(57)【要約】【課題】  物体上で液状の材料の塗れ広がりの度合いを部分的に異ならせる層形成方法を提供すること。【解決手段】  層形成方法は物体上の第１部分と第２部分とを覆う層をインクジェット法で形成する。ここで、前記第２部分は前記第１部分に接する部分である。この層形成方法は、（ａ）前記第１部分へ感光性樹脂を含んだ液状の材料を吐出するステップと、（ｂ）前記第１部分へ前記液状の材料が吐出された時点から層形成期間内に前記第１部分上の前記液状の材料へＵＶ光の照射を開始するステップと、（ｃ）前記ステップ（ｂ）の後で、前記第２部分へ前記液状の材料を吐出するステップと、（ｄ）前記第２部分へ前記液状の材料が吐出された時点から前記層形成期間内に亘って、前記第２部分上の前記液状の材料が塗れ広がるように、前記第２部分上の前記液状の材料を放置するステップと、を含んでいる。【選択図】  図３
2006000773.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１部分と前記第１部分に接する第２部分とを覆う層をインクジェット法で形成する層形成方法であって、
（ａ）前記第１部分へ感光性樹脂を含んだ液状の材料を吐出するステップと、
（ｂ）前記第１部分へ前記液状の材料が吐出された時点から層形成期間内に前記第１部分上の前記液状の材料への光の照射を開始するステップと、
（ｃ）前記ステップ（ｂ）の後で、前記第２部分へ前記液状の材料を吐出するステップと、
（ｄ）前記第２部分へ前記液状の材料が吐出された時点から前記層形成期間内に亘って、前記第２部分上の前記液状の材料が塗れ広がるように、前記第２部分上の前記液状の材料を放置するステップと、
を含んだ層形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の層形成方法であって、
（ｅ）前記第２部分へ前記液状の材料が吐出された時点から前記層形成期間が経過した後で、前記第２部分上の前記液状の材料に前記光を照射するステップ、
をさらに含んでいる層形成方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の層形成方法であって、
前記層を貫通するコンタクトホールの外形が規定されるように前記第１部分が設けられている、
層形成方法。
【請求項４】
第１部分と前記第１部分に接する第２部分とを覆う層をインクジェット法で形成する層形成方法であって、
（ａ）前記第１部分へ感光性樹脂を含んだ液状の材料を吐出するステップと、
（ｂ）前記第１部分へ前記液状の材料が吐出された時点から第１の時間期間後に前記第１部分上の前記液状の材料に光を照射するステップと、
（ｃ）前記ステップ（ｂ）の後で、前記第２部分へ前記液状の材料を吐出するステップと、
（ｄ）前記第２部分へ前記液状の材料が吐出された時点から前記第１の時間期間よりも長い第２の時間期間後に、前記第２部分上の前記液状の材料に前記光を照射するステップと、
を含んだ層形成方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一つ記載の層形成方法で製造された配線基板。
【請求項６】
請求項５記載の配線基板を備えた電子機器。
【請求項７】
請求項５記載の配線基板を備えた電気光学装置。
【請求項８】
被吐出部を有する物体の位置を決めるステージと、
ノズルを有するとともに感光性樹脂を含んだ液状の材料を前記ノズルから前記物体側へ吐出するヘッドと、
前記ヘッドに対する相対位置が固定されているとともに、前記物体側へ光を射出する光照射装置と、
前記物体と、前記ヘッドおよび前記光照射装置の組と、の少なくとも１つを他方に対して移動させる走査部と、
を備えた層形成装置であって、
前記ノズルと前記光照射装置とは所定方向に並んでいて、
前記ノズルから吐出された前記液状の材料が前記被吐出部に着弾した後で、前記着弾した前記液状の材料に前記光が照射されるように、前記走査部は前記物体に対する前記光照射装置の相対位置を前記所定方向に変える、
層形成装置。
【請求項９】
２つの前記光照射装置を備えた請求項８記載の層形成装置であって、
前記２つの光照射装置は前記ヘッドに対して同じ側に位置しており、
前記ヘッドと前記２つの光照射装置のそれぞれとの間のそれぞれの距離は互いに異なっていて、
前記ノズルによって吐出された前記液状の材料が前記物体上で前記２つの光照射装置のいずれか一つからの前記光で照射されるように、前記走査部は、前記物体に対する前記２つの光照射装置の相対位置を前記所定方向に変える、
層形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層形成方法および層形成装置に関し、より具体的には、配線基板、電子機器、電気光学装置の製造に好適な層形成方法および層形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
印刷法によるアディティブプロセス（Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いて回路基板を製造する方法が注目されている。薄膜の塗布プロセスとフォトリソグラフィープロセスとを繰り返して回路基板を製造する方法に比べて、アディティブプロセスのコストは低いからである。
【０００３】
このようなアディティブプロセスに利用される技術の一つとして、インクジェット法による金属配線の形成技術が知られている（例えば特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−６５７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
インクジェット法で物体上に膜や層のパターンを形成する場合に、形成されるべきパターンの形状によっては、吐出された材料の物体上での塗れ広がりの度合いを部分的に異ならせることが求められることがある。例えば、層の境界部を形成する場合であれば、物体上に着弾した材料がなるべく塗れ広がらないことが好ましい。層の境界部の形状を明確にしたいからである。一方、同じ層であっても、層の内部を形成する場合には、物体上に着弾後の材料は塗れ広がってもよい。
【０００６】
塗れ広がりの度合いを変えるためには、物体上の部分毎に異なる材料を用いるか、形成されるべきパターンに応じて物体に対して行う表面改質処理を部分毎に変えるか、の少なくともどちらか一方を行えばよい。しかしながら、上記のような方法では手間がかかる。
【０００７】
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、物体上での液状の材料の塗れ広がりの度合いを部分的に異ならせる層形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の層形成方法は、第１部分と前記第１部分に接する第２部分とを覆う層をインクジェット法で形成する層形成方法である。この層形成方法は、（ａ）前記第１部分へ感光性樹脂を含んだ液状の材料を吐出するステップと、（ｂ）前記第１部分へ前記液状の材料が吐出された時点から層形成期間内に前記第１部分上の前記液状の材料への光の照射を開始するステップと、（ｃ）前記ステップ（ｂ）の後で、前記第２部分へ前記液状の材料を吐出するステップと、（ｄ）前記第２部分へ前記液状の材料が吐出された時点から前記層形成期間内に亘って、前記第２部分上の前記液状の材料が塗れ広がるように、前記第２部分上の前記液状の材料を放置するステップと、を含んでいる。
【０００９】
上記構成によって得られる効果の一つは、吐出する材料を交換することなく、物体上での液状の材料の塗れ広がりの度合いを部分的に異ならせることができることである。このため、上記構成によれば、インクジェット法で層の境界部と内部とを容易に形成できる。
【００１０】
本発明のある態様によれば、上記層形成方法は、（ｅ）前記第２部分へ前記液状の材料が吐出された時点から前記層形成期間が経過した後で、前記第２部分上の前記液状の材料に前記光を照射するステップ、をさらに含んでいる。
【００１１】
上記構成によって得られる効果の一つは、層の活性化の工程に必要となる時間が短くなることである。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、前記層を貫通するコンタクトホールの外形が規定されるように前記第１部分が設けられている。
【００１３】
上記構成によって得られる効果の一つは、インクジェット法を用いてコンタクトホールを形成できることである。
【００１４】
本発明の層形成方法は、第１部分と前記第１部分に接する第２部分とを覆う層をインクジェット法で形成する層形成方法である。この層形成方法は、（ａ）前記第１部分へ感光性樹脂を含んだ液状の材料を吐出するステップと、（ｂ）前記第１部分へ前記液状の材料が吐出された時点から第１の時間期間後に前記第１部分上の前記液状の材料に光を照射するステップと、（ｃ）前記ステップ（ｂ）の後で、前記第２部分へ前記液状の材料を吐出するステップと、（ｄ）前記第２部分へ前記液状の材料が吐出された時点から前記第１の時間期間よりも長い第２の時間期間後に、前記第２部分上の前記液状の材料に前記光を照射するステップと、を含んでいる。
【００１５】
上記構成によって得られる効果の一つは、吐出する材料を交換することなく、物体上での液状の材料の塗れ広がりの度合いを部分的に異ならせることができることである。このため、上記構成によれば、インクジェット法で層の境界部と内部とを容易に形成できる。
【００１６】
本発明の配線基板は、上記層形成方法で製造される。また本発明の電子機器は、上記形成方法で製造された配線基板を備えている。さらに本発明の電気光学装置は、上記形成方法で製造された配線基板を備えている。
【００１７】
上記構成によって得られる効果の一つは、インクジェット法で、配線基板、電子機器、および電気光学装置を製造できることである。
【００１８】
本発明の層形成装置は、被吐出部を有する物体の位置を決めるステージと、ノズルを有するとともに感光性樹脂を含んだ液状の材料を前記ノズルから前記物体側へ吐出するヘッドと、前記ヘッドに対する相対位置が固定されているとともに、前記物体側へ光を射出する光照射装置と、前記物体と前記ヘッドおよび前記光照射装置の組との少なくとも１つを他方に対して移動させる走査部と、を備えている。そして、前記ノズルと前記光照射装置とは所定方向に並んでいて、前記ノズルから吐出された前記液状の材料が前記被吐出部に着弾した後で、前記着弾した前記液状の材料に前記光が照射されるように、前記走査部は前記物体に対する前記光照射装置の相対位置を前記所定方向に変える。
【００１９】
上記構成によって得られる効果の一つは、吐出する材料を交換することなく、物体上での液状の材料の塗れ広がりの度合いを部分的に異ならせることができることである。このため、上記構成によれば、層の境界部と内部とを容易に形成できる。
【００２０】
本発明のある態様では、前記２つの光照射装置は前記ヘッドに対して同じ側に位置している。しかも、前記ヘッドと前記２つの光照射装置のそれぞれとの間のそれぞれの距離は互いに異なっている。そして、前記ノズルによって吐出された前記液状の材料が前記物体上で前記２つの光照射装置のいずれか一つからの前記光で照射されるように、前記走査部は、前記物体に対する前記２つの光照射装置の相対位置を前記所定方向に変える。
【００２１】
上記構成によって得られる効果の一つは、層の活性化の工程に必要となる時間が短くなることである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本実施形態の配線基板は、テープ形状を有するベース基板から製造される。ここでベース基板は、ポリイミドからなっており、フレキシブル基板とも呼ばれる。ベース基板上には、後述する製造工程によって、導電層と絶縁層とが形成される。そして、導電層と絶縁層とが形成された後で、ベース基板はプレス処理を受けて、ベース基板から複数の基板が切り抜かれる。この結果、ベース基板から、それぞれが導電配線を有する複数の基板が得られる。ここで、本実施形態では、複数の基板のそれぞれに設けられた導電配線は、どれも同じパターンを構成している。このように、「配線基板」とは導電配線が形成された基板を意味する。
【００２３】
本実施形態の配線基板は、５つの層形成装置が行う層形成工程を経て製造される。５つの層形成装置の構造はいずれも基本的に同じである。
【００２４】
（Ａ．層形成装置）
図１の層形成装置１０は、これら５つの層形成装置の１つである。層形成装置１０は、所定のレベルに位置する面上に絶縁層を形成する装置である。この層形成装置１０は、一対のリールＷ１と、吐出装置１０Ａと、オーブン１０Ｂと、を含んでいる。吐出装置１０Ａは、物体上の任意の位置に向けて液状の材料を吐出する装置である。吐出装置１０Ａによって付与または塗布された液状の材料は、物体上で任意のパターンを呈し得る。また、オーブン１０Ｂは、吐出装置１０Ａによって付与または塗布された液状の材料を加熱することで活性化する装置である。
【００２５】
層形成装置１０において、ベース基板１ａがリールＷ１の一方から巻き出されて他方に巻き取られるまでに、吐出装置１０Ａとオーブン１０Ｂとによって、ベース基板１ａに対してそれぞれの処理が行われる。このような処理方式は、リール・トゥ・リール（Ｒｅｅｌ  Ｔｏ  Ｒｅｅｌ）とも呼ばれる。
【００２６】
（Ｂ．吐出装置の全体構成）
以下では、吐出装置１０Ａについて構成・機能を説明する。なお、他の層形成装置における吐出装置の構成も、基本的に吐出装置１０Ａの構成と同じなので、他の吐出装置において吐出装置１０Ａの構成要素と同様の構成要素には、吐出装置１０Ａの構成要素と同一の参照符号を付す。
【００２７】
図２に示す吐出装置１０Ａはインクジェット装置である。より具体的には、吐出装置１０Ａは、液状の材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、チューブ１１０を介してタンク１０１から液状の材料１１１が供給される吐出走査部１０２と、を備えている。ここで、吐出走査部１０２は、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、支持部１０４ａと、を備えている。
【００２８】
吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図３）と、４つの光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄ（図３）と、キャリッジ１０３Ａ（図３）と、を有する。吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４はチューブ１１０によってタンク１０１に連結されている。このことによって、タンク１０１からチューブ１１０を介してヘッド１１４に液状の材料１１１が供給される。そして、ヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、供給された液状の材料１１１の液滴をステージ１０６側に吐出する。
【００２９】
ステージ１０６はベース基板１ａの位置を決めるための平面を提供している。具体的には、さらにステージ１０６は、吸引力を用いてベース基板１ａを上記平面に密着させて、ベース基板１ａの位置を決める。
【００３０】
第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。
【００３１】
第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方と直交する方向である。
【００３２】
上記のような機能を有する第１位置制御装置１０４の構成と第２位置制御装置１０８の構成とは、リニアモータおよびサーボモータを利用した公知のＸＹロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。なお、本明細書では、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８を、「ロボット」または「走査部」とも表記する。
【００３３】
さて上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、ベース基板１ａはステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、ベース基板１ａに対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、光照射装置１１３Ａ・１１３Ｂ・１１３Ｃ・１１３Ｄ、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図３）は、ベース基板１ａに対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状の材料１１１を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側（被吐出部）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。
【００３４】
制御部１１２は、液状の材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データ（例えばビットマップデータ）を外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。
【００３５】
上記構成を有する吐出装置１０Ａは、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８（図３）をベース基板１ａに対して相対移動させるとともに、被吐出部に向けてノズルから液状の材料１１１を吐出する。「吐出データ」は、ベース基板１ａ上に、材料を所定パターンで付与するためのデータである。なお、吐出装置１０Ａによるヘッド１１４の相対移動と、ヘッド１１４からの液状の材料１１１の吐出と、をまとめて「塗布走査」または「吐出走査」と表記することもある。
【００３６】
また「被吐出部」とは、液状の材料１１１の液滴が着弾して塗れ広がる部分である。さらに「被吐出部」は、液状の材料１１１が所望の接触角を呈するように、下地の物質に表面改質処理が施されることによって形成された部分でもある。ただし、表面改質処理を行わなくても下地の物質の表面が、液状の材料１１１に対して所望の撥液性または親液性を呈する（つまり着弾した液状の材料１１１が下地の物質の表面上で望ましい接触角を呈する）場合には、下地の物質の表面そのものが「被吐出部」であってもよい。なお、本明細書では、「被吐出部」を「ターゲット」または「受容部」とも表記する。
【００３７】
以下では、吐出装置１０Ａにおける主要な構成要素をより詳細に説明する。
【００３８】
（Ｃ．吐出ヘッド部）
図３に示すように、吐出ヘッド部１０３において、４つの光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄとヘッド１１４とは、キャリッジ１０３Ａに固定されている。このため、光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄのそれぞれとヘッド１１４との間の相対位置関係は固定されている。そして、相対位置関係が固定されているので、吐出ヘッド部１０３がステージ１０６に対して相対移動する場合に、ヘッド１１４とともに光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄも相対移動する。
【００３９】
また、ヘッド１１４は、光照射装置１１３Ａと光照射装置１１３Ｃとの間に位置している。そして、ヘッド１１４と光照射装置１１３Ａ、１１３Ｃとは、光照射装置１１３Ｂと光照射装置１１３Ｄとの間に位置している。さらに、これら光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄと、ヘッド１１４と、はＹ軸方向に沿って並んでいる。
【００４０】
図３に示すように、ヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド１１４は、それぞれがＸ軸方向に延びる２つのノズル列１１６を有している。ノズル列１１６とは、１８０個のノズル１１８が一列に並んだ列のことである。また、図３において、１つのヘッド１１４における２つのノズル列１１６は、互いに半ピッチだけ互いにずれて位置している。本実施形態の場合には、ノズル列１１６の半ピッチは、約７０μｍである。なお、２つのノズル１１６列の間の距離はＤＡである。
【００４１】
複数のノズル１１８のそれぞれの端部は、上記Ｘ軸方向およびＹ軸方向で定義される仮想的な平面上に位置している。なお、ノズル１１８の直径は、およそ２７μｍである。
【００４２】
図４（ａ）および（ｂ）に示すように、より具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、をも備えている。振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には、液たまり１２９が位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状の材料１１１が常に充填される。
【００４３】
また、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には、複数の隔壁１２２が位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状の材料１１１が供給される。
【００４４】
さて、振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、それぞれの振動子１２４が位置する。振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂと、を含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される液状の材料１１１の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。
【００４５】
本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、キャビティ１２０に対応する振動子１２４と、を含んだ部分を「吐出部１２７」と表記することもある。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１２７を有する。吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
【００４６】
さて、図３に示すように、ヘッド１１４の中心線と、光照射装置１１３Ａの光射出部ＥＡと、の間のＹ軸方向の距離はｄ１である。ここで、ヘッド１１４の中心線とは、２つのノズル列１１６の双方に平行であるとともに、これら２つのノズル列１１６から等距離にある仮想線である。また、ヘッド１１４の中心線と、光照射装置１１３Ｂの光射出部ＥＡと、の間のＹ軸方向の距離はｄ２である。ここで、距離ｄ２は距離ｄ１より長い。また、本実施形態では、ｄ２とｄ１との差はＤＡよりも大きい。上述したように、ＤＡは２つのノズル１１６間の距離である。なお、光射出部ＥＡのＸ軸方向に沿った長さは、ノズル列１１６の長さとほぼ同じである。
【００４７】
光照射装置１１３Ｃ、１１３Ｄは、ヘッド１１４に関して、光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂの位置と対称な位置にそれぞれ設けられている。このため、ヘッド１１４の中心線と、光照射装置１１３Ｃの光射出部ＥＡと、の間のＹ軸方向の距離もｄ１である。また、ヘッド１１４の中心線と、光照射装置１１３Ｄの光射出部ＥＡと、の間のＹ軸方向の距離もｄ２である。
【００４８】
図３に示す光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄは、いずれも紫外域の波長の光（以下ＵＶ光）を射出する装置である。そして、光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄのそれぞれの光射出部ＥＡから射出したＵＶ光がベース基板１ａを照らすように、光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄのそれぞれが配置されている。より具体的には、光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄのそれぞれの光射出部ＥＡの光軸がＺ軸方向を向くように、光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄのそれぞれはキャリッジ１０３Ａに固定されている。このため、本実施形態では、光射出部ＥＡのほぼ真下に位置する部分にＵＶ光が照射される。
【００４９】
本実施形態では、光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄが射出する光は、４００ｎｍから３６５ｎｍ程度の範囲の波長の光である。もちろん、本発明の光照射装置が射出する光は、上記波長域の光に限られない。本発明の光照射装置が射出する光は、液状の材料１１１に含まれる感光性樹脂（後述）を硬化できる波長の光であればよい。
【００５０】
光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄのそれぞれは、制御部１１２からの信号に応じて、ＯＮ状態とＯＦＦ状態とのいずれかの状態を独立して取る。ここで、「ＯＮ状態」とは光射出部ＥＡからＵＶ光を射出している状態を意味し、「ＯＦＦ状態」とはなんらＵＶ光を射出していない状態を意味する。そして、ベース基板１ａに対してヘッド１１４の相対位置が変化している場合には、ヘッド１１４の相対的な進行方向に関して、ヘッド１１４よりも後方に位置する２つの光照射装置の少なくとも１つがＯＮ状態になり、ヘッド１１４よりも前方に位置する２つの光照射装置はＯＦＦ状態になる。そして、ヘッド１１４の相対的な進行方向が反転すれば、反転前にＯＮ状態であった光照射装置１１３はＯＦＦ状態になり、反転前にＯＦＦ状態であった光照射装置の少なくとも１つはＯＮ状態になる。
【００５１】
以下では、説明の便宜上、光照射装置１１３Ａから遠い側のノズル列１１６に属する複数のノズル１１８の一つを、「ノズル１１８Ｔ」と表記する。そして、吐出ヘッド部１０３がベース基板１ａに対して等速に相対移動する場合の相対速度を「Ｖ」とする。
【００５２】
本実施形態では、吐出ヘッド部１０３がＹ軸方向の正の方向（図３の紙面の上方向）に相対移動する場合に、光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂがヘッド１１４の後方に位置する。したがってこの場合には、ヘッド１１３Ａ、１１３Ｂのどちらか一方がＯＮ状態になる。そして、光照射装置１１３ＡがＯＮ状態であるとともに、光照射装置１１３ＢがＯＦＦ状態である場合には、ノズル１１８Ｔから吐出された液状の材料１１１の液滴には、吐出された時点からほぼ（ｄ１＋ＤＡ／２）／Ｖの時間後にＵＶ光が照射される。
【００５３】
吐出ヘッド部１０３がＹ軸方向の正の方向に相対移動している場合であって、光照射装置１１３ＡがＯＦＦ状態であるとともに、光照射装置１１３ＢがＯＮ状態である場合には、ノズル１１８Ｔから吐出された液状の材料１１１の液滴には、吐出された時点から（ｄ１＋ＤＡ／２）／Ｖの時間が経過しても、ＵＶ光は照射されない。その代わり、吐出された時点からほぼ（ｄ２＋ＤＡ／２）／Ｖの時間後にＵＶ光が照射される。
【００５４】
本実施形態では、（ｄ１＋ＤＡ／２）／Ｖの時間の長さが層形成期間の長さ以下になるとともに、（ｄ２＋ＤＡ／２）／Ｖの時間の長さが、層形成期間の長さよりも長くなるように、ｄ１、ｄ２、およびＶが設定されている。「層形成期間」とは、ターゲット上に着弾した液状の材料１１１の液滴がターゲット（被吐出部）上で塗れ広がり終えるのに必要な時間期間である。この層形成期間は、ターゲットと液状の材料１１１との組合せ毎に異なり得る。
【００５５】
このように、ノズル１１８からの距離が異なる２つの位置のそれぞれにそれぞれの光照射装置が位置している。このため、吐出装置１０Ａは、吐出された液状の材料１１１の液滴を硬化し始めるタイミングを異ならせることができる。
【００５６】
（Ｄ．制御部）
次に、制御部１１２の構成を説明する。図５に示すように、制御部１１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶装置２０２と、処理部２０４と、光源駆動部２０５と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８と、を備えている。入力バッファメモリ２００と処理部２０４とは相互に通信可能に接続されている。処理部２０４と、記憶装置２０２と、光源駆動部２０５と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とは、図示しないバスによって相互に通信可能に接続されている。
【００５７】
光源駆動部２０５は、光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄのそれぞれと通信可能に接続されている。さらに、走査駆動部２０６は、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８と相互に通信可能に接続されている。同様にヘッド駆動部２０８は、ヘッド１１４と相互に通信可能に接続されている。
【００５８】
入力バッファメモリ２００は、吐出装置１０Ａの外部に位置する外部情報処理装置（不図示）から、液状の材料１１１の液滴を吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に供給し、処理部２０４は吐出データを記憶装置２０２に格納する。図５では、記憶装置２０２はＲＡＭである。
【００５９】
処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、被吐出部に対するノズル１１８の相対位置を示すデータを走査駆動部２０６に与える。走査駆動部２０６はこのデータと、吐出周期と、に応じたステージ駆動信号を第２位置制御装置１０８に与える。この結果、被吐出部に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。一方、処理部２０４は、記憶装置２０２に記憶された吐出データに基づいて、液状の材料１１１の吐出に必要な吐出信号をヘッド１１４に与える。この結果、ヘッド１１４における対応するノズル１１８から、液状の材料１１１の液滴が吐出される。
【００６０】
また、処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３ＤのそれぞれをＯＮ状態およびＯＦＦ状態のどちらかの状態にする。具体的には、光源駆動部２０５が光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄの状態をそれぞれ設定できるように、処理部２０４は、ＯＮ状態またはＯＦＦ状態を示すそれぞれの信号を光源駆動部２０５へ供給する。
【００６１】
制御部１１２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、バスを含んだコンピュータであってもよい。この場合には、制御部１１２の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフトウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御部１１２は、専用の回路（ハードウェア）によって実現されてもよい。
【００６２】
（Ｅ．液状の材料）
上述の「液状の材料１１１」とは、ヘッド１１４のノズル１１８から液滴として吐出されうる粘度を有する材料をいう。ここで、液状の材料１１１が水性であると油性であるとを問わない。ノズル１１８から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。ここで、液状の材料１１１の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓ以上である場合には、液状の材料１１１の液滴Ｄを吐出する際にノズル１１８の周辺部が液状の材料１１１で汚染されにくい。一方、粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下である場合は、ノズル１１８における目詰まり頻度が小さく、このため円滑な液滴の吐出を実現できる。
【００６３】
後述する導電性材料２１１（図６、図８）は、上述の液状の材料１１１の一種である。本実施形態の導電性材料２１１は、平均粒径が１０ｎｍ程度の銀粒子と、分散剤と、有機溶媒と、を含む。そして導電性材料２１１において、銀粒子は分散剤に覆われている。分散剤に覆われた銀粒子は有機溶媒中に安定して分散されている。ここで、分散剤は、銀原子に配位可能な化合物である。
【００６４】
このような分散剤として、アミン、アルコール、チオールなどが知られている。より具体的には、分散剤として、特開２００２−２９９８３３号公報に記載されているように、２−メチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、ジエチルメチルアミン、２−ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミンなどのアミン化合物、アルキルアミン類、エチレンジアミン、アルキルアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、アルキルチオール類、エタンジチオールを用いることができる。
【００６５】
なお、平均粒径が１ｎｍ程度から数１００ｎｍまでの粒子は、「ナノ粒子」とも表記される。この表記によれば、導電性材料２１１は銀のナノ粒子を含んでいる。
【００６６】
さらに、後述する絶縁材料３１１（図６、図７、図８、図９）も、液状の材料１１１である。より具体的には、本実施形態の絶縁材料３１１は、感光性樹脂として、感光性ポリイミドの前駆体を含んだ液状の材料１１１である。感光性樹脂とは、所定の波長の光が照射された場合に、硬化する物質である。
【００６７】
以下では、本実施形態の層形成方法を利用した配線基板の製造方法を説明する。
【００６８】
（Ｆ．第１導電層）
最初に、ベース基板１ａのほぼ同一レベル上に第１導電層２１を形成する。具体的には、図６（ａ）に示すように、まず、ベース基板１ａを第１吐出装置のステージ１０６上に位置させる。そうすると第１吐出装置は、第１ビットマップデータに応じて、ベース基板１ａ上に第１導電性材料層２１Ｂを形成する。
【００６９】
より具体的には、まず、第１吐出装置は、ベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を、２次元的（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、形成すべきパターンに対応する位置にノズル１１８が達した場合に、第１吐出装置はノズル１１８から導電性材料２１１の液滴を吐出する。吐出された導電性材料２１１の液滴は、ベース基板１ａの被吐出部に着弾する。そして導電性材料２１１の液滴が被吐出部に着弾することによって、ベース基板１ａ上に第１導電性材料層２１Ｂが得られる。
【００７０】
上述の第１ビットマップデータは上述の「吐出データ」の一種である。なお、後述する第２ビットマップデータ、第３ビットマップデータ、第４ビットマップデータ、第５ビットマップデータ、および第６ビットマップデータのそれぞれも「吐出データ」である。
【００７１】
第１導電性材料層２１Ｂを形成した後で、第１導電性材料層２１Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａを第１オーブンの内部に位置させる。そして、第１導電性材料層２１Ｂを加熱することで、第１導電性材料層２１Ｂにおける銀の微粒子を燒結または融着させる。このような活性化の結果、図６（ｂ）に示すように、ベース基板１ａ上に、第１パターン形状を有する第１導電層２１が得られる。
【００７２】
第１パターン形状を有する第１導電層２１は、図６（ｃ）に示すような配線２５Ａと、配線２５Ｂと、配線２５Ｃと、を含む。具体的には、これら配線２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃのそれぞれは、ベース基板１ａのそれぞれの被吐出部上に位置している。つまり、これら配線２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃはいずれも、ほぼ同一のレベルにある面上に位置している。ただし、これら配線２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃのうちのどの２つの配線も、上記の面上では互いから物理的に分離されている。なお、後述の工程によって、配線２５Ａと配線２５Ｂとは、互いに電気的に接続されるべき配線である。一方、配線２５Ｃは、配線２５Ａと配線２５Ｂとのどちらからも電気的に絶縁されるべき配線である。
【００７３】
（Ｇ．第１絶縁層）
第１パターン形状の第１導電層２１が設けられた後では、ベース基板１ａ上に第１導電層２１の厚さに相当する段差が生じる。そこで、図６（ｄ）に示すように、本実施形態では、ベース基板１ａの部分であって第１導電層２１がない部分に第１絶縁層３１を形成する。第１絶縁層３１は第１導電層２１の側面を覆うので、このことで第１導電層２１によって生じた段差がなくなる。
【００７４】
具体的には、図６（ｄ）に示すように、まず、第１導電層２１が設けられたベース基板１ａを第２吐出装置のステージ１０６上に位置させる。そうすると第２吐出装置は、第２ビットマップデータに応じて、ベース基板１ａの被吐出部上に第１絶縁材料層３１Ｂを形成する。
【００７５】
より具体的には、まず、第２吐出装置は、ベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、ノズル１１８が被吐出部に対応する位置に達した場合に、第２吐出装置はノズル１１８から絶縁材料３１１の液滴を吐出する。吐出された絶縁材料３１１の液滴は、ベース基板１ａの被吐出部に着弾する。そして絶縁材料３１１の液滴が被吐出部に着弾することで、ベース基板１ａ上に第１絶縁材料層３１Ｂが得られる。
【００７６】
ここで、着弾後の絶縁材料３１１が第１導電層２１の側面を覆って塗れ広がるまで、絶縁材料３１１が流動性を維持できるように、本実施形態の絶縁材料３１１の濃度は十分低く設定されている。このため、被吐出部に着弾した絶縁材料３１１は、被吐出部上で、均一な厚さの層（第１絶縁材料層３１Ｂ）を形成する。
【００７７】
第１絶縁材料層３１Ｂを形成した後で、第１絶縁材料層３１Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａを第２オーブンの内部に位置させる。そして、第１絶縁材料層３１Ｂを加熱することで、第１絶縁材料層３１Ｂにおけるポリイミド前駆体を重合してポリイミド層を得る。このような活性化の結果、図７（ａ）に示すように、ベース基板１ａ上に、第１絶縁層３１（ポリイミド層）を得る。
【００７８】
第１絶縁層３１が形成されると、第１導電層２１によって形成されたベース基板１ａ上の段差が吸収される。第１導電層２１の表面と、第１絶縁層３１の表面と、がほぼ同一のレベルに位置するからである。本明細書では、第１導電層２１の表面と、第１絶縁層３１の表面と、によって提供される表面を、「第２レベルの表面」とも表記する。
【００７９】
（Ｈ．第２絶縁層）
第１絶縁層３１を形成した後で、第１導電層２１と第１絶縁層３１とを覆う第２絶縁層を形成する。
【００８０】
まず、ベース基板１ａを、第３吐出装置のステージ１０６上に位置させる。そうすると第３吐出装置は、第３ビットマップデータに応じて、第１導電層２１の被吐出部上と第１絶縁層の被吐出部上とに第２絶縁材料層を形成する。そして、第３オーブンが第２絶縁材料層を活性化することで、第２絶縁層を得る。
【００８１】
この工程によって形成されるべき第２絶縁材料層（後の第２絶縁層）は、「層境界部」と「層内部」とからなる。「層境界部」とは、第２絶縁材料層または第２絶縁層の最も外側に位置する部分である。一方、「層内部」とは、その「層境界部」に囲まれた部分である。ただし、「層境界部」が、第２絶縁材料層においてコンタクトホールやビアホールの外形を形取る場合には、「層境界部」が「層内部」に囲まれる。いずれにしても、「層境界部」と「層内部」とは互いに密着している。
【００８２】
本明細書では、絶縁材料３１１が付与されるべき被吐出部のうち、層境界部に対応する被吐出部を「第１部分４１」とも表記する。同様に、絶縁材料３１１が付与されるべき被吐出部のうち、層内部に対応する被吐出部を「第２部分４２」とも表記する。第１部分４１は、被吐出部の最も外側に位置する部分でもある。一方、第２部分４２は、第１部分４１によって囲まれた部分でもある。そして、これら第１部分４１と第２部分４２とは互いに接している。なお、本実施形態では、第１部分４１と第２部分４２とは、どちらも同じレベル（第２レベル）の表面上に位置している。ただしもちろん、これら第１部分４１と第２部分４２とが異なるレベルの表面上に位置していてもよい。
【００８３】
（Ｈ１．層境界部（第１部分４１への吐出））
以下では、第２絶縁層の形成をより具体的に説明する。まず、図７（ｂ）に示すように、吐出装置１０Ａ（第３吐出装置）は、ベース基板１ａに対するノズル１１８Ｔ（図４）の相対位置をＹ軸方向の正の方向に、相対速度Ｖで変化させる。そして、ノズル１１８Ｔが第１部分４１に対応する位置に達した場合に、ヘッド１１４は絶縁材料３１１の液滴を吐出する。ここで、吐出装置１０Ａは、ベース基板１ａに対するヘッドの相対的な進行方向に関して、ヘッド１１４よりも後方に位置する光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂのうち、ヘッド１１４に近い側の光照射装置１１３Ａの状態をＯＮ状態に維持する。そして、残りの３つの光照射装置１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄの状態をいずれもＯＦＦ状態に維持する。
【００８４】
第１部分４１に着弾した絶縁材料３１１の液滴へは、ＵＶ光が照射される。ノズル１１８Ｔに引き続いて、ＯＮ状態にある光照射装置１１３Ａが第１部分４１の上方を通過するからである。
【００８５】
そして、ヘッド１１４のＸ軸方向への相対移動とＹ軸方向への相対移動とを繰り返すことで、吐出装置１０Ａは、ベース基板１ａ上の第１部分４１のすべての範囲に絶縁材料３１１の液滴を着弾させる。そうすると、第１部分４１を覆う第２絶縁材料層（層境界部）３２Ｂが得られる。ここで、第１部分４１へ吐出された絶縁材料３１１の複数の液滴へはいずれも、吐出されたそれぞれの時点からほぼ（ｄ１＋ＤＡ／２）／Ｖの時間後に、第１部分４１上でＵＶ光が照射される。ＵＶ光が照射されれば、絶縁材料３１１の粘度は上昇する。
【００８６】
上述したように、（ｄ１＋ＤＡ／２）／Ｖの時間の長さは、上述の層形成期間以下である。したがって、着弾した絶縁材料３１１の１つの液滴が第１部分４１上で塗れ広がる範囲が狭く、この結果、層境界部の形状が維持できる。例えば、図７（ｃ）に示すように、第１部分４１がコンタクトホールの外形に対応するように位置する場合には、層境界部が形取るコンタクトホールは、層境界部が活性化（硬化）されるまで、その開口を維持し得る。なお、（ｄ１＋ＤＡ／２）／Ｖの時間は、本発明の「第１の時間期間」に対応する。
【００８７】
（Ｈ２．層内部（第２部分４２への吐出））
第２絶縁材料層の層境界部を形成した後で、層内部を形成する。具体的にはまず、図７（ｄ）に示すように、吐出装置１０Ａは、ベース基板１ａに対するノズル１１８Ｔ（図４）の相対位置をＹ軸方向の正の方向に、相対速度Ｖで変化させる。そして、ノズル１１８Ｔが第２部分４２に対応する位置に達した場合に、ヘッド１１４は絶縁材料３１１の液滴を吐出する。ここで、吐出装置１０Ａは、ヘッド１１４の相対的な進行方向に関して、ヘッド１１４よりも後方に位置する光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂのうち、ヘッド１１４から遠い側の光照射装置１１３Ｂの状態をＯＮ状態に維持する。残りの３つの光照射装置１１３Ａ、１１３Ｃ、１１３Ｄの状態はそれぞれＯＦＦ状態に維持される。
【００８８】
第２部分４２上へ吐出された絶縁材料３１１の複数の液滴のそれぞれへは、吐出されたそれぞれの時点から（ｄ２＋ＤＡ／２）／Ｖの時間後になるまでＵＶ光が照射されない。上述したように、（ｄ２＋ＤＡ／２）／Ｖの時間の長さは、上述の層形成期間よりも長い。つまり、絶縁材料３１１の複数の液滴がそれぞれ吐出されたそれぞれの時点から層形成期間に亘って、第２部分４２上の絶縁材料３１１の複数の液滴のそれぞれは放置される。なお、（ｄ２＋ＤＡ／２）／Ｖの時間は、本発明の「第２の時間期間」に対応する。
【００８９】
ＵＶ光が照射されるまで、絶縁材料３１１の粘度の上昇は溶媒の気化のみに依存する。この理由から、第２部分４２に着弾した絶縁材料３１１の１つの液滴が塗れ広がる面積は、第１部分４１に着弾した絶縁材料３１１の１つの液滴が塗れ広がる面積よりも広い。このため、層内部を平坦な層にすることがより容易になる。
【００９０】
吐出装置１０Ａは、ヘッド１１４のＸ軸方向への相対移動とＹ軸方向への相対移動とを繰り返すことで、層境界部によって縁取られた部分（第２部分４２）を絶縁材料３１１で満たす。この結果、吐出装置１０Ａは層内部を形成する。ここで、すでに層境界部は形成されているので、層境界部と層内部とからなる第２絶縁材料層３２Ｂが得られる。
【００９１】
このように吐出装置１０Ａによれば、吐出する液状の材料１１１（ここでは絶縁材料３１１）が同じであっても、物体上に施される表面改質処理が同じであっても、物体上での液状の材料１１１の塗れ広がりの度合いを部分的に異ならせることができる。ヘッド１１４からの距離が異なる２つの位置に２つの光照射装置１１３Ａ、１１３Ｂがそれぞれ位置しているので、液状の材料１１１が吐出された時点からＵＶ光が照射されるまでの時間を可変にでき、この結果、液状の材料１１１の重合反応が始るタイミングを可変にできるからである。
【００９２】
第２絶縁材料層３２Ｂを形成した後で、第２絶縁材料層３２Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａを第３オーブン（オーブン１０Ｂ）の内部に位置させる。そして、第２絶縁材料層３２Ｂを加熱することで、第２絶縁材料層３２Ｂにおけるポリイミド前駆体を重合してポリイミド層を得る。このような活性化の結果、図７（ｅ）に示すように、第１導電層２１と第１絶縁層３１とを覆う第２絶縁層３２（ポリイミド層）を得る。さらに上述したように、この第２絶縁層３２は、配線２５Ａ上と配線２５Ｃ上とに、それぞれコンタクトホール３５を有している。
【００９３】
（Ｉ．第２導電層および第３導電層）
第２絶縁層３２を形成した後で、第２絶縁層３２に設けられたコンタクトホール３５を貫通する第２導電層を形成する。
【００９４】
具体的には、図８（ａ）に示すように、まず、ベース基板１ａを第４吐出装置のステージ１０６上に位置させる。そうすると第４吐出装置は、第４ビットマップデータに応じて、第２絶縁層３２に設けられたコンタクトホール３５を貫通する第２導電性材料層２２Ｂを形成する。
【００９５】
より具体的には、まず、第４吐出装置は、第２絶縁層３２に対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、コンタクトホール３５に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、第４吐出装置はノズル１１８から導電性材料２１１の液滴を吐出する。吐出された導電性材料２１１の液滴は、コンタクトホール３５によって露出した第１導電層２１の被吐出部に着弾する。そしてコンタクトホール３５内を満たすのに充分な数の液滴がコンタクトホール３５内に着弾することによって、図８（ｂ）に示すように、コンタクトホール３５を貫通する第２導電性材料層２２Ｂが得られる。
【００９６】
第２導電性材料層２２Ｂを形成した後で、第２絶縁層３２上と第２導電性材料層２２Ｂ上とに第３導電層２３を形成する。
【００９７】
具体的には、第４吐出装置は、第５ビットマップデータに応じて、第２パターン形状を有する第３導電性材料層２３Ｂを第２絶縁層３２上に形成する。ここで、第２パターン形状とは、２つのコンタクトホール３５のそれぞれに設けられた第２導電層２２を結ぶ形状である。
【００９８】
より具体的には、まず、図８（ｃ）に示すように、第４吐出装置は、ベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を、２次元的（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、形成すべきパターンに対応する位置にノズル１１８が達した場合に、第４吐出装置はノズル１１８から導電性材料２１１の液滴を吐出する。吐出された導電性材料２１１の液滴は、第２絶縁層３２の被吐出部と第２導電層２２の被吐出部とに着弾する。そして導電性材料２１１の液滴が被吐出部に着弾することによって、第２絶縁層３２上と第２導電層２２上とに第３導電性材料層２３Ｂが得られる。
【００９９】
第２導電性材料層２２Ｂおよび第３導電性材料層２３Ｂを形成した後で、第２導電性材料層２２Ｂおよび第３導電性材料層２３Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａを第４オーブンの内部に位置させる。そして、第２導電性材料層２２Ｂおよび第３導電性材料層２３Ｂを加熱することで、第２導電性材料層２２Ｂおよび第３導電性材料層２３Ｂにおける銀の微粒子を燒結または融着させる。このような活性化の結果、図８（ｄ）に示すように、２つのコンタクトホール３５のそれぞれの内に位置する第２導電層２２と、第２導電層２２のそれれぞれに電気的に連結された第３導電層２３とが得られる。
【０１００】
第２導電層２２と第３導電層２３とによって、第１導電層２１の一部である配線２５Ａと配線２５Ｃとは、互いに電気的に連結される。ここで、第１導電層２１の一部である配線２５Ｂは、配線２５Ａに対しても配線２５Ｃに対しても電気的絶縁が保たれる。
【０１０１】
（Ｊ．第３絶縁層）
第３導電層２３を形成した後で、第３導電層２３を覆う第３絶縁層を形成する。具体的には、図９（ａ）に示すように、まず、ベース基板１ａを第５吐出装置のステージ１０６上に位置させる。そうすると第５吐出装置は、第６ビットマップデータに応じて、第３導電層２３を覆う第３絶縁材料層３３Ｂを形成する。
【０１０２】
より具体的には、まず、第５吐出装置は、ベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を、２次元的（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、形成すべきパターンに対応する位置にノズル１１８が達した場合に、第５吐出装置はノズル１１８から絶縁材料３１１の液滴を吐出する。吐出された絶縁材料３１１の液滴は、第２絶縁層３２の被吐出部と第３導電層２３の被吐出部とに着弾する。そして絶縁材料３１１の液滴が被吐出部に着弾することによって、ベース基板１ａ上に第３絶縁材料層３３Ｂが得られる。
【０１０３】
第３絶縁材料層３３Ｂを形成した後で、第３絶縁材料層３３Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａを第５オーブンの内部に位置させる。そして、第３絶縁材料層３３Ｂを加熱することで、第３絶縁材料層３３Ｂにおける感光性ポリイミド前駆体を重合してポリイミド層を得る。このような活性化の結果、図９（ｂ）に示すように、第３導電層２３を覆う第３絶縁層３３が得られる。
【０１０４】
このように、本実施形態によれば、インクジェット法を利用して立体的な配線構造を有する配線基板を製造することができる。配線基板の一例は、液晶表示装置において液晶パネルに接続される基板である。つまり、本実施形態の層形成方法は、液晶表示装置の製造に適用できる。
【０１０５】
さらに、本実施形態の層形成方法は、液晶表示装置の製造だけでなく、種々の電気光学装置の製造にも適用され得る。ここでいう「電気光学装置」とは、複屈折性の変化や、旋光性の変化や、光散乱性の変化などの光学的特性の変化（いわゆる電気光学効果）を利用する装置に限定されず、信号電圧の印加に応じて光を射出、透過、または反射する装置全般を意味する。
【０１０６】
具体的には、電気光学装置は、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置、表面伝導型電子放出素子を用いたディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、および電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）を含む用語である。
【０１０７】
さらに、本実施形態の層形成方法は、種々の電子機器の製造方法に適用され得る。例えば、図１０に示すような、液晶表示装置５２を備えた携帯電話機５０の製造方法や、図１１に示すような、液晶表示装置６２を備えたパーソナルコンピュータ６０の製造方法にも、本実施形態の製造方法が適用される。
【０１０８】
（変形例１）
上記実施形態では、第２部分４２に着弾した絶縁材料３１１の液滴には、層形成期間が経過した後で光照射装置１１３ＢからのＵＶ光が照射される。しかしながら、第２部分４２に着弾した絶縁材料３１１には、層形成期間が経過した後でも、なんら光照射がなされなくてもよい。このような方法であっても、第１部分４１に着弾した絶縁材料３１１の塗れ広がりの度合いと、第２部分４２に着弾した絶縁材料３１１の塗れ広がりの度合いとを、異ならせることができるからである。
【０１０９】
（変形例２）
上記実施形態では、第１絶縁層３１および第２絶縁層３２は、ポリイミドからなる。ただし、ポリイミドに代えて、他のポリマーからなってもよい。第１絶縁層３１および第２絶縁層３２が他のポリマーからなる場合には、絶縁材料３１１が、感光性ポリイミド前駆体に代えて、対応する感光性ポリマー前駆体を含んでいればよい。
【０１１０】
上記本実施形態では、第１絶縁層３１も、第２絶縁層３２も、互いに同じ構造のポリイミド、すなわち同じ構造のポリマー、からなる。しかしながら、結果として生じる絶縁層の線膨張率が近いのであれば、第１絶縁層３１と第２絶縁層３２とが、互いに異なる構造のポリマーであってもよい。
【０１１１】
（変形例３）
上記実施形態では、ポリイミドからなるベース基板１ａ上に導電配線が形成される。しかしながら、このようなベース基板１ａに代えて、セラミック基板やガラス基板やエポキシ基板やガラスエポキシ基板やシリコン基板などが利用されても、上記実施形態で説明した効果と同様の効果が得られる。なお、シリコン基板を利用する場合には、導電性材料を吐出する前に、基板表面にパシベーション膜を形成してもよい。なお、どのような基板や膜が用いられても、上述したように、ノズル１１８からの液状の材料１１１が着弾して塗れ広がることになる部分は「被吐出部」に対応する。
【０１１２】
（変形例４）
上記実施形態の導電性材料２１１には、銀のナノ粒子が含まれている。しかしながら、銀のナノ粒子に代えて、他の金属のナノ粒子が用いられてもよい。ここで、他の金属として、例えば、金、白金、銅、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウムのいずれか１つが利用されてもよいし、または、いずれか２つ以上が組合せられた合金が利用されてもよい。ただし、銀であれば比較的低温で還元できるため、扱いが容易であり、この点で、インクジェット法を利用する場合には、銀のナノ粒子を含む導電性材料２１１を利用することは好ましい。
【０１１３】
また、導電性材料２１１が、金属のナノ粒子に代えて、有機金属化合物を含んでいてもよい。ここでいう有機金属化合物は、加熱（すなわち活性化）による分解によって金属が析出するような化合物である。このような有機金属化合物には、クロロトリエチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリメチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリフェニルフォスフィン金（Ｉ）、銀（Ｉ）２，４−ペンタンヂオナト錯体、トリメチルホスフィン（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）銀（Ｉ）錯体、銅（Ｉ）ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン錯体、などがある。
【０１１４】
このように、導電性材料２１１に含まれる金属の形態は、ナノ粒子に代表される粒子の形態でもよいし、有機金属化合物のような化合物の形態でもよい。
【０１１５】
さらに、導電性材料２１１は、金属に代えて、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレンなどの高分子系の可溶性材料を含んでいてもよい。
【０１１６】
（変形例５）
上記実施形態によれば、オーブンによる加熱によって第１絶縁材料層３１Ｂ、第２絶縁材料層３２Ｂ、第１導電性材料層２１Ｂ、第２導電性材料層２２Ｂ、第３導電性材料層２３Ｂを最終的に活性化させる。ただし、加熱することに代えて、紫外域・可視光域の波長の光や、マイクロウェーヴなどの電磁波を照射することで、これら導電性材料層または絶縁材料層を活性化してもよい。また、このような活性化に代えて、導電性材料層または絶縁材料層を単に乾燥させてもよい。付与された導電性材料層または絶縁材料層を放置するだけでも導電層または絶縁層が生じるからである。ただし、導電性材料層または絶縁材料層を単に乾燥させる場合よりも、何らかの活性化を行う場合の方が、導電層または絶縁層の生成時間が短い。このため、導電性材料層または絶縁材料層を活性化することがより好ましい。
【０１１７】
（変形例６）
上記実施形態によれば、第１導電層２１はインクジェット法によって形成された銀配線である。ただし、銀配線に代えて、第１導電層２１がフォトリソグラフィー工程によって形成された銅配線であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】層形成装置の模式図。
【図２】吐出装置の模式図。
【図３】吐出装置における吐出ヘッド部の模式図。
【図４】吐出装置におけるヘッドの模式図。
【図５】吐出装置における制御部の模式図。
【図６】（ａ）から（ｂ）は層形成方法を示す図。
【図７】（ａ）から（ｅ）は層形成方法を示す図。
【図８】（ａ）から（ｄ）は層形成方法を示す図。
【図９】（ａ）および（ｂ）は層形成方法を示す図。
【図１０】本実施形態の携帯電話機を示す模式図。
【図１１】本実施形態のパーソナルコンピュータを示す模式図。
【符号の説明】
【０１１９】
Ｗ１…リール、１ａ…ベース基板、１０…層形成装置、１０Ａ…吐出装置、１０Ｂ…オーブン、２１…第１導電層、２１Ｂ…第１導電性材料層、２２…第２導電層、２２Ｂ…第２導電性材料層、２３…第３導電層、２３Ｂ…第３導電性材料層、２５Ａ…配線、２５Ｂ…配線、２５Ｃ…配線、３１…第１絶縁層、３１Ｂ…第１絶縁材料層、３２…第２絶縁層、３２Ｂ…第２絶縁材料層、３３…第３絶縁層、３３Ｂ…第３絶縁材料層、３５…コンタクトホール、４１…第１部分、４２…第２部分、１０１…タンク、１０２…吐出走査部、１０３…吐出ヘッド部、１０３Ａ…キャリッジ、１０６…ステージ、１１１…液状の材料、１１２…制御部、１１３Ａ、１１３Ｂ、１１３Ｃ、１１３Ｄ…光照射装置、１１４…ヘッド、１１８、１１８Ｔ…ノズル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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