(57)【要約】  【課題】Ｏリング周辺の環境温度を低温化する。また、Ｏリング周辺の環境温度の低温化により、断熱キャップの高さを短縮することで基板処理領域を拡大させ、一度に処理できる基板の処理枚数を増大させることができる熱処理装置及び基板の製造方法を提供する。  【解決手段】熱処理装置１０は、反応容器４７とこの反応容器４７内に挿入され、複数枚の基板５４を水平姿勢で多段に支持する基板支持具３０と、この基板支持具３０を支持する断熱キャップ５２と、この断熱キャップ５２を支持する石英ベース６８と、反応容器４７と石英ベース６８との間を気密にシールするＯリング５０とを有する。また、石英ベース６８には凸部７２が設けられ、この石英ベース６８の凸部７２が反応容器４７内部に入り込むように構成されている。【選択図】図３
2006261317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器と、
前記反応容器内に挿入され、複数枚の基板を水平姿勢で多段に支持する支持具と、
前記支持具を支持する断熱キャップと、
前記断熱キャップを支持するベースと、
前記反応容器と前記ベースとの間を気密にシールするシール部材と、
を有する熱処理装置であって、
前記ベースに凸部を設け、該ベースの凸部が前記反応容器内部に入り込むように構成したことを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハやガラス基板等を熱処理するための熱処理装置および半導体ウェハやガラス等の基板を製造する基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、縦型熱処理装置の反応炉に用いられる材料は、１０００℃以上の耐熱性が求められるため、高温部において例えば炭化珪素（ＳｉＣ）、珪素（Ｓｉ）等が用いられている。この反応炉内において処理対象となる基板は、基板支持具（ボート）に支持されており、この基板支持具は、反応炉の炉口部の低温化を目的とした断熱キャップに載置されている。例えば図７に示すように、断熱キャップ５２は、反応管４２内において平らな円板上の石英ベース６８上面に配置され、石英ベース６８の周縁にはＯリング５０が設置されている。このＯリング５０は、反応管４２と石英ベース６８との間を気密にシールするようになっている。ところが、Ｏリング５０の材質は、ポリマーであり、その耐熱温度は例えばフッ素ゴム系で２００℃程度、例えばパーフロロ系で３００℃程度であるため、Ｏリング５０周辺の低温化が求められている。
【０００３】
そこで、図７に示すように、断熱キャップ５２を設けることにより、また石英ベース６８をベース受け７０により支持し、このベース受け７０に冷却水７６を循環させることにより、Ｏリング５０周辺の環境温度の低温化を図っている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、処理温度（プロセス温度）が高くなると、石英ベース６８上面がヒータ（図示しない）からの輻射熱や処理ガスからの熱伝達を受けることにより加熱され、熱伝導によりＯリング５０周辺の環境温度が高くなる問題があった。このＯリング５０周辺の環境温度の高温化を防ぐために、断熱キャップ５２の高さを延長する方法があるが、この断熱キャップ５２の高さを延長すると基板処理領域が減少し、一つの基板支持具に支持することができる基板の枚数が少なくなる。
【０００５】
本発明の目的は、上記従来の問題点を解消し、Ｏリング周辺の環境温度を低温化することができる熱処理装置及び基板の製造方法を提供することにある。また、Ｏリング周辺の環境温度を低温化することにより、断熱キャップの高さを短縮することで基板処理領域を拡大させ、一度に処理できる基板の処理枚数を増大させることができる熱処理装置及び基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の特徴とするところは、反応容器と、前記反応容器内に挿入され、複数枚の基板を水平姿勢で多段に支持する支持具と、前記支持具を支持する断熱キャップと、前記断熱キャップを支持するベースと、前記反応容器と前記ベースとの間を気密にシールするシール部材とを有する熱処理装置であって、前記ベースに凸部を設け、該ベースの凸部が前記反応容器内部に入り込むように構成した熱処理装置にある。
【０００７】
好ましくは、前記ベースの凸部上面は、前記反応容器下端面（基板挿入口）よりも上方に位置する。また好ましくは、前記ベースの凸部上面に前記断熱キャップが支持される。好ましくは、前記ベースの前記凸部上面の中央部に凹部が設けられ、この凹部に前記断熱キャップが収容される。好ましくは、前記ベースの前記凸部は、前記反応容器内壁面と、前記断熱キャップ側面との間に設けられる。また好ましくは、前記断熱キャップ側面と前記反応容器内壁面との間の距離よりも、前記ベースの前記凸部側面と前記反応容器内壁面との間の距離の方が短くなるように構成される。
【０００８】
好ましくは、前記ベースは、該ベースの中央部が、前記反応容器内部に入り込むように凸型に底上げされる。好ましくは、前記ベースの一部が前記反応容器内部に入り込むように前記ベースの一部を凸型に底上げし、且つ該ベースの前記断熱キャップが載る部分を凹ませ、ドーナツ型の底上げ部を設ける。また好ましくは、前記ベース中央部の凸型またはドーナツ型の底上げ部を、前記ベースとは別部材で設ける。
【０００９】
好ましくは、前記ベースは石英からなる。また好ましくは、前記支持具および前記断熱キャップ上部は炭化珪素（ＳｉＣ）からなり、前記断熱キャップ下部および前記ベースは石英からなる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、断熱キャップを支持するベースに凸部を設け、該ベースの凸部が反応容器内部に入り込むように構成したことにより、Ｏリング周辺の環境温度を低温化することができる。また、このＯリング周辺の環境温度の低温化により、断熱キャップの高さを短縮することができ、基板処理領域を拡大させ、一度に処理できる基板の処理枚数を増大させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１に、本発明の実施形態に係る熱処理装置１０の一例を示す。この熱処理装置１０は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筺体１２を有する。この筺体１２の正面側には、ポッドステージ１４が接続されており、このポッドステージ１４にポッド１６が搬送される。ポッド１６には、例えば２５枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ１４にセットされる。
【００１２】
筺体１２内の正面側であって、ポッドステージ１４に対向する位置には、ポッド搬送装置１８が配置されている。また、このポッド搬送装置１８の近傍には、ポッド棚２０、ポッドオープナ２２及び基板枚数検知器２４が配置されている。ポッド棚２０はポッドオープナ２２の上方に配置され、基板枚数検知器２４はポッドオープナ２２に隣接して配置される。ポッド搬送装置１８は、ポッドステージ１４とポッド棚２０とポッドオープナ２２との間でポッド１６を搬送する。ポッドオープナ２２は、ポッド１６の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド１６内の基板枚数が基板枚数検知器２４により検知される。
【００１３】
さらに、筺体１２内には、基板移載機２６、ノッチアライナ２８及び支持具としての基板支持具３０（ボート）が配置されている。この基板支持具３０は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）からなり複数枚の基板を垂直方向に平行に保持できるようになっている。基板移載機２６は、例えば５枚の基板を取り出すことができるアーム（ツイーザ）３２を有し、このアーム３２を動かすことにより、ポッドオープナ２２の位置に置かれたポッド、ノッチアライナ２８及び基板支持具３０間で基板を搬送する。ノッチアライナ２８は、基板に形成されたノッチまたはオリフラを検出して基板のノッチまたはオリフラを一定の位置に揃えるものである。
【００１４】
さらに、筺体１２内の背面側上部には反応炉４０が配置されている。この反応炉４０内に、複数枚の基板を装填した基板支持具３０が搬入（挿入）され熱処理が行われる。
【００１５】
次に、上述したように構成された熱処理装置１０の作用について説明する。
まず、ポッドステージ１４に複数枚の基板を収容したポッド１６がセットされると、ポッド搬送装置１８によりポッド１６をポッドステージ１４からポッド棚２０へ搬送し、このポッド棚２０にストックする。次に、ポッド搬送装置１８により、このポッド棚２０にストックされたポッド１６をポッドオープナ２２に搬送してセットし、このポッドオープナ２２によりポッド１６の蓋を開き、基板枚数検知器２４によりポッド１６に収容されている基板の枚数を検知する。
【００１６】
次に、基板移載機２６により、ポッドオープナ２２の位置にあるポッド１６から基板を取り出し、ノッチアライナ２８に移載する。このノッチアライナ２８においては、基板を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚の基板のノッチを同じ位置に整列させる。次に、基板移載機２６により、ノッチアライナ２８から基板を取り出し、基板支持具３０に移載する。
【００１７】
このようにして、１バッチ分の基板を基板支持具３０に移載すると、例えば６００°Ｃ程度の温度に設定された反応炉４０内に複数枚の基板を装填した基板支持具３０を装入し、炉口シールキャップ４８（図２を用いて後述）により反応炉４０内を密閉する。次に、炉内温度を熱処理温度まで昇温させて、ガス導入管６０（図２を用いて後述）からガス導入口５６（図２を用いて後述）、アダプタ４４側壁部（図２を用いて後述）に設けられたガス導入経路６４（図２を用いて後述）、及びノズル６６（図２を用いて後述）を介して反応管４２（図２を用いて後述）内に処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素、アルゴン、水素、酸素、塩化水素（ＨＣｌ）、ジクロロエチレン（Ｃ２Ｈ２Ｃｌ２、略称ＤＣＥ）等が含まれる。基板を熱処理する際、基板は例えば１２００°Ｃ程度以上の温度に加熱される。
【００１８】
基板の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を６００°Ｃ程度の温度に降温した後、熱処理後の基板を支持した基板支持具３０を反応炉４０からアンロードし、基板支持具３０に支持された全ての基板が冷えるまで、基板支持具３０を所定位置で待機させる。次に、待機させた基板支持具３０の基板が所定温度まで冷却されると、基板移載機２６により、基板支持具３０から基板を取り出し、ポッドオープナ２２にセットされている空のポッド１６に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置１８により、基板が収容されたポッド１６をポッド棚２０、またはポッドステージ１４に搬送して完了する。
【００１９】
図２に反応炉４０の一例を示す。この反応炉４０は、反応容器４７を有し、この反応容器４７は、反応管４２とアダプタ４４とから主に構成される。なお、後述する図６の変形例においては、反応容器４７は反応管４２から構成される。反応管４２は、炭化珪素（ＳｉＣ）製であり、この反応管４２は、上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状をしており、開放された下端部はフランジ状に形成されている。この反応管４２の下方には反応管４２を支持するよう石英製のアダプタ４４が配置される。アダプタ４４は上端部と下端部が開放された円筒形状をしており、開放された上端部と下端部はフランジ状に形成されている。アダプタ４４の上端部フランジの上面に反応管４２の下端部フランジの下面が当接している。また、アダプタ４４を除いた反応管４２の周囲には、ヒータ４６（加熱手段）が配置されている。
【００２０】
アダプタ４４には、アダプタ４４と一体にガス供給口５６とガス排気口５９（排気ポート）とが設けられている。ガス供給口５６にはガス導入管６０が、ガス排気口５９には排気管６２がそれぞれ接続されている。アダプタ４４の側壁部（肉厚部）には、ガス供給口５６と連通し、垂直方向に向かうガス導入経路６４が設けられ、その上部にはノズル取付孔が上方に開口するように設けられている。このノズル取付孔は、ガス供給口５６およびガス導入経路６４と連通している。このノズル取付孔にはノズル６６が挿入され固定されている。すなわち、アダプタ４４の上面にノズル６６が接続されることとなる。この構成により、ノズル接続部は熱で変形しにくく、また破損しにくい。また、ノズル６６とアダプタ４４の組立て、解体が容易になるというメリットもある。ガス導入管６０からガス供給口５６に導入された処理ガスは、アダプタ４４の側壁部に設けられたガス導入経路６４、ノズル６６を介して反応容器４７内に供給される。なお、ノズル６６は、反応管４２の内壁に沿って基板配列領域の上方（基板支持具３０の上方）まで延びるように構成される。
【００２１】
反応炉４０の下部は、基板支持具３０を挿入するために開放され、この開放部分（炉口部）は炉口シールキャップ４８がＯリング５０を挟んでアダプタ４４の下端部フランジの下面に当接することにより密閉されるようにしてある。炉口シールキャップ４８は基板支持具３０を支持し、基板支持具３０と共に昇降可能（反応炉４０内に出し入れ可能）に設けられている。炉口シールキャップ４８と基板支持具３０との間には、断熱キャップ５２が設けられている。すなわち、基板支持具３０は、断熱キャップ５２に支持されている。この断熱キャップ５２上部は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）からなり、断熱キャップ５２下部は例えば石英からなる。具体的には、断熱キャップ５２は、複数枚の断熱板を水平姿勢で隙間をもって多段に支持するように構成されており、断熱キャップ５２上部にはＳｉＣ製の断熱板が、断熱キャップ５２下部には石英製の断熱板が、それぞれ装填されている。基板支持具３０は、反応管４２内に挿入され、複数枚の基板５４を水平姿勢で（略水平状態で）隙間をもって多段に支持するようになっている。すなわち、処理対象となる基板５４は、複数枚が平行に（鉛直方向に）並べられて基板支持具３０に搭載される。また、基板支持具３０は、昇降手段（図示しない）により反応管４２内に装填されるようになっている。
【００２２】
１２００°Ｃ以上の高温での処理を可能とするため、反応管４２は炭化珪素（ＳｉＣ）製としてある。このＳｉＣ製の反応管４２を反応炉４０の炉口部まで延ばし、この炉口部をＯリング５０を介して炉口シールキャップ４８でシールする構造とすると、ＳｉＣ製の反応管を介して伝達された熱によりシール部まで高温となり、シール材料であるＯリング５０を溶かしてしまうおそれがある。Ｏリング５０を溶かさないようＳｉＣ製の反応管４２のシール部を冷却すると、ＳｉＣ製の反応管４２が温度差による熱膨張差により破損してしまう。そこで、ヒータ４６による加熱領域をＳｉＣ製の反応管４２で構成し、ヒータ４６による加熱領域から外れた部分を石英製のアダプタ４４で構成することで、ＳｉＣ製の反応管からの熱の伝達を和らげ、Ｏリング５０を溶かすことなく、また反応管４２を破損することなく炉口部をシールすることが可能となる。また、ＳｉＣ製の反応管４２と石英製のアダプタ４４とのシールは、双方の面精度を良くすれば、ＳｉＣ製の反応管４２はヒータ４６の加熱領域に配置されているため温度差が発生せず、等方的に熱膨張する。よって、ＳｉＣ製の反応管４２下端部のフランジ部分は平面を保つことができ、アダプタ４４との間に隙間ができないので、ＳｉＣ製の反応管４２を石英製のアダプタ４４に載せるだけでシール性を確保することができる。  
【００２３】
なお、上記実施形態の説明にあっては、熱処理装置として、複数の基板を熱処理するバッチ式のものを用いたが、これに限定するものではなく、枚葉式のものであってもよい。
【００２４】
次に、上記反応炉４０の炉口部について詳述する。
図３は、反応炉４０の炉口部の一部を示す縦断面図である。
【００２５】
図３に示すように、炉口シールキャップ４８は、断熱キャップ５２を支持するベースとしての石英ベース６８とベース受け７０とを有する。石英ベース６８は、石英（例えば不透明石英）からなり、例えば金属からなるベース受け７０の上面に載置される。この石英ベース６８の周縁（上面の外周部）には、アダプタ４４と石英ベース６８との間を気密にシールするシール部材としてのＯリング５０が配置されている。すなわち、基板支持具３０が反応炉４０内に入ると、アダプタ４４とＯリング５０と、石英ベース６８とにより反応容器４７が密封されるようになっている。
【００２６】
また、ベース受け７０周辺には、冷却水路７４が設けられており、Ｏリング５０冷却用の冷却水７６が循環している。
【００２７】
石英ベース６８には、上方から見て例えば円形状に底上げ部（凸部７２）が設けられ、この石英ベース６８の凸部７２がアダプタ４４内部（反応容器４７内部）に入り込むように構成されている。すなわち、石英ベース６８の形状は、アダプタ４４内部（反応容器４７内部）に入り込む部分（石英ベース６８の中央部）を凸型に底上げしたようになっている。また、石英ベース６８の凸部７２の上面には、上述した断熱キャップ５２が支持され、この石英ベース６８の凸部７２の上面は、反応容器４７下端面（アダプタ４４下端面）（基板挿入口）よりも上方に位置するようになっている。また、石英ベース６８の凸部７２は、断熱キャップ５２側面とアダプタ４４内壁面（反応容器４７内壁面）との間の距離よりも、この石英ベース６８の凸部７２側面とアダプタ４４内壁面（反応容器４７内壁面）との間の距離の方が短くなるように形成されている。すなわち、石英ベース６８の凸部７２の直径（外径）は、断熱キャップ５２の直径（外径）よりも大きくなっている。
【００２８】
このように、石英ベース６８に凸部７２を設け、この石英ベース６８の凸部７２がアダプタ４４内部（反応容器４７内部）に入り込むように構成したことにより、Ｏリング５０周辺の環境温度を低温化できる。すなわち、石英ベース６８に凸型の底上げ部（凸部７２）を設けることで、石英ベース６８の受光・受熱面からＯリング５０までの距離を稼ぐ（石英ベース６８の凸部７２の上面からＯリング５０までの距離が長くなる）ことにより、Ｏリング５０周辺の環境温度を低温化させることができる。換言すると、石英ベース６８に凸部７２を設けることで、熱伝導率が低く断熱性に富んだ石英による断熱層が厚くなることにより、Ｏリング５０周辺の環境温度を低温化させることができる。
【００２９】
さらに、石英ベース６８に凸部７２を設け、断熱キャップ５２側面とアダプタ４４内壁面（反応容器４７内壁面）との間の距離よりも石英ベース６８の凸部７２側面とアダプタ４４内壁面（反応容器４７内壁面）との間の距離の方が短くなるようにすることにより、Ｏリング５０周辺に高温の処理ガスが入り込むことが少なくなるため、処理ガスの熱伝導によるＯリング５０の高温化を防止することができる。また、石英による断熱層の設置範囲を広げることができ、より一層Ｏリング５０周辺の環境温度を低温化させることができる。なお、石英ベース６８の凸部７２側面とアダプタ４４内壁面との間の距離は、小さいほど（短いほど）断熱効果が増し、Ｏリング５０周辺の環境温度を低温化させることができるので好ましい。
【００３０】
また、Ｏリング５０周辺の環境温度の低温化により、断熱キャップ５２の高さを短縮する（断熱領域を縮小する）ことができる。これにより、基板処理領域が拡大し、一度に処理できる基板の処理枚数を増大させることが可能となり、基板処理の高スループット化を実現することができる。
【００３１】
すなわち、石英ベース６８の形状を変更する（凸部７２を設ける）ことにより、Ｏリング５０周辺の環境温度を低下させることができるので、反応炉４０の炉口部の断熱を目的とした断熱キャップ５２は、その性能を低下させることができる。断熱キャップ５２の性能には、この断熱キャップ５２縦方向（鉛直方向）の長さが大きく寄与しており、断熱キャップ５２の性能を低下させるということは、断熱キャップ５２の高さを短くする（短縮する）こととなる。したがって、断熱キャップ５２の性能を低下させる（断熱キャップ５２の高さを短くする）ことにより、断熱キャップ５２上方の基板処理領域を拡大することができる。これにより、一度に処理できる基板の処理枚数の増大、スループットの向上につながる。
【００３２】
また、Ｏリング５０周辺の環境温度を低下することにより、Ｏリング５０の長寿命化すなわちＯリング５０の交換サイクル長期化が可能となり、熱処理装置のメンテナンス性を向上することができる。
【００３３】
なお、石英ベース６８の凸部７２の外径は、アダプタ４４（反応容器４７）の内径に近いほど、そのＯリング５０周辺の環境温度を低下させる効果は高い。
また、石英ベース６８の凸部７２の高さは、処理ガスの排気効率低下を防ぐため、ガス排気口５９（排気ポート）より低いことが好ましい。ただし、石英ベース６８の凸部７２の高さをガス排気口５９の高さよりも高くする場合においては、処理ガスの排気効率が低下しないように、ガス排気口５９の近傍に十分な空間を確保すればよい。
【００３４】
次に、第１の変形例を図４に基づいて説明する。
図４は、第１の変形例における反応炉４０の炉口部の一部を示す縦断面図である。
【００３５】
図４に示すように、石英ベース６８の凸部７２上面の中央部には、上方から見て例えば円形状の凹部７８が設けられ、この凹部７８に断熱キャップ５２が収容されている。すなわち、石英ベース６８の中央部をアダプタ４４内部（反応容器４７内部）に入り込むように底上げし、且つ断熱キャップ５２が載る部分を凹ませて、石英ベース６８にドーナツ型の底上げ部（凸部７２）を形成している。
【００３６】
このように、石英ベース６８の凸部７２上面の中央部に凹部７８を設け、この凹部７８に断熱キャップ５２が収容される構成とすることにより、基板処理領域をより拡大することができる。すなわち、石英ベース６８上面により支持されている断熱キャップ５２の位置（高さ）を凹部７８上面の位置（高さ）まで下げることができるので、断熱キャップ５２が石英ベース６８の凸部７２上面の位置（高さ）で支持される場合（上記実施形態の場合）と比較すると、断熱キャップ５２上方の基板処理領域をより拡大することができる。
【００３７】
次に、第２の変形例を図５に基づいて説明する。
図５は、第２の変形例における反応炉４０の炉口部の一部を示す縦断面図である。
【００３８】
図５に示すように、凸部７２は、アダプタ４４内壁面（反応容器４７内壁面）と断熱キャップ５２側面との間に設けられている。すなわち、石英ベース６８上面には、上方から見て例えばドーナツ型（リング形状）に形成された底上げ部（凸部７２）が配置され、この凸部７２は、石英ベース６８とは別体式に（石英ベース６８とは別部材で）設けられている。
【００３９】
このように、凸部７２は、アダプタ４４内壁（反応容器４７内壁）と断熱キャップ５２側面との間に石英ベース６８とは別部材で設けられることにより、容易にＯリング５０周辺の環境温度を低温化することができる。
【００４０】
すなわち、例えば図７に示す従来の熱処理装置における反応炉４０の石英ベース６８上面に石英ベース６８とは別部材であるドーナツ型石英リング（凸部７２）を載置するだけでよい。
【００４１】
なお、石英ベース６８と別部材で形成される凸部７２は、凸型（円柱形状）であってもよい。
【００４２】
なお、図６に示すように、反応管４２とアダプタ４４は一体ものとしてもよい（アダプタ４４を省略し、反応管４２を炉口部まで延ばすようにしてもよい）。この場合、前述したように、反応容器４７は、反応管４２により構成されることとなる。より具体的には、反応管４２は、上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状をしており、開放された下端部はフランジ状に形成され、この開放部分（炉口部）に炉口シールキャップ４８がＯリング５０を挟んで反応管４２の下端部フランジの下面に当接することにより、反応管４２が密閉されるようにしてもよい。
【００４３】
本発明は、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）ウェハの一種であるＳＩＭＯＸ（Separation by Implanted Oxygen）ウェハの製造工程の一工程に適用することができる。
【００４４】
即ち、ＳＩＭＯＸにおいては、まずイオン注入装置等により単結晶シリコンウェハ内へ酸素イオンをイオン注入する。その後、酸素イオンが注入されたウェハを上記実施形態の熱処理装置を用いて、例えばＡｒ、Ｏ２雰囲気のもと、１３００°Ｃ〜１４００°Ｃ、例えば１３５０°Ｃ以上の高温でアニールする。これらの処理により、ウェハ内部にＳｉＯ２層が形成された（ＳｉＯ２層が埋め込まれた）ＳＩＭＯＸウェハが作製される。
【００４５】
また、ＳＩＭＯＸウェハの他，水素アニールウェハの製造工程の一工程に本発明を適用することも可能である。この場合、ウェハを本発明の熱処理装置を用いて、水素雰囲気中で１２００°Ｃ程度以上の高温でアニールすることとなる。これによりＩＣ（集積回路）が作られるウハ表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。
【００４６】
また、この他、エピタキシャルウェハの製造工程の一工程に本発明を適用することも可能である。
【００４７】
以上のような基板の製造工程の一工程として行う高温アニール処理を行う場合であっても、本発明を用いることにより、Ｏリング周辺の環境温度を低温化することができる。また、Ｏリング周辺の環境温度の低温化により、断熱キャップの高さを短縮することで基板処理領域を拡大させ、一度に処理できる基板の処理枚数を増大させることができる。
【００４８】
本発明は、半導体装置の製造工程にも適用することも可能である。
特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化（パイロジェニック酸化）、ＨＣｌ酸化等の熱酸化工程や、硼素（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物（ドーパント）を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
このような半導体デバイスの製造工程の一工程としての熱処理工程を行う場合においても、本発明を用いることにより、Ｏリング周辺の環境温度を低温化することができる。また、Ｏリング周辺の環境温度の低温化により、断熱キャップの高さを短縮することで基板処理領域を拡大させ、一度に処理できる基板の処理枚数を増大させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、基板を支持具に支持した状態で熱処理する基板の製造方法において、Ｏリング周辺の環境温度を低温化し、一度に処理できる基板の処理枚数を増大させる必要があるものに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態に用いた熱処理装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に用いた反応炉を示す縦断面図である。
【図３】本発明の実施形態に用いた反応炉の炉口部の一部を示す縦断面図である。
【図４】本発明の実施形態の第１の変形例を示す図で、反応炉の炉口部の一部を示す縦断面図である。
【図５】本発明の実施形態の第２の変形例を示す図で、反応炉の炉口部の一部を示す縦断面図である。
【図６】本発明の実施形態に用いた反応炉の変形例を示す縦断面図である。
【図７】従来の熱処理装置における反応炉の炉口部の一部を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０  熱処理装置
３０  基板支持具（ボート）
４０  反応炉
４２  反応管
４７  反応容器
４４  アダプタ
５０  Ｏリング
５２  断熱キャップ
５４  基板
６８  石英ベース
７２  凸部
【図１】
2006261317.tif 000003
【図２】
2006261317.tif 000004
【図３】
2006261317.tif 000005
【図４】
2006261317.tif 000006
【図５】
2006261317.tif 000007
【図６】
2006261317.tif 000008
【図７】
2006261317.tif 000009