(57)【要約】【課題】  良好な反射性能を有する反射層を有した液晶装置と、これを備えた電子機器を提供する。【解決手段】  対向して配置された上基板３０と下基板２０との間に液晶層５０を挟持し、１つの画素領域内に反射表示領域３３と透過表示領域３４とを具備し、下基板２０の反射表示領域３３に反射層を備えた半透過反射型の液晶装置である。下基板２０の画素領域１０内に、画素電極２３と、画素電極２３を駆動するためのスイッチング素子２２と、画素電極２３に接続された保持容量１７とを有する。保持容量１７における容量電極２７が、下基板２０の内面側となる上面部に凹凸を形成した多結晶シリコンからなり、反射層２６が、多結晶シリコンからなる容量電極２７の上方に配置されて、容量電極２７の凹凸が転写されてなる凹凸を有して形成されている。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置された上基板と下基板との間に液晶層を挟持し、１つの画素領域内に反射表示領域と透過表示領域とを具備し、前記下基板の反射表示領域に反射層を備えた半透過反射型の液晶装置であって、
前記下基板の画素領域内に、画素電極と、該画素電極を駆動するためのスイッチング素子と、前記画素電極に接続された保持容量とを有し、
前記保持容量における容量電極が、前記下基板の内面側となる上面部に凹凸を形成した多結晶シリコンからなり、
前記反射層が、前記多結晶シリコンからなる容量電極の上方に配置されて、該容量電極の凹凸が転写されてなる凹凸を有して形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記反射層が、前記保持容量における上側電極であることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
前記反射層が、前記保持容量における上側電極の上方に形成された金属層であることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項４】
前記容量電極の下方に、保持容量の下側電極が設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記容量電極の上方に上側電極が設けられており、該上側電極と前記下側電極とが、前記画素領域の外側にて導通していることを特徴とする請求項４記載の液晶装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過反射型の液晶装置と、これを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯型情報端末機器分野の発展に伴い、小型、軽量かつ可搬性に優れる液晶装置が広く用いられている。中でも反射型の液晶装置は、バックライトが不要なため消費電力が大幅に低減できるとともに、更なる薄型、軽量化が可能となるため、近年、その重要性が高まってきている。
このような反射型の液晶装置では、通常、アクリル樹脂等からなる絶縁膜の表面を凹凸形状とすることで、この上に形成される反射電極（反射層）に拡散反射機能を付与することができる。また、絶縁層以外にも、種々の部位に凹凸を形成することで、反射層に拡散反射機能を付与する技術が知られている（例えば、特許文献１〜５参照）。
【０００３】
また、近年では、反射表示と透過表示の２つの表示方式を兼ね備えた、いわゆる半透過反射型の液晶装置が知られている。この半透過反射型の液晶装置は、例えば１つの画素領域内に部分的に反射層を形成することで反射表示領域を形成し、残部の光透過領域を透過表示領域としたものである。
ところで、液晶装置を構成する液晶パネルでは一般に保持容量が必要であり、通常は各画素領域毎に保持容量が形成されている。しかし、前記半透過反射型の液晶装置では、この保持容量を形成した領域が透過表示領域として機能しないため、反射表示領域での光反射性能をより高くすることが重要となっている。
また、液晶装置では、薄型、軽量化などとともに高精細化も強く望まれている。
【特許文献１】特開平８−１６０４６２号公報
【特許文献２】特開２００２−３５７８４９号公報
【特許文献３】特開２００４−４９１２号公報
【特許文献４】特開２００４−９４２２８号公報
【特許文献５】特開２００４−２６４６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の液晶装置では、散乱パターン（拡散反射機能）を例えばアクリル層の凹凸パターンなどで形成していたが、特に高精細化を図ろうとすると、凹凸パターンを形成させる領域が十分に確保できなくなり、良好な反射性能を発揮する凹凸パターンを形成するのが困難になってしまう。すなわち、高精細化を図るべく、画素領域の一辺を例えば２５〜３５μｍ程度に狭くすると、製造上の限界となる８〜１０μｍ程度の径の凹凸パターンを形成するスペースが、画素領域内に十分確保できなくなってしまう。その結果、画素領域内に凹凸パターンをランダムに形成配置することができず、したがって得られる散乱パターンが良好な反射性能（拡散反射性能）を発揮できず、良好な視認性が得られなくなってしまうのである。
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、特に高精細化に対応した半透過反射型の液晶装置においても、良好な反射性能を有する反射層を有し、これによって良好な視認性が得られるものを提供するとともに、このような液晶装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶装置は、対向して配置された上基板と下基板との間に液晶層を挟持し、１つの画素領域内に反射表示領域と透過表示領域とを具備し、前記下基板の反射表示領域に反射層を備えた半透過反射型の液晶装置であって、
前記下基板の画素領域内に、画素電極と、該画素電極を駆動するためのスイッチング素子と、前記画素電極に接続された保持容量とを有し、
前記保持容量における容量電極が、前記下基板の内面側となる上面部に凹凸を形成した多結晶シリコンからなり、
前記反射層が、前記多結晶シリコンからなる容量電極の上方に配置されて、該容量電極
の凹凸が転写されてなる凹凸を有して形成されていることを特徴としている。
【０００７】
この液晶装置によれば、透過表示領域として機能しない保持容量の形成領域において、その容量電極となる多結晶シリコンに凹凸が形成され、反射層が、この多結晶シリコンの凹凸が転写されて形成されているので、特に多結晶シリコンではその凹凸パターンが数μｍ程度（１〜５μｍ程度）の径でランダムに形成されることから、反射層も、この凹凸パターンが転写されることによって凹凸パターンが数μｍ程度の径でランダムに形成されたものとなる。したがって、特に高精細化のため画素領域が狭くされた液晶装置であっても、その画素領域内に凹凸パターンがランダムに形成配置されるようになることから、反射層が良好な反射性能（拡散反射性能）を有するものとなり、これによって良好な視認性が得られるものとなる。
また、保持容量の容量電極に凹凸を形成していることで、従来のように凹凸パターンを有する絶縁膜（アクリル層）を別に形成する必要がなくなり、したがって製造工程が簡略化されてコストの低減化が図れる。
【０００８】
また、前記液晶装置においては、前記反射層が、前記保持容量における上側電極であってもよい。
このようにすれば、容量電極に対向してこれの上方に設けられる上側電極をそのまま反射層としているので、製造工程がさらに簡略化される。
【０００９】
また、前記液晶装置においては、前記反射層が、前記保持容量における上側電極の上方に形成された金属層であってもよい。
このようにすれば、反射層がより下基板の内面側、すなわち光の出射側となる上基板側に位置することになり、したがって、この反射層上に設けられる絶縁膜等の影響によって反射率が低下してしまうのが抑制され、結果として反射率の向上が図られる。
【００１０】
また、前記液晶装置においては、前記容量電極の下方に、保持容量の下側電極が設けられているのが好ましい。
このようにすれば、例えば容量電極の上方に設けられる上側電極と容量電極との間に形成される保持容量に加えて、容量電極と下側電極との間に保持容量が形成されるので、小さい面積で比較的大きな保持容量を確保することが可能になる。
【００１１】
なお、この液晶装置では、前記容量電極の上方に上側電極が設けられており、該上側電極と前記下側電極とが、前記画素領域の外側にて導通しているのが好ましい。
このようにすれば、上側電極と下側電極とを導通させるためのコンタクトホールが画素領域の外側に配置されることになり、したがって、コンタクトホールによる画素領域の開口率の低下が抑えられる。
【００１２】
本発明の電子機器は、前記の液晶装置を備えたことを特徴としている。
この電子機器によれば、良好な視認性が得られる液晶装置を備えているので、この液晶装置を表示手段とすることにより、この電子機器自体も優れた視認性を有するものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施の形態に基づいて詳しく説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態であるアクティブマトリクス型の液晶装置を構成する、マトリクス状に形成された複数の画素における配線構造を示す回路構成図であり、図２は、図１に示す１画素領域の平面図、図３は、図２に示すＡ−Ａ線に沿う要部側断面図である。本実施形態の液晶装置は、図２及び図３に示すように、１つの画素領域内に反射表示領域３３と透過表示領域３４とを有する液晶パネル１と、その背面側に配設されたバックライト２とを備えた半透過反射型の液晶装置である。
【００１４】
図１に示すように、本実施形態の液晶装置は、複数の走査線１１と、走査線１１に対して交差する方向に延びる複数のデータ線１２と、各走査線１１と並列に延びる容量線１３とがそれぞれ配線された構成を有しており、走査線１１とデータ線１２との各交点付近に、画素領域１０が設けられている。画素領域１０の各々には、画素電極２３と、該画素を駆動するためのスイッチング素子としてのＴＦＴ素子２２とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線１２がＴＦＴ素子２２のソース領域に電気的に接続されている。ＴＦＴ素子２２のゲート電極には、走査線１１が電気的に接続されている。また、画素電極２３は、ＴＦＴ素子２２のドレインに電気的に接続されており、走査線１１から供給される走査信号によりＴＦＴ素子２２がスイッチングされることで、データ線１２から供給される画像信号が所定のタイミングで画素電極２３に書き込まれ、液晶層を挟持して対向する電極との間で画像信号が保持されるようになっている。また、前記画素電極２３に書き込まれた画像信号のリークを防止するために、前記画素電極２３と並列に保持容量１７が付加されており、保持容量１７を構成する一方の電極は容量線１３に電気的に接続されている。
【００１５】
次に、図２及び図３を参照して図１に示す画素領域１０の詳細な構成について説明する。
図２及び図３に示すように、画素領域１０には、平面視矩形状の透光性の画素電極２３と、この画素電極２３の一部領域に平面的に重なるように保持容量１７が形成されている。この保持容量１７は、容量線１３を構成する矩形状の上側電極２６と、この上側電極２６の下方に形成されて上側電極２６に対向して配置された矩形状の容量電極２７と、これら電極間に設けられた第１層間絶縁膜４５とから構成されたものである。そして、このような構成からなる保持容量１７の形成領域が、反射表示領域３３とされている。
【００１６】
すなわち、保持容量１７を構成する容量電極２７は、多結晶シリコンによって形成されており、この多結晶シリコンからなる容量電極２７は、図３に示すようにその上面部、すなわちアレイ基板（下基板）２０の内面側（液晶層５０側）に凹凸を形成したものである。ここで、この凹凸からなるパターン（凹凸パターン）は、その凹部あるいは凸部のパターンが数μｍ程度（１〜５μｍ程度）の径でランダムに形成配置されている。
【００１７】
ここで、特にこのような凹凸パターンを有する多結晶シリコン（容量電極２７）の製造方法について、以下に説明する。
まず、従来と同様に、この容量電極２７を形成配置するための下地上にＣＶＤ法等によって非晶質のシリコン層を形成する。次いで、形成した非晶質シリコン層に、大気中、例えば空気中にてレーザ照射し、加熱処理することで結晶化する。このような結晶化処理により、非晶質シリコン層が多結晶シリコンとなる。その際、特に大気中で処理を行っていることにより、例えば真空雰囲気下で処理を行った場合に比べ、レーザ照射による加熱処理後、冷却が速く進む。その結果、シリコン層中で冷却の速度にばらつきが生じ、冷却に伴う熱収縮が不均一に起こる。そして、このような不均一な熱収縮により、前記の凹凸パターンがランダムに形成されると考えられる。また、特に空気中で処理を行った場合、シリコン層の表面が部分的に酸化することなどによっても、前記の凹凸パターンが形成されると考えられる。
【００１８】
このように、容量電極２７（多結晶シリコン）には凹凸パターンが形成されているので、この容量電極２７を覆って形成される第１層間絶縁膜４５にも、図３に示したように前記凹凸パターンが転写され、さらに前記容量電極２７の上方において第１層間絶縁膜４５を覆って形成される上側電極２６にも、前記凹凸パターンが転写される。よって、従来のように凹凸パターンを有する絶縁膜（アクリル層）を別に形成することなく、上側電極２６に凹凸パターンを形成することができる。したがって、この上側電極２６を例えばＡｌ等の金属で形成することにより、本発明における反射層として機能させることができる。その場合に、その表面部に転写された凹凸パターンにより、上側電極２６（反射層）は良好な反射性能（拡散反射性能）を発揮するものとなる。
そして、このように保持容量１７を構成する上側電極２６を反射層として機能させることにより、前述したように保持容量１７の形成領域が、画素領域１０において反射表示領域３３となっているのである。
【００１９】
また、画素領域１０においては、図２に示すように前記画素電極２３の縦横の境界に沿ってデータ線１２及び走査線１１が設けられており、データ線１２と走査線１１との交差部近傍に、ＴＦＴ素子２２が形成されている。ＴＦＴ素子２２は、半導体（ポリシリコン）層の一部である平面視略Ｕ形のＴＦＴ形成部２４に形成されており、このＴＦＴ形成部２４のＵ形の一方の先端には矩形状の前記容量電極２７が延設されて前記ＴＦＴ形成部２４とともに半導体層を構成している。
【００２０】
そして、本実施形態に係るＴＦＴ素子２２は、略Ｕ形のＴＦＴ形成部２４と走査線１１とが平面視において交差する２箇所にチャネル領域２２ａ、２２ｂが形成されたダブルゲート型のＴＦＴ素子とされている。ＴＦＴ形成部２４のデータ線１２に沿う一方の腕部の先端にコンタクトホール２５が形成され、このコンタクトホール２５を介してデータ線１２とＴＦＴ素子２５のソース側とが電気的に接続されている。また、前記コンタクトホール２５と反対側のＴＦＴ形成部２４の腕部先端側がＴＦＴ素子２４のドレイン側とされており、このドレイン側は容量電極２７に連続している。そして、このドレイン側、すなわち容量電極２７は、図示しないコンタクトホールを介して画素電極２３に電気的に接続されている。
【００２１】
また、図３に示すように本実施形態の液晶装置は、互いに対向して配置されたアレイ基板２０と、対向基板（上基板）３０と、これら基板２０，３０に挟持された液晶層５０とから概略構成された液晶パネル１と、この液晶パネル１のアレイ基板２０の外面側に配設されたバックライト２とを備えて構成されたものである。アレイ基板２０は、ガラスやプラスチック、樹脂フィルムなどからなる透明基板２０Ａを有したものである。
前記基板２０Ａの内面側（液晶層５０側）には、容量電極２７と、容量電極２７を覆う第１層間絶縁膜４５と、上側電極２６及び走査線１１（図示せず）と、上側電極２６を覆う絶縁膜４６と、画素電極２３とが形成されている。
【００２２】
前記容量電極２７と上側電極２６とは、液晶パネル１の厚さ方向で互いに対向して配置されており、前述したように第１層間絶縁膜４５を絶縁層とする保持容量１７を形成している。そして、この保持容量１７にあっては、その容量電極２７が、図示しないコンタクトホールを介して画素電極２３と電気的に接続されている。また、上側電極２６は、容量線１３を構成するもので、Ａｌ等の反射性を有する金属で形成されたものであり、前述したように本発明における反射層としても機能するものとなっている。すなわち、上側電極２６は、前述したように容量電極２７を構成する多結晶シリコンの凹凸パターンが転写されたことで、この上側電極２６自体もその上面部に散乱パターンとなる凹凸パターンを有したものとなっており、これによって単に反射層として機能するだけでなく、良好な拡散反射性能を発揮するものとなっている。
また、基板２０Ａの外面側には、偏光板２１が設けられている。
【００２３】
対向基板３０は、ガラスやプラスチック、樹脂フィルムなどからなる透明基板３０Ａを有したもので、基板３０Ａの内面側（液晶層５０側）には、反射表示領域３３及び透過表示領域３４とほぼ対応する平面領域にカラーフィルタ（図示せず）が形成されており、このカラーフィルタ上に部分的に樹脂層３６が設けられている。そして、この樹脂層３６及び前記カラーフィルタを覆って、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる対向電極３８が設けられている。基板３０Ａの外面側には、偏光板３９が設けられている。
【００２４】
前記樹脂層３６は、画素領域１０の反射表示領域３３に対応する位置に形成されたもので、反射表示領域３３の液晶層厚ｄｒと透過表示領域３４の液晶層厚ｄｔとを調整することでこれら表示領域における光路長を調整し、反射表示と透過表示のいずれにおいても高輝度の表示を可能にしたものである。
なお、図示は省略したが、画素電極２３及び対向電極３８上には、これら電極を覆って配向膜が設けられている。
【００２５】
このような構成の液晶装置では、明るい屋外等の外光を利用できる環境では反射表示領域３３の反射層（上側電極２６）により外光を反射させて反射表示を行い、外光の利用が困難な環境では、バックライト２から出射される光を透過させて透過表示を行うようになっている。
【００２６】
このような液晶装置にあっては、反射層として機能する上側電極２６が、容量電極２７を構成する多結晶シリコンの凹凸が転写されて形成されているので、特に多結晶シリコンではその凹凸パターンが数μｍ程度（１〜５μｍ程度）の径でランダムに形成されることから、反射層（上側電極２６）も、この凹凸パターンが転写されることによって凹凸パターンが数μｍ程度の径でランダムに形成されたものとなっている。したがって、特に高精細化のため画素領域１０が狭く形成されていても、その画素領域１０内に凹凸パターンをランダムに形成配置したものとなる。よって、反射層（上側電極２６）が良好な反射性能（拡散反射性能）を有するものとなり、これによって良好な視認性が得られるものとなる。
【００２７】
また、保持容量１７の容量電極２７に凹凸を形成していることで、従来のように凹凸パターンを有する絶縁膜（アクリル層）を別に形成する必要がなくなり、したがって製造工程が簡略化されてコストの低減化が図れる。さらに、容量電極２７に対向してこれの上方に設けられる上側電極２６をそのまま反射層としているので、製造工程がより一層簡略化される。
【００２８】
（第２の実施形態）
次に、図４及び図５を参照して本発明の第２の実施形態について説明する。図４は、本発明の第２の実施形態の液晶装置における１画素領域を示す平面図であり、図５は、図４に示すＢ−Ｂ線に沿う要部側断面図である。これらの図に示す本実施形態の液晶装置が、図２及び図３に示した液晶装置と主に異なるところは、前記容量電極２７の下方に下側電極６０が設けられている点である。
【００２９】
本実施形態の液晶装置では、図４及び図５に示すように反射表示領域３３と対応する領域に、前記保持容量１７に加えて保持容量６１が形成されている。この保持容量６１は、図５に示すように前記容量電極２７と、これの下方に形成された下側電極６０と、これら電極間に設けられた層間絶縁膜６２とから構成されたものある。このような構成のもとに本実施形態の液晶装置は、同じ場所に保持容量１７と保持容量６１とを重ねて形成しているので、小さい面積で比較的大きな保持容量を確保することができる。
【００３０】
なお、容量電極２７は、前述したように凹凸パターンを形成した多結晶シリコンからなっており、上側電極２６は、容量電極２７の凹凸パターンが転写されたことで凹凸パターンを有したものとなっている。このような構成のもとに上側電極２６は、前記実施形態と同様に、本発明における反射層として機能するようになっている。また、容量電極２７は、図４に示すようにコンタクトホール６３を介して中継電極（図示せず）に接続され、さらにこの中継電極、コンタクトホール６４を介して画素電極２３に電気的に接続されている。ここで、反射膜として機能する上側電極２６は、平面視した状態で前記のコンタクトホール６３、コンタクトホール６４を避けて形成されている。
【００３１】
下側電極６０は、図４に示すように第１遮光層６５の一部を構成するものである。第１遮光層６５は、容量電極２７、及びデータ線１２の一部と容量線１３の一部とを下側から覆うべく、これらの直下に形成配置されたもので、ＭｏやＴｉ、Ｃｒ等の遮光性の金属によって形成されたことにより、遮光層として機能するようになっている。そして、図５に示すように特に容量電極２７の下方に配置されてこれを下側から覆う部位が、前記の下側電極６０となっている。この下側電極６０は、多結晶シリコンからなる前記容量電極２７の下方に形成されていることから、凹凸を有することなく平坦に形成されている。したがって、この下側電極６０と容量電極２７との間に形成される層間絶縁膜６２は、前記の第１層間絶縁膜４５のように下地（多結晶シリコン）の凹凸を転写する必要がないことから、この第１層間絶縁膜４５に比べ層厚が薄くなっている。
【００３２】
また、この下側電極６０は、画素領域（画素エリア）１０の外側の駆動回路エリアに形成されたコンタクトホール６６を介して容量線１３に電気的に接続されており、この容量線１３を通じて前記上側電極２６に導通している。
一方、走査線１１の下方には、前記第１遮光層６５と同じ層に第２遮光層６７が形成されている。この第２遮光層６７は、特にＴＦＴ素子２２の底面側を覆うことでこれに対する遮光をなすものであり、図示しないコンタクトホールを介して走査線１１に電気的に接続され、あるいは他の目的のために個別に電位が与えられるものである。
【００３３】
このような液晶装置にあっては、容量電極２７の下方に下側電極６０を設けて保持容量６１を形成しているので、同じ場所に保持容量１７と保持容量６１とを重ねて形成したことにより、小さい面積で比較的大きな保持容量を確保することができる。また、上側電極２６と下側電極６０とを導通させるためのコンタクトホール６６を画素領域１０の外側に配置しているので、コンタクトホール６６による画素領域１０の開口率の低下を抑えることができる。
【００３４】
（第３の実施形態）
次に、図６及び図７を参照して本発明の第３の実施形態について説明する。図６は、本発明の第３の実施形態の液晶装置における１画素領域を示す平面図であり、図５は、図４に示すＣ−Ｃ線に沿う要部側断面図である。これらの図に示す本実施形態の液晶装置が、図４及び図５に示した液晶装置と主に異なるところは、前記上側電極２６の上方に金属層６８を形成し、この金属層６８を本発明における反射層として機能させている点である。
【００３５】
すなわち、本実施形態の液晶装置では、図７に示すように反射表示領域３３において上側電極２６の上方に、Ａｌ等の反射性を有する金属からなる金属層６８が形成されている。この金属層６８は、上側電極２６を覆う層間絶縁膜６９上に形成されたもので、例えばデータ線１２と同じ金属層より、これの形成と同じ工程で同時に形成されたものである。このように形成されたことによって金属層６８は、多結晶ポリシリコン（容量電極２７）の凹凸パターンを転写した上側電極２６の凹凸パターンを、さらに層間絶縁膜６９を介して転写したものとなる。そして、この金属層６８上には平坦化層となる絶縁膜７０が形成されている。このような構成のもとに、金属層６８が例えばデータ線１２と同じ層に形成されているので、これを覆う絶縁膜７０の厚さが、前記実施形態の液晶装置における絶縁膜４６より薄くなる。
【００３６】
したがって、本実施形態における液晶装置にあっては、金属層６８からなる反射層が上側電極２６より上方に位置しており、したがって光の出射側となる対向基板（上基板）３０側に位置していることから、この反射層（金属層６８）上に設けられる絶縁膜７０等の影響によって反射率が低下してしまうのを抑えることができ、したがって反射率の向上を図ることができる。
【００３７】
また、前記第１、第２、第３のいずれの実施形態においても、反射層上に絶縁膜７０のようなアクリル樹脂等からなる平坦化膜を設けるので、アクリル樹脂膜に凹凸を形成した従来のものに比べ、アレイ基板２０（下基板）における液晶層５０と接する面を平坦にすることができ、したがって液晶層５０における液晶の配向をより揃えることができ、これによりコントラストの向上を図ることができる。
【００３８】
（電子機器）
図８は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、前記実施形態の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
このような携帯電話１３００（電子機器）にあっては、良好な視認性が得られる前記実施形態の液晶装置を表示部１３０１として備えているので、この携帯電話１３００自体も優れた視認性を有するものとなる。
【００３９】
なお、本発明の電子機器としては、前記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等、各種のものを挙げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１の実施形態の液晶装置の配線構造を示す回路構成図である。
【図２】図１に示す１画素領域の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態における１画素領域を示す平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態における１画素領域を示す平面図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ線矢視断面図である。
【図８】本発明に係る電子機器の例を示す斜視構成図である。
【符号の説明】
【００４１】
１…液晶パネル、１０…画素領域、１７…保持容量、２０…アレイ基板（下基板）、２２…ＴＦＴ素子（スイッチング素子）、２３…画素電極、２６…上側電極（反射層）、２７…容量電極、３０…対向基板（上基板）、３３…反射表示領域、３４…透過表示領域、５０…液晶層、６０…下側電極、６１…保持容量、６６…コンタクトホール、６８…金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006208753.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2006208753.tif 000008
【図７】
2006208753.tif 000009
【図８】
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