(57)【要約】【課題】小型化を図るとともに、光アイソレーション特性の劣化を抑制することが可能な光アイソレータ、および該光アイソレータを備える光モジュールを提供する。【解決手段】本発明に係る光アイソレータＸ１は、ファラデー回転子２１、偏光子２２および検光子２３を含んで構成される複合素子２０と、複合素子２０のファラデー回転子２１に磁界を印加するための磁石３０，３１と、複合素子２０および磁石３０，３１を搭載するための基板１０と、を備え、偏光子２２の光入射面が基板１０における光の入射側の側面１０ａに対して傾斜している。磁石３０，３１の側面３０ａ〜３０ｄ，３１ａ〜３１ｄは、基板１０の側面１０ａ〜１０ｃに略平行な面３０ａ〜３０ｃ，３１ａ〜３１ｃと、複合素子２０の側面２０ｂ，２０ｃに対向し且つ略平行な面３０ｄ，３１ｄとを含む。【選択図】図１
2006308737.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファラデー回転子、偏光子および検光子を含んで構成される複合素子と、前記複合素子の前記ファラデー回転子に磁界を印加するための磁石と、前記複合素子および前記磁石を搭載するための基板と、を備え、前記偏光子の前記光入射面が前記基板における前記光の入射側の側面に対して傾斜している光アイソレータであって、
前記磁石の側面は、前記基板の側面に略平行な面と、前記複合素子の側面に対向し且つ略平行な面とを含むことを特徴とする、平面実装型光アイソレータ。
【請求項２】
前記磁石の形状は三角柱、台形柱もしくは平行四辺形柱である、請求項１に記載の光アイソレータ。
【請求項３】
前記複合素子と前記基板とは離間しており、
前記複合素子は、前記磁石を介して前記基板に搭載されている、請求項１または２に記載の光アイソレータ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の光アイソレータと、プラグに対して光学的接続されるスタブと、前記プラグの少なくとも一部および前記スタブの少なくとも一部を挿入するための貫通孔を有し、前記プラグと前記スタブとの間の調芯を得るためのスリーブと、前記スタブに向けて光を出射する、または、前記スタブを介して導出された光を受けるための光素子と、を備えることを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源から出射された光を、各種光学素子や光ファイバに導入する際に生じる戻り光を抑制するための光アイソレータおよび該光アイソレータを備える光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザーダイオード（ＬＤ）等の光源から各種光学素子や光ファイバなどに向けて出射した光のうち一部が戻り光として該光源に戻るのを抑制するための光学部品としては、光アイソレータが挙げられる。このような光アイソレータは、例えば下記の特許文献１に記載されている。
【０００３】
図５は、従来の光アイソレータＸ’を表す平面図である。図中の矢印は透過偏波方向を表す。光アイソレータＸ’は、基板１０、複合素子２０、磁石３０’，３１’を備える。基板１０は、複合素子２０および磁石３０を一体化するための矩形状部材である。複合素子２０は、ファラデー回転子２１、偏光子２２および検光子２３を含んで構成される部材であり、略矩形状である。複合素子２０は、基板１０の側面１０ａに対して複合素子２０の側面２０ａが４〜１０°傾斜するように基板１０上に配されている。ファラデー回転子２１は、後述する磁石３０’，３１’による磁界の印加により、入射される光の偏波方向を４５°回転させる機能を担う部材である。偏光子２２および検光子２３は、所定角度の偏波方向の光を選択的に透過する部材であり、複合素子２０においては偏光子２２の透光偏波方向と検光子２３の透光偏波方向とは約４５°ずらして配されている。磁石３０’，３１’は、ファラデー回転子２１に磁界を印加するための部材であり、直方体状である。
【特許文献１】特開２００５−２５０８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光アイソレータＸ’では、磁石３０’は、基板１０に搭載時において、磁石３０’の側面３０ａ’，３０ｂ’，３０ｃ’がそれぞれ基板１０の側面１０ａ，１０ｂ，１０ｃに対して略平行となり、磁石３０’の側面３０ｄ’が複合素子２０の側面２０ｂに対して４〜１０°で傾斜することになる。同様に、光アイソレータＸ’では、磁石３１’は、基板１０に搭載時において、磁石３１’の側面３１ａ’，３１ｂ’，３１ｃ’がそれぞれ基板１０の側面１０ａ，１０ｄ，１０ｃに対して略平行となり、磁石３１’の側面３１ｄ’が複合素子２０の側面２０ｃに対して４〜１０°で傾斜することになる。そして、このような傾斜に起因して、複合素子２０と磁石３０’，３１’との間の間隔が比較的大きくなり、その分基板のサイズ（搭載面の面積）を大きくする必要があった。
【０００５】
また、複合素子２０は、基板１０の側面１０ａに対して複合素子２０の側面２０ｂが４〜１０°傾斜するように基板１０上に配されているので、複合素子２０と磁石３０’および磁石３１’との間の間隔が矢印ＣＤ方向において一様ではない。そのため、その間隔が狭い部位においてのみ、複合素子２０や磁石３０’，３１’を基板に搭載（接着）する際に使用される接着剤が繋がってしまう場合がある。このような場合では、複合素子２０ないしファラデー回転子２１に作用する応力が矢印ＣＤ方向において偏りが生じるため、光アイソレータＸ’の光アイソレーション特性が劣化してしまう。
【０００６】
さらに、基板１０の線膨張係数は例えば７０×１０−７[１／℃]であり、複合素子２０の線膨張係数は例えば６０×１０−７[１／℃]であり、磁石３０’，３１’の線膨張係数は例えば１００×１０−７[１／℃]である。そのため、複合素子２０と磁石３０’，３１’とが直接的接着されると、温度変化に起因して複合素子２０に作用する応力がより大きくなり、光アイソレータＸ’の光アイソレーション特性が劣化してしまう。
【０００７】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、小型化を図るとともに、光アイソレーション特性の劣化を抑制することが可能な光アイソレータ、および該光アイソレータを備える光モジュールを提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の側面に係る光アイソレータは、ファラデー回転子、偏光子および検光子を含んで構成される複合素子と、複合素子のファラデー回転子に磁界を印加するための磁石と、複合素子および磁石を搭載するための基板とを備え、偏光子の光入射面が基板における光の入射側の側面に対して傾斜している。磁石の側面は、基板の側面に略平行な面と、複合素子の側面に対向し且つ略平行な面とを含むことを特徴としている。磁石の形状としては、三角柱、台形柱もしくは平行四辺形柱が好適である。
【０００９】
好ましくは、複合素子と基板とは離間しており、複合素子は、磁石を介して基板に搭載されている。
【００１０】
本発明の第２の側面に係る光モジュールは、本発明の第１の側面に係る光アイソレータと、プラグに対して光学的接続されるスタブと、プラグの少なくとも一部およびスタブの少なくとも一部を挿入するための貫通孔を有し、プラグとスタブとの間の調芯を得るためのスリーブと、スタブに向けて光を出射する、または、スタブを介して導出された光を受けるための光素子とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の第１の側面に係る光アイソレータによると、例えば矩形状の基板上に磁石を搭載する場合に、複合素子の側面に対向する磁石の側面と該複合素子の側面とが略平行となるようにしても、基板の側面に略平行な側面を有しているので、従来のように直方体の磁石を搭載する場合に比べて、基板のサイズ（複合素子および磁石の搭載面における面積）を小さくすることができる。
【００１２】
また、本光アイソレータでは、複合素子の側面に対向する磁石の側面と該複合素子の側面とが略平行となるように磁石が搭載されているので、複合素子と磁石との間の間隔が一様である。そのため、本光アイソレータでは、例えば接着剤を用いて基板上に複合素子および磁石を搭載する場合に、該接着剤が複合素子と磁石との間に侵入し固定されたとしても、温度変化時における接着剤の膨張および収縮に起因する応力の影響を均一分散化（低減）することができる。つまり、本光アイソレータでは、ファラデー回転子の特性である消光比の劣化を抑制することができる。
【００１３】
以上のことから、本光アイソレータは、小型化を図るとともに、光アイソレーション特性の劣化を抑制するうえで好適である。
【００１４】
複合素子と基板とを離間し、複合素子が磁石を介して基板に搭載されているような構成の光アイソレータによると、複合素子が例えば接着剤を介して接合される部材は磁石のみであるので、温度変化時における複合素子と基板との間の線膨張係数の違いに起因する応力の影響を抑制することができ、光アイソレーション特性の劣化を抑制するうえで好適である。
【００１５】
本発明の第２の側面に係る光モジュールでは、本発明の第１の側面に係る光アイソレータを採用しているため、小型化を図るとともに、光アイソレーション特性の劣化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光アイソレータＸ１を表す平面図である。光アイソレータＸ１は、基板１０、複合素子２０および磁石３０，３１を備える。
【００１７】
基板１０は、複合素子２０および磁石３０を搭載して一体化するための部材であり、略矩形状である。基板１０を構成する材料としては、セラミックス、ガラス、ファラデー回転子の線膨張係数に近いＳＵＳ４３０などの金属などが挙げられる。
【００１８】
複合素子２０は、ファラデー回転子２１、偏光子２２および検光子２３を含んで構成される部材であり、略矩形状である。具体的には、ファラデー回転子２１に対して偏光子２２および検光子２３が透明な接着剤（例えば、商品名：３５３−ND、エポテック製）により接着一体化されたものである。複合素子２０は、偏光子基板と、ファラデー回転子基板と、検光子基板とを透明な接着剤により接着一体化した後、チップ状に切削加工することにより製造される。複合素子２０は、基板１０の側面１０ａに対して複合素子２０の側面２０ａが４〜１０°傾斜するように基板１０上に配されている。
【００１９】
ファラデー回転子２１は、所定の磁界を印加することにより、入射される光の偏波方向を所定角度回転させる機能を担う部材であり、例えばビスマス置換ガーネット結晶により構成される。ファラデー回転子２１の厚さは、例えば入射される光の偏波方向が４５°回転するように設定される。
【００２０】
偏光子２２および検光子２３は、所定角度の偏波方向の光を選択的に透過するための部材であり、複合素子２０においては偏光子２２の透光偏波方向と検光子２３の透光偏波方向とは所定角度（例えば４５°）ずらして配されている。偏光子２２および検光子２３としては、例えば偏光ガラスが挙げられる。偏光ガラスは、ガラス中において長く延伸された金属粒子を一方向に配列させることにより偏光特性を持たせた部材であり、金属粒子の延伸方向に垂直な偏波方向を有する光を透過し、該延伸方向に平行な偏波方向を有する光を吸収する。
【００２１】
磁石３０，３１は、複合素子２０のファラデー回転子２１に所定の磁界を印加するための部材であり、台形柱状である。本実施形態における磁石３０は、基板１０に搭載時において、磁石３０の側面３０ａ，３０ｂ，３０ｃがそれぞれ基板１０の側面１０ａ，１０ｂ，１０ｃに対して略平行となり、磁石３０の側面３０ｄが複合素子２０の側面２０ｂに対して略平行となるように構成されている。また、本実施形態における磁石３１は、基板１０に搭載時において、磁石３１の側面３１ａ，３１ｂ，３１ｃがそれぞれ基板１０の側面１０a，１０d，１０ｃに対して略平行となり、磁石３１の側面３１ｄが複合素子２０の側面２０ｃに対して略平行となるように構成されている。なお、複合素子２０の側面２０ｂと磁石３０の側面３０ｄとの離隔距離、および、複合素子２０の側面２０ｃと磁石３１の側面３１ｄとの離隔距離は０．１ｍｍ以上とするのが好適である。このような構成にすると、基板１０に複合素子２０を搭載する際に使用される接着剤（エポキシ樹脂などの樹脂類、金属はんだ、低融点ガラスなど）と、基板１０に磁石３０，３１を搭載する際に使用される接着剤とが連結して、基板１０、複合素子２０および磁石３０，３１が一体化してしまうのを防ぐうえで好適である。
【００２２】
このような構成の光アイソレータＸ１においては、基板１０上に磁石３０，３１を搭載する場合に、磁石３０，３１の側面３０ｄ，３１ｄと複合素子２０の側面２０ｂ，２０ｃとが略平行となるようにしても、基板１０の側面１０ａ，１０ｂ，１０ｃに略平行な側面３０ａ，３０ｂ，３０ｃおよび基板１０の側面１０ａ，１０d，１０ｃに略平行な側面３１ａ，３１ｂ，３１ｃを有しているので、従来のように直方体の磁石を搭載する場合に比べて、基板のサイズ（複合素子および磁石の搭載面における面積）を小さくすることができる。
【００２３】
また、光アイソレータＸ１では、磁石３０，３１の側面３０ｄ，３１ｄと複合素子２０の側面２０ｂ，２０ｃとが略平行となるように磁石３０，３１が搭載されているので、複合素子２０と磁石３０，３１との離隔距離が一様である。そのため、光アイソレータＸ１では、接着剤を用いて基板１０上に複合素子２０および磁石３０，３１を搭載する場合に、該接着剤が複合素子２０と磁石３０，３１との間に侵入し固定されたとしても、温度変化時における接着剤の膨張および収縮に起因する応力の影響を均一分散化（低減）することができる。つまり、光アイソレータＸ１では、ファラデー回転子２１の特性である消光比の劣化を抑制することができる。
【００２４】
以上のことから、光アイソレータＸ１は、小型化を図るとともに、光アイソレーション特性の劣化を抑制することができるのである。
【００２５】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る光アイソレータＸ２を表す平面図である。光アイソレータＸ２は、基板１０、複合素子２０および磁石４０〜４３を備える。
【００２６】
磁石４０〜４３は、複合素子２０のファラデー回転子２１に所定の磁界を印加するための部材である。磁石４０，４１の形状は三角柱状であり、磁石４２，４３の形状は四角柱状（直方体状）である。本実施形態における磁石４０は、基板１０に搭載時において、磁石４０の側面４０ａが基板１０の側面１０ａに対して略平行となり、磁石４０の側面４０ｂが複合素子２０の側面２０ｂに対して略平行となるように構成されている。本実施形態における磁石４１は、基板１０に搭載時において、磁石４１の側面４１ａが基板１０の側面１０ｃに対して略平行となり、磁石４１の側面４１ｂが複合素子２０の側面２０ｃに対して略平行となるように構成されている。本実施形態における磁石４２は、基板１０に搭載時において、磁石４２の側面４２ａ，４２ｂ，４２ｃがそれぞれ基板１０の側面１０ａ，１０ｂ，１０ｃに対して略平行となるように構成されている。本実施形態における磁石４３は、基板１０に搭載時において、磁石４３の側面４３ａ，４３ｂ，４３ｃがそれぞれ基板１０の側面１０ａ，１０ｄ，１０ｃに対して略平行となるように構成されている。なお、複合素子２０の側面２０ｂと磁石４０の側面４０ｂとの離隔距離、および、複合素子２０の側面２０ｃと磁石４１の側面４１ｂとの離隔距離、は０．１ｍｍ以上とするのが好適である。このような構成にすると、基板１０に複合素子２０を搭載する際に使用される接着剤と、基板１０に磁石４０，４１を搭載する際に使用される接着剤とが連結して、基板１０、複合素子２０および磁石４０，４１が一体化してしまうのを防ぐうえで好適である。また、磁石４０と磁石４２との間、および、磁石４１と磁石４３との間は、離間していてもよいし、例えば接着剤を介して接合していてもよい。
【００２７】
このような構成の光アイソレータＸ２は、光アイソレータＸ１で示したものと同様の効果を得ることができる。
【００２８】
図３は、光アイソレータＸ１を備える光モジュールＹの断面を表す。光モジュールＹは、光アイソレータＸ１、スタブ５０、スリーブ６０、スリーブケース７０、ホルダ８０およびケース９０を備える。
【００２９】
スタブ５０は、フェルール５１および光ファイバ（図示せず）を有し、フェルール５１の貫通孔５１ａに光ファイバを例えば接着剤により接着固定することにより構成される部材である。スタブ５０は、図外のプラグ（光ファイバを有し且つスタブ５０と同様の構成を有する部材）と光学的に接続される。スタブ５０の先端面５０ａはアール面（例えば曲率半径が５〜３０ｍｍ）である。このような構成は、前記プラグフェルールとの間の接続損失を低減するうえで好適である。スタブ５０の後端面５０ｂは、該スタブ５０の軸心に対して所定の角度（例えば４〜１０°）で傾斜する傾斜面である。このような構成は、光素子などから出射された光が光ファイバの端面で反射して反射光として該光素子などに戻るのを防ぐうえで好適である。また、スタブ５０の後端部には、スタブ５０に向けて光を出射するための光源への戻り光を抑制するための光アイソレータＸ１が設置される。
【００３０】
スリーブ６０は、スタブ５０および前記プラグを挿入するための貫通孔６１を有し、スタブ５０と前記プラグとの間の調芯機能を担う部材である。スリーブ６０には、開放端６１ａを介してスタブ５０が挿入され、開放端６１ｂを介して前記プラグが挿入される。本実施形態に係るスリーブ６０は、長手方向（矢印ＡＢ方向）に延びるスリット６２を有する、いわゆる割りスリーブである。このような構成のスリーブ６０を採用する場合、スリーブ６０内に挿入される前記プラグに対して作用する把持力を高めるべく、貫通孔６１の孔径は前記プラグの外径より若干（例えば数μｍ）小さく設定するのが好ましい。スリーブ６０としては、割りスリーブに代えて、いわゆる精密スリーブ（スリット無し）を採用してもよい。スリーブ６０を構成する材料としては、燐青銅、ベリリウム銅、黄銅、ステンレスなどの金属、エポキシや液晶ポリマなどのプラスチック、セラミックなどが挙げられ、中でも耐摩耗性に優れ且つ適度に弾性変形するジルコニア系セラミックス（ジルコニアを主成分とするセラミックス）が好適である。さらに、ジルコニア系セラミックスの中でも、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）を主成分とし、Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ２、Ｄｙ２Ｏ３などからなる群より選択される少なくとも一種を安定化剤として含む部分安定化ジルコニアセラミックス（正方晶の結晶が主体）は、耐摩耗性および弾性変形性の観点から好適である。
【００３１】
スリーブ６０は、スリーブ６０を構成する材料としてジルコニア系セラミックスを選択する場合、ジルコニア系セラミックスを所定の成形手段（例えば射出成形、プレス成形、押出成形）によってスリーブ６０の原型となる円筒状成形体を得た後、該円筒状成形体を所定の温度（例えば１３００〜１５００℃）で焼成し、所定の寸法に研削加工または研磨加工を施すことにより、製造される。なお、研削加工または研磨加工は、焼成前に行ってもよい。また、スリーブ６０を構成する材料としてプラスチックを採用した場合、成形型の形状を適当に構成することにより、所望の形状のスリーブ６０を容易に製造することができる。
【００３２】
スリーブケース７０は、前記プラグの挿入時に該プラグを案内するための開口部７０ａを有し、スリーブ６０を収容するための円筒状部材である。スリーブケース７０におけるスリーブ６０を収容するための空間の径は、スリーブ６０の外径より若干大きく構成されている。開口部７０ａはテーパ状に構成されており、その開口径は前記プラグの外径より若干大きく構成されている。
【００３３】
ホルダ８０は、保持部８１および保持部８２を有し、スタブ５０およびスリーブケース７０を保持するための部材である。保持部８１は、スタブ５０を保持するための部位であり、スタブ５０が嵌合可能に構成されている。保持部８１におけるスタブ５０との当接面の算術平均粗さは、スタブ５０の保持状態の安定性の観点から、０．１μｍ以上に設定するのが好適である。保持部８２は、スリーブケース７０を保持するための部位であり、スリーブケース７０が嵌合可能に構成されている。保持部８２におけるスリーブケース７０との当接面の算術平均粗さは、スリーブケース７０の保持状態の安定性の観点から、０．１μｍ以上に設定するのが好適である。なお、本実施形態においてホルダ８０は、スリーブケース７０と別体に構成されているが一体としてもよい。
【００３４】
以上のスタブ５０、スリーブ６０、スリーブケース７０およびホルダ８０は、いわゆる光レセプタクルを構成する。
【００３５】
ケース９０は、光素子９１およびレンズ９２を備え、前記光レセプタクルに対して例えば溶接により接合されている。ケース９０を構成する材料としては、ステンレス、銅、鉄、ニッケルなどの溶接可能なものが挙げられ、中でも耐腐食性や溶接性の観点からステンレスが好適である。光素子９１は、スタブ５０の光ファイバ５２に向けて光を出射するための発光素子、または、スタブ５０の光ファイバ５２を介して導出された光を受けるための受光素子である。発光素子としては、半導体レーザやＬＥＤなどの発光ダイオードなどが挙げられ、受光素子としては、受信用のＰＤ（フォトダイオード）などが挙げられる。レンズ９２は、光素子９１が発光素子の場合は該発光素子から出射された光を集光してスタブ５０の光ファイバ５２に導入する機能を担い、光素子９１が受光素子の場合はスタブ５０の光ファイバ５２を介して導出された光を集光して該受光素子に導入する機能を担う部材である。
【００３６】
以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の思想から逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。
【００３７】
本発明に係る光アイソレータの磁石の形状および組み合わせとしては、上述したものには限られない。具体的には、三角柱状の磁石のみ、三角柱状の磁石と台形柱状の磁石との組み合わせ、台形柱状の磁石と直方体状の磁石との組み合わせ、平行四辺形状の磁石のみ、平行四辺形状の磁石と三角柱状の磁石との組み合わせ、あるいは、平行四辺形状の磁石と台形柱状の磁石との組み合わせ、などが挙げられる。
【００３８】
次に、本発明の実施例および比較例について説明する。
【実施例１】
【００３９】
＜光アイソレータサンプルの作製＞まず、ファラデー回転子基板の主面の一方にエポキシ系熱硬化型樹脂を用いて偏光子基板を接着固定し、且つ、ファラデー回転子基板の主面の他方にエポキシ系熱硬化型樹脂を用いて検光子基板（偏光子基板と同様）を接着固定することにより、複合基板を作製した。ファラデー回転子基板の厚さは約０．４ｍｍとし、偏光子基板および検光子基板の厚みはいずれも約０．５ｍｍとした。ファラデー回転子としては、飽和磁界強度中における偏波回転角が４５°である、ビスマス置換ガーネットを採用した。偏光子基板および検光子基板としては、所定方向に透過偏波を有するガラス偏光子を採用した。次に、作製した複合基板をダイシング加工機で切削加工することにより、１．２５ｍｍ角のチップ化された複合素子を切り出した。切り出された複合素子は、ファラデー回転子、偏光子および検光子から構成されている。次に、熱硬化型接着剤（商品名：３５３−ND、エポテック製）を用いて、図１に示すように、偏光子の光入射面が基板における光の入射側の側面に対して８°傾斜するように基板上に複合素子を搭載した。基板としては、２．０ｍｍ×４．０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのジルコニアセラミックス板を採用した。次に、２つの台形柱状の磁石を、熱硬化型接着剤（商品名：３５３−ND、エポテック製）を用いて、図１に示すような配置で基板上に固定した。具体的には、基板における光入射側の側面に対して、一方の磁石における複合素子に対向する側面の傾斜角度は８２°とし、他方の磁石における複合素子に対向する側面の傾斜角度は９８°とした。また、複合素子と磁石との間の離隔距離は０．１ｍｍとした。
【００４０】
＜挿入損失およびアイソレーションの測定＞図４は、光アイソレータの挿入損失およびアイソレーションを測定するための測定装置１００の概略構成を表す。測定装置１００は、波長可変光源１０１、コリメータ１０２、基準偏光子１０３、ディテクタ１０４およびパワーメータ１０５を備え、光アイソレータサンプル１０６の挿入損失およびアイソレーションを測定するための装置である。挿入損失とは、光アイソレータサンプル１０６における光入射側から入る光の光学的パワーの損失量を表し、この損失量が大きいほど光を通さないことを意味するので、光アイソレータとしては挿入損失が小さいほど好適である。アイソレーションとは、光アイソレータサンプル１０６における光出射側から入る光（戻り光）の光学的パワーの損失量を表し、この損失量が大きいほど光（戻り光）を通さないことを意味するので、光アイソレータとしてはアイソレーションが大きいほど好適である。波長可変光源１０１は、波長の異なる光を出射することが可能な部材である。コリメータ１０２は、光を平行光にするための部材である。ディテクタ１０３は、光を検知（受光）するための部材である。パワーメータ１０４は、ディテクタ１０３により検知された光学的パワーを測定するための部材である。基準偏光子１０５は、コリメータ１０２を介して出射された平行光のうち、所定角度の偏波面の光を選択的に透過するための部材である。このような構成測定装置を用いて、作製した光アイソレータサンプルの挿入損失およびアイソレーションを測定した。その測定結果は、挿入損失が０．３ｄＢ以下であり、アイソレーションが４０ｄＢ以上であった。つまり、実施例１の光アイソレータは、光アイソレーション特性が良好であった。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光アイソレータを表す平面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る光アイソレータを表す平面図である。
【図３】図１に示す光アイソレータを備える光モジュールを表す断面図である。
【図４】光アイソレータの挿入損失およびアイソレーションを測定するための測定装置の概略構成を表す。
【図５】従来の光アイソレータを表す平面図である。
【符号の説明】
【００４２】
Ｘ１，Ｘ２      光アイソレータ
１０            基板
１０ａ〜１０ｄ  （基板１０の）側面
２０            複合素子
２１            ファラデー回転子
２２            偏光子
２３            検光子
３０，３１      磁石
３０ａ〜３０ｄ，３１ａ〜３１ｄ    （磁石３０の）側面
【図１】
2006308737.tif 000003
【図２】
2006308737.tif 000004
【図３】
2006308737.tif 000005
【図４】
2006308737.tif 000006
【図５】
2006308737.tif 000007