(57)【要約】【課題】基板と感圧ダイヤフラムとの間の密閉した空間内のガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができ、しかもガストラップ機能による大型化を回避すること。【解決手段】ガラス基板１１の主面１１ａ上には、島状体１２の一方の露出部分と電気的に接続するように電極１３が形成されている。また、ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、島状体１２の他方の露出部分と電気的に接続するように固定電極１４が形成されている。固定電極１４上には、ガストラップ層１６が形成されている。製造工程においてガラス基板とシリコン基板とで構成される空間部内で発生したガスを捕捉することができ、これにより空間部内におけるガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができる。【選択図】図１
2006308350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上の固定電極と対向する感圧ダイヤフラムとの間の静電容量の変化により圧力変化を検出する静電容量型圧力センサであって、前記ガラス基板の一方の主面上に設けられた固定電極と、前記ガラス基板との間に空間を有するように前記固定電極と所定の間隔をおいて前記一方の主面上に接合されたシリコンからなる感圧ダイヤフラムと、前記固定電極上に形成されたガストラップ層と、を具備することを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項２】
前記ガストラップ層は、前記接合の際に生じるガスにより表面が絶縁化されていることを特徴とする請求項１記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項３】
前記ガストラップ層はチタンを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項４】
ガラス基板の一方の主面上に、対向する電極の一方である固定電極を形成する工程と、前記固定電極上に、ガラスとシリコンとの間の接合の際に生じるガスにより絶縁化する材料で構成されたガストラップ層を前記電極上に形成する工程と、被測定圧力により変位する、対向する他方の電極である感圧ダイヤフラムを有するシリコン基板を、前記感圧ダイヤフラムが前記固定電極と所定の間隔をおいて位置するように、前記ガラス基板上に接合する工程と、を具備することを特徴とする静電容量型圧力センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンダイヤフラムを感圧部とする静電容量型圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
上記のタイプの圧力センサとしては、歪センサとして働く拡散抵抗を用いたピエゾ型圧力センサと、ダイヤフラムと固定電極間の静電容量を検出する静電容量型圧力センサがある。このなかで、消費電力が少なく、しかも温度に関して安定である静電容量型圧力センサが最近注目されている。
【０００３】
この静電容量型圧力センサは、可動電極である感圧ダイヤフラムを有する基板と、固定電極を有する基板とを、感圧ダイヤフラムと固定電極との間に所定の間隔を有するように接合することにより構成されている。この静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラムに圧力が加わると感圧ダイヤフラムが変形し、これにより感圧ダイヤフラムと固定電極との間隔が変わる。この間隔の変化により感圧ダイヤフラムと固定電極との間の静電容量が変化し、この静電容量の変化を利用して圧力の変化を検出する。
【０００４】
静電容量型圧力センサにおいては、製造工程中に、基板と感圧ダイヤフラムとの間の密閉した空間内にガスが残留することがある。例えば、ガラス基板と感圧ダイヤフラムを有するシリコン基板とを陽極接合する場合、接合部で酸素を主体とするガスが発生し、そのガスが上記空間内に残留する。このようなガスはセンシング性能を低下させる原因となる。従来、このようなガスを吸着するために、基板と感圧ダイヤフラムとの間の密閉した空間とは別に、その空間とつながり、ゲッター材が置かれたゲッター室を設ける技術が提案されている（特許文献１）。なお、この文献には、圧力センサと同一構造を静電アクチュエータとして用いる場合の例が記載されている。
【特許文献１】ＷＯ９９／１９９７８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述の技術を圧力センサに応用した場合、基板と感圧ダイヤフラムとの間の密閉した空間とは別にゲッター室を設けているので、センサ全体としてのスペースを広くとる必要があり、静電容量型圧力センサが大型化するという問題がある。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、基板と感圧ダイヤフラムとの間の密閉した空間内のガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができ、しかもガストラップ機能による大型化を回避することが可能な静電容量型圧力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の静電容量型圧力センサは、ガラス基板上の固定電極と対向する感圧ダイヤフラムとの間の静電容量の変化により圧力変化を検出する静電容量型圧力センサであって、前記ガラス基板の一方の主面上に設けられた固定電極と、前記ガラス基板との間に空間を有するように前記固定電極と所定の間隔をおいて前記一方の主面上に接合されたシリコンからなる感圧ダイヤフラムと、前記固定電極上に形成されたガストラップ層と、を具備することを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、固定電極上にガストラップ層を設けるので、製造工程においてガラス基板とシリコン基板とで構成される空間部内で発生したガスを捕捉することができ、これにより空間部内におけるガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができる。この場合、固定電極上にガストラップ層を設けており、ガストラップ専用のスペースを設けていないので、ガストラップ機能による大型化を回避することが可能となる。
【０００９】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記ガストラップ層は、前記接合の際に生じるガスにより表面が絶縁化されていることが好ましい。この構成によれば、感圧ダイヤフラム（可動電極）が可動してガストラップ層に接触したとしても短絡することがなく、静電容量型圧力センサとして動作させることが可能となる。
【００１０】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記ガストラップ層はチタンを含むことが好ましい。
【００１１】
本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、ガラス基板の一方の主面上に、対向する電極の一方である固定電極を形成する工程と、前記固定電極上に、ガラスとシリコンとの間の接合の際に生じるガスにより絶縁化する材料で構成されたガストラップ層を前記電極上に形成する工程と、被測定圧力により変位する、対向する他方の電極である感圧ダイヤフラムを有するシリコン基板を、前記感圧ダイヤフラムが前記固定電極と所定の間隔をおいて位置するように、前記ガラス基板上に接合する工程と、を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の静電容量型圧力センサは、ガラス基板とシリコン基板とで構成される空間部内に形成された固定電極上にガストラップ層を設けているので、製造工程において空間部内で発生したガスを捕捉することができ、これにより空間部内におけるガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができる。この場合、固定電極上にガストラップ層を設けており、ガストラップ専用のスペースを設けていないので、ガストラップ機能による大型化を回避することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの概略構成を示す断面図である。
【００１４】
図中１１はガラス基板を示す。ガラス基板１１は、互いに対向する一対の主面１１ａ，１１ｂを有する。ガラス基板１１には、シリコンで構成された島状体１２が埋設されている。島状体１２は、ガラス基板１１の両主面でそれぞれ露出しており、後述する固定電極１４及び電極１３とを電気的に接続する接続部材である。
【００１５】
ガラス基板１１の主面１１ａ上には、島状体１２の一方の露出部分と電気的に接続するように電極１３が形成されている。また、ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、島状体１２の他方の露出部分と電気的に接続するように固定電極１４が形成されている。このように電極１３を主面１１ａ上に設け、固定電極１４と電極１３とを島状体１２で接続することにより、密閉領域内に位置する固定電極１４の外部機器への接続が容易となる。なお、本実施の形態においては、島状体１２がガラス基板１１の両主面１１ａ，１１ｂで露出している場合について説明しているが、固定電極１４と外部機器とが電気的に接続できる構成であれば、島状体１２がガラス基板１１のいずれかの主面で露出している構成であっても良い。固定電極１４上には、ガストラップ層１６が形成されている。
【００１６】
ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、感圧ダイヤフラム１５ａ（可動電極）を有するシリコン基板１５が接合されている。感圧ダイヤフラム１５ａは、シリコン基板１５の両面からエッチングなどによりそれぞれ凹部を形成することにより設けられている。シリコン基板１５のガラス基板接合面側の凹部は、少なくともガストラップ層１６を有する固定電極１４を収容できる大きさを有しており、シリコン基板１５をガラス基板１１に接合することにより、空間部（ギャップ）１５ｃを構成する。すなわち、シリコン基板１５の凹部の側面１５ｂと感圧ダイヤフラム１５ａとにより空間部１５ｃを構成する。これにより、感圧ダイヤフラム１５ａと固定電極１４との間に所定の間隔が設けられ、感圧ダイヤフラム１５ａと固定電極１４との間に静電容量が発生する。
【００１７】
ガラス基板１１と島状体１２との界面１１ｃは、高い密着性を有することが好ましい。後述するように、この界面１１ｃは、加熱下において島状体１２をガラス基板１１に押し込むことにより形成される。このような方法により得られた界面１１ｃでも高い密着性を発揮できるが、島状体１２をガラス基板１１に押し込んだ後に、陽極接合処理を施すことにより、密着性をより高くすることができる。陽極接合処理とは、所定の温度（例えば４００℃以下）で所定の電圧（例えば３００Ｖ〜１ｋＶ）を印加することにより、シリコンとガラスとの間に大きな静電引力が発生して、界面で化学結合を起こさせる処理をいう。この界面での化学結合は、シリコンのＳｉ原子とガラスに含まれるＳｉ原子との間のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｓｉ結合である。したがって、このＳｉ−Ｓｉ結合により、シリコンとガラスとが強固に接合して、両者間の界面で非常に高い密着性を発揮する。このような陽極接合を効率良く行うために、ガラス基板１１のガラス材料としては、接合温度（約４００℃）での熱膨張係数がシリコンに近い、少なくともアルカリ金属やアルカリ土類金属を含むガラス材料（例えばパイレックス（登録商標）ガラス）であることが好ましい。
【００１８】
これは、ガラス基板１１の主面１１ｂとシリコン基板１５との間の界面においても同様である。すなわち、ガラス基板１１の主面１１ｂ上にシリコン基板１５を搭載して、陽極接合処理を施すことにより、密着性を高くすることができる。このようにガラス基板１１と島状体１２との界面１１ｃと、ガラス基板１１とシリコン基板１５との界面１１ｄとで高い密着性を発揮することにより、感圧ダイヤフラム１５ａとガラス基板１１の主面１１ｂとの間で構成する空間部１５ｃ内の気密性を高く保つことができる。
【００１９】
ガラス基板１１の主面１１ｂとシリコン基板１５との間の界面で陽極接合を行う際には、例えば以下のような反応が起こっていると考えられる。なお、以下の反応は反応系における一部であり、他の反応も起こっていると考えられる。
Ｎａ2Ｏ→Ｏ2-＋２Ｎａ+
Ｓｉ＋２Ｏ2-→ＳｉＯ2＋４ｅ-
このとき、以下のような反応が起こり、ガス（Ｏ2）が発生する。
Ｏ2-→１／２Ｏ2＋２ｅ-
【００２０】
この酸素は陽極接合における温度下ではシリコンとほとんど反応しないため、一度ガス化すると酸素ガスとして残存する。この酸素ガスは、ガラス基板１１とシリコン基板１５を接合することにより形成された空間部１５ｃ内に残存すると、センシングの特性に影響を及ぼすのでこの酸素ガスをガストラップ層１６で除去する。すなわち、ガストラップ層１６は、ガラスとシリコンの陽極接合の際に生じるガスを捕捉又は吸着する能力を有する材料で構成されることが好ましい。すなわち、ガストラップ層１６は、ガラスとシリコンの陽極接合の際の温度又はその他の工程における温度において、空間部１５ｃ内で発生したガスを構成する元素を取り込む又はそのような元素と反応する能力を有する材料で構成されることが好ましい。このように、固定電極１４上にガストラップ層１６を設けるので、製造工程においてガラス基板１１とシリコン基板１５とで構成される空間部１５ｃ内で発生したガスを捕捉することができ、これにより空間部１５ｃ内におけるガスの存在によるセンサの性能低下を防止することができる。この場合、固定電極１４上にガストラップ層１６を設けており、ガストラップ専用のスペースを設けていないので、ガストラップ機能による大型化を回避することが可能となる。
【００２１】
また、ガストラップ層１６は、ガラス基板１１とシリコン基板１５との間の陽極接合の際に生じるガスにより表面が絶縁化されることが好ましい。このようにガストラップ層１６の表面が絶縁化されることにより、感圧ダイヤフラム（可動電極）１６ａが可動してガストラップ層１６に接触したとしても短絡することがなく、静電容量型圧力センサとして動作させることが可能となる。このようなガストラップ層１６を構成する材料としては、チタンを含む材料であることが好ましい。ここで、チタンを含む材料としては、ＴｉＯ2を含むＴｉＯｘなどのチタン化合物を挙げることができる。この場合において、ガストラップ層１６全体が均一な組成で存在する必要はなく、ガストラップ層１６表面から深くなるにしたがって組成が異なっていても良い。例えば表面において絶縁化された組成で深くなるにしたがってチタン単体に近くなるような組成であっても良い。
【００２２】
このような構成を有する静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラム１５ａとガラス基板１１上の固定電極１４との間に所定の静電容量を有する。この静電容量型圧力センサに圧力がかかると、感圧ダイヤフラム１５ａが圧力に応じて可動する。これにより、感圧ダイヤフラム１５ａが変位する。このとき、感圧ダイヤフラム１５ａとガラス基板１１上の固定電極１４との間の静電容量が変化する。すなわち、感圧ダイヤフラム１５ａと固定電極１４との間で正確に静電容量を検知することで、静電容量の変化に対応する圧力変化を検知することができる。
【００２３】
次に、本実施の形態のガラス基板を用いた静電容量型センサの製造方法について説明する。図２（ａ）〜（ｅ）及び図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサのガラス基板側の製造を説明するための断面図である。また、図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサのシリコン基板側の製造を説明するための断面図である。
【００２４】
使用するシリコン基板１８としては、回路の損失を小さくするために低抵抗であることが好ましい。例えば、不純物をドーピングして低抵抗化したシリコン基板１８を準備する。不純物としては、ｎ型不純物でも良く、ｐ型不純物でも良いが、後工程でのエッチングに影響を及ぼさないものが好ましい。濃度としては、例えば０．００３〜０．０３Ω・ｃｍ程度とする。このシリコン基板１８をエッチングして、図２（ａ）に示すように、島状体１２を形成する。エッチングとしては、ドライエッチングでも良く、ウェットエッチングでも良い。ただし、ウェットエッチングとしては異方性エッチングが好ましい。例えば、結晶面を（１００）とし、約２０重量％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロキシオキサイド）溶液を用いて約９０℃でウェットエッチングする。
【００２５】
次いで、図２（ｂ）に示すように、島状体１２を形成したシリコン基板１８上にガラス基板１１を置く。ガラス基板１１としては、４００℃付近でシリコンと熱膨張係数がほぼ同じであり、陽極接合後に常温での応力変形を小さくできるので、パイレックス（登録商標）ガラスを用いることが好ましい。さらに、このシリコン基板１８及びガラス基板１１を加熱し、図２（ｃ）に示すように、シリコン基板１８をガラス基板１１に押圧して島状体１２をガラス基板１１の主面１１ａに押し込んで、島状体１２をガラス基板１１に埋め込む。このときの温度は、シリコンの融点以下であって、ガラスが変形可能である温度が好ましい。例えば加熱温度は約７００〜８００℃である。
【００２６】
さらに、シリコン基板１８の島状体１２とガラス基板１１との界面１１ｃでの密着性をより高めるために、陽極接合処理をすることが好ましい。これにより界面１１ｃでの密着性がより高くなり、静電容量型センサの空間部１５ｃの気密性をより向上させることができる。
【００２７】
次いで、図２（ｄ）に示すように、ガラス基板１１の主面１１ｂ側を研磨処理することにより島状体１２を主面１１ｂで部分的に露出させる。さらに、図２（ｅ）に示すように、シリコン基板１８を研磨処理することにより、島状体１２がガラス基板１１の両面から部分的に露出する。これにより、ガラス基板１１に島状体１２が埋め込まれた状態となる。
【００２８】
次いで、図３（ａ）に示すように、ガラス基板１１の主面１１ｂ上に、島状体１２と電気的に接続するように固定電極１４を形成する。この場合、ガラス基板１１の主面１１ｂ上に電極材料、例えばアルミニウムを被着し、その上にレジスト膜を形成し、電極形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとしてアルミニウムをエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。
【００２９】
次いで、図３（ｂ）に示すように、固定電極１４上にガストラップ層１６を形成する。この場合、まず、固定電極１４上にガストラップ層１６を構成し得る材料、ここではチタンを被着し、その上にレジスト膜を形成し、ガストラップ層形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとしてチタンをエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。
【００３０】
なお、ここでは、固定電極１４をパターニングして形成した後にガストラップ層１６をパターニングして形成する場合について説明しているが、本発明においては、固定電極１４用の電極材料及びガストラップ層１６用の材料をガラス基板１１上に順次被着し、その上にマスクを形成した後に、そのマスクを用いてガストラップ層１６用の材料をエッチングし、続けてそのマスクを用いて固定電極１４用の電極材料をエッチングしても良い。
【００３１】
次いで、図４（ａ）に示すように、シリコン基板１５の一方の主面に空間部用の凹部１５ｅを形成する。シリコン基板１５の凹部１５ｅは、ガラス基板１１上の電極１４を囲繞できる程度に固定電極１４よりも大きく形成する。この場合、例えばパターニングにより形成したシリコン酸化膜をマスクとして、約２０重量％ＴＭＡＨ溶液を用いて約７０℃で異方性エッチングすることによりシリコン基板１５に凹部１５ｅを形成する。
【００３２】
次いで、図４（ｂ）に示すように、シリコン基板１５の他方の主面に凹部１５ｆを形成する。凹部１５ｆを形成する際に異方性エッチングを行うことにより、凹部１５ｆにテーパ面１５ｄが形成される。この場合、例えばパターニングにより形成したシリコン酸化膜をマスクとして約２０重量％ＴＭＡＨ溶液を用いて約９０℃で異方性エッチングすることによりシリコン基板１５に凹部１５ｆを形成する。これにより、シリコン基板１５に感圧ダイヤフラム１５ａが形成される。なお、凹部１５ｆは、凹部１５ｅに対して位置合わせして形成する。
【００３３】
次いで、図４（ｃ）に示すように、シリコン基板１５の凹部１５ｆ以外の他方の主面に電極１７を形成する。この場合、シリコン基板１５上に電極材料、例えばアルミニウムを被着し、その上にレジスト膜を形成し、電極形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとしてアルミニウムをエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。
【００３４】
なお、本実施の形態では、エッチングとしてウェットエッチングを用いた場合について説明しているが、エッチングとしてドライエッチングを用いても良い。また、本実施の形態では、シリコン基板１５に感圧ダイヤフラム１５ａを形成した後に電極１７を設けるように説明しているが、シリコン基板１５に電極１７を形成した後に感圧ダイヤフラム１５ａを設けても良い。
【００３５】
次いで、被測定圧力により変位する感圧ダイヤフラム１５ａを有するシリコン基板１５を、ガラス基板１１の主面１１ｂ上に接合して図１に示す静電容量型圧力センサを得る。このとき、感圧ダイヤフラム１５ａが凹部１５ｅを有するので、感圧ダイヤフラム１５ａが固定電極１４と所定の間隔をおいて位置することになる。このとき、シリコン基板１５及びガラス基板１１に対して、約３５０℃以上の加熱下で約５００Ｖ程度の電圧を印加することにより陽極接合を行うことで、ガラス基板１１とシリコン基板１５との間に気密性の高い空間部（キャビティ）を形成する。
【００３６】
ガラス基板１１とシリコン基板１５との間で陽極接合を行うと、上述したように酸素ガスが発生する。この酸素ガスは、空間部１５ｃ内のガストラップ層１６により捕捉される。すなわち、ガストラップ層１６として形成したチタンが酸素ガスと反応することにより絶縁化してガストラップ層１６の表面が二酸化チタンとなる。このガストラップ層１６は、図５に示すように、表面から深くなるにしたがって金属チタンの組成に近づく組成構成を有する。すなわち、図５において、表面では酸素ガスによりチタンが酸化されて二酸化チタンとなっているが、酸素量はガストラップ層１６の表面から深くなるにつれて少なくなりＴｉＯｘを介して金属チタンに近づく。このガストラップ層１６は、ＴｉＯｘの組成において酸素を取り込む余地があるので、空間部１５ｃ内で発生したガスをさらに捕捉することが可能である。
【００３７】
次いで、ガラス基板１１の主面１１ａ上に、島状体１２と電気的に接続するように電極１３を形成する。この場合、まず、ガラス基板１１の主面１１ａ上に電極材料、例えばアルミニウムを被着し、その上にレジスト膜を形成し、電極形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとしてアルミニウムをエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。
【００３８】
このようにして作製された静電容量型圧力センサについて、静電容量と圧力との関係を調べた。その結果を図６に示す。この圧力−静電容量特性は、高気密のチャンバ内に静電容量型圧力センサを設置し、チャンバ内の圧力を変化させながら静電容量型圧力センサの静電容量を測定することにより求めた。本実施の形態に係る静電容量型圧力センサは、固定電極１４のガストラップ層１６の表面が絶縁化されているので、図６に示す感圧ダイヤフラム１５ａとガストラップ層１６とが接触しても（Ｘ点）、可動電極と固定電極１４との間で短絡しておらず、静電容量の変化を測定することができている。
【００３９】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態においては、ガストラップ層を構成する材料がチタンを含む場合について説明しているが、本発明においては空間部内のガスを捕捉できる材料であればチタンを含む材料以外の材料を用いても良い。また、上記実施の形態においては、静電容量型圧力センサについて説明しているが、本発明はダイヤフラム１５ａを含むアクチュエータに適用しても良い。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの構成を示す図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサのガラス基板側の製造の前半を説明するための断面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサのガラス基板側の製造の後半を説明するための断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサのシリコン基板側の製造を説明するための断面図である。
【図５】ガストラップ層の深さ方向における組成を説明するための図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサにおける静電容量と圧力との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１１  ガラス基板
１１ａ，１１ｂ  主面
１１ｃ  貫通穴
１２  島状体
１３，１７  電極
１４  固定電極
１５，１８  シリコン基板
１５ａ  感圧ダイヤフラム
１５ｂ  側面
１５ｃ  空間部
１５ｄ  テーパ面
１５ｅ，１５ｆ  凹部
１６  ガストラップ層
【図１】
2006308350.tif 000003
【図２】
2006308350.tif 000004
【図３】
2006308350.tif 000005
【図４】
2006308350.tif 000006
【図５】
2006308350.tif 000007
【図６】
2006308350.tif 000008