(57)【要約】  【課題】ポテンシャルディップの発生を抑制するため構造を、容易に形成することが可能な固体撮像装置の製造方法を提供する。  【解決手段】  互いに隣接して配置され同相の転送パルスが印加される第１及び第２電極からなる電極対を複数対有し、各電極対を単位として２相駆動される水平転送部を備えた固体撮像装置を製造する。複数個の第１電極４ａを互いに間隔を設けて形成する工程と、第１電極をマスクとするイオン注入により、チャンネル電位を調整する不純物注入領域５ａを形成する工程と、第１電極の表面及び側面を被覆する熱酸化膜６を形成する工程と、第１電極の間にそれぞれ、第１電極と端部を重ならせて第２電極７を形成する工程とを備える。イオン注入の方向を、異相の転送パルスが印加される第１電極の側に向かって傾いた斜め方向として、不純物注入領域の端縁を、第１電極の熱酸化膜形成後の端縁と熱酸化膜形成前の端縁との間の領域に配置する。【選択図】図１Ｅ
2006120936.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣接して配置され一方が蓄積領域を他方が障壁領域を形成し同相の転送パルスが印加される第１及び第２電極からなる電極対を複数対有し、前記各電極対を単位として２相駆動される水平転送部を備えた固体撮像装置の製造方法において、
前記複数個の第１電極を互いに間隔を設けて周期的に配列して形成する工程と、
前記第１電極をマスクとするイオン注入により、チャンネル電位を調整する不純物注入領域を形成する工程と、
前記第１電極の表面及び側面を被覆する熱酸化膜を形成する工程と、
前記複数個の第１電極の間にそれぞれ、前記第１電極と端部を重ならせて前記第２電極を形成する工程とを備え、
前記不純物注入領域を形成する工程における前記イオン注入の方向を、異相の転送パルスが印加される前記第１電極の側に向かって傾いた斜め方向として、前記不純物注入領域の端縁を、前記第１電極の前記熱酸化膜形成後の端縁と熱酸化膜形成前の端縁との間の領域に配置することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
互いに隣接して配置され一方が蓄積領域を他方が障壁領域を形成し同相の転送パルスが印加される第１及び第２電極からなる電極対を複数対有し、前記各電極対を単位として２相駆動される水平転送部を備えた固体撮像装置の製造方法において、
前記複数個の第１電極を互いに間隔を設けて周期的に配列して形成する工程と、
前記第１電極をマスクとするイオン注入により、チャンネル電位を調整する不純物注入領域を形成する工程と、
前記第１電極の表面及び側面を被覆する熱酸化膜を形成する工程と、
前記複数個の第１電極の間にそれぞれ、前記第１電極と端部を重ならせて前記第２電極を形成する工程とを備え、
前記熱酸化膜形成の工程における不純物の拡散により、前記不純物注入領域の端縁を、前記第１電極の前記熱酸化膜形成後の端縁と熱酸化膜形成前の端縁との間の領域に配置することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
互いに隣接して配置され一方が蓄積領域を他方が障壁領域を形成し同相の転送パルスが印加される第１及び第２電極からなる電極対を複数対有し、前記各電極対を単位として２相駆動される水平転送部を備えた固体撮像装置の製造方法において、
前記複数個の第１電極を互いに間隔を設けて周期的に配列して形成する工程と、
前記第１電極をマスクとするイオン注入により、チャンネル電位を調整する不純物注入領域を形成する工程と、
前記第１電極の表面及び側面を被覆する熱酸化膜を形成する工程と、
前記複数個の第１電極の間にそれぞれ、前記第１電極と端部を重ならせて前記第２電極を形成する工程とを備え、
前記不純物注入領域を形成する工程における前記イオン注入の方向を、異相の転送パルスが印加される前記第１電極の側に向かって傾いた斜め方向とするとともに、
前記熱酸化膜形成の工程における拡散により、前記不純物注入領域の端縁を、前記第１電極の前記熱酸化膜形成後の端縁と熱酸化膜形成前の端縁との間の領域に配置することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記熱酸化膜を形成する工程の次に、前記熱酸化膜の加工及び追加絶縁膜の形成の少なくとも一方を行うことにより、同相の転送パルスが印加される前記第１電極と前記第２電極との間の絶縁膜の膜厚を、異相の転送パルスが印加される前記第１電極と前記第２電極との間の前記絶縁膜の膜厚より小さくする膜厚調整工程を備えた請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記膜厚調整工程を、同相の転送パルスが印加される前記第１電極と前記第２電極との間の領域の前記熱酸化膜を局所的にエッチングした後、前記第１電極の表面及び側面を被覆する熱酸化膜を再度形成することにより行う請求項４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の製造方法、特にＣＣＤ（Charge Coupled Device）を使用した電荷転送方式の固体撮像装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３は、インターライン転送方式のＣＣＤを概略的に示す。入射光量に応じた電荷を蓄積する複数の光電変換部２１が、２次元的に配列されている。光電変換部２１で発生した電荷信号はまず垂直シフトレジスタ２２に転送され、その後、一走査線毎に水平シフトレジスタ(水平転送部)２３によって出力部２４へと水平転送される。出力部２４は、ＦＤＡ(Floating Diffusion Amplifier)等からなる出力回路を備えており、水平シフトレジスタ２３から受け取った電荷信号を電圧に変換して出力する。
【０００３】
水平シフトレジスタ２３のＡ−Ａ方向における断面構造の一例として、特許文献１に記載された構造について、図４Ｆを参照して説明する。図４Ｆに示す水平シフトレジスタ(水平転送部)は、２相駆動方式に基づいて構成されている。Ｐ型シリコン基板からなる半導体基板２５上に、シリコン酸化膜２６、３１ａを介して、ポリシリコン層からなる第１電極２７と第２電極２８とが交互に周期的に配列されている。そして、第２電極２８の両端部は、シリコン酸化膜３１ａ、３１ｂを介して、隣接する第１電極２７の端部に重なっている。
【０００４】
互いに隣接する左側の第１電極２７と右側の第２電極２８からなる一対が、同相の転送パルスＶφ１により駆動される。この一対に隣接する他の一対に属する互いに隣接する第１電極２７及び第２電極２８は、Ｖφ１とは異相の転送パルスＶφ２により駆動される。
【０００５】
第２電極２８下方の半導体基板２５の表面層には、チャンネル電位を調整するための不純物としてボロンが注入される（図示せず）。従って、第２電極２８下方に形成されるチャンネル電位の深さは、第１電極２７下方に形成されるチャンネル電位の深さよりも浅くなり、その間にはポテンシャル段差が発生し、各電極の位置に対応して障壁領域及び蓄積領域が形成される。また、同相の転送パルスが印加される第１電極２７と第２電極２８との間には、シリコン酸化膜３１ａが介在していることから、境界部におけるこのシリコン酸化膜３１ａ下方の半導体基板２５表面層には、ポテンシャルディップが形成される。このポテンシャルディップに信号電荷が捕獲されて、転送効率が悪化する。
【０００６】
このポテンシャルディップの発生を抑制するために、特許文献１においては、同相の第１電極２７と第２電極２８との間に介在するシリコン酸化膜３１ａの膜厚を、異相の第１電極２７と第２電極２８との間に介在するシリコン酸化膜３１ｂよりも薄くする。
【０００７】
異相の電極間に介在するシリコン酸化膜３１ｂを薄くしないのは、以下の理由による。すなわち、互いに異相の転送パルスが印加される第１の電極２７と第２の電極２８の間では、シリコン酸化膜３１ｂが形成する負荷容量に起因する時定数によって、転送パルス波形の立ち上がり期間及び立ち下がり期間長くなり、転送効率が悪化する。そのため、互いに異相の転送パルスが印加される電極間に介在するシリコン酸化膜３１ｂは、十分に厚くして、負荷容量を小さく抑制することが望ましい。なお、実際の転送時においては、互いに異相の転送パルスが印加される電極間に介在するシリコン酸化膜３１ｂ下方に形成されるポテンシャルディップは、第１の電極２７と第２の電極２８とに印加される異相の転送パルスの電位差によって強い電界が発生するため、この強い電界によって消滅する。
【０００８】
次に、図４Ｆ示す固体撮像装置の製造方法を、図４Ａ〜Ｆに示す工程断面図を参照して説明する。先ず、図４Ａに示すように、半導体基板２５における第２電極の形成予定領域に、チャンネル電位を調整するための不純物としてのボロンを注入（図示せず）した後、熱酸化により、半導体基板２５上にシリコン酸化膜２６を形成する。続いて、このシリコン酸化膜２６上にポリシリコン層を堆積した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてパターニングし、このポリシリコン層からなる第１電極２７を周期的に配列して形成する。更に、熱酸化により、第１電極２７の表面及び側面を被覆するシリコン酸化膜２９を形成する。
【０００９】
次に、図４Ｂに示すように、第１電極２７の表面及び側面のシリコン酸化膜２９を局所的に被覆するフォトレジストパターン３０を形成する。このフォトレジストパターン３０によって局所的に被覆される第１電極２７の表面及び側面のシリコン酸化膜２９の領域は、後の工程において形成される異相の転送パルスが印加される異なる組の第２電極と接触する領域である。
【００１０】
次に、フォトレジストパターン３０をマスクとして、シリコン酸化膜２６、２９を選択的にエッチング除去し、半導体基板２５の表面並びに第１電極２７の表面及び側面を部分的に露出する。その後、図４Ｃに示すように、フォトレジストパターン３０を剥離する。
【００１１】
次に、図４Ｄに示すように、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、基体全面に、シリコン酸化膜２６と同じ膜厚の追加シリコン酸化膜３１ａを堆積する。それにより、露出している半導体基板２５の表面並びに第１電極２７の表面及び側面が追加シリコン酸化膜３１ａによって被覆されると共に、第１電極２７の表面及び側面を局所的に被覆しているシリコン酸化膜２９上にも追加シリコン酸化膜３１ａが積層される。ここで、シリコン酸化膜２９と追加シリコン酸化膜３１ａの積層膜をシリコン酸化膜３１ｂとする。当然ながら、追加シリコン酸化膜３１ａの部分の膜厚は、シリコン酸化膜３１ｂよりも薄くなる。
【００１２】
次に、図４Ｅに示すように、ポリシリコン層からなる第２電極２８を、周期的に配列された第１電極２７間に形成する。このとき、第２電極２８の一方の端部を、シリコン酸化膜３１ｂを介して、異相の転送パルスが印加される異なる組の第１電極２７の端部にオーバーラップさせ、他方の端部を、追加シリコン酸化膜３１ａを介して、同相の転送パルスが印加される同一の組の第１電極２７の端部にオーバーラップさせる。次に、図４Ｆに示されるように、第１電極２７及び第２電極２８を、転送パルスＶφ１、Ｖφ２を印加するための信号線３２ａ、３２ｂに接続する。
【００１３】
また、非特許文献１には、ポテンシャルディップの発生を抑制するため他の構造が記載されている。それによれば、チャンネル電位を調整するための不純物注入領域の端縁を、電極間のギャップ中において、隣接する電極の端縁に十分に近接させることにより、ポテンシャルディップの発生を抑制する。
【特許文献１】特開２００２−８３９５１号公報
【非特許文献１】IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 44, pp.1580-1587
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
特許文献１に記載の構成においては、同相の転送パルスが印加される電極間ギャップを決める絶縁層を薄くすることにより、両電極間ギャップの直下に形成されるポテンシャルディップを小さく抑制して、電荷転送効率の低下を回避している。但し、異相の電極間ギャップを小さくすることはできないので、どちらのギャップも最適化するために、同相電極間ギャップを異相電極間ギャップよりも小さくした構造を採用している。
【００１５】
しかしながら、電極間ギャップを電極の両端で異なるせるためには、電極端面間に介在する絶縁膜の厚さを異ならせなければならない。そのように絶縁膜の膜厚を異ならせるための工程は、通常の工程に付加されるものであり、煩雑である。
【００１６】
また、非特許文献１には、不純物注入領域の端縁の位置を調整するための有効な方法については記載されていない。
【００１７】
本発明は、ポテンシャルディップの発生を抑制するため構造を、容易に形成することが可能な固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、互いに隣接して配置され一方が蓄積領域を他方が障壁領域を形成し同相の転送パルスが印加される第１及び第２電極からなる電極対を複数対有し、前記各電極対を単位として２相駆動される水平転送部を備えた固体撮像装置を製造する方法であって、前記複数個の第１電極を互いに間隔を設けて周期的に配列して形成する工程と、前記第１電極をマスクとするイオン注入により、チャンネル電位を調整する不純物注入領域を形成する工程と、前記第１電極の表面及び側面を被覆する熱酸化膜を形成する工程と、前記複数個の第１電極の間にそれぞれ、前記第１電極と端部を重ならせて前記第２電極を形成する工程とを備える。
【００１９】
上記課題を解決するために、本発明の第１の製造方法は、前記不純物注入領域を形成する工程における前記イオン注入の方向を、異相の転送パルスが印加される前記第１電極の側に向かって傾いた斜め方向として、前記不純物注入領域の端縁を、前記第１電極の前記熱酸化膜形成後の端縁と熱酸化膜形成前の端縁との間の領域に配置することを特徴とする。
【００２０】
本発明の第２の製造方法は、前記不純物注入領域の端縁を、前記熱酸化膜形成の工程における不純物の拡散により、前記第１電極の前記熱酸化膜形成後の端縁と熱酸化膜形成前の端縁との間の領域に配置することを特徴とする。
【００２１】
本発明の第３の製造方法は、前記不純物注入領域を形成する工程における前記イオン注入の方向を、異相の転送パルスが印加される前記第１電極の側に向かって傾いた斜め方向とするとともに、前記熱酸化膜形成の工程における拡散により、前記不純物注入領域の端縁を、前記第１電極の前記熱酸化膜形成後の端縁と熱酸化膜形成前の端縁との間の領域に配置することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、一方の電極下におけるチャンネル電位を調整するための不純物注入領域の端縁を、他方の電極の端縁に対して適切な位置に容易に調整することができ、効果的に、ポテンシャルディップの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の固体撮像装置の製造方法において、前記熱酸化膜を形成する工程の次に、前記熱酸化膜の加工及び追加絶縁膜の形成の少なくとも一方を行うことにより、同相の転送パルスが印加される前記第１電極と前記第２電極との間の絶縁膜の膜厚を、異相の転送パルスが印加される前記第１電極と前記第２電極との間の前記絶縁膜の膜厚より小さくする膜厚調整工程を備えることができる。
【００２４】
また、前記膜厚調整工程を、同相の転送パルスが印加される前記第１電極と前記第２電極との間の領域の前記熱酸化膜を局所的にエッチングした後、前記第１電極の表面及び側面を被覆する熱酸化膜を再度形成することにより行うことができる。
【００２５】
以下、本発明の実施の形態における固体撮像装置の製造方法について、図面を参照して具体的に説明する。
【００２６】
（実施の形態１）
図１Ａ〜１Ｅは、実施の形態１における固体撮像装置の製造方法の工程を示す断面図である。
【００２７】
まず、図１Ａに示すように、Ｐ型シリコン基板１を用意する。Ｐ型シリコン基板１としては、例えば、比抵抗１５Ωｃｍ、面方位１００のものを用いる。なお、電荷転送素子の主たる応用である固体撮像素子では、ブルーミング抑制のために縦型オーバーフロードレイン構造（ＶＯＤ構造）を用いる。この場合は、Ｎ型シリコン基板にＰ型ウェルを形成するので、このＰ型ウェルをＰ型シリコン基板と見なす。
【００２８】
Ｐ型シリコン基板１に、埋め込み型電荷転送素子を構成するためのＮ型埋め込み層２を、砒素、またはリンのイオン注入により形成する。次に、シリコン表面に、熱酸化によって、厚さ３０ｎｍのシリコン酸化膜３ａを形成し、さらに、減圧ＣＶＤ法で、厚さ５０ｎｍのシリコン窒化膜３ｂを形成する。さらに、必要に応じて熱酸化を行なうことで、シリコン窒化膜３ｂ表面に３ｎｍの酸化膜（図示せず）を形成する。
【００２９】
次に、ＣＶＤ法によって、厚さが例えば２５０ｎｍのポリシリコン膜を形成し、リソグラフィー工程とドライエッチング工程によって、１層目のポリシリコン電極４を形成する。このとき形成するポリシリコン膜には、リンを２．５Ｅ２０ｃｍ-3の濃度でドープして、伝導性を持たせる。複数個のポリシリコン電極４が、互いに所定の周期的な間隔を設けて配列して形成される。本実施の形態では、このポリシリコン電極４により形成される第１電極が、２相駆動ＣＣＤの蓄積領域（ストレージ領域）を形成する。
【００３０】
次に図１Ｂに示すように、ポリシリコン電極４をマスクとしてボロン５のイオン注入を行ない、障壁領域（バリア領域）のチャネル電位を浅くするための不純物注入領域５ａを形成する。このイオン注入の方向は、異相の転送パルスが印加される第１電極を形成するポリシリコン電極４の側に向かって約５度傾いた斜め方向に設定される。それにより、不純物注入領域５ａの端縁は、ポリシリコン電極４の下部に長さＳだけ入り込んで配置される。イオン注入深さは、一例としては３０ｎｍである。
【００３１】
次に図１Ｃに示すように、熱酸化により、例えば４０ｎｍの厚さの酸化膜６を形成して、ポリシリコン電極４の表面及び側面を被覆する。酸化膜６を形成したことに伴い、ポリシリコン電極４は端面が形成当初よりも少し（約２０ｎｍ）後退して第１電極４ａとして示される状態になる。一方、酸化膜６の端面は、残りの２０ｎｍの厚さ分、ポリシリコン電極４の形成当初の端面よりも膨張する。従って、熱酸化の前後では、不純物注入領域５ａの端縁との位置関係が変化する。駆動時に形成されるポテンシャルディップを小さく抑制するためには、不純物注入領域５ａの端縁を、第１電極４ａの端縁に近接させることが効果的である。そのために、図１Ｂに示した斜めイオン注入の工程では、不純物注入領域５ａの端縁が、熱酸化膜形成前のポリシリコン電極４の端縁と、熱酸化膜形成後の第１電極４ａの端縁との間の領域に配置されるように、イオン注入の角度を調整する。
【００３２】
次に図１Ｄに示すように、２層目のポリシリコン膜をＣＶＤ法で、例えば膜厚２５０ｎｍに形成し、ソグラフィー工程とドライエッチング工程によって、第２電極７を形成する。このとき形成するポリシリコン膜には、リンを２．５Ｅ２０ｃｍ-3の濃度でドープして、伝導性を持たせる。第２電極７は、第１電極４ａと端部が重なり合い、２相駆動ＣＣＤの障壁領域（バリア領域）を形成する。
【００３３】
さらに、図１Ｅに示す信号線８ａ、８ｂが設けられた構造を、周知のいずれかの方法を用いて作製する。例えば、熱酸化を行い、第２電極７の表面に酸化膜（図示せず）を形成し、さらにＣＶＤ法で厚み５００ｎｍの酸化膜を形成して平坦化を行なう。その後、コンタクトホールを形成し、アルミニウム配線を形成する。さらに、窒化膜の保護膜をプラズマＣＶＤ法で形成し、ワイヤボンディング用パッドを形成するために、パッド部の保護膜を除去する。
【００３４】
本実施の形態の製造方法によれば、従来の製造工程を増加させることなく、チャンネル電位を調整するための不純物注入領域５ａの端縁を、第１電極４ａの端縁に対して適切な位置に容易に調整することができ、効果的に、ポテンシャルディップの発生を抑制することができる。
【００３５】
（実施の形態２）
図２Ａ〜２Ｃは、実施の形態２における固体撮像装置の製造方法の工程を示す断面図である。この方法の初期の工程においては、実施の形態１と同様、図１Ａ〜１Ｃに示した工程を行う。
【００３６】
図１Ｃの工程の後、図２Ａに示すように、同相の転送パルスが印加される第２電極（後述）に隣接する部分の酸化膜６を、リソグラフィーとウェットエッチングで局所的に除去する。
【００３７】
その後、再度の熱酸化により、図２Ｂに示すように、第１電極４ａ上に再酸化膜９ａを形成する。その結果、異相の転送パルスが印加される第２電極に隣接する部分では、膜厚が厚くなった厚膜部９ｂが形成される。例えば、同相電極に隣接する再酸化膜９ａの膜厚は２０ｎｍ、異相電極に隣接する厚膜部９ｂの厚みは３５ｎｍとする。
【００３８】
次に図２Ｃに示すように、２層目のポリシリコン膜をＣＶＤ法で、例えば膜厚２５０ｎｍに形成し、ソグラフィー工程とドライエッチング工程によって、第２電極７を形成する。このとき形成するポリシリコン膜には、リンを２．５Ｅ２０ｃｍ-3の濃度でドープして、伝導性を持たせる。第２電極７は、第１電極４ａと端部が重なり合い、２相駆動ＣＣＤの障壁領域（バリア領域）を形成する。
【００３９】
さらに、図１Ｅに示したものと同様の信号線８が設けられた構造を、周知のいずれかの方法を用いて作製する（図示せず）。
【００４０】
本実施の形態の製造方法によれば、実施の形態１と同様に、チャンネル電位を調整するための不純物注入領域５ａの端縁を、第１電極４ａの端縁に対して適切な位置に容易に調整するとともに、同相の転送パルスが印加される第１電極４ａと第２電極７との間の再酸化膜９ａの膜厚を、異相の転送パルスが印加される電極間の厚膜部９ｂの膜厚より小さくする膜厚調整工程を備えることにより、ポテンシャルディップの発生をさらに効果的に抑制することができる。
【００４１】
なお、再酸化膜９ａの形成に代えて、ＣＶＤ等により薄い絶縁膜を形成してもよい。また、ＣＶＤ等により絶縁膜を形成することにより、酸化膜６を局所的に除去する加工を伴うことなく、膜厚調整を行うことができる。
【００４２】
（実施の形態３）
実施の形態３における固体撮像装置の製造方法の工程は、概略、実施の形態１の図１Ａ〜図１Ｅに示したものと同様であり、図１Ｂの工程のみが相違する。
【００４３】
すなわち、図１Ｂに示す工程において、イオン注入の方向を斜めにすることなく、第１電極４をマスクとしてボロン５のイオン注入を行ない、障壁領域（バリア領域）のチャネル電位を浅くするための不純物注入領域５ａを形成する。
【００４４】
その後、図１Ｃに示したように、熱酸化により酸化膜６を形成する工程において第１電極４ａの端縁が移動するが、不純物注入領域５ａのボロンが拡散して不純物注入領域５ａの端縁も移動する。条件を適切に設定することにより、不純物注入領域５ａの端縁を第１電極４ａに近接させることができる。
【００４５】
以上の工程に加えて、実施の形態２と同様に、図２Ａおよび図２Ｂに示した、同相の転送パルスが印加される第１電極４ａと第２電極７の間の絶縁膜を、異相の転送パルスが印加される第１電極４ａと第２電極７の間の絶縁膜よりも薄くする工程を用いることもできる。それにより、不純物注入領域５ａの端縁と第１電極４ａの端縁の位置関係をより適切に調整することができる。その際、再酸化膜９ａを形成するための熱酸化の条件の設定を適切にすれば、不純物注入領域５ａのボロンの拡散を有効に利用できる。
【００４６】
以上の各実施の形態においては、下層である第１電極４が蓄積領域を形成し、上層の第２電極７が障壁領域を形成する構造の場合を例として示したが、逆の構造であっても、本発明を適用して同様の効果を得ることができる。その場合は、チャネル電位を調整するための不純物注入領域は、チャネル電位を深くする不純物の注入により形成される。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、２層駆動方式の水平転送部におけるポテンシャルディップの発生を抑制するための構造の作成を容易にするものであり、カメラ等の製造に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１Ａ】実施の形態１における固体撮像装置の製造方法の工程を示す断面図
【図１Ｂ】図１Ａの次の工程を示す断面図
【図１Ｃ】図１Ｂの次の工程を示す断面図
【図１Ｄ】図１Ｃの次の工程を示す断面図
【図１Ｅ】図１Ｄの次の工程を示す断面図
【図２Ａ】実施の形態２における固体撮像装置の製造方法の工程を示す断面図
【図２Ｂ】図２Ａの次の工程を示す断面図
【図２Ｃ】図２Ｂの次の工程を示す断面図
【図３】インターライン転送方式のＣＣＤを概略的に示すブロック図
【図４Ａ】従来の固体撮像装置の製造方法の工程を示す断面図
【図４Ｂ】図４Ａの次の工程を示す断面図
【図４Ｃ】図４Ｂの次の工程を示す断面図
【図４Ｄ】図４Ｃの次の工程を示す断面図
【図４Ｅ】図４Ｄの次の工程を示す断面図
【図４Ｆ】図４Ｅの次の工程を示す断面図
【符号の説明】
【００４９】
１  Ｐ型シリコン基板
２  Ｎ型埋め込み層
３ａ  シリコン酸化膜
３ｂ  シリコン窒化膜
４  ポリシリコン電極
４ａ、２７  第１電極
５  ボロン
５ａ  不純物注入領域
６  酸化膜
７、２８  第２電極
８ａ、８ｂ  信号線
９ａ  再酸化膜
９ｂ  厚膜部
２１  光電変換部
２２  垂直シフトレジスタ
２３  水平シフトレジスタ(水平転送部)
２４  出力部
２５  半導体基板
２６、２９  シリコン酸化膜
３０  フォトレジストパターン
３１ａ、３１ｂ  シリコン酸化膜
３２ａ、３２ｂ  信号線
【図１Ａ】
2006120936.tif 000003
【図１Ｂ】
2006120936.tif 000004
【図１Ｃ】
2006120936.tif 000005
【図１Ｄ】
2006120936.tif 000006
【図１Ｅ】
2006120936.tif 000007
【図２Ａ】
2006120936.tif 000008
【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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