(57)【要約】【課題】  発光強度低下の抑制が可能な電子線励起発光素子用蛍光体を提供することにある。【解決手段】  式Ｍ1Ｏ・Ｍ22Ｏ3（式中のＭ1はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上であり、Ｍ2はＳｃ、Ｙ、Ｂ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。）で表される化合物に付活剤として希土類イオンＬｎ（ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｄｙ、ＥｒおよびＴｍからなる群より選ばれる１種類以上）を含有されてなることを特徴とする電子線励起発光素子用蛍光体。【選択図】          なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｍ1Ｏ・Ｍ22Ｏ3（式中のＭ1はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上であり、Ｍ2はＳｃ、Ｙ、Ｂ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。）で表される化合物に付活剤としてＬｎ（ただしＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｄｙ、ＥｒおよびＴｍからなる群より選ばれる１種以上である。）が含有されてなることを特徴とする電子線励起発光素子用蛍光体。
【請求項２】
式（Ｍｇ1-xＭ1x）Ｏ・（Ｉｎ1-yＭ2y）2Ｏ3（式中のＭ1およびＭ2は前記と同じ意味を有し、ｘは０以上１未満の範囲であり、ｙは０以上１未満の範囲である。）で表される化合物に付活剤としてＬｎ（ただしＬｎは前記と同じ意味を有する。）が含有されてなる請求項１記載の蛍光体。
【請求項３】
式（Ｚｎ1-xＭ1x）Ｏ・（Ｉｎ1-yＭ2y）2Ｏ3（式中のＭ1およびＭ2は前記と同じ意味を有し、ｘは０以上１未満の範囲であり、ｙは０以上１未満の範囲である。）で表される化合物に付活剤としてＬｎ（ただしＬｎは前記と同じ意味を有する。）が含有されてなる請求項１記載の蛍光体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の蛍光体を含有してなることを特徴とする電子線励起発光素子。
【請求項５】
蛍光体の励起源が低速電子線である請求項４記載の電子線励起発光素子。
【請求項６】
電子線励起発光素子がフィールドエミッションディスプレイであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の蛍光体。
【請求項７】
電子線励起発光素子が表面電界ディスプレイであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の蛍光体。
【請求項８】
請求項６記載の蛍光体を含有してなるフィールドエミッションディスプレイ。
【請求項９】
請求項７記載の蛍光体を含有してなる表面電界ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蛍光体に関する。さらに詳しくは、電子線励起発光素子用蛍光体に関する。
【背景技術】
【０００２】
蛍光体は、ブラウン管（以下「ＣＲＴ」という。）、フィールドエミッションディスプレイ（以下「ＦＥＤ」という。）、表面電界ディスプレイ（以下「ＳＥＤ」という。）、蛍光表示管（以下「ＶＦＤ」という。）等の電子線励起発光素子に用いられている。電子線励起発光素子には、蛍光体の励起源として、電子線が用いられている。電子線励起発光素子用蛍光体としては、例えば、ＺｎＳ：Ｚｎ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ａｕ,Ａｌ、（Ｚｎ0.9，Ｃｄ0.1）Ｓ：Ａｕ，Ａｌ等の蛍光体が挙げられる（例えば非特許文献１参照。）。
【０００３】
【非特許文献１】蛍光体同学会編  蛍光体ハンドブック、第３０７頁（昭和６２年）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の蛍光体は、使用時に蛍光体が分解するためか、蛍光体の発光強度が低下してしまうという問題があった。本発明の目的は、発光強度低下の抑制が可能な電子線励起発光素子用蛍光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく蛍光体の組成につき、鋭意研究を重ねた結果、ある特定の化合物に付活剤が含有されてなる蛍光体は、発光強度低下の抑制が可能であり、ＣＲＴ、ＦＥＤ等の電子線励起発光素子に好適に用いることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
すなわち本発明は、下記の蛍光体および発光素子を提供するものである。
＜１＞式Ｍ1Ｏ・Ｍ22Ｏ3（式中のＭ1はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上であり、Ｍ2はＳｃ、Ｙ、Ｂ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。）で表される化合物に付活剤として希土類イオンＬｎ（ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｄｙ、ＥｒおよびＴｍからなる群より選ばれる１種類以上）を含有されてなることを特徴とする電子線励起発光素子用蛍光体。
＜２＞式（Ｍｇ1-xＭ1x）Ｏ・（Ｉｎ1-yＭ2y）2Ｏ3（式中のＭ1およびＭ2は前記と同じ意味を有し、ｘは０以上１未満の範囲であり、ｙは０以上１未満の範囲である。）で表される化合物に付活剤として希土類イオンＬｎ（Ｌｎは前記と同じ意味を有する。）を含有されてなる前記の蛍光体。
＜３＞式（Ｚｎ1-xＭ1x）Ｏ・（Ｉｎ1-yＭ2y）2Ｏ3（式中のＭ1およびＭ2は前記と同じ意味を有し、ｘは０以上１未満の範囲であり、ｙは０以上１未満の範囲である。）で表される化合物に付活剤として希土類イオンＬｎ（Ｌｎは前記と同じ意味を有する。）を含有されてなる前記＜１＞記載の蛍光体。
＜４＞前記いずれかに記載の蛍光体を含有してなることを特徴とする電子線励起発光素子。
＜５＞蛍光体の励起源が低速電子線である前記＜４＞記載の電子線励起発光素子。
＜６＞電子線励起発光素子がフィールドエミッションディスプレイであることを特徴とする前記いずれかに記載の蛍光体。
＜７＞電子線励起発光素子が表面電界ディスプレイであることを特徴とする前記いずれかに記載の蛍光体。
＜８＞前記＜６＞記載の蛍光体を含有してなるフィールドエミッションディスプレイ。
＜９＞前記＜７＞記載の蛍光体を含有してなる表面電界ディスプレイ。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の蛍光体は、発光強度低下の抑制が可能な蛍光体であるため、電子線を励起源とするＣＲＴ、ＦＥＤ等のような電子線励起発光素子に好適に用いることができ、本発明は工業的に極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明について説明する。
【０００９】
本発明の蛍光体は、式（１）
Ｍ1Ｏ・Ｍ22Ｏ3・・・（１）
で表される化合物に付活剤が含有されてなる蛍光体である。式（１）のＭ1は２価の金属元素であり、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上である。また式（１）のＭ2は３価の金属元素であり、Ｓｃ、Ｙ、Ｂ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。付活剤としては、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｄｙ、ＥｒおよびＴｍからなる群より選ばれる１種以上を含有する。
【００１０】
式（１）で表される化合物としては、発光強度低下をより抑制する意味で、スピネル型構造を含有することが好ましく、スピネル型構造の中でも正スピネル型構造または逆スピネル型構造を含有することがより好ましい。ここで、スピネル型構造とは、尖晶石（組成はＭｇＡｌ2Ｏ4で表される。）に代表されるＸＹ2Ｏ4型（ＸおよびＹは金属元素を示す。）の結晶構造のことをいう。スピネル型構造において酸素原子は立方最密充填形式に配列しており、その酸素原子で囲まれた空間のうち４個の酸素原子で囲まれる空間にＸが配置されかつ６個の酸素原子で囲まれた空間にＹが配置されるスピネル型構造を正スピネル型構造といい、前記酸素原子で囲まれた空間のうち４個の酸素原子で囲まれる空間にＹが配置されかつ６個の酸素原子で囲まれる空間にＸまたはＹが配置されるスピネル型構造を逆スピネル型構造という。
【００１１】
式（１）で表される化合物が上記の逆スピネル型構造を含有する傾向があるので、本発明の蛍光体は式（２）
（Ｍｇ1-xＭ1x）Ｏ・（Ｉｎ1-yＭ2y）2Ｏ3・・・（２）
（式中のＭ1およびＭ2は前記と同じ意味を有し、ｘは０以上１未満の範囲であり、ｙは０以上１未満の範囲である。）
で表される化合物に付活剤としてＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｄｙ、ＥｒおよびＴｍからなる群より選ばれる１種以上が含有される蛍光体であることがより好ましい。また、Ｍ1がＣａまたはＭｇであることがさらに好ましい。ここで、式（２）において、ｘは０以上０．４未満の範囲であることが好ましく、０以上０．１以下の範囲であることがより好ましく、さらに好ましくは０である。また、ここで、式（２）において、ｙは０以上０．２以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは０である。
【００１２】
また、式（１）で表される化合物が上記の正スピネル型構造を含有する傾向があるので、本発明の蛍光体は式（３）
式（Ｚｎ1-xＭ1x）Ｏ・（Ｉｎ1-yＭ2y）2Ｏ3・・・（３）
（式中のＭ1およびＭ2は前記と同じ意味を有し、ｘは０以上１未満の範囲であり、ｙは０以上１未満の範囲である。）
で表される化合物に付活剤としてＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｄｙ、ＥｒおよびＴｍからなる群より選ばれる１種以上が含有される蛍光体であることがより好ましい。また、Ｍ1がＣａまたはＺｎであることがさらに好ましい。ここで、式（３）において、ｘは０以上０．４未満の範囲であることが好ましく、０以上０．１以下の範囲であることがより好ましく、さらに好ましくは０である。また、ここで、式（３）において、ｙは０以上０．２以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは０である。
【００１３】
本発明の蛍光体は、電子線によって励起され発光するため、ＣＲＴ、ＦＥＤ、ＳＥＤ、ＶＦＤ、等の電子線励起発光素子に好ましく用いられる。電子線励起発光素子に用いる蛍光体の励起源である電子線としては、電子の加速電圧が２０ｋＶ〜３０ｋＶである場合の高速電子線、電子の加速電圧が１０ｋＶ以下である場合の低速電子線があるが、本発明の蛍光体は、蛍光体の励起源が低速電子線である電子線励起発光素子により好ましく用いられる。蛍光体の励起源が低速電子線である電子線励起発光素子としては、ＦＥＤ、ＳＥＤが挙げられ、本発明の蛍光体は、ＦＥＤ、ＳＥＤに特に好ましく用いられる。
【００１４】
また本発明の蛍光体を電子線励起発光素子に好ましく用いるためには、本発明の蛍光体は、電気伝導率が１０-5Ｓ・ｃｍ-1以上であることが好ましく、１０-4Ｓ・ｃｍ-1以上であることがより好ましく、さらに好ましくは１０-3Ｓ・ｃｍ-1以上である。ここで、本発明の蛍光体の電気伝導率は、本発明の蛍光体の焼結体の電気伝導率の測定値とする。また、本発明の蛍光体と導電性化合物との混合物を電子線励起発光素子に用いてもよい。導電性化合物としてはＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＩＴＯ等が挙げられる。
【００１５】
次に、本発明の蛍光体を製造する方法について説明する。
本発明の蛍光体は、例えば、次のようにして製造することができる。本発明の蛍光体は、焼成により、式（１）で表される化合物に付活剤としてＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｄｙ、ＥｒおよびＴｍからなる群より選ばれる１種以上を含有されてなる蛍光体となる金属化合物混合物を焼成することにより製造することができる。すなわち、対応する金属元素を含有する化合物を所定の組成となるように秤量し混合した後に得られた金属化合物混合物を焼成することにより製造することができる。例えば好ましい組成の一つであるＭｇ 0.995Ｈｏ0.005Ｉｎ2Ｏ4で表される蛍光体は、ＭｇＳＯ4・７Ｈ2Ｏ、ＩｎＣｌ2・４Ｈ2Ｏ、Ｈｏ（ＮＯ3）3・５Ｈ2ＯをＭｇ：Ｈｏ：Ｉｎのモル比が０．９９５：０．００５：２となるように秤量し混合した後に得られる金属化合物混合物を焼成することにより製造することができる。
【００１６】
前記の金属元素を含有する化合物としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、亜鉛、スカンジウム、イットリウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、テルビウム、ホルミウム、ジスプロシウム、エルビウム、ツリウムの化合物で、例えば、酸化物を用いるか、または水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、ハロゲン化物、シュウ酸塩など高温で分解および／または酸化して酸化物になり得るものを用いることができる。
【００１７】
前記金属元素を含有する化合物の混合には、例えばボールミル、Ｖ型混合機、攪拌機等の通常工業的に用いられている装置を用いることができる。
【００１８】
また、前記金属元素を含有する化合物の水溶液と沈殿剤とを混合することにより、金属化合物混合物を得てもよい。この場合、該化合物としては、前記の硝酸塩、ハロゲン化物等が挙げられ、また該沈殿剤としては、アンモニア水、炭酸水素アンモニウム、尿素、シュウ酸、シュウ酸アンモニウム、クエン酸等、水酸化ナトリウム水溶液等が挙げられる。
【００１９】
前記金属化合物混合物を、例えば８５０℃〜１８００℃の温度範囲にて１〜１００時間保持して焼成することにより本発明の蛍光体が得られる。金属化合物混合物に水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物、シュウ酸塩など高温で分解および／または酸化して酸化物になりうるものが含有されている場合、焼成の前に、金属化合物混合物を、例えば４００℃以上８５０℃未満の温度範囲で保持して仮焼することにより、酸化物としたり、結晶水を除去することも可能である。また、仮焼後に粉砕を行うこともできる。
【００２０】
焼成時の雰囲気は、酸化性雰囲気、還元性雰囲気のいずれでもよく、酸化性雰囲気としては大気、酸素を含有する雰囲気等が挙げられ、還元性雰囲気としては水素を０．１〜１００体積％含有する窒素、水素を０．１〜１００体積％含有するアルゴン等を含有する雰囲気等が挙げられる。また仮焼時の雰囲気は、大気等の酸化性雰囲気、還元性雰囲気のいずれでもよい。また、得られる蛍光体の結晶性を高めるために、焼成または仮焼時に金属化合物混合物の中に適量の反応促進剤を存在させてもよい。反応促進剤としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、Ｌｉ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、Ｋ2ＣＯ3、ＮａＨＣＯ3、ＮＨ4Ｃｌ、ＮＨ4Ｉなどを挙げることができる。
【００２１】
さらに上記方法にて得られる蛍光体を、例えばボールミル、ジェットミル等を用いて粉砕することができる。また、洗浄、分級することができる。また、得られる蛍光体の輝度をさらに向上させるために、焼成を２回以上行うこともできる。
【００２２】
また、本発明の蛍光体を用いてなる電子線励起発光素子の例として、ＦＥＤを挙げてその製造方法について説明する。ＦＥＤの製造方法としては例えば、例えば特開２００３−１９７１３３号公報に開示されているような公知の方法が使用できる。すなわち赤色、緑色、青色のそれぞれの電子線励起発光素子用蛍光体と例えばセルロース系化合物、ポリビニルアルコールのような高分子化合物からなるバインダーおよび有機溶媒とを混合し、蛍光体ペーストを調製する。該蛍光体ペーストを前面板となる陽極ガラス基板上に塗布、乾燥、焼成し、蛍光体膜を形成する。この蛍光体膜が形成された陽極ガラス基板と電界放出源（エミッタ、グリッド）を有する陰極ガラス基板とを重ね合わせて接着し、内部を排気し、真空状態を保つように封じきることで、ＦＥＤを製造することができる。
【実施例】
【００２３】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
１．発光特性評価
蛍光体を塗布したガラス基板を真空槽内に配置させ、蛍光体に電子線を照射することにより、蛍光体を発光させ、発光強度を蛍光分光計（Ｏｃｅａｎ  Ｏｐｔｉｃｓ社製、装置名：ＵＳＢ−２０００ＦＬ）で測定することにより行なった。
２．電気伝導率算出
蛍光体の電気伝導度を直流四端子法により評価することにより、電気伝導率を算出した。具体的には、蛍光体焼結体の表面の４箇所に電極を取り付け、この電極に導線を接続して、電圧値、電流値、サンプル断面積、電極間距離を室温にて測定し、電気伝導率（単位はＳ・ｃｍ-1）を算出した。
３．耐久性評価
蛍光体を塗布したガラス基板を空気中に１週間静置した後、前記の発光特性評価を行なうことにより行なった。
【００２４】
実施例１
Ｍｇ0.995Ｈｏ0.005Ｉｎ2Ｏ4
ＭｇＳＯ4・７Ｈ2Ｏ、Ｈｏ（ＮＯ3）3・５Ｈ2Ｏ、ＩｎＣｌ2・４Ｈ2Ｏの各原料をＭｇ：Ｈｏ：Ｉｎのモル比が０．９９５：０．００５：２となるように秤量後、これらと蒸留水とを混合し３０分攪拌して得られた溶液と、等量のＮａＯＨ水溶液とを混合することにより沈殿を発生させ、沈殿をろ過、洗浄後、１２０℃で乾燥させることにより金属化合物混合物を得た。得られた金属化合物混合物を大気中８００℃で１２時間保持して仮焼した後、粉砕し得られた仮焼品を直径８ｍｍのペレットに成型し、空気中１４００℃で２４時間焼成することにより組成式がＭｇ0.995Ｈｏ0.005Ｉｎ2Ｏ4で表される蛍光体１からなる焼結体を得た。該焼結体の電気伝導率は０．５Ｓ・ｃｍ-1であった。また該焼結体を粉砕して得られた蛍光体１が塗布されたガラス基板を真空槽内に設置し、加速電圧が３ｋＶの電子線を照射すると、緑色に発光した。また、蛍光体１につき耐久性評価を行なったところ、発光強度は低下しなかった。
【００２５】
実施例２
Ｍｇ0.995Ｓｍ0.005Ｉｎ2Ｏ4
ＭｇＳＯ4・７Ｈ2Ｏ、Ｓｍ（ＮＯ3）3・６Ｈ2Ｏ、ＩｎＣｌ2・４Ｈ2Ｏの各原料をＭｇ：Ｓｍ：Ｉｎのモル比が０．９９５：０．００５：２となるように秤量後、これらと蒸留水とを混合し３０分攪拌して得られた溶液と、等量のＮａＯＨ水溶液とを混合することにより沈殿を発生させ、沈殿をろ過、洗浄後、１２０℃で乾燥させることにより金属化合物混合物を得た。得られた金属化合物混合物を大気中８００℃で１２時間保持して仮焼した後、粉砕し得られた仮焼品を直径８ｍｍのペレットに成型し、空気中１４００℃で２４時間焼成することにより組成式がＭｇ0.995Ｓｍ0.005Ｉｎ2Ｏ4で表される蛍光体２からなる焼結体を得た。該焼結体の電気伝導率は０．６Ｓ・ｃｍ-1であった。また該焼結体を粉砕して得られた蛍光体２が塗布されたガラス基板を真空槽内に設置し、加速電圧が３ｋＶの電子線を照射すると、橙色に発光した。また、蛍光体２につき耐久性評価を行なったところ、発光強度は低下しなかった。
【００２６】
実施例３
（Ｍｇ0.8Ｃａ0.2）0.995Ｈｏ0.005Ｉｎ2Ｏ4
ＭｇＳＯ4・７Ｈ2Ｏ、ＣａＣｌ2、Ｈｏ（ＮＯ3）3・５Ｈ2Ｏ、ＩｎＣｌ2・４Ｈ2Ｏの各原料をＭｇ：Ｃａ：Ｈｏ：Ｉｎのモル比が０．７９６：０．１９９：０．００５：２となるように秤量後、これらと蒸留水とを混合し３０分攪拌して得られた溶液と、等量のＮａＯＨ水溶液とを混合することにより沈殿を発生させ、沈殿をろ過、洗浄後、１２０℃で乾燥させることにより金属化合物混合物を得た。得られた金属化合物混合物を、大気中８００℃で１２時間保持して仮焼した後、粉砕し得られた仮焼品を直径８ｍｍのペレットに成型し、空気中１４００℃で２４時間焼成することにより組成式が（Ｍｇ0.8Ｃａ0.2）0.995Ｈｏ0.005Ｉｎ2Ｏ4で表される蛍光体３からなる焼結体を得た。該焼結体の電気伝導率は０．３Ｓ・ｃｍ-1であった。また該焼結体を粉砕して得られた蛍光体３が塗布されたガラス基板を真空槽内に設置し、加速電圧が３ｋＶの電子線を照射すると、緑色に発光した。また、蛍光体３につき耐久性評価を行なったところ、発光強度は低下しなかった。
【００２７】
実施例４
（Ｚｎ0.8Ｃａ0.2）0.995Ｈｏ0.005Ｉｎ2Ｏ4
ＺｎＣｌ2、ＣａＣｌ2、Ｈｏ（ＮＯ3）3・５Ｈ2Ｏ、ＩｎＣｌ2・４Ｈ2Ｏの各原料をＺｎ：Ｃａ：Ｈｏ：Ｉｎのモル比が０．７９６：０．１９９：０．００５：２となるように秤量後、これらと蒸留水とを混合し３０分攪拌して得られた溶液と、等量のＮａＯＨ水溶液とを混合することにより沈殿を発生させ、沈殿をろ過、洗浄後、１２０℃で乾燥させることにより金属化合物混合物を得た。得られた金属化合物混合物を、大気中８００℃で１２時間保持して仮焼した後、粉砕し得られた仮焼品を直径８ｍｍのペレットに成型し、空気中１４００℃で２４時間焼成することにより組成式が（Ｚｎ0.8Ｃａ0.2）0.995Ｈｏ0.005Ｉｎ2Ｏ4で表される蛍光体４からなる焼結体を得た。該焼結体の電気伝導率は０．５Ｓ・ｃｍ-1であった。また該焼結体を粉砕して得られた蛍光体４が塗布されたガラス基板を真空槽内に設置し、加速電圧が３ｋＶの電子線を照射すると、緑色に発光した。また、蛍光体４につき耐久性評価を行なったところ、発光強度は低下しなかった。
【００２８】
実施例５
Ｚｎ0.995Ｈｏ0.005Ｇａ2Ｏ4
ＺｎＯ、Ｈｏ（ＮＯ3）3・５Ｈ2Ｏ、Ｇａ2Ｏ3の各原料をＺｎ：Ｈｏ：Ｇａのモル比が０．９９５：０．００５：２となるように秤量後、これらを、メタノールを媒体とした湿式ボールミルにより混合し、得られたスラリーを乾燥し、金属化合物混合物を得た。得られた金属化合物混合物を、大気中８００℃で１２時間保持して仮焼した後、粉砕し得られた仮焼品を直径８ｍｍのペレットに成型し、空気中１４００℃で２４時間焼成後、さらに１００％Ｈ2雰囲気中６００℃で１０時間焼成することにより組成式がＺｎ0.995Ｈｏ0.005Ｇａ2Ｏ4で表される蛍光体５からなる焼結体を得た。該焼結体蛍光体５の電気伝導率は３．７×１０-3Ｓ・ｃｍ-1であった。また該焼結体を粉砕して得られた蛍光体５が塗布されたガラス基板を真空槽内に設置し、加速電圧が３ｋＶの電子線を照射すると、赤紫色に発光した。また、蛍光体５につき耐久性評価を行なったところ、発光強度は低下しなかった。