(57)【要約】【課題】磁気転写用マスターディスクの情報を磁気記録媒体に磁気転写するにあたり、転写された磁気記録媒体の全面に渡りほぼ均一の転写信号特性が得られるような磁気転写用マスターディスク及びその製造方法を提供すること。【解決手段】磁気転写用マスターディスク３の基板３ａの表面に形成された凹凸３１の凸部上面３１Ｄに形成する磁性層３ｂの膜厚Ｍを、磁気転写用マスターディスク３の内周側の凸部３２Ａから外周側の凸部３２Ａにかけて厚く形成するようにした。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
面内磁気記録媒体に転写すべき情報に応じたパターン状の凹凸を有する基板と、該基板上に前記凹凸に沿って連続的に形成された磁性層とを備えてなる磁気転写用マスターディスクにおいて、
前記凹凸の凸部上面に形成される磁性層の膜厚が、前記磁気転写用マスターディスクの内周側の凸部から外周側の凸部にかけて厚く形成されたことを特徴とする磁気転写用マスターディスク。
【請求項２】
前記磁気転写用マスターディスクの最外周の凸部上面に形成される磁性層の膜厚が、最内周の凸部上面に形成される磁性層の膜厚の１．５倍以上であることを特徴とする請求項１に記載の磁気転写用マスターディスク。
【請求項３】
前記磁気転写用マスターディスクの寸法が、内径２ｍｍ乃至１５ｍｍ、又は外形１５ｍｍ乃至１００ｍｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気転写用マスターディスク。
【請求項４】
面内磁気記録媒体に転写すべき情報に応じたパターン状の凹凸を有する基板と、該基板上に前記凹凸に沿って連続的に形成された磁性層とを備えてなる磁気転写用マスターディスクの製造方法において、
前記凹凸の凸部上面に形成する磁性層の膜厚を、前記磁気転写用マスターディスクの内周側の凸部から外周側の凸部にかけて厚く形成することを特徴とする磁気転写用マスターディスクの製造方法。
【請求項５】
前記磁気転写用マスターディスクの最外周の凸部上面に形成する磁性層の膜厚を、最内周の凸部上面に形成する磁性層の膜厚の１．５倍以上とすることを特徴とする請求項４に記載の磁気転写用マスターディスクの製造方法。
【請求項６】
前記磁気転写用マスターディスクの寸法が、内径２ｍｍ乃至１５ｍｍ、又は外形１５ｍｍ乃至１００ｍｍであることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の磁気転写用マスターディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気転写用マスターディスク及びその製造方法に係り、特にハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体にフォーマット情報等の磁気情報パターンを転写するための、パターン状の凹凸を備えた磁気転写用マスターディスク及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置やフレキシブルディスク装置等に用いられる高密度磁気記録媒体である磁気ディスクは、高速アクセスが可能であるとともに情報記録容量のより大容量化が求められている。
【０００３】
この大容量化を実現するために、トラック幅はより狭トラック化され、この狭いトラック幅の中で磁気ヘッドを正確に走査する、いわゆるトラッキングサーボ技術が重要な役割を担っている。
【０００４】
磁気ディスクには、所定の間隔でトラッキング用のサーボ信号やアドレス情報信号、及び再生クロック信号等がトラッキングサーボを行うためにプリフォーマットとして記録されている。
【０００５】
このプリフォーマットを正確にかつ短時間で効率的に行う方法として、本出願人は、高密度な面内磁気記録媒体である被転写用ディスク（以下スレーブディスクと呼称することがある）に転写すべき情報に対応した凹凸パターンの磁性層を有する磁気転写用マスターディスクを用意するとともに、スレーブディスクの磁性層を予めトラックの一方向に初期磁化し、その後、この初期磁化されたスレーブディスクとマスターディスクとを密着させた状態で初期磁化方向と略逆向きの転写用磁界を印加する磁気転写方法を提案している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
この場合、転写すべき情報に応じたパターン状の凹凸をマスターディスクの基板上に形成し、この凹凸に沿って連続的に磁性層を形成する。このマスターディスクの磁性層とスレーブディスクの磁性層とをディスクホルダで密着挟持させた状態で転写磁界を印加する。これによりマスターディスクの有する情報パターンに対応する磁気パターンがスレーブディスクに磁気的に転写される。
【０００７】
この磁気転写法によれば、マスターディスクとスレーブディスクとの相対的な位置を変化させることなく、マスターディスクの情報を静的に磁気記録を行うことができ、正確なプリフォーマット記録が可能であり、しかも記録に要する時間も極めて短時間である。
【特許文献１】特開２００１−０１４６６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、記録媒体は小型高密度化が進み、磁気記録媒体としてのスレーブディスクに予め記録するプリフォーマット信号は極めて微小な信号が求められるようになった。そのため、基板表面に形成する転写すべき情報に応じたパターン状の凹凸サイズの最小単位が数百ｎｍから数十ｎｍの磁気転写用マスターディスクが必要になってきた。
【０００９】
この磁気転写用マスターディスクは、全面に渡りほぼ同一の転写信号特性が得られることが必要である。しかし、磁気転写用マスターディスクの基板表面に形成する凹凸の最小サイズはサーボ信号に対応しているため、基板の半径方向の位置によって異なる（外周部は内周部の約２倍となる）。そのため、基板の凸部上面（以後ランド部と呼称することがある）に形成する磁性層の膜厚を基板の全面均一に被覆させることが困難で、それに伴って半径方向の位置によって信号特性に分布が発生してしまう。
【００１０】
磁性層の膜厚を全体的に厚くすると基板の最内周のランド部で隣り合った磁性層同士が接触する可能性が生じ、磁性層の膜厚を薄くすると磁気転写時の磁束吸い込み量が低下し、外周側の信号特性の確保が困難となる。
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、転写すべき情報を有した磁気転写用マスターディスクと被転写用の磁気記録媒体とを密着させて転写磁界を印加し、磁気転写用マスターディスクの情報を磁気記録媒体に磁気転写するにあたり、転写された磁気記録媒体の全面に渡りほぼ均一の転写信号特性が得られるような磁気転写用マスターディスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、前記目的を達成するために、面内磁気記録媒体に転写すべき情報に応じたパターン状の凹凸を有する基板と、該基板上に前記凹凸に沿って連続的に形成された磁性層とを備えてなる磁気転写用マスターディスクにおいて、前記凹凸の凸部上面に形成される磁性層の膜厚が、前記磁気転写用マスターディスクの内周側の凸部から外周側の凸部にかけて厚く形成されたことを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、磁気転写用マスターディスクに形成される磁性層の膜厚が磁気転写用マスターディスクの内周側から外周側にかけて厚く形成されているので、磁気転写された面内磁気記録媒体の再生信号出力において、ビット長の長い外周部分においてもサブパルスの発生が抑制され、面内磁気記録媒体の全面に渡って略均一な転写信号特性が得られる。このため、この磁気記録媒体を用いることによって高品位の再生信号を得ることができる。
【００１４】
また本発明の磁気転写用マスターディスクは、前記発明において、前記磁気転写用マスターディスクの最外周の凸部上面に形成される磁性層の膜厚が、最内周の凸部上面に形成される磁性層の膜厚の１．５倍以上であることを特徴とする。
【００１５】
これによれば、最外周の凸部上面に形成される磁性層の膜厚が最内周の凸部上面に形成される磁性層の膜厚の１．５倍以上あるので、磁気転写された面内磁気記録媒体の再生信号出力において、サブパルスの発生を内周部から外周部にかけて略均一にすることができる。このため、面内磁気記録媒体の全面に渡ってより均一な転写信号特性が得られる。
【００１６】
また本発明の磁気転写用マスターディスクは、前記発明において、前記磁気転写用マスターディスクの寸法が、内径２ｍｍ乃至１５ｍｍ、又は外形１５ｍｍ乃至１００ｍｍであることを特徴とし、小径から大径までの広い範囲の磁気転写用マスターディスクに適用することができる。
【００１７】
また、本発明は、面内磁気記録媒体に転写すべき情報に応じたパターン状の凹凸を有する基板と、該基板上に前記凹凸に沿って連続的に形成された磁性層とを備えてなる磁気転写用マスターディスクの製造方法において、前記凹凸の凸部上面に形成する磁性層の膜厚を、前記磁気転写用マスターディスクの内周側の凸部から外周側の凸部にかけて厚く形成することを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、磁気転写用マスターディスクに形成する磁性層の膜厚を磁気転写用マスターディスクの内周側から外周側にかけて厚く形成するので、磁気転写された面内磁気記録媒体の再生信号出力において、ビット長の長い外周部分においてもサブパルスの発生が抑制され、面内磁気記録媒体の全面に渡って略均一な転写信号特性が得られる。
【００１９】
また本発明の磁気転写用マスターディスクの製造方法は、前記発明において、前記磁気転写用マスターディスクの最外周の凸部上面に形成する磁性層の膜厚を、最内周の凸部上面に形成する磁性層の膜厚の１．５倍以上とすることを特徴とする。
【００２０】
これによれば、最外周の凸部上面に形成する磁性層の膜厚を最内周の凸部上面に形成する磁性層の膜厚の１．５倍以上とするので、磁気転写された面内磁気記録媒体の再生信号出力において、サブパルスの発生を内周部から外周部にかけて略均一にすることができる。このため、面内磁気記録媒体の全面に渡ってより均一な転写信号特性が得られる。
【００２１】
また本発明の磁気転写用マスターディスクの製造方法は、前記発明において、前記磁気転写用マスターディスクの寸法が、内径２ｍｍ乃至１５ｍｍ、又は外形１５ｍｍ乃至１００ｍｍであることを特徴とし、小径から大径までの広い範囲の磁気転写用マスターディスクの製造に適用することができる。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように本発明に係る磁気転写用マスターディスク及びその製造方法によれば、磁気転写用マスターディスクに形成される磁性層の膜厚が磁気転写用マスターディスクの内周側から外周側にかけて厚く形成されているので、磁気転写された面内磁気記録媒体の全面に渡って略均一な転写信号特性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下添付図面に従って、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの好ましい実施の形態について詳説する。なお、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。
【００２４】
本発明の磁気転写用マスターディスクであるマスターディスクは、円盤状の基板の表面に転写すべき情報に応じた凹凸が形成され、その凹凸に沿って磁性層が連続的に形成されている。従って、マスターディスクの凹凸とは、基板の凹凸の上に磁性層が形成された凹凸のことであり、マスターディスクの凸部とは、基板の凸部の上に磁性層が形成された凸部のことである。
【００２５】
図１は、マスターディスクを示す平面図である。マスターディスク３は円板状で中心部に中心孔３Ａが形成されている。マスターディスク３の中心を中心とした円の円周方向にトラックが形成され、転写すべき情報に応じたパターンの凹凸３２が形成されている。マスターディスク３の最外周の凹凸３２のサイズは最内周の凹凸３２のサイズに対してトラック方向に拡大されて形成されている。
【００２６】
図２は、マスターディスク３の一部を表わす斜視図であり、転写すべき情報に応じた凹凸パターンとして形成されたマスターディスクの凹凸３２の一部を示している。図２に示すようにマスターディスク３の凹凸３２は、凸部３２Ａと凹部３２Ｂとで構成されている。
【００２７】
図２において、矢印Ｘはマスターディスク３の円周方向（トラック方向）を示し、矢印Ｙはマスターディスク３の半径方向を示している。また、Ｐはトラック幅を示している。
【００２８】
図３は、マスターディスク３の凸部３２Ａを表わす平面図である。また、図４はマスターディスク３の凹凸３２の円周方向（トラック方向）の断面（図２、及び図３におけるＡ−Ａ’断面）を表わしたものである。
【００２９】
図３、及び図４に示すように、マスターディスク３の基板３ａには転写すべき情報に応じた凹凸パターンとして形成された凸部３１Ａと凹部３１Ｂとからなる凹凸３１が形成され、この凹凸３１に沿って連続的に磁性層３ｂが形成されて、マスターディスク３の凸部３２Ａと凹部３２Ｂとからなる凹凸３２が形成されている。
【００３０】
マスターディスク３の凸部３１Ａは、円周方向（トラック方向）よりも半径方向に長い四角形を底面とする角錐台状又は角柱状に形成されており、基板３ａの凸部３１Ａの側面３１Ｃが凸部３１Ａの上面（ランド部）３１Ｄとなす角度の補角、即ち図４に示すように、円周方向（トラック方向）の断面において凸部３１Ａの側面３１Ｃの延長線と凸部３１Ａの上面３１Ｄとでなす角度φは、８０°〜８５°程度が好ましい。
【００３１】
また、図４に示すように、円周方向（トラック方向）の断面において凸部３１Ａの上面３１Ｄの長さ（ランド幅と呼称する）Ｌと凹部３１Ｂの底面の幅（凸部３１Ａの隣同士の間隔でスペースと呼称する）Ｓとは、通常は等しい長さに形成される。
【００３２】
また、凸部３１Ａの上面３１Ｄに形成される磁性層３ｂの膜厚Ｍは、マスターディスク３の内周側の凸部３１Ａから外周側の凸部３１Ａにかけて厚く形成されている。具体的には、最外周の凸部３１Ａの上面（ランド部）３１Ｄに形成される磁性層３ｂの膜厚Ｍｏは、最内周の凸部３１Ａの上面（ランド部）３１Ｄに形成される磁性層３ｂの膜厚Ｍｉの１．５倍以上になっている。
【００３３】
マスターディスク３の呼称サイズが２．５インチの場合は、最外周（中心からの半径３０ｍｍ）におけるランド部の膜厚Ｍｏが最内周（中心から１０ｍｍ）におけるランド部の膜厚Ｍｉの２倍程度に形成されると好適である。  
【００３４】
このようにマスターディスク３の基板３ａの凹凸３１上に形成される磁性層３ｂの膜厚Ｍは、マスターディスク３の最内周のランド部３１Ｄから最外周のランド部３１Ｄにかけて厚く形成されているので、ランド幅Ｌの広い外周側においても良好な転写特性を得ることができ、内周側から外周側までの全面に渡って均一な転写特性が得られる。
【００３５】
マスターディスク３の基板３ａとして、ニッケル、シリコン、石英、ガラス、アルミニウム、セラミックス、合成樹脂等が用いられる。また、磁性層３ｂには軟磁性材料が用いられ、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）等が好適であり、特に好ましいのはＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉである。
【００３６】
次に、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造方法の実施の形態について説明する。先ず、ガラス原盤にサーボ信号に対応するパターン状の凹凸形状を形成する。このパターン状の凹凸形状の形成にはフォトリソグラフィー法やスタンパー法等が用いられる。
【００３７】
フォトリソグラフィー法を用いる場合は、先ず、表面が平滑なガラス板（又は石英板）の表面にスピンコート等でフォトレジストを形成する。
【００３８】
次にフォトレジストにレーザー光（又は電子ビーム）を照射して、サーボ信号に対応するパターンで露光し、その後フォトレジストを現像して露光部分を除去し、フォトレジストによる凹凸形状を有する原盤を作成する。
【００３９】
このガラス原盤の表面にＮｉをメッキ（電鋳）で成長させ、パターン状の凹凸３１を有するＮｉ基板３ａを作製し、原盤から剥離する。次にパターン状の凹凸３１上に軟磁性材料からなる磁性層３ｂを成膜し、保護膜を被覆してマスターディスク３とする。
【００４０】
なお、金属製の基板３ａとしては、前述の通り、Ｎｉ又はＮｉ合金等を使用する事ができるが、この基板３ａを製作するためのメッキとして、無電解メッキ、電鋳、スパッタリング、イオンプレーティング等各種の金属成膜法を用いることができる。
【００４１】
基板３ａの凸部３１Ａのサイズは、ランド幅Ｌが５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度が用いられ、スペースＳも同寸法が用いられる。また、凸部３１Ａの高さ（凹凸パターンの深さ）は５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。
【００４２】
磁性層３ｂの成膜では、磁性層３ｂの膜厚Ｍを、マスターディスク３の内周側の凸部３１Ａから外周側の凸部３１Ａにかけて厚く形成する。具体的には、最外周の凸部３１Ａの上面（ランド部）３１Ｄに形成する磁性層３ｂの膜厚Ｍｏを、最内周の凸部３１Ａの上面（ランド部）３１Ｄに形成する磁性層３ｂの膜厚Ｍｉの１．５倍以上になるようにする。
【００４３】
例えば、マスターディスク３の呼称サイズが２．５インチの場合は、最外周（中心からの半径３０ｍｍ）におけるランド部の膜厚Ｍｏが最内周（中心から１０ｍｍ）におけるランド部の膜厚Ｍｉの２倍程度厚く形成すると好適である。  
【００４４】
この磁性層３ｂの成膜には、図５に示すようなスパッタリング装置を用い、ＤＣスパッタリング法によって成膜する。スパッタリング装置７０は、図５に示すように、チャンバ７１、チャンバ７１内に設けられた基板ホルダである下部電極７２、上部電極７３、上部電極７３及び下部電極７２にＤＣ電圧を印加するＤＣ電源７５等で構成されている。下部電極７２上にはマスターディスク３の基板３ａが載置され、陰極である上部電極７３の表面には成膜材料であるターゲット７４が取り付けられている。
【００４５】
チャンバ７１内を真空にして、放電用ガスとしてＡｒガスを導入し、下部電極７２と上部電極７３間に電圧を印加してグロー放電を発生させる。このとき、プラズマ中の正のイオンが陰極である上部電極７３表面のターゲット７４表面に衝突し、ターゲット原子をはじき出す。このスパッタ現象を利用してマスターディスク３の基板３ａ上に磁性層３ｂを成膜する。
【００４６】
本実施の形態では、磁性層３ｂの膜厚Ｍを、マスターディスク３の内周側の凸部３１Ａから外周側の凸部３１Ａにかけて厚く形成するために、基板３ａとターゲット７４との間に図６に示すようなコリメータ５０を挿入して成膜を行う。
【００４７】
コリメータ５０は、図６に示すように、所定の厚みを有した円盤で、中心部に小径の孔５１を有し、孔５１の周囲には孔５１よりも大径の孔５２が複数個形成されている。これらの孔５１、及び５２をシェルと呼んでいる。このようなコリメータ５０を用いることにより、スパッタ粒子の入射角度を制御し、マスターディスク３の半径方向に意図的に膜厚分布を発生させることができる。
【００４８】
図６に示すように、孔５１の直径をＤ１、孔５２の直径をＤ２とし、コリメータ５０の厚さをＨとしたときに、孔の直径に対する深さの割合で定義されるアスペクト比Ｈ／Ｄ１を孔５１のアスペクト比と称し、Ｈ／Ｄ２を孔５２のアスペクト比と称する。
【００４９】
マスターディスク３の外周部の磁性層の膜厚Ｍを内周部の膜厚Ｍより厚くするためには、面内シェルアスペクト比の異なるコリメータ５０を用い、基板３ａの中央部に対応するシェルアスペクト比を大きく、外周部に対応するシェルアスペクト比を小さくする。
【００５０】
コリメータ５０の中央部の孔５１のアスペクト比Ｈ／Ｄ１が周縁部の孔５２のアスペクト比Ｈ／Ｄ２に対して２〜３倍に設定するのが好ましい。また、中央部のシェルアスペクト比が大きくなると基板３ａの内周部近傍のスパッタ粒子指向性が良好になり、膜の被覆性の面でも効果がある。
【００５１】
このようにコリメータ５０を用いてスパッタリングで成膜し、中心孔３Ａの内径２ｍｍから１５ｍｍ、又は外形１５ｍｍから１００ｍｍのマスターディスク３に対して、磁性層３ｂの膜厚Ｍを内周側の凸部３１Ａから外周側の凸部３１Ａにかけて厚く形成する。具体的には、最外周の凸部３１Ａのランド部３１Ｄに形成される磁性層３ｂの膜厚Ｍｏを、最内周の凸部３１Ａのランド部３１Ｄに形成される磁性層３ｂの膜厚Ｍｉの１．５倍以上に形成することができる。
【００５２】
次に、このマスターディスク３を用いてスレーブディスクにマスターディスク３が担持する情報を磁気転写するときの、転写メカニズムについて図７を用いて以下に説明する。図７（ａ）に示すように、スレーブディスク２の磁性層２ｃは予め一方向に磁化されている。また、マスターディスク３の磁性層３ｂには図７（ｂ）に示すように、磁気情報が凹凸の磁性層パターンとして形成されている。
【００５３】
このスレーブディスク２の磁性層２ｃとマスターディスク３の磁性層３ｂとを密着させ、転写用磁界Ｈduを印加する。この時、マスターディスク３の磁性層３ｂに接しないスレーブディスク２の磁性層２ｃの表面は転写用磁界Ｈduよりも強い磁界が印加されるため、転写磁界がスレーブディスク２の磁性層２ｃの保持力Ｈｃを超えるとその部分の磁化は反転する。
【００５４】
一方、マスターディスク３の磁性層３ｂに接するスレーブディスク２の磁性層２ｃでは、転写用磁界Ｈduがマスターディスク３の磁性層３ｂに集中する。すなわちその部分は転写磁界がシールドされた状態となる。その結果、スレーブディスク２の磁性層２ｃには転写用磁界Ｈduよりも大幅に弱い磁界しか印加されないため、スレーブディスク２の磁化は転写用磁界Ｈduに影響されず初期磁化の向きに残り、図７（ｃ）に示すような磁化状態となる。これにより、スレーブディスク２の磁性層２ｃにはマスターディスク３の磁性層３ｂに形成されたパターン状の磁気情報が転写され磁気記録される。
【００５５】
[実施例]
呼称サイズ２．５インチのガラス原盤にフォトリソグラフィーでフォトレジストによるサーボ信号に対応するパターン状の凹凸形状を形成した。
【００５６】
このガラス原盤の表面にＮｉを電鋳で成長させ、凹凸パターンを有する呼称サイズ２．５インチのＮｉ基板を作製し、この凹凸パターン上に軟磁性材料からなる磁性層３ｂを成膜した。
【００５７】
磁性層３ｂの成膜には、図６に示すコリメータ５０を用い、図５に示すスパッタリング装置７０を使用したＤＣスパッタリング法によって行った。ターゲット材としてＦｅＣｏ（７０- ３０ａｔ％）を使用し、コリメータ外形＝φ３００ｍｍ（シェル径＝φ３ｍｍ〜φ２０ｍｍ）を用いた。
【００５８】
成膜条件は、基板３ａ・ターゲット７４間距離＝２００ｍｍ、コリメータ５０・基板３ａ間距離＝１００ｍｍとし、チャンバー内圧力＝０．１Ｐａ（Ａｒ流量＝１２ｓｃｃｍ）、ＤＣパワー＝１．５ＫＷとした。
【００５９】
コリメータ５０の面内シェルアスペクト比を変化させ、膜厚分布を測定した結果、中央部シェル径＝φ１０ｍｍ以上では面内シェルアスペクト比の変化による膜厚分布の発生効果が小さかったのに対し、中央部シェル径＝φ５ｍｍ以下では面内シェルアスペクト比の変化による膜厚分布の発生効果は大きかった。
【００６０】
更に、中央シェルアスペクト比を外周シェルアスペクト比の２倍に設定すると、２．５インチの基板３ａの内周部（ｒ＝１０ｍｍ）と外周部（ｒ＝３０ｍｍ）との膜厚差が約１．５倍となり、中央シェルアスペクト比を外周シェルアスペクト比の３倍に設定すると、膜厚差が約２．５倍となった。
【００６１】
図８は、このようにコリメータ５０の面内シェルアスペクト比を変化させて、最外周部の磁性層３ｂの膜厚Ｍｏと最内周部の磁性層３ｂの膜厚Ｍｉとを変化させ、転写特性を比較した結果を示した表である。
【００６２】
表中のデータは基板３ａの呼称サイズが２．５インチで、記録密度＝８０Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 としたときのデータであり、また、膜厚の単位はｎｍである。
【００６３】
信号特性の評価の一つにサブパルスの発生がある。図８は転写特性を評価するために、このサブパルスの発生率を測定したものである。サブパルスとは、図９の矢印で示すように、正規のパルスと間違える可能性のあるパルスのことで、ここではＡＧＣ（Ａｕｔｏ  Ｇａｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）出力比５０％以上のパルスとして定義する。
【００６４】
図９は、スレーブディスクの再生信号出力を表わしたもので、０．２及び−０．２の出力を正規のパルスとしたもので、図の矢印で示すような０．１又は−０．１を超えるもので正規のパルスと間違える可能性のあるパルスがサブパルスである。
【００６５】
このように転写された磁気情報信号に間違いやすいパルスが発生することで、プリフォーマット記録を正確に読み取ることが困難になり、高品位の再生信号を得ることができず、スレーブディスクの磁気記録媒体としての品質が大きく低下してしまうという問題がある。
【００６６】
図８の表では、最内周部の磁性層３ｂの膜厚Ｍｉを７５ｎｍ、１００ｎｍ、及び１２０ｎｍとしたときの、夫々の膜厚Ｍｉに対して最外周部の磁性層３ｂの膜厚Ｍｏを変化させ、最内周部（ｒ＝１４．１ｍｍ）及び最外周部（ｒ＝３０．７ｍｍ）におけるサブパルスの発生率（％）を記載している。
【００６７】
図８の表に示すように、最内周部の磁性層３ｂの膜厚Ｍｉ＝７５ｎｍでは、最外周部の磁性層３ｂの膜厚Ｍｏの最内周部の磁性層３ｂの膜厚Ｍｉに対する比率（Ｍｏ／Ｍｉ）が１．４を超えるとサブパルス発生率が極度に改善されている。
【００６８】
また、最内周部の磁性層３ｂの膜厚Ｍｉ＝１００ｎｍでは、Ｍｏ／Ｍｉが１．２を超えるとサブパルス発生率が極度に改善され、最内周部の磁性層３ｂの膜厚Ｍｉ＝１２０ｎｍでも、Ｍｏ／Ｍｉが１．２を超えるとサブパルス発生率が極度に改善されている。
【００６９】
以上から最外周部の磁性層３ｂの膜厚Ｍｏの最内周部の磁性層３ｂの膜厚Ｍｉに対する比率（Ｍｏ／Ｍｉ）を１．５以上とすることで、サブパルス発生率を極度に減少させることができ、良好な転写特性を得ることができる。
【００７０】
以上説明したように、本発明に係る磁気転写用マスターディスク及びその製造方法によれば、磁気転写用マスターディスク３に形成される磁性層３ｂの膜厚Ｍが磁気転写用マスターディスク３の内周側から外周側にかけて厚く（具体的には、最外周部の磁性層３ｂの膜厚Ｍｏの最内周部の磁性層３ｂの膜厚Ｍｉに対する比率を１．５以上）形成されるので、磁気転写された面内磁気記録媒体２の再生信号出力において、ビット長の長い外周部分においてもサブパルスの発生が抑制され、面内磁気記録媒体２の全面に渡って略均一な転写信号特性が得られる。このため、この面内磁気記録媒体２を用いることによって高品位の再生信号を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】マスターディスクを示す平面図
【図２】マスターディスクの一部を表わす斜視図
【図３】マスターディスクの凸部を表わす平面図
【図４】マスターディスクの凹凸の円周方向断面図
【図５】スパッタリング装置を説明する概念図
【図６】コリメータを示す平面図及び断面図
【図７】磁気転写のメカニズムを説明する概念断面図
【図８】実施例の結果を表わす表
【図９】サブパルスを説明する再生信号出力図
【符号の説明】
【００７２】
２…スレーブディスク（面内磁気記録媒体）、３…マスターディスク（磁気転写用マスターディスク）、３ａ…基板、３ｂ…磁性層、３Ａ…中心孔、３１…凹凸、３１Ａ…凸部、３１Ｄ…凸部上面（ランド部）、Ｍ…磁性層の膜厚
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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