(57)【要約】【課題】複数の発光素子を有するマルチビーム半導体レーザーにおいて、熱干渉による発光素子の出力低下や寿命短縮等の弊害を招くことなくビームピッチを短縮することができるようにする。【解決手段】本発明では、少なくともオーミック電極２５とコンタクト層２４と第一クラッド層２３と活性層２２と第二クラッド層２１とを含む構造の複数の発光素子２と、該発光素子２より放出されたレーザー光を反射する複数の反射素子３と、それら複数の発光素子及び複数の反射素子を支持する基板１よりなるマルチビーム半導体レーザー４において、各発光素子２より放出されるレーザー光が平行になるようにし、且つ各反射素子３の反射面が平行であって、各発光素子２より放出され反射素子３により反射された後のレーザー光が前記基板１に対して平行になるように構成した。【選択図】図１
2006120924.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともオーミック電極とコンタクト層と第一クラッド層と活性層と第二クラッド層とを含む構造の複数の発光素子と、該発光素子より放出されたレーザー光を反射する複数の反射素子と、それら複数の発光素子及び複数の反射素子を支持する基板よりなるマルチビーム半導体レーザーにおいて、
各発光素子より放出されるレーザー光が平行であり、且つ各反射素子の反射面が平行であって、各発光素子より放出され反射素子により反射された後のレーザー光が前記基板に対して平行であることを特徴とするマルチビーム半導体レーザー。
【請求項２】
請求項１記載のマルチビーム半導体レーザーにおいて、
前記複数の発光素子及び複数の反射素子を支持する基板が、前記複数の発光素子以上の熱伝導率を有することを特徴とするマルチビーム半導体レーザー。
【請求項３】
少なくとも二つ以上の請求項１または２記載のマルチビーム半導体レーザーと、該マルチビーム半導体レーザーを支持するステーよりなり、且つ前記マルチビーム半導体レーザーが等間隔で配置されており、同時に前記マルチビーム半導体レーザーより放出されるレーザー光が一直線上に照射されることを特徴とするマルチビーム半導体レーザーヘッド。
【請求項４】
請求項３記載のマルチビーム半導体レーザーヘッドを搭載し、該マルチビーム半導体レーザーヘッドを用いて印刷用版材に画像を形成して製版することを特徴とする製版装置。
【請求項５】
請求項３記載のマルチビーム半導体レーザーヘッドを搭載し、該マルチビーム半導体レーザーヘッドを用いて記録体に潜像を形成し、該記録体上の潜像を現像手段で顕像化した後、該記録体上の顕像を直接または中間転写体を介して記録媒体に転写して画像記録を行うことを特徴とする画像記録装置。
【請求項６】
請求項５記載の画像記録装置において、
前記記録体は、前記マルチビーム半導体レーザーヘッドからのレーザー光の照射により加熱された領域または加熱されなかった領域のいずれかが撥液性となる性質を有し、前記記録体の撥液性でない領域に前記現像手段によりインクを付着させることにより顕像化し、そのインク画像を直接または中間転写体を介して記録媒体に転写して画像記録を行うことを特徴とする画像記録装置。
【請求項７】
請求項１または２記載のマルチビーム半導体レーザーと、該マルチビーム半導体レーザーより放出されたレーザー光を整形するための光学素子と、レーザー光を直線上に走査する走査手段と、該走査手段で走査されるレーザー光を被走査面に集光する走査光学系とを備えたことを特徴とする光走査装置。
【請求項８】
請求項７記載の光走査装置を備え、像担持体の被走査面を前記光走査装置のレーザー光で走査して潜像を形成し、該像担持体上の潜像を現像手段で現像して顕像化した後、像担持体上の顕像を直接または中間転写体を介して記録媒体に転写して画像記録を行うことを特徴とする画像記録装置。
【請求項９】
請求項８記載の画像記録装置において、
前記像担持体は光導電性の感光体であり、該感光体の被走査面を前記光走査装置のレーザー光で走査して静電潜像を形成し、該感光体上の静電潜像を現像手段のトナーで現像して顕像化した後、該感光体上のトナー画像を直接または中間転写体を介して記録媒体に転写して画像記録を行うことを特徴とする画像記録装置。
【請求項１０】
請求項１記載のマルチビーム半導体レーザーを製造する製造方法であって、
基板上に第二のクラッド層、活性層、第一クラッド層、コンタクト層を順次結晶成長させる工程と、前記各層を結晶成長した基板の表面にフォトレジストを塗布し、複数の発光素子及び複数の反射素子のパターンをパターニングする工程と、パターニングされたフォトレジストをマスクとしてドライエッチングにより第二クラッド層の下部までエッチングを施し、複数の発光素子及び複数の反射素子を形成する工程と、形成された発光素子の上部に第一オーミック電極を形成する工程と、必要に応じて基板の裏面に第二オーミック電極を形成する工程とを含むことを特徴とするマルチビーム半導体レーザーの製造方法。
【請求項１１】
請求項２記載のマルチビーム半導体レーザーを製造する製造方法であって、
基板上にエッチストップ層、第一コンタクト層、クラッド層、活性層、第二クラッド層、第二コンタクト層を順次結晶成長させる工程と、前記各層を結晶成長した基板の表面に高熱伝導基板を張り合わせる工程と、前記結晶成長時に用いた基板とエッチストップ層を除去し第二コンタクト層を露出させる工程と、第二コンタクト層を露出させた基板表面にフォトレジストを塗布し、複数の発光素子及び複数の反射素子のパターンをパターニングする工程と、パターニングされたフォトレジストをマスクとしてドライエッチングにより第二コンタクト層の下部までエッチングを施し、複数の発光素子及び複数の反射素子を形成する工程と、形成された発光素子の上部に第一オーミック電極を形成する工程と、必要に応じて基板の裏面に第二オーミック電極を形成する工程とを含むことを特徴とするマルチビーム半導体レーザーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物半導体デバイスからなるマルチビーム半導体レーザーとその製造方法、そのマルチビーム半導体レーザーを用いたマルチビーム半導体レーザーヘッド、及び、そのマルチビーム半導体レーザーヘッドを用いた製版装置並びに画像記録装置、及び、前記マルチビーム半導体レーザーを用いた光走査装置、及び、その光走査装置を用いた画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式やオフセット印刷方式における画像記録において、高精細な画像品質を得るための画像形成手段として、レーザーを用いた画像形成方法が広く用いられている。電子写真方式の場合、像担持体である感光性を有するドラム（またはベルト）を回転させ（主走査（または副走査））つつ、その軸方向にポリゴンミラー等の走査手段を用いてレーザーを走査（副走査（または主走査））する方法が一般的である。また、印刷用版材に画像形成（製版）を行う場合、版ドラム上に固定された印刷用版材にレーザーを照射し、ドラムが１回転する毎にレーザー光を１ドット分だけ走査し、この操作を繰り返すことで所望のサイズの画像を形成している。
【０００３】
一方、電子写真方式やオフセット印刷方式の分野では共に画像の高精細化及び出力の高速化が求められている。これを実現するための方法として、主走査、副走査共に高速化し、同時にレーザーを高出力化するか、感光体もしくは印刷用版材を高感度化する方法が考えられるが、この方法により画像形成速度を向上させるには、レーザーの高出力化に伴う光源または高感度メディアの開発、主走査、副走査の高速化によるそれを支持する筐体の補強、更には高速走査時の位置制御方法の開発等多くの課題が発生し、多大なコストと時間を必要とする。また、画像の高精細化について、画像の解像度が２倍になった場合、主走査方向、副走査方向ともに２倍の時間が必要となるため、画像出力時においては４倍の時間が必要となる。従って画像の高精細化を実現するには、画像出力の高速化も同時に達成する必要がある。
【０００４】
画像出力の高速化を達成するための別の方法として、レーザーをマルチビーム化する方法が考えられ、実際、印刷用版材に対する画像形成においては複数本のレーザーを用いるのが一般的となっている。レーザーをマルチビーム化することにより、１本当たりのレーザーにより描画される領域が縮小され、理論的にはｎ本のレーザーを用いた場合の画像形成に必要な時間は、１本のレーザーを用いた場合の１／ｎとなる。
【０００５】
オフセット印刷においては１２００ｄｐｉ（ドット／インチ）以上の解像度が一般的で、それ以上の解像度が要求されている。また、近年のオンデマンド・ショートランプリンティングのニーズの増大により、製版に要する時間の短縮が一層望まれている。このようなニーズに対応するため、レーザー光源の更なるマルチビーム化が検討されているが、レーザー光源のサイズ以下にビームピッチを狭めることは不可能である。
【０００６】
これらの課題を同時に解決する手段として、１つのチップに複数の発光光源を有するマルチビーム半導体レーザーが提案されており、これによりビームピッチを縮小することが可能となるが、現在提案されているマルチビーム半導体レーザーのビームピッチは１４μｍで、定格出力は１０ｍＷ以下であり、印刷用版材に対しては出力不足であり、電子写真分野においては今後進展するであろう画像出力の高速化に対応することはできない。
【０００７】
定格出力を抑制している主たる要因は各発光源より発生する熱であり、ビームピッチが狭いため隣接する素子の熱の影響を受けているためである。このような課題を解決するために特許文献１に記載の「光電変換素子およびその製造方法」や、特許文献２に記載の「半導体発光素子およびその製造方法」が提案されている。これらの発明においては、各発光素子間に放熱材料を埋め込むことによって、発光素子で発生した熱を外部に放出する手段を用いているが、これによっても熱の影響を十分に排除することは不可能で、定格出力を向上させるには至っていない。
【０００８】
また、特許文献３記載の「半導体レーザ装置」及び特許文献４記載の「マルチビーム半導体レーザ」においては、反射鏡を用い複数本のレーザー光を１つのチップより取り出す方法が提案されているが、これらの発明において提案されている手段ではレーザー光を一直線上且つ等間隔で取り出すことが可能なレーザー光は２本までであり、これらのチップを複数配列したとしてもビーム間隔を十分に狭めることは不可能で、前記の課題を解決することはできない。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−３４０５７０号公報
【特許文献２】特開平１１−３５４８８８号公報
【特許文献３】特開平０６−０３７３９５号公報
【特許文献４】特開平０６−１０４５３５号公報
【特許文献５】特開平０８−２７６６６３号公報
【特許文献６】特開平０９−３１５００４号公報
【特許文献７】特開２０００−２４７０２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、複数の発光素子を有する場合にも、熱干渉による発光素子の出力低下や寿命短縮等の弊害を招くことなくビームピッチを短縮することができるマルチビーム半導体レーザーを提供することを目的とする。
また、本発明は、各発光素子で発生した熱を効果的に外部へ放出することができるマルチビーム半導体レーザーを提供することを目的とする。
さらに本発明は、複数の発光素子を有するマルチビーム半導体レーザーを組み合わせることによって、熱干渉による種々の弊害を招くことなくビームピッチを短縮することができるマルチビーム半導体レーザーヘッドを提供することを目的とする。
さらに本発明は、前記マルチビーム半導体レーザーヘッドを用いて短時間で印刷用版材に高精細な画像記録が可能な製版装置を提供することを目的とする。
さらに本発明は、前記マルチビーム半導体レーザーヘッドを用いて短時間で高精細な画像を高速に出力可能な画像記録装置を提供することを目的とする。
さらに本発明は、前記マルチビーム半導体レーザーを用いて短時間で走査可能な光走査装置を提供することを目的とする。
さらに本発明は、前記光走査装置を用いて高精細な画像を高速に出力可能な画像記録装置を提供することを目的とする。
さらに本発明は、前記マルチビーム半導体レーザーを容易に製造することができる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するため、本発明では以下のような手段を採っている。
本発明の第１の手段は、少なくともオーミック電極とコンタクト層と第一クラッド層と活性層と第二クラッド層とを含む構造の複数の発光素子と、該発光素子より放出されたレーザー光を反射する複数の反射素子と、それら複数の発光素子及び複数の反射素子を支持する基板よりなるマルチビーム半導体レーザーにおいて、各発光素子より放出されるレーザー光が平行であり、且つ各反射素子の反射面が平行であって、各発光素子より放出され反射素子により反射された後のレーザー光が前記基板に対して平行であることを特徴とする（請求項１）。
また、本発明の第２の手段は、第１の手段のマルチビーム半導体レーザーにおいて、前記複数の発光素子及び複数の反射素子を支持する基板が、前記複数の発光素子以上の熱伝導率を有することを特徴とする（請求項２）。
【００１２】
本発明の第３の手段は、マルチビーム半導体レーザーヘッドであって、少なくとも二つ以上の第１または第２の手段のマルチビーム半導体レーザーと、該マルチビーム半導体レーザーを支持するステーよりなり、且つ前記マルチビーム半導体レーザーが等間隔で配置されており、同時に前記マルチビーム半導体レーザーより放出されるレーザー光が一直線上に照射されることを特徴とする（請求項３）。
【００１３】
本発明の第４の手段は、製版装置であって、第３の手段のマルチビーム半導体レーザーヘッドを搭載し、該マルチビーム半導体レーザーヘッドを用いて印刷用版材に画像を形成して製版することを特徴とする（請求項４）。
【００１４】
本発明の第５の手段は、画像記録装置であって、第３の手段のマルチビーム半導体レーザーヘッドを搭載し、該マルチビーム半導体レーザーヘッドを用いて記録体に潜像を形成し、該記録体上の潜像を現像手段で顕像化した後、該記録体上の顕像を直接または中間転写体を介して記録媒体に転写して画像記録を行うことを特徴とする（請求項５）。
また、本発明の第６の手段は、第５の手段の画像記録装置において、前記記録体は、前記マルチビーム半導体レーザーヘッドからのレーザー光の照射により加熱された領域または加熱されなかった領域のいずれかが撥液性となる性質を有し、前記記録体の撥液性でない領域に前記現像手段によりインクを付着させることにより顕像化し、そのインク画像を直接または中間転写体を介して記録媒体に転写して画像記録を行うことを特徴とする（請求項６）。
【００１５】
本発明の第７の手段は、光走査装置であって、第１または第２の手段のマルチビーム半導体レーザーと、該マルチビーム半導体レーザーより放出されたレーザー光を整形するための光学素子と、レーザー光を直線上に走査する走査手段と、該走査手段で走査されるレーザー光を被走査面に集光する走査光学系とを備えたことを特徴とする（請求項７）。
【００１６】
本発明の第８の手段は、画像記録装置であって、第７の手段の光走査装置を備え、像担持体の被走査面を前記光走査装置のレーザー光で走査して潜像を形成し、該像担持体上の潜像を現像手段で現像して顕像化した後、像担持体上の顕像を直接または中間転写体を介して記録媒体に転写して画像記録を行うことを特徴とする（請求項８）。
また、本発明の第９の手段は、第８の手段の画像記録装置において、前記像担持体は光導電性の感光体であり、該感光体の被走査面を前記光走査装置のレーザー光で走査して静電潜像を形成し、該感光体上の静電潜像を現像手段のトナーで現像して顕像化した後、該感光体上のトナー画像を直接または中間転写体を介して記録媒体に転写して画像記録を行うことを特徴とする（請求項９）。
【００１７】
本発明の第１０の手段は、第１の手段のマルチビーム半導体レーザーを製造する製造方法であって、基板上に第二のクラッド層、活性層、第一クラッド層、コンタクト層を順次結晶成長させる工程と、前記各層を結晶成長した基板の表面にフォトレジストを塗布し、複数の発光素子及び複数の反射素子のパターンをパターニングする工程と、パターニングされたフォトレジストをマスクとしてドライエッチングにより第二クラッド層の下部までエッチングを施し、複数の発光素子及び複数の反射素子を形成する工程と、形成された発光素子の上部に第一オーミック電極を形成する工程と、必要に応じて基板の裏面に第二オーミック電極を形成する工程とを含むことを特徴とする（請求項１０）。
【００１８】
本発明の第１１の手段は、第２の手段のマルチビーム半導体レーザーを製造する製造方法であって、基板上にエッチストップ層、第一コンタクト層、クラッド層、活性層、第二クラッド層、第二コンタクト層を順次結晶成長させる工程と、前記各層を結晶成長した基板の表面に高熱伝導基板を張り合わせる工程と、前記結晶成長時に用いた基板とエッチストップ層を除去し第二コンタクト層を露出させる工程と、第二コンタクト層を露出させた基板表面にフォトレジストを塗布し、複数の発光素子及び複数の反射素子のパターンをパターニングする工程と、パターニングされたフォトレジストをマスクとしてドライエッチングにより第二コンタクト層の下部までエッチングを施し、複数の発光素子及び複数の反射素子を形成する工程と、形成された発光素子の上部に第一オーミック電極を形成する工程と、必要に応じて基板の裏面に第二オーミック電極を形成する工程とを含むことを特徴とする（請求項１１）。
【発明の効果】
【００１９】
第１の手段のマルチビーム半導体レーザーでは、各発光素子より放出されるレーザー光が平行であり、且つ各反射素子の反射面が平行であって、各発光素子より放出され反射素子により反射された後のレーザー光が前記基板に対して平行であることにより、隣接する発光素子の熱干渉による弊害を引き起こすことなく、ビームピッチを短縮することができる。
また、第２の手段のマルチビーム半導体レーザーでは、第１の手段の構成及び効果に加え、複数の発光素子及び複数の反射素子を支持する基板が、前記複数の発光素子以上の熱伝導率を有することにより、複数の発光素子より発生した熱を効果的に外部へ放出することができ、より高出力なマルチビーム半導体レーザーを提供することができる。
【００２０】
第３の手段のマルチビーム半導体レーザーヘッドでは、少なくとも二つ以上の第１または第２の手段のマルチビーム半導体レーザーと、該マルチビーム半導体レーザーを支持するステーよりなり、且つ前記マルチビーム半導体レーザーが等間隔で配置されており、同時に前記マルチビーム半導体レーザーより放出されるレーザー光が一直線上に照射されることにより、短時間で画像記録が可能で且つ安価なマルチビーム半導体レーザーヘッドを実現することができる。
【００２１】
第４の手段の製版装置では、第３の手段のマルチビーム半導体レーザーヘッドを搭載し、該マルチビーム半導体レーザーヘッドを用いて印刷用版材に画像を形成して製版することにより、短時間で印刷用版材に画像の記録が可能な製版装置を実現することができる。
【００２２】
第５、第６の手段の画像記録装置では、第３の手段のマルチビーム半導体レーザーヘッドを搭載し、該マルチビーム半導体レーザーヘッドを用いて記録体に潜像を形成し、該記録体上の潜像を現像手段で顕像化した後、該記録体上の顕像を直接または中間転写体を介して記録媒体に転写して画像記録を行うことにより、短時間で記録体への画像記録が終了し、記録体の画像を顕像化して記録媒体に転写することにより、記録媒体への画像記録が可能となる画像記録装置を実現することができる。
【００２３】
第７の手段の光走査装置では、第１または第２の手段のマルチビーム半導体レーザーと、該マルチビーム半導体レーザーより放出されたレーザー光を整形するための光学素子と、レーザー光を直線上に走査する走査手段と、該走査手段で走査されるレーザー光を被走査面に集光する走査光学系とを備えたことにより、複数のレーザー光で複数のラインを同時に走査することが可能となり、広範囲を短時間で走査することができる。
【００２４】
第８、第９の手段の画像記録装置では、第７の手段の光走査装置を備え、像担持体の被走査面を前記光走査装置のレーザー光で走査して潜像を形成し、該像担持体上の潜像を現像手段で現像して顕像化した後、像担持体上の顕像を直接または中間転写体を介して記録媒体に転写して画像記録を行うことにより、光走査装置を用いて高精細な画像を高速に出力可能な電子写真方式の画像記録装置を実現することができる。
【００２５】
第１０の手段のマルチビーム半導体レーザーの製造方法では、第１の手段の構成のマルチビーム半導体レーザーを容易に製造することができる。
また、第１１の手段のマルチビーム半導体レーザーの製造方法では、第２の手段の構成のマルチビーム半導体レーザーを容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
（実施形態１）
図１は本発明の第１の実施形態を示すマルチビーム半導体レーザーの構成説明図であり、（ａ）はマルチビーム半導体レーザーの平面図、（ｂ）はマルチビーム半導体レーザーの一部の発光素子を拡大して示す要部斜視図である。この図１は基板１上に複数の発光素子２と、その個々の発光素子２に対応する反射素子３を有するマルチビーム半導体レーザー４の構成例を示している。発光素子２の素子間隔については、各発光素子より発生する熱の干渉を抑制するため極力広く設定しなければならない。然るにマルチビーム半導体レーザー４より取り出されるレーザー光のビームピッチは、画像記録密度と記録速度を向上させるため極力狭められていることが望ましい。これらの目的に対し図１（ａ）の如く反射素子間隔Ｂ（＝ビームピッチ）を反射素子間隔Ａ（＝発光素子間隔）より狭くすることによって、発光素子間隔を狭めることなくビームピッチを狭めることができ、これによって発光素子２で発生する熱の干渉を引き起こすことなくビームピッチを短縮することができる。また、本発明によれば１つのマルチビーム半導体レーザー４より取り出されるレーザー光の本数に制限はなく、任意の数のレーザー光を目的に応じて取り出すことができる。
【００２８】
図１（ｂ）は図１（ａ）に示された発光素子２の詳細図であり、マルチビーム半導体レーザー４の各発光素子の構成を示している。各発光素子２は、基板１上に第二クラッド層２１、活性層２２、第一クラッド層２３、コンタクト層２４、第一オーミック電極２５を積層した構成からなり、第一オーミック電極２５と基板裏面に形成した図示しない第二オーミック電極に電圧を印加することによって各発光素子２よりレーザー光が平行に放出され、放出されたレーザー光は図１（ａ）に示すようにそれぞれ反射素子３により反射されるが、各反射素子３の反射面３ａは平行であるため、反射されたレーザー光もそれぞれ平行である。
【００２９】
次に本実施形態におけるマルチビーム半導体レーザーの製造方法の一例について以下に説明する。
初めに図２の(1) のようにn-（p-）ＧａＡｓからなる基板１上に、n-（p-）クラッド層（第二クラッド層）２１、活性層２２、p-（n-）クラッド層（第一クラッド層）２３、p-（n-）コンタクト層２４を順次結晶成長させる。ここで結晶成長に用いる基板１としてはＧａＡｓ基板に限るものではなく、結晶成長させる材料と格子整合するのであればいかなる材料でも構わない。
【００３０】
次に基板表面にフォトレジスト２６を塗布し、公知のフォトリソグラフィー法（フォトマスクあるいは描画装置を用いたパターン露光、現像、リンス、乾燥等の工程）によりパターニングを行い、図２の(2) のように発光素子と反射素子となる部分（図中の斜線部）を除いてフォトレジスト２６を完全に除去した後、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等のドライエッチングにより、図２の(3) のようにn-（p-）クラッド層（第二クラッド層）２１の下部までエッチングを施し、発光素子２と反射素子３を形成する。この時、反射素子３の反射面が平滑且つ基板１と垂直となるよう加工しなければならないため、ウェットエッチングは望ましくない。
【００３１】
図２の(3) で作製した発光素子２及び反射素子３の存在する表面にフォトレジスト２７を塗布し、図２の(4) のように発光素子２上部のみ該フォトレジスト２７を完全に除去した後、p-（n-）オーミック電極材料を真空蒸着やスパッタ等の方法を用いて一様に形成する。次にリフトオフ法により発光素子上部以外の電極材料をフォトレジストと共に除去して、図２の(5) のように各発光素子２の上にp-（n-）オーミック電極（第一オーミック電極）２５を形成する。なお、電極材料の例としては、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）及びそれらの合金等が挙げられる。
【００３２】
次に図示を省略するが、基板１の裏面にn-（p-）オーミック電極材料を真空蒸着やスパッタ等の方法を用いて一様に成膜し、n-（p-）オーミック電極（第二オーミック電極）を形成する。
以上の手順により、複数の発光素子間で発生する熱の干渉を引き起こすことなくビームピッチを短縮することのできるマルチビーム半導体レーザーを容易に製造することができる。
【００３３】
（実施形態２）
図３は本発明の第２の実施形態を示すマルチビーム半導体レーザーの構成説明図であり、（ａ）はマルチビーム半導体レーザーの平面図、（ｂ）はマルチビーム半導体レーザーの一部の発光素子を拡大して示す要部斜視図である。この図３は高熱伝導基板１１上に複数の発光素子１２と、その個々の発光素子１２に対応する反射素子１３を有するマルチビーム半導体レーザー１４の構成例を示している。本実施形態によれば、第１の実施形態の構成と比較して製造工程の煩雑さは増加するが、複数の発光素子１２で発生した熱を高熱伝導基板１１を介して効果的に外部へ放出することができ、各発光素子１２の光出力をより向上させることができる。
【００３４】
図３（ｂ）は図３（ａ）に示された発光素子２の詳細図で各発光素子の構成を示している。各発光素子１２は、高熱伝導基板１１上に第二コンタクト層３１、第二クラッド層３２、活性層３３、第一クラッド層３４、第一コンタクト層３５、第一オーミック電極３６を積層した構成からなり、第一オーミック電極３６と基板裏面に形成した図示しない第二オーミック電極に電圧を印加することによって各発光素子よりレーザー光が平行に放出され、放出されたレーザー光は図３（ａ）に示すようにそれぞれ反射素子１３により反射されるが、各反射素子１３の反射面１３ａは平行であるため、反射されたレーザー光もそれぞれ平行である。
【００３５】
次に本実施形態におけるマルチビーム半導体レーザーの製造方法について以下に説明する。
初めに図４の(1) の如くＧａＡｓ基板３７上にエッチストップ層３８、n-（p-）コンタクト層（第一コンタクト層）３５、n-（p-）クラッド層（第一クラッド層）３４、活性層３３、p-（n-）クラッド層（第二クラッド層）３２、p-（n-）コンタクト層（第二コンタクト層）３１を順次結晶成長させる。ここで結晶成長に用いる基板３７としてはＧａＡｓ基板に限るものではなく、結晶成長させる材料と格子整合するのであればいかなる材料でも構わない。
【００３６】
結晶成長した基板３７の表面（p-（n-）コンタクト層（第二コンタクト層）３１）と高熱伝導基板１１とを張り合わせる。この時、高熱伝導基板１１を構成する材料として放熱及び各発光素子間の熱干渉の抑制のみを考慮する場合、該高熱伝導基板１１を構成する材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、ステンレス（ＳＵＳ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）等如何なる材料でも構わない。しかし、これらの材料は熱膨張係数において、発光素子１２を構成する材料と著しく特性が異なるため、駆動中に発生した熱により発光素子に応力が生じ、素子寿命を低下させる恐れがある。従って素子寿命を維持することをも考慮するなら、高熱伝導材料の熱膨張係数が発光素子を構成する材料のそれに近いものを選択するのが望ましい。具体的な材料としては、ＣｕＷ、ＡｌＮ、ＳｉＣ等が挙げられる。
【００３７】
次に結晶成長時に用いた基板３７及びエッチストップ層３８を、基板３７側からエッチストップ層３８までエッチングすることにより除去し、図４の(2) のようにn-（p-）コンタクト層（第二コンタクト層）３１を露出させる（図４(2) では、図４(1) とは上下を逆にしている）。
次に基板表面にフォトレジスト３９を塗布し、公知のフォトリソグラフィー法（フォトマスクあるいは描画装置を用いたパターン露光、現像、リンス、乾燥等の工程）によりパターニングを行い、図４の(3) のように発光素子と反射素子となる部分（図中の斜線部）を除いてフォトレジスト２６を完全に除去した後、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等のドライエッチングにより図４の(4) のようにn-（p-）コンタクト層（第二コンタクト層）３１の下部までエッチングを施し、発光素子と反射素子を形成する。この時、反射素子の反射面が平滑且つ基板と垂直となるよう加工しなければならないため、ウェットエッチングは望ましくない。
【００３８】
図４の(4) で作製した発光素子１２及び反射素子１３の存在する表面にフォトレジスト４０を塗布し、図４の(5) のように発光素子１２の上部のみフォトレジスト４０を完全に除去した後、n-（p-）オーミック電極材料を真空蒸着やスパッタ等の方法を用いて一様に形成する。次にリフトオフ法により発光素子１２の上部以外の電極材料をフォトレジストと共に除去し、n-（p-）オーミック電極（第一オーミック電極）３６を形成する。なお、電極材料の例としては、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）及びそれらの合金等が挙げられる。
【００３９】
次に、必要に応じて高熱伝導基板１１の裏面にp-（n-）オーミック電極材料を真空蒸着やスパッタ等の方法を用いて成膜し、p-（n-）オーミック電極（第二オーミック電極）を形成する。
以上の手順により、複数の発光素子１２で発生した熱を効果的に外部へ放出し、且つビームピッチを短縮することのできるマルチビーム半導体レーザー１４を容易に製造することができる。
【００４０】
（実施形態３）
図５は本発明の第３の実施形態を示すマルチビーム半導体レーザーヘッドの構成説明図であり、（ａ）はマルチビーム半導体レーザーヘッドの概略構成図と、そのマルチビーム半導体レーザーヘッドの一部のマルチビーム半導体レーザー部分を拡大して示す要部拡大図であり、（ｂ）はそのマルチビーム半導体レーザーヘッドの一部のマルチビーム半導体レーザー部分を上面側から見た要部平面図である。この図５は、実施形態１（または実施形態２）で説明した構成のマルチビーム半導体レーザー４（または１４）を、ステー５１上に等間隔に並ぶように複数配置したことを特徴とするマルチビーム半導体レーザーヘッド５０を示している。ここで隣接するマルチビーム半導体レーザー４（または１４）の反射素子３（または１３）の間隔ｂは、各マルチビーム半導体レーザー上の反射素子間隔（ビームピッチ）aの整数倍（ｂ＝ｎａ、ｎ：整数、ｎ＞１）になっている。
【００４１】
本実施形態のマルチビーム半導体レーザーヘッド５０により画像記録を行う場合、ビームピッチの間隔だけマルチビーム半導体レーザーヘッド５０を走査する。次にマルチビーム半導体レーザーヘッド５０を、隣接するマルチビーム半導体レーザー４（または１４）の反射素子間隔ｂから各マルチビーム半導体レーザー４（または１４）のビームピッチａを引いた距離を移動させ、引き続きビームピッチａの間隔だけマルチビーム半導体レーザーヘッド５０を走査する。このような操作を繰り返すことによって、所望の画像を得ることができる。
【００４２】
対象とする画像サイズ幅を３００ｍｍ（Ａ３縦）、ビームピッチａを１．５ｍｍ、隣接するマルチビーム半導体レーザー４（または１４）の反射素子の間隔ｂを１５ｍｍ、一つのマルチビーム半導体レーザー中に１０個の発光素子２（または１２）が含まれている場合、１０個のマルチビーム半導体レーザーが必要となり、それらに含まれている発光素子数は１００個であるため、それと同数の制御回路が必要である。
【００４３】
一方、対象とする画像サイズ幅を３００ｍｍ（Ａ３縦）、ビームピッチａを３．０ｍｍ、マルチビーム半導体レーザー４（または１４）の反射素子の間隔ｂを３０ｍｍ、一つのマルチビーム半導体レーザー中に１０個の発光素子２（または１２）が含まれている場合、５個のマルチビーム半導体レーザーが必要となり、それらに含まれている発光素子数は５０個であるため、それと同数の制御回路が必要である。この場合の画像記録に要する時間は先に示した構成例の２倍であるが、発光素子数や制御回路数が１／２であるため、装置全体を安価にすることができる。
【００４４】
（実施形態４）
図６は本発明の第４の実施形態を示す製版装置の概略斜視図である。本実施形態は、実施形態３に示したマルチビーム半導体レーザーヘッド５０を用いており、短時間で画像記録が可能な印刷用版材の製版装置である。
図６に示すように、本実施形態の製版装置６０の主要部分は、画像記録媒体である印刷用版材６１、該版材６１を固定するドラム６２、及びマルチビーム半導体レーザーヘッド５０より構成されている。印刷用版材６１はドラム６２上に固定されており、該ドラム６２は図示しない駆動手段により、図中の矢印Ｓ１で示す主走査方向に一定速度で回転している。また、マルチビーム半導体レーザーヘッド５０は図示しない制御回路により駆動されており、画像データに応じて所定の出力にて発光している。
【００４５】
画像記録時においては、ドラム６２が１回転するごとにマルチビーム半導体レーザーヘッド５０は画像の解像度に対応した距離を図中の矢印Ｓ２で示す副走査方向に移動する（例えば、解像度が１２７０ｄｐｉでは０．０２ｍｍ移動し、２５４０ｄｐｉでは０．０１ｍｍ移動する）。引き続きドラム６２が１回転した後、マルチビーム半導体レーザーヘッド５０は同じ距離だけ副走査方向Ｓ２に移動する。実施形態３のマルチビーム半導体レーザーヘッド５０を用いている場合は、これらの動作を繰り返し、ビームピッチと等しい距離を移動した後、または（１つのマルチビーム半導体レーザー素子上の発光素子数）×（ビームピッチ）で計算される距離を移動した後、同様の動作を繰り返す。そして一連の動作を繰り返し、全体の移動距離がマルチビーム半導体レーザー素子の配置している間隔と等しくなった時点で画像記録が終了する。以上の動作により印刷用版材６１に画像を記録し、製版することができる。
【００４６】
（実施形態５）
図７は本発明の第５の実施形態を示す画像記録装置の概略構成図である。本実施形態は、実施形態３で示したマルチビーム半導体レーザーヘッド５０を搭載し、該マルチビーム半導体レーザーヘッド５０を用いて記録体７２に潜像を形成し、記録体上の潜像を現像手段７３で顕像化した後、該記録体上の顕像を直接または中間転写体７４を介して記録媒体７７に転写して画像記録を行う画像記録装置７０の一例を示している。より具体的には、この画像記録装置７０では、記録体７２は、マルチビーム半導体レーザーヘッド５０からのレーザー光の照射により加熱された領域または加熱されなかった領域のいずれかが撥液性となる性質を有し、記録体７２の撥液性でない領域に現像手段７３によりインクを付着させることにより顕像化し、そのインク画像を直接または中間転写体７４を介して記録媒体７７に転写して画像記録を行うものである。以下、より詳しく説明する
【００４７】
図７において、版胴７１の外周面上には記録体７２が固定されており、この記録体７２は、例えば初期状態において撥液性を有し、インクが付着しない状態であり、マルチビーム半導体レーザーヘッド５０から照射されるレーザー光を熱変換し、加熱された領域のみ親液性となり印刷用インクが付着する性質を有する構成である。なお、記録体の構成は上記に限らず、記録体は初期状態において親液性を有しインクが付着する状態であって、マルチビーム半導体レーザーヘッド５０からレーザー光を照射し加熱された領域のみ撥液性となってインクが付着しない性質を有する構成であっても構わない。
【００４８】
上記の記録体７２の性質を利用した方法でマルチビーム半導体レーザーヘッド５０により画像（潜像）を形成した後、現像手段であるインキングユニット７３により画像を現像すると、例えばレーザー光を照射した領域のみ親液性となり印刷用インクが付着する。このようにして現像され顕像化された画像（インク画像）は、中間転写体であるブランケット胴７４に転写される。一方、記録媒体である印刷用紙７７は給紙台７６より供給され、給紙ローラ７８Ａにより転写部に向けて搬送される。そして転写部の圧胴７５により印刷用紙７７を画像が転写されたブランケット胴７４へ圧着させることにより、インク画像が印刷用紙７７上に転写される。画像転写後の印刷用紙７７は、ガイドローラ７８Ｂ，７８Ｃにより搬送され、排紙ローラ７８Ｄで排紙台７９に排紙される。
【００４９】
以上のような構成の画像記録装置（印刷装置）７０を用いることによって、高精細な画像を、画像記録開始後から迅速に出力することができる。また、この画像記録装置（印刷装置）は、同じ画像を多数枚の用紙に連続して記録するのに適している。
【００５０】
（実施形態６）
図８は本発明の第６の実施形態を示す光走査装置の概略構成図である。本実施形態では、実施形態１（または実施形態２）で説明した構成のマルチビーム半導体レーザー４（１４）を搭載した光走査装置の例を示している。図８において、マルチビーム半導体レーザー４（１４）上のｎ個の発光素子（図示せず）が紙面の垂直方向に配列している。マルチビーム半導体レーザー４（１４）より照射されたｎ番目のレーザー光は、ビーム整形用の光学素子（例えばコリメートレンズやシリンドリカルレンズ等）８１により整形され、光走査手段であるポリゴンミラー８２によって反射・走査される。反射・走査されたレーザー光は、走査光学系（走査用光学素子（ｆθレンズ、ｆθミラー等）や面倒れ補正用光学素子（ＢＴＬ等の補正用レンズ）、光路偏向用ミラー等により構成される）８３により被走査面８４に集光されるが、このとき、被走査面８４の直線Ａｎ上において常に焦点位置となるようになっており、直線Ａｎ上を一定速度で移動している。
【００５１】
従来の光走査装置においては１本のレーザー光を同様の方法で走査していたため、一回の走査では１ラインしか走査することができなかったが、本実施形態においてはマルチビーム半導体レーザー４（１４）よりｎ本のレーザー光が照射される場合、１本レーザーの場合の１／ｎの時間で同等の領域を走査することができる。また、現在市販されているマルチビーム半導体レーザーにおいては、発光素子間の熱干渉により十分な光出力が得られなかったため、高速にレーザー光を走査することは不可能で、マルチビームとしての特徴を生かすことはできなかった。これに対して本実施形態においては、実施形態１または実施形態２で説明した発光素子間の熱干渉を抑制しつつビームピッチを短縮したマルチビーム半導体レーザー４（１４）を用いているため、従来のマルチビーム半導体レーザーと比較してより高速にレーザー光を走査することができる。
【００５２】
（実施形態７）
図９は本発明の第７の実施形態を示す画像記録装置の構成説明図であり、（ａ）は画像記録装置の書き込み系の概略構成図、（ｂ）は画像記録装置の概略構成図である。
図９（ａ）は実施形態６で説明した図８に示す構成の光走査装置を用いた電子写真装置の書き込み系を示しており、光走査装置８０のマルチビーム半導体レーザー４（１４）は、ｎ個の発光素子（図示せず）が画面垂直方向に配列された実施形態１（または実施形態２）で説明した構成のマルチビーム半導体レーザーである。
【００５３】
図９（ａ）において、ポリゴンミラー８２は時計回りに回転しており、マルチビーム半導体レーザー４（１４）より放出されたレーザー光は、紙面上を左→右へ走査されている。そしてポリゴンミラー８２の反射面８２Ａで感光体ドラム８５の被走査面８４上を右端まで走査された後、ポリゴンミラー８２の反射面８２Ｂによって左端より走査が開始される。この時、感光体ドラム表面近傍に設置された光センサ８６が反射面８２Ｂにより反射されたレーザー光を検知し、感光体ドラム８５が主走査方向に一定量走査される。このときの走査量はマルチビーム半導体レーザー４（１４）に含まれる発光素子の数に比例し、ｎ個の発光素子が含まれている場合、ｎライン分だけ走査される。
【００５４】
図９（ｂ）は上記の光走査装置８０を用いた画像記録装置のドラム周りの構成例を示しており、像担持体である光導電性の感光体ドラム８５の周囲には、感光体ドラム８５を帯電する帯電ユニット８７、帯電された感光体ドラム８５にレーザー光を照射し静電潜像を形成する上記の構成の光走査装置８０、感光体ドラム８５に形成された静電潜像をトナーＴで現像して顕像化する現像ユニット８８、感光体ドラム上の顕像（トナー像）を記録媒体である記録紙９３に転写する転写ユニット８９、画像転写後の感光体ドラム８５を除電する除電ユニット９０、除電後の感光体ドラム８５をクリーニングするクリーニングユニット９１が配設されている。また、転写ユニット８９の記録紙搬送方向か下流側には、記録紙９３に転写されたトナー画像を定着する定着ユニットが配設されている。この画像記録装置は電子写真方式の画像記録プロセスにより画像記録を行うものであり、以下、本実施形態の画像記録装置を用いた画像記録プロセスを示す。
【００５５】
図９（ｂ）において、帯電ユニット８７により感光体ドラム８５上を一様に帯電した後、光走査装置８０によりレーザー光を照射して静電潜像を形成する。潜像形成プロセスについては上記のとおりであるからここでは省略する。感光体ドラム８５上に電荷により形成された静電潜像は、現像ユニット８８のトナーＴにより現像されて顕像化される。感光体ドラム８５上のトナー画像は、図示しない給紙ユニットにより供給された記録紙９３に、転写ユニット８９により転写される。記録紙上に転写されたトナー画像は定着ユニット９２に搬送され、定着ユニット９２による熱定着が施されて画像が記録紙９３に定着される。そして定着後の記録紙９３は図示しない排紙部に搬送され、画像記録が完了する。一方、トナー画像を転写した後、感光体ドラム上の潜像は除電ユニット９０により消去される。そして感光体ドラム８５上に残留したトナーはクリーニングユニット９１により除去される。以上の画像記録プロセスを繰り返し実行することで、記録画像を連続且つ高速に出力することができる。
【実施例】
【００５６】
次に本発明のより具体的な実施例について説明する。
【００５７】
（実施例１）
第１の実施例はマルチビーム半導体レーザーを示しており、図１（ａ）及び図１（ｂ）により説明される。コンタクト層２４としてｐ−ＧａＡｓ、第一クラッド層２３としてｐ−Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓ、活性層２２としてＡｌ０．８５Ｇａ０．１５Ａｓ、第二クラッド層２１としてｎ−Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓをそれぞれ用いる。
【００５８】
このような構成のマルチビーム半導体レーザーの製造方法を以下に述べる。初めに基板表面を洗浄・酸化膜除去を施したｎ−ＧａＡＳ基板１を用意する。次に図２の(1) に示すように、ｎ−ＧａＡＳ基板１上にｎ型クラッド層２１、活性層２２、ｐ型クラッド層２３、ｐ型コンタクト層２４を順次結晶成長させる。結晶成長させる具体的な方法としては、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法等、いかなる方法でも構わない。
【００５９】
次にｐ型コンタクト層２４の上にフォトレジスト２６を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして図２の(2) に示すような発光素子と反射素子のレジストパターンを形成する。そしてドライエッチング法を用いて図２の(3) に示すようにドライエッチングを施し、図１（ａ）に示すような形状に加工した後、図２の(4) に示すように発光素子２の部分以外をフォトレジスト２７で覆い、真空蒸着やスパッタによりオーミック電極を形成する。その後、発光素子部以外のオーミック電極をフォトレジストと共に除去し、図２の(5) に示すように発光素子２の上部にオーミック電極２５を形成する。なお、詳細な製造方法については実施形態１で説明したとおりであり、以上の製造工程により図１（ａ），（ｂ）に示す構成のマルチビーム半導体レーザーが作製される。
【００６０】
オーミック電極２５の具体的な材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｃｒ及びそれらの合金など、マルチビーム半導体レーザー駆動時に発光素子２より発生する熱により変形・変質しない材料が望ましく、オーミック電極２５のパターニング方法としては、リフトオフ法等いかなる方法でも構わない。この時、図１（ａ）に示したビームピッチは用途によって決定され、電子写真用途であれば１０〜１００μｍ（２５４０ｄｐｉ：２０μｍ、１２７０ｄｐｉ：４０μｍ、６００ｄｐｉ：８４μｍ）、印刷用途であれば０．５〜１０ｍｍ程度が一般的である。
【００６１】
（実施例２）
第２の実施例は本発明におけるマルチビーム半導体レーザー４を用いた製版装置６０を示しており、図６により説明される。図６において、主走査方向Ｓ１のドラム６２の回転速度はレーザー出力、レーザー光のスポット径、印刷用版材６１の該レーザー波長に対する書き込み感度及び印刷用版材６１のサイズに依存して決まる。レーザー光のスポット径は書き込み画像の解像度と密接に関係しており、２５４０ｄｐｉ（１ドット：１０×１０μｍ）での書き込みを想定すると、直径φ１５μｍ程度のスポット径でなければならない。印刷用版材６１として特許文献５、特許文献６、特許文献７に示されるフッ素系感熱材料を用いた場合、画像記録に必要なエネルギー密度は約３４０ｍＪ／ｃｍ２である。また１つの発光素子より放出されるレーザー光の出力を５０ｍＷとすると、印刷用版材６１がＡ２サイズであるとすると、ドラム６２の回転速度はおよそ５０ｒｐｍとなる。
【００６２】
従来より用いられているシングルビーム半導体レーザーを用いた場合、より大出力が得られる反面、ＣＡＮの大きさやクリアランスを確保するため、ビームピッチは１０ｍｍ（１０００ステップ）以下にすることは極めて困難である。レーザー光の出力が１００ｍＷとすると、ドラム回転速度は１００ｒｐｍまで向上させることができるが、その条件下の画像書き込み所要時間は１０分である。また、ドラム回転速度を向上させるためには、それを支持する筐体補強、より高トルクなドラム駆動モーターを採用する必要があり、これにより大幅なコストアップは避けられない。
【００６３】
これに対しマルチビーム半導体レーザーヘッド５０の一つのマルチビーム半導体レーザー４の幅を１０ｍｍ、マルチビーム半導体レーザー４の間隔を１０ｍｍとすると、３０個の素子でＡ２幅をカバーすることができる。そのとき書き込みに必要な所要時間は４分＋α（副走査方向Ｓ２へのから送り時間）となるが、その場合であってもシングルビーム半導体レーザーを用いて画像書き込みを行う場合より遥かに短時間で画像書き込みを終了させることができる。
【００６４】
（実施例３）
第３の実施例はマルチビーム半導体レーザーを用いた電子写真方式の画像記録装置を示しており、図９によって説明される。現在の電子写真方式の画像記録装置における画像解像度は６００ｄｐｉ程度が一般的であるが、今後は１２００ｄｐｉ以上の高解像度化が進行することが予想されている。画像解像度が１２７０ｄｐｉの場合、ドットピッチは２０μｍで、実施例１に示したようにこれに対応するマルチビーム半導体レーザー４のビームピッチは４０μｍで、これを組み合わせることによりビームピッチ２０μｍのマルチビーム半導体レーザー４が得られる。
【００６５】
図９（ａ）においてポリゴンミラー８２が正六角形であり３６０００ｒｐｍで回転している場合、ポリゴンミラー８２の一つの反射面により反射したレーザー光は副走査方向に１回走査されるから、ポリゴンミラー１回転につき６ライン走査される。従ってＡ３サイズの画像（２１５００ライン）を走査するには約６秒必要であり、このときの出力速度はＡ３サイズで１分当たり１０枚（１０sheet／min（Ａ３））となる。これに対し、実施例１で示したマルチビーム半導体レーザー４（発光素子数：ｎ個）を用いた場合、同時にｎラインを走査することができるので、出力速度は１０×ｎ sheet／min（Ａ３）となる。
【００６６】
このように、本実施例においては、レーザー光源を変更するだけで容易に出力速度を向上させることができ、感光体材料や、ポリゴンミラー回転数等を一切変更する必要はない。なお、感光体材料としては、従来と同様にａ−Ｓｅ、ａ−Ｓｉ、あるいは有機物感光体（ＯＰＣ）などを用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
以上説明したように、本発明によれば、複数の発光素子を有する場合にも、熱干渉による発光素子の出力低下や寿命短縮等の弊害を招くことなくビームピッチを短縮することができるマルチビーム半導体レーザーを実現することができる。また、本発明によれば、各発光素子で発生した熱を効果的に外部へ放出することができるマルチビーム半導体レーザーを実現することができる。
さらに本発明によれば、複数の発光素子を有するマルチビーム半導体レーザーを組み合わせることによって、熱干渉による種々の弊害を招くことなくビームピッチを短縮することができるマルチビーム半導体レーザーヘッドを実現することができる。
そして本発明によれば、上記のマルチビーム半導体レーザーヘッドを利用して短時間で印刷用版材に高精細な画像記録が可能な製版装置を実現することができる。
さらに本発明によれば、上記のマルチビーム半導体レーザーヘッドを利用して短時間で高精細な画像を高速に出力可能な画像記録装置（印刷装置、製版印刷装置、プリンタ等）を実現することができる。
さらに本発明によれば、上記のマルチビーム半導体レーザーを利用して短時間で走査可能な光走査装置を実現することができる。
そして本発明によれば、上記の光走査装置を利用して高精細な画像を高速に出力可能な電子写真方式の画像記録装置を実現することができ、複写機、プリンタ、プロッタ、ファクシミリや、これらの複合機等として好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１の実施形態を示すマルチビーム半導体レーザーの構成説明図であり、（ａ）はマルチビーム半導体レーザーの平面図、（ｂ）はマルチビーム半導体レーザーの一部の発光素子を拡大して示す要部斜視図である。
【図２】図１に示す構成のマルチビーム半導体レーザーの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施形態を示すマルチビーム半導体レーザーの構成説明図であり、（ａ）はマルチビーム半導体レーザーの平面図、（ｂ）はマルチビーム半導体レーザーの一部の発光素子を拡大して示す要部斜視図である。
【図４】図３に示す構成のマルチビーム半導体レーザーの製造工程の説明図である。
【図５】本発明の第３の実施形態を示すマルチビーム半導体レーザーヘッドの構成説明図であり、（ａ）はマルチビーム半導体レーザーヘッドの概略構成図と、そのマルチビーム半導体レーザーヘッドの一部のマルチビーム半導体レーザー部分を拡大して示す要部拡大図であり、（ｂ）はそのマルチビーム半導体レーザーヘッドの一部のマルチビーム半導体レーザー部分を上面側から見た要部平面図である。
【図６】本発明の第４の実施形態を示す製版装置の概略斜視図である。
【図７】本発明の第５の実施形態を示す画像記録装置の概略構成図である。
【図８】本発明の第６の実施形態を示す光走査装置の概略構成図である。
【図９】本発明の第７の実施形態を示す画像記録装置の構成説明図であり、（ａ）は画像記録装置の書き込み系の概略構成図、（ｂ）は画像記録装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００６９】
１：基板
２、１２：発光素子
３、１３：反射素子
４、１４：マルチビーム半導体レーザー
１１：高熱伝導基板
２１、３２：第二クラッド層
２２、３３：活性層
２３、３４：第一クラッド層
２４：コンタクト層
２５、３６：第一オーミック電極
３１：第二コンタクト層
３５：第一コンタクト層
５０：マルチビーム半導体レーザーヘッド
５１：ステー
６０：製版装置
６１：印刷用版材
６２：ドラム
７０：画像記録装置（印刷装置）
７１：版胴
７２：記録体
７３：インキングユニット（現像手段）
７４：ブランケット胴（中間転写体）
７５：圧胴
７６：給紙台
７７：印刷用紙（記録媒体）
７８Ａ：給紙ローラ
７８Ｂ、７８Ｃ：ガイドローラ
７８Ｄ：排紙ローラ
７９：排紙台
８０：光走査装置
８１：ビーム整形用光学素子
８２：ポリゴンミラー（光走査手段）
８３：走査光学系
８４：被走査面
８５：感光体ドラム（像担持体）
８６：光センサ
８７：帯電ユニット
８８：現像ユニット（現像手段）
８９：転写ユニット
９０：除電ユニット
９１：クリーニングユニット
９２：定着ユニット
【図１】
2006120924.tif 000003
【図２】
2006120924.tif 000004
【図３】
2006120924.tif 000005
【図４】
2006120924.tif 000006
【図５】
2006120924.tif 000007
【図６】
2006120924.tif 000008
【図７】
2006120924.tif 000009
【図８】
2006120924.tif 000010
【図９】
2006120924.tif 000011