(57)【要約】【課題】放熱特性の優れた発光ダイオードパッケージを容易に製造することができる方法を提供する。【解決手段】本発明による発光ダイオードパッケージの製造方法は、光反射面が形成された溝を有する金属性パッケージ基板を形成する工程と、上記パッケージ基板を選択的に陽極酸化することにより、上記パッケージ基板を２つのパッケージ電極に分離する工程と、上記溝底部上にＬＥＤ素子を実装する工程とを備える。好ましくは、上記パッケージ基板はアルミニウム基板またはアルミニウムを主成分とする金属基板である。【選択図】図３
2006310753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光反射面が形成された溝を有する、金属製のパッケージ基板を形成する工程と、
前記パッケージ基板を選択的に陽極酸化することにより、前記パッケージ基板を２つのパッケージ電極に分離する工程と、
前記溝の底部上にＬＥＤ素子を実装する工程と、
を備えることを特徴とする発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記パッケージ基板は、アルミニウム、もしくはアルミニウムを主成分とする金属材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項３】
前記溝を有するパッケージ基板を形成する工程は、
金属基板に溝形成用マスクパターンを形成する工程と、
前記溝形成用マスクパターンを用いて前記金属基板を選択的に陽極酸化することにより溝形成用陽極酸化膜を形成する工程と、
前記溝形成用陽極酸化膜を蝕刻して前記金属基板に前記溝を形成する工程と、
を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記溝形成用マスクパターンは、前記金属基板上面の所定領域を露出させ、前記金属基板下面を覆うよう形成されることを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項５】
前記溝を有するパッケージ基板を形成する工程は、
金属材料の射出成形またはプレス成形によって溝を有するパッケージ基板を成形する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記溝を有するパッケージ基板を形成する工程は、
金属基板上に蝕刻用マスクパターンを形成する工程と、
前記蝕刻用マスクパターンを使用して前記金属基板を選択的に蝕刻することにより、上記金属基板に溝を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。 
【請求項７】
前記パッケージ電極を２つのパッケージ電極に分離する工程は、
前記パッケージ基板に電極分離用マスクパターンを形成する工程と、
前記電極分離用マスクパターンを使用して前記パッケージ基板を選択的に陽極酸化することにより、前記パッケージ基板に電極分離用酸化膜を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項８】
前記電極分離用マスクパターンは、前記パッケージ基板下面の所定領域を露出させ前記パッケージ基板の上面を覆うよう形成されることを特徴とする請求項７に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項９】
前記ＬＥＤ素子を実装する工程は、
前記ＬＥＤ素子をダイボンディングによって前記溝の底部の一方のパッケージ電極に連結する工程と、
前記ＬＥＤ素子をワイヤボンディングによって上記溝の底部の他方のパッケージ電極に連結する工程と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記ＬＥＤ素子を実装する工程は、
上記ＬＥＤ素子を前記２つのパッケージ電極にそれぞれワイヤボンディングによって連結する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記ＬＥＤ素子を実装する工程は、
前記ＬＥＤ素子を前記溝底部の前記パッケージ電極上にフリップチップボンディングする工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。 
【請求項１２】
前記ＬＥＤ素子を実装する前に、前記溝の側面に反射用金属膜を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。 
【請求項１３】
前記反射用金属膜は金、銀、チタン、又はアルミニウムからなることを特徴とする請求項１２に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記ＬＥＤ素子を実装する前に、前記ＬＥＤ素子のボンディングのために前記溝底部を金、銀またはアルミニウムで表面処理する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記ＬＥＤ素子を実装する前に、前記パッケージ基板の底部に前記ＬＥＤ パッケージ実装のための金メッキ、或は銀メッキの表面処理を施す工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記ＬＥＤ素子を実装した後に、前記パッケージ基板の上面に光学素子を接合する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１７】
光反射面が形成された多数の溝を有するパッケージ基板を用意する工程と、
前記パッケージ基板を選択的に陽極酸化することにより、前記パッケージ基板を個別パッケージ電極に分離する工程と、
前記多数の溝底部それぞれにＬＥＤ素子を実装する工程と、
を備えることを特徴とする発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１８】
前記パッケージ基板上に光学素子を接合させる工程をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１９】
前記パッケージ基板を個別ＬＥＤパッケージに切断する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光ダイオードパッケージの製造方法に関するもので、特に熱放出特性が優れ、大量生産に適した発光ダイオードパッケージの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＰなどの化合物半導体材料を用いて発光ダイオード(Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ; ＬＥＤ) 素子が開発されて多様な色の発光原が具現できるようになった。ＬＥＤ製品の特性を決める要素には色、輝度及び光変換効率などがある。このようなＬＥＤ製品の特性は、１次的にはＬＥＤ素子に用いられている化合物半導体材料とその構造によって決まるが、２次的な要素にはＬＥＤ素子を実装するためのパッケージの構造によっても大きな影響を受ける。使用者要求に応ずる発光效果を得るためにはＬＥＤ素子の材料または構造などの１次的な要素以外にも、ＬＥＤパッケージの構造及びそれに用いられる材料なども改善する必要がある。
【０００３】
ＬＥＤ素子の使用範囲が室内外の照明、自動車ヘッドライト、ディスプレイ装置のバックライトユニット(ｂａｃｋｌｉｇｈｔ ｕｎｉｔ) など様々な分野に拡がることにより、高効率及び高い熱放出特性が必要になっている。ＬＥＤ素子に発生される熱がＬＥＤパッケージで効果的に放出されることができないと、ＬＥＤ素子の温度が高くなりＬＥＤ素子の特性が劣化され、素子の寿命が短くなる。従って、高出力ＬＥＤパッケージにおいて、ＬＥＤ素子から発生される熱を效果的に放出させようとする要望が高まっている。ＬＥＤパッケージの放熱特性を改善するため、狭いスリットによって分離された金属基板をＬＥＤパッケージ基板に使用する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、狭いスリットによって分離されたパッケージ基板と光反射部(ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ)を一体に製造する技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
図１６は、従来のＬＥＤパッケージ１０の概略的な構造を示す断面図である。図１６に示すように、ＬＥＤパッケージ１０は、金属で形成されたパッケージ基板１を備える。パッケージ基板１に形成されたスリット６にはエポキシ樹脂などの絶縁部材２が充填されており、パッケージ基板１は２つのパッケージ電極(１ａ、１ｂ)に分離される。パッケージ基板１には溝３が形成されており、ＬＥＤ素子７が溝３底部のパッケージ電極面にフリップチップボンディングされている。ＬＥＤ素子７と溝３底部の間にはアンダーフィル樹脂４が満たされている。パッケージ基板１上面にはガラス平板よりなるカバー板９が接着されている。溝３の側面は反射面１ｃを形成する。この反射面１ｃは横方向（側面に向けた方向）へ進行するＬＥＤ光を上方に反射させる。
【０００５】
図１７〜図２０は、図１６のＬＥＤパッケージの製造方法を説明するための断面図である。先ず、図１７に示すように、金属材料の射出成形またはプレス成形を通じて溝３による反射面１ｃを有するパッケージ基板１を形成する。その後、パッケージ基板１を２つのパッケージ電極(１ａ、１ｂ)に分離させるスリット６を形成する(図１８参照)。この際、スリット６はプレストリミング加工などの機械加工、或はレーザー加工により形成する。その後、スリット６にエポキシ樹脂などの絶縁部材２を充填させ、ＬＥＤ素子７をフリップチップボンディングによって溝３底部の両電極(１ａ、１ｂ)上に実装する(図１９参照)。この際、ＬＥＤ素子７と溝３底部との間にアンダーフィル樹脂を充填させる。次に、パッケージ基板１上面にガラス平板などでなるカバー板９を接合し、ＬＥＤパッケージを得る(図２０参照)。
【０００６】
このように、パッケージ基板１自体を金属で製造することにより、ＬＥＤ素子７から放出される熱を效果的に放出させることが可能になる。しかし、前記ＬＥＤパッケージ１０を製造するためには、狭いスリット６によってパッケージ基板１を分離するよう金属基板(パッケージ基板)を精密に加工しなければならず、狭いスリット６内に絶縁部材２を完全に満たさなければならない。しかし、機械加工やレーザー加工により、金属基板に狭いスリット６を形成するのは非常に難しい。これによって、製品不良率が大きく製造歩留まりが低くなる。
【特許文献１】２００３-１６３３７８号公報
【特許文献２】２００３-１６３３７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記の問題点を解決するためのものであって、本発明の目的は熱放出特性の優れたＬＥＤパッケージを容易かつ精密に製造することのできるＬＥＤパッケージの製造方法を提供することである。  
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために、本発明のＬＥＤパッケージ製造方法は、光反射面が形成された溝を有する、金属製のパッケージ基板を形成する工程と、前記パッケージ基板を選択的に陽極酸化することにより、前記パッケージ基板を２つのパッケージ電極に分離する工程と、前記溝の底部上にＬＥＤ素子を実装する工程と、を備えることを要旨とする。
【０００９】
本発明では、上記溝を有する、金属製のパッケージ基板を形成する工程は、金属基板に溝形成用マスクパターンを形成する工程と、上記溝形成用マスクパターンを使用して上記金属基板を選択的に陽極酸化することにより溝形成用陽極酸化膜を形成する工程と、上記溝形成用陽極酸化膜を蝕刻して上記金属基板に溝を形成する工程とを備える。上記溝形成用マスクパターンは、上記金属基板上面の所定領域を露出させ上記金属基板の下面を覆うよう形成されることが可能である。この場合、上記金属基板上面の所定領域は溝形成用陽極酸化膜が形成される領域に該当する。
【００１０】
また、本発明は、上記溝を有するパッケージ基板を形成する工程は、金属材料の射出成形またはプレス成形によって溝を有するパッケージ基板を成形する工程を備える。
【００１１】
さらに、本発明は、上記溝を有するパッケージ基板を形成する工程は、金属基板上に蝕刻マスクパターンを形成する工程と、上記蝕刻マスクパターンを使用して上記金属基板を選択的に蝕刻することにより、上記金属基板に溝を形成する工程を備える。
【００１２】
本発明では、上記パッケージ基板を２つのパッケージ電極に分離する工程は、上記パッケージ基板に電極分離用マスクパターンを形成する工程と、上記電極分離用マスクパターンを使用して上記パッケージ基板を選択的に陽極酸化することにより、上記パッケージ基板に電極分離用酸化膜を形成する工程を備える。上記電極分離用マスクパターンは、上記パッケージ基板下面の所定領域を露出させ上記パッケージ基板上面を覆うよう形成され得る。この場合、上記パッケージ基板下面の所定領域は電極分離用酸化膜が形成される領域に該当する。
【００１３】
本発明においては、上記ＬＥＤ素子を実装する工程は、ダイボンディングによって上記ＬＥＤ素子を上記溝底部の一方のパッケージ電極に連結する工程と、ワイヤボンディングによって上記ＬＥＤ素子を上記溝底部の他のパッケージ電極に連結する工程を備える。
【００１４】
本発明においては、上記ＬＥＤ素子を実装する工程として、２つのワイヤボンディングによって上記ＬＥＤ素子を上記２つのパッケージ電極に連結する工程を備える構成であってもよい。
【００１５】
また、本発明では、上記ＬＥＤ素子を実装する工程は、上記ＬＥＤ素子を上記溝底部のパッケージ電極上にフリップチップボンディングする工程を備えるものであってもよい。
【００１６】
さらに、本発明では、上記ＬＥＤ素子を実装する前に、上記溝の側面には反射用金属膜を形成する。例えば、メッキまたは蒸着によって上記溝の側面に金、銀、チタンまたはアルミニウムなどからなる金属膜をコーティングすることにより、上記溝の側面に高反射率を有する光反射面を形成することが可能である。
【００１７】
また、本発明では、上記ＬＥＤ素子を実装する前に、ＬＥＤ素子のボンディングのために上記溝の底部を金、銀またはアルミニウムで表面処理する工程をさらに備えてもよい。例えば、上記溝の底部は銀メッキなどのメッキ処理が施されたり、銀を含んだインクを用いたインクジェットプリント方式で表面処理が施されることが可能である。このような溝底部の表面処理によってＬＥＤ素子のボンディングに適した表面を得ることが可能になる。
【００１８】
さらに、本発明では、上記ＬＥＤ素子を実装する前に、上記パッケージ基板の底部には上記ＬＥＤパッケージの実装のための金メッキまたは銀メッキの表面処理をする工程をさらに備えてもよい。このようなパッケージ基板底部の表面処理によって、ＬＥＤパッケージを実装するのに適した表面を得ることが可能になる。
【００１９】
本発明では、上記ＬＥＤ素子を実装した後に、上記パッケージ基板の上面にガラス平板や凸レンズまたは凹レンズなどの光学素子を接合することが可能である。このような光学素子はＬＥＤ素子を密封するカバー板の役目を果たせる。
【００２０】
本発明によるＬＥＤパッケージの製造方法は、パッケージアレイ(ｐａｃｋａｇｅ  ａｒｒａｙ)の形態で多数のＬＥＤパッケージを同時に製造するのに容易に適用されることが可能である。すなわち、ウェーハレベルの金属基板を用いて、多数のＬＥＤパッケージが配列されているＬＥＤパッケージアレイを得ることが可能である。このＬＥＤパッケージアレイを個別ＬＥＤパッケージに切断することにより多数の個別ＬＥＤパッケージを同時に得ることもできる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、選択的陽極酸化により金属性パッケージ基板を２つの電極に分離することで、熱放出特性の優れたＬＥＤパッケージを容易に製造することが可能になる。また、本発明によるＬＥＤパッケージの製造工程は多数のＬＥＤパッケージを同時に製造するにも適する。従って、高品質のＬＥＤパッケージを低コストで大量生産することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。但し、図面は模式的なものであり、各材料層の厚みやその比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００２３】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１００を示す断面図であり、図２は上記ＬＥＤパッケージ１００の平面図である。 図１ 及び図２を参照すれば、ＬＥＤパッケージ１００は垂直構造のＬＥＤ素子１０７と金属製のパッケージ基板１０１を備える。上記パッケージ基板１０１はアルミニウム基板またはアルミニウムを主成分とする金属基板である。パッケージ基板１０１には、ＬＥＤ素子の実装空間と光反射面を提供する溝１０３が形成されている。従って、上記ＬＥＤパッケージ１００では、光反射部と基板部(サブマウント部)が一体を成している。上記溝１０３の側面には金、銀またはアルミニウムなどの光反射用金属膜がコーティングされており、上記溝１０３の側面は高反射率の反射面１０１ｃを成す。
【００２４】
パッケージ基板１０１は、Ａｌ２Ｏ３でなる電極分離用陽極酸化膜１０２によって２つのパッケージ電極(１０１ａ、１０１ｂ)に分割されている。ＬＥＤ素子１０７は、上記分割された２つのパッケージ電極(１０１ａ、１０１ｂ)のうちの一つの電極１０１ａにダイボンディングされ、他の電極１０１ｂにはワイヤ１０８を通してワイヤボンディングされている。パッケージ基板１０１の上面にはガラス平板、凹レンズ、凸レンズなどの光学素子が接合されている。
【００２５】
上記ＬＥＤパッケージ１００によれば、パッケージ基板１０１は全体的に金属より形成されているだけでなく光反射部と一体に形成されているので、上記ＬＥＤパッケージ１００は優れた熱放出特性を表す。また、後述するように、電極分離用スリット（図１６の図面符号６参照) なしで電極分離用陽極酸化膜１０２によってパッケージ電極の分離が行われるので、パッケージ１００の製造工程が非常に容易である。
【００２６】
図３は本発明の第２の実施の形態に係るＬＥＤパッケージ２００を示す断面図である。図３に示すＬＥＤパッケージ２００は、ＬＥＤ素子１０７'が２つのワイヤボンディング(１０８ａ、１０８ｂ)によってパッケージ電極(１０１ａ、１０１ｂ)に連結されるという点を除けば、図１に示すＬＥＤパッケージ１００と同じである。図３に示す上記ＬＥＤ素子１０７'は図１に示したＬＥＤ 素子１０７と違って水平構造のＬＥＤ素子に該当する。本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ２００における他の構成は、上記第１の実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１００と同様であるため、詳細な説明を省略する。 
図４は、本発明の第３の実施の形態に係るＬＥＤパッケージ３００を示す断面図である。図４に示すＬＥＤパッケージ３００は、ＬＥＤ素子１０７''がダイボンディングやワイヤボンディングの代りにフリップチップボンディングによってパッケージ電極(１０１ａ、１０１ｂ)に連結されるという点を除けば、図１に示したＬＥＤパッケージ１００と同じである。図４に示す上記ＬＥＤ素子１０７''は図１に示したＬＥＤ素子１０７と違って水平構造のＬＥＤ素子に該当する。本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ３００における他の構成は、上記第１の実施の形態と同様であるため詳細な説明を省略する。
【００２７】
以下、図５乃至図１２を参照して本発明の第１の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法を説明する。先ず、図５に示すように、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする金属材料よりなる金属基板１０１'を用意する。その後、上記金属基板１０１'に溝形成用マスクパターン(１２０、１２５)を形成する。このマスクパターン(１２０、１２５)は後述する選択的陽極酸化のためのマスクの機能を果たす。具体的に説明すれば、金属基板１０１'の上面に所定領域Ａを露出させるマスクパターン１２０を形成し、金属基板１０１'の下面を覆うマスクパターン１２５を形成する。上記所定領域ＡはＬＥＤ素子の実装空間となる溝が形成される領域に該当する。このマスクパターン(１２０、１２５)は、例えばフォトレジストまたはＴｉ、Ａｕなどの金属で形成することが可能である。
【００２８】
その後、図６に示すように、上記溝形成用マスクパターン(１２０、１２５)を用いて金属基板１０１'を選択的に陽極酸化させることにより、溝形成用陽極酸化膜１０３'を形成する。この陽極酸化膜１０３'はアルミニウムの陽極酸化によって形成されたＡｌ２Ｏ３からなっている。次に、図７に示すように、上記溝形成用陽極酸化膜１０３'をリン酸溶液などで蝕刻することで陽極酸化膜１０３'を取り除く。これによって、溝１０３を有するパッケージ基板１０１が得られる。
【００２９】
その後、図８に示すように、パッケージ基板１０１に電極分離用マスクパターン(１３０、１３５)を形成する。具体的に説明すれば、パッケージ基板１０１下面に所定領域Ｂを露出させるマスクパターン１３５を形成し、パッケージ基板１０１の上面を覆うマスクパターン１３０を形成する。上記所定領域Ｂは、パッケージ電極を分離する電極分離用陽極酸化膜が形成される領域に該当する。このマスクパターン(１３０、１３５)は溝形成用マスクパターン(１２０、１２５)と同様にフォトレジストまたはＴｉ、Ａｕなどの金属で形成することができる。
【００３０】
その後、図９に示すように、上記電極分離用マスクパターン(１３０、１３５)を利用してパッケージ基板１０１を選択的に陽極酸化させることにより、電極分離用酸化膜１０２を形成する。この電極分離用酸化膜１０２は絶縁体であるＡｌ２Ｏ３より成っているので、パッケージ基板１０１を２つの電極(１０１ａ、１０１ｂ)に分離する役目を果たす。
【００３１】
その後、図１０に示すように、ストリップ(ｓｔｒｉｐ)工程などによって上記電極分離用マスクパターン(１３０、１３５)を完全に取り除く。好ましくは、光反射面１０１ｃを成す溝１０３の側面に金、銀、チタンまたはアルミニウムなどの反射用金属膜をコーティングする。これによって光反射面１０１ｃの反射率を高めることができる。例えば、溝１０３側面に銀メッキをしたり、アルミニウム蒸着を行うことができる。また、後続のＬＥＤ素子のボンディングに適した表面を得るため、溝１０３の底部を金、銀、アルミニウムなどで表面処理することができる。例えば、溝底部１０３は金鍍金または銀メッキなどのメッキ法で表面処理されたり、銀またはアルミニウムを含んであるインクを用いたインクジェットプリント方式で表面処理され得る。
【００３２】
ＬＥＤパッケージを外部接続端子に実装するのに好適な表面を得るため、パッケージ基板１０１の底部を金メッキ、あるいは銀メッキで表面処理する。このような溝１０３の底部及びパッケージ基板１０１の底部の表面処理は同時に一括的に行われることができる。
【００３３】
その後、図１１に示すように、溝１０３の底部上に垂直構造ＬＥＤ素子１０７を実装する。具体的に説明すれば、溝１０３の底部の一方のパッケージ電極１０１ａ上にＬＥＤ素子１０７をダイボンディングすることにより、ＬＥＤ素子１０７の下部電極を上記電極１０１ａに連結する。この際、ダイボンディングは共融接合法を利用したり、導電性ペーストを利用して行われることができる。それから、ワイヤ１０８を通してＬＥＤ素子１０７を他方のパッケージ電極１０１ｂにワイヤボンディングする。これによって、ＬＥＤ素子１０７は陽電極(１０１ａ、１０１ｂ)に電気的に接続するようになる。 
このようなダイボンディング及びワイヤボンディングによるＬＥＤ素子の電極連結の他にも、例えば２つのワイヤボンディングを利用したり、フリップチップボンディングを利用してＬＥＤ素子の電極連結を具現することも可能である。すなわち、図５で説明したように、２つのワイヤボンディング(１０８ａ、１０８ｂ)を利用して水平構造ＬＥＤ１０７'の電極をパッケージ電極(１０１ａ、１０１ｂ)に連結させることが可能である(図５参照)。この場合、上記ＬＥＤ素子１０７'は非導電性ペーストを用いて溝１０３の底部にダイボンディングさせることが可能である。
【００３４】
また、図４で説明したように、水平構造ＬＥＤ素子１０７''の電極を溝１０３の底部に向かって配置させた後、予め備えられたバンプを通してＬＥＤ素子１０７''をパッケージ電極(１０１ａ、１０１ｂ)上にフリップチップボンディングさせることも可能である(図４参照)。
【００３５】
図１２に示すように、追加的にガラス平板、凸レンズ、凹レンズなどの光学素子１０９をパッケージ基板１０１の上面に接合させることも可能である。このような光学素子はＬＥＤ素子１０７を密封するカバー板の役目を果たす。しかし、本発明において光学素子１０９が必ず必要なものではない。
【００３６】
以上説明したように、上記実施の形態によれば、金属基板１０１から光反射部及び基板部(サブマウント部)を形成する。これによって、ＬＥＤパッケージの熱放出特性が非常に優れる。また、従来と違って電極分離用スリットを形成する必要がない。その代わりにマスクパターンを利用した選択的陽極酸化工程によってパッケージ基板１０１を２つの電極(１０１ａ、１０１ｂ)に分離する。そのため、従来に比べＬＥＤパッケージを製造することが非常に容易になる。
【００３７】
前述した実施の形態では、選択的陽極酸化によってパッケージ基板１０１に溝１０３を形成しているが、他の方法で溝１０３を形成することも可能である。例えば、金属材料の射出成形またはプレス成形によって溝１０３を有するパッケージ基板１０１を成形することも可能である。その他にも、金属基板に対する選択的蝕刻によっても溝１０３を形成することも可能である。
【００３８】
金属基板に対する選択的蝕刻工程により溝形成工程が図１４及び図１５に示している。先ず、図１４に示すように、金属基板１０１'上に溝が形成される領域を露出させるマスクパターン(蝕刻マスク)１４０を形成する。次に、図１５に示すように、マスクパターン１４０を利用して上記金属基板１０１'を選択的に蝕刻することにより、金属基板１０１'に溝１０３を形成する。これで、溝１０３を有するパッケージ基板１０１を得るようになる。その後には、図８ないし図１２を参照して説明したような工程を行うことにより、所望のＬＥＤパッケージを得るようになる。
【００３９】
上述した本発明のＬＥＤパッケージ製造方法は、ＬＥＤパッケージアレイの形態で多数のＬＥＤパッケージを同時に製造するのにそのまま適用され得る。図１３を参照すれば、ウェーハレベルの金属基板から反射面１０１ｃを有する多数の溝１０３を形成することでパッケージ基板１０１を得る。その後、選択的陽極酸化により電極分離用陽極酸化膜１０２を形成し、パッケージ基板１０１を個別パッケージ電極に分離する。それから、各々の溝１０３底部にＬＥＤ素子１０７を実装する。これによって、多数のＬＥＤパッケージが一体に連結され配列されたＬＥＤパッケージアレイ４００を得るようになる。追加的にパッケージアレイ全体４００を覆うカバー板または光学素子をパッケージ基板１０１の上面に接合することも可能である。
【００４０】
このようなＬＥＤパッケージアレイ４００は例えば、照明用またはＬＣＤ バックライトユニットに用いられることが可能である。また、切断線(Ａ、Ｂ)に沿って個別ＬＥＤパッケージに切断することにより、多数の個別ＬＥＤパッケージを同時に得ることも可能である。このように、本発明のＬＥＤパッケージ製造方法はＬＥＤパッケージアレイを製造するのに容易に用いられることができ、ＬＥＤパッケージアレイを大量生産するのに適する。
【００４１】
上述した実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの平面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法方法の工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法方法の工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法方法の工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法方法の工程を示す断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法方法の工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法方法の工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法方法の工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法方法の工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージアレイを示す断面図である。
【図１４】本発明の他の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１５】本発明の他の実施の形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１６】従来技術により製造された発光ダイオードパッケージの断面図である。
【図１７】従来の発光ダイオードパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】従来の発光ダイオードパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図１９】従来の発光ダイオードパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図２０】従来の発光ダイオードパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１００、２００、３００  発光ダイオードパッケージ
１０１    パッケージ基板
１０１ａ、１０１ｂ  パッケージ電極
１０１ｃ  光反射面
１０２  電極分離用陽極酸化膜
１０３  溝
１０７、１０７’、１０７”  ＬＥＤ素子
１０８、１０８ａ、１０８ｂ    ボンディングワイヤ
１０９  光学素子
４００  ＬＥＤパッケージアレイ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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