(57)【要約】【課題】  特に検出器自体の表面におけるカプセル封入パッケージの全体寸法を減少することを可能にするような、カプセル封入された検出器部材、特に光学画像素子を提案する。【解決手段】  電磁放射、特に赤外線を検出するためのこの素子は、一つの面（３）が検出される放射に対し透過性の窓（４）からなり、第１の囲いと呼ばれる真空または低圧力の囲い（５）と、前記囲いの中の透過性の窓（４）とは実質的に反対側に位置した少なくとも１つの実際の検出器（６）と、第１の囲い（５）の外側に配置された第２の囲い（２０）内部に位置して前者と自由に通じており、前記囲い（５）内部の真空を許容水準に維持するよう意図された残留ガスのポンプ排気またはゲッター手段（１３）と、を含む。【選択図】  図２ａ
2006064696.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの面（３）が検出される放射に対し透過性の窓（４）からなり、第１の囲いと呼ばれる真空または低圧力の囲い（５）と、前記囲いの中の透過性の窓（４）とは実質的に反対側に位置した少なくとも１つの実際の検出器（６）と、前記囲い（５）内部の真空を許容水準に維持するよう意図された残留ガスのポンプ排気またはゲッター手段（１３）と、を含む電磁放射、特に赤外線を検出するための素子であって、前記残留ガスのポンプ排気またはゲッター手段は、前記第１の囲い（５）の外側に配置された第２の囲い（２０）内部に位置し、前者と自由に連通していることを特徴とする、電磁放射、特に赤外線を検出するための素子。
【請求項２】
２つの囲い、即ち第１の囲い（５）および第２の囲い（２０）は、それぞれ、前記検出器（６）のベースを構成する基板（１）における１つまたはそれ以上のポンピング・ポート（１５）を通して互いに連通していることを特徴とする請求項１に記載の電磁放射を検出するための素子。
【請求項３】
前記第２の囲い（２０）は、適当な形状およびサイズのキャビティ（２５）をくりぬくことによって基板（１）に形成され、ゲッター材料（１３）のために、半田付けによりベース（１６）で塞がれていることを特徴とする請求項２に記載の電磁放射を検出するための素子。
【請求項４】
ゲッター（１３）は、前記基板（１）の下側表面（２２）に半田付けされたベース（１６）に位置していることを特徴とする請求項２に記載の電磁放射を検出するための素子。
【請求項５】
前記検出器はボロメータまたはマイクロボロメータ（６）から成り、前記囲い（５）は温度調整を確実にすることを意図した熱電モジュール（８）をも有することを特徴とする請求項１から４のうちいずれか１項に記載の電磁放射を検出するための素子。
【請求項６】
ユニットの側面隔壁（２４）に取り付けられた様々なレンズ（２３）から構成され、前記レンズの下部に配置された請求項１から４のうちいずれか１項に記載の電磁放射を検出するための素子を含む、特にカメラのための赤外線光学画像ユニットであって、前記素子の基板（１）が光学ユニットの側面隔壁（２４）に熱的接触状態にあることを特徴とする、赤外線光学画像ユニット。
【請求項７】
前記ユニットが収容している前記電磁放射を検出するための素子は、熱を消散させるためのいかなるヒートシンク、または同等の手段をも有しないことを特徴とする請求項６に記載の赤外線光学画像ユニット。
【請求項８】
電磁放射、特に赤外線を検出するための素子のカプセル封入パッケージの密閉性を得るためのプロセスであって、
・まず、一方では、第１の囲いまたはキャビティ（５）内で、基板（１）、および前記放射のための実際の検出器（６）を収容する第１の部分、また、一方では、残留ガスのポンプ排気またはゲッター（１３）の材料のためのベース（１６）からなる第２の部分を、前記第１の部分（５）に収容される様々な部材の脱ガスを確実にする温度、および、前記温度を超えて、比較的短い周期で前記第２の部分に収容されるゲッター（１３）の適切な予備活性化を確実にする温度まで、それぞれ、真空または低圧力において別々に加熱する段階と、
・次に、両方の部分を、一方の部分が他方の部分上で密閉されることを確実にする温度下におく段階と、
・最後に、両方の部分を、それらの協働と、結果的に漏れ防止結合による互いの結合とのために提供される箇所において接触させる状態にする段階と、
含むことを特徴とするプロセス。
【請求項９】
両方の部分が、それらが協働する箇所において、半田付を可能にするのに必要な形状を持つ突出したリング形状、特に金属化されたリング状を有し、少なくともその一つが半田付合金で被覆されていることを特徴とする、請求項８に記載の電磁放射を検出するための素子のカプセル封入パッケージの密閉性を得るためのプロセス。
【請求項１０】
両方の部分が互いに接触する状態にする前に半田付合金のリフローを得るために、両方の部分の温度を上昇させることを伴う付加的段階を含むことを特徴とする、請求項９に記載の電磁放射を検出するための素子のカプセル封入パッケージの密閉性を得るためのプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に言うと、電磁放射、特に赤外線を検出するための素子に関わり、より詳細には光学画像素子として使用されることを意図しており、そのような素子は、例えば大気温度で動作する赤外線カメラに備え付けられるものである。
【背景技術】
【０００２】
多かれ少なかれ、使用される検出器の正確な動作を可能にし、結果として信頼できるデータを提供し、行われた測定または得られた画像の正確さを増加させるために、上記のような素子の内部では、困難な真空が要求されうる。
【０００３】
上記のような検出器を満足に操作するためには、１０−２ミリバールより低いオーダーの圧力が、しばしば必要である。従って、それらは要求される真空が内部に作られた密封した囲いの中に封じ込められる。しかしながら、検出器を囲むカプセル封入パッケージを密閉し、そして真空または低圧力を有する囲いを提供した後に、囲い内部の様々な構造物の構成部材表面に吸収された気体の分子、または問題の構造物がマウントされた基板の外部層に溶解した気体の分子が放出される（脱ガス）ということが、よく知られている。これらのガスは、主に水素、酸素、二酸化炭酸、および水蒸気から成る。これは、検出部品が形成された時に囲い内部の真空にかなり影響し、従って、上記の素子の特性や性能に影響する。
【０００４】
この脱ガスに対向するために、吸収が可能な材料との一体化、および一般的に言うと放出されるいかなる気体分子をもポンプ排出することが周知の技術である。そのような材料は、「ゲッター」として言及され、一種のポンプとして作用する。
【０００５】
従って、本発明は、とりわけ、光の検出または画像素子内にそのようなゲッターを配置する方法、および、前記ゲッターの特性を活性化させる一方で、真空または低圧力の囲いに収容された素子と他の検出器の一体化を維持することを可能にする、対応したプロセスに関する。
【０００６】
熱検出器、特にマトリクス・アレイとして配置された検出器で、大気温度、即ち極低温まで冷却することを全く要求しないもの、あるいは液体窒素の温度付近まで冷却しなければ動作できないような量子検出器が、赤外線画像の分野で広く利用されている。
【０００７】
非冷却の検出器は、慣習的に、検出された状態の温度における変化にそれ自身が依存する電気抵抗の変化を測定するボロメータ検出器またはマイクロボロメータ検出器からなる。
【０００８】
図１は従来技術によるボロメータ検出器のカプセル封入パッケージの概略図を示す。それは、基本的に、セラミック材料または金属材料から構成されるか、あるいはこれらのタイプの両方の材料からも構成される基板（１）を有する。この基板はパッケージのベースを構成する。それは、側壁（２）を有し、主に検出されるべき放射、この場合は、赤外線、および例えば８から１２マイクロメートルの波長を持った放射に対して透過性の窓を備えた蓋（３）により密閉してシールされる。囲いまたはキャビティ（５）は、このようにして作製され、その内部は真空または低圧力、通常は１０−２ミリバール未満の圧力となりうる。この囲い（５）を形成した素子は、ヘリウムのリーク量が１０−１２ｍｂａｒ．ｌ／ｓ未満となることを確実にする方法でシールされる。
【０００９】
この囲い内部では、基板は、本来、窓（４）の下側にそれ自身が位置づけられた実際の検出器を収容するようになっており、この場合、検出器は内部連結回路（７）に関連付けられたマイクロボロメータ（６）であって、このアセンブリは例えば半田またはエポキシ接合によって基板（１）に接合された熱電モジュール（８）に関連付けられている。このモジュールは、特に、基準として役立つために、検出器（６）によって分析された変数が与えられるために、また行われる測定の確かな再現性を保証するために、温度調整を確実にするよう意図されている。
【００１０】
内部連結回路におけるマイクロボロメータ・アセンブリ（６、７）は、前記基板を貫通する標準の入出力部（１０）と結びつける接続ワイヤ（９）によって装置の外部にも電気的に接続され、内部連結および動作回路（１１）によって、例えばカメラなどのデバイスに設置される電子回路に接続される。
【００１１】
熱電モジュール（８）により放出された熱は、前記モジュールの実質的に下部の基板（１）の下側表面に取り付けられたヒートシンク（１２）によって消散される。
【００１２】
囲い（５）内部の真空を維持するために、そして既に述べたように、ゲッター（１３）が囲いの内部に設置され、基板（１）を貫通する電力入力部（１４）と接続され、内部連結回路（１１）とも接続される。
【００１３】
このゲッターを使用可能にするため、パッケージが密封される前に、囲いまたはキャビティ（５）の中にその後放出されようとするガスを、収容された様々な部材によってポンプ排気することができるように、前記ゲッターを活性化させるための初期操作を実行することが必要である。
【００１４】
以下の説明では、この初期操作は「予備活性化」という。これは基本的に密封容器に対して通常実行される後続の再活性化とは異なっており、それは、本発明によればもはや必要でない。
【００１５】
このゲッター活性化局面はゲッターを含むパッケージ領域を、通常、３００℃から９００℃までの温度に加熱することによって得られる。この加熱は、特定の（ＲＦ；高周波）電流誘導加熱により、しかしより多くの場合は密閉されていない部材を加熱された真空チャンパに配置することにより、様々な手段によって達成される。
【００１６】
従来技術による装置では、ゲッターの構成材料がワイヤまたは金属ストリップからなる抵抗ベース上に頻繁に焼結する。この場合、前記ゲッターは、必要な温度にそれを加熱して、熱伝導現象によってゲッター材料を加熱するために、前記ベースを通る充分高い電流を通過させることによって、ジュール効果で活性化される。
【００１７】
そのような加熱法を使用することの固有の利点は、以下の通りである。
・ゲッター材料の完全な活性化、従って最大のゲッターポンピング（排気）容量を得る能力
・パッケージの外から抵抗ベースを通して電流が利用可能な、そのような抵抗のベースの場合における、製品の耐用寿命の間にゲッターを再活性化する能力
・数分オーダーの迅速な活性化
・温度上昇がゲッター材料のみに限られること
【００１８】
他方で、この活性化法を使用することは、上述の利点の大部分に拮抗したある数の欠点を有する。これらは以下を含む。
・全体的な寸法：ゲッター材料は部材または検出器に近いパッケージの内部に配置され、そのため、それを操作するために要求される全ての部品を収容するのに必要なパッケージの表面積を増加させること
・電力を通じることができる貫通接続をパッケージ内に作る必要性：ゲッター活性化電流は実際に２から５Ａのオーダーであること
・ゲッター材料の活性化の間に熱放射を放出すること（特に５００℃を超えた温度の場合）で、それは検出器、特にマイクロボロメータ検出器の特性を損なうか、またはそれに変更を来たすこと
【００１９】
ゲッター材料が加熱の効果によって活性化されるならば、パッケージまたはその蓋は、前記ゲッターが置かれる位置に応じて、パッケージが真空に密封あるいは閉鎖される局面の間に、ゲッター活性化温度にまで加熱される。
【００２０】
しかしながら、この場合、１つの限定的な要因−−蓋（検出されるべき放射に対して透過性の窓を備えた）と、熱電モジュールを取り付けたパッケージが耐えうる温度、さらには、その温度が一般的に言って３００℃を超えないため、パッケージ上に蓋を組み立てるのに使用される半田継手の溶融温度の問題、に起因する問題が存在する。
【００２１】
言い換えれば、密封する局面の間におけるゲッターの活性化は、パッケージの構成部材が耐えうる温度を超過することがあってはならない。従って、そのような温度は、既に指摘したような、はるかに高い温度に耐えうるゲッターを活性化させるための理想からはかけ離れている。このゲッターの不完全な活性化は、時間の経過と共にポンプ排気特性をかなり劣化させることにつながり、従ってその結果、これに対応して部材全体としての耐用寿命をかなり縮小することになる。
【００２２】
明らかに、この活性化プロセスは、ゲッターの活性化を得るのに必要な処理時間の観点からはコスト低減の利点を有する。他方で、また読者が今理解してきたように、それは、以下のような欠点がある。
・まず、ゲッター材料の部分的な活性化が、既に言及したように、より短縮された部材耐用寿命につながること
・前記部材の耐用寿命の間にゲッターを再活性化できないこと
・ジュール効果を利用することによって活性化されたゲッターの容量(capacity)に等しい容量を達成する理由から、パッケージがより大きな寸法であることで、部分的な活性化を補償するため、およびポンプ排出量を実現するために、ゲッター体積は増加しなければならないこと
・最後に、活性化が、密封サイクルに影響を与え、また真空ポンプ機構の容量を減少させるような長時間（６〜１８時間）かかること
【００２３】
まとめると、予想されるゲッター活性化法にかかわらず、ゲッターは実際の検出器付近のパッケージ内に常に取り付けられ、これによってカプセル封入パッケージの表面積が増加し、その結果検出部材を小型化することに対しさらに問題を多くしており、そのような小型化が、問題となっている分野における恒常的な目的である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
本発明の目的は、特に検出器自体の表面におけるカプセル封入パッケージの全体寸法を減少することを可能にするような、カプセル封入された検出器部材、特に光学画像素子を提案することである。また、それは、特に使用される検出器、より詳細にはボロメータ検出器などの熱的に敏感な部品を損傷することなく、カプセル封入パッケージが密封される局面の間に、ゲッターの充分な熱活性化を達成することを可能にするような、対応するプロセスにも関わっている。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
電磁放射、特に赤外線を検出するためのこの素子は、一つの面が検出される放射に対し透過性の窓からなり、第１の囲いと呼ばれる真空または低圧力の囲いと、前記囲いの中の透過性の窓とは実質的に反対側に位置した少なくとも１つの実際の検出器と、前記囲い内部の真空を許容水準に維持するよう意図された残留ガスのポンプ排気手段とを含む。
【００２６】
前記残留ガスのポンプ排気手段は、前記第１の囲いの外側に配置された第２の囲い内部に位置し、前者と自由に連通していることを特徴とする。
【００２７】
換言すると、本発明は、実際の検出機能と、検出を確実にする検出器が設置される囲い内部の真空を維持する機能とを空間的に分離することを含み、その一方で、検出機能を充足させ、温度に敏感な素子の固有特性が決して悪化もしないし、減退もしないようにする。
【００２８】
本発明によれば、２つの囲い、即ち第１の囲いおよび第２の囲いは、それぞれ、前記検出器のベースを構成する基板における１つまたはそれ以上のポンピング・ポートを通して互いに連通している。
【００２９】
本発明の第１の実施態様によれば、第２の囲いは、適当な形状およびサイズのキャビティをくりぬくことによって基板に形成され、ゲッター材料のために、半田付けによりベースで塞がれている。
【００３０】
本発明の他の実施態様では、ゲッターは、前記基板の下側表面に半田付けされたベースに位置している。
【００３１】
本発明は、素子のカプセル封入パッケージの密閉性、特に収容しようとするゲッターの活性化、を得るために使用されるプロセスにも関係している。
【００３２】
このプロセスは以下を含む。
・まず、一方では、第１の囲いまたはキャビティにおいて、基板、および温度検出器、特に熱電モジュールに関連付けられたマイクロボロメータ検出器、を収容する第１の部分、また、一方では、ゲッターベースからなる第２の部分を、第１の部分に収容される様々な部材の適切な脱ガスを確実にする温度、および前記温度を超えて、比較的短い周期で前記第２の部分に収容されるゲッターの適切な熱的予備活性化を確実にする温度まで、それぞれ、真空または低圧力において別々に加熱する段階
・次に、両方の部分を、一方の部分が他方の部分上で密閉されることを確実にする温度下におく段階
・最後に、両方の部分を、それらの協働と、結果的に漏れ防止結合を伴なう互いの結合とのために提供される箇所において接触させる状態にする段階
【００３３】
本発明におけるプロセスによれば、両方の部分が、それらが協働する箇所において、半田付を可能にするのに必要な形状を持つ突出したリング形状を有する。本発明におけるプロセスは、２つの部分が互いに接触して設置される前またはその間に半田付のリフローを得るために、両方の部分の温度を上昇させることを伴う段階をも含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
本発明を実施する手段およびその利点をもたらすことは、例示と添付の図面に対して成された参照によって示される以下の実施の形態から明らかとなるであろう。
【００３５】
本発明は、とりわけ大気温度で動作し、よってボロメータまたはマイクロボロメータを使用する赤外線検出器に関係して説明される。それにもかかわらず、それは電磁放射検出器、特に冷却された赤外線検出器の代わりに使用されうる。
【００３６】
図２ａと図２ｂは本発明の２つの異なる実施形態を示し、両方の操作原理は同一である。図２ａにおいて、２つの独立したキャビティが規定されており、これらはそれぞれ、
・基板（１）、側壁（２）、および蓋（３）によって規定され、透過性の窓（４）を含み、内部連結回路（７）と、さらに熱電モジュール（８）に関連するボロメータ検出器（６）を収容する主要または第１キャビティ（５）であって、このアセンプリが基板（１）に結合されているもの
・おそらくは金属、セラミック、または半導体材料など、残留ガスのポンプ排気のための、即ち前記ベース（１６）に取り付けられるゲッター（１３）のための材料で作られたベース（１６）からなる第２キャビティ（２０）
である。
【００３７】
このようにして規定された２つのキャビティは、前記第１キャビティ（５）の基板（１）を貫通した１つまたはそれ以上のポンピング・ポート（１５）を通じて互いに自由に連通している。明らかに、このポート（１５）は、おそらく脱ガスが起こり、カプセル封入パッケージの外側が上記のように規定された第１キャビティ（５）と、この場合、自身の機能を最適化することを視野に入れてゲッター（１３）を収容し、それによって主要キャビティ内での充分な真空レベルを維持する第２キャビティ（２０）と、の間の充分なガスの移動を確実にするようなサイズとされる。これらのポートの寸法は、当技術分野における当業者によって通常的に決定され、第一に、主要キャビティにおいて要求される真空の硬さに依存し、第二に前記主要キャビティ内で使用される材料の特性に依存する。
【００３８】
図３ａと図３ｂは、主要または第１キャビティ（５）の顕著な特徴をより明確に示す。これらは、特にパッケージの、そしてとりわけ第１キャビティ（５）の電気出力部（１９）を示す。これらの出力部(outlet)は、キャビティ内部に配置された金属経路に電気的に接続され、多くのタイプ、即ちピン、金属ランド、または「ランド・フレーム」としばしば言われる出力リボンケーブルであることができる。
【００３９】
先に述べたように、第１キャビティ（５）および第２キャビティ（２０）の囲いは半田付によって結合されている。これを達成するために、基板（１）の下側表面（２２）は通常的に下地層、バリア層、および低融点の半田付け合金（通常融点は２５０℃より低い）の濡れ性を許容する層から構成される金属リング（２１）を有する。
【００４０】
下地層は、例えばタングステン、クロム、またはチタン、即ち良好な付着性をもつものとして知られている金属から構成され、また物理的気相蒸着法（ＰＶＤ）または例えばスクリーン印刷によって、よく知られた方法で配置されている。
【００４１】
また、バリア層は金属、とりわけ良好な不浸透性および拡散バリアとしての機能が可能であることが知られているニッケルまたは白金から構成される。
【００４２】
最終的には、ぬれ層は、通常、金から構成される。
【００４３】
当然、ポンピング・ポート（１５）は、この金属リング（２１）によって規定される領域の中に開口している。その結果、主要キャビティの電気出力部（１９）は前記金属化されたリングの外側に位置している。
【００４４】
第２キャビティ（２０）（図４ａおよび図４ｂ）は、本質的に金属またはセラミックを有しており、あるいは好都合に良好な熱伝導体である半導体ベース（１６）さえも有している。
【００４５】
このベース（１６）の周辺部と、該当する場合はそれを区切る周辺のエッジ（１７）（本発明の第１の実施形態−図２ａ、図４ａ、図４ｂ）は、半田付合金のぬれ性を可能にする金属化領域を有し、その寸法は、主要キャビティの基板（１）の下側表面（２２）に付着された金属化リング（２１）と合致する。
【００４６】
金属化領域の中には、ベース（１６）を構成する基板上に直接搭載することによって付着されるか、または論文「Chip Level Vacuum Packaging of Micromachines Using NanoGetters」（Douglas R. SPARKS，S.MASSOUD-ANSARIおよびNader NAJAFI著、IEEE Transactions on advanced packaging,第２６巻,第３号,２００３年８月）に述べられているような何らかのよく知られた技術を利用して、ベースの上に分離して取り付けられたゲッター（１３）が存在する。
【００４７】
図２ｂにおいては、ベース（１６）が完全に平坦であるということに注目することができる。本発明のこの実施形態では、ベースに対してゲッター（１３）が突出しており、主要キャビティの一部を成すベース（１）に形成されたキャビティ内に収容されている。
【００４８】
他の実施形態（図２ａ）では、ベースは、高さがゲッターの厚さをわずかに超えている周辺枠（１７）を有する。
【００４９】
本発明によるパッケージは、本質的に３つの段階または局面で作製され、また特定の目的とした装置は、両方のキャビティの、またはパッケージの部材の真空下の加熱を異なる温度で得るために使用される。このような装置の例は、Electronic Vision Group 500 range, type 520におけるモデルのような、真空ウェハ・ボンディング・システムである。
【００５０】
さらに、そして好都合なことに、生産コストを最適化するという観点からは、このような装置は、単一の生産サイクルの間に数個のパッケージを密封するのに使用できる。
【００５１】
第１段階（第１局面−図５）の間、前記キャビティ（５）に対する脱ガス段階とゲッター（１３）の活性化を達成するために、第１のキャビティ（５）とゲッターが取り付けられたベース（１６）は互いに隔離される。
【００５２】
脱ガス段階は、ガスが生じる材料または部材の表面に吸収された可能な限り多くのガス分子を排除するために、あるいは、上記のガス分子が密封された後にパッケージ内部に脱ガスされることを避ける目的で基板（１）や壁（２）などを構成している材料の最初（上部）の２、３マイクロメートルの部分に溶解したガス分子を排除するために、真空中で前記第１のキャビティ（５）とベース（１６）を加熱することを含む。
【００５３】
この脱ガス段階は、キャビティ（５）に対し、それに収容されて熱的に最も壊れやすい素子、特に熱電モジュールおよび半田継手によって決定される最高の温度で実施される。この脱ガス温度は、前記第１キャビティ（５）については、典型的には、１５０℃から２００℃程度である。これに対し、そして図５に示すグラフからわかるように、この温度はベース（１６）については、著しくさらに高いものとなっている。
【００５４】
そして、ゲッターの予備活性化段階が実行される（局面ＩＩ−図５）。これは、ゲッター（１３）が備えられたベース（１６）を、最適な活性化を即座に得るために前記ゲッターの製造業者によって推奨された温度に加熱することによって得られる。この温度は通常４００℃から５００℃であるが、この温度はゲッターが作られた材料に依存して、はるかに高くできる。
【００５５】
活性化の後、ベース（１６）の温度は基板（１）上の半田リング（２１）に付着された半田付合金（１８）の溶融温度にまで冷却され、その結果、前記キャビティ（５）の温度はこれと同じ温度まで上昇される。
【００５６】
次の段階（局面ＩＶ−図５）は、さらに真空の囲い中に、半田付合金（１８）で被覆された金属化リング（２１）によって規定された領域と接触させて、ベース（１６）の外周部をもたらすことを含み、ベース（１６）の金属化された領域上に前記半田付合金（２１）が被覆されることを確実にし、そして、半田付合金（２１）のリフローを得るために接触させられたパッケージの両方の部分の温度が上昇させられる。
【００５７】
そして、両方の部分の温度は半田付合金の融点以下まで冷却される。これはパッケージの両方の部分を互いに密封し、それによって、２つのキャビティ、即ち第１キャビティ（５）および第２キャビティ（２０）のそれぞれが形成され、ガスが互いに混ざることを可能にし、それによって、ゲッターが完全に熱的に活性化されうる真空を包含する空間を形成し、予備活性化が比較的短時間、典型的には１０分から最大で２時間の間に得られた。
【００５８】
図６は本発明の特定の実施形態を示している。この実施形態では、本発明によるパッケージが赤外線画像システムの光学ユニット、特にカメラの光学ユニットに設置されることを意図している。
【００５９】
例えばアルミニウムからなる側面隔壁（２４）に取り付けられた様々なレンズから構成される光学系（２３）が示されており、前記ユニットは本発明による実際の素子の上に位置している。本発明のこの特定の用途において、熱電モジュール（８）によって放出された熱は基板（１）に渡される。読者は思い出すであろうが、基板は良好な熱伝導体である材料から好都合に構成されており、それによって、光学ユニットを収容する前記隔壁（２４）によって、供給されたかなりの量の熱を消散することができる。これは前方に向かう熱の除去を最適化する。これは、図１に示されたヒートシンク（１２）タイプの熱消散の手段を提供することの手間を省き、その結果、そのようなヒートシンクに対する部屋を割り当てるために素子に関わるＰＣＢ（プリント基板）（１１）に穴をあける必要が、もはやなくなる。これは、このような近接したＰＣＢで、より小さいＰＣＢを取り付けることを可能にする。
【００６０】
本発明は、検出素子の他の部品を損なういかなる危険性もなく、比較的短時間でゲッターの最適化された予備活性化を得る可能性を含んだ、一定の数の明らかな利点を有する。ゲッター活性化段階の間、後者によって生産される熱放射は、基板（１）の後側で吸収または反射され、ボロメータ検出器またはそれが使用されているチップ、より詳細には、そのような熱放射によって損傷しがちな、あるいはその特性が変更されてしまいがちなものには到達できない。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】既に述べた従来技術によるデバイス概略断面図である。
【図２ａ】本発明の２つの異なる実施形態うちの1つの概略断面図である。
【図２ｂ】本発明の２つの異なる実施形態うちの1つの概略断面図である。
【図３ａ】本発明による素子の第１の部分の概略断面図である。
【図３ｂ】本発明による素子の第１の部分の概略下面図である。
【図４ａ】本発明による素子の第２の部分の概略断面図である。
【図４ｂ】本発明による素子の第２の部分の概略上面図である。
【図５】本発明で説明されたプロセスに従うものであって、図３および図４それぞれにおける２つの部分の、時間に対する温度変化を示すダイヤグラムである。
【図６】本発明の特定の実施形態の概略断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  基板
２  側壁
３  蓋
４  窓
５  第１キャビティ（囲い）
６  ボロメータ検出器
７  内部連結回路
８  熱電モジュール
９  接続ワイヤ
１１  ＰＣＢプリント基板
１３  ゲッター
１５  ポンピング・ポート
１６  ベース
１７  エッジ
１８  半田付合金
１９  電気出力部
２０  第２キャビティ（囲い）
２１  金属化リング（半田リング）
２２  下側表面
２３  レンズ
２３  光学系
２４  側面隔壁
２５  キャビティ
【図１】
2006064696.tif 000003
【図２ａ】
2006064696.tif 000004
【図２ｂ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【図６】
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