(57)【要約】【課題】  転写式の電子ビーム露光装置における電子ビームによるマスクの走査に起因する発熱の問題を解決することを目的とする。【解決手段】  電子線露光装置１を、予め定めた所定の電子ビーム照射位置間の間隔である所定の走査ピッチよりも大きな飛び越し走査ピッチで電子ビーム１５を走査する走査手段５２と、走査手段５２による電子ビーム１５の走査に位置オフセットを与えるオフセット手段５３と、オフセット手段５３による位置オフセットを変えながら、走査手段５２による電子ビーム１５の走査を反復する走査反復手段５１とを備えて構成する。【選択図】      図４
2006210498.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線源により生じる電子ビームを、露光パターンに応じたマスクパターンを有するマスク上で所定の走査ピッチにて走査し、前記マスクを通過した前記電子ビームで、試料表面に前記露光パターンを露光する電子線露光方法であって、
前記マスク上での前記電子ビームの走査を、前記所定の走査ピッチより大きな飛び越し走査ピッチにて行うとともに、位置オフセットを加えながら前記走査を繰り返し行うことを特徴とする電子線露光方法。
【請求項２】
電子線源により生じる電子ビームを、露光パターンに応じたマスクパターンが設けられたメンブレン部を有するマスク上で走査し、前記マスクを通過した前記電子ビームで、試料表面に前記露光パターンを露光する電子線露光方法であって、
前記電子ビームを、前記メンブレン部の周辺部に照射して予熱することを特徴とする電子線露光方法。
【請求項３】
電子線源により生じる電子ビームを、露光パターンに応じたマスクパターンが設けられたメンブレン部を有するマスク上で所定の走査ピッチにて走査し、前記マスクを通過した前記電子ビームで、試料表面に前記露光パターンを露光する電子線露光方法であって、
前記電子ビームを、前記メンブレン部の周辺部に照射して予熱し、
前記マスク上での前記電子ビームの走査を、前記所定の走査ピッチより大きな飛び越し走査ピッチにて行うとともに、位置オフセットを加えながら前記走査を繰り返し行う、
ことを特徴とする電子線露光方法。
【請求項４】
主走査方向の走査ピッチを前記飛び越し走査ピッチとするとともに、
前記主走査方向に位置オフセットを加えながら前記走査を繰り返すことを特徴とする請求項１又は３に記載の電子線露光方法。
【請求項５】
副走査方向の走査ピッチを前記飛び越し走査ピッチとするとともに、
前記副走査方向に位置オフセットを加えながら前記走査を繰り返すことを特徴とする請求項１又は３に記載の電子線露光方法。
【請求項６】
前記電子ビームを、前記メンブレン部の周辺部を周回して照射することを特徴とする請求項２又は３に記載の電子線露光方法。
【請求項７】
電子ビームを生じる電子線源と、露光パターンに応じたマスクパターンが設けられたマスクと、該電子線源により生じる前記電子ビームを偏向する偏向手段と、を備え、前記電子ビームを前記マスク上で所定の走査ピッチにて走査し、前記マスクを通過した前記電子ビームで、試料表面に前記露光パターンを露光する電子線露光装置であって、
前記偏向手段によって、前記所定の走査ピッチより大きい飛び越し走査ピッチで前記電子ビームを走査する走査手段と、
前記走査手段による前記電子ビームの走査に位置オフセットを与えるオフセット手段と、
該オフセット手段による位置オフセットを変えながら、前記走査手段による前記電子ビームの走査を反復する走査反復手段と、
をさらに備えることを特徴とする電子線露光装置。
【請求項８】
電子ビームを生じる電子線源と、露光パターンに応じたマスクパターンが設けられたメンブレン部を有するマスクと、該電子線源により生じる前記電子ビームを偏向する偏向手段と、を備え、前記電子ビームを偏向して前記マスク上で走査し、前記マスクを通過した前記電子ビームで、試料表面に前記露光パターンを露光する電子線露光装置であって、
前記偏向手段により、前記電子ビームを前記メンブレン部の周辺部に照射してするよう偏向して、該周辺部を予熱する予熱手段を備えることを特徴とする電子線露光装置。
【請求項９】
電子ビームを生じる電子線源と、露光パターンに応じたマスクパターンが設けられたメンブレン部を有するマスクと、該電子線源により生じる前記電子ビームを偏向する偏向手段と、を備え、前記電子ビームを前記マスク上で所定の走査ピッチにて走査し、前記マスクを通過した前記電子ビームで、試料表面に前記露光パターンを露光する電子線露光装置であって、
前記偏向手段により、前記電子ビームを前記メンブレン部の周辺部に照射してするよう偏向して、該周辺部を予熱する予熱手段と、
前記偏向手段によって、前記所定の走査ピッチより大きい飛び越し走査ピッチで前記電子ビームを走査する走査手段と、
前記走査手段による前記電子ビームの走査に位置オフセットを与えるオフセット手段と、
該オフセット手段による位置オフセットを変えながら、前記走査手段による前記電子ビームの走査を反復する走査反復手段と、
をさらに備えることを特徴とする電子線露光装置。
【請求項１０】
前記走査手段は、主走査方向について前記所定の走査ピッチより大きい飛び越し走査ピッチで前記電子ビームを偏向して走査し、
前記オフセット手段は、前記主走査方向に位置オフセットを与えることを特徴とする請求項７又は９に記載の電子線露光装置。
【請求項１１】
前記走査手段は、副走査方向について前記所定の走査ピッチより大きい飛び越し走査ピッチで前記電子ビームを偏向して走査し、
前記オフセット手段は、前記副走査方向に位置オフセットを与えることを特徴とする請求項７又は９に記載の電子線露光装置。
【請求項１２】
前記予熱手段は、前記電子ビームを前記メンブレン部の周辺部を周回して照射してするよう偏向することを特徴とする請求項８又は９に記載の電子線露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路などの製造工程で使用され、電子線源により発生させた電子ビームを偏向し、露光パターンに対応するマスクパターンを有するマスク上で走査させて露光パターンを露光する電子線露光方法及び電子線露光装置に関し、特に電子線源から生じた電子ビームをマスク上で走査を行うための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の集積度は微細加工技術により規定されており、微細加工技術には一層の高性能が要求されている。特に、露光技術においては、ステッパなどに用いられるフォトリソグラフィの技術的な限界が予想されており、一層の微細化を難しくしている。この限界を打ち破る技術として電子ビーム露光技術が注目されている。
【０００３】
電子ビーム露光装置には、一筆書き方式、可変矩形方式、ブロックマスク方式など各種の方式があるが、いずれの電子ビーム露光装置も高解像の微細なパターンを露光することができるが、スループットが小さいという問題があった。そこで、１チップ（ダイ）又は複数チップの大きさのパターンに対応する開口パターンを有するマスクを作成し、マスクを通過して整形された電子ビームをウエハに照射することにより、１回の露光で１チップ又は複数チップのパターンを露光できる方式が実用化されている。ここではこの方式の電子ビーム露光装置を転写方式の電子ビーム露光装置と呼ぶ。
【０００４】
なお、上記のような１チップ又は複数チップのパターンを有するマスクではなく、１チップのパターンを数分の１から数十分の１の大きさの子パターンに分割し、各子パターンを有する複数種類のマスクを作成し、各子マスクを通過した電子ビームパターンをつなぎ合わせて１チップのパターンを露光する方式もあり、このような方式も転写方式に含まれるものとする。
【０００５】
更に、転写方式の電子ビーム露光装置では環状のパターンは１個のマスクでは露光できないので、環状のパターンを露光するには２個以上のマスクを用いる必要がある。更に、後述するようにマスクのパターン部分は非常に薄くする必要があり、マスクの１チップのパターン全域をこのように薄くするのは難しいので、独立した複数のパターン領域を有し、パターン領域以外の部分は厚いリブを有する３個以上のマスクを用意し、各マスクのパターン領域のパターンを組み合わせることにより１個のチップのパターンが形成できるようにすることも考えられるが、この方式も転写方式に含まれるものとする。
【０００６】
転写方式の電子ビーム露光装置には、下記特許文献１、およびこれに対応する日本国特許出願である下記特許文献２に開示された、露光するパターンと同じ大きさのパターンを有するマスクをウエハに近接して配置し、電子ビームをマスクに照射してマスクの開口を通過した電子ビームパターンをそのままウエハに露光する近接露光方式と、露光するパターンの数倍（等倍の場合を含む）の大きさのパターンを有するマスクを配置し、電子ビームをマスクに照射してマスクの開口を通過した電子ビームパターンを電磁レンズなどで所定の倍率に縮小してウエハ上に投影する投影方式がある。
【０００７】
図１は、転写方式の電子ビーム露光装置の構成例を示す図であり、（Ａ）は近接露光方式の電子ビーム露光装置を、（Ｂ）は投影方式の電子ビーム露光装置を示し、（Ｂ）は電子光学鏡筒（コラム）とウエハの部分のみを示す。
図１（Ａ）に示すように、近接露光方式の電子ビーム露光装置は、コラム１０と真空チャンバ８とを備え、両方の内部は真空状態である。コラム１０は、電子ビームを発生する電子ビーム源（電子銃）１４と、電子ビーム１５を平行ビームにするレンズ１８と、主偏向器２０と、副偏向器２１とを有する。真空チャンバ８は、マスク３０を保持して移動するマスクステージ３６と、試料であるウエハ４０を保持して移動するウエハステージ４４とを有する。
【０００８】
図２は、マスク３０の構造を示す図である。図２の（Ａ）はマスク３０の平面図を示し、図２の（Ｂ）は、マスク３０の断面図を示す。図示のように、マスク３０は、円環状のベース３１と、ベース３１に貼り付けられたマスク基板３２とを有する。マスク基板３２の中央部分にはメンブレン部（薄膜部）３３が設けられており、このメンブレン部の中央の参照番号３４で示す領域（パターン領域）に、開口が設けられている。例えば、開口の線幅が０．１μｍであれば、メンブレン部３３の厚さは０．５μｍ程度であることが必要である。
【０００９】
メンブレン部３３の表面には周辺部に向かって引っ張る力が働く膜が形成され、その膜がメンブレン部３３を平面に保持する。しかし、メンブレン部３３が大きくなるとそれだけでは平面に保持するのが難しい。そこで、メンブレン部３３にマスク基板３２と同じ厚さのリブを設け、リブの間をパターン領域３４とする。このようなマスクを３個以上用意し、各マスクのパターン領域３４を組み合わせて全パターン領域のパターンが得られるようにすることが考えられる。これであれば、約３個のマスクを使用して露光を行えば、１チップの全パターンが約３回の露光で得られる。
【００１０】
図１に戻り、マスク基板３２はウエハ４０の表面に非常に近接して、例えば、５０μｍ程度の間隔で配置される。
一方、投影方式の電子ビーム露光装置は、図１の（Ｂ）に示すように電子ビームを発生する電子ビーム源（電子銃）１４と、電子ビーム１５を平行ビームにするレンズ１８と、主偏向器２０と、マスク６０と、マスクを通過した電子ビームをウエハステージ４４に保持されたウエハ上に投影する投影レンズ７０とを有する。マスク３０を保持して移動するマスクステージ３６も設けられるが、ここでは省略している。
【００１１】
近接露光方式と投影方式の電子ビーム露光装置では、マスクに平行な電子ビームを照射し、マスクの開口を通過した整形された電子ビームをウエハに照射して露光を行う。均一な露光を行うためには、マスクの全パターン領域に渡って一様な強度の電子ビームを照射する必要がある。電子ビームに強度むらがあると、露光パターンに強度むらが生じる。
【００１２】
しかし、１０ｍｍ×１０ｍｍの１チップのパターンを１個のマスクで露光する場合、近接露光方式ではマスクのパターン領域は１０ｍｍ×１０ｍｍであり、１／４縮小の投影式ではマスクのパターン領域は４０ｍｍ×４０ｍｍになる。このようなパターン領域を一様な強度でカバーする電子ビームを生成するのは非常に難しい。そこで、図３の（Ａ）に示すように、小さな平行電子ビーム１５でメンブレン部３３又はパターン領域３４を走査して全パターン領域を露光することが行われる。この例では、一方向（ｘ方向）に走査した後、隣接する走査線の間隔Ｐだけ走査位置を（ｙ方向に）ずらした後逆方向に走査する動作を繰り返す。
【００１３】
図１の主偏向器２０は、平行電子ビーム１５を走査するための偏向器であり、電子ビームを一旦偏向した後、同じ量だけ振り戻すことにより電子ビームはマスクに垂直に入射しながら走査される。
電子ビーム１５を走査する際には、主偏向器２０に、電子ビーム１５の走査位置に応じた偏向指令信号が順次印加される。例え、図３（Ｂ）に示すように、主走査方向についての偏向指令信号（主走査偏向指令信号）を、主走査幅Δｘに対応する信号強度幅に渡って、時間間隔で発生するクロック信号ＣＬＫ毎に走査ピッチＰｘ０（主走査方向走査ピッチ）に対応する信号強度幅分だけ順次増加してゆく。そして走査ピッチＰｙ０（副走査方向走査ピッチ）だけ対応する信号幅だけ、副走査方向についての偏向指令信号（副走査偏向指令信号）を増加させ、その後主走査偏向指令信号を主走査幅Δｘに対応する信号幅に渡って、クロック信号ＣＬＫ毎にピッチＰｘ０に対応する信号強度幅分だけ減少させることを繰り返す。このようにして、電子ビーム１５は、走査ピッチＰｘ０及びＰｙ０を隔てて定められた各照射位置（図３（Ｂ）においてドットで示す）上を、図３（Ｂ）で示す点線にて示される軌跡に沿って移動する。
これらの各偏向指令値は、スキャン・カウンタ（図示せず）などのカウンタ回路を使用したディジタル信号として生成されたのち、ディジタルアナログ変換器と増幅器を介して主偏向器２０に印加される。
【００１４】
また、図３（Ｂ）に示すように、走査のピッチＰを平行電子ビーム１５の大きさＬに比べて十分に小さくすることにより、露光強度は平均化されるため露光むらが低減できる。これにより走査回数は増加するが、電子ビームの走査は高速に行うことが可能であり、走査回数の増加による露光時間の増加の影響は小さい。
【００１５】
【特許文献１】米国特許第5,831,272号明細書
【特許文献２】日本特許第2951947号公報
【特許文献３】特開2004-158542号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
電子ビームは電子の流れであり、電子ビームが絶縁性の表面に照射されると表面に電荷が蓄積され、電界を発生する。電子ビームは、電界に影響されるので、電子ビームの経路付近に不用な電界が発生するのは好ましくなく、マスクは少なくとも表面が導電性の材料で作られ、その部分は接地される。従って、マスクに照射された電子ビームのうち開口以外の部分に入射した電子ビームは電流となってマスクを流れ、熱を発生させる。
【００１７】
上記のようにマスクのメンブレン部３３は非常に薄い膜であり、少しの熱でも膨張し、熱が局部的に発生するとその部分と周辺部の温度勾配が大きくなり、マスクの歪みや変形を生じる。特に、線幅が一層細くなった場合には、その分マスクのメンブレン部３３の厚さも薄くなり、電気抵抗が大きくなると共に、熱容量も小さくなるので、電子ビームによる発熱の影響が大きくなる。特許文献１及び特許文献２に開示された電子ビーム露光方法は、電子ビームの電流量が非常に小さいことを特徴とするが、少量の発熱は避けられない。
【００１８】
しかし、従来のマスクの走査では、走査ピッチＰｘ０及びＰｙ０を隔てて定められた各照射位置間を走査する際は、主走査方向に隣接しあう照射位置を順次続けて電子ビーム１５を位置づけるように走査し、また副走査方向に隣接する一回の主走査を続けて行うこととしていた。これは、走査経路をできるだけ短縮して走査時間を短くするためである。
電子ビームの照射によるマスクでの発熱は走査位置に応じて発生するので、図３のような走査を行う場合、上辺で熱が発生し、発熱位置が徐々に下側に移動することになる。そのため、上辺と下辺の間で温度勾配が生じてマスクに歪みが生じる。また、図３の走査では、隣接する走査の走査方向は逆であり、前の走査の終わりの部分は次の走査の始めの部分に隣接しており、その部分の発熱が短時間ではあるが大きくなるので、同様に歪みを生じる。
【００１９】
また、上述の通りマスクのメンブレン部３３の厚さは非常に薄いため熱伝導性が小さく、かつ周囲は真空状態であるために熱の逃げ場がないため、メンブレン部３３の中央部分と周辺部分との間にも温度勾配が生じてマスクに歪みが生じる。
【００２０】
微細なパターンを露光するための薄いマスクではこの発熱の影響は無視できず、さらにこれらマスクの発熱は、電子ビームに走査されるマスクの材質、メンブレン部の厚さ、マスク表面に施されたコーティング材料等によって大きく異なることが分かった。今後一層の微細化が進めば、この問題は一層大きな問題になると予想される。
【００２１】
上記問題を鑑みて、本発明は、転写式の電子ビーム露光装置における電子ビームによるマスクの走査に起因する発熱の問題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するために、本発明では、電子線源により生じる電子ビームを、露光パターンに応じたマスクパターンを有するマスク上で所定の走査ピッチにて走査し、マスクを通過した電子ビームで、試料表面に露光パターンを露光する電子線露光において、マスク上での電子ビームの走査を、上記所定の走査ピッチより大きな飛び越し走査ピッチにて行うとともに、位置オフセットを加えながら上記走査を繰り返し行う。
【００２３】
上記飛び越し走査ピッチで１回の走査を行なうのは主走査方向でも副走査方向でもよい。主走査方向について飛び越し走査ピッチで１回の走査を行なう場合には、走査を繰り返す際に主走査方向に位置オフセットを加える。また、副走査方向について飛び越し走査ピッチで１回の走査を行なう場合には、走査を繰り返す際に副走査方向に位置オフセットを加える。
【００２４】
さらに、主走査方向及び副走査方向の双方について、１回の走査を飛び越し走査ピッチで行うこととしてよい。このときまず、主走査方向及び副走査方向のいずれか一方について位置オフセットを加えながら走査を繰り返した後、さらに、この、主走査方向及び副走査方向のいずれか一方について位置オフセットを加えながら反復した走査を、他方について位置オフセットを加えながらさらに繰り返す。
【００２５】
また本発明では、電子ビームをメンブレン部の周辺部に照射して予熱を行う。このとき電子ビームをメンブレン部の周辺の非パターン領域上を周回させてもよい。
【発明の効果】
【００２６】
一回の走査を、飛び越し走査ピッチにて行うとともに位置オフセットを加えながら走査を繰り返し行うことにより、連続して電子ビームを照射される照射位置をマスク上で分散することが可能となる。これにより同時期に発生する発熱箇所が分散され、温度勾配が緩和されるためにマスク歪みが防止される。
【００２７】
電子ビームをメンブレン部の周辺部に照射して予熱を行うことにより、メンブレン部３３の中央部分と周辺部分との間の温度勾配を緩和して、マスク歪みを防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、添付する図面を参照して本発明の実施例を説明する。図４は、本発明の実施例に係る電子線装置の概略構成図である。以下の説明では、近接露光方式の電子線近接露光装置１を電子線装置として例示するが、本発明に係る電子ビーム走査機構は、近接露光方式の電子線露光装置だけでなく、図１（Ｂ）を参照して説明した投影方式の電子ビーム露光装置などのその他の電子線露光装置や、走査型電子顕微鏡、透過形電子顕微鏡や、電子線検査装置などの電子線源から生じた電子ビームを試料上に走査する電子線装置であれば、利用可能である。
【００２９】
また、電子ビーム近接露光装置１の基本構成は、図１（Ａ）に示した構成及び上記の文献１に開示された構成に類似した構成を有している。よって、図１と同一の機能部分には同一の参照番号を付して表し説明を省略する。
電子ビーム近接露光装置１の主偏向器２０へ印加される偏向指令信号は、偏向指令信号生成部５０により生成される。偏向指令信号生成部５０により生成されたディジタル形式の偏向指令信号は、参照番号２２で示されるディジタルアナログ変換器と増幅器（ＤＡＣ／ＡＭＰ）を介して主偏向器２０に印加される。
【００３０】
偏向指令信号生成部５０は、電子ビーム１５をマスク３０上で走査させるための偏向指令信号を生成するスキャンカウンタ５２と、マスク３０上における電子ビーム１５の走査位置に位置オフセットを与えるためのオフセット指令信号を生成するオフセット信号生成部５３と、スキャンカウンタ５２による偏向指令信号とオフセット信号生成部５３によるオフセット指令信号とを加えた偏向指令信号をＤＡＣ／ＡＭＰ２２に出力する加算器５４と、スキャンカウンタ５２の動作を制御して電子ビームの走査を反復するとともに、その反復回数に応じたオフセット指令信号をオフセット信号生成部５３を生成させるための走査反復手段であるスキャン制御部５１と、を備えている。
さらに、偏向指令信号生成部５０は、電子ビーム１６をメンブレン部５３の周辺部に照射するよう偏向してこの周辺部を予熱する予熱手段５５も備えている。
【００３１】
以下、図５から図９を参照して、電子ビーム近接露光装置１による電子ビーム１５の走査手順を説明する。図５は、マスクのメンブレン部３３上に定められる電子ビーム１５の照射位置のレイアウトを示す図である。
電子ビーム１５によってメンブレン部３３上の走査を行う場合には、試料（ウエハ）４０に露光パターンを転写するために必要な露光量、電子ビーム１５の電流（ドーズ量）、電子ビームの径、走査速度、及び使用する主偏向器２０の走査解像度等に応じて、照射位置同士の間隔（走査ピッチ）及び各照射位置における電子ビーム１５の静止時間が予め定められる。図５に示す例では、走査ピッチは、主走査方向にＰｘ０に定められ副走査方向にＰｙ０に定められているとする。
【００３２】
そして、従来の走査方法では、図５にて点線で示す経路のように、主走査方向に隣接しあう照射位置に順次続けて電子ビーム１５が位置づけられるように走査し、また副走査方向に隣接する一回の主走査を続けて行うこととしていた。
図６は、このような従来の走査方法を行う際に主偏向器２０に印加される偏向指令信号を示す図である。図示するとおり偏向指令信号は、図６の（Ａ）に示す主走査方向（ｘ方向）についての偏向指令信号と、図６の（Ｂ）に示す副走査方向（ｙ方向）についての偏向指令信号が生成され主偏向器２０に印加される。
【００３３】
まず、図６の（Ａ）に示すように、主走査偏向指令信号を主走査幅に対応する信号幅に渡って一定の速度で増加させる。図６の（Ａ）では、偏向指令信号がノコギリ波状に示されているが、図７にその拡大図を示すように、実際には階段状を成しており、所定の時間間隔Δｔごとに主走査ピッチＰｘ０に対応する信号幅Ｐｘｓ０分だけ、偏向指令信号を順次増加させている。
【００３４】
主偏向指令値信号を主走査幅に対応する信号幅に渡って増加させ終わった後、次は、副走査ピッチＰｙ０に対応する信号幅Ｐｙｓ０分だけ副走査偏向指令信号を増加させる。その後主走査偏向指令信号を主走査幅に対応する信号幅に渡って一定の速度で減少させることを繰り返す。
【００３５】
このような動作を繰り返すことにより、電子ビーム１５は、図５に点線に示す経路に沿って、間隔Ｐｘ０を隔てて主走査方向に隣接する照射位置を順次続けて照射するように電子ビーム１５を走査し、また間隔Ｐｙ０を隔てて副走査方向に隣接する一回の主走査を連続して行っていた。
【００３６】
以下、図８及び図９を参照して、本発明による走査方法の第１の例を示す。図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、スキャンカウンタ５２により生成されるそれぞれ主走査偏向指令信号及び副走査偏向指令信号を示す図であり、図８の（Ｃ）は、オフセット信号生成部５３により生成されるオフセット信号を示す図である。
【００３７】
本例の走査方法では、副走査偏向指令信号の増加ピッチは、上記の所定の照射位置間の副走査ピッチＰｙ０に対応する増加幅Ｐｙｓ０よりも、大きな（例えばＰｙｓ０の整数倍の）増加幅Ｐｙｓに設定される。したがってこの副走査偏向指令信号が使用された場合には、電子ビーム１５による走査経路における連続する２回の主走査間の副走査ピッチＰｙ（飛び越し走査ピッチ）が、上記の所定の照射位置間の副走査ピッチＰｙ０よりも大きく（例えばＰｙ０の整数倍）なる。
【００３８】
図９は、本例の走査方法によって走査される電子ビーム１５の走査経路を説明する図である。上記副走査偏向指令信号により、電子ビーム１５の１回の走査は、実線で示される経路６１に沿って行われ、連続する２回の主走査間の副走査ピッチＰｙが、所定の照射位置間の副走査ピッチＰｙ０よりも大きくなる。ここに１回の走査とは、１回の副走査が開始してから完了するまでのステップをいうものとする。
【００３９】
図８に戻り、１回の走査が終了すると、スキャン制御部５１は走査の反復回数をカウントして、スキャンカウンタ５２に走査を反復させる。このときスキャン制御部５１は、現在の反復回数をオフセット信号生成部５３に入力し、オフセット信号生成部５３は反復回数が増加する毎にオフセット信号をＰｏｓずつ増加させて出力する。このオフセット信号は加算器５４にて副走査偏向指令信号に加えられる。
【００４０】
このように、副走査偏向指令信号にオフセット信号が加えられることにより、２回目の走査の際には、図９にて１点鎖線で示す経路６２のように、１回目の経路６１よりも、位置オフセット分Ｏｙ１分だけ副走査方向にオフセットされる。このとき、例えば、オフセット信号の増加分Ｐｏｓを、副走査ピッチＰｙ０に対応する増加幅Ｐｙｓ０と同じ信号値にすることにより、２回目の走査では、１回目の走査では飛び越された、経路６１から副走査方向に間隔Ｐｙ０を隔てて隣接する主走査経路が走査される。
【００４１】
さらに３回目の走査でも、オフセット信号をＰｏｓずつ増加させて走査方向を副走査方向にオフセットし、１回目の経路６１よりＯｙ２（上記例では２×Ｐｙ０）だけずらした経路６３を走査させる。
このとき、例えば、１回の走査の副走査ピッチＰｙ（飛び越し走査ピッチ）を、上記所定の副走査ピッチＰｙ０の３倍のピッチに設定しておけば、これら３回の走査を繰り返すことにより、すなわち、副走査ピッチＰｙを所定の副走査ピッチＰｙ０の整数倍に定め、さらに位置オフセットを所定の副走査ピッチＰｙ０ずつ変えながら、電子ビームの走査を上記整数回だけ反復することにより、図５において予め定められた電子ビーム照射位置が全て照射されることになる。
【００４２】
このようにして、連続して実行される２回の主走査の間隔を離すことによって、これにより同時期に発生する発熱箇所が分散され、温度勾配が緩和されるためにマスク歪みが防止される。図１０〜図１６を参照して、従来及び本発明による走査方法による電子ビーム走査により発生する温度分布と、マスク歪みのシミュレーション結果を説明する。
【００４３】
シミュレーションの条件として、メンブレン部３３の大きさは２３．５ｍｍ×２３．５ｍｍであるとし、その厚みを１μｍに設定した。計算手順は、まず、電子ビームの走査に伴うメンブレン部３３上の温度分布変化を計算し、その温度分布に基づきメンブレン部３３の変形量を計算する。
【００４４】
温度分布計算の際の入熱条件は、電子ビーム照射箇所では単位時間あたり２．５×１０-2Ｗ／ｍｍの入熱があるものとし（電子ビーム電流値２０μＡに相当）、出熱条件として、メンブレン部３３周囲の伝導（メンブレン外周は０℃）及び表面からの輻射（メンブレン部３３からみる周囲の外部温度は０℃であり、かつ熱交換量として無限平衡平板の定常輻射量を使用した）を計算した。
さらに電子ビームは、直径が１．５ｍｍ、電流値が２０μＡであるとし、０．２７３μｓ毎に１０μｍずつ（すなわち主走査ピッチＰｘ０＝１０μｍ、副走査ピッチＰｙ０＝１０μｍ）移動しながら照射されることとした。
【００４５】
メンブレン部３３の変形量の計算のための境界条件は、上記温度分布計算による温度分布と、重力による荷重条件とし、また拘束条件としてメンブレン部３３の全周囲が固定されているものとして計算した。そして各時刻における温度分布に基づいてメンブレン部３３の変形量を求めてメンブレン変形の時間変化を求めた。なお、使用されるメンブレン部３３の組成はシリコンであるとし、物性値は、密度２３３０Ｋｇ／ｍ3、比熱７１３Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）、熱伝導率１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、ヤング率１６０ＧＰａ、ポアソン比０．２、及び線膨張率３．３５×１０-6１／Ｋであるとした。
【００４６】
なお、メンブレン部３３の変形量による移動量は、図１０に示す位置Ｘ１、Ｙ１、Ｘ２、及びＹ２について算出した。Ｘ１の位置はメンブレン部３３の中心Ｏからｘ方向（主走査方向）に−５ｍｍ、ｙ方向（副走査方向）に１０ｍｍの位置であり、Ｙ１の位置は中心Ｏからｘ方向に−１０ｍｍ、ｙ方向に６ｍｍの位置であり、Ｘ２の位置は中心Ｏからｘ方向に５ｍｍ、ｙ方向に−１０ｍｍの位置であり、Ｙ２の位置は中心Ｏからｘ方向に１０ｍｍ、ｙ方向に−６ｍｍの位置である。
【００４７】
さらに、上記本発明に係る走査方法の第１例のシミュレーションでは、連続する２回の主走査間の副走査ピッチ（飛び越し走査ピッチ）Ｐｙを１ｍｍとし、副走査ピッチＰｙ０の１００倍の副走査ピッチで１回の走査を行い、この走査を副走査方向について毎回１０μｍずつオフセット量を増加させて１００回反復することとした。
【００４８】
図１１は、従来の走査方法における、観測位置Ｘ１、Ｙ１、Ｘ２及びＹ２での温度変化を示すグラフである。図示するとおり、各観測位置によって温度変化量は変わるが、もっとも少ない観測点Ｘ１で約１１℃の経時変化があり、観測点Ｘ２では約２１℃の経時変化が生じた。かつ、各時刻における各観測点の温度が異なるため強い温度勾配を生じていることもわかる。
図１２の（Ａ）は、走査開始から１．０２秒経過した時のメンブレン部３３の温度分布を示すグラフであり、図１２の（Ｂ）は、走査開始から１．５秒経過した時のメンブレン部３３の温度分布を示すグラフである。温度の高い部分を明るい明度で示し、温度の低い部分は暗い明度で示している。図示するとおり、従来の走査方法では強い温度勾配が観測され、最も温度差の高い位置と低い位置との差は約３６℃であった。また、走査位置の移動に応じて、温度分布のピークが移動していることが明らかになった。
【００４９】
図１３の（Ａ）〜（Ｄ）は、本例の走査方法における、それぞれ観測位置Ｘ１、Ｙ１、Ｘ２及びＹ２での温度変化を示すグラフである。図示するとおり、各観測点ともほぼ同様の数値となり各観測点間の温度差が解消されていることがわかる。また、温度の経時変化量事態も約３〜４℃程度と小さくなっている。
図１４の（Ａ）は、走査開始から１．０２秒経過した時のメンブレン部３３の温度分布を示すグラフであり、図１４の（Ｂ）は、走査開始から１．５秒経過した時のメンブレン部３３の温度分布を示すグラフである。図１２に示した従来の走査方法における温度分布と比較して、温度勾配が非常に緩和されていることがわかる。最も温度差の高い位置と低い位置との差は約１０℃であった。また、走査位置に伴う温度分布のピークの移動もほとんどないことがわかる。
【００５０】
図１５の（Ａ）は、従来の走査方法における、観測位置Ｘ１、Ｙ１、Ｘ２及びＹ２において観測された主走査方向（ｘ方向）のマスク変位量を示すグラフであり、図１５の（Ｂ）は、本例の走査方法における、観測位置Ｘ１、Ｙ１、Ｘ２及びＹ２において観測された主走査方向のマスク変位量を示すグラフである。従来の走査方法では、最大６０ｎｍの変位量があったのに対し、本例による走査方法では変位量の最大値が１２ｎｍにまで低減されていることがわかる。
【００５１】
図１６の（Ａ）は、従来の走査方法における、観測位置Ｘ１、Ｙ１、Ｘ２及びＹ２において観測された副走査方向（ｙ方向）のマスク変位量を示すグラフであり、図１６の（Ｂ）は、本例の走査方法における、観測位置Ｘ１、Ｙ１、Ｘ２及びＹ２において観測された副走査方向のマスク変位量を示すグラフである。従来の走査方法では、最大１３０ｎｍの変位量があったのに対し、本例による走査方法では変位量の最大値が１５ｎｍにまで低減されていることがわかる。
【００５２】
このように、本発明の走査方法によれば、おける電子ビームによるマスクの走査に起因する発熱の問題を解消し、これに伴い発生するマスク変形を抑制することが可能となる。
【００５３】
上記の例では、副走査方向について、１回の走査の際の走査ピッチを飛び越し走査ピッチＰｙとするとともに、副走査方向に位置オフセットを加えながら走査を繰り返すこととしたが、主走査方向について、飛び越し走査ピッチで１回の走査を行うとともに、副走査方向に位置オフセットを加えながら走査を繰り返すこととしてもよい。
【００５４】
図１７は、主走査方向について飛び越し走査ピッチで１回の走査を行う場合の、図８（Ａ）の主走査偏向指令信号の拡大図である。主走査偏向指令信号の増加ピッチＰｘｓは、上記の所定の照射位置間の主走査ピッチＰｘ０に対応する増加幅Ｐｘｓ０よりも、大きな（例えばＰｘｓ０の整数倍の）増加幅に設定される。
したがってこの主走査偏向指令信号が使用された場合には、電子ビーム１５による走査経路における主走査方向に隣接する２つの照射位置間の副走査ピッチＰｘ（飛び越し走査ピッチ）が、上記の所定の照射位置間の主走査ピッチＰｘ０よりも大きく（例えばＰｘ０の整数倍）なる。
【００５５】
図１８の（Ａ）〜（Ｃ）は、本例の走査方法によって走査される電子ビーム１５の、それぞれ第１回目〜第３回目の走査の際の経路を説明する図である。図１８の（Ａ）〜（Ｃ）において、図５で予め定められた照射位置のうち、当該回の走査の際に電子ビーム１５が位置づけられ静止する照射位置をドットで示し、電子ビーム１５が通過する照射位置を×印で示している。
【００５６】
図１８の（Ａ）に示すとおり、上記主走査偏向指令信号により、電子ビーム１５の１回目の走査は、実線で示される経路６４に沿って行われ、１回の走査における主走査ピッチＰｘは、上記所定の照射位置間の主走査ピッチＰｘ０よりも大きくなる。
そして、１回の走査が終了すると、スキャン制御部５１は走査の反復回数をカウントして、スキャンカウンタ５２に走査を反復させる。このときスキャン制御部５１は、現在の反復回数をオフセット信号生成部５３に入力し、オフセット信号生成部５３は反復回数が増加する毎にオフセット信号をＰｏｓずつ増加させて出力する。このオフセット信号は加算器５４にて主走査偏向指令信号に加えられる。
【００５７】
このように、主走査偏向指令信号にオフセット信号が加えられることにより、２回目の走査の際には、図１８（Ｂ）にて１点鎖線で示す経路６５のように、１回目の経路６４よりも、位置オフセット分Ｏｘ１分だけ主走査方向にオフセットされる。このとき、例えば、オフセット信号の増加分Ｐｏｓを、主走査ピッチＰｘ０に対応する増加幅Ｐｘｓ０と同じ信号値にすることにより、２回目の走査では、１回目の走査では飛び越された、１回目の照射位置から間隔Ｐｘ０を隔てて隣接する照射位置に電子ビーム１５が照射される。
【００５８】
さらに３回目の走査でも、オフセット信号をＰｏｓずつ増加させて走査方向を副走査方向にオフセットし、１回目の経路６１よりＯｘ２（上記例では２×Ｐｘ０）だけずらした経路６３を走査させる（図１８（Ｃ））。
このとき、例えば、１回の走査の主走査ピッチＰｘ（飛び越し走査ピッチ）を、上記所定の主走査ピッチＰｘ０の３倍のピッチに設定しておけば、これら３回の走査を繰り返すことにより、すなわち、主走査ピッチＰｘを所定の主走査ピッチＰｘ０の整数倍に定め、さらに位置オフセットを所定の主走査ピッチＰｘ０ずつ変えながら、電子ビームの走査を上記整数回だけ反復することにより、図５において予め定められた電子ビーム照射位置が全て照射されることになる。
【００５９】
図１３の本走査方法におけるメンブレン部分３３の温度変化のシミュレーション結果を分析すると、ある一定時間まで（約０．７秒）までは緩やかに温度上昇が続き、その後はほぼ温度変化が生じないことが予想される。これは、走査を開始してから約０．７秒で入熱量と出熱量が均衡して温度変化が生じなくなるためと考えられるが、その結果、約０．７秒後以降はマスク３０のパターンの変位がほとんど生じなくなくなることが予想される。
【００６０】
しかし、走査開始からこの一定時間までの間にはメンブレン部分３３の温度変化が生じ、これによりマスク３０のパターンの変位が発生してしまうことが予想される。上記例の走査方法では、１回の走査の飛び越し走査ピッチＰｘ及びＰｙとしてその間の部分の走査を飛び越し、この１回の走査を反復して飛び越した部分の走査を行うため、上記一定時間内に走査が行われるストライプ状の部分において、マスク３０のパターンの変位が生じる可能性がある。
【００６１】
そこで、主走査方向及び副走査方向の双方について、１回の走査を飛び越し走査ピッチで行うこととしてよい。このように主走査方向及び副走査方向の双方について飛び越し走査を行うことにより、走査初期に電子ビーム１５が照射される照射箇所がさらに分散され、かつ電子ビーム直径は走査ピッチＰｘ０及びＰｙ０に比べてかなり大きいため（走査ピッチＰｘ０及びＰｙ０は１０μｍ程度であるのに対し、電子ビーム直径は１〜２ｍｍ程度の大きさを有する）、走査初期におけるマスク３０のパターンの変位を緩和することが可能となる。
【００６２】
図１９及び図２０を参照して、このように主走査方向及び副走査方向の双方について飛び越し走査を行う場合の走査方法を説明する。図１９の（Ａ）は、スキャンカウンタ５２による主走査偏向指令信号であり、図１９の（Ｂ）は、副走査偏向指令信号を示す図であり、図１９の（Ｃ）は、オフセット信号生成部５３による主走査用オフセット信号を示す図であり、図１９の（Ｄ）は、オフセット信号生成部５３による副走査用オフセット信号を示す図である。
また、図２０は、主走査方向及び副走査方向の双方について飛び越し走査を行う場合の走査経路を説明する図である。
【００６３】
図１９を参照すると、時刻０〜ｔ１までの間に１回目の走査が行われる。このとき、１回の走査は、主走査方向についての走査ピッチを飛び越しピッチＰｘで、副走査方向についての走査ピッチを飛び越しピッチＰｙで行う。
時刻ｔ１において１回目の走査が終了するとオフセット信号生成部５３は、主走査用オフセット信号をＰｏｓｘだけ増加させて出力する。この主走査用オフセット信号は、加算器５４によって、主走査偏向指令信号に加算されて主偏向器２０に出力される。これにより時刻ｔ１〜時刻ｔ２に行われる２回目の走査では、電子ビーム１５の走査位置は１回目の走査からオフセット信号の増加分Ｐｏｓｘにだけ主走査方向にオフセットされる。ここで１回の走査毎の主偏向方向の位置オフセットの増加量は、上述と同じく、図５で定めた主走査ピッチＰｘ０と等しく設定することとしてもよい。
【００６４】
さらに、オフセット信号生成部５３は時刻ｔ２において、主走査用オフセット信号をさらにＰｏｓｘだけ増加させる。これにより時刻ｔ２〜時刻ｔ３に行われる３回目の走査では、走査位置が１回目の走査からオフセット信号の増加分（２×Ｐｏｓｘ）にだけ主走査方向にオフセットされる。
【００６５】
これら３回の走査が行われる様子を図２０の（Ａ）に示す。１回目から３回目の走査は、実線７１の経路に沿って行われる（厳密には連続する２回の主走査間の折り返し位置が、上記１回目から３回目の走査でオフセット信号分だけずれるが、ここでは簡単の説明のため１つの実線７１にて示した）。
１回目の走査では、図において黒塗りされた丸で示される照射位置に電子ビームが順次照射され、１回目の走査が終了した後に経路８１に沿って走査開始点に戻った後に、図において黒塗りされた四角で示される照射位置に電子ビームが順次照射して２回目の走査を行う。そして２回目の走査が終了した後に経路８２に沿って走査開始点に戻り、図において黒塗りされた三角で示される照射位置に電子ビームが順次照射して２回目の走査を行う。これら黒塗りされた丸と四角、四角と三角、三角と丸で示される照射位置は、それぞれ、オフセット信号の増加分（Ｐｏｓｘ）にだけ主走査方向にずれている。
【００６６】
再び図１９に戻り、時刻ｔ３において、主走査方向のオフセットを変えながら反復した一連の走査（この例では１回目から３回目までの走査）が終了すると、オフセット信号生成部５３は、副走査用オフセット信号をＰｏｓｙだけ増加させて出力する。この副走査用オフセット信号は、加算器５４によって、副走査偏向指令信号に加算されて主偏向器２０に出力される。これにより時刻ｔ３の後に行われる４回目の走査では、電子ビーム１５の走査位置が１〜３回目の走査からオフセット信号の増加分Ｐｏｓｙにだけ副走査方向にオフセットされる。ここでオフセット信号Ｐｏｓｙによって生じる副走査方向の位置オフセットを、図５で定めた副走査ピッチＰｙ０と等しく設定してもよい。
【００６７】
そして、上記１〜３回目の走査と同様に、１回の走査毎に主走査用オフセット信号をＰｏｓｘずつ変えながら４〜６回目の走査を行う。この様子を図２０の（Ｂ）に示す。それぞれ黒塗りされた丸、四角及び三角で示される位置が、それぞれ４〜６回目の走査で電子ビーム１５が照射される位置である。図示するとおり、４〜６回目の走査における照射位置は、１〜３回目の走査における照射位置に比べて、副走査方向にオフセットされている。
【００６８】
その後、６回目の走査が終了すると、オフセット信号生成部５３は、副走査用オフセット信号をＰｏｓｙだけさらに増加させて出力する。これにより７〜９回目の走査を、４〜６回目の走査よりも、オフセット信号の増加分Ｐｏｓｙにだけ副走査方向にさらにオフセットさせて行う。この様子を図２０の（Ｃ）に示す。それぞれ黒塗りされた丸、四角及び三角で示される位置が、それぞれ７〜９回目の走査で電子ビーム１５が照射される位置である。
【００６９】
なお、主走査方向及び副走査方向にオフセットを変えながら走査を反復する回数は上記３回に限られず何回でもよい。例えば飛び越しピッチ幅Ｐｘ及びＰｙを、上記所定のピッチ幅Ｐｘ０及びＰｙ０（１０μｍ）の１５倍である１５０μｍとし、主走査方向についてオフセットを変えながら反復される一連の走査の反復回数を１５回とし、この主走査方向について反復される一連の走査を副走査方向にオフセットを変えながらさらに１５回反復することにより、計２２５回の走査を反復することとしてよい。
【００７０】
また上記の例では、先に主走査方向についてオフセットを変えながら走査を反復した後に、主走査方向について反復される走査をさらに副走査方向について反復したが、反対に副走査方向についてオフセットを変えながら走査を反復した後に、副走査方向について反復される走査をさらに主走査方向について反復することとしてもよい。
さらに、上記の例では、連続する２回の主走査では電子ビームの照射位置が逆方向に進行するように走査したが、本発明はこれに限られず、連続する２回の主走査の電子ビームの走査方向を同一方向にしてもよく、全ての主走査の走査方向を同一方向にしてもよい。
【００７１】
さて、図１４を参照すると、メンブレン部３３には、中央部分の温度が周辺部分よりもやや高い温度分布を生じていることが示される。上述の通り、これはメンブレン部３３の熱伝導性が小さく、かつ周囲に熱の逃げ場がないことが原因となっていると考えられる。
【００７２】
この温度勾配もまたマスク歪みの要因となるため、図４に示す周回信号生成部５５は、試料４０への露光を停止している間、メンブレン部３３のうちパターン領域３４の外側の周辺部に電子ビーム１５を照射して、メンブレン部３３の周辺部を予熱する。
【００７３】
そのため、周回信号生成部５５は、スキャン制御部５１、スキャンカウンタ５２及びオフセット信号生成部５３が、電子ビーム１５の走査を停止している間、電子ビーム１５をメンブレン部３３の周辺部に偏向させるための偏向指令信号を生成し、ＤＡＣ／ＡＭＰ２２を介して主偏向器２０に出力する。
【００７４】
図２１は、周回信号生成部５５による電子ビーム１５の偏向動作を示す図である。図示するように、周回信号生成部５５は、メンブレン部３３のうちパターン領域３４の外側の周辺部を、経路９９に沿って周回するように電子ビーム１５を偏向することとしてよい。これによって、メンブレン部３３の周辺部をまんべんなく予熱することが可能となる。
【００７５】
周回信号生成部５５によるメンブレン部３３の予熱は、試料４０への露光を停止している間、例えば、試料４０上で露光するチップを変えるためにステージ４４を移動する間に行う。これによりメンブレン部３３の予熱のために本来の露光時間に制約を与えることもなく、スループットへの影響を回避することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、近接露光方式の電子線近接露光装置及び電子線近接露光方法に好適に利用可能である。さらに、近接露光方式の電子線露光だけでなく、図１（Ｂ）を参照して説明した投影方式の電子ビーム露光装置などのその他の電子線露光装置や、走査型電子顕微鏡、透過形電子顕微鏡や、電子線検査装置などの電子線源から生じた電子ビームを試料上に走査する電子線装置であれば、利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】（Ａ）は近接露光方式の電子ビーム露光装置の基本構成図であり、（Ｂ）は投影方式の電子ビーム露光装置の基本構成図である。
【図２】（Ａ）はマスクの平面図を示す図であり、（Ｂ）は、マスク３０の断面図を示す図である。
【図３】電子ビームによるマスク走査の従来例を示す図である。
【図４】本発明の実施例に係る電子線装置の概略構成図である。
【図５】マスク上に定められる電子ビーム照射位置のレイアウトを示す図である。
【図６】（Ａ）は主走査偏向指令信号を示す図であり、（Ｂ）は副走査方向偏向指令信号を示す図である。
【図７】図６の（Ａ）に示す主走査偏向指令信号の拡大図である。
【図８】（Ａ）及び（Ｂ）は、スキャンカウンタによる主走査偏向指令信号及び副走査偏向指令信号を示す図であり、図８の（Ｃ）は、オフセット信号生成部によるオフセット信号を示す図である。
【図９】本例の走査方法の第１例による電子ビームの走査経路の説明図である。
【図１０】メンブレン部の変形量を観測する観測位置の配置図である。
【図１１】従来の走査方法における、各観測位置での温度変化を示すグラフである。
【図１２】（Ａ）は、従来の走査方法における、走査開始から１．０２秒後のメンブレン部の温度分布を示すグラフであり、（Ｂ）は、走査開始から１．５秒後のメンブレン部の温度分布を示すグラフである。
【図１３】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の走査方法における、それぞれ観測位置Ｘ１、Ｙ１、Ｘ２及びＹ２での温度変化を示すグラフである。
【図１４】（Ａ）は、本発明の走査方法における、走査開始から１．０２秒後のメンブレン部の温度分布を示すグラフであり、（Ｂ）は、走査開始から１．５秒後のメンブレン部の温度分布を示すグラフである。
【図１５】（Ａ）は、従来の走査方法の際に各観測位置における主走査方向のマスク変位量を示すグラフであり、（Ｂ）は、本例の走査方法の際に各観測位置における主走査方向のマスク変位量を示すグラフである。
【図１６】（Ａ）は、従来の走査方法の際に各観測位置における副走査方向のマスク変位量を示すグラフであり、（Ｂ）は、本例の走査方法の際に各観測位置における副走査方向のマスク変位量を示すグラフである。
【図１７】主走査方向について飛び越し走査ピッチで走査を行う場合の、図８（Ａ）の主走査偏向指令信号の拡大図である。
【図１８】（Ａ）〜（Ｃ）は、本例の走査方法によって走査される電子ビームの、それぞれ第１回目〜第３回目の走査の際の経路を説明する図である。
【図１９】（Ａ）は、スキャンカウンタによる主走査偏向指令信号であり、（Ｂ）は、副走査偏向指令信号を示す図であり、（Ｃ）は、オフセット信号生成部による主走査用オフセット信号を示す図であり、（Ｄ）は、オフセット信号生成部による副走査用オフセット信号を示す図である。
【図２０】主走査方向及び副走査方向の双方について飛び越し走査を行う場合の走査経路を説明する図である。
【図２１】周回信号生成部による電子ビームの偏向動作を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
１    電子線露光装置
１５    電子ビーム
２０    主偏向器
３０    マスク
３１    ベース
３２    マスク基板
３３    メンブレン部
３４    パターン領域
４０    試料
５０    偏向指令信号生成部
５４    加算器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図１２】
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【図１４】
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