(57)【要約】【課題】  吐出した機能材料を含む液滴に、レーザ光を精度よく照射し、効率のよい乾燥・焼成を行なうことができる液滴吐出装置を提供する。【解決手段】  液滴吐出ヘッド３０は、透明の第１基板３１、第２基板３２、第３基板３３から構成され、第１基板３１と第２基板３２との間にノズルＮと、これに接続されるキャビティ３２ｃが形成される。このキャビティ３２ｃには、吐出すると液滴Ｆｂとなる機能液Ｆａが収納され、その側壁には、静電アクチュエータにより振動する振動板３２ｂが設けられている。半導体レーザＬを、第１基板３１の外側に配置し、そのレーザ光が第１基板３１を通過するように照射させる。半導体レーザＬからのレーザ光の一部は、第１基板３１を通過して、液滴Ｆｂの着弾位置の近傍に照射されて液滴を乾燥させる。半導体レーザＬからのレーザ光の残りの一部は、第１基板３１の表面で反射して、乾燥された液滴Ｆｂの焼成を行なう。【選択図】      図７
2006272086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力室に貯えられた機能性材料を含む液状体に圧力を加える加圧手段によって、前記圧力室の吐出口から液滴を吐出する液滴吐出手段と、
この液滴吐出手段から吐出された液滴にレーザ光を照射するレーザ照射手段とを備えた液滴吐出装置であって、
前記液滴吐出手段の一部を、透過性部材で構成し、
前記レーザ照射手段からのレーザ光を、前記透過性部材に対して照射して、
前記透過性部材を透過する第１レーザ光を、前記液滴吐出手段から吐出された液滴の着弾位置又は前記着弾位置近傍に照射させ、
前記レーザ光を前記透過性部材で分岐させた第２レーザ光を、前記第１レーザ光の照射位置とは別の位置に照射させることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液滴吐出装置において、
前記透過性部材は、半透過性を有する反射膜を備えた半透過鏡であることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液滴吐出装置において、
前記圧力室を、前記透過性部材として機能する第１基板と、溝部が形成された第２基板とにより形成し、
前記第１基板に、前記レーザ照射手段からのレーザ光を照射して、前記第１基板を透過する第１レーザ光と、前記第１基板で反射する第２レーザ光とを生成することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記第２レーザ光を前記着弾した液滴に追従するように、前記レーザ照射手段を、前記液滴吐出手段に対して相対移動させる追従手段を設けたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記圧力室を構成する加工基板の溝部を形成する側面の一部に可撓領域を設け、前記可撓領域を前記圧力室の一部としたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液滴吐出装置において、
前記加圧手段は、前記可撓領域と、前記可撓領域に対向して設けられた電極とから構成されることを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶ディスプレイ装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）等の電気光学装置は、基板上に複数の電気光学素子を形成している。一般に、この種の基板には、品質管理・製品管理等の目的で、製造番号、又は製造番号をコード化した２次元コード等の固有の識別コードが描画されている。この識別コードは、認識手段としての専用のコードリーダによって読み取られ、解読される。
【０００３】
この基板に識別コードを描画する方法として、基板（ガラス基板）に金属箔付きフィルムを対面させレーザ光を照射して、金属膜を基板に転写させて基板にマークを形成したり、また、研磨材を含んだ水を基板等に噴射し、基板に番号等を刻印したりする方法が提案されている（特許文献１、特許文献２を参照。）。
【０００４】
ところで、各描画方法は、描画工程が多く、装置も高価で大型化する傾向がある。そこで、装置が小さく、描画も短時間に実現できるインクジェット法が検討されている。インクジェット法は、液滴吐出装置を用いて、ノズルから機能液（インク液滴）を基板に対して吐出させて２次元バーコード等の識別コードのパターンを形成する。
【０００５】
また、高密度で高精度なインクジェットに用いる液滴吐出ヘッドを簡単かつ大量に製造する技術も開示されている（特許文献３を参照。）。この特許文献３に記載の技術においては、（１１０）面方位のシリコンウェハ上にパターニングし、その特定の位置に孔明け加工を施す。その後に結晶異方性エッチングを行なうことにより、ウェハ表面に対して直角な（１１１）面で構成されたインクノズル孔とインク圧力室を一体成形した液滴吐出ヘッドを製造する。
【０００６】
更に、このような液滴吐出ヘッドにおいて、吐出特性を光測定器等で簡易かつ効率的に評価できる等、量産性、検査効率に優れた構造のインクジェット記録装置に関する技術も開示されている（特許文献４を参照。）。特許文献４に記載の技術によれば、液滴吐出ヘッドは、各ノズル孔に連通する独立した吐出室と、この吐出室の一部の壁をなす振動板とを有する。そして、この振動板を駆動する駆動手段と、各吐出室にインクを供給する共通のインクキャビティを有する。そして、振動板下に形成される電極基板が透明基板であり、電極が透明導電膜からなる。これにより、液滴吐出ヘッド外部から内部を観察することができる。
【特許文献１】特開平１１−７７３４０号公報
【特許文献２】特開２００３−１２７５３７号公報
【特許文献３】特開平５−３０９８３５号公報
【特許文献４】特開平６−２３９８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、識別コードを描画するためのインクジェット法においては、液滴を正確な位置に着弾させる工程と、基板に着弾させたインクを乾燥し、機能材料を焼成させて基板に密着させる工程がある。
【０００８】
まず、液滴を正確な位置に着弾させるためには、基板と液滴吐出ヘッドとを近接させる
必要がある。一方、着弾から乾燥までの時間が長いと着弾した液滴は濡れ広がったり収縮したりする可能性があり、着弾後、速やかに乾燥や焼成する工程を効率的に行なう必要がある。しかし、基板と液滴吐出ヘッドとを近接させると、着弾位置が液滴吐出ヘッドの影に入ってしまい、着弾位置がこの影から出てくるまでレーザ光の照射を待たなければならない。この場合、レーザ光による乾燥工程に遅れが生じ、適切な液滴形状を維持することが困難になる場合がある。また、透明基板・透明ステージの裏面からレーザ光を照射する場合もある。しかし、実際に用いる基板が常に透明とは限らない。
【０００９】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、吐出した機能材料を含む液滴に、レーザ光を精度よく照射し、効率のよい乾燥・焼成を行なうことができる液滴吐出装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の液滴吐出装置は、圧力室に貯えられた機能性材料を含む液状体に圧力を加える加圧手段によって、前記圧力室の吐出口から液滴を吐出する液滴吐出手段と、この液滴吐出手段から吐出された液滴にレーザ光を照射するレーザ照射手段とを備えた液滴吐出装置であって、前記液滴吐出手段の一部を、透過性部材で構成し、前記レーザ照射手段からのレーザ光を、前記透過性部材に対して照射して、前記透過性部材を透過する第１レーザ光を、前記液滴吐出手段から吐出された液滴の着弾位置又は前記着弾位置近傍に照射させ、前記レーザ光を前記透過性部材で分岐させた第２レーザ光を、前記第１レーザ光の照射位置とは別の位置に照射させる。
【００１１】
この液滴吐出装置によれば、レーザ照射手段からのレーザ光を、液滴吐出手段の一部の透過性部材に照射して、液滴の着弾位置又は着弾位置近傍に照射する第１レーザ光と、この第１レーザ光の照射位置とは別の位置に照射する第２レーザ光とを生成する。このため、第１レーザ光により液滴の乾燥を行ない、第２レーザ光により液滴の焼成を行なうことができる。乾燥と焼成とは、実施目的が異なるため、それぞれ実施することにより、それぞれの目的に応じた条件で照射することができる。更に、第１のレーザ光と第２のレーザ光とが、異なるタイミングで液滴に照射されるので、相対移動させる基板の速度を上げても、より長い時間レーザ光を液滴に照射することができる。よって、液滴の乾燥及び焼成を効率よく行なうことができる。また、第１レーザ光と第２レーザ光に分岐する透過性部材を液滴吐出手段の一部で構成するため、第１レーザ光と第２レーザ光を分岐するための部材を、別途、設けなくても、効率よく乾燥及び焼成を行なうことができる。ここにおける「透過性部材」とは、「入射した光の少なくとも一部を透過する部材」であって、液滴の着弾位置又は着弾位置近傍に照射する第１レーザ光と、この第１レーザ光の照射位置とは別の位置に照射する第２レーザ光とに分岐することができる部材である。この「透過性部材」には、例えばハーフミラーなどの透過成分と反射成分に分配するために透明部材の表面あるいは内部に何らかの処理を施した部材に限らず、処理を施していない素ガラスのような部材も含む。
【００１２】
この液滴吐出装置において、前記透過性部材は、半透過性を有する反射膜を備えた半透過鏡であってもよい。
この液滴吐出装置によれば、透過性部材は、半透過性を有する反射膜を備えた半透過鏡であるため、透過性部材によって、液滴の着弾位置又は着弾位置近傍に照射する第１レーザ光と、この第１レーザ光の照射位置とは別の位置に照射する第２レーザ光とに、より確実に分岐することができる。
【００１３】
この液滴吐出装置において、前記圧力室を、前記透過性部材として機能する第１基板と、溝部が形成された第２基板とにより形成し、前記第１基板に、前記レーザ照射手段からのレーザ光を照射して、前記第１基板を透過する第１レーザ光と、前記第１基板で反射す
る第２レーザ光とを生成してもよい。
【００１４】
この液滴吐出装置によれば、前記圧力室を形成する第１基板を用いて、前記レーザ照射手段からのレーザ光を、第１レーザ光と第２レーザ光とに分岐させる。このため、より簡素な構成で、液滴吐出手段の一部を透過性部材として用いることができる。
【００１５】
この液滴吐出装置において、前記第２レーザ光を前記着弾した液滴に追従するように、前記レーザ照射手段を、前記液滴吐出手段に対して相対移動させる追従手段を設けてもよい。
【００１６】
この液滴吐出装置によれば、第２レーザ光を、基板に着弾した液滴に追従させることができるので、より長時間、第２レーザ光を液滴に照射することができる。通常、乾燥に比べて、焼成にはより多くのエネルギが必要である。従って、より効率よく液滴の焼成を行なうことができる。
【００１７】
この液滴吐出装置において、前記圧力室を構成する加工基板の溝部を形成する側面の一部に可撓領域を設け、前記可撓領域を前記圧力室の一部としてもよい。この液滴吐出装置によれば、この可撓領域を振動させて、液滴を吐出させることができる。
【００１８】
この液滴吐出装置において、前記加圧手段は、前記可撓領域と、前記可撓領域に対向して設けられた電極とから構成してもい。この液滴吐出装置によれば、静電気力により圧力室を加圧し、液滴を吐出させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図１〜図１０に従って説明する。
（液晶表示装置の表示モジュール）
まず、液滴吐出装置を使って形成されたドットパターンが描画された液晶表示装置の表示モジュールについて説明する。図１は液晶表示装置の液晶表示モジュールの正面図、図２は液晶表示モジュールの裏面に形成されたドットパターンの正面図、図３は液晶表示モジュールの裏面に形成されたドットパターンの側面図である。
【００２０】
図１において、表示モジュール１は、光透過性の表示用基板としてのガラスで構成される基板２を備えている。その基板２の表面２ａの略中央位置には、液晶を封入した四角形状の表示部３が形成され、その表示部３の外側には走査線駆動回路４及びデータ線駆動回路５が形成されている。そして、表示モジュール１は、走査線駆動回路４の供給する走査信号と、データ線駆動回路５の供給するデータ信号に基づいて液晶分子の配向状態を制御し、図示しない照明装置から照射された平面光を、液晶分子の配向状態で変調することによって、表示部３に、所望の画像を表示するようになっている。
【００２１】
基板２の着弾面としての裏面２ｂの右隅には、表示モジュール１のドットＤで構成されたドットパターン１０が形成されている。ドットパターン１０は、図２に示すように、パターン形成領域Ｚ１内に形成される複数のドットＤにて構成されている。このパターン形成領域Ｚ１の外周には予め定めた余白領域Ｚ２が形成されている。そして、パターン形成領域Ｚ１に形成されたドットパターン１０は、本実施形態では２次元コードであって、２次元コードリーダで読み取られる。また、余白領域Ｚ２は、前記ドットＤが形成されない領域であって、２次元コードリーダがパターン形成領域Ｚ１を特定し同パターン形成領域Ｚ１内のドットパターン１０の誤検出を防止するための領域である。
【００２２】
パターン形成領域Ｚ１は、１〜２ｍｍ角の正方形の領域であって、図４に示すように、１６行×１６列の各セルＣに仮想分割され、その分割された各セルＣに対して選択的にド
ットＤが形成される。なお、その分割されたセルＣ内にドットＤが形成されるセルＣを黒セルＣ１と、セルＣ内にドットＤが形成されないセルＣを白セルＣ０（非形成領域）という。そして、１６行×１６列の各セルＣに対して選択的にドットＤが形成され、その各ドットＤで構成する表示モジュール１の製品番号やロット番号を識別するためのドットパターン１０（２次元コード）が形成される。また、図４において上側から順に、１行目のセルＣ、２行目のセルＣ、・・・、１６行目のセルＣとし、図４において左側から順に、一列目のセルＣ、２列目のセルＣ、・・・、１６列目のセルＣという。
【００２３】
黒セルＣ１（ドット領域）に形成されるドットＤは、図２及び図３に示すように、半球状に基板２に密着して形成されている。このドットＤの形成方法は、本実施形態ではインクジェット法で行なう。詳述すると、ドットＤは、後記する液滴吐出装置２０のノズルＮから機能性材料としてのマンガン微粒子を含む液状体としての機能液Ｆａ（図７参照）の液滴ＦｂをセルＣ（黒セルＣ１）に吐出させる。次に、その黒セルＣ１に着弾した液滴Ｆｂを、乾燥しマンガン微粒子を焼成させることによって、基板２に密着したマンガンよりなる半球状のドットＤが形成される。この乾燥・焼成はレーザ光を、基板２（黒セルＣ１）に着弾した液滴Ｆｂに照射することによって行われる。
【００２４】
（液滴吐出装置）
次に、基板２の裏面２ｂにドットパターン１０を形成するために使用される液滴吐出装置２０について説明する。
【００２５】
図５は、基板２の裏面２ｂのドットパターン１０を形成するための液滴Ｆｂを吐出する液滴吐出装置２０の構成を示す斜視図である。
液滴吐出装置２０には、図５に示すように、直方体形状に形成される基台２１が備えられている。本実施形態では、この基台２１の長手方向をＹ矢印方向とし、Ｙ矢印方向と直交する方向をＸ矢印方向とする。
【００２６】
基台２１の上面２１ａには、Ｙ矢印方向に延びる一対の案内凹溝２２がＹ矢印方向全幅にわたり形成されている。その基台２１の上側には、一対の案内凹溝２２に対応する図示しない直動機構を備えた基板ステージ２３が取り付けられている。基板ステージ２３の直動機構は、例えば案内凹溝２２に沿って延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構であって、その駆動軸がステップモータよりなるＹ軸モータＭＹ（図９参照）に連結されている。そして、所定のステップ数に相対する駆動信号がＹ軸モータＭＹに入力されると、Ｙ軸モータＭＹが正転又は逆転して、基板ステージ２３が同ステップ数に相当する分だけ、Ｙ矢印方向に沿って所定の速度で往動又は復動する（Ｙ方向に移動する）ようになっている。
【００２７】
本実施形態では、基板ステージ２３の配置位置であって、図５に示すように、基台２１の最も手前側に配置する位置を往動位置とし、最も奥側に配置する位置を復動位置という。
【００２８】
基板ステージ２３の上面には、載置面２４が形成され、その載置面２４には、図示しない吸引式の基板チャック機構が設けられている。そして、載置面２４に基板２を載置すると、前記基板チャックによって、基板２が載置面２４の所定位置に位置決め固定される。この際、パターン形成領域Ｚ１は、各セルＣの列方向がＹ矢印方向に沿うように設定され、かつ１行目のセルＣが最もＹ矢印方向側となるように配置される。
【００２９】
基台２１のＸ矢印方向両側には、一対の支持台２５ａ、２５ｂが立設され、その一対の支持台２５ａ、２５ｂには、Ｘ矢印方向に延びる案内部材２６が架設されている。案内部材２６は、その長手方向の幅が基板ステージ２３のＸ矢印方向よりも長く形成され、その
一端が支持台２５ａ側に張り出すように配置されている。
【００３０】
案内部材２６の上側には、前記マンガン微粒子を含む機能液Ｆａを収容する収容タンク２７が配設されている。一方、その案内部材２６の下側には、Ｘ矢印方向に延びる上下一対の案内レール２８がＸ方向全幅にわたり凸設されている。この案内レール２８には、この案内レール２８に対応する図示しない直動機構を備えたキャリッジ２９が取り付けられている。このキャリッジ２９の直動機構は、例えば案内レール２８に沿って延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が、所定のパルス信号を受けてステップ単位で正逆転するＸ軸モータＭＸ（図９参照）に連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号をＸ軸モータＭＸに入力すると、Ｘ軸モータが正転又は逆転して、キャリッジ２９が同ステップ数に相当する分だけＸ矢印方向に沿って往動又は復動する。
【００３１】
このキャリッジ２９には、液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド３０が一体に設けられている。図６は、液滴吐出ヘッド３０の下面（基板ステージ２３側の面）を上方に向けた場合の斜視図である。図７は、液滴吐出ヘッド３０の構造を説明するための要部断面図である。図８は、液滴吐出ヘッド３０の主要部を分解して示す斜視図であり、一部断面図で示している。
【００３２】
図６に示すように、液滴吐出ヘッド３０は、その下面にはドットパターン１０を形成するための１６個の吐出口としてのノズルＮがＸ矢印方向（セルＣの行方向）に一列となって等間隔に貫通形成されている。ノズルＮは、そのピッチ幅が、セルＣの形成ピッチと同じ大きさで形成される孔である。つまり、各ノズルＮは、基板２（パターン形成領域Ｚ１）がＹ矢印方向に沿って往復直線移動するときに、それぞれ列方向に沿う各セルＣと対峙可能に配置形成されている。
【００３３】
この液滴吐出ヘッド３０は、図７に示すように、第１基板３１、第２基板３２及び第３基板３３を重ねて接合した積層構造となっている。第１基板３１は、透明なホウ珪酸ガラスからなり、フラットな板状の基板である。この第１基板３１の外側表面には、金属薄膜が形成されている。この金属薄膜は、レーザ光に対して透過性を有するともに、反射膜としても機能する。この金属薄膜は、ホウ珪酸ガラスの表面に所定膜厚の金属を蒸着して形成する。第１基板３１に接合される第２基板３２は、加工したシリコンからなる基板である。第２基板３２に接合される第３基板３３は、ホウ珪酸ガラスからなる基板である。そして、図６に示すように、第１基板３１と第２基板３２との間にノズルＮが形成されている。
【００３４】
詳述すると、図７に示すように、各ノズルＮに相対する位置には、圧力室としてのキャビティ３２ｃが形成されている。キャビティ３２ｃは収容タンク２７に連通され、収容タンク２７内の機能性材料としてのマンガン微粒子を分散媒で分散させた液状体としての機能液Ｆａを各キャビティ３２ｃ内に供給可能にする。
【００３５】
キャビティ３２ｃの側壁は、左右方向に振動してキャビティ３２ｃ内の容積を拡大縮小する振動板３２ｂとなる。更に、この振動板３２ｂの反Ｙ矢印方向には、振動室３２ｆを介して電極３３ａを有する静電アクチュエータが配置されている。なお、本実施形態では、振動板３２ｂ、振動室３２ｆ及び静電アクチュエータが、液滴Ｆｂを吐出させるための加圧手段として機能する。具体的には、電極３３ａにヘッド駆動回路５１により、０Ｖから１００Ｖのパルス電圧を印加し、電極３３ａの表面がプラスに帯電すると、対応する振動板３２ｂはマイナス電位に帯電する。従って、振動板３２ｂは、蓄積電荷による静電気の吸引作用により電極３３ａ側に撓み、キャビティ３２ｃ内の容積が拡大する。そして、機能液Ｆａが液溜部３２ｅよりオリフィス３２ｄを通じてキャビティ３２ｃ内に補給され
る。一方、電極３３ａの蓄積電荷が放電された場合、振動板３２ｂの撓みが解放され、キャビティ３２ｃ内の容積が縮小する。この場合、縮小した容積分のマンガン微粒子を含む機能液Ｆａが、各ノズルＮから液滴Ｆｂとなって基板２に吐出される。
【００３６】
次に、液滴吐出ヘッド３０を構成する第２基板３２及び第３基板３３の構成について詳述する。
図８に示すように、第２基板３２の表面には、等間隔で形成されたノズル溝３２ａと、ノズル溝３２ａのそれぞれに接続される溝部が設けられている。この溝部は、キャビティ３２ｃを形成する領域、オリフィス３２ｄを形成する領域、液溜部３２ｅを形成する領域を含んで構成される。そして、この第１基板３１と第２基板３２とを密着させると、溝部が第１基板３１で覆われ、側壁を振動板３２ｂとするキャビティ３２ｃ、これに機能液Ｆａを導くためのオリフィス３２ｄ及び液溜部３２ｅが形成される。更に、オリフィス３２ｄに接続された凹部は、各キャビティ３２ｃに機能液Ｆａを供給するための液溜部３２ｅとなる。なお、機能液供給口３２ｇは、接続パイプ（図示せず）を介して、液溜部３２ｅに機能液Ｆａを供給する収容タンク２７に接続される。
【００３７】
更に、キャビティ３２ｃとなる溝部の反対側の振動板３２ｂの側面は、振動室３２ｆを構成するための凹部となっている。この凹部は、第３基板３３に配置された各電極３３ａに対向するように配置されている。このため、この第２基板３２と第３基板３３とを密着させると、凹部が第３基板３３で覆われ、上述した振動室３２ｆが形成される。
【００３８】
第３基板３３上には、スパッタリング法により、振動板３２ｂに対応する各々の位置に振動板形状に対応した形状で、０．１μｍ程度のＩＴＯからなる電極３３ａが形成されている。電極３３ａはリード部を介して端子部３３ｂに接続される。更に、端子部３３ｂを除いた領域に、０．２μｍ程度のホウ珪酸ガラスのスパッタリング膜で被覆し絶縁層３３ｅが形成されている。この絶縁層３３ｅは、駆動時の絶縁破壊やショートを防止する。
【００３９】
なお、第１基板３１と第２基板３２とは陽極接合され、同条件で第２基板３２と第３基板３３とを接合し、液滴吐出ヘッド３０が組み上がる。そして、第２基板３２と電極３３ａの端子部３３ｂとの間にヘッド駆動回路５１が接続される。
【００４０】
一方、図６に示すように、キャリッジ２９において、液滴吐出ヘッド３０のＹ矢印方向には、レーザ照射装置３８が設けられている。このレーザ照射装置３８は、１６個の半導体レーザＬの出射部がＸ矢印方向に一列となって等間隔に並設されている。これら１６個の半導体レーザＬからなるレーザ列は、１６個のノズルＮからなるノズル列と併設されていて、対応する各半導体レーザＬとノズルＮの間隔はそれぞれ同じになるように形成されている。
【００４１】
半導体レーザＬは、そのレーザ光が、上記第１基板３１を斜めに透過するように傾斜して設置される。このため、半導体レーザＬからのレーザ光は、図７に示すように、第１基板３１を透過する第１レーザ光と、第１基板３１の表面で反射される第２レーザ光とに分岐される。更に、第１レーザ光が、ノズルＮから吐出された液滴Ｆｂの着弾位置の近傍に照射されるように、半導体レーザＬを傾斜させて取り付けられる。そして、第１レーザ光は、専ら着弾した液滴Ｆｂを乾燥させるために用いられる。一方、第１基板３１により反射された第２レーザ光は、専ら液滴Ｆｂの焼成を行なうために用いられる。本実施形態では、透過光量より反射光量の方が多くなるように、第１基板３１（又は第１基板３１の表面）の誘電率、半導体レーザＬの傾斜角度を決める。なお、本実施形態では、この第２レーザ光は、液滴Ｆｂの着弾位置から所定列目に位置するセルに照射するように構成する。
【００４２】
（電気的ブロック回路）
次に、上記のように構成した液滴吐出装置２０の電気的ブロック回路を図９に従って説明する。
【００４３】
図９において、制御装置４０には、外部コンピュータ等の入力装置４１から各種データを受信するＩ／Ｆ部４２と、ＣＰＵ等からなる制御部４３、ＤＲＡＭ及びＳＲＡＭからなり各種データを格納するＲＡＭ４４、各種制御プログラムを格納するＲＯＭ４５が備えられている。また、制御装置４０には、駆動波形生成回路４６、各種駆動信号を同期するためのクロック信号ＣＬＫを生成する発振回路４７、前記半導体レーザＬを駆動するためのレーザ駆動電圧ＶＤＬを生成する電源回路４８、各種駆動信号を送信するＩ／Ｆ部４９が備えられている。そして、制御装置４０では、これらＩ／Ｆ部４２、制御部４３、ＲＡＭ４４、ＲＯＭ４５、駆動波形生成回路４６、発振回路４７、電源回路４８及びＩ／Ｆ部４９が、バス５０を介して接続されている。
【００４４】
Ｉ／Ｆ部４２は、入力装置４１から、基板２の製品番号やロット番号等の識別データを公知の方法で２次元コード化したドットパターン１０の画像を、既定形式の描画データＩａとして受信する。
【００４５】
制御部４３は、Ｉ／Ｆ部４２の受信した描画データＩａに基づいて、ドットパターン作成処理動作を実行する。すなわち、制御部４３は、ＲＡＭ４４等を処理領域として、ＲＯＭ４５等に格納された制御プログラム（例えば、ドットパターン作成プログラム）に従って、基板ステージ２３を移動させて基板２の搬送処理動作を行ない、液滴吐出ヘッド３０の電極３３ａと振動板３２ｂとから構成される静電アクチュエータを駆動させて液滴吐出処理動作を行なう。また、制御部４３は、ドットパターン作成プログラムに従って、各半導体レーザＬを駆動させて液滴Ｆｂを乾燥させる乾燥処理動作を行なう。
【００４６】
詳述すると、制御部４３は、Ｉ／Ｆ部４２の受信した描画データＩａに所定の展開処理を施し、２次元描画平面（パターン形成領域Ｚ１）上における各セルＣに、液滴Ｆｂを吐出するか否かを示すビットマップデータＢＭＤを生成してＲＡＭ４４に格納する。このビットマップデータＢＭＤは、前記静電アクチュエータに対応して１６×１６ビットのビット長を有したシリアルデータであり、各ビットの値（０あるいは１）に応じて、振動板３２ｂと電極３３ａとからなる静電アクチュエータのオンあるいはオフを規定するものである。
【００４７】
また、制御部４３は、描画データＩａに前記ビットマップデータＢＭＤの展開処理と異なる展開処理を施し、静電アクチュエータに印加する静電駆動電圧ＶＤＣの波形データを生成して、駆動波形生成回路４６に出力する。駆動波形生成回路４６は、制御部４３の生成した波形データを格納する波形メモリ４６ａと、同波形データをデジタル／アナログ変換してアナログ信号として出力するＤ／Ａ変換部４６ｂと、Ｄ／Ａ変換部から出力されるアナログの波形信号を増幅する信号増幅部４６ｃとを備えている。そして、駆動波形生成回路４６は、波形メモリ４６ａに格納した波形データをＤ／Ａ変換部４６ｂによりデジタル／アナログ変換し、アナログ信号の波形信号を信号増幅部４６ｃにより増幅して静電駆動電圧ＶＤＣを生成する。
【００４８】
更に、制御部４３は、Ｉ／Ｆ部４９を介して、前記ビットマップデータＢＭＤに基づくデータを、発振回路４７の生成するクロック信号ＣＬＫに同期させた吐出制御信号ＳＩとして、後述するヘッド駆動回路５１（シフトレジスタ５６）に順次シリアル転送する。また、制御部４３は、転送した吐出制御信号ＳＩをラッチするためのラッチ信号ＬＡＴをヘッド駆動回路５１に出力する。更に、制御部４３は、発振回路４７の生成するクロック信号ＣＬＫに同期させて、静電駆動電圧ＶＤＣをヘッド駆動回路５１（スイッチ素子Ｓ１）に出力する。
【００４９】
この制御装置４０には、Ｉ／Ｆ部４９を介して、ヘッド駆動回路５１、レーザ駆動回路５２、基板検出装置５３、Ｘ軸モータ駆動回路５４及びＹ軸モータ駆動回路５５が接続されている。
【００５０】
ヘッド駆動回路５１は、シフトレジスタ５６、ラッチ回路５７、レベルシフタ５８及びスイッチ回路５９を備えている。シフトレジスタ５６は、クロック信号ＣＬＫに同期して制御装置４０（制御部４３）から転送された吐出制御信号ＳＩを、１６個の静電アクチュエータの電極３３ａに対応させてシリアル／パラレル変換する。ラッチ回路５７は、シフトレジスタ５６のパラレル変換した１６ビットの吐出制御信号ＳＩを、制御装置４０（制御部４３）からのラッチ信号ＬＡＴに同期してラッチし、ラッチした吐出制御信号ＳＩをレベルシフタ５８及びレーザ駆動回路５２に出力する。レベルシフタ５８は、ラッチ回路５７のラッチした吐出制御信号ＳＩに基づいて、スイッチ回路５９が駆動する電圧まで昇圧して、１６個の各静電アクチュエータの電極３３ａに対応する開閉信号ＧＳ１をそれぞれ生成する。
【００５１】
スイッチ回路５９には、各電極３３ａに対応するスイッチ素子Ｓ１がそれぞれ接続される。各スイッチ素子Ｓ１の入力側には、共通する静電駆動電圧ＶＤＣが入力され、出力側には、それぞれ対応する電極３３ａが接続されている。そして、各スイッチ素子Ｓ１には、レベルシフタ５８から、対応する開閉信号ＧＳ１が入力され、この開閉信号ＧＳ１に応じて静電駆動電圧ＶＤＣを静電アクチュエータに供給するか否かを制御する。
【００５２】
すなわち、本実施形態の液滴吐出装置２０は、駆動波形生成回路４６の生成した静電駆動電圧ＶＤＣを、各スイッチ素子Ｓ１を介して対応する各静電アクチュエータに供給する。更に、制御装置４０（制御部４３）は、各スイッチ素子Ｓ１の開閉が制御するための吐出制御信号ＳＩ（開閉信号ＧＳ１）を供給し、静電駆動電圧ＶＤＣの印加を制御する。すなわち、スイッチ素子Ｓ１が閉じることにより、このスイッチ素子Ｓ１に対応する電極３３ａに静電駆動電圧ＶＤＣを供給し、この静電アクチュエータに対応するノズルＮから液滴Ｆｂを吐出する。この場合、ラッチ信号ＬＡＴは、１６個のノズルＮの直下を基板２のパターン形成領域Ｚ１の各横一列が通過する毎に出力される。そして、このラッチ信号ＬＡＴに応答して、静電アクチュエータが駆動され、ノズルＮから液滴Ｆｂが吐出されることにより、パターン形成領域Ｚ１の各セルＣ（黒セルＣ１）にドットＤが形成される。
【００５３】
図１０は、上記するラッチ信号ＬＡＴ、吐出制御信号ＳＩ及び開閉信号ＧＳ１のパルス波形と、開閉信号ＧＳ１に応答して静電アクチュエータに印加される静電駆動電圧ＶＤＣの波形を示す。図１０に示すように、制御部４３からヘッド駆動回路５１に出力されたラッチ信号ＬＡＴが立ち下がると、１６ビット分の吐出制御信号ＳＩに基づいて開閉信号ＧＳ１が生成され、１６個の開閉信号ＧＳ１のうち立ち上がった開閉信号ＧＳ１に対応する静電アクチュエータに静電駆動電圧ＶＤＣが供給される。この場合、振動板３２ｂとの間でキャパシタを構成する電極３３ａの電圧ＶＣは、静電駆動電圧ＶＤＣの電圧に伴い上昇する。この場合、静電気力により静電アクチュエータが収縮してキャビティ３２ｃ内に機能液Ｆａが引き込まれる。次に、静電駆動電圧ＶＤＣの電圧値の下降とともに静電アクチュエータによりキャビティ３２ｃ内の機能液Ｆａが押し出され、液滴Ｆｂが吐出される。液滴Ｆｂを吐出すると、静電駆動電圧ＶＤＣの電圧値は初期電圧まで戻り、静電アクチュエータの駆動による液滴Ｆｂの吐出動作が終了する。
【００５４】
図９に示すように、レーザ駆動回路５２には、遅延パルス生成回路６１とスイッチ回路６２が備えられている。遅延パルス生成回路６１は、ラッチ回路５７が前記ラッチ信号ＬＡＴの立ち下がりに応答してラッチした吐出制御信号ＳＩを、所定の時間Ｔ（具体的には、待機時間Ｔ１，Ｔ２）だけ遅延させたパルス信号（開閉信号ＧＳ２）を生成し、この開
閉信号ＧＳ２をスイッチ回路６２に出力する。ここで、待機時間Ｔ１とは、静電アクチュエータ（ノズルＮ）に対応する半導体レーザＬの第１レーザ光の照射位置に、液滴Ｆｂが着弾するまでに要する時間である。また、待機時間Ｔ２とは、静電アクチュエータ（ノズルＮ）に対応する半導体レーザＬの第２レーザ光の照射位置に、着弾した液滴Ｆｂが通過するために要する時間である。なお、これら待機時間Ｔ１，Ｔ２は、静電アクチュエータ駆動タイミング（ラッチ信号ＬＡＴの立ち下がりタイミング）を基準（基準時間Ｔｋ）としており、各待機時間Ｔ１，Ｔ２は、予め試験等に基づいて設定される時間である。本実施形態では、第１レーザ光の照射位置のセルから所定列目のセルに第２レーザ光が照射されるように設定されているため、待機時間Ｔ２は、基板２が所定列分のセルを移動する時間だけ待機時間Ｔ１よりも長い。そして、遅延パルス生成回路６１は、ラッチ回路５７が前記ラッチ信号ＬＡＴの立下りに応答してラッチした吐出制御信号ＳＩを、待機時間Ｔ１，Ｔ２を経過すると、即ち、着弾した液滴Ｆｂが第１レーザ光の照射位置又は第２レーザ光の照射位置に到達したとき、開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路６２に出力する。
【００５５】
スイッチ回路６２には、１６個の各半導体レーザＬに対応するスイッチ素子Ｓ２が備えられている。各スイッチ素子Ｓ２の入力側には、電源回路４８の生成した共通のレーザ駆動電圧ＶＤＬが入力され、出力側には対応する各半導体レーザＬが接続されている。そして、各スイッチ素子Ｓ２には、遅延パルス生成回路６１から対応する開閉信号ＧＳ２が入力され、開閉信号ＧＳ２に応じてレーザ駆動電圧ＶＤＬを半導体レーザＬに供給するか否かを制御する。すなわち、本実施形態の液滴吐出装置２０は、電源回路４８の生成したレーザ駆動電圧ＶＤＬを、各スイッチ素子Ｓ２を介して対応する各半導体レーザＬに共通に印加するとともに、そのスイッチ素子Ｓ２の開閉を、制御装置４０（制御部４３）の供給する吐出制御信号ＳＩ（開閉信号ＧＳ２）によって制御するようにしている。そして、スイッチ素子Ｓ２が閉じると、同スイッチ素子Ｓ２に対応する半導体レーザＬにレーザ駆動電圧ＶＤＬが供給され、対応する半導体レーザＬからレーザ光が出射される。
【００５６】
つまり、図１０に示すように、ラッチ信号ＬＡＴがヘッド駆動回路５１に入力されると、待機時間Ｔ１，Ｔ２後に、開閉信号ＧＳ２が生成される。そして、開閉信号ＧＳ２が立ち上がったときに、対応する半導体レーザＬにレーザ駆動電圧ＶＤＬが印加され、丁度、半導体レーザＬの照射位置を通過する基板２（黒セルＣ１）に着弾した液滴Ｆｂに、同半導体レーザＬからレーザ光が出射される。そして、開閉信号ＧＳ２が立ち下がり、レーザ駆動電圧ＶＤＬの供給が遮断されて半導体レーザＬによる乾燥処理動作が終了する。
【００５７】
制御装置４０には、Ｉ／Ｆ部４９を介して基板検出装置５３が接続されている。基板検出装置５３は、基板２の端縁を検出し、制御装置４０によって液滴吐出ヘッド３０（ノズルＮ）の直下を通過する基板２の位置を算出する際に利用される。
【００５８】
制御装置４０には、Ｉ／Ｆ部４９を介してＸ軸モータ駆動回路５４が接続され、Ｘ軸モータ駆動回路５４にＸ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｘ軸モータ駆動回路５４は、制御装置４０からのＸ軸モータ駆動制御信号に応答して、キャリッジ２９を往復移動させるＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させるようになっている。そして、例えば、Ｘ軸モータＭＸを正転させると、キャリッジ２９はＸ矢印方向に移動し、逆転させるとキャリッジ２９はＸ矢印の反対方向に移動する。
【００５９】
制御装置４０には、前記Ｘ軸モータ駆動回路５４を介してＸ軸モータ回転検出器５４ａが接続され、Ｘ軸モータ回転検出器５４ａからの検出信号が入力される。制御装置４０は、この検出信号に基づいて、Ｘ軸モータＭＸの回転方向及び回転量を検出し、液滴吐出ヘッド３０（キャリッジ２９）のＸ矢印方向の移動量と、移動方向とを演算する。
【００６０】
制御装置４０には、Ｉ／Ｆ部４９を介してＹ軸モータ駆動回路５５が接続され、Ｙ軸モ
ータ駆動回路５５にＹ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｙ軸モータ駆動回路５５は、制御装置４０からのＹ軸モータ駆動制御信号に応答して、基板ステージ２３を往復移動させるＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させ、基板ステージ２３を予め定めた速度で移動させる。例えば、Ｙ軸モータＭＹを正転させると、基板ステージ２３（基板２）は予め定めた速度でＹ矢印方向に移動し、逆転させると、基板ステージ２３（基板２）は予め定めた速度でＹ矢印の反対方向に移動する。
【００６１】
制御装置４０には、前記Ｙ軸モータ駆動回路５５を介してＹ軸モータ回転検出器５５ａが接続され、Ｙ軸モータ回転検出器５５ａからの検出信号が入力される。制御装置４０は、Ｙ軸モータ回転検出器５５ａからの検出信号に基づいて、Ｙ軸モータＭＹの回転方向及び回転量を検出し、液滴吐出ヘッド３０に対する基板２のＹ矢印方向の移動方向及び移動量を演算する。
【００６２】
（ドットパターンの生成）
次に、上述した液滴吐出装置２０を使ってドットパターン１０を基板２の裏面２ｂに形成する方法について説明する。
【００６３】
まず、図５に示すように、往動位置に位置する基板ステージ２３上に、基板２を、裏面２ｂが上側になるように配置固定する。このとき、基板２のＹ矢印方向側の辺は、案内部材２６より反Ｙ矢印方向側に配置されている。また、キャリッジ２９（液滴吐出ヘッド３０）は、基板２がＹ矢印方向に移動したとき、その直下を、ドットパターン１０を形成する位置（パターン形成領域Ｚ１）が通過する位置にセットされている。
【００６４】
この状態から、制御装置４０は、Ｙ軸モータＭＹを駆動制御し、基板ステージ２３を介して基板２を所定の速度でＹ矢印方向に搬送させる。やがて、基板検出装置５３が基板２のＹ矢印側の端縁を検出すると、制御装置４０は、Ｙ軸モータ回転検出器５５ａからの検出信号に基づいて、横一列のセルＣ（黒セルＣ１）がノズルＮの直下まで搬送されたかどうかを演算する。
【００６５】
この間、制御装置４０は、ドットパターン作成プログラムに従って、ＲＡＭ４４に格納したビットマップデータＢＭＤに基づく吐出制御信号ＳＩと、駆動波形生成回路４６で生成した静電駆動電圧ＶＤＣをヘッド駆動回路５１に出力する。また、制御装置４０は、電源回路４８で生成したレーザ駆動電圧ＶＤＬをレーザ駆動回路５２に出力する。そして、制御装置４０は、ラッチ信号ＬＡＴを出力するタイミングを待つ。
【００６６】
その後、１行目のセルＣ（黒セルＣ１）がノズルＮの直下（着弾位置）まで搬送されると、制御装置４０は、ラッチ信号ＬＡＴをヘッド駆動回路５１に出力する。ヘッド駆動回路５１は、制御装置４０からのラッチ信号ＬＡＴを応答して、吐出制御信号ＳＩに基づく開閉信号ＧＳ１を生成し、同開閉信号ＧＳ１をスイッチ回路５９に出力する。そして、閉じた状態のスイッチ素子Ｓ１に対応する静電アクチュエータに、静電駆動電圧ＶＤＣを供給し、対応するノズルＮから、静電駆動電圧ＶＤＣに相対する液滴Ｆｂを、一斉に吐出する。
【００６７】
一方、レーザ駆動回路５２（遅延パルス生成回路６１）は、ラッチ回路５７のラッチした吐出制御信号ＳＩを受けて開閉信号ＧＳ２の生成を開始し、待機時間Ｔ１，Ｔ２（基板２（黒セルＣ１）に着弾した液滴Ｆｂが第１レーザ光及び第２レーザ光のそれぞれのレーサ照射位置に到達する時間）待機する。そして、ラッチ信号ＬＡＴを受けて待機時間Ｔ１，Ｔ２を経過すると、レーザ駆動回路５２は、遅延パルス生成回路６１の生成した開閉信号ＧＳ２をスイッチ回路６２に出力し、閉じた状態のスイッチ素子Ｓ２に対応する半導体レーザＬに、レーザ駆動電圧ＶＤＬを供給する。
【００６８】
これにより、各半導体レーザＬからレーザ光が照射される。そして、このレーザ光は、第１基板３１によって第１レーザ光及び第２レーザ光に分岐される。このうち、第１レーザ光は、横一列の黒セルＣ１内に着弾した直後の液滴Ｆｂに照射され、各第１レーザ光のエネルギによって、着弾した液滴Ｆｂの分散媒を蒸発させ、同液滴Ｆｂを乾燥させる。一方、第２レーザ光は、第２レーザ光の照射位置に至った横一列の黒セルＣ１内に着弾した液滴Ｆｂに照射され、この第２レーザ光のエネルギによって、液滴Ｆｂに含まれていたマンガン微粒子が焼成され、基板２に密着される。
【００６９】
以後、同様に、各ノズルＮから吐出された液滴Ｆｂは、基板２に着弾するたびに、対応する半導体レーザＬの第１レーザ光の照射を受けて乾燥され、第２レーザ光の照射位置に搬送されるたびに、半導体レーザＬのレーザ光の照射を受けて焼成される。そして、ドットパターン１０を構成する半球状のドットＤが横一列毎に形成されてくる。
【００７０】
その後、パターン形成領域Ｚ１に形成されるドットパターン１０の全ドットＤが形成されると、制御装置４０は、Ｙ軸モータＭＹを制御して、基板２を液滴吐出ヘッド３０の下方位置から退出させる。
【００７１】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）本実施形態によれば、キャビティ３２ｃを構成する第１基板３１は、透明の基板である。半導体レーザＬは、この第１基板３１を透過した第１レーザ光が、ノズルＮから吐出された液滴の近傍に照射されるように、傾斜して設けられている。このため、第１基板３１を透過した第１レーザ光は、液滴Ｆｂが基板２に着弾する位置の近傍に照射され、第１基板３１の表面で反射された第２レーザ光は、着弾した液滴Ｆｂから所定列目に位置するセルに照射される。従って、各ノズルＮに対応する一つの半導体レーザＬを用いて、着弾位置にある液滴Ｆｂを速やかに乾燥し、更に焼成することができる。更に、第１レーザ光と第２レーザ光とが、異なるタイミングで液滴Ｆｂに照射されるので、より長い時間、レーザ光を液滴Ｆｂに照射することができ、効率よく液滴Ｆｂの乾燥及び焼成を行なうことができる。また、第１レーザ光及び第２レーザ光に分岐させる第１基板３１は、液滴吐出ヘッド３０を構成する部材であるため、別の部材を設けなくてもよく、効率よく乾燥及び焼成を行なうことができる。
【００７２】
（２）本実施形態によれば、透過光量より反射光量の方が多くなるように、第１基板３１（又は第１基板３１の表面）の誘電率、半導体レーザＬの傾斜角度を決める。このため、第１基板３１を透過して液滴Ｆｂの乾燥を行なう第１レーザ光の光量より、第１基板３１により反射され専ら液滴Ｆｂの焼成を行なう第２レーザ光の光量の方が多くなる。通常、乾燥に比べて、焼成にはより多くのエネルギが必要である。従って、焼成のために、より大きいエネルギの第２レーザ光を照射するので、より効率よく液滴の焼成を行なうことができる。
【００７３】
（３）本実施形態によれば、キャビティ３２ｃの側部を振動板３２ｂとし、この振動板３２ｂを振動させるための電極３３ａとからなる静電アクチュエータが配設されている。振動板３２ｂ、振動室３２ｆ及び静電アクチュエータが、液滴Ｆｂを吐出させるための加圧手段として機能する。キャビティの外側に振動板を構成するガラス板やプラスチック板等を介して圧電素子を設けた構造とは異なり、微細な液滴吐出ヘッド３０を製造することができる。また、圧電素子の場合、圧電素子自身の厚みや、振動板への接着剤の厚みのばらつきが生じることがある。キャビティ３２ｃを構成する一面を振動板３２ｂとして、静電気力を利用した吐出を行なう駆動方式を採用するため、安定した吐出特性を得ることができる。
【００７４】
（４）本実施形態によれば、第２基板３２の表面には、等間隔で形成されたノズル溝３２ａと、ノズル溝３２ａのそれぞれに接続される溝部が設けられている。この溝部は、キャビティ３２ｃを形成する領域、オリフィス３２ｄを形成する領域、液溜部３２ｅを形成する領域を含んで構成される。そして、第２基板３２と、フラットな板状の第１基板３１とを密着させると、溝部が第１基板３１で覆われ、側壁を振動板３２ｂとするキャビティ３２ｃ、オリフィス３２ｄ及び液溜部３２ｅが形成される。このため、レーザ光を分岐する第１基板３１自体の構成を簡素にできるので、分岐させた第１レーザ光及び第２レーザ光の照射位置を、より的確に把握することができる。
【００７５】
（５）本実施形態によれば、半導体レーザＬの駆動タイミングを、ノズルＮの駆動開始を決めるラッチ信号ＬＡＴの立下りを基準（基準時間Ｔｋ）、すなわち、液滴Ｆｂを吐出させるための静電アクチュエータの駆動を基準にして決定したので、ノズルＮから吐出した液滴Ｆｂの位置を正確に把握できる。従って、レーザ光を精度よく液滴Ｆｂに照射することができ、確実に液滴Ｆｂを乾燥・焼成させることができる。しかも、制御部４３の負荷も軽減することができる。
【００７６】
（６）本実施形態によれば、１６個の半導体レーザＬは、駆動した静電アクチュエータに対応する半導体レーザＬしか駆動させないようにしたので、半導体レーザＬの消費電力を抑えることができる。
【００７７】
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○  上記実施形態では、キャビティ３２ｃを構成する透明な第１基板を用いて、第１レーザ光及び第２レーザ光に分岐した。これに限らず、液滴吐出ヘッド３０の一部が、第１レーザ光及び第２レーザ光を分岐する透過性部材となっていれば、他の構成であってもよい。例えば、レーザ光が照射される第１基板の下方の一部のみを透明材で構成してもよい。また、第１基板を透明材としたが、透過成分と反射成分に分配するために透明部材の表面あるいは内部に処理を施した部材を第１基板として用いてもよい。
【００７８】
○  上記実施形態では、半導体レーザＬの位置を固定して、この半導体レーザＬからレーザ光を照射した。これに限らず、第１レーザ光の照射位置を液滴Ｆｂの着弾位置又はその近傍にほぼ固定した状態で、第２レーザ光の照射位置を、液滴Ｆｂの基板の移動にあわせて追従するように、半導体レーザＬを回動させてもよい。具体的には、半導体レーザＬを基板の移動に合わせて追従させる追従手段を設け、この追従手段の動きを制御する。これにより、焼成のための第２レーザ光の照射時間を長くして、焼成を促進することができる。
【００７９】
○  上記実施形態では、レーザ駆動回路５２の遅延パルス生成回路６１において、待機時間Ｔ１，Ｔ２が経過したとき、開閉信号ＧＳ２を出力するようにした。これを、制御装置４０で、待機時間Ｔ１，Ｔ２を計時して、待機時間Ｔ１，Ｔ２が経過したとき、レーザ駆動回路５２に制御信号を出力する。そして、レーザ駆動回路５２は、制御信号に応答して、ヘッド駆動回路５１のラッチ回路５７から入力した吐出制御信号ＳＩに基づいて生成した開閉信号ＧＳ２を出力するようにしてもよい。
【００８０】
○  上記実施形態では、ラッチ信号ＬＡＴの立ち下りを基準として待機時間Ｔ１，Ｔ２を設定したが、ラッチ信号ＬＡＴの立ち上りを基準に待機時間Ｔ１，Ｔ２を設定して実施してもよく、要は、静電アクチュエータの駆動動作を決める駆動信号を基準に待機時間Ｔ１，Ｔ２を設定すればどんなタイミングでもよい。
【００８１】
○  上記実施形態では、加圧手段として静電アクチュエータを使って液滴Ｆｂを吐出したが、静電アクチュエータ以外の方法で、圧力室（キャビティ３２ｃ）を加圧する加圧手
段を用いても、半導体レーザＬ側の液滴吐出ヘッド３０の一部が、レーザ光を第１レーザ光及び第２レーザ光に分岐する部材であれば、他の構成であってもよい。例えば、静電アクチュエータ以外の方法（例えば、ピエゾ素子を用いる方法や気泡を用いる方法等）を用いてキャビティ３２ｃ内を加圧し、液滴Ｆｂを吐出するようにしてもよい。例えば、ピエゾ素子を用いる場合には、キャビティ３２ｃを構成する振動板３２ｂにピエゾ素子を接触させ、駆動信号によりキャビティ３２ｃの体積を変更して液滴Ｆｂを吐出させる。また、気泡を用いる場合には、キャビティ３２ｃ内に気泡を生成して破裂させて液滴Ｆｂを吐出させる。これらの場合にも、レーザ照射手段からのレーザ光を、液滴吐出ヘッド３０の一部で第１レーザ光及び第２レーザ光に分岐させることにより、ノズルＮから吐出されて着弾した液滴Ｆｂの乾燥及び焼成を効率よく行なうことができる。
【００８２】
○  上記実施形態では、ドットパターン１０を構成するドットＤを形成するための液滴吐出装置２０に具体化したが、例えば、機能性材料として配線材料を含む液滴を基板に吐出させて、基板上に金属配線を形成する液滴吐出装置や絶縁膜を形成するための液滴吐出装置などに応用してもよい。この場合にも、効率よく後工程の乾燥・焼成が液滴吐出装置で行なうことができる。
【００８３】
○  上記実施形態では、半球状のドットＤで具体化したが、その形状は限定されるものではなく、例えば、その平面形状が楕円形のドットであったり、バーコードを構成するバーのように線状であったりしてもよい。
【００８４】
○  上記実施形態では、パターンは２次元コードの識別コードであったが、これに限定されるものではなく、例えばバーコードであってもよい。更に、パターンは、文字、数字、記号等であってもよい。
【００８５】
○  上記実施形態では、ドットパターン１０を表示用基板として基板２に形成したが、これをシリコンウェハ、樹脂フィルム、金属板等でもよい。
○  上記実施形態では、表示モジュール１に具体化した。これに限らず、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置の表示モジュールであってもよく、あるいは平面状の電子放出素子を備え、同素子から放出された電子による蛍光物質の発光を利用した電界効果型装置（ＦＥＤやＳＥＤ等）を備えた表示モジュールであってもよい。また、ドットパターン１０が形成された基板２等は、これらの表示装置のみでなく、他の電子機器に使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】液晶表示装置の液晶表示モジュールの正面図。
【図２】液晶表示モジュールの裏面に形成されたドットパターンの正面図。
【図３】液晶表示モジュールの裏面に形成されたドットパターンの側面図。
【図４】ドットパターンの構成を説明するための説明図。
【図５】本実施形態の液滴吐出装置の要部斜視図。
【図６】液滴吐出ヘッドを説明するための斜視図。
【図７】液滴吐出ヘッドを説明するための要部断面図。
【図８】液滴吐出ヘッドを説明するための分解斜視図。
【図９】液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。
【図１０】吐出ヘッドの駆動と半導体レーザの駆動のタイミングを説明するためのタイミングチャート。
【符号の説明】
【００８７】
Ｎ…ノズル、Ｆｂ…液滴、Ｌ…レーザ照射手段としての半導体レーザ、２…基板、２０…液滴吐出装置、３０…液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド、３１…第１基板、３２…
加工基板としての第２基板、３２ｂ…加圧手段を構成する可撓領域としての振動板、３２ｃ…圧力室としてのキャビティ、３２ｆ…振動室、３３ａ…加圧手段を構成する電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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