(57)【要約】【課題】パーフルオロ-２，２-ジメチル-１，３-ジオキソルから誘導される繰返し単位を含むポリマーを含む化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】（ａ）（ａ−１）パーフルオロ-２，２-ジメチル-１，３-ジオキソルから誘導される下記式で表される繰返し単位と、2006072383.tif 000018（ａ-２）ビニルから誘導される繰返し単位よりなる感光性ポリマーと、（ｂ）光酸発生剤とを含むことを特徴とするレジスト組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）（ａ−１）パーフルオロ-２，２-ジメチル-１，３-ジオキソルから誘導される下記式で表される繰返し単位と、
【化１】
2006072383.tif 000015
（ａ-２）ビニルから誘導される繰返し単位よりなる感光性ポリマーと、
（ｂ）光酸発生剤とを含むことを特徴とするレジスト組成物。
【請求項２】
前記感光性ポリマーは下記の構造を含むことを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
【化２】
2006072383.tif 000016
（式中、Ｒ１は-Ｈ、-Ｃｌまたは-Ｆであり、Ｒ２及びＲ３は各々独立に-Ｈまたは-Ｆであり、Ｒ４は−ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨ、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ３、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ２ＣＨ３、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ（ＣＨ３）-ＯＣＨ３、または-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ（ＣＨ３）-ＯＣＨ２ＣＨ３であり、ｋ／（ｋ＋１）=０．２〜０．７である。）
【請求項３】
Ｒ４は-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨまたは-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ２ＣＨ３である請求項２記載のレジスト組成物。
【請求項４】
前記感光性ポリマーは下記の構造を含むことを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
【化３】
2006072383.tif 000017
（式中、Ｒ１及びＲ５は各々独立に-Ｈ、-Ｃｌまたは-Ｆであり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ６及びＲ７は各々独立に-Ｈまたは-Ｆであり、Ｒ４及びＲ８は各々独立に−ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨ、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ３、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ２ＣＨ３、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ（ＣＨ３）-ＯＣＨ３、または-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ（ＣＨ３）-ＯＣＨ２ＣＨ３であり、ｋ／（ｋ＋ｌ＋ｍ）=０．１〜０．７であり、ｌ／（ｋ＋ｌ＋ｍ）=０．１〜０．６であり、ｍ／（ｋ＋ｌ＋ｍ）=０．１〜０．６である。）
【請求項５】
Ｒ４は-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨまたは-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ２ＣＨ３であり、Ｒ８は-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨまたは-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ２ＣＨ３である請求項４記載のレジスト組成物。
【請求項６】
前記感光性ポリマーの重量平均分子量は３，０００〜５０，０００であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項７】
前記光酸発生剤は前記感光性ポリマーの質量を基準に０．５〜２０質量％の量として含まれることを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項８】
前記光酸発生剤はトリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホネートまたはその混合物よりなることを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項９】
前記光酸発生剤はトリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、２，６-ジニトロベンジルスルホネート、ピロガロールトリス（アルキルスルホネート）、Ｎ-ヒドロキシスクシンイミドトリフレート、ノルボルネン-ジカルボックスイミド-トリフレート、トリフェニルスルホニウムノナフレート、ジフェニルヨードニウムノナフレート、メトキシジフェニルヨードニウムノナフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムノナフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドノナフレート、ノルボルネン−ジカルボックスイミド−ノナフレート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロオクタンスルホネート、メトキシジフェニルヨードニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドパーフルオロオクタンスルホネート、ノルボルネン−ジカルボックスイミドパーフルオロオクタンスルホネート、またはこれらの混合物よりなることを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項１０】
有機塩基をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項１１】
前記有機塩基は前記光酸発生剤のモル数を基準に１０〜５０ｍｏｌ％の量として含まれることを特徴とする請求項１０に記載のレジスト組成物。
【請求項１２】
前記有機塩基は３次アミンよりなる化合物を単独でまたは２種以上混合してなることを特徴とする請求項１０に記載のレジスト組成物。
【請求項１３】
前記有機塩基はトリエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリオクチルアミン、トリイソデシルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ-ジメチル-１-ナフチルアミン、Ｎ-シクロヘキシルピロリドン、N-シクロペンチルピロリジノン、Ｎ-ペンチルピロリジノン、Ｎ-ヘキシルピロリジノン、Ｎ-アリルカプロラクタム、Ｎ-エチルカプロラクタム、Ｎ−ブチルカプロラクタム、Ｎ-プロピルカプロラクタム、Ｎ-ブチルバレロラクタム、Ｎ−イソブチルバレロラクタム、Ｎ-セクブチルバレロラクタム、またはその混合物であることを特徴とする請求項１０に記載のレジスト組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフォトレジストなどの電子工業材料として使用できるポリマー及びレジスト組成物に係り、特に、含フルオロポリマー及びこれを含む化学増幅型レジスト組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程が複雑になり、しかも、半導体素子の集積度が高くなるにつれて、微細なパターン形成が要求される。さらに、半導体素子の容量が４ギガビット級以上である素子においてデザインルールが０．１μｍ以下であるパターンサイズが要求され、これにより、既存のＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）またはＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）を用いる露光技術では限界がある。この理由から、新しいエネルギー露光源であるＦ２エキシマレーザ（１５７ｎｍ）を用いたリソグラフィ技術が登場した。
【０００３】
Ｆ２エキシマレーザを用いるリソグラフィ工程に使用するためにこれまで開発された従来のレジスト組成物は、既存のＫｒＦ用またはＡｒＦ用レジスト組成物に比べて多くの問題点を抱えている。中でも、ポリマーの透過度及びドライエッチングに対する耐性がその代表的な問題点として挙げられる。
【０００４】
すなわち、これまでは、真空紫外線（ＶＵＶ；ｖａｃｕｕｍ ｕｌｔｒａ ｖｉｏｌｅｔ；１５７ｎｍ）光源を用いるリソグラフィ工程において既存のＫｒＦ用またはＡｒＦ用レジスト組成物を用いてきた。また、これらのＫｒＦ用またはＡｒＦ用レジスト組成物は透過度が低いため、レジスト膜を約１，０００Åに薄くして用いてきた。しかし、このように薄いレジスト膜を形成する場合、レジスト材料の塗布時に多くの欠陥が生じるだけではなく、ドライエッチング工程に対する十分な耐性が確保できない。
【０００５】
ＶＵＶ光源を用いるリソグラフィ工程に使用するための他のレジスト組成物として、化学式１または化学式２のフルオロ（Ｆ）置換された共重合体を含むレジスト組成物が提案されている。
【０００６】
【化１】
2006072383.tif 000002
【０００７】
化学式１の共重合体は下部膜質に対する接着性を向上させ、しかも、ラジカル重合をより容易にするために無水マレイン酸を導入したが、これにより透過度が悪い。そして、化学式２の共重合体は化学式１の共重合体に比べて透過度は良いが、疎水性が強いため、下部膜質に対する接着性が悪い。さらに、化学式２の共重合体を得るためにはテトラフルオロエチレンを使用しなければならない。しかし、テトラフルオロエチレンは気相として存在するため重合し難く、しかも、爆発性があるため、取扱いに危険を伴うという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、１５７ｎｍ光源を用いるリソグラフィ工程において、レジスト組成物の原料として与えられたときに高い透過度、ドライエッチングに対する強い耐性、及び下部膜質に対する優れた接着性を与え得る構造を有するポリマーを提供することである。
【０００９】
本発明の他の目的は、１５７ｎｍ光源を用いるリソグラフィ工程において、優れたリソグラフィ特性を与え得るレジスト組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、（ａ）（ａ−１）パーフルオロ-２，２-ジメチル-１，３-ジオキソルから誘導される下記式で表される繰返し単位と、
【００１１】
【化２】
2006072383.tif 000003
【００１２】
（ａ-２）ビニルから誘導される繰返し単位よりなる感光性ポリマーと、
（ｂ）光酸発生剤とを含むことを特徴とするレジスト組成物、に関する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によるポリマーは１５７ｎｍ光源における透過度が極めて優秀なフルオロをそのバックボーンまたは側鎖に含んでいるので、透過度に優れている。また、バックボーンに環状構造を含んでいるのでドライエッチングに対する耐性に優れ、パーフルオロ-２，２-ジメチル-１，３-ジオキソルから誘導される繰返し単位に含まれているエーテルにより下部膜質に対して優れた接着力を提供できる。さらに、本発明によるポリマーの側鎖に結合可能なヘキサフルオロイソプロパノール基を用いて下部膜質に対する接着力を調節することができる。
【００１４】
また、本発明によるレジスト組成物は、前記したように、高い透過度、優れた接着性及びドライエッチングに対する耐性を提供できる構造を有する感光性ポリマーを含んでいるので、１５７ｎｍ光源を用いるリソグラフィ工程において、高解像度の優れたリソグラフィ特性を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
前記他の目的を達成するために、本発明によるレジスト組成物は、（ａ）（ａ−１）パーフルオロ-２，２-ジメチル-１，３-ジオキソルから誘導される繰返し単位と、（ａ-２）ビニルから誘導される繰返し単位よりなる感光性ポリマーと、（ｂ）光酸発生剤（ＰＡＧ、photoacid generator)とを含む。
【００１６】
前記目的を達成するために、本発明の第１態様によるポリマーは、（ａ）パーフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソルから誘導される下記式で表される繰返し単位と、
【００１７】
【化３】
2006072383.tif 000004
【００１８】
（ｂ）ビニルから誘導される下記式で表される繰返し単位とを含む。
【００１９】
【化４】
2006072383.tif 000005
【００２０】
（式中、Ｒ１は-Ｈ、-Ｃｌまたは-Ｆであり、Ｒ２及びＲ３は各々独立に-Ｈまたは-Ｆであり、Ｒ４は-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨ、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ３、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ２ＣＨ３、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ（ＣＨ３）-ＯＣＨ３、または-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ（ＣＨ３）-ＯＣＨ２ＣＨ３である。）
ここで、原料である「ビニル」には、化学式３及び４で表されるモノマー、
【００２１】
【化５】
2006072383.tif 000006
【００２２】
および
【００２３】
【化６】
2006072383.tif 000007
【００２４】
などを挙げることができる。
【００２５】
本発明によるレジスト組成物において、前記感光性ポリマーは下記の構造を含む。
【００２６】
【化７】
2006072383.tif 000008
【００２７】
（式中、Ｒ１は-Ｈ、-Ｃｌまたは-Ｆであり、Ｒ２及びＲ３は各々独立に-Ｈまたは-Ｆであり、Ｒ４は-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨ、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ３、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ２ＣＨ３、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ（ＣＨ３）-ＯＣＨ３、または-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ（ＣＨ３）-ＯＣＨ２ＣＨ３であり、ｋ／（ｋ＋１）=０．２〜０．７である。）
望ましくは、Ｒ４は、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨ、または-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ２ＣＨ３である。
【００２８】
本発明によるレジスト組成物において、前記感光性ポリマーは下記の構造を含むこともできる。
【００２９】
【化８】
2006072383.tif 000009
【００３０】
（式中、Ｒ１及びＲ５は各々独立に-Ｈ、-Ｃｌまたは-Ｆであり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ６及びＲ７は各々独立に-Ｈまたは-Ｆであり、Ｒ４及びＲ８は各々独立に-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨ、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ３、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ２ＣＨ３、-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ（ＣＨ３）-ＯＣＨ３、または-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ（ＣＨ３）-ＯＣＨ２ＣＨ３であり、ｋ／（ｋ＋ｌ＋ｍ）=０．１〜０．７であり、ｌ／（ｋ＋ｌ＋ｍ）=０．１〜０．６であり、ｍ／（ｋ＋ｌ＋ｍ）=０．１〜０．６である。）
望ましくは、Ｒ４は-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨまたは-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ２ＣＨ３であり、Ｒ８は-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨまたは-ＣＨ２Ｃ（ＣＦ３）２-Ｏ-ＣＨ２-ＯＣＨ２ＣＨ３である。
【００３１】
本発明によるレジスト組成物において、前記感光性ポリマーの重量平均分子量は３，０００〜５０，０００である。
【００３２】
前記ＰＡＧは前記感光性ポリマーの質量を基準に０．５〜２０質量％の量として含まれる。
【００３３】
望ましくは、前記ＰＡＧはトリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、スルホネートまたはその混合物よりなる。
【００３４】
特に望ましくは、前記ＰＡＧはトリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、２，６-ジニトロベンジルスルホネート、ピロガロールトリス（アルキルスルホネート）、Ｎ-ヒドロキシスクシンイミドトリフレート、ノルボルネン-ジカルボックスイミド-トリフレート、トリフェニルスルホニウムノナフレート、ジフェニルヨードニウムノナフレート、メトキシジフェニルヨードニウムノナフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムノナフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドノナフレート、ノルボルネン−ジカルボックスイミド−ノナフレート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロオクタンスルホネート、メトキシジフェニルヨードニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドパーフルオロオクタンスルホネート、ノルボルネン−ジカルボックスイミドパーフルオロオクタンスルホネート、またはこれらの混合物よりなる。
【００３５】
本発明によるレジスト組成物は有機塩基をさらに含み得る。
【００３６】
前記有機塩基は前記ＰＡＧのモル数を基準に１０〜５０ｍｏｌ％の量として含まれる。
【００３７】
望ましくは、前記有機塩基は３次アミンよりなる化合物を単独でまたは２種以上混合してなる。
【００３８】
特に望ましくは、前記有機塩基はトリエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリオクチルアミン、トリイソデシルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ-ジメチル-１-ナフチルアミン、Ｎ-シクロヘキシルピロリドン、N-シクロペンチルピロリジノン、Ｎ-ペンチルピロリジノン、Ｎ-ヘキシルピロリジノン、Ｎ-アリルカプロラクタム、Ｎ-エチルカプロラクタム、Ｎ−ブチルカプロラクタム、Ｎ-プロピルカプロラクタム、Ｎ-ブチルバレロラクタム、Ｎ−イソブチルバレロラクタム、Ｎ-セクブチルバレロラクタム、またはその混合物である。
【００３９】
本発明によるポリマーは１５７ｎｍ光源に対して優れた透過度を提供でき、ドライエッチングに対する耐性に優れ、しかも、下部膜質に対して優れた接着力を提供できる。このように優れた特性を提供できる感光性ポリマーよりなる本発明によるレジスト組成物は１５７ｎｍ光源を用いるリソグラフィ工程において、高解像度の優れたリソグラフィ特性を提供できる。
【実施例】
【００４０】
（実施例１）
（コポリマーの合成）
【００４１】
【化９】
2006072383.tif 000010
【００４２】
３３０ｍＬの冷スチールシェーカーチューブ内にパーフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソル５１ｇ（０．２ｍｏｌ）と、冷１，１，２−トリクロロ−１，２，２−トリフルオロエタン３３０ｇと、４，４’−ビス（ｔ−ブチルシクロヘキシル）ペロキシジカルボネート０．２ｇを入れて溶解させた。前記チューブを完全に密閉させ、ドライアイス−アセトンバスを用いて−５０〜−８０℃の温度まで冷却させた。排気及び窒素フラッシングを各々３回繰り返した後、化学式３のモノマー４３．７ｇ（０．２ｍｏｌ）を前記チューブ内に入れた。
【００４３】
【化１０】
2006072383.tif 000011
【００４４】
次に、前記チューブを水平方向に振りつつ５０〜７０℃の温度で１時間加熱した。その後、さらに常温まで冷却させ、蒸留により溶媒を完全に除去して白い固体高分子を得た。得られた固体高分子を１３０℃に保たれる真空オーブン内で完全に乾燥させて所望の生成物を得た（収率：５７％）。
【００４５】
このとき、得られた生成物の重量平均分子量（Ｍｗ）は５，３００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１であった。
【００４６】
（実施例２）
（コポリマーの合成）
【００４７】
【化１１】
2006072383.tif 000012
【００４８】
２４０ｍＬの冷スチールシェーカーチューブ内にパーフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソル７３ｇ（０．３ｍｏｌ）と、１，１，２−トリクロロ−１，２，２−トリフルオロエタン８０ｇと、化学式４のモノマー７９．９ｇ（０．３ｍｏｌ）を入れて混合し、ここに４，４’−ビス（ｔ−ブチルシクロヘキシル）ペロキシジカルボネート５ｇをさらに入れた。
【００４９】
【化１２】
2006072383.tif 000013
【００５０】
前記チューブを完全に密閉させ、排気及び窒素パージを各々３回繰り返した後、４０℃の温度下で１２時間反応させて所望の共重合体を得た（収率：５３％）
このとき、得られた生成物の重量平均分子量（Ｍｗ）は７，０００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．２であった。
【００５１】
（実施例３）
（ターポリマーの合成）
【００５２】
【化１３】
2006072383.tif 000014
【００５３】
３３０ｍＬの冷スチールシェーカーチューブ内にパーフルオロ-２，２-ジメチル-１，３-ジオキソル５１ｇ（０．２１ｍｏｌ）と、冷１，１，２-トリクロロ-１，２，２-トリフルオロエタン３３０ｇと、４，４’-ビス（ｔ-ブチルシクロヘキシル）ペロキシジカルボネート０．２ｇを入れて溶解させた。前記チューブを完全に密閉させ、ドライアイス-アセトンバスを用いて-５０〜-８０℃の温度まで冷却させた。排気及び窒素フラッシングを各々３回繰り返した後、化学式３のモノマー４３．７ｇ（０．２１ｍｏｌ）と、化学式４のモノマー５５．９ｇ（０．２１ｍｏｌ）を前記チューブ内に入れた。
【００５４】
次に、前記チューブを水平方向に振りつつ５０〜７０℃の温度で１時間加熱した。その後、さらに常温まで冷却させ、蒸留により溶媒を完全に除去して白い固体高分子を得た。得られた固体高分子を１３０℃に保たれる真空オーブン内で完全に乾燥させて所望の生成物を得た（収率：６８％）。
【００５５】
このとき、得られた生成物の重量平均分子量（Ｍｗ）は６，５００であり、多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１であった。
【００５６】
（実施例４）
（レジスト組成物の製造）
実施例３で合成したターポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧであるトリフェニルスルホニウムトリフレート（５ｍｇ）及びトリフェニルスルホニウムノナフレート（１０ｍｇ）と、有機塩基であるＮ-アリルカプロラクタム（ＰＡＧの総モル数を基準に３０ｍｏｌ％）をパーフルオロ（２-ブチルテトラヒドロフラン）１０．０ｇに入れて完全に溶解させた。その後、０．２μｍのメンブランフィルターを用いてろ過し、レジスト組成物を得た。約４，０００ｒｐｍでＨＭＤＳ処理されたＳｉウェーハ上に前記得られたレジスト組成物を約０．２μｍの厚さにコーティングした。
【００５７】
その後、前記レジスト組成物がコーティングされたウェーハを１３０℃の温度で９０秒間ソフトベーキングし、Ｆ２エキシマレーザステッパー（ＮＡ=０．５、σ=０．７）を用いて露光した後、１２０℃の温度で９０秒間ＰＥＢを施した。
【００５８】
その後、２．３８質量％のＴＭＡＨ溶液を用いて約６０秒間現像し、レジストパターンを形成した。その結果、露光ドーズ量を約８〜２０ｍＪ／ｃｍ２としたとき、０．１２〜０．２０μｍのラインアンドスペースパターンが得られることを確認した。
【００５９】
以上、本発明を望ましい実施例を挙げて詳細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されることなく、本発明の技術的な範囲内であれば、当分野における通常の知識を有した者にとって各種の変形が可能である。