(57)【要約】【課題】  ワークの挟まりや残留等を防止して所期のメッキ処理を的確に行うことができる回転メッキ装置を提供する。【解決手段】  絶縁板２と導電リング３とを両者の境界にメッキ液ＰＦが外部に漏れるような隙間が存しない密着した状態で一体化し、且つ、一体化された絶縁板２と導電リング３によって囲まれた空間によってメッキ室ＰＲが構成して、余剰のメッキ液ＰＦをメッキ室ＰＲの上端開口から外部に排出するようにしているので、メッキ処理過程でワークＷが絶縁板２と導電リング３との境界を含むメッキ室ＰＲの内面に引っ掛かったり挟み込まれることを防ぐことができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転可能なメッキ槽と、メッキ槽内に挿入可能なアノードと、メッキ槽内にメッキ液を供給するためのメッキ液供給パイプとを備えた回転メッキ装置であって、
前記メッキ槽はメッキ液を漏れることなく収容可能な略円筒状のメッキ室を備え、該メッキ室は回転に基づく遠心力及びメッキ液の流れに依るその底面からのワークの上方移動を許容する上昇許容面を内周面下部に有し、且つ、上昇許容面からのワークの上方移動を抑止する上昇抑止面を内周面上部に有しており、少なくとも上昇許容面がカソードとして機能するように構成されている、
ことを特徴とする回転メッキ装置。
【請求項２】
メッキ室の上昇許容面は下から上に向かって徐々に直径が大きくなる形状の環状面から成り、上昇抑止面は下から上に向かって徐々に直径が小さくなる形状の環状面から成る、
ことを請求項１に記載の回転メッキ装置。
【請求項３】
メッキ槽は絶縁板とその上に密着状態で設けられた導電リングとから成り、上昇許容面及び上昇抑止面は導電リングの内周面に設けられている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の回転メッキ装置。
【請求項４】
メッキ槽は導電ベッセルとその底面に設けられた絶縁膜とから成り、上昇許容面及び上昇抑止面は導電ベッセルの内周面に設けられている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の回転メッキ装置。
【請求項５】
メッキ槽は絶縁ベッセルとその内周面に設けられた導電膜とから成り、上昇許容面及び上昇抑止面は絶縁ベッセルの内周面に設けられている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の回転メッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワークに所定の金属膜を形成するための回転メッキ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
回転メッキ装置は、底板と、底板上に配されたポーラスリングと、ポーラスリング上に配されたカソードリングと、カソードリング上に配された上端開口のカバーとを有する回転可能なメッキ槽と、メッキ槽内にカバーの上端開口を通じて挿入可能なアノードと、メッキ槽内にメッキ液を供給するためのメッキ液供給パイプとを備える。アノードには金属塊を収容可能な籠状のものが用いられている。
【０００３】
この回転メッキ装置によって所期のメッキ処理を行うときには、メッキ槽内にワークを投入すると共に金属塊を収容したアノードを挿入した後、回転するメッキ槽内にメッキ液を連続的に供給し該メッキ液をポーラスリングを通じて外部に排出しながらカソードリングとアノードとの間に所定の直流電力を印加する。メッキ槽内のワークは回転に基づく遠心力及びポーラスリングに向かうメッキ液の流れに従ってカソードリングの内面とポーラスリングの内面に張り付いた状態となるため、張り付きの解除とワークの撹拌を行うためにメッキ槽の回転は正転と逆転を周期的に繰り返すように制御される。
【特許文献１】特開平１１−１１７０８７号公報
【特許文献２】特開平  ７−１１８８９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従前の回転メッキ装置は、メッキ槽内のメッキ液を外部に排出する役割を底板とカソードリングとの間に位置するポーラスリングが担っており、また、ポーラスリングと底板との境界とポーラスリングとカソードリングとの境界もメッキ液の排出路として作用することから、とりわけワークが微小になると、ポーラスリングの内面凹凸やポーラスリングと底板との境界やポーラスリングとカソードリングとの境界にワークが引っ掛かったり挟み込まれた状態となる。
【０００５】
このような状態下にあるワークはメッキ槽の正逆回転による撹拌操作を行っても同状態を解除することが難しいことから、同状態下にあるワークに形成される金属膜の厚さにバラツキを生じ得る。また、メッキ処理完了後はワークの入れ替えが行われるが、この入れ替え時に前記状態下のワークが残留したままとなり易く、該残留ワークが入れ替え後のワークに混入し得る。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑みて創作されたもので、その目的とするところは、ワークの挟まりや残留等を防止して所期のメッキ処理を的確に行うことができる回転メッキ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明は、回転可能なメッキ槽と、メッキ槽内に挿入可能なアノードと、メッキ槽内にメッキ液を供給するためのメッキ液供給パイプとを備えた回転メッキ装置であって、前記メッキ槽はメッキ液を漏れることなく収容可能な略円筒状のメッキ室を備え、該メッキ室は回転に基づく遠心力及びメッキ液の流れに依るその底面からのワークの上方移動を許容する上昇許容面を内周面下部に有し、且つ、上昇許容面からのワークの上方移動を抑止する上昇抑止面を内周面上部に有しており、少なくとも上昇許容面がカソードとして機能するように構成されている、ことをその特徴とする。
【０００８】
メッキ室内にワークを投入した後、メッキ液供給パイプを通じてメッキ室内にメッキ液を連続的に供給し、且つ、メッキ槽を所定方向に回転させると、メッキ室の底面上に存するワークが、回転に基づく遠心力及びメッキ液の流れに依り上昇許容面に沿って上方移動し該上昇許容面に均一に拡がって張り付いた状態となる。上昇許容面の上側には上昇抑止面が設けられているので、上昇許容面からのワークの上方移動は該上昇抑止面によって抑止される。
【０００９】
また、メッキ室内のメッキ液の量が収容限界量を超えると余剰のメッキ液は上昇許容面の上端縁を乗り越えてメッキ室の外部に排出される。つまり、上昇許容面に均一に拡がって張り付いた状態でメッキ槽と一緒に回転するワークには常に新鮮なメッキ液が供給され、メッキ処理後のメッキ液がメッキ室の上端開口から外部に排出されることになる。
【００１０】
電解メッキを行うためのアノードとカソード（上昇許容面）との間の通電は前記の状態で行われ、該通電によってワークにはアノードに収容された金属塊に応じた金属膜が形成される。
【００１１】
前記の回転メッキ装置によれば、メッキ槽はメッキ液を漏れることなく収容可能な略円筒状のメッキ室を備えていて、余剰のメッキ液はメッキ室の上端開口から外部に排出されることになるので、メッキ処理過程でワークがメッキ室の内面に引っ掛かったり挟み込まれることを防ぐことができる。これにより、投入されたワークそれぞれに形成される金属膜の厚さにバラツキを生じることを防止できると共に、メッキ室内にワークが残留することを防止して該残留ワークが入れ替え後のワークに混入することを防止できる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ワークの挟まりや残留等を防止して所期のメッキ処理を的確に行うことができる回転メッキ装置を提供できる。
【００１３】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は本発明の一実施形態を示す回転メッキ装置の縦断面図であり、図中の符号１は支持板、２は絶縁板、３は導電リング、４は下カバー、５は上カバー、６は蓋、７はメッキ液供給パイプ、８はアノード、９は給電ブラシ、１０はブレーキローター、１１はキャリパー、ＰＢはメッキ槽、ＰＲはメッキ室、ＰＦはメッキ液、Ｗはワークである。
【００１５】
支持板１は金属等の導電材から円盤状に形成され、その下面中心には軸部１ａが一体または別体で設けられている。この軸部１ａは、減速機付きモータを有する駆動機構（図示省略）の出力軸に直接または間接的に連結されている。絶縁板２はプラスチック等の絶縁材から円盤状に形成され、支持板１上に位置する。導電リング３は金属等の導電材から成る筒状に形成され、絶縁板２上に位置する。
【００１６】
図示を省略したが、支持板１の上面には周方向に間隔をおいて複数のネジ穴が設けられ、絶縁板２及び導電リング３には各ネジ穴に対応して複数のネジ挿通孔が設けられており、絶縁板２及び導電リング３は各ネジ挿通孔に上側から挿入したネジを支持板１の各ネジ穴にねじ込むことにより支持板１に一体化され、導電リング３は各ネジを通じて支持板１に電気的に導通している。
【００１７】
一体化された絶縁板２と導電リング３とは密着状態にあるため、両者の境界にはメッキ液ＰＦが外部に漏れるような隙間は存在しない。つまり、密着状態で一体化された絶縁板２と導電リング３は上端開口のメッキ槽ＰＢを構成し、絶縁板２及び導電リング３によって囲まれた空間はメッキ液ＰＦを漏れることなく収容可能な略円筒状のメッキ室ＰＲを構成している。
【００１８】
また、導電リング３（メッキ室ＰＲ）の内周面下部には、下から上に向かって徐々に直径が大きくなる形状の環状面から成る上昇許容面３ａが設けられており、内周面上部には、下から上に向かって徐々に直径が小さくなる形状の環状面から成る上昇抑止面３ｂが上昇許容面３ａの上端と連続して設けられている。上昇許容面３ａは回転に基づく遠心力及びメッキ液の流れに依るメッキ室ＰＲの底面からのワークＷの上方移動を許容する面であり、上昇抑止面３ｂは上昇許容面３ａからのワークＷの上方移動を抑止する面である。
【００１９】
図面には上昇抑止面３ｂとしてその断面ラインが断面上昇許容面３ａの断面ラインと鈍角を成すものを示してあるが、上昇抑止面３ｂの役割からすれば、該上昇抑止面３ｂの断面ラインは断面上昇許容面３ａの断面ラインと鋭角を成していてもよいし、メッキ室ＰＲの底面と平行であってもよい。また、図面には上昇許容面３ａ及び上昇抑止面３ｂの断面ラインを直線で表してあるが、各断面ラインは多少湾曲していても構わない。
【００２０】
下カバー４は支持板１をその下側から覆うに配され、その中央には支持板１の軸部１ａを非接触で挿通するための孔４ａを有する。また、下カバー４の底面には排液口４ｂが設けられている。上カバー５は支持板１，絶縁板２及び導電リング３を上側から覆うに充分な大きさを有し、その下端を下カバー４の外周壁内側に着脱自在に嵌め込めるようになっている。また、上カバー５の上端には蓋６が着脱自在に嵌め込まれる開口５ａが設けられている。
【００２１】
蓋６の中心にはメッキ室ＰＲ内にメッキ液ＰＦを供給するためのメッキ液供給パイプ７が取り付けられ、該メッキ液給液パイプ７の下部にはアノード８が取り付けられている。このアノード８は籠状を成し、メッキ処理に適合した金属塊（図示省略）を収容できるようになっている。メッキ室ＰＲへのメッキ液供給パイプ７及びアノード８の挿入深さはメッキ液供給パイプ７の蓋６下側の突出量によって規定されており、図面では蓋６を上カバー５の開口に嵌め込んだ状態でメッキ液供給パイプ７及びアノード８の下端がメッキ室ＰＲの底面近傍に位置するようになっている。
【００２２】
給電ブラシ９はバネ付勢下で支持板１の軸部１ａの外周面に電気的に接触しており、該給電ブラシ９と前記のアノード８はリード線（図示省略）を介して直流電源（図示省略）に接続されている。先に述べたように、導電リング３は各ネジを通じて支持板１に電気的に導通しているため、給電ブラシ９の軸部１ａへの接触により導電リング３の上昇許容面３ａ及び上昇抑止面３ｂがカソードとして機能する。
【００２３】
ブレーキローター１０とキャリパー１１は支持板１（メッキ槽ＰＢ）の回転速度を減速するためのブレーキ手段を構成する。キャリパー１１は１対のブレーキパッド１１ａとこれを駆動するためのシリンダ（図示省略）を備える。また、支持板１の軸部１ａに固着されたブレーキローター１０の一部はキャリパー１１の１対のブレーキパッド１１ａの間に非接触状態で挿入されている。このブレーキ手段によれば、キャリパー１１の１対のブレーキパッド１１ａをシリンダにより駆動し該１対のブレーキパッド１１ａによりブレーキローター１０を挟持することによって支持板１（メッキ槽ＰＢ）の回転速度を減速することができる。
【００２４】
図１に示した回転メッキ装置によって所期のメッキ処理を行うときには、上カバー５を下カバー４から外した状態でメッキ室ＰＲ内にワークＷを投入する。そして、上カバー５を下カバー４に嵌め込み、該上カバー５の開口５ａにその上側から蓋６を嵌め込み、金属塊を収容したアノード８及びメッキ液供給パイプ７をメッキ室ＰＲ内に挿入する。因みに、メッキ室ＰＲ内に挿入されたアノード８の中心線はメッキ室ＰＲの回転中心と一致している。
【００２５】
そして、メッキ液供給パイプ７を通じてメッキ室ＰＲ内にメッキ液ＰＦを連続的に供給し、且つ、駆動機構によって支持板１，絶縁板２及び導電リング３、即ち、メッキ槽ＰＢを所定方向に回転させる。これにより、メッキ室ＰＲの底面上に存するワークＷが、図１に矢印で示すように回転に基づく遠心力及びメッキ液ＰＦの流れに依り上昇許容面３ａの下部に向けて分散しながら移動する。
【００２６】
メッキ室ＰＲ内のメッキ液ＰＦの量が増加し、且つ、メッキ槽ＰＢの回転速度Ｓ１（図２参照）が増加すると、図１に矢印で示すようにメッキ室ＰＲの底面の周囲に存するワークＷが回転に基づく遠心力及びメッキ液ＰＦの流れに依り上昇許容面３ａをその勾配に沿って上方移動し該上昇許容面３ａの上部に均一に拡がって張り付いた状態となる。上昇許容面３ａの上側には上昇抑止面３ｂが連続して設けられているので、上昇許容面３ａからのワークＷの上方移動は該上昇抑止面３ｂによって抑止される。
【００２７】
図２に示すように回転開始後のメッキ槽ＰＢの回転速度Ｓ１は回転開始から短時間で予め定めた定速回転速度（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  ｓｐｅｅｄ）に達し、メッキ室ＰＲ内のメッキ液ＰＦの回転速度Ｓ２はメッキ室ＰＲよりも若干遅れて定速回転速度に達する。
【００２８】
メッキ液ＰＦの液面はその回転速度Ｓ２の増加に伴って中央が徐々に凹んだ形態となるが、該回転速度Ｓ２が定速回転速度に達すると、図１に示すようにメッキ液ＰＦの液面形態はほぼ一定の形態に安定する。メッキ室ＰＲ内のメッキ液ＰＦの外部への流出は内側に張り出している上昇許容面３ａによって抑止されるが、メッキ室ＰＲ内にはメッキ液供給パイプ７を通じてメッキ液ＰＦを連続的に供給されるため、メッキ室ＰＲ内のメッキ液ＰＦの量が収容限界量を超えると余剰のメッキ液ＰＦは上昇許容面３ａの上端縁を乗り越えてメッキ室ＰＲから外部に排出される。
【００２９】
つまり、上昇許容面３ａに均一に拡がって張り付いた状態でメッキ槽ＰＢと一緒に回転するワークＷには常に新鮮なメッキ液ＰＦが供給され、メッキ処理後のメッキ液ＰＦがメッキ室ＰＲの上端開口から外部に排出されることになる。上昇抑止面３ｂの上端縁は所定の直径を有する円形であるため、メッキ室ＰＲからのメッキ液ＰＦの排出を周方向で均一に行うことができ、これによりメッキ室ＰＲ内におけるメッキ液ＰＦの流れを均一とすることができる。
【００３０】
メッキ室ＰＲから外部に排出されたメッキ液ＰＦは主として上カバー５の内面に向けて飛散し、該内面から下カバー４の底面に流れ落ち、該底面から排液口４ｂを通じて排出される。この排出されたメッキ液ＰＦは後に再利用される。
【００３１】
メッキ槽ＰＢの回転速度Ｓ１とメッキ室ＰＲ内のメッキ液ＰＦの回転速度Ｓ２が共に定速回転速度に達した後は、図２に示すように所定時間毎にブレーキ手段を所定時間動作させてメッキ室ＰＲの回転速度Ｓ１を減速する。因みにこのブレーキ手段の動作はキャリパー３の１対のブレーキパッド３ａをシリンダにより駆動しブレーキローター２を挟持すること等によって行われる。
【００３２】
この減速はメッキ槽ＰＢの回転を停止させるものではなく回転速度の低下を目的としたものであり、ブレーキ動作を解除すればメッキ槽ＰＢの回転速度Ｓ１は定速回転速度に復帰する。詳しくは、図２に示すように前記減速によりメッキ槽ＰＢの回転速度Ｓ１は予め定めた減速回転速度（Ｂｒａｋｉｎｇ  ｓｐｅｅｄ）に低下し、この減速によってメッキ液ＰＦの回転速度Ｓ２もメッキ室ＰＲよりも遅れて低下する。また、ブレーキ動作の解除によりメッキ槽ＰＢの回転速度Ｓ１は定速回転速度に復帰し、メッキ液ＰＦの回転速度Ｓ２はメッキ槽ＰＢよりも若干遅れて定速回転速度に復帰する。
【００３３】
図３は前記の速度変化によるワークＷの挙動を示す。メッキ槽ＰＢの回転速度Ｓ１とメッキ液ＰＦの回転速度Ｓ２がＳ１＝Ｓ２の関係にあるときは、図３（Ａ）に示すようにワークＷは上昇許容面３ａに均一に拡がって張り付いた状態にあるが、減速によってＳ１＜Ｓ２と関係になるとメッキ液ＰＦの回転速度Ｓ２がメッキ槽ＰＢの回転速度Ｓ１を上回るために上昇許容面３ａに張り付いていたワークＷが該上昇許容面３ａから剥がれるようにして離反する。
【００３４】
メッキ槽ＰＢの回転速度Ｓ１が減速されてもメッキ液ＰＦの回転速度Ｓ２はその慣性により減速回転速度以上の速度を維持しているため、上昇許容面３ａから離反したワークＷは該上昇許容面３ａに沿うように周方向に移動し、この移動過程でワークＷの撹拌が行われる。
【００３５】
ブレーキ動作解除後はメッキ槽ＰＢの回転速度Ｓ１は定速回転速度に復帰し、これよりも若干遅れてメッキ液ＰＦの回転速度Ｓ２も定速回転速度に復帰するため、前記減速により上昇許容面３ａから離反したワークＷは再び上昇許容面３ａに均一に拡がって張り付いた状態となる。
【００３６】
電解メッキを行うための通電、即ち、導電リング３とアノード８との間への所定の直流電力の印加は、好ましくは図２に示す区間ｔｅ、つまり、メッキ槽ＰＢの回転速度Ｓ１とメッキ液ＰＦの回転速度Ｓ２が一致している区間において行われ、各区間ｔｅにおける通電によって各ワークＷにはアノード８に収容された金属塊に応じた金属膜が形成される。
【００３７】
メッキ処理完了後は前記通電を停止すると共に、メッキ室ＰＲの回転を継続した状態で上カバー５の開口５ａから蓋６を外してメッキ液供給パイプ７及びアノード８を抜き出し、図４に示すようにこれの代わりに複数の洗浄液供給パイプ１３，１４が取り付けられた蓋１２を上カバー５の開口５ａにその上側から蓋６を嵌め込み、中央の洗浄液供給パイプ１３をメッキ室ＰＲ内に挿入する。因みに、中央の洗浄液供給パイプ１３の周囲に配された複数の洗浄液供給パイプ１４は洗浄液供給パイプ１３よりも短く、洗浄液供給口はその周面に複数個設けられている。
【００３８】
そして、洗浄液供給パイプ１３を通じてメッキ室ＰＲ内に水等の洗浄液ＣＦを供給すると共に、洗浄液供給パイプ１４を通じて上カバー５の内面に向けて同様の洗浄液ＣＦを吹き付ける。メッキ室ＰＲ内への洗浄液ＣＦの供給によりメッキ室ＰＲ内のメッキ液ＰＦの濃度は徐々に低下してやがて洗浄液ＣＦに置換され、該洗浄液ＣＦによるワークＷの洗浄が行われる。また、上カバー５の内面への洗浄液ＣＦの吹き付けにより、前記のメッキ処理時に上カバー５の内面に飛散し残留しているメッキ液ＰＦが洗浄される。
【００３９】
メッキ室ＰＲ内に供給された余剰の洗浄液ＣＦはメッキ処理時と同様に上昇許容面３ａの上端縁を乗り越えてメッキ室ＰＲの外部に排出され、上カバー５の内面に向けて吹き付けられた洗浄液ＣＦと共に下カバー４の底面に流れ落ち、該底面から排液口４ｂを通じて排出される。この洗浄時にも図２に示したような所定時間毎の減速を行えば、ワークＷを撹拌しながら該ワークＷの洗浄を良好に行うことができる。
【００４０】
洗浄完了後はメッキ室ＰＲの回転及び洗浄液ＣＦの供給を停止し、上カバー５の開口５ａから蓋１２を外して洗浄液供給パイプ１３，１４を抜き出し、上カバー５を取り外す。続けて同じワークＷに異なるメッキ処理を行う場合には同メッキ処理に適合した金属塊をアノード８に収容して前記同様の手順を繰り返せばよい。また、別のワークに同じメッキ処理を行う場合にはメッキ室ＰＲ内から洗浄後のワークＷを取り出して前記同様の手順を繰り返せばよい。
【００４１】
このように、前述の回転メッキ装置によれば、絶縁板２と導電リング３とを両者の境界にメッキ液ＰＦが外部に漏れるような隙間が存しない密着した状態で一体化し、且つ、一体化された絶縁板２と導電リング３によって囲まれた空間によってメッキ室ＰＲを構成して、余剰のメッキ液ＰＦをメッキ室ＰＲの上端開口から外部に排出するようにしているので、メッキ処理過程でワークＷが絶縁板２と導電リング３との境界を含むメッキ室ＰＲの内面に引っ掛かったり挟み込まれることを防ぐことができる。これにより、投入されたワークＷそれぞれに形成される金属膜の厚さにバラツキを生じることを防止できると共に、メッキ室ＰＲ内にワークＷが残留することを防止して該残留ワークＷが入れ替え後のワークに混入することを防止できる。
【００４２】
また、メッキ室ＰＲに投入されたワークＷを回転に基づく遠心力及びメッキ液ＰＦの流れに依り上昇許容面３ａに沿って上方移動させて該上昇許容面３ａに均一に拡がって張り付いた状態とすることができると共に、上昇許容面３ａからのワークＷの上方移動をその上側に設けた上昇抑止面３ｂによって抑止できるので、ワークＷがメッキ室ＰＲの内周面の所定箇所に均一に分散した状態を維持しながら該ワークＷへの金属膜形成を良好に行うことができる。
【００４３】
さらに、回転するメッキ槽ＰＢのメッキ室ＰＲ内にメッキ液ＰＦを連続的に供給し、余剰のメッキ液ＰＦをメッキ室ＰＲの上端開口から外部に排出しているので、ワークＷに対して常に新鮮なメッキ液を供給して高品質のメッキ処理を行うことができる。
【００４４】
さらに、メッキ室ＰＲ内に挿入されたアノード８の中心線がメッキ室ＰＲの回転中心と一致しているので、アノード８の存在によってメッキ室ＰＲ内のメッキ液ＰＦに乱流発生等の支障を生じることはない。しかも、上昇許容面３ａの上部に均一に拡がって張り付いた状態で回転するワークＷとアノード８との距離がほぼ均等であるので、ワークＷに対する電流密度の均一化を図ってより良好なメッキ処理を行うことができる。
【００４５】
さらに、メッキ槽ＰＢを所定方向に回転させながら所定時間毎に減速を行うことでワークＷの撹拌を行うことができるので、撹拌のためにメッキ室ＰＲの回転を停止させる場合や反転させる場合のような時間ロスを無くせると共に、この時間ロスの解消によって通電に利用できる時間確保を容易にしてより効率的なメッキ処理を行うことができる。また、減速しても回転に基づく遠心力を確保できるので、遠心力が無くなることによってワークＷがアノード８やメッキ液ＰＦの液面等に付着し該ワークＷが流出及び喪失することを未然に防止することもできる。しかも、前記減速にブレーキローター２及びキャリパー３から成るブレーキ手段を用いているので、減速を瞬時に行ってより効果的な撹拌を行うことができる。
【００４６】
尚、前述の実施形態では、密着状態で一体化された絶縁板２と導電リング３によってメッキ槽ＰＢを構成したものを例示したが、図５〜図７に示す構造によってメッキ槽ＰＢを構成しても前記同様の作用効果を得ることができる。
【００４７】
図５に示す構造は、金属等の導電材から容器状に形成された導電ベッセル１５の内周面に前記同様の上昇許容面１５ａ及び上昇抑止面１５ｂを設けると共に、その底面にプラスチック等から成る絶縁膜１５ｃがコーティング等により形成してある。この構造にあってはメッキ室ＰＲは導電ベッセル１５の内側空間によって構成され、該導電ベッセル１５の上昇許容面１５ａ及び上昇抑止面１５ｂがカソードとして機能する。
【００４８】
図６に示す構造は、プラスチック等の絶縁材から容器状に形成された絶縁ベッセル１６の内周面に前記同様の上昇許容面１６ａ及び上昇抑止面１６ｂを設けると共に、該上昇許容面１６ａ及び上昇抑止面１６ｂに金属等から成る導電膜１６ｃを蒸着等により形成してある。この構造にあってはメッキ室ＰＲは絶縁ベッセル１６の内側空間によって構成され、該絶縁ベッセル１６の上昇許容面１６ａ及び上昇抑止面１６ｂに形成された導電膜１６ｃがカソードとして機能する。
【００４９】
図７に示す構造は、プラスチック等の絶縁材から容器状に形成された下分割部１７-1の上にプラスチック等の絶縁材からリング状に形成された上分割部１７-1を重ね合わせることにより容器状の絶縁ベッセル１７を構成すると共に、下分割部１７-1の内周面に設けられた上昇許容面１７ａ及び下分割部１７-1の上面に金属等から成る導電膜１７ｃ１を蒸着等により形成し、且つ、上分割部１７-2の内周面に設けられた上昇抑止面１７ｂ及び上分割部１７-2の下面に金属等から成る導電膜１７ｃ２を蒸着等により形成してある。この構造にあってはメッキ室ＰＲは絶縁ベッセル１７の内側空間によって構成され、該絶縁ベッセル１７の上昇許容面１７ａ及び上昇抑止面１７ｂに形成された導電膜１７ｃ１，１７ｃ２がカソードとして機能する。
【００５０】
この場合、下分割部１７-1の導電膜１７ｃ１と上分割部１７-2の下面に金属等から成る導電膜１７ｃ２とは、互いに接触する導電膜１７ｃ１の上面部分及び導電膜１７ｃ２の下面部分を介して導通しているため、該上面部分及び下面部分の外周露出端から導電膜１７ｃ１と導電膜１７ｃ２への給電を行うことも可能である。また、下分割部１７-1の上に金属リング（図示省略）を介して上分割部１７-1を重ね合わせるようにしてもよく、この場合には該金属リングの外周露出端から導電膜１７ｃ１と導電膜１７ｃ２への給電を行うことも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態を示す回転メッキ装置の縦断面図である。
【図２】図１に示した回転メッキ装置によるメッキ処理方法の説明図である。
【図３】図１に示した回転メッキ装置によるメッキ処理方法の説明図である。
【図４】図１に示した回転メッキ装置によるメッキ処理方法の説明図である。
【図５】図１に示したメッキ槽の変形例を示す縦断面図である。
【図６】図１に示したメッキ槽の他の変形例を示す縦断面図である。
【図７】図１に示したメッキ槽のさらに他の変形例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…支持板、２…絶縁板、３…導電リング、３ａ…上昇許容面、３ｂ…上昇抑止面、４…下カバー、５…上カバー、６…蓋、７…メッキ液供給パイプ、８…アノード、９…給電ブラシ、１０…ブレーキローター、１１…キャリパー、１１ａ…ブレーキパッド、ＰＢ…メッキ槽、ＰＲ…メッキ室、ＰＦ…メッキ液、Ｗ…ワーク、１２…蓋、１３，１４…洗浄液供給パイプ、ＣＦ…洗浄液、１５…導電ベッセル、１５ａ…上昇許容面、１５ｂ…上昇抑止面、１５ｃ…絶縁膜、１６…絶縁ベッセル、１６ａ…上昇許容面、１６ｂ…上昇抑止面、１６ｃ…導電膜、１７…絶縁ベッセル、１７-1…下分割部、１７-2…上分割部、１７ａ…上昇許容面、１７ｂ…上昇抑止面、１７ｃ１，１７ｃ２…導電膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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