(57)【要約】【課題】読み出し電圧の低減化を図った固体撮像装置およびその製造方法、当該固体撮像装置を用いたカメラを提供する。【解決手段】犠牲酸化膜の形成および除去工程により、受光部５における基板面ｆ１を、転送電極２１下の基板面ｆ２よりも掘り下げる。その後、転送電極２１および受光部５における基板上に絶縁膜２３を形成する。転送電極２１および絶縁膜２３をマスクとしてイオン注入することにより、受光部５に正孔蓄積領域１４を形成する。【選択図】図５
2006196513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成され、表層部に正孔蓄積領域をもつ受光部と、
前記基板に形成された転送チャネル領域と、
前記受光部と前記転送チャネルとの間に形成された読み出しゲート領域と、
前記転送チャネルおよび前記読み出しゲート領域上に形成された転送電極と、
前記転送電極を被覆する絶縁膜とを有し、
前記受光部における基板面が、前記転送電極下における基板面に対して掘り下げられており、前記転送電極の端部から距離を隔てて前記正孔蓄積領域が形成された
固体撮像装置。
【請求項２】
前記受光部側における前記転送電極の端部において、アンダーカットが設けられた
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
基板に転送電極を形成する工程と、
受光部における前記基板および前記転送電極を酸化して、犠牲酸化膜を形成する工程と、
前記犠牲酸化膜を除去して、前記転送電極下の基板面に対して前記受光部における基板面を掘り下げる工程と、
前記受光部における前記基板および前記転送電極を酸化して、前記転送電極を被覆する絶縁膜を形成する工程と、
前記転送電極および前記絶縁膜をマスクとして不純物をイオン注入して、前記受光部における前記基板の表層部に正孔蓄積領域を形成する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記犠牲酸化膜を除去する工程において、ウェットエッチングにより前記犠牲酸化膜を除去して、前記転送電極の端部にアンダーカットを設ける
請求項３記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
基板に形成され、表層部に正孔蓄積領域をもつ受光部と、前記基板に形成された転送チャネルと、前記受光部と前記転送チャネルとの間に形成された読み出しゲート領域と、前記転送チャネルおよび前記読み出しゲート領域上に形成された転送電極と、前記転送電極を被覆する絶縁膜とを有し、前記受光部における基板面が、前記転送電極下における基板面に対して掘り下げらており、前記転送電極の端部から距離を隔てて前記正孔蓄積領域が形成された
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の撮像面に光を結像させる光学系と、
前記固体撮像装置からの出力信号に対して所定の信号処理を行う信号処理回路と
を有するカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラに関し、特に、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）からなる固体撮像装置およびその製造方法、並びにＣＣＤを備えたカメラに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤを用いた固体撮像装置では、ｎ型の信号電荷蓄積領域と、その表面付近に形成されたｐ型の正孔蓄積領域を有する埋め込みフォトダイオードにより受光部が構成される。
【０００３】
図７は、従来の固体撮像装置の断面図である。
【０００４】
図７に示すように、固体撮像装置は、受光部１０５と、読み出しゲート部１０６と、垂直転送部１０７とを有する。受光部１０５は、基板のｐ型ウェル１１２に形成されたｎ型の信号電荷蓄積領域１１３と、ｐ＋型の正孔蓄積領域１１４によって構成される。垂直転送部１０７は、基板のｐ型ウェル１１２に形成された転送チャネル領域１１５と、転送チャネル領域１１５上にゲート絶縁膜１２０を介して形成された転送電極１２１により構成される。転送チャネル領域１１５下には、ｐ型領域１１６が形成されている。読み出しゲート部１０６は、信号電荷蓄積領域１１３と転送チャネル領域１１５の間のｐ型ウェル（読み出しゲート領域１１７）と、転送電極１２１によって構成される。転送電極１２１および基板を被覆して酸化シリコン膜１２２が形成されている。図示はしないが、酸化シリコン膜１２２上には、転送電極１２１を被覆し受光部１０５を開口する遮光膜が形成される。
【０００５】
上記の固体撮像装置の正孔蓄積領域１１４の形成方法について、図８を参照して説明する。
【０００６】
図８に示すように、転送電極１２１および酸化シリコン膜１２２をマスクとしてｐ型不純物をイオン注入することにより、受光部１０５の正孔蓄積領域１１４を形成している。これにより、図７に示すように、転送電極１２１の側壁に形成された酸化シリコン膜１２２の膜厚Ｗ分だけ、読み出しゲート領域１１７から正孔蓄積領域１１４を離すことを意図している。
【特許文献１】特開２００３−３１８３８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、実際には、図８に示すように、正孔蓄積領域１１４の形成のために注入したｐ型不純物が読み出しゲート領域１１７側にも回りこみ、ｐ＋領域１１４ａが形成されてしまっていた。このため、読み出しゲート領域１１７のｐ型不純物濃度が高くなり、読み出しゲート領域１１７の電位障壁を下げるための読み出し電圧の増加を招いていた。
【０００８】
近年の画素の微細化に伴い読み出しゲート部１０６の幅も縮小される傾向にあるため、読み出しゲート領域１１７の一部が高濃度化することによる読み出し電圧への影響は大きい。このため、転送電極１２１の端部から正孔蓄積領域１１４を制御良く隔てる方法が必要とされる。
【０００９】
ここで、転送電極１２１の側壁に絶縁膜（サイドウォール絶縁膜）を形成することにより、転送電極１２１の端部から距離を隔てて正孔蓄積領域１１４を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【００１０】
しかしながら、転送電極１２１から正孔蓄積領域１１４を若干の距離だけ隔てて形成することのために、サイドウォール絶縁膜を形成するプロセスを追加することは避けたい。１つには、全ての受光部に均一なサイズのサイドウォール絶縁膜を形成することは困難であり、均一なサイドウォール絶縁膜がされない場合には、受光部間において正孔蓄積領域１１４の配置が異なってしまい、感度に影響をもたらすからである。また、サイドウォール絶縁膜を形成すると、その上に形成される遮光膜の開口も狭まるため、感度の低下を招くからである。
【００１１】
以上のように、製造工程の増加や他の素子特性への影響を抑制しつつ、転送電極１２１の端部から正孔蓄積領域１１４を制御良く隔てることにより、読み出し電圧の低減化を図る方法および構造が必要とされていた。
【００１２】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、読み出し電圧の低減化を図った固体撮像装置を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、製造工程の増加を抑制しつつ、転送電極の端部から正孔蓄積領域を制御良く隔てることができる固体撮像装置の製造方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、読み出し電圧の低減化を図った固体撮像装置を用いることにより、消費電力の低減化を図ったカメラを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、基板に形成され、表層部に正孔蓄積領域をもつ受光部と、前記基板に形成された転送チャネル領域と、前記受光部と前記転送チャネルとの間に形成された読み出しゲート領域と、前記転送チャネルおよび前記読み出しゲート領域上に形成された転送電極と、前記転送電極を被覆する絶縁膜とを有し、前記受光部における基板面が、前記転送電極下における基板面に対して掘り下げられており、前記転送電極の端部から距離を隔てて前記正孔蓄積領域が形成されたものである。
【００１６】
上記の本発明の固体撮像装置では、受光部における基板面が、転送電極下における基板面に対して掘り下げられているため、転送電極の側壁に形成される絶縁膜の縦方向膜厚が掘り下げ量だけ厚くなる。このため、正孔蓄積領域の形成のためのイオン注入の飛程距離が増加する。イオン注入の飛程距離が増加した結果、転送電極の端部から距離を隔てて正孔蓄積領域が形成される。
【００１７】
上記の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板に転送電極を形成する工程と、受光部における前記基板および前記転送電極を酸化して、犠牲酸化膜を形成する工程と、前記犠牲酸化膜を除去して、前記転送電極下の基板面に対して前記受光部における基板面を掘り下げる工程と、前記受光部における前記基板および前記転送電極を酸化して、前記転送電極を被覆する絶縁膜を形成する工程と、前記転送電極および前記絶縁膜をマスクとして不純物をイオン注入して、前記受光部における前記基板の表層部に正孔蓄積領域を形成する工程とを有する。
【００１８】
上記の本発明の固体撮像装置の製造方法では、犠牲酸化膜の形成および除去により、転送電極下の基板面に対して受光部における基板面を掘り下げている。その後、転送電極を被覆する絶縁膜を形成することにより、転送電極の側壁に形成される絶縁膜の縦方向膜厚を、掘り下げ量だけ厚くさせている。
これにより、正孔蓄積領域の形成のために、絶縁膜および転送電極をマスクとして不純物をイオン注入する工程において、転送電極の端部におけるイオン注入の飛程距離が増加することから、転送電極の端部における基板へのイオン注入が抑制されて、転送電極から距離を隔てた正孔蓄積領域が形成される。
【００１９】
上記の目的を達成するため、本発明のカメラは、基板に形成され、表層部に正孔蓄積領域をもつ受光部と、前記基板に形成された転送チャネルと、前記受光部と前記転送チャネルとの間に形成された読み出しゲート領域と、前記転送チャネルおよび前記読み出しゲート領域上に形成された転送電極と、前記転送電極を被覆する絶縁膜とを有し、前記受光部における基板面が、前記転送電極下における基板面に対して掘り下げらており、前記転送電極の端部から距離を隔てて前記正孔蓄積領域が形成された固体撮像装置と、前記固体撮像装置の撮像面に光を結像させる光学系と、前記固体撮像装置からの出力信号に対して所定の信号処理を行う信号処理回路とを有する。
【００２０】
上記の本発明のカメラに用いられる固体撮像装置では、受光部における基板面が、転送電極下における基板面に対して掘り下げられているため、転送電極の側壁に形成される絶縁膜の縦方向膜厚が掘り下げ量だけ厚くなる。このため、正孔蓄積領域の形成のためのイオン注入の飛程距離が増加する。イオン注入の飛程距離が増加した結果、転送電極の端部から距離を隔てて正孔蓄積領域が形成される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の固体撮像装置によれば、読み出し電圧の低減化を図った固体撮像装置を実現できる。また、本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、製造工程の増加を抑制しつつ、転送電極の端部から正孔蓄積領域を制御良く隔てることができる。さらに、本発明のカメラによれば、読み出し電圧の低減化を図った固体撮像装置を用いることにより、消費電力の低減化を図ったカメラを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。本実施形態では、本発明をインターライントランスファ方式の固体撮像装置に適用した例について説明する。
【００２３】
図１は、本実施形態に係る固体撮像装置の概略構成図である。
【００２４】
本実施形態に係る固体撮像装置１は、撮像部２と、水平転送部３と、出力部４とを有する。
【００２５】
撮像部２には、行列状に配置された複数の受光部５と、受光部５の垂直列ごとに配置された複数本の垂直転送部７と、受光部５と垂直転送部７との間に配置された読み出しゲート部６とを有する。
【００２６】
受光部５は、例えばフォトダイオードからなり、被写体から入射する像光（入射光）をその光量に応じた電荷量の信号電荷に光電変換して蓄積する。読み出しゲート部６は、受光部５に蓄積された信号電荷を垂直転送部７に読み出す。垂直転送部７は、４相のクロック信号φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４によって駆動され、受光部５から読み出された信号電荷を垂直方向（図中、下方向）に転送する。なお、クロック信号としては、４相に限定されるものではない。
【００２７】
水平転送部３は、２相のクロック信号φＨ１，φＨ２によって駆動され、垂直転送部７から垂直転送された信号電荷を、水平方向（図中、左方向）に転送する。
【００２８】
垂直転送部７および水平転送部３は、基板に形成された転送方向に伸びる転送チャネルと、転送チャネル上に絶縁膜を介在させた状態で、転送方向に並べて形成された複数の転送電極とを有する。
【００２９】
転送電極に電圧を印加すると、転送チャネルに電位井戸が形成される。この電位井戸を形成するためのクロック信号が、転送方向に並べられた各転送電極に対して位相をずらして印加されることで、電位井戸の分布が順次変化し、電位井戸内の電荷が転送方向に沿って転送される。
【００３０】
出力部４は、例えば、フローティングディフュージョンにて構成された電荷−電圧変換部４ａを有し、水平転送部３により水平転送された信号電荷を電気信号に変換して、アナログ画像信号として出力する。
【００３１】
図２は、図１の撮像部２における要部断面図である。なお、図２では、遮光膜と、その上層の構成は省略している。
【００３２】
例えば、ＣＺ（チョクラルスキー）法により形成されたｎ型のシリコン基板（以下、基板１０という）に、ｎ型エピタキシャル層１１が形成されており、ｎ型エピタキシャル層１１中にｐ型ウェル１２が形成されている。ｐ型ウェル１２は、オーバーフローバリアを形成する。
【００３３】
受光部５は、ｐ型ウェル１２に形成されたｎ型の信号電荷蓄積領域１３と、信号電荷蓄積領域１３の表層に形成されたｐ＋の正孔蓄積領域１４によって構成されている。正孔蓄積領域１４は、信号電荷蓄積領域１３の表面近くで発生し、雑音源となる暗電流を抑制するものである。
【００３４】
受光部５には、信号電荷蓄積領域１３、ｐ型ウェル１２、ｎ型エピタキシャル層１１および基板１０により、ｎｐｎ構造が作製されている。このｎｐｎ構造は、受光部５に強い光が入射して過剰に発生した信号電荷がｐ型ウェル１２により形成されるオーバーフローバリアを超えると、当該信号電荷を基板１０側に排出する縦型オーバーフロードレイン構造を構成する。
【００３５】
垂直転送部７は、信号電荷蓄積領域１３と所定間隔を隔ててｐ型ウェル１２に形成された転送チャネル領域１５と、転送チャネル領域１５上に酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜２０を介して形成された例えばポリシリコンからなる転送電極２１により構成されている。転送電極２１は、例えば２層構造である。転送電極２１は、受光部５を包囲するように配置されている。スミアを抑制するために、転送チャネル領域１５の下には、比較的高濃度のｐ型領域１６が形成されている。
【００３６】
読み出しゲート部６は、信号電荷蓄積領域１３と転送チャネル領域１５との間のｐ型ウェル（読み出しゲート領域１７）と、読み出しゲート領域１７上にゲート絶縁膜２０を介して形成された転送電極２１により構成されている。本実施形態では、転送電極２１は、読み出し電極を兼ねている。読み出しゲート領域１７は、ｎ型の信号電荷蓄積領域１３と転送チャネル領域１５との間に、電位障壁を形成する。読み出し時には、転送電極２１に正の読み出し電圧が印加されて、読み出しゲート領域１７の電位障壁が引き下げられて、信号電荷は信号電荷蓄積領域１３から転送チャネル領域１５へと移される。読み出しゲート領域１７のｐ型不純物濃度が高ければ高いほど、電位障壁が高くなるため、当該電位障壁を引き下げるための読み出し電圧を大きくする必要がある。
【００３７】
信号電荷蓄積領域１３に対して読み出し側とは反対側には、ｐ型のチャネルストップ領域１８が形成されている。チャネルストップ領域１８は、信号電荷に対して電位障壁を形成し、信号電荷の流出入を防止する。
【００３８】
転送電極２１および受光部５における基板表面を被覆して、酸化シリコン膜からなる絶縁膜２３が形成されている。図示はしないが、絶縁膜２３上には、転送電極２１を被覆し受光部５を開口する遮光膜が形成されており、遮光膜の上層には、パッシベーション膜、平坦化膜、カラーフィルタ、オンチップレンズなどが形成されている。
【００３９】
図３は、図１の読み出しゲート部付近の拡大断面図である。
【００４０】
本実施形態では、受光部５における基板面ｆ１は、転送電極２１下における基板面ｆ２よりも距離ｄだけ掘り下げられて形成されている。また、掘り下げられた基板面ｆ１は転送電極２１下にまで存在しており、アンダーカットＣが発生している。正孔蓄積領域１４は、転送電極２１の側壁に形成された絶縁膜２３の横方向膜厚Ｗ分だけ、転送電極２１の端部、すなわち読み出しゲート領域１７の端部から隔てて形成されている。
【００４１】
受光部５における基板面ｆ１が距離ｄだけ掘り下げられている結果、読み出しゲート領域１７と正孔蓄積領域１４の間の領域Ａ上における絶縁膜２３の縦方向膜厚ｈは、従来よりも距離ｄだけ厚くなる。この結果、正孔蓄積領域１４の形成のためのイオン注入の飛程距離が増加し、絶縁膜２３のイオン注入マスク効果を高めることができ、領域Ａにｐ型不純物が導入されることが防止される。
【００４２】
また、例えばアンダーカットＣが生じている場合には、転送電極２１の端部下における領域Ｂ上にも絶縁膜２３が存在することとなる。このため、同様にして、イオン注入の飛程距離が増加するため、領域Ｂにｐ型不純物が導入されることが防止される。
【００４３】
以上のように、転送電極２１の端部と正孔蓄積領域１４との間の領域Ａ，領域Ａよりも転送電極２１側の領域Ｂにｐ型不純物が回りこむことが防止されるため、読み出しゲート領域１７のｐ型不純物濃度が高まることが抑制される。このため、読み出し電圧の低減化を図ることができる。
【００４４】
次に、上記の固体撮像装置の製造方法について、図４および図５を参照して説明する。
【００４５】
まず、図４（ａ）に示す構造までを作製する。すなわち、基板１０にｎ型エピタキシャル層１１を形成し、イオン注入法により、ｐ型ウェル１２、信号電荷蓄積領域１３、転送チャネル領域１５、ｐ型領域１６、チャネルストップ領域１８を形成する。信号電荷蓄積領域１３と転送チャネル領域１５との間のｐ型ウェル１２が、読み出しゲート領域１７となる。なお、これらの各領域の形成順序に限定はない。続いて、基板１０の表面に熱酸化法によりゲート絶縁膜２０を形成した後に、転送チャネル領域１５および読み出しゲート領域１７上に転送電極２１を形成する。なお、転送電極２１が２層構造の場合には、１層目の転送電極２１を形成した後に、イオン注入により信号電荷蓄積領域１３を形成してもよい。
【００４６】
その後、転送電極２１および受光部５における基板上に、熱酸化法により犠牲酸化膜２２を形成する。例えば、３０ｎｍの膜厚の犠牲酸化膜２２を形成する。熱酸化法では、転送電極２１および基板１０の表面が酸化されて犠牲酸化膜２２となる。このため、３０ｎｍの犠牲酸化膜２２を形成すると、基板１０の表面から２０ｎｍ程度の領域に存在するシリコンが酸化される。
【００４７】
次に、図４（ｂ）に示すように、例えばウェットエッチングにより、犠牲酸化膜２２を除去する。これにより、受光部５における基板面ｆ１は、元の基板面（例えば転送電極２１下の基板面）ｆ２からは、２０ｎｍ程度の距離ｄだけ掘り下げられる。掘り下げる距離ｄは、犠牲酸化膜２２の膜厚により正確に制御できる。
【００４８】
また、ウェットエッチングは、等方性エッチングのため、転送電極２１の端部においてアンダーカットＣが生じる。このアンダーカットＣの量も、ウェットエッチングの時間により正確に制御できる。
【００４９】
犠牲酸化膜２２のエッチングとしてウェットエッチングが好ましいのは、ウェットエッチングを用いるとエッチング後の基板面ｆ１が、エッチング前と同じ平滑状態（鏡面状態）となるからである。ドライエッチングを採用すると、基板面ｆ１には欠陥が存在し、基板面ｆ１が平滑状態ではなくなる。このため、白傷などの欠陥の発生の恐れがある。
【００５０】
ウェットエッチングでは、例えばエッチング液としてフッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を用いる。あるいは、エッチング液としてフッ酸を純水により希釈した希釈液（フッ酸：純水を１：１０から１：２０にした希釈液）を用いる。従来の工程に対して追加する上記の犠牲酸化膜２２の形成工程およびウェットエッチング工程は、難易度の高いものではないため、コストアップも最小限に抑えることができる。
【００５１】
次に、図５（ａ）に示すように、再度熱酸化を行うことにより、転送電極２１および受光部５における基板上に酸化シリコンからなる絶縁膜２３を形成する。例えば、３０ｎｍの膜厚の絶縁膜２３を形成する。
【００５２】
次に、図５（ｂ）に示すように、転送電極２１および絶縁膜２３をマスクとして、ｐ型不純物をイオン注入して、受光部５における基板表層部に、正孔蓄積領域１４を形成する。イオン注入では、例えばｐ型不純物としてボロン（Ｂ）を用い、正孔蓄積領域１４が浅く形成されるように、プロジェクトレンジ（投影飛程：Ｒｐ）が１００ｎｍ程度となる注入エネルギーとする。
【００５３】
受光部５における基板面ｆ１が距離ｄだけ掘り下げられている結果、転送電極２１の側壁における絶縁膜２３の縦方向膜厚ｈは、距離ｄ分だけ従来よりも厚くなる。この結果、イオン注入の飛程距離が距離ｄだけ増加することから、絶縁膜２３のイオン注入マスク効果を高めることができ、転送電極２１の外側の領域Ａにｐ型不純物が注入されることが防止される。
【００５４】
また、例えばアンダーカットＣが生じている場合には、転送電極２１の端部下における領域Ｂ上にも絶縁膜２３が存在することとなる。このため、この部分の絶縁膜２３の膜厚分だけイオン注入の飛程距離が増加することから、転送電極２１の端部下における領域Ｂにｐ型不純物が注入されることが防止される。
【００５５】
転送電極２１の端部から正孔蓄積領域１４を隔てる距離は、２回目の酸化による絶縁膜２３の膜厚（すなわち、転送電極２１の側壁に形成される絶縁膜２３の横方向膜厚Ｗ）によって正確に制御することができる。
【００５６】
正孔蓄積領域１４を形成した後に、転送電極２１を被覆し受光部５を開口する遮光膜を形成し、遮光膜の上層に、パッシベーション膜、平坦化膜、カラーフィルタ、オンチップレンズなどが形成することにより、固体撮像装置が完成する。
【００５７】
以上、説明したように本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法では、転送電極２１下の基板面ｆ２よりも受光部５における基板面ｆ１を距離ｄだけ掘り下げた結果、転送電極２１の側壁に形成される絶縁膜２３の縦方向膜厚ｈが厚くなり、イオン注入の飛程距離が距離ｄだけ増加する。このため、絶縁膜２３によるイオン注入マスク効果を高めることができ、読み出しゲート領域１７から距離を隔てて正孔蓄積領域１４を形成することができる。
【００５８】
これにより、読み出しゲート領域１７へｐ型不純物の回りこみを防止することができることから、読み出しゲート領域１７のｐ型不純物濃度が高濃度化することを防止することができ、読み出し電圧の低減化を図った固体撮像装置を製造することができる。
【００５９】
また、従来に比して付加される犠牲酸化膜の形成工程および犠牲酸化膜の除去工程は、難易度の高いものではなく、コストアップも最小限に抑えることができる。さらに、受光部５の基板面ｆ１の掘り下げは、犠牲酸化膜の膜厚により高精度に制御可能である。
【００６０】
また、ウェットエッチングを採用することにより、転送電極２１の端部にアンダーカットが制御良く生じる。このため、転送電極２１の端部下における読み出しゲート領域１７にｐ型不純物が回りこむことをさらに防止することができる。
【００６１】
以上のように、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法によれば、読み出し電圧の低減化を図った固体撮像装置を容易に製造することができる。
【００６２】
上記の固体撮像装置は、例えば、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、あるいは電子内視鏡用カメラなどのカメラに用いられる。
【００６３】
図６は、上記の固体撮像装置が用いられるカメラの概略構成図である。
【００６４】
カメラ３０は、固体撮像装置（ＣＣＤ）１と、光学系３２と、駆動回路３３と、信号処理回路３４とを有する。
【００６５】
光学系３２は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置１の各受光部５において、入射光量に応じた信号電荷に変換され、受光部５の信号電荷蓄積領域１３において、一定期間当該信号電荷が蓄積される。
【００６６】
駆動回路３３は、上述した４相のクロック信号φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４および２相のクロック信号φＨ１，φＨ２などの各種のタイミング信号を固体撮像装置１に与える。これにより、固体撮像装置１の信号電荷の読み出し、垂直転送、水平転送などの各種の駆動が行われる。また、この駆動により、固体撮像装置１の出力部４からアナログ画像信号が出力される。
【００６７】
信号処理回路３４は、固体撮像装置１から出力されたアナログ画像信号に対して、ノイズ除去を行ったり、ディジタル信号に変換するといった各種の信号処理を行う。信号処理回路３４による信号処理が行われた後に、メモリなどの記憶媒体に記憶される。
【００６８】
このように、ビデオカメラやデジタルスチルカメラなどのカメラ３０において、読み出し電圧の低減化を図った上記の固体撮像装置１を用いることにより、カメラ３０の消費電力の低減化を図ることができる。
【００６９】
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
本実施形態では、インターライントランスファ方式の固体撮像装置について説明したが、フレームインターライントランスファ方式の固体撮像装置であってもよい。本実施形態では、２層構造の転送電極２１を例に説明したが、単層構造であっても３層以上の構造であってもよい。また、本発明は、基板１０の裏面から光を受光する裏面照射型の固体撮像装置にも適用可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本実施形態に係る固体撮像装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】撮像部における要部断面図である。
【図３】読み出しゲート部付近の拡大断面図である。
【図４】本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法において、正孔蓄積領域の製造工程を示す工程断面図である。
【図５】本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法において、正孔蓄積領域の製造工程を示す工程断面図である。
【図６】本実施形態に係る固体撮像装置が適用されるカメラの概略構成を示すブロック図である。
【図７】従来例に係る固体撮像装置の断面図である。
【図８】従来例に固体撮像装置の製造方法において、正孔蓄積領域の製造工程を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１…固体撮像装置、２…撮像部、３…水平転送部、４…出力部、４ａ…電荷−電圧変換部、５…受光部、６…読み出しゲート部、７…垂直転送部、１０…基板、１１…ｎ型エピタキシャル層、１２…ｐ型ウェル、１３…信号電荷蓄積領域、１４…正孔蓄積領域、１５…転送チャネル領域、１６…ｐ型領域、１７…読み出しゲート領域、１８…チャネルストップ領域、２０…ゲート絶縁膜、２１…転送電極、２２…犠牲酸化膜、２３…絶縁膜、３０…カメラ、３２…光学系、３３…駆動回路、３４…信号処理回路、１０５…受光部、１０６…読み出しゲート部、１０７…垂直転送部、１１２…ｐ型ウェル、１１３…信号電荷蓄積領域、１１４…正孔蓄積領域、１１５…転送チャネル領域、１１６…ｐ型領域、１１７…読み出しゲート領域、１２０…ゲート絶縁膜、１２１…転送電極、１２２…酸化シリコン膜、Ａ，Ｂ…領域、Ｃ…アンダーカット、ｄ…距離
【図１】
2006196513.tif 000003
【図２】
2006196513.tif 000004
【図３】
2006196513.tif 000005
【図４】
2006196513.tif 000006
【図５】
2006196513.tif 000007
【図６】
2006196513.tif 000008
【図７】
2006196513.tif 000009
【図８】
2006196513.tif 000010