(57)【要約】      （修正有）【課題】ミスフィット転位及び刃状転位の発生を防止し、結晶性を高め、発光素子の特性を向上させる。【解決手段】クラッド層３、５若しくはバリア層４１と井戸層４３との間に、若しくはクラッド層３、５若しくはバリア層４１内の井戸層４３との接合部に、３族窒化物系化合物半導体の３元若しくは２元の化合物を用い、バリア層４１と井戸層４３との格子定数緩和を目的としてその組成を変化させる領域を設ける。例えば、ＡｌＧａＮ→ＧａＮ→ＩｎＧａＮである。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
量子井戸構造を有する３族窒化物系化合物半導体発光素子であって、井戸層の上下に形成される層と井戸層との接合部近傍に該井戸層の上下に形成される層の格子定数が該井戸層の格子定数に近づくように変化して形成されている領域を有することを特徴とする３族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
前記領域は前記井戸層の上下に形成される層内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の３族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項３】
前記井戸層の上下に形成される層はクラッド層であることを特徴とする請求項１及び請求項２に記載の３族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項４】
前記井戸層の上下に形成される層はバリア層（障壁層）であることを特徴とする請求項１及び請求項２に記載の３族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項５】
前記井戸層の上下に形成される層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）で、前記井戸層はＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）で、前記領域はＡｌｘ’Ｇａ１−ｘ ’Ｎ（０≦ｘ’＜１）であり、前記領域におけるｘ’がｘ’＝ｘからｘ’＝０の方向に変化して形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４に記載の３族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項６】
前記井戸層の上下に形成される層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）で、前記井戸層はＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）であり、前記領域は前記井戸層側からＩｎｙ’Ｇａ１−ｙ’Ｎ（０≦ｙ’＜１）とＡｌｘ’Ｇａ１−ｘ ’Ｎ（０≦ｘ’＜１）で形成され、更にｙ’とｘ’は前記井戸層側から、ｙからｙ’＝ｘ’＝０を経由してｘにいたるように変化して形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４に記載の３族窒化物系化合物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、量子井戸構造を有する３族窒化物系化合物半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、３族窒化物系化合物半導体発光素子においては、バンドギャップエネルギーの異なる層を交互に所定周期で積層した多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を用いている。例えば、膜厚２．５ｎｍのＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ から成る井戸層と、膜厚５ｎｍのＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ若しくはＧａＮから成るバリア層とを交互に積層する多重量子井戸（ＭＱＷ）構造、膜厚３ｎｍ程度の井戸層を一層有する単一量子井戸（ＳＱＷ）構造とした青色発光ダイオード（ＬＥＤ）や緑色ＬＥＤがある。また、最近では、発光波長が３８０ｎｍ程度の近紫外領域のＬＥＤや４０５ｎｍ青紫色レーザダイオード（ＬＤ）が提案されており、その構造においては、ＩｎＧａＮからなる井戸層をＡｌＧａＮからなるバリア層で挟む構造となっている。一般的に、上記構造を含むヘテロ接合においては、ヘテロ接合面における格子不整合を起因とする転位の発生により、発光素子においては、光度、出力低下や劣化に伴う寿命短縮といった問題を生じる。３族窒化物系化合物半導体においても図１に示すように格子定数に差があり、同様な問題を有している。特に、最近の３８０ｎｍ程度の近紫外領域のＬＥＤや４０５ｎｍ青紫色ＬＤにおいては、バリア層にＡｌＧａＮを用いているので、転位の発生が顕著になってきている。
【０００３】
一方、３族窒化物系化合物半導体発光素子に関する上記の格子不整合に関する問題を解決するための手段が以下の公知文献に開示されている。
【特許文献１】特開昭和６４−１７４８４号公報
【特許文献２】特開平１１−２６８１２号公報
【特許文献３】特開２００１−２３０４４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１によれば、格子不整合の緩和のみを前提とし、実施例１及び実施例２共に３元系のＩｎＧａＮの発光層を単一の４元系のＡｌＩｎＧａＮ層の電流注入層（クラッド層）で挟んだ構造となっている。しかしながら、良好な結晶性を有する４元系のＡｌＩｎＧａＮは実現されておらず、格子不整合の緩和の面で改善されたとしても発光強度、出力強度の発光素子として最も重要な特性を優れたものとすることはできない。
また、特許文献２によれば、発光層である井戸層のＩｎの組成をバリア層との界面において略等しくさせ、厚さ方向の略中央部において最大になるように連続的に変化して形成した構造となっている。しかしながら、井戸層の組成変化は、井戸層内に複数の準位を形成することになり、結果的に多数の発光準位、即ち、多数の発光波長を発生させることになり好ましくない。また、一般的には、井戸層は非常に薄いため、井戸層内で組成変化を行うことは困難である。
さらに特許文献３によれば、基板とｎコンタクト層との間の格子不整合を緩和するため、バッファ層である窒化アルミニウム（ＡｌＮ）とｎコンタクト層である窒化ガリウム（ＧａＮ）層との間にＡｌＧａＮ層を挿入し、そのＡｌの組成を段階的に変化させた構造となっている。しかしながら、この構造を発光層に適用できるかどうか、どのように適用するかに関し、開示も示唆もされていない。
従って、本発明の目的は、上記課題に鑑み、量子井戸構造を有する３族窒化物系化合物半導体発光素子に関し、井戸層の界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制し、ミスフィット転位に起因する刃状転位の発生を防止し、結晶性を高めると同時に、更に素子特性（発光強度、出力強度や寿命）が向上した３族窒化物系化合物半導体発光素子を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の手段によれば、量子井戸構造を有する３族窒化物系化合物半導体発光素子であって、井戸層の上下に形成される層と井戸層との接合部近傍に該井戸層の上下に形成される層の格子定数が該井戸層の格子定数に近づくように変化して形成されている領域を有することを特徴とする。この構造を採用することにより、井戸層の界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制すると同時に、井戸層における複数の準位発生を抑えることができるので、結晶性を高めると同時に、更に素子特性を向上させることができる。
【０００６】
上記の課題を解決するために、請求項２に記載の手段によれば、前記領域は前記井戸層の上下に形成される層内に形成されていることを特徴とする。新たな層とすることなく井戸層の上下に形成される層から井戸層へと連続的に変化させることができる。
上記の課題を解決するために、請求項３に記載の手段によれば、前記井戸層の上下に形成される層はクラッド層であることを特徴とする。単一量子井戸構造においては、井戸層の上下に形成される層はクラッド層としても作用するため、この領域の存在により井戸層の界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制すると同時に、井戸層における複数の準位発生を抑えることができるので、結晶性を高めると同時に、更に素子特性を向上させることができる。
上記課題を解決するために、請求項４に記載の手段によれば、前記井戸層の上下に形成される層は障壁層（バリア層）であることを特徴とする。多重量子井戸（ＭＱＷ）構造に適用した場合にもこの領域の存在により井戸層の界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制すると同時に、井戸層における複数の準位発生を抑えることができるので、結晶性を高めると同時に、更に素子特性を向上させることができる。
上記課題を解決するために、請求項５に記載の手段によれば、前記井戸層の上下に形成される層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）で、前記井戸層はＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）で、前記領域はＡｌｘ’Ｇａ１−ｘ ’Ｎ（０≦ｘ’＜１）であり、前記領域におけるｘ’がｘ’＝ｘからｘ’＝０の方向に変化して形成されていることを特徴とする。結晶性の良好な３元系の３族窒化物半導体を用いることにより、かつ井戸層との界面においては、最も結晶性の良好なＧａＮ（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ ’Ｎにおけるｘ’＝０）を用いることにより、井戸層の界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制すると同時に、井戸層における複数の準位発生を抑えることができるので、結晶性を高めると同時に、更に素子特性を向上させることができる。
上記課題を解決するために、請求項６に記載の手段によれば、前記井戸層の上下に形成される層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）で、前記井戸層はＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）であり、前記領域は前記井戸層側からＩｎｙ’Ｇａ１−ｙ’Ｎ（０≦ｙ’＜１）とＡｌｘ’Ｇａ１−ｘ ’Ｎ（０≦ｘ’＜１）で形成され、更にｙ’とｘ’は前記井戸層側から、ｙからｙ’＝ｘ’＝０を経由してｘにいたるように変化して形成されていることを特徴とする。結晶性の良好な３元系（ＡｌＧａＮとＩｎＧａＮ）と最も結晶性の良好なＧａＮ（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ ’Ｎにおけるｘ’＝０及びＩｎｙ’Ｇａ１−ｙ’Ｎにおけるｙ’＝０）を組合せることにより井戸層の界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制すると同時に、井戸層における複数の準位発生を抑えることができるので、結晶性を高めると同時に、更に素子特性を向上させることができる。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１乃至請求項６の発明は、井戸層の界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制し、ミスフィット転位に起因する刃状転位の発生を防止し、結晶性を高めると同時に、更に素子特性（発光強度、出力強度や寿命）が向上した半導体素子。特に結晶性の良好な３元及び２元系の組成を用いることにより、その効果は顕著となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図２は、サファイア基板１上に形成された半導体層側から光を放射する型の３族窒化物半導体から成る発光素子１０の模式的な断面構成図である。基板１の上にはＡｌＮから成る膜厚約２５ｎｍのバッファ層２が設けられ、その上にはシリコン(Ｓｉ)ドープのＧａＮから成る膜厚約４．０μｍの高キャリア濃度層３が形成されている。そして、高キャリア濃度層３の上に膜厚約８ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎから成るバリア層４１と、このバリア層内であって、後述する井戸層に接する厚さ約１．５ｎｍでＡｌの組成がＧａＮになり、さらにはＩｎの組成が連続して変化している領域４２、膜厚約３ｎｍのＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎから成る井戸層４３とが交互に積層された多重量子井戸層４が形成されている。バリア層４１は４層、井戸層４３は３層で構成されている。多重量子井戸層４の上にはｐ型Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎ から成る膜厚約２０ｎｍのクラッド層５が形成されている。さらに、クラッド層５の上にはｐ型ＧａＮ から成る膜厚約１００ｎｍのコンタクト層６が形成されている。なお、本実施例では領域４２の膜厚を１．５ｎｍとしたが、領域４２の膜厚は、バリア層の膜厚の１／４０〜３／８の範囲であることが望ましい。領域４２の膜厚が厚すぎると、バリア層の材料組成に基づく複数の量子準位が井戸層内に形成され、特許文献２と同様な問題を発生する。また、領域４２が薄すぎると、後述する温度の上下や組成の制御が難しくなるからである。
又、コンタクト層６の上には透光性の電極７が、高キャリア濃度層３上には電極８が形成されている。電極７の上には、更にボンディング用の電極９が形成されている。コンタクト層７に接合する透光性の電極７は膜厚約１５０ｎｍのＩＴＯであり、電極８は膜厚約２０ｎｍのバナジウム(Ｖ) と膜厚約１．８μｍのアルミニウム(Ａｌ)、ボンディング用の電極９は約２．０μｍの金（Ａｕ）で構成されている。
次に、この発光素子１０の製造方法について説明する。上記発光素子１０は、有機金属気相成長法（以下「ＭＯＶＰＥ」と略す）による気相成長により製造された。用いられたガスは、アンモニア（ＮＨ３） 、キャリアガス（Ｈ２、Ｎ２） 、トリメチルガリウム(Ｇａ（ＣＨ３）３)（以下「ＴＭＧ」と記す）、トリメチルアルミニウム(Ａｌ（ＣＨ３）３)（以下「ＴＭＡ」と記す）、トリメチルインジウム(Ｉｎ（ＣＨ３）３)（以下「ＴＭＩ」と記す）、シラン(ＳｉＨ４)とシクロペンタジエニルマグネシウム(Ｍｇ（Ｃ２Ｈ５）２)（以下「ＣＰ２Ｍｇ」と記す）である。
（結晶成長）
まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したａ面を主面とした単結晶のサファイア基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常圧でＨ２を反応室に流しながら温度１１００℃で基板１をベーキングした。次に、基板１の温度を４００ ℃まで低下させて、Ｈ２、ＮＨ３、ＴＭＡを供給してＡｌＮから成るバッファ層２を約２５ｎｍの膜厚に形成した。次に、基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２、ＮＨ３、ＴＭＧ、シランを供給し、膜厚約４．０μｍ、電子濃度２×１０１８／ｃｍ３のＧａＮから成る高キャリア濃度層３を形成した。
上記の高キャリア濃度層３を形成した後、基板１の温度を９００℃にしてＮ２、ＮＨ３、ＴＭＡ、ＴＭＧを供給して、膜厚約５ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる層を形成し、次に、基板１の温度を低下させながらＴＭＡの供給量を減少させ、ＴＭＡの供給量が０になった後、ＴＭＩの供給量を増加させ、膜厚約１．５ｎｍの領域４２を形成した。この温度低下では、基板１の温度が６００℃になった時に井戸層Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎを形成すべくＴＭＩを供給するよう設定されている。本実施例においては、膜厚約５ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる層と膜厚約１．５ｎｍの領域４２を最初のバリア層４１とする。次にＮ２、ＮＨ３、ＴＭＧ、ＴＭＩを供給して膜厚約３ｎｍのＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ井戸層５２を形成した。次に、基板の温度を上昇させながらＮ２、ＮＨ３、ＴＭＧの供給量は一定で、ＴＭＩの供給量を減少させ、ＴＭＩの供給量が０になった後、ＴＭＡの供給量を増加させ、膜厚約１．５ｎｍの領域４２を形成した。この温度上昇では、基板１の温度が９００℃になった時に次のＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎを形成すべくＴＭＡを供給するように設定されている。続いてＮ２、ＮＨ３、ＴＭＡ、ＴＭＧを供給して、膜厚約５ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる層を形成し、次に、基板１の温度を低下させながらＴＭＡの供給量を減少させ、ＴＭＡの供給量が０になった後、ＴＭＩの供給量を増加させ、膜厚約１．５ｎｍの領域４２を形成した。この温度低下では、基板１の温度が６００℃になった時に井戸層Ｉｎ０．１ａ０．９Ｎを形成すべくＴＭＩを供給するよう設定されている。従って、第２のバリア層においては、膜厚約５ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる層と２層の膜厚約１．５ｎｍの領域４２の計８ｎｍがバリア層４１となる。同様にバリア層と井戸層の形成を繰り返し、最終の井戸層を形成した後、基板の温度を上昇させながらＮ２、ＮＨ３、ＴＭＧの供給量は一定で、ＴＭＩの供給量を減少させ、ＴＭＩの供給量が０になった後、ＴＭＡの供給量を増加させ、膜厚約１．５ｎｍの領域４２を形成した。この温度上昇では、基板１の温度が９００℃になった時に次のＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎを形成すべくＴＭＡを供給するように設定されている。続いてＮ２、ＮＨ３、ＴＭＡ、ＴＭＧを供給して、膜厚約５ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる層を形成した。従って、最後のバリア層においては膜厚約１．５ｎｍの領域４２と膜厚約５ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる層の計５．５ｎｍバリア層４１となる。（図３）
次に、基板１の温度を１０００℃に保持し、Ｈ２、Ｎ２、ＮＨ３、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＣＰ２Ｍｇを供給して、５×１０１９／ｃｍ３のマグネシウム(Ｍｇ)をドープした膜厚約２０ｎｍの濃度ｐ型Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎ から成るクラッド層５を形成した。次に、Ｈ２、Ｎ２、ＮＨ３、ＴＭＧ、ＣＰ２Ｍｇを供給して、５×１０１９／ｃｍ３のマグネシウム(Ｍｇ)をドープした膜厚約１００ｎｍの濃度ｐ型ＧａＮ から成るコンタクト層６を形成した。
（電極の形成）
次に、コンタクト層６の上にエッチングマスクを形成し、所定領域のエッチングマスクを除去して、エッチングマスクで覆われていない部分のコンタクト層６、クラッド層５、多重量子井戸層４及び高キャリア濃度層３の一部を塩素を含むガスによる反応性イオンエッチングによりエッチングし、高キャリア濃度層３の表面を露出させた。次に、エッチングマスクを残した状態で、全面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィにより高キャリア濃度層３の露出面上の所定領域に窓を形成し、膜厚約２０ｎｍのバナジウム（Ｖ）と膜厚約１．８μｍのＡｌの電極８を成膜する。
（透光性電極の形成）
次に、表面上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフによりコンタクト層６上の電極形成部分のフィトレジストを除去して窓を形成し、コンタクト層６を露出させる。露出させたコンタクト層６の上に、膜厚約１５０ｎｍのＩＴＯを成膜する。次に、試料を装置から取り出し、リフトオフ法によりフォトレジスト上に堆積したＩＴＯを除去し、コンタクト層６に対する透光性の電極７を形成する。
（ボンディング用電極の形成）
次に、表面上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフにより透光性の電極７上の電極形成部分のフィトレジストを除去して窓を形成し、透光性の電極８を露出させる。露出させた透光性の電極８の上に、膜厚約２．０μｍのＡｕを成膜する。次に、試料を装置から取り出し、リフトオフ法によりフォトレジスト上に堆積したＡｕを除去し、ボンディング用の電極９を形成する。
この後、試料雰囲気を真空ポンプで排気し、Ｏ２ガスを供給して圧力３Ｐａとし、その状態で雰囲気温度を約５００ ℃にして、３分程度、加熱し、コンタクト層６、クラッド層５をｐ型低抵抗化すると共にコンタクト層６と電極７との合金化処理、高キャリア濃度層３と電極８との合金化処理を行った。
（実施の形態２）
最良の形態においては、領域４２の組成を、井戸層を形成する前として、ＡｌＧａＮ→ＧａＮ→ＩｎＧａＮの順で変化させたが、ＡｌＧａＮ→ＧａＮとする場合も効果がある。この場合には、以下の手順となる。即ち、高キャリア濃度層３を形成した後、基板１の温度を９００℃にしてＮ２、ＮＨ３、ＴＭＡ、ＴＭＧを供給して、膜厚約５ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる層を形成し、次に、基板１の温度を低下させながらＴＭＡの供給量を減少させ、膜厚約１．５ｎｍの領域４２を形成した。この温度低下では、基板１の温度が６００℃になった時にＴＭＡの供給量が０（ゼロ）となるようにＴＭＡの供給量が設定されている。本実施例においては、膜厚約５ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる層と膜厚約１．５ｎｍの領域４２を最初のバリア層４１とする。次にＮ２、ＮＨ３、ＴＭＧ、ＴＭＩを供給して膜厚約３ｎｍのＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ井戸層５２を形成した。次に、基板の温度を上昇させながらＮ２、ＮＨ３、ＴＭＧの供給量は一定で、ＴＭＡの供給量を増加させ、膜厚約１．５ｎｍの領域４２を形成した。この温度上昇では、基板１の温度が９００℃になった時に次のＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎを形成すべくＴＭＡを供給するように設定されている。続いてＮ２、ＮＨ３、ＴＭＡ、ＴＭＧを供給して、膜厚約５ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる層を形成し、次に、基板１の温度を低下させながらＴＭＡの供給量を減少させ、膜厚約１．５ｎｍの領域４２を形成した。この温度低下では、基板１の温度が６００℃になった時にＴＭＡの供給量が０（ゼロ）となるようにＴＭＡの供給量が設定されている。従って、第２のバリア層においては、膜厚約５ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる層と２層の膜厚約１．５ｎｍの領域４２の計８ｎｍがバリア層４１となる。同様にバリア層と井戸層の形成を繰り返し、最終の井戸層を形成した後、基板の温度を上昇させながらＮ２、ＮＨ３、ＴＭＧの供給量は一定で、ＴＭＡの供給量を増加させ、膜厚約１．５ｎｍの領域４２を形成した。この温度上昇では、基板１の温度が９００℃になった時に次のＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎを形成すべくＴＭＡを供給するように設定されている。続いてＮ２、ＮＨ３、ＴＭＡ、ＴＭＧを供給して、膜厚約５ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる層を形成した。従って、最後のバリア層においては膜厚約１．５ｎｍの領域４２と膜厚約５ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎからなる層の計５．５ｎｍバリア層４１となる。
【０００９】
（結果）  
上記の実施例の結果、領域４２の組成を、ＡｌＧａＮ→ＧａＮ→ＩｎＧａＮの順で変化させた場合に、発光光度で１５％程度、ＡｌＧａＮ→ＧａＮ順で変化させた場合に、発光光度で１０％程度の向上が見られた。両例ともに領域４２のない場合と発光スペクトルに変化はみられなかった。なお、上記実施例は、多重量子井戸構造に関するものであったが、単一量子井戸構造においても同様である。この場合、バリア層の代わりにクラッド層内若しくはクラッド層とは別に井戸層との接合部近傍に該井戸層の上下に形成される層の格子定数が該井戸層の格子定数に近づくように変化して形成されている領域を設けても良い。また、この井戸層との接合部近傍に該井戸層の上下に形成される層の格子定数が該井戸層の格子定数に近づくように変化して形成されている領域はバリア層とは別に設けても同様な効果を奏するのは明らかである。さらには、上記実施例は、井戸層の上下にバリア層を有する場合であるが、井戸層から始まるＭＱＷ構造や、片側のみにバリア層が存在するＭＱＷ構造（井戸層／バリア層／・・・／井戸層／バリア層／クラッド層など）の場合にも同様な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】３族窒化物系化合物半導体における材料組成と格子定数との関係を示した図である。
【図２】発明を実施するための最良の形態における３族窒化物系化合物半導体発光素子の構成を示した模式図である。
【図３】発明を実施するための最良の形態におけるバリア層４１（領域４２を含む）と井戸層４３を構成する材料組成と格子定数との関係を示した図である。
【符号の説明】
【００１１】
１    サファイア基板
２    ＡｌＮバッファ層
３    高キャリア濃度層
５    クラッド層
６    コンタクト層
７    透光性電極
８    ｎ電極
９    ボンディング電極
１０  発光素子
４１  バリア層
４２  格子定数が該井戸層の格子定数に近づくように変化して形成されている領域
４３  井戸層
【図１】
2006210692.tif 000003
【図２】
2006210692.tif 000004
【図３】
2006210692.tif 000005