(57)【要約】【課題】生産性に優れると共に、耐久性（記録保存性）に優れた光情報記録媒体用記録膜および光情報記録媒体を提供する。【解決手段】(1) 熱伝導率が 0.8Ｗ／Kcm 以下であり、波長 0.3μm 〜1.0 μm の光に対する光吸収率が15％以上であると共に、融点が 300〜800 ℃であることを特徴とする光情報記録媒体用記録膜、(2) 前記記録膜がSn，Zn，Mg，Cuの１種以上を合計で 5.0〜60at％含有するAl合金よりなるもの、(3) 前記Al合金がIn，Mn等の１種以上を合計で 2.0〜10.0at％あるいは更にNd，Ｙの１種以上を合計で 1.0〜20.0at％含有するもの、(4) 前記Al合金がCr，Ta等の１種以上を合計で 1.0〜10.0at％含有するもの、(5) 前記記録膜がSn，In等の１種以上を合計で５〜30at％含有するAg合金よりなるもの、(6) 記録膜が前記記録膜よりなる光情報記録媒体、(7) 前記記録膜の形成用のスパッタリングターゲット等。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
光情報記録媒体用記録膜であって、熱伝導率が 0.8Ｗ／Kcm 以下であり、波長 0.3μm 〜1.0 μm の光に対する光吸収率が15％以上であると共に、溶融温度が 300〜800 ℃であることを特徴とする光情報記録媒体用記録膜。
【請求項２】
光反射率が20％以上である請求項１記載の光情報記録媒体用記録膜。
【請求項３】
Sn，Zn，Mg，Cuの少なくとも１種を合計で 5.0〜60at％含有するAl合金よりなる請求項１または２記載の光情報記録媒体用記録膜。
【請求項４】
前記Al合金がIn，Mn，Niの少なくとも１種を合計で 2.0〜10.0at％含有する請求項３記載の光情報記録媒体用記録膜。
【請求項５】
前記Al合金がNd，Ｙの少なくとも１種を合計で 1.0〜20.0at％含有する請求項３または４記載の光情報記録媒体用記録膜。
【請求項６】
前記Al合金がCr，Ta，Ti，Niの少なくとも１種を合計で 1.0〜10.0at％含有する請求項３〜５のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録膜。
【請求項７】
前記Al合金がSi，Geの少なくとも１種を合計で 1.0〜15.0at％含有する請求項３〜６のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録膜。
【請求項８】
Sn，In，Bi，Ndの少なくとも１種を合計で５〜30at％含有するAg合金よりなる請求項１または２記載の光情報記録媒体用記録膜。
【請求項９】
Sn，In，Ndの少なくとも１種を合計で５〜30at％含有すると共にBi，Sbの少なくとも１種を合計で0.01〜2.0 at％含有するAg合金よりなる請求項１または２記載の光情報記録媒体用記録膜。
【請求項１０】
基板上に、記録膜、保護膜が順に形成された光情報記録媒体であって、該記録膜が請求項１〜９のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録膜からなることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１１】
基板上に、反射膜または熱調整膜、記録膜、保護膜が順に形成された光情報記録媒体であって、該記録膜が請求項１〜９のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録膜からなることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１２】
基板上に、反射膜または熱調整膜、誘電体膜、記録膜、誘電体膜、保護膜が順に形成された光情報記録媒体であって、該記録膜が請求項１〜９のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録膜からなることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１３】
前記反射膜または熱調整膜がCu合金よりなる請求項１１または１２記載の光情報記録媒体。
【請求項１４】
前記Cu合金がTi，Cr，Ta，Al，Mg，Niの少なくとも１種を合計で 3.0〜15.0at％含有する請求項１３記載の光情報記録媒体。
【請求項１５】
前記反射膜または熱調整膜の膜厚が20〜150 nmである請求項１１〜１４のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１６】
前記記録膜の膜厚が５〜50nmである請求項１０〜１５のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１７】
光情報記録媒体用記録膜の形成用のスパッタリングターゲットであって、Sn，Zn，Mg，Cuの少なくとも１種を合計で 5.0〜60at％含有するAl合金よりなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項１８】
前記Al合金がIn，Mn，Niの少なくとも１種を合計で 2.0〜10.0at％含有する請求項１７記載のスパッタリングターゲット。
【請求項１９】
前記Al合金がNd，Ｙの少なくとも１種を合計で 1.0〜20.0at％含有する請求項１７または１８記載のスパッタリングターゲット。
【請求項２０】
前記Al合金がCr，Ta，Ti，Niの少なくとも１種を合計で 1.0〜10.0at％含有する請求項１７〜１９のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項２１】
前記Al合金がSi，Geの少なくとも１種を合計で 1.0〜15.0at％含有する請求項１７〜２０のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項２２】
光情報記録媒体用記録膜の形成用のスパッタリングターゲットであって、Sn，In，Ndの少なくとも１種を合計で５〜30at％含有するAg合金よりなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２３】
光情報記録媒体用記録膜の形成用のスパッタリングターゲットであって、Biを10〜60at％含有するAg合金よりなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２４】
前記Ag合金がSbを0.01〜2.0 at％含有する請求項２２または２３記載のスパッタリングターゲット。
【請求項２５】
前記Ag合金がBiを0.05〜５at％含有する請求項２２記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光情報記録媒体用記録膜および光情報記録媒体ならびにスパッタリングターゲットに関する技術分野に属し、特には、CD-R、DVD-R 、追記型Blu-ray 、追記型HD-DVD等の追記型光情報記録媒体において使用される、従来の有機色素とは異なる光情報記録媒体用記録膜およびその記録膜を用いた光情報記録媒体に関する技術分野に属するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクにはいくつかの種類があるが、記録再生原理から大きくは、再生専用、追記型、書き換え型の３種類に分類される。
【０００３】
このうち追記型ディスクは、透明プラスチック基体上にアゾ系やシアニン系の有機色素を記録層としてコーティングし、その上にAl合金やAg合金からなる反射層を形成した構造を有している。
【０００４】
追記型ディスクでは、レーザーの照射による色素記録層の分解・変質により、その部分の反射率を変化させ、信号の記録を行っている。色素記録層の分解・変質は不可逆的な変化であるため、追記型ディスクでは、信号の記録は１回のみとなり、同じ場所を繰り返し上書き記録出来る書き換え型ディスクとの違いとなっている。
【０００５】
この色素を用いるタイプの追記型ディスクでは、ディスク製造の過程で色素をスピンコーターを用いて形成する必要があり、このため、色素記録層の膜厚制御が難しく、また、多層化が困難であって、生産性が低いという問題点がある。
【０００６】
そこで、近年、記録層に従来の有機色素の代わりに、無機系の薄膜を真空プロセスで形成する新しいタイプのディスクが提案されている。これらの無機系追記膜に関するものとしては、例えば、Te-O-Pd 系薄膜を用い、レーザー加熱により組織を不可逆的に変化させる方法〔特表WO98-09823号公報（特願平10-512489 号）〕や、Ge，Si，Snを主成分とする層とCu，Al，Zn，Agを主成分とする層とを加熱により混合する方法（特開2004-158145 号公報）が提案されている。
【０００７】
また、原理的には、Ge-Sb-TeやAg-In-Sb-Te などのいわゆる相変化材料を用いた相変化型ディスクを追記型として用いることも可能であるが、これらは少なくとも４〜５層の薄膜からなる複雑な構造となるため、コストや生産性の点で従来の色素タイプの追記型媒体に対するメリットがない。
【特許文献１】特表WO98-09823号公報
【特許文献２】特開2004-158145 号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記の通り、色素記録層を用いた場合、色素記録層の膜厚制御が難しく、また、多層化が困難であって、生産性が低いという問題点がある。また、前記従来の無機系膜を記録膜として用いた場合、耐久性（記録保存性）に問題があり、例えば耐湿熱試験後に信号特性が劣化するという問題点があった。
【０００９】
本発明はこのような事情に着目してなされたものであって、その目的は、生産性に優れると共に、耐久性（記録保存性）に優れた光情報記録媒体用記録膜および光情報記録媒体を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
レーザー照射の熱（レーザー加熱）により、無機系薄膜そのものを溶融し、物理的に穴をあけることによって記録を行う方式（以下、レーザー加熱溶融記録方式ともいう）において、前記薄膜が記録膜に該当する。この方式での記録膜は、極めて、生産性に優れており、且つ、耐久性（記録保存性）に優れている。従って、この方式において記録膜として良好な性能を発揮するもの（記録が充分可能である記録膜）を得ることができれば、上記目的を達成することができる。
【００１１】
そこで、本発明者らは、上記目的を達成するため、レーザー加熱溶融記録方式に着目して鋭意研究を行い、その結果、適切な熱伝導率、光吸収特性、溶融温度（融点）に制御された薄膜材料であれば、レーザー加熱溶融記録方式での光情報記録媒体用記録膜として良好な性能を発揮することを見出し、本発明を完成するに至った。本発明によれば上記目的を達成することができる。
【００１２】
このようにして完成され上記目的を達成することができた本発明は、光情報記録媒体用記録膜および光情報記録媒体ならびにスパッタリングターゲットに係わり、特許請求の範囲の請求項１〜９記載の光情報記録媒体用記録膜（第１〜９発明に係る光情報記録媒体用記録膜）、請求項10〜16記載の光情報記録媒体（第10〜16発明に係る光情報記録媒体）、請求項17〜24記載のスパッタリングターゲット（第17〜24発明に係るスパッタリングターゲット）であり、それは次のような構成としたものである。
【００１３】
即ち、請求項１記載の光情報記録媒体用記録膜は、光情報記録媒体用記録膜であって、熱伝導率が 0.8Ｗ／Kcm 以下であり、波長 0.3μm 〜1.0 μm の光に対する光吸収率が15％以上であると共に、溶融温度が 300〜800 ℃であることを特徴とする光情報記録媒体用記録膜である〔第１発明〕。
【００１４】
請求項２記載の光情報記録媒体用記録膜は、光反射率が20％以上である請求項１記載の光情報記録媒体用記録膜である〔第２発明〕。
【００１５】
請求項３記載の光情報記録媒体用記録膜は、Sn，Zn，Mg，Cuの少なくとも１種を合計で 5.0〜60at％含有するAl合金よりなる請求項１または２記載の光情報記録媒体用記録膜である〔第３発明〕。請求項４記載の光情報記録媒体用記録膜は、前記Al合金がIn，Mn，Niの少なくとも１種を合計で 2.0〜10.0at％含有する請求項３記載の光情報記録媒体用記録膜である〔第４発明〕。
【００１６】
請求項５記載の光情報記録媒体用記録膜は、前記Al合金がNd，Ｙの少なくとも１種を合計で 1.0〜20.0at％含有する請求項３または４記載の光情報記録媒体用記録膜である〔第５発明〕。
【００１７】
請求項６記載の光情報記録媒体用記録膜は、前記Al合金がCr，Ta，Ti，Niの少なくとも１種を合計で 1.0〜10.0at％含有する請求項３〜５のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録膜である〔第６発明〕。
【００１８】
請求項７記載の光情報記録媒体用記録膜は、前記Al合金がSi，Geの少なくとも１種を合計で 1.0〜15.0at％含有する請求項３〜６のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録膜である〔第７発明〕。
【００１９】
請求項８記載の光情報記録媒体用記録膜は、Sn，In，Bi，Ndの少なくとも１種を合計で５〜30at％含有するAg合金よりなる請求項１または２記載の光情報記録媒体用記録膜である〔第８発明〕。
【００２０】
請求項９記載の光情報記録媒体用記録膜は、Sn，In，Ndの少なくとも１種を合計で５〜30at％含有すると共にBi，Sbの少なくとも１種を合計で0.01〜2.0 at％含有するAg合金よりなる請求項１または２記載の光情報記録媒体用記録膜である〔第９発明〕。
【００２１】
請求項10記載の光情報記録媒体は、基板上に、記録膜、保護膜が順に形成された光情報記録媒体であって、該記録膜が請求項１〜９のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録膜からなることを特徴とする光情報記録媒体である〔第10発明〕。
【００２２】
請求項11記載の光情報記録媒体は、基板上に、反射膜または熱調整膜、記録膜、保護膜が順に形成された光情報記録媒体であって、該記録膜が請求項１〜９のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録膜からなることを特徴とする光情報記録媒体である〔第11発明〕。      
【００２３】
請求項12記載の光情報記録媒体は、基板上に、反射膜または熱調整膜、誘電体膜、記録膜、誘電体膜、保護膜が順に形成された光情報記録媒体であって、該記録膜が請求項１〜９のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録膜からなることを特徴とする光情報記録媒体である〔第12発明〕。
【００２４】
請求項13記載の光情報記録媒体は、前記反射膜または熱調整膜がCu合金よりなる請求項11または12記載の光情報記録媒体である〔第13発明〕。
【００２５】
請求項14記載の光情報記録媒体は、前記Cu合金がTi，Cr，Ta，Al，Mg，Niの少なくとも１種を合計で 3.0〜15.0at％含有する請求項13記載の光情報記録媒体である〔第14発明〕。
【００２６】
請求項15記載の光情報記録媒体は、前記反射膜または熱調整膜の膜厚が20〜150 nmである請求項11〜14のいずれかに記載の光情報記録媒体である〔第15発明〕。
【００２７】
請求項16記載の光情報記録媒体は、前記記録膜の膜厚が５〜50nmである請求項10〜15のいずれかに記載の光情報記録媒体である〔第16発明〕。
【００２８】
請求項17記載のスパッタリングターゲットは、光情報記録媒体用記録膜の形成用のスパッタリングターゲットであって、Sn，Zn，Mg，Cuの少なくとも１種を合計で 5.0〜60at％含有するAl合金よりなることを特徴とするスパッタリングターゲットである〔第17発明〕。
【００２９】
請求項18記載のスパッタリングターゲットは、前記Al合金がIn，Mn，Niの少なくとも１種を合計で 2.0〜10.0at％含有する請求項１７記載のスパッタリングターゲットである〔第18発明〕。
【００３０】
請求項19記載のスパッタリングターゲットは、前記Al合金がNd，Ｙの少なくとも１種を合計で 1.0〜20.0at％含有する請求項17または18記載のスパッタリングターゲットである〔第19発明〕。請求項20記載のスパッタリングターゲットは、前記Al合金がCr，Ta，Ti，Niの少なくとも１種を合計で 1.0〜10.0at％含有する請求項17〜19のいずれかに記載のスパッタリングターゲットである〔第20発明〕。
【００３１】
請求項21記載のスパッタリングターゲットは、前記Al合金がSi，Geの少なくとも１種を合計で 1.0〜15.0at％含有する請求項17〜20のいずれかに記載のスパッタリングターゲットである〔第21発明〕。
【００３２】
請求項22記載のスパッタリングターゲットは、光情報記録媒体用記録膜の形成用のスパッタリングターゲットであって、Sn，In，Ndの少なくとも１種を合計で５〜30at％含有するAg合金よりなることを特徴とするスパッタリングターゲットである〔第22発明〕。
【００３３】
請求項23記載のスパッタリングターゲットは、光情報記録媒体用記録膜の形成用のスパッタリングターゲットであって、Biを10〜60at％含有するAg合金よりなることを特徴とするスパッタリングターゲットである〔第23発明〕。
【００３４】
請求項24記載のスパッタリングターゲットは、前記Ag合金がSbを0.01〜2.0 at％含有する請求項22または23記載のスパッタリングターゲットである〔第24発明〕。
【００３５】
請求項25記載のスパッタリングターゲットは、前記Ag合金がBiを0.05〜５at％含有する請求項22記載のスパッタリングターゲットである〔第25発明〕。
【発明の効果】
【００３６】
本発明に係る光情報記録媒体用記録膜は、生産性に優れており、且つ、耐久性（記録保存性）に優れている。本発明に係る光情報記録媒体は、その記録膜として、このような記録膜を用いている。従って、本発明によれば、生産性良く、耐久性に優れた光情報記録媒体用記録膜を得ることができ、また、かかる記録膜を有する光情報記録媒体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
レーザー照射の熱（レーザー加熱）により、無機系薄膜そのものを溶融し、物理的に穴をあけることによって記録を行う方式（レーザー加熱溶融記録方式）において、この膜が記録膜として良好な性能を発揮するためには、この膜には以下の特性が要求される。
【００３８】
すなわち、レーザー光に対し、高感度で記録される必要があるため、膜（記録膜）としては、レーザー加熱による熱を効率的に吸収し、且つ、所望の範囲のみを効率的に溶融できることが望まれる。従って、熱伝導率が低く、光吸収率が高く、溶融温度が適正であることが要求されるのである。
【００３９】
そのため、本発明に係る光情報記録媒体用記録膜（以下、記録膜ともいう）は、熱伝導率については 0.8Ｗ／Kcm 以下であることとする。記録膜の熱伝導率が 0.8Ｗ／Kcm 超であると、レーザーにより入射した光を記録膜が吸収した後、熱が周囲に拡散し、レーザー照射部分の温度が十分に上昇せず、溶融に至らないためである。なお、このとき、レーザー出力を上げることで昇温は可能であるが、拡散した熱のため、記録マークが所望の範囲より大きくなってしまう。
【００４０】
光吸収率については15％以上とする。光の波長は記録・読み出しを行うために使用するレーザー波長であり、通常400 ｎｍ〜850 ｎｍ程度のものが使用されている。従って、波長 0.3μm 〜1.0 μm の光に対する光吸収率が15％以上であることとする。光吸収率が15％未満であると、記録膜に入射したレーザー光が反射または透過により熱吸収に至らず、溶融に至らないためである。
【００４１】
溶融温度（融点）については 300〜800 ℃であることとする。溶融温度が 300℃未満であると、レーザーにより入射した光により、周辺部まで溶融することとなり、記録マークが大きくなってしまい、一方、溶融温度が800 ℃超となると、記録が容易にできなくなるためである。
【００４２】
このように、本発明に係る記録膜（光情報記録媒体用記録膜）は、熱伝導率が 0.8Ｗ／Kcm 以下であり、且つ、波長 0.3μm 〜1.0 μm の光に対する光吸収率が15％以上であると共に、溶融温度が 300〜800 ℃であることとしているので、レーザー加熱溶融記録方式での記録膜として良好な性能を発揮する。即ち、レーザー加熱溶融記録方式において、その記録膜として本発明に係る記録膜を用いると、記録を行うに際し、この記録膜はレーザー加熱による熱を効率的に吸収し、且つ、記録膜の所望の範囲のみを効率的に溶融でき、従って、記録膜として良好な性能を発揮する（記録が充分可能である）。
【００４３】
本発明に係る記録膜は、レーザー加熱溶融記録方式での記録膜として用いられ、上記のように良好な性能を発揮する。この方式での記録膜は、前述のように、極めて生産性に優れており、且つ、耐久性（記録保存性）に優れている。即ち、この方式での記録膜は、無機系のものであるので、従来の色素記録層の場合に比較して、極めて膜厚制御が容易であると共に多層化が容易であること等に起因して、極めて生産性に優れている。また、この方式での記録膜は、Ge-Sb-Te等の相変化材料を用いる場合のような複雑な構造とする必要がないので、このような相変化材料を用いる場合に比べて、極めて生産性に優れている。また、この方式での記録膜は、レーザー照射の熱（レーザー加熱）により溶融して物理的に穴をあけることによって記録が行われるので、従来の無機系の薄膜（特願平10-512489 号公報、特開2004-158145 号公報）のようにレーザー加熱による組織の不可逆的変化等によって記録が行われる場合に比べて、記録信号特性が劣化し難く、記録保存安定性が高くて耐久性に優れている。
【００４４】
従って、本発明に係る記録膜（光情報記録媒体用記録膜）は、レーザー加熱溶融記録方式での記録膜として良好な性能を発揮する（記録が充分可能である）ものであるばかりでなく、生産性に優れており、且つ、耐久性（記録保存性）に優れている。即ち、本発明によれば、レーザー加熱溶融記録方式での記録膜として良好な性能を発揮すると共に耐久性に優れた光情報記録媒体用記録膜を生産性良く得ることができる。
【００４５】
また、本発明に係る記録膜は、媒体の構造によっては反射膜としての機能も併せ持つことができるという利点もあり、この点において更に有用である。このような反射膜としての機能も必要な場合には、膜の光反射率が20％以上となるようにすることが望ましい〔第２発明〕。
【００４６】
本発明に係る記録膜としては、その組成面から具体的には、Sn，Zn，Mg，Cuの１種以上を合計で 5.0〜60at％含有するAl合金よりなるもの、Sn，In，Bi，Ndの１種以上を合計で５〜30at％含有するAg合金よりなるものを挙げることができる〔前者：第３発明、後者：第８発明〕。これらはいずれのものも、主成分とするAlまたはAgの溶融温度（液相線温度）を大きく上げることなく、熱伝導率を大きく低減し、且つ、光吸収率を向上する元素を添加したものである。なお、前述の特表WO98-09823号公報に記載されているような元素の中、例えば遷移金属等を添加しても熱伝導率は低下するが、溶融温度が大きく上昇して、記録しにくくなる。
【００４７】
第３発明に係るSn，Zn，Mg，Cuの１種以上の添加量を合計で 5.0at％未満とした場合、熱伝導率の低減効果が少なく、また、光吸収率の向上効果が少なく、一方、この添加量を合計で60at％超とした場合、反射膜との兼用型では、反射率の低下が懸念される。これら４元素の中でもSn，Zn，Mgの３種類はCuと比較して添加効果が高いので、Sn，Zn，Mgを選択することが好ましい。Cuを添加元素として選択する場合には、後記第４〜７発明にて説明する様な更なる添加元素を同時に添加することが望まれる。第８発明に係るSn，In，Bi，Ndの１種以上の添加量を合計で５at％未満とした場合、熱伝導率低減効果が少なく、また、光吸収率向上効果が少なく、一方、この添加量を合計で30at％超とした場合、溶融温度の上昇が著しくなり、記録膜としての特性が発揮できなくなり、また、反射膜との兼用型では、反射率の低下も懸念される。
【００４８】
上記第３発明に係るAl合金に更にIn，Mn，Niの少なくとも１種を合計で 2.0〜10.0at％含有するようにすると、更に吸収率を増大し、記録マーク形成の際のレーザーパワーが膜面で10mW未満という低パワーの記録条件下でも記録マーク形成が可能となる。また、高温高湿環境下保持による反射率の低下の程度を更に小さくすることができ、ひいては耐久性を向上することができる。これは、AlやSnの表面酸化膜の構造がち密化し、バリア性が向上するためであると考えられる〔第４発明〕。ここで、In，Mn，Niの１種以上の添加量を合計で 2.0at％未満とした場合、このような効果、特に記録マーク形成の際のレーザーパワー低減効果が充分には得られず、10.0at％超とした場合、反射率（成膜後、高温高湿環境下暴露前での反射率）が低下し、また、高温高湿環境下保持による反射率の低下の程度が大きくなる傾向がある。かかる点から、In，Mn，Niの１種以上の添加量は合計で 2.0〜10.0at％とするのがよい。
【００４９】
上記第３〜４発明に係るAl合金に更にNd，Ｙの１種以上を合計で 1.0〜20.0at％含有するようにすると、Nd，ＹはAlの溶融温度を大きく上げることなく、熱伝導率を大きく低減し、且つ、光吸収率を向上する元素であるので、溶融温度を大きく上げることなく、熱伝導率をより低減し、且つ、光吸収率をより向上することができる〔第５発明〕。ここで、Nd，Ｙの１種以上の添加量を合計で 1.0at％未満とした場合、このような効果が充分には得られず、20.0at％超とした場合、溶融温度の上昇が著しくなって記録膜としての特性が発揮できなくなり、また、反射膜との兼用型では、反射率の低下も懸念される。
【００５０】
上記第３〜５発明に係るAl合金に更にCr，Ta，Ti，Niの１種以上を合計で 1.0〜10.0at％含有するようにすると、耐食性を大きく改善できると共に、更なる熱伝導率の低下および光吸収率の向上もはかれる〔第６発明〕。記録膜は通常、５〜数十ｎｍ程度の厚みで使用されることから、耐食性に優れたものであることは極めて有用である。なお、Cr，Ta，Ti，Niの１種以上の添加量を合計で 1.0at％未満とした場合、このような耐食性向上効果等が充分には得られず、10.0at％超とした場合、溶融温度が上昇しすぎて記録膜としての特性が発揮できなくなり、また、反射率の低下も懸念される。
【００５１】
上記第３〜６発明に係るAl合金に更にSi，Geの１種以上を合計で 1.0〜15.0at％含有するようにすると、溶融温度をより低減することができ、また、更なる耐食性の向上がはかれる〔第７発明〕。ここで、Si，Geの１種以上の添加量を合計で 1.0at％未満とした場合には、このような溶融温度低減効果等が充分には得られない。一方、この添加量が合計で15.0at％を超えても膜特性としては特に問題となる劣化が生じるわけではないが、反射膜と兼用される場合の反射率の低下の懸念や、膜形成用のスパッタリングターゲット製造の容易さの観点から、15.0at％以下とするのがよい。なお、Si，Geの添加には、熱伝導率の低減効果はない。
【００５２】
Sn，In，Ndの少なくとも１種を合計で５〜30at％含有すると共にBi，Sbの少なくとも１種を合計で0.01〜2.0 at％含有するAg合金よりなる記録膜は、前記第８発明に係るAg合金よりなる記録膜と同様の作用効果を奏することができる上に、前記第８発明に係るAg合金よりなる記録膜に比べて反射率低下の抑制の程度が大きく、反射膜と兼用する場合において有利である〔第９発明〕。即ち、この第９発明に係るAg合金はSn，In，Ndの１種以上を合計で５〜30at％含有するので、前記第８発明に係るAg合金と同様の作用効果を奏することができ、また、Bi，Sbの１種以上を含有することにより、耐湿熱試験後の反射率低下を抑制することができるので、反射膜と兼用する場合において有利である。ここで、Bi，Sbの１種以上の添加量を合計で0.01at％未満とした場合、このような反射率低下の抑制効果が小さく、一方、この添加量が合計で2.0 at％を超えると逆に反射率低下が大きくなる。なお、Sn，In，Nd量の作用については、前記第８発明に係るSn，In，Nd量の場合と同様である。
【００５３】
本発明に係る光情報記録媒体は、基板上に記録膜、保護膜が順に形成された光情報記録媒体であって、この記録膜が請求項１〜９のいずれかに記載の記録膜（第１〜９発明に係る記録膜のいずれか）からなることとしている〔第10発明〕。また、基板上に、反射膜または熱調整膜、記録膜、保護膜が順に形成された光情報記録媒体であって、この記録膜が第１〜９発明に係る記録膜のいずれかからなることとしている〔第11発明〕。また、基板上に、反射膜または熱調整膜、誘電体膜、記録膜、誘電体膜、保護膜が順に形成された光情報記録媒体であって、該記録膜が第１〜９発明に係る記録膜のいずれかからなることとしている〔第12発明〕。
【００５４】
第１〜９発明に係る記録膜（本発明に係る記録膜）は、前述のことからわかるように、レーザー加熱溶融記録方式での記録膜として良好な性能を発揮する（記録が充分可能である）ばかりでなく、生産性に優れており、且つ、耐久性（記録保存性）に優れている。本発明に係る光情報記録媒体は、いずれも、その記録膜として第１〜９発明に係る記録膜（本発明に係る記録膜）のいずれかを用いている。
【００５５】
従って、本発明に係る光情報記録媒体は、記録膜が良好な性能を発揮して記録が充分可能であるばかりでなく、生産性良く得ることができ、且つ、記録膜の耐久性（記録保存性）に優れている。
【００５６】
第10発明に係る光情報記録媒体の例を図１（断面模式図）に示す。基板側から基板3A、記録膜（以下、記録層ともいう）2A、保護膜（以下、保護層ともいう）1Aが設けられている。
【００５７】
第10発明に係る光情報記録媒体において、記録膜の厚みとしては５〜50nmであることが好ましい〔第16発明〕。薄膜化による透過光の増大と反射率の減少、熱容量の低減から、記録膜の厚みが10nm以上、40nm以下であることがより好ましい。
【００５８】
保護層側から読み取り用レーザーを入射して反射光により読み取りを行う場合には、保護層は透明樹脂であることが好ましく、かかる透明樹脂としてはポリカーボネート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。加工性や光学特性の点からポリカーボネート樹脂が特に好ましい。保護層としてポリカーボネート樹脂を用いる場合、通常、DVD では厚さ0.6mm 、CDでは厚さ1.2mm のポリカーボネートが使用されるが、これらに特に限定されるものではなく、成形性や強度の点から0.05mm以上、1.5mm 以下が好ましい。基板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂等の透明樹脂が好ましい。透明保護層は２層であってもよい。
【００５９】
なお、前記図１に例示の光情報記録媒体において、記録膜は反射膜としての機能も併せ持つこととなるため、反射率も適正に整えられていることが望まれる。
【００６０】
第11発明に係る光情報記録媒体の例を図２（断面模式図）に示す。基板側から基板4B、反射膜または熱調整膜3B、記録層2B、保護層1Bが設けられている。
【００６１】
前記図１に例示の光情報記録媒体においては、記録層は基板と保護層とで挟まれるために、熱の逃げ場がなく、基板へのダメージが大きくなったり、膜面で熱が広がりやすくなることからシャープな記録が困難になることなども懸念される。これに対し、第11発明に係る光情報記録媒体においては、熱調整層を設けることにより、熱の膜面方向の広がりを抑制すると共に、余分の熱で基板がダメージを受けることを抑制する。また、記録膜だけでは再生時の反射率が不足する場合には、再生特性の向上のために反射層を設ける。
【００６２】
第11発明に係る光情報記録媒体において、熱調整層を設ける場合には、熱調整層の熱伝導率は記録膜と同等以下であることが望ましい。熱調整層の熱伝導率が高いと、記録膜を溶融する際の熱が逃げすぎるからである。また、耐食性が良好であることが望ましい。
【００６３】
第11発明に係る光情報記録媒体における反射膜または熱調整膜の構成材料としては、例えば、Ag、Al、Cu、Au等からなる合金を挙げることができるが、Cu合金を使用することが推奨される〔第13発明〕。Cu合金としては、Ti，Cr，Ta，Al，Mg，Niの１種以上を合計で 3.0〜15.0at％含有するものが、前記熱伝導率の観点や耐食性の観点から望ましい〔第14発明〕。反射膜または熱調整膜の膜厚としては、20〜150 nmであることが好ましい〔第15発明〕。この膜厚は、光透過性、熱容量の観点からは10nm〜50nmであることが特に好ましい。
【００６４】
第12発明に係る光情報記録媒体の例を図３（断面模式図）に示す。記録層2Cの上下に誘電体膜3C、3C, を設けている。そして、レーザーが入射する面と反対の側の誘電体膜3Cの下に反射膜（以下、反射層ともいう）または熱調整膜（以下、熱調整層ともいう）4Cを設けている。即ち、基板側から基板5C、反射膜または熱調整膜4C、誘電体膜3C、記録層2C、誘電体膜3C, 、保護層1Cが設けられている。この誘電体膜3C、3C, は、記録層2Cの溶融による基板5Cや他の層への熱の影響を抑制するために、記録層2Cの上下に挿入したものである。
【００６５】
この誘電体膜（誘電体層）の構成材料としては、ZnS-SiO2 , ZnS, SiO2 , SiN, SiC 等を挙げることができる。ZnS-SiO2は光学特性、熱膨張係数の小ささから特に好まれる。上記誘電体膜の厚みは１nm以上200nm 以下であることが好ましい。１nm未満では誘電体層としての役割が十分でなく、200nm 超では膜応力により基板に歪が生じて基板の平滑性が失われるためである。
【００６６】
第11〜12発明に係る光情報記録媒体や第13〜15発明に係る光情報記録媒体においても、第10発明に係る光情報記録媒体の場合と同様の意味で、記録膜の厚みとしては５〜50nmであることが好ましい〔第16発明〕。薄膜化による透過光の増大と反射率の減少、熱容量の低減から、記録膜の厚みが10nm以上、40nm以下であることがより好ましい。
【００６７】
第４〜９発明に係る光情報記録媒体用記録膜を得るためには、スパッタリング法を採用することが好ましく、その際、スパッタリングターゲットとして第17〜25発明に係るスパッタリングターゲットを使用することが推奨される。
【００６８】
第17発明に係るスパッタリングターゲットを使用すると、第３発明に係る記録膜を形成することができる。第18発明に係るスパッタリングターゲットを使用すると、第４発明に係る記録膜を形成することができる。第19発明に係るスパッタリングターゲットを使用すると、第５発明に係る記録膜を形成することができる。第20発明に係るスパッタリングターゲットを使用すると、第６発明に係る記録膜を形成することができる。第21発明に係るスパッタリングターゲットを使用すると、第７発明に係る記録膜を形成することができる。第22発明に係るスパッタリングターゲットや第23発明に係るスパッタリングターゲットを使用すると、第８発明に係る記録膜を形成することができる。第24発明に係るスパッタリングターゲットや第25発明に係るスパッタリングターゲットを使用すると、第９発明に係る記録膜を形成することができる。
【００６９】
なお、Biの場合、スパッタリングターゲット（以下、ターゲットともいう）と形成される記録膜とで含有量が異なっている。これは、Biの場合はターゲットでの組成と形成される膜の組成が一致しなくなるためである。Bi以外の元素については、ターゲットでの組成と形成される膜の組成が一致もしくは略一致するが、Biは蒸気圧が低いため、スパッタリングによる成膜の際のターゲット中のBiの膜への歩留まりが低くなっているものと考えられる。
【実施例】
【００７０】
本発明の実施例および比較例について、以下説明する。なお、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００７１】
〔例１〕
熱解析シミュレーションを行って、最高到達温度を計算した。このとき、ポリカーボネート基板（ポリカーボネートよりなる基板）上に記録膜、保護膜が順にあり、この記録膜の厚みは20nmとした。この記録膜の構成材料（記録材料）はAl合金とし、記録膜の光吸収率は30％とした。レーザースポットはφ0.3 μm とした。レーザーの照射時間は15nsとした。記録膜の熱伝導率をパラメータとして変化させた。
【００７２】
上記計算の結果、即ち、上記計算により求められた最高到達温度（レーザースポット中心部での最高到達温度）を表１に示す。また、レーザースポット中心部と、該中心部から0.3 μm 離れた位置の最高到達温度比〔上記計算により求められた最高到達温度（レーザースポット中心部での最高到達温度）／レーザースポット中心部から0.3 μm 離れた位置での最高到達温度〕を求め、これを熱干渉率とし、表１に示した。
【００７３】
表１から明らかなように、記録膜の熱伝導率が 0.8Ｗ／Kcm 超の場合は、熱拡散がはやく、温度が十分上昇せず、記録膜の溶融温度近傍まで到達しないことがわかる。また、この場合、熱干渉が大きく、微細なマーク形成が難しいことをあらわしている。
【００７４】
〔例２〕
熱解析シミュレーションを行って、最高到達温度を計算した。このとき、ポリカーボネート基板上に記録膜、保護膜が順にあり、この記録膜の厚みは20nmとした。この記録膜の構成材料（記録材料）はAl合金とし、記録膜の熱伝導率は 0.3Ｗ／Kcm とした。レーザースポットはφ0.3 μm とした。レーザーの照射時間は15nsとした。記録膜の光吸収率をパラメータとして変化させた。
【００７５】
上記計算の結果、即ち、上記計算により求められた最高到達温度を表２に示す。表２から明らかなように、記録膜の光吸収率が15％未満の場合は、記録温度が十分上昇せず、溶融温度近傍まで達しないことがわかる。
【００７６】
〔例３〕
厚さ0.6mm 、直径120mm のポリカーボネート樹脂基板（ポリカーボネート樹脂よりなる基板）上に、厚さ20nmのAl合金よりなる記録膜を形成した。
【００７７】
このとき、記録膜の熱伝導率は0.05〜1.0 Ｗ／Kcm となるように記録膜構成材料（Al合金）の組成等を調整した。記録膜は、Al合金よりなるスパッタリングターゲットを用い、スパッタリングにより形成した。記録膜の組成はICP 質量分析で測定した。
【００７８】
記録膜の熱伝導率は、ヴィーデマン・フランツの式により、記録膜（薄膜）の比抵抗率から換算して求めた。この記録膜（薄膜）の比抵抗の測定には厚さ100nm のガラス基板上の薄膜を用い、４探針抵抗測定器により抵抗率を測定し、シート抵抗を算出して比抵抗を計算した。
【００７９】
記録膜の反射率は、可視・紫外分光光度計〔（株）日本分光製V-570 〕を用い、ポリカーボネート樹脂基板上に成膜した記録層の絶対反射率を測定して求めた。
【００８０】
記録膜の光吸収率（％）は、100 −〔反射率（％）＋透過率（％）〕の式を用いて計算した。この透過率（％）は、上記可視・紫外分光光度計を用い、反射率測定を行ったサンプルにより測定を行って求めた。
【００８１】
記録膜の溶融温度は、厚さ１μｍに成膜したAl合金膜を基板より剥離し、約５mg収集したものを示差熱測定器を用いて測定し、溶け初めの温度と溶け終わりの温度の平均値として算出した。
【００８２】
このようにして形成された記録膜に対して記録マークの形成（記録）を行った。この記録マークの形成に際し、レーザーパワーは膜面で10mWとし、線速度は５ｍ／ｓとした。光源には波長405nm の半導体レーザーを用い、レーザースポットサイズは直径0.8 μm とした。レーザー光は記録膜側から照射した。
【００８３】
上記記録（記録マークの形成）後のマーク形状を光学顕微鏡により観察し、レーザー照射面積（S1）に対するマーク形成面積（溶融面積）（S2）の比を面積率として画像処理解析により算出して求め、面積率〔（S2／S1）×100 〕が20％未満の場合を×（不良）、20〜90％（20％以上90％以下）の場合を○（良好）、90％超の場合を△（○より劣るが、×よりは良く、許容範囲にある）とし、これを記録性能の指標とした。
【００８４】
この結果を表３に示す。表３から明らかなように、記録膜の融点は、いずれの記録膜も 300〜800 ℃の範囲内にあると共に、記録膜の間で大差がなく、ほぼ同等の水準にあり、これらの記録膜の中で、熱伝導率が 0.8Ｗ／Kcm 以下であると共に光吸収率が15％以上である記録膜において、記録性能指標の面積率〔（S2／S1）×100 〕が20〜90％（○）であって良好な記録マークが形成できていることがわかる。なお、反射率（光反射率）は表３に示す通りである。これは波長405nm における初期反射率である。
【００８５】
〔例４〕
(1) 厚さ0.6mm 、直径120mm のポリカーボネート基板上に、スパッタリングにより、厚さ20nmのAl膜またはAl合金膜を成膜した。このAl合金膜としては、Al-Sn 合金膜、Al-Mg 合金膜またはAl-Zn 合金膜を成膜した（後述の表４におけるNo.6〜9 、No.10 〜21）。このとき、合金元素量（Sn含有量、Mg含有量、Zn含有量）を変化させた。
【００８６】
上記Al膜およびAl合金膜のそれぞれについて、前記例３の場合と同様の方法により、膜の熱伝導率、反射率、光吸収率、溶融温度を求めた。また、これらの膜のそれぞれに対して、前記例３の場合と同様の方法により、記録マークの形成（記録）を行い、レーザー照射面積（S1）に対するマーク形成面積（S2）の比を面積率〔（S2／S1）×100 〕として求め、これを記録性能の指標とした。この面積率の評価基準は、前記例３の場合と同様とした。即ち、この面積率が20％未満の場合を×（不良）、20〜90％（20％以上90％以下）の場合を○（良好）、90％超の場合を△（○より劣るが、許容範囲にある）とした。
【００８７】
この結果を表４に示す（No.6〜9 、No.10 〜21）。表４から明らかなように、Al-Sn 合金膜、Al-Mg 合金膜、Al-Zn 合金膜は、いずれも、Al膜に比較して熱伝導率が極めて低く、溶融温度についてはAl膜の場合と同等もしくはそれより低く、従って、AlへのSn，Mg，Znの添加により、溶融温度を上昇させることなく、熱伝導率を小さくすることができることがわかる。また、これらの元素の添加量（含有量）が５at％以上の場合、記録性能指標の面積率〔（S2／S1）×100 〕が○：20〜90％または△：90％超（ほとんどが○、一部が△）であり、５〜60at％の場合、全て○（20〜90％）であって良好な記録マークが形成されていることがわかる。なお、反射率（光反射率）は表４に示す通りである。これは波長405nm における初期反射率である。
【００８８】
(2) 上記(1) の場合と同様の基板上に同様の方法により、厚さ20nmのAl-Sn-In合金膜、Al-Sn-Mn合金膜、Al-Sn-Ni合金膜を成膜した〔表４におけるNo.(符号）I-1 〜I-4 、M-1 、N-1 〕。このとき、Sn含有量は全て10.0at％である。In含有量は変化させた（２〜12at％）。
【００８９】
これらのAl合金膜について、前記例３の場合と同様の方法により、膜の熱伝導率、反射率、光吸収率、溶融温度を求めた。また、一部を除き、前記例３の場合と同様の方法により、記録マークの形成（記録）を行った。即ち、レーザーパワーを変化させ、この点以外は前記例３の場合と同様とし、記録マークの形成を行った。
【００９０】
更に、高温高湿（温度：80℃、湿度：85％RH）環境下に96時間保持する環境試験による反射率の低下の程度、即ち、環境試験前後の反射率低下の程度を調べ、これをもって耐食性を評価した。
【００９１】
この結果を表４に示す〔No.(符号）I-1 〜I-4 、M-1 、N-1 〕。No.(符号）I-1 〜I-4 、M-1 、N-1 のものは、溶融温度が低下したため、記録マーク形成の際のレーザーパワーが膜面で10mW未満という低パワーの記録条件下でも記録マーク形成が可能であった（表４の記録マーク判定の欄で○または◎）。これらの中、No.(符号） I-1〜I-4 のものは、特に低いレーザーパワーで記録マーク形成が可能であった（表４の記録マーク判定の欄で◎）。これは、Sn含有合金に更にIn，Mn，Niの１種： 2.0at％以上を含有させることにより、溶融温度が低下したためである。
【００９２】
No.(符号）I-1 〜I-4 、M-1 、N-1 のものの中、No.(符号）I-4 のもの（In含有量：12at％）は環境試験による反射率の低下の程度が大きく、耐食性が×（不良）であったが、これ以外のものは、環境試験による反射率の低下の程度が小さく、耐食性が○（良好）または◎（優、即ち○よりも良好）であり、ほとんどが◎（優）であった。これは、Al-Sn 合金膜の場合に比べ、In，Mn，Niの１種： 2.0〜10.0at％のAl-Sn-In合金膜、Al-Sn-Mn合金膜、Al-Sn-Ni合金膜は、AlやSnの表面酸化膜の形成が抑制されるためであると考えられる。即ち、Sn含有合金に更にIn，Mn，Niの１種： 2.0〜10.0at％を含有させることにより、AlやSnの表面酸化膜の形成が抑制されるようになったためであると考えられる。
【００９３】
以上より、In，Mn，Niを 2.0〜10.0at％含有させることによって、記録マーク形成の際のレーザーパワーが膜面で10mW未満という低パワーの記録条件下でも記録マーク形成が可能になると共に、環境試験による反射率の低下の程度が小さくなり、耐食性を向上し得ることが確認された。
【００９４】
〔例５〕
厚さ0.6mm 、直径120mm のポリカーボネート基板上に、スパッタリングにより、厚さ20nmのAl膜またはAl合金膜を成膜した。このAl合金膜としては、Al-Sn 合金膜、Al-Sn-Nd合金膜、Al-Sn-Ｙ合金膜またはAl-Cu-Nd合金膜を成膜した。このとき、Al-Sn-Nd合金膜でのNd含有量を変化させた。
【００９５】
上記Al膜およびAl合金膜のそれぞれについて、前記例３の場合と同様の方法により、膜の熱伝導率、反射率、光吸収率、溶融温度を求めた。また、これらの膜のそれぞれに対して、前記例３の場合と同様の方法により、記録マークの形成（記録）を行い、レーザー照射面積（S1）に対するマーク形成面積（S2）の比を面積率〔（S2／S1）×100 〕として求め、これを記録性能の指標とした。この面積率の評価基準は、前記例３の場合と同様とした。即ち、この面積率が20％未満の場合を×（不良）、20〜90％（20％以上90％以下）の場合を○（良好）、90％超の場合を△（○より劣るが、許容範囲にある）とした。
【００９６】
この結果を表５に示す。表５から明らかなように、Al-Sn(30at％)-Nd(1.0〜30at％) 合金膜、Al-Sn(30at％)-Ｙ(10 at％) 合金膜およびAl-Cu(15at％)-Nd(10at ％) 合金膜は、Al-Sn(30at％) 合金膜に比較して熱伝導率が低く、この中、Al-Sn(30at％)-Nd(1.0〜20at％) 合金膜およびAl-Sn(30at％)-Ｙ(10 at％) 合金膜は、溶融温度がAl-Sn(30at％) 合金膜の場合と同等であり、従って、Al-Sn 合金に更にNdやＹを1.0 〜20at％の量で添加することにより、溶融温度を上昇させることなく、熱伝導率を小さくすることができることがわかる。また、Al-Sn 合金あるいはAl-Cu 合金にNdやＹを1.0 〜20at％の量で添加したものは、記録性能指標の面積率〔（S2／S1）×100 〕が○（20〜90％）であって良好な記録マークが形成できていることがわかる。なお、Al-Sn(30at％)-Nd(0.5at％) 合金膜は、記録性能指標の面積率〔（S2／S1）×100 〕が○であるものの、熱伝導率の低下の程度が小さい。Al-Sn(30at％)-Nd(30 at％) 合金膜は溶融温度が高すぎ、記録性能指標の面積率〔（S2／S1）×100 〕が×（20％未満）であって記録性能が悪い。従って、Al-Sn 合金あるいはAl-Cu 合金へのNdやＹの添加量は1.0 〜20at％とするのがよいことがわかる。なお、反射率（光反射率）は表５に示す通りである。これは波長405nm における初期反射率である。
【００９７】
〔例６〕
厚さ0.6mm 、直径120mm のポリカーボネート基板上に、スパッタリングにより、厚さ20nmのAl膜またはAl合金膜を成膜した。このAl合金膜としては、Al-Sn 合金膜、Al-Sn-Nd-Ta 合金膜、Al-Sn-Nd-Ti 合金膜またはAl-Sn-Nd-Cr 合金膜を成膜した。このとき、Al-Sn-Nd-Ta 合金膜でのTa含有量を変化させた。
【００９８】
上記Al膜およびAl合金膜のそれぞれについて、前記例３の場合と同様の方法により、膜の熱伝導率、光吸収率、溶融温度、反射率（波長405nm における初期反射率）を求めた。また、これらの膜のそれぞれに対して、前記例３の場合と同様の方法により、記録マークの形成（記録）を行い、レーザー照射面積（S1）に対するマーク形成面積（S2）の比を面積率〔（S2／S1）×100 〕として求め、これを記録性能指標とした。この面積率の評価基準は、前記例３の場合と同様とした。即ち、この面積率が20％未満の場合を×（不良）、20〜90％（20％以上90％以下）の場合を○（良好）、90％超の場合を△（○より劣るが、許容範囲にある）とした。
【００９９】
また、上記Al膜およびAl合金膜のそれぞれについて、温度80℃、湿度85％の大気雰囲気中に96時間保持した後、反射率（波長405nm における反射率）の測定を行い、波長405nm における反射率の96時間保持前後での低下量を求めた。
【０１００】
この結果を表６に示す。表６から明らかなように、Al-Sn(30at％)-Nd(5.0at％)-Ta(1.0〜15at％) 合金膜、Al-Sn(30at％)-Nd(5.0at％)-Ti(2.0at％) 合金膜、Al-Sn(30at％)-Nd(5.0at％)-Cr(2.0at％) 合金膜は、耐食性に優れ、反射率低下量が小さく、従って、Ta，Ti，Crを1.0 at％以上の量で添加することにより、耐食性を向上させ、反射率低下を抑制することができることがわかる。なお、Al-Sn(30at％)-Nd(5.0at％)-Ta(0.5at％) 合金膜は、反射率低下の抑制の程度が小さい。Al-Sn(30at％)-Nd(5.0at％)-Ta(15 at％) 合金膜は、溶融温度が高すぎ、記録性能指標の面積率〔（S2／S1）×100 〕が×（20％未満）であって記録性能が悪い。従って、Ta，Ti，Crの添加量は1.0 〜10.0at％とするのがよいことがわかる。
【０１０１】
〔例７〕
厚さ0.6mm 、直径120mm のポリカーボネート基板上に、スパッタリングにより、厚さ20nmのAl膜またはAl合金膜を成膜した。このAl合金膜としては、Al-Sn-Nd-Ta 合金膜、Al-Sn-Nd-Ta-Si合金膜またはAl-Sn-Nd-Ta-Ge合金膜を成膜した。このとき、Al-Sn-Nd-Ta-Si合金膜でのSi含有量を変化させた。
【０１０２】
上記Al膜およびAl合金膜のそれぞれについて、前記例３の場合と同様の方法により、膜の熱伝導率、光吸収率、溶融温度、反射率（波長405nm における初期反射率）を求めた。また、これらの膜のそれぞれに対して、前記例３の場合と同様の方法により、記録マークの形成（記録）を行い、レーザー照射面積（S1）に対するマーク形成面積（S2）の比を面積率〔（S2／S1）×100 〕として求め、これを記録性能指標とした。この面積率の評価基準は、前記例３の場合と同様とした。即ち、この面積率が20％未満の場合を×（不良）、20〜90％（20％以上90％以下）の場合を○（良好）、90％超の場合を△（○より劣るが、許容範囲にある）とした。
【０１０３】
また、上記Al膜およびAl合金膜について、耐食性の評価試験を行った。この試験は、35℃、５％NaCl水溶液に浸漬してアノード分極測定をし、これから孔食発生電位（電流密度が10μA/cm2 に対応する電位）を求め、これにより耐食性を評価するという方法により行った。
【０１０４】
この結果を表７に示す。表７から明らかなように、Al-Sn(30at％)-Nd(2.0at％)-Ta(1.0at％)-Si(1.0〜15.0at％) 合金膜、Al-Sn(30at％)-Nd(2.0at％)-Ta(1.0at％)-Ge(15.0at ％) 合金膜は、孔食発生電位が貴であり、耐孔食性に優れており、従って、Si，Geを1.0 〜15.0at％の量で添加することにより、孔食発生電位を貴にし、耐孔食性を向上し、ひいては、反射率低下を抑制することができることがわかる。なお、Si，Geの添加量が 1.0at％未満の場合には、このような効果が小さく、15.0at％超の場合には、溶融温度が著しく増加して記録性能が悪い。従って、Si，Geの添加量は 1.0〜15.0at％とするのがよいことがわかる。
【０１０５】
〔例８〕
厚さ0.6mm 、直径120mm のポリカーボネート基板上に、スパッタリングにより、厚さ20nmのAg膜またはAg合金膜を成膜した。このAg合金膜としては、Ag-Sn 合金膜、Ag-In 合金膜、Ag-Nd 合金膜、Ag-Bi 合金膜またはAg-Sn-Bi合金膜を成膜した。このとき、Ag-Sn 合金膜でのSn含有量、Ag-Sn-Bi合金膜でのBi含有量を変化させた。
【０１０６】
上記Ag膜およびAg合金膜のそれぞれについて、前記例３の場合と同様の方法により、膜の熱伝導率、光吸収率、溶融温度、反射率（波長405nm における初期反射率）を求めた。また、これらの膜のそれぞれに対して、前記例３の場合と同様の方法により、記録マークの形成（記録）を行い、レーザー照射面積（S1）に対するマーク形成面積（S2）の比を面積率〔（S2／S1）×100 〕として求め、これを記録性能指標とした。この面積率の評価基準は、前記例３の場合と同様とした。即ち、この面積率が20％未満の場合を×（不良）、20〜90％（20％以上90％以下）の場合を○（良好）、90％超の場合を△（○より劣るが、許容範囲にある）とした。
【０１０７】
また、上記Ag膜およびAg合金膜のそれぞれについて、温度80℃、湿度85％の大気雰囲気中に96時間保持した後、反射率（波長405nm における反射率）の測定を行い、波長405nm における反射率の96時間保持前後での低下量を求めた。
【０１０８】
この結果を表８に示す。表８から明らかなように、Ag-Sn(15at％、30at％) 合金膜、Ag-In(15at％) 合金膜、Ag-Nd(15at％) 合金膜、Ag-Bi(15at％) 合金膜は、Ag膜に比較して熱伝導率が極めて低く、溶融温度についてはAg膜の場合と同等もしくはそれより低く、従って、AgへのSn，In，Nd，Biの添加により、溶融温度を上昇させることなく、熱伝導率を小さくすることができることがわかる。これらの元素の添加量（含有量）が５at％以上の場合、良好な記録マークが形成され、記録性能が良好である。Ag-Sn(3.0 at％) 合金膜は記録性能指標の面積率〔（S2／S1）×100 〕が×（20％未満）であって記録性能が悪い。Sn，In，Nd，Biの添加量が５at％未満の場合、熱伝導率低減効果が少なく、一方、30at％超の場合、融点の上昇が著しくなり、記録膜としての特性が発揮できなくなる。これらの点から、AgへのSn，In，Nd，Biの添加量は５〜30at％とするのがよいことがわかる。
【０１０９】
また、表８からわかるように、Ag-Sn(15at％)-Bi(0.01 at％、2.0 at％) 合金膜は、反射率低下量が小さい。このようにBiの少量添加により湿熱試験後の反射率低下を抑制することができ、耐久性も向上することができる。この合金膜の場合に比べて、Ag-Sn (15at ％)-Bi(4.0at％) 合金膜は、反射率低下量が大きい。
【０１１０】
Sn，In，Ndの１種以上を合計で５〜30at％含有するAg合金に更にBi，Sbの１種以上を少量含有させる際、このBi，Sbの１種以上の含有量を0.01〜2.0 at％とした場合は、上記のように反射率低下を抑制することができるが、0.01at％未満の場合は上記のような反射率低下の抑制効果は得られにくく、2.0 at％超の場合は却って反射率低下の程度が大きくなる。
【０１１１】
【表１】
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【０１１２】
【表２】
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【０１１３】
【表３】
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【０１１４】
【表４】
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【０１１５】
【表５】
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【０１１６】
【表６】
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【０１１７】
【表７】
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【０１１８】
【表８】
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【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明に係る記録膜は、レーザー加熱溶融記録方式での記録膜として良好な性能を発揮する（記録が充分可能である）ばかりでなく、生産性に優れており、且つ、耐久性（記録保存性）に優れているので、光情報記録媒体用の記録膜として好適に用いることができて有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の第10発明に係る光情報記録媒体の例を示す模式図である。
【図２】本発明の第11発明に係る光情報記録媒体の例を示す模式図である。
【図３】本発明の第12発明に係る光情報記録媒体の例を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１２１】
1A--保護膜、2A--記録膜、3A--基板、
1B--保護層、2B--記録層、3B--反射膜または熱調整膜、4B--基板
1C--保護層、  3C, --誘電体膜、2C--記録層、3C--誘電体膜、  4C--反射層または熱調整層、5C--基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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