(57)【要約】【課題】  小型化した場合に、ボンディング電極同士の間隔が狭くなっても、ボンディング電極の絶縁不良を起こさない光半導体装置を提供する。【解決手段】  光半導体素子アレイの長手方向の両側に、２組のアレイ状のボンディング電極を配置することで、ピッチの異なる複数種類の光半導体素子アレイを同一筐体上に搭載することを可能にする。その２組のアレイ状のボンディング電極の間隔を異ならせることで、光半導体装置の汎用性が増加する。また、貫通孔を介して筐体内部と外部を電気的に接続することにより、電極間隔が狭い場合でも、絶縁不良を起こさない。また、一方の電極と他方の電極のうち、所定の電極同士が筐体外部面上で接触することで、電極間隔が狭い場合でも、電極間の絶縁不良が生じにくくなり、電極のピッチを近接させることが可能となる。【選択図】  図３
2006210702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向のみ開口した空隙を有する筐体と、
受光面もしくは発光面の少なくともいずれかを有し、前記筐体の前記空隙内に該受光面もしくは該発光面を前記開口に向けて設置した光半導体素子アレイと、
前記光半導体素子アレイにおける長手方向の両脇にそれぞれ配置され、前記筐体内部から該筐体外部へ貫通し、さらに該筐体外部面上に延長して設置されるアレイ状の２組の電極と、
前記光半導体素子アレイと前記２組の電極を所定の組合せで電気的に接続する接続手段と
を具備することを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記アレイ状の２組の電極は、一方の電極の電極間隔と他方の電極の電極間隔が異なることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記アレイ状の２組の電極は、いずれかもしくは両方の電極が貫通孔を用いて筐体内部と筐体外部裏面とを貫通接続することを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記アレイ状の２組の電極上の前記貫通孔は、その位置を一直線状に配置するのではなく互い違いにずらしていることを特徴とする請求項３に記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記アレイ状の２組の電極は、一方の電極と他方の電極の内、所定の電極同士が前記筐体外部面上で接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項６】
前記アレイ状の２組の電極のうち少なくとも一方の組の電極において、前記筐体外部裏面から前記筐体外部側面に延設する電極と、該筐体外部側面から該筐体外部裏面に延設する電極とが、互い違いに隙間を開けて、互い違いに接することを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項７】
前記アレイ状の２組の電極のうち少なくとも一方の組の電極において、側面貫通部を有する電極とそれに隣接する電極とを隙間を空けるようにして設置していることを特徴とする請求項６に記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として光ファイバ通信に適用される光半導体装置、およびそれを用いた光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の光ファイバ通信の普及に伴い、多数の光素子を高密度に集積した廉価な光半導体装置が必要とされている。光半導体素子、もしくは光半導体素子アレイ１０１を用いた従来の光半導体装置に関する文献としては、例えば特許文献１，特許文献２がある。
【０００３】
まず、特許文献１に記載された従来例における光半導体装置について、図１を参照して以下に説明する。図１は、光半導体装置の構造を示している。この光半導体装置は、受発光面１０２を有する光半導体素子アレイ１０１、ボンディング電極１０３、筐体１０４、ボンディングワイヤ１０５、およびグランド電極１０６で構成されている。筐体１０４（ステム、あるいは配線板）は、その面上にボンディング電極１０３、グランド電極１０６が設置されている。さらに、筐体１０４上には光半導体素子アレイ１０１が設置され、そのアレイ裏面にグランド電極１０６が接続されている。また、光半導体素子アレイ１０１の長手方向に対して片側方向にアレイ状のボンディング電極１０３があり、光半導体素子アレイ１０１とボンディング電極１０３がボンディングワイヤ１０５を介して接続されている。光半導体素子アレイ１０１は半導体レーザやフォトダイオードなどの光半導体を同一基板上にアレイ状に集積したもので、そのサイズは例えば４チャネルアレイでは０．５ｍｍ×２．０ｍｍ×０．３ｍｍ程度である。
【０００４】
次に、特許文献２に記載の従来例における光半導体装置について図２を参照して以下に説明する。図２の（Ａ）〜（Ｅ）は、光半導体装置の構成を示す図で、表面の平面図（同図の（Ａ））、裏面の裏面図（同図の（Ｂ））、第１側面の側面図（同図の（Ｃ））、第２側面の側面図（同図の（Ｄ））、側面の縦断面図（同図の（Ｅ））の５図を示す。この光半導体装置は、受発光面１０２を有する光半導体素子アレイ１０１、ボンディング電極１０３、筐体１０４、ボンディングワイヤ１０５、およびグランド電極１０６で構成されている。特許文献２の図面においては他にリードフレームや窓枠等が設置されているがここでは省略する。筐体１０４は、直方体の一方向のみ開口した空隙（溝、開口穴、空室、または空所等とも称する）１０７が形成された、枡あるいは箱の形状を有する。筐体１０４の空隙１０７内にはボンディング電極１０３とグランド電極１０６が形成されている。さらに、これら電極は筐体１０４を貫通して筐体１０４の第１側面に達し、さらに裏面にまで延長されている。光半導体素子アレイ１０１は、その受発光面１０２を表面に向けて筐体１０４の空隙１０７の底面の所定位置（例えば、中央位置）に固定されている。また、光半導体素子アレイ１０１の長手方向に対して片側方向にアレイ状のボンディング電極１０３があり、光半導体素子アレイ１０１とボンディング電極１０３がボンディングワイヤ１０５を介して接続されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２３２５０５号公報
【特許文献２】特開２００２−７６１５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１に示した従来の光半導体装置は、アレイ状のボンディング電極１０３の電極間隔（ピッチ）が、光半導体素子アレイ１０１のピッチと同一か、もしくはそれに近い値になっている。そのため、筐体１０４に搭載可能な光半導体素子アレイ１０１の種類が限られているという課題があった。このため、搭載する光半導体素子アレイ１０１のピッチに併せて、その都度、筐体１０４を作製しなおす必要があり、汎用性に乏しかった。
【０００７】
また、図２に示した従来の光半導体装置においても、筐体１０４に搭載可能な光半導体素子アレイ１０１は、ボンディング電極１０３のピッチと同等か、もしくはそれに近いピッチを有するものに限られており、汎用性に乏しいという課題があった。また、ボンディング電極１０３は、筐体１０４を貫通して側面に達する構造となっているが、貫通領域を作製する際に電極間の絶縁不良が生じやすく、電極のピッチを近接させることが困難であるという課題があった。
【０００８】
本発明は、従来技術で生じるこれらの課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、筐体に搭載可能な光半導体素子アレイの種類を増加させられる構造にすることで、光半導体装置の汎用性を増大することであり、さらには小型化した場合に、ボンディング電極同士の間隔が狭くなっても、ボンディング電極の絶縁不良を起こさない光半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の光半導体装置は、一方向のみ開口した空隙を有する筐体と、受光面もしくは発光面の少なくともいずれかを有し、前記筐体の前記空隙内に該受光面もしくは該発光面を前記開口に向けて設置した光半導体素子アレイと、前記光半導体素子アレイにおける長手方向の両脇にそれぞれ配置され、前記筐体内部から該筐体外部へ貫通し、さらに該筐体外部面上に延長して設置されるアレイ状の２組の電極と、前記光半導体素子アレイと前記２組の電極を所定の組合せで電気的に接続する接続手段とを具備することを特徴とする。
【００１０】
ここで、前記アレイ状の２組の電極は、一方の電極の電極間隔と他方の電極の電極間隔が異なることを特徴とすることができる。
【００１１】
また、前記アレイ状の２組の電極は、いずれかもしくは両方の電極が貫通孔を用いて筐体内部と筐体外部裏面とを貫通接続することを特徴とすることができる。
【００１２】
また、前記アレイ状の２組の電極上の前記貫通孔は、その位置を一直線状に配置するのではなく互い違いにずらしていることを特徴とすることができる。
【００１３】
また、前記アレイ状の２組の電極は、一方の電極と他方の電極の内、所定の電極同士が前記筐体外部面上で接続されていることを特徴とすることができる。
【００１４】
また、前記アレイ状の２組の電極のうち少なくとも一方の組の電極において、前記筐体外部裏面から前記筐体外部側面に延設する電極と、該筐体外部側面から該筐体外部裏面に延設する電極とが、互い違いに隙間を開けて、互い違いに接することを特徴とすることができる。
【００１５】
また、前記アレイ状の２組の電極のうち少なくとも一方の組の電極において、側面貫通部を有する電極とそれに隣接する電極とを隙間を空けるようにして設置していることを特徴とすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
上記構成により、本発明によれば、光半導体素子アレイの長手方向の両側に、２組のアレイ状のボンディング電極を配置することで、ピッチの異なる複数種類の光半導体素子アレイを同一筐体に適用することが可能となり、その２組のアレイ状のボンディング電極の間隔を異ならせることで、光半導体装置の汎用性を増加することが可能となる。
【００１７】
また、本発明によれば、貫通孔を介して筐体内部と外部を電気的に接続することにより、電極間の絶縁不良が生じにくくなり、電極のピッチを近接させることが可能となる。また、本発明は、第２のボンディングワイヤ上の貫通孔が互い違いにずらして配置することで、隣接する貫通孔間での絶縁不良を防止することが可能となる。
【００１８】
また、本発明によれば、アレイ状の２組の電極が貫通孔を用いて筐体内部と筐体外部裏面とを貫通接続することで、第２のボンディング電極は、その電極ピッチが拡大されているため、筐体と側面間を貫通させる構造であっても電極間の絶縁不良を生じにくくすることが可能となる。また、本発明は、第１のボンディング電極と第２のボンディング電極を短絡することで、異なる種類の光半導体素子アレイを作製した場合でも、同一側面（第１側面）において光半導体素子アレイの全チャネルの入出力信号を得ることが可能となる。
【００１９】
また、本発明によれば、アレイ状の２組の電極において、一方の電極と他方の電極の内、所定の電極同士が筐体外部面上で接続されることで、電極間の絶縁不老が生じにくくなり、電極のピッチを近接させることが可能となる。また、それにより、裏面に作製される電極の位置と、第２側面に作製される電極の位置が作製誤差によってずれても、隣接する電極を接触することを防止することができる。また、それにより、第２側面に作製される電極の位置と、側面貫通部の位置が作製誤差によってずれても、隣接する電極と接触することを防止することができる。
【００２０】
このように、本発明によれば、小型化した場合に、ボンディング電極同士の間隔が狭くなっても、ボンディング電極の絶縁不良を起こさない、高い汎用性と高性能な機能を有する光半導体装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
（第１の実施形態）
本発明の光半導体装置における、第１の実施形態の構成を図３から図５に示す。図３の（Ａ）〜（Ｅ）は、光半導体装置の構成を示す図で、表面の平面図（同図の（Ａ））、裏面の裏面図（同図の（Ｂ））、第１側面の側面図（同図の（Ｃ））、第２側面の側面図（同図の（Ｄ））、側面の縦断面図（同図の（Ｅ））の５図を示す。この光半導体装置は、受発光面１０２を有する光半導体素子アレイ１０１、第１のボンディング電極２０１、第２のボンディング電極２０２、筐体１０４、ボンディングワイヤ１０５、およびグランド電極１０６で構成されている。筐体１０４は、直方体の一方向のみ開口した空隙１０７が形成された、枡あるいは箱の形状を有する。筐体１０４の外形寸法は１３ｍｍ×２．５ｍｍ×１ｍｍである。筐体１０４の材質として、例えばアルミナ系セラミックスが使用される。図３では描画を省略するが、光半導体素子アレイ１０１は、その受発光面１０２を表面に向けて筐体１０４の空隙１０７の底面の所定位置（例えば、中央位置）に固定される。また筐体１０４の空隙１０７内には、光半導体素子アレイ１０１の長手方向に対して片側方向にアレイ状の第１のボンディング電極２０１があり、他方に第２のボンディング電極２０２が設置される。また、筐体１０４の底面にはグランド電極１０６が形成される。これら電極は筐体１０４を貫通して筐体１０４の側面に達し、さらに裏面にまで延長されている。ここで第１のボンディング電極２０１の電極ピッチは０．５ｍｍであり、第２のボンディング電極２０２のピッチは０．２５ｍｍである。
【００２２】
光半導体素子アレイ１０１は半導体レーザやフォトダイオードなどの光素子アレイで、近赤外光でのファイバ通信を行うために、材料は一般にインジウム燐やガリウム砒素などの半導体が用いられる。本実施形態でのアレイ数は最大２０チャネルである。筐体１０４に設置された光半導体素子アレイ１０１と第１のボンディング電極２０１、もしくは第２のボンディング電極２０２はボンディングワイヤ１０５（図４、図５参照）を介して接続される。本実施形態では、第１のボンディング電極２０１と第２のボンディング電極２０２のピッチを変えているので、２０チャネルの光半導体素子アレイ１０１を搭載する場合、そのピッチが０．５ｍｍと０．２５ｍｍの２種類の光半導体素子アレイ１０１を搭載することが可能である。
【００２３】
図４は、０．５ｍｍピッチの光半導体素子アレイ１０１（寸法は１０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．３ｍｍ）を搭載した表面の平面図、図５は０．２５ｍｍピッチの光半導体素子アレイ１０１（寸法は５ｍｍ×０．２５ｍｍ×０．３ｍｍ）搭載した表面の平面図である。
【００２４】
以上述べたように、図３から図５に示すような光半導体装置の構成とすれば、ピッチの異なる複数種類の光半導体素子アレイ１０１を同一筐体１０４に適用することが可能となり、光半導体装置の汎用性を増加することが可能となる。
【００２５】
また、本実施形態において、筐体１０４の材質はアルミナ系セラミックスに限らず、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、ジルコニア等の他のセラミックスを用いても良い。また、筐体１０４の材質として、石英、サファイア等のガラスを用いても良いし、またプラスチック等の有機材料を用いることも可能である。筐体１０４の材質としてアルミニウムやステンレス等の金属を用いることも可能だが、その際は有機薄膜等を介してボンディング電極２０１，２０２間の絶縁性を高くする必要がある。
【００２６】
また、図４、図５においてはそれぞれ筐体１０４上に１種類の光半導体素子アレイ１０１のみを搭載したものを例示したが、２種類など複数種類の半導体素子アレイ１０１を筐体１０４上に搭載しても良い。例えば、２種類の異なるピッチの光半導体素子アレイ１０１を同時に搭載して、一方の光半導体素子アレイの入出力を第１のボンディング電極２０１を介し、他方の光半導体素子アレイの入出力を第２のボンディング電極２０２を介して行うことが可能である。
【００２７】
また、光半導体素子アレイ１０１のアレイ数を２０チャネルとしたが、それより少なくても多くても良い。また、本実施形態では第１のボンディング電極２０１と第２のボンディング電極２０２のチャネル数は同じとしたが、両方で最大チャネル数を変えても良い。また、第１のボンディング電極２０１のピッチと第２のボンディング電極２０２のそれは異なるものを使用したが、同一でもよい。
【００２８】
（第２の実施形態）
本発明の光半導体装置における、第２の実施形態を図６から図８に示す。図６の（Ａ）〜（Ｅ）は、光半導体装置の構成を示す図で、表面の平面図（同図の（Ａ））、裏面の裏面図（同図の（Ｂ））、第１側面の側面図（同図の（Ｃ））、第２側面の側面図（同図の（Ｄ））、側面の縦断面図（同図の（Ｅ））の５図を示す。この光半導体装置は、受発光面１０２を有する光半導体素子アレイ１０１、（図６では描画を省略する）、第１のボンディング電極２０１、第２のボンディング電極２０２、筐体１０４、貫通孔（ビアとも称する）２０３、ボンディングワイヤ１０５、およびグランド電極１０６で構成されている。
【００２９】
図７は、０．５ｍｍピッチの光半導体素子アレイ１０１を搭載した表面の平面図、図８は０．２５ｍｍピッチの光半導体素子アレイ１０１を搭載した表面の平面図である。
【００３０】
本実施形態の構成が前述の第１の実施形態の構成と異なる点は、第１のボンディング電極２０１および第２のボンディング電極２０２を筐体１０４に貫通させる際に、それらを筐体１０４の内側と側面に貫通させるのではなく、貫通孔２０３を用いて表面と裏面とに貫通させた点である。さらには、電極ピッチの近接した第２のボンディング電極２０２上の貫通孔２０３については、図６の（Ａ）、（Ｂ）および図７、図８に示すように、その位置を一直線状に配置するのではなく互い違いにずらしている。その他の構造については第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００３１】
以上述べたように、本実施形態のような貫通孔２０３を用いた光半導体装置の構成とすれば、上述の第１の実施形態で記述された効果を得ることに加えて、以下の効果を得ることができる。すなわち、第１のボンディング電極２０１、および第２のボンディング電極２０２は、筐体１０４と側面間を貫通させない構造であるため、電極間の絶縁不良が生じにくくなり、電極のピッチを近接させることが可能となる。また、第２のボンディング電極２０２上の貫通孔２０３が互い違いにずらして配置されているため、隣接する貫通孔２０３間での絶縁不良を防止することが可能となる。
【００３２】
本実施形態では、第２のボンディング電極２０２上の貫通孔２０３を互い違いにずらして配置した構造を例示したが、第１のボンディング電極２０１上の貫通孔２０３についても同様に互い違いにずらして配置した構造にしても良い。また第１のボンディング電極２０１など、その電極ピッチが広いものについては貫通孔２０３を用いずに筐体１０４の側面と貫通させても良い。
【００３３】
（第３の実施形態）
本発明の光半導体装置における、第３の実施形態を図９から図１１に示す。図９の（Ａ）〜（Ｅ）は、光半導体装置の構成を示す図で、表面の平面図（同図の（Ａ））、裏面の裏面図（同図の（Ｂ））、第１側面の側面図（同図の（Ｃ））、第２側面の側面図（同図の（Ｄ））、側面の縦断面図（同図の（Ｅ））の５図を示す。この光半導体装置は、受発光面１０２を有する光半導体素子アレイ１０１（図９では描画を省略する）、第１のボンディング電極２０１、第２のボンディング電極２０２、筐体１０４、ボンディングワイヤ１０５、およびグランド電極１０６で構成されている。
【００３４】
図１０は、０．５ｍｍピッチの光半導体素子アレイ１０１を搭載した表面の平面図、図１１は０．２５ｍｍピッチの光半導体素子アレイ１０１を搭載した表面の平面図である。
【００３５】
本実施形態の構成が前述の第１、第２の実施形態の構成と異なる点は、第２のボンディング電極２０２のピッチを２倍に拡大し（０．５ｍｍ間隔）、かつ電極数を半減した点（１０チャネル）である。また、ボンディングワイヤ１０５は、第１のボンディング電極２０１と第２のボンディング電極２０２とを交互に用いて光半導体素子アレイ１０１と接続している点である。さらには、第２のボンディング電極２０２が第１のボンディング電極２０１と筐体１０４の外部面上で短絡されている点である。その他の構造については第１の実施形態と同様であるのでその説明を省略する。
【００３６】
以上述べたように、図９から図１１に示すような光半導体装置の構成とすれば、上述の第１の実施形態で記述された効果を得ることに加えて、以下の効果を得ることができる。すなわち、第２のボンディング電極２０２は、その電極ピッチが拡大されているため、筐体１０４と側面間を貫通させる構造であっても電極間の絶縁不良を生じにくくすることが可能となる。また、第１のボンディング電極２０１と第２のボンディング電極２０２が短絡されているため、異なる種類の光半導体素子アレイ１０１を作製した場合でも、同一側面（第１側面）において、光半導体素子アレイ１０１の全チャネルの入出力信号を得ることが可能となる。
【００３７】
本実施形態においては、第１のボンディング電極２０１、第２のボンディング電極２０２は筐体１０４と側面間を貫通させる構造となっているが、第２の実施形態のように貫通孔２０３を設けて筐体１０４と裏面間を貫通させる構造としても良い。
【００３８】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態における光半導体装置の構成を図１２から図１５に示す。図１２の（Ａ）〜（Ｅ）は、光半導体装置の構成を示す図で、表面の平面図（同図の（Ａ））、裏面の裏面図（同図の（Ｂ））、第１側面の側面図（同図の（Ｃ））、第２側面の側面図（同図の（Ｄ））、側面の縦断面図（同図の（Ｅ））の５図を示す。この半導体装置は、受発光面１０２を有する光半導体素子アレイ１０１（図１２はでは描画を省略する）、第１のボンディング電極２０１、第２のボンディング電極２０２、筐体１０４、貫通孔（ビアとも称する）２０３、ボンディングワイヤ１０５、およびグランド電極１０６で構成されている。
【００３９】
図１３は０．５ｍｍピッチの光半導体素子アレイ１０１を搭載した表面の平面図、図１４は０．２５ｍｍピッチの光半導体素子アレイ１０１を搭載した表面の平面図である。
【００４０】
まず、第１のボンディング電極２０１は筐体１０４の全ての第１側面から筐体１０４を貫通して、筐体１０４の裏面へ延設される。一方、第２のボンディング電極２０２は、筐体１０４の第２側面へ貫通する電極と筐体１０４の裏面へ貫通孔２０３を介して貫通する電極とが互い違いになっている。そのため、第２側面へ筐体１０４を貫通する電極のピッチが光半導体素子アレイ１０１のピッチよりも少なくとも２倍以上に拡大するため、貫通領域における絶縁抵抗の劣化を防止することが可能となる。
【００４１】
その他、本実施形態が、上述の他の各実施形態と異なる点は、側面および裏面における第２のボンディング電極２０２の形状である。図１５は本実施形態における光半導体装置の主要部の側面部分と裏面部分の拡大透視図である。なお、簡単のため、第１のボンディング電極２０１の図示と説明は、以下に述べる第２のボンディング電極２０２と基本的に同様なので、省略する。まず、裏面から第２側面に延設する第２のボンディング電極２０２Ａ、およびその第２側面から裏面に延設する第２のボンディング電極２０２Ｂはその全てが第２側面と裏面の角（縁）で接触するのではなく、図１５のＡに示すように、互い違いに隙間ｄ１、ｄ２（とも約１００μｍ）を空けて、互い違いに接する。それにより、裏面に作製される電極２０２Ａの位置と、第２側面に作製される電極２０２Ｂの位置が作製誤差によってずれても、隣接する電極と接触することを防止することができる。
【００４２】
次に、第２側面における第２のボンディング電極２０２Ｂは一つおきに側面貫通部２０４を有するが、側面貫通部２０４を有する第２のボンディング電極２０２Ｂとその隣接する電極２０２Ｂの位置を、図１５のＢに示すように、第２の隙間ｄ３を空けるように設置する。それにより、第２側面に作製される電極２０２Ｂの位置と、側面貫通部２０４の位置が作製誤差によってずれても、隣接する電極と接触することを防止することができる。
【００４３】
（他の実施の形態）
上記では、本発明の好適な実施形態を例示して説明したが、本発明の実施形態は上記例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内であれば、その構成部材等の置換、変更、追加、個数の増減、形状の設計変更等の各種変形は、全て本発明の実施形態に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】特許文献１の従来例における光半導体装置の構造を示す斜視図である。
【図２】特許文献２の従来例における光半導体装置の構造を示す図であり、表面の平面図（同図の（Ａ））、裏面の裏面図（同図の（Ｂ））、第１側面の側面図（同図の（Ｃ））、第２側面の側面図（同図の（Ｄ））、側面の縦断面図（同図の（Ｅ））である。
【図３】本発明の第１の実施形態における光半導体装置の構造を示す図であり、表面の平面図（同図の（Ａ））、裏面の裏面図（同図の（Ｂ））、第１側面の側面図（同図の（Ｃ））、第２側面の側面図（同図の（Ｄ））、側面の縦断面図（同図の（Ｅ））である。
【図４】本発明の第１の実施形態における０．５ｍｍピッチの光半導体素子アレイを搭載した表面の平面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態における０．２５ｍｍピッチの光半導体素子アレイ１０１を搭載した表面の平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態における光半導体装置の構造を示す図であり、表面の平面図（同図の（Ａ））、裏面の裏面図（同図の（Ｂ））、第１側面の側面図（同図の（Ｃ））、第２側面の側面図（同図の（Ｄ））、側面の縦断面図（同図の（Ｅ））である。
【図７】本発明の第２の実施形態における０．５ｍｍピッチの光半導体素子アレイを搭載した表面の平面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態における０．２５ｍｍピッチの光半導体素子アレイを搭載した表面の平面図である。
【図９】本発明の第３の実施形態における光半導体装置の構造を示す図であり、表面の平面図（同図の（Ａ））、裏面の裏面図（同図の（Ｂ））、第１側面の側面図（同図の（Ｃ））、第２側面の側面図（同図の（Ｄ））、側面の縦断面図（同図の（Ｅ））である。
【図１０】本発明の第３の実施形態における０．５ｍｍピッチの光半導体素子アレイ１０１を搭載した表面の平面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態における０．２５ｍｍピッチの光半導体素子アレイ１０１を搭載した表面の平面図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態における光半導体装置の構造を示す図であり、表面の平面図（同図の（Ａ））、裏面の裏面図（同図の（Ｂ））、第１側面の側面図（同図の（Ｃ））、第２側面の側面図（同図の（Ｄ））、側面の縦断面図（同図の（Ｅ））である。
【図１３】本発明の第４の実施形態における０．５ｍｍピッチの光半導体素子アレイ１０１を搭載した表面の平面図である。
【図１４】本発明の第４の実施形態における０．２５ｍｍピッチの光半導体素子アレイ１０１を搭載した表面の平面図である。
【図１５】本発明の第４の実施形態における要部の側面部分と裏面部分を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０１  光半導体素子アレイ
１０２  受発光面
１０３  ボンディング電極
１０４  筐体
１０５  ボンディングワイヤ
１０６  グランド電極
１０７  空隙
２０１  第１のボンディング電極
２０２  第２のボンディング電極
２０３  貫通孔
２０４  側面貫通部
【図１】
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【図２】
2006210702.tif 000004
【図３】
2006210702.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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