(57)【要約】【課題】基板本体の表面にバンプが形成され且つ裏面に前記バンプと融点が近接するロウ材を介して導体ピンなどが取り付けられた配線基板であって、上記バンプを加熱しても、導体ピンの倒れなどを防止できる配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】表面３および裏面４を有し且つガラス−セラミックなどの絶縁材からなる基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に形成され且つ表面３上に実装すべきＩＣチップ（電子部品）Ｃと導通する複数のバンプ６と、基板本体２の裏面４にロウ材９を介して形成される複数の導体ピンＰと、を備え、当該導体ピンＰのネールヘッド部１２を包囲する上記ロウ材９の周囲に、上記バンプ６およびロウ材９の融点では軟化しない樹脂層１０が形成されている、配線基板１。【選択図】  図１
2006216631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面を有し且つ絶縁材からなる基板本体と、
上記基板本体の表面に形成され且つかかる表面上に実装すべき電子部品またはチップ状電子部品と導通するためのバンプと、
上記基板本体の裏面にロウ材を介して形成される導体ピン、別のチップ状電子部品、および放熱板のうちの少なくとも１つと、を備え、
上記導体ピンのネールヘッド部を包囲する上記ロウ材の周囲、あるいは、別のチップ状電子部品または放熱板をロウ付けする上記ロウ材の周囲に、上記バンプおよびロウ材の融点では軟化しない樹脂層が形成されている、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
絶縁材からなる基板本体の表面に、当該表面上に実装すべき電子部品またはチップ状電子部品と導通するためのバンプを形成する工程と、
上記基板本体の裏面にロウ材を介して導体ピン、別のチップ状電子部品、および放熱板のうちの少なくとも１つを取り付ける工程と、
上記導体ピンにおけるネールヘッド部を包囲する上記ロウ材の周囲、あるいは、上記別のチップ状電子部品または放熱板をロウ付けした上記ロウ材の周囲に、上記ロウ材の融点よりも軟化温度の高い樹脂からなる樹脂フィルムまたは液状樹脂を配置する工程と、
上記樹脂フィルムまたは液状樹脂を加熱して硬化することで、導体ピンのネールヘッド部を包囲する上記ロウ材の周囲、あるいは別のチップ状電子部品または放熱板をロウ付けする上記ロウ材の周囲に、樹脂層を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板本体の表面にバンプが形成され且つ裏面に前記バンプと融点が近接するロウ材を介して導体ピンやチップ状電子部品などが取り付けられた配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂からなる絶縁基体の下面に半田を介してリードピンを立設し、前記絶縁基体の上面に上記半田の融点よりも低い融点の半田バンプを形成しておくと共に、かかる上面に半導体素子を実装する際に、半田バンプの融点以上で且つ上記半田の融点以下の温度に加熱して、上記リードピンのズレや倒れを予防可能とするピン付き配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３５３３９４号公報（第１〜７頁、図１，３）
【０００４】
しかし、前記ピン付き配線基板では、前記半田の融点と前記半田バンプの融点との差が例えば３０℃以下になると、前記絶縁基体の上面に半導体素子を実装する際に、前記条件では半田が軟化してリードピンのズレを生じ易くなる。また、上記温度差が２０℃以下になると、上記リードピンの倒れを生じ易くなる、という問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前述した背景技術における問題点を解決し、基板本体の表面にバンプが形成され且つ裏面に上記バンプと融点が近接するロウ材を介して導体ピンやチップ状電子部品などが取り付けられた配線基板であって、上記バンプを加熱しても、導体ピンの倒れなどを防止できる配線基板およびその製造方法を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、基板本体の表面にバンプが形成され且つ裏面に上記バンプと融点が近接するロウ材を介して導体ピンやチップ状電子部品などが取り付けられた配線基板において、裏面に取り付けられる導体ピンなどのロウ付け部付近を覆うように所定の軟化温度の樹脂層を当該裏面に形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板は（請求項１）は、表面および裏面を有し且つ絶縁材からなる基板本体と、かかる基板本体の表面に形成され且つかかる表面上に実装すべき電子部品またはチップ状電子部品と導通するためのバンプと、上記基板本体の裏面にロウ材を介して形成される導体ピン、別のチップ状電子部品、および放熱板のうちの少なくとも１つと、を備え、上記導体ピンのネールヘッド部を包囲する上記ロウ材の周囲、あるいは、別のチップ状電子部品または放熱板をロウ付けする上記ロウ材の周囲に、上記バンプおよびロウ材の融点では軟化しない樹脂層が形成されている、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、前記配線基板の裏面において、前記導体ピンのネールヘッド部を包囲するロウ材、前記別のチップ状電子部品または放熱板をロウ付けする上記ロウ材の周囲に、前記バンプおよびロウ材の融点では軟化しない樹脂層が形成されている。このため、前記配線基板の表面上方に電子部品またはチップ状電子部品を実装する際、上記バンプをその融点または当該融点よりも例えば２０℃高い温度に加熱（リフロー）しても、上記樹脂層は、ロウ材を外側から押さえ且つ上記導体ピンのピン本体の周面や、別のチップ状電子部品または放熱板の側面を保持している。従って、上記加熱時に裏面側のロウ材が軟化しても、導体ピンのズレや倒れ、別のチップ状電子部品のチップ立ち、および放熱板の浮き上がりや傾きを確実に防止でき、設計通りの導通、電気的特性、あるいは放熱特性を発揮せしめることが可能となる。
【０００８】
尚、前記基板本体を形成する絶縁材は、例えばアルミナを主成分とするセラミック、低温焼成セラミックであるガラス−セラミック、あるいエポキシ系を初めとする各種の樹脂である。また、前記電子部品には、ＩＣチップ、半導体素子、あるいはチップ状電子部品であるチップコンデンサなどが含まれる。更に、前記チップ状電子部品と別のチップ状電子部品とは、実装する位置が異なることを示す相対的な呼称であり、これらには、例えばチップコンデンサ、チップインダクタなどが含まれる。加えて、前記放熱板には、例えばＡｌ、Ｃｕやこれらの何れかの合金などの平板や、当該平板における一方の表面に複数の凸条（フィン）や突起群などを一体に突設した押出形材などが含まれる。
また、前記バンプやロウ材は、例えば融点が約２００℃〜２４０℃の低融点合金であり、例えばＳｎ−３．５ｗｔ％Ａｇ（融点約２２１℃）やＳｎ−５ｗｔ％Ｓｂ（融点約２４０℃）などが含まれる。更に、前記樹脂層を形成する樹脂は、例えばエポキシ系樹脂で且つ軟化温度が上記バンプやロウ材の融点よりも少なくとも３０℃以上、望ましくは５０℃以上高いものが適用される。
【０００９】
付言すれば、本発明には、前記樹脂層は、前記基板本体の裏面全体にわたって形成されている、配線基板も含まれる。これによる場合、前記導体ピンや別のチップ状電子部品などをロウ付けしたロウ材を、それらの外側面から樹脂層で押さえると共に、後述するように当該樹脂層を形成する工程を容易にすることが可能となる。尚、樹脂層は、導体ピンなどの周囲がやや盛り上がった形態のほか、基板本体の裏面でほぼ均一な厚みとなる形態が含まれる。
また、本発明には、前記基板本体の表面に形成されるバンプの融点と、かかる基板本体の裏面で用いる前記ロウ材の融点との差は、３０℃以下である、配線基板も含まれる。これによる場合、基板本体の表面上方に実装する電子部品などと基板本体の裏面に取り付ける導体ピンなどとに対し、それぞれに最適で且つ融点がほぼ同一または互いに近接するバンプやロウ材を選定することが可能となる。
更に、本発明には、前記導体ピン、別のチップ状電子部品、または放熱板と前記ロウ材を介して導通し且つ前記基板本体の裏面に予め形成されるパッドの周囲には、当該パッドの側面および表面の周縁を覆う裏面絶縁層が形成されている、配線基板も含まれる。これによる場合、上記パッドの浮き上がりや位置ズレを防止することが可能となる。尚、基板本体がガラス−セラミックからなる場合、上記裏面絶縁層には、同じかまたは同種のガラス−セラミックが適用される。
【００１０】
一方、本発明の配線基板の製造方法は（請求項２）は、絶縁材からなる基板本体の表面に、当該表面上に実装すべき電子部品またはチップ状電子部品と導通するためのバンプを形成する工程と、上記基板本体の裏面にロウ材を介して導体ピン、別のチップ状電子部品、および放熱板のうちの少なくとも１つを取り付ける工程と、上記導体ピンにおけるネールヘッド部を包囲する上記ロウ材の周囲、あるいは、上記別のチップ状電子部品または放熱板をロウ付けした上記ロウ材の周囲に、上記ロウ材の融点よりも軟化温度の高い樹脂からなる樹脂フィルムまたは液状樹脂を配置する工程と、かかる樹脂フィルムまたは液状樹脂を加熱して硬化することで、導体ピンのネールヘッド部を包囲する上記ロウ材の周囲、あるいは別のチップ状電子部品または放熱板をロウ付けする上記ロウ材の周囲に、樹脂層を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【００１１】
これによれば、前記基板本体の表面にバンプを形成した配線基板の裏面において、前記導体ピンのネールヘッド部を包囲するロウ材、前記別のチップ状電子部品または放熱板をロウ付けする上記ロウ材の周囲に、前記バンプおよびロウ材の融点では軟化しない樹脂層を確実に形成することができる。このため、追って基板本体の表面上方に前記バンプを加熱（リフロー）して電子部品などを実装する際に、導体ピンの倒れなどを確実に防止できる配線基板を安定して提供することが可能となる。
尚、樹脂フィルムを用いる場合は、かかるフィルムを導体ピンのピン本体の先端、別のチップ状電子部品や放熱板の上に載置し、治具で当該フイルムを基板本体の裏面寄りに押し込むことで、導体ピンのピン本体や上記電子部品などを貫通させた後、加熱・硬化させる。一方、液状樹脂を用いる場合は、導体ピンのピン本体や別のチップ状電子部品をそれらの中間高さまで貫通させる治具、または放熱板との間に所定の隙間を形成する治具を配置し、かかる治具と基板本体の裏面との間に、液状樹脂を毛細管現象を利用してほぼ均一な厚みで浸透させる。
【００１２】
付言すれば、本発明には、前記バンプの融点とロウ材の融点との差が３０℃以下であり、且つ当該バンプおよびロウ材のうち融点の高いものに対し、当該融点よりも軟化温度が３０℃以上高い樹脂フィルムまたは液状樹脂を用いる、配線基板の製造方法も含まれる。これによる場合、基板本体の表面上に前記バンプを加熱（リフロー）して電子部品を実装する際に、導体ピンの倒れなどを確実に防止できる配線基板を確実に提供する、ことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明における一形態の配線基板１を示す側面図、図２は、図１中の一点鎖線部分Ｘを拡大した部分断面図である。
配線基板１は、図１，図２に示すように、表面３および裏面４を有し且つガラス−セラミック（絶縁材）からなる基板本体２と、基板本体２の表面３に形成され且つ当該表面３上に実装すべきＩＣチップ（電子部品）Ｃと導通するためのバンプ６と、基板本体２の裏面４にロウ材９を介して形成される導体ピンＰと、を備えている。
上記導体ピンＰは、例えばＦｅ−４２wt％Ｎｉ（以下、４２アロイと称する）またはＣｕ−２．３wt％Ｆｅ−０．０３wt％Ｐ（以下、１９４合金と称する）からなり、ほぼ円盤状で直径約０．７ｍｍ×厚み約０．２ｍｍのネールヘッド部１２と、棒状で直径約０．３ｍｍ×長さ約１〜３ｍｍのピン本体１３とを有する。かかるピン本体１３は、図示しないインターポーザやマザーボードなどのプリント基板との導通に活用される。
【００１４】
図１に示すように、基板本体２の表面３には、図示しない基板本体２内部の配線層と導通する複数のパッド５が形成され、これらの上にほぼ球形状にしてバンプ６が個別に形成されている。かかるバンプ６は、例えばＳｎ−３．５ｗｔ％Ａｇ（融点約２２１℃）からなる。尚、パッド５、基板本体２内部の配線層、およびビア導体（図示せず）は、Ｃｕからなる。
また、図２に示すように、基板本体２の裏面４側には、基板本体２内部の配線層と導通する複数のパッド（電極）７が形成され、かかるパッド７の側面および表面の周縁を覆う（オーバーコート）ように裏面絶縁層（絶縁層）８が形成されている。尚、裏面絶縁層８も、前記と同じかまたは同種のガラス−セラミックからなる。また、上記パッド７は、Ｃｕからなる。
【００１５】
図２に示すように、バッド７が露出する裏面絶縁層８の貫通孔８ａには、導体ピンＰのネールヘッド部１２の頂部側が挿入されると共に、当該ネールヘッド部１２を包囲し且つ貫通孔８ａ内およびピン本体１３の基部に沿うようにして、ロウ材９が形成されている。
ロウ材９は、Ｐｂを含まない所謂鉛フリーの低融点合金である例えばＳｎ−５ｗｔ％Ｓｂ（融点約２４０℃）からなり、導体ピンＰを裏面４に対してピン本体１３が直角になるようにしてパッド７にロウ付けしている。尚、ロウ材９の融点は、前記バンプ６の融点よりも約２０℃高い程度で、互いに近接している。
図１，図２に示すように、配線基板１の裏面４（裏面絶縁層８の表面）上および各ロウ材９の外側には、厚みが約１３０μｍの樹脂層１０が形成され、且つ各導体ピンＰのピン本体１３におけるネールヘッド部１２寄りの中間位置を、外側から包囲している。かかる樹脂層１０は、エポキシ系樹脂（例えば、新日鐵化学（株）製、製品番号：ＮＥＸ−１３０Ｃ）からなり、その軟化温度は３００℃超である。かかる軟化温度は、前記ロウ材９の融点よりも少なくとも６０℃高い。
【００１６】
以上のような配線基板１では、図２に示すように、基板本体２の裏面４側にロウ材９を介してロウ付けされた複数の導体ピンＰは、それぞれロウ材９の外側面を押さえる樹脂層１０により、ピン本体１３の中間を包囲されている。
かかる配線基板１の表面３側にＩＣチップＣの実装するため、図１に示すように、基板本体２の表面３の各パッド５上に形成された各バンプ６上にＩＣチップ（電子部品）Ｃを配置し且つ各バンプ６と当該ＩＣチップＣの底面に位置する図示しない電極とを接触させる。かかる状態で、バンプ６の融点である約２２１℃よりも約２０℃高い温度帯に加熱するリフローを約１〜２分間行う。
【００１７】
この結果、各バンプ６は、表層が溶解するため、ＩＣチップＣの各電極と個別にロウ付けされ、当該ＩＣチップＣを基板本体２の表面３の上方に実装できる。前記リフロー時において、各ロウ材９は、ほぼその融点付近の温度に加熱されるが、前記樹脂層１０により外側面を押さえられ、且つ導体ピンＰピンの本体１３もその中間で樹脂層１０に包囲されているため、かかる導体ピンＰが傾いて倒れたり、ズレたりする事態は、皆無となる。
従って、配線基板１によれば、裏面４側の導体ピンＰを所定の姿勢に保持しつつ、ＩＣチップＣを表面３側に容易且つ確実に実装することができる。
尚、基板本体２の表面３側には、ＩＣチップ（電子部品）Ｃに替えて、例えばチップ状のトランジスタのようなチップ状電子部品を実装しても良い。
【００１８】
ここで、前記配線基板１の製造方法について説明する。
予め、複数枚のグリーンシートを用意する。かかるグリーンシートは、ガラス−セラミックからなり、表面および裏面の少なくとも一方に所定パターンのＣｕメタライズが形成されている。上記ガラス−セラミックは、ガラス粉末、フィラであるセラミック粉末、有機バインダ、可塑剤、および有機溶剤などを混合したものである。上記ガラス粉末のガラス成分には、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＰＢ系ガラス、あるいはＢｉ系ガラスなどが含まれる。また、前記セラミック粉末には、例えばＡｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｒＯ２とアルカリ希土類金属酸化物との複合酸化物、ＴｉＯ２とアルカリ希土類金属酸化物との複合酸化物、スピネル、ムライト・コージェライトなど、が含まれる。
【００１９】
上記ガラス粉末とセラミック粉末とを、所定の割合で混合した後、有機バインダ、所要量の可塑剤、溶剤（有機溶剤または水）を加えてスラリとし、かかるスラリをドクターブレード法、圧延法、カレンダロール法、金型プレス法などにより、厚さ数１００μｍのシート状に成形してグリーンシートを得る。
次に、得られたガラス−セラミックからなる複数枚のグリ−ンシートの表面および裏面の少なくとも一方に、Ｃｕ粉末、有機バインダ、および可塑剤などを含む導電性ペーストをスクリーン印刷などにより、所定パターンで印刷・形成して厚み約１５μｍのＣｕメタライズを形成する。かかるＣｕメタライズは、追ってパッド、内部の配線層、あるいは電極となる。また、予め、各グリ−ンシートの表面と裏面との間を貫通する内径が約１５０μｍのビアホールにも上記導電性ペーストを充填して、Ｃｕメタライズのビア導体を形成する。
尚、上記グリ−ンシートは、複数の製品部分を含む大版のものでも良い。
【００２０】
次いで、複数枚のガラス−セラミックからなるグリ−ンシートを積層して、グリ−ンシート積層体を形成する。かかるグリ−ンシート積層体を連続焼成炉に挿入し、約８００℃〜１０００℃で焼成すると、前記基板本体２が得られる。
かかる基板本体２の表面３には、複数の前記パッド５が形成され、且つ基板本体２の裏面４を形成する裏面絶縁層８には、図３に示すように、複数のパッド７の表面が周縁を除いて露出するように、例えばマスキングにより貫通孔８ａが個別に貫通している。
更に、図３に示すように、各パッド７の上方で貫通孔８ａ内に４２アロイからなる導体ピンＰのネールヘッド部１２の頂部側が挿入するように、図示しない治具により各導体ピンＰを保持する。尚、ネールヘッド部１２の頂面上または貫通孔８ａ内には、ほぼ半球形または円盤形状のロウ材９が、予め付着または挿入されている。また、導体ピンＰには、１９４合金からなるものを用いても良い。
【００２１】
かかる状態で、Ｓｎ−５ｗｔ％Ｓｂからなるロウ材９の融点（約２４０℃）よりも約２０℃高い約２６０℃の温度域に数分間加熱する。その結果、ロウ材９は、溶融した後に再度凝固し、図３に示すように、貫通孔８ａ内を含み且つ導体ピンＰのネールヘッド部１２およびピン本体１３の基部を包囲するように、ほぼ円錐形となって、各導体ピンＰをロウ付けして立設する。
次に、図４に示すように、複数の導体ピンＰにおけるピン本体１３の先端上にまたがって、エポキシ系樹脂からなり厚みが約１３０μｍの樹脂フィルムＦを載置した後、その上方に各ピン本体１３が貫通可能な複数の貫通孔ｈを有する押さえ治具Ｇを配置する。かかる押さえ治具Ｇは、カーボンからなり、各貫通孔ｈと各ピン本体１３とは、芯合わせされている。尚、樹脂フィルムＦを形成するエポキシ系樹脂は、一旦硬化した後の軟化温度が３００℃超である。
次いで、図５中の矢印で示すように、押さえ治具Ｇを樹脂フィルムＦと共に、基板本体２の裏面４寄りに押し込む。この際、樹脂フィルムＦには、複数の導体ピンＰのピン本体１３が貫通し、複数の貫通孔ｈが形成される。尚、予め樹脂フィルムＦを打ち抜き加工して、複数の貫通孔ｈを開設したおいても良い。
【００２２】
図６に示すように、樹脂フィルムＦを、その表面が各ロウ材９の頂部に接する位置まで押し込んだ後、押さえ治具Ｇを持ち上げ、各ピン本体１３から抜き出して除去する。
更に、図６に示す状態で、約１５５℃×約６０分間の加熱を行って、樹脂フィルムＦを硬化させる。その結果、一旦軟化した樹脂フィルムＦは、その後で硬化するため、図７に示すように、配線基板２の裏面４および各ロウ材９の形状に倣った断面形状の樹脂層１０が形成される。かかる樹脂層１０は、各ロウ材９の外側面を押さえつつ覆う傾斜部１１を有すると共に、各導体ピンＰのピン本体１３の中間を傾斜部１１で包囲している。これにより、図８に示すように、複数の傾斜部１１を含む外観を呈する樹脂層１０が基板本体２の裏面４側に形成される。
そして、前記図１で示したように、基板本体２の表面３に位置する複数のパッド５の上に、Ｓｎ−３．５ｗｔ％Ａｇからなるバンプ６をほぼ球形状に形成することにより、前記配線基板１を得ることができる。
【００２３】
図９および図１０は、異なる形態の製造方法の工程を示す。
前記と同様にして、表面３に複数のパッド５を有し、裏面４に開口する貫通孔８ａの底面にパッド７の表面が露出する基板本体２を形成した後、図９に示すように、ロウ材９により複数の導体ピンＰを裏面４側に立設する。
次に、図１０に示すように、複数の貫通孔ｈに各導体ピンＰのピン本体１３を貫通させて、かかる貫通孔ｈを有する間隔保持用の治具ｇを、各ロウ材９の頂部に接触しない位置で且つ基板本体２の裏面４から所定の間隔を置いて配置する。かかる治具ｇは、カーボンの平板に孔明け加工したものであり、基板本体２の裏面４に対向する表面には、予め離型剤（図示せず）が塗布されている。
【００２４】
かかる状態で、図１０中の左右の矢印で示すように、液状樹脂Ｌを、治具ｇと基板本体２の裏面４との隙間に毛細管現象を利用して浸透させた後、前記同様に加熱して硬化させる。かかる液状樹脂Ｌも、エポキシ系樹脂を主成分とし、一旦硬化した後の軟化温度が３００℃超である。
液状樹脂Ｌが硬化した後に治具ｇを除去すると、図１１に示すように、配線基板２の裏面４に沿ってほぼ平坦な表面で厚みが均一な樹脂層１０が形成される。かかる樹脂層１０は、各ロウ材９の外側面を押さえると共に、各ピン本体１３をロウ材９の直上の位置で包囲している。
そして、基板本体２の表面３に位置する複数のパッド５上に、前記同様にしてバンプ６を個別に形成する。
この結果、図１１の断面図および図１２の外観図で示されるように、基板本体２の裏面４側に平坦な樹脂層１０と、これを貫通して立設する複数の導体ピンＰとを有し、且つ基板本体２の表面３に前記同様のバンプ６が形成された配線基板１ａが得られる。かかる配線基板１ａも、前記配線基板１と同様の効果を有する。
【００２５】
図１３は、異なる形態の配線基板１ｂを示す側面図、図１４は、図１３中の一点鎖線部分Ｙを拡大して示す部分断面図である。
配線基板１ｂは、図１３，図１４に示すように、前記同様の基板本体２、その表面３に設けた複数のパッド５上に個別に形成したバンプ６、基板本体２の裏面４に設けた複数のパッド７、隣接する一対のパッド７，７にロウ材９を介してロウ付けされた２個のチップコンデンサ（別のチップ状電子部品）１４、およびかかるコンデンサ１４を包囲して裏面４に形成された樹脂層１０を備えている。
チップコンデンサ１４は、図１４に示すように、コンデンサ本体１５とその両端に設けた一対の電極１６とからなり、かかる一対の電極１６は、互いに異極である一対のパッド７，７上にロウ材９を介してロウ付けされている。
【００２６】
樹脂層１０は、前記樹脂フィルムＦからなり、平面視でチップコンデンサ１４の外形に倣った貫通孔を予め開設されたものを、前記図４〜図７で示した方法と同様にして、前記治具Ｇを用いて基板本体２の裏面４寄りに押し込んだ後、前記同様に加熱および硬化して形成したものである。このため、図１４に示すように、硬化後の樹脂層１０は、パッド７およびロウ材９に沿った円弧部１１ａや、コンデンサ本体１５の側面などに倣って盛り上がった円弧部などを表面に有すると共に、コンデンサ本体１５と基板本体２の裏面４との間に進入した充填部１０ａを有している。
尚、図１３に示すように、基板本体２の表面３の上方には、追ってＩＣチップ（電子部品）Ｃが複数のバンプ６を介し且つこれを加熱（リフロー）して実装される。かかるＩＣチップＣに替えて、チップ状電子部品を実装しても良い。
【００２７】
図１５は、前記配線基板１ｂの変形形態である配線基板１ｃを示す図１４と同様な断面図である。かかる配線基板１ｃは、前記図１０で示したと同様な方法により製造される。即ち、前記液状樹脂Ｌを、前記治具ｇと基板本体２の裏面４との隙間に毛細管現象を利用して浸透させた後、前記同様に加熱して硬化させることで、図１５に示すように、チップコンデンサ１４やロウ材９などを包囲しつつ基板本体２の裏面４に平坦な表面の樹脂層１０を形成したものである。かかる配線基板１ｃの基板本体２の表面３側にも、追ってＩＣチップＣまたはチップ状電子部品が実装される。
【００２８】
以上のような配線基板１ｂ，１ｃでは、基板本体２の表面３側にＩＣチップＣまたはチップ状電子部品を実装時に、各バンプ６を加熱（リフロー）する。この際、基板本体２の裏面４側に各チップコンデンサ１４をロウ付けしたロウ材９は、樹脂層１０により外側面を押されているため、表層付近が融点付近に加熱されても、当初の形状を保ち各チップコンデンサ１４を保持する。しかも、チップコンデンサ１４は、コンデンサ本体１５および一対の電極１６の側面で樹脂層１０に包囲されているため、上記加熱時にチップ立ちを生じない。
従って、配線基板１ｂ，１ｃによれば、基板本体２の裏面４側に取り付けたチップコンデンサ１４と、基板本体２の表面３の上方に実装するＩＣチップＣまたはチップ状電子部品とを、確実に活用することが可能となる。
【００２９】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
本発明には、前記基板本体２の裏面４側に、例えばＡｌまたはＣｕ、これらの何れかの合金などからなる平板、あるいは当該平板における一方の表面に複数の凸条（フィン）や突起群などを一体に突設した押出形材などからなる放熱板を、前記ロウ材９を介してロウ付けした配線基板も含まれる。
また、前記基板本体を形成する絶縁材のうち、樹脂には、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂、ポリイミド樹脂などとしても良く、セラミックには、ムライトや窒化アルミニウムとしても良い。
更に、前記チップ状電子部品には、チップ状のフィルタや抵抗などの受動部品、トランジスタ、メモリ、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）などの能動部品、あるいは、ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ、カプラ、ダイプレクサ、アンテナスイッチモジュールなどを用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明における一形態の配線基板を示す側面図。
【図２】図１中の一点鎖線部分Ｘを拡大した部分断面図。
【図３】上記配線基板の製造方法の一工程を示す概略図。
【図４】図３に続く工程を示す概略図。
【図５】図４に続く工程を示す概略図。
【図６】図５に続く工程を示す概略図。
【図７】図６に続く工程を示す概略図。
【図８】図７の工程直後を示す部分外観図。
【図９】異なる製造方法の一工程を示す概略図。
【図１０】図９に続く工程を示す概略図。
【図１１】図１０に続く工程を示す概略図。
【図１２】図１１の工程直後および変形形態の配線基板を示す部分外観図。
【図１３】異なる形態の配線基板を示す側面図。
【図１４】図１３中の一点鎖線部分Ｙを拡大した部分断面図。
【図１５】上記配線基板の変形形態を示す部分断面図。
【符号の説明】
【００３１】
１，１ａ〜１ｃ…配線基板
２…………………基板本体
３…………………表面
４…………………裏面
６…………………バンプ
９…………………ロウ材
１０………………樹脂層
１２………………ネールヘッド部
１４………………チップコンデンサ（別のチップ状電子部品）
Ｃ…………………ＩＣチップ（電子部品）
Ｐ…………………導体ピン
Ｆ…………………樹脂フィルム
Ｌ…………………液状樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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