(57)【要約】【課題】  多数の装置の管理用データの有効利用が可能で、それにより、装置の有効稼働率の改善、性能維持及びプロセスの向上を図り、無駄な管理用投資を削減することが可能なプロセス状態管理システム、管理サーバ、プロセス状態管理方法及びプロセス状態管理用プログラムを提供する。【解決手段】  複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・と、これら複数の装置の動作を一括して制御する装置群制御サーバ１１ａと、複数の装置のそれぞれの動作管理データと装置群制御サーバ１１ａから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部１４２を有し、リンクされたデータを共通のアプリケーションで解析する管理サーバ１４ａと、リンクされたデータを格納する管理データベース１５とを備える。【選択図】      図１
2006099735.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の装置と、
該複数の装置の少なくとも一部となる複数の装置を、一括して制御する装置群制御サーバと、
前記複数の装置のそれぞれの動作管理データと、前記装置群制御サーバから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部を有し、前記リンクされたデータを共通のアプリケーションで解析する管理サーバと、
前記リンクされたデータを格納する管理データベース
とを備えることを特徴とするプロセス状態管理システム。
【請求項２】
前記管理サーバは、前記複数の装置のそれぞれの動作管理データを共通のフォーマットのデータに変換するフォーマット変換部を更に備え、
前記管理情報リンク部は、前記共通のフォーマットに変換された動作管理データと、前記装置群制御サーバから送信された管理情報とをリンクすることを特徴とする請求項１に記載のプロセス状態管理システム。
【請求項３】
前記複数の装置の少なくとも一部の装置に接続され、該少なくとも一部の装置から前記動作管理データを取得し、前記管理サーバに送信するデータ取得部を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のプロセス状態管理システム。
【請求項４】
前記装置群制御サーバが、前記複数の装置の少なくとも一部の装置から前記動作管理データを取得し、前記管理サーバに送信するデータ取得部を備えることを特徴とする請求項１に記載のプロセス状態管理システム。
【請求項５】
前記複数の装置をそれぞれ分散制御する複数の装置群制御サーバを備えることを特徴とする請求項１に記載のプロセス状態管理システム。
【請求項６】
複数の装置と、該複数の装置の少なくとも一部となる複数の装置を一括して制御する装置群制御サーバと、前記複数の装置及び前記装置群制御サーバに通信ネットワークを介して接続された管理サーバと、該管理サーバに接続された管理データベースとを備えるプロセス状態管理システムに用いられる管理サーバであって、
前記管理サーバは、前記複数の装置のそれぞれの動作管理データと、前記装置群制御サーバから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部を有し、前記リンクされたデータを共通のアプリケーションで解析することを特徴とする管理サーバ。
【請求項７】
装置群制御サーバが、特定の装置の処理に対するロット管理情報を管理情報リンク部へ送信するステップと、
管理情報リンク部が、前記特定の装置の動作管理データと、前記ロット管理情報とをリンクするステップと、
管理サーバが、前記リンクされた前記動作管理データを共通のアプリケーションで解析するステップ
とを含む処理を複数の装置に逐次適用し、前記解析の結果により、前記複数の装置が実行するプロセス状態を管理することを特徴とするプロセス状態管理方法。
【請求項８】
管理情報リンク部に、特定の装置の処理に対するロット管理情報を受信させる命令と、
管理情報リンク部に、前記特定の装置の前記動作管理データと、前記ロット管理情報とをリンクさせる命令と、
アプリケーション実行モジュールに、前記リンクされた前記動作管理データを共通のアプリケーションで解析させる命令
とを含む一連の命令群を、複数の装置から送信される前記ロット管理情報及び前記動作管理データの組に対し逐次適用するように、管理サーバを制御し、前記解析の結果により、前記複数の装置が実行するプロセス状態を管理することを特徴とするプロセス状態管理用プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータ及びＩＴ技術を用いた工場の監視・管理技術に関し、特に多数の装置の動作状態を制御し、多数の装置が実行する一連のプロセスの状態を管理するプロセス状態管理システム、管理サーバ、プロセス状態管理方法及びプロセス状態管理用プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造は、多数の高価な半導体製造装置を用い、リソグラフィ、エッチング、熱処理（酸化、アニール、拡散）、イオン注入、薄膜形成（ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着）、洗浄（レジスト除去、溶液による洗浄）、検査等を複雑且つ多数組み合わせた長い一連の工程により行われる。特に、最近は、３００ｍｍウェハ等の大口径ウェハが用いられるようになり、ウェハの単価も向上し、一連の工程における途中での失敗は、製造コストの増大を招く。
【０００３】
このため、多数の高価な半導体製造装置を用いる半導体装置の製造においては、装置エンジニアリング・システム（ＥＥＳ）により、工場内外の装置の有効稼働率の改善、性能維持及び向上等が試みられている。「ＥＥＳ」とは、それぞれの半導体製造装置自身が持っている固有の各種装置情報を取得し、コンピュータを用いて、装置情報のデータを統計的に解析し、それぞれの半導体製造装置の状況が正常又は異常であるかを判定するシステムである。
【０００４】
特に、先進的プロセス制御（ＡＰＣ）や不良検知分類システム（ＦＤＣ）等による，装置個々の正確な稼働・保守管理を行うためのコンピュータを用いた高度なインテリジェントシステムの構築が図られている。「ＡＰＣ」とは、半導体製造装置で処理したウェハの処理内容に応じて、コンピュータが半導体製造プロセスを変更するシステムであり、多変数モデル予測などを用いて変数のプロセス数を同時に制御し、工程内・工程間にわたるフィードバック・フィードフォワード等により、工程レシピの制御等を行う。ＡＰＣテクノロジは、半導体量産の複雑なプロセス作業を自動化することで、生産コストの低減、生産効率の向上ならびに一貫した高い品質を実現し、更に製造工程において任意の箇所へのリアルタイム修正を可能にする。このテクノロジにより、ウェハあたりの利潤が向上し、且つ製造コストの低減をもたらすことが期待されている。 又、ＦＤＣは、半導体製造装置の監視を絶えず行い、半導体製造装置のズレが製品歩留まりに悪影響を与える前に、ウェハ製造で使用される複雑な各種ツール（半導体製造装置）をシャットダウンすることによってウェハへのリスクを低減する。
【０００５】
このように、半導体装置の製造の分野では，時間経過による半導体製造装置状態の変動を除去し，ウェハ間の成膜差異や半導体製造装置の機差を解消し，安定した製造プロセスを行うための種々のコンピュータを用いた技術の開発が進められている。例えば、製造プロセスの処理中あるいは処理後のウェハを検査して得た計測検査データを中央制御システムに転送して、ウェハや半導体製造装置の履歴管理や記録を行い、各半導体製造装置の自己診断を行い適切な指示を出力するシステムが提案されている（特許文献１参照。）。
【０００６】
しかしながら、従来のＦＤＣにおいては、多数の半導体製造装置の監視を行うに際し、それぞれ装置ベンダー毎若しくはＦＤＣ  ｂｏｘメーカ毎に異なるデータ取得部（アダプター）を用い、このデータ取得部により個々の半導体製造装置をそれぞれ独立に取得し、それを装置ベンダー毎若しくはＦＤＣ  ｂｏｘメーカ毎に異なるコンピュータ（専用サーバ）を用い、分離独立した異常検知を行っている。したがって、従来のＦＤＣに伴うデータもそれぞれの半導体製造装置毎に分散している。
【０００７】
つまり、従来のＦＤＣにおいては、異常検知の方法、異常の自動解析の方法は、装置ベンダー毎若しくはＦＤＣ  ｂｏｘメーカ毎に異なり、異常の自動解析に用いるソフトウェア（アプリケーション）もそれぞれの半導体製造装置毎に異なる。このような状況では、装置の異常を解析する自動解析用アプリケーションは、それぞれの半導体製造装置毎に異なり、余分な投資が必要となる。
【特許文献１】国際公開ＷＯ９６／２５７６０号公報（第３６頁、第２５行から第３７頁、第２行）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、多数の装置の管理用データの有効利用が可能で、それにより、装置の有効稼働率の改善、性能維持及びプロセスの向上を図り、無駄な管理用投資を削減することが可能なプロセス状態管理システム、管理サーバ、プロセス状態管理方法及びプロセス状態管理用プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、複数の装置；この複数の装置の少なくとも一部となる複数の装置を、一括して制御する装置群制御サーバ；複数の装置のそれぞれの動作管理データと、装置群制御サーバから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部を有し、リンクされたデータを共通のアプリケーションで解析する管理サーバ；リンクされたデータを格納する管理データベースとを備えるプロセス状態管理システムであることを要旨とする。
【００１０】
本発明の他の態様は、複数の装置と、この複数の装置の少なくとも一部となる複数の装置を一括して制御する装置群制御サーバと、複数の装置及び装置群制御サーバに通信ネットワークを介して接続された管理サーバと、この管理サーバに接続された管理データベースとを備えるプロセス状態管理システムに用いられる管理サーバであって、管理サーバは、複数の装置のそれぞれの動作管理データと、装置群制御サーバから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部を有し、リンクされたデータを共通のアプリケーションで解析する管理サーバであることを要旨とする。
【００１１】
本発明の更に他の態様は、装置群制御サーバが、特定の装置の処理に対するロット管理情報を管理情報リンク部へ送信するステップ；管理情報リンク部が、特定の装置の動作管理データと、ロット管理情報とをリンクするステップ；管理サーバが、リンクされた動作管理データを共通のアプリケーションで解析するステップとを含む処理を複数の装置に逐次適用し、解析の結果により、複数の装置が実行するプロセス状態を管理するプロセス状態管理方法であることを要旨とする。
【００１２】
本発明の更に他の態様は、装置群制御サーバが、複数の装置の処理に対するそれぞれのロット管理情報を管理情報リンク部へ送信するステップ；管理情報リンク部が、複数の装置の動作管理データと、対応するロット管理情報とをそれぞれリンクするステップ；管理サーバが、リンクされた複数の装置の動作管理データを編集するステップ；管理サーバが、編集された動作管理データを共通のアプリケーションで解析するステップとを含み、解析の結果により、複数の装置が実行するプロセス状態を管理するプロセス状態管理方法であることを要旨とする。
【００１３】
本発明の更に他の態様は、管理情報リンク部に、特定の装置の処理に対するロット管理情報を受信させる命令；管理情報リンク部に、特定の装置の動作管理データと、ロット管理情報とをリンクさせる命令；アプリケーション実行モジュールに、リンクされた動作管理データを共通のアプリケーションで解析させる命令とを含む一連の命令群を、複数の装置から送信されるロット管理情報及び動作管理データの組に対し逐次適用するように、管理サーバを制御し、解析の結果により、複数の装置が実行するプロセス状態を管理するプロセス状態管理用プログラムであることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、多数の装置の管理用データの有効利用が可能で、それにより、装置の有効稼働率の改善、性能維持及びプロセスの向上を図り、無駄な管理用投資を削減することが可能なプロセス状態管理システム、管理サーバ、プロセス状態管理方法及びプロセス状態管理用プログラムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、図面を参照して、本発明の第１〜第６の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１６】
なお、以下に示す第１〜第６の実施の形態では、半導体装置の製造方法について例示的に説明するが、本発明は、液晶装置、磁気記録媒体、光記録媒体、薄膜磁気ヘッド、超伝導素子等種々の工業製品の製造方法に適用できることは勿論である。即ち、以下に示す第１〜第６の実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記の実施の形態の説明内容に特定するものでない。
【００１７】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係るプロセス状態管理システムは、図１に示すように、半導体装置の製造に必要な複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・と、これらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作を一括して制御する装置群制御サーバ１１ａと、複数の装置のそれぞれの動作状況や装置パラメータを記述した動作管理データ（装置エンジニアリングデータ：ＥＥデータ）を入力し、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作状態をリアルタイムで監視する管理サーバ１４ａと、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作管理データ（ＥＥデータ）を保存する管理データベース１５とを備える。なお、本明細書では、以下において、装置エンジニアリングデータ（ＥＥデータ）を「装置データ」と言う。装置群制御サーバ１１ａは、生産進捗管理システム（ＭＥＳ）サーバの機能を持たせ、本社のビジネス系システムである企業資源計画（ＥＲＰ）パッケージと、製造現場の機械を動かす制御系のシステム群との間をつなぐ、工場管理のためのシステム群を構成することが可能である。したがって、図１に示すように、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・、装置群制御サーバ１１ａ、及び管理サーバ１４ａは、通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）１９を介して、互いに接続されている。通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）１９には、更にデータ解析用パーソナルコンピュータ（ＰＣ）１８が接続されている。
【００１８】
管理サーバ１４ａの解析結果や判断結果は、通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）１９を介して、装置群制御サーバ１１ａにフィードバックされ、ＭＥＳサーバの機能を有する装置群制御サーバ１１ａから複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・に、個別具体的な処理の指示（ジョブの指示）が送信される。なお、図１には単一の装置群制御サーバ１１ａが示されているがこれは例示であり、通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）１９を介して、物理的に複数の装置群制御サーバが存在しても構わないことは、勿論である。
【００１９】
複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・には、例えば、イオン注入装置、不純物拡散処理装置、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）を形成する熱酸化装置、ＳｉＯ2膜、燐ガラス（ＰＳＧ）膜、硼素ガラス（ＢＳＧ）膜、硼素燐ガラス（ＢＰＳＧ）膜、シリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜）、ポリシリコン膜などを堆積する化学的気相堆積（ＣＶＤ）装置、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などをリフロー（メルト）する熱処理装置、ＣＶＤ酸化膜などのデンシファイする熱処理装置、シリサイド膜などを形成する熱処理装置、金属配線層を堆積するスパッタリング装置、真空蒸着装置、更に金属配線層をメッキにより形成するメッキ処理装置、半導体基板の表面を研磨する化学的・機械的研磨（ＣＭＰ）処理装置、半導体基板表面をエッチングするドライ又はウエットエッチング装置、レジスト除去や溶液による洗浄をする洗浄装置、フォトリソグラフィ処理関連のスピンコート装置（スピンナー）、ステッパー等の露光装置、ダイシング装置、ダイシングされたチップ状の半導体装置の電極をリードフレームに接続するボンディング装置など様々な半導体製造装置が含まれる。更に、これらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・には、干渉式膜厚計、エリプソメータ、接触式膜厚計、顕微鏡、抵抗測定装置等の種々の検査装置、測定装置も含まれる。更に、純水製造装置やガスの純化装置等の付帯設備が含まれていても良い。又、これらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・は、バッチ式装置あるいは枚葉式装置のいずれにも適用可能である。後述するすべての実施の形態についても同様にバッチ式装置あるいは枚葉式装置を適用しても構わない。
【００２０】
図１に示すように、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・には、それぞれこれらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データ（装置データ）を、それぞれ固有のデータコレクションプラン（ＤＣＰ）によって取得し、これを所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ａに送信する複数のデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・が接続されている。図１では、複数のデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・と管理サーバ１４ａとは、通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）１９で互いに接続されいるが、ＭＥＳのＬＡＮ１９とは別に、ＥＥＳのＬＡＮを構築し、ＥＥＳのＬＡＮで互いに接続しても良い。
【００２１】
例えば、装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・が真空処理系の膜形成装置、拡散装置、薄膜堆積膜装置のようなチャンバを有する装置である場合は、チャンバ内複数箇所の温度、サセプタ温度、チャンバ外壁複数箇所の温度、チャンバの圧力、ガスの流量、ガス流量を制御するバルブの開度などの動作管理データ（装置データ）をデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・が取得し、所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ａに送信する。装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・がプラズマ処理系のドライエッチング装置、イオン注入装置のような電極を有する装置である場合は、上述した真空処理系の各種パラメータの他にＲＦのマッチング位置、ＲＦ電圧（進行波電圧、反射波電圧）、ウェハの位置情報のような各種の動作管理データ（装置データ）をデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・が取得し、所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ａに送信する。更に、装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・が大気圧処理系のウエットエッチング装置、スピンコート装置、露光装置、ボンディング装置の場合は、処理時間やウェハ若しくはチップの位置情報のような各種の動作管理データ（装置データ）をデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・が取得し、所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ａに送信する。
【００２２】
管理サーバ１４ａの演算処理部（ＣＰＵ）は、それぞれのデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・から送信された動作管理データ（装置データ）と、装置群制御サーバ１１ａから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部１４２を備える。管理情報リンク部１４２では、例えば、ロットの製品情報に関する一意のデータを含む動作管理データ（装置データ）と、ロットの製品情報に関する一意のデータを含む管理情報とをリンクする。管理情報とリンクした装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データ（装置データ）は、管理データベース１５に格納される。
【００２３】
「管理情報」には、半導体基板の管理情報や半導体基板の製品情報が含まれる。管理情報の一例は図３に示す。図３（ａ）はフォトリソグラフィ工程について、図３（ｂ）はＣＶＤ（デポ）工程について、図３（ｃ）はスパイクアニール工程についての管理情報の例である。管理情報には、品名，ロット番号，ウェハ番号（枚葉処理装置の場合），動作管理データ（装置データ）のサンプリング頻度，対応する処理工程名，その処理のレシピ名、その処理を行う装置名，その装置でのジョブ（Job）のＩＤ番号、その装置のモジュール(Module)名若しくはチャンバ名が含まれる。
【００２４】
複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・は装置群制御サーバ１１ａからロット処理指示命令を受信すると、処理指示単位(Job)を生成し、装置群制御サーバ１１ａに通知する。処理指示単位には装置群制御サーバ１１ａが発番したジョブのＩＤ番号が付けられ、以後装置群制御サーバ１１ａは複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・から報告されるこのJobIDによってロットの進捗管理を行う（ＳＥＭＩスタンダード準拠）。装置群制御サーバ１１ａは複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・から処理指示単位を生成したことを受信すると、そのジョブ（Job）のＩＤ番号から製品名、工程名、ロット番号、そのロットに含まれるウェハ番号等の製品情報を認識し、処理指示単位生成報告を受信したタイミングで、製品情報を管理サーバ１４ａへ送信する。管理サーバ１４ａへ製品情報を送信するときの通信プロトコルは、ＨＳＭＳ通信やＳＯＡＰ、ファイル転送等が考えられるが、特に限定はしない。その後、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・で、順次、ロット処理が開始され、予め複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・に設定された条件（例えば、該当ロットに属するウェハの処理が開始したとき）に達したとき、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれから動作管理データ（装置データ）が管理サーバ１４ａへ送信される。複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれは、ロット内のどのウェハが処理開始したのかをウェハ処理開始報告で装置群制御サーバ１１ａへ通知する。
【００２５】
第１の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの管理サーバ１４ａの演算処理部（ＣＰＵ）は、更に、複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・を備え、この複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・のそれぞれは、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の監視を一括して行い、いずれかの半導体製造装置のズレが製品歩留まりに悪影響を与えるような場合は、その半導体製造装置を停止（シャットダウン）する等の命令をリアルタイムで発生し、ウェハへのリスクを低減する。複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・の内のいずれか１つのアプリケーションが、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の監視を一括して行っても良く、複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・の内の２以上を組み合わせて、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,・・・・・の監視しても良い。複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・は、それぞれＦＤＣのアプリケーションに対応するが、ソフトウェアとして存在しても良く、専用のハードウェアとして存在しても良い。具体的に、複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・に命令し、制御するＦＤＣプログラムは、管理サーバ１４ａの演算処理部（ＣＰＵ）に接続されたアプリケーションプログラム記憶部１６に格納されている。
【００２６】
第１の実施の形態に係るプロセス状態管理システムにおいては、このように、共通の不良検知分類アプリケーションが、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の監視を一括してリアルタイムで行うことが可能なので、装置ベンダーの異なる多数の半導体製造装置の監視を行うに際し、統一された異常検知の方法や、統一された異常の自動解析方法を採用できる。つまり、装置ベンダーの異なる多数の半導体製造装置で工場のラインを構成した場合であっても、異常検知や自動解析用アプリケーションは、それぞれの半導体製造装置毎に用意する必要はないので、余分な投資が不要となる。
【００２７】
更に、異常検知や自動解析に必要なすべての装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データ（装置データ）が、管理データベースに、保存（格納）されているので、管理データベースから必要に応じて、高速で取り出し可能である。又、第１の実施の形態に係るプロセス状態管理システムに用いる不良検知分類アプリケーションは、入れ替え自由であり、どのような不良検知分類アプリケーションに入れ替えても、それを共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の監視を一括して行い、いずれかの半導体製造装置のズレが製品歩留まりに悪影響を与えるような場合は、その半導体製造装置を停止（シャットダウン）する等の命令を発生させることが可能である。
【００２８】
第１の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの管理サーバ１４ａの演算処理部（ＣＰＵ）は、更に、多変数モデル予測など種々のモデルに対応した複数のプロセス制御アプリケーション実行モジュール１４４k,１４４k+1,１４４k+2,・・・・・を備え、この複数のプロセス制御アプリケーション実行モジュール１４４k,１４４k+1,１４４k+2,・・・・・のそれぞれは、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の工程レシピの制御等を一括して行い、工程内・工程間にわたるフィードバック・フィードフォワード等により、生産コストの低減、生産効率の向上や、製造工程における任意の箇所へのリアルタイム修正を行う。複数のプロセス制御アプリケーション実行モジュール１４４k,１４４k+1,１４４k+2,・・・・・の内のいずれか１つのアプリケーションが、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の工程レシピの制御等を一括して行っても良く、複数のプロセス制御アプリケーション実行モジュール１４４k,１４４k+1,１４４k+2,・・・・・の内の２以上を組み合わせて、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,・・・・・の工程レシピの制御等を一括して行っても良い。複数のプロセス制御アプリケーション実行モジュール１４４k,１４４k+1,１４４k+2,・・・・・は、それぞれＡＰＣのアプリケーションに対応するが、ソフトウェアとして存在しても良く、専用のハードウェアとして存在しても良い。具体的に、複数のプロセス制御アプリケーション実行モジュール１４４k,１４４k+1,１４４k+2,・・・・・に命令し、制御するＡＰＣプログラムは、管理サーバ１４ａに接続されたアプリケーションプログラム記憶部１６に格納されている。
【００２９】
更に、工程レシピの制御等に必要なすべての装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データ（装置データ）が、管理データベースに、保存（格納）されているので、管理データベースから必要に応じて、高速で取り出し可能である。又、プロセス制御アプリケーションは、入れ替え自由であり、どのようなプロセス制御アプリケーションに入れ替えても、それを共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の工程レシピの制御等を一括して行い、工程内・工程間にわたるフィードバック・フィードフォワード等により、生産コストの低減、生産効率の向上や、製造工程における任意の箇所へのリアルタイム修正が可能である。
【００３０】
更に、管理データベースに、保存（格納）されたそれぞれの装置に固有な動作管理データ（装置データ）は、ＥＥＳのアプリケーションを用いて統計的に解析し、工場内外の装置の有効稼働率の改善、性能維持及び向上等に活用できる。更に、テクノロジ・キャド（ＴＣＡＤ）や歩留まり管理システム（ＹＭＳ）等にも利用でき、最終工程を完了する前の中間処理工程においても最終的な半導体装置の歩留を予測するようなことも可能である。
【００３１】
なお、図１では図示を省略しているが、管理サーバ１４ａは、操作者からのデータや命令などの入力を受け付ける入力部と、解析結果等を出力する出力部、表示部と、各装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の解析に必要な中間データなどを格納したデータ記憶部等を備えることは勿論である。管理サーバ１４ａの入力部はキーボード、マウス、ライトペン又はフレキシブルディスク装置などで構成される。入力部よりプロセス状態管理実行者（工場管理者）は、入出力データを指定したり、用いるアプリケーションの変更を指定できる。更に、入力部より解析に用いるモデルを設定することも可能で、又、演算の実行や中止等の指示の入力も可能である。又出力部及び表示部は、それぞれプリンタ装置及びディスプレイ装置等により構成されている。表示部が入出力データや解析結果、異常／正常の状態や解析パラメータ等を表示し、工場管理者が統一的に監視できるようにしても良い。
【００３２】
図２及び図４に示したフローチャートを用いて、本発明の第１の実施の形態に係るプロセス状態管理方法を説明する。なお、以下に述べる第１の実施の形態に係るプロセス状態管理方法は、工場のラインを構成する複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・の内のｉ番目の装置１２iに着目したフローチャートであり、（ｉ−１）番目の装置１２i-1，（ｉ＋１）番目の装置１２i+1，（ｉ＋２）番目の装置１２i+2，（ｉ＋３）番目の装置１２i+3，・・・・・に着目したフローチャートも同様に記載可能である。又、図２に示したフローチャートは、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々のプロセス状態管理方法により、実現可能であることは勿論である。
【００３３】
（イ）先ず、図２のステップＳ１０１において、装置群制御サーバ１１ａから装置１２iへのロット処理の指示（ジョブの指示）が送信される（図４のステップＳ１５１に対応）。すると、装置１２iは、図２のステップＳ１０２において、装置１２iのジョブ（ロット処理情報）を生成し、ロット処理情報生成報告(JobID)を、装置群制御サーバ１１ａへ送信（通報）する（図４のステップＳ１５２に対応）。
【００３４】
（ロ）図２のステップＳ１０２で、装置１２iのロット処理情報生成報告(JobID)が装置群制御サーバ１１ａへ通報されると、装置群制御サーバ１１ａは、図２のステップＳ１０３において、装置１２iの処理に対するロット管理情報（製品情報）ＰＩを、管理サーバ１４ａへ送信する（図４のステップＳ１５３に対応）。
【００３５】
（ハ）一方、図２のステップＳ１０４において、装置１２iでは、対応するリソグラフィ、エッチング、熱処理、イオン注入、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着、洗浄等のロット処理が、所定のレシピに従い開始される（図４のステップＳ１５４に対応）。所定のレシピは、装置群制御サーバ１１ａが管理する。
【００３６】
（ニ）図２のステップＳ１０４におけるロット処理が開始されると、図４のステップＳ１５６に示すように、「ウェハ（１枚目）の開始報告(JobID,WaferID)」が装置群制御サーバ１１ａへ通報され、装置群制御サーバ１１ａは、「ウェハ（１枚目）の開始報告(JobID,WaferID)」を、管理サーバ１４ａへ送信する。更に、図２のステップＳ１０５において、装置１２iに接続されたデータ取得部１３iが、装置１２iに固有のデータコレクションプランに従って、装置１２iの動作管理データ（装置データ）の取得を開始し、データ取得部１３iが内蔵する記憶部に一時保存する。
【００３７】
（ホ）その後、図２のステップＳ１０６（図４のステップＳ１５７に対応）において、所定のタイミング（定周期）で、データ取得部１３iは、取得した装置１２iの動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・を管理サーバ１４ａの演算処理部（ＣＰＵ）が内蔵する管理情報リンク部１４２へ送信する。すると、管理サーバ１４ａの演算処理部（ＣＰＵ）が内蔵する管理情報リンク部１４２は、図２のステップＳ１２８において、装置１２iの動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・と、装置群制御サーバ１１ａから送信されたロット管理情報（製品情報）ＰＩとをリンクする。管理情報リンク部１４２は、装置１２iが装置群制御サーバ１１ａへ通知したウェハ処理開始報告内のジョブのＩＤ番号やウェハＩＤによって処理中の製品情報を認識し、動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・とロット管理情報（製品情報）ＰＩをリンクした形式で管理データベース１５に保存する。即ち、管理情報リンク部１４２がロット管理情報（製品情報）とリンクした装置１２iの動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・は、動作管理データとして、管理データベース１５に格納される。管理データベース１５に格納する代わりに、管理サーバ１４ａの主記憶装置（データ記憶装置）やキャッシュメモリ等に一時記憶しても良い。
【００３８】
（ヘ）一方、管理サーバ１４ａにおいては、管理サーバ１４ａの演算処理部（ＣＰＵ）に内蔵された複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・の内、最適な不良検知分類アプリケーション実行モジュールを、前もって、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の監視を一括してリアルタイムで行う共通モジュールとして選択しておく。第１の実施の形態に係るプロセス状態管理方法では、仮に、不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３jが選択されていたとする。すると、図２のステップＳ１０９において、不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３jは、管理データベース１５に格納された装置１２iの動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・を読み出し、装置１２iの動作が正常であるか否かを判定する。例えば、装置１２iが真空処理系の膜形成装置、拡散装置、薄膜堆積膜装置のようなチャンバを有する装置である場合は、チャンバ内複数箇所の温度（第１の装置パラメータ）、サセプタ温度（第２の装置パラメータ）、チャンバ外壁複数箇所の温度（第３の装置パラメータ）、チャンバの圧力（第４の装置パラメータ）、ガスの流量（第５の装置パラメータ）、ガス流量を制御するバルブの開度（第６の装置パラメータ），・・・・・と、順に正常値との比較を行う。
【００３９】
（ト）図２のステップＳ１０９において、不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３jが装置１２iの動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・の内、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、第４の装置パラメータ、第５の装置パラメータ、第６の装置パラメータ，・・・・・のすべてが規定の値の範囲内であれば、図２のステップＳ１１０に進み、ｉ番目の装置１２iが処理する工程の次の（ｉ＋１）番目の処理に移る。即ち、装置群制御サーバ１１ａは、（ｉ＋１）番目の処理を実施する（ｉ＋１）番目の装置１２i+1へのロット処理の指示（ジョブの指示）を送信する。
【００４０】
（チ）一方、図２のステップＳ１０９において、不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３jが装置１２iの動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・の内、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、第４の装置パラメータ、第５の装置パラメータ、第６の装置パラメータ，・・・・・の内のいずれか１つ以上が規定の値の範囲外であれば、図２のステップＳ１１１又は図２のステップＳ１１３に進む。図２のステップＳ１１１ヘ遷移するタイミングと図２のステップＳ１１３ヘ遷移するタイミングとは、一般に異なる。図２のステップＳ１１１に進むか、図２のステップＳ１１３に進むかは、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、第４の装置パラメータ、第５の装置パラメータ、第６の装置パラメータ，・・・・・の内のそれぞれの基準値からの逸脱の程度や、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、第４の装置パラメータ、第５の装置パラメータ、第６の装置パラメータ，・・・・・の内の複数のパラメータが異常であるか否か等の判断基準を用いれば良いが、図２のステップＳ１１３には、異常を検知したタイミングでほぼリアルタイムで遷移し、装置を停止する。一方、図２のステップＳ１１１ヘは、該当するロット処理が終了した後に遷移して、該当ウェハのＱＣ指示／測定がなされる。図２のステップＳ１１１では、品質管理（ＱＣ）の測定の指示、それによるＱＣの測定を行う。「ＱＣの測定」とは、例えば、ＣＶＤ装置であれば、そのＣＶＤ装置により堆積される薄膜の膜厚測定等が該当する。図２のステップＳ１１１におけるＱＣの測定で、規定の値の範囲内であることが確認できれば、図２のステップＳ１１０に進み、装置（ｉ＋１）へのロット処理の指示が送信される。図２のステップＳ１１１におけるＱＣの測定で、再び、規定の値の範囲外であることが確認できれば、図２のステップＳ１１３に進み、図２のステップＳ１１３では、装置群制御サーバ１１ａから装置１２iの動作の停止（シャットダウン）の命令が送信される。又、装置１２iの管理者への通報等付帯する必要な処理が同時に実行される。このように、装置１２iの監視を絶えず行い、装置１２iの動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・の基準値からのズレが製品歩留まりに悪影響を与える前に、装置１２iをシャットダウンすることによってウェハへのリスクを低減することができる。
【００４１】
同様に、工場のラインを構成する他の装置１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・等についても、共通の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３jが、同一の自動解析方法に従い、統一的に監視を絶えず行い、これらの装置１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・のそれぞれの動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・が対応する基準値からのズレが、製品歩留まりに悪影響を与える前に、対応する装置１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・のいずれかをシャットダウンすることによってウェハへのリスクを低減することができる。
【００４２】
又、動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・とロット管理情報（製品情報）ＰＩをリンクした形式のデータ構成の例を図５に示す。動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・とロット管理情報（製品情報）ＰＩをリンクした形式のデータ保存方法は管理データベース１５へ保存する方法を挙げたが、ファイルで保存する方法もあり、特に限定はしない。ユーザはデータ解析端末から管理サーバ１４ａにアクセスすることにより、ロット管理情報（製品情報）ＰＩがリンクした動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・を入手することができる。特に多品種少量生産ラインのような、ロット番号やレシピ名が品種間で重複するような場合は、品種を絞ったデータ解析が容易となり、解析効率と解析精度が向上する。又、半導体製造装置の標準通信仕様に準拠した複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・であれば、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の通信ソフトウェアに改造も発生しないため、不要なコスト増大を防ぐことができる。このように、本発明の第１の実施の形態に係るプロセス状態管理方法によれば、図２のステップＳ１０１〜図２のステップＳ１１３までの処理を複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・に逐次適用し、管理サーバ１４ａにおける共通のアプリケーションを用いた解析の結果により、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・が実行するプロセス状態を管理することができる。ここで「管理」とは、解析結果により複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・の内の対応する装置の動作状態に対して、強制停止、一時停止等の変更を加えるような内容を含むものである。更には、工程内・工程間にわたるフィードバック・フィードフォワードを含むものである。なお、以下の本発明の第２〜第６の実施の形態の説明のプロセス状態管理システム、管理サーバ、プロセス状態管理方法及びプロセス状態管理用プログラムにおいても、同様に、「管理」という用語は、フィードバック及びフィードフォワード制御を含むことに留意されたい。
【００４３】
図２に示した一連のプロセス状態管理方法の手順は、図２と等価なアルゴリズムのプログラムにより、図１に示したプロセス状態管理システムを制御して実行できる。このプログラムは、本発明の第１の実施の形態に係るプロセス状態管理システムを構成する装置群制御サーバ１１ａと管理サーバ１４ａのプログラム記憶装置（図示省略）に、それぞれ記憶させれば良い。又、このプログラムは、コンピュータ読取り可能な記録媒体に保存し、この記録媒体を装置群制御サーバ１１ａと管理サーバ１４ａのプログラム記憶装置にそれぞれ読み込ませることにより、本発明の第１の実施の形態に係るプロセス状態管理方法の一連のプロセス状態管理方法の手順を実行することができる。ここで、「コンピュータ読取り可能な記録媒体」とは、例えばコンピュータの外部メモリ装置、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、磁気テープなどのプログラムを記録することができるような媒体などを意味する。具体的には、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ，ＭＯディスク、カセットテープ、オープンリールテープなどが「コンピュータ読取り可能な記録媒体」に含まれる。例えば、装置群制御サーバ１１ａと管理サーバ１４ａの本体は、フレキシブルディスク装置（フレキシブルディスクドライブ）及び光ディスク装置（光ディスクドライブ）を内蔵若しくは外部接続するように構成できる。フレキシブルディスクドライブに対してはフレキシブルディスクを、又光ディスクドライブに対してはＣＤ−ＲＯＭをその挿入口から挿入し、所定の読み出し操作を行うことにより、これらの記録媒体に格納されたプログラムを装置群制御サーバ１１ａと管理サーバ１４ａを構成するプログラム記憶装置にインストールすることができる。又、所定のドライブ装置を接続することにより、例えばゲームパック等に利用されているメモリ装置としてのＲＯＭや、磁気テープ装置としてのカセットテープを用いることもできる。更に、インターネット等の情報処理ネットワークを介して、このプログラムをプログラム記憶装置に格納することが可能である。
【００４４】
例えば、管理サーバ１４ａを制御するに必要なプロセス状態管理用プログラムは、以下のような命令からなる：
（イ）装置群制御サーバ１１ａが特定の装置１２iの処理に対するロット管理情報（製品情報）ＰＩを管理サーバ１４ａの管理情報リンク部１４２に送信するように、管理情報リンク部１４２から装置群制御サーバ１１ａに対して要求（コマンド）させる命令；
（ロ）（上記コマンドにより、装置群制御サーバ１１ａは、特定の装置１２iの処理に対するロット管理情報（製品情報）ＰＩを管理情報リンク部１４２に送信する）そこで、図２のステップＳ１０３に対応し、管理情報リンク部１４２に、特定の装置１２iの処理に対するロット管理情報（製品情報）ＰＩを受信させる命令；
（ハ）図２のステップＳ１０６に対応し、管理サーバ１４ａの管理情報リンク部１４２に、特定の装置１２iの動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・を受信させる。更に、図２のステップＳ１２８において、管理サーバ１４ａの管理情報リンク部１４２に、動作管理データとロット管理情報（製品情報）ＰＩとをリンクさせる命令；
（ニ）図２のステップＳ１０９〜Ｓ１１３のステップに従い、管理サーバ１４ａのアプリケーション実行モジュール１４３jに、リンクされた動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・を共通のアプリケーションで解析させる命令。
【００４５】
この一連の命令群を、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・から送信されるロット管理情報（製品情報）ＰＩ及び動作管理データ（装置データ）ＥＤ（ｔ1），ＥＤ（ｔ2），ＥＤ（ｔ3），・・・・・の組に対し逐次適用し、図２のステップＳ１０９〜Ｓ１１３のステップの解析を繰り返し適用し、この解析の結果により、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・が実行するプロセス状態を管理サーバ１４ａに管理させることができる。
【００４６】
<第１の実施の形態の変形例>
図６に示す本発明の第１の実施の形態の変形例に係るプロセス状態管理システムは、図１に示す構成とほぼ同様に、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・と、これらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作を一括して制御する装置群制御サーバ１１ｂと、複数の装置のそれぞれの動作状況や装置パラメータを記述した動作管理データ（装置データ）を入力し、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作状態をリアルタイムで監視する管理サーバ１４ａと、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作管理データ（装置データ）を保存する管理データベース１５とを備える。
【００４７】
但し、図１に示す構成では、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・には、それぞれこれらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データ（装置データ）を、それぞれ固有のデータコレクションプラン（ＤＣＰ）によって取得し、これを所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ａに送信する複数のデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・が接続されていたが、図６に示す本発明の第１の実施の形態の変形例に係るプロセス状態管理システムでは、装置群制御サーバ１１ｂがデータ取得部１３int,を内蔵し、データ取得部１３intが、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データ（装置データ）を、それぞれ固有のデータコレクションプラン（ＤＣＰ）によって取得し、これを所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ａに送信する。
【００４８】
図１に示す構成とほぼ同様に、図６に示す本発明の第１の実施の形態の変形例に係るプロセス状態管理システムの装置群制御サーバ１１ｂは、生産進捗管理システム（ＭＥＳ）サーバの機能を持たせ、本社のビジネス系システムである企業資源計画（ＥＲＰ）パッケージと、製造現場の機械を動かす制御系のシステム群との間をつなぐ、工場管理のためのシステム群を構成することが可能である。したがって、図６に示すように、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・、装置群制御サーバ１１ｂ、及び管理サーバ１４ａは、通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）１９を介して、互いに接続されている。通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）１９には、更にデータ解析用パーソナルコンピュータ（ＰＣ）１８が接続されている。
【００４９】
管理サーバ１４ａの解析結果や判断結果は、通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）１９を介して、装置群制御サーバ１１ｂにフィードバックされ、ＭＥＳサーバの機能を有する装置群制御サーバ１１ｂから複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・に、個別具体的な処理の指示（ジョブの指示）が送信される。なお、図６には単一の装置群制御サーバ１１ｂが示されているがこれは例示であり、通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）１９を介して、物理的に複数の装置群制御サーバが存在しても構わないことは、図１において説明したと同様である。
【００５０】
例えば、装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・が真空処理系の膜形成装置、拡散装置、薄膜堆積膜装置のようなチャンバを有する装置である場合は、チャンバ内複数箇所の温度、サセプタ温度、チャンバ外壁複数箇所の温度、チャンバの圧力、ガスの流量、ガス流量を制御するバルブの開度などの動作管理データ（装置データ）をデータ取得部１３intが取得し、所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ａに送信する。装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・がプラズマ処理系のドライエッチング装置、イオン注入装置のような電極を有する装置である場合は、上述した真空処理系の各種パラメータの他にＲＦのマッチング位置、ＲＦ電圧（進行波電圧、反射波電圧）、ウェハの位置情報のような各種の動作管理データ（装置データ）をデータ取得部１３intが取得し、所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ａに送信する。更に、装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・が大気圧処理系のウエットエッチング装置、スピンコート装置、露光装置、ボンディング装置の場合は、処理時間やウェハ若しくはチップの位置情報のような各種の動作管理データ（装置データ）をデータ取得部１３intが取得し、所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ａに送信する。
【００５１】
管理サーバ１４ａの演算処理部（ＣＰＵ）が、それぞれのデータ取得部１３intから送信された動作管理データ（装置データ）と、装置群制御サーバ１１ｂから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部１４２を備える点は、図１に示す構成とほぼ同様であり、管理情報リンク部１４２は、例えば、ロットの製品情報に関する一意のデータを含む動作管理データ（装置データ）と、ロットの製品情報に関する一意のデータを含む管理情報とをリンクする。管理情報とリンクした装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データ（装置データ）は、管理データベース１５に格納される。
【００５２】
他は、図１に示す構成と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。
【００５３】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムは、図７に示すように、半導体装置の製造に必要な複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・と、これらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作を一括して制御する装置群制御サーバ１１ａと、複数の装置のそれぞれの動作状況や装置パラメータを記述した動作管理データ（装置データ）を入力し、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作状態をリアルタイムで監視する管理サーバ１４ｂと、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作管理データ（装置データ）を共通の形式のデータとして保存する管理データベース１５とを備え、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・には、それぞれこれらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データ（装置データ）を、それぞれ固有のデータコレクションプラン（ＤＣＰ）によって取得し、これを所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ｂに送信する複数のデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・が接続されている点では、第１の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様である。
【００５４】
しかし、図７に示すように、第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムは、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）が、それぞれのデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・から送信された動作管理データを、図９〜図１０に示すような共通のフォーマットのデータ（動作管理データ）に変換するフォーマット変換部１４１を備える点で、図１に示した第１の実施の形態に係るプロセス状態管理システムとは異なる。
【００５５】
第１の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様に、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、更に、フォーマット変換部１４１が変換した共通のフォーマットの動作管理データと、装置群制御サーバ１１ａから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部１４２を備える。管理情報リンク部１４２では、例えば、ロットの製品情報に関する一意のデータを含む動作管理データと、ロットの製品情報に関する一意のデータを含む管理情報とをリンクする。管理情報とリンクした装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データは、共通のフォーマットで管理データベース１５に格納される。
【００５６】
図示を省略しているが、図１と同様に、複数のデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・と管理サーバ１４ｂとは、ＭＥＳのＬＡＮで互いに接続されても良く、ＭＥＳのＬＡＮとは別にＥＥＳのＬＡＮを構築し、ＥＥＳのＬＡＮで互いに接続しても良い。又、第１の実施の形態で説明したように、装置群制御サーバ１１ａは、生産進捗管理システム（ＭＥＳ）サーバの機能を持たせ、本社のビジネス系システムである企業資源計画（ＥＲＰ）パッケージと、製造現場の機械を動かす制御系のシステム群との間をつなぐ、工場管理のためのシステム群を構成することが可能である。したがって、図示を省略しているが、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・は、装置群制御サーバ１１ａとＭＥＳのＬＡＮで互いに接続される。更に、図７においては、配線の図示を省略しているが、管理サーバ１４ｂの解析結果や判断結果は、装置群制御サーバ１１ａにフィードバックされ、ＭＥＳサーバの機能を有する装置群制御サーバ１１ａから複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・に、個別具体的な処理の指示（ジョブの指示）が送信される。なお、図７には単一の装置群制御サーバ１１ａが示されているがこれは例示であり、物理的に複数の装置群制御サーバが存在しても構わないことは、第１の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様である。
【００５７】
複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・には、例えば、イオン注入装置、不純物拡散処理装置、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）を形成する熱酸化装置、ＳｉＯ2膜、燐ガラス（ＰＳＧ）膜、硼素ガラス（ＢＳＧ）膜、硼素燐ガラス（ＢＰＳＧ）膜、シリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜）、ポリシリコン膜などを堆積する化学的気相堆積（ＣＶＤ）装置、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などをリフロー（メルト）する熱処理装置、ＣＶＤ酸化膜などのデンシファイする熱処理装置、シリサイド膜などを形成する熱処理装置、金属配線層を堆積するスパッタリング装置、真空蒸着装置、更に金属配線層をメッキにより形成するメッキ処理装置、半導体基板の表面を研磨する化学的・機械的研磨（ＣＭＰ）処理装置、半導体基板表面をエッチングするドライ又はウエットエッチング装置、レジスト除去や溶液による洗浄をする洗浄装置、フォトリソグラフィ処理関連のスピンコート装置（スピンナー）、ステッパー等の露光装置、ダイシング装置、ダイシングされたチップ状の半導体装置の電極をリードフレームに接続するボンディング装置など様々な半導体製造装置が含まれる。更に、これらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・には、干渉式膜厚計、エリプソメータ、接触式膜厚計、顕微鏡、抵抗測定装置等の種々の検査装置、測定装置も含まれる。更に、純水製造装置やガスの純化装置等の付帯設備が含まれていても良い。又、これらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・は、バッチ式装置あるいは枚葉式装置のいずれにも適用可能である。後述するすべての実施の形態についても同様にバッチ式装置あるいは枚葉式装置を適用しても構わない。
【００５８】
例えば、装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・が真空処理系の膜形成装置、拡散装置、薄膜堆積膜装置のようなチャンバを有する装置である場合は、チャンバ内複数箇所の温度、サセプタ温度、チャンバ外壁複数箇所の温度、チャンバの圧力、ガスの流量、ガス流量を制御するバルブの開度などの動作管理データをデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・が取得し、所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ｂに送信する。装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・がプラズマ処理系のドライエッチング装置、イオン注入装置のような電極を有する装置である場合は、上述した真空処理系の各種パラメータの他にＲＦのマッチング位置、ＲＦ電圧（進行波電圧、反射波電圧）、ウェハの位置情報のような各種の動作管理データをデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・が取得し、所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ｂに送信する。更に、装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・が大気圧処理系のウエットエッチング装置、スピンコート装置、露光装置、ボンディング装置の場合は、処理時間やウェハ若しくはチップの位置情報のような各種の動作管理データをデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・が取得し、所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ｂに送信する。
【００５９】
図９（ａ）はフォトリソグラフィ工程について、図１０（ａ）はＣＶＤ（デポ）工程について、図１１（ａ）はスパイクアニール工程の３つの異なる工程を例示し、その共通フォーマット化された動作管理データ（装置データ）のテーブルを示す。図９（ａ），図１０（ａ）及び図１１（ａ）は、それぞれデータ取得部が取得した時刻毎にレコード（横の行）が構成されている。図９（ａ）はフォトリソグラフィ工程についての動作管理データ（装置データ）のテーブルであり、各レコードの項目として、装置パラメータＡとしての「オートフォーカス量」，装置パラメータＢとしての「露光量モニタ値」，装置パラメータＣとしての「ベーカステージ温度」，装置パラメータＤとしての「ショット番号］，装置パラメータＥとしての「レシピステップ」，装置パラメータＦとしての「ステップ内時間」，・・・・・がそれぞれ順に記録され、フィールド（縦の列）を構成している。
【００６０】
図１０（ａ）はＣＶＤ（デポ）工程についての動作管理データ（装置データ）のテーブルであり、各レコードの項目として、装置パラメータＡとしての「ヒータ温度」，装置パラメータＢとしての「ガスＡの流量」，装置パラメータＣとしての「チャンバ圧力」，装置パラメータＤとしての「レシピステップ」，・・・・・がそれぞれ順に記録され、フィールドを構成している。更に、図１１（ａ）はスパイクアニール工程についての動作管理データ（装置データ）のテーブルであり、各レコードの項目として、装置パラメータＡとしての「パイロメータ値（温度）」，装置パラメータＢとしての「ステージ回転量」，装置パラメータＣとしての「ランプパワー」，装置パラメータＤとしての「ガスＡの流量」，・・・・・がそれぞれ順に記録され、フィールドを構成している。
【００６１】
図９（ａ）のフォトリソグラフィ工程については、図９（ｂ）に示すようなプリトリートメント（特徴量）として、装置パラメータＣ（ベーカステージ温度）のショット(Shot)１の平均値が６５℃、装置パラメータＣのショット(Shot)１のバラツキが０．２℃等のデータが添付されている。図１０（ａ）のＣＶＤ（デポ）工程には、図１０（ｂ）に示すようなプリトリートメント（特徴量）として、装置パラメータＢ（ガスＡの流量）のレシピ３の平均値１２．５sccm，装置パラメータＣ（チャンバ圧力）のレシピ３のバラツキ１３Pa等のデータが添付されている。図１１（ａ）のスパイクアニール工程には、図１１（ｂ）に示すようなプリトリートメント（特徴量）として、装置パラメータＣ（ランプパワー）のステップ１＋２の平均値１１００℃、装置パラメータＣのステップ２の１sec間のバラツキ３℃等のデータが添付されている。
【００６２】
図９（ａ）、図１０（ａ）及び図１１（ａ）に示すように、動作管理データ（装置データ）が、データ取得部が取得した時刻毎のレコードとして共通フォーマット化されているので、異なる工程に用いる装置の動作管理データ（装置データ）が、例えば、データ取得部が取得した時刻を主キーとしてリレーショナルデータベースを構成することが可能である。但し、図９（ａ）、図１０（ａ）及び図１１（ａ）に示すテーブルの形式は例示であり、各装置に共通であれば、種々のテーブルの形式が採用可能である。
【００６３】
第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、更に、複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・を備え、この複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・のそれぞれは、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の監視を一括して行い、いずれかの半導体製造装置のズレが製品歩留まりに悪影響を与えるような場合は、その半導体製造装置を停止（シャットダウン）する等の命令をリアルタイムで発生し、ウェハへのリスクを低減する。複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・の内のいずれか１つのアプリケーションが、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の監視を一括して行っても良く、複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・の内の２以上を組み合わせて、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,・・・・・の監視しても良い。複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・は、それぞれＦＤＣのアプリケーションに対応するが、ソフトウェアとして存在しても良く、専用のハードウェアとして存在しても良い。具体的に、複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・に命令し、制御するＦＤＣプログラムは、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）に接続されたアプリケーションプログラム記憶部１６に格納されている。
【００６４】
第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムにおいては、このように、共通の不良検知分類アプリケーションが、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の監視を一括してリアルタイムで行うことが可能なので、装置ベンダーの異なる多数の半導体製造装置の監視を行うに際し、統一された異常検知の方法や、統一された異常の自動解析方法を採用できる。つまり、装置ベンダーの異なる多数の半導体製造装置で工場のラインを構成した場合であっても、異常検知や自動解析用アプリケーションは、それぞれの半導体製造装置毎に用意する必要はないので、余分な投資が不要となる。
【００６５】
更に、異常検知や自動解析に必要なすべての装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データが、装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・やそれに接続されるデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・に依存せず、同一の形式で、管理データベースに、保存（格納）されているので、管理データベースから必要に応じて、高速で取り出し可能である。又、第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムに用いる不良検知分類アプリケーションは、入れ替え自由であり、どのような不良検知分類アプリケーションに入れ替えても、それを共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の監視を一括して行い、いずれかの半導体製造装置のズレが製品歩留まりに悪影響を与えるような場合は、その半導体製造装置を停止（シャットダウン）する等の命令を発生させることが可能である。
【００６６】
第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、更に、多変数モデル予測など種々のモデルに対応した複数のプロセス制御アプリケーション実行モジュール１４４k,１４４k+1,１４４k+2,・・・・・を備え、この複数のプロセス制御アプリケーション実行モジュール１４４k,１４４k+1,１４４k+2,・・・・・のそれぞれは、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の工程レシピの制御等を一括して行い、工程内・工程間にわたるフィードバック・フィードフォワード等により、生産コストの低減、生産効率の向上や、製造工程における任意の箇所へのリアルタイム修正を行う。複数のプロセス制御アプリケーション実行モジュール１４４k,１４４k+1,１４４k+2,・・・・・の内のいずれか１つのアプリケーションが、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の工程レシピの制御等を一括して行っても良く、複数のプロセス制御アプリケーション実行モジュール１４４k,１４４k+1,１４４k+2,・・・・・の内の２以上を組み合わせて、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,・・・・・の工程レシピの制御等を一括して行っても良い。複数のプロセス制御アプリケーション実行モジュール１４４k,１４４k+1,１４４k+2,・・・・・は、それぞれＡＰＣのアプリケーションに対応するが、ソフトウェアとして存在しても良く、専用のハードウェアとして存在しても良い。具体的に、複数のプロセス制御アプリケーション実行モジュール１４４k,１４４k+1,１４４k+2,・・・・・に命令し、制御するＡＰＣプログラムは、管理サーバ１４ｂに接続されたアプリケーションプログラム記憶部１６に格納されている。
【００６７】
更に、工程レシピの制御等に必要なすべての装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データが、装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・やそれに接続されるデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・に依存せず、同一の形式で、管理データベースに、保存（格納）されているので、管理データベースから必要に応じて、高速で取り出し可能である。又、プロセス制御アプリケーションは、入れ替え自由であり、どのようなプロセス制御アプリケーションに入れ替えても、それを共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の工程レシピの制御等を一括して行い、工程内・工程間にわたるフィードバック・フィードフォワード等により、生産コストの低減、生産効率の向上や、製造工程における任意の箇所へのリアルタイム修正が可能である。
【００６８】
更に、同一の形式で、管理データベースに、保存（格納）されたそれぞれの装置に固有な動作管理データは、ＥＥＳのアプリケーションを用いて統計的に解析し、工場内外の装置の有効稼働率の改善、性能維持及び向上等に活用できる。更に、テクノロジ・キャド（ＴＣＡＤ）や歩留まり管理システム（ＹＭＳ）等にも利用でき、最終工程を完了する前の中間処理工程においても最終的な半導体装置の歩留を予測するようなことも可能である。
【００６９】
なお、図７では図示を省略しているが、管理サーバ１４ｂは、操作者からのデータや命令などの入力を受け付ける入力部と、解析結果等を出力する出力部、表示部と、各装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の解析に必要な中間データなどを格納したデータ記憶部等を備えることは勿論である。管理サーバ１４ｂの入力部はキーボード、マウス、ライトペン又はフレキシブルディスク装置などで構成される。入力部よりプロセス状態管理実行者（工場管理者）は、入出力データを指定したり、用いるアプリケーションの変更を指定できる。更に、入力部より解析に用いるモデルを設定することも可能で、又、演算の実行や中止等の指示の入力も可能である。又出力部及び表示部は、それぞれプリンタ装置及びディスプレイ装置等により構成されている。表示部が入出力データや解析結果、異常／正常の状態や解析パラメータ等を表示し、工場管理者が統一的に監視できるようにしても良い。
【００７０】
図８に示したフローチャートを用いて、本発明の第２の実施の形態に係るプロセス状態管理方法を説明する。なお、以下に述べる第２の実施の形態に係るプロセス状態管理方法は、工場のラインを構成する複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・の内のｉ番目の装置１２iに着目したフローチャートであり、（ｉ−１）番目の装置１２i-1，（ｉ＋１）番目の装置１２i+1，（ｉ＋２）番目の装置１２i+2，（ｉ＋３）番目の装置１２i+3，・・・・・に着目したフローチャートも同様に記載可能である。又、図８に示したフローチャートは、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々のプロセス状態管理方法により、実現可能であることは勿論である。
【００７１】
（イ）先ず、ステップＳ１０１において、装置群制御サーバ１１ａから装置１２iへのロット処理の指示（ジョブの指示）が送信される。すると、装置１２iは、ステップＳ１０２において、装置１２iのジョブを生成し、この装置１２iのジョブの生成を装置群制御サーバ１１ａへ送信（通報）する。
【００７２】
（ロ）ステップＳ１０２で、装置１２iのジョブの生成が装置群制御サーバ１１ａへ通報されると、装置群制御サーバ１１ａは、ステップＳ１０３において、装置１２iの処理に対するロット管理情報を管理サーバ１４ｂへ送信する。
【００７３】
（ハ）一方、ステップＳ１０４において、装置１２iでは、対応するリソグラフィ、エッチング、熱処理、イオン注入、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着、洗浄等のロット処理が、所定のレシピに従い開始される。所定のレシピは、装置群制御サーバ１１ａが管理する。
【００７４】
（ニ）ステップＳ１０４におけるロット処理が開始されると、ステップＳ１０５において、装置１２iに接続されたデータ取得部１３iが、装置１２iに固有のデータコレクションプランに従って、装置１２iの動作管理データ（装置データ）の取得を開始し、データ取得部１３iが内蔵する記憶部に一時保存する。
【００７５】
（ホ）その後、所定のタイミングで（ステップＳ１０６において）、データ取得部１３iは、取得した装置１２iの動作管理データ（装置データ）を管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）が内蔵するフォーマット変換部１４１へ送信する。ステップＳ１０６で装置１２iの動作管理データ（装置データ）がフォーマット変換部１４１へ送信されると、フォーマット変換部１４１は、ステップＳ１０７において、送信された装置１２iの動作管理データ（装置データ）のフォーマットを図９〜図１１に示したような、すべての装置に共通なフォーマットに変換する。
【００７６】
（ヘ）すると、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）が内蔵する管理情報リンク部１４２は、ステップＳ１０８において、フォーマット変換された装置１２iの動作管理データ（装置データ）と、装置群制御サーバ１１ａから送信されたロット管理情報とをリンクする。管理情報リンク部１４２がロット管理情報とリンクした装置１２iの動作管理データ（装置データ）は、共通のフォーマットの動作管理データとして、管理データベース１５に格納される。管理データベース１５に格納する代わりに、管理サーバ１４ｂの主記憶装置（データ記憶装置）やキャッシュメモリ等に一時記憶しても良い。
【００７７】
（ト）一方、管理サーバ１４ｂにおいては、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）に内蔵された複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・の内、最適な不良検知分類アプリケーション実行モジュールを、前もって、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の監視を一括してリアルタイムで行う共通モジュールとして選択しておく。第２の実施の形態に係るプロセス状態管理方法では、仮に、不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３jが選択されていたとする。すると、ステップＳ１０９において、不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３jは、管理データベース１５に格納された装置１２iの動作管理データ（装置データ）を読み出し、装置１２iの動作が正常であるか否かを判定する。例えば、装置１２iが真空処理系の膜形成装置、拡散装置、薄膜堆積膜装置のようなチャンバを有する装置である場合は、チャンバ内複数箇所の温度（第１の装置パラメータ）、サセプタ温度（第２の装置パラメータ）、チャンバ外壁複数箇所の温度（第３の装置パラメータ）、チャンバの圧力（第４の装置パラメータ）、ガスの流量（第５の装置パラメータ）、ガス流量を制御するバルブの開度（第６の装置パラメータ），・・・・・と、順に正常値との比較を行う。
【００７８】
（チ）ステップＳ１０９において、不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３jが装置１２iの動作管理データ（装置データ）の内、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、第４の装置パラメータ、第５の装置パラメータ、第６の装置パラメータ，・・・・・のすべてが規定の値の範囲内であれば、ステップＳ１１０に進み、ｉ番目の装置１２iが処理する工程の次の（ｉ＋１）番目の処理に移る。即ち、装置群制御サーバ１１ａは、（ｉ＋１）番目の処理を実施する（ｉ＋１）番目の装置１２i+1へのロット処理の指示（ジョブの指示）を送信する。
【００７９】
（リ）一方、ステップＳ１０９において、不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３jが装置１２iの動作管理データ（装置データ）の内、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、第４の装置パラメータ、第５の装置パラメータ、第６の装置パラメータ，・・・・・の内のいずれか１つ以上が規定の値の範囲外であれば、ステップＳ１１１又はステップＳ１１３に進む。ステップＳ１１１に進むか、ステップＳ１１３に進むかは、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、第４の装置パラメータ、第５の装置パラメータ、第６の装置パラメータ，・・・・・の内のそれぞれの基準値からの逸脱の程度や、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、第４の装置パラメータ、第５の装置パラメータ、第６の装置パラメータ，・・・・・の内の複数のパラメータが異常であるか否か等の判断基準を用いれば良い（図２で説明したと同様に、図８のステップＳ１１１ヘ遷移するタイミングと図８のステップＳ１１３ヘ遷移するタイミングとは、一般に異なる。図８のステップＳ１１３には、異常を検知したタイミングでほぼリアルタイムで遷移し、装置を停止するが、図８のステップＳ１１１ヘは、該当するロット処理が終了した後に遷移して、該当ウェハのＱＣ指示／測定がなされる。）。ステップＳ１１１では、品質管理（ＱＣ）の測定の指示、それによるＱＣの測定を行う。「ＱＣの測定」とは、例えば、ＣＶＤ装置であれば、そのＣＶＤ装置により堆積される薄膜の膜厚測定等が該当する。ステップＳ１１１におけるＱＣの測定で、規定の値の範囲内であることが確認できれば、ステップＳ１１０に進み、装置（ｉ＋１）へのロット処理の指示が送信される。ステップＳ１１１におけるＱＣの測定で、再び、規定の値の範囲外であることが確認できれば、ステップＳ１１３に進み、ステップＳ１１３では、装置群制御サーバ１１ａから装置１２iの動作の停止（シャットダウン）の命令が送信される。又、装置１２iの管理者への通報等付帯する必要な処理が同時に実行される。このように、装置１２iの監視を絶えず行い、装置１２iの動作管理データ（装置データ）の基準値からのズレが製品歩留まりに悪影響を与える前に、装置１２iをシャットダウンすることによってウェハへのリスクを低減することができる。
【００８０】
同様に、工場のラインを構成する他の装置１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・等についても、共通の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３jが、同一の自動解析方法に従い、統一的に監視を絶えず行い、これらの装置１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・のそれぞれの動作管理データ（装置データ）が対応する基準値からのズレが、製品歩留まりに悪影響を与える前に、対応する装置１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・のいずれかをシャットダウンすることによってウェハへのリスクを低減することができる。
【００８１】
このように、本発明の第２の実施の形態に係るプロセス状態管理方法によれば、ステップＳ１０１〜ステップＳ１１３までの処理を複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・に逐次適用し、管理サーバ１４ｂにおける共通のアプリケーションを用いた解析の結果により、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・が実行するプロセス状態を管理することができる。個々で「管理」とは、解析結果により複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・の内の対応する装置の動作状態に対して、強制停止、一時停止等の変更を加えるような内容を含むものである。更には、工程内・工程間にわたるフィードバック・フィードフォワードを含むものである。なお、以下の本発明の第２〜第６の実施の形態の説明のプロセス状態管理システム、管理サーバ、プロセス状態管理方法及びプロセス状態管理用プログラムにおいても、同様に、「管理」という用語は、フィードバック及びフィードフォワード制御を含むことに留意されたい。
【００８２】
図８に示した一連のプロセス状態管理方法の手順は、図８と等価なアルゴリズムのプログラムにより、図７に示したプロセス状態管理システムを制御して実行できる。このプログラムは、本発明の第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムを構成する装置群制御サーバ１１ａと管理サーバ１４ｂのプログラム記憶装置（図示省略）に、それぞれ記憶させれば良い。又、このプログラムは、コンピュータ読取り可能な記録媒体に保存し、この記録媒体を装置群制御サーバ１１ａと管理サーバ１４ｂのプログラム記憶装置にそれぞれ読み込ませることにより、本発明の第２の実施の形態に係るプロセス状態管理方法の一連のプロセス状態管理方法の手順を実行することができる。ここで、「コンピュータ読取り可能な記録媒体」とは、例えばコンピュータの外部メモリ装置、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、磁気テープなどのプログラムを記録することができるような媒体などを意味する。具体的には、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ，ＭＯディスク、カセットテープ、オープンリールテープなどが「コンピュータ読取り可能な記録媒体」に含まれる。例えば、装置群制御サーバ１１ａと管理サーバ１４ｂの本体は、フレキシブルディスク装置（フレキシブルディスクドライブ）及び光ディスク装置（光ディスクドライブ）を内蔵若しくは外部接続するように構成できる。フレキシブルディスクドライブに対してはフレキシブルディスクを、又光ディスクドライブに対してはＣＤ−ＲＯＭをその挿入口から挿入し、所定の読み出し操作を行うことにより、これらの記録媒体に格納されたプログラムを装置群制御サーバ１１ａと管理サーバ１４ｂを構成するプログラム記憶装置にインストールすることができる。又、所定のドライブ装置を接続することにより、例えばゲームパック等に利用されているメモリ装置としてのＲＯＭや、磁気テープ装置としてのカセットテープを用いることもできる。更に、インターネット等の情報処理ネットワークを介して、このプログラムをプログラム記憶装置に格納することが可能である。
【００８３】
例えば、管理サーバ１４ｂを制御するに必要なプロセス状態管理用プログラムは、以下のような命令からなる：
（イ）装置群制御サーバ１１ａが特定の装置１２iの処理に対するロット管理情報を管理サーバ１４ｂの管理情報リンク部１４２に送信するように、管理情報リンク部１４２から装置群制御サーバ１１ａに対して要求（コマンド）させる命令；
（ロ）（上記コマンドにより、装置群制御サーバ１１ａは、特定の装置１２iの処理に対するロット管理情報を管理情報リンク部１４２に送信する）そこで、図８のステップＳ１０３に対応し、管理情報リンク部１４２に、特定の装置１２iの処理に対するロット管理情報を受信させる命令；
（ハ）図８のステップＳ１０６に対応し、管理サーバ１４ｂのフォーマット変換部１４１に、特定の装置１２iの動作管理データを受信させる。更にこの動作管理データを、図８のステップＳ１０７において、共通のフォーマットに変換させる命令；
（ニ）図８のステップＳ１０８において、管理サーバ１４ｂの管理情報リンク部１４２に、フォーマット変換された動作管理データとロット管理情報とをリンクさせる命令；
（ホ）図８のステップＳ１０９〜Ｓ１１３のステップに従い、管理サーバ１４ｂのアプリケーション実行モジュール１４３jに、リンクされた動作管理データを共通のアプリケーションで解析させる命令。
【００８４】
この一連の命令群を、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・から送信されるロット管理情報及び動作管理データの組に対し逐次適用し、図８のステップＳ１０９〜Ｓ１１３のステップの解析を繰り返し適用し、この解析の結果により、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・が実行するプロセス状態を管理サーバ１４ｂに管理させることができる。
【００８５】
<第２の実施の形態の第１変形例>
図１２に示す本発明の第２の実施の形態の第１変形例に係るプロセス状態管理システムは、図７に示す構成とほぼ同様に、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・と、これらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作を一括して制御する装置群制御サーバ１１ｂと、複数の装置のそれぞれの動作状況や装置パラメータを記述した動作管理データ（装置データ）を入力し、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作状態をリアルタイムで監視する管理サーバ１４ｂと、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作管理データ（装置データ）を保存する管理データベース１５とを備える。
【００８６】
但し、図７に示す構成では、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・には、それぞれこれらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データ（装置データ）を、それぞれ固有のデータコレクションプラン（ＤＣＰ）によって取得し、これを所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ｂに送信する複数のデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・が接続されていたが、図１２に示す本発明の第２の実施の形態の第１変形例に係るプロセス状態管理システムでは、装置群制御サーバ１１ｂがデータ取得部１３int,を内蔵し、データ取得部１３intが、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データ（装置データ）を、それぞれ固有のデータコレクションプラン（ＤＣＰ）によって取得し、これを所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ｂに送信する。
【００８７】
図７に示す構成とほぼ同様に、図１２に示す本発明の第２の実施の形態の第１変形例に係るプロセス状態管理システムの装置群制御サーバ１１ｂは、生産進捗管理システム（ＭＥＳ）サーバの機能を持たせ、本社のビジネス系システムである企業資源計画（ＥＲＰ）パッケージと、製造現場の機械を動かす制御系のシステム群との間をつなぐ、工場管理のためのシステム群を構成することが可能である。したがって、図示を省略しているが、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・、装置群制御サーバ１１ｂ、及び管理サーバ１４ｂは、通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）を介して、互いに接続されている。
【００８８】
管理サーバ１４ｂの解析結果や判断結果は、通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）を介して、装置群制御サーバ１１ｂにフィードバックされ、ＭＥＳサーバの機能を有する装置群制御サーバ１１ｂから複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・に、個別具体的な処理の指示（ジョブの指示）が送信される。なお、図１２には単一の装置群制御サーバ１１ｂが示されているがこれは例示であり、通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）を介して、物理的に複数の装置群制御サーバが存在しても構わないことは、図７において説明したと同様である。
【００８９】
例えば、装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・が真空処理系の膜形成装置、拡散装置、薄膜堆積膜装置のようなチャンバを有する装置である場合は、チャンバ内複数箇所の温度、サセプタ温度、チャンバ外壁複数箇所の温度、チャンバの圧力、ガスの流量、ガス流量を制御するバルブの開度などの動作管理データ（装置データ）をデータ取得部１３intが取得し、所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ｂに送信する。装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・がプラズマ処理系のドライエッチング装置、イオン注入装置のような電極を有する装置である場合は、上述した真空処理系の各種パラメータの他にＲＦのマッチング位置、ＲＦ電圧（進行波電圧、反射波電圧）、ウェハの位置情報のような各種の動作管理データ（装置データ）をデータ取得部１３intが取得し、所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ｂに送信する。更に、装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・が大気圧処理系のウエットエッチング装置、スピンコート装置、露光装置、ボンディング装置の場合は、処理時間やウェハ若しくはチップの位置情報のような各種の動作管理データ（装置データ）をデータ取得部１３intが取得し、所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ｂに送信する。
【００９０】
管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）が、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、装置群制御サーバ１１ｂのデータ取得部１３intから送信された動作管理データを、図９〜図１０に示すような共通のフォーマットのデータ（動作管理データ）に変換するフォーマット変換部１４１と、このフォーマット変換部１４１が変換した共通のフォーマットの動作管理データと、装置群制御サーバ１１ａから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部１４２を備える点は、図７に示す構成とほぼ同様であり、管理情報リンク部１４２では、例えば、ロットの製品情報に関する一意のデータを含む動作管理データと、ロットの製品情報に関する一意のデータを含む管理情報とをリンクする。管理情報とリンクした装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データは、共通のフォーマットで管理データベース１５に格納される。
【００９１】
他は、図７に示す構成と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。
【００９２】
<第２の実施の形態の第２変形例>
図１３に示す本発明の第２の実施の形態の第２変形例に係るプロセス状態管理システムは、図７に示す構成とほぼ同様に、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・と、これらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作を一括して制御する装置群制御サーバ１１ｃと、複数の装置のそれぞれの動作状況や装置パラメータを記述した動作管理データ（装置データ）を入力し、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作状態をリアルタイムで監視する管理サーバ１４ａと、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作管理データ（装置データ）を保存する管理データベース１５とを備える。
【００９３】
但し、図７に示す構成では、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・には、それぞれこれらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データ（装置データ）を、それぞれ固有のデータコレクションプラン（ＤＣＰ）によって取得し、これを所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ａに送信する複数のデータ取得部１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・が接続されていたが、図１３に示す本発明の第２の実施の形態の第２変形例に係るプロセス状態管理システムが、装置群制御サーバ１１ｃがデータ取得部１３intとフォーマット変換部１４１を内蔵する点で、図７に示す構成とは異なる。
【００９４】
装置群制御サーバ１１ｃのデータ取得部１３intは、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データ（装置データ）を、それぞれ固有のデータコレクションプラン（ＤＣＰ）によって取得し、これを所定のタイミングで（定周期で）フォーマット変換部１４１に出力する。フォーマット変換部１４１は、データ取得部１３intから出力された動作管理データを、図９〜図１０に示すような共通のフォーマットのデータ（動作管理データ）に変換し、管理サーバ１４ａに送信する。
【００９５】
管理サーバ１４ａが、装置群制御サーバ１１ｃのフォーマット変換部１４１が変換した共通のフォーマットの動作管理データと、装置群制御サーバ１１ｃから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部１４２を備える点は、図６に示す第１の実施の形態の変形例に係るプロセス状態管理システムの構成とほぼ同様であるが、管理情報リンク部１４２では、ロットの製品情報に関する一意のデータを含む動作管理データと、ロットの製品情報に関する一意のデータを含む管理情報とが、共通のフォーマットのデータ（動作管理データ）に変換した後リンクする点が、図６に示す構成とは異なる。
【００９６】
管理サーバ１４ａの管理情報リンク部１４２により、管理情報とリンクした装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データは、共通のフォーマットで管理データベース１５に格納される。他は、図７に示す構成と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。
【００９７】
<第２の実施の形態の第３変形例>
図１４に示す本発明の第２の実施の形態の第３変形例に係るプロセス状態管理システムは、図１３に示す第２の実施の形態の第２変形例の構成とほぼ同様に、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・と、これらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作を一括して制御する装置群制御サーバ１１ｄと、複数の装置のそれぞれの動作状況や装置パラメータを記述した動作管理データ（装置データ）を入力し、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作状態をリアルタイムで監視する管理サーバ１４ａと、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作管理データ（装置データ）を保存する管理データベース１５とを備える。但し、図１３に示す構成では、装置群制御サーバ１１ｃがデータ取得部１３intとフォーマット変換部１４１を内蔵していたが、図１４に示す本発明の第２の実施の形態の第３変形例に係るプロセス状態管理システムが、装置群制御サーバ１１ｄがデータ取得部１３intとフォーマット変換部１４１に加え、管理情報リンク部１４２までをも内蔵する点で、図１３に示す構成とは異なる。
【００９８】
図１３に示す第２の実施の形態の第２変形例と同様に、装置群制御サーバ１１ｄのデータ取得部１３intは、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データ（装置データ）を、それぞれ固有のデータコレクションプラン（ＤＣＰ）によって取得し、これを所定のタイミングで（定周期で）フォーマット変換部１４１に出力する。フォーマット変換部１４１は、データ取得部１３intから出力された動作管理データを、図９〜図１０に示すような共通のフォーマットのデータ（動作管理データ）に変換する。管理情報リンク部１４２では、ロットの製品情報に関する一意のデータを含む動作管理データと、ロットの製品情報に関する一意のデータを含む管理情報とが、フォーマット変換部１４１で共通のフォーマットのデータ（動作管理データ）に変換した後リンクする。管理情報リンク部１４２により、管理情報とリンクした装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データは、管理サーバ１４ａに送信される。
【００９９】
そして、管理サーバ１４ａは、管理情報とリンクした装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データを、管理データベース１５に格納する。他は、図７、図１２，図１３に示す構成と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。
【０１００】
（第３の実施の形態）
第１及び第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムにおいて説明したように、共通の不良検知分類アプリケーションが、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の監視を一括してリアルタイムで行うことが可能なので、複数の異なる工程に対して、総合的に装置の不良検知をすることが可能になる。
【０１０１】
例えば、薄膜ＣＶＤの堆積速度が最適値より僅かに落ちているが、基準値範囲の下限よりも高く、薄膜ＣＶＤ工程では合格のロットが生じたとする。この場合、その薄膜のエッチング（ＲＩＥ）工程でエッチング時間が、最適値より僅かに長いが、エッチング（ＲＩＥ）工程の基準値の範囲内であると、エッチング（ＲＩＥ）工程での異常にはならない場合が起こりうる。しかし、膜厚が薄いのにエッチング時間が長いのはエッチング速度が大きく落ちているためであり、エッチング（ＲＩＥ）装置に何らかの異常がある可能性がある。このような場合、従来の個別の不良検知分類アプリケーションを適用する手法では、エッチング（ＲＩＥ）装置の異常を検知できないことになる。
【０１０２】
本発明の第３の実施の形態に係るプロセス状態管理システムでは、共通の不良検知分類アプリケーションを複数の装置による異なる工程に総合的に適用することにより、薄膜堆積と、その薄膜のエッチングのように互いに関連のある工程での、より厳密な装置の状態を監視する技術に付いて説明する。
【０１０３】
本発明の第３の実施の形態に係るプロセス状態管理システムは、図１５に示すように、ポリシリコンＣＶＤ装置１２p，膜厚検査装置（１）１２p+1，アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2，膜厚検査装置（２）１２p+3，反射防止膜塗布装置１２p+4，スピンナー１２p+5，ベーキング装置１２p+6，露光装置１２p+7，現像装置１２p+8，レジストパターン検査装置１２p+9，反射防止膜エッチング装置１２p+10，アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11，ポリシリコンエッチング装置１２p+12，エッチング形状検査装置１２p+13，及びエッチング深さ検査装置１２p+14，と、これら複数の装置１２p,１２p+1,１２p+2,１２p+3,・・・・・，１２p+14の動作管理データ（装置データ）を、それぞれ固有のデータコレクションプランによって取得し、これを所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ｂに送信する複数のデータ取得部１３p,１３p+1,１３p+2,１３p+3,・・・・・，１３p+14を備える。第３の実施の形態に係るプロセス状態管理システムは、更に、複数のデータ取得部１３p,１３p+1,１３p+2,１３p+3,・・・・・，１３p+14に接続され、装置１２p,１２p+1,１２p+2,１２p+3,・・・・・，１２p+14のそれぞれの動作状態をリアルタイムで監視する管理サーバ１４ｂと、この管理サーバ１４ｂに接続され、装置１２p,１２p+1,１２p+2,１２p+3,・・・・・，１２p+14のそれぞれの動作管理データ（装置データ）を共通の形式の動作管理データとして保存する管理データベース１５を備える。
【０１０４】
なお、第１及び第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様に、第３の実施の形態に係るプロセス状態管理システムにおいても、図１５に示した複数の装置１２p,１２p+1,１２p+2,１２p+3,・・・・・，１２p+14の動作を一括して制御する装置群制御サーバ１１ａが装置１２p,１２p+1,１２p+2,１２p+3,・・・・・，１２p+14に接続されているが、図１５ではその図示を省略している。第１及び第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様に、複数の装置１２p,１２p+1,１２p+2,１２p+3,・・・・・，１２p+14は、装置群制御サーバ１１ａとＭＥＳのＬＡＮで互いに接続すれば良い。第１及び第２の実施の形態で説明したと同様に、装置群制御サーバ１１ａは１台に限定されず、物理的に複数の装置群制御サーバが存在しても構わない。又、複数のデータ取得部１３p,１３p+1,１３p+2,１３p+3,・・・・・，１３p+14と管理サーバ１４ｂとは、ＭＥＳのＬＡＮで互いに接続されても良く、ＭＥＳのＬＡＮとは別にＥＥＳのＬＡＮを構築し、ＥＥＳのＬＡＮで互いに接続しても良いことは、第１及び第２の実施の形態において説明した通りである。
【０１０５】
第３の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、図１５に示すように、複数の装置１２p,１２p+1,１２p+2,１２p+3,・・・・・，１２p+14の内の少なくとも２以上の装置を選択し、この選択された複数の装置に同一の不良検知分類アプリケーションを適用し、複数の異なる工程に対して、総合的に装置の不良検知をする複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７を備える。このため、図１５に示す管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）には、複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７がその基礎として採用することが可能な実行モジュールを、選択可能な複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュールを備えているが、図１５ではその図示を省略している。
【０１０６】
更に、第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様に、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、それぞれのデータ取得部１３p,１３p+1,１３p+2,１３p+3,・・・・・，１３p+14から送信された動作管理データを、共通のフォーマットのデータ（動作管理データ）に変換するフォーマット変換部と、このフォーマット変換部が変換した共通のフォーマットの動作管理データと、装置群制御サーバから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部を備えるが、図１５ではその図示を省略している。
【０１０７】
図１５に示す本発明の第３の実施の形態に係るプロセス状態管理システムは、膨大且つ複雑な半導体装置の製造工程の一部に用いる装置群を示している。即ち、図１６に示すような、ステップＳ２０１におけるポリシリコンＣＶＤ工程、ステップＳ２０２における膜厚検査工程、ステップＳ２０３におけるアモルファスシリコンＣＶＤ工程、ステップＳ２０４における膜厚検査工程、ステップＳ２０５における反射防止膜塗布工程、ステップＳ２０６におけるフォトレジスト膜塗布工程、ステップＳ２０７におけるフォトレジスト膜ベーキング工程、ステップＳ２０８におけるフォトレジスト膜露光工程、ステップＳ２０９におけるフォトレジスト膜現像工程、ステップＳ２１０におけるレジストパターン検査装置工程、ステップＳ２１１における反射防止膜エッチング（ＲＩＥ）工程、ステップＳ２１２におけるアモルファスシリコンエッチング（ＲＩＥ）工程、ステップＳ２１３におけるポリシリコンエッチング（ＲＩＥ）工程、ステップＳ２１４におけるエッチング形状検査工程、ステップＳ２１５におけるエッチング深さ検査工程に対応する部分の装置群のみを示しており、ステップＳ２０１の前に対応する部分の一連のプロセスを実施する装置群や、ステップＳ２１５の後に対応する部分の一連のプロセスを実施するイオン注入装置、（ステップＳ２２３におけるイオン注入工程に対応）、アニール炉（ステップＳ２２５における活性化アニール工程に対応）、ＣＭＰ装置（ステップＳ２４７におけるＣＭＰ工程に対応）等、種々の装置群が存在することは勿論である。
【０１０８】
図１７に示したフローチャートを用いて、本発明の第３の実施の形態に係るプロセス状態管理方法を説明する。なお、以下に述べる第３の実施の形態に係るプロセス状態管理方法は、図１６のフローチャートに明らかなように、１００以上にわたる長い一連の工程の一部となる、ステップＳ２０３におけるアモルファスシリコンＣＶＤ工程と、ステップＳ２１２におけるアモルファスシリコンエッチング（ＲＩＥ）工程のみに着目したフローチャートであり、ステップＳ２０３とステップＳ２１２との組み合わせ以外の他の複数のステップの組み合わせに着目したフローチャートも同様に記載可能である。又、図１７に示したフローチャートは、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の複数工程間不良検知分類アプリケーションの実行が可能であることは勿論である。
【０１０９】
（イ）先ず、図８で説明したように、装置群制御サーバ（図示省略：図７の符号１１参照。）からアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2へのロット処理（アモルファスシリコンＣＶＤ）の指示（ジョブの指示）が送信される。すると、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2はアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2のジョブを生成し、このアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2のジョブの生成を装置群制御サーバへ送信（通報）する。アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2のジョブの生成が装置群制御サーバへ通報されると、装置群制御サーバは、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の処理に対するロット管理情報を管理サーバ１４ｂへ送信する。そして、ステップＳ２０３において、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2はアモルファスシリコンＣＶＤ工程のロット処理を所定のレシピに従い開始する。
【０１１０】
（ロ）ステップＳ２０３におけるロット処理が開始されると、ステップＳ３１１において、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2に接続されたデータ取得部１３p+2が、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2に固有のデータコレクションプランに従って、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データ（装置データ）の取得を開始し、データ取得部１３p+2が内蔵する記憶部に一時保存する。その後、所定のタイミングで（定周期で）、データ取得部１３p+2は、取得したアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データを管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）が内蔵するフォーマット変換部（図示省略：図７の符号１４１参照。）へ送信する。アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データがフォーマット変換部へ送信されると、フォーマット変換部は、ステップＳ３１２において、送信されたアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データのフォーマットを図９〜図１１に示したような、すべての装置に共通なフォーマットに変換する。
【０１１１】
（ハ）すると、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）が内蔵する管理情報リンク部（図示省略：図７の符号１４２参照。）は、ステップＳ３１３において、フォーマット変換されたアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データと、装置群制御サーバから送信されたロット管理情報とをリンクする。管理情報リンク部がロット管理情報とリンクしたアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データは、共通のフォーマットの動作管理データとして、管理データベース１５に格納される。
【０１１２】
（ニ）ステップＳ３１４において、複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７は、管理データベース１５に格納されたアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2，の動作管理データを読み出し、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作が正常であるか否かを判定する。例えば、チャンバの圧力（第１の装置パラメータ）、サセプタ温度（第２の装置パラメータ）、ガスの流量（第３の装置パラメータ）、・・・・・と、順に正常値との比較を行う。
【０１１３】
（ホ）ステップＳ３１４において、複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７がアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データの内、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、・・・・・のすべてが規定の値の範囲内であれば、図１６に示したステップＳ２０４に進む。一方、ステップＳ３１４において、複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７がアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データの内、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、・・・・・の内のいずれか１つ以上が規定の値の範囲外であれば、装置群制御サーバからアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作の停止（シャットダウン）の命令が送信され、ステップＳ３１５において、アラーム処理がなされる。
【０１１４】
（ヘ）次に、図１６に示すフローチャートに従い、ステップＳ２０４〜ステップＳ２１１の処理が正常に進行したとする。そして、装置群制御サーバからアモルファスシリコンエッチング装置１２p+11へのロット処理（アモルファスシリコンエッチング）の指示（ジョブの指示）が送信される。すると、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11はアモルファスシリコンエッチング装置１２p+11のジョブを生成し、このアモルファスシリコンエッチング装置１２p+11のジョブの生成を装置群制御サーバへ送信（通報）する。アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11のジョブの生成が装置群制御サーバへ通報されると、装置群制御サーバは、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の処理に対するロット管理情報を管理サーバ１４ｂへ送信する。そして、ステップＳ２１２において、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11はアモルファスシリコンエッチング（ＲＩＥ）工程のロット処理を所定のレシピに従い開始する。
【０１１５】
（ト）ステップＳ２１２におけるロット処理が開始されると、ステップＳ３２１において、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11に接続されたデータ取得部１３p+11が、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11に固有のデータコレクションプランに従って、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作管理データの取得を開始し、データ取得部１３p+11が内蔵する記憶部に一時保存する。その後、所定のタイミングで（定周期で）、データ取得部１３p+11は、取得したアモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作管理データを管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）が内蔵するフォーマット変換部へ送信する。アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作管理データがフォーマット変換部へ送信されると、フォーマット変換部は、ステップＳ３２２において、送信されたアモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作管理データのフォーマットを、すべての装置に共通なフォーマットに変換する。
【０１１６】
（チ）すると、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）が内蔵する管理情報リンク部は、ステップＳ３２３において、フォーマット変換されたアモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作管理データと、装置群制御サーバから送信されたロット管理情報とをリンクする。更に、ステップＳ３２４において、管理データベース１５に格納されたアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データを読み出す。そして、ステップＳ３２４において、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データとアモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作管理データとを編集する。アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データとリンクしたアモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作管理データは、共通のフォーマットの動作管理データとして、管理データベース１５に格納される。
【０１１７】
（リ）ステップＳ３２５において、複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７は、管理データベース１５に格納されたアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データと編集されたアモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作管理データを読み出し、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作が正常であるか否かを判定する。ステップＳ３２５における判定には、アモルファスシリコンＣＶＤ工程中の圧力、温度、ガス流量などとアモルファスシリコンエッチング工程中のチャンバ圧力、ＲＦパワー、コンデンサマッチャ−位置、ガス流量などを多変量解析したモデルを作成し、多変量解析したモデルによる基準値の範囲内であるか否かを順に比較する。図１８は、多変量解析の一例であり、アモルファスシリコンＣＶＤ工程中のガス流量とアモルファスシリコンエッチング工程中のＲＦパワーとの関係を解析した図であり、実線で囲んだ黒丸の領域が良品領域、破線で囲んだ白抜き△の領域がオーバーエッチングの領域、破線で囲んだばつ印の領域がアンダーエッチングの領域である。アモルファスシリコンＣＶＤ工程中のガス流量を多くすれば、アモルファスシリコンＣＶＤの膜圧が増大し、アモルファスシリコンエッチング工程中のＲＦパワーを増大すれば、アモルファスシリコンエッチングのエッチング速度が増大するので、良品領域となるように、アモルファスシリコンＣＶＤ工程中のガス流量とアモルファスシリコンエッチング工程中のＲＦパワーとの関係を解析する。図１８は、アモルファスシリコンＣＶＤ工程中のガス流量を横軸、アモルファスシリコンエッチング工程中のＲＦパワーを縦軸とした２次元空間の解析を例示しているが、現実には、アモルファスシリコンＣＶＤ工程中の圧力、温度、ガス流量などとアモルファスシリコンエッチング工程中のチャンバ圧力、ＲＦパワー、コンデンサマッチャ−位置、ガス流量などがそれぞれ座標軸を構成する多次元空間での解析になる。
【０１１８】
（ヌ）ステップＳ３２５において、複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７が、多変量解析したモデルによる基準値の範囲内の範囲内であれば、図１６に示したステップＳ２１３に進む。一方、ステップＳ３２５において、複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７が、多変量解析したモデルによる基準値の範囲内の範囲外であれば、装置群制御サーバからアモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作の停止（シャットダウン）の命令が送信され、アラーム処理がなされる。
【０１１９】
図１９に示したフローチャートを用いて、第３の実施の形態の比較例に係るプロセス状態管理方法を説明する。
【０１２０】
（イ）先ず、ステップＳ２０３におけるロット処理が開始されると、ステップＳ４１１において、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2に接続されたデータ取得部１３p+2が、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データ（装置データ）の取得を開始し、データ取得部１３p+2が内蔵する記憶部に一時保存する。その後、所定のタイミングで（定周期で）、データ取得部１３p+2は、取得したアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データ（装置データ）を管理サーバ１４ｂへ送信する。管理サーバ１４ｂは、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データを、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2固有のフォーマットの動作管理データとして、管理データベース１５に格納する。
【０１２１】
（ロ）ステップＳ４１２において、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2に固有の不良検知分類アプリケーション実行モジュールは、管理データベース１５に格納されたアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データを読み出し、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作が正常であるか否かを判定する。例えば、チャンバの圧力（第１の装置パラメータ）、サセプタ温度（第２の装置パラメータ）、ガスの流量（第３の装置パラメータ）、・・・・・と、順に正常値との比較を行う。
【０１２２】
（ハ）ステップＳ４１２において、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2に固有の不良検知分類アプリケーション実行モジュールがアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データの内、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、・・・・・のすべてが規定の値の範囲内であれば、図１６に示したステップＳ２０４に進む。一方、ステップＳ４１２において、アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2に固有の不良検知分類アプリケーション実行モジュールがアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作管理データの内、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、・・・・・の内のいずれか１つ以上が規定の値の範囲外であれば、装置群制御サーバからアモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の動作の停止（シャットダウン）の命令が送信され、ステップＳ４１３において、アラーム処理がなされる。
【０１２３】
（ニ）次に、図１６に示すフローチャートに従い、ステップＳ２０４〜ステップＳ２１１の処理が正常に進行したとする。そして、ステップＳ２１２におけるロット処理が開始されると、ステップＳ４２１において、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11に接続されたデータ取得部１３p+11が、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作管理データの取得を開始し、データ取得部１３p+11が内蔵する記憶部に一時保存する。その後、所定のタイミングで（定周期で）、データ取得部１３p+11は、取得したアモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作管理データを管理サーバ１４ｂへ送信する。アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作管理データは、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の固有のフォーマットの動作管理データとして、管理データベース１５に格納される。
【０１２４】
（ホ）ステップＳ４２２において、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11に固有の不良検知分類アプリケーション実行モジュールは、管理データベース１５に格納されたアモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作管理データを読み出し、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作が正常であるか否かを判定する。ステップＳ４２２における判定には、アモルファスシリコンエッチング工程中のチャンバ圧力（第１の装置パラメータ）、コンデンサマッチャ−位置（第２の装置パラメータ）、ガス流量（第３の装置パラメータ），・・・・・などを、順に正常値との比較を行う。
【０１２５】
（ヌ）ステップＳ４２２において、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11に固有の不良検知分類アプリケーション実行モジュールが、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、・・・・・のすべてが基準値の範囲内の範囲内であれば、図１６に示したステップＳ２１３に進む。一方、ステップＳ４２２において、アモルファスシリコンエッチング装置１２p+11に固有の不良検知分類アプリケーション実行モジュールが、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、・・・・・のいずれか基準値の範囲内の範囲外であれば、装置群制御サーバからアモルファスシリコンエッチング装置１２p+11の動作の停止（シャットダウン）の命令が送信され、ステップＳ４２３において、アラーム処理がなされる。
【０１２６】
図１９に示す第３の実施の形態の比較例に係るプロセス状態管理方法によれば、ステップＳ２０３におけるアモルファスシリコンＣＶＤ中の動作管理データを取り込み、それぞれの項目について設定した基準値の範囲内かどうかでステップＳ４１３又はステップＳ４２３において、アラーム判定がされる。ステップＳ４１２における判定での、基準値範囲は目標の膜厚で正常にＣＶＤできる範囲を動作管理データの各項目に対し設定したものである。ステップＳ４１２において合格の場合は次工程へ進む。そして、次工程以降同様に判定し、合格となったものがステップＳ２１２におけるＲＩＥ工程へ来る。このときは、ステップＳ２１２の単工程に用いる装置の動作管理データにより、チャンバ圧力、コンデンサマッチャ位置、ガス流量などがＳＰＥＣ内かどうか不良検知分類アプリケーションで判定する。このため、ステップＳ２０３におけるアモルファスシリコンのＣＶＤの堆積速度が落ちていて、基準値範囲下限で合格のロットが、ステップＳ２１２におけるＲＩＥ工程でエッチング時間が長いが、基準値の範囲内であると、異常にはならない。膜厚が薄いのにエッチング時間が長いのはエッチング速度が大きく落ちているためで装置に何らかの異常がある可能性があり、アラームで止めたいが、比較例に係るプロセス状態管理方法できない。
【０１２７】
これに対し、図１７に示す本発明の第３の実施の形態に係るプロセス状態管理方法によれば、アモルファスシリコンＲＩＥ工程時、アモルファスシリコンＣＶＤ時の動作管理データを用いて複数工程で不良検知分類アプリケーションをかけることにより、アモルファスシリコンのＣＶＤの堆積速度が落ちていて、且つエッチング時間が長いので異常というアラームを立てることが可能となる。装置の異常をより早く正確に検知して対策できるため、没ロットが削減でき、歩留まりが向上する。
【０１２８】
本発明の第３の実施の形態に係るプロセス状態管理方法でエッチング時間が単工程で不良検知分類アプリケーションをかける場合の基準値範囲下限より下回った場合、単工程で不良検知分類アプリケーションをかける場合はアラームとなるが、ＣＶＤ時の膜厚が薄い場合は、エッチング時間の下限を下げるよう複数工程での不良検知分類アプリケーションモデルを作っておけば誤アラームを防ぐことができ、誤って生産をストップすることが少なくなり、装置の稼働率が向上する。
【０１２９】
図１７に示したフローチャートでは、ステップＳ２０３におけるアモルファスシリコンＣＶＤ工程と、ステップＳ２１２におけるアモルファスシリコンエッチング（ＲＩＥ）工程のみに着目して説明したが、ステップＳ２０３とステップＳ２１２との組み合わせ以外の種々のステップの組み合わせに対する複数工程間不良検知分類アプリケーションの実行が可能である。例えば、図２０に示したフローチャートのように、ステップＳ２０１におけるポリシリコンＣＶＤ工程と、ステップＳ２２３におけるイオン注入工程に対しても、複数工程間不良検知分類アプリケーションの実行が可能である。以下、図２０に示したフローチャートを用い、ポリシリコンＣＶＤ工程とイオン注入工程間の不良検知分類アプリケーションの実行を説明する。
【０１３０】
（イ）先ず、図８で説明したように、装置群制御サーバ（図示省略：図７の符号１１参照。）からポリシリコンＣＶＤ装置１２pへのロット処理（ポリシリコンＣＶＤ）の指示（ジョブの指示）が送信される。すると、ポリシリコンＣＶＤ装置１２pはポリシリコンＣＶＤ装置１２pのジョブを生成し、このポリシリコンＣＶＤ装置１２pのジョブの生成を装置群制御サーバへ送信（通報）する。ポリシリコンＣＶＤ装置１２pのジョブの生成が装置群制御サーバへ通報されると、装置群制御サーバは、ポリシリコンＣＶＤ装置１２pの処理に対するロット管理情報を管理サーバ１４ｂへ送信する。そして、図１６及び図２０に示したステップＳ２０１において、ポリシリコンＣＶＤ装置１２pは、ポリシリコンＣＶＤ工程のロット処理を所定のレシピに従い開始する。
【０１３１】
（ロ）ステップＳ２０１におけるロット処理が開始されると、図２０のステップＳ３３１において、ポリシリコンＣＶＤ装置１２pに接続されたデータ取得部１３pが、ポリシリコンＣＶＤ装置１２pに固有のデータコレクションプランに従って、ポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作管理データ（装置データ）の取得を開始し、データ取得部１３pが内蔵する記憶部に一時保存する。その後、所定のタイミングで（定周期で）、データ取得部１３pは、取得したポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作管理データを管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）が内蔵するフォーマット変換部（図示省略：図７の符号１４１参照。）へ送信する。ポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作管理データがフォーマット変換部へ送信されると、フォーマット変換部は、ステップＳ３３２において、送信されたポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作管理データのフォーマットを図９〜図１１に示したような、すべての装置に共通なフォーマットに変換する。
【０１３２】
（ハ）すると、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）が内蔵する管理情報リンク部（図示省略：図７の符号１４２参照。）は、ステップＳ３３３において、フォーマット変換されたポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作管理データと、装置群制御サーバから送信されたロット管理情報とをリンクする。管理情報リンク部がロット管理情報とリンクしたポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作管理データは、共通のフォーマットの動作管理データとして、管理データベース１５に格納される。
【０１３３】
（ニ）ステップＳ３３４において、複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７は、管理データベース１５に格納されたポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作管理データを読み出し、ポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作が正常であるか否かを判定する。例えば、チャンバの圧力（第１の装置パラメータ）、サセプタ温度（第２の装置パラメータ）、ガスの流量（第３の装置パラメータ）、・・・・・と、順に正常値との比較を行う。
【０１３４】
（ホ）ステップＳ３３４において、複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７がポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作管理データの内、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、・・・・・のすべてが規定の値の範囲内であれば、図１６に示したステップＳ２０２に進む。一方、ステップＳ３３４において、複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７が、ポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作管理データの内、第１の装置パラメータ、第２の装置パラメータ、第３の装置パラメータ、・・・・・の内のいずれか１つ以上が規定の値の範囲外であれば、装置群制御サーバからポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作の停止（シャットダウン）の命令が送信され、ステップＳ３３５において、アラーム処理がなされる。
【０１３５】
（ヘ）次に、図１６に示すフローチャートに従い、ステップＳ２０２〜ステップＳ２２２（ステップＳ２２３の直前の処理）の処理が正常に進行したとする。そして、装置群制御サーバからイオン注入装置へのロット処理（イオン注入）の指示（ジョブの指示）が送信される。すると、イオン注入装置はイオン注入装置のジョブを生成し、このイオン注入装置のジョブの生成を装置群制御サーバへ送信（通報）する。イオン注入装置のジョブの生成が装置群制御サーバへ通報されると、装置群制御サーバは、イオン注入装置の処理に対するロット管理情報を管理サーバ１４ｂへ送信する。そして、ステップＳ２２３において、イオン注入装置はイオン注入工程のロット処理を所定のレシピに従い開始する。
【０１３６】
（ト）ステップＳ２２３におけるロット処理が開始されると、ステップＳ３４１において、イオン注入装置に接続されたデータ取得部（図示省略）が、イオン注入装置に固有のデータコレクションプランに従って、イオン注入装置の動作管理データの取得を開始し、データ取得部（図示省略）の内蔵する記憶部に一時保存する。その後、所定のタイミングで（定周期で）、データ取得部（図示省略）は、取得したイオン注入装置の動作管理データを管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）が内蔵するフォーマット変換部へ送信する。イオン注入装置の動作管理データがフォーマット変換部へ送信されると、フォーマット変換部は、ステップＳ３４２において、送信されたイオン注入装置の動作管理データのフォーマットを、すべての装置に共通なフォーマットに変換する。
【０１３７】
（チ）すると、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）が内蔵する管理情報リンク部は、ステップＳ３４３において、フォーマット変換されたイオン注入装置の動作管理データと、装置群制御サーバから送信されたロット管理情報とをリンクする。更に、ステップＳ３４４において、管理データベース１５に格納されたポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作管理データを読み出す。そして、ステップＳ３４４において、ポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作管理データとイオン注入装置の動作管理データとを編集する。ポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作管理データとリンクしたイオン注入装置の動作管理データは、共通のフォーマットの動作管理データとして、管理データベース１５に格納される。
【０１３８】
（リ）ステップＳ３４５において、複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７は、管理データベース１５に格納されたポリシリコンＣＶＤ装置１２pの動作管理データと編集されたイオン注入装置の動作管理データを読み出し、イオン注入装置の動作が正常であるか否かを判定する。ステップＳ３４５における判定には、ポリシリコンＣＶＤ工程中の圧力、温度、ガス流量などとイオン注入工程中の加速エネルギー（加速電圧）、ドーズ量、基板温度などを多変量解析したモデルを作成し、多変量解析したモデルによる基準値の範囲内であるか否かを順に比較する。
【０１３９】
（ヌ）ステップＳ３４５において、複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７が、多変量解析したモデルによる基準値の範囲内の範囲内であれば、次のステップ（図１６では図示を省略ステップＳ２２４に進む。一方、ステップＳ３４５において、複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４７が、多変量解析したモデルによる基準値の範囲内の範囲外であれば、装置群制御サーバからイオン注入装置の動作の停止（シャットダウン）の命令が送信され、アラーム処理がなされる。
【０１４０】
図２０では、ステップＳ２０１におけるポリシリコンＣＶＤ工程と、ステップＳ２２３におけるイオン注入工程に対しても、複数工程間不良検知分類アプリケーションの実行を説明したが、この他、図１６に示したステップＳ２２３におけるイオン注入工程と、ステップＳ２２５における活性化アニール工程に対して複数工程間不良検知分類アプリケーションの実行しても良く、図１６に図示を省略した酸化膜ＣＶＤ工程と、ステップＳ２４７におけるＣＭＰ工程に対しても、複数工程間不良検知分類アプリケーションの実行が可能である。例えば、イオン注入工程と活性化アニール工程間の不良検知分類アプリケーションの実行では、イオン注入量とアニール温度のトレードオフ等が多変量解析され、酸化膜ＣＶＤ工程とＣＭＰ工程間の不良検知分類アプリケーションでは、酸化膜のＣＶＤ膜厚とＣＭＰ削り量のトレードオフ等が多変量解析される。このように、本発明の第３の実施の形態に係るプロセス状態管理方法によれば、複数の装置１２p,１２p+1,１２p+2,１２p+3,・・・・・，１２p+14で同じフォーマットで動作管理データが管理データベース１５に保存されていて、管理データベース１５から高速で取り出せるため、１つの装置で不良検知分類アプリケーションをかける如く、複数の装置１２p,１２p+1,１２p+2,１２p+3,・・・・・，１２p+14で不良検知分類アプリケーションをかけることが可能となる。更に、第３の実施の形態に係るプロセス状態管理方法によれば、号機間、チャンバ間の比較、異常検出も行いやすくなる。
【０１４１】
図１７及び図２０に示した一連のプロセス状態管理方法の手順は、図１７及び図２０と等価なアルゴリズムのプログラムにより、図７に示したプロセス状態管理システムを制御して実行できる。このプログラムは、本発明の第３の実施の形態に係るプロセス状態管理システムを構成する装置群制御サーバと管理サーバ１４ｂのプログラム記憶装置に、それぞれ記憶させれば良い。
【０１４２】
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態に係るプロセス状態管理システムは、図２１に示すように、半導体装置の製造に必要な複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・と、これらの複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作を一括して制御する装置群制御サーバ１１ａと、複数の装置のそれぞれの動作管理データ（装置データ）を入力し、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作状態をリアルタイムで監視する管理サーバ１４ｂと、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のそれぞれの動作管理データを共通の形式のデータとして保存する管理データベース１５とを備える点では、第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様である。
【０１４３】
しかしながら、図２１に示すように、装置１２iには、第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムのように、データ取得部１３iが接続されていない点で、第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムとは、異なる。他の複数の装置１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・には、第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様に、複数のデータ取得部１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・がそれぞれ接続されている。このように、データ取得部は、すべての装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・にそれぞれ接続されている必要はない。又、図２１では、装置１２iにデータ取得部１３iが接続されていない例を示したが、他の複数の装置１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・のいずれかに、データ取得部が接続されていない構成でも構わない。又、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の内の複数にデータ取得部が接続されていない構成でも構わない。データ取得部を省略することにより、より高速なデータ転送を管理サーバ１４ｂに行うことが可能である。
【０１４４】
第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様に、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、フォーマット変換部１４１と管理情報リンク部１４２が内蔵されている。但し、フォーマット変換部１４１と管理情報リンク部１４２は、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）の外部のハードウェアとして構成されていても良い。
【０１４５】
図２１に示す例では、データ取得部を介さずに、装置１２iから動作管理データ（装置データ）が直接、フォーマット変換部１４１に入力され、フォーマット変換部１４１は、装置１２iからから送信された動作管理データを、共通のフォーマットのデータに変換する。このフォーマット変換部１４１が変換した共通のフォーマットの動作管理データは、管理情報リンク部１４２により、装置群制御サーバ１１ａから送信された管理情報とリンクされる。
【０１４６】
管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、それぞれのデータ取得部１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・から送信された動作管理データを、図９〜図１０に示すような共通のフォーマットのデータに変換するフォーマット変換部１４１と、このフォーマット変換部１４１が変換した共通のフォーマットの動作管理データと、装置群制御サーバ１１ａから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部１４２を備える。管理情報とリンクした装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データは、共通のフォーマットで管理データベース１５に格納される。
【０１４７】
他の複数の装置１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・からの動作管理データは、それぞれデータ取得部１３i+1,１３i+2,１３i+3,・・・・・を介して、フォーマット変換部１４１に送信され、フォーマット変換部１４１は、他の複数の装置１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の動作管理データを共通のフォーマットのデータに変換する。更に、これらの動作管理データは、装置群制御サーバ１１ａから送信された管理情報とをリンクし、共通のフォーマットで管理データベース１５に格納される。
【０１４８】
第４の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、更に、複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・を備え、この複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・のそれぞれが、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の監視を一括してリアルタイムで行う点は、第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様である。このため、第４の実施の形態に係るプロセス状態管理システムにおいても、共通の不良検知分類アプリケーションが、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3,・・・・・の監視を一括してリアルタイムで行うことが可能なので、装置ベンダーの異なる多数の半導体製造装置の監視を行うに際し、統一された異常検知の方法や、統一された異常の自動解析方法を採用できる。つまり、装置ベンダーの異なる多数の半導体製造装置で工場のラインを構成した場合であっても、異常検知や自動解析用アプリケーションは、それぞれの半導体製造装置毎に用意する必要はないので、余分な投資が不要となることは、既に第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムで説明した通りである。他の特徴は、第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムで説明した通りであり、重複した説明を省略する。
【０１４９】
（第５の実施の形態）
従来のようにそれぞれの装置に固有のアルゴリズムを用いたＦＤＣアプリケーションでは、それぞれの装置にＦＤＣアプリケーションを単独で用いなくてはならず、複雑な要因による（例えば線形な関係と非線形な関係が複数合成されたような不良要因）良/不良判別のための複雑な閾値設定ができない。しかし、第２〜第４の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの説明から理解できるように、すべての装置の動作管理データ（装置データ）が、装置やそれに接続されるデータ取得部に依存せず、同一の形式で、管理データベースに、保存（格納）されているので、管理データベースから必要に応じて、高速で取り出し可能である。このため、複数の不良検知分類アプリケーションを同時に使用して、動作管理データを解析できる。
【０１５０】
そこで、本発明の第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムにおいては、複数の不良検知分類アプリケーションを同時に使用した装置の異常検知方法について説明する。即ち、本発明の第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムは、図２２に示すように、半導体装置の製造に必要な複数の装置１２q,１２q+1,１２q+2,・・・・・，１２q+5，・・・・・と、複数の装置１２q,１２q+1,１２q+2,・・・・・，１２q+5，・・・・・のそれぞれの動作管理データ（装置データ）を入力し、複数の装置１２q,１２q+1,１２q+2,・・・・・，１２q+5，・・・・・のそれぞれの動作状態をリアルタイムで監視する管理サーバ１４ｂと、複数の装置１２q,１２q+1,１２q+2,・・・・・，１２q+5，・・・・・のそれぞれの動作管理データを共通の形式のデータとして保存する管理データベース１５とを備える点では、第１〜第４の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様である。なお、第１〜第４の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様に、第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムにおいても、図２２に示した複数の装置１２q,１２q+1,１２q+2,・・・・・，１２q+5，・・・・・の動作を一括して制御する装置群制御サーバ１１ａが装置１２q,１２q+1,１２q+2,・・・・・，１２q+5，・・・・・に接続されているが、図２２ではその図示を省略している。
【０１５１】
図２２に示すように、複数の装置１２q,１２q+1,１２q+2,・・・・・，１２q+5，・・・・・には、それぞれこれらの複数の装置１２q,１２q+1,１２q+2,・・・・・，１２q+5，・・・・・の動作管理データを、それぞれ固有のデータコレクションプランによって取得し、これを所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ｂに送信する複数のデータ取得部１３q,１３q+1,１３q+2,・・・・・，１３q+5，・・・・・が接続されている。
【０１５２】
管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、それぞれのデータ取得部１３q,１３q+1,１３q+2,・・・・・，１３q+5，・・・・・から送信された動作管理データを、図９〜図１０に示すような共通のフォーマットのデータに変換するフォーマット変換部１４１と、このフォーマット変換部１４１が変換した共通のフォーマットの動作管理データと、装置群制御サーバから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部１４２を備える。管理情報とリンクした装置１２q,１２q+1,１２q+2,・・・・・，１２q+5，・・・・・の動作管理データは、共通のフォーマットで管理データベース１５に格納される。管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、更に、複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・を備え、この複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・のそれぞれは、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２q,１２q+1,１２q+2,・・・・・，１２q+5，・・・・・の監視を一括してリアルタイムで行う。これらの複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・に命令し、制御するＦＤＣプログラムは、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）に接続されたアプリケーションプログラム記憶部１６に格納されている。
【０１５３】
そして、第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、更に、複数の不良検知分類アプリケーションを同時に使用し、対象とする装置の動作を、複雑な閾値を設定し、解析できる複数アプリケーション間比較部１４５を備える。
【０１５４】
図２３（ａ）は、変数１と変数２の間に線形な関係がある場合において、ホテリングのＴ2統計量 （Hotelling’s T2 ）のアルゴリズムを適用した場合、図２３（ｂ）は、変数１と変数２の間に非線形な関係がある場合において、ｋ近隣法を適用した場合を示す。従来のように、個別なアルゴリズムを用いたＦＤＣアプリケーションでは、それぞれのアルゴリズムを単独で用いた場合，図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に示すような、線形な関係と非線形な関係が複数合成されたような不良要因については、良／不良判別のための複雑な閾値設定ができなかった。
【０１５５】
しかし、第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムにおいて、複数アプリケーション間比較部１４５を備えることにより、例えば、ｋ近隣法を適用してｋ近隣法でのみ異常と判断された場合は、アラームを担当者にメールする。同様に、ホテリングのＴ2統計量のアルゴリズムを適用した場合、ホテリングのＴ2統計量のアルゴリズムでのみ異常と判断された場合も、アラームを担当者にメールするような判断処理が可能である。一方、ｋ近隣法とホテリングのＴ2統計量のアルゴリズムの両方において異常と判断された場合は、装置を止める等のような判断処理をし、異常検知レベルを詳細に分類することが可能である。このように、複数アプリケーション間比較部１４５を用いて、複数のアルゴリズム間の比較を行い、異常をクラス分けし、対策を自動で行う場合の確度を向上させることができる。この結果、無駄をなくし、必要な対策をより迅速に行うことにより、半導体装置製造プロセスの歩留まりを向上させることができる。
【０１５６】
図２３（ｃ）は、ＯＲアルゴリズムの場合で、図２３（ｄ）は、ＡＮＤアルゴリズムの場合である。第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムは、複数アプリケーション間比較部１４５を備えているので、図２３（ｃ）や図２３（ｄ）のような複雑な閾値も設定して、異常を検出することも可能である。
【０１５７】
（第６の実施の形態）
第２〜第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの説明から理解できるように、第２〜第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムでは、すべての装置の動作管理データ（装置データ）が、装置やそれに接続されるデータ取得部に依存せず、同一の形式で、管理データベースに、保存（格納）されているので、管理データベースから必要に応じて、高速で取り出し可能である。このため、複数の不良検知分類アプリケーションを同時に使用して、動作管理データを解析できる。しかしながら、動作管理データを収集する装置の数が増えると、並列的な処理をしても、最終的な処理結果（解析結果）の出力に遅れが生じ、リアルタイム性を損なうことになる。
【０１５８】
図２４は、装置１２r,１２r+1,１２r+2,・・・・・，１２r+5，・・・・・のそれぞれの動作管理データ１７r,１７r+1,１７r+2,・・・・・，１７r+5，・・・・・が、管理サーバ１４ｂのデータ記憶部１７に一時記憶され、解析待ち行列（ジョブの行列）を構成している状況を示している。このように、動作管理データ１７r,１７r+1,１７r+2,・・・・・，１７r+5，・・・・・が解析待ち行列を構成している場合に、先入れ後出し方式で順に解析したのでは、例えば、次のウェハが処理されるまでの時間が短く，直ぐに不良検知分類アプリケーションの解析結果が必要な装置（プロセス）があっても，直ぐに結果が必要な装置の良／不良の判断が遅れてしまう場合が生じる。
【０１５９】
そこで、本発明の第６の実施の形態に係るプロセス状態管理システムにおいては、装置（プロセス）毎に不良検知分類アプリケーション解析をする優先度を設定し，優先度の高いものを優先的に解析するプロセス状態管理システムについて説明する。即ち、本発明の第６の実施の形態に係るプロセス状態管理システムは、図２４に示すように、半導体装置の製造に必要な複数の装置１２r,１２r+1,１２r+2,・・・・・，１２r+5，・・・・・と、複数の装置１２r,１２r+1,１２r+2,・・・・・，１２r+5，・・・・・のそれぞれの動作管理データ（装置データ）を入力し、複数の装置１２r,１２r+1,１２r+2,・・・・・，１２r+5，・・・・・のそれぞれの動作状態をリアルタイムで監視する管理サーバ１４ｂと、複数の装置１２r,１２r+1,１２r+2,・・・・・，１２r+5，・・・・・のそれぞれの動作管理データを共通の形式のデータとして保存する管理データベース１５とを備える点では、第１〜第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様である。
【０１６０】
しかしながら、第６の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、優先順位決定部１４６を備える点が、第１〜第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムとは異なる。この優先順位決定部１４６は、解析待ち行列の順番を再定義して，動作管理データ１７r,１７r+1,１７r+2,・・・・・，１７r+5，・・・・・を、優先度の高い順に並び替え、優先度の高い順に解析することを可能にする。
【０１６１】
第１〜第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様に、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、それぞれのデータ取得部１３r,１３r+1,１３r+2,・・・・・，１３r+5，・・・・・から送信された動作管理データを、共通のフォーマットのデータに変換するフォーマット変換部１４１と、このフォーマット変換部１４１が変換した共通のフォーマットの動作管理データと、装置群制御サーバから送信された管理情報とをリンクする管理情報リンク部１４２を備える。管理情報とリンクした装置１２r,１２r+1,１２r+2,・・・・・，１２r+5，・・・・・の動作管理データ１７r,１７r+1,１７r+2,・・・・・，１７r+5，・・・・は、共通のフォーマットで管理データベース１５に格納される。管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）は、更に、複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・を備え、この複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・のそれぞれは、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２r,１２r+1,１２r+2,・・・・・，１２r+5，・・・・・の監視を一括してリアルタイムで行う。これらの複数の不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・に命令し、制御するＦＤＣプログラムは、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）に接続されたアプリケーションプログラム記憶部１６に格納されている。複数の装置１２r,１２r+1,１２r+2,・・・・・，１２r+5，・・・・・には、それぞれこれらの複数の装置１２r,１２r+1,１２r+2,・・・・・，１２r+5，・・・・・の動作管理データ１７r,１７r+1,１７r+2,・・・・・，１７r+5，・・・・を取得し、これを所定のタイミングで（定周期で）管理サーバ１４ｂに送信する複数のデータ取得部１３r,１３r+1,１３r+2,・・・・・，１３r+5，・・・・・が接続されていることは、第１〜第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様である。又、第１〜第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムと同様に、第６の実施の形態に係るプロセス状態管理システムにおいても、図２４に示した複数の装置１２r,１２r+1,１２r+2,・・・・・，１２r+5，・・・・・の動作を一括して制御する装置群制御サーバ１１ａが装置１２r,１２r+1,１２r+2,・・・・・，１２r+5，・・・・・に接続されているが、図２４ではその図示を省略している。
【０１６２】
第６の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの優先順位決定部１４６が、装置（プロセス）毎に不良検知分類アプリケーション解析をする優先度を設定する方法は、以下に説明するように、種々の方法がある：
<予め装置（工程）毎に優先度を決定しておく方法>
例えば、ＣＶＤ工程で膜厚をリアルタイム制御では、堆積速度の異常は迅速に検出され、ＣＶＤ終了までにはＣＶＤ時間を延長する必要があるので、優先順位は高い。一方、拡散工程のようにバッチ処理でプロセスの時間が長い場合は、次のロットの処理が開始されるまでに時間的余裕があるため、優先順位は低い。
【０１６３】
そこで、例えば，装置１２r,１２r+1,１２r+2,１２r+3,１２r+4,１２r+5のそれぞれの優先度を、第２位，第４位，第３位，第５位，第６位，第１位と予め決定しておけば、対応する動作管理データ１７r,１７r+1,１７r+2,１７r+3,１７r+4,１７r+5の優先度も、第２位，第４位，第３位，第５位，第６位，第１位となる。そこで、図２４に示すように、データ記憶部１７に一時記憶され、解析待ち行列（ジョブの行列）を構成している場合、優先順位決定部１４６は、予め決定された優先順位に従い、動作管理データ１７r+5,動作管理データ１７r,動作管理データ１７r+2,動作管理データ１７r+1,動作管理データ１７r+3,動作管理データ１７r+4の順番に並び替え、この順に解析する。
【０１６４】
優先順位は、例えば、アラームから対策までに必要な時間の長さや、アラームが遅れた場合のリスク（効果額）等を勘案して決定すれば良い。
【０１６５】
<それぞれの装置から解析要求時間を通報する方法>
装置１２r,１２r+1,・・・・・，１２r+5，・・・・・毎にプロセス終了後から解析結果が必要となる時間（解析要求時間）を定義し，動作管理データ１７r,１７r+1,・・・・・，１７r+5，・・・・と共にプロセス終了のタイムスタンプと解析要求時間を優先順位決定部１４６に送信し，優先順位決定部１４６は、解析結果を算出しなければならない時間を計算して，その時間の早い順に不良検知分類アプリケーション解析待ち時間を定義する。
【０１６６】
例えば、装置１２rの解析要求時間：３０ｓ；プロセス終了時間（タイムスタンプ）：８/３１，１０：１０．３０；解析結果要求時間：８/３１，１０：１１．００であり、装置１２r+1の解析要求時間：１００ｓ；プロセス終了時間（タイムスタンプ）：８/３１，１０：０９．３０；解析結果要求時間：８/３１，１０：１１．１０であり，・・・・・，装置１２r+5の解析要求時間：５ｓ；プロセス終了時間（タイムスタンプ）：８/３１，１０：１０．５０；解析結果要求時間：８/３１，１０：１０．５５であったとする。装置１２r,１２r+1,・・・・・，１２r+5，・・・・・が、動作管理データ１７r,１７r+1,・・・・・，１７r+5，・・・・と共にプロセス終了のタイムスタンプ，解析要求時間，解析結果要求時間を優先順位決定部１４６に送信すれば、優先順位決定部１４６は、解析結果要求時間の時間の早い順に不良検知分類アプリケーション解析待ち時間を定義する。即ち、解析結果要求時間：８/３１，１０：１０．５５の動作管理データ１７r+5，解析結果要求時間：８/３１，１０：１１．００の動作管理データ１７r，解析結果要求時間：８/３１，１０：１１．１０の動作管理データ１７r+1,・・・・・，の順に、動作管理データ１７r,１７r+1,・・・・・，１７r+5，・・・・を並び替え、この優先順位に従って解析する。
【０１６７】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１〜第６の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【０１６８】
既に述べた第１〜第６の実施の形態の説明においては、ＦＤＣに等価な不良検知分類アプリケーションについて主に説明したが、ＦＤＣに等価なアプリケーションに限定されるものではない。例えば、図２５に示すように、管理サーバ１４ｂの演算処理部（ＣＰＵ）が、更に、複数のプロセス状態分類アプリケーション実行モジュール１４８m,１４８m+1,１４８m+2,・・・・・を備え、この複数のプロセス状態分類アプリケーション実行モジュール１４８m,１４８m+1,１４８m+2,・・・・・のそれぞれが、共通のアプリケーションとして、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,・・・・・，１２i+5，・・・・・が実行するプロセス状態の最適化を一括してリアルタイムで行うようにしても良い。プロセス状態分類アプリケーション実行モジュール１４８m,１４８m+1,１４８m+2,・・・・・は、例えば、第１〜第６の実施の形態で説明した不良検知分類アプリケーション実行モジュール１４３j,１４３j+1,１４３j+2,・・・・・よりも、基準値を狭く設定し、複数の装置１２i,１２i+1,１２i+2,・・・・・，１２i+5，・・・・・をより狭い範囲で制御し、不良ではないが、より性能、均一性、歩留まりの高い製品の製造を可能としたり、プロセスの出来栄えの予測を可能にすることもできる。
【０１６９】
図１５においては、ポリシリコンＣＶＤ装置１２pの後ろに膜厚検査装置（１）１２p+1，アモルファスシリコンＣＶＤ装置１２p+2の後ろに膜厚検査装置（２）１２p+3，現像装置１２p+8の後ろにレジストパターン検査装置１２p+9，ポリシリコンエッチング装置１２p+12の後ろにエッチング形状検査装置１２p+13及びエッチング深さ検査装置１２p+14を配置したが、これらの検査装置に対する不良検知分類アプリケーションの適用だけでなく、これらの検査装置によるインラインＱＣや欠陥検査の結果そのもののデータを管理サーバ１４ｂにフィードバックし、不良検知分類アプリケーションのモデルの検証や改善に応用しても良い。
【０１７０】
又、上記第１〜第６の実施の形態では、半導体装置の製造方法について、例示したが、本発明は、自動車の製造工程、化学薬品の製造工程、建築部材の製造工程法に適用できることは、上記説明から容易に理解できるであろう。
【０１７１】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１７２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの概略を模式的に説明するシステム構成図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るプロセス状態管理方法の概略を説明するフローチャートである。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムに用いる管理情報の一例で、図３（ａ）はフォトリソグラフィ工程について、図３（ｂ）はＣＶＤ（デポ）工程について、図３（ｃ）はスパイクアニール工程についての管理情報の例を示す。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るプロセス状態管理方法における動作管理データ（装置データ）とロット管理情報（製品情報）とのリンクのシナリオを説明するフローチャートである。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るプロセス状態管理方法により、動作管理データ（装置データ）とロット管理情報（製品情報）をリンクした形式のデータ構成の例を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の変形例に係るプロセス状態管理システムの概略を模式的に説明するシステム構成図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの概略を模式的に説明するシステム構成図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係るプロセス状態管理方法の概略を説明するフローチャートである。
【図９】図９（ａ）はフォトリソグラフィ工程について、共通フォーマット化された動作管理データ（装置データ）のテーブルを示し、図９（ｂ）は、関係するプリトリートメント（特徴量）を示すテーブルである。
【図１０】図１０（ａ）はＣＶＤ（デポ）工程について、共通フォーマット化された動作管理データ（装置データ）のテーブルを示し、図１０（ｂ）は、関係するプリトリートメント（特徴量）を示すテーブルである。
【図１１】図１１（ａ）はスパイクアニール工程の共通フォーマット化された動作管理データ（装置データ）のテーブルを示し、図１１（ｂ）は、関係するプリトリートメント（特徴量）を示すテーブルである。
【図１２】本発明の第２の実施の形態の第１変形例に係るプロセス状態管理システムの概略を模式的に説明するシステム構成図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態の第２変形例に係るプロセス状態管理システムの概略を模式的に説明するシステム構成図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態の第３変形例に係るプロセス状態管理システムの概略を模式的に説明するシステム構成図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの概略を模式的に説明するシステム構成図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態に係るプロセス状態管理方法が適用される半導体装置の製造方法の一連の工程の一部を説明するフローチャートである。
【図１７】本発明の第３の実施の形態に係るプロセス状態管理方法の概略を説明するフローチャートである。
【図１８】本発明の第３の実施の形態に係るプロセス状態管理方法における多変量解析の一例として、アモルファスシリコンＣＶＤ工程中のガス流量とアモルファスシリコンエッチング工程中のＲＦパワーとの関係を解析した図である。
【図１９】本発明の第３の実施の形態の比較例に係るプロセス状態管理方法の概略を説明するフローチャートである。
【図２０】本発明の第３の実施の形態に係るプロセス状態管理方法の概略を説明する他のフローチャートである。
【図２１】本発明の第４の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの概略を模式的に説明するシステム構成図である。
【図２２】本発明の第５の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの概略を模式的に説明するシステム構成図である。
【図２３】本発明の第５の実施の形態に係るプロセス状態管理方法に用いる複数の解析アルゴリズムを説明するシステム構成図である。
【図２４】本発明の第６の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの概略を模式的に説明するシステム構成図である。
【図２５】本発明の他の実施の形態に係るプロセス状態管理システムの概略を模式的に説明するシステム構成図である。
【符号の説明】
【０１７３】
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ…装置群制御サーバ
１２i,１２i+1,１２i+2,１２i+3；１２q,１２q+1,１２q+2,・・・・・，１２q+5，；１２r,１２r+1,１２r+2,・・・・・，１２r+5，…装置
１２p …ポリシリコンＣＶＤ装置
１２p+1,１２p+3…膜厚検査装置
１２p+2…アモルファスシリコンＣＶＤ装置
１２p+4…反射防止膜塗布装置
１２p+5…スピンナー
１２p+6…ベーキング装置
１２p+7…露光装置
１２p+8…現像装置
１２p+9…レジストパターン検査装置
１２p+10 …反射防止膜エッチング装置
１２p+11…アモルファスシリコンエッチング装置
１２p+12 …ポリシリコンエッチング装置
１２p+13…エッチング形状検査装置
１２p+14…エッチング深さ検査装置
１３int,１３i,１３i+1,１３i+2,１３i+3；１３p,１３p+1,１３p+2,１３p+3,；１３q,１３q+1,１３q+2,・・・・・，１３q+5，；１３r,１３r+1,１３r+2,・・・・・，１３r+5，…データ取得部
１４ａ，１４ｂ…管理サーバ
１５…管理データベース
１６…アプリケーションプログラム記憶部
１７…データ記憶部
１９…通信ネットワーク（ＭＥＳのＬＡＮ）
１４１…フォーマット変換部
１４２…管理情報リンク部
１４３j,１４３j+1,１４３j+2,…不良検知分類アプリケーション実行モジュール
１４４k,１４４k+1,１４４k+2,…プロセス制御アプリケーション実行モジュール
１４５…複数アプリケーション間比較部
１４６…優先順位決定部
１４７…複数工程間不良検知分類アプリケーション実行モジュール
１４８m,１４８m+1,１４８m+2…プロセス状態分類アプリケーション実行モジュール
１７r,１７r+1,１７r+2,１７r+3,１７r+4,１７r+5…動作管理データ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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