(57)【要約】【課題】  優れた光電変換効率を有する裏面接合型太陽電池を、低コストで歩留まりよく製造する方法を提供する。【解決手段】  本発明は、結晶シートの片面にｐ型領域およびｎ型領域を有する太陽電池の製造方法であって、冷却された基板の主面の片面または両面を、半導体材料を含有するシート材料の融液に接触させ、シート材料の結晶を基板上に成長させて結晶シートを形成する工程と、基板上の結晶シートの片面に、ｐ型領域およびｎ型領域を形成する工程と、ｐ型領域およびｎ型領域の上に電極を形成する工程と、結晶シートを基板から剥離する工程とを備えることを特徴とする。【選択図】        図１
2006310389.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶シートの片面にｐ型領域およびｎ型領域を有する太陽電池の製造方法であって、
冷却された基板の主面の片面または両面を、半導体材料を含有するシート材料の融液に接触させ、シート材料の結晶を基板上に成長させて結晶シートを形成する工程と、
前記基板上の結晶シートの片面に、ｐ型領域およびｎ型領域を形成する工程と、
前記ｐ型領域および前記ｎ型領域の上に電極を形成する工程と、
前記結晶シートを前記基板から剥離する工程と
を備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
結晶シートの片面にｐ型領域およびｎ型領域を有する太陽電池の製造方法であって、
冷却された基板の主面の片面または両面を、半導体材料を含有するシート材料の融液に接触させ、シート材料の結晶を基板上に成長させて結晶シートを形成する工程と、
前記基板上の結晶シートの片面に、ｐ型領域およびｎ型領域を形成する工程と、
前記結晶シートを前記基板から剥離する工程と、
前記ｐ型領域および前記ｎ型領域の上に電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記基板は、母材と、前記基板の結晶シート形成面に被覆層とを有し、
前記母材は、黒鉛、炭化ケイ素、石英、窒化硼素、アルミナ、酸化ジルコニウム、溶融シリカ焼結体、または、シリコン結晶からなり、
前記被覆層は、炭化珪素、窒化硼素、窒化ケイ素、および、酸化ケイ素からなる群より選択する少なくとも一種からなる
ことを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
結晶シートを基板から剥離する前記工程は、エッチングにより被覆層を除去して実施することを特徴とする請求項３に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記母材は溶融シリカ焼結体からなり、前記被覆層は窒化ケイ素からなり、結晶シートを基板から剥離する前記工程は、リン酸溶液を用いたエッチングにより被覆層を除去して実施することを特徴とする請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項６】
窒化ケイ素からなる前記被覆層は、プラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記母材はシリコン結晶からなり、前記被覆層は酸化ケイ素からなり、結晶シートを基板から剥離する前記工程は、フッ酸溶液を用いたエッチングにより被覆材料を除去して実施することを特徴とする請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項８】
酸化ケイ素からなる前記被覆層は、熱酸化法により形成することを特徴とする請求項７に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項９】
酸化ケイ素からなる前記被覆層は、常圧ＣＶＤ法または低圧ＣＶＤ法により形成することを特徴とする請求項７に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
前記被覆層は、厚さが０．０１ｍｍ以上、１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項５または７に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体材料を含む融液から形成した結晶シートより太陽電池を製造する方法に関する。特に、低コストの太陽電池を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、裏面に一方の導電型の電極と他方の導電型の電極、すなわちｐ型電極とｎ型電極の両者を有する裏面接合型太陽電池が開発されている（特許文献１参照）。このような裏面接合型太陽電池では、ｐｎ接合が裏面に存在し、吸収光により励起されて発生する少数キャリアは受光面近傍に多数存在するため、少数キャリアを効率よく収集するには、基板バルク層の少数キャリアの長寿命化、または、基板の薄型化が重要となる。すなわち、このタイプの太陽電池において優れた光電変換効率を得るためには、受光により基板で発生した少数キャリアを、裏面近くまで到達させることが必要とされる。
【０００３】
このため、基板バルク層における少数キャリアの長寿命化の手段として、元々少数キャリア寿命の長い高品質なＦＺ基板または比較的低コストなＣＺ基板を利用する方法が有効である。ＦＺ基板は、浮遊帯溶融（floating zone melting）法により製造することができる。また、ＣＺ基板は、チョクラルスキー（Czochralski）法により製造することができるが、コストが高いという問題がある。
【０００４】
また、薄型のシリコン基板として、結晶シートを用いる方法がある。太陽電池に用いられている結晶シートは、図７および図８に示すような凹凸部を有する基板を冷却し、冷却した基板の凹凸部の表面を、半導体材料を含有する融液に接触させ、熔融した材料の結晶を凹凸部の表面に成長させる方法により製造することができる（特許文献２参照）。使用する製造装置としては、図９に示すように、基板９６を基板搬送機構９１に保持し、基板９６を融液９５に浸漬することにより、基板９６の表面に結晶シートを形成する装置９０が提案されている（特許文献３および特許文献４参照）。
【０００５】
この装置９０は、基板搬送機構９１を備え、基板搬送機構９１は水平方向移動用モータ９１ｂを有し、水平方向移動用モータ９１ｂにより、基板搬送機構９１および基板搬送機構９１に保持された基板９６を、水平方向９２に自由に移動することが可能である。水平方向移動軸９２ａは垂直方向移動用モータ９３ｂと連結され、水平方向移動軸９２ａは垂直方向移動軸９３ａに沿って移動可能である。
【０００６】
たとえば、垂直方向移動軸９３ａを、歯を刻んだリニアレールとし、垂直方向移動用モータ９３ｂを作動させることで、水平方向移動軸９２ａと、基板搬送機構９１と、基板９６を、垂直方向９３に自由に移動することが可能である。したがって、基板９６は、水平方向９２と垂直方向９３を自由に移動することができる。水平方向移動軸９２ａの下方には、融液９５を保持するるつぼ９４と、融液９５を加熱するための加熱機構９４ａが配置されている。融液９５の上方には、熱遮蔽機構９４ｂが配置されている。したがって、このような装置と製造方法により、良好な結晶構造の薄型結晶シートを製造することができる。
【０００７】
薄型結晶シートの片面にｐｎ接合を形成し、太陽電池を製造することができるが、基板を薄くすると、太陽電池製造工程で割れが発生しやすいという問題がある。このため、補強構造が提案されているが、非常に複雑な工程となるため、工程を簡略化し、さらなる低コスト化の要求がある（特許文献１参照）。また、溶融シリカ焼結体を一面に形成して強度を増すことにより、割れにくくした太陽電池が提案されている（特許文献５参照）。
【特許文献１】特開平１０−１４４９４５号公報
【特許文献２】特開２００１−２２３１７２号公報
【特許文献３】特開２００３−５９８４９号公報
【特許文献４】特開２００３−１８３０１５号公報
【特許文献５】特開２００４−１４００２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、優れた光電変換効率を有する裏面接合型太陽電池を、低コストで歩留まりよく製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、結晶シートの片面にｐ型領域およびｎ型領域を有する太陽電池の製造方法であって、冷却された基板の主面の片面または両面を、半導体材料を含有するシート材料の融液に接触させ、シート材料の結晶を基板上に成長させて結晶シートを形成する工程と、基板上の結晶シートの片面に、ｐ型領域およびｎ型領域を形成する工程と、ｐ型領域およびｎ型領域の上に電極を形成する工程と、結晶シートを基板から剥離する工程とを備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、他の局面によれば、結晶シートの片面にｐ型領域およびｎ型領域を有する太陽電池の製造方法であって、冷却された基板の主面の片面または両面を、半導体材料を含有するシート材料の融液に接触させ、シート材料の結晶を基板上に成長させて結晶シートを形成する工程と、基板上の結晶シートの片面に、ｐ型領域およびｎ型領域を形成する工程と、結晶シートを基板から剥離する工程と、ｐ型領域およびｎ型領域の上に電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１１】
基板は、母材と、基板の結晶シート形成面に被覆層とを有し、母材が、黒鉛、炭化ケイ素、石英、窒化硼素、アルミナ、酸化ジルコニウム、溶融シリカ焼結体、または、シリコン結晶からなり、被覆層が、炭化珪素、窒化硼素、窒化ケイ素、および、酸化ケイ素からなる群より選択する少なくとも一種からなる態様が好ましい。結晶シートを基板から剥離する工程は、エッチングにより被覆層を除去して実施することができる。
【００１２】
母材が溶融シリカ焼結体からなり、被覆層が窒化ケイ素からなり、結晶シートを基板から剥離する工程は、リン酸溶液を用いたエッチングにより被覆層を除去して実施する態様が好ましい。窒化ケイ素からなる被覆層は、プラズマＣＶＤ法により形成することができる。母材がシリコン結晶からなり、被覆層が酸化ケイ素からなり、結晶シートを基板から剥離する工程は、フッ酸溶液を用いたエッチングにより被覆材料を除去して実施する態様が好ましい。酸化ケイ素からなる被覆層は、熱酸化法、常圧ＣＶＤ法または低圧ＣＶＤ法により形成することができる。被覆層は、厚さが０．０１ｍｍ以上、１ｍｍ以下が好適である。
【発明の効果】
【００１３】
高効率の太陽電池を低コストで大量に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の太陽電池の製造方法は、冷却された基板の主面の片面または両面を、半導体材料を含有するシート材料の融液に接触させ、シート材料の結晶を基板上に成長させて結晶シートを形成する工程と、基板上の結晶シートの片面に、ｐ型領域およびｎ型領域を形成する工程と、ｐ型領域およびｎ型領域の上に電極を形成する工程と、結晶シートを基板から剥離する工程とを備えることを特徴とする。かかる方法により、片面にｐ型領域およびｎ型領域を備える裏面接合型太陽電池であって、光電変換効率の高い太陽電池を低コストで歩留まりよく製造することができる。
【００１５】
ｐ型領域およびｎ型領域の上に電極を形成した後、結晶シートを基板から剥離する代わりに、結晶シートを基板から剥離した後、ｐ型領域およびｎ型領域の上に電極を形成する方法によっても同様に、光電変換効率の高い裏面接合型太陽電池を低コストで歩留まりよく製造することができる。
【００１６】
実施の形態１
結晶シートの形成方法を、図５に例示する。まず、図５（ａ）に示すような母材５２を用意し、少なくとも結晶シート５５を形成する側に被覆層５３を形成し、基板５１を得る（図５（ｂ））。つぎに、冷却した基板５１の主面５１ａ，５１ｂの片面または両面をシート材料の融液５４に接触させ、シート材料の結晶を基板５１上に成長させて結晶シート５５を形成する（図５（ｃ））。結晶シート形成後、エッチングにより被覆層を除去することにより、結晶シート５５と母材５２を分離することができる（図５（ｄ））。
【００１７】
シート材料は、シリコン、ゲルマニウムなどの半導体材料を含有するものを使用できる。シート材料の融液の温度は、使用する材料の融点に近過ぎると、冷却されている基板が融液に接することにより、融液が湯面凝固を起こすことがある。このため、融点よりある程度高温とする態様が好ましい。たとえば、シート材料がシリコンである場合、融液の温度は、シリコンの融点１４２０℃より高い１４３０℃以上に調整するのが望ましい。
【００１８】
基板を構成する母材は、黒鉛、炭化ケイ素、石英、窒化硼素、アルミナ、酸化ジルコニウム、溶融シリカ焼結体、または、シリコン結晶からなるものを使用することができる。一方、被覆層は、炭化珪素、窒化硼素、窒化ケイ素もしくは酸化ケイ素、または、これらの混合物からなるものを使用することができ、被覆層は、結晶シートの割れを防止し、結晶シートの回収を行ないやすくする観点から選択するのが好ましい。図６に、本発明の製造方法において好ましく使用することができる基板を例示する。この例では、基板６１は、母材６２の全面に被覆層６３を形成しているが、母材の主面のうち、結晶シートを形成する面のみに被覆層を形成した基板も有効に使用することができる。
【００１９】
基板は、主面の片面または両面に凹凸を有するものが好ましい。主面が凹凸を有すると、冷却した基板をシート材料の融液に浸漬することにより、基板上の凸部の先端にシート材料の結晶核が発生し、隣接する先端から成長して来た結晶と凹部の上で接触し、結合することにより、結晶シートを安定して成長させることができる。凸部は、図７に示すように線状に形成しても有効である。また、図８に示すように点状に形成しても有効である。
【００２０】
凸部のピッチは、成長する結晶の粒径を大きくする点で、０．０５ｍｍ以上が好ましい。また、凸部のピッチは、融液との接点を多くすることにより、結晶シートの成長速度を高める点で、５ｍｍ以下が好ましい。一方、凹部は、Ｖ字状の溝またはＵ字状の溝とすることができる。溝の深さを０．０５ｍｍ以上とすると、融液が溝の底にまで到達せず、接触面積が小さいため、結晶シートの剥離が簡単になる点で好ましい。
【００２１】
たとえば、シート材料がシリコンであり、母材が溶融シリカ焼結体からなり、基板の結晶シート形成面に窒化ケイ素からなる被覆層を有する基板を用いて、基板上に厚さ０．１ｍｍ程度の多結晶シートを形成することができる。また、シート材料をシリコンとし、母材がシリコン結晶からなり、酸化ケイ素からなる被覆層を形成した基板を用いて、厚さ０．１ｍｍ程度の結晶シートを基板上に形成することができる。したがって、結晶シートの薄型化を図ることができ、少量のシート材料で結晶シートを形成できるため、さらに低コストの太陽電池を製造することができる。
【００２２】
窒化ケイ素または酸化ケイ素などからなる被覆層は、厚くすると、形成するのに時間とコストがかかる点で、厚さは、１ｍｍ以下が好ましく、０．３ｍｍ以下がより好ましい。また、後の工程において、結晶シートの基板からの分離を容易にする点から、厚さは０．０１ｍｍ以上が好ましく、０．１ｍｍ以上がより好ましい。窒化ケイ素からなる被覆層は、プラズマＣＶＤ法により母材の表面に形成することができる。また、窒化ケイ素は、リン酸溶液により容易に除去できるため、リン酸溶液を用いたエッチングにより、窒化ケイ素からなる被覆層を除去して、結晶シートを基板から容易に剥離することが可能である。したがって、結晶シートを形成する側に所定の被覆層を形成した基板を用い、被覆層をエッチングにより除去して結晶シートを基板から剥離するため、複雑な工程を経ることなく、薄型結晶シートの割れを抑えることができる。
【００２３】
酸化ケイ素からなる被覆層は、母材がシリコン結晶からなる場合、母材の表面を熱酸化することにより形成することができる。また、シリコン結晶の全面を熱酸化した後、片面にレジストを塗布し、レジストを塗布していない面をフッ酸溶液で処理し、表面の熱酸化膜を除去する方法により、母材の片面に酸化ケイ素からなる被覆層を形成することができる。そのほか、母材の表面に常圧ＣＶＤ法または低圧ＣＶＤ法により、酸化ケイ素からなる被覆層を形成することができる。また、酸化ケイ素は、フッ酸溶液により容易に除去できるため、フッ酸溶液を用いたエッチングにより、酸化ケイ素からなる被覆層を除去して、結晶シートを基板から容易に剥離することができる。したがって、同様に、薄型結晶シートの割れを抑えることができる。
【００２４】
図９に示すような構造を有する装置９０により基板を作成する具体例を示す。この基板９６は、母材が溶融シリカ焼結体からなり、母材の主面のうち結晶シートを形成する面にのみ窒化ケイ素からなる被覆層を形成してある。まず、比抵抗が２Ω・ｃｍとなるように、ボロンを配合したシリコンを加熱し、１４３０℃の融液を用意する。つづいて、図９に示すように、融液９５から離れた位置Ａで、基板９６を基板搬送機構９１に装着した後、基板９６に窒素ガスを６００Ｌ／分で吹き付けて冷却する（図示していない。）。
【００２５】
つぎに、水平方向移動用モータ９１ｂにより、融液９５の直上まで基板９６を搬送した後、水平方向移動用モータ９１ｂおよび垂直方向移動用モータ９３ｂをそれぞれ独立に駆動させて、基板９６に任意の軌道を与えながら、基板９６をシリコンの融液９５に接触させる。つづいて、融液９５から基板９６を取出すことにより、基板９６上に結晶シートを形成する。最後に、水平方向移動用モータ９１ｂおよび垂直方向移動用モータ９３ｂにより、基板９６を融液９５から離れた位置Ｂまで搬送した後、基板搬送機構９１から基板９６を取外すと、基板付き結晶シートが得られる。
【００２６】
結晶シートの形成工程と、その後の太陽電池の製造工程を図１および図２に示す。この太陽電池は、結晶シートの主面のうち受光面ではない方の面にｐ型電極とｎ型電極を有する裏面接合型太陽電池である。まず、溶融シリカ焼結体からなる母材２の結晶シート形成面に、窒化ケイ素からなる被覆層３を形成した基板１を用意し（図１（ａ））、上述の方法と同様にして、基板１上に結晶シート５を形成する（図１（ｂ））。得られた基板付き結晶シートの表面を水酸化ナトリウム溶液によりエッチングする。
【００２７】
つぎに、結晶シート５に、不純物拡散層を形成するために不純物を含むペースト材６を塗布する（図１（ｃ））。このペースト材６は、ｐ型不純物ペースト材６ａと、ｎ型不純物ペースト材６ｂとからなり、所望のパターン状に塗布する。ｐ型不純物ペースト材６ａは、たとえば、ホウ素または他のＩＩＩ族元素を含有する。また、ｎ型不純物ペースト材６ｂは、たとえば、リンまたは他のＶ族元素を含有する。なお、これらの不純物を含む限り、ペースト材の組成は従来より公知のものを使用することができる。
【００２８】
ペースト材６を所望のパターン形状に塗布する方法には、スクリーン印刷またはインクジェット印刷などがある。また、パターンの形状は、結晶シート内に発生する少数キャリアを効率良く収集するために、ｐ型領域とｎ型領域が交互に並ぶような形状が望ましい。ｐ型不純物ペースト材６ａおよびｎ型不純物ペースト材６ｂを塗布した後、ペースト材６に含まれる有機溶媒成分を蒸発させるために、１００℃〜２００℃程度で乾燥する態様が好ましい。
【００２９】
その後、ペースト材６を塗布した面全体に拡散防止膜７を形成する（図１（ｄ））。拡散防止膜７は、ペースト材６に含まれるｐ型不純物およびｎ型不純物を結晶シート中に拡散させる際に、ペースト材６から結晶シート以外に不純物が拡散するのを防止するために形成する。拡散防止膜６として、酸化ケイ素膜を常圧ＣＶＤ法により形成することができる。また、酸化ケイ素を含む溶液を塗布して形成することができる。
【００３０】
つぎに、結晶シート５に不純物拡散層を形成する（図１（ｅ））。不純物拡散層は、結晶シート５を、好ましくは７００℃〜１０００℃に昇温した石英炉内で３０分間〜６０分間程度、保持することにより形成することができる。ｐ型不純物ペースト材６ａ中のホウ素などとｎ型不純物ペースト材６ｂ中のリンなどが、結晶シート５中に拡散し、結晶シートの受光面と反対面にｐ型不純物拡散層であるｐ型領域４ａと、ｎ型不純物拡散層であるｎ型領域４ｂを形成する。不純物拡散層の形成温度は、７５０以上がより好ましく、８００℃以上が特に好ましい。また、９５０℃以下がより好ましく、９００℃以下が特に好ましい。
【００３１】
つづいて、フッ酸に浸漬することにより、ｐ型不純物ペースト材６ａ、ｎ型不純物ペースト材６ｂおよび拡散防止膜７を除去し（図１（ｆ））、結晶シート５の表面に、表面再結合を抑制するためにパッシベーション膜８ａを形成する（図１（ｇ））。パッシベーション膜として、たとえば、熱酸化により酸化ケイ素膜を形成する。また、プラズマＣＶＤ法により窒化ケイ素膜を形成する。
【００３２】
つぎに、不純物拡散層に電気的接続を形成するために、ｐ型領域４ａおよびｎ型領域４ｂの上にそれぞれ形成されているたパッシベーション膜８ａを所定の形状に除去する（図２（ａ））。エッチングペーストをスクリーン印刷により所定の形状に形成して、除去を行なったが、フォトレジストを所定のパターンに窓開け形成した後、酸エッチングを行なってもよい。除去する形状は、ドット形状またはライン形状などとすることができ、不純物拡散層の配置および形状に応じて適宜選択することができる。また、不純物拡散層以外の部分に電極９を形成することのないように、不純物拡散層より少し小さめにパッシベーション膜を除去する態様が好ましい。
【００３３】
その後、パッシベーション膜が除去された部分に合せて電極材料を付着し、ｐ型領域４ａおよびｎ型領域４ｂに、それぞれｐ型電極９ａおよびｎ型電極９ｂを形成する（図２（ｂ））。電極材料は、太陽電池に発生する光電流を十分に外部へ取り出せるように、銀、アルミなどの高導電性材料を用いることが好ましい。また、電極材料を付着させる方法は、高真空中での電子ビーム加熱による蒸着法、銀などの金属材料を含むペーストのスクリーン印刷法またはめっき法などが好ましい。なお、電極材料とシリコンとの良好なオーム性接触を得るために、蒸着やスクリーン印刷による電極材料の付着後に４００℃〜５００℃の熱処理を行なう態様が望ましい。
【００３４】
つづいて、パッシベーション膜８ｂおよび電極９上に、耐酸性レジスト７ａを形成した後（図２（ｃ））、リン酸溶液に浸漬して被覆層３をエッチングすることにより除去して、結晶シート５を基板１から剥離することができる（図２（ｄ））。本実施の形態においては、基板上で結晶シートに電極を形成した後、結晶シートを基板から剥離する。したがって、製造中に薄型の結晶シートの割れが発生しにくいという利点がある。除去された母材２は再利用が可能である。その後、結晶シート５の受光面をフッ硝酸によりエッチングしてから、耐酸性レジスト７ａを除去する（図２（ｅ））。
【００３５】
最後に、結晶シート５の受光面にパッシベーション膜８ｃを形成する（図２（ｆ））。パッシベーション膜８ｃとして窒化ケイ素膜を形成すると、屈折率が２．１程度であるため、受光面での反射を抑制する機能が大きい点で好ましい。なお、不要な端部は必要に応じてレーザにより切断除去する。以上の工程により、結晶シートの受光面の裏側にｐ型電極およびｎ型電極を有する裏面接合型太陽電池を低廉なコストで歩留まりよく製造することができる。また、この太陽電池は、優れた光電変換効率を有する。
【００３６】
実施の形態２
本実施の形態における太陽電池の製造方法を図３と図４に示す。この製造方法は、実施の形態１における図１（ａ）〜図１（ｅ）に示す工程と同様に、まず、熔融シリカ焼結体からなる母材３２と、結晶シート３５の形成面に、窒化ケイ素からなる被覆層３３を有する基板３１を用意し（図３（ａ））、基板３１上に結晶シート３５を形成する（図３（ｂ））。つぎに、結晶シート３５に、不純物拡散層を形成するために不純物を含むペースト材３６を塗布する（図３（ｃ））。このペースト材３６は、ｐ型不純物ペースト材３６ａと、ｎ型不純物ペースト材３６ｂとからなり、所望のパターン状に塗布する。その後、ペースト材３６を塗布した面全体に拡散防止膜３７を形成する（図３（ｄ））。つぎに、結晶シートの３５に不純物拡散層を形成する（図３（ｅ））。不純物拡散層は、ｐ型不純物拡散層であるｐ型領域３４ａおよびｎ型不純物拡散層であるｎ型領域３４ｂとからなる。
【００３７】
つづいて、リン酸溶液に浸漬して、窒化ケイ素からなる被覆層３３をエッチングにより除去して、結晶シート３５を母材３２から分離する（図４（ａ））。実施の形態１と異なり、拡散防止膜３７により保護されているため、耐酸性レジストを形成する必要がない点で有利である。除去された母材３２は再利用が可能である。つづいて、結晶シート３５の受光面を、水酸化ナトリウム溶液によりエッチングする（図示していない。）。
【００３８】
その後の工程は、実施の形態１における図１（ｆ）〜図１（ｇ）および図２（ａ）〜図２（ｂ）に示す工程と同様であり、まず、フッ酸に浸漬することにより、ｐ型不純物ペースト材３６ａ、ｎ型不純物ペースト材３６ｂおよび拡散防止膜３７を除去し（図４（ｂ））、結晶シート３５の主面にパッシベーション膜３８ａ，３８ｂを形成する（図４（ｃ））。つぎに、不純物拡散層に電気的接続を形成するために、ｐ型領域３４ａおよびｎ型領域３４ｂの上にそれぞれ形成されているたパッシベーション膜３８ａを所定の形状に除去する（図４（ｄ））。つぎに、ｐ型電極３９ａおよびｎ型電極３９ｂからなる電極３９を形成する（図４（ｅ））。
【００３９】
以上の工程により、結晶シートの受光面の裏側にｐ型電極およびｎ型電極を有する裏面接合型太陽電池を低廉なコストで歩留まりよく製造することができる。また、この太陽電池は、優れた光電変換効率を有する。
【００４０】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
高効率の太陽電池を低コストで大量生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の太陽電池の製造方法を示す工程図である。
【図２】本発明の太陽電池の製造方法を示す工程図である。
【図３】本発明の太陽電池の他の製造方法を示す工程図である。
【図４】本発明の太陽電池の他の製造方法を示す工程図である。
【図５】本発明に用いられる結晶シートの形成方法を示す工程図である。
【図６】本発明の製造方法において好ましく使用することができる基板の構造を示す断面図である。
【図７】基板の形状を示す斜視図である。
【図８】基板の形状を示す斜視図である。
【図９】結晶シートの製造装置を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４３】
１，３１，５１  基板、２，３２，５２  母材、３，３３，５３  被覆層、４ａ，３４ａ  ｐ型領域、４ｂ，３４ｂ  ｎ型領域、５，３５，５５  結晶シート、９，３９  電極、５４  融液。
【図１】
2006310389.tif 000003
【図２】
2006310389.tif 000004
【図３】
2006310389.tif 000005
【図４】
2006310389.tif 000006
【図５】
2006310389.tif 000007
【図６】
2006310389.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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