(57)【要約】【課題】割断ラインと封止樹脂層との距離を短くした場合でも高い歩留まりを実現可能な有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、互いに隣接した第１及び第２部分を備えた第１基板２０の第１部分上に、一対の電極２２１，２２３とそれらの間に介在すると共に発光層を含んだ有機物層２２２とをそれぞれが備えた複数の有機ＥＬ素子２２を形成する工程と、第１部分上に複数の有機ＥＬ素子２２を取り囲むように封止樹脂層４を形成する工程と、第１基板２０と第２基板３とを封止樹脂層４を介して貼り合わせる工程と、第１基板２０を第１部分と第２部分との境界１０１に沿って割断する工程とを含み、封止樹脂層４を形成する工程の前に、有機物層２２２に含まれる層の少なくとも１つを含んだ剥離層２２２’を、第２部分上であって境界１０１に隣接した位置に形成することを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣接した第１及び第２部分を備えた第１基板の前記第１部分上に、一対の電極とそれらの間に介在すると共に発光層を含んだ有機物層とをそれぞれが備えた複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記第１部分上に前記複数の有機ＥＬ素子を取り囲むように封止樹脂層を形成する工程と、
前記第１基板と第２基板とを前記封止樹脂層を介して貼り合わせる工程と、
前記第１基板を前記第１部分と前記第２部分との境界に沿って割断する工程とを含み、
前記封止樹脂層を形成する工程の前に、前記有機物層に含まれる層の少なくとも１つを含んだ剥離層を、前記第２部分上であって前記境界に隣接した位置に形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数の有機ＥＬ素子を形成する工程において前記剥離層を形成することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記剥離層は前記境界を跨るように形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１基板と第２基板とを貼り合わせる工程の後に、前記第２基板を前記封止樹脂層の外側の位置で割断する工程をさらに含んだことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２基板として、前記第１基板との対向面内であって前記封止樹脂層に対応した位置に畝状凸部を有しているものを使用することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記複数の有機ＥＬ素子を形成する工程は、
前記複数の有機ＥＬ素子に対応した開口と前記剥離層の一部に対応した開口とが設けられた第１マスクを用いた蒸着法により前記第１基板上に第１有機薄膜を形成することと、
前記複数の有機ＥＬ素子に対応した開口と前記剥離層の他の一部に対応した開口とが設けられた第２マスクを用いた蒸着法により前記第１基板上に第２有機薄膜を形成することとを含んだことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記剥離層の下地は無機絶縁体からなることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記封止樹脂層と前記境界との距離の設計値を０．５ｍｍ以下とすることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
互いに隣接した第１及び第２部分を備えた第１基板の前記第１部分上に、一対の電極とそれらの間に介在すると共に発光層を含んだ有機物層とをそれぞれが備えた複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記第１部分上に前記複数の有機ＥＬ素子を取り囲むように封止樹脂層を形成し、前記第２部分上にダミー封止樹脂層を前記封止樹脂層から離して形成する工程と、
前記第１基板と互いに隣接した第３及び第４部分を備えた第２基板とを、前記第１部分が前記封止樹脂層を介して前記第３部分と向き合い且つ前記第２部分が前記ダミー封止樹脂層を介して前記第４部分と向き合うように貼り合わせる工程と、
前記第１基板を前記第１部分と前記第２部分との第１境界に沿って割断する工程と、
前記第２基板を前記第３部分と前記第４部分との第２境界に沿って割断する工程とを含み、
前記封止樹脂層を形成する前に、前記有機物層に含まれる層の少なくとも１つを含んだ第１剥離層を、前記第２部分上であって前記第１境界に隣接した位置に形成し、
前記ダミー封止樹脂層を形成する前に、前記有機物層に含まれる層の少なくとも１つを含んだ第２剥離層を、前記第２部分上であって前記ダミー封止樹脂層を形成すべき位置に形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記複数の有機ＥＬ素子を形成する工程において前記第１及び第２剥離層を形成することを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１剥離層は前記第１境界を跨るように形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１基板を割断する工程及び前記第２基板を割断する工程の後に、前記第２部分を前記第４部分から剥離する工程をさらに含んだことを特徴とする請求項９乃至１１の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
互いに隣接した第１及び第２部分を備えた第１基板の前記第１部分上に、一対の電極とそれらの間に介在すると共に発光層を含んだ有機物層とをそれぞれが備えた複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記第１部分上に前記複数の有機ＥＬ素子を取り囲むように封止樹脂層を形成し、前記第２部分上にダミー封止樹脂層を前記封止樹脂層から離して形成する工程と、
前記第１基板と互いに隣接した第３及び第４部分を備えた第２基板とを、前記第１部分が前記封止樹脂層を介して前記第３部分と向き合い且つ前記第２部分が前記ダミー封止樹脂層を介して前記第４部分と向き合うように貼り合わせる工程と、
前記第１基板を前記第１部分と前記第２部分との第１境界に沿って割断する工程と、
前記第２基板を前記第３部分と前記第４部分との第２境界に沿って割断する工程とを含み、
前記ダミー封止樹脂層を形成する前に、前記有機物層に含まれる層の少なくとも１つを含んだ剥離層を、前記第２部分上であって前記ダミー封止樹脂層を形成すべき位置に形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記複数の有機ＥＬ素子を形成する工程において前記剥離層を形成することを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１基板を割断する工程及び前記第２基板を割断する工程の後に、前記第２部分を前記第４部分から剥離する工程をさらに含んだことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置の主要部である有機ＥＬ素子は、水分や酸素に晒されると、陰極の酸化や陰極と有機物層との界面剥離を容易に生じる。そのため、有機ＥＬ表示装置では、例えば、アレイ基板と向き合うように封止基板を配置すると共にそれら基板間の周縁部に封止樹脂層を設けて有機ＥＬ素子を密閉した構造などを採用して、有機ＥＬ素子を封止している。
【０００３】
ところで、このような有機ＥＬ表示装置は、通常、以下の方法により製造する。まず、大判の絶縁基板上に各種素子や配線などを形成する。次に、上記のように有機ＥＬ素子を封止する。その後、これを割断することにより、複数の有機ＥＬ表示装置を得る。
【０００４】
近年、有機ＥＬ表示装置には、狭額縁化が要求されている。そのため、先の割断を封止樹脂層により近い位置で行う必要が生じてきている。しかしながら、本発明者は、割断ラインと封止樹脂層との距離を短くすると、割断ライン上に封止樹脂層が配置されるが故に、歩留まりが著しく低下することを見出している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、割断ラインと封止樹脂層との距離を短くした場合でも高い歩留まりを実現可能な有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１側面によると、互いに隣接した第１及び第２部分を備えた第１基板の前記第１部分上に、一対の電極とそれらの間に介在すると共に発光層を含んだ有機物層とをそれぞれが備えた複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記第１部分上に前記複数の有機ＥＬ素子を取り囲むように封止樹脂層を形成する工程と、前記第１基板と第２基板とを前記封止樹脂層を介して貼り合わせる工程と、前記第１基板を前記第１部分と前記第２部分との境界に沿って割断する工程とを含み、前記封止樹脂層を形成する工程の前に、前記有機物層に含まれる層の少なくとも１つを含んだ剥離層を、前記第２部分上であって前記境界に隣接した位置に形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の第２側面によると、互いに隣接した第１及び第２部分を備えた第１基板の前記第１部分上に、一対の電極とそれらの間に介在すると共に発光層を含んだ有機物層とをそれぞれが備えた複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記第１部分上に前記複数の有機ＥＬ素子を取り囲むように封止樹脂層を形成し、前記第２部分上にダミー封止樹脂層を前記封止樹脂層から離して形成する工程と、前記第１基板と互いに隣接した第３及び第４部分を備えた第２基板とを、前記第１部分が前記封止樹脂層を介して前記第３部分と向き合い且つ前記第２部分が前記ダミー封止樹脂層を介して前記第４部分と向き合うように貼り合わせる工程と、前記第１基板を前記第１部分と前記第２部分との第１境界に沿って割断する工程と、前記第２基板を前記第３部分と前記第４部分との第２境界に沿って割断する工程とを含み、前記封止樹脂層を形成する前に、前記有機物層に含まれる層の少なくとも１つを含んだ第１剥離層を、前記第２部分上であって前記第１境界に隣接した位置に形成し、前記ダミー封止樹脂層を形成する前に、前記有機物層に含まれる層の少なくとも１つを含んだ第２剥離層を、前記第２部分上であって前記ダミー封止樹脂層を形成すべき位置に形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３側面によると、互いに隣接した第１及び第２部分を備えた第１基板の前記第１部分上に、一対の電極とそれらの間に介在すると共に発光層を含んだ有機物層とをそれぞれが備えた複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記第１部分上に前記複数の有機ＥＬ素子を取り囲むように封止樹脂層を形成し、前記第２部分上にダミー封止樹脂層を前記封止樹脂層から離して形成する工程と、前記第１基板と互いに隣接した第３及び第４部分を備えた第２基板とを、前記第１部分が前記封止樹脂層を介して前記第３部分と向き合い且つ前記第２部分が前記ダミー封止樹脂層を介して前記第４部分と向き合うように貼り合わせる工程と、前記第１基板を前記第１部分と前記第２部分との第１境界に沿って割断する工程と、前記第２基板を前記第３部分と前記第４部分との第２境界に沿って割断する工程とを含み、前記ダミー封止樹脂層を形成する前に、前記有機物層に含まれる層の少なくとも１つを含んだ剥離層を、前記第２部分上であって前記ダミー封止樹脂層を形成すべき位置に形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、割断ラインと封止樹脂層との距離を短くした場合でも高い歩留まりを実現可能な有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
図１は、本発明の第１態様に係る方法で製造可能な有機ＥＬ表示装置の一例を概略的に示す断面図である。図１では、有機ＥＬ表示装置１を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が下方を向き、背面が上方を向くように描いている。
【００１２】
この有機ＥＬ表示装置１は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機ＥＬ表示装置であり、アレイ基板２と、これと対向した封止基板３と、それらの周縁部間に介在した封止樹脂層４とを含んでいる。
【００１３】
アレイ基板２は、絶縁基板２０として、例えば、ガラス基板のような透明基板を含んでいる。この絶縁基板２０上では、複数の画素がマトリクス状に配列している。各画素は、例えば、一対の電源端子間で直列に接続された駆動制御素子２１及び有機ＥＬ素子２２と、画素スイッチ（図示せず）とを含んでいる。駆動制御素子２１は、その制御端子が画素スイッチを介して映像信号線（図示せず）に接続されており、映像信号線から供給される映像信号に対応した大きさの電流を有機ＥＬ素子２２へ出力する。また、画素スイッチの制御端子は走査信号線（図示せず）に接続されており、走査信号線から供給される走査信号によりＯＮ／ＯＦＦが制御される。なお、これら画素には、他の構造を採用することも可能である。
【００１４】
基板２０上には、アンダーコート層２３として、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯx層とが順次積層されている。アンダーコート層２３上には、例えばチャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層２１１、例えばＴＥＯＳ（TetraEthyl OrthoSilicate）などを用いて形成され得るゲート絶縁膜２１２、及び例えばＭｏＷなどからなるゲート電極２１３が順次積層されており、それらはトップゲート型の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）を構成している。この例では、これらＴＦＴは、駆動制御素子２１や画素スイッチのＴＦＴとして利用している。また、ゲート絶縁膜２１２上には、ゲート電極２１３と同一の工程で形成可能な走査信号線（図示せず）がさらに設けられている。
【００１５】
ゲート絶縁膜２１２及びゲート電極２１３上には、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯxなどからなる層間絶縁膜２４が設けられている。層間絶縁膜２４上にはソース・ドレイン電極２５が設けられており、それらは、例えばＳｉＮxなどからなるパッシベーション膜２６で埋め込まれている。ソース・ドレイン電極２５は、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有しており、層間絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴのソース・ドレインに電気的に接続されている。また、層間絶縁膜２４上には、ソース・ドレイン電極２５と同一の工程で形成可能な映像信号線（図示せず）がさらに設けられている。
【００１６】
パッシベーション膜２６上には、光透過性の第１電極２２１が互いから離間して並置されている。第１電極２２１は、この例では陽極であり、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）のような透明導電性酸化物などからなる。第１電極２２１は、パッシベーション膜２６に設けられた貫通孔を介してドレイン電極２５に電気的に接続されている。
【００１７】
パッシベーション膜２６上には、さらに、隔壁絶縁層２７が設けられている。この隔壁絶縁層２７には、第１電極２２１に対応した位置に貫通孔が設けられている。隔壁絶縁層２７は、例えば、有機絶縁層であり、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００１８】
隔壁絶縁層２７の貫通孔内で露出した第１電極２２１上には、発光層を含んだ有機物層２２２が設けられている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層２２２は、発光層以外の層をさらに含むことができる。例えば、有機物層２２２は、第１電極２２１から発光層への正孔の注入を媒介する役割を果たすバッファ層をさらに含むことができる。また、有機物層２２２は、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００１９】
パッシベーション膜２６の周縁部上には、剥離層２２２’が枠状に設けられている。剥離層２２２’は、有機物層２２２に含まれる層の少なくとも１つを含んでいる。
【００２０】
隔壁絶縁層２７及び有機物層２２２上には、光反射性の第２電極２２３が設けられている。第２電極２２３は、この例では、各画素共通に連続して設けられた陰極である。第２電極２２３は、パッシベーション膜２６及び隔壁絶縁層２７に設けられたコンタクトホール（図示せず）を介して、映像信号線と同一の層上に形成された電極配線に電気的に接続されている。それぞれの有機ＥＬ素子２２は、これら第１電極２２１、有機物層２２２、及び第２電極２２３で構成されている。
【００２１】
封止基板３は、アレイ基板２の有機ＥＬ素子２２側の面と対向している。封止基板３としては、例えば、ガラス基板や樹脂フィルムなどを使用することができる。ここでは、一例として、封止基板３としてガラス基板などのように硬質な基板を使用することとする。
【００２２】
この例では、封止基板３のアレイ基板２との対向面には、その周縁部に沿って、畝状凸部が枠状に設けられている。なお、封止基板３のアレイ基板２との対向面には、先の畝状凸部は設けなくてもよい。
【００２３】
封止樹脂層４は、この例では、パッシベーション膜２６の隔壁絶縁層２７から露出した部分と隔壁絶縁層２７の周縁部とを被覆すると共に、封止基板３の畝状凸部と接着している。封止樹脂層４の材料としては、例えば、熱硬化型エポキシ樹脂などの接着剤を使用することができる。
【００２４】
封止樹脂層４は、アレイ基板２及び封止基板３の周縁部に沿って枠状に設けられており、アレイ基板２と封止基板３との間に密閉された空間を形成している。この空間は、例えば、Ａｒガスなどの希ガスやＮ2ガスのような不活性ガスで満たされ得る。また、この空間には、乾燥剤を配置することができる。
【００２５】
この有機ＥＬ表示装置１は、例えば、以下の方法により製造することができる。  
図２乃至図５は、本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図である。図６は、図３の構造を概略的に示す平面図である。
【００２６】
この方法では、まず、一主面にアンダーコート層２３が設けられた絶縁基板２０を準備する。次に、アンダーコート層２３上に、駆動制御素子２１や画素スイッチなどとして使用するＴＦＴ、各種配線、層間絶縁膜２４、ソース・ドレイン電極２５、パッシベーション膜２６などを形成する。
【００２７】
その後、パッシベーション膜２６上に、第１電極２２１を画素毎に形成する。これら第１電極２２１は、パッシベーション膜２６に設けた貫通孔を介してドレイン電極２５に電気的に接続する。
【００２８】
次いで、パッシベーション膜２６上に、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて、第１電極２２１に対応した位置に貫通孔を有する隔壁絶縁層２７を形成する。
【００２９】
次に、各第１電極２２１上に、発光層を含んだ有機物層２２２を形成する。有機物層２２２の材料として低分子化合物を使用する場合、有機物層２２２は、例えば、有機物層２２２に対応した開口が設けられたマスクを用いた真空蒸着法などの蒸着法により形成する。また、有機物層２２２の材料として高分子化合物を使用する場合、有機物層２２２は、例えば、インクジェット法により形成する。
【００３０】
この有機物層２２２を形成する工程では、有機物層２２２に含まれる層の少なくとも１つをパッシベーション膜２６上にも形成する。これにより、剥離層２２２’を得る。この剥離層２２２’は、それが隔壁絶縁層２７を取り囲むように、及び、隔壁絶縁層２７と剥離層２２２’との間に僅かな間隙が生じるように形成する。
【００３１】
剥離層２２２’は、隔壁絶縁層２７の周囲全体に設けることが理想的であるが、部分的に欠落していてもよい。ここでは、一例として、剥離層２２２’は、隔壁絶縁層２７の周囲全体に設けることとする。
【００３２】
その後、隔壁絶縁層２７及び有機物層２２２上に、第２電極２２３を形成する。第２電極２２３には、単層構造或いは多層構造を採用することができる。第２電極２２３を形成する際、それを構成している少なくとも一部の層を剥離層２２２’上にも形成してもよく、或いは、形成しなくてもよい。ここでは、一例として、第２電極２２３を構成している層は、有機物層２２２及び隔壁絶縁層２７上にのみ形成することとする。
【００３３】
以上のようにして、図２の構造を得る。なお、図２において、破線１０１は、剥離層２２２’の内周を通るか、或いは、剥離層２２２’の内周と外周との間に位置した割断ラインを示している。後述する絶縁基板２０の割断は、この割断ライン１０１に沿って行う。
【００３４】
次に、図３及び図６に示すように、隔壁絶縁層２７の周囲に封止樹脂層４を形成する。この封止樹脂層４は、第２電極２２３よりも高く形成する。また、封止樹脂層４は、その外周が割断ライン１０１よりも内側に位置するように形成する。封止樹脂層４は、例えば、ディスペンサ方式やスクリーン印刷方式により形成することができる。
【００３５】
続いて、図４に示すように、絶縁基板２０と封止基板３とを貼り合わせる。この例では、封止基板３として、一主面に封止樹脂層４に対応して畝状凸部が設けられたものを使用し、絶縁基板２０と封止基板３とは、封止樹脂層４の畝状凸部の上面にのみ封止樹脂層４が接触するように位置合わせして貼り合わせる。
【００３６】
封止樹脂層４を硬化させた後、割断ライン１０１に沿って絶縁基板２０を割断すると共に、封止樹脂層４の外側の位置に位置した割断ライン１０２に沿って封止基板３を割断する。これにより、図５に示す有機ＥＬ表示装置１を得る。
【００３７】
絶縁基板２０の割断は、例えば、以下の方法により行う。まず、スクライバを用いて、絶縁基板２０の外面に、割断ライン１０１に沿ってスクライブラインを形成する。次いで、基板表裏を反転させ、封止基板１０２側からスクライブラインに沿って局所的な圧力を加える。これにより、スクライブラインから厚さ方向にクラックを拡大させ、絶縁基板２０と共にその上の各種薄膜を分断する。なお、封止基板３の割断も、これとほぼ同様の方法により行う。
【００３８】
この方法によると、割断ライン１０１と封止樹脂層４との距離を短くした場合でも高い歩留まりを実現することができる。これについては、図７乃至図１０を参照しながら説明する。
【００３９】
図７及び図８は、第１比較例に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において封止樹脂層が幅広に形成された場合の割断工程を概略的に示す断面図である。図９及び図１０は、図２乃至図６の方法において封止樹脂層が幅広に形成された場合の割断工程を概略的に示す断面図である。
【００４０】
例えば、ディスペンサ方式などで封止樹脂層４を形成すると、封止樹脂層４が部分的に幅広になることがある。特に、割断ライン１０１と封止樹脂層４との距離を短くした場合には、封止樹脂層４の幅広部が割断ライン１０１を跨ることがある。
【００４１】
この封止樹脂層４を、絶縁基板２０の割断工程で分断することは極めて難しい。そのため、図７に示すように剥離層２２２’を形成していない構造では、封止樹脂層４が割断ライン１０１を跨るように形成されると、絶縁基板２０を割断しても、図８に示すように割断した絶縁基板２０同士が封止樹脂層４を介して繋がったままとなる。
【００４２】
封止樹脂層４としては、アレイ基板２の被接着面（ここではパッシベーション膜２６の表面）や封止基板３の被接着面に対する密着性が高いものを使用している。それゆえ、割断した絶縁基板２０同士が封止樹脂層４を介して繋がった状態で、それらを引き離そうとすると、封止樹脂層４が損傷するのに加え、絶縁基板２０上に形成した他の構成要素も損傷する可能性がある。
【００４３】
剥離層２２２’のパッシベーション膜２６に対する密着性は、封止樹脂層４のパッシベーション膜２６に対する密着性と比較して遥かに低い。そのため、図９に示すように剥離層２２２’を形成した構造を採用すると、封止樹脂層４が割断ライン１０１を跨るように形成されたとしても、例えば、絶縁基板２０を割断した際や分断した絶縁基板２０を互いから引き離す際に、図１０に示すように、剥離層２２２’はパッシベーション膜２６から容易に剥離する。
【００４４】
したがって、剥離層２２２’を設けると、剥離層２２２’を設けない場合と比較して、封止樹脂や絶縁基板２０上に形成した他の構成要素の損傷が生じ難くなる。すなわち、本態様に係る方法によると、割断ライン１０１と封止樹脂層４との距離を短くした場合でも高い歩留まりを実現することが可能となる。
【００４５】
また、この方法では、封止基板３のアレイ基板２との対向面に、封止樹脂層４に対応して畝状凸部を設けている。そのため、図９に示すように、封止樹脂層４が部分的に幅広に形成された場合でも、割断ライン１０２の位置における封止基板３と封止樹脂層４との接触は生じ難い。それゆえ、割断した封止基板３同士が封止樹脂層４を介して繋がったままとなることがない。したがって、畝状凸部を設けない場合と比較して、封止樹脂や絶縁基板２０上に形成した他の構成要素の損傷が生じ難くなる。
【００４６】
なお、図１０に示す構造では、アレイ基板２と封止基板３との間隙から封止樹脂層４及び剥離層２２２’がはみ出ている。通常、これら封止樹脂層４及び剥離層２２２’のはみ出し部は、絶縁基板２０及び封止基板３の割断後に、切断及び／又は研磨することによって除去する。
【００４７】
本態様では、有機物層２２２の形成に蒸着法を利用する場合、剥離層２２２’と有機物層２２２とは別々の工程で形成してもよい。或いは、有機物層２２２に含まれる層の少なくとも１つを第１電極２２２上に形成するのと同時に、先の層を剥離層２２２’の少なくとも一部としてパッシベーション膜２６上にも形成してもよい。後者によると、前者と比較して、より少ない工程数で有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
【００４８】
なお、蒸着法では、通常、１つのマスクのみを用いて閉環状の薄膜を形成することはできない。蒸着法によって隔壁絶縁層２７の周囲全体に剥離層２２２’を形成する場合には、例えば、以下の方法を利用することができる。
【００４９】
すなわち、まず、剥離層２２２’の一部に対応した開口が設けられた第１マスクを用いた蒸着法により、パッシベーション膜２６上に第１有機薄膜を形成する。次いで、剥離層２２２’の他の一部に対応した開口が設けられた第２マスクを用いた蒸着法により、パッシベーション膜２６上に第２有機薄膜を形成する。このように、開口パターンが互いに異なる複数のマスクを用いて複数の有機薄膜を形成し、これら有機薄膜で剥離層２２２’を構成してもよい。
【００５０】
これら有機薄膜の組成は、同一であってもよく、或いは、異なっていてもよい。すなわち、剥離層２２２’の組成はその周方向で不均一であってもよい。
【００５１】
これら有機薄膜を形成するのに使用するマスクには、有機物層２２２に対応した開口は設けられていてもよく、或いは、設けられていなくてもよい。また、これら有機薄膜を形成するのに使用するマスクの一部にのみ、有機物層２２２に対応した開口が設けられていてもよい。
【００５２】
上記の方法では、封止樹脂層４は、隔壁絶縁層２７及び第２電極２２３の周縁部を被覆するように形成した。しかしながら、封止樹脂層４は、隔壁絶縁層２７及び第２電極２２３の周縁部を被覆していなくてもよい。また、この方法では封止樹脂層４は剥離層２２２’を被覆していないが、封止樹脂層４は剥離層２２２’の内側部分を被覆するように形成してもよい。
【００５３】
剥離層２２２’の下地は、パッシベーション膜２６でなくてもよい。例えば、剥離層２２２’の下地、アンダーコート層２３であってもよい。典型的には、剥離層２２２’の下地は、無機絶縁体などの無機材料からなる。
【００５４】
アレイ基板２の被接着面は、パッシベーション膜２６の表面でなくてもよい。例えば、アレイ基板２の被接着面は、アンダーコート層２３の表面であってもよい。典型的には、アレイ基板２の被接着面は無機絶縁体からなる。
【００５５】
封止樹脂層４から割断ライン１０１までの距離の設計値に特に制限はないが、図７及び図８を参照しながら説明した問題は、この距離の設計値が短い場合，例えば０．５ｍｍ以下である場合，に特に生じ易い。それゆえ、本態様に係る技術は、このような場合に特に有用である。なお、この設計値の下限はゼロであるが、通常は、スクライブラインの位置誤差などを見込んで０．３ｍｍ以上とする。
【００５６】
上記の態様では、有機ＥＬ表示装置１を下面発光型としたが、有機ＥＬ表示装置１は上面発光型としてもよい。例えば、第２電極２２３を光透過性とすると共に、第１電極を光反射性とするか或いは第１電極と絶縁基板２０との間に反射層を介在させてもよい。
【００５７】
また、上記の態様では、枠状に封止樹脂層４を形成する場合について説明したが、表示面全面に封止樹脂層４を塗布してもよい。
【００５８】
また、上記の態様では、硬質な封止基板３を用いて中空封止を行ったが、その代わりに、薄膜封止を行ってもよい。例えば、第２電極２２３などの上に封止膜を成膜し、これに接着剤層である封止樹脂層４を介して封止基板３として保護フィルムを貼り付けてもよい。この場合、保護フィルムとしては、例えば、偏光フィルムなどを使用することができる。
【００５９】
次に、本発明の第２態様について説明する。第２態様では、以下に説明するように、割断前の構造は、ダミー封止樹脂層と評価用素子とを含んでいる。ダミー封止樹脂層は、アレイ基板と封止基板との間であって、封止樹脂層が形成する枠の外側に配置する。ダミー封止樹脂層は剥離層上に形成する。ダミー封止樹脂層は、アレイ基板の不要部と封止基板の不要部とを一体化するのに使用する。評価用素子は、アレイ基板上であって、封止樹脂層が形成する枠の外側に配置する。評価用素子は、例えば、有機ＥＬ素子と同じ層構造を有している。この場合、評価用素子は、有機ＥＬ素子の評価に利用可能である。
【００６０】
図１１乃至図１３は、本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図である。
【００６１】
この方法では、まず、一主面にアンダーコート層２３が設けられた絶縁基板２０を準備する。次に、アンダーコート層２３上に、駆動制御素子２１や画素スイッチなどとして使用するＴＦＴ、各種配線、層間絶縁膜２４、ソース・ドレイン電極２５、パッシベーション膜２６などを形成する。
【００６２】
その後、パッシベーション膜２６上に、第１電極２２１を画素毎に形成する。これら第１電極２２１は、パッシベーション膜２６に設けた貫通孔を介してドレイン電極２５に電気的に接続する。
【００６３】
パッシベーション膜２６上には、後述する評価用素子２８に対応した位置に、下部電極をさらに形成する。この下部電極には、第１電極２２１と同じ材料を使用することができる。この場合、下部電極と第１電極２２１とは同時に形成することができる。
【００６４】
次いで、パッシベーション膜２６上に、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて、第１電極２２１に対応した位置に貫通孔を有する隔壁絶縁層２７を形成する。
【００６５】
次に、第１電極２２１及び下部電極上に、発光層を含んだ有機物層２２２を形成する。有機物層２２２の材料として低分子化合物を使用する場合、有機物層２２２は、例えば、有機物層２２２に対応した開口が設けられたマスクを用いた真空蒸着法などの蒸着法により形成する。また、有機物層２２２の材料として高分子化合物を使用する場合、有機物層２２２は、例えば、インクジェット法により形成する。この場合、下部電極の周縁部を隔壁絶縁層２７で被覆してもよい。
【００６６】
有機物層２２２を形成する工程では、有機物層２２２に含まれる層の少なくとも１つをパッシベーション膜２６上にも形成する。これにより、第１剥離層２２２’及び第２剥離層２２２”を得る。
【００６７】
第１剥離層２２２’は、それが隔壁絶縁層２７を取り囲むように、及び、隔壁絶縁層２７と剥離層２２２’との間に僅かな間隙が生じるように形成する。第１剥離層２２２’は、隔壁絶縁層２７の周囲全体に設けることが理想的であるが、部分的に欠落していてもよい。ここでは、一例として、第１剥離層２２２’は、隔壁絶縁層２７の周囲全体に設けることとする。
【００６８】
第２剥離層２２２”は、後述するダミー封止樹脂層の下地として利用する。第２剥離層２２２”は、第１剥離層２２２’が形成する枠の外側に配置する。
【００６９】
第１剥離層２２２’は、第２剥離層２２２”から離間していてもよい。或いは、第１剥離層２２２’は、第２剥離層２２２”と繋がっていてもよい。下部電極上の有機物層は、剥離層２２２’及び剥離層２２２”から離間していてもよい。或いは、下部電極上の有機物層は、剥離層２２２’及び剥離層２２２”の少なくとも一方と繋がっていてもよい。
【００７０】
その後、隔壁絶縁層２７及び有機物層２２２上に、第２電極２２３を形成する。第２電極２２３には、単層構造或いは多層構造を採用することができる。第２電極２２３を形成する際、それを構成している少なくとも一部の層を剥離層２２２’上にも形成してもよく、或いは、形成しなくてもよい。ここでは、一例として、第２電極２２３を構成している層は、有機物層２２２及び隔壁絶縁層２７上にのみ形成することとする。
【００７１】
また、下部電極の位置には、上部電極を形成する。上部電極には、第２電極２２３と同じ材料を使用することができる。この場合、上部電極と第２電極２２３とは同時に形成することができる。この上部電極を形成することにより、評価用素子２８として、下部電極と上部電極とそれらの間に介在した有機物層を含んだ有機ＥＬ素子が得られる。
【００７２】
評価用素子２８は、有機ＥＬ素子である必要はない。例えば、評価用素子２８は、有機ＥＬ素子が含む構成要素の一部であってもよい。或いは、評価用素子２８の構成要素は、有機ＥＬ素子の構成要素とは異なっていてもよい。また、１つの評価用素子２８を形成してもよく、或いは、複数の評価用素子２８を形成してもよい。後者の場合、評価用素子２８の構造は、互いに異なっていてもよい。こうすると、多様な評価が可能となる。
【００７３】
次に、隔壁絶縁層２７の周囲に封止樹脂層４を形成すると共に、剥離層２２２”上にダミー封止樹脂層４’を形成する。封止樹脂層４及びダミー封止樹脂層４’は、第２電極２２３よりも高く形成する。封止樹脂層４は、その外周が割断ライン１０１よりも内側に位置するように形成する。ダミー封止樹脂層４’は、典型的には、パッシベーション膜２６と接触しないように形成する。封止樹脂層４及びダミー封止樹脂層４”は、例えば、ディスペンサ方式やスクリーン印刷方式により形成することができる。
【００７４】
続いて、絶縁基板２０と封止基板３とを貼り合わせ、封止樹脂層４及びダミー封止樹脂層４’を硬化させる。その後、第１態様で説明したのと同様の方法により、割断ライン１０１に沿って絶縁基板２０を割断すると共に、封止樹脂層４の外側の位置に位置した割断ライン１０２に沿って封止基板３を割断する。これにより、図１及び図５に示す有機ＥＬ表示装置１を得る。
【００７５】
本態様では、以下に説明するように、アレイ基板２及び封止基板３のうち、絶縁基板２０及び封止基板３の割断によって有機ＥＬ表示装置１から分離した部分，すなわち、図１２に示す構造，を、有機ＥＬ表示装置１が含む素子の評価に利用する。
【００７６】
まず、図１３に示すように、封止基板３を絶縁基板２０から引き離す。ダミー封止樹脂層４’とパッシベーション膜２６との間には剥離層２２２”が介在しているので、封止基板３は、ダミー封止樹脂層４’及び剥離層２２２”と共に、絶縁基板２０から容易に剥がれる。
【００７７】
なお、ダミー封止樹脂層４’を形成しない場合、絶縁基板２０及び封止基板３の割断時に有機ＥＬ表示装置１及び／又は評価用素子２８が傷つく可能性が高い。ダミー封止樹脂層４’を形成すると、そのような損傷を抑制できる。
【００７８】
次に、評価用素子２８を評価する。評価用素子２８が有機ＥＬ素子である場合には、例えば、その発光効率などを評価する。評価用素子２８が有機ＥＬ素子の構成要素の一部である場合には、例えば、その膜厚など評価する。
【００７９】
その後、評価結果を、製造ラインにフィードバックする。例えば、この評価結果に基づいて、成膜条件を変更する。
【００８０】
本態様では、上記の通り、第１態様で説明した剥離層２２２’を形成する。したがって、本態様でも、第１態様で説明したのと同様の効果を得ることができる。
【００８１】
また、本態様では、ダミー封止樹脂層４’とパッシベーション膜２６との間に、剥離層２２２”を配置している。そのため、以下に説明するように、評価用素子２８などが破壊されるのを防止できる。
【００８２】
図１４及び図１５は、第２比較例に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図である。この方法は、剥離層２２２”を省略していること以外は、図１１乃至図１３を参照しながら説明した方法と同様である。
【００８３】
ダミー封止樹脂層４’は、パッシベーション膜２６と封止基板３との双方に高い密着力を示す。そのため、剥離層２２２”を省略した場合、封止基板３を絶縁基板２０から引き離す際に、封止基板３及び／又は絶縁基板２０が破損し易い。すなわち、図１４及び図１５の方法では、評価用素子２８などの破壊を生じ易い。
【００８４】
これに対し、図１１乃至図１３の方法では、上記の通り、ダミー封止樹脂層４’とパッシベーション膜２６との間には剥離層２２２”を介在させる。そのため、封止基板３を絶縁基板２０から引き離すことに起因した封止基板３及び／又は絶縁基板２０の破損は生じ難い。したがって、本態様によると、評価用素子２８などが破壊されるのを防止できる。なお、この効果は、剥離層２２２’がない場合であっても得られる。
【実施例】
【００８５】
以下、本発明の実施例について説明する。  
（例１）
図１６は、例１で作製した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を概略的に示す断面図である。図１７は、例１で作製した有機ＥＬ表示装置の割断前のアレイ基板を概略的に示す平面図である。なお、図１７では、絶縁基板２０、第２電極２２３、封止樹脂層４のみを描き、他の構成要素は省略している。
【００８６】
本例では、図１の有機ＥＬ表示装置１を以下の方法により作製した。  
まず、割断前の絶縁基板２０として、一主面にアンダーコート層２３が設けられた１５０ｍｍ×１５０ｍｍのガラス基板を準備した。本例では、以下に説明するように、この絶縁基板２０を用いて、２．２型の有機ＥＬ表示装置１を６枚作製する。
【００８７】
次に、アンダーコート層２３上に、駆動制御素子２１や画素スイッチなどとして使用するＴＦＴ、各種配線、層間絶縁膜２４、ソース・ドレイン電極２５、パッシベーション膜２６などを形成した。ここでは、パッシベーション膜２６の材料として、シリコン窒化物を使用した。
【００８８】
その後、パッシベーション膜２６上に、ＩＴＯからなる第１電極２２１を画素毎に形成した。これら第１電極２２１は、パッシベーション膜２６に設けた貫通孔を介してドレイン電極２５に電気的に接続した。
【００８９】
次いで、パッシベーション膜２６上に、フォトリソグラフィ技術を用いて、第１電極２２１に対応した位置に貫通孔を有する隔壁絶縁層２７を形成した。
【００９０】
次に、各第１電極２２１上に、発光層を含んだ有機物層２２２を真空蒸着法により形成した。具体的には、図１６に示すように、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）からなる厚さ１０ｎｍの正孔注入層２２２ａ、４，４’−ｂｉｓ［Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ−ａｍｉｎｏ］ｂｉｐｈｅｎｙｌ（αＮＰＤ）からなる厚さ５００ｎｍの正孔輸送層２２２ｂ、Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌａｔｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ（Ａｌｑ3）からなる厚さ５００ｎｍの発光層兼電子輸送層２２２ｃを順次形成した。
【００９１】
続いて、有機物層２２２上に真空蒸着法により第２電極２２３を形成した。具体的には、図１６に示すように、厚さ１ｎｍのフッ化リチウム層２２３ａを形成し、その上に厚さ１００ｎｍのアルミニウム層２２３ｂを形成した。
【００９２】
これら有機物層２２２及び第２電極２２３を形成するのと同時に、パッシベーション膜２６上に剥離層２２２’を形成した。ここでは、剥離層２２２’は、正孔注入層２２２ａ、正孔輸送層２２２ｂ、発光層兼電子輸送層２２２ｃ、フッ化リチウム層２２３ａで構成した。また、図６に示すように、剥離層２２２’は、隔壁絶縁層２７から離間し且つ割断ライン１０１を跨るように形成した。以上のようにして、図２の構造を得た。
【００９３】
次に、図３、図６、図１７に示すように、ディスペンサ方式により、隔壁絶縁層２７の周囲に封止樹脂層４を形成した。封止樹脂層４の材料としては、熱硬化型エポキシ樹脂を使用した。また、この例では、封止樹脂層４は、割断ライン１０１を跨らないように形成した。
【００９４】
続いて、図４に示すように、絶縁基板２０と封止基板３とを貼り合わせた。封止基板３としては、一主面に封止樹脂層４に対応して畝状凸部が設けられたガラス基板を使用した。絶縁基板２０と封止基板３とは、封止樹脂層４の畝状凸部の上面にのみ封止樹脂層４が接触するように位置合わせして貼り合わせた。
【００９５】
封止樹脂層４を熱硬化させた後、割断ライン１０１に沿って絶縁基板２０を割断すると共に、封止樹脂層４の外側の位置に位置した割断ライン１０２に沿って封止基板３を割断した。このようにして、図１及び図５に示す有機ＥＬ表示装置１を計６枚作製した。
【００９６】
本例では、割断した基板同士が封止樹脂層４を介して繋がったままとなることはなかった。また、得られた有機ＥＬ表示装置１を調べたところ、全て良品であった。
【００９７】
（例２）
図１８は、例２で作製した有機ＥＬ表示装置の割断前のアレイ基板を概略的に示す平面図である。なお、図１８では、絶縁基板２０、第２電極２２３、封止樹脂層４のみを描き、他の構成要素は省略している。
【００９８】
本例では、封止樹脂層４を図１８に示す形状に形成したこと以外は例１で説明したのと同様の方法により図１の有機ＥＬ表示装置１を計６枚作製した。具体的には、本例では、図１８に示すように、封止樹脂層４を、その一部が５ｍｍの長さにわたって割断ライン１０１を跨るように形成した。
【００９９】
本例では、割断した基板同士が封止樹脂層４を介して繋がったままとなることはなかった。また、得られた有機ＥＬ表示装置１を調べたところ、全て良品であった。
【０１００】
（例３）
本例では、剥離層２２２’を形成しなかったこと以外は、例２と同様の方法により有機ＥＬ表示装置を計６枚作製した。
【０１０１】
本例では、割断した絶縁基板２０同士が封止樹脂層４を介して繋がったままとなった。それらを切り離すべく、絶縁基板２０に大きな力を加えたところ、一部の基板に亀裂を生じた。そのため、６枚の有機ＥＬ表示装置のうち、良品は２枚に過ぎなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の第１態様に係る方法で製造可能な有機ＥＬ表示装置の一例を概略的に示す断面図。
【図２】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図３】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図４】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図５】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図６】図３の構造を概略的に示す平面図。
【図７】比較例に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において封止樹脂層が幅広に形成された場合の割断工程を概略的に示す断面図。
【図８】比較例に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法において封止樹脂層が幅広に形成された場合の割断工程を概略的に示す断面図。
【図９】図２乃至図６の方法において封止樹脂層が幅広に形成された場合の割断工程を概略的に示す断面図。
【図１０】図２乃至図６の方法において封止樹脂層が幅広に形成された場合の割断工程を概略的に示す断面図。
【図１１】本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図１２】本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図１３】本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図１４】第２比較例に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図１５】第２比較例に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図１６】例１で作製した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を概略的に示す断面図。
【図１７】例１で作製した有機ＥＬ表示装置の割断前のアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図１８】例２で作製した有機ＥＬ表示装置の割断前のアレイ基板を概略的に示す平面図。
【符号の説明】
【０１０３】
１…有機ＥＬ表示装置、２…アレイ基板、３…封止基板、４…封止樹脂層、４’…ダミー封止樹脂層、２０…絶縁基板、２１…駆動制御素子、２２…有機ＥＬ素子、２３…アンダーコート層、２４…層間絶縁膜、２５…ソース・ドレイン電極、２６…パッシベーション膜、２７…隔壁絶縁層、２８…評価用素子、１０１…割断ライン、１０２…割断ライン、２１１…半導体層、２１２…ゲート絶縁膜、２１３…ゲート電極、２２１…第１電極、２２２…有機物層、２２２’…剥離層、２２２”…剥離層、２２２ａ…正孔注入層、２２２ｂ…正孔輸送層、２２２ｃ…発光層兼電子輸送層、２２３…第２電極、２２３ａ…フッ化リチウム層、２２３ｂ…アルミニウム層。
【図１】
2006202722.tif 000003
【図２】
2006202722.tif 000004
【図３】
2006202722.tif 000005
【図４】
2006202722.tif 000006
【図５】
2006202722.tif 000007
【図６】
2006202722.tif 000008
【図７】
2006202722.tif 000009
【図８】
2006202722.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2006202722.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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