(57)【要約】【課題】  外部から検知ユニットを視認することが可能な場所に設置した場合でも、画策行為を確実に検知することができる磁気検知式センサを提供する。【解決手段】  スイッチ部５２及び磁界測定部５３からの出力に基づき判定処理を行う制御部５１は、スイッチ部５２の検出が閉状態であるときに磁界測定部５３の測定した磁界の強さを基準値として記憶部５４に記憶する基準設定手段と、磁界測定部５３から得られる磁界の強さと基準値との差が判定値を越えると画策行為の有りを判定する判定手段と、を含むことを特徴とする。【選択図】      図５
2006190063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窓や扉等の可動部材に設置されるマグネットと、前記可動部材が閉じた位置において前記マグネットと対向する位置に設置する検知ユニットを具備する磁気検知式センサであって、
前記検知ユニットは、
前記マグネットから生じる磁界の影響を受けて可動部材の開状態又は閉状態を検出するスイッチ部と、
磁界の強さを測定する磁界測定部と、
前記スイッチ部及び前記磁界測定部からの出力に基づき判定処理を行う制御部と、
前記制御部の判定処理に用いる基準値及び前記スイッチ部の閉状態から開状態への変化を検出する以上の磁界の強さを基礎とした判定値とを記憶する記憶部と、
前記制御部の判定結果を出力する出力部と、
を有し、
前記制御部は、
前記スイッチ部の検出が閉状態であるときに前記磁界測定部の測定した磁界の強さを基準値として前記記憶部に記憶する基準設定手段と、
前記磁界測定部から得られる磁界の強さと前記基準値との差が前記判定値を越えると画策行為の有りを判定する判定手段と、
を含むことを特徴とする磁気検知式センサ。
【請求項２】
窓や扉等の可動部材に設置されるマグネットと、前記可動部材が閉じた位置において前記マグネットと対向する位置に設置する検知ユニットを具備する磁気検知式センサであって、
前記検知ユニットは、
前記マグネットから生じる磁界の影響を受けて可動部材の開状態又は閉状態を検出するスイッチ部と、
磁界の強さを測定する磁界測定部と、
前記スイッチ部及び前記磁界測定部からの出力に基づき判定処理を行う制御部と、
前記制御部の判定処理に用いる基準値及び前記スイッチ部が前記マグネットから受ける磁界の強さを基礎とした判定値とを記憶する記憶部と、
前記磁界測定部から得られる磁界の強さが前記基準値に前記判定値を加えた値を上回ると所定時間を計時する計時部と、
前記制御部の判定結果を出力する出力部と、
を有し、
前記制御部は、
前記スイッチ部の検出が閉状態であるときに前記磁界測定部の測定した磁界の強さを前記基準値として前記記憶部に記憶する基準設定手段と、
前記計時部の計時中に前記磁界測定部から得られる磁界の強さの最大値を検出する最大値検出手段と、
前記計時部の計時中に前記最大値検出手段から得られた磁界の強さの最大値から前記判定値以上の磁界の強さの減少があるとき、画策行為の有りを判定する判定手段と、
を含むことを特徴とする磁気検知式センサ。
【請求項３】
更に、前記基準設定手段は、前記判定手段が画策行為の有りを判定しないと、前記計時部が計時中であるときの前記磁界測定部から得られた磁界の強さを前記基準値として更新する請求項２に記載の磁気検知式センサ。
【請求項４】
更に、前記判定手段は、前記磁界測定部から得られる磁界の強さが、前記基準値から前記判定値を減じた値を下回るとき、画策行為の有りを判定する請求項２又は３に記載の磁気検知式センサ。
【請求項５】
更に、前記記憶部は、前記スイッチ部の開状態から閉状態への変化を検出する磁界の強さより少なくとも強い閉鎖強度を記憶し、
前記基準設定手段は、前記スイッチ部が開状態から閉状態へ変化したときに、前記磁界測定部から得られる磁界の強さが前記閉鎖強度を越えていると、前記基準値を更新する請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気検知式センサ。
【請求項６】
更に、前記マグネット及び前記検知ユニットは、それぞれ異なる可動部材に設置され、
前記検知ユニットの出力部は無線信号にて前記判定手段からの判定結果を送信する請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁気検知式センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、永久磁石の近接を検知してスイッチをＯＮ又はＯＦＦの状態に転換し、例えば、扉や窓等の開閉を検知して警報器等を作動させる場合等に用いられる磁気検知式センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は特許文献１に記載されている従来の磁気検知式センサを説明する図である。
この磁気検知式センサは、マグネット２４の近接を検知して、検知ユニット４０内のリードスイッチ４２がスイッチングする。マグネット２４が検知ユニット４０に近づくと、マグネット２４の磁界の影響を受けて、ノーマルオープン接点ＮＯが接続される。また、マグネット２４が検知ユニット４０から離れると、マグネット２４の磁界の影響を受けなくなるので、ノーマルクローズ接点ＮＣが接続される。
監視部１０の電流監視回路１６は、検知ユニット４０へ印加している電流を監視し、正常状態の電流よりも大きい電流が流れると、警報器１８を作動させてブザー等により所定の警報を発生させる。
【０００３】
図２は従来の磁気検知式センサの設置場所を示す図である。
同図には、従来の磁気検知式センサにおける検知ユニット４０及びマグネット２４の設置場所の例が示されている。検知ユニット４０は、図２に示すように各部屋の扉枠（あるいは窓枠）１００に取り付けられる。これに対応して、扉１１０には、扉閉状態時に検知ユニット４０と対向する位置にマグネット２４が取り付けられる。従って、検知ユニット４０内は、扉１１０が閉じている間はマグネット２４の磁力作用によりＣ−ＮＯ間が接続され、扉１１０が開くとマグネット２４の磁力作用がなくなりＣ−ＮＣ間が接続される。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２４５２６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図３は引き違い方式の窓への磁気検知式センサの設置状況を示す図である。
引き違い窓（扉）や上げ下げ窓（扉）に、磁気検知式センサを設置する場合、図２のように、扉枠（あるいは窓枠）１００に、検知ユニット４０を取り付けず、図３に示すように取り付けることがある。
【０００６】
具体的には、複数あるサッシの内、屋内側の可動部材であるサッシ３１の枠外面（クレセント錠３４がある面）に無線送信可能な検知ユニット４０を取り付け、屋外側の可動部材であるサッシ３２のガラス面３３に検知ユニット４０と対向する位置にマグネット２４を設置する。
【０００７】
このように設置する理由は、図２のように磁気検知式センサを設置した場合、窓の開閉を検知するためには、窓ごとにセンサが必要となるからである。つまり、サッシ３１及びサッシ３２にそれぞれマグネット２４を設け、窓枠（図３には図示せず）にマグネット２４とそれぞれ対向するように検知ユニット４０を２つ配置する必要がある。この結果、システムコストが高くなるとともに、屋内の美観も損ねてしまうのである。
【０００８】
しかし、このように取り付けた磁気検知式センサは、外部から検知ユニット４０の設置場所を視認することが可能になる問題点がある。そして、もう１つ別のマグネットを使用することにより、窓（扉）を開けても磁気検知式センサが検知しないようにする行為（以下、「画策行為」と言う）を行うことが可能となってしまう。
【０００９】
図４は、従来の磁気検知式センサに対して行う画策行為を説明する図である。
同図を参照して、画策行為の具体例を示す。
尚、特許文献１に記載の磁気検知式センサは、トランスファ接点を有する形式のものであったが、図４にはメーク接点を有する形式のものを示している。いずれの接点形式のものであっても同じようにして画策行為を行うことができる。
メーク接点を有する形式の磁気検知式センサの場合、図４（ａ）、（ｂ）に示すようにマグネット２４が付近にある場合は、リードスイッチ４２がＯＮとなり、付近にない場合は、ＯＦＦとなる。これによって開閉を検知する。
【００１０】
画策行為が行われる場合、まず、図４（ｃ）に示すように、画策用マグネット２５を、検知ユニット４０に対して磁界の影響が及ぶように外部から位置させる。そして、その状態を維持しながら窓を開ける。そうすると、マグネット２４が移動して、検知ユニット４０に対してその磁界の影響が及ばなくなっても、画策用マグネット２５が依然として検知ユニット４０に対して磁界の影響を与え続けるので、検知ユニット４０のリードスイッチ４２の接点はＯＦＦの状態にならない。従って、この場合、検知ユニット４０は窓が開いたことを検知することができない。
【００１１】
このように、磁気検知式センサの検知ユニット４０が外部から視認できる位置に設置されると、検知ユニット４０が窓の開いたことを検知できない状態にする位置に画策用マグネット２５を容易に配置することができてしまうという問題点があった。
そこで、本発明の目的は、外部から検知ユニットを視認することが可能な場所に設置した磁気検知式センサであっても、画策行為を確実に検知することができる磁気検知式センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の磁気検知式センサは、窓や扉等の可動部材に設置されるマグネットと、可動部材が閉じた位置においてマグネットと対向する位置に設置する検知ユニットを具備する磁気検知式センサであって、検知ユニットは、マグネットから生じる磁界の影響を受けて可動部材の開状態又は閉状態を検出するスイッチ部と、磁界の強さを測定する磁界測定部と、スイッチ部及び磁界測定部からの出力に基づき判定処理を行う制御部と、制御部の判定処理に用いる基準値及びスイッチ部の閉状態から開状態への変化を検出する以上の磁界の強さを基礎とした判定値とを記憶する記憶部と、制御部の判定結果を出力する出力部と、を有し、制御部は、スイッチ部の検出が閉状態であるときに磁界測定部の測定した磁界の強さを基準値として記憶部に記憶する基準設定手段と、磁界測定部から得られる磁界の強さと基準値との差が判定値を越えると画策行為の有りを判定する判定手段と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明の磁気検知式センサは、窓や扉等の可動部材に設置されるマグネットと、可動部材が閉じた位置においてマグネットと対向する位置に設置する検知ユニットを具備する磁気検知式センサであって、検知ユニットは、マグネットから生じる磁界の影響を受けて可動部材の開状態又は閉状態を検出するスイッチ部と、磁界の強さを測定する磁界測定部と、スイッチ部及び磁界測定部からの出力に基づき判定処理を行う制御部と、制御部の判定処理に用いる基準値及びスイッチ部がマグネットから受ける磁界の強さを基礎とした判定値とを記憶する記憶部と、磁界測定部から得られる磁界の強さが基準値に判定値を加えた値を上回ると所定時間を計時する計時部と、制御部の判定結果を出力する出力部と、を有し、制御部は、スイッチ部の検出が閉状態であるときに磁界測定部の測定した磁界の強さを基準値として記憶部に記憶する基準設定手段と、計時部の計時中に磁界測定部から得られる磁界の強さの最大値を検出する最大値検出手段と、計時部の計時中に最大値検出手段から得られた磁界の強さの最大値から判定値以上の磁界の強さの減少があるとき、画策行為の有りを判定する判定手段と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明の磁気検知式センサにおいて、更に、基準設定手段は、判定手段が画策行為の有りを判定しないと、計時部が計時中であるときの磁界測定部から得られた磁界の強さを基準値として更新する。
【００１５】
本発明の磁気検知式センサにおいて、更に、判定手段は、磁界測定部から得られる磁界の強さが、基準値から判定値を減じた値を下回るとき、画策行為の有りを判定する。
【００１６】
本発明の磁気検知式センサにおいて、更に、記憶部は、スイッチ部の開状態から閉状態への変化を検出する磁界の強さより少なくとも強い閉鎖強度を記憶し、基準設定手段は、スイッチ部が開状態から閉状態へ変化したときに、磁界測定部から得られる磁界の強さが閉鎖強度を越えていると、基準値を更新する。
【００１７】
本発明の磁気検知式センサにおいて、更に、マグネット及び検知ユニットは、それぞれ異なる可動部材に設置され、検知ユニットの出力部は無線信号にて判定手段からの判定結果を送信する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明においては、可動部材を開けてもスイッチ部の検出を閉状態に保持できる程度の大きさを越える磁界強度を有する画策用マグネットをスイッチ部付近に位置させた場合に、判定手段によって可動部材が開状態であると判定する。これにより、画策用マグネットの使用によりスイッチ部を不感知状態にして可動部材を開けようとしても、可動部材が開状態となったことを検知することができる。そのため、外部から検知ユニットを視認することが可能な場所に設置された磁気検知式センサであっても、画策行為を確実に検知することができる効果がある。
【実施例１】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明に係る磁気検知式センサの実施例について説明する。
図５は、本発明に係る磁気検知式センサのブロック構成図である。
磁気検知式センサは、検知ユニット４０とマグネット２４とから構成され、本実施例においては、図３と同じように設置されているものとする。
【００２０】
制御部５１は、基準設定手段と判定手段を含み、検知ユニット４０の各部を制御する。
スイッチ部５２は、マグネット２４の近接を検知するリードスイッチである。これは、トランスファ接点を有するものであっても、メーク接点を有するものであってもよい。マグネット２４が検知ユニット４０に近づくと、スイッチ部５２はＯＮとなり、離れると、ＯＦＦとなる。
磁界測定部５３は、外部磁界の強さ（あるいは、磁束密度等）を測定する。磁界測定部５３は、外部からスイッチ部５２に与えられる磁界の強さを測定することができるように、スイッチ部５２の近傍に配置される。外部磁界の強さの測定には、ＭＲ素子、ホール素子、及びホールＩＣ等が利用される。
【００２１】
記憶部５４は、制御部５１の動作プログラム、制御部５１における基準設定手段によって設定された基準値、判定値、窓の開閉状態等を記憶する。尚、判定値は、窓が閉じた状態におけるマグネット２４から磁界測定部が測定することになる磁界の強さに設計上のマージンを与えた程度の値である。
出力部５５は、制御部５１における判定手段からの信号を後述の磁気検知式センサの状態を監視する監視部に無線送信する。無線にて送信する理由は、図３の引き違い窓や上げ下げ窓に検知ユニット４０を設置する場合、窓を開閉するときに配線が邪魔にならないという利点があるからである。
計時部５６は、所定の時間を計時する。
電池５７は、検知ユニット４０を駆動する電力を供給する。
【００２２】
図６及び図７は、磁気検知式センサの動作フローである。
これらの図を参照して、検知ユニット４０における制御部５１の動作フローを説明する。
まず、スイッチ部５２の状態を判定し、判定結果に応じて処理を分岐させる（Ｓ６０１）。（Ａ）スイッチ部５２の状態に変化がない場合はＳ６０１に戻り、（Ｂ）スイッチ部５２の状態がＯＦＦからＯＮに変化した場合はＳ６０２に進み、（Ｃ）スイッチ部５２の状態がＯＮからＯＦＦに変化した場合はＳ６１８に進む。
【００２３】
（Ｃ）の場合、窓が開いたと判断して、出力部５５より後述の監視部に開検知信号を送信する（Ｓ６１８）とともに、開状態を記憶部５４に記憶し（Ｓ６１９）、Ｓ６０１に戻る。
（Ｂ）の場合、第１の所定時間（Ｔ１）を計時する（Ｓ６０２、Ｓ６０３）。この第１の所定時間を計時するのは、窓が閉鎖して窓の動きが完全に停止したと考えられるときの磁界の強さを測定するためである。従って、Ｔ１は、数秒程度でよい。
【００２４】
Ｓ６０２、Ｓ６０３にてＴ１を計時した場合、磁界測定部５３で測定された磁界の強さをサンプリングして、その絶対値（Ｈ０）を基準候補値として記憶部５４に一時記憶する（Ｓ６０４）。尚、このサンプリングは短間隔で３回行い、得られた３つのサンプル値の平均値の絶対値を基準候補値（Ｈ０）として一時記憶する。
【００２５】
次に、この一時記憶した基準候補値から、窓が閉鎖したか否かを判定する。具体的には、Ｓ６０４で得られた基準候補値（Ｈ０）が所定の閉鎖強度としての第３の閾値（ＴＨ３）より大であるか否かを判定する（Ｓ６０５）。Ｈ０＞ＴＨ３である場合は、基準候補値（Ｈ０）を基準値として記憶し（Ｓ６０６）、窓が閉鎖したことを示す閉検知信号を後述の監視部へ送信する（Ｓ６０７）。そして、閉状態を記憶部５４に記憶する（Ｓ６０８）。画策行為を検知するための後述の閾値（ＴＨ１、ＴＨ２）は、この基準値（Ｈ０）に基づいて計算される。Ｈ０＞ＴＨ３でない場合は、Ｓ６０１に戻る。
【００２６】
この判定を行うことにより、窓が完全に閉鎖していないにも関らずスイッチ部５２がＯＮになっている状態（以下、「半締まり状態」と言う）で、Ｓ６０６以降の処理が実行されるのを防ぐことができる。すなわち、スイッチ部５２のヒステリシス特性によりスイッチ部５２がＯＦＦからＯＮに変化する磁界の強さとＯＮからＯＦＦに変化する磁界の強さが異なるために生じる「半締まり状態」に起因して、不安定な両磁界の強さの中間的値が基準値となるのを防ぐことができる。
【００２７】
図８は、スイッチ部５２のヒステリシス特性を示す図である。
以下で同図を用いてスイッチ部５２のヒステリシス特性について説明する。
同図に示したように、スイッチ部５２は、ヒステリシス特性により、ＯＦＦからＯＮに切り換わるときの磁界の強さＨｏｎと、ＯＮからＯＦＦに切り換わるときの磁界の強さＨｏｆｆとが異なる。
【００２８】
窓が完全に開いている状態のときの磁界測定部５３における磁界の強さは、Ｈｏｆｆより小さい。窓を閉めると、磁界測定部５３における磁界の強さは、Ｈｏｎより大きい状態に変化し、スイッチ部５２はＯＦＦからＯＮに切り換わる。これが、窓とスイッチ部５２の通常の動作関係である。これに対し、窓を強めに閉めて、窓が窓枠にぶつかった反動で跳ね返った場合などに、窓が少し開いて止まることがある。このとき、磁界の強さがＨｏｆｆとＨｏｎの間であると、スイッチ部５２がＯＮの状態にとどまり、（処理Ｓ６０５を実行しなければ）閉状態であると判定されてしまう。これが、先に述べた半締まり状態である。
【００２９】
窓が半締まり状態であるときに基準値（Ｈ０）が記憶されると、後述の第１の閾値（ＴＨ１）は、窓が完全に閉まっているときに設定される値より、小さ目の値に設定されることになる。その結果、窓を半締まり状態から完全に閉じると、第１の閾値（ＴＨ１）を越える磁界の強さを検出してしまうことがあり、画策行為でないにも関らず画策行為と誤って判定することがある。
そこで、一時記憶された基準候補値（Ｈ０）が窓の完全に閉まった状態で得られたものであることをＳ６０５の処理にて判定し、Ｓ６０６以降の処理を実行している。
【００３０】
所定の閉鎖強度としての第３の閾値（ＴＨ３）の決め方を以下に説明する。
ＴＨ３は、スイッチ部５２の部品性能のばらつきと環境要因による磁界の強さの変動等を考慮して決定する。
【００３１】
スイッチ部５２の部品性能のばらつきとは、同じ種類の部品を使用していても、図８に示すＨｏｆｆ、Ｈｏｎの値にばらつきがあることである。このＨｏｆｆ、Ｈｏｎのばらつきは実験的に求められる。
【００３２】
環境要因とは、例えば風や付近を通過する車による振動であり、これらの影響によって閉鎖した状態の窓や扉が揺れて、磁界測定部５３における磁界の強さが変動するのである。この環境要因による磁界の強さの変動も、様々な種類の窓や扉について実験的に求められている。
【００３３】
スイッチ部５２における部品性能のばらつきと環境要因による磁界の強さの変動を図８に点線で示した。
ここで、ΔＨｏｎは、スイッチ部５２における部品性能のばらつきによりＨｏｎが取る値の幅である。Ｈｏｆｆも同様の幅を持つが、図８には、説明に必要なＨｏｎの幅のみを示した。スイッチ部５２のヒステリシス特性は、検知ユニット４０にマグネット２４を近づけたり、遠ざけたりする実験によって求められるが、この実験を複数の検知ユニット４０について行うことでＨｏｎの取り得る範囲が得られる。同図において、Ｈｏｎ＿ｍｉｎ、Ｈｏｎ＿ｍａｘは、それぞれ、磁界測定部５３で測定したＨｏｎの最小値、最大値である。
【００３４】
また、ΔＨｅは、窓又は扉が閉鎖状態のときの環境要因による磁界の強さ（Ｈｅ）の変動の幅である。窓又は扉を閉状態にして風や振動等を与え、磁界測定部５３から得られる磁界の強さの絶対値を測定する実験により、Ｈｅの範囲Ｈｅ＿ｍｉｎ≦Ｈｅ≦Ｈｅ＿ｍａｘが得られる。ここで、Ｈｅ＿ｍｉｎ、Ｈｅ＿ｍａｘは、それぞれ、磁界測定部５３における実験値の最小値、最大値である。
【００３５】
一時記憶された基準候補値（Ｈ０）が窓の完全に閉まった状態で得られたものであるための必要条件は、図８から明らかなように、Ｈ０＞Ｈｏｎ＿ｍａｘである。
従って、Ｓ６０６以降の処理に進んでよいのは、少なくともＨ０＞Ｈｏｎ＿ｍａｘが成立する場合である。
【００３６】
よって、Ｓ６０５の判定分岐で用いる第３の閾値（ＴＨ３）は、
ＴＨ３≧Ｈｏｎ＿ｍａｘ  …（１）
を満たす必要がある。つまり、ＴＨ３は、スイッチ部５２の開状態から閉状態への変化を検出する磁界の強さより、少なくとも大きい値に設定しなければならない。
これを満たす適当なＴＨ３の値を選択し、Ｓ６０５の判定でＨ０＞ＴＨ３が成立した場合に、窓は半締まりではなく閉鎖していると判断し、Ｓ６０６以降の処理に進むのである。
【００３７】
Ｓ６０５の判定（Ｈ０＞ＴＨ３）にて窓が完全に閉まっていると認められる状態でＳ６０６以降の処理に進むには、ＴＨ３の値としては、式（１）を満たす範囲でできる限り大きい値を設定するのが望ましい。しかし、ＴＨ３の値としてあまり大きい値を選択すると、窓が閉鎖しているにも関らず、閉鎖していないと判断されてしまうという不都合が生じるので、何らかの考えに従ってＴＨ３の値に上限を設けておく必要がある。
【００３８】
できれば、実際の使用環境下で窓が閉鎖状態にあるときに磁界測定部５３で測定されると考えられる磁界の強さの絶対値Ｈ（その範囲は、Ｈｅ＿ｍｉｎ≦Ｈ≦Ｈｅ＿ｍａｘ）に基づいて、ＴＨ３の値を設定すべきであるが、ＴＨ３を
ＴＨ３＝Ｈｅ＿ｍｉｎ＋α（α＞０）  …（２）
のような大きい値に設定すると、窓が完全に閉鎖しているにも関らず、Ｓ６０５において窓が閉鎖していると判定されず、Ｓ６０６以降の処理に進めないという不都合が生じる可能性が高くなる。
【００３９】
よって、Ｓ６０５の判定分岐で用いる第３の閾値（ＴＨ３）は、
ＴＨ３≦Ｈｅ＿ｍｉｎ  …（３）
を満たす必要がある。
従って、式（１）、式（３）により、第３の閾値（ＴＨ３）は、
Ｈｏｎ＿ｍａｘ≦ＴＨ３≦Ｈｅ＿ｍｉｎ  …（４）
を満たす範囲内に設定することとする。
【００４０】
式（４）を満たす範囲でＴＨ３を大きい値に設定すれば、厳格に窓の閉鎖を判定することができる。また、この範囲内でＴＨ３を小さい値に設定すれば、窓が閉鎖しているにも関らずＳ６０５において窓が閉鎖状態にないと判定されてしまいＳ６０６以降の処理に進めないという不都合が生じる可能性をより少なくすることができる。
【００４１】
Ｓ６０５で、Ｈ０＞ＴＨ３である場合は、基準候補値（Ｈ０）を基準値として記憶部５４に記憶する（Ｓ６０６）。そして、窓が閉鎖したことを示す閉検知信号を後述の監視部へ送信し（Ｓ６０７）、閉状態を記憶部５４に記憶し（Ｓ６０８）、Ｓ６０９以降の処理に進む。
この場合、Ｓ６０６にて記憶した基準値（Ｈ０）に基づき、次に説明する式（６’）及び式（７’）に従って、それぞれ第１の閾値（ＴＨ１）及び第２の閾値（ＴＨ２）を設定して、記憶部５４に記憶する（Ｓ６０９）。
【００４２】
ここでＴＨ１、ＴＨ２の値の決め方について説明する。
窓を開けたときにスイッチ部５２がＯＦＦにならないように画策行為を行うマグネット２５の磁界の強さは、正規のマグネット２４の磁界がなくなった場合に画策用マグネット２５単独でスイッチ部５２をＯＮ状態に少なくとも保持できる値であると考えられる（図４（ｃ）参照）。すなわち、画策用マグネット２５が画策可能である磁界の強さは、図８から明らかであるように、Ｈｏｆｆより大きい。
【００４３】
また、画策行為を行うため、閉鎖された状態の窓に画策用マグネット２５が近接された場合、測定された合計の磁界の強さ（Ｈ）と正規のマグネットの磁界の強さ（Ｈ０）との差が、おおむね画策用マグネット２５の磁界の強さであると考えられる。
従って、画策用マグネット２５が画策可能である条件は、
|Ｈ−Ｈ０|＞Ｈｏｆｆ  …（５）
⇔
Ｈ−Ｈ０＞Ｈｏｆｆ  又は  Ｈ−Ｈ０＜−Ｈｏｆｆ
⇔
Ｈ＞Ｈ０＋Ｈｏｆｆ  又は  Ｈ＜Ｈ０−Ｈｏｆｆ  …（５’）
である。
【００４４】
以上の考察により、測定された磁界の強さＨが式（５’）を満たすときに限ってスイッチ部５２をＯＮの状態に維持したまま画策行為を行うことが可能なので、次の近似式
ＴＨ１≒Ｈ０＋Ｈｏｆｆ  …（６）
ＴＨ２≒Ｈ０−Ｈｏｆｆ  …（７）
に従って、第１及び第２の閾値を定め、
Ｈ＞ＴＨ１  又は  Ｈ＜ＴＨ２  …（５’’）
の成立をもって画策行為が行われたと判定することとする。
【００４５】
厳密には、第１及び第２の閾値は、それぞれ、
ＴＨ１＝Ｈ０＋（Ｈｏｆｆ＋ε１）  …（６’）
ＴＨ２＝Ｈ０−（Ｈｏｆｆ＋ε２）  …（７’）
と表される（ε１、ε２の符号は、正とは限らない）。ε１及びε２は、スイッチ部５２、磁界測定部５３、マグネット２４の部品性能の誤差、センサのマグネット２４に様々な磁界の強さを有する別のマグネットを重ね合わせたときの磁界の強さの変化率等を考慮して、実験的に決定する。従って、判定値は、式（６’）におけるＨｏｆｆ＋ε１、又は式（７’）におけるＨｏｆｆ＋ε２となる。
【００４６】
Ｓ６０９で閾値を設定した後は、第２の所定時間（Ｔ２）を計時し（Ｓ６１０、Ｓ６１２）つつ、この計時のループの中でスイッチ部５２の状態を判定する（Ｓ６１１）。スイッチ部５２の状態がＯＮからＯＦＦに変化した場合は、計時のループから抜け、窓が開いたと判断して、出力部５５より後述の監視部に開検知信号を送信する（Ｓ６１８）とともに、開状態を記憶部５４に記憶して（Ｓ６１９）、Ｓ６０１に戻る。
【００４７】
計時のループからＳ６１８に抜けなかった場合は、引き続き、磁界測定部５３で測定された磁界の強さをサンプリングして、その絶対値（Ｈ）を得て（Ｓ６１３）、式（５’’）が成立するか否かを判定する（Ｓ６１４）。
【００４８】
Ｓ６１４において式（５’’）が成立した場合、閉状態を記憶していれば（Ｓ６１５ＹＥＳ）、開検知信号を出力部５５から後述の監視部へ送信する（Ｓ６１６）とともに、開状態を記憶部５４に記憶する（Ｓ６１７）。そして、Ｓ６１０に進む。
Ｓ６１４において、式（５’’）が成立しなかった場合、開状態を記憶していれば（Ｓ６２０ＹＥＳ）、閉検知信号を後述の監視部へ送信する（Ｓ６２１）とともに、閉状態を記憶部５４に記憶する（Ｓ６２２）。そして、Ｓ６１０に進む。
【００４９】
次に、監視部（図示せず）の構成について説明する。
監視部は、利用者が磁気検知式センサの監視を有効にするモード設定部と、磁気検知式センサからの信号を受信する受信部と、磁気検知式センサからの（窓の開閉状態に関する）信号やモードを記憶する記憶部と、窓の開放をブザー等で知らせる警報部と、表示部と、それらを制御する監視制御部と、から構成される。
【００５０】
次に、監視部の動作について説明する。
受信部は、磁気検知式センサからの開検知信号、閉検知信号を受信し、これらの信号に基づいて窓の開閉状態等が記憶部に記憶される。
モード設定部にて、磁気検知式センサの監視が有効に設定されると、磁気検知式センサが閉鎖状態であるか否かを記憶部から参照する。
【００５１】
閉状態であれば、監視セットモードが記憶される。開状態であれば、窓が閉鎖していない旨を示す表示を表示部にて行う。これにより、利用者が窓を閉めたと認識していても、窓が不完全閉鎖であることを利用者に認識させ、窓を完全に閉鎖させることができる。
監視セットモードが記憶されている場合に、受信部が開検知信号を受信すると、警報部を駆動し、表示部にて窓が開いたことを示す表示を行う。
尚、後述するように磁気検知式センサにおける画策行為の検知を通常の開（閉）検知信号と区別して送信している場合は、その旨を示す表示を別に行ってもよい。
【００５２】
次に、本発明に係る磁気検知式センサが画策行為を検知するタイミングチャートを説明する。
図９は、基準値が記憶された後に行われる画策を検知するタイミングチャートである。
サッシ３１及びサッシ３２が閉鎖状態になると、スイッチ部５２がＯＮになり、Ｔ１を計時する。
【００５３】
Ｔ１経過後、磁界測定部５３で測定された磁界の強さをサンプリングし、その絶対値がＴＨ３を越えていれば、基準値（Ｈ０）として記憶する。尚、本実施例においては、短間隔で３回連続サンプリングし、その平均の絶対値がＴＨ３を越えていれば、基準値（Ｈ０）として記憶する。これにより、ノイズ等の影響を防ぎ、適切な基準値を設定することができる。
【００５４】
こうして、サッシが半締まり状態になっていないことを示す基準値（Ｈ０）を記憶すると、第１の閾値（ＴＨ１）、第２の閾値（ＴＨ２）を設定する。
その後、Ｔ２経過ごとに、磁界の強さを測定して、その絶対値（Ｈ）とＴＨ１、ＴＨ２との比較を行う。
【００５５】
このとき、画策用マグネット２５を検知ユニット４０に近づけたとする。そうすると、磁界測定部５３で測定された磁界の強さの絶対値（Ｈ）は、式（５’）を満たす範囲の値を取る。Ｈが画策可能な磁界の強さを持つ場合、式（５’’）を満たすように、ＴＨ１、ＴＨ２は決めてあるので、画策行為が検知され、開検知信号が監視部に送信される。
【００５６】
図１０は、基準値が記憶される前に行われる画策を検知するタイミングチャートである。
まず、サッシ３１及びサッシ３２が開いている状態のときに、画策用マグネット２５がマグネット２４に取り付けられたとする。
【００５７】
サッシが閉鎖状態になると、所定時間Ｔ１を計時する。Ｔ１経過後、磁界測定部５３で測定された磁界の強さの絶対値がＴＨ３を越えていれば、その値を基準値（Ｈ０）として記憶する。この時点では、基準値（Ｈ０）自体が、マグネット２４及び画策用マグネット２５の両者から得られる値となるので、画策を検知しない。
【００５８】
そして、第１の閾値（ＴＨ１）、第２の閾値（ＴＨ２）を設定する。
その後、Ｔ２経過ごとに、磁界の強さを測定して、この磁界の強さの絶対値（Ｈ）とＴＨ１、ＴＨ２との比較を行う。
【００５９】
このとき、サッシを開けたとする。
サッシを開けたとき、検知ユニット４０に影響を与える磁界は画策用マグネットの磁界のみとなるので、このときの磁界の強さの変化の大きさは、おおむね正規のマグネット２４の磁界の強さ（Ｈｎ）である。
【００６０】
すなわち、このとき
|Ｈ−Ｈ０|＝Ｈｎ  …（８）
が成立する。
ところで、サッシが閉じている場合には、スイッチ部５２は必ずＯＮ状態となる必要があるので、正規のマグネット２４の磁界の強さ（Ｈｎ）は、Ｈｎ＞Ｈｏｎを満たすように装置は設計されている（図８参照）。これと、Ｈｏｎ＞Ｈｏｆｆより、Ｈｎ＞Ｈｏｆｆが成り立つ。
【００６１】
従って、式（８）より、正規のマグネット２４がなくなり、画策用マグネットのみが存在するときの磁界の強さ（Ｈ）に関しては、
|Ｈ−Ｈ０|＞Ｈｏｆｆ  …（９）
⇔
Ｈ−Ｈ０＞Ｈｏｆｆ  又は  Ｈ−Ｈ０＜−Ｈｏｆｆ
⇔
Ｈ＞Ｈ０＋Ｈｏｆｆ  又は  Ｈ＜Ｈ０−Ｈｏｆｆ  …（９’）
が成立する。
これは、式（５’）と全く同じ式である。
【００６２】
正規のマグネット２４がなくなり、画策用マグネットのみが存在するときの磁界強さ（Ｈ）も、やはり、式（５’）を満たす範囲の値を取る。Ｈがこの範囲にあることを検知するように、あらかじめＴＨ１、ＴＨ２は決めてあるので、画策行為が検知され、開検知信号が監視部に送信される。
【００６３】
すなわち、「基準値が記憶される前に行われる画策を検知する場合」に用いる第１及び第２の閾値として、「基準値が記憶された後に行われる画策を検知する場合」に用いる第１及び第２の閾値と全く同一の値を用いることができる。
従って、式（６’）及び式（７’）で計算された閾値と図６及び図７の動作フローに従う画策検知の方法は、窓や扉がどんな状態のときに画策行為が行われても、それを検知できることが示された。
【００６４】
ところで、式（６’）及び式（７’）におけるε１及びε２に関しては、重ね合わされているセンサのマグネット２４と別のマグネットからセンサのマグネット２４を取り除いたときの磁界の変化率も考慮して、実験的に決定する。
【実施例２】
【００６５】
第１の実施例においては、スイッチ部５２の状態がＯＦＦからＯＮになったことをトリガとして基準値（Ｈ０）を設定していたが、基準値を設定するタイミングを利用者が指定するようにしてもよい。
【００６６】
例えば、監視部のモード設定部に基準値設定モードを設けて、利用者がこのモードを選択したときに基準値の記憶を行うことができる。基準値設定モードを監視部ではなく磁気検知式センサの側に設けることも考えられる。
また、監視部のモード設定部にて利用者が監視セットモードを選択したときに基準値の記憶を行うことができる。
【００６７】
上述のように基準値を設定するタイミングを利用者が指定する第２の実施例における動作フローについて以下で説明する。尚、第２の実施例におけるＴＨ１、ＴＨ２、及びＴＨ３の値の決め方は、第１の実施例と同様である。
図１１は基準値の記憶フローである。
同図を参照して、検知ユニット４０における制御部５１の動作フローを説明する。
前述したように、利用者が基準値設定モードを選択した場合や監視セットモードを選択した場合に、このフローはスタートする。
【００６８】
まず、スイッチ部５２がＯＮ状態であるか否かを判定し（Ｓ１１０１）、ＯＮである場合は、Ｓ１１０２に進み、そうでない場合は、Ｓ１１０１に戻る。
Ｓ１１０１で、スイッチ部５２がＯＮ状態である場合、磁界測定部５３で測定された磁界の強さをサンプリングして、その絶対値を記憶部５４に一時記憶する（Ｓ１１０２）。尚、このサンプリングは短間隔で３回行い、得られた３つのサンプル値の平均値の絶対値を基準候補値（Ｈ０）として一時記憶する。
【００６９】
次に、窓が閉鎖したか否かを判定する。具体的には、Ｓ１１０２で得られた基準候補値（Ｈ０）が第３の閾値（ＴＨ３）より大であるか否かを判定する（Ｓ１１０３）。Ｈ０＞ＴＨ３である場合は、Ｓ１１０４に進み、そうでない場合は、Ｓ１１０１に戻る。
【００７０】
Ｓ１１０３で、Ｈ０＞ＴＨ３である場合、Ｓ１１０２にて得られた基準候補値（Ｈ０）を基準値として記憶部５４に記憶する（Ｓ１１０４）。そして、式（６’）及び式（７’）に従って、それぞれ第１の閾値（ＴＨ１）及び第２の閾値（ＴＨ２）を設定して、記憶部５４に記憶し（Ｓ１１０５）、基準値の記憶フローを終了する。
【００７１】
図１２及び図１３は、磁気検知式センサの監視フローである。
これらの図を参照して、検知ユニット４０における制御部５１の動作フローを説明する。
まず、スイッチ部５２の状態を判定し、判定結果に応じて処理を分岐させる（Ｓ１２０１）。（Ａ）スイッチ部５２の状態に変化がない場合はＳ１２０１に戻り、（Ｂ）スイッチ部５２の状態がＯＦＦからＯＮに変化した場合はＳ１２０２に進み、（Ｃ）スイッチ部５２の状態がＯＮからＯＦＦに変化した場合はＳ１２１６に進む。
【００７２】
（Ｃ）の場合、窓が開いたと判断して、出力部５５より監視部に開検知信号を送信する（Ｓ１２１６）とともに、開状態を記憶部５４に記憶し（Ｓ１２１７）、Ｓ１２０１に戻る。
（Ｂ）の場合、窓が閉鎖したか否かを判定する。具体的には、第１の所定時間（Ｔ１）経過後にサンプリングした磁界の強さの絶対値（Ｈ）が第３の閾値（ＴＨ３）より大であるか否かを判定する（Ｓ１２０５）。Ｈ＞ＴＨ３である場合は、出力部５５より監視部に閉検知信号を送信する（Ｓ１２０６）とともに、閉状態を記憶部５４に記憶する（Ｓ１２０７）。Ｈ＞ＴＨ３でない場合は、Ｓ１２０１に戻る。
【００７３】
Ｓ１２０７終了後は、第２の所定時間（Ｔ２）を計時し（Ｓ１２０８、Ｓ１２１０）つつ、この計時のループの中でスイッチ部５２の状態を判定する（Ｓ１２０９）。スイッチ部５２の状態がＯＮからＯＦＦに変化した場合は、計時のループから抜け、窓が開いたと判断して、出力部５５より監視部に開検知信号を送信する（Ｓ１２１６）ともに、開状態を記憶部５４に記憶して（Ｓ１２１７）、Ｓ１２０１に戻る。
【００７４】
計時のループからＳ１２１６に抜けなかった場合は、引き続き、磁界測定部５３で測定された磁界の強さをサンプリングして、その絶対値（Ｈ）を得て（Ｓ１２１１）、式（５’’）が成立するか否かを判定する（Ｓ１２１２）。
【００７５】
式（５’’）が成立した場合、閉状態を記憶していれば（Ｓ１２１３Ｙ）、開検知信号を出力部５５から監視部へ送信する（Ｓ１２１４）とともに、開状態を記憶部５４に記憶する（Ｓ１２１５）。そして、Ｓ１２０８に進む。
Ｓ１２１２において、式（５’’）が成立しなかった場合、開状態を記憶していれば（Ｓ１２１８のＹ）、閉検知信号を監視部へ送信する（Ｓ１２１９）とともに、閉状態を記憶部５４に記憶する（Ｓ１２２０）。そして、Ｓ１２０８に進む。
【実施例３】
【００７６】
第３の実施例における磁気検知式センサのブロック図は、図５に示した第１の実施例の磁気検知式センサのブロック図と同様であるが、制御部５１に最大値検出手段としての機能が追加されている。また、制御部５１の動作フローは、画策行為の有無の判定動作を図１４のように行う点が第１の実施例と異なる。
【００７７】
図１４は、磁気検知式センサの動作フローの一部である。
以下、同図を参照して、第３の実施例について説明する。
尚、図１４は、第１の実施例と異なる処理の部分のみを示している。具体的には図７のＳ６１３以降の処理である。
【００７８】
第１及び第２の実施例においては、式（５’’）の成立をもって画策行為有りと判定している。
第３の実施例においては、式（５’’）の内、
Ｈ＜ＴＨ２  …（１０）
が成立したとき（Ｓ６３０ＹＥＳ）に、Ｓ６３１に進む。
閉状態を記憶していれば（Ｓ６３１ＹＥＳ）、開検知信号を送信する（Ｓ６３２）とともに、開状態を記憶部５４に記憶し（Ｓ６３３）、図７のＳ６１０に戻る。
閉状態を記憶していなければ（Ｓ６３１ＮＯ）、図７のＳ６１０に戻る。
【００７９】
これに対し、式（５’’）の内、
Ｈ＞ＴＨ１  …（１１）
が成立したとき（Ｓ６３４ＹＥＳ）には、すぐに開検知信号を送信しない。
【００８０】
この理由について、図８を参照して説明する。
第１及び第２の実施例においては、Ｈｅ＿ｍｉｎ以下の第３の閾値（ＴＨ３）にて窓が閉まっていることを判定していた。ところが、本発明の装置が実際の環境で使用される際には、窓が閉まっている場合に磁界の強さの絶対値Ｈは、Ｈｅ＿ｍｉｎ≦Ｈ≦Ｈｅ＿ｍａｘの範囲にある可能性がある。
【００８１】
つまり、実際の使用環境を考慮した場合、ＴＨ３は、窓が完全に閉まっているときの磁界の強さを越えるように設定されているという絶対的な保証はない。従って、第１及び第２の実施例においては、Ｈ＞ＴＨ３の条件下で基準値（Ｈ０）を設定しているものの、わずかに窓が開いている状態で基準値（Ｈ０）が設定されるという状況はなお考えられるのである。
【００８２】
この状況のときに利用者が更にぴったりと窓を閉める（以下、「増し閉め」という）と、磁界測定部５３における磁界の強さが基準値から更に増加してしまうので、式（１１）を満たしてしまうことがある。この場合、第１及び第２の実施例では、画策行為有りと誤って判定されることになる。
【００８３】
そこで、図１４に戻って説明すると、第３の実施例では、以下の処理を実行する。
式（１１）の成立時（Ｓ６３４ＹＥＳ）に、計時部５６にて第３の所定時間（Ｔ３）及び第２の所定時間（Ｔ２）の計時を開始する（Ｓ６３５、Ｓ６３６）。ただし、Ｔ３≫Ｔ２である。
Ｓ６３６からＳ６３８のループの中で、スイッチ部５２がＯＦＦであるか否かを判定し（Ｓ６３７）、ＯＦＦであれば窓が開いているので、図６のＳ６１８に進む。
【００８４】
Ｓ６３８にてＴ２が経過し、Ｓ６１８に進まずにＳ６３６からＳ６３８のループを抜けた場合、磁界測定部５３からの磁界の強さをサンプリングし、その絶対値（Ｈ）を記憶部５４に一時記憶する（Ｓ６３９）。
【００８５】
Ｓ６３７及び後述のＳ６４１の判定がＹＥＳとならず、Ｓ６３５〜Ｓ６４２のループにおける第３の所定時間（Ｔ３）の計時が続く限り、このサンプリングは、第２の所定時間（Ｔ２）間隔毎に行われる。時刻Ｔ２＊ｎ（ｎは正の整数）におけるＨのサンプル値をＨ（Ｔ２＊ｎ）と表記すると、このサンプリングと記憶により数列｛Ｈ（Ｔ２＊ｎ）｝が記憶部５４に記憶される。
【００８６】
次に、制御部５１の最大値検出手段にて、Ｔ３計時開始から一時記憶している磁界の強さの絶対値の数列｛Ｈ（Ｔ２＊ｎ）｝の項から最大値（Ｈｍａｘ）を検出する（Ｓ６４０）。
そして、第４の閾値（ＴＨ４）を用いて、
Ｈｍａｘ−Ｈ＞ＴＨ４  …（１２）
が成立するか否かを判定する（Ｓ６４１）。
ただし、上式のＨは、数列｛Ｈ（Ｔ２＊ｎ）｝の最後の項である。式（１２）が成立する（Ｓ６４１ＹＥＳ）場合、画策行為有りと判定し、開検知信号を出力部５５から送信するＳ６３１以降の処理に進む。
【００８７】
式（１１）の成立に加えて、所定時間Ｔ３内での式（１２）の成立を窓が開いていると判定するための更なる条件としているのは、以下の理由による。
式（１１）の成立した原因が増し閉めではなく画策行為である場合、画策行為を行う者は、正規のマグネット２４と磁界の向きが同じになるように画策用マグネット２５を取り付けた後で窓を開けて侵入しようとしていると考えられる。
【００８８】
この場合、Ｈ（Ｔ２＊ｎ）の値はＴＨ１を越えて最大値Ｈｍａｘに達した後に、窓が開くことによってマグネット２４の磁界の影響が検知ユニット４０に及ばなくなるため、減少する。よって、この減少の大きさは、おおむね正規のマグネット２４の磁界の強さ（Ｈｎ）であるから、数列｛Ｈ（Ｔ２＊ｎ）｝の最後の項をＨとすると、
Ｈｍａｘ−Ｈ＝Ｈｎ  …（１３）
が成立する。
【００８９】
ところで、窓が閉じている場合には、スイッチ部５２は必ずＯＮ状態となる必要があるので、正規のマグネット２４の磁界の強さ（Ｈｎ）は、Ｈｎ＞Ｈｏｎ（＞Ｈｏｆｆ）を満たすように装置は設計されている（図８参照）。
従って、式（１１）が成立する条件下で、画策行為が行われた条件は、式（１３）より、
Ｈｍａｘ−Ｈ＞Ｈｏｆｆ  …（１４）
である。
【００９０】
以上の理由から、数列｛Ｈ（Ｔ２＊ｎ）｝の最後の項Ｈが式（１４）を満たすときに限って、式（１１）が成立する条件下で画策行為が行われたと判定できるので、
ＴＨ４＝Ｈｏｆｆ＋δ  （δ＞０）…（１５）
に従って、第４の閾値を定め、
Ｈｍａｘ−Ｈ＞ＴＨ４  …（１２）
の成立をもって、式（１１）の条件下での画策行為有りと判定することとする。
【００９１】
尚、式（１５）のＴＨ４における正定数δは、他の閾値を定めるための定数と同様に実験的に求められる。また、ＴＨ４は、Ｓ６３０にて判定するときの基準値からＴＨ２を減じた値や、Ｓ６３４にて判定するときのＴＨ１から基準値を減じた値である判定値と同様の値であってもよい。
【００９２】
一方、式（１１）が成立しても所定時間Ｔ３以内に式（１２）が成立しない場合（Ｓ６４２ＹＥＳ）には、Ｓ６３４で式（１１）が成立した原因は利用者による増し閉めであると判定し、Ｔ３計時開始から一時記憶している磁界の強さの絶対値の数列｛Ｈ（Ｔ２＊ｎ）｝のいずれかの項から基準値を設定し記憶部５４に記憶する（Ｓ６４３）。そして、図６のＳ６０９に進み、新たに第１及び第２の閾値を設定し、監視を続けることになる。
このときの基準値の設定は、Ｔ３計時開始から一時記憶している磁界の強さの絶対値の数列｛Ｈ（Ｔ２＊ｎ）｝の項の内、上位３つの値の平均値を基準値とする等、適宜実行すればよい。
【００９３】
尚、第３の実施例においては、画策行為によって窓が開けられたことの判定を式（１２）の成立をもって行っているが、単位時間あたりの磁界の強さの絶対値の減少率によって行ってもよい。
【００９４】
Ｓ６３０、Ｓ６３４の両方においてＮＯと判定された場合、Ｓ６４４に進む。
開状態を記憶していれば（Ｓ６４４ＹＥＳ）、閉検知信号を送信する（Ｓ６４５）とともに、閉状態を記憶部５４に記憶する（Ｓ６４６）。そして、図７のＳ６１０に進み、監視を続ける。
開状態を記憶していなければ（Ｓ６４４ＮＯ）、図７のＳ６１０に進み、監視を続ける。
【００９５】
以上のように第３の実施例においては、サンプリングした磁界の強さが第１の閾値（ＴＨ１）を越えたとき、すぐには画策行為有りとは判定しない。そして、所定時間以内に第４の閾値（ＴＨ４）を越える磁界の強さの減少があったとき、画策行為有りと判定する。
従って、利用者による増し閉めと画策行為とを区別することができる。
また、サンプリングした磁界の強さが第１の閾値（ＴＨ１）を越えた原因が利用者による増し閉めであると判定された場合は、基準値が更新されるので、適切な基準値にて画策行為を判定することができる。
【００９６】
尚、上述の実施例においては、外部への送信形態は無線としたが、有線であってもよい。
また、上述の実施例においては絶対値を得る処理を行っているが、ＭＲ素子等の極性を判定しない素子を使用する場合は、この処理は必要がなくなる。
また、図６のＳ６０５、図１１のＳ１１０３、及び図１２のＳ１２０５の窓が閉鎖しているか否かの判定においてＮＯである場合、出力部５５から監視部へ窓が閉鎖していない旨の信号を送出し、監視部の表示部にてその旨を利用者に表示してもよい。
また、図７のＳ６１３→Ｓ６１４、図１３のＳ１２１１→Ｓ１２１２、図１４のＳ６１３→Ｓ６３０、及び図１４のＳ６１３→Ｓ６３４の処理で画策行為の有無を判定するときに処理を短間隔で複数回繰り返し、その複数回の判定全てが同一の判定であったときに以降の処理（Ｓ６１５又はＳ６２０（図７）、Ｓ１２１３又はＳ１２１８（図１３）、Ｓ６３１、Ｓ６３５、又はＳ６４４（図１４））を実行し、それ以外の場合は上記処理をスキップし直前のＴ２計時処理に戻るようにしてもよい。そうすれば、ノイズ等による誤判定を防止することができる。
また、図７のＳ６１６やＳ６２１、図１３のＳ１２１４やＳ１２１９、及び図１４のＳ６３２やＳ６４５における開検知信号、閉検知信号を、それぞれ、画策異常を示す信号、画策異常からの復旧を示す信号として区別して送信してもよい。そうすれば、通常の窓の開閉と区別して異常を判定できる。この場合、記憶部５４には窓の開閉状態を記憶するフラグに加えて、画策状態の有無状態を記憶するフラグが必要となる。
【００９７】
以上説明したように、本発明においては、窓を開けてもスイッチ部の検出を閉状態に保持できる程度の大きさを越える磁界強度を有する画策用マグネットをスイッチ部付近に位置させた場合に、判定手段によって窓が開状態であると判定する。これにより、画策用マグネットの使用によりスイッチ部を不感知状態にして窓を開けようとしても、窓が開状態となったことを検知することができる。そのため、外部から検知ユニットを視認することが可能な場所に設置した磁気検知式センサであっても、画策行為を確実に検知することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】従来の磁気検知式センサを説明する図である。
【図２】従来の磁気検知式センサの設置場所を示す図である。
【図３】引き違い方式の窓への磁気検知式センサの設置状況を示す図である。
【図４】従来の磁気検知式センサを示す図である。
【図５】本発明に係る磁気検知式センサのブロック図である。
【図６】磁気検知式センサの動作フロー（１）である（第１実施例）。
【図７】磁気検知式センサの動作フロー（２）である（第１実施例）。
【図８】スイッチ部のヒステリシス特性を示す図である。
【図９】基準値が記憶された後に行われる画策を検知するタイミングチャートである。
【図１０】基準値が記憶される前に行われる画策を検知するタイミングチャートである。
【図１１】基準値の記憶フローである（第２実施例）。
【図１２】磁気検知式センサの監視フロー（１）である（第２実施例）。
【図１３】磁気検知式センサの監視フロー（２）である（第２実施例）。
【図１４】第３の実施例における磁気検知式センサの動作フローの一部である（第３実施例）。
【符号の説明】
【００９９】
２４    マグネット
４０    検知ユニット
５１    制御部
５２    スイッチ部
５３    磁界測定部
５４    記憶部
５５    出力部
５６    計時部
５７    電池
【図１】
2006190063.tif 000003
【図２】
2006190063.tif 000004
【図３】
2006190063.tif 000005
【図４】
2006190063.tif 000006
【図５】
2006190063.tif 000007
【図６】
2006190063.tif 000008
【図７】
2006190063.tif 000009
【図８】
2006190063.tif 000010
【図９】
2006190063.tif 000011
【図１０】
2006190063.tif 000012
【図１１】
2006190063.tif 000013
【図１２】
2006190063.tif 000014
【図１３】
2006190063.tif 000015
【図１４】
2006190063.tif 000016