(57)【要約】【課題】  磁気部材の磁極配列方向に対して同一位置にベクトル検知型磁気抵抗効果素子を少なくとも１対に配置することで、磁気部材の磁極配列ピッチに依存せず、任意の磁極配列ピッチの磁気部材に対して適正な出力信号を得る。【解決手段】  Ｎ極とＳ極が交互に配列された磁気部材１と、磁気部材１の磁極配列面１ａに対向する２対のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４とを有しており、それらのスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４を、磁気部材１による外部磁界に対して感磁面が略平行で、かつ対をなす前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子同士のピン層磁化方向が互いに略９０°ずれるように配置するとともに、磁気部材１の磁極配列方向に対しては同一位置に全ての前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４を配置した構成である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ極とＳ極が交互に配列された磁気部材と、前記磁気部材の磁極配列面に対向する１対又は複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子とを有する磁気式位置検出装置であって、
前記１対又は複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子を、前記磁気部材による外部磁界に対して感磁面が略平行で、かつ対をなす前記ベクトル検知型磁気抵抗効果素子同士のピン層磁化方向が互いに略９０°ずれるように配置するとともに、前記磁気部材の磁極配列方向に対しては同一位置に全ての前記ベクトル検知型磁気抵抗効果素子を配置したことを特徴とする磁気式位置検出装置。
【請求項２】
前記複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子のうちの少なくとも１対と残りの対とではピン層磁化方向が逆方向となっていることを特徴とする請求項１記載の磁気式位置検出装置。
【請求項３】
前記１対又は複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子を、前記磁気部材の磁極配列方向に対して略垂直に１列配置したことを特徴とする請求項１又は２記載の磁気式位置検出装置。
【請求項４】
前記１対又は複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子を、それぞれ前記磁気部材の磁極配列方向に対して略垂直でかつ互いに重ねて配置したことを特徴とする請求項１又は２記載の磁気式位置検出装置。
【請求項５】
前記複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子を、前記磁気部材の磁極配列方向に対して略垂直に複数列配置しかつ各列を互いに重ねて配置したことを特徴とする請求項１又は２記載の磁気式位置検出装置。
【請求項６】
対をなす前記ベクトル検知型磁気抵抗効果素子の一方を用いた第１の出力信号と、他方を用いた第２の出力信号とは互いに位相が９０°ずれた２相の正弦波形であることを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載の磁気式位置検出装置。
【請求項７】
前記磁気部材の磁極配列面が平面又は曲面であることを特徴とする請求項１，２，３，４，５又は６記載の磁気式位置検出装置。
【請求項８】
前記ベクトル検知型磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６又は７記載の磁気式位置検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子を用いた磁気式位置検出装置に関し、特に磁気式のスケールやロータリーエンコーダ等に用いて好適な磁気式位置検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の磁気式位置検出装置として、下記特許文献１のように、Ｎ極とＳ極が交互に着磁された磁気部材１の磁極配列方向と平行に磁気抵抗効果素子２を２箇所以上に離間配置したものが知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１０６８６６号公報この場合、磁気抵抗効果素子２の配置間隔は、図９（Ａ）のように磁気部材１の着磁ピッチ（磁極配列ピッチ）Ｐに適合した間隔となっている。すなわち、着磁ピッチ＝Ｐに対して、ｎを整数とした場合、配置間隔Ｌ＝ｎＰ士（１／８）Ｐが最適であるとしている。前述の磁気抵抗効果素子２の配置により、磁気式位置検出装置の出力信号は図１０（Ａ）のように位相が９０°ずれた２相の正弦波形［sinθ，sin（θ＋９０°）＝cosθ］となり、この信号から磁気部材１の磁気情報を得るのに必要な角度θを求めることができる。このように、従来の磁気式位置検出装置は磁気抵抗効果素子２を２箇所以上に離間配置することで、磁気部材１の位置を検出するものである。
【０００４】
ところで、従来の磁気式位置検出装置では、最適な信号を得るために、図９（Ａ）のように磁気抵抗効果素子２を、磁気部材１の着磁ピッチＰに対して素子間隔Ｌ＝ｎＰ士（１／８）Ｐで配置する必要がある（ｎは整数）。磁気部材１の変更等により着磁ピッチが変わると各磁気抵抗効果素子から得られる出力信号の位相がずれるため、最適な信号を得ることができなくなってしまう。例えば、磁気部材において図９（Ｂ）のように着磁ピッチがＰからＰ×２になった時、同一特性の離間配置した磁気抵抗効果素子の組｛磁気抵抗効果素子の配置間隔Ｌ＝ｎＰ±（１／８）Ｐ｝を使用した場合、各磁気抵抗効果素子による出力信号は図１０（Ｂ）のよう位相が４５°ずれた２相の正弦波形［sinθ，sin（θ＋４５°）≠cosθ］となり、磁気情報を得るのに必要な角度θを求めることは困難になる。また、外部環境の変化により、磁気部材及び離間配置した磁気抵抗効果素子の材料が変化（伸縮）して相互の検知ピッチがずれた場合でも、磁気式位置検出装置の出力信号の位相がずれることになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記の点に鑑み、磁気部材の磁極配列方向に対して同一位置にベクトル検知型磁気抵抗効果素子を少なくとも１対に配置することで、磁気部材の磁極配列ピッチに依存せず、任意の磁極配列ピッチの磁気部材に対して適正な出力信号が得られる磁気式位置検出装置を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る磁気式位置検出装置は、Ｎ極とＳ極が交互にに配列された磁気部材と、前記磁気部材の磁極配列面に対向する１対又は複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子とを有していて、
前記１対又は複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子を、前記磁気部材による外部磁界に対して感磁面が略平行で、かつ対をなす前記ベクトル検知型磁気抵抗効果素子同士のピン層磁化方向が互いに略９０°ずれるように配置するとともに、前記磁気部材の磁極配列方向に対しては同一位置に全ての前記ベクトル検知型磁気抵抗効果素子を配置したことを特徴としている。
【０００８】
前記磁気式位置検出装置において、前記複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子のうちの少なくとも１対と残りの対とではピン層磁化方向が逆方向となった構成にするとよい。
【０００９】
前記磁気式位置検出装置において、前記１対又は複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子を、前記磁気部材の磁極配列方向に対して略垂直に１列配置した構成であるとよい。あるいは、前記１対又は複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子を、それぞれ前記磁気部材の磁極配列方向に対して略垂直でかつ互いに重ねて配置した構成であってもよい。さらには、前記複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子を、前記磁気部材の磁極配列方向に対して略垂直に複数列配置しかつ各列を互いに重ねて配置した構成でもよい。
【００１０】
前記磁気式位置検出装置において、対をなす前記ベクトル検知型磁気抵抗効果素子の一方を用いた第１の出力信号と、他方を用いた第２の出力信号とは互いに位相が９０°ずれた２相の正弦波形であるとよい。
【００１１】
前記磁気部材の磁極配列面は平面又は曲面であるとよい。
【００１２】
前記ベクトル検知型磁気抵抗効果素子として、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子を用いることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る磁気式位置検出装置によれば、１対又は複数対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子を、磁気部材による外部磁界に対して感磁面が略平行で、かつ対をなす前記ベクトル検知型磁気抵抗効果素子同士のピン層磁化方向が互いに略９０°ずれるように配置するとともに、前記磁気部材のＮ極とＳ極の磁極配列方向に対しては同一位置に全ての前記ベクトル検知型磁気抵抗効果素子を配置するようにしたので、前記磁気部材の磁極配列ピッチに依存せずに、任意の磁極配列ピッチの磁気部材に対して適正な出力信号が得られる。
【００１４】
また、外部環境の影響により前記磁気部材及び前記磁気抵抗効果素子に変化（伸縮）があっても、出力信号にはほとんど影響がなく、常に最適な出力信号を得ることができる。
【００１５】
さらに、前記磁気抵抗効果素子を前記磁気部材の磁極配列方向に対して離間配置しないことにより、前記磁気部材に対するセンサ面が小さくなるため、センス領域が広がる（従来の離間配置ではセンス領域を磁気部材の両端部にまで広げることはできない）。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための最良の形態として、磁気式位置検出装置の実施の形態を図面に従って説明する。
【００１７】
図１乃至図４で本発明に係る磁気式位置検出装置の実施の形態１を説明する。図１において、１はＮ極とＳ極が交互に着磁された検知対象となる磁気部材であり、Ｎ極とＳ極が交互に現れる磁極配列面１ａは平面であって、磁極配列方向は磁気部材の長手方向で、各磁極は直線的に配列されている。
【００１８】
一方、前記磁気部材１の磁極配列面１ａに対向するように、２対のベクトル検知型磁気抵抗効果素子としてのスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４が、磁気部材１の磁極配列方向に対して垂直に１列配置されている。この結果、磁気部材１の磁極配列方向に対しては同一位置に全てのＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４が配置されることになる。なお、図１では解りやすくするためにＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４を磁気部材１に比較して大きく図示したが、実際には微小寸法である。また、図４で後述するが、ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４の感磁面は外部磁界に対して平行となるように配置されている。
【００１９】
磁気式位置検出装置を構成するために、磁気部材１と２対のＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４の少なくとも一方は磁気部材１の磁極配列方向に直線移動可能である。つまり、磁気部材１と２対のＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４の両者は磁極配列方向に相対移動自在に設けられている。
【００２０】
ここで、図１で用いるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子（以下、スピンバルブ型ＧＭＲ素子という）は、図４（Ａ）の膜構成に示すように、磁化方向が一方向に固定された強磁性体のピン層と、電流が主として流れる非磁性層と、磁化方向が外部磁界方向（外部磁束方向）に一致する強磁性体のフリー層とで構成されている。ピン層磁化方向と外部磁界のベクトル方向が一致するときは図４（Ｂ）の状態ａ（低抵抗状態）となり、スピンバルブ型ＧＭＲ素子面内において外部磁界のベクトル方向を回転させると、ピン層磁化方向となす角度により抵抗値が変化し、角度９０°では状態ｂ（中抵抗状態）で外部磁界による抵抗値変化が実質ゼロで、反対方向のとき状態ｃ（高抵抗状態）となる。この特性が図４（Ｃ）に示すスピンバルブ型ＧＭＲ素子の面内磁気特性であり、スピンバルブ型ＧＭＲ素子の感磁面（フリー層が存在する平面）に平行な外部磁界が存在する条件下で、外部磁界を感磁面に垂直な回転中心軸にて回転させ、ピン層磁化方向に対する回転角度と抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）との関係を示したものである。この場合、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）は正弦波形でなだらかに変化する。
【００２１】
図１の場合、各ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４の感磁面は磁極配列面１ａに垂直でかつ磁気部材１による外部磁界に平行であり、外部磁界の向きの変化に応じて図４（Ｃ）に示したように抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）は変化する。また、各ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４に図示した矢印はピン層磁化方向を表し、対をなすＳＶ-ＧＭＲ１，ＳＶ-ＧＭＲ２のうち、一方のＳＶ-ＧＭＲ１のピン層磁化方向は磁極配列方向に垂直で、他方のＳＶ-ＧＭＲ２のピン層磁化方向は磁極配列方向に平行である。つまり、対をなすＳＶ-ＧＭＲ１，ＳＶ-ＧＭＲ２のピン層磁化方向は互いに９０°ずれた配置である。同様に対をなすＳＶ-ＧＭＲ３，ＳＶ-ＧＭＲ４のピン層磁化方向は互いに９０°ずれた配置であるが、ＳＶ-ＧＭＲ１，ＳＶ-ＧＭＲ２の対とはピン層磁化方向が逆向きとなっている。
【００２２】
図２は２対のスピンバルブ型ＧＭＲ素子ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４を配置した場合に、２相の出力信号Ｖout１，Ｖout２を取り出すための回路構成を示す。供給電圧Ｖinに対しＳＶ-ＧＭＲ１，ＳＶ-ＧＭＲ３が直列に接続され、両者の接続点から出力信号Ｖout１が取り出され、供給電圧Ｖinに対しＳＶ-ＧＭＲ２，ＳＶ-ＧＭＲ４が直列に接続され、両者の接続点から出力信号Ｖout２が取り出される。
【００２３】
本発明の実施の形態１の動作を図１（Ａ）のように磁気部材１の着磁ピッチ（磁極配列ピッチ）＝Ｐの場合について説明する。
【００２４】
検知対象としての磁気部材１のＮ極の中心に近接対向して１列配置のＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４が位置する時、ＳＶ-ＧＭＲｌ〜ＳＶ-ＧＭＲ４のフリー層の磁化方向は磁気部材１の反対方向を向く。従って、ＳＶ-ＧＭＲｌ〜ＳＶ-ＧＭＲ４の抵抗値は、ＳＶ-ＧＭＲｌ最大値、ＳＶ-ＧＭＲ３最小値、ＳＶ-ＧＭＲ２，ＳＶ-ＧＭＲ４中間値となる。
【００２５】
磁気部材１のＳ極の中心に近接対向して１列配置のＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４が位置する時、ＳＶ-ＧＭＲｌ〜ＳＶ-ＧＭＲ４のフリー層の磁化方向は磁気部材１の方を向く。従って、ＳＶ-ＧＭＲｌ〜ＳＶ-ＧＭＲ４の抵抗値は、ＳＶ-ＧＭＲｌ最小値、ＳＶ-ＧＭＲ３最大値、ＳＶ-ＧＭＲ２，ＳＶ-ＧＭＲ４中間値となる。
【００２６】
また、磁気部材１におけるＳ−Ｎ間（Ｓ極とＮ極の境界）に近接対向して１列配置のＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４が位置する時、ＳＶ-ＧＭＲｌ〜ＳＶ-ＧＭＲ４のフリー層の磁化方向はＳ←Ｎの方を向く。ＳＶ-ＧＭＲｌ〜ＳＶ-ＧＭＲ４の抵抗値は、ＳＶ-ＧＭＲ２最大値、ＳＶ-ＧＭＲ４最小値、ＳＶ-ＧＭＲｌ，ＳＶ-ＧＭＲ３中間値となる。
【００２７】
磁気部材１におけるＮ−Ｓ間（Ｎ極とＳ極の境界）に近接対向して１列配置のＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４が位置する時、ＳＶ-ＧＭＲｌ〜ＳＶ-ＧＭＲ４のフリー層の磁化方向はＮ→Ｓの方を向く。ＳＶ-ＧＭＲｌ〜ＳＶ-ＧＭＲ４の抵抗値は、ＳＶ-ＧＭＲ２最小値、ＳＶ-ＧＭＲ４最大値、ＳＶ-ＧＭＲｌ，ＳＶ-ＧＭＲ３中間値となる。
【００２８】
このため、図２の回路構成から得られる出力信号Ｖout１，Ｖout２は図３（Ａ）のように互いに位相が９０°ずれた２相の正弦波形出力となり、着磁ピッチＰ分の相対移動が図３（Ａ）の０°〜３６０°に対応する。
【００２９】
次に、図１（Ｂ）のように磁気部材１の着磁ピッチ（磁極配列ピッチ）＝Ｐ×２の場合について検討すると、ＳＶ-ＧＭＲｌ〜ＳＶ-ＧＭＲ４が１列配置で、磁気部材１の磁極配列方向に対しては同一位置にあるため、磁気部材１のＮ極又はＳ極の中心に近接対向して１列配置のＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４が位置する時も、Ｓ−Ｎ間（Ｓ極とＮ極の境界）又はＮ−Ｓ間（Ｎ極とＳ極の境界）に近接対向して１列配置のＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４が位置する時も図１（Ａ）と全く同じ動作となり、図３（Ｂ）の出力信号Ｖout１，Ｖout２が得られる。つまり、磁気部材１の磁極配列ピッチに依存せずに、任意の磁極配列ピッチの磁気部材に対して適正な出力信号、すなわち互いに位相が９０°ずれた２相の正弦波形出力が得られることが判る。
【００３０】
この実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。
【００３１】
(1)  ４個のスピンバルブ型ＧＭＲ素子ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４を磁気部材１による外部磁界に対して感磁面が平行となるように配置し、ＳＶ-ＧＭＲ１，ＳＶ-ＧＭＲ２の対及びＳＶ-ＧＭＲ３，ＳＶ-ＧＭＲ４の対のピン層磁化方向を相互に９０°ずらして配置し、一方のＳＶ-ＧＭＲ１，ＳＶ-ＧＭＲ２の対のピン層磁化方向に対して他方のＳＶ-ＧＭＲ３，ＳＶ-ＧＭＲ４の対のピン層磁化方向を逆向きとし、さらに、４個のＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４を磁気部材１の磁極配列方向に対して垂直方向に１列配置している。この結果、磁気部材１の磁極配列方向に対しては４個のＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４が同一位置となり、磁気部材１の磁極配列ピッチに依存せずに、任意の磁極配列ピッチの磁気部材に対して適正な出力信号Ｖout１，Ｖout２が得られる。
【００３２】
(2)  スピンバルブ型ＧＭＲ素子の感磁面に平行な外部磁界が存在する条件下で、磁気部材１が１列配置のＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４に対して磁極配列方向に移動するのに従い外部磁界の方向が変化するため、図４（Ｃ）に示すスピンバルブ型ＧＭＲ素子の面内磁気特性を利用することになり、図２の回路構成を用いることで互いに位相が９０°ずれた２相の正弦波形の出力信号Ｖout１，Ｖout２が得られる。
【００３３】
(3)  外部環境の影響により磁気部材１に変化（伸縮）があっても、出力信号Ｖout１，Ｖout２にはほとんど影響がなく、常に最適な出力信号を得ることができる。
【００３４】
(4)  ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４を磁気部材１の磁極配列方向に対して離間配置しないことにより、磁気部材１に対するセンサ面が小さくなるため、センス領域が広がる。つまり、従来の離間配置ではセンス領域を磁気部材の両端部にまで広げることはできないが、本実施の形態では磁気部材１の端まで有効に利用できる。
【００３５】
図５は本発明の実施の形態２であって、各スピンバルブ型ＧＭＲ素子ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４は磁気部材１の磁極配列面１ａに対向し、磁気部材１の磁極配列方向に対して垂直でかつ磁気部材１の磁極配列方向に対しては同一位置となるように互いに重ねて配置されている。ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４のピン層磁化方向は前述の実施の形態１と同じ設定である。
【００３６】
なお、その他の構成及び作用効果は前述した実施の形態１と同様であり、同一又は相当部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００３７】
図６は本発明の実施の形態３であって、４個のスピンバルブ型ＧＭＲ素子ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４は磁気部材１の磁極配列面１ａに対向して２列、２段重ね配置となっている。すなわち、対をなすスピンバルブ型ＧＭＲ素子ＳＶ-ＧＭＲ１，ＳＶ-ＧＭＲ２の列と、対をなすスピンバルブ型ＧＭＲ素子ＳＶ-ＧＭＲ３，ＳＶ-ＧＭＲ４の列とが、磁気部材１の磁極配列方向に対してそれぞれ垂直でかつ磁気部材１の磁極配列方向に対しては同一位置となるように互いに重ねて配置されている。ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４のピン層磁化方向は前述の実施の形態１と同じ設定である。
【００３８】
なお、その他の構成及び作用効果は前述した実施の形態１と同様であり、同一又は相当部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００３９】
図７は本発明の実施の形態４であって、２個（１対）のスピンバルブ型ＧＭＲ素子ＳＶ-ＧＭＲ１，ＳＶ-ＧＭＲ２を磁気部材１の磁極配列面１ａに対向配置した例である。この場合、ＳＶ-ＧＭＲ１，ＳＶ-ＧＭＲ２は磁気部材１の磁極配列方向に対して垂直に１列配置され、磁気部材１の磁極配列方向に対しては同一位置にＳＶ-ＧＭＲ１，ＳＶ-ＧＭＲ２が位置している。ＳＶ-ＧＭＲ１，ＳＶ-ＧＭＲ２のピン層磁化方向等は前述した実施の形態１と同様である。
【００４０】
図８は実施の形態４のように１対のスピンバルブ型ＧＭＲ素子ＳＶ-ＧＭＲ１，ＳＶ-ＧＭＲ２を配置した場合に、２相の出力信号Ｖout１，Ｖout２を取り出すための回路構成を示す。この場合、前述の実施の形態１の場合のＳＶ-ＧＭＲ３，ＳＶ-ＧＭＲ４に代えて抵抗Ｒ３，Ｒ４を用いている。すなわち、供給電圧Ｖinに対しＳＶ-ＧＭＲ１，Ｒ３が直列に接続され、両者の接続点から出力信号Ｖout１が取り出され、供給電圧Ｖinに対しＳＶ-ＧＭＲ２，Ｒ４が直列に接続され、両者の接続点から出力信号Ｖout２が取り出される。この場合にも、互いに位相が９０°ずれた２相の正弦波形の出力信号Ｖout１，Ｖout２が得られる。
【００４１】
なお、各実施の形態において、外部磁界に対する各スピンバルブ型ＧＭＲ素子ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４の感磁面の平行度の多少のずれは実用上許容でき、各ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４の感磁面が外部磁界に略平行であればよい。また、ＳＶ-ＧＭＲ１，ＳＶ-ＧＭＲ２の対、及びＳＶ-ＧＭＲ３，ＳＶ-ＧＭＲ４の対におけるピン層磁化方向の直交度の多少のずれは実用上許容でき、互いに略９０°ずれていればよい。さらに、実施の形態１，３，４において、複数のスピンバルブ型ＧＭＲ素子からなる列は、磁気部材１の磁極配列方向に垂直配置であるが、多少のずれは実用上許容でき、略垂直に配置されていればよい。
【００４２】
また、各実施の形態においては、磁気部材１の磁極配列面１ａが平面であったが、磁気部材の磁極配列面が円周面、半円周面等の曲面であって、該曲面の周面方向にＮ極及びＳ極が交互に配列されたものであってもよい。
【００４３】
さらに、前述の実施の形態１，２，３では２対のスピンバルブ型ＧＭＲ素子を用いたが、検出感度向上等を目的として３対以上のスピンバルブ型ＧＭＲ素子を用いても良い。
【００４４】
以上本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明に係る磁気式位置検出装置の実施の形態１であって、（Ａ）は磁気部材の着磁ピッチ＝Ｐのときの斜視図、（Ｂ）は磁気部材の着磁ピッチ＝Ｐ×２のときの斜視図である。
【図２】実施の形態１において、互いに位相が９０°ずれた２相の正弦波形の出力信号Ｖout１，Ｖout２を取り出すための回路図である。
【図３】出力信号Ｖout１，Ｖout２の電圧波形であって、（Ａ）は磁気部材の着磁ピッチ＝Ｐのときの波形図、（Ｂ）は磁気部材の着磁ピッチ＝Ｐ×２のときの波形図である。
【図４】本発明の実施の形態で用いるスピンバルブ型ＧＭＲ素子の膜構成及び磁気特性であって、（Ａ）は膜構成の概略斜視図、（Ｂ）は低抵抗状態、中抵抗状態及び高抵抗状態となるときのピン層磁化方向とフリー層磁化方向との関係を示す説明図、（Ｃ）はスピンバルブ型ＧＭＲ素子の面内磁気特性（ピン層磁化方向とフリー層磁化方向の成す角度と抵抗変化率との関係）を示す波形図である。
【図５】本発明の実施の形態２を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態３を示す斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態４を示す斜視図である。
【図８】実施の形態４において、互いに位相が９０°ずれた２相の正弦波形の出力信号Ｖout１，Ｖout２を取り出すための回路図である。
【図９】従来技術の概略構成であって、（Ａ）は磁気部材の着磁ピッチ＝Ｐのときの概略構成図、（Ｂ）は磁気部材の着磁ピッチ＝Ｐ×２のときの概略構成図である。
【図１０】図９の従来技術における２相の出力信号の電圧波形であって、（Ａ）は磁気部材の着磁ピッチ＝Ｐのときの波形図、（Ｂ）は磁気部材の着磁ピッチ＝Ｐ×２のときの波形図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  磁気部材
１ａ  磁極配列面
２  磁気抵抗効果素子
ＳＶ-ＧＭＲ１〜ＳＶ-ＧＭＲ４  スピンバルブ型ＧＭＲ素子
Ｒ３，Ｒ４  抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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