(57)【要約】【課題】  簡易な構成で光ビームの利用効率を向上し得る光ピックアップ、光ディスク装置及びビームスプリッタを提案する。【解決手段】  本発明は、光源から出射された光ビームを集光して光ディスクに照射するとともに、当該光ディスクで反射された反射光ビームを受光する対物レンズと、当該光源から出射された光ビームを透過して当該対物レンズに入射させるとともに、当該対物レンズで受光した当該反射光ビームを反射することにより、当該光ビームと当該反射光ビームとを分離する偏光ビームスプリッタとを具え、当該偏光ビームスプリッタは、当該光ビームの中心部に対するＰ偏光透過率よりも光ビームの周縁部に対するＰ偏光透過率が高く設定されるようにする。【選択図】        図１０
2006268912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から出射された光ビームを集光して光ディスクに照射するとともに、当該光ディスクで反射された反射光ビームを受光する対物レンズと、
上記光源から出射された光ビームを透過して上記対物レンズに入射させるとともに、上記対物レンズで受光した上記反射光ビームを反射することにより、上記光ビームと上記反射光ビームとを分離するビームスプリッタと
を具え、
上記ビームスプリッタは、上記光ビームの中心部に対する透過率よりも光ビームの周縁部に対する透過率が高く設定されている
ことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】
上記ビームスプリッタは、２つのプリズムと当該２つのプリズムの間に挟持された偏光膜とを有する偏光ビームスプリッタでなり、
上記偏光膜は、当該偏光膜に対する光ビームの入射角に応じて上記透過率が変化するようになされている
ことを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ。
【請求項３】
光源から出射された光ビームを集光して光ディスクに照射するとともに、当該光ディスクで反射された反射光ビームを受光する対物レンズと、
上記光源から出射された光ビームを透過して上記対物レンズに入射させるとともに、上記対物レンズで受光した上記反射光ビームを反射することにより、上記光ビームと上記反射光ビームとを分離するビームスプリッタと
を具え、
上記ビームスプリッタは、上記光ビームの中心部に対する透過率よりも光ビームの周縁部に対する透過率が高く設定されている
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】
上記ビームスプリッタは、２つのプリズムと当該２つのプリズムの間に挟持された偏光膜とを有する偏光ビームスプリッタでなり、
上記偏光膜は、当該偏光膜に対する上記光ビームの入射角に応じて上記透過率が変化するようになされている
ことを特徴とする請求項３に記載の光ディスク装置。
【請求項５】
第１の光ビームを透過するとともに第２の光ビームを反射することにより、当該第１及び第２の光ビームを分離するビームスプリッタにおいて、
上記第１の光ビームの中心部に対する透過率よりも、周縁部に対する透過率が高く設定されている
ことを特徴とするビームスプリッタ。
【請求項６】
２つのプリズムと当該２つのプリズムの間に挟持された偏光膜とを有する偏光ビームスプリッタでなり、
上記偏光膜は、当該偏光膜に対する光ビームの入射角に応じて上記透過率が変化するようになされている
ことを特徴とする請求項５に記載のビームスプリッタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップ、光ディスク装置及びビームスプリッタに関し、例えば光ディスクに対して光ビームを照射してアクセスを行う光ピックアップに適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
図２３に示すように、従来の光ディスク装置における光ピックアップ１においては、光源であるレーザダイオード２から出射された光ビーム８を透過させ光ディスク３へ照射させると共に、光ディスク３から反射された反射光ビーム９を反射させ受光手段であるフォトディテクタ４に受光させるための偏光ビームスプリッタ（以下これをＰＢＳと呼ぶ）５を有している。
【０００３】
上述したＰＢＳ５は、光ビーム８を透過させ、反射光ビーム９を反射させるための半透反射膜（図示せず）を有している。当該ＰＢＳ５においては、当該半透反射膜の入射光ビームの角度に対して透過率及び反射率が変化する入射角依存性のために、ＰＢＳ５を透過若しくは反射したレーザ光の強度分布が不均一となるという問題が生じている。このため、当該入射角依存性を低減させたＰＢＳが提案されている（特許文献１及び特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平７−３７２６６号公報
【特許文献２】特開平７−５３２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、図２４に示すように、レーザダイオードから出射されるレーザ光の光強度はほぼガウス分布しており、光強度の大きい中心部のみが光ビームとして使用されている。この光ビームにおいて、中心光強度を１００％とした時に５０％の強度を有する角度が放射角θである。ここで、図２３に示したように、光ビーム８と反射光ビーム９を含む入射面に対して平行方向の放射角をθ//、垂直方向の放射角をθ⊥とした時、レーザダイオード２から出射されるレーザ光の放射角は、θ//方向とθ⊥方向において大きく異なっている。
【０００５】
このため、一定の光ビーム８を光路に入射する際、図２４（Ａ）に示したように、放射角θ⊥の大きいθ⊥方向では、レーザ光の強度が大きく強度分布の平坦な部分のみを光ビームとして使用する使用領域ＵＲとすることができるため、光ビームの中心光強度に対する周縁部の光強度を示す瞳端強度ＲＩが所定以上である光強度分布を得ることができ、スポットサイズを小さくすることができる。
【０００６】
一方、図２４（Ｂ）に示したように、放射角θ//の小さいθ//方向では、θ⊥方向と同じ発散角のレーザ光を光ビームとして使用する使用領域ＵＲとすると、強度が小さく強度分布の急な部分のレーザ光までを光ビームとして使用することになるため、光ビームの瞳端強度ＲＩが極端に小さくなり、光ディスクに照射する光ビーム８のスポットサイズが大きくなってしまうという問題があった。
【０００７】
この問題を解決するために、上述したＰＢＳ５を有する光ピックアップ１においては、例えばアナモルフィックプリズム等の素子を設置することによって、光ビーム８のθ//方向を引き伸ばし、光強度分布の平坦な中央部のみを使用する必要があった。
【０００８】
しかしながら、上述した素子を使用する方法は、光ピックアップ１（図２３）における素子数の増大を引き起こす一方、光ビーム８のθ//方向を引き伸ばし、中央部のみを使用するため、光ビーム８における損失が大きくなり、光ビーム８の強度及び利用効率の低下を引き起こすという問題があった。
【０００９】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、簡易な構成で光ビームの利用効率を向上し得る光ピックアップ、光ディスク装置及びビームスプリッタを提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
かかる課題を解決するため本発明の光ピックアップにおいては、光源から出射された光ビームを集光して光ディスクに照射するとともに、当該光ディスクで反射された反射光ビームを受光する対物レンズと、当該光源から出射された光ビームを透過して当該対物レンズに入射させるとともに、当該対物レンズで受光した当該反射光ビームを反射することにより、当該光ビームと当該反射光ビームとを分離するビームスプリッタとを具え、当該ビームスプリッタは、当該光ビームの中心部に対する透過率よりも光ビームの周縁部に対する透過率が高く設定されるようにした。
【００１１】
この光ピックアップでは、ビームスプリッタで光ビームの瞳端強度を大きくすることによって、光ディスクに照射される光ビームのスポットサイズを小さくすることができると共に、当該光ビームの中心部のみならず周縁部まで利用することができるため、当該光ビームの利用効率を向上させることができる。また、当該光ビームの中心部を引き伸ばして使用するための素子が不要となり、光ピックアップにおける構成を簡略化させることができる。
【００１２】
かかる課題を解決するため本発明の光ディスク装置においては、光源から出射された光ビームを集光して光ディスクに照射するとともに、当該光ディスクで反射された反射光ビームを受光する対物レンズと、当該光源から出射された光ビームを透過して当該対物レンズに入射させるとともに、当該対物レンズで受光した当該反射光ビームを反射することにより、当該光ビームと当該反射光ビームとを分離するビームスプリッタとを具え、当該ビームスプリッタは、当該光ビームの中心部に対する透過率よりも光ビームの周縁部に対する透過率が高く設定されるようにした。
【００１３】
この光ディスク装置では、ビームスプリッタで光ビームの瞳端強度を大きくすることによって、光ディスクに照射される光ビームのスポットサイズを小さくすることができると共に、当該光ビームの中心部のみならず周縁部まで利用することができるため、当該光ビームの利用効率を向上させることができる。また、当該光ビームの中心部を引き伸ばして使用するための素子が不要となり、光ピックアップにおける構成を簡略化させることができる。
【００１４】
かかる課題を解決するため本発明のビームスプリッタにおいては、第１の光ビームを透過するとともに第２の光ビームを反射することにより、当該第１及び第２の光ビームを分離するビームスプリッタにおいて、当該第１の光ビームの中心部に対する透過率よりも、周縁部に対する透過率が高く設定されるようにした。
【００１５】
このビームスプリッタでは、光ビームの瞳端強度を大きくすることによって、光ディスクに照射される光ビームのスポットサイズを小さくすることができると共に、当該光ビームの中心部のみならず周縁部まで利用することができるため、当該光ビームの利用効率を向上させることができる。また、当該光ビームの中心部を引き伸ばして使用するための素子が不要となり、光ピックアップにおける構成を簡略化させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ビームスプリッタは、光ビームの中心部に対する透過率よりも光ビームの周縁部に対する透過率が高く設定されていることにより、光ビームの瞳端強度を大きくし、光ディスクに照射される光ビームのスポットサイズを小さくすることができると共に、当該光ビームの中心部のみならず周縁部まで利用することができる。これにより、当該光ビームの利用効率を向上させることができると共に、当該光ビームの中心部を引き伸ばして使用するための素子が不要となり、光ピックアップにおける構成を簡略化することができる光ピックアップ、光ディスク装置及びビームスプリッタを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【００１８】
（１）原理
図１に示すように、光ディスクにおける光ビームのスポットサイズを小さくするためには、ＰＢＳから出射される出射光ビームの放射角（以下、見かけの放射角θａと呼ぶ）を大きくすれば良い。また、当該出射光ビームの瞳端強度ＲＩを大きくすることによって、当該出射光ビームの中心光強度に対して５０％の光強度を有する角度である見かけの放射角θａを大きくすることができる。すなわち、当該出射光ビームの瞳端強度ＲＩを大きくすることで、スポットサイズを小さくし得る。
【００１９】
ところで、従来のＰＢＳでは、入射した光ビームに対する入射角依存性を低減させるようになされている。例えば図２に示す入射角依存性の低いＰ偏光透過率を有するＰＢＳでは、図３に示す光強度分布を有する光ビームを入射した場合、入射角依存性を殆ど有していないために、ほぼ一定の透過率によって当該光ビームを透過させる。
【００２０】
すなわち、従来のＰＢＳは光ビームを一定の透過率で透過させるため、図４に示すように、中心部である発散角０°付近における大きい光強度の部分を大きい光強度で、周縁部である±５°付近における小さい光強度の部分を小さい光強度で出射するため、出射光ビームの瞳端強度ＲＩは小さくなる。
【００２１】
一方、例えば図５に示すＰ偏光透過率を有する本発明のＰＢＳにおいては、光ビームの中心入射角である４５°におけるＰ偏光透過率を低く、周縁部である４０°及び５０°付近におけるＰ偏光透過率を高くすることによって、当該光ビームの中心部における大きい光強度の部分を低い透過率で、周縁部における小さい光強度の部分を高い透過率で透過させることができるため、図６に示すように、従来のＰＢＳより出射光ビームの瞳端強度ＲＩを大きくすることが可能となる。
【００２２】
そこで、本実施形態によるＰＢＳは、光線の中心部より周縁部のＰ偏光透過率が高くなるように、かつ光ビームの中心入射角を軸に、当該Ｐ偏光透過率を入射角に対して対称的に変化させるようにすることを特徴としている。
【００２３】
（２）光ディスクドライブの全体構成
図７において、１０は全体として光ディスクドライブを示し、制御部１２が光ディスクドライブ１０の各部を制御するようになされている。
【００２４】
すなわち制御部１２は、サーボ回路１３を介してスピンドルモータ１４を回転させ、ターンテーブル（図示せず）に載置された光ディスク６０を回転駆動する。また制御部１２は、サーボ回路１３を介して送りモータ１５を回転させ、光ピックアップ１６を光ディスク６０の半径方向に移動させる。さらに制御部１２は信号処理部１７を制御し、光ディスク６０に対するデータの読出及び書込を実行させる。
【００２５】
これに加えて制御部１２は光ピックアップ１６のレンズ駆動装置を制御し、当該光ピックアップ１６の対物レンズをトラッキング方向及びフォーカス方向に駆動する。
【００２６】
図８は光ピックアップ１６の構成を示し、レーザダイオード２１は信号処理部１７（図７）から供給される駆動電流に応じて、光ビーム４０と反射光ビーム５０を含む平面に対して平行な方向に振動する偏光成分であるＰ偏光の光ビーム４０を発光し、ＰＢＳ３０を介してコリメータレンズ２２に入射する。
【００２７】
コリメータレンズ２２は光ビーム４０を平行光に変換し、波長板２３に入射する。波長板２３は光ビーム４０を円偏光の光ビーム４１に変換し、ミラー２４を介して対物レンズ２５に入射する。対物レンズ２５は光ビーム４１を集光し出射光ビームとして光ディスク６０に照射する。
【００２８】
また対物レンズ２５は、光ディスク６０によって反射され、位相が９０°ずれた円偏光の反射光ビーム５１を受光し、ミラー２４を介して波長板２３に入射する。波長板２３は光ビーム５１を光ビーム４０と反射光ビーム５０を含む平面に対して垂直な方向に振動する偏光成分であるＳ偏光の光ビーム５０に変換し、コリメータレンズ２２に入射する。
【００２９】
コリメータレンズ２２はＰＢＳ３０及びマルチレンズ２７を順次介して反射光ビーム５０をフォトディテクタ２８に入射する。フォトディテクタ２８は反射光ビーム５０を光電変換して各種信号を生成し、信号処理部１７(図７)に供給する。
【００３０】
（３）ＰＢＳの構成
図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、ＰＢＳ３０は略立方体形状からなり、底面が直角三角形である三角柱形状を有するプリズム３１の斜面３１Ａと、同一形状を有するプリズム３２の斜面３２Ａとを対向させ貼り合わせることによって形成されている。
【００３１】
また、ＰＢＳ３０には、プリズム３１及びプリズム３２の間に挟まれた状態で偏光膜としての半透反射膜３３が設けられ、例えば斜面３１Ａに真空蒸着法により当該半透反射膜３３が形成された当該プリズム３１と、斜面３２Ａに接着剤が塗布された当該プリズム３２とを貼り合わせることによって形成されている。当該半透反射膜３３は、Ｐ偏光の一部を透過し、Ｓ偏光を反射するようになされている。
【００３２】
これにより、ＰＢＳ３０は、レーザダイオード２１から出射されたＰ偏光の光ビーム４０を透過させ光ディスク６０へ入射させると共に、当該光ディスク６０から反射されたＳ偏光の反射光ビーム５０を反射させ受光手段であるフォトディテクタ２８に受光させるようになされている（図８）。
【００３３】
かかる構成に加えて、図１０に示すように、本発明のＰＢＳ３０においては、発散角が０°である光ビーム４０の中心が半透反射膜３３に対して４５°の角度で入射するため、半透反射膜３３に対する中心入射角は４５°となる。ここで、当該ＰＢＳ３０においては、中心部におけるＰ偏光透過率に対して、周縁部のＰ偏光透過率が高く、かつ当該光ビーム４０の当該半透反射膜３３への中心入射角を軸にＰ偏光透過率を対称的に変化させる、いわゆる入射角依存性を有するようになされている。
【００３４】
ＰＢＳ３０は、Ｐ偏光透過率を中心入射角である４５°において約６２％、中心入射角から２°ずれた入射角４３°及び４７°において約６５％、４°ずれた入射角４１°及び４９°において約７５％、６°ずれた入射角３９°及び５１°において約９０％になるように、Ｐ偏光透過率を入射角に応じて変化させ得るようになされている。
【００３５】
さらに、ＰＢＳ３０は、Ｓ偏光透過率をほぼ０％とすることによって、光ディスク６０から反射された光ビーム５０のほぼ全光を反射させ、フォトディテクタ２８へ集光させ得るようになされている（図８）。
【００３６】
また、ＰＢＳ３０は、プリズム３１とプリズム３２の材料、半透反射膜３３の材料と膜厚の選択及びこれらの組み合わせによって、上述したような光ビーム４０に対する入射角依存性を実現することができる。
【００３７】
プリズム３１及びプリズム３２の材料としては、特に制限されないが、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂等のプラスチック材料や硼珪酸ガラス等のガラス材料等の一般的なプリズム材料を使用することができ、要求されるＰＢＳの特性に応じて、特に屈折率や透過率等の特性によって適宜選択される。
【００３８】
また、半透反射膜３３の材料としては、特に制限されないが、例えば酸化マグネシウムやフッ化マグネシウム等の誘電体膜材料、及び金や銀等の金属膜材料を使用することができ、要求されるＰＢＳの特性に応じて適宜選択される。当該半透反射膜３３としては例えば高屈折率を有する材料と低屈折率を有する材料が組み合わされ、真空蒸着法によって交互に積層されることによって形成される。
【００３９】
さらに、半透反射膜３３の膜厚としては、特に制限されないが、要求されるＰＢＳ３０の特性と使用する光ビームの波長に応じて適宜選択される。
【００４０】
図１１に本実施形態におけるＰＢＳ３０の構成を示す。本実施形態においては、使用している光ビーム４０の波長は４０５ｎｍであり、プリズム３０及びプリズム３１の材料としてＢＫ−７（屈折率１．５３、透過率９２％）を使用している。また、本実施形態においては、半透反射膜３３の材料として酸化チタン及び二酸化ケイ素を使用し、図１１に示す膜厚を有する酸化チタン膜と二酸化ケイ素膜を交互に積層することによって当該半透反射膜３３を形成している。
【００４１】
ここで図１２に示したように、ＰＢＳ３０は光ビーム４０のθ//方向に対して傾斜させた状態で半透反射膜３３を配置しているため、θ//方向に対して上述した入射角依存性を発揮し得るようになされている。
【００４２】
すなわち、ＰＢＳ３０は、入射光ビーム４０Ａのθ//方向において、大きい光強度を有する中心部分を低い透過率で、小さい光強度を有する周縁部を高い透過率で、入射光ビーム４０Ａを透過させることができるため、出射光ビーム４０Ｂにおける瞳端強度ＲＩを大きくし得るようになされている。
【００４３】
因みに、図４に示したように、従来のＰＢＳは、発散角０°における入射光ビーム強度を１００％とした時に、図３に示した光ビームを透過させることによって、出射する光ビーム強度を発散角０°において約６０％に低下させると共に、発散角５°において約１５％にまで低下させる。
【００４４】
これに対し、本発明のＰＢＳ３０は、図１３に示すθ//方向における光ビーム強度（図３と同一の光強度）を有する入射光ビーム４０Ａを透過させることによって、図１４に示すように、入射光ビーム４０Ａの発散角０°における光強度を１００％とした場合において、出射光ビーム４０Ｂの光強度を発散角０°において約６０％に低下させると共に、発散角５°において約２５％に保ち得るようになされている。
【００４５】
すなわち、本発明のＰＢＳ３０は、発散角０°において出射光ビーム４０Ｂの光強度を従来のＰＢＳを使用した場合と同程度の約６０％に維持すると共に、発散角５°における出射光ビーム４０Ｂの光強度を、従来のＰＢＳを使用した場合の約１５％より大幅に大きい、約２５％に引き上げ得るようになされている。
【００４６】
また、本実施形態においては、図１５に示す構成の半透反射膜３３を用いた場合でも同様に、図１６に示すようにＰ偏光透過率を入射角に応じて変化し得、上述した効果と同様の効果を得ることができる。
【００４７】
すなわち、図１７に示すように、発散角０°において出射光ビーム４０Ｂの光強度を従来のＰＢＳを使用した場合と同程度の約６０％に維持すると共に、発散角５°における出射光ビーム４０Ｂの光強度を、従来のＰＢＳを使用した場合の約１５％から約２５％に引き上げ得るようになされている。
【００４８】
一方、ＰＢＳ３０は、光ビーム４０のθ⊥方向に対して傾斜させていない状態で、すなわち入射角が一定の４５°になるように半透反射膜３３を配置している。このため、当該ＰＢＳ３０は、図１８に示す高い瞳端強度ＲＩを有するθ⊥方向における入射光ビーム４０Ａを一定のＰ偏光透過率で透過させることができ、その高い瞳端強度ＲＩを変えることなく、図１９に示す光強度を有する出射光ビーム４０Ｂに変換し得る。
【００４９】
すなわち、ＰＢＳ３０は、θ⊥方向における高い瞳端強度ＲＩを変えることなく、瞳端強度ＲＩの低いθ//方向に対してのみ入射角依存性を発揮し、大きい光強度を有する中心部に対しては低いＰ偏光透過率、小さい光強度を有する周縁部に対しては高いＰ偏光透過率で光ビーム４０を透過させることによって、出射光ビーム４０Ｂにおける中心部の光強度を低下させることなく、その瞳端強度ＲＩを大きくし得るようになされている。
【００５０】
また、図２０に示すように、ＰＢＳ３０は、透過させた出射光ビーム４０Ｂの瞳端強度ＲＩを大きくし得、約７．５°であった入射光ビーム４０Ａの放射角θ//（図１３）を、出射光ビーム４０Ｂにおける見かけの放射角θ//ａ＝約１０°へと大きくすることができ、その結果、スポットサイズを小さくし得るようになされている。
【００５１】
ここで、従来のＰＢＳを用いた光ピックアップでは、瞳端強度ＲＩを大きくするためにアナモルフィックプリズム等の素子によって光ビームを引き伸ばし、光強度分布の平坦な当該光ビームの中央部のみを使用し、当該光ビームの周縁部を使用していなかったために、光利用効率の低下を生じていた。
【００５２】
これに対して、本発明のＰＢＳ３０を用いた光ピックアップ１６では、ＰＢＳ３０自体が瞳端強度ＲＩを大きくすることができるため、光ビーム４０の中央部のみならず周縁部までも利用できるために、当該光ビーム４０を有効に利用し得るようになされている。
【００５３】
さらに、本発明のＰＢＳ３０を用いた光ピックアップ１６においては、上述したようにアナモルフィックプリズム等の素子を用いる必要がないために、光ピックアップ１６全体の構成を簡略化できる。
【００５４】
（４）動作及び効果
以上の構成において、光ディスク装置１０の光ピックアップ１６に設けられたＰＢＳ３０は、レーザダイオード２１から出射されたＰ偏光の光ビーム４０を透過させ光ディスク６０へ入射させると共に、光ディスク６０から反射されたＳ偏光の反射光ビーム５０を反射させ受光手段であるフォトディテクタ２８に受光させる（図８）。
【００５５】
そして、ＰＢＳ３０は、光線の中心より周縁部のＰ偏光透過率が高くなるように、かつ当該Ｐ偏光透過率を中心入射角４５°に対して対称的に変化させるように形成されているため、レーザダイオード２１から出射されたθ//方向において急な光強度分布を有する入射光ビーム４０Ａを、平坦な光強度分布を有する出射光ビーム４０Ｂに変換する。
【００５６】
これにより、ＰＢＳ３０は出射光ビーム４０Ｂの瞳端強度ＲＩを大きくすることができ、通常のＰＢＳとしての機能に加え、従来のＰＢＳを用いた場合に必要とされていた瞳端強度ＲＩを大きくするための素子と同様の機能を併せ持つことができる。
【００５７】
さらに、ＰＢＳ３０は、従来のアナモルフィックプリズム等のように光ビームを引き伸ばして中央部のみを使用するのではなく、光ビームの周縁部のＰ偏光透過率を向上させることによってθ//方向における光強度分布の平坦化を行っているため、光ビーム４０の強度低下を引き起こすことがない。このため、同一のレーザダイオード２１を使用した場合において、一段と高い強度の光ビーム４１（図８）を光ディスク６０に照射することが可能となる。この結果、ＰＢＳ３０は、特に高出力を必要とする書込処理において、光ピックアップの処理高速化を実現できる。
【００５８】
さらに、ＰＢＳ３０は、光ビームの利用効率を向上させることができるため、従来の光ピックアップと同一処理能力を有する光ピックアップ１６において、一段と低出力のレーザダイオード２１を使用させることが可能となる。このため、ＰＢＳ３０は光ディスク装置における消費電力を削減させることができると共に、電子回路部分への負荷を減らすことができ、光ディスク装置１０の耐久性を向上させることができる。
【００５９】
さらに、上述した低出力化により、ＰＢＳ３０はレーザダイオード２１及び電源等の周縁素子を小型化させ、光ピックアップ１６及び光ディスク装置１０を小型化させることができると共に、設計の自由度を向上させ得る。
【００６０】
さらに、ＰＢＳ３０は、膜材料が有する本来の入射角依存性を活用することができるため、半透反射膜３３における膜の層数を減少させることができ、当該半透反射膜３３の吸湿性を起因とする信頼性低下を防止することができる。また、これにより、当該半透反射膜３３の膜構成を簡素化できる。
【００６１】
以上の構成によれば、光ディスク装置１０の光ピックアップ１６に設けられたＰＢＳ３０は、光線の中心より周縁部のＰ偏光透過率が高くなるように、かつ当該Ｐ偏光透過率を中心入射角４５°に対して対称的に変化させるように形成されているため、簡易な構成で光ビームの利用効率を向上させることができる。
【００６２】
（５）他の実施の形態
なお上述の実施の形態においては、ＰＢＳ３０として２つの三角プリズムを貼り合わせたキューブ形状を有する偏光ビームスプリッタを使用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば図２１に示すような、板状のＰＢＳ１３０を使用するようにしても良い。尚、図２１及び図２２において、図８における光ピックアップ１６と同一機能の部分には同一符号を付して説明する。
【００６３】
ＰＢＳ１３０は、平行平面板１３２の片面に半透反射膜１３３が形成され、当該半透反射膜１３３と対向する面に反射防止膜１３４が形成されることによって構成される。図２２に示すように、ＰＢＳ１３０は、光ピックアップ１１０において、レーザダイオード２１に半透反射膜１３３を対向させた状態で配置されている。
【００６４】
レーザダイオード２１はＰ偏光を有する光ビーム４０を発光し、ＰＢＳ１３０に入射する。ＰＢＳ１３０は光ビーム４０の一部を反射させ、波長板２３に入射すると共に、残りの光ビーム４０を透過させフォトダイオード１２９に入射する。波長板２３は光ビーム４０を円偏光の光ビーム４１に変換し、対物レンズ２５を介して光ディスク６０へ入射する。
【００６５】
光ディスク６０は光ビーム４１を反射し、反射光ビーム５１に変換し、対物レンズ２５を介して波長板２３に入射する。波長板２３は反射光ビーム５１をＳ偏光の反射光ビーム５０に変換し、ＰＢＳ１３０を介してフォトディテクタ２８に入射する。
【００６６】
ここで、ＰＢＳ１３０は、光線の中心より周縁部のＰ偏光透過率が高くなるように、かつ当該Ｐ偏光透過率を中心入射角４５°に対して対称的に変化させるように形成されているため、上述したＰＢＳ３０を使用した場合と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
また上述の実施の形態においては、ＰＢＳ３０として偏光ビームスプリッタを使用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば透過率と反射率が同程度であるような、偏光機能を有しないビームスプリッタに使用するようにしても良い。
【００６８】
さらに上述の実施の形態においては、ＰＢＳ３０はそのＰ偏光透過率において、光線の中心より周縁部が高くなるように変化させる特性を設けるようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、当該ＰＢＳ３０の他の光学的性質であるＳ偏光透過率、Ｓ偏光反射率及びＰ偏光反射率において当該特性を設けるようにしても良く、また、１つの当該ＰＢＳ３０に複数の当該光学的性質における当該特性を設けるようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、各種の光ディスクドライブに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】見かけの放射角θａとスポットサイズの関係を示す略線図である。
【図２】従来のＰＢＳにおけるＰ偏光透過率を示す略線図である。
【図３】光ビーム強度分布を示す略線図である。
【図４】従来のＰＢＳにおける出射光ビーム強度分布を示す略線図である。
【図５】本発明のＰＢＳにおけるＰ偏光透過率を示す略線図である。
【図６】本発明のＰＢＳにおける出射光ビーム強度分布を示す略線図である。
【図７】光ディスクドライブの全体構成を示す略線図である。
【図８】光ピックアップの構成を示す略線図である。
【図９】偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）の構成を示す略線図である。
【図１０】ＰＢＳの偏光透過率（１）を示す略線図である。
【図１１】ＰＢＳの構成（１）を示すテーブルである。
【図１２】光ビームのＰＢＳ透過についての説明に供する略線図である。
【図１３】θ//方向における入射光ビーム強度分布を示す略線図である。
【図１４】θ//方向における出射光ビーム強度分布（１）を示す略線図である。
【図１５】ＰＢＳの構成（２）を示すテーブルである。
【図１６】ＰＢＳの偏光透過率（２）を示す略線図である。
【図１７】θ//方向における出射光ビーム強度分布（２）を示す略線図である。
【図１８】θ⊥方向における光ビーム強度分布を示す略線図である
【図１９】θ⊥方向における出射光ビーム強度分布を示す略線図である。
【図２０】θ//方向における出射光ビーム強度分布と見かけの放射角θ//ａを示す略線図である。
【図２１】他の実施の形態における偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）の構成を示す略線図である。
【図２２】他の実施の形態における光ピックアップの構成を示す略線図である。
【図２３】光ビームにおける放射角の説明に供する略線図である。
【図２４】レーザ光強度分布と放射角を示す略線図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０……光ディスクドライブ、１６……光ピックアップ、２１……レーザダイオード、２２……コリメータレンズ、２３……波長板、２４……ミラー、２５……対物レンズ、２７……集光レンズ、２８……フォトダイオード、３０……ＰＢＳ、３１、３２……プリズム、３３……半透反射膜、４０〜４１……光ビーム、４０Ａ……入射光ビーム、４０Ｂ……出射光ビーム、５０〜５１……反射光ビーム、６０……光ディスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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