(57)【要約】  【課題】  試料上における真性不良箇所を高精度で特定できるようにする。  【解決手段】  ビーム照射加熱抵抗変化測定装置を用いて、定電圧又は定電流を試料に印加すると同時に該試料に対してレーザビームを走査しながら照射し、それによる試料の抵抗変化を電流値又は電圧値として測定することによって、試料内における真性不良箇所を特定する際に、試料内における２点以上の既知の抵抗異常変化箇所１１〜１３と真性不良箇所１４との間の相対的な位置関係に基づいて、試料内における真性不良箇所１４の位置を算出する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
定電圧又は定電流を試料に印加すると同時に前記試料に対してレーザビームを走査しながら照射し、それによる前記試料の抵抗変化を電流値又は電圧値として測定することによって、前記試料内における真性不良に起因する抵抗異常変化箇所である真性不良箇所を特定するビーム照射加熱抵抗変化測定装置を用いた電子デバイスの不良箇所特定方法であって、
前記試料内における２点以上の既知の抵抗異常変化箇所と前記真性不良箇所との間の相対的な位置関係に基づいて、前記試料内における前記真性不良箇所の位置を算出することを特徴とする電子デバイスの不良箇所特定方法。
【請求項２】
定電圧又は定電流を試料に印加すると同時に前記試料に対してレーザビームを走査しながら照射し、それによる前記試料の抵抗変化を電流値又は電圧値として測定することによって、前記試料内における真性不良に起因する抵抗異常変化箇所である真性不良箇所を特定するビーム照射加熱抵抗変化測定装置を用いた電子デバイスの不良箇所特定方法であって、
前記試料内における２点以上の既知の抵抗異常変化箇所の前記試料内における座標を読み込む工程と、
前記既知の抵抗異常変化箇所の反応を画像として蓄積する工程と、
前記真性不良箇所の反応を画像として蓄積する工程と、
前記既知の抵抗異常変化箇所の前記座標と、前記既知の抵抗異常変化箇所の反応の前記画像と、前記真性不良箇所の反応の前記画像とに基づいて、前記試料内における前記真性不良箇所の座標を算出する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの不良箇所特定方法。
【請求項３】
定電圧又は定電流を試料に印加すると同時に前記試料に対してレーザビームを走査しながら照射し、それによる前記試料の抵抗変化を電流値又は電圧値として測定することによって、前記試料内における真性不良に起因する抵抗異常変化箇所である真性不良箇所を特定するビーム照射加熱抵抗変化測定装置であって、
前記試料内における２点以上の既知の抵抗異常変化箇所の前記試料内における座標が入力される入力部と、
前記入力部と接続された信号処理部とを備え、
前記信号処理部は、前記既知の抵抗異常変化箇所の反応を画像として蓄積すると共に、前記真性不良箇所の反応を画像として蓄積した後、前記入力部に入力された前記既知の抵抗異常変化箇所の前記座標と、蓄積された前記既知の抵抗異常変化箇所の反応の前記画像と、蓄積された前記真性不良箇所の反応の前記画像とに基づいて、前記試料内における前記真性不良箇所の座標を算出することを特徴とする電子デバイスの不良箇所特定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路装置等の試料にレーザビームを照射し、それに伴う試料の抵抗変化を測定するビーム照射加熱抵抗変化測定装置に関し、特に、不良箇所特定の精度向上に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置等の試料の内部に生じた真性不良を検出する装置として、レーザビームを試料に照射して該ビーム吸収に伴う試料の発熱に起因する抵抗値変化を測定するビーム照射加熱抵抗変化（Optical Beam Induced Resistance Change：以下、ＯＢＩＲＣＨと称する）測定装置がある。このＯＢＩＲＣＨ測定装置には、試料に定電圧を印加して電流変化を測定する定電圧型と、試料に定電流を流して電圧変化を測定する定電流型とがある。
【０００３】
定電流型のＯＢＩＲＣＨ測定装置の一例として、特許文献１に記載された装置がある。
【０００４】
図４は、従来の電子デバイスの不良箇所特定装置の構成を示す図である。図４に示すように、従来の電子デバイスの不良箇所特定装置は、被測定試料４５にレーザビームを照射する光源であるレーザ発生部４３を備えている。また、被測定試料４５とレーザ発生部４３との間には、被測定試料４５におけるレーザビームの入射方向と直交する２次元方向にレーザビームをラスタースキャンさせるレーザ走査部４４が配置されている。これにより、レーザ発生部４３から射出されたレーザビームを被測定試料４５に対して走査しながら照射することができる。また、従来の電子デバイスの不良箇所特定装置は、被測定試料４５にそれぞれ接続された定電流印加部４６及び電圧変化検出部４７を備えていると共に、電圧変化検出部４７に接続された信号処理部４１を備えている。さらに、信号処理部４１は、レーザ走査部４４、出力部４２及び撮像装置４８に接続されている。出力部４２は、撮像装置像４９及びＯＢＩＲＣＨ反応箇所５０を出力する。
【０００５】
以下、図４に示すＯＢＩＲＣＨ測定装置による従来の電子デバイスの不良箇所特定方法について説明する。
【０００６】
レーザ発生部４３から射出されたレーザビームは、レーザ走査部４４によって光路に対して直交する２次元方向にラスタースキャンされて被測定試料４５の表面の微細部分に照射される。この走査は信号処理部４１によって制御される。尚、被測定試料４５内には、定電流印加部４６により予め所定の電流が流されている。被測定試料４５におけるレーザビームが照射されている箇所では、レーザビームの吸収によって温度が上昇し、その結果、該箇所の抵抗率が変化して試料全体に印加される電圧の大きさが変化する。このとき、被測定試料４５におけるボイド等の真性不良が存在する箇所では熱伝導が悪いため、当該箇所にレーザを照射した場合、当該箇所の周囲に熱が逃げにくいので、当該箇所の温度上昇が他の箇所に比べて大きくなる。従って、当該箇所における温度上昇に伴う抵抗率変化も大きくなり、その結果、電圧値変化も大きくなる。
【０００７】
図４に示すＯＢＩＲＣＨ測定装置においては、このような被測定試料４５における電圧変化を電圧変化検出部４７によって検出して信号処理部４１に転送する。信号処理部４１は、この電圧値変化を輝度信号に変換し、被測定試料４５におけるレーザビーム照射位置と対応するように配列された画像情報を生成することによって、ＯＢＩＲＣＨ反応箇所５０を得る。さらに、信号処理部４１は、撮像装置４８により撮影された被測定試料４５の画像情報である撮像装置像４９を読み込み、撮像装置像４９とＯＢＩＲＣＨ反応箇所５０とを重ね合わせて出力部４２に出力する。これにより、被測定試料４５における不良箇所を画像として確認することができる。尚、図４の撮像装置４８の右側の太線はハーフミラーであって、該ハーフミラーを用いて被測定試料４５からの反射光を撮像装置４８に入射させることによって画像情報が得られる。
【特許文献１】特開平１１−１１８８８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前述の従来のＯＢＩＲＣＨ測定装置の構成においては、撮像装置４８により撮影された被測定試料４５の画像情報が鮮明ではないため、ＯＢＩＲＣＨ反応箇所５０が被測定試料４５の実レイアウトにおけるどの位置に対応しているか判断できない場合がある。すなわち、従来の電子デバイスの不良箇所特定装置及びそれを用いた不良箇所特定方法によると、ＯＢＩＲＣＨ反応箇所５０の被測定試料４５上における具体的位置を特定できないという問題がある。また、微細化が進むに従って撮像装置４８により撮影された被測定試料４５の画像情報はより不鮮明になるので、前述の問題は一層深刻になる。
【０００９】
本発明は、上記の課題に鑑みて、ＯＢＩＲＣＨ反応箇所つまり試料上における具体的な不良箇所を高精度で特定する方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するために、本発明に係る第１の電子デバイスの不良箇所特定方法は、定電圧又は定電流を試料に印加すると同時に該試料に対してレーザビームを走査しながら照射し、それによる試料の抵抗変化を電流値又は電圧値として測定することによって、試料内における真性不良に起因する抵抗異常変化箇所である真性不良箇所を特定するビーム照射加熱抵抗変化測定装置を用いた電子デバイスの不良箇所特定方法であって、試料内における２点以上の既知の抵抗異常変化箇所と真性不良箇所との間の相対的な位置関係に基づいて、試料内における真性不良箇所の位置を算出する。
【００１１】
第１の電子デバイスの不良箇所特定方法によると、試料内における２点以上の既知の抵抗異常変化箇所と真性不良箇所との間の相対的な位置関係に基づいて、真性不良箇所の試料内における位置を算出する。このため、従来技術のように、ビーム照射加熱抵抗変化測定装置により得られた試料の画像情報とＯＢＩＲＣＨ反応箇所とを重ね合わせて真性不良箇所の位置を求める必要がないので、試料の画像情報が不鮮明である場合においても、試料内の真性不良箇所の具体的な位置を容易に且つ精度良く特定することができる。
【００１２】
本発明に係る第２の電子デバイスの不良箇所特定方法は、定電圧又は定電流を試料に印加すると同時に該試料に対してレーザビームを走査しながら照射し、それによる試料の抵抗変化を電流値又は電圧値として測定することによって、試料内における真性不良に起因する抵抗異常変化箇所である真性不良箇所を特定するビーム照射加熱抵抗変化測定装置を用いた電子デバイスの不良箇所特定方法であって、試料内における２点以上の既知の抵抗異常変化箇所の試料内における座標を読み込む工程と、既知の抵抗異常変化箇所の反応を画像として蓄積する工程と、真性不良箇所の反応を画像として蓄積する工程と、既知の抵抗異常変化箇所の座標と、既知の抵抗異常変化箇所の反応の画像と、真性不良箇所の反応の画像とに基づいて、試料内における真性不良箇所の座標を算出する工程とを備えている。
【００１３】
第２の電子デバイスの不良箇所特定方法によると、既知の抵抗異常変化箇所の座標と、既知の抵抗異常変化箇所の反応の画像と、真性不良箇所の反応の画像とに基づいて、真性不良箇所の試料内における座標を算出する。このため、従来技術のように、ビーム照射加熱抵抗変化測定装置により得られた試料の画像情報とＯＢＩＲＣＨ反応箇所とを重ね合わせて真性不良箇所の座標を求める必要がないので、試料の画像情報が不鮮明である場合にも、試料内の真性不良箇所の具体的な座標を容易に且つ精度良く特定することができる。
【００１４】
本発明に係る電子デバイスの不良箇所特定装置は、定電圧又は定電流を試料に印加すると同時に該試料に対してレーザビームを走査しながら照射し、それによる試料の抵抗変化を電流値又は電圧値として測定することによって、試料内における真性不良に起因する抵抗異常変化箇所である真性不良箇所を特定するビーム照射加熱抵抗変化測定装置であって、試料内における２点以上の既知の抵抗異常変化箇所の試料内における座標が入力される入力部と、入力部と接続された信号処理部とを備え、信号処理部は、既知の抵抗異常変化箇所の反応を画像として蓄積すると共に、真性不良箇所の反応を画像として蓄積した後、入力部に入力された既知の抵抗異常変化箇所の座標と、蓄積された既知の抵抗異常変化箇所の反応の画像と、蓄積された真性不良箇所の反応の画像とに基づいて、試料内における真性不良箇所の座標を算出する。
【００１５】
本発明の電子デバイスの不良箇所特定装置によると、既知の抵抗異常変化箇所の座標と、既知の抵抗異常変化箇所の反応の画像と、真性不良箇所の反応の画像とに基づいて、真性不良箇所の試料内における座標を算出する。このため、従来技術のように、ビーム照射加熱抵抗変化測定装置により得られた試料の画像情報とＯＢＩＲＣＨ反応箇所とを重ね合わせて真性不良箇所の座標を求める必要がないので、試料の画像情報が不鮮明である場合においても、試料内の真性不良箇所の具体的な座標を容易に且つ精度良く特定することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、ビーム照射加熱抵抗変化測定装置を用いて、定電圧又は定電流を試料に印加すると同時に該試料に対してレーザビームを走査しながら照射し、それによる試料の抵抗変化を電流値又は電圧値として測定することによって試料の真性不良箇所を特定する際に、ビーム照射加熱抵抗変化測定装置により得られた試料の画像情報が不鮮明であったとしても、試料内の真性不良箇所の具体的な位置又は座標を容易に且つ精度良く特定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定方法について、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定方法は、定電圧又は定電流を半導体集積回路装置等の試料に印加すると同時に該試料に対してレーザビームを走査しながら照射し、それによる試料の抵抗変化を電流値又は電圧値として測定することによって、試料内における真性不良に起因する抵抗異常変化箇所である真性不良箇所を特定するビーム照射加熱抵抗変化測定装置、例えば図３に示す第２の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定装置を用いて実施される。
【００１８】
図１は、第１の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定方法を説明するための図であり、具体的には、ビーム照射加熱抵抗変化測定装置により得られたＯＢＩＲＣＨ反応の画像を模式的に示した図である。図１に示すように、試料となる電子デバイス（例えば半導体集積回路装置等）には、既知の抵抗異常変化箇所である第１の既知反応箇所１１、第２の既知反応箇所１２及び第３の既知反応箇所１３、並びに真性不良に起因する抵抗異常変化箇所である真性不良反応箇所１４が存在する。ここで、第１の既知反応箇所１１と第２の既知反応箇所１２との間の距離をａとし、第１の既知反応箇所１１と第３の既知反応箇所１３との間の距離をｂとし、第１の既知反応箇所１１と真性不良反応箇所１４との間の横方向（第１の既知反応箇所１１から見た第２の既知反応箇所１２の方向）距離をｘとし、第１の既知反応箇所１１と真性不良反応箇所１４との間の縦方向（第１の既知反応箇所１１から見た第３の既知反応箇所１３の方向）距離をｙとする。
【００１９】
尚、本願において、既知の抵抗異常変化つまり既知の反応とは、電子デバイスに設けられている正常な素子等におけるＯＢＩＲＣＨ反応を意味し、その一例としては、例えば電子デバイス上に設けられた抵抗素子等におけるＯＢＩＲＣＨ反応がある。一方、真性不良に起因する抵抗異常変化つまり真性不良反応とは、電子デバイスの不良箇所におけるＯＢＩＲＣＨ反応を意味し、その一例としては、電子デバイスに設けられたコンタクト等に生じたボイド等におけるＯＢＩＲＣＨ反応がある。
【００２０】
以下、図１を参照しながら、第１の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定方法について説明する。
【００２１】
まず、図１に示すＯＢＩＲＣＨ反応の画像に基づいて、第１の既知反応箇所１１と第２の既知反応箇所１２との間の距離ａ、及び第１の既知反応箇所１１と第３の既知反応箇所１３との間の距離ｂを求める。
【００２２】
次に、図１に示すＯＢＩＲＣＨ反応の画像に基づいて、第１の既知反応箇所１１と真性不良反応箇所１４との間の横方向距離ｘ及び縦方向距離ｙを求める。以上のように求めた距離ａ、ｂ、ｘ及びｙを用いて、既知反応箇所１１〜１３と真性不良反応箇所１４との間の相対的な位置関係が算出される。また、既知反応箇所１１〜１３のそれぞれの電子デバイス上における位置は予め分かっているので、求めた距離ａ、ｂ、ｘ及びｙ、つまり前記の相対的な位置関係に基づいて、真性不良反応箇所１４の電子デバイス上における位置を具体的に特定できる。
【００２３】
以上に説明したように、第１の実施形態によると、試料となる電子デバイス上に既知の反応箇所を複数設けることにより、次のような効果が得られる。すなわち、試料内における２点以上の既知の反応箇所と真性不良箇所との相対的な位置関係に基づいて、試料内における真性不良箇所の位置を算出する。このため、従来技術のように、ビーム照射加熱抵抗変化測定装置により得られた試料の画像情報とＯＢＩＲＣＨ反応箇所とを重ね合わせて真性不良箇所の位置を求める必要がないので、試料の画像情報が不鮮明である場合においても、試料内の真性不良箇所の具体的な位置を容易に且つ精度良く特定できる。
【００２４】
尚、第１の実施形態において、既知の反応箇所を３点としたが、既知の反応箇所は２点以上であれば幾つであってもよい。また、既知の反応箇所の数が多くなるに従って、試料内における真性不良箇所の位置をより精度良く特定できることは言うまでもない。尚、既知の反応箇所が２点の場合又は３点以上あって各点が一直線上に存在する場合、画像上の横方向及び縦方向のスケール（縮尺）が同じであれば、真性不良箇所の位置つまり２次元座標を求めることができる。
【００２５】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定方法及び電子デバイスの不良箇所特定装置について、図面を参照しながら説明する。尚、第２の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定装置は、定電圧又は定電流を半導体集積回路装置等の試料に印加すると同時に該試料に対してレーザビームを走査しながら照射し、それによる試料の抵抗変化を電流値又は電圧値として測定することによって、試料内における真性不良に起因する抵抗異常変化箇所である真性不良箇所を特定するビーム照射加熱抵抗変化測定装置である。
【００２６】
図２は、第２の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定方法のフローチャートである。
【００２７】
また、図３は、第２の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定装置、つまり第２の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定方法において用いる不良箇所特定装置の構成を示す図である。
【００２８】
図３に示すように、本実施形態の電子デバイスの不良箇所特定装置は、被測定試料３７にレーザビームを照射する光源であるレーザ発生部３５を備えている。また、被測定試料３７とレーザ発生部３５との間には、被測定試料３７におけるレーザビームの入射方向と直交する２次元方向にレーザビームをスキャンさせるレーザ走査部３６が配置されている。これにより、レーザ発生部３５から射出されたレーザビームをレーザ走査部３６によって制御しながら被測定試料３７に照射することができる。また、本実施形態の電子デバイスの不良箇所特定装置は、被測定試料３７にそれぞれ接続された定電流印加部３８及び電圧変化検出部３９を備えていると共に、電圧変化検出部３９に接続された信号処理部３２を備えている。定電流印加部３８からの信号は電圧変化検出部３９にも入力される。さらに、信号処理部３２は、レーザ走査部３６、入力部３１及び出力部３３に接続されている。本実施形態の特徴として、入力部３１には、被測定試料３７内における２点以上の既知の抵抗異常変化箇所の試料内における座標が入力される。また、本実施形態の特徴として、信号処理部３２は、既知の抵抗異常変化箇所におけるＯＢＩＲＣＨ反応を画像として蓄積すると共に、真性不良箇所におけるＯＢＩＲＣＨ反応を画像として蓄積した後、入力部３１に入力された既知の抵抗異常変化箇所の座標と、蓄積された既知の抵抗異常変化箇所の反応の画像と、蓄積された真性不良箇所の反応の画像とに基づいて、被測定試料３７内における真性不良箇所の座標を算出する。算出された真性不良箇所の座標は信号処理部３２から出力部３３に転送され、該出力部３３が真性不良箇所の座標を出力する。
【００２９】
以下、図３に示すＯＢＩＲＣＨ測定装置による本実施形態の電子デバイスの不良箇所特定方法について、図２のフローチャートを参照しながら説明する。
【００３０】
まず、ステップＳ２１において、被測定試料３７である例えば電子デバイスにおける２点以上の既知の抵抗異常変化箇所である既知の反応部位の電子デバイス上における絶対座標を入力部３１に入力する。ここで、絶対座標とは、電子デバイス（チップ）内に原点を設定した場合の座標を意味し、それに対して、相対座標とは、真性不良箇所に近い既知の反応部位を原点に設定した場合の座標を意味する。
【００３１】
次に、ステップＳ２２において、既知の反応部位におけるＯＢＩＲＣＨ反応の画像（以下、既知の反応画像という）、及び真性不良箇所におけるＯＢＩＲＣＨ反応の画像（以下、真性不良反応画像という）を信号処理部３２に取り込む。信号処理部３２におけるこれらの画像の取り込みの具体的内容は次の通りである。
【００３２】
光源であるレーザ発生部３５から射出されたレーザビームは、信号処理部３２により制御されるレーザ走査部３６によってビーム入射方向に対して直交する２次元方向にラスタースキャンされて被測定試料３７に照射される。ここで、被測定試料３７には定電流印加部３８が接続されており、該定電流印加部３８によって被測定試料３７に定電流が印加される。被測定試料３７におけるレーザビームが照射されている箇所では、レーザビームの吸収によって温度が上昇し、その結果、該箇所の抵抗率が変化して被測定試料３７全体に印加される電圧の大きさが変化する。このとき、被測定試料３７における既知の反応部位及び真性不良反応部位では熱伝導が悪いため、当該部位にレーザを照射した場合、当該部位の周囲に熱が逃げにくいので、当該部位の温度上昇が他の部位に比べて大きくなる。従って、当該部位における温度上昇に伴う抵抗率変化も大きくなり、その結果、電圧値変化も大きくなる。図３に示すＯＢＩＲＣＨ測定装置においては、このような被測定試料３７における電圧変化を電圧変化検出部３９によって検出して信号処理部３２に転送する。信号処理部３２は、この電圧値変化を輝度信号に変換し、被測定試料３７におけるレーザビーム照射位置と対応するように配列された画像情報（前述の既知の反応画像及び真性不良反応画像を含む）を生成して蓄積する。
【００３３】
次に、ステップＳ２３において、入力部３１に入力された既知の反応部位の絶対座標と、既知の反応画像との対応付けを信号処理部３２により行なう。
【００３４】
次に、ステップＳ２４において、ステップＳ２３でなされた対応付けの結果を踏まえて、入力部３１に入力された既知の反応部位の座標と、取り込まれた既知の反応画像と、取り込まれた真性不良反応画像とに基づいて、被測定試料３７における真性不良反応部位の絶対座標を信号処理部３２により算出する。具体的には、既知の反応画像と真性不良反応画像との対比に基づいて既知の抵抗異常変化箇所の絶対座標と真性不良箇所の絶対座標との間の位置関係を求め、該位置関係に基づいて、第１の実施形態の方法によって真性不良箇所の位置を算出する。
【００３５】
最後に、ステップＳ２５において、信号処理部３２によって算出された真性不良反応部位の絶対座標が出力部３３に転送されて出力される。これにより、本実施形態の電子デバイスの不良箇所特定方法における一連の工程が終了する。
【００３６】
以上に説明したように、第２の実施形態によると、試料となる電子デバイス上における既知の抵抗異常変化箇所の座標と、既知の抵抗異常変化箇所におけるＯＢＩＲＣＨ反応の画像と、真性不良箇所におけるＯＢＩＲＣＨ反応の画像とに基づいて、電子デバイス上における真性不良箇所の座標を算出する。このため、従来技術のように、ビーム照射加熱抵抗変化測定装置により得られた試料の画像情報とＯＢＩＲＣＨ反応箇所とを重ね合わせて真性不良箇所の座標を求める必要がないので、試料の画像情報が不鮮明である場合においても、試料内の真性不良箇所の具体的な座標を容易に且つ精度良く特定できる。
【００３７】
尚、第２の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定装置において、入力部３１と信号処理部３２とがそれぞれ別個に設けられた構成を用いたが、これに代えて、入力部３１を信号処理部３２に含めた構成を用いてもよい。
【００３８】
また、第２の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定方法のステップＳ２１において、被測定試料３７である電子デバイスにおける２点以上の既知の抵抗異常変化箇所である既知の反応部位の電子デバイス上における絶対座標を入力部３１に入力する方法として、例えば被測定試料３７である電子デバイスのパターンレイアウトと、該パターンレイアウト上における既知の反応部位の位置情報とを入力部３１に入力してもよい。また、この場合、ステップＳ２５において、出力部３３が真性不良反応部位の絶対座標を出力する方法として、前記のパターンレイアウト上に真性不良箇所を表示してもよい。
【００３９】
また、第２の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定装置として、定電流を試料に印加すると同時に該試料に対してレーザビームを走査しながら照射し、それによる試料の抵抗変化を電圧値として測定することによって、試料内における真性不良箇所を特定するビーム照射加熱抵抗変化測定装置、つまり定電流印加部３８及び電圧変化検出部３９を備えたビーム照射加熱抵抗変化測定装置を対象とした。しかし、これに代えて、定電圧を試料に印加すると同時に該試料に対してレーザビームを走査しながら照射し、それによる試料の抵抗変化を電流値として測定することによって、試料内における真性不良箇所を特定するビーム照射加熱抵抗変化測定装置、つまり定電流印加部３８及び電圧変化検出部３９に代えて定電圧印加部及び電流変化検出部を備えたビーム照射加熱抵抗変化測定装置を対象としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
以上に説明したように、本発明は、半導体集積回路装置等の試料にレーザビームを照射し、それに伴う試料の抵抗変化を測定するビーム照射加熱抵抗変化測定装置に関し、電子デバイスの不良箇所特定に利用した場合に不良箇所特定の精度が向上するという効果が得られ非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定方法を説明するための図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定方法のフローチャートである。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの不良箇所特定装置の構成を示す図である。
【図４】従来の電子デバイスの不良箇所特定装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１１    第１の既知反応箇所
１２    第２の既知反応箇所
１３    第３の既知反応箇所
１４    真性不良反応箇所
３１    入力部
３２    信号処理部
３３    出力部
３５    レーザ発生部
３６    レーザ走査部
３７    被測定試料
３８    定電流印加部
３９    電圧変化検出部
【図１】
2006064586.tif 000003
【図２】
2006064586.tif 000004
【図３】
2006064586.tif 000005
【図４】
2006064586.tif 000006