(57)【要約】【課題】薄型・小型で信頼性に優れた容量内蔵型圧電共振子を提供する。【解決手段】圧電基板の両主面に対向する一対の振動電極を被着させ、対向領域を囲繞する枠体を介して一対の封止基板を取着させ、その一方に静電容量を形成した圧電共振子であって、封止基板の一方が２００〜５０００の比誘電率を有したセラミック材料であり、他方が樹脂材料から成る圧電共振子とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の両主面に、該圧電基板を介して一部が対向するように配置される一対の振動電極を被着させるとともに、該振動電極の対向領域を囲繞する枠体を介して一対の封止基板を取着させ、これら封止基板の一方に前記振動電極と電気的に接続される静電容量を形成してなる圧電共振子であって、
前記一対の封止基板は、その一方が２００〜５０００の比誘電率を有したセラミック材料から成り、他方が樹脂材料から成ることを特徴とする圧電共振子。
【請求項２】
前記圧電基板に対して一方の封止基板側で、該一方の封止基板と前記枠体との間に樹脂層が介在されていることを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載の圧電共振子。
【請求項３】
前記他方の封止基板と前記樹脂層とが同一材料から成り、且つ、略等しい厚みに設定されていることを特徴とする請求項２に記載の圧電共振子。
【請求項４】
前記他方の封止基板の内部にガラス繊維が埋設されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の圧電共振子。
【請求項５】
前記他方の封止基板に使用される樹脂材料と前記枠体とが同系の樹脂材料から成ることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の圧電共振子。
【請求項６】
前記一対の封止基板のうち他方の封止基板側が実装面とされていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の圧電共振子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧電共振子、特に発振回路やフィルタ回路などに用いられる、静電容量を内蔵したタイプの圧電共振子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の容量内蔵型圧電共振子としては、例えば図８に示す構造のものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図８（ａ）は、上下面の中央部に振動電極１０２を有する圧電基板１０１の上下面に、圧電基板１０１の振動電極１０２と対向する位置に振動空間形成用の凹部１０５を有するコンデンサ基板１０３を封止材１０４で接合することにより、圧電基板１０１とコンデンサ基板１０３との間に密閉した振動空間を形成して成る容量内蔵型圧電共振子の断面図である。
【０００４】
この構造は、振動空間の面積および高さがコンデンサ基板１０３の凹部１０５の面積および深さによりあらかじめ決定されており、また、封止材１０４の厚みを薄くすることができる。よって、振動電極１０２と封止材１０４及びコンデンサ基板１０３との距離を保つことができるため、振動電極１０２への接触による振動のダンピングを有効に防止でき、信頼性に優れるという特徴を有する。
【０００５】
また、図８（ｂ）は、上下面の中央部に振動電極１０２を有する圧電基板１０１の上下面に、振動電極１０２を取り囲む封止材１０４を介して、密閉した振動空間を形成するように平板状のコンデンサ基板１０３を接合して成る容量内蔵型圧電共振子の断面図である。
【０００６】
この構造は、未硬化の封止材１０４を圧電基板１０１の上下面に振動電極１０２の振動領域を取り囲むように塗布し、その後その上にコンデンサ基板１０３を載置し、しかる後に封止材１０４を硬化させることにより製作される。この構造の製品は、振動空間の高さを封止材１０４の厚みとすることができるので低背化が可能であり、また、コンデンサ基板１０３の中央部に凹部を形成する必要もないので工数を低減できるという特徴を有する。
【０００７】
尚、どちらの構造においても、圧電体セラミックからなる圧電基板１０１とその上下面に形成された振動電極１０２とで圧電共振素子が形成されており、誘電体セラミックからなるコンデンサ基板１０３と、容量形成電極１０６と、外部端子電極１０７、１０８、１０９とで、圧電共振素子と共に発振回路等で使用される静電容量が形成されている。
【特許文献１】特開平３−２４７０１０号公報  （図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら図８（ａ）に断面図で示す構造の製品においては、あらかじめコンデンサ基板１０３に凹部１０５を形成する必要があり、その為の余分な工程を必要とするという課題を有していた。また、弾性及び靭性に劣るセラミックをカケやクラックを発生させることなく薄く加工することは困難であるため、コンデンサ基板１０３の厚みが厚くなり、よって容量内蔵型圧電共振子の全体厚みも厚くなり、昨今の電子部品の軽薄短小化の要求に十分答えることができないという課題も有していた。
【０００９】
また、図８（ｂ）に断面図で示す構造の製品においては、コンデンサ基板１０３に凹部１０５を形成する工程は不要になるが、コンデンサ基板１０３の厚みを薄くできないという問題は解消できなかった。すなわち、平板状の薄いセラミック基板を加工する際ワレやクラックが生じるため、歩留まり良く薄いセラミック基板を生産するのには限界があった。また、生産性向上のために集合基板にて一括して接着しその後各個片に分断しようとしても、大型の集合基板の加工には上述のワレやクラックに加えてソリが発生し、圧電基板との接着・封止が不完全になるという問題もあり、集合基板での一括処理にも限界があった。
【００１０】
本発明は上記課題に鑑み案出されたものであり、その目的は、機械的強度を損なうことなく薄型化した容量内蔵型圧電共振子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の圧電共振子は、圧電基板の両主面に、該圧電基板を介して一部が対向するように配置される一対の振動電極を被着させるとともに、該振動電極の対向領域を囲繞する枠体を介して一対の封止基板を取着させ、これら封止基板の一方に前記振動電極と電気的に接続される静電容量を形成してなる圧電共振子であって、
前記一対の封止基板は、その一方が２００〜５０００の比誘電率を有したセラミック材料から成り、他方が樹脂材料から成ることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の圧電共振子は、前記圧電基板に対して前記一方の封止基板側で、該一方の封止基板と前記枠体との間に樹脂層が介在されているようにしても良い。
【００１３】
更に、本発明の圧電共振子は、前記他方の封止基板と前記樹脂層とが同一材料から成り、且つ、略等しい厚みに設定されているようにしても良い。
【００１４】
また更に、本発明の圧電共振子は、前記他方の封止基板の内部にガラス繊維が埋設されているようにしても良い。
【００１５】
更にまた、本発明の圧電共振子は、前記他方の封止基板に使用される樹脂材料と前記枠体とが同系の樹脂材料から成るようにしても良い。
【００１６】
また更に、本発明の圧電共振子は、前記一対の封止基板のうち他方の封止基板側が実装面とされるようにしても良い。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の圧電共振子は、圧電基板の両主面に、該圧電基板を介して一部が対向するように配置される一対の振動電極を被着させるとともに、該振動電極の対向領域を囲繞する枠体を介して一対の封止基板を取着させ、これら封止基板の一方に前記振動電極と電気的に接続される静電容量を形成しており、且つ、前記一対の封止基板の一方が２００〜５０００の比誘電率を有したセラミック材料から成り、他方が樹脂材料から成るようにしている。よって、一方の封止基板に強誘電体セラミック基板を用いることにより、大きな静電容量の形成を容易にすると共に、外部からの応力等に対する強度を向上させて圧電基板に加わる応力を低減し、信頼性に優れた圧電共振子とすることが出来る。また、他方の封止基板はワレやクラックの心配がない樹脂基板で形成しているので薄型化でき、圧電共振子全体の厚みも薄型化できる。更に、振動空間形成のための凹部加工といった煩雑な工程が必要なく、製造工程の簡略化が可能となる。
【００１８】
また、本発明の圧電共振子は、前記圧電基板に対して前記一方の封止基板側で、該一方の封止基板と前記枠体との間に樹脂層が介在されるようにしても良く、その場合は、前記圧電基板及び前記一方の封止基板の表面の平坦度の不足などにより、前記枠体を介した両者の接着強度が低下するという問題を有効に防止することができる。
【００１９】
更に、本発明の圧電共振子は、前記他方の封止基板と前記樹脂層とを同一材料から成し、且つ、略等しい厚みに設定しても良く、その場合は、前記圧電基板の上下面に加わる応力の不均一を有効に低減することができる。
【００２０】
また更に、本発明の圧電共振子は、前記他方の封止基板の内部にガラス繊維が埋設されているようにしても良く、その場合は、前記他方の封止基板の熱変形を低減できるため、前記他方の封止基板の変形による前記圧電基板への接触を有効に防止でき、前記枠体の厚みを更に薄くすることが可能となる。
【００２１】
更にまた、本発明の圧電共振子は、前記他方の封止基板に使用される樹脂材料と前記枠体とが同系の樹脂材料から成るようにしても良く、その場合は、前記他方の封止基板と前記枠体とのなじみがよくなり、両者の接合強度を向上させることが可能となる。
【００２２】
また更に、本発明の圧電共振子は、前記一対の封止基板のうち他方の封止基板側が実装面となるようにしても良く、その場合は、柔らかくて変形しやすい樹脂材料からなる他方の封止基板側で実装基板に実装されることになるので、実装時に実装基板との熱膨張係数や弾性率の違いによって発生する応力を他方の封止基板の変形によって吸収し、実装面付近のクラック等の発生を有効に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の圧電共振子を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の圧電共振子の一例を模式的に示す外観斜視図であり、図２は、そのＡ―Ａ線断面図であり、図３は分解斜視図である。
【００２５】
図において、圧電共振子１は圧電基板２１の上下面を、一方の封止基板３１と他方の封止基板４１とで、枠体５１ａ及び５１ｂによって振動空間６１ａ及び６１ｂを形成しつつ挟持した構造とされている。圧電基板２１の上下面には、圧電基板２１を挟んで一部が互いに対向するように振動電極２２ａと２２ｂとが被着され、特定の周波数で共振する作用をなす圧電共振素子２０が構成されている。また、封止基板３１の上下面には内部電極３２ａ、３２ｂ、及び、外部端子電極３３ａ、３３ｂ、３３ｃが形成されており、外部端子電極３３ａと３３ｃとの間に静電容量ｃ１が、外部端子電極３３ｂと３３ｃとの間に静電容量ｃ２がそれぞれ形成されたコンデンサ素子３０が構成されている。そして、振動電極２２ａと内部電極３２ａと外部端子電極３３ａとが外部接続電極７１ａによって接続され、また、振動電極２２ｂと内部電極３２ｂと外部端子電極３３ｂとが外部接続電極７１ｂによって接続され、更に、外部端子電極３３ｃが外部接続電極７１ｃに接続されることによって、圧電共振素子２０とコンデンサ素子３０とが電気的に接続されて、図４に示す等価回路で表される容量内蔵型圧電共振子１が構成されている。
【００２６】
圧電基板２１は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）やチタン酸鉛（ＰＴ）等の圧電セラミック材料や、水晶（ＳｉＯ２）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）等の圧電単結晶材料から成る、縦・横の長さが数ｍｍ×数ｍｍ、厚みが数１０μｍ〜数ｍｍの四角形状の基板である。尚、圧電基板２１がセラミック材料から成る場合は、原料粉末にバインダを加えてプレスする方法、或いは、原料粉末を水，分散剤とともにボールミルを用いて混合及び乾燥し、バインダ，溶剤，可塑剤等を加えてドクターブレード法により成型する方法などによってシートとし、１１００〜１４００℃のピーク温度で数１０分〜数時間焼成して基板を形成した後、例えば、厚み方向に６０〜１５０℃の温度にて３〜１５ｋＶ/ｍｍの電圧をかけて分極処理を施すことによって所望の圧電特性を付与する。また、圧電基板２１が圧電単結晶材料から成る場合は、圧電基板２１となる圧電単結晶材料のインゴット（母材）を所定の結晶方向となるように切断することにより、所望の圧電特性を有する圧電基板２１を得ることができる。
【００２７】
また、圧電基板２１の上下面の中央部付近には、一対の振動電極２２ａ，２２ｂが形成されている。一対の振動電極２２ａ，２２ｂは、圧電基板２１と一体となって圧電共振子や圧電振動子，圧電フィルタ等の素子を形成するものであり、金、銀、銅、クロム、ニッケル、錫、鉛、アルミニウム等の良導電性の金属で、真空蒸着などのＰＶＤ法やスパッタリング法、或いは厚膜印刷法による塗布及び焼き付けなどにより形成される。尚、圧電基板２１にセラミック材料と密着性のよいクロム（Ｃｒ）等の金属をあらかじめ被着させておき、その上に上記金属を被着させてもよい。
【００２８】
振動電極２２の形状は、縦・横方向の長さが数１０μｍ〜数ｍｍの円形状や四角形状などであり、共振特性やその他所望の電気特性によってその大きさや位置が決められる。また、振動電極２２は、その厚みが数μｍ〜数１０μｍであり、共振周波数等により決められる。さらに振動電極２２は、圧電基板２１の上面または下面に複数の電極が形成された、すなわち分割電極であってもよい。尚、このような振動電極２２はその一部が圧電基板２１の外周に向かって引出されており、例えば、振動電極２２ａは外部接続電極７１ａを介して外部端子電極３３ａと、振動電極２２ｂは外部接続電極７１ｂを介して外部端子電極３３ｂとそれぞれ電気的に接続される。
【００２９】
そして、一対の振動電極２２が被着されている圧電基板２１の上下両面には、振動電極２２ａ、２２ｂの対向領域を囲繞する一対の枠体５１ａ，５１ｂを介して一対の封止基板３１、４１が接着されている。
【００３０】
封止基板３１は、枠体５１ａと共に振動空間６１ａを形成すると共に、外力から圧電基板２１を保護する機能を有し、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）やチタン酸鉛（ＰＴ）、チタン酸バリウム（ＢＴ）などの強誘電体セラミック材料から成る、縦・横の長さが数ｍｍ×数ｍｍ、厚みが数１０μｍ〜数ｍｍの四角形状の基板である。この封止基板３１は、原料粉末にバインダを加えてプレスする方法、或いは、原料粉末を水，分散剤とともにボールミルを用いて混合及び乾燥し、バインダ，溶剤，可塑剤等を加えてドクターブレード法により成型する方法などによってシートを作成し、そのシートを１１００〜１４００℃のピーク温度で数１０分〜数時間焼成することにより形成される。ここで、封止基板３１の材料をチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）やチタン酸鉛（ＰＴ）、チタン酸バリウム（ＢＴ）などの強誘電体セラミック材料とすることで、封止基板３１の比誘電率を大きくできるため、充分な大きさの静電容量を有するコンデンサ素子３０を構成できる。尚、封止基板３１の比誘電率としては２００〜５０００とすることが望ましい。
【００３１】
封止基板３１の上下面には、内部電極３２ａ、３２ｂ及び外部端子電極３３ａ、３３ｂ、３３ｃが形成されている。内部電極３２及び外部端子電極３３は、封止基板３１と共に、外部端子電極３３ａと３３ｃとの間に静電容量ｃ１を、外部端子電極３３ｂと３３ｃとの間に静電容量ｃ２をそれぞれ形成してコンデンサ素子３０を構成するためのものであり、振動電極２２と同様の材料及び方法で形成される。外部端子電極３３は、更に圧電共振子１が搭載される基板との機械的及び電気的な接続に利用され、その表面にはＮｉ―Ｓｎメッキが施されている。
【００３２】
封止基板４１は、枠体５１ｂと共に振動空間６１ｂを形成し、圧電基板２１上面の振動領域を保護する機能を有し、その縦・横の長さは圧電基板２１の縦・横の長さと略同一であり、厚みは材料により異なるが数１０μｍ〜数ｍｍである。このような封止基板４１の材料としてはポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のエンジニアリングプラスチックや、液晶ポリマーやエポキシ系樹脂等の耐熱性樹脂が使用できるが、ガラス繊維を含有したポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いることにより、封止基板４１の熱変形を抑制し、容易に振動空間を形成することができる。ガラス繊維の含有量が３０〜８０％のポリイミド樹脂シートやエポキシ樹脂シートなどが好適に使用され、その場合は、１００Ｐａ以下の真空中にて０．２ＭＰａ〜５ＭＰａの圧力を加えながら１８０℃〜２００℃の温度で４０分〜９０分保持して硬化させると良好に接合できる。発明者の実験によれば、ガラス繊維含有量が３２％のポリイミド樹脂を使用した場合、封止基板接合時の加熱による変形（たわみ）を、ガラス繊維を含有しないポリイミド樹脂の４０％に低減することができた。
【００３３】
枠体５１ａ、５１ｂは、圧電基板２１と封止基板３１及び４１とを接着するとともに、振動空間６１ａ及び６１ｂを形成する機能を有する。枠体５１は、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂などからなり、例えば、厚膜印刷により塗布し、８０℃〜２００℃で乾燥硬化することによって形成される。エポキシ系樹脂は緻密な３次元網目構造を有していることから気密性に優れており、振動空間を長期にわたって気密に密閉することができる。
【００３４】
また、枠体５１の粘度や熱膨張係数を調節するために、枠体５１は酸化珪素等のセラミックスから成るフィラーを含有してもよい。また、枠体５１の高さは、振動電極２２と封止基板３１及び４１との間隔が５μｍ〜１００μｍとなるように設定するのが好ましく、振動電極２２と封止基板３１及び４１との間隔が２０μｍ〜６０μｍとなるような高さが更に好ましい。振動電極２２と封止基板３１及び４１との間隔が２０μｍ未満となると、圧電共振子に不要な外力が加わった際に封止基板３１または４１が撓んで振動電極２２と接触し、振動電極２２の振動をダンピングする危険性があり、６０μｍを超えると圧電共振子の厚みが不要に厚いものとなってしまい、薄型化することが困難となる傾向がある。
【００３５】
尚、一対の枠体５１が同一材料から成る場合は、枠体５１を塗布する工程を統一できるので工数が削減でき、製造原価を低減することができる。また、振動空間６１の形成を真空中で行ない、振動電極２２を真空封入してもよく、その場合は、振動電極２２の酸化腐食が防止され、より信頼性の優れた圧電共振子とすることができる。
【００３６】
そして、圧電共振子１の側面には、振動電極２２ａと内部電極３２ａと外部端子電極３３ａとを電気的に接続する外部接続電極７１ａ、振動電極２２ｂと内部電極３２ｂと外部端子電極３３ｂとを電気的に接続する外部接続電極７１ｂ、及び、外部端子電極３３ｃと接続される外部接続電極７１ｃが形成されている。外部接続電極は、金、銀、銅、クロム、ニッケル、錫、鉛、アルミニウム等の良導電性の金属を、真空蒸着などのＰＶＤ法やスパッタリング法で被着させるか、或いは、導電性エポキシ樹脂を厚膜印刷などによって塗布し、８０℃〜２５０℃で硬化させて形成させて形成し、所望により、その表面にＮｉ―Ｓｎなどのメッキが施される。
【００３７】
上述した実施形態によれば、一方の封止基板３１がチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）やチタン酸鉛（ＰＴ）、チタン酸バリウム（ＢＴ）などの強誘電体セラミック材料から成り、他方の封止基板４１が樹脂材料から成る。よって、封止基板３１に強誘電体セラミック基板を用いることにより、大きな静電容量の形成を容易にすると共に、外部からの応力等に対する強度を向上させて圧電基板に加わる応力を低減し、信頼性に優れた圧電共振子とすることが出来る。また、封止基板４１はワレやクラックの心配がない樹脂基板で形成しているので薄型化でき、圧電共振子全体の厚みも薄型化できる。
【００３８】
封止基板４１を封止基板３１と同様のセラミック基板としていたときには、セラミックの構造欠陥等の強度的問題によって、その厚みは１５０μｍが限界であったが、封止基板４１をガラス繊維を含有した樹脂基板とすることによって、その厚みを２８μｍまで薄型化することができ、その分だけ圧電共振子１を薄型化することができた。
【００３９】
また、上述した実施形態によれば、封止基板４１は、エポキシ系樹脂シート又はポリイミド系樹脂シートからなり、ガラス繊維を含有している。このため、枠体５１を介しての加熱接着工程においても、封止基板４１の熱による変形はほとんど発生しない。従って、圧電基板２１の中央部付近における変形（だれ）によって封止基板４１が圧電基板２１側に倒れ込んで振動電極２２に接触するのを抑制できるので、枠体５１の厚みを極力薄くすることができ、より薄型の圧電共振子１とすることができる。
【００４０】
更に、上述した実施形態によれば、セラミックからなる封止基板３１側にて実装基板に接続・固定されることになるため、実装強度が確保され、実装後の衝撃や振動に対しても充分な信頼性が確保される。
【００４１】
また更に、上述した実施形態によれば、封止基板３１の外部端子電極３３ａと３３ｃとの間に静電容量ｃ１を、外部端子電極３３ｂと３３ｃとの間に静電容量ｃ２をそれぞれ形成している。これにより、発振回路などで使用される２つの静電容量は圧電基板と実装基板との間に形成されることになり、余分な配線を介することなく外部端子電極に接続される結果、不要な浮遊容量の発生がなく安定した発振を実現できる。
【００４２】
図５は本発明の別の実施形態に係る圧電共振子を模式的に示す分解斜視図である。
【００４３】
本実施形態の特徴は、枠体５１ａと封止基板３１との間に樹脂層８１が挿入されていることである。枠体５１の厚みが薄い場合、圧電基板２１及び封止基板３１の表面の平坦度が不足すると、それを枠体５１の厚みで補うことが困難となり、圧電基板２１と封止基板３１との枠体５１を介した接着強度が低下する問題が発生する場合があるが、変形し易く適度な厚みを有する樹脂層８１を枠体５１ａと封止基板３１との間に挿入することによって有効に防止することができる。
【００４４】
樹脂層８１の縦・横の長さは圧電基板２１及び封止基板３１の縦・横の長さと略同一であり、厚みは材料により異なるが数１０μｍ〜数ｍｍであり、材料としては封止基板４１と同様に、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の耐熱性樹脂が使用できるが、ガラス繊維を含有したポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いることによって熱変形を抑制し、容易に振動空間を形成することができるため、例えば、ガラス繊維の含有量が３０〜８０％のポリイミド樹脂シートやエポキシ樹脂シートなどが好適に使用される。
【００４５】
ここで、封止基板４１と樹脂層８１とを同一材料とし、且つ、略等しい厚みとすることにより、圧電基板２１の上下面に加わる応力の不均一を低減することができる。
【００４６】
尚、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更，改良が可能である。
【００４７】
例えば、上述した実施例においては、枠体５１をエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂などとし、厚膜印刷により塗布するようにしたが、封止基板４１や樹脂層８１と同様に、ガラス繊維を含有したポリイミド樹脂やエポキシ樹脂などとしても良い。その場合は、ガラス繊維を含有した樹脂シートの中央部に振動空間を確保するための開口を形成したものを使用して加熱圧着すれば良く、例えば、１００Ｐａ以下の真空中にて０．２ＭＰａ〜５ＭＰａの圧力を加えながら１８０℃〜２００℃の温度で４０分〜９０分保持して硬化させると良好に接合できる。
【００４８】
ここで、枠体５１ｂと封止基板４１とを同系の樹脂材料とすることにより、両者のなじみが良くなり接合強度を向上させることが可能となる。
【００４９】
また、上述した実施形態の圧電共振子においては、セラミックからなる一方の封止基板３１側にて実装基板に接続・固定されるようにしたが、図６及び図７に示すように、樹脂材料からなる他方の封止基板４１側を実装基板に接続・固定される実装面としても構わない。
【００５０】
図６は、本発明の圧電共振子の変形例を示す外観斜視図であり、図７はそのＢ―Ｂ’線断面図である。
【００５１】
本変形例の圧電共振子１においては、他方の封止基板４１の下面に、実装基板への接続・固定に使用する第２外部端子電極９１ａ、９１ｂ、９１ｃを形成している。そして、第２外部端子電極９１ａは外部接続電極７１ａによって振動電極２２ａと内部電極３２ａと外部端子電極３３ａとに接続され、また、第２外部端子電極９２ｂは外部接続電極７１ｂによって振動電極２２ｂと内部電極３２ｂと外部端子電極３３ｂとに接続され、更に、外部接続電極９１ｃは外部接続電極７１ｃによって外部端子電極３３ｃと接続されている。
【００５２】
尚、第２外部端子電極９１ａ、９１ｂ、９１ｃは、外部端子電極３１ａ、３１ｂ、３１ｃと同様の材料及び形成法にて形成される。
【００５３】
本変形例の圧電共振子１においては、柔らかくて変形しやすい樹脂材料からなる他方の封止基板４１側を実装基板へ実装する実装面とすることによって、実装時に実装基板との熱膨張係数や弾性率の違いによって発生する応力を他方の封止基板４１の変形によって吸収し、実装面付近のクラック等の発生を有効に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の圧電共振子の一例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図１のＡ―Ａ’線断面図である。
【図３】本発明の圧電共振子を模式的に示す分解斜視図である。
【図４】本発明の圧電共振子の等価回路を示す図である。
【図５】本発明の別の形態の圧電共振子を模式的に示す分解斜視図である。
【図６】本発明の圧電共振子の変形例を模式的に示す外観斜視図である。
【図７】図６のＢ―Ｂ’線断面図である。
【図８】従来の圧電共振子を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１・・・・・・・・・・・・・・圧電共振子
２１・・・・・・・・・・・・・圧電基板
２２ａ，２２ｂ・・・・・・・・振動電極
３１，４１・・・・・・・・・・封止基板
３２ａ、３２ｂ・・・・・・・・内部電極
３３ａ、３３ｂ、３３ｃ・・・・外部端子電極
５１ａ、５１ｂ・・・・・・・・枠体
６１ａ、６１ｂ・・・・・・・・振動空間
７１ａ、７１ｂ、７１ｃ・・・・外部接続電極
８１・・・・・・・・・・・・・樹脂層
９１ａ、９１ｂ、９１ｃ・・・第２外部端子電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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