(57)【要約】      （修正有）【課題】本発明は、２回消去命令を行うことにより、重要なデータ記憶時に過ちで消去されることを防止することが可能なフラッシュメモリシステム及びその消去方法を提供する。【解決手段】主記憶用フラッシュメモリにデータを臨時消去するための臨時消去命令を要求する段階と、消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶する余裕空間があるか否かを判断する段階と、消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶する余裕空間がある場合、主記憶用フラッシュメモリに記憶された消去用データを消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶する段階と、主記憶用フラッシュメモリで記憶された消去用データを１次的に消去する段階と、消去情報記憶用フラッシュメモリにデータを完全に消去するための完全消去命令を要求する段階と、消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶された消去用データを２次的に完全消去する段階を含む構成とする。【選択図】      図２
2006120112.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの主記憶用フラッシュメモリ、少なくとも１つの消去情報記憶用フラッシュメモリ、及び前記主記憶用フラッシュメモリと前記消去情報記憶用フラッシュメモリを制御するためのコントローラを備えるフラッシュメモリシステムの消去方法において、
前記主記憶用フラッシュメモリにデータを臨時消去するための臨時消去命令を要求する段階と、
前記消去情報記憶用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間があるか否かを判断する段階と、
前記消去情報記憶用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間がある場合、前記主記憶用フラッシュメモリに記憶された消去用データを前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶する段階と、
前記主記憶用フラッシュメモリで記憶された前記消去用データを１次的に消去する段階と、
前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶されたデータを完全に消去するための完全消去命令を要求する段階と、
前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶された前記消去用データを２次的に完全消去する段階と、
を含むことを特徴とするフラッシュメモリシステムの消去方法。
【請求項２】
前記消去情報用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間があるか否かを判断する段階において、前記消去情報記憶用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間がない場合、直ちに前記完全消去命令を前記消去情報記憶用フラッシュメモリに要求し、前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶された前記消去用データを完全に消去することにより、臨時消去を可能とすることを特徴とする請求項１記載のフラッシュメモリシステムの消去方法。
【請求項３】
データを臨時に消去するための臨時消去命令の要求を受ける少なくとも１つの主記憶用フラッシュメモリと、
データを完全に消去するための完全消去命令の要求を受ける少なくとも１つの消去情報フラッシュメモリと、
前記消去情報記憶用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間があるか否かを判断するコントローラとを備え、
前記コントローラは、前記消去情報記憶用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間がある場合、前記主記憶用フラッシュメモリに前記臨時消去命令を要求して前記主記憶用フラッシュメモリに消去用データを前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶し、前記主記憶用フラッシュメモリに記憶された前記消去用データを１次的に消去し、その後、前記消去情報記憶用フラッシュメモリに前記完全消去命令を要求し、前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶された前記消去用データを２次的に完全消去することを特徴とするフラッシュメモリシステム。
【請求項４】
前記コントローラは、前記消去情報記憶用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間がない場合、直ちに前記完全消去命令を前記消去情報記憶用フラッシュメモリに要求し、前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶された前記消去用データを完全消去することにより、臨時消去を可能とすることを特徴とする請求項３記載のフラッシュメモリシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データを消去するとき、１次、２次に分けて消去することが可能なフラッシュメモリシステム及びその消去方法に係り、特に、少なくとも１つの主記憶用フラッシュメモリ（１次データ記憶用フラッシュメモリ）と少なくとも１つの消去情報記憶用フラッシュメモリ（２次データ記憶用フラッシュメモリ）を用いてデータを２回消去することが可能なフラッシュメモリシステム及びその消去方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、フラッシュメモリ(Flash Memory)は、消費電極が小さく、電源を切っても、記憶された情報が消えないで維持される特性を有する半導体記憶装置である。すなわち、持続的に電源が供給される不揮発性メモリであって、ＤＲＡＭとは異なり、電源が印加されなくても、記憶された情報をそのまま保存することができるうえ、情報の入出力も自由になってデジタルテレビジョン、デジタルカムコーダ、デジタルカメラ、携帯電話、個人携帯端末器（ＰＤＡ）、ゲーム機、ＭＰ３プレーヤーなどに広く用いられる。
【０００３】
従来のフラッシュメモリシステムは、２つ以上のフラッシュメモリとこのフラッシュメモリを制御するためのコントローラから構成され、このようなフラッシュメモリに一般的な情報をプログラム及び消去(erase)する。ところが、従来のフラッシュメモリシステムは、使用者が消去命令を行う場合、フラッシュメモリに記憶されたデータが１回に直ちに削除されるので、重要な資料が削除された場合には、資料を復元することが不可能であるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、かかる従来の技術の問題点を解決するためのもので、その目的は、主記憶用フラッシュメモリ（臨時消去用フラッシュメモリ）に記憶された消去用データを消去情報記憶用フラッシュメモリ（完全消去用フラッシュメモリ）に記憶した後、主記憶用フラッシュメモリに記憶された消去用データを１次的に消去し、その後、前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶された前記消去用データを２次的に完全消去するフラッシュメモリシステム及びその消去方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明のある観点によれば、少なくとも１つの主記憶用フラッシュメモリ、少なくとも１つの消去情報記憶用フラッシュメモリ、及び前記主記憶用フラッシュメモリと前記消去情報記憶用フラッシュメモリを制御するためのコントローラを備えるフラッシュメモリシステムの消去方法は、前記主記憶用フラッシュメモリにデータを臨時消去するための臨時消去命令を要求する段階と、前記消去情報記憶用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間があるか否かを判断する段階と、前記消去情報記憶用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間がある場合、前記主記憶用フラッシュメモリに記憶された消去用データを前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶する段階と、前記主記憶用フラッシュメモリで記憶された前記消去用データを１次的に消去する段階と、前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶されたデータを完全に消去するための完全消去命令を要求する段階と、前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶された前記消去用データを２次的に完全消去する段階を含む、フラッシュメモリシステムの消去方法が提供される。
【０００６】
前記消去情報用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間があるか否かを判断する段階において、前記消去情報記憶用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間がない場合、直ちに前記完全消去命令を前記消去情報記憶用フラッシュメモリに要求し、前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶された前記消去用データを完全に消去することにより、臨時消去を可能とする。
【０００７】
前記上記目的を達成するために、本発明の他の観点によれば、データを臨時に消去するための臨時消去命令の要求を受ける少なくとも１つの主記憶用フラッシュメモリと、データを完全に消去するための完全消去命令の要求を受ける少なくとも１つの消去情報記憶用フラッシュメモリと、前記消去情報記憶用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間があるか否かを判断するコントローラとを備え、前記コントローラは、前記消去情報記憶用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間がある場合、前記主記憶用フラッシュメモリに前記臨時消去命令を要求して前記主記憶用フラッシュメモリに記憶された消去用データを前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶し、前記主記憶用フラッシュメモリに記憶された前記消去用データを１次的に消去し、その後、前記消去情報記憶用フラッシュメモリに前記完全消去命令を要求し、前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶された前記消去用データを２次的に完全消去する。
【０００８】
前記コントローラは、前記消去情報記憶用フラッシュメモリにデータを記憶する余裕空間がない場合、直ちに前記完全消去命令を前記消去情報記憶用フラッシュメモリに要求し、前記消去情報記憶用フラッシュメモリに記憶された前記消去用データを完全消去することにより、臨時消去を可能とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、一度に消去される既存のフラッシュメモリシステムとは異なり、２回消去命令を行うことにより、重要なデータ記憶時に過ちで消去されることを防止することができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００１１】
本発明は、ＭＳウィンドウ内のゴミ箱のような機能を有するフラッシュメモリを設置し、主記憶用フラッシュメモリに記憶された消去用データを消去情報記憶用フラッシュメモリ（ＭＳウィンドウ内のゴミ箱のような機能をするフラッシュメモリ）に記憶しておき、前記主記憶用フラッシュメモリに記憶された消去用データを１次的に消去し、前記消去情報記憶用メモリに記憶された前記消去用データを２次的に完全に消去することが可能なフラッシュメモリシステム及びその消去方法を提供する。
【００１２】
図１は本発明の好適な一実施例に係るフラッシュメモリシステムを説明するために示すブロック図である。
【００１３】
図１を参照すると、本発明に係るフラッシュメモリシステムは、ホスト(host)１１０、コントローラ(controller)１２０、少なくとも１つの主記憶用フラッシュメモリ１３０、及び少なくとも１つの消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０を含む。
【００１４】
ここで、主記憶用フラッシュメモリ１３０と消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０は、同一の構造を有するが、一つのチップの部分を分けて使用してもよく、いろいろのチップを適切な個数に分解して使用しても良い。これはコントローラの設計時に適正の割合を選択すれば良い。例えば、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０が小さければ小さいほど、データが記憶される量が少ないため、頻繁に消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０のデータを消去しなければならない。一般に、プログラムコードのように重要なデータを記憶する部分をカバーする程度に消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０を使用すれば良い。
【００１５】
主記憶用フラッシュメモリ１３０は、データを臨時に消去するための臨時消去命令の要求を受けると、該主記憶用フラッシュメモリ１３０に記憶された消去用データを消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０に記憶した後、前記主記憶用フラッシュメモリ１３０に記憶された消去用データを１次的に消去する。
【００１６】
消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０は、該消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０に記憶されたデータを完全に消去するための完全消去命令の要求を受けると、該消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０に記憶された消去用データを２次的に完全消去する。
【００１７】
コントローラ１２０は、消去命令が主記憶用フラッシュメモリ１３０と消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０に同時に要求されるとき、主記憶用フラッシュメモリ１３０にデータを臨時に消去するための臨時消去命令を要求する。その後、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０にデータを記憶する余裕空間（データが記録されていないセクタ）があるか否かを判断する。この際、記憶する空間有無の判断は、スペアセルなどにプログラム情報を記録しておけば可能である。
【００１８】
具体的に、コントローラ１２０は、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０にデータを記憶する余裕空間がある場合には、消去しようとする消去用データを主記憶用フラッシュメモリ１３０から読み出してコントローラ１２０内のバッファメモリ（図示せず）に記憶する。その後、バッファメモリに記憶された消去用データを消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０に記憶する（実際、読み出し、プログラム動作が発生）。
【００１９】
その後、コントローラ１２０は、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０への消去用データ記憶が完了したと判断されると、主記憶用メモリ１３０に記憶された消去用データを１次消去する。その次、コントローラ１２０は、データを完全消去するための完全消去命令を消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０に要求し、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０に記憶された消去用データを２次消去することにより、消去用データを完全に消去する。
【００２０】
反面、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０にデータを記憶する余裕空間がない場合には、コントローラ１２０は、直ちにデータを完全に消去するための完全消去命令を消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０に要求し、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０に記憶された消去用データを完全に消去することにより、臨時消去を可能とする。
【００２１】
付加的に、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０にデータを記憶する余裕空間がない場合には、コントローラ１２０がホスト１１０にこれを知らせ、ホスト１１０の許諾を受けた後消去する追加保安段階も可能である。
【００２２】
前述したように２回の消去動作を行う方法が可能な動作特性を有する少なくとも１つの主記憶用フラッシュメモリ１３０と少なくとも１つの消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０を用いて、本発明の好適な実施例に係るフラッシュメモリシステムの消去方法を図２の流れ図を参照して説明する。
【００２３】
図２を参照すると、本発明の好適な実施例に係るフラッシュメモリシステムの消去方法は、まず、主記憶用フラッシュメモリ１３０に臨時消去命令を要求する（Ｓ２０１）。
【００２４】
次に、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０にデータを記憶する余裕空間にあるか否かを判断する（Ｓ２０２）。この際、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０にデータを記憶する余裕空間がある場合には、消去しようとする消去用データを主記憶用フラッシュメモリ１３０から読み出してコントローラ１２０内のバッファメモリ（図示せず）に記憶した後、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０に記憶する（Ｓ２０３：実際に読み出し、プログラムの動作が発生）。
【００２５】
その後、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０への消去用データ記憶が完了したと判断されると、主記憶用フラッシュメモリ１３０に記憶された、消去すべき消去用データを１次的に消去する（Ｓ２０４）。
【００２６】
ステップＳ２０４が完了すると、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０に完全消去命令を要求し（Ｓ２０５）、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０に記憶された消去用データを２次的に完全に消去する（Ｓ２０６）。
【００２７】
前記ステップＳ２０２において、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０にデータを記憶する余裕空間がない場合には、直ちにステップＳ２０５に移動して、データを完全に消去するための完全消去命令を消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０に要求し、ステップＳ２０６に移動して、消去情報記憶用フラッシュメモリ１４０の情報を完全に消去することにより、臨時消去を可能とする。
【００２８】
上述した本発明の好適な実施例に係るフラッシュメモリシステムは、コンパクトフラッシュカードのような形態及びモバイルなどに挿入された形態のいずれでも適用可能であり、記憶容量の大きいＮＡＮＤフラッシュメモリと処理速度の速いＮＯＲフラッシュメモリにも関係なく適用することができる。
【００２９】
以上説明した本発明の技術的思想は、好適な実施例で具体的に記述されたが、これら実施例は本発明を説明するためのもので、制限するものではない。また、本発明は、当該分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想の範囲内で様々な実施が可能であることを理解できよう。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明の活用例として、データを消去するとき、１次、２次に分けて消去することが可能なフラッシュメモリシステム及びその消去方法に適用出来、特に、少なくとも１つの主記憶用フラッシュメモリ（１次データ記憶用フラッシュメモリ）と少なくとも１つの消去情報記憶用フラッシュメモリ（２次データ記憶用フラッシュメモリ）を用いてデータを２回消去することが可能なフラッシュメモリシステム及びその消去方法に適用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の好適な一実施例に係るフラッシュメモリシステムを説明するために示すブロック図である。
【図２】本発明の好適な他の実施例に係るフラッシュメモリシステムの消去方法を説明するために示す流れ図である。
【符号の説明】
【００３２】
１１０…ホスト
１２０…コントローラ
１３０…主記憶用フラッシュメモリ
１４０…消去情報記憶用フラッシュメモリ
【図１】
2006120112.tif 000003
【図２】
2006120112.tif 000004