(57)【要約】【課題】  短時間で精度良く荷電粒子ビームの位置を計測する。【解決手段】  複数本の荷電粒子ビームを用いて被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置において、前記荷電粒子ビームの一部または全部について各ビームの前記基板の位置における２次元もしくは直径方向の強度分布を計測する手段と、計測した各荷電粒子ビームの前記強度分布の２次元像または直径方向の一次元プロファイルに対し複数の評価領域を設定しこれら複数の各評価領域において前記基板上での各荷電粒子ビームのビーム位置を算出する手段とを設ける。【選択図】図１
2006210455.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子ビームを用いて被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置において、
前記複数の荷電粒子ビームのうち少なくとも一部について前記被露光基板上での各荷電粒子ビームの２次元強度分布またはビーム直径方向の１次元強度分布を計測する手段と、
計測された前記強度分布の２次元プロファイルまたは１次元プロファイルに対して複数の評価領域を設定し、前記評価領域毎に前記被露光基板上での各荷電粒子ビームのビーム位置を算出する手段と、
を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】
前記算出手段は、前記評価領域内における前記２次元プロファイルまたは１次元プロファイルの重心位置を前記ビーム位置として算出することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項３】
前記評価領域の大きさを、隣接する荷電粒子ビームの評価領域と干渉しない大きさに設定することを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項４】
前記評価領域の位置は、全ての評価領域が重なる部分を荷電粒子ビームの位置ずれ許容範囲となるように設定することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項５】
前記複数の評価領域におけるビーム位置がずれている荷電粒子ビームを独立に位置調整するビーム位置調整手段を有することを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項６】
前記複数の評価領域におけるビーム位置がずれている荷電粒子ビームを露光に用いないためのビーム遮蔽手段を有することを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項７】
前記ビーム遮蔽手段として、荷電粒子ビームを遮蔽できるシャッターを用いることを特徴とする請求項６に記載のマルチビーム露光装置。
【請求項８】
請求項１〜７に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、露光した前記基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に半導体集積回路等の露光に用いられる電子ビーム露光装置、イオンビーム露光装置、光やレーザーを光源とする露光装置等の荷電粒子線露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子線をブランキングしながらウエハを描画する電子ビーム露光装置において、電子ビームの位置を計測する場合、例えば、特許文献１（特開２００１−２０２９１２号公報）に記載されているように、電子ビーム形状の画像（２次元）ひとつに対して、ひとつのＲＯＩ（Ｒｅｇｉｏｎ  ｏｆ  Ｉｎｔｅｒｅｓｔ）を設定しビーム位置を算出する。
特許文献１は、開き角制限開口の中心と電子ビームの光軸をあわせるために、開き角制限開口を通過した電子ビームの強度分布の２次元像におけるビーム輪郭中心と、その２次元像における強度分布が最大になる位置とを一致させるように偏向器を調整するものである。
【特許文献１】特開２００１−２０２９１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながらこの方法では、複数の電子ビームを自動処理するとき、ＲＯＩから外れた異常ビームがあってもそれを判断することが出来ず、短時間で精度良く電子ビームの位置を計測することが出来ない。また、Ｓ／Ｎ比が悪い場合、ノイズをひろってビーム位置を計測してしまうため、短時間で精度良く電子ビームの位置を計測することが出来ない。
本発明は、上述の従来例における問題点を解消することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の課題を解決するために、本発明の荷電粒子線露光装置は、複数の荷電粒子ビームを用いて被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置において、前記複数の荷電粒子ビームのうち少なくとも一部について前記被露光基板上での各荷電粒子ビームの２次元強度分布またはビーム直径方向の１次元強度分布を計測する手段と、計測された前記強度分布の２次元プロファイルまたは１次元プロファイルに対して複数の評価領域を設定し、前記評価領域毎に前記被露光基板上での各荷電粒子ビームのビーム位置を算出する手段と、を有することを特徴とする。
前記算出手段は、例えば、前記評価領域内における前記２次元プロファイルまたは１次元プロファイルの重心位置を前記ビーム位置として算出するものである。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、短時間で精度良く荷電粒子ビームの位置を計測することができる。したがって、位置ずれ許容範囲を超える荷電粒子ビームは位置を調整するか、または遮蔽して露光に用いないようにすることで、従来以上に高精度なデバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明の好ましい実施の形態に係る荷電粒子線露光装置は、マルチビームを用いて被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置において、
前記マルチビームのうち１本のビームを計測して得られた２次元像（２次元プロファイル）もしくはＸＹ方向１次元プロファイルに対し、２つ以上の評価領域を設定し、複数の評価領域において前記基板上での評価対象ビームのビーム位置を算出する手段を有することを特徴とする。
【０００７】
前記評価領域の大きさは、隣接するビームの評価領域と干渉する大きさ未満とすることを特徴とする。
前記評価領域の位置は、全ての評価領域が重なる部分をビームの位置ずれ許容範囲となるように設定することを特徴とする。
前記複数の評価領域におけるビーム位置がずれているビームを独立に位置調整するビーム位置調整手段を有することを特徴とする。
前記複数の評価領域におけるビーム位置がずれているビームを露光に用いないビーム遮蔽手段を有することを特徴とする。
前記ビーム遮蔽手段は、ビームを遮蔽できるシャッターを用いることを特徴とする。
【実施例】
【０００８】
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
マルチビーム露光装置の例として以下の実施例では、(1)マルチビーム方式の電子ビーム露光装置、(2)フォトカソードを持つ電子ビーム露光装置、の例を示す。なお、本実施例は、電子ビームに限らずイオンビームを用いた露光装置にも同様に適用できる。
【０００９】
［第１の実施例］
本実施例は、(1)マルチビーム方式の電子ビーム露光装置に関するものである。
図１は、本発明の一実施例に係るマルチビーム方式の電子ビーム露光装置の要部概略図である。
１０１から１０９は複数の電子源像を形成し、その電子源像から電子ビームを放射するマルチソースモジュールである。図１の場合、マルチソースモジュールは５×５の２５個が２次元配列されている。１０１は、電子銃が形成する電子源（クロスオーバー像）である。この電子源１０１から放射される電子ビームは、コンデンサーレンズ１０２によって略平行な電子ビームとなる。１０３は、開口が２次元配列して形成されたアパーチャアレイ、１０４は、同一の光学パワーを有する静電レンズが２次元配列して形成されたレンズアレイ、１０５、１０６、１０７、１０８は、個別に駆動可能な静電偏向器が２次元配列して形成されたマルチ偏向器アレイ、１０９は、個別に駆動可能な静電のブランカーが２次元配列して形成されたブランカーアレイである。
【００１０】
図２を用いて各部材の機能を説明する。コンデンサーレンズ１０２からの略平行な電子ビームは、アパーチャアレイ１０３によって複数の電子ビームに分割される。分割された電子ビームは、対応するレンズアレイ１０４の静電レンズを介して、ブランカーアレイ１０９の対応するブランカー上に、電子源１０１の中間像２０１を形成する。この時、マルチ偏向器アレイ１０５、１０６、１０７、１０８は、ブランカーアレイ１０９上に形成される電子源の中間像２０１の位置（光軸と直交する面内の位置）を個別に調整する。また、ブランカーアレイ１０９で偏向された電子ビームは、図１のブランキングアパーチャ１１０によって遮断されるため、ウエハ１２０には照射されない。一方、ブランカーアレイ１０９で偏向されない電子ビームは、図１のブランキングアパーチャ１１０によって遮断されないため、ウエハ１２０には照射される。
【００１１】
図１に戻り、マルチソースモジュールで形成された電子源の複数の中間像は、磁界レンズ１１５、１１６、１１７、１１８の縮小投影系を介して、ウエハ１２０に投影される。この時、複数の中間像がウエハ１２０に投影される際の焦点位置は、ダイナミックフォーカスレンズ（静電もしくは磁界レンズ）１１１、１１２で調整できる。１１３、１１４は各電子ビームを露光すべき個所へ偏向させる主偏向器と副偏向器である。１１９はウエハ１２０上に形成された電子源の各中間像の位置を計測するための反射電子検出器である。１２１はウエハを移動させるためのステージである。１２２は電子ビームの位置およびビーム形状を検出するためのマークである。
【００１２】
露光に用いられる複数の電子ビームを、マルチソースモジュール下部にある図示しない電子検出器、もしくはステージ１２１上にある電子検出器１２２を用いて、電子ビームの２次元像（２次元プロファイル）もしくはＸＹ方向１次元プロファイルを取得する。２次元像の場合、１つの画像に対して１本の電子ビームの２次元像もしくは１つの画像に対して複数の電子ビームの２次元像を取得する。ＸＹ方向１次元プロファイルの場合、１つのプロファイルに対して１本の電子ビームのプロファイルもしくは１つのプロファイルに対して複数の電子ビームのプロファイルを取得する。
【００１３】
図３（Ａ）に示すように、得られた１本の電子ビームの２次元像３０１に対して、電子ビームの位置・形状・照射量を評価する多角形・円形・楕円形の評価領域３０２を複数設定する。その際、評価領域の位置は、全ての評価領域が重なる部分３０３を、評価対象である電子ビームの位置ずれ許容範囲となるように設定する。
図３（Ｂ）に示すように、得られた１本の電子ビームのＸＹ方向１次元プロファイル３０４に対して、電子ビームの位置・形状・照射量を評価する１次元の評価領域３０５を複数設定する。その際、評価領域の位置は、全ての評価領域が重なる部分３０６を、評価対象である電子ビームの位置ずれ許容範囲となるように設定する。
【００１４】
電子ビームの２次元像において、図４（Ａ−１）に示すように、評価対象である電子ビーム４０１の位置が位置ずれ許容範囲内である場合、図４（Ａ−２）及び（Ａ−３）に示すように、評価領域４０２における電子ビームの位置と評価領域４０３における電子ビームの位置は一致する。
一方、電子ビームの２次元像において、図４（Ｂ−１）に示すように、評価対象である電子ビーム４０４の位置が位置ずれ許容範囲を超えている場合、図４（Ｂ−２）に示すように、評価領域４０５における電子ビームの位置は、評価領域を逸脱してしまうため、評価領域４０５で区切られた２次元像から求まる電子ビームの位置は、評価領域４０５を逸脱し削除される分だけ評価領域４０５の中心側へずれて計測される。つまり、評価領域４０５における電子ビームの位置は、２次元像との相対位置が評価領域４０２における電子ビームの位置と異なる。また、図４（Ｂ−３）に示すように、評価領域４０６における電子ビームの位置は、２次元像との相対位置が評価領域４０３における電子ビームの位置と一致する。よって、評価領域４０４における電子ビームの位置と評価領域４０５における電子ビームの位置は一致しない。
【００１５】
従って、このように複数の評価領域を設定し各々の評価領域での評価結果を比較することで、位置ずれ許容範囲を超えた異常電子ビームを瞬時に判断できる。さらに、電子ビームの２次元像のＳ／Ｎ比が悪い場合、複数の評価領域における電子ビームの位置を比較することで、ノイズがビーム位置精度に与える影響を定量的に確認することができる。
【００１６】
電子ビームの２次元像からビーム位置を計測する場合、ビーム位置は、ビームの強度が最大となる点、もしくは２値化された強度分布の重心として計測する。
１次元プロファイルの場合も同様に、複数の評価領域を設定し各々の評価領域での評価結果を比較することで、位置ずれ許容範囲を超えた異常電子ビームを瞬時に判断することができる。
次に図５に示すように、評価領域の大きさは、隣接する電子ビームの２次元像の評価領域と干渉しないぎりぎりの大きさに設定する。このように設定することで、同一の評価領域を用いて自動で全ての電子ビームを評価することが出来る。
【００１７】
複数の評価領域を用いて１本の電子ビームの位置を計測した結果、その電子ビームの位置が許容範囲を超えた場合、つまり複数の評価領域におけるビーム位置がずれている場合、マルチ偏向器アレイ１０５、１０６、１０７、１０８を用いてビーム位置を独立に調整して描画を行う。もしくは、ビームを遮蔽できるシャッターなどの遮蔽手段を用いて、そのビームを露光に用いないようにして描画を行う。
【００１８】
電子ビームの位置の他に、得られた２次元像（２次元プロファイル）もしくはＸＹ方向１次元プロファイルから、球面収差・非点収差・像面湾曲・コマ収差などの影響を受けた電子ビーム形状を計測する。また、得られた２次元像もしくはＸＹ方向１次元プロファイルから、各ビームの照射量を計測する。
【００１９】
以上に示したように、複数の電子ビームのうち１本のビームを計測して得られた２次元像もしくはＸＹ方向１次元プロファイルに対して２つ以上の評価領域を設定し、複数の評価領域においてウエハ上での評価対象ビームのビーム位置を計測する。
【００２０】
次に、複数の電子ビームを用いた露光装置において、複数の電子ビームの位置を補正するフローについて図６を用いて説明する。
（ステップ１）
複数の電子ビームの位置キャリブレーションを行うかどうかを決定する。複数の電子ビームの位置キャリブレーションを行う場合、ステップ２へ移行する。複数の電子ビームの位置キャリブレーションを行わない場合、処理終了へ移行する。
【００２１】
（ステップ２）
位置キャリブレーションを行う複数の電子ビームの内、１本の電子ビームを選択する。１本の電子ビームを選択した後、ステップ３へ移行する。
（ステップ３）
ステージ上もしくは光路の途中にある検出器を用いて、１本の電子ビームの２次元像もしくはＸＹ方向１次元プロファイルを取得する。ビームの像を取得した後、ステップ４へ移行する。
【００２２】
（ステップ４）
得られた１本の電子ビームの２次元像もしくはＸＹ方向１次元プロファイルに対して、電子ビームの位置・形状・照射量を評価する多角形・円形・楕円形もしくは１次元の評価領域を複数設定する。その際、評価領域の位置は、全ての評価領域が重なる部分を評価対象である電子ビームの位置ずれ許容範囲となるように設定し、評価領域の大きさは、隣接する電子ビームの評価領域と干渉しないぎりぎりの大きさに設定する。複数の評価領域を設定後、ステップ５へ移行する。
【００２３】
（ステップ５）
複数の評価領域において１本の電子ビームの位置を計測する。電子ビームの位置を評価した後、ステップ６へ移行する。
（ステップ６）
各評価領域における１本の電子ビームの位置が一致しているかどうかを判断する。一致している場合ステップ８へ移行する。一致していない場合ステップ７へ移行する。
【００２４】
（ステップ７）
露光される基板における複数の電子ビームの位置を調整するマルチ偏向器アレイを用いて、全ての評価領域が重なる部分の中心方向にその電子ビームの位置を微小量移動させる。電子ビームの位置を調整後、ステップ３へ移行する。
（ステップ８）
他の電子ビームのキャリブレーションを行うかどうかを決定する。他の電子ビームのキャリブレーションを行う場合、ステップ２へ移行する。他の電子ビームのキャリブレーションを行わない場合、処理終了へ移行する。
【００２５】
［第２の実施例］
本実施例は、(2)フォトカソードを持つ電子ビーム描画装置の場合に関するものである。
図７は本発明の他の実施例に係るフォトカソードを持つ電子ビーム描画装置の要部概略図である。
７０１は、レーザーからマルチビームを生成し個別に制御するマルチビーム生成ユニットである。ミラー・スリット・レンズを用いてマルチビームを生成し、レーザーと音響波を回折させることでレーザーの強度変調や偏向を行う音響光学素子を用いてマルチビームを個別に制御する。マルチビームを個別に制御することで、基板上でのビームのオンオフを行う。
【００２６】
７０２は、レーザーを電子ビームに変換するフォトカソードである。フォトカソードを用いて複数の電子ビームを生成する。電子ビームが存在するフォトカソードより下の部分は真空中に設置されている。
７０３は、フォトカソードから生成された複数の電子ビームを基板に縮小して描画するための縮小対物レンズである。７０４は、フォトカソードから生成された複数の電子ビームを変更させるための偏向器である。この偏向器を用いて複数の電子ビームの基板上での位置を調整する。７０５は描画される基板、７０６はステージ、７０７は電子検出器である。
【００２７】
描画に用いられる複数の電子ビームを、図示しないＹＡＧスクリーン、もしくはステージ７０６上にある電子検出器７０７を用いて、ビームの２次元像もしくはＸＹ方向１次元プロファイルを取得する。２次元像の場合、１つの画像に対して１本のビームの２次元像もしくは１つの画像に対して複数のビームの２次元像を取得する。ＸＹ方向１次元プロファイルの場合、１つのプロファイルに対して１本のビームのプロファイルもしくは１つのプロファイルに対して複数のビームのプロファイルを取得する。
【００２８】
図３（Ａ）に示すように、得られた１本の電子ビームの２次元像３０１に対して、電子ビームの位置・形状・照射量を評価する多角形・円形・楕円形の評価領域３０２を複数設定する。その際、評価領域の位置は、全ての評価領域が重なる部分３０３を、評価対象である電子ビームの位置ずれ許容範囲となるように設定する。
図３（Ｂ）に示すように、得られた１本の電子ビームのＸＹ方向１次元プロファイル３０４に対して、電子ビームの位置・形状・照射量を評価する１次元の評価領域３０５を複数設定する。その際、評価領域の位置は、全ての評価領域が重なる部分３０６を、評価対象である電子ビームの位置ずれ許容範囲となるように設定する。
【００２９】
電子ビームの２次元像において、図４（Ａ−１）に示すように、評価対象である電子ビーム４０１の位置が位置ずれ許容範囲内である場合、図４（Ａ−２）及び（Ａ−３）に示すように、評価領域４０２における電子ビームの位置と評価領域４０３における電子ビームの位置は一致する。一方、電子ビームの２次元像において、図４（Ｂ−１）に示すように、評価対象である電子ビーム４０４の位置が位置ずれ許容範囲を超えている場合、図４（Ｂ−２）に示すように、評価領域４０５における電子ビームの位置は、評価領域を逸脱してしまうため、２次元像との相対的な位置が評価領域４０２における電子ビームの位置と異なる。また、図４（Ｂ−３）に示すように、評価領域４０６における電子ビームの位置は、２次元像との相対的な位置が評価領域４０３における電子ビームの位置と一致する。よって、評価領域４０４における電子ビームの位置と評価領域４０５における電子ビームの位置は一致しない。
従って、このように複数の評価領域を設定し各々の評価領域での評価結果を比較することで、位置ずれ許容範囲を超えた異常電子ビームを瞬時に判断できる。さらに、ビームの２次元像のＳ／Ｎ比が悪い場合、複数の評価領域におけるビームの位置を比較することで、ノイズがビーム位置精度に与える影響を定量的に確認することができる。
【００３０】
電子ビームの２次元像からビーム位置を計測する場合、ビーム位置は、ビームの強度が最大となる点、もしくは２値化された強度分布の重心として計測する。
１次元プロファイルの場合も同様に、複数の評価領域を設定し各々の評価領域での評価結果を比較することで、位置ずれ許容範囲を超えた異常ビームを瞬時に判断できる。
次に図５に示すように、評価領域の大きさは、隣接する電子ビームの２次元像の評価領域と干渉しないぎりぎりの大きさに設定する。このように設定することで、同一の評価領域を用いて自動で全ての電子ビームを評価することが出来る。
【００３１】
複数の評価領域を用いて１本の電子ビームの位置を計測した結果、その電子ビームの位置が許容範囲を超えた場合、つまり複数の評価領域におけるビーム位置がずれている場合、そのビームを偏向させる、またはビームを遮蔽できるシャッターを用いる、ことでそのビームを露光に用いないようにして描画を行う。
ビームの位置の他に、得られた２次元像もしくはＸＹ方向１次元プロファイルから、球面収差・非点収差・像面湾曲・コマ収差などの影響を受けたビーム形状を計測する。また、得られた２次元像もしくはＸＹ方向１次元プロファイルから、各ビームの照射量を計測する。
【００３２】
以上に示したように、複数の電子ビームのうち１本のビームを計測して得られた２次元像もしくはＸＹ方向１次元プロファイルに対して２つ以上の評価領域を設定し、複数の評価領域においてウエハ上での評価対象ビームのビーム位置を計測する。
【００３３】
次に、フォトカソードを持つ電子ビーム描画装置において、マルチビームの位置異常ビームを検出するフローについて図８を用いて説明する。
（ステップ１）
マルチビームの内、位置計測を行う１本のビームを選択する。ビームを選択した後、ステップ２へ移行する。
（ステップ２）
１本のビームを、ステージ上もしくは光路の途中にある検出器を用いて、１本のビームの２次元像もしくはＸＹ方向１次元プロファイルを取得する。ビームの像を取得した後、ステップ３へ移行する。
【００３４】
（ステップ３）
得られた１本のビームの２次元像もしくはＸＹ方向１次元プロファイルに対して、ビームの位置・形状・照射量を評価する多角形・円形・楕円形もしくは１次元の評価領域を複数設定する。その際、評価領域の位置は、全ての評価領域が重なる部分を評価対象であるビームの位置ずれ許容範囲となるように設定し、評価領域の大きさは、隣接するビームの評価領域と干渉しないぎりぎりの大きさに設定する。評価領域を設定後、ステップ４へ移行する。
（ステップ４）
複数の評価領域において１本のビームの位置を計測する。ビーム位置を計測後、ステップ５へ移行する。
【００３５】
（ステップ５）
各評価領域における１本のビームの位置が一致しているかどうかを判断する。一致している場合ステップ７へ移行する。一致していない場合ステップ６へ移行する。
（ステップ６）
評価したビームを位置異常ビームとして検出する。その後、ステップ７へ移行する。
（ステップ７）
他のビームで異常ビーム検出を行うかどうかを決定する。他のビームで異常ビーム検出を行う場合、ステップ１へ移行する。他のビームで異常ビーム検出を行わない場合、処理終了へ移行する。
【００３６】
［第３の実施例］
次に以上説明した電子ビーム露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図９に微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ９１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ９２（ＥＢデータ変換）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップ９３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ９４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ９５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ９４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ９６（検査）ではステップ９５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ９７）される。
【００３７】
図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１０１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１０２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１０３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１０４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１０５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１０６（露光）では上記説明した露光装置によって回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１０７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１０８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１０９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、高集積度の半導体デバイスを精度良く製造することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施例に係る、マルチビーム方式の電子ビーム露光装置の要部概略を説明する図である。
【図２】図１における、マルチソースモジュールの機能を説明する図である。
【図３】１本の電子ビームの２次元像に対して設定する複数の評価領域を説明する図である。
【図４】位置ずれ許容範囲を超えた異常電子ビームを判断する方法を説明する図である。
【図５】１本の電子ビームの２次元像に対して設定する評価領域の大きさを説明する図である。
【図６】複数の電子ビームの位置を補正するフローについて説明する図である。
【図７】本発明に係る、フォトカソードを持つ電子ビーム描画装置の要部概略を説明する図である。
【図８】マルチビームの位置異常ビームを検出するフローについて説明する図である。
【図９】本発明に係る、微小デバイスの製造フローを説明する図である。
【図１０】図９におけるウエハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０１：電子源（クロスオーバー像）
１０２：コンデンサーレンズ
１０３：アパーチャアレイ
１０４：レンズアレイ
１０５：マルチ偏向器アレイ
１０６：マルチ偏向器アレイ
１０７：マルチ偏向器アレイ
１０８：マルチ偏向器アレイ
１０９：ブランカーアレイ
１１０：ブランキングアパーチャ
１１１：ダイナミックフォーカスレンズ
１１２：ダイナミックフォーカスレンズ
１１３：主偏向器
１１４：副偏向器
１１５：磁界レンズ
１１６：磁界レンズ
１１７：磁界レンズ
１１８：磁界レンズ
１１９：反射電子検出器
１２０：ウエハ
１２１：ステージ
１２２：マーク
２０１：電子源の中間像
３０１：電子ビームの２次元像
３０２：電子ビームの位置・形状・照射量を評価する２次元の評価領域
３０３：全ての２次元評価領域が重なる部分
３０４：電子ビームのＸＹ方向１次元プロファイル
３０５：電子ビームの位置・形状・照射量を評価する１次元の評価領域
３０６：全ての１次元評価領域が重なる部分
４０１：位置ずれ許容範囲を超えていない電子ビームの２次元像
４０２：評価領域
４０３：評価領域
４０４：位置ずれ許容範囲を超えた電子ビームの２次元像
４０５：評価領域
４０６：評価領域
７０１：レーザーからマルチビームを生成し個別に制御するマルチビーム生成ユニット
７０２：レーザーを電子ビームに変換するフォトカソード
７０３：縮小対物レンズ
７０４：偏向器
７０５：被露光基板
７０６：ステージ
７０７：電子検出器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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