(57)【要約】【課題】外部からフォトニック結晶導波路の放射モードと導波モードとにおけるフォトニックバンド構造を正確かつ簡便に測定することを可能にするとともに、測定の対象となるフォトニック結晶導波路の制約を無くす。【解決手段】フォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法において、フォトニック結晶導波路のフォトニック結晶層上に、上記フォトニック結晶層と所定の間隙を設けるようにして底部を対向させてプリズムを配置し、上記プリズムを介して上記フォトニック結晶導波路の上記フォトニック結晶層へ向けて入射ビームを入射するに際し、上記入射ビームが上記プリズムに入った後に上記プリズムの上記底部に入射角度が全反射角以上を満たす角度で入射し、上記入射ビームが上記プリズムの底部で全反射されて上記プリズムから出射される出射ビームに基づいてフォトニックバンド構造を測定するようにした。【選択図】        図２
2006275568.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法において、
フォトニック結晶導波路のフォトニック結晶層上に、前記フォトニック結晶層と所定の間隙を設けるようにして底部を対向させてプリズムを配置し、
前記プリズムを介して前記フォトニック結晶導波路の前記フォトニック結晶層へ向けて入射ビームを入射するに際し、前記入射ビームが前記プリズムに入った後に前記プリズムの前記底部に入射角度が全反射角以上を満たす角度で入射し、
前記入射ビームが前記プリズムの底部で全反射されて前記プリズムから出射される出射ビームに基づいてフォトニックバンド構造を測定する
ことを特徴とするフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法。
【請求項２】
請求項１に記載のフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法において、
前記入射ビームは、前記フォトニック結晶導波路内の導波モードの波数および周波数と前記入射ビームの導波路面内進行方向の波数および周波数とが一致するような、入射角度および光周波数を備える
ことを特徴とするフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法。
【請求項３】
プリズムを固定するプリズム固定機構と、
基板の上に形成されたフォトニック結晶層を有するフォトニック結晶導波路を、前記フォトニック結晶層と前記プリズムとが対向するように配置して固定する試料固定機構と、
ヘッド部を前記フォトニック結晶導波路の前記基板へ押しつけるための基板方向微動機構と、
前記プリズムと前記フォトニック結晶導波路の前記フォトニック結晶層とをθ回転方向へ相対的に微動するθ回転機構と
を有することを特徴とするフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定装置。
【請求項４】
請求項３に記載のフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定装置において、さらに、
前記ヘッド部と前記フォトニック結晶導波路との少なくともいずれか一方を、直交座標系のＸＹＺ方向へ微動する微動機構と
を有することを特徴とするフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法およびその装置に関し、さらに詳細には、フォトニック結晶導波路の光学特性の評価を行う際に用いて好適なフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法およびその装置に関する。
【０００２】
なお、本明細書において、「フォトニック結晶」とは、屈折率が異なる少なくとも２種の材料を含み、かつ、これら屈折率が異なる少なくとも２種の材料が周期的構造を備えた構造体を形成するようにしたものを意味するものとする。従って、少なくともその一部に上記した周期的構造を備えた構造体を含む限りは、当該周期的構造を備えた構造体以外の構造の有無や種類は問うことなく、全て本明細書における「フォトニック結晶」に含まれるものとする。換言すれば、本明細書における「フォトニック結晶」とは、上記した周期的構造を備えた構造体そのものを意味するとともに、また、上記した周期的構造を備えた構造体を含んで構成されるより大きな構造体をも意味するものとする。
【０００３】
また、本明細書において、「フォトニック結晶導波路」とは、上記した「フォトニック結晶」を用いて構成される光導波路構造を意味するものとする。
【背景技術】
【０００４】
近年、光波長程度の周期で屈折率の異なる少なくとも２種の物質を１次元、２次元あるいは３次元的に配列させた周期的構造を備えた構造体を有するフォトニック結晶が注目されている。
【０００５】
このフォトニック結晶は、光波長程度のスケールで周期的に屈折率を変化させた構造を持つ人工光ナノ構造体であり、真空中の光速と比較して数十分の一以下という極端に遅い光の群速度を実現することができることが知られていて（非特許文献１参照）、こうしたフォトニック結晶は非線形分野などへの応用が期待されており、フォトニック結晶を利用した各種技術の提案が強く望まれている。
【０００６】
ところで、このフォトニック結晶を用いて構成される光導波路構造を備えたフォトニック結晶導波路は、例えば、光導波素子、光結合分波素子、レーザー素子、発光素子、光分散を利用した素子、スーパープリズム素子、スーパーコリメート素子、レンズ機能素子、負屈折素子、偏光性素子、波長変換素子、高調波発生素子、和周波・差周波発生素子、光パラメトリック増幅素子、誘導ラマン散乱素子、四波混合素子、小型レーザー光源、光スイッチ素子、光双安定素子、光論理演算素子、光変調素子あるいは位相共役光発生素子などの各種の光素子に用いられており、こうした各種の光素子の設計の最適化を行うためには、フォトニック結晶導波路に形成される光分散関係たるフォトニックバンド構造を正確に知ることが極めて重要であると認識されている。
【０００７】
即ち、フォトニック結晶導波路による光バンド分散制御は、例えば、第２高調波発生などにおける位相整合や光スイッチング時の電場増強などの非線形光学効果を著しく増大させる可能性を持っており、フォトニック結晶導波路の特徴は、全てこのフォトニックバンド構造を操作、制御することに集約できるからである。
【０００８】
つまり、フォトニックバンド構造を正確に検知することができれば、上記した各種の光素子における光機能をあらかじめ予測することが可能となるものであり、従って、フォトニックバンド構造を正確に知ることは、上記した各種の光素子の最適化設計のキーポイントになるものであった。
【０００９】
従来、フォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造を外部から測定するには、外部からレーザー光または平行化された白色光ビームをフォトニック結晶導波路に入射し、その際に入射角度を走査し、フォトニック結晶導波路からの反射光に現れる外部光とフォトニック結晶導波路内のモードとの結合現象に起因する共鳴ディップ（鋭い反射率の極小）位置の角度依存性および周波数（エネルギー）依存性を調べるという手法を用いており、これによりフォトニックバンド構造を決定するようになされていた（非特許文献１、２参照）。
【００１０】
しかしながら、上記した非特許文献１、２に示すような従来の手法では、ライトライン（ω＝ｃｋ  （ωは光の周波数、ｃは光速、ｋは波数である。））の上側の領域、即ち、フォトニック結晶導波路の外部（空気）と結合性をもつモード（放射モード）領域の光分散関係のみしか測定することができず、ライトラインの下側の領域、即ち、フォトニック結晶導波路の外部とは結合しない導波モード領域の光分散関係を測定することはできないものであった。
【００１１】
ここで、ライトライン下側の導波モードは、外部に光が漏洩しないため長い寿命を持ち、光損失を少なくして光を導波することができるため、フォトニック結晶導波路においては、極めて応用性が高いモードである。
【００１２】
従って、この導波モードの光分散関係を測定することは、フォトニック結晶導波路の動作特性を正確に把握する上で大変に重要である。具体的には、導波モードの光分散関係から、光の群速度の情報や運動量の情報、カットオフ周波数の情報などが得られ、これらは全ての上記した各種の光素子の動作において極めて重要なパラメーターである。また測定結果と理論計算設計との比較を行うことで、両者のフィードバックが可能となり、より機能的なデバイスを設計することや、各種の光素子の作製精度を検査することが可能となるものである。
【００１３】
ところが、上記したように、非特許文献１、２に示すような従来の手法では、肝心の導波モード領域の光分散関係を測定することができないという大きな問題点があり、新たな手法の開発が望まれていた。
【００１４】
また、近年、２次元フォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造を外部から測定する手法として、２次元フォトニック結晶導波路内の欠陥導波路に対して面内導波の透過率を測定し、その透過スペクトルに現れるファブリペロー干渉縞から欠陥バンドの光分散関係を実験的に求める手法が提案されている（非特許文献３参照）。
【００１５】
この非特許文献３に示す手法は、面内を導波させるという意味で、導波モードの光分散関係を測定することができるものである（なお、非特許文献３に示す手法では、放射モードはロスのため測定することはできない。）。
【００１６】
しかしながら、上記した非特許文献３に示す手法は、２次元フォトニック結晶導波路の極微小な導波路内に実際に光を入射結合して透過率を測定する必要があるため、極めて高精度な高い技術ならびに煩雑な工程を要するという問題点があった。
【００１７】
即ち、上記した非特許文献３に示す手法は、実際に２次元フォトニック結晶導波路を動作させることと等しい作業を行う必要があるので、予め測定しておくという意味合いは全く無くなってしまうものであった。
【００１８】
また、透過スペクトル上の干渉を利用するという特性上、大きなサイズの２次元フォトニック結晶導波路や、光の損失の比較的大きな２次元フォトニック結晶導波路では測定が困難になってしまうという問題点もあった。
【非特許文献１】Ｐｈｙｓ．  Ｒｅｖ．  Ｂ  ６９，  ２０５１０９  １−６  （２００４）
【非特許文献２】特開２００４−１３３４２９号公報
【非特許文献３】Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．  ８７，  ２５３９０２  （２００１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明は、上記したような従来の技術が有する種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、外部からフォトニック結晶導波路の放射モードと導波モードとにおけるフォトニックバンド構造を正確かつ簡便に測定することを可能にするとともに、測定の対象となるフォトニック結晶導波路の制約を無くしたフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法およびその装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するために、本発明は、プリズムを利用したものであり、プリズムを利用することにより、
ω＝ｃｋ／ｎｐ  （ｎｐはプリズムの屈折率）
より上側の領域のモードは全て測定できるため、屈折率の大きなプリズムを利用することにより、放射モードと導波モードとを含むほぼ全てのモードにおけるフォトニックバンド構造を測定することができるようになる。
【００２１】
即ち、本発明によれば、従来は測定することができなかったライトライン下側の外部とは通常結合しないモードたる導波モードにおけるフォトニックバンド構造を観測することが可能となり、種々の応用の可能性を飛躍的に広げることができる。
【００２２】
即ち、本発明のうち請求項１に記載の発明は、フォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法において、フォトニック結晶導波路のフォトニック結晶層上に、上記フォトニック結晶層と所定の間隙を設けるようにして底部を対向させてプリズムを配置し、上記プリズムを介して上記フォトニック結晶導波路の上記フォトニック結晶層へ向けて入射ビームを入射するに際し、上記入射ビームが上記プリズムに入った後に上記プリズムの上記底部に入射角度が全反射角以上を満たす角度で入射し、上記入射ビームが上記プリズムの底部で全反射されて上記プリズムから出射される出射ビームに基づいてフォトニックバンド構造を測定するようにしたものである。
【００２３】
また、本発明のうち請求項２に記載の発明は、本発明のうち請求項１に記載の発明において、上記入射ビームは、上記フォトニック結晶導波路内の導波モードの波数および周波数と上記入射ビームの導波路面内進行方向の波数および周波数とが一致するような、入射角度および光周波数を備えるようにしたものである。
【００２４】
また、本発明のうち請求項３に記載の発明は、プリズムを固定するプリズム固定機構と、基板の上に形成されたフォトニック結晶層を有するフォトニック結晶導波路を、上記フォトニック結晶層と上記プリズムとが対向するように配置して固定する試料固定機構と、ヘッド部を上記フォトニック結晶導波路の上記基板へ押しつけるための基板方向微動機構と、上記プリズムと上記フォトニック結晶導波路の上記フォトニック結晶層とをθ回転方向へ相対的に微動するθ回転機構とを有するようにしたものである。
【００２５】
また、本発明のうち請求項４に記載の発明は、本発明のうち請求項３に記載の発明において、さらに、上記ヘッド部と上記フォトニック結晶導波路との少なくともいずれか一方を、直交座標系のＸＹＺ方向へ微動する微動機構とを有するようにしたものである。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、外部からフォトニック結晶導波路の放射モードと導波モードとにおけるフォトニックバンド構造を正確かつ簡便に測定することができるようになるとともに、測定の対象となるフォトニック結晶導波路の制約を無くすことができるという優れた効果が奏される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法およびその装置の実施の形態の一例を詳細に説明するものとする。
【００２８】
この本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法およびその装置は、フォトニック結晶導波路の面内の光分散関係を正確に測定することができるものであるが、こうした本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法およびその装置の有効性を示すために、以下においては、本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法およびその装置により、非線形光学ポリマー２次元フォトニック結晶導波路を測定する場合を例にして説明する。
【００２９】
まず、図１には、測定対象となる非線形光学ポリマー２次元フォトニック結晶導波路（以下、単に「２次元フォトニック結晶導波路」と適宜に称する。）の概念構成断面斜視説明図が示されている。
【００３０】
この２次元フォトニック結晶導波路１００は、非線形光学材料層としてのＤＲ１／ＰＭＭＡよりなる非線形光学ポリマー層１０２と、周期的屈折率変調層としてのＰＭＭＡよりなる２次元フォトニック結晶層１０４とを、エッチストップ層１０６を介して上下に積層し、構造的には分離しているが、光モード的には結合した導波コア構造を備えている。
【００３１】
こうした２次元フォトニック結晶導波路１００の構造は、例えば、非特許文献２に開示されており、非線形光学ポリマー層１０２に対する、プロセス上のダメージを軽減、回避することができるとともに、また導波時の無駄な散乱ロスも減らすことができるものである。なお、符号１０８はＳｉ基板を示し、符号１１０はＡｇよりなる金属クラッド層を示している。
【００３２】
また、この２次元フォトニック結晶導波路１００の構造においては、非線形材料に対して加工を行うことはないので、非線形材料としてＬｉＮｂＯ３などの加工性の良くない材料も容易に用いることができる。
【００３３】
こうした２次元フォトニック結晶導波路１００の作製方法の概要について説明すると、まず、洗浄したＳｉ基板１０８上にＡｇよりなる金属クラッド層１１０を厚さ５００ｎｍに達するまで真空蒸着し、その上に非線形光学ポリマー層１０２としてモノクロロベンゼン溶液中に溶解させたＤＲ１／ＰＭＭＡを、スピンコーターにより厚さ１５０〜３００ｎｍにスピンコートし、その後に１２０〜２００℃でベーキングする。
【００３４】
次に、非線形光学ポリマー層１０２の上に、保護膜としてＳＯＧを非常に薄く（厚さ２０〜１００ｎｍ）スピンコートした後に１２０〜３００℃でベーキングしてエッチトップ層１０６を形成し、さらに、周期的屈折率変調層たる２次元フォトニック結晶層１０４として、モノクロロベンゼン溶液中に溶解させたＰＭＭＡを厚さ２００〜８００ｎｍにスピンコートし、その後に１２０〜２００℃でベーキングする。
【００３５】
さらに、ドライエッチング用ハードマスクとしてＳＯＧ（主に、ＳｉＯ２である。）を厚さ１５０〜３００ｎｍにスピンコートし、その後に１２０〜３００℃でベーキングする。
【００３６】
さらにまた、ドライエッチング用ハードマスクの上にＥＢレジストを厚さ５０〜３００ｎｍにスピンコートし、その後に１２０〜１８０℃でベーキングする。
【００３７】
次に、ＥＢリソグラフィーにより、導波路上にフォトニック結晶パターン（本実施の形態では、周期６００ｎｍ程度である。）を加工し、フッ素系反応ガスを用いたドライエッチングによりハードマスクにパターン転写する。
【００３８】
次に、Ｏ２／Ａｒ反応ガス（Ｏ２の濃度は１０〜５０％であり、全圧は０．１５〜０．５Ｐａである。）を用いたドライエッチングにより、ＰＭＭＡに高精度にフォトニック結晶構造の加工を行う。
【００３９】
最後に、必要に応じてフッ酸によりマスク除去を行い、非線形光学材料層たる非線形光学ポリマー層１０２と周期的屈折率変調層たる２次元フォトニック結晶層１０４とを分離した、２層コアを有する非線形光学ポリマー２次元フォトニック結晶導波路１００が完成する。
【００４０】
次に、本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法およびその装置により、２次元フォトニック結晶導波路１００中の光分散関係たるフォトニックバンド構造を測定する場合について詳細に説明する。
【００４１】
ここで、図２は、本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法を示す説明図であり、２次元フォトニック結晶導波路１００中の光分散関係たるフォトニックバンド構造を測定する場合を示している。
【００４２】
即ち、本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法は、２次元フォトニック結晶導波路１００の２次元フォトニック結晶層１０４上に、２次元フォトニック結晶層１０４と所定の間隙ｇを設けるようにして底部１０ａを対向させてプリズム（この実施の形態においては、三角プリズムである。）１０を配置し、このプリズム１０を介して２次元フォトニック結晶導波路１００の２次元フォトニック結晶層１０４へ向けて入射ビームを入射するようにしたものである。なお、間隙ｇには、外部媒質として空気が存在しているものとする。
【００４３】
ここで、入射ビームとしては、例えば、レーザー光または平行化された白色光ビームを用いればよい。また、偏光は、光学系素子によりあらかじめ水平偏光（ＴＥ：Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）もしくは垂直偏光（ＴＭ：Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｍａｃｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ）の直線偏光に制御しておく。これにより、水平偏光および垂直偏光のそれぞれの光分散関係を決定することができる。
【００４４】
なお、２次元フォトニック結晶導波路１００の２次元フォトニック結晶層１０４が小さい場合には、長焦点集光レンズにより入射ビームを集光して顕微測定する。
【００４５】
そして、プリズム１０を介して２次元フォトニック結晶導波路１００の２次元フォトニック結晶層１０４へ向けて入射ビームを入射することになるが、その際に、入射ビームがプリズム１０に入った後にプリズム１０の底部１０ａに入射角度が全反射角以上（プリズム１０の外部媒質が空気であれば、「ｎｐ  ｓｉｎθ＞１．０」である。ただし、ｎｐは、プリズム１０の屈折率である。）を満たす角度で入射するように制御する。
【００４６】
即ち、入射ビームはプリズム１０に入った後にプリズム１０の底部１０ａに当たり、その入射角度が全反射角以上を満たす角度であれば、プリズム１０の底部１０ａで全反射されて前記プリズム１０から出射されることになり、このプリズム１０から出射される出射ビームに基づいてフォトニックバンド構造を測定することになる。より詳細には、この出射ビームを光検出器（図示せず。）で検出して反射率としてモニターし、それを公知の技術で解析することによりフォトニックバンド構造の測定を行うものである。
【００４７】
なお、光検出器は、例えば、入射ビームがレーザー光であれば、フォトダイオードやフォトマルチプライヤーのようなものを用いればよい。また、入射ビームが白色光であれば、分光器およびＣＣＤ検出器により光検出器を構成し、出射ビームを一括して検知するのが便利である。勿論、入射ビームを予めモノクロメーターにより分光してから、プリズム１０へ入射して、その出射ビームを検出するようにしても良い。
【００４８】
ここで、入射ビームがプリズム１０の底面１０ａで全反射する際に、間隙ｇには実際はエバネッセント波が浸み出している。このとき、間隙ｇが十分に狭く（間隙ｇは、一般的には、１００ｎｍから数ｕｍ程度とすることが好ましい。）、かつ、隣接した２次元フォトニック結晶導波路１００内の導波モードの周波数および波数と入射ビームの導波路面内進行方向の波数および周波数が一致するような、入射角度、光周波数であれば、外部入射光とフォトニック結晶内の導波モードとが結合し、導波モードが励起され光パワーが導波路面内に移行する。
【００４９】
このとき角度を走査して測定すれば、周波数、波数の両者が一致し結合した共鳴角度を反射率の急激な落ち込みとして検知できる。その理由は、それ以外の角度は全反射されるからである。
【００５０】
従って、入射ビームの入射角および結晶対称軸に対する面内ビーム進行角をそれぞれ走査し、また入射ビームの周波数を変えたり、あるいは白色光を用いて光周波数に関しても走査することにより、スペクトルに現れる共鳴ピークの周波数および波数シフトから、フォトニックバンド分散曲線を全ての周波数領域および波数領域において追跡することができる。
【００５１】
通常、入射ビームのフォトニック結晶導波路面内進行方向の波数は、ライトラインを越えて、ライトラインの下側の領域にとどくことは不可能であるが、プリズム１０の全反射を利用することで、実効的なライトラインを
ω＝ｃｋ／ｎｐ      ｎｐはプリズムの屈折率である。
【００５２】
まで押し下げることにより、ライトライン（ω＝ｃｋ）以下の領域に至るまで測定可能になる。
【００５３】
このため、プリズム１０は、屈折率の高いものを使用したほうが、測定可能領域は広がるため好ましい。プリズム１０としては、より具体的には、透明性が高くで屈折率が高い、高屈折率ガラス、ルチルなどの光学結晶、半導体材料プリズムなどが好ましいが、如何なる材料のプリズムでも使用可能であることは勿論である。
【００５４】
プリズム１０については、測定対象の２次元フォトニック結晶導波路の屈折率および測定波長の透過性により、そのつど決定するのが良い。
【００５５】
ここで、上記した本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法を実施するための装置、即ち、本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定装置（以下、単に「本発明装置」と適宜に称する。）２０について説明する。
【００５６】
本発明装置２０において、プリズム１０と２次元フォトニック結晶導波路１００の２次元フォトニック結晶層１０４との間の間隙ｇの大きさの調整は、良好な結合を得るために重要である。本発明装置２０は、図３の概念構成説明図に示すように、その微調整のための機構を備えている。
【００５７】
以下、図３を参照しながら本発明装置２０について説明すると、本発明装置２０は、プリズム１０を固定するプリズム固定機構２２と、プリズム１０に２次元フォトニック結晶層１０４を対向させて２次元フォトニック結晶導波路１００を固定する試料固定機構２４と、試料固定機構２４をマイクロメーターによる微動機構もしくはガス圧を用いた圧力調整機構により直交座標系のＸＹＺ方向へ微動することにより２次元フォトニック結晶導波路１００の位置を微調整する第１ＸＹＺ微動機構２６と、丸みを帯びたヘッド部２８をマイクロメーターによる微動機構もしくはガス圧を用いた圧力調整機構により微動して当該ヘッド部２８を２次元フォトニック結晶導波路１００のＳｉ基板１０８へ押しつけるための基板方向微動機構３０と、基板方向微動機構３０をマイクロメーターによる微動機構もしくはガス圧を用いた圧力調整機構により直交座標系のＸＹＺ方向へ微動することによりヘッド部２８の位置を微調整する第２ＸＹＺ微動機構３２と、プリズム１０と２次元フォトニック結晶導波路１００の２次元フォトニック結晶層１０４とをθ回転方向へ相対的に微動するθ回転機構３４と、θ回転機構３４を含み本発明装置２０の全体の系をマイクロメーターによる微動機構もしくはガス圧を用いた圧力調整機構により直交座標系のＸＹＺ方向へ微動する第３ＸＹＺ微動機構３６とを有して構成されている。
【００５８】
なお、プリズム１０へ入射ビームを入射する光源やプリズム１０からの出射ビームを検出する光検出手段については、本発明装置２０の付属装置として一体的に構成してもよいし、あるいは、本発明装置２０とは独立した装置として構成してもよい。
【００５９】
以上の構成において、丸みを帯びたヘッド部２８を基板方向微動機構３０および第２ＸＹＺ微動機構３２により移動させて、ヘッド部２８を２次元フォトニック結晶導波路１００のＳｉ基板１０８に押し付ける。
【００６０】
この際に、プリズム１０とフォトニック結晶導波路１００の２次元フォトニック結晶層１０４の表面とを十分に平坦かつクリーンに保って置くことが重要である。視認により粗調整はできるが、最終的にはスペクトルを観測することにより最適な間隙ｇの間隔を調整する。
【００６１】
また、ヘッド部２８を２次元フォトニック結晶導波路１００のＳｉ基板１０８に強く強く押し付けすぎると、オーバーカップルによりモード位置が変質するため注意が必要である。
【００６２】
この本発明装置２０によれば、θ回転機構３４を備えることにより、入射ビームの入射角度を走査することが可能である。また、θ回転機構３４を備えることで、入射ビームの導波路面内進行方向のフォトニック結晶格子に対する進行角を走査することも可能である。
【００６３】
また、本発明装置２０によれば、基板方向微動機構３０、第１ＸＹＺ微動機構２６、第２ＸＹＺ微動機構３２、第３ＸＹＺ微動機構３６を備えているので、ヘッド部２８の位置や、２次元フォトニック結晶導波路１００の位置を微調整することが可能であり、光カップリングポイントとフォトニック結晶パターン位置との位置合わせを微調整しながら行うことができ、フォトニック結晶領域が微小でも測定可能となる。
【００６４】
本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法および本発明装置２０を用いて、上記した２次元フォトニック結晶導波路１００に対して、測定した反射スペクトルの入射角度依存性が図４に示されている。
【００６５】
この実施の形態においては、入射ビームの光源として、波長８３８ｎｍならびに波長１５４９ｎｍの半導体レーザダイオードを用いた。
【００６６】
図４からは、特定の入射角度領域において、非常に鋭い反射率の落ち込みが生じていることが分かる。これは、この共鳴角度において面内２次元フォトニックバンドモードと入射ビームとが結合したことを意味しており、この共鳴ピーク位置より、素子のフォトニックバンド構造を実験的に決定できる。
【００６７】
図４のスペクトルから得られた実験的なフォトニックバンド構造を、図５に示す。図５のフォトニックバンド構造中のＡ、Ｂ、Ｃ点が、図４の共鳴点Ａ、Ｂ、Ｃにそれぞれ対応している。
【００６８】
図５のフォトニックバンド構造図中には、３次元ＦＤＴＤ法により計算した理論的フォトニックバンド構造も併せてプロットしているが、得られた実験値が極めて正確であることが分かる。これは、本発明による測定の精密さと２次元フォトニック結晶導波路１００の作製精度の高さを裏付けている。
【００６９】
この実施の形態において、入射ビームとして波長８３８ｎｍおよび１５４９ｎｍの半導体レーザー光を使用した例を示したため、縦軸のエネルギー方向に関しては飛び飛びの値になっているが、入射光として白色光を用いればより連続的なバンド分散を得ることが全く同様の手法において可能である。また、図５のフォトニックバンド構造図のＣ点は、完全な導波モードである。
【００７０】
従って、本発明による手法を用いることにより、２次元フォトニック結晶導波路構造中の導波モードのバンド分散特性、即ち、フォトニックバンド構造を正確に検知、測定することができた。
【００７１】
なお、この本発明による手法は、フォトニック結晶導波路に欠陥を導入した際に形成される欠陥バンドモードの分散関係を測定することも可能であり、この欠陥モードは現在、欠陥導波路など様々な光機能素子に応用されていることから、その意義は大きい。
【００７２】
また、導波モードの分散関係を正確に外部から検知できることは、光非線形素子においても大変重要な意味を持っている。導波モードは、外部に光が漏洩せず、長い寿命を持ち、光損失が少なく光を導波することができるため、当然、長い相互作用長を必要とする非線形素子では最も利用性が高い。導波モードの分散関係を正確に知ることができれば、波長変換過程などにおける位相整合条件をあらかじめ正確に設計することが可能となり、素子開発の工程上極めて有用である。また、フォトニック結晶導波路を用いた光非線形素子では群速度の低下を利用して電場強度を実効的に増大させることが重要であるが、本発明により、そのような低群速度領域をあらかじめ正確に検知しておくことが可能となる。
【００７３】
このように２次元フォトニック結晶導波路の導波モードに対する光分散関係たるフォトニックバンド構造を実験的に外部から直接観測する技術を比較的簡便な手法により提供する本発明は、光素子応用上、極めて重要であり、これによりフォトニック結晶導波路を用いる各種の光素子の応用性、制御性が飛躍的に向上することができる。
【００７４】
なお、上記した実施の形態は、以下の（１）乃至（３）に示すように変形することができるものである。
【００７５】
（１）上記した実施の形態においては、フォトニック結晶導波路として、２次元フォトニック結晶導波路、より詳細には、非線形光学ポリマー２次元フォトニック結晶導波路を測定する場合について説明したが、測定対象はこれに限られるものではないことは勿論であり、例えば、１次元フォトニック結晶導波路や３次元フォトニック結晶導波路などを含め、フォトニック結晶導波路であれば如何なる構造のものや、あるいは、如何なる作製方法で作製されたものも測定することができる。
【００７６】
（２）上記した実施の形態においては、間隙ｇに存在する外部媒質を空気としたが、これに限られるものではないことは勿論であり、各種の気体などを外部媒質として用いることができる。
【００７７】
（３）上記した実施の形態ならびに上記した（１）乃至（２）に示す変形例は、適宜に組み合わせるようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明は、例えば、光導波素子、光結合分波素子、レーザー素子、発光素子、光分散を利用した素子、スーパープリズム素子、スーパーコリメート素子、レンズ機能素子、負屈折素子、偏光性素子、波長変換素子、高調波発生素子、和周波・差周波発生素子、光パラメトリック増幅素子、誘導ラマン散乱素子、四波混合素子、小型レーザー光源、光スイッチ素子、光双安定素子、光論理演算素子、光変調素子あるいは位相共役光発生素子などのフォトニック結晶導波路を用いた全ての光素子の最適化設計に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】図１は、測定対象となる非線形光学ポリマー２次元フォトニック結晶導波路の概念構成断面斜視説明図である。
【図２】図２は、本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法を示す説明図である。
【図３】図３は、本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定装置の概念構成説明図である。
【図４】図４は、本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法および本発明によるフォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定装置を用いて、２次元フォトニック結晶導波路に対して測定した反射スペクトルの入射角度依存性を示すグラフである。
【００８０】
が図４に示されている。
【図５】図５は、図４のスペクトルから得られた実験的なフォトニックバンド構造を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８１】
１０        プリズム
１０ａ      底部
２０        フォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定装置
２２        プリズム固定機構
２４        試料固定機構
２６        第１ＸＹＺ微動機構
２８        ヘッド部
３０        基板方向微動機構
３２        第２ＸＹＺ微動機構
３４        θ回転機構
３６        第３ＸＹＺ微動機構
１００        ２次元フォトニック結晶導波路
１０２        非線形光学ポリマー層
１０４        ２次元フォトニック結晶層
１０６        エッチストップ層
１０８        Ｓｉ基板
１１０        金属クラッド層
【図１】
2006275568.tif 000003
【図２】
2006275568.tif 000004
【図３】
2006275568.tif 000005
【図４】
2006275568.tif 000006
【図５】
2006275568.tif 000007