(57)【要約】【課題】  ファインピッチの配線パターンを得ることができるとともに、高い信頼性および歩留まりの向上を実現できる配線回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】  テープキャリア１０上に所望のパターンを有するレジスト膜３０を形成する。配線パターンおよび残渣防止パターンを除く領域に形成される。なお、レジストパターンの形成されない部分をレジスト溝Ｒと呼ぶ。テープキャリア１０のレジストパターンを除く箇所、すなわちレジスト溝Ｒの箇所にめっきにより導体層を形成する。その後、レジスト膜３０を化学エッチングまたは剥離によって除去する。これにより、導体層からなる配線パターンおよび残渣防止パターンが完成する。めっきにより形成される導体層の厚みは、テープキャリア１０上に形成されるレジスト膜３０の厚みよりも小さい。【選択図】        図２
2006120867.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路部品を実装するための製品領域と回路部品が実装されない非製品領域とを有する配線回路基板の製造方法であって、
絶縁層を含む長尺基板上の前記製品領域において所定パターンの貫通部を有しかつ前記非製品領域において前記長尺基板の両側縁部に沿って連続的または断続的に延びる貫通部を有するレジスト膜を形成する工程と、
前記長尺基板上の前記レジスト膜が形成されない部分に導体層を形成することにより、前記製品領域に導体層からなる配線パターンを形成するとともに非製品領域に両側縁部に沿って連続的または断続的に延びる導体層からなるレジスト残渣防止用パターンを形成する工程と、
前記長尺基板上の前記レジスト膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記レジスト膜を形成する工程は、
前記非製品領域において前記長尺基板の両側縁部に沿って帯状に延びる貫通部を有するレジスト膜を形成することを含むことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記レジスト膜を形成する工程は、
前記非製品領域において前記長尺基板の両側縁部に沿って所定の間隔で断続的に並ぶ複数の円形状の貫通部を有するレジスト膜を形成することを含むことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記レジスト膜を形成する工程は、
前記非製品領域において、前記長尺基板の幅方向において複数列となる貫通部を有するレジスト膜を形成することを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記レジスト膜を形成する工程は、
前記長尺基板の幅方向において、前記配線パターンを形成するための貫通部と前記レジスト残渣防止用パターンを形成するための貫通部との間の最短距離が０．０１〜２．００ｍｍとなるようにレジスト膜を形成することを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記非製品領域において前記長尺基板の側縁部近傍に長手方向に沿って複数の孔部を形成する工程をさらに備え、
前記レジスト膜を形成する工程は、
前記長尺基板の前記複数の孔部と前記製品領域との間に貫通部を有するレジスト膜を形成することを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記レジスト膜を形成する工程は、
前記長尺基板の幅方向において、前記レジスト残渣防止用パターンを形成するための貫通部と前記複数の孔部との間の最短距離が０．０１〜２．００ｍｍとなるようにレジスト膜を形成することを含むことを特徴とする請求項６記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記導体層を形成する工程は、
前記長尺基板上に前記レジスト膜の厚みよりも小さい厚みを有する前記導体層を形成することを含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板の製造方法として、ＴＡＢ（テープオートメイティッドボンディング：Tape Automated Bonding）技術が知られている。このＴＡＢ技術においては、テープキャリア（長尺状のテープ基材）上に導電性の所定の配線パターンが形成される。そして、テープキャリアに形成された配線パターンに半導体チップの電極がボンディングされる。これにより、テープキャリア上に半導体チップが実装され、テープキャリアをカッティングすることにより半導体装置が完成する。
【０００３】
ここで、テープキャリア上への配線パターンの形成方法として、アディティブ法、セミアディティブ法およびサブトラクティブ法がある。
【０００４】
図９および図１０は、サブトラクティブ法により配線パターンをテープキャリアにパターニングする一般的な方法を説明するための図である。図９および図１０には、それぞれテープキャリアの模式的断面図が示されている。
【０００５】
図９に示すように、サブトラクティブ法により配線パターンをテープキャリア１００上に形成する場合、予めスプロケットホール１００ｓが形成されたテープキャリア１００上に導体層２００を形成する。そして、導体層２００上に所望のパターンでレジスト膜３００を形成する。
【０００６】
ここで、外部に露出した導体層２００のエッチングを行う。この場合、図１０に示すように、レジスト膜３００により被覆された導体層２００の部分はエッチングされない。その後、レジスト膜３００のみを剥離液により除去する。それにより、テープ基材１００上に導体層２００からなる配線パターンが形成される。
【０００７】
このサブトラクティブ法においては、導体層２００上に形成されたレジスト膜３００の除去は非常に容易に行われる。図１１および図１２は、サブトラクティブ法におけるレジスト膜３００の除去工程を説明するための拡大断面図である（図１０の破線部参照）。
【０００８】
図１１に示すように、導体層２００上のレジスト膜３００の除去時において、レジスト膜３００は剥離液により上面および側面から溶解する。さらに、この場合、剥離液は矢印に示すように、導体層２００とレジスト膜３００との界面にも働く。したがって、サブトラクティブ法においては、レジスト膜３００の除去が容易かつ確実に行われる。その結果、図１２に示すように、テープキャリア１００および導体層２００上にはレジスト膜３００の残渣は発生しない。
【０００９】
しかしながら、このサブトラクティブ法においては、レジスト膜３００の形成後の導体層２００のエッチング時に、レジスト膜３００の下方で導体層２００にアンダーカットＵＣ（図１１参照）が発生する。それにより、微細な配線パターンの形成が困難である。したがって、ファインピッチの配線パターンの要求とともに、近年ではアディティブ法およびセミアディティブ法による配線パターンの形成が注目されている。
【特許文献１】特開２００４−１３４４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に、セミアディティブ法を用いるＴＡＢ用テープキャリアの製造方法が開示されている。
【００１１】
図１３〜図１５は、セミアディティブ法を用いた従来のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を説明するための図である。図１３〜図１５には、それぞれＴＡＢ用テープキャリアの模式的断面図が示されている。
【００１２】
このＴＡＢ用テープキャリアの製造時においては、図１３に示すように、補強層、絶縁層および導体薄膜の下地が順に積層された長尺状のテープキャリア１００を準備する。そこで、テープキャリア１００の幅方向の両側縁部に複数のスプロケットホール（送り孔）１００ｓを形成し、配線パターンと逆のパターンのレジスト膜（めっきレジスト）３００を形成する。この場合、テープキャリア１００の下地はレジスト膜３００により配線パターン状で外部に露出している。
【００１３】
次に、図１４に示すように、テープキャリア１００のレジスト膜３００が形成されていない箇所に、めっきにより導体層（導体パターン）２００を形成する。その後、レジスト膜３００を化学エッチングまたは剥離によって除去し、テープキャリア１００の導体薄膜の下地をエッチングする。その結果、テープキャリア１００に導体層２００からなる配線パターンが完成される。
【００１４】
このように、セミアディティブ法によれば、導体層２００を形成した後でレジスト膜３００を剥離するので、導体層２００に上述のアンダーカットが発生せずファインピッチが実現される。
【００１５】
しかしながら、このセミアディティブ法においては、導体層２００を配線パターンと逆のパターンのレジスト膜３００の隙間に充填して形成するので、レジスト膜３００の厚みが導体層２００の厚みよりも大きくなっていなければならない（図１４のＡ−Ａ線断面図参照）。それにより、レジスト膜３００の除去が上述のサブトラクティブ法と比べて困難となっている。
【００１６】
さらに、セミアディティブ法で用いられるレジスト膜３００は、近年のファインピッチの要望に応じて、配線パターンの間隔が小さくても剥離しないように、テープキャリア１００に対して高い密着性を有するものが用いられている。
【００１７】
したがって、レジスト膜３００の除去は上述のサブトラクティブ法と比べてさらに困難となっている。特に、配線パターンの間隔が大きい箇所では、レジスト膜３００と、テープキャリア１００との密着面積が大きくなるので、レジスト膜３００の除去が非常に困難となる。その結果、図１５に示すように、残渣３０１が発生する。このように、レジスト膜３００の残渣３０１が発生すると、信頼性が低下し、歩留まりが低下する。
【００１８】
本発明の目的は、ファインピッチの配線パターンを得ることができるとともに、高い信頼性および歩留まりの向上を実現できる配線回路基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明に係る配線回路基板の製造方法は、回路部品を実装するための製品領域と回路部品が実装されない非製品領域とを有する配線回路基板の製造方法であって、絶縁層を含む長尺基板上の製品領域において所定パターンの貫通部を有しかつ非製品領域において長尺基板の両側縁部に沿って連続的または断続的に延びる貫通部を有するレジスト膜を形成する工程と、長尺基板上のレジスト膜が形成されない部分に導体層を形成することにより、製品領域に導体層からなる配線パターンを形成するとともに非製品領域に両側縁部に沿って連続的または断続的に延びる導体層からなるレジスト残渣防止用パターンを形成する工程と、長尺基板上のレジスト膜を除去する工程とを備えたものである。
【００２０】
その配線回路基板の製造方法においては、長尺基板上の製品領域において所定パターンの貫通部を有しかつ非製品領域において長尺基板の両側縁部に沿って連続的または断続的に延びる貫通部を有するレジスト膜が形成される。次に、長尺基板上のレジスト膜が形成されない部分に導体層が形成される。そして、製品領域に導体層からなる配線パターンが形成されるとともに非製品領域に両側縁部に沿って連続的または断続的に延びる導体層からなるレジスト残渣防止用パターンが形成され、長尺基板上のレジスト膜が除去される。このように、セミアディティブ法により製品領域にファインピッチの配線パターンを形成することができる。
【００２１】
この場合、非製品領域のレジスト膜に貫通部が存在するので、非製品領域におけるレジスト膜の形成領域が小さくなる。それにより、長尺基板のレジスト膜の除去時に、レジスト膜の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板の高い信頼性および歩留まりの向上を実現することができる。
【００２２】
レジスト膜を形成する工程は、非製品領域において長尺基板の両側縁部に沿って帯状に延びる貫通部を有するレジスト膜を形成することを含んでもよい。
【００２３】
この場合、非製品領域においてレジスト膜に長尺基板の両側縁部に沿って帯状に延びる貫通部が形成される。それにより、長尺基板のレジスト膜の除去時に、レジスト膜の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板の高い信頼性および歩留まりの向上を実現することができる。
【００２４】
レジスト膜を形成する工程は、非製品領域において長尺基板の両側縁部に沿って所定の間隔で断続的に並ぶ複数の円形状の貫通部を有するレジスト膜を形成することを含んでもよい。
【００２５】
この場合、非製品領域においてレジスト膜に長尺基板の両側縁部に沿って所定の間隔で断続的に並ぶ複数の円形状の貫通部が形成される。それにより、長尺基板のレジスト膜の除去時に、レジスト膜の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板の高い信頼性および歩留まりの向上を実現することができる。
【００２６】
レジスト膜を形成する工程は、非製品領域において、長尺基板の幅方向において複数列となる貫通部を有するレジスト膜を形成することを含んでもよい。
【００２７】
この場合、非製品領域においてレジスト膜に長尺基板の幅方向において複数列となる貫通部が形成される。それにより、長尺基板のレジスト膜の除去時に、レジスト膜の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板の高い信頼性および歩留まりの向上を実現することができる。
【００２８】
レジスト膜を形成する工程は、長尺基板の幅方向において、配線パターンを形成するための貫通部とレジスト残渣防止用パターンを形成するための貫通部との間の最短距離が０．０１〜２．００ｍｍとなるようにレジスト膜を形成することを含んでもよい。
【００２９】
この場合、長尺基板の幅方向において、非製品領域のレジスト膜に配線パターンを形成するための貫通部とレジスト残渣防止用パターンを形成するための貫通部とが互いの最短距離が０．０１〜２．００ｍｍとなるように形成される。それにより、長尺基板のレジスト膜の除去時に、レジスト膜の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板のより高い信頼性および歩留まりのさらなる向上を実現することができる。
【００３０】
非製品領域において長尺基板の側縁部近傍に長手方向に沿って複数の孔部を形成する工程をさらに備え、レジスト膜を形成する工程は、長尺基板の複数の孔部と製品領域との間に貫通部を有するレジスト膜を形成することを含んでもよい。
【００３１】
この場合、非製品領域の複数の孔部を除く領域にレジスト膜が形成されるとともに、レジスト膜に貫通部が形成される。それにより、長尺基板のレジスト膜の除去時に、レジスト膜の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板の高い信頼性および歩留まりの向上を実現することができる。
【００３２】
レジスト膜を形成する工程は、長尺基板の幅方向において、レジスト残渣防止用パターンを形成するための貫通部と複数の孔部との間の最短距離が０．０１〜２．００ｍｍとなるようにレジスト膜を形成することを含んでもよい。
【００３３】
この場合、長尺基板の幅方向において、レジスト残渣防止用パターンを形成するための貫通部と複数の孔部とが互いの最短距離が０．０１〜２．００ｍｍとなるように形成される。それにより、長尺基板のレジスト膜の除去時に、レジスト膜の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板のより高い信頼性および歩留まりのさらなる向上を実現することができる。
【００３４】
導体層を形成する工程は、長尺基板上にレジスト膜の厚みよりも小さい厚みを有する導体層を形成することを含んでもよい。これにより、長尺基板のレジスト膜の除去時に、レジスト膜の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板のより高い信頼性および歩留まりのさらなる向上を実現することができる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、セミアディティブ法により製品領域にファインピッチの配線パターンを形成することができるとともに、配線回路基板の高い信頼性および歩留まりの向上を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法について説明する。
【００３７】
（第１の実施の形態）
図１〜図５は、第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【００３８】
初めに、図１に示すように、長尺状のテープキャリア１０を準備し、テープキャリア１０にスプロケットホール１０ｓを形成する。
【００３９】
このテープキャリア１０は絶縁性の材料を含む。すなわち、テープキャリア１０は樹脂フィルムであってもよいし、ステンレス等の金属製の基板上に絶縁層が形成されたものであってもよい。また、絶縁層上には導体の薄膜が形成されてもよい。
【００４０】
スプロケットホール１０ｓは、例えば、テープキャリア１０の長手方向に沿った側縁部近傍に形成される。図１においては、正方形状の複数のスプロケットホール１０ｓが断続的かつ長手方向に沿うようにテープキャリア１０の側縁部近傍に形成されている。
【００４１】
また、スプロケットホール１０ｓはテープキャリア１０の上面側から下面側に貫通している。スプロケットホール１０ｓは、例えば、ドリル穿孔、レーザ加工、パンチング加工およびエッチング等により形成される。
【００４２】
次に、図２に示すように、テープキャリア１０上に所望のパターンを有するレジスト膜３０を形成する。レジスト膜３０の形成は、例えば、ドライフィルムレジスト等を用いることにより行う。以下の説明において、レジスト膜３０のパターンをレジストパターンと呼ぶ。
【００４３】
レジストパターンは、後の工程で形成される配線パターンおよび残渣防止パターンを除く領域に形成される。なお、レジストパターンの形成されない部分をレジスト溝Ｒと呼ぶ。図２では、レジスト溝Ｒが括弧内の符号Ｒで示されている。
【００４４】
ここで、図３に示すように、テープキャリア１０のレジストパターンを除く箇所、すなわちレジスト溝Ｒの箇所にめっきにより導体層２０を形成する。導体層２０の形成は、電解めっき法または無電解めっき法のいずれを用いてもよい。なお、本実施の形態においては、電解めっき法が好ましく用いられる。特に、電解めっき法により銅の導体層２０を形成することが好ましい。
【００４５】
その後、レジスト膜３０を化学エッチング（ウェットエッチング）または剥離によって除去する。これにより、図４に示すように、導体層２０からなる配線パターンＨＰおよび残渣防止パターンＺＰが完成する。
【００４６】
ここで、めっきにより形成される導体層２０の厚みは、テープキャリア１０上に形成されるレジスト膜３０の厚みよりも小さい。
【００４７】
なお、上述のように、テープキャリア１０が絶縁層上に導体の薄膜を積層した構成を有する場合には、レジスト膜３０の除去工程において、導体の薄膜をさらに化学エッチング（ウェットエッチング）により除去する必要がある。
【００４８】
図４によれば、テープキャリア１０には、複数の導体層２０からなる配線パターンＨＰが長手方向に順次形成されている。また、スプロケットホール１０ｓと各配線パターンＨＰとの間で、テープキャリア１０の長手方向へ延びるように導体層２０からなる帯状の残渣防止パターンＺＰが連続的に形成されている。
【００４９】
図４において、テープキャリア１０の幅方向における配線パターンＨＰと残渣防止パターンＺＰとの間の距離ａは０．０１〜２．００ｍｍであることが好ましく、０．１０〜２．００ｍｍであることがより好ましい。また、残渣防止パターンＺＰとスプロケットホール１０ｓとの間の距離ｂは０．０１〜２．００ｍｍであることが好ましく、０．１０〜２．００ｍｍであることがより好ましい。
【００５０】
これらを換言すれば、上記のレジスト膜３０の形成工程においては、テープキャリア１０の幅方向において非製品領域のレジスト膜３０に配線パターンＨＰを形成するためのレジスト溝Ｒと残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒとが互いの最短距離が０．０１〜２．００ｍｍとなるように形成することが好ましい。また、テープキャリア１０の幅方向において残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒと複数のスプロケットホール１０ｓとが互いの最短距離が０．０１〜２．００ｍｍとなるように形成することが好ましい。
【００５１】
なお、本実施の形態において、残渣防止パターンＺＰの幅ｃは、例えば０．０１〜１．００ｍｍである。
【００５２】
そこで、図５（ａ）に示すように、導体層２０からなる複数の配線パターンＨＰ上に半導体チップＲＴを実装し、カッティングラインＬＣに沿って長手方向および幅方向でカッティングを行う。
【００５３】
これにより、図５（ｂ）に示すように、導体層２０からなる残渣防止パターンＺＰおよびスプロケットホール１０ｓの形成されたテープキャリア１０の部分（非製品領域）が取り除かれ、配線パターンＨＰ上に半導体チップＲＴが実装されたテープキャリア１０の部分（製品領域）からなる半導体部品１００が完成する。
【００５４】
第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法においては、テープキャリア１０上の製品領域において所定パターンのレジスト溝Ｒを有しかつ非製品領域においてテープキャリア１０の両側縁部に沿って連続的に延びるレジスト溝Ｒを有するレジスト膜３０が形成される。次に、テープキャリア１０上のレジスト膜３０が形成されない部分に導体層２０が形成される。そして、製品領域に導体層２０からなる配線パターンＨＰが形成されるとともに非製品領域に両側縁部に沿って連続的に延びる導体層２０からなる残渣防止パターンＺＰが形成され、テープキャリア１０上のレジスト膜３０が除去される。このように、セミアディティブ法により製品領域にファインピッチの配線パターンＨＰを形成することができる。
【００５５】
ここで、非製品領域のレジスト膜３０に両側縁部に沿って連続的な帯状にレジスト溝Ｒが存在するので、非製品領域におけるレジスト膜３０の形成領域が小さくなる。それにより、テープキャリア１０のレジスト膜３０の除去時に、レジスト膜３０の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板の高い信頼性および歩留まりの向上を実現することができる。
【００５６】
上記のように、テープキャリア１０の幅方向において、非製品領域のレジスト膜３０に配線パターンＨＰを形成するためのレジスト溝Ｒと残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒとが互いの最短距離が０．０１〜２．００ｍｍとなるように形成されることが好ましい。また、テープキャリア１０の幅方向において、残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒと複数のスプロケットホール１０ｓとが互いの最短距離が０．０１〜２．００ｍｍとなるように形成されることが好ましい。
【００５７】
この場合、テープキャリア１０のレジスト膜３０の除去時に、レジスト膜３０の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板のより高い信頼性および歩留まりのさらなる向上を実現することができる。
【００５８】
さらに、本実施の形態では、非製品領域の複数のスプロケットホール１０ｓを除く領域にレジスト膜３０が形成されるとともに、レジスト膜３０にレジスト溝Ｒが形成される。それにより、テープキャリア１０のレジスト膜３０の除去時に、レジスト膜３０の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板の高い信頼性および歩留まりの向上を実現することができる。
【００５９】
上記のように、導体層２０を形成する工程においては、テープキャリア１０上にレジスト膜３０の厚みよりも小さい厚みを有する導体層２０を形成してもよい。これにより、テープキャリア１０のレジスト膜３０の除去時に、レジスト膜３０の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板のより高い信頼性および歩留まりのさらなる向上を実現することができる。
【００６０】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、残渣防止パターンＺＰの形状が第１の実施の形態において用いられる残渣防止パターンＺＰの形状と異なる。換言すれば、本実施の形態のレジストパターンの形状は第１の実施の形態のレジストパターンの形状と異なる。
【００６１】
図６は、第２の実施の形態において作製される導体層２０の残渣防止パターンＺＰを説明するための図である。
【００６２】
図６の導体層２０からなる残渣防止パターンＺＰは、スプロケットホール１０ｓと各配線パターンＨＰとの間で、テープキャリア１０の長手方向へ沿うように一列で断続的に形成されている。断続的に形成される個々の導体層２０は、それぞれ長方形状を有し、その長軸方向はテープキャリア１０の長手方向と一致している。
【００６３】
図６において、テープキャリア１０の幅方向における配線パターンＨＰと残渣防止パターンＺＰとの間の距離ａは０．０１〜２．００ｍｍであることが好ましく、０．１０〜２．００ｍｍであることがより好ましい。また、残渣防止パターンＺＰとスプロケットホール１０ｓとの間の距離ｂは０．０１〜２．００ｍｍであることが好ましく、０．１０〜２．００ｍｍであることがより好ましい。
【００６４】
なお、本実施の形態において、残渣防止パターンＺＰの個々の導体層２０の幅ｃは例えば０．０１〜１．００ｍｍであり、残渣防止パターンＺＰの個々の導体層２０の長手方向の間隔ｄは例えば０．０１〜５．００ｍｍである。さらに、残渣防止パターンＺＰの個々の導体層２０の長さｃは例えば０．０１ｍｍ以上である。
【００６５】
第２の実施の形態においては、非製品領域のレジスト膜３０にテープキャリア１０の両側縁部に沿って断続的に延びるレジスト溝Ｒが存在するので、非製品領域におけるレジスト膜３０の形成領域が小さくなる。それにより、テープキャリア１０のレジスト膜３０の除去時に、レジスト膜３０の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板の高い信頼性および歩留まりの向上を実現することができる。
【００６６】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、残渣防止パターンＺＰの形状が第１の実施の形態において用いられる残渣防止パターンＺＰの形状と異なる。換言すれば、本実施の形態のレジストパターンの形状は第１の実施の形態のレジストパターンの形状と異なる。
【００６７】
図７は、第３の実施の形態において作製される導体層２０の残渣防止パターンＺＰを説明するための図である。
【００６８】
図７の導体層２０からなる残渣防止パターンＺＰは、スプロケットホール１０ｓと各配線パターンＨＰとの間で、テープキャリア１０の長手方向へ沿うように二列で断続的に形成されている。断続的に形成される個々の導体層２０は、それぞれ長方形状を有し、その長軸方向はテープキャリア１０の長手方向と一致している。
【００６９】
図７において、テープキャリア１０の幅方向における配線パターンＨＰと残渣防止パターンＺＰとの間の距離ａは０．０１〜２．００ｍｍであることが好ましく、０．１０〜２．００ｍｍであることがより好ましい。また、残渣防止パターンＺＰとスプロケットホール１０ｓとの間の距離ｂは０．０１〜２．００ｍｍであることが好ましく、０．１０〜２．００ｍｍであることがより好ましい。
【００７０】
なお、本実施の形態において、残渣防止パターンＺＰの個々の導体層２０の幅ｆ，ｈは例えば０．０１〜１．００ｍｍであり、テープキャリア１０の幅方向に並ぶ導体層２０の間隔ｇは例えば０．０１〜３．００ｍｍである。
【００７１】
また、残渣防止パターンＺＰの個々の導体層２０の長手方向の間隔ｄは例えば０．０１〜５．００ｍｍである。さらに、残渣防止パターンＺＰの個々の導体層２０の長さｃは例えば０．０１ｍｍ以上である。
【００７２】
第３の実施の形態においては、非製品領域のレジスト膜３０においてレジスト膜３０にテープキャリア１０の幅方向において複数列となるレジスト溝Ｒが形成される。それにより、テープキャリア１０のレジスト膜３０の除去時に、レジスト膜３０の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板の高い信頼性および歩留まりの向上を実現することができる。
【００７３】
（第４の実施の形態）
第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、残渣防止パターンＺＰの形状が第１の実施の形態において用いられる残渣防止パターンＺＰの形状と異なる。換言すれば、本実施の形態のレジストパターンの形状は第１の実施の形態のレジストパターンの形状と異なる。
【００７４】
図８は、第４の実施の形態において作製される導体層２０の残渣防止パターンＺＰを説明するための図である。
【００７５】
図８の導体層２０の残渣防止パターンＺＰは、スプロケットホール１０ｓと各配線パターンＨＰとの間で、テープキャリア１０の長手方向へ沿うように断続的に形成されている。断続的に形成される個々の導体層２０は、それぞれ円形状を有する。
【００７６】
図８において、テープキャリア１０の幅方向における配線パターンＨＰと残渣防止パターンＺＰとの間の距離ａは０．０１〜２．００ｍｍであることが好ましく、０．１０〜２．００ｍｍであることがより好ましい。また、残渣防止パターンＺＰとスプロケットホール１０ｓとの間の距離ｂは０．０１〜２．００ｍｍであることが好ましく、０．１０〜２．００ｍｍであることがより好ましい。
【００７７】
なお、本実施の形態において、残渣防止パターンＺＰの個々の導体層２０の直径ｃは例えば０．０１〜１．００ｍｍであり、残渣防止パターンＺＰの個々の導体層２０の長手方向の間隔ｄは例えば０．０１〜５．００ｍｍである。
【００７８】
第４の実施の形態においては、非製品領域においてレジスト膜３０にテープキャリア１０の両側縁部に沿って所定の間隔で断続的に並ぶ複数の円形状のレジスト溝Ｒが形成される。それにより、テープキャリア１０のレジスト膜３０の除去時に、レジスト膜３０の残渣の発生を防止することができる。その結果、配線回路基板の高い信頼性および歩留まりの向上を実現することができる。
【００７９】
上記第１〜第４の実施の形態においては、図５（ｂ）の配線パターンＨＰ上に半導体チップＲＴが実装されたテープキャリア１０の部分が製品領域に相当し、導体層２０からなる残渣防止パターンＺＰおよびスプロケットホール１０ｓの形成されたテープキャリア１０の部分が非製品領域に相当し、図４に示す導体層２０の配線パターンＨＰおよび残渣防止パターンＺＰが形成されたテープキャリア１０が配線回路基板に相当する。
【００８０】
また、テープキャリア１０が長尺基板に相当し、レジスト溝Ｒが貫通部に相当し、配線パターンＨＰが配線パターンに相当し、残渣防止パターンＺＰがレジスト残渣防止用パターンに相当し、スプロケットホール１０ｓが複数の孔部に相当する。
【００８１】
さらに、図４の残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒが帯状に延びる貫通部に相当し、図７の残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒが長尺基板の幅方向において複数列となる貫通部に相当する。
【実施例１】
【００８２】
以下に示すように、実施例１の配線回路基板を作製した。
【００８３】
初めに、長尺ポリイミドフィルム（東レデュポン製カプトンＥＮ）を準備した。長尺ポリイミドフィルムの幅は幅２５０ｍｍであり、厚みは３８μｍである。
【００８４】
この長尺ポリイミドフィルムに、スパッタ蒸着法により厚み３０ｎｍのＣｒ薄膜および厚み１７０ｎｍの銅薄膜を順次形成することにより、厚み２００ｎｍの下地薄膜を形成した。
【００８５】
長尺ポリイミドフィルムおよび下地薄膜の積層体が上記各実施の形態のテープキャリア１０に相当する。
【００８６】
そして、作製された積層体の長手方向に沿った側縁部近傍に、パンチング加工を行う。これにより、積層体の厚み方向に貫通するスプロケットホール１０ｓを形成した。
【００８７】
次に、積層体の下地薄膜側の表面に厚み１５μｍの所定のパターンを有するレジスト膜３０を形成した。この所定のパターンが上記各実施の形態のレジストパターンに相当する。実施例１のレジスト膜３０としては、旭化成エレクトロニクス株式会社製のサンフォートＳＰＧ−１５２を用いた。
【００８８】
本実施例１において、残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒは積層体の長手方向に連続的に形成されている。すなわち、実施例１の残渣防止パターンＺＰは第１の実施の形態で説明した残渣防止パターンＺＰと同じ形状である。
【００８９】
本実施例１では、スプロケットホール１０ｓと、積層体の幅方向における配線パターンＨＰを形成するためのレジスト溝Ｒの側端部との間に、残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒが幅２００μｍで形成されている。
【００９０】
残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒと積層体の幅方向における配線パターンＨＰを形成するためのレジスト溝Ｒの側端部との間隔は１．０ｍｍであり、残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒと積層体の幅方向におけるスプロケットホール１０ｓの側端部との間隔は１．０ｍｍであった。
【００９１】
レジストパターンの形成された積層体を電解硫酸銅めっき液中に浸漬し、レジストパターンが形成されていない下地薄膜の部分に、２．５Ａ／ｄｍ2 で、約２０分間電解めっきを行った。これにより、下地薄膜上に厚み１０μｍの銅めっき層からなる配線パターンＨＰおよび残渣防止パターンＺＰが形成された。
【００９２】
その後、積層体のレジスト膜３０に対して１重量％の苛性ソーダ溶液を用いたスプレー処理を２分間行った。これにより、レジスト膜３０が除去された。
【００９３】
さらに、レジスト膜３０を除去することにより露出した下地薄膜をエッチングにより除去した。これにより、実施例１の配線回路基板が完成した。
【００９４】
なお、上記配線回路基板は、２５０ｍｍ幅で幅方向に４列で配置されるように作成した。
【実施例２】
【００９５】
実施例２の配線回路基板の作製方法は以下の点で実施例１の配線回路基板の作製方法と異なる。
【００９６】
初めに、長尺ステンレス箔の支持板上にポリイミド層が形成された積層体を準備した。長尺ステンレス箔の幅は幅２５０ｍｍであり、厚みは２０μｍである。ポリイミド層の厚みは２５μｍである。
【００９７】
このポリイミド層上に、スパッタ蒸着法により厚み３０ｎｍのＣｒ薄膜および厚み１７０ｎｍの銅薄膜を順次形成することにより、厚み２００ｎｍの下地薄膜を形成した。
【００９８】
長尺ステンレス箔、ポリイミド層および下地薄膜の積層体が上記各実施の形態のテープキャリア１０に相当する。
【００９９】
次に、実施例１と同様に、作製された積層体にパンチング加工を行い、スプロケットホール１０ｓを形成した。そして、積層体の下地薄膜側の表面に厚み１５μｍの所定のパターンを有するレジスト膜３０を形成した。
【０１００】
ここで、実施例２の残渣防止パターンＺＰは実施例１の残渣防止パターンＺＰと異なり、積層体の長手方向に断続的に形成されている。すなわち、実施例２の残渣防止パターンＺＰは第２の実施の形態で説明した残渣防止パターンＺＰと同じ形状である。
【０１０１】
本実施例２では、スプロケットホール１０ｓと、積層体の幅方向における配線パターンＨＰを形成するためのレジスト溝Ｒの側端部との間に、残渣防止パターンＺＰを形成するための複数のレジスト溝Ｒが幅２００μｍ、長さ３５ｍｍで形成されている。なお、積層体の長手方向において、近接するレジスト溝Ｒの間隔は３７ｍｍであった。
【０１０２】
実施例１と同様に、残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒと積層体の幅方向における配線パターンＨＰを形成するためのレジスト溝Ｒの側端部との間隔は１．０ｍｍであり、残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒと積層体の幅方向におけるスプロケットホール１０ｓの側端部との間隔は１．０ｍｍであった。
【０１０３】
その後、実施例１と同様に電解めっきを行い、下地薄膜上に厚み１０μｍの銅めっき層からなる配線パターンＨＰおよび残渣防止パターンＺＰを形成した。そして、レジスト膜３０をスプレー処理により除去し、露出した下地薄膜をエッチングにより除去した。これにより、実施例２の配線回路基板を完成した。
【０１０４】
なお、上記配線回路基板は、２５０ｍｍ幅で幅方向に４列で配置されるように作成した。
【比較例】
【０１０５】
比較例の配線回路基板の作製方法は以下の点で実施例１の配線回路基板の作製方法と異なる。
【０１０６】
比較例においては、非製品領域に残渣防止パターンＺＰを形成しない。したがって、比較例においては、長尺ポリイミドフィルムおよび下地薄膜の積層体上に所定のパターンでレジスト膜３０を形成する際に、残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒが形成されない。
【０１０７】
非製品領域に残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒが形成されないレジストパターンを用いて実施例１と同様に比較例の配線回路基板を完成した。
【０１０８】
[評価]
実施例１および実施例２の配線回路基板においては、製品領域および非製品領域ともにレジスト膜３０の残渣が発生しなかった。
【０１０９】
一方、比較例の配線回路基板においては、スプロケットホール１０ｓと配線パターンＨＰとの間の非製品領域にレジスト残渣が発生した。
【０１１０】
したがって、非製品領域に残渣防止パターンＺＰの導体層を形成する、すなわちテープキャリア１０上にレジスト膜３０を形成する際に残渣防止パターンＺＰを形成するためのレジスト溝Ｒを形成することにより、レジスト残渣の発生が防止されることが明らかとなった。
【０１１１】
このように、レジスト残渣の発生が防止されることにより、残渣防止パターンＺＰを形成して作製された配線回路基板の信頼性が向上することが明らかとなった。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明は、レジスト膜を用いて導体層をパターニングする際に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【図２】第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【図３】第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【図４】第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【図５】第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【図６】第２の実施の形態において作製される導体層の残渣防止パターンを説明するための図である。
【図７】第３の実施の形態において作製される導体層の残渣防止パターンを説明するための図である。
【図８】第４の実施の形態において作製される導体層の残渣防止パターンを説明するための図である。
【図９】サブトラクティブ法により配線パターンをテープキャリアにパターニングする一般的な方法を説明するための図である。
【図１０】サブトラクティブ法により配線パターンをテープキャリアにパターニングする一般的な方法を説明するための図である。
【図１１】サブトラクティブ法におけるレジスト膜の除去工程を説明するための拡大断面図である。
【図１２】サブトラクティブ法におけるレジスト膜の除去工程を説明するための拡大断面図である。
【図１３】セミアディティブ法を用いた従来のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を説明するための図である。
【図１４】セミアディティブ法を用いた従来のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を説明するための図である。
【図１５】セミアディティブ法を用いた従来のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１０  テープキャリア
１０ｓ  スプロケットホール
２０  導体層
３０  レジスト膜
ＨＰ  配線パターン
Ｒ  レジスト溝
ＺＰ  残渣防止パターン
【図１】
2006120867.tif 000003
【図２】
2006120867.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006120867.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006120867.tif 000011
【図１０】
2006120867.tif 000012
【図１１】
2006120867.tif 000013
【図１２】
2006120867.tif 000014
【図１３】
2006120867.tif 000015
【図１４】
2006120867.tif 000016
【図１５】
2006120867.tif 000017