(57)【要約】【課題】  この発明は、ゲート絶縁膜としてポリパラキシリレン誘導体膜を用い、その膜厚を最適化して、トランジスタ形状に依存せずに、高いＩDSを得て、オンオフ比の向上を図る有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】  この発明の有機薄膜トランジスタは、基板１、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ソース電極６、ドレイン電極５及び有機半導体層４を備え、ゲート絶縁膜３が膜厚４１０ｎｍ以下５０ｎｍ以上のポリパラキシリレン誘導体膜であることを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を備え、前記ゲート絶縁膜が膜厚７２０ｎｍ以下５０ｎｍ以上のポリパラキシリレン誘導体膜であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記ゲート絶縁膜の膜厚を４１０ｎｍ以下５０ｎｍ以上にすることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記ポリパラキシリレン誘導体膜は、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリモノフルオロパラキシリレンの中から選択される膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記有機半導体層は、一般式（Ｉ）
【化１】
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で表される繰り返し単位を有する重合体を含むトリアニールアミン骨格を有する高分子材料であることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタをアクティブ素子として用いた画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有機半導体層を有する薄膜トランジスタ及びそれを用いた画像表示装置に関し、有機薄膜トランジスタのオンオフ比の向上させ、表示画素の駆動におけるダイナミックレンジを大きくするものである。
【背景技術】
【０００２】
基板上にマトリックス配列して形成された画素（例えば、液晶、有機ＥＬ、電気泳動マイクロカプセル等の表示部とこれを駆動するトランジスタ）からなるフレキシブルシートディスプレイの達成が期待されている。
【０００３】
かかるフレキシブルシートディスプレイに用いるトランジスタとして、有機薄膜トランジスタは有望なデバイスである。トランジスタに有機半導体材料を用いる利点として、フレキシビリティ、大面積化、単純層構成によるプロセスの単純化、安価な製造装置などが挙げられる。結果として、従来のシリコン（Ｓｉ）系半導体装置より桁違いに安く製造できる。
【０００４】
有機材料を用いてデバイスを構成することにより、印刷法、スピンコート法、浸漬法などの湿式法によって簡便に薄膜や回路を形成することが可能となる。
【０００５】
有機薄膜トランジスタにおいて、高品位なゲート絶縁膜としてシリコン熱酸化膜（ＳｉＯ2）を用いる場合には、基板はシリコン基板となり、図２に示すような構造になる。シリコン基板１上に熱酸化により形成された二酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜２が設けられる。このゲート絶縁膜２上に有機半導体層３が設けられ、有機半導体層３上にソース電極４、ドレイン電極５が設けられる。また、基板１の裏面側にゲート電極６が設けられている。
【０００６】
上記したように、基板としてシリコン基板１を用いた場合、高濃度不純物拡散を行えば金属伝導を持つので基板とゲート電極とを兼用できる。しかし、この構成では、基板１に多数の活性層、電極を配置し、トランジスタを集積化しても、ゲート電極が共通のため、その機能は制約されてしまう。このため、図２に示す構成のものでは、フレキシブル性、低コスト等の有機材料を用いるメリットを活かしきれない。
【０００７】
絶縁基板上に個別のゲート電極を持つ有機薄膜トランジスタを集積化する必要がある。そのためには、二酸化シリコン膜に代わる高品質なゲート絶縁膜が求められる。ゲート絶縁膜としては、次の４つの性質が求められる。
【０００８】
１．絶縁耐圧に優れ、低温成膜可能な簡便プロセスで作成されるもの。
【０００９】
２．表面形状に依存せずに均一にコーティングが可能で、基板種に制約を与えないもの。
【００１０】
３．薄膜トランジスタ作成時の化学薬品に対する耐性に優れているもの。
【００１１】
４．薄膜トランジスタ作成時のプロセス温度に対する耐熱性を有するもの。
【００１２】
上記の性質を満たすものとして、ポリパラキシリレン誘導体膜からなる有機絶縁膜がある。ゲート絶縁膜にポリパラキシリレン誘導体膜を用いることが特許文献１に示されている。
【００１３】
ところで、電界効果トランジスタの動作は下記式で示される。
【００１４】
ＩDS＝Ｗ／２Ｌ×μ×Ｃi×（ＶG−Ｖｔｈ）2
Ｃi＝ε0×εr／ｄ
ここで、ＩDS：ドレイン電流、Ｗ：ゲート幅、Ｌ：ゲート長、μ：移動度、Ｃi：ゲート絶縁膜の静電容量、ＶG：ゲート電圧、Ｖth：閾値電圧、ε0：真空の誘電率、εr：比誘電率、ｄ：膜厚、である。
【００１５】
トランジスタ形状に依存せずに、高いドレイン電流ＩDSを得るには高い移動度μ、高い静電容量Ｃiと閾値（動作）電圧Ｖthの低電圧化で達成される。移動度は半導体材料に依存するので、移動度の高い有機半導体層の材料の開発が望まれる。ＶGの高電圧化は消費電力の上昇を招き、好ましくない。高静電容量化は、比誘電率εrの高い材料を用いることやその膜厚ｄを薄くすることで比較的達成しやすい。
【特許文献１】特開２００４−７２０４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
有機絶縁材料の高静電容量化はその分子骨格に極性基を有する構造が好ましく、シアノエチルプルラン、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等は比誘電率が高く、高静電容量化には適している。しかし、これら有機絶縁材料は抵抗率が小さく薄膜化には適していない。つまり、比誘電率εrがいくら大きくても膜厚ｄを薄くできないため、大きな静電容量Ｃiを得ることは困難になる。
【００１７】
他の手段としては、抵抗率が高い材料をより薄膜化する、つまり膜厚ｄを薄くすることによって、大きな静電容量Ｃiを得ることができる。抵抗率が高く、ピンホールレスな薄膜形成が可能な有機絶縁材料として、ポリパラキシリレン誘導体膜がある。
【００１８】
この発明は、上述した知見に基づきなされたものにして、ゲート絶縁膜としてポリパラキシリレン誘導体膜を用い、その膜厚を最適化して、トランジスタ形状に依存せずに、高いＩDSを得て、オンオフ比の向上を図る有機薄膜トランジスタを提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
この発明の有機薄膜トランジスタは、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を備え、前記ゲート絶縁膜が膜厚７２０ｎｍ以下５０ｎｍ以上のポリパラキシリレン誘導体膜であることを特徴とする。
【００２０】
前記ゲート絶縁膜の膜厚を４１０ｎｍ以下５０ｎｍ以上にするとよい。
【００２１】
また、前記ポリパラキシリレン誘導体膜は、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリモノフルオロパラキシリレンの中から選択される膜で構成することができる。
【００２２】
前記有機半導体層は、一般式（Ｉ）
【００２３】
【化１】
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で表される繰り返し単位を有する重合体を含むトリアニールアミン骨格を有する高分子材料を用いればよい。
【００２４】
また、この発明の画像表示装置は、前記のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタをアクティブ素子として用いたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
この発明は、ゲート絶縁膜として膜厚７２０ｎｍ以下５０ｎｍ以上のポリパラキシリレン誘導体膜を用いることで、ステップカバレッジが良好で抵抗率の高いゲート絶縁膜を提供することができ、有機薄膜トランジスタのオフ電流を低下させることができる。これにより、バッテリーライフの減少を抑制することができる。
【００２６】
また、ポリパラキシリレン誘導体膜を薄膜化することで、ＩDS、オンオフ比が向上し、Ｖthが理想的な０Ｖに近づき、サブスレッショルド電圧のさらなる低電圧化が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、この発明の実施形態につき図面を参照して説明する。図１は、この発明の実施形態にかかる有機薄膜トランジスタの基本的構造を示す模式的断面図である。
【００２８】
図１に示すように、絶縁性基板１上にアルミニウム（Ａｌ）などからなるゲート電極２が設けられ、このゲート電極２を被覆するように、有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜３が設けられる。このゲート絶縁膜３上に、有機半導体層４が設けられる。この発明に係る有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の有機半導体層４は、前記一般式で示される繰り返し単位を有する重合体を主成分としている。有機半導体層４上に金（Ａｕ）などからなるソース電極６、ドレイン電極５がそれぞれ設けられる。そして、ＴＦＴデバイスはゲート電極２への電圧の印加により、ソース電極６とドレイン電極５の間の有機半導体層４内を流れる電流がコントロールされる。
【００２９】
この発明のデバイスにおいては、有機半導体層４としては、上記一般式（Ｉ）で示すトリアリールアミン骨格を有する高分子材料を用いている。
【００３０】
さて、この発明の有機薄膜半導体は、上記したゲート絶縁膜３として、ポリパラキシリレン誘導体膜を用い、このポリパラキシリレン誘導体膜の膜厚を薄くして、高いオンオフ比を得るように構成したものである。ここで、ポリパラキシリレン誘導体膜とは、米国のユニオン・カーバイト・ケミカルズ・アンド・プラスチック社が開発したポリパラキシリレン樹脂からなる気相合成法によるコーティング膜である。このコーティング膜は、原料であるジパラキシリレン固体ダイマーを気化、熱分解し、このとき発生した安定なジラジカルパラキシリレンモノマーが基材上において吸着と重合の同時反応を起こすことによって形成される。
【００３１】
次に、ポリパラキシリレン誘導体膜として、ポリモノクロロパラキシリレン（poly-monochloro-para-xylylene）を用いたこの発明の実施形態につき、詳述する。ポリモノクロロパラキシリレン（poly-monochloro-para-xylylene）は、抵抗率１０14Ωｃｍ以上の絶縁性を示し、比誘電率３．１〜３．２程度であり、誘電損失が小さい（０．０２０（６０Ｈｚ）、０．０１９（１ｋＨｚ）、０．０１３（１ＭＨｚ））という特性を有している。
【００３２】
ポリモノクロロパラキシリレンは下記化学式２で示す構造を有する。
【００３３】
【化２】
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【００３４】
ポリモノクロロパラキシリレンをゲート絶縁膜３として用いた有機薄膜トランジスタの具体的実施形態につき説明する。絶縁性基板１を用意する。基板１としては、絶縁性を有するものであれば良く、Ｓｉウェハ、ガラス基板、セラミック基板やプラスチックシートを用いることができる。
【００３５】
この実施例では、比較例との関係から表面に二酸化シリコン膜を形成したＳｉ基板を用いた。この絶縁性基板１上に、膜厚３ｎｍのＣｒ膜、膜厚３０ｎｍのＡｌ膜３０ｎｍの積層膜からなるゲート電極２をこの順にシャドウマスクを用いた真空蒸着法により成膜して形成する。
【００３６】
ゲート電極２を形成した後、ジモノクロロパラキシリレン固体ダイマーよりポリモノクロロパラキシリレン膜を室温でのＣＶＤ法により成膜し、ゲート絶縁膜３を形成する。原料であるジモノクロロパラキシリレン固体ダイマーを気化、熱分解させ、発生した安定なジラジカルモノクロロパラキシリレンモノマーが基板上において吸着と重合の同時反応を起こすことによってゲート絶縁膜３を形成した。この例では、膜厚７２０ｎｍのポリモノクロロパラキシリレン膜を形成した。
【００３７】
ポリモノクロロパラキシリレン膜からなるゲート絶縁膜３上に上記一般式（Ｉ）に示すトリアリールアミン骨格を有する高分子材料を半導体材料に用い、スピンコートにより成膜して、膜厚３０ｎｍの有機半導体層４を設ける。
【００３８】
続いて、この有機半導体層４の上に厚さ５０ｎｍのＡｕ膜をシャドウマスクを用いた真空蒸着法によりパターン成膜し、ソース電極６及びドレイン電極５を形成した。チャンネル長、ゲート幅はＬ＝３０μｍ、Ｗ＝４０００μｍとした。
【００３９】
次に、比較のために、図２に示す従来の構造の有機薄膜トランジスタを形成した。比較例は次のようにして形成した。
【００４０】
熱酸化により２００ｎｍの二酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）（ゲート絶縁膜）２が形成されたＳｉ基板２１にヘキサメチルジシラザン蒸気処理を５分間施し、１２０℃で５分間乾燥した。そして、Ｓｉ基板２１表面に東京応化工業株式会社製のフォトレジスト（ＴＳＭＲ８８００）をスピンコートし、表面のみを保護する。
【００４１】
そして、Ｓｉ基板２１をダイキン工業株式会社製のバッファード・フッ酸（ＢＨＦ６３Ｕ）に１９０秒浸漬し、裏面のＳｉＯ2を除去した。その後、超音波により洗浄を行った。その後、Ｓｉ基板２１の裏面に厚さ３００ｎｍのＡｌ膜を真空蒸着法により成膜してゲート電極２６を形成した後、表面レジストを除去した。
【００４２】
次に、Ｓｉ基板２１のゲート絶縁膜２２表面にＨＭＤＳ（ヘキメチルジシラサン）蒸気処理を１分間施し、１２０℃で５分乾燥した。そして、上記一般式（Ｉ）で示す、トリアリールアミン骨格を有する高分子材料を半導体材料に用い、スピンコートにより膜厚３０ｎｍの厚さで成膜し、有機半導体層２３を形成する。
【００４３】
続いて、有機半導体層２３上に厚さ１００ｎｍのＡｕ膜をシャドウマスクを用いた真空蒸着法により成膜し、ソース電極２４及びドレイン電極２５を形成した。チャネル長、ゲート幅は、実施例と同じＬ＝３０μｍ、Ｗ＝４０００μｍとした。
【００４４】
図２に示した比較例のトランジスタ静特性を図３に示し、各特性を以下に示す。
この比較例の移動度μは、１．５×１０-3ｃｍ2／Ｖｓであり、オン電流Ｉｏｎは、０．６８×１０-6Ａである。なお、この明細書では、オフ電流Ｉｏｆｆはゲート電圧０Ｖにおけるドレイン電流と定義している。
【００４５】
また、オンオフ比（ＶＧ＝−２０Ｖ／ＶＧ＝０Ｖ）は、２．９×１０3、閾値電圧Ｖｔｈは−１．５Ｖ、サブスレッショルド電圧（ドレイン電流を一桁上昇させるのに必要な電圧）は１．３Ｖであった。
【００４６】
上述の膜厚７２０ｎｍのポリモノクロロパラキシリレン膜をゲート絶縁膜３に用いた実施例におけるトランジスタ静特性を図４に示し、各特性を以下に示す。
【００４７】
移動度μは、３．９×１０-3ｃｍ2／Ｖｓとなり、ゲート絶縁膜としてＳｉＯ2絶縁膜を用いた従来の構造のＴＦＴより移動度は向上する。
【００４８】
オン電流Ｉｏｎは、０．２８×１０-6Ａとなる。オンオフ比（ＶＧ＝−２０Ｖ／ＶＧ＝０Ｖ）は、１．６×１０4となり、ゲート絶縁膜としてＳｉＯ２絶縁膜より、オンオフ比は１桁以上向上する。
【００４９】
また、閾値電圧Ｖｔｈは、−４．３Ｖ、サブスレッショルド電圧は、１．３Ｖとなり、ゲート絶縁膜としてＳｉＯ2絶縁膜を用いたＴＦＴと同等な値を示すことが確認できた。
【００５０】
このように、ポリモノクロロパラキシリレン膜をゲート絶縁膜として用いることにより、トランジスタ特性が二酸化シリコン膜を用いるものより、向上することが分かった。すなわち、ポリモノクロロパラキシリレン膜をゲート絶縁膜として用いることで、移動度μが向上し、オフ電流が低下して、オンオフ比が向上する。
【００５１】
そして、オフ電流の低下によりバッテリーライフの減少を抑制することができ、オンオフ比の向上により表示画素の駆動におけるダイナミックレンジが大きくなる。また、サブスレッショルド電圧（ドレイン電流を一桁上昇させるのに必要な電圧）はＳｉＯ2絶縁膜と同等な値を示しており、ポリモノクロロパラキシリレン膜をゲート絶縁膜をＳｉＯ2絶縁膜に代えて使用することに効果があることが確認できた。
【００５２】
更に、特性を向上させるためには、ポリモノクロロパラキシリレン膜からなるゲート絶縁膜３をより薄膜化することである。大きなオン電流Ｉｏｎを得るためにはより大きな静電容量Ｃｉが必要である。Ｃiを大きくするために、ゲートリーク電流を抑制可能なレベルにまでポリモノクロロパラキシリレン膜の膜厚ｄを薄くすればよい。
【００５３】
この発明では、ポリモノクロロパラキシリレン膜の膜厚７２０ｎｍから１０ｎｍまで薄膜化する。薄膜化によるポリモノクロロパラキシリレン膜の比誘電率（３．１〜３．２）、抵抗率（１０14Ωｃｍ以上）に変化はない。成膜は、化学気相堆積法（ＣＶＤ法）を用いることが望ましい。ＣＶＤ法は室温において、被着物の形状、材質を選ばず、精密コーティングが可能であるために、薄膜化した場合に均一でピンホールのない膜を形成できる。
【００５４】
この発明では、７２０ｎｍ、６００ｎｍ、４１０ｎｍ、３３０ｎｍ、２００ｎｍ、５０ｎｍ、１０ｎｍとポリモノクロロパラキシリレン膜の膜厚を変化させてゲート絶縁膜３を構成した、他の構成は上記した実施例と同じである。ゲートリーク電流を抑制可能な厚さにまで薄膜化することで高静電容量化が期待でき、オン電流Ｉｏｎの向上が達成される。
【００５５】
表１に７２０ｎｍ、６００ｎｍ、４１０ｎｍ、３３０ｎｍ、２００ｎｍ、５０ｎｍ、１０ｎｍのポリモノクロロパラキシリレン膜をゲート絶縁膜３に用いた以外は上記した実施例と同じ薄膜トランジスタを作成し、各トランジスタの静特性を測定した。図５にポリモノクロロパラキシリレン膜の膜厚とオンオフ比との関係を示す。
【００５６】
【表１】
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【００５７】
表１より、ポリモノクロロパラキシリレン膜を薄膜化することにより、更にオン電流Ｉｏｎ、オンオフ比が向上し、Ｖthが理想的な０Ｖに近づき、サブスレッショルド電圧のさらなる低電圧化が可能となる。なお、１０ｎｍでは、ゲートリーク電流が大きくなり、トランジスタ動作は示さなかった。
【００５８】
また、表１、図５に示すように、ポリモノクロロパラキシリレン膜の膜厚が４１０ｎｍより薄くなると、膜厚が７２０ｎｍの時よりもオンオフ比が１桁以上向上し、よりダイナミックレンジの大きな素子が提供できる。
【００５９】
なお、ポリパラキシリレン誘導体膜としては、上記したポリモノクロロパラキシリレン膜以外に、ポリパラキシリレン（poly-para-xylylene）、ポリジクロロパラキシリレン（poly-dichloro-para-xylylene）、ポリモノフルオロパラキシリレン（poly-monofluoro-para-xylylene）を用いることもできる。ポリパラキシリレン（poly-para-xylylene）、は絶縁破壊耐圧２．８ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁性を有し、比誘電率は膜厚に関わらず２．７前後であった。ポリパラキシリレンは化学式３に示す構造を有する。
【００６０】
【化３】
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【００６１】
ポリジクロロパラキシリレンは絶縁破壊耐圧２．７ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁性を有し、比誘電率は膜厚に関わらず２．９前後であった。ポリジクロロパラキシリレンは、化学式４に示す構造を有する。
【００６２】
【化４】
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【００６３】
ポリモノフルオロパラキシリレンは絶縁破壊耐圧２ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁性を有し、比誘電率は膜厚に関わらず２．６前後であった。ポリモノフルオロパラキシリレンは化学式５に示す構造を有する。
【００６４】
【化５】
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【００６５】
ポリパラキシリレン誘導体膜をゲート絶縁膜に用いたこの発明が適用される有機薄膜トランジスタの構造は、図１に示す構造に限らず、図６及び図７に示す構造のものにも適用できる。図６に示す構造は、基板１上にゲート電極２を設け、このゲート電極２を被覆するように、ポリパラキシリレン誘導体膜をゲート絶縁膜３が形成される。そして、このゲート絶縁膜３上にソース電極６、ドレイン電極５が設けられ、このソース電極６、ドレイン電極５間及びこれらの上に有機半導体層４を設けた構造である。
【００６６】
図７に示す構造は、基板１上にソース電極６、ドレイン電極５が設けられ、この両電極５、６を含み基板１上に有機半導体層４が設けられる。そして、この有機半導体層４上にポリパラキシリレン誘導体膜をゲート絶縁膜３が設けられ、このゲート絶縁膜３上にゲート電極４を設けた構造である。
【００６７】
これらの有機薄膜トランジスタにおいてもポリパラキシリレン誘導体膜をゲート絶縁膜に用い、このゲート絶縁膜の膜厚を薄くすることで、トランジスタ特性を向上させることができる。
【００６８】
次に、この発明の半導体装置を画像表示装置のアクティブマトリックス素子に用いた実施例につき説明する。図８は、この発明の半導体装置を画像表示装置のアクティブマトリックス基板に用いた例を示す平面図、図９は、この発明のアクティブマトリックス基板を用いた画像表示装置の縦断面図である。アクティブマトリックス基板に、液晶、電気泳動、有機ＥＬなどの画像表示装置を組み合わせることで、アクティブマトリックス型表示装置を構成できる。
【００６９】
図８に示すように、ガラス基板などの絶縁性基板１上に厚さ７０ｎｍのＣｒ膜をスパッタリング法により成膜し、フォトリソグラフィ・エッチング工程により、走査線２０、ゲート電極２が形成される。ゲート絶縁膜３及び走査線２０と信号配線の層間絶縁膜となる絶縁膜として、ＣＶＤ法により、厚さ２００ｎｍのポリモノクロロパラキシリレン膜が形成される。
【００７０】
そして、このポリモノクロロパラキシリレン膜の上に上記一般式（Ｉ）に示すトリアリールアミン骨格を有する高分子材料を半導体材料に用い、スピンコートにより成膜して、膜厚３０ｎｍの有機半導体層４を設ける。
【００７１】
続いて、この有機半導体層４上の所定領域に厚さ５０ｎｍのＡｕ膜をシャドウマスクを用いた真空蒸着法によりパターン成膜し、ソース電極６及びドレイン電極５と信号配線２１及びドレイン電極５と連なる画素配線２２を形成する。
【００７２】
続いて、図示しない分割化パターン化膜を形成する。なお、この分割化パターン化膜を形成する前に有機半導体層４にダメージを与えないためにポリモノクロロパラキシリレン膜からなる保護膜を形成しても良い。
【００７３】
そして、分割パターン化層をマスクとして、酸素ガスによるドライエッチングにより、分割ラインの下に位置する有機半導体層４及びゲート絶縁膜３を除去し、各ＴＦＴ素子に分離される。この実施例では、更にこれら素子上ポリモノクロロパラキシリレン膜からなるパッシベーション膜１１を設けて、アクティブマトリックス基板３１が形成される。
【００７４】
図９に示すように、画像表示装置３０は、前述のアクティブマトリックス基板３１と、透明導電膜３２を第２の基板３３との間に表示素子が設けられ、画素電極２２に連なるドレイン電極５上の表示素子がスイッチングされる。第２の基板３３としては、ガラスやポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等のプラスチックなどを用いることができる。表示素子としては、液晶、電気泳動、有機ＥＬ等の方式を用いることができる。
【００７５】
液晶パネルを構成する場合には、例えば、アクティブマトリックス基板３１の基板と第２の基板３３には、スピンコート法により、配向膜を形成して、配向処理が施されている。そして、両基板１、３３間にシリカスペーサを配置して接合し、ギャップ間に液晶性材料を封入することで液晶パネルが形成される。
【００７６】
また、電機泳動表示パネルは、透明導電膜を成膜後、対向基板にシリカスペーサを配置接合し、ギャップ間にマイクロカプセル型電気泳動素子を封入することで、電気泳動パネルが形成できる。
【００７７】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】この発明の実施形態にかかる有機薄膜トランジスタの基本的構造を示す模式的断面図である。
【図２】従来の有機薄膜トランジスタの基本的構造を示す模式的断面図である。
【図３】比較例にかかる有機薄膜トランジスタにおけるトランジスタ静特性を示す特性図である。
【図４】この発明の実施例にかかる有機薄膜トランジスタにおけるトランジスタ静特性を示す特性図である。
【図５】この発明の実施例にかかる有機薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の膜厚とオンオフ比との関係を示す特性図である。
【図６】この発明の他の実施形態にかかる有機薄膜トランジスタの基本的構造を示す模式的断面図である。
【図７】この発明の更に異なる実施形態にかかる有機薄膜トランジスタの基本的構造を示す模式的断面図である。
【図８】この発明の半導体装置を画像表示装置のアクティブマトリックス基板に用いた例を示す平面図である。
【図９】この発明のアクティブマトリックス基板を用いた画像表示装置の縦断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１  絶縁性基板
２  ゲート電極
３  ゲート絶縁膜
４  有機半導体層
５  ドレイン電極
６  ソース電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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