(57)【要約】    【課題】限界といわれている約１ＧＨｚを越える信号の伝送を可能とする。    【解決手段】広帯域伝送路装置はサスペンションのヘッドＩＣ２４とヘッドとを接続する。ヘッドＩＣ２４とヘッドの何れか一方を送信端とし他方を受信端とし、必要とする伝送周波数帯域を少なくとも２分割し、一方を低周波伝送帯域用の低域伝送路３６とし、他方を高周波伝送帯域用の高域伝送路３８する。高域伝送路３８は、伝送路自身がもつ抵抗成分、インダクタンス成分及び容量成分により共振回路を形成し、共振回路の共振周波数特性により高周波伝送帯域特性を実現する。    【選択図】      図１
2006268965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッド回路とヘッドとを接続する広帯域伝送路装置に於いて、
前記ヘッド回路とヘッドの何れか一方を送信端とし他方を受信端とし、前記送信端と受信端の間を異なる伝送周波数帯域特性を有する複数の伝送路で接続したことを特徴とする広帯域伝送路装置。
【請求項２】
請求項１記載の広帯域伝送路装置に於いて、低周波伝送帯域用の伝送路と高周波伝送帯域用の伝送路とを設け、前記各伝送路を前記送信端と受信端の各々で接続したことを特徴とする広帯域伝送路装置。
【請求項３】
請求項２記載の広帯域伝送路装置に於いて、前記高周波伝送帯域用の伝送路は、伝送路自身がもつ抵抗成分、インダクタンス成分及び容量成分により共振回路を形成し、前記共振回路の共振周波数特性により前記高周波伝送帯域特性を実現することを特徴とする広帯域伝送路装置。
【請求項４】
ヘッドを搭載するためのサスペンションアセンブリにおいて、
ヘッド回路と前記ヘッドとを接続するの広帯域伝送路装置が搭載され、
前記広帯域伝送路装置は、前記ヘッド回路と前記ヘッドの何れか一方を送信端とし他方を受信端とし、前記送信端と受信端の間を異なる伝送周波数帯域特性を有する複数の伝送路で接続したことを特徴とするサスペンションアセンブリ。
【請求項５】
記憶媒体に対して情報の読み出し又は及び書き込みを行うヘッドと、
前記ヘッドと信号処理回路との間に配置されたヘッド回路と、
前記ヘッド回路と前記ヘッドとを接続する広帯域伝送路装置とを備え、
前記広帯域伝送路装置は、前記ヘッド回路と前記ヘッドの何れか一方を送信端とし他方を受信端とし、前記送信端と受信端の間を異なる伝送周波数帯域特性を有する複数の伝送路で接続したことを特徴とする記憶媒体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置のヘッドＩＣとヘッドとの間の信号伝送を行うサスペンションの広帯域伝送路装置、サスペンションアセンブリ及び記憶媒体装置に関し、特に、ギガヘルツを越える広帯域の信号伝送を可能とするサスペンションの広帯域伝送路装置、サスペンションアセンブリ及び記憶媒体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気ディスク装置にあっては、ヘッドアクチュエータに装着したサンペンションの先端にヘッドを装着し、ヘッドとアクチュエータ基部側に実装したヘッドＩＣとの間を例えばフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）上に形成したワイヤ配線により電気的に接続している。
【０００３】
また近年にあっては、ステンレスなどの金属箔上に絶縁層を介して伝送路を形成する回路層を半導体製造プロセスで形成したワイヤレスサスペンションも使用されている。
【０００４】
このような従来の磁気ディスク装置にあっては、磁気ディスク媒体のデータは磁気抵抗素子（ＭＲ素子）などを用いたリードヘッドで読出され、伝送路を通ってヘッドＩＣに内蔵したリードアンプに入力され、その後、制御ボードのリードチャネルでリードデータが復調される。
【０００５】
従来のヘッドとヘッドＩＣを接続するサスペンションの伝送路は、グランドとの間で平衡線路を構成する単体の伝送路を使用しており、伝送路自体の周波数特性とヘッドＩＣから発生した共振周波数により伝送帯域を伸ばし、DCから数百MHzまでの伝送を可能としている。
【０００６】
またヘッドとヘッドＩＣを電気的に接続する伝送路の表皮効果の影響を低減させるために伝送路の構成や配置を変える方法（特許文献１，２）、ノイズの影響を低減させるためにシールドで囲む方法（特許文献３）、更に伝送路の下に絶縁層を介して配置しているグランドを構成する金属サスペンションに孔を空け線路損失を低減させる方法（特許文献４，５）も提案されている。
【特許文献１】特開２００１−１６２８０４号公報
【特許文献２】特開２００２−１５８４１１号公報
【特許文献３】特開２００３−２０４１３０号公報
【特許文献４】特開２００３−１５２４０４号公報
【特許文献５】特開２００２−２５１７０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このような従来のヘッドとヘッドＩＣを接続するサスペンションの伝送路は約１ＧＨｚの信号の伝送が限界であると考えられており、高速化が著しいハードディスクドライブの信号転送速度において、伝送路の伝送帯域以上の信号が伝送しないという問題がある。
【０００８】
また従来提案されている伝送路の表皮効果の影響を低減させるための伝送路の構成配置を変える方法、ノイズの影響を低減させるためにシールドで囲む方法、更に伝送路のグランド用の金属サスペンションに孔を空け線路損失を低減させる方法では、伝送路の周波数帯域の限界を越えることは期待できず、また特定の帯域では機能しないといった問題がある。
【０００９】
本発明は、限界といわれている約１ＧＨｚを越える信号の伝送を可能とするサスペンションの広帯域伝送路装置、サスペンションアセンブリ及び記憶媒体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
図１は本発明の原理説明図である。
【００１１】
本発明は、磁気ディスク装置のヘッド回路（ヘッドＩＣ２４）とヘッドとを接続する広帯域伝送路装置に於いて、ヘッド回路とヘッドの何れか一方を送信端とし他方を受信端とし、送信端と受信端の間を異なる伝送周波数帯域特性を有する複数の伝送路（３６，３８）で接続したことを特徴とする。
【００１２】
本発明の広帯域伝送路装置は、低周波伝送帯域用の伝送路（３６）と高周波伝送帯域用の伝送路（３８）を設け、各伝送路を送信端と受信端で接続する。
【００１３】
高周波伝送帯域用の伝送路（３８）は、伝送路自身がもつ抵抗成分、インダクタンス成分及び容量成分により共振回路を形成し、共振回路の共振周波数特性により高周波伝送帯域特性を実現する。
【００１４】
共振回路は、インダクタンス成分と容量成分により伝送帯域内に共振周波数を設定し、抵抗成分によりＱ値を小さくして共振ピーク特性をフラット化する。ヘッド回路に伝送路自身がもつ抵抗成分、インダクタンス成分及び容量成分の不足分を設定調整する共振調整回路を設ける。共振調整回路を伝送路ごとに設ける。
【００１５】
本発明は、ヘッドを搭載するためのサスペンションアセンブリを提供する。本発明のサスペンションアセンブリにおいて、ヘッド回路とヘッドとを接続する広帯域伝送路装置が搭載され、広帯域伝送路装置は、ヘッド回路とヘッドの何れか一方を送信端とし他方を受信端とし、送信端と受信端の間を異なる伝送周波数帯域特性を有する複数の伝送路で接続したことを特徴とする。
【００１６】
本発明のサスペンションアセンブリは、低周波伝送帯域用の伝送路と、高周波伝送帯域用の伝送路を設け、各伝送路を送信端と受信端の各々で接続する。高周波伝送帯域用の伝送路は、伝送路自身がもつ抵抗成分、インダクタンス成分及び容量成分により共振回路を形成し、共振回路の共振周波数特性により高周波伝送帯域特性を実現する。共振回路は、インダクタクス成分と容量成分により伝送帯域内に共振周波数を設定し、抵抗成分によりＱ値を小さくして共振ピーク特性をフラット化する。
【００１７】
本発明のサスペンションアセンブリは、ヘッドに設けたリードヘッドの出力端を送信端とし、ヘッド回路に設けたリードアンプの入力端を受信端とし、送信端と受信端の間を複数の伝送路で接続する。ヘッド回路に設けたライトドライバの出力端を送信端とし、ヘッドに設けたライトヘッドの入力端を受信端とし、送信端と受信端の間を複数の伝送路で接続する。伝送路は、グランドを構成するフレキシブルな金属箔上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられた回路層で構成されてなる。
【００１８】
本発明は記憶媒体装置を提供する。本発明の記憶媒体装置は、記憶媒体に対して情報の読み出し又は及び書き込みを行うヘッドと、ヘッドと信号処理回路との間に配置されたヘッド回路と、ヘッド回路とヘッドとを接続する広帯域伝送路装置とを備え、広帯域伝送路装置は、ヘッド回路とヘッドの何れか一方を送信端とし他方を受信端とし、送信端と受信端の間を異なる伝送周波数帯域特性を有する複数の伝送路で接続する。
【００１９】
本発明の記憶媒体装置は、低周波伝送帯域用の伝送路と、高周波伝送帯域用の伝送路を設け、各伝送路を前記送信端と受信端の各々で接続する。高周波伝送帯域用の伝送路は、伝送路自身がもつ抵抗成分、インダクタンス成分及び容量成分により共振回路を形成し、共振回路の共振周波数特性により高周波伝送帯域特性を実現する。共振回路は、インダクタクス成分と容量成分により伝送帯域内に共振周波数を設定し、抵抗成分によりＱ値を小さくして共振ピーク特性をフラット化する。
【００２０】
本発明の記憶媒体装置は、ヘッドに設けたリードヘッドの出力端を送信端とし、ヘッド回路に設けたリードアンプの入力端を受信端とし、送信端と受信端の間を複数の伝送路で接続する。ヘッド回路に設けたライトドライバの出力端を送信端とし、ヘッドに設けたライトヘッドの入力端を受信端とし、送信端と受信端の間を複数の伝送路で接続する。
【００２１】
本発明により記憶媒体装置の別の形態にあっては、記憶媒体に対して情報の読み出し又は/及び書き込みを行うヘッドと、ヘッドからの信号を増幅するヘッド回路と、ヘッド回路とヘッドとを接続するとともに、ヘッド回路とヘッドの何れか一方を送信端とし他方を受信端とし、送信端と受信端の間に１ＧＨｚ以上の伝送周波数帯域特性を有する伝送路装置とを設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、ヘッドＩＣとヘッドの１つの伝送端との間を複数の伝送路で接続しており、複数の伝送路に異なる周波数帯域を割当てて複数の伝送周波数帯域に対応可能に構成し、送信端で伝送する信号は伝送路の周波数特性(伝送路により伝送できる信号の周波数が決まっている)により該信号の周波数成分に対応する伝送路により選択的に伝送され、受信端で複数の伝送路が接続されていることからそれぞれの伝送路を介して伝送された信号を最終的に組み合わせて復元される。
【００２３】
従って、従来の単体の伝送路ではDCから約1GHzの信号伝送が限界であったものが、本発明によれば、ＤＣから数GHzを越える信号伝送を容易に実現することが期待できる。また本発明は、理論上では特定帯域の伝送路を無限に増やすことで、どのような信号も伝送可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
記憶媒体装置の例として、磁気ディスクを使用する磁気ディスク装置を説明する。磁気ディスクの他、光ディスク装置などの記憶媒体をヘッドで情報のアクセスを行う記憶媒体装置に適用可能である。
【００２５】
図２は本発明の広帯域伝送路装置が適用される磁気ディスク装置のロングテールサスペンションの説明図である。図２（Ａ）はロングテールサスペンション１０であり、金属箔上に絶縁層を介して信号回路を形成したフレキシブルな伝送路装置であり、先端側にヘッド１８が装着されるヘッド接続部１４を持ち、後部側にＩＣ接続部１６を備えている。
【００２６】
図２（Ｂ）はヘッドアクチュエータに対するロングテールサスペンション１０の取付け状態であり、ヘッドアクチュエータ軸部２２に対し支持したアーム２０の先端に装着され、テール部分はアーム２０の側面に装着され、更にヘッドアクチュエータ軸部２２の側面に装着したフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）上のヘッドＩＣ２４に接続される。
【００２７】
このようなロングテールサスペンション１０は、ヘッド１８とヘッドＩＣ２４を電気的に接続する機能を果たしており、導体の電気抵抗、キャパシタ、特性インピーダンスが規定される。
【００２８】
ロングテールサスペンション１０上の伝送路は、金属箔として例えばステンレス箔の上に絶縁層をコートした後にＣｕメッキなどにより回路層を形成し、更に回路層に保護層を形成した後にステンレス箔のエッジングを行って製造されており、半導体製造プロセスによる薄膜回路として形成されており、電気的特性は絶縁材の誘電率と膜圧、導体の基抵抗と膜圧などをパラメータとして決まることになる。
【００２９】
ロングテールサスペンション１０は、ヘッド１８からヘッドＩＣ１８までの伝送路がサスペンション上に配設されたものであるが、これに対しショートテールサスペンションは、ヘッドからヘッドアームまでの伝送路がサスペンションに配設され、ヘッドアームからヘッド回路までフレキシブルケーブルやワイヤで接続するものである。このためショートテールサスペンションで一部伝送路装置を形成したり、フレキシブルケーブルやワイヤの一端に回路を設け、本発明の伝送路装置を構成しても良い。
【００３０】
特に、本実施例によるロングテールサスペンションの場合、伝送路装置をサスペンション上に半導体プロセスなどにより直接形成できるので、伝送路のための信号線の本数が増加しても、フレキシブルケーブルやワイヤのように配置スペースを確保する必要がなく、スペース的に有効である。
【００３１】
図３は本発明が適用される磁気ディスク装置のブロック図である。図３において、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）として知られた磁気ディスク装置２００は、ディスクエンクロージャ２０２と制御ボード２０４で構成される。ディスクエンクロージャ２０２にはスピンドルモータ２０６が設けられ、スピンドルモータ２０６の回転軸にディスク媒体２１０を装着し、一定時間例えば４２００ｒｐｍで回転させる。
【００３２】
またディスクエンクロージャ２０２にはボイスコイルモータ２０８が設けられ、ボイスコイルモータ２０８はヘッドアクチュエータのアーム先端にヘッド１８−１，１８−２を搭載しており、ディスク媒体２１０の記録面に対するヘッドの位置決めを行う。なお、ヘッド１８−１，１８−２にはライトヘッドとリードヘッドが一体化されて搭載されている。
【００３３】
ヘッド１８−１，１８−２はヘッドＩＣ２４に対し信号線接続されており、ヘッドＩＣ２４は上位装置となるホストからのライトコマンドまたはリードコマンドに基づくヘッドセレクト信号で１つのヘッドを選択して書込みまたは読出しを行う。またヘッドＩＣ２４には、ライト系についてはライトドライバが設けられ、リード系についてはリードアンプが設けられている。
【００３４】
制御ボード２０４にはＭＰＵ２１６が設けられ、ＭＰＵ２１６のバス２１８に対し、ＲＡＭを用いた制御プログラム及び制御データを格納するメモリ２２０、ＦＲＯＭ等を用いた制御プログラムを格納する不揮発メモリ２２２が設けられている。
【００３５】
またＭＰＵ２１６のバス２１８には、ホストインタフェース制御部２２４、バッファメモリ２２８を制御するバッファメモリ制御部２２６、ハードディスクコントローラとして機能するフォーマット制御部２３０、ライト変調部及びリード復調部として機能するリードチャネル２３２、ボイスコイルモータ２０８及びスピンドルモータ２０６を制御するサーボ制御部２３４が設けられている。
【００３６】
磁気ディスク装置２００は、ホストからのコマンドに基づき書込処理及び読出処理を行う。ここで、磁気ディスク装置における動作を説明すると次のようになる。
【００３７】
ホストからのライトコマンドとライトデータをホストインタフェース制御部２２４で受けると、ライトコマンドをＭＰＵ２１６で解読し、受信したライトデータを必要に応じてバッファメモリ２２８に格納した後、フォーマット制御部２３０で所定のデータ形式に変換すると共にＥＣＣ処理によりＥＣＣ符号を付加し、リードチャネル４２におけるライト変調系でスクランブル、ＲＬＬ符号変換、更に書込補償を行った後、ヘッドＩＣ２４のライトドライバを介して選択した例えばヘッド１８−１のライトヘッドからディスク媒体２１０−１にデータを書き込む。
【００３８】
このときＭＰＵ２２４からＤＳＰなどを用いたサーボ制御部２３４にヘッド位置決め信号が与えられており、ボイスコイルモータ２０８によりヘッドをコマンドで指示された目標トラックにシークした後にオントラックしてトラック追従制御を行っている。
【００３９】
一方、ホストからのリードコマンドをホストインタフェース制御部２２４で受けると、リードコマンドをＭＰＵ２１６で解読し、ヘッドＩＣ２４のヘッドセレクトで選択されたリードヘッドから読み出された読出信号をリードアンプで増幅した後に、リードチャネル２３２のリード復調系に入力し、パーシャルレスポンス最尤検出（ＰＲＭＬ）などによりリードデータを復調し、フォーマッタ制御部２３０でＥＣＣ処理を行ってエラーを検出訂正した後、バッフメモリ２１８にバッファリングし、ホストインタフェース制御部２２４からリードデータをホストに転送する。
【００４０】
図４は伝送路を２本とした本発明による広帯域伝送路装置の実施形態の説明図である。図４において、ロングテールサスペンション１０はヘッドＩＣ２４とヘッドを電気的に接続しており、ヘッド側にはリードヘッド２６とライトヘッド２８が設けられている。リードヘッド２６としては巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）などが使用され、ライトヘッド２８としてはインダクティブヘッドが使用される。ヘッドＩＣ２４にはリードアンプとしてリードアンプ３０とライトドライバ３２が設けられている。
【００４１】
ロングテールサスペンション１０には、リードヘッド２６とリードアンプ３０に対応して、グランド金属箔３４に対し図示しない絶縁層を介して低域伝送路３６と高域伝送路３８が形成されている。低域伝送路３６はＤＣから約数百ＭＨｚまでの伝送帯域を持った伝送路であり、これは従来の単体の伝送路と同じものである。
【００４２】
高域伝送路３８は例えば数百ＭＨｚから１ＧＨｚ以上の上限周波数までの伝送周波数帯域を備えており、この高域伝送帯域は高域伝送路３８における共振周波数を調整することで特定の帯域の伝送を実現している。低域伝送路３６と高域伝送路３８はリードヘッド２６側を送信端として、リードヘッド２６のパッド４０に接続されている。
【００４３】
また低域伝送路３６と高域伝送路３８はリードアンプ３０の入力段を受信端としてパッド４６に接続され、リードアンプ３０の入力を受信端としてパッド４６に接続している。このためリードヘッド２６からのアナログ読出信号は、パッド４０の部分で低域伝送路３６の周波数帯域と高域伝送路３８の異なる周波数帯域の信号に自動的に周波数分割されて伝送され、パッド４６の部分で分割された周波数帯域の信号が自動的に合成されてリードアンプ３０に入力する。
【００４４】
このため、リードアンプ３０のパッド４６における受信端から伝送路を見ると、この伝送路は低域伝送路３６と高域伝送路３８の２つの異なる周波数帯域特性を加え合わせた広帯域周波数特性が得られていることになる。
【００４５】
ここで高域伝送路３８における周波数帯域特性を作成するための方法の１つとしては、高域伝送路３８の有するインダクタンスＬとキャパシタＣとにより、信号を伝送したい帯域に共振周波数ｆｒとして
ｆｒ＝１／（２π√ＬＣ）
とするピーク特性を作り、この共振ピーク特性の先鋭度の指標であるＱ値（Ｑｕａｌｉｔｙ  ｆａｃｔｏｒ）が
Ｑ＝２πｆＬ／Ｒ
で与えられることから、高伝送路３８の抵抗成分Ｒを調整してＱ値を小さくすることによりピーク部をフラットにすることで実現することができる。
【００４６】
高域伝送路３８の伝送帯域周波数を決める共振回路の形成は、高域伝送路３８自体の持つインダクタンス成分、キャパシタ成分及び抵抗成分により作り出すこともできるが、高域伝送路３８の成分のみでは必要とする共振特性が得られない場合には、後の説明で明らかにするようにヘッドＩＣ２４側に共振調整回路を設けて、インダクタンス、キャパシタ及び抵抗の不足成分を補うことで、必要とする共振特性を作るようにする。
【００４７】
図５は図４のロングテールサスペンション１０における伝送路構造の説明図である。図５において、ロングテールサスペンション１０は、例えばグランド金属箔３４上に絶縁層５０を感光性ポリイミドを用いて形成し、続いて感光性レジストでＣｕメッキによる回路層としての低域伝送路３６及び高域伝送路３８を形成し、更に保護層５２を絶縁層５０と同様に形成する。そして最後に、グランド金属箔３４を構成するステンレスをサスペンション形状にエッジングして完成したものである。
【００４８】
再び図４を参照するに、ロングテールサスペンション１０はヘッドＩＣ２４のライトドライバ３２とヘッド部のライトヘッド２８を電気的に接続することから、この伝送路についても低域伝送路４２と高域伝送路４４の２本を設け、送信端となるライトドライバ３２の出力のパッド４８に一端を共通に接続すると共に、他端を送信端となるライトヘッド２８のパッド４１に共通に接続している。
【００４９】
ライトヘッド２８側の低域伝送路４２はリードヘッド２６側の低域伝送路３６と同様、例えばＤＣから数百ＭＨｚまでの伝送周波数帯域特性を持つ。また高域伝送路４４は、その共振周波数を決めることにより、例えば数百ＭＨｚから１ＧＨｚを超えるまでの周波数帯域特性を持っている。
【００５０】
図６は図４の広帯域伝送路装置に対応した伝送路モデルの説明図である。本発明の広帯域伝送路装置は、図４の例えばリードヘッド２６側に示したように、低域伝送路３６と高域伝送路３８の２本の伝送路で広帯域伝送路を構成しているが、このような異なる周波数特性の伝送路を送信端と受信端のそれぞれで接続することで広帯域伝送が可能であることを、シミュレーションによる周波数特性から確認する。
【００５１】
図６（Ａ）は伝送路を抵抗５６のみで考えた低域伝送路モデル５４であり、伝送路の簡易モデルということができる。この低域伝送路モデル５４に対し、送信端に信号源６０を接続してＤＣから周波数を変化させ、送信端となるＰ点で周波数特性を測定する。ここで送信端Ｐのキャパシタ５８は、ロングテールサスペンション１２における伝送路と絶縁層を介して背後に配置したグランド金属箔３４との間に生ずるキャパシタ成分である。
【００５２】
図６（Ｂ）は高周波信号の伝送用に調整した高域伝送路モデル６２であり、キャパシタ６４、インダクタンス６６及び抵抗６８を直列接続したモデルで表現している。また送信端となる測定点Ｐ側のキャパシタ７０は、図６（Ａ）と同様、ロングテールサスペンション１０における伝送路とグランド金属箔の間のキャパシタ成分である。
【００５３】
この高域伝送路モデル６２を用いたシミュレーションにあっては、信号源６０から周波数を変化させて信号を送る場合、測定点Ｐに通電していないとシミュレーションができないため、破線で示すように高抵抗７１を並列接続しているが、この高抵抗７１は伝送路の成分とはならない。
【００５４】
図６（Ｃ）は、図２に示した例えばリードヘッド２６側の低域伝送路３６の帯域を持つ抵抗５６で示される伝送路モデルと、高域伝送路３８に対応して、キャパシタ６４、インダクタンス６６及び抵抗６８を直列接続した伝送路モデルの並列接続回路である。また測定点Ｐ側のキャパシタ７４は、伝送路とグランド金属箔との間のキャパシタである。
【００５５】
図７は図６（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示した低域伝送路モデル５４、高域伝送路モデル６２及び広帯域伝送路モデル７２のシミュレーションにより得られた周波数特性の測定結果である。この周波数特性のグラフにおいて、伝送が保証されている利得は−３ｄＢまでであり、この−３ｄＢの周波数を帯域幅を決めるカットオフ周波数としている。
【００５６】
図６（Ａ）の低域伝送路モデル５４については低域伝送路特性７６が得られている。低域伝送路特性７６は上限のカットオフ周波数が約６５０ＭＨｚとなっている。図６（Ｂ）の高域伝送路モデル６２については高域伝送路特性７８が得られている。高域伝送路特性７８は高域伝送路モデル６２におけるキャパシタ６４，７０及びインダクタンス６６による共振周波数ｆｒを約ｆｒ＝１ＧＨｚに設定し、且つピーク特性をフラットとするようにＱ値を小さくするように抵抗成分６８を調整した広帯域伝送路共振特性８０を付加することで実現した特性となる。
【００５７】
なお実際の高域伝送路３８にあっては、図６（Ｂ）でシミュレーションのために並列接続した高抵抗７１は存在しないことから、高域伝送路共振特性８０のみを考えればよい。
【００５８】
更に図６（Ｃ）の本発明の低域伝送路３６と高域伝送路３８を表現した広帯域伝送路モデル７２については、広帯域伝送特性８２が得られている。広帯域伝送特性８２は低域伝送路特性７６と高域伝送路特性７８を作り出すための高域伝送路共振特性８０の合成周波数特性として得られている。
【００５９】
この広帯域伝送特性８２は、上限のカットオフ周波数ｆｃはｆｃ＝約１．６ＧＨｚを実現している。このため図６の伝送路モデルのシミュレーション結果から本発明による低域伝送路と高域伝送路を用いた広帯域伝送路装置によれば、ＤＣから約１．６ＧＨｚまでの広帯域周波数特性を実現することができ、従来、単体の伝送路では１ＧＨｚ程度が限界であったものが、１ＧＨｚを超える例えば１．６ＧＨｚという広帯域伝送特性を簡単に実現することができる。
【００６０】
図８は図４の実施形態に対し共振調整回路を加えた本発明による広帯域伝送路装置の説明図である。図８において、この実施形態にあっては、ヘッドＩＣ２４側に共振調整回路８４，８５を設け、リードヘッド２６側の高域伝送路３８と低域伝送路３６のキャパシタ成分、インダクタンス成分及び抵抗成分を、必要に応じて最適値に調整設定できるようにしている。
【００６１】
同様にライトヘッド２８側の低域伝送路４２と高域伝送路４４についても、共振調整回路８５においてキャパシタ成分、インダクタンス成分及び抵抗成分につき必要な値に調整設定可能としている。
【００６２】
図９は図８の共振調整回路を備えた広帯域伝送路装置に対応した伝送路モデルの説明図であり、リードヘッド２６側を例にとっている。
【００６３】
図９において、伝送路モデルはロングテールサスペンション１０側に高域伝送路３８に対応してキャパシタ６４、インダクタンス６６、抵抗６８を直列接続し、また低域伝送路３６に対応して抵抗５６を備えており、更に伝送路とグランド金属箔３４との間のキャパシタ７４を有する。
【００６４】
一方、リードアンプ３０を備えた受信端側には共振調整回路８４が設けられる。共振調整回路８４は低域伝送路３６側の抵抗５６と直列に調整抵抗成分９２を設けており、必要とする低域周波数特性が得られるように調整抵抗成分９２の値を調整した後に固定している。
【００６５】
また高域伝送路３８に対応して、共振調整回路８うには、調整キャパシタ成分８６、調整インダクタンス成分８８及び調整抵抗成分９０が設けられており、ロングテール１２側の高域伝送路３８では不足する成分について、共振調整回路８４側で不足分を補うように調整して固定設定している。
【００６６】
このような共振調整回路８４による高域伝送路及び低域伝送路の成分調整によるそれぞれの異なる周波数帯域の調整以外に、高域伝送路３８自身で共振周波数を発生することもできる。この伝送路自体で共振周波数を発生させる方法としては、伝送路の形状を調整することになる。
【００６７】
即ち高域伝送路３８側において、キャパシタ６４はリードヘッド２６と伝送路の接続部に相当することから、この部分の形状を調整することでキャパシタ６４の値を調整できる。またインダクタンス６６は、伝送路の幅や厚さで調整することができる。更に並列接続されたキャパシタ７４は、伝送路とロングテールサスペンションにおけるグランド金属箔との隙間を決める絶縁層の厚さ及び絶縁層の材質から調整することができる。もちろん低域伝送路３６側の抵抗５６については、伝送路の長さから調整できる。
【００６８】
図１０は伝送路を３本とした本発明による広帯域伝送路装置の実施形態の説明図である。図１０において、ロングテールサスペンション１０には、リードヘッド２６とリードアンプ３０に対応して両者を電気的に接続するため低域伝送路９４、第１高域伝送路９６及び第２高域伝送路９８の３本を設け、送信端となるパッド４０の部分及び受信端となるリードアンプ３０の入力段のパッド４６で結合している。
【００６９】
同様にライトドライバ３２とライトヘッド２８の間についても、低域伝送路１００、第１高域伝送路１０２、第２高域伝送路１０４の３本の伝送路が設けられ、送信端となるライトドライバ３２の出力端のパッド４０の部分及び受信端となるライトヘッド２８のパッド４１の部分で３本の伝送路を結合している。
【００７０】
ここでリードヘッド２６側を例にとると、低域伝送路９４は例えばＤＣから数百ＭＨｚまでの伝送周波数帯域を持ち、これは従来の単体の伝送路と同じ伝送特性である。第１高域伝送路９６は例えば１５０ＭＨｚから７５０ＭＨｚの伝送周波数帯域を持つように共振周波数特性が決められている。更に第２高域伝送路９８は、それより高い７５０ＭＨｚから３ＧＨｚの伝送周波数特性を持つように共振特性が決められている。この点はライトヘッド２８側の低域伝送路１００、第１高域伝送路１０２及び第２高域伝送路１０４についても同様である。
【００７１】
図１１は図１０の広帯域伝送路装置に対応した伝送路モデルの説明図であり、リードヘッド２６側を例にとっている。図１１において、広帯域伝送路モデル１０５は低域伝送路９４に対応して抵抗１０６を持ち、第１高域伝送路９６に対応してキャパシタ１０８、インダクタンス１１０及び抵抗１１２を持ち、これにより共振周波数ｆｒ１を設定している。更に、第２高域伝送路９８に対応してキャパシタ１１４、インダクタンス１１６及び抵抗１１８を持ち、この成分により更に高い共振周波数ｆｒ２を決定している。
【００７２】
図１２は図１１の広帯域伝送路モデルの周波数特性の説明図である。図１１の低域伝送路９４については、低域伝送路特性１２２が得られ、−３ｄＢ下がった位置のカットオフ周波数は約６５０ＭＨｚとなっている。第１高域伝送路９６からは第１高域伝送路共振特性１２４が得られ、その上限カットオフ周波数は約７５０ＭＨｚとなっている。更に第２高域伝送路９８により第２高域伝送路共振特性１２６が得られ、その上限カットオフ周波数は約３ＧＨｚに延びている。
【００７３】
この結果、低域伝送路９４、第１高域伝送路９６及び第２高域伝送路９８を送信端と受信端で接続して得られる広帯域伝送モデル１０５としての広帯域伝送特性１２８は、低域伝送路特性１２２、第１高域伝送路共振特性１２４及び第２高域伝送路共振特性１２６を合わせた周波数特性となり、そのカットオフ周波数は約３ＧＨｚに延びていることが分かる。
【００７４】
このように本発明の広帯域伝送路装置にあっては、理論上は特定の周波数帯域特性を持つ伝送路を無限に増やすことが可能であることから、どのような高い周波数までの伝送帯域を持つ信号伝送も可能となる。
【００７５】
図１３は図１０の実施形態に対し共振調整回路を加えた本発明による広帯域伝送路装置の説明図である。図１３において、ロングテールサスペンション１０に３本の伝送路を設けた点は図１０の実施形態と同じであるが、この実施形態にあっては更に、ヘッドＩＣ２４側に共振調整回路１２７，１２８を設けている。
【００７６】
図１４は図１３の広帯域伝送路装置に対応した伝送路モデルの説明図であり、図１１に示した伝送路側のモデルに対し、リードアンプ３０の入力段となる受信端側に共振調整回路１２７による調整成分を設けている。即ち共振調整回路１２７には、低域伝送路９４に対応して調整抵抗成分１３０が設けられ、第１高域伝送路９６に対応して調整キャパシタ成分１３２、調整インダクタンス成分１３４、調整抵抗成分１３６を設けている。また第２高域伝送路９８に対応して、調整キャパシタ成分１３８、調整インダクタンス成分１４０、更に調整抵抗成分１４２を設けている。この点は図１３のライトヘッド２８側の伝送路についても同様である。
【００７７】
なお上記の実施形態は本発明の広帯域伝送路装置を適用する伝送路構造としてロングテールサスペンションを例にとるものであったが、ショートテールサスペンションやフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）を用いた伝送路についても同様に適用できる。
【００７８】
また本発明は、その目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に上記の実施形態に示した数値による限定は受けない。
【００７９】
ここで本発明の特徴をまとめて列挙すると次の付記のようになる。
（付記）
（付記１）
アンプ回路とヘッドとを接続する広帯域伝送路装置に於いて、
前記アンプ回路とヘッドの何れか一方を送信端とし他方を受信端とし、前記送信端と受信端の間を異なる伝送周波数帯域特性を有する複数の伝送路で接続したことを特徴とする広帯域伝送路装置。（１）
【００８０】
（付記２）
付記１記載の広帯域伝送路装置に於いて、低周波伝送帯域用の伝送路と高周波伝送帯域用の伝送路を設け、前記各伝送路を前記送信端と受信端の各々で接続したことを特徴とする広帯域伝送路装置。（２）
【００８１】
（付記３）
付記２記載の広帯域伝送路装置に於いて、前記高周波伝送帯域用の伝送路は、伝送路自身がもつ抵抗成分、インダクタンス成分及び容量成分により共振回路を形成し、前記共振回路の共振周波数特性により前記高周波伝送帯域特性を実現することを特徴とする広帯域伝送路装置。（３）
【００８２】
（付記４）
付記２記載の広帯域伝送路装置に於いて、前記共振回路は、インダクタンス成分と容量成分により伝送帯域内に共振周波数を設定し、前記抵抗成分によりＱ値を小さくして共振ピーク特性をフラット化したことを特徴する広帯域伝送路装置。
【００８３】
（付記５）
付記２記載の広帯域伝送路装置に於いて、前記ヘッド回路に前記伝送路自身がもつ抵抗成分、インダクタンス成分及び容量成分の不足分を設定調整する共振調整回路を設けたことを特徴とする広帯域伝送路装置。
【００８４】
（付記６）
付記２記載の広帯域伝送路装置に於いて、前記共振調整回路を前記伝送路ごとに設けたことを特徴とする広帯域伝送路装置。
【００８５】
（付記７）
ヘッドを搭載するためのサスペンションアセンブリにおいて、
ヘッド回路と前記ヘッドとを接続する広帯域伝送路装置が搭載され、
前記広帯域伝送路装置は、前記ヘッド回路と前記ヘッドの何れか一方を送信端とし他方を受信端とし、前記送信端と受信端の間を異なる伝送周波数帯域特性を有する複数の伝送路で接続したことを特徴とするサスペンションアセンブリ。（４）
【００８６】
（付記８）
付記７記載のサスペンションアセンブリに於いて、低周波伝送帯域用の伝送路と、高周波伝送帯域用の伝送路を設け、前記各伝送路を前記送信端と受信端の各々で接続したことを特徴とするサスペンションアセンブリ。
【００８７】
（付記９）
付記８記載のサスペンションアセンブリに於いて、前記高周波伝送帯域用の伝送路は、伝送路自身がもつ抵抗成分、インダクタンス成分及び容量成分により共振回路を形成し、前記共振回路の共振周波数特性により前記高周波伝送帯域特性を実現することを特徴とするサスペンションアセンブリ。
【００８８】
（付記１０）
付記８記載のサスペンションアセンブリに於いて、前記共振回路は、インダクタクス成分と容量成分により伝送帯域内に共振周波数を設定し、前記抵抗成分によりＱ値を小さくして共振ピーク特性をフラット化したことを特徴するサスペンションアセンブリ。
【００８９】
（付記１１）
付記７記載のサスペンションアセンブリに於いて、前記ヘッドに設けたリードヘッドの出力端を送信端とし、前記ヘッド回路に設けたリードアンプの入力端を受信端とし、前記送信端と受信端の間を複数の伝送路で接続したことを特徴とするサスペンションアセンブリ。
【００９０】
（付記１２）
付記７記載のサスペンションアセンブリに於いて、前記ヘッド回路に設けたライトドライバの出力端を送信端とし、前記ヘッドに設けたライトヘッドの入力端を受信端とし、前記送信端と受信端の間を複数の伝送路で接続したことを特徴とするサスペンションアセンブリ。
【００９１】
（付記１３）
付記７記載のサスペンションアセンブリに於いて、前記伝送路は、グランドを構成するフレキシブルな金属箔上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた回路層で構成されてなること特徴とするサスペンションアセンブリ。
【００９２】
（付記１４）
記憶媒体に対して情報の読み出し又は及び書き込みを行うヘッドと、
前記ヘッドと信号処理回路との間に配置されたヘッド回路と、
前記ヘッド回路と前記ヘッドとを接続する広帯域伝送路装置とを備え、
前記広帯域伝送路装置は、前記ヘッド回路と前記ヘッドの何れか一方を送信端とし他方を受信端とし、前記送信端と受信端の間を異なる伝送周波数帯域特性を有する複数の伝送路で接続したことを特徴とする記憶媒体装置。（５）
【００９３】
（付記１５）
付記１４記載の記憶媒体装置に於いて、低周波伝送帯域用の伝送路と、高周波伝送帯域用の伝送路を設け、前記各伝送路を前記送信端と受信端の各々で接続したことを特徴とする記憶媒体装置。
【００９４】
（付記１６）
付記１５記載の記憶媒体装置に於いて、前記高周波伝送帯域用の伝送路は、伝送路自身がもつ抵抗成分、インダクタンス成分及び容量成分により共振回路を形成し、前記共振回路の共振周波数特性により前記高周波伝送帯域特性を実現することを特徴とする記憶媒体装置。
【００９５】
（付記１７）
付記１５記載の記憶媒体装置に於いて、前記共振回路は、インダクタクス成分と容量成分により伝送帯域内に共振周波数を設定し、前記抵抗成分によりＱ値を小さくして共振ピーク特性をフラット化したことを特徴する記憶媒体装置。
【００９６】
（付記１８）
付記１４記載の記憶媒体装置に於いて、前記ヘッドに設けたリードヘッドの出力端を送信端とし、前記ヘッド回路に設けたリードアンプの入力端を受信端とし、前記送信端と受信端の間を複数の伝送路で接続したことを特徴とする記憶媒体装置。
【００９７】
（付記１９）
付記１４記載の記憶媒体装置に於いて、前記ヘッド回路に設けたライトドライバの出力端を送信端とし、前記ヘッドに設けたライトヘッドの入力端を受信端とし、前記送信端と受信端の間を複数の伝送路で接続したことを特徴とする記憶媒体装置。
【００９８】
（付記２０）
記憶媒体に対して情報の読み出し又は及び書き込みを行うヘッドと、
前記ヘッドからの信号を増幅するヘッド回路と、
前記ヘッド回路と前記ヘッドとを接続するとともに、前記ヘッド回路と前記ヘッドの何れか一方を送信端とし他方を受信端とし、前記送信端と受信端の間に１ＧＨｚ以上の伝送周波数帯域特性を有する伝送路装置と、
を設けたことを特徴とする記憶媒体装置。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の原理説明図
【図２】本発明が適用される磁気ディスク装置のロングテールサスペンションの説明図
【図３】本発明が適用される磁気ディスク装置のブロック図
【図４】伝送路を２本とした本発明による広帯域伝送路装置の実施形態の説明図
【図５】図４のロングテールサスペンションにおける伝送路構造の説明図
【図６】図２の広帯域伝送路装置に対応した伝送路モデルの説明図
【図７】図６の伝送路モデルの周波数特性の説明図
【図８】図４に対し共振調整回路を加えた本発明による広帯域伝送路装置の説明図
【図９】図８の広帯域伝送路装置に対応した伝送路モデルの説明図
【図１０】伝送路を３本とした本発明による広帯域伝送路装置の実施形態の説明図
【図１１】図１０の広帯域伝送路装置に対応した伝送路モデルの説明図
【図１２】図１１の伝送路モデルの周波数特性の説明図
【図１３】図１０に対し共振調整回路を加えた本発明による広帯域伝送路装置の説明図
【図１４】図１３の広帯域伝送路装置に対応した伝送路モデルの説明図
【符号の説明】
【０１００】
１０：ロングテールサスペンション
１４：ヘッド接続部
１６：ＩＣ接続部
１８：ヘッド
２０：アーム
２２：ヘッドアクチュエータ軸部
２４：ヘッドＩＣ
２６：リードヘッド
２８：ライトヘッド
３０：リードアンプ
３２：ライトドライバ
３４：グランド金属箔
３６，４２，９４，１００：低域伝送路
３８，４４：高域伝送路
４０，４１，４６，４８：パッド
５０：絶縁層
５２：保護層
５４：低域伝送路モデル
５６，６８，１０６，１１２，１１８：抵抗
５８，６４，７０，７４，１０８，１１４：キャパシタ
６０：信号源
６２：高域伝送路モデル
６６，１１０，１１６：インダクタンス
７１：高抵抗
７２，１０５：広帯域伝送路モデル
７６，１２２：低域伝送路特性
７８：高域伝送路特性
８０：高域伝送路共振特性
８２，１２８：広帯域伝送特性
８４，８５，１２７，１２８：共振調整回路
８６，１３２，１３８：調整キャパシタ成分
８８，１３４，１４０：調整インダクタンス成分
９０，９２，１３０，１３６，１４２：調整抵抗成分
９６，１０２：第１高域伝送路
９８，１０４：第２高域伝送路
１２４：第１高域伝送路共振特性
１２６：第２高域伝送路共振特性
【図１】
2006268965.tif 000003
【図２】
2006268965.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2006268965.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2006268965.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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