(57)【要約】【課題】  放熱性を改善したバイポーラトランジスタを有する半導体装置を提供することにある。【解決手段】  半導体層を横切る素子分離溝によって互いに電気的に分離された複数の素子形成領域にバイポーラトランジスタを形成する半導体装置において、複数並列接続された単位バイポーラトランジスタＱｕが有する各単位バイポーラトランジスタの素子分離溝２ｂを取り去り、並列接続された複数の単位バイポーラトランジスタＱｕ全体を１つの素子分離溝２ｂで囲った構成とする。【選択図】  図９
2006216802.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層を横切る素子分離溝によって互いに電気的に分離された複数の素子形成領域に並列接続された複数のバイポーラトランジスタの前記素子分離溝を取り去り、前記並列接続された複数のバイポーラトランジスタ全体を１つの前記素子分離溝で囲い、前記各バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域を離して配置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層を横切る素子分離溝によって互いに電気的に分離された複数の素子形成領域に並列接続された複数のバイポーラトランジスタの前記素子分離溝を取り去り、前記並列接続された複数のバイポーラトランジスタ全体を１つの前記素子分離溝で囲い、隣接する前記各バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域を接して配置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体層を横切る素子分離溝によって互いに電気的に分離された複数の素子形成領域に並列接続された複数のバイポーラトランジスタの前記素子分離溝を取り去り、前記並列接続された複数のバイポーラトランジスタ全体を１つの前記素子分離溝で囲い、最外周に配置された前記バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域と前記素子分離溝を離して配置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体層を横切る素子分離溝によって互いに電気的に分離された複数の素子形成領域に並列接続された複数のバイポーラトランジスタの前記素子分離溝を取り去り、前記並列接続された複数のバイポーラトランジスタ全体を１つの前記素子分離溝で囲い、前記各バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域を離して配置し、最外周に配置された前記バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域と前記素子分離溝を離して配置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または請求項４記載の半導体装置において、
前記各バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域間に低濃度層による空乏化領域を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、
前記バイポーラトランジスタのエミッタ領域から前記素子分離溝を遠ざけ拡大して配置し、前記バイポーラトランジスタのエミッタ領域から前記バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域の端を遠ざけ拡大して配置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、
前記バイポーラトランジスタのエミッタ領域から前記素子分離溝を遠ざけ拡大して配置し、前記バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域を前記素子分離溝から離したことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項３、請求項４または請求項７記載の半導体装置において、
前記バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域と前記素子分離溝との間に前記低濃度層による空乏化領域を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置において、
中央部を疎に周辺部を密にバイポーラトランジスタを配置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置において、
各行（又は列）方向にエミッタ配線を延在し、各行（又は列）方向の前記バイポーラトランジスタ数を各列（又は行）方向の前記バイポーラトランジスタ数よりも少なく配置したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バイポーラトランジスタの放熱性の改善に係り、特に、絶縁素子分離型のバイポーラトランジスタに適用して有効な効果となる半導体装置の放熱性の改善に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板上の絶縁素子分離型のバイポーラトランジスタ技術について記載された文献である。特に図２には単位バイポーラトランジスタの平面及び断面構造の例が示されている。また、図４には単位バイポーラトランジスタを複数並列接続した場合の配置配線例が示されている。さらに、図２１にはマルチエミッタタイプの単位バイポーラトランジスタの断面構造例が示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２９９４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来技術においては、以下の課題があることを本願発明者等は見いだした。
従来技術における単位バイポーラトランジスタの構造は、素子の高性能化及び高集積化の為に当該プロセスにおける最小レイアウト寸法または前記最小レイアウト寸法に近い寸法で設計されており、前記単位バイポーラトランジスタを高電圧あるいは高電流で動作させる場合、自己発熱効果の影響で特性劣化することがあることを見出した。
また、単位バイポーラトランジスタを複数並列接続して用いた場合、周辺部に配置された単位バイポーラトランジスタよりも、中央部に配置された単位バイポーラトランジスタの方が発熱量が高くなり、各単位バイポーラトランジスタの接合部の温度バラツキがトランジスタの特性バラツキに影響を与えることを見出した。
さらに、単位バイポーラトランジスタを複数並列接続して用いた場合において、各行方向にエミッタ配線を延在する場合、エミッタ配線抵抗の小さい個所に配置された単位バイポーラトランジスタと、エミッタ配線抵抗の大きい個所に配置された単位バイポーラトランジスタとでエミッタ配線抵抗の違いにより、単位バイポーラトランジスタを高電圧あるいは高電流で動作させる場合、エミッタ配線抵抗の小さい個所に配置された単位バイポーラトランジスタが自己発熱効果の影響で熱暴走し破壊に至る場合があることを見出した。
【０００５】
本発明の目的は、絶縁素子分離型のバイポーラトランジスタの放熱性を改善することのできる技術を提供するものである。
また、本発明の他の目的は、単位バイポーラトランジスタを複数並列接続して用いた場合に、対基板容量を低減できる技術を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、本発明は、半導体層を横切る素子分離溝によって互いに電気的に分離された複数の素子形成領域にバイポーラトランジスタを形成する半導体装置において、並列接続された複数のバイポーラトランジスタを構成する各単位バイポーラトランジスタが個別に有する素子分離溝を取り去り、並列接続された複数のバイポーラトランジスタ全体を１つの素子分離溝で囲った構造としたものである。
また、本発明は、単位バイポーラトランジスタのエミッタと素子分離溝間との距離を拡大するようにしたものである。
【０００７】
第１の発明の特徴は、（１）  半導体層を横切る素子分離溝によって互いに電気的に分離された複数の素子形成領域に並列接続された複数のバイポーラトランジスタの前記素子分離溝を取り去り、前記並列接続された複数のバイポーラトランジスタ全体を１つの前記素子分離溝で囲い、前記各バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域を離して配置した半導体装置にある。
【０００８】
第２の発明の特徴は、（２）半導体層を横切る素子分離溝によって互いに電気的に分離された複数の素子形成領域に並列接続された複数のバイポーラトランジスタの前記素子分離溝を取り去り、前記並列接続された複数のバイポーラトランジスタ全体を１つの前記素子分離溝で囲い、隣接する前記各バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域を接して配置した半導体装置にある。
【０００９】
第３の発明の特徴は、（３）半導体層を横切る素子分離溝によって互いに電気的に分離された複数の素子形成領域に並列接続された複数のバイポーラトランジスタの前記素子分離溝を取り去り、前記並列接続された複数のバイポーラトランジスタ全体を１つの前記素子分離溝で囲い、最外周に配置された前記バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域と前記素子分離溝を離して配置した半導体装置にある。
第４の発明の特徴は、（４）半導体層を横切る素子分離溝によって互いに電気的に分離された複数の素子形成領域に並列接続された複数のバイポーラトランジスタの前記素子分離溝を取り去り、前記並列接続された複数のバイポーラトランジスタ全体を１つの前記素子分離溝で囲い、前記各バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域を離して配置し、最外周に配置された前記バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域と前記素子分離溝を離して配置した半導体装置にある。
（５）上記（１）または（４）の半導体装置において、前記各バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域間に低濃度層による空乏化領域を設けることが好ましい。
（６）上記（１）の半導体装置において、前記バイポーラトランジスタのエミッタ領域から前記素子分離溝を遠ざけ拡大して配置し、前記バイポーラトランジスタのエミッタ領域から前記バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域の端を遠ざけ拡大して配置することが好ましい。
（７）上記（１）の半導体装置において、前記バイポーラトランジスタのエミッタ領域から前記素子分離溝を遠ざけ拡大して配置し、前記バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域を前記素子分離溝から離すことが好ましい。
（８）上記（３）、（４）または（７）の半導体装置において、前記バイポーラトランジスタの埋め込みコレクタ領域と前記素子分離溝との間に前記低濃度層による空乏化領域を設けることが好ましい。
（９）上記（１）の半導体装置において、中央部を疎に周辺部を密にバイポーラトランジスタを配置することが好ましい。
（１０）上記（１）の半導体装置において、各行（又は列）方向にエミッタ配線を延在し、各行（又は列）方向の前記バイポーラトランジスタ数を各列（又は行）方向の前記バイポーラトランジスタ数よりも少なく配置することが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
上記手段による本発明の代表的な効果は、素子分離溝によって互いに分離された素子形成領域に形成されたバイポーラトランジスタの放熱性の改善ができるということである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。また、本実施の形態では、バイポーラトランジスタをトランジスタと略す。
【実施例１】
【００１２】
図１（ａ）は、本発明を適用した半導体装置を構成する単位トランジスタＱｕを示している。
図１（ｂ）は、図１（ａ）の単位トランジスタを複数並列接続することでトランジスタＱを形成している。
【００１３】
図２は、図１に示す従来技術における単位トランジスタＱｕのデバイス構造の一例を示している。図２（ａ）は単位トランジスタＱｕの平面図、（ｂ）は単位トランジスタＱｕをｎｐｎ型とした場合の（ａ）のＸ１−Ｘ１断面図を示す。デバイス構造の例は、ＳＯＩ基板を用いた絶縁素子分離型トランジスタであるが、本発明の適用範囲としては、ＢＵＬＫ基板を用いた絶縁素子分離型トランジスタでもよい。また、トランジスタの導電形式はｎｐｎ型またはｐｎｐ型どちらでも良い。さらに、トランジスタの構造は、横型、縦型、ヘテロ構造等特に問わない。
【００１４】
図３は、図１に示す従来技術における単位トランジスタＱｕがマルチエミッタタイプのデバイス構造の一例を示している。図３（ａ）は単位トランジスタＱｕの平面図、（ｂ）は単位トランジスタＱｕをｎｐｎ型とした場合の（ａ）のＸ１−Ｘ１断面図を示す。２つのエミッタＥＣ１−ＥＣ２間、及びエミッタ−素子分離溝２ｂ間の寸法は、素子の高性能化及び高集積化の為に当該プロセスにおける最小レイアウト寸法または最小レイアウト寸法に近い寸法で設計されている。
単位トランジスタＱｕは、隣接する素子と電気的に分離するために、熱抵抗の高い素子分離溝２ｂに囲まれている為、放熱性が悪く熱抵抗の高い構造となっている。
【００１５】
図４は、単位トランジスタにおける実施例を示す。単位トランジスタは、図３に示すようなマルチエミッタ構造でもよい。図４（ａ）及び（ｂ）は、図２に示す単位トランジスタＱｕの素子分離溝２ｂ及び埋め込みコレクタ領域３ａの端をエミッタＥＣから遠ざけ拡大して配置した場合の実施例である。単位トランジスタＱｕにおける発熱は、熱抵抗の高い素子分離溝２ｂにより遮断されているので、単位トランジスタＱｕの熱抵抗Ｒｔｈは素子分離溝２ｂの内側の面積に依存する。従って、素子分離溝２ｂを拡大することにより単位トランジスタＱｕの熱抵抗を低減可能な構造とすることが可能である。
【００１６】
図５は、図４の実施例を適用した場合の単位トランジスタの一測定結果である。グラフ中の「素子分離溝標準」で示したものが図２の従来構造のトランジスタ特性であり、その他のデータが図４の実施例を適用した場合の単位トランジスタのデータである。
図５（ａ）は、単位トランジスタの熱抵抗Ｒｔｈの素子分離溝面積（素子分離溝２ｂの内側の面積）依存性を示す。素子分離溝２ｂの拡大と共にＲｔｈは低下し、放熱性が改善されている。
図５（ｂ）は、単位トランジスタの自己発熱による素子破壊パワーの素子分離溝面積依存性を示す。素子分離溝２ｂの拡大により単位トランジスタの熱抵抗が低下したことで素子が破壊にいたるパワーを増大することが可能である。実施例では、図２に示す従来構造の単位トランジスタの素子分離溝２ｂに対して行方向及び列方向にそれぞれ８ｕｍ拡大すると素子破壊は見られなかった。
図５（ｃ）は、電流利得遮断周波数ｆＴの素子分離溝面積依存性を示す。素子分離溝２ｂの拡大と共に高ＶＣＥでの電流利得遮断周波数ｆＴも改善している。
図５（ｄ）は、最大電流利得遮断周波数（ｆＴｐｅａｋ）時のコレクタ電流（ＩＣ＠ｆＴｐｅａｋ）の素子分離溝面積依存性を示す。素子分離溝２ｂの拡大と共にＩＣ＠ｆＴｐｅａｋも改善されていることを確認した。
【００１７】
図６は、図４に示す単位トランジスタにおける他の実施例である。埋め込みコレクタ領域３ａを素子分離溝２ｂ拡大前と同じ領域のみに形成した構造である。図４（ｂ）に比べ埋め込みコレクタ領域３ａの面積が小さいので対基板容量の底面成分を小さくできる。
【００１８】
図７は、図６に示す単位トランジスタにおける他の実施例である。埋め込みコレクタ領域３ａと素子分離溝２ｂとの間に低濃度層１０による空乏化領域を形成した構造である。図４（ｂ）の構造では、対基板容量の周辺成分が素子分離溝２ｂの容量のみで決定されるのに対して、図７の構造では、素子分離溝２ｂの容量と低濃度層１０による空乏化領域の容量との直列容量で決定される。また、対基板容量の底面成分についても、埋め込みコレクタ領域３ａの端では、低濃度層１０による空乏化領域の容量とＳＯＩ基板１の絶縁層１ｂの容量との直列容量で決定される。従って、図６の構造よりもさらなる対基板容量の低減が可能な構造である。
【実施例２】
【００１９】
図８は、従来技術における単位トランジスタＱｕを複数並列接続した場合のデバイス構造の一例を示す。図８（ａ）は単位トランジスタＱｕを複数並列接続した場合の平面図、図８（ｂ）は、単位トランジスタＱｕをｎｐｎ型とした場合の（ａ）のＸ１−Ｘ１断面図を示す。
【００２０】
図９は、単位トランジスタＱｕを複数並列接続した場合の実施例を示す。単位トランジスタは、図３に示すようなマルチエミッタ構造でもよい。図９（ａ）及び（ｂ）は、各単位トランジスタＱｕの素子分離溝２ｂを取り去り、複数並列接続された単位トランジスタＱｕ全体を１つの素子分離溝２ｂで囲った場合の実施例である。
図３に示したマルチエミッタタイプの単位トランジスタＱｕと断面構造が酷似しているが、図３の単位トランジスタＱｕは、素子の高性能化及び高集積化の為に当該プロセスにおける最小レイアウト寸法または最小レイアウト寸法に近い寸法で設計されている。これに対し、図９の実施例では、放熱性改善の為に、各単位トランジスタＱｕのエミッタ（ＥＣ１，ＥＣ２，ＥＣ３）間、及び最外周に配置された単位トランジスタＱｕのエミッタと素子分離溝２ｂ間の寸法は遥かに広い構造としている。
【００２１】
本実施例は、図８に示す従来構造に比べ、隣接する単位トランジスタＱｕのエミッタ距離が離れていることと、最外周に配置された単位トランジスタＱｕのエミッタと素子分離溝との距離が広がっていることにより、単位トランジスタＱｕの熱抵抗Ｒｔｈを低減可能な構造である。また、複数の単位トランジスタＱｕが１つの素子分離溝２ｂで囲まれている為、各単位トランジスタＱｕ間の熱抵抗Ｒｔｈバラツキを低減可能な構造である。さらに、各単位トランジスタＱｕが個別に有する素子分離溝２ｂを取り去ったことにより、隣接する単位トランジスタＱｕ間の素子分離溝２ｂで決定されていた対基板容量の周辺成分が無くなる為、図８に比べ対基板容量を低減できる。
【００２２】
図１０は、図９に示す単位トランジスタＱｕを複数並列接続した場合の他の実施例である。埋め込みコレクタ領域３ａが素子分離溝２ｂ内側全体に埋め込まれた構造である。各単位トランジスタＱｕの埋め込みコレクタ領域３ａが接していることで各単位トランジスタＱｕの熱抵抗Ｒｔｈバラツキを低減可能な構造である。図９に示す構造と同様に対基板容量の周辺成分が低減可能であり、本実施例では、複数並列接続したトランジスタ全体の対基板容量は、図８の従来構造に比べ、およそ２５％低減した。
【００２３】
図１１は、図９に示す単位トランジスタＱｕを複数並列接続した場合の他の実施例である。各単位トランジスタＱｕの埋め込みコレクタ領域３ａ間及び最外周に配置された単位トランジスタＱｕの埋め込みコレクタ領域３ａと素子分離溝２ｂとの間に低濃度層１０による空乏化領域を形成した構造である。
各単位トランジスタＱｕの対基板容量の周辺成分は、低濃度層１０による空乏化領域の容量とＳＯＩ基板１の絶縁層１ｂの容量との直列容量で決定されるため、図９、図１０に比べ更に対基板容量を低減可能な構造である。
【００２４】
図１２は、２ｍＡ／エミッタで使用する単位トランジスタＱｕを複数並列接続した場合のベース接地でのＩＣ−ＶＣＢ特性の一測定結果である。トランジスタは、列方向に５ヶ、行方向に８ヶ配置し、計４０ヶの単位トランジスタＱｕを並列接続している。（ａ）は、図８（ａ）に示すような従来の単位トランジスタＱｕが個別に素子分離溝２ｂを有する場合のＩＣ−ＶＣＢ特性を示す。各単位トランジスタＱｕのエミッタ配線の寄生抵抗バラツキにより、エミッタ配線の寄生抵抗が小さい部分に配置された単位トランジスタＱｕにおいて、自己発熱効果の影響による熱暴走が原因で、目標仕様ＩＣ＝４０ｍＡ（＠ＶＣＢ＝１４Ｖ）を大幅に未達の特性となっている。（ｂ）は、図８（ａ）に示すような従来の単位トランジスタＱｕが個別に素子分離溝２ｂを有する構造であって、各単位トランジスタＱｕのベース−エミッタ間電圧ＶＢＥバラツキ低減の為に、一般的に用いられる各単位トランジスタＱｕのエミッタ端子にバラスト抵抗を挿入した場合のＩＣ−ＶＣＢ特性を示す。（ａ）の特性に比べ大幅に熱暴走による素子破壊耐圧は改善されているが、各単位トランジスタＱｕの熱抵抗Ｒｔｈバラツキによるある特定単位トランジスタＱｕの自己発熱効果の影響による熱暴走が原因で目標は未達である。（ｃ）は、各単位トランジスタＱｕのエミッタ端子にバラスト抵抗を挿入し、さらに、図９に示す実施例を適用した場合のＩＣ−ＶＣＢ特性を示す。並列接続された各単位トランジスタ全体を１つの素子分離溝２ｂで囲った構造により、各単位トランジスタ間の熱抵抗Ｒｔｈのバラツキを低減させたことにより、目標仕様を達成した一例である。
【実施例３】
【００２５】
図１３は、単位トランジスタＱｕにおける素子分離溝２ｂの拡大方法に関する別の実施例を示した平面図である。
図１３（ａ）は、従来構造の平面図である。
図１３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、素子分離溝２ｂの拡大の実施例を示す。素子分離溝２ｂの拡大方法は、行方向のみでも、列方向のみでも、さらにその組み合わせでもよい。また、その大きさは、図５を参考にすれば、必要最小限に設計可能である。
【実施例４】
【００２６】
図１４は、単位トランジスタＱｕを一方向にのみ複数並列接続した場合の実施例を示した平面図である。各単位トランジスタＱｕは、配線により並列接続されているものとする。
図１４（ａ）は、各単位トランジスタＱｕが素子分離溝２ｂを持った従来構造の平面図である。
図１４（ｂ）、（ｃ）は、各単位トランジスタＱｕの素子分離溝２ｂを取り去り、複数並列接続された単位トランジスタＱｕ全体を１つの素子分離溝２ｂで囲った場合の実施例である。
【実施例５】
【００２７】
図１５は、単位トランジスタＱｕを行方向及び列方向に複数並列接続した場合における実施例を示した平面図である。各単位トランジスタＱｕは、配線により並列接続されているものとする。
図１５（ａ）は、各単位トランジスタＱｕが素子分離溝２ｂを持った従来構造の平面図である。
図１５（ｂ）、（ｃ）は、各単位トランジスタＱｕの素子分離溝２ｂを取り去り、複数並列接続された単位トランジスタＱｕ全体を１つの素子分離溝２ｂで囲った場合の実施例である。
【実施例６】
【００２８】
図１６は、単位トランジスタＱｕを行方向及び列方向に複数並列接続した場合における別の実施例を示した平面図である。各単位トランジスタＱｕは、配線により並列接続されているものとする。
熱解析の結果、周辺部に比べ中央部に位置する単位トランジスタＱｕの発熱量が高いことが明らかとなっている。
図１６（ａ）、（ｂ）は、各単位トランジスタＱｕの素子分離溝２ｂを取り去り、複数並列接続された単位トランジスタＱｕ全体を１つの素子分離溝２ｂで囲い、さらに、周辺部を密に中心部を疎になるように各単位トランジスタＱｕを配置した実施例である。上記配置により、各単位トランジスタＱｕの熱抵抗のバラツキを低減可能である。
【実施例７】
【００２９】
図１７は、単位トランジスタＱｕを行方向及び列方向に複数並列接続した場合における別の実施例を示した平面図である。本実施例では、各列方向にエミッタ配線Ｌ３を延在する。各列方向にエミッタ配線Ｌ３を延在する場合は、図１７（ｂ）に示すように、各列方向の単位トランジスタ数を各行方向の単位トランジスタ数よりも少なく配置した構造が好適である。また、エミッタ電圧供給部からの各単位トランジスタのエミッタ電極までの配線長は等長配線となっている。
図１７（ｂ）に示す単位トランジスタＱｕの配置・配線構造により、図１７（ａ）に比べ、エミッタ配線の寄生抵抗によるエミッタ−ベース間電圧VBEバラツキを低減可能となり、エミッタ配線の寄生抵抗が小さい部分に配置された単位トランジスタＱｕの自己発熱効果の影響による熱暴走起因の素子破壊を防止可能な構造である。
【実施例８】
【００３０】
図１８は、図９に示す単位トランジスタＱｕを複数並列接続した場合の別の実施例である。図９に示す単位トランジスタのエミッタとベースを配線Ｌ３で接続し、ダイオードとして使用した例である。図１８（ａ）はエミッタとベースを配線で接続した単位トランジスタＱｕを複数並列接続した回路図、（ｂ）は平面図である。図９の実施例と同様に、並列接続した単位トランジスタ間の熱抵抗バラツキが低減可能であり、対基板容量も小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】（ａ）は本発明の一実施例の形態である半導体装置を構成するトランジスタのシンボル図、（ｂ）は（ａ）のトランジスタを並列接続した場合の回路図である。
【図２】（ａ）は図1の従来構造の単位トランジスタの平面図、（ｂ）は単位トランジスタをｎｐｎ型とした場合の（ａ）のＸ１−Ｘ１線の断面図である。
【図３】（ａ）は図1の従来構造のマルチエミッタタイプの単位トランジスタの平面図、（ｂ）は単位トランジスタをｎｐｎ型とした場合の（ａ）のＸ１−Ｘ１線の断面図である
【図４】（ａ）は本発明の一実施例の形態である単位トランジスタの平面図、（ｂ）は単位トランジスタをｎｐｎ型とした場合の（ａ）のＸ１−Ｘ１線の断面図である。
【図５】図４に示す一実施例の効果を電気的特性にて確認した結果である。（ａ）は、単位トランジスタの熱抵抗Ｒｔｈの素子分離溝面積依存性を示す。（ｂ）は、単位トランジスタの自己発熱による素子破壊パワーの素子分離溝面積依存性を示す。（ｃ）は、電流利得遮断周波数ｆＴの素子分離溝面積依存性を示す。（ｄ）は、最大電流利得遮断周波数ｆＴ（ｆＴｐｅａｋ）時のコレクタ電流（ＩＣ＠ｆＴｐｅａｋ）の素子分離溝面積依存性を示す。
【図６】図４（ａ）の他の実施例のＸ１−Ｘ１線の断面図である。
【図７】図４（ａ）の他の実施例のＸ１−Ｘ１線の断面図である。
【図８】（ａ）は図1の従来構造の単位トランジスタを複数並列接続した場合の平面図、（ｂ）は単位トランジスタをｎｐｎ型とした場合の（ａ）のＸ１−Ｘ１線の断面図である。
【図９】単位トランジスタを複数並列接続した場合の本発明の一実施の形態である。（ａ）は図1の従来構造の複数並列接続された単位トランジスタの個々の素子分離溝を取り去り、並列接続された単位トランジスタ全体を１つの素子分離溝で囲った場合の平面図、（ｂ）は単位トランジスタをｎｐｎ型とした場合の（ａ）のＸ１−Ｘ１線の断面図である。
【図１０】図９（ａ）の他の実施例のＸ１−Ｘ１線の断面図である。
【図１１】図９（ａ）の他の実施例のＸ１−Ｘ１線の断面図である。
【図１２】図１０に示す一実施例の効果を電気的特性にて確認した結果である。（ａ）は、図８（ａ）に示すような従来の単位トランジスタＱｕが個別に素子分離溝２ｂを有する場合のＩＣ−ＶＣＢ特性である。（ｂ）は、図８（ａ）に示すような従来の単位トランジスタＱｕが個別に素子分離溝２ｂを有する構造で、各単位トランジスタのエミッタ端子にバラスト抵抗を挿入した場合のＩＣ−ＶＣＢ特性である。（ｃ）は、各単位トランジスタＱｕのエミッタ端子にバラスト抵抗を挿入し、さらに、図１０に示す実施例を適用した場合のＩＣ−ＶＣＢ特性である。
【図１３】（ａ）は図1の単位トランジスタの平面図、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は本発明の一実施の形態である単位トランジスタの平面図である。
【図１４】（ａ）は図1の単位トランジスタを複数並列接続した場合の平面図、（ｂ）、（ｃ）は本発明の一実施の形態である複数並列接続された単位トランジスタ全体を１つの素子分離溝で囲った平面図である。
【図１５】（ａ）は図1の単位トランジスタを複数並列接続した場合の平面図、（ｂ）、（ｃ）は本発明の一実施の形態である複数並列接続された単位トランジスタ全体を１つの素子分離溝で囲った平面図である。
【図１６】（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施の形態である複数並列接続された単位トランジスタ全体を１つの素子分離溝で囲い、周辺部を密に中央部を疎になるように単位トランジスタを配置した平面図である。
【図１７】（ａ）は本発明の一実施の形態である複数並列接続された単位トランジスタ全体を１つの素子分離溝で囲い、各列方向にエミッタ配線を延在する場合で、各列方向の単位トランジスタ数を各行方向の単位バイポーラトランジスタ数よりも多く配置した平面図、（ｂ）は各列方向にエミッタ配線を延在する場合で、各列方向の単位バイポーラトランジスタ数を各行方向の単位トランジスタ数よりも少なく配置した平面図である。
【図１８】（ａ）はエミッタ・ベースを配線で接続した図１（ａ）の単位トランジスタを複数並列接続した場合の回路図、（ｂ）は（ａ）の回路図の単位トランジスタの個々の素子分離溝を取り去り、並列接続された単位トランジスタ全体を１つの素子分離溝で囲った場合の平面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１…ＳＯＩ基板、  １ａ…支持基板、  １ｂ…絶縁層、  １ｃ…半導体層、  ２ａ…浅い分離部、  ２ｂ…深い溝型の分離部（素子分離用溝）、  ３ａ…埋め込みコレクタ領域、  ３ｂ…コレクタ引出領域、  ３ｃ…コレクタ領域、  ４…ベース領域、  ５ａ…ベース引出電極、  ６…エミッタ領域、  ７…エミッタ電極、  ８…絶縁膜、  ９Ｂ，９Ｂ１，９Ｂ２，９Ｂ３…ベース電極、  ９Ｅ，９Ｅ１，９Ｅ２，９Ｅ３…エミッタ電極、      １０…低濃度層、      ９Ｃ，９Ｃ１，９Ｃ２，９Ｃ３…コレクタ電極、  Ｑ，Ｑｕ…バイポーラトランジスタ、    ＢＣ，ＢＣ１，ＢＣ２，ＢＣ３，ＥＣ，ＥＣ１，ＥＣ２，ＥＣ３，ＣＣ，ＣＣ１，ＣＣ２，ＣＣ３…コンタクトホール、  Ｌ１…第一層配線、  Ｌ２…第２層配線、  Ｌ３…第一層配線、  ＴＨ１…スルーホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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