(57)【要約】【課題】複数のレーザー干渉計を用いてステージ位置を計測する際の、干渉計の切り替え動作時に波長補正を正しく継承し、位置ずれを低減すること。【解決手段】物体を移動可能なステージと、計測光の経路長の変動に基づいて前記ステージの所定方向の変位を計測すると共に、前記ステージの移動中に、ステージ位置を同時に計測可能な重複領域が存在するように配置された第１及び第２計測手段と、前記重複領域において、前記第１計測手段から前記第２計測手段に計測値を引渡すことにより、前記第１計測手段による計測から第２計測手段による計測に切り替える切替手段と、前記切替手段による切替時の前記ステージ位置において、前記第１計測手段から前記第２計測手段に引渡された計測値に基づいて計測光の波長変動を補正する補正手段とを具備する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を移動可能なステージと、
計測光の経路長の変動に基づいて前記ステージの所定方向の変位を計測すると共に、前記ステージの移動中に、ステージ位置を同時に計測可能な重複領域が存在するように配置された第１及び第２計測手段と、
前記重複領域において、前記第１計測手段から前記第２計測手段に計測値を引渡すことにより、前記第１計測手段による計測から第２計測手段による計測に切り替える切替手段と、
前記切替手段による切替時の前記ステージ位置において、前記第１計測手段から前記第２計測手段に引渡された計測値に基づいて計測光の波長変動を補正する補正手段とを具備することを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記ステージ装置は、前記計測光の波長変動を検出する波長補正器を備え、
前記補正手段は、前記波長補正器により検出された値から第１の波長補正係数を求め、求められた第１の波長補正係数に基づいて前記ステ−ジの位置補正量を算出することを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記ステージが配置されたチャンバー内の気圧、温度、湿度の少なくともいずれかを検出する検出手段を更に備え、
前記補正手段は、前記検出手段によって得られた検出値から第２の波長補正係数を求め、前記第１の波長補正係数と第２の波長補正係数に基づいて前記ステージの位置補正量を算出することを特徴とする請求項２に記載のステージ装置。
【請求項４】
物体を移動可能なステージと、計測光の経路長の変動に基づいて前記ステージの所定方向の変位を計測すると共に、前記ステージの移動中に、ステージ位置を同時に計測可能な重複領域が存在するように配置された第１及び第２計測手段とを備えるステージ装置の位置計測方法であって、
前記重複領域において、前記第１計測手段から前記第２計測手段に計測値を引渡すことにより、前記第１計測手段による計測から第２計測手段による計測に切り替える切替工程と、
前記切替工程での切替時の前記ステージ位置において、前記第１計測手段から前記第２計測手段に引渡された計測値に基づいて計測光の波長変動を補正する補正工程とを備えることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のステージ装置を用いて、基板または原版を搭載したステージを駆動することを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物体を移動して位置決めするステージ装置の位置計測技術に関し、特に、半導体露光装置に搭載されるステージ装置の位置計測技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や液晶表示装置等のデバイスを製造する工程で利用される露光装置は、マスクやレチクル等の原板や半導体ウエハやガラス基板等の被露光基板を移動させるステージ装置を有する。
【０００３】
このようなステージ装置において、ステージ位置の計測には一般にレーザー干渉計と反射鏡が用いられる。
【０００４】
特許文献１には、ステージ位置の計測にレーザー干渉計を用いた構成が開示されており、複数のレーザー干渉計を配置し、使用する干渉計を切り替えて位置計測を行うものである。
【０００５】
一方、レーザー干渉計は、気圧、温度、湿度のわずかな変動により、レーザー波長が変化し、計測誤差となってしまう。そこで、露光装置をチャンバーで覆って環境制御をすると同時に、残りの変動分に関しては、気圧計、温度計、湿度計などの計測値を用いて波長補正を行っている。
【特許文献１】特開２００２−３１９５４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
レーザー干渉計を切り替えて位置計測を行う場合、切り替え前後で位置ずれが発生するのを防ぐ必要がある。そのために、複数のレーザー干渉計が互いに計測可能な重複区間を設け、切り替え前の計測値を切り替え後の計測値に継承していく必要がある。
【０００７】
前述した波長補正は、レーザー干渉計のリセット時の光路長を基点として行う。干渉計の切り替えが行われないステージ装置の波長補正は、エラーなどで装置停止しない限り、装置起動後継続して行われていく。しかし、干渉計の切り替えが行われる場合、すなわち、遮光され計測不能であったレーザー干渉計が計測可能になる場合、レーザー干渉計のリセットがその度行われる。前述した構成の場合、切り替え時のＸＹＺ位置は毎回異なるので、波長補正の基点となる光路長が変化してしまい、変化分を考慮しないと計測誤差となり、結果的に位置ずれが生じてしまう。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、レーザー干渉計等の計測手段の切り替え時に発生するステージの位置ずれを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決し、目的を達成するために、本発明のステージ装置は、物体を移動可能なステージと、計測光の経路長の変動に基づいて前記ステージの所定方向の変位を計測すると共に、前記ステージの移動中に、ステージ位置を同時に計測可能な重複領域が存在するように配置された第１及び第２計測手段と、前記重複領域において、前記第１計測手段から前記第２計測手段に計測値を引渡すことにより、前記第１計測手段による計測から第２計測手段による計測に切り替える切替手段と、前記切替手段による切替時の前記ステージ位置において、前記第１計測手段から前記第２計測手段に引渡された計測値に基づいて計測光の波長変動を補正する補正手段とを具備する。
【００１０】
また、本発明は、物体を移動可能なステージと、計測光の経路長の変動に基づいて前記ステージの所定方向の変位を計測すると共に、前記ステージの移動中に、ステージ位置を同時に計測可能な重複領域が存在するように配置された第１及び第２計測手段とを備えるステージ装置の位置計測方法であって、前記重複領域において、前記第１計測手段から前記第２計測手段に計測値を引渡すことにより、前記第１計測手段による計測から第２計測手段による計測に切り替える切替工程と、前記切替工程での切替時の前記ステージ位置において、前記第１計測手段から前記第２計測手段に引渡された計測値に基づいて計測光の波長変動を補正する補正工程とを備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明においては、計測手段の切り替え前後のレーザー干渉計の波長補正の継承が可能となり、干渉計の切り替えに起因する位置ずれが低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１３】
尚、以下に説明する実施の形態は、本発明の実現手段としての一例であり、本発明が適用される装置の構成や各種条件によって適宜修正又は変更されるべきものである。
【００１４】
また、本発明は、後述する実施形態であるステージ位置計測方法や補正方法、デバイス製造方法等を実現するソフトウェアのプログラムコードを記憶した記憶媒体（または記録媒体）を、システムあるいは装置に供給し、そのシステムあるいは装置のコンピュータ（またはCPUやMPU）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても、達成されることは言うまでもない。
［第１の実施形態］
図１は第１の実施形態に係る露光装置の概略正面図である。
【００１５】
同図において、３２は原版であるレチクルを照明する照明部、３３は転写すべきパターンを有するレチクル、３４はレチクル３３上に形成されたパターンを基板であるウエハ上に投影する投影レンズ（投影光学系）、３５はレンズ３４を支持する鏡筒支持体、３６は鏡筒支持体３５を支持して振動を抑え、かつ床からの振動を絶縁する本体用（鏡筒支持体用）アクティブマウント、３８は本体用アクティブマウント３６とステージ用アクティブマウント３７を設置する位置決め定盤である。
【００１６】
２１，２２は鏡筒支持体３５に固定されたＺ計測用の固定ミラーであり、３９は２つの反射面をもったＺ計測用の移動ミラーであって、後述のＸミラー２９と一体化されている。
【００１７】
３１はＸ方向に移動可能なＸステージ、４０はＸステージ３１に対してＹ方向に移動可能なＹステージ、４１はＹステージ４０及びＸステージ３１を支持するステージ定盤、３７はステージの移動により生じるステージ定盤４１の振動を抑え、かつ床からの振動を絶縁するステージ用アクティブマウントである。なお、Ｘステージ３１およびＹステージ４０は、不図示の静圧軸受によって、非接触でステージ定盤４１に支持されている。
【００１８】
４２はＸステージ３１をＸ方向に移動させるための駆動用のＸリニアモータである。Ｘリニアモータ４２は、Ｘステージ３１に可動子が設けられ、ステージ定盤４１上に固定子が設けられている。なお、Ｘリニアモータの固定子は、不図示の静圧軸受によって非接触でステージ定盤４１上に支持されてもよく、または、ステージ定盤４１に固定されていても良い。このほかにＹステージ４０をＹ方向に移動させるための図示しない駆動用のＹリニアモータがある。Ｙリニアモータは、Ｙステージに可動子が設けられ、Ｘステージに固定子が設けられており、Ｘステージ３１とＹステージ４０との間でＹ方向の駆動力を発生する。
【００１９】
２３は鏡筒支持体３５と基板用のトップステージ２７とのＸ方向の相対位置を計測し、かつトップステージ２７の姿勢を計測するためのレーザー干渉計である。同様にＸ方向を計測し、かつトップステージ２７の姿勢を計測するための不図示のレーザー干渉計２４がある。
【００２０】
２５はＸステージ３１上から鏡筒支持体３５とトップステージ２７上の移動ミラー３９間の距離を計測し、トップステージ２７のＺ方向の位置を算出するためのレーザー干渉計である。
【００２１】
なお、トップステージ２７は、Ｙステージ４０上に搭載されており、不図示のアクチュエータによってＹステージ４０に対して微動可能である。また、トップステージ２７は、Ｙステージ４０内に設けられたＺ変位センサ４３によって測定可能である。このセンサはリニアエンコーダや静電容量センサなどＺ干渉計２５とは別に設けられたＺ変位センサであり、Ｙステージ４０に対するトップステージ２７の変位を３ヶ所（３つ目は不図示）で測定し、トップステージ２７のＺ方向の変位と傾き方向(チルト方向)の変位が測定可能である。
【００２２】
２６はパターンを投影する対象である感光材の塗布された不図示の半導体基板（ウエハ）を保持するためのウエハチャック（基板ホルダ）、２７はウエハチャック２６をＺ，θ，ωＸ，ωＹ方向に位置決めするためのθＺステージ（トップステージ）である。
【００２３】
４４は装置内の気圧を計測するための気圧計である。４５はレーザー干渉計の波長の変動量を計測するための波長補正器であり、固定光路長の筒内をレーザー干渉計で計測し続けることで、波長の変動が分かる計測器となっている。いずれも、装置内のレーザー干渉計の波長補正に用いる。
【００２４】
図２はレーザー干渉計２３，２４とＺ計測用レーザー干渉計２５により、トップステージ２７の位置または変位を計測する干渉計システムの配置を示す。同図において、２６は不図示のウエハを搭載するウエハチャック、２７はウエハチャック２６を支持し搭載するトップステージであり、このトップステージ２７は不図示のガイド及びアクチュエータによりＸ，Ｙ方向に長ストローク移動し、Ｚ方向及びωＸ，ωＹ，θの回転方向に短いストロークで移動する。
【００２５】
２８はトップステージ２７に取り付けられたＹミラー、２９はトップステージ２７に取り付けられたＸミラーである。３０は、Ｘミラー２９の上面に一体に設けられたＺミラーである。Ｙミラー２８は反射面がＹ方向に対し垂直になるように配置され、Ｘミラー２９は反射面がＸ方向に対し垂直になるように配置され、Ｚミラー３０は反射面がＸＹ平面に対し平行となるように配置された光学部材である。
【００２６】
２３ａ，２３ｂ，２３ｃはＹ方向を計測するＹ干渉計であり、Ｙミラー２８の反射面の各々所定位置にＹ方向と平行なレーザー光を入射し、その反射光によりビーム入射方向（Ｙ方向）に沿った位置変動情報を検出する。２４ａ，２４ｂはＸ方向を計測するＸ干渉計であり、Ｘミラー２９の反射面の各々所定位置にＸ方向と平行なレーザー光を入射し、その反射光によりビーム入射方向（Ｘ方向）に沿った位置変動情報を検出する。
【００２７】
各々の干渉計２３，２４は計測基準となる不図示の支持体に支持固定されている。例えば、干渉計２３、２４は、投影光学系３４と一体的な構造物である鏡筒支持体に固定される。
【００２８】
２５ａ，２５ｂはＺ方向を計測するＺ干渉計であって、Ｘステージ３１上に搭載されており、このＺ干渉計２５ａ，２５ｂから出射するビームがＸＹ平面に対して垂直になるように配置されるか、ミラーなどの光学素子によって垂直に引廻すように構成され、出射されたビームを、鏡筒支持体３５に取り付けられたミラー２１，２２を介して、トップステージ２７上に取り付けられたＺミラー３０のＸＹ平面と平行な反射面に入射させることでトップステージ２７のＺ方向の位置計測を行う。
【００２９】
第１ミラー２１及び第２ミラー２２は、Ｚ干渉計２５からの出射光をＺミラー３０へ導くものであり、計測の基準となる鏡筒支持体３５もしくはＺ干渉計２５からの計測光に対して鋭角の反射面をもつように支持固定されている。第１ミラー２１および第２ミラー２２は、Ｚ干渉計２５の配置された可動部（Ｘステージ３１）のストローク方向（Ｘ方向）に長い長尺ミラーである。
【００３０】
図１に示すような露光装置では、鏡筒が鏡筒支持体３５の中心にある。また、トップステージ２７上にはウエハチャック２６が搭載されている。そのため、Ｚ干渉計２５からの計測光路を遮らないよう引廻しに制約を受けてしまう。さらに、トップステージ２７の可動範囲が長ストロークになる場合、全ストローク範囲でのＺ計測を行うにはミラー２１、２２、３０も長ストロークとなってしまう。しかし、ミラーの長大化は、
（１）加工、取付けの観点において、高精度な平面度実現が困難
（２）可能であってもコストがかかる
（３）反射鏡の固有値低下により制御帯域を劣化させる
などの弊害を生んでしまう。
【００３１】
そのため、本実施形態では、２つのＺ干渉計２５ａ、２５ｂをトップステージ２７のＸ座標に応じて切り替えて用いることにより、鏡筒に限らず計測光を遮蔽するような障害物を避けてトップステージ２７の計測を行うことができる。切り替えは、これまで計測を行っていた干渉計からこれから測定可能になる干渉計へ不図示の制御部により測定値の引渡しを行う。切り替え時のステージの位置は２つの干渉計システムが重複する測定領域にあるときである。このとき、ステージが移動の最中でも切り替えが可能なように切り替え時間を考慮して重複する測定可能領域を設計する。
【００３２】
トップステージ２７のＺ方向の位置計測は、上記制御部に記憶されたトップステージ２７の初期位置に、レーザー干渉計２５ａまたは２５ｂの変位量を積算することで得られる。レーザー干渉計は、気圧、温度、湿度のわずかな変動により、レーザー波長が変化し、計測誤差となってしまう。そこで、前記制御部にて、気圧計、温度計、湿度計などの計測値を用いて波長補正をしている。
【００３３】
次に、図３〜６を用いて干渉計切り替えが生じる場合の波長補正方法を説明する。本実施形態では、気圧計を用いた場合について述べるが、温度計、湿度計などを用いた場合も同様に適用可能である。
【００３４】
図３Ａ〜Ｄは、Ｚ干渉計システムの概略図である。５０ａ、５０ｂはＺ方向を計測するレーザー干渉計であり、トップステージ２７上に取り付けられた不図示のＺミラーの位置を計測している。５０ａ、５０ｂは図２の２５ａ、２５ｂに相当するが、光路途上のミラー２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂは便宜上不図示としている。トップステージ２７は装置起動時に、前述したＹステージ４０との間に設けられたアクチュエータによって、Ｙステージに対して機械的な突き当てを行う。そして突き当て位置（図中のOrigin位置）にて、干渉計５０ｂのリセット（値を０にセット）を行い、それと同時に気圧計４４の値をサンプリングし、また波長補正器４５のリセットも行う。これは、干渉計５０ｂのリセットの瞬間（時間ｔ＝ｔ０）を基点として波長補正を実施するためである。干渉計５０ｂリセット時の、トップステージ２７までの光路長（メカ設計値として保証されている固定値）をZi(t0)、気圧計４４の示す気圧値から求めた波長補正係数をWi(t0)とする。また、ｔ０を基点とし、ある時間ｔにおける波長補正器４５の出力から求めた波長補正係数の変動分をW(t)とする。本実施形態では、ｔ＝ｔ０での波長補正係数の絶対値Wi(t0)を気圧計４４の気圧値から求め、その時点からの相対値W(t)を波長補正器４５の出力から求めている。Wi(t0)にW(t)を加算すれば、時間ｔにおける波長補正係数の絶対値を算出することが出来る。波長補正器を使わず、気圧計のみで各時間における波長補正係数を求めても構わない。但し、その際にはサンプリング周期の短い気圧計を用いた方が、リアルタイム性が高まり補正精度は上がる。
【００３５】
図３Ｂは、図３Ａの状態から、トップステージ２７が干渉計５０ｂの出力値に従ってＺ方向にP(t1)だけ駆動した瞬間（ｔ＝ｔ１）の概略図である。この時の、位置補正量ΔP(t1)は、以下の式で表される。
【００３６】
ΔP(t1)=k1*Zi(t0)+k2*P(t1)・・・（１）
ただし、k1＝W(t1), k2＝Wi(t0)+W(t1)
ここでk1はｔ０からｔ１までの波長補正係数の相対値であり、k2はｔ１における波長補正係数の絶対値である。
【００３７】
したがって、波長補正後のトップステージ２７の位置P(t1)´は次式で表される。
【００３８】
P(t1)´＝P(t1)+ΔP(t1)・・・（２）
これらの演算は、図４に示す波長補正制御部１によって行われる。ステージ駆動部２は、reference（目標値）に従って駆動を行う。ステージのposition（現在値）は干渉計３によって計測され、波長補正制御部１に出力される。波長補正制御部１は、気圧計４、波長補正器４の出力値を基に、波長補正演算を行い、補正後の現在値をステージ駆動部２にフィードバックする。
【００３９】
図３Ｃは、図３Ｂの状態から、トップステージ２７がＸ方向に駆動し、干渉計切り替えを行う瞬間（ｔ＝ｔ２）の概略図である。Ｚの位置P(t2)は図５と等しくなくても構わない。この時、干渉計５０ｂだけでなく、５０ａも計測可能となっているので、干渉計５０ｂの値P(t2)を５０ａにプリセットし、Ｚ位置の計測および制御を５０ｂから５０ａに切り替える。また、波長補正制御部１はｔ０からｔ２までの波長補正係数変動分W(t2)を保持しておく。
【００４０】
図３Ｄは、干渉計切り替え後に、トップステージ２７がP(t3)の位置に駆動した瞬間（ｔ＝ｔ３）の概略図である。この時の、位置補正量ΔP(t3)および補正後の位置P(t3)´は、以下の式で表される。
【００４１】
ΔP(t3)=k1*Zi(t2)+k2*(P(t3)- P(t2))・・・（３）
ただし、k1＝W(t3)-W(t2), k2＝Wi(t0)+W(t3), Zi(t2)=Zi(t0)- P(t2), P(t3)´＝P(t3)+ΔP(t3)
ここでk1はｔ２からｔ３まで、すなわち干渉計５０ａに切り替わった瞬間からその後のｔ３までの波長補正係数の相対値である。５０ａに切り替わるということは、今まで計測不可能であった５０ａにリセットがかかることでもあるので、５０ｂにとってのｔ０の瞬間と等価である。したがってｔ２を基点とした相対値k1が必要となるのである。
また、k2はｔ３における波長補正係数の絶対値である。Zi(t2)はｔ２における光路長であり、右辺２項目の(P(t3)- P(t2))は、ｔ２からの駆動量である。
【００４２】
ｔ３以後、５０ａから５０ｂに切り替えが生じる場合も上記の方法にしたがって、波長補正を行っていけばよい。これにより、干渉計切り替え時にも波長補正を正しく継承することが出来る。
【００４３】
例えば、ｔ＝ｔ４において５０ａから５０ｂに切り替えが生じたとるすると、その後ｔ＝ｔ５における補正式は以下のようになる。
【００４４】
ΔP(t5)=k1*Zi(t4)+k2*(P(t5)- P(t4))
ただしk1＝W(t5)-W(t4), k2＝Wi(t0)+W(t5), Zi(t4)=Zi(t0)- P(t4), P(t5)´＝P(t5)+ΔP(t5)
なお、図３Ａに示した機械的突き当ては、５０ｂが有効な状態で行ったが、５０ａでもよい。
【００４５】
また、本実施形態においては、切り替え時のＸ、Ｙ位置を規定しなかったが、５０ａ、５０ｂの重複測定可能範囲であればどこでも構わない。もちろん決まった位置で行ってもよい。ただし、トップステージ２７の高速駆動時に切り替えを行う場合には、干渉計リセット（もしくはプリセット）や演算処理などに起因する切り替え時間を考慮した位置に設定するのが望ましい。
【００４６】
本実施形態ではＸステージにＺ計測用の干渉計を搭載しているが，Ｙステージに搭載した形に置き換えてもよい。また、本実施形態では干渉計システムをトップステージ２７に１つまたは２つだけ設けた場合を示したが、これに限られるものではなく、３つ以上設けても良い。３ヶ所で測定を行えば、鏡筒支持体３５を基準とするトップステージ２７のＺ方向の変位だけでなく、トップステージ２７のチルト方向（ωＸ，ωＹ）の回転情報も得ることができる。
【００４７】
本実施形態では、本発明をウエハステージに適用したが、レチクルステージにも適用が可能である。
【００４８】
また、本発明は、Ｚ方向計測に限らず、あらゆる方向において干渉計切り替えが行われるシステムにおいて適用可能である。
［デバイス製造方法］
次に、この露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図５は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップＳ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。
【００４９】
一方、ステップＳ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップＳ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ５によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップＳ６（検査）ではステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップＳ７でこれを出荷する。
【００５０】
上記ステップＳ４のウエハプロセスは以下のステップを有する（図６）。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに転写する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施形態に係る露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の実施形態に係る干渉計切り替え計測をＺ方向に適用した場合の概略図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態に係る波長補正方法を示した概略図である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態に係る波長補正方法を示した概略図である。
【図３Ｃ】本発明の実施形態に係る波長補正方法を示した概略図である。
【図３Ｄ】本発明の実施形態に係る波長補正方法を示した概略図である。
【図４】本発明の実施形態に係る波長補正制御のブロック図である。
【図５】デバイス製造方法を示す図である。
【図６】ウエハプロセスを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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