(57)【要約】【課題】  描画中にビームの一部が欠けている状態や、ビームの一部が露光された状態となるのを防ぎ、パターン寸法精度などの描画性能を向上させる。【解決手段】  荷電粒子線を用いて被露光基板上に所望のパターンを露光するために、前記荷電粒子線を遮蔽するためのブランキングアパーチャ１１０と、ブランキングアパーチャ１１０を光軸に対して略垂直な平面内で移動するＢＡステージ４０１，４０２と、ブランキングアパーチャ１１０の開口面積を変える開口可変手段と、を有する。【選択図】      図４
2006210459.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を用いて被露光基板上に所望のパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記荷電粒子線を遮蔽するためのブランキングアパーチャと、
前記ブランキングアパーチャを光軸に対して略垂直な平面内で移動させる移動手段と、
前記ブランキングアパーチャの開口面積を変える開口可変手段と、
を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】
前記移動手段は、前記ブランキングアパーチャを通過した前記被露光基板上での前記荷電粒子線の電流量を計測する手段と、
前記被露光基板上での前記荷電粒子線の電流量を計測する手段の計測結果に基づいて前記ブランキングアパーチャの移動量と移動方向を制御する手段と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項３】
前記移動手段は、前記ブランキングアパーチャでの前記荷電粒子線の電流量を計測する手段と、
前記ブランキングアパーチャでの前記荷電粒子線の電流量を計測する手段の計測結果に基づいて前記ブランキングアパーチャの移動量と移動方向を制御する手段と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項４】
前記開口可変手段は、前記被露光基板上での前記荷電粒子線の電流量を計測する手段と、
前記被露光基板上での前記荷電粒子線の電流量を計測する手段の計測結果に基づいて前記ブランキングアパーチャの開口面積を調整する手段と、
を有することを特徴とする請求項２または３に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項５】
前記開口可変手段は、前記ブランキングアパーチャでの前記荷電粒子線の電流量を計測する手段と、
前記ブランキングアパーチャでの前記荷電粒子線の電流量を計測する手段の計測結果に基づいて前記ブランキングアパーチャの開口面積を調整する手段と、
を有することを特徴とする請求項２または３に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項６】
前記ブランキングアパーチャは、光軸方向において異なる複数位置に配置されたものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項７】
荷電粒子線を用いて被露光基板上に所望のパターンを露光する荷電粒子線露光方法であって、
前記荷電粒子線を遮蔽するためのブランキングアパーチャを光軸に対して略垂直な平面内で移動させるステップと、
前記ブランキングアパーチャの開口面積を調整するステップと、
を有することを特徴とする荷電粒子線露光方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の荷電粒子線露光装置を用いて前記被露光基板に露光を行う工程と、露光された前記被露光基板を現像する工程と、
を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に半導体集積回路等の露光に用いられる電子線露光装置やイオンビーム露光装置等の荷電粒子線露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複数の電子ビームを被露光基板上に照射し、その複数の電子ビームを偏向させて基板上を走査させるとともに、描画するべきパターンに応じて複数の電子ビームを個別にオンオフしてパターンを描画するマルチビーム方式の電子線露光装置について、例えば、特開平０９−２４５７０８号公報に開示されている。
【０００３】
この例において、光学系の瞳位置における複数の電子ビームの分布中心とブランキングアパーチャの中心が一致することが求められる。
【０００４】
また、マスクパターンを被露光基板上に露光する電子線露光装置について、例えば、ＪＶＳＴＢ １９９９年２８４０〜２８４６ページに記されている。
【０００５】
この例においても、様々な像高の電子ビームの分布中心は、光学系の瞳において一致することが求められる。
【特許文献１】特開平０９−２４５７０８号公報
【非特許文献１】ＪＶＳＴ Ｂ １９９９年２８４０〜２８４６ページ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、レンズ収差や、荷電粒子線の光路付近に金属でない物質が付着することによって、光学系の瞳位置において荷電粒子線の位置ずれが起こる。その位置ずれによって、描画中に常にビームの一部が欠けていたり、常にビームの一部が露光された状態となってしまい、パターン寸法精度などの描画精度が劣化する。
【０００７】
本発明の課題は、光学系の瞳位置における複数もしくは様々な像高の電子ビームの分布中心と、ブランキングアパーチャの中心を一致させることにより、描画中にビームの一部が欠けている状態や、ビームの一部が露光された状態となるのを防ぎ、パターン寸法精度などの描画性能を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、前記した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、荷電粒子線を用いて被露光基板上に所望のパターンを露光する荷電粒子線露光装置であって、前記荷電粒子線を遮蔽するためのブランキングアパーチャと、前記ブランキングアパーチャを光軸に対して略垂直な平面内で移動させる移動手段と、前記ブランキングアパーチャの開口面積を変える開口可変手段と、を有することを特徴とする。
【０００９】
前記移動手段は、例えば、前記ブランキングアパーチャを通過した前記被露光基板上での前記荷電粒子線の電流量を計測する手段と、前記被露光基板上での前記荷電粒子線の電流量を計測する手段の計測結果に基づいて前記ブランキングアパーチャの移動量と移動方向を制御する手段と、を有することを特徴とする。または、前記ブランキングアパーチャでの前記荷電粒子線の電流量を計測する手段と、前記ブランキングアパーチャでの前記荷電粒子線の電流量を計測する手段の計測結果に基づいて前記ブランキングアパーチャの移動量と移動方向を制御する手段と、を有するものであってもよい。
【００１０】
前記開口可変手段は、例えば、前記被露光基板上での前記荷電粒子線の電流量を計測する手段と、前記被露光基板上での前記荷電粒子線の電流量を計測する手段の計測結果に基づいて前記ブランキングアパーチャの開口面積を調整する手段と、を有することを特徴とする。または、前記ブランキングアパーチャでの前記荷電粒子線の電流量を計測する手段と、前記ブランキングアパーチャでの前記荷電粒子線の電流量を計測する手段の計測結果に基づいて前記ブランキングアパーチャの開口面積を調整する手段と、を有するものであってもよい。
【００１１】
さらに、前記ブランキングアパーチャは、例えば、光軸方向において異なる複数位置に配置されたものであることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の荷電粒子線露光方法は、荷電粒子線を用いて被露光基板上に所望のパターンを露光する荷電粒子線露光方法であって、前記荷電粒子線を遮蔽するためのブランキングアパーチャを光軸に対して略垂直な平面内で移動させるステップと、前記ブランキングアパーチャの開口面積を調整するステップと、を有することを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明のデバイス製造方法は、前記荷電粒子線露光装置を用いて前記被露光基板に露光を行う工程と、露光された前記被露光基板を現像する工程と、を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、パターン寸法精度など描画性能の良い荷電粒子線描画装置を提供することができる。また、この装置を用いてデバイスを製造すれば、従来以上に高精度なデバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明を実施するための好ましい形態について、マルチビーム方式の電子ビーム露光装置における被露光基板または露光対象がウエハである場合の例を挙げ、以下に図面を参照しながら詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本発明の実施例１に係るマルチビーム方式の電子ビーム露光装置の要部概略図である。１０１から１０９は、複数の電子源像を形成し、その電子源像から電子ビームを放射するマルチソースモジュールであり、図１の場合、マルチソースモジュールは５×５の２５個が２次元配列されている。
【００１７】
１０１は、電子銃が形成する電子源（クロスオーバー像）である。この電子源１０１から放射される電子ビームは、コンデンサーレンズ１０２によって略平行な電子ビームとなる。１０３は、開口が２次元配列して形成されたアパーチャアレイであり、１０４は、同一の光学パワーを有する静電レンズが２次元配列して形成されたレンズアレイである。１０５，１０６，１０７，１０８は、個別に駆動可能な静電偏向器が２次元配列して形成されたマルチ偏向器アレイである。１０９は、個別に駆動可能な静電のブランカーが２次元配列して形成されたブランカーアレイである。
【００１８】
図２を用いて各機能を説明する。図１に示したコンデンサーレンズ１０２からの略平行な電子ビームは、アパーチャアレイ１０３によって複数の電子ビームに分割される。分割された電子ビームは、対応するレンズアレイ１０４の静電レンズを介して、ブランカーアレイ１０９の対応するブランカー上に、電子源１０１の中間像２０１を形成する。この時、マルチ偏向器アレイ１０５，１０６，１０７，１０８は、ブランカーアレイ１０９上に形成される電子源の中間像２０１の位置（光軸と直交する面内の位置）を個別に調整する。
【００１９】
また、ブランカーアレイ１０９で偏向された電子ビームは、図１のブランキングアパーチャ１１０によって遮断されるため、ウエハ１２０には照射されない。一方、ブランカーアレイ１０９で偏向されない電子ビームは、図１のブランキングアパーチャ１１０によって遮断されないため、ウエハ１２０には照射される。
【００２０】
図１に戻り、マルチソースモジュールで形成された電子源の複数の中間像は、磁界レンズ１１５，１１６，１１７，１１８の縮小投影系を介して、ウエハ１２０に投影される。この時、複数の中間像がウエハ１２０に投影される際、焦点位置は、ダイナミックフォーカスレンズ（静電もしくは磁界レンズ）１１１，１１２で調整できる。１１３と１１４は、各電子ビームを露光すべき個所へ偏向させる主偏向器と副偏向器である。１１９はウエハ１２０上に形成された電子源の各中間像の位置を計測するための反射電子検出器である。１２１はウエハを移動させるためのウエハステージである。１２２は電子ビームの位置およびビーム形状を検出するためのマークである。
【００２１】
本来、縮小レンズ系の瞳に位置するブランキングアパーチャでは、複数の電子ビームの位置は一致する。しかし、レンズ収差やマルチ偏向器アレイやブランカーアレイなどのデバイスに金属でない物質が付着することによって、図３に示すように、ブランキングアパーチャ位置において電子ビームの位置ずれが起こる。図３において、３０１はブランキングアパーチャであり、３０２は本来あるべき位置にある電子ビームである。３０３は、レンズ収差やマルチ偏向器アレイやブランカーアレイ等のデバイスに金属でない物質が付着することによって、本来あるべき位置からずれた位置にある電子ビームである。
【００２２】
ブランキングアパーチャ位置における電子ビームの位置ずれによって、描画中に常にビームの一部が欠けていたり、常にビームの一部が露光された状態となったりして、パターン寸法精度などの描画精度が劣化する。
【００２３】
以下、縮小レンズ系の瞳に位置し、電子ビームを遮蔽するためのブランキングアパーチャについて説明する。
図４に示すように、ブランキングアパーチャは２つのＢＡステージ４０１，４０２と、２つの開口４０３，４０４とを備えて成り、それぞれの開口４０３，４０４の形状は、多角形もしくは楕円である。２つのＢＡステージ４０１，４０２を光軸に対して垂直な平面内で同一方向に移動させることでブランキングアパーチャの移動を行い、２つのＢＡステージ４０１，４０２を光軸に対して垂直な平面内で別々の方向に移動させることでブランキングアパーチャの開口の大きさを変える。
【００２４】
また、ブランキングアパーチャは、図５に示すような形態でも良い。円形に周囲から板５０１，５０２，５０３，５０４，５０５，５０６を押し出すことで開口５０７の大きさを変え、またそれらをステージで移動させることで、ブランキングアパーチャを移動する。
さらに、ブランキングアパーチャは、図６に示すような形態でも良い。所望の開口の大きさを選択できるように、口径の異なる複数の開口６０１，６０２，６０３をもった平板６０４からなり、平板を平行移動させることで、所望の開口の大きさが選択できるように構成されている。
【００２５】
また、図７に示すように、ブランキングアパーチャの２つのＢＡステージ７０１，７０２は、光軸方向において異なる位置、特に異なる瞳位置に配置されても良い。７０１が１つのＢＡステージ、７０２がもうひとつのＢＡステージである。
【００２６】
ブランキングアパーチャの移動方向と移動量は、ウエハステージ上での電子ビームの電流量を計測することで制御する。それについて以下で説明する。
【００２７】
図１において、ウエハステージ１２１上には電子ビームの電流量を計測できる電子検出器１１９が１個以上配置されている。電子検出器１１９が電子ビームの本数より少ない場合は、ウエハステージ１２１を移動させながら複数の電子ビームの電流量を計測する。
【００２８】
計測された複数の電子ビームそれぞれの電流量から、所望の電流量に達していない電子ビームがある場合、その電子ビームがブランキングアパーチャ１１０によって遮蔽されない方向へブランキングアパーチャ１１０を移動する。また、計測された複数の電子ビームそれぞれの電流量全てが所望の電流量以上となるまでブランキングアパーチャ１１０を移動する。ブランキングアパーチャ１１０を移動する際、ブランキングアパーチャ１１０の大きさは全ての電子ビームが通過できる十分な大きさに設定する。
【００２９】
ブランキングアパーチャ１１０の移動方向と移動量は、ブランキングアパーチャ１１０を流れる電流量を計測することで制御しても良い。複数の電子ビームがブランキングアパーチャ１１０によって遮蔽される場合、ブランキングアパーチャ１１０に電流が流れるので、電流値があらかじめ決められた値以下となるような方向にブランキングアパーチャ１１０を移動する。
また、ブランキングアパーチャの移動方向と移動量の決定は、ブランカーアレイ１０９を用いて１本の電子ビームを選択した状態で行っても良いし、複数の電子ビームを選択した状態で行っても良い。
【００３０】
次に、ブランキングアパーチャ１１０の開口の大きさは、ウエハステージ１２１上での電子ビームの電流量を計測することで制御する。それについて以下で説明する。
ブランキングアパーチャ１１０の開口の大きさは、電子ビームオンの時に全てのビームが通過でき、電子ビームオフの時に全てのビームを遮蔽できる大きさに設定する。
【００３１】
このように、ブランキングアパーチャ１１０の開口の大きさを、全てのビームが通過できるぎりぎりの大きさに設定することで、電子ビームのオンオフ制御を高速で行うことができ、パターン寸法精度等の描画性能を悪化させる電子ビームのオンオフ遷移状態をなるべく短くできる。
【００３２】
電子ビームオンの時に全てのビームが通過するためには、ウエハステージ１２１上の電子検出器１１９を用いて計測した電流値が最大となるように、ブランキングアパーチャ１１０の開口の大きさを調節する。電子ビームオフの時に全てのビームを遮蔽するためには、ウエハステージ１２１上の電子検出器１１９を用いて計測した電流値があらかじめ決められた値以下となるように、ブランキングアパーチャ１１０の開口の大きさを制御する。
【００３３】
ブランキングアパーチャ１１０の開口の大きさは、ブランキングアパーチャ１１０を流れる電流量を計測することで制御しても良い。電子ビームオンの時にブランキングアパーチャ１１０を流れる電流量をあらかじめ決められた値以下となるように設定し、電子ビームオフの時にブランキングアパーチャ１１０を流れる電流量が最大値となるように設定することで、ブランキングアパーチャ１１０の開口の大きさを制御する。
また、ブランキングアパーチャの開口の大きさの決定は、ブランカーアレイ１０９を用いて１本の電子ビームを選択した状態で行っても良いし、複数の電子ビームを選択した状態で行っても良い。
【００３４】
以上示したように、電子ビームを遮蔽するブランキングアパーチャは、光軸に対して略垂直な平面内で移動する移動手段と、開口の大きさを変える開口可変手段とを有しており、移動手段と移動量制御手段を用いてブランキングアパーチャの中心と前記荷電粒子線の光軸とを略一致させ、開口可変手段と開口径制御手段を用いてブランキングアパーチャの開口を全ての荷電粒子線が通過できるぎりぎりの大きさとすることができる。
【００３５】
図８及び図１を用いて、本実施例の電子ビーム露光装置の動作について、説明する。
（ステップ８１）では、ブランキングアパーチャ１１０の大きさを、全ての電子ビームが通過できる十分な大きさに設定する。ブランキングアパーチャ１１０の大きさを設定後、ステップ８２へ移行する。
【００３６】
（ステップ８２）では、ウエハステージ１２１上の電子検出器１１９を用いて全ての電子ビームの電流量を計測し、計測された複数の電子ビームそれぞれの電流量全てが所望の電流量以上となるように、ブランキングアパーチャ１１０の移動量と移動方向を制御する。もしくは、ブランキングアパーチャ１１０を流れる電流量を計測し、計測された複数の電子ビームそれぞれの電流量全てが所望の電流量以下となるように、ブランキングアパーチャ１１０の移動量と移動方向を制御する。
【００３７】
その際、全電子ビームの中心がブランキングアパーチャ１１０の開口中心となるように、ブランキングアパーチャ１１０の移動量と移動方向を制御する。ブランキングアパーチャ１１０の移動量と移動方向を制御した後、ステップ８３へ移行する。
【００３８】
（ステップ８３）では、ステップ８２で決定したブランキングアパーチャ１１０の移動量と移動方向に基づいて、ブランキングアパーチャ１１０を移動する。ブランキングアパーチャ１１０の移動後、ステップ８４へ移行する。
【００３９】
（ステップ８４）では、ウエハステージ１２１上の電子検出器１１９で計測した電子ビームの電流量、もしくは、ブランキングアパーチャ１１０を流れる電流量から、複数の電子ビーム全てがブランキングアパーチャ１１０を通過しているかどうか、を判断する。つまり、ウエハステージ１２１上の電子検出器１１９で計測した場合は、計測された複数の電子ビームそれぞれの電流量全てが所望の電流量以上となっているかどうか、ブランキングアパーチャ１１０を流れる電流量を計測した場合は、計測された複数の電子ビームそれぞれの電流量全てが所望の電流量以下となっているかどうか、を判断する。
【００４０】
複数の電子ビーム全てがブランキングアパーチャ１１０を通過している場合、ステップ８５へ移行する。複数の電子ビーム全てがブランキングアパーチャ１１０を通過していない場合、ステップ８２へ移行する。
【００４１】
（ステップ８５）では、全ての電子ビームをオフに設定する。つまり、全ての電子ビームをブランキングアパーチャ１１０で遮蔽する。全ての電子ビームをオフに設定後、ステップ８６へ移行する。
【００４２】
（ステップ８６）では、ブランキングアパーチャ１１０の開口をあらかじめ決められた値だけ小さくする。その際、ブランキングアパーチャ１１０の開口中心の位置を保ったまま、ブランキングアパーチャ１１０の開口の大きさを変化させる。ブランキングアパーチャ１１０の開口をあらかじめ決められた値だけ小さくした後、ステップ８７へ移行する。
【００４３】
（ステップ８７）では、ウエハステージ１２１上の電子検出器１１９で計測した電子ビームの電流量、もしくは、ブランキングアパーチャ１１０を流れる電流量から、複数の電子ビーム全てがブランキングアパーチャ１１０で遮蔽されているかどうか、を判断する。つまり、ウエハステージ１２１上の電子検出器１１９で計測した場合は、計測された複数の電子ビームそれぞれの電流量全てが所望の電流量以下となっているかどうか、ブランキングアパーチャ１１０を流れる電流量を計測した場合は、計測された複数の電子ビームそれぞれの電流量全てが所望の電流量以上となっているかどうか、を判断する。複数の電子ビーム全てがブランキングアパーチャ１１０で遮蔽されている場合、処理終了へ移行する。複数の電子ビーム全てがブランキングアパーチャ１１０で遮蔽されてない場合、ステップ８６へ移行する。
【実施例２】
【００４４】
図９は、本発明の実施例２に係るマスクを用いた電子ビーム露光装置の要部概略図である。９０１は電子銃が形成する電子源（クロスオーバー像）である。この電子源９０１から放出される電子ビームは、コンデンサーレンズ９０２によって略平行な照明ビームとなり、マスク９０４を照明する。
【００４５】
これらのマスク９０４を照明する照明光学系中には、図示されていないが、照明ビーム成形開口やブランキング偏向器、ブランキング開口、及び照明ビーム偏向器等が配置されている。照明光学系において成形された照明ビーム９０３は、マスク９０４上で順次走査され、照明光学系の視野内にあるマスク９０４の各サブフィールドの照明を行う。
【００４６】
マスク９０４は、多数のサブフィールドを有し、移動可能なマスクステージ９０５に載置されている。マスクステージ９０５を光軸垂直面内で移動させることにより、照明光学系の視野よりも広い範囲に広がるマスク９０４上の各サブフィールドを照明する。
【００４７】
マスク９０４の下方には電磁レンズ９０６，９０７、及び、収差補正や像位置調整に用いられる偏向器９０８〜９１０，９１１〜９１３が設けられている。マスク９０４の一つのサブフィールドを通過した電子ビームは、電磁レンズ９０６、９０７、偏向器９０８〜９１３によってウエハ９１４上の所定の位置に結像される。ウエハ９１４上には適当なレジストが塗布されており、レジスト上に電子ビームのドーズ量が与えられ、マスク９０４上のパターンが縮小されてウエハ９１４上に転写される。なお、投影光学系中には、図示は省略されているが、各種の収差補正レンズや倍率・形状補正レンズも設けられている。
【００４８】
マスク９０４とウエハ９１４の間を縮小率比で内分する点にクロスオーバー９１５が形成され、同クロスオーバー位置にはアパーチャ９１６が設けられている。同アパーチャ９１６は、マスク９０４の非パターン部で散乱された電子ビームがウエハ９１４に達しないように遮断するためのものである。
【００４９】
ウエハ９１４は、ＸＹ方向に移動可能なウエハステージ９１７上に載置されている。マスクステージ９０５とウエハステージ９１７とを互いに逆方向に同期走査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるデバイスパターンの各部を順次露光することができる。
【００５０】
本来、投影光学系の瞳に位置するアパーチャ９１６では、マスク９０４の各サブフィールドを通過した電子ビームの位置は一致する。しかし、レンズ収差やマスク９０４上に金属でない物質が付着することによって、アパーチャ９１６において電子ビームの位置ずれが起こる。
【００５１】
そして、アパーチャ９１６における電子ビームの位置ずれによって、描画中に常に電子ビームの一部が欠けていたり、常に電子ビームの一部が露光された状態となったりしてしまい、マスク９０４の各サブフィールドにおける電子ビームのドーズ量が異なり、パターン寸法精度などの描画性能が劣化する。
【００５２】
アパーチャ９１６は、実施例１の図３から図６に示すものと同様の形態である。また、投影光学系が２つの瞳を持つ場合、それら異なる瞳位置にアパーチャのステージを配置しても良い。
【００５３】
また、アパーチャ９１６の移動方法・移動量・開口の大きさは、実施例１と同様に、ウエハステージ９１７上での電流量、もしくは、アパーチャ９１６を流れる電流量を計測することで制御する。
【実施例３】
【００５４】
次に、実施例３として、以上実施例１または実施例２で説明した電子ビーム露光装置を利用したデバイスの生産方法について説明する。
図１０に微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１０１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ１０２（ＥＢデータ変換）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップ１０３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ１０４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ１０５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ１０４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ１０６（検査）ではステップ１０５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ１０７）される。
【００５５】
図１１は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１１６（露光）では上記説明した露光装置によって回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００５６】
本実施例の製造方法を用いれば、高集積度の半導体デバイスをパターン寸法精度良く製造することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施例１に係る、マルチビーム方式の電子ビーム露光装置の要部概略を説明するための断面図である。
【図２】図１における、マルチソースモジュールの機能を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施例１に係る、ブランキングアパーチャ位置において電子ビームの位置ずれを説明するための平面図である。
【図４】本発明の実施例１に係る、ブランキングアパーチャの構造について説明するための平面図である。
【図５】本発明の実施例に係る、ブランキングアパーチャの構造について説明するための平面図である。
【図６】本発明の実施例に係る、ブランキングアパーチャの構造について説明するための平面図である。
【図７】本発明の実施例に係る、ブランキングアパーチャについて、２つのＢＡステージを別の瞳位置に配置することを説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施例１の電子ビーム露光装置において、ブランキングアパーチャの動作フローを説明するための図である。
【図９】本発明の実施例２に係る、マスクを用いた電子ビーム露光装置の要部概略を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の実施例３に係る、微小デバイスの製造フローを説明するための図である。
【図１１】図９におけるウエハプロセスを説明するための図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０１：電子源（クロスオーバー像）
１０２：コンデンサーレンズ
１０３：アパーチャアレイ
１０４：レンズアレイ
１０５：マルチ偏向器アレイ
１０６：マルチ偏向器アレイ
１０７：マルチ偏向器アレイ
１０８：マルチ偏向器アレイ
１０９：ブランカーアレイ
１１０：ブランキングアパーチャ
１１１：ダイナミックフォーカスレンズ
１１２：ダイナミックフォーカスレンズ
１１３：主偏向器
１１４：副偏向器
１１５：磁界レンズ
１１６：磁界レンズ
１１７：磁界レンズ
１１８：磁界レンズ
１１９：反射電子検出器
１２０：ウエハ
１２１：ウエハステージ
１２２：マーク
２０１：電子源の中間像
３０１：ブランキングアパーチャ
３０２：本来あるべき位置にある電子ビーム
３０３：本来あるべき位置からずれた位置にある電子ビーム
４０１：ＢＡステージ
４０２：ＢＡステージ
４０３：開口
４０４：開口
５０１：開口の大きさを制御する板
５０２：開口の大きさを制御する板
５０３：開口の大きさを制御する板
５０４：開口の大きさを制御する板
５０５：開口の大きさを制御する板
５０６：開口の大きさを制御する板
５０７：開口
６０１：大きさの異なる開口
６０２：大きさの異なる開口
６０３：大きさの異なる開口
６０４：複数の開口がある平板
７０１：ＢＡステージ
７０２：ＢＡステージ
９０１：電子源（クロスオーバー像）
９０２：コンデンサーレンズ
９０３：照明ビーム
９０４：マスク
９０５：マスクステージ
９０６：電磁レンズ
９０７：電磁レンズ
９０８：偏向器
９０９：偏向器
９１０：偏向器
９１１：偏向器
９１２：偏向器
９１３：偏向器
９１４：ウエハ
９１５：クロスオーバー
９１６：アパーチャ
９１７：ウエハステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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