(57)【要約】【課題】  第二のフォトレジスト層のプリベーク中の欠陥の発生を抑制して光記録媒体の欠陥率悪化及び再生時のエラー悪化を防止することができる光記録媒体原盤とその製造方法の提供。【解決手段】  基盤上に第一のフォトレジスト層、酸化膜からなる中間層及び第二のフォトレジスト層を順次積層し、二層フォトレジスト原盤を作製するプロセスにおいて、中間層の上に第二のフォトレジスト層を形成するためのフォトレジスト材料（以下、第二のフォトレジスト材料という）を塗布する工程中、中間層に存在するピンホールへの第二のフォトレジスト材料の染み込みを防止する手段を採用することを特徴とする光記録媒体原盤の製造方法。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基盤上に第一のフォトレジスト層、酸化膜からなる中間層及び第二のフォトレジスト層を順次積層し、二層フォトレジスト原盤を作製するプロセスにおいて、中間層の上に第二のフォトレジスト層を形成するためのフォトレジスト材料（以下、第二のフォトレジスト材料という）を塗布する工程中、中間層に存在するピンホールへの第二のフォトレジスト材料の染み込みを防止する手段を採用することを特徴とする光記録媒体原盤の製造方法。
【請求項２】
第二のフォトレジスト材料の塗布にスピンコート法を用い、中間層の上面全体に第二のフォトレジスト材料が行き渡った直後に第二のフォトレジスト材料の滴下を終了することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体原盤の製造方法。
【請求項３】
塗布時間を５〜１０秒とすることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体原盤の製造方法。
【請求項４】
第二のフォトレジスト材料を塗布した後の振り切り回転数を３０００ｒｐｍ以上とすることを特徴とする請求項２又は３記載の光記録媒体原盤の製造方法。
【請求項５】
第二のフォトレジスト材料の塗布にスピンコート法を用い、ターンテーブルにより中間層まで積層した基盤を回転させながら中間層上面の内周側に第二のフォトレジスト材料を滴下させ、回転の遠心力によりフォトレジスト材料を中間層上面全体に拡散させて成膜することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体原盤の製造方法。
【請求項６】
中間層上面のスタンパの内径加工箇所に該当する領域内から第二のフォトレジスト材料の滴下を行うことを特徴とする請求項５記載の光記録媒体原盤の製造方法。
【請求項７】
スタンパの内径加工箇所に該当する領域内上で吐出位置を固定して第二のフォトレジスト材料を滴下することを特徴とする請求項６記載の光記録媒体原盤の製造方法。
【請求項８】
基盤上に第一のフォトレジスト層、酸化膜からなる中間層及び第二のフォトレジスト層を順次積層した二層フォトレジスト原盤において、中間層の上に第二のフォトレジスト材料を塗布する工程中、中間層に存在するピンホールへの第二のフォトレジスト材料の染み込みを防止する手段を採用して製造されたことを特徴とする光記録媒体原盤。
【請求項９】
第二のフォトレジスト材料の塗布にスピンコート法を用い、中間層の上面全体に第二のフォトレジスト材料が行き渡った直後に第二のフォトレジスト材料の滴下を終了する操作を経て製造されたことを特徴とする請求項８記載の光記録媒体原盤。
【請求項１０】
塗布時間を５〜１０秒として製造されたことを特徴とする請求項９記載の光記録媒体原盤。
【請求項１１】
第二のフォトレジスト材料を塗布した後の振り切り回転数を３０００ｒｐｍ以上として製造されたことを特徴とする請求項９又は１０記載の光記録媒体原盤。
【請求項１２】
第二のフォトレジスト材料の塗布にスピンコート法を用い、ターンテーブルにより中間層まで積層した基盤を回転させながら中間層上面の内周側に第二のフォトレジスト材料を滴下させ、回転の遠心力によりフォトレジスト材料を中間層上面全体に拡散させて成膜する操作を経て製造されたことを特徴とする請求項８記載の光記録媒体原盤。
【請求項１３】
中間層上面の、スタンパの内径加工箇所に該当する領域内から第二のフォトレジスト材料の滴下を行うことにより製造されたことを特徴とする請求項１２記載の光記録媒体原盤。
【請求項１４】
スタンパの内径加工箇所に該当する領域内上で吐出位置を固定して第二のフォトレジスト材料を滴下することにより製造されたことを特徴とする請求項１３記載の光記録媒体原盤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光記録媒体原盤、特にハイブリッドディスク用原盤の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今における情報量の増大により、アプリケーションソフトウェアや音楽、画像（静止画、動画）、各種データなどの大容量の情報は、光記録媒体で配布・販売されるのが一般的となっている。
これらの情報を記録する光記録媒体としては、ＣＤやＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ等の再生専用領域からなる光記録媒体が広く普及しているが、これらの光記録媒体は記録情報が予めピットとして基板上に形成され、当該成形基板上に反射層と保護層を積層させている構造になっている。これに対して、記録可能領域からなるＣＤ−Ｒ／ＲＷやＤＶＤ＋Ｒ／ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ等の記録用光記録媒体も広く普及している。これらの記録用光記録媒体は全面に時間情報が記録されたグルーブ（案内溝）が形成されており、前記グルーブが形成された成形基板上に記録層（ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ−Ｒでは有機色素等、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷでは無機相変化膜）、反射層、保護層を積層させ、光記録装置でピットを書き込むことにより、時間情報とデータが記録される構造の光記録媒体が得られる。
【０００３】
近年では、再生専用領域と記録可能領域の両方を同一媒体上に有する光記録媒体、いわゆるハイブリッドディスクが実用化されている。この媒体では、再生専用領域として存在する既存の情報に、新たな情報を記録可能領域に付加することができる。例えばコンピューターソフトの古いコンテンツを、新しいバージョンにアップグレードさせることができる等、当該光記録媒体の使い勝手を向上させることができる。
ＣＤフォーマットのハイブリッドＣＤ−Ｒ／ＲＷを例にとると、再生専用領域を形成するピットと記録可能領域を形成するグルーブでは、異なる深さで形成する必要があり、それぞれ深さがλ／４ｎ及びλ／８ｎ（λ：再生波長、ｎ：基盤の屈折率）であることが望ましい。このような光記録媒体を得るためには、光記録媒体原盤におけるフォトレジストのパターン形成において、ピットとグルーブで深さを変える必要がある。このような光記録媒体原盤を製造する場合、まずターンテーブルに固定されたガラス基盤を回転させながら、ガラス基盤上にフォトレジスト材料を塗布する。そして形成されたフォトレジスト層に高強度と低強度のレーザー光を照射してピットとグルーブの潜像の露光を行っている。しかしフォトレジスト層が単層のため、ピットの深さはフォトレジスト層膜の厚さとして正確に管理することが可能であるが、グルーブの深さはレーザー光強度やフォトレジストの感度の誤差により変動してしまう。またグルーブ底部の形状がＶ字型となるため、この原盤から作製された光記録媒体の記録可能領域における記録特性が悪化する。
【０００４】
このような課題を解決するため、例えば、特許文献１では、ガラス基盤の表面上にそれぞれ感度の異なるフォトレジストを回転させながら二回塗布し、第一のフォトレジスト層と第二のフォトレジスト層を積層させることで二層化し、上層のフォトレジスト層膜の厚さによりグルーブの深さを管理する方法が提案されている。しかし実際には、第二のフォトレジスト層に使用されるフォトレジスト材料の、原液に含まれる溶媒又は原液を希釈するための溶媒により、初めに積層された第一のフォトレジスト層が溶出されるため、上記の方法でフォトレジスト層を積層させることは不可能である。
また、特許文献２では、前記の第一のフォトレジスト層が溶出される特性を活用した光記録媒体原盤の製造方法が提案されている。即ち第一のフォトレジスト層を形成した後、ガラス原盤内でフォトレジスト層膜の厚さが変わる領域を作るために、所望の領域で第二のフォトレジスト層に使用されるフォトレジスト材料を、ガラス原盤の外周側からガラス原盤を回転させながら滴下している。しかし、光記録媒体原盤に、高強度と低強度のレーザー光を照射してピットとグルーブの潜像を露光する場合、フォトレジスト層膜の厚さが異なっている半径位置でレーザー光強度を切り替えるには高い精度が必要である。また露光中は半径方向のみならず、トラック方向での切り替えも考慮する必要があるため、露光が困難となる。
【０００５】
そこで、特許文献３〜４記載の発明では、前記のようなピット及びグルーブ、二水準の深さを有する光記録媒体原盤及びその製造方法が述べられている。即ち本原盤では図１に示すように、ガラス基盤１上に積層される第一のフォトレジスト層２と第二のフォトレジスト層４の間に、電気抵抗の小さい導電性膜である中間層３を設けている。第一フォトレジスト層２、中間層３、第二フォトレジスト層４の膜厚はそれぞれ３００〜２０００Å、３０〜３００Å、３００〜２０００Åである。これはピット露光には第一及び第二のフォトレジスト層２及び４を、グルーブ露光には第二のフォトレジスト層４のみをそれぞれ露光できるように、二水準のレーザー光強度で潜像形成を行っており、中間層３の膜厚によりピットを露光する露光ビームが中間層３を８５％以上透過するようにしているためである。また、第一のフォトレジスト層２の感度が、第二のフォトレジスト層４の感度より大きくなるような層構成の組み合わせとしている。これらにおいて、中間層３の熱拡散の効果により、底部の中心部分が盛り上がらないピットパターンの形成が可能となる。加えて第一のフォトレジスト層２が第二のフォトレジスト層４より高感度であることを利用することで、レジストの境界部分に段のないピットパターンを形成することができる。よって二水準のレーザー光強度で潜像することにより、再生専用領域と記録可能領域の切り替えを気にすることなく、ピット及びグルーブを同一盤面上へ形成することができる。
【０００６】
二水準のレーザー光強度で露光された前記の光記録媒体フォトレジスト原盤は、特許文献５に開示されている発明の装置及び方法によって現像が行われることにより、ピットやグルーブが形成される。一連の工程ではフォトレジスト材料をガラス基盤上に塗布する時と同様に、ターンテーブル上に設置した原盤を回転させながら、潜像部分のフォトレジスト材料を除去するための現像液、中間層を除去するための酸溶解液、及びリンス液となる純水の吐出を行うので、現像及び中間層除去の内外差が発生せず、それぞれ均一なピット及びグルーブ形状を得ることができる。
【０００７】
【特許文献１】特開平６−１５０３９１号公報
【特許文献２】特開２００２−２５１７９７号公報
【特許文献３】特許第０３４７６６２１号公報
【特許文献４】特許第０３４７９４１３号公報
【特許文献５】特開平９−３２０１２４公報
【特許文献６】特開平８−２０３１３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述した公知の製造方法により、同一盤面上にピットからなる領域とグルーブからなる領域の両方が形成された所望の光記録媒体原盤を得ることができる。
しかしながら、該光記録媒体原盤において、中間層の膜厚が第一及び第二のフォトレジスト層と比較して極端に薄く形成されている場合、特に中間層の膜厚が５０Å以下である場合には、中間層に直系０．０５ｍｍ程度のピンホールが多数生じることがある。すると、中間層まで積層したのち第二のフォトレジスト層を形成する際に、例えば前記特許文献６に開示されているように、ターンテーブルを静止させた状態で中間層上面の中央に第二のフォトレジスト層用のフォトレジスト材料（第二のフォトレジスト材料）を塗布すると、前記ピンホールに第二のフォトレジスト材料が染み込んでしまう。静的に第二のフォトレジスト材料を広がらせた後にターンテーブルを回転させた時点では、既に第二のフォトレジスト材料がピンホールを介して第一のフォトレジスト層に達しているため、第二のフォトレジスト材料を希釈している溶媒により、第一のフォトレジスト層の界面上で第一及び第二のフォトレジスト材料が混合あるいは溶出してしまう。混合あるいは溶出したフォトレジスト材料は、第二のフォトレジスト層を形成するためのプリベーク中に溶媒が蒸発することに伴いピンホール開口部から出て膨張し破裂するため、第二のフォトレジスト層上に直系０．１５ｍｍ程度の大きさを持つ欠陥が生じる。
【０００９】
特に第一のフォトレジスト層の膜厚が１０００Å以上である場合、第二のフォトレジスト材料を希釈している溶媒により混合あるいは溶出されるフォトレジスト材料の量が多くなるため、この欠陥は大きくなる。その結果、第二のフォトレジスト層を形成するためのプリベークを行うと、ピンホール開口部から噴出するフォトレジスト材料も多くなり、欠陥の高さは１００〜３００Å程度と高くなる。この欠陥の発生位置にピット又はグルーブが露光されると、それぞれの形状が崩れた状態でスタンパ化されるため、光記録媒体の再生専用領域や記録後の記録可能領域の欠陥率が悪化し、再生時のエラーが多く発生してしまうことになる。
本発明は、このような問題を解決し、第二のフォトレジスト層のプリベーク中の欠陥の発生を抑制して光記録媒体の欠陥率悪化及び再生時のエラー悪化を防止することができる光記録媒体原盤とその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題は、次の１）〜１４）の発明（以下、本発明１〜１４という）によって解決される。
１）  基盤上に第一のフォトレジスト層、酸化膜からなる中間層及び第二のフォトレジスト層を順次積層し、二層フォトレジスト原盤を作製するプロセスにおいて、中間層の上に第二のフォトレジスト層を形成するためのフォトレジスト材料（以下、第二のフォトレジスト材料という）を塗布する工程中、中間層に存在するピンホールへの第二のフォトレジスト材料の染み込みを防止する手段を採用することを特徴とする光記録媒体原盤の製造方法。
２）  第二のフォトレジスト材料の塗布にスピンコート法を用い、中間層の上面全体に第二のフォトレジスト材料が行き渡った直後に第二のフォトレジスト材料の滴下を終了することを特徴とする１）記載の光記録媒体原盤の製造方法。
３）  塗布時間を５〜１０秒とすることを特徴とする２）記載の光記録媒体原盤の製造方法。
４）  第二のフォトレジスト材料を塗布した後の振り切り回転数を３０００ｒｐｍ以上とすることを特徴とする２）又は３）記載の光記録媒体原盤の製造方法。
５）  第二のフォトレジスト材料の塗布にスピンコート法を用い、ターンテーブルにより中間層まで積層した基盤を回転させながら中間層上面の内周側に第二のフォトレジスト材料を滴下させ、回転の遠心力によりフォトレジスト材料を中間層上面全体に拡散させて成膜することを特徴とする１）記載の光記録媒体原盤の製造方法。
６）  中間層上面のスタンパの内径加工箇所に該当する領域内から第二のフォトレジスト材料の滴下を行うことを特徴とする５）記載の光記録媒体原盤の製造方法。
７）  スタンパの内径加工箇所に該当する領域内上で吐出位置を固定して第二のフォトレジスト材料を滴下することを特徴とする６）記載の光記録媒体原盤の製造方法。
８）  基盤上に第一のフォトレジスト層、酸化膜からなる中間層及び第二のフォトレジスト層を順次積層した二層フォトレジスト原盤において、中間層の上に第二のフォトレジスト材料を塗布する工程中、中間層に存在するピンホールへの第二のフォトレジスト材料の染み込みを防止する手段を採用して製造されたことを特徴とする光記録媒体原盤。
９）  第二のフォトレジスト材料の塗布にスピンコート法を用い、中間層上面全体に第二のフォトレジスト材料が行き渡った直後に第二のフォトレジスト材料の滴下を終了する操作を経て製造されたことを特徴とする８）記載の光記録媒体原盤。
１０）  塗布時間を５〜１０秒として製造されたことを特徴とする９）記載の光記録媒体原盤。
１１）  第二のフォトレジスト材料を塗布した後の振り切り回転数を３０００ｒｐｍ以上として製造されたことを特徴とする９）又は１０）記載の光記録媒体原盤。
１２）  第二のフォトレジスト材料の塗布にスピンコート法を用い、ターンテーブルにより中間層まで積層した基盤を回転させながら中間層上面の内周側に第二のフォトレジスト材料を滴下させ、回転の遠心力によりフォトレジスト材料を中間層上面全体に拡散させて成膜する操作を経て製造されたことを特徴とする８）記載の光記録媒体原盤。
１３）  中間層上面の、スタンパの内径加工箇所に該当する領域内から第二のフォトレジスト材料の滴下を行うことにより製造されたことを特徴とする１２）記載の光記録媒体原盤。
１４）  スタンパの内径加工箇所に該当する領域内上で吐出位置を固定して第二のフォトレジスト材料を滴下することにより製造されたことを特徴とする１３）記載の光記録媒体原盤。
【００１１】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
まず、図１に本発明の製造方法により作製される光記録媒体原盤の断面構成図を示す。
この原盤はガラス基盤１の上に第一のフォトレジスト層２、中間層３、第二のフォトレジスト層４の順に積層されており、フォトレジスト層中でレーザー光の照射により露光された潜像部分はアルカリ水溶液に可溶となる。第一及び第二のフォトレジスト層で使用されるフォトレジスト材料はポジ型と呼ばれており、感光材料やノボラック樹脂等の固体をアルキル系やアセテート系の溶媒に溶解させた状態となっているのが一般的である。フォトレジスト材料の原液は高粘性・高濃度であるため、光記録媒体原盤を作製する場合には、通常、原液を溶媒等で希釈して使用する。
【００１２】
次に、図１の光記録媒体原盤の製造プロセスについて説明する。
フォトレジスト層を形成するためのフォトレジスト材料の塗布には、一般的にスピンコート法が用いられる。図２に示すように、まず円形のガラス基盤１を研磨、洗浄し、このガラス基盤１をターンテーブル上に設置する。このターンテーブルによりガラス基盤１を回転させながら、スピナー装置のディスペンサ５により第一のフォトレジスト材料を滴下する。該フォトレジスト材料が盤面上に行き渡ったら滴下を終了し、ターンテーブルによる回転の回転数を滴下時よりも大きくして、遠心力により余分なフォトレジスト材料をガラス基盤１の外方に飛散させる。このフォトレジスト材料の飛散時における振り切り回転数を調整することにより、第一のフォトレジスト層の膜厚を調整することが可能であり、通常３００〜２０００Åの厚さになるよう設定する。
【００１３】
このようにして塗布されたガラス基盤１をオーブンでプリベークすることにより第一のフォトレジスト層が形成される。第一のフォトレジスト層のプリベーク温度は、後述する第二のフォトレジスト層のプリベーク温度及び露光・現像後のポストベーク温度より高く設定することが好ましい。これは第二のフォトレジスト層のプリベーク時及び露光・現像後のポストベーク時に、第一のフォトレジスト層からの溶媒の蒸発によるガスの発生を防ぐためで、ガスが集中する部分の盛り上がりによる欠陥の発生がなく、良好な信号品質を得るためである。また、第一のフォトレジスト層を第二のフォトレジスト層より高感度にすると、露光時にレジストの境界部分に段のないピットパターンを形成することができるため好適である。
次に、第一のフォトレジスト層上に導電性膜である中間層を形成する。この中間層には電気抵抗の小さいＩｎ２Ｏ３やＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３９５ｗｔ％−ＳｎＯ２５ｗｔ％）を使用すると、露光時、熱拡散効果により中間層の膜質の変化を抑制できるため、ピットの中心部分が盛り上がらない平らな形状のピットを形成することができる。また中間層の熱伝導率は４０Ｗ／ｍＫ以上であることが望ましい。中間層の積層には一般的にスパッタ法が用いられる。また、ピットを露光する露光ビームが中間層を８５％以上透過するように、膜厚は３０〜３００Åの範囲で設定する。
【００１４】
次に、中間層の上に第二のフォトレジスト層を形成する。形成方法は第一のフォトレジスト層の場合と同様である。即ち、第一のフォトレジスト層及び中間層が形成されたガラス基盤１をターンテーブル上に設置し、ガラス基盤１を回転させながらスピナー装置のディスペンサ５により第二のフォトレジスト材料を滴下する。フォトレジスト材料が中間層の上面全体に行き渡ったら滴下を終了し、ターンテーブルによる回転の回転数を滴下時よりも大きくして、遠心力により余分なフォトレジスト材料をガラス基盤１の外方に飛散させる。このフォトレジスト材料の飛散時における回転数を調整することにより、第二のフォトレジスト層の膜厚を調整することが可能であり、通常３００〜２０００Åの厚さになるよう設定する。このようにして塗布されたガラス基盤１を再度オーブンでプリベークすることにより第二のフォトレジスト層が形成され、第一のフォトレジスト層、中間層及び第二のフォトレジスト層が積層された光記録媒体原盤となり、露光機のレーザー光によるピット及びグルーブ露光が可能な状態となる。
【００１５】
上記のプロセスで作製される光記録媒体原盤において、中間層の膜厚が第一及び第二のフォトレジスト層と比較して極端に薄く形成されている場合、特に中間層の膜厚が５０Å以下である場合、前述したように中間層に直系０．０５ｍｍ程度のピンホールが多数生じることがあり、光記録媒体の再生専用領域や記録後の記録可能領域の欠陥率が悪化し、再生時のエラーが多く発生してしまう原因となる。
そこで本発明１では、第二のフォトレジスト材料を塗布する工程中、中間層に存在するピンホールへの第二のフォトレジスト材料の染み込みを防止する手段を採用して、第一のフォトレジスト層の界面上で発生する、第二のフォトレジスト材料を希釈している溶媒による第一及び第二のフォトレジスト材料の混合あるいは溶出を未然に防ぐようにした。
【００１６】
また本発明２では、上記第二のフォトレジスト材料の染み込みを防止する手段として、第二のフォトレジスト材料をスピンコート法により塗布し、中間層の上面全体に第二のフォトレジスト材料が行き渡った直後にその滴下を終了するという手段を採用する。これにより、余分な第二のフォトレジスト材料の中間層上での滞留量を少なくすることができる。滞留量が多いほど、フォトレジスト材料のピンホールへの染み込みは速く進むため、滞留量が少なくなれば染み込みを防止又は抑制できることになる。
上記中間層の上面全体に第二のフォトレジスト材料が行き渡った直後とは、例えばディスペンサ５による第二のフォトレジスト材料の吐出が最外周から始まり中心に向って移動していく場合には、理想的にはディスペンサ５が中心に到達した直後ということになる。吐出開始からの時間は、現在汎用されている装置では約５秒であるが、４秒程度でも実施可能である。しかし、第二のフォトレジスト材料の粘度が高く流動性が悪い場合などには、上記塗布操作だけでは塗布抜けを生じることもあり、そのような時にはディスペンサ５を中心部で停止させたまま一定時間吐出を継続させて、塗布抜けなく中間層の上面全体に第二のフォトレジスト材料を行き渡らせる必要がある。従って第二のフォトレジスト材料が行き渡った直後とは、該停止したまま一定時間吐出した直後ということになる。現在汎用されている装置では、通常、この停止して吐出する時間が約１〜５秒であるから、塗布時間は約５〜１０秒ということになる。
【００１７】
また本発明４では、上記本発明２又は３のようにして第二のフォトレジスト材料を塗布した後、ターンテーブルによる回転数を滴下時よりも大きくして、遠心力により余分な第二のフォトレジスト材料をガラス基盤１の外方に飛散させる際の振り切り回転数を３０００ｒｐｍ以上とする手段を採用する。これにより余分な第二のフォトレジスト材料をより速く飛散させることができ、余分な第二のフォトレジスト材料の中間層上面での滞留時間を短くできる。滞留時間が長いほどピンホールへ染み込むフォトレジスト材料の量が多くなるため、滞留時間が短くなればピンホールへの染み込みを防止又は抑制できる。
振り切り回転数は、通常の場合３０００ｒｐｍ以上とすることが望ましいが、第二のフォトレジスト材料の種類或いは希釈の程度によって流動性が変化するため、条件を選べば３０００ｒｐｍ未満でも成膜は可能である。
【００１８】
上記本発明２〜４により所望の光記録媒体原盤を得ることができるが、スピナー装置のディスペンサ５をガラス基盤１の全領域上で稼動させながら第二のフォトレジスト材料の滴下を行うと、第二のフォトレジスト材料が中間層上の全面でピンホール上へ直下することになるためピンホールに染み込み易くなり、第一のフォトレジスト層の界面上全体で第一及び第二のフォトレジスト材料の混合あるいは溶出が起こって、問題としている欠陥が基板上全面に顕著に現れ易い。そのため光記録媒体の再生専用領域や記録後の記録可能領域の欠陥率が悪化し、再生時のエラーが多く発生してしまう場合もある。
そこで、別の手段として、本発明５のように、中間層上面に第二のフォトレジスト材料をスピンコート法により塗布する工程中において、ターンテーブルによりガラス基盤１を回転させながら中間層上面の内周側にフォトレジスト材料を滴下させ、回転の遠心力によりフォトレジスト材料を中間層上面全体に拡散させて成膜する方法が、中間層上に存在するピンホールへの第二のフォトレジスト材料の染み込みを防止するのに有効であり、上記本発明２〜４の場合と同様に、全面均一な膜厚をもつ第二のフォトレジスト層を形成することができる。
【００１９】
また、本発明６のように、第二のフォトレジスト材料の滴下において、材料の吐出位置をスタンパの内径加工箇所に該当する領域内とすることがより好適である。
光記録媒体の原盤からは電鋳、洗浄、加工の各工程を経てスタンパを作製するが、通常は光記録媒体の基板を成形する際にスタンパを金型に固定できるように、加工工程で内径部分（中心から半径２０〜３５ｍｍ程度まで）及び外径部分（中心から半径約１５０ｍｍ以降）を切除する。そこで、吐出位置を内径部分の切除する箇所に該当する領域とすれば、仮に前記吐出位置において、フォトレジスト材料滴下による中間層ピンホール位置でのレジスト材料の染み込み及び第一のレジスト層の界面上での溶出が集中的に発生したとしてもスタンパ加工工程で切除されてしまうため、基板の形状には影響しないことになる。よって光記録媒体基板として成形される部分、即ち光記録媒体中の再生専用領域及び記録可能領域での欠陥率や再生エラーへの影響を防ぐことが可能である。
【００２０】
また、本発明７のように、第二のフォトレジスト材料をスタンパの内径加工箇所に該当する領域内上で吐出位置を固定して滴下させることが好適である。スピナー装置のディスペンサ等による吐出位置を固定することにより、フォトレジスト材料は吐出半径位置から外周方向へ遠心力により均等に拡散される。よって全面にフォトレジスト材料が行き渡った時点で、より高速な回転で余分なフォトレジスト材料を飛散させて成膜するステップに移行できるため、中間層に存在するピンホールへの第二のフォトレジスト材料の染み込みを更に効果的に防止することができる。また全面にフォトレジスト材料が行き渡った時点で、フォトレジスト材料の吐出を終了させることができるため、余分なフォトレジスト材料を使わずに済み、材料コストを削減できる。
また、本発明８〜１４の光記録媒体原盤は、上記本発明１〜７の製造方法により得ることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第二のフォトレジスト層のプリベーク中の欠陥の発生を抑制して光記録媒体の欠陥率悪化及び再生時のエラー悪化を防止することができる光記録媒体原盤とその製造方法を提供できる。
【実施例】
【００２２】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。
【００２３】
実施例１〜２、比較例１
直径２５０ｍｍの円形ガラス基盤１を研磨、洗浄した後、シランカップリング剤（密着剤）によるトリメチルシリル化処理を行って疎水化した。
このガラス基盤１を図２に示すようなスピナー装置のターンテーブルに載置し、次いで、ターンテーブルによりガラス基盤を回転数３００ｒｐｍで回転させながら、スピナー装置のディスペンサ５により、第一のフォトレジスト層を形成するためのフォトレジスト材料（第一のフォトレジスト材料：東京応化製ＴＳＭＲ−ＧＰ８０００ＰＬを溶媒により４０％希釈したもの）を塗布した。
ディスペンサ５の動作はガラス基盤上の最外周から中心への移動、中心での停止、中心から最外周への移動を一連のパターンとし、この三段階の動作をそれぞれ５秒間行った。フォトレジスト材料の吐出は、ディスペンサ５がガラス基盤上の最外周から中心へ移動を開始する時から、最外周へ戻るまでの１５秒間とした。
吐出終了後すぐにターンテーブル回転数を１５００ｒｐｍとし、盤上に残留する余分なフォトレジスト材料を外方へ飛散させた。
次に、この第一のフォトレジスト材料が塗布されたガラス基盤をオーブンにより１３５℃で３０分間プリベークし、膜厚１４００Åの第一のフォトレジスト層を形成した。
続いて、スパッタ法により中間層となるＩｎ２Ｏ３を厚さ３０Å積層し、最後に第二のフォトレジスト層を形成するためのフォトレジスト材料（第二のフォトレジスト材料：シプレイ製ＡＺ１５００を溶媒により５０％希釈したもの）を塗布した。
ディスペンサ５の動作パターンは第一のフォトレジスト材料塗布時と同様にした。フォトレジスト材料の吐出は、ディスペンサ５がガラス基盤上の最外周から中心へ移動を開始する時から開始し、滴下時間は５秒間（ディスペンサ５の盤面中心到達まで、実施例１）、１０秒間（ディスペンサ５が中心から最外周へ移動する直前まで、実施例２）、１５秒間（ディスペンサ５の最外周到達まで、比較例１）とした。
吐出終了後すぐにターンテーブル回転数を２０００ｒｐｍとし、盤上に残留する余分なフォトレジスト材料を外方へ飛散させた。
次に、この第二のフォトレジスト材料が塗布されたガラス基盤をオーブンにより９０℃で３０分間プリベークし、膜厚１６００Åの第二のフォトレジスト層を形成した。即ち、第一のフォトレジスト層、中間層及び第二のフォトレジスト層が積層された実施例１〜２及び比較例１の光記録媒体原盤を作製した。
【００２４】
これらの原盤を、図３に示すような手順で加工した。即ち、レーザー光６、７によりトラックピッチ１．６μｍのＣＤフォーマットに従い、内周側よりピット領域及びグルーブ領域の潜像形成を順に行った後〔図３（ａ）〕、５０％希釈現像液（東京応化製ＤＥ−３）による第二のフォトレジスト層現像〔図３（ｂ）〕、０．１６％硝酸水溶液による中間層除去〔図３（ｃ）〕、５０％希釈現像液（東京応化製ＤＥ−３）による第一及び第二のフォトレジスト層現像〔図３（ｄ）〕、０．１６％硝酸水溶液による２回目の中間層除去〔図３（ｅ）〕を行い、ピット（８）及びグルーブ（９）のパターニングを行った。なお、潜像形成には図４で示すような光記録媒体原盤製造用露光装置を使用した。
このパターニングされた光記録媒体原盤をキズ検査機により観察したところ、直系０．１５ｍｍ以上でかつ１００Å以上の高さを持つ欠陥の個数は、比較例１では盤面上３１５個であったが、実施例１及び２では、それぞれ３個、７個であった。実施例１及び２はフォトレジスト材料の滴下時間が短いことから、盤面上に滞留する余分なフォトレジスト材料の量を比較例１よりも少なくすることができ、即ち、中間層に存在するピンホールへのフォトレジスト材料の染み込みを遅くすることができ、第一のフォトレジスト層の界面上で発生する、第二のフォトレジスト材料を希釈している溶媒による第一及び第二のフォトレジスト材料の混合あるいは溶出を未然に防ぐことができた。その結果、第二のフォトレジスト層形成におけるプリベーク中の欠陥の発生を防止できた。
【００２５】
更に、パターニングされた各光記録媒体原盤から電鋳、洗浄工程を経てスタンパを作製し、これらのスタンパから１．２ｍｍ厚のポリカーボネート基板を成形し、その上に、フタロシアニン系色素液のスピンコートによる膜厚約１３０ｎｍの記録層、Ａｇスパッタによる膜厚約１１０ｎｍの反射層を順次積層させ、次いで、紫外線硬化樹脂のスピンコートによるオーバーコート層を積層して、再生専用領域と記録可能領域の両方を持つ光記録媒体である各ハイブリッドＣＤ−Ｒディスクを作製した。
これらのハイブリッドＣＤ−Ｒディスクの記録可能領域に、光記録装置（リコー製ＭＰ７１２０）により線速１９．２ｍ／ｓで全面記録した後、再生装置（パルステック製ＤＤＵ−１０００）により再生専用領域、記録可能領域を線速１．２ｍ／ｓで連続して再生したところ、比較例１の光記録媒体原盤から作製されたハイブリッドＣＤ−Ｒディスクでは平均Ｃ１エラーレートが２５３で、再生中ＣＵエラーも発生したのに対し、実施例１及び２の光記録媒体原盤から作製されたハイブリッドＣＤ−Ｒディスクの平均Ｃ１エラーレートはそれぞれ４．３及び１１．８であり、再生中のＣＵエラー発生はなかった。即ち比較例１では、光記録媒体原盤で欠陥が発生し、光記録媒体の欠陥率の悪化及び再生時のエラー悪化を招いたのに対し、実施例１及び２では光記録媒体原盤の欠陥の発生に伴う悪影響を回避できた。
【００２６】
実施例３〜４、比較例２
第一のフォトレジスト層の膜厚を８００Åに変え、第二のフォトレジスト材料を「東京応化製ＴＳＭＲ−ＧＰ８０００ＰＬを溶媒により１０％希釈したもの」に変え、第二のフォトレジスト材料の吐出終了直後のターンテーブル回転数を４０００ｒｐｍ（実施例３）、３０００ｒｐｍ（実施例４）、２０００ｒｐｍ（比較例２）とした点以外は、実施例２と同様にして、それぞれの第二のフォトレジスト層の膜厚が、３００Å（実施例３）、３６０Å（実施例４）、４６０Å（比較例２）である光記録媒体原盤を作製した。
これらの原盤に対し、実施例１と同様にしてピット及びグルーブのパターニングを行い、パターニングされた光記録媒体原盤をキズ検査機により観察したところ、直径０．１５ｍｍ以上でかつ１００Å以上の高さを持つ欠陥の個数は、比較例２では盤面上２３０個であったのに対し、実施例３及び４はそれぞれ０個、２個であった。実施例３及び４はフォトレジスト材料吐出後のターンテーブルの振り切り回転数が比較例２より速いので、余分なフォトレジスト材料の盤面上での滞留時間をより短くすることができた。その結果、比較例２よりもフォトレジスト材料の中間層に存在するピンホールへの浸透を少なくすることができ、第一のフォトレジスト層の界面上で発生する、第二のフォトレジスト材料を希釈している溶媒による第一及び第二のフォトレジスト材料の混合あるいは溶出を未然に防ぐことができた。従って、第二のフォトレジスト層形成におけるプリベーク中の欠陥の発生を防止できた。
【００２７】
更に、パターニングされた各光記録媒体原盤から実施例１と同様の手順で厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板を成形し、その上に、第１保護層、相変化型記録層、第２保護層、反射放熱層を順次スパッタ法により積層した。第１保護層と第２保護層にはＺｎＳ・ＳｉＯ2を用い、膜厚はそれぞれ９０ｎｍ、３０ｎｍとした。記録層にはＡｇ４．０Ｉｎ６．０Ｓｂ６１．０Ｔｅ２９．０を用い、膜厚は１８ｎｍとした。反射放熱層にはアルミニウム合金を使用し、膜厚は１４０ｎｍとした。即ち、基板／ＺｎＳ・ＳｉＯ2（９０ｎｍ）／Ａｇ４．０Ｉｎ６．０Ｓｂ６１．０Ｔｅ２９．０（１８ｎｍ）／ＺｎＳ・ＳｉＯ2（３０ｎｍ）／Ａｌ合金（１４０ｎｍ）という層構成を形成した。次いで、紫外線硬化樹脂のスピンコートによるオーバーコートを形成して、再生専用領域と記録可能領域の両方を持つ光記録媒体である各ハイブリッドＣＤ−ＲＷディスクを作製した。
続いて、大口径ＬＤを有する初期化装置により、上記各ディスクの全面結晶化処理を行った。
これらのハイブリッドＣＤ−ＲＷディスクの記録可能領域に、光記録装置（リコー製ＭＰ７１２０）により、線速４．８ｍ／ｓで全面記録した後、再生装置（パルステック製ＤＤＵ−１０００）により再生専用領域、記録可能領域を線速１．２ｍ／ｓで連続して再生したところ、比較例２の光記録媒体原盤から作製されたハイブリッドＣＤ−ＲＷディスクの平均Ｃ１エラーレートが１４４であったのに対し、実施例３及び４の光記録媒体原盤から作製されたハイブリッドＣＤ−Ｒディスクの平均Ｃ１エラーレートはそれぞれ１．７及び６．１であった。即ち比較例２では、光記録媒体原盤で欠陥が発生し、光記録媒体の欠陥率の悪化及び再生時のエラー悪化を招いたのに対し、実施例３及び４では欠陥の発生に伴う悪影響を回避できた。
【００２８】
実施例５〜７
ターンテーブルの回転数を３５０ｒｐｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして円形ガラス基盤１上に第一のフォトレジスト層を形成した。
続いて、スパッタ法により中間層となるＩｎ２Ｏ３を厚さ３０Å積層し、最後に実施例１と同じ第二のフォトレジスト材料を塗布した。
ディスペンサ５の動作パターンは、図５に示すように、ガラス基盤上の半径位置３０ｍｍから中心への移動（実施例５）、半径位置３０ｍｍでの固定（実施例６）、中心での固定（実施例７）の３種類とした。実施例５のディスペンサの移動は８秒間で行い、フォトレジスト材料の吐出は全パターンそれぞれ８秒間とした（吐出量０．８ｍｌ／秒）。
吐出終了後すぐにターンテーブル回転数を２０００ｒｐｍとし、盤上に残留する余分なフォトレジスト材料を外方へ飛散させた。
次に、この第二のフォトレジスト材料が塗布されたガラス基盤をオーブンにより９０℃で３０分間プリベークし、膜厚１６００Åの第二のフォトレジスト層を形成した。即ち、第一のフォトレジスト層、中間層及び第二のフォトレジスト層が積層された実施例５〜７の光記録媒体原盤を作製した。
【００２９】
これらの原盤を、実施例１と同様にして図３に示すような手順で加工し、ピット及びグルーブのパターニングを行った。
このパターニングされた各光記録媒体原盤を用いて、ニッケルによる電鋳、半径位置３４ｍｍ以内の内径部分及び半径位置１５０ｍｍ以上の外形部分の切除による加工及び洗浄工程を経て、各スタンパを作製した。
これらのスタンパについて、半径位置２３〜５８ｍｍ間でキズ検査機により観察したところ、検出された大きさ０．１５ｍｍ径以上かつ高さ１００Å以上の欠陥の個数は、表１に示すように実施例５〜７でそれぞれ５０、３３、２７個であった。即ち、原盤工程上、第二のフォトレジスト材料の吐出位置をより内周側にすることで、フォトレジスト材料の中間層ピンホールへの染み込みを抑制することができ、第一のフォトレジスト層の界面上で発生する、第二のフォトレジスト材料を希釈している溶媒による第一及び第二のフォトレジスト材料の混合あるいは溶出を未然に防ぐことが可能であった。従って、第二のフォトレジスト層形成のプリベーク中における欠陥の発生を防止できた。
また、何れのスタンパも全面にピット及びグルーブが形成されており、未形成部分はなかった。即ちフォトレジスト材料の吐出位置及びパターン変更によるフォトレジスト材料の塗布抜けは発生しなかった。
【００３０】
更に、上記各スタンパからポリカーボネート基板を成形し、実施例１と同様にして再生専用領域と記録可能領域の両方を持つ光記録媒体である各ハイブリッドＣＤ−Ｒディスクを作製した。
これらのハイブリッドＣＤ−Ｒディスクの記録可能領域に、光記録装置（リコー製ＭＰ７１２０）により線速１９．２ｍ／ｓで全面記録した後、再生装置（パルステック製ＤＤＵ−１０００）により再生専用領域、記録可能領域を連続して再生したところ、実施例５〜７の平均Ｃ１エラーレートはそれぞれ１２．３、８．１、６．４であり、再生中のＣＵエラー発生はなかった。即ち、実施例５〜７では光記録媒体原盤の欠陥の発生に伴う問題の発生を防止することができた。
【表１】
2006196111.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の製造方法により作製される光記録媒体原盤の断面構成図。
【図２】スピンコート法によりフォトレジスト材料を塗布する状態の説明図。
【図３−１】ピット及びグルーブのパターニング手順を示す図。（ａ）ピット領域及びグルーブ領域の潜像形成工程、（ｂ）第二のフォトレジスト層現像工程、（ｃ）中間層除去工程。
【図３−２】ピット及びグルーブのパターニング手順を示す図（図３−１の続き）。（ｄ）第一及び第二のフォトレジスト層現像工程、（ｅ）２回目の中間層除去工程。
【図４】光記録媒体原盤作製用露光装置の模式図。
【図５】実施例５〜７のディスペンサ５の動作パターンを示す図。
【符号の説明】
【００３２】
１  ガラス基盤
２  第一のフォトレジスト層
３  中間層
４  第二のフォトレジスト層
５  ディスペンサ
６  ピット領域に照射するレーザ光
７  グルーブ領域に照射するレーザ光
８  ピット
９  グルーブ
ＥＯＭ  電子光学素子
【図１】
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【図２】
2006196111.tif 000005
【図３−１】
2006196111.tif 000006
【図３−２】
2006196111.tif 000007
【図４】
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【図５】
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