(57)【要約】【課題】  エッチング液の均一エッチング性を保持したまま導体回路の粗面化処理を行えるようにし、配線幅の維持とコスト低減を可能にするプリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】  絶縁樹脂層の片面又は両面に給電層を有する基板材料を準備する工程、給電層上にめっきレジストパターンを形成する工程、パターン電気めっきにより回路を形成する工程、めっきレジストパターンを剥離する工程、回路が形成された部分以外の給電層をエッチング液により除去する工程、を有するプリント配線板の製造方法であって、前記エッチング液が（Ａ）硫酸、（Ｂ）過酸化水素、（Ｃ）腐食抑制剤を含むエッチング液であるプリント配線板の製造方法。【選択図】  図１
2006210492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂層の片面又は両面に給電層を有する基板材料を準備する工程、給電層上にめっきレジストパターンを形成する工程、パターン電気めっきにより回路を形成する工程、めっきレジストパターンを剥離する工程、回路が形成された部分以外の給電層をエッチング液により除去する工程、を有するプリント配線板の製造方法であって、前記エッチング液が（Ａ）硫酸、（Ｂ）過酸化水素、（Ｃ）腐食抑制剤を含むエッチング液であるプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
（Ｃ）腐食抑制剤がアゾール化合物である請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
回路が形成された部分以外の給電層をエッチング液により除去する工程後の回路表面の粗化形状が、Ｒｚ（十点平均表面粗さ）≧２．０μｍである請求項１又は２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
給電層が銅層であり、かつ電気めっきが電気銅めっきである請求項１〜３いずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化・軽量化・高速化の要求が高まり、プリント配線板の高密度化が進んでおり、近年、電気めっきを用いたセミアディティブ法によるプリント配線板の製造方法が注目されている。このセミアディティブ法は、特開平１０−４２５４号公報にあるように回路を形成したい樹脂表面にレーザー等でＩＶＨとなる穴を形成した後に、化学粗化やプラズマ処理等により数μｍの凹凸を樹脂上に形成し、Ｐｄ触媒を付与し、１μｍ程度の無電解めっきを行い、パターン電気めっきレジストを形成し、パターン電気めっきにより回路形成を行った後にレジスト及び回路以外の部分に存在する給電層を除去する手法であり、サイドエッチングの大きいサブトラクティブ法に比べ、より微細な配線形成を可能とするものである。
【０００３】
さらに、樹脂付き金属箔上にセミアディティブ法により回路形成を行う方法もある。近年は金属箔の厚みを薄くするために、特開２００３−１５８３６４号公報にあるような支持金属箔上に５μｍ以下の厚みの金属箔が形成されている引き剥がし可能なタイプの金属箔が用いられる。この手法では、絶縁樹脂層の表面に無電解めっきを施す必要がなく、より信頼性の高いプリント配線板を作製できる。また、特開平７−２２１４４４号公報にあるようにポリイミドフィルムの片面に電子ビーム蒸着装置を用いて１μｍ程度の銅層を形成し、接着剤やプリプレグを介して内層回路に積層し、給電層とする方法もある。
【０００４】
給電層をエッチングする場合のエッチング液には特開２００３‐３２４２６５号公報、特開２００３‐１５８３６４号公報、特開２００３‐８６９３８号公報にあるように硫酸及び過酸化水素を主成分とするエッチング液を用いるのがよいとされている。上記エッチングと銅の反応は化学反応律速性が強いため、液あたりによるエッチング速度の差異が少なく、セミアディティブ法に向いている。回路形成後、更にビルドアップ法により導体回路上に絶縁層を形成する場合や導体回路上にソルダーレジストを形成する場合は導体回路表面を粗面化する必要がある。導体回路の粗面化が不十分であった場合、導体回路と絶縁層の接着性が不十分となり、後の接着性が低下する恐れがある。導体回路の粗面化処理には酸化、還元処理やエッチング処理が用いられることが多い。
【特許文献１】特開平１０−４２５４号公報
【特許文献２】特開２００３−１５８３６４号公報
【特許文献３】特開平７−２２１４４４号公報
【特許文献４】特開２００３‐３２４２６５号公報
【特許文献５】特開２００３‐８６９３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来はプリント配線板がそれ程微細ではなく、回路形成後に粗面化処理を行う余裕があった。しかしながら近年は配線のライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）が２０μｍ／２０μｍ以下の微細配線を有するプリント配線板が必要とされてきており、回路形成後に粗面化処理を行うと配線が設計値に比べて大幅に細くなってしまうといった不具合がある。また、回路形成時にエッチングを行い、更に導体回路の粗面化処理の為のエッチングを行うとコスト的にも芳しくない。
【０００６】
本発明は、上記の不具合を改善し、給電層のエッチングと同時に導体回路の粗面化処理が行えるようにすることを目的とする。即ちエッチング液の均一エッチング性を保持したまま導体回路の粗面化処理を行えるようにし、配線幅の維持とコスト低減を可能にするプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は以下の通りである。
（１）絶縁樹脂層の片面又は両面に給電層を有する基板材料を準備する工程、給電層上にめっきレジストパターンを形成する工程、パターン電気めっきにより回路を形成する工程、めっきレジストパターンを剥離する工程、回路が形成された部分以外の給電層をエッチング液により除去する工程、を有するプリント配線板の製造方法であって、前記エッチング液が（Ａ）硫酸、（Ｂ）過酸化水素、（Ｃ）腐食抑制剤を含むエッチング液であるプリント配線板の製造方法。
（２）（Ｃ）腐食抑制剤がアゾール化合物である項（１）に記載のプリント配線板の製造方法。
（３）回路が形成された部分以外の給電層をエッチング液により除去する工程後の回路表面の粗化形状が、Ｒｚ（十点平均表面粗さ）≧２．０μｍである項（１）又は（２）に記載のプリント配線板の製造方法。
（４）給電層が銅層であり、かつ電気めっきが電気銅めっきである項（１）〜（３）いずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
エッチング液の均一エッチング性を保持したまま導体回路の粗面化処理を行えるようにし、配線幅の維持とコスト低減を可能にするプリント配線板の製造方法を提供することが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明のプリント配線板の製造方法の実施の形態を、図１、２を用いて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。まず（ａ）に示すように絶縁樹脂層１の両面に５μｍ以下の給電層である銅箔（銅層）２を貼り合わせた基板材料１３を用意する。なお給電層としては、銅層以外に、ニッケル層、アルミニウム層、クロム層、パラジウム層、金層、亜鉛層、錫層が挙げられるが、経済性作業性の点から銅層が好ましい。絶縁樹脂層１としてはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分として含むものが挙げられ、他にもアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、フッ素樹脂、シアネート樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）等や、その含有物でもよい。作業性や強度の面からガラスクロスやアラミド繊維のような補強材が入っていてもよい。絶縁樹脂層の厚みは任意であるが、０．０１ｍｍ〜１０ｍｍが好ましい。銅箔の厚みは１〜５μｍが好適であり、５μｍを超える厚みだと回路形成性に支障をきたす可能性がある。またここで用いる銅箔は、電流密度５Ａ／ｄｍ２以上の電流密度で作製されている電解銅箔が好ましい。銅箔作製時の電流密度が低いと後のエッチング工程でエッチング速度が遅いという不具合が発生し、回路形成に支障をきたす可能性がある。
【００１０】
次いで図１（ｂ）に示すように、銅箔の上から基板材料１３にスルーホール３を形成する。スルーホール３を形成する方法としてはドリルやレーザーといった手法があるが、直径２００μｍ以下の微細な穴加工にはレーザーを用いるのが好適である。ここで用いることが出来るレーザーとしては、ＣＯ２やＣＯ、エキシマ等の気体レーザーやＹＡＧ等の固体レーザーがある。ＣＯ２レーザーが容易に大出力を得られる事からφ５０μｍ以上のスルーホール３の加工に適している。φ５０μｍ以下の微細なスルーホール３を加工する場合は、より短波長で集光性のよいＹＡＧレーザーが適している。
【００１１】
次いで過マンガン酸塩、クロム酸塩、クロム酸のような酸化剤を用いてスルーホール内部の樹脂残さの除去を行う。次いで銅箔上及びスルーホール内部に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオンやパラジウムコロイドを使用する。特にパラジウムコロイドを使用するのが安価で好ましい。
【００１２】
次に図１（ｃ）に示すように、触媒核を付与した銅箔上及びスルーホール内部に薄付けの無電解銅めっき層４を形成する。この無電解銅めっきには、ＣＵＳＴ２０００（日立化成工業株式会社製、商品名）やＣＵＳＴ２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）等の市販の無電解銅めっきが使用できる。これらの無電解銅めっきは硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウムを主成分とする。薄付けの無電解めっき層４の厚さは次の電気めっきが行うことができる厚さであればよく、０．１〜１μｍが好ましい。また給電層である銅箔（銅層）２表面に形成された薄付けの無電解銅めっき層４も給電層とみなすことができる。
【００１３】
次に図１（ｄ）に示すように給電層である銅箔上の薄付けの無電解めっき層４表面にめっきレジスト５パターンを形成する。なおめっきレジスト５パターンは、給電層表面に接するように形成してもよく、また図１に示したように給電層上の薄付けの無電解銅めっき層４表面に接するように形成してもよい。めっきレジスト５の厚さは、その後電気めっきする導体の厚さと同程度かより厚い膜厚にするのが好適である。めっきレジスト５に使用できる樹脂には、ＰＭＥＲ  Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ（東京応化株式会社製、商品名）のような液状レジストや、ＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）、ＲＹ−３０２５（日立化成工業株式会社製、商品名）等のドライフィルムなどが挙げられる。スルーホール上と導体回路となるべき個所はめっきレジスト５を形成しない。
【００１４】
次に図１（ｅ）に示すようにパターン電気めっきにより回路（電気めっき層）６を形成する。電気めっきには、電気銅めっきが好ましく、通常プリント配線板で使用される硫酸銅電気めっきやピロリン酸銅電気めっきなどが挙げられる。電気めっきの厚さは、回路導体として使用できればよく、１〜１００μｍの範囲である事が好ましく、５〜５０μｍの範囲である事がより好ましい。また回路形成時の電流密度は、銅箔作製時の電流密度よりも低いことが望ましく、０.５Ａ／ｄｍ２以上５Ａ／ｄｍ２以下であることが望ましい。回路形成時の電流密度が高いと後のエッチング工程で溶解しやすい可能性がある。
【００１５】
次に図１（ｆ）に示すようにアルカリ性剥離液や硫酸あるいは市販のレジスト剥離液を用いてめっきレジストパターンの剥離を行った後、回路パターン部以外の絶縁樹脂層表面の給電層（銅箔と薄付けの無電解銅めっき層）をエッチング液を用いて除去することで回路形成が終了する。前記エッチング液は、（Ａ）硫酸、（Ｂ）過酸化水素を主成分とし、（Ｃ）腐食抑制剤を含む。また前記エッチング液は、１０〜３００ｇ／Ｌの（Ａ）硫酸及び１０〜２００ｇ／Ｌの（Ｂ）過酸化水素を含むことが好ましい。硫酸、過酸化水素を主成分とするエッチング液は、拡散律速性が弱いため微細配線形成性が良好である。尚、上記濃度域未満の濃度ではエッチング速度が遅いために作業性が悪く、上記濃度域を超える濃度ではエッチング速度が速いためにエッチング量のコントロールが難しい可能性がある。エッチング速度は１〜１５μｍ／分がよい。更に（Ｂ）過酸化水素の安定剤としてアルコール系溶媒を含んでいても良い。
【００１６】
（Ｃ）腐食抑制剤としてはアゾール化合物が好ましい。アゾール化合物の前記エッチング液中の濃度としては０．５〜４０ｇ／Ｌであることが好ましく、０．５〜３０ｇ／Ｌであることがより好ましく、０．５〜２０ｇ／Ｌであることが特に好ましい。
【００１７】
はんだ耐熱性の観点から、アゾール化合物は１、２、３−ベンゾトリアゾールであることが好ましい。１、２、３−ベンゾトリアゾールの他に添加されうるアゾール化合物としては、微細な凹凸を形成させ、（Ｃ）腐食抑制剤として働くものであれば特に限定されないが、例えば、５−アミノテトラゾール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、１−メチルテトラゾール、２−メチルテトラゾール、５−メチルトリアゾール、１−フェニルテトラゾール、イミダゾール、５−フェニルテトラゾール、チアゾール、ピラゾール、イソオキサゾール、１，２，３−トリアゾール、インダゾール、１，２，４−トリアゾールなどが挙げられ、特に好ましくは５−アミノテトラゾールである。また、前記アゾール化合物は、１種又は２種以上、前記エッチング液に含んでいてもよい。
【００１８】
上記のようなエッチング液で給電層のエッチングを行った場合、導体回路に数ミクロンの凹凸が生じる。はんだ耐熱性の観点から、導体回路表面のＲｚ（十点平均表面粗さ）は２．０μｍ以上であることが望ましい。更に２．０μｍ以上５．０μｍ以下であることがより望ましい。
【００１９】
その後、図２（ｇ）に示すように導体回路の上下に絶縁樹脂層７を介し、５μｍ以下の給電層である銅箔８を積層する。絶縁樹脂層７としてはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分として含むものであり、他にもアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、フッ素樹脂、シアネート樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）等や、その含有物でもよい。作業性や強度の面からガラスクロスやアラミド繊維のような補強材が入っていてもよい。絶縁樹脂層７の厚みは任意であるが、０．０１ｍｍ〜１０ｍｍが好ましい。
【００２０】
次いで図２（ｈ）に示すように銅箔８の上から絶縁樹脂層７にインタースティシャルバイアホール（ＩＶＨ）９を形成する。インタースティシャルバイアホール（ＩＶＨ）を形成する方法としてはレーザーを用いるのが好適である。ここで用いることが出来るレーザーとしては、ＣＯ２やＣＯ、エキシマ等の気体レーザーやＹＡＧ等の固体レーザーがある。ＣＯ２レーザーが容易に大出力を得られる事からφ５０μｍ以上のインタースティシャルバイアホール（ＩＶＨ）の加工に適している。φ５０μｍ以下の微細なインタースティシャルバイアホール（ＩＶＨ）を加工する場合は、より短波長で集光性のよいＹＡＧレーザーが適している。
【００２１】
次いで過マンガン酸塩、クロム酸塩、クロム酸のような酸化剤を用いてＩＶＨ内部の樹脂残さの除去を行う。次いで銅箔上及びＩＶＨ内部に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオンやパラジウムコロイドを使用する。特にパラジウムコロイドを使用するのが安価で好ましい。
【００２２】
次に図２（ｉ）に示すように、触媒核を付与した銅箔上及びスルーホール内部に薄付けの無電解銅めっき層１０を形成する。この無電解銅めっきには、ＣＵＳＴ２０００（日立化成工業株式会社製、商品名）やＣＵＳＴ２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）等の市販の無電解銅めっきが使用できる。これらの無電解銅めっきは硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウムを主成分とする。薄付けの無電解銅めっき層１０の厚さは次の電気めっきが行うことができる厚さであればよく、０．１〜１μｍが好ましい。
【００２３】
次に図２（ｊ）に示すように無電解めっきを行った上にめっきレジスト１１パターンを形成する。めっきレジスト１１の厚さは、その後めっきする導体の厚さと同程度かより厚い膜厚にするのが好適である。めっきレジスト１１に使用できる樹脂には、ＰＭＥＲ  Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ（東京応化株式会社製、商品名）のような液状レジストや、ＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）、ＲＹ−３０２５（日立化成工業株式会社製、商品名）等のドライフィルムなどが挙げられる。ビアホール上と導体回路となるべき個所はめっきレジスト１１を形成しない。
【００２４】
次に図２（ｋ）に示すように電気めっきにより回路（電気めっき層）１２を形成する。電気めっきには、通常プリント配線板で使用される硫酸銅電気めっきやピロリン酸銅電気めっきが使用できる。電気めっきの厚さは、回路導体として使用できればよく、１〜１００μｍの範囲である事が好ましく、５〜５０μｍの範囲である事がより好ましい。また回路形成時の電流密度は、銅箔作製時の電流密度よりも低いことが望ましく、０.５Ａ／ｄｍ２以上５Ａ／ｄｍ２以下であることが望ましい。回路形成時の電流密度が高いと後のエッチング工程で溶解しやすい可能性がある。
【００２５】
次に図２（ｌ）に示すようにアルカリ性剥離液や硫酸あるいは市販のレジスト剥離液を用いてめっきレジスト１１パターンの剥離を行い、回路パターン部以外の絶縁樹脂層表面の給電層（銅箔と薄付けの無電解銅めっき層）を前記のエッチング液を用いて除去することで、回路形成を行う。
【実施例】
【００２６】
以下、本発明の好適な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（金属箔Ａ）
以下の工程により金属箔Ａを作製した。
幅５１０ｍｍ、厚み３５μｍの電解銅箔（キャリア銅箔）の光択面に下記の条件でクロムめっきを連続的に行って１．０ｍｇ／ｄｍ２の厚さのクロムめっき層（剥離層）を形成した。クロムめっき形成後のＲｚ（十点平均表面粗さ）は０．５μｍであった。なお、表面粗さはＪＩＳ−Ｂ−０６０１に基づき測定した。
クロムめっき条件
・液組成：三酸化クロム２５０ｇ/Ｌ、硫酸２.５ｇ/Ｌ
・浴温：２５℃
・アノード：鉛
・電流密度２０Ａ／ｄｍ２
【００２７】
次に下記に示す光択めっき条件で厚さ２.０μｍの電気銅めっきを行った。電気銅めっき終了後の金属箔のＲｚ（十点平均表面粗さ）は０．６μｍであった。
硫酸銅めっき条件
・液組成：硫酸銅５水和物１００ｇ／Ｌ、硫酸１５０ｇ／Ｌ、塩化物イオン３０ｐｐｍ
・浴温：２５℃
・アノード：鉛
・電流密度：１０Ａ／ｄｍ２
【００２８】
次に下記に示すように電気めっきにより亜鉛防錆処理を行った。
液組成：亜鉛２０ｇ/Ｌ，硫酸７０ｇ/Ｌ
・浴温：４０℃
・アノード：鉛
・電流密度：１５Ａ／ｄｍ２
・電解時間：１０秒
【００２９】
次に引き続き下記に示すクロメート処理を行った。
・液組成：クロム酸５．０ｇ／Ｌ
・ｐＨ１１．５
・浴温：５５℃
・アノード：鉛
・浸漬時間：５秒
【００３０】
次に下記に示すシランカップリング処理を行った。
・液組成：３−アミノプロピルトリメトキシシラン５．０ｇ／Ｌ
・液温２５℃
・浸漬時間１０秒
シランカップリング処理後、金属箔を１２０℃で乾燥してカップリング剤を金属箔表面に吸着させた。そのときの金属箔のＲｚ（十点平均表面粗さ）＝０．６μｍであった。以上、金属箔Ａを作製した。
【００３１】
（樹脂組成物Ａ）
下記の組成よりなる樹脂組成物Ａを作製した。
・ビフェニル構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、ＮＣ３０００Ｓ−Ｈ（日本化薬株式会社社製、商品名）：８０重量部
・カルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、ＸＥＲ−９１ＳＥ−１５（ＪＳＲ株式会社製、商品名）：５重量部
・トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂、フェノライトＥＸＢ−９８２９（窒素含有量１８重量％、水酸基当量１５１、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名）：９重量部
・フェノール性水酸基含有リン化合物、ＨＣＡ−ＨＱ（三光株式会社製）：２６重量部
・無機フィラー、球状シリカ、アドマファインＳＣ−２０５０（株式会社アドマテックス社製、商品名）：４０重量部
・イミダゾール誘導体化合物、１−シアノエチル−２フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２ＰＺ−ＣＮＳ（四国化成工業株式会社製、商品名）：０．２４重量部
・溶剤、メチルエチルケトン
【００３２】
（金属箔Ｂ）
作製した金属箔Ａのシランカップリング剤処理面に、作製した樹脂組成物Ａを塗工した。塗工後は残溶剤が１重量％以下になるように１６０℃で１分程度の乾燥を行い、金属箔Ｂ作製した。塗工した樹脂組成物Ａの厚みは２．０μｍであった。
【００３３】
樹脂含浸のガラスクロスである厚み０．２ｍｍのプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業製、商品名）４枚とその上下に樹脂組成物Ａが塗工された面がプリプレグに接するように金属箔Ｂを積層し、１７０℃、２．４５ＭＰａの条件で１時間プレス成形し、銅箔上のキャリア箔を引き剥がすことで図１（ａ）に示すような絶縁樹脂層１（プリプレグ、接着補助剤層）及び銅箔２よりなる基板材料１３（銅張積層板）を製造した。
【００３４】
図１（ｂ）に示すように、銅箔２上から炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機Ｌ−５００（住友重機械工業株式会社製、商品名）により、直径８０μｍの貫通スルーホール３をあけ、過マンガン酸カリウム６５ｇ／リットルと水酸化ナトリウム４０ｇ／リットルの混合水溶液に、液温７０℃で２０分間浸漬し、スミアの除去を行なった。
【００３５】
その後、パラジウム触媒であるＨＳ−２０１Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）を付与した後、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分の条件で無電解銅めっきを行ない、図１（ｃ）に示すように厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層４を形成した。
【００３６】
図１（ｄ）に示すように、ドライフィルムフォトレジストであるＲＹ−３３２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、無電解銅めっき層４の表面にラミネートし、電解銅めっきを行う箇所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線で露光し、現像してめっきレジスト５を形成した。
【００３７】
図１（ｅ）に示すように、硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ２の条件で、電気銅めっきを２０μｍほど行い、最小回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝２３／１７μｍとなるように回路６パターンを形成した。
【００３８】
次に図１（ｆ）に示すように、レジスト剥離液であるＨＴＯ（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）でドライフィルムの除去を行った後に９８重量％硫酸１００ｍｌ／ｌ、３５ｗ重量％過酸化水素６０ｍｌ／ｌ、（Ｃ）腐食抑制剤である５−アミノテトラゾール２ｇ／ｌからなるエッチング液により給電層（銅箔と無電解銅めっき層）をエッチング除去し、内層基板１４を作製した。このときの内層導体回路６のＲｚ（十点平均表面粗さ）は４．０μｍであった。表面粗さはＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に従ってＳＵＲＦＴＥＳＴ  ＳＶ−４００（ＭＩＴＵＴＯＹＯ株式会社製、商品名）により測定した。
【００３９】
上記内層基板１４の上下に６０μｍ厚ＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業製、商品名）１枚と樹脂組成物Ａが塗工された面がプリプレグに接するように金属箔Ｂを積層し、１７０℃、２．４５ＭＰａの条件で１時間プレス成形し、キャリアを引き剥がすことで絶縁樹脂層７（プリプレグ、接着補助剤層）及び銅箔８よりなる図２（ｇ）に示すような基板を作製した。
【００４０】
次に図２（ｈ）に示すように、銅箔８上から炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機Ｌ−５００（住友重機械工業株式会社製、商品名）により、直径８０μｍのＩＶＨ９をあけ、過マンガン酸カリウム６５ｇ／リットルと水酸化ナトリウム４０ｇ／リットルの混合水溶液に、液温７０℃で２０分間浸漬し、スミアの除去を行なった。
【００４１】
その後、パラジウム触媒であるＨＳ−２０１Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）を付与した後、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分の条件で無電解銅めっきを行ない、図２（ｉ）に示すように厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層１０を形成した。
【００４２】
図１（ｊ）に示すように、ドライフィルムフォトレジストであるＲＹ−３３２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、無電解銅めっき層１０の表面にラミネートし、電解銅めっきを行う箇所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線で露光し、現像してめっきレジスト１１を形成した。
【００４３】
図２（ｋ）に示すように、硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ２の条件で、電気銅めっきを２０μｍほど行い、最小回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝２３／１７μｍとなるように回路１２パターンを形成した。
【００４４】
次に図２（ｌ）に示すように、レジスト剥離液であるＨＴＯ（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）でドライフィルムの除去を行った後に９８重量％硫酸１００ｍｌ／ｌ、３５重量％過酸化水素６０ｍｌ／ｌからなるエッチング液により、プリント配線板の最外層の給電層（銅箔と無電解銅めっき層）をエッチング除去し、プリント配線板を作製した。なお最外層の給電層のエッチング除去に用いるエッチング液は、従来のエッチング液でもよく、また本発明のエッチング液でもかまわない。
【００４５】
（比較例１）
内層基板１４の給電層のエッチング液に９８重量％硫酸１００ｍｌ／ｌ、３５重量％過酸化水素６０ｍｌ／ｌからなるエッチング液を用いた以外は、実施例１と同様にプリント配線板を作製した。内層導体回路のＲｚ（十点平均表面粗さ）は１．５μｍだった。
【００４６】
（比較例２）
内層基板１４の給電層のエッチング液に９８重量％硫酸１００ｍｌ／ｌ、３５重量％過酸化水素６０ｍｌ／ｌからなるエッチング液を用い、更にＣＺ処理（メック株式会社製、商品名）により導体回路表面に粗化形状を形成したこと以外は、実施例１と同様にプリント配線板を作製した。内層導体回路のＲｚ（十点平均表面粗さ）は３．０μｍだった。
【００４７】
（基板の信頼性評価）
実施例１及び比較例１，２で作製したプリント配線板の吸湿加熱試験を行った。試験条件は１２１℃、２気圧、湿度１００％の条件で１時間放置し、その後２６０℃のはんだ耐熱試験を行い、プリント配線板の膨れ等の不具合点の観察を行った。結果を表１に示した。
【００４８】
【表１】
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【００４９】
表１に示すように実施例１によりプリント配線板作製を行った場合は不具合が発生しなかったのに対し、比較例１によりプリント配線板作製を行った場合は内層導体と外層絶縁層の間で膨れが発生した。また比較例２の様に従来通り給電層のエッチング後に内層導体の粗化処理を行うと、最小回路導体幅２３μｍが１５μｍになるなど、回路導体が過剰にエッチングされてしまうことが分かった。以上示した様に、本発明を用いることでエッチング液の均一エッチング性を保持したまま導体回路の粗面化処理を行えるようにし、配線幅の維持とコスト低減を可能にした。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明のプリント配線板の製造方法の実施の形態を示す断面図。
【図２】本発明のプリント配線板の製造方法の実施の形態を示す断面図。
【符号の説明】
【００５１】
１  絶縁樹脂層
２  銅箔
３  スルーホール
４  無電解銅めっき層
５  めっきレジスト
６  回路（電気めっき層）
７  絶縁樹脂層
８  銅箔
９  インタースティシャルバイアホール（ＩＶＨ）
１０  無電解銅めっき層
１１  めっきレジスト
１２  回路（電気めっき層）
１３  基板材料
１４  内層基板
【図１】
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【図２】
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