(57)【要約】【課題】  カーボンナノチューブの形状の自由度が高いカーボンナノチューブデバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】  開口部１３を形成した後、全面にレジスト膜を形成し、これをパターニングすることにより、レジストパターンを形成する。レジストパターンの形状は、開口部１３の底部を偏って覆う形状とする。この結果、開口部１３の一部のみからＳｉ基板１１が露出することとなる。続いて、レジストパターンをマスクとして、開口部１３の底部に触媒層１４を形成する。次に、レジストパターンを除去する。そして、触媒層１４上にカーボンナノチューブ１５を成長させる。このとき、触媒層１４が開口部１３内で偏って形成されているため、成長過程のカーボンナノチューブ１５に水平方向から偏ったファンデルワールス力が作用する。このため、カーボンナノチューブ１５は、自身に近いＳｉＯ2膜１２の側面に引き寄せられ、傾いて成長する。【選択図】  図１Ｃ
2006255867.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒層と、
前記触媒層の周囲に位置する物体と、
前記触媒層から前記物体に沿って成長し、且つ湾曲したカーボンナノチューブと、
を有することを特徴とするカーボンナノチューブデバイス。
【請求項２】
前記物体は絶縁膜であることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【請求項３】
前記絶縁膜は、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項２に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【請求項４】
前記絶縁膜は、低誘電率膜であることを特徴とする請求項２に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【請求項５】
前記絶縁膜には開口部が形成されており、前記触媒層は平面視で前記開口部内において偏った位置に形成されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【請求項６】
触媒層及びこの触媒層の周囲において前記触媒層よりも高い位置まで延びる物体を形成する工程と、
前記触媒層から前記物体に沿ってカーボンナノチューブを、前記物体からのファンデルワールス力の作用により湾曲させながら成長させる工程と、
を有することを特徴とするカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記触媒層及び物体を形成する工程は、
基板の上又は上方に絶縁膜を前記物体として形成する工程と、
前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部の底部に前記触媒層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項６に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記開口部の底部に前記触媒層を形成する工程において、前記触媒層を平面視で前記開口部内の偏った位置に形成することを特徴とする請求項７に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記触媒層及び物体を形成する工程は、
基板の上又は上方に前記触媒層を形成する工程と、
前記触媒層を覆う絶縁膜を前記物体として形成する工程と、
前記絶縁膜に前記触媒層まで到達する開口部を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項６に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記開口部を形成する工程において、前記開口部の一部から前記触媒層を露出させることを特徴とする請求項９に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路等等に好適なカーボンナノチューブデバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置へのカーボンナノチューブの応用について研究がなされている。カーボンナノチューブを形成方法の１つとして、絶縁膜に形成した孔内に触媒層を設け、図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、この触媒層から鉛直方向に成長させる方法がある。
【０００３】
また、カーボンナノチューブを水平方向に成長させる方法もある。この方法について説明する。図１３は、カーボンナノチューブを水平方向に成長させる方法を示す図である。Ｓｉ基板１０１上の２箇所にＴｉ膜１０２及びＣｏ膜１０３の積層体を形成しておく。そして、これらの間に電界を印加し、カーボンナノチューブ１０４を成長させる。この結果、図１３に示すように、電界の印加方向に沿ったカーボンナノチューブ１０４が形成される。
【０００４】
しかしながら、これらの方法だけでは、形成することができるカーボンナノチューブの形状が限定されてしまう。また、電界を印加できないような環境下では、水平方向に離間した２箇所の間をカーボンナノチューブで接続することができない。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１８１６２０号公報
【特許文献２】特開２００４−１７４６３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、カーボンナノチューブの形状の自由度が高いカーボンナノチューブデバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明者は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【０００８】
本発明に係るカーボンナノチューブデバイスには、触媒層と、前記触媒層の周囲に位置する物体と、前記触媒層から前記物体に沿って成長し、且つ湾曲したカーボンナノチューブと、が設けられている。
【０００９】
本発明に係るカーボンナノチューブデバイスの製造方法では、触媒層及びこの触媒層の周囲において前記触媒層よりも高い位置まで延びる物体を形成した後に、前記触媒層から前記物体に沿ってカーボンナノチューブを、前記物体からのファンデルワールス力の作用により湾曲させながら成長させる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、湾曲した形状のカーボンナノチューブを得ることができる。このため、形状の自由度が向上し、応用範囲が広がる。また、電界を印加せずとも任意の方向にカーボンナノチューブを成長させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。但し、ここでは、便宜上、カーボンナノチューブデバイスの構造については、その製造方法と共に説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１Ａ乃至図１Ｃは、本発明の第１の実施形態に係るカーボンナノチューブデバイスの製造方法を工程順に示す断面図である。
【００１３】
第１の実施形態では、先ず、図１Ａに示すように、Ｓｉ基板１１上にＳｉＯ2膜１２を形成する。ＳｉＯ2膜１２の厚さは、例えば３５０ｎｍ程度とする。次に、レジストパターン（図示せず）を用いたパターニングにより、ＳｉＯ2膜１２に円筒状の開口部１３を形成する。開口部１３の直径は、例えば２μｍ程度とする。
【００１４】
次いで、図１Ｂに示すように、全面にレジスト膜を形成し、これをパターニングすることにより、レジストパターン１６を形成する。レジストパターン１６の形状は、開口部１３の底部を偏って覆う形状とする。この結果、開口部１３の一部のみからＳｉ基板１１が露出することとなる。本実施形態では、特に、レジストパターン１６の形成に当たって、ＳｉＯ2膜１２の側面の一部が、レジストパターン１６に覆われずに露出するようにする。
【００１５】
続いて、同じく図１Ｂに示すように、レジストパターン１６をマスクとして、開口部１３の底部に触媒層１４を形成する。触媒層１４としては、例えば厚さが１ｎｍ程度のＣｏ膜を形成する。このとき、触媒層１４は開口部１３の底部の全体に形成されるのではなく、Ｓｉ基板１１の露出している部分の上のみに形成される。
【００１６】
次に、図１Ｃに示すように、レジストパターン１６を除去する。そして、触媒層１４上にカーボンナノチューブ１５を成長させる。このとき、本実施形態では、触媒層１４が開口部１３内で偏って形成されているため、成長過程のカーボンナノチューブ１５に水平方向から偏ったファンデルワールス力が作用する。このため、図１Ｃに示すように、カーボンナノチューブ１５は、自身に近いＳｉＯ2膜１２の側面に引き寄せられ、傾いて成長する。そして、ＳｉＯ2膜１２の表面よりも高く成長した後には、ファンデルワールス力はほとんど作用しなくなるが、傾斜はそのまま引き継がれる。更に成長すると、カーボンナノチューブ１５に大きな自重が作用することになり、カーボンナノチューブ１５の形状が大きく湾曲したものとなる。
【００１７】
本願発明者が実際に撮影したカーボンナノチューブのＳＥＭ写真を図２Ａ及び図３Ａに示す。図２Ａは、１個の開口部から成長したカーボンナノチューブを示すＳＥＭ写真であり、図２Ｂは、図２Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。また、図３Ａは、複数個の開口部から成長したカーボンナノチューブを示すＳＥＭ写真であり、図３Ｂは、図３Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。
【００１８】
上述のようにしてカーボンナノチューブ１５を形成した後には、必要な素子、配線層及び絶縁層等を形成してカーボンナノチューブデバイスを完成させる。
【００１９】
このような第１の実施形態によれば、電界を印加せずとも、実質的にＳｉ基板１１の表面に平行な方向にカーボンナノチューブ１５を成長させることができる。また、カーボンナノチューブ１５は湾曲した形状となるため、カーボンナノチューブの適用範囲を広げることができる。例えば、複数の湾曲したカーボンナノチューブ１５を互いに接続することにより、コイルを形成することができる。
【００２０】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図４Ａ乃至図４Ｃは、本発明の第２の実施形態に係るカーボンナノチューブデバイスの製造方法を工程順に示す断面図である。
【００２１】
第２の実施形態では、先ず、図４Ａに示すように、Ｓｉ基板２１上に選択的に触媒層２４を形成する。触媒層２４としては、例えば厚さが１ｎｍ程度のＣｏ膜を形成する。
【００２２】
次に、全面にＳｉＯ2膜２２を形成する。次いで、レジストパターン（図示せず）を用いたパターニングにより、ＳｉＯ2膜２２に溝２３を形成する。ＳｉＯ2膜１２の厚さは、例えば３５０ｎｍ程度とする。溝２３の形成に当たっては、図４Ｂに示すように、Ｓｉ基板２１及び触媒層２４の双方が溝２３から露出するようにする。
【００２３】
その後、図４Ｃに示すように、触媒層２４上にカーボンナノチューブ２５を成長させる。このとき、本実施形態でも、触媒層２４が溝２３の底部全体に形成されているのではなく、偏って形成されているため、成長過程のカーボンナノチューブ２５に水平方向から偏ったファンデルワールス力が作用する。このため、図４Ｃに示すように、第１の実施形態と同様に、カーボンナノチューブ２５は、自身に近いＳｉＯ2膜２２の側面に引き寄せられ、傾いて成長する。そして、ＳｉＯ2膜２２の表面よりも高く成長した後には、ファンデルワールス力はほとんど作用しなくなるが、傾斜はそのまま引き継がれる。更に成長すると、カーボンナノチューブ２５に大きな自重が作用することになり、カーボンナノチューブ２５の形状が大きく湾曲したものとなる。
【００２４】
本願発明者が実際に撮影したカーボンナノチューブのＳＥＭ写真を図５Ａ及び図６Ａに示す。図５Ａは、平面形状がＴ字型の溝から成長したカーボンナノチューブを示すＳＥＭ写真であり、図５Ｂは、図５Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。また、図６Ａは、図５Ａ中の右側の屈曲部を拡大して示すＳＥＭ写真であり、図６Ｂは、図６Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。なお、図５Ａ及び図５Ｂにおいて、左側のカーボンナノチューブの一部が欠落している。ＳＥＭ写真を撮影する前の取り扱いの際に欠落したためであり、本発明の効果を否定するようなものではない。
【００２５】
このような第２の実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００２６】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図７Ａ乃至図７Ｂは、本発明の第３の実施形態に係るカーボンナノチューブデバイスの製造方法を工程順に示す断面図である。
【００２７】
第３の実施形態では、先ず、図７Ａに示すように、Ｓｉ基板３１上にＣｕ膜３２及びＴａ膜３３を、例えばスパッタ法により順次形成する。Ｃｕ膜３２及びＴａ膜３３の厚さは、夫々１５０ｎｍ程度、５ｎｍ程度とする。次いで、全面にＳｉＯ2膜３４を形成する。ＳｉＯ2膜３４の厚さは、例えば３５０ｎｍ程度とする。次に、レジストパターン（図示せず）を用いたパターニングにより、ＳｉＯ2膜３４に円筒状の開口部３８を形成する。開口部３８の直径は、例えば２μｍ程度とする。
【００２８】
次いで、第１の実施形態と同様にして、全面にレジスト膜を形成し、これをパターニングすることにより、開口部３８の一部のみからＴａ膜３３が露出するように、レジストパターン（図示せず）を形成する。また、本実施形態でも、このレジストパターンの形成に当たっては、ＳｉＯ2膜３４の側面の一部が、レジストパターンに覆われずに露出するようにする。続いて、レジストパターンをマスクとして、開口部３８の底部にＴｉ膜３５及びＣｏ膜３６を順次形成する。このとき、Ｔｉ膜３５及びＣｏ膜３６は開口部３８の底部の全体に形成されるのではなく、Ｔａ膜３３の露出している部分の上のみに形成される。Ｔｉ膜３５及びＣｏ膜３６の厚さは、いずれも１ｎｍ程度とする。Ｔｉ膜３５及びＣｏ膜３６の形成後にレジストパターンを除去する。
【００２９】
そして、図７Ｂに示すように、触媒層であるＣｏ膜３６上にカーボンナノチューブ３７を成長させる。このとき、本実施形態では、Ｃｏ膜３６が開口部３８内で偏って形成されているため、成長過程のカーボンナノチューブ３７に水平方向から偏ったファンデルワールス力が作用する。このため、図７Ｂに示すように、カーボンナノチューブ３７は、自身に近いＳｉＯ2膜３４の側面に引き寄せられ、傾いて成長する。そして、第１及び第２の実施形態と同様にして、カーボンナノチューブ３７の形状が大きく湾曲したものとなる。
【００３０】
本願発明者が実際に撮影したカーボンナノチューブのＳＥＭ写真を図８Ａ及び図９Ａに示す。図８Ａは、１個の開口部から成長したカーボンナノチューブを示すＳＥＭ写真であり、図８Ｂは、図８Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。また、図９Ａは、複数個の開口部から成長したカーボンナノチューブを示すＳＥＭ写真であり、図９Ｂは、図９Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。
【００３１】
このような第３の実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第３の実施形態では、Ｔｉ膜３５及びＣｏ膜３６の厚さを調整することにより、カーボンナノチューブ３７の成長具合を調整することも可能である。
【００３２】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。図１０は、本発明の第４の実施形態に係るカーボンナノチューブデバイスを示す断面図である。
【００３３】
第４の実施形態では、絶縁膜５２に埋め込まれた配線５１上に触媒層５５が形成されている。配線５１及び絶縁膜５２上には絶縁膜５４が形成されており、絶縁膜５４に触媒層５５まで到達する開口部が形成されている。但し、触媒層５５は開口部の底部全体にわたって形成されているのではなく、偏って位置している。また、絶縁膜５４上には配線５７が形成されている。そして、触媒層５５と配線５７とがカーボンナノチューブ５６により接続されている。また、配線５７等を覆う絶縁膜５８が形成されている。
【００３４】
このような第４の実施形態では、触媒層５５から配線５７まで成長したカーボンナノチューブ５６が配線の一部として機能する。カーボンナノチューブ５６の抵抗は、Ｃｕ配線及びＡｌ配線と比較して著しく低いため、低消費電力のデバイスを実現することができる。
【００３５】
なお、これらの実施形態は、湾曲したカーボンナノチューブを集積回路チップの内部に用いることを前提としたものであるが、湾曲したカーボンナノチューブを集積回路チップの電極とリードフレームとを接続するワイヤとして用いることも可能である。また、湾曲したカーボンナノチューブは、電子源、コネクタ及び放熱デバイス等に応用することも可能である。
【００３６】
また、触媒層としては、Ｃｏ膜の他に、Ｆｅ膜又はＮｉ膜を用いてもよい。また、これらの合金膜を用いてもよい。更に、アルミナ、シリカ、マグネシア又はゼオライトにＣｏ、Ｆｅ及び／又はＮｉを含有する金属微粒子を担持させたものを用いてもよい。
【００３７】
更に、カーボンナノチューブに対してファンデルワールス力を及ぼす物体は絶縁膜に限定されるものではない。また、絶縁膜としては、上述の酸化シリコン膜の他に、窒化シリコン膜を用いることも可能である。更に、多孔質シリコン系低誘電率膜、フロロカーボン系低誘電率膜及び樹脂系低誘電率膜を用いることも可能である。
【００３８】
なお、特許文献１には、触媒層の厚さ及び構成元素等の調整によりカーボンナノチューブを湾曲させることが開示されている。しかしながら、適当な湾曲の程度を得るには多くの試行錯誤を繰り返さなければならず、非現実的な方法である。これに対し、本発明では、酸化シリコン膜の厚さ（高さ）、触媒層と開口部側面との間隔の少なくとも一方を変化させればカーボンナノチューブの湾曲方向及び曲率を変化させることができる。従って、容易に湾曲の程度を調整することが可能である。
【００３９】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００４０】
（付記１）
触媒層と、
前記触媒層の周囲に位置する物体と、
前記触媒層から前記物体に沿って成長し、且つ湾曲したカーボンナノチューブと、
を有することを特徴とするカーボンナノチューブデバイス。
【００４１】
（付記２）
前記物体は絶縁膜であることを特徴とする付記１に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【００４２】
（付記３）
前記絶縁膜は、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜であることを特徴とする付記２に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【００４３】
（付記４）
前記絶縁膜は、低誘電率膜であることを特徴とする付記２に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【００４４】
（付記５）
前記低誘電率膜は、多孔質シリコン系の膜、フロロカーボン系の膜及び樹脂系の膜からなる群から選択された１種の膜であることを特徴とする付記４に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【００４５】
（付記６）
前記絶縁膜には開口部が形成されており、前記触媒層は平面視で前記開口部内において偏った位置に形成されていることを特徴とする付記２乃至５のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【００４６】
（付記７）
前記触媒層は、Ｃｏ、Ｆｅ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１種の金属元素を含有することを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【００４７】
（付記８）
前記触媒層は、触媒金属の微粒子を含有することを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【００４８】
（付記９）
前記カーボンナノチューブは、配線の一部として機能することを特徴とする付記１乃至８のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【００４９】
（付記１０）
前記カーボンナノチューブは、コイルの一部として機能することを特徴とする付記１乃至８のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【００５０】
（付記１１）
前記カーボンナノチューブはリードフレームに接続されていることを特徴とする付記１乃至８のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイス。
【００５１】
（付記１２）
触媒層及びこの触媒層の周囲において前記触媒層よりも高い位置まで延びる物体を形成する工程と、
前記触媒層から前記物体に沿ってカーボンナノチューブを、前記物体からのファンデルワールス力の作用により湾曲させながら成長させる工程と、
を有することを特徴とするカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
【００５２】
（付記１３）
前記触媒層及び物体を形成する工程は、
基板の上又は上方に絶縁膜を前記物体として形成する工程と、
前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部の底部に前記触媒層を形成する工程と、
を有することを特徴とする付記１２に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
【００５３】
（付記１４）
前記開口部の底部に前記触媒層を形成する工程において、前記触媒層を平面視で前記開口部内の偏った位置に形成することを特徴とする付記１３に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
【００５４】
（付記１５）
前記触媒層及び物体を形成する工程は、
基板の上又は上方に前記触媒層を形成する工程と、
前記触媒層を覆う絶縁膜を前記物体として形成する工程と、
前記絶縁膜に前記触媒層まで到達する開口部を形成する工程と、
を有することを特徴とする付記１２に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
【００５５】
（付記１６）
前記開口部を形成する工程において、前記開口部の一部から前記触媒層を露出させることを特徴とする付記１５に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
【００５６】
（付記１７）
前記絶縁膜として、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を形成することを特徴とする付記１３乃至１６のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
【００５７】
（付記１８）
前記絶縁膜として、低誘電率膜を形成することを特徴とする付記１３乃至１６のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
【００５８】
（付記１９）
前記低誘電率膜として、多孔質シリコン系の膜、フロロカーボン系の膜及び樹脂系の膜からなる群から選択された１種の膜を形成することを特徴とする付記１８に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１Ａ】本発明の第１の実施形態に係るカーボンナノチューブデバイスの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに引き続き、カーボンナノチューブデバイスの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｂに引き続き、カーボンナノチューブデバイスの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２Ａ】１個の開口部から成長したカーボンナノチューブを示すＳＥＭ写真である。
【図２Ｂ】図２Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。
【図３Ａ】複数個の開口部から成長したカーボンナノチューブを示すＳＥＭ写真である。
【図３Ｂ】図３Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。
【図４Ａ】本発明の第２の実施形態に係るカーボンナノチューブデバイスの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに引き続き、カーボンナノチューブデバイスの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに引き続き、カーボンナノチューブデバイスの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図５Ａ】平面形状がＴ字型の溝から成長したカーボンナノチューブを示すＳＥＭ写真である。
【図５Ｂ】図５Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。
【図６Ａ】図５Ａ中の右側の屈曲部を拡大して示すＳＥＭ写真である。
【図６Ｂ】図６Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。
【図７Ａ】本発明の第３の実施形態に係るカーボンナノチューブデバイスの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ａに引き続き、カーボンナノチューブデバイスの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図８Ａ】１個の開口部から成長したカーボンナノチューブを示すＳＥＭ写真である。
【図８Ｂ】図８Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。
【図９Ａ】複数個の開口部から成長したカーボンナノチューブを示すＳＥＭ写真である。
【図９Ｂ】図９Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態に係るカーボンナノチューブデバイスを示す断面図である。
【図１１Ａ】従来の方法で形成されたカーボンナノチューブを上方から示すＳＥＭ写真である。
【図１１Ｂ】図１１Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。
【図１２Ａ】従来の方法で形成されたカーボンナノチューブを側方から示すＳＥＭ写真である。
【図１２Ｂ】図１２Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す図である。
【図１３】カーボンナノチューブを水平方向に成長させる従来の方法を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１１、２１：Ｓｉ基板
１２、２２、３４：ＳｉＯ2膜
１３：開口部
１４、２４、５５：触媒層
１５、２５、３７、５６：カーボンナノチューブ
１６：レジストパターン
２３：溝
３１：Ｓｉ基板
３２：Ｃｕ膜
３３：Ｔａ膜
３５：Ｔｉ膜
３６：Ｃｏ膜
５１、５７：配線
５２、５４、５８：絶縁膜
【図１Ａ】
2006255867.tif 000003
【図１Ｂ】
2006255867.tif 000004
【図１Ｃ】
2006255867.tif 000005
【図２Ａ】
2006255867.tif 000006
【図２Ｂ】
2006255867.tif 000007
【図３Ａ】
2006255867.tif 000008
【図３Ｂ】
2006255867.tif 000009
【図４Ａ】
2006255867.tif 000010
【図４Ｂ】
2006255867.tif 000011
【図４Ｃ】
2006255867.tif 000012
【図５Ａ】
2006255867.tif 000013
【図５Ｂ】
2006255867.tif 000014
【図６Ａ】
2006255867.tif 000015
【図６Ｂ】
2006255867.tif 000016
【図７Ａ】
2006255867.tif 000017
【図７Ｂ】
2006255867.tif 000018
【図８Ａ】
2006255867.tif 000019
【図８Ｂ】
2006255867.tif 000020
【図９Ａ】
2006255867.tif 000021
【図９Ｂ】
2006255867.tif 000022
【図１０】
2006255867.tif 000023
【図１１Ａ】
2006255867.tif 000024
【図１１Ｂ】
2006255867.tif 000025
【図１２Ａ】
2006255867.tif 000026
【図１２Ｂ】
2006255867.tif 000027
【図１３】
2006255867.tif 000028