(57)【要約】      （修正有）【課題】回路パッケージにおいて、スイッチングによるサージ電圧抑制及びスイッチング損失低減した電力変換装置（MCI）用の回路パッケージを提供する。【解決手段】第１のスイッチング回路(SW1:1,2)が、第１の電源の正極端子と第１の双方向スイッチング回路の一方の端子とを接続する第１のバスバ(11)と第３のスイッチング回路の一方の端子と負荷とを接続する第３のバスバ(14)とで圧接され第２のスイッチング回路(SW2:3,4)が、第２の電源の正極端子と第２のスイッチング回路の一方の端子とを接続する第２のバスバ(12)と第３のバスバとで圧接され第３のスイッチング回路(SW3:5,6)が第３のスイッチング回路の他方の端子と第１および第２の電源の共通電位である負極とを接続する第４のバスバ(13)と第３のバスバとで圧接され、これら第１、第２、および第３のスイッチング回路を１つのパッケージとしたことを特徴とする。【選択図】  図２
2006310571.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
双方向にスイッチング可能な第１のスイッチング回路、双方向にスイッチング可能な第２のスイッチング回路、および、少なくとも一方の方向にスイッチング可能な第３のスイッチング回路を具えた回路パッケージであって、
前記第１のスイッチング回路が、第１の電源の正極端子と前記第１の双方向スイッチング回路の一方の端子とを接続する第１のバスバと、前記第３のスイッチング回路の一方の端子と負荷とを接続する第３のバスバとで圧接され、
前記第２のスイッチング回路が、第２の電源の正極端子と前記第２のスイッチング回路の一方の端子とを接続する第２のバスバと、前記第３のバスバとで圧接され、
前記第３のスイッチング回路が、前記第３のスイッチング回路の他方の端子と前記第１および第２の電源の共通電位である負極とを接続する第４のバスバと前記第３のバスバとで圧接され、
これら第１、第２、および第３のスイッチング回路を１つのパッケージとした、
ことを特徴とする回路パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の回路パッケージにおいて、
前記第１のスイッチング回路から第３のスイッチング回路までの距離と、前記第２のスイッチング回路から第３のスイッチング回路までの距離とを等しくした、
ことを特徴とする回路パッケージ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の回路パッケージにおいて、
前記回路パッケージが、少なくとも１つの分割ケーシングをさらに具え、
前記少なくとも１つの分割ケーシングが、前記第１、第２、および第３のバスバのうち少なくとも２つの極性のバスバを収容する、
ことを特徴とする回路パッケージ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路パッケージにおいて、
前記第１のスイッチング回路から第３のスイッチング回路までの距離と、前記第２のスイッチング回路から第３のスイッチング回路までの距離と、前記第１のスイッチング回路から第２のスイッチング回路までの距離とをすべて等しくした、
ことを特徴とする回路パッケージ。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路パッケージにおいて、
前記回路パッケージが、順次に重ね合わせた第１、第２、および第３の分割ケーシングをさらに具え、
前記第１の分割ケーシングが、同一平面上に配置した前記第１および前記第２の双方向スイッチング回路に圧接される前記第１および前記第２のバスバを収容し、
前記第２の分割ケーシングが、前記同一平面上に配置した前記第１および前記第２の双方向スイッチング回路に圧接される前記第３のバスバを収容し、
第３の分割ケーシングが、前記第３の双方向スイッチング回路に圧接される前記第４のバスバを収容する、
ことを特徴とする回路パッケージ。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路パッケージにおいて、
前記回路パッケージが、第１および第２の分割ケーシングをさらに具え、
第１の分割ケーシングが、同一平面上に配置した前記第１、第２、第３の双方向スイッチング回路を圧接する前記第１、第２、および第４のバスバを収容し、
前記第２の分割ケーシングが、前記同一平面上に配置した前記第１、第２、第３の双方向スイッチング回路を圧接する前記第３のバスバを収容し、
ことを特徴とする回路パッケージ。
【請求項７】
請求項２〜６のいずれか１項に記載の回路パッケージにおいて、
前記分割ケーシングのうち少なくとも１つが、
絶縁性樹脂であり、それに収容される前記バスバと一体成型されている、
ことを特徴とする回路パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路パッケージに関するものであり、より詳細には電力変換装置(MCI)用の回路パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来技術として、互いに並列に接続した二つの電源を備え、これらの二つの電源をDC／DCコンバータを介して接続する事によって互いに電力の移動を可能とした電源装置が知られている（特開２００２-１１８９８１号公報（特許文献１を参照されたい。）。このような電源装置においてはDC／DCコンバータを用いている為に、システムの大型化やコストアップを招くという問題が有る。そこで、本出願人は、複数電源を用いて電圧変換をする電力変換装置（以下、MCIと称することがある。）であり、その複数電源の入出力電力の切り替えや配分などを自由にコントロールすることを可能とし、電圧源の供給電力を制御することを可能とする電力変換装置を開発した（特願2004-200483号）。また、当該変換装置では、インバータ損失とモータ損失の両方をより低減することが可能である。さらに、当該変換装置は、このような電力変換装置を搭載した２電源系車両を提供することも可能である。
このMCIの具体的な構成は、例えば１つのスイッチング素子に対して更にスイッチング素子やダイオードを並列に逆接続して双方向スイッチング回路を形成し、第１の双方向スイッチング回路の一方端子を第１の電源の正極に接続し、第２の双方向スイッチング回路の一方端子を第２の電源の正極に接続し、第１及び第２の双方向スイッチング回路の電源に接続された側とは逆の端子同士を接続して並列回路を構成し、この並列回路に第３の双方向スイッチング回路の一方端子を接続し、他方端子を第１及び第２の電源の負極端子に接続したものを1相として、これを3相並列に接続し、各相の並列回路と双方向スイッチング回路との接続中点を3相交流電動機の各巻線に接続した構成である。このような構成を取る事によって、DC／DCコンバータを設ける事無く、第１の電源と第２の電源とで互いに電力の移動を可能とすると共に、3相交流電動機へ供給する電力を制御可能となる。
【特許文献１】特開２００２-１１８９８１号公報（段落0004-0006、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
通常の平面型回路パッケージの半導体装置では、スイッチ素子や電極の結線にワイヤボンディング加工を使用しており、このようなワイヤボンディング加工でMCIの回路を構成する場合に装置が大きくなると共に、インバータ回路としての配線経路が長くなってしまうという問題があるため、ワイヤボンディング加工よりもさらに低コストかつ生産性の良い技法の活用が必要とされていた。また、MCI回路を形成する場合には、一相当りの半導体素子が6個（双方向スイッチング回路×3）必要となるが、スイッチングによるサージ電圧抑制及びスイッチング損失低減のために回路のインダクタンスをさらに低減する必要がある。即ち、MCI構成ではさらなるインダクタンス低減が望まれており、さらにコスト、生産性などでも改善が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上述した諸課題を解決すべく、第１の発明による回路パッケージは、
双方向にスイッチング可能な第１のスイッチング回路、双方向にスイッチング可能な第２のスイッチング回路、および、（一方の端子が第１および第２の電源の共通電位を持つ負極に接続されるべきであって、他方の端子が前記第１および第２のスイッチング回路の他方の端子に接続されるべき）少なくとも一方の方向（好適には双方向）にスイッチング可能な第３のスイッチング回路を具えた回路パッケージであって、
前記第１のスイッチング回路（例えばそれを構成する二つのスイッチング素子）が、第１の電源の正極端子と前記第１の双方向スイッチング回路の一方の端子とを接続する第１のバスバと、前記第３のスイッチング回路の一方の端子と負荷（３相モータなど）とを接続する第３のバスバとで圧接され、
前記第２のスイッチング回路（例えばそれを構成する二つのスイッチング素子）が、第２の電源の正極端子と前記第２のスイッチング回路の一方の端子とを接続する第２のバスバと、前記第３のバスバとで圧接され、
前記第３のスイッチング回路（例えばそれを構成する二つのスイッチング素子）が、前記第３のスイッチング回路の他方の端子と前記第１および第２の電源の共通電位である負極とを接続する第４のバスバと前記第３のバスバとで圧接され、
これら第１、第２、および第３のスイッチング回路を１つのパッケージとした、
ことを特徴とする。
【０００５】
また、第2の発明による回路パッケージは、
前記第１のスイッチング回路から第３のスイッチング回路までの距離と、前記第２のスイッチング回路から第３のスイッチング回路までの距離とを等しくした、
ことを特徴とする。
【０００６】
また、第３の発明による回路パッケージは、
前記回路パッケージが、少なくとも１つの分割ケーシングをさらに具え、
前記少なくとも１つの分割ケーシングが、前記第１、第２、および第３のバスバのうち少なくとも２つの極性のバスバを収容（支持）する、
（即ち、前記第１、第２、および第３のバスバのうち少なくとも２つの極性のバスバが、１つの分割ケーシング内に配置されている）
ことを特徴とする。
【０００７】
また、第４の発明による回路パッケージは、
前記第１のスイッチング回路から第３のスイッチング回路までの距離と、前記第２のスイッチング回路から第３のスイッチング回路までの距離と、前記第１のスイッチング回路から第２のスイッチング回路までの距離とをすべて等しくした、
ことを特徴とする。
【０００８】
また、第５の発明による回路パッケージは、
前記回路パッケージが、順次に重ね合わせた第１、第２、および第３の分割ケーシングをさらに具え、
前記第１の分割ケーシングが、同一平面上に配置した前記第１および前記第２の双方向スイッチング回路に圧接される前記第１および前記第２のバスバを収容（支持）し、
前記第２の分割ケーシングが、前記同一平面上に配置した前記第１および前記第２の双方向スイッチング回路に圧接される前記第３のバスバを収容（支持）し、
第３の分割ケーシングが、前記第３の双方向スイッチング回路に圧接される前記第４のバスバを収容（支持）する、
（即ち、同一平面上に配置された前記第１および前記第２の双方向スイッチング回路を前記第１の分割ケーシング内に配置した前記第１および前記第２のバスバと、前記第２の分割ケーシング内に配置された前記第３のバスバとで圧接し、
同一平面上に配置した前記第１および前記第２の双方向スイッチング回路を前記第１の分割ケーシング内に配置された前記第１および前記第２のバスバと、前記第２の分割ケーシング内に配置された前記第３のバスバとで圧接し、
第３の双方向スイッチング回路を第２の分割ケーシングに配置された第３のバスバと第３の分割ケーシングに配置された第４のバスバで圧接する）
ことを特徴とする。
【０００９】
また、第６の発明による回路パッケージは、
前記回路パッケージが、第１および第２の分割ケーシングをさらに具え、
第１の分割ケーシングが、同一平面上に配置した前記第１、第２、第３の双方向スイッチング回路を圧接する前記第１、第２、および第４のバスバを収容（支持）し、
前記第２の分割ケーシングが、前記同一平面上に配置した前記第１、第２、第３の双方向スイッチング回路を圧接する前記第３のバスバを収容（支持）し、
（即ち、二分割のケーシングからなり、同一平面上に配置した第１、第２、第３の双方向スイッチング回路を、第１の分割ケーシング内に配置された第１、第２、第４のバスバと、第２の分割ケーシングな内に配置した第３のバスバで圧接した）
ことを特徴とする。
【００１０】
また、第７の発明による回路パッケージは、
前記分割ケーシングのうち少なくとも１つが、
絶縁性樹脂であり、それに収容（支持）される前記バスバと一体成型されている、
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
第１の発明によれば、各スイッチの端子や電極を接続するワイヤボンディング工程が不要になり、より簡易、低コスト、かつ生産性の高い圧接工程で回路パッケージを提供できるようになる。また、第１、第２の電源の正極バスバ、出力バスバ、負極バスバに流れる電流経路を立体的に形成する構成を取ることも可能になり、回路パッケージが小型化され回路のインダクタンスを低減できる。このような回路パッケージは、本出願人が開発したMCIの１相分の回路構成として利用でき、低コストでMCIを提供することが可能となる。
また、第２の発明によれば、第１及び第２のスイッチング回路でのインダクタンスを等価、且つ最小にし、スイッチング回路のサージ電圧の抑制及びスイッチング損失の低減を達成できる。
また、第３の発明によれば、少なくとも二つの極性のバスバが１つの分割ケーシング内に配置されている構造としたため、二つ以上の極性を１つのケーシングにまとめることにより、無駄なスペースを排除でき、パッケージの小型化が可能となる。
また、第４の発明では、第１及び第２のスイッチング回路から第３のスイッチング回路までの距離と、第１のスイッチング回路から第２のスイッチング回路までの距離を等しくした構造をとっているため、MCIでは、第１の電源から第２の電源へ、或いはその逆方向に充電する電流経路を作る動作条件ができるが、その電流経路においても距離を最短にすることができ、よって双方のインダクタンスを等価かつ最小にすることができ、さらに電源間に流れる電流のスイッチング時のサージを抑制することが可能となる。例えば、第４の発明の具体的な構成としては、第１及び第２のスイッチング回路を並置し、第３のスイッチング回路を第１、第２のスイッチング回路の両方に隣接するように配置した構造にすればよい。
【００１２】
また、第５の発明では、三分割のケーシングを重ね合わせて、同一平面上に配置した第１及び第２の双方向スイッチング回路を第１の分割ケーシング内に配置された第１、第２のバスバと、第２の分割ケーシング内に配置された第３のバスバで圧接し、第３の双方向スイッチング回路を第２の分割ケーシングに配置された第３のバスバと第３の分割ケーシングに配置された第４のバスバで圧接する構造をとっているため、MCI回路の投影面積を最小にすることができ、装置の小型化が可能となる。
また、第６の発明では、二分割のケーシングからなり、同一平面上に配置された第１、第２、第３の双方向スイッチング回路を、第１の分割ケーシング内に配置された第１、第２、第４のバスバと、第２の分割ケーシングな内に配置した第３のバスバで圧接した構造をとっているため、冷却器を一系統にすることができ、小型化、低コスト化ができる。
また、第７の発明では、分割ケーシングとバスバを絶縁性樹脂で一体成型した構造をとっているため、ケーシングを容易に作製できるようになり、コスト低減及び組立工程が容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以降、諸図面を参照しつつ、本発明の実施態様を詳細に説明する。図1にMCI（Multi−power Control Inverter）構成の一例として、逆阻止IGBTを互いに逆方向に並列接続して双方向スイッチング素子を形成した場合の基本回路構成を示す。第1の電源と第2の電源に電位差が生じた場合、電極間に逆バイアスが印加される可能性があるため、スイッチング素子には逆阻止IGBTを使用する必要がある。図に示すように、MCI回路は、逆阻止IGBT1（第1の電源の正極側順方向）、逆阻止IGBT2（第1の電源の正極側逆方向）を逆並列に接続した第１のスイッチング回路SW1、逆阻止IGBT3〈第2の電源の正極側順方向〉、逆阻止IGBT4（第2の電源の正極側逆方向）を逆並列に接続した第２のスイッチング回路SW2、IGBT5（電源の負極側）、ダイオード6（電源の負極側）を逆並列に接続した第３のスイッチング回路SW3を具える。第１のスイッチング回路は、第１の電源の正極P1に繋がる第1の電源の正極バスバ11と、MCI出力バスバ14とに接続される。また、第２のスイッチング回路は、第２の電源の正極P2に繋がる第２の電源の正極P2と、MCI出力バスバ14とに接続される。そして、第３のスイッチング回路は、負極（第１および第２の電源の共通電位）Nに繋がる電源の負極バスバ13と、MCI出力バスバ14とに接続されている。
【００１４】
本願発明を説明する前に、従来例として図５に図１のMCI回路をワイヤボンディング工程で作製した場合の回路パッケージの構成図を示す。図に示すようにワイヤボンディング加工で各スイッチと電極とをワイヤーで結線してある。このように従来の回路構成では、基板面積が大きく、回路パッケージの小型化が困難であり、スイッチなどの結線にワイヤボンディング加工が必要であり、コスト、生産性などの面で不利であった。
【実施例１】
【００１５】
実施例１として、図１に示したMCI回路に本発明を適用した回路パッケージの素子構造を図２に示す。図２のa）は半導体パッケージ内のチップ及びバスバ配置園、b）は半導体パッケージのA−A断面図、C）はB−B断面図を示す。図に示すように、周壁を絶縁部材51で形成し、第1、第2の電源の正極バスバ11，12と一体となったパッケージ41と、周壁を絶縁部材52で形成し、出力バスバ14と一体となった分割ケーシング42と、周壁を絶縁部材53で形成し、負極バスバ13と一体となった分割ケーシング43の3分割ケーシングからなる。絶縁部材51〜52に用いられる材料としては、高温環境に耐えうるような材料が好ましく、PPS，PBT，PAなどが用いられる。バスバ11〜14に用いられる材料は導電性および伝熱性に優れたものが好ましく、銅やアルミ、または各々を主材料とする合金などが用いられる。ケーシングを構成する絶縁部材とバスバは、組立工程が簡略化できることから一体成型したものが好ましいが、接着等による一体化でもよい。
【００１６】
逆阻止IGBT1のコレクタ電極及び逆阻止IGBT 2のエミッタ電極を第1の電源の正極バスバ11に接続し、逆阻止IGBT 1のエミッタ電極及び逆阻止IGBT2のコレクタ電極を出力バスバ14に接続することにより、第1の双方向スイッチング素子SW1を形成する。同様に、逆阻止IGBT3のコレクタ電極及び逆阻止IGBT4のエミッタ電極を第2の電源の正極バスバ12に接続し、逆阻止IGBT3のエミッタ電極及び逆阻止IGBT4のコレクタ電極を出力バスバ14に接続することにより、第2の双方向スイッチング素子SW2を形成する。また、IGBT5のコレクタ電極及びダイオード6のカソード電極を出力バスバ14に接続し、IGBT5のエミッタ電極及びダイオード6のアノード電極を第1及び第2の電源の負極バスバ13に接続することにより、MCIの下側アームを形成する。この上下に冷却器21、22を配置し、半導体チップで生じる損失による発熱を吸収し、素子を冷却する。
そして、本発明では、バスバ11、12、13、14と半導体チップ1〜6の接続は、ワイヤボンディング加工ではなく上下冷却器21、22を加圧することにより行う。このとき、半導体チップを保護するために半導体チップ表面及び裏面にはモリブデンなどの半導体チップと線膨張係数がほぼ等しく、高ヤング率のチップ保護板31、32を挿入する。また、チップ保護板31、32よりヤング率の低い、例えば銅やアルミニウムやそれらを主成分とする合金などでできたブロック33を挿入することで、半導体チップの微小な段差や傾きを吸収する。
本構成により、ワイヤボンディング加工が不要になり、電源の正極と負極との距離を最短、且つ互いに平行して配置することができるため、正極から負極につながる回路のインダクタンスを低減することができ、スイッチング時のサージを抑制すると共に、スイッチング損失を低減することが可能となる。
【実施例２】
【００１７】
実施例２として、図１に示したMCI回路に本発明を適用した回路パッケージの素子構造を図３に示す。この例は、第2の発明による回路パッケージを実現するために、各スイッチを平面上にレイアウトし、第１のスイッチング回路SW1から第３のスイッチング回路SW3までの距離Int1と、前記第２のスイッチング回路SW2から第３のスイッチング回路SW3までの距離Int2とを等しくした構成である。
【実施例３】
【００１８】
実施例３として、図１に示したMCI回路に本発明を適用した回路パッケージの素子構造を図４に示す。図４のa）は半導体パッケージ内のチップ及びバスバ配置図、b）は半導体パッケージのA−A断面図、C）はB−B断面図を示す。図に示すように、周壁を絶縁部材54で形成し、第1、第2の電源の正極バスバ11，12と負極バスバ13が一体となったパッケージ44と、周壁を絶縁部材55で形成し、出力バスバ14と一体となった分割ケーシング45の、2分割ケーシングからなる。実施例1に対して第1、第2の電源の正極11，12、及び負極13を同一平面状に配置している。これにより、半導体パッケージの上下両面に必要であった冷却器を半導体パッケージの片面にのみ配置することですベての半導体チップを冷却することができるため、水冷式の冷却器を用いる場合には冷却水路の設計が容易になる。また、半導体チップに加わる加圧力（面圧）を調整するために実施例1の構造でパッケージ内上下に配置するチップの数及び電極の面積を等しくする必要があるが、半導体チップを個別に加圧することができるため、負極側の半導体チップの構成を最適化することができる。なお、半導体チップ毎の加圧は、ばね等を個別に配置することにより行う。
【００１９】
図４のように半導体チップを配置することで、第1の電源の正極11から負極13までの距離Int3と、第2の電源の正極12から負極13までの距離Int4が等しく、且つ最短にすることができ、第1、第2の電源各々のスイッチング部でのサージを抑制することができる。さらに、第１のスイッチング回路SW1と第２のスイッチング回路SW2との間の距離Int5と、距離Int3、Int4とを等しくすることがさらに好適である。MCIでは、第1の電源から第2の電源へ、或いはその逆方向に充電する電流経路を作る動作条件ができるが、その電流経路においても距離を最短にすることができ、電源間に流れる電流のスイッチング時のサージを抑制することが可能となる。
また、図示はしていないが第1、第2の電源の正極11，12、及び負極13と冷却器を絶縁する必要があるため、それぞれの間に熱伝導率が高い絶縁材を挿入することが好適である。絶縁材としては、熱伝導フイラーを充填したシリコーンゴムシートやセラミクス板など、高熱伝導で且つ絶縁性を有するものであればよい。
【００２０】
本発明を諸図面や実施例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形や修正を行うことが容易であることに注意されたい。従って、これらの変形や修正は本発明の範囲に含まれることに留意されたい。例えば、具体的な回路パッケージの構成を幾つか図面に記載したが、これら例示に過ぎず回路構成としては様々な構成をとることが可能である。例えば、MCI構成では、２電源のうち１つを燃料電池で構成した場合などには、第１のスイッチング回路、或いは第２のスイッチング回路のどちらか一方を、逆素子型IGBTとダイオードとを逆並列に設けた一方のみスイッチング可能な形式でも構成させることが可能であり、このような構成も本発明に含まれることに注意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】MCI（Multi−power Control Inverter）構成の一例として、逆阻止IGBTを互いに逆方向に並列接続して双方向スイッチング素子を形成した場合の基本回路構成を示す図である。
【図２】図１に示したMCI回路に本発明を適用した回路パッケージの素子構造（実施例１）を示す図である。
【図３】図１に示したMCI回路に本発明を適用した回路パッケージの素子構造（実施例２）を示す図である、
【図４】図１に示したMCI回路に本発明を適用した回路パッケージの素子構造（実施例３）を示す図である。
【図５】図１のMCI回路をワイヤボンディング工程で作製した場合の回路パッケージの構成図（従来例）である。
【符号の説明】
【００２２】
P1：第１の電源の正極
P2：第２の電源の正極
N：負極（第１および第２の電源の共通電位）
1：逆阻止IGBT（第1の電源の正極側順方向）
2：逆阻止IGBT（第1の電源の正極側逆方向）
3：逆阻止IGBT〈第2の電源の正極側順方向〉
4：逆阻止IGBT（第2の電源の正極側逆方向）
5：IGBT（電源の負極側）
6：ダイオード（電源の負極側）
SW1：第１のスイッチング回路
SW2：第２のスイッチング回路
SW3：第３のスイッチング回路
11：第1の電源の正極バスバ
12：第2の電源の正極バスバ
13：電源の負極バスバ
14：MCI出力バスバ
21，22：冷却器
31：チップ保護板（半導体チップ表面側）
32：チップ保護板（半導体チップ裏面側）
33：金属ブロック
41：分割ケーシング（第1、第2の電源の正極バスバと一体）
42：分割ケーシング（出力バスバと一体）
43：分割ケーシング（負極バスバと一体）
44：分割ケーシング（第1、第2の電源の正極及び負極バスバと一体）
45：分割ケーシング（出力バスバと一体）
51：絶縁部材（分割ケーシング41）
52：絶縁部材（分割ケーシング42）
53：絶縁部材（分割ケーシング43）
54：絶縁部材（分割ケーシング44）
55：絶縁部材（分割ケーシング45）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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