(57)【要約】【課題】実装すべき発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱できると共に、上記発光素子に接続される内部配線の抵抗値を低下させ、且つ発光素子の発光効率を向上し得る発光素子実装用配線基板を提供する。【解決手段】表面３および裏面４を有し且つ焼成温度が１３００℃以下のガラス−セラミック（絶縁材）からなる基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口し且つ底面７に発光素子８が実装されるキャビティ５と、かかるキャビティ５の底面７に離間して形成され且つＡｇを含む一対の導体層１５，１６と、を含み、上記基板本体２の側面には、上記一対の導体層１５，１６に個別に導通し且つＡｇを含む複数の電極１２，１４が形成されている、発光素子実装用配線基板１。【選択図】  図２
2006216764.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面を有し且つ焼成温度が１３００℃以下の絶縁材からなる基板本体と、
上記基板本体の表面に開口し且つ底面に発光素子が実装されるキャビティと、
上記キャビティの少なくとも底面に離間して形成され且つＡｇを含む一対の導体層と、を含み、
上記基板本体の側面には、上記一対の導体層に個別に導通し且つＡｇを含む複数の電極が形成されている、
ことを特徴とする発光素子実装用配線基板。
【請求項２】
前記キャビティの底面の中央には、前記一対の導体層の一方が延在し、かかる導体層上の実装エリアに前記発光素子が実装される、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子実装用配線基板。
【請求項３】
前記キャビティの側面には、Ａｇを含む金属層からなる光反射層が形成されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子実装用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば発光ダイオードのような発光素子を実装するための発光素子実装用配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子を実装する配線基板においては、かかる発光素子を実装するキャビティの側面に金属からなる光反射層を形成すると共に、当該キャビティ内に封止用樹脂を表面が平坦になるようにして充填することで、上記発光素子から発光された光を鮮明なものとすることができる。
そこで、発光素子からの光を外部に効率良く反射するため、セラミックからなる基体の上面に貫通孔を内側に有し且つセラミックからなる枠体を接合し、前記貫通孔の内面に、ＷおよびＭｏを含む金属層を被着し、かかる金属層の上にＮｉメッキ層およびＡｇメッキ層を順次被着する発光素子収納用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、上記発光素子を実装する搭載部および当該発光素子とワイヤを介して導通するメタライズ配線導体は、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎなどから形成されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２０７６７２  （第１〜８頁、図１，４）
【０００４】
しかしながら、前記発光素子収納用パッケージのように、ＷやＭｏなどを配線導体として用いた場合、それらの電気抵抗が大きい（例えば、Ｒ（Ｗ）＝約１２ｍΩ／□）ため、電圧低下により、発光素子の発光性能が低下する、という問題があった。更に、上記発光素子をＷまたはＭｏからなる搭載部の上に実装した場合、それらの熱伝導率が低い（例えば、Ｗ＝２５Ｗ／ｍ・Ｋ（Ｒ．Ｔ．））ため、当該発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱できない。この結果、上記発光素子自体の温度上昇を招くため、当該発光素子自体の発光効率が低下してしまう、という問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前述した背景技術における問題点を解決し、実装すべき発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱できると共に、上記発光素子に接続される内部配線もしくは導体層の抵抗値を低下させ、且つ発光素子の発光効率を向上し得る発光素子実装用配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、発光素子を実装する導体層などをＡｇまたはその合金により形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の発光素子実装用配線基板（請求項１）は、表面および裏面を有し且つ焼成温度が１３００℃以下の絶縁材からなる基板本体と、かかる基板本体の表面に開口し且つ底面に発光素子が実装されるキャビティと、かかるキャビティの少なくとも底面に離間して形成され且つＡｇを含む一対の導体層と、を含み、上記基板本体の側面には、上記一対の導体層に個別に導通し且つＡｇを含む複数の電極が形成されている、ことを特徴とする。
尚、上記「Ａｇを含む」とは、ＡｇおよびＡｇ合金の少なくとも一方を指す。
【０００７】
これによれば、上記一対の導体層およびこれらに個別に導通する複数の電極は、それぞれＡｇまたはＡｇ合金により形成されているため、後述するように、一方または双方の導体層の上に発光素子を実装した場合、熱伝導率が高い（例えば、Ａｇ＝４２７Ｗ／ｍ・Ｋ（Ｒ．Ｔ．））ことにより、上記発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱することができる。また、ＡｇまたはＡｇ合金は、電気抵抗が小さい（例えば、Ｒ（Ａｇ）＝約３ｍΩ／□）ため、上記一方または一対の導体層および複数の電極を介して、配線基板の内部配線や外部の取付基板（例えば、マザーボードなど）との導通に際して、従来のＷやＭｏなどを用いた場合に比べて、電圧低下を少なくできる。従って、実装すべき発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱できると共に、上記発光素子の発光効率を向上させることが可能となる。
【０００８】
尚、基板本体を形成する前記絶縁材には、１０００℃以下の比較的低温で焼成可能なガラス−セラミックのほか、約１２５０℃で焼成可能なガラス（ＳｉＯ２−ＭｎＯ２−ＴｉＯ２−ＭｇＯ−ＢａＯ−ＺｒＯ２系ガラス）−セラミックも含まれる。また、前記Ａｇ合金には、例えばＡｇ−Ｗ系やＡｇ−Ｍｏ系合金が含まれる。更に、前記発光素子には、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）などが含まれる。加えて、前記キャビティは、底面の周囲から傾斜して基板本体の表面に向けて広がる側面を有する全体がほぼ円錐形状のほか、円筒形の側面を有する全体が円柱形の形態も含まれる。
【０００９】
また、本発明には、前記キャビティの底面の中央には、前記一対の導体層の一方が延在し、かかる導体層上の実装エリアに前記発光素子が実装される、発光素子実装用配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、上記一方の導体層上の実装エリアに発光素子を実装した際、かかる発光素子から発生する熱を、上記導体層およびこれに導通する電極などを介して、配線基板の外部に効率良く迅速に放熱することができる。
尚、一対の導体層の先端部の上にまたがって発光素子をほぼ半分ずつ実装した場合には、一対の電極およびこれらに接続する側面の電極を介して、発光素子の熱を放熱することが可能となる。
【００１０】
更に、本発明には、前記キャビティの側面には、Ａｇを含む金属層からなる光反射層が形成されている、発光素子実装用配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、光反射層を前記一対の導体層や複数の電極と同一のＡｇまたはＡｇ合金にすることで、製造時にこれらを同時に焼成することができ、且つ光反射層を形成するために必要な専用のＡｇメッキ工程を省略することもできる。
付言すれば、本発明には、前記一対の導体層は、前記基板本体を貫通して前記複数の電極と接続されている、発光素子実装用配線基板も含まれ得る。これによる場合、一方または双方の導体層上の実装エリアに実装された発光素子から発生する熱を、上記導体層を介して電極側に最短距離で伝達することが可能となる。
【００１１】
また、本発明には、前記キャビティの側面は、前記基板本体の表面に向かって広がる傾斜面である、発光素子実装用配線基板も含まれ得る。これによる場合、発光素子から発光された光を所定の範囲に集光し且つ効率良く外部に放射することが可能となる。
更に、本発明には、前記キャビティの底面の中央に位置する実装エリア付近と前記基板本体の裏面との間には、Ａｇを含むビア導体が貫通している、発光素子実装用配線基板も含まれ得る。これによる場合、一方または双方の導体層上の実装エリアに実装された発光素子から発生する熱を、導体層および複数の電極による放熱経路のほか、上記ビア導体を介して基板本体の裏面側にも放熱することが可能となる。
また、本発明には、前記ビア導体は、前記基板本体の裏面寄りの断面が前記実装エリア寄りの断面よりも大である、発光素子実装用配線基板も含まれ得る。
これによる場合、前記一方または双方の導体層上の実装エリアに実装された発光素子から発生する熱を、基板本体を貫通し且つ裏面寄りほど太くなる上記ビア導体を介して、効率良く裏面側に放熱することが可能となる。尚、上記ビア導体の側面における裏面から実装エリアに向けての仰角は、４５度以下の範囲で選定される。
【００１２】
更に、本発明には、前記ビア導体における前記実装エリア付近に位置する上端面の面積は、かかる実装エリアに実装される発光素子の底面の面積の少なくとも５０％以上である、発光素子実装用配線基板も含まれ得る。これによる場合、発光素子から発生する熱を、ビア導体を介して確実に裏面側および外部に熱伝達させることが可能となる。
加えて、本発明には、前記基板本体の内部には、Ａｇを含む配線層が形成されている、発光素子実装用配線基板も含まれ得る。これによる場合、配線層を前記一対の導体層、光反射層、および複数の電極と同一のＡｇまたはＡｇ合金にすることで、製造時にこれらを同時に焼成することができることが可能となる。上記配線層には、ベタ状のパターンを呈する内部の電源層なども含まれる。また、上記配線層の間を接続するビア導体も、ＡｇまたはＡｇ合金にすることが望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明における一形態の発光素子実装用配線基板（以下、単に配線基板と称する）１を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図である。
配線基板１は、図１，図２に示すように、表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口するキャビティ５と、かかるキャビティ５の底面７上に離間して形成される一対の導体層１５，１６と、を備えている。
基板本体２は、一体に積層されたガラス−セラミック（絶縁材）層ｓ１〜ｓ７からなり、平面視がほぼ正方形で約１ｍｍの厚みを有する。上記ガラス−セラミックには、焼成温度が１０００℃以下であるガラス−アルミナ系で低温焼成のガラス−セラミックのほか、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒの酸化物および周期律表２ａ族の元素を含むガラスとアルミナとからなり、焼成温度が約１２５０℃であるアルミナ系焼成体（セラミック）も含まれる。
尚、基板本体２の絶縁材に低温焼成のガラス−セラミックを用いる際には、導体層１５，１６や後述する光反射層１０には、Ａｇが適用され、上記アルミナ系焼成体を用いる際には、例えばＡｇ−Ｗ系のようなＡｇ合金が適用される。
【００１４】
図１，図２に示すように、基板本体２の表面３に開口するキャビティ５は、平面視が円形の底面７と、かかる底面７の周囲から傾斜し且つ基板本体の表面に向けて広がる側面６とを有し、全体がほぼ円錐形状を呈する。尚、側面６の仰角は、３０度以上で且つ８０度以下の範囲で適宜選定される。
上記キャビティ５の底面７上には、ＡｇまたはＡｇ合金からなり且つ互いに異なる回路を形成する一対の導体層１５，１６が隙間ｓを介して離間しつつ形成されている。また、側面６のほぼ全面には、ＡｇまたはＡｇ合金からなる光反射層１０が形成され、当該光反射層１０の下辺と導体層１５，１６とは、両者間の絶縁のため、ガラス−セラミック層ｓ３の一部が露出している。
更に、一対の導体層１５，１６は、基板本体２のガラス−セラミック層ｓ３，ｓ４間を水平に貫通し、基板本体２の側面に達している。
【００１５】
図１に示すように、基板本体２の各側面の中央には、平面視がほぼ半円形を呈する４個の凹部１１が、基板本体２における隣接する側面間の各コーナには、平面視が円弧形を呈する４個の凹部１３が、それぞれ対称に形成されている。
図１，図２に示すように、各凹部１１，１３の内面には、ＡｇまたはＡｇ合金からなり且つ平面視がほぼ半円形または円弧形の電極１２，１４が形成されている。例えば、グランド（接地）回路を形成する一方の導体層１５は、各電極１２と接続され、少なくとも図１で左辺の中央に位置し且つ図２で図示される電極１２は、基板本体２の裏面４に形成される裏面電極１７と接続している。
一方、例えば、信号回路を形成する他方の導体層１６は、各電極１４と接続され、少なくとも図１で右辺の中央に位置し且つ図２で図示される電極１４は、基板本体２の裏面４に形成される裏面電極１８と接続している。尚、上記電極１２，１４は、本発明における複数の電極である。
【００１６】
図１，図２に示すように、一方の導体層１５におけるキャビティ５の底面７上の先端部には、実装エリアが位置し、かかる実装エリアには、例えばＳｎ−Ａｇ系などの低融点合金のロウ材９またはエポキシ系樹脂を介して、発光ダイオード（発光素子）８が実装される。導体層１５は、上記ロウ材９を介して、発光ダイオード８底面に位置する図示しない電極と導通する。尚、エポキシ系樹脂を介して発光ダイオード８を実装する際には、当該発光ダイオード８と一方の導体層１５との間に、図示しないボンディングワイヤｗがボンディング（ロウ付け）される。
図１，図２に示すように、発光ダイオード８と他方の導体層１６の先端部との間には、ボンディングワイヤｗがボンディング（ロウ付け）により結線される。
【００１７】
図２に示すように、基板本体２を形成するガラス−セラミック層ｓ１〜ｓ７間には、ＡｇまたはＡｇ合金からなり所定パターンを有する配線層２０，２１が形成されると共に、これらの間には、同じＡｇなどからなるビア導体２２，２３が形成されている。尚、配線層２０，２１は、電極１２，１４とも接続している。
グランド回路を形成する一方の導体層１５は、ビア導体２２を介して配線層２０、および基板本体２の裏面４に位置する裏面電極２４と導通可能とされている。一方、信号回路を形成する他方の導体層１６は、ビア導体２３を介して配線層２１、および基板本体２の裏面４に位置する裏面電極２５と導通可能とされている。
尚、裏面電極２４，２５や前記裏面電極１７，１８は、当該配線基板１自体を実装する図示しないマザーボードなどの取付基板との導通に活用される。
【００１８】
以上のような配線基板１は、次のようにして製造される。
先ず、前記ガラス−セラミック層ｓ１〜ｓ７となる複数枚のグリーンシートを用意する。かかるグリーンシートは、ガラス−セラミックからなり、表面および裏面の少なくとも一方に所定パターンのＡｇメタライズが形成されている。上記ガラス−セラミックは、ガラス粉末、フィラであるセラミック粉末、有機バインダ、可塑剤、および有機溶剤などを混合したものである。上記ガラス粉末のガラス成分には、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＰＢ系ガラス、あるいはＢｉ系ガラスなどが含まれる。また、前記セラミック粉末には、例えばＡｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｒＯ２とアルカリ希土類金属酸化物との複合酸化物、ＴｉＯ２とアルカリ希土類金属酸化物との複合酸化物、スピネル、ムライト・コージェライトなど、が含まれる。尚、上記ガラス−セラミックは、前記焼成温度が約１２５０℃であり、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒの酸化物および周期律表２ａ族の元素を含むガラスとアルミナとからなものとしても良い。
【００１９】
前記ガラス粉末とセラミック粉末とを、所定の割合で混合した後、有機バインダ、所要量の可塑剤、溶剤を加えてスラリとし、かかるスラリをドクターブレード法、圧延法、カレンダロール法、金型プレス法などにより、厚さ数１００μｍのシート状に成形してグリーンシートを得る。
次に、得られたガラス−セラミックからなる複数枚のグリ−ンシートの表面および裏面の少なくとも一方に、Ａｇ粉末、有機バインダ、および可塑剤などを含む導電性ペーストをスクリーン印刷などにより、所定パターンで印刷・形成して厚み約１５μｍのＡｇメタライズを形成する。かかるＡｇメタライズは、追って前記導体層１５，１６、内部の配線層２０，２１、あるいは裏面電極１７，１８，２４，２５となる。また、予め、各グリ−ンシートの表面と裏面との間を貫通する内径が約１５０μｍのビアホールにも上記導電性ペーストを充填して、Ａｇメタライズのビア導体２２，２３を形成する。
尚、上記グリ−ンシートは、複数の製品部分を含む大版のものでも良い。
【００２０】
次いで、３枚のガラス−セラミックからなるグリ−ンシートを積層して、上側グリ−ンシート積層体を形成する。かかる上側グリ−ンシート積層体に対し、ダイの受入れ孔とポンチの外径との間に所要のクリアランスを介する打ち抜き加工、あるいは、最少限のクリアランスを介する打ち抜き加工およびその結果形成された円柱形の貫通孔に円錐形の金型を押し込むことで、前記傾斜した側面６を有する円錐形状の貫通孔を形成する。別に、４枚のガラス−セラミックからなるグリ−ンシートを積層して、下側グリ−ンシート積層体を形成する。
次に、下側グリ−ンシート積層体の上に上側グリ−ンシート積層体を積層してグリ−ンシート積層体を形成し、得られるキャビティ５の側面６にＡｇメタライズを印刷して、光反射層１０を形成する。また、かかるグリ−ンシート積層体の各側面の中央と各コーナとに前記凹部１１，１３を形成した後、それらの内面にＡｇメタライズを印刷して、側面やコーナの電極１２，１４をそれぞれ形成する。
【００２１】
前記グリ−ンシート積層体を連続焼成炉に挿入し、約８００℃〜１０００℃で焼成すると、前記基板本体２が得られる。尚、前記Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒの酸化物などを含むガラスおよびアルミナからなるガラス−セラミックのグリ−ンシート積層体である場合は、約１２５０℃で焼成する。
その結果、前記図１，図２で示した配線基板１を得ることができる。
尚、前述した製造方法は、光反射層１０、導体層１５，１６、側面やコーナの電極１２，１４、内部の配線層２０，２１、ビア導体２２，２３、および裏面電極１７，１８，２４，２５は、全て同一のＡｇまたはＡｇ合金のメタライズで形成されるため、これらを１回の焼成工程で焼成できる、つまり同時焼成ができる、という利点を有する。
【００２２】
以上のような配線基板１によれば、前記一対の導体層１５，１６およびこれらに個別に導通する複数の電極１２，１４は、ＡｇまたはＡｇ合金からなるため、一方の導体層１５上に発光ダイオード８などの発光素子を実装した場合、かかる発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱することができる。しかも、ＡｇやＡｇ合金は、電気抵抗が小さいため、一対の導体層１５，１６や電極１２，１４などを介して、配線基板１内の配線層２０，２１や外部の取付基板との導通に際して、低抵抗とすることができる。
【００２３】
従って、配線基板１では、キャビティ５に実装すべき発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱できると共に、発光素子の発光効率を向上させることが可能となる。
尚、発光ダイオード８などが底面７上に実装されたキャビティ５内には、追ってエポキシ系などからなる封止用樹脂が充填され、発光ダイオード８などから発光され且つ光反射層１０で反射した光を、外部に透過して放射させる。
【００２４】
図３は、前記配線基板１の変形形態である配線基板１ａを示す平面図、図４は、図３中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った断面図である。
配線基板１ａは、図３，図４に示すように、前記同様の基板本体２ａと、かかる基板本体２ａの表面３に開口するキャビティ３０と、かかるキャビティ３０の底面３４上に離間して形成される一対の導体層３５，３６と、を備えている。
基板本体２ａは、前記基板本体２と同様の素材からなるガラス−セラミック層ｓ４〜ｓ１０を一体に積層したもので且つ基板本体２と同じ外形を有する。かかる基板本体２ａの表面３に開口するキャビティ３０は、平面視が円形の底面３４と、その周囲から垂直に立設して円筒形を呈する側面３２とからなる。
【００２５】
図３，図４に示すように、キャビティ３０の底面３４上には、ＡｇまたはＡｇ合金からなり且つ互いに異なる回路を形成する一対の導体層３５，３６が隙間ｓを介して離間しつつ形成されている。また、キャビティ３０の側面３２のほぼ全面には、ＡｇまたはＡｇ合金からなる光反射層３８が形成され、当該光反射層３８の下辺と導体層３５，３６とは、両者間の絶縁のためにガラス−セラミック層ｓ１０の一部が露出している。一対の導体層３５，３６は、基板本体２ａのガラス−セラミック層ｓ４，ｓ１０間を水平に貫通し、基板本体２ａの側面に達している。
基板本体２ａにおける各側面の中央や各コーナには、前記同様の凹部１１，１３および電極１２，１４が、基板本体２ａの裏面４には前記同様の裏面電極１７，１８，２４，２５が、基板本体２ａ内部には前記同様の配線層２０，２１およびビア導体２２，２３が形成されている。
【００２６】
図３，図４の左側に示すように、一方の導体層３５、電極１２、裏面電極１７，２４、配線層２０、およびビア導体２２は、グランド回路を形成し、図３，図４の右側に示すように、他方の導体層３６、電極１４、裏面電極１８，２５、配線層２１、およびビア導体２３は、信号回路を形成している。尚、キャビティ３０内には、エポキシ系などからなる封止用樹脂が追って充填され、発光ダイオード８から発光され且つ光反射層３８で反射した光を、外部に透過して放射させる。
以上のような配線基板１ａによっても、一対の導体層３５，３６およびこれらに個別に導通する複数の電極１２，１４は、ＡｇまたはＡｇ合金からなるため、一方の導体層３５上に発光ダイオード８などの発光素子を実装した際、かかる発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱することができる。しかも、ＡｇやＡｇ合金は、電気抵抗が小さいため、一対の導体層３５，３６や電極１２，１４などを介して、配線基板ａ１内の配線層２０，２１や外部の取付基板との導通を低抵抗とすることができる。従って、実装すべき発光素子から発生する熱を外部に効率良く放熱できると共に、発光素子の発光効率を向上させることが可能となる。
【００２７】
前記配線基板１ａは、以下のようにして製造される。
前記同様にして、ガラス−セラミックからなり且つＡｇメタライズが印刷または充填された３枚の前記グリ−ンシートを積層して、上側グリ−ンシート積層体を形成する。かかる上側グリ−ンシート積層体に対し、ダイの受入れ孔とポンチの外径との間が最少限のクリアランスを介する打ち抜き加工を施して、円筒形の側面３２を有する円柱形の貫通孔を形成する。別に、４枚のガラス−セラミックからなるグリ−ンシートを積層し、下側グリ−ンシート積層体を形成する。
次に、下側グリ−ンシート積層体の上に上側グリ−ンシート積層体を積層してグリ−ンシート積層体を形成し、得られる円柱形のキャビティ３０の側面３２にＡｇメタライズを印刷して、光反射層３８を形成する。更に、グリ−ンシート積層体の各側面や各コーナに前記凹部１１，１３を形成し、それらの内面にＡｇメタライズの電極１２，１４を形成する。これ以降は、前記同様に１回の焼成工程を経ることで、前記配線基板１ａを得ることができる。
【００２８】
本発明は、前述した各形態に限定されるものではない。
図５，図６に示すように、前記配線基板１，１ａにおいて、一対の導体層１５，１６、３５，３６を、キャビティ５，３０の底面７，３４上に同じサイズで形成し、これらの先端部間にまたがって発光ダイオード８を、それぞれ前記ロウ材９を介して実装することも可能である。かかる形態によれば、発光ダイオード８から発生する熱を、一対の導体層１５，１６および電極１２，１４、あるいは一対の導体層３５，３６などを介して、外部に効率良く放熱することができる。
【００２９】
また、前記配線基板１，１ａにおいて、発光ダイオード８あるいは半導体レーザを実装する一方の導体層１５，３５、あるいは一対の導体層１５，１６、３５，３６の直下と基板本体２の裏面４との間を貫通するように、ＡｇまたはＡｇ合金からなる比較的太径のビア導体を形成しても良い。
上記ビア導体は、基板本体２の裏面４寄りの断面が実装エリア寄りの断面よりも大としたり、かかる実装エリア付近に位置する上端面の面積を、実装される発光ダイオード８などの底面の面積の少なくとも５０％以上とされる。
例えば、図７の断面図で示す配線基板１ｂのように、前記キャビティ５および光反射層１０を有し、導体層１５の上にＣｕからなる接合材２８を介して、発光素子８を実装すると共に、その実装エリアの直下から基板本体２の裏面４に向けて断面が拡大するＡｇまたはＡｇ合金からなるビア導体４０を形成しても良い。かかるビア導体４０の裏面４側には、Ａｇからなる裏面電極２７を介して、Ｃｕからなる放熱板２９が配置される。
【００３０】
また、図８の断面図で示す配線基板１ｃのように、前記キャビティ３０および光反射層３８を有し、上記同様にビア導体４０を基板本体２ａの内部に形成し、その裏面４側に、裏面電極２７を介して、Ｃｕからなる放熱板２９を配置しても良い。
尚、前記ビア導体４０は、前記図５，図６の配線基板１，１ａのように、一対の導体層１５，１６，３５，３６上にまたがって実装される発光素子８の実装エリアの直下に設けることも可能である。また、記接合材２８や放熱板２９には、Ｃｕに替えて、コバール（Ｆｅ−２９ｗｔ％Ｎｉ−１７Ｃｏ）や、一対のＣｕ板間にＭｏ板を挟持した３層のクラッド板を用いても良い。
更に、キャビティ５，３０は、平面視で長円形または楕円形を呈する形状としても良い。
加えて、キャビティ５，３０は、基板本体２，２ａに複数個を併設して形成しても良い。あるいは、同一の基板本体２，２ａに異なる形状のキャビティ５，３０を併設して形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明における一形態の配線基板を示す平面図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図。
【図３】上記配線基板の変形形態である配線基板を示す平面図。
【図４】図３中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った断面図。
【図５】図１，２に示す配線基板の異なる使用形態を示す断面図。
【図６】図３，４に示す配線基板の異なる使用形態を示す断面図。
【図７】図１，２に示す配線基板の応用形態を示す断面図。
【図８】図３，４に示す配線基板の応用形態を示す断面図。
【符号の説明】
【００３２】
１，１ａ〜１ｃ…………発光素子実装用配線基板
２，２ａ…………………基板本体
３…………………………表面
４…………………………裏面
５，３０…………………キャビティ
６，３２…………………側面
７，３４…………………底面
８…………………………発光ダイオード（発光素子）
１０，３８………………光反射層
１２，１４………………電極
１５,１６，３５,３６…一対の導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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