(57)【要約】【課題】液晶表示装置の静電破壊強度を向上する。【解決手段】保持容量ライン１３ＡにＬ字形の窪み部分Ｒ１を形成し、この窪み部分Ｒ１のスペースの中に収まるようにコンタクトホールＣ２Ａを配置したので、メタル配線１４が通されたコンタクトホールＣ２Ａと保持容量ライン１３Ａの間での電界は、窪み部分Ｒ１のエッジに沿って分散される。このため、コンタクトホールＣ２Ａの部分から保持容量ライン１３Ａへの静電気の放電が一箇所に集中なくなる。また、窪み部分Ｒ１のエッジがコンタクトホールＣ２Ａを中心として円弧を描いていることが好ましい。窪み部分Ｒ１のエッジは、概ね１／４の円を描いている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の半導体層と、絶縁膜を介して前記第１の半導体層と交差したゲートラインと、前記基板上に形成された第２の半導体層と、前記絶縁膜を通して前記第２の半導体層と部分的に重なる保持容量ラインと、
前記第１の半導体層上に形成された第１のコンタクトホールと、前記第２の半導体層上に形成された第２のコンタクトホールと、前記第１及び前記第２のコンタクトホールを通して前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とを接続するメタル配線と、を備え、前記保持容量ラインに窪み部分を形成し、この窪み部分のスペースの中に前記第２のコンタクトホールを配置したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記窪み部分がＬ字形の形状を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記窪み部分がＵ字形の形状を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記窪み部分のエッジが前記第２のコンタクトホールを中心として円弧を描いていることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記窪み部分がＶ字形の形状を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタと保持容量を備えた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の液晶表示装置は、図５に示すように、ｎ行ｍ列マトリクスに配置された複数の画素を備え、各画素は、画素選択用薄膜トランジスタ１１０（以下、ＴＦＴ１１０という。）、液晶ＬＣ及び保持容量Ｃscから成っている。なお、図５は図示の簡単のために、２行２列の画素だけを示している。
【０００３】
ＴＦＴ１１０のゲートには、行方向に延びたゲートライン１２０が接続され、そのドレインには、列方向に延びたデータライン１２１が接続されている。各行のゲートライン１２０には垂直ドライブ回路（Ｖドライブ回路）１３０からゲート走査信号が順次供給され、これに応じてＴＦＴ１１０が選択される。また、データライン１２１には水平ドライブ回路（Ｈドライブ回路）１４０からのドレイン走査信号に応じて、ビデオ信号が供給され、ＴＦＴ１１０を通して液晶ＬＣに印加される。ここで、保持容量ＣscはＴＦＴ１１０を通して供給されるビデオ信号を保持するために用いられる。
【０００４】
図６は上記の液晶表示装置の画素の平面図である。ＴＦＴ１１０の第１の半導体層１０（例えば、ポリシリコン層からなる）は、第１の基板１００（例えば、ガラス基板）上に、屈曲したパターンを有して形成されており、行方向に直線的に延びるゲートライン１２０と２箇所で交差している。これら２つの交差部分の第１の半導体層１０中にチャネル領域１０ｃが形成される。
【０００５】
ゲートライン１２０とチャネル領域１０ｃとの間にはゲート絶縁膜（不図示）が形成されている。第１の半導体層１０のドレイン領域１０ｄはコンタクトホールＣ０を通して列方向に延びる上層のデータライン１２１に接続されている。
【０００６】
また、第１の半導体層１０に隣接して第２の半導体層１２（例えば、ポリシリコン層からなる）が形成されている。第２の半導体層１２上には行方向に延びる保持容量Ｃscの保持容量ライン１３が部分的に重なっている。第２の半導体層１２と保持容量ライン１３との間には前記ゲート絶縁膜（不図示）が形成されており、これが保持容量Ｃscの容量絶縁膜に相当している。
【０００７】
第１の半導体層１０上のゲート絶縁膜及び層間絶縁膜（不図示）にコンタクトホールＣ１が形成され、第２の半導体層１２上のゲート絶縁膜及び層間絶縁膜（不図示）にコンタクトホールＣ２が形成されている。そして、コンタクトホールＣ１，Ｃ２を通して第１の半導体層１０と第２の半導体層１２とを接続するメタル配線１４が形成されている。このメタル配線１４は、メタル配線１４上に形成された平坦化絶縁膜（不図示）に設けられたコンタクトホールＣ３を通して上層の画素電極１５に接続されている。
【特許文献１】特開２００４−１６５２４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の液晶表示装置では、コンタクトホールＣ２に近い部分の、第２の半導体層１２と補助容量ライン１３で挟まれたゲート絶縁膜が静電気により絶縁破壊されるという問題があった。これは、配向膜のラビング工程等において、画素電極１５が静電気を帯びて、この静電気がコンタクトホールＣ３、メタル配線１４、コンタクトホールＣ２を経由して、補助容量ライン１３へ放電するためである。特に、図６の画素では、コンタクトホールＣ２と補助容量ライン１３との近接部分Ｋに電界が集中して、静電気の放電が起こるため、ゲート絶縁膜の静電破壊が起こりやすいと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで、本発明の液晶表示装置は、基板上に形成された第１の半導体層と、絶縁膜を通して前記第１の半導体層と交差したゲートラインと、前記基板上に形成された第２の半導体層と、前記絶縁膜を通して前記第２の半導体層と部分的に重なる保持容量ラインと、前記第１の半導体層上に形成された第１のコンタクトホールと、前記第２の半導体層上に形成された第２のコンタクトホールと、前記第１及び前記第２のコンタクトホールを通して前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とを接続するメタル配線と、を備え、前記保持容量ラインに窪み部分を形成し、この窪み部分のスペースの中に前記第２のコンタクトホールを配置したことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の液晶表示装置によれば、保持容量ラインに窪み部分を形成し、この窪み部分のスペースの中に第２のコンタクトを配置したので、第２のコンタクトと保持容量ラインの間での電界の集中が緩和されるため、静電破壊強度を向上することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照しながら説明する。図１はこの液晶表示装置の平面図、図２は図１のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図である。
【００１２】
ＴＦＴ１１０の第１の半導体層１０（例えば、ポリシリコン層からなる）は、第１の基板１００（例えば、ガラス基板）上に、屈曲したパターンを有して形成されており、行方向に直線的に延びるゲートライン１２０と２箇所で交差している。これら２つの交差部分の第１の半導体層１０中にチャネル領域１０ｃが形成される。
【００１３】
ゲートライン１２０とチャネル領域１０ｃとの間にはゲート絶縁膜２０が形成されている。ゲートライン１２０は層間絶縁膜２１によって覆われている。第１の半導体層１０のドレイン領域１０ｄは、ゲート絶縁膜２０及び層間絶縁膜２１に開口されたコンタクトホールＣ０を通して列方向に延びる上層のデータライン１２１に接続されている。
【００１４】
また、第１の半導体層１０に隣接して第２の半導体層１２（例えば、ポリシリコン層からなる）が形成されている。第１の半導体層１２上には行方向に延びる保持容量Ｃscの保持容量ライン１３Ａが部分的に重なっている。第１の半導体層１２と保持容量ライン１３Ａとの間にはゲート絶縁膜２０が形成されており、これが保持容量Ｃscの容量絶縁膜に相当している。
【００１５】
第１の半導体層１０上のゲート絶縁膜２０及び層間絶縁膜２１に、円形のコンタクトホールＣ１が開口され、第２の半導体層１２Ａ上のゲート絶縁膜２０及び層間絶縁膜２１に円形のコンタクトホールＣ２Ａが開口されている。そして、コンタクトホールＣ１，Ｃ２Ａを通して第１の半導体層１０と第２の半導体層１２Ａとを接続するメタル配線１４が形成されている。このメタル配線１４は、メタル配線１４を覆って形成された平坦化絶縁膜２２に設けられたコンタクトホールＣ３を通して上層の画素電極１５に接続されている。
【００１６】
画素電極１５が形成された第１の基板１００と対向して、第２の基板２３（例えば、ガラス基板）が配置され、この第１の基板１００と第２の基板２３の間に液晶２４が封入されている。また、第２の基板２３の画素電極１５と対向する表面には共通電極２５が形成されている。
【００１７】
本実施形態の特徴とする点は、図１の平面図に示すように、保持容量ライン１３ＡにＬ字形の窪み部分Ｒ１を形成し、この窪み部分Ｒ１のスペースの中に収まるようにコンタクトホールＣ２Ａを配置したことである。かかる構成によれば、メタル配線１４が通されたコンタクトホールＣ２Ａと保持容量ライン１３Ａの間での電界は、窪み部分Ｒ１のエッジに沿って分散されるため、コンタクトホールＣ２Ａの部分から保持容量ライン１３Ａへの放電は従来のように一箇所に集中しなくなる。これにより、静電破壊強度を向上することができる。
【００１８】
また、窪み部分Ｒ１のエッジがコンタクトホールＣ２Ａを中心として円弧を描いていることが好ましい。図１の例では、窪み部分Ｒ１のエッジは、概ね１／４の円を描いている。これにより、この円弧部分ではコンタクトホールＣ２Ａと保持容量ライン１３Ａとの距離は一定となり、電界集中をさらに緩和し、静電破壊強度をさらに向上することができる。
【００１９】
次に、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置について図３を参照しながら説明する。図３のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図は図２の断面図と同一である。第１の実施形態の保持容量ライン１３Ａの窪み部分Ｒ１はＬ字形（右方向に拡がっており、コンタクトホールＣ２に対して非対称）であるが、本実施形態の保持容量ライン１３Ｂの窪み部分Ｒ２はＵ字形であり、コンタクトホールＣ２Ａの中心はこの窪み部分Ｒ２の中心線（Ｘ２−Ｘ２線）上に配置されている。
【００２０】
この場合、窪み部分Ｒ２のエッジがコンタクトホールＣ２Ａを中心として円弧を描いていることが好ましい。図３の例では、窪み部分Ｒ２のエッジは、概ね半円を描いている。これにより、この円弧部分ではコンタクトホールＣ２Ａと保持容量ライン１３Ｂとの距離は一定となり、電界集中をさらに緩和することができる。
【００２１】
次に、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置について図４を参照しながら説明する。図４のＸ３−Ｘ３線に沿った断面図は図２の断面図と同一である。この液晶表示装置では、第２の半導体層１２Ｂは部分的に突出しており、この突出部に重なるように、保持容量ライン１３Ｃの窪み部分Ｒ３が形成されている。この窪み部分Ｒ３はＶ字形の形状である。コンタクトホールＣ２Ａはこの窪み部分Ｒ３のスペースの中に配置されるとともに、その中心はこの窪み部分Ｒ３の中心線（Ｘ３−Ｘ３）上に配置されている。
【００２２】
このような構成によってもコンタクトホールＣ２Ａと保持容量ライン１３Ｃとの距離が一定の部分を複数箇所設けることができるので、電界集中を緩和して静電破壊強度を向上することができる。図４の例では、コンタクトホールＣ２Ａと保持容量ライン１３Ｃとの距離が一定の部分は３箇所ある。すなわち、これらの箇所では、コンタクトホールＣ２Ａのエッジから保持容量ライン１３Ｃの窪み部分Ｒ３のエッジの辺までの距離は互いに等しい。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の画素の平面図である。
【図２】図１のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の画素の平面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置の画素の平面図である。
【図５】従来例の液晶表示装置の回路図である。
【図６】従来例の液晶表示装置の画素の平面図である。
【符号の説明】
【００２４】
１０  第１の半導体層    １２Ａ，１２Ｂ  第２の半導体層
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ    保持容量ライン    １４  メタル配線
１５  画素電極    ２０  ゲート絶縁膜    ２１  層間絶縁膜
２２  平坦化絶縁膜    ２３  第２の基板    ２４  液晶
２５  共通電極    １００  第１の基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2006337430.tif 000006
【図５】
2006337430.tif 000007
【図６】
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