(57)【要約】    【課題】  電子部品チップを基板に熱圧着時するに際しての熱による電子部品チップの損傷が生じ難く、かつ基板と接合フィルムとの下面におけるボイドが生じ難い電子部品チップ熱圧着用の接合フィルム並びに該接合フィルムを用いた電子部品装置の製造方法を提供する。    【解決手段】  熱圧着に際し、電子部品チップが接合フィルムを介して基板に圧着される温度における粘度が１０2〜１０4Ｐａ・ｓの範囲とされている接合フィルム、並びに該接合フィルムが下面に貼り付けられた電子部品チップを用意し、電子部品チップを、下面に吸引孔が開いており、かつ下面がＪＩＳ  Ａ硬度が４０〜１００の範囲にある材料で構成されているコレットを用いて吸引・保持し、コレットに吸引・保持された電子部品チップを、接着フィルム側から、加熱されているステージ上に圧着し、電子部品チップを接合フィルムを介して基板に固定する、電子部品装置の製造方法。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品チップを基板上に接合するための接合フィルムであって、
接合に際して電子部品チップが前記接合フィルムを介して基板に圧着される温度における粘度が１００〜３０００Ｐａ・ｓの範囲とされていることを特徴とする接合フィルム。
【請求項２】
前記接合フィルムが、エポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有し、かつエポキシ当量が１００〜１０００である固形ポリマーと、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂用硬化剤とを含むエポキシ系硬化性樹脂組成物からなり、前記エポキシ樹脂用硬化剤が、融点が１００℃以下である固形脂環式酸無水物系硬化剤であることを特徴とする、請求項１に記載の接合フィルム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の接合フィルムが下面に貼り付けられた電子部品チップを用意する工程と、
下面に吸引孔が開いておりかつ下面がＪＩＳ  Ａ硬度で６０〜１００の範囲にある材料で構成されているコレットを用いて前記電子部品チップを吸引・保持する工程と、
前記コレットに吸引・保持された電子部品チップを、該電子部品チップの下面に固定されている前記接合フィルム側から、加熱されているステージ上に配置された基板上に圧着し、電子部品チップを接合フィルムを介して基板に固定する工程とを備えることを特徴とする、電子部品装置の製造方法。
【請求項４】
前記加熱されているステージにおける加熱温度が基板表面温度で１５０℃以下とされる、請求項３に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項５】
基板と、
前記基板面に搭載された電子部品チップと、
前記電子部品チップを基板に接合している接合材とを備え、
該接合材が請求項１または２に記載の接合フィルムの硬化物からなることを特徴とする電子部品装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体チップなどの電子部品チップを有する電子部品装置を製造するのに用いられる接合フィルム、該電子部品装置の製造方法及び電子部品装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップが基板に搭載された半導体装置の製造に際しては、半導体ウェハーを個々の半導体チップにダイシングし、ダイシングされた半導体チップを基板上に搭載していた。この場合、表面に回路パターンが形成されている基板と半導体チップとの間の隙間にペースト状の接着剤を充填し、硬化させることにより該隙間を埋めていた。近年、半導体チップの厚みが薄くなってきており、上記ペースト状接着剤を用いた場合、接着剤が硬化する前に半導体チップの側面から上面に回り込むという問題があった。半導体チップの上面に接着剤が回り込むと、半導体チップの上面においてワイヤーボンディングが行い得なくなったり、半導体チップが接着剤により汚染されたりすることとなる。
【０００３】
そこで、例えば、下記の特許文献１に記載のように、ペースト状の接着剤に代えて、いわゆるダイアタッチフィルムと称されている接合フィルムを用いる方法が提案されている。このような接合フィルムとしては、従来、ポリイミドなどの比較的硬い熱可塑性樹脂からなるフィルムが用いられていた。
【０００４】
このような接合フィルムを用いて半導体チップを基板に接合するに際しては、基板上に接合フィルム及び半導体チップを積層した状態で、加熱により接合フィルムを軟化させて接合が行われていた。
【０００５】
しかしながら、上記ポリイミドなどの熱可塑性樹脂からなる従来の接合フィルムは、比較的硬く、１８０℃程度の高い温度に加熱しなければ軟化させることはできなかった。そのため、加熱により半導体チップの損傷が生じるおそれがあった。
【０００６】
加えて、上記基板表面に電極ランド等の存在による凹凸が存在する場合、あるいは基板表面の平滑度が十分でないため凹凸が存在する場合には、上記接合フィルムと基板との界面にボイドが生じがちであった。ボイドが生じると、得られた半導体装置の実使用時の熱衝撃等によりボイドを起点として接合フィルムと基板との界面における剥離が生じ、半導体装置の信頼性が大きく損なわれることとなる。
【０００７】
上記ボイドの発生を抑制するために、特許文献１に記載の接着フィルム１では、圧着温度での粘度が、１×１０5〜１×１０7Ｐａ・ｓとされており、それによって接合後の接着剤の半導体チップ側面や上面への過剰なはみ出しを抑制することができるとともに、ボイドの発生を抑制することができるとされている。
【特許文献１】特開２０００−２５６６２８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載のように、圧着時の粘度が１×１０5〜１×１０7Ｐａ・ｓである接合フィルムを用いた場合には、接合フィルムが比較的硬いため、接合フィルムが基板表面になじみにくく、また電極ランド等の存在による基板表面の凹凸によりボイドが生じやすいという問題があった。これを、図３（ａ）及び（ｂ）を参照して説明する。
【０００９】
上記接合フィルムを用いて半導体チップを基板に搭載するに際しては、通常、半導体ウェハーの裏面にマザーの接合フィルムを貼付する。そして、半導体ウェハーを個々の半導体チップ単位に接合フィルムごとダイシングする。しかる後、コレットと称されている吸引治具により半導体チップを吸引保持し、基板上に接合フィルム側から熱圧着する。
【００１０】
この場合、図３（ａ）に示すように、コレット５１の吸引孔５１ａから半導体チップ５２が吸引され保持される。吸引治具５１の下面５１ｂは、シリコンゴムなどの柔らかいゴム材料からなり、その硬度はＪＩＳ  Ａ硬度で、通常、４０〜５０程度である。これは、吸引治具５１の下面５１ｂの形状追従性を高め、圧着面の全域に渡り均一に圧着力を作用させるためである。
【００１１】
ところが、コレット５１が上記のように柔らかい場合には、吸引孔５１ａからの吸引力により半導体チップ５２及び接合フィルム５３が図示のように変形しがちであった。特に、近年、半導体チップ５２の厚みも１００μｍ以下と薄くたわみやすくなってきており、従って、接合フィルム５３も柔らかい場合には、図示のように、吸引されている中央部分が上方に湾曲するように半導体チップ５２及び接合フィルム５３に変形が生じがちであった。
【００１２】
図３（ａ）に示すように、半導体チップ５２及び接合フィルム５３が変形すると、接合フィルム５３の下面中央において、空気が残存したまま、加熱ステージ５４上の基板５５に圧接されることになる。従って、熱圧着後には、図３（ｂ）に示すように、上記空気に由来するボイドＡが接合フィルム５３と基板５５との間の界面に生じがちであった。
【００１３】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、比較的柔らかく、低い温度で熱圧着でき、従って電子部品チップの熱による損傷が生じ難く、しかも基板との界面におけるボイドが生じ難い電子部品チップ搭載用の接合フィルム、並びに該接合フィルムを用いた電子部品装置の製造方法及び電子部品装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願の第１の発明は、電子部品チップを基板上に接合するための接合フィルムであって、接合に際して電子部品チップが前記接合フィルムを介して基板に圧着される温度における粘度が１００〜３０００Ｐａ・ｓの範囲とされていることを特徴とする接合フィルムである。
【００１５】
本発明に係る接合フィルムは、好ましくは、エポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有し、かつエポキシ当量が１００〜１０００である固形ポリマーと、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂用硬化剤とを含むエポキシ系硬化性樹脂組成物からなり、前記エポキシ樹脂用硬化剤が、融点が１００℃以下である固形脂環式酸無水物系硬化剤により構成されている。
【００１６】
本願の第２の発明は、第１の発明に係る接合フィルムが下面に貼り付けられた電子部品チップを用意する工程と、下面に吸引孔が開いておりかつ下面がＪＩＳ  Ａ硬度で６０〜１００の範囲にある材料で構成されているコレットを用いて前記電子部品チップを吸引・保持する工程と、前記コレットに吸引・保持された電子部品チップを、該電子部品チップの下面に固定されている前記接合フィルム側から、加熱されているステージ上に配置された基板上に圧着し、電子部品チップを接合フィルムを介して基板に固定する工程とを備えることを特徴とする、電子部品装置の製造方法である。
【００１７】
本発明に係る電子部品装置の製造方法では、好ましくは、前記加熱されているステージにおける加熱温度は基板表面温度で１５０℃以下とされる。
【００１８】
本発明に係る電子部品装置は、基板と、基板上に搭載された電子部品チップと、電子部品チップを基板に接合している接合材とを備え、該接合材が第１の発明に係る接合フィルムの硬化物により構成されていることを特徴とする。
【００１９】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２０】
本発明に係る接合フィルムは、電子部品チップを基板上に接合する用途に用いられる。ここで、電子部品チップとは、半導体チップを含む様々な電子部品チップが挙げられ、特には限定されない。もっとも、本発明に係る接合フィルムは、上面に配線パターンが形成された基板に半導体チップを熱圧着により接合する用途に好適に用いられる。
【００２１】
本発明に係る接合フィルムは、基板に圧着される温度における粘度が１００〜３０００Ｐａ・ｓの範囲とされている。このように、圧着温度における粘度が１００〜３０００Ｐａ・ｓと低くされているため、電子部品チップを基板に容易に圧着することができ、基板表面の凹凸への流動密着性が良くてかつ接着剤のはみ出しも生じ難い。上記粘度が１０2
Ｐａ・ｓ未満の場合には、圧着時の粘度が低くなり過ぎ、接合フィルム成分の側方へのはみ出しや電子部品チップの上面への回り込みが生じる。３０００Ｐａ・ｓより粘度が高い場合には、粘度が高くなり過ぎて基板表面の凹凸へのなじみが悪くボイドが噛みやすくなり、電子部品チップを基板に確実に圧着することができなくなる。好ましくは、圧着温度における粘度は１００〜２０００の範囲とすることが望ましい。
【００２２】
上記のように、本発明に係る接合フィルムでは、圧着時の温度における上記特定の範囲とされることが必要であり、このような粘度範囲とされる限り、該接合フィルムを構成する材料は特に限定されない。
【００２３】
もっとも、好ましくは、１５０℃以下の温度で熱圧着され得る接合フィルムが好適に用いられる。１５０℃以下で熱圧着可能であれば、電子部品チップの熱による損傷が生じ難い。このような１５０℃以下の温度で熱圧着される接合フィルムを構成するのに適した材料としては、特に限定されないが、エポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有しかつエポキシ当量が１００〜１０００である固形ポリマーと、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂用硬化剤とを含むエポキシ系硬化性樹脂組成物を挙げることができる。この場合、好ましくは、エポキシ樹脂用硬化剤として、融点が１００℃以下の固形脂環式酸無水物系硬化剤を用いることが望ましい。
【００２４】
上記エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ポリエチレングリコール型エポキシ樹脂、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂などを挙げることができる。
【００２５】
また、上記固形ポリマーとしては、特に限定されないが、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有するアクリル酸およびメタクリル酸エステルモノマー、もしくはアクリル酸またはメタクリル酸誘導体の共重合体ポリマーなどを挙げることができる。なかでもエポキシ基を有するポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを含有すると、その硬化物は優れた可撓性を発現するからである。上記固形ポリマーの分子量は1万以上が好ましく、さらに好ましくは１０万以上
である。逆に１万未満であると硬化性樹脂組成物の造膜性が不充分となって、硬化性樹脂組成物の硬化物の可撓性が充分に向上しない。なお、固形ポリマーにおけるエポキシ当量は１００未満の場合には硬化性樹脂組成物の硬化物の可撓性が充分に向上しないことがあり、１０００を超えると架橋密度が低下するため、硬化性樹脂組成物の硬化物の機械的強
度や耐熱性が不充分となることがある。
【００２６】
上記エポキシ樹脂用硬化剤は、多環式炭化水素骨格を主鎖に有する限り、特に限定されず、このようなエポキシ樹脂用硬化剤としては、例えばメチルナジック酸無水物やトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸のような液状脂環式酸無水物系硬化剤、テトラヒドロ無水フタル酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物のような高融点固形脂環式酸無水物系硬化剤などを挙げることができる。好ましくは、上記のように、融点が１００℃以下の固形脂環式酸無水物系硬化剤が用いられる。このような固形脂環式酸無水物系硬化剤としては、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、ヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸−無水マレイン酸付加物などが挙げられる。固形脂環式酸無水物系硬化剤の融点が１００℃を超えると、難溶解性となり不溶成分として残留するため不均一な硬化性樹脂組成物となりやすい。また硬化反応温度が高くなるため電子部品チップの熱による損傷が生じることになる。
【００２７】
上記エポキシ系樹脂硬化性樹脂組成物では、エポキシ樹脂１００重量部に対し、上記固形ポリマーは５〜４０重量部、好ましくは１０〜３０重量部配合されていること好ましい。固形ポリマーの配合割合は、５重量部未満では、造膜性や硬化物の可撓性が得られなくなることがあり、４０重量部を超えると、硬くなりすぎて造膜性や硬化物の硬化前の可撓性が得られなくなることや、過剰な架橋基点量により硬化前貯蔵安定性が悪化することがある。
【００２８】
またエポキシ樹脂用硬化剤の配合部数は、上述好適な酸無水物系硬化剤を用いた場合、エポキシ樹脂および固形ポリマーの合計のエポキシ当量１００に対して、７０〜１００当量すなわち理論的に必要な当量の７０〜１００％の割合で配合することが望ましい。７０％未満では、硬化不足となり接着強度が得られないことがあり、７０〜１００％の範囲は、硬化剤が過剰となり残留して接着信頼性を低下させる不純物とならない範囲で設定する。また必要に応じて硬化促進剤として、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤などを適宜併用しても良い。
【００２９】
また、上記接合フィルムの厚みは特に限定されないが、半導体チップを基板上に接合する用途に用いられる場合、薄い方が好ましく、５０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下の接合フィルムが好適に用いられる。特に、半導体チップの厚みが１００μｍ以下の場合には、上記接合フィルムの厚みを３０μｍ以下とすることにより、低背化を進めることができるとともに、低背化を進めた場合であっても、本発明に従って、熱圧着時の湾曲が生じ難く、ボイドの発生を効果的に抑制することができ、望ましい。
【００３０】
本発明に係る接合フィルムは、電子部品チップを基板に熱圧着により接合する用途に広く用いられる。すなわち、上記接合フィルムは、電子部品チップと基板との間に接合フィルムを介在させた状態で熱圧着して電子部品チップを基板に接合する用途に広く用いることができる。
【００３１】
もっとも、第１の発明に係る接合フィルムは、第２の発明に係る電子部品装置の製造方法に好適に用いられる。第２の発明に係る電子部品装置の製造方法では、先ず、上記接合フィルムが下面に貼り付けられた電子部品チップが用意される。例えば、半導体チップを用いた半導体装置を製造する場合には、従来より周知のように、半導体ウェハーの裏面にマザーの接合フィルムが貼り付けられ、しかる後、ダイシングにより個々の半導体チップ単位に接合フィルムごと切断が行われる。そして、切断後に、下面に接合フィルムが貼り付けられた半導体チップがコレットなどの吸引治具を用いて取出される。
【００３２】
この場合、第２の発明では、下面に吸引孔が開いており、下面がＪＩＳ  Ａ硬度で６０
〜１００の範囲にある材料で構成されているコレットが用いられる。ＪＩＳ  Ａ硬度が６０〜１００の範囲にある材料としては、シリコン樹脂、ＳＢＳ樹脂、エンジニアリングプラスチック（ポリイミド樹脂など）などが挙げられる。
【００３３】
前述したように、従来の製造方法で通常用いられていたコレットでは、下面の硬度は、ＪＩＳ  Ａ硬度で４０〜５０と比較的柔らかく、それによって形状追従性を高めていた。これに対して、第２の発明では、コレットの下面は、ＪＩＳ  Ａ硬度が４０〜５０と比較的柔らかい材料で構成されていてもよいが、ＪＩＳ  Ａ硬度が６０を超え、１００以下の比較的硬い材料で構成されていてもよい。すなわち、様々な硬さの材料により下面が構成されているコレットを用いることができる。
【００３４】
コレットの下面が上記のように比較的硬い場合であっても、本発明では、上記接合フィルムの圧着時における粘度は１００〜３０００Ｐａ・ｓと比較的低く、従って圧着時には接合フィルムが比較的柔らかい状態とされている。従って、コレットの下面が比較的硬い材料で構成されていたとしても、均一に接合フィルムの全面に圧力を加えることができる。
【００３５】
第２の発明では、コレットに吸引・保持された電子部品チップを、該電子部品チップの下面に固定されている接合フィルム側から加熱されているステージ上に配置された基板上に圧着する。図１に示すように、このようにして電子部品チップ１が、接合フィルム２の硬化物を介してステージ４上に搭載された基板３に固定されている。このようにして得られた電子部品装置５では、接合フィルム２と基板３との間の界面にボイドは生じ難い。これは、上記接合フィルム２が比較的柔らかいが、コレットの下面が比較的硬いため、コレットの下面が変形し難く、従って電子部品チップ及び接合フィルムの変形が生じ難い。よって、接合フィルムの下面中央において空気が残存し難いので、得られた電子部品装置において、上記空気に由来するボイドは生じ難い。
【００３６】
しかも上記電子部品装置の製造方法では、第１の発明に係る接合フィルムを用いているため、圧着時の粘度が１００〜３０００Ｐａ・ｓの範囲とされているので、形状追従性も良好であり、無理なく接合フィルム２を基板３に接合することができる。
【００３７】
また、好ましくは、上記ステージにおける加熱温度を、基板表面温度で１５０℃以下とすることが望ましく、その場合には、電子部品チップの熱による損傷を効果的に抑制することが可能となる。
【００３８】
本発明に係る電子部品装置は、上記接合フィルムを用いて基板上に熱圧着されている構造を有するものであり、この場合、電子部品チップは前述したように、半導体チップを含む様々な電子部品素子チップにより構成され得る。また、基板についても、様々な基板材料からなり、上面に配線パターン等が形成された凹凸表面の回路基板を好適に用いることができる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明に係る接合フィルムでは、電子部品チップを基板上に熱圧着するに際し、圧着温度における粘度が１００〜３０００Ｐａ・ｓの範囲とされているため、圧着温度において比較的柔らかく、従って、上方から硬いコレットを用いて圧着した場合でも、形状追従性に優れており、接合フィルムと基板とを全面に渡り均一に圧着することができ、両者の界面におけるボイドの発生も生じ難い。
【００４０】
特に、上記接合フィルムが上記特定のエポキシ系硬化性組成物により構成されている場合には、比較的低い温度で熱圧着することができ、電子部品の熱による損傷を抑制するこ
とができる。
【００４１】
第２の発明に係る電子部品装置の製造方法では、本発明の接合フィルムを電子部品チップの下面に貼付しておき、下面に吸引孔が開いており、かつ下面がＪＩＳ  Ａ硬度で６０〜１００の範囲にある材料で構成されているコレットを用いて吸引・保持が行われる。そして、上記コレットを用いて、加熱されているステージ上に配置された基板上に、上記電子部品チップが接合フィルム側から圧着される。この場合、コレットの下面が比較的硬いが、接合フィルムが圧着温度において比較的柔らかいため、無理なくかつ均一に接合フィルムが基板に圧着され、しかもコレットの下面の変形や電子部品チップ及び接合フィルムの湾曲が生じ難いため、接合フィルムと基板との間におけるボイドも生じ難い。
【００４２】
よって、上記製造方法によれば、電子部品チップの熱による損傷が生じ難く、かつ接合フィルムと基板との間のボイドが生じ難い、本発明の電子部品装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明の具体的実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４４】
（接合フィルムの作製）
ジシクロペンタジエン型固形エポキシ樹脂７０重量部（大日本インキ化学社製、商品名：ＥＸＡ−７２００ＨＨ）、ナフタレン型液状エポキシ樹脂２０重量部（大日本インキ化学社製、商品名：ＨＰ−４０３２Ｄ）、エポキシ基含有アクリル樹脂１０重量部（日本油脂社製、商品名：マープルーフＧ−２０５０Ｍ、重量平均分子量：２０万、エポキシ当量：３４０）、架橋環式二環性酸無水物４０重量部（ジャパンエポキシレジン社製、商品名：ＹＨ−３０９）、イソシアヌル変性固体分散型イミダゾール５重量部（四国化成社製、商品名：２ＭＡＯＫ−ＰＷ）、アミノシランカップリング剤２重量部（信越化学社製、商品名：ＫＢＭ６０３）、及び表面疎水化ヒュームドシリカ４重量部（トクヤマ社製、商品名：レオロシールＭＴ−１０）、および水酸基含有コアシェル型アクリルゴム粒子５重量部（ガンツ化成社製、商品名：スタフィロイドＡＣ−４０３０）を酢酸エチルに溶解させ、ホモディスパー型攪拌機を用いて固形分が５０重量％の硬化性樹脂組成物の酢酸エチル溶液を調整した。
【００４５】
次に、上記で得られた硬化性樹脂組成物の酢酸エチル溶液を、表面に離型処理が施された厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートの離型処理面上に、乾燥後の厚みが５０μｍとなるようにバーコーターを用いて塗工した後、１１０℃で３分間乾燥して、接着性エポキシ樹脂シートからなる接合フィルムＡを作製した。
【００４６】
溶融粘度は、ＶＩＳＣＯＴＥＣＨ  ＤＳＲ（ＲＥＯＬＯＧＩＣＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ＡＢ社製、φ２０ｍｍパラレルプレート使用、周波数１Ｈｚ、室温から各温度への昇温時間１分、加熱時間は最低溶融粘度が得られるまで）により測定して得られる最低溶融粘度を本発明での溶融粘度とした。
【００４７】
複数枚の接合フィルムＡを重ね合せて５００μｍ厚みとし、１００℃、１１０℃、１５０℃における溶融粘度を測定した結果はそれぞれ３００、１００、５０Ｐａ・ｓであった。
【００４８】
下記の表２に示すように配合部数を変更したことを除いては、接合フィルムＡと同様にして、接合フィルムＢを得た。接合フィルムＢの各温度における粘度を表２に併せて示す。
【００４９】
下記の表２に示すように配合部数を変更したことを除いては、接合フィルムＡと同様にして、接合フィルムＣを得た。接合フィルムＣの各温度における粘度を表２に併せて示す。
【００５０】
（実施例及び比較例の評価）
上記で用意した各接合フィルムを用い、半導体チップを基板に搭載した。すなわち、半導体ウェハー（材質：シリカウェハー、厚み７５μｍ、サイズ５ｍｍ×５ｍｍ）の下面に各接合フィルムを４０℃で熱ラミネートし、半導体チップの下面に接合フィルムが貼付された構造を切り出した。
【００５１】
次に、コレットとして、下面中央にφ０．８ｍｍの径の吸引孔を有し、該吸引孔から真空吸引することができるコレットを用意した。コレットの下面の硬度（ＪＩＳ  Ａ硬度）を種々変更し、下記の表１，２に示す複数種のコレットを用意した。
【００５２】
加熱ステージ上において、表面が各所定温度に加熱されているガラスエポキシ樹脂からなる基板の上面に、上記各コレットにより吸引保持された半導体チップを接合フィルム側から圧着し接合した。接合後のマウント状態について、接合フィルムのはみだし、這い上がりについては目視により観察した。またマウント界面のボイド状況については超音波探傷装置により観察し、マウント界面面積のうちボイド面積の占める割合をボイド面積率として計測した。結果を図２及び表１，２に示す。図２において、縦軸は圧着温度における接合フィルムの粘度を示し、横軸は上記コレットの下面のＪＩＳ  Ａ硬度である。また、〇印は、接合フィルム成分の側方や上方へのはみ出しが生じず、界面にボイドが少ない（ボイド面積率２０％以下）生じていないことを意味する。×印は、界面にボイドが多い（ボイド面積率２０％超）もしくは接合フィルム成分が側方に５００ｕｍ以上の染み出し、もしくは半導体チップの上面にまで回り込んでいることを意味する。
【００５３】
図２から明らかなように、コレットの下面の温度をＪＩＳ  Ａ硬度で６０〜１００とし、圧着時の接合フィルムの粘度を１００〜３０００Ｐａ・ｓの範囲とすれば、半導体チップを基板に確実に接合でき、かつ界面にボイドも生じ難いことがわかる。
【００５４】
【表１】
2006199756.tif 000002
【００５５】
【表２】
2006199756.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態に係る製造方法により得られた電子部品装置を示す正面断面図。
【図２】実施例における評価結果を示し、使用したコレットの下面の硬度と、接合フィルムの圧着温度における粘度を変化させた場合の接合状態の変化を示す図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、従来の接合フィルムを用いた電子部品装置の製造方法の問題点を説明するための各部分切欠正面断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１…電子部品チップ
２…接着フィルム
３…基板
４…ステージ
５…電子部品装置
【図１】
2006199756.tif 000004
【図２】
2006199756.tif 000005
【図３】
2006199756.tif 000006