(57)【要約】【課題】高精度な異物検査を実現する。【解決手段】物体の被検査面の異物の有無を検査する異物検査装置であって、前記被検査面に検査光を照射する光照射手段と、前記被検査面上の異物により散乱された前記検査光を受光する受光手段と、前記光照射手段による前記検査光の照射範囲を前記被検査面内に制限するための遮光手段とを具備する。【選択図】      図１
2006301303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の被検査面の異物の有無を検査する異物検査装置であって、
前記被検査面に検査光を照射する光照射手段と、
前記被検査面上の異物により散乱された前記検査光を受光する受光手段と、
前記光照射手段による前記検査光の照射範囲を前記被検査面内に制限するための遮光手段とを具備すること特徴とする異物検査装置。
【請求項２】
前記被検査面の位置を計測する位置計測手段と、
前記遮光手段の位置を調整する位置調整手段と、
前記被検査面の位置に基づいて、前記遮光手段と前記被検査面との相対的な位置を調整する相対位置調整手段とを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項３】
前記受光手段は、前記被検査面のエッジ部分で散乱した光を受光し、
前記エッジ部分で散乱した散乱光の光量に基づいて前記遮光手段と前記被検査面との相対的な位置を調整する相対位置調整手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項４】
前記物体を透過した光を検出する検出手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項５】
前記検出手段により検出された光量に基づいて前記遮光手段と前記被検査面との相対的な位置を調整する相対位置調整手段を更に備えること特徴とする請求項４に記載の異物検査装置。
【請求項６】
前記検出手段により検出された光量に基づいて、異物検査結果の有効性を判断する判断手段を更に備えることを特徴とする請求項４又は５に記載の異物検査装置。
【請求項７】
前記遮光手段のエッジ部を鋸歯状に形成したことを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項８】
物体の被検査面の異物の有無を検査する方法であって、
前記被検査面に照射される検査光の照射範囲を前記被検査面内に制限し、
前記被検査面上の異物により散乱された前記検査光を受光して異物の有無を判断すること特徴とする異物検査方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の異物検査装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の露光装置を用いて基板にパターンを転写するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物体の被検査面における異物の有無を検出する異物検査技術や当該異物検査技術を用いた露光技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩあるいは超ＬＳＩなどの極微細パターンから形成される半導体素子の製造工程において、レチクルやマスクに描かれた回路パターンを感光剤が塗布されたウエハ上に縮小投影して焼き付け形成する縮小型投影露光装置が使用されている。半導体素子の実装密度の向上に伴いパターンのより一層の微細化が要求され、レジストプロセスの発展と同時に露光装置の微細化への対応がなされている。
【０００３】
ところが、このパターン転写の際に基板面上にゴミ等の異物が付着していると異物も同時に転写されてしまい、ＩＣやＬＳＩ製造の歩留まりを大きく低下させる。そのため、一般的にマスクやレチクルにはペリクルと呼ばれる約１μｍの厚みのニトロセルロース製の透明薄膜からなるパターン保護部材が装着されている。これはレチクルパターン面に塵埃などの異物が付着するのを防止するものである。
【０００４】
レチクルパターン面から距離が離れたレチクルブランク面やペリクル面に異物が付着した場合には、ウエハ上に異物が転写されることはないものの、これらの面に付着した異物のデフォーカスした像が転写され、ウエハ上で光量ムラを生じ、露光不良となるおそれがある。
【０００５】
そのため、ＩＣやＬＳＩ製造工程においては露光が行なわれる前や後にレチクル（ブランク面）やペリクル上の異物の有無を検出することが不可欠となっている。一般には異物が等方的に光を散乱する性質を利用した方法が用いられている。例えば、被検査面領域に対して斜め上方から平行光束を一括照射し、屈折率分布型マイクロレンズアレーにて異物からの散乱光を一次元イメージセンサー（センサーアレイ）上に入射させて異物を結像することによって被検査面の異物の有無を検査する。
【特許文献１】特開昭５８−７９２４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１２は異物検査装置の構成概要を示す図であり、被検査物としてのレチクル１及びペリクル２（不図示）は検査台６に保持される。７は検査光を形成し被検査物に照射する検査光形成ユニットである。３はレチクル１側に対向しレチクル１に照射された検査光を受光するレチクル側受光部で、４はペリクル２側に対向しペリクル２に照射された検査光を受光するペリクル側受光部である。
【０００７】
検査光形成ユニット７は、上記レチクル側受光部３とペリクル側受光部４とを被検査物に対して矢印方向（ｘ方向）にスキャンすることにより、被検査物の全面について異物検査を行う。
【０００８】
図１３は、図１２をｘ方向から見た側面図であり、ペリクル２側の構成は省略している。
【０００９】
図１３において、検査光形成ユニット７からレチクル１に対して平行光束である検査光１４ａを一括照射し、照射した検査光を受光部３で受光することによって異物を検出する。
【００１０】
ここで、検査光形成ユニット７から照射される検査光１４ａの一部がレチクル１のエッジ部分１ａ（端面部分）からレチクル１内に入射することで、レチクル１に描画されたパターン２０で回折して回折光２１を発生させることがある。そして、回折光２１が受光部３に入射すると異物からの散乱光として誤検出してしまい、正確な異物検出ができなくなる。
【００１１】
従来は、上記特許文献１に記載されたように、受光部における、回折光のような迷光を遮光しつつ異物からの散乱光は遮光しない方向に遮光部材を配置している。しかしながら、回折光の発生する方向はレチクルのパターンに依存するためにあらゆる態様において回折光を遮光することは困難である。
【００１２】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高精度な異物検査を実現できる新規な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明は、物体の被検査面の異物の有無を検査する異物検査装置であって、前記被検査面に検査光を照射する光照射手段と、前記被検査面上の異物により散乱された前記検査光を受光する受光手段と、前記光照射手段による前記検査光の照射範囲を前記被検査面内に制限するための遮光手段とを具備する。
【００１４】
また、本発明は、物体の被検査面の異物の有無を検査する方法であって、前記被検査面に照射される検査光の照射範囲を前記被検査面内に制限し、前記被検査面上の異物により散乱された前記検査光を受光して異物の有無を判断する。
【００１５】
更に、本発明は、上記異物検査装置を有する露光装置や、この露光装置を用いて基板にパターンを転写するステップを有するデバイス製造方法にも適用可能である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、高精度な異物検査を実現できる新規な技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１８】
尚、以下に説明する実施の形態は、本発明の実現手段としての一例であり、本発明が適用される装置の構成や各種条件によって適宜修正又は変更されるべきものである。
【００１９】
［第１の実施形態］
図１は本発明に係る第１の実施形態の異物検査装置の構成概要を示す図である。
【００２０】
図１に示すように、レーザーダイオード８から照射されたレーザー光はコリメーターレンズ９により平行光束に変換される。平行光束にされたレーザー光はビームスプリッター（ハーフミラー）１０ａによって互いにほぼ強度が等しい２つの光束Ａ，Ｂに分離される。ビームスプリッター１０ａを透過した透過光Ｂはビームスプリッター１０ｂに入射し、ビームスプリッター１０ｂで反射した反射光Ａはコーナーキューブ１８に入射する。
【００２１】
コーナーキューブ１８は、ビームスプリッター１０ａ，１０ｂに対してｘ方向に所定量Ｌ／２だけシフトして配置されており、ビームスプリッター１０ｂにおいて光束Ａ、Ｂが合成された後にビームスプリッター１０ｂからｘ方向に出射する光束Ａａ、Ｂａは互いに平行な光束となり、かつ２つの光束の中心間距離がＬだけ離間した形状となる。
【００２２】
また、ビームスプリッター１０ｂはハーフミラーであるので、ビームスプリッター１０ｂからは中心間距離がＬだけ離間した光束Ａｂ、Ｂｂがｚ方向に出射する。
【００２３】
そして、これら合成光Ａａ＋ＢａとＡｂ＋Ｂｂとが２方向へ検査光１４ａ、１４ｂとしてそれぞれレチクル１の上面（検査面）とペリクル２の下面（検査面）に照射される。ビームスプリッター１０ａ，１０ｂにて縦長に形成された検査光１４ａ、１４ｂは、反射ミラー１１、１２、１３によって所定の角度でレチクル１とペリクル２の各面に斜めに照射され、検査面上ではほぼ均一な細長いスリット光となる。
【００２４】
そして、図１２で説明したように、受光部３，４、検査光形成ユニット７をレチクル１及びペリクル２に対してｘ方向にスキャン（走査）させることで、被検査物の検査面全体の異物検査が行われる。ここで、検査光の照射領域に異物１７が存在した場合には異物から散乱光が発生する。この散乱光は検査光の照射領域に沿って配置された結像レンズ１５によりラインセンサー１６上に結像される。
【００２５】
本実施形態の１つ特徴点は、検査光１４ａが被検査物のエッジ部分に当たらないよう検査光の照射範囲を規制するための遮光部（板）５を設けたところである。
【００２６】
図２は、図１をｘ方向から見た側面図であり、ペリクル２側の構成は省略している。
【００２７】
図２に示すように、遮光部５はレチクル１と検査光形成ユニット７の間に配置されている。また、遮光部５は検査光形成ユニット７と共にスキャン移動して、検査面の全体に亘って検査光を遮光する役割を果たしている。
【００２８】
遮光部５は、検査光形成ユニット７から照射される検査光１４ａのうち、レチクル１のエッジ部分１ａに入射する検査光１４ａを遮断することで、図１３で述べたようにレチクル１に描画されたパターン２０に起因する回折光２１を発生しないようにする。すなわち、回折光２１に対する受光部の感度を低くできるため、検査光の強度（光量）を相対的に強くすることができ、より小さな異物に対する散乱光が検出可能となり、結果として高精度な異物検査を実現することができる。
【００２９】
図３は、検査光１４ａと遮光部５との位置関係を示すｘ方向から見た側面図である。
【００３０】
図３において、必要な検査領域をＸ、レチクル１の端面１ａを照射しないために必要な非照射領域をＮとする。また、遮光部５の端面１ａからの距離をＡ、検査台６からの高さをＺ、レチクル１の厚さをｈ、検査光１４ａの入射光がレチクル面となす角度をα[度]とすると、幾何学的な関係から求まる条件式
（Ｚ−ｈ）／ｔａｎα−Ａ≦Ｎ
を満たすように遮光部５が配置される。
【００３１】
なお、本実施形態ではスキャンする検査光形成ユニット７側に遮光部５を設けたが、図４に例示するように検査台６上にスキャン方向に亘って延びる遮光部５を配置してもよい。また、遮光部５の外縁部はナイフの刃のように尖った形状がより好ましく、レチクル１に近い程よい。遮光部からのフレアを低減するためには低反射部材がより好ましい。
【００３２】
なお、上記実施形態では、レチクル１に対する検査光１４ａの遮光部５について説明したが、ペリクル２に対する検査光１４ｂにも同様に適用できる。
【００３３】
［第２の実施形態］
図５は第２の実施形態の異物検査装置の構成概要を示すｘ方向から見た側面図であり、ペリクル２側の構成は省略している。
【００３４】
第２の実施形態は、レチクル１の検査面の位置（受光部３までの高さ）を計測する位置計測部２４を設けたものである。
【００３５】
図５に示すように、遮光部５はモータ等のアクチュエータからなる位置調整部２３を介して検査光形成ユニット７に取り付けられ、制御部２５が位置調整部２３を駆動して遮光部５の位置及び姿勢（受光部やエッジ部分に対する）が制御される。位置計測部２４で計測された検査面の位置は制御部２５に送出され、検査面の位置と遮光部５の位置が上記条件式を満たすように、位置調整部２３を駆動して遮光部５の位置が補正される。
【００３６】
位置計測部２４は検査光形成ユニット７と共にスキャン移動し、遮光部５の位置を補正しながら検査が行われる。なお、位置調整部２３が、遮光部５を鉛直方向ではなく、水平方向に可変として位置調整を行ってもよい。検査光１４ａの入射光がレチクル面となす角度が浅い（小さい）場合には鉛直方向より水平方向の方が位置調整に鈍感であるため（つまり、水平方向については検査光１４ａの強度の変化が小さいため）、位置調整部２３の構造を簡略化できる。なお、ステージ装置等を用いてレチクル１を遮光部５に対して相対的に変位させてもよい。
【００３７】
［第３の実施形態］
図６は第３の実施形態の異物検査装置の構成概要を示すｘ方向から見た側面図であり、ペリクル２側の構成は省略している。
【００３８】
第２の実施形態では、検査面の位置を計測する位置計測部２４を設けて検査面の高さに応じて遮光部５の位置を補正していたが、本実施形態ではレチクル１の端面１ａにおいて散乱する検査光を受光部３で受光すると共に、端面１ａのエッジ部分に検査光１４ａが当たらないように遮光部５の位置を調整するものである。
【００３９】
図６に示すように、受光部３と検査面の間には検査領域を制限するための絞り２６が設けられており、端面１ａのエッジ部分で散乱する検査光２８は受光部３で受光されないように構成されている。そして、本実施形態では端面１ａのエッジ部分で散乱した検査光２８を受光するために端面近辺に開口部２７を別途に設け、受光部３内に配置された不図示のラインセンサーでエッジ部分の散乱光を検出する。検出された光量情報は不図示の制御部に送出され、位置調整部２３により遮光部５の位置が補正される。なお、レチクル１を遮光部５に対して相対的に変位させてもよい。
【００４０】
エッジ部分の散乱光は異物による散乱光に対して光強度が高いため、開口部２７の大きさを調整して入光量を制限することでセンサに蓄積される電荷の飽和を防止することができる。
【００４１】
［第４の実施形態］
図７は第４の実施形態の異物検査装置の構成概要を示すｘ方向から見た側面図であり、ペリクル２側の構成は省略している。
【００４２】
図７において、レチクル１の端面１ａのエッジ部分からレチクル内部に入射した検査光２９は、レチクル内部で全反射を繰り返して対向面１ｂから外部に出射する。このとき、エッジ部分に検査光１４ａが照射されなければ対向面１ｂに出てくる光の強度も下がることになる。そこで、本実施形態では対向面１ｂに受光部３０を配置して出射光量を検出することにより、レチクル内部に検査光１４ａが入らないように遮光部５の位置を補正する。
【００４３】
具体的には、レチクル１の対向面１ｂに受光部３０を配置してレチクル内部を透過してきた検査光２９の光量を検出する。受光部３０により検出された光量は不図示の制御部に送出されて、位置調整部２３により遮光部５の位置を補正する。なお、レチクル１を遮光部５に対して相対的に変位させてもよい。
【００４４】
本実施形態によれば、検査光１４ａがエッジ部分から入射しているか否かを受光部３０で検出された光量によって判断できるため、光量に応じて異物検査結果の有効・無効を判断することによって信頼性の高い検査結果を得ることが可能となる。
【００４５】
［第５の実施形態］
図８は検査面上の受光方向に沿った検査光の照度分布を示している。
【００４６】
図８では検査光形成ユニットによって検査領域が一様な照度分布になっている。
【００４７】
本発明によると、エッジ部分に検査光を当てないように遮光部を設けて検査光の照射範囲を制限する。
【００４８】
図１１（ａ）に示すような平板の遮光部で検査光を遮光した場合、図９（ａ）に示すように遮光部５から回折光が発生し検査面内に照度むらが発生してしまう。
【００４９】
遮光部から発生する回折光は遮光部の法線方向に強い強度を持っているため、図１０に示すように受光部３の傾きβ［度］に対して遮光部５の法線が平行でないように遮光部５を配置すると回折光による影響を低減できる。
【００５０】
図１を用いて説明したように、レーザーダイオード８等の半導体レーザーを光源としてコリメーターレンズ９によって平行化された検査光は、図１０に示すような楕円形の断面形状を有している。そして、検査光に対して遮光部５を斜めに傾けて配置した場合には、検査光を遮光する領域が検査光の短軸方向によって異なることになる。結果として検査面上では遮光部の光量変化がなだらかとなりエッジ部分を効果的に遮光することができない可能性がある。
【００５１】
そこで、本発明では図１１（ｂ）に示す鋸歯状の遮光部を用いることで上記の問題点を解決する。鋸歯状にすること回折光の影響を押えつつ、検査光を遮光する位置が鋸歯の深さの範囲内に存在するため、遮光位置のばらつきも抑えることができる。
【００５２】
鋸歯の角度は受光部３の傾き方向にほぼ直交するように取ると効果的に干渉を防止できる。図１１（ｂ）の例では４５°の角度で深さ０．１５ｍｍ程度の鋸歯を形成している。
【００５３】
［露光装置への適用例］
図１４は、上記実施形態の異物検査装置を搭載した半導体デバイス製造用の露光装置を例示する図である。
【００５４】
図１４に示すように、本実施形態の異物検査装置は、露光装置の近傍に設置されており、検査台６上に露光前のレチクル１（ペリクル２）が置かれ、上述したように受光部３，４及び検査光形成ユニット７をｘ方向にスキャンさせることにより異物の有無を検出する。そして、上記異物検査処理の結果、異物なしの場合には不図示の搬送ロボットによってレチクル１が異物検査装置から露光装置のレチクルステージ１０２上に搬送される。
【００５５】
本実施形態の露光装置は、露光光を照射する照明装置１０１、レチクルを保持・移動させるレチクルステージ１０２、投影光学系１０３、ウエハを保持・移動させるウエハステージ１０４を備える。露光装置は、レチクルに形成された回路パターンをウエハに投影露光するものであるが、投影露光方式は、ステップアンドリピート式やステップアンドスキャン式が適用できる。
【００５６】
照明装置１０１は、回路パターンが形成されたレチクルを照明し、光源部と照明光学系とを有する。光源部は、例えば、光源としてレーザを使用する。レーザは、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、波長約１５３ｎｍのＦ2エキシマレーザなどを使用することができるが、レーザの種類はエキシマレーザに限定されず、例えば、ＹＡＧレーザを使用してもよいし、そのレーザの個数も限定されない。光源にレーザが使用される場合、レーザ光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザ光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部に使用可能な光源はレーザに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。照明光学系はレチクルを照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含む。
【００５７】
投影光学系１０３は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも１枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレンズ素子と少なくとも１枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。
【００５８】
このような露光装置は、半導体集積回路等の半導体デバイスや、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド等の微細なパターンが形成されたデバイスの製造に利用され得る。
【００５９】
［デバイス製造方法］
次に、上述した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施形態を説明する。
【００６０】
図１５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップＳ２（露光制御データ作成）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップＳ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップＳ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップＳ６（検査）ではステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップＳ７）される。
【００６１】
図１６は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップＳ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ１６（露光）では上記説明した露光装置によって回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップＳ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００６２】
本実施形態の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明は、半導体素子や液晶表示素子等の製造に使用される半導体露光装置の他、各種精密加工装置や各種精密測定装置等にも適用可能であり、被加工物や被測定物の被検査面上の異物を検出するのに有効である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明に係る第１の実施形態の異物検査装置の構成概要を示す図である。
【図２】図１をｘ方向から見た側面図である。
【図３】検査光と遮光部との位置関係を示すｘ方向から見た側面図である。
【図４】第１の実施形態の変形例の異物検査装置を示す図である。
【図５】第２の実施形態の異物検査装置の構成概要を示すｘ方向から見た側面図である。
【図６】第３の実施形態の異物検査装置の構成概要を示すｘ方向から見た側面図である。
【図７】第４の実施形態の異物検査装置の構成概要を示すｘ方向から見た側面図である。
【図８】検査面上の受光方向に沿った検査光の照度分布を示す図である。
【図９】検査面上の受光方向に沿った検査光の照度分布を示す図である。
【図１０】検査光と受光部と遮光部の位置関係を示す図である。
【図１１】遮光部の形状を示す図である。
【図１２】異物検査装置を示す図である。
【図１３】図１２をｘ方向から見た側面図である。
【図１４】露光装置への適用例を示す図である。
【図１５】微小デバイスの製造フローを説明する図である。
【図１６】ウエハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
【００６５】
１：レチクル（被検査物）
２：ペリクル（被検査物）
３：レチクル側受光部
４：ペリクル側受光部
５：遮光部
６：検査台
７：検査光形成ユニット
８：レーザーダイオード
９：コリメーターレンズ
１０ａ、１０ｂ：ビームスプリッター
１１、１２、１３：反射ミラー
１４ａ：（レチクル面）検査光
１４ｂ：（ペリクル面）検査光
１５：レンズアレー
１６：ラインセンサー
１７：異物
１８：反射プリズム
２０：レチクル上の回路パターン
２１：回折光
２３：位置調整部
２４：位置計測部
２５：制御部
２６：視野絞り
２７：開口部
２８：拡散光
２９：レチクル内に入射した検査光
３０：受光部
【図１】
2006301303.tif 000003
【図２】
2006301303.tif 000004
【図３】
2006301303.tif 000005
【図４】
2006301303.tif 000006
【図５】
2006301303.tif 000007
【図６】
2006301303.tif 000008
【図７】
2006301303.tif 000009
【図８】
2006301303.tif 000010
【図９】
2006301303.tif 000011
【図１０】
2006301303.tif 000012
【図１１】
2006301303.tif 000013
【図１２】
2006301303.tif 000014
【図１３】
2006301303.tif 000015
【図１４】
2006301303.tif 000016
【図１５】
2006301303.tif 000017
【図１６】
2006301303.tif 000018