(57)【要約】【課題】  レジスト除去の工程抜けに起因する次工程での汚染防止を図る。【解決手段】  半導体ウエハ上に形成されたレジストの有無をフラグで表し、レジストが有る場合を「ＯＮ」、レジストが無い場合を「ＯＦＦ」とし、レジスト除去工程（ステップＳ４）後のフラグが「ＯＦＦ」となるように、例えば搬送容器の記憶媒体に記憶させておく。熱処理工程（ステップ５）を行う前に、熱処理装置の検知機構によりフラグを確認し、フラグが「ＯＦＦ」であれば熱処理を行い、フラグが「ＯＮ」であれば熱処理を行わない。【選択図】  図１
2006120684.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の製造工程の間で半導体ウエハの受け入れ可否の判断を、前記半導体ウエハを収納して搬送する搬送容器に備えられた記憶媒体の複数の情報に基づいて行う半導体装置の製造方法であって、
前記複数の情報には、前記半導体ウエハ上にレジストが形成されている状態を示す第１情報と、前記半導体ウエハ上に前記レジストが形成されていない状態を示す第２情報の少なくともどちらか一方が含まれていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
レジスト塗布工程後に、前記第１情報を前記記憶媒体に記憶し、
レジスト除去工程後に、前記第２情報を前記記憶媒体に記憶し、
前記第１情報では受け入れず、前記第２情報では受け入れる判断を、熱処理工程前に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体ウエハを処理する処理装置であって、
前記半導体ウエハを収納して搬送する搬送容器に備えられた記憶媒体に記憶された前記半導体ウエハ上にレジストが形成されている状態を示す第１情報と、前記半導体ウエハ上にレジストが形成されていない状態を示す第２情報の少なくともどちらか一方の情報を、検知する機構を備えていることを特徴とする処理装置。
【請求項４】
半導体ウエハを処理する処理装置であって、
前記半導体ウエハ上にレジストが形成されている状態を示す第１情報と、前記半導体ウエハ上にレジストが形成されていない状態を示す第２情報の少なくともどちらか一方の情報を、前記半導体ウエハを収納して搬送する搬送容器に備えられた記憶媒体に、記憶する機構を備えていることを特徴とする処理装置。
【請求項５】
半導体ウエハを収納して搬送する搬送容器を搬送する搬送装置であって、
前記半導体ウエハ上にレジストが形成されている状態を示す第１情報と、前記半導体ウエハ上にレジストが形成されていない状態を示す第２情報の少なくともどちらか一方の情報を、検知する機構を備えていることを特徴とする搬送装置。
【請求項６】
半導体ウエハを収納して搬送する搬送容器を搬送する搬送装置であって、
前記半導体ウエハ上にレジストが形成されている状態を示す第１情報と、前記半導体ウエハ上にレジストが形成されていない状態を示す第２情報の少なくともどちらか一方の情報を、前記半導体ウエハを収納して搬送する搬送容器に備えられた記憶媒体に、記憶する機構を備えていることを特徴とする搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハを搬送容器に収納して次工程に搬送して行う半導体装置の製造技術に関し、特に半導体ウエハ上に形成されたフォトレジスト膜の有無を判断して処理を行う工程間で、フォトレジスト膜除去工程の抜けに起因して起こる汚染の防止に適用して有効な技術である。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、様々な種類の製造装置（処理装置）において、薬品やガスを用いながら物理反応、化学反応を利用し、半導体ウエハのシリコン表面上に回路素子を形成する。高集積度の半導体装置では、工程数が５００を超える場合も珍しくない。また、各工程においては、より精密かつ高純度の薄膜形成加工が要求されるため、半導体装置の大きな不良原因となる有機汚染、金属汚染、パーティクル汚染を発生させないよう厳密な管理が求められる。万が一、かかる汚染が製造装置に及んだ場合には、製造装置の復旧に時間がかかり、生産に重大な悪影響を及ぼすこととなる。
【０００３】
かかる汚染防止管理が特に問題となる工程としては、例えば、半導体の製造装置では、半導体ウエハ上への各種成膜工程等が挙げられる。成膜に際しては、一連のフォトリソグラフィ処理を経て半導体ウエハ上に膜付け箇所を形成し、その後に成膜装置で酸化膜、金属膜等の所要の成膜が施される。
【０００４】
成膜工程では、フォトリソグラフィ処理で使用するフォトレジスト（以下、レジストと略する）、現像液、あるいは成膜工程で使用する金属等、薬品、ガス等種々の物質が半導体ウエハの汚染原因と成り得る。そのため、次工程にかかる汚染原因物質を持ち込まないように、汚染防止管理が厳しく行われている。
【０００５】
例えば、ゲート酸化膜の形成に際しては、先ず、一連のフォトリソグラフィ処理により、半導体ウエハ上にレジストを塗布し、レジストを所定マスクで露光し、その後現像処理してレジストパターンを形成する。かかるレジストパターンを用いてエッチングが行われる。エッチング終了後は、エッチングに際して使用したレジストパターンを除去し、その上で、半導体ウエハは所定の成膜装置に搬送され、半導体ウエハ上にゲート酸化膜が形成される。
【０００６】
しかし、かかるゲート酸化膜の形成に際して、半導体ウエハ上のレジストパターンの除去処理が誤って抜かされた場合には、レジストパターンを残した状態で半導体ウエハが成膜装置に搬送されることとなる。その状態で酸化膜形成が行われると、半導体ウエハ上に残されたレジスト成分が酸化膜形成装置の処理チャンバ内に飛散する等して、搬入された半導体ウエハそのものは勿論、酸化膜形成装置自体をも汚染することとなる。
【０００７】
かかる装置の汚染は、その後搬入される半導体ウエハを次々に汚染させることとなり、汚染の確認が遅れると、汚染が発覚した時点では、既に大量の汚染半導体ウエハを作り込んでしまっていることとなり、極めて甚大な損害を発生させることとなる。
【０００８】
このように汚染クラスの異なる工程間での、例えば、レジスト除去等の工程抜けに起因する次工程での汚染は、甚大な損害を発生する大きな事故に繋がる。そのため、特に人手を介して、直前工程の処理が終了した半導体ウエハを次工程まで収納して搬送する搬送容器に、目視判断が可能な識別色を付け、次工程には、例えば赤等の決められた識別色の付けられた搬送容器のみを搬送するようにして、その他の識別色の付いた搬送容器は搬送しないようにし、汚染防止を人為的に管理する方法が採用されている。
【０００９】
特開平９−１４８４２１号公報では、搬送容器を色分けすることについて、色分けの目的が異なるが、ウエハの被処理物の処理を行う処理装置の稼働状況の把握技術において、ウエハを収容する治具としてのウエハカセットの特徴部位の色分けを行い、かかる色分け部位を自動検出することで、かかる治具の稼働状況の把握を行う技術が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−１４８４２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明者は、生産に大きな悪影響を及ぼす汚染防止管理に関しては、以下の課題があることを見出した。
【００１１】
すなわち、前述のように、次工程に搬送する搬送容器に識別色を付けて、かかる識別色以外のものは搬送しないようにすることで、汚染防止を図る場合には、どうしても人為的に識別色の読み取りを行うため、作業者の錯誤等に基づく識別色の取り違いが往々にして発生し、次工程の装置汚染に繋がる場合が見られた。
【００１２】
近年の半導体装置の製造工程では、多品種少量生産に対応するため、製造現場では、小ロットで製品切換等が頻繁に発生し、錯誤が発生し易い状況になってきている。かかる状況下、これまでのように人為的判断で汚染防止を図る工程管理手法には限界があるものと考えた。
【００１３】
一方、工程抜けを防止すると言う観点からは、これまでも、製造フローの作成時において工程抜けが発生しないように製造フローを厳密にチェック、さらに各工程における処理レシピの設定での処理抜けチェックを厳しく行う等して、十全な対応がされてきている筈である。しかし、現実には、工程抜けが発生している。
【００１４】
製造フロー、処理レシピが共に正しくても、製造フローあるいは処理レシピ通りに装置が処理できず、工程をスキップして飛ばしてしまう場合も、装置トラブルとして当然に想定される筈である。すなわち、製造フロー、処理レシピの正誤のみに着目していたのでは、かかるトラブルが発生しても、次工程の処理がなされてしまい、次工程の汚染等の重大な事故の発生が起きる可能性を皆無にすることはできない。現在の工程管理システムでは、工程抜けに関して全幅の信頼がおける程には十分ではないとも言える。
【００１５】
そこで、本発明者は、工程抜けが発生しないように十全の対策を講ずることは極めて重要なことではあるが、しかし、かかるシステムに全幅の信頼が置けない現状では、発想を転換して、理由の如何を問わず万が一にも工程抜けが発生した場合でも、工程抜けに起因する次工程での汚染等の重大な事故が起きないように半導体装置の製造技術の構成を見直す必要があるのではないかと考えた。なお、工程抜けに対しての対応としては、どうしても工程抜けを発生させないようにすることにその力点が置かれ、ある意味で工程抜けの発生は不可避であるとして許容した上で、発生した工程抜けを次工程の事故に結び付けないようにしようとの発想にはその力点が注がれていなかったように思われる。
【００１６】
このように本発明者は、これまでとは異なる視点からの技術開発が必要と考えた。
【００１７】
本発明の目的は、レジスト除去の工程抜けに起因する次工程の汚染防止を図ることにある。
【００１８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００２０】
本発明による搬送装置、処理装置および半導体装置の製造方法は、複数の処理装置間での半導体ウエハの受け入れ可否の判断を、前記半導体ウエハを収納して搬送する搬送容器に備えられた記憶媒体の２通りの情報に基づき行う。
【発明の効果】
【００２１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２２】
次工程での受け入れ可否の判断が半導体ウエハ上に形成されたレジストの有無に基づき行われるので、次工程のレジストによる汚染を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２４】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、搬送容器、処理装置および搬送装置を用いた半導体装置の製造方法の一例に適用した場合について図１〜図５により説明する。図１は、本発明の適用例としてのレジスト塗布から熱処理（例えばゲート酸化膜形成）までの工程を示すフロー図である。図２は、図１に示すフロー図で、レジスト除去工程の工程抜けが発生した場合を示すフロー図である。図３は、記録媒体を備えた搬送容器の一例を示した説明図である。図４は、処理装置の一例を示した説明図である。図５は、搬送装置を用いた製造システムの一例を模式的に示した説明図である。
【００２５】
まず、本実施の形態で示す半導体装置の製造方法について説明する。
【００２６】
図１に示すように、ステップＳ１のレジスト塗布工程で半導体ウエハにレジストを所定膜厚で、例えばスピン塗布装置（処理装置）で塗布する。
【００２７】
ここで、半導体ウエハ上に形成されたレジストの有無をフラグで表し、レジストが有る場合を「ＯＮ」、レジストが無い場合を「ＯＦＦ」とする。したがって、ステップＳ１直後においては、半導体ウエハ上にレジストが有るので、フラグは「ＯＮ」となる。
【００２８】
続いて、ステップＳ２の露光／現像工程では、ステップＳ１で所定膜厚に塗布されたレジストに、所定のレジストパターンに合わせたマスクを使用して露光し、その後現像して、レジストパターンを半導体ウエハ上に形成する。なお、フラグは「ＯＮ」のままである。
【００２９】
続いて、ステップＳ３のエッチング／イオン打込み工程では、ステップＳ２で形成したレジストパターンに合わせて半導体ウエハに所要のエッチングを行った後、イオン打込みを行う。なお、フラグは「ＯＮ」のままである。
【００３０】
続いて、ステップＳ４のレジスト除去工程では、ステップＳ３のエッチング／イオン打込み工程後のレジストパターンの除去を行う。レジスト除去に際しては、例えばレジストのアッシング、さらにレジストアッシング後の洗浄を行い、半導体ウエハ上に次工程での残余レジストに基づき有機汚染が発生しないように処理する。なお、ステップＳ４直後においては、半導体ウエハ上にレジストが無いので、フラグはステップＳ１直後の「ＯＮ」から「ＯＦＦ」と変更される。
【００３１】
続いて、ステップＳ５の熱処理工程では、半導体ウエハを熱処理装置（処理装置）により高温で熱処理する。例えば高温加熱した半導体ウエハ上に所定膜厚の酸化シリコン膜を形成してゲート酸化膜を形成する。なお、ステップＳ５の熱処理工程の開始前にはフラグの確認（検知）が行われ、例えばフラグ「ＯＦＦ」の場合にのみ受け入れ「可」と判断し、その後熱処理が行われることとなっている。
【００３２】
一方、図２に示すように、ステップＳ４のレジスト除去工程が抜かされた場合には、ステップＳ４におけるレジスト除去処理終了に対応するフラグの変更が行われず、ステップＳ１後のフラグ「ＯＮ」のままである。よって、ステップＳ３から次のステップＳ５へ移る直前のフラグ確認（検知）では、フラグが「ＯＮ」であるため、ステップＳ５の熱処理工程の受け入れ「可」と判断できず、熱処理は行われない。したがって、工程はステップＳ５前でストップする。なお、工程がストップした場合、迅速に復旧などの対処のために、作業者に通報する。そのため、例えば作業者に通報する機構（以下、通報機構と称する）を処理装置に備えておいてもよい。
【００３３】
このように本発明の半導体装置の製造方法を適用すれば、かかる一連のステップＳ１からステップＳ５までの工程のうち、ステップＳ４の工程抜けに基づく次工程のステップＳ５での汚染防止を確実に図ることができる。
【００３４】
次に、上述した本発明の半導体装置の製造方法に用いられる搬送容器、処理装置および搬送装置を説明する。
【００３５】
図３に示すように、半導体ウエハを収納して搬送する搬送容器１は、記憶媒体２、通報機構３を備えている。なお、左図の円枠Ｃ内を拡大して、右図に記憶媒体２および通報機構３を示す。
【００３６】
搬送容器１は、半導体ウエハを収納して搬送する搬送容器であり、例えばＦＯＵＰ（Front opening unified pod）である。次工程の移行（半導体ウエハの各処理装置間の移動）は、この搬送容器１に半導体ウエハが収納された状態で、搬送装置等に構成した搬送手段により搬送されることで行われる。
【００３７】
記憶媒体２は、例えば半導体ウエハの状態に関する情報を通信により記憶（書き換え、書込み、消去）可能なタグである。本実施の形態では、半導体ウエハ上にレジストが形成されている状態を示す情報（第１情報）と、半導体ウエハ上にレジストが形成されていない半導体ウエハの状態を示す情報（第２情報）とを通信により記憶媒体２に記憶する（書き換えする）。なお、本実施の形態では、記憶媒体２にタグを適用したが、通信により記憶（書き換え）可能であればＩＣチップ、ＩＣカード、磁気カードなどであっても良い。また、記録媒体２は、搬送容器１を洗浄することを考慮し、防水機能を有する内蔵型、あるいは脱着可能型のものが好ましい。
【００３８】
上述したように、半導体ウエハ上に形成されたレジストの有無をフラグで表し、レジストが有る場合を「ＯＮ」、レジストが無い場合を「ＯＦＦ」とすると、フラグ「ＯＮ」の場合、半導体ウエハ上にはレジストが形成されている状態の情報（第１情報）が記憶媒体２に記憶されており、フラグ「ＯＦＦ」の場合、半導体ウエハ上にはレジストが形成されていない状態の情報（第２情報）が記憶媒体２に記憶されていることとなる。
【００３９】
通報機構３は、例えば製造工程中の異常などを作業者に通報するための機構であり、本実施の形態では、ＬＥＤを適用し、通報の際にはＬＥＤの点灯により行う。例えば、上述したフラグの「ＯＮ」「ＯＦＦ」に対応させて、フラグが「ＯＮ」の場合、ＬＥＤは赤色を点灯し、フラグが「ＯＦＦ」の場合、ＬＥＤは青色を点灯することができる。なお、本実施の形態では、通報機構３にＬＥＤを適用したが、作業者に通報することができれば、アラームなどであって良い。
【００４０】
図４に示すように、半導体ウエハを処理する処理装置４は、ロードポート５、検知機構６を備えている。
【００４１】
処理装置４は、例えば、スピン塗布装置、レジスト除去装置、熱処理装置などの半導体装置の製造技術に用いられる処理装置である。なお、本実施の形態では、処理装置４に上述した通報機構３が備え付けられていないが、処理装置４に備え付けられても良い。
【００４２】
ロードポート５は、処理装置４に設けられた搬送容器１の受け渡し口である。よって、このロードポート５には、処理前後に搬送容器１が載置されることとなる。
【００４３】
検知機構６は、搬送容器１に備えられた記憶媒体２に記憶された複数の情報を検知する機構（以下、検知機構と称する）である。例えば上述したタグ（記憶媒体２）ともに、電子回路を有するタグ中に記憶された情報を、電磁波で読み取り、書き換え（書込み、消去）するシステム（ＲＦＩＤ；Radio Frequency IDentification）を適用した場合、検知機構６はタグと通信するアンテナを備えることとなる。また、処理装置４には、検知機構６とともに、複数の情報を書き換えする機構（以下、書き換え機構）を備えさせても良し、検知機構６は備えず、書き換え機構のみを備えさせても良い。
【００４４】
本実施の形態で示すように、上述したフラグの「ＯＮ」「ＯＦＦ」に対応させて、検知機構６がフラグ「ＯＮ」を検知（判断）した場合、処理装置４は処理を行わず、フラグが「ＯＦＦ」を検知（判断）した場合、処理装置４は処理を行うようにすることができる。なお、「ＯＮ」「ＯＦＦ」の設定変更は容易に行えるものとする。
【００４５】
図５に示すように、製造システム７は、複数の処理装置４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、保管棚（Ｂ／Ｓ；Bay Station）８、搬送装置９を有する。
【００４６】
製造システム７は、例えば、工程の全体管理を行うホストコンピュータ（図示せず）によって、ネットワークを介して、半導体装置の製造工程間（複数の処理装置４間）における半導体ウエハの移行に係わる管理が行われる。
【００４７】
保管棚８は、搬送容器１を各製造工程へ移動させる前の一時保管する棚である。図５に示すように、例えば製造工程の流れ（ライン）Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３を矢印で表すと、保管棚８ａには、ラインＲ２またはラインＲ３で処理が行われた搬送容器１が保管される。なお、この保管棚８ａから搬送容器１がラインＲ１の処理装置４ａへと搬送されることとなる。
【００４８】
搬送装置９は、ホストコンピュータからの指示により半導体ウエハを収納した搬送容器１を次工程（各処理装置４間）に搬送する装置であり、例えばＲＧＶ（Rail Guided Vehicle）、ＯＨＴ（Overhead Hoist Transfer）を適用することができる。
【００４９】
この搬送装置９には、上述した検知機構６を備えることができる。例えば、ラインＲ１に配置された処理装置４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄすべてが、半導体ウエハ上にレジストが形成されていない状態の半導体ウエハを処理する処理装置４であれば、搬送装置９に検知機構６を取り付けることもできる。すなわち、本実施の形態で示すように、上述したフラグの「ＯＮ」「ＯＦＦ」に対応させて、検知機構６がフラグ「ＯＮ」を検知（判断）した場合、処理装置４は処理を行わず、フラグが「ＯＦＦ」を検知（判断）した場合、処理装置４は処理を行うようにすることができる。また、搬送装置９はホストコンピュータからの指示で搬送容器１を搬送するので、搬送装置９に備えられた検知機構６からの情報をホストコンピュータで監視することにより、インターロックをすることもできる。なお、本実施の形態では、搬送装置９に上述した通報機構３が備え付けられていないが、搬送装置９に備え付けられても良い。
【００５０】
次に、上述した搬送容器および処理装置を用いて、半導体装置の製造方法の適用例を、例えば、ゲート酸化膜形成に際しての一連の処理工程（図１参照）を例に挙げて、本発明を中心に説明する。
【００５１】
かかる場合は、まずレジスト塗布工程で半導体ウエハにレジストを所定膜厚で、例えばスピン塗布装置（処理装置）で塗布する（ステップＳ１）。なお、このレジストは、例えば感光性樹脂で構成されたフォトレジストである。
【００５２】
このレジスト塗布工程において、スピン塗布装置のロードポートにＦＯＵＰ（搬送容器）が配置されることで、スピン塗布装置に備えられた検知機構によりＦＯＵＰに備え付けられたタグの情報を検知する（読み出しする）。さらに、スピン塗布装置に備えられた書き換え機構により半導体ウエハ上にレジストが形成されている情報（第１情報）を、ＦＯＵＰに備え付けられたタグ（記憶媒体）に書き換えする（記憶する）。この検知機構／書き換え機構とタグとの検知・書き換えには、例えばＲＦＩＤなどの通信が用いられている。なお、上述のフラグは「ＯＮ」となる。
【００５３】
本実施の形態では、レジスト塗布がスピン塗布装置により終了された時点で、スピン塗布装置に備えられた書き換え機構により、ＦＯＵＰに備えられたタグに、情報を書き込む。すなわち、書き換え機構により、半導体ウエハ上にレジストが形成されている状態を示す情報（第１情報）を、半導体ウエハを収納して搬送するＦＯＵＰに備えられたタグに書き込む（記憶する）。なお、本実施の形態では、レジスト塗布工程終了時点で、タグに情報を書き込んでいるが、レジスト塗布工程直前に、タグに情報を書き込んでも良い。
【００５４】
続いて、露光／現像工程（ステップＳ２）、エッチング／イオン打込み工程（ステップＳ３）で、それぞれの処理を行う。なお、これらの工程に用いられる処理装置には、半導体ウエハ上にレジストが形成されている状態で処理する工程であれば、検知機構および書き換え機構を備えなくとも良いが、検知機構および書き換え機構を備えることで各製造工程の履歴を把握することができる。
【００５５】
続いて、レジスト除去工程で半導体ウエハ上に形成されているレジストをアッシャー（処理装置）で除去する（ステップＳ４）。このレジスト除去工程において、アッシャーのロードポートにＦＯＵＰが配置されることで、ＦＯＵＰに備え付けられたタグの情報を、アッシャーに備え付けられた検知機構で検知する（読み出しする）。さらに、アッシャーに備えられた書き換え機構により半導体ウエハ上にレジストが形成されていない情報（第２情報）を、ＦＯＵＰに備え付けられたタグに書き換えする（記憶する）。この検知機構／書き換え機構とタグとの検知・書き換えには、例えばＲＦＩＤなどの通信が用いられている。なお、フラグは「ＯＦＦ」となる。
【００５６】
本実施の形態では、レジストがアッシャーによる除去後、アッシャーに備えられた書き換え機構により、ＦＯＵＰに備えられたタグに、情報を書き込む。すなわち、書き換え機構により、半導体ウエハ上にレジストが除去されている状態（レジストが形成されていない状態）を示す情報（第２情報）を、半導体ウエハを収納して搬送するＦＯＵＰに備えられたタグに書き込む（記憶する）。なお、本実施の形態では、レジスト除去工程終了時点で、タグに情報を書き込んでいるが、レジスト除去工程直前に、タグに情報を書き込んでも良い。
【００５７】
また、より正確に半導体ウエハ上のレジスト除去の有無を判断（現物チェック）するために、ＦＯＵＰに収納される複数の半導体ウエハを検知する機構（以下、ウエハ検知機構と称する）をアッシャーに備えることもできる。例えばロードポートに搬送されてきたＦＯＵＰ内の半導体ウエハそれぞれに対してウエハ検知機構を通し、半導体ウエハの枚数情報（マッピング情報）と、実処理枚数が一致した段階（汚染源を除去できた段階）で、ウエハ検知機構からタグへ、すべての半導体ウエハ上にレジストが除去されている状態（レジストが形成されていない状態）を示す情報を通信することもできる。なお、ウエハ検知機構として、例えば匂いセンサーや膜厚、反射率測定を用いて、レジスト有無の判定を行うことができる。
【００５８】
続いて、熱処理工程で半導体ウエハを熱処理装置（処理装置）により高温で熱処理する（ステップＳ５）が、その前にＦＯＵＰに備えられたタグの検知（確認）が行われる。すなわち、熱処理装置のロードポートにＦＯＵＰが載置された時（熱処理前）に、ＦＯＵＰに備え付けられたタグの情報を、熱処理装置に備え付けられた検知機構で検知（読み出し）し、例えば半導体ウエハ上にレジストが形成されていない状態の場合にのみ受け入れ「可」と判断し、熱処理装置により熱処理が行われることとなる。この検知機構とタグとの検知には、例えばＲＦＩＤなどの通信が用いられている。なお、フラグが「ＯＦＦ」の場合に、熱処理装置の受け入れが「可」と判断される。
【００５９】
本実施の形態では、半導体ウエハ上にレジストが形成されている状態を示す情報（第１情報）と、半導体ウエハ上にレジストが形成されていない半導体ウエハの状態を示す情報（第２情報）とのどちらの情報が、ＦＯＵＰに備えられてタグに記憶されているか検知（確認）が行われ、第１情報では受け入れず、第２情報では受け入れる判断を、熱処理工程前に行う。すなわち、熱処理装置に備えられている検知機構が、フラグが「ＯＦＦ」であることを検知（判断）した場合、熱処理装置は熱処理を行うが、フラグが「ＯＮ」であることを検知（判断）した場合、熱処理装置は熱処理を行わないこととなる。
【００６０】
これにより、熱処理装置内のレジストによる汚染を防止することができる。すなわち、半導体ウエハ上にレジストが形成された状態で酸化膜形成が行われると、レジスト成分が熱処理装置の処理チャンバ内に飛散する等して、搬入された半導体ウエハそのものは勿論、熱処理装置自体をも汚染することとなる。
【００６１】
さらに、レジストにより汚染された熱処理装置を用いて、正常な状態（半導体ウエハ上にレジストが形成されていない状態）の半導体ウエハを処理することによる汚染拡散（２次汚染）をも防止することができる。また、レジスト汚染が製造装置に及んだ場合には、処理装置の復旧に時間がかかり、生産に重大な悪影響を及ぼすこととなることを防止することができる。
【００６２】
また、熱処理前にて半導体ウエハ上にレジストが形成されている状態であれば、例えばＬＥＤ、アラームなどの通報機構により作業者に通報することで、迅速に復旧などの対処をすることができる。
【００６３】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、搬送容器に備えた記憶媒体としてタグを用いた場合について説明したが、本実施の形態では、記憶媒体として、ＯＮ／ＯＦＦ機構を適用した場合について図６〜図１０により説明する。図６は、ＯＮ／ＯＦＦ機構（記録媒体）を備えた搬送容器の一例を示した底面図である。図７は、図６に示す搬送容器の斜視図である。図８および図９は、書き換え機構を備えた処理装置の一例を示した説明図である。図１０は、検知機構を備えた処理装置の一例を示した説明図である。なお、本実施の形態を説明するに際し、前記実施の形態１と重複する説明は省略する場合がある。
【００６４】
図６および図７に示すように、半導体ウエハを収納して搬送する搬送容器１は、記憶媒体１８を備えている。
【００６５】
搬送容器１は、半導体ウエハを収納して搬送する容器であり、例えばＦＯＵＰ（Front opening unified pod）である。
【００６６】
記憶媒体１８は、スイッチ（押圧部）２１と遮蔽板２０とからなり、押圧部を押すことにより、スイッチ２１と連動した遮蔽板２０を、搬送容器１から出し入れするＯＮ／ＯＦＦ機構である。このＯＮ／ＯＦＦ機構は、例えば「ＯＮ」の場合には、スイッチ２１ａが押され、搬送容器１の側面から遮蔽板２０を出し、「ＯＦＦ」の場合には、スイッチ２１ｂが押され、搬送容器１の内部へ遮蔽板２０を入れる駆動機構と連動している。
【００６７】
本実施の形態では、半導体ウエハ上にレジストが形成されている状態を示す情報（第１情報）と、半導体ウエハ上にレジストが形成されていない半導体ウエハの状態を示す情報（第２情報）とをＯＮ／ＯＦＦ機構（記憶媒体１８）に記憶することができる。すなわち、ＯＮ／ＯＦＦ機構が、第１情報を記憶しておく場合、スイッチ２１は「ＯＮ」であり、遮蔽板２０が搬送容器１の側面から出る（突出する）。一方、ＯＮ／ＯＦＦ機構が、第２情報を記憶しておく場合、スイッチ２１は「ＯＦＦ」であり、遮蔽板２０が搬送容器１の内部に入る。
【００６８】
また、半導体ウエハ上に形成されたレジストの有無をフラグで表し、レジストが有る場合を「ＯＮ」、レジストが無い場合を「ＯＦＦ」とすると、フラグ「ＯＮ」の場合、半導体ウエハ上にはレジストが形成されている状態の情報（第１情報）が記憶媒体２に記憶されており、フラグ「ＯＦＦ」の場合、半導体ウエハ上にはレジストが形成されていない状態の情報（第２情報）が記憶媒体２に記憶されていることとなる。
【００６９】
図８および図９に示すように、半導体ウエハを処理する処理装置４は、ロードポート５、書き換え機構１９を備えている。
【００７０】
処理装置４は、例えば、スピン塗布装置、レジスト除去装置、熱処理装置などの半導体装置の製造技術に用いられる処理装置である。
【００７１】
書き換え機構１９は、ロードポート５上に配置された突起物２２ａ、２２ｂを備え、それぞれがＯＮ／ＯＦＦ機構１８のＯＮ側のスイッチ２１ａ、ＯＦＦ側のスイッチ２１ｂを押せる位置に、配置されている。
【００７２】
例えば、書き換え機構１９の突起物２２ａを、搬送容器１の裏面に備えられたスイッチ２１のＯＮ側（２１ａ）に対応するように配置しておけば、搬送容器１がロードポート５上に載置されたとき、ＯＮ／ＯＦＦ機構（記憶媒体１８）は、半導体ウエハ上にはレジストが形成されている状態の情報（第１情報）を記憶する。一方、書き換え機構１９の突起物２２ｂを、搬送容器１の裏面に備えられたスイッチ２１のＯＦＦ側（２１ｂ）に対応するように配置しておけば、搬送容器１がロードポート５上に載置されたとき、ＯＮ／ＯＦＦ機構（記憶媒体１８）は、半導体ウエハ上にはレジストが形成されていない状態の情報（第２情報）を記憶する。
【００７３】
図１０に示すように、半導体ウエハを処理する処理装置４は、ロードポート５、検知機構２３を備えている。
【００７４】
処理装置４は、例えば、スピン塗布装置、レジスト除去装置、熱処理装置などの半導体装置の製造技術に用いられる処理装置である。
【００７５】
検知機構２３は、搬送容器１に備えられた記憶媒体１８に記憶された複数の情報を検知する機構（検知機構）である。例えば、光センサ等であり、遮蔽物の有無を検知することができるものである。
【００７６】
例えば、処理装置４のロードポート５上方に、光センサ（検知機構２３）を備えることで、ロードポート５に載置された搬送容器１の記憶媒体１８に記憶された情報を検知することができる。すなわち、図１０に示すように、搬送容器１の遮蔽板２０が突出しているので、搬送容器１内の半導体ウエハ上にはレジストが形成されていると判断することができる。なお、本実施の形態では記録媒体１８の検知する機構（検知機構２３）として光センサを適用したが、搬送容器１の遮蔽板２０の突出検知として、図１１に示すように接触センサなどであっても良い。
【００７７】
次に、上述した記憶媒体（ＯＮ／ＯＦＦ機構）を備えた搬送容器および処理装置を用いて、半導体装置の製造方法の適用例を、例えば、ゲート酸化膜形成に際しての一連の処理工程（図１参照）を例に挙げて、本発明を中心に説明する。
【００７８】
かかる場合は、まずレジスト塗布工程で半導体ウエハにレジストを所定膜厚で、例えばスピン塗布装置（処理装置）で塗布する（ステップＳ１）。
【００７９】
このレジスト塗布工程において、スピン塗布装置に備えられた書き換え機構により半導体ウエハ上にレジストが形成されている情報（第１情報）を、ＦＯＵＰに備え付けられたＯＮ／ＯＦＦ機構（記憶媒体）に書き換えする（記憶する）。なお、フラグは「ＯＮ」となる。
【００８０】
本実施の形態では、レジスト塗布がスピン塗布装置により終了された時点で、スピン塗布装置に備えられた書き換え機構により、ＦＯＵＰに備えられたＯＮ／ＯＦＦ機構に、情報を書き込む。すなわち、書き換え機構により、半導体ウエハ上にレジストが形成されている状態を示す情報（第１情報）を、半導体ウエハを収納して搬送するＦＯＵＰに備えられたＯＮ／ＯＦＦ機構に書き込む（記憶する）。
【００８１】
続いて、露光／現像工程（ステップＳ２）、エッチング／イオン打込み工程（ステップＳ３）で、それぞれの処理を行う。
【００８２】
続いて、レジスト除去工程で半導体ウエハ上に形成されているレジストをアッシャー（処理装置）で除去する（ステップＳ４）。このレジスト除去工程において、アッシャーに備えられた書き換え機構により半導体ウエハ上にレジストが形成されていない情報（第２情報）を、ＦＯＵＰに備え付けられたＯＮ／ＯＦＦ機構に書き換えする（記憶する）。なお、フラグは「ＯＦＦ」となる。
【００８３】
本実施の形態では、レジストがアッシャーによる除去後、アッシャーに備えられた書き換え機構により、ＦＯＵＰに備えられたＯＮ／ＯＦＦ機構に、情報を書き込む。すなわち、書き換え機構により、半導体ウエハ上にレジストが除去されている状態（レジストが形成されていない状態）を示す情報（第２情報）を、半導体ウエハを収納して搬送するＦＯＵＰに備えられたＯＮ／ＯＦＦ機構に書き込む（記憶する）。なお、本実施の形態では、レジスト除去工程終了時点で、ＯＮ／ＯＦＦ機構に情報を書き込んでいるが、レジスト塗布工程直前に、ＯＮ／ＯＦＦ機構に情報を書き込んでも良い。
【００８４】
続いて、熱処理工程で半導体ウエハを熱処理装置（処理装置）により高温で熱処理する（ステップＳ５）が、その前にＦＯＵＰに備えられたＯＮ／ＯＦＦ機構の検知（確認）が行われる。すなわち、熱処理装置のロードポートにＦＯＵＰが載置された時（熱処理前）に、ＦＯＵＰに備え付けられたＯＮ／ＯＦＦ機構の情報を、熱処理装置に備え付けられた検知機構で検知（読み出し）し、例えば半導体ウエハ上にレジストが形成されていない状態の場合にのみ受け入れ「可」と判断し、熱処理装置により熱処理が行われることとなる。なお、フラグが「ＯＦＦ」の場合に、熱処理装置の受け入れが「可」と判断される。
【００８５】
本実施の形態では、半導体ウエハ上にレジストが形成されている状態を示す情報（第１情報）と、半導体ウエハ上にレジストが形成されていない半導体ウエハの状態を示す情報（第２情報）とのどちらの情報が、ＦＯＵＰに備えられてＯＮ／ＯＦＦ機構に記憶されているか検知（確認）が行われ、第１情報では受け入れず、第２情報では受け入れる判断を、熱処理工程前に行う。すなわち、熱処理装置に備えられている検知機構が、フラグが「ＯＦＦ」であることを検知（判断）した場合、熱処理装置は熱処理を行うが、フラグが「ＯＮ」であることを検知（判断）した場合、熱処理装置は熱処理を行わないこととなる。
【００８６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８７】
例えば、前記実施の形態では、搬送容器に備えられた記憶媒体に、タグまたはＯＮ／ＯＦＦ機構を適用した場合について説明したが、搬送容器に着脱可能なシール等を添付または取り外しが可能は機構を適用することもできる。また、シールを添付し続け、その枚数を管理することで、履歴管理を行うこともできる。
【００８８】
例えば、液晶ディスプレイ等の製造、プラズマディスプレイ等の製造、有機ＥＬ等の製造等において、汚染クラスの異なる工程間の管理手法として、本発明に係わる技術は有効に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明は、複数の工程間における次工程での受け入れ可否の判断に有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造工程の一例を示すフロー図である。
【図２】図１に示すレジスト除去工程の工程抜けが発生した場合を示すフロー図である。
【図３】実施の形態１における記録媒体を備えた搬送容器の一例を示した説明図である。
【図４】実施の形態１における検知機構を備えた処理装置の一例を示した説明図である。
【図５】実施の形態１における搬送装置を用いた製造システムの一例を模式的に示した説明図である。
【図６】実施の形態２における記録媒体を備えた搬送容器の一例を示した底面図である。
【図７】図６に示す搬送容器の斜視図である。
【図８】実施の形態２における書き換え機構を備えた処理装置の一例を示した説明図である。
【図９】図８に示す書き換え機構を備えた処理装置とは別の一例を示した説明図である。
【図１０】実施の形態２における検知機構を備えた処理装置の一例を示した説明図である。
【図１１】実施の形態２における検知機構を備えた処理装置の一例を示した説明図である。
【符号の説明】
【００９１】
１  搬送容器
２  記憶媒体
３  通報機構
４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ  処理装置
５  ロードポート
６  検知機構
７  製造システム
８、８ａ  保管棚
９  搬送装置
１８  記憶媒体
１９  書き換え機構
２０  遮蔽板
２１、２１ａ、２１ｂ  スイッチ
２２ａ、２２ｂ  突起物
２３  検知機構
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３  ライン
Ｃ  円枠
【図１】
2006120684.tif 000003
【図２】
2006120684.tif 000004
【図３】
2006120684.tif 000005
【図４】
2006120684.tif 000006
【図５】
2006120684.tif 000007
【図６】
2006120684.tif 000008
【図７】
2006120684.tif 000009
【図８】
2006120684.tif 000010
【図９】
2006120684.tif 000011
【図１０】
2006120684.tif 000012
【図１１】
2006120684.tif 000013