(57)【要約】【課題】フラッシュメモリを含んだデータ貯蔵装置及びそれのマージ方法を提供する。【解決手段】本発明に従うデータ貯蔵装置は、フラッシュメモリとコントローラとを含む。フラッシュメモリはＦＡＴ情報を貯蔵する。そしてコントローラは、マージ動作時ＦＡＴ情報を参照してフラッシュメモリのデータブロックに貯蔵されたデータを新しいデータブロックに選択的に複写する。これにより、ＦＡＴ情報を参照してマージ動作を選択的に遂行するので従来のマージ方法に比べてマージ動作時間を縮めることができる。【選択図】図５
2006216036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦＡＴ情報を貯蔵するフラッシュメモリと、
前記ＦＡＴ情報を読み出してマージ動作を遂行するコントローラと、
を含むことを特徴とするデータ貯蔵装置。
【請求項２】
前記コントローラは、マージ動作時、前記ＦＡＴ情報を参照して前記フラッシュメモリに貯蔵されたデータを選択的に複写すること
を特徴とする請求項１に記載のデータ貯蔵装置。
【請求項３】
前記コントローラは、前記フラッシュメモリのデータブロックに貯蔵されたデータをページ単位に選択的に複写すること
を特徴とする請求項２に記載のデータ貯蔵装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記データブロックに貯蔵されたファイルが前記ＦＡＴ情報に割り当てられた場合に、前記ファイルを貯蔵したページを新しいデータブロックに複写すること
を特徴とする請求項３に記載のデータ貯蔵装置。
【請求項５】
前記コントローラは、マージ動作時、前記データブロックに貯蔵されたファイルが削除された場合に、前記ファイルが貯蔵されたページを新しいデータブロックに複写しないこと
を特徴とする請求項３に記載のデータ貯蔵装置。
【請求項６】
前記コントローラは、前記ＦＡＴ情報を読み出してマージ動作を遂行するためのフラッシュ変換レイヤを貯蔵するワークメモリを含むこと
を特徴とする請求項１に記載のデータ貯蔵装置。
【請求項７】
前記フラッシュメモリは、ＮＡＮＤフラッシュメモリであること
を特徴とする請求項１に記載のデータ貯蔵装置。
【請求項８】
前記フラッシュメモリ及び前記コントローラは、メモリカードを構成すること
を特徴とする請求項１に記載のデータ貯蔵装置。
【請求項９】
データ貯蔵装置のマージ方法であって、
ａ）フラッシュメモリのＦＡＴ領域を読み出す段階と、
ｂ）前記ＦＡＴ領域を参照してマージ動作を遂行する段階と、
を含むことを特徴とするマージ方法。
【請求項１０】
前記段階ａ）前に、前記フラッシュメモリのデータブロックのページを論理ページに変換する段階をさらに含むこと
を特徴とする請求項９に記載のマージ方法。
【請求項１１】
前記段階ｂ）は、前記ＦＡＴ情報を参照して前記フラッシュメモリに貯蔵されたデータをページ単位に選択的に複写する段階を含むこと
を特徴とする請求項９に記載のマージ方法。
【請求項１２】
前記段階ｂ）は、前記フラッシュメモリのデータブロックに貯蔵されたファイルが前記ＦＡＴ情報に割り当てられた場合に、前記ファイルを貯蔵したページを新しいデータブロックに複写すること
を特徴とする請求項９に記載のマージ方法。
【請求項１３】
前記データブロックに貯蔵されたファイルが前記ＦＡＴ情報に割り当てられていない場合に、前記ファイルが貯蔵されたページを新しいデータブロックに複写しないこと
を特徴とする請求項１２に記載のマージ方法。
【請求項１４】
前記ＦＡＴ情報に割り当てられていない場合は、当該ページでファイルが削除された場合であること
を特徴とする請求項１３に記載のマージ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュメモリを含んだデータ貯蔵装置に係り、より詳しくは、フラッシュメモリを含んだデータ貯蔵装置及びそれのマージ方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近デスクトップコンピュータ及びノートブックコンピュータのような多様な形態の個人用コンピュータが市販されている。一般に、こうした個人用コンピュータは、メインメモリと外部貯蔵装置とを含んでいる。ここで、外部貯蔵装置は、ディスク貯蔵媒体を用いたハードディスクドライブ（ＨＤＤ）又はフロッピー（登録商標）ディスクドライブ（ＦＤＤ）である。こうしたディスク貯蔵装置は、一般に価格が低く、メモリ容量が大きいが、マグネチックヘッドに多様な動作（例えば、ディスク探索動作）を遂行するので物理的な衝撃によって損傷されやすく、他の形態のメモリ装置より信頼性が低い短所がある。
【０００３】
ディスク貯蔵装置のこのような問題によって、フラッシュメモリのような半導体メモリを用いたデータ貯蔵装置が開発されている。フラッシュメモリを用いたデータ貯蔵装置（以下、データ貯蔵装置という。）は、一般に電力を少なく消耗し、コンパクトし、軽く、物理的な衝撃に損傷が少ない長所がある。
【０００４】
ホストは、論理的アドレスを提供することによってデータ貯蔵装置をアクセスする。ホストで提供された論理的アドレスは、データ貯蔵装置の物理的メモリ空間をアクセスするために物理的アドレスに変換される。
【０００５】
一般に、データ貯蔵装置は、アクセス動作の間ホストとの互換性のためディスクエミュレーションソフトウェアと称する追加的なソフトウェアを必要にする。アクセス動作の間、ホストとデータ貯蔵装置の間の互換性は、フラッシュ変換レイヤ（Ｆｌａｓｈ  Ｔｒａｎｓｌａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ；以下、ＦＴＬという。）のような内蔵システムを運営することによって達成できる。言い換えれば、ホストはデータ貯蔵装置をハードディスクのように認識してハードディスクと同一な方式にデータ貯蔵装置をアクセスする。
【０００６】
ＦＴＬの機能は、論理的アドレス−物理的アドレス写像情報管理、バッドブロック管理、予想できない電源遮断に起因したデータ保存性管理、磨耗度管理などを含む。ＦＴＬの機能のうち核心的な機能は、写像技法に関連されたことであり、例示的な写像技法が特許文献１に“ＦＬＡＳＨ  ＦＩＬＥ  ＳＹＳＴＥＭ”という題目に、特許文献２に“ＦＬＡＳＨ  ＦＩＬＥ  ＳＹＳＴＥＭ  ＯＰＴＩＭＩＺＥＤ  ＦＯＲ  ＰＡＧＥ−ＭＯＤＥ  ＦＬＡＳＨ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ”という題目に、そして特許文献３に“ＭＥＴＨＯＤ  ＯＦ  ＤＲＩＶＩＮＧ  ＲＥＭＡＰＰＩＮＧ  ＩＮ  ＦＬＡＳＨ  ＭＥＭＯＲＹ  ＡＮＤ  ＦＬＡＳＨ  ＭＥＭＯＲＹ  ＡＲＣＨＩＴＥＣＴＵＲＥ  ＳＵＩＴＡＢＬＥ  ＴＨＥＲＥＦＯＲ”という題目にそれぞれ掲載されており、この出願のレファレンスで含まれる。
【０００７】
フラッシュメモリがブロック単位にアクセスされる場合に、フラッシュメモリは、複数のブロックに分割される。分割されたブロックに順次に割り当てられた番号は物理ブロック番号と称し、使用者が思う分割されたブロックの仮想番号は、論理ブロック番号と称する。論理ブロック番号と物理ブロック番号の間の写像を提供する方法は、ブロック写像技法と、セクタ写像技法と、ログ写像技法と、を含む。写像技法を用いたＦＴＬでは、論理的に連続されたアドレスを有するデータが物理的には、相異なる位置に記録されていることができる。フラッシュメモリは書き込み（又はプログラム）単位より消去単位がさらに大きいので一定した限界に至ると任意の空白のブロックを用いて物理的に相異なる位置に分散されている連続されたデータを同一なアドレス空間に集める作業を必要にし、こうした過程をマージ動作という。
【０００８】
マージ動作には、広くブロック写像技法、セクタ写像技法、そしてログ写像技法が用いられる。マージ動作を説明する前に、フラッシュメモリが複数のメモリブロックに分割されており、各メモリブロックは複数のページから構成されると仮定しよう。記号“ＰＢＮ”は、物理ブロック番号を示し、記号“ＰＰＮ”は物理ページ番号を示し、記号“ＬＰＮ”は論理ページ番号を示す。
【０００９】
（ブロック写像技法）
ブロック写像技法によるマージ動作が図１を参照して以下で説明される。ブロック写像技法によれば、任意のメモリブロックにデータを貯蔵する場合、メモリブロックのページに順次にデータが貯蔵される。物理ブロック番号が‘２’のメモリブロック（例えば、ＰＢＮ２）のｉ番目ページ（ＰＰＮｉ）にデータをアップデートする場合、先ずアップデートが要請された物理ページ番号が‘ｉ’ページ（ＰＰＮｉ）を除外した残りページに貯蔵されたデータが空白のメモリブロック（例えば、ＰＢＮ３）の対応するページにそれぞれ複写される。その次に、メモリブロック（ＰＢＮ２）のページ（ＰＰＮｉ）に貯蔵されるデータは、メモリブロック（ＰＢＮ３）のｉ番目ページにアップデートされる。以後、メモリブロック（ＰＢＮ２）は、消去されて空白のメモリブロックになる。ブロック写像技法によれば、前述したマージ動作は、データが貯蔵されたページに他のデータがアップデートされるとき毎に遂行されなければならない。ブロック写像技法において、物理ブロック番号と論理ブロック番号の間のブロック写像情報はブロック写像テーブルを使用して管理される。
【００１０】
（ページ写像技法）
ページ写像技法によるマージ動作が図２Ａ及び図２Ｂを参照して以下で説明される。ページ写像技法によれば、メモリブロックのページに順次にデータが書き込まれる。論理ページ（ＬＰＮ０）のデータは、物理ページ（ＰＰＮ０）に貯蔵され、論理ページ（ＬＰＮ１）のデータは、物理ページ（ＰＰＮ１）に貯蔵され、論理ページ（ＬＰＮ２）のデータは物理ページ（ＰＰＮ２）に貯蔵される。論理ページ（例えば、ＬＰＮ１）にデータをアップデートしようとする場合、論理ページ（ＬＰＮ１）のデータは、物理ページ（ＰＰＮ３）に貯蔵され、物理ページ（ＰＰＮ１）は、無効データが貯蔵されたことと処理されることである（図２Ａで“Ｘ”に表記される。）。また、論理ページ（例えば、ＬＰＮ０）にデータをアップデートしようとする場合、論理ページ（ＬＰＮ０）のデータは、物理ページ（ＰＰＮ４）に貯蔵され、物理ページ（ＰＰＮ０）は無効データが貯蔵されたことと処理されることである（図２Ａで“Ｘ”に表記される。）。もしメモリブロック（ＰＢＮ０）に空白のページが存在しない場合、メモリブロック（ＰＢＮ０）に書き込み動作が要求されるときマージ動作が遂行される。図２Ａに示されたように、メモリブロック（ＰＢＮ０）の有効データのみ、すなわち物理ページ（ＰＰＮ２−ＰＰＮ５）が空白のメモリブロック（ＰＢＮ１）の対応するページ（ＰＰＮ１０−ＰＰＮ１３）に複写され、書き込み動作が要求された論理ページ（ＬＰＮ０）のデータがメモリブロック（ＰＢＮ１）の物理ページ（ＰＰＮ１４）に貯蔵される。この際、メモリブロック（ＰＢＮ１）の物理ページ（ＰＰＮ１０）は、無効データが貯蔵されたことと処理されることである（図２Ａで“Ｘ”に表記される。）。その次にメモリブロック（ＰＢＮ０）は消去されることである。変更される写像テーブルはＦＴＬによって管理され、図２Ｂに示されたように変更される。
【００１１】
（ログ写像技法）
ログ写像技法を用いたマージ動作が図３Ａ及び図３Ｂを参照して以下で詳細に説明される。図３Ａを参照すれば、データ貯蔵装置で、フラッシュメモリはデータ領域、ログ領域、そしてメタ領域に区分される。
【００１２】
ログ写像技法によれば、ログ領域のメモリブロックは、データ領域のメモリブロックのうち一部メモリブロックにそれぞれ指定される。例えば、フラッシュメモリは、９個のメモリブロック（ＰＢＮ０−ＰＢＮ８）を含むと仮定しよう。９個のメモリブロックのうちから、メモリブロック（ＰＢＮ０−ＰＢＮ４）はデータ領域に、メモリブロック（ＰＢＮ５−ＰＢＮ７）はログ領域に、そしてメモリブロック（ＰＢＮ８）は、メタ領域にそれぞれ限定されている。この際、ログ領域のメモリブロック（ＰＢＮ５、ＰＢＮ６）はデータ領域のメモリブロック（ＰＢＮ０、ＰＢＮ２）にそれぞれ指定され、ログ領域のメモリブロック（ＰＢＮ７）は空白のメモリブロックに指定されていると仮定する。
【００１３】
データ領域のメモリブロック（ＰＢＮ０）にデータを書き込もうとする場合、データはメモリブロック（ＰＢＮ０）に直接書き込まれることではなく、メモリブロック（ＰＢＮ０）に対応するログ領域のメモリブロック（ＰＢＮ５）に書き込まれる。メモリブロック（ＰＢＮ１）にデータを書き込もうとする場合、メモリブロック（ＰＢＮ１）に対応するログ領域のメモリブロックが指定されていないので、以下の通りマージ動作が遂行される。
【００１４】
ログ領域に空白のメモリブロック（ＰＮＢ７）がある場合、ログ領域のメモリブロック（ＰＢＮ５）に貯蔵された有効データが空白のメモリブロック（ＰＢＮ７）に複写される。そして、メモリブロックＰＢＮ５に対応するデータ領域のメモリブロック（ＰＢＮ０）に貯蔵された有効データがメモリブロック（ＰＢＮ７）に複写される。
【００１５】
一方、マージ動作によるメモリブロックの写像情報は変更され、変更された写像情報は、ＦＴＬによって管理され、フラッシュメモリのメタ領域（ＰＢＮ８）に貯蔵される。
【００１６】
図３Ｂは、ログ写像技法によるマージ動作を示す。図３Ｂを参照すれば、ログブロック（ＰＢＮ５）及びデータブロック（ＰＢＮ０）の有効なページは新しいデータブロック（ＰＢＮ７）に複写される。この際、ログブロック（ＰＢＮ５）は、最近に書き込まれたデータなので使用者が書き込まれる所望のデータである可能性が高くなるが、データブロック（ＰＢＮ０）に書き込まれたデータは既に消された、すなわちもう以上有効ではないデータである可能性がある。この場合、ＦＴＬの立場では、データブロック（ＰＢＮ０）に書き込まれたデータが有効であるか、なければ無効であるかの可否を全く分からない。すなわち、データブロック（ＰＢＮ０）の有効なページは、ＦＴＬ観点では有効なページであるが、ファイルシステム観点では無効なページでありうる。例えば、データブロック（ＰＢＮ０）の二番目有効なページに書き込まれたファイルがファイルシステム観点で既に消されたデータとすれば、当該ページのマージ動作はファイルシステム観点で不要な動作になる。
【００１７】
マージ動作は、ＦＴＬの必要によって起こる動作なのでホストは、マージ動作が誘発されるか可否が分からない。また、従来のデータ貯蔵装置でＦＴＬは、ファイルシステムの情報を参照しないのでマージ動作の対象になるデータブロックの当該ページがファイルシステム観点で有効であるか分からない。したがって、ＦＴＬはデータブロックの当該ページに関する有効性検査なしで当該ページにデータが存在すれば、新しいデータブロックにマージ動作を遂行する。したがって、従来のデータ貯蔵装置のマージ動作は、ファイルシステム観点で消されたデータを複写することによってマージ動作に不要な時間浪費を招来する問題がある。
【特許文献１】米国特許第５、４０４、４８５号
【特許文献２】米国特許第５、９３７、４２５号
【特許文献３】米国特許第６、３８１、１７６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の技術的課題は、ＦＡＴ情報を参照して選択的にマージ動作を遂行するデータ貯蔵装置及びそれのマージ方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前述した技術的課題を達成するための本発明に従うデータ貯蔵装置は、フラッシュメモリとコントローラとを含む。フラッシュメモリは、ＦＡＴ情報を貯蔵する。そしてコントローラは、ＦＡＴ情報を読み出してマージ動作を遂行する。
【００２０】
この実施形態において、コントローラは、マージ動作時ＦＡＴ情報を参照してフラッシュメモリに貯蔵されたデータを選択的に複写することを特徴とする。
【００２１】
この実施形態において、コントローラは、フラッシュメモリのデータブロックに貯蔵されたデータをページ単位に選択的に複写することを特徴とする。
【００２２】
この実施形態において、コントローラは、データブロックに貯蔵されたファイルがＦＡＴ情報に割り当てられた場合に、ファイルを貯蔵したページを新しいデータブロックに複写することを特徴とする。
【００２３】
この実施形態において、コントローラは、マージ動作時データブロックに貯蔵されたファイルが削除された場合に、ファイルが貯蔵されたページを新しいデータブロックに複写しないことを特徴とする。
【００２４】
この実施形態において、コントローラは、ＦＡＴ情報を読み出してマージ動作を遂行するためのフラッシュ変換レイヤを貯蔵するワークメモリを含むことを特徴とする。
【００２５】
この実施形態において、フラッシュメモリは、ＮＡＮＤフラッシュメモリであることを特徴とする。
【００２６】
この実施形態において、フラッシュメモリ及びコントローラは、メモリカードを構成することを特徴とする。
【００２７】
本発明に従うデータ貯蔵装置のマージ方法は、ａ）フラッシュメモリのＦＡＴ領域を読み出す段階と、ｂ）ＦＡＴ領域を参照してマージ動作を遂行する段階と、を含む。
【００２８】
この実施形態において、マージ方法は、段階ａ）前に、フラッシュメモリのデータブロックのページを論理ページに変換する段階をさらに含むことを特徴とする。
【００２９】
この実施形態において、段階ｂ）は、ＦＡＴ情報を参照してフラッシュメモリに貯蔵されたデータをページ単位に選択的に複写する段階を含むことを特徴とする。
【００３０】
この実施形態において、段階ｂ）は、フラッシュメモリのデータブロックに貯蔵されたファイルがＦＡＴ情報に割り当てられた場合に、ファイルを貯蔵したページを新しいデータブロックに複写することを特徴とする。
【００３１】
この実施形態において、マージ方法は、データブロックに貯蔵されたファイルがＦＡＴ情報に割り当てられていない場合に、ファイルが貯蔵されたページを新しいデータブロックに複写しないことを特徴とする。ここで、ＦＡＴ情報に割り当てられていない場合は、当該ページでファイルが削除された場合であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３２】
本発明に従うデータ貯蔵装置及びそれのマージ方法によれば、ＦＡＴ情報を参照してデータブロックのページを選択的に複写することによって全体マージ動作時間を縮めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、当業者が本発明の技術的思想を容易に実施できる程度に詳細に説明するために、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
【００３４】
図４は、本発明の好適な実施形態によるデータ貯蔵装置を含んだメモリシステムを示すブロック図である。図４に示されたメモリシステム４００は、ホスト１００及びデータ貯蔵装置２００を含む。
【００３５】
ホスト１００の立場から見るとき、データ貯蔵装置２００は、丸でハードディスクのように読み出し、書き込み、そして消去動作が自由である貯蔵媒体で認識される。データ貯蔵装置２００は、データを貯蔵するフラッシュメモリ２１０とホスト１００とフラッシュメモリ２１０でインターフェース役割を果たすコントローラ２２０とを含む。
【００３６】
フラッシュメモリ２１０は、好ましくは、ＮＡＮＤフラッシュメモリである。ＮＡＮＤフラッシュメモリは、当業者によく知られたように、ストリング構造を有する多数のメモリセルより成る。こうしたメモリセルの集合をセルアレイという。ＮＡＮＤフラッシュメモリのメモリセルアレイは、複数のブロックから構成される。それぞれのブロックは、複数のページから構成される。それぞれのページは、一つのワードラインを共有する複数のメモリセルから構成される。ＮＡＮＤフラッシュウメモリは、ブロック単位に消去動作が成され、ページ単位に読み出し及び書き込み動作が成される。
【００３７】
このようにＮＡＮＤフラッシュメモリは、読み出し及び書き込み動作の単位と消去動作の単位が異なる特性を有している。また、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、他の半導体メモリ装置とは違って上書き（ｏｖｅｒ  ｗｒｉｔｅ）にならない特性を有している。したがって、ＮＡＮＤフラッシュメモリは、書き込み動作を遂行する前に必ず消去動作を遂行するようになる。ＮＡＮＤフラッシュメモリのこうした特性によって、本発明に従うデータ貯蔵装置２００は、フラッシュメモリ２１０をハードディスクのように使用するためには読み出し、書き込み、そして消去動作の単位に関する管理が別途に必要である。フラッシュ変換レイヤ（Ｆｌａｓｈ  Ｔｒａｎｓｌａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ；以下、ＦＴＬという。）は、こうした目的に開発されたシステムソフトウェアである。
【００３８】
図４を参照すれば、フラッシュメモリ２１０はＦＡＴ領域２１１の以外にデータ領域２１２と、ログ領域２１３と、メタ領域２１４と、を含む。
【００３９】
ＦＡＴ領域２１１には、ファイル割り当てテーブル（Ｆｉｌｅ  Ａｌｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｔａｂｌｅ；以下、ＦＡＴという。）情報が貯蔵されている。
【００４０】
ログ領域２１３のログブロックは、前述したログ写像技法によってデータ領域２１２のデータブロックのうち一部データブロックにそれぞれ指定される。すなわち、データ領域２１２のデータブロックにデータを書き込もうとする場合、データは、データブロックに直接書き込まれることではなく、ログ領域２１３の対応するログブロックに貯蔵される。
【００４１】
しかしながら、データ領域２１２のデータブロックに対応するログ領域２１３のログブロックが指定されていない場合、又はログ領域２１３のログブロックに空白のページがない場合、又はホスト１００の要請がある場合にはマージ動作が遂行される。マージ動作を通じて、ログブロックの有効なページとデータブロックの有効なページが新しいデータブロック又はログブロックに複写される。マージ動作が遂行されれば、写像情報が変更され、変更された写像情報はメタ領域２１４に貯蔵される。
【００４２】
コントローラ２２０は、ホスト１００からアクセス要請があるとき、フラッシュメモリ２００を制御するように構成される。図４に示されたように、コントローラ２２０は、制御ロジック２２１とワークメモリ２２２とを含む。ワークメモリ２２２には、フラッシュ変換レイヤ（ＦＴＬ）が貯蔵される。制御ロジック２２１は、ホスト１００からのアクセス要請があるとき、ワークメモリ２２２に貯蔵されたフラッシュ変換レイヤ（ＦＴＬ）が動作するようにする。
【００４３】
図５は、本発明に従うデータ貯蔵装置のマージ方法を示す概念図である。図５を参照すれば、ログブロック５１０の有効なページ５１１、５１３及びデータブロック５２０の有効なページ５２２は、新しいデータブロック５３０に複写される。ログブロック５１０の第１及び第３のページ５１１、５１３は、新しいデータブロック５３０の第１及び第３のページ５３１、５３３にそれぞれ複写される。そして、データブロック５２０の第２のページ５２２は、新しいデータブロック５３０の第２のページ５３２に複写される。
【００４４】
ここで、本発明に従うデータ貯蔵装置のマージ方法は、ＦＡＴ情報５４０を参照してデータブロック５２０の有効なページを選択的に新しいデータブロック５３０に複写する。
【００４５】
図５を参照すれば、フラッシュメモリ（図４参照）２１０に貯蔵されたＦＡＴ情報５４０は、データブロック５２０の当該ページの割り当て可否に関する情報を貯蔵する。例えば、データブロック５２０の第１のページ５２１はファイルを貯蔵する場合に使用されないページなので、ＦＡＴ情報５４０にＮＡ（Ｎｏｔ  Ａｌｌｏｃａｔｉｏｎ）で表示されている。データブロック５２０の第２のページ５２２は、ファイルを貯蔵している有効なページなので、ＦＡＴ情報５４０に割り当てを示すＡで表示されている。データブロック５２０の第３及び第５のページ５２３、５２５に該当するＦＡＴ情報５４０には、ＮＡで表示されている。そして、データブロック５２０の第４のページ５２４は、ファイルを貯蔵している有効なページであるが、ファイルシステム観点では消されたページなので削除を示すＤで表示されている。すなわち、データブロック５２０の第４のページ５２４に貯蔵されたデータは、ＦＴＬ観点では有効なページであるが、ファイルシステム観点では削除されてさらに以上有効ではないページである。したがって、データブロック５２０の第４のページ５２４がファイルシステム観点で消されたデータを有していれば、当該ページのデータは新しいデータブロック５３０に複写されない。
【００４６】
したがって、本発明に従うデータ貯蔵装置のマージ動作は、ＦＡＴ情報を参照してさらに以上有効ではないデータのマージ動作を防止することにある。本発明に従うデータ貯蔵装置のマージ動作は、ファイルシステム観点で不要なページの複写を遂行しないことによって全体マージ動作時間を縮めることができる。
【００４７】
図６は、本発明に従うデータ貯蔵装置の選択的マージ方法を示す順序図である。
【００４８】
段階Ｓ６１０では、新しいデータブロック（図５参照）５３０の物理的ページを論理的ページに変換する。段階Ｓ６２０では、ＦＴＬがフラッシュメモリ（図４参照）２１０のＦＡＴ領域２１１でＦＡＴ情報を読み出す。段階Ｓ６３０では、ＦＡＴ情報を参照してデータブロックの当該ページが複写の対象になる有効なページであるかを判断する。すなわち、ＦＡＴ領域の当該ページがファイルを貯蔵する場合に割り当てられているかを判断する。もし、ファイルが貯蔵されていないページであるか、或いは削除されたページであれば、新しいデータブロックに複写せず次段階Ｓ６５０を進行する。段階Ｓ６４０では、データブロックの当該ページがファイルが貯蔵されている有効なページであれば、新しいデータブロックに複写する。段階Ｓ６５０では、データブロックの残りページに関して段階Ｓ６３０〜段階Ｓ６４０を反復遂行する。データブロックのページ複写が全て遂行された後には、ログブロックのページ複写を遂行してマージ動作を終了する。
【００４９】
以上で調べたように、本発明に従うデータ貯蔵装置及びそれのマージ方法は、データを複写する過程でＦＡＴ情報を参照してファイルシステム観点で有効ではないデータの複写を防止してマージ動作時間を縮める。マージ動作で一番長い時間を所要である部分は、データブロックのページデータを複写する区間である。本発明は、データブロックのページに関して選択的に複写することによって複写区間の時間を縮める。
【００５０】
例えば、ログブロックに有効なページがｘ枚であり、データブロックにデータが存在するページがｙ枚であり、一つのページを複写する場合に所要になる時間をｚといえば、マージ動作に所要になる全体時間は（ｘ＋ｙ）＊ｚになる。この際、ファイルシステムの観点で削除されたページの数がｉ枚といえば、マージ遂行時間中でｉ＊ｚ時間は不要な時間ということができる。したがって、本発明に従うデータ貯蔵装置及びマージ方法によって縮まれたマージ遂行時間は、（ｉ＊ｚ−（ＦＡＴ領域を読み出す時間））になる。
【００５１】
他方、本発明の詳細な説明では具体的な実施形態に関して説明したが、本発明の範囲から外れない限度内で多様な変形が可能なことは勿論である。従って、本発明の範囲は前述した実施形態に局限されて決められてはならず、特許請求の範囲だけではなく、この発明の特許請求の範囲と均等なことによって決められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】一般的な写像技法を説明するための図面である。
【図２Ａ】一般的な写像技法を説明するための図面である。
【図２Ｂ】一般的な写像技法を説明するための図面である。
【図３Ａ】一般的な写像技法を説明するための図面である。
【図３Ｂ】一般的な写像技法を説明するための図面である。
【図４】本発明の好適な実施形態によるデータ貯蔵装置を示すブロック図である。
【図５】本発明に従うデータ貯蔵装置のマージ方法を示す概念図である。
【図６】本発明に従うデータ貯蔵装置の選択的マージ方法を示す順序図である。
【符号の説明】
【００５３】
１００  ホスト
２００  データ貯蔵装置
２１０  フラッシュメモリ
２１１  ＦＡＴ領域
２１２  データ領域
２１３  ログ領域
２１４  メタ領域
２２０  コントローラ
２２１  制御ロジック
２２２  ワークメモリ
【図１】
2006216036.tif 000003
【図２Ａ】
2006216036.tif 000004
【図２Ｂ】
2006216036.tif 000005
【図３Ａ】
2006216036.tif 000006
【図３Ｂ】
2006216036.tif 000007
【図４】
2006216036.tif 000008
【図５】
2006216036.tif 000009
【図６】
2006216036.tif 000010