(57)【要約】【課題】インプリント法で回路パターンを形成し、レーザでビアホールを形成することにより、微細な回路パターンおよび残渣のないビアホールを提供するプリント基板の製造方法を提供する。【解決手段】第１回路パターンおよび下部ランドが形成されたベース基板上に半硬化状態の絶縁層を積層した後、第２回路パターンに対応するパターンが形成された型と前記絶縁層の積層された前記ベース基板を整合させ、前記絶縁層に第２回路パターン用溝を形成するため、前記絶縁層に前記型を刻設、前記絶縁層を完全に硬化させ、レーザにより、前記下部ランドまで前記絶縁層を貫通するビアホールを形成し、前記絶縁層、前記第２回路パターン用溝および前記ビアホールの内部に無電解メッキ層を形成し、前記無電解メッキ層に電解メッキ層を形成し、前記絶縁層が露出するまで、前記無電解メッキ層および前記電解メッキ層を研磨する。【選択図】図３
2006210866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）第１回路パターンおよびビアホール用の下部ランドとを有するベース基板上に半硬化状態の絶縁層を積層し、第２回路パターンに対応する所定のパターンを有する型と前記絶縁層の積層された前記ベース基板を整合させる段階と、
（Ｂ）前記絶縁層に第２回路パターン用溝を形成するため、前記絶縁層に前記型を刻設、前記絶縁層を完全に硬化させる段階と、
（Ｃ）レーザにより、前記下部ランドまで前記絶縁層を貫通するビアホールを形成する段階と、
（Ｄ）前記絶縁層、前記第２回路パターン用溝および前記ビアホールの内部に無電解メッキ層を形成する段階と、
（Ｅ）前記無電解メッキ層に電解メッキ層を形成する段階と、
（Ｆ）前記絶縁層が露出するまで、前記無電解メッキ層および前記電解メッキ層を研磨する段階とを含むことを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項２】
前記（Ｂ）段階は、
（Ｂ−１）前記絶縁層に前記型を刻設する過程と、
（Ｂ−２）前記絶縁層から前記型を分離させることにより、前記絶縁層に第２回路パターン用溝を形成する過程と、
（Ｂ−３）前記絶縁層を完全に硬化させる過程とを含むことを特徴とする請求項１記載のプリント基板の製造方法。
【請求項３】
前記（Ｂ）段階は、
（Ｂ−１）前記絶縁層に前記型を刻設するとともに、前記絶縁層および前記型のなかで少なくとも一方を加熱することにより、前記絶縁層を完全に硬化させる過程と、
（Ｂ−２）前記絶縁層から前記型を分離させることにより、前記絶縁層に第２回路パターン用溝を形成する過程とを含むことを特徴とする請求項１記載のプリント基板の製造方法。
【請求項４】
前記（Ｂ）段階は、
（Ｂ−１）前記絶縁層に前記型を刻設するとともに、前記絶縁層および前記型のなかで少なくとも一方を加熱することにより、前記絶縁層を仮硬化させる過程と、
（Ｂ−２）前記絶縁層から前記型を分離させることにより、前記絶縁層に第２回路パターン用溝を形成する過程と、
（Ｂ−３）前記絶縁層を完全に硬化させる過程とを含むことを特徴とする請求項１記載のプリント基板の製造方法。
【請求項５】
前記型は、上部ランドに対応するパターンがさらに形成されていることを特徴とする請求項１記載のプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント基板の製造方法に係り、より詳しくはインプリント法（imprint process）で回路パターンを形成し、レーザでビアホールを形成することにより、微細回路パターンおよび残渣のないビアホールを有するプリント基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体チップの高密度化および信号伝達速度の高速化に対応するための技術として、ＣＳＰ（Chip-Sized Package）実装またはワイヤボンディング（wire bonding）実装に代わって、半導体チップをプリント基板に直接実装する技術に対する要求が増大している。プリント基板に半導体チップを直接実装するため、半導体の高密度化に対応し得る高密度および高信頼性のプリント基板の開発が必要である。
【０００３】
高密度および高信頼性のプリント基板に対する要求仕様は半導体チップの仕様に密接に連関し、回路の微細化、高度な電気特性、高速信号伝達構造、高信頼性、高機能性などの多くの課題がある。このような要求仕様に応える微細回路パターンおよびマイクロビアホールの形成が可能なプリント基板技術が要求されている。
【０００４】
通常、プリント基板の製造方法には、高生産性および低製造費用の利点を有するフォトリソグラフィーが用いられる。
【０００５】
このようなフォトリソグラフィー法でプリント基板を製造する方法としては、サブトラクティブ法（subtractive process）、フルアディティブ法（full additive process）、およびセミアディティブ法（semi-additive process）などがある。このような方法のうち、セミアディティブ法は最も微細な回路パターンの形成が可能であるので、注目を浴びている。
【０００６】
図１ａ〜図１ｉは従来のセミアディティブ法を用いるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【０００７】
図１ａに示すように、絶縁樹脂層１１１に回路パターン１１２およびビアホールの下部ランド１１３が形成された銅張積層板１００を用意した後、銅張積層板１００上に絶縁層１２０を積層する。
【０００８】
図１ｂに示すように、絶縁層１２０をレーザで加工することにより、各層間の回路連結のためのビアホールａを形成する。ついで、レーザ加工によるビアホールａの形成時に発生する熱により絶縁層１２０が溶けて下部ランド１１３およびビアホール１２１で発生するスミア（smear）を除去するデスミア（desmear）工程を行う。
【０００９】
図１ｃに示すように、各層間の電気的連結を行い、絶縁層１２０の表面に回路パターンを形成するため、絶縁層１２０、ビアホールの内壁１２１および下部ランド１１３に厚さが約１μｍ以上の無電解銅メッキ層１３０を形成する。
【００１０】
図１ｄに示すように、無電解銅メッキ層１３０にドライフィルム１５０を塗布する。
【００１１】
図１ｅに示すように、ドライフィルム１５０に、所定のパターンが印刷されたアートワークフィルム１６０を密着させた後、紫外線１７０を照射する。この際、アートワークフィルム１６０の印刷されていない部分１６１は紫外線が透過して、アートワークフィルム１６０の下側ドライフィルム１５０に硬化部１５１を形成し、アートワークフィルム１６０の印刷された黒い部分１６２は紫外線１７０が透過し得ず、アートワークフィルム１６０の下側ドライフィルム１５０に非硬化部１５２を形成する。
【００１２】
ここで、前記所定のパターンは、後続工程で形成される回路パターン、ビアホール内部、およびビアホールの上部ランドなどに対応するパターンを含む。
【００１３】
図１ｆに示すように、アートワークフィルム１６０を除去した後、ドライフィルム１５０の硬化部１５１が残るように現像工程を行うことで、非硬化部１５２を除去する。
【００１４】
図１ｇに示すように、ドライフィルム１５０の硬化部１５１をメッキレジストとして電解銅メッキを行うことにより、メッキレジストパターンが形成されていない回路パターン１３１、ビアホールａの内壁、上部ランド１３３、および下部ランド１３４に厚さ約１０〜２０μｍの電解銅メッキ層１４１、１４２を形成する。
【００１５】
図１ｈに示すように、ドライフィルム１５０の硬化部１５１を剥離して除去する。
【００１６】
図１ｉに示すように、無電解銅メッキ層１３０および電解銅メッキ層１４１、１４２にエッチング液を噴霧するフラッシュエッチング工程を行うことにより、回路パターン１３１、１４１およびビアホール領域１３２、１３３、１３４、１４２を除いた部分の無電解銅メッキ層１３０を除去する。
【００１７】
その後、絶縁層積層工程、セミアディティブ法による回路パターン形成工程、ソルダレジスト形成工程、ニッケル／金メッキ工程、および外形加工工程などを行うことにより、プリント回路基板１００が製造される。
【００１８】
前述した従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法は、図１ｉの過程で不要な無電解銅メッキ層１３０を除去するために比較的長時間のフラッシュエッチング工程を行うため、形成された回路パターン１３１、１４１（特に、回路パターン１３１、１４１の角部）がオーバーエッチング（over-etching）される問題点が発生する。
【００１９】
これにより、回路パターン１３１、１４１がデラミネーション（delamination）されるか、またはモーフォロジー（morphology）の均等でない回路パターン１３１、１４１が形成される問題点があった。
【００２０】
とりわけ、回路パターンのオーバーエッチング問題は、プリント基板の回路パターンが微細化していくにしたがい、段々深刻な問題点として作用した。
【００２１】
このような問題点を克服するため、インプリント法を用いるプリント基板の製造方法が提案された（特許文献１および特許文献２参照）。
【００２２】
図２ａ〜図２ｅは従来のインプリント法を用いるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図であって、特許文献１に開示されている。
【００２３】
図２ａに示すように、微細な回路パターンがネガティブに形成されたスタンパー（stamper）２０１を成形用型(tool foil)（図示せず）に取り付ける。
【００２４】
図２ｂに示すように、型に熱硬化性エポキシ樹脂を注入し、トランスファー成形を行う。この工程により、表面に回路パターンが転写された樹脂成形期間２０２が収得される。
【００２５】
図２ｃに示すように、後でメッキされるメッキ層との密着力を増大させるため、樹脂成形基板２０２の表面に、スパッタ装置により、銅をおよそ０．１μｍの厚さに蒸着する。そして、銅メッキを行い、銅メッキ層２０３をおよそ１５μｍの厚さに形成する。
【００２６】
図２ｄに示すように、樹脂成形基板２０２の一側全面に形成されたメッキ面を、研磨機にスラリーを供給しながら、溝と溝間の樹脂部が露出するまで、研磨する。
【００２７】
すると、図２ｅに示すように、線幅がおよそ１０μｍ、厚さがおよそ９μｍの微細な回路パターンが形成される。
【００２８】
【特許文献１】特開２００１−３２０１５０号公報
【特許文献２】特開２００２−５７４３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２９】
しかしながら、特許文献１に開示されたプリント基板の製造方法により、回路層と回路層を連結するビアホールを形成する場合、下部ランドに樹脂の残渣が残存する問題点があった。
【００３０】
さらに、この下部ランドに残存する樹脂残渣は、７０ｋｇ／ｃｍ2以上の高圧の水を噴射するデスミア工程によっても完全に除去されないため、回路層と回路層の電気的連結に抵抗の役割をしてプリント基板の電気的特性を低下させる問題点となった。
【００３１】
そこで、本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、微細な回路パターンの形成が可能であり、ビアホールの内部に残渣が存在しないプリント基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、（Ａ）第１回路パターンおよび下部ランドが形成されたベース基板上に半硬化状態の絶縁層を積層した後、第２回路パターンに対応するパターンが形成された型と前記絶縁層の積層された前記ベース基板を整合させる段階と、（Ｂ）前記絶縁層に第２回路パターン用溝を形成するため、前記絶縁層に前記型を刻設、前記絶縁層を完全に硬化させる段階と、（Ｃ）レーザにより、前記下部ランドまで前記絶縁層を貫通するビアホールを形成する段階と、（Ｄ）前記絶縁層、前記第２回路パターン用溝および前記ビアホールの内部に無電解メッキ層を形成する段階と、（Ｅ）前記無電解メッキ層に電解メッキ層を形成する段階と、（Ｆ）前記絶縁層が露出するまで、前記無電解メッキ層および前記電解メッキ層を研磨する段階とを含むことを特徴とする、プリント基板の製造方法を提供する。
【００３３】
好適な実施形態において、前記（Ｂ）段階は、（Ｂ−１）前記絶縁層に前記型を刻設する過程と、（Ｂ−２）前記絶縁層から前記型を分離させることにより、前記絶縁層に第２回路パターン用溝を形成する過程と、（Ｂ−３）前記絶縁層を完全に硬化させる過程とを含むことができる。
【００３４】
ほかの好適な実施形態において、前記（Ｂ）段階は、（Ｂ−１）前記絶縁層に前記型を刻設するとともに、前記絶縁層および前記型のなかで少なくとも一方を加熱することにより、前記絶縁層を完全に硬化させる過程と、（Ｂ−２）前記絶縁層から前記型を分離させることにより、前記絶縁層に第２回路パターン用溝を形成する過程とを含むことができる。
【００３５】
さらにほかの好適な実施形態において、前記（Ｂ）段階は、（Ｂ−１）前記絶縁層に前記型を刻設するとともに、前記絶縁層および前記型のなかで少なくとも一方を加熱することにより、前記絶縁層を仮硬化させる過程と、（Ｂ−２）前記絶縁層から前記型を分離させることにより、前記絶縁層に第２回路パターン用溝を形成する過程と、（Ｂ−３）前記絶縁層を完全に硬化させる過程とを含むことができる。
【００３６】
さらにほかの好適な実施形態において、前記型は、上部ランドに対応するパターンがさらに形成できる。
【発明の効果】
【００３７】
以上のような本発明によるプリント基板の製造方法は、インプリント法により回路ターンを形成するので、回路パターンが微細であり、回路パターンの幅が均一であり、平らな構造のプリント基板を製造することができる効果がある。
【００３８】
また、本発明によるプリント基板の製造方法は、レーザでビアホールを形成した後、デスミア工程を行うので、ビアホールに残渣が存在しないプリント基板を製造することができる効果もある。
【００３９】
また、本発明によるプリント基板の製造方法は、回路パターンが絶縁層内に埋め込んでいるので、製造過程で、回路パターンのデラミネーションまたは損傷がない効果もある。
【００４０】
また、本発明によるプリント基板の製造方法は、型に形成されるネガティブ・パターンが平面の回路パターンのみを製作するので、型の製作費用が低く、管理が容易である効果もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下に添付図面を参照しながら、本発明によるプリント基板の製造方法詳細に説明する。
【００４２】
図３は本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法を示すフローチャート、図４ａ〜図４ｇは本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。これらの図には、プリント基板の一面のみが示されているが、実際にはプリント基板の両面に対して行われる。
【００４３】
図３に示すように、本発明によるプリント基板の製造方法は、型とベース基板の整合段階（Ｓ１１０）、ベース基板の絶縁層に対する型インプリント段階（Ｓ１２０）、型分離および絶縁層硬化段階（Ｓ１３０）、レーザによるビアホール形成およびデスミア段階（Ｓ１４０）、無電解銅メッキ段階（Ｓ１５０）、電解銅メッキ段階（Ｓ１６０）、および表面研磨段階（Ｓ１７０）を含んでなる。
【００４４】
より詳細に説明すると、図４ａに示すように、絶縁樹脂層１１１１上に第１回路パターン１１１２および下部ランド１１１３などが形成された銅張積層板であるベース基板１１１０を用意した後、ベース基板１１１０上に半硬化状態の絶縁層１１２０を積層する。ついで、ネガティブの回路パターンが形成された型１２００と、絶縁層１１２０が積層されたベース基板１１１０を整合させる（Ｓ１１０）。ここで、ネガティブ・パターンは第２回路パターン１２１０に対応するパターンおよび上部ランド１２２０に対応するパターンを含む。
【００４５】
この実施形態において、ベース基板１１１０として使用された銅張積層板の種類には、その用途によって、ガラス／エポキシ銅張積層板、耐熱樹脂銅張積層板、紙／フェノール銅張積層板、高周波用銅張積層板、フレキシブル銅張積層板、複合銅張積層板などがある。しかし、プリント基板１０００の製造には、主に使用される絶縁樹脂層の両面に銅箔層が形成されたガラス／エポキシ銅張積層板を使用することが好ましい。
【００４６】
また、この実施形態においては、ベース基板１１１０の一面に回路層が形成された構造を示しているが、使用目的または用途によって、内層に所定の回路パターンおよびビアホールなどが形成された多層構造を有するベース基板１１１０を使用することができる。
【００４７】
一方、この実施形態において、型１２００としては、ＳｉＯ2、石英、ガラス、ポリマーなどの透明材質の型を使用することも、半導体物質、セラミック、金属、ポリマーなどの不透明材質の型を使用することもできる。
【００４８】
また、この実施形態において、型１２００の製作方法は、板状素材の一側面を加工してネガティブ・パターンを形成することができる。ここで、板材形態の素材の一側面を加工する方法としては、電子ビームリソグラフィー（electron beam lithography）、フォトリソグラフィー、ダイシング（dicing）、レーザ、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などが用いられる。
【００４９】
型１２２０のほかの製作方法としては、別途の回路パターンをそれぞれ製作し板状素材に付着してネガティブ・パターンを製作することもできる。
【００５０】
好適な実施形態において、後で絶縁層１１２０と型１２００の容易な分離のため、リリースフィルムを型１２００のネガティブの回路パターンが形成された面に密着して使用することができる。
【００５１】
図４ｂに示すように、ベース基板１１１０の絶縁層１１２０にネガティブ・パターンが形成された型１２００を刻設する(imprinting)（Ｓ１２０）。
【００５２】
図４ｃに示すように、絶縁層１１２０から型１２００を分離させることにより、絶縁層１１２０に第２回路パターン用溝１１２１および上部ランドの溝１１２２などを形成する。ついで、溝１１２１、１１２２の形成された絶縁層１１２０を紫外線または熱で硬化させる（Ｓ１３０）。
【００５３】
ほかの好適な実施形態において、段階Ｓ１２０の絶縁層１１２０に型１２００を刻設する過程とともに、絶縁層１１２０または型１２００に十分な熱を加えることにより、半硬化状態の絶縁層１１２０を硬化させることができる。
【００５４】
さらにほかの好適な実施形態において、段階Ｓ１２０の絶縁層１１２０に型１２００を刻設する過程とともに、絶縁層１１２０または型１２００に熱を加えて半硬化状態の絶縁層１１２０を仮硬化させた後、段階Ｓ１３０で、紫外線または熱により絶縁層１１２０を硬化させることもできる。
【００５５】
図４ｄに示すように、絶縁層１１２０に形成された上部ランドの溝１１２２をレーザで加工することにより、各層間の回路連結のためのビアホール１１２３を形成する。ついで、ビアホール１１２３の形成時に発生する熱により絶縁層１１２０が溶けてビアホール１１２３の内壁で発生するスミア（smear）を除去するデスミア（desmear）工程を行う（Ｓ１４０）。
【００５６】
ここで、レーザとしては、ＹＡＧレーザ（Yttrium Aluminum Garnet laser）および二酸化炭素レーザ（ＣＯ2 laser）などが用いられる。
【００５７】
図４ｅに示すように、各層間の電気的連結を形成し絶縁層１１２０に回路パターンを形成するため、絶縁層１１２０、第２回路パターン用溝１１２１、およびビアホール１１２３の内部に無電解銅メッキ層１１３０を形成する（Ｓ１５０）。
【００５８】
ここで、無電解銅メッキ層１１３０の形成工程には、脱脂（cleanet）過程、ソフト腐食（soft etching）過程、予備触媒処理（pre-catalyst）過程、触媒処理過程、活性化（accelerator）過程、無電解銅メッキ過程、および酸化防止処理過程を含む触媒析出方式が用いられる。
【００５９】
ほかの方法として、無電解銅メッキ層１１３０の形成工程には、プラズマなどにより発生する気体のイオン粒子（例えば、Ａｒ+）を銅ターゲットに衝突させることにより、絶縁層１１２０、第２回路パターン用溝１１２１およびビアホール１１２３の内部に無電解銅メッキ層１１３０を形成するスパッタリング方式を用いることもできる。
【００６０】
図４ｆに示すように、第２回路パターン用溝１１２１およびビアホール１１２３の内部に伝導性物質を充填するため、無電解銅メッキ層１１３０の全面に電界銅メッキ層１１４０を形成する（Ｓ１６０）。
【００６１】
ここで、電解銅メッキ層１１４０を形成する方法としては、基板を銅メッキ槽に浸漬した後、直流整流器により電解銅メッキを行う。このような電解銅メッキは、メッキすべき面積を計算し、直流整流器に適当な電流を流して銅を析出する方式を用いることが好ましい。
【００６２】
電解銅メッキ工程は、銅メッキ層の物理的特性が無電解銅メッキ層の物理的特性より優れ、厚い銅メッキ層を形成し易い利点がある。
【００６３】
このような電解銅メッキ層１１４０を形成するための銅メッキ引込線としては、別途に形成された銅メッキ引込線を使用することができるが、本発明の好適な実施形態においては、電解銅メッキ層１１４０を形成するための銅メッキ引込線は無電解銅メッキ層１１３０を使用することが好ましい。
【００６４】
図４ｇに示すように、不要な銅メッキ層を除去するため、絶縁層１１２０が露出するまで、無電解銅メッキ層１１３０と電解銅メッキ層１１４０からなった銅メッキ層の表面を研磨することにより、銅メッキで充填された第２回路パターン１１３１、１１４１およびビア１１３２、１１４２を形成する（Ｓ１７０）。
【００６５】
ここで、表面研磨工程としては、化学的反応作用および機械的研磨により表面を化学−機械的研磨（Chemical-Mechanical Polishing）工程などが用いられる。この化学−機械的研磨工程は、基板を研磨パッドの表面と接触した状態で研磨液を供給することにより、基板の表面を化学的に反応させるとともに、研磨パッドが付着された研磨テーブルを固定させる研磨ヘッドの相対的な運動により、基板の表面を物理的に平坦化させる。
【００６６】
その後、絶縁層積層工程、絶縁層に対する型刻設工程、ビアホール形成工程、無電解銅メッキ層形成工程、電解銅メッキ層形成工程、および表面研磨工程を、所要層数だけ繰り返し行う。ついで、ソルダレジスト形成工程、ニッケル／金メッキ工程、および外郭形成工程を行うと、本発明によるプリント基板１０００が製造される。
【００６７】
図５ａ〜図５ｇは、本発明のほかの実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。これらの図には、プリント基板の一面のみが示されているが、実際にはプリント基板の両面に対して行われる。
【００６８】
図５ａに示すように、絶縁樹脂層２１１１上に第１回路パターン２１１２および下部ランド２１１３などが形成された銅張積層板であるベース基板２１１０を用意した後、ベース基板２１１０上に半硬化状態の絶縁層２１２０を積層する。ついで、ネガティブの回路パターンが形成された型２２００と、絶縁層２１２０が積層されたベース基板２１１０を整合させる（Ｓ１１０）。ここで、ネガティブ・パターンは第２回路パターン２２１０を含む。
【００６９】
この実施形態においては、ベース基板２１１０の一面に回路層が形成された構造を示しているが、使用目的または用途によって、内層に所定の回路パターンおよびビアホールなどが形成された多層構造を有するベース基板２１１０を使用することができる。
【００７０】
好適な実施形態において、後で絶縁層２１２０と型２２００の容易な分離のため、リリースフィルムを型２２００のネガティブの回路パターンが形成された面に密着して使用することができる。
【００７１】
図５ｂに示すように、ベース基板２１１０の絶縁層２１２０に、ネガティブ・パターンが形成された型２２００を刻設する（Ｓ１２０）。
【００７２】
図５ｃに示すように、絶縁層２１２０から型２２００を分離させることにより、絶縁層２１２０に第２回路パターン用溝２１２１などを形成する。ついで、溝２１２１の形成された絶縁層２１２０を紫外線または熱で硬化させる（Ｓ１３０）。
【００７３】
ほかの好適な実施形態において、段階Ｓ１２０の絶縁層２１２０に型２２００を刻設するとともに、絶縁層２１２０または型２２００に十分な熱を加えることにより、半硬化状態の絶縁層２１２０を硬化させることができる。
【００７４】
さらにほかの好適な実施形態において、段階Ｓ１２０の絶縁層２１２０に型２２００を刻設する過程とともに、絶縁層２１２０または型２２００に熱を加えて半硬化状態の絶縁層２１２０を仮硬化させた後、段階Ｓ１３０で、紫外線または熱により絶縁層２１２０を硬化させることもできる。
【００７５】
図５ｄに示すように、レーザで絶縁層２１２０を加工することにより、各層間の回路連結のためのビアホール２１２３を形成する。ついで、ビアホール２１２２の形成時に発生する熱により絶縁層２１２０が溶けてビアホール２１２２の内壁で発生するスミア（smear）を除去するデスミア（desmear）工程を行う（Ｓ１４０）。
【００７６】
ここで、レーザとしては、ＹＡＧレーザおよび二酸化炭素レーザ（ＣＯ2 laser）などが用いられる。
【００７７】
図５ｅに示すように、各層間の電気的連結を形成し絶縁層２１２０に回路パターンを形成するため、絶縁層２１２０、第２回路パターン用溝２１２１、およびビアホール２１２２の内部に無電解銅メッキ層２１３０を形成する（Ｓ１５０）。
【００７８】
ここで、無電解銅メッキ層２１３０の形成工程には、触媒析出方式またはスパッタリング方式などが用いられる。
【００７９】
図５ｆに示すように、第２回路パターン用溝２１２１およびビアホール２１２２の内部に伝導性物質を充填するため、無電解銅メッキ層２１３０の全面に電解銅メッキ層２１４０を形成する（Ｓ１６０）。
【００８０】
ここで、電解銅メッキ層２１４０を形成する方法としては、基板を銅メッキ槽に浸漬した後、直流整流器により電解銅メッキを行う。このような電解銅メッキは、メッキすべき面積を計算し、直流整流器に適当な電流を流して銅を析出する方式を用いることが好ましい。
【００８１】
好適な実施形態において、電解銅メッキ層２１４０を形成するための銅メッキ引込線は、無電解銅メッキ層２１３０を用いることが好ましい。
【００８２】
図５ｇに示すように、不要な銅メッキ層を除去するため、化学−機械的研磨工程などにより、絶縁層２１２０が露出するまで、無電解銅メッキ層２１３０と電解銅メッキ層２１４０からなった銅メッキ層の表面を研磨することにより、銅メッキで充填された第２回路パターン２１３１、２１４１およびビア２１３２、２１４２を形成する（Ｓ１７０）。
【００８３】
その後、絶縁層積層工程、絶縁層に対する型刻設工程、ビアホール形成工程、無電解銅メッキ層形成工程、電解銅メッキ層形成工程、および表面研磨工程を、所要層数だけ繰り返し行う。ついで、ソルダレジスト形成工程、ニッケル／金メッキ工程、および外郭形成工程を行うと、本発明によるプリント基板２０００が製造される。
【００８４】
図４ａ〜図４ｇに示すプリント基板の製造方法と、図５ａ〜図５ｇに示すプリント基板の製造方法を比較してみると、図５ａ〜図５ｇに示すプリント基板の製造方法は、型２２０に形成されたネガティブ・パターンに、ビアホール２１２２の上部ランドに対応するパターンがないため、ビアホール２１２２の上部ランドのないランドレスビアホール（landless via hole）を形成する。
【００８５】
したがって、図５ａ〜図５ｇに示すプリント基板の製造方法は、ビアホール２１２２の上部ランドがないから、図４ａ〜図４ｇに示すプリント基板の製造方法より第２回路パターン２１３１、２１４１を高密度に形成することができる利点がある。
【００８６】
図６ａ〜図６ｈは、本発明によるプリント基板の製造方法と対比される比較例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図であって、従来のセミアディティブ法のレーザを用いるビアホール加工工程と、特開２００１−３２０１５０号に開示されたプリント基板の製造方法を単純結合したプリント基板の製造方法である。また、図７は図６ａ〜図６ｈに示す比較例によるプリント基板の製造方法の問題点を説明する断面図である。
【００８７】
図６ａに示すように、絶縁樹脂層３１１１上に第１回路パターン３１１２および下部ランド３１１３などが形成された銅張積層板３１１０に絶縁層３１２０を積層する。
【００８８】
図６ｂに示すように、レーザで絶縁層３１２０を加工することにより、各層間の回路連結のためのビアホール３１２２を形成する。ついで、ビアホール３１２２の形成時に発生する熱により絶縁層３１２０が溶けてビアホール３１２２の内壁で発生するスミア（smear）を除去するデスミア（desmear）工程を行う。
【００８９】
図６ｃに示すように、第２回路パターン３２１０および上部ランド３２２０に対応するネガティブ・パターンが形成された型３２００とビアホール３１２２が形成された基板を整合させる。
【００９０】
図６ｄに示すように、基板の絶縁層３１２０にネガティブ・パターンが形成された型３２００を刻設する。
【００９１】
図６ｅに示すように、絶縁層３１２０から型３２００を分離することにより、絶縁層３１２０に第２回路パターン用溝３１２１およびビアホール３１２３を形成する。
【００９２】
図６ｆに示すように、各層間の電気的連結を形成し、絶縁層３１２０に回路パターンを形成するため、絶縁層３１２０、第２回路パターン用溝３１２１およびビアホール３１２３の内部に無電解銅メッキ層３１３０を形成する。
【００９３】
図６ｇに示すように、第２回路パターン用溝３１２１およびビアホール３１２３の内部に伝導性物質を充填するため、無電解銅メッキ層３１３０の全面に電解銅メッキ層３１４０を形成する。
【００９４】
図６ｈに示すように、不要な銅メッキ層を除去するため、絶縁層３１２０が露出するまで、無電解銅メッキ層３１３０と電解銅メッキ層３１４０からなった銅メッキ層の表面を研磨することにより、銅メッキで充填された第２回路パターン３１３１、３１４１およびビア３１３２、３１４２を形成する。
【００９５】
その後、絶縁層積層工程、ビアホール形成工程、絶縁層に対する型刻設工程、無電解銅メッキ層形成工程、電解銅メッキ層形成工程、および表面研磨工程を、所要層数だけ繰り返し行う。ついで、ソルダレジスト形成工程、ニッケル／金メッキ工程、および外郭形成工程を行うと、比較例によるプリント基板３０００が製造される。
【００９６】
図６ａ〜図６ｈに示す比較例によるプリント基板の製造方法においては、図６ｂに示すレーザにようビアホール３１２２の形成工程を行うため、絶縁層３１２０が完全に硬化した状態でなければならない。また、図６ｄに示す絶縁層３１２０に対する型３２００の刻設工程を行うため、絶縁層３１２０が半硬化状態でなければならない。
【００９７】
図６ｂに示すレーザによるビアホール３１２２の形成工程を行うため、絶縁層３１２０を完全に硬化させた場合、図６ｄに示す絶縁層３１２０に対する型３２００の刻設工程において、型３２００の刻設が正常になされない。このため、図７に示すように、第２回路パターン用溝３１２１およびビアホール３１２３の部分が割れるかまたは陥没する問題点が発生する。
【００９８】
一方、図６ｄに示す絶縁層３１２０に型３２００の刻設工程を行うために絶縁層３１２０を半硬化状態に維持した場合、図６ｂに示すレーザによるビアホール３１２２の形成工程において、加工されるビアホール３１２２の周囲に位置する半硬化状態の絶縁層３１２０がレーザにより溶けるため、所望大きさのビアホール３１２２を形成することができない問題点が発生する。
【００９９】
このような問題点を克服するため、本発明によるプリント基板の製造方法は、インプリント法を用いて回路パターンを形成する中間過程で、レーザを用いてビアホールを形成する。
【０１００】
したがって、本発明によるプリント基板の製造方法は、図４ｂおよび図５ｄに示すように、絶縁層１１２０、２１２０に型１２００、２２００を刻設する工程において、絶縁層１１２０、２１２０が半硬化状態であるので、微細な第２回路パターン用溝１１２１、２１２１または上部ランドの溝１１２２を形成することができる。
【０１０１】
また、本発明によるプリント基板の製造方法は、図４ｄおよび図５ｄに示すレーザによるビアホール１１２３、２１２３の形成工程において、絶縁層１１２０、２１２０が完全に硬化した状態であるので、所望の大きさのビアホールを形成することができる。
【０１０２】
前述したように、本発明によるプリント基板の製造方法は、インプリント法による回路パターン形成方法とレーザによるビアホール形成方法が相乗作用をするため、微細な回路パターンおよび残渣のないビアホールを提供する。
【０１０３】
一方、本発明によるプリント基板の製造方法において、銅メッキ層は純粋な銅メッキ層に限定されるものではなく、銅を主成分とするメッキ層を意味する。これは、ＥＤＡＸ（Energy Dispersive Analysis of X-rays）のような分析装備でその化学的組成を分析することにより確認することができる。
【０１０４】
また、本発明によるプリント基板の製造方法において、メッキ層は銅（Ｃｕ）に限定されるものではなく、使用目的または用途に応じて、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、すず（Ｓｎ）などの伝導性物質を主成分とすることもできる。
【０１０５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明は、微細な回路パターンの形成が可能であり、ビアホールの内部に残渣が存在しないプリント基板の製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１ａ】従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｂ】従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｃ】従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｄ】従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｅ】従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｆ】従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｇ】従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｈ】従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｉ】従来のセミアディティブ法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図２ａ】従来のインプリント法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図２ｂ】従来のインプリント法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図２ｃ】従来のインプリント法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図２ｄ】従来のインプリント法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図２ｅ】従来のインプリント法によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図４ａ】本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｂ】本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｃ】本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｄ】本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｅ】本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｆ】本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ｇ】本発明の一実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ａ】本発明のほかの実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｂ】本発明のほかの実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｃ】本発明のほかの実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｄ】本発明のほかの実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｅ】本発明のほかの実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｆ】本発明のほかの実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｇ】本発明のほかの実施形態によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図６ａ】本発明のプリント基板の製造方法と対比される比較例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図６ｂ】本発明のプリント基板の製造方法と対比される比較例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図６ｃ】本発明のプリント基板の製造方法と対比される比較例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図６ｄ】本発明のプリント基板の製造方法と対比される比較例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図６ｅ】本発明のプリント基板の製造方法と対比される比較例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図６ｆ】本発明のプリント基板の製造方法と対比される比較例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図６ｇ】本発明のプリント基板の製造方法と対比される比較例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図６ｈ】本発明のプリント基板の製造方法と対比される比較例によるプリント基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図７】図６ａ〜図６ｈに示す比較例によるプリント基板の製造方法の問題点を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１０００、２０００    プリント基板
１１１０、２１１０    ベース基板
１１１１、２１１１、３１１１    絶縁樹脂層
１１１２、２１１２、３１１２    第１回路パターン
１１１３、２１１３、３１１３    下部ランド
１１２０、２１２０、３１２０    絶縁層
１１２１、２１２１、３１２１    第２回路パターン用溝
１１２２    上部ランドの溝
１１２３、２１２２、３１２２、３１２３    ビアホール
１１３０、２１３０、３１３０    無電解銅メッキ層
１１３１、１１４１、２１３１、２１４１、３２１０、３１３１、３１４１    第２回路パターン
１１３２、１１４２、２１３２、２１４２、３１３２、３１４２    ビア
１１４０、２１４０、３１４０    電解銅メッキ層
１２００、２２００、３２００    型
１２１０、２２１０    第２回路パターン
１２２０、３２２０    上部ランド
３１１０    銅張積層板
【図１ａ】
2006210866.tif 000003
【図１ｂ】
2006210866.tif 000004
【図１ｃ】
2006210866.tif 000005
【図１ｄ】
2006210866.tif 000006
【図１ｅ】
2006210866.tif 000007
【図１ｆ】
2006210866.tif 000008
【図１ｇ】
2006210866.tif 000009
【図１ｈ】
2006210866.tif 000010
【図１ｉ】
2006210866.tif 000011
【図２ａ】
2006210866.tif 000012
【図２ｂ】
2006210866.tif 000013
【図２ｃ】
2006210866.tif 000014
【図２ｄ】
2006210866.tif 000015
【図２ｅ】
2006210866.tif 000016
【図３】
2006210866.tif 000017
【図４ａ】
2006210866.tif 000018
【図４ｂ】
2006210866.tif 000019
【図４ｃ】
2006210866.tif 000020
【図４ｄ】
2006210866.tif 000021
【図４ｅ】
2006210866.tif 000022
【図４ｆ】
2006210866.tif 000023
【図４ｇ】
2006210866.tif 000024
【図５ａ】
2006210866.tif 000025
【図５ｂ】
2006210866.tif 000026
【図５ｃ】
2006210866.tif 000027
【図５ｄ】
2006210866.tif 000028
【図５ｅ】
2006210866.tif 000029
【図５ｆ】
2006210866.tif 000030
【図５ｇ】
2006210866.tif 000031
【図６ａ】
2006210866.tif 000032
【図６ｂ】
2006210866.tif 000033
【図６ｃ】
2006210866.tif 000034
【図６ｄ】
2006210866.tif 000035
【図６ｅ】
2006210866.tif 000036
【図６ｆ】
2006210866.tif 000037
【図６ｇ】
2006210866.tif 000038
【図６ｈ】
2006210866.tif 000039
【図７】
2006210866.tif 000040