(57)【要約】【課題】  除電器を用いずに読み取り側の素子の静電気放電破壊を抑制しつつ工数増等を抑制可能とする。【解決手段】  ハード・ディスクに対して情報の書き込み，読み取りを行うヘッド部２１に負荷荷重を与えるロード・ビームと、ヘッド部２１を書き込み用及び読み取り用の配線２９，３１に接続すると共にヘッド部２１を支持してロード・ビームに取り付けられたフレキシャ７とを備え、フレキシャは、配線２９，３１を導電性薄板の基材に可撓性樹脂のベース絶縁層３５を介して配設したヘッド・サスペンションにおいて、ベース絶縁層３５に対して配線２９，３１を覆うカバー絶縁層４１，４３を備え、カバー絶縁層４１，４３を、微導電可撓性樹脂で形成したことを特徴とする。【選択図】  図４
2006260733.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハード・ディスクに対して情報の書き込み，読み取りを行うヘッド部に負荷荷重を与えるロード・ビームと、
前記ヘッド部に接続した書き込み用及び読み取り用の配線を有すると共に該ヘッド部を支持して前記ロード・ビームに取り付けられたフレキシャとを備え、
前記フレキシャは、前記配線を導電性薄板の基材に可撓性樹脂のベース絶縁層を介して配設したヘッド・サスペンションにおいて、
前記少なくとも読み取り用配線側のベース絶縁層を、微導電可撓性樹脂で形成した
ことを特徴とするヘッド・サスペンション。
【請求項２】
請求項１記載のヘッド・サスペンションであって、
前記フレキシャは、前記ベース絶縁層に対して前記配線を覆うカバー絶縁層を備え、
前記少なくとも読み取り用配線側のベース絶縁層及びカバー絶縁層を、微導電可撓性樹脂で形成した
ことを特徴とするヘッド・サスペンション。
【請求項３】
ハード・ディスクに対して情報の書き込み，読み取りを行うヘッド部２１に負荷荷重を与えるロード・ビームと、
前記ヘッド部を書き込み用及び読み取り用の配線に接続すると共に該ヘッド部を支持して前記ロード・ビームに取り付けられたフレキシャとを備え、
前記フレキシャは、前記配線を導電性薄板の基材に可撓性樹脂のベース絶縁層を介して配設したヘッド・サスペンションにおいて、
前記ベース絶縁層に対して前記配線を覆うカバー絶縁層を備え、
前記少なくとも読み取り用配線側のカバー絶縁層を、微導電可撓性樹脂で形成すると共に一部を前記フレキシャの基材の表面に接地させた
ことを特徴とするヘッド・サスペンション。
【請求項４】
ハード・ディスクに対して情報の書き込み，読み取りを行うヘッド部に負荷荷重を与えるロード・ビームと、
前記ヘッド部を書き込み用及び読み取り用の配線に接続すると共に該ヘッド部を支持して前記ロード・ビームに取り付けられたフレキシャとを備え、
前記フレキシャは、前記配線を導電性薄板の基材に可撓性樹脂のベース絶縁層を介して配設したヘッド・サスペンションにおいて、
前記ベース絶縁層に対して前記配線を覆うカバー絶縁層を備え、
前記少なくとも読み取り用配線側のカバー絶縁層を、微導電可撓性樹脂で形成した
ことを特徴とするヘッド・サスペンション。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載のヘッド・サスペンションであって、
前記微導電可撓性樹脂は、表面抵抗率を１０４〜１０１１Ω／□に設定した
ことを特徴とするヘッド・サスペンション。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータ等の情報処理装置に内蔵されるハード・ディスク・ドライブのヘッド・サスペンションに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のハード・ディスク・ドライブ（ＨＤＤ「Hard Disk Drive」）に装備されるヘッド・サスペンションにおいては、磁気ヘッドに接続される書き込み，読み取りの信号を電送する配線が、ばね性を有するステンレス製薄板のフレキシャに可撓性樹脂のベース絶縁層を介して配設され、この配線を可撓性樹脂のカバー絶縁層が覆う構造等となっている。
【０００３】
かかる構造においては、組み付け時におけるフレキシャのクランプなどによりカバー絶縁層の表面が擦れて静電気帯電し、カバー絶縁層を通して配線が帯電することがある。このため、組み付け時などに、磁気ヘッドが機器や治工具に触れたとき、配線に帯電した電荷が磁気ヘッドから放電され、読み取り用の素子が破壊される恐れがある。
【０００４】
特に近年では、ハード・ディスクの情報読み取り素子として、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッド、更に感度の高いＴｕＭＲヘッドが用いられ、静電気などの外乱に益々弱くなっており、静電気放電（ＥＳＤ「Electro Static Discharge」）破壊対策が臨まれている。
【０００５】
これに対し、静電気放電破壊対策としてイオナイザー（除電器）を用いた除電技術もある。しかし、除電のための設備を要すると共に、工数がかかり、コストアップの原因となる。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−２８２６２４号公報
【非特許文献１】名取章二（日立コンピュータ機器）著「ＧＭＲヘッドのＥＳＤ評価」２００３年１月３１日技術委員会ＥＳＤコントロール分科会
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
解決しようとする問題点は、読み取り側の素子の静電気放電破壊を招き、除電器を用いるとコストアップの原因となる点である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、除電器を用いずに読み取り側の素子の静電気放電破壊を抑制しつつ工数増等を抑制可能とするため、少なくとも読み取り用配線側のベース絶縁層又はカバー絶縁層を、微導電可撓性樹脂で形成しことを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のヘッド・サスペンションは、少なくとも読み取り用の配線側のベース絶縁層又はカバー絶縁層を、微導電可撓性樹脂で形成したため、読み取り用の配線側に帯電した電荷を、ベース絶縁層又はカバー絶縁層を介してフレキシャの基材側へ直接放電するか、カバー絶縁層から空中放電等させることで、ヘッド部の情報読み取り用の素子からの放電を規制し、情報読み取り用の素子の静電気放電破壊を抑制することができる。また、ベース絶縁層又はカバー絶縁層を、微導電可撓性樹脂で形成したため、工数の増加等も抑制し、簡単に製造することができ、コストアップも抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
除電器を用いずに読み取り側の磁気ヘッド素子の静電気放電破壊を抑制しつつ工数増等を抑制可能とするという目的を、ベース絶縁層又はカバー絶縁層を、微導電可撓性樹脂で形成することで実現した。
【実施例１】
【００１１】
［ヘッド・サスペンションの全体構成］
図１は、本発明実施例１を適用したヘッド・サスペンションの平面図である。
【００１２】
図１のように、ヘッド・サスペンション１は、ロード・ビーム３と、ベース部５と、フレキシャ７とを備えている。
【００１３】
前記ロード・ビーム３は、ヘッド部２１に負荷荷重を与えるもので、剛体部９とばね部１１とを備えている。前記剛体部９は、例えばステンレス鋼で形成され、その厚みは比較的厚く、例えば１００μｍ程度に設定されている。
【００１４】
前記ばね部１１は、前記剛体部９とは別体に形成されたもので、例えばばね性のある薄いステンレス鋼圧延板からなり、前記剛体部９よりもそのばね定数が低く、精度の高い低ばね定数を有している。このばね部１１の板厚は例えば、ｔ＝４０μｍ程度に設定されている。このばね部１１は、その一端部が前記剛体部９の後端部にレーザ溶接などによって固着されている。前記ばね部１１の他端部には、補強プレート１３が一体に設けられている。
【００１５】
前記ベース部５は、ベース・プレート１５を有している。このベース・プレート１５は前記補強プレート１３に重ね合わされ、レーザ溶接などによって相互に固着されている。従って、ベース・プレート１５が補強プレート１３により補強されてベース部５が構成されている。このベース部５が、キャリッジのアームに取り付けられ、軸回りに回転駆動される。
【００１６】
前記フレキシャ７は、ばね性を有する薄いステンレス鋼圧延板（ＳＳＴ）などの厚さ３０μｍ程度の導電性薄板で形成した基材１８上に、後述する電気絶縁層を介して配線パターン１９を形成している。フレキシャ７は、レーザ溶接などによって剛体部９に固着されている。前記配線パターン１９の一端は、ヘッド部２１の書き込み用の端子２３、読み取り用の端子２５に導通接続され、他端はベース部５側に延設されている。
【００１７】
前記ヘッド部２１には、前記フレキシャ７のタング２７が片持ち状に設けられている。このタング２７に、書き込み用、読み取り用のスライダが装着されている。ヘッド部２１のスライダには、前記端子２３，２５に対応し且つ書き込み用の素子及び読み取り用の素子に接続した端子が備えられ、相互に導通接続されている。
【００１８】
前記ヘッド部２１の書き込み用の素子は、例えば一般的な誘導型磁気変換素子である。同読み取り用の素子は、ＭＲ素子、ＧＭＲ素子、或いはＴｕＭＲ素子が用いられ、読み取り感度が高くなっている。
［絶縁層］
図２は、配線パターンを有したフレキシャの平面図、図３は、図２のＩＩＩ部拡大平面図、図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線矢視断面図である。
【００１９】
図２〜図４のように、前記配線パターン１９は、書き込み用の配線（Write1,Write2）２９及び読み取り用の配線（Read１，Read２）３１からなっている。書き込み用の配線２９及び読み取り用の配線３１は、フレキシャ７の基材１８上に可撓性樹脂のベース絶縁層３５を介して配設されている。
【００２０】
前記ベース絶縁層３５は、可撓性樹脂としてポリイミドが用いられ、厚さ１０μｍ程度に形成されている。ベース絶縁層３５の表面抵抗率は、１０１４Ω／□程度であり、高い抵抗値で絶縁性能を備えている。ベース絶縁層３５には、適所に孔部３７が設けられ、フレキシャ７の表面３９が孔部３７から露出している。
【００２１】
前記書き込み用の配線２９及び読み取り用の配線３１は、一部を除き、前記ベース絶縁層３５に対してカバー絶縁層４１，４３で覆われている。カバー絶縁層４１，４３は、微導電可撓性樹脂で形成され、ベース絶縁層３５に対する積層方向での厚みが、２０μｍ程度に形成されている。カバー絶縁層４１は、書き込み用の配線２９の表面をカバーし、カバー絶縁層４３は、読み取り用の配線３１の表面をカバーし、配線２９，３１をそれぞれ外力などから保護している。カバー絶縁層４１，４３の表面抵抗率は、１０４〜１０１１Ω／□に設定されて回路動作上は影響を受け難い高い抵抗であり、静電気に対しては十分な導電性を持っている。
【００２２】
前記カバー絶縁層４１，４３には、前記孔部３７側において延設部４５，４７が設けられ、フレキシャ７の基材１８の表面３９に接地されている。
【００２３】
［製造方法］
図５（ａ）〜（ｅ）は、製造工程順序を示す断面図である。なお、図５（ａ）〜（ｅ）では、読み取り用の配線３１側について図示しているが、書き込み用の配線２９側でも同時に工程が進行する。
【００２４】
図５（ａ）の工程では、基材１８となる厚さ１５〜３０μｍのステンレス鋼圧延板５１上全面に前記ベース絶縁層３５となる厚さ５〜２０μｍのポリイミド絶縁膜５３及び前記配線２９，３１となる厚さ５〜２０μｍ程度のＣｕ膜５５を順に積層し、Ｃｕ膜５５上の配線形成領域にレジスト５７を形成する。
【００２５】
図５（ｂ）の次工程では、レジスト５７をマスクとしてＣｕ膜５５をエッチングして配線３１（２９）を形成する。次いで、有機溶剤等を用いてレジスト５７を除去する。
【００２６】
図５（ｃ）の次工程では、ポリイミド絶縁膜５３上の配線３１（２９）を含む領域にレジスト５９を形成し、このレジスト５９をマスクとしてヒドラジン等を用いてポリイミドのベース絶縁層３５をエッチングする。次いで、有機溶剤等を用いてレジスト５９を除去する。
【００２７】
図５（ｄ）の次工程では、導電可撓性樹脂である感光性ポリイミドを全面に塗布した後、露光、現像を行って配線３１（２９）を被覆するカバー絶縁層４３（４１）を形成する。導電可撓性樹脂の非感光性ポリイミドでカバー絶縁層４３（４１）を形成することも可能ではあるが、その場合は非感光性ポリイミドの全面塗布、このポリイミド層の上へのレジストによるマスク形成、ポリイミド層のエッチング、レジストの除去といった一連の工程が必要となる。上記の感光性ポリイミドを使用するとこれら一連の工程を省略できて簡単な工程となる。
【００２８】
図５（ｅ）の工程では、ステンレス圧延鋼板５１の両面にレジストパターン６１，６３を形成し、これをマスクとして、ステンレス圧延鋼板５１をエッチングしてフレキシャ７を形成する。
【００２９】
次いで、有機溶剤等を用いてレジストパターン６３を除去した後フレキシャ７をロード・ビーム３に溶接し、さらにベース・プレート１５をロード・ビーム３に溶接し、かつ、ロード・ビーム３の曲げ加工等を行って、図１に示したヘッド・サスペンションが完成する。
［静電気放電］
組み付け時のフレキシャ７のクランプなどによりカバー絶縁層４１，４３の表面が擦れてカバー表面及び配線部に静電気が帯電する。このカバー絶縁層４１，４３及び配線部に帯電した電荷は、カバー絶縁層４１，４３の延設部４５，４７から孔部３７内のフレキシャ７の表面３９へ放電され、フレキシャ７の基材１８に接する治工具等へ逃がされる。
【００３０】
前記カバー絶縁層４１，４３を通して書き込み用の配線２９，読み取り用の配線３１へ帯電しようとするときも、配線２９，３１がカバー絶縁層４１，４３に接していることから孔部３７内の表面３９へ放電され、フレキシャ７に接する治工具等へ逃がされる。
【００３１】
従って、組み付け時等に、ヘッド部２１のスライダが機器や治工具に触れたとき配線２９，３１に帯電した電荷が、スライダから放電されるということがなく、読み取り用の素子破壊等を抑制することができる。このため、読み取り用の素子として、ＭＲ素子、ＧＭＲ素子、ＴｕＭＲ素子を用いて感度良く情報の読み取りを行わせることができる。
【００３２】
また、積層構造としてはカバー絶縁層を有する従来の構造と変わりが無く、工数増を抑制し、コストアップを抑制することができる。
【００３３】
さらに、ヘッド・サスペンション１そのものが除電構造となっており、イオナイザー等を用いる必要が無く、設備費、工数がかからず、コストアップを抑制することができる。
【実施例２】
【００３４】
図６は、本発明の実施例２に係り、図４と同様に、図３のＩＶ−ＩＶ線矢視に対応する断面図である。なお、基本的な構成は、実施例１と同様であり、実施例１と同一又は対応する部分には、同符号又は同符号にＡを付して説明する。
【００３５】
本実施例では、図４で示すカバー絶縁層４１，４３を省き、同図のベース絶縁層３５を、図６のように、表面抵抗率１０４〜１０１１Ω／□の微導電可撓性樹脂で形成してベース絶縁層３５Ａとした。
【００３６】
製造に際しては、図５（ａ）において、ベース絶縁層３５Ａとなる厚さ５〜２０μｍのポリイミド絶縁膜５３を上記微導電可撓性樹脂で形成した。
【００３７】
従って、本実施例では、図５（ｄ）のカバー絶縁層４１，４３の形成工程を省くことで行うことができ、工数をより少なくすることができる。
【００３８】
また、本実施例では、配線２９，３１に帯電した電荷を、ベース絶縁層３５Ａを介してフレキシャ７の基材１８側へ放電することができ、実施例１と同様な作用効果を奏することができる。
【実施例３】
【００３９】
図７は、本発明の実施例３に係り、図４と同様に、図３のＩＶ−ＩＶ線矢視に対応する断面図である。なお、基本的な構成は、実施例１と同様であり、実施例１と同一部分には、同符号を付して説明する。
【００４０】
本実施例では、図４で示す別構成のベース絶縁層３５及びカバー絶縁層４１，４３に代え、図７のように、表面抵抗率１０４〜１０１１Ω／□の微導電可撓性樹脂でベース絶縁層及びカバー絶縁層を一体に形成しベース・カバー絶縁層６５，６７とした。
【００４１】
製造に際しては、図５（ａ）において、ベース絶縁層３５となる厚さ５〜１０μｍのポリイミド絶縁膜５３を上記微導電可撓性樹脂で形成し、図５（ｄ）において、カバー絶縁層４１，４３となる部分を、上記微導電可撓性樹脂で形成して一体のベース・カバー絶縁層６５，６７とした。
【００４２】
従って、本実施例では、実施例１のベース絶縁層３５及びカバー絶縁層４１，４３と同等の部分を有しながら、材料数を減少させることができ、コストアップをより確実に抑制することができる。
【００４３】
また、本実施例では、配線２９，３１への帯電を、ベース・カバー絶縁層６５，６７を介してフレキシャ７の基材１８側へ放電することができ、実施例１と同様な作用効果を奏することができる。
【実施例４】
【００４４】
図８は、本発明の実施例４に係り、図４と同様に、図３のＩＶ−ＩＶ線矢視に対応する断面図である。なお、基本的な構成は、実施例１と同様であり、実施例１と同一又は対応する部分には、同符号又は同符号にＢを付して説明する。
【００４５】
本実施例では、実施例１の書き込み側のカバー絶縁層４１に代え、表面抵抗率１０１４Ω／□程度のカバー絶縁層４１Ｂとした。
【００４６】
従って、本実施例では、カバー絶縁層４１Ｂが微導電性を有さず、微導電性材による書き込み信号の高周波成分の劣化が無く、書き込み信号の劣化を防ぐことができる。
【００４７】
また、本実施例では、読み取り用の配線３１への帯電を、実施例１と同様にしてフレキシャ７の基材１８側へ放電することができ、実施例１と同様な作用効果を奏することができる。
【実施例５】
【００４８】
図９は、本発明の実施例５に係り、図４と同様に、図３のＩＶ−ＩＶ線矢視に対応する断面図である。なお、基本的な構成は、実施例２と同様であり、実施例２と同一又は対応する部分には、同符号又は同符号のＡをＣに代えて説明する。
【００４９】
本実施例では、図６実施例２の書き込み側のベース絶縁層３５Ａに代え、実施例１と同様の表面抵抗率１０１４Ω／□程度のベース絶縁層３５Ｃとした。
【００５０】
従って、本実施例では、ベース絶縁層３５Ｃが微導電性を有さず、微導電性材による書き込み信号の高周波成分の劣化が無く、書き込み信号の劣化を防ぐことができる。
【００５１】
また、本実施例では、読み取り用の配線３１に帯電した電荷を、実施例２と同様にしてフレキシャ７の基材１８側へ放電することができ、実施例２と同様な作用効果を奏することができる。
【実施例６】
【００５２】
図１０は、本発明の実施例６に係り、図４と同様に、図３のＩＶ−ＩＶ線矢視に対応する断面図である。なお、基本的な構成は、実施例３と同様であり、実施例３と同一又は対応する部分には、同符号又は同符号にＤを付して説明する。
【００５３】
本実施例では、図７実施例３の書き込み側のベース・カバー絶縁層６５に代え、実施例１と同様の表面抵抗率１０１４Ω／□程度のベース絶縁層３５Ｄと表面抵抗率１０１４Ω／□程度のカバー絶縁層４１Ｄとした。
【００５４】
従って、本実施例では、ベース絶縁層３５Ｄ及びカバー絶縁層４１Ｄが微導電性を有さず、微導電性材による書き込み信号の高周波成分の劣化が無く、書き込み信号の劣化を防ぐことができる。
【００５５】
また、本実施例では、読み取り用の配線３１に帯電した電荷を、実施例３と同様にしてフレキシャ７の基材１８側へ放電することができ、実施例３と同様な作用効果を奏することができる。
【実施例７】
【００５６】
図１１，図１２は、本発明の実施例７に係り、図１１は、ヘッド・サスペンションの平面図、図１２は、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線矢視断面図である。なお、基本的な構成は、実施例１と同様であり、実施例１と対応する部分には、同符号にＥを付して説明する。
【００５７】
図１１のように、ヘッド・サスペンション１Ｅは、先端にロード・アンロード用のタブ６９を備え、フレキシャ７Ｅは、ロード・ビーム３Ｅの側部に配設されてヘッド部２１Ｅからベース部５Ｅ側に至っている。
【００５８】
図１１，図１２のように、本実施例の配線パターン１９Ｅは、書き込み用の配線（Write1,Write2）２９Ｅ及び読み取り用の配線（Read１，Read２）３１Ｅが左右近接し、一体のベース絶縁層３５Ｅを介して配設されている。ベース絶縁層３５Ｅの表面抵抗率は、１０１４Ω／□程度であり、高い抵抗値で絶縁性能を備えている。
【００５９】
前記書き込み用の配線２９Ｅ、読み取り用の配線３１Ｅは、それぞれ前記ベース絶縁層３５Ｅに対してカバー絶縁層４１Ｅ、カバー絶縁層４３Ｅで覆われている。カバー絶縁層４１Ｅ，カバー絶縁層４３Ｅは、相互に隣接し、ベース絶縁層３５Ｅに対する積層方向での厚みが、２０μｍ程度に形成されている。カバー絶縁層４１Ｅは、書き込み用の配線２９Ｅの表面をカバーし、カバー絶縁層４３Ｅは、読み取り用の配線３１Ｅの表面をカバーし、配線２９Ｅ，３１Ｅをそれぞれ外力などから保護する。
【００６０】
書き込み側のカバー絶縁層４１Ｅの表面抵抗率は、１０１４Ω／□程度であり、高い抵抗値で絶縁性能を備えている。読み取り側のカバー絶縁層４３Ｅは、微導電可撓性樹脂で形成され、その表面抵抗率は、１０４〜１０１１Ω／□に設定されて回路動作上は影響を受け難い高い抵抗であり、静電気に対しては十分な導電性を持っている。
【００６１】
このような構造では、次のような現象によりスライダを静電放電による破壊から保護することができる。
【００６２】
すなわち、組み付け時のフレキシャ７Ｅのクランプなどにより帯電したカバー絶縁層４３Ｅの電荷は、導電性のジグなどがカバー絶縁層４３Ｅに触れることで逃げる。また、静電気帯電した場合、エッジ部から空中放電し易くなる。導電体の場合、放電する部分が限られたとしても電荷が移動できるので結果的に電荷が放電され易くなる。
【００６３】
前記微導電可撓性樹脂で形成されたカバー絶縁層４３Ｅは、このような現象によって放電を促進させ、組み付け時等に、ヘッド部２１Ｅのスライダが機器や治工具に触れたとき配線２９Ｅ，３１Ｅに帯電した電荷が、スライダへ移動することがなく、読み取り用の素子破壊等を抑制することができる。このため、読み取り用の素子として、ＭＲ素子、ＧＭＲ素子、ＴｕＭＲ素子を用いて感度良く情報の読み取りを行わせることができる。
【００６４】
また、カバー絶縁層４１Ｅは微導電性を有さず、微導電性材による書き込み信号の高周波成分の劣化が無く、書き込み信号の劣化を防ぐことができる。
【００６５】
図１３〜図１５は、フレキシャの製造方法を示す工程図である。図１３は、アディティブ製法の工程図、図１４は、サブトラクティブ製法の工程図、図１５は、カバー絶縁層の製法を示す工程図である。
【００６６】
図１３のアディティブ製法では、構造部材の工程Ｓ１において、基材１８Ｅに対応してステンレスなどの導電性薄板を形成する。
【００６７】
ベース絶縁層形成の工程Ｓ２では、導電性薄板の上にポリイミドなどによりベース絶縁層３５Ｅを形成する。
【００６８】
配線形成の工程Ｓ３では、ベース絶縁層３５Ｅの上に銅メッキ等により配線２９Ｅ，３１Ｅを形成する。
【００６９】
カバー絶縁層形成の工程Ｓ４では、書き込み側のカバー絶縁層４１Ｅを、図５（ｄ）等の方法と同様に形成する。
【００７０】
導電性カバー層形成の工程Ｓ５では、読み取り側のカバー絶縁層４３Ｅを後述のように形成する。
【００７１】
構造部材の形状形成の工程Ｓ６では、導電性薄板に対するエッチング等により基材１８Ｅの形状を形成する。
【００７２】
図１４のサブトラクティブ製法では、ベース積層素材の工程Ｓ１１において、構造部材である基材１８Ｅに対応した導電性薄板にベース絶縁層３５Ｅに対応したベース絶縁材及び配線２９Ｅ，３１Ｅに対応した導電体層を積層形成する。
【００７３】
構造部材の形状形成の工程Ｓ１２では、導電性薄板に対するエッチング等により基材１８Ｅの形状を形成する。
【００７４】
導電体層の形状形成の工程Ｓ１３では、導電体層に対するエッチング等により配線２９Ｅ，３１Ｅを形成する。
【００７５】
ベース絶縁材層の形状形成の工程Ｓ１４では、ベース絶縁材に対するエッチング等によりベース絶縁層３５Ｅを形成する。
【００７６】
カバー絶縁層形成の工程Ｓ１５では、書き込み側のカバー絶縁層４１Ｅを、図５（ｄ）等の方法と同様に形成する。
【００７７】
導電性カバー層形成の工程Ｓ１６では、読み取り側のカバー絶縁層４３Ｅを後述のように形成する。
【００７８】
前記導電性カバー層形成の工程Ｓ５，Ｓ１６は、例えば、図１５のように行われる。
【００７９】
感光性フィルム素材を貼付けの工程Ｓ２１では、ベース絶縁層３５Ｅに対し配線３１Ｅを覆うように感光性フィルム素材を貼り付ける。なお、感光性フィルムに代えて液状素材を塗布することもできる。
【００８０】
露光工程Ｓ２２では、感光性フィルム（又は液状素材）の必要箇所を露光させ、現像工程Ｓ２３において感光性フィルム（又は液状素材）を現像する。
【００８１】
未露光部除去工程Ｓ２４では、露光工程Ｓ２２で露光させなかった未露光部を除去し、キャリング工程Ｓ２５において安定化させ、カバー絶縁層４３Ｅを形成する。
【実施例８】
【００８２】
図１６は、本発明の実施例８に係り、図１２と同様に、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線矢視に対応する断面図である。なお、基本的な構成は、実施例７と同様であり、実施例７と同一又は対応する部分には、同符号又は同符号のＥをＦに代えて説明する。
【００８３】
本実施例では、実施例７の書き込み側のカバー絶縁層４３Ｅに代えて延設部４７Ｆを設けたカバー絶縁層４３Ｆとし、延設部４７Ｆをフレキシャ７Ｆの基材１８Ｅの表面３９Ｅに接地させている。
【００８４】
従って、本実施例では、カバー絶縁層４３Ｆ及び配線部に帯電した電荷が、延設部４７Ｆからフレキシャ７Ｆの基材１８Ｅの表面３９Ｅへ放電され、フレキシャ７Ｆの基材１８Ｅに接する治工具等へも逃がされる。
【００８５】
このため、本実施例でも、実施例１等と同様の効果を奏することができる。
【実施例９】
【００８６】
図１７は、本発明の実施例９に係り、図１２と同様に、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線矢視に対応する断面図である。なお、基本的な構成は、実施例７と同様であり、実施例７と同一又は対応する部分には、同符号又は同符号のＥをＧに代えて説明する。
【００８７】
本実施例では、実施例７のベース絶縁層３５Ｅを書き込み側ベース絶縁層３５Ｇａ及び読み取り側ベース絶縁層３５Ｇｂに分割し、書き込み側ベース絶縁層３５Ｇａは、ベース絶縁層３５Ｅと同材質の表面抵抗率１０１４Ω／□程度の高い抵抗値の樹脂で形成し、読み取り側ベース絶縁層３５Ｇｂをカバー絶縁層４３Ｇと同材質の表面抵抗率１０４〜１０１１Ω／□の微導電可撓性樹脂で形成した。
【００８８】
従って、本実施例では、実施例６とほぼ同様な効果を奏することができる。
【実施例１０】
【００８９】
図１８は、本発明の実施例１０に係り、ヘッド・サスペンションの平面図である。なお、基本的な構成は、図１１と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号又は同符号のＥをＨに変えて説明する。
【００９０】
本実施例のヘッド・サスペンション１Ｈでは、前記図１２，図１６，図１７のヘッド部放電抑制構造を、ヘッド部２１Ｅ側の部分７１にのみ設けたものである。
【００９１】
このように、少なくともヘッド部２１Ｅ側に設けることで、スライダを通した放電が抑制され、上記効果を奏することができる。
【００９２】
その他、ヘッド部放電抑制構造をフレキシャのヘッド部側及びヘッド部の反対側端部に設ける構成にすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】ヘッド・サスペンションの平面図である（実施例１）。
【図２】フレキシャの平面図である（実施例１）。
【図３】図２のＩＩＩ部の拡大平面図である（実施例１）。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線矢視断面図である（実施例１）。
【図５】製造工程順序を示す断面図である（実施例１）。
【図６】図４に対応した位置の断面図である（実施例２）。
【図７】図４に対応した位置の断面図である（実施例３）。
【図８】図４に対応した位置の断面図である（実施例４）。
【図９】図４に対応した位置の断面図である（実施例５）。
【図１０】図４に対応した位置の断面図である（実施例６）。
【図１１】ヘッド・サスペンションの平面図である（実施例７）。
【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線矢視断面図である（実施例７）。
【図１３】フレキシャの製造方法を示し、アディティブ製法の工程図である（実施例７）。
【図１４】フレキシャの製造方法を示し、サブトラクティブ製法の工程図である（実施例７）。
【図１５】カバー絶縁層の製法を示す工程図である（実施例７）。
【図１６】図１２に対応した位置の断面図である（実施例８）。
【図１７】図１２に対応した位置の断面図である（実施例９）。
【図１８】ヘッド・サスペンションの平面図である（実施例１０）。
【符号の説明】
【００９４】
１，１Ｅ  ヘッド・サスペンション
３，３Ｅ  ロード・ビーム
７，７Ｅ，７Ｆ，７Ｇ  フレキシャ
２９，２９Ｅ  書き込み用の配線
３１，３１Ｅ  読み取り用の配線
３５，３５Ａ，３５Ｃ，３５Ｄ，３５Ｅ  ベース絶縁層
３５Ｇａ  書き込み側ベース絶縁層
３５Ｇｂ  読み取り側ベース絶縁層
３９，３９Ｅ  フレキシャの表面
４１，４１Ｄ，４１Ｅ，４３，４３Ｅ，４３Ｆ，４３Ｇ  カバー絶縁層
６５，６７  ベース・カバー絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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