(57)【要約】【課題】  塩分、アルカリ等を含む水の金属層への浸透が抑えられた導電性積層体、該導電性積層体を有する光学機能性フィルタおよび光学表示装置を提供する。【解決手段】  基材２と、高屈折率透明薄膜層１１、１３および金属薄膜層１２が交互に設けられた導電性機能層５と、防汚層７とを有する導電性積層体１であって、防汚層７を、反応性官能基と結合している珪素原子を２つ以上有するフッ素含有珪素化合物から得られた層とする。【選択図】        図１
2006154572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
透明金属化合物層および金属層が交互に設けられた導電性機能層と、
防汚層とを有し、
前記導電性機能層が、基材と防汚層との間に設けられている導電性積層体であって、
前記防汚層が、反応性官能基と結合している珪素原子を２つ以上有するフッ素含有珪素化合物から得られた層であることを特徴とする導電性積層体。
【請求項２】
前記金属層が、銀を含有する層であることを特徴とする請求項１記載の導電性積層体。
【請求項３】
前記フッ素含有珪素化合物が、エーテル結合を有することを特徴とする請求項１または請求項２記載の導電性積層体。
【請求項４】
前記防汚層表面における純水の接触角が、１００゜以上であり、かつオレイン酸の接触角が、７０゜以上であることを特徴とする請求項１ないし３いずれか一項に記載の導電性積層体。
【請求項５】
前記防汚層に１質量％のＮａＯＨ水溶液を滴下し、３０分間放置した後、滴下部を洗浄、乾燥した後の、該滴下部における純水の接触角が、１００゜以上であり、かつオレイン酸の接触角が、６５゜以上であることを特徴とする請求項１ないし４いずれか一項に記載の導電性積層体。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の導電性積層体を有する光学機能性フィルタ。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の導電性積層体を有する光学表示装置。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の導電性積層体を有する光学物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性積層体、光学機能性フィルタおよび光学表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＲＴ、液晶表示装置、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等の光学表示装置においては、外光の表示画面上への写り込みによって画像を認識しづらくなるという問題がある。光学表示装置は、最近では屋内だけでなく屋外にも持ち出される機会が増加し、表示画面上への外光の写り込みは一層深刻な問題になっている。
【０００３】
外光の写り込みを低減するために、可視光領域の波長の広い範囲にわたって反射率の低い反射防止積層体を光学表示装置の前面に設けることが行われている。また、反射防止積層体に導電性を持たせることにより、電磁波シールド性能を付与できる。例えば、電磁波シールド性を付与した導電性積層体をＰＤＰの画像表示部の前面に設けることにより、ＰＤＰ内部から発生する不要電磁波をシールドすることができる。
【０００４】
導電性積層体は、金属層を有することにより導電性が付与されている。そして、金属層としては、銀が用いられることが多い。銀は、塩分、アルカリ等により腐食しやすいため、塩分、アルカリ等を含む水が金属層まで浸透し、金属層が劣化することを防ぐ必要がある。
【０００５】
導電性積層体の表面には、フッ素含有珪素化合物等からなる、撥水性、撥油性および低摩擦性を有する防汚層が設けられている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、防汚層は、導電性積層体の表面に汚れが付着しないようにすることを目的としたものであり、塩分、アルカリ等を含む水の浸透を完全に防ぐことはできないため、金属層を用いたような導電性積層体には不向きである。
【特許文献１】特開平１１−１５６９８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
よって、本発明の目的は、塩分、アルカリ等を含む水の金属層への浸透が抑えられた導電性積層体、該導電性積層体を有する光学機能性フィルタおよび光学表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の導電性積層体は、基材と、透明金属化合物層および金属層が交互に設けられた導電性機能層と、防汚層とを有し、前記導電性機能層が、透明基材と防汚層との間に設けられている導電性積層体であって、前記防汚層が、反応性官能基と結合している珪素原子を２つ以上有するフッ素含有珪素化合物から得られた層であることを特徴とするものである。
【０００８】
前記金属層は、銀を含有する層であることが好ましい。
前記フッ素含有珪素化合物は、エーテル結合を有することが望ましい。
前記防汚層表面における純水の接触角が、１００゜以上であり、かつオレイン酸の接触角が、７０゜以上であることが望ましい。
また、前記防汚層に１質量％のＮａＯＨ水溶液を滴下し、３０分間放置した後、滴下部を洗浄、乾燥した後の、該滴下部における純水の接触角が、１００゜以上であり、かつオレイン酸の接触角が、６５゜以上であることが望ましい。
【０００９】
本発明の光学機能性フィルタは、本発明の導電性積層体を有することを特徴とするものである。
本発明の光学表示装置は、本発明の導電性積層体を有することを特徴とするものである。
本発明の光学物品は、本発明の導電性積層体を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の導電性積層体は、塩分、アルカリ等を含む水の金属層への浸透が抑えられており、金属層が劣化しにくい。
また、本発明の光学機能性フィルタは、金属層を含む導電性機能層の有する機能が長期間持続される。
また、本発明の光学表示装置は、金属層を含む導電性機能層の有する機能が長期間持続される。
また、本発明の光学物品は、金属層を含む導電性機能層の有する機能が長期間持続される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
＜導電性積層体＞
図１は、本発明の導電性積層体の一例を示す断面図である。この導電性積層体１は、基材２と、基材２上に設けられたハードコート層３と、ハードコート層３上に設けられたプライマー層４と、プライマー層４上に設けられた導電性反射防止層５（導電性機能層）と、導電性反射防止層５上に設けられた低屈折率透明薄膜層６と、低屈折率透明薄膜層６上に設けられた防汚層７と、基材２の他方の面に設けられた粘着層８とを有して概略構成されるものである。
【００１２】
（基材）
基材２としては、透明性を有する無機化合物成形物または有機化合物成形物が挙げられる。本発明における透明性とは、可視光領域の波長の光が透過すればよいことを意味する。成形物の形状としては、表面が平滑であれば特に限定されず、板状、ロール状等が挙げられる。また、基材２は、透明性を有する無機化合物成形物または有機化合物成形物の積層体であってもよい。
【００１３】
透明性を有する無機化合物成形物としては、例えば、ソーダライムガラス、硼珪酸ガラス、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、無アルカリガラス、鉛ガラス等が挙げられる。
透明性を有する有機化合物成形物としては、プラスチックが挙げられる。プラスチックとしては、例えば、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリウレタン、ポリエチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルフォン、ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース等が挙げられる。
【００１４】
基材２の厚さは、目的の用途に応じて適宜選択され、通常２５〜３００μｍである。有機化合物成形物には、公知の添加剤、例えば、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤、着色剤、酸化防止剤、難燃剤等が含有されていてもよい。
【００１５】
（ハードコート層）
ハードコート層３は、鉛筆等による引っ掻き傷、スチールウールによる擦り傷等の機械的外傷から基材２表面または基材２上に形成された各層を防護する層である。ハードコート層３を形成する材料としては、透明性、適度な硬度および機械的強度を有するものであればよく、アクリル系樹脂、有機シリコン系樹脂、ポリシロキサン等の樹脂材料が挙げられる。
【００１６】
アクリル系樹脂としては、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングロコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、３−メチルペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールビスβ−（メタ）アクリロイルオキシプロピオネート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリ（２−ヒドロキシエチル）イソシアネートジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、２，３−ビス（メタ）アクリロイルオキシエチルオキシメチル［２．２．１］ヘプタン、ポリ１，２−ブタジエンジ（メタ）アクリレート、１，２−ビス（メタ）アクリロイルオキシメチルヘキサン、ノナエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラデカンエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１０−デカンジオール（メタ）アクリレート、３，８−ビス（メタ）アクリロイルオキシメチルトリシクロ［５．２．１０］デカン、水素添加ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロイルオキシジエトキシフェニル）プロパン、１，４−ビス（（メタ）アクリロイルオキシメチル）シクロヘキサン、ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、エポキシ変成ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００１７】
有機シリコン系樹脂としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラペンタエトキシシラン、テトラペンタイソプロキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、ジメチルプロポキシシラン、ジメチルブトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００１８】
ハードコート層３は、これら樹脂材料を基材２上に成膜し、熱硬化、紫外線硬化、または電離放射線硬化法によって硬化させることによって形成される。ハードコート層３の厚さは、物理膜厚で０．５μｍ以上、好ましくは３〜２０μｍ、より好ましくは３〜６μｍである。
【００１９】
ハードコート層３に、平均粒子径が０．０１〜３μｍの透明微粒子を分散させて、アンチグレアと呼ばれる処理を施してもよい。ハードコート層３中の微粒子により表面が微細な凹凸状になって光の拡散性が向上し、光の反射をより低減できる。
【００２０】
ハードコート層３は、表面処理が施されていることが好ましい。表面処理を施すことにより、隣接する層との密着性を向上させることができる。ハードコート層３の表面処理としては、例えば、コロナ処理法、蒸着処理法、電子ビーム処理法、高周波放電プラズマ処理法、スパッタリング処理法、イオンビーム処理法、大気圧グロー放電プラズマ処理法、アルカリ処理法、酸処理法等が挙げられる。
【００２１】
（プライマー層）
プライマー層４は、ハードコート層３と導電性反射防止層５との間の密着性を向上させる層である。プライマー層４の材料としては、例えば、シリコン、ニッケル、クロム、錫、金、銀、白金、亜鉛、チタン、タングステン、ジルコニウム、パラジウム等の金属；これら金属の２種類以上からなる合金；これらの酸化物、弗化物、硫化物、窒化物等が挙げられる。酸化物、弗化物、硫化物、窒化物の化学組成は、密着性が向上するならば、化学量論的な組成と一致しなくてもよい。
【００２２】
プライマー層４の厚さは、基材２の透明性を損なわない程度であればよく、好ましくは物理膜厚で０．１〜１０ｎｍである。
プライマー層４は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、化学蒸着（ＣＶＤ）法、湿式塗工法等の従来公知の方法で形成できる。
【００２３】
（導電性反射防止層）
導電性反射防止層５は、基材２側から順に、高屈折率透明薄膜層１１（透明金属化合物層）、金属薄膜層１２（金属層）、および高屈折率透明薄膜層１３（透明金属化合物層）から構成される。導電性反射防止層５は、導電性積層体に、電磁波シールド性、赤外線カット性、反射防止性を付与するものである。
【００２４】
高屈折率透明薄膜層１１、１３は、波長５５０ｎｍの光の屈折率が１．７以上であり、かつ波長５５０ｎｍの光の消衰係数が０．５以下である層である。
【００２５】
高屈折率透明薄膜層１１、１３の材料としては、インジウム、錫、チタン、シリコン、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、マグネシウム、ビスマス、セリウム、クロム、タンタル、アルミニウム、ゲルマニウム、ガリウム、アンチモン、ネオジウム、ランタン、トリウム、ハフニウム等の金属；これらの金属の酸化物、弗化物、硫化物、窒化物；酸化物、弗化物、硫化物、窒化物の混合物等が挙げられる。酸化物、弗化物、硫化物、窒化物の化学組成は、透明性を保持した化学組成であれば、化学量論的な組成と一致しなくてもよい。
【００２６】
酸化物としては、例えば、酸化インジウムと酸化錫との混合物（ＩＴＯ）、酸化インジウムと酸化セリウムとの混合物（ＩＣＯ）、酸化インジウムと酸化亜鉛との混合物、酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの混合物、酸化亜鉛と酸化ガリウムとの混合物、酸化錫と酸化アンチモンとの混合物、酸化錫中にアンチモンおよびインジウムを含んだ混合物、シリコン中にジルコニウムを含んだ混合物等が挙げられる。これらのうち、ＩＴＯおよびＩＣＯは、可視光における屈折率が２．０以上あり、かつ消衰係数がゼロに近いため、可視光領域での透明性に優れ、かつ材料による光の吸収が少ないことから、好適である。また、ＩＴＯおよびＩＣＯは、自由電子密度が高い、すなわち比抵抗が小さいため、直流電源によるスパッタ成膜を可能にする。直流電源の使用は、成膜速度を向上させ、結果として高い生産性に寄与する。
【００２７】
高屈折率透明薄膜層１１と高屈折率透明薄膜層１３とは、必ずしも同一の材料でなくてもよく、目的に合わせて適宜選択される。
高屈折率透明薄膜層１１、１３は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、ＣＶＤ法、湿式塗工法等の従来公知の方法で形成できる。
【００２８】
金属薄膜層１２は、波長５５０ｎｍの光の屈折率が１．０以下、消衰係数が１０．０以下であることが好ましい。
金属薄膜層１２の材料としては例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、パラジウム等の金属；これら金属の２種類以上を含んだ合金が挙げられる。これらのうち。銀、銀を含む合金、銀を含む混合物が好適である。銀は、波長５５０ｎｍの光の屈折率が０．０５５と小さく、一方、消衰係数は３．３２と大きい。屈折率に対する消衰係数の比が他の金属に比べて大きいため金属性が高い、つまり導電性が高い。
【００２９】
銀の薄膜は、酸素、硫黄、ハロゲン、アルカリ等によって腐食しやすく、結果として凝集、マイグレーション等を引き起こす。一方、銀に他の金属元素を含有させると銀の化学的安定性が向上することが知られている。銀に含有させる金属元素としては、例えば、金、銅、白金、錫、アルミニウム、ニッケル、マグネシウム、チタン、ビスマス、ジルコニウム、ネオジウム、パラジウム、亜鉛、インジウム、ゲルマニウム、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、レニウム、ロジウム等が挙げられる。これら金属元素は、２種類以上を銀に含有させてもよい。これらの金属元素を銀に含有させる場合、その含有量は、金属薄膜層１２または導電性積層体１の光学性能を悪化させずに、耐腐食性に寄与する程度であればよく、０．１原子％〜２０原子％程度である。
【００３０】
金属薄膜層１２の厚さは、物理膜厚で５〜１５ｎｍが好ましい。
金属薄膜層１２は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、ＣＶＤ法、湿式塗工法等の従来公知の方法により形成できる。スパッタリング法を用いる場合は、直流電源にて成膜が可能であり、大きな成膜速度が得られるため生産性に優れる。
【００３１】
高屈折率透明薄膜層１１および／または高屈折率透明薄膜層１３と、金属薄膜層１２との間に、金属薄膜層１２を腐食から保護するための保護層を設けてもよい。
保護層の材料としては、例えば、亜鉛、シリコン、ニッケル、クロム、金、白金、アルミニウム、マグネシウム、アンチモン、チタン、パラジウム、ビスマス、錫等の金属；これらの金属の２種類以上を含有した合金；これらの金属の酸化物、弗化物、硫化物、窒化物が挙げられる。
【００３２】
保護層の厚さは、導電性積層体１の透明性を損なわない程度であればよく、物理膜厚で０．１〜１０ｎｍ程度である。形成された保護層は、全面が均一な厚みであってもよく、島状であってもよい。島状とは保護層の材料が付着している部分と付着していない部分とが共存する形態のことである。
金属薄膜層１２の両面に保護層を設ける場合、これら保護層は、同じ材料、同じ成膜方法、および同じ膜厚でなくてもよい。
【００３３】
なお、導電性反射防止層は、図示例の３層構造の導電性反射防止層５に限定はされず、高屈折率透明薄膜層と金属薄膜層とが交互に設けられ、かつ最上層および最下層が高屈折率透明薄膜層であるものであれば、３層の高屈折率透明薄膜層と２層の金属薄膜層とが交互に設けられた５層構造のもの、または７層以上のものであってもよい。高屈折率透明薄膜層を増やすことにより、導電性積層体は、反射率が低くなる可視光領域の波長の範囲が広くなる。ただし、後述の低屈折率透明薄膜層を設けた場合、導電性積層体は、低屈折率透明薄膜層によって反射率が低くなる可視光領域の波長の範囲が充分に広くなるので、導電性積層体の薄膜化の観点から、３層構造のものが好ましい。
【００３４】
（低屈折率透明薄膜層）
低屈折率透明薄膜層６は、波長５５０ｎｍの光の屈折率が１．７未満であり、かつ波長５５０ｎｍの光の消衰係数が０．５以下である層である。低屈折率透明薄膜層６を、導電性反射防止層５の高屈折率透明薄膜層１３に接するように設けることにより、導電性積層体１は、反射率が低くなる可視光領域の波長の範囲が充分に広くなる。
【００３５】
低屈折率透明薄膜層６の材料としては例えば、酸化シリコン、窒化チタン、弗化マグネシウム、弗化バリウム、弗化カルシウム、弗化セリウム、弗化ハフニウム、弗化ランタン、弗化ナトリウム、弗化アルミニウム、弗化鉛、弗化ストロンチウム、弗化イッテリビウム等が挙げられる。
低屈折率透明薄膜層６の厚さは、物理膜厚で１５〜７０ｎｍが好ましい。
低屈折率透明薄膜層６は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト法、ＣＶＤ法、湿式塗工法等の方法で形成できる。
【００３６】
なお、低屈折率透明薄膜層は、図示例のように、導電性反射防止層５の高屈折率透明薄膜層１３に接する面のみに限定はされず、導電性反射防止層５の高屈折率透明薄膜層１１に接する面に設けてもよく、高屈折率透明薄膜層１３に接する面および高屈折率透明薄膜層１１に接する面の両方に設けてもよい。
【００３７】
（防汚層）
防汚層７は、反応性官能基と結合している珪素原子を２つ以上有するフッ素含有珪素化合物から得られた層である。本発明における反応性官能基とは、低屈折率透明薄膜層６の材料（低屈折率透明薄膜層６を設けない場合は、高屈折率透明薄膜層の材料または金属薄膜層の材料）と反応し、結合しうる基を意味する。よって、防汚層７は、具体的には、フッ素含有珪素化合物の反応性官能基と低屈折率透明薄膜層６の材料とを反応させ、また、フッ素含有珪素化合物の反応性官能基同士を反応させることにより形成される層である。
【００３８】
反応性官能基としては、加水分解性基、ハロゲン原子等が挙げられる。加水分解性基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシ基；アリロキシ基、イソプロペノキシ基等のアルケニルオキシ基；アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアシロキシ基；ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基、ジエチルケトオキシム基、シクロペンタノキシム基、シクロヘキサノキシム基等のケトオキシム基；Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ−ブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ−シクロヘキシルアミノ基等のアミノ基；Ｎ−メチルアセトアミド基、Ｎ−エチルアセトアミド基、Ｎ−メチルベンズアミド基等のアミド基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノオキシ基等のアミノオキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。これらのうち、メトキシ基、エトキシ基、イソプロペノキシ基が好適である。
【００３９】
フッ素含有珪素化合物は、反応性基と結合している珪素原子を２つ以上有することで、低屈折率透明薄膜層６の材料に対し、ブリッジ状の膜を網目状に形成することが可能となる。結果、低屈折率透明薄膜層６の表面が、網目状に張り巡らされたブリッジ状のフッ素含有珪素化合物の分子鎖によって隙間なく覆われる。この網目状の張り巡らされたフッ素含有珪素化合物の分子鎖は、大部分は後述のＲf 基であるため、低屈折率透明薄膜層６の表面に沿って延びるＲf 基によって水は確実にはじかれる。これにより、塩分、アルカリ等を含む水の金属薄膜層１２への浸透が抑えられる。この珪素原子を２つ以上有するフッ素含有珪素化合物において、その分子構造中にエーテル結合を含んでいる場合、フッ素含有珪素化合物自体が屈曲性を有することになり、分子鎖自体が自由な形態をとることが可能となる。その屈曲性により、低屈折率透明薄膜層６に対し、自由で密なブリッジ状の網目状構造を形成できる。これにより、指紋等の汚染物質の拭き取り性がよくなるという重要な効果がある。したがって、エーテル結合を分子構造中に有していることが好ましい。また、フッ素含有珪素化合物は、反応性官能基と結合している珪素原子を２つ以上有することで、反応性官能基同士が反応することが可能であるため、反応性官能基と結合している珪素原子が１つである場合と比較して、防汚層７の膜厚を自由に制御することが可能である。防汚層７の厚さを厚くすることにより、アルカリ、塩分等を含んだ水の浸透をいっそうブロックすることが可能となる。
反応性官能基と結合している珪素原子を２つ以上有し、かつエーテル結合を有するフッ素含有珪素化合物としては、例えば、下記式（１）で表される化合物が挙げられる。
【００４０】
【化１】
2006154572.tif 000003
【００４１】
式（１）中、Ｒ1 、Ｒ2 は、炭素数１〜８、好ましくは１〜３の一価の炭化水素基を表し、Ｘ1 、Ｘ2 は、反応性官能基を表し、Ｒ3 、Ｒ4 は、アルキレン基を表し、Ｒ5 、Ｒ5 は、アルキレン基またはオキシアルキレン基を表し、Ｒf は、パーフルオロアルキレン基またはパーフルオロ（ポリ）オキシアルキレン基を表し、ｍ、ｎは、１〜３の整数を表す。Ｒ1 、Ｒ2 の一価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基等が挙げられる。
【００４２】
反応性官能基と結合している珪素原子を２つ以上有するフッ素含有珪素化合物の具体例としては、（ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）pＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）2ＣＨ3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）pＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2、（ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）q（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）2ＣＨ3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）q（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2、（Ｃ2Ｈ5Ｏ）3ＳｉＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）q（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、（ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2Ｃ（＝ＣＨ2）ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）pＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2（ＣＨ2＝）ＣＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2Ｃ（＝ＣＨ2）ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）q（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2（ＣＨ2＝）ＣＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、（ＣＨ3Ｏ）2ＣＨ3ＳｉＣＨ2Ｃ（＝ＣＨ2）ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）q（ＯＣＦ2）rＯＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2（ＣＨ2＝）ＣＣＨ2ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2が挙げられる。ただし、ｐ＝１〜５０、ｑ＝１〜５０、ｒ＝１〜５０、ｑ＋ｒ＝１０〜１００の整数であり、式中の繰り返し単位はランダムである。
【００４３】
防汚層７は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、プラズマ重合法等の真空ドライプロセスの他、マイクログラビア法、スクリーンコート法、ディップコート法等のウェットプロセスにより形成できる。防汚層７の物理膜厚は、１〜３０ｎｍ程度であり、好ましくは３〜１５ｎｍ程度である。
防汚層７表面における純水の接触角は、防水および防汚性の観点から、１００゜以上が好ましく、かつオレイン酸の接触角は、７０゜以上であることが好ましい。
防汚層７に１質量％のＮａＯＨ水溶液を滴下し、３０分間放置した後、滴下部を洗浄、乾燥した後の、該滴下部における純水の接触角は、１００゜以上が好ましく、かつオレイン酸の接触角は、６５゜以上であることが好ましい。この範囲であれば、実用段階でアルカリによる経時変化に強く、充分な防汚性が得られる。
【００４４】
（粘着層）
粘着層８は、可視光領域の波長の光を透過し、かつ粘着性を有するものであればよい。粘着層８は、光学的性能の観点から、波長５００〜６００ｎｍの光の屈折率が１．４５〜１．７であり、消衰係数がほぼ０であることが好ましい。
粘着層８の材料としては例えば、アクリル系接着剤、シリコン系接着剤、ウレタン系接着剤、ポリビニルブチラール接着剤（ＰＶＡ）、エチレン−酢酸ビニル系接着剤（ＥＶＡ）、ポリビニルエーテル、飽和無定形ポリエステル、メラミン樹脂等が挙げられる。
【００４５】
（作用）
以上説明した導電性積層体１にあっては、防汚層７が、反応性官能基と結合している珪素原子を２つ以上有するフッ素含有珪素化合物から得られた層であるので、該防汚層７においては、図２に示すように、分子中の２つの反応性官能基が低屈折率透明薄膜層６の材料と反応し、フッ素含有珪素化合物がブリッジ状になって低屈折率透明薄膜層６の材料と結合する。結果、低屈折率透明薄膜層６の表面が、網目状に張り巡らされたブリッジ状のフッ素含有珪素化合物の分子鎖によって隙間なく覆われる。この網目状の張り巡らされたフッ素含有珪素化合物の分子鎖は、大部分はＲf 基であるため、低屈折率透明薄膜層６の表面に沿って延びるＲf 基によって水（図中符号１５）は確実にはじかれる。これにより、塩分、アルカリ等を含む水の金属薄膜層１２（金属層）への浸透が抑えられる。この珪素原子を２つ以上有するフッ素含有珪素化合物において、その分子構造中にエーテル結合を含んでいる場合、エーテル結合の回転によって分子鎖が屈曲性を有することになり、自由な形態をとることが可能となる。その屈曲性により低屈折率透明薄膜層６に対し、自由で密なブリッジ状の網目状構造を形成できる。また、このようなエーテル結合を含む屈曲性を持ったフッ素含有珪素化合物は、指紋等の汚染物質の拭き取り性がよくなるという重要な効果がある。
【００４６】
一方、従来の防汚層は、反応性官能基と結合している珪素原子を１つのみ有するフッ素含有珪素化合物から得られた層であるので、図３に示すように、フッ素含有珪素化合物の他端が低屈折率透明薄膜層６の材料と結合することなくフリーとなり、フッ素含有珪素化合物のＲf 基は、低屈折率透明薄膜層６の表面に沿うことなく、上方に向かって延びることとなる。このため、従来の防汚層は、Ｒf 基の存在しない縦方向の隙間が多く存在し、塩分、アルカリ等を含む水（図中符号１５）は浸透しやすくなる。
【００４７】
なお、本発明の導電性積層体は、図示例の導電性積層体１に限定はされず、少なくとも、基材と、透明金属化合物層および金属層が交互に設けられた導電性機能層と、反応性官能基と結合している珪素原子を２つ以上有するフッ素含有珪素化合物から得られた防汚層とを有するものであればよい。
また、本発明における導電性機能層は、図示例の導電性反射防止層５に限定はされず、透明金属化合物層および金属層が交互に設けられたものであればよい。導電性機能層の他の例としては、赤外線反射層、反射層、半透過膜等が挙げられる。
【００４８】
＜光学機能性フィルタ＞
本発明の光学機能性フィルタは、本発明の導電性積層体を有するものである。本発明の光学機能性フィルタとしては、ＣＲＴ用フィルタ、液晶表示装置用フィルタ、プラズマディスプレイパネル用フィルタ、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ用フィルタ、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）用フィルタ、リアプロジェクションテレビ用フィルタ等が挙げられる。
プラズマディスプレイパネル用フィルタにおいては、本発明の導電性積層体以外に、他の層として、防眩性を確保するアンチグレア層、ニュートンリングの発生を抑制するアンチニュートンリング層、色補正層、赤外線カット層、紫外線カット層、ガスバリア層、帯電防止層、電磁波シールド層等を設けてもよい。
【００４９】
＜光学表示装置＞
本発明の光学表示装置は、本発明の導電性積層体を有するものである。具体的には、ＣＲＴ、液晶表示装置、プラズマディスプレイパネル等の光学表示装置の前面に、本発明の導電性積層体、または本発明の光学機能性フィルタを設けたものである。
＜光学物品＞
本発明の光学物品としては、液晶表示装置に用いる光源のリフレクターとして本発明の導電性積層体を用いたものが挙げられる。
本発明の光学機能性フィルタ、光学表示装置および光学物品にあっては、アルカリ、塩分等を含む水分の耐性に優れている。金属層を含む導電性機能層の性能が長時間持続される。
【実施例】
【００５０】
以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
［実施例１］
基材２である、厚さ８０μｍのトリアセチルセルロースフィルム（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．５１）（以下、ＴＡＣフィルムと記す）上に、電離放射線硬化型アクリル系樹脂をウェットコーティングによって成膜し、物理膜厚５μｍのハードコート層３を形成した。
ハードコート層３上に、ＳｉＯx をスパッタリング法により堆積させ、物理膜厚３ｎｍのプライマー層４を形成した。
【００５１】
ついで、以下のようにして高屈折率透明薄膜層１１、金属薄膜層１２、および高屈折率透明薄膜層１３からなる導電性反射防止層５を形成した。
プライマー層４上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をスパッタリング法により堆積させ、物理膜厚２７ｎｍの高屈折率透明薄膜層１１（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。
高屈折率透明薄膜層１１上に、銀中に金１．５原子％および銅０．５原子％を含有する合金をスパッタリング法により堆積させ、物理膜厚９ｎｍの金属薄膜層１２（波長５５０ｎｍの光の屈折率０．０９、消衰係数３．５１）を形成した。
金属薄膜層１２上に、インジウム中にセリウム１０原子％を含有する透明導電酸化物材料（ＩＣＯ）をスパッタリング法により堆積させ、物理膜厚２０ｎｍの高屈折率透明薄膜層１３（波長５５０ｎｍの光の屈折率２．２、消衰係数０．００１）を形成した。
【００５２】
ついで、高屈折率透明薄膜層１３上に、ＳｉＯ2 をスパッタリング法により堆積させ、物理膜厚４０ｎｍの低屈折率透明薄膜層６（波長５５０ｎｍの光の屈折率１．４６、消衰係数０）を形成した。
さらに、低屈折率透明薄膜層６上に、下記式（２）で表されるフッ素含有珪素化合物を真空蒸着法により堆積させ、物理膜厚６ｎｍの防汚層７を形成した。ＴＡＣフィルムの他方の面に、アクリル系接着剤を塗布して粘着層８を形成し、導電性積層体１を得た。
【００５３】
【化２】
2006154572.tif 000004
【００５４】
［比較例１］
防汚層の材料を、下記式（３）で表されるフッ素含有珪素化合物に変更した以外は、実施例１と同様にして導電性積層体を得た。
【００５５】
【化３】
2006154572.tif 000005
【００５６】
＜評価１＞
実施例１および比較例１で得られた導電性積層体について、以下の評価を行った。結果を表１〜３に示す。
（１）１％ＮａＣｌ水溶液浸漬試験：
２００ｍｍ×２００ｍｍのサンプルを、２００ｍｍ×２００ｍｍの石英ガラス基板上に、粘着層８側が石英ガラス基板側になるように貼り合わせ、これを１質量％のＮａＣｌ水溶液に浸漬した。導電性反射防止層の経時変化を観察し、金属薄膜層の銀の凝集点を目視により数えた。サンプルの浸漬中、ＮａＣｌ水溶液の温度は２０℃に保った。
【００５７】
（２）５％ＮａＣｌ水溶液浸漬試験：
１質量％のＮａＣｌ水溶液を５質量％のＮａＣｌ水溶液に変更した以外は、（１）と同様にして金属薄膜層の銀の凝集点を目視により数えた。
（３）耐湿熱性試験
２００ｍｍ×２００ｍｍのサンプルを、２００ｍｍ×２００ｍｍの石英ガラス基板上に、粘着層８側が石英ガラス基板側になるように貼り合わせ、これを６０℃−９０％ＲＨとした恒温恒湿槽内に入れ、１０００時間までの耐湿熱試験を実施した。導電性反射防止層の経時変化を観察し、金属薄膜層の銀の凝集点を目視により数えた。
【００５８】
【表１】
2006154572.tif 000006
【００５９】
【表２】
2006154572.tif 000007
【００６０】
【表３】
2006154572.tif 000008
【００６１】
（１）〜（３）の評価における比較例１のサンプルについて、銀の凝集が発生した箇所の元素分析を行ったところ、すべての評価のサンプルにおいて高屈折率透明薄膜層および低屈折率透明薄膜層中に塩素が検出された。これに対し、実施例１のサンプルにおいて高屈折率透明薄膜層および低屈折率透明薄膜層中に塩素が検出されなかった。反応性官能基と結合している珪素原子を２つ以上有するフッ素含有珪素化合物から得られた防汚層７を有する実施例１の導電性積層体は、表面起因の汚染による銀のマイグレーションを防止する効果を有することが確認された。
以上のことから、本発明の導電性積層体は、塩分等を含む水の金属層への浸透を抑えることが確認された。
【００６２】
＜評価２＞
実施例１および比較例１で得られた導電性積層体について、以下の評価を行った。結果を表４に示す。
（４）純水による接触角測定：
協和界面化学（株）製、接触角計ＣＡ−Ｘを用いて測定した。
（５）オレイン酸による接触角測定：
協和界面化学（株）製、接触角計ＣＡ−Ｘを用いて測定した。
（６）耐アルカリ性試験：
防汚層に１質量％のＮａＯＨ水溶液を滴下し、３０分間放置した後、滴下部を純水で洗浄し、乾燥した後、該滴下部における純水の接触角を測定した。
【００６３】
【表４】
2006154572.tif 000009
【００６４】
表４の結果より、実施例１は、比較例１に対し、耐アルカリ性が明らかに優れていることがわかる。比較例１が、耐アルカリ性試験後において撥水効果を失うのに対し、実施例１は撥水効果を保ったままであることがわかる。
【００６５】
さらに、実施例１および比較例１で得られた導電性積層体について、以下の評価を行った。結果を表５に示す。
（７）耐アルカリ性の経時変化：
防汚層に１質量％のＮａＯＨ水溶液を滴下し、１５分放置したサンプル、３０分放置したサンプル、６０分放置したサンプル、１２０分放置したサンプルについて、（６）の試験と同様に純水の接触角を測定した。
【００６６】
【表５】
2006154572.tif 000010
【００６７】
表５の結果より、実施例１のサンプルは、アルカリ水溶液にさらされる時間が長くなっても、比較例１に比べて接触角の変化がはるかに小さく、防汚層内へのアルカリ水溶液の浸透および防汚層自体の破壊が飛躍的に抑えられていることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明の導電性積層体は、ＣＲＴ、液晶表示装置、ＰＤＰ等の光学表示装置の前面に設けられるフィルタとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の導電性積層体の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の導電性積層体の防汚層の一例を示す概略模式図である。
【図３】従来の導電性積層体の防汚層の一例を示す概略模式図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  導電性積層体
２  基材
５  導電性反射防止層（導電性機能層）
７  防汚層
１１  高屈折率透明薄膜層（透明金属化合物層）
１２  金属薄膜層（金属層）
１３  高屈折率透明薄膜層（透明金属化合物層）
【図１】
2006154572.tif 000011
【図２】
2006154572.tif 000012
【図３】
2006154572.tif 000013