(57)【要約】      （修正有）【課題】  潤滑性被膜がすぐれた耐摩耗性を発揮するプラスチック射出成形金型を提供する。【解決手段】  射出成形金型の成形面に、マグネトロンスパッタリング装置にて、カソード電極としてＴｉターゲットを用い、窒素とＡｒの混合ガス、または炭化水素の分解ガスと窒素とＡｒの混合ガスからなる雰囲気で成膜された、窒化チタン層および炭窒化チタン層のいずれか、または両方の積層からなる密着接合層を介して、潤滑性被膜として、カソード電極として、炭化タングステンターゲットとＴｉターゲットを用い、炭化水素の分解ガスと窒素とＡｒの混合ガスからなる雰囲気で成膜され、Ｗ：５〜２０原子％、Ｔｉ：１〜２０原子％、窒素：０．５〜１８原子％、を含有し、残りが炭素と不可避不純物からなる組成を有すると共に、炭素系非晶質体の素地に、結晶質炭窒化チタン系化合物の微粒が分散分布した組織を示し、潤滑性被膜を蒸着形成してなる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ステンレス鋼で構成された金型本体の少なくとも成形面に、
（ｂ）マグネトロンスパッタリング装置にて、カソード電極（蒸発源）としてＴｉターゲットを用い、窒素とＡｒの混合ガス、または炭化水素の分解ガスと窒素とＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気で磁場中成膜された、窒化チタン層および炭窒化チタン層のいずれか、または両方の積層からなり、かつ０．１〜２μｍの平均層厚を有する密着接合層を介して、
（ｃ）潤滑性被膜として、マグネトロンスパッタリング装置にて、カソード電極（蒸発源）として、炭化タングステンターゲットとＴｉターゲットを用い、炭化水素の分解ガスと窒素とＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気で磁場中成膜され、オージェ分光分析装置で測定して、
Ｗ：５〜２０原子％、
Ｔｉ：１〜２０原子％、
窒素：０．５〜１８原子％、
を含有し、残りが炭素と不可避不純物からなる組成を有すると共に、透過型電子顕微鏡による観察で、炭素系非晶質体の素地に、結晶質炭窒化チタン系化合物の微粒が分散分布した組織を示し、かつ１〜５μｍの平均層厚を有する潤滑性被膜を蒸着形成してなる、成形面に蒸着形成された潤滑性被膜がすぐれた耐摩耗性を発揮するプラスチック射出成形金型。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、特にＣＤやＤＶＤなどの光記録媒体などとして適用されるディスク基板の射出成形に用いた場合に、成形面（キャビティ面）に蒸着形成した潤滑性被膜がすぐれた耐摩耗性を発揮し、使用寿命の一段の延命化を可能とするプラスチック射出成形金型に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、一般に、例えば光記録ディスク基板が、図４（ａ）〜（ｅ）に射出成形工程図が概略縦断面図で示される通り、いずれも金型本体がステンレス鋼で構成されると共に、中心部にプラスチック射出用スプールが篏着された固定型と、中心部にカットパンチが往復動可能に篏装され、さらに外周部に沿って外周面形成用外周リングが同じく往復動可能に篏装された可動型からなり、かつ、前記固定型および可動型の少なくとも成形面（キャビティ面）には潤滑性被膜が蒸着形成されたプラスチック射出成形金型を用い、図示される通り、前記可動型を移動させて前記固定型との間にキャビティを形成した状態で、プラスチックとして、例えばポリカーボネート樹枝を溶融した状態で、かつ所定の圧力で前記キャビティに射出注入し、前記キャビティ内を前記射出注入プラスチックで充填し、前記可動型にて加圧し、固化してディスク基板素材を形成した後、カットパンチを移動させて、前記ディスク基板素材の中心部に打抜き孔を形成し、最終的に前記可動型を移動させて開放し、取り出すことにより成形されている。
【０００３】
また、上記のプラスチック射出成形金型として、
（ａ）ステンレス鋼からなる金型本体の少なくとも成形面に、
（ｂ）スパッタリング装置にて、カソード電極（蒸発源）としてＴｉターゲットを用い、窒素とＡｒの混合ガス、または炭化水素の分解ガスと窒素とＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気で形成された、窒化チタン（以下、ＴｉＮで示す）層および炭窒化チタン（以下、ＴｉＣＮで示す）層のいずれか、または両方からなり、かつ０．１〜２μｍの平均層厚を有する密着接合層を介して、
（ｃ）潤滑性被膜として、炭化水素の分解ガスとＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気で形成された非晶質炭素被膜を１〜５μｍの平均層厚で蒸着形成してなる、プラスチック射出成形金型が知られている。
【０００４】
さらに、上記の従来プラスチック射出成形金型が、例えば図３（ａ）に概略平面図で、同（ｂ）に概略正面図で示される通り、カソード電極（蒸発源）がＴｉターゲットのスパッタリング装置を備えた蒸着装置に上記のステンレス鋼からなる金型本体を装入し、ヒータで装置内を、例えば３００℃の温度に加熱した状態で、装置内に反応ガスとして窒素とＡｒを、例えば窒素流量：２００ｓｃｃｍ、Ａｒ流量：３００ｓｃｃｍの割合で導入して、例えば１Ｐａの窒素とＡｒの混合ガス、または例えばＣ２Ｈ２（炭化水素）と窒素とＡｒを、例えばＣ２Ｈ２流量：４０ｓｃｃｍ、窒素流量：２００ｓｃｃｍ、Ａｒ流量：３００ｓｃｃｍの割合で導入して、同じく１ＰａのＣ２Ｈ２の分解ガスと窒素とＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気とし、Ｔｉターゲットのカソード電極（蒸発源）には出力：１２ｋＷ（周波数：４０ｋＨｚ）のスパッタ電力を印加し、一方上記金型本体には、例えば−１００Ｖのバイアス電圧を印加した条件でグロー放電を発生させ、前記金型本体の表面に、所定層厚のＴｉＮ層およびＴｉＣＮ層のいずれか、または両方の積層からなる密着接合層を形成し、ついで例えば装置内の加熱温度を２００℃とした状態で、Ｃ２Ｈ２などの炭化水素とＡｒを、Ｃ２Ｈ２流量：４０〜８０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量：２５０ｓｃｃｍの割合で導入して、前記窒素とＡｒの混合ガス、または前記Ｃ２Ｈ２の分解ガスと窒素とＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気を、例えば１ＰａのＣ２Ｈ２の分解ガスとＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気に変え、上記金型本体に印加するバイアス電圧を、例えば−２０Ｖとした条件で、上記密着接合層の上に、潤滑性被膜として所定層厚の非晶質炭素被膜を蒸着形成することにより製造されることも知られている。
【特許文献１】特開２００３−２２５９２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年のプラスチック射出成形装置の高性能化はめざましく、一方でプラスチック射出成形加工に対する省力化および省エネ化、さらに低コスト化の要求も強く、これに伴い、プラスチック射出成形加工は高速化の傾向にあるが、上記の従来プラスチック射出成形金型においては、これを通常の射出成形条件で用いた場合には問題はないが、特に射出成形を高速で行なった場合には、潤滑性被膜である非晶質炭素被膜の摩耗進行が著しく速く、比較的短時間で使用寿命に至るのが現状である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、特にプラスチック射出成形加工を高速で行った場合にも、成形面に蒸着形成した潤滑性被膜がすぐれた耐摩耗性を発揮するプラスチック射出成形金型を開発すべく、研究を行った結果、
（ａ）図２（ａ）および（ｂ）にそれぞれ概略平面図および概略正面図で示される蒸着装置、すなわちカソード電極（蒸発源）がＴｉターゲットのスパッタリング装置と、カソード電極（蒸発源）がＷＣターゲットのスパッタリング装置を備え、前記スパッタリング装置のそれぞれに、電磁コイルを設けてマグネトロンスパッタリング装置とした蒸着装置を用い、前記電磁コイルにより磁場を形成して、装置中心部に設けた回転テーブル上に装着した金型本体における磁束密度を１００〜３００Ｇ（ガウス）とし、前記装置内の加熱温度を３００〜５００℃とした状態で、かつ装置内に反応ガスとして、例えばＣ２Ｈ２などの炭化水素と窒素とＡｒを、望ましくはＣ２Ｈ２流量：２５〜１００ｓｃｃｍ、窒素流量：２００〜３００ｓｃｃｍ、Ａｒ流量：１５０〜２５０ｓｃｃｍの割合で導入して、反応雰囲気を、例えば１ＰａのＣ２Ｈ２の分解ガスと窒素とＡｒの混合ガスとすると共に、前記両マグネトロンスパッタリング装置のＷＣターゲットのカソード電極（蒸発源）には、例えば出力：１〜３ｋＷ（周波数：４０ｋＨｚ）のスパッタ電力、同Ｔｉターゲットには、例えば出力：３〜８ｋＷ（周波数：４０ｋＨｚ）のスパッタ電力を同時に印加した条件で潤滑性被膜の形成を行うと、この結果形成された潤滑性被膜は、これの透過型電子顕微鏡による組織観察結果（倍率：２５０万倍）が図１に模式図で示される通り炭素系非晶質体の素地に、最大径で１０ｎｍ（ナノメーター）以下の結晶質炭窒化チタン系化合物の微粒［以下、「結晶質Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）系化合物微粒」で示す］が分散分布した組織をもつようになること。
【０００７】
（ｂ）上記（ａ）の潤滑性被膜を形成するに際して、蒸着装置内に導入される反応ガスとしての炭化水素と窒素とＡｒのそれぞれの流量と、マグネトロンスパッタリング装置のＷＣターゲットとＴｉターゲットに印加されるスパッタ電力を調整して、前記潤滑性被膜が、オージェ分光分析装置で測定して、
Ｗ：５〜２０原子％、
Ｔｉ：１〜２０原子％、
窒素：０．５〜１８原子％、
を含有し、残りが炭素と不可避不純物からなる組成を有するようにすると、この結果形成された潤滑性被膜は、結晶質Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）系微粒の分散分布効果、および前記電磁コイルによる磁場成膜に際しての細粒化効果で、硬さが著しく向上するようになり、したがって、この潤滑性被膜を形成してなるプラスチック射出成形金型は、Ｗ成分による強度向上効果と相俟って、高速射出成形でも一段とすぐれた耐摩耗性を長期に亘って発揮するようになること。
以上（ａ）および（ｂ）に示される研究結果を得たのである。
【０００８】
この発明は、上記の研究結果に基づいてなされたものであって、
（ａ）ステンレス鋼からなる金型本体の少なくとも成形面（キャビティ面）に、
（ｂ）マグネトロンスパッタリング装置にて、カソード電極（蒸発源）としてＴｉターゲットを用い、窒素とＡｒの混合ガス、または炭化水素の分解ガスと窒素とＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気で磁場中成膜された、ＴｉＮ層およびＴｉＣＮ層のいずれか、または両方の積層からなり、かつ０．１〜２μｍの平均層厚を有する密着接合層を介して、
（ｃ）潤滑性被膜として、同じくマグネトロンスパッタリング装置にて、カソード電極（蒸発源）として、ＷＣターゲットとＴｉターゲットを用い、炭化水素の分解ガスと窒素とＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気で磁場中成膜され、オージェ分光分析装置で測定して、
Ｗ：１０〜４０原子％、
Ｔｉ：０．５〜４原子％、
窒素：１０〜３０原子％、
を含有し、残りが炭素と不可避不純物からなる組成を有すると共に、透過型電子顕微鏡による観察で、炭素系非晶質体の素地に、結晶質Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）系化合物微粒が分散分布した組織を示し、かつ１〜５μｍの平均層厚を有する潤滑性被膜を蒸着形成してなる、特に光記録ディスク基板の射出成形加工で成形面に蒸着形成した潤滑性被膜がすぐれた耐摩耗性を発揮するプラスチック射出成形金型に特徴を有するものである。
【０００９】
つぎに、この発明のプラスチック射出成形金型において、これを構成する密着接合層および潤滑性被膜を上記の通りに数値限定した理由を説明する。
（ａ）密着接合層の平均層厚
ＴｉＮ層およびＴｉＣＮ層のいずれか、または両方の積層からなる密着接合層は、金型本体と潤滑性被膜の間にあって、これら両者と強固に密着接合し、さらに前記金型本体に対する密着接合性は磁場中成膜によって一層向上したものになるが、その平均層厚が０．１μｍ未満では、所望のすぐれた密着接合性を確保することができず、一方その平均層厚が２μｍを越えると、金型本体の成形面を鏡面としても、前記潤滑性被膜に鏡面を確保することが困難になることから、その平均層厚が０．１〜２μｍと定めた。
【００１０】
（ｂ）潤滑性被膜のＷ含有量
Ｗ成分は、上記の潤滑性被膜の素地を形成して、被膜の強度を向上させる作用があるが、その含有量が５原子％未満では所望の高強度を確保することができず、一方その含有量が２０原子％を越えると被膜の潤滑性が低下するようになることから、その含有量を５〜２０原子％と定めた。
【００１１】
（ｃ）潤滑性被膜のＴｉおよびＮ含有量
Ｔｉ成分とＮ成分、さらにＣ（炭素）成分は磁場成膜下で結合して、被膜中に最大径で１０ｎｍ（ナノメーター）以下の結晶質のＴｉ（Ｃ，Ｎ）系化合物微粒として存在し、被膜の硬さを著しく向上させる作用があるが、その含有量がＴｉ成分が１原子％未満、およびＮ成分が０．５原子％未満になると、被膜中にＴｉ（Ｃ，Ｎ）系微粒として存在する割合が少なくなり過ぎて、所望の高硬度を確保することができず、一方その含有量がＴｉ成分が２０原子％、およびＮ成分が１８原子％を越えると強度および潤滑性に低下傾向が現れるようになることから、その含有量をそれぞれＴｉ：１〜２０原子％、Ｎ：０．５〜１８原子％と定めた。
【００１２】
（ｄ）潤滑性被膜の平均層厚
ステンレス鋼からなる金型本体の成形面を鏡面とすることにより、これに蒸着形成される潤滑性被膜に鏡面が確保されるが、その平均層厚が１μｍ未満では、所望の潤滑性および耐摩耗性効果を確保することができず、一方その平均層厚が５μｍを越えると、蒸着形成したままで成形面に鏡面を確保することが困難になることから、その平均層厚を１〜５μｍと定めた。
【発明の効果】
【００１３】
この発明のプラスチック射出成形金型は、これを構成する潤滑性被膜の硬さが、これの炭素系非晶質体の素地に、磁場成膜により超微細となった状態で分散分布する結晶質Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）系化合物微粒によって著しく向上したものになり、前記炭素系非晶質体の素地がＷ成分の作用で高強度を具備するようになることと相俟って、プラスチック射出成形加工、特に光記録ディスク基板の射出成形加工で、すぐれた耐摩耗性を発揮し、使用寿命の延命化をもたらすものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
つぎに、この発明のプラスチック射出成形金型を実施例により具体的に説明する。
【実施例】
【００１５】
金型本体として、いずれもＪＩＳ・Ｇ４３０３のマルテンサイト系ステンレス鋼で構成された図４に示される構造部材、すなわち、固定型本体、可動型本体、外周リング、カットパンチ、およびスプールを用意し、さらにスプリングも用意し、これらのうちスプールおよびスプリングを除く構造部材を、アセトン中で超音波洗浄し、乾燥し、かつ前記各構造部材における被膜形成の不必要な個所をそれぞれマスキングした状態で、図２に示される蒸着装置内の回転テーブル上に、これの中心軸から半径方向に所定距離離れた４ヶ所に分散して配置装入し、一方側のマグネトロンスパッタリング装置のカソード電極（蒸発源）として、純度：９９．９質量％のＴｉターゲット、他方側のマグネトロンスパッタリング装置のカソード電極（蒸発源）として、純度：９９．６質量％のＷＣターゲットを前記回転テーブルを挟んで対向配置し、
（ａ）まず、装置内を真空排気して０．０１Ｐａの真空に保持しながら、ヒーターで装置内を２００℃に加熱した後、Ａｒガスを装置内に導入して０．５Ｐａの圧力のＡｒ雰囲気とし、この状態で前記回転テーブル上の上記構造部材（金型本体）に−８００Ｖのバイアス電圧を印加して前記構造部材表面を２０分間Ａｒガスボンバード洗浄し、
（ｂ）ついで、前記蒸着装置の対向配置の両マグネトロンスパッタリング装置の電磁コイルに、いずれも電圧：５０Ｖ、電流：１０Ａの条件で印加して、前記構造部材の装入部における磁束密度を１４０Ｇ（ガウス）とした磁場を形成すると共に、前記蒸着装置内の加熱温度を４００℃とした状態で、反応ガスとして窒素とＡｒを、窒素流量：３００ｓｃｃｍ、Ａｒ流量：２００ｓｃｃｍの割合で導入して、１Ｐａの窒素とＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気、または反応ガスとしてＣ２Ｈ２と窒素とＡｒを、Ｃ２Ｈ２流量：５０ｓｃｃｍ、窒素流量：３００ｓｃｃｍ、Ａｒ流量：２３０ｓｃｃｍの割合で導入して、１ＰａのＣ２Ｈ２の分解ガスと窒素とＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気とし、Ｔｉターゲットのカソード電極（蒸発源）には出力：１２ｋＷ（周波数：４０ｋＨｚ）のスパッタ電力を印加し、一方上記構造部材には、−１００Ｖのバイアス電圧を印加した条件でグロー放電を発生させることにより、前記構造部材表面に表１に示される目標層厚のＴｉＮ層およびＴｉＣＮ層のいずれか、または両方の積層からなる密着接合層を形成し、
（ｃ）さらに、前記電磁コイルに印加する条件を、電圧：５０〜１００Ｖ、電流：１０〜２０Ａの範囲内の所定の値として、上記構造部材の装入部における磁束密度を１００〜３００Ｇ（ガウス）の範囲内の所定の値とし、前記蒸着装置内の加熱温度は４００℃、上記構造部材のバイアス電圧は−１００Ｖとしたままで、前記蒸着装置内に反応ガスとして、Ｃ２Ｈ２（炭化水素）と窒素とＡｒを、Ｃ２Ｈ２流量：２５〜１００ｓｃｃｍ、窒素流量：２００〜３００ｓｃｃｍ、Ａｒ流量：１５０〜２５０ｓｃｃｍの範囲内の所定の流量で導入して、反応雰囲気を、１ＰａのＣ２Ｈ２の分解ガスと窒素とＡｒの混合ガスとすると共に、前記両マグネトロンスパッタリング装置のＷＣターゲットのカソード電極（蒸発源）には、出力：１〜３ｋＷ（周波数：４０ｋＨｚ）の範囲内の所定のスパッタ電力、同Ｔｉターゲットには、出力：３〜８ｋＷ（周波数：４０ｋＨｚ）の範囲内の所定のスパッタ電力を同時に印加した条件で、同じく表１に示される目標組成および目標層厚の潤滑性被膜を上記密着接合層の上に蒸着形成し、前記被膜形成後、前記構造部材を蒸着装置から取り出し、最終的に図４に示される構造に組み立てることにより、光記録ディスク基板射出成形用本発明プラスチック射出成形金型（以下、本発明金型という）１〜１３をそれぞれ製造した。
【００１６】
また、比較の目的で、上記のスプールおよびスプリングを除く構造部材（金型本体）を、同じくアセトン中で超音波洗浄し、乾燥し、かつ前記各構造部材における被膜形成の不必要な個所をそれぞれマスキングした状態で、図３に示されるカソード電極（蒸発源）がＴｉターゲットのスパッタリング装置を設けた蒸着装置の回転テーブル上に、これの中心軸から半径方向に所定距離離れた位置に４ヶ所に分散して配置装入し、
（ａ）まず、装置内を真空排気して０．０１Ｐａの真空に保持しながら、ヒーターで装置内を２００℃に加熱した後、Ａｒガスを装置内に導入して０．５Ｐａの圧力のＡｒ雰囲気とし、この状態で前記回転テーブル上の前記構造部材に−８００Ｖのバイアス電圧を印加して前記構造部材表面を２０分間Ａｒガスボンバード洗浄し、
（ｂ）ついで、前記蒸着装置内の加熱温度を３００℃とした状態で、装置内に反応ガスとして窒素とＡｒを、窒素流量：２００ｓｃｃｍ、Ａｒ流量：３００ｓｃｃｍの割合で導入して、１Ｐａの窒素とＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気、または反応ガスとしてＣ２Ｈ２と窒素とＡｒを、Ｃ２Ｈ２流量：４０ｓｃｃｍ、窒素流量：２００ｓｃｃｍ、Ａｒ流量：３００ｓｃｃｍの割合で導入して、１ＰａのＣ２Ｈ２の分解ガスと窒素とＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気とし、Ｔｉターゲットのカソード電極（蒸発源）には出力：１２ｋＷ（周波数：４０ｋＨｚ）のスパッタ電力を印加し、一方上記構造部材には、−１００Ｖのバイアス電圧を印加した条件でグロー放電を発生させることにより、前記構造部材表面に表１に示される目標層厚のＴｉＮ層およびＴｉＣＮ層のいずれか、または両方の積層からなる密着接合層を形成し、
（ｃ）ついで、上記蒸着装置内の加熱温度を２００℃とした状態で、Ｃ２Ｈ２とＡｒを、Ｃ２Ｈ２流量：４０〜８０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量：２５０ｓｃｃｍの範囲内の所定の流量で導入して、１ＰａのＣ２Ｈ２の分解ガスとＡｒの混合ガスからなる反応雰囲気とすると共に、上記構造部材に印加するバイアス電圧を−２０Ｖとした条件で、上記密着接合層の上に、いずれも非晶質炭素からなり、かつ表１に示される目標層厚の潤滑性被膜を蒸着形成し、前記被膜形成後、前記構造部材を蒸着装置から取り出し、最終的に図４に示される構造に組み立てることにより、従来光記録ディスク基板射出成形用プラスチック射出成形金型（以下、従来金型という）１〜５をそれぞれ製造した。
【００１７】
この結果得られた本発明金型１〜１３および従来金型１〜５を構成する潤滑性被膜について、その組成をオージェ分光分析装置、その層厚を走査型電子顕微鏡を用いて測定したところ、いずれも目標組成および目標層厚と実質的に同じ組成および平均層厚（断面５箇所の平均値）を示し、また、その組織を透過型電子顕微鏡を用いて観察（倍率：２５０万倍）したところ、前記本発明金型１〜１３においては、いずれも炭素系非晶質体の素地に、結晶質のＴｉ（Ｃ，Ｎ）系化合物微粒（いずれの場合も最大径１０ｎｍ以下）が分散分布した組織を示し、一方従来金型１〜５では、いずれも非晶質炭素の単一相からなる組織を示した。
【００１８】
つぎに、上記本発明金型１〜１３および従来金型１〜５のそれぞれを用い、
射出注入プラスチック：ポリカーボネート樹脂、
射出注入圧力：１１０ＭＰａ、
射出注入温度：３７０℃、
成形面（キャビティ面）温度：１３０℃、
可動型による加圧圧力：３００ｋＮ、
射出成形速度：４秒／個、
射出成形個数：２０万個、
の高速射出成形条件で直径：１２０ｍｍ×厚保さ：１．２ｍｍ×中心孔径：１５ｍｍの寸法をもった光記録ディスク基板を高速射出成形する試験を行い、試験後の金型の成形面（キャビティ面）において、相対的に摩耗進行が速いカットパンチの成形面の任意５ヶ所、および可動型のカットパンチ篏着中心孔周辺の成形面の任意５ヶ所の摩耗深さを測定し、この測定結果を表１に平均値で示した。
【００１９】
【表１】
2006240208.tif 000002
【００２０】
表１に示される結果から、潤滑性被膜が炭素系非晶質体の素地に結晶質のＴｉ（Ｃ，Ｎ）系化合物微粒が分散分布した組織を有する本発明金型１〜１３は、いずれも光記録ディスク基板の高速射出成形で、すぐれた耐摩耗性を発揮するのに対して、潤滑性被膜が非晶質炭素の単一相からなる組織を有する従来金型１〜５においては、高速射出成形では、前記潤滑性被膜の摩耗進行がきわめて速く、比較的短時間で使用寿命に至ることが明らかである。
上述のように、この発明のプラスチック射出成形金型は、通常の条件でのプラスチック射出成形は勿論のこと、特にプラスチックの射出成形を高速条件で行なった場合にも、潤滑性被膜がすぐれた耐摩耗性を発揮するものであるから、プラスチック射出成形装置の高性能化、さらにプラスチック射出成形の省力化および省エネ化、さらに低コスト化に十分満足に対応できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】この発明のプラスチック射出成形金型を構成する潤滑性被膜を透過型電子顕微鏡を用いて組織観察した結果（倍率：２５０万倍）を示す模式図である。
【図２】この発明のプラスチック射出成形金型を構成する密着接合層および潤滑性被膜を形成するのに用いた蒸着装置を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略正面図である。
【図３】従来プラスチック射出成形金型を構成する密着接合層および潤滑性被膜を形成するのに用いた蒸着装置を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略正面図である。
【図４】光記録ディスク基板の射出成形工程（ａ）〜（ｅ）を示すプラスチック射出成形金型の概略縦断面図である。
【図１】
2006240208.tif 000003
【図２】
2006240208.tif 000004
【図３】
2006240208.tif 000005
【図４】
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