(57)【要約】【課題】堆積膜の膜厚や膜特性の均一性を向上させることができる堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置を供給すること。【解決手段】本発明の堆積膜形成方法は、減圧可能な円筒状反応容器にて円筒状基体を設置し、円筒状基体を回転可能にせしめ、複数の原料ガス導入管から円筒状反応容器内に原料ガスを導入し、円筒状反応容器内の側壁の排気手段より排気しながら円筒状基体を加熱し、放電エネルギーにより原料ガスを励起し、プラズマＣＶＤ法により堆積膜を形成する方法において、原料ガスが複数の原料ガス導入管から複数の原料ガス導入管の中心と円筒状基体の中心を結んだ線に対して、９０°±２０°の角度方向に供給されることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な円筒状反応容器内に円筒状基体を回転可能に設置せしめ、前記円筒状反応容器内に複数の原料ガス導入管から原料ガスを導入し、前記円筒状反応容器内の側壁の排気手段より排気しながら前記円筒状基体を加熱し、放電エネルギーにより前記原料ガスを励起しプラズマＣＶＤにより堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
前記原料ガスが、前記複数の原料ガス導入管の中心と前記円筒状基体の中心を結んだ線に対して９０°±２０°の角度方向に供給されることを特徴とするプラズマＣＶＤによる堆積膜形成方法。
【請求項２】
前記角度方向が９０°±１０°であることを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤによる堆積膜形成方法。
【請求項３】
前記複数の原料ガス導入管は、前記円筒状基体と同心円状であり、且つ、同一円周上に前記円筒状基体を取り囲むように配列されたことを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマＣＶＤによる堆積膜形成方法。
【請求項４】
前記排気手段の中心と前記円筒状基体の中心を結んだ線を軸とした時に、前記原料ガスの吹き出し方向は前記軸に対して線対称であることを特徴とする請求項1〜３の何れかに記載のプラズマＣＶＤによる堆積膜形成方法。
【請求項５】
前記原料ガスの吹き出し方向は、前記軸に対して線対称であり、且つ、前記排気手段の方向に向いていることを特徴とする請求項４記載のプラズマＣＶＤによる堆積膜形成方法。
【請求項６】
前記原料ガス供給量を、前記円筒状反応容器内の側壁の排気手段より離れる程、多くすることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のプラズマＣＶＤによる堆積膜形成方法。
【請求項７】
前記円筒状基体の中心から見た前記角度方向は前記円筒状基体の回転方向と同一方向であり、且つ、前記複数の原料ガス導入管において全て同じ方向であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のプラズマＣＶＤによる堆積膜形成方法。
【請求項８】
前記原料ガス導入管の中で、最も多く前記原料ガスを供給する原料ガス導入管の近傍に、前記放電エネルギーを印加することを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載のプラズマＣＶＤによる堆積膜形成方法。
【請求項９】
減圧可能な円筒状反応容器、前記円筒状反応容器内に円筒状基体を設置する手段、前記円筒状基体を回転可能にする手段、複数の原料ガス導入管、前記円筒状反応容器内の側壁に配置された排気手段、前記円筒状基体を加熱する手段、前記原料ガスを励起するための放電エネルギーを導入する手段とを備える堆積膜形成装置において、
前記複数の原料ガス導入管は、前記複数の原料ガス導入管の中心と前記円筒状基体の中心を結んだ線に対して９０°±２０°の角度方向に、複数の原料ガス供給孔を有することを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項１０】
前記角度方向が９０°±１０°であることを特徴とする請求項９記載の堆積膜形成装置。
【請求項１１】
前記複数の原料ガス導入管は、前記円筒状基体と同心円状であり、且つ、同一円周上に前記円筒状基体を取り囲むように配列されていることを特徴とする請求項９又は１０記載の堆積膜形成装置。
【請求項１２】
前記複数の原料ガス導入管は、前記排気手段の中心と前記円筒状基体の中心を結んだ線を軸とした時に、前記軸に対して線対称の方向に前記原料ガスを吹き出す複数の原料ガス供給孔を有することを特徴とする請求項９〜１１の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項１３】
前記複数の原料ガス供給孔が、前記軸に対して線対称であり、且つ、前記排気手段の方向に向いていることを特徴とする請求項１２に記載の堆積膜形成装置。  
【請求項１４】
前記原料ガス供給量を、前記円筒状反応容器内の側壁の排気手段より離れる程、多くすることを特徴とする請求項９〜１３の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項１５】
前記円筒状基体の中心から見た前記角度方向は前記円筒状基体の回転方向と同一方向であり、且つ、複数の原料ガス導入管において全て同じ方向であることを特徴とする請求項９〜１１の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項１６】
前記原料ガス導入管の中で、最も多く前記原料ガスを供給する原料ガス導入管の近傍に、前記原料ガスを励起するための放電エネルギーを印加する手段を有することを特徴とする請求項９〜１５の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持体上に堆積膜、とりわけ機能性堆積膜、特に半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用のラインセンサー、撮像デバイス、光起電力素子等に用いられるアモルファス状或は多結晶状等の非単結晶状の堆積膜を利用した光受容部材を形成するのに適したプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置及び形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス、電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等に用いる素子部材として、アモルファスシリコン、例えば水素及び／又はハロゲン（例えば弗素、塩素等）で補償されたアモルファスシリコン（以下“ａ−Ｓｉ”とも略記する。）等のアモルファス材料（本明細書においてアモルファスとは非単結晶であることを示す。）で構成された半導体等用の堆積膜が提案され、その中の幾つかは実用に供されている。
【０００３】
こうした堆積膜を形成する場合、膜厚、膜特性の均一化が必要であり、原料ガスの供給方法や、プラズマＣＶＤ法等でプラズマを均一にする手段や、被形成部物を回転させることは膜特性の均一化という意味では有効である。そのための装置構成も各種提案されている。原料ガスの利用効率の向上と、均一な堆積膜の形成を目的とし、原料ガスの供給手段と、堆積膜形成用基板の配列と、排気方向を規定し堆積膜の均一化のための装置も提案されている（例えば特許文献１）。
【０００４】
又、供給される原料ガスのコンダクタンスを調整することにより均一化を図る手段も提案されている（例えば特許文献２）。
【０００５】
ここで、図７に、従来の堆積膜形成装置の一例を示す模式的断面図を示す。
【０００６】
堆積膜形成装置７１０は、円筒状基体７１２と、基体ホルダ７１７と、基体加熱用ヒータ７１３と、原料ガス導入管７１４と、原料ガス導入配管７２９と、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を介在したミキシング７２８とを有する。
【０００７】
又、高周波マッチングボックス７１５を介して高周波電源７１６が接続されている。円筒状反応容器７１１の上下には絶縁部材７２３が設置されアースと絶縁されている。円筒状反応容器７１１の下部には排気バルブ７３２が設けられた排気配管７２５がベースプレート７２６に接続されており、排気装置（不図示）により円筒状反応容器７１１内が排気される。
【０００８】
又、排気配管７２５には円筒状反応容器７１１内の圧力を測定するための検出器７２１と、リークバルブ７３１が設置されている。更に、円筒状反応容器７１１の下部には円筒状基体７１２を回転させるための回転手段（不図示）が設けられており、基体ホルダ７１７に保持された円筒状基体７１２は、回転手段により回転可能となっている。
【０００９】
【特許文献１】特公平５−３２４７２号公報
【特許文献２】特許第３０４１８４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このような従来の堆積膜形成方法及び装置により、或る程度実用的な特性と均一性を持つ方法及び装置を得ることが可能となった。しかし、電子写真用感光体のように大面積で比較的厚い堆積膜が要求される製品等において、形成する堆積膜の電子写真特性を如何に均一にできるのかが更に重要視されてきている。近年、デジタル化、カラー化に伴い堆積膜の均一性は勿論のこと、それに加え、より電子写真特性の優れた堆積膜を要求されるようになってきた。そのため、層構成も多様化し更なる質の高い堆積膜の形成が要求されている。
【００１１】
しかしながら、これら上述した従来の真空処理装置では、電子写真用感光体のように比較的大面積で厚い堆積膜が要求される製品を製造する場合、堆積膜形成時に大量に粉状の副生成物が発生する。
【００１２】
排気口が装置下部に設置されていることより、ガスの流れに偏りができ、排気口周囲や、排気配管内部にも、これら粉状の副生成物が形成され、その結果、排気のコンダクタンスが変化する。この排気コンダクタンスの変化は、堆積膜形成中の処理条件（特に、内圧）に影響を及ぼすと同時に堆積膜の均一性に影響を及ぼす場合がある。
【００１３】
そのため、排気方向の検討も行われてきたが、電子写真特性向上のために、堆積膜が多層構成化され各層に用いられるガス種や高周波電力が異なることで各層毎の微妙な調整が必要となる等堆積膜形成方法も複雑化している。
【００１４】
そのため、全ての処理条件に対し、原料ガスを均一に、且つ、安定的に流すことが困難な場合があった。更に、多品種生産において、各々の真空処理条件が異なるため、各品種に応じ真空処理装置の最適化を行う必要があり、そのため、生産性の低下を招く場合があった。
【００１５】
更に、例えば、近年の高画質カラー装置では、階調性が向上されているため、上述のような電子写真用感光体を用いた場合に、電子写真用感光体の電子写真特性のムラが視覚的に顕著になることもある。
【００１６】
そこで、本発明は、堆積膜の膜厚や膜特性の均一性を向上させることができる堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明の堆積膜形成方法は、減圧可能な円筒状反応容器にて、円筒状反応容器内に円筒状基体を設置し円筒状基体を回転可能にせしめ複数の原料ガス導入管から円筒状反応容器内に原料ガスを導入し円筒状反応容器内の側壁の排気手段より排気しながら円筒状基体を加熱し、放電エネルギーにより原料ガスを励起しプラズマＣＶＤにより堆積膜を形成する方法において、原料ガスが複数の原料ガス導入管から、複数の原料ガス導入管の中心と円筒状基体の中心を結んだ線に対して９０°±２０°の角度方向に供給されることを特徴とする
本発明の堆積膜形成装置は、減圧可能な円筒状反応容器、円筒状反応容器内に円筒状基体を設置する手段、円筒状基体を回転可能する手段、複数の原料ガス導入管、円筒状反応容器内の側壁に配置された排気手段、円筒状基体を加熱する手段、原料ガスを励起する為の放電エネルギーを導入する手段とを備える堆積膜形成装置において、原料ガスが複数の原料ガス導入管から、複数の原料ガス導入管の中心と円筒状基体の中心を結んだ線に対して９０°±２０°の角度方向に、複数の原料ガス供給孔を有することを特徴とする
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、原料ガス導入管の中心と円筒状基体の中心を結んだ線に対して９０°±２０°の角度方向に原料ガスが供給されるので、活性種が効率的に基体上の堆積膜の形成に寄与できる。特に、基体の周方向に対して効率的な寄与を与えることができる。その結果、堆積膜の均一性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の本実施の形態で用いるＲＦ帯の高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積膜形成装置の一例を模式的に示した図で、図２（ａ）は図１に示した堆積膜形成装置の円筒状反応容器内に設置された基体と原料ガス導入管の配置及び原料ガスの吹き出し方向等を示す模式的な平面図である。又、図２（ｂ）には円筒状基体１１２の中心原料ガス導入管の中心１４１と円筒状基体の中心１４０を結んだ線に対して９０°±２０°の角度方向に穴を有する範囲を模式的に示している。図２（ｂ）において１１２は円筒状基体、１１４は原料ガス導入管をそれぞれ示している。
【００２０】
堆積膜形成装置１１０は、円筒状反応容器１１１内に、円筒状基体１１２を保持する基体ホルダ１１７と、基体ホルダ１１７を搭載する受け台１１８と、円筒状基体１１２を加熱する基体加熱用ヒータ１１３と、複数の原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６とを有する。
【００２１】
原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６は反応容器内１１１の略中心部分に設置された円筒状基体１１２と、反応容器１１１の側壁との間に配置され、円筒状基体１１２の外周面と略同心となる１つの円周上に、円筒状基体１１２を取り囲むようにして配置されている。これら各原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６には原料ガス供給量調整手段１２７から原料ガスが供給される。又、各原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６は略均等な間隔で配列され、原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６の全長に亘って形成されている。
原料ガス供給孔の吹き出し方向は原料ガス導入管の中心１４１と円筒状基体１１２の中心１４０を結んだ線に対して９０°の２つの角度方向である。
【００２２】
原料ガス供給量調整手段１２７は、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を介在したミキシング１２８と、原料ガス流入バルブと原料ガスの供給量を調整するためのフローメータとを具備している。
【００２３】
又、円筒状反応容器１１１の側壁には高周波マッチングボックス１１５を介して高周波電源１１６が接続されている。
【００２４】
更に、円筒状反応容器１１１の下部には円筒状基体１１２を回転させるためのモータ１２０が設置され、回転軸１１９及び受け台１１８を介して円筒状基体１１２が回転可能となっている。
【００２５】
又、円筒状反応容器１１１には排気手段が接続されている。この排気部は、円筒状反応容器１１１の側壁面に接続された排気配管１２５と、排気配管１２５を介して円筒状反応容器１１１内を排気する排気装置（不図示）とを有する。排気配管１２５は、円筒状反応容器１１１の長手方向の排気コンダクタンスを均一化できるように３箇所設けた形態となっている。又、円筒状反応容器１１１内の圧力を一定に保つように、各排気配管１２５には排気コンダクタンス調整バルブ１２２が設けられ、バラトロン等の圧力検出器１２１を見ながら円筒状反応容器１１１内の圧力を一定に保つように構成されている。
【００２６】
尚、円筒状反応容器１１１及び排気配管１２５は絶縁物１２３にて絶縁されている。
【００２７】
円筒状基体１１２は、使用目的に応じた材質であれば良い。円筒状基体１１２の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス等が、電気伝導率が良好であるため好適であるが、加工性や製造コストを考慮して、アルミニウムが最適である。又、円筒状基体１１２を形成するアルミニウムとしては、例えば、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金の何れかを用いることが好ましい。
【００２８】
加熱用ヒータ１１３は、基体ホルダ１１７の内部に設けられている。加熱用ヒータ１１３は、真空中で使用可能である発熱体であれば良く、具体的にはシース状ヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ、カーボンヒータ等の電気抵抗発熱体や、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体や、液体、気体等を熱媒とした熱交換手段による発熱体等が対象として挙げられる。加熱用ヒータ１１３の表面材料としては、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類や、セラミック、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
【００２９】
以上のように構成された堆積膜形成装置を用いて堆積膜を形成する方法の手順の一例について以下説明する。
【００３０】
先ず、円筒状反応容器１１１内に円筒状基体１１２が装着された基体ホルダ１１７を設置し、排気装置により円筒状反応容器１１１内を排気する。
【００３１】
続いて円筒状反応容器１１１内に、ミキシング１２８、原料ガス供給量調整手段１２７及び原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６を介して、円筒状基体１１２の加熱に必要な原料ガス、例えば、Ａｒ、Ｈｅ等のガスを供給し、排気装置及び各排気コンダクタンス調整バルブ１２２を用いて、円筒状反応容器１１１内を所定の圧力になるように圧力検出器１２１からのフィードバック信号を受け自動的に調整される。
【００３２】
次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒータ１１３に通電し、温度コントローラ（不図示）にて、円筒状基体１１２の温度を２００［℃］〜４５０［℃］程度、より好ましくは２５０［℃］〜３５０［℃］程度の所望の温度に制御する。
【００３３】
以上の手順によって堆積膜を形成する準備が完了した後、円筒状基体１１２上に光導電層の形成を行う。即ち、加熱用の原料ガスと堆積膜形成用の原料ガスをミキシング１２８を介して入れ替え、堆積膜形成用の原料ガスが所望の流量になるように調整する。その際、原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６に供給される流量は原料ガス供給量調整手段１２７によって調整する。  次いで、円筒状反応容器１１１内が１３．３［ｍＰａ］〜１３３０［Ｐａ］程度の所望の圧力になるように圧力検出器１２１を確認しながら排気装置を調整する。同時に、圧力検出器１２１の値が所定の値になるように、各排気コンダクタンスバルブ調整バルブ１２２の開口度を調整する。
【００３４】
円筒状反応容器１１１内の圧力が安定した後、高周波電源１１６を所望の電力に設定して、例えば、１０［ＭＨｚ］〜４５［ＭＨｚ］程度、例えば周波数１３．５６［ＭＨｚ］のＲＦ電源を用いて、高周波電力を高周波マッチングボックス１１５を介して円筒状反応容器１１１に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。
【００３５】
この放電エネルギーよって、円筒状反応容器１１１内に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体１１２上に所望のシリコン原子を主成分とする堆積膜が形成される。
【００３６】
均一な堆積膜を形成するために、堆積膜を形成するのと同時期、或は円筒状基体１１２を加熱する段階で、モータ１２０を回転させ、動力伝達系（不図示）を介し１［ｒｐｍ］〜１０［ｒｐｍ］程度、例えば１［ｒｐｍ］の回転速度で回転させる。こうすることで、円筒状基体１１２の周方向に均一な堆積膜が形成される。
【００３７】
更に、堆積膜形成中、圧力検出器１２１の値が所定の値となるように、各排気コンダクタンス調整バルブ１２２の開口度を随時調整する。こうすることで、円筒状反応容器１１１の長手方向のガスの流れが真空処理中安定するので、円筒状基体１１２上の長手方向に均一な堆積膜が形成される。又、例えば、多層構成の電子写真感光体を作製する場合のように真空処理条件が変化する場合は、原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６に供給される流量を、原料ガス供給量調整手段１２７により再度設定するとともに、各層毎に圧力検出器１２１の値が最適な値になるように、各排気コンダクタンス調整バルブ１２２の開口度を随時調整する。このようにして円筒状基体１１２の外周面上に堆積膜が形成される。
【００３８】
次に、堆積膜が形成された後、原料ガス及び高周波電力の供給を停止し、一旦各排気コンダクタンス調整バルブ１２２の開口度を全開にし、円筒状反応容器１１１内を排気する。その後、円筒状反応容器１１１および原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６内をパージガス、例えば、Ａｒ等の不活性ガス、及びＮ２の少なくとも一方を用いてパージ処理を行う。パージ処理完了後、円筒状反応容器１１１内をＡｒ等の不活性ガス及びＮ２ガスの少なくとも一方を用いて、大気圧まで戻し、円筒状基体１１２を円筒状反応容器１１１内から取り出す。
【００３９】
その後に、堆積したポリシラン等の副生成物のリーニング処理を行う。その時の手順としては、円筒状基体１１２の替わりに同一形状をしたクリーニング用のダミー基体（不図示）を、円筒状反応容器１１１内に設置し、排気装置により円筒状反応容器１１１内を排気する。続いて円筒状反応容器１１１内にミキシング１２８、原料ガス供給量調整手段１２７及び原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６を介して円筒状基体１１２のクリーニング処理に必要なクリーニングガスを供給し、排気装置及び各排気コンダクタンス調整バルブ１２２を用いて、円筒状反応容器１１１内を所定の圧力になるように圧力検出器１２１を見ながら調整する。
【００４０】
円筒状反応容器１１１内の圧力が安定した後、高周波電源１１６を所望の電力に設定して、例えば、１０［ＭＨｚ］〜４５［ＭＨｚ］程度、例えば周波数１３．５６［ＭＨｚ］のＲＦ電源を用いて、高周波電力を高周波マッチングボックス１１５を介して円筒状反応容器１１１に供給して高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーよって、円筒状反応容器１１１内に導入されたクリーニング用のクリーニングガスが分解され、円筒状反応容器１１１内がクリーニング処理される。
【００４１】
次に、クリーニング処理後に高周波電力の供給を停止し、一旦各排気コンダクタンス調整バルブ１２２の開口度を全開にし、円筒状反応容器１１１内を排気する。その後、円筒状反応容器１１１、及び原料ガス導入管導入管１１４−１〜１１４−１６内をパージガス、例えば、Ａｒ等の不活性ガス及びＮ２の少なくとも一方を用いてパージ処理を行う。パージ処理完了後、円筒状反応容器１１１内をＡｒ等の不活性ガス及びＮ２ガスの少なくとも一方を用いて、大気圧まで戻しクリーニング用のダミー基体を円筒状反応容器１１１内から取り出す。
【００４２】
本実施の形態においては、排気手段は、装置構成の簡素化、投資コストの低減化、形成される堆積膜の膜厚及び膜特性の均一性の面からも円筒状反応容器１１１の側壁に配置することを基本としている。
【００４３】
尚、円筒状反応容器１１１の側壁に形成される排気口の位置、即ち、側壁に接続される排気配管１２５の位置は、円筒状基体１１２を基準に、円筒状基体１１２の母線方向に配置するのが好適である。又、側壁の１箇所のみに排気配管１２５を接続するものであっても良いが、円筒状基体１１２の母線方向に複数の排気配管１２５を接続するとより好適である。
【００４４】
これについては以下のように考える。排気手段を円筒状反応容器１１１の側壁に配置することにより原料ガスの流れを、円筒状基体１１２の母線方向から周方向に変えることで、従来、原料ガスの円筒状基体１１２の母線方向における供給孔の穴位置調整の手間が省けるとともに、排気配管１２５を円筒状基体の母線方向に複数箇所設置することにより更に、円筒状基体の母線方向のガスの流れも改善されると考える。
【００４５】
原料ガスの供給量調整手段としては、供給配管のコンダクタンス（供給配管の形状、長さ、径）を予め設定することで供給量を調整可能であるが、本発明では原料ガス供給量調整手段１２７を用いることが有効である。
【００４６】
本実施の形態において、原料ガス供給量調整手段１２７を用いる場合、上述したように調整される原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６に供給される供給量は、排気配管１２５に遠い原料ガス導入管から供給される原料ガス供給量が、排気配管１２５に近い原料ガス導入管から供給される原料ガス供給量より多くなるように設定すると好適である。即ち、本実施の形態においては、原料ガスの供給量は、排気配管１２５から距離の一番遠い１１４１を一番多く設定し、排気配管１２５から等距離となる位置に設置された原料ガス導入管についてはそれぞれ同じ量とし、排気配管１２５からの距離が近くなるに従って供給量を徐々に減少させていくように設定すると好適である。尚、隣接する原料ガス導入管３つ以内までであれば同一供給量であっても良い。
【００４７】
但し、ここで言う原料ガスの同一供給量とは、数ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）の精度を要求されるものでなく、略同一供給量であれば問題ない。又、等距離とは数ｍｍ単位の精度を要求されるものではなく略等距離であれば問題ない。
【００４８】
これについては、以下のように考える。原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６より供給され、放電エネルギーより励起された原料ガスの活性種が排気手段に近いほど、円筒状基体１１２に到達する前に排気されてしまうことが考えられる。そのため、原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６のうち、排気配管１２５からの距離が遠い位置の原料ガス導入管からの供給量を増やし、距離が近くなるに従って供給量を減少させていくことにより、活性種が効率的に円筒状基体１１２上の堆積膜の形成に寄与できると考えられる。
【００４９】
本実施の形態において、原料ガスの吹き出し方向としている円筒状基体１１２の中心と原料ガス導入管の中心とを結んだ線に対して９０°と言うのは実質的には円筒状基体の接線方向を意味するものである。又、原料ガスの吹き出し方向は円筒状基体１１２の中心と原料ガス導入管の中心と円筒状基体の中心を結んだ線に対して９０°±２０°に設定する事が有効である。
【００５０】
これについては、以下のように考える。特に、原料ガスの供給量は一定で原料ガス導入管の本数を減らす場合や、原料ガス導入管の本数は同じで原料ガスの供給量を増やす場合等は原料ガス導入管に供給された原料ガスの吹き出し圧力が高くなる。その場合、原料ガスの吹き出し方向が円筒状基体側に向いていると原料ガス導入管より直接円筒状基体にダスト等を吹き付けたり、逆に、原料ガスの吹き出し方向が円筒状反応容器側に向いていると円筒状反応容器の内壁からダスト等を巻き上げたりと、何れも円筒状基体に付着し、堆積膜の異常成長の原因となる場合がある。そのため、原料ガスの吹き出し方向を９０°±２０°に設定することにより、原料ガス導入管の本数や原料ガスの供給量によらず堆積膜の異常成長を抑えることができると考えられる。
【００５１】
これは原料ガス導入管の本数の減少や原料ガスの供給量の増加に限っものではなく９０°±２０°に設定することで良好な結果を得ることができる。
【００５２】
又、前記角度範囲内において原料ガスの吹き出し方向の数に関しては特に限定はないが、放電エネルギーにより励起された原料ガスの活性種が効率的に円筒状基体１１２上の堆積膜の形成に寄与する上でも、１方向以上４方向以下が良く最適には１箇所以上２箇所以下が最適であると考える。
【００５３】
これについては、以下のように考える。原料ガスの吹き出し方向の数が多すぎると複数の原料ガス導入管に原料ガスを分配する際に複数の原料ガス導入管のバランスを取るのが難しく、逆に放電エネルギーにより励起された原料ガスの活性種が不均一となり、堆積膜形成時のむらの原因となってしまうと考えられる。
【００５４】
本実施の形態において、高周波電源による給電位置は、効率的に放電エネルギーを付与するために原料ガスの供給量が多い位置に側に設けることが好ましく、最も原料ガスの供給量が多い原料ガス導入管の近傍とするのが好ましい。又、高周波電源の個数としては、排気配管１２５の個数に応じ適時増減させても良い。但し、複数の高周波電源が互いに干渉しないように位相を揃えることが重要である。
＜実施の形態２＞
図３に、本実施形態の堆積膜形成装置の模式的な平面図を示す。この堆積膜形成装置は、実施の形態１で説明した堆積膜形成装置１１０と同様に１３．５６［ＭＨｚ］帯の高周波を利用した高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積膜形成装置である。
【００５５】
本実施の形態の堆積膜形成装置３１０と実施の形態１の堆積膜形成装置１１０との相違点は、堆積膜形成装置１１０の複数の原料ガス導入管より供給される原料ガスの吹き出し方向が、図２（ｂ）に示す様に円筒状基体１１２の中心原料ガス導入管の中心１４１と円筒状基体の中心１４０を結んだ線に対して９０°の角度方向に２方向に複数の供給孔を有しているのに対し、堆積膜形成装置３１０は排気配管３２５に遠い原料ガス導入管に設けられた原料ガス吹き出し方向は堆積膜形成装置１１０と同様としたが、それ以外の原料ガス導入管に設けられた原料ガス吹き出し方向は図２（ｂ）に示す円筒状基体１１２の中心と原料ガス導入管の中心とを結んだ線に対して３１４−１以外は９０°の１方向で、且つ、排気配管３２５側に設けられている点と、堆積膜形成装置１１０は原料ガス導入管１１４−１〜１１４−１６が１６本であったのに対し、堆積膜形成装置３１０は排気配管３２５近防に設置されていた原料ガス導入管を無くし総数として１５本とした点が異なっている。その他の構成は、同様である。
【００５６】
尚、以上の各実施の形態において、堆積膜形成時に使用される原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、四フッ化珪素（ＳｉＦ４）、六フッ化二珪素（Ｓｉ２Ｆ６）等のアモルファスシリコン形成用の原料ガス、又はそれらの混合ガスを用いても有効である。希釈ガスとしては、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等を用いても有効である。又、堆積膜のバンドギャップ幅を変化させる等の特性改善ガスとして、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）等の窒素原子を含むもの、酸素（Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）等酸素原子を含むもの、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）等の炭化水素、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）、フッ化窒素（ＮＦ３）等のフッ素化合物ま又はこれらの混合ガスを併用しても有効である。
【００５７】
又、ドーピング処理を目的として、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、フッ化硼素（ＢＦ３）、ホスフィン（ＰＨ３）等のドーパントガスを同時に放電空間に導入しても同様に有効である。
【００５８】
クリーニング処理時に使用するクリーニング性ガスとしては、例えば、ＣＦ４、ＣＦ４／Ｏ２、ＳＦ６、ＣｌＦ３（三フッ化塩素）等が挙げられるが、本実施の形態では、クリーニング時間を短縮する面から有効であるＣｌＦ３（三フッ化塩素）が用いられている。又、本実施の形態においては、クリーニング性ガスの濃度を調整するためにも、希釈用の不活性ガスを用いて濃度の調整を行うことが有効であり、導入される不活性ガスとして、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒが挙げられるが、Ａｒを用いることが好ましい。
【００５９】
以上のように構成された本発明に係る堆積膜形成方法及び装置によれば、円筒状反応容器の側壁に排気配管を複数設け、更に、各排気配管に排気コンダクタンス調整バルブを有する。そして、原料ガス供給量調整手段を用いて各原料ガス導入管の供給される原料ガスの量を調整、特に排気配管から遠い原料ガス導入管から供給される原料ガス供給量が、排気配管に近い原料ガス導入管から供給される原料ガス供給量より多くなるように原料ガス供給量調整手段を用いて調整する。これにより、原料ガス供給のバランスと排気バランスを均一にすることが可能となり、その結果、堆積膜の膜厚や膜特性の均一性を向上させることができる。
【００６０】
又、多層構成の堆積膜形成時等に必要とされる原料ガスの総供給量や円筒状反応容器の圧力が変化した場合でも、各原料ガスの供給バランスを調整し、排気コンダクタンス調整手段を駆動することで堆積膜形成中一定のバランスを取ることが可能となり、簡単に堆積膜形成装置の最適化を行うことができ、生産性の向上が可能となる。
【実施例１】
【００６１】
以下、実施例及び比較例により、本発明を更に詳細に説明する。
【００６２】
本実施例では、図１に示す堆積膜形成装置を用いて、アルミニウムより成る直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体１１２上に、表１に示す条件で図５に示す層構成の電子写真感光体の形成を行った。
【００６３】
尚、原料ガス供給量調整手段１２７にて供給される原料ガスの分配は均等に配分した。又、図６中の６０１は円筒状基体を示し、６０２は下部阻止層（第１層）、６０３は第１の光導電層（第２層）、６０４は第２の光導電層（第３層）、６０５は表面層（第４層）をそれぞれ示す。
【００６４】
原料ガス導入管の本数及び配置、原料ガスの吹き出し方向は、図２（ａ）に示すように、円筒状基体１１２の全周を取り囲むように円筒状反応容器１１１と円筒状基体１１２の間に円筒状基体とは同心円状で、且つ、同一円周上に設置した。即ち、原料ガスの吹き出し方向は原料ガス導入管の中心１４１と円筒状基体の中心１４０とを結んだ線に対しＡ方向及びＢ方向に９０°±２０の範囲に２方向設け、且つ、吹き出し方向Ａ及びＢの角度は１８０°の関係とした。
【００６５】
このとき、Ａ及びＢを結んだ線と原料ガス導入管の中心１４１と円筒状基体の中心１４０を結んだ線とでなす角度Ｃを表２に示す様に変化させた。
【００６６】
尚、原料ガス導入管の原料ガス供給孔の数は原料ガス導入管１本に対し一方向の母線方向に２０箇所で、両方向で合計４０箇所を均等ピッチで設けた（不図示）
本実施例によって作成された電子写真感光体に関して一連の評価を実施した結果を表２に示す。
【実施例２】
【００６７】
本実施例でも、図１に示す堆積膜形成装置を用い、電子写真感光体を形成した。
但し、図２（ｂ）に示した原料ガス導入管に設けられた原料ガスの吹き出し方向Ａ及びＢ方向は実施例１と同様に１８０°の関係は維持しつつ１１４−１〜１１４−１６の各原料ガス導入管個別に変化させた。つまり、時Ａ及びＢを結んだ線と原料ガス導入管の中心１４１と円筒状基体の中心１４０を結んだ線とでなす角度Ｃを表３に示すように各原料ガス導入管毎に変化させた。
【００６８】
本実施例によって作成された電子写真感光体に関して一連の評価を実施した結果を表４に示す。
【実施例３】
【００６９】
本実施例でも、図１に示す堆積膜形成装置を用い、電子写真感光体を形成した。
本実施例では、図２（ｂ）に示した原料ガス導入管に設けられた原料ガスの吹き出し方向Ａ及びＢ方向の関係は１８０°ではなく表５に示すようにＡ方向の角度Ｃ及びＢ方向の角度Ｄを、原料ガス導入管の中心１４１と円筒状基体の中心１４０を結んだ線に対し９０°±２０°の範囲で個別に変化させた。
【００７０】
本実施例によって作製された電子写真感光体に関して一連の評価を実施した結果を表６に示す。
【実施例４】
【００７１】
本実施例では、図３に示す堆積膜形成装置を用い、電子写真感光体を形成した。
【００７２】
本実施例では、排気配管３２５近防に設置されていた原料ガス導入管を無くし総数として１５本とした。又、原料ガス導入管が排気配管３２５から距離の一番遠い３１４−１の原料ガスの吹き出し方向を実施例１と同様の方向、つまり、原料ガスの吹き出し方向は図２（ｂ）に示す様に原料ガス導入管の中心１４１と円筒状基体の中心１４０を結んだ線に対し９０°の角度方向に２方向設け、つまり、吹き出し方向Ａ及びＢの角度は１８０°とし、それ以外の３１４−２〜３１４−１６の吹き出し方向は図２（ｂ）に示す様に原料ガス導入管の中心１４１と円筒状基体の中心１４０を結んだ線に対し９０°の角度方向に１方向で、且つ、排気配管３２５側に設けられている。
【００７３】
つまり、排気配管３２５の中心と円筒状基体３１２の中心を結んだ線を軸として３１４−１〜３１４−１６に設けられた原料ガスの吹き出し方向は線対称であることを示す。
【００７４】
本実施例によって作製された電子写真感光体に関して、一連の評価を実施した結果を表７に示す。
【実施例５】
【００７５】
本実施例では、図４に示す堆積膜形成装置を用い、電子写真感光体を形成した。
本実施例では、原料ガス導入管に設けられた原料ガスの吹き出し方向は実施例４と同様に設置した。但し、４１４−２、４１４−５、４１４−１３、４１４−１６の原料ガス導入管の原料ガス吹き出し方向は、実施例１と同様の方向とした。つまり、排気配管１２５から等距離となる位置に設置された原料ガス導入管に設けられた原料ガスの吹き出し方向は同一方向になるように設定した。
【００７６】
尚、これ以外の条件は実施例４と同じとした。
【００７７】
本実施例によって作製された電子写真感光体に関して一連の評価を実施した結果を実施例４と同じく表７に示す。
【実施例６】
【００７８】
本実施例では、図３に示す堆積膜形成装置を用い電子写真感光体を形成した。
【００７９】
本実施例では、３１４−３、３１４−６、３１４−１１の原料ガス吹き出し方向を図２（ｂ）に示すように原料ガス導入管の中心１４１と円筒状基体の中心１４０とを結んだ線に対し９０°方向に１方向で且つ排気配管３２５とは反対側向いて設けられている
つまり、排気配管３２５の中心と円筒状基体３１２の中心を結んだ線を軸として３１４−１〜３１４−１６に設けられた原料ガスの吹き出し方向は対称でないことを示す。それ以外は、実施例４に示す同様とした。
【００８０】
本実施例によって作製された電子写真感光体に関して一連の評価を実施した結果を実施例４、５と共に表７に示す。
【実施例７】
【００８１】
本実施例では、図５に示す堆積膜形成装置を用いて電子写真感光体を形成した
本実施例では、５１４−１〜５１４−１６の原料ガス吹き出し方向は図２（ｂ）に示す様に原料ガス導入管の中心１４１と円筒状基体の中心１４０とを結んだ線に対し９０°方向に一方向で、且つ、図５に示すように円筒状基体の回転方向と同じになるように設けられている。
本実施例によって作製された電子写真感光体に関して一連の評価を実施した結果を実施例４、５、６と共に表７に示す。
【実施例８】
【００８２】
本実施例では、図３に示す堆積膜形成装置を用い、電子写真感光体を形成した。
【００８３】
本実施例では、原料ガス導入管に設けられた原料ガスの吹き出し方向は実施例４と同様に設置した。このとき、原料ガス導入管に供給される原料ガスの供給量は、表８に示す値に設定した。つまり、排気配管３２５から距離の一番遠い３１４−１を一番多く設定し、排気配管３２５から等距離となる位置に設置された原料ガス導入管についてはそれぞれ同じ量とし、排気配管３２５からの距離が近くなるに従って供給量を減少させていくように設定した。
【００８４】
表８においては、供給される原料ガスの総流量を１００％とした時に各原料ガス導入管に供給される割合を示す。
【００８５】
本実施例によって作製された電子写真感光体に関して、一連の評価を実施した結果を表９に示す。
【実施例９】
【００８６】
本実施例では、図１に示す、本発明の堆積膜形成装置を用い、電子写真感光体を形成した。但し、原料ガスの吹き出し方向は、実施例１と同様の方向で設置した。又、原料ガス導入管の本数を１６本使用していたのを８本とした。
【００８７】
つまり、原料ガス導入管の本数は実施例１では、図２（ａ）で示す１１４−１〜１１４−１６の内１１４−１、１１４−３、１１４−５、１１４−７、１１４−９、１１４−１１、１１４−１３、１１４−１５のみを使用し、残りの原料ガス導入管は円筒状反応容器から取り外し、取り外された原料ガス導入管の下量ガス設置位置には原料が吐出しないようにプラグ止めされている。
【００８８】
それ以外の条件は実施例１と同様とした。
【００８９】
本実施例によって作製された電子写真感光体に関して、一連の評価を実施した結果を表１０に示す。
【実施例１０】
【００９０】
本実施例では、図３に示す、本発明の堆積膜形成装置を用い、電子写真感光体を形成した。但し、原料ガスの吹き出し方向は、実施例４と同様の方向で設置した。又、原料ガス導入管の本数を１５本使用していたのを７本とした。
【００９１】
つまり、原料ガス導入管の本数は、実施例４で示す４１４−１〜４１４−１６（４１４−９）の内４１４−１、４１４−３、４１４−５、４１４−７、４１４-１１、４１４−１３、４１４−１５のみを使用し、残りの原料ガス導入管は円筒状反応容器から取り外し、取り外された原料ガス導入管の下量ガス設置位置には原料が吐出しないようにプラグ止めされている。それ以外の条件は実施例１と同様とした。
【００９２】
本実施例によって作製された電子写真感光体に関して、一連の評価を実施した結果を実施例７と共に表１０に示す。
＜比較例１＞
本比較例では、図１に示す本発明の装置を用いて電子写真感光体を形成した。
【００９３】
本比較例では、表２に示す様に原料ガス導入管の原料ガス吹き出し方向を９０°±２０°の範囲外の角度とした。これ以外は実施例１と同様の条件とした
本比較例によって作製された電子写真感光体に関して、一連の評価を実施した結果を表２に示す。
＜比較例２＞
本比較例では、図１に示す本発明の装置を用いて電子写真感光体を形成した。
【００９４】
本比較例では、表３に示すように原料ガス導入管の原料ガス吹き出し方向を９０°±２０°の範囲外の角度で各原料ガス導入管毎に変化させた。
【００９５】
これ以外は実施例２と同様の条件とした。本比較例によって作成された電子写真感光体に関して、一連の評価を実施した結果を表４に示す。
【００９６】
【表１】
2006104534.tif 000003
（電子写真特性の評価方法）
・『Ｖｄ母線むら／Ｖｄ周方向むら』の評価
プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長６８０ｎｍのＬＥＤ）光量４ｌｘ・ｓ、帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、電子写真感光体の中位置の表面電位が４５０Ｖ（暗電位）になるように帯電器の電流値を調整した後、測定プローブを電子写真感光体の端部より軸方向に関して５点測定し、各点において数秒間放置し電子写真感光体が数回転した時のＶｄ周方向の電位も測定し最大値を周方向むらとして評価した。又、同時に各５点の平均電位の最大値−最小値の値をＶｄ母線ムラとして下記に示す基準で評価した。
【００９７】
但し、このとき、比較例１で作成された結果を１００％とし相対的な評価を行った。
◎  ・・・２０％以上向上した。
○  ・・・１０％以上、２０％未満向上した。
△  ・・・比較例１と同等
『Ｖｈ母線むら／Ｖｈ周方向むら』の評価
上記Ｖｄ母線むらと同じ手順で電子写真感光体の中位置の表面電位が４００Ｖ（暗電位）になるように帯電器の電流値を調整した後、像露光（波長６６０ｎｍのレーザ）を照射し像露光光源の光量を調整して、表面電位が２００Ｖ（明電位）となるようにした後、測定プローブを電子写真感光体の端部より軸方向に関して５点測定し、各点において数秒間放置し電子写真感光体が数回転した時のＶｈ周方向の電位も測定し、最大値を周方向むらとして評価した。又、同時に各５点の平均電位の最大値−最小値の値をＶｈ母線ムラとして下記に示す基準で評価した。
【００９８】
但し、このとき、比較例１で作成された結果を１００％とし相対的な評価を行った。
◎  ・・・２０％以上向上した。
○  ・・・１０％以上、２０％未満向上した。
△  ・・・比較例１と同等
『Ｖｌ母線むら／Ｖｌ周方向むら』の評価
上記Ｖｈ母線むらと同じ手順で、表面電位が５０Ｖ（明電位）となるようにした後、測定プローブを電子写真感光体の端部より軸方向に関して５点測定し、各点において数秒間放置し電子写真感光体が数回転した時のＶｌ周方向の電位も測定し最大値を周方向むらとして評価した、又、同時に各５点の平均電位の最大値−最小値の値をＶｌ母線ムラとして下記に示す基準で評価した。
【００９９】
但し、このとき、比較例１で作成された結果を１００％とし相対的な評価を行った。
◎  ・・・２０％以上向上した。
○  ・・・１０％以上、２０％未満向上した。
△  ・・・比較例１と同等
（画像特性の評価方法）
『画像欠陥』の評価
帯電電圧、現像バイアス等を調整し、透過濃度１.８の画像を作成し、作成された画像において、画像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以上の画像欠陥を評価した。
◎  ・・・非常に良好
○  ・・・良好
△  ・・・実用上問題なし
（総合の評価方法）
前述の「電子写真特性の評価方法」及び「画像特性の評価方法」の各項目において、下記に示す基準にて総合的に判定した結果を「総合評価」として判定した。
◎・・・全項目で「◎」であり非常に優れている。
〇・・・全項目で「◎」では無いが全項目で「〇」以上であり優れている。
△・・・全項目で１つでも「△」が有るが実用上問題ない。
【０１００】
【表２】
2006104534.tif 000004
表２より、原料ガスの吹き出し方向が９０°±２０°の範囲では良好な結果
を示した。
【０１０１】
【表３】
2006104534.tif 000005
備考）表２中「原料ガス供給管の−1〜−１６」の表記は、図２の１１４−１
〜１１４−１６の末尾記号をそれぞれ示す
【０１０２】
【表４】
2006104534.tif 000006
表４より、明らかに複数の原料ガス導入管における原料ガスの吹き出し方向を９０°±２０°の範囲にすることで、複数の原料ガス導入管がバラバラの吹き出し角度であっても良好な結果が得られた。
【０１０３】
【表５】
2006104534.tif 000007
備考）表２中「原料ガス供給管の−1〜−１６」の表記は、図２の１１４−１
〜１１４−１６の末尾記号をそれぞれ示す
【０１０４】
【表６】
2006104534.tif 000008
表６より明らかに、複数の原料ガス導入管における原料ガスの吹き出し方向を９０°±２０°の範囲であれば、１つの原料ガス導入管に設けられる複数の原料ガス吹き出し方向が個々に異なっても良好な結果が得られた
【０１０５】
【表７】
2006104534.tif 000009
表７より明らかに、排気配管３２５の中心と円筒状基体３１２の中心を結んだ線を軸として３１４−１〜３１４−１６に設けられた原料ガスの吹き出し方向は線対称とすることで更に良好な結果が得られた。
【０１０６】
【表８】
2006104534.tif 000010
【０１０７】
【表９】
2006104534.tif 000011
表９より明らかに排気手段より遠い原料ガス供給管より供給される原料ガスの供給量を多くし排気手段に近い原料ガス供給管より供給される原料ガスの供給量を少なくすることにより、良好な結果が得られた。
【０１０８】
【表１０】
2006104534.tif 000012
表１０より明らかに、原料ガス導入管の本数を減らしても、原料ガスの吹き出し方向を本発明の範囲にて行う事により良好な結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る堆積膜形成装置の構成を模式的に示した図である。
【図２（ａ）】図１に示す堆積膜形成装置の円筒状反応容器内の原料ガス導入管の配置等を示す模式的な平面図である。
【図２（ｂ）】本発明に係る原料ガスの吹き出し方向の角度概念を模式的に示した図である。
【図３】本発明の実施の形態２における堆積膜形成装置の構成を模式的に示した図である。
【図４】実施例５で用いた堆積膜形成装置の円筒状反応容器内の原料ガス導入管の配置を示す模式的な平面図である。
【図５】実施例７で用いた堆積膜形成装置の円筒状反応容器内の原料ガス導入管の配置を示す模式的な平面図である。
【図６】ａ−Ｓｉ電子写真感光体の層構成の一例を示す模式図である。
【図７】従来の堆積膜形成装置の一例の模式的な断面図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１１０    堆積膜形成装置
１１１    円筒状反応容器
１１２    円筒状基体
１１４−１〜１１４−１６    原料ガス導入管
１１７    基体ホルダ
１２２    排気コンダクタンス調整バルブ
１２５    排気配管
１２７    原料ガス供給量調整手段
１３０    原料ガス吹き出し方向
４２９    原料ガス導入配管
４３２    排気バルブ
【図１】
2006104534.tif 000013
【図２（ａ）】
2006104534.tif 000014
【図２（ｂ）】
2006104534.tif 000015
【図３】
2006104534.tif 000016
【図４】
2006104534.tif 000017
【図５】
2006104534.tif 000018
【図６】
2006104534.tif 000019
【図７】
2006104534.tif 000020