(57)【要約】【課題】電子素子を効果的に搭載構造に固着するための電子素子搭載構造を提供する。【解決手段】該電子素子搭載構造は、少なくとも１つの開口が設けられた少なくとも１つの支持板と、前記支持板の表面に形成された少なくとも１つの接着層と、作用面と非作用面を有し、前記支持板の開口に設けられた少なくとも１つの電子素子と、を備え、前記接着層は、前記電子素子が前記支持板の開口に固着されるように、一部が前記開口と前記電子素子との隙間に充填されている。【選択図】図３−Ｂ
2006310839.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子搭載構造において、
少なくとも１つの開口が設けられた少なくとも１つの支持板と、
作用面と非作用面を有し、前記支持板の開口に設けられた少なくとも１つの電子素子と、
前記支持板の表面に形成された少なくとも１つの接着層と、
を備え、
前記接着層は、前記電子素子が前記支持板の開口に固着されるように、一部が前記開口と前記電子素子との隙間に充填されていることを特徴とする電子素子搭載構造。
【請求項２】
前記支持板は、第１の支持板と第２の支持板とからなっていることを特徴とする請求項１に記載の電子素子搭載構造。
【請求項３】
前記第１と第２の支持板とが積層された後、前記第１の支持板又は第２の支持板に積層されていない側の表面に接着層が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子素子搭載構造。
【請求項４】
前記接着層は、有機薄膜誘電材料、液体有機樹脂材料及びプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）からなる組合せのうちの一つであることを特徴とする請求項１または３に記載の電子素子搭載構造。
【請求項５】
前記支持板は、金属材、セラミックス材、回路構造を有する回路板またはその他の誘電材料のいずれか１つであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子素子搭載構造。
【請求項６】
前記金属材は、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、チタン、及びマグネシウムからなる組合せのうちの一つであることを特徴とする請求項５に記載の電子素子搭載構造。
【請求項７】
前記電子素子は、パッシブ素子、アクティブ素子、光電素子及び半導体チップからなる組合せのうちの一つであることを特徴とする請求項１に記載の電子素子搭載構造。
【請求項８】
前記電子素子の作用面は、前記搭載構造の頂面に一致していることを特徴とする請求項１または２に記載の電子素子搭載構造。
【請求項９】
前記電子素子の作用面は、前記搭載構造の頂面に突出していることを特徴とする請求項１または２に記載の電子素子搭載構造。
【請求項１０】
前記電子素子の非作用面は、前記搭載構造の底面に一致していることを特徴とする請求項１または２に記載の電子素子搭載構造。
【請求項１１】
前記電子素子の非作用面は、前記搭載構造の底面に突出していることを特徴とする請求項１または２に記載の電子素子搭載構造。
【請求項１２】
前記搭載構造および電子素子面に形成されている回路層追加層構造をさらに備え、
前記電子素子の電極パッドに電気的に接続されるように前記回路層追加層構造に複数の導電構造が形成され、前記回路層追加層構造の表面に接続パッドが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子素子搭載構造。
【請求項１３】
前記回路層追加層構造は、誘電層と、前記誘電層上に積層された回路層と、前記誘電層
の中に形成されている導電構造とを備えることを特徴とする請求項１２に記載の電子素子搭載構造。
【請求項１４】
前記回路層追加層構造の表面にソルダーレジスト層が形成され、前記ソルダーレジスト層の表面に前記回路層追加層構造の接続パッドを露出するための複数の開口が形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の電子素子搭載構造。
【請求項１５】
前記ソルダーレジスト層の開口には、前記接続パッドに電気的に接続される導電素子が形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の電子素子搭載構造。
【請求項１６】
前記導電素子は、半田ボール、針状金属または導電接着材のいずれか１つであることを特徴とする請求項１５に記載の電子素子搭載構造。
【請求項１７】
電子素子搭載構造において、
少なくとも１つの開口が設けられた少なくとも１つの第１、第２の支持板と、
前記第１、第２の支持板の間に形成された少なくとも１つの接着層と、
作用面と非作用面を有し、前記第１、第２の支持板の開口に設けられた少なくとも１つの電子素子と、
を備え、
前記接着層は、前記電子素子が前記第１、第２の支持板の開口に固着されるように、一部が前記第１、第２の支持板の開口と前記電子素子との隙間に充填されていることを特徴とする電子素子搭載構造。
【請求項１８】
前記接着層は、有機薄膜誘電材料、液体有機樹脂材料及びプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）からなる組合せのうちの一つであることを特徴とする請求項１７に記載の電子素子搭載構造。
【請求項１９】
前記第１の支持板は、金属材、セラミックス材、回路構造を有する回路板またはその他の誘電材料のいずれか１つであることを特徴とする請求項１７に記載の電子素子搭載構造。
【請求項２０】
前記第２の支持板は、金属材、セラミックス材、回路構造を有する回路板またはその他の誘電材料のいずれか１つであることを特徴とする請求項１７に記載の電子素子搭載構造。
【請求項２１】
前記金属材は、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、チタン、及びマグネシウムからなる組合せのうちの一つであることを特徴とする請求項１９または２０に記載の電子素子搭載構造。
【請求項２２】
前記電子素子は、パッシブ素子、アクティブ素子、光電素子及び半導体チップからなる組合せのうちの一つであることを特徴とする請求項１７に記載の電子素子搭載構造。
【請求項２３】
前記電子素子の作用面は、前記搭載構造の頂面に一致していることを特徴とする請求項１７に記載の電子素子搭載構造。
【請求項２４】
前記電子素子の作用面は、前記搭載構造の頂面に突出していることを特徴とする請求項１７に記載の電子素子搭載構造。
【請求項２５】
前記電子素子の非作用面は、前記搭載構造の底面に一致していることを特徴とする請求項１７に記載の電子素子搭載構造。
【請求項２６】
前記電子素子の非作用面は、前記搭載構造の底面に突出していることを特徴とする請求項１７に記載の電子素子搭載構造。
【請求項２７】
前記搭載構造および電子素子面に形成されている回路層追加層構造をさらに備え、
前記電子素子の電極パッドに電気的に接続されるように前記回路層追加層構造に複数の導電構造が形成され、前記回路層追加層構造の表面に接続パッドが形成されていることを特徴とする請求項１７に記載の電子素子搭載構造。
【請求項２８】
前記回路層追加層構造は、誘電層と、前記誘電層上に積層された回路層と、前記誘電層の中に形成されている導電構造とを備えることを特徴とする請求項２７に記載の電子素子搭載構造。
【請求項２９】
前記回路層追加層構造の表面にソルダーレジスト層が形成され、前記ソルダーレジスト層の表面に前記回路層追加層構造の接続パッドを露出するための複数の開口が形成されていることを特徴とする請求項２７に記載の電子素子搭載構造。
【請求項３０】
前記ソルダーレジスト層の開口には、前記接続パッドに電気的に接続される導電素子が形成されていることを特徴とする請求項２９に記載の電子素子搭載構造。
【請求項３１】
前記導電素子は、半田ボール、針状金属または導電接着材のいずれか１つであることを特徴とする請求項３０に記載の電子素子搭載構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子素子搭載構造に関し、より詳しくは、電子素子の搭載と固着に用いられる搭載構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１９６０年代初期に、ＩＢＭがフリップチップ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）技術を導入して以来、このフリップチップ技術では、ワイヤボンディング（Ｗｉｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）技術に比べ、その半導体チップと回路板との電気的接続が一般の金属ワイヤではなく半田バンプによって行われることが特徴である。このようなフリップチップ技術では、パッケージ密度が向上し、パッケージ構成のサイズを小型化できるという利点があるとともに、金属ワイヤの使用を必要としないので、電気的性能が向上し、高密度、高速度の半導体装置の需要を満たしている。
【０００３】
従来のフリップチップ技術では、半導体集積回路（ＩＣ）チップの作用面（ａｃｔｉｖｅ  ｓｕｒｆａｃｅ）には電極パッド（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  ｐａｄｓ）が配置され、チップ搭載用の回路板にも対応する電気接続パッドが配置されており、チップと回路板との間には、当該チップがその作用面をフェースダウンで当該回路板に電気的接続されるように半田バンプまたはその他の導電接着材料を適切に設けることができ、この半田バンプまたは導電接着材料により、チップと回路板との間の電気的接続および機械的接続が可能となっていた。
【０００４】
特許文献１には、図１に示すように、一つのフリップチップボールグリッドアレイ（ＦＣＢＧＡ）パッケージ構造が開示され、そこでは、作用面に信号の入力と出力用の電極パッド１０１をもつ半導体チップ１０が提示され、当該電極パッド１０１に金属バンプ１１と回路板１２に電気的接続された電気接続パッド１２１とが形成され、当該回路板１２に複数の回路層１２２と絶縁層１２３とが形成され、２層の回路層１２２の間が導電構造１２５で接続され、前記チップの回路板１２の最上層の回路層１２２に、回路層１２２を保護し前記電気接続パッド１２１を露出するためのソルダーレジスト層１３が形成され、前記チップの回路板１２の最上層の回路層１２２に複数の電気接続パッド１２１が形成され、前記電気接続パッド１２１の上に半田ボール１４のような導電構造が形成され、それによってフリップチップボールグリッドアレイ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ
Ａｒｒａｙ；ＦＣＢＧＡ）パッケージを完成させている。
【０００５】
しかしながら、このようなフリップチップボールグリッドアレイパッケージの製造工程では、前記回路板１２の作成、および半導体チップ１０を回路板１２に電気的に接続しパッケージを行う製造工程は分離型の生産方法である。すなわち、回路板１２は独立した製造工程であり、半導体チップ１０を回路板１２にパッケージすることはまた別の独立した製造工程である。この２つの分離独立した製造工程では、歩留まりや品質が均一ではなく、生産サイクルが長くなり、しかもその電気的性能がある一定のレベルに留まってより一層のレベルの向上が効果的に図れない問題がある。
【０００６】
また、フリップチップボールグリッドアレイ（ＦＣＢＧＡ）構造は、ピン数が多く周波数が高い製品に使用することが可能であるが、パッケージング全体のコストが高く、しかも技術的には多くの制限があり、とりわけ電気的接続の部分においては環境保護に対する要求がなされているため、電気接続材料例えば半田材料である鉛（ｐｌｕｍｂｕｍ、Ｐｂ）等の使用が禁止され、その他の代替材料が使用されることで、電気的、機械的、および物的品質の不安定が生じている。
【０００７】
また、フリップチップ式の半導体装置の製造工程では、ウエハ（ｗａｆｅｒ）集積回路の製造工程が終了した後、当該ウエハ内におけるチップの電極パッドに、金属バンプの搭載のためにバンプ下地金属（Ｕｎｄｅｒ−Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  ；ＵＢＭ）が形成され、さらに前記ウエハを、ダイシング作業により複数のチップにスライスし、その後当該半導体チップを回路板に搭載し電気的接続する必要がある。前記ＵＢＭ構造層と金属バンプは、その製造工程が複雑であり、しかも設備のコストが高価である。
【０００８】
従って、フリップチップ式の半導体装置としては、半導体チップとそれに対応して搭載された回路板のそれぞれに、対応する電気接続ユニット（例えば金属バンプおよびプリ半田バンプ）が形成される必要があるので、製造工程の手順やコストが増加するのみならず、信頼性のリスクもそれに伴って増大している。
【０００９】
また、前記半導体パッケージ構造では、半導体チップを回路板の頂面に直接接着し、それをコロイドによってパッケージし、回路板の底面に半田ボールがマウントされているため、このように下から上へと連続的に積層される構造となり、全体の厚みが増加し、小型薄型化の目的を達成することができなくなっている。しかも、半導体チップをコロイドによって固定した後、その他の接続方式例えばチップの積層接続または回路板の積み重ね等ができなくなるので、パッケージ製品の応用の自由度を低下させている。
【００１０】
さらに、現在の電子製品の高機能化および高速度化の趨勢に伴い、半導体パッケージ部材においては、電子製品の電気的機能の向上または安定のために、例えば抵抗器（ｒｅｓｉｓｔｏｒｓ）、キャパシター（ｃａｐａｃｉｔｏｒｓ）およびインダクター（ｉｎｄｕｃｔｏｒｓ）等のパッシブ素子（ｐａｓｓｉｖｅ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）が徐々に統合されている。ただし、従来より、パッシブ素子の多くは、一般的に、回路板の表面に設けられ、当該パッシブ素子による半導体チップと回路板における複数のボンディングパッドとの間の電気的接続への阻害が回避されるように、パッシブ素子を、回路板のコーナー箇所または半導体チップ搭載領域以外の回路板の余分なレイアウト面積に設けている。
【００１１】
このように、パッシブ素子の配置箇所の制限によって、回路板表面の回路レイアウトの自由度が縮小されるとともに、ボンディングパッド位置への配慮が必要となるため、それらのパッシブ素子の配置数が制限されることとなっている。さらに、パッシブ素子の配置数は、半導体パッケージ部材の高性能への要求にしたがって増加しているため、従来の方法では回路板の表面に多数の半導体チップおよび大量のパッシブ素子が同時に収容される必要があり、パッケージの体積の増大を招くため、軽薄短小という半導体パッケージ部材の発展の流れに応じることができなくなっている。
【特許文献１】米国特許第６，７７４，４９８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
そこで、以上のとおりの事情に鑑み、本発明は、電子素子を効果的に搭載構造に固着するための電子素子搭載構造を提供することを課題とする。
また、本発明は、好ましい電気的性能を得られるように、異なる電子素子を同時に搭載構造に固着する電子素子搭載構造を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するために、本発明に係る電子素子搭載構造の１つの態様において、該電子素子搭載構造は、
少なくとも１つの開口が設けられた少なくとも１つの支持板と、
前記支持板の表面に形成された少なくとも１つの接着層と、
作用面と非作用面を有し、前記支持板の開口に設けられた少なくとも１つの電子素子と、
を備え、
前記接着層は、前記電子素子が前記支持板の開口に固着されるように、一部が前記開口と前記電子素子との隙間に充填されている。
【００１４】
本発明の実施態様において、支持板の表面に形成された接着層は、有機薄膜誘電材料、液体有機樹脂材料またはプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）からなる組合せのうちの一つである。上記の材質は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙ  （ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｅｔｈｅｒ））、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙ（ｔｅｔｒａ−ｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ））、ＦＲ４、ＦＲ５、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍａｅｒ）、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏ−ｂｕｔｈｅｎｅ）、ＰＩ（Ｐｏｌｙ−ｉｍｉｄｅ）、芳香族ポリアミド（Ａｒａｍｉｄｅ）等の感光または非感光の有機樹脂から選択することができる。
【００１５】
この実施態様において、支持板は、セラミックス材料層または金属材であり、当該金属材は、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、チタン、またはマグネシウムからなる組合せのうちの一つ或いはその合金材料から選択される。また、前記支持板は、さらに、回路構造を有する回路板であってよく、電子素子は、パッシブ素子、アクティブ素子、光電素子、または半導体チップからなる組合せのうちの一つから選択される。
【００１６】
また、当該電子素子の作用面は、当該搭載構造の頂面に一致しまたは搭載構造の頂面に突出するものから選択され、当該電子素子の非作用面も、当該搭載構造の底面に一致しまたは搭載構造の底面に突出するものから選択される。
【発明の効果】
【００１７】
上記のように、本発明においては、前記の構成により、少なくとも電子素子の作用面の電極パッドが搭載構造の開口に露出され、それにより回路積層の追加層構造をチップと搭載構造に直接形成することができる。このように、従来のような半導体チップと回路板を電気接続ユニットにより対応接続させることによって生じる煩雑な製造工程や高コストを解決することができるとともに、製造工程の信頼性のリスクを低減することができる。
【００１８】
また、本発明においては、別途に接着層を注入し支持板の開口に充填することなく、搭載構造の接着層により電子素子を接着することができる。このように、従来技術のような半導体チップを回路板頂面の箇所に直接接着しそれをコロイドによってパッケージしているために、薄型化小型化の目的が達しえないという欠点を解決することができるとともに、電子素子を効果的に搭載構造に固着させ、搭載構造に異なる電子素子が同時に固着されることにより、より一層好ましい電気的性能が得られ、パッケージ製品の応用の自由度が向上し、導電ルートが短縮され、半導体パッケージ素子の品質および信頼性が向上している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下の実施形態は本発明を例示する目的で示すものであり、本発明は、これらによって何ら限定されるものではない。本発明に係る実質的な技術内容は、特許請求の範囲に定義される。本発明はこの技術分野に精通したものが特許請求の範囲を脱しない範囲で色々な修飾や変更が可能であり、そうした修飾や変更は本発明の請求範囲に入るものである。
［第一の実施形態］
本実施形態の電子素子搭載構造では、少なくとも１つの開口が設けられた少なくとも１つの支持板と、
作用面と非作用面を有し、前記支持板の開口に設けられた少なくとも１つの電子素子と、
前記支持板の表面に形成された少なくとも１つの接着層と、
を備え、
前記接着層は、前記電子素子が前記支持板の開口に固着されるように、一部が前記開口と前記電子素子との隙間に充填されている。
【００２０】
図２−Ａおよび図２−Ｂは、本発明に係る電子素子搭載構造の実施形態を模式的に示している。図に示すように、搭載構造２には支持板２５が設けられ、当該支持板２５には少なくとも１つの開口２５１が設けられ、支持板２５の表面には接着層２７が形成されている。
【００２１】
本実施形態においては、搭載構造２は、例えば支持板２５と支持板２５の表面に形成された接着層２７とを含む２層の構造であってよい。接着層２７は、有機薄膜誘電材料、液体有機樹脂材料またはプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）からなる組合せのうちの一つであってよい。上記の材質は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙ  （ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｅｔｈｅｒ））、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙ（ｔｅｔｒａ−ｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ））、ＦＲ４、ＦＲ５、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍａｅｒ）、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏ−ｂｕｔｈｅｎｅ）、ＰＩ（Ｐｏｌｙ−ｉｍｉｄｅ）、芳香族ポリアミド（Ａｒａｍｉｄｅ）等の感光または非感光の有機樹脂から選択されてよい。
【００２２】
支持板２５は、金属材、セラミックス材、回路構造を有する回路板またはその他の誘電材料であってよい。該金属材は、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、チタン、またはマグネシウムからなる組合せのうちの一つ或いはその合金材料から選択されるのが好ましい。
【００２３】
支持板２５の開口２５１には少なくとも１つの電子素子２３が対応して設けられ、電子素子２３の作用面には複数の電極パッド２３１が形成されている。本発明では、電子素子２３を支持板２５の開口２５１に置き入れ、搭載構造２にホットプレスを行うことにより、支持板２５の表面における接着層２７の一部が開口２５１と電子素子２３との隙間に充填され、電子素子２３が支持板２５の開口２５１に固着される。
【００２４】
電子素子２３は、パッシブ素子、アクティブ素子、光電素子、半導体チップまたはその他の適切な素子であってよく、しかもたとえば金属パッドのような電極パッド２３１を有している。
【００２５】
このように、電子素子を効果的に搭載構造に固着することができるとともに、複数の電子素子を埋め込むことも考慮に入れることができ、それによって搭載構造に異なる電子素子を同時に固着させることも可能である。
【００２６】
また、図２−Ｃに示すように、引き続き回路層の追加製造工程を行うことにより、電子素子２３と搭載構造２が収容された上方に回路層追加層構造６が形成され、当該回路層追加層構造６は前記搭載構造２の一側または両側に同時に形成されるようにしてもよい。
【００２７】
回路層追加層構造６は、誘電層６１と、当該誘電層６１上に積層された回路層６２と、誘電層６１の中に形成される導電構造６３とを備え、当該導電構造６３は、電子素子２３の電極パッド２３１に電気的に接続され、前記回路層追加層構造６の表面に接続パッド６４が形成され、前記回路層追加層構造６の最外層の表面にソルダーレジスト層６５が形成され、当該ソルダーレジスト層６５の表面に回路層追加層構造６の接続パッド６４を露出
するための複数の開口６５１が形成されている。
【００２８】
ソルダーレジスト層６５の開口６５１には、接続パッド６４に電気的に接続される導電素子６６例えば半田ボールが形成されている。該導電素子６６は、針状金属またはその他の導電接着材であってよい。
【００２９】
図２−ＡＡおよび図２−ＢＡは、本発明の本実施形態の他の実施態様を示しており、上記の実施態様と異なる点は、支持板２５とその表面における接着層２７との２層を上下に反転させる点である。支持板２５の開口２５１には、少なくとも１つの電子素子２３が対応して設けられ、搭載構造２にホットプレスを行うことにより、支持板２５の表面における接着層２７の一部が開口２５１と電子素子２３との隙間に充填され、電子素子２３が支持板２５の開口２５１に固着される。
［第二の実施形態］
本実施形態の電子素子搭載構造では、少なくとも１つの開口が設けられた少なくとも１つの第１、第２の支持板と、前記第１、第２の支持板の間に形成された少なくとも１つの接着層と、作用面と非作用面を有し、前記第１、第２の支持板の開口に設けられた少なくとも１つの電子素子と、
を備え、
前記接着層は、前記電子素子が前記第１、第２の支持板の開口に固着されるように、一部が前記第１、第２の支持板の開口と前記電子素子との隙間に充填されている。
【００３０】
図３−Ａから図３−Ｃは、本発明に係る電子素子搭載構造の実施形態を模式的に示している。本実施形態が第１の実施形態と最も大きく異なる点は、搭載構造３が少なくとも１つの電子素子と、有機樹脂材である接着層と、少なくとも２層の支持板を有する多層積層構造とを備える点である。
【００３１】
本実施形態（図３−Ａに示す）では、搭載構造３は、例えば第１支持板３５と、第２の支持板３６と、接着層３７とを含む３層の構造であってよい。接着層３７は、有機樹脂材の接着層であり、第１、第２の支持板３５、３６は、金属材、セラミックス材、回路構造を有する回路板またはその他の誘電材料であってよい。搭載構造３は、第１支持板３５の表面に第２の支持板３６が積層され、第１支持板３５に接続されていない第２の支持板３６の表面に接着層３７が形成されている。該第１、第２の支持板３５、３６には電子素子３３が収容されるための開口３５１、３６１がそれぞれ設けられている。
【００３２】
本実施形態のもう一つの実施態様（図３−Ｂに示す）では、搭載構造３において、第１、第２の支持板３５、３６の間に接着層３７が介在され、第１、第２の支持板３５、３６に電子素子３３が収容されるための開口３５１、３６１がそれぞれ設けられている。
【００３３】
本実施形態のさらにもう一つの実施態様（図３−Ｃに示す）では、搭載構造３において、第１支持板３５の表面に第２の支持板３６が積層され、第２支持板３６に接続されていない第１の支持板３５の表面に接着層３７が形成されている。第１、第２の支持板３５、３６には、電子素子３３が収容されるための開口３５１、３６１がそれぞれ設けられている。
【００３４】
前記の３層の実施態様としては、搭載構造３にホットプレスを行うことにより、第１、第２の支持板３５、３６の表面、または２つの支持板の間における接着層３７の一部が開口３５１、３６１と電子素子３３との隙間に充填され、電子素子３３が第１、第２の支持板３５、３６の開口３５１、３６１に固着される。
【００３５】
上記のように、前記の実施形態においては、搭載構造は、有機樹脂接着層を有する多層
積層構造であってよく、例えば金属材料、セラミックス材料、回路構造を有する回路板またはその他の誘電材料などである支持板を介して、接着層である有機樹脂材のホットプレスを行うことにより、別途に接着材の注入は必要とせず、電子素子を効果的に搭載構造に固着することができる。
［第３の実施形態］
図４−Ａから図４−Ｃは、本発明に係る電子素子搭載構造のもう一つ実施形態を模式的に示している。前記実施形態と同一または近似の素子には同一または近似の素子番号を付与し、また、本案の特徴がより明確になるように、詳しい説明を省略し、異なる点のみを説明する。
【００３６】
図４−Ａに示すように、電子素子搭載構造は、支持板２５と、少なくとも１つの電子素子２３と、当該支持板２５の表面に形成された接着層２７とを備えている。
支持板２５には少なくとも１つの開口２５１が設けられ、搭載構造２は、図面において支持板２５と接着層２７とを有する２層構造を例に示しているが、これに限定されるものではない。
【００３７】
電子素子２３は、作用面と非作用面を有している。本実施形態では、電子素子２３の作用面が上表面に設けられ、電子素子２３の非作用面が下表面に設けられるようにする。また、電子素子２３は、支持板２５の開口２５１に対応して設けられている。電子素子２３は、パッシブ素子、アクティブ素子、光電素子、半導体チップまたはその他の適切な素子等であってよい。
【００３８】
本実施形態において、電子素子２３の作用面は該搭載構造２の頂面に一致するが、電子素子２３の非作用面は該搭載構造２の底面に突出する。
接着層２７は、電子素子２３が支持板２５の開口２５１に固着されるように、一部が開口２５１と電子素子２３との隙間に充填されている。一部が開口２５１に充填された接着層２７は、支持板２５の表面における接着層２７がホットプレスされることによって生じたものである。
【００３９】
本実施形態では、第２の実施形態の電子素子３３を図３−Ａから図３−Ｃに示す搭載構造３に置き入れることにより、電子素子３３の作用面が搭載構造３の頂面に一致し、または非作用面が搭載構造３の底面に一致し、若しくは電子素子３３の作用面が搭載構造３の頂面に突出し、または非作用面が搭載構造３の底面に突出する。
【００４０】
前記の構成により、電子素子搭載構造の構造が簡略化され、電子素子が効果的に搭載構造に固着されるとともに、より好ましい電気的性能が得られる。従って、本発明の適用により、従来技術の種種の欠点を解決することができる。
［第４の実施形態］
図５−Ａは、本発明に係る電子素子搭載構造のもう一つの実施形態を模式的に示している。電子素子搭載構造３では、第１、第２の支持板３５、３６の間に接着層３７が介在されている３層式構造であり、第１、第２の支持板３５、３６には、電子素子３３が収容されるための開口３５１、３６１がそれぞれ設けられている。
【００４１】
前記の３層式構造の実施態様では、搭載構造３にホットプレスを行うことにより、第１、第２の支持板３５、３６に介在された接着層３７は、一部が開口３５１、３６１と電子素子３３との隙間に充填され、電子素子３３が第１、第２の支持板３５、３６の開口３５１、３６１に固着される。
【００４２】
電子素子３３の非作用面は、搭載構造３の底面に突出している。また、図５−Ｂは、本発明に係る電子素子搭載構造のさらにもう一つの実施形態を模式的に示している。電子素
子搭載構造３では、第１、第２の支持板３５、３６の間に接着層３７が介在されている３層式構造であり、第１、第２の支持板３５、３６には、電子素子３３が収容されるための開口３５１、３６１がそれぞれ設けられ、電子素子３３の作用面が搭載構造３の底面に突出している。
【００４３】
図５−Ｃに示すように、引き続き回路の追加層製造工程を行うことにより、電子素子３３および搭載構造３が収容されている上方に回路層追加層構造６が形成され、当該回路層追加層構造６が該搭載構造３の一側または両側に同時に形成されるようにしてもよい。回路層追加層構造６は、既に前述したので、ここでは詳しい説明を省略している。
【００４４】
上記のように、これらの実施の形態は本発明を例示する目的で示すものであり、本発明は、これらによって何ら限定されるものではない。本発明に係る実質的な技術内容は、特許請求の範囲に定義される。本発明はこの技術分野に精通したものが特許請求の範囲を脱しない範囲で色々な修飾や変更が可能であり、そうした修飾や変更は本発明の請求範囲に入るものである。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】従来のフリップチップ半導体パッケージ部材を示した断面図である。
【図２−Ａ】本発明に係る電子素子搭載構造の第１の実施形態を模式的に示した図である。
【図２−ＡＡ】本発明に係る電子素子搭載構造の第１の実施形態の他の実施態様を模式的に示した図である。
【図２−Ｂ】本発明に係る電子素子搭載構造の第１の実施形態を模式的に示した図である。
【図２−ＢＡ】本発明に係る電子素子搭載構造の第１の実施形態の他の実施態様を模式的に示した図である。
【図２−Ｃ】本発明に係る電子素子搭載構造の第１の実施形態を模式的に示した図である。
【図３−Ａ】本発明に係る電子素子搭載構造の第２の実施形態を模式的に示した図である。
【図３−Ｂ】本発明に係る電子素子搭載構造の第２の実施形態を模式的に示した図である。
【図３−Ｃ】本発明に係る電子素子搭載構造の第２の実施形態を模式的に示した図である。
【図４−Ａ】本発明に係る電子素子搭載構造の第３の実施形態を模式的に示した図である。
【図４−Ｂ】本発明に係る電子素子搭載構造の第３の実施形態を模式的に示した図である。
【図４−Ｃ】本発明に係る電子素子搭載構造の第３の実施形態を模式的に示した図である。
【図５−Ａ】本発明に係る電子素子搭載構造の第４の実施形態を模式的に示した図である。
【図５−Ｂ】本発明に係る電子素子搭載構造の第４の実施形態を模式的に示した図である。
【図５−Ｃ】本発明に係る電子素子搭載構造の第４の実施形態を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  半導体チップ
１０１  電極パッド
１１  金属バンプ
１２  回路板
１２１  電気接続パッド
１２２、６２  回路層
１２３  絶縁層
１２５、６３  導電構造
１３、６５  ソルダーレジスト層
１４  半田ボール
２、３  搭載構造
２１、２５１、３５１、３６１、６５１  開口
２３、３３  電子素子
２３１  電極パッド
２５  支持板
２７、３７  接着層
３５  第１の支持板
３６  第２の支持板
６  回路層追加層構造
６１  誘電層
６４  接続パッド
６６  導電素子
【図１】
2006310839.tif 000003
【図２−Ａ】
2006310839.tif 000004
【図２−ＡＡ】
2006310839.tif 000005
【図２−Ｂ】
2006310839.tif 000006
【図２−ＢＡ】
2006310839.tif 000007
【図２−Ｃ】
2006310839.tif 000008
【図３−Ａ】
2006310839.tif 000009
【図３−Ｂ】
2006310839.tif 000010
【図３−Ｃ】
2006310839.tif 000011
【図４−Ａ】
2006310839.tif 000012
【図４−Ｂ】
2006310839.tif 000013
【図４−Ｃ】
2006310839.tif 000014
【図５−Ａ】
2006310839.tif 000015
【図５−Ｂ】
2006310839.tif 000016
【図５−Ｃ】
2006310839.tif 000017