(57)【要約】  【課題】  下部電極層による寄生抵抗が小さい薄膜コンデンサを提供すること。  【解決手段】  支持基板21上に形成された下部電極層22と、下部電極層22上に形成された誘電体層23と、誘電体層23上に形成された上部電極層24と、下部電極層22上に接続された下部電極層22よりも低抵抗な引き出し電極27ｂとを具備しており、下部電極層22は、誘電体層23の形成領域側が厚く、その外側で薄くなっている段差部を有しており、引き出し電極27ｂは、段差部の縦の面に接して接続されている薄膜コンデンサである。高抵抗な下部電極層22内を通る電流の経路を従来構造のものよりも短くすることができるので、寄生抵抗の小さい、コンデンサとしての電気特性の優れた薄膜コンデンサを提供することができる。【選択図】  図１
2006210589.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に形成された下部電極層と、該下部電極層上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された上部電極層と、前記下部電極層上に接続された該下部電極層よりも低抵抗な引き出し電極とを具備しており、前記下部電極層は、前記誘電体層の形成領域側が厚く、その外側で薄くなっている段差部を有しており、前記引き出し電極は、前記段差部の縦の面に接して接続されていることを特徴とする薄膜コンデンサ。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜コンデンサを２個以上直列に接続したことを特徴とする薄膜コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、下部電極層と上部電極層とに誘電体層が挟持されてなる薄膜コンデンサに関するものであり、特に寄生抵抗を低減させた薄膜コンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
支持基板に下部電極層、誘電体層、上部電極層が順次形成され、下部電極層と上部電極層とに誘電体層が挟持された薄膜コンデンサが知られている。この薄膜コンデンサを外部回路と接続するには、下部電極層および上部電極層に接続された引き出し電極が必要となる（例えば、特許文献１を参照。）。そのような従来の引き出し電極を備える薄膜コンデンサについて説明する。
【０００３】
図８は従来の引き出し電極を備える薄膜コンデンサの例を示す要部断面図である。図８に示す薄膜コンデンサでは、支持基板上１に下部電極層２、誘電体層３、上部電極層４が順次積層されて構成される容量素子が形成され、その容量素子を覆って保護膜５が形成されている。この容量素子においては誘電体層３および上部電極層４よりも下部電極層２を大きく形成しており、保護膜５には上部電極層４に達する開口６ａと、下部電極層２の誘電体層３および上部電極層４がない領域に達する開口６ｂとが形成されている。そして、開口６ａを介して上部電極層４に接続された引き出し電極７ａと、開口６ｂを介して下部電極層２に接続された引き出し電極７ｂとが形成されている。
【０００４】
このような構成によると、下部電極層２と引き出し電極７ｂとが接する面と、下部電極層２と誘電体層３とが接する面とが同一面上に存在していることから、容量素子の誘電体層３から下部電極層２を通って引き出し電極７ｂへ流れる電流の経路は、例えば図８に破線の矢印で示すｆ１〜ｆ３のような経路になる。
【０００５】
ここで、下部電極層２が引き出し電極７ｂよりも大きな比抵抗を有する材料で形成されている場合には、下部電極層２内を通過する距離が最も短い経路ｆ１の電気抵抗が最小となる。したがって、経路ｆ１が最も電流の流れやすい経路であるといえる。しかし、電流のすべてがこの経路ｆ１のみを選択的に流れることは原理的にあり得ず、実際には例えば経路ｆ２や経路ｆ３も通ることとなる。
【０００６】
そこで、一般的な電流経路を、図８と同様の要部断面図である図９に示すように、３つの部分の経路Ａ１，Ｂ１，Ｃ１に分割して、以下のように定義する。
【０００７】
経路Ａ１；誘電体層３と下部電極層２とが接する面から、下部電極層２内で引き出し電極７ｂの真下に含まれる領域に至るまでの経路。
【０００８】
経路Ｂ１；下部電極層２内で引き出し電極７ｂの真下に含まれる領域を通って引き出し電極７ｂと下部電極層２との接する面に至るまでの経路。
【０００９】
経路Ｃ１；引き出し電極７ｂと下部電極層２との接する面から引き出し電極７ｂを通って外部回路に至るまでの経路。
【００１０】
以上のように定義された経路Ａ１，Ｂ１，Ｃ１の電気抵抗は、電流が流れる微小断面積をΔＳとすると、
（ａ＋ｂ）×下部電極層２の比抵抗／ΔＳ＋ｃ×引き出し電極７ｂの比抵抗／ΔＳ
と表わされる。ここで、ａ，ｂ，ｃはそれぞれ経路Ａ１，Ｂ１，Ｃ１の長さを表わす。
【００１１】
ところで、このような薄膜コンデンサにおいて小面積で大容量を得るために、誘電体層３に高誘電率を有する結晶性誘電体材料、特にチタン酸ストロンチウム，チタン酸バリウム，チタン酸バリウムストロンチウム，チタン酸鉛等のペロブスカイト型酸化物誘電体材料を用いるとよいことが一般的に知られている。
【００１２】
しかしながら、これらの高誘電体材料は、結晶性が良くなければ優れた誘電特性を発現しない。誘電体層３の結晶性には、その下側に存在する支持基板１や下部電極層２を構成する材料の結晶の格子定数や結晶配向性等が大きな影響を及ぼす。中でも誘電体層３の直下に位置する下部電極層２は特に重要である。すなわち、下部電極層２には誘電体層３との格子整合が良いことや、表面モフォロジーが良いことなどが要求される。また、一般に上記のような高誘電体膜は高温雰囲気下で成膜されるため、この高温に耐え得る優れた耐熱性も必要となる。
【００１３】
これらの条件を満たす材料として、白金や酸化物導電体等が下部電極層２の形成材料として一般的に使用されている。しかし、これらは誘電体層３との格子整合や耐熱性に優れるものの、一般的な電極材料として使用される金や銅，アルミニウム等に比べると電気抵抗が高く、電極材料として用いるには本来は不向きである。しかしながら、上記のように誘電体層３の結晶性を考慮すると、たとえ高抵抗であろうとこれらの材料を使用せざるを得ないのが現状である。
【００１４】
このように、従来の薄膜コンデンサにおいては、図１に示したような構造で、このような高い比抵抗を有する下部電極層２が用いられていた。
【特許文献１】特許第3246274号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、薄膜コンデンサに寄生する抵抗分は、コンデンサとしての電気特性を悪化させるため、容量素子の構造は寄生抵抗が可能な限り小さくなるものであることが求められる。したがって、下部電極層２に高い比抵抗を有する材料を用いた薄膜コンデンサにおいては、下部電極層２を通る電流経路の長さをできるだけ短くしなければならない。
【００１６】
しかしながら、従来の構成の薄膜コンデンサでは、図２に示すように、電流は高抵抗な下部電極層２内を経路Ａ１と経路Ｂ１との距離を足した長さの経路を通る構造となっており、容量素子において寄生抵抗を低減させる工夫がなされておらず、Ｑ値の低下等のコンデンサとしての電気特性が寄生抵抗によって劣化してしまうという問題点があった。
【００１７】
また、耐電圧性の向上等のためにこのような従来の薄膜コンデンサを電気的に直列接続して構成される薄膜コンデンサにおいては、容量素子を直列接続した分だけ寄生抵抗も加算されるため、下部電極層２による寄生抵抗の影響がより顕著になるという問題点があった。
【００１８】
本発明はこのような従来の技術における問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、下部電極層による寄生抵抗が小さい、コンデンサとしての電気特性に優れている薄膜コンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の薄膜コンデンサは、支持基板上に形成された下部電極層と、この下部電極層上に形成された誘電体層と、この誘電体層上に形成された上部電極層と、前記下部電極層上に接続されたこの下部電極層よりも低抵抗な引き出し電極とを具備しており、前記下部電極層は、前記誘電体層の形成領域側が厚く、その外側で薄くなっている段差部を有しており、前記引き出し電極は、前記段差部の縦の面に接して接続されていることを特徴とするものである。
【００２０】
また、本発明の薄膜コンデンサは、上記構成の薄膜コンデンサを２個以上直列に接続したことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の薄膜コンデンサによれば、支持基板上に形成された下部電極層と、この下部電極層上に形成された誘電体層と、この誘電体層上に形成された上部電極層と、下部電極層上に接続されたこの下部電極層よりも低抵抗な引き出し電極とを具備しており、下部電極層は、誘電体層の形成領域側が厚く、その外側で薄くなっている段差部を有しており、引き出し電極は、下部電極層の段差部の縦の面に接して接続されていることから、高抵抗な下部電極層内を通る電流の経路を従来構造のものよりも短くすることができるので、寄生抵抗の小さい、コンデンサとしての電気特性の優れた薄膜コンデンサを提供することができる。
【００２２】
また、本発明の薄膜コンデンサによれば、上記構成の薄膜コンデンサを２個以上直列に接続していることから、高抵抗な下部電極を通る電流の経路を従来構造のものよりも短くすることができるので、寄生抵抗の小さい、コンデンサとしての電気特性が優れた薄膜コンデンサを提供することができる。したがって、耐電圧性の向上等のために容量素子として機能する薄膜コンデンサを２個以上直列に接続したものにおいて、従来よりも寄生抵抗の小さい薄膜コンデンサを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は本発明の薄膜コンデンサの第１の実施形態の例を示す要部断面図である。図１に示すように、本発明の薄膜コンデンサは、支持基板21の上に形成された下部電極層22と、この下部電極層22上に形成された誘電体層23と、この誘電体層23上に形成された上部電極層24と、下部電極層22上に接続された引き出し電極27ｂとを具備している。
【００２４】
下部電極層22は、白金膜等からなり、誘電体層23の形成領域側が厚く、その外側で薄くなっている段差部を有している。また、この例の下部電極層22では、誘電体層23の形成領域側である段差部の高い領域22ａと、その外側の領域である段差部の低い領域22ｂとに加えて、低い領域22ｂの外側にさらに第２の段差部が設けられて高い領域22ｃを有している。そして、引き出し電極27ｂは下部電極層22に対して、下部電極層22の段差部の高い領域22ａと低い領域22ｂとの間の縦の面に接して接続されている。下部電極層22に対して引き出し電極27ｂがこのように接続されていることにより、高抵抗な下部電極層22内を通る電流の経路を従来構造のものよりも短くすることができるので、寄生抵抗を従来のものよりも低減することができるものとなる。
【００２５】
このような本発明の薄膜コンデンサにおける下部電極層22には、誘電体層23との相性や耐熱性等を考慮して、白金や酸化物導電体等を用いればよい。
【００２６】
また、この例のように下部電極層22の低い領域22ｂの外側にさらに第２の段差部が設けられて高い領域22ｃを有しており、引き出し電極27ｂがこの第２の段差部の縦の面にも接するように接続されているようにすると、下部電極層22と引き出し電極27ｂとが鈎状に固定されるようになるので、下部電極層22と引き出し電極27ｂとの密着性を大幅に向上させることができる。この結果、熱履歴等による引き出し電極層27ｂの剥離が起こりにくい、高信頼な薄膜コンデンサを供給することができるものとなる。
【００２７】
ここで、本発明の薄膜コンデンサによれば従来の薄膜コンデンサと比べて寄生抵抗が小さくなることについて、図２に示す図１と同様の要部断面図において電流経路を示して説明する。なお、図２において図１と同様の箇所には同じ符号を付してある。
【００２８】
図１に示した本発明の薄膜コンデンサの第１の実施形態の例において、例えば図２に破線の矢印で示したような経路Ａ２，Ｂ２，Ｃ２を流れる電流を考える。このとき、経路Ａ２，Ｂ２，Ｃ２は、それぞれ図９で示した経路Ａ１，Ｂ１，Ｃ１と同じ軌跡である。このような経路Ａ２，Ｂ２，Ｃ２の電気抵抗は、
ａ×下部電極層22の比抵抗／ΔＳ＋（ｂ＋ｃ）×引き出し電極27ｂの比抵抗／ΔＳ
と表わされ、図８に示した従来構造の薄膜コンデンサに比べて
ΔＲ＝ｂ×（下部電極層22の比抵抗−引き出し電極27ｂの比抵抗）／ΔＳ
だけ低減させることができる。なお、ここでａ，ｂ，ｃはそれぞれ経路Ａ２，Ｂ２，Ｃ２の長さを表わす。下部電極層22の比抵抗は引き出し電極27ｂの比抵抗よりも大きい。また経路Ｂ２の長さｂの取り得る範囲はｂ≧０である。従って、ΔＲはｂ＝０以外の場合には正の値をとることとなる。このことは、下部電極層22および引き出し電極27ｂ内を流れる電流の経路の中で、ｂ＝０である経路、すなわち経路Ｂ２を含まない経路を除くすべての経路において、図８に示すような従来の構造内で同一の軌跡をとる電流経路に比べて電気抵抗が低減することを示している。また、本発明において下部電極層22および引出し電極27ｂを形成する電極材料には従来のものと同一のものを用いることができることから、本発明の薄膜コンデンサにおいては、ｂ＝０の経路の電気抵抗が従来構造の薄膜コンデンサに比べて増大することはない。さらに、前述したように、電流がｂ＝０の経路のみを選択的に流れることは原理的にあり得ない。
【００２９】
以上のような理由により、本発明の薄膜コンデンサの寄生抵抗は従来の薄膜コンデンサと比べて小さく、コンデンサとしての電気特性に優れた薄膜コンデンサを得ることができる。
【００３０】
本発明の薄膜コンデンサにおいて、下部電極層22の厚さは、誘電体層23の形成領域側である段差部の高い領域22ａで例えば0.1〜10μｍであり、その外側の領域である段差部の低い領域22ｂで例えば0.01μｍ〜10μｍである。下部電極層22を高い領域22ａにおいて0.1μｍよりも薄くすると、面内で抵抗値がばらつくなど電気特性の連続性が確保できなる可能性があり、他方、10μｍよりも厚くすると、支持基板21との密着性が低下したり、厚くすることによる下部電極層22の応力が原因で支持基板21の反りを生じさせたりするおそれがある。一方、下部電極層22の低い領域22ｂにおいては、主としてこの上に形成される引き出し電極27ｂとの密着性および支持基板21との密着性のみを考慮すればよく、電気特性の均一性は考慮しなくてよいことから、膜が連続的に形成でき得る範囲で膜厚の下限値が決定される。また、低い領域22ｂの膜厚の上限値は、高い領域22ａの膜厚よりも小さければ本発明の効果は本質的になくなるものではないが、例えば高周波領域で使用するコンデンサに本発明を用いる場合であれば、好ましくは高い領域22ａと低い領域22ｂとの差は下部電極層22内を通る電流の表皮深さと同程度であることが望ましい。
【００３１】
また、本発明の薄膜コンデンサにおいて、引き出し電極27ａ，27ｂには、例えば、金，銅，アルミニウムやそれらの合金等、一般的に電極として用いられる低抵抗な材料を用いるのが好ましい。なお、本発明の効果を得るためには、引出し電極27ａ，27ｂに用いる材料の比抵抗値は、下部電極層22に用いる材料の比抵抗値よりも小さくなくてはならない。
【００３２】
下部電極層22の誘電体層23の形成領域である高い領域22ａの上には、チタン酸バリウムストロンチウム膜等からなる誘電体層23と、厚さが例えば0.1〜10μｍの白金膜等からなる上部電極層24とが形成されて、下部電極層22と誘電体層23と上部電極層24とで容量素子が形成されている。誘電体層23の厚さは素子に望む容量値によって任意に定められる。また誘電体層23の面積は下部電極層22の高い領域22ａよりも小さく、かつ上部電極層24の面積よりも大きいことが望ましい。上部電極層24の面積は誘電体層23の面積を超えない範囲で素子に望む容量値に合わせて任意に定められる。
【００３３】
また、誘電体層23には、高誘電率を有する結晶性誘電体材料、特にチタン酸ストロンチウム，チタン酸バリウム，チタン酸バリウムストロンチウム，チタン酸鉛等のペロブスカイト型酸化物誘電体材料を用いることが望ましい。
【００３４】
また、上部電極層24の厚みの範囲は、下部電極層22と同様に、電気特性の均一性と誘電体層23に対する密着性とを考慮して決定される。
【００３５】
本発明の薄膜コンデンサにおける上部電極層24には、例えば白金や金等の酸化されにくい、化学的に安定な金属を用いるのが望ましい。
【００３６】
この容量素子の上に保護膜25が形成されており、保護膜25には上部電極層24に達する開口26ａと、下部電極層22の誘電体層23および上部電極層24がない領域に達する開口26ｂとが形成されている。また、開口26ａを介して上部電極層24に接続された引き出し電極27ａと、開口26ｂを介して下部電極層22に接続された引き出し電極27ｂとが形成されている。そして、図１に示すように、この例においては、引き出し電極27ｂは下部電極層22に対して、下部電極層22の段差部の低い領域22ｂと下部電極層22の段差部の縦の面とに接して接続されている。これにより、高抵抗な下部電極層22内を通る電流の経路を従来構造のものよりも短くすることができるので、寄生抵抗の小さい、コンデンサとしての電気特性の優れた薄膜コンデンサを得ることができるものとなる。
【００３７】
次に、本発明の薄膜コンデンサの製造方法の一例について説明する。図３および図４は、それぞれ本発明の薄膜コンデンサの第１の実施形態の例の製造方法の各工程を説明するための断面図である。
【００３８】
まず、図３に示すように、支持基板21上に厚さ0.1〜10μｍの第１の白金膜22’を、その上にチタン酸バリウムストロンチウム膜23’を、さらにその上に厚さ0.01〜１μｍの第２の白金膜24’を、それぞれスパッタリング法を用いて連続的に成膜して積層する。
【００３９】
次に、第２の白金膜24’上にレジストを塗布してパターニングを行なった後、これをマスクに用いてエッチングを行ない、上部電極層24を形成する。次に、このレジストを除去した後、新たにレジストを塗布して上部電極層24よりも大きな形状になるようにパターニングを行ない、これをマスクに用いてチタン酸バリウムストロンチウム膜23’をエッチングして誘電体層23を形成し、このレジストを除去する。次に、新たにレジストを塗布して誘電体層23よりも大きな形状になるようにパターニングを行ない、これをマスクに用いて第１の白金膜22’をエッチングして下部電極層22を形成する。そして、レジストを除去した後、図４に示すように、この上の全面にＳｉＯ２からなる保護膜25をＣＶＤ法によって成膜する。
【００４０】
次に、保護膜25の上にレジストを塗布してパターニングを行ない、続いてエッチングを行なって、誘電体層23が形成されていない領域の下部電極層22に達する開口26ｂを保護膜25に形成する。さらに、この開口26ｂを通してエッチングを行ない、下部電極層22を厚さ0.01〜１μｍ残るようにエッチングし、薄い領域22ｂを形成して、段差部を有する下部電極層22を形成し、レジストを除去する。
【００４１】
このとき、下部電極層22のエッチングは、開口26ｂを形成する際に用いたレジストマスクを除去せず、これをマスクとして行なってもよいし、レジストを除去し開口26ｂを形成した保護膜25ａをマスクとして行なってもよい。
【００４２】
次に、レジストを塗布し、パターニングを行なった後、これをマスクに用いてエッチングを行ない、上部電極層24に達する開口26ａを保護膜25に形成した後、このレジストを除去する。
【００４３】
次に、開口26ａ，26ｂを介して金合金材料等からなる引き出し電極27ａ，27ｂを形成することにより、図１に示すような本発明の薄膜コンデンサを形成することができる。
【００４４】
以上のように、下部電極層22に対して下部電極層22に設けた段差部の縦の面に接して引き出し電極27ｂが接続されると、引き出し電極27ｂよりも高い抵抗を有する下部電極層22内を通る電流の経路が従来の段差部のない薄膜コンデンサにおける下部電極層２内を通る経路と比べて短くなるので、寄生抵抗が小さな薄膜コンデンサを得ることができる。さらに、段差部を形成するための下部電極層22のエッチングに、保護膜25を形成する際のレジストあるいは開口26ａ，27ｂを形成した保護膜25をマスクとして使用することで、下部電極層22に段差部を設けるためのマスク形成工程が不要となるため、段差部の形成のために必要な加工工程を最小限に抑えることができる。
【００４５】
なお、以上の第１の実施形態では、下部電極層22および引き出し電極27ａ，27ｂにそれぞれ白金および金合金を用いているが、引き出し電極27ａ，27ｂに用いる材料の比抵抗値が下部電極層22に用いる材料の比抵抗値に比べて低ければ、他の金属や酸化物導電体またはそれらの多層膜を用いてもよい。
【００４６】
また、以上の第１の実施形態では、誘電体層23にチタン酸バリウムストロンチウムを用いているが、他の高誘電体材料を用いてもよい。
【００４７】
次に、本発明の薄膜コンデンサの第２の実施形態の例について図面を参照しながら説明する。
【００４８】
図５は本発明の薄膜コンデンサの第２の実施形態の例を示す要部断面図であり、図１と同様の箇所には同じ符号を付してある。以下に、第１の実施形態の例と異なる部分のみ説明する。
【００４９】
図５に示すように、本実施形態では、保護膜25の開口26ｂが下部電極層22の段差の低い領域22ｂよりも大きくなっている。これにより、開口26ｂを形成するときに下部電極層22とのアライメントが図１に示した第１の実施形態の例よりも厳密でなくてよく、加工の容易さという観点から非常に有利なものとなる。
【００５０】
なお、本実施形態の例についての製造方法に関しては、開口26ａを形成するときのレジストのパターニング以外は、前述の第１の実施形態の例の製造方法と同じである。
【００５１】
次に、図６は本発明の薄膜コンデンサの第３の実施形態の例を示す要部断面図であり、図１および図５と同様の箇所には同じ符号を付してある。
【００５２】
この第３の実施形態では、上部電極層24が第１の実施形態の上部電極層24よりも厚い構造を持つことによって、製造工程において工程数を減らすことができる。また、第３の実施形態と第１の実施形態とで異なっている部分は上部電極層24の構造のみであるため、下部電極層22を流れる電流の経路は第３の実施形態と第１の実施形態とで異なる経路ではなく、従って、第３の実施形態の構造を選択することで本発明の効果が損なわれることはない。
【００５３】
なお、この第３の実施形態の例の製造工程は、保護膜25を成膜する段階（図４を参照）までは前述の第１の実施形態の例の製造工程と同じである。続く製造工程は、第１の実施形態の例においては、保護膜25に開口26ｂを形成し、続いてエッチングを行ない、段差部を有する下部電極層22を形成した後、保護膜25に開口26ａを形成した。一方、本実施形態の例においては、保護膜25に開口26ａ，26ｂを同時に形成し、続いてエッチングを行ない、段差部を有する下部電極層22を形成する。このとき、上部電極層24上にもすでに開口26ａが形成されているため、図６に示すように、段差部を有する上部電極層24が形成される。以降は第１〜第３の実施形態の例の製造工程は同じである。
【００５４】
この第３の実施形態の例においては、製造工程においてエッチングによる上部電極層24の膜厚の低下に注意を払わなければならないが、保護膜25に対して開口26ａ，26ｂの形成を同時に行なえるため、第１の実施形態の例に比べて製造工程数を減らすことができ、非常に有利である。
【００５５】
次に、図７は本発明の薄膜コンデンサの第４の実施形態の例を示す要部断面図であり、この図７においても、図１，図５および図７と同様の箇所には同じ符号を付してある。
【００５６】
この第４の実施形態の例では、第１の実施形態の例による薄膜コンデンサＣａｐ１，Ｃａｐ２を引き出し電極27により２個以上の複数個直列に接続する。ここでは、２個を直列に接続した部分を示している。本発明の薄膜コンデンサによれば、このように従来よりも寄生抵抗を低減した薄膜コンデンサを直列接続することで、従来の薄膜コンデンサを直列に接続した薄膜コンデンサに比べて寄生抵抗の小さな薄膜コンデンサを得ることができる。
【００５７】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更を加えることは何ら差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の薄膜コンデンサの第１の実施形態の例を示す要部断面図である。
【図２】本発明の薄膜コンデンサの第１の実施形態の例における電流経路を示す要部断面図である。
【図３】本発明の薄膜コンデンサの第１の実施形態の例の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の薄膜コンデンサの第１の実施形態の例の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の薄膜コンデンサの第２の実施形態の例を示す要部断面図である。
【図６】本発明の薄膜コンデンサの第３の実施形態の例を示す要部断面図である。
【図７】本発明の薄膜コンデンサの第４の実施形態の例を示す要部断面図である。
【図８】従来の薄膜コンデンサの断面説明図である。
【図９】従来の薄膜コンデンサの断面説明図である。
【符号の説明】
【００５９】
21・・・支持基板
22・・・下部電極層
23・・・誘電体層
24・・・上部電極層
25・・・保護膜
27ａ，27ｂ・・・引き出し電極
【図１】
2006210589.tif 000003
【図２】
2006210589.tif 000004
【図３】
2006210589.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006210589.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006210589.tif 000009
【図８】
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【図９】
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