(57)【要約】【課題】  複数のレンズアレイによる分割光を重ね合わせた後、アパーチャーマスクに通してワークに当てたとき、ワークの光入射面におけるマスク処理光の形状がいびつになる。【解決手段】  アパーチャーマスク４によるマスク処理光Ｌ１２のマスク処理後集光レンズ５による焦点よりも上流側におけるマスク処理光Ｌ１２の分割光成分の横断面方向分散状態を測定する分散状態測定工程と、この分散状態測定工程における測定結果に基づいて、レンズアレイ又は分割後集光レンズ３を光軸方向に移動させるか、光軸と直交する方向に移動させるか、あるいは、マスク処理後集光レンズ５を光軸と直交する方向に移動させるかして、位置調整するレンズ位置調整工程とを行う。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光照射対象物を固定する固定台と、光を発する光源と、この光源からの光軸に直交する平面上に並ぶ複数のレンズによって前記光を複数の分割光に分割するレンズ群と、前記分割光をそれぞれ集光する分割後集光レンズと、遮光部材に光通過用の開口が設けられたアパーチヤーマスクと、前記分割後集光レンズを通過して前記アパーチャーマスクの光入射面に互いに重ね合わさった複数の前記分割光の一部が前記アパーチャーマスクの開口を通過することによって得られるマスク処理光を集光するマスク処理後集光レンズとを備え、前記レンズ群による複数の分割光を含む前記マスク処理光を、前記マスク処理後集光レンズによって集光しながら前記固定台に固定される前記光照射対象物に当てる光照射装置を調整する光照射装置の調整方法において、
前記マスク処理光の前記マスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側における前記マスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定し、この測定結果に基づいて前記レンズ群又は分割後集光レンズを光軸方向に移動させる位置調整をすることを特徴とする光照射装置の調整方法。
【請求項２】
光照射対象物を固定する固定台と、光を発する光源と、この光源からの光軸に直交する平面上に並ぶ複数のレンズによって前記光を複数の分割光に分割するレンズ群と、前記分割光をそれぞれ集光する分割後集光レンズと、遮光部材に光通過用の開口が設けられたアパーチヤーマスクと、前記分割後集光レンズを通過して前記アパーチャーマスクの光入射面に互いに重ね合わさった複数の前記分割光の一部が前記アパーチャーマスクの開口を通過することによって得られるマスク処理光を集光するマスク処理後集光レンズとを備え、前記レンズ群による複数の分割光を含む前記マスク処理光を、前記マスク処理後集光レンズによって集光しながら前記固定台に固定される前記光照射対象物に当てる光照射装置を調整する光照射装置の調整方法において、
前記マスク処理光の前記マスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側における前記マスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定し、この測定結果に基づいて前記レンズ群又は分割後集光レンズを光軸と直交する方向に移動させる位置調整をすることを特徴とする光照射装置の調整方法。
【請求項３】
光照射対象物を固定する固定台と、光を発する光源と、この光源からの光軸に直交する平面上に並ぶ複数のレンズによって前記光を複数の分割光に分割するレンズ群と、前記分割光をそれぞれ集光する分割後集光レンズと、遮光部材に光通過用の開口が設けられたアパーチヤーマスクと、前記分割後集光レンズを通過して前記アパーチャーマスクの光入射面に互いに重ね合わさった複数の前記分割光の一部が前記アパーチャーマスクの開口を通過することによって得られるマスク処理光を集光するマスク処理後集光レンズとを備え、前記レンズ群による複数の分割光を含む前記マスク処理光を、前記マスク処理後集光レンズによって集光しながら前記固定台に固定される前記光照射対象物に当てる光照射装置を調整する光照射装置の調整方法において、
前記マスク処理光の前記マスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側における前記マスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定し、この測定結果に基づいて前記マスク処理後集光レンズを光軸と直交する方向に移動させる位置調整をすることを特徴とする光照射装置の調整方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の光照射装置の調整方法において、
前記光照射対象物と固定台との間にスペーサ部材を介在させ、前記光照射対象物に対して前記焦点よりも上流側で前記マスク処理光を当て、前記横断面方向分散状態を測定することを特徴とする光照射装置の調整方法。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかに記載の光照射装置の調整方法において、
前記マスク処理光の光軸方向に移動可能な前記固定台を用いて、この固定台を前記光軸方向に移動させて、前記光照射対象物に対して前記焦点よりも上流側で前記マスク処理光を当て、前記横断面方向分散状態を測定することを特徴とする光照射装置の調整方法。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれかに記載の光照射装置の調整方法において、
前記光照射装置は、前記アパーチャーマスクから前記マスク処理後集光レンズに至るまでの距離と、前記マスク処理後集光レンズから前記固定台に至るまでの距離とをそれぞれ個別的に変更可能であって、
前記２つの距離の比を変えることなく前記マスク処理光の焦点を前記固定台に固定される前記光照射対象物の光入射面よりも下流側にするように前記２つの距離をそれぞれ設定した条件下で、前記光照射対象物に対して前記焦点よりも上流側で前記マスク処理光を当て、前記横断面方向分散状態を測定することを特徴とする光照射装置の調整方法。
【請求項７】
請求項４ないし６のいずれかに記載の光照射装置の調整方法において、
前記光照射対象物として、前記マスク処理光の照射によって変性又は破壊されるものを使用し、前記マスク処理光を照射した後の前記光照射対象物の変性痕に基づいて、前記横断面方向分散状態を測定することを特徴とする光照射装置の調整方法。
【請求項８】
請求項４ないし６のいずれかに記載の光照射装置の調整方法において、
前記光照射対象物の光入射面における前記マスク処理光の照射スポット像を撮影手段によって撮影して得られた撮影像に基づいて前記横断面方向分散状態を測定することを特徴とする光照射装置の調整方法。
【請求項９】
請求項１ないし３のいずれかに記載の光照射装置の調整方法において、
前記マスク処理光を前記焦点よりも上流側で撮影する撮影手段の撮影データに基づいて前記横断面方向分散状態を解析手段で解析することを特徴とする光照射装置の調整方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の光照射装置の調整方法において、
前記マスク処理光の強度を弱めるフィルタ手段を、前記マスク処理光の光路における前記撮影手段よりも上流側に配設することを特徴とする光照射装置の調整方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の光照射装置の調整方法において、
前記光照射装置は、前記アパーチャーマスクから前記マスク処理後集光レンズに至るまでの距離と、前記マスク処理後集光レンズから前記固定台に至るまでの距離とをそれぞれ個別的に変更可能であって、
前記２つの距離の比を変えることなく前記マスク処理光の焦点を前記固定台に固定される前記光照射対象物の光入射面よりも下流側にするように前記２つの距離をそれぞれ設定した条件下で、前記マスク処理後集光レンズと前記固定台との間に光反射手段を配設し、この光反射手段による反射光を前記撮影手段で撮影させることを特徴とする光照射装置の調整方法。
【請求項１２】
光照射対象物を固定する固定台と、光を発する光源と、この光源からの光軸に直交する平面上に並ぶ複数のレンズによって前記光を複数の分割光に分割するレンズ群と、前記分割光をそれぞれ集光する分割後集光レンズと、遮光部材に光通過用の開口が設けられたアパーチヤーマスクと、前記分割後集光レンズを通過して前記アパーチャーマスクの光入射面に互いに重ね合わさった複数の前記分割光の一部が前記アパーチャーマスクの開口を通過することによって得られるマスク処理光を集光するマスク処理後集光レンズとを備え、前記レンズ群による複数の分割光を含む前記マスク処理光を、前記マスク処理後集光レンズによって集光しながら前記固定台に固定される前記光照射対象物に当てる光照射装置を調整する光照射装置において、
前記マスク処理光を前記マスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側で撮影する撮影手段と、前記撮影手段による撮影データに基づいて前記焦点よりも上流側における前記マスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を解析する解析手段とを備えることを特徴とする光照射装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光照射装置において、
前記マスク処理光の強度を、前記マスク処理光の光路における前記撮影手段よりも上流側で弱めるフィルタ手段が設けられていることを特徴とする光照射装置。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載の光照射装置において、
前記アパーチャーマスクから前記マスク処理後集光レンズに至るまでの距離と、前記マスク処理後集光レンズから前記固定台に至るまでの距離とをそれぞれ個別的に変更する距離変更手段と、前記マスク処理後集光レンズと前記固定台との間で前記マスク処理光を前記撮影手段に向けて反射させる光反射手段と、この光反射手段を前記マスク処理光の光路に進入させ、前記光路から退避させるように移動させる移動手段とを設けたことを特徴とする光照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は被光照射物に光を照射する光照射装置及びその調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、レーザー照射による複数の貫通孔や凹部を加工対象物に形成して所定の孔パターンや凹部パターンを得るレーザー加工法が広く用いられている。近年では、レーザー加工技術の進歩により、マイクロマシン半導体製品の孔パターンや、インクジェットヘッドのインク吐出口パターンなどといった微細ピッチのレーザー加工も可能になってきている。
【０００３】
このように、孔パターンやインク吐出口パターンなど、多数の孔や凹部からなるパターンを形成するレーザー加工においては、孔や凹部を１つずつ形成していく方法を採用すると、相当な加工時間が必要になって効率が悪い。
【０００４】
そのため、従来、特許文献１に記載されているような光照射法により、加工対象物（光照射対象物）に対して複数のレーザースポットを同時に当てて、一度に複数の孔や凹部を形成するレーザー加工法を用いることが好ましい。
【０００５】
【特許文献１】特許第２６５７９５７号公報
【０００６】
この特許文献１に記載の光照射法は、まず、レーザー発振器などの光源から発せられた光をフライアレイレンズの如きレンズアレイに入射して、光軸と直交する方向に複数に分割し、得られた複数の分割光を、アパーチャーマスクの入射面に互いに重ね合わせる。このような分割と重ね合わせとにより、光の横断面方向における強度分布の均一化を図る。次いで、アパーチャーマスクの複数の開口を通過して得られた複数のマスク処理光を、マスク処理後集光レンズに通すことで、それぞれを、通過してきたマスク開口の中心軸に向けて集光しつつ加工対象物に当てる。
【０００７】
このようなプロセスにより、アパーチヤーマスクによって得られる複数のマスク処理光を、それぞれ加工対象物の光照射面に対してほぼ垂直に入射せしめるテレセントリックな光学系を実現することができる。なお、ここでいうテレセントリッタとは、複数のマスク処理光をそれぞれほぼ平行な状態で加工対象物の光照射面に入射せしめることを意味する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した従来の光照射法にあっては、個々のマスク処理光の加工対象物面における形状を乱し易くなるという課題がある。例えば、アパーチャーマスクとして開口形状が真円であるものを用いたとしても、加工対象物の光入射面における光の形状が、部分的な出っ張りや凹みのあるものになったり、楕円状になったりするのである。このような形状のマスク処理光では、レーザー加工による孔や凹部の断面形状がいびつなものになってしまうという問題を生じる。
【０００９】
なお、マスク処理孔の加工対象物面における形状を乱し易いという問題は、アパーチャーマスクの開口数にかかわらず発生する。したがって、複数の開口が形成されたアパーチヤーマスクを用いる場合に限らず、開口が１つだけ設けられたアパーチャーマスクを用いる場合にも、同様の問題が生じ得る。
【００１０】
例えば、複数のマスク処理光によって複数の孔を一括加工し得るレーザー加工装置に対し、何らかの理由により、開口が１つだけのアパーチャーマスクを一時的に装着してレーザー加工を行うことも考えられる。このような場合であっても、アパーチャーマスク通過後のマスク処理光によって加工される孔の形状をいびつにしてしまうといった問題が生じ得る。
【００１１】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、光照射対象物の光入射面におけるマスク処理光の形状を整えることができる光照射装置の調整方法及び光照射装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するため、請求項１の光照射装置の調整方法は、光照射対象物を固定する固定台と、光を発する光源と、この光源からの光軸に直交する平面上に並ぶ複数のレンズによって光を複数の分割光に分割するレンズ群と、分割光をそれぞれ集光する分割後集光レンズと、遮光部材に光通過用の開口が設けられたアパーチヤーマスクと、分割後集光レンズを通過してアパーチャーマスクの光入射面に互いに重ね合わさった複数の分割光の一部がアパーチャーマスクの開口を通過することによって得られるマスク処理光を集光するマスク処理後集光レンズとを備え、レンズ群による複数の分割光を含むマスク処理光を、マスク処理後集光レンズによって集光しながら固定台に固定される光照射対象物に当てる光照射装置を調整する光照射装置の調整方法において、マスク処理光のマスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定し、この測定結果に基づいてレンズ群又は分割後集光レンズを光軸方向に移動させる位置調整をする構成としたものである。
【００１３】
請求項２の光照射装置の調整方法は、光照射対象物を固定する固定台と、光を発する光源と、この光源からの光軸に直交する平面上に並ぶ複数のレンズによって光を複数の分割光に分割するレンズ群と、分割光をそれぞれ集光する分割後集光レンズと、遮光部材に光通過用の開口が設けられたアパーチヤーマスクと、分割後集光レンズを通過してアパーチャーマスクの光入射面に互いに重ね合わさった複数の分割光の一部がアパーチャーマスクの開口を通過することによって得られるマスク処理光を集光するマスク処理後集光レンズとを備え、レンズ群による複数の分割光を含むマスク処理光を、マスク処理後集光レンズによって集光しながら固定台に固定される光照射対象物に当てる光照射装置を調整する光照射装置の調整方法において、マスク処理光のマスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定し、この測定結果に基づいてレンズ群又は分割後集光レンズを光軸と直交する方向に移動させる位置調整をする構成としたものである。
【００１４】
請求項３の光照射装置の調整方法は、光照射対象物を固定する固定台と、光を発する光源と、この光源からの光軸に直交する平面上に並ぶ複数のレンズによって光を複数の分割光に分割するレンズ群と、分割光をそれぞれ集光する分割後集光レンズと、遮光部材に光通過用の開口が設けられたアパーチヤーマスクと、分割後集光レンズを通過してアパーチャーマスクの光入射面に互いに重ね合わさった複数の分割光の一部がアパーチャーマスクの開口を通過することによって得られるマスク処理光を集光するマスク処理後集光レンズとを備え、レンズ群による複数の分割光を含むマスク処理光を、マスク処理後集光レンズによって集光しながら固定台に固定される光照射対象物に当てる光照射装置を調整する光照射装置の調整方法において、マスク処理光のマスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定し、この測定結果に基づいてマスク処理後集光レンズを光軸と直交する方向に移動させる位置調整をする構成としたものである。
【００１５】
請求項４の光照射装置の調整方法は、上記請求項１ないし３のいずれかの光照射装置の調整方法において、光照射対象物と固定台との間にスペーサ部材を介在させ、光照射対象物に対して焦点よりも上流側でマスク処理光を当て、横断面方向分散状態を測定する構成としたものである。
【００１６】
請求項５の光照射装置の調整方法は、上記請求項１ないし３のいずれかの光照射装置の調整方法において、マスク処理光の光軸方向に移動可能な固定台を用いて、この固定台を光軸方向に移動させて、光照射対象物に対して焦点よりも上流側でマスク処理光を当て、横断面方向分散状態を測定する構成としたものである。
【００１７】
請求項６の光照射装置の調整方法は、上記請求項１ないし３のいずれかの光照射装置の調整方法において、光照射装置は、アパーチャーマスクからマスク処理後集光レンズに至るまでの距離と、マスク処理後集光レンズから固定台に至るまでの距離とをそれぞれ個別的に変更可能であって、２つの距離の比を変えることなくマスク処理光の焦点を固定台に固定される光照射対象物の光入射面よりも下流側にするように２つの距離をそれぞれ設定した条件下で、光照射対象物に対して焦点よりも上流側でマスク処理光を当て、横断面方向分散状態を測定する構成としたものである。
【００１８】
請求項７の光照射装置の調整方法は、上記請求項４ないし６のいずれかの光照射装置の調整方法において、光照射対象物として、マスク処理光の照射によって変性又は破壊されるものを使用し、マスク処理光を照射した後の光照射対象物の変性痕に基づいて、横断面方向分散状態を測定する構成としたものである。
【００１９】
請求項８の光照射装置の調整方法は、上記請求項４ないし６のいずれかの光照射装置の調整方法において、光照射対象物の光入射面におけるマスク処理光の照射スポット像を撮影手段によって撮影して得られた撮影像に基づいて横断面方向分散状態を測定する構成としたものである。
【００２０】
請求項９の光照射装置の調整方法は、上記請求項１ないし３のいずれかの光照射装置の調整方法において、マスク処理光を焦点よりも上流側で撮影する撮影手段の撮影データに基づいて横断面方向分散状態を解析手段で解析する構成としたものである。
【００２１】
請求項１０の光照射装置の調整方法は、上記請求項９の光照射装置の調整方法において、マスク処理光の強度を弱めるフィルタ手段を、マスク処理光の光路における撮影手段よりも上流側に配設する構成としたものである。
【００２２】
請求項１１の光照射装置の調整方法は、上記請求項９又は１０の光照射装置の調整方法において、光照射装置は、アパーチャーマスクからマスク処理後集光レンズに至るまでの距離と、マスク処理後集光レンズから固定台に至るまでの距離とをそれぞれ個別的に変更可能であって、２つの距離の比を変えることなくマスク処理光の焦点を固定台に固定される光照射対象物の光入射面よりも下流側にするように２つの距離をそれぞれ設定した条件下で、マスク処理後集光レンズと固定台との間に光反射手段を配設し、この光反射手段による反射光を撮影手段で撮影させる構成とした。
【００２３】
請求項１２の光照射装置は、光照射対象物を固定する固定台と、光を発する光源と、この光源からの光軸に直交する平面上に並ぶ複数のレンズによって光を複数の分割光に分割するレンズ群と、分割光をそれぞれ集光する分割後集光レンズと、遮光部材に光通過用の開口が設けられたアパーチヤーマスクと、分割後集光レンズを通過してアパーチャーマスクの光入射面に互いに重ね合わさった複数の分割光の一部がアパーチャーマスクの開口を通過することによって得られるマスク処理光を集光するマスク処理後集光レンズとを備え、レンズ群による複数の分割光を含むマスク処理光を、マスク処理後集光レンズによって集光しながら固定台に固定される光照射対象物に当てる光照射装置を調整する光照射装置において、マスク処理光をマスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側で撮影する撮影手段と、撮影手段による撮影データに基づいて焦点よりも上流側におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を解析する解析手段とを備える構成とした。
【００２４】
請求項１３の光照射装置は、上記請求項１２の光照射装置において、マスク処理光の強度を、記マスク処理光の光路における撮影手段よりも上流側で弱めるフィルタ手段が設けられている構成とした。
【００２５】
請求項１４の光照射装置は、上記請求項１２又は１３の光照射装置において、アパーチャーマスクからマスク処理後集光レンズに至るまでの距離と、マスク処理後集光レンズから固定台に至るまでの距離とをそれぞれ個別的に変更する距離変更手段と、マスク処理後集光レンズと固定台との間でマスク処理光を撮影手段に向けて反射させる光反射手段と、この光反射手段をマスク処理光の光路に進入させ、光路から退避させるように移動させる移動手段とを設けた構成とした。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る光照射装置の調整方法によれば、マスク処理光のマスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定し、この測定結果に基づいてレンズ群又は分割後集光レンズを光軸方向に移動させる位置調整をする構成とし、または、マスク処理光のマスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側こおけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定し、この測定結果に基づいてレンズ群又は分割後集光レンズを光軸と直交する方向に移動させる位置調整をする構成とし、若しくは、マスク処理光のマスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側こおけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定し、この測定結果に基づいてマスク処理後集光レンズを光軸と直交する方向に移動させる位置調整をする構成したので、光照射装置の固定台に固定される光照射対象物の光入射面におけるマスク処理光の形状を整えることができる。
【００２７】
本発明に係る光照射装置によれば、マスク処理光をマスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側で撮影する撮影手段と、撮影手段による撮影データに基づいて焦点よりも上流側におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を解析する解析手段とを備えるので、光照射装置の固定台に固定される光照射対象物の光入射面におけるマスク処理光の形状を整えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明を実施するための形態について添付図面を参照して説明する。まず、本発明に係る光照射装置の調整方法の第１実施形態で調整する光照射装置であるレーザー加工装置について図１ないし図４を参照して説明する。なお、図１は同レーザー加工装置を示す概略構成図、図２は同加工装置のホモジェナイザーの拡大説明図、図３は同ホモジェナイザーの４枚のレンズアレイを示す斜視説明図、図４は同加工装置のアパーチャーマスクの平面模式的説明図である。
【００２９】
このレーザー加工装置は、ＫｒＦ（クリプトンフッ素）レーザー等のエキシマレーザー光Ｌを発する光源であるとレーザー発振器１と、このレーザー発振器１からの光軸に直交する平面上に並ぶ複数のレンズによってレーザー光Ｌを複数の分割光Ｌ１１に分割するレンズ群であるホモジェナイザー２と、このホモジェナイザー２からの分割光Ｌ１１をそれぞれ集光する分割後集光レンズであるフィールドレンズ３と、遮光部材に光通過用の開口が設けられたアパーチヤーマスク４と、フィールドレンズ３を通過してアパーチャーマスク４の光入射面に互いに重ね合わさった複数の分割光の一部がアパーチャーマスク４の開口を通過することによって得られるマスク処理光Ｌ１２を集光するマスク処理後集光レンズである結像レンズ５と、光照射対象物であるワーク１００を固定する固定台６とを備えている。
【００３０】
そして、このレーザー加工装置においては、レーザー発振器１から出射されたエキシマレーザー光Ｌは、ホモジエナイザー２、フィールドレンズ３、アパーチャーマスク４、結像レンズ５を順次通過した後、固定台６に固定されたワーク１００に当ることで、ワーク１００に複数の貫通孔を形成する。なお、このレーザー加工装置には、できるだけコンパクトにする目的で、エキシマレーザー光Ｌの進行方向をその光路の途中で変化させる複数の反射ミラーを備えているが、図１では、便宜上、それら反射ミラーについては図示を省略している。
【００３１】
ここで、ワーク１００は、インクジェット記録方式の画像形成装置に用いられるインクジェットヘッドのインク吐出基板の前駆体であり、図１に示したレーザー加工装置での加工により、複数のインク吐出孔が穿孔加工される。なお、この実施形態では、レーザー加工装置での加工によってインク吐出基板を加工する例について説明するが、マイクロマシン半導体製品など、他の材料をレーザー加工する光照射装置にも本発明を適用することができる。また、ワーク１００に対して孔を加工する場合の他、凹部を加工する光照射装置などにも本発明を適用することができる。
【００３２】
ホモジェナイザー２は、図２に示すように、第１レンズアレイ対２１と、第２レンズアレイ対２２と、分散抑制レンズ２７とを有している。第１レンズアレイ対２１，第２レンズアレイ対２２は、それぞれ、ｙ軸分割レンズアレイ２３，２５と、ｘ軸分割レンズアレイ２４，２６とから構成されている。
【００３３】
そして、このホモジェナイザー２内では、２枚のｙ軸分割レンズアレイ２３，２５、２枚のｘ軸分割レンズアレイ２４，２６と、１枚の分散抑制用集光レンズ２７が、エキシマレーザー光Ｌの光軸Ｃ上に一直線状に並ぶように配設されている。ホモジェナイザー２に進入したエキシマレーザー光Ｌは、ｙ軸分割レンズアレイ２３、ｘ軸分割レンズアレイ２４、ｙ軸分割レンズアレイ２５、ｘ軸分割レンズアレイ２６、分散抑制用集光レンズ２７を順次通過する。
【００３４】
このホモジェナイザー２における４枚のレンズアレイは、図３に示すように、互いに直交するｘ軸、ｙ軸、ｚ軸のうち、ｚ軸は、エキシマレーザー光Ｌの光軸Ｃと平行な軸である。
【００３５】
第１レンズアレイ対２１のｙ軸分割レンズアレイ２３は、２ｍｍ×２４ｍｍの横長形状のシリンドリカルレンズ２３ａがｙ軸方向に１１個並べられたものである。これら１１個のシリンドリカルレンズ２３ａは、入射してくるエキシマレーザー光Ｌをｙ軸方向に１１分割する。
【００３６】
一方、第１レンズアレイ対２１のｘ軸分割レンズアレイ２４は、２２ｍｍ×８ｍｍの縦長形状のシリンドリカルレンズ２４ａがｘ軸方向に３個並べられたものである。これら３個のシリンドリカルレンズ２４ａは、ｙ軸方向で１１分割された分割光を、ｘ軸方向に３分割する。
【００３７】
これにより、ホモジェナイザー２に進入したエキシマレーザー光Ｌは、第１レンズアレイ対２１により、ｙ軸方向、ｘ軸方向にそれぞれ１１分割、３分割されて、合計で３３本の分割光となる。これら分割光は、ｙ軸方向に１１本、ｘ軸方向に３本というマトリクスで並ぶものである。
【００３８】
また、第２レンズアレイ対２２のｙ軸分割レンズアレイ２５は、２ｍｍ×２４ｍｍの横長形状のシリンドリカルレンズ２５ａがｙ軸方向に１１個並べられたものである。また、第２レンズアレイ対２２のｘ軸分割レンズアレイ２６は、２２ｍｍ×８ｍｍの縦長形状のシリンドリカルレンズ２６ａがｘ軸方向に３個並べられたものである。
【００３９】
したがって、第１レンズアレイ対２１によって得られた３３本の分割光は、第２レンズアレイ対２２を通過する。第２レンズアレイ対２２では、３３本の分割光が、それぞれシリンドリカルレンズ間を跨がずに、各シリンドリカルレンズの何れかに収まるように通過していく。
【００４０】
このため、第２レンズアレイ対２２内で、３３本の分割光が更に分割されることはない。つまり、例えば、第２レンズアレイ対２２のｙ軸分割レンズアレイ２５では、３３本の分割光のうち、同一のｘ軸上に並ぶ３本ずつが、ｙ軸分割レンズアレイ２５に設けられた１１個のシリンドリカルレンズ２５ａのうちの同一のものに進入する。また、ｘ軸分割レンズアレイ２６では、３３本の分割光のうち、同一のｙ軸上に並ぶ１１本ずつが、ｘ軸分割レンズアレイ２６に設けられた３個のシリンドリかレレンズ２６ａのうちの同一のものに進入する。そして、第２レンズアレイ対２２を通過した３３本の分割光は、それぞれ、異なる光軸を中心にして、焦点に向けて集光するようになる。
【００４１】
分割後集光レンズであるフィールドレンズ３は、次段に配設されるアパーチャーマスク４を介して、結像レンズ５のレンズ入射瞳に結像するように３３本の分割光を導くいわゆる絞りとしての役割を担っている。ホモジェナイザー２から出てくる３３本の分割光は、アパーチヤーマスク４の光入射面上で互いにピッタリと重なり合って、１８ｍｍ×４．５ｍｍのレーザースポットを形成する。
【００４２】
アパーチャーマスク４は、遮光板に光通過用のマスク開口４ａを６６個形成したものである。一直線上に並ぶ３３個のマスク開口４ａからなる開口列が２列並べられている。上述したようにアパーチャーマスク４の光入射面でピッタリと重なり合った分割光が部分的にこれらマスク開口４ａを通過することにより、６６個のマスク処理光が生成される。これらマスク処理光は、マスク処理後集光レンズである結像レンズ５によって、ワーク１００の光入射面におけるそれぞれ異なる位置に結像される。
【００４３】
これにより、ワーク１００に６６個のインク吐出孔が一括加工される。レーザー加工時には、各マスク処理光の焦点と、ワーク１００の光入射面とを一致させるように、各光学系が設定される。
【００４４】
固定台６には図示しない吸引機構が設けられている。この吸引機構は、固定台６に設けられた図示しない無数の吸引孔を通して、ワーク１００を吸引して固定台６上に固定保持することができる。
【００４５】
次に、このレーザー加工装置の調整方法について図５以降をも参照して説明する。
まず、本発明者らによる第１実験について説明する。通常の加工時には、ワーク１００を図１に示すように固定台６に直接載置して加工を行うのであるが、本来よりも、結像レンズ５に近づけて固定したワーク１００を加工する第１実験を行った。
【００４６】
具体的には、図５に示すように、多孔質材料からなる通気性のスペーサ１０１を固定台６に載せ、その上に、実験用ワークとしてポリイミドフィルム１０２を載せた。そして、通気性のスペーサ１０１を介して、ポリイミドフィルム１０２を吸引固定した。このようにして、各マスク処理光Ｌ１１をその焦点よりも上流側でポリイミドフィルム１０２の光入射面に当てながら、ポリイミドフィルム１０２に多数の凹部を−括加工した。
【００４７】
なお、通気性のスペーサ１０１としては、ワーク１００と良好な密着性を発揮し得る弾性や可擦性を発揮するものを用いている。このようなスペーサ１０１を用いることで、ワーク１００に生ずる皺や歪みなどを抑えることができる。良好な密着性を発揮し得る弾性や可撓性を発揮するスペーサ１０１としては、例えば、繊椎で編んだ布地を挙げることができる。
【００４８】
図６にこの第１実験において第１マスク処理光Ｌ１２（以下、便宜上「Ｌ１０１」の符号で表記する。）によってポリイミドフィルム１０２に加工された凹部の拡大模式図を示している。なお、この第１マスク処理光Ｌ１０１とは、アパーチヤーマスク４に設けられた６６個の開口（２列×３３行）のうち、図４に示した第１列第１行目の開口によって形成されたマスク処理光である。また、ここで言う「列」、「行」とは、それぞれ、ｙ軸方向の並び、ｘ軸方向の並びのことである。
【００４９】
この図６において、平面形状が楕円状となっている３つの凹部１５０、１５１、１５２は、それぞれ、第１マスク処理光Ｌ１０１によって加工されたもので、列方向に並んで形成される。マスク処理光Ｌ１２の焦点と、ワーク１００の光入射面とを一致させた加工では、１個のマスク処理光によって１個の凹部（又は孔）が形成される。
【００５０】
これに対し、マスク処理光Ｌ１２を焦点よりも上流側でワーク１００に当てると、図６に示すように、１本のマスク処理光Ｌ１２によって多数の凹部（又は孔）が形成される。これは、焦点よりも上流側では、マスク処理光Ｌ１２が複数の分割光成分に分かれているためである。
【００５１】
図６における凹部１５０、１５１、１５２は、それぞれ、第１マスク処理光Ｌ１０１に含まれる３つのｙ分割光群の何れかによって加工されたものである。これら３つのｙ分割光群は、それぞれ、上述した３３本の分割光（レンズアレイによる分割光）のうち、同一のｙ軸上に並んでいる１１本の分割光から構成されるものである。
【００５２】
焦点よりも上流側において、マスク処理光Ｌ１２が３つのｙ分割光群に分かれるのは、ホモジェナイザー２におけるエキシマレーザー光Ｌのｘ軸方向の分割が３分割であり、３分割光のｘ軸方向への振る舞いがそれぞれ異なることに由来している。また、凹部１５０、１５１、１５２がそれぞれ円状ではなく楕円状に加工されるのは、ｙ分割光群内において、１１の分割光のｙ軸方向への振る舞いがそれぞれ異なることに由来している。
【００５３】
図６に示す加工形状は、マスク処理光内の３３本の分割光における横断面方向の分布そのものを示している。なお、以下、図中上端、真ん中、下端に形成されている凹部１５０、１５１、１５２を、それぞれ上分割凹部１５０、中分割凹部１５１、下分割凹部１５２という。また、これら３つの分割凹部１５０〜１５２をまとめて「分割凹部群」という。
【００５４】
この図６から、アパーチャーマスク４の開口の第１列第１行目に対応する第１マスク処理光Ｌ１０１における３つのｙ分割光群の分布ピッチは異なっていることが分かる。つまり、上分割凹部１５０を加工したｙ分割光群と、中分割凹部１５１を加工したｙ分割光群との距離Ｌ１よりも、中分割凹部１５１を加工したｙ分割光群と、下分割凹部１５２を加工したｙ分割光群との距離Ｌ２の方が長くなっている。
【００５５】
このポリイミドフィルム１０２を顕微鏡で観察したところ、距離Ｌ１＝３２μｍ、距離Ｌ２＝５２μｍで、５（１０÷２）μｍもの中心ズレあることが確認された。
【００５６】
次に、図７に第１実験において第１７マスク処理光Ｌ１２（便宜上「Ｌ１１７」と表記する。）によってポリイミドフィルム１０２に加工された分割凹部群の拡大模式図を示している。なお、この第１７マスク処理光Ｌ１１７とは、アパーチャーマスク４に設けられた６６個の開口（２列×３３行）のうち、第１列第１７行目の開口（図４参照）によって形成されたマスク処理光である。
【００５７】
この図７から、第１７マスク処理光Ｌ１１７においては、各ｙ分割光群のｘ軸方向におけるピッチがそれぞれほぼ等しくなっていることが分かる。ポリイミドフィルム１０２を顕微鏡で観察したところ、距離Ｌ１＝４５μｍ、距離Ｌ２＝４８μｍで、その中心ズレは僅かに１．５（３／２）μｍであることが確認された。
【００５８】
同様に、図８には第１実験において第３３マスク処理光Ｌ１２（便宜上「Ｌ１３３」と表記する。）によってポリイミドフィルム１０２に加工された分割凹部群の拡大模式図を示している。この第３３マスク処理光Ｌ１３３とは、アパーチャーマスク４に設けられた６６個の開口（２列×３３行）のうち、第１列第３３行目の開口によって形成されたマスク処理光である。
【００５９】
この図８から、第３３マスク処理光Ｌ１３３においては、各ｙ分割光群のｘ軸方向におけるピッチが異なっており、第１マスク処理光Ｌ１０１とは逆寄りの分布になっていることが分かる。ポリイミドフィルム１０２を顕微鏡で観察したところ、距離Ｌ１＝５０μｍ、距離Ｌ２＝４０μｍで、５（１０／２）μｍもの中心ズレがあることが確認された。
【００６０】
次に、図５に示したスペーサ１０１を取り外し、ポリイミドフィルム１０２を固定台６に直接固定して、ポリイミドフィルム１０２にレーザー加工による凹部を形成し、その凹部を顕微鏡によって観察した。この結果、図９、図１０に示すように、断面形状が真円ではなく、いびつな形状になってしまう孔が多数発生していることが確認された。
【００６１】
このようないびつな形状は、特に、小さい行番号（例えば１行目）に対応するマスク処理光や、大きい行番号（例えば３３行目）に対応するマスク処理光で形成された凹部で確認された。これに対して、中間の１７行目あたりの行番号に対応するマスク処理光で形成された凹部は真円に近いものが多かった。
【００６２】
そこで、本発明者らは、アパーチャーマスク４の開口の１行目から３３行目に至るまで、できるだけｙ分割光群のピッチを等しくするような光学系の調整を行うために様々な試験を行い、試行錯誤の結果、図１に示したフィールドレンズ３を光軸Ｃの方向に移動させることで、このような調整が可能になることを見出した。
【００６３】
具体的には、フィールドレンズ３を、適切な絞りが可能になる位置よりも、アパーチヤーマスク４に近づけるように移動させることで、ｙ分割光群のピッチを均一化させることができた。このような調整を行った後、第１実験と同じ条件で第２実験の加工を行った。
【００６４】
この第２実験において、第１、第１７、第３３マスク処理光Ｌ１０１、Ｌ１１７、Ｌ１３３によってポリイミドフィルム１０２に加工された分割凹部群を、図１１、図１２、図１３に示している。
【００６５】
これを顕微鏡で観察したところ、第１マスク処理光Ｌ１０１による分割凹部群（図１１）では、距離Ｌ１、距離Ｌ２は、それぞれ３４μｍ、３４μｍであり、両者の差がゼロであることが、同様に、第１７マスク処理光Ｌ１１７による分割凹部群（図１２）では、距離Ｌ１、距離Ｌ２は、それぞれ３６μｍ、３５μｍであり、中心ズレは僅かに０．５（１／２）μｍであることが、さらに、第３３マスク処理光Ｌ１３３による分割凹部群（図１３）では、距離Ｌ１、距離Ｌ２は、それぞれ３７μｍ、３０μｍであり、中心ズレは僅かに３．５（７／２）μｍであることが、それぞれ確認された。
【００６６】
このような分割光成分の分布となる条件下で、ワーク１００を固定台６に直接固定し、ワーク面とマスク処理光の焦点とを一致させてレーザー加工を行ったところ、インク吐出孔の平断面形状の乱れが大幅に改善されることが確認された。
【００６７】
以上から、本発明の第１実施形態に係る光照射装置の調整方法においては、マスク処理光のマスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定する分散状態測定工程と、この測定結果に基づいて分割後集光レンズ（ここではフィールドレンズ３）を光軸Ｃ方向に移動させて位置調整するレンズ位置調整工程と行う。
【００６８】
ここで、分散状態測定工程においては、光照射対象物であるワーク１００と、固定台６との間にスペーサ１０１を介在させることにより、ワーク１００に対してマスク処理光Ｌ１２をその焦点よりも上流側で当てる。そして、これによってポリイミドフィルム１０２に分割凹部群を加工した後、ポリイミドフィルム１０２を固定台６から取り外して、顕微鏡にて各分割凹部の位置を観察することで、マスク処理光における各分割光成分の横断面方向分散状態を測定する。
【００６９】
なお、本発明者らの実験によれば、殆どの実験において、中分割凹部１５１は締麗な楕円状に形成されるが、その上下の上分割凹部１５０や下分割凹部１５２は、三日月に近い楕円形状となった。このような三日月に近い楕円形状では、その短径方向の中心位置を割り出し難い。このため、各分割凹部のピッチを計ることが困難である。
【００７０】
そこで、ピッチについては、図１４に示すように、中心が容易にわかる中分割凹部１５１の短径方向の中心から、上分割凹部１５０の短径方向外縁に至るまでの距離Ｌ３や、下分割凹部１５２の短径方向外縁に至るまでの距離Ｌ４を求めて、これをピッチとして把握すると良い。
【００７１】
また、フィールドレンズ３を光軸Ｃ方向に移動させて３つのｙ分割光群の間隔を等しくする例で説明したが、フィールドレンズ３の代わりに、各レンズアレイ（２３、２４、２５、２６）を光軸Ｃ方向に移動させても、同様の効果を得ることができる。
【００７２】
さらに、分散状態測定工程にて、マスク処理光をその焦点よりも上流側でポリイミドフィルム１０２に当てて分割凹部群を形成する例で説明したが、分割凹部の代わりに分割孔を形成しても良い。また、３列分割によってｙ分割光群が３つに分かれる例で説明したが、レンズアレイによってレーザー光を４分割以上にするレーザー加工装置の調整についても、同様に本発明を適用することができる。
【００７３】
また、レーザー光をレンズアレイによって１１行分割（ｙ軸方向の分割）にする場合に限らず、これよりも多くあるいは少なく行分割するレーザー加工装置の調整についても本発明を適用することができる。
【００７４】
このように、光照射対象物を固定する固定台と、光を発する光源と、この光源からの光軸に直交する平面上に並ぶ複数のレンズによって光を複数の分割光に分割するレンズ群と、分割光をそれぞれ集光する分割後集光レンズと、遮光部材に光通過用の開口が設けられたアパーチヤーマスクと、分割後集光レンズを通過してアパーチャーマスクの光入射面に互いに重ね合わさった複数の分割光の一部がアパーチャーマスクの開口を通過することによって得られるマスク処理光を集光するマスク処理後集光レンズとを備え、レンズ群による複数の分割光を含むマスク処理光を、マスク処理後集光レンズによって集光しながら固定台に固定される光照射対象物に当てる光照射装置において、マスク処理光のマスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定する分散状態測定工程と、この測定結果に基づいてマスク処理後集光レンズを光軸と直交する方向に移動させる位置調整をする位置調整工程とを実施することにより、光照射装置の固定台に固定される光照射対象物の光入射面におけるマスク処理光の形状を整えることができる。
【００７５】
つまり、上述したように、本発明者らは、光照射装置であるレーザー加工装置において、加工対象物をレーザー光の焦点よりも上流側で加工した。このレーザー加工装置は、レーザー光源から発せられるレーザー光をレンズ群たるレンズアレイによって３３本（３列×１１行）に分割する。そして、得られた３３本の分割光をアパーチャーマスクの光入射面に互いに重ね合わせた後、６６個のマスク開口に通過させて６６組のマスク処理光を得る。これら６６組のマスク処理光のそれぞれは、レンズアレイによって分割された３３本の分割光成分を含んでいる。
【００７６】
ここで、マスク処理光の焦点よりも光進行方向の上流側（以下「焦点上流位置」ともいう。）では、マスク処理光に含まれる３３本の分割光成分のそれぞれの中心が互いに微妙にずれており、各分割光成分がマスク処理光の横断面方向に散在した状態になっている。具体的には、焦点上流位置におけるマスク処理光は、互いに距離をおいて並ぶ３本の光束から構成される。これら３本の光束は、レンズアレイによる３列分割に由来するもので、それぞれ横断面形状が楕円状になっている。そして、互いに間隔をあけるように楕円の短径方向に沿って並んでいる。３本の光束の内部では、それぞれ、レンズアレイによる１１行分割に由来する１１本の分割光成分が互いに接するように楕円の長径方向に沿って並んでいる。
【００７７】
このような光構成になる焦点上流位置にて加工対象物を加工すると、１組のマスク処理光により、３つの楕円形状の凹部（これらをまとめて「分割凹部群」という。）が形成される。これに対し、焦点位置では、３本の光束内でそれぞれ１１本の分割光成分が互いに重なり合い、且つ３本の光束も互いに重なり合う。即ち、３３本の分割光成分が全て重なり合うため、１組のマスク処理光によって１つの凹部（又は孔）が加工される。ただし、この凹部の平面形状が真円にならずに、いびつな形状になってしまう。
【００７８】
本発明者らは、焦点上流位置で加工された加工対象物における上述の分割凹部群内の凹部配列ピッチと、焦点位置で加工された加工対象物における孔形状の乱れとの関係に着目した。その結果、焦点上流位置で加工された加工対象物における分割凹部組内の凹部配列ピッチが不均一になるほど、焦点位置で加工される加工対象物における凹部形状の乱れが大きくなることが判明した。また、試行錯誤の末に、レンズアレイ又は分割後集光レンズの何れか一方を光軸方向に移動させることで、加工対象物に形成される複数の分割凹部群におけるそれぞれの凹部配列ピッチをほぼ均一にし得ることを見出した。
【００７９】
そこで、焦点上流位置におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定し、その測定結果に基づいてレンズ群又は分割後集光レンズを光軸方向に移動させて位置調整することで、光照射装置の固定台に固定される光照射対象物の光入射面におけるマスク処理光の形状を整えることができる。
【００８０】
次に、本発明に係る光照射装置の調整方法の第２実施形態について説明する。なお、この第２実施形態に係る調整方法の調整対象となるレーザー加工装置の構成は、前記第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００８１】
図１５には前述した第２実験と同様の条件下でレーザー加工を行った第３実験において、第１７マスク処理光Ｌ１１７によってポリイミドフィルム１０２に加工された分割凹部群の拡大模式図を示している。
【００８２】
この図１５において、分割凹部群の周りに存在する黒い模様３０１は、デブリによって形成されたデブリ模様である。分割凹部群内における各分割凹部のピッチはほぼ等しくなっているが、デブリ模様の分布が分割凹部群の周りの図中右側に片寄っている。このような場合にも、焦点距離で加工されたワークにおける凹部（又は孔）形状を乱し易くなることが本発明者らの実験によって判明した。
【００８３】
そこで、本発明者らは、デブリ模様３０１の分布をできるだけ分割凹部群の凹部長径方向中心にバランスよく位置させ得る調整方法を見出すために様々な試験を行ってみた。試行錯誤の結果、図１に示したフィールドレンズ３を光軸Ｃに直交する方向であって、且つ図１５に示す分割凹部の長径方向（ｙ軸方向）に対応する方向に移動させることで、このような調整が可能になることを見出した。かかる調整を行った後、上述した第３実験と同じ条件で第４実験の加工を行った、
【００８４】
図１６にはこの第４実験において、第１７マスク処理光Ｌ１１７によってポリイミドフィルム１０２に加工された分割凹部群の模式拡大図を示している。この図１６から分かるように、第４実験の加工では、デブリ模様３０１の分布中心が分割凹部の長径方向中心にバランスよく位置している。
【００８５】
このような分割光成分の分布となる条件下で、ワーク１００を固定台６に直接固定し、ワーク面とマスク処理光Ｌ１２の焦点とを一致させてレーザー加工を行ったところ、第１７マスク処理光Ｌ１１７によるインク吐出孔の平断面形状を更に真円に近づけることができた。
【００８６】
また、本発明者らは、各分割凹部群間の凹部ピッチズレの凹部並び方向におけるバランスを整えることによって、焦点距離で加工されたワークにおける凹部（又は孔）形状の乱れが抑えられることを見出した。
【００８７】
具体的には、前述した図４に示すように、アパーチャーマスク４の第１列目の開口列は、３３個のマスク開口４ａから構成されており、これらマスク開口４ａによって３３個のマスク処理光（第１マスク処理光Ｌ１０１〜第３３マスク処理光Ｌ１３３）が形戎される（第２列目の開口列でも、同様にして３個本のマスク処理光が形成される）。
【００８８】
そして、これら３３個のマスク処理光は、それぞれ焦点よりも上流側で上、中、下の分割凹部からなる分割凹部群を形成する。即ち、第１列目の開口列による３３個のマスク処理光は、合計で３３個×３＝９９個の分割凹部を形成する。これら９９個の分割凹部は、開口列の列方向に一直線上に並ぶように形戎される。
【００８９】
このため、第１列目に対応するワーク加工領域では、第１マスク処理光による上分割凹部（１５０）が９９個の分割凹部の列の端に位置する。また、第３３マスク処理光による下分割凹部（１５２）がこれとは逆の端に位置する。
【００９０】
ここで、フィールドレンズ３をアパーチャーマスク４に近づけることにより、分割凹部群内の凹部配列ピッチを均一化し得ることは既に述べたとおりであるが、全ての分割凹部群において凹部配列ピッチを正確に均一にすることはできない。
【００９１】
つまり、通常は、列並びになっている複数のマスク処理光のうち、列中心から離れた位置にあるものほど、どうしてもｙ分割光群のピッチがずれてしまうからである。例えば、第１列目による３３個のマスク処理光においては、第１７マスク処理光Ｌ１１７が列中心に位置する。このような第１７マスク処理光Ｌ１１７では、ｙ分割光群のピッチが正確に均等になる。ところが、第１７マスク処理光Ｌ１１７よりも第１マスク処理光Ｌ１０１の側に位置するもの（第１〜第１６マスク処理光）では、それぞれ、ｙ分割光群の分布が外側に広がる傾向にある。このため、先に図６に示したように、外側の距離Ｌ２の方が内側の距離Ｌ１よりも大きくなる。距離Ｌ１と距離Ｌ２との差は、外側のマスク処理光ほど大きくなる。したがって、第１マスク処理光による分割凹部群では、どうしても１μｍ程度のピッチ中心ズレが生ずるのが通常である。
【００９２】
また、第１７マスク処理光Ｌ１１７よりも第３３マスク処理光Ｌ１３３の側に位置するマスク処理光（第１８〜第３３マスク処理光）でも、それぞれ、ｙ分割光群の分布が外側に広がる傾向にあり、先に図８に示したように、距離Ｌ１＞距離Ｌ２となる。そして、距離Ｌ１と距離Ｌ２との差は、外側のマスク処理光ほど大きくなる。したがって、第３３マスク処理光による分割光群でも、どうしても１μｍ程度のピッチ中心ズレが生ずるのが通常である。
【００９３】
本発明者らは、第１マスク処理光によるピッチ中心ズレと、第３３マスク処理光による逆方向のピッチ中心ズレとの差が大きくなるほど、焦点距離で加工されたワークにおける凹部（又は孔）形状が乱れ易くなることを見出した。かかる差を小さくするほど、即ち、各分割凹部群間の凹部ピッチズレの凹部並び方向におけるバランスを整えることにより、焦点距離で加工されたワークにおける凹部（又は孔）形状の乱れが抑えられるのである。  
【００９４】
さらに、本発明者らは、フィールドレンズ３を光軸Ｃに直交する方向であって、且つ、図１６に示すように、分割凹部の並び方向（ｘ軸方向）に対応する方向に移動させることによって、各分割凹部群の凹部ピッチズレの凹部並び方向におけるバランスを整え得ることを見出した。
【００９５】
具体的には、フィールドレンズ３をアパーチャーマスク４に近づけることによって各分割凹部群内の凹部配列ピッチの均一化を図った例を前述した図１１ないし図１３に示した。これらのうち、図１１は、第１マスク処理光による分割凹部群を示しており、ピッチ中心ズレがゼロになったのは既に述べたとおりである。しかしながら、通常であれば、第１マスク処理光による分割凹部群内では、１μｍ程度のピッチ中心ズレが生ずるはずである。他方、図１３は、第３３マスク処理光による分割凹部群を示しており、ピッチ中心ズレが３．５μｍになったのは、既に述べたとおりである。これは、通常の１μｍ程度よりも大きな値である。
【００９６】
つまり、図１１ないし図１３に示した例では、フィールドレンズ３をアパーチヤーマスク４に近づけることによって各分割凹部群内の凹部配列ピッチの均一化が図られているものの、各分割凹部群間の凹部ピッチズレの凹部並び方向におけるバランスが整っていないのである。
【００９７】
そこで、フィールドレンズ３を凹部の並び方向（ｘ軸方向）に対応する方向に移動させて位置調整を図ったところ、図１１に示した分割凹部群のピッチ中心ズレを１μｍ程度にすることができた（Ｌ１＜Ｌ２）。また、図１２に示した分割凹部群のピッチ中心ズレをゼロにすることができた。さらに、図１３に示した分割凹部群のピッチ中心ズレを１μｍ程度にすることができた（Ｌ１＞Ｌ２）。そして、焦点位置で加工したワークにおけるインク吐出孔の形状を更に真円に近づけることができた。
【００９８】
そこで、本第２実施形態に係る調整方法は、前述した第１実施形態と同様の分散状態測定工程を行った後、これによる測定結果に基づいて分割後集光レンズであるフィールドレンズ３を光軸Ｃと直交する方向に移動させて位置調整するレンズ位置調整工程とを行う。
【００９９】
なお、ここでは、フィールドレンズ３を光軸Ｃと直交する方向に移動させてデブリ模様の分布を凹部長径方向中心に寄せたり、各分割凹部群間の凹部ピッチズレの凹部並び方向におけるバランスを整えたりする例について説明したが、次のようにしても同様の効果を得ることができる。即ち、フィールドレンズ３の代わりに、各レンズアレイ（２３、２４、２５、２６）を光軸と直交する方向に移動させることによっても同様の作用効果を得ることができる。
【０１００】
このように、光照射対象物を固定する固定台と、光を発する光源と、この光源からの光軸に直交する平面上に並ぶ複数のレンズによって光を複数の分割光に分割するレンズ群と、分割光をそれぞれ集光する分割後集光レンズと、遮光部材に光通過用の開口が設けられたアパーチヤーマスクと、分割後集光レンズを通過してアパーチャーマスクの光入射面に互いに重ね合わさった複数の分割光の一部がアパーチャーマスクの開口を通過することによって得られるマスク処理光を集光するマスク処理後集光レンズとを備え、レンズ群による複数の分割光を含むマスク処理光を、マスク処理後集光レンズによって集光しながら固定台に固定される光照射対象物に当てる光照射装置を調整する光照射装置において、マスク処理光のマスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定する分散状態測定工程と、この測定結果に基づいてレンズ群又は分割後集光レンズを光軸と直交する方向に移動させる位置調整をするレンズ位置調整工程とを行うことにより、光照射装置の固定台に固定される光照射対象物の光入射面におけるマスク処理光の形状を整えることができる。
【０１０１】
つまり、上述したように、本発明者らは、光照射対象物のレーザー照射部位から放出される微小粒子（いわゆるデブリ）によって上述の分割凹部群の周囲に形成される模様（デブリ模様）の分布と、焦点位置で加工された加工対象物における凹部形状の乱れとの関係に着目した。その結果、分割凹部群の周囲に形成されるデブリ模様の分布が、分割凹部群の周囲の一部に片寄るほど、焦点位置で加工された加工対象物における凹部形状の乱れが大きくなることが判明した。
【０１０２】
また、試行錯誤の末に、レンズアレイ又は分割後集光レンズの何れか一方を、光軸に直交する方向であって、且つ上述の分割凹部群の凹部長径方向に対応する方向に移動させることで、焦点位置よりも上流側で加工された加工対象物の複数の分割凹部群の周囲に形成されるデブリ模様のバランスを均等にし得ることを見出した。
【０１０３】
さらに、本発明者らは、各分割凹部群間の凹部ピッチズレの凹部並び方向におけるバランスと、焦点位置で加工された加工対象物における凹部形状の乱れとの関係に着目した。その結果、このバランスが悪くなるほど、焦点位置で加工された加工対象物における凹部形状の乱れが大きくなることが判明した。
【０１０４】
また、試行錯誤の末に、レンズアレイ又は分割後集光レンズの何れか一方を、光軸に直交する方向であって、且つ上述の分割凹部群の凹部並び方向に対応する方向に移動させることで、このバランスを整え得ることが分かった。
【０１０５】
そこで、焦点上流位置におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定し、その結果に基づいてレンズ群又は分割後集光レンズを光軸と直交する方向に移動させて位置調整することで、光照射装置の固定台に固定される光照射対象物の光入射面におけるマスク処理光の形状を整えることができるのである。
【０１０６】
次に、本発明に係る調整方法の第３実施形態について説明する。なお、この第３実施形態に係る調整方法の調整対象となるレーザー加工装置の構成も、前述した第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【０１０７】
図１７には前述した第２実験と同様の条件下でレーザー加工を行った第５実験において、第１７マスク処理光Ｌ１１７によってポリイミドフィルム１０２に加工された分割凹部群の拡大模式図を示している。
【０１０８】
この図１７から分かるように、各分割凹部内には、中分割凹部１５１内から同心円上に広がる波紋状の模様が形成されている。この波紋状の模様は、分割凹部内にだけ形成され、凹部間には形成されない。このような波紋状の模様が形成される理由は定かでない。
【０１０９】
ここで、波紋状の模様の中心は、中分割凹部１５１の楕円長径方向の中心よりもやや左側に寄っている。本発明者らは、本来であれば、各分割凹部が波紋状の模様の中心を境にして左右均等の大きさに形成されるはずなのに、中心よりも図中左側が本来よりも小さく形成されているために、模様の中心が左側に寄っているように見えていることを鋭意研究によって見出した。また、各分割凹部がこのように左右均等の大きさに形成されていない場合に、焦点位置で加工されたワークの凹部（又は孔）形状を乱し易くなることも見出した。
【０１１０】
そこで、本発明者らは、波紋状の模様の中心を境にして、各分割凹部をできるだけ左右均等の大きさに形成し得る調整方法を見出すために様々な試験を行った。試行錯誤の結果、図１に示した結像レンズ５を光軸Ｃに直交する方向であって、且つ図１６に示す分割凹部の長径方向（ｙ軸方向）に対応する方向に移動させることで、このような調整が可能になることを見出した。
【０１１１】
かかる調整を行った後、第５実験と同じ条件で加工を行った第６実験において、第１７マスク処理光Ｌ１１７によってポリイミドフィルム１０２に加工された分割凹部群を図１８に示している。この図１８から分かるように、３つの分割凹部が、それぞれ、波紋状の模様の中心を境にして、左右均等な大きさに形成されている。
【０１１２】
このような分割光成分の分布となる条件下で、ポリイミドフィルム１０２を固定台６に直接固定し、フイルム面とマスク処理光の焦点とを一致させてレーザー加工を行ったところ、第１７マスク処理光Ｌ１１７によるインク吐出孔の平断面形状を更に真円に近づけることができた。
【０１１３】
前述した第２実施形態で説明したように、フィールドレンズ３を光軸Ｃに直交する方向であって、且つ、分割凹部の並び方向（ｘ軸方向）に対応する方向に移動させると、各分割凹部群の凹部ピッチズレの凹部並び方向におけるバランスを整えることができる。本発明者らは、結像レンズ５についても、かかる方向に移動させることで、各分割凹部の凹部ピッチズレの凹部並び方向におけるバランスを整え得ることを見出した。
【０１１４】
そこで、第３実施形態に係る調整方法においては、前述した第１実施形態と同様の分散距駄測定工程を行った後、これによる測定結果に基づいてマスク処理後集光レンズである結像レンズ５を光軸Ｃと直交する方向に移動させて位置調整するレンズ位置調整工程とを行う。
【０１１５】
このように、光照射対象物を固定する固定台と、光を発する光源と、この光源からの光軸に直交する平面上に並ぶ複数のレンズによって光を複数の分割光に分割するレンズ群と、分割光をそれぞれ集光する分割後集光レンズと、遮光部材に光通過用の開口が設けられたアパーチヤーマスクと、分割後集光レンズを通過してアパーチャーマスクの光入射面に互いに重ね合わさった複数の分割光の一部がアパーチャーマスクの開口を通過することによって得られるマスク処理光を集光するマスク処理後集光レンズとを備え、レンズ群による複数の分割光を含むマスク処理光を、マスク処理後集光レンズによって集光しながら固定台に固定される光照射対象物に当てる光照射装置を調整する光照射装置において、マスク処理光のマスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定する分散状態測定工程と、この測定結果に基づいてマスク処理後集光レンズを光軸と直交する方向に移動させる位置調整をするレンズ位置調整工程とを行うことにより、光照射装置の固定台に固定される光照射対象物の光入射面におけるマスク処理光の形状を整えることができる。
【０１１６】
つまり、前述した分割凹部内には、原因は不明であるが波紋状の模様が形成される。この湖に石を投下した際に同心円上に広がるように湖面に形成される波模様と同様の模様が、３つの分割凹部のうち、真ん中の分割凹部を中心にして形成されるのである。
【０１１７】
本発明者らは、この波紋状の模様の中心を境にした分割凹部の左右大きさバランスと、焦点位置で加工された加工対象物における凹部形状の乱れとの関係に着目した。その結果、左右大きさバランスが悪くなるほど、焦点位置で加工される加工対象物における凹部形状の乱れが大きくなることが判明した。
【０１１８】
また、試行錯誤の末に、マスク処理後集光レンズを、光軸に直交する方向であって、且つ分割凹部群の凹部長径方向に対応する方向に移動させることで、左右大きさバランスを整え得ることを見出した。
【０１１９】
さらには、レンズアレイ又は分割後集光レンズの何れか一方を、光軸に直交する方向であって、且つ分割凹部群の凹部並び方向に対応する方向に移動させることで、各分割凹部群間の凹部ピッチズレの凹部並び方向におけるバランスを整え得ることは既に述べたとおりであるが、マスク処理後集光レンズを同様の方向に移動させることによっても、かかるバランスを整え得ることを見出した。
【０１２０】
そこで、焦点上流位置におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定し、その結果に基づいてマスク処理後レンズを光軸と直交する方向に移動させて位置調整することで、光照射装置の固定台に固定される光照射対象物の光入射面におけるマスク処理光の形状を整えることができるのである。
【０１２１】
以上の第１ないし第３実施形態において、上記分散状態測定工程において、光照射対象物に対して焦点よりも上流側でマスク処理光を当てて、横断面方向分散状態を測定することにより、マスク処理光をその焦点よりも上流で当てた光照射対象物の光入射面における光形状を観察するか、あるいはその光照射対象物に生じた変性痕を観察するかして、マスク処理光の焦点上流位置における分割光成分の横断面方向分散状態を測定することが可能である。
【０１２２】
このような測定では、マスク処理光を焦点上流位置でピックアップして撮影手段に入射せしめるといった複雑なセンシング機構を設けなくても、分割光成分の横断面方向分散状態を測定することができる。なお、「変性痕」とは、凹部や孔などの破壊痕の他、色変化の痕や、化学的変化の痕などをも含む概念である。光照射後の視認可能な痕だけでなく、試薬等との反応によって初めて視認可能になる痕も含まれる。
【０１２３】
つまり、分散状態測定工程において、光照射対象物として、マスク処理光の照射によって変性又は破壊されるものを使用し、マスク処理光を照射した後の光照射対象物の変性痕に基づいて、横断面方向分散状態を測定することで、光照射対象物の光入射面におけるマスク処理光の照射スポット像を撮影手段によって撮影しなくても、上記横断面方向分散状態を測定することができる。
【０１２４】
この場合、光照射装置の固定台と光照射対象物との間にスペーサを介在させることで、固定台をマスク処理光の光軸方向に移動させたり、マスク処理光の焦点が固定台よりも下流側になるように光源からマスク処理後集光レンズに至るまでの光学系を調整したりすることなく、マスク処理光をその焦点上流位置で光照射対象物に当てることができる。
【０１２５】
次に、第１、第２、第３実施形態の調整方法の何れかを用いる各変形例を第４ないし第７実施形態として説明する。
【０１２６】
先ず、第４実施形態について図１９を参照して説明する。図１９は同実施形態に係る調整方法の調整対象となるレーザー加工装置の固定台部分の要部拡大説明図である。このレーザー加工装置は、固定台６を鉛直方向（矢示方向）に上下移動させる、つまり、固定台６をマスク処理光Ｌ１２の光軸方向に移動させる固定台移動機構を備えている。
【０１２７】
これによって、固定台６を上下移動させることで、実験用ワークであるポリイミドフィルム１０２を結像レンズ５に対して近づけたり遠ざけたりすることができる。そして、固定台６上に直接固定したポリイミドフィルム１０２の光入射面と、マスク処理光の焦点とを一致させる位置よりも、固定台６を結像レンズ５に近づけることで、ポリイミドフィルム１０２に対して焦点よりも上流側でマスク処理光を当てることができる。
【０１２８】
分散状態測定工程にて、このようにしてポリイミドフィルム１０２に形成した分割凹部群を顕微鏡で観察することで、結像レンズ５による焦点よりも上流側におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を測定する。
【０１２９】
このような調整方法によれば、ポリイミドフィルム１０２と固定台６との間にスペーサ部材を介在させてポリイミドフィルム１０２を固定するといった手間のかかる作業を行わなくても、上記横断面方向分散状態を測定することができる。
【０１３０】
つまり、マスク処理光の光軸方向に移動可能な固定台を用いて、この固定台を光軸方向に移動させて、光照射対象物に対して焦点よりも上流側でマスク処理光を当て、横断面方向分散状態を測定することにより、固定台をマスク処理光の光軸方向に移動させることで、固定台と光照射対象物との間にスペーサを介在させたり、マスク処理光の焦点が固定台よりも下流側になるように光源からマスク処理後集光レンズに至るまでの光学系を調整したりすることなく、マスク処理光をその焦点上流位置で光照射対象物に当てることができる。
【０１３１】
次に、第５実施形態について図２０を参照して説明する。図２０は同実施形態に係る調整方法の調整対象となるレーザー加工装置の部分構成を拡大して示す拡大構成図である。
【０１３２】
このレーザー加工装置は、アパーチャーマスク４と結像レンズ５との間で、レーザー光の光路を約９０°偏向させるマスク下流第１反射ミラー７と、マスク下流第２反射ミラー８とを構えている。
【０１３３】
アパーチヤーマスク４を通過した６６個のマスク処理光は、鉛直方向上側から下側に向けて進むが、マスク下流第１反射ミラー７によって進行方向が約９０°偏向され、ほぼ水平方向に進行するようになる。次いで、マスク下流第２反射ミラー８によって更に進行方向が約９０°偏向されて、再び鉛直方向上側から下側に向けて進むようになる。その後、結像レンズ５を経由した後、固定台６に固定されたポリイミドフィルム１０２に到達する。
【０１３４】
レーザー加工装置は、様々な厚みのワークが固定台６に固定されても、その光入射面にマスク処理光の焦点を合わせ得るように、光学系の設定によって焦点距離を変化させることができる。したがって、ポリイミドフィルム１０２と固定台６との間にスペーサ一部材を介在させたり、固定台６を上下移動させたりしなくても、焦点距離を変えればマスク処理光を焦点よりも上流側でポリイミドフィルム１０２に当てることができる。
【０１３５】
しかしながら、マスク処理光内の横断面方向における各分割光の分散状態は、光学系の倍率によって変化する。単純に焦点距離を変化させるだけでは、光学系の倍率も変化させてしまうため、ワーク加工時の分散状態を正確に測定することはできない。なお、光学系の倍率とは、アパーチヤーマスク４の厚み中心（光路方向中心）から結像レンズ５の厚み中心に至るまでの距離ｂと、結像レンズ５の厚み中心からワークの光入射面に至るまでの距離ａとの比であり、ｂ／ａとして求められるものである。
【０１３６】
この第５実施形態に係る調整方法においては、焦点距離を変化させるとともに、光学系の倍率をワーク加工時と等しくするように、光学系を調整して分散状態測定工程を実施する。
【０１３７】
具体的には、図２０に示すように、固定台６のポリイミドフィルム１０２の光入射面と、マスク処理光の焦点Ｅとがちょうど一致するように光学系が設定されている。この状態から、結像レンズ５を図中下方に移動させてポリイミドフィルム１０２に近づければ、図２１に示すように、マスク処理光の焦点Ｅを、ポリイミドフィルム１０２の光入射面よりも下流側に位置させることができる。しかし、距離ａがより短くなるので、このままでは、図２０に示した状態とは光学系の倍率が異なってしまう。
【０１３８】
そこで、図２２に示すように、距離ａを縮めた分だけ、距離ｂも縮めて、光学系の倍率を図２０に示した状態と同じにする。具体的には、レーザー加工装置は、マスク下流第２反射ミラー８よりも上流側にある各機器を固定したまま、マスク下流第２反射ミラー８、結像レンズ５及び固定台６だけを図中水平方向に移動させることができる。この移動により、距離ｂを距離ａとは独立に変化させることができる。
【０１３９】
そして、マスク下流第２反射ミラー８等をマスク下流第１反射ミラー７に近づけることで、距離ｂを図２０の状態よりも縮めて、倍率を同じに設定することができる。即ち、両距離の比を変えることなくマスク処理光の焦点Ｅを固定台６に固定されるポリイミドフィルム１０２の光入射面よりも下流側にするように両距離をそれぞれ設定することができる。
【０１４０】
このようにして、焦点距離を本来の加工時よりも延ばしつつ、倍率を変化させないように光学系を設定することで、マスク処理光の焦点Ｅよりも上流側における横断面方向の分割光成分の分散状態を、本加工時と同じにして測定することができる。
【０１４１】
このような第５実施形態に係る調整方法においても、ポリイミドフィルム１０２と固定台６との間にスペーサ部材を介在させてポリイミドフィルム１０２を固定するといった手間のかかる作業を行わなくても、上記横断面方向分散状態を測定することができる。
【０１４２】
このように、光照射装置は、アパーチャーマスクからマスク処理後集光レンズに至るまでの距離と、マスク処理後集光レンズから固定台に至るまでの距離とをそれぞれ個別的に変更可能であって、２つの距離の比を変えることなくマスク処理光の焦点を固定台に固定される光照射対象物の光入射面よりも下流側にするように２つの距離をそれぞれ設定した条件下で、光照射対象物に対して焦点よりも上流側でマスク処理光を当て、横断面方向分散状態を測定することにより、マスク処理光の焦点を固定台に固定される光照射対象物の光入射面よりも下流側にすることで、固定台と光照射対象物との間にスペーサを介在させたり、固定台をマスク処理光の光軸方向に移動させたりすることなく、マスク処理光をその焦点上流位置で光照射対象物に当てることができる。
【０１４３】
次に、第６実施形態に係る調整方法について図２３を参照して説明する。図２３は同実施形態に係る調整方法の調整対象となるレーザー加工装置の部分構成を拡大して示す拡大構成図である。
【０１４４】
このレーザー加工装置は、前述した図２０に示したものとほぼ同様の構成になっているが、マスク下流第２反射ミラーの代わりに、ハーフミラー９を用いている。
【０１４５】
固定台５には、エキシマレーザー光によって加工されない材料からなる被検フイルム１０３が固定されている。ハーフミラー９の上方には、撮影手段であるＣＣカメラ２００が配設されており、ハーフミラー９と、結像レンズ５とを通して、被検フイルム１０３の光照射面を撮影する。
【０１４６】
ハーフミラー９としては、撮影手段であるＣＣＤカメラ２００からの可視光を透過しつつ、マスク下流第１反射ミラー７からの波長２４８ｎｍのレーザー光を反射させるという特性を発揮させるために、誘電体多層膜からなるものを用いることが好ましい。このハーフミラー９と、ＣＣＤカメラ２００とを設けることで、本発明に係る光照射装置を容易に構成することができる。
【０１４７】
そして、この第６実施形態においては、分散状態測定工程として、前述した各実施形態で説明したスペーサ部材、固定台６の上下移動、倍率固定した上での焦点距離延長による何れかの方法により、マスク処理光をその焦点よりも上流側で被検フイルム１０３に照射する。そして、この照射によって被検フイルム１０３の面に形成される光スポット像を、ＣＣＤカメラ２００によって撮影する。撮影像を拡大して図示しないモニタ画面に映し出して観察することで、マスク処理光の焦点よりも上流側における各分割光成分の横断面方向分散状態を測定することができる。その後、必要に応じて、フィールドレンズ３や結像レンズ５の位置調整を行った後、再び光スポット像を撮影するという作業を繰り返すことで、凹部（又は孔）形状の乱れを最小限に抑え得る最適な設定条件を容易に見出すことができる。
【０１４８】
このように第６実施形態に係る調整方法においては、ポリイミドフィルム１０２を何度も取り替えてはそれをレーザー加工するといった手間のかかる作業を行うことなく、最適な設定条件を容易に探り出すことができる。ただし、デブリ模様や、波紋状の模様を観察することができないので、それらの観察に基づく光学系の調整を行うことはできない。
【０１４９】
このように、光照射対象物の光入射面におけるマスク処理光の照射スポット像を撮影手段によって撮影して得られた撮影像に基づいて横断面方向分散状態を測定することにより、マスク処理光を焦点位置上流位置で光照射対象物に当てながら横断面方向分散状態を測定することができ、光照射対象物を固定台に何度もセットし直すといった面倒な作業を行うことなく、横断面方向分散状態の測定と測定結果に基づくレンズ位置調整とを繰り返して行うことができる。
【０１５０】
次に、第７実施形態に係る調整方法について図２４を参照して説明する。なお、図２４同調整方法における分散状態測定工程の説明に供する模式図である。
【０１５１】
この第７実施形態においては、まず、固定台６に固定されたワークの光入射面にマスク処理光の焦点を合致させるように、レーザー加工装置の光学系を設定する。次に、第５実施形態と同様にして、マスク処理光の焦点距離を延ばしつつ、光学系の倍率を変化させないように、各種光学系の設定を行う。ただし、焦点距離については、後述の計測用カメラに対し、焦点よりも上流側のマスク処理光を検知させるように、第５実施形態よりも大幅に延ばす。
【０１５２】
そして、このようにして焦点距離を延ばしたら、次に、図２４に示すように、結像レンズ５から固定台６に至るまでの光路の途中に、ハーフミラー２０１を配設する。そして、このハーフミラー２０１による反射光の光路上に、フィルタ装置２０２と計測用カメラ２０３とを配設する。このフィルタ装置２０２は、計測用カメラ２０３をエキシマレーザー光によって破壊しないように、マスク処理光の分割光分布を変化させることなく強度を低減する。このようにして強度が低減されたマスク処理光が、その焦点よりも上流側で測定用カメラ２０３によって検知される。
【０１５３】
測定用カメラ２０３によるマスク処理光の横断面映像の撮影結果は、デジタルデータとして、図示しない解析手段であるパーソナルコンピュータに送られる。このパーソナルコンピュータには、マスク処理光の横断面映像の撮影結果に基づいて、上述した３つのｙ分割光群のピッチや傾きを自動で解析するソフトウエア（プログラム）がインストールされている。このソフトウエアによる解析結果に基づいて、フィールドレンズ３や結像レンズ５を位置調整することで、最適な設定条件を容易に探り出すことができる。ただし、第６実施形態と同様の理由により、デブリ模様や、波紋状の模様の観察に基づく光学系の調整を行うことばできない。
【０１５４】
このように第７実施形態に係る調整方法によれば、ポリイミドフィルム１０２を何度も取り替えてはそれをレーザー加工するといった手間のかかる作業を行うことなく、最適な設定条件を容易に探り出すことができる。さらに、３つのｙ分割光群のピッチや傾きを手作業で計算するといった手間を省略することができる。
【０１５５】
なお、このような解析を行い得るハードウエアとしては、浜松ホトニクス社製のレーザビームプロファイラＬＥＰＡＳ−１１（商品名）などが挙げられる。また、コンピュータによってｙ分割光群のピッチを解析する方法としては、周知の方法によって求めた各ｙ分割光群（分割凹部群）の重心に基づいて解析する方法が挙げられる。重心については、撮影像と同じ面積で、且つ慣性モーメントが等しい楕円を想定し、撮影像の長さ、幅、傾き、縦横比等に基づいて計算することができる。
【０１５６】
また、固定台６に固定されたワークを本加工する際には、図に示したハーフミラー２０１を撤去することは言うまでもない。
【０１５７】
また、図示のような扁平状のハーフミラー２０１を用いると、ハーフミラー２０１の表面で反射しないでハーフミラー２０１の内部に進入したレーザー光の一部を、ハーフミラー２０１の裏面で反射させる場合がある。そして、その反射光を、ゴースト光として測定用カメラ２０３に検知させてしまうことがある。このような場合には、ハーフミラー２０１として、裏面での反射角度を、ゴースト光として測定用カメラに検知させないような角度にするような形状のものを用いるとよい。例えば、図２５や図２６に示すような形状のものを用いる。
【０１５８】
なお、スライド移動機構などといった周知の移動手段により、ハーフミラー２０１を図に示した位置、即ち、マスク処理光の光路に進入する位置に移動させたり、そこから待避させたりするように移動させるようにすれば、本発明に係る光照射装置を容易に構成することができる。
【０１５９】
このように、マスク処理光を焦点よりも上流側で撮影する撮影手段の撮影データに基づいて横断面方向分散状態を解析手段で解析する構成とすることにより、横断面方向分散状態をコンピュータによって自動解析することができ、光照射対象物の光入射面における光形状を観察したり、光照射対象物に形成された変性痕を観察したりといった面倒な作業を行うことなく、横断面方向分散状態を測定することができる。
【０１６０】
この場合、マスク処理光の強度を弱めるフィルタ手段を、マスク処理光の光路における撮影手段よりも上流側に配設する構成とすることにより、マスク処理光をフィルタに通してその強度を弱めてから撮影手段に入射せしめることができ、マスク処理光をそのままの強度で入射せしめることによる撮影手段の破損を回避することができる。
【０１６１】
また、光照射装置として、アパーチャーマスクからマスク処理後集光レンズに至るまでの距離と、マスク処理後集光レンズから固定台に至るまでの距離とをそれぞれ個別的に変更可能なものを用いて、２つの距離の比を変えることなくマスク処理光の焦点を固定台に固定される光照射対象物の光入射面よりも下流側にするように２つの距離をそれぞれ設定した条件下で、マスク処理後集光レンズと固定台との間に光反射手段を配設し、この光反射手段による反射光を撮影手段で撮影させる構成とすることにより、固定台に固定された光照射対象物にマスク処理光を当てながらレーザー加工などといった光照射による本来の処理を行う場合に比べて、マスク処理光の焦点距離を延長し、ハーフミラー等の光反射手段によってそのマスク処理光をマスク処理後集光レンズと固定台との間でピックアップすることができ、マスク処理後集光レンズと固定台との間に、カメラ等の撮影手段やフィルタを配設するだけのスペースがない場合であっても、マスク処理光をその焦点よりも上流側で撮影手段に入射させることができる。
【０１６２】
また、上述したように、光照射対象物を固定する固定台と、光を発する光源と、この光源からの光軸に直交する平面上に並ぶ複数のレンズによって光を複数の分割光に分割するレンズ群と、分割光をそれぞれ集光する分割後集光レンズと、遮光部材に光通過用の開口が設けられたアパーチヤーマスクと、分割後集光レンズを通過してアパーチャーマスクの光入射面に互いに重ね合わさった複数の分割光の一部がアパーチャーマスクの開口を通過することによって得られるマスク処理光を集光するマスク処理後集光レンズとを備え、レンズ群による複数の分割光を含むマスク処理光を、マスク処理後集光レンズによって集光しながら固定台に固定される光照射対象物に当てる光照射装置を調整する光照射装置において、マスク処理光をマスク処理後集光レンズによる焦点よりも上流側で撮影する撮影手段と、撮影手段による撮影データに基づいて焦点よりも上流側におけるマスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態を解析する解析手段とを備えることによって、マスク処理光の分割光成分の横断面方向分散状態をコンピュータによって解析し、解析結果に基づいてレンズ群、分割後集光レンズ又はマスク処理後集光レンズを位置調整することで、固定台に固定される光照射対象物の光入射面におけるマスク処理光の形状を整えることができる。
【０１６３】
この場合、マスク処理光の強度を、マスク処理光の光路における撮影手段よりも上流側で弱めるフィルタ手段が設けられていることで、前述したように、マスク処理光をフィルタに通してその強度を弱めてから撮影手段に入射せしめることができ、マスク処理光をそのままの強度で入射せしめることによる撮影手段の破損を回避することができる。
【０１６４】
また、アパーチャーマスクからマスク処理後集光レンズに至るまでの距離と、マスク処理後集光レンズから固定台に至るまでの距離とをそれぞれ個別的に変更する距離変更手段と、マスク処理後集光レンズと固定台との間でマスク処理光を撮影手段に向けて反射させる光反射手段と、この光反射手段をマスク処理光の光路に進入させ、光路から退避させるように移動させる移動手段とを設けることにより、固定台に固定された光照射対象物にマスク処理光を当てながらレーザー加工などといった光照射による本来の処理を行う場合に比べて、マスク処理光の焦点距離を延長し、ハーフミラー等の光反射手段によってそのマスク処理光をマスク処理後集光レンズと固定台との間でピックアップすることができ、マスク処理後集光レンズと固定台との間に、カメラ等の撮影手段やフィルタを配設するだけのスペースがない場合であっても、マスク処理光をその焦点よりも上流側で撮影手段に入射させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る調整方法の調整対象となるレーザー加工装置を示す概略構成図である。
【図２】同レーザー加工装置のホモジェナイザーを拡大して示す拡大構成図である。
【図３】同ホモジュナイザ一における４枚のレンズアレイを示す斜視説明図である。
【図４】同レーザー加工装置のアパーチャーマスクを示す平面模式説明図である。
【図５】同調整方法の分散状態測定工程の説明に供する説明図である。
【図６】第１実験で第１マスク処理光によってポリイミドフィルムに加工された分割凹部群を示す拡大模式図である。
【図７】同第１実験で第１７マスク処理光によってポリイミドフィルムに加工された分割凹部群を示す拡大模式図である。
【図８】同第１実験で第３３マスク処理光によってポリイミドフィルムに加工された分割凹部群を示す拡大模式図である。
【図９】固定位置をマスク処理光の焦点に合わせたポリイミドフィルムに加工された分割凹部群の第１例を示す拡大模式図である。
【図１０】固定位置をマスク処理光の焦点に合わせたポリイミドフィルムに加工された分割凹部群の第２例を示す拡大模式図である。
【図１１】第２実験で第１マスク処理光によってポリイミドフィルムに加工された分割凹部群を示す拡大模式図である。
【図１２】同第２実験で第１７マスク処理光によってポリイミドフィルムに加工された分割凹部群を示す拡大模式図である。
【図１３】同第２実験において第３３マスク処理光によってポリイミドフィルムに加工された分割凹部群を示す拡大模式図である。
【図１４】分割凹部のピッチを簡易に測定する方法を説明するための拡大模式図である。
【図１５】本発明の第２実施形態に係る調整方法における第３実験で第１７マスク処理光によってポリイミドフィルムに加工された分割凹部群を示す拡大模式図である。
【図１６】同じく第４実験で第１７マスク処理光によってポリイミドフィルムに加工された分割凹部群を示す拡大模式図である。
【図１７】本発明の第３実施形態に係る調整方法における第５実験で第１７マスク処理光によってポリイミドフィルムに加工された分割凹部群を示す拡大模式図である。
【図１８】第６実験で第１７マスク処理光によってポリイミドフィルムに加工された分割凹部群を示す拡大模式図である。
【図１９】本発明の第４実施形態に係る調整方法の調整対象となるレーザー加工装置の固定台部分の拡大構成図である。
【図２０】本発明の第５実施形態に係る調整方法の調整対象となるレーザー加工装置の部分構成を拡大して示す拡大構成図である。
【図２１】同調整方法において、マスク処理光の焦点をポリイミドフィルムの光入射面よりも下流側に位置させた状態を示す模式図である。
【図２２】同装置調整方法において、図１９に示した構成と同じ倍率に光学系を設定した状態を示す模式図である。
【図２３】本発明の第６実施形態に係る調整方法の調整対象となるレーザー加工装置の部分構成を拡大して示す拡大構成図である。
【図２４】同調整方法の分散状態測定工程の説明に供する模式図である。
【図２５】本発明の第７実施形態に係る調整方法においてゴースト光を測定用カメラに検知させないハーフミラー形状の一例を示す模式図である。
【図２６】同じくゴースト光を測定用カメラに検知させないハーフミラー形状の他の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１６６】
１…レーザー発振器（光源）
２…ホモジェナイザー
３…フィールドレンズ（分割後集光レンズ）
４…アパーチャーマスク
５…結像レンズ（マスク処理後集光レンズ）
６…固定台
９…ハーフミラー
２１…第１レンズアレイ対
２２…第２レンズアレイ対
２３…ｙ軸分割レンズアレイ
２４…ｘ軸分割レンズアレイ
２５…ｙ軸分割レンズアレイ
２６…ｘ軸分割レンズアレイ
２７…分散抑制用集光レンズ
１００…ワーク（光照射対象物）
１０１…スペーサ（スペーサ部材）
１０２…ポリイミドフィルム（光照射対象物）
２０２…フィルタ装置（フィルタ手段）
２０３…計測用カメラ（撮影手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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