(57)【要約】【課題】  優れた軟磁性特性を有することにより薄膜磁気ヘッド等に有効に使用することができる軟磁性膜、またこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】  書き込みギャップ層３７を挟んで配置される下部磁極３４と上部磁極３５とを備える薄膜磁気ヘッド３２において、前記書き込みギャップ層３７に、強磁性元素を含む磁性下地層３８と、強磁性層３５ａと、上部磁極３５が積層して形成されていることを特徴とする。【選択図】          図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
強磁性元素を含む磁性下地層と、該磁性下地層に積層された強磁性層とを備えることを特徴とする軟磁性膜。
【請求項２】
前記磁性下地層が、81.3at％NiFe合金からなることを特徴とする請求項１記載の軟磁性膜。
【請求項３】
前記磁性下地層が、50at％NiFe合金からなることを特徴とする請求項１記載の軟磁性膜。
【請求項４】
前記強磁性層が、FeおよびCoの少なくとも１種を含む合金であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の軟磁性膜。
【請求項５】
前記強磁性層に積層して、50％NiFe層が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の軟磁性膜。
【請求項６】
書き込みギャップ層を挟んで配置される下部磁極と上部磁極とを備える薄膜磁気ヘッドにおいて
前記書き込みギャップ層に、強磁性元素を含む磁性下地層と、強磁性層と、上部磁極が積層して形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、軟磁性膜およびこれを用いた薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置では、媒体への情報の記録再生用として薄膜磁気ヘッドが使用されている。この薄膜磁気ヘッドには、非磁性層からなるギャップ層を挟んで磁性層からなる上部磁極と下部磁極が設けられ、上部磁極と下部磁極との間で書き込み用の磁界を発生させて媒体に情報を記録している。
この薄膜磁気ヘッドでは、磁極の飽和磁束密度を高めることによって記録密度を向上させることができることから、高飽和磁束密度を有し、かつ軟磁性特性を備えた磁性膜（軟磁性膜）が求められている。
【０００３】
本出願人は、このような軟磁性膜を有する薄膜磁気ヘッドの構成を特許文献１において提案した（図１１）。この薄膜磁気ヘッドは、下部磁極３４と上部磁極３５の磁極端間に、ギャップ層として非磁性層３７と非磁性下地層３８ａを挟んで配置され、上部磁極３５は強磁性層３５ａ上に形成されている。３１はコイルパターン、４３および４４はリード素子であるＭＲ素子４１を挟んで配置された上部シールド層および下部シールド層である。
【特許文献１】特開２００３−２２９３１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、図１１に示す従来の薄膜磁気ヘッドにおいて非磁性層３７に積層して形成する非磁性下地層３８ａは、たとえば、NiFe合金に２５at％以上の濃度でＣｒを添加することによって非磁性層としたものであり、非磁性下地層３８ａにFeCo等からなる強磁性層３５ａを積層して形成した軟磁性膜はすぐれた軟磁性特性を有し、薄膜磁気ヘッドに好適に使用することが可能となる。
【０００５】
しかしながら、上部磁極３５を形成する場合には、強磁性層３５ａの表面にレジストパターンを形成し、めっきにより磁性膜を形成して上部磁極３５としている。上部磁極３５を形成した後は、レジストパターンを除去し、強磁性層３５ａと磁性下地層３８の不要部分をエッチングして除去するのであるが、非磁性下地層３８ａはエッチングが困難であるという問題がある。また、強磁性層３５ａが表面に露出しているような場合には腐蝕しやすいという問題があった。
【０００６】
また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、非磁性下地層３８ａを絶縁層３９の下層に設ける構成としているために、非磁性下地層３８ａを形成した後に、絶縁層３９を形成し、次いで強磁性層３５ａを形成する製造工程となる。このため、従来は、非磁性下地層３８ａと強磁性層３５ａを一連の工程として作業することができず、製造工程が非効率になるという問題があった。
【０００７】
本発明は、これらの課題を解決すべくなされたものであり、優れた軟磁性特性を有することにより薄膜磁気ヘッド等に有効に使用することができる軟磁性膜、またこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は以下の構成を備える。
すなわち、本発明に係る軟磁性膜は、強磁性元素を含む磁性下地層と、該磁性下地層に積層された強磁性層とを備えることを特徴とする。この軟磁性膜は一軸磁気異方性を備える。磁性下地層は、強磁性元素としてＦｅ、ＮｉおよびＣｏの少なくとも一種を含むものであればよい。
また、前記磁性下地層としては、81.3at％NiFe合金からなるもの、50at％NiFe合金からなるものが、高飽和磁束密度を有するものとして好適に用いられる。
【０００９】
また、前記強磁性層としては、FeおよびCoの少なくとも１種を含む合金が好適に使用でき、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＰｄおよびＰｔの少なくともいずれか１種をさらに含むものであってもよい。
また、前記強磁性層の上に積層して、50％NiFe層が設けられていることにより、強磁性層の腐蝕を防止できる点でさらに好適である。
【００１０】
また、上記軟磁性膜は、磁気ディスク装置で用いられる媒体への情報の書き込みに用いられる薄膜磁気ヘッドに使用することができる。すなわち、書き込みギャップ層を挟んで配置される下部磁極と上部磁極とを備える薄膜磁気ヘッドにおいて、前記書き込みギャップ層に、強磁性元素を含む磁性下地層と、強磁性層と、上部磁極が積層して形成されていることを特徴とする。この薄膜磁気ヘッドは磁気ディスク装置に組み込まれるヘッドスライダに搭載される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る軟磁性膜は、高い飽和磁束密度と、優れた軟磁性特性を有することから、たとえば磁気ディスク装置において媒体への情報の書き込みに用いられる薄膜磁気ヘッドに有効に使用することができる。この軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッドは高い書き込み磁界を有し、高周波特性に優れることから、媒体への高密度記録を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって詳細に説明する。
図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置１１の内部構造を示す。磁気ディスク装置１１の矩形の箱状に形成された本体１２には、記録媒体としての磁気ディスク１３が収容されている。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は、たとえば7200rpmあるいは10000rpmといった高速度で磁気ディスク１３を回転させる。
【００１３】
本体１２内には、磁気ディスク１３のディスク面と垂直方向に延びる支軸１５の回りで揺動するキャリッジ１６が収容されている。このキャリッジ１６は、支軸１５から水平方向に延びる剛体の揺動アーム１７と、この揺動アーム１７の先端に取り付けられ、揺動アーム１７から前方に延びる弾性サスペンション１８とを備える。
【００１４】
弾性サスペンション１８の先端には、浮上面を磁気ディスク１３のディスク面に対向させてヘッドスライダ１９が取り付けられている。ヘッドスライダ１９には、磁気ディスク１３の表面に向かって弾性サスペンション１８による押圧力が作用する。磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で生成される気流の働きによってヘッドスライダ１９に浮力が作用する。弾性サスペンション１８の押圧力と浮力とのバランスにより磁気ディスク１３の回転中にヘッドスライダ１９が浮上する。
【００１５】
ヘッドスライダ１９の浮上中に、キャリッジ１６が支軸１５を軸として揺動することにより、ヘッドスライダ１９は径方向に磁気ディスク１３の表面を横切るように移動する。こうした移動によりヘッドスライダ１９は磁気ディスク１３上の所望の記録トラックに位置決めされる。キャリッジ１６の揺動は、たとえばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といったアクチュエータ２１によって実現される。
【００１６】
図２はヘッドスライダ１９の一例を示す。このヘッドスライダ１９は、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ（アルチック）製のスライダ本体２２と、このスライダ本体２２の空気流出端に接合されて、読み出し書き込みヘッド２３を内蔵するＡｌ2Ｏ3（アルミナ）製のヘッド素子内蔵膜２４とを備える。スライダ本体２２およびヘッド素子内蔵膜２４には、磁気ディスク１３に対向して浮上面２５が形成される。
【００１７】
浮上面２５には、空気流入端から空気流出端に向かって延びる２つのレール２７が形成される。各レール２７の頂上面はいわゆるＡＢＳ（空気軸受け面）２８として作用し、気流２６の働きによって前述の浮力が生成される。
ヘッド素子内蔵膜２４に形成された読み出し書き込みヘッド２３は、ＡＢＳ２８で端部が露出する。
【００１８】
図３は、読み出し書き込みヘッド２３を書き込みヘッド側から見た状態を示す。読み出し書き込みヘッド２３は、渦巻きコイルパターン３１で生起される磁界を利用して磁気ディスク１３に情報を記録する誘導書き込みヘッド素子３２を備える。この誘導書き込みヘッド素子３２は本発明に係る薄膜磁気ヘッドとして機能する。
電流の供給に応じて渦巻きコイルパターン３１で磁界が生成されると、渦巻きコイルパターン３１の中心を貫通する磁性コア３３内で磁束流は伝わる。渦巻きコイルパターン３１はたとえばＣｕといった導電金属材料によって形成される。
【００１９】
図４は、読み出し書き込みヘッド２３を断面方向から見た状態を示す。
磁性コア３３は、渦巻きコイルパターン３１の中心位置から浮上面２５に向かって前方に延び、前端で浮上面２５に臨む下部磁極３４および上部磁極３５を備える。下部磁極３４には、浮上面２５に隣接して渦巻きコイルパターン３１の外側で磁極本体層３４ａの表面から立ち上がる前方磁極片３４ｂと、渦巻きコイルパターン３１の中心位置で磁極本体層３４ａの表面から立ち上がる後方磁極片３４ｃとが形成される。前方磁極片３４ｂの頂上面と後方磁極片３４ｃの頂上面とは同一の平坦面上に位置する。下部磁極３４はたとえばＮｉＦｅによって形成される。
【００２０】
下部磁極３４上には、平坦面に沿って、浮上面２５で露出する前端から後方に向かって広がる非磁性層３７が積層される。
非磁性層３７上には、Ｔｉ層５０オングストローム、および強磁性元素を含む磁性下地層３８および強磁性層３５ａが積層される。また、強磁性層３５ａ上には５０at％ＮｉＦｅが２００オングストロームの厚さに成膜される。３６は上部磁極３５にアペックス角度を形成するために設けられた絶縁層である。
こうして、非磁性層３７、磁性下地層３８および強磁性層３５ａを挟んで下部磁極３４と上部磁極３５が配置され、下部磁極３４と上部磁極３５との間に書き込みギャップが形成される。
【００２１】
Ｔｉ層上に形成される磁性下地層３８は、たとえばＮｉＦｅ合金によって形成される。磁性下地層３８は、たとえば、Ｆｅ、ＮｉおよびＣｏから選択された少なくとも１種の強磁性元素を含む合金によって形成される。具体例としては、たとえば、８１．３at％ＮｉＦｅを２０オングストロームの厚さに成膜することによって形成する。また、他の具体例としては、５０at％ＮｉＦｅを５０オングストロームの厚さに成膜して形成することができる。
【００２２】
上部磁極３５は、Ｔｉ層上に形成された磁性下地層３８上に積層される強磁性層３５ａと、渦巻きコイルパターン３１の中心位置から前方に延びて、前端で強磁性層３５ａに受け止められる磁極本体層３５ｂとを備える。上部磁極３５の後端は渦巻きコイルパターン３１の中心位置で下部磁極３４の後方磁極片３４ｃに接続される。
【００２３】
強磁性層３５ａはたとえばＦｅＣｏ合金によって形成することができる。ＦｅＣｏ合金にはＯ、ＮおよびＣの少なくともいずれか１種が添加されてもよい。ＦｅＣｏ合金には、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＰｄおよびＰｔの少なくともいずれか１種がさらに添加されてもよい。その他、強磁性層３５ａは、少なくともＦｅやＣｏといった強磁性元素を含む合金で構成されてもよい。こういった強磁性層３５ａは、後述されるように、前述の磁性下地層３８上で軟磁性および高い飽和磁束密度（たとえば２．４Ｔ程度以上）を示す。磁極本体層３５ｂは、たとえばＮｉＦｅによって形成される。
【００２４】
図４に示されるように、読み出し書き込みヘッド２３は、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子４１を利用して磁気ディスク１３から磁気情報を読み取る読み出しヘッド４２をさらに備える。周知の通り、ＭＲ素子４１は上下１対のシールド層４３、４４に挟み込まれる。上下シールド層４３、４４の間で読み出しギャップは規定される。上下シールド層４３、４４は、たとえばＦｅＮやＮｉＦｅといった磁性材料から形成される。ＭＲ素子４１には巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子やトンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子を用いることができる。
【００２５】
この読み出し書き込みヘッド２３では、図４に示されるように、誘導書き込みヘッド素子３２の下部磁極３４と読み出しヘッド４２の上シールド層４３との間に均一な厚みの非磁性層４５が挟み込まれる。この非磁性層４５の働きで下部磁極３４は上シールド層４３から磁気的に分離される。非磁性層４５は、たとえばＡｌ2Ｏ3によって形成される。なお、誘導書き込みヘッド素子３２の下部磁極３４が読み出しヘッド４２の上シールド層４３を兼ねることもできる。
【００２６】
誘導書き込みヘッド素子３２の渦巻きコイルパターン３１に電流が供給されると、渦巻きコイルパターン３１で磁界が生起される。渦巻きコイルパターン３１の中心から上部磁極３５および下部磁極３４を通じて磁束流が伝わる。磁束流は、非磁性層３７を迂回しながら上部磁極３５と下部磁極３４との間を行き交う。こうして浮上面２５から漏れ出る磁束流に基づき書き込み磁界すなわち記録磁界は生成される。この書き込み磁界によって、浮上面２５に対向する磁気ディスク１３が磁化される。
【００２７】
このような誘導書き込みヘッド素子３２によれば、上部磁極３５の先端で高い飽和磁束密度を得ることができ、誘導書き込みヘッド素子３２の書き込みギャップでは強いギャップ磁界すなわち書き込み磁界が形成される。こうして書き込み磁界を強めることができれば、磁気ディスク１３には、高い保磁力を有する素材を使用することが可能となり、その結果、単位面積当たりに一層多くの記録トラックを配置することが可能となって、磁気記録密度を高密度かを実現することができる。
【００２８】
次に、誘導書き込みヘッド素子３２の製造方法を簡単に説明する。誘導書き込みヘッド素子３２の製造にあたっては、アルチック製のウェハー上に、まず、周知の方法により、上下シールド層４３、４４や上下シールド層４３、４４の間にＭＲ素子４１を形成する。
なお、図５に示すように、ＭＲ素子４１は最終的に基準平面５１まで削り込まれ、この削り込みの結果、基準平面５１すなわち浮上面２５でＭＲ素子４１が露出することになる。
【００２９】
上シールド層４３上には、下部磁極３４や渦巻きコイルパターン３１が形成される。平坦化研磨処理の結果、前方磁極片３４ｂおよび後方磁極片３４ｃの頂上面は平坦面となって露出する。
平坦面上には、図６に示されるように、非磁性層３７が積層される。非磁性層３７の上には、たとえばＡｌ2Ｏ3といった非磁性膜の盛り上がり５３が形成される。次いで、この盛り上がり５３や非磁性層３７上にフォトレジスト膜５４を形成する。このフォトレジスト膜５４には、上部磁極３５の形状に合わせて凹部５５が形成される。
【００３０】
次に、凹部５５内で磁性下地層３８、続いて強磁性層３５ａがスパッタリングによって積層形成される。本実施形態では、前述したように、Ｔｉ層、磁性下地層３８、次いで強磁性層３５ａを連続的に成膜した。
強磁性層３５ａを成膜する際のターゲットには、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮ、ＦｅＣｏＡｌＯ、その他のＣｏＦｅ合金が用いられる。いわゆる公転成膜によって成膜することにより、磁性下地層３８上で成膜される強磁性層３５ａは、公転方向に沿って磁化容易軸とすることができる。
【００３１】
次いで、凹部５５内で強磁性層３５ａに積層して磁極本体層３５ｂを積層形成する。この積層形成にはスパッタリングが用いられる。こうして凹部５５内に、渦巻きコイルパターン３１の中心位置から基準平面５１に向かって延びる上部磁極３５が形成される。
その後、図７に示すように、上部磁極３５にはトリミング処理が施される。トリミング処理にあたって上部磁極３５上にフォトレジスト膜６３を形成する。イオンミリングにより、幅狭な形状に、上部磁極３５ａ、３５ｂ、磁性下地層３８、非磁性層３７および下部磁極３４が削り出される。
こうして誘導書き込みヘッド素子３２が形成される。誘導書き込みヘッド素子３２は最終的に、たとえばＡｌ2Ｏ3といった非磁性膜によって覆い、その後、前述した削り代５２を削り落とすことによって完成する。
【００３２】
本発明者は、本発明に係る軟磁性膜について、比較例とともにその磁界に対する特性を試験した。図８〜１０はその試験結果を示すグラフである。
図８は、Ｔｉ層（厚さ50オングストローム）／磁性下地層：81.3at％ＮｉＦｅ（20オングストローム）／強磁性層：ＦｅＣｏ（1300オングストローム）／50at％ＮｉＦｅ（200オングストローム）の積層膜についての試験結果である。図９は、Ｔｉ層（厚さ50オングストローム）／磁性下地層：50at％ＮｉＦｅ（50オングストローム）／強磁性層：ＦｅＣｏ（1300オングストローム）／50at％ＮｉＦｅ（200オングストローム）の積層膜についての試験結果である。図１０は、比較例として、Ｔｉ層（厚さ50オングストローム）／強磁性層：ＦｅＣｏ（1300オングストローム）／50at％ＮｉＦｅ（200オングストローム）の積層膜からなるサンプルについての試験結果である。これら積層膜はいずれもスパッタリングによって形成したものであり、強磁性層については前述した公転成膜によった。
【００３３】
図８、９に示す試験結果は、磁性下地層に強磁性層を積層して形成した磁性膜は、好適な一軸磁気異方性を有することを示す。
これに対して、図１０に示す、磁性下地層を設けていない磁性膜は、等方的な磁気特性を示し、一軸磁気異方性が得られない。
この実験結果は、磁性下地層に強磁性層を積層して形成することによって、有効な軟磁性膜を得ることができること、したがって薄膜磁気ヘッドの磁極に本発明に係る軟磁性膜を使用することによって、薄膜磁気ヘッドの書き込み磁界を効果的に増大させることができ、薄膜磁気ヘッドの高密度記録を可能にすることを示す。
【００３４】
また、本発明に係る磁性下地層と強磁性層からなる軟磁性膜は、エッチングによって容易に除去することが可能であり、したがって薄膜磁気ヘッドの製造工程では、上部磁極３５を形成した後、軟磁性膜の不要部分をエッチングによって容易に除去することができ、薄膜磁気ヘッドを容易に製造することが可能になる。
また、前述した薄膜磁気ヘッドの実施形態におけるように、強磁性層３５ａの表面にＮｉＦｅ層を形成することで、強磁性層３５ａが露出して腐蝕することを防止することができる。
【００３５】
（付記１）  強磁性元素を含む磁性下地層と、該磁性下地層に積層された強磁性層とを備えることを特徴とする軟磁性膜。
（付記２）  前記磁性下地層が、Ｆｅ、ＮｉおよびＣｏから選択された少なくとも１種の強磁性元素を含む合金からなることを特徴とする付記１記載の軟磁性膜。
（付記３）  前記磁性下地層が、81.3at％NiFe合金からなることを特徴とする付記１記載の軟磁性膜。
（付記４）  前記磁性下地層が、50at％NiFe合金からなることを特徴とする付記１記載の軟磁性膜。
（付記５）  前記強磁性層が、FeおよびCoの少なくとも１種を含む合金であることを特徴とする付記１記載の軟磁性膜。
（付記６）  前記強磁性層が、FeCo合金からなることを特徴とする付記５記載の軟磁性膜。
（付記７）  前記FeCo合金はＯ、ＮおよびＣの少なくともいずれか１種をさらに含むことを特徴とする付記６記載の軟磁性膜。
（付記８）  前記FeCo合金はＡｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＰｄおよびＰｔの少なくともいずれか１種をさらに含むことを特徴とする付記７記載の軟磁性膜。
(付記９)  前記強磁性層に積層して、50％NiFe層が設けられていることを特徴とする付記1記載の軟磁性膜。
（付記１０）  書き込みギャップ層を挟んで下部磁極と上部磁極とが配置されたライトヘッドを備える薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記書き込みギャップ層に、強磁性元素を含む磁性下地層と、強磁性層と、上部磁極が積層して形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（付記１１）  前記磁性下地層が、Ｆｅ、ＮｉおよびＣｏから選択された少なくとも１種の強磁性元素を含む合金からなることを特徴とする付記１０記載の薄膜磁気ヘッド。
（付記１２）  前記磁性下地層が、81.3at％NiFe合金からなることを特徴とする付記１０記載の薄膜磁気ヘッド。
（付記１３）  前記磁性下地層が、50at％NiFe合金からなることを特徴とする付記１０記載の薄膜磁気ヘッド。
（付記１４）  前記強磁性層が、FeおよびCoの少なくとも１種を含む合金であることを特徴とする付記１０記載の薄膜磁気ヘッド。
（付記１５）  前記強磁性層が、FeCo合金からなることを特徴とする付記１４記載の薄膜磁気ヘッド。
（付記１６）  前記FeCo合金はＯ、ＮおよびＣの少なくともいずれか１種をさらに含むことを特徴とする付記１５記載の薄膜磁気ヘッド。
（付記１７）  前記FeCo合金はＡｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＰｄおよびＰｔの少なくともいずれか１種をさらに含むことを特徴とする付記１６記載の薄膜磁気ヘッド。
(付記１８)  前記強磁性層に積層して、50％NiFe層が設けられていることを特徴とする付記１７記載の薄膜磁気ヘッド。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】ハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】ヘッドスライダの構造を概略的に示す斜視図である。
【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドすなわち誘導書き込みヘッド素子の構造を概略的に示す平面図である。
【図４】読み出し書き込みヘッドの断面図である。
【図５】読み出し書き込みヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】読み出し書き込みヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図７】上部磁極のトリミング処理を示す説明図である。
【図８】本発明に係る軟磁性膜のＢＨヒステリシスを表すグラフである。
【図９】本発明に係る軟磁性膜のＢＨヒステリシスを表すグラフである。
【図１０】比較例の磁性膜についてのＢＨヒステリシスを表すグラフである。
【図１１】従来の読み出し書き込みヘッドの断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１１  磁気ディスク装置
１９  ヘッドスライダ
２３  読み出し書き込みヘッド
２５  浮上面
３１  渦巻きコイルパターン
３２  誘導書き込みヘッド素子
３３  磁性コア
３４  下部磁極
３４ａ  磁極本体層
３４ｂ  前方磁極片
３４ｃ  後方磁極片
３５  上部磁極
３５ａ  強磁性層
３５ｂ  磁極本体層
３７  非磁性層
３８  磁性下地層
３８ａ  非磁性下地層
３９  絶縁層
４１  ＭＲ素子
４２  読み出しヘッド
４３  上シールド層
４４  下シールド層
４５  非磁性層
【図１】
2006261313.tif 000003
【図２】
2006261313.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006261313.tif 000006
【図５】
2006261313.tif 000007
【図６】
2006261313.tif 000008
【図７】
2006261313.tif 000009
【図８】
2006261313.tif 000010
【図９】
2006261313.tif 000011
【図１０】
2006261313.tif 000012
【図１１】
2006261313.tif 000013