(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の温度を均一に保ちながらより高速に昇温する。【解決手段】押し具１９により基板１４が載せられているヒータカバー１５に基板１４を押し付け、ヒータカバー１５と基板１４との間に隙間ができにくくする。製膜室に安価で熱伝導率の高いＨ２を導入して昇温する。基板１４が反ることによりヒータカバー１５から基板１４が浮きはじめるタイミングで一旦、Ｈ２の密度を低下させる。基板１４の温度が一様となったら再びＨ２の密度を上昇させる。Ｈ２の分子密度は１×１０２３個／ｍ３〜３×１０２３個／ｍ３（１０００Ｐａ）、好ましくは２×１０２３個／ｍ３付近となるように制御される。【選択図】図１
2006210440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をプラズマＣＶＤ装置の製膜室に導入するステップと、
前記製膜室を水素雰囲気にする水素雰囲気化ステップと、
前記基板をプラズマＣＶＤ処理が行われる温度まで昇温する昇温ステップ
とを具備する
基板加熱方法。
【請求項２】
請求項１に記載された基板加熱方法であって、
前記水素雰囲気化ステップは、
前記製膜室の水素の密度を上昇させるステップと、
前記製膜室の水素の密度を低下させるステップと、
前記製膜室の水素の密度を再び上昇させるステップ
とを具備する
基板加熱方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載された基板加熱方法であって、
更に、前記昇温ステップの間、前記基板に接触し前記基板を加熱するテーブルに前記基板を押し付けるステップ
を具備する
基板加熱方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載された基板加熱方法であって、
更に、前記水素雰囲気化ステップの前に前記製膜室の高真空引きを行う真空引きステップと、
前記真空引きステップの後に真空排気量を低減して前記製膜室に水素ガスを導入するステップと、
前記水素ガスの密度が所定の密度に達したときに前記真空排気量を調整して前記所定の密度を維持するステップ
とを具備する
基板加熱方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載された基板加熱方法であって、
前記昇温ステップの間、前記製膜室の水素分子の密度は３×１０２３個／ｍ３以下である
基板加熱方法。
【請求項６】
請求項５に記載された基板加熱方法であって、
前記昇温ステップの間、前記製膜室の水素分子の密度は１×１０２３個／ｍ３以上である
基板加熱方法。
【請求項７】
請求項６に記載された基板加熱方法であって、
前記昇温ステップにおいて、前記製膜室の水素分子の密度は２×１０２３個／ｍ３となるように制御される
基板加熱方法。
【請求項８】
基板をプラズマＣＶＤ装置の製膜室に導入するステップと、
前記基板をプラズマＣＶＤ処理が行われる温度まで昇温するステップと、
前記昇温ステップの間、前記基板に接触し前記基板を加熱するテーブルに前記基板を押し付けるステップ
とを具備する
基板加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）に伴う基板加熱方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマＣＶＤ装置で基板を連続的に製膜処理するに当たり、製膜室を高真空状態まで真空排気した後に製膜室に設けられたＧＶ弁（ゲート弁）を開けて基板搬送機構により搬入された基板は、前処理工程終了時の温度付近にあり、今回の製膜温度とは違うことがある。そのため、膜質の確保と安定性のためには、基板温度を製膜が行われる所定温度付近まで予熱ならびに均熱化したうえで製膜することが望まれる。
【０００３】
特許文献１には、プラズマＣＶＤ装置（以下Ｐ−ＣＶＤ装置という）などで成膜する基板の昇温方法において、（Ａ）Ｐ−ＣＶＤ装置の圧力を、初期の短時間内は成膜時の圧力よりも高い圧力雰囲気とし、（Ｂ）基板温度がオーバーシュートしないように、整定温度に達する前にＰ−ＣＶＤ装置の圧力を成膜時の圧力へ戻すことにより、基板温度をすみやかに所定温度に整定させることを特徴とする成膜用基板の高速昇温方法が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−１７６２７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、基板の温度分布の偏りを小さく抑えながら短時間で昇温する基板加熱方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【０００６】
本発明による基板加熱方法は、基板（１４）をプラズマＣＶＤ装置の製膜室（１１）に導入する導入ステップと、製膜室（１１）を水素雰囲気にする水素雰囲気化ステップと、基板（１４）をプラズマＣＶＤ処理が行われる温度まで昇温する昇温ステップとを備える。
【０００７】
本発明による基板加熱方法において、水素雰囲気化ステップは、製膜室（１１）の水素の密度を上昇させるステップと、製膜室（１１）の水素の密度を低下させるステップと、製膜室（１１）の水素の密度を再び上昇させるステップとを備える。
【０００８】
本発明による基板加熱方法は、昇温ステップの間、基板（１４）に接触し基板（１４）を加熱するテーブル（１５）に基板（１４）を押し付けるステップを備える。
【０００９】
本発明による基板加熱方法は、水素雰囲気化ステップの前に製膜室（１１）の高真空引きを行う真空引きステップと、真空引きステップの後に排気量制御弁（３４）を閉じて真空排気量を低減して製膜室（１１）に水素ガスを導入するステップと、水素ガスの密度が所定の密度に達したときに排気量制御弁（３４）を調整して所定の水素ガス密度を維持するステップとを備える。
【００１０】
本発明による基板加熱方法において、昇温ステップの間、製膜室（１１）の水素分子の密度は３×１０２３個／ｍ３以下である。
【００１１】
本発明による基板加熱方法において、昇温ステップの間、製膜室（１１）の水素分子の密度は１×１０２３個／ｍ３以上である。
【００１２】
本発明による基板加熱方法において、昇温ステップにおいて、製膜室（１１）の水素分子の密度は２×１０２３個／ｍ３となるように制御される。
【００１３】
本発明による基板加熱方法は、基板（１４）をプラズマＣＶＤ装置の製膜室（１１）に導入する導入ステップと、基板（１４）をプラズマＣＶＤ処理が行われる温度まで昇温する昇温ステップと、昇温ステップの間、基板（１４）に接触し基板（１４）を加熱するテーブル（１５）に基板（１４）を押し付けるステップとを備える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板の温度分布の偏りを小さく抑えながら短時間で昇温する基板加熱方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は、プラズマＣＶＤ処理を行う縦型の基板処理装置の全体図を示す。基板処理装置は、製膜室１１を備えている。製膜室１１の内部には、固定された製膜ユニット１２と、製膜ユニット１２の両側に固定して配置された基板加熱用ヒータ１３が配置されている。製膜ユニット１２と基板加熱用ヒータ１３との間には、図示しない基板搬送台車により製膜室１１内の所定の位置に搬送されるガラス基板１４が配置される。製膜ユニット１２と基板加熱用ヒータ１３との間にはさらに、ガラス基板１４を加熱するテーブルであるヒータカバー１５とガス吹出し型のラダー電極１６が配置されている。
【００１６】
図２は、製膜ユニット１２の構成を示す。製膜ユニット１２は、中央部に立てかけて配置された製膜ユニット温度制御器（以下、温度制御器と呼ぶ）１７と、この温度制御器１７の両側に一体型製膜ユニットカバー（以下、ユニットカバーと呼ぶ）１８を介して配置されたラダー電極１６と、ラダー電極１６の枠体部分に配置された基板周囲押さえ板１９と、ラダー電極１６の背面側に配置されガラス基板１４を支持するヒータカバー１５とを備えている。
【００１７】
ガラス基板１４は、上下に夫々２個づつボルト受けを有したヒータカバー１５に支持される。ヒータカバー１５は駆動モータによりボルトが回動することにより、基板周囲押さえ板１９に密着するようになっている。ラダー電極１６はガス吹出し一体型であり、パイプ状の枠体と、この枠体に梯子型に多数並列され、複数のガス吹出し穴を有するパイプとから構成されている。
【００１８】
図９は、本実施例におけるガラス基板を連続的に製膜処理する製膜装置の構成を示す部分透視斜視図である。製膜装置７０は、ロード室７１Ａ、アンロード室７１Ｂ、ローダ７２Ａ、アンローダ７２Ｂ、共通搬送室７３、台車移動待機室７４Ａ〜７４Ｈ、搬送台車７６Ａ〜７６Ｆ、製膜室（真空処理室７７Ａ〜７７Ｅ）、予備室７８を備える。
【００１９】
製膜装置７０は、搬送台車の回転用の共通搬送室７３が共通に設けられている。５つの製膜室（真空処理室）７７Ａ〜７７Ｅ、ロード室７１Ａ、アンロード室７１Ｂ、予備室７８は、共通搬送室７３の周囲を取り囲むように、それぞれ台車移動待機室７４Ａ〜７４Ｈを介して共通搬送室７３に連通されて、配置されている。ただし、図示しないが、隣接する室同士の接続部分には、ＧＶ弁（ゲート弁）が設けられている。
【００２０】
２台の搬送台車７６Ａ、７６Ｂは、ローダ７２Ａで基板を受け取り、ロード室７１Ａへ搬送する。２台の搬送台車７６Ｅ、７６Ｆは、ロード室７１Ａで基板を受け取り、共通搬送室７３経由で各製膜室７７Ａ〜７７Ｅ（予備室７８）へ基板を搬送する。また、各製膜室７７Ａ〜７７Ｅ（予備室７８）で基板を受け取り、他の各製膜室７７Ｂ〜７７Ｅ（予備室７８）、又はアンロード室７１Ｂへ基板を搬送する。２台の搬送台車７６Ｃ、７６Ｄは、アンロード室７１Ｂで基板を受け取り、アンローダ７２Ｂへ搬送する。
ここで、製膜装置７０に搬入されるガラス基板は、前工程で既に下層膜を製膜処理されたものである場合と、製膜処理のないガラス板単体の場合と、エッチングにより下層膜の一部をパターン処理したものなどがあるが、いずれの基板においても対応可能である。
【００２１】
図３は、基板をＶ型に設置する場合の基板処理装置を説明するための図である。図示されているのは、ガラス基板１４がヒータカバー１５にセットされ、ガラス基板１４を製膜室１１に搬入する基板搬送台車が外へ移動済みの状態である。
【００２２】
こうした基板処理装置において、ガラス基板が連続的に製膜処理を施される。即ち、処理される対象であるガラス基板１４が製膜室１１の入口の壁面に設けられたＧＶ弁（ゲート弁）を通して製膜室１１の内部に搬入され、ＧＶ弁を閉じてプラズマＣＶＤ処理が施され、再びＧＶ弁を開けて製膜室の外部に搬出され、次に処理されるガラス基板が製膜室に搬入される。
【００２３】
以上の説明は、以下に述べる各実施例に共通である。
【００２４】
（実施例１）
基板の製膜処理は、ＳｉＨ４を主に含む雰囲気中で行われる。それに対して、製膜開始前の基板の予熱である所定製膜温度までの昇温と均熱化は、Ｈ２ガス雰囲気中で行われることが好ましい。Ｈ２ガスは熱伝導率が高いため、基板を短時間で、かつ基板の温度分布を均一に維持しつつ、昇温するのに適している。Ｈ２ガスはＳｉＨ４を主に含む製膜原料ガスに比べて安価であるためコストが低減される。さらに、製膜時の雰囲気ガスを導入するときにＨ２ガスは若干残留していてもかまわないため、製膜ガスを導入する前に高真空排気する工程を省いて製膜ガスに切り替えるのみで良く、好ましい。
【００２５】
こうした基板の高速昇温を行うとき、熱流束がヒータカバー１５から基板１４方向に向かうために基板１４の裏側（ヒータカバー１５と接する側）温度が基板表側（製膜される側）温度より高くなるために基板が凹変形する方向に応力が発生する。図４は、凹変形の様子を示している。予熱時に基板加熱用ヒータ１３がガラス基板１４に供給する熱流束３１が大きいと、ヒータカバー１５に接しているガラス基板１４の裏側がより強く加熱され、凹変形が大きくなりガラス基板１４の端部がヒータカバー１５から浮き上がって隙間ができる方向に応力が発生する。隙間ができると、基板の周辺領域のヒータカバー１５から浮いた部分への伝熱が低下し、温度が中央領域よりも低くなり基板の面内温度分布が大きくなる。ガラス基板１４の裏と表の温度差は、次式により評価される：基板表裏温度差＝熱流束（Ｗ／ｍ２）×基板板厚（ｍ）／基板の熱伝導率（Ｗ／ｍＫ）。
【００２６】
図５は、基板とヒータカバーに隙間が発生したときに、隙間が大きくなるほど基板への伝熱が低下する様子を示す。
【００２７】
本実施例においては、ガラス基板１４は周辺領域において基板押え２８によりヒータカバー１５に押し付けられる。基板押えは、例えば基板周囲押さえ板１９そのもの、またはこの先端付近に取り付けられている。基板押え２８により、基板周囲の全周が望ましいが少なくとも四隅やその中間部など変形抑制に必要とされる部分が押さえつけられる。ガラス基板１４がヒータカバー１５に押し付けられることにより、基板凹変形を強制的に押さえることになり、基板周辺領域への伝熱低下を抑制できることから、（１）予熱時及び製膜開始時のガラス基板１４の温度分布がより均一になり、（２）ガラス基板１４の面内温度分布が大きくなると発生するバックリング変形が抑制され、（３）ガラス基板１４の変形が抑制されることにより、ＣＶＤ処理のときに製膜が行われるべき面の裏面側に膜が回り込むことが抑制される。
【００２８】
基板の高速昇温時の雰囲気Ｈ２ガスの分子密度は、３×１０２３個／ｍ３（１０００Ｐａ）以下であることが望ましい。それ以上に雰囲気ガスのＨ２密度が高いと、基板の熱流束が急速に増加し、基板周囲を強制的に押さえる基板押え２８を備える基板処理装置においても、ガラス基板１４が複雑な３次元変形を伴ってヒータカバー１５から浮き、ガラス基板１４の周辺の基板が浮いた領域の温度が中央領域の温度よりも低くなり面内温度分布が大きくなることが考えられる。更に、基板の昇温時間を短くするために、基板の雰囲気Ｈ２ガスの密度は１×１０２３個／ｍ３（５００Ｐａ）以上であることが望ましい。雰囲気Ｈ２ガス密度が低いと熱流束が小さく基板表裏温度差も小さく基板変形も小さくなるが、基板への伝熱量が少ないために基板昇温時間が長くなる。図５に示すように隙間が１ｍｍ程度あっても隙間が０．５ｍｍ以下に近い熱伝達率を確保するには５００Ｐａ以上あることが好ましい。逆にＨ２ガス密度が高すぎると、熱流束が大きくなるために基板表裏温度差が大きくなり基板の３次元変形を伴ってヒータカバー１５から浮いた領域が増加して基板面内温度分布が拡大するために不適当となる。以上の条件を満たす最も望ましい雰囲気Ｈ２ガスの密度は、２×１０２３個／ｍ３（８００Ｐａ付近）である。
【００２９】
ガラス基板１４の温度が製膜温度近くまで達した後、Ｈ２ガス導入を終了して製膜に用いられるガスが製膜室１１に導入され、排気量制御弁３４で製膜圧力に調整されてプラズマＣＶＤ処理が開始される。ＣＶＤ処理の後、更に５×１０−４Ｐａ以下の高真空まで真空引きを行い、ＧＶ弁を開けて処理済の基板を製膜室から搬出し、新規基板の搬入を行う。
【００３０】
（実施例２）
製膜室３２にガラス基板１４を搬入するとき、図６に示す排気量制御弁３４を全開にして真空ポンプ３６により高真空排気を行って基板を搬入する。ＧＶ弁を閉じた直後に、排気量制御弁３４を全閉としてＨ２ガスを導入し、所定圧力（実施例１における雰囲気Ｈ２ガスの圧力）の７０〜１００％まで圧力が上昇した時点で、排気量制御弁３４の制御を開始する。こうした工程により、排気量制御弁を全開状態から所定圧力へ制御するまでの無駄な工程時間が削除され、タクトタイムが短縮する。図７に、通常の制御（制御弁全開からの制御）と本実施の形態における制御とにおけるＨ２密度の変化を示す。本実施の形態における制御の方が、基板内の温度分布を均一に保ちつつ所定密度に到達する時間が短い。
【００３１】
所定圧力（実施例１における雰囲気Ｈ２ガスの圧力）に到達させる時間の勾配には適正な範囲がある。昇温に適切なＨ２の密度は熱流束から決まる。昇温を高速化するためには熱流束が１０ｋＷ／ｍ２であることが望ましい。それ以上に熱流束が大きくなると、ガラス基板１４が大きく例えば１ｍ角以上であるとき、表と裏に温度差が発生し、実施例１に示したのと同様な凹変形が発生する可能性がある。この凹変形を抑制するために、熱流束は１５ｋＷ／ｍ２以下であることが望ましい。
【００３２】
基板内の温度を均一に保ちながら高速で昇温を行うために、以下の方法が有効である。
（１）ガラス基板１４とヒータカバー１５との間の温度差が所定値よりも大きい基板昇温開始時付近にはＨ２の密度を所定値よりも低く抑える。
（２）昇温に伴いガラス基板１４の表裏温度差が発生して基板とヒータカバー１５との間の隙間が大きくなる傾向があるため、ガラス基板１４とヒータカバー１５との間の熱伝達率が１００Ｗ／ｍ２Ｋ〜２００Ｗ／ｍ２Ｋ（基板との隙間にもよるがＨ２ガス圧力が数１００Ｐａ程度相当）の間で維持されるようにＨ２密度を徐々に増加させる。
（３）昇温をある程度の時間行った後にはガラス基板１４とヒータカバー１５との間の温度差が小さくなる。このときにはＨ２の密度を上げて熱流束の低下を抑制する。
（４）以上のことから、Ｈ２密度はＨ２ガスの導入を開始してから１０秒〜２０秒の時間をかけて２×１０２３個／ｍ３（８００Ｐａ）へ増加することが望ましい。
【００３３】
（実施例３）
実施例１、第２形態に示された方法による基板の昇温が終了して製膜が開始されるときに、Ｈ２ガスを反応ガスに入れ替え、排気量制御弁３４により圧力を製膜圧力に変更する。この時、雰囲気密度の低下をステップ状に行う。例えば、圧力８００ＰａのＨ２ガス１２０秒→製膜ガスへ変更→圧力５００Ｐａの製膜ガス１０秒→圧力１００Ｐａの製膜ガス１０秒→製膜圧力。ガラス基板１４は若干凹変形していると考えられるが、圧力低下時にガラス基板１４とヒータカバー１５との密着性の良い基板中央の高温部分の熱流束は急速に低下し、非密着傾向にある基板周辺部分の熱流束は緩やかに低下するので、基板全体の面内温度分布が均一化されて、基板の変形が抑制されるとともに製膜膜質が均一化される。
【００３４】
（実施例４）
実施例２の方法において、予熱時に製膜室の雰囲気Ｈ２の密度を増加させるときに、所定密度まで単調に密度を増加させるのではなく、ステップ状に増加、減少を繰り返す。即ちガラス基板１４の温度を上昇させる際に、ガラス基板１４の表と裏との温度差により凹変形による隙間が所定の大きさまで大きくなるタイミングで、Ｈ２密度を下げることで、ガラス基板１４の中央のヒータカバー１５との密着性が良く高温部分の領域の熱流束は急速に低下し、一方非密着傾向にある基板周辺部分の領域の熱流束は穏やかに低下するので、基板全体の温度均一化を行うことにより基板の変形を抑制し、その後再度Ｈ２密度を増加させる。これにより、基板面内の温度を均一に保ちながら、より短時間で基板の温度を上昇させることができる。
【００３５】
図８の上図は、予熱時の時間経過に対するＨ２密度の変化を示す。図８の下図は、予熱時の時間経過に対する基板面内の温度分布、すなわち基板面内で最も高温の部分と最も低温の部分の温度差の変化を示す。実線で示される実施例４では、Ｈ２の密度を１×１０２３個／ｍ３（５００Ｐａ）まで上昇させた後、一旦３×１０２２個／ｍ３（１００Ｐａ）まで低下させ、その後３×１０２３個／ｍ３（１０００Ｐａ）まで一気に上昇している。実施例２に比べて、Ｈ２密度をいったん低下させた後に再度、上昇させた場合の方が、望ましいＨ２密度２〜３×１０２３個／ｍ３に早く到達するので、基板温度をより短時間で上昇させることができる。さらに、Ｈ２密度を３×１０２３個／ｍ３にまで上昇させた場合にも基板面内の温度分布が低く抑えられる。
【００３６】
以上の実施例１〜４において、予熱時の製膜室１１の雰囲気ガスは、Ｈ２に代えてＨ２とＳｉＨ４の混合ガス、Ｈｅ、Ａｒが用いられてもよい。さらに、昇温の途中から順次ガス成分を製膜成分に近づけて、ガス置換時間を削減しトータルでのタクトタイムを短縮することも可能である。
【００３７】
さらに、Ｈ２、Ｎ２、Ａｒ等を製膜室１１に導入してガラス基板１４の昇温を行う際に、プラズマＣＶＤ処理を行うために使用されるプラズマのＲＦ電力をＯＮにしてプラズマを発生させ、ＲＦプラズマによりガラス基板１４の表側（製膜側）面を加熱する。通常のａ−Ｓｉ製膜における出力に対して２０％程度のＲＦパワーのエネルギーを基板に投入する。基板の表面はＲＦプラズマで、裏面は加熱用ヒータ１３で加熱される。こうした加熱方法により、ガラス基板１４の裏と表で温度差が少なくなり表裏温度差による基板の凹変形が抑制され、基板内の温度の均一性を保ちながら高速に昇温することができる。更に、プラズマを発生させることにより基板表面または基板上の製膜済みの膜表面に付着した異質ガス成分などが除去され、ＣＶＤ処理時の膜質改善が期待できる。
【００３８】
以上の方法により、基板の凹型変形を抑制しながら、基板温度を高速に、しかも均一な温度分布を保って昇温できるようになり、タクトタイムの大幅な短縮が可能となり、生産性が向上する。昇温時のガスは安価なＨ２ガスを用いることにより、製膜時の反応ガスを用いるよりもコストが低減される。
【００３９】
尚、上記の説明は温度の低い基板を、所定の製膜温度まで予熱し均熱化する方法について記載してあるが、前室で処理した基板温度が当該室の所定温度よりも高い場合についても、同様に基板の変形を抑制しながら所定温度に冷却し均熱化する工程において、同様にＨ２ガスを用いてＨ２ガス密度を制御するステップが有効であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は、縦型基板処理装置の製膜室の全体図である。
【図２】図２は、製膜室内に配置された製膜ユニットの説明図である。
【図３】図３は、縦型基板処理装置において、基板をＶ字型に配置する場合の説明図である。
【図４】図４は、ガラス基板が表裏の温度差により反っている様子を示す。
【図５】図５は、ガラス基板とヒータカバーの隙間の大きさと熱伝導率との関係を示す。
【図６】図６は、製膜室と真空ポンプの接続関係を示す。
【図７】図７は、実施例２におけるＨ２密度の時間変化を示す。
【図８】図８は、実施例２と４におけるＨ２密度と基板面内温度分布の時間変化を示す。
【図９】図９は、本発明の基板加熱装置及び真空装置の実施の形態を適用した製膜装置の構成を示す斜視図（部分透視図）である。
【符号の説明】
【００４１】
１１…製膜室
１２…製膜ユニット
１３…基板加熱用ヒータ
１４…ガラス基板
１５…ヒータカバー
１６…ラダー電極
１７…温度制御器
１８…ユニットカバー
１９…基板周囲押え板
７０…製膜装置
７１Ａ…ロード室
７１Ｂ…アンロード室
７２Ａ…ローダ
７２Ｂ…アンローダ
７３…共通搬送室
７４Ａ〜７４Ｈ…台車移動待機室
７６Ａ〜７６Ｆ…搬送台車
７７Ａ〜７７Ｅ…製膜室（真空処理室）
７８…予備室
【図１】
2006210440.tif 000003
【図２】
2006210440.tif 000004
【図３】
2006210440.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006210440.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006210440.tif 000009
【図８】
2006210440.tif 000010
【図９】
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