(57)【要約】【課題】  半導体チップを強固に固定でき、かつ温度変化による応力の影響を低減できる半導体チップの実装構造、及びその実装方法を提供する。【解決手段】  半導体チップの実装構造は、ＳｉチップやＩＣチップ等の半導体チップ１と、セラミックスや樹脂等から形成された絶縁基板２０の一面に金、ニッケル、銅等の薄膜の電極が形成されてなる実装基板２との接合に、エポキシ系樹脂等の高弾性材料の接着剤４を用いるものであり、半導体チップ１の一辺側を高弾性材料の接着剤４により実装基板２に接合することによって半導体チップ１を実装基板２に実装している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、該半導体チップの一辺側を高弾性材料の接着剤により接合する実装基板とからなることを特徴とする半導体チップの実装構造。
【請求項２】
半導体チップは、少なくとも他辺側を低弾性材料の接着剤により実装基板に接合されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの実装構造。
【請求項３】
実装基板の低弾性材料の接着剤が接合される部位に、スペーサを設けていることを特徴とする請求項２に記載の半導体チップの実装構造。
【請求項４】
半導体チップと実装基板との接合部位を分割していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体チップの実装構造。
【請求項５】
実装基板に、高弾性材料の接着剤、及び低弾性材料の接着剤を塗布する第１の工程と、第１の工程後に半導体チップの一辺側を高弾性材料の接着剤に重複させるとともに、少なくとも他辺側を低弾性材料の接着剤に重複させて、半導体チップを実装基板に配置する第２の工程と、第２の工程後に高弾性材料の接着剤を硬化させて半導体チップの一辺側を実装基板に接合する第３の工程と、第３の工程後に低弾性材料の接着剤を硬化させて半導体チップの少なくとも他辺側を実装基板に接合する第４の工程とを有していることを特徴とする半導体チップの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装基板への半導体チップの実装構造、及びその実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体チップの実装構造としては、半導体チップの一辺側を金ワイヤ等から形成したバンプを用いて実装基板に接合することで、半導体チップを実装基板に片持ち保持させたものが提供されている。
【０００３】
また、半導体チップの一辺側を上記のようなバンプにより保持するとともに、半導体チップの他辺側をダミーバンプ（特許文献１）や、絶縁性接着剤（特許文献２）で保持することで、半導体チップを実装基板に両持ち保持させたものが提供されている。
【特許文献１】特開平８−２９８４２４号公報（第１図）
【特許文献２】特開平９−９３０７３号公報（第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、このような半導体チップと実装基板とはそれぞれ線膨張率が異なるものであるから、温度変化が生じた際には、実装基板に接合された半導体チップは、強制的に実装基板と同一の伸び縮みをさせられることになる。つまり、線膨張率の違いによって実装基板と半導体チップとの間には半導体チップを強制的に伸縮させる応力（界面応力）が生じ、これにより、半導体チップが破壊されるおそれがあった。
【０００５】
これに対して上記の前者は、半導体チップを実装基板にバンプにより片持ち保持しているので、このような応力の影響を低減できるものであったが、片持ち保持であるために半導体チップの固定強度が弱く、半導体チップが傾いたりしてその動作に悪影響を及ぼすおそれがあった。一方、上記の後者（特許文献１，２）は、バンプとダミーバンプ（或いは絶縁性接着剤）とによって半導体チップを実装基板に両持ち保持しているので、半導体チップの固定強度は確保できていたが、実装基板の伸縮にともなってバンプとダミーバンプ（或いは絶縁性接着剤）との間の距離が伸縮するため、半導体チップにかかる応力の影響を低減できず、半導体チップの破損や、接合外れ等が生じるおそれがあった。
【０００６】
つまり、従来の半導体チップの実装構造では、半導体チップの固定強度の向上と、温度変化による応力の影響の低減とを同時に解決することができなかった。
【０００７】
本発明は上述の点に鑑みて為されたもので、その目的は、半導体チップを強固に固定でき、かつ温度変化による応力の影響を低減できる半導体チップの実装構造、及びその実装方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、請求項１の半導体チップの実装構造では、半導体チップと、該半導体チップの一辺側を高弾性材料の接着剤により接合する実装基板とからなることを特徴とする。
【０００９】
請求項１の発明によれば、半導体チップを実装基板に接合する接着剤として高弾性材料のものを用いているので、従来のように単にバンプのみで接合するものに比べて、半導体チップを実装基板に強固に固定することができる。しかも、温度変化が生じた際に、半導体チップと実装基板の線膨張率の相違によって応力が生じたとしても、半導体チップを一辺側で実装基板に強固に固定しているだけなので、このような応力の影響を低減して、半導体チップの破損等を防止することができる。
【００１０】
請求項２の半導体チップの実装構造では、請求項１の構成において、半導体チップは、少なくとも他辺側を低弾性材料の接着剤により実装基板に接合されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項２の発明によれば、少なくとも半導体チップの他辺側を低弾性材料の接着剤で実装基板に接合しているので、半導体チップや実装基板に衝撃が加えられたとしても、低弾性材料の接着剤で衝撃を吸収することができ、これにより耐衝撃性が向上する。また、接着剤として低弾性材料のものを使用しているので、半導体チップと実装基板の線膨張率の相違によって応力が生じたとしても、低弾性材料の接着剤が伸びることにより、このような応力による影響を低減することができる。
【００１２】
請求項３の半導体チップの実装構造では、請求項２の構成において、実装基板の低弾性材料の接着剤が接合される部位に、スペーサを設けていることを特徴とする。
【００１３】
請求項３の発明によれば、スペーサによって半導体チップの実装基板に対する傾きを補正して、半導体チップが実装基板に対して略平行となるようにすることができ、これにより半導体チップの平行度を確保することができる。
【００１４】
請求項４の半導体チップの実装構造では、請求項１乃至３のいずれか１項の構成において、半導体チップと実装基板との接合部位を分割していることを特徴とする。
【００１５】
請求項４の発明によれば、半導体チップと実装基板との接合部位を分割していることによって、接合部位の接触面積を少なくすることができ、これにより、半導体チップと実装基板の線膨張率の相違によって生じる応力の影響を低減することができる。
【００１６】
請求項５の半導体チップの実装方法では、実装基板に、高弾性材料の接着剤、及び低弾性材料の接着剤を塗布する第１の工程と、第１の工程後に半導体チップの一辺側を高弾性材料の接着剤に重複させるとともに、少なくとも他辺側を低弾性材料の接着剤に重複させて、半導体チップを実装基板に配置する第２の工程と、第２の工程後に高弾性材料の接着剤を硬化させて半導体チップの一辺側を実装基板に接合する第３の工程と、第３の工程後に低弾性材料の接着剤を硬化させて半導体チップの少なくとも他辺側を実装基板に接合する第４の工程とを有していることを特徴とする。
【００１７】
請求項５の発明によれば、高弾性材料の接着剤と低弾性材料の接着剤をそれぞれに適した条件で硬化させることができるので、両接着剤を一括で硬化させるような場合に比べて、両接着剤による接合強度を向上することができる。また、半導体チップの一辺側を高弾性材料の接着剤で実装基板に接合するとともに、少なくとも半導体チップの他辺側を低弾性材料の接着剤で実装基板に接合しているので、従来のように単にバンプのみで接合するものに比べて、半導体チップを実装基板に強固に固定することができ、加えて半導体チップや実装基板に加えられた衝撃を低弾性材料の接着剤で吸収することができるから、耐衝撃性が向上する。さらに、半導体チップと実装基板の線膨張率の相違によって応力が生じたとしても、低弾性材料の接着剤が伸びることにより、このような応力による影響を低減することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、半導体チップを実装基板に強固に接合することができ、しかも半導体チップと実装基板の線膨張率の相違による応力の影響を低減して、半導体チップの破損等を防止することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（実施形態１）
本実施形態の半導体チップの実装構造は、図１（ａ）に示すように、半導体チップ（ベアチップ）１と、該半導体チップ１の一辺側（図１（ａ）における左辺側）を高弾性材料の接着材４により接合する実装基板２とからなる。
【００２０】
ここで、半導体チップ１は、例えばＳｉチップやＩＣチップ等の平板状の半導体チップであり、このチップ本体１０の一面の一辺側に薄膜の電極１１（図２参照）が形成されている。実装基板２は、例えばセラミックスや樹脂等から平板状に形成された絶縁基板２０の少なくとも一面に、金又はニッケル又は銅等からなる薄膜の電極２１（図２参照）が形成されているものである。また、高弾性材料の接着剤（以下、高弾性接着剤という）４は、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂であり、弾性率が２０００ＭＰａ〜８０００ＭＰａ、線膨張率が３０ｐｐｍ〜７０ｐｐｍであるものが好ましく、本実施形態では、このような高弾性接着剤４として、弾性率が６８００ＭＰａ、線膨張率が３８ｐｐｍ、硬化条件が約２４０℃で５秒であるようなエポキシ系樹脂（松下電工社製のＸＶ５３４０Ｈ（商品名））を用いている。
【００２１】
次に、本実施形態の半導体チップの実装構造を得るための実装方法について説明する。本実施形態の半導体チップの実装方法は、いわゆるフリップチップ実装によるものであり、図２に示すように、第１の工程（Ｉ）〜第３の工程（III）までの３つの工程からなる。
【００２２】
第１の工程（Ｉ）は、半導体チップ１の電極１１の表面に、例えば金ワイヤ（９９％以上、望ましくは９９．９９％以上の金を含み、直径がφ２５μｍ程度のもの）を用いてバンプ３を形成するバンプ形成工程（（ａ）で示す）と、実装基板２に形成した電極２１を含む部位に、アンダーフィル材として高弾性接着剤４を、図１（ｂ）に示すように半導体チップ１の一辺の長さ寸法程度の長尺状に塗布する工程（（ｂ）で示す）とからなる。
【００２３】
次の第２の工程（II）は、表面にバンプ３が形成された電極１１を、実装基板２の高弾性接着剤４が塗布された電極２１に対向させるようにして、半導体チップ１を実装基板２上に配置する位置決め工程である。
【００２４】
そして、第３の工程（III）は、半導体チップ１を実装基板２に接合する工程であり、ボンディングツールＴを用いて、バンプ３に０．９８Ｎ／ｂｕｍｐ程度の荷重をかける。このとき同時に、高弾性接着剤４を硬化させる（本実施形態では、約２４０℃で５秒間加熱する）処理を行う。これにより、半導体チップ１の電極１１が実装基板２の電極２１にバンプ３を介して電気的に接続されるとともに、半導体チップ１の一辺側が高弾性接着剤４により実装基板２に接合される。
【００２５】
以上の工程（Ｉ）〜（III）を経て、図１に示す本実施形態の半導体チップの実装構造が得られることになる。
【００２６】
この本実施形態の半導体チップの実装構造によれば、半導体チップ１を実装基板２に接合する接着剤として比較的硬い高弾性材料の接着剤４を用いているので、半導体チップ１の実装基板２への固定強度が向上し、これにより半導体チップの実装構造が一辺側だけの片持ち保持であっても、従来例のようなバンプのみで片持ち保持させるものに比べて十分な固定強度を得ることができる。しかも、半導体チップ１を一辺側だけで実装基板２に片持ち保持させているものであるから、温度変化が生じた際に半導体チップ１と実装基板２の線膨張率の相違によって応力が生じたとしても、このような応力の影響を低減して、半導体チップの破損等を防止することができる。
【００２７】
ところで、半導体チップ１として、図３に示すように、圧力センサや加速度センサ等の検知部１２を備えたものを用いることができる。しかしながら、図３に示すように、検知部１２を半導体チップ１と実装基板２との接合部位（接着剤により接合されている部位）Ａと重複するように配置すると、検知部１２が線膨張率の差に起因する応力の影響を受け易くなってしまう。そのため、上記のようなセンサを備えた半導体チップ１を用いる場合は、図４に示すように、検知部１２を半導体チップ１の他辺側（右辺側）に配置することで、接合部位Ａから離間させるのである。このように、検知部１２を接合部位Ａから離間させることにより、検知部１２への応力の影響を低減させることができる。
【００２８】
加えて、検知部１２に加わる界面応力を緩和するために、応力緩和構造を半導体チップ１に設けることとしてもよい。このような応力緩和構造は、接合部位Ａと検知部１２との間に、例えば、図５に示すような半導体チップ１の表裏に貫通する切欠孔１３や、図６に示すような溝部１４を形成することで得ることができ、このような切欠孔１３や溝部１４等を形成しておくことによって、温度変化によって応力が生じた際に、切欠孔１３や溝部１４が形成された部位で応力が発散され、これにより、検知部１２への応力の影響を低減することができる。
【００２９】
（実施形態２）
本実施形態の半導体チップの実装構造は、高弾性接着剤４に加えて、低弾性材料の接着剤５を用いたことに特徴があり、上記実施形態１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００３０】
半導体チップの実装構造は、図７（ａ）に示すように、半導体チップ１と、該半導体チップ１の一辺側（図７（ａ）における左辺側）を高弾性接着材４により接合するとともに、半導体チップ１の他辺側（図７（ａ）における右辺側）を低弾性材料の接着剤５により接合する実装基板２とからなる。
【００３１】
ここで、半導体チップ１は、例えばＳｉチップやＩＣチップ等の平板状の半導体チップであり、このチップ本体１０の一面の一辺側に薄膜の電極１１が形成されるとともに、他辺側に電極１１と略同形状の薄膜のダミー電極１５（図８参照）が形成されている。実装基板２は、例えばセラミックスや樹脂等から平板状に形成された絶縁基板２０の一面に、半導体チップ１の電極１１に対応する金又はニッケル又は銅等からなる薄膜の電極２１、及び半導体チップ１のダミー電極１５に対応するダミー電極２２が形成されているものである。また、低弾性材料の接着剤（以下、低弾性接着剤という）５は、例えば、シリコン系樹脂等の熱硬化性樹脂であり、弾性率が０．９ＭＰａ〜１０ＭＰａ、線膨張率が１６０ｐｐｍ〜３００ｐｐｍであるものが好ましく、本実施形態では、このような低弾性接着剤５として、弾性率が０．９ＭＰａ、線膨張率が３００ｐｐｍ、硬化条件が約１５０℃で３０分であるようなシリコン系樹脂（東レ・ダウコーニング社製のＤＡ６５０１（商品名））を用いている。尚、高弾性接着剤４は上記実施形態１と同じものを使用している。
【００３２】
次に、本実施形態の半導体チップの実装構造を得るための実装方法について説明する。本実施形態の半導体チップの実装方法は、いわゆるフリップチップ実装によるものであり、図８に示すように、第１の工程（Ｉ）〜第４の工程（IV）までの４つの工程からなる。
【００３３】
第１の工程（Ｉ）は、半導体チップ１の電極１１の表面にバンプ３、及びダミー電極１５の表面にバンプ３と同様なダミーバンプ６を形成するバンプ形成工程（（ａ）で示す）と、実装基板２に形成した電極２１を含む部位にアンダーフィル材として高弾性接着剤４を、ダミー電極２２を含む部位にアンダーフィル材として低弾性接着剤５を、それぞれ図７（ｂ）に示すように半導体チップ１の一辺の長さ寸法程度の長尺状に塗布するアンダーフィル材塗布工程（（ｂ）で示す）とからなる。
【００３４】
次の第２の工程（II）は、バンプ３が形成された電極１１を高弾性接着剤４が塗布された電極２１に対向させるとともに、ダミーバンプ６が形成されたダミー電極１５を低弾性接着剤５が塗布されたダミー電極２２に対向させて、半導体チップ１を実装基板２上に配置する位置決め工程である。
【００３５】
そして、第３の工程（III）は、半導体チップ１と実装基板２とを接合する前期工程であり、ボンディングツールＴを用いて、各バンプ３，６に０．９８Ｎ／ｂｕｍｐ程度の荷重をかけるとともに、高弾性接着剤４を硬化させる（本実施形態では、約２４０℃で５秒間加熱する）処理を行う。これにより、半導体チップ１の電極１１が実装基板２の電極２１にバンプ３を介して電気的に接続されるとともに、半導体チップ１のダミー電極１５に形成したダミーバンプ６が実装基板２のダミー電極２２上に載置され、同時に半導体チップ１の一辺側が高弾性接着剤４により実装基板２に接合される。
【００３６】
最後の第４の工程（IV）は、半導体チップ１と実装基板２とを接合する後記工程であり、低弾性接着剤５を硬化させる（本実施形態では、約１５０℃で３０分間加熱する）処理を行う。これによって、半導体チップ１の他辺側が低弾性接着剤５で実装基板２に接合される。
【００３７】
以上の工程（Ｉ）〜（IV）を経て、図７に示す本実施形態の半導体チップの実装構造が得られ、本実施形態の実装方法によれば、各接着剤４，５をそれぞれに適した条件で硬化させる処理を行っているので、両接着剤４，５を一括で硬化させるような場合に比べて、各接着剤４，５の接合強度を向上することができる。
【００３８】
本実施形態の半導体チップの実装構造によれば、半導体チップ１を実装基板２に接合する接着剤として比較的硬い高弾性材料の接着剤４を用いているので、半導体チップ１の実装基板２への固定強度が向上し、しかも半導体チップ１の他辺側を低弾性接着剤５により実装基板２に接合しているので、固定強度がさらに向上する。加えて、このように半導体チップ１の他辺側を低弾性接着剤５で実装基板２に接合していることによって、半導体チップ１や実装基板２に衝撃が加えられたとしても、柔らかい低弾性接着剤５で上記のような衝撃を吸収することができ、これにより耐衝撃性が向上する。さらに、接着剤として低弾性材料のものを使用しているので、温度変化が生じた際に半導体チップ１と実装基板２の線膨張率の相違によって応力が生じたとしても、低弾性接着剤５が伸びることにより、このような応力による影響を低減することができ、従来例のように半導体チップ１が破損したりすることがなくなり、たとえ応力がかかったとしても、高弾性接着剤４によりバンプ３を覆っているので、バンプ３の接合外れを防止することができる。
【００３９】
また、スペーサとしてダミーバンプ６を用いているため、半導体チップ１の実装基板２に対する傾きを補正して、半導体チップ１が実装基板２に対して略平行となるようにすることができ、これにより半導体チップ１の平行度を確保することができる。ところで、このようなスペーサとしては、上記のダミーバンプ６のようなものに限られるものではなく、例えば、図９（ａ），（ｂ）に示すように、樹脂成形品や金属製品等の半球状のスペーサ７，７等、状況に応じて好適なものを選択して使用することとしても良く、これらによっても半導体チップ１の平行度を確保することができる。
【００４０】
一方、本実施形態ではフリップチップ実装を利用したものについて述べたが、このような実装方法としては、フリップチップ実装によるものに限られるものではなく、ワイヤボンディング実装によっても本実施形態の実装構造を得ることができる。ワイヤボンディング実装を利用する場合は、第１の工程（Ｉ）と第２の工程（II）を省く代わりに、第３の工程（III）及び第４の工程（IV）を経て、半導体チップ１を高弾性接着剤４と低弾性接着剤５を用いて実装基板２に接合した後に、図１０に示すように、半導体チップ１の電極１１と実装基板２の電極２１とをワイヤＷにより電気的に接続すれば良い。尚、フリップチップ実装の代わりにワイヤボンディング実装を利用する点は、上記実施形態１についても同様に行えることは勿論である。
【００４１】
（実施形態３）
本実施形態の半導体チップの実装構造は、実装基板２の構成について特徴があり、その他の構成は上記実施形態２と同様であるので、同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００４２】
つまり、本実施形態においては、図１１（ａ）に示すように、実装基板２の表面に略直方体状の突起部２３を形成し、この突起部２３の表面に電極２１及びダミー電極２２をそれぞれ設けているのであり、このような突起部２３を形成した実装基板２に、上記実施形態２と同様にフリップチップ実装により半導体チップ１を実装することによって、本実施形態の半導体チップの実装構造が得られる。
【００４３】
本実施形態によれば、このように突起部２３を設けることによって半導体チップ１と実装基板２との間の距離を上記実施形態２の実装構造よりも広げているので、実装基板２の伸縮の影響が突起部２３によって緩和されることになり、これにより温度変化が生じた際に半導体チップ１と実装基板２の線膨張率の相違によって生じる応力の影響を上記実施形態２の実装構造よりも低減することができるようになる。
【００４４】
尚、図１１（ａ）では、フリップチップ実装による本実施形態の実装構造の例を示しているが、本実施形態は上記実施形態１，２と同様にフリップチップ実装によるものに限られるものではなく、図１１（ｂ）に示すように、ワイヤボンディング実装としてもよく、この場合は、突起部２３上に電極２１やダミー電極２２を設けずに、単に突起部２３に半導体チップ１を接着剤４，５で接合した後に、半導体チップ１の電極１１と実装基板２の電極２１とをワイヤＷで電気的に接続すればよい。
【００４５】
また、このような突起部２３を備えた実装基板２に半導体チップ１を接着剤４，５により接合する際には、図１２に示すように、接着剤４，５により突起部２３の両側面も覆うように接合すれば、半導体チップ１と実装基板２との接合面積が増加し、半導体チップ１と実装基板２とを強固に接合する（密着力を向上させる）ことができる。
【００４６】
（実施形態４）
本実施形態の半導体チップの実装構造は、接着剤４，５と実装基板２との接合部位の構成に特徴があり、その他の構成は上記実施形態２と同様であるので、同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００４７】
本実施形態の半導体チップの実装構造では、上記実施形態２のように各接着剤４，５をそれぞれ半導体チップ１の一辺の長さ寸法程度の長尺状に実装基板２に塗布するのではなく、図１３（ｂ）に示すように、半導体チップ１の一辺側の両隅部に対応する実装基板２の部位にそれぞれ略円形状に高弾性接着剤４，４を塗布するとともに、半導体チップ１の他辺側の両隅部に対応する実装基板２の部位にそれぞれ略円形状に低弾性接着剤５，５を塗布して、半導体チップ１を四隅で実装基板２に接合するようにしている。尚、半導体チップの実装方法については上記実施形態２で述べたようにフリップチップ実装によって行っても良いし、ワイヤボンディング実装によるものでも良い。
【００４８】
本実施形態の半導体チップの実装構造によれば、上記実施形態２のように、半導体チップ１の両辺側に、各辺の長さ寸法程度の長尺状に接着剤４，５を塗布するのではなく、半導体チップ１の両辺側の各隅部に略円形状に接着剤４，５を塗布、すなわち、接着剤４，５を２分割するようにして塗布しているので、半導体チップ１と実装基板２との間の接合面積、つまりは接着剤４，５の実装基板との接合部位の面積を小さくすることができる。そのため、温度変化した際に半導体チップ１と実装基板２の線膨張率の相違によって応力が生じたとしても、このような応力の影響を受ける部分が少なくなり、これにより、上記実施形態２の実装構造よりもさらに応力の影響を低減することができる。
【００４９】
ところで、本実施形態では、接着剤４，５をそれぞれ２分割して、半導体チップ１を四隅で実装基板２に接合しているが、本実施形態はこのような形態に限られるものではなく、接着剤４，５をさらに複数に分割することとしてもよく、この場合、実施形態２に比べて半導体チップ１と実装基板２との接合面積が小さくなるように分割すればよい。
【００５０】
（実施形態５）
上記実施形態４では、図１３に示すように、各一対の高弾性接着剤４，４及び低弾性接着剤５，５によって半導体チップ１の四隅を実装基板２に接合しているが、本実施形態では、図１４に示すように、半導体チップ１の四隅のうち１つのみを高弾性接着剤４で接合し、残る３つを低弾性接着剤５で接合しているものである。
【００５１】
すなわち、本実施形態は、半導体チップ１と実装基板２の接合面積、つまりは接着剤４，５の実装基板２との接合部位の合計面積において、各接着剤４，５が占める割合を、高弾性接着剤４よりも低弾性接着剤５のほうが大きくなるようにしているのである。
【００５２】
本実施形態の半導体チップの実装構造によれば、温度変化が生じた際に半導体チップ１と実装基板２の線膨張率の相違によって応力が生じたとしても、低弾性接着剤５を用いていることによって、このような応力の影響を低減することができ、このとき、接着剤４，５の接合部位の合計面積において、応力の影響を低減できる低弾性接着剤５の占める割合を上記実施形態４の実装構造に比べて大きくしているので、さらなる応力の影響の低減を図ることができる。しかも、このように低弾性接着剤５の占める割合を増すことによって、耐衝撃性も向上することになる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態１の半導体チップの実装構造の部分側面図であり、（ｂ）は、同上の部分上面図である。
【図２】同上の実装方法の工程説明図である。
【図３】（ａ）は、同上の他の部分側面図であり、（ｂ）は、同上の他の部分上面図である。
【図４】（ａ）は、同上のさらに他の部分側面図であり、（ｂ）は、同上のさらに他の部分上面図である。
【図５】（ａ）は、同上のさらに他の部分側面図であり、（ｂ）は、同上のさらに他の部分上面図である。
【図６】（ａ）は、同上のさらに他の部分側面図であり、（ｂ）は、同上のさらに他の部分上面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の実施形態２の半導体チップの実装構造の部分側面図であり、（ｂ）は、同上の部分上面図である。
【図８】同上の実装方法の工程説明図である。
【図９】（ａ）は、同上の他の部分側面図であり、（ｂ）は、同上の他の部分上面図である。
【図１０】同上のさらに他の部分側面図である。
【図１１】（ａ）は、本発明の実施形態３の半導体チップの実装構造の部分側面図であり、（ｂ）は、同上の他の部分側面図である。
【図１２】同上のさらに他の要部の部分側面図である。
【図１３】（ａ）は、本発明の実施形態４の半導体チップの実装構造の部分側面図であり、（ｂ）は、同上の部分上面図である。
【図１４】（ａ）は、本発明の実施形態５の半導体チップの実装構造の部分側面図であり、（ｂ）は、同上の部分上面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１    半導体チップ
２    実装基板
４    高弾性材料の接着剤
２０    絶縁基板
【図１】
2006202996.tif 000003
【図２】
2006202996.tif 000004
【図３】
2006202996.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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