(57)【要約】【課題】磁気転写によって転写する情報を担持したマスターディスクであって、柔軟性が高く、被転写用のスレーブディスクに対して密着性の高いマスターディスクを提供すること。【解決手段】マスター基板１１のＸ線回折パターンが、２θ＝５１．０〜５３．０度に２００面の反射を持つとともに、２θ＝７５．５〜７６．５度に２２０面の反射を持ち、且つ、２２０面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ ２２０] ／Ｉ[ ２００] ＝２〜３０となるように電鋳した。【選択図】  図１
2006260690.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面心立方格子の結晶構造を有する金属材料からなり転写情報に対応する凹凸パターンが形成されたマスター基板と、前記マスター基板の凹凸パターン上に成膜された磁性層とを備えた磁気転写用マスターディスクにおいて、
前記マスター基板のＸ線回折パターンが、Ｘ線の入射角をθとしたとき、２θ＝５１．０〜５３．０度に２００面の反射を持つとともに、２θ＝７５．５〜７６．５度に２２０面の反射を持ち、且つ、２００面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２００] 、２２０面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２２０] としたとき、２２０面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ ２２０] ／Ｉ[ ２００] ＝２〜３０であることを特徴とする磁気転写用マスターディスク。
【請求項２】
面心立方格子の結晶構造を有する金属材料からなり転写情報に対応する凹凸パターンが形成されたマスター基板と、前記マスター基板の凹凸パターン上に成膜された磁性層とを備えた磁気転写用マスターディスクにおいて、
前記マスター基板のＸ線回折パターンが、Ｘ線の入射角をθとしたとき、２θ＝５１．０〜５３．０度に２００面の反射を持つとともに、２θ＝４３．５〜４５．５度に１１１面の反射を持ち、且つ、２００面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２００] 、１１１面のＸ線回折反射強度をＩ[ １１１] としたとき、１１１面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ １１１] ／Ｉ[ ２００] ＝１〜８であることを特徴とする磁気転写用マスターディスク。
【請求項３】
面心立方格子の結晶構造を有する金属材料からなり転写情報に対応する凹凸パターンが形成されたマスター基板と、前記マスター基板の凹凸パターン上に成膜された磁性層とを備えた磁気転写用マスターディスクにおいて、
前記マスター基板のＸ線回折パターンが、Ｘ線の入射角をθとしたとき、２θ＝５１．０〜５３．０度に２００面の反射を持つとともに、２θ＝９２．０〜９４．０度に３１１面の反射を持ち、且つ、２００面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２００] 、３１１面のＸ線回折反射強度をＩ[ ３１１] としたとき、３１１面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ ３１１] ／Ｉ[ ２００] ＝０．３〜３．０であることを特徴とする磁気転写用マスターディスク。
【請求項４】
面心立方格子の結晶構造を有する金属材料からなり転写情報に対応する凹凸パターンが形成されたマスター基板と、前記マスター基板の凹凸パターン上に成膜された磁性層とを備えた磁気転写用マスターディスクにおいて、
前記マスター基板のＸ線回折パターンが、Ｘ線の入射角をθとしたとき、２θ＝５１．０〜５３．０度に２００面の反射を持ち、２θ＝７５．５〜７６．５度に２２０面の反射を持ち、２θ＝４３．５〜４５．５度に１１１面の反射を持ち、且つ、２００面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２００] 、２２０面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２２０] 、１１１面のＸ線回折反射強度をＩ[ １１１] としたとき、２２０面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ ２２０] ／Ｉ[ ２００] ＝２〜２５、１１１面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ １１１] ／Ｉ[ ２００] ＝１〜８であることを特徴とする磁気転写用マスターディスク。
【請求項５】
前記金属材料がニッケル（Ｎｉ）であることを特徴とする請求項１、２、３、又は４のうちいずれか１項に記載の磁気転写用マスターディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気転写用マスターディスクに係り、特にハードディスク装置等に用いられる磁気ディスクにフォーマット情報等の磁気情報を転写するのに好適な磁気転写用マスターディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に普及しているハードディスクドライブに使用される磁気ディスク（ハードディスク）は、磁気ディスクメーカーよりドライブメーカーに納入された後、ドライブに組み込まれる前に、フォーマット情報やアドレス情報が書き込まれるのが一般的である。この書き込みは、磁気ヘッドにより行うこともできるが、フォーマット情報やアドレス情報が書き込まれたマスターディスクより一括転写する方法が効率的であり、好ましい。
【０００３】
この一括転写する磁気転写方法は、マスターディスクと被転写用ディスク（スレーブディスク）とを密着させた状態で、片面又は両面に電磁石装置、永久磁石装置等の磁界生成手段を配設して転写用磁界を印加することにより、マスターディスクの有する情報（例えばサーボ信号）をスレーブディスクに磁気転写する。そして、磁気転写を精度良く行うには、マスターディスクとスレーブディスクとを均一に隙間なく密着させることが極めて重要である。
【０００４】
ところで、この磁気転写方法に使用されるマスターディスクとしては、基板の表面に情報信号に対応する凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンの表面に磁性層を被覆したものが通常使用されている。この磁気転写用のマスターディスクは、情報を凹凸パターンで形成した原版上に電鋳を施して、電鋳層から成る金属盤を原版上に積層して該金属盤面に凹凸パターンを転写する電鋳工程、金属盤を原版上から剥離する剥離工程、剥離した金属盤を所定サイズに打ち抜きする打ち抜き工程を経た後、凹凸パターンの面に磁性層を被覆することにより製造されるのが一般的である（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−２５６６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の工程によって製造された従来のマスターディスクは、金属盤を原版から剥離する剥離工程や所定サイズに打ち抜く打ち抜き工程等の加工時に発生した変形によりマスターディスクは必ずしも平坦面ではなく、反りや歪みを有している。また、電鋳後の打ち抜き工程に代える工程としてフォトエッチングの工程があるが、この場合にも反りや歪みが生じることがある。
【０００６】
ところで、磁気転写を行う際に、品質良く信号を転写するにはマスターディスクとスレーブディスクとを隙間なく密着させることが重要である。しかし前述のように、マスターディスクには反りが生じているため、スレーブディスクに密着させるにあたり転写時の密着圧力を高めること、又はマスターディスクを保持するホルダーの平坦性を高めることなどが行われてきた。
【０００７】
しかし、密着圧力を高めることは、マスターディスクに形成された凹凸パターンを破損したり変形を発生させる可能性があり、マスターディスクの耐久性能を低下させる原因になる。
【０００８】
一方、信号が転写されるスレーブディスクにも基板全面に渡って反りや歪みといった形状変形や、端面だれ、スキージャンプといった項目で評価される形状変形が生じている。このため、信号を所望の位置に転写するためには更に高い密着性が必要となる。密着性が低い場合には、マスターディスクとスレーブディスクとの間のスペーシングのため転写された信号強度が低くなり、良好な転写が行われないという問題があった。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、磁気転写によって転写する情報を担持したマスターディスクであって、柔軟性が高く、被転写用のスレーブディスクに対して密着性の高いマスターディスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の請求項１は前記目的を達成するために、面心立方格子の結晶構造を有する金属材料からなり転写情報に対応する凹凸パターンが形成されたマスター基板と、前記マスター基板の凹凸パターン上に成膜された磁性層とを備えた磁気転写用マスターディスクにおいて、前記マスター基板のＸ線回折パターンが、Ｘ線の入射角をθとしたとき、２θ＝５１．０〜５３．０度に２００面の反射を持つとともに、２θ＝７５．５〜７６．５度に２２０面の反射を持ち、且つ、２００面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２００] 、２２０面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２２０] としたとき、２２０面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ ２２０] ／Ｉ[ ２００] ＝２〜３０であることを特徴とする磁気転写用マスターディスクを提供する。
【００１１】
また、請求項２は、面心立方格子の結晶構造を有する金属材料からなり転写情報に対応する凹凸パターンが形成されたマスター基板と、前記マスター基板の凹凸パターン上に成膜された磁性層とを備えた磁気転写用マスターディスクにおいて、前記マスター基板のＸ線回折パターンが、Ｘ線の入射角をθとしたとき、２θ＝５１．０〜５３．０度に２００面の反射を持つとともに、２θ＝４３．５〜４５．５度に１１１面の反射を持ち、且つ、２００面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２００] 、１１１面のＸ線回折反射強度をＩ[ １１１] としたとき、１１１面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ １１１] ／Ｉ[ ２００] ＝１〜８であることを特徴とする磁気転写用マスターディスクを提供する。
【００１２】
また、請求項３は、面心立方格子の結晶構造を有する金属材料からなり転写情報に対応する凹凸パターンが形成されたマスター基板と、前記マスター基板の凹凸パターン上に成膜された磁性層とを備えた磁気転写用マスターディスクにおいて、前記マスター基板のＸ線回折パターンが、Ｘ線の入射角をθとしたとき、２θ＝５１．０〜５３．０度に２００面の反射を持つとともに、２θ＝９２．０〜９４．０度に３１１面の反射を持ち、且つ、２００面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２００] 、３１１面のＸ線回折反射強度をＩ[ ３１１] としたとき、３１１面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ ３１１] ／Ｉ[ ２００] ＝０．３〜３．０であることを特徴とする磁気転写用マスターディスクを提供する。
【００１３】
また、請求項４は、面心立方格子の結晶構造を有する金属材料からなり転写情報に対応する凹凸パターンが形成されたマスター基板と、前記マスター基板の凹凸パターン上に成膜された磁性層とを備えた磁気転写用マスターディスクにおいて、前記マスター基板のＸ線回折パターンが、Ｘ線の入射角をθとしたとき、２θ＝５１．０〜５３．０度に２００面の反射を持ち、２θ＝７５．５〜７６．５度に２２０面の反射を持ち、２θ＝４３．５〜４５．５度に１１１面の反射を持ち、且つ、２００面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２００] 、２２０面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２２０] 、１１１面のＸ線回折反射強度をＩ[ １１１] としたとき、２２０面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ ２２０] ／Ｉ[ ２００] ＝２〜２５、１１１面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ １１１] ／Ｉ[ ２００] ＝１〜８であることを特徴とする磁気転写用マスターディスクを提供する。
【００１４】
結晶構造物は結晶の配向によって柔軟性が異なるが、本発明によれば、磁気転写用マスターディスクの基板材料の結晶構造を前述のように規定しているので、柔軟性が高く、スレーブディスクに対する密着性に優れ、良好な磁気転写を行うことができる。
【００１５】
また、請求項５は、請求項１、２、３、又は４のうちいずれか１項に記載の発明において、前記金属材料がニッケル（Ｎｉ）であることを特徴としている。マスター基板には各種の金属を使用可能であるが、Ｎｉ電鋳層が最も好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明に係る磁気転写用マスターディスクによれば、金属材料からなるマスター基板の柔軟性が高まるようにその結晶構造を規定しているので、磁気転写時におけるスレーブディスクへの密着性に優れ、良好な磁気転写を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面に従って、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの好ましい実施の形態について詳説する。
【００１８】
図１は本発明の磁気転写用マスターディスク１０（以下、マスターディスク１０という）の部分斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、被転写用ディスク（スレーブディスク１４）を想像線で示したものである。
【００１９】
図１及び図２に示すように、マスターディスク１０は、金属製のマスター基板１１と磁性層１２とで構成され、マスター基板１１の表面に転写情報に対応する微細な凹凸パターンＰ（例えばサーボ情報パターン）を有すると共にその凹凸パターンＰに磁性層１２が被覆されている。
【００２０】
これにより、マスター基板１１の片面に磁性層１２が被覆された微細な凹凸パターンＰを有する情報担持面１３が形成される。図１から分かるように、この微細な凹凸パターンＰは、平面視で長方形であり、磁性層１２が形成された状態でトラック方向（図の矢印方向）の長さｐと、半径方向の長さＬとによりなる。
【００２１】
この長さｐと長さＬとの最適値は、記録密度や記録信号波形により異なるが、例えば長さｐを８０ｎｍ、長さＬを２００ｎｍにできる。この微細な凹凸パターンＰはサーボ信号の場合は、半径方向に長く形成される。この場合、例えば半径方向の長さＬが０．０５〜２０μｍ、トラック方向（円周方向）の長さｐが０．０１〜５μｍであることが好ましい。
【００２２】
この範囲で半径方向の方が長い凹凸パターンＰを選ぶことがサーボ信号を担持するパターンとして好ましい。凹凸パターンＰの深さｔ（突起の高さ）は、３０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、５０〜３００ｎｍの範囲がより好ましい。
【００２３】
マスター基板１１は、電鋳により作製され、図３に示すように、中心孔１１Ｇを有する円盤状に形成され、片面の（情報担持面１３）の内周部１１Ｄ及び外周部１１Ｅを除く円環状領域１１Ｆに凹凸パターンＰが形成される。このマスター基板１１の製造の詳細は後記するが、主に、情報を凹凸パターンＰで形成した原版上に電鋳を施して、電鋳層から成る金属盤を原版上に形成して該金属盤に凹凸パターンＰを転写する電鋳工程と、金属盤を原版上から剥離する剥離工程とにより製造される。
【００２４】
本発明において、電鋳層としては各種金属や合金類を使用できるが、本実施の形態では好ましい一例として、Ｎｉ電鋳層の例で以下に説明する。このＮｉ電鋳層は柔軟性をもたせるため、後述するような規定された結晶構造を有するように、電鋳時の電流密度を制御しながら電鋳する。
【００２５】
次に、上記の如く構成される本発明のマスターディスク１０の製造方法を詳細に説明する。
【００２６】
図４はマスターディスク１０を製造するステップを示す工程図である。先ず、図４（ａ）に示すように、表面が平滑且つ清浄なシリコーンウエハーによる原板１５（ガラス板、石英板でもよい）の上に、密着層形成等の前処理を行い、電子線レジスト液をスピンコート等で塗布してレジスト膜１６を形成し、ベーキングする。
【００２７】
そして、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた電子ビーム露光装置（図示せず）にて、そのステージに搭載した原板１５にサーボ信号等に対応して変調した電子ビームＢを照射し、レジスト膜１６に所望の凹凸パターンＰ' を描画露光する。
【００２８】
次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜１６を現像処理し、露光部分を除去して残ったレジスト膜１６によって所望の凹凸パターンＰ' を形成する。この凹凸パターンＰ' 上に例えばスタッパリングによりＮｉ導電膜（図示せず）を付与し、電鋳可能な原版１７を作製する。
【００２９】
次に、この原版を図４（ｃ）に示すように、原版１７の全面に電鋳装置で電鋳処理を施し、Ｎｉ金属による所望厚みの金属盤１８（Ｎｉ電鋳層）を積層する。Ｎｉは面心立方格子の結晶構造を有しており、電鋳時の電流密度を制御して規定の結晶構造となるように電鋳する。
【００３０】
本実施の形態では、Ｎｉ電鋳層の結晶構造を、Ｘ線回折パターンが、Ｘ線の入射角をθとしたとき、２θ＝５１．０〜５３．０度に２００面の反射を持つとともに、２θ＝７５．５〜７６．５度に２２０面の反射を持ち、且つ、２００面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２００] 、２２０面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２２０] としたとき、２２０面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ ２２０] ／Ｉ[ ２００] ＝２〜３０、好ましくは２〜１０となる結晶構造とした。
【００３１】
また、第２の実施形態では、Ｘ線回折パターンが、Ｘ線の入射角をθとしたとき、２θ＝５１．０〜５３．０度に２００面の反射を持つとともに、２θ＝４３．５〜４５．５度に１１１面の反射を持ち、且つ、２００面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２００] 、１１１面のＸ線回折反射強度をＩ[ １１１] としたとき、１１１面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ １１１] ／Ｉ[ ２００] ＝１〜８、好ましくは１〜５となる結晶構造とした。
【００３２】
また、第３の実施形態では、Ｘ線回折パターンが、Ｘ線の入射角をθとしたとき、２θ＝５１．０〜５３．０度に２００面の反射を持つとともに、２θ＝９２．０〜９４．０度に３１１面の反射を持ち、且つ、２００面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２００] 、３１１面のＸ線回折反射強度をＩ[ ３１１] としたとき、３１１面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ ３１１] ／Ｉ[ ２００] ＝０．３〜３．０、好ましくは０．４〜１．０となる結晶構造とした。
【００３３】
更に、第４の実施形態では、Ｘ線回折パターンが、Ｘ線の入射角をθとしたとき、２θ＝５１．０〜５３．０度に２００面の反射を持ち、２θ＝７５．５〜７６．５度に２２０面の反射を持ち、２θ＝４３．５〜４５．５度に１１１面の反射を持ち、且つ、２００面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２００] 、２２０面のＸ線回折反射強度をＩ[ ２２０] 、１１１面のＸ線回折反射強度をＩ[ １１１] としたとき、２２０面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ ２２０] ／Ｉ[ ２００] ＝２〜２５、好ましくは５〜１５であり、更に１１１面の２００面に対するＸ線回折反射強度比がＩ[ １１１] ／Ｉ[ ２００] ＝１〜８、好ましくは２〜５となる結晶構造とした。
【００３４】
ＸＲＤ（Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒ；Ｘ線回折装置）を用いた結晶構造物の構造解析では、試料に照射された単色Ｘ線は、試料の各格子面で回折され、格子面間隔をｄ、Ｘ線の波長をλ、格子面と入射線との間の角度をθとしたときの、Ｂｒａｇｇの式２ｄ・ｓｉｎθ＝ｎλ（ｎは整数）を満たす方向にだけ強くあらわれる。この特定の方向に強くあらわれるＸ線を回折線という。
【００３５】
従って、回折線は入射線の方向に対して、各種の格子面間隔ｄに対してＢｒａｇｇの式から定まるθの倍角２θの方向にあらわれることになる。Ｘ線回折装置ではこの倍角２θを測定する。
【００３６】
図５は、ＸＲＤによる結晶構造解析スペクトルの一例を表したものである。図５において横軸に倍角２θ（度）を、縦軸に回折反射強度を示す。図５に示すように、２θの特定の角度で回折反射強度のピークがあらわれている。このピーク位置を標準スペクトル（ＪＣＰＤカード、又はＡＳＴＭカード）に照合して格子面を同定する。
【００３７】
次に、前述のように規定した結晶構造を有する金属盤１８を原版１７から剥離し、残留するレジスト膜１６を除去・洗浄する。これにより、図４（ｄ）に示すように、反転した凹凸パターンＰを有し、且つ所定サイズに打ち抜く前の外径Ｄを有するマスター基板１１の原盤１１' が得られる。
【００３８】
この原盤１１' を打ち抜いて、図４（ｅ）に示す外径ｄの所定サイズのマスター基板１１が得られる。このマスター基板１１の凹凸パターン面に磁性層１２を成膜することでマスターディスク１０を製造することができる。
【００３９】
尚、マスターディスク１０の他の製造工程としては、原版１７に電鋳を施して第２原版を作製する。そして、この第２原版を使用して電鋳を行い、反転した凹凸パターンを有する金属盤を作製し、所定サイズに打ち抜いてマスター基板としてもよい。
【００４０】
更には、第２原版に電鋳を行うか、樹脂液を押しつけて硬化を行って第３原版を作製し、この第３原版に電鋳を行って金属盤を作製し、更に反転した凹凸パターンを有する金属盤を剥離してマスター基板としてもよい。第２原版又は第３原版を繰り返し使用し、複数の金属盤１８を作製することができる。
【００４１】
また、原版の作製において、レジスト膜を露光・現像処理した後、エッチング処理を行って、原版の表面にエッチングによる凹凸パターンを形成してからレジスト膜を除去してもよい。
【００４２】
磁性層１２の形成は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、あるいはメッキ法、塗布法等により成膜する。磁性層の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ等）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ等）、を用いることができる。特にＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉを好ましく使用することができる。磁性層１２の厚みは５０〜５００ｎｍの範囲が好ましく、１００〜４００ｎｍの範囲が更に好ましい。
【００４３】
尚、磁性層１２の上に、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、保護膜の上に更に潤滑剤層を設けても良い。この場合、保護膜として厚さが３〜３０ｎｍのＤＬＣ膜と潤滑剤層とする構成が好ましい。
【００４４】
また、磁性層と保護膜との間に、Ｓｉ等の密着強化層を設けるようにしても良い。潤滑剤はスレーブディスク１４との接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善する効果を有する。
【００４５】
本発明では、電鋳処理による金属盤１８の積層において、結晶構造を規定して柔軟性のあるＮｉ電鋳層が形成されるようにした。即ち、Ｎｉ導電膜が付与された原版１７を、Ｎｉ電鋳浴に浸漬させて５０〜１５０ｒｐｍの回転速度で回転させながらＮｉ電鋳浴中に通電する電流の電流密度を変えることにより所望の結晶構造を有する電鋳層を形成する。
【００４６】
通常、マスターディスク１０に使用される金属はニッケル（Ｎｉ）であるが、マスターディスク１０を電鋳で製造する場合には、応力の小さなマスター基板１１が得られ易いスルファミン酸ニッケル浴を使用することが好ましい。
【００４７】
スルファミン酸ニッケル浴は、例えば、スルファミン酸ニッケルを４００〜８００ｇ／Ｌ、ホウ酸を２０〜５０ｇ／Ｌ（過飽和）をベースとして界面活性剤（例えばラウリル硫酸ナトリウム）等の添加物を必要に応じて添加したものである。メッキ浴の浴温度は４０〜６０°Ｃが好適である。電鋳時の対極にはチタンケースに入れたニッケルボールを使用することが好ましい。
【００４８】
次に、上記の如く製造したマスターディスク１０の凹凸パターンＰをスレーブディスク１４に転写する磁気転写方法について説明する。図６は本発明に係るマスターディスク１０を使用して磁気転写を行うための磁気転写装置２０の要部斜視図である。
【００４９】
磁気転写時には図８（ａ）に示される後記する初期直流磁化を行った後のスレーブディスク１４のスレーブ面（磁気記録面）を、マスターディスク１０の情報担持面１３に接触させ、所定の押圧力で密着させる。そして、このスレーブディスク１４とマスターディスク１０との密着状態で、磁界生成手段３０により転写用磁界を印加して、マスターディスク１０の凹凸パターンＰをスレーブディスク１４に転写する。
【００５０】
スレーブディスク１４は、両面又は片面に磁気記録層が形成されたハードディスク、フレキシブルディスク等の円盤状記録媒体であり、マスターディスク１０に密着させる以前に、グライドヘッド、研磨体などにより表面の微小突起及び付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシィング等）が必要に応じて施される。
【００５１】
スレーブディスク１４の磁気記録層には、塗布型磁気記録層、メッキ型磁気記録層、又は金属薄膜型磁気記録層を採用できる。金属薄膜型磁気記録層の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ等）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ等）、を用いることができる。
【００５２】
これらは磁束密度が大きいこと、磁界印加方向と同じ方向（面内記録なら面内方向）の磁界異方性を有していることにより、明瞭な転写を行えるため好ましい。そして、磁性材料の下（支持体側）に必要な磁気異方性を付与するために、非磁性の下地層を設けることが好ましい。この下地層には、結晶構造と格子定数を磁性層１２に合わすことが必要である。その為には、Ｃｒ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ等を用いることが好ましい。
【００５３】
マスターディスク１０による磁気転写は、スレーブディスク１４の片面にマスターディスク１０を密着させて片面に転写を行う場合と、図示しないが、スレーブディスク１４の両面に一対のマスターディスク１０を密着させて両面で同時転写を行う場合とがある。
【００５４】
転写用磁界を印加する磁界生成手段３０は、密着保持されたスレーブディスク１４とマスターディスク１０の半径方向に延びるギャップ３１を有するコア３２にコイル３３が巻き付けられた電磁石装置３４、３４が上下両側に配設されており、上下で同じ方向にトラック方向と平行な磁力線Ｇ（図７参照）を有する転写用磁界を印加する。図７は、円周トラック１４Ａ、１４Ａ…と磁力線Ｇとの関係を示したものである。
【００５５】
磁界印加時には、スレーブディスク１４とマスターディスク１０とを一体的に回転させつつ磁界生成手段３０によって転写用磁界を印加させ、マスターディスク１０の凹凸パターンをスレーブディスク１４のスレーブ面に磁気的に転写する。尚、この構成以外に磁界生成手段の方を回転移動させるようにしてもよい。
【００５６】
転写用磁界は、最適転写磁界強度範囲（スレーブディスク１４の保磁力Ｈｃの０．６〜１．３倍）の最大値を超える磁界強度がトラック方向のいずれにも存在せず、最適転写磁界強度範囲内の磁界強度となる部分が１つのトラック方向で少なくとも１カ所以上存在し、これと逆向きのトラック方向の磁界強度が何れのトラック方向位置においても最適転写磁界強度範囲内の最小値未満である磁界強度分布の磁界をトラック方向の一部分で発生させている。
【００５７】
図８は、面内記録による磁気転写方法の基本工程を説明する説明図である。先ず、図８(ａ) に示すように、予めスレーブディスク１４に初期磁界Ｈi をトラック方向の一方向に印加して初期磁化( 直流消磁) を施しておく。
【００５８】
次に、図８(ｂ) に示すように、このスレーブディスク１４の記録面（磁気記録部）とマスターディスク１０の凹凸パターンＰが形成された情報担持面１３とを密着させ、スレーブディスク１４のトラック方向に初期磁界Ｈi とは逆方向に転写用磁界Ｈd を印加して磁気転写を行う。転写用磁界Ｈd が凹凸パターンＰの凸部の磁性層１２に吸い込まれてこの部分の磁化は反転せず、その他の部分の磁界が反転する結果、図８(ｃ) に示すように、スレーブディスク１４の磁気記録面にはマスターディスク１０の凹凸パターンＰが磁気的に転写記録される。
【００５９】
かかる磁気転写において、スレーブディスク１４とマスターディスク１０とを良好に密着させることが高精度な転写を行う上で重要であるが、本発明の柔軟性に優れたマスターディスク１０を使用することにより、良好な密着を行うことができる。
【００６０】
次に本発明の実施例と比較例について説明する。なお、本発明はこの実施例に限定するものではない。まず最初に以下の実施例と比較例の共通事項について説明する。目的のＮｉ電鋳層を形成するために、電鋳時の電流密度を変化させる。図９は電鋳時の電流（Ａ）と電鋳時間（ｍｉｎ）とを示すグラフである。全ての実施例において、電鋳時の電流密度までの立ち上げ時間（図の０〜ｔ１）を１５ｍｉｎで電流を上昇させ、最終的に図のＡｒｅａで示す面積が５０００Ａ・ｍになるように電鋳時間を調整した。
【００６１】
また、Ｘ線回折には、株式会社リガク製Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ２５００を用いた。測定条件は、Ｃｕ管球（λ＝１．５３）を用い、加速電圧５５ＫＶ、２８０Ａ、２θ＝２０°〜１３０°、ステップ幅＝０．０５°、カウント時間４ｓｅｃ、発散スリット＝１ｄｅｇ、散乱スリット＝１ｄｅｇ、受光スリット＝０．３ｍｍとした。
【００６２】
また、作成したマスター基板１１の評価は以下のように行った。先ず、作成したマスター基板１１の凹凸パターンＰ側に磁性層１２を成膜してマスターディスク１０を完成させ、スレーブディスク１４に密着させて転写磁界を印加し、情報を磁気転写する。
【００６３】
この情報を磁気転写されたスレーブディスク１４の信号出力を読み取りヘッドで読み取り、トラック１周当たりの出力（信号振幅強度）のばらつきをモジュレーション（％）で表し、このモジュレーション値（Ｍｏｄ値）で評価した。
【００６４】
Ｍｏｄ値は、磁気転写によりスレーブディスクに転写されたサーボ信号の各セクタでのプリアンブル部分（サーボ復調時の同期及びゲイン調整のために使用される信号領域）の信号を読み取りヘッドで読み取った際の出力のばらつきであり、転写時のマスターディスク１０とスレーブディスク１４間の隙間の不規則性（うねり）が主な原因で生ずる。
【００６５】
ここでは、協同電子製システム評価機Ｇｕｚｉｋ１６０１を使用し、オシロスコープでの最大信号振幅Ｍと最小信号振幅ｍにおいて、｛（Ｍ−ｍ）／（Ｍ＋ｍ）｝×１００（％）で表した。
【００６６】
Ｍｏｄ値が５％以下であると良好な転写品質が得られるが、４％以下であると十分に良好な転写品質が得られより好ましいため、Ｍｏｄ値が４％以下か否かで評価した。
【実施例】
【００６７】
マスター基板１１を、電鋳電流５ＡでＮｉを電鋳したもの（Ｊ１）、電鋳電流１５Ａで電鋳したもの（Ｊ２）、電鋳電流１５Ａで電鋳したもの（Ｊ３）、電鋳電流１５Ａで電鋳したもの（Ｊ４）と４種類作製した。
【００６８】
それぞれについて、各配向面とＸ線の回折線角度（２θ）、及び各配向面同士のＸ線回折反射強度比を（表１）に示す。各実施例Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３、及びＪ４ともＭｏｄ値が３％であり、良好な信号出力が得られた。
【００６９】
【表１】
2006260690.tif 000003
【比較例】
【００７０】
マスター基板１１を、電鋳電流４０ＡでＮｉを電鋳したもの（Ｈ１）、電鋳電流６０Ａで電鋳したもの（Ｈ２）と２種類作製した。それぞれについて、各配向面とＸ線の回折線角度（２θ）、及び各配向面同士のＸ線回折反射強度比を（表１）に示す。
【００７１】
この比較例では、Ｈ１、Ｈ２ともに２２０面のＸ線回折反射強度が極端に低く、２００面のＸ線回折反射強度に対する比率は０．００１とほとんどゼロに近かった。また、Ｍｏｄ値はＨ１が６％、Ｈ２が５％であり、実施例と比較して低い評価であった。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明のマスターディスクの部分斜視図
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図
【図３】マスター基板の平面図
【図４】本発明のマスターディスクの製造方法の一実施の形態における工程図
【図５】Ｘ線回折による結晶構造解析の一例を説明するスペクトル図
【図６】磁気転写装置の要部斜視図
【図７】転写用磁界の印加方法を示す平面図
【図８】磁気転写方法の基本工程を示す工程図
【図９】マスター基板を作製する電鋳処理における電流・電鋳時間線図
【符号の説明】
【００７３】
１０…マスターディスク（磁気転写用マスターディスク）、１１…マスター基板、１２…磁性層、１４…スレーブディスク、２０…磁気転写装置、Ｐ…凹凸パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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