(57)【要約】      （修正有）【課題】高い逆方向反抗電圧と高い静電防止能力を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードの提供。【解決手段】基板１０の一側面に特定組成の窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌaＧａbＩｎ1-a-bＮ，０≦ａ，ｂ＜１，ａ＋ｂ≦１）で構成されたバッファ層２０が形成され、その上にｎ型コンタクト層３０、アクティブ層４０、未被覆部に負電極４２、Ｐ型クラッド層５０、Ｐ型コンタクト層６０、静電防止薄層７０、不重畳正電極８０及び透明導電層８２が順次形成される。この静電防止薄層により窒化ガリウム系発光ダイオードの逆方向反抗電圧と静電防止能力を明らかに改善し、窒化ガリウム系発光ダイオードの使用寿命を延長した。【選択図】図３
2006120764.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ガリウム系発光ダイオードにおいて、
サファイヤ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、スピネル、（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ）、或いは格子定数が窒化物半導体に接近する単結晶酸化物のいずれかで形成された基板と、
該基板の一側面に位置し、特定組成の窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌa Ｇａb Ｉｎ1-a-b Ｎ，０≦ａ，ｂ＜１，ａ＋ｂ≦１）で構成されたバッファ層と、
このバッファ層の上に位置し、窒化ガリウム（ＧａＮ）系材料で形成されたｎ型コンタクト層と、
該ｎ型コンタクト層の上に位置し且つ一部のｎ型コンタクト層の上表面を被覆し、窒化インジウムガリウムで形成されたアクティブ層と、
該ｎ型コンタクト層の上表面のアクティブ層により未被覆の上表面に形成された負電極と、
該アクティブ層の上に位置しｐ型窒化ガリウム系材料で構成されたｐ型クラッド層と、  該ｐ型クラッド層の上に位置し、ｐ型窒化ガリウムで形成されたｐ型コンタクト層と、  該ｐ型コンタクト層の上に位置し、アンドープの窒化インジウムガリウム、バンドギャップが３．４ｅＶより小さいアンドープの窒化アルミニウムインジウムガリウム、及びアンドープの窒化インジウムガリウムとバンドギャップが３．４ｅＶより小さいアンドープの窒化アルミニウムインジウムガリウムで形成された超格子構造の三種類の材料のいずれかで構成された静電防止薄層と、
該静電防止薄層の上に位置し、且つその一部表面を被覆する金属導電層と透明酸化層のいずれかとされ、金属導電層は、Ｎｉ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｔ合金、Ｎｉ／Ｐｄ合金、Ｐｄ／Ａｕ合金、Ｐｔ／Ａｕ合金、Ｃｒ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ａｕ／Ｂｅ合金、Ｎｉ／Ｃｒ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ合金及びその他の類似材料のいずれかで形成され、透明酸化層は、ＩＴＯ、ＣＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＧａ2 Ｏ4 、ＳｎＯ2 ：Ｓｂ、Ｇａ2 Ｏ3 ：Ｓｎ、ＡｇＩｎＯ2 ：Ｓｎ、Ｉｎ2 Ｏ3 ：Ｚｎ、ＣｕＡｌＯ2 、ＬａＣｕＯＳ、ＮｉＯ、ＣｕＧａＯ2 ，ＳｒＣｕ2 Ｏ2 のいずれかで形成される、透明導電層と、
該静電防止薄層の上の、透明導電層で未被覆の表面上に位置し、Ｎｉ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｔ合金、Ｎｉ／Ｐｄ合金、Ｎｉ／Ｃｏ合金、Ｐｄ／Ａｕ合金、Ｐｔ／Ａｕ合金、Ｔｉ／Ａｕ合金、Ｃｒ／Ａｕ合金、Ｓｎ／Ａｕ合金、Ｔａ／Ａｕ合金、ＴｉＮ、ＴｉＷＮx （ｘ≧０）、ＷＳｉy （ｙ≧０）のいずれかで形成された正電極と、
を具えたことを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオード。
【請求項２】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードにおいて、静電防止薄層が、アンドープで、特定組成を有する窒化インジウムガリウム（Ｉｎd Ｇａ1-d Ｎ，０＜ｄ≦１）で構成され、その厚さは５Å〜１００Åの間とされたことを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオード。
【請求項３】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードにおいて、静電防止薄層が、アンドープで、特定組成を有し、バンドギャップが３．４ｅＶより小さい窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌe Ｉｎf Ｇａ1-e-f Ｎ，０＜ｅ，ｆ＜１，ｅ＋ｆ＜１）で構成され、その厚さが５Å〜１００Åの間とされたことを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオード。
【請求項４】
請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードにおいて、静電防止薄層が、窒化インジウムガリウム薄層と窒化アルミニウムインジウムガリウム薄層が交互に重複して堆積されてなる超格子構造とされ、その重複回数は少なくとも２回とされ、且つ総厚さが２００Å以下とされ、各窒化インジウムガリウム薄層は、いずれもその厚さが５Å〜２０Åの間とされ、且ついずれもアンドープで、それぞれがその特定組成を有する窒化インジウムガリウム（Ｉｎk Ｇａ1-k Ｎ，０＜ｋ≦１）で構成され、各窒化アルミニウムインジウムガリウム薄層は、いずれもその厚さが５Å〜２０Åの間とされ、且ついずれもアンドープで、それぞれの特定組成を具え、バンドギャップが３．４ｅＶより小さい窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌp Ｉｎq Ｇａ1-p-q Ｎ，０＜ｐ，ｑ＜１，ｐ＋ｑ＜１）で構成されたことを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の窒化ガリウム系発光ダイオードに係り、特に、高い逆方向反抵抗電圧と高い静電防止能力を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム（ＧａＮ）系発光ダイオードは、材料の組成を制御することにより、各種の色光の発光ダイオードを形成でき、その関係技術は近年業界の積極的な研究開発の焦点となっている。窒化ガリウム系発光ダイオードは、各種の例えば電子時計、携帯電話などの電子装置の表示機能の伝統的な応用のほかに、その輝度と発光効率等の方面での技術改革により、次第に屋外表示看板、車用照明装置等の領域に応用されるようになった。
【０００３】
屋外照明表示設備に応用される時、窒化ガリウム系発光ダイオードには高輝度と高発光効率のほか、極めて重要な要求として相当高い逆方向反抗電圧（Ｒｅｖｅｒｓｅ  Ｗｉｔｈｓｔａｎｄｉｎｇ  Ｖｏｌｔａｇｅ）と静電防止（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇ；ＥＳＤ）能力が、長時間屋外の過酷な環境下で運転でき実用価値を有するために要求される。
【０００４】
伝統的な窒化ガリウム系発光ダイオードは、その周知の構造によると、窒化ガリウム系の窒化物エピタキシャル層が通常はサファイヤで構成された基板上に成長させられる。窒化ガリウム系窒化物とサファイヤ基板の格子定数はミスマッチで、過大な応力の累積を形成しがちで、このため周知の窒化ガリウム系発光ダイオードのエピタキシャル結晶品質は不良であり、その静電防止能力に影響が生じた。
【０００５】
現在、この問題を解決するために最も広く採用されている方法は、フリップチップ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ）の工程を採用し、窒化ガリウム系発光ダイオードとシリコンで構成されたツェナーダイオード（Ｚｅｎｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）を一体に結合させる方法である。この方法は確実に窒化ガリウム系発光ダイオードが受ける静電防止能力の問題を解決できるが、このようなフリップチップの製造工程は周知の窒化ガリウム系発光ダイオードの製造工程に較べて非常に複雑である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の提供する窒化ガリウム系発光ダイオードは前述の関係技術中の制限と欠点を解決するものである。
【０００７】
本発明の提供する窒化ガリウム系発光ダイオードはその構造の周知の窒化ガリウム系発光ダイオードとの主要な差異は、アンドープの窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、或いは低バンドギャップ（Ｅｇ＜３．４ｅＶ）のアンドープの窒化アルミニウムインジウムガリウムを利用し、周知の窒化ガリウム系発光ダイオードのｐ型コンタクト層の上に１層の静電防止薄層を形成し、この静電防止薄層により窒化ガリウム系発光ダイオードの逆方向反抗電圧と静電防止能力を明らかに改善し、これにより窒化ガリウム系発光ダイオードの使用寿命を延長したことにある。
【０００８】
図１と図２は三種類の異なる材料の静電防止薄層の静電防止電圧と逆方向反抗電圧の異なる静電防止薄層厚さに対する実験データ図である。図１と図２に示されるように、アンドープの窒化インジウムガリウム（Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ）で形成され、厚さが５Å〜１００Åの間の静電防止薄層は、明らかに同様にＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎを採用し、同じ厚さの、ただしシリコン（Ｓｉ）とマグネシウム（Ｍｇ）ドープの静電防止薄層に較べ、良好な静電防止能力と逆方向反抗電圧を有している。
【０００９】
上述の長所のほか、アンドープの窒化インジウムガリウム、或いは低バンドギャップのアンドープの窒化アルミニウムインジウムガリウムで形成した静電防止薄層は、このような材料の低バンドギャップ特性により、さらに静電防止薄層とその上の金属電極或いは透明導電電極の間の電気抵抗が、金属電極或いは透明導電電極とｐ型コンタクト層よりもさらに低いため、オームコンタクトを容易に形成できる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１の発明は、窒化ガリウム系発光ダイオードにおいて、
サファイヤ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、スピネル、（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ）、或いは格子定数が窒化物半導体に接近する単結晶酸化物のいずれかで形成された基板と、
該基板の一側面に位置し、特定組成の窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌa Ｇａb Ｉｎ1-a-b Ｎ，０≦ａ，ｂ＜１，ａ＋ｂ≦１）で構成されたバッファ層と、
このバッファ層の上に位置し、窒化ガリウム（ＧａＮ）系材料で形成されたｎ型コンタクト層と、
該ｎ型コンタクト層の上に位置し且つ一部のｎ型コンタクト層の上表面を被覆し、窒化インジウムガリウムで形成されたアクティブ層と、
該ｎ型コンタクト層の上表面のアクティブ層により未被覆の上表面に形成された負電極と、
該アクティブ層の上に位置しｐ型窒化ガリウム系材料で構成されたｐ型クラッド層と、  該ｐ型クラッド層の上に位置し、ｐ型窒化ガリウムで形成されたｐ型コンタクト層と、  該ｐ型コンタクト層の上に位置し、アンドープの窒化インジウムガリウム、バンドギャップが３．４ｅＶより小さいアンドープの窒化アルミニウムインジウムガリウム、及びアンドープの窒化インジウムガリウムとバンドギャップが３．４ｅＶより小さいアンドープの窒化アルミニウムインジウムガリウムで形成された超格子構造の三種類の材料のいずれかで構成された静電防止薄層と、
該静電防止薄層の上に位置し、且つその一部表面を被覆する金属導電層と透明酸化層のいずれかとされ、金属導電層は、Ｎｉ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｔ合金、Ｎｉ／Ｐｄ合金、Ｐｄ／Ａｕ合金、Ｐｔ／Ａｕ合金、Ｃｒ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ａｕ／Ｂｅ合金、Ｎｉ／Ｃｒ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ合金及びその他の類似材料のいずれかで形成され、透明酸化層は、ＩＴＯ、ＣＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＧａ2 Ｏ4 、ＳｎＯ2 ：Ｓｂ、Ｇａ2 Ｏ3 ：Ｓｎ、ＡｇＩｎＯ2 ：Ｓｎ、Ｉｎ2 Ｏ3 ：Ｚｎ、ＣｕＡｌＯ2 、ＬａＣｕＯＳ、ＮｉＯ、ＣｕＧａＯ2 ，ＳｒＣｕ2 Ｏ2 のいずれかで形成される、透明導電層と、
該静電防止薄層の上の、透明導電層で未被覆の表面上に位置し、Ｎｉ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｔ合金、Ｎｉ／Ｐｄ合金、Ｎｉ／Ｃｏ合金、Ｐｄ／Ａｕ合金、Ｐｔ／Ａｕ合金、Ｔｉ／Ａｕ合金、Ｃｒ／Ａｕ合金、Ｓｎ／Ａｕ合金、Ｔａ／Ａｕ合金、ＴｉＮ、ＴｉＷＮx （ｘ≧０）、ＷＳｉy （ｙ≧０）のいずれかで形成された正電極と、
を具えたことを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードとしている。
請求項２の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードにおいて、静電防止薄層が、アンドープで、特定組成を有する窒化インジウムガリウム（Ｉｎd Ｇａ1-d Ｎ，０＜ｄ≦１）で構成され、その厚さは５Å〜１００Åの間とされたことを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードとしている。
請求項３の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードにおいて、静電防止薄層が、アンドープで、特定組成を有し、バンドギャップが３．４ｅＶより小さい窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌe Ｉｎf Ｇａ1-e-f Ｎ，０＜ｅ，ｆ＜１，ｅ＋ｆ＜１）で構成され、その厚さが５Å〜１００Åの間とされたことを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードとしている。
請求項４の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系発光ダイオードにおいて、静電防止薄層が、窒化インジウムガリウム薄層と窒化アルミニウムインジウムガリウム薄層が交互に重複して堆積されてなる超格子構造とされ、その重複回数は少なくとも２回とされ、且つ総厚さが２００Å以下とされ、各窒化インジウムガリウム薄層は、いずれもその厚さが５Å〜２０Åの間とされ、且ついずれもアンドープで、それぞれがその特定組成を有する窒化インジウムガリウム（Ｉｎk Ｇａ1-k Ｎ，０＜ｋ≦１）で構成され、各窒化アルミニウムインジウムガリウム薄層は、いずれもその厚さが５Å〜２０Åの間とされ、且ついずれもアンドープで、それぞれの特定組成を具え、バンドギャップが３．４ｅＶより小さい窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌp Ｉｎq Ｇａ1-p-q Ｎ，０＜ｐ，ｑ＜１，ｐ＋ｑ＜１）で構成されたことを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードとしている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の提供する窒化ガリウム系発光ダイオードはアンドープの窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、或いは低バンドギャップ（Ｅｇ＜３．４ｅＶ）のアンドープの窒化アルミニウムインジウムガリウムを利用し、周知の窒化ガリウム系発光ダイオードのｐ型コンタクト層の上に１層の静電防止薄層を形成し、この静電防止薄層により窒化ガリウム系発光ダイオードの逆方向反抗電圧と静電防止能力を明らかに改善し、これにより窒化ガリウム系発光ダイオードの使用寿命を延長する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図３は本発明の窒化ガリウム系発光ダイオードの第１実施例の表示図である。図３に示されるように、この実施例はＣ−Ｐｌａｎｅ或いはＲ−Ｐｌａｎｅ或いはＡ−Ｐｌａｎｅのサファイヤ或いは炭化シリコン（６Ｈ−ＳｉＣ或いは４Ｈ−ＳｉＣ）を基板１０とし、その他の基板１０に使用できる材料には、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ或いはスピネル（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ）、或いは格子定数が窒化物半導体に近い単結晶酸化物がある。その後、この基板１０の一側面に特定組成の窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌa Ｇａb Ｉｎ1-a-b Ｎ，０≦ａ，ｂ＜１，ａ＋ｂ≦１）で構成されたバッファ層２０が形成され、このバッファ層の上にｎ型コンタクト層３０が形成され、このｎ型コンタクト層３０は窒化ガリウム（ＧａＮ）系材料で構成される。その後、このｎ型コンタクト層３０の上にアクティブ層４０が形成され、このアクティブ層４０は窒化インジウムガリウムで構成され、且つ一部のｎ型コンタクト層３０の上表面を被覆する。ｎ型コンタクト層３０の上表面の未被覆の部分にこのほかに負電極４２が形成される。
【００１３】
この実施例では続いてアクティブ層４０の上にｐ型クラッド層５０が形成され、このｐ型クラッド層５０は窒化ガリウム系材料で構成される。このｐ型クラッド層５０の上に、ｐ型窒化ガリウムを材料としてｐ型コンタクト層６０が形成される。このｐ型コンタクト層６０の上に、本発明の重点である静電防止薄層７０が形成される。この実施例では、静電防止薄層７０はアンドープで、特定組成を有する窒化インジウムガリウム（Ｉｎd Ｇａ1-d Ｎ，０＜ｄ≦１）で構成され、その厚さは５Å〜１００Åの間、成長温度は摂氏６００度から１１００度の間とされる。
【００１４】
静電防止薄層７０の上方に、この実施例ではさらに相互に不重畳の正電極８０と透明導電層８２が形成される。この正電極８０はＮｉ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｔ合金、Ｎｉ／Ｐｄ合金、Ｎｉ／Ｃｏ合金、Ｐｄ／Ａｕ合金、Ｐｔ／Ａｕ合金、Ｔｉ／Ａｕ合金、Ｃｒ／Ａｕ合金、Ｓｎ／Ａｕ合金、Ｔａ／Ａｕ合金、ＴｉＮ、ＴｉＷＮx （ｘ≧０）、ＷＳｉy （ｙ≧０）のいずれか、或いはその他の類似金属材料で構成される。この透明導電層８２は金属導電層或いは透明酸化層とされる。この金属導電層はＮｉ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｔ合金、Ｎｉ／Ｐｄ合金、Ｐｄ／Ａｕ合金、Ｐｔ／Ａｕ合金、Ｃｒ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ａｕ／Ｂｅ合金、Ｎｉ／Ｃｒ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ合金及びその他の類似材料のいずれかで構成される。この透明酸化層は、ＩＴＯ、ＣＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＧａ2 Ｏ4 、ＳｎＯ2 ：Ｓｂ、Ｇａ2 Ｏ3 ：Ｓｎ、ＡｇＩｎＯ2 ：Ｓｎ、Ｉｎ2Ｏ3 ：Ｚｎ、ＣｕＡｌＯ2 、ＬａＣｕＯＳ、ＮｉＯ、ＣｕＧａＯ2 ，ＳｒＣｕ2 Ｏ2 のいずれかで構成される。
【００１５】
図４は本発明の窒化ガリウム系発光ダイオードの第２実施例の表示図である。図４に示されるように、この実施例は第１実施例と同じ構造と成長方式を有する。唯一の違いは静電防止薄層に使用されている材料にある。この実施例では、静電防止薄層７２はアンドープで、特定組成を有し、バンドギャップが３．４ｅＶより小さい窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌe Ｉｎf Ｇａ1-e-f Ｎ，０＜ｅ，ｆ＜１，ｅ＋ｆ＜１）で構成され、その厚さは５Å〜１００Åの間、成長温度は摂氏６００度から１１００度の間とされる。
【００１６】
図５は本発明の窒化ガリウム系発光ダイオードの第３実施例の表示図である。図５に示されるように、この実施例と第１、第２実施例は同じ構造と成長方式を有する。唯一の違いは、静電防止薄層の構造、材質及び成長方式にある。この実施例では、静電防止薄層７４は窒化インジウムガリウム薄層７４１と窒化アルミニウムインジウムガリウム薄層７４２が交互に重畳するよう堆積されてなる超格子構造とされる。各窒化インジウムガリウム薄層７４１は、アンドープで、特定組成を有する窒化インジウムガリウム（Ｉｎg Ｇａ1-g Ｎ，０＜ｇ≦１）で構成され、その厚さは５Å〜２０Åの間、成長温度は摂氏６００度から１１００度の間とされる。異なる窒化インジウムガリウム薄層７４１の窒化インジウムガリウム組成（則ち前述の分子式中のパラメータｇ）は必ずしも同じでない。各窒化アルミニウムインジウムガリウム薄層７４２は、いずれもアンドープで、特定組成を具え、バンドギャップが３．４ｅＶより小さい窒化アルミニウムインジウムガリウム（Ａｌh Ｉｎi Ｇａ1-h-i Ｎ，０＜ｈ，ｉ＜１，ｈ＋ｉ＜１）で構成され、その厚さは５Å〜２０Åの間、成長温度は摂氏６００度から１１００度の間とされる。異なる窒化アルミニウムインジウムガリウム薄層７４２の窒化アルミニウムインジウムガリウム組成（則ち前述の分子式のパラメータｈ，ｉ）は必ずしも同じでない。
【００１７】
この静電防止薄層７４中、最底層（則ち直接ｐ型コンタクト層の上に位置するもの）は窒化インジウムガリウム薄層７４１とされ得て、その上に更に窒化アルミニウムインジウムガリウム薄層７４２、窒化インジウムガリウム薄層７４１が堆積され、その後もこれにより類推されるとおりとされるか、或いは最底層が窒化アルミニウムインジウムガリウム薄層７４２とされ、更にその上に窒化インジウムガリウム薄層７４１、窒化アルミニウムインジウムガリウム薄層７４２が堆積され、その後もこれにより類推されるとおりとされる。窒化インジウムガリウム薄層７４１と窒化アルミニウムインジウムガリウム薄層７４２はこの方式で交互に重複して堆積され、その重複回数は２以上（則ち窒化インジウムガリウム薄層７４１の層数と窒化アルミニウムインジウムガリウム薄層７４２の層数がいずれも２以上）とされる。静電防止薄層７４の総厚さは２００Åを超過しない。
【００１８】
以上は本発明の好ましい実施例の説明であって、本発明の請求範囲を制限するものではなく、以上の実施例に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】三種類の異なる材料の静電防止薄層の静電防止電圧と逆方向反抗電圧の異なる静電防止薄層厚さに対する実験データ図である。
【図２】三種類の異なる材料の静電防止薄層の静電防止電圧と逆方向反抗電圧の異なる静電防止薄層厚さに対する実験データ図である。
【図３】本発明の窒化ガリウム系発光ダイオードの第１実施例の表示図である。
【図４】本発明の窒化ガリウム系発光ダイオードの第２実施例の表示図である。
【図５】本発明の窒化ガリウム系発光ダイオードの第３実施例の表示図である。
【符号の説明】
【００２０】
１０  基板
２０  バッファ層
３０  ｎ型コンタクト層
４０  アクティブ層
４２  負電極
５０  ｐ型クラッド層
６０  ｐ型コンタクト層
７０  静電防止薄層
７２  静電防止薄層
７４  静電防止薄層
７４１  窒化インジウムガリウム薄層
７４２  窒化アルミニウムインジウムガリウム薄層
８０  正電極
８２  透明導電層ミニウムインジウムガリウム薄層
８０  正電極
８２  透明導電層
【図１】
2006120764.tif 000003
【図２】
2006120764.tif 000004
【図３】
2006120764.tif 000005
【図４】
2006120764.tif 000006
【図５】
2006120764.tif 000007