(57)【要約】      （修正有）【課題】電磁波吸収に必要な部分だけを転写し、例えば小型集積回路又は高密度実装などでも取り扱いが容易な電磁波吸収転写箔を提供する。【解決手段】電磁波吸収転写箔は、離型層５３、軟磁性あるいは硬磁性の金属、合金のいずれか１つを少なくとも含む磁性層、接着層２００を少なくとも有する。電磁波吸収転写箔の付与方法は、加熱、加圧のいずれか1つ以上の手段により電磁波吸収転写箔を被着体１００に転写し、前記電磁波吸収転写箔の離型層５３から剥離し、前記被着体１００に軟磁性あるいは硬磁性の金属又は合金を少なくとも含む磁性層、接着層を少なくとも転写する。【選択図】図６
2006310575.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
離型層、軟磁性あるいは硬磁性の金属、合金のいずれか１つを少なくとも含む磁性層、接着層を少なくとも有することを特徴とする電磁波吸収転写箔。
【請求項２】
破断伸度が5%以上の樹脂が前記磁性層又は前記磁性層に隣接し設けられていること特徴する請求項1に記載の電磁波吸収転写箔。
【請求項３】
JISK7210による200℃MFR（Ｅ）（メルトフローレート）が3.0g/10min以上である樹脂を含む前記接着層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電磁波吸収転写箔。
【請求項４】
転写剥離後の平均剥離力が2.0g/10mm以上からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電磁波吸収転写箔。
【請求項５】
加熱、加圧のいずれか1つの手段により請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電磁波吸収転写箔を被着体に転写することを特徴とする電磁波吸収転写箔の付与方法。
【請求項６】
加熱、加圧のいずれか1つ以上の手段により請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電磁波吸収転写箔を被着体に転写し、
前記電磁波吸収転写箔の離型層から剥離し、前記被着体に軟磁性あるいは硬磁性の金属又は合金を少なくとも含む磁性層、接着層を少なくとも転写することを特徴とする電磁波吸収転写箔の付与方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、加熱、加圧のいずれか1つ以上の手段により転写層を転写することができる電磁波吸収転写箔及び電磁波吸収転写箔の付与方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種の電子機器類において、外部からの電磁波による干渉を防いだり、内部の電磁波の漏洩を防ぐため、種々の電磁波遮蔽方法が提案されている。例えば、小型集積回路又は高密度実装などに電磁波吸収シートを用いることがある（引用文献1）。
【特許文献１】特開２００４−１５３２１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、電磁波吸収シートを小型集積回路又は高密度実装などに使用しようとした場合、雑音を発生する部品と他の部品の距離が十分とれないので、いずれも一体化した厚みのある電磁波吸収シートを用いることは、厚みがあり取り扱いが難しかった。
【０００４】
この発明は、以上の従来の技術における問題点を解決し、電磁波吸収に必要な部分だけを転写し、例えば小型集積回路又は高密度実装などでも取り扱いが容易である電磁波吸収転写箔及び電磁波吸収転写箔の付与方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決し、かつ目的を達成するために、この発明は、以下のように構成されている。
【０００６】
請求項１に記載の発明は、離型層、軟磁性あるいは硬磁性の金属、合金のいずれか１つを少なくとも含む磁性層、接着層を少なくとも有する。電磁波吸収に必要な部分だけを転写することができ、小型集積が可能であり、例えば小型集積回路又は高密度実装などでも取り扱いが容易である。
【０００７】
請求項2に記載の発明は、破断伸度が5%以上の樹脂が前記磁性層又は前記磁性層に隣接し設けられている。破断伸度が5%以上の樹脂により折り曲げなどによる脱箔防止が可能で、取り扱い性が向上する。
【０００８】
請求項3に記載の発明は、JISK7210による200℃MFR（Ｅ）（メルトフローレート）が3.0g/10min以上である樹脂を含む前記接着層である。この接着層により転写時の被着体への密着性が向上する。
【０００９】
請求項4に記載の発明は、転写剥離後の平均剥離力が2.0g/10mm以上からなる。この転写剥離後の平均剥離力により、転写性が向上する。
【００１０】
請求項5に記載の発明は、加熱、加圧のいずれか1つの手段により請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電磁波吸収転写箔を被着体に転写する。これにより、電磁波吸収に必要な部分だけを被着体に転写することができ、小型集積が可能であり、例えば小型集積回路又は高密度実装などでも取り扱いが容易である。
【００１１】
請求項6に記載の発明は、加熱、加圧のいずれか1つ以上の手段により請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電磁波吸収転写箔を被着体に転写し、前記電磁波吸収転写箔の離型層から剥離し、前記被着体に軟磁性あるいは硬磁性の金属又は合金を少なくとも含む磁性層、接着層を少なくとも転写する。これにより、電磁波吸収に必要な部分だけを転写し、小型集積が可能であり、例えば小型集積回路又は高密度実装などでも取り扱いが容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明の電磁波吸収転写箔及び電磁波吸収転写箔の付与方法の実施の形態について説明するが、この発明の実施の形態は、発明の最も好ましい形態を示すものであり、この発明はこれに限定されない。
［電磁波吸収転写箔］
まず、この発明の電磁波吸収転写箔の構成を図１乃至図5に基づいて説明する。この発明の電磁波吸収転写箔は、支持体52、離型層53、軟磁性あるいは硬磁性の金属、合金のいずれか１つを少なくとも含む磁性層54、接着層55を少なくとも有し、特に限定はないが転写する層を保持するための支持体52を用いることが好ましい。図１の電磁波吸収転写箔は、支持体52に、離型層53、磁性層54、接着層55が順に積層されている。図2の電磁波吸収転写箔は、磁性層54と接着層55の間に中間層56が設けられている。図3の電磁波吸収転写箔は、支持体52の離型層53が設けられる側と反対側に帯電防止層57が設けられている。図4の電磁波吸収転写箔は、離型層53と磁性層54の間に電磁波反射層58が設けられている。図5の電磁波吸収転写箔は、離型層53と磁性層54の間に表面保護層59が設けられている。
［電磁波吸収転写箔の付与方法］
つぎに、この発明の電磁波吸収転写箔の付与方法の構成を図6乃至図10に基づいて説明する。図6は、図1の電磁波吸収転写箔を用い、図7は、図2の電磁波吸収転写箔を用い、図8は、図3の電磁波吸収転写箔を用い、図9は、図4の電磁波吸収転写箔を用い、図10は、図5の電磁波吸収転写箔を用いた転写による付与方法を示している。
【００１３】
この発明の電磁波吸収転写箔の付与方法は、加熱、加圧のいずれか1つの手段により電磁波吸収転写箔を被着体100に転写して転写層200が形成される。図6の転写層200は、接着層55、磁性層54により構成される。図7の転写層200は、接着層55、中間層56、磁性層54により構成される。図8の転写層200は、接着層55、磁性層54により構成される。図9の転写層200は、接着層55、磁性層54、電磁波反射層58により構成される。図10の転写層200は、接着層55、磁性層54、表面保護層59により構成される。
【００１４】
このように、電磁波吸収転写箔を被着体100に転写し、電磁波吸収転写箔の離型層53から剥離し、被着体100に軟磁性あるいは硬磁性の金属又は合金を少なくとも含む磁性層54、接着層55を少なくとも転写する。これにより、磁性層54の電磁波吸収に必要な部分だけを転写し、小型集積が可能であり、例えば小型集積回路又は高密度実装などでも取り扱いが容易である。
【００１５】
以下、この発明の電磁波吸収転写箔及び電磁波吸収転写箔の付与方法の構成を詳細に説明する。
＜転写箔用支持体＞
離型層、軟磁性あるいは硬磁性の金属又は合金を少なくとも含む磁性層、接着層を少なくとも有する電磁波吸収転写箔に用いられる支持体としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート／イソフタレート共重合体等のポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン樹脂、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ４フッ化エチレン、エチレン−４フッ化エチレン共重合体、等のポリフッ化エチレン系樹脂、ナイロン６、ナイロン6.6等のポリアミド、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体、エチレン／ビニルアルコール共重合体、ポリビニルアルコール、ビニロン等のビニル重合体、三酢酸セルロース、セロファン等のセルロース系樹脂、ポリメタアクリル酸メチル、ポリメタアクリル酸エチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、等のアクリル系樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリイミド等の合成樹脂シート、又は上質紙、薄葉紙、グラシン紙、硫酸紙等の紙、金属箔等の単層体或いはこれら２層以上の積層体が挙げられる。
【００１６】
この発明の支持体の厚みは、10〜200μm、望ましくは15〜100μmである。10〜200μmの範囲以下であると支持体が転写時に破壊してしまい問題であり、10〜200μmの範囲以上である電磁波吸収転写箔が厚くなるなどの問題がある。また、必要に応じて支持体の片面もしくは両面のいずれかに凹凸層や帯電防止層を形成することができる。凹凸作成手段としては、マット剤練り込み、サンドブラスト加工、ヘアライン加工、マットコーティング、もしくはケミカルエッチング等が挙げられる。帯電防止層を形成する帯電防止剤として、一般的なイオン性樹脂、金属酸化物微粒子、導電性粉末又は導電性樹脂などを用いることができる。
＜離型層＞
離型層としては、高ガラス転移温度を有するアクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ボリビニルブチラール樹脂などの樹脂、ワックス類、シリコンオイル類、フッ素化合物、水溶性を有するポリビニルピロリドン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、Ｓｉ変性ポリビニルアルコール、メチルセルロース樹脂、ヒドキシセルロース樹脂、シリコーン樹脂、パラフィンワックス、アクリル変性シリコーン、ポリエチレンワックス、エチレン酢酸ビニルなどの樹脂が挙げられ、他にポリジメチルシロキサンやその変性物、例えばポリエステル変性シリコーン、アクリル変性シリコーン、ウレタン変性シリコーン、アルキッド変性シリコーン、アミノ変性シリコーン、エポキシ変性シリコーン、ポリエーテル変性シリコーン等のオイルや樹脂、またはこの硬化物、等が挙げられる。他のフッ素系化合物としては、フッ素化オレフィン、パーフルオロ燐酸エステル系化合物が挙げられる。好ましいオレフィン系化合物としては、ポリエチレン、ポリプロピレン等の分散物、ポリエチレンイミンオクタデシル等の長鎖アルキル系化合物等が挙げられる。これらの離型剤で溶解性の乏しいものは分散するなどして用いることができる。この離型層は、0.000005〜２．0g/m2であることが好ましい。特に好ましくは、0.00001〜２．0g/m2、より好ましくは0.00005〜２．0g/m2である。
＜軟磁性あるいは硬磁性の金属又は合金からなる磁性層＞
この発明で用いられる磁性層について説明する。この発明の磁性層は軟磁性でも硬磁性のいずれも使用することができる。
【００１７】
軟磁性材料としては、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ−Ｂ合金等の鉄系の合金粉、あるいは鉄粉（カーボニル鉄粉）が例示される。また、このようなフェライト粉としては、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎフェライト、Ｍｇ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、Ｃｕ−Ｚｎフェライト等のスピネル系フェライト、Ｗ型、Ｙ型、Ｚ型、Ｍ型等の六方晶フェライトが例示される。フェライト粉はそれ自体不燃物であるため、難燃性の観点からは、金属磁性粉よりも有効である。さらには、フェライトは金属系磁性材よりも電気抵抗が一般的に高いため、絶縁性を要求される場合にも好適である。また、形状面からは、粒状、球状、扁平状が利用可能である。また、これらの軟磁性粉については、単独の種類を用いてもよいし、目的に応じ、複数の種類を併用しても良い。このような成分は、特公昭５４−２７５５７号公報や特許第２,５２３,３８８号公報に記載された製造方法により調製することができる。
【００１８】
硬磁性材料としては、例えば、γ−Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｒＯ２、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ被着γ−Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ被着Ｆｅ３Ｏ４等の公知のものや、Ｂａフェライト、Ｓｒフェライト、希土類系永久磁石用材料等を挙げることができる。好ましい硬磁性粉末としては、粉末化（微粒子化）しても磁気エネルギーが低下しにくいＣｏ被着γ−Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ被着Ｆｅ３Ｏ４が好ましい。また、Ｃｏ被着γ−Ｆｅ２Ｏ３やＣｏ被着Ｆｅ３Ｏ４、これらＣｏ被着酸化鉄にはＣｏ以外にも希土類元素やＷ等も被着させた酸化鉄を適用することができる。
【００１９】
上記磁性体を粉末にする方法としては、上記の硬磁性体のバルク材を溶かし、その溶湯を回転ドラムに吹き付けて急冷して薄帯状に形成したものを作製し、その薄帯状のものを粉砕して粉末化する方法、上記溶湯を冷却用気体中に噴出して液滴状態で急冷して直接、粉末状に形成する方法、粉末ミルにて粉砕する方法あるいはスパッタリングやＣＶＤ法による方法が適用される。また、必要に応じて加熱、加圧、真空下にしてもよい。
【００２０】
前記軟磁性体及び硬磁性体は、磁性層の全固形分に対して５〜８０重量％の範囲であれば良く、５〜８０重量％の範囲以下では、電磁波吸収の効果が十分でなく、５〜８０重量％の範囲以上であると電磁波吸収性能でいう周波数帯の変化幅を狭めやすい、磁性層の膜質の劣化による脱箔などがおき問題となる。
【００２１】
前記記載磁性体の単独膜から形成された転写箔を用いた場合、脱箔（一般的には転写層の脱落）となり問題となるため、樹脂と混合することが好ましい。
【００２２】
樹脂材料としては、公知の熱可塑性樹脂などが挙げられ、具体的にはポリ塩化ビニル樹脂、塩化ビニルと他のモノマー（例えばイソブチルエーテル、プロピオン酸ビニル等）との共重合体樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリビニルブチラール系樹脂、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、三酢酸セルロース、ポリスチレン、スチレンと他のモノマー（例えばアクリル酸エステル、アクリロニトリル、塩化エチレン等）との共重合体、ビニルトルエンアクリレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカプロラクトン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂およびそれらの変性物、エポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂などから構成される光硬化性樹脂、エポキシ樹脂やウレタン樹脂、シリコーンなどで構成される熱硬化性樹脂、天然ゴムや合成ゴムなどを挙げることができる。
【００２３】
この発明の磁性層は、磁性体などの粒子を用いるため、膜質が硬いため転写箔にした際に脱箔などが起こりやすいため、単独樹脂物性が破断伸度5%以上である材料を添加することが好ましく、破断伸度が5%以上の樹脂により折れ曲げなどによる脱箔防止が可能で、取り扱い性が向上する。
【００２４】
この発明で好ましく用いられるのは、ポリエステル樹脂、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリビニルブチラール系樹脂、ポリビニルアルコール、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂などから構成される光硬化性樹脂、エポキシ樹脂やウレタン樹脂、シリコーンなどで構成される熱硬化性樹脂、天然ゴムや合成ゴムなどを用いることが好ましい。
【００２５】
前記磁性層に用いられる樹脂は、全固形分に対して0〜８0重量％の範囲であれば良い。破断伸度は、厚さ５00μmの樹脂シートを作成し、このシートを株式会社オリエンテックテンシロン万能試験機ＲＴＡ−１００を用いＡＳＴＭ  Ｄ６３８に準じて、破断伸度を測定した。
【００２６】
この発明の磁性層には必要に応じて各種公知の添加剤を加えることにより作製することができる。例えば、難燃剤、可塑剤，耐熱安定剤，熱老化防止剤、粘着性付与剤、粘度調整剤、染料、顔料、帯電防止剤、カップリング剤熱伝導剤等が挙げられる。
【００２７】
また、発泡剤等の混合方法は公知の混合方法を適時採用することができる、具体的にはボールミル、メカニカル攪拌機、ホモジナイザー、超音波分散機等の公知技術を使用することができる。
【００２８】
この発明で使用される磁性層は膜厚にして、１〜１００μmの厚さが好ましく、より好ましくは1〜８０μmが好ましい。磁性層の膜厚が１〜１００μmの範囲以下では、電磁波吸収の効果が十分でなく、１〜１００μmの範囲以上になると転写時の箔切れが悪くなり転写性が劣化するため問題となる。
＜接着層＞
この発明で用いられる接着層は、公知の樹脂を使用できる。例えば、ポリイソプレンゴム、ポリイソブチレンゴム、スチレンブタジエンゴム等のゴム系樹脂、ポリ（メタ）アクリル酸メチル、ポリ（メタ）アクリル酸エチル、ポリ（メタ）アクリル酸プロピル、ポリ（メタ）アクリル酸ブチル、ポリ（メタ）アクリル酸−２−エチルヘキシル等の（メタ）アクリル酸エステル系等のアクリル系樹脂、ポリイソブチルエーテル等のポリビニルエーテル系樹脂、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体等のポリ塩化ビニル系樹脂、ポリアクリルアミド、ポリメチロールアクリルアミド等のポリアミド系樹脂、ポリ塩化ビニル等の塩化ビニル系樹脂、ポリビニルブチラール、酢酸ビニル／アクリル酸オクチル、酢酸ビニル／アクリル酸ブチル、塩化ビニリデン／アクリル酸ブチル等の他のビニル系樹脂、ポリスチレン等の芳香族ビニル系樹脂、ポリ塩化オレフィン等のオレフィン系樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、粘着付与剤（フェノール樹脂、ロジン樹脂、テルペン樹脂、石油樹脂等）、スチレン−ブタジエン−スチレン（ＳＢＳ）、スチレン−イソプレン−スチレン（ＳＩＳ）、スチレン−エチレン／ブチレン−スチレン（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン／プロピレン−スチレン（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン／プロピレン（ＳＥＰ）のブロックポリマー等の熱可塑性エラストマーが挙げられ、これらの中から１種のみ選んで単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２９】
接着層は、必要に応じて各種公知の添加剤を加えることにより作製することができる。例えば、難燃剤、可塑剤，耐熱安定剤，熱老化防止剤、分散助剤、粘度調整剤、染料、顔料、帯電防止剤、光安定化剤、酸化防止剤等が挙げられる。接着層の厚みとしては、０．３μm〜１００μm、更に好ましくは０．５μm〜８０μmである。
【００３０】
この発明の電磁波吸収転写箔材料は、加熱、加圧のいずれかひとつの手段により転写することができる。転写安定性（密着性、連続転写性）の点からヒートシール性があることが好ましい。研究を遂行していくうちに接着層材料の樹脂はJISK7210による200℃MFR（Ｅ）（メルトフローレート）が3.0g/10min以上であるであることが、転写時の被着体への密着性が向上することで好ましいことがわかった。更には3.0g/10min以下であると転写後の転写済み材料の耐熱性が劣化し問題となることがわかった。
【００３１】
MFRの測定は、JISK7210に準じた。詳しくは、押し出し式流れ試験機に測定樹脂を一定量投入して、200℃の試験温度で5kgの荷重をかけ、10min当たりの樹脂押出し量を測定した。
【００３２】
この発明では、前記記載の離型層、磁性層、接着層が必要であるが、必要に応じて密着性向上を目的に接着補助層、シールド性を調整するために電磁波反射層等を設けても良い。
＜破断伸度5%以上の樹脂を含む樹脂層＞
この発明では、転写層後の取り扱い上、破断伸度5%以上の樹脂を転写箔内に含むことがより好ましく、磁性層中に含有するかもしくは磁性層に隣接して破断伸度5%以上の樹脂を含む層を設けても良いこの破断伸度5%の樹脂は、転写後の転写媒体の取り扱い（折り曲げ耐性）性で有効な材料である。
【００３３】
破断伸度5%の樹脂は中間層又は他機能層材料として用いてもよく、場合により接着層用材料として用いることができる。具体的材料は前記した材料を挙げることができる。
【００３４】
この発明の電磁波吸収転写箔は、前記記載の離型層、磁性層、接着層を少なくとも有する材料にて構成され、転写層を保持するために支持体を用いることができる。各層の塗工方法としては、ワイヤーバー法、スクイズコート法、グラビア印刷、スクリーン印刷、ロールコート、オフセット印刷等の公知の手法が用いられる。
【００３５】
この発明で用いられる電磁波吸収転写箔の転写層の厚みとしては、１．５〜２００μmであり、より好ましくは５μm〜２００μmであり、更に好ましくは、５μm〜１５０μmである。
【００３６】
具体的には、図１乃至図１０に電磁波吸収転写箔の各材料の層構成を記載して示したが、この発明の電磁波吸収転写箔は、加熱、加圧のいずれか1つの手段により転写層が転写する機能が必要であり、詳しくは、保持されている支持体から剥離する力が重要となってくる。この力を剥離力と称するが、この発明においては十分な転写性を得るためにはこの剥離力が重要であることがわかった。
【００３７】
具体的な剥離力の測定法は、図１１のような冶具を用い、３５℃環境下で９０°の剥離試験を行い、図１２に示すような平均剥離力（g/10mm）を算出した。１0は電磁波吸収転写箔、11は転写層表面、13は３５℃に恒温去れたホットステージ、40は９０°の剥離角度を保つ円柱型剥離部材、θは剥離角度を表す。
【００３８】
図１２に示すように、剥離した際に剥離長さ1ｍｍ〜８ｍｍ間の平均剥離力（g/10mm）を算出した。図１３に示すように、剥離した際の平均剥離力が規定の2.0g/10mm以上であると転写時に容易に転写箔の支持体から転写層が剥離し転写層のみを被着体に転写することができ、規定以下であると剥離した際に剥離不良が生じバリ等のゴミが発生し被着体近傍を汚染し問題となってしまう。剥離力は、主には電磁波吸収転写箔の離型層材料などの材料選択、厚さなどで制御し剥離力を調整することができる。
＜電磁波吸収転写箔の付与方法＞
この発明の電磁吸収転写箔は、加熱、加圧のいずれか1つの手段により被着体に転写することができる。この発明では転写安定性（密着性、連続転写性）の点から加熱転写方式が好ましいが、より好ましくは過熱転写方式に加え圧力を付与することにより、より被着体の密着性が向上するためこの方式が好ましい。
【００３９】
加熱、加圧処理方法としては、熱原材料であれば特に制限はないが、通常サーマルヘッド、ヒートローラー、ホットスタンプマシン、アイロンなどの加熱しながら加圧を行える手段を用い転写を行うことができる。
【００４０】
ヒートロールを用いる場合、ヒートロールでは８０〜３００℃程度、好ましくは１００〜２５０℃で０．０１〜１０００ｋｇ／ｃｍ2程度、好ましくは０．０５〜５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で１〜５００ｍｍ／秒、好ましくは５〜３００ｍｍ／秒の速度で搬送しながら行う。ローラーに使用されるゴムの硬度は４０〜９０度（ＪＩＳ−６３０１Ａ型）である。
［実施例］
＜電磁波吸収転写箔１＞
ダイアホイルヘキスト（株）製ポリエチレンテレフタレート（Ｓ−２５）の片面に下記離型層、磁性層、接着層を順に形成した。
＜離型層＞
ポリビニルアルコール（日本合成化学(株)製）                      １０重量部
水                                                              ９０重量部  
９０℃／３０ｓｅｃの乾燥条件により、ワイヤーバーにて、乾燥膜厚0.2g/m2になるように形成した。
＜磁性層用材料の調整＞
下記破断伸度5%からなる光硬化型樹脂用バインダーを作成し、次いで光硬化性樹脂組成物を予め混合後、磁性粒子と混合し、磁性層を形成した。
【００４１】
「破断伸度5%からなる光硬化型樹脂用バインダー１の合成」
窒素気流下の三ツ口フラスコに、メタアクリル酸メチル４５部、スチレン１５部、メタアクリル酸４０部とエタノール５００部、α、α′−アゾビスイソブチロニトリル３部を入れ、窒素気流中８０℃のオイルバスで６時間反応させた。その後、トリエチルアンモニウムクロライド３部、グリシジルメタクリレート１．０部を加え、３時間反応させ目的のアクリル系共重合体の転写箔用樹脂を得た。
【００４２】
「破断伸度5%からなる樹脂組成物１」
予め下記の光重合性化合物を混合し、下記磁性層に混合をした。
【００４３】
破断伸度5%からなる光硬化型接着樹脂（Ａ）                                      
ペンタエリスリトールトリアクリレート                                    50重量部
1,3―ブタンジオールメタアクリレート                                    25重量部
イルガキュア１８４                                                      5重量部
破断伸度5%からなる光硬化型樹脂用バインダー１                            20重量部
予めメタルハライドランプ300mjにより硬化した樹脂の破断伸度は、27.3%であった。
＜磁性層用材料＞
軟磁性粒子材料として、下記の特性を持つＭｇＺｎフェライトを採用した。
【００４４】
軟磁性粒子：ＭｇＺｎフェライト粒子（平均粒径  ７．２ μｍ）     １００重量部
破断伸度5%からなる樹脂組成１                                      １０重量部
メチルエチルケトン                                                ３０重量部
トルエン                                                          １０重量部          
この磁性層材料を、ボールミルにより混合し、均質に分散して塗料化した、ドクターブレードにより乾燥し、更にメタルハライドランプにより200mjで露光し、膜厚１０μmになるように形成した。
＜接着層＞
200℃、5kgMFR値は、4g/10minであったスチレン系エラストマーＭ１９１３を用い作成した。
【００４５】
スチレン系樹脂（旭化成（株）、タフテックＭ−１９１３）           ５５重量部
アルキルフェノール樹脂（荒川化学（株）、タマノル５２６）          ３５重量部
シリコーン樹脂粒子（東芝シリコーン（株）、トスパ−ル１２０）      １０重量部
トルエン                                                        ９００重量部
この接着層は、ワイヤーバーにより乾燥膜厚１μmになるように塗工した。
＜電磁波吸収転写箔２＞
ダイアホイルヘキスト（株）製ポリエチレンテレフタレート（Ｓ−２５）の片面に下記離型層、磁性層、接着層を順に形成した。
＜離型層＞
ポリビニルアルコール（ＧＬ−０５）    （日本合成化学(株)製）      １０重量部  
水                                                                ９０重量部                              
９０℃／３０ｓｅｃの乾燥条件により、ワイヤーバーにて、乾燥膜厚0.2g/m2になるように形成した。
＜磁性層用材料＞
軟磁性粒子材料として、下記の特性を持つＭｇＺｎフェライトを採用した。
【００４６】
軟磁性粒子：ＭｇＺｎフェライト粒子（平均粒径  ７．２  μｍ）    １００重量部
破断伸度5%からなる樹脂組成物１
バイロンUR8300（東洋紡社製）  破断伸度は500%であった。            １０重量部
メチルエチルケトン                                                ３０重量部          
トルエン                                                          １０重量部  
この磁性層材料を、ボールミルにより混合し、均質に分散して塗料化した、ドクターブレードにより乾燥し、膜厚２μmになるように形成した。
＜接着層＞
200℃、5kgMFR値は、4g/10minであったスチレン系エラストマーＭ１９１３を用い作成した。
【００４７】
スチレン系樹脂（旭化成（株）、タフテックＭ−１９１３）           ５５重量部
アルキルフェノール樹脂（荒川化学（株）、タマノル５２６）         ３５重量部
シリコーン樹脂粒子（東芝シリコーン（株）、トスパ−ル１２０）      １０重量部
トルエン                                                        ９００重量部
この接着層は、ワイヤーバーにより乾燥膜厚１μmになるように塗工した。
＜電磁波吸収転写箔３＞
ダイアホイルヘキスト（株）製ポリエチレンテレフタレート（Ｓ−２５）の片面に下記離型層、磁性層、破断伸度5%以上からなる樹脂層、接着層を順に形成した。
＜離型層＞
ポリビニルアルコール（ＧＬ−０５）  （日本合成化学(株)製）        １０重量部    水                                                                ９０重量部                              
９０℃／３０ｓｅｃの乾燥条件により、ワイヤーバーにて、乾燥膜厚0.2g/m2になるように形成した。
＜磁性層用材料＞
軟磁性粒子材料として、下記の特性を持つＭｇＺｎフェライトを採用した。
【００４８】
軟磁性粒子：ＭｇＺｎフェライト粒子（平均粒径  ７．２ μｍ）     １００重量部
メチルエチルケトン                                                ３０重量部
トルエン                                                          １０重量部
この磁性層材料を、ボールミルにより混合し、均質に分散して塗料化した、ドクターブレードにより乾燥し、膜厚５μmになるように形成した。
＜破断伸度5%以上からなる樹脂層＞
破断伸度5%からなる樹脂組成物１
バイロンUR8300（東洋紡社製）  破断伸度は500%であった。          ３．５重量部
ポリビニルブチラール樹脂〔積水化学（株）製：エスレックＢＸ−１〕   ５重量部
硬化剤  ポリイソシアネート［コロネートHX  日本ポリウレタン製］  １．５重量部
メチルエチルケトン                                                ２０重量部    トルエン                                                          ７０重量部
この接着層は、ワイヤーバーにより乾燥膜厚１μmになるように塗工した。
＜接着層＞
200℃、5kgMFR値は、4g/10minであったスチレン系エラストマーＭ１９１３を用い作成した。
【００４９】
スチレン系樹脂（旭化成（株）、タフテックＭ−１９１３）             ５５重量部  アルキルフェノール樹脂（荒川化学（株）、タマノル５２６）            ３５重量部
シリコーン樹脂粒子（東芝シリコーン（株）、トスパ−ル１２０）        １０重量部
トルエン                                                        ９００重量部
この接着層は、ワイヤーバーにより乾燥膜厚１μmになるように塗工した。
＜電磁波吸収転写箔４＞
ダイアホイルヘキスト（株）製ポリエチレンテレフタレート（Ｓ−２５）の片面に下記離型層、磁性層、破断伸度5%以上からなる樹脂層、接着層を順に形成した。
＜離型層＞
ポリビニルアルコール（ＧＬ−０５）      （日本合成化学(株)製）    １０重量部    水                                                                ９０重量部                                      
９０℃／３０ｓｅｃの乾燥条件により、ワイヤーバーにて、乾燥膜厚0.2g/m2になるように形成した。
＜磁性層用材料＞
軟磁性粒子材料として、下記の特性を持つＭｇＺｎフェライトを採用した。
【００５０】
軟磁性粒子：ＭｇＺｎフェライト粒子（平均粒径  ７．２ μｍ）    １００重量部
メチルエチルケトン                                              ３０重量部      トルエン                                                        １０重量部    この磁性層材料を、ボールミルにより混合し、均質に分散して塗料化した、ドクターブレードにより乾燥し、膜厚２μmになるように形成した。
＜接着層＞
200℃、5kgMFR値は、4g/10min、破断伸度600%であったスチレン系エラストマーＭ１９１３を用い作成した。
【００５１】
スチレン系樹脂（旭化成（株）、タフテックＭ−１９１３）            ５５重量部    アルキルフェノール樹脂（荒川化学（株）、タマノル５２６）         ３５重量部    シリコーン樹脂粒子（東芝シリコーン（株）、トスパ−ル１２０）      １０重量部    トルエン                                                       ９００重量部
この接着層は、ワイヤーバーにより乾燥膜厚１μmになるように塗工した。
＜電磁波吸収転写箔５＞
ダイアホイルヘキスト（株）製ポリエチレンテレフタレート（Ｓ−２５）の片面に下記離型層、磁性層、接着層を順に形成した。
＜離型層＞
ポリビニルアルコール（ＧＬ−０５）      （日本合成化学(株)製）    １０重量部    水                                                                ９０重量部  ９０℃／３０ｓｅｃの乾燥条件により、ワイヤーバーにて、乾燥膜厚0.2g/m2のDry付量になるように形成した。
＜磁性層用材料＞
軟磁性粒子材料として、下記の特性を持つＭｇＺｎフェライトを採用した。
【００５２】
軟磁性粒子：ＭｇＺｎフェライト粒子（平均粒径  ７．２ μｍ）     １００重量部
メチルエチルケトン                                                ３０重量部    トルエン                                                          １０重量部  この磁性層材料を、ボールミルにより混合し、均質に分散して塗料化した、ドクターブレードにより乾燥し、膜厚２μmになるように形成した。
＜接着層＞
200℃、5kgMFR値は、0.5g/10min、破断伸度600%であったスチレン系エラストマーＨ−１０５１を用い作成した。
【００５３】
スチレン系樹脂（旭化成（株）、タフテックＨ−１０５１）              ５５重量部
シリコーン樹脂粒子（東芝シリコーン（株）、トスパ−ル１２０）        １０重量部
トルエン                                                          ９００重量部
この接着層は、ワイヤーバーにより乾燥膜厚１μmになるように塗工した。
＜電磁波吸収転写箔６＞（比較例）
電磁波吸収転写箔２の材料で離型層を設けなかった以外は同様な方法で電磁波吸収転写箔を形成した。
＜電磁波吸収転写箔７＞（比較例）
電磁波吸収転写箔３の材料で離型層、接着剤層を設けなかった以外は同様な方法で電磁波吸収転写箔を形成した。
【００５４】
上記で作成された、電磁波吸収転写箔１〜７を用いて表面温度200℃に加熱した、直径５cmゴム硬度85のヒートローラーを用いて圧力150kg／cm2で1.2秒間熱をかけて、金属板状に転写を行った。
「評価方法」
以下、評価方法について説明し、この評価結果を表１に示す。
＜小型集積しやすさ＞
小型集積しやすさは、電磁波吸収材料からなる転写材料および最終取り扱い時の厚さで小型集積しやすさを判断した。また、転写できないものは電磁波吸収転写箔の支持体を含む全層のトータル量を判断基準とした。
【００５５】
○：10μm以下
△：20μm以下
×：20μmより厚い
＜折り曲げ性（取り扱い性）＞
作成された電磁波吸収転写箔を１０ｍｍφの円柱棒を支点にし１８０°曲げ支持体と転写層間を目視評価した。尚カードは画像記録部を内側にして曲げ評価を実施した。
【００５６】
◎：外観上全く問題なし
○：箔に僅かにヒビが入っているが、支持体と転写層間で浮きは発生していない。
【００５７】
△：箔にヒビが入っているが、支持体と転写層間で浮きは発生していない。
【００５８】
×：箔にヒビが入っていて、支持体と転写層間で僅かに浮きが発生している。
＜テープ剥離（カード／転写箔密着性）の評価＞
表面にテープ貼り付けをして上記評価を実施した。転写層表面にナイフ等の鋭利な刃物で30°の角度で切り込み、素地に達する１mmまたは1.5mmの碁盤目100個（10×10）を作り、この時はがれないで残った塗膜の碁盤目数を測定した。全体的に接着性が良好な塗膜である場合には、碁盤目を作った後、その表面に粘着テープを貼り、テープをはがして碁盤目のはがれた厚み方向の部位とはがれた数を測定して評価した。
【００５９】
評価は下記の評価点数法で行った。
【００６０】
碁盤目試験の評価点数
評価点数              傷の状態
10     切り傷１本ごとが、細くて両側が滑らかで、切り傷の交点の正方
形の一目一目にはがれない。
【００６１】
８     切り傷の交点にわずかなはがれがあって、正方形の一目一目には
がれがなく、欠損部の面積は全正方形面積の５％以内。
【００６２】
６     切り傷の両側と交点とにはがれがあって、欠損部の面積は全正方
形面積の５〜15％。
【００６３】
４     切り傷によるはがれの幅が広く、欠損部の面積は全正方形面積の
15〜35％。
【００６４】
２     切り傷によるはがれの幅は４点よりも広く、欠損部の面積は全正
方形面積の35〜65％。
【００６５】
０     はがれの面積は、全正方形面積の65％以上。
＜転写性＞
転写を１０枚実施し、図13に示すようなバリ発生状況と転写層が確実にされているかを目視評価した。
【００６６】
◎：バリの発生無し、転写層も確実に転写がされている
○：バリの発生無し、１０枚転写のうちの３０％以内不完全転写品がある
△：バリの発生無し、１０枚転写のうちの５０％以内不完全転写品がある
×：転写不可
［表1］
2006310575.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００６７】
この発明は、加熱、加圧のいずれか1つ以上の手段により転写層を転写することができる電磁波吸収転写箔及び電磁波吸収転写箔の付与方法に適用でき、電磁波吸収に必要な部分だけを転写し小型集積が可能であり、例えば小型集積回路又は高密度実装などでも取り扱いが容易である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】電磁波吸収転写箔の構成を示す図である。
【図２】電磁波吸収転写箔の構成を示す図である。
【図３】電磁波吸収転写箔の構成を示す図である。
【図４】電磁波吸収転写箔の構成を示す図である。
【図５】電磁波吸収転写箔の構成を示す図である。
【図６】電磁波吸収転写箔の付与方法を示す図である。
【図７】電磁波吸収転写箔の付与方法を示す図である。
【図８】電磁波吸収転写箔の付与方法を示す図である。
【図９】電磁波吸収転写箔の付与方法を示す図である。
【図１０】電磁波吸収転写箔の付与方法を示す図である。
【図１１】剥離力の測定方法を示す図である。
【図１２】平均剥離力の算出を示す図である。
【図１３】転写についての評価の事例を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
52  支持体
53  離型層
54  磁性層
55  接着層
56  中間層
57  帯電防止層
58  電磁波反射層
59  表面保護層
100  被着体
200  転写層
【図１】
2006310575.tif 000004
【図２】
2006310575.tif 000005
【図３】
2006310575.tif 000006
【図４】
2006310575.tif 000007
【図５】
2006310575.tif 000008
【図６】
2006310575.tif 000009
【図７】
2006310575.tif 000010
【図８】
2006310575.tif 000011
【図９】
2006310575.tif 000012
【図１０】
2006310575.tif 000013
【図１１】
2006310575.tif 000014
【図１２】
2006310575.tif 000015
【図１３】
2006310575.tif 000016