(57)【要約】【課題】  大きな昇温速度で加熱を行なって生産性の向上を図ると共に、熱伝導性樹脂中のボイドの発生を抑制することができる半導体パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】  配線基板、半導体チップ及びリッドからなる積層体を加熱器により、３０℃／分の昇温速度で１１０℃まで急速加熱を行なって熱伝導性樹脂の仮硬化を行なった後に、３℃／分の昇温速度で１２０℃まで加熱を行なって熱伝導性樹脂の本硬化を行なう。【選択図】    図２
2006216591.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、該配線基板上にフリップチップ実装された半導体チップと、該半導体チップと熱伝導性樹脂を介して接合されたリッドを備える半導体パッケージの製造方法であって、
前記熱伝導性樹脂中に含有する揮発分の揮発温度に達する前に、同熱伝導性樹脂の硬化温度に達する第１の昇温速度で前記熱伝導性樹脂を加熱して前記熱伝導性樹脂を仮硬化する工程と、
前記仮硬化を行なった熱伝導性樹脂を、同熱伝導性樹脂の硬化温度以上の所定温度で保持し、若しくは前記第１の昇温速度よりも小さな第２の昇温速度で前記熱伝導性樹脂を加熱して前記熱伝導性樹脂を本硬化する工程を備える
半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記熱伝導性樹脂は、同熱伝導性樹脂の昇温速度によらず前記揮発温度が略一定温度であると共に、同熱伝導性樹脂の昇温速度が大きくなるにつれて前記硬化温度が低下する
請求項１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記第１の昇温速度は、３０（℃／分）以上である
請求項１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
配線基板と、該配線基板上にフリップチップ実装された半導体チップと、該半導体チップと熱伝導性樹脂を介して接合されたリッドを備える半導体パッケージの製造装置であって、
前記熱伝導性樹脂中に含有する揮発分の揮発温度に達する前に、同熱伝導性樹脂の硬化温度に達する第１の昇温速度で前記熱伝導性樹脂を加熱して前記熱伝導性樹脂を仮硬化すると共に、前記仮硬化を行なった熱伝導性樹脂を、同熱伝導性樹脂の硬化温度以上の所定温度で保持し、若しくは前記第１の昇温速度よりも小さな第２の昇温速度で前記熱伝導性樹脂を加熱して前記熱伝導性樹脂を本硬化する加熱手段を備える
半導体パッケージの製造装置。
【請求項５】
前記熱伝導性樹脂は、同熱伝導性樹脂の昇温速度によらず前記揮発温度が略一定温度であると共に、同熱伝導性樹脂の昇温速度が大きくなるにつれて前記硬化温度が低下する
請求項４に記載の半導体パッケージの製造装置。
【請求項６】
前記第１の昇温速度は、３０（℃／分）以上である
請求項４に記載の半導体パッケージの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージの製造装置に関する。詳しくは、熱伝導性樹脂の急速加熱を行なうことによってボイドの発生を抑制しようとした半導体パッケージの製造方法及びこうした急速加熱を行なう半導体パッケージの製造装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージとしては、半導体チップの下面に設けられた複数の入出力端子の各々が配線基板の上面に設けられた複数のパッドの各々にはんだまたは導電性接着剤によって接続された、いわゆるフリップチップ接続構造のものが広く知られている。
ただし、一般に、半導体チップには、誤動作や信頼性の低下等を防ぐために、最大ジャンクション温度（Ｔｊｍａｘ）が設定されている。つまり、半導体チップの表面温度がＴｊｍａｘを超えると、その半導体チップが誤動作を起こしたり信頼性が低下したりする可能性があるため、半導体パッケージを構成する場合には、半導体チップの表面温度がＴｊｍａｘを超えないようにする必要がある。
このことから、半導体チップが配線基板上にフリップチップ実装されてなる半導体パッケージの中には、半導体チップで発生した熱を周囲（外部）に放出させるために、その半導体チップが熱伝導性樹脂を介して高熱伝導性部材（例えば、銅）からなる断面逆凹状のリッドによって覆われてなるものがある（例えば、特許文献１〜３参照。）。
【０００３】
従来、この様な半導体チップがリッドに覆われてなるフリップチップ接続構造の半導体パッケージは、例えば、図３に示す様な手順で製造される。即ち、先ず、図３（ａ）に示す様に、配線基板１０１に半導体チップ１０２をフリップチップ実装して、これら配線基板と半導体チップとの間に封止樹脂を充填する。そして、図３（ｂ）に示す様に、半導体チップの上面に熱伝導性樹脂１０３を塗布するとともに、配線基板の上面に接着剤１０４を塗布し、その後図３（ｃ）に示す様に、リッド１０５を配して半導体チップを覆う。このとき、リッドの凹部底面１０５ａと半導体チップの上面とが熱伝導性樹脂を介して接し、そのリッドの凹部頂面１０５ｂと配線基板の上面とが接着剤を介して接する様に、リッドを配する。そして、その後は、図３（ｄ）に示す様に、配線基板、半導体チップ及びリッドからなる積層体を加熱器であるオーブン１０６に収納して、そのオーブン中で加熱（例えば、一般的な熱伝導性樹脂の硬化のための昇温速度として知られている４℃／分の昇温速度で加熱）し、これにより半導体チップとリッドとの間の熱伝導性樹脂及び配線基板とリッドとの間の接着剤を、それぞれ完全硬化させるのである。
【０００４】
ここで、上述した様な半導体チップがリッドに覆われてなるフリップチップ接続構造の半導体パッケージでは、半導体チップとリッドとの間、更に詳しくは半導体チップの上面とリッドの凹部底面との間が熱伝導性樹脂を介して接合されていることから、半導体チップの表面温度をＴｊ、リッドの表面温度をＴｃとすると、その温度差はＴｊ−Ｔｃ＝Ｒ×Ｑ（Ｒ：半導体チップの表面からリッドの表面までの熱抵抗、Ｑ：半導体チップの発熱量）で表される。そのため、熱抵抗Ｒにバラツキが生じると、半導体チップのある部分では表面温度がＴｊｍａｘを超えてしまい、その結果半導体チップが誤作動を起こす可能性が生じてしまう。なお、熱抵抗Ｒは、Ｒ＝Ｌ／λＡ（Ｒ：熱抵抗（℃／Ｗ）、Ｌ：熱伝導性樹脂の厚み（ｍｍ）、λ：熱伝導性樹脂の熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）、Ａ：半導体チップの面積（ｍｍ２））で表されることから、熱伝導率λ、面積Ａが一定の場合、厚みＬにバラツキが生じれば、熱抵抗Ｒにもバラツキが生じてしまうことになる。つまり、熱抵抗Ｒのバラツキを抑えるためには、厚みＬが一定となる様に制御する必要があり、そのために、熱伝導性樹脂の中には半導体チップとリッドとの間隔を確保すべくスペーサが混入されている。
【０００５】
また、半導体チップで発生した熱を効率的にリッドに放出するためには、熱抵抗Ｒを極力小さくする必要がある。そして、熱抵抗Ｒを小さくするために、熱伝導性樹脂の中には半導体チップとリッドとの間の熱伝導を媒介する熱伝導性フィラー（以下、単にフィラーと言う。）が混入されている。
【０００６】
ところで、上記したスペーサやフィラーは一般的に樹脂材料に馴染み難いために、スペーサやフィラーをそのまま熱伝導性樹脂の中に混入したとしても熱伝導性樹脂中で偏在してしまう。そこで、こうした偏在を解消し、熱伝導性樹脂中でスペーサやフィラーを分散させるべく、スペーサやフィラーと樹脂材料との濡れ性の向上を実現できる溶剤中にスペーサやフィラーを浸漬した後にスペーサやフィラーを熱伝導性樹脂の中に混入することが一般的に行われている。
【０００７】
また、半導体チップの上面に塗布される熱伝導性樹脂は、半導体チップで発生した熱をリッドに放熱するのみならず、半導体チップの上面とリッドとを接着する必要があるために、接着性を出すための有機物である接着発現物が含まれていることが多い。
【０００８】
従って、結果的に熱伝導性樹脂中には、濡れ性を向上させるべくスペーサやフィラーを浸漬した溶剤や接着性を出すための有機物である接着発現物が含まれることとなる。
【０００９】
さて、熱伝導性樹脂及び接着剤を硬化及び接着させるべく加熱処理を行うにあたって、従来は、熱伝導性樹脂の加熱における一般的な昇温速度である４℃／分程度の昇温速度で加熱を行なっているが、更なる生産性の向上が求められており、具体的には、熱伝導性樹脂及び接着剤を硬化及び接着させるまでの時間の短縮化が求められている。
【００１０】
【特許文献１】特開平８−１４８５９２号公報
【特許文献２】特許第３０７０５７９号明細書
【特許文献３】特開２００１−２６７４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、短時間での熱伝導性樹脂及び接着剤の硬化及び接着を実現すべく、単純に熱伝導性樹脂及び接着剤の昇温速度を大きくしたのでは、急速加熱によって熱伝導性樹脂が硬化する際にボイドが発生するという不具合が生じてしまう。
【００１２】
即ち、小さな昇温速度（例えば、４℃／分の昇温速度）で加熱を行なっている場合には、熱伝導性樹脂中にボイドの発生は見られないが、上記した溶剤や接着発現物は揮発性を有する揮発分であるために、ある程度大きな昇温速度で熱伝導性樹脂の急速加熱を行なった場合には、所定の揮発温度（例えば、１００℃）に達した際に揮発して、熱伝導性樹脂中にボイドを生じることとなる。
【００１３】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、大きな昇温速度で加熱を行なって生産性の向上を図ると共に、熱伝導性樹脂中のボイドの発生を抑制することができる半導体パッケージの製造方法及びこうした半導体パッケージを製造するための半導体パッケージの製造装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、配線基板と、該配線基板上にフリップチップ実装された半導体チップと、該半導体チップと熱伝導性樹脂を介して接合されたリッドを備える半導体パッケージの製造方法であって、前記熱伝導性樹脂中に含有する揮発分の揮発温度に達する前に、同熱伝導性樹脂の硬化温度に達する第１の昇温速度で前記熱伝導性樹脂を加熱して前記熱伝導性樹脂を仮硬化する工程と、前記仮硬化を行なった熱伝導性樹脂を、同熱伝導性樹脂の硬化温度以上の所定温度で保持し、若しくは前記第１の昇温速度よりも小さな第２の昇温速度で前記熱伝導性樹脂を加熱して前記熱伝導性樹脂を本硬化する工程を備える。
【００１５】
ここで、熱伝導性樹脂中に含有する揮発分の揮発温度に達する前に、同熱伝導性樹脂の硬化温度に達する第１の昇温速度で熱伝導性樹脂を加熱して熱伝導性樹脂を仮硬化することによって、熱伝導性樹脂中に含有する揮発分の揮発温度よりも低い温度で熱伝導性樹脂が仮硬化し、熱伝導性樹脂が仮硬化した状態で熱伝導性樹脂中に含有する揮発分の揮発温度に達することとなる。
なお、仮硬化とは、熱伝導性樹脂が完全に硬化（本硬化）する前の状態であり、熱伝導性樹脂が流動性を失って揮発分が揮発することを阻害するのに充分な程度に硬化した状態を言う。
【００１６】
また、仮硬化を行なった熱伝導性樹脂を、同熱伝導性樹脂の硬化温度以上の所定温度で保持し、若しくは第１の昇温速度よりも小さな第２の昇温速度で熱伝導性樹脂を加熱して熱伝導性樹脂を本硬化することによって、熱伝導性樹脂が仮硬化した状態で熱伝導性樹脂を本硬化することができ、熱伝導性樹脂の本硬化を行なう際に、ボイドの発生を抑制することができる。
【００１７】
なお、一般的に知られている熱伝導性樹脂中に含有する揮発分の揮発温度は、熱伝導性樹脂の種類によっては異なるが、同一の熱伝導性樹脂の場合には熱伝導性樹脂の昇温速度によらず略一定温度である。これに対して、一般的に知られている熱伝導性樹脂の硬化温度（仮硬化温度）は、熱伝導性樹脂の昇温速度によって変化し、熱伝導性樹脂の昇温速度が大きくなるにつれて低下していく。
即ち、昇温速度を大きくすることによって、徐々に熱伝導性樹脂の硬化温度（仮硬化温度）が低下し、所定の昇温速度以上で加熱を行うことで熱伝導性樹脂中に含有する揮発分の揮発温度に達する前に、熱伝導性樹脂の硬化温度（仮硬化温度）に達することとなる。
【００１８】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体パッケージの製造装置は、配線基板と、該配線基板上にフリップチップ実装された半導体チップと、該半導体チップと熱伝導性樹脂を介して接合されたリッドを備える半導体パッケージの製造装置であって、前記熱伝導性樹脂中に含有する揮発分の揮発温度に達する前に、同熱伝導性樹脂の硬化温度に達する第１の昇温速度で前記熱伝導性樹脂を加熱して前記熱伝導性樹脂を仮硬化すると共に、前記仮硬化を行なった熱伝導性樹脂を、同熱伝導性樹脂の硬化温度以上の所定温度で保持し、若しくは前記第１の昇温速度よりも小さな第２の昇温速度で前記熱伝導性樹脂を加熱して前記熱伝導性樹脂を本硬化する加熱手段を備える。
【００１９】
ここで、熱伝導性樹脂中に含有する揮発分の揮発温度に達する前に、同熱伝導性樹脂の硬化温度に達する第１の昇温速度で熱伝導性樹脂を加熱して熱伝導性樹脂を仮硬化すると共に、仮硬化を行なった熱伝導性樹脂を、同熱伝導性樹脂の硬化温度以上の所定温度で保持し、若しくは第１の昇温速度よりも小さな第２の昇温速度で熱伝導性樹脂を加熱して熱伝導性樹脂を本硬化する加熱手段によって、熱伝導性樹脂が仮硬化した状態で熱伝導性樹脂を本硬化することができ、熱伝導性樹脂の本硬化を行なう際に、ボイドの発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２０】
上記した本発明の半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージの製造装置では、熱伝導性樹脂中のボイドの発生を抑制することができ、高品質の半導体パッケージを安定して製造することができると共に、生産性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
【００２２】
先ず、本発明を適用した半導体パッケージの製造方法の一例によって製造する半導体パッケージの概略構成について説明する。
図１は本発明を適用した半導体パッケージの製造方法の一例によって製造する半導体パッケージを説明するための模式的な断面図であって、ここで示す半導体パッケージ１は、配線基板２と、半導体チップ３と、リッド４と、熱伝導性樹脂５と、接着剤６とを備えて構成されている。詳しくは、半導体チップ３が複数のバンプ電極（入出力端子またははんだバンプ）を介して配線基板２上にフリップチップ実装され、その半導体チップ３を高熱伝導性部材（例えば、銅）からなる断面逆凹状のリッド４が覆い、そのリッド４の凹部底面４ａと半導体チップ３の上面とが熱伝導性樹脂５を介して接合され、リッド４の凹部頂面４ｂと配線基板２の上面とが接着剤６を介して接合されることにより、半導体パッケージ１が構成されている。
【００２３】
ここで、熱伝導性樹脂５は、樹脂材に熱伝導性フィラーが混入されてなるものであり、樹脂材としては、例えば付加硬化型シリコーン組成物が挙げられる。なお、付加硬化型シリコーン組成物とは、ベースポリマーとして液状シリコーンを含む硬化型シリコーン組成物からなり、その硬化型シリコーン組成物に例えば熱硬化性の接着付与成分を添加したもので、具体的にはアルコキシシリル基を有するオルガノハイドロジェンシロキサンを含有する付加硬化型シリコーンゴム組成物（例えば、特公昭５３−２１０２６号公報参照。）や、エポキシ基を有するオルガノハイドロジェンシロキサンを含有する付加硬化型シリコーンゴム組成物（例えば、特公昭５３−１３５０８号公報参照。）等が知られている。
【００２４】
また、熱伝導性フィラーは、半導体チップ３とリッド４との間で熱を伝達する媒介として機能するもので、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の粒子や粉状物質といったフィラー材からなるものが挙げられる。ただし、熱伝導性フィラーは、これらフィラー材のいずれか一つからなるものであっても良いし、粒径の異なる複数のフィラー材からなるものであっても良い。具体的には、粒径が３０μｍ程度の二酸化ケイ素粒子を第１のフィラー材とし、粒径が１０μｍ程度の銀粒子を第２のフィラー材とし、これらを熱伝導性フィラーとして用いることが考えられる。
【００２５】
更に、熱伝導性フィラーは、熱伝導を媒介する機能の他に、半導体チップ３とリッド４との間隔を確保するスペーサとしての機能をも有している。そして、そのスペーサとしての機能によって、熱伝導性フィラーが混入された熱伝導性樹脂５、即ち、半導体チップ３とリッド４との間に介在する熱伝導性樹脂５の厚さが定まるのである。ただし、熱伝導性フィラーが一つのフィラー材からなる場合であれば、そのフィラー材が熱伝導を媒介する機能とスペーサとしての機能との両方を兼ね備えることになるが、上述した様な粒径の異なる複数のフィラー材からなる場合には、これら複数のフィラー材のうち最大粒径の第１のフィラー材がスペーサとしての機能を有することになる。
【００２６】
上記した様な熱伝導性フィラーは、そのままの状態で樹脂材内に混入したとしても樹脂材となじみ難くいために、熱伝導性フィラーと樹脂材の濡れ性の向上を図る溶剤に浸漬した後に樹脂材内に混入することによって、熱伝導性フィラーを樹脂材内に一様に分布させる。なお、熱伝導性フィラーは、溶剤に浸漬した後に混入することによって得られる一様な分布状態で所望の熱伝導効率を確保することができる程度の混入率で混入する。
【００２７】
ここで、上記した様に、熱伝導性フィラーと樹脂材との塗れ性を向上させるために、熱伝導性フィラーを樹脂材に混入する前に溶剤に浸漬している。つまり、樹脂材には溶剤が含まれることとなり、この溶剤が揮発性を有する揮発分であるために、所定の揮発温度に達すると揮発することとなる。具体的には、本実施例で用いる熱伝導性樹脂に含有される揮発分の揮発温度は１００℃であり、熱伝導性樹脂が１００℃に達した際に熱伝導性樹脂中の揮発分が揮発できる状態であれば、即ち、熱伝導性樹脂が１００℃に達した際に熱伝導性樹脂が未硬化状態であれば、熱伝導性樹脂中の揮発分が揮発することとなる。
なお、揮発分としては、塗れ性向上のための溶剤の他に、熱伝導性樹脂の接着性を出すための有機物（接着発現物）等が考えられる。
【００２８】
また、本実施例で用いる熱伝導性樹脂の硬化温度は、加熱時における熱伝導性樹脂の昇温速度によって変動し、昇温速度が大きい場合には硬化温度は低下し、昇温速度が小さい場合には硬化温度は上昇する。具体的には、この種の熱伝導性樹脂の硬化の温度として一般的に知られている４℃／分の昇温速度で加熱を行った場合には、硬化温度は１００℃よりも高く、３０℃／分の昇温速度で加熱を行なった場合には、硬化温度は１００℃よりも低くなる。
【００２９】
また、接着剤６は、リッド４の凹部頂面と配線基板２の上面とを接着し得るものであれば良く、具体的には付加硬化型シリコーン組成物からなるものが挙げられる。付加硬化型シリコーン組成物は、上述した熱伝導性樹脂５の場合と同様である。ただし、接着剤６は、これに限定されるものではなく、例えば熱硬化性の接着付与成分を有するものであれば、分子内に２ヶ以上のオキシラン環を有する化合物からなる熱硬化性樹脂の様に、エポキシ基を有する組成物からなるものであっても良い。更には、熱硬化型のものではなく、紫外線（ＵＶ）硬化型または電子線（ＥＢ）硬化型のものであっても良い。
【００３０】
次に、上記の様に構成された半導体パッケージを製造する際の手順について説明する。即ち、本発明を適用した半導体パッケージの製造方法の一例を説明する。なお、図２は半導体パッケージを製造する際の、加熱プロファイルを説明するための模式図である。
【００３１】
本発明を適用した半導体パッケージの製造方法の一例では、従来の半導体パッケージの製造方法と同様に、配線基板２に半導体チップ３をフリップチップ実装して、これら配線基板２と半導体チップ３との間に封止樹脂を充填する。次に、半導体チップの上面に熱伝導性樹脂５を塗布するとともに、配線基板２の上面に接着剤６を塗布し、その後にリッド４を配して半導体チップ３を覆う。このとき、リッド４の凹部底面４ａと半導体チップ３の上面とが熱伝導性樹脂５を介して接し、そのリッド４の凹部頂面４ｂと配線基板２の上面とが接着剤６を介して接する様に、リッド４を配する（ここまでは従来の半導体パッケージの製造方法と同様のため、図３（ｃ）参照。）。
【００３２】
続いて、配線基板、半導体チップ及びリッドからなる積層体を加熱器（例えば、オーブンやリフロー装置等）によって、以下の（１）〜（５）に示す様な加熱処理を行う。なお、本実施例では加熱器の初期状態を６０℃として加熱プロファイルを表している。
【００３３】
（１）１秒〜１００秒
１秒〜１００秒の１００秒間は、熱伝導性樹脂及び接着剤を仮硬化することを目的として昇温速度３０℃／分の条件で加熱処理を行い、半導体パッケージを１１０℃まで加熱する（図２中符号（ａ）参照。）。
【００３４】
なお、本実施例では昇温速度３０℃／分の条件で加熱処理を行ったが、加熱処理の条件は必ずしも昇温速度３０℃／分である必要は無く、例えば昇温速度２５０℃／分で１２秒加熱処理を行って半導体パッケージを１１０℃まで加熱しても良い。
【００３５】
ここでは、昇温速度３０℃／分の条件で急速加熱を行なうために、熱伝導性樹脂が仮硬化する温度が低下し、熱伝導性樹脂中に含有する揮発分の揮発温度である１００℃に達する前に熱伝導性樹脂が仮硬化することとなり、揮発温度である１００℃に達したとしても熱伝導性樹脂中の揮発分は揮発せず、熱伝導性樹脂中にボイドは発生しない。
【００３６】
（２）１０１秒〜３００秒
１０１秒〜３００秒の２００秒間は、熱伝導性樹脂及び接着剤を本硬化することを目的として昇温速度３℃／分の条件で加熱処理を行い、半導体パッケージを１２０℃まで加熱する（図２中符号（ｂ）参照。）。
【００３７】
ここで、昇温速度３℃／分の条件で加熱処理を行っているのは、上記した昇温速度３０℃／分の条件で加熱処理を行うことによって仮硬化した熱伝導性樹脂及び接着剤を完全に硬化（本硬化）するためであり、熱伝導性樹脂中の揮発分が揮発しない温度域で熱伝導性樹脂及び接着剤を本硬化することができるのであれば、必ずしも加熱処理を行う必要はなく、所定の温度（例えば、１１０℃）に保持しておいても良い。
【００３８】
（３）３０１秒〜４００秒
３０１秒〜４００秒の１００秒間は、熱伝導性樹脂及び接着剤によって半導体チップとリッド及び半導体チップと配線基板を仮接着することを目的として昇温速度１８℃／分の条件で加熱処理を行い、半導体パッケージを１５０℃まで加熱する（図２中符号（ｃ）参照。）。
【００３９】
なお、本実施例では昇温速度１８℃／分の条件で加熱処理を行ったが、加熱処理の条件は必ずしも昇温速度１８℃／分である必要は無く、例えば昇温速度３０℃／分であっても、昇温速度２５０℃／分であっても良い。
【００４０】
ここで、昇温速度１８℃／分の条件で加熱処理を行っているのは、熱伝導性樹脂及び接着剤によって半導体チップとリッド及び半導体チップと配線基板を仮接着するためであり、これらを仮接着することができれば充分であり、必ずしも熱伝導性樹脂及び接着剤を本硬化させることを目的とした昇度速度３℃／分よりも大きな昇温速度で加熱処理を行う必要は無く、１０１秒〜３００秒までの昇温速度である３℃／分の条件で引き続いて１５０℃まで半導体パッケージを加熱しても良い。
但し、短時間で半導体チップとリッド及び半導体チップと配線基板との仮接着を行なうことで生産性の向上を図ることができるために、熱伝導性樹脂及び接着剤の本硬化後の加熱処理である仮接着のための加熱は、本硬化のための加熱処理よりも大きな昇温速度で行なった方が好ましい。
【００４１】
（４）４０１秒〜１５５０秒
４０１秒〜１５５０秒までの１１５０秒間は、仮接着した半導体チップとリッド及び半導体チップと配線基板を完全に接着することを目的として１５０℃に保持する。（図２中符号（ｄ）参照。）
【００４２】
（５）１５５１秒〜
半導体チップとリッド及び半導体チップと配線基板を完全に接着した後は、半導体パッケージのガラス転移温度以下となるまで急速冷却を行なうことによって、半導体パッケージを得ることができる（図２中符号（ｅ）参照。）。
【００４３】
本発明を適用した半導体パッケージの製造方法では、熱伝導性樹脂及び接着剤を大きな昇温速度で加熱したとしても、熱伝導性樹脂中のボイドの発生を抑制することができるために、半導体パッケージの生産性の向上を図ることができると共に、熱伝導性樹脂中のボイドの発生を抑制した高品質の半導体パッケージを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明を適用した半導体パッケージの製造方法の一例によって製造する半導体パッケージを説明するための模式的な断面図である。
【図２】図１に示す半導体パッケージを製造する際の加熱プロファイルを説明するための模式図である。
【図３】従来の半導体パッケージの製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１    半導体パッケージ
２    配線基板
３    半導体チップ
４    リッド
４ａ  凹部底面
４ｂ  凹部頂面
５    熱伝導性樹脂
６    接着剤
【図１】
2006216591.tif 000003
【図２】
2006216591.tif 000004
【図３】
2006216591.tif 000005