(57)【要約】【課題】製造コストを低減できると共に、信頼性を高めることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子５はヒートスプレッダ９を搭載している。ヒートスプレッダ９の半導体素子５側の表面の面積は、半導体素子５のヒートスプレッダ９側の表面の面積と略同じである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、この半導体素子に搭載されたヒートスプレッダとを備え、
上記ヒートスプレッダの上記半導体素子側の表面の面積は、上記半導体素子の上記ヒートスプレッダ側の表面の面積と略同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記半導体素子と上記ヒートスプレッダとは個別に厚みを設定変更可能であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記ヒートスプレッダは金属からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記ヒートスプレッダは上記半導体素子にダイボンドシートで接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記ヒートスプレッダは上記半導体素子に放熱用シリコン樹脂で接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記ヒートスプレッダはリードフレームのダイパッド部であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ウエハに放熱板を貼り付ける工程と、
上記ウエハを上記放熱板と共にダイシングすることにより、上記ウエハの一部からなる半導体素子を形成すると共に、上記放熱板の一部からなるヒートスプレッダを形成する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
配線パターンを有するテープ基板と、このテープ基板に一方の面を対向させて実装された半導体素子と、この半導体素子の他方の面に搭載されたヒートスプレッダとを備え、
上記ヒートスプレッダはリードフレームのダイパッド部であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体装置において、
上記ヒートスプレッダは上記配線パターンにリード部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
ダイパッド部と、このダイパッド部を取り囲む枠部とを有するリードフレームの上記ダイパッド部に、一方の面を対向させて半導体素子をダイボンドする工程と、
上記ダイパッド部を上記半導体素子と共に上記枠部から分離する工程と、
上記半導体素子の他方の面をテープ基板に対向させて、上記半導体素子を上記テープ基板に実装する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置としては、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術により作製したＴＣＰ（Tape Carrier Package）を採用したものがある（例えば特開平５−１６０１９４号公報（特許文献１）参照）。この半導体装置では、半導体素子の動作による発熱を効率良く放熱する為に半導体素子の裏面（バンプが形成された半導体素子表面とは逆面）にヒートスプレッダが設けられている。
【０００３】
以下、上記従来の半導体装置のうちの一つであるヒートスプレッダ付きＣＯＦ（Chip On Film）半導体装置について説明する。
【０００４】
上記ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置は、図７に示すように、フレキシブルテープ基板１０１と、このフレキシブルテープ基板１０１に実装された半導体素子１０５とを備えている。
【０００５】
上記フレキシブルテープ基板１０１は、ベースフィルム１０２と、このベースフィルム１０２上に形成された配線１０３と、この配線１０３上に形成されたレジスト１０４とを有している。このレジスト１０４は、配線１０３の一部を覆わないように形成されている。また、上記フレキシブルテープ基板１０１と半導体素子１０５との間にはアンダーフィル樹脂１０７が充填されている。
【０００６】
上記半導体素子１０５の表面には、金などの突起電極（バンプ）１０６が形成されている一方、半導体素子１０５の裏面には、接着剤１０８を介してヒートスプレッダ１０９が搭載されている。
【０００７】
図８に、上記ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置のアセンブリフローチャートを示す。
【０００８】
上記ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置のアセンブリ方法では、まず、突起電極１０６が形成されたウエハをダイシングして、突起電極１０６が付いた半導体素子１０５を得る（ステップＳ１０１）。
【０００９】
次に、長尺のテープからなるベースフィルム１０２上に銅からなる配線１０３をエッチングにてパターンニングし、その配線１０３に錫メッキまたは金メッキを施すことによって、フレキシブルテープ基板１０１を形成する。
【００１０】
次に、上記フレキシブルテープ基板１０１に、金などの突起電極１０６を形成した半導体素子１０５をＣＯＦ方式にて接合する（ステップＳ１０２）。このように、上記半導体素子１０６をフレキシブルテープ基板１０１に接合する工程をＩＬＢ（Inner Lead Bonding）という。尚、上記フレキシブルテープ基板１０１では、ＩＬＢが施される部分以外の表面をレジスト１０４によって保護している。
【００１１】
次に、保護材としてのアンダーフィル樹脂１０７を半導体素子１０５とフレキシブルテープ基板１０１との間に充填した後、キュアを行って、アンダーフィル樹脂１０７を硬化させる（ステップＳ１０３）。
【００１２】
次に、上記半導体素子１０５の裏面に、ハンダ、樹脂ベースのＡｇペーストなどの接着剤１０８を介してチップ状のヒートスプレッダ１０９を搭載する（ステップＳ１０４）。
【００１３】
最後、電気的検査、外観検査を行うと、ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置が完成する（ステップＳ１０５〜Ｓ１０７）。
【００１４】
ところで、上記ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置の電気的動作により半導体素子１０５が発熱した場合、半導体素子１０５の熱の放散経路は次の（１），（２）となる。
【００１５】
（１）半導体素子→突起電極、アンダーフィル樹脂→フレキシブル基板→大気中
（２）半導体素子→ヒートスプレッダ→大気中
上記半導体素子１０５にヒートスプレッダ１０９を搭載しなかった場合、半導体素子１０５の裏面側の熱は直接大気中に放熱することになるが、乾燥大気の熱伝導率は０．０２４１Ｗ／ｍ・Ｋ と非常に低い。この為、上記半導体素子１０５の裏面側の熱が十分に放熱されず、半導体素子１０５は、高消費電力素子であるＣＣＬ（Current Mode Logic）やＴＴＬ（Transistor Transistor Logic）を搭載できず、また、電気的な実力を十分に発揮することができない。
【００１６】
これに対して、上記半導体素子１０５にヒートスプレッダ１０９を搭載した場合、半導体素子１０５へのＣＣＬやＴＴＬの搭載が可能となり、また、半導体素子の電気的な実力を十分に得られる。
【００１７】
しかし、上記従来のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置は、その構造上、既に個片化されたヒートスプレッダ１０９を半導体素子裏面に貼り付ける為、ヒートスプレッダ１０９の取り扱いを含めて製造過程は極めて煩雑であった。その結果、上記従来のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置は、製造コストが高く、信頼性が低いという問題がある。
【特許文献１】特開平５−１６０１９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
そこで、本発明の課題は、製造コストを低減できると共に、信頼性を高めることができる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決するため、第１の発明の半導体装置は、
半導体素子と、この半導体素子に搭載されたヒートスプレッダとを備え、
上記ヒートスプレッダの上記半導体素子側の表面の面積は、上記半導体素子の上記ヒートスプレッダ側の表面の面積と略同じであることを特徴としている。
【００２０】
上記構成の半導体装置によれば、上記ヒートスプレッダの半導体素子側の表面の面積は半導体素子のヒートスプレッダ側の表面の面積と略同じあるから、このヒートスプレッダを搭載した半導体素子は、半導体素子の材料にヒートスプレッダの材料を貼り付けた後、半導体素子の材料をヒートスプレッダの材料と共に複数に分割することで得られる。したがって、図７，図８の従来例のように、チップ状の半導体素子にチップ状のヒートスプレッダを貼り付ける工程が不要であるから、半導体装置の製造工程を簡略化できる。その結果、上記半導体装置の製造コストを低減できると共に、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００２１】
一実施形態の半導体装置では、上記半導体素子と上記ヒートスプレッダとは個別に厚みを設定変更可能である。
【００２２】
上記実施形態の半導体装置によれば、上記半導体素子と上記ヒートスプレッダとは個別に厚みを設定変更可能であるから、様々な設計変更に対応することができる。
【００２３】
一実施形態の半導体装置では、上記ヒートスプレッダは金属からなる。
【００２４】
上記実施形態では、上記ヒートスプレッダが金属で構成されているから、半導体素子の熱をヒートスプレッダで効率良く放散できる。
【００２５】
一実施形態の半導体装置では、上記ヒートスプレッダは上記半導体素子にダイボンドシートで接着されている。
【００２６】
上記実施形態の半導体装置によれば、上記ヒートスプレッダが半導体素子にダイボンドシートで接着されているから、ヒートスプレッダと半導体素子との収縮率差をダイボンドシートで吸収することができる。したがって、上記ヒートスプレッダおよび半導体素子に反りが生じるのを防ぐことができる。
【００２７】
一実施形態の半導体装置では、上記ヒートスプレッダは上記半導体素子に放熱用シリコン樹脂で接着されている。
【００２８】
上記実施形態の半導体装置によれば、上記ヒートスプレッダが半導体素子に放熱用シリコン樹脂で接着されているから、ヒートスプレッダと半導体素子との収縮率差をダイボンドシートで吸収することができる。したがって、上記ヒートスプレッダおよび半導体素子に反りが生じるのを防ぐことができる。
【００２９】
一実施形態の半導体装置では、上記ヒートスプレッダはリードフレームのダイパッド部である。
【００３０】
第２の発明の半導体装置の製造方法は、
ウエハに放熱板を貼り付ける工程と、
上記ウエハを上記放熱板と共にダイシングすることにより、上記ウエハの一部からなる半導体素子を形成すると共に、上記放熱板の一部からなるヒートスプレッダを形成する工程と
を備えたことを特徴としている。
【００３１】
上記構成の半導体装置の製造方法によれば、上記半導体素子を含むウエハに放熱板を貼り付けた後、ウエハを放熱板と共にダイシングする。これにより、上記ウエハの一部で半導体素子が構成されると共に、放熱板の一部でヒートスプレッダが構成される。したがって、図７，図８の従来例のように、チップ状の半導体素子にチップ状のヒートスプレッダを貼り付ける工程が不要であるから、半導体装置の製造工程を簡略化できる。その結果、上記半導体装置の製造コストを低減できると共に、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００３２】
また、上記ウエハに対して半導体素子を作り込む工程は、ウエハに放熱板を貼り付ける工程の前に行ってもよいし、ウエハに放熱板を貼り付ける工程の後に行ってもよい。
【００３３】
第３の発明の半導体装置は、
配線パターンを有するテープ基板と、このテープ基板に一方の面を対向させて実装された半導体素子と、この半導体素子の他方の面に搭載されたヒートスプレッダとを備え、
上記ヒートスプレッダはリードフレームのダイパッド部であることを特徴としている。
【００３４】
上記構成の半導体装置によれば、上記ヒートスプレッダはリードフレームのダイパッド部であるから、ヒートスプレッダを搭載した半導体素子を従来のモールドパッケージの工程を利用して形成できる。したがって、図７，図８の従来例のように、チップ状の半導体素子にチップ状のヒートスプレッダを貼り付ける工程が不要であるから、半導体装置の製造工程を簡略化できる。その結果、上記半導体装置の製造コストを低減できると共に、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００３５】
一実施形態の半導体装置では、上記ヒートスプレッダは上記配線パターンにリード部を介して電気的に接続されている。
【００３６】
上記実施形態の半導体装置によれば、上記リード部が配線パターンとヒートスプレッダとを電気的に接続するから、半導体素子の対ノイズ性などの電気的特性を向上させることができる。
【００３７】
第４の発明の半導体装置の製造方法は、
ダイパッド部と、このダイパッド部を取り囲む枠部とを有するリードフレームの上記ダイパッド部に、一方の面を対向させて半導体素子をダイボンドする工程と、
上記ダイパッド部を上記半導体素子と共に上記枠部から分離する工程と、
上記半導体素子の他方の面をテープ基板に対向させて、上記半導体素子を上記テープ基板に実装する工程と
を備えたことを特徴としている。
【００３８】
上記構成の半導体装置の製造方法によれば、上記半導体素子の一方の面がリードフレームのダイパッド部に対向するように、半導体素子をリードフレームのダイパッド部にダイボンドした後、ダイパッド部を半導体素子と共にリードフレームの枠部から分離して、半導体素子の他方の面をテープ基板に対向させて、半導体素子をテープ基板に実装する。これにより、上記ダイパッド部が半導体素子のヒートスプレッダとして機能するから、図７，図８の従来例のように、チップ状の半導体素子にチップ状のヒートスプレッダを貼り付ける工程が不要である。したがって、上記半導体装置の製造工程を簡略化できる結果、半導体装置の製造コストを低減できると共に、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【発明の効果】
【００３９】
第１の発明の半導体装置は、ヒートスプレッダの半導体素子側の表面の面積は半導体素子のヒートスプレッダ側の表面の面積と略同じあるから、このヒートスプレッダを搭載した半導体素子は、半導体素子の材料にヒートスプレッダの材料を貼り付けた後、半導体素子の材料をヒートスプレッダの材料と共に複数に分割することで得られる。したがって、図７，図８の従来例のように、チップ状の半導体素子にチップ状のヒートスプレッダを貼り付ける工程が不要であるから、半導体装置の製造工程を簡略化できる。その結果、上記半導体装置の製造コストを低減できると共に、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００４０】
第２の発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子を含むウエハに放熱板を貼り付けた後、ウエハを放熱板と共にダイシングすることによって、ウエハの一部で半導体素子を構成すると共に、放熱板の一部でヒートスプレッダを構成するので、図７，図８の従来例のように、チップ状の半導体素子にチップ状のヒートスプレッダを貼り付ける工程が不要になる。したがって、上記半導体装置の製造工程を簡略化できる結果、半導体装置の製造コストを低減できると共に、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００４１】
第３の発明の半導体装置は、ヒートスプレッダをリードフレームのダイパッド部で形成することによって、ヒートスプレッダを搭載した半導体素子を従来のモールドパッケージの工程を利用して形成できるから、図７，図８の従来例のように、チップ状の半導体素子にチップ状のヒートスプレッダを貼り付ける工程が不要になる。したがって、上記半導体装置の製造工程を簡略化できる結果、上記半導体装置の製造コストを低減できると共に、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００４２】
第４の発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子の一方の面がリードフレームのダイパッド部に対向するように、半導体素子をリードフレームのダイパッド部にダイボンドした後、ダイパッド部を半導体素子と共にリードフレームの枠部から分離して、半導体素子の他方の面をテープ基板に対向させて、半導体素子をテープ基板に実装することによって、ダイパッド部が半導体素子のヒートスプレッダとして機能するから、図７，図８の従来例のように、チップ状の半導体素子にチップ状のヒートスプレッダを貼り付ける工程が不要になる。したがって、上記半導体装置の製造工程を簡略化できる結果、半導体装置の製造コストを低減できると共に、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明の半導体装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００４４】
（第１実施形態）
図１に、本発明の第１実施形態のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置の概略断面図を示す。
【００４５】
上記ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置は、テープ基板の一例としてのフレキシブルテープ基板１と、このフレキシブルテープ基板１に実装された半導体素子５と、この半導体素子５に搭載されたヒートスプレッダ９とを備えている。
【００４６】
上記フレキシブルテープ基板１は、ベースフィルム２と、このベースフィルム２上に形成された配線３と、この配線３上に形成されたレジスト４とを有している。このレジスト４は配線３の一部を覆わないように形成されている。なお、上記配線３が配線パターンの一例である。
【００４７】
上記半導体素子５の表面には例えば金からなる突起電極６が形成されている。一方、上記半導体素子５の裏面（突起電極６が形成された半導体素子表面とは逆面）にはヒートスプレッダ９がダイボンドシート８で接着されている。上記フレキシブルテープ基板１と半導体素子５との間にはアンダーフィル樹脂７が充填されている。
【００４８】
上記ヒートスプレッダ９の半導体素子５側の表面積は、半導体素子５のヒートスプレッダ９側の表面積と略同じになっている。つまり、上記ヒートスプレッダ９に関して半導体素子５に接着すべき面の面積は、半導体素子１の裏面の面積と略同じになっている。
【００４９】
図２Ａに、上記ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置のアセンブリフローチャートを示す。また、図２Ｂ〜図２Ｄに、上記ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置のアセンブリ工程図を示す。
【００５０】
上記ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置のアセンブリ方法では、まず、所望の回路及び突起電極６をウエハの表面に形成した後、ウエハの裏面を研磨して、図２Ｂに示すウエハ１０を得る（ステップＳ１）。このウエハ１０が半導体素子５の材料となる。つまり、上記ウエハ１０は複数の半導体素子５を含んでいる。
【００５１】
次に、上記ウエハ１０の裏面に、ウエハ１０と略同じ大きさのダイボンドシート８を貼り付ける（ステップＳ２）。このダイボンドシート８をウエハ１０の裏面に貼り付ける代わりに、放熱用シリコン樹脂をウエハ１０の裏面に塗布してもよい。
【００５２】
次に、上記ヒートスプレッダ９の材料である放熱用金属板１１をウエハ１０の裏面にダイボンドシート８を介して貼り付ける（ステップＳ３）。上記放熱用金属板１１のサイズはウエハサイズと略同じである。つまり、上記放熱用金属板１１のウエハ１０側の表面積はウエハ１０の裏面の面積と略同じである。言い換えれば、上記放熱用金属板１１におけるウエハ１０に対する対向面積は、ウエハ１０における放熱用金属板１１に対する対向面積と略等しい。なお、上記放熱用金属板１１は放熱板の一例である。
【００５３】
次に、図２Ｃに示すように、上記ウエハ１０を放熱用金属板１１と共にダイシングブレード１２で切断して、図２Ｄに示すように、突起電極６及びヒートスプレッダ９が付いた半導体素子５を複数形成する（ステップＳ４）。このとき、上記半導体素子５及びヒートスプレッダ９のサイズ（投影面積）は略同じとなっている。つまり、上記半導体素子１の裏面の面積とヒートスプレッダ９の半導体素子５側の面の面積とは略同じになっている。
【００５４】
次に、上記半導体素子６をフレキシブルテープ基板１に接合する（ステップＳ５）。より詳しくは、上記フレキシブルテープ基板１において露出する配線３に対して半導体素子５の突起電極６を接続する。このとき、上記突起電極６と接続しない配線３はレジスト４で覆われている。
【００５５】
次に、保護材としてのアンダーフィル樹脂７を半導体素子５とフレキシブルテープ基板１との間に充填した後、キュアを行って、アンダーフィル樹脂７を硬化させる（ステップＳ６）。
【００５６】
最後、電気的検査、外観検査を行うと、ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置が完成する（ステップＳ７〜Ｓ９）。
【００５７】
このように、上記ウエハ１０を放熱用金属板１１と共にダイシングブレード１２で切断することによって、突起電極６及びヒートスプレッダ９が付いた半導体素子５が得られるので、図７，図８の従来例のように、チップ状の半導体素子にチップ状のヒートスプレッダを貼り付ける工程がない。したがって、上記ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置の製造工程が簡略化されて、製造コストを低減できると共に、信頼性を高めることができる。
【００５８】
また、アプリケーションでの高さの制限、ユーザとの締結仕様、ヒートスプレッダの価格、熱伝導性などに応じて、ウエハの裏面研磨によって半導体素子５の厚みを自由に変更できると共に、放熱用金属板１１の厚みの変更によってヒートスプレッダ９の厚みを自由に変更できる。すなわち、本実施形態１の製造方法によって、図３に示すように、図１のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置に比べて高さが低いヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置を容易に形成することができる。
【００５９】
上記第１実施形態では、半導体素子５をウエハ１０に作り込んだ後、ウエハ１０の裏面にダイボンドシート８を貼り付けていたが、ウエハ１０の裏面にダイボンドシート８を貼り付けた後、半導体素子５をウエハ１０に作り込んでもよい。言うまでもないが、上記ウエハ１０の裏面にダイボンドシート８を貼り付けた後、半導体素子５をウエハ１０に作り込む場合、半導体素子５をウエハ１０に作り込んだ後、ウエハ１０の表面に突起電極６を形成する。
【００６０】
（第２実施形態）
図４に、本発明の第２実施形態のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置の概略断面図を示す。
【００６１】
上記ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置は、テープ基板の一例としてのフレキシブルテープ基板１と、このフレキシブルテープ基板１に実装された半導体素子５と、この半導体素子５に搭載されたヒートスプレッダ２９とを備えている。このヒートスプレッダ２９がヒートスプレッダとして機能する。
【００６２】
上記フレキシブルテープ基板１は、ベースフィルム２と、このベースフィルム２上に形成された配線３と、この配線３上に形成されたレジスト４とを有している。このレジスト４は配線３の一部を覆わないように形成されている。なお、上記配線３が配線パターンの一例である。
【００６３】
上記半導体素子５の表面には例えば金からなる突起電極６が形成されている。一方、上記半導体素子５の裏面（突起電極６が形成された半導体素子表面とは逆面）にはヒートスプレッダ２９がダイボンドシート８で接着されている。そして、上記フレキシブルテープ基板１と半導体素子５との間にはアンダーフィル樹脂７が充填されている。
【００６４】
上記ヒートスプレッダ２９は半導体素子５よりも大きい。より詳しくは、上記ヒートスプレッダ２９の半導体素子５側の表面積は半導体素子５のヒートスプレッダ２９側の表面積より大きくなっている。つまり、上記ヒートスプレッダ２９に関して半導体素子５に接着すべき面の面積は半導体素子１の裏面の面積より大きくなっている。また、上記ヒートスプレッダ２９の周縁部は接続部３０を介して配線３にハンダ２４で電気的に接続されている。なお、上記接続部２２がリード部の一例である。
【００６５】
図５に、上記ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置のアセンブリフローチャートを示す。
【００６６】
上記ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置のアセンブリ方法では、まず、所望の回路及び突起電極６をウエハの表面に形成した後、ウエハの裏面を研磨して、突起電極６が付いたウエハを得る（ステップＳ２１）。このウエハが半導体素子５の材料となる。つまり、上記ウエハは複数の半導体素子５を含んでいる。
【００６７】
次に、上記ウエハをダイシングブレードで切断して、突起電極６が付いた半導体素子５を複数形成する（ステップＳ２２）。
【００６８】
次に、図６に示すリードフレーム２０のダイパッド部２１に半導体素子５をダイボンド用ペーストでダイボンドする（ステップＳ２３）。上記ダイパッド部２１は枠部２３に吊りリード２２で保持されている。また、上記ダイパッド部２１の半導体素子５側の表面積は半導体素子５のダイパッド部２１側の表面積より大きくなっている。
【００６９】
次に、上記吊りリード２２の枠部２３側の端部を切断して、ダイパッド部２１及び吊りリード２２を枠部２３から分離する（ステップＳ２４）。これにより、上記突起電極６、ヒートスプレッダ２９および接続部３０が付いた半導体素子５が得られる。上記ヒートスプレッダ２９はパッド部２１で構成され、接続部３０は吊りリード２２で構成されている。
【００７０】
次に、上記半導体素子６をフレキシブルテープ基板１に接合する（ステップＳ２５）。より詳しくは、上記半導体素子５の突起電極６を配線３の露出部に接続すると共に、ヒートスプレッダ２９に連なる接続部３０を配線３の他の露出部に電気的に接続する。
【００７１】
次に、保護材としてのアンダーフィル樹脂７を半導体素子５とフレキシブルテープ基板１との間に充填した後、キュアを行って、アンダーフィル樹脂７を硬化させる（ステップＳ２６）。
【００７２】
最後、電気的検査、外観検査を行うと、ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置が完成する（ステップＳ２７〜Ｓ２９）。
【００７３】
このように、従来のモールドパッケージの工程と同じであるステップＳ２１〜Ｓ２３を行った後、吊りリード２２の枠部２３側の端部を切断することによって、突起電極６及びヒートスプレッダ２９が付いた半導体素子５が得られるので、図７，図８の従来例のように、チップ状の半導体素子にチップ状のヒートスプレッダを貼り付ける工程がない。その結果、上記ヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置の製造工程が簡略化されて、製造コストを低減できると共に、信頼性を高めることができる。
【００７４】
また、上記ヒートスプレッダ２９が接続部３０を介して電気的に配線３に接続されていることによって、半導体素子５の裏面の電位を配線３を介して外部に接続できるから、半導体素子５の対ノイズ性などの電気的特性を向上させることができる。
【００７５】
なお、上記リードフレーム２０は従来のモールドパッケージに使用されているリードフレームである。
【００７６】
上記第２実施形態では、ヒートスプレッダ２９の半導体素子５側の表面積が半導体素子５のヒートスプレッダ２９側の表面積より大きかったが、ヒートスプレッダ２９の半導体素子５側の表面積は、半導体素子５のヒートスプレッダ２９側の表面積よりと略同じにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】図１は本発明の第１実施形態のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置の概略断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは上記第１実施形態のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置のアセンブリフローチャートである。
【図２Ｂ】図２Ｂは上記第１実施形態のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置のアセンブリ工程図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは上記第１実施形態のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置のアセンブリ工程図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは上記第１実施形態のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置のアセンブリ工程図である。
【図３】図３は上記第１実施形態のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置の変形例の概略断面図である。
【図４】図４は本発明の第２実施形態のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置の概略断面図である。
【図５】図５は上記第２実施形態のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置のアセンブリフローチャートである。
【図６】図６は上記第２実施形態のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置の製造で用いるリードフレームの概略平面図である。
【図７】図７は従来のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置の概略断面図である。
【図８】図８は上記従来のヒートスプレッダ付きＣＯＦ半導体装置のアセンブリフローチャートである。
【符号の説明】
【００７８】
１  フレキシブルテープ基板
５  半導体素子
８  ダイボンドシート
９，２９  ヒートスプレッダ
１０  ウエハ
１１  放熱用金属板
２０  リードフレーム
２１  ダイパッド部
２２  吊りリード
２３  枠部
３０  接続部
【図１】
2006261519.tif 000003
【図２Ａ】
2006261519.tif 000004
【図２Ｂ】
2006261519.tif 000005
【図２Ｃ】
2006261519.tif 000006
【図２Ｄ】
2006261519.tif 000007
【図３】
2006261519.tif 000008
【図４】
2006261519.tif 000009
【図５】
2006261519.tif 000010
【図６】
2006261519.tif 000011
【図７】
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【図８】
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