(57)【要約】【課題】複数の発光素子が直列に接続された構造を有し、インクジェット法を用いて製造される有機ＥＬ装置及びその製造方法等を提供する。【解決手段】有機ＥＬ装置は、複数の画素の各々に複数の有機ＥＬ素子６１，６２，６３が設けられた第１基板Ｓ１と、画素に対応して駆動用ＴＦＴ１２３等が形成され、導電性接続部材３０により第１基板Ｓ１と接続された第２基板とを備える。有機ＥＬ素子６１，６２，６３がそれぞれ備える電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、逆テーパー状のレジスト層４８により分離されており、有機ＥＬ素子６１の透明電極５０ａと有機ＥＬ素子６２の電極２３ｂとが電気的に接続され、有機ＥＬ素子６２の透明電極５０ｂと有機ＥＬ素子６３の電極２３ｃとが電気的に接続されている。これにより、画素内に設けられた有機ＥＬ素子６１，６２，６３は直列接続されている。【選択図】図５
2006310289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１電極と、
複数の第２電極と、
複数の発光膜と、を含み、
前記複数の発光膜の各々は、前記複数の第１電極のうちの一つの第１電極と複数の第２電極のうちの一つの第２電極との間に配置され、
前記一つの第１電極は、前記複数の第２電極のうち前記一つの第２電極に隣接する第２電極に電気的に接続されていること、
を特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記複数の第１電極は互いに絶縁部材によって分離されており、
前記複数の第２電極は互いに絶縁部材によって分離されており、
前記複数の発光膜は互いに絶縁部材によって分離されていること、
を特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発光装置において、
前記複数の第２電極は第１のテーパー形状を有する第１の絶縁部材によって分離されていること、
を特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置において、
前記第１の絶縁部材に接して、前記第１のテーパー形状とは逆のテーパー形状を有する第２の絶縁部材が設けられていること、
を特徴とする発光装置。
【請求項５】
発光装置の製造方法において、
第１基板上の複数の第１電極を形成する第１工程と、
前記複数の第１電極を互いに分離する第１の絶縁部材を形成する第２工程と、
前記第１の絶縁部材上に前記第１の絶縁部材の有するテーパー形状とは逆のテーパー形状を有する第２の絶縁部材を形成する第３工程と、
発光膜の形成材料を含む液状体を液滴吐出法により前記複数の第１電極上に吐出して前記複数の第１電極の各々の上方に発光膜を形成する第４工程と、
第２電極の形成材料を蒸着することにより、前記第２の絶縁部材によって互いに分離されるとともに、前記複数の第１電極のうち少なくとも１つの第１電極と接続された第２電極を形成する第５工程と、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の発光装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置等の発光装置及びその製造方法並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
バックライト等を必要としない自発光素子として、近年、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）素子を備えた有機ＥＬ装置が注目されている。有機ＥＬ素子は、対向する一対の電極間に有機ＥＬ層、即ち発光素子を備えて構成されたものであり、フルカラー表示を行う有機ＥＬ装置は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応する発光波長帯域を有する発光素子を備えている。対向する一対の電極間に電圧が印加されると、注入された電子と正孔とが発光膜内で再結合し、これより当該発光膜が発光する。このような有機ＥＬ装置に形成される発光膜は、通常１μｍを下回るほどの薄膜で形成される。また、有機ＥＬ装置は、発光膜そのものが発光するため、従来の液晶表示装置に用いられているようなバックライトも特に必要ない。従って、有機ＥＬ装置は、その厚みを極めて薄型化することができるという利点を有する。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ装置には大型化が求められているが、有機ＥＬ装置の大型化に従って電源線等の配線長が増大し、電圧降下が顕著となってしまう。このため、有機ＥＬ装置が大型化するほど発光領域中央付近における輝度の低下が顕著になる。この課題を解決する方法として、以下の特許文献１には、隣り合った複数の発光素子を直列接続したものを１つの画素に設ける提案がなされている。１つの発光素子に電圧Ｖ［Ｖ］を印加したときにその発光素子にＩ［Ａ］が流れ、Ｌ［ｃｄ／ｍ２］の発光輝度が得られたとする。いま、この発光素子をｎ（ｎは２以上の整数）個直列接続した構成にして印加電圧をｎＶ［Ｖ］とすると、各発光素子の平均発光輝度をＬ［ｃｄ／ｍ２］とするには、各発光素子にＩ／ｎ［Ａ］の電流を流せば良いことになる。同一の発光輝度を得るために電流をＩ［Ａ］からＩ／ｎ［Ａ］に低減することができるため、配線抵抗Ｒによる電圧降下ΔＶも１／ｎになり、この結果として発光領域中央付近における輝度の低下を抑えることが可能となる。
【０００４】
以上の構成の有機ＥＬ装置を製造する方法として、以下の特許文献２に開示されている通り、有機ＥＬの発光膜の形成、及び発光膜の形成に続く陰極形成を、マスクを用いて行う方法が挙げられる。また、以下の特許文献３に開示されている通り、逆テーパー形状を有する隔壁を形成し、有機ＥＬの発光膜及び陰極を蒸着により形成する方法が挙げられる。
【特許文献１】特開２０００−８９６９１号公報
【特許文献２】特開２００４−７１５７０号公報
【特許文献３】特開２００２−３１３５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年においては、有機ＥＬの発光膜の形成材料を含む液状体をインクジェット法によって基板上に塗布し、その液状体を乾燥させて発光膜を形成する方法が注目されている。このインクジェット法は、有機ＥＬの発光膜の形成のみならず、種々の微細構造を形成する際に用いられることが期待されている。インクジェット法を用いることにより、マスクを用いて微細構造を形成する場合に比較して高価なマスクが不要である場合があるため、有機ＥＬ装置の低コスト化を実現することができるという利点がある。また、必要な材料を必要なだけ必要な箇所に吐出するだけで微細構造を形成することができるため、省資源化も図られる。
【０００６】
上述した特許文献１に開示された構造を有する有機ＥＬ装置は、上述した特許文献２，３に開示された技術を用いれば製造することができるが、製造工程の１つ（例えば、有機ＥＬの発光膜の形成工程）を単にインクジェット法に置き換えただけでは所期の機能を発揮する有機ＥＬ装置を製造することができないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下に詳述する本発明の効果の一つは、上記の課題を解決することである。
本発明に係る発光装置は、複数の第１電極と、複数の第２電極と、複数の発光膜と、を含み、前記複数の発光膜の各々は、前記複数の第１電極のうちの一つの第１電極と複数の第２電極のうちの一つの第２電極との間に配置され、前記一つの第１電極は、前記複数の第２電極のうち前記一つの第２電極に隣接する第２電極に電気的に接続されていること、を特徴とする。
上記の発光装置において、前記複数の第１電極は互いに絶縁部材によって分離されており、前記複数の第２電極は互いに絶縁部材によって分離されており、前記複数の発光膜は互いに絶縁部材によって分離されていてもよい。
上記の発光装置において、前記複数の第２電極は第１のテーパー形状を有する第１の絶縁部材によって分離されていてもよい。
上記の発光装置において、前記第１の絶縁部材に接して、前記第１のテーパー形状とは逆のテーパー形状を有する第２の絶縁部材が設けられていてもよい。
上記の発光装置は電子機器の表示部等に利用することが可能である。
本発明に係る発光装置の製造方法は、発光装置の製造方法において、第１基板上の複数の第１電極を形成する第１工程と、前記複数の第１電極を互いに分離する第１の絶縁部材を形成する第２工程と、前記第１の絶縁部材上に前記第１の絶縁部材の有するテーパー形状とは逆のテーパー形状を有する第２の絶縁部材を形成する第３工程と、発光膜の形成材料を含む液状体を液滴吐出法により前記複数の第１電極上に吐出して前記複数の第１電極の各々の上方に発光膜を形成する第４工程と、第２電極の形成材料を蒸着することにより、前記第２の絶縁部材によって互いに分離されるとともに、前記複数の第１電極のうち少なくとも１つの第１電極と接続された第２電極を形成する第５工程と、を含むことを特徴とする。
なお、上記の発光装置は、画素内で隔壁により分離された複数の第１電極と、前記複数の第１電極の各々の上部に液滴吐出法により形成された複数の発光部と、前記複数の発光部の各々の上部に形成され、逆テーパー状の分離部材により分離された複数の第２電極とを有し、前記画素内で隣接する前記第１電極と前記第２電極とが接続されて直列接続された複数の発光素子を備える第１基板と、前記画素の各々に対応して設けられ、対応する前記画素が備える前記発光素子を発光させる複数の駆動素子を有する第２基板とを備えることができる。
これによれば、複数の画素の各々が直列接続された複数の発光素子を備えているため、各発光素子に流れる電流を画素に設けられた発光素子の数分の一に低減することができ、その結果として電圧降下に起因する表示領域中央付近における輝度の低下を抑えることができる。また、電流を低減することができるため、電源を供給する配線を細くすることができ、その結果として高精細化が可能である。
また、上記の発光装置は、前記複数の画素の各々が、前記発光素子を２個以上４個以下の範囲で備えることを特徴としている。
画素の各々設けられる発光素子の数を増加させればさせる程、電流を低減することができるため、輝度低下の観点からは画素に設けられる発光素子の数は多い方が良い。しかしながら、画素の各々設けられる発光素子の数を増加させればさせる程、隔壁の数が多くなって開口率の低下を招いてしまう。このため、輝度低下の観点及び開口率の低下の観点の双方を考慮して画素内の発光素子の数は２個以上４個以下であることが望ましい。
また、上記の発光装置は、前記発光部が、正孔輸送層と発光膜とを含んで形成されていることを特徴としている。
この発明によると、発光部が正孔輸送層と発光膜とを含んで形成されているため、仮に液滴吐出法によって形成した発光膜への正孔注入率が悪くとも、正孔輸送層により注入率を向上させることができる。
また、上記の発光装置は、前記第２基板が、前記第１基板を封止する封止基板を兼ねることができる。
また、上記の発光装置は、前記第２基板に設けられた前記駆動素子が、対応する前記画素に設けられた発光素子のうち、前記画素の端部に位置する発光素子の前記第２電極に導電性接続部材によって接続されていることができる。
また、上記の発光装置は、前記駆動素子が、所定の基板上に形成された多数の素子の一部を選択的に前記第２基板上に転写して前記第２基板にってもよい。
また、上記の発光装置の製造方法は、第１基板上の画素内に複数の第１電極を形成する工程と、前記画素内における前記第１電極を分離する隔壁を、少なくとも前記第１電極間に形成する工程と、前記隔壁上に逆テーパー状の分離部材を形成する工程と、発光膜の形成材料を含む液状体を液滴吐出法により前記第１電極上に吐出して前記第１電極の各々の上部に発光膜を形成する工程と、第２電極の形成材料を前記第１基板上に蒸着し、前記分離部材によって互いに分離されるとともに、隣接する位置に形成された前記第１電極と接続された第２電極を形成する工程と、前記画素の各々に対応して設けられ、対応する前記画素が備える前記発光素子を発光させる複数の駆動素子を有する第２基板を、前記駆動素子の各々が対応する前記画素の前記発光素子と電気的に接続されるように配置する第工程とを含むことができる。
これによれば、複数の画素の各々に直列接続された複数の発光素子を形成しているため、各発光素子に流れる電流を画素に設けられた発光素子の数分の一に低減することができ、その結果として電圧降下に起因する表示領域中央付近における輝度の低下を抑えることができる。また、電流を低減することができるため、電源を供給する配線を細くすることができ、その結果として高精細化が可能である。更に、発光膜を液滴吐出法により形成しているため発光膜の形成材料を無駄にすることなく使用することができ、省資源化を図ることもできる。
また、上記の発光装置の製造方法は、複数の画素の各々に、前記発光素子を２個以上４個以下の範囲で形成することができる。
画素の各々設けられる発光素子の数を増加させればさせる程、電流を低減することができるため、輝度低下の観点からは画素に設けられる発光素子の数は多い方が良い。しかしながら、画素の各々設けられる発光素子の数を増加させればさせる程、隔壁の数が多くなって開口率の低下を招いてしまう。このため、輝度低下の観点及び開口率の低下の観点の双方を考慮して画素内の発光素子の数は２個以上４個以下であることが望ましい。
また、上記の発光装置の製造方法は、前記発光膜の上部又は下部に正孔輸送層を形成する工程を含むことを特徴としている。
この発明によると、発光膜の上部又は下部に正孔輸送層を形成しているため、仮に液滴吐出法によって形成した発光膜への正孔注入率が悪くとも、正孔輸送層により注入率を向上させることができる。
また、上記の発光装置の製造方法は、前記第２基板が前記第１基板を封止する封止基板を兼ねるように、前記第２基板を前記第１基板に対して配置することが好ましい。
また、上記の発光装置の製造方法は、前記第２基板に設けられた前記駆動素子を、対応する前記画素に設けられた発光素子のうち、前記画素の端部に位置する発光素子の前記第２電極に導電性接続部材によって接続することが望ましい。
或いは、上記の発光装置の製造方法は、複数の前記駆動素子を所定の基板上に形成する工程と、前記所定の基板上に形成された前記複数の駆動素子の一部を選択的に前記第２基板上に転写して前記駆動素子を前記第２基板に設ける工程とを含むことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の発光装置の一実施形態による有機ＥＬ装置及びその製造方法並びに電子機器について詳細に説明する。尚、以下に説明する実施形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【０００９】
〔有機ＥＬ装置〕
図１は、本発明の一実施形態による有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。図１に示す有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス方式のものであり、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有し、走査線１０１と信号線１０２との各交点付近に画素領域Ｘを形成したものである。
【００１０】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００１１】
画素領域Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）２３と、この画素電極２３と共通電極５０との間に配置された複数の有機ＥＬ素子６１，６２，６３とが設けられている。
【００１２】
画素電極２３と共通電極５０との間に配置された複数の有機ＥＬ素子６１，６２，６３は直列接続されており、各々が独立して発光する発光素子である。各画素領域Ｘに複数の発光素子を備える構成とするのは、有機ＥＬ装置１の大型化に伴って電源線１０３の配線長が長くなり、電圧降下の増大により生ずる各画素領域Ｘの発光輝度低下を防止するためである。尚、電源線１０３に流れる電流を低減することができるため、電源線１０３細くすることで高精細化も可能である。
【００１３】
画素領域Ｘに設けられる有機ＥＬ素子の数をｎとすると、本実施形態では、画素領域Ｘに１つの有機ＥＬ素子が設けられている場合に比べて、電源線１０３にｎ倍の電圧が印加されている。これにより、１つの画素領域Ｘの発光輝度を殆ど変えることなく電源線１０３を流れる電流を１／ｎにすることができ、この結果として電圧降下による各画素領域Ｘの発光輝度の低下を防止することができる。
【００１４】
尚、本実施形態では、画素領域Ｘに３つの有機ＥＬ素子６１，６２，６３が設けられている構成を例に挙げて説明するが、画素領域Ｘに設けられる有機ＥＬ素子の数は所望の性能等を考慮して適宜設定される。しかしながら、各々の画素に設けられる有機ＥＬ素子の数を増加させればさせる程、開口率の低下を招いてしまう。このため、輝度低下の観点及び開口率の低下の観点の双方を考慮して画素内の有機ＥＬ素子の数は２個以上４個以下であることが望ましい。
【００１５】
上記構成の有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、更に有機ＥＬ素子６１，６２，６３に電流が流れる。すると、有機ＥＬ素子６１，６２，６３は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００１６】
図２は、本発明の一実施形態による有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面図である。図２に示す通り、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、光透過性と電気絶縁性とを備える基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域（図示せず）と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線１０３と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを備えて構成されている。尚、本実施形態において画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００１７】
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ，Ｇ，Ｂが図中のＨ方向及びＶ方向に規則的に配置されている。尚、これらの表示領域Ｒ，Ｇ，Ｂの各々は、図１に示した画素領域Ｘをなしている。また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０，８０が配置されている。この走査線駆動回路８０，８０は、ダミー領域５の下層側に位置して設けられている。また、実表示領域４の図２中上方側には検査回路９０が配置されており、この検査回路９０はダミー領域５の下層側に配置されて設けられている。この検査回路９０は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００１８】
走査線駆動回路８０及び検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から不図示の電圧導電部を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０及び検査回路９０への駆動制御信号及び駆動電圧は、この有機ＥＬ装置１の作動制御を司る所定のメインドライバ等から不図示の信号導通部を介して送信及び印加されるようになっている。尚、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０及び検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバ等からの指令信号である。
【００１９】
図３は、本発明の一実施形態による有機ＥＬ装置１の平面透視図である。尚、図３においては、図２との関係を明確化するために画素部３、実表示領域４、及び表示領域Ｒ，Ｇ，Ｂも併せて図示している。図３に示す通り、有機ＥＬ装置１の正面側には透明の共通電極５０が設けられている。この共通電極５０は、例えばＩＴＯ等によって形成されており、光透過性を有する基板２０の裏面（有機ＥＬ装置１の裏面側）に形成されている。
【００２０】
実表示領域４に対応する中央部分において、共通電極５０は図中Ｈ方向に延在し、図中Ｖ方向に所定の間隔（表示領域の配列間隔）で配列された複数の帯状に形成されている。詳細は後述するが、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、図１に示す通り、直列接続された複数の有機ＥＬ装置が画素領域Ｘに設けられているため、共通電極５０を図３に示す形状に形成している。尚、共通電極５０の中央部において、帯状に形成された部分以外の部分には共通電極と同一の材質からなる透明電極５０ａ，５０ｂ（図５参照）が形成されているが、これらの透明電極５０ａ，５０ｂとは絶縁されている。
【００２１】
図４は、画素領域Ｘを拡大して示す平面図透視図である。尚、図４においては、図２中のＨ方向に隣接する２つの画素領域Ｘを拡大して図示しており、図１に示したスイッチング用ＴＦＴ１１２、保持容量１１３、駆動用ＴＦＴ１２３、走査線１０１、信号線１０２、及び電源線１０３の図示は省略している。図４に示す通り、画素領域Ｘには、図１に示す３つの有機ＥＬ素子６１，６２，６３が形成されている。
【００２２】
有機ＥＬ素子６１は、透明電極５０ａ、透明電極５０ａの下部に形成された発光膜７０ａ、及び発光膜７０ａの下部に形成された電極２３ａを含んで構成されている。また、有機ＥＬ素子６２は、透明電極５０ｂ、透明電極５０ｂの下部に形成された発光膜７０ｂ、及び発光膜７０ｂの下部に形成された電極２３ｂを含んで構成されている。更に、有機ＥＬ素子６３は、共通電極５０、共通電極５０の下部に形成された発光膜７０ｃ、及び発光膜７０ｃの下部に形成された電極２３ｃを含んで構成されている。尚、有機ＥＬ素子６１に設けられる電極２３ａが図１に示す画素電極２３に相当する。また、図３に示す通り、共通電極５０は図中Ｈ方向に延在しており、Ｈ方向に配列された画素領域ＸのＶ方向における端部に設けられた有機ＥＬ素子６３で共用されている。
【００２３】
有機ＥＬ素子６１の透明電極５０ａと、有機ＥＬ素子６２の電極２３ｂとは、符号Ｐ１を付した箇所において接触して電気的に接続されている。また、有機ＥＬ素子６２の透明電極５０ｂと、有機ＥＬ素子６２の電極２３ｃとは、符号Ｐ２を付した箇所において接触して電気的に接続されている。このように、図１に示す画素電極２３に相当する電極２３ａと共通電極５０との間には、有機ＥＬ素子６１，６２，６３が直列接続されている。
【００２４】
次に、図５を参照して画素領域Ｘの断面構造についてより詳細に説明する。図５は、図４中のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。図５に示す通り、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ素子６１，６２，６３が形成された第１基板Ｓ１と、これら有機ＥＬ素子６１，６２，６３を発光させる駆動用ＴＦＴ１２３等が形成された第２基板Ｓ２と、第１基板Ｓ１と第２基板Ｓ２とを電気的に接続する導電性接続部材３０とを含んで構成されている。この導電性接続部材３０としては、例えば銀ペーストを用いることができる。尚、第２基板Ｓ２には、駆動用ＴＦＴ１２３以外に、図１に示すスイッチング用ＴＦＴ１１２及び保持容量１１３、並びに、走査線１０１、信号線１０２、及び電源線１０３が形成されている。以下、第２基板Ｓ２及び第１基板Ｓ１の構成について順に説明する。
【００２５】
［第２基板］
第２基板Ｓ２の駆動用ＴＦＴ１２３等は、基板２１上に形成されている。この基板２１としては、透明若しくは半透明又は不透明のものが採用される。透明若しくは半透明の基板としては、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。尚、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、各画素領域Ｘから得られる発光光を、駆動用ＴＦＴ１２３等が形成された第２基板Ｓ２側とは反対側から取り出す所謂トップエミッション型の有機ＥＬ装置であるため、不透明の基板であっても良い。
【００２６】
この基板２１上には、画素電極２３（電極２３ａ）を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３等を含む駆動回路部が形成されている。この駆動回路部の構成については、駆動用ＴＦＴ１２３を例に挙げて説明する。基板２１の表面にはＳｉＯ２を主体とする下地保護層（図示省略）が下地として形成されており、その上にシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２及びＳｉＮのうち少なくともいずれかを含むゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００２７】
また、上記のシリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。尚、このゲート電極２４２は、図１におけるスイッチング用ＴＦＴ１１２から延びた中継電極の一部であってもよい。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００２８】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側にはドレイン領域２４１Ｄが設けられている。尚、チャネル領域２４１ａのソース側に低濃度ソース領域及び高濃度ソース領域を形成するとともに、チャネル領域２４１ａのドレイン側に低濃度ドレイン領域及び高濃度ドレイン領域を形成して、所謂ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とするのが好ましい。
【００２９】
これらのうち、ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とに亘って開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、前述した電源線１０３（図１参照、図５においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成されている。一方、ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とに亘って開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００３０】
ソース電極２４３及びドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする第２層間絶縁層２８４によって覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等を用いることもできる。この第２層間絶縁層２８４の表面上には、電極２４５が形成されている。この電極２４５は、第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホールＣ１を介してドレイン電極２４４に接続されている。即ち、電極２４５は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１のドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００３１】
また、電極２４５及び第２層間絶縁層２８４の全面に亘って、例えばＳｉＯ２からなる絶縁層２８５が形成されている。この絶縁層２８５には配線２４５上の所定位置に開口部２８５ａが形成されており、この開口部２８５ａは導電性接続部材３０を接続するためのパッド部とされている。以上説明した基板２１の上部に形成された不図示の下地保護膜から第２層間絶縁層２８４までが回路部１１を構成している。尚、駆動回路部に設けられるスイッチング用ＴＦＴ１１２も駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。また、走査線駆動回路８０及び検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、即ち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、電極２３ａと接続されていない点を除いて駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。
【００３２】
［第１基板］
第１基板Ｓ１の有機ＥＬ素子６１，６２，６３は、基板２０上に形成されている。この基板２０としては、透明又は半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。尚、有機ＥＬ素子６１，６２，６３は第１基板Ｓ１上に形成される訳であるが、有機ＥＬ装置１は所謂トップエミッション型の有機ＥＬ装置であるため、図５に示す通り、第１基板Ｓ１は基板２０を上側（表示面側）にして実装される。以下の説明では、図５に示す通り、基板２０が上側に配置されて実装されている状態での各構成要素の位置関係について説明する。
【００３３】
この基板２０の下（下面）は、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０と、例えばＳｉＯ２等の絶縁性の親液性材料を主体とする親液性制御層２５と、アクリルやポリイミド等の絶縁性の有機材料からなる有機バンク層２２１とによって覆われている。尚、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル、ポリイミド等の材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
【００３４】
親液性制御層２５には複数の開口部２５ａ，２５ｂが形成されている。開口部２５ａは有機ＥＬ素子６１，６２，６３が形成位置されるべき位置に形成されている。また、開口部２５ｂは、図４において符号Ｐ１を付して示した有機ＥＬ素子６１の透明電極５０ａと有機ＥＬ素子６２の電極２３ｂとの接続位置、及び符号Ｐ２を付して示した有機ＥＬ素子６２の透明電極５０ｂと有機ＥＬ素子６３の電極２３ｃとの接続位置に形成される。尚、有機ＥＬ素子６１，６２，６３を含む各色表示領域（画素領域）の境界には、金属クロムをスパッタリング等にて成膜した不図示のＢＭ（ブラックマトリクス）が、有機バンク層２２１と親液性制御層２５との間に位置して形成されている。
【００３５】
そして、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の下方には、発光膜７０ａ，７０ｂ７０ｃがそれぞれ設けられている。尚、これらの発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃは、図２に示す表示領域Ｒ，Ｇ，Ｂ毎に、各色を発光するものが用いられる。発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃを形成するための材料としては、蛍光或いは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。
【００３６】
具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系等が好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。尚、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
【００３７】
また、必要に応じて、このような発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃの上（発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃと透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０との間）にキャリア注入層あるいはキャリア輸送層として正孔注入層あるいは正孔輸送層を形成し、下に電子注入層あるいは電子輸送層を形成してもよい。正孔輸送層あるいは正孔注入層を形成する場合には、その形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体等、又はそれらのドーピング体等が用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、即ち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、更にこれを水に分散させた分散液等を用いることができる。
【００３８】
尚、前述した透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０は、本例ではトップエミッション型であることから透明導電材料によって形成されている。透明導電材料としてはＩＴＯが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide ：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を用いることができる。尚、本実施形態ではＩＴＯを用いるものとする。
【００３９】
有機バンク層２２１の下部には逆テーパー状のレジスト層４８が形成されている。但し、画素領域内において、有機ＥＬ素子６３の発光膜となるべき位置に形成された開口部２５ａと符号Ｐ２を付して示した接続位置に形成された開口部２５ｂとの間に形成された有機バンク層２２１の下部にはレジスト層４８は形成されていない。同様に、有機ＥＬ素子６２の発光膜となるべき位置に形成された開口部２５ａと符号Ｐ１を付して示した接続位置に形成された開口部２５ｂとの間に形成された有機バンク層２２１との下部にはレジスト層４８は形成されてない。
【００４０】
レジスト層４８は、有機ＥＬ素子６１の一部をなす電極２３ａ、有機ＥＬ素子６２の一部をなす電極２３ｂ、及び有機ＥＬ素子６３の一部をなす電極２３ｃを電気的に分離するとともに、これらを他の導電層２３ｄから電気的に分離するためのものであり、例えばレジストを用いて形成することができる。詳細は後述するが、電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃ及び導電層２３ｄはスパッタ等により同一工程で形成されるため、仮に逆テーパー状のレジスト層４８がないと、電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃ及び導電層２３ｄが電気的に分離されないためレジスト層４８を形成している。
【００４１】
つまり、電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃ及び２３ｄを互いに隔てるために設けられ、かつ、電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃ及び２３ｄと接するように設けられる有機バンク層２２１の下方にさらに、有機バンク層２２１のテーパー形状とは逆のテーパー形状を有するレジスト層４８を設けることにより、同一工程で電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃ及び２３ｄを形成できるとともに、当該同一工程で形成された電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃ及び２３ｄを互いに確実に電気的に分離させることが可能となる。
【００４２】
また、有機ＥＬ素子６３の発光膜となるべき位置に形成された開口部２５ａと符号Ｐ２を付して示した接続位置に形成された開口部２５ｂとの間に形成された有機バンク層２２１の下部にレジスト層４８が形成されていないため、有機ＥＬ素子６３の一部をなす電極２３ｃがその有機バンク層２２１を越えて有機ＥＬ素子６２の一部をなす透明電極５０ｂの下方まで形成されている。符号Ｐ２を付して示した接続位置には開口部２５ｂが形成されており、この開口部２５ｂ内にも電極２３ｃが形成されるため、有機ＥＬ素子６３の一部をなす電極２３ｃと有機ＥＬ素子６２の一部をなす透明電極５０ｂとが導通状態になっている。
【００４３】
同様に、有機ＥＬ素子６２の発光膜となるべき位置に形成された開口部２５ａと符号Ｐ１を付して示した接続位置に形成された開口部２５ｂとの間に形成された有機バンク層２２１の下部にレジスト層４８が形成されていないため、有機ＥＬ素子６２の一部をなす電極２３ｂがその有機バンク層２２１を越えて有機ＥＬ素子６１の一部をなす透明電極５０ａの下方まで形成されている。符号Ｐ１を付して示した接続位置には開口部２５ｂが形成されており、この開口部２５ｂ内にも電極２３ｂが形成されるため、有機ＥＬ素子６２の一部をなす電極２３ｂと有機ＥＬ素子６１の一部をなす透明電極５０ａとが導通状態になっている。尚、上記のレジスト層４８は、第１基板Ｓ１と第２基板Ｓ２とを貼り合わせるときのスペーサの役割も果たす。
【００４４】
電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、化学的に安定な導電性材料であれば特に限定されることなく任意のもの、例えば金属や合金等を使用することが可能であり、具体的にはＡｌ（アルミニウム）が好適に用いられる。この電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃの厚さとしては、１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度とするのが好ましく、発光層７０ａ，７０ｂ及び７０ｃの劣化や変質等の問題を軽減するには特に２００ｎｍ程度とするのが好ましい。尚、本実施形態ではＡｕによって電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃを形成している。
【００４５】
これら電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃのうち、電極２３ａが導電性接続部材３０に接続されている。図５に示す通り、第１基板Ｓ１に形成された有機ＥＬ素子６１，６２，６３を覆うように第２基板Ｓ２が配置されており、第２基板Ｓ２は第１基板Ｓ１に形成された有機ＥＬ素子６１，６２，６３を封止する封止基板を兼ねている。尚、図示は省略しているが、基板２０の裏面（有機ＥＬ素子６１，６２，６３等が形成された面）の周縁部に熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂等からなる封止樹脂が塗布されており、この封止樹脂によって第２基板Ｓ２が第１基板Ｓ１に接合されている。
【００４６】
以上の構成において、図５に示す駆動用ＴＦＴ１２３がオン状態になると、ソース電極２４３から駆動用ＴＦＴ１２３のチャネル領域２４１ａを介してドレイン電極２４４に電流が流れる。この電流は第２基板Ｓ２に形成された配線２４５及び導電性接続部材３０を介して第１基板Ｓ１に形成された電極２３ａに供給され、さらに電極２３ａ（画素電極２３）から有機ＥＬ素子６１の発光膜７０ａに供給される。これによって発光膜７０ａでは流れた電流レベルあるいは電流量に応じた輝度の発光がなされる。
【００４７】
発光膜７０ａに流れ込んだ電流は透明電極５０ａ及び有機ＥＬ素子６２の電極２３ｂを介して発光膜７０ｂに流れ込み、これによって発光膜７０ｂでは流れた電流に応じた輝度の発光がなされる。発光膜７０ｂに流れ込んだ電流は透明電極５０ｂ及び有機ＥＬ素子６３の電極２３ｃを介して発光膜７０ｃに流れ込み、これによって発光膜７０ｃでは流れた電流に応じた輝度の発光がなされる。発光膜７０ｃに流れ込んだ電流は共通電極５０を介して不図示の電源に回収される。このように、本実施形態では、画素領域内に設けられた駆動用ＴＦＴ１２３によって、その画素領域内の直列接続された有機ＥＬ素子６１，６２，６３の発光・非発光を制御している。
【００４８】
〔有機ＥＬ装置の製造方法〕
次に、以上説明した構成を有する有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。前述した通り、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、第１基板Ｓ１と第２基板Ｓ２とを貼り合わせた構 成であるため、製造工程は、第２基板Ｓ２の製造工程、第１基板Ｓ１の製造工程、及び第１基板Ｓ１と第２基板Ｓ２との貼り合わせ工程とに大別される。以下これらの各工程を順に説明する。
【００４９】
［第２基板Ｓ２の製造工程］
図６及び図７は、本発明の一実施形態による有機ＥＬ装置の一部をなす第２基板Ｓ２の製造工程の一例を示す工程図である。まず、基板２１上にＳｉＯ２を主体とする下地保護層を形成する。この下地保護層の形成は、シラン及び酸素（Ｏ２）を反応ガスとして、ＰＥ−ＣＶＤによって行うことができる。尚、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）及びオゾン（Ｏ３）を反応ガスに使用することも可能である。また、ＰＥ−ＣＶＤに代えて、ＡＰ−ＣＶＤやＬＰ−ＣＶＤ等を採用することも可能である。
【００５０】
次に、下地保護層の表面に、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）からなるシリコン膜を形成する。その具体的な手順は、まず下地保護層の表面全体に、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する。ａ−Ｓｉ膜の形成は、シラン等を反応ガスとして、ＰＥ−ＣＶＤ等によって行うことができる。次に、ａ−Ｓｉ膜にエキシマレーザ（波長３０８ｎｍ）を照射し、ａ−Ｓｉを加熱して溶解させる。これを冷却して再結晶させることにより、低温でｐ−Ｓｉを形成することができる。
【００５１】
次いで、フォトリソグラフィ技術を使用して、ｐ−Ｓｉ膜を所定形状にパターニングする。これにより、図６（ａ）に示す通り、ｐ−Ｓｉからなる島状のシリコン層２４１が基板２１上に形成される。シリコン層２４１の形成が終了すると、図６（ｂ）に示す通り、シリコン層２４１にホウ素（Ｂ）イオン等を打ち込む。次に、図６（ｃ）に示す通り、シリコン層２４１の表面にゲート絶縁層２８２を形成する。ゲート絶縁膜の形成は、基板２１を高温酸化雰囲気中に置いて、シリコン層２４１の表面を熱酸化することによって行う。尚、これに加えてＬＰ−ＣＶＤ等により酸化ケイ素膜を形成してもよい。
【００５２】
次に、図６（ｄ）に示す通り、ゲート絶縁層２８２の表面に、ｐ−Ｓｉ等からなるゲート電極２４２を形成する。その具体的な手順は、まずゲート絶縁層２８２の表面全体にｐ−Ｓｉ膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術を使用して、ｐ−Ｓｉ膜をパターニングすれば、ゲート絶縁層２８２の表面にゲート電極２４２が形成される。次いで、シリコン層２４１にソース領域２４１Ｓ及びドレイン領域２４１Ｄを形成する。具体的には、ゲート電極２４２をマスクとして、シリコン層２４１に高濃度リン（Ｐ）イオンを打ち込む。尚、高濃度Ｐイオンを打ち込んだ後にアニール処理を行って、シリコンの結晶性を回復させる。すると、高濃度Ｐイオンが導入された部分にソース領域２４１Ｓ及びドレイン領域２４１Ｄが形成され、高濃度Ｐイオンが導入されなかった部分にチャネル領域２４１ａが形成される。
【００５３】
次に、図６（ｅ）に示す通り、ゲート絶縁層２８２及びゲート電極２４２を覆うように、酸化ケイ素等からなる第１層間絶縁層２８３を形成する。酸化ケイ素膜の形成は、ＰＥ−ＣＶＤ等によって行うことができる。次いで、シリコン層２４１のソース領域２４１Ｓの上方にコンタクトホール２４３ａを形成するとともに、ドレイン領域２４１Ｄの上方にコンタクトホール２４４ａを形成する（図６（ｆ）参照）。コンタクトホール２４３ａ，２４４ａの形成は、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング等を用いて行うことができる。このドライエッチングには、反応性イオンエッチングを採用し、ＣＦ４等をエッチャントに使用するのが好ましい。
【００５４】
以上の工程が終了すると、第１層間絶縁層２８３の表面に、ＡｌやＣｕ等の金属材料からなるソース電極２４３及びドレイン電極２４４を形成する（図７（ａ）参照）。これらソース電極２４３及びドレイン電極２４４は、パターニングされたレジストをマスクとして、スパッタ法等を行うことによって形成する。その際、コンタクトホール２４３ａ，２４３ｂの内部にも金属材料を充填する。
【００５５】
次に、第１層間絶縁層２８３並びにソース電極２４３及びドレイン電極２４４を覆うように、酸化ケイ素等からなる第２層間絶縁層２８４を形成する。酸化ケイ素膜の形成は、第１層間絶縁層２８３の場合と同様に、ＰＥ−ＣＶＤ等によって行うことができる。次に、ドレイン電極２４４の上方に、コンタクトホールＣ１を形成する。コンタクトホールＣ１の形成は、第１層間絶縁層２８３の場合と同様に、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング等を使用して行うことができる。以上により、回路部１１が形成される。
【００５６】
以上の工程が終了すると、第２層間絶縁層２８４の表面に配線２４５を形成する。その具体的な手順は、まず第２層間絶縁層２８４の表面全体に、例えばＡｌやＣｕ等の金属材料からなる金属膜を形成する。この金属膜の形成は、真空蒸着法又はスパッタ法等によって行う。その際、コンタクトホールＣ１の内部にも金属膜の形成材料を充填する。次に、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング等を使用して、金属膜をパターニングする。これにより、第２層間絶縁層２８４の表面に配線２４５が形成される（図７（ｃ）参照）。
【００５７】
次に、第２層間絶縁膜２８４及び配線２４５上に絶縁層２８５を形成する。その具体的な手順は、まず第２層間絶縁層２８４及び配線２４５の表面全体に、例えばＳｉＯ２からなる絶縁膜を形成する。この絶縁膜の形成は、スパッタ法等によって行う。次に、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング等を使用して絶縁膜をパターニングし、配線２４５上の所定位置に開口部２８５ａを形成する。これにより、配線２４５上の所定位置に開口部２８５ａが形成されている絶縁層２８５が形成される（図７（ｄ）参照）。
【００５８】
［第１基板Ｓ１の製造工程］
図８及び図１３は、本発明の一実施形態による有機ＥＬ装置の一部をなす第１基板Ｓ１の製造工程の一例を示す工程図である。まず、基板２０上にＩＴＯ等からなる透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０を形成する。その具体的な手順は、まず基板２０の表面全体にＩＴＯ膜を形成する。ＩＴＯ膜の形成は、真空蒸着法等によって行う。真空蒸着法は、ＩＴＯの焼結体を真空中で加熱してＩＴＯを蒸発させ、基板２０の表面に析出させるものである。次に、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング等を使用して、ＩＴＯ膜をパターニングする。これにより、基板２０の表面に透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０が形成される（図８（ａ）参照）。
【００５９】
次に、発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃが形成されるべき透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の上部を除き、基板２０上に、例えばＳｉＯ２等を主体とする親液性制御層２５を形成する。その具体的な手順は、まず基板２０並びに透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の表面全体に、例えばＳｉＯ２等の親液性材料を主体とする親液性膜を形成する。この親液性膜の形成は、シラン等を反応ガスとして、ＰＥ−ＣＶＤ等によって行うことができる。なお、親液性制御層２５が形成された時点で、酸素プラズマ処理及びフッ素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、親液性制御層２５を、特に極性の液体に対する親液性を増強することができる。
【００６０】
次に、フォトリソグラフィ技術又はドライエッチング技術等を用いて、発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃが形成されるべき位置に開口部２５ａを形成する。また、有機ＥＬ素子６１の透明電極５０ａと有機ＥＬ素子６２の電極２３ｂとの接続位置となるべき位置（符号Ｐ１を付して示した位置）、及び有機ＥＬ素子６２の透明電極５０ｂと有機ＥＬ素子６３の電極２３ｃとの接続位置となるべき位置（符号Ｐ２を付して示した位置）に開口部２５ｂを形成する（図８（ｂ）参照）。その後で、画素領域となるべき領域の間に、不図示のＢＭを形成する。具体的には、親液性制御層２５の上記凸状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。 
【００６１】
次いで、図８（ｃ）に示す通り、親液性制御層２５上の所定位置に有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層２２１の形成方法としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等のレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法等の各種塗布法により塗布して有機質層を形成する。尚、有機質層の構成材料は、後述する発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃを形成する際に用いる溶媒に溶解せず、しかもエッチング等によってパターニングし易いものであることが好ましい。続いて、有機質層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングすることにより親液性制御層２５上の所定位置に有機バンク層２２１が形成される。
【００６２】
次に、図８（ｄ）に示す通り、有機バンク層２２１上の所定位置に有機バンク層２２１のテーパー形状とは逆のテーパーの形状を有するレジスト層４８を形成する。具体的なレジスト層４８の形成方法としては、レジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法等の各種塗布法により塗布してレジスト層を形成する。尚、レジスト層の構成材料は、後述する発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃを形成する際に用いる溶媒に溶解せず、且つ続いて行われるエッチング時に用いられるエッチャント（有機バンク層２２１を溶解しないエッチャント）によってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。レジスト層を形成すると、上記のエッチャントを用いたパターニングが行われ、これにより有機バンク層２２１上の所定位置に逆テーパー状のレジスト層４８が形成される。
【００６３】
尚、有機ＥＬ素子６３の発光膜となるべき位置に形成された開口部２５ａと符号Ｐ２を付して示した接続位置に形成された開口部２５ｂとの間に形成された有機バンク層２２１上にはレジスト層４８は形成しない。同様に、有機ＥＬ素子６２の発光膜となるべき位置に形成された開口部２５ａと符号Ｐ１を付して示した接続位置に形成された開口部２５ｂとの間に形成された有機バンク層２２１上にはレジスト層４８は形成しない。
【００６４】
以上の工程が終了すると、透明電極５０ａ，５０ｂ、親液性制御層２５、共通電極５０、有機物バンク層２２１及びレジスト層４８の表面を酸素プラズマあるいはフッ素プラズマ等によりプラズマ処理する。プラズマ処理は、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の表面の活性化、並びに透明電極５０ａ，５０ｂ、共通電極５０、及び有機物バンク層２２１の表面の親液化・撥液化処理を目的とするものである。特に、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の表面の活性化は、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の表面の洗浄及び仕事関数の調整を主な目的とする。
【００６５】
まず、プラズマ処理の前処理として、基板２０を所定温度に予備加熱する。所定温度とは、例えば７０℃〜８０℃程度である。次に、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の表面の活性化と、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０並びに有機物バンク層２２１の表面の親液化とを目的として、第１プラズマ処理を行う。第１プラズマ処理では、酸素ガスを処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を、大気圧下又は真空下で行う。この第１プラズマ処理により、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の電極面が洗浄され、仕事関数の調整が行われる。また、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の電極面及び有機物バンク層２２１の表面に、水酸基が導入されて、特に極性の液体に対する親液性が付与される。
【００６６】
次に、有機物バンク層２２１の表面の撥液化を目的として、第２プラズマ処理を行う。第２プラズマ処理では、ＣＦ４ガスを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を、大気圧下又は真空下で行う。尚、処理ガスとしては、ＣＦ４ガスに限られず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。この第２プラズマ処理により、有機物バンク層２２１の上面に、フッ素基が導入されて撥液性が付与される。尚、有機物バンク層２２１を構成するポリイミド樹脂等の有機物は、プラズマ状態のフルオロカーボンを照射することによって容易にフッ素化する。また、本実施形態では、ＣＦ４プラズマ処理の前処理としてＯ２プラズマ処理を行っているので、有機物バンク層２２１を更に容易にフッ素化させることができる。最後に、プラズマ処理後の基板２０を、次の工程の管理温度まで冷却する。
【００６７】
以上の工程が終了すると、開口部２５ａの内部であって透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の表面に、発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃを形成する（図１３（ａ）参照）。尚、この発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃの形成に先立って、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の各々の表面に正孔注入／輸送層を形成し、これら正孔注入／輸送層の表面に発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃを形成することが望ましい。この発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃの形成工程（更には、正孔注入／輸送層の形成工程）は、水分及び酸素の無い雰囲気で行うことが好ましい。例えば、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気で行うようにする。尚、以下では、正孔注入／輸送層を形成してから発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃを形成する場合を例に挙げて説明する。
【００６８】
正孔注入層あるいは正孔輸送層及び発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃの形成は、それぞれの形成材料を含む液状体の液滴を、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の各々に向かって吐出することによって行う。液状体の吐出には液滴吐出装置を使用する。この液滴吐出装置を使用して、まず透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の各々の表面に正孔注入層あるいは正孔輸送層を形成する。具体的には、正孔注入層あるいは正孔輸送層の形成材料を極性溶媒に溶解させた液状体の液滴を、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の表面に吐出する。吐出された液状体は、親液化処理が施されている透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の各々の表面に沿って開口部２５ａの内周面まで濡れ広がる。
【００６９】
次に、加熱又は光照射による乾燥処理等を行って、液状体に含まれる極性溶媒を蒸発させる。透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０上においては、極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一となり、正孔注入層あるいは正孔輸送層の形成材料が均一に濃縮される。以上により、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の電極面に、均一な厚さの正孔注入層あるいは正孔輸送層が形成される。尚、液滴吐出装置による一回の吐出処理及び乾燥処理により、所望する膜厚の正孔注入層あるいは正孔輸送層が得られない場合には、上述した吐出処理及び乾燥処理を複数回繰り返すようにしてもよい。
【００７０】
次いで、正孔注入層あるいは正孔輸送層の表面に発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃを形成する。尚、これに先立って正孔注入層あるいは正孔輸送層を表面改質しておく。発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃの形成は、上述した液滴吐出装置を使用して、発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃの形成材料を非極性溶媒に溶解させた液状体の液滴を、正孔注入／輸送層の表面に吐出することによって行う。吐出された液状体は、正孔注入／輸送層の表面に沿って、有機バンク層２２１の側面まで層状に濡れ広がる。尚、有機物バンク２２１の上面及び側面には撥液化処理が施されているので、一の画素領域Ｘ内において、例えば発光膜７０ａを形成するための液状体が有機物バンク層２２１を乗り越えて発光膜７０ｂの形成領域に流入することはなく、また、一の画素領域Ｘに吐出された液体が有機物バンク層２２１を乗り越えて他の画素領域Ｘに流入する可能性は低減される。
【００７１】
次に、正孔注入／輸送層の場合と同様に、吐出した液状体を乾燥処理（及び熱処理）して、発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃを形成する。このようにして、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃを各画素領域Ｘに形成する。尚、本実施形態では高分子材料により発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃを形成したが、低分子材料により蒸着法を用いて発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃを形成してもよい。
【００７２】
以上の工程が終了すると、発光膜７０ａの上部に電極２３ａを形成し、発光膜７０ｂの上部に電極２３ｂを形成し、発光膜７０ｃの上部に電極２３ｃを形成する（図１３（ｂ）参照）。具体的には、蒸着法等によってＬｉＦ及びＡｌをこの順に積層し、積層膜（ＬｉＦ／Ａｌ）を形成する。この積層膜は、発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃ及びレジスト層４８の上面に形成されるがレジスト層４８は逆テーパー状であるため、隔壁層上に形成された積層膜と、それ以外の部位（発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃ上）に形成された積層膜とは絶縁される。これにより、発光膜７０ａの上部に電極２３ａが形成され、発光膜７０ｂの上部に電極２３ｂが形成され、発光膜７０ｃの上部に電極２３ｃが形成される。尚、レジスト層４８上の積層膜は導電層２３ｄとなるが、この導電層２３ｄは有機ＥＬ装置の駆動には用いられない。
【００７３】
ところで、発光膜７０ｃの上部に形成された電極２３ｃは、発光膜７０ｃが形成されている開口部２５ａと符号Ｐ２を付して示した接続位置に形成されている開口部２５ｂとの間に形成された有機バンク層２２１を越えて透明電極５０ｂの一部を覆うように形成されている。図９（ｂ）に示す通り、電極２３ｃは、透明電極５０ｂ上に形成された開口部２５ｂ内に充填されるよう形成されているため、有機ＥＬ素子６３の一部をなす電極２３ｃと有機ＥＬ素子６２の一部をなす透明電極５０ｂとが電気的に接続される。
【００７４】
また、発光膜７０ｂの上部に形成された電極２３ｂは、発光膜７０ｂが形成されている開口部２５ａと符号Ｐ１を付して示した接続位置に形成されている開口部２５ｂとの間に形成された有機バンク層２２１を越えて透明電極５０ａの一部を覆うように形成されている。図９（ｂ）に示す通り、電極２３ｂは、透明電極５０ａ上に形成された開口部２５ｂ内に充填されるよう形成されているため、有機ＥＬ素子６２の一部をなす電極２３ｂと有機ＥＬ素子６１の一部をなす透明電極５０ａとが電気的に接続される。これにより、直列接続された有機ＥＬ素子６１，６２，６３が電極２３ａ（図１に示す画素電極２３）と共通電極５０との間に形成される。
【００７５】
尚、電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、ＭｇＡｇ膜によって形成しても良く、或いはＬｉＦとＣａとＡｌとをこの順に積層した積層膜（ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ）によって形成しても良い。また、このようにして形成した電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃ（更には、導電層２３ｄ）上に、酸化防止のためＳｉＯ２，ＳｉＮ等の保護層を設けてもよい。
【００７６】
〔第１基板Ｓ１と第２基板Ｓ２との貼り合わせ工程〕
最後に、以上説明した製造工程を経て製造された第１基板Ｓ１と第２基板Ｓ２とを貼り合わせて有機ＥＬ装置１を製造する。この工程では、まず、第２基板Ｓ２に形成された開口部２８５ａに、例えば銀ペーストからなる導電性接続部材３０を配置する。尚、この導電性接続部材３０を電極２３ａに配置しても良い。次に、第１基板Ｓ１が備える基板２０の裏面（電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃ等が形成された面）を第２基板Ｓ２により封止する。
【００７７】
具体的には、熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂等からなる封止樹脂を、マイクロディスペンサ等により第２基板Ｓ２が備える基板２１の表面の周縁部に塗布する。次に、その封止樹脂の上に第１基板Ｓ１を位置合わせして積層し、加熱や紫外線照射等を行う。このとき、基板２０の裏面が第２基板Ｓ２側に向くように第１基板Ｓ１を配置する。これにより、封止樹脂を介して、第１基板Ｓ１と第２基板Ｓ２とが接合されて封止部が形成される。尚、封止工程は、窒素やアルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃ等にピンホール等の欠陥が生じていた場合に、この欠陥部分から水分や酸素等が電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃ等に侵入して、電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃ等が酸化されるおそれがあるからである。
【００７８】
以上説明した本発明の一実施形態による有機ＥＬ装置及びその製造方法においては、第２基板Ｓ２に駆動用ＴＦＴ１２３等の素子を形成していたが、他の転写用基板に予め形成した素子を第２基板に転写して第２基板Ｓ２に駆動用ＴＦＴ１２３等の素子を設けてもよい。この方法を用いる場合には、まず転写用基板に剥離層を形成し、その上部に多数の素子を形成する。このとき、素子の端子部が剥離層と反対側の面に露出した状態に素子を形成する。
【００７９】
次いで、多数の素子が形成された転写用基板を、転写すべき素子の端子部が露出している面を第２基板Ｓ２に向けて配置し、例えば導電性接着剤を用いて第２基板Ｓ２に接着する。次に、例えばレーザ光を転写用基板の剥離層に照射して第２基板Ｓ２に接着している転写用基板を第２基板Ｓ２から剥離する。そして、転写用基板を第２基板Ｓ２から離脱させることにより、素子の一部又は全部が第２基板Ｓ２に転写される。また、この方法を用いて素子を第１基板Ｓ１側に設けることも可能である。
【００８０】
図１０は、他の第１の実施形態に係る構成の画素領域Ｘを拡大して示す平面図透視図であり、尚、図１０においては、図２中のＨ方向に隣接する２つの画素領域Ｘを拡大して図示しており、図１に示した走査線１０１、信号線１０２、及び電源線１０３の図示は省略している。図１０に示す通り、画素領域Ｘには、図１に示すスイッチング用ＴＦＴ１１２、保持容量１１３、及び駆動用ＴＦＴ１２３を含んで構成される駆動回路部ＤＥと、２つの有機ＥＬ素子６１，６２とが形成されている。
【００８１】
有機ＥＬ素子６１は、第１画素電極２３ａ、第１画素電極２３ａの上部に形成された発光層７０ａ、及び発光層７０ａの上部に形成された電極５０ａとを含んで構成されている。また、有機ＥＬ素子６２は、第２画素電極２３ｂ、第２画素電極２３ｂの上部に形成された発光層７０ｂ、及び発光層７０ｂの上部に形成された共通電極５０とを含んで構成されている。尚、有機ＥＬ素子６１に設けられる第１画素電極２３ａが図１に示す画素電極２３に相当する。また、図１０に示す通り、共通電極５０は図中Ｈ方向に延在しており、Ｈ方向に配列された画素領域ＸのＶ方向における端部に設けられた有機ＥＬ素子６２で共用されている。
【００８２】
画素領域Ｘに設けられた駆動回路部ＤＥと、有機ＥＬ素子６１の第１画素電極２３ａとはコンタクトホールＣ１を介して電気的に接続されている。また、有機ＥＬ素子６１の電極５０ａと、有機ＥＬ素子６２の第２画素電極２３ｂとは、符号Ｐ１を付した箇所において接触して電気的に接続されている。このように、駆動回路部ＤＥと共通電極５０との間には、有機ＥＬ装置６１，６２が直列接続されている。
【００８３】
次に、図１１を参照して画素領域Ｘの断面構造についてより詳細に説明する。図１１は、図１０中のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。図１１に示す通り、図１０に示す駆動回路部ＤＥ及び有機ＥＬ素子６１，６２は基板２０上に形成される。尚、図１１では、駆動回路部ＤＥについて駆動用ＴＦＴ１２３のみを図示している。本実施形態の有機ＥＬ装置１は、各画素領域Ｘから得られる発光光を基板２０側から取り出す所謂ボトムミッション型の有機ＥＬ装置である。このため、基板２０としては、透明又は半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。
【００８４】
この基板２０上には、画素電極２３（第１画素電極２３ａ）を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３等を含む駆動回路部ＤＥが形成されている。この駆動回路部ＤＥの構成については、駆動用ＴＦＴ１２３を例に挙げて説明する。基板２０の表面にはＳｉＯ２を主体とする下地保護層（図示省略）が下地として形成されており、その上にシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２及びＳｉＮのうち少なくともいずれかを含むゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００８５】
また、上記のシリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。尚、尚、このゲート電極２４２は、図１におけるスイッチング用ＴＦＴ１１２から延びた中継電極の一部であってもよい。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００８６】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側にはドレイン領域２４１Ｄが設けられている。尚、チャネル領域２４１ａのソース側に低濃度ソース領域及び高濃度ソース領域を形成するとともに、チャネル領域２４１ａのドレイン側に低濃度ドレイン領域及び高濃度ドレイン領域を形成して、ＬＤＤ構造とするのが好ましい。
【００８７】
これらのうち、ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とに亘って開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、前述した電源線１０３（図１参照、図１１においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成されている。一方、ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とに亘って開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００８８】
ソース電極２４３及びドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする第２層間絶縁層２８４によって覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等を用いることもできる。この第２層間絶縁層２８４の表面上には、ＩＴＯからなる第１画素電極２３ａ（画素電極２３）及び第２画素電極２３ｂが形成され、第１画素電極２３ａは、第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホールＣ１を介してドレイン電極２４４に接続されている。即ち、第１画素電極２３ａ（画素電極２３）は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１のドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００８９】
以上説明した基板２０の上部に形成された不図示の下地保護膜から第２層間絶縁層２８４までが回路部１１を構成している。尚、駆動回路部ＤＥに設けられるスイッチング用ＴＦＴ１１２も駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。また、走査線駆動回路８０及び検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、即ち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。
【００９０】
第１画素電極２３ａ（画素電極２３）及び第２画素電極２３ｂが形成された第２層間絶縁層２８４の表面は、第１画素電極２３ａ（画素電極２３）及び第２画素電極２３ｂと、例えばＳｉＯ２等の親液性材料を主体とする親液性制御層２５と、アクリルやポリイミド等からなる有機バンク層２２１とによって覆われている。尚、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル、ポリイミド等の材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
【００９１】
親液性制御層２５には複数の開口部２５ａ，２５ｂが形成されている。開口部２５ａは有機ＥＬ素子６１，６２が形成位置されるべき位置に形成されており、開口部２５ｂは図１０において符号Ｐ１を付して示した有機ＥＬ素子６１の電極５０ａと有機ＥＬ素子６２の第２画素電極２３ｂとの接続位置に形成される。尚、有機ＥＬ素子６１，６２を含む各色表示領域（画素領域）の境界には、金属クロムをスパッタリング等にて成膜した不図示のＢＭ（ブラックマトリクス）が、有機バンク層２２１と親液性制御層２５との間に位置して形成されている。
【００９２】
そして、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極の上方には発光層７０ａ，７０ｂがそれぞれ設けられている。尚、これらの発光層７０ａ，７０ｂは、図２に示す表示領域Ｒ，Ｇ，Ｂ毎に、各色を発光するものが用いられる。発光層７０ａ，７０ｂを形成するための材料としては、蛍光或いは燐光を発光することが上記に記載した発光材料を用いることができる。
【００９３】
また、上記の実施形態においては、発光膜７０ａ，７０ｂ，７０ｃ（更には、正孔注入／輸送層）のみを液滴吐出法を用いて形成していたが、透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０、更には親液性制御層２５を液滴吐出法を用いて形成することも可能である。
【００９４】
液滴吐出法を用いて透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０を形成するには、例えばインジウムとスズを含む有機酸を液滴吐出装置から吐出する液状体として用いる。図８（ａ）に示す基板２０上に、液滴吐出装置を用いて透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０を形成すべき位置にのみに液状体を吐出する。
【００９５】
そして、液滴吐出装置から吐出する液状体の粘度制御用に用いた溶剤を蒸発（例えば１００℃程度の温度で）させた後に以下の第１熱処理及び第２熱処理を順に行う。第１熱処理では、２５０℃〜４５０℃の空気中又は酸素雰囲気中で３０分から６０分の熱処理を行ってインジウム酸化物及びスズ酸化物を形成する。第２熱処理では、２００℃〜４００℃の水素含有雰囲気又は還元性雰囲気にてで３０分から６０分の熱処理により還元処理を行う。この第１熱処理及び第２熱処理を行うことで、インジウム酸化物とスズ酸化物との混合膜（ＩＴＯ膜）が形成される。
【００９６】
液滴吐出法を用いた親液性制御層２５の形成は、例えば自己組織化単分子膜を用いることによって実現することができる。自己組織化単分子膜を形成するために液滴吐出装置から吐出する液状体として、例えば有機ケイ素化合物及びチオール化合物の少なくとも一方を、ジクロロメタン、トリクロロメタン等の有機溶剤に溶かして０．１〜１０ｍＭ程度の溶液としたものを用いることができる。
【００９７】
まず、図８（ａ）に示す基板２０上に透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０を形成した後で、基板２０上の所定位置に液滴吐出装置を用いて液状体を吐出する。尚、形成する自己組織化単分子膜の親液性制御層２５に対する親和性が、基板２０並びに透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０よりも高いものであれば、親液性制御層２５を形成すべき位置に液状体を吐出し、低ければ親液性制御層２５を形成すべき位置以外の位置に液状体を吐出する。この液状体の吐出によって基板２０並びに透明電極５０ａ，５０ｂ及び共通電極５０の上部所定位置に自己組織化単分子膜が形成される。尚、液滴吐出法によっては所望形状の自己組織化単分子膜を形成することができない場合には、レジストパターンを用いて所望形状の自己組織化単分子膜を形成することもできる。
【００９８】
次に、例えば親液性制御層２５の構成物質を含む材料の溶液をミストにして基板２０上に供給することにより、自己組織化単分子膜が形成された部分とそれ以外の部分とに絶縁材料（溶液）を選択的に付着させる。これにより、自己組織化単分子膜の形状に応じた形状を有する絶縁膜が形成される。尚、溶液をミストで供給するには、上述した液滴吐出装置による絶縁材料の吐出によって実現することができる。以上の工程によって形成された絶縁膜を一定温度で一定時間乾燥させれば親液性制御層２５を形成することができる。
【００９９】
次に、図１０及び図１１に示した本発明に係る他の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。図１２〜図１４には、第１層間絶縁層２８３並びにソース電極２４３及びドレイン電極２４４を覆うように形成された酸化ケイ素等からなる第２層間絶縁層２８４にコンタクトホールＣ１を形成した以降の工程について示している。
【０１００】
次に、第２層間絶縁層２８４の表面にＩＴＯ等からなる第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂを形成する。その具体的な手順は、まず第２層間絶縁層２８４の表面全体にＩＴＯ膜を形成する。ＩＴＯ膜の形成は、真空蒸着法等によって行う。真空蒸着法は、ＩＴＯの焼結体を真空中で加熱してＩＴＯを蒸発させ、第２層間絶縁層２８４の表面に析出させるものである。その際、コンタクトホールＣ１の内部にもＩＴＯを充填する。次に、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング等を使用して、ＩＴＯ膜をパターニングする。これにより、第２層間絶縁層２８４の表面に第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂが形成される（図１２（ｂ）参照）。
【０１０１】
次に、発光層７０ａ，７０ｂが形成されるべき第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの上部を除き、第２層間絶縁層２８４上に、先の実施形態の場合と同様に、例えばＳｉＯ２等を主体とする親液性制御層２５を形成する。
【０１０２】
次に、フォトリソグラフィ技術又はドライエッチング技術等を用いて、発光層７０ａ，７０ｂが形成されるべき位置に開口部を形成するとともに、有機ＥＬ素子６１の電極５０ａと有機ＥＬ素子６２の第２画素電極２３ｂとの接続位置となるべき位置に開口部２５ｂを形成する（図１２（ｃ）参照）。その後で、画素領域となるべき領域の間に、不図示のＢＭを形成する。具体的には、親液性制御層２５の上記凸状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。
【０１０３】
次いで、図１３（ａ）に示す通り、親液性制御層２５上の所定位置に有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層２２１の形成方法としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等のレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法等の各種塗布法により塗布して有機質層を形成する。尚、有機質層の構成材料は、後述する発光層７０ａ，７０ｂを形成する際に用いる溶媒に溶解せず、しかもエッチング等によってパターニングし易いものであることが好ましい。続いて、有機質層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングすることにより親液性制御層２５上の所定位置に有機バンク層２２１が形成される。
【０１０４】
次に、図１３（ｂ）に示す通り、有機バンク層２２１上の所定位置に逆テーパー状のレジスト層４８を形成する。具体的なレジスト層４８の形成方法としては、レジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法等の各種塗布法により塗布してレジスト層を形成する。尚、レジスト層の構成材料は、後述する発光層７０ａ，７０ｂを形成する際に用いる溶媒に溶解せず、且つ続いて行われるエッチング時に用いられるエッチャント（有機バンク層２２１を溶解しないエッチャント）によってパターニングし易いものであることが好ましい。レジスト層を形成すると、上記のエッチャントを用いたパターニングが行われ、これにより有機バンク層２２１上の所定位置に有機バンク層２２１の有するテーパー形状とは逆のテーパー形状を有するレジスト層４８が形成される。尚、有機ＥＬ素子６１の発光層となるべき位置に形成された開口部２５ａと開口部２５ｂとの間に形成された有機バンク層２２１上にはレジスト層４８は形成しない。
【０１０５】
以上の工程が終了すると、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂ並びに有機物バンク層の表面をプラズマ処理する。プラズマ処理は、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの表面の活性化、並びに第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂ並びに有機物バンク層２２１の表面の親液化・撥液化処理を目的とするものである。特に、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの表面の活性化は、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの表面の洗浄及び仕事関数の調整を主な目的とする。
【０１０６】
まず、プラズマ処理の前処理として、基板２０を所定温度に予備加熱する。所定温度とは、例えば７０℃〜８０℃程度である。次に、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの表面の活性化と、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂ並びに有機物バンク層２２１の表面の親液化とを目的として、第１プラズマ処理を行う。第１プラズマ処理では、酸素ガスを処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を、大気圧下又は真空下で行う。この第１プラズマ処理により、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの電極面が洗浄され、仕事関数の調整が行われる。また、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの電極面及び有機物バンク層２２１の表面に、水酸基が導入されて親液性が付与される。
【０１０７】
次に、有機物バンク層２２１の表面の撥液化を目的として、第２プラズマ処理を行う。第２プラズマ処理では、ＣＦ４ガスを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を、大気圧下又は真空下で行う。尚、処理ガスとしては、ＣＦ４ガスに限られず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。この第２プラズマ処理により、有機物バンク層２２１の上面に、フッ素基が導入されて撥液性が付与される。尚、有機物バンク層２２１を構成するポリイミド樹脂等の有機物は、プラズマ状態のフルオロカーボンを照射することによって容易にフッ素化する。また、本実施形態では、ＣＦ４プラズマ処理の前処理としてＯ２プラズマ処理を行っているので、有機物バンク層２２１を更に容易にフッ素化させることができる。最後に、プラズマ処理後の基板２０を、次の工程の管理温度まで冷却する。
【０１０８】
以上の工程が終了すると、開口部２５ａの内部であって第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの表面に、発光層７０ａ，７０ｂを形成する（図１４（ａ）参照）。尚、この発光層７０ａ，７０ｂの形成に先立って、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの各々の表面に正孔注入／輸送層を形成し、これら正孔注入／輸送層の表面に発光層７０ａ，７０ｂを形成することが望ましい。この発光層７０ａ，７０ｂの形成工程（更には、正孔注入／輸送層の形成工程）は、水分及び酸素の無い雰囲気で行うことが好ましい。例えば、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気で行うようにする。尚、以下では、正孔注入／輸送層を形成してから発光層７０ａ，７０ｂを形成する場合を例に挙げて説明する。
【０１０９】
正孔注入／輸送層及び発光層７０ａ，７０ｂの形成は、それぞれの形成材料を含む液状体の液滴を、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの各々に向かって吐出することによって行う。液状体の吐出には液滴吐出装置を使用する。この液滴吐出装置を使用して、まず第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの各々の表面に正孔注入／輸送層を形成する。具体的には、正孔注入／輸送層の形成材料を極性溶媒に溶解させた液状体の液滴を、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの表面に吐出する。吐出された液状体は、親液化処理が施されている第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの各々の表面に沿って開口部２３ａの内周面まで濡れ広がる。
【０１１０】
次に、加熱又は光照射による乾燥処理等を行って、液状体に含まれる極性溶媒を蒸発させる。第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂ上においては、極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一となり、正孔注入／輸送層の形成材料が均一に濃縮される。以上により、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの電極面に、均一な厚さの正孔注入／輸送層が形成される。尚、液滴吐出装置による一回の吐出処理及び乾燥処理により、所望する膜厚の正孔注入／輸送層が得られない場合には、上述した吐出処理及び乾燥処理を複数回繰り返すようにしてもよい。
【０１１１】
次いで、正孔注入／輸送層の表面に発光層７０ａ，７０ｂを形成する。尚、これに先立って正孔注入／輸送層を表面改質しておく。発光層７０ａ，７０ｂの形成は、上述した液滴吐出装置を使用して、発光層７０ａ，７０ｂの形成材料を非極性溶媒に溶解させた液状体の液滴を、正孔注入／輸送層の表面に吐出することによって行う。吐出された液状体は、正孔注入／輸送層の表面に沿って、有機バンク層２２１の側面まで層状に濡れ広がる。尚、有機物バンク２２１の上面及び側面には撥液化処理が施されているので、一の画素領域Ｘ内において、例えば発光層７０ａを形成するための液状体が有機物バンク層２２１を乗り越えて発光層７０ｂの形成領域に流入することはなく、また、一の画素領域Ｘに吐出された液体が有機物バンク層２２１を乗り越えて他の画素領域Ｘに流入するという問題は軽減する。
【０１１２】
次に、正孔注入／輸送層の場合と同様に、吐出した液状体を乾燥処理（及び熱処理）して、発光層７０ａ，７０ｂを形成する。このようにして、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の発光層７０ａ，７０ｂを各画素領域Ｘに形成する。尚、本実施形態では高分子材料により発光層７０ａ，７０ｂを形成したが、低分子材料により蒸着法を用いて発光層７０ａ，７０ｂを形成してもよい。特に、青色の発光層については、発光層の寿命の点で高分子材料より低分子材料の方に優れた材料が多く存在する。したがって、青色の発光層については低分子材料によって形成するのが好ましい。
【０１１３】
以上の工程が終了すると、発光層７０ａの上部に電極５０ａを形成し、発光層７０ｂの上部に共通電極５０を形成する（図１４（ｂ）参照）。具体的には、蒸着法等によってＬｉＦ及びＡｌをこの順に積層し、積層膜（ＬｉＦ／Ａｌ）を形成する。この積層膜は、発光層７０ａ，７０ｂ及びレジスト層４８の上面に形成されるがレジスト層４８は逆テーパー状であるため、隔壁層上に形成された積層膜と、それ以外の部位（発光層７０ａ，７０ｂ上）に形成された積層膜とは絶縁される。これにより、発光層７０ａ上に電極５０ａが形成され、発光層７０ｂ上に共通電極５０が形成される。尚、レジスト層４８上の積層膜は導電層５０ｂとなるが、この導電層５０ｂは有機ＥＬ装置の駆動には用いられない。
【０１１４】
ところで、発光層７０ａの上部に形成された電極５０ａは、発光層７０ａが形成されている開口部２５ａと開口部２５ｂとの間に形成された有機バンク層２２１を越えて第２画素電極２３ｂ上の一部を覆うように形成されている。図１４（ｂ）に示す通り、電極５０ａは、第２画素電極２３ｂ上に形成された開口部２５ｂ内に充填されるよう形成されているため、有機ＥＬ素子６１の一部をなす電極５０ａと有機ＥＬ素子６２の一部をなす第２画素電極２３ｂとが電気的に接続される。これにより、直列接続された有機ＥＬ素子６１，６２が第１画素電極２３ａ（図１に示す画素電極２３）と共通電極５０との間に形成される。
【０１１５】
尚、電極５０ａ及び共通電極５０は、ＭｇＡｇ膜によって形成しても良く、或いはＬｉＦとＣａとＡｌとをこの順に積層した積層膜（ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ）によって形成しても良い。また、このようにして形成した電極５０ａ及び共通電極５０（更には、導電層５０ｂ）上に、酸化防止のためＳｉＯ２，ＳｉＮ等の保護層を設けてもよい。
【０１１６】
最後に、基板２０の裏面（共通電極５０等が形成された面）を不図示の封止基板により封止する。具体的には、熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂等からなる封止樹脂を、マイクロディスペンサ等により基板２０の裏面の周縁部に塗布する。次に、その封止樹脂の上に封止基板を積層し、加熱や紫外線照射等を行う。これにより、封止樹脂を介して、基板２０と封止基板とが接合されて封止部が形成される。尚、封止工程は、窒素やアルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、共通電極５０等にピンホール等の欠陥が生じていた場合に、この欠陥部分から水分や酸素等が共通電極５０等に侵入して、共通電極５０等が酸化されるおそれがあるからである。
【０１１７】
以上説明した本発明に係る実施形態による有機ＥＬ装置及びその製造方法においては、発光層７０ａ，７０ｂ（更には、正孔注入／輸送層）のみを液滴吐出法を用いて形成していたが、第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂ、更には親液性制御層２５を液滴吐出法を用いて形成することも可能である。
【０１１８】
液滴吐出法を用いて第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂを形成するには、例えばインジウムとスズを含む有機酸を液滴吐出装置から吐出する液状体として用いる。図１２（ａ）に示す第２層間絶縁層２８４を形成するとともに第２層間絶縁層２８４にコンタクトホールＣ１を形成した後で、液滴吐出装置を用いて第２層間絶縁層２８４上の第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂを形成すべき位置、及びコンタクトホールＣ１内のみに液状体を吐出する。
【０１１９】
そして、液滴吐出装置から吐出する液状体の粘度制御用に用いた溶剤を蒸発（例えば１００℃程度の温度で）させた後に以下の第１熱処理及び第２熱処理を順に行う。第１熱処理では、２５０℃〜４５０℃の空気中又は酸素雰囲気中で３０分から６０分の熱処理を行ってインジウム酸化物及びスズ酸化物を形成する。第２熱処理では、２００℃〜４００℃の水素含有雰囲気又は還元性雰囲気にてで３０分から６０分の熱処理により還元処理を行う。この第１熱処理及び第２熱処理を行うことで、インジウム酸化物とスズ酸化物との混合膜（ＩＴＯ膜）が形成される。
【０１２０】
液滴吐出法を用いた親液性制御層２５の形成は、例えば自己組織化単分子膜を用いることによって実現することができる。自己組織化単分子膜を形成するために液滴吐出装置から吐出する液状体として、例えば有機ケイ素化合物及びチオール化合物の少なくとも一方を、ジクロロメタン、トリクロロメタン等の有機溶剤に溶かして０．１〜１０ｍＭ程度の溶液としたものを用いることができる。
【０１２１】
まず、図１２（ｂ）に示す第２層間絶縁層２８４上に第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂを形成した後で、基板２０上の所定位置に液滴吐出装置を用いて液状体を吐出する。尚、形成する自己組織化単分子膜の親液性制御層２５に対する親和性が、基板２０（第２層間絶縁層２８４並びに第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂ）よりも高いものであれば、親液性制御層２５を形成すべき位置に液状体を吐出し、低ければ親液性制御層２５を形成すべき位置以外の位置に液状体を吐出する。この液状体の吐出によって第２層間絶縁層２８４並びに第１画素電極２３ａ及び第２画素電極２３ｂの上部所定位置に自己組織化単分子膜が形成される。尚、液滴吐出法によっては所望形状の自己組織化単分子膜を形成することができない場合には、レジストパターンを用いて所望形状の自己組織化単分子膜を形成することもできる。
【０１２２】
次に、例えば親液性制御層２５の構成物質を含む材料の溶液をミストにして基板２０上に供給することにより、自己組織化単分子膜が形成された部分とそれ以外の部分とに絶縁材料（溶液）を選択的に付着させる。これにより、自己組織化単分子膜の形状に応じた形状を有する絶縁膜が形成される。尚、溶液をミストで供給するには、上述した液滴吐出装置による絶縁材料の吐出によって実現することができる。以上の工程によって形成された絶縁膜を一定温度で一定時間乾燥させれば親液性制御層２５を形成することができる。
【０１２３】
他の第２の実施形態としての本発明に係る有機ＥＬ装置は、いわゆるトップエミッション構造を有するものである。図１５は、トップエミッション構造を有する有機ＥＬ装置の平面図である。図１５は、図１の一部分として機能するものであり、第１有機ＥＬ素子６１と第２有機ＥＬ素子６２との接続構造を表している。第１有機ＥＬ素子６１と第２有機ＥＬ素子６２とは直列に接続され、駆動回路部ＤＥの駆動用ＴＦＴ１２３により一括して発光を制御される。
【０１２４】
第１有機ＥＬ素子６１は、駆動用ＴＦＴ１２３を含む駆動回路部ＤＥと、駆動用ＴＦＴ１２３にコンタクトホールＣ１を介して接続される第１画素電極２９ａと、第１画素電極２９ａ上に形成される第１発光層７０ａと、第１発光層７０ａ上に形成される第１電極５６ａと、を含む。駆動回路部ＤＥの少なくとも一部は第１画素電極２９ａに重なる。
【０１２５】
有機ＥＬ素子６２は、第２画素電極２９ｂと、第２画素電極２９ｂの上に形成される第２発光層７０ｂと、第２発光層７０ｂの上に形成される第２電極（共通電極）５６と、を含む。第１有機ＥＬ素子６１の第１電極５６ａが、符号Ｐ１を付した箇所（コンタクト部）において、第２画素電極２９ｂと重なり、接続されている。
【０１２６】
図１６は、図１５中のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。図１６では、駆動用ＴＦＴ１２３が基板２０と第１発光層７０ａとの間に形成されている。駆動用ＴＦＴ１２３は、シリコン層２９１と、ゲート電極２４１と、シリコン層２９１とゲート極２４１とを絶縁するゲート絶縁層２８２とを含む。シリコン層２９１はチャネル領域２４１ａとソース領域２４１Ｓとドレイン領域２４１Ｄとを含むものである。
【０１２７】
駆動用ＴＦＴ１２３のドレイン領域２４１Ｄは、ドレイン電極２４４ａと接続されている。ドレイン電極２４４ａは、コンタクトホールＣ１を介して第１反射層３０ａに接続されている。第１反射層３０ａ上には、第１有機発光素子６１の陽極となる第１画素電極２９ａが形成されている。第１画素電極２９ａ上には第１発光層７０ａが形成されている。第１発光層７０ａ上には、第１有機発光素子６１の陰極となる第１電極（第１陰極）５６ａが形成されている。
【０１２８】
第１発光層７０ａは周囲を親液性制御層２５に囲まれている。親液性制御層２５上にはテーパー状の有機バンク２２１が形成されており、さらに有機バンク２２１上には、逆テーパー状のレジスト層４８が形成されている。有機バンク２２１もまた第１発光層７０ａの外周を囲むよう形成されている。レジスト層４８は、第１発光層７０ａの外周に沿って形成されているが、有機バンク２２１上の一部には形成されていない。有機バンク２２１上には、レジスト層４８の形成されていない隙間部分が存在する。
【０１２９】
また、親液性制御層２５は、第２有機ＥＬ素子６２の第２画素電極２９ｂの一部の上に形成されており、第２発光層７０ｂを囲んでいる。親液性制御層２５上にはテーパー状の有機バンク２２１が、例えば共通電極として機能することのできる、第２電極（第２陰極）５６を囲むように形成されている。有機バンク２２１上には逆テーパー状のレジスト層４８が第２電極５６を囲むように形成されている。第２画素電極２９ｂ上には、親液性制御層２５および第２発光層７０ｂが形成されていない露出部分があり、コンタクト部Ｐ１となる。
【０１３０】
第１有機ＥＬ素子６１の第１電極５６ａと第２有機ＥＬ素子６２の第２電極５６とは有機バンク２２１およびレジスト層４８によって分離されており、互いに接触していない。ここで、第１有機ＥＬ素子６１の陰極である第１電極５６ａは、有機バンク２２１上のレジスト層４８が形成されていない隙間部分と、第２有機ＥＬ素子６２の陽極である第２画素電極２９ｂのコンタクト部Ｐ１とを覆うよう形成される。これにより、第１電極５６ａは第２画素電極２９ｂに接続し、第１有機ＥＬ素子６１と第２有機ＥＬ素子６２とが直列につながる。
【０１３１】
第１電極５６ａと第２電極５６とは、例えばＡｇとＭｇとの共蒸着により、膜厚が１０〜１００ｎｍの範囲で形成されたものであってもよい。膜厚を十分に薄くなるよう形成することで、導電膜に光の透過性を持たせることができる。これによれば、第１発光層７０ａ及び第２発光層７０ｂで発生した光が基板２０に対して反対側に出射することができる。
【０１３２】
このほか、第１発光層７０ａおよび第２発光層７０ｂ上に、仕事関数の小さいＬｉ、Ｃａ等の物質を主成分として極薄の電子注入層を形成し、電子注入層上にＩＴＯなどの透明電極を形成してもよい。
【０１３３】
また、第１画素電極２９ａおよび第２画素電極２９ｂは、エネルギー準位の低い材料であれば、透明電極でなくても構わない。ただし、これらにＩＴＯなどの透明電極材料が用いられる場合、図１６のように、第２層間絶縁膜２８４との間に反射層３０ａと反射層３０ｂとが形成されていることが好ましい。これにより、例えば発光層７０ａで発生した光のうち基板２０方向へ向かう成分を反射し、基板２０と反対の方向へ出射することができるため、第１有機ＥＬ素子６１の光の利用効率を上げることができる。この反射層３０ａと反射層３０ｂはアルミニウム（Ａｌ）で形成されていることが好ましい。
【０１３４】
この構成によれば、第１画素電極２９ａおよび第２画素電極２９ｂと、基板２０との間に、遮光性の構造を配置することができるため、例えば図１６のような、配線２５１〜２５３のレイアウトをとることができる。また、従来では、配線は開口率を下げることのないよう、例えば親液性制御層２５等の下に配置していたが、本実施形態では、自由に位置をとることができる。
【０１３５】
特に、第１有機ＥＬ素子６１と第２有機ＥＬ素子６２とは、親液性制御層２５と、有機バンク２２１と、レジスト層４８との少なくともいずれかの構造物によって区切られており、この第１有機ＥＬ素子６１と第２有機ＥＬ素子６２との間隔が、これら構造物の幅とすると、配線２５１〜２５３の線幅は、これら構造物の幅より大きいものとすることができる。
【０１３６】
なお、図１６において、ゲート絶縁層２８２、第１層間絶縁層２８３、第２層間絶縁層２８４は、他の第１の実施形態と同様の材料を用いて形成される。その他、図１６において、図１１と同様の符号が付与される構造については、他の第１の実施形態と同様の材料および方法を用いて形成することができる。
【０１３７】
〔電子機器〕
次に、本発明の電子機器について説明する。本発明の電子機器は、上述した有機ＥＬ装置１を表示部として備えるものであり、具体的には図１７に示すものが挙げられる。図１７は、本発明の電子機器の例を示す図である。図１７（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１７（ａ）において、携帯電話１０００は、上述した有機ＥＬ装置１を用いた表示部１００１を備える。図１７（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１７（ｂ）において、時計１１００は、上述した有機ＥＬ装置１を用いた表示部１１０１を備える。図１７（ｃ）は、ワープロ、パソコン等の携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１７（ｃ）において、情報処理装置１２００は、キーボードなどの入力部１２０２、上述した有機ＥＬ装置１を用いた表示部１２０６、情報処理装置本体（筐体）１２０４を備える。図１７（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、上述した有機ＥＬ装置１を有した表示部１００１，１１０１，１２０６を備えているので、良好な表示特性を有する電子機器が提供される。
【０１３８】
尚、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、上記の電子機器以外に、ビューワ、ゲーム機等の携帯情報端末、電子書籍、電子ペーパ等種々の電子機器に適応できる。また、有機ＥＬ装置１は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、カーナビゲーション、カーステレオ、運転操作パネル、パーソナルコンピュータ、プリンタ、スキャナ、テレビ、ビデオプレーヤー等種々の電子機器にも適応できる。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】本発明の一実施形態による有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図２】本発明の一実施形態による有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態による有機ＥＬ装置１の平面透視図である。
【図４】本発明の一実施形態による画素領域Ｘを拡大して示す平面図透視図である。
【図５】図４中のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による有機ＥＬ装置の一部をなす第２基板Ｓ２の製造工程の一例を示す工程図である。
【図７】本発明の一実施形態による有機ＥＬ装置の一部をなす第２基板Ｓ２の製造工程の一例を示す工程図である。
【図８】本発明の一実施形態による有機ＥＬ装置の一部をなす第１基板Ｓ１の製造工程の一例を示す工程図である。
【図９】本発明の一実施形態による有機ＥＬ装置の一部をなす第１基板Ｓ１の製造工程の一例を示す工程図である。
【図１０】本発明の他の第１の実施形態による画素領域Ｘを拡大して示す平面図透視図である。
【図１１】図１０中のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図１２】本発明の他の第１の実施形態による有機ＥＬ装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図１３】本発明の他の第１の実施形態による有機ＥＬ装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図１４】本発明の他の第１の実施形態による有機ＥＬ装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図１５】本発明の他の第２の実施形態による画素領域Ｘを拡大して示す平面図透視図である。
【図１６】図１５中のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図１７】本発明の電子機器の例を示す図である。
【符号の説明】
【０１４０】
１……有機ＥＬ装置
２３ａ，２３ｂ，２３ｃ……電極（第２電極）
２５……親液性制御層（隔壁）
２９ａ，２９ｂ……画素電極
３０……導電性接続部材
３０ａ，３０ｂ……反射電極
５０……共通電極（第１電極）
５０ａ，５０ｂ……透明電極（第１電極）
５６ａ，５６ｂ……陰極
６１，６２，６３……有機ＥＬ素子（発光素子）
７０ａ，７０ｂ，７０ｃ……発光膜（発光部）
１２３……駆動用ＴＦＴ（駆動素子）
２２１……有機バンク層（隔壁）
２５１，２５２．２５３……配線
Ｓ１……第１基板
Ｓ２……第２基板
Ｘ……画素領域（画素）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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