±２ｍｍで、ＦＢＧ３からフェルール５までが５３８±１ｍｍという著しく幅の狭い値であった。
また、例えば、半導体レーザ素子２からＦＢＧ３までの第１光ファイバＦ１は１０５２ｍｍと基準よりも相当に短めで、ＦＢＧ３からフェルール５までの第２光ファイバＦ２は５４２ｍｍなどと基準よりも相当に長めの場合には、第１光ファイバＦ１は第２領域３７ｂ内の径方向内側寄りに配置し、同時に、第２光ファイバＦ２は第２領域３７ｂ内の径方向外側寄りに配置する、という方法を取れば良い。いずれにしても、導波系モジュールＭは、その個体毎に、第１光ファイバＦ１と第２光ファイバＦ２の実際の長さを記したラベル（不図示）などが付された状態で納入されるように構成されているので、作業者はこの長さの数値を参考にすることで、各光ファイバＦ１，Ｆ２を適宜、第２領域３７ｂ内の径方向外側寄り、或いは、径方向内側寄りに配置することができる。
【００２４】
尚、第２領域３７ｂ以外の箇所（第１領域３７ａ）では、光ファイバＦを位置調整などの煩雑な操作を行うことなく、単に溝３７内に嵌め込んで、数箇所で接着剤４０によって固定するだけで良いので、例えば収納溝の全周を幅広に形成した場合に比して、光ファイバＦの設置作業が容易となる。
より具体的な組み立て方法としては、用意された導波系モジュールＭのフェルール５を予め素子ホルダ３３に溶接で取り付け、次に、図３に示すように、半導体レーザ素子２をベース部材２１上の調温プレート３１にネジで密着固定し、第１光ファイバＦ１を、そのラベルに記された長さに対応した大きさの径を持つループ状に巻き回して収納溝３７内に収納することで、ＦＢＧ３が調温プレート３１の貫通孔３１ａの中央付近に来るように調整し、引き続き、第２光ファイバＦ２を、そのラベルに記された長さに対応した大きさの径を持つループ状に巻き回して収納溝３７内に収納し、最後に、素子ホルダ３３をベース部材２１上にネジで固定すれば良い。
【００２５】
尚、収納溝３７内に収納する際に光ファイバＦが傷付き難いように、第１領域３７ａと第２領域３７ｂとは曲線状の遷移領域３７ｃを介して滑らかに連続している。また、特に、半導体レーザ素子２と波長変換部４とは、収納溝３７が呈する長円形の内部に、同長円形の長軸に沿って並設されており、第２領域３７ｂは半導体レーザ素子２から遠隔側で、波長変換部４に近接した側の短辺に設けられている。このように構成することによって、半導体レーザ素子２付近における光ファイバＦの曲率が大きめに保持され、光ファイバＦの捩れが抑えられるので、第２領域３７Ｂが半導体レーザ素子２に近接した側に位置する形態に比して、光ファイバＦの捩れなどによって光ファイバＦ内を通過する光の偏光面が回転する等の支障が生じ難い。すなわち、もしも一部の光ファイバＦの湾曲率が環境温度変化などによって大きく変動すると、光ファイバＦの終端部における偏光面が回転して、波長変換部４に用いられる結晶の偏光面との相対関係が変化して、波長変換部４によって得られる波長変換効率に影響を及ぼす虞がある。しかし、本発明によるレーザ光源装置では、上記のように光ファイバＦの曲率を大きめに保持することで、光ファイバＦ内を通過するレーザ光の偏光面の回転が抑制されているので、環境温度変化などによる光ファイバＦの湾曲率の変動が抑制され、レーザ光源装置からの出力を安定化させることができる。
【００２６】
さらに、半導体レーザ素子２とＦＢＧ３とを同時に温調する第１ペルチエ素子は、それを収納した調温プレート３１を示す図３からも理解されるように、前記長円形の長辺に沿って設けられている。このように構成することによって、面状の温調素子に沿わせるように配置することで最も効率的な温調ができるストリング状のＦＢＧ３を長円形の長辺に沿って配置し、他方、温調素子と交差するように配置することで最も効率的に温調できるブロック状の半導体レーザ素子２は長円形の短辺に沿って配置する、という合理的な配置が、光ファイバＦの曲率を大きめに保持したままで可能になる。
【００２７】
波長変換部４でＧ（緑）色の可視光に変換されたレーザビームＬＢは、コリメートレンズ２３、赤外光除去フィルタ２４、ビームスプリッタ２５、集光レンズ２６を介して、カバー部材２２に形成された開口部（不図示）から外部に送り出される。コリメートレンズ２３は波長変換部４から出射されたレーザビームを平行化し、集光レンズ２６は平行化されたレーザビームを集光する。ビームスプリッタ２５は、レーザビームの一部の光線を分岐する機能を有し、このビームスプリッタ２５で分岐されたたレーザビームは光量センサＳで光量が計測され、出力される光量を目標値に維持するためのフィードバック制御に用いられる。
【００２８】
尚、カバー部材２２から外に送り出された所望の波長を持つ可視光は、レーザビームの強度（光量）を調節する音響光学式変調器（ＡＯＭ）、レーザビームを反射するビームミラー、ビームミラーからのレーザビームを前記主走査方向に走査するためのポリゴンミラー、及び、ポリゴンミラーで反射されたレーザビームを露光位置の印画紙に導くｆθレンズなどを経て、印画紙の乳剤面に到達することになる。これらの半導体レーザ光源装置１よりも下流側に配置される構成部材は、ここでは図示を省略している。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
レーザビームを照射することで感光材料に露光処理を行う写真プリント装置に用いる半導体レーザ光源装置として利用できるが、この他にも、感光ドラムとトナーとを用いた構造の画像形成装置において感光ドラムにレーザビームを照射するための半導体レーザ光源装置としても利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明による半導体レーザ光源装置の構造を示す斜視図
【図２】図１の半導体レーザ光源装置の内部を示す平面図
【図３】図１の半導体レーザ光源装置の要部を分解した斜視図
【図４】図１の半導体レーザ光源装置の内部を示す縦断側面図
【図５】光導波系を模式的に示す略図
【図６】収納溝の第２領域を示す平面図
【図７】収納溝の第１及び第２領域を示す縦断側面図
【符号の説明】
【００３１】
１      半導体レーザ光源装置
２      半導体レーザ素子
３      ＦＢＧ
４      波長変換部
５      フェルール
２１    ベース部材
３７    収納溝
３７ａ  第１領域
３７ｂ  第２領域
３１    調温プレート
３２    調温プレート
３３    素子ホルダ
４０    接着剤
Ｆ１    第１光ファイバ
Ｆ２    第２光ファイバ
【図１】
2006337681.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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