(57)【要約】    【課題】  高価で精密な露光装置及びエッチング装置を用いることなく、性能の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法等を提供する。    【解決手段】  絶縁膜上に形成されるスリットＳＴ内に半導体材料を塗布（充填）し、その後に熱処理を加えて非晶質半導体膜２６０を形成する（図３（ｃ）参照）。次に、非晶質半導体膜２６０にレーザ光を照射して熱処理を施すことで（図３（ｄ）参照）、非晶質半導体膜２６０のうちスリットＳＴを含む一定範囲の領域に略単結晶状態の半導体膜２６５ａを形成する（図３（ｅ）参照）。この略単結晶状態の半導体膜２６５ａを半導体装置の能動層（ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域）に用いることで、オフ電流値が小さく移動度の大きな優良な半導体装置を形成する。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の段差部を覆うように液体材料を塗布し塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜を乾燥させ前記段差部上の前記塗布膜に亀裂を形成する工程と、
前記塗布膜の前記亀裂を覆うように半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜を熔融し、前記亀裂内に形成された前記半導体膜を結晶核として成長させることにより結晶性を高める工程と、
結晶性が高まった前記亀裂上の前記半導体膜をチャネル部に用いて半導体装置を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板上に段差部を形成する工程と、
前記段差部を覆うように液体材料を塗布し塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜を乾燥させ前記段差部上の前記塗布膜に亀裂を形成する工程と、
前記塗布膜の前記亀裂を覆うように半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜を熔融し、前記亀裂内に形成された前記半導体膜を結晶核として成長させることにより結晶性を高める工程と、
結晶性が高まった前記亀裂上の前記半導体膜をチャネル部に用いて半導体装置を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記段差部は前記基板上に堆積された薄膜で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記段差部は前記基板を削って形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記段差部の大きさで前記亀裂の大きさを調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体膜の結晶性を高める工程では、前記半導体膜に光を照射して前記半導体膜の一部を熔融することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記光は前記半導体膜の上方から照射され、前記亀裂内に形成された前記半導体膜の表層を熔融することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体膜は非単結晶であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を備えることを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の画素を有する液晶表示装置、有機ＥＬ装置及びイメージセンサ等の各種電子デバイスにおいては、ガラス基板や石英基板上に形成される薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）などを用いて画素のスイッチング動作が行われる。
【０００３】
かかるガラス基板等に形成されるＴＦＴの性能を向上させる技術の１つとして、例えば下記特許文献１や非特許文献１、２には、基板上の絶縁膜に微細孔を設け、この絶縁膜上及び微細孔内に非晶質珪素膜を形成した後、この非晶質珪素膜にレーザを照射して、微細孔の底部内の非晶質珪素を非溶融状態に保持しながら、その他の部分の非晶質珪素膜を溶融状態にすることにより、非溶融状態に保持された非晶質珪素を結晶核とした結晶成長を生じさせて略単結晶状態の珪素膜を形成する方法が開示されている。
【０００４】
【非特許文献１】「Ｓｉｎｇｌｅ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ」， ＩＢＭ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＤＩＳＣＬＯＳＵＲＥ ＢＵＬＬＥＴＩＮ Ａｕｇ．１９９３ ｐｐ２５７−２５８
【非特許文献２】「Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｅｘｃｉｍｅｒ−Ｌａｓｅｒ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ ｏｆ Ｓｉ Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ ＦｏｒＬｏｃａｔｉｏｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ ｏｆ Ｌａｒｇｅ Ｇｒａｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ 」， Ｒ．Ｉｓｈｉｈａｒａ等， ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ ２００１， ｖｏｌ．４２９５， ｐ．１４〜２３
【特許文献１】特開２００３−１９７５２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術では、微細孔の底部内の非晶質珪素膜を核として結晶成長をさせるため、微細孔の大きさなどを緻密に制御する必要があり、高価で精密な露光装置やエッチング装置が不可欠とされていた。
【０００６】
本発明は、以上説明した事情を鑑みてなされたものであり、高価で精密な露光装置及びエッチング装置を用いることなく、性能の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上の段差部を覆うように液体材料を塗布し塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を乾燥させ前記段差部上の前記塗布膜に亀裂を形成する工程と、前記塗布膜の前記亀裂を覆うように半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜を熔融し、前記亀裂内に形成された前記半導体膜を結晶核として成長させることにより結晶性を高める工程と、結晶性が高まった前記亀裂上の前記半導体膜をチャネル部に用いて半導体装置を形成する工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
かかる構成によれば、塗布膜に形成される亀裂を利用して結晶性の高い半導体膜を形成し、この結晶性の高まった半導体膜を半導体装置のチャネル部に用いて半導体装置を形成する。この亀裂の幅や深さは、段差の高さや塗布膜の形成条件などによって決定され、かかるパラメータを制御することで幅１μｍ以下、深さ１０乃至数１００ｎｍ程度の微細な亀裂を形成することができる。このため、高価で精密な露光装置やエッチング装置は不要となり、従来に比して製造コストを抑えることが可能となる。
【０００９】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に段差部を形成する工程と、前記段差部を覆うように液体材料を塗布し塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を乾燥させ前記段差部上の前記塗布膜に亀裂を形成する工程と、前記塗布膜の前記亀裂を覆うように半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜を熔融し、前記亀裂内に形成された前記半導体膜を結晶核として成長させることにより結晶性を高める工程と、結晶性が高まった前記亀裂上の前記半導体膜をチャネル部に用いて半導体装置を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
また、上記製造方法にあっては、前記段差部は前記基板上に堆積された薄膜で形成されることを特徴とする。ここで、前記段差部は前記基板を削って形成しても良く、また、前記段差部の大きさで前記亀裂の大きさを調整しても良い。また、上記製造方法にあっては、前記半導体膜の結晶性を高める工程では、前記半導体膜に光を照射して前記半導体膜の一部を熔融するようにしても良い。また、前記光は前記半導体膜の上方から照射され、前記亀裂内に形成された前記半導体膜の表層を熔融するようにしても良い。
【００１１】
以上説明した方法によって製造された半導体装置を電気光学装置や電子デバイスに適用しても良い。ここで、電気光学装置とは、例えば、液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ素子等を備えた装置であって、上記半導体装置を駆動回路等に適用した装置をいう。また、電子デバイスとは、本発明に係る半導体装置を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。その構成に特に限定は無いが、例えばＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ等が含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明に係る実施形態を説明する前に、本発明の基本原理について説明する。
【００１３】
Ａ．基本原理
図１は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）を構成するゲート電極と層間絶縁膜の関係を示す図であり、図２は、図１に示すゲート電極近傍の部分拡大図である。
【００１４】
層間絶縁膜１１０は、導電性材料によって形成されたゲート電極（段差パターン）１２０を含む基板全面を覆う絶縁膜であり、ポリシラザンを含む液体材料（絶縁性膜形成用の液体材料）を塗布し、乾燥等することによって形成する。
【００１５】
図１に示すように、塗布法によって層間絶縁膜１１０を形成すると、ゲート電極（段差パターン）１２０の端部を覆う部分と他の部分との間で段差１３０が形成される。この段差部分について断面ＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）やＡＦＭ（Atomic Force Microscope）などの方法によって調査すると、当該段差部分に幅１μｍ以下、深さ１０乃至数１００ｎｍ程度の微細なスリット（亀裂）ＳＴが形成されることが判明した（図２参照）。さらに調査を進めたところ、このスリットＳＴの幅や深さは段差の高さや形状及び層間絶縁膜１１０の形成条件（材料や乾燥条件など）に起因し、また、他の部分の膜厚ｄ１とゲート電極１２０を覆う部分の膜厚ｄ０の膜厚差（ｄ１−ｄ０）は、ゲート電極１２０のパターンサイズに起因することが判明した。
【００１６】
なお、スリットＳＴが形成されるメカニズムについては未だ明らかではないが、ゲート電極１２０を覆う部分の膜厚ｄ０と他の部分の膜厚ｄ１の膜厚差（ｄ１−ｄ０）によって生じる膜の収縮度合いの違いがスリットＳＴの形成に起因したものと推測される。
以下、スリットＳＴを利用して略単結晶状態の半導体膜を形成するとともに、該半導体膜を利用して半導体装置を製造する実施の形態について説明する。
【００１７】
Ｂ．第１実施形態
Ｂ−１．半導体膜の製造プロセス
図３は、第１実施形態に係る結晶性の良い半導体膜の製造プロセスを示す工程図である。
【００１８】
（スリット形成工程）
まず、基板２１０の上に、形成すべきスリットＳＴの形状（例えば矩形など；図４参照）に応じた第１絶縁膜（段差パターン）２２０を形成する。具体的には、スリットＳＴの形状にあわせて基板２１０の上にポリシラザンなどの液体材料（以下、「絶縁性材料」と総称）を塗布し、ベーク・アニール処理（１００℃で５分程度、さらに３５０℃で６０分程度）等を施すことにより、第１絶縁膜２２０を形成する（図３（ａ）参照）。
【００１９】
そして、第１絶縁膜２２０が形成された基板２１０の全面に、絶縁性材料を塗布し、上記と同様のベーク・アニール処理を施すことにより、第２絶縁膜２４０を形成する。ここで、第１絶縁膜２２０の端部ｅを覆う第２絶縁膜２４０の膜厚Ｄ２は、他の部分の膜厚Ｄ３に較べて薄い。かかる膜厚差（Ｄ３−Ｄ２）によって生じる膜の収縮度合いの違いにより、第１絶縁膜２２０の端部ｅの直上に位置する第２絶縁膜２４０（段差パターンの端部に対応する位置）にスリットＳＴが形成される（図３（ｂ）参照）。前述したように、このスリットＳＴの幅や深さは、段差の高さや形状、絶縁膜の形成条件（材料や乾燥条件など）に応じて決定される。これらパラメータを適宜設定することで、上述したように幅１μｍ以下、深さ１０乃至数１００ｎｍ程度の微細なスリットＳＴを形成することができる。
【００２０】
なお、図示はしないが、スリットＳＴは基板２１０をエッチング等で削ることによって形成することもできる。
【００２１】
（成膜工程）
次に、インクジェット法やスピンコート法などの塗布法を用いてシリコンなどの半導体材料を含む液体材料（以下、「半導体材料」と総称）を基板全面に塗布するとともに、スリットＳＴ内に半導体材料を塗布（充填）し、その後に熱処理（例えば、３００〜４００℃程度）を加えて非単結晶半導体膜２６０を形成する（図３（ｃ）参照）。上述した半導体材料としては、シクロシランからなる液体材料や該材料にリンなどの５族元素やホウ素などの３族元素を含有する物質をドーパント源として添加した珪素化合物を含有する溶液、または上述した３族又は５族元素で変性された珪素化合物と変性されていない珪素化合物とを含有する溶液を用いることができる。ここで、非単結晶半導体膜とは、単結晶ではない半導体膜をすべて含む表現であり、例えば、非晶質半導体膜、微結晶半導体膜、多結晶半導体膜などが含まれる。
【００２２】
（溶融結晶化工程）
次に、図３（ｄ）に示すように、非単結晶半導体膜２６０にレーザ光を照射して非単結晶半導体膜２６０を部分的に溶融させる。このレーザアニール処理については、スリット内部にある非単結晶半導体膜２６０を溶融させずに、かつ、スリット外部にある非単結晶半導体膜２６０を膜厚方向に完全に溶融させるような条件で行う。また、照射するレーザ光としては、光の波長が約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光、波長が約３０８ｎｍのＸｅＣｌパルスエキシマレーザ光、波長が約５３２ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザ光の第２高調波、同じく波長が約５３２ｎｍのＮｄ：ＹＶＯ４レーザ光の第２高調波、波長が約２６６ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザ光の第４高調波、同じく波長が約２６６ｎｍのＮｄ：ＹＶＯ４レーザ光の第４高調波等が好ましい。なお、レーザ光は、照射面積に応じてスリットＳＴの延在方向に走査しながら照射（ライン照射）しても良く、また、一括して基板全面に照射しても良い。なお、本発明では位相の揃ったレーザ光を照射する以外にも、ハロゲンランプや水銀ランプを用いて放射状の光を全面に照射するものでもよい。
【００２３】
このようなレーザ光を上方から非単結晶半導体膜２６０に一様に照射することで、非単結晶半導体膜２６０は溶融・固化して結晶化される。具体的には、図３（ｅ）及び図５に示すように、非単結晶半導体膜のうちスリットＳＴを中心とする所定範囲の領域については、スリットＳＴの中の結晶粒を核（起点）として結晶成長が進行し、大きな粒径を有する結晶性の良い半導体膜２６５ａが形成される。一方、非単結晶半導体膜のうち上記所定範囲の領域を除く他の領域については、完全溶融して小さな粒径を有する微結晶状態の半導体膜２６５ｂが形成される。ここで、結晶性の良い半導体膜２６５ａは、内部に欠陥が少なく、半導体膜の電気特性の点でエネルギーバンドにおける禁制帯中央部付近の捕獲準位密度が少なくなる効果が得られる。また、スリットの長手方向と垂直な方向には結晶粒界がほぼ無いと見なせるために、電子や正孔といったキャリアが流れる際の障壁を大きく減少できる効果が得られる。この結晶性の良い半導体膜２６５ａを半導体装置の能動層（ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域）に用いることで、オフ電流値が小さく移動度の大きな優良な半導体装置が得られる。
【００２４】
ここで、結晶性の良い半導体膜とは、熔融結晶化する前の非単結晶半導体膜と比較したとき、相対的に結晶性の良い半導体膜ということである。かつ、熔融結晶化したあとの半導体膜において、前述の微結晶状態の半導体膜２６５ｂより大きな結晶粒径を有する部分を示すものである。
【００２５】
Ｂ−２．半導体装置の製造プロセス
図６は、結晶性の良い半導体膜を利用した半導体装置（ＴＦＴ）の製造プロセスを示す工程図である。
【００２６】
先ず、結晶性の良い半導体膜２６５ａを含む半導体膜をパターニングすることにより、ＴＦＴの半導体膜２７０を形成する（図６（ａ）、（ｂ）参照）。具体的には、ＴＦＴのチャネル電流の向きがスリットＳＴに対して略垂直になるように、結晶性の良い半導体膜２６５ａの領域内に半導体膜（能動層）２７０を形成する（図７（ａ）参照）。
【００２７】
ここで、結晶性の良い半導体膜２６５ａの結晶粒界は、スリットＳＴに平行な方向で多く、スリットＳＴに垂直な方向で少ない。このため、チャネル電流がスリットＳＴに対して垂直方向に流れるように半導体膜２７０を形成することで、オフ電流値が小さく移動度の大きな優良なＴＦＴを得ることができる。なお、結晶性の良い半導体膜２６５ａはスリットＳＴを挟んで左右両側に形成されるため、図７（ｂ）に示すように、両側の領域を利用して半導体膜２７０を形成しても良い。
【００２８】
次に、半導体膜２７０の上に電子サイクロトロン共鳴ＣＶＤ法（ＥＣＲ−ＣＶＤ法）やＰＥＣＶＤ法にてゲート絶縁膜２８０を形成した後（図６（ｃ）参照）、該ゲート絶縁膜２８０の上にゲート電極２９０を形成する（図６（ｄ）参照）。そして、このゲート電極２９０をマスクとしてドナーまたはアクセプターとなる不純物イオンを打ち込むことにより、半導体膜２７０にソース領域２７０ｓ、ドレイン領域２７０ｄ、チャネル領域２７０ｃを自己整合的に形成する。具体的には、リンなどの不純物イオンを２×１０15ｃｍ-2程度の濃度で半導体膜２７０に打ち込み、その後、ＸｅＣｌエキシマレーザを照射エネルギー密度３５０ｍＪ／ｃｍ2程度で照射、あるいは３００℃〜４５０℃程度の温度で熱処理することで不純物元素の活性化を行う。
【００２９】
そして、ゲート絶縁膜２８０及びゲート電極２９０の上面にＰＥＣＶＤ法などを用いて約５００ｎｍの層間絶縁膜３００を形成するとともに、ソース領域２７０ｓ、ドレイン領域２７０ｄに至るコンタクトホールを開け、該コンタクトホールにアルミニウムなどを堆積することにより、ソース電極３１０ｓ及びドレイン電極３１０ｄを形成する。さらに、ゲート電極２９０に至るコンタクトホールを層間絶縁膜３００に開けてゲート電極２９０用の端子電極（図示略）を形成することで、本発明に係るＴＦＴを形成する。
【００３０】
以上説明したように、本実施形態によれば、絶縁膜上に形成されるスリットを利用して結晶性の良い半導体膜を形成し、この結晶性の良い半導体膜を半導体装置の能動層に用いることで、オフ電流値が小さく移動度の大きな優良な半導体装置を形成することが可能となる。
【００３１】
ここで、スリットＳＴの幅や深さは、段差の高さや形状、絶縁膜の形成条件（材料や乾燥条件など）に応じて決定され、これらパラメータを適宜設定することで幅１μｍ以下、深さ１０乃至数１００ｎｍ程度の微細なスリットＳＴを形成することができる。このため、高価で精密な露光装置やエッチング装置は不要となり、従来に比して製造コストを抑えることが可能となる。
【００３２】
Ｃ．第２実施形態
図８は、第２実施形態に係る電気光学装置の一種である有機ＥＬ装置１０の接続図を示す。
【００３３】
各画素領域に形成された画素回路は、電界発光効果により発光可能な発光層ＯＥＬＤ、それを駆動するための制御回路を構成するＴＦＴ１１〜１４などを備えて構成される。一方、駆動回路領域に形成された各駆動回路１５、１６は、上記構成を有する複数のＴＦＴ（図示略）を備えて構成されている。駆動回路１５からは、走査線Ｖｓｅｌ及び発光制御線Ｖｇｐが対応する各画素回路に供給され、駆動回路１６からは、データ線Ｉｄａｔａおよび電源線Ｖｄｄが対応する各画素回路に供給されている。走査線Ｖｓｅｌとデータ線Ｉｄａｔａとを制御することにより、対応する各発光部ＯＥＬＤによる発光が制御可能になっている。なお、上記駆動回路は、発光要素に電界発光素子を使用する場合の回路の一例であり、他の回路構成も可能である。
【００３４】
Ｄ．第３実施形態
図９は、第３実施形態に係る電子デバイスを例示した図である。
図９（ａ）は、本発明の製造方法によって製造される携帯電話であり、当該携帯電話３３０は、電気光学装置（表示パネル）１０、アンテナ部３３１、音声出力部３３２、音声入力部３３３及び操作部３３４を備えている。本発明は、例えば表示パネル１０における画素回路及び駆動回路を構成する半導体装置の製造に適用される。図９（ｂ）は、本発明の製造方法によって製造されるビデオカメラであり、当該ビデオカメラ３４０は、電気光学装置（表示パネル）１０、受像部３４１、操作部３４２及び音声入力部３４３を備えている。本発明は、例えば表示パネル１０における画素回路及び駆動回路を構成する半導体装置の製造に適用される。
【００３５】
図９（ｃ）は、本発明の製造方法によって製造される携帯型パーソナルコンピュータの例であり、当該コンピュータ２５０は、電気光学装置（表示パネル）１０、カメラ部３５１及び操作部３５２を備えている。本発明は、例えば表示パネル１０を構成する半導体装置の製造に適用される。
【００３６】
図９（ｄ）は、本発明の製造方法によって製造されるヘッドマウントディスプレイの例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ３６０は、電気光学装置（表示パネル）１０、バンド部３６１及び光学系収納部３６２を備えている。本発明は、例えば表示パネル１０を構成する半導体装置の製造に適用される。図９（ｅ）は、本発明の製造方法によって製造されるリア型プロジェクターの例であり、当該プロジェクター３７０は、電気光学装置（光変調器）１０、光源３７２、合成光学系３７３、ミラー３７４、３７５を筐体３７１内に備えている。本発明は、例えば光変調器１０における画素回路及び駆動回路を構成する半導体装置の製造に適用される。図９（ｆ）は本発明の製造方法によって製造されるフロント型プロジェクターの例であり、当該プロジェクター３８０は、電気光学装置（画像表示源）１０及び光学系３８１を筐体３８２内に備え、画像をスクリーン３８３に表示可能になっている。本発明は、例えば画像表示源１０における画素回路及び駆動回路を構成する半導体装置の製造に適用される。
【００３７】
上記例に限らず本発明は、あらゆる電子デバイスの製造等に適用可能である。例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ、ＩＣカードなどにも適用することができる。なお、本発明は上述した各実施形態に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形、変更実施が可能である。また、上述した実施形態では、回路素子の一例としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を例示したが、他の回路素子に適用しても良いのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の基本原理を説明するための図である。
【図２】本発明の基本原理を説明するための図で有る。
【図３】第１実施形態に係る半導体膜の製造プロセスを示す工程図である。
【図４】同実施形態に係るスリットと第１絶縁膜との位置関係を例示した図である。
【図５】同実施形態に係るスリットと非晶質半導体膜との位置関係を例示した図である。
【図６】同実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す工程図である。
【図７】同実施形態に係る半導体装置の配置を例示した図である。
【図８】第２実施形態に係る電気光学装置を例示した図である。
【図９】第３実施形態に係る電子デバイスを例示した図である。
【符号の説明】
【００３９】
１１０・・・層間絶縁膜、１２０・・・ゲート電極、１３０・・・段差、ＳＴ・・・スリット、２１０・・・基板、２２０・・・第１絶縁膜、２４０・・・第２絶縁膜、２５０・・・ゲート電極、２６０・・・非単結晶半導体膜、２６５ａ・・・結晶性の良い半導体膜、２６５ｂ・・・微結晶状態の半導体膜、２７０・・・半導体膜、２７０ｓ・・・ソース領域、２７０ｄ・・・ドレイン領域、２７０ｃ・・・チャネル領域、２８０・・・ゲート絶縁膜、２９０・・・ゲート電極、３００・・・層間絶縁膜、３１０ｓ・・・ソース電極、３１０ｄ・・・ドレイン電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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