(57)【要約】【課題】本発明は，液晶の転移を容易に調節することができる液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】第１基板と，第１基板上に形成されて，テーパーになったエッジを具備する第１電極と，第１電極上に形成された第１配向膜，第１基板と対応する第２基板と，第１電極と対応するように形成されて，第２基板の一側表面上に形成された第２電極と，第２電極上に形成された第２配向膜と，第１基板および第２基板間に充填された液晶層とを含む液晶表示装置その製造方法に関する。本発明によれば，本発明の液晶表示装置およびその製造方法は２５°以上９０°未満のテーパー角度を有する第１電極を形成することによって，電界の分布が不均一に形成されて，これにより転移核生成が容易であって，低い転移電圧でも容易に相転移が発生して液晶の相転移を容易に調節することができる。【選択図】図３Ａ
2006154797.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と，
前記第１基板上に形成されて，テーパーになったエッジを具備する第１電極と，
前記第１電極上に形成された第１配向膜と，
前記第１基板と対応する第２基板と，
前記第１電極と対応するように形成されて，前記第２基板の一側表面上に形成された第２電極と，
前記第２電極上に形成された第２配向膜と，
前記第１基板および第２基板間に充填された液晶層と，
を含むことを特徴とする，液晶表示装置。
【請求項２】
前記テーパーになったエッジの角は，２５°以上９０°未満であることを特徴とする，請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１基板と第１電極間に金属配線および絶縁膜をさらに具備することを特徴とする，請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記金属配線は，データラインであることを特徴とする，請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記金属配線と第１電極間の間隔は，少なくとも１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１電極は，透明な導電性絶縁物であることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記透明な導電性絶縁物は，ＩＴＯまたはＩＺＯであることを特徴とする，請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１電極の厚さは，１０００Å〜３０００Åであることを特徴とする，請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１配向膜および第２配向膜は，同じ方向にラビングされていることを特徴とする，請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１配向膜および第２配向膜のプレチルト角が，５°〜２０゜であることを特徴とする，請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１配向膜および第２配向膜の厚さは，５００Å〜１０００Åであることを特徴とする，請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１基板の他側表面上に形成された第１偏光板と，
前記第２基板の他側表面上に形成された第２偏光板と，
を含むことを特徴とする，請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第２基板と
第２偏光板間に二軸補償フィルムと，
を含むことを特徴とする，請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１偏光板および第２偏光板は，偏光軸が交差することを特徴とする，請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記液晶層の厚さは，１．５μｍ〜２．５μｍであることを特徴とする，請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記液晶層は，誘電率異方性が陽である液晶であることを特徴とする，請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第１基板下部に位置するバックライトユニットを含むことを特徴とする，請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記バックライトユニットは反射板，拡散板およびＬＥＤを含むことを特徴とする，請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記ＬＥＤはＲ，Ｇ，Ｂ群またはＣ，Ｍ，Ｙ群のうちいずれか一つ以上であることを特徴とする，請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記ＬＥＤは白色ＬＥＤであることを特徴とする，請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記第２電極と第２基板間にカラーフィルターをさらに含むことを特徴とする，請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記液晶層はＯＣＢ型液晶を具備することを特徴とする，請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記絶縁膜は平坦化層であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
第１基板および第２基板を準備する段階と，
前記第１基板の一側表面上に金属配線を形成する段階と，
前記金属配線が形成された基板上に絶縁膜を形成する段階と，
前記絶縁膜上にテーパーの角が２５以上９０°未満である第１電極を形成する段階
と，
前記第１電極上に第１配向膜を形成する段階と，
前記第２基板の一側表面上に第２電極を形成する段階と，
前記第２電極上に第２配向膜を形成する段階と，
前記第１基板および第２基板間に液晶層を充填した後封じする段階と，
を含むことを特徴とする，液晶表示装置製造方法。
【請求項２５】
前記金属配線を形成する段階は，スキャンラインまたはデータラインまたはコモンラインのうちいずれか一つ以上を形成する段階であることを特徴とする，請求項２４に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項２６】
前記絶縁膜を形成する段階は，平坦化層を形成する段階を含むことを特徴とする，請求項２４に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項２７】
前記第１配向膜および第２配向膜を形成した後，前記第１配向膜および第２配向膜を同一な方向にラビングする段階を含むことを特徴とする，請求項２４に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項２８】
前記第１基板と第２基板を封止する段階は，前記第１基板と第２基板間の間隔が１．５μｍ〜２．５μｍを維持するように封止することを特徴とする，請求項２４に記載の液晶表示装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置およびその製造方法にかかり，特に２５°以上９０°未満のテーパー角度を有する第１電極が形成された液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近情報化社会に時代が急進展するによって，多量大容量の情報を処理してこれを表示する表示（ｄｉｓｐｌａｙ）分野が発展している。この時，近代まではブラウン管（Ｃａｔｈｏｄｅ−ＲａｙＴｕｂｅ）が表示装置の主流を形成して発展していたが，重さが重くて大きさが大きいだけでなく消費電力が大きいという問題点があった。
【０００３】
このような問題点を解決するために平板表示装置（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）が注目を集め始めたが，薄形化，軽量化および低消費電力化などの長所を持っている液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）が特に注目を集めている。
【０００４】
前記液晶表示装置の駆動原理は液晶の光学的異方性と分極性質を利用する。前記液晶は構造が長いため分子の配列に方向性を持っており，人為的に液晶に電界を印加して分子配列の方向を制御することができる。前記のような電界による液晶分子の配列方向を制御することによって，光学的異方性を制御することができて液晶を通過する光を制御して画面に画像情報を表現することができる。
【０００５】
前記のような液晶表示装置の多くの方式のうちで速い応答速度および広い視野角を有するためにＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）方式が開発された。
【０００６】
前記ＯＣＢ方式の液晶表示装置は画素電極と共通電極上にそれぞれ配向膜を形成することにおいて同じ方向にラビングされた配向膜を形成して，前記画素電極と共通電極間に液晶を注入した後，初期に高電圧を印加して前記液晶をスプレー相（ＳｐｌａｙＰｈａｓｅ）からベンド相（ＢｅｎｄＰｈａｓｅ）に相変移を起こした後，前記液晶をオン（Ｏｎ）／オフ（Ｏｆｆ）させ画像情報を表現する液晶表示装置である。
【０００７】
図１Ａおよび図１Ｂは従来技術により形成された液晶表示装置の平面図および断面図である。（この時，図１Ｂは図１ＡのＩ−Ｉ’線の断面図である。）
【０００８】
図１Ａを参照すると，基板１０１上にスキャンライン１０２およびデータライン１０３が形成される。この時，前記スキャンライン１０２およびデータライン１０３により区分される領域はそれぞれ単位ピクセルで定義されることができる。
【０００９】
そして，前記スキャンライン１０２およびデータライン１０３には半導体層，ゲート絶縁膜，ゲート電極およびソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ１０４が連結されているので，前記薄膜トランジスタ１０４はそれぞれのピクセルをスイッチング（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）または駆動（Ｄｒｉｖｉｎｇ）する役割をするようになる。
【００１０】
また，前記薄膜トランジスタ１０４のソース／ドレイン電極には画素電極１０５ａ，１０５ｂが形成されていて，図には図示しなかったが，前記画素電極１０５ａ，１０５ｂに対応する共通電極と前記画素電極１０５および共通電極間にＯＣＢモードの液晶が充填されている。
【００１１】
図１Ｂを参照すると，基板１０１上に第１絶縁膜１０６ａが形成されて，前記第１絶縁膜１０６ａの所定領域にデータライン１０３が形成されて，前記データライン１０３を保護する第２絶縁膜１０６ｂが形成されていて，前記第２絶縁膜１０６ｂ上に終端部Ａが垂直にパターニングされた画素電極１０５ａ，１０５ｂが形成されている。
【００１２】
【特許文献１】米国特許第６７１４２７６号明細書
【特許文献２】米国特許第６８５２３７４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで，前記の従来液晶表示装置は画素電極の終端部が垂直に形成されていて，画素電極と共通電極間に電界が均一に形成されることによって，画素電極と共通電極間に充填された液晶がスプレー相からベンド相へ相転移するためには高い転移電圧が必要であって，時間が多く必要である短所がある。
【００１４】
本発明は，従来の液晶表示装置およびその製造方法が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，第１電極の終端部のテーパー角が２５°以上９０°未満に形成して液晶の転移を容易に調節することの可能な，新規かつ改良された液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点によれば，第１基板と，前記第１基板上に形成されて，テーパーになったエッジを具備する第１電極と，前記第１電極上に形成された第１配向膜，前記第１基板と対応する第２基板と，前記第１電極と対応するように形成されて，前記第２基板の一側表面上に形成された第２電極と，前記第２電極上に形成された第２配向膜と，前記第１基板および第２基板間に充填された液晶層とを含む液晶表示装置を提供することができる。
【００１６】
また，本発明の他の観点によれば，第１基板および第２基板を準備する段階と，前記第１基板の一側表面上に金属配線を形成する段階と，前記金属配線が形成された基板上に絶縁膜を形成する段階と，前記絶縁膜上にテーパーの角が２５以上９０度未満である第１電極を形成する段階と，前記第１電極上に第１配向膜を形成する段階と，前記第２基板の一側表面上に第２電極を形成する段階と；前記第２電極上に第２配向膜を形成する段階と，前記第１基板および第２基板間に液晶層とを充填した後封じする段階で構成された液晶表示装置製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように，本発明によれば，本発明の液晶表示装置およびその製造方法は２５°以上９０°未満のテーパー角度を有する第１電極を形成することによって，電界の分布が不均一に形成されて，これにより転移核生成が容易であって，低い転移電圧でも容易に相転移が発生して液晶の相転移を容易に調節することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に添付図面を参照しながら，本発明にかかる液晶表示装置およびその製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１９】
（第１実施形態）
図２は，本発明の第１実施形態により製造された液晶表示装置の平面図である。図を参照すると，ガラスまたはプラスチックのような第１基板２０１の一側表面上に金属配線であるスキャンライン２０２およびデータライン２０３が所定の間隔で反復的に形成されている。この時，前記スキャンライン２０２およびデータライン２０３が相互に垂直する方向に配列されていて，これにより前記スキャンライン２０２およびデータライン２０３に囲まれた単位ピクセルを定義している。この時，本発明ではスキャンライン２０２およびデータライン２０３だけ図示したが，コモンライン等のような金属配線も形成することができる。
【００２０】
前記各単位ピクセル内にはゲート電極，ゲート絶縁膜，半導体層およびソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ２０４が前記スキャンライン２０２およびデータライン２０３に連結されていて，前記薄膜トランジスタ２０４のソース／ドレイン電極に画素電極である第１電極２０５が連結されている。
【００２１】
この時，前記薄膜トランジスタ２０４はボトム（ｂｏｔｔｏｍ）またはトップ（ｔｏｐ）ゲート薄膜トランジスタのうちどれを利用しても構わないが，本発明の第１実施形態はボトムゲート薄膜トランジスタを形成した。
【００２２】
この時，前記第１電極はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ＴｉｎＯｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）のような透明な伝導性絶縁物を利用して形成して，終端部Ｂのテーパー角度が２５°以上９０°未満を有する。
【００２３】
図３Ａは，図２のII−II’の断面図，図３Ｂは，図３ＡのＣ領域の拡大図，図３Ｃは図３ＡのＤ領域の拡大図である。
【００２４】
図３Ａを参照すると，ガラスまたはプラスチックのような第１基板２０１上にバッファー層２５０が積層されていて，前記バッファー層２５０の所定領域にゲート電極２０４ａ，ゲート絶縁膜２０４ｂ，半導体層２０４ｃ，不純物−半導体層２０４ｄおよびソース／ドレイン電極２０４ｅを含む薄膜トランジスタ２０４が形成されていて，前記薄膜トランジスタ２０４のソース／ドレイン電極と連結されたデータライン２０３および第１電極２０５がそれぞれゲート絶縁膜２０４ｂおよび絶縁膜である平坦化膜２５１上に形成されている。また，前記第１電極２０５が形成された第１基板２０１上に第１配向膜２０６が形成されている。
【００２５】
この時，ガラスまたはプラスチックのような第２基板３０１の一側表面上に共通電極である第２電極３０２が形成されている。また前記第２電極３０２上に第２配向膜３０３が形成されている。
【００２６】
この時，前記第１配向膜および第２配向膜は同一な方向にラビング（ｒｕｂｂｉｎｇ）されていて，前記第１配向膜および第２配向膜による液晶のプレチルト角（Ｐｒｅｔｉｌｔ  ａｎｇｌｅ）が５°〜２０゜を有するように形成される。前記第１配向膜および第２配向膜はポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のような高分子物質を利用して５００Å〜１０００Åの厚さを有するように形成する。この時，前記第１配向膜および第２配向膜を形成する方法はスピン法（Ｓｐｉｎｉｎｇ），ディッピング法（Ｄｉｐｐｉｎｇ）またはローラコーティング法（Ｒｏｌｌｅｒ  ｃｏａｔｉｎｇ）等のような方法を利用して形成することができるが，ローラコーティング法が最も通常的に用いられる。
【００２７】
前記第１電極２０５と第２電極３０２が対応するように第１基板２０１と第２基板３０１が封じされていて，前記第１基板２０１と第２基板３０１間にＯＣＢモードの液晶を充填して液晶層を形成する。この時，前記液晶層は誘電率異方性が陽である液晶で構成される。また前記第１基板２０１と第２基板３０１間の間隔は１．５μｍ〜２．５μｍに封止めされるので，前記第１基板２０１と第２基板３０１間に充填される液晶層の厚さは１．５μｍ〜２．５μｍを有するようになる。
【００２８】
前記第１基板の他側表面上に第１偏光板を形成することができて，前記第２基板の他側表面上には二軸補償フィルムおよび第２偏光板を形成することができるが，前記第１偏光板および第２偏光板は偏光軸が相互に交差する。
【００２９】
前記第１基板の他側表面上に反射板，拡散板およびＬＥＤを含むバックライトユニット（Ｂａｃｋ  Ｌｉｇｈｔ  Ｕｎｉｔ）を形成することができるが，前記ＬＥＤはＲ（赤色），Ｇ（緑色）およびＢ（青色）群およびＣ（青緑色），Ｍ（紫紅色）およびＹ（黄色）群のうちいずれか一つ以上を利用することができる。この時，前記ＬＥＤをＷ（白色）で利用することができるが，この場合には前記第２電極３０２と第２基板３０１間にカラーフィルターを形成しなければならない。
【００３０】
図３ＡのＣ領域を拡大した拡大図である図３Ｂを参照すると，データライン２０３の幅Ｗ２は４μｍ〜６μｍであって，前記データライン２０３と前記第１電極２０５の間の間隔Ｓは１μｍ〜５μｍに形成される。前記のようにデータライン２０３と前記第１電極２０５との間隔Ｓを１μｍ〜５μｍに形成しなければならない理由は前記データライン２０３と前記第１電極２０５があまり近づくようになれば寄生キャパシターが発生して漏れ電流が増加するためである。一般的な液晶表示装置において，第１電極２０５がテーパーになったエッジを有しない場合（図１Ｂの第１電極１０５を参照）には，前記データライン２０３と前記第１電極２０５の間隔は少なくとも５μｍ以上形成しなければならないが，本実施形態のようにテーパーになったエッジを有する場合には，１μｍ以上だけ離れていても寄生キャパシターが発生しないためである。
【００３１】
また，前記第１電極２０５の厚さＨは，通常の第１電極の形成範囲である１０００Å〜３０００Åで，第１電極２０５の幅Ｗ１は，通常の第１電極の形成範囲である３０μｍ〜６０μｍに形成されている。
【００３２】
また，前記第１電極２０５の終端のテーパー角（すなわち，テーパーになったエッジの角度）θが２５°以上９０°未満になるように形成されている。これは前記第１電極２０５の厚さＨとテーパーになったエッジの長さ，すなわち，第１電極２０５の終端部が４μｍ以下の長さを有するのでｔａｎ値で求めることができる。
【００３３】
図３ＡのＤ領域を拡大した拡大図である図３Ｃを参照すると，前記第１電極２０５と第２電極３０２間に転移電圧が印加される場合，前記第１電極２０５と第２電極３０２間に形成される電界４０１の分布を見せてくれている。
【００３４】
この時，前記電界４０１は第１電極２０５の終端部Ｂから遠くなって第１電極２０５の中心部に近寄るほど前記電界４０１は前記第１電極２０５と第２電極３０２の平面とほとんど垂直するように形成されながら均一になる反面，終端部Ｂに近くなるほど前記電界４０１が前記第１電極２０５の終端部Ｂの形状に影響を受けて不均一になるだけでなく電界４０１が集中されるのを見ることができる。
【００３５】
このような終端部Ｂの電界４０１の不均一および集中は終端部Ｂ上に存在するＯＣＢモードの液晶を低い転移電圧でスプレー相からベンド相への転移が容易に起こることができるようにする。すなわち，転移核生成が簡単になることになる。
【００３６】
したがって，前記終端部Ｂで液晶層の液晶が低い転移電圧で容易にベンド相への相転移を起こすようになって，このような相転移された液晶は隣接する液晶も相転移させることによって，相転移が終端部Ｂから第１電極２０５の中心部に伝播４０２される。
【００３７】
図４は，ピクセル内部に相転移が伝播されることを見せてくれる断面図である。図を参照すると，スキャンライン２０２およびデータライン２０３に囲まれた第１電極２０５のすべての終端部Ｂで前記図３Ｃを参照しながら説明したような現象が発生して低い転移電圧でのスプレー相からベンド相への相転移が第１電極内部，すなわち，ピクセル内部に伝播４０２されることを見せてくれている。
【００３８】
図５Ａ〜図５Ｅは本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した断面図である。
【００３９】
図５Ａを参照すると，ガラスまたはプラスチックのような第１基板２０１上に下部の第１基板２０１で発生する水分または酸素のような気体またはイオンが以後形成される上部の素子に拡散または／および浸透できないようにするためにシリコーン酸化膜，シリコーン窒化膜およびこれらの複層のうちいずれか一つを利用してバッファー層２５０を形成する。
【００４０】
続いて，前記第１基板２０１全面にゲート電極物質を形成した後，これをパターニングしてゲート電極２０４ａとスキャンライン（図示せず）を形成する。
【００４１】
図５Ｂを参照すると，前記ゲート電極２０４ａおよびスキャンラインが形成された第１基板２０１上にシリコーン酸化膜，シリコーン窒化膜およびこれらの複層のうちいずれか一つを利用してゲート絶縁膜２０４ｂを形成する。
【００４２】
続いて，前記ゲート絶縁膜２０４ｂ上に半導体層２０４ｃおよび不純物−半導体層２０４ｄを形成する。この時，前記半導体層２０４ｃおよび不純物−半導体層２０４ｄの形成方法は２種の方法があることができる。一番目の方法は先に半導体層物質を形成して，イオン注入工程で前記半導体層物質の上部に薄い不純物−半導体層物質を形成した後，これをパターニングして前記半導体層２０４ｃおよび不純物−半導体層２０４ｄを形成する方法であって，二番目の方法は半導体層物質と不純物−半導体層物質を
それぞれ積層した後，これをパターニングして前記半導体層２０４ｃおよび不純物−半導体層２０４ｄを形成する方法である。
【００４３】
図５Ｃを参照すると，前記第１基板２０１全面にかけてソース／ドレイン電極物質を蒸着した後，これをパターニングしてソース／ドレイン電極２０４ｅおよびデータライン２０３を形成する。
【００４４】
この時，前記パターニング工程時前記不純物−半導体層２０４ｄの所定領域と半導体層２０４ｃの所定領域上部をエッチングすることによって前記半導体層２０４ｃにチャネル領域とソース／ドレイン領域が定義される。前記のような工程で形成された薄膜トランジスタはボトムゲート型薄膜トランジスタでもＢＣＥ（Ｂａｃｋ  ｃｈａｎｎｅｌ  ｅｔｃｈｅｄ）構造という。もちろん本発明の薄膜トランジスタはＥＳ（Ｅｔｃｈ  Ｓｔｏｐｐｅｒ）構造で形成することができる。またボトムゲート型薄膜トランジスタでなくトップゲート型薄膜トランジスタを形成しても構わない。
【００４５】
図５Ｄを参照すると，前記第１基板２０１全面にかけて絶縁膜である平坦化膜２５１を形成する。この時，前記平坦化膜２５１はＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）またはアクリル（ａｃｒｙｌｉｃ）系物質等のような高分子有機物をスピンコーティング法（Ｓｐｉｎ  Ｃｏａｔｉｎｇ）で形成する。
【００４６】
続いて，前記平坦化膜２５１の所定領域をエッチングして前記薄膜トランジスタ２
０４のソース／ドレイン電極２０４ｅを露出させる。
【００４７】
続いて，前記第１基板２０１上に第１電極物質を蒸着した後，前記第１電極物質をパターニングして前記図３Ｂを参照しながら説明したような条件で第１電極２０１を形成する。
【００４８】
続いて，前記第１基板２０１上に第１配向膜を形成して，ラビングする工程を進行する。
【００４９】
図５Ｅを参照すると，第２電極３０２および第２配向膜３０３が一側表面上に形成されたガラスまたはプラスチックのような第２基板３０１を前記多くの素子が形成された第１基板２０１上に整列して，前記第１基板２０１および第２基板３０１間に液晶を充填して液晶層を形成した後，封じして液晶表示装置を完成する。
【００５０】
この時，前記第１基板２０１の他側表面には第１偏光板およびバックライトユニットが形成されることができる。また，前記第２基板３０１の他側表面には二軸補償フィルムおよび第２偏光板が形成されることができる。この時，前記第１偏光板および第２偏光板の偏光軸は相互に垂直するように形成される。
【００５１】
以上，添付図面を参照しながら本発明にかかる液晶表示装置およびその製造方法の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明による液晶表示装置およびその製造方法は，２５°以上９０°未満のテーパー角度を有する第１電極を形成することによって，電界の分布が不均一に形成されて，これにより転移核生成が容易であって，低い転移電圧でも容易に相転移が発生して液晶の相転移を容易に調節することができ，液晶表示装置の製造分野で利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１Ａ】従来技術により形成された液晶表示装置の平面図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図２】第１実施形態により形成された液晶表示装置の平面図である。
【図３Ａ】図２のＩＩ−ＩＩ’の断面図である。
【図３Ｂ】図３ＡのＣ領域の拡大図である。
【図３Ｃ】図３ＡのＤ領域の拡大図である。
【図４】ピクセル内部に相転移が伝播されることを見せてくれる断面図である。
【図５Ａ】第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図５Ｂ】第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図５Ｃ】第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図５Ｄ】第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図５Ｅ】第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０１    基板
１０２    スキャンライン
１０３    データライン
１０４    薄膜トランジスタ
１０５    画素電極
１０５ａ  画素電極
１０１ｂ  画素電極
１０６ａ  第１絶縁膜
１０６ｂ  第２絶縁膜
２０１    第１基板
２０２    スキャンライン
２０３    データライン
２０４    薄膜トランジスタ
２０４ａ  ゲート電極
２０４ｂ  ゲート絶縁膜
２０４ｃ  半導体層
２０４ｄ  不純物−半導体層
２０４ｅ  ソース／ドレイン電極
２０５    第１電極（画素電極）
２０６    第１配向膜
３０１    第２基板
３０２    第２電極
３０３    第２配向膜
４０１    電界
４０２    伝播
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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