(57)【要約】【課題】信頼性を損ねることなく電極どうしを確実に接合し得る電子装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１の基板１０と、第１の基板の一方の主面に形成された第１の電極２２と、第１の基板の一方の主面に、第１の電極を埋め込むように形成された熱硬化性樹脂より成る第１の樹脂層３２と、第１の基板の一方の主面に対向して配設された第２の基板１２と、第１の基板に対向する第２の基板における一方の主面に、第１の電極に対応して形成され、且つ、第１の電極に接合された第２の電極２４と、第２の基板の一方の主面に、第２の電極を埋め込むように形成された熱硬化性樹脂より成り、且つ、第１の樹脂層に接着された熱硬化性の第２の樹脂層４２とを有している。【選択図】  図１
2006261510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板の一方の主面に形成された第１の電極と、
前記第１の基板の前記一方の主面に、前記第１の電極を埋め込むように形成された熱硬化性樹脂より成る第１の樹脂層と、
前記第１の基板の前記一方の主面に対向して配設された第２の基板と、
前記第１の基板に対向する前記第２の基板における一方の主面に、前記第１の電極に対応して形成され、且つ、前記第１の電極に接合された第２の電極と、
前記第２の基板の前記一方の主面に、前記第２の電極を埋め込むように形成された熱硬化性樹脂より成り、且つ、前記第１の樹脂層に接着された熱硬化性の第２の樹脂層と
を有することを特徴とする電子装置。
【請求項２】
請求項１記載の電子装置において、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層が、副生成物を生じない
ことを特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電子装置において、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層は、ベンゾシクロブテンを主成分とする樹脂より成る
ことを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項１又は２記載の電子装置において、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層は、ポリアリルエーテルを主成分とする樹脂より成る
ことを特徴とする電子装置。
【請求項５】
第１の基板の一方の主面上に第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極を埋め込むように、前記第１の基板の前記一方の主面上に、熱硬化性樹脂より成る第１の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
第２の基板の一方の主面上に、前記第１の電極に対応するように第２の電極を形成する工程と、
前記第２の電極を埋め込むように、前記第２の基板の前記一方の主面上に、熱硬化性樹脂より成る第２の樹脂層を形成する工程と、
前記第２の電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに密着させた状態で熱処理を行い、前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層を互いに接着させるとともに、前記第１の樹脂層又は前記第２の樹脂層を収縮させることにより、前記第１の電極と前記第２の電極とを互いに接合する接合工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層を形成する工程では、副生成物を生じることなく硬化する熱硬化性樹脂より成る前記第１の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層を形成する工程では、副生成物を生じることなく硬化する熱硬化性樹脂より成る前記第２の樹脂層を形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層は、ベンゾシクロブテンを主成分とする樹脂より成る
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５又は６記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層は、ポリアリルエーテルを主成分とする樹脂より成る
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層を形成する工程の後、前記第１の電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程の前に、前記第１の樹脂層を熱処理する第１の熱処理工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法において、
前記第２の樹脂層を形成する工程の後、前記第２の電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程の前に、前記第２の樹脂層を熱処理する第２の熱処理工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置及びその製造方法に係り、特に、互いに異なる基板に形成された電極どうしが互いに接続された電子装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型軽量化に伴い、半導体チップを回路基板上にフェイスダウンで実装する、フリップチップ実装技術が提案されている。フリップチップ実装技術は、半導体チップの多端子化の実現が可能であり、ワイヤボンディング法に比べて配線遅延も短縮できることから、大きな注目を集めている。
【０００３】
フリップチップ接合では、例えば、半導体チップ側の電極に半田バンプを予め形成しておき、この半田バンプを回路基板側に形成された電極と位置合わせし、この後、加熱することにより半田接合が行われる。
【０００４】
フリップチップ接合においては、半田バンプの高さを均一に揃えることが重要である。即ち、半田バンプの高さに大きなばらつきがある場合には、高さの低い半田バンプが確実に接合されるよう、半導体チップ側の電極と回路基板側の電極とを非常に接近させざるを得ない。この場合には、高さの高い半田バンプが過度に潰され、隣接する半田バンプと短絡してしまう。従って、フリップチップ接合においては、半田バンプの高さを均一に揃えることが重要である。
【０００５】
近時では、半導体チップの集積化に伴って、半導体チップのピン数が増加する傾向にあり、電極のピッチは狭くなる傾向にある。電極のピッチを狭くする場合には、半田バンプの高さを極めて均一に揃えることが必要となる。
【０００６】
しかし、高さが極めて均一な半田バンプを微細に形成することは、非常に困難である。例えば、電界めっき法、無電解めっき法、はんだ浸漬法等により半田バンプを形成する場合には、電極の形状、電極の面積、配線パターンへの接続の有無等の要因により、半田バンプの高さが数μｍ〜数十μｍ程度もばらついてしまう場合がある。また、印刷法により半田バンプを形成する場合には、半田バンプを微細に形成することが困難である。このように、高さが極めて均一な半田バンプを微細に形成することは、非常に困難である。
【０００７】
そこで、半田バンプを用いることなく、回路基板側の電極と半導体チップ側の電極とを接合する技術が提案されている。
【０００８】
例えば、特許文献１には、回路基板側に形成された電極を埋め込むようにエポキシ樹脂より成る絶縁膜を形成し、半導体チップ側に形成された電極を埋め込むようにエポキシ樹脂より成る他の絶縁膜を形成し、回路基板側に形成された電極の表面及び絶縁膜の表面をバイトにより切削し、半導体チップ側に形成された電極の表面及び絶縁膜の表面をバイトにより切削し、この後、加圧及び加熱を行うことにより、回路基板側の電極と半導体チップ側の電極とを互いに接合し、回路基板側の絶縁膜と半導体チップ側の絶縁膜とを互いに接合することが記載されている。
【０００９】
特許文献１によれば、半田バンプを用いることなく、回路基板側の電極と半導体チップ側の電極とを接合することが可能である。
【特許文献１】特開２００５−１２０９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、加圧及び加熱しながら、回路基板側の絶縁膜と半導体チップ側の絶縁膜とを接合する際に、絶縁膜中に空孔が生じてしまう。絶縁膜中に空孔が生ずると、絶縁膜の体積が大きくなってしまうため、回路基板と半導体チップとに極めて強い力を加えなければ、電極同士を接続することができない。回路基板と半導体チップとに極めて強い力を加えると、例えば半導体チップ側に脆い層間絶縁膜が形成されている場合には、かかる脆い層間絶縁膜が大きなダメージを受けてしまう。このため、引用文献１に記載された技術では、十分な信頼性を確保することが困難であった。
【００１１】
本発明の目的は、信頼性を損ねることなく電極どうしを確実に接合し得る電子装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一観点によれば、第１の基板と、前記第１の基板の一方の主面に形成された第１の電極と、前記第１の基板の前記一方の主面に、前記第１の電極を埋め込むように形成された熱硬化性樹脂より成る第１の樹脂層と、前記第１の基板の前記一方の主面に対向して配設された第２の基板と、前記第１の基板に対向する前記第２の基板における一方の主面に、前記第１の電極に対応して形成され、且つ、前記第１の電極に接合された第２の電極と、前記第２の基板の前記一方の主面に、前記第２の電極を埋め込むように形成された熱硬化性樹脂より成り、且つ、前記第１の樹脂層に接着された熱硬化性の第２の樹脂層とを有する電子装置が提供される。
【００１３】
また、本発明の他の観点によれば、第１の基板の一方の主面上に第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極を埋め込むように、前記第１の基板の前記一方の主面上に、熱硬化性樹脂より成る第１の樹脂層を形成する工程と、前記第１の電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、第２の基板の一方の主面上に、前記第１の電極に対応するように第２の電極を形成する工程と、前記第２の電極を埋め込むように、前記第２の基板の前記一方の主面上に、熱硬化性樹脂より成る第２の樹脂層を形成する工程と、前記第２の電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに密着させた状態で熱処理を行い、前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層を互いに接着させるとともに、前記第１の樹脂層又は前記第２の樹脂層を収縮させることにより、前記第１の電極と前記第２の電極とを互いに接合する接合工程とを有する電子装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、第１の樹脂層及び第２の樹脂層の材料として、熱処理の際に水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化する熱硬化性樹脂が用いられているため、第１の樹脂層及び第２の樹脂層中に空孔が生じるのを防止しつつ、第１の樹脂層及び第２の樹脂層を収縮・硬化させることができる。このため、第１の樹脂層及び第２の樹脂層の収縮に起因して第１の電極と第２の電極とを接続することができる。第１の樹脂層及び第２の樹脂層の収縮に起因して第１の電極と第２の電極とを接続するため、外部から過度に大きい力を加えることなく、第１の電極と第２の電極とを接合することができる。従って、本発明によれば、例えば第２の基板側に脆い層間絶縁膜が形成されていたとしても、かかる脆い層間絶縁膜にダメージを与えることなく、第１の電極と第２の電極とを確実に接合することができる。従って、本発明によれば、信頼性を損ねることなく第１の電極と第２の電極とが確実に接合された電子装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による電子装置及びその製造方法を図１乃至図１９を用いて説明する。図１は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。
【００１６】
（電子装置）
まず、本実施形態による電子装置について図１を用いて説明する。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態による電子装置は、回路基板（第１の基板）１０と半導体基板（第２の基板）１２とが対向して配置されている。
【００１８】
回路基板１０には、貫通孔１４が形成されている。貫通孔１４内には、例えば銅（Ｃｕ）よりなるビア（貫通電極）１６が埋め込まれている。回路基板１０としては、例えばシリコン基板等が用いられている。ビア１６は、後述する外部接続電極１８に対応する位置に配されている。外部接続端子１８は、フリップチップ接合における信頼性を確保すべく、比較的広いピッチで配されるのが一般的である。このため、ビア１６は、外部接続端子１８に対応して比較的広いピッチで配されている。
【００１９】
回路基板１０の一方の主面側（半導体基板１２に対向する面側）には、ビア１６に接続された配線２０が形成されている。配線２０の材料としては、例えばＣｕが用いられている。配線２０は、互いに異なる位置に配される電極２２とビア１６とを電気的に接続するためのものである。
【００２０】
配線２０の一の面（半導体基板１２に対向する面）には、電極２２が形成されている。電極２２は、半導体基板１２側に形成された電極２４と配線２０とを電気的に接続するためのものである。電極２２は、半導体基板１２側に形成された電極２４に対応する位置に配されている。半導体基板１２側の電極２４は、比較的狭いピッチで配されるのが一般的である。このため、電極２２は、電極２４に対応して比較的狭いピッチで配されている。電極２２の材料としては、例えばＣｕが用いられている。
【００２１】
回路基板１０の他方の主面側（半導体基板１２に対向する面とは反対の側）には、ビア１６に接続されたＣｕ膜２６が形成されている。Ｃｕ膜２６の膜厚は、例えば２μｍに設定されている。Ｃｕ膜２６の一の面側（半導体基板１２に対向する面とは反対側）には、ニッケル（Ｎｉ）膜２８が形成されている。Ｎｉ膜２８の膜厚は、例えば１〜２μｍに設定されている。Ｎｉ膜２８の一の面側（半導体基板１２に対向する面とは反対側）には、金（Ａｕ）膜３０が形成されている。Ａｕ膜３０の膜厚は、例えば１μｍに設定されて。Ｃｕ膜２６、Ｎｉ膜２８及びＡｕ膜３０により、外部接続電極１８が構成されている。
【００２２】
回路基板１０の一方の主面側（半導体基板１２に対向する面側）には、電極２２を埋め込むように樹脂層（第１の樹脂層）３２が形成されている。
【００２３】
樹脂層３２としては、水、アルコール、有機酸、窒化物等の副生成物を生ずることなく硬化・収縮する熱硬化性樹脂が用いられている。かかる熱硬化性樹脂としては、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を主成分とする樹脂（以下、「ＢＣＢ樹脂」ともいう）を用いる。かかるＢＣＢ樹脂の材料としては、例えば、ダウ・ケミカル社製のＢＣＢ樹脂溶液（製品名：シクロテン３０２２−５７）等を用いることができる。
【００２４】
ＢＣＢ樹脂は、熱により開環したシクロブテン環と、不飽和結合を有するジエノフィルとが、ディールス−アルダー反応（Diels-Alder reaction）により結合することにより硬化する。熱により開環したシクロブテン環と、不飽和結合を有するジエノフィルとが、ディールス−アルダー反応により結合する際には、極性官能基が関与しない。このため、ＢＣＢ樹脂は、水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化させることが可能である。ＢＣＢ樹脂は水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化させることが可能であるため、かかる副生成物の気化に起因してＢＣＢ樹脂内に空孔（ボイド）が形成されてしまうことがない。また、ＢＣＢ樹脂中に残留する溶媒を熱処理により予め揮発させておけば、溶媒の揮発に起因して空孔が生ずることもない。ＢＣＢ樹脂は、空孔を生ずることなく硬化させることが可能であるため、空孔により体積が増大しまうのを回避しつつ、確実に硬化・収縮させることが可能である。このため、後述するように、樹脂層３２及び樹脂層４２の収縮に起因して電極２２及び電極２４を接合することが可能となる。
【００２５】
電極２２の一の面側（半導体基板１２に対向する面側）及び樹脂層３２の一の面側（半導体基板１２に対向する面側）は、後述するように、ダイヤモンド等よりなるバイト５８（図９参照）を用いて切削されている。ダイヤモンド等よりなるバイト５８により切削されているため、電極２２の一の面（半導体基板１２に対向する面）及び樹脂層３２の一の面（半導体基板１２に対向する面）は平坦になっている。具体的には、電極２２の一の面（半導体基板１２に対向する面）の高さと樹脂層３２の一の面（半導体基板１２に対向する面）の高さとの差は、例えば１００ｎｍ以下となっている。
【００２６】
外部接続電極１８の一の面側（半導体基板１２に対向する面とは反対側）には、例えばＳｎ系はんだよりなる半田バンプ３４が形成されている。
【００２７】
半導体基板１２の一方の主面側（回路基板１０に対向する面側）には、電子回路素子（図示せず）を含む集積回路（図示せず）が形成されている。即ち、半導体基板１２の一方の主面側（回路基板１０に対向する面側）には、トランジスタ等の能動素子（図示せず）及び／或いは容量素子等の受動素子（図示せず）などの電子回路素子が配設されている。かかる電子回路素子が形成された半導体基板１２の一方の主面側（回路基板１０に対向する面側）には、複数の層間絶縁膜及び配線層からなる多層配線構造が形成されている。かかる多層配線構造により、電子回路素子間が電気的に接続されている（図示せず）。
【００２８】
図１にあっては、複数層に亘って形成されている配線のうち、電極２４に最も近い層の配線３６のみを示している。
【００２９】
かかる配線３６は、半導体基板１２上に形成された集積回路（図示せず）と外部とを電気的に接続するためのものであり、導体プラグ（図示せず）及び配線（図示せず）を介して電子回路素子（図示せず）等に電気的に接続されている。
【００３０】
半導体基板１２の材料としては、例えばシリコン基板が用いられている。配線３６の材料としては、例えばＣｕが用いられている。
【００３１】
配線３６が形成された半導体基板１２における一方の主面側（回路基板１０に対向する面側）には、例えばポリイミドよりなるパッシベーション膜３７が形成されている。パッシベーション膜３７には、配線３６に達するコンタクトホール３８が形成されている。
【００３２】
コンタクトホール３８内には、例えばチタン（Ｔｉ）膜とＣｕ膜とを積層して成る積層膜４０が形成されている。積層膜４０は、積層膜４０の一の面側（回路基板１０に対向する面側）に電気めっき法により電極２４を形成する際に、めっき電極として機能するものである。
【００３３】
積層膜４０の一の面側（回路基板１０に対向する面側）には、電極２４が形成されている。電極２４は、半導体基板１２上に形成された電子回路素子（図示せず）に電気的に接続されている。電極２４は、半導体基板１２上に形成された集積回路（図示せず）と外部との間を電気的に接続するためのものである。電極２４の材料としては、例えばＣｕが用いられている。
【００３４】
半導体基板１２の一方の主面側（回路基板１０に対向する面側）には、電極２４を埋め込むように樹脂層（第２の樹脂層）４２が形成されている。
【００３５】
樹脂層４２としては、樹脂層３２と同様に、水、アルコール、有機酸、窒化物等の副生成物を生ずることなく硬化・収縮する熱硬化性樹脂が用いられている。かかる熱硬化性樹脂としては、樹脂層３２の材料と同様に、例えば、ＢＣＢ樹脂を用いる。かかるＢＣＢ樹脂の材料としては、例えば、ダウ・ケミカル社製のＢＣＢ樹脂溶液（製品名：シクロテン３０２２−５７）等を用いることができる。
【００３６】
ＢＣＢ樹脂は、上述したように、ＢＣＢ樹脂は、水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化させることが可能である。ＢＣＢ樹脂は水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化させることが可能であるため、かかる副生成物の気化に起因してＢＣＢ樹脂内に空孔（ボイド）が形成されてしまうことがない。また、ＢＣＢ樹脂中に残留する溶媒を熱処理により予め揮発させておけば、溶媒の揮発に起因して空孔が生ずることもない。ＢＣＢ樹脂は、空孔を生ずることなく硬化させることが可能であるため、空孔により体積が増大しまうのを回避しつつ、確実に硬化・収縮させることが可能である。このため、後述するように、樹脂層３２及び樹脂層４２の収縮に起因して電極２２及び電極２４を接合することが可能となる。
【００３７】
図示される構成において、電極２４の一の面側（回路基板１０に対向する面側）及び樹脂層４２の一の面側（回路基板１０に対向する面側）は、後述するように、ダイヤモンド等よりなるバイト５８（図１２参照）を用いて切削されている。ダイヤモンド等よりなるバイト５８により切削されているため、電極２４の一方の面（回路基板１０に対向する面）及び樹脂層４２の面（回路基板１０に対向する面）は平坦になっている。具体的には、電極２４の一の面（回路基板１０に対向する面）の高さと樹脂層３２の一の面（回路基板１０に対向する面）の高さとの差は、例えば１００ｎｍ以下となっている。
【００３８】
回路基板１０側に形成された樹脂層３２と半導体基板１２側に形成された樹脂層４２とは、後述するように、互いに接着されている。回路基板１９側に形成された電極２２と半導体基板１２側に形成された電極２４とは、互いに接合されている。樹脂層３２と樹脂層４２とには、後述するように、樹脂層３２と樹脂層４２とを収縮させるための熱処理が加えられている。樹脂層３２及び樹脂層４２が互いに確実に接着された状態で収縮するため、樹脂層３２及び樹脂層４２の収縮に起因して、電極２２の一の面（半導体基板１２に対向する側の面）と電極２４の一の面（回路基板１０に対向する側の面）とが互いに強固に接合されている。
【００３９】
こうして本実施形態による電子装置が構成されている。
【００４０】
本実施形態による電子装置は、樹脂層３２、４２の材料として、水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化する熱硬化性樹脂が用いられていることに主な特徴がある。
【００４１】
樹脂層の材料としてフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を用いた場合には、樹脂を硬化させる際の熱処理において、水、アルコール、有機酸、窒化物等の副生成物が生じてしまう。かかる副生成物は、樹脂層中に空孔（ボイド）が生じる要因となる。樹脂層中に空孔が生じると、樹脂層の体積が大きくなってしまい、回路基板側に形成された第１の電極と半導体基板側に形成された第２の電極とを確実に接続することが困難となる。外部から大きい力を加えることにより第１の電極と第２の電極とを接合することも考えられるが、例えば半導体基板側に脆い層間絶縁膜が形成されている場合には、かかる脆い層間絶縁膜に大きなダメージが加わってしまう。回路基板側に形成された第１の電極と半導体基板側に形成された第２の電極とを接合する際に外部から過度に大きい力を加えることは、電子装置の信頼性を低下させる要因となる。
【００４２】
これに対し、本実施形態によれば、樹脂層３２、４２の材料として、熱処理の際に水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化する樹脂が用いられているため、樹脂層３２、４２中に空孔が生じるのを防止しつつ、樹脂層３２、４２を収縮・硬化させることができる。このため、樹脂層３２及び樹脂層４２の収縮に起因して電極２２と電極２４とを接続することができる。樹脂層３２及び樹脂層４２の収縮に起因して電極２２と電極２４とを接続するため、外部から過度に大きい圧力を加えることなく、電極２２と電極２４とを接合することができる。従って、本実施形態によれば、例えば半導体基板１２側に脆い層間絶縁膜（図示せず）が形成されていたとしても、かかる脆い層間絶縁膜にダメージを与えることなく、電極２２と電極２４とを確実に接合することができる。従って、本実施形態によれば、信頼性を損ねることなく電極２２と電極２４とが確実に接合された電子装置を提供することが可能となる。
【００４３】
（電子装置の製造方法）
次に、本実施形態による電子装置の製造方法を図２乃至図１９を用いて説明する。図２乃至図１９は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図である。
【００４４】
図２（ａ）乃至図４（ａ）、図５乃至図７（ａ）、図８、図９（ｂ）乃至図１０（ｂ）、図１２（ｂ）乃至図１３（ｂ）、図１５（ａ）乃至図１７（ｂ）は、断面図である。図４（ｂ）、図７（ｂ）、図１１、図１４は、平面図である。図４（ａ）は図４（ｂ）のＡ−Ａ′線断面図であり、図７（ａ）は図７（ｂ）のＡ−Ａ′線断面図である。図１０（ｂ）は図１１のＡ−Ａ′線断面図であり、図１３（ｂ）は図１４のＡ−Ａ′線断面図である。図９（ａ）及び図１２（ａ）は、斜視図である。
【００４５】
図２（ａ）に示すように、ビア１６、外部接続電極１８等を予め形成した回路基板１０を用意する。
【００４６】
回路基板１０としては、所定のサイズに切断されていない状態の回路基板を用意する。回路基板１０としては、例えばシリコン基板等を用いる。
【００４７】
回路基板１０に形成された貫通孔１４内には、ビア（貫通電極）３０が埋め込まれている。ビア１６の材料は、例えばＣｕとする。
【００４８】
回路基板１０の一方の主面側（半導体基板１２に対向する面とは反対の側）には、ビア１６に接続された外部接続電極１８が形成されている。ビア１６は外部接続電極１８を介して外部に電気的に接続される。このため、ビア１６及び外部接続電極１８は、外部機器（図示せず）の電極（図示せず）に対応するように配されている。
【００４９】
外部接続電極１８は、Ｃｕ膜２６、Ｎｉ膜２８及びＡｕ膜３０を順次積層することにより構成されている。Ｃｕ膜２６の膜厚は、例えば２μｍとし、Ｎｉ膜２８の膜厚は、例えば１〜２μｍとする。また、Ａｕ膜３０の膜厚は、例えば１μｍとする。
【００５０】
次に、図２（ｂ）に示すように、スパッタリング法及び電気めっき法により、回路基板１０の他方の主面側（半導体基板１２に対向する面側）の全面に、Ｃｕ膜２０を形成する。Ｃｕ膜２０の膜厚は、例えば２〜１０μｍとする。
【００５１】
次に、図２（ｃ）に示すように、回路基板１０上に、第１のフォトレジスト膜４４を形成する。
【００５２】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、かかる第１のフォトレジスト膜４４に開口部４６を形成する。開口部４６は、電極２２を形成するためのものである。このため、半導体基板１２側の電極２４（図１参照）が形成される位置に対応するように開口部４６を形成する。
【００５３】
次に、図２（ｄ）に示すように、電気めっき法により、開口部４６内に例えばＣｕよりなる電極２２を形成する。この際、電極２２の高さが、回路基板１０の表面から８μｍ程度の高さになるように、電極２２を形成する。
【００５４】
この後、第１のフォトレジスト膜４４を剥離する（図３（ａ）参照）。
【００５５】
次に、回路基板１０上に、第２のフォトレジスト膜４８を形成する。
【００５６】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、かかる第２のフォトレジスト膜４８を配線２０（図１参照）の平面形状にパターニングする（図３（ｂ）参照）。
【００５７】
次に、図３（ｃ）に示すように、第２のフォトレジスト膜４８をマスクとして、Ｃｕ膜２０を選択的にエッチング除去し、Ｃｕ膜２０より成る配線を形成する。この後、第２のフォトレジスト膜４８を剥離する。
【００５８】
こうして、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、回路基板１０上に、配線２０及び電極２２が形成される。図４（ｂ）に示すように、電極２２は、半導体基板１２に形成された電極２４（図７（ｂ）参照）に対応して形成される。
【００５９】
次に、図５（ａ）に示すように、全面に、例えばスピンコート法により、樹脂層（第１の樹脂層）３２ａを形成する。樹脂層３２ａの膜厚は、例えば１０μｍ程度とする。樹脂層３２ａとしては、例えば、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂を用いることができる。かかるＢＣＢ樹脂の材料としては、例えば、ダウ・ケミカル社製のＢＣＢ樹脂溶液（製品名：シクロテン３０２２−５７）等を用いることができる。かかるＢＣＢ樹脂は、熱処理を行う前の段階では液状であり、、熱処理を行って硬化をある程度進行させると半硬化状態となり、更に熱処理を行って硬化を更に進行させると完全硬化状態となる硬化特性を有する熱硬化性樹脂である。かかるＢＣＢ樹脂は、半硬化状態にするための熱処理条件が１８０℃、１時間程度であり、完全硬化状態にするための熱処理条件が２５０℃、１時間程度である。また、かかるＢＣＢ樹脂の粘度は、２５℃において２５９ｃＳｔ程度である。
【００６０】
こうして、電極２２を埋め込むように樹脂層３２ａが形成される。樹脂層３２ａを塗布した直後の段階では、未だ熱処理が行われていないため、樹脂層３２ａは液状になっている。
【００６１】
次に、樹脂層３２ａが半硬化するような条件で熱処理を行うことにより、未硬化状態の樹脂層３２ａを半硬化状態の樹脂層３２ｂにする（図５（ｂ）参照）。樹脂層３２ｂの硬化率は、４０〜８０％とすることが好ましい。ここでは、樹脂層３２ｂの硬化率を５０〜６０％程度とする。熱処理温度は、例えば１８０℃程度とし、熱処理時間は、例えば１時間程度とする。熱処理を行う際の雰囲気は、例えばＮ２雰囲気とする。
【００６２】
なお、熱処理条件は、上記に限定されるものではなく、樹脂層３２ｂの硬化率が４０〜８０％となるような条件で熱処理を行えばよい。例えば、熱処理温度を高めに設定する場合には、熱処理時間を短めに設定すればよい。また、熱処理温度を低めに設定する場合には、熱処理時間を長めに設定すればよい。
【００６３】
但し、熱処理温度は、ＢＣＢ樹脂溶液の溶媒の沸点より高い温度に設定する必要がある。即ち、ＢＣＢ樹脂溶液の溶媒の沸点より低い温度で熱処理を行った場合には、樹脂層３２ｂ中にＢＣＢ樹脂溶液の溶媒が残存してしまう。この場合には、樹脂層３２ｂ中に残存している溶媒が、後工程で行われる熱処理の際に気化することとなる。後工程で行われる熱処理の際には、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを重ね合わせた状態で熱処理が行われるため（図１６参照）、気化した溶媒は樹脂層４２ｂ中に閉じ込められてしまう。気化した溶媒が樹脂層３２ｂ中に閉じ込められると、樹脂層３２ｂ中に空孔（ボイド）が生じてしまうこととなる。従って、後工程における熱処理において樹脂層３２ｂ中に空孔が生じるのを防止するためには、熱処理温度を、ＢＣＢ樹脂溶液の溶媒の沸点より高い温度に設定する必要がある。
【００６４】
このように熱処理条件を適宜設定することにより、樹脂層３２ｂの硬化率を４０〜８０％に設定することが可能である。
【００６５】
樹脂層３２ｂの硬化率を４０〜８０％に設定するのは、以下のような理由による。
【００６６】
すなわち、樹脂層３２ｂの硬化率を４０％未満とした場合には、後工程における熱処理において、樹脂層３２ｂが著しく収縮することとなる。そうすると、後工程における熱処理において樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとが一時的には接着されるものの、樹脂層４２ｂの収縮に伴って、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとが互いに離れてしまうこととなる。この場合には、電極２２と電極２４とを確実に接合することはできない。従って、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを互いに確実に接着するとともに、電極２２と電極２４とを互いに確実に接続するためには、樹脂層３２ｂの硬化率を４０％以上とすることが必要である。
【００６７】
また、樹脂層３２ｂの硬化率を８０％より大きくした場合には、樹脂層３２ｂ中に存在する官能基、具体的には、炭素−炭素二重結合がかなり少なくなる。なお、かかる官能基（炭素−炭素二重結合）は、樹脂層３２ｂに含まれるシクロブテン環やモノマに存在している。かかる官能基（炭素−炭素二重結合）は、後工程で樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを接合する際に、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを接着させるのに寄与するものである。接着に寄与する官能基があまりに少なくなり過ぎると、後工程で樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを接着させるのが困難となる。しかも、樹脂層３２ｂの硬化率を８０％より大きくした場合には、樹脂層３２ｂを後工程で切削した際に、樹脂層３２ｂの表面の粗さがかなり粗くなってしまう。樹脂層３２ｂの表面の粗さがかなり粗くなると、後工程において樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを接着させるのが困難となる。従って、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを確実に接着させるためには、樹脂層３２ｂの硬化率を８０％以下に抑えることが必要である。
【００６８】
このような理由により、樹脂層３２ｂの硬化率を４０〜８０％に設定することが望ましい。
【００６９】
なお、樹脂層３２ｂの硬化率は、ＦＴ−ＩＲ装置（フーリエ変換赤外分光分析装置、Fourier Transform Infrared Spectrophotometer）を用い、赤外吸収スペクトルを解析することにより求めることが可能である。
【００７０】
樹脂層３２ｂの材料としてＢＣＢ樹脂を用いた場合には、硬化が進行するに伴ってシクロブテン環が減少する。従って、赤外吸収スペクトルから、シクロブテン環に対応するスペクトル成分の強度を測定することにより求めることが可能である。
【００７１】
即ち、熱処理を行っていない状態の樹脂層をＦＴ−ＩＲ装置を用いて測定すると、硬化率が０％の際における赤外吸収スペクトルが得られる。硬化率が０％の際における赤外吸収スペクトルから、シクロブテン環に対応するスペクトル成分の強度Ｐ１を求める。
【００７２】
一方、完全硬化させたときの樹脂層をＦＴ−ＩＲ装置を用いて測定すると、硬化率が１００％の際における赤外吸収スペクトルが得られる。硬化率が１００％の際における赤外吸収スペクトルから、シクロブテン環に対応するスペクトル成分の強度Ｐ２を求める。
【００７３】
また、半硬化の樹脂層３２ｂをＦＴ−ＩＲ装置を用いて測定すると、半硬化の樹脂層３２ｂの赤外吸収スペクトルが得られる。かかる半硬化の樹脂層３２ｂの赤外吸収スペクトルから、シクロブテン環に対応するスペクトル成分の強度Ｐ３を求める。
【００７４】
そして、かかる半硬化の樹脂層３２ｂにおける硬化率Ｓは、
Ｓ＝［（Ｐ３−Ｐ１）／（Ｐ２−Ｐ１）]×１００（％）
により求められる。
【００７５】
なお、ここでは、シクロブテン環に対応するスペクトル成分の強度により、樹脂層３２ｂの硬化率を求める場合を例に説明したが、樹脂層３２ｂの硬化率の算出に用いられるスペクトル成分は、シクロブテン環に対応するスペクトル成分に限定されるものではない。
【００７６】
樹脂層３２ｂの材料としてＢＣＢ樹脂を用いた場合には、硬化が進行するに伴って、シクロブテン環が減少する一方で、テトラヒドロナフタレン環が増加する。従って、赤外吸収スペクトルから、テトラヒドロナフタレン環に対応するスペクトル成分の強度を測定することによっても、樹脂層３２ｂの硬化率を求めることが可能である。
【００７７】
即ち、熱処理を行っていない状態の樹脂層をＦＴ−ＩＲ装置を用いて測定すると、硬化率が０％の際における赤外吸収スペクトルが得られる。硬化率が０％の際における赤外吸収スペクトルから、テトラヒドロナフタレン環に対応するスペクトル成分の強度Ｐ４を求める。
【００７８】
一方、完全硬化させたときの樹脂層をＦＴ−ＩＲ装置を用いて測定すると、硬化率が１００％の際における赤外吸収スペクトルが得られる。硬化率が１００％の際における赤外吸収スペクトルから、テトラヒドロナフタレン環に対応するスペクトル成分の強度Ｐ５を求める。
【００７９】
また、半硬化の樹脂層３２ｂをＦＴ−ＩＲ装置を用いて測定すると、半硬化の樹脂層３２ｂの赤外吸収スペクトルが得られる。かかる半硬化の樹脂層３２ｂの赤外吸収スペクトルから、テトラヒドロナフタレン環に対応するスペクトル成分の強度Ｐ６を求める。
【００８０】
そして、かかる半硬化の樹脂層３２ｂにおける硬化率Ｓは、
Ｓ＝［（Ｐ４−Ｐ６）／（Ｐ４−Ｐ５）]×１００（％）
により求められる。
【００８１】
一方、図６（ａ）に示すように、電子回路素子（図示せず）を含む集積回路（図示せず）が形成された半導体基板１２を用意する。
【００８２】
半導体基板１２としては、チップサイズに切断されていない状態の半導体基板、即ち、ウェハ状態の半導体基板を用意する。半導体基板１２の材料としては、例えばシリコン基板を用いる。
【００８３】
半導体基板１２上には、層間絶縁膜や配線層が複数層に亘って形成されており、多層配線構造が構成されている（図示せず）が、図６（ａ）においては最上層の配線３６のみを図示している。
【００８４】
かかる配線３６は、半導体基板１２上に形成された集積回路と外部との間を電気的に接続するためのものである。かかる配線３６は、導体プラグ（図示せず）及び／或いは配線（図示せず）を介して電子回路素子に電気的に接続されている。
【００８５】
配線３６の材料としては、例えばＣｕ等が用いられている。
【００８６】
配線３６が形成された半導体基板１２上には、例えばポリイミドより成るパッシベーション膜３７が形成されている。かかるパッシベーション膜３７には、配線３６に達するコンタクトホール３８が形成されている。
【００８７】
次に、図６（ｂ）に示すように、全面に、例えばスパッタリング法により、Ｔｉ膜及びＣｕ膜を順次積層することにより積層膜４０を形成する。Ｔｉ膜の膜厚は、例えば１００ｎｍ〜３００ｎｍとし、Ｃｕ膜の膜厚は、例えば２００ｎｍ〜１μｍとする。
【００８８】
次に、半導体基板１２上に、フォトレジスト膜５０を形成する。
【００８９】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜５０に開口部５２を形成する（図６（ｃ）参照）。開口部５２は、電極２４を形成するためのものである。このため、回路基板１０側の電極２２（図４（ｂ）参照）が形成される位置に対応して開口部５２を形成する。
【００９０】
次に、図６（ｄ）に示すように、電気めっき法により、開口部５２内に例えばＣｕより成る電極２４を形成する。この際、電極２４の高さが、半導体基板１２の表面から例えば８μｍ程度の高さとなるように、電極２４を形成する。この後、フォトレジスト膜５０を除去する。
【００９１】
次に、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、電極２４をマスクとして、積層膜４０の露出部分をエッチング除去する。
【００９２】
こうして、半導体基板１２の一方の主面（回路基板１０に対向する側の面）に電極２４等が形成される。図７（ｂ）に示すように、電極２４は、回路基板１０に形成された電極２２（図４（ｂ）参照）に対応して形成される。
【００９３】
次に、図８（ａ）に示すように、全面に、例えばスピンコート法により、樹脂層（第２の樹脂層）４２ａを形成する。樹脂層４２ａとしては、例えば、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂を用いることができる。かかるＢＣＢ樹脂の材料としては、例えば、ダウ・ケミカル社製のＢＣＢ樹脂溶液（製品名：シクロテン３０２２−５７）を用いることができる。かかるＢＣＢ樹脂は、上述したように、熱処理を行う前の段階では液状であり、熱処理を行って硬化をある程度進行させると半硬化状態となり、更に熱処理を行って硬化を更に進行させると完全硬化状態となる硬化特性を有する熱硬化性樹脂である。かかるＢＣＢ樹脂は、上述したように、半硬化状態にするための熱処理条件が１８０℃、１時間程度であり、完全硬化状態にするための熱処理条件が２５０℃、１時間程度である。樹脂層４２ａの膜厚は、例えば１０μｍ程度とする。
【００９４】
こうして、電極２４を埋め込むように樹脂層４２ａが形成される。樹脂層４２ａを塗布した直後の段階では、未だ熱処理が行われていないため、樹脂層４２ａは液状になっている。
【００９５】
次に、樹脂層４２ａが半硬化するような条件で熱処理を行うことにより、未硬化状態の樹脂層４２ａを半硬化状態の樹脂層４２ｂにする（図８（ｂ）参照）。樹脂層４２ｂの硬化率は、４０〜８０％とすることが好ましい。ここでは、樹脂層４２ｂの硬化率を５０〜６０％程度とする。熱処理温度は、例えば１８０℃程度とし、熱処理時間は、例えば１時間程度とする。
【００９６】
なお、熱処理条件は、上記に限定されるものではなく、樹脂層４２ｂの硬化率が４０〜８０％となるような条件で熱処理を行えばよい。例えば、熱処理温度を高めに設定する場合には、熱処理時間を短めに設定すればよい。また、熱処理温度を低めに設定する場合には、熱処理時間を長めに設定すればよい。
【００９７】
但し、熱処理温度は、ＢＣＢ樹脂溶液の溶媒の沸点より高い温度に設定する必要がある。即ち、ＢＣＢ樹脂溶液の溶媒の沸点より低い温度で熱処理を行った場合には、樹脂層４２ｂ中にＢＣＢ樹脂溶液の溶媒が残存してしまう。この場合には、樹脂層４２ｂ中に残存している溶媒が、後工程で行われる熱処理の際に気化することとなる。後工程で行われる熱処理の際には、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを重ね合わせた状態で熱処理が行われるため（図１６参照）、気化した溶媒は樹脂層４２ｂ中に閉じ込められてしまう。気化した溶媒が樹脂層４２ｂ中に閉じ込められると、樹脂層４２ｂ中に空孔（ボイド）が生じてしまうこととなる。従って、後工程における熱処理において樹脂層４２ｂ中に空孔が生じるのを防止するためには、熱処理温度を、ＢＣＢ樹脂溶液の溶媒の沸点より高い温度に設定する必要がある。
【００９８】
このように熱処理条件を適宜設定することにより、樹脂層４２ｂの硬化率を４０〜８０％に設定することが可能である。
【００９９】
樹脂層４２ｂの硬化率を４０〜８０％に設定するのは、樹脂層３２ｂの硬化率を４０〜８０％に設定する理由と同様である。
【０１００】
すなわち、樹脂層４２ｂの硬化率を４０％未満とした場合には、後工程における熱処理において、樹脂層４２ｂが著しく収縮することとなる。そうすると、後工程における熱処理において樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとが一時的には接着されるものの、樹脂層４２ｂの収縮に伴って、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとが互いに離れてしまうこととなる。この場合には、電極２２と電極２４とを確実に接合することはできない。従って、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを互いに確実に接着するとともに、電極２２と電極２４とを互いに確実に接続するためには、樹脂層４２ｂの硬化率を４０％以上とすることが必要である。
【０１０１】
また、樹脂層４２ｂの硬化率を８０％より大きくした場合には、樹脂層４２ｂ中に存在する官能基、具体的には、炭素−炭素二重結合がかなり少なくなる。なお、かかる炭素−炭素二重結合は、樹脂層４２ｂに含まれるシクロブテン環やモノマに存在している。かかる官能基は、後工程で樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを接合する際に、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを接着させるのに寄与するものである。接着に寄与する官能基があまりに少なくなり過ぎると、後工程で樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを接着させるのが困難となる。しかも、樹脂層４２ｂの硬化率を８０％より大きくした場合には、樹脂層４２ｂを後工程で切削した際に、樹脂層４２ｂの表面の粗さがかなり粗くなってしまう。樹脂層４２ｂの表面の粗さがかなり粗くなると、後工程において樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを接着させるのが困難となる。従って、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを確実に接着させるためには、樹脂層４２ｂの硬化率を８０％以下に抑えることが必要である。
【０１０２】
このような理由により、樹脂層４２ｂの硬化率を４０〜８０％に設定することが好ましい。
【０１０３】
なお、樹脂層４２ｂの硬化率は、樹脂層３２ｂの硬化率を求める方法と同様の方法により、求めることが可能である。即ち、樹脂層４２ｂの硬化率は、ＦＴ−ＩＲ装置を用い、赤外吸収スペクトルを解析することにより求めることが可能である。
【０１０４】
次に、図９（ａ）に示すように、回路基板１０を、超精密旋盤５４のチャックテーブル５６上に、真空吸着により固定する。
【０１０５】
図９（ａ）は、回路基板を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。回路基板１０をチャックテーブル５６上に固定する際には、回路基板１０の裏面側、即ち、電極２２等が形成されていない側の面をチャックテーブル５６に固定する。
【０１０６】
チャックテーブル５６は、基板等を加工する際に、かかる基板などの被加工物を固定するためのものである。
【０１０７】
なお、回路基板１０をチャックテーブル５６上に固定する際には、ピンチャックを用いることが好ましい。
【０１０８】
回路基板１０の裏面側には複数の外部接続電極１８が形成されているが、外部接続端子１８の厚さは数μｍと極めて薄い。このため、回路基板１０をチャックテーブル５６に対し、真空吸着により再現性良く固定することができる。
【０１０９】
次に、図９（ｂ）に示すように、回路基板１０を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト５８を用いて、電極２２の上部及び樹脂層３２ｂの上層部を切削する。この際、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さが、回路基板１０の一方の主面（半導体基板１２に対向する面）から５μｍ程度の高さになるまで荒切削を行う。
【０１１０】
電極２２の上部及び樹脂層３２ｂの上層部を荒切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。
【０１１１】
バイト５８のすくい角を例えば０度とする。なお、すくい角とは、被切削物の切削面に対して垂直な面と、バイト刃先の進行方向の前面（すくい面）とのなす角度である。一般に、すくい角が大きくなる程切れ具合は良くなるが、バイト刃先へのダメージが大きくなり刃先の寿命が短くなる傾向がある。
【０１１２】
チャックテーブル５６の回転数は、例えば２０００ｒｐｍ程度とする。この場合、切削速度は、例えば２０ｍ／秒程度となる。
【０１１３】
バイト５８の切り込み量は、例えば２〜３μｍ程度とする。なお、切り込み量とは、切削を行う際におけるバイト５８の切り込み深さである。
【０１１４】
そして、バイト５８の送りは、例えば２０μｍ／回転とする。なお、送りとは、切削を行う際に、チャックテーブル５６の半径方向（即ち、チャックテーブル５６における外縁の一点と回転中心とを結ぶ方向）にバイトを進めていく際、バイトの進行速度である。
【０１１５】
切削を行う前における樹脂層３２ｂの厚さは例えば１０μｍ程度であるのに対し、バイト５８の切り込み量は例えば２〜３μｍ程度である。樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さが、回路基板１０の一方の主面（半導体基板１２に対向する面）から５μｍ程度の高さになるまで切削する場合には、樹脂層３２ｂのうちの切削される部分の厚さは、バイト５８の切り込み量より大きい。このため、樹脂層３２ｂの上層部を複数回に亘って切削することにより、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さを、回路基板１０の一方の主面（半導体基板１２に対向する面）から５μｍ程度の高さにする。
【０１１６】
電極２２の上部及び樹脂層３２ｂの上層部をバイト５８により切削する際には、電極２２や樹脂層３２ｂに対して、ある程度大きな力がバイト５８により加えられる。樹脂層３２ｂの上層部が切削されている際には、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）に対して水平な方向のみならず、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）に対して垂直な方向にも力が加わる。このため、樹脂層３２ｂはある程度圧縮変形した状態で切削されることとなる。切削の際にバイト５８により圧縮変形していた樹脂層３２ｂは、切削後には、ある程度回復することとなる。一方、電極２２は、Ｃｕ等の金属より成るものであるため、切削の際には殆ど圧縮変形しない。このため、切削後における樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さは、切削後における電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さより高くなる。
【０１１７】
荒切削を行った直後においては、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ１が、数百ｎｍ程度と比較的大きくなっている。
【０１１８】
なお、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）において丸で囲んだ部分を拡大した断面図である。
【０１１９】
樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ１がこのように比較的大きい場合には、後工程で行われる熱処理により樹脂層４２ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さが、電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さより高い状態のままとなってしまい、電極２２と電極２４とを接続することができない。
【０１２０】
このため、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ１が適度な値になるよう、荒切削に引き続いて、仕上げ切削を行う（図１０（ｃ）参照）。
【０１２１】
電極２２の上部及び樹脂層３２ｂの上層部を仕上げ切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。
【０１２２】
仕上げ研磨におけるバイト５８のすくい角、チャックテーブル５６の回転数、及びバイト５８の送りについては、樹脂層３２ｂを荒切削する際の条件と同様とする。仕上げ切削は、荒切削に引き続いて行うため、これらの設定を敢えて変更する必要はない。
【０１２３】
バイト５８の切り込み量は、例えば０ｎｍとする。バイト５８の切り込み量をこのように小さく設定するのは、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ１を、適度に小さくするためである。
【０１２４】
なお、バイト５８の切り込み量は０ｎｍに限定されるものではない。例えば、バイト５８の切り込み量を１０〜１００ｎｍ程度に設定してもよい。
【０１２５】
仕上げ切削を行っても、図１１に示すように、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ１′は、ゼロにはならない。仕上げ切削の際にも樹脂層３２ｂがある程度圧縮変形し、仕上げ切削の際に圧縮変形していた樹脂層３２ｂが切削後においてある程度回復するためである。
【０１２６】
なお、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）において丸で囲んだ部分を拡大した断面図である。
【０１２７】
被切削物の圧縮弾性率をＥ、被切削物の厚さをＬ、切削の際に被切削物に対して垂直方向に加わる力をＦとすると、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ１′は、
ｔ１′＝（Ｆ×Ｌ）／Ｅ
となる。なお、圧縮弾性率とは、ある物質を圧縮して厚さをゼロ（実際にはありえない）とするのに必要な単位面積当たりの力のことである。
【０１２８】
ＢＣＢ樹脂３２ａを１８０℃、１時間の熱処理により半硬化させた場合、半硬化状態のＢＣＢ樹脂３２ｂの圧縮弾性率Ｅは、７．１ＧＰａ程度である。かかるＢＣＢ樹脂３２ｂを切削する場合、ＢＣＢ樹脂３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）に対して垂直方向に加わる力Ｆは、５５ＭＰａ程度である。そして、仕上げ研磨の際における樹脂層３２ｂの厚さＬを５μｍ程度とすると、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ１′は、３９ｎｍ程度となる。
【０１２９】
なお、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ１′は、３９ｎｍ程度に限定されるものではない。樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ１′は、０〜１００ｎｍの範囲で適宜設定すればよい。
【０１３０】
樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ１′を、０〜１００ｎｍとするのは、以下のような理由によるものである。
【０１３１】
即ち、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ１′が１００ｎｍより大きい場合には、上述したように、後工程で行われる熱処理により樹脂層３２ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さが、電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さより高い状態のままとなってしまい、電極２２と電極２４とを接続することができない。
【０１３２】
一方、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ１′が０ｎｍより小さい場合には、後工程における熱処理において、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとが互いに確実に接着される前に、樹脂層３２ｂ及び樹脂層４２ｂが収縮してしまい、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを確実に接着することが困難である。
【０１３３】
このような理由により、樹脂層３２ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４２ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ１′は、０〜１００ｎｍとすることが重要である。
【０１３４】
また、樹脂層３２ｂの上層部及び電極２２の上部を切削する際には、樹脂層３２ｂの表面における十点平均粗さＲｚが、０．１μｍ以下となるように切削することが重要である。
【０１３５】
十点平均粗さＲｚとは、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線から縦倍率の方向に測定した、最も高い山頂から５番目までの山頂の標高の絶対値の平均値と、最も低い谷底から５番目までの谷底の標高の絶対値の平均値との和を求め、マイクロメートル（μｍ）で表したもののことである（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４参照）。即ち、十点平均粗さＲｚとは、粗さ曲線で最高の山頂から高い順に５番目までの山高さの平均と、最深の谷底から深い順に５番目までの谷深さの平均との和のことである。
【０１３６】
樹脂層３２ｂの表面における十点平均粗さＲｚが０．１μｍ以下となるように、樹脂層３２ｂを切削するのは、樹脂層３２ｂの表面における十点平均粗さＲｚが０．１μｍより大きい場合には、後工程において樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを接着させるのが容易でないためである。
【０１３７】
樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを確実に接着させるためには、樹脂層３２ｂの表面における十点平均粗さＲｚが０．１μｍ以下となるように、樹脂層３２ｂを切削することが極めて重要である。
【０１３８】
尚、切削を行う際に電極２２にバリが生じると、隣接或いは近接する電極２２どうしがバリによって短絡してしまう虞がある。
【０１３９】
従って、切削を行う際に電極２２にバリが生じないよう、切削条件を適宜設定することが望ましい。
【０１４０】
こうして、電極２２の上部及び樹脂層３２ｂの上層部が切削される（図１１及び図１２参照）。
【０１４１】
なお、回路基板１０を固定し、バイト５８を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させて切削処理することも可能である（図示せず）。
【０１４２】
次に、図１３（ａ）に示すように、半導体基板１２を、超精密旋盤５４のチャックテーブル５６上に、真空吸着により固定する。図１３（ａ）は、半導体基板を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。
【０１４３】
半導体基板１２をチャックテーブル５６上に固定する際には、半導体基板１２の裏面側、即ち、電極２４等が形成されていない側の面をチャックテーブル５６に固定する。なお、半導体基板１２をチャックテーブル５６上に固定する際には、ピンチャック（図示せず）を用いることが好ましい。
【０１４４】
次に、図１３（ｂ）に示すように、半導体基板１２を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト５８を用いて、電極２４の上部及び樹脂層４２ｂの上層部を切削する。この際、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さが、半導体基板１２の一方の主面（回路基板１０に対向する面）から５μｍ程度の高さになるまで荒切削を行う。
【０１４５】
電極２４の上部及び樹脂層４２ｂの上層部を荒切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。
【０１４６】
バイト５８のすくい角を例えば０度とする。
【０１４７】
チャックテーブル５６の回転数は、例えば３０００ｒｐｍ程度とする。この場合、切削速度は、例えば３０ｍ／秒程度となる。
【０１４８】
バイト５８の切り込み量は、例えば２〜３μｍ程度とする。
【０１４９】
そして、バイト５８の送りは、例えば２０μｍ／回転とする。
【０１５０】
切削を行う前における樹脂層４２ｂの厚さは例えば１０μｍ程度であるのに対し、バイト５８の切り込み量は例えば２〜３μｍ程度である。樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さが、半導体基板１２の一方の主面（回路基板１０に対向する面）から５μｍ程度の高さになるまで切削する場合には、樹脂層４２ｂのうちの切削される部分の厚さは、バイト５８の切り込み量より大きい。このため、樹脂層４２ｂの上層部を複数回に亘って切削することにより、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さを、半導体基板１２の一方の主面（回路基板１０に対向する面）から５μｍ程度の高さにする。
【０１５１】
電極２４の上部及び樹脂層４２ｂの上層部をバイト５８により切削する際には、電極２４や樹脂層４２ｂに対して、ある程度大きな力がバイト５８により加えられる。樹脂層４２ｂの上層部が切削されている際には、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）に対して水平な方向のみならず、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）に対して垂直な方向にも力が加わる。このため、樹脂層４２ｂはある程度圧縮変形した状態で切削されることとなる。切削の際にバイト５８により圧縮変形していた樹脂層４２ｂは、切削後には、ある程度回復することとなる。一方、電極２４は、Ｃｕ等の金属より成るものであるため、切削の際には殆ど圧縮変形しない。このため、切削後における樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さは、切削後における電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さより高くなる。
【０１５２】
荒切削を行った直後においては、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ２が、数百ｎｍ程度と比較的大きくなっている。
【０１５３】
なお、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）において丸で囲んだ部分を拡大した断面図である。
【０１５４】
樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ２がこのように比較的大きい場合には、後工程で行われる熱処理により樹脂層４２ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さが、電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さより高い状態のままとなってしまい、電極２２と電極２４とを接続することができない。
【０１５５】
このため、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ２が適度な値になるよう、荒切削に引き続いて、仕上げ切削を行う（図１４（ｃ）参照）。
【０１５６】
電極２４の上部及び樹脂層４２ｂの上層部を仕上げ切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。
【０１５７】
仕上げ研磨におけるバイト５８のすくい角、チャックテーブル５６の回転数、及びバイト５８の送りについては、樹脂層４２ｂを荒切削する際の条件と同様とする。仕上げ切削は、荒切削に引き続いて行うため、これらの設定を敢えて変更する必要はない。
【０１５８】
バイト５８の切り込み量は、例えば０ｎｍとする。バイト５８の切り込み量をこのように小さく設定するのは、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ２を、適度に小さくするためである。
【０１５９】
なお、バイト５８の切り込み量は０ｎｍに限定されるものではない。例えば、バイト５８の切り込み量を１０〜１００ｎｍ程度に設定してもよい。
【０１６０】
仕上げ切削を行っても、図１５に示すように、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ２′は、ゼロにはならない。仕上げ切削の際にも樹脂層４２ｂがある程度圧縮変形し、仕上げ切削の際に圧縮変形していた樹脂層４２ｂが切削後においてある程度回復するためである。
【０１６１】
なお、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）において丸で囲んだ部分を拡大した断面図である。
【０１６２】
被切削物の圧縮弾性率をＥ、被切削物の厚さをＬ、切削の際に被切削物に対して垂直方向に加わる力をＦとすると、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ２′は、
ｔ２′＝（Ｆ×Ｌ）／Ｅ
となる。
【０１６３】
ＢＣＢ樹脂４２ａを１８０℃、１時間の熱処理により半硬化させた場合、半硬化状態のＢＣＢ樹脂４２ｂの圧縮弾性率Ｅは、７．１ＧＰａ程度である。かかるＢＣＢ樹脂４２ｂを切削する場合、ＢＣＢ樹脂４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）に対して垂直方向に加わる力Ｆは、５５ＭＰａ程度である。そして、仕上げ研磨の際における樹脂層４２ｂの厚さＬを５μｍ程度とすると、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ２′は、３９ｎｍ程度となる。
【０１６４】
なお、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ２′は、３９ｎｍ程度に限定されるものではない。樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ２′は、０〜１００ｎｍの範囲に適宜設定すればよい。
【０１６５】
樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ２′を、０〜１００ｎｍとするのは、以下のような理由によるものである。
【０１６６】
即ち、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ２′が１００ｎｍより大きい場合には、上述したように、後工程で行われる熱処理により樹脂層４２ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さが、電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さより高い状態のままとなってしまい、電極２２と電極２４とを接続することができない。
【０１６７】
一方、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ２′が０ｎｍより小さい場合には、後工程における熱処理において、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとが互いに確実に接着される前に、樹脂層３２ｂ及び樹脂層４２ｂが収縮してしまい、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを確実に接着することが困難である。
【０１６８】
このような理由により、樹脂層４２ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３２ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ２′は、０〜１００ｎｍとすることが重要である。
【０１６９】
また、樹脂層４２ｂの上層部及び電極２４の上部を切削する際には、樹脂層４２ｂの表面における十点平均粗さＲｚが、０．１μｍ以下となるように切削することが重要である。
【０１７０】
樹脂層４２ｂの表面における十点平均粗さＲｚが０．１μｍ以下となるように、樹脂層４２ｂを切削するのは、樹脂層４２ｂの表面における十点平均粗さＲｚが０．１μｍより大きい場合には、後工程において樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを接着させるのが容易でないためである。
【０１７１】
樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとを確実に接着させるためには、樹脂層４２ｂの表面における十点平均粗さＲｚが０．１μｍ以下となるように、樹脂層４２ｂを切削することが極めて重要である。
【０１７２】
尚、切削を行う際に電極２４にバリが生じると、隣接或いは近接する電極２４どうしがバリによって短絡してしまう虞がある。
【０１７３】
従って、切削を行う際に電極２４にバリが生じないよう、切削条件を適宜設定することが望ましい。
【０１７４】
こうして、電極２４の上部及び樹脂層４２ｂの上層部が切削される（図１５及び図１６参照）。
【０１７５】
なお、半導体基板１２を固定し、バイト５８を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させて切削処理することも可能である（図示せず）。
【０１７６】
次に、ダイヤモンド粒子等を結合材で固めて形成した薄刃のブレードを用いて、回路基板１０を所定のサイズに切断する（図示せず）。
【０１７７】
また、ダイヤモンド粒子等を結合材で固めて形成した薄刃のブレードを用いて、半導体基板１２を、チップサイズに切断する（図示せず）。
【０１７８】
次に、図１７に示すように、半導体基板１２と回路基板１０とを対向させる。この際、半導体基板１２側の電極２４と回路基板１０側の電極２２とが互いに対向するように、半導体基板１２と回路基板１０とを対向させる。なお、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）おいて丸で囲んだ部分を拡大した断面図である。
【０１７９】
次に、回路基板１０と半導体基板１２との間に外部から圧力を加え、半導体基板１２側の電極２４と回路基板１０側の電極２２とを互いに密着させ、半導体基板１２側の樹脂層４２ｂと回路基板１０側の樹脂層３２ｂとを密着させた状態で、熱処理を行う（図１８参照）。なお、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）おいて丸で囲んだ部分を拡大した断面図である。
【０１８０】
熱処理の際には、例えばオーブン（熱処理装置）を用いる。熱処理温度は、例えば２５０℃程度とする。熱処理時間は、例えば１時間程度とする。圧力は、例えば１０ｋＰａ程度とする。このような条件で熱処理を行うと、樹脂層３２ｂと樹脂層４２とが互いに確実に接着される。また、樹脂層３２ｂと樹脂層４２とは、それぞれ収縮する。樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂとが互いに接着されるとともに、樹脂層３２ｂ及び樹脂層４２ｂがそれぞれ収縮するため、樹脂層３２ｂ及び樹脂層４２ｂの収縮に起因して、電極２２と電極２４とが互いに密着する。そして、半硬化状態の樹脂層３２ｂ、４２ｂが、完全硬化状態の樹脂層３２、４２になる。完全硬化状態になった樹脂層３２、４２は十分に収縮しているため、圧力を加えるのを止めても、電極２２と電極２４とが離れてしまうことはない。
【０１８１】
樹脂層３２、４２の収縮に起因して、電極２２と電極２４とが互いに密着するため、回路基板１０と半導体基板１２との間に外部から大きな圧力を加えることを要しない。このため、例えば半導体基板１２側に脆い層間絶縁膜が形成されていたとしても、かかる脆い層間絶縁膜にダメージを与えることなく、電極２２と電極２４とを互いに接合することが可能である。
【０１８２】
なお、ここでは、熱処理温度を２５０℃、熱処理時間を１時間に設定する場合を例に説明したが、熱処理温度及び熱処理時間は、これに限定されるものではない。熱処理温度を高めに設定する場合には、熱処理時間は短めでもよい。例えば、熱処理温度を３００℃程度に設定する場合には、熱処理時間は３分程度でもよい。また、熱処理時間を低めに設定する場合には、熱処理時間は長めに設定すればよい。例えば、熱処理温度を２００℃程度に設定する場合には、熱処理時間は７〜８時間程度に設定すればよい。
【０１８３】
但し、熱処理温度を高めに設定した場合には、樹脂層３２、４２の膜質が必ずしも良好な膜質とはならない場合がある。また、熱処理温度を低めに設定した場合には、熱処理に長時間を要してしまう。樹脂層３２、４２の膜質やスループット等を考慮した場合には、熱処理温度を２５０℃程度、熱処理時間を１時間程度とすることが好ましい。
【０１８４】
また、ここでは、回路基板１０及び半導体基板１２に加える圧力を１０ｋＰａ程度に設定する場合を例に説明したが、回路基板１０及び半導体基板１２に加える圧力は１０ｋＰａ程度に限定されるものではない。例えば、１ｋＰａ〜１００ｋＰａ程度の範囲で適宜設定するようにしてもよい。
【０１８５】
次に、外部接続電極１８の一の面（半導体基板１２に対向する面とは反対側の面）に、例えばＳｎ系はんだよりなる半田バンプ３４を形成する（図１９参照）。なお、図１９（ｂ）は、図１９（ａ）おいて丸で囲んだ部分を拡大した断面図である。
【０１８６】
こうして、本実施形態による電子装置が製造される。
【０１８７】
本実施形態による電子装置の製造方法は、樹脂層３２ｂ及び樹脂層４２ｂの材料として水、アルコール、有機酸、窒化物等より成る副生成物を生ずることなく硬化する熱硬化性樹脂が用いられていることにも主な特徴の一つがある。
【０１８８】
本実施形態によれば、樹脂層３２ｂ、４２ｂの材料として、水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化する熱硬化性樹脂が用いられているため、樹脂層３２ｂ、４２ｂ中に空孔が生じるのを防止しつつ、半硬化状態の樹脂層３２ｂ、４２ｂを完全硬化状態の樹脂層３２、４２にすることができる。本実施形態によれば、空孔によって樹脂層３２ｂ、４２ｂの体積が大きくなってしまうことがないため、樹脂層３２ｂ、４２ｂを確実に硬化・収縮させることができる。このため、本実施形態によれば、樹脂層３２ｂ、４２ｂの収縮に起因して電極２２と電極２４とを確実に接続することができる。本実施形態によれば、樹脂層３２ｂと樹脂層４２ｂの収縮に起因して電極２２と電極２４とが接続するため、外部から過度に大きい圧力を加えることなく、電極２２と電極２４とを接合することができる。従って、本実施形態によれば、例えば半導体基板１２側に脆い層間絶縁膜が形成されていたとしても、かかる脆い層間絶縁膜にダメージを与えることなく、電極２２と電極２４とを確実に接合することができる。従って、本実施形態によれば、信頼性を損ねることなく電極２２と電極２４とが確実に接合された電子装置を提供することができる。
【０１８９】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による電子装置及びその製造方法を図２０乃至図３１を用いて説明する。図２０は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。図１乃至図１９に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１９０】
（電子装置）
まず、本実施形態による電子装置について図２０を用いて説明する。図２０は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。
【０１９１】
本実施形態による電子装置は、回路基板１０の一方の主面側（半導体基板１２に対向する面側）に形成された樹脂層３２の材料、及び、半導体基板１２の一方の主面側（回路基板１０に対向する面側）に形成された樹脂層４３の材料として、ポリアリルエーテルを主成分とする熱硬化性樹脂が用いられていることに主な特徴がある。
【０１９２】
図２０に示すように、回路基板１０の一方の主面側（半導体基板１２に対向する面）には、電極２２を埋め込むように樹脂層３３が形成されている。
【０１９３】
樹脂層３３としては、ポリアリルエーテルを主成分とする樹脂（以下、「ポリアリルエーテル系樹脂」ともいう）が用いられている。ポリアリルエーテルを主成分とする樹脂は、ＢＣＢ樹脂と同様に、水、アルコール、有機酸、窒化物等より成る副生成物を生ずることなく硬化・収縮する熱硬化性樹脂である。かかる熱硬化性樹脂としては、例えば、ダウ・ケミカル社製の樹脂（製品名：ＳｉＬＫ）等を用いることができる。
【０１９４】
かかるポリアリルエーテル系樹脂は、上述したように、水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化させることが可能である。また、ポリアリルエーテル系樹脂中に残留する溶媒を熱処理により予め揮発させておけば、溶媒の揮発に起因して空孔が生ずることもない。従って、樹脂層３３の材料としてポリアリルエーテル系樹脂を用いれば、空孔を生ずることなく樹脂層３３を硬化させることが可能である。空孔を生ずることなく樹脂層３３を硬化させることができるため、高い信頼性を有する電子装置を提供することが可能となる。
【０１９５】
電極２２の一の面側（半導体基板１２に対向する面側）及び樹脂層３３の一の面側（半導体基板１２に対向する面側）は、後述するように、ダイヤモンド等よりなるバイト５８（図２３参照）を用いて切削されている。ダイヤモンド等よりなるバイト５８により切削されているため、電極２２の一の面（半導体基板１２に対向する面）及び樹脂層３３の一の面（半導体基板１２に対向する面）は平坦になっている。具体的には、電極２２の一の面（半導体基板１２に対向する面）の高さと樹脂層３３の一の面（半導体基板１２に対向する面）の高さとの差は、例えば１００ｎｍ以下となっている。
【０１９６】
一方、半導体基板１２の一方の主面側（回路基板１０に対向する面側）には、電極２４を埋め込むように樹脂層４３が形成されている。
【０１９７】
樹脂層４３としては、樹脂層３３と同様に、ポリアリルエーテル系樹脂が用いられている。かかるポリアリルエーテル系樹脂としては、樹脂層３３の材料と同様に、例えば、ダウ・ケミカル社製のポリアリルエーテル系樹脂（製品名：ＳｉＬＫ）等を用いることができる。
【０１９８】
かかるポリアリルエーテル系樹脂は、上述したように、水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化させることが可能である。また、上述したように、ポリアリルエーテル系樹脂中に残存する溶媒を熱処理により予め揮発させておけば、ポリアリルエーテル系樹脂を熱処理により硬化させる際に、溶媒の揮発に起因して空孔が生ずることもない。従って、樹脂層４３の材料としてポリアリルエーテル系樹脂を用いれば、空孔を生ずることなく樹脂層４３を形成することが可能である。空孔を生ずることなく樹脂層４３を硬化させることができるため、樹脂層３３及び樹脂層４３の収縮に起因して電極２２及び電極２４を接合することが可能となる。
【０１９９】
図示される構成において、電極２４の一の面側（回路基板１０に対向する面側）及び樹脂層４３の一の面側（回路基板１０に対向する面側）は、後述するように、ダイヤモンド等よりなるバイト５８（図１２参照）を用いて切削されている。ダイヤモンド等よりなるバイト５８により切削されているため、電極２４の一方の面（回路基板１０に対向する面）及び樹脂層４３の面（回路基板１０に対向する面）は平坦になっている。具体的には、電極２４の一の面（回路基板１０に対向する面）の高さと樹脂層３３の一の面（回路基板１０に対向する面）の高さとの差は、例えば１００ｎｍ以下となっている。
【０２００】
回路基板１０側に形成された樹脂層３３と半導体基板１２側に形成された樹脂層４３とは、互いに接着されている。また、回路基板１０側に形成された電極２２と半導体基板１２側に形成された電極２４とは、互いに接合されている。樹脂層３３と樹脂層４３とには、樹脂層３３と樹脂層４３とを硬化・収縮させるための熱処理が加えられている。樹脂層３３及び樹脂層４３が互いに接着されるとともに収縮するため、樹脂層３３及び樹脂層４３の収縮に起因して、電極２２と電極２４とが強固に接合されている。
【０２０１】
こうして本実施形態による電子装置が構成されている。
【０２０２】
このように、樹脂層３３、４３の材料は、ポリアリルエーテル系樹脂であってもよい。ポリアリルエーテル系樹脂を樹脂層３３、４３の材料として用いた場合にも、水やアルコール等の副生成物を生ずることなく樹脂層３３、４３を硬化・収縮させることができる。
樹脂層３３、４３の材料として、熱処理の際に水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化する樹脂が用いられているため、樹脂層中に空孔が生じるのを防止しつつ、樹脂層を硬化させることができる。このため、本実施形態によっても、樹脂層３３と樹脂層４３の収縮に起因して電極２２と電極２４とを接続することができる。樹脂層３３と樹脂層４３の収縮に起因して電極２２と電極２４とを接続するため、外部から過度に大きい圧力を加えることなく、電極２２と電極２４とを接合することができる。このため、例えば半導体基板１２側に脆い層間絶縁膜が形成されていたとしても、かかる脆い層間絶縁膜にダメージを与えることなく、電極２２と電極２４とを確実に接合することができる。従って、本実施形態によっても、信頼性を損ねることなく電極２２と電極２４とが確実に接合された電子装置を提供することができる。
【０２０３】
（電子装置の製造方法）
次に、本実施形態による電子装置の製造方法について図２１乃至図３１を用いて説明する。図２１乃至図３１は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図である。
【０２０４】
図２１（ａ）乃至図２２（ｂ）、図２３（ｂ）乃至図２５（ｂ）、図２６（ｂ）乃至図３１（ｂ）は、断面図である。図２３（ａ）及び図２６（ａ）は、斜視図である。
【０２０５】
まず、回路基板１０を準備する工程から、回路基板１０の一方の主面（回路基板１２に対向する側の面）上に配線２０及び電極２２を形成する工程までは、図２（ａ）乃至図４（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【０２０６】
次に、図２１（ａ）に示すように、全面に、例えばスピンコート法により、樹脂層（第１の樹脂層）３３ａを形成する。樹脂層３３ａの膜厚は、例えば１０μｍ程度とする。樹脂層３３ａとしては、例えば、ポリアリルエーテル系樹脂を用いることができる。かかるポリアリルエーテル系樹脂としては、例えば、ダウ・ケミカル社製のポリアリルエーテル系樹脂（製品名：ＳｉＬＫ）等を用いることができる。かかるポリアリルエーテル系樹脂は、熱処理を行う前の段階では液状であり、、熱処理を行って硬化をある程度進行させると半硬化状態となり、更に熱処理を行って硬化を更に進行させると完全硬化状態となる硬化特性を有する熱硬化性樹脂である。かかるポリアリルエーテル系樹脂は、半硬化状態にするための熱処理条件が２００〜２５０℃、１時間程度であり、完全硬化状態にするための熱処理条件が４００〜４５０℃、１時間程度である。
【０２０７】
こうして、電極２２を埋め込むように樹脂層３３ａが形成される。樹脂層３３ａを塗布した直後の段階では、未だ熱処理が行われていないため、樹脂層３３ａは液状になっている。
【０２０８】
次に、樹脂層３３ａが半硬化するような条件で熱処理を行うことにより、未硬化状態の樹脂層３３ａを半硬化状態の樹脂層３３ｂにする（図２１（ｂ）参照）。樹脂層３３ｂの硬化率は、４０〜８０％とすることが好ましい。ここでは、樹脂層３３ｂの硬化率を５０〜６０％程度とする。熱処理温度は、例えば２００〜２５０℃程度とし、熱処理時間は、例えば１時間程度とする。熱処理を行う際の雰囲気は、例えばＮ２雰囲気とする。
【０２０９】
なお、熱処理条件は、上記に限定されるものではなく、樹脂層３３ｂの硬化率が４０〜８０％となるような条件で熱処理を行えばよい。例えば、熱処理温度を高めに設定する場合には、熱処理時間を短めに設定すればよい。また、熱処理温度を低めに設定する場合には、熱処理時間を長めに設定すればよい。
【０２１０】
但し、熱処理温度は、ポリアリルエーテル系樹脂溶液の溶媒の沸点より高い温度に設定する必要がある。即ち、ポリアリルエーテル系樹脂溶液の溶媒の沸点より低い温度で熱処理を行った場合には、樹脂層３３ｂ中にポリアリルエーテル系樹脂溶液の溶媒が残存してしまう。この場合には、樹脂層３３ｂ中に残存している溶媒が、後工程で行われる熱処理の際に気化することとなる。後工程で行われる熱処理の際には、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを重ね合わせた状態で熱処理が行われるため（図３０参照）、気化した溶媒は樹脂層４３ｂ中に閉じ込められてしまう。気化した溶媒が樹脂層３３ｂ中に閉じ込められると、樹脂層３３ｂ中に空孔（ボイド）が生じてしまうこととなる。従って、後工程における熱処理において樹脂層３３ｂ中に空孔が生じるのを防止するためには、熱処理温度を、ポリアリルエーテル系樹脂溶液の溶媒の沸点より高い温度に設定する必要がある。
【０２１１】
このように熱処理条件を適宜設定することにより、樹脂層３３ｂの硬化率を４０〜８０％に設定することが可能である。
【０２１２】
樹脂層３３ｂの硬化率を４０〜８０％に設定するのは、以下のような理由による。
【０２１３】
すなわち、樹脂層３３ｂの硬化率を４０％未満とした場合には、後工程における熱処理において、樹脂層３３ｂが著しく収縮することとなる。そうすると、後工程における熱処理において樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとが一時的には接着されるものの、樹脂層４３ｂの収縮に伴って樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとが互いに剥がれてしまうこととなる。この場合には、樹脂層３３ｂ及び樹脂層４３ｂの収縮に起因して、電極２２及び電極２４を互いに接合させることができない。従って、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを互いに確実に接着するとともに、電極２２と電極２４とを互いに確実に接続するためには、樹脂層３３ｂの硬化率を４０％以上とすることが必要である。
【０２１４】
また、樹脂層３３ｂの硬化率を８０％より大きくした場合には、樹脂層３３ｂ中に存在する官能基、例えばヒドロキシル基（−ＯＨ）がかなり少なくなる。なお、かかる官能基は、後工程で樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを接合する際に、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを接着させるのに寄与するものである。接着に寄与する官能基があまりに少なくなり過ぎると、後工程で樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを接着させるのが困難となる。しかも、樹脂層３３ｂの硬化率を８０％より大きくした場合には、樹脂層３３ｂを後工程で切削した際に、樹脂層３３ｂの表面の粗さがかなり粗くなってしまう。樹脂層３３ｂの表面の粗さがかなり粗くなると、後工程において樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを接着させるのが困難となる。従って、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを確実に接着させるためには、樹脂層３３ｂの硬化率を８０％以下に抑えることが必要である。
【０２１５】
このような理由により、樹脂層３３ｂの硬化率を４０〜８０％に設定することが望ましい。
【０２１６】
なお、樹脂層３３ｂの硬化率は、ＦＴ−ＩＲ装置を用い、赤外吸収スペクトルを解析することにより求めることが可能である。
【０２１７】
樹脂層３３ｂの材料としてポリアリルエーテル系樹脂を用いた場合には、硬化が進行するに伴ってヒドロキシル基（−ＯＨ）が減少する。従って、赤外吸収スペクトルから、ヒドロキシル基に対応するスペクトル成分の強度を測定することにより求めることが可能である。
【０２１８】
即ち、熱処理を行っていない状態の樹脂層をＦＴ−ＩＲ装置を用いて測定すると、硬化率が０％の際における赤外吸収スペクトルが得られる。硬化率が０％の際における赤外吸収スペクトルから、ヒドロキシル基に対応するスペクトル成分の強度Ｐ７を求める。
【０２１９】
一方、完全硬化させたときの樹脂層をＦＴ−ＩＲ装置を用いて測定すると、硬化率が１００％の際における赤外吸収スペクトルが得られる。硬化率が１００％の際における赤外吸収スペクトルから、ヒドロキシル基に対応するスペクトル成分の強度Ｐ８を求める。
【０２２０】
また、半硬化の樹脂層３３ｂをＦＴ−ＩＲ装置を用いて測定すると、半硬化の樹脂層３３ｂの赤外吸収スペクトルが得られる。かかる半硬化の樹脂層３３ｂの赤外吸収スペクトルから、ヒドロキシル基に対応するスペクトル成分の強度Ｐ９を求める。
【０２２１】
そして、かかる半硬化の樹脂層３３ｂにおける硬化率Ｓは、
Ｓ＝［（Ｐ９−Ｐ７）／（Ｐ８−Ｐ７）]×１００（％）
により求められる。
【０２２２】
なお、ここでは、ヒドロキシル基に対応するスペクトル成分の強度により、樹脂層３３ｂの硬化率を求める場合を例に説明したが、樹脂層３３ｂの硬化率の算出に用いられるスペクトル成分は、ヒドロキシル基に対応するスペクトル成分に限定されるものではない。
【０２２３】
樹脂層３３ｂの材料としてポリアリルエーテル系樹脂を用いた場合には、硬化が進行するに伴って、ヒドロキシル基が減少する一方で、例えばベンゼン環が増加する。ベンゼン環に酸素（Ｏ）が結合すると、Ｃ−Ｏ結合が構成される。従って、赤外吸収スペクトルから、Ｃ−Ｏ結合に対応するスペクトル成分の強度を測定することによっても、樹脂層３３ｂの硬化率を求めることが可能である。
【０２２４】
即ち、熱処理を行っていない状態の樹脂層をＦＴ−ＩＲ装置を用いて測定すると、硬化率が０％の際における赤外吸収スペクトルが得られる。硬化率が０％の際における赤外吸収スペクトルから、Ｃ−Ｏ結合に対応するスペクトル成分の強度Ｐ１０を求める。
【０２２５】
一方、完全硬化させたときの樹脂層をＦＴ−ＩＲ装置を用いて測定すると、硬化率が１００％の際における赤外吸収スペクトルが得られる。硬化率が１００％の際における赤外吸収スペクトルから、Ｃ−Ｏ結合に対応するスペクトル成分の強度Ｐ１１を求める。
【０２２６】
また、半硬化の樹脂層３３ｂをＦＴ−ＩＲ装置を用いて測定すると、半硬化の樹脂層３３ｂの赤外吸収スペクトルが得られる。かかる半硬化の樹脂層３３ｂの赤外吸収スペクトルから、Ｃ−Ｏ結合に対応するスペクトル成分の強度Ｐ１２を求める。
【０２２７】
そして、かかる半硬化の樹脂層３３ｂにおける硬化率Ｓは、
Ｓ＝［（Ｐ１０−Ｐ１２）／（Ｐ１０−Ｐ１１）]×１００（％）
により求められる。
【０２２８】
一方、半導体基板１２を準備する工程から、半導体基板１２の一方の主面（回路基板１０に対向する側の面）上に電極２４等を形成する工程までは、図６（ａ）乃至図７（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【０２２９】
次に、図２２（ａ）に示すように、全面に、例えばスピンコート法により、樹脂層（第２の樹脂層）４３ａを形成する。樹脂層４３ａとしては、例えば、ポリアリルエーテル系樹脂を用いることができる。かかるポリアリルエーテル系樹脂としては、例えば、ダウ・ケミカル社製の樹脂（製品名：ＳｉＬＫ）を用いることができる。かかるポリアリルエーテル系樹脂は、上述したように、熱処理を行う前の段階では液状であり、熱処理を行って硬化をある程度進行させると半硬化状態となり、更に熱処理を行って硬化を更に進行させると完全硬化状態となる硬化特性を有する熱硬化性樹脂である。かかるポリアリルエーテル系樹脂は、上述したように、半硬化状態にするための熱処理条件が２００〜２５０℃、１時間程度であり、完全硬化状態にするための熱処理条件が４００〜４５０℃、１時間程度である。樹脂層４３ａの膜厚は、例えば１０μｍ程度とする。
【０２３０】
こうして、電極２４を埋め込むように樹脂層４３ａが形成される。樹脂層４３ａを塗布した直後の段階では、未だ熱処理が行われていないため、樹脂層４３ａは液状になっている。
【０２３１】
次に、樹脂層４３ａが半硬化するような条件で熱処理を行うことにより、未硬化状態の樹脂層４３ａを半硬化状態の樹脂層４３ｂにする（図２２（ｂ）参照）。樹脂層４３ｂの硬化率は、４０〜８０％とすることが好ましい。ここでは、樹脂層４３ｂの硬化率を５０〜６０％程度とする。熱処理温度は、例えば２００〜２５０℃程度とし、熱処理時間は、例えば１時間程度とする。
【０２３２】
なお、熱処理条件は、上記に限定されるものではなく、樹脂層４３ｂの硬化率が４０〜８０％となるような条件で熱処理を行えばよい。例えば、熱処理温度を高めに設定する場合には、熱処理時間を短めに設定すればよい。また、熱処理温度を低めに設定する場合には、熱処理時間を長めに設定すればよい。
【０２３３】
但し、熱処理温度は、ポリアリルエーテル系樹脂溶液の溶媒の沸点より高い温度に設定する必要がある。即ち、ポリアリルエーテル系樹脂溶液の溶媒の沸点より低い温度で熱処理を行った場合には、樹脂層４３ｂ中にポリアリルエーテル系樹脂溶液の溶媒が残存してしまう。この場合には、樹脂層４３ｂ中に残存している溶媒が、後工程で行われる熱処理の際に気化することとなる。後工程で行われる熱処理の際には、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを重ね合わせた状態で熱処理が行われるため（図３０参照）、気化した溶媒は樹脂層４３ｂ中に閉じ込められてしまう。気化した溶媒が樹脂層４３ｂ中に閉じ込められると、樹脂層４３ｂ中に空孔（ボイド）が生じてしまうこととなる。従って、後工程における熱処理において樹脂層４３ｂ中に空孔が生じるのを防止するためには、熱処理温度を、ポリアリルエーテル系樹脂溶液の溶媒の沸点より高い温度に設定する必要がある。
【０２３４】
このように熱処理条件を適宜設定することにより、樹脂層４３ｂの硬化率を４０〜８０％に設定することが可能である。
【０２３５】
樹脂層４３ｂの硬化率を４０〜８０％に設定するのは、樹脂層３３ｂの硬化率を４０〜８０％に設定する理由と同様である。
【０２３６】
すなわち、樹脂層４３ｂの硬化率を４０％未満とした場合には、後工程における熱処理において、樹脂層４３ｂが著しく収縮することとなる。そうすると、後工程における熱処理において樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとが一時的には接着されるものの、樹脂層４３ｂの収縮に伴って、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとが互いに剥がれてしまうこととなる。この場合には、電極２２と電極２４とを接合することはできない。従って、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを互いに確実に接着するとともに、電極２２と電極２４とを互いに確実に接続するためには、樹脂層４３ｂの硬化率を４０％以上とすることが必要である。
【０２３７】
また、樹脂層４３ｂの硬化率を８０％より大きくした場合には、樹脂層４３ｂ中に存在する官能基がかなり少なくなる。なお、かかる炭素−炭素二重結合は、樹脂層４３ｂに含まれるシクロブテン環やモノマに存在している。かかる官能基は、後工程で樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを接合する際に、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを接着させるのに寄与するものである。接着に寄与する官能基があまりに少なくなり過ぎると、後工程で樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを接着させるのが困難となる。しかも、樹脂層４３ｂの硬化率を８０％より大きくした場合には、樹脂層４３ｂを後工程で切削した際に、樹脂層４３ｂの表面の粗さがかなり粗くなってしまう。樹脂層４３ｂの表面の粗さがかなり粗くなると、後工程において樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを接着させるのが困難となる。従って、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを確実に接着させるためには、樹脂層４３ｂの硬化率を８０％以下に抑えることが必要である。
【０２３８】
このような理由により、樹脂層４３ｂの硬化率を４０〜８０％に設定することが好ましい。
【０２３９】
なお、樹脂層４３ｂの硬化率は、樹脂層３３ｂの硬化率を求める方法と同様の方法により、求めることが可能である。即ち、樹脂層４３ｂの硬化率は、ＦＴ−ＩＲ装置を用い、赤外吸収スペクトルを解析することにより求めることが可能である。
【０２４０】
次に、図２３（ａ）に示すように、回路基板１０を、超精密旋盤５４のチャックテーブル５６上に、真空吸着により固定する。
【０２４１】
図２３（ａ）は、回路基板を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。回路基板１０をチャックテーブル５６上に固定する際には、回路基板１０の裏面側、即ち、電極２２等が形成されていない側の面をチャックテーブル５６に固定する。
【０２４２】
次に、図２３（ｂ）に示すように、回路基板１０を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト５８を用いて、電極２２の上部及び樹脂層３３ｂの上層部を切削する（図２３（ｂ）参照）。この際、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さが、回路基板１０の一方の主面（半導体基板１２に対向する面）から５μｍ程度の高さになるまで荒切削を行う。
【０２４３】
電極２２の上部及び樹脂層３３ｂの上層部を荒切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。
【０２４４】
バイト５８のすくい角を例えば０度とする。なお、すくい角とは、被切削物の切削面に対して垂直な面と、バイト刃先の進行方向の前面（すくい面）とのなす角度である。
【０２４５】
チャックテーブル５６の回転数は、例えば３０００ｒｐｍ程度とする。この場合、切削速度は、例えば３０ｍ／秒程度となる。
【０２４６】
バイト５８の切り込み量は、例えば２〜３μｍ程度とする。
【０２４７】
そして、バイト５８の送りは、例えば２０μｍ／回転とする。
【０２４８】
切削を行う前における樹脂層３３ｂの厚さは例えば１０μｍ程度であるのに対し、バイト５８の切り込み量は例えば２〜３μｍ程度である。樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さが、回路基板１０の一方の主面（半導体基板１２に対向する面）から５μｍ程度の高さになるまで切削する場合には、樹脂層３３ｂのうちの切削される部分の厚さは、バイト５８の切り込み量より大きい。このため、樹脂層３３ｂの上層部を複数回に亘って切削することにより、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さを、回路基板１０の一方の主面（半導体基板１２に対向する面）から５μｍ程度の高さにする。
【０２４９】
電極２２の上部及び樹脂層３３ｂの上層部をバイト５８により切削する際には、電極２２や樹脂層３３ｂに対して、ある程度大きな力がバイト５８により加えられる。樹脂層３３ｂの上層部が切削されている際には、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）に対して水平な方向のみならず、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）に対して垂直な方向にも力が加わる。このため、樹脂層３３ｂはある程度圧縮変形した状態で切削されることとなる。切削の際にバイト５８により圧縮変形していた樹脂層３３ｂは、切削後には、ある程度回復することとなる。一方、電極２２は、Ｃｕ等の金属より成るものであるため、切削の際には殆ど圧縮変形しない。このため、切削後における樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さは、切削後における電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さより高くなる。
【０２５０】
荒切削を行った直後においては、図２４（ａ）及び図２４（ｂ）に示すように、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ３が、数百ｎｍ程度と比較的大きくなっている。
【０２５１】
なお、図２４（ｂ）は、図２４（ａ）において丸で囲んだ部分を拡大した断面図である。
【０２５２】
樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ３がこのように比較的大きい場合には、後工程で行われる熱処理により樹脂層４３ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さが、電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さより高い状態のままとなってしまい、電極２２と電極２４とを接続することができない。
【０２５３】
このため、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ３が適度な値になるよう、荒切削に引き続いて、仕上げ切削を行う（図２４（ｃ）参照）。
【０２５４】
電極２２の上部及び樹脂層３３ｂの上層部を仕上げ切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。
【０２５５】
仕上げ研磨におけるバイト５８のすくい角、チャックテーブル５６の回転数、及びバイト５８の送りについては、樹脂層３３ｂを荒切削する際の条件と同様とする。仕上げ切削は、荒切削に引き続いて行うため、これらの設定を敢えて変更する必要はない。
【０２５６】
バイト５８の切り込み量は、例えば０ｎｍとする。バイト５８の切り込み量をこのように小さく設定するのは、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ３を、適度に小さくするためである。
【０２５７】
なお、バイト５８の切り込み量は０ｎｍに限定されるものではない。例えば、バイト５８の切り込み量を１０〜１００ｎｍ程度に設定してもよい。
【０２５８】
仕上げ切削を行っても、図２５に示すように、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ３′は、ゼロにはならない。仕上げ切削の際にも樹脂層３３ｂがある程度圧縮変形し、仕上げ切削の際に圧縮変形していた樹脂層３３ｂが切削後においてある程度回復するためである。
【０２５９】
なお、図２５（ｂ）は、図２５（ａ）において丸で囲んだ部分を拡大した断面図である。
【０２６０】
被切削物の圧縮弾性率をＥ、被切削物の厚さをＬ、切削の際に被切削物に対して垂直方向に加わる力をＦとすると、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ３′は、
ｔ３′＝（Ｆ×Ｌ）／Ｅ
となる。
【０２６１】
樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ３′は、０〜１００ｎｍの範囲で適宜設定すればよい。
【０２６２】
樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ３′を、０〜１００ｎｍとするのは、以下のような理由によるものである。
【０２６３】
即ち、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ３′が１００ｎｍより大きい場合には、上述したように、後工程で行われる熱処理により樹脂層３３ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さが、電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さより高い状態のままとなってしまい、電極２２と電極２４とを接続することができない。
【０２６４】
一方、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ３′が０ｎｍより小さい場合には、後工程における熱処理において、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとが互いに確実に接着される前に、樹脂層３３ｂ及び樹脂層４３ｂが収縮してしまい、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを確実に接着することが困難である。
【０２６５】
このような理由により、樹脂層３３ｂの一の面（半導体基板１２に形成される樹脂層４３ｂに対向する面）の高さと電極２２の一の面（半導体基板１２に形成される電極２４に対向する面）の高さとの差ｔ３′は、０〜１００ｎｍとすることが重要である。
【０２６６】
また、樹脂層３３ｂの上層部及び電極２２の上部を切削する際には、樹脂層３３ｂの表面における十点平均粗さＲｚが、０．１μｍ以下となるように切削することが重要である。
【０２６７】
樹脂層３３ｂの表面における十点平均粗さＲｚが０．１μｍ以下となるように、樹脂層３３ｂを切削するのは、樹脂層３３ｂの表面における十点平均粗さＲｚが０．１μｍより大きい場合には、後工程において樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを接着させるのが容易でないためである。
【０２６８】
従って、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを確実に接着させるためには、樹脂層３３ｂの表面における十点平均粗さＲｚが０．１μｍ以下となるように、樹脂層３３ｂを切削することが極めて重要である。
【０２６９】
尚、切削を行う際に電極２２にバリが生じると、隣接或いは近接する電極２２どうしがバリによって短絡してしまう虞がある。
【０２７０】
従って、切削を行う際に電極２２にバリが生じないよう、切削条件を適宜設定することが望ましい。
【０２７１】
こうして、電極２２の上部及び樹脂層３３ｂの上層部が切削される（図２５参照）。
【０２７２】
なお、回路基板１０を固定し、バイト５８を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させて切削処理することも可能である（図示せず）。
【０２７３】
次に、図１６（ａ）に示すように、半導体基板１２を、超精密旋盤５４のチャックテーブル５６上に、真空吸着により固定する。図２６（ａ）は、半導体基板を超精密旋盤に固定した状態を示す斜視図である。
【０２７４】
半導体基板１２をチャックテーブル５６上に固定する際には、半導体基板１２の裏面側、即ち、電極２４等が形成されていない側の面をチャックテーブル５６に固定する。なお、半導体基板１２をチャックテーブル５６上に固定する際には、ピンチャック（図示せず）を用いることが好ましい。
【０２７５】
次に、図２６（ｂ）に示すように、半導体基板１２を回転させながら、ダイヤモンドよりなるバイト５８を用いて、電極２４の上部及び樹脂層４３ｂの上層部を切削する。この際、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さが、半導体基板１２の一方の主面（回路基板１０に対向する面）から５μｍ程度の高さになるまで荒切削を行う。
【０２７６】
電極２４の上部及び樹脂層４３ｂの上層部を荒切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。
【０２７７】
バイト５８のすくい角を例えば０度とする。
【０２７８】
チャックテーブル５６の回転数は、例えば２０００ｒｐｍ程度とする。この場合、切削速度は、例えば２０ｍ／秒程度となる。
【０２７９】
バイト５８の切り込み量は、例えば２〜３μｍ程度とする。
【０２８０】
そして、バイト５８の送りは、例えば２０μｍ／回転とする。
【０２８１】
切削を行う前における樹脂層４３ｂの厚さは例えば１０μｍ程度であるのに対し、バイト５８の切り込み量は例えば２〜３μｍ程度である。樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さが、半導体基板１２の一方の主面（回路基板１０に対向する面）から５μｍ程度の高さになるまで切削する場合には、樹脂層４３ｂのうちの切削される部分の厚さは、バイト５８の切り込み量より大きい。このため、樹脂層４３ｂの上層部を複数回に亘って切削することにより、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さを、半導体基板１２の一方の主面（回路基板１０に対向する面）から５μｍ程度の高さにする。
【０２８２】
電極２４の上部及び樹脂層４３ｂの上層部をバイト５８により切削する際には、電極２４や樹脂層４３ｂに対して、ある程度大きな力がバイト５８により加えられる。樹脂層４３ｂの上層部が切削されている際には、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）に対して水平な方向のみならず、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）に対して垂直な方向にも力が加わる。このため、樹脂層４３ｂはある程度圧縮変形した状態で切削されることとなる。切削の際にバイト５８により圧縮変形していた樹脂層４３ｂは、切削後には、ある程度回復することとなる。一方、電極２４は、Ｃｕ等の金属より成るものであるため、切削の際には殆ど圧縮変形しない。このため、切削後における樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さは、切削後における電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さより高くなる。
【０２８３】
荒切削を行った直後においては、図２７（ａ）及び図２７（ｂ）に示すように、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ４が、数百ｎｍ程度と比較的大きくなっている。
【０２８４】
なお、図２７（ｂ）は、図２７（ａ）において丸で囲んだ部分を拡大した断面図である。
【０２８５】
樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ４がこのように比較的大きい場合には、後工程で行われる熱処理により樹脂層４３ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さが、電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さより高い状態のままとなってしまい、電極２２と電極２４とを接続することができない。
【０２８６】
このため、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ４が適度な値になるよう、荒切削に引き続いて、仕上げ切削を行う（図２７（ｃ）参照）。
【０２８７】
電極２４の上部及び樹脂層４３ｂの上層部を仕上げ切削する際の条件は、例えば以下の通りとする。
【０２８８】
仕上げ研磨におけるバイト５８のすくい角、チャックテーブル５６の回転数、及びバイト５８の送りについては、樹脂層４３ｂを荒切削する際の条件と同様とする。仕上げ切削は、荒切削に引き続いて行うため、これらの設定を敢えて変更する必要はない。
【０２８９】
バイト５８の切り込み量は、例えば０ｎｍとする。バイト５８の切り込み量をこのように小さく設定するのは、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ４を、適度に小さくするためである。
【０２９０】
なお、バイト５８の切り込み量は０ｎｍに限定されるものではない。例えば、バイト５８の切り込み量を１０〜１００ｎｍ程度に設定してもよい。
【０２９１】
仕上げ切削を行っても、図２８に示すように、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ４′は、ゼロにはならない。仕上げ切削の際にも樹脂層４３ｂがある程度圧縮変形し、仕上げ切削の際に圧縮変形していた樹脂層４３ｂが切削後においてある程度回復するためである。
【０２９２】
なお、図２８（ｂ）は、図２８（ａ）において丸で囲んだ部分を拡大した断面図である。
【０２９３】
被切削物の圧縮弾性率をＥ、被切削物の厚さをＬ、切削の際に被切削物に対して垂直方向に加わる力をＦとすると、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ４′は、
ｔ４′＝（Ｆ×Ｌ）／Ｅ
となる。
【０２９４】
樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ４′は、０〜１００ｎｍの範囲に適宜設定すればよい。
【０２９５】
樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ４′を、０〜１００ｎｍとするのは、以下のような理由によるものである。
【０２９６】
即ち、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ４′が１００ｎｍより大きい場合には、上述したように、後工程で行われる熱処理により樹脂層４３ｂを硬化・収縮させたとしても、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さが、電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さより高い状態のままとなってしまい、電極２２と電極２４とを接続することができない。
【０２９７】
一方、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ４′が０ｎｍより小さい場合には、後工程における熱処理において、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとが互いに確実に接着される前に、樹脂層３３ｂ及び樹脂層４３ｂが収縮してしまい、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを確実に接着することが困難である。
【０２９８】
このような理由により、樹脂層４３ｂの一の面（回路基板１０に形成される樹脂層３３ｂに対向する面）の高さと電極２４の一の面（回路基板１０に形成される電極２２に対向する面）の高さとの差ｔ４′は、０〜１００ｎｍとすることが重要である。
【０２９９】
また、樹脂層４３ｂの上層部及び電極２４の上部を切削する際には、樹脂層４３ｂの表面における十点平均粗さＲｚが、０．１μｍ以下となるように切削することが重要である。
【０３００】
樹脂層４３ｂの表面における十点平均粗さＲｚが０．１μｍ以下となるように、樹脂層４３ｂを切削するのは、樹脂層４３ｂの表面における十点平均粗さＲｚが０．１μｍより大きい場合には、後工程において樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを接着させるのが容易でないためである。
【０３０１】
樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとを確実に接着させるためには、樹脂層４３ｂの表面における十点平均粗さＲｚが０．１μｍ以下となるように、樹脂層４３ｂを切削することが極めて重要である。
【０３０２】
尚、切削を行う際に電極２４にバリが生じると、隣接或いは近接する電極２４どうしがバリによって短絡してしまう虞がある。
【０３０３】
従って、切削を行う際に電極２４にバリが生じないよう、切削条件を適宜設定することが望ましい。
【０３０４】
こうして、電極２４の上部及び樹脂層４３ｂの上層部が切削される（図２８参照）。
【０３０５】
なお、半導体基板１２を固定し、バイト５８を取り付けたフォイール（図示せず）を回転させて切削処理することも可能である（図示せず）。
【０３０６】
次に、ダイヤモンド粒子等を結合材で固めて形成した薄刃のブレードを用いて、回路基板１０を所定のサイズに切断する（図示せず）。
【０３０７】
また、ダイヤモンド粒子等を結合材で固めて形成した薄刃のブレードを用いて、半導体基板１２を、チップサイズに切断する（図示せず）。
【０３０８】
次に、図２９に示すように、半導体基板１２と回路基板１０とを対向させる。この際、半導体基板１２側の電極２４と回路基板１０側の電極２２とが互いに対向するように、半導体基板１２と回路基板１０とを対向させる。なお、図２９（ｂ）は、図２９（ａ）において丸で囲んだ部分を拡大した断面図である。
【０３０９】
次に、回路基板１０と半導体基板１２との間に外部から圧力を加え、半導体基板１２側の電極２４と回路基板１０側の電極２２とを互いに密着させ、半導体基板１２側の樹脂層４３ｂと回路基板１０側の樹脂層３３ｂとを密着させた状態で、熱処理を行う（図３０参照）。熱処理の際には、例えばオーブン（熱処理装置）を用いる。熱処理温度は、例えば４００〜４５０℃程度とする。熱処理時間は、例えば１時間程度とする。圧力は、例えば１０ｋＰａ程度とする。このような条件で熱処理を行うと、樹脂層３３ｂと樹脂層４３とが互いに確実に接着される。また、樹脂層３３ｂと樹脂層４３とは、それぞれ収縮する。樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂとが互いに接着されるとともに、樹脂層３３ｂ及び樹脂層４３ｂがそれぞれ収縮するため、樹脂層３３ｂ及び樹脂層４３ｂの収縮に起因して、電極２２と電極２４とが互いに密着する。そして、半硬化状態の樹脂層３３ｂ、４３ｂが、完全硬化状態の樹脂層３３、４３になる。完全硬化状態になった樹脂層３３、４３は十分に収縮しているため、圧力を加えるのを止めても、電極２２と電極２４とが離れてしまうことはない。
【０３１０】
樹脂層３３、４３の収縮に起因して、電極２２と電極２４とが互いに密着するため、回路基板１０と半導体基板１２との間に外部から大きな圧力を加えることを要しない。このため、例えば半導体基板１２側に脆い層間絶縁膜が形成されていたとしても、かかる脆い層間絶縁膜にダメージを与えることなく、電極２２と電極２４とを互いに接合することが可能である。
【０３１１】
なお、ここでは、熱処理温度を４００〜４５０℃、熱処理時間を１時間に設定する場合を例に説明したが、熱処理温度及び熱処理時間は、これに限定されるものではない。熱処理温度を高めに設定する場合には、熱処理時間は短めでもよい。また、熱処理時間を低めに設定する場合には、熱処理時間は長めに設定すればよい。
【０３１２】
但し、熱処理温度を高めに設定した場合には、樹脂層３３、４３の膜質が必ずしも良好な膜質とはならない場合がある。また、熱処理温度を低めに設定した場合には、熱処理に長時間を要してしまう。樹脂層３３、４３の膜質やスループット等を考慮した場合には、熱処理温度を４００〜４５０℃程度、熱処理時間を１時間程度とすることが好ましい。
【０３１３】
また、ここでは、回路基板１０及び半導体基板１２に加える圧力を１０ｋＰａ程度に設定する場合を例に説明したが、回路基板１０及び半導体基板１２に加える圧力は１０ｋＰａ程度に限定されるものではない。例えば、１ｋＰａ〜１００ｋＰａ程度の範囲で適宜設定するようにしてもよい。
【０３１４】
次に、外部接続電極１８の一の面（半導体基板１２に対向する面とは反対側の面）に、例えばＳｎ系はんだよりなる半田バンプ３４を形成する。（図１９参照）
こうして、本実施形態による電子装置が製造される。
【０３１５】
本実施形態による電子装置の製造方法は、樹脂層３３ｂ及び樹脂層４３ｂの材料として、ポリアリルエーテル系樹脂が用いられていることに主な特徴の一つがある。
【０３１６】
ポリアリルエーテル系樹脂は、上述したように、水やアルコール等の副生成物を生ずることなく硬化する熱硬化性樹脂である。このため、本実施形態によっても、樹脂層３３ｂ、４３ｂ中に空孔が生じるのを防止しつつ、半硬化状態の樹脂層３３ｂ、４３ｂを完全硬化状態の樹脂層３３、４３にすることができる。本実施形態によれば、空孔によって樹脂層３３ｂ、４３ｂの体積が大きくなってしまうことがないため、樹脂層３３ｂ、４３ｂを確実に収縮させることができる。このため、本実施形態によれば、樹脂層３３ｂ、４３ｂの収縮に起因して電極２２と電極２４とを確実に接続することができる。本実施形態によれば、樹脂層３３ｂと樹脂層４３ｂの収縮に起因して電極２２と電極２４とが接続するため、外部から過度に大きい圧力を加えることなく、電極２２と電極２４とを接合することができる。従って、例えば半導体基板１２側に脆い層間絶縁膜が形成されていたとしても、かかる脆い層間絶縁膜にダメージを与えることなく、電極２２と電極２４とを確実に接合することができる。従って、本実施形態によっても、信頼性を損ねることなく電極２２と電極２４とが確実に接合された電子装置を提供することができる。
【０３１７】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０３１８】
例えば、上記実施形態では、回路基板１０を所定のサイズに切断し、半導体基板１２をチップサイズに切断した後に、回路基板１０と半導体基板１２とを重ね合わせる場合を例に説明したが、回路基板１０と半導体基板１２とを重ね合わせる前に、必ずしも回路基板１０と半導体基板１２とを切断しなくてもよい。例えば、回路基板１０と半導体基板１２の両方を切断しない状態で回路基板１０と半導体基板１２とを重ね合わせてもよい。また、半導体基板１２のみをチップサイズに切断し、回路基板１０と半導体基板１２とを重ね合わせてもよい。
【０３１９】
また、上記実施形態では、半硬化状態の第１の樹脂層と半硬化状態の第２の樹脂層とを接着する場合を例に説明したが、互いに接着する樹脂層のうちの少なくとも一方が完全硬化状態であってもよい。例えば、完全硬化状態の第１の樹脂層と半硬化状態の第２の樹脂層とを接着することも可能である。この場合、第１の樹脂層を熱処理して完全硬化状態にした後に、完全硬化状態の第１の樹脂層をバイトにより切削することが好ましい。第１の樹脂層をバイトにより切削した後に第１の樹脂層を完全硬化させた場合には、第１の樹脂層が著しく収縮してしまい、後工程において第１の樹脂層と第２の樹脂層とを接触させることができず、ひいては、第１の樹脂層と第２の樹脂層とを接着することができなくなるためである。また、半硬化状態の第１の樹脂層と完全硬化状態の第２の樹脂層とを接着することも可能である。この場合、第２の樹脂層を熱処理して完全硬化状態にした後に、完全硬化状態の第２の樹脂層をバイトにより切削することが好ましい。第２の樹脂層をバイトにより切削した後に第２の樹脂層を完全硬化させた場合には、第２の樹脂層が著しく収縮してしまい、後工程において第１の樹脂層と第２の樹脂層とを接触させることができず、ひいては、第１の樹脂層と第２の樹脂層とを接着することができなくなるためである。なお、第１の樹脂層と第２の樹脂層とを確実に接着させて十分な歩留りを確保する観点からは、半硬化状態の第１の樹脂層と半硬化状態の第２の樹脂層とを接着することが好ましい。半硬化状態の樹脂層は互いに接着し易いためである。
【０３２０】
以上詳述したように、本発明の特徴をまとめると以下のようになる。
（付記１）
第１の基板と、
前記第１の基板の一方の主面に形成された第１の電極と、
前記第１の基板の前記一方の主面に、前記第１の電極を埋め込むように形成された熱硬化性樹脂より成る第１の樹脂層と、
前記第１の基板の前記一方の主面に対向して配設された第２の基板と、
前記第１の基板に対向する前記第２の基板における一方の主面に、前記第１の電極に対応して形成され、且つ、前記第１の電極に接合された第２の電極と、
前記第２の基板の前記一方の主面に、前記第２の電極を埋め込むように形成された熱硬化性樹脂より成り、且つ、前記第１の樹脂層に接着された熱硬化性の第２の樹脂層と
を有することを特徴とする電子装置。
（付記２）
付記１記載の電子装置において、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層が、副生成物を生じない
ことを特徴とする電子装置。
（付記３）
付記２記載の電子装置において、
前記副生成物は、水、アルコール、有機酸又は窒化物より成る
ことを特徴とする電子装置。
（付記４）
付記１乃至３のいずれかに記載の電子装置において、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層は、ベンゾシクロブテンを主成分とする樹脂より成る
ことを特徴とする電子装置。
（付記５）
付記１乃至３のいずれかに記載の電子装置において、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層は、ポリアリルエーテルを主成分とする樹脂より成る
ことを特徴とする電子装置。
（付記６）
第１の基板の一方の主面上に第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極を埋め込むように、前記第１の基板の前記一方の主面上に、熱硬化性樹脂より成る第１の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
第２の基板の一方の主面上に、前記第１の電極に対応するように第２の電極を形成する工程と、
前記第２の電極を埋め込むように、前記第２の基板の前記一方の主面上に、熱硬化性樹脂より成る第２の樹脂層を形成する工程と、
前記第２の電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程と、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とを互いに密着させた状態で熱処理を行い、前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層を互いに接着させるとともに、前記第１の樹脂層又は前記第２の樹脂層を収縮させることにより、前記第１の電極と前記第２の電極とを互いに接合する接合工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記７）
付記６記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層を形成する工程では、副生成物を生じることなく硬化する熱硬化性樹脂より成る前記第１の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層を形成する工程では、副生成物を生じることなく硬化する熱硬化性樹脂より成る前記第２の樹脂層を形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記８）
付記７記載の電子装置の製造方法において、
前記副生成物は、水、アルコール、有機酸又は窒化物より成る
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記９）
付記６乃至８のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層は、ベンゾシクロブテンを主成分とする樹脂より成る
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記１０）
付記６乃至８のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層は、ポリアリルエーテルを主成分とする樹脂より成る
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記１１）
付記６乃至１０のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の樹脂層を形成する工程の後、前記第１の電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程の前に、前記第１の樹脂層を熱処理する第１の熱処理工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記１２）
付記１１記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の熱処理工程では、前記第１の樹脂層を半硬化させる
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記１３）
付記１２記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の熱処理工程では、前記第１の樹脂層における硬化率が４０〜８０％となるように熱処理を行う
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記１４）
付記１１乃至１３のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の熱処理工程では、前記樹脂層の材料の溶媒の沸点より高い温度で熱処理を行う
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記１５）
付記６乃至１４のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記第２の樹脂層を形成する工程の後、前記第２の電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程の前に、前記第２の樹脂層を熱処理する第２の熱処理工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記１６）
付記１５記載の電子装置の製造方法において、
前記第２の熱処理工程では、前記第２の樹脂層を半硬化させる
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記１７）
付記１６記載の電子装置の製造方法において、
前記第２の熱処理工程では、前記第２の樹脂層における硬化率が４０〜８０％となるように熱処理を行う
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記１８）
付記１５乃至１７のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の熱処理工程では、前記樹脂層の材料の溶媒の沸点より高い温度で熱処理を行う
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記１９）
付記６乃至１８のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程では、前記第１の樹脂層の上面が前記第１の電極の上面より０〜１００ｎｍ高くなるように、前記第１の電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部を切削する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記２０）
付記６乃至１９のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記第２の電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程では、前記第２の樹脂層の上面が前記第２の電極の上面より０〜１００ｎｍ高くなるように、前記第２の電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部を切削する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記２１）
付記６乃至２０のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程では、前記第１の樹脂層の表面における十点平均粗さが０．１μｍ以下となるように、前記第１の電極の上部及び前記第１の樹脂層の上層部をバイトにより切削する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記２２）
付記６乃至２１のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記第２の電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する工程では、前記第２の樹脂層の表面における十点平均粗さが０．１μｍ以下となるように、前記第２の電極の上部及び前記第２の樹脂層の上層部をバイトにより切削する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０３２１】
【図１】本発明の第１実施形態による電子装置を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図３】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図４】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図５】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その４）である。
【図６】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その５）である。
【図７】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その６）である。
【図８】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その７）である。
【図９】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その８）である。
【図１０】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その９）である。
【図１１】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その１０）である。
【図１２】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その１１）である。
【図１３】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その１２）である。
【図１４】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その１３）である。
【図１５】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その１４）である。
【図１６】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その１５）である。
【図１７】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その１６）である。
【図１８】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その１７）である。
【図１９】本発明の第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その１８）である。
【図２０】本発明の第２実施形態による電子装置を示す断面図である。
【図２１】本発明の第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その１）である。
【図２２】本発明の第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その２）である。
【図２３】本発明の第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その３）である。
【図２４】本発明の第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その４）である。
【図２５】本発明の第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その５）である。
【図２６】本発明の第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その６）である。
【図２７】本発明の第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その７）である。
【図２８】本発明の第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その８）である。
【図２９】本発明の第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その９）である。
【図３０】本発明の第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その１０）である。
【図３１】本発明の第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程図（その１１）である。
【符号の説明】
【０３２２】
１０…回路基板
１２…半導体基板
１４…貫通孔
１６…ビア
１８…外部接続電極
２０…配線
２２…電極
２４…電極
２６…Ｃｕ膜
２８…Ｎｉ膜
３０…Ａｕ膜
３２…樹脂層
３３…樹脂層
３４…半田バンプ
３６…配線
３７…パッシベーション膜
３８…コンタクトホール
４０…積層膜
４２…樹脂層
４３…樹脂層
４４…第１のフォトレジスト膜
４６…開口部
４８…第２のフォトレジスト膜
５０…フォトレジスト膜
５２…開口部
５４…超精密旋盤
５６…チャックテーブル
５８…バイト
【図１】
2006261510.tif 000003
【図２】
2006261510.tif 000004
【図３】
2006261510.tif 000005
【図４】
2006261510.tif 000006
【図５】
2006261510.tif 000007
【図６】
2006261510.tif 000008
【図７】
2006261510.tif 000009
【図８】
2006261510.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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