(57)【要約】【課題】  コントラストの改善に寄与する光学異方性層等を提供する。【解決手段】  液晶性化合物を含有する光学異方性膜であって、該光学異方性膜の正面Ｒｅが０〜２０ｎｍであって、拡散光源を使用した時の前記光学異方性膜をクロスニコル状態の２枚の偏光板の間に配置した場合の正面漏れ光をＬとすると、下記式を満たす光学異方性膜。式  ０．０００＜  Ａ  ＜０．２００Ａ＝（Ｌ−Ｘ）／ｄ（ただし、Ｘは光学異方性膜を入れずに２枚の偏光板をクロスニコル状態にしたときの正面漏れ光（ｃｄ／ｍ2）を表し、ｄは光学異方性膜の膜厚（μｍ）を表す。）【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶性化合物を含有する光学異方性膜であって、該光学異方性膜の正面Ｒｅが０〜２０ｎｍであって、拡散光源を使用した時の該光学異方性膜をクロスニコル状態の２枚の偏光板の間に配置した場合の正面漏れ光をＬ（ｃｄ／ｍ2）、とすると、下記式を満たす光学異方性膜。
式  ０．００＜  Ａ  ＜２．５０
Ａ＝（Ｌ／Ｘ）／ｄ
（ただし、Ｘは光学異方性膜を入れずに２枚の偏光板をクロスニコル状態にしたときの正面漏れ光（ｃｄ／ｍ2）を表し、ｄは光学異方性膜の膜厚（μｍ）を表す。また、漏れ光測定に用いる偏光板は、０．０００００  ＜  Ｘ／Ｍ  ＜  ０．０００１０  であり、Ｍは漏れ光測定用光源の正面輝度（ｃｄ／ｍ2）を表す。）
【請求項２】
請求項１に記載の光学異方性膜を有し、かつ、正面Ｒｅが０〜２００ｎｍである位相差膜。
【請求項３】
前記液晶性化合物が、重合性基を有する棒状液晶性化合物である請求項２に記載の位相差膜。
【請求項４】
請求項３に記載の位相差膜の製造方法であって、前記重合性基を有する棒状液晶性化合物を、その光学軸が基板平面に対して垂直になるように配向させた後、前記重合性基を、４０℃〜８０℃の範囲で重合させて、その配向状態に固定して光学異方性膜を形成する工程を含む製造方法。
【請求項５】
少なくとも、第１偏光膜と、第１位相差領域と、第２位相差領域と、液晶層を一対の基板で挟んだ液晶セルとを含み、黒表示時に該液晶セルの液晶性化合物が前記一対の基板の表面に対して実質的に平行に配向する液晶表示装置であって、
前記第１位相差領域のＲｅ（λ）が２０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、かつ、Ｎｚ＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋０．５で定義される前記第１位相差領域のＮｚ値が１．５〜７であり、前記第２位相差領域のＲｅ（λ）が５ｎｍ以下で、前記第２位相差領域のＲｔｈ（λ）が−８０ｎｍ〜−４００ｎｍであり、さらに、前記液晶表示装置は、請求項２または３に記載の位相差膜を含み（但し、該位相差膜は、前記第１位相差領域または第２位相差領域に含まれていてもよい）、前記位相差膜中において前記棒状液晶性化合物の分子が実質的に垂直配向し、さらに、前記第１偏光膜の透過軸が、前記液晶層の黒表示時の液晶性化合物の遅相軸方向に平行である液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１偏光膜の透過軸と直交する透過軸を有する第２偏光膜をさらに有し、前記第１偏光膜および第２偏光膜が、前記第１位相差領域、前記第２位相差領域および前記液晶セルを挟持して配置されている請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１偏光膜、前記第１位相差領域、前記第２位相差領域および前記液晶セルが、この順序で配置され、かつ前記第１位相差領域の遅相軸が、前記第１偏光膜の透過軸と実質的に平行である請求項５または６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１位相差領域が、延伸により光学異方性を発現させたポリマーフィルムからなる請求項５〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１位相差領域が、セルロースを構成するグルコース単位の水酸基を炭素原子数が２以上のアシル基で置換して得られたセルロースアシレートを含むポリマーフィルムであり、前記グルコース単位の２位の水酸基のアシル基による置換度をＤＳ2、３位の水酸基のアシル基による置換度をＤＳ3、６位の水酸基のアシル基による置換度をＤＳ6としたときに、下記式（Ｉ）および（II）を満たす、請求項５〜８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
（Ｉ） ：２．０≦ＤＳ2＋ＤＳ3＋ＤＳ6≦３．０
（II） ：ＤＳ6／（ＤＳ2＋ＤＳ3＋ＤＳ6）≧０．３１５
【請求項１０】
前記ポリマーフィルムが、棒状化合物または円盤状化合物からなるレターデーション発現剤を少なくとも１種含む、請求項８または９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１偏光膜および／または第２偏光膜の液晶層に近い側に保護膜が設けられており、該保護膜の厚み方向の位相差Ｒｔｈが−４０〜４０ｎｍの範囲である請求項７〜１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１偏光膜および／または第２偏光膜の液晶層に近い側に保護膜が設けられており、該保護膜の厚さが６０μｍ以下である請求項６〜１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１偏光膜および／または第２偏光膜の液晶層に近い側に保護膜が設けられており、該保護膜がセルロースアシレートフィルムまたはノルボルネン系フィルムである請求項６〜１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１偏光膜および／または第２偏光膜の液晶層に近い側に保護膜が設けられており、該保護膜が下記式（ＩＩＩ）および式（ＩＶ）を満たすセルロースアシレートフィルムである請求項６〜１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
（ＩＩＩ）０≦Ｒｅ(630)≦１０および｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
（ＩＶ）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０および｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
【請求項１５】
前記第１偏光膜および／または第２偏光膜の液晶層に近い側に保護膜が設けられており、該保護膜がセルロースアシレートフィルムであり、該セルロースアシレートフィルムは、アシル置換度２.８５〜３．００のセルロースアシレートに、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）を低下させる化合物の少なくとも１種を、前記セルロースアシレートに対して０．０１〜３０質量％の割合で添加して得られたものである、請求項６〜１４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置の技術分野に関し、特に水平方向に配向した液晶性化合物に横方向の電界を印加することにより表示を行う、インプレーンスイッチング（ＩＰＳ）モードやＦＦＳモードの液晶表示装置等に関する。また、本発明は、ＩＰＳモード等の液晶表示装置の正面コントラスト比の改善に寄与する位相差膜、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置としては、２枚の直交した偏光板の間に、ネマチック液晶をツイスト配列させた液晶層を挟み、電界を基板に対して垂直な方向にかける方式、いわゆるＴＮモードが広く用いられている。この方式では、黒表示時に液晶が基板に対して立ち上がるために、斜めから見ると液晶性化合物による複屈折が発生し、光漏れが起こる。この問題に対して、液晶性化合物がハイブリッド配向したフィルムを用いることで、液晶セルを光学的に補償し、この光漏れを防止する方式が実用化されている。しかし、液晶性化合物を用いても液晶セルを問題なく完全に光学的に補償することは非常に難しく、画面下方向での諧調反転が抑えきれないという問題を生じていた。
【０００３】
かかる問題を解決するため、横電界を液晶に対して印加する、いわゆるＩＰＳモードやＦＦＳモードによる液晶表示装置や、誘電率異方性が負の液晶を垂直配向してパネル内に形成した突起やスリット電極によって配向分割した垂直配向（ＶＡ）モードが提案され、実用化されている。近年、これらのパネルはモニター用途に留まらず、テレビ用途として開発が進められており、それに伴って画面の輝度が大きく向上してきている。このため、これらの動作モードで従来問題とされていなっかった、黒表示時の対角位斜め入射方向での僅かな光漏れが表示品質の低下の原因として顕在化してきた。
【０００４】
この色調や黒表示の視野角を改善する手段の一つとして、液晶層と偏光板の間に複屈折特性を有する光学補償材料を配置することがＩＰＳやＦＦＳモードにおいても検討されている。例えば、傾斜時の液晶層のレターデーションの増減を補償する作用を有する光軸を互いに直交した複屈折媒体を基板と偏光板との間に配置することで、白表示または中間調表示を斜め方向から直視した場合の色付きが改善できることが開示されている（特許文献１参照）。また、負の固有複屈折を有するスチレン系ポリマーやディスコティック液晶性化合物からなる光学補償フィルムを使用した方法（特許文献２、３、４参照）や光学補償フィルムとして複屈折が正で光学軸がフィルムの面内にある膜と複屈折が正で光学軸がフィルムの法線方向にある膜とを組み合わせる方法（特許文献５参照）、レターデーションが二分の一波長の二軸性の光学補償シートを使用する方法（特許文献６参照）、偏光板の保護膜として負のレターデーションを有する膜を使い、この表面に正のレターデーションを有する光学補償層を設ける方式（特許文献７参照）が提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−８０４２４号公報
【特許文献２】特開平１０−５４９８２号公報
【特許文献３】特開平１１−２０２３２３号公報
【特許文献４】特開平９−２９２５２２号公報
【特許文献５】特開平１１−１３３４０８号公報
【特許文献６】特開平１１−３０５２１７号公報
【特許文献７】特開平１０−３０７２９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、延伸複屈折ポリマーフィルムからなる光学補償シートを用いてＩＰＳモードやＦＦＳモード液晶セルを光学補償する場合は、複数のフィルムを用いる必要があり、その結果、光学補償シートの厚さが増し、表示装置の薄形化に不利である。また、この問題を解決したディスコティック液晶性化合物等から形成された光学異方性膜を利用して、液晶をオフする方法においても、ディスコティック液晶性化合物の光軸を基板面に対し水平配向させる場合には配向欠陥が発生しやすく、また、液晶表示装置に用いた場合、バックライトの拡散光で斜めから入射した光は正面Ｒｅが大きな膜では偏光解消して正面に抜けやすく、黒表示時に光漏れが発生し、消光度の低い位相差膜を作製してもコントラスト低下等の不具合が発生していた。
【０００７】
本発明は前記諸問題に鑑みなされたものであって、液晶表示装置、特にＩＰＳモードやＦＦＳモードの液晶表示装置において、６０°から観察した時の漏れ光および色み変化を小さく保ったまま、正面コントラストの改善に寄与する位相差膜を提供することを課題とする。また、本発明は、黒輝度が低く、正面コントラスト比が改善されたＩＰＳモードの液晶表示装置を提供することを課題とする。さらに本発明は、正の複屈折異方性を持つ棒状液晶性化合物を、配向欠陥の発生が極めて少ない状態で、基板に対し垂直配向させ、安定的に位相差膜を作製する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。
（１）液晶性化合物を含有する光学異方性膜であって、該光学異方性膜の正面Ｒｅが０〜２０ｎｍであって、拡散光源を使用した時の該光学異方性膜をクロスニコル状態の２枚の偏光板の間に配置した場合の正面漏れ光をＬ（ｃｄ／ｍ2）、とすると、下記式を満たす光学異方性膜。
式  ０．００＜  Ａ  ＜２．５０
Ａ＝（Ｌ／Ｘ）／ｄ
（ただし、Ｘは光学異方性膜を入れずに２枚の偏光板をクロスニコル状態にしたときの正面漏れ光（ｃｄ／ｍ2）を表し、ｄは光学異方性膜の膜厚（μｍ）を表す。また、漏れ光測定に用いる偏光板は、０．０００００  ＜  Ｘ／Ｍ  ＜  ０．０００１０  であり、Ｍは漏れ光測定用光源の正面輝度（ｃｄ／ｍ2）を表す。）
（２）（１）に記載の光学異方性膜を有し、かつ、正面Ｒｅが０〜２００ｎｍである位相差膜。
（３）前記液晶性化合物が、重合性基を有する棒状液晶性化合物である（２）に記載の位相差膜。
（４）（３）に記載の位相差膜の製造方法であって、前記重合性基を有する棒状液晶性化合物を、その光学軸が基板平面に対して垂直になるように配向させた後、前記重合性基を、４０℃〜８０℃の範囲で重合させて、その配向状態に固定して光学異方性膜を形成する工程を含む製造方法。
（５）少なくとも、第１偏光膜と、第１位相差領域と、第２位相差領域と、液晶層を一対の基板で挟んだ液晶セルとを含み、黒表示時に該液晶セルの液晶性化合物が前記一対の基板の表面に対して実質的に平行に配向する液晶表示装置であって、
前記第１位相差領域のＲｅ（λ）が２０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、かつ、Ｎｚ＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋０．５で定義される前記第１位相差領域のＮｚ値が１．５〜７であり、前記第２位相差領域のＲｅ（λ）が５ｎｍ以下で、前記第２位相差領域のＲｔｈ（λ）が−８０ｎｍ〜−４００ｎｍであり、さらに、前記液晶表示装置は、（２）または（３）に記載の位相差膜を含み（但し、該位相差膜は、前記第１位相差領域または第２位相差領域に含まれていてもよい）、前記位相差膜中において前記棒状液晶性化合物の分子が実質的に垂直配向し、さらに、前記第１偏光膜の透過軸が、前記液晶層の黒表示時の液晶性化合物の遅相軸方向に平行である液晶表示装置。
（６）前記第１偏光膜の透過軸と直交する透過軸を有する第２偏光膜をさらに有し、前記第１偏光膜および第２偏光膜が、前記第１位相差領域、前記第２位相差領域および前記液晶セルを挟持して配置されている（５）に記載の液晶表示装置。
（７）前記第１偏光膜、前記第１位相差領域、前記第２位相差領域および前記液晶セルが、この順序で配置され、かつ前記第１位相差領域の遅相軸が、前記第１偏光膜の透過軸と実質的に平行である（５）または（６）に記載の液晶表示装置。
（８）前記第１位相差領域が、延伸により光学異方性を発現させたポリマーフィルムからなる（５）〜（７）のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
（９）前記第１位相差領域が、セルロースを構成するグルコース単位の水酸基を炭素原子数が２以上のアシル基で置換して得られたセルロースアシレートを含むポリマーフィルムであり、前記グルコース単位の２位の水酸基のアシル基による置換度をＤＳ2、３位の水酸基のアシル基による置換度をＤＳ3、６位の水酸基のアシル基による置換度をＤＳ6としたときに、下記式（Ｉ）および（II）を満たす、（５）〜（８）のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
（Ｉ） ：２．０≦ＤＳ2＋ＤＳ3＋ＤＳ6≦３．０
（II） ：ＤＳ6／（ＤＳ2＋ＤＳ3＋ＤＳ6）≧０．３１５
（１０）前記ポリマーフィルムが、棒状化合物または円盤状化合物からなるレターデーション発現剤を少なくとも１種含む、（８）または（９）に記載の液晶表示装置。
（１１）前記第１偏光膜および／または第２偏光膜の液晶層に近い側に保護膜が設けられており、該保護膜の厚み方向の位相差Ｒｔｈが−４０〜４０ｎｍの範囲である（７）〜（１０）のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
（１２）前記第１偏光膜および／または第２偏光膜の液晶層に近い側に保護膜が設けられており、該保護膜の厚さが６０μｍ以下である（６）〜（１１）のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
（１３）前記第１偏光膜および／または第２偏光膜の液晶層に近い側に保護膜が設けられており、該保護膜がセルロースアシレートフィルムまたはノルボルネン系フィルムである（６）〜（１２）のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
（１４）前記第１偏光膜および／または第２偏光膜の液晶層に近い側に保護膜が設けられており、該保護膜が下記式（ＩＩＩ）および式（ＩＶ）を満たすセルロースアシレートフィルムである（６）〜（１３）のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
（ＩＩＩ）０≦Ｒｅ(630)≦１０および｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
（ＩＶ）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０および｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
（１５）前記第１偏光膜および／または第２偏光膜の液晶層に近い側に保護膜が設けられており、該保護膜がセルロースアシレートフィルムであり、該セルロースアシレートフィルムは、アシル置換度２.８５〜３．００のセルロースアシレートに、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）を低下させる化合物の少なくとも１種を、前記セルロースアシレートに対して０．０１〜３０質量％の割合で添加して得られたものである、（６）〜（１４）のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、液晶表示装置、特にＩＰＳモードの液晶表示装置の正面コントラストの改善に寄与する位相差膜を提供することができる。また、本発明によれば、黒輝度が低く、正面コントラスト比が改善されたＩＰＳモードの液晶表示装置を提供することができる。さらに本発明によれば、正の複屈折異方性を持つ棒状液晶性化合物を、配向欠陥の発生が極めて少ない状態で、基板に対し垂直配向させ、安定的に位相差膜を作製する方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下において、本発明の液晶表示装置の一実施形態およびその構成部材について順次説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
【００１１】
本明細書において、「平行」、「直交」とは、厳密な角度±１０°未満の範囲内であることを意味する。この範囲は厳密な角度との誤差は、±５°未満であることが好ましく、±２°未満であることがより好ましい。また、「実質的に」とは、厳密な角度よりも±２０°未満の範囲内であることを意味する。この範囲は厳密な角度との誤差は、±１５°未満であることが好ましく、±１０°未満であることがより好ましい。また、「遅相軸」は、屈折率が最大となる方向を意味する。
【００１２】
本願明細書において、「光学異方性膜」とは、少なくとも光学異方性層を有する膜をいう。例えば、何らかの支持体上に光学異方性層が設けられた膜であってもよいし、該膜から支持体を剥がした膜であってもよい。
【００１３】
本明細書において「偏光板」とは、特に断らない限り、長尺の偏光板および液晶装置に組み込まれる大きさに裁断された（本明細書において、「裁断」には「打ち抜き」および「切り出し」等も含むものとする）偏光板の両者を含む意味で用いられる。また、本明細書では、「偏光膜」および「偏光板」を区別して用いるが、「偏光板」は「偏光膜」の少なくとも片面に該偏光膜を保護する透明保護膜を有する積層体を意味するものとする。
【００１４】
本明細書において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）の「λ」は、該レターデーションの測定波長を示す。また、Ｒｅは面内のレターデーションを、Ｒｔｈは厚み方向のレターデーションをそれぞれ示す。
【００１５】
［位相差膜］
本発明の位相差膜は、液晶性化合物を含有する光学異方性層（本発明の光学異方性膜）を有し（好ましくは、支持体と、該支持体上に配向状態に固定された液晶性化合物を含有する光学異方性層を有し）、クロスニコル状態の２枚の偏光板の間に配置した場合にＡ＝（Ｌ／Ｘ）／ｄ（ただし、Ｌは拡散光源を使用した時の前記光学異方性膜（光学異方性層）をクロスニコル状態の２枚の偏光板の間に配置した場合の正面漏れ光（ｃｄ／ｍ2）を表し、Ｘは光学異方性膜（光学異方性層）を入れずに２枚の偏光板をクロスニコル状態にしたときの正面漏れ光（ｃｄ／ｍ2）を表し、ｄは光学異方性膜（光学異方性層）の膜厚（μｍ）を表す。）で表されるＡが、０．００＜Ａ＜２．５０であることを特徴とする。前記条件において０．００＜Ａ＜１．５０となるのが好ましく、０．００＜Ａ＜１．００となるのがより好ましく、０．００＜Ａ＜０．７０となるのがさらに好ましい。
さらに、本発明の光学異方性膜は、正面Ｒｅが０〜２０ｎｍであることが好ましく、０〜５ｎｍであることがさらに好ましい。
【００１６】
［正面漏れ光測定］
正面漏れ光は輝度測定器を用いて測定することができる。図１は、輝度測定器の一例を示したものであって、クロスニコル状態の２枚の偏光子の間に、位相差膜のサンプルを配置し、透過光が最小になるようにサンプルを回転させ、透過光が最小となった位置において、輝度測定器で輝度を測定することによって得られる。また、測定は暗室で行う。図１において、光源に近い側の偏光板とサンプルは密着させ、光源側の偏光板はサンプルから１５ｃｍの位置とする。また、輝度測定器はサンプルから７０ｃｍの位置とする。測定は１°視野とする。拡散光源としては、正面輝度Ｓに対して極角６０°方向の輝度Ｋが０．６＜Ｋ／Ｓ＜１である光源を指す。例えば、富士ライトボックス５０００インバータ（富士写真フイルム製）を用いることができ、輝度測定器としては、例えば、ＳＲ−３（トプコン製）を用いることができる。このようにすることで、膜面に対して垂直に入射する光が抜けてくる効果の他に、斜めから入射して、正面に抜けてくる効果を測定することができる。
上記測定を行う場合、偏光板を設置しないで測定した正面輝度Ｍは、２５００ｃｄ／ｍ2、クロスニコル状態の２枚の偏光板を設置して測定した正面輝度Ｘは０．０８９ｃｄ／ｍ2となり、Ｘ／Ｍ＝０．００００４となる偏光板を用いた。
【００１７】
［位相差膜の光学特性］
本発明では、少なくとも、第１偏光膜と、第１位相差領域と、第２位相差領域と、液晶材料からなる液晶層を一対の基板で挟んだ液晶セルとを含み、黒表示時に該ネマチック液晶材料の液晶性化合物が前記一対の基板の表面に対して実質的に平行に配向する液晶表示装置であって、第１位相差領域のＲｅが２０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、かつＮｚ＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋０．５で定義される第１位相差領域の値Ｎｚが１．５〜７であり、第２位相差領域のＲｅ（λ）が５ｎｍ以下で、Ｒｔｈが−８０ｎｍ〜−４００ｎｍであり、かつ第１偏光膜の透過軸が黒表示時の液晶性化合物の遅相軸方向に平行となる構成となっている。このような構成にすることによって、斜めの方位角方向から見た場合に２枚の偏光板の吸収軸が９０度からずれることから生ずるコントラストの低下を改善するだけでなく、散乱の起こしやすい重合性液晶性化合物を使用して作製された第２位相差領域のＲｅを実質０にすることで、正面コントラストの低下をより改善できる。さらに、偏光膜の保護膜のＲｔｈを−４０〜４０ｎｍの範囲とすることによって、コントラストをより向上させることができる。また、本発明の光学異方性膜を用いることにより、特殊な垂直配向膜を用いずに簡便に、前記第２位相差領域を作製することができる。
【００１８】
以下、本発明の位相差膜の作製に用いられる材料、作製方法の例について詳細に説明する。本発明の位相差膜は、支持体（好ましくは透明支持体）と、その上に配向状態に固定された液晶性化合物を含有する光学異方性層とを有する。本発明の位相差膜は、他の層を有していてもよく、例えば、支持体と光学異方性層との間に配向膜を有していてもよい。また、支持体もある程度の光学異方性を有していてもよい。
【００１９】
［光学異方性層（光学異方性膜）］
本明細書において、Ｒｅ(λ)、Ｒｔｈ(λ)は各々、波長λにおける面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅ(λ)はKOBRA  21ADHまたはWR（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈ(λ)は前記Ｒｅ(λ)を、面内の遅相軸（KOBRA  21ADHまたはWRにより判断される）を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）のフィルム法線方向に対して法線方向から片側50度まで10度ステップで各々その傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて全部で6点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にKOBRA  21ADHまたはWRが算出する。尚、遅相軸を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）、任意の２方向からレターデーション値を測定し、その値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基に、以下の式（１）及び式（２）よりRthを算出することもできる。ここで平均屈折率の仮定値は  ポリマーハンドブック（JOHN  WILEY＆SONS，INC）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：  セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、KOBRA  21ADHまたはWRはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。この算出されたｎｘ、ｎｙ、ｎｚよりＮｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）が更に算出される。
【００２０】
式（１）
【化１】
2006301605.tif 000002
注記：上記のRe(θ)は法線方向から角度θ傾斜した方向におけるレターデーション値を表す。
式（２）
Ｒｔｈ＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
【００２１】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を詳細に説明する。図２は、本発明の液晶表示装置の画素領域例を示す模式図である。図３および図４は、本発明の液晶表示装置の一実施形態の模式図である。
［液晶表示装置］
図３に示す液晶表示装置は、第１偏光膜８および第２偏光膜２１と、第１位相差領域１１および第２位相差領域１２からなる位相差膜１０と、第１基板１４および第２基板１８と、該基板に挟持される液晶層１６とを有する。第１偏光膜８および第２偏光膜２１は、第１偏光板保護膜７ａ・７ｂおよび第２偏光板保護膜２０ａ・２０ｂによって挟持されている。
【００２２】
図２の液晶表示装置では、液晶セルは、第１基板１４および第２基板１８と、これらに挟持される液晶層１６からなる。液晶層の厚さｄ（μｍ）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄは透過モードにおいて、ねじれ構造を持たないＩＰＳ型では０．２〜０．４μｍの範囲が最適値となる。この範囲では白表示輝度が高く、黒表示輝度が小さいことから、明るくコントラストの高い表示装置が得られる。第１基板１４および第２基板１８の液晶層１６に接触する表面には、配向膜（不図示）が形成されていてもよく、液晶性化合物を第１基板１４または第２基板１８の表面に対して略平行に配向させるとともに配向膜上に施された第１基板ラビング処理方向１５および第２基板ラビング処理方向１９等により、電圧無印加状態もしくは低印加状態における液晶性化合物配向方向が制御されている。また、第１基板１４または第２基板１８内面には、液晶性化合物に電圧印加可能な電極（図２中不図示）が形成されている。
【００２３】
図２に、液晶層１６の１画素領域中の液晶性化合物の配向を模式的に示す。図２は、液晶層１６の１画素に相当する程度の極めて小さい面積の領域中の液晶性化合物の配向を、基板の内面に形成された配向膜のラビング方向４、および基板の内面に形成された液晶性化合物に電圧印加可能な画素電極２および表示電極３とともに示した模式図である。電界効果型液晶として正の誘電異方性を有するネマチック液晶を用いてアクティブ駆動を行った場合の、電圧無印加状態若しくは低印加状態での液晶性化合物配向方向は５ａおよび５ｂであり、この時に黒表示が得られる。電極２・３間に印加されると、電圧に応じて液晶性化合物は６ａ・６ｂ方向へとその配向方向を変える。通常、この状態で明表示（白表示）を行なう。
【００２４】
再び図３において、第１偏光膜の偏光透過軸９と、第２偏光膜の偏光透過軸２２は直交して配置されている。第１位相差領域１１の遅相軸１３は、第１偏光膜の偏光透過軸９および黒表示時の液晶層１６中の液晶性化合物の遅相軸方向１７に平行である。ここで、第１位位相差領域は、例えば、透明支持体、第２位相差領域は光学異方性層とすることができる。
図３に示す液晶表示装置では、第１偏光膜８が２枚の第１偏光用保護膜７ａ・７ｂに挟持された構成を示しているが、第１偏光用保護膜７ｂは必須の要件ではない。保護膜７ｂがない場合は、第１位相差領域１１の一部または全部が、偏光膜の保護膜７ｂとしても機能し得る特性を有しているのが好ましい。また、第２偏光膜２１も２枚の保護膜２０ａ・２０ｂに挟持されているが、液晶層１６に近い側の保護膜２０ａはなくてもよい。なお、図２の態様では、第１位相差領域１１および第２位相差領域１２は、液晶セルの位置を基準にして、液晶セルと視認側の偏光膜との間に配置されていてもよいし、液晶セルと背面側の偏光膜との間に配置されていてもよい。本実施形態では、いずれの構成においても、第２位相差領域が液晶セルにより近くなるように配置することが好ましい。
【００２５】
本発明の他の実施形態を図４に示す。図４の液晶表示装置は、第２位相差領域１２が第１偏光膜８および第１位相差領域１１の間に配置されている。図３の液晶表示装置において、第１偏光板保護膜７ｂはなくてもよい。保護膜７ｂがない場合は、第２位相差領域１２の一部または全部が、偏光膜の保護膜７ｂとしても機能し得る特性を有していることが好ましい。また、第２偏光膜２１も２枚の第２偏光板保護膜２０ａ・２０ｂに挟持されているが、液晶層１６に近い側の第２偏光板保護膜２０ａはなくてもよい。図４に示す態様では、第１位相差領域１１は、その遅相軸１３が、第１偏光膜の透過軸９と黒表示時の液晶層１６中の液晶性化合物の遅相軸方向１７に直交になるように配置される。なお、図４の態様では、第１位相差領域１１および第２位相差領域１２は、液晶セルの位置を基準にして、液晶セルと視認側の偏光膜との間に配置されていてもよいし、液晶セルと背面側の偏光膜との間に配置されていてもよい。本実施形態では、いずれの構成においても、第１位相差領域が液晶セルにより近くなるように配置する。
【００２６】
なお、図４および図３には、上側偏光板および下側偏光板を備えた透過モードの表示装置の態様を示したが、本発明は一の偏光板のみを備える反射モードの態様であってもよく、かかる場合は、液晶セル内の光路が２倍になることから、最適Δｎ・ｄの値は上記の１／２程度の値になる。また、本発明に用いられる液晶セルはＩＰＳモードに限定されることなく、黒表示時に液晶性化合物が前記一対の基板の表面に対して実質的に平行に配向する液晶表示装置であれば、いずれも好適に用いることができる。この例としては強誘電性液晶表示装置、反強誘電性液晶表示装置、ＥＣＢ型液晶表示装置がある。
【００２７】
本発明の液晶表示装置は、図２〜図４に示す構成に限定されず、他の部材を含んでいてもよい。例えば、液晶層と偏光膜との間にカラーフィルターを配置してもよい。また、偏光膜の保護膜の表面に反射防止処理やハードコートを施してもよい。また、構成部材に導電性を付与したものを使用してもよい。また、透過型として使用する場合は、冷陰極あるいは熱陰極蛍光管、または発光ダイオード、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセント素子を光源とするバックライトを背面に配置することができる。この場合、バックライトの配置は図３および図４の上側であっても下側であってもよい。また、液晶層とバックライトとの間に、反射型偏光板や拡散板、プリズムシートや導光板を配置することもできる。また、上記した様に、本発明の液晶表示装置は、反射型であってもよく、かかる場合は、偏光板は観察側に１枚配置したのみでよく、液晶セル背面あるいは液晶セルの下側基板の内面に反射膜を配置する。もちろん前記光源を用いたフロントライトを液晶セル観察側に設けることも可能である。
【００２８】
本発明の液晶表示装置には、画像直視型、画像投影型や光変調型が含まれる。本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やＭｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ（ＭＩＭ）のような３端子または２端子半導体素子を用いたアクティブマトリックス液晶表示装置に適用した態様が特に有効である。勿論、時分割駆動と呼ばれるパッシブマトリックス液晶表示装置に適用した態様も有効である。
【００２９】
以下、本発明の液晶表示装置に使用可能な種々の部材の好ましい光学特性や部材に用いられる材料、その製造方法等について、詳細に説明する。
【００３０】
［第１位相差領域］
本発明の液晶表示装置に含まれる第１位相差領域は、Ｒｅ（λ）が２０ｎｍ〜１５０ｎｍであって、斜め方向の光漏れを効果的に低減するためには、第１位相差領域のＲｅ（λ）は、４０ｎｍ〜１１５ｎｍであるのがより好ましく、６０ｎｍ〜９５ｎｍであるのがさらに好ましい。また、第１位相差領域の厚さ方向のＲｔｈ（λ）を用いてＮｚ＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋０．５で定義されるＮｚが１．５〜７であって、斜め方向の光漏れを効果的に低減するためには、第１位相差領域のＮｚは、２．０〜５．５であるのがより好ましく、２．５〜４．５であるのがさらに好ましい。
【００３１】
前記第１位相差領域は、前記光学特性を有する限り、基本的にその材料および形態については特に制限されない。例えば、ポリマーフィルム（好ましくは、複屈折ポリマーフィルムからなる位相差膜）、支持体上に高分子化合物を塗布後に加熱延伸した膜、および支持体上に低分子若しくは高分子液晶性化合物を塗布または転写することによって形成された位相差層を有する位相差膜など、いずれも使用することができる。また、それぞれを積層して使用することもできる。
【００３２】
複屈折ポリマーフィルムとしては、複屈折特性の制御性や透明性、耐熱性に優れるものが好ましい。この場合、用いる高分子材料としては均一な二軸配向が達成できる高分子であれば特に制限はないが、従来公知のもので溶液流延法や押出し成形方式で製膜できるもの好ましく、ノルボルネン系高分子、ポリカーボネート系高分子、ポリアリレート系高分子、ポリエステル系高分子、ポリサルフォン等の芳香族系高分子、セルロースアシレート、または、それらポリマーの２種または３種以上を混合したポリマーなどがあげられる。
【００３３】
複屈折ポリマーフィルムの二軸配向は、押出し成形方式や流延製膜方式等の適宜な方式で製造した当該熱可塑性樹脂からなるフィルムを、例えばロールによる縦延伸方式、テンターによる横延伸方式や二軸延伸方式などにより、延伸処理することにより達成することができる。前記のロールによる縦延伸方式では加熱ロールを用いる方法や雰囲気を加熱する方法、それらを併用する方法等の加熱方法を採ることができる。またテンターによる二軸延伸方式では全テンター方式による同時二軸延伸方法や、ロール・テンター法による逐次二軸延伸方法などの方法を採ることができる。
また、配向ムラや位相差ムラの少ないものが好ましい。その厚さは、位相差等により決定しうるが、一般には薄型化の点より１〜３００μｍであることが好ましく、１０〜２００μｍであることがより好ましく、２０〜１５０μｍであることがさらに好ましい。
【００３４】
ノルボルネン系高分子としては、ノルボルネンおよびその誘導体、テトラシクロドデセンおよびその誘導体、ジシクロペンタジエンおよびその誘導体、メタノテトラヒドロフルオレンおよびその誘導体などのノルボルネン系モノマーの主成分とするモノマーの重合体であり、ノルボルネン系モノマーの開環重合体、ノルボルネン系モノマーとこれと開環共重合可能なその他のモノマーとの開環共重合体、ノルボルネン系モノマーの付加重合体、ノルボルネン系モノマーとこれと共重合可能なその他のモノマーとの付加共重合体、およびの水素添加物などが挙げられる。これらの中でも、耐熱性、機械的強度等の観点から、ノルボルネン系モノマーの開環重合体水素化物が最も好ましい。ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィンの重合体または環状共役ジエンの重合体の分子量は、使用目的に応じて適宜選択されるが、シクロヘキサン溶液（重合体樹脂が溶解しない場合はトルエン溶液）のゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーで測定したポリイソプレンまたはポリスチレン換算の重量平均分子量で、好ましくは５，０００〜５００，０００、より好ましくは８，０００〜２００，０００、さらに好ましくは１０，０００〜１００，０００の範囲であるときに、フイルム（Ａ）の機械的強度、および成形加工性とが高度にバランスされて好適である。代表的なポリマーとして、特開２００３−３２７８００号公報、特開２００４−２３３６０４号公報に記載されたポリマーが挙げられる。
【００３５】
セルロースアシレートのアシル基としては、脂肪族基でも芳香族基でもよく、特に限定されない。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよく、総炭素原子数が２２以下のエステル基が好ましい。これらの好ましいセルロースアシレートとしては、エステル部の総炭素原子数が２２以下のアシル基（例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチロイル基、バレル基、ヘプタノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、トリデカノイル基、ヘキサデカノイル基、オクタデカノイル基など）、アリールカルボニル基（アクリル基、メタクリル基など）、アリルカルボニルキ（ベンゾイル基、ナフタロイル基など）、シンナモイル基を挙げることができる。これらの中でも、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートステアレート、セルロースアセテートベンゾエートなどであり、混合エステルの場合はその比率は特に限定されないが、好ましくはアセテートが総エステルの３０モル％以上であることが好ましい。
【００３６】
これらの中でも、セルロースアシレートが好ましく、特に写真用グレードのものが好ましく、市販の写真用グレードのものは粘度平均重合度、置換度等の品質を満足して入手することができる。写真用グレードのセルローストリアセテートのメーカーとしては、ダイセル化学工業（株）（例えばＬＴ−２０，３０，４０，５０，７０，３５，５５，１０５など）、イーストマンケミカル社（例えば、ＣＡＢ−５５１−０．０１、ＣＡＢ−５５１−０．０２、ＣＡＢ−５００−５、ＣＡＢ−３８１−０．５、ＣＡＢ−３８１−０２、ＣＡＢ−３８１−２０、ＣＡＢ−３２１−０．２、ＣＡＰ−５０４−０．２、ＣＡＰ−４８２−２０、ＣＡ−３９８−３など）、コートルズ社、ヘキスト社等があり、何れも写真用グレードのセルロースアシレートを使用できる。また、フィルムの機械的特性や光学的な特性を制御する目的で、可塑剤、界面活性剤、レターデーション調節剤、ＵＶ吸収剤などを混合することができる。これらの添加剤の詳細については、例えば、特開２００２−２７７６３２号公報、特開２００２−１８２２１５号公報に記載がある。
【００３７】
特に好ましいセルロースアシレートとしては、全アシル置換度、即ち、ＤＳ2＋ＤＳ3＋ＤＳ6は２．００〜３．００であり、６位置換率であるＤ6Ｓ／（ＤＳ2＋ＤＳ3＋ＤＳ6）は０．３１５以上であるセルロースアシレートが挙げられる。ＤＳ2＋ＤＳ3＋ＤＳ6は、より好ましくは２．２２〜２．９０であり、特に好ましくは２．４０〜２．８２である。また、Ｄ6Ｓ／（ＤＳ2＋ＤＳ3＋ＤＳ6）は、より好ましくは０．３２２以上、特に好ましくは０．３２４〜０．３４０である。ここで、ＤＳ2はグルコース単位の２位の水酸基のアシル基による置換度（以下、「２位のアシル置換度」とも言う）であり、ＤＳ3は３位の水酸基のアシル基による置換度（以下、「３位のアシル置換度」とも言う）であり、ＤＳ6は６位の水酸基のアシル基による置換度である（以下、「６位のアシル置換度」とも言う）。
【００３８】
（添加剤）
本発明で用いるセルロースアシレートを形成するための組成物には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、レターデーション（光学異方性）調節剤、微粒子、剥離促進剤、赤外吸収剤、など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号公報などに記載されている。剥離促進剤としてはクエン酸のエチルエステル類が例として挙げられる。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号公報に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。更にまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフィルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号公報などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これら添加剤の種類や添加量の選択によって、セルロースアシレートフィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）を８０〜１８０℃に、引張試験機で測定する弾性率を１５００〜３０００ＭＰａすることが好ましい。
さらにこれらの詳細は、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁以降に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。
【００３９】
（可塑剤）
第１位相差領域を構成する膜中には可塑剤を含むことが好ましい。用いることのできる可塑剤としては特に制限はないが、リン酸エステル系では、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート等、フタル酸エステル系では、ジエチルフタレート、ジメトキシエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキシルフタレート等、グリコール酸エステル系では、トリアセチン、トリブチリン、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等のセルロースアシレートよりも疎水的なものを単独あるいは併用するのが好ましい。可塑剤は必要に応じて、２種類以上を併用して用いてもよい。
【００４０】
（レターデーション発現剤）
本発明ではレターデーション値を発現するため、第１位相差領域を構成する膜中にはレターデーション発現剤を含んでいてもよい。レターデーション発現剤は、特に定めるものではないが、棒状化合物または円盤状化合物であることが好ましく、少なくとも二つの芳香族環を有する化合物がより好ましい。レターデーション発現剤は、第１位相差領域を構成するポリマー１００質量部に対して、０．０５〜２０質量部の範囲で使用することが好ましく、０．１〜１０質量部の範囲で使用することがより好ましく、０．２〜５質量部の範囲で使用することがさらに好ましく、０．５〜２質量部の範囲で使用することが最も好ましい。二種類以上のレターデーション発現剤を併用してもよい。
レターデーション発現剤は、２５０〜４００ｎｍの波長領域に最大吸収を有することが好ましく、可視領域に実質的に吸収を有していないことが好ましい。
【００４１】
前記レターデーション発現剤が有していてもよい芳香族環は、芳香族炭化水素環に加えて、芳香族性ヘテロ環を含む。該芳香族炭化水素環は、６員環（すなわち、ベンゼン環）であることが特に好ましい。芳香族性ヘテロ環は一般に、不飽和ヘテロ環である。芳香族性ヘテロ環は、５員環、６員環または７員環であることが好ましく、５員環または６員環であることがさらに好ましい。芳香族性ヘテロ環は一般に、最多の二重結合を有する。ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子および硫黄原子が好ましく、窒素原子が特に好ましい。芳香族性ヘテロ環の例には、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、フラザン環、トリアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環および１，３，５−トリアジン環が含まれる。
芳香族環としては、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環および１，３，５−トリアジン環が好ましく、特に１，３，５−トリアジン環が好ましく用いられる。具体的には例えば特開２００１−１６６１４４号公報に開示の化合物が好ましく用いられる。
【００４２】
レターデーション発現剤が有する芳香族環の数は、２〜２０であることが好ましく、２〜１２であることがより好ましく、２〜８であることがさらに好ましく、２〜６であることが最も好ましい。
二つの芳香族環の結合関係は、（ａ）縮合環を形成する場合、（ｂ）単結合で直結する場合および（ｃ）連結基を介して結合する場合に分類できる（芳香族環のため、スピロ結合は形成できない）。結合関係は、（ａ）〜（ｃ）のいずれでもよい。
【００４３】
（ａ）の縮合環（二つ以上の芳香族環の縮合環）の例には、インデン環、ナフタレン環、アズレン環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン環、アセナフチレン環、ビフェニレン環、ナフタセン環、ピレン環、インドール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、インドリジン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環、プリン環、インダゾール環、クロメン環、キノリン環、イソキノリン環、キノリジン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェナントリジン環、キサンテン環、フェナジン環、フェノチアジン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン環およびチアントレン環が含まれる。ナフタレン環、アズレン環、インドール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環およびキノリン環が好ましい。
【００４４】
（ｂ）の単結合は、二つの芳香族環の炭素原子間の結合であることが好ましい。二以上の単結合で二つの芳香族環を結合して、二つの芳香族環の間に脂肪族環または非芳香族性複素環を形成してもよい。
【００４５】
（ｃ）の連結基も、二つの芳香族環の炭素原子と結合することが好ましい。連結基は、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−またはそれらの組み合わせであることが好ましい。組み合わせからなる連結基の例を以下に示す。なお、以下の連結基の例の左右の関係は、逆になってもよい。
ｃ１：−ＣＯ−Ｏ−
ｃ２：−ＣＯ−ＮＨ−
ｃ３：−アルキレン基−Ｏ−
ｃ４：−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−
ｃ５：−ＮＨ−ＣＯ−Ｏ−
ｃ６：−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−
ｃ７：−Ｏ−アルキレン基−Ｏ−
ｃ８：−ＣＯ−アルケニレン基−
ｃ９：−ＣＯ−アルケニレン基−ＮＨ−
ｃ10：−ＣＯ−アルケニレン基−Ｏ−
ｃ11：−アルキレン基−ＣＯ−Ｏ−アルキレン基−Ｏ−ＣＯ−アルキレン基−
ｃ12：−Ｏ−アルキレン基−ＣＯ−Ｏ−アルキレン基−Ｏ−ＣＯ−アルキレン基−Ｏ−
ｃ13：−Ｏ−ＣＯ−アルキレン基−ＣＯ−Ｏ−
ｃ14：−ＮＨ−ＣＯ−アルケニレン基−
ｃ15：−Ｏ−ＣＯ−アルケニレン基−
【００４６】
上記芳香族環および連結基は、置換基を有していてもよい。
置換基の例には、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等）、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、スルホ基、カルバモイル基、スルファモイル基、ウレイド基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、脂肪族アシル基、脂肪族アシルオキシ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、脂肪族アミド基、脂肪族スルホンアミド基、脂肪族置換アミノ基、脂肪族置換カルバモイル基、脂肪族置換スルファモイル基、脂肪族置換ウレイド基および非芳香族性複素環基が含まれる。
【００４７】
アルキル基の炭素原子数は、１〜８であることが好ましい。環状アルキル基よりも鎖状アルキル基の方が好ましく、直鎖状アルキル基が特に好ましい。アルキル基は、さらに置換基（例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アルキル置換アミノ基）を有していてもよい。アルキル基の（置換アルキル基を含む）例には、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−ヒドロキシエチル基、４−カルボキシブチル基、２−メトキシエチル基および２−ジエチルアミノエチル基が含まれる。
アルケニル基の炭素原子数は、２〜８であることが好ましい。環状アルケニル基よりも鎖状アルケニル基の方が好ましく、直鎖状アルケニル基が特に好ましい。アルケニル基は、さらに置換基を有していてもよい。アルケニル基の例には、ビニル基、アリル基および１−ヘキセニル基が含まれる。
アルキニル基の炭素原子数は、２〜８であることが好ましい。環状アルキケニル基よりも鎖状アルキニル基の方が好ましく、直鎖状アルキニル基が特に好ましい。アルキニル基は、さらに置換基を有していてもよい。アルキニル基の例には、エチニル基、１−ブチニル基および１−ヘキシニル基が含まれる。
【００４８】
脂肪族アシル基の炭素原子数は、１〜１０であることが好ましい。脂肪族アシル基の例には、アセチル基、プロパノイル基およびブタノイル基が含まれる。
脂肪族アシルオキシ基の炭素原子数は、１〜１０であることが好ましい。脂肪族アシルオキシ基の例には、アセトキシ基が含まれる。
アルコキシ基の炭素原子数は、１〜８であることが好ましい。アルコキシ基は、さらに置換基（例えば、アルコキシ基）を有していてもよい。アルコキシ基の（置換アルコキシ基を含む）例には、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基およびメトキシエトキシ基が含まれる。
アルコキシカルボニル基の炭素原子数は、２〜１０であることが好ましい。アルコキシカルボニル基の例には、メトキシカルボニル基およびエトキシカルボニル基が含まれる。
アルコキシカルボニルアミノ基の炭素原子数は、２〜１０であることが好ましい。アルコキシカルボニルアミノ基の例には、メトキシカルボニルアミノ基およびエトキシカルボニルアミノ基が含まれる。
【００４９】
アルキルチオ基の炭素原子数は、１〜１２であることが好ましい。アルキルチオ基の例には、メチルチオ基、エチルチオ基およびオクチルチオ基が含まれる。
アルキルスルホニル基の炭素原子数は、１〜８であることが好ましい。アルキルスルホニル基の例には、メタンスルホニル基およびエタンスルホニル基が含まれる。
脂肪族アミド基の炭素原子数は、１〜１０であることが好ましい。脂肪族アミド基の例には、アセトアミド基が含まれる。
脂肪族スルホンアミド基の炭素原子数は、１〜８であることが好ましい。脂肪族スルホンアミド基の例には、メタンスルホンアミド基、ブタンスルホンアミド基およびｎ−オクタンスルホンアミド基が含まれる。
脂肪族置換アミノ基の炭素原子数は、１〜１０であることが好ましい。脂肪族置換アミノ基の例には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基および２−カルボキシエチルアミノ基が含まれる。
脂肪族置換カルバモイル基の炭素原子数は、２〜１０であることが好ましい。脂肪族置換カルバモイル基の例には、メチルカルバモイル基およびジエチルカルバモイル基が含まれる。
脂肪族置換スルファモイル基の炭素原子数は、１〜８であることが好ましい。脂肪族置換スルファモイル基の例には、メチルスルファモイル基およびジエチルスルファモイル基が含まれる。
脂肪族置換ウレイド基の炭素原子数は、２〜１０であることが好ましい。脂肪族置換ウレイド基の例には、メチルウレイド基が含まれる。
非芳香族性複素環基の例には、ピペリジノ基およびモルホリノ基が含まれる。
レターデーション発現剤の分子量は、３００〜８００であることが好ましい。
【００５０】
本発明では、上記化合物の他、直線的な分子構造を有する棒状化合物も好ましく用いることができる。直線的な分子構造とは、熱力学的に最も安定な構造において棒状化合物の分子構造が直線的であることを意味する。熱力学的に最も安定な構造は、結晶構造解析または分子軌道計算によって求めることができる。例えば、分子軌道計算ソフト（例えば、WinMOPAC2000、富士通（株）製）を用いて分子軌道計算を行い、化合物の生成熱が最も小さくなるような分子の構造を求めることができる。分子構造が直線的であるとは、上記のように計算して求められる熱力学的に最も安定な構造において、分子構造で主鎖の構成する角度が１４０度以上であることを意味する。
【００５１】
少なくとも二つの芳香族環を有する棒状化合物としては、下記一般式（１）で表される化合物が好ましい。
一般式（１）：Ａｒ1−Ｌ1−Ａｒ2
上記一般式（１）において、Ａｒ1およびＡｒ2は、それぞれ独立に、芳香族基である。ここでいう、芳香族基は、アリール基（芳香族性炭化水素基）、置換アリール基、芳香族性ヘテロ環基および置換芳香族性ヘテロ環基を含む。アリール基および置換アリール基の方が、芳香族性ヘテロ環基および置換芳香族性ヘテロ環基よりも好ましい。芳香族性へテロ環基のヘテロ環は、好ましくは不飽和化合物である。芳香族性ヘテロ環は、５員環、６員環または７員環であることが好ましく、５員環または６員環であることがさらに好ましい。芳香族性へテロ環は一般に最多の二重結合を有する。ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましく、窒素原子または硫黄原子がさらに好ましい。
芳香族基の芳香族環としては、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピリミジン環およびピラジン環が好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。
【００５２】
置換アリール基および置換芳香族性ヘテロ環基の置換基の例には、ハロゲン原子（Ｆ、
Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミノ基（例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基）、ニトロ基、スルホ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基（例えば、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ−エチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基）、スルファモイル基、アルキルスルファモイル基（例えば、Ｎ−メチルスルファモイル、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基）、ウレイド基、アルキルウレイド基（例えば、Ｎ−メチルウレイド基、Ｎ，Ｎ−ジメチルウレイド基、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリメチルウレイド基）、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソプロピル基、ｓ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、シクロヘキシ基、シクロペンチル基）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、ヘキセニル基）、アルキニル基（例えば、エチニル基、ブチニル基）、アシル基（例えば、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ヘキサノイル基、ラウリル基）、アシルオキシ基（例えば、アセトキシ基、ブチリルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ラウリルオキシ基）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニルアミノ基（例えば、ブトキシカルボニルアミノ基、ヘキシルオキシカルボニルアミノ基）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基、ブチルスルホニル基、ペンチルスルホニル基、ヘプチルスルホニル基、オクチルスルホニル基）、アミド基（例えば、アセトアミド基、ブチルアミド基、ヘキシルアミド基、ラウリルアミド基）および非芳香族性複素環基（例えば、モルホリル基、ピラジニル基）が含まれる。
【００５３】
なかでも、好ましい置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基およびアルキル基が挙げられる。
アルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基およびアルキルチオ基のアルキル部分とアルキル基とは、さらに置換基を有していてもよい。アルキル部分およびアルキル基の置換基の例には、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミノ基、ニトロ基、スルホ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、スルファモイル基、アルキルスルファモイル基、ウレイド基、アルキルウレイド基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アミド基および非芳香族性複素環基が含まれる。アルキル部分およびアルキル基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基およびアルコキシ基が好ましい。
【００５４】
一般式（１）において、Ｌ1は、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−およびそれらの組み合わせからなる基から選ばれる二価の連結基である。アルキレン基は、環状構造を有していてもよい。環状アルキレン基としては、シクロヘキシレン基が好ましく、１，４−シクロへキシレン基が特に好ましい。鎖状アルキレン基としては、直鎖状アルキレン基の方が分岐を有するアルキレン基よりも好ましい。
アルキレン基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、より好ましくは１〜１５であり、さらに好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは１〜８であり、最も好ましくは１〜６である。
【００５５】
アルケニレン基およびアルキニレン基は、環状構造よりも鎖状構造を有することが好ましく、分岐を有する鎖状構造よりも直鎖状構造を有することがさらに好ましい。
アルケニレン基およびアルキニレン基の炭素原子数は、好ましくは２〜１０であり、より好ましくは２〜８であり、さらに好ましくは２〜６であり、さらに好ましくは２〜４であり、最も好ましくは２（ビニレン基またはエチニレン基）である。
アリーレン基は、炭素原子数は６〜２０であることが好ましく、より好ましくは６〜１６であり、さらに好ましくは６〜１２である。
【００５６】
一般式（１）の分子構造において、Ｌ1を挟んで、Ａｒ1とＡｒ2とが形成する角度は、１４０度以上であることが好ましい。
棒状化合物としては、下記式一般式（２）で表される化合物がさらに好ましい。
一般式（２）：Ａｒ1−Ｌ2−Ｘ−Ｌ3−Ａｒ2
上記一般式（２）において、Ａｒ1およびＡｒ2は、それぞれ独立に、芳香族基である。芳香族基の定義および例は、一般式（Ｉ）のＡｒ1およびＡｒ2と同様である。
【００５７】
一般式（２）において、Ｌ2およびＬ3は、それぞれ独立に、アルキレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−およびそれらの組み合わせからなる基より選ばれる二価の連結基である。
アルキレン基は、環状構造よりも鎖状構造を有することが好ましく、分岐を有する鎖状構造よりも直鎖状構造を有することがさらに好ましい。
アルキレン基の炭素原子数は、１〜１０であることが好ましく、より好ましくは１〜８であり、さらに好ましくは１〜６であり、さらに好ましくは１〜４であり、１または２（メチレン基またはエチレン基）であることが最も好ましい。
Ｌ2およびＬ3は、−Ｏ−ＣＯ−または−ＣＯ−Ｏ−であることが特に好ましい。
【００５８】
一般式（２）において、Ｘは、１，４−シクロへキシレン基、ビニレン基またはエチニレン基である。
以下に、一般式（１）で表される化合物の具体例を示す。
【００５９】
【化２】
2006301605.tif 000003
【００６０】
【化３】
2006301605.tif 000004
【００６１】
【化４】
2006301605.tif 000005
【００６２】
【化５】
2006301605.tif 000006
【００６３】
【化６】
2006301605.tif 000007
【００６４】
【化７】
2006301605.tif 000008
【００６５】
【化８】
2006301605.tif 000009
【００６６】
【化９】
2006301605.tif 000010
【００６７】
【化１０】
2006301605.tif 000011
【００６８】
具体例（１）〜（３４）、（４１）、（４２）は、シクロヘキサン環の１位と４位とに二つの不斉炭素原子を有する。ただし、具体例（１）、（４）〜（３４）、（４１）、（４２）は、対称なメソ型の分子構造を有するため光学異性体（光学活性）はなく、幾何異性体（トランス型とシス型）のみ存在する。具体例（１）のトランス型（１−ｔｒａｎｓ）とシス型（１−ｃｉｓ）とを、以下に示す。
【００６９】
【化１１】
2006301605.tif 000012
【００７０】
前述したように、棒状化合物は直線的な分子構造を有することが好ましい。そのため、トランス型の方がシス型よりも好ましい。
具体例（２）および（３）は、幾何異性体に加えて光学異性体（合計４種の異性体）を有する。幾何異性体については、同様にトランス型の方がシス型よりも好ましい。光学異性体については、特に優劣はなく、Ｄ、Ｌあるいはラセミ体のいずれでもよい。
具体例（４３）〜（４５）では、中心のビニレン結合にトランス型とシス型とがある。上記と同様の理由で、トランス型の方がシス型よりも好ましい。
【００７１】
その他、本発明で用いることができる好ましいレターでーション発現剤を以下に示す。
【化１２】
2006301605.tif 000013
【００７２】
【化１３】
2006301605.tif 000014
【００７３】
また、本発明においては、ポリマーフィルム形成用組成物の紫外線吸収スペクトルにおいて最大吸収波長（λmax）が２５０ｎｍより短波長である棒状化合物を、二種類以上併用することも好ましい。
棒状化合物は、文献記載の方法を参照して合成できる。文献としては、Mol. Cryst. Liq. Cryst., 53巻、229ページ（１９７９年）、同89巻、93ページ（１９８２年）、同145巻、111ページ（１９８７年）、同170巻、43ページ（１９８９年）、J. Am. Chem. Soc.,113巻、1349ページ（１９９１年）、同118巻、5346ページ（１９９６年）、同92巻、1582ページ（１９７０年）、J. Org. Chem.,40巻、420ページ（１９７５年）、Tetrahedron、48巻16号、3437ページ（１９９２年）を挙げることができる。
レターデーション発現剤の添加量は、ポリマーの量の０．１〜３０質量％であることが好ましく、０．５〜２０質量％であることがさらに好ましい。
【００７４】
特に、芳香族化合物であるレターデーション発現剤は、セルロースアセテート１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部の範囲で使用することが好ましい。芳香族化合物は、セルロースアセテート１００質量部に対して、０．０５〜１５質量部の範囲で使用することがより好ましく、０．１〜１０質量部の範囲で使用することがさらに好ましい。二種類以上の化合物を併用してもよい。
【００７５】
ポリマーフィルム作製にあたり、透明樹脂をシートまたはフィルム状に成形する方法は、例えば、加熱溶融成形法、溶液流延法のいずれも用いることができる。加熱溶融成形法は、さらに詳細に、押出成形法、プレス成形法、インフレーション成形法、射出成形法、ブロー成形法、延伸成形法などに分類できるが、これらの方法の中でも、機械的強度、表面精度等に優れたフィルムを得るためには、押出成形法、インフレーション成形法、およびプレス成形法が好ましく、押出成形法が最も好ましい。成形条件は、使用目的や成形方法により適宜選択されるが、加熱溶融成形法による場合は、シリンダー温度が、好ましくは１００〜４００℃、より好ましくは１５０〜３５０℃の範囲で適宜設定される。上記ポリマーフィルムの厚みは、好ましくは１０〜３００μｍ、より好ましくは３０〜２００μｍである。
上記ポリマーフィルムの延伸は、該透明樹脂のガラス転移温度をＴｇとするとき、好ましくはＴｇ−３０℃からＴｇ＋６０℃の温度範囲、より好ましくはＴｇ−１０℃からＴｇ＋５０℃の温度範囲にて、少なくとも一方向に好ましくは１．０１〜２倍の延伸倍率で行う。延伸方向は少なくとも一方向であればよいが、その方向は、ポリマーフィルムが押出成形で得られたものである場合には、樹脂の機械的流れ方向（押出方向）であることが好ましく、延伸方法は自由収縮一軸延伸法、幅固定一軸延伸法、二軸延伸法などが好ましい。光学特性の制御はこの延伸倍率と加熱温度を制御することによって行なうことができる。
【００７６】
［第２位相差領域］
本発明の液晶表示装置が有する第２位相差領域は、Ｒｅが５ｎｍ以下で、第２位相差領域の厚み方向のレターデーションＲｔｈ（λ）は、−８０ｎｍ〜−４００ｎｍである。Ｒｅ（λ）の好ましい範囲は、３ｎｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
前記第２位相差領域のＲｔｈ（λ）のより好ましい範囲は、他の光学部材の光学特性に応じて変動し、特に、より近くに位置する偏光膜の保護膜（例えば、セルロースアセテートフィルムまたはノルボルネン系フィルム）のＲｔｈ（λ）に応じて変動するが、斜め方向の光漏れを効果的に低減するためには、第２位相差領域のＲｔｈ（λ）は、−１００ｎｍ〜−３４０ｎｍであるのが好ましく、−１２０ｎｍ〜−２７０ｎｍであるのがより好ましい。
【００７７】
前記第２位相差領域は、本発明の光学異方性膜を含むことが好ましい。該光学異方性膜中において、棒状液晶性化合物の分子は垂直配向した状態に固定されていることが好ましい。前記第２位相差領域は、前記光学異方性膜のみからなっていても、複数の光学異方性膜からなっていてもよい。また、支持体と光学異方性膜との積層体全体で上記光学特性を満たすようにして、第２位相差領域を構成してもよい。用いる棒状液晶化合物としては、配向固定させる温度範囲で、ネマチック液晶相、スメクチック液晶相、リオトロピック液晶相状態をとるものが好適に用いられる。均一な配向状態を得るためにネマチック相を示す液晶が好ましい。特にまた、添加剤の存在下において、適切な配向温度範囲で、上記液晶状態となる棒状液晶性化合物については、該添加剤と棒状液晶性化合物を含有する組成物を用いて光学異方性膜を形成するのも好ましい。
【００７８】
実質的に垂直とは、フィルム面と棒状液晶性化合物のダイレクターとのなす角度が７０°〜９０°の範囲内であることを意味する。これらの液晶性化合物は斜め配向させてもよいし、傾斜角が徐々に変化するように（ハイブリッド配向）させてもよい。斜め配向またはハイブリッド配向の場合でも、平均傾斜角は７０°〜９０°であることが好ましく、８０°〜９０°がより好ましく、８５°〜９０°が最も好ましい。
【００７９】
以下、本発明で用いる組成物について説明する。該組成物は、本発明の液晶表示装置の第２位相差領域を作製するのに用いることができる。もちろん、これ以外のものから本発明の液晶表示装置の第２位相差領域を作製してもよいことは言うまでもない。
（本発明で用いる組成物）
本発明で用いる組成物は、配向膜界面での垂直配向を促進する添加剤としてオニウム塩の少なくとも一種、棒状液晶性化合物の少なくとも一種、および棒状液晶化合物の空気界面での垂直配向を促進する添加剤の少なくとも一種を含有することが好ましい。
《オニウム塩》
本発明で用いるはオニウム塩の少なくとも一種を含有することが好ましい。本発明においてオニウム塩は配向膜界面側において棒状液晶化合物の分子を垂直配向させるのに寄与する。前記オニウム塩の例には、アンモニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩等のオニウム塩が含まれる。好ましくは、４級オニウム塩であり、より好ましくは第４級アンモニウム塩である。
【００８０】
第４級アンモニウム塩は、一般に、第３級アミン（例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピペラジン、トリエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミンなど）あるいは含窒素複素環（ピリジン環、ピコリン環、２，２’−ビピリジル環、４，４’−ビピリジル環、１，１０−フェナントロリン環、キノリン環、オキサゾール環、チアゾール環、Ｎ−メチルイミダゾール環、ピラジン環、テトラゾール環など）をアルキル化（メンシュトキン反応）、アルケニル化、アルキニル化あるいはアリール化して得られる。
【００８１】
第４級アンモニウム塩としては、含窒素複素環からなる第４級アンモニウム塩が好ましく、特に好ましくは第４級ピリジニウム塩である。
より具体的には、前記第４級アンモニウム塩は、下記一般式（３ａ）または後述する一般式（３ｂ）で表される第４級ピリジニウム塩から選ばれるのが好ましい。
【００８２】
【化１４】
2006301605.tif 000015
式（３ａ）中、Ｒ8は置換もしくは無置換の、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アリール基または複素環基を表し、Ｄは水素結合性基を表し、ｍは１〜３の整数を表し、Ｘ-はアニオンを表す。
【００８３】
まず、前記一般式（３ａ）について説明する。
上記Ｒ8で表されるアルキル基は、炭素原子数１〜１８の置換もしくは無置換のアルキル基が好ましく、より好ましくは炭素原子数１〜８の置換もしくは無置換のアルキル基である。これらは、直鎖状、分岐鎖状、あるいは環状であってもよい。これらの例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ネオペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基およびシクロプロピル基等が挙げられる。
【００８４】
アルキル基の置換基の例としては、以下のものを挙げることができる。炭素原子数２〜１８（好ましくは炭素原子数２〜８）の置換もしくは無置換のアルケニル基（例えば、ビニル基）；炭素原子数２〜１８（好ましくは炭素原子数２〜８）の置換もしくは無置換のアルキニル基（例えば、エチニル基）；炭素原子数６〜１０の置換もしくは無置換のアリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基）；ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ等）；炭素原子数１〜１８（好ましくは炭素原子数１〜８）の置換もしくは無置換のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基）；炭素原子数６〜１０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ビフェニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシ基）；炭素原子数１〜１８（好ましくは炭素原子数１〜８）の置換もしくは無置換のアルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基）；炭素原子数６〜１０の置換もしくは無置換のアリールチオ基（例えば、フェニルチオ基）；炭素原子数２〜１８（好ましくは炭素原子数２〜８）の置換もしくは無置換のアシル基（例えば、アセチル基、プロピオニル基）；
【００８５】
炭素原子数１〜１８（好ましくは炭素原子数１〜８）の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基またはアリールスルホニル基（例えば、メタンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基）；炭素原子数２〜１８（好ましくは炭素原子数２〜８）の置換もしくは無置換のアシルオキシ基（例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基）；炭素原子数２〜１８（好ましくは炭素原子数２〜８）の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基）；炭素原子数７〜１１の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基（例えば、ナフトキシカルボニル基）；無置換のアミノ基、もしくは炭素原子数１〜１８（好ましくは炭素原子数１〜８）の置換アミノ基（例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、アニリノ基、メトキシフェニルアミノ基、クロロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、メトキシカルボニルアミノ基、ｎ−ブトキシカルボニルアミノ基、フェノキシカルボニルアミノ基、メチルカルバモイルアミノ基、エチルチオカルバモイルアミノ基、フェニルカルバモイルアミノ基、アセチルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、エチルチオカルバモイルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、クロロアセチルアミノ基、メチルスルホニルアミノ基）；
【００８６】
炭素原子数１〜１８（好ましくは炭素原子数１〜８）の置換もしくは無置換のカルバモイル基（例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ｎ−ブチルカルバモイル基、ｔｅｒｔ−ブチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、モルホリノカルバモイル基、ピロリジノカルバモイル基）；無置換のスルファモイル基、もしくは炭素原子数１〜１８（好ましくは炭素原子数１〜８）の置換スルファモイル基（例えば、メチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基）；シアノ基；ニトロ基；カルボキシ基；水酸基；ヘテロ環基（例えば、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、インドレニン環、ピリジン環、ピペリジン環、ピロリジン環、モルホリン環、スルホラン環、フラン環、チオフェン環、ピラゾール環、ピロール環、クロマン環、クマリン環）。アルキル基の置換基としては、特に好ましくは、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールスルホニル基、アリールオキシカルボニル基である。
【００８７】
上記Ｒ8で表されるアルケニル基は、炭素原子数２〜１８の置換もしくは無置換のアルケニル基が好ましく、より好ましくは炭素原子数２〜８の置換もしくは無置換のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリル基、１−プロペニル基、１，３−ブタジエニル基等が挙げられる。
アルケニル基の置換基としては、前記アルキル基の置換基として挙げたものが好ましい。
【００８８】
上記Ｒ8で表されるアルキニル基は、炭素原子数２〜１８の置換もしくは無置換のアルキニル基が好ましく、より好ましくは炭素原子数２〜８の置換もしくは無置換のアルキニル基であり、例えば、エチニル基、２−プロピニル等が挙げられる。アルキニル基の置換基は、前記アルキル基の置換基として挙げたものが好ましい。
【００８９】
上記Ｒ8で表されるアラルキル基は、炭素原子数７〜１８の置換もしくは無置換のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、メチルベンジル基、ビフェニルメチル基、ナフチルメチル基等が好ましい。アラルキル基の置換基は前記アルキル基の置換基として挙げたものが挙げられる。
【００９０】
上記Ｒ8で表されるアリール基は、炭素原子数６〜１８の置換もしくは無置換のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基等が挙げられる。アリール基の置換基は前記アルキル基の置換基として挙げたものが好ましい。またこれらの他に、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基等）、アルキニル基、ベンゾイル基も好ましい。
【００９１】
上記Ｒ8で表される複素環基は、炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子から構成される５〜６員環の飽和または不飽和の複素環であり、これらの例としては、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、インドレニン環、ピリジン環、ピペリジン環、ピロリジン環、モルホリン環、スルホラン環、フラン環、チオフェン環、ピラゾール環、ピロール環、クロマン環、およびクマリン環が挙げられる。複素環基は置換されていてもよく、その場合の置換基としては、前記アルキル基の置換基として挙げたものが好ましい。Ｒ8で表される複素環基としては、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環が特に好ましい。
【００９２】
上記Ｒ8は好ましくは、置換もしくは無置換の、アルキル基、アラルキル基、アリール基または複素環基である。
【００９３】
Ｄは水素結合性基を表す。水素結合は、電気的に陰性な原子（例えば、Ｏ，Ｎ，Ｆ，Ｃｌ）と、同じように電気的に陰性な原子に共有結合した水素原子間に存在する。水素結合の理論的な解釈としては、例えば、Ｈ．  Ｕｎｅｙａｍａ  ａｎｄ  Ｋ．Ｍｏｒｏｋｕｍａ、Ｊｏｕｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ、第９９巻、第１３１６〜１３３２頁、１９７７年に報告がある。具体的な水素結合の様式としては、例えば、Ｊ．Ｎ．イスラエスアチヴィリ著、近藤保、大島広行訳、分子間力と表面力、マグロウヒル社、１９９１年の第９８頁、図１７に記載の様式が挙げられる。具体的な水素結合の例としては、例えば、Ｇ．Ｒ．Ｄｅｓｉｒａｊｕ、Ａｎｇｅｗａｎｔｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｅｄｉｔｉｏｎ  Ｅｎｇｌｉｓｈ、第３４巻、第２３１１頁、１９９５年に記載のものが挙げられる。
【００９４】
好ましい水素結合性基としては、メルカプト基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、酸アミド基、ウレイド基、カルバモイル基、カルボキシル基、スルホ基、含窒素複素環基（例えば、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、１，３，５−トリアジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、キノリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基、コハクイミド基、フタルイミド基、マレイミド基、ウラシル基、チオウラシル基、バルビツール酸基、ヒダントイン基、マレイン酸ヒドラジド基、イサチン基、ウラミル基などが挙げられる）を挙げることができる。更に好ましい水素結合性基としては、アミノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレイド基、カルバモイル基、カルボキシル基、スルホ基、ピリジル基を挙げることができ、特に好ましくは、アミノ基、カルバモイル基、ピリジル基を挙げることができる。
【００９５】
Ｘ-で表されるアニオンは無機陰イオンあるいは有機陰イオンのいずれであってもよく、ハロゲン陰イオン（例えば、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオンなど）、スルホネートイオン（例えば、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、メチル硫酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、ｐ−クロロベンゼンスルホン酸イオン、１，３−ベンゼンジスルホン酸イオン、１，５−ナフタレンジスルホン酸イオン、２，６−ナフタレンジスルホン酸イオンなど）、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロほう酸イオン、ピクリン酸イオン、酢酸イオン、リン酸イオン（例えば、ヘキサフルオロリン酸イオン）、水酸イオンなどが挙げられる。
Ｘ-は、好ましくは、ハロゲン陰イオン、スルホネートイオン、水酸イオンである。なおＸ-は１価のアニオンである必要はなく、２価以上のアニオンであってもよく、かかる場合は、前記化合物中のカチオンとアニオンとの比率も１：１である必要はなく、適宜決定される。
【００９６】
前記一般式（３ａ）中、ｍは好ましくは１である。
【００９７】
次に、前記一般式（３ｂ）について説明する。
【００９８】
【化１５】
2006301605.tif 000016
式（３ｂ）中、Ｒ9およびＲ10は各々置換もしくは無置換の、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アリール基または複素環基を表し、Ｘ-はアニオンを表す。
Ｒ9およびＲ10で各々表される置換もしくは無置換の、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アリール基または複素環基は、前記一般式（３ａ）中、Ｒ8で表される基と同義であり、その好ましい範囲も同一である。Ｘ-で表されるアニオンは、前記一般式（３ａ）中、Ｘ-で表されるアニオンと同義であり、その好ましい範囲も同一である。上述した様に、Ｘ-は１価のアニオンである必要はなく、２価以上のアニオンであってもよく、かかる場合は、前記化合物中のカチオンとアニオンとの比率も１：２である必要はなく、適宜決定される。
【００９９】
以下に、一般式（３ａ）または（３ｂ）で表される第４級ピリジニウム塩、その他本発明で好ましく用いられるオニウム塩の具体例を以下に示すが、本発明に用いられるオニウム塩はこれらに限定されるものではない。
【０１００】
【化１６】
2006301605.tif 000017
【０１０１】
【化１７】
2006301605.tif 000018
【０１０２】
【化１８】
2006301605.tif 000019
【０１０３】
【化１９】
2006301605.tif 000020
【０１０４】
【化２０】
2006301605.tif 000021
【０１０５】
【化２１】
2006301605.tif 000022
【０１０６】
【化２２】
2006301605.tif 000023
【０１０７】
【化２３】
2006301605.tif 000024
【０１０８】
本発明で用いる組成物中のオニウム塩の含有量は、その種類によって好ましい含有量が変動するが、通常は、併用される棒状液晶性化合物の含有量に対して、０．０１〜１０質量％であるのが好ましく、０．０５〜７質量％であるのがより好ましく、０．０５〜５質量％であるのがさらに好ましい。オニウム塩は二種類以上用いてもよいが、かかる場合は、使用する全種類のオニウム塩の含有量の合計が前記範囲であるのが好ましい。
【０１０９】
《棒状液晶性化合物》
本発明で用いる組成物は液晶性化合物の少なくとも一種を含有し、棒状液晶性化合物の少なくとも一種を含有することが好ましい。本発明で採用する棒状液晶性化合物は、正の屈折率異方性を有する液晶性化合物として用いることができる。本発明に用いる棒状液晶性化合物は、高分子化合物であっても低分子化合物であってもよい。また、棒状液晶性化合物は、光学異方性層中において固定された状態では、もはや液晶性を失っていてもよい。前記棒状液晶性化合物の好ましい例としては、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が挙げられる。以上のような低分子液晶性化合物だけではなく、高分子液晶性化合物も用いることができる。液晶性化合物には活性光線や電子線、熱などによって重合や架橋反応を起こしうる部分構造を有するものが好適に用いられる。その部分構造の個数は好ましくは１〜６個、より好ましくは１〜３個である。本発明で採用する棒状液晶性化合物は、その配向状態を固定するために、重合性基を有する重合性棒状液晶性化合物であるのが好ましい。重合性基は、ラジカル重合性不飽基またはカチオン重合性基が好ましく、具体的には、例えば特開２００２−６２４２７号公報中の段落番号［００６４］〜［００８６］記載の重合性基、重合性液晶化合物が挙げられる。
【０１１０】
《空気界面垂直配向剤》
本発明で用いる組成物は、棒状液晶化合物の空気界面での垂直配向を促進する添加剤（以下、「空気界面垂直配向剤」という場合がある）の少なくとも一種を含有する。棒状液晶性化合物は、空気界面側では傾斜して配向する性質を有するので、均一に垂直配向した状態を得るために、空気界面側において液晶性化合物を垂直に配向制御することが必要である。この目的のために、空気界面側に偏在して、その排除体積効果や静電気的な効果によって液晶性化合物を垂直に配向させる作用を及ぼす化合物を組成物に含有させて、光学異方性層を形成するのが好ましい。
【０１１１】
空気界面垂直配向剤としては、特開２００２−２０３６３号公報、特開２００２−１２９１６２号公報に記載されている化合物を用いることができる。また、特開２００４−５３９８１号明細書の段落番号［００７２］〜［００７５］、特開２００４−４６８８号明細書の段落番号［００７１］〜［００７８］、特開２００４−１３９０１５号明細書の段落番号［００５２］〜［００５４］、［００６５］〜［００６６］、［００９２］〜［００９４］、に記載される事項も本発明に適宜適用することができる。また、空気界面垂直配向剤の例には、以下の化合物Ｂ−１〜Ｂ−３３、および化合物Ｃ−１〜Ｃ−４５が含まれる。
【０１１２】
【化２４】
2006301605.tif 000025
【０１１３】
【化２５】
2006301605.tif 000026
【０１１４】
【化２６】
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【０１１５】
【化２７】
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【０１１６】
【化２８】
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【０１１７】
【化２９】
2006301605.tif 000030
【０１１８】
空気界面垂直配向剤は、フルオロ脂肪族基と、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）2｝およびそれらの塩からなる群より選ばれる１種以上の親水性基とを含む化合物から選ばれるのが好ましい。かかる構造の化合物は、棒状液晶性化合物の空気界面側のダイレクターの傾斜角度を大きくさせるとともに、本発明で用いる組成物の塗布性を改善させ、ムラ、弾きの発生の低減にも寄与する。なお、前記フルオロ脂肪族基および親水性基の少なくとも一種を有する化合物（高分子化合物および低分子化合物を含む）は、重合性基を有していてもよく、かかる場合は、併用される液晶性化合物の配向の固定化にも寄与する。
【０１１９】
本発明に用いられる空気界面垂直配向剤は、フルオロ脂肪族基および親水性基をそれぞれ少なくとも一種有するポリマー（以下、「フッ素系ポリマー」という場合がある）；または下記一般式（２）で表される化合物であるのが好ましい。
まず、本発明で用いる組成物に使用可能なフッ素系ポリマーについて説明する。
【０１２０】
《フッ素系ポリマー》
フッ素系ポリマーとしては、フルオロ脂肪族基と、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）2｝およびそれらの塩からなる群より選ばれる１種以上の親水性基とを有するものが挙げられる。ポリマーの種類としては、「改訂  高分子合成の化学」（大津隆行著、発行：株式会社化学同人、１９６８）１〜４ページに記載があり、例えば、ポリオレフィン類、ポリエステル類、ポリアミド類、ポリイミド類、ポリウレタン類、ポリカーボネート類、ポリスルホン類、ポリカーボナート類、ポリエーテル類、ポリアセタール類、ポリケトン類、ポリフェニレンオキシド類、ポリフェニレンスルフィド類、ポリアリレート類、ＰＴＦＥ類、ポリビニリデンフロライド類、セルロース誘導体などが挙げられる。前記フッ素系ポリマーは、ポリオレフィン類であることが好ましい。
【０１２１】
前記フッ素系ポリマーは、フルオロ脂肪族基を側鎖に有するポリマーである。前記フルオロ脂肪族基は、炭素原子数１〜１２であるのが好ましく、炭素原子数６〜１０であるのがより好ましい。脂肪族基は、鎖状であっても環状であってもよく、鎖状である場合は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。中でも、直鎖状の炭素原子数６〜１０のフルオロ脂肪族基が好ましい。フッ素原子による置換の程度については特に制限はないが、脂肪族基中の５０％以上の水素原子がフッ素原子に置換されているのが好ましく、６０％以上が置換されているのがより好ましい。フルオロ脂肪族基は、エステル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合、エーテル結合、チオエーテル結合、芳香族環などを介してポリマー主鎖と結合した側鎖に含まれる。フルオロ脂肪族基の一つは、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）またはオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれるものである。これらのフルオロ脂肪族化合物の製造法に関しては、例えば、「フッ素化合物の合成と機能」（監修：石川延男、発行：株式会社シーエムシー、１９８７）の１１７〜１１８ページや、「Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ  ＩＩ」（Ｍｏｎｏｇｒａｐｈ  １８７，Ｅｄ  ｂｙ  Ｍｉｌｏｓ  Ｈｕｄｌｉｃｋｙ  ａｎｄ  Ａｔｔｉｌａ  Ｅ．Ｐａｖｌａｔｈ，Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  １９９５）の７４７−７５２ページに記載されている。テロメリゼーション法とは、ヨウ化物等の連鎖移動常数の大きいアルキルハライドをテローゲンとして、テトラフルオロエチレン等のフッ素含有ビニル化合物のラジカル重合を行い、テロマーを合成する方法である（Ｓｃｈｅｍｅ−１に例を示した）。
【０１２２】
【化３０】
2006301605.tif 000031
【０１２３】
得られた、末端ヨウ素化テロマーは通常、例えば［Ｓｃｈｅｍｅ２］のごとき適切な末端化学修飾を施され、フルオロ脂肪族化合物へと導かれる。これらの化合物は必要に応じ、さらに所望のモノマー構造へと変換され、フルオロ脂肪族基含有ポリマーの製造に使用される。
【０１２４】
【化３１】
2006301605.tif 000032
【０１２５】
本発明に使用可能なフッ素系ポリマーの製造に利用可能なフルオロ脂肪族基含有モノマーの具体例を以下に挙げるが、本発明は以下の具体例によってなんら制限されるものではない。
【０１２６】
【化３２】
2006301605.tif 000033
【０１２７】
【化３３】
2006301605.tif 000034
【０１２８】
【化３４】
2006301605.tif 000035
【０１２９】
【化３５】
2006301605.tif 000036
【０１３０】
【化３６】
2006301605.tif 000037
【０１３１】
【化３７】
2006301605.tif 000038
【０１３２】
【化３８】
2006301605.tif 000039
【０１３３】
前記フッ素系ポリマーは、フルオロ脂肪族基含有モノマーより誘導される繰り返し単位と、下記一般式（１）で表される親水性基を含有する繰り返し単位とを有する共重合体から選ばれるのが好ましい。
【０１３４】
【化３９】
2006301605.tif 000040
【０１３５】
上記一般式（１）において、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｑはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）またはその塩、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）またはその塩、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）2｝またはその塩を表す。Ｌは下記の連結基群から選ばれる任意の基、またはそれらの２つ以上を組み合わせて形成される２価の連結基を表す。
（連結基群）
単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ4−（Ｒ4は水素原子、アルキル基、アリール基、またはアラルキル基を表す）、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ5）−（Ｒ5はアルキル基、アリール基、またはアラルキル基を表す）、アルキレン基およびアリーレン基（アリーレン基の組み合わせには、縮環しているものを含む趣旨である。）
【０１３６】
Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の置換基には、下記置換基群Ｙが含まれる。
（置換基群Ｙ）
アルキル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１２、特に好ましくは炭素原子数１〜８のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる）、アルケニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１２、特に好ましくは炭素原子数２〜８のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる）、アルキニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１２、特に好ましくは炭素原子数２〜８のアルキニル基であり、例えば、プロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜３０、より好ましくは炭素原子数６〜２０、特に好ましくは炭素原子数６〜１２のアリール基であり、例えば、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる）、アラルキル基（好ましくは炭素原子数７〜３０、より好ましくは炭素原子数７〜２０、特に好ましくは炭素原子数７〜１２のアラルキル基であり、例えば、ベンジル基、フェネチル基、３−フェニルプロピル基などが挙げられる）、置換もしくは無置換のアミノ基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは炭素原子数０〜１０、特に好ましくは炭素原子数０〜６のアミノ基であり、例えば、無置換アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、アニリノ基などが挙げられる）、
【０１３７】
アルコキシ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１０のアルコキシ基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１６、特に好ましくは２〜１０のアルコキシカルボニル基であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる）、アシルオキシ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１６、特に好ましくは２〜１０のアシルオキシ基であり、例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる）、アシルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１６、特に好ましくは炭素原子数２〜１０のアシルアミノ基であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１６、特に好ましくは炭素原子数２〜１２のアルコキシカルボニルアミノ基であり、例えば、メトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数７〜２０、より好ましくは炭素原子数７〜１６、特に好ましくは炭素原子数７〜１２のアリールオキシカルボニルアミノ基であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のスルホニルアミノ基であり、例えば、メタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる）、スルファモイル基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは炭素原子数０〜１６、特に好ましくは炭素原子数０〜１２のスルファモイル基であり、例えば、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる）、カルバモイル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のカルバモイル基であり、例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる）、
【０１３８】
アルキルチオ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる）、アリールチオ基（好ましくは炭素原子数６〜２０、より好ましくは炭素原子数６〜１６、特に好ましくは炭素原子数６〜１２のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基などが挙げられる）、スルホニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のスルホニル基であり、例えば、メシル基、トシル基などが挙げられる）、スルフィニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のスルフィニル基であり、例えば、メタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる）、ウレイド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のウレイド基であり、例えば、無置換のウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる）、リン酸アミド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のリン酸アミド基であり、例えば、ジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素原子数１〜３０、より好ましくは１〜１２のヘテロ環基であり、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有するヘテロ環基であり、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる）、シリル基（好ましくは、炭素原子数３〜４０、より好ましくは炭素原子数３〜３０、特に好ましくは、炭素原子数３〜２４のシリル基であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）が含まれる。これらの置換基はさらにこれらの置換基によって置換されていてもよい。また、置換基を二つ以上有する場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに結合して環を形成していてもよい。
【０１３９】
Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）、または後述する−Ｌ−Ｑで表される基であることが好ましく、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、塩素原子、−Ｌ−Ｑで表される基であることがより好ましく、水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基であることが特に好ましく、水素原子、炭素原子数１〜２のアルキル基であることが最も好ましい。該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基等が挙げられる。該アルキル基は、適当な置換基を有していてもよい。該置換基としては、ハロゲン原子、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、ヒドロキシル基、アシルオキシ基、アミノ基、アルコキシカルボニル基、アシルアミノ基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、スルホニル基、スルファモイル基、スルホンアミド基、スルホリル基、カルボキシル基などが挙げられる。なお、上記のアルキル基の炭素原子数には、置換基の炭素原子を含まない。以下、他の基の炭素原子数についても同様である。
【０１４０】
Ｌは、上記連結基群から選ばれる２価の連結基、またはそれらの２つ以上を組み合わせて形成される２価の連結基を表す。上記連結基群中、−ＮＲ4−のＲ4は、水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表し、好ましくは水素原子またはアルキル基である。また、−ＰＯ（ＯＲ5）−のＲ5はアルキル基、アリール基またはアラルキル基を表し、好ましくはアルキル基である。Ｒ4およびＲ5がアルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す場合の炭素原子数の好ましい範囲は、「置換基群Ｙ」中で説明したものと同じである。Ｌとしては、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ4−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、アルキレン基またはアリーレン基を含むことが好ましく、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＮＲ4−、アルキレン基またはアリーレン基を含んでいるものがより好ましい。Ｌがアルキレン基を含む場合、アルキレン基の炭素原子数は好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜８、特に好ましくは１〜６である。特に好ましいアルキレン基の具体例として、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラブチレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられる。Ｌが、アリーレン基を含む場合、アリーレン基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、特に好ましくは６〜１２である。特に好ましいアリーレン基の具体例として、フェニレン基、ナフタレン基等が挙げられる。Ｌが、アルキレン基とアリーレン基を組み合わせて得られる２価の連結基（即ちアラルキレン基）を含む場合、アラルキレン基の炭素原子数は、好ましくは７〜３４、より好ましくは７〜２６、特に好ましくは７〜１６である。特に好ましいアラルキレン基の具体例として、フェニレンメチレン基、フェニレンエチレン基、メチレンフェニレン基等が挙げられる。Ｌとして挙げられた基は、適当な置換基を有していてもよい。このような置換基としては置換基群Ｙとして挙げた置換基と同様のものを挙げることができる。
【０１４１】
以下にＬの具体的構造を例示するが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【０１４２】
【化４０】
2006301605.tif 000041
【０１４３】
【化４１】
2006301605.tif 000042
【０１４４】
前記式（１）中、Ｑはカルボキシル基、カルボキシル基の塩（例えば、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩（例えば、アンモニウム、テトラメチルアンモニウム、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム、ジメチルフェニルアンモニウムなど）、ピリジニウム塩など）、スルホ基、スルホ基の塩（塩を形成するカチオンの例は上記カルボキシル基に記載のものと同じ）、ホスホノキシ基、ホスホノキシ基の塩（塩を形成するカチオンの例は上記カルボキシル基に記載のものと同じ）を表す。より好ましくはカルボキシル基、スルホ基、ホスホ基であり、特に好ましいのはカルボキシル基またはスルホ基である。
【０１４５】
前記フッ素系ポリマーは、前記一般式（１）で表される繰り返し単位を１種含んでいてもよいし、２種以上含んでいてもよい。また、前記フッ素系ポリマーは、上記各繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を１種または２種以上有していてもよい。前記他の繰り返し単位については特に制限されず、通常のラジカル重合反応可能なモノマーから誘導される繰り返し単位が好ましい例として挙げられる。以下、他の繰り返し単位を誘導するモノマーの具体例を挙げる。前記フッ素系ポリマーは、下記モノマー群から選ばれる１種または２種以上のモノマーから誘導される繰り返し単位を含有していてもよい。
【０１４６】
モノマー群
（１）アルケン類
エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセン、１−ドデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン、ヘキサフルオロプロペン、フッ化ビニリデン、クロロトリフルオロエチレン、３，３，３−トリフルオロプロピレン、テトラフルオロエチレン、塩化ビニル、塩化ビニリデンなど；
（２）ジエン類
１，３−ブタジエン、イソプレン、１，３−ペンタジエン、２−エチル−１，３−ブタジエン、２−ｎ−プロピル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、１−フェニル−１，３−ブタジエン、１−α−ナフチル−１，３−ブタジエン、１−β−ナフチル−１，３−ブタジエン、２−クロロ−１，３−ブタジエン、１−ブロモ−１，３−ブタジエン、１−クロロブタジエン、２−フルオロ−１，３−ブタジエン、２，３−ジクロロ−１，３−ブタジエン、１，１，２−トリクロロ−１，３−ブタジエンおよび２−シアノ−１，３−ブタジエン、１，４−ジビニルシクロヘキサンなど；
【０１４７】
（３）α，β−不飽和カルボン酸の誘導体
（３ａ）アルキルアクリレート類
メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、アミルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２−エチルへキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、ｔｅｒｔ−オクチルアクリレート、ドデシルアクリレート、フェニルアクリレート、ベンジルアクリレート、２−クロロエチルアクリレート、２−ブロモエチルアクリレート、４−クロロブチルアクリレート、２−シアノエチルアクリレート、２−アセトキシエチルアクリレート、メトキシベンジルアクリレート、２−クロロシクロヘキシルアクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、ω−メトキシポリエチレングリコールアクリレート（ポリオキシエチレンの付加モル数：ｎ＝２〜１００のもの）、３−メトキシブチルアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、２−ブトキシエチルアクリレート、２−（２−ブトキシエトキシ）エチルアクリレート、１−ブロモ−２−メトキシエチルアクリレート、１，１−ジクロロ−２−エトキシエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなど）；
【０１４８】
（３ｂ）アルキルメタクリレート類
メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ｓｅｃ−ブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート、アミルメタクリレート、ｎ−ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ｎ−オクチルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルメタクリレート、アリルメタクリレート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、クレジルメタクリレート、ナフチルメタクリレート、２−メトキシエチルメタクリレート、３−メトキシブチルメタクリレート、ω−メトキシポリエチレングリコールメタクリレート（ポリオキシエチレンの付加モル数：ｎ＝２〜１００のもの）、２−アセトキシエチルメタクリレート、２−エトキシエチルメタクリレート、２−ブトキシエチルメタクリレート、２−（２−ブトキシエトキシ）エチルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、３−トリメトキシシリルプロピルメタクリレート、アリルメタクリレート、２−イソシアナトエチルメタクリレートなど；
【０１４９】
（３ｃ）不飽和多価カルボン酸のジエステル類
マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジブチル、イタコン酸ジメチル、タコン酸ジブチル、クロトン酸ジブチル、クロトン酸ジヘキシル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジメチルなど；
【０１５０】
（３ｄ）α、β−不飽和カルボン酸のアミド類
Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−プロピルアクリルアミド、Ｎ−ｔｅｒｔブチルアクリルアミド、Ｎ−ｔｅｒｔオクチルメタクリルアミド、Ｎ−シクロヘキシルアクリルアミド、Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−（２−アセトアセトキシエチル）アクリルアミド、Ｎ−ベンジルアクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルフォリン、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ−メチルマレイミドなど；
【０１５１】
（４）不飽和ニトリル類
アクリロニトリル、メタクリロニトリルなど；
（５）スチレンおよびその誘導体
スチレン、ビニルトルエン、エチルスチレン、ｐ−ｔｅｒｔブチルスチレン、ｐ−ビニル安息香酸メチル、α−メチルスチレン、ｐ−クロロメチルスチレン、ビニルナフタレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−ヒドロキシメチルスチレン、ｐ−アセトキシスチレンなど；
（６）ビニルエステル類
酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、イソ酪酸ビニル、安息香酸ビニル、サリチル酸ビニル、クロロ酢酸ビニル、メトキシ酢酸ビニル、フェニル酢酸ビニルなど；
【０１５２】
（７）ビニルエーテル類
メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルビニルエーテル、ｎ−ペンチルビニルエーテル、ｎ−ヘキシルビニルエーテル、ｎ−オクチルビニルエーテル、ｎ−ドデシルビニルエーテル、ｎ−エイコシルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、フルオロブチルビニルエーテル、フルオロブトキシエチルビニルエーテルなど；および
（８）その他の重合性単量体
Ｎ−ビニルピロリドン、メチルビニルケトン、フェニルビニルケトン、メトキシエチルビニルケトン、２−ビニルオキサゾリン、２−イソプロペニルオキサゾリンなど。
【０１５３】
前記フッ素系ポリマー中、フルオロ脂肪族基含有モノマーの量は、該ポリマーの構成モノマー総量の５質量％以上であるのが好ましく、１０質量％以上であるのがより好ましく、３０質量％以上であるのがさらに好ましい。前記フッ素系ポリマーにおいて、前記一般式（１）で表される繰り返し単位の量は、該フッ素ポリマーの構成モノマー総量の０．５質量％以上であるのが好ましく、１〜２０質量％であるのがより好ましく、１〜１０質量％であるのがさらに好ましい。上記の質量百分率は使用するモノマーの分子量によって、好ましい範囲が変動し易いため、ポリマーの単位質量当たりの官能基モル数で表す方が、一般式（１）で表される繰り返し単位の含有量を正確に規定できる。該表記を用いた場合、前記フッ素系ポリマー中に含有される親水性基（式（１）中のＱ）の好ましい量は、０．１ｍｍｏｌ／ｇ〜１０ｍｍｏｌ／ｇであり、より好ましい量は０．２ｍｍｏｌ／ｇ〜８ｍｍｏｌ／ｇである。
【０１５４】
本発明に用いる前記フッ素系ポリマーの質量平均分子量は、１，０００，０００以下であるのが好ましく、５００，０００以下であるのがより好ましく、１００，０００以下であるのがさらに好ましく、２，０００〜５０，０００が最も好ましい。質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレン（ＰＳ）換算の値として測定可能である。
【０１５５】
前記フッ素系ポリマーの製造方法は、特に限定されるものではなく、公知慣用の方法で製造することができる。例えば先に挙げたフルオロ脂肪族基を有するモノマー、水素結合性基を有するモノマー等を含む有機溶媒中に、汎用のラジカル重合開始剤を添加し、重合させることにより製造できる。また、場合によりその他の付加重合性不飽和化合物を、さらに添加して上記と同じ方法にて製造することができる。各モノマーの重合性に応じ、反応容器にモノマーと開始剤を滴下しながら重合する滴下重合法なども、均一な組成のポリマーを得るために有効である。例えば、ビニル基を利用したカチオン重合やラジカル重合、あるいは、アニオン重合等の重合方法を採ることができ、これらの中ではラジカル重合が汎用に利用できる点で特に好ましい。ラジカル重合の重合開始剤としては、ラジカル熱重合開始剤や、ラジカル光重合開始剤等の公知の化合物を使用することができるが、特に、ラジカル熱重合開始剤を使用することが好ましい。ここで、ラジカル熱重合開始剤は、例えば、分解温度以上に加熱することにより、ラジカルを発生させる化合物である。このようなラジカル熱重合開始剤としては、例えば、ジアシルパーオキサイド（アセチルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド等）、ケトンパーオキサイド（メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド等）、ハイドロパーオキサイド（過酸化水素、ｔｅｒｔ−ブチルハイドパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等）、ジアルキルパーオキサイド（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド等）、パーオキシエステル類（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート等）、アゾ系化合物（アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスイソバレロニトリル等）、過硫酸塩類（過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等）が挙げられる。このようなラジカル熱重合開始剤は、１種を単独で使用することもできるし、あるいは２種以上を組み合わせて使用することもできる。
【０１５６】
ラジカル重合方法は、特に制限されるものでなく、乳化重合法、懸濁重合法、塊状重合法、溶液重合法等を採ることが可能である。典型的なラジカル重合方法である溶液重合についてさらに具体的に説明する。他の重合方法についても概要は同等であり、その詳細は例えば「高分子科学実験法」高分子学会編（東京化学同人、１９８１年）等に記載されている。
【０１５７】
溶液重合を行うためには有機溶媒を使用する。これらの有機溶媒は本発明の目的、効果を損なわない範囲で任意に選択可能である。これらの有機溶媒は通常、大気圧下での沸点が５０〜２００℃の範囲内の値を有する有機化合物であり、各構成成分を均一に溶解させる有機化合物が好ましい。好ましい有機溶媒の例を示すと、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ジブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、γ−ブチロラクトン等のエステル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；が挙げられる。なお、これらの有機溶媒は、１種単独または２種以上を組み合わせて用いることが可能である。さらに、モノマーや生成するポリマーの溶解性の観点から上記有機溶媒に水を併用した水混合有機溶媒も適用可能である。
【０１５８】
また、溶液重合条件も特に制限されるものではないが、例えば、５０〜２００℃の温度範囲内で、１０分〜３０時間加熱することが好ましい。さらに、発生したラジカルが失活しないように、溶液重合中はもちろんのこと、溶液重合開始前にも、不活性ガスパージを行うことが好ましい。不活性ガスとしては通常窒素ガスが好適に用いられる。
【０１５９】
前記フッ素系ポリマーを好ましい分子量範囲で得るためには、連鎖移動剤を用いたラジカル重合法が特に有効である。連鎖移動剤としてはメルカプタン類（例えば、オクチルメルカプタン、デシルメルカプタン、ドデシルメルカプタン、ｔｅｒｔ−ドデシルメルカプタン、オクタデシルメルカプタン、チオフェノール、ｐ−ノニルチオフェノール等）、ポリハロゲン化アルキル（例えば、四塩化炭素、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，１−トリブロモオクタンなど）、低活性モノマー類（α−メチルスチレン、α−メチルスチレンダイマー等）のいずれも用いることができるが、好ましくは炭素原子数４〜１６のメルカプタン類である。これらの連鎖移動剤の使用量は、連鎖移動剤の活性やモノマーの組み合わせ、重合条件などにより著しく影響され精密な制御が必要であるが、使用するモノマーの全モル数に対して、好ましくは０．０１モル％〜５０モル％程度であり、より好ましくは０．０５モル％〜３０モル％であり、さらに好ましくは０．０８モル％〜２５モル％である。これらの連鎖移動剤は、重合過程において重合度を制御するべき対象のモノマーと同時に系内に存在させればよく、その添加方法については特に問わない。モノマーに溶解して添加してもよいし、モノマーと別途に添加することも可能である。
【０１６０】
尚、前記した様に、前記フッ素系ポリマーは、棒状液晶性化合物の分子の配向状態を固定化するために置換基として重合性基を有するものも好ましい。
【０１６１】
以下に、フッ素系ポリマーとして本発明に好ましく用いられるフルオロ脂肪族基含有共重合体の具体例を示すが、本発明はこれらの具体例によってなんら限定されるものではない。ここで式中の数値（ａ、ｂ、ｃ、ｄ等の数値）は、それぞれ各モノマーの組成比を示す質量百分率であり、ＭｗはＧＰＣにより測定されたＰＳ換算の質量平均分子量である。
【０１６２】
【化４２】
2006301605.tif 000043
【０１６３】
【化４３】
2006301605.tif 000044
【０１６４】
【化４４】
2006301605.tif 000045
【０１６５】
【化４５】
2006301605.tif 000046
【０１６６】
【化４６】
2006301605.tif 000047
【０１６７】
本発明で用いる組成物中における前記フッ素系ポリマーの含有量の好ましい範囲は、その用途によって異なるが、光学異方性層の形成に用いる場合は、組成物（塗布液である場合は溶媒を除いた組成物）中、０．００５〜８質量％であるのが好ましく、０．０１〜５質量％であるのがより好ましく、０．０５〜１質量％であるのがさらに好ましい。前記フッ素系ポリマーの添加量を０．００５質量％以上とするとより効果的であり、また８質量％以下とすることにより、塗膜の乾燥が十分に行われなくなったり、光学フィルムとしての性能（例えばレターデーションの均一性等）に悪影響を及ぼしたりするのをより効果的に抑止できる。
【０１６８】
次に、一般式（２）で表される含フッ素化合物について説明する。
《一般式（２）で表される含フッ素化合物》
一般式（２）
（Ｒ0）mo−Ｌ0−（Ｗ）no
式中、Ｒ0はアルキル基、末端にＣＦ3基を有するアルキル基、または末端にＣＦ2Ｈ基を有するアルキル基を表し、ｍｏは１以上の整数を表す。複数個のＲ0は同一でも異なっていてもよいが、少なくとも一つは末端にＣＦ3基またはＣＦ2Ｈ基を有するアルキル基を表す。
Ｌ0は（ｍｏ＋ｎｏ）価の連結基を表し、Ｗはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）もしくはその塩、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、またはホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）2｝もしくはその塩であることが好ましい。
ｎｏは１以上の整数を表す。
【０１６９】
式（２）中、Ｒ0で表されるアルキル基は置換もしくは無置換のアルキル基であり、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素原子数１〜２０のアルキル基であり、更に好ましくは４〜１６のアルキル基であり、特に好ましくは６〜１６のアルキル基である。該置換基としては後述の置換基群Ｄとして例示した置換基のいずれかを適用できる。
【０１７０】
Ｒ0で表される末端にＣＦ3基を有するアルキル基は、好ましくは炭素原子数１〜２０であり、更に好ましくは４〜１６であり、特に好ましくは４〜８である。前記末端にＣＦ3基を有するアルキル基は、アルキル基に含まれる水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたアルキル基である。アルキル基中の水素原子の５０％以上がフッ素原子で置換されているのが好ましく、６０％以上が置換されているのがより好ましく、７０％以上が置換されているのが特に好ましい。残りの水素原子は、さらに後述の置換基群Ｄとして例示された置換基によって置換されていてもよい。Ｒ0で表される末端にＣＦ2Ｈ基を有するアルキル基は、好ましくは炭素原子数１〜２０であり、更に好ましくは４〜１６であり、特に好ましくは４〜８である。前記末端にＣＦ2Ｈ基を有するアルキル基は、アルキル基に含まれる水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたアルキル基である。アルキル基中の水素原子の５０％以上がフッ素原子で置換されているのが好ましく、６０％以上が置換されているのがより好ましく、７０％以上が置換されているのが特に好ましい。残りの水素原子は、さらに後述の置換基群Ｄとして例示された置換基によって置換されていてもよい。Ｒ0で表される末端にＣＦ3基を有するアルキル基、または末端にＣＦ2Ｈ基を有するアルキル基の例を以下に示す。
【０１７１】
Ｒ１：ｎ−Ｃ8Ｆ17−
Ｒ２：ｎ−Ｃ6Ｆ13−
Ｒ３：ｎ−Ｃ4Ｆ9−
Ｒ４：ｎ−Ｃ8Ｆ17−（ＣＨ2）2−
Ｒ５：ｎ−Ｃ6Ｆ13−（ＣＨ2）2−
Ｒ６：ｎ−Ｃ4Ｆ9−（ＣＨ2）2−
Ｒ７：Ｈ−（ＣＦ2）8−
Ｒ８：Ｈ−（ＣＦ2）6−
Ｒ９：Ｈ−（ＣＦ2）4−
Ｒ１０：Ｈ−（ＣＦ2）8−（ＣＨ2）−
Ｒ１１：Ｈ−（ＣＦ2）6−（ＣＨ2）−
Ｒ１２：Ｈ−（ＣＦ2）4−（ＣＨ2）−
【０１７２】
式（２）において、Ｌ0で表される（ｍｏ＋ｎｏ）価の連結基は、アルキレン基、アルケニレン基、芳香族基、ヘテロ環基、−ＣＯ−、−ＮＲ−（Ｒは炭素原子数が１〜５のアルキル基または水素原子）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−およびＳＯ2−からなる群より選ばれる基を少なくとも二種を組み合わせた連結基であることが好ましい。
【０１７３】
式（２）において、Ｗはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）もしくはその塩、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、またはホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）2｝もしくはその塩を表す。Ｗの好ましい範囲は、一般式（１）におけるＱと同一である。
【０１７４】
前記一般式（２）で表される含フッ素化合物の中でも、下記一般式（２ａ）または後述する一般式（２ｂ）で表される化合物が好ましい。
【０１７５】
【化４７】
2006301605.tif 000048
【０１７６】
一般式（２ａ）中、Ｒ5およびＲ6は各々アルキル基、末端にＣＦ3基を有するアルキル基、または末端にＣＦ2Ｈ基を有するアルキル基を表すが、Ｒ5およびＲ6が同時にアルキル基であることはない。Ｗ1およびＷ2は各々水素原子、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）もしくはその塩、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）2｝もしくはその塩、または置換基としてカルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有する、アルキル基、アルコキシ基またはアルキルアミノ基を表すが、Ｗ1およびＷ2が同時に水素原子であることはない。
【０１７７】
Ｒ5およびＲ6は前記一般式（２）におけるＲ0と同義であり、その好ましい範囲も同一である。Ｗ1およびＷ2で表されるカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）もしくはその塩、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）2｝もしくはその塩は前記一般式（２）におけるＷと同義でありその好ましい範囲も同一である。Ｗ1およびＷ2で表される置換基としてカルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有するアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素原子数１〜２０のアルキル基であり、更に好ましくは１〜８のアルキル基であり、特に好ましくは１〜３のアルキル基である。前記置換基としてカルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有するアルキル基は、少なくとも一つのカルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有していればよく、カルボキシル基、スルホ基、スルファト基およびホスホノキシ基としては、前記一般式（２）中のＷが表すカルボキシル基、スルホ基、スルファト基およびホスホノキシ基と同義であり好ましい範囲も同一である。前記置換基としてカルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有するアルキル基は、これ以外の置換基によって置換されていてもよく、該置換基としては後述の置換基群Ｄとして例示した置換基のいずれかを適用できる。Ｗ1およびＷ2で表される置換基としてカルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有するアルコキシ基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素原子数１〜２０のアルコキシ基であり、更に好ましくは１〜８のアルコキシ基であり、特に好ましくは１〜４のアルコキシ基である。前記置換基としてカルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有するアルコキシ基は、少なくとも一つのカルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有していればよく、カルボキシル基、スルホ基、スルファト基およびホスホノキシ基としては、前記一般式（２）中のＷが表すカルボキシル基、スルホ基、スルファト基およびホスホノキシ基と同義であり好ましい範囲も同一である。前記カルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有するアルコキシ基は、これ以外の置換基によって置換されていてもよく、該置換基としては後述の置換基群Ｄとして例示した置換基のいずれかを適用できる。Ｗ1およびＷ2で表される置換基としてカルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有するアルキルアミノ基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、好ましくは炭素原子数１〜２０のアルキルアミノ基であり、更に好ましくは１〜８のアルキルアミノ基であり、特に好ましくは１〜４のアルキルアミノ基である。前記カルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有するアルキルアミノ基は、少なくとも一つのカルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有していればよく、カルボキシル基、スルホ基、スルファト基およびホスホノキシ基としては、前記一般式（２）中のＷが表すカルボ���シル基、スルホ基、スルファト基およびホスホノキシ基と同義であり好ましい範囲も同一である。前記カルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有するアルキルアミノ基は、これ以外の置換基によって置換されていてもよく、該置換基としては後述の置換基群Ｄとして例示した置換基のいずれかを適用できる。
【０１７８】
Ｗ1およびＷ2は、特に好ましくはそれぞれ水素原子または（ＣＨ2）n1ＳＯ3Ｍ（ｎ１は０または１を表す。）である。Ｍはカチオンを表すが、分子内で荷電が０になる場合はＭはなくてもよい。Ｍで表されるカチオンとしては、例えばプロトニウムイオン、アルカリ金属イオン（リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオンなど）、アルカリ土類金属イオン（バリウムイオン、カルシウムイオンなど）、アンモニウムイオンなどが好ましく適用される。このうち、特に好ましくはプロトニウムイオン、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオンである。
【０１７９】
次に、下記一般式（２ｂ）について説明する。
一般式（２ｂ）
（Ｒ7−Ｌ1−）m2（Ａｒ1）−Ｗ3
一般式（２ｂ）中、Ｒ7はアルキル基、末端にＣＦ3基を有するアルキル基、または末端にＣＦ2Ｈ基を有するアルキル基を表し、ｍ２は１以上の整数を表し、複数個のＲ7は同一でも異なっていてもよいが、少なくとも一つは末端にＣＦ3基またはＣＦ2Ｈ基を有するアルキル基を表す。Ｌ1は、アルキレン基、芳香族基、−ＣＯ−、−ＮＲ−（Ｒは炭素原子数が１〜５のアルキル基または水素原子）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−およびそれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基を表し、複数個のＬ1は同一でも異なっていてもよい。Ａｒ1は芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を表し、Ｗ3はカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）もしくはその塩、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）2｝もしくはその塩、または置換基としてカルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有するアルキル基、アルコキシ基、またはアルキルアミノ基を表す。
【０１８０】
Ａｒ1が表す芳香族炭化水素環は、炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素環が好ましい。また、Ａｒ1が表す芳香族へテロ環は、窒素原子、酸素原子および硫黄原子の少なくとも１種および炭素原子を環構成原子とする芳香族へテロ環であるのが好ましく、例えば、ピリジン環、チオフェン環、フラン環、ピリミジン環等が好ましい。Ａｒ1としては芳香族炭化水素環が好ましく、中でもベンゼン環およびナフタレン環がより好ましく、ベンゼン環がさらに好ましい。
【０１８１】
Ｒ7は前記一般式（２）におけるＲ0と同義であり、その好ましい範囲も同一である。Ｌ1は、好ましくは炭素原子数１〜１２のアルキレン基、炭素原子数６〜１２の芳香族基、−ＣＯ−、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−およびそれらの組み合わせからなる総炭素原子数０〜４０の連結基を表し、特に好ましくは炭素原子数１〜８のアルキレン基、フェニル基、−ＣＯ−、−ＮＲ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−およびそれらの組み合わせからなる総炭素原子数０〜２０の連結基を表す。Ｗ3で表されるカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）もしくはその塩、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）2｝もしくはその塩、または置換基としてカルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有するアルキル基、アルコキシ基、またはアルキルアミノ基は、前記一般式（２ａ）におけるＷ1およびＷ2で表されるカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）もしくはその塩、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、ホスホノキシ基｛−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）2｝もしくはその塩、または置換基としてカルボキシル基、スルホ基、スルファト基もしくはホスホノキシ基を有するアルキル基、アルコキシ基、またはアルキルアミノ基と同義でありその好ましい範囲も同一である。
【０１８２】
Ｗ3は、好ましくはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）もしくはその塩、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）もしくはその塩、または置換基としてカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）もしくはその塩またはスルホ基（−ＳＯ3Ｈ）もしくはその塩を有するアルキルアミノ基であり、特に好ましくはＳＯ3Ｍ、またはＣＯ2Ｍである。Ｍはカチオンを表すが、分子内で荷電が０になる場合はＭはなくてもよい。Ｍで表されるカチオンとしては、例えばプロトニウムイオン、アルカリ金属イオン（リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオンなど）、アルカリ土類金属イオン（バリウムイオン、カルシウムイオンなど）、アンモニウムイオンなどが好ましく適用される。このうち、特に好ましくはプロトニウムイオン、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオンである。
【０１８３】
本明細書において、置換基群Ｄには、アルキル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１２、特に好ましくは炭素原子数１〜８のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる）、アルケニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１２、特に好ましくは炭素原子数２〜８のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる）、アルキニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１２、特に好ましくは炭素原子数２〜８のアルキニル基であり、例えば、プロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜３０、より好ましくは炭素原子数６〜２０、特に好ましくは炭素原子数６〜１２のアリール基であり、例えば、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる）、置換もしくは無置換のアミノ基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは炭素原子数０〜１０、特に好ましくは炭素原子数０〜６のアミノ基であり、例えば、無置換アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる）、
【０１８４】
アルコキシ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１２、特に好ましくは炭素原子数１〜８のアルコキシ基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる）、アリールオキシ基（好ましくは炭素原子数６〜２０、より好ましくは炭素原子数６〜１６、特に好ましくは炭素原子数６〜１２のアリールオキシ基であり、例えば、フェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる）、アシル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２アシル基であり、例えば、アセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１６、特に好ましくは炭素原子数２〜１２のアルコキシカルボニル基であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数７〜２０、より好ましくは炭素原子数７〜１６、特に好ましくは炭素原子数７〜１０のアリールオキシカルボニル基であり、例えば、フェニルオキシカルボニル基などが挙げられる）、アシルオキシ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１６、特に好ましくは炭素原子数２〜１０のアシルオキシ基であり、例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる）、
【０１８５】
アシルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１６、特に好ましくは炭素原子数２〜１０のアシルアミノ基であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１６、特に好ましくは炭素原子数２〜１２のアルコキシカルボニルアミノ基であり、例えば、メトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数７〜２０、より好ましくは炭素原子数７〜１６、特に好ましくは炭素原子数７〜１２のアリールオキシカルボニルアミノ基であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のスルホニルアミノ基であり、例えば、メタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる）、スルファモイル基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは炭素原子数０〜１６、特に好ましくは炭素原子数０〜１２のスルファモイル基であり、例えば、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる）、カルバモイル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のカルバモイル基であり、例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる）、
【０１８６】
アルキルチオ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる）、アリールチオ基（好ましくは炭素原子数６〜２０、より好ましくは炭素原子数６〜１６、特に好ましくは炭素原子数６〜１２のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基などが挙げられる）、スルホニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のスルホニル基であり、例えば、メシル基、トシル基などが挙げられる）、スルフィニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のスルフィニル基であり、例えば、メタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる）、ウレイド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のウレイド基であり、例えば、無置換のウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる）、リン酸アミド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のリン酸アミド基であり、例えば、ジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素原子数１〜３０、より好ましくは１〜１２のヘテロ環基であり、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有するヘテロ環基であり、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる）、シリル基（好ましくは、炭素原子数３〜４０、より好ましくは炭素原子数３〜３０、特に好ましくは、炭素原子数３〜２４のシリル基であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）が含まれる。これらの置換基はさらにこれらの置換基によって置換されていてもよい。また、置換基が二つ以上有する場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに結合して環を形成していてもよい。
【０１８７】
なお、前記含フッ素化合物は棒状液晶性化合物の分子の配向状態を固定化するために置換基として重合性基を有するものも好ましい。
【０１８８】
本発明に使用可能な前記一般式（２）で表される含フッ素化合物、その他の化合物の具体例を以下に示すが、本発明に用いられる含フッ素化合物はこれらに限定されるものではない。
【０１８９】
【化４８】
2006301605.tif 000049
【０１９０】
【化４９】
2006301605.tif 000050
【０１９１】
【化５０】
2006301605.tif 000051
【０１９２】
【化５１】
2006301605.tif 000052
【０１９３】
【化５２】
2006301605.tif 000053
【０１９４】
本発明で用いる組成物中における前記含フッ素化合物の含有量の好ましい範囲は、その用途によって異なるが、光学異方性層の形成に用いる場合は、組成物（塗布液である場合は溶媒を除いた組成物）中、０．００５〜８質量％であるのが好ましく、０．０１〜５質量％であるのがより好ましく、０．０５〜１質量％であるのがさらに好ましい。
【０１９５】
《本発明で用いる組成物中の他の材料》
本発明で用いる組成物は、棒状液晶性化合物、オニウム塩、および空気界面垂直配向剤と共に、重合開始剤、可塑剤、界面活性剤、重合性モノマー等を含有していてもよい。これらの材料は、種々の目的、例えば、配向の固定化、塗工膜の均一性、膜の強度、液晶性化合物の配向性の向上等を目的として添加される。これらの材料は、併用する棒状液晶性化合物と相溶性を有し、配向を阻害しないことが好ましい。
【０１９６】
重合開始剤としては、熱重合開始剤および光重合開始剤のいずれを用いてもよく、光重合開始剤が好ましい。光重合開始剤の例には、α−カルボニル化合物（米国特許２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許２４４８８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許３５４９３６７号明細書記載）、アクリジンおよびフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許４２３９８５０号明細書記載）およびオキサジアゾール化合物（米国特許４２１２９７０号明細書記載）が含まれる。
光重合開始剤の使用量は、塗布液の固形分の０．０１〜２０質量％であることが好ましく、０．５〜５質量％であることがさらに好ましい。
【０１９７】
重合性モノマーとしては、ラジカル重合性またはカチオン重合性の化合物が挙げられる。好ましくは、多官能性ラジカル重合性モノマーであり、上記の重合性基含有の液晶化合物と共重合性のものが好ましい。例えば、特開２００２−２９６４２３号公報明細書中の段落番号［００１８］〜［００２０］記載のものが挙げられる。上記化合物の添加量は、棒状液晶性化合物に対して、好ましくは１〜５０質量％の範囲にあり、５〜３０質量％の範囲にあることがより好ましい。
【０１９８】
界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、特にフッ素系化合物が好ましい。具体的には、例えば特開２００１−３３０７２５号公報明細書中の段落番号［００２８］〜［００５６］に記載の化合物が挙げられる。また、本発明に利用可能な界面活性剤の例には、下記化合物Ｐ−１〜Ｐ−７１が含まれる。
【０１９９】
【化５３】
2006301605.tif 000054
【０２００】
【化５４】
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【０２０１】
【化５５】
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【０２０２】
【化５６】
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【０２０３】
【化５７】
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【０２０４】
【化５８】
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【０２０５】
【化５９】
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【０２０６】
【化６０】
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【０２０７】
【化６１】
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【０２０８】
棒状液晶性化合物とともに使用するポリマーは、塗布液を増粘できることが好ましい。
ポリマーの例としては、セルロースエステルを挙げることができる。セルロースエステルの好ましい例としては、特開２０００−１５５２１６号公報の段落番号［０１７８］に記載のものが挙げられる。液晶性化合物の配向を阻害しないように、上記ポリマーの添加量は、液晶性化合物に対して０．１〜１０質量％の範囲にあることが好ましく、０．１〜８質量％の範囲にあることがより好ましい。
【０２０９】
《光学異方性層の作製方法》
光学異方性層は、本発明で用いる組成物を塗布液として調製し、該塗布液を、支持体等の表面に塗布して、棒状液晶性化合物の分子を垂直配向させ、該配向状態を固定することで形成することができる。仮支持体上に光学異方性層を形成した場合は、形成された光学異方性層は、支持体上に転写される。さらに、１層の光学異方性層のみならず複数の光学異方性層を積層して、上記光学特性を示す第２位相差領域を構成することもできる。また、支持体と光学異方性層との積層体全体で上記光学特性を満たすようにして、第２位相差領域を作製してもよい。
【０２１０】
塗布液の調製に使用する溶媒としては、有機溶媒が好ましく用いられる。有機溶媒の例には、アミド（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例えば、ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例えば、ピリジン）、炭化水素（例えば、ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例えば、クロロホルム、ジクロロメタン）、エステル（例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル）、ケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトン）、エーテル（例えば、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）が含まれる。アルキルハライドおよびケトンが好ましい。二種類以上の有機溶媒を併用してもよい。
【０２１１】
塗布液の塗布は、公知の方法（例えば、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法）により実施できる。
【０２１２】
棒状液晶性化合物の分子を垂直配向させた後、その配向状態に分子を固定するのが好ましい。固定化は、棒状液晶性化合物が重合性基を有する場合は棒状液晶性化合物および／または別途重合性モノマーを添加した場合は重合性モノマーの重合反応により実施することが好ましい。固定化のために実施する重合反応には、光重合開始剤を用いた光重合反応を利用するのが好ましい。棒状液晶性化合物の重合のための光照射は、紫外線を用いることが好ましい。照射エネルギーは、２０ｍＪ／ｃｍ2〜５０Ｊ／ｃｍ2であることが好ましく、１００〜８００ｍＪ／ｃｍ2であることがさらに好ましい。光重合反応を促進するため、加熱条件下で光照射を実施してもよい。
【０２１３】
光重合時の加熱温度は、高過ぎると、液晶性化合物が等方相になってしまったり、ネマチック液晶相が乱れる問題が生じる。一方、加熱温度が低過ぎると、液晶化合物が結晶化して配向が乱れたり、重合率が低く光学異方性層と配向膜との密着が不足する、或いは光学異方層の機械的強度が不足する。
上記のような問題から、光重合時の温度を制御することが重要であり、上記問題が発生しない温度範囲であれば特に制限は無いが、具体的には、４０〜８０℃の範囲が好ましく、更に好ましくは、５０〜７０℃である。
【０２１４】
前記光学異方性層（光学異方性膜）の厚さは、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．５〜５μｍであることがさらに好ましく、１〜５μｍであることが最も好ましい。
【０２１５】
（配向膜）
前記光学異方性層の作製には、配向膜を利用してもよい。配向膜は、棒状液晶性化合物の配向方向を規定する機能を有する。しかし、棒状液晶性化合物の分子をホメオトロピック配向させる場合は、面内の配向方向はないため、配向膜は本発明において必須ではない。
また、本発明で用いる組成物は、オニウム塩および空気界面垂直配向剤を含有するので、垂直配向膜を用いなくても、棒状液晶性化合物の分子を安定的に垂直配向させることができるので、光学異方性層を形成するのに垂直配向膜は必須ではない。しかし、配向膜は液晶性組成物の配向の均一性を向上させたり、ポリマー基材と光学異方性層との間の密着性を向上させることができるために、必要であれば用いることができる。また、棒状液晶性化合物の分子を配向させ、その配向状態に固定してしまえば、配向膜はその役割を果たしているために、除去することも可能である。例えば、配向状態が固定された配向膜上の光学異方性層のみを、偏光子上に転写して光学異方性層を有する偏光板を作製することも可能である。
【０２１６】
配向膜は、有機化合物（好ましくはポリマー）のラビング処理、無機化合物の斜方蒸着、マイクログルーブを有する層の形成、あるいはラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ膜）による有機化合物（例えば、ω−トリコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウムクロライド、ステアリル酸メチル）の累積のような手段で設けることができる。さらに、電場の付与、磁場の付与あるいは光照射により、配向機能が生じる配向膜も知られている。
【０２１７】
配向膜は、必要であればラビング処理することができる。配向膜に使用するポリマーは、原則として、液晶性化合物を配向させる機能のある分子構造を有する。
本発明では、液晶性化合物を配向させる機能に加えて、架橋性官能基（例えば、二重結合）を有する側鎖を主鎖に結合させるか、あるいは、液晶性化合物を配向させる機能を有する架橋性官能基を側鎖に導入することが好ましい。
配向膜に使用されるポリマーは、それ自体架橋可能なポリマーあるいは架橋剤により架橋されるポリマーのいずれも使用することができし、これらの組み合わせを複数使用することができる。
【０２１８】
ポリマーの例には、例えば特開平８−３３８９１３号公報明細書中段落番号［００２２］記載のメタクリレート系重合体、スチレン系重合体、ポリオレフィン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル重合体、カルボキシメチルセルロース、ポリカーボネート等が含まれる。シランカップリング剤をポリマーとして用いることができる。水溶性ポリマー（例えば、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、カルボキシメチルセルロース、ゼラチン、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール）が好ましく、ゼラチン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールがさらに好ましく、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールが最も好ましい。重合度が異なるポリビニルアルコールまたは変性ポリビニルアルコールを２種類併用することが特に好ましい。
【０２１９】
ポリビニルアルコールの鹸化度は、７０〜１００％が好ましく、８０〜１００％がさらに好ましい。ポリビニルアルコールの重合度は、１００〜５０００であることが好ましい。
【０２２０】
液晶性化合物を配向させる機能を有する側鎖は、一般に疎水性基を官能基として有する。
具体的な官能基の種類は、液晶性化合物の種類および必要とする配向状態に応じて決定する。
例えば、変性ポリビニルアルコールの変性基としては、共重合変性、連鎖移動変性またはブロック重合変性により導入できる。変性基の例には、親水性基（カルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基、アミノ基、アンモニウム基、アミド基、チオール基等）、炭素原子数１０〜１００個の炭化水素基、フッ素原子置換の炭化水素基、チオエーテル基、重合性基（不飽和重合性基、エポキシ基、アジリニジル基等）、アルコキシシリル基（トリアルコキシ基、ジアルコキシ基、モノアルコキシ基）等が挙げられる。これらの変性ポリビニルアルコール化合物の具体例として、例えば特開２０００−１５５２１６号公報明細書中の段落番号［００２２］〜［０１４５］、同２００２−６２４２６号公報明細書中の段落番号［００１８］〜［００２２］に記載のもの等が挙げられる。
【０２２１】
架橋性官能基を有する側鎖を配向膜ポリマーの主鎖に結合させるか、あるいは、液晶性化合物を配向させる機能を有する側鎖に架橋性官能基を導入すると、配向膜のポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを共重合させることができる。その結果、多官能モノマーと多官能モノマーとの間だけではなく、配向膜ポリマーと配向膜ポリマーとの間、そして多官能モノマーと配向膜ポリマーとの間も共有結合で強固に結合される。従って、架橋性官能基を配向膜ポリマーに導入することで、光学補償シートの強度を著しく改善することができる。
配向膜ポリマーの架橋性官能基は、多官能モノマーと同様に、重合性基を含むことが好ましい。具体的には、例えば特開２０００−１５５２１６号公報明細書中段落番号［００８０］〜［０１００］記載のもの等が挙げられる。
【０２２２】
配向膜ポリマーは、上記の架橋性官能基とは別に、架橋剤を用いて架橋させることもできる。
架橋剤としては、アルデヒド、Ｎ−メチロール化合物、ジオキサン誘導体、カルボキシル基を活性化することにより作用する化合物、活性ビニル化合物、活性ハロゲン化合物、イソオキサゾールおよびジアルデヒド澱粉が含まれる。２種類以上の架橋剤を併用してもよい。具体的には、例えば特開２００２−６２４２６号公報明細書中の段落番号［００２３］〜［００２４］記載の化合物等が挙げられる。反応活性の高いアルデヒド、特にグルタルアルデヒドが好ましい。
【０２２３】
架橋剤の添加量は、ポリマーに対して０．１〜２０質量％が好ましく、０．５〜１５質量％がさらに好ましい。配向膜に残存する未反応の架橋剤の量は、１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがさらに好ましい。このように調節することで、配向膜を液晶表示装置に長期使用、或は高温高湿の雰囲気下に長期間放置しても、レチキュレーション発生のない充分な耐久性が得られる。
【０２２４】
配向膜は、基本的に、配向膜形成材料である上記ポリマー、架橋剤を含む支持体上に塗布した後、加熱乾燥（架橋させ）し、必要であればラビング処理することにより形成することができる。架橋反応は、前記のように、支持体上に塗布した後、任意の時期に行なってよい。ポリビニルアルコールのような水溶性ポリマーを配向膜形成材料として用いる場合には、塗布液は消泡作用のある有機溶媒（例えば、メタノール）と水の混合溶媒とすることが好ましい。その比率は質量比で、水：メタノールが０より大きく９９以下：１００未満１以上が好ましく、０より大きく９１以下：１００未満９以上であることがさらに好ましい。これにより、泡の発生が抑えられ、配向膜、更には光学異方層の層表面の欠陥が著しく減少する。
【０２２５】
配向膜の塗布方法は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、ロッドコーティング法またはロールコーティング法が好ましい。特にロッドコーティング法が好ましい。また、乾燥後の膜厚は０．１〜１０μｍが好ましい。加熱乾燥は、２０度〜１１０度で行なうことができる。充分な架橋を形成するためには６０度〜１００度が好ましく、特に８０度〜１００度が好ましい。乾燥時間は１分〜３６時間で行なうことができるが、好ましくは１分〜３０分である。ｐＨも、使用する架橋剤に最適な値に設定することが好ましく、グルタルアルデヒドを使用した場合は、ｐＨ４．５〜５．５で、特に５が好ましい。
【０２２６】
配向膜は、支持体上または上記下塗層上に設けられる。配向膜は、上記のようにポリマー層を架橋したのち、必要であれば表面をラビング処理することにより得ることができる。
【０２２７】
前記ラビング処理は、ＬＣＤの液晶配向処理工程として広く採用されている処理方法を適用することができる。即ち、配向膜の表面を、紙やガーゼ、フェルト、ゴムあるいはナイロン、ポリエステル繊維などを用いて一定方向に擦ることにより、配向を得る方法を用いることができる。一般的には、長さおよび太さが均一な繊維を平均的に植毛した布などを用いて数回程度ラビングを行うことにより実施される。
【０２２８】
配向膜上で液晶性化合物を配向させた後、必要に応じて、配向膜ポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを反応させるか、あるいは、架橋剤を用いて配向膜ポリマーを架橋させてもよい。配向膜の膜厚は、０．１〜１０μｍの範囲にあることが好ましい。
【０２２９】
棒状液晶性化合物を均一配向させるには、配向膜により配向方向を制御するのが好ましい。なお、配向膜を用いて液晶性化合物を配向させてから、その配向状態のまま液晶性化合物を固定して光学異方性層を形成し、光学異方性層のみをポリマーフィルム（または支持体）上に転写してもよい。即ち、光学異方性層の作製時に配向膜を用いたとしても、配向膜は必ずしも本発明の位相差膜の構成部材となるわけではない。
【０２３０】
［支持体］
本発明では、前記光学異方性層を、支持体上に形成してもよい。支持体は透明であるのが好ましく、具体的には、光透過率が８０％以上であるのが好ましい。支持体は、波長分散が小さいのが好ましく、具体的には、Ｒｅ400／Ｒｅ700の比が１．２未満であることが好ましい。中でも、ポリマーフィルムが好ましい。前記光学異方性層の支持体は、第２位相差領域の一部であってもよく、また、第１位相差領域の一部または全部であってもよい。また、前記光学異方性層の支持体は、偏光膜の保護膜としても機能していてもよい。
【０２３１】
支持体の光学異方性は小さいのが好ましく、面内レターデーション（Ｒｅ）が２０ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましく、５ｎｍ以下であることが最も好ましい。また、第１位相差領域を兼ねる場合は、Ｒｅが２０ｎｍ〜１５０ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍ〜１１５ｎｍであるのがより好ましく、６０ｎｍ〜９５ｎｍであるのがさらに好ましい。また、Ｎｚが１．５〜７であって、２．０〜５．５であるのがより好ましく、２．５〜４．５であるのがさらに好ましい。
【０２３２】
支持体となるポリマーフィルムの例には、セルロースエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレートおよびポリメタクリレートのフィルムが含まれる。セルロースエステルフィルムが好ましく、アセチルセルロースフィルムがさらに好ましく、トリアセチルセルロースフィルムが最も好ましい。ポリマーフィルムは、ソルベントキャスト法により形成することが好ましい。支持体の厚さは、２０〜５００μｍであることが好ましく、４０〜２００μｍであることがさらに好ましい。支持体とその上に設けられる層（接着層、垂直配向膜あるいは位相差層）との接着を改善するため、支持体に表面処理（例えば、グロー放電処理、コロナ放電処理、紫外線（ＵＶ）処理、火炎処理）を実施してもよい。支持体の上に、接着層（下塗り層）を設けてもよい。また、支持体や長尺の支持体には、搬送工程でのすべり性を付与したり、巻き取った後の裏面と表面の貼り付きを防止するために、平均粒子サイズが１０〜１００ｎｍ程度の無機粒子を固形分重量比で５％〜４０％混合したポリマー層を支持体の片側に塗布や支持体との共流延によって形成したものを用いることが好ましい。
【０２３３】
［偏光板保護膜］
第１および第２偏光板保護膜としては、可視光領域に吸収が無く、光透過率が８０％以上であり、複屈折性に基づくレターデーションが小さいものが好ましい。具体的には、面内のＲｅが０〜３０ｎｍであることが好ましく、０〜１５ｎｍであることがより好ましく、０〜５ｎｍであることが最も好ましい。さらに、厚み方向のレターデーションＲｔｈは−４０〜４０ｎｍの範囲であることが好ましく、−２０〜２０ｎｍであることがより好ましく、−１０〜１０ｎｍであることさらに好ましく、−５〜５ｎｍであることが最も好ましい。この特性を有するフィルムであれば好適に用いることができるが、偏光膜の耐久性の観点からはセルロースアシレートやノルボルネン系のフィルムがより好ましい。より好ましくは、第１位相差領域の複屈折ポリマーのところで例示したセルロースアシレートおよびノルボルネン系高分子である。セルロースアシレートフィルムのＲｔｈを小さくする方法として、特開平１１−２４６７０４号公報、特開２００１−２４７７１７号公報、特願２００３−３７９９７５号明細書に記載の方法などが挙げられる。また、偏光板保護膜の厚みを小さくすることによっても、Ｒｔｈを小さくすることができる。第１および第２偏光板保護膜としてのセルロースシレートフィルムの厚みは１０〜１００μｍであることが好ましく、１０〜６０μｍであるのがより好ましく、２０〜４５μｍであることがさらに好ましい。このような特性の偏光板保護膜を使用することによって、液晶パネルの黒表示時において、極角方向６０°から観察した時の輝度を低く抑えてコントラストを高くすることができる。また、極角方向６０°で方位角方向を振った時の色味変化を抑えることができる。
【０２３４】
具体的に、本発明の光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さいセルロースアシレートフィルムとしては、波長６３０ｎｍにおける面内のレターデーションＲｅ(630)が１０ｎｍ以下（０≦Ｒｅ(630)≦１０）でかつ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈ(630)の絶対値が２５ｎｍ以下（｜Ｒｔｈ｜≦２５ｎｍ）であることが好ましい。より好ましくは、０≦Ｒｅ(630)≦５かつ｜Ｒｔｈ｜≦２０ｎｍであり、さらに好ましくは、０≦Ｒｅ(630)≦２かつ｜Ｒｔｈ｜≦１５ｎｍである。
加えて、レターデーションの波長分散が小さいものが好ましく、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５であることが好ましい。より好ましくは、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦５かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦２５であり、さらに好ましくは、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦３かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦１５である。
【０２３５】
光学異方性が小さく、Ｒｅ、Ｒｔｈの波長分散が小さいセルロースアシレートフィルムは、例えば、下記の方法により作製可能である。
[セルロースアシレート原料綿] 
本発明に用いられるセルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ、針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えばプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができ、本発明で用いるセルロースアシレートフィルムに対してはいずれの方法も好ましく採用できる。
【０２３６】
[セルロースアシレート置換度] 
次に上述のセルロースを原料に製造される本発明のセルロースアシレートについて記載する。本発明のセルロースアシレートはセルロースの水酸基がアシル化されたもので、その置換基は、例えば、アシル基の炭素原子数２〜２２のアセチル基を用いることができる。本発明のセルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基に置換する酢酸および／または炭素原子数３〜２２の脂肪酸の結合度を測定し、計算によって置換度を得ることができる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施することが出来る。
【０２３７】
上述のように本発明のセルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基へのアシル置換度が２．５０〜３．００であることが好ましい。さらに、置換度が２．７５〜３．００であることが好ましく、２．８５〜３．００であることがより好ましい。
【０２３８】
セルロースの水酸基に置換する酢酸および／または炭素原子数３〜２２の脂肪酸のうち、炭素原子数２〜２２のアシル基としては、脂肪族基でもアリル基でもよく特に限定されず、単一でも２種類以上の混合物でもよい。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル基、アルケニルカルボニルエステル基あるいは芳香族カルボニルエステル基、芳香族アルキルカルボニルエステル基などであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの好ましいアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、へプタノイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、トリデカノイル基、テトラデカノイル基、ヘキサデカノイル基、オクタデカノイル基、イソブタノイル基、ｔｅｒｔ−ブタノイル基、シクロヘキサンカルボニル基、オレオイル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基、シンナモイル基などを挙げることが出来る。これらの中でも、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、ドデカノイル基、オクタデカノイル基、ｔｅｒｔ−ブタノイル基、オレオイル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基、シンナモイル基などが好ましく、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基がより好ましい。
【０２３９】
本発明の発明者が鋭意検討した結果、上述のセルロースの水酸基に置換するアシル置換基のうちで、実質的にアセチル基／プロピオニル基／ブタノイル基の少なくとも２種類からなる場合においては、その全置換度が２.５０〜３．００の場合にセルロースアシレートフィルムの光学異方性が低下できることがわかった。より好ましいアシル置換度は２．６０〜３．００であり、さらにのぞましくは２．６５〜３．００である。
【０２４０】
[セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる化合物の構造的特徴] 
セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる化合物について説明する。本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、フィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制する化合物を用いて光学的異方性を十分に低下させ、ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近くなるようにした。このためには光学的異方性を低下させる化合物はセルロースアシレートに十分に相溶し、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが有利である。具体的には芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が有利である。
【０２４１】
（ＬｏｇＰ値）
本発明のセルロースアシレートフィルムを作製するにあたっては、上述のようにフィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制して光学異方性を低下させる化合物のうち、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）が０〜７である化合物が好ましい。ｌｏｇＰ値が７を超える化合物は、セルロースアシレートとの相溶性に乏しく、フィルムの白濁や粉吹きを生じやすい。また、ｌｏｇＰ値が０よりも小さな化合物は親水性が高いために、セルロースアセテートフィルムの耐水性を悪化させる場合がある。ｌｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１〜６であり、特に好ましい範囲は１．５〜５である。
オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）、Viswanadhan's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,29,163(1989).）、Broto's fragmentation法（Eur.J.Med.Chem.- Chim.Theor.,19,71(1984).）などが好ましく用いられるが、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰの値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が本発明の範囲内であるかどうかは、Crippen's fragmentation法により判断することが好ましい。
【０２４２】
[光学的異方性を低下する化合物の物性] 
光学異方性を低下させる化合物は、芳香族基を含有しても良いし、含有しなくても良い。また光学異方性を低下させる化合物は、分子量が１５０〜３０００であることが好ましく、１７０〜２０００であることがより好ましく、２００〜１０００であることがさらに好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。
光学異方性を低下させる化合物は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。また光学異方性を低下させる化合物は、セルロースアシレートフィルムの作製の際の、ドープ流延、乾燥の過程で揮散しない化合物であることが好ましい。
光学異方性を低下させる化合物の添加量は、セルロースアシレートの０．０１〜３０質量％であることが好ましく、１〜２５質量％であることがより好ましく、５〜２０質量％であることが特に好ましい。
光学異方性を低下させる化合物は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
光学異方性を低下させる化合物を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。
【０２４３】
光学異方性を低下させる化合物は、少なくとも一方の側の表面から全膜厚の１０％までの部分における該化合物の平均含有率が、該セルロースアシレートフィルムの中央部における該化合物の平均含有率の８０〜９９％である。本発明の化合物の存在量は、例えば、特開平８−５７８７９号公報に記載の赤外吸収スペクトルを用いる方法などにより表面および中心部の化合物量を測定して求めることができる。
【０２４４】
以下に本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる化合物の具体例としては、下記一般式（１３）、（１８）、（１９）のいずれかで表される化合物が挙げられるが、本発明はこれら化合物に限定されない。
【０２４５】
【化６２】
2006301605.tif 000063
【０２４６】
［一般式（１３）において、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。ただしＲ1、Ｒ2およびＲ3の炭素原子数の総和は１０以上である。］
【０２４７】
【化６３】
2006301605.tif 000064
【０２４８】
［一般式（１８）において、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。］
【０２４９】
【化６４】
2006301605.tif 000065
【０２５０】
［一般式（１９）において、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。］
【０２５１】
一般式（１３）の化合物について説明する。
上記一般式（１３）において、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の炭素原子数の総和が１０以上であることが特に好ましい。Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は置換されていてもよく、置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１〜２５のものが好ましく、６〜２５のものがより好ましく、６〜２０のもの（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アミル基、イソアミル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ビシクロオクチル基、ノニル基、アダマンチル基、デシル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、ジデシル基）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６〜３０のものが好ましく、６〜２４のもの（例えば、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、ナフチル基、ビナフチル基、トリフェニルフェニル基）が特に好ましい。一般式（１３）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【０２５２】
【化６５】
2006301605.tif 000066
【０２５３】
【化６６】
2006301605.tif 000067
【０２５４】
【化６７】
2006301605.tif 000068
【０２５５】
以下に、一般式（１８）または一般式（１９）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。なお、一般式（１８）または一般式（１９）で表される化合物において、アルキル基およびアリール基の具体例は一般式（１３）と同じである。
【０２５６】
【化６８】
2006301605.tif 000069
【０２５７】
【化６９】
2006301605.tif 000070
【０２５８】
【化７０】
2006301605.tif 000071
【０２５９】
【化７１】
2006301605.tif 000072
【０２６０】
式中、Ｐｒiはイソプロピル基を表す。
【０２６１】
【化７２】
2006301605.tif 000073
【０２６２】
【化７３】
2006301605.tif 000074
【０２６３】
【化７４】
2006301605.tif 000075
【０２６４】
【化７５】
2006301605.tif 000076
【０２６５】
【化７６】
2006301605.tif 000077
【０２６６】
【化７７】
2006301605.tif 000078
【０２６７】
[波長分散調整剤] 
セルロースアシレートフィルムの波長分散を低下させる化合物（以下「波長分散調整剤」ともいう）について説明する。本発明のセルロースアシレートフィルムのＲｔｈの波長分散を良化させるためには、下記式（iv）で表されるＲｔｈの波長分散ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜を低下させる化合物を、下記式（v）、（vi）をみたす範囲で少なくとも一種含有することが好ましい。
（iv）ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜
（v）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−２．０
（vi）０．０１≦Ｂ≦３０
上記式（v）、（vi）は、
（v）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−３．０
（vi）０．０５≦Ｂ≦２５
であることがより好ましく
（v）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−４．０
（vi）０．１≦Ｂ≦２０
であることがさらに好ましい。
上記の波長分散調整剤は、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜および｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含むことによってセルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。添加量としては０．１〜３０重量％含むことによってセルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。
【０２６８】
セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフィルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ、Ｒｔｈの波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。
【０２６９】
したがって上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが要求される。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。
【０２７０】
また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜および｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜を低下させる化合物をセルロースアシレートフィルムに添加する場合、分光透過率が優れている要求される。本発明のセルロースアシレートフィルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％〜９５％であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることが好ましい。
【０２７１】
上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましい。より好ましくは２６０〜８００であり、更に好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。
【０２７２】
波長分散調整剤は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
【０２７３】
（化合物添加量）
上述した本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤の添加量は、セルロースアシレートの０．０１〜３０重量％であることが好ましく、０．１〜２０重量％であることがより好ましく、０．２〜１０重量％であることが特に好ましい。
【０２７４】
（化合物添加の方法）
またこれら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
またこれら波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。
【０２７５】
本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。
【０２７６】
ベンゾトリアゾール系化合物としては一般式（１０１）で示されるものが本発明の波長分散調整剤として好ましく用いられる。
【０２７７】
一般式（１０１）  Ｑ1−Ｑ2−ＯＨ
（式中、Ｑ1は含窒素芳香族ヘテロ環を、Ｑ2は芳香族環を表す。）
【０２７８】
Ｑ1は含窒素方向芳香族へテロ環を表し、好ましくは５員環〜７員環の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５員官または６員環の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、セレナゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンゾセレナゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、ナフトチアゾール環、ナフトオキサゾール環、アザベンズイミダゾール環、プリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、トリアザインデン環、テトラザインデン環等が挙げられ、更に好ましくは、５員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズオキサゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環が好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾール環である。
Ｑ1で表される含窒素芳香族ヘテロ環は更に置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環して更に環を形成してもよい。
【０２７９】
Ｑ2で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素原子数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
Ｑ2で表される芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ2は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１２、特に好ましくは炭素原子数１〜８であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１２、特に好ましくは炭素原子数２〜８であり、例えばビニル、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１２、特に好ましくは炭素原子数２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜３０、より好ましくは炭素原子数６〜２０、特に好ましくは炭素原子数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、置換または未置換のアミノ基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは炭素原子数０〜１０、特に好ましくは炭素原子数０〜６であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１２、特に好ましくは炭素原子数１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素原子数６〜２０、より好ましくは炭素原子数６〜１６、特に好ましくは炭素原子数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１６、特に好ましくは炭素原子数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数７〜２０、より好ましくは炭素原子数７〜１６、特に好ましくは炭素原子数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１６、特に好ましくは炭素原子数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１６、特に好ましくは炭素原子数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは炭素原子数２〜１６、特に好ましくは炭素原子数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数７〜２０、より好ましくは炭素原子数７〜１６、特に好ましくは炭素原子数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは炭素原子数０〜１６、特に好ましくは炭素原子数０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素原子数６〜２０、より好ましくは炭素原子数６〜１６、特に好ましくは炭素原子数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは炭素原子数１〜１６、特に好ましくは炭素原子数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素原子数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素原子数３〜４０、より好ましくは炭素原子数３〜３０、特に好ましくは、炭素原子数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０２８０】
一般式（１０１）として好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ａ）
【０２８１】
【化７８】
2006301605.tif 000079
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、およびＲ8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【０２８２】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、およびＲ9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ1およびＲ3として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素原子数４〜１２）である。
【０２８３】
Ｒ2、およびＲ4として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０２８４】
Ｒ5およびＲ8として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０２８５】
Ｒ6およびＲ7として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。
【０２８６】
一般式（１０１）としてより好ましくは下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ｂ）
【化７９】
2006301605.tif 000080
（式中、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ6およびＲ7は一般式（１０１−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
【０２８７】
以下に一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【化８０】
2006301605.tif 000081
【０２８８】
【化８１】
2006301605.tif 000082
【０２８９】
以上、例にあげたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに本発明のセルロースアシレートフィルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。
【０２９０】
また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては一般式（１０２）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０２）
【化８２】
2006301605.tif 000083
（式中、Ｑ1およびＱ2はそれぞれ独立に芳香族環を表す。ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、酸素原子または硫黄原子を表す。）
【０２９１】
Ｑ1およびＱ2で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ1およびＱ2で表される芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素原子数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
Ｑ1およびＱ2で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のどれかひとつを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン環、ピロール環、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
Ｑ1およびＱ2で表される芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素原子数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、更に好ましくは置換または無置換のベンゼン環である。
【０２９２】
Ｑ1およびＱ2は更に置換基を有してもよく、前述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、4級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。
【０２９３】
ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基としては上述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｘとして好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基は更に置換してもよい。）、またはOであり、特に好ましくはOである。
【０２９４】
一般式（１０２）として好ましくは下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ａ）
【化８３】
2006301605.tif 000084
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、およびＲ9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【０２９５】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、およびＲ9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
【０２９６】
Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8およびＲ9として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０２９７】
Ｒ2として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数０〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは炭素原子数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素原子数１〜１２のアルコキシ基である。
【０２９８】
Ｒ7として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数０〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素原子数１〜１２、より好ましくは炭素原子数１〜８、更に好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、水素原子である。
【０２９９】
一般式（１０２）としてより好ましくは下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ｂ）
【化８４】
2006301605.tif 000085
（式中、Ｒ10は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表す。）
【０３００】
Ｒ10は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ10として好ましくは置換または無置換のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数５〜２０の置換または無置換のアルキル基であり、更に好ましくは炭素原子数５〜１２の置換または無置換のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ-ドデシル基、ベンジル基、などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素原子数６〜１２の置換または無置換のアルキル基（２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基）である。
【０３０１】
一般式（１０２）で表される化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【化８５】
2006301605.tif 000086
【０３０２】
【化８６】
2006301605.tif 000087
【０３０３】
【化８７】
2006301605.tif 000088
【０３０４】
また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０３）
【化８８】
2006301605.tif 000089
（式中、Ｑ1およびＱ2はそれぞれ独立に芳香族環を表す。Ｘ1およびＸ2は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）Ｑ1およびＱ2で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素原子数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
【０３０５】
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
【０３０６】
Ｑ1およびＱ2で表される芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。
Ｑ1およびＱ2は更に置換基を有してもよく、上述の置換基Ｔが好ましい。
【０３０７】
Ｘ1およびＸ2は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ1およびＸ2で表される置換基は前述の置換基Ｔを適用することができる。また、Ｘ1およびＸ2はで表される置換基は更に他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ1およびＸ2はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。
【０３０８】
Ｘ1およびＸ2として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ(＝Ｏ)ＯＲ（Ｒは：炭素原子数１〜２０アルキル基、炭素原子数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。
【０３０９】
一般式（１０３）として好ましくは下記一般式（１０３-Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０３-Ａ）
【化８９】
2006301605.tif 000090
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｘ1およびＸ2は一般式（１０３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
【０３１０】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
【０３１１】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9、およびＲ10として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０３１２】
Ｒ3、およびＲ8として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数０〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。
【０３１３】
一般式（１０３）としてより好ましくは下記一般式（１０３-Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０３-Ｂ）
【化９０】
2006301605.tif 000091
（式中、Ｒ3およびＲ8は一般式（１０３-Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｘ3は水素原子、または置換基を表す。）
Ｘ3は水素原子、または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用でき、また、可能な場合は更に他の置換基で置換されてもよい。Ｘ3として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（-C(＝O)OR（Rは：炭素原子数１〜２０アルキル基、炭素原子数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。
【０３１４】
一般式（１０３）として更に好ましくは一般式（１０３-Ｃ）で表される化合物である。
一般式（１０３-Ｃ）
【化９１】
2006301605.tif 000092
（式中、Ｒ3およびＲ8は一般式（１０３-Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ21は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表す。）
【０３１５】
Ｒ21として好ましくはＲ3およびＲ8が両方水素の場合には、炭素原子数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数４〜１２のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素原子数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルへキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。
【０３１６】
Ｒ21として好ましくはＲ3およびＲ8が水素以外の場合には、一般式（１０３-Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素原子数２０以下の炭素原子数のアルキル基が好ましい。
【０３１７】
本発明一般式（１０３）で表される化合物はJounal  of  American Chemical Society ６３巻  ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。
【０３１８】
以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【０３１９】
【化９２】
2006301605.tif 000093
【０３２０】
【化９３】
2006301605.tif 000094
【０３２１】
【化９４】
2006301605.tif 000095
【０３２２】
［保護膜］
また、本発明の位相差膜の光学異方性層側に（または両側に）保護膜として、透明なポリマーフィルムが用いられることが好ましい。保護膜が透明であるとは、光透過率が８０％以上であることを意味する。保護膜としては、一般にセルロースエステルフィルム、好ましくはトリアセチルセルロースフィルムが用いられる。セルロースエステルフィルムは、ソルベントキャスト法により形成することが好ましい。保護膜の厚さは、２０〜５００μｍであることが好ましく、５０〜２００μｍであることがさらに好ましい。
【０３２３】
［偏光板］
本発明の位相差膜に、直線偏光膜を貼り合せ、偏光板とした後に、液晶表示装置に用いてもよい。一般的に、偏光膜の両面には保護膜が貼り合わせてあるが、一方の保護膜の代わりに、本発明の位相差膜の支持体を利用すると、液晶表示装置の薄型化にも寄与するため好ましい。以下に該偏光膜および偏光膜用の保護膜について説明する。
［偏光膜］
偏光膜には、ヨウ素系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン系偏光膜がある。ヨウ素系偏光膜および染料系偏光膜は、一般にポリビニルアルコール系フィルムを用いて製造する。偏光膜の透過軸は、フィルムの延伸方向に垂直な方向に相当する。ディスコティック液晶性化合物を光学異方性層に用いた場合には、偏光膜の透過軸は、配向膜側のディスコティック液晶性化合物の面に対し、実質的に平行となるように配置される。また、棒状液晶性化合物を用いた場合、偏光膜に垂直に棒状液晶が配向していることが好ましい。偏光膜は、本発明の位相差膜の支持体側に貼り合せるのが好ましいが、必要によっては、光学異方性層側と貼り合せてもよい。
【実施例】
【０３２４】
以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０３２５】
＜ＩＰＳモード液晶セル１の作製＞
一枚のガラス基板上に、図２に示す様に、隣接する電極間の距離が２０μｍとなるように電極２・３を配設し、その上にポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行なった。図２中に示す方向４に、ラビング処理を行なった。別に用意した一枚のガラス基板の一方の表面にポリイミド膜を設け、ラビング処理を行なって配向膜とした。２枚のガラス基板を、配向膜同士を対向させて、基板の間隔（ギャップ；ｄ）を３．９μｍとし、２枚のガラス基板のラビング方向が平行となるようにして重ねて貼り合わせ、次いで屈折率異方性（Δｎ）が０．０７６９および誘電率異方性（Δε）が正の４．５であるネマチック液晶性化合物を封入した。液晶層のｄ・Δｎの値は３００ｎｍであった。
【０３２６】
[作製した液晶表示装置の斜め漏れ光の測定]
このように作製した液晶表示装置の斜め漏れ光を測定した。測定はまず、暗室内に設置されたシャーカステン上に、偏光板を貼り合わせない状態で前記製作したＩＰＳモード液晶セルを置き、液晶セルのラビング方向を基準として左方向に４５度の方位で、且つ液晶セル法線方向から方向６０°の方向に１ｍ離れたところに設置された輝度計で輝度１を測定した。次いで、上記と同じシャーカステン上に漸次偏光板を貼り付けた液晶表示パネルを同様に配置して、暗表示の状態で同様に輝度２を測定し、これを輝度1に対する１００分率で表したものを斜め漏れ光とした。測定した漏れ光は０．０３％であった。さらに黒表示状態での極角６０°で黒の色味身の方位角方向依存性を目視で観察したが、色味の変化は感知できなかった。
また、実施例の斜め漏れ光の測定については、液晶セルと輝度計側の偏光板の間にサンプルを設置し、輝度３を測定し、これを輝度１に対する１００分率で表したものを斜め漏れ光とした。
【０３２７】
＜第１位相差領域１、第１位相差領域２の作製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。該溶液を保留粒子サイズ４μｍ、濾水時間３５秒の濾紙（Ｎｏ．６３、アドバンテック製）を０．５ＭＰａ（５ｋｇ／ｃｍ2）以下で用いてろ過した。
ここで使用したセルロースアセテートは、置換度２．８６、６位置換率０．３１１である。
【０３２８】
────────────────────────────────────
セルロースアセテート溶液組成物Ａ
────────────────────────────────────
酢化度６０．９％のセルロースアセテート
（重合度３００、Ｍｎ／Ｍｗ＝１．５）                    １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                  ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）          ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                      ３００質量部
メタノール（第２溶媒）                                ５４質量部
１−ブタノール（第３溶媒）                            １１質量部
────────────────────────────────────
【０３２９】
別のミキシングタンクに、下記のレターデーション発現剤Ａを８質量部、レターデーション発現剤Ｂを１０質量部、二酸化珪素微粒子（平均粒子サイズ：０．１μｍ）０．２８質量部、メチレンクロライド８０質量部およびメタノール２０質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、溶液Ａを調製した。セルロースアセテート溶液４７４質量部に該溶液Ａを４０質量部混合し、充分に攪拌してドープを調製した。
【０３３０】
レターデーション発現剤Ａ
【化９５】
2006301605.tif 000096
【０３３１】
レターデーション発現剤Ｂ
【化９６】
2006301605.tif 000097
【０３３２】
得られたドープを、バンド流延機を用いて流延した。残留溶剤量が１５質量％のフィルムを、１３０℃の条件で、テンターを用いて２０％の延伸倍率で横延伸し、延伸後の幅のまま５０℃で３０秒間保持した後クリップを外してセルロースアセテートフィルムを作製した。延伸終了時の残留溶媒量は５質量％であり、さらに乾燥して残留溶媒量を０．１質量％未満としてフィルムを作製した。
【０３３３】
このようにして得られたフィルム（第１位相差領域１）の厚さは８０μｍであった。作製した第１位相差領域１について、自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定して、Ｒｅが７０ｎｍ、Ｒｔｈが１７５ｎｍであること、さらに、これからＮｚが３．０であることが分かった。
【０３３４】
別のミキシングタンクに、前記のレターデーション発現剤Ａを１６質量部、レターデーション発現剤Ｂを８質量部、二酸化珪素微粒子（平均粒子サイズ：０．１μｍ）０．２８質量部、メチレンクロライド８０質量部およびメタノール２０質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、溶液Ｂを調製した。セルロースアセテート溶液４７４質量部に該溶液Ｂを４５質量部混合し、充分に攪拌してドープを調製し、前述の第１位相差領域１と同様に製膜した。このようにして得られたフィルム（第１位相差領域２）の厚さは８０μｍであった。作製した第１位相差領域２について、自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定することによって、Ｒｅが６０ｎｍ、Ｒｔｈが２１０ｎｍであり、これからＮｚが４．０であることが分かった。
【０３３５】
＜第１位相差領域３＞
下記のセルロースアセテート溶液組成の各成分をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ｂを調製した。
ここで使用したセルロースアセテートは、置換度２．８１、６位置換率０．３１７である。
【０３３６】
（セルロースアセテート溶液Ｂの組成）
酢化度６０．２％のセルロースアセテート                  １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                      ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）              ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                          ３１８質量部
メタノール（第２溶媒）                                    ４７質量部
【０３３７】
ミキシングタンクに、下記のレターデーション発現剤Ｃ１６質量部、メチレンクロライド８７質量部およびメタノール１３質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、レターデーション発現剤Ｃ溶液を調製した。
上記セルロースアセテート溶液組成物Ｂ  ４７４質量部に上記レターデーション制御剤Ｃ溶液４３質量部を混合し、充分に攪拌してドープを調製した。レターデーション発現剤の添加量は、セルロースアセテート１００質量部に対して、６．０質量部であった。
レターデーション発現剤Ｃ
【０３３８】
【化９７】
2006301605.tif 000098
【０３３９】
バンド上に流延した後、残留溶剤量３２％で剥ぎ取った後、テンター延伸機で横延伸した。延伸倍率は２５％とし、延伸温度は１４０℃とした。その後、１３０℃の温風で乾燥させセルロースアセテートフィルムを作成した。乾燥後のフィルムの膜厚は８５μｍであった。得られたセルロースアセテートフィルム（第１位相差領域３）について、第１位相差領域１と同様に評価したところ、Ｒｅが６５ｎｍ、Ｒｔｈが２００ｎｍであり、これからＮｚが３．６であることが分かった。
【０３４０】
＜第２位相差領域１および２の作製＞
製作した第１位相差領域１および第１位相差領域２のそれぞれの表面のケン化処理を行い、このフィルム上に、下記の組成の配向膜塗布液をワイヤーバーコーターで２０ｍｌ／ｍ2塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに１００℃の温風で１２０秒乾燥し、膜を形成し、配向膜を得た。
配向膜塗布液の組成
下記の変性ポリビニルアルコール                          １０質量部
水                                                    ３７１質量部
メタノール                                            １１９質量部
グルタルアルデヒド                                    ０．５質量部
【０３４１】
【化９８】
2006301605.tif 000099
【０３４２】
次に、下記の棒状液晶化合物２．０ｇ、光重合開始剤（イルガキュアー９０７、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製）０．０６ｇ、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）０．０２ｇ、下記のオニウム塩、各０．０２ｇ、下記の空気界面側垂直配向剤０．００２ｇを２．７ｇのメチルエチルケトンに溶解した溶液を調製した。この塗布液を前記配向膜の表面に、ワイヤーバーでそれぞれ塗布膜厚を調節して塗布した。これを金属の枠に貼り付けて、８０℃の恒温槽中で２分間加熱し、棒状液晶化合物を配向させた。次に、６０℃で１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯により、２０秒間ＵＶ照射し棒状液晶化合物を架橋して、その後、室温まで放冷して第２位相差領域１および２を作製し、位相差膜１および２とした。この時、ＵＶ照射時温度以外の条件を同じにし、ＵＶ照射時温度を３０℃と１００℃で光学異方性層を作製したところ、一面に配向欠陥が発生し、第２位相差領域として使用できなかった。光学異方性層の光学特性は表１に示した。また、第１位相差領域と第２位相差領域の組み合わせは表２に示した。
【０３４３】
【化９９】
2006301605.tif 000100
【０３４４】
【化１００】
2006301605.tif 000101
【０３４５】
【化１０１】
2006301605.tif 000102
【０３４６】
＜第２位相差領域３の作製＞
製作した第１位相差領域３について、第１位相差領域１作製時と同様にして、ケン化処理および配向膜を形成した。
【０３４７】
次に、上記棒状液晶化合物２．０ｇ、光重合開始剤（イルガキュアー９０７、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製）０．０６ｇ、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）０．０２ｇ、下記のオニウム塩０．０２ｇ、下記の空気界面側垂直配向剤０．００４ｇ、ＵＶ硬化性樹脂（ＫＡＹＡＲＡＤ  ＤＰＨＡ、日本化薬（株）製）０．１ｇを３．９ｇのメチルエチルケトンに溶解した溶液を調製した。この塗布液を前記配向膜の表面に、ワイヤーバーで塗布膜厚を調節して塗布した。これを金属の枠に貼り付けて、７０℃の恒温槽中で１分３０秒間加熱し、棒状液晶化合物を配向させた。次に、７０℃に保温したまま、窒素パージ下で１６０Ｗ／ｃｍの空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を用いて、照度４００ｍＷ／ｃｍ2、照射量６００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、棒状液晶化合物を架橋して、その後、室温まで放冷して第２位相差領域３を作製し、位相差膜３とした。光学異方性層の光学特性は表１に示した。また、第１位相差領域と第２位相差領域の組み合わせは表２に示した。
【０３４８】
【化１０２】
2006301605.tif 000103
【０３４９】
【化１０３】
2006301605.tif 000104
【０３５０】
【表１】
2006301605.tif 000105
【０３５１】
【表２】
2006301605.tif 000106
【０３５２】
＜偏光板保護膜１の作製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ｃを調製した。
＜セルロースアセテート溶液Ｃ組成＞
置換度２．８６のセルロースアセテート                １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                  ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）          ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                      ３００質量部
メタノール（第２溶媒）                                ５４質量部
１−ブタノール                                        １１質量部
【０３５３】
別のミキシングタンクに、下記の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂ−１を調製した。
＜添加剤溶液Ｂ−１組成＞
メチレンクロライド                        ８０質量部
メタノール                                ２０質量部
下記のレターデーション低下剤              ４０質量部
【０３５４】
【化１０４】
2006301605.tif 000107
【０３５５】
セルロースアセテート溶液Ａを４７７質量部に、添加剤溶液Ｂ−１の４０質量部を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。ドープを流延口から０℃に冷却したドラム上に流延した。溶媒含有率７０質量％の場外で剥ぎ取り、フィルムの巾方向の両端をピンテンター（特開平４−１００９号公報の図３に記載のピンテンター）で固定し、溶媒含有率が３〜５質量％の状態で、横方向（機械方向に垂直な方向）の延伸率が３％となる間隔を保ちつつ乾燥した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、厚み８０μｍの偏光板保護膜１を作製した。
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定し、光学特性を算出したところ、Ｒｅが１ｎｍ、Ｒｔｈが６ｎｍであることが確認できた。
また、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜は、６ｎｍであり、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜は２０ｎｍであった。
【０３５６】
＜偏光板保護膜２の作製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ｄを調製した。
セルロースアセテート溶液Ｄの組成
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
アセチル置換度２．９４のセルロースアセテート      １００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                    ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒）                              ６０．０質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
【０３５７】
（マット剤溶液の調製）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ  Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
マット剤溶液組成
―――――――――――――――――――――――――――――――――
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液            １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                ７６．３質量部
メタノール（第２溶媒）                          ３．４質量部
セルロースアセテート溶液Ｄ                    １０．３質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――
【０３５８】
（添加剤溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液を調製した。
添加剤溶液組成
――――――――――――――――――――――――――――――
上記のレターデーション低下剤              ４９．３質量部
下記の波長分散調整剤                      ４．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）          ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒）                    ８．７質量部
セルロースアセテート溶液Ｄ              １２．８質量部
――――――――――――――――――――――――――――――
【０３５９】
【化１０５】
2006301605.tif 000108
【０３６０】
（セルロースアセテートフィルムの作製）
上記セルロースアセテート溶液Ｄを９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、添加剤溶液４．１質量部それぞれを濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成でレターデーション低下剤および波長分散調整剤のセルロースアセテートに対する質量比はそれぞれ１２％、１．２％であった。残留溶剤量３０％でフィルムをバンドから剥離し、１４０℃で４０分間乾燥させ、厚さ８０μｍの長尺状のセルロースアセテートフィルムを製造した。得られたフィルムの面内レターデーション（Ｒｅ）は１ｎｍ、厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）は３ｎｍであった。
また、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜は、４ｎｍであり、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜は１２ｎｍであった。
【０３６１】
＜偏光板保護膜３の作製＞
偏光板保護膜２と同様にして、流延膜厚を調整して、厚さ３５μｍの長尺状のセルロースアセテートフィルムを製造した。得られたフィルムの面内レターデーション（Ｒｅ）は０ｎｍ、厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）は０ｎｍであった。
また、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜は、２ｎｍであり、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜は６ｎｍであった。
【０３６２】
＜偏光板Ａの作製＞
次に延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製、Ｒｅ＝３ｎｍ、Ｒｔｈ＝４５ｎｍ）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片面に貼り付け偏光板Ａを形成した。
【０３６３】
＜偏光板Ｂの作製＞
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の両面に貼り付け偏光板Ｂを形成した。
【０３６４】
＜偏光板Ｃの作製＞
同様にして偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片面に貼り付けた。さらに同様にして前記製作の偏光板保護膜１を偏光膜のもう片面に貼り付け偏光板Ｃを形成した。
【０３６５】
＜偏光板Ｄの作製＞
同様にして偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片面に貼り付けた。さらに同様にして市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴ４０ＵＺ、富士写真フイルム（株）製、Ｒｅ＝１ｎｍ、Ｒｔｈ＝３５ｎｍ）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて偏光膜のもう片面に貼り付け偏光板Ｄを形成した。
【０３６６】
＜偏光板Ｅの作製＞
同様にして偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片面に貼り付けた。さらに同様にして前記製作の偏光板保護膜２を偏光膜のもう片面に貼り付け偏光板Ｅを形成した。
【０３６７】
＜偏光板Ｆの作製＞
同様にして偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片面に貼り付けた。さらに同様にして前記製作の偏光板保護膜３を偏光膜のもう片面に貼り付け偏光板Ｆを形成した。
【０３６８】
[比較例１] （位相差膜を入れない例）
偏光板Ｂを、前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の片側に偏光膜の吸収軸が液晶セルのラビング方向と平行になるようにはりつけた。続いて前記液晶セル１のもう一方の側に偏光板Ｂを偏光膜の吸収軸が液晶セルのラビング方向と垂直になるように貼り付けた。この時の正面コントラストは４００となり、実施例の位相差を具備した時よりも大きいが、パネルが黒表示時の極角６０°、方位角４５°から観察した時の斜め漏れ光は０．５８％と大きく、有効ではなかった。
【０３６９】
[比較例２]  （式  ０．０００＜  Ａ＝（Ｌ−Ｘ）／ｄ  ＜２．５を満たさない例）
市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）の表面をケン化後、このフィルム上に下記の組成の配向膜塗布液をワイヤーバーコーターで２０ｍｌ／ｍ2塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに１００℃の温風で１２０秒乾燥し、膜を形成した。次に、形成した膜にフィルムの遅相軸方向と平行の方向にラビング処理を施して配向膜を形成した。
配向膜塗布液の組成
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
下記の変性ポリビニルアルコール                  １０質量部
水                                            ３７１質量部
メタノール                                    １１９質量部
グルタルアルデヒド                            ０．５質量部
化合物Ｂ                                      ０．２質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
【０３７０】
【化１０６】
2006301605.tif 000109
【０３７１】
【化１０７】
2006301605.tif 000110
【０３７２】
次に、それぞれの強さでラビングした配向膜上に、下記の組成の塗布液を、ワイヤーバーで硬化後の正面レターデーションが１２２ｎｍとなるように塗布した。
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
ディスコティック液晶性化合物                                  １．８ｇ
エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート
（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）                        ０．２ｇ
光重合開始剤（イルガキュアー９０７、チバガイギー社製）      ０．０６ｇ
増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）            ０．０２ｇ
空気界面側配向剤（下記の化合物Ａ）                          ０．０１ｇ
メチルエチルケトン                                          ３．９ｇ
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
これを金属の枠に貼り付けて、１２５℃の恒温槽中で３分間加熱し、ディスコティック液晶化合物を配向させた。次に、１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、３０秒間ＵＶ照射しディスコティック液晶化合物を架橋した。ＵＶ硬化時の温度を８０℃として、位相差膜を得た。その後、室温まで放冷した。このようにして、位相差膜４を製作した。
【０３７３】
【化１０８】
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【０３７４】
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、位相差膜４のＲｅの光入射角度依存性を測定し、予め測定したセルロースアセテートフィルム（Ｒｅ＝５ｎｍ）の寄与分を差し引くことによって、ディスコティック液晶性位相差層のみの光学特性を算出した。正面Ｒｅは１２２ｎｍであった。また、光学補償シート全体のＲｅは１２７ｎｍであった。また、液晶の傾斜角は９０．０°であり、ディスコティック液晶性化合物がフィルム面に対して光学軸が基板と平行に配向に配向していることが確認できた。なお遅相軸の方向は配向膜のラビング方向と平行であった。
【０３７５】
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作した。ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、作製した位相差膜４を、セルロースアセテートフィルムが偏光膜側となるように偏光膜の片側に貼り付けた。偏光膜の透過軸と光学補償フィルムの遅相軸（第２位相差領域の遅相軸もこれに一致する）とは平行になるように配置した。市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の反対側に貼り付けた。これを、前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、位相差膜４の遅相軸が液晶セルのラビング方向と平行になるように（即ち、第２位相差領域の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶性化合物の遅相軸と平行になるように）、かつディスコティック液晶塗布面側が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に偏光板Ｂを、クロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置２を作製した。
【０３７６】
このとき、式Ａ＝（Ｌ／Ｘ）／ｄにおけるＡは３．８６であり、パネルが黒表示時の極角６０°、方位角４５°から観察した時の斜め漏れ光は０．１６％と小さいが、正面コントラストは３０２と大きく減少してしまった。
【０３７７】
［実施例１］
偏光板Ａにポリビニルアルコール系接着剤を用い、上記により作製した位相差膜１を、第１位相差領域１側が第１偏光膜側となるように、かつ、第１偏光膜の透過軸と第１位相差領域１の遅相軸が平行になるように第１偏光膜のセルロースアセテートフィルムを貼合していない側に貼り付け偏光板１を形成した。
【０３７８】
これを、前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、第１位相差領域１の遅相軸が液晶セルのラビング方向と平行になるように（即ち、第１位相差領域１の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶性化合物の遅相軸と平行になるように）、かつ第２位相差領域１面側が液晶セル側になるように偏光板１を貼り付けた。
続いて、このＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に偏光板Ｃを偏光板保護膜１側が液晶セル側になるように、かつ偏光板１とはクロスニコルの配置になるように貼り付け、液晶表示装置を作製した。位相差膜はＡ＝０．５９であった。このように作製した液晶表示装置の正面コントラストは３８４であった。また、パネルが黒表示時の極角方向６０°、方位角方向４５°から観察した際の斜め漏れ光は０．１２％と小さかった。
【０３７９】
［実施例２］
偏光板Ａにポリビニルアルコール系接着剤を用いて、上記により作製した位相差膜２を、第１位相差領域１側が偏光膜側となるように、かつ偏光膜の透過軸と第１位相差領域１の遅相軸が平行になるように第１偏光膜のセルロースアセテートフィルムを貼合していない側に貼り付け偏光板２を形成した。
【０３８０】
これを、前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、第１位相差領域２の遅相軸が液晶セルのラビング方向と平行になるように（即ち、第１位相差領域２の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶性化合物の遅相軸と平行になるように）、かつ第２位相差領域２面側が液晶セル側になるように偏光板２を貼り付けた。
続いて、このＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に偏光板ＤをＴ４０ＵＺ側が液晶セル側になるように、かつ偏光板２とはクロスニコルの配置になるように貼り付け、液晶表示装置を作製した。位相差膜はＡ＝０．６１であった。このように作製した液晶表示装置の正面コントラストは３８８であった。また、パネルが黒表示時の極角方向６０°、方位角方向４５°から観察した際の斜め漏れ光は０．０６％と小さかった。
【０３８１】
［実施例３］
偏光板Ａにポリビニルアルコール系接着剤を用い、上記により作製した位相差膜３を、第１位相差領域３側が偏光膜側となるように、かつ、偏光膜の透過軸と第１位相差領域３の遅相軸が平行になるように、偏光膜のセルロースアセテートフィルムが貼合していない側に貼り付け、偏光板３を形成した。
【０３８２】
これを、前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、第１位相差領域３の遅相軸が液晶セルのラビング方向と平行になるように（即ち、第１位相差領域１の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶性化合物の遅相軸と平行になるように）、かつ第２位相差領域３面側が液晶セル側になるように偏光板３を貼り付けた。
続いて、このＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に偏光板Ｅを偏光板保護膜２側が液晶セル側になるように、かつ偏光板１とはクロスニコルの配置になるように貼り付け、液晶表示装置を作製した。位相差膜はＡ＝０．５７であった。このように作製した液晶表示装置の正面コントラストは３９０であった。また、パネルが黒表示時の極角方向６０°、方位角方向４５°から観察した際の斜め漏れ光は０．０５％と小さかった。
【０３８３】
［実施例４］
偏光板Ｅを偏光板Ｆに置き換える以外は実施例３と同様にして、液晶表示装置を作製した。位相差膜はＡ＝０．０１０であった。このように作製した液晶表示装置の正面コントラストは３９５であった。また、パネルが黒表示時の極角方向６０°、方位角方向４５°から観察した際の斜め漏れ光は０．０３％と小さかった。
【０３８４】
表３に評価のまとめを示す。
【表３】
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【図面の簡単な説明】
【０３８５】
【図１】位相差膜の正面輝度を測定する装置の概略模式図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の画素領域例を示す概略図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の例を示す概略図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の例を示す概略図である。
【符号の説明】
【０３８６】
１            液晶素子画素領域
２            画素電極
３            表示電極
４            ラビング方向
５ａ、５ｂ    黒表示時の液晶化合物のダイレクター
６ａ、６ｂ    白表示時の液晶化合物のダイレクター
７ａ，７ｂ    第１偏光板保護膜
８            第１偏光膜
９            第１偏光膜の偏光透過軸
１０            位相差膜
１１            第１位相差領域（透明支持体）
１２            第２位相差領域（光学異方性層）
１３            第１位相差領域の遅相軸
１４            第１基板
１５            第１基板ラビング方向
１６            液晶層
１７            液晶性化合物の遅相軸方向
１８            第２基板
１９            第２基板ラビング方向
２０ａ、２０ｂ  第２偏光板保護膜
２１            第２偏光膜
２２            第２偏光膜偏光透過軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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