(57)【要約】【課題】簡易な図形演算処理を用いて、ステンシルマスクの破壊防止のためのパターン検証を高速に行うことができるマスクパターン検証方法、マスクパターン作成方法、パターンデータ処理装置、およびプログラムを提供する。【解決手段】相補分割パターン２１を拡大し、拡大パターン２２同士が重なる部分を危険候補箇所２３として抽出する。そして、抽出した危険候補箇所２３を用いて、パターンの検証を行う。例えば、第１の判定処理として、抽出した危険候補箇所２３の短辺および長辺の長さと、予め設定されたしきい値とを比較する。また、第２の判定処理として、危険候補箇所２３の寸法に基づいて各危険候補箇所２３に対し重み係数を付加し、一定の検査領域内に含まれる複数の危険候補箇所２３の重み係数の和としきい値とを比較する。【選択図】図５
2006120854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステンシルマスクに貫通孔として形成されるパターンを検証するマスクパターン検証方法であって、
前記パターンを拡大するステップと、
拡大したパターン同士が重なる部分を抽出するステップと、
抽出した重なり部分の寸法に基づいて、当該重なり部分が前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定するステップと
を有するマスクパターン検証方法。
【請求項２】
前記判定するステップにおいて、抽出した前記重なり部分の辺の長さと、予め設定されたしきい値とを比較することにより、当該重なり部分が前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定する
請求項１記載のマスクパターン検証方法。
【請求項３】
前記判定するステップは、
前記重なり部分の寸法に基づいて、各重なり部分に対し重み係数を付加するステップと、
一定領域内に含まれる複数の重なり部分の重み係数の和に基づいて、複数の前記重なり部分の集まりが前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定するステップと
を有する請求項１記載のマスクパターン検証方法。
【請求項４】
設計パターンを相補分割することにより、ステンシルマスクに貫通孔として形成されるパターンを作成するパターン作成方法であって、
設計パターンの相補分割後に、
相補分割後の分割パターンを拡大するステップと、
拡大した分割パターン同士が重なる部分を抽出するステップと、
抽出した重なり部分の寸法に基づいて、当該重なり部分が前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定するステップと
を有するマスクパターン作成方法。
【請求項５】
前記判定するステップにおいて、抽出した前記重なり部分の辺の長さと、予め設定されたしきい値とを比較することにより、当該重なり部分が前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定する
請求項４記載のマスクパターン作成方法。
【請求項６】
前記判定するステップは、
前記重なり部分の寸法に基づいて、各重なり部分に対し重み係数を付加するステップと、
一定領域内に含まれる複数の重なり部分の重み係数の和に基づいて、複数の前記重なり部分の集まりが前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定するステップと
を有する請求項４記載のマスクパターン作成方法。
【請求項７】
ステンシルマスクに貫通孔として形成されるパターンを検証する処理を行うパターンデータ処理装置であって、
前記パターンを拡大するリサイズ手段と、
拡大されたパターン同士が重なる部分を抽出する抽出手段と、
抽出した重なり部分の寸法に基づいて、当該重なり部分が前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定する判定手段と
を有するパターンデータ処理装置。
【請求項８】
前記判定手段は、抽出した前記重なり部分の辺の長さと、予め設定されたしきい値とを比較することにより、当該重なり部分が前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定する
請求項７記載のパターンデータ処理装置。
【請求項９】
前記判定手段は、前記重なり部分の寸法に基づいて、各重なり部分に対し重み係数を付加し、一定領域内に含まれる複数の重なり部分の重み係数の和に基づいて、複数の前記重なり部分の集まりが前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定する
請求項７記載のパターンデータ処理装置。
【請求項１０】
設計パターンを相補分割する相補分割手段をさらに有し、
前記リサイズ手段は、前記相補分割された分割パターンを拡大する
請求項７記載のパターンデータ処理装置。
【請求項１１】
ステンシルマスクに貫通孔として形成されるパターンを検証する処理をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記パターンを拡大するステップと、
拡大されたパターン同士が重なる部分を抽出するステップと、
抽出した重なり部分の寸法に基づいて、当該重なり部分が前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定するステップと
を有する処理をコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項１２】
前記判定するステップにおいて、抽出した前記重なり部分の辺の長さと、予め設定されたしきい値とを比較することにより、当該重なり部分が前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定する
請求項１１記載のプログラム。
【請求項１３】
前記判定するステップは、
前記重なり部分の寸法に基づいて、各重なり部分に対し重み係数を付加するステップと、
一定領域内に含まれる複数の重なり部分の重み係数の和に基づいて、複数の前記重なり部分の集まりが前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定するステップと
を有する請求項１１記載のプログラム。
【請求項１４】
設計パターンを相補分割するステップをさらに有し、
前記拡大するステップにおいて、前記相補分割された分割パターンを拡大する
請求項１１記載のプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばステンシルマスクに形成すべき貫通孔のパターンを作成するために用いられるマスクパターン検証方法およびマスクパターン作成方法、並びに当該方法を実施するパターンデータ処理装置、および当該装置に使用されるプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路素子の微細化に伴い、フォトリソグラフィにおいて露光波長の短波長化が進められてきたが、さらに高解像度で微細パターンを形成するため、荷電粒子線を使用するリソグラフィが開発されている。例えば、ステンシルマスクに電子線を照射してウェハ上にパターンを転写する電子線転写装置が提案されている。ステンシルマスクは、薄膜（メンブレン）に所定のマスクパターンの孔が設けられたマスクであり、孔部分を電子線が透過する。
【０００３】
ステンシルマスクを用いる場合には、ある特定のパターンの転写に相補マスクの使用が不可欠となる。ステンシルマスクのメンブレンは、孔以外のすべての部分で連続している必要がある。例えば、ドーナッツ状のパターンでは、中央部分が周囲と連続していないためマスクに支持されず、１枚のマスクでパターンを転写できない。
【０００４】
そこで、所望のパターンは複数の相補分割パターンに分割され（相補分割）、これらの相補分割パターンが互いに異なるステンシルマスクに形成される。相補分割パターンが形成されたステンシルマスク（相補マスク）を用いて、ウェハ上の同一の箇所に露光を行うことにより、分割前のパターンが相補的に転写される。
【０００５】
相補分割パターンをステンシルマスクに形成した際に、マスク破壊がしばしば起こることは知られている。その原因としてはマスクの疲労による強度の劣化も考えられるが、ステンシルマスクに形成されたパターンがステンシルマスクの強度を著しく下げたとも考えられる。例えば大図形は応力集中により大きな歪を発生させる。
【０００６】
図１５および図１６は、マスク破壊について説明するための図である。
図１５（ａ）に示すように、ステンシルマスク１００のメンブレン１０１に相補分割後のパターン１０２が貫通孔により形成される。図１５（ａ）に示すパターン１０２は、ラインアンドスペースパターンの例である。露光時や洗浄時に外力が作用することにより、図１５（ｂ）に示すように、パターン間のメンブレン１０１がちぎれる箇所Ａや接触する箇所Ｂが発生する場合がある。
【０００７】
ラインアンドスペースパターン以外にも、図１６（ａ）に示すように、メンブレン１０１に形成されるパターン１０２間のスペースが小さい場合には、パターン１０２間のメンブレン１０１の強度が低下し、露光時や洗浄時に外力が作用することにより、図１６（ｂ）に示すように、メンブレン１０１がちぎれる箇所Ｃが発生する場合がある。
【０００８】
上記したようなメンブレン１０１がちぎれる箇所Ａ，Ｃや接触する箇所Ｂが発生することにより、正確なパターン露光ができなくなる現象をマスク破壊と称する。マスク破壊を起こす原因として、パターン１０２間に存在するメンブレン１０１の強度が小さくなることが上げられる。
【０００９】
したがって、パターンの相補分割を行った後、相補分割パターンをマスクに形成する前に、相補分割パターンの貫通孔をステンシルマスクに形成した場合に、マスク破壊が起こらないことの検証を行う必要がある。従来の検証方法として特許文献１、２に記載の方法が挙げられるが、いずれも、ドーナツパターン、リーフパターンなどのステンシルマスクに形成困難なパターンが、相補分割後に残っているか否かを判断する検証である。
【００１０】
特許文献３では、パターン間の最小スペースに基づいて検証する方法が開示されているが、最小スペースのみを検査しても、周囲のパターンとの関係からマスク破壊が起こる可能性があり、パターンの検証としては不十分である。
【特許文献１】特開２００３−２８２４１９号公報
【特許文献２】特許第３３６０６６６号
【特許文献３】特開２００２−９９０７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡易な図形演算処理を用いて、ステンシルマスクの破壊防止のためのパターン検証を高速に行うことができるマスクパターン検証方法、マスクパターン作成方法、パターンデータ処理装置およびプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するため、本発明は、ステンシルマスクに貫通孔として形成されるパターンを検証するマスクパターン検証方法であって、前記パターンを拡大するステップと、拡大したパターン同士が重なる部分を抽出するステップと、抽出した重なり部分の寸法に基づいて、当該重なり部分が前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定するステップとを有する。
【００１３】
上記の本発明のマスクパターン検証方法では、パターンを拡大し、拡大したパターン同士が重なる部分を抽出する。抽出した重なり部分は周囲のパターンの位置関係に応じた図形となる。従って、抽出した重なり部分を用いて、ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かの判定を行う。
【００１４】
上記の目的を達成するため、本発明は、設計パターンを相補分割することにより、ステンシルマスクに貫通孔として形成されるパターンを作成するパターン作成方法であって、設計パターンの相補分割後に、相補分割後の分割パターンを拡大するステップと、拡大した分割パターン同士が重なる部分を抽出するステップと、抽出した重なり部分の寸法に基づいて、当該重なり部分が前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定するステップとを有する。
【００１５】
上記の本発明のマスクパターン作成方法では、設計パターンを相補分割した後に、相補分割後の分割パターンを拡大し、拡大した分割パターン同士が重なる部分を抽出する。抽出した重なり部分は周囲の相補パターンの位置関係に応じた図形となる。従って、抽出した重なり部分を用いて、ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かの判定を行う。重なり部分が問題ないと判定されると、当該相補分割パターンがマスクパターンとして採用される。
【００１６】
上記の目的を達成するため、本発明は、ステンシルマスクに貫通孔として形成されるパターンを検証する処理を行うパターンデータ処理装置であって、前記パターンを拡大するリサイズ手段と、拡大されたパターン同士が重なる部分を抽出する抽出手段と、抽出した重なり部分の寸法に基づいて、当該重なり部分が前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定する判定手段とを有する。
【００１７】
上記の本発明のパターンデータ処理装置では、リサイズ手段によりパターンが拡大され、抽出手段により拡大されたパターン同士が重なる部分が抽出される。抽出した重なり部分は周囲のパターンの位置関係に応じた図形となる。従って、判定手段では、抽出した重なり部分を用いて、ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定する。
【００１８】
上記の目的を達成するため、本発明は、ステンシルマスクに貫通孔として形成されるパターンを検証する処理をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記パターンを拡大するステップと、拡大されたパターン同士が重なる部分を抽出するステップと、抽出した重なり部分の寸法に基づいて、当該重なり部分が前記ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定するステップとを有する処理をコンピュータに実行させるものである。
【００１９】
上記の本発明のプログラムに従って、コンピュータは、パターンを拡大し、拡大したパターン同士が重なる部分を抽出する。抽出した重なり部分は周囲のパターンの位置関係に応じた図形となる。従って、コンピュータは、抽出した重なり部分を用いて、ステンシルマスクの破壊を誘起するか否かの判定を行う。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、簡易な図形演算処理を用いて、ステンシルマスクの破壊防止のためのパターン検証を高速に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２２】
図１は、設計データから描画データへの変換処理を行うパターンデータ処理装置（コンピュータ）の概略構成図である。
【００２３】
設計データＤ１には、ステンシルマスクを用いた露光の対象となるウエハに転写するための設計パターン（レイアウトパターン）が含まれる。
【００２４】
描画データＤ２には、ステンシルマスクに貫通孔として形成するための相補分割パターンが含まれる。設計パターンと実際にステンシルマスクに形成するマスクパターン（相補分割パターン）とは、パターン配置が異なる。これは、設計パターンには、ドーナツパターンなどの貫通孔で形成不可能なパターンの他、リーフパターンや大図形パターンなどのマスク破壊を起こす可能性の高いパターンが含まれるからである。したがって、設計パターンをそのままの配置でステンシルマスクに貫通孔として形成することはできず、通常、レイアウトパターンを相補分割する必要がある。
【００２５】
パターンデータ処理装置１は、設計データＤ１を入力すると、相補分割処理および検証処理を含むパターン処理を行い、描画データＤ２を作成する。相補分割処理および検証処理は、パターンデータ処理装置１に内臓されたＣＰＵ２が本実施形態に係るプログラム３に基づいて実行する。本実施形態に係るプログラム３は、本実施形態に係るパターン処理に関する処理手順を含む。
【００２６】
図２は、パターンデータ処理装置１の機能ブロック図である。図２に示す各手段の処理は、本実施形態に係るプログラム３に従ってＣＰＵ２により実施される。
【００２７】
パターンデータ処理装置１は、相補分割手段１１と、リサイズ手段１２と、図形演算手段１３と、判定手段１４とを有する。
【００２８】
相補分割手段１１は、設計データＤ１に含まれる設計パターンの相補分割処理を行う。相補分割手段１１は、所定の規則に従って、設計パターンに含まれる大図形や、ドーナツパターンや、リーフパターンなどのステンシルマスクに形成不可能あるいは形成困難なパターンを分割する。
【００２９】
リサイズ手段１２は、相補分割手段１１により相補分割された相補分割パターンのリサイズを行う。より詳細には、各相補分割パターンを拡大する。
【００３０】
図形演算手段１３は、相補分割パターンを拡大した拡大パターンのＡＮＤ演算を行い、重なる部分を危険候補箇所として抽出する。
【００３１】
判定手段１４は、図形演算手段１３により抽出された危険候補箇所の寸法に基づいて、当該危険候補箇所がステンシルマスクの破壊を誘起するか否かを判定する。本実施形態では、後述するように判定方向として２つの方法を採用する。当該判定手段により良好な相補分割パターンであると判定された場合には、当該相補分割パターンを描画データＤ２として採用する。
【００３２】
図３は、上記のパターンデータ処理装置１により行われる設計パターンのパターン処理のフローチャートである。
【００３３】
まず、設計データＤ１に含まれる設計パターンの相補分割処理を行う（ステップＳＴ１）。ステップＳＴ１により、所定の規則に従って、設計パターンに含まれる大図形や、ドーナツパターンや、リーフパターンなどのステンシルマスクに形成不可能あるいは形成困難なパターンが分割される。
【００３４】
相補分割後、ステップＳＴ２以降に移る前に、必要に応じて、例えば特許文献１などの方法を用いて、相補分割後のパターンに分割すべきパターンが未だ残っているか否かの検証が行われる。
【００３５】
ステップＳＴ２以降の検証処理では、相補分割されたパターンが、ステンシルマスクのメンブレンに貫通孔として形成された場合において、ステンシルマスクが破壊されないか否かを検証する。主にステンシルマスクが破壊するのは、パターン間のメンブレンが非常に小さくて強度が充分でない時や、相補分割が充分にされず大図形などの極端な応力集中やメンブレン歪があるときである。
【００３６】
後者の相補分割が十分にされていないかどうかについては、特許文献１に記載の方法などを用いることにより解消される。したがって、本実施形態のステンシルマスク検証方法では、相補分割パターンをメンブレンに形成した場合に、強度の弱いメンブレン部分があるか否かを検出する。
【００３７】
ステンシルマスクにおいて強度が弱いメンブレン部分を抽出するために、図４に示すように全ての相補分割パターン２１を一定量ｄだけ拡大するリサイズ処理を行う（ステップＳＴ２）。相補分割パターン２１を一定量ｄだけ拡大したものが拡大パターン２２となる。一定量ｄは任意であるが、例えばステンシルマスクに作製可能な最小間隔とする。
【００３８】
次に、拡大パターン２２のＡＮＤ演算処理を行い、図５に示すように、拡大パターン２２同士が重なる部分を危険候補箇所２３として抽出する（ステップＳＴ３）。本実施形態では、抽出した危険候補箇所２３を判別してステンシルマスク破壊を起こすかどうかを判定する。以下に判定処理について説明する。
【００３９】
第１の判定処理として、抽出した各危険候補箇所２３に対して、図形の縦横の長さが双方ともしきい値より長いかどうかを判定する（ステップＳＴ４）。しきい値として例えばリサイズに用いた一定量ｄを用いる。
【００４０】
第１の判定処理は、相補分割パターン２１間の距離がステンシルマスク破壊を起こす可能性があるほど近いかどうかの判定をする処理である。従って、相補分割パターン間の距離が近ければ近いほど、危険候補箇所２３として抽出される重なり部分の図形の縦横が長くなる。
【００４１】
図６、図７、図８を参照して、第１の判定処理について説明する。図６は、ライン状の相補分割パターン２１が横並びに配置された図である。図７は、ライン状の相補分割パターン２１が縦並びに配置された図である。図８は、ライン状の相補分割パターン２１が上下左右にずれて配置された図である。
【００４２】
図６（ａ）、図７（ａ）、図８（ａ）の危険候補箇所２３は、縦横どちらかは一定量ｄより短い長さであるためステップＳＴ４において不良とは判定されない。反対に、図６（ｂ），図７（ｂ），図８（ｂ）の危険候補箇所２３は、縦横両方とも一定量ｄより長いためステンシルマスクを破壊する可能性が高いと判断する。
【００４３】
ステップＳＴ４において１つでも危険候補箇所２３が不良と判定された場合には、相補分割パターン２１は不良となる。したがって、相補分割処理のアルゴリズムを変えて設計パターンの相補分割処理を再び行うか、相補分割パターンに修正を加えることとなる。
【００４４】
ステップＳＴ４において全ての危険候補箇所２３が良好と判定された場合には、ステップＳＴ５以降の第２の判定処理に移る。なお、不良箇所を全て抽出するため、ステップＳＴ４において不良な危険候補箇所２３が検出された場合にも、ステップＳＴ５以降の処理に移ってもよい。
【００４５】
第１の判定処理（ステップＳＴ４）においてステンシルマスクを破壊する危険な箇所が検出されなくても、複数の危険候補箇所２３が集まることによりステンシルマスクの破壊を誘起する可能性は充分ある。そのため、本実施形態では、第２の判定処理をも追加している。
【００４６】
第２の判定処理のため、まず、各危険候補箇所２３に対して重み係数を付加する（ステップＳＴ５）。重み係数は、ステンシルマスクを破壊する可能性が高いほど大きく設定する。例えば、重み係数は、危険候補箇所２３の短辺の長さに比例して大きく設定し、更に、危険候補箇所２３のアスペクト比（＝長辺／短辺）の大きさに比例して小さく設定する。また、危険候補箇所２３の長辺と短辺の双方が一定量ｄより短い場合は重みを小さくする。
【００４７】
重み係数の大小関係について、図９、図１０、図１１を参照して説明する。
【００４８】
図９は、上下左右にずれて配置された２つの相補分割パターン２１を、図９（ａ）から図９（ｅ）にいくに従って縦方向に接近させている例を示す。図１０は、上下左右にずれて配置された２つの相補分割パターン２１を、図１０（ａ）から図１０（ｃ）にいくに従って横方向に離している例を示す。図１１は、図１０よりもさらに危険候補箇所２３の縦方向長さが長い場合において、２つの相補分割パターン２１を図１１（ａ）から図１１（ｃ）にいくに従って横方向に離している例を示す。
【００４９】
図９（ａ）から図９（ｅ）では全ての危険候補箇所２３の短辺は一定となっており、図９（ａ）から図９（ｅ）にいくにしたがって長辺の長さが長くなっている。ここで、図９（ａ）に示す危険候補箇所２３は、短辺長辺共に一定量ｄより短いため、付加する重み係数は小さい。図９（ｂ）以降は、長辺が一定量ｄを越えるため、付加する重み係数が大きくなり、アスペクト比に基づいて、図９（ｂ）の重み係数は大きく、図９（ｃ），図９（ｄ），図９（ｅ）にいくに従って重み係数が小さくなる。
【００５０】
図１０（ａ）から図１０（ｃ）では、危険候補箇所２３の長辺は一定となっており、図１０（ａ）から図１０（ｃ）にいくにしたがって短辺の長さが短くなっている。図１０（ａ）から図１０（ｃ）のいずれも長辺が一定量ｄよりも大きい。このため、短辺の長さが短くなりアスペクト比が大きくなるに従って、付加する重み係数は小さくなる。この結果、図１０（ａ），図１０（ｂ），図１０（ｃ）にいくに従って重み係数は小さくなる。
【００５１】
図１１（ａ）から図１１（ｃ）では、危険候補箇所２３の長辺は一定となっており、図１１（ａ）から図１１（ｃ）にいくにしたがって短辺の長さが短くなっている。図１１（ａ）から図１１（ｃ）のいずれも長辺が一定量ｄよりも大きい。このため、短辺の長さが短くなりアスペクト比が大きくなるに従って、付加する重み係数は小さくなる。この結果、図１１（ａ），図１１（ｂ），図１１（ｃ）にいくに従って重み係数は小さくなる。
【００５２】
図９から図１１を参照するとわかるように、相補分割パターン２１間の領域が狭い場合にはそれだけ付加する重み係数が大きくなっている。なお、具体的な重み係数の値については、ユーザー側で設定すればよい。
【００５３】
各危険候補箇所２３に重み係数を付加した後に、一定領域中の重み係数の和がしきい値より大きいかどうかを判定する（ステップＳＴ６）。本実施形態では、個々の危険候補箇所２３に対して重み係数を判定するのではなく、一定範囲内にある危険候補箇所２３の重み係数の和が、閾値以上かどうかをチェックする。
【００５４】
図１２、図１３を参照して重み係数を用いた判定方法について説明する。
【００５５】
図１２では、上下左右にずれて配置された複数の相補分割パターン２１が配置されており、図１３では複数の相補分割パターン２１が横並びに配置されている。図１２および図１３に示す相補分割パターン２１は、どちらもラインアンドスペースパターンを分割した結果得られたものである。
【００５６】
１つの判定方法としては、例えば、あらかじめ重み係数の多い順に危険候補箇所２３をリストアップしておく。そして、リストアップされた危険候補箇所２３を中心として一定範囲の検査領域３０を設定し、当該検査領域３０内に存在する危険候補箇所２３の重み係数の和を求める。その後、重み係数の和が所定のしきい値以上であるかどうかを判定する。このしきい値については、使用するステンシルマスクの材料などによってユーザー側で任意に設定すればよい。
【００５７】
上記の判定処理を重み係数の大きい危険候補箇所２３から順に行っていき、全ての危険候補箇所２３に対して行う。図１２と図１３に設定された検査領域３０内の重み係数の和を比較した場合、各検査領域３０に危険候補箇所２３が４つ存在するが、図９を参照して説明したように、図１２に示す危険候補箇所２３の重み係数の方が図１３に比べて大きいため、図１２の方が危険であると判断できる。ただし、上記したように、図１２に示すように配置された相補分割パターン２１がステンシルマスク破壊を起こすかどうかは、ユーザーが設定する閾値に依存する。
【００５８】
ステップＳＴ６において、１つの検査領域３０においても重み係数の和がしきい値を超えた場合には、例えば、相補分割パターン２１は不良となる。したがって、相補分割処理のアルゴリズムを変えて設計パターンの相補分割処理を再び行うか、相補分割パターンに修正を加えることとなる。
【００５９】
ステップＳＴ６において、全ての検査領域３０において重み係数の和がしきい値を下回っている場合には、相補分割パターン２１を描画パターンとして採用する。
【００６０】
重み係数を用いた他の判定方法について図１４を参照して説明する。
【００６１】
図１４では、一律に一定範囲の検査領域３０で分けて、各検査領域３０に対して重み係数の和を求めて、しきい値との比較を行う。当該方法を採用することにより、各検査領域３０の処理を並列して行うことができるため、判定処理を高速化することができる。ただし、危険候補箇所２３ごとに検査領域３０を設定する図１２および図１３に示した方法の方が、図１４に示す方法に比べて判定精度が高い。
【００６２】
以上説明したように、本実施形態に係るマスクパターン検証方法によれば、相補分割パターン２１を拡大し、拡大パターン２２同士が重なる部分を危険候補箇所２３として抽出していることから、危険候補箇所２３は周囲の相補分割パターン２１の位置関係に応じた図形となる。従って、危険候補箇所２３を用いて判定を行うことにより、単に相補分割パターン２１間の最小距離に基づいて判定するよりも、ステンシルマスクの破壊防止を高度に保障することができる。
【００６３】
第１の判定処理として、抽出した危険候補箇所２３の短辺および長辺の長さと、予め設定されたしきい値とを比較することにより、相補分割パターン２１間の距離がステンシルマスクの破壊を起こす可能性があるほど近いか否かを検出できる。
【００６４】
また、第２の判定処理として、危険候補箇所２３の寸法に基づいて各危険候補箇所２３に対し重み係数を付加し、一定の検査領域３０内に含まれる複数の危険候補箇所２３の重み係数の和としきい値とを比較することにより、複数の危険候補箇所２３がステンシルマスクの破壊を起こす可能性があるほど集中しているか否かを検出できる。
【００６５】
以上のように本実施形態に係るマスクパターン検証方法によれば、作成されたパターンを実際に貫通孔としてステンシルマスクに形成した場合に、当該ステンシルマスクが長期間破壊しないことを保障することができる。
【００６６】
本実施形態に係るマスクパターン作成方法によれば、設計パターンを相補分割した後に、上記した当該相補分割パターンの検証処理を行い、当該検証処理で良好と判定された相補分割パターンを採用することから、ステンシルマスクの破壊が起こらないようなマスクパターンを提供することができる。
【００６７】
上記のマスクパターン検証処理に用いるリサイズ処理、図形演算処理、判定処理は、いずれも比較的簡単な図形処理を用いている。このためデータ処理量を少なくすることができることから、上記の検証処理を実施するための本実施形態に係るプログラムおよびパターンデータ処理装置によれば、パターンの検証を高速で行うことができる。
【００６８】
また、比較的簡単な図形処理で足りることから、パターンの相補分割処理と検証処理とを１つのパターンデータ処理装置内で実施することができる。
【００６９】
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
本実施形態では、ステップＳＴ５において、重み係数の付け方について説明したが、ステンシルマスクの構造や材料によって危険箇所が異なるため、重み係数の付け方はこの方法に限られたものではない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本実施形態に係るパターンデータ処理装置の概略構成図である。
【図２】パターンデータ処理装置の機能ブロック図である。
【図３】本実施形態に係るマスクパターン検証方法およびマスクパターン作成方法のフローチャートである。
【図４】相補分割パターンのリサイズ処理を説明するための図である。
【図５】ＡＮＤ演算による危険候補箇所の抽出処理を説明するための図である。
【図６】横に並んで配置された相補分割パターンについての第１の判定処理を説明するための図である。
【図７】縦に並んで配置された相補分割パターンについての第１の判定処理を説明するための図である。
【図８】上下左右にずれて配置された相補分割パターンについての第１の判定処理を説明するための図である。
【図９】危険候補箇所の長辺が変わる場合における重み係数の変化を説明するための図である。
【図１０】危険候補箇所の短辺が変わる場合における重み係数の変化を説明するための図である。
【図１１】危険候補箇所の短辺が変わる場合における重み係数の変化を説明するための図である。
【図１２】重み係数を用いた第２の判定処理について説明するための図である。
【図１３】重み係数を用いた第２の判定処理について説明するための図である。
【図１４】第２の判定処理の他の例を説明するための図である。
【図１５】ステンシルマスクの破壊を説明するための平面図である。
【図１６】ステンシルマスクの破壊を説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１…パターンデータ処理装置、２…ＣＰＵ、３…プログラム、１１…相補分割手段、１２…リサイズ手段、１３…図形演算手段、１４…判定手段、２１…相補分割パターン、２２…拡大パターン、２３…危険候補箇所、３０…検査領域、１００…ステンシルマスク、１０１…メンブレン、１０２…相補分割パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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