(57)【要約】【課題】寸法安定性及び接続信頼性が高い多層配線基板構造体を提供すること。【解決手段】本発明の多層配線基板構造体１０は、フレキシブル基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ａ〜６１ｄからなる積層部１２を備える。積層部１２内にはリジッド基体１３１が埋設され、積層部１２の第１主面１３には素子搭載領域５０が設定される。素子搭載領域５０内には、第２ビア導体６２及び導体パターン５４からなる端子接続部５６が形成される。これにより、素子搭載領域５０側からの熱が積層部１２に加わりにくくなるとともに、リジッド基体１３１の埋設により積層部１２が補強される。【選択図】  図１
2006310544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ビア導体及び基板平面方向に延びる導体パターンを有するフレキシブル基板と、第２ビア導体を有する接着シートとを積層してなり、第１主面及び第２主面を有する積層部を備える多層配線基板であって、
前記積層部内にリジッド基体が埋設され、
前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方において素子搭載領域が設定され、
その素子搭載領域内に複数の端子接続部が形成され、
前記第１ビア導体、前記第２ビア導体及び前記導体パターンのうちの少なくとも１種が、前記複数の端子接続部を兼ねている
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記リジッド基体は、前記第１主面側に位置する基体第１主面及び前記第２主面側に位置する基体第２主面を有し、前記基体第１主面及び前記基体第２主面のうちの少なくとも一方に複数の外部端子を有することを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記リジッド基体は、前記第１主面側に位置する基体第１主面及び前記第２主面側に位置する基体第２主面を有し、前記基体第１主面及び前記基体第２主面の両方にそれぞれ複数の外部端子を有することを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記基体第１主面にある前記複数の外部端子は、前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体のうちの少なくとも一方を介して、前記複数の端子接続部に電気的に接続されていることを特徴とする請求項２または３に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記リジッド基体は、能動素子の動作性向上に関与する受動部品を備える配線基板であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記リジッド基体は、能動素子の動作性向上に関与する受動部品であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記フレキシブル基板は、非熱可塑性樹脂を主体として構成され、前記接着シートは、熱可塑性樹脂を主体として構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項８】
ビア導体及びシート平面方向に延びる導体パターンのうちの少なくとも一方を有する複数の接着シートを積層してなり、第１主面及び第２主面を有する積層部を備える多層配線基板であって、
前記積層部内にリジッド基体が埋設され、
前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方において素子搭載領域が設定され、
その素子搭載領域内に複数の端子接続部が形成され、
前記ビア導体及び前記導体パターンのうちの少なくとも１種が、前記複数の端子接続部を兼ねている
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の多層配線基板と、前記多層配線基板の一部に接合された機能モジュールとを備えたことを特徴とする多層配線基板構造体。
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記フレキシブル基板と前記接着シートと前記リジッド基体とを個別に作製する個別作製工程と、
前記フレキシブル基板と前記接着シートとを積層して接合することにより積層部を形成するとともに、その際に前記第２ビア導体を前記第１ビア導体及び前記導体パターンのうちの少なくともいずれか一方に電気的に接続し、かつ、前記積層部内に前記リジッド基体を埋設する接合工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記複数の接着シートと前記リジッド基体とを個別に作製する個別作製工程と、
前記複数の接着シートを積層して接合することにより積層部を形成するとともに、その際に前記ビア導体同士を電気的に接続し、かつ、前記積層部内に前記リジッド基体を埋設する接合工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル基板と接着シートとを積層してなる積層部を備える多層配線基板及びその製造方法、多層配線基板と機能モジュールとを備えた多層配線基板構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータ、デジタル家電などの電気製品分野や、自動車分野などにおいては、製品の小型化、高機能化、高付加価値化が益々進んでいる。それに伴い、この種の製品における重要な電気的部品であるマザーボードの小型化や高密度化が望まれており、マザーボード上に実装される各種部品の小型化も同様に望まれている。各種部品の小型化を実現するものとしては、例えば、複数のＬＳＩを単一のパッケージに封止してシステム化した、いわゆるシステム・イン・パッケージ（ＳＩＰ）を挙げることができる。なお、このようなパッケージにおいて、ＩＣチップ等の能動素子は、例えば回路基板などに埋設される（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−２２１５２５号公報（図４など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、上記特許文献１記載の回路基板は、複数の積層部材を積層してそれらを互いに熱圧着することにより形成される。このため、各積層部材は、加熱時に軟化することで接着性を生じる材料であることが好ましく、例えば熱可塑性樹脂を主体とすることが好ましい。
【０００４】
しかしながら、熱可塑性樹脂を主体とする積層部材は、加熱した際に塑性変形する。また、回路基板に埋設されたＩＣチップは比較的発熱しやすいため、積層部材は、ＩＣチップからの熱によっても塑性変形する。このため、回路基板の寸法安定性が低くなる可能性が高い。しかも、積層部材の塑性変形に伴い、積層部材上に形成される導体パターンが平面方向に位置ずれしやすくなるため、導体パターンに実装されているＩＣチップの接続信頼性が低下する。よって、積層部材とＩＣチップとの導通を図ることが困難になる。その結果、完成した回路基板が不良品となる確率が高くなり、歩留まりの低下につながってしまう。
【０００５】
この問題を解決するために、ＩＣチップを回路基板の主面上にフリップチップで実装することが考えられる。しかし、回路基板を構成するフレキシブル基板は、そもそも撓みやすい基板であるため、主面のコプラナリティが低い。このため、回路基板とＩＣチップとの間に接続不良が生じやすく、高い接続信頼性を得ることができない。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、寸法安定性及び接続信頼性が高い多層配線基板及び多層配線基板構造体を提供することにある。また、第２の目的は、不良品となる確率が低くて歩留まりが高い多層配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、上記課題を解決するための手段（手段１）としては、第１ビア導体及び基板平面方向に延びる導体パターンを有するフレキシブル基板と、第２ビア導体を有する接着シートとを積層してなり、第１主面及び第２主面を有する積層部を備える多層配線基板であって、前記積層部内にリジッド基体が埋設され、前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方において素子搭載領域が設定され、その素子搭載領域内に複数の端子接続部が形成され、前記第１ビア導体、前記第２ビア導体及び前記導体パターンのうちの少なくとも１種が、前記複数の端子接続部を兼ねていることを特徴とする多層配線基板がある。
【０００８】
また、上記課題を解決するための他の手段（手段２）としては、ビア導体及びシート平面方向に延びる導体パターンのうちの少なくとも一方を有する複数の接着シートを積層してなり、第１主面及び第２主面を有する積層部を備える多層配線基板であって、前記積層部内にリジッド基体が埋設され、前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方において素子搭載領域が設定され、その素子搭載領域内に複数の端子接続部が形成され、前記ビア導体及び前記導体パターンのうちの少なくとも１種が、前記複数の端子接続部を兼ねていることを特徴とする多層配線基板がある。
【０００９】
従って、上記手段１，２の多層配線基板によれば、素子搭載領域が積層部の外面に設定されているため、素子を搭載した場合であってもその熱が積層部の外部に放散されやすい。このため、熱の影響による積層部の塑性変形が防止される。よって、寸法安定性の高い多層配線基板を得ることができる。また、機械的強度が高いリジッド基体の埋設により、部分的に積層部が補強されて撓みにくくなるため、素子搭載領域のコプラナリティが高くなる。よって、端子接続部での接続不良が生じにくくなり、高い接続信頼性を得ることができる。
【００１０】
手段１にかかるフレキシブル基板は、１層のみ存在していてもよいが、２層以上（多層）存在することが好ましい。このようにすれば、フレキシブル基板が多層ではない（１層しかない）場合に比べて、さらに多くの回路を内部に構成すること等が可能となり、付加価値を高めることができる。しかも、前記フレキシブル基板は基板第１主面及び基板第２主面を有し、前記導体パターンは前記基板第１主面及び前記基板第２主面の両方に形成されていることが好ましい。このようにすれば、導体パターンが基板第１主面及び基板第２主面のいずれか一方に形成されている場合に比べて、さらに多くの回路を内部に構成すること等が可能となり、付加価値を高めることができる。
【００１１】
また、熱圧着によって積層部を形成する場合、フレキシブル基板同士は、加熱により接着性を生じる接着シートを介して接着されることが好ましい。この際、フレキシブル基板間には、接着シートが１層のみ存在していてもよいし、２層以上（多層）存在していてもよい。なお、前記フレキシブル基板が非熱可塑性樹脂を主体として構成され、前記接着シートが熱可塑性樹脂を主体として構成されている場合、接着シートは１層のみ存在することが好ましい。このようにすれば、接着シートが２層以上存在している場合に比べて、熱圧着の際に接着シートが塑性変形しにくいため、積層部の寸法安定性が低くなりにくい。ゆえに、前記フレキシブル基板及び前記接着シートは、交互に積層されていることが好ましい。なお、素子搭載領域に搭載されうる素子が肉厚である場合、部分的に積層部が補強されて寸法安定性が高くなる。よって、積層方向において素子搭載領域に対応する部分は、接着シートのみを積層した構造であってもよい。このようにすれば、接着性が高くなる。また、導体パターンを有しない接着シートが多く用いられるため、低コストで積層部を形成できる。
【００１２】
また、フレキシブル基板を形成する樹脂材料は、コスト性、加工性、絶縁性、可撓性、機械的強度などを考慮して、非熱可塑性樹脂の中から適宜選択することができる。このような樹脂を用いた基板であれば、微細な配線層を比較的簡単にかつ正確に形成することができ、端子数の非常に多い素子を接続可能な端子接続部を容易に形成することができる。即ち、このような基板は素子実装用の基板として適している。
【００１３】
また、フレキシブル基板を形成する材料は耐熱性を有することが好ましい。具体的に言うと、樹脂材料は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２２０℃以上であることが好ましい。また、樹脂材料は、耐熱性が例えば２６０℃，１０分のレベル以上であることが好ましく、特には耐熱性３００℃，１０分のレベル以上であることがより好ましい。さらに、樹脂材料は、はんだ耐熱性が２５０℃，２０秒のレベル以上であることが好ましく、特には、はんだ耐熱性が２６０℃，１２０秒のレベル以上であることが好ましく、さらには、はんだ耐熱性３００℃，１８０秒のレベル以上であることがより好ましい。このようにすれば、例えば熱圧着によって積層部を形成する場合であっても、フレキシブル基板の変形を防止できるからである。
【００１４】
フレキシブル基板の絶縁部分を形成する非熱可塑性樹脂の好適例としては、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。
【００１５】
手段１，２にかかる前記接着シートは、積層部の形成時にフレキシブル基板同士の熱圧着を可能とするために、熱可塑性樹脂からなる有機材料を主体として形成されることが好ましい。また、接着シートは、フレキシブル基板と同様にフレキシブルであることが好ましい。このようにすれば、前記リジッド基体の埋設部分に対応した領域以外の領域については、積層部の可撓性を維持することができる。接着シートの絶縁部分を形成する熱可塑性樹脂としては、例えば液晶ポリマー、熱可塑性ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトンなどが好適である。このような材料を使用すれば、高温での接続信頼性などに優れた多層配線基板を実現しやすくなるからである。さらに、前記接着シートは、前記フレキシブル基板のカバーレイとしても機能することが好ましい。ここでカバーレイとは、通常、導体パターンの一部を除いてフレキシブル基板の表面を絶縁被覆する絶縁被覆層（保護膜）のことをいう。このようにすれば、接着シートとは別々に、フレキシブル基板の保護膜を形成しなくても済む。その結果、多層配線基板を厚み方向（Ｚ方向）に小型化することができる。また、多層配線基板を構成する部品点数や工数が少なくなり、生産効率の向上及び製造コストの低減が達成しやすくなる。さらに、多層配線基板の構造を簡単にすることができる。なお、フレキシブル基板のカバーレイとしても機能する接着シートは、積層部の最外層に位置することが好ましい。このようにすれば、積層部において最も破損しやすい表面導体部分を保護することができる。
【００１６】
なお、前記フレキシブル基板の第１ビア導体及び導体パターン、前記接着シートの第２ビア導体は、例えば導電性金属により形成される。前記導電性金属としては特に限定されないが、例えば銅、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブなどから選択される１種または２種以上の金属を挙げることができる。２種以上の金属からなる導電性金属としては、例えば、スズ及び鉛の合金であるはんだ等を挙げることができる。２種以上の金属からなる導電性金属として、鉛フリーのはんだ（例えば、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系はんだ等）を用いても勿論よい。
【００１７】
前記リジッド基体は、フレキシブル性を有しておらず、フレキシブル基板及び接着シートよりも機械的強度が高い材料を主体とする部材である。このため、リジッド基体のヤング率は、例えば０．１ＧＰａ以上に設定されることが好ましく、１ＧＰａ以上５００ＧＰａ以下に設定されることがより好ましい。また、リジッド基体の平面方向における熱膨張係数は、積層部の平面方向における熱膨張係数よりも低く設定されることが好ましく、例えば５ｐｐｍ／℃以上１３ｐｐｍ／℃以下に設定されることが好ましい。熱膨張係数が１３ｐｐｍ／℃以下であれば、リジッド基体が熱により塑性変形しにくくなり、積層部が撓みにくくなるため、素子搭載領域のコプラナリティを維持することができる。さらに、素子搭載領域に搭載されうる素子がシリコン（熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃前後）によって形成されている場合、リジッド基体の平面方向における熱膨張係数と素子の平面方向における熱膨張係数との差は、例えば３ｐｐｍ／℃以上８ｐｐｍ／℃以下に設定されることが好ましい。このようなリジッド基体としては、例えばガラスセラミック配線基板などが挙げられる。
【００１８】
リジッド基体の形成材料は、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。前記リジッド基体としては、金属、樹脂、セラミックなどを主体とする略平板状の部材などが挙げられる。
【００１９】
また、前記リジッド基体は、能動素子（例えば、素子搭載領域に搭載される素子）の動作性向上に関与する受動部品などであってもよく、例えば素子に供給すべき電源を安定化させるための受動部品であることが好ましい。この種の受動部品の具体例としては、ダイオード、抵抗、インダクタ、キャパシタ、コイルなどを挙げることができる。なお、これらの受動部品は、略平板状をなし、フレキシブル基板及び接着シートよりも機械的強度が高い部品であることがよい。
【００２０】
さらに、前記リジッド基体は、配線層が設けられ、能動素子の動作性向上に関与する受動部品を備える配線基板などであってもよい。このようにすれば、リジッド基体が配線層を有しない場合とは異なり、内部に回路を構成すること等が可能となり、多層配線基板の付加価値を高めることができるからである。配線基板としては、例えば、セラミック配線基板、樹脂配線基板、金属配線基板、Ｓｉ配線基板などが挙げられる。特に、前記リジッド基体は、無機材料を主体とするセラミック配線基板であることが好ましい。セラミックは剛性に優れるため、積層部の機械的強度を高くすることができるからである。しかも、セラミック材料は一般的に金属や樹脂に比べて熱膨張係数が低いため、リジッド基体の材料として好適だからである。前記セラミック配線基板の具体例としては、例えば、アルミナ配線基板、窒化アルミニウム配線基板、ベリリア配線基板、ガラスセラミック配線基板、結晶化ガラス等の低温焼成材料からなる配線基板などがあるが、これらに限ることはない。
【００２１】
また、前記積層部内にリジッド基体を埋設する態様としては、例えばリジッド基体全体を埋設（つまり内蔵）することが考えられる。このように構成した場合、積層部によってリジッド基体を確実に保護することができる。これとは別の方法としては、リジッド基体の一部分のみが露出した状態でリジッド基体を埋設することが考えられる。このように構成した場合、リジッド基体から発生した熱を積層部の外部に放散しやすくなる。
【００２２】
なお、リジッド基体において前記第１主面側に位置する基体第１主面の面積は、前記素子搭載領域の面積と同一、または、素子搭載領域の面積よりもやや大きいことが好ましい。仮に、基体第１主面の面積が素子搭載領域の面積よりも小さいと、積層部における素子搭載領域の部分を確実に補強しにくい。一方、基体第１主面の面積が素子搭載領域の面積に比べて大きすぎる（例えば１０倍以上）と、積層部に占めるリジッド基体の体積比が大きくなりすぎるため、積層部内に多くの回路を構成しにくくなる。また、リジッド基体の埋設によって積層部全体が補強されるため、積層部のフレキシブル性が失われやすくなる。
【００２３】
また、リジッド基体の厚さは、積層部の厚さにもよるが、５０μｍ以上２００μｍ以下に設定されることが好ましい。このようにすれば、リジッド基体の高い機械的強度を確保することができるとともに、積層部の厚み方向（Ｚ方向）への大型化を防止することができる。
【００２４】
なお、素子搭載領域は、前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方において自由に設定されることが可能であるが、前記リジッド基体の埋設部分に対応した領域に設定されることが好ましい。このようにすれば、素子搭載領域に搭載可能な素子がリジッド基体によってより直接的に支持されるため、素子がより確実に固定され接続信頼性がより高くなる。なお、このような素子搭載領域は、第１主面及び第２主面の少なくとも一方において１つのみ設定されていてもよいが、複数設定されていてもよい。
【００２５】
また、前記リジッド基体は、前記第１主面側に位置する基体第１主面及び前記第２主面側に位置する基体第２主面を有し、前記基体第１主面及び前記基体第２主面のうちの少なくとも一方に複数の外部端子を有することが好ましい。このようにすれば、リジッド基体の内部に複雑な回路を構成することが可能となるため、付加価値を高めることができる。また、前記リジッド基体は、前記第１主面側に位置する基体第１主面及び前記第２主面側に位置する基体第２主面を有し、前記基体第１主面及び前記基体第２主面の両方にそれぞれ複数の外部端子を有することが好ましい。このようにすれば、基体第１主面及び基体第２主面のいずれか一方に複数の外部端子を有する場合に比べ、配線の自由度が大きくなる。
【００２６】
また、前記基体第１主面にある前記複数の外部端子は、前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体のうちの少なくとも一方を介して、前記複数の端子接続部に電気的に接続されていることが好ましい。このようにすれば、リジッド基体と素子搭載領域とを繋ぐ配線長が短縮されるため、リジッド基体−素子搭載領域間での信号の高速化を図ることができる。さらに、リジッド基体がキャパシタである場合、キャパシタ−素子搭載領域間の低インダクタンス化による電源の安定化を図ることができる。
【００２７】
また、上記課題を解決するためのさらに別の手段（手段３）としては、上記手段１，２の多層配線基板と、前記多層配線基板の一部に接合された機能モジュールとを備えたことを特徴とする多層配線基板構造体がある。
【００２８】
従って、上記手段３の多層配線基板構造体によれば、素子搭載領域が積層部の外面に設定されているため、素子を搭載した場合であってもその熱が積層部の外部に放散されやすい。このため、熱の影響による積層部の塑性変形が防止される。よって、寸法安定性の高い多層配線基板を得ることができる。また、機械的強度が高いリジッド基体の埋設により、部分的に積層部が補強されて撓みにくくなるため、素子搭載領域のコプラナリティが高くなる。よって、端子接続部での接続不良が生じにくくなり、高い接続信頼性を得ることができる。
【００２９】
また、本発明の多層配線基板構造体は、多層配線基板に加えて機能モジュールを有するため、機能モジュールを有しない場合に比べて、多機能化を図ることができる。ゆえに、１つのシステム化された多層配線基板構造体（いわゆるシステム・イン・パッケージ:ＳＩＰ）を実現しやすくなり、付加価値も高くなる。
【００３０】
また、素子搭載領域に搭載される素子は積層部の外側に位置するため、素子から生じた熱が積層部の外部に放散されやすくなる。よって、熱の影響による素子の誤作動を防止できる。
【００３１】
素子搭載領域に搭載されるべき素子としては、キャパシタなどの受動素子や、半導体回路素子などの能動素子が挙げられる。半導体回路素子とは、半導体集積回路素子の他、半導体製造プロセスで製造されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子等が挙げられる。半導体集積回路素子の例としては、シリコンからなる半導体集積回路チップ（ＩＣチップ）などを挙げることができる。また、ＭＥＭＳ素子とは、半導体ＩＣ製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術により製造される微細回路素子をいい、通常シリコンを主体とするものである。さらに、ＭＥＭＳとは、ＩＣ製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術により製造されるマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ及び制御回路を集積化した微細システムの総称である。なお、前記素子の大きさ及び形状は特に限定されないが、素子搭載領域の面積が、前記リジッド基体の基体第１主面及び基体第２主面の面積よりも小さく設定されることが好ましい。このようにすれば、積層部における素子搭載領域の部分がリジッド基体により確実に補強されるため、素子を確実に支持することができる。
【００３２】
なお、前記リジッド基体の大きさは、リジッド基体を収容する収容空間よりも小さければ特に限定されないが、収容空間と略同じ大きさであることが好ましい。このようにすれば、リジッド基体が収容空間の内面に接触して支持されるため、リジッド基体の位置が固定され接続信頼性を維持しやすくなる。また、前記リジッド基体は、前記第１主面側に位置する基体第１主面を有し、基体第１主面は、前記接着シートに面接触することが好ましい。基体第１主面に複数の外部端子を有する場合、前記接着シートにおいて前記基体第１主面に対向する部分には、前記複数の端子接続部が形成されていることが好ましい。同様に、前記リジッド基体は、前記第２主面側に位置する基体第２主面を有し、基体第２主面は、前記接着シートに面接触することが好ましい。基体第２主面に複数の外部端子を有する場合、前記接着シートにおいて前記基体第２主面に対向する部分には、前記複数の端子接続部が形成されていることが好ましい。このようにすれば、リジッド基体の基体第１主面及び基体第２主面が接着シートによって固定されるため、リジッド基体が端子接続部に対して安定的に接続される。よって、リジッド基体の接続信頼性を維持しやすくなる。さらに、複数の端子接続部が形成されている接着シートは、前記リジッド基体との接続と前記フレキシブル基板との接合とを同時に行うことが好ましい。このようにすれば、多層配線基板を構成する工数が少なくなり、生産効率の向上及び製造コストの低減が達成しやすくなる。また、前記リジッド基体は、基体第１主面及び基体第２主面に直交する側面を有し、その側面が前記収容空間の内面の一部を構成するフレキシブル基板及び接着シートに面接触することがより好ましい。このようにすれば、リジッド基体の側面がフレキシブル基板及び接着シートによって固定されるため、リジッド基体が端子接続部に対してより安定的に接続される。よって、リジッド基体の接続信頼性をよりいっそう維持しやすくなる。なお、リジッド基体は、収容空間内に１つのみ収容されていてもよいし、収容空間内に２つ以上収容されていてもよい。
【００３３】
なお、前記機能モジュールの接合箇所としては、前記フレキシブル基板上または前記接着シート上などが挙げられる。機能モジュールは、複数種類の電子部品を含んで構成された回路を有するモジュール配線基板であってもよく、ＭＥＭＳ等の機能部材を含むことも可能である。このようにすれば、配線層を有しない単なる基板である場合に比べて、内部に回路を構成すること等が可能となり、付加価値を高めることができる。機能モジュールの具体例としては、無線通信機能を有するＲＦモジュールや、電源電圧を制御する機能などを有する電源モジュールなどを挙げることができる。機能モジュールを構成する電子部品の具体例としては、チップトランジスタ、チップダイオード、チップ抵抗、チップキャパシタ、チップコイル、ＭＥＭＳ素子などがある。これらの電子部品は基本的に能動部品であっても受動部品であってもよく、モジュールが実現すべき機能の内容に応じて適宜選択される。
【００３４】
手段１に記載の多層配線基板を比較的簡単にかつ確実に製造するための好ましい方法（手段４）としては、前記フレキシブル基板と前記接着シートと前記リジッド基体とを個別に作製する個別作製工程と、前記フレキシブル基板と前記接着シートとを積層して接合することにより積層部を形成するとともに、その際に前記第２ビア導体を前記第１ビア導体及び前記導体パターンのうちの少なくともいずれか一方に電気的に接続し、かつ、前記積層部内に前記リジッド基体を埋設する接合工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。
【００３５】
従って、上記手段４によれば、積層部を形成する前に、個別作製工程にてフレキシブル基板と接着シートとリジッド基体とを個別に作製するため、これらの電気検査を個別に行うことができる。よって、接合前に不良品を発見してそれを事前に除去できるため、電気検査に合格したフレキシブル基板、接着シート及びリジッド基体のみを接合して積層部を形成することができる。従って、多層配線基板が不良品となる確率が低くなり、歩留まりの向上につながる。
【００３６】
また、素子搭載領域が積層部の外面に設定されているため、素子を搭載した場合であってもその熱が積層部の外部に放散されやすい。このため、熱の影響による積層部の塑性変形が防止される。よって、寸法安定性の高い多層配線基板を得ることができる。また、機械的強度が高いリジッド基体の埋設により、部分的に積層部が補強されて撓みにくくなるため、素子搭載領域内のコプラナリティが高くなる。よって、端子接続部での接続不良が生じにくくなり、高い接続信頼性を得ることができる。
【００３７】
また、接合工程を実施する際に、フレキシブル基板と接着シートとが接合され、それと同時にリジッド基体が埋設されるため、効率良く多層配線基板を製造することができる。
【００３８】
また、手段２に記載の多層配線基板を比較的簡単にかつ確実に製造するための好ましい方法（手段５）としては、前記複数の接着シートと前記リジッド基体とを個別に作製する個別作製工程と、前記複数の接着シートを積層して接合することにより積層部を形成するとともに、その際に前記ビア導体同士を電気的に接続し、かつ、前記積層部内に前記リジッド基体を埋設する接合工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。
【００３９】
従って、上記手段５によれば、積層部を形成する前に、個別作製工程にて接着シートとリジッド基体とを個別に作製するため、両者の電気検査を個別に行うことができる。よって、接合前に不良品を発見してそれを事前に除去できるため、電気検査に合格した接着シート及びリジッド基体のみを接合して積層部を形成することができる。従って、多層配線基板構造体が不良品となる確率が低くなり、歩留まりの向上につながる。
【００４０】
また、素子搭載領域が積層部の外面に設定されているため、素子を搭載した場合であってもその熱が積層部の外部に放散されやすい。このため、熱の影響による積層部の塑性変形が防止される。よって、寸法安定性の高い多層配線基板を得ることができる。また、機械的強度が高いリジッド基体の埋設により、部分的に積層部が補強されて撓みにくくなるため、素子搭載領域内のコプラナリティが高くなる。よって、端子接続部での接続不良が生じにくくなり、高い接続信頼性を得ることができる。
【００４１】
また、接合工程を実施する際に、複数の接着シートが接合され、それと同時にリジッド基体が埋設されるため、効率良く多層配線基板を製造することができる。
【００４２】
以下、手段４に記載の多層配線基板の製造方法について説明する。
【００４３】
まず、個別作製工程を実施して、フレキシブル基板と接着シートとリジッド基体とを個別に作製する。
【００４４】
個別作製工程におけるフレキシブル基板の作製は、基本的には従来周知の手法に従って行われる。具体的にいうと、例えば、片面または両面に銅箔を有する銅張積層板を基材とし、その両面を貫通するビア孔を形成する。さらに、各ビア孔内に導電性金属ペーストの充填または銅めっき等の手法により第１ビア導体を形成した後、表面の銅箔をエッチングして導体パターンをパターニングする。
【００４５】
個別作製工程における接着シートの作製は、以下のように実施する。例えば、接着シートとなる接着シート用基材における所定位置に、接着シート用基材を連通するビア孔を形成する（ビア孔形成工程）。さらに、各ビア孔内に、導電性金属からなるペーストを充填して第２ビア導体を形成する（第２ビア導体形成工程）。そして、ペーストを加熱して溶剤等を蒸発させ、固形化させることにより、接着シートが完成する。なお、導電性金属からなるペーストの充填に代えて、例えばめっき等により第２ビア導体を形成してもよい。また、導体金属柱をビア孔内に埋め込んでもよい。
【００４６】
また、前記リジッド基体が、例えば、誘電体層と電極層とを有するセラミック製のキャパシタである場合、個別作製工程におけるリジッド基体の作製も、基本的には従来周知の手法に従って行われる。例えば、誘電体グリーンシートを焼結させてセラミック誘電体層を形成し、その誘電体層上に金属材料を付着させて電極を形成する。また、誘電体グリーンシートに金属ペーストの塗布または金属シートの積層を行い、同時に焼結させる。
【００４７】
次に、接合工程を実施する。接合工程では、フレキシブル基板及び接着シートを積層配置するとともに、リジッド基体を配置し、この状態で例えば加熱を行いながら積層方向に押圧力を加える。その結果、フレキシブル基板と接着シートとが接合されるとともに、その際に、接着シートの第２ビア導体がフレキシブル基板の第１ビア導体及び導体パターンのうちの少なくともいずれか一方に電気的に接続される。なお、このときの加熱温度は、フレキシブル基板の材料の種類、使用する接着シートの種類、接着シートの硬化度などに応じて適宜設定される。また、加熱温度は、接合工程後に用いられるはんだの融点よりも高く設定されることがよい。さらに、フレキシブル基板及び接着シートのはんだ耐熱性も、上記はんだの融点よりも高い温度に設定されることがよい。このようにすれば、接合工程後にはんだを用いる際に、フレキシブル基板や接着シートの変形を防止できる。
【００４８】
その結果、フレキシブル基板及び接着シートからなる積層部が形成されると同時に、積層部にリジッド基体が埋設される。なお、素子搭載領域内に形成された複数の端子接続部に素子の有する複数の端子を接続する作業は、接合工程を実施すると同時に行ってもよいし、接合工程の実施後に行ってもよいが、接合工程を実施すると同時に行うことが好ましい。このようにすれば、工数が少なくなるため、製造コストの低減を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図１３に基づき詳細に説明する。図１は、積層部１２を備える多層配線基板１１などからなる本実施形態の多層配線基板構造体１０を示す概略断面図である。図２は、多層配線基板１１の構成を示す分解断面図である。図３は、積層部１２のセラミックキャパシタ１３１（リジッド基体、受動部品）付近を示す拡大断面図である。図４，図５は、セラミックキャパシタ１３１の内層における接続を説明するための概略説明図である。図６は、フレキシブル配線基板（フレキシブル基板）５１ａ及び基板本体９５などからなる構造体の構成を示す分解断面図である。図７は、接着性有機材料シート６０を示す概略断面図である。図８，図９は、接着シート６１ｂを作製するときの状態を示す概略断面図である。図１０，図１１は、接着シート６１ｃを作製するときの状態を示す概略断面図である。図１２は、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ａ〜６１ｄを接合して積層部１２を形成するときの様子を示す概略断面図である。図１３は、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び基板本体９５を互いに接合するときの様子を示す概略断面図である。
【００５０】
図１，図２に示されるように、本実施形態の多層配線基板構造体１０は、積層部１２を備える多層配線基板１１を有している。積層部１２は、上面１３（第１主面）及び下面１４（第２主面）を有している。積層部１２は、フレキシブル性を有しており、２枚のフレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂと４枚の接着シート６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄとを積層した構造を有している。具体的に言うと、接着シート６１ａ、フレキシブル配線基板５１ａ、接着シート６１ｂ、フレキシブル配線基板５１ｂ、接着シート６１ｃが順番に積層されている。そして、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ｂ，６１ｃの右側部分が上側に１８０°屈曲され、その右側部分が接着シート６１ｃ上に積層されている。さらに、フレキシブル配線基板５１ａにおいて上側に屈曲された右側部分上に、接着シート６１ｄが積層されている。
【００５１】
フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂは、耐熱性の非熱可塑性樹脂（本実施形態では非熱可塑性のポリイミド）からなる絶縁基材を主体として形成されている。なお、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂのガラス転移温度（Ｔｇ）は、２７０℃であって、積層部１２を形成する際の加熱温度よりも高くなっている。また、耐熱性（長期耐熱性）は３００℃，３０分であって、はんだ耐熱性は３００℃，１８０秒である。
【００５２】
また、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂは、基板第１主面５２及び基板第２主面５３を有している。基板第１主面５２には、基板平面方向に延びる第１主面側配線層５４（導体パターン）が形成され、基板第２主面５３には、同じく基板平面方向に延びる第２主面側配線層５５（導体パターン）が形成されている。また、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂには、基板第１主面５２及び基板第２主面５３を貫通する複数の第１ビア導体５７が設けられている。各第１ビア導体５７の第１端面は第１主面側配線層５４に電気的に接続され、各第１ビア導体５７の第２端面は第２主面側配線層５５に電気的に接続されている。これにより、第１主面側配線層５４及び第２主面側配線層５５は第１ビア導体５７と導通するようになっている。なお、積層部１２の内層側に位置するフレキシブル配線基板５１ｂは、収容空間１３０の上面を構成するとともに、収容空間１３０の側面の一部を構成している。積層部１２の外層側に位置するフレキシブル配線基板５１ａは、収容空間１３０の下面を構成している。
【００５３】
図１，図２に示されるように、積層部１２の最上層に位置する前記接着シート６１ｄは、積層部１２の最上層に位置するフレキシブル配線基板５１ａの基板第１主面５２側を覆っている。また、積層部１２の最下層に位置する接着シート６１ａは、積層部１２の最下層に位置するフレキシブル配線基板５１ａの基板第１主面５２側を覆っている。よって、最上層及び最下層に位置する接着シート６１ａ，６１ｄは、第１主面側配線層５４を埃や水分から保護している。このため、積層部１２の最上層及び最下層に位置する接着シート６１ａ，６１ｄは、フレキシブル配線基板５１ａのカバーレイとしても機能している。また、接着シート６１ａ〜６１ｄは、第１主面側配線層５４の一部を露出させるためのビア孔６６を有している。なお、積層部１２の内層に位置する接着シート６１ｃは、収容空間１３０の側面の一部を構成している。また、接着シート６１ｂは、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ同士を接着する機能を有しており、接着シート６１ｃは、フレキシブル配線基板５１ｂ同士を接着する機能を有している。
【００５４】
図１，図２に示されるように、接着シート６１ａ〜６１ｄは、耐熱性の熱可塑性樹脂からなる絶縁基材を主体として形成されている。本実施形態において、かかる絶縁基材は、熱可塑性ポリイミド（三井化学株式会社製  ＡＵＲＵＭ）によって形成されている。また、接着シート６１ａ〜６１ｄは、第１主面側配線層５４や第２主面側配線層５５よりも肉厚に形成されており、厚さ１０〜３０μｍ程度に設定されている。なお、接着シート６１ａ〜６１ｄのガラス転移温度（Ｔｇ）は２５０℃であり、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂのガラス転移温度よりも低くなっている。接着シート６１ａ〜６１ｄを構成する接着シート本体６３は、シート第１主面６４及びシート第２主面６５を有している。また、接着シート６１ａ〜６１ｄには、シート第１主面６４及びシート第２主面６５を連通する複数のビア孔６６（図８参照）が格子状に形成されている。そして、かかるビア孔６６内には、表面に銀をコートした銅粉を含む導電ペーストの充填により形成された第２ビア導体６２（ビア導体）が設けられている。なお、本実施形態の接着シート６１ａ〜６１ｄは、シート平面方向に延びる導体パターンを有していない。
【００５５】
図１，図２に示されるように、接着シート６１ｄにおいて、各第２ビア導体６２の基端面は、積層部１２の最上層に位置するフレキシブル配線基板５１ａの第１主面側配線層５４に電気的に接続されている。積層部１２の内層に位置する接着シート６１ｃにおいて、各第２ビア導体６２の先端面及び基端面は、フレキシブル配線基板５１ｂの第２主面側配線層５５に電気的に接続されている。積層部１２の内層に位置する接着シート６１ｂにおいて、各第２ビア導体６２の先端面は、フレキシブル配線基板５１ａの第２主面側配線層５５に電気的に接続されている。また、接着シート６１ｂにおいて、各第２ビア導体６２の基端面は、積層部１２の内層に位置するフレキシブル配線基板５１ｂの第１主面側配線層５４に電気的に接続されている。積層部１２の最下層に位置する接着シート６１ａにおいて、各第２ビア導体６２の先端面は、フレキシブル配線基板５１ａの第１主面側配線層５４に電気的に接続されている。また、接着シート６１ａにおいて、各第２ビア導体６２の下端面には、マザーボード８１の複数の端子８２との電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ４９が格子状に配設されている。はんだバンプ４９は、９０Ｐｂ／１０Ｓｎという組成の錫鉛はんだからなっている。
【００５６】
そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される多層配線基板構造体１０はマザーボード８１上に実装される。なお、多層配線基板構造体１０は、積層部１２及びモジュール配線基板９１（機能モジュール）からなるＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）である。多層配線基板構造体１０の形態は、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）やＰＧＡ（ピングリッドアレイ）等であってもよい。
【００５７】
図１，図３に示されるように、積層部１２にはセラミックキャパシタ１３１が埋設されている。セラミックキャパシタ１３１は、平面視で略矩形状の収容空間１３０内に配置されている。なお、本実施形態のセラミックキャパシタ１３１は、縦６．０ｍｍ×横６．０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍの矩形平板状であり、いわゆるビアアレイタイプの積層セラミックキャパシタである。セラミックキャパシタ１３１は、積層部１２の上面１３側に位置するキャパシタ上面２３（基体第１主面）と、積層部１２の下面１４側に位置するキャパシタ下面２４（基体第２主面）とを有する板状物である。キャパシタ上面２３は、収容空間１３０の上面を構成するフレキシブル配線基板５１ｂに面接触している。一方、キャパシタ下面２４は、収容空間１３０の底面を構成する接着シート６１ｂに面接触している。セラミックキャパシタ１３１は、多数のセラミック誘電体層１３６と多数の内部電極層１４１，１４２とを交互に積層した構造を有している。セラミック誘電体層１３６は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、内部電極層１４１，１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。セラミック誘電体層１３６の厚さは５μｍ程度に設定されている。セラミック誘電体層１３６の平面方向における熱膨張係数は８．３〜１１．６ｐｐｍ／℃であり、例えば、３０〜３００℃の熱膨張係数は１０．２ｐｐｍ／℃である。また、セラミック誘電体層１３６のヤング率は１０７．５ＧＰａである。よって、本実施形態のセラミックキャパシタ１３１は、比較的高い剛性を有している。また、内部電極層１４１，１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された厚さ１．５μｍ〜１．８μｍ程度の層であって、セラミックキャパシタ１３１の内部において一層おきに配置されている。なお、本実施形態において、寸法、ヤング率、熱膨張係数が異なるセラミックキャパシタ１３１を使用してもよい。例えば、寸法が縦１．０ｃｍ×横１．０ｃｍ×厚さ０．５ｍｍ、セラミック誘電体層１３６の平面方向における熱膨張係数が９．２〜１１．６ｐｐｍ／℃、ヤング率が１０７．０ＧＰａのセラミックキャパシタ１３１を使用してもよい。
【００５８】
図１，図３に示されるように、セラミックキャパシタ１３１には、内径が約１００μｍのビア孔１４３が多数形成されている。各ビア孔１４３内には、キャパシタ上面２３及びキャパシタ下面２４間を貫通する１９６個のビア導体１３４，１３７が、ニッケルを主材料として形成されている。これらのビア導体１３４，１３７は、キャパシタ上面２３及びキャパシタ下面２４の全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。隣接するビア導体１３４，１３７の中心間距離（ピッチ）は、約３００μｍに設定されている。なお、本実施形態において、ビア導体１３４，１３７間のピッチは、セラミックキャパシタ１３１の縦方向（図１では紙面厚さ方向）においても横方向（図１では左右方向）においても等しくなっている。各ビア導体１３４は、各内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。一方、図５等に示されるように、各ビア導体１３４は、各内部電極層１４２に設けられたクリアランスホール１４４を貫通することにより、各内部電極層１４２とは電気的に絶縁されている。各ビア導体１３７は、各内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。一方、図４等に示されるように、各ビア導体１３７は、内部電極層１４１に設けられたクリアランスホール１４５を貫通することにより、内部電極層１４１とは電気的に絶縁されている。
【００５９】
そして、マザーボード８１側からフレキシブル配線基板５１ａの第２主面側配線層５５、接着シート６１ｂの第２ビア導体６２などを介して通電を行う。なお、本実施形態では、ビア導体１３４，１３７の下端部分が、セラミックキャパシタ１３１の外部端子となっている。そして、内部電極層１４１−内部電極層１４２間に電圧を加えると、例えば内部電極層１４１にプラスの電荷が蓄積し、内部電極層１４２にマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックキャパシタ１３１がキャパシタとして機能する。本実施形態において、このセラミックキャパシタ１３１は、ノイズを除去してＩＣチップ２１に供給すべき電源を安定化させる機能を有しており、ＩＣチップ２１の動作性向上に関与している。
【００６０】
図１，図２に示されるように、積層部１２の上面１３における所定領域（具体的にはセラミックキャパシタ１３１の真上の領域）には、第１主面側配線層５４の一部である複数のフリップチップ接続パッドが配置された素子搭載領域５０が設定されている。この素子搭載領域５０内には、複数の端子接続部５６が設定されている。なお、フレキシブル配線基板５１ａが有する第１主面側配線層５４の一部と、接着シート６１ｄが有する第２ビア導体６２とが、複数の端子接続部５６を兼ねている。各端子接続部５６は、ＭＰＵとしての機能を有するＩＣチップ２１（能動素子）の面接続端子２２と電気的に接続されている。本実施形態のＩＣチップ２１は、縦４．０ｍｍ×横４．０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍの矩形平板状であって、シリコンからなる。即ち、ＩＣチップ２１（素子搭載領域５０）の面積は、セラミックキャパシタ１３１のキャパシタ上面２３の面積よりもやや小さくなっている。かかるＩＣチップ２１の下面側表層には、図示しない回路素子が形成されている。また、ＩＣチップ２１の下面側には、複数の面接続端子２２が格子状に設けられている。
【００６１】
図１，図６に示されるように、積層部１２の最上層に位置するフレキシブル配線基板５１ａは、積層部１２の平面方向に張り出した部分（張出部５８）を有している。この張出部５８の上面側には、前記モジュール配線基板９１が接合されている。本実施形態において、モジュール配線基板９１は、電源電圧を制御する機能を有する電源モジュールとして成立している。この電源モジュールは、複数種類の電子部品９２を含んで構成された回路からなっている。詳述すると、モジュール配線基板９１は、上面９３及び下面９４を有する基板本体９５を有している。本実施形態においてこの基板本体９５は、エポキシ樹脂からなる樹脂製基板である。基板本体９５には、モジュール配線基板９１の厚さ方向に延びる複数のビア孔（貫通孔）が格子状に形成されており、それらビア孔内に銅めっきからなる導体柱９６が設けられている。上面９３において各々の導体柱９６の上端面がある位置には、上面側パッド９７が配置されている。各上面側パッド９７は、電子部品９２側に設けられたバンプ状の面接続端子９８に対して接続されている。なお、電子部品９２は、チップトランジスタやチップ抵抗などの部品である。一方、下面９４において各々の導体柱９６の下端面がある位置には、下面側パッド９９が配置されている。
【００６２】
また、モジュール配線基板９１は、前記接着シート６１ｄを介して前記フレキシブル配線基板５１ａの基板第１主面５２側に接合されている。なお、モジュール配線基板９１は、前記接着シート６１ｂを介してフレキシブル配線基板５１ａの基板第２主面５３側に接合されていてもよい。図１に示されるように、各第２ビア導体６２の先端面は基板本体９５の下面側パッド９９に電気的に接続され、各第２ビア導体６２の基端面はフレキシブル配線基板５１ａの前記第１主面側配線層５４に電気的に接続されている。
【００６３】
その結果、上面側パッド９７〜導体柱９６〜下面側パッド９９〜第２ビア導体６２という経路（またはこれと逆の経路）を経て電流が流れるようになっている。従って、このような構造の多層配線基板構造体１０では、基板本体９５の導体柱９６を介して、フレキシブル配線基板５１ａ側と電子部品９２側とが電気的に接続される。ゆえに、モジュール配線基板９１を介して、フレキシブル配線基板５１ａ−電子部品９２間で信号の入出力が行われるようになっている。
【００６４】
従って、このような構造の多層配線基板構造体１０では、素子搭載領域５０にＩＣチップ２１を実装した場合に、ＩＣチップ２１の面接続端子２２が、第１主面側配線層５４（フリップチップ接続パッド）を介して、フレキシブル配線基板５１ａの第１ビア導体５７に電気的に接続される。ゆえに、積層部１２−ＩＣチップ２１間で信号の入出力が行われるとともに、ＩＣチップ２１をＭＰＵとして動作させるための電源が供給されるようになっている。
【００６５】
次に、上記の多層配線基板構造体１０を製造する手順について説明する。
【００６６】
まず、個別作製工程を実施して、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ、接着シート６１ａ〜６１ｄ及びセラミックキャパシタ１３１を個別に作製する。個別作製工程におけるフレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂの作製は、基本的には従来周知の手法によって行われる。即ち、銅張積層板に対してメカニカルドリル、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いて孔あけ加工を行い、銅張積層板を貫通するビア孔（図示略）を所定位置にあらかじめ形成しておく。また、銅張積層板の所定位置に、後に収容空間１３０となる貫通孔１３２（図２参照）をあらかじめ形成しておく。そして、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでビア孔内に第１ビア導体５７を形成する。さらに、銅張積層板の両面のエッチングを行って第１主面側配線層５４及び第２主面側配線層５５を形成する。その結果、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂを得る。
【００６７】
また、個別作製工程において接着シート６１ａ〜６１ｄを作製する。具体的には、接着シート６１ａ〜６１ｄとなる接着性有機材料シート６０（図７参照）に対してメカニカルドリル、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザー、パンチング装置等を用いて孔あけ加工を行い、接着性有機材料シート６０を貫通するビア孔６６（図８，図１０参照）を所定位置にあらかじめ形成しておく（ビア孔形成工程）。また、図１０に示されるように、接着性有機材料シート６０の所定位置に、後に収容空間１３０となる貫通孔１３３をあらかじめ形成しておく。なお、ビア孔６６は、上側開口部の直径が約１１７μｍとなり、下側開口部の直径が約１１３μｍとなる。
【００６８】
次に、従来周知の印刷法により、導電ペーストをビア孔６６に充填し第２ビア導体６２を形成する。具体的には、接着性有機材料シート６０を支持台（図示略）に載置する。次に、ビア孔６６に対応した位置に開口部を有する印刷マスクを用い、印圧を２ｋｇｆ／ｃｍ２、印刷スピードを５０ｍｍ／ｓｅｃに設定して、表面に銀をコートした銅粉を含む導電ペーストを印刷し、ペースト充填層を形成する。そして、印刷装置から取り外した後、導電ペーストを加熱して溶剤等を蒸発させ、固形化させる。次いで、１００℃程度の温度で約３０分間加熱して仮硬化を行う。これにより、導電ペーストからなる第２ビア導体６２が少しだけ硬化し、接着シート６１ａ〜６１ｄが完成する。その結果、ビア孔６６内に第２ビア導体６２が形成される（第２ビア導体形成工程）。このとき、第２ビア導体６２の先端部分が、接着性有機材料シート６０の上面から突出する（図９，図１１参照）。このような構造にすれば、接着シート６１ａ及びフレキシブル配線基板５１ａを接合する際に、第２ビア導体６２の先端部分とフレキシブル配線基板５１ａの第１主面側配線層５４とが圧接し、接着シート６１ｂ，６１ｃ及びフレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂを接合する際に、第２ビア導体６２の先端部分とフレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂの第２主面側配線層５５とが圧接する。また、フレキシブル配線基板５１ａに基板本体９５を接合する際に、第２ビア導体６２の先端部分と基板本体９５の下面側パッド９９とが圧接する。よって、例えば先端部分がフラットである場合に比べて他基板の導体部との接合強度が高くなり、接続信頼性の向上が図りやすくなる。
【００６９】
また、個別作製工程におけるセラミックキャパシタ１３１の作製も、基本的には従来周知の手法によって行われる。具体的には、積層体形成工程を実施して、内部電極が印刷された複数枚の誘電体グリーンシートを積層する。そして、従来周知のラミネート装置を用いて、所定温度条件下でシート積層方向に押圧力を付与することにより、各誘電体グリーンシートを圧着して一体化させる。その結果、厚さ１ｍｍ程度のグリーンシート積層体が得られる。本実施形態では、積層圧着時の温度を６０℃〜８０℃に設定し、押圧力を３００ｋｇ／ｃｍ２〜１０００ｋｇ／ｃｍ２に設定することとしている。また、積層数を１００層〜１２０層程度に設定している。積層数については、要求されるスペック等に応じて任意に変更可能である。
【００７０】
次に、レーザー加工機を用いてレーザービームを照射することにより、グリーンシート積層体に直径約１２０μｍのビア孔１４３を多数個貫通形成する。さらに、ペースト圧入充填装置を用いて、ビア孔１４３内にビア導体用ニッケルペーストを充填し、ビア導体１３４を形成する。
【００７１】
そして、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体となる。そして、セラミック焼結体をブレークすれば、セラミックキャパシタ１３１を得ることができる。
【００７２】
さらに、モジュール配線基板９１（基板本体９５）の作製も、基本的には従来周知の手法によって行われる。即ち、銅張積層板に対してメカニカルドリルを用いて孔あけ加工を行い、銅張積層板を貫通するビア孔（図示略）を所定位置にあらかじめ形成しておく。なお、銅張積層板に対してＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行うことで、ビア孔を形成してもよい。そして、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行い、ビア孔内に導体柱９６を形成する。さらに、銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って上面側パッド９７及び下面側パッド９９を例えばサブトラクティブ法によって形成する。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離することにより、基板本体９５を得る。なお、上面側パッド９７及び下面側パッド９９を、セミアディティブ法によって形成してもよい。具体的には、無電解銅めっきの後、露光及び現像を行って所定パターンのめっきレジストを形成する。この状態で無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施した後、まずレジストを溶解除去して、さらに不要な無電解銅めっき層及び銅箔をエッチングで除去する。その結果、基板本体９５を得る。
【００７３】
次に、電気検査工程（個別検査工程）を実施し、完成したフレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ、接着シート６１ａ〜６１ｄ及びセラミックキャパシタ１３１に対する電気検査を個別に行う。それとともに、完成したモジュール配線基板９１に対する電気検査も行う。なお、本実施形態における電気検査とは、例えば、インサーキットテスタを用いて行う一般的なインサーキットテストを指す。さらに、完成したフレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ、接着シート６１ａ〜６１ｄ、セラミックキャパシタ１３１及びモジュール配線基板９１に対し、この時点で併せて外観検査を個別に行ってもよい。このとき、不良品を発見した場合には、その不良品を事前に除去する。そして、電気検査や外観検査に合格したフレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ、接着シート６１ａ〜６１ｄ、セラミックキャパシタ１３１及びモジュール配線基板９１のみを用いて位置決め工程（第１位置決め工程、第２位置決め工程）以降の工程を行う。従って、多層配線基板構造体１０が不良品となる確率が低くなり、歩留まりの向上につながる。
【００７４】
そして、第１位置決め工程では、まず、平板状の下治具１０１上に、接着シート６１ａ、フレキシブル配線基板５１ａ、接着シート６１ｂ、フレキシブル配線基板５１ｂ、接着シート６１ｃを順番に重ねる。また、積層部１２において収容空間１３０となる部分（貫通孔１３２，１３３内）に、セラミックキャパシタ１３１を配置する。次に、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ｂ，６１ｃの右側部分を上側に１８０°屈曲させる。そして、その右側部分を、接着シート６１ｃのシート第１主面６４及びセラミックキャパシタ１３１のキャパシタ上面２３に接触させる。さらに、フレキシブル配線基板５１ａにおいて上側に屈曲された右側部分上に、接着シート６１ｄを重ねる。これにより、接着シート６１ａ，６１ｂ間及び接着シート６１ｂ，６１ｄ間に、フレキシブル配線基板５１ａが位置するようになる。また、接着シート６１ｂ，６１ｃ間に、フレキシブル配線基板５１ｂが位置するようになる。そして、下治具１０１の上にスペーサ１０２を載置する。なお、スペーサ１０２の板厚の最大値は、２枚のフレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂと４枚の接着シート６１ａ〜６１ｄとからなる積層物の高さと略等しくなっている。また、スペーサ１０２には、下治具１０１に突設された複数の位置決めピン１０５が挿通される。このため、スペーサ１０２及び積層物の平面方向への位置ずれが防止される。その後、接着シート６１ｄ及びスペーサ１０２上に平板状の上治具１０４を載置する（図１２参照）。なお、上治具１０４は、同上治具１０４の下面側に、クッション材１０３を貼り付けた構造となっている。従って、接着シート６１ｄから突出する第２ビア導体６２は、弾性体であるクッション材１０３に接触するようになっている。このとき、クッション材１０３は弾性変形して接着シート６１ｄ側の凹凸形状に追従する。これにより、接着シート６１ｄに対して均等に押圧力を付加することができる。なお、上記のような治具を用いて位置決めを行う代わりに、基板などの位置を検出する画像認識装置を有する、いわゆるダイマウンタ装置を用いて位置決めを行うことも可能である。
【００７５】
そして次に、下記の要領で第１接合工程（接合工程）を実施する。本実施形態において具体的には、２０Ｔｏｒｒ（≒２６６６Ｐａ）以下の真空下で２６０℃以上の温度となるように加熱を行いながら積層方向（接合方向）に押圧力（４ＭＰａ）を加える（真空熱プレス）。これに伴い、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ａ〜６１ｄが積層方向に沿って押圧されるとともに、熱により接着シート６１ａ〜６１ｄの可塑性が大きくなる。そして、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ａ〜６１ｄが接合（熱圧着）される。この際、フレキシブル配線基板５１ａの第１主面側配線層５４が接着シート６１ａの第２ビア導体６２に圧接するとともに、フレキシブル配線基板５１ａの第２主面側配線層５５が接着シート６１ｂの第２ビア導体６２に圧接する。また、フレキシブル配線基板５１ｂの第２主面側配線層５５が接着シート６１ｃの第２ビア導体６２に圧接する。よって、第２ビア導体６２、第１ビア導体５７、第１主面側配線層５４及び第２主面側配線層５５が互いに電気的に接続され、積層部１２が形成される。即ち、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ａ〜６１ｄの接合は真空雰囲気下での接合となるため、エアの巻き込みによるボイドの発生を効果的に抑制できる。また、積層部１２内にセラミックキャパシタ１３１が埋設される。
【００７６】
次に、下記の要領で第２位置決め工程及び第２接合工程を実施する。なお、第２位置決め工程及び第２接合工程は、第１位置決め工程及び第１接合工程の前に行ってもよい。また、第１位置決め工程及び第１接合工程と同時に行うようにすれば、工数が少なくなり、確実に低コスト化を達成することができる。
【００７７】
第２位置決め工程では、まず、平板状の下治具１５１上に、積層部１２の最上層に位置するフレキシブル配線基板５１ａ及び接着シート６１ｄを載置する。このとき、接着シート６１ｄが上側となるように載置する。この場合、フレキシブル配線基板５１ａの外周部分には、下治具１５１に突設された複数の位置決めピン１５５が挿通される。これにより、フレキシブル配線基板５１ａの平面方向への位置ずれが防止される。次に、フレキシブル配線基板５１ａ上に基板本体９５を載置する。このとき、互いに対向したフレキシブル配線基板５１ａの第１主面側配線層５４と、基板本体９５の下面側パッド９９との間に、接着シート６１ｄが位置するようになる。そして、下治具１５１の上にスペーサ１５２を載置する。なお、スペーサ１５２の板厚は、基板本体９５の高さと略等しくなっている。また、スペーサ１５２には複数の位置決めピン１５５が挿通されている。このため、基板本体９５の平面方向への位置ずれが防止される。その後、基板本体９５及びスペーサ１５２上に平板状の上治具１５４を載置する（図１３参照）。
【００７８】
そして次に、第２接合工程を実施する。本実施形態において具体的には、２０Ｔｏｒｒ（≒２６６６Ｐａ）以下の真空下で２６０℃以上の温度となるように加熱を行いながら積層方向に押圧力（４ＭＰａ）を加える（真空熱プレス）。これに伴い、基板本体９５がフレキシブル配線基板５１ａ側に押圧されるとともに、熱により接着シート６１ｄの可塑性が大きくなる。そして、このような状態の接着シート６１ｄを介して、フレキシブル配線基板５１ａの基板第１主面５２側に対して基板本体９５が接合（熱圧着）される。この際、接着シート６１ｄの第２ビア導体６２と基板本体９５の下面側パッド９９とが圧接するとともに、第２ビア導体６２とフレキシブル配線基板５１ａの第１主面側配線層５４とが圧接する。よって、基板本体９５の導体柱９６とフレキシブル配線基板５１ａの第１主面側配線層５４とが、接着シート６１ｄの第２ビア導体６２を介して互いに電気的に接続される。即ち、フレキシブル配線基板５１ａに対する基板本体９５の接合は真空雰囲気下での接合となるため、エアの巻き込みによるボイドの発生を効果的に抑制できる。
【００７９】
なお、上記の上治具１５４は、同上治具１５４の下面側に、クッション材１５３を貼り付けた構造となっている。従って、基板本体９５の上面９３に突出する上面側パッド９７は、弾性体であるクッション材１５３に接触するようになっている。このとき、クッション材１５３は弾性変形して基板本体９５側の凹凸形状に追従する。これにより、基板本体９５に対して均等に押圧力を付加することができる。
【００８０】
次に、積層部１２の下面１４側に対するはんだペースト印刷を行い、はんだバンプ４９を形成する。このようにすれば、第１接合工程を実施する際にはんだバンプ４９が邪魔にならなくて済む。また、前記第１接合工程後にはんだバンプ形成を行うと、前記第１接合工程前にはんだバンプ形成を行う場合とは異なり、はんだバンプ４９が２６０℃以上の高温に遭遇しにくくなる。従って、必ずしも高融点はんだを選択しなくてもよくなり、はんだ材料の選択の自由度が大きくなる。
【００８１】
もっとも、接着シート６１ａを作製する時点で、はんだバンプ４９を同時に形成し、その後で第１接合工程を実施するようにしてもよい。このようにすれば、電気検査工程にて接着シート６１ａを検査する際に、はんだバンプ４９も含めて検査できるため、はんだバンプ４９に不良が生じた状態で多層配線基板構造体１０が製造されることを防止できる。
【００８２】
また、基板本体９５の上面９３側に複数の電子部品９２を載置する。このとき、電子部品９２側の面接続端子９８と、基板本体９５側の上面側パッド９７とを位置合わせするようにする。そして、加熱して各面接続端子９８をリフローすることにより、面接続端子９８と上面側パッド９７とを接合する。
【００８３】
その後、積層部１２の端子接続部５６にＩＣチップ２１を載置する。このとき、ＩＣチップ２１側の面接続端子２２と、フレキシブル配線基板５１ａ側の第１主面側配線層５４とを位置合わせするようにする。そして、加熱を行いながら積層方向（接合方向）に押圧力を加える。これに伴い、ＩＣチップ２１及び接着シート６１ｄが積層方向に沿って押圧されるとともに、熱により接着シート６１ｄの可塑性が大きくなる。そして、接着シート６１ｄのシート第１主面６４上にＩＣチップ２１の下面が接着（熱圧着）される。この際、面接続端子２２と第１主面側配線層５４とが接着シート６１ｄの第２ビア導体６２を介して電気的に接続される。するとこの段階で、複数の機能が集積してシステム化された多層配線基板構造体１０（いわゆるシステム・イン・パッケージ:ＳＩＰ）が完成する。
【００８４】
さらに、積層部１２のはんだバンプ４９と、マザーボード８１側の端子８２とを位置合わせして、マザーボード８１上に多層配線基板構造体１０を載置する。そして、加熱して各はんだバンプ４９をリフローすることにより、はんだバンプ４９と端子８２とを接合する。これにより、多層配線基板構造体１０がマザーボード８１上に搭載される。
【００８５】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００８６】
（１）本実施形態の多層配線基板構造体１０では、積層部１２の上面１３に素子搭載領域５０が設定されることから、素子搭載領域５０に搭載されたＩＣチップ２１は積層部１２の外側に位置している。このため、ＩＣチップ２１から生じた熱が積層部１２の外部に放散されやすくなる。よって、熱の影響による積層部１２の塑性変形が防止されるため、寸法安定性の高い多層配線基板１１を得ることができる。また、熱の影響によるＩＣチップ２１の誤作動を防止できる。
【００８７】
また、機械的強度が高いセラミックキャパシタ１３１の埋設により、部分的に積層部１２が補強されて撓みにくくなるため、素子搭載領域５０のコプラナリティが高くなる。よって、ＩＣチップ２１の面接続端子２２と端子接続部５６との接続不良が生じにくくなり、高い接続信頼性を得ることができる。
【００８８】
（２）本実施形態の多層配線基板構造体１０は、多層配線基板１１に加えてモジュール配線基板９１を有するため、モジュール配線基板９１を有しない場合に比べて、多機能化を図ることができる。ゆえに、１つのシステム化された多層配線基板構造体１０（いわゆるシステム・イン・パッケージ:ＳＩＰ）を実現しやすくなり、付加価値も高くなる。
【００８９】
（３）本実施形態のフレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂは、基板第１主面５２及び基板第２主面５３の両方に導体パターン（第１主面側配線層５４、第２主面側配線層５５）が形成されている。このため、導体パターンが何ら形成されていない接着シート６１ａ〜６１ｄを用いたとしても、多くの回路を内部に構成すること等が可能となり、付加価値を高めることができる。
【００９０】
（４）本実施形態の接着シート６１ａ〜６１ｄは、熱可塑性樹脂（熱可塑性ポリイミド）からなる絶縁基材を主体として形成されている。よって、例えば、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ａ〜６１ｄが互いに位置ずれした状態で接合されたとしても、接着シート６１ａ〜６１ｄを再度加熱すれば、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂから接着シート６１ａ〜６１ｄを剥離できる。このため、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ａ〜６１ｄを容易に接合し直すことが可能となる。同様に、フレキシブル配線基板５１ａに基板本体９５が位置ずれした状態で接合されたとしても、接着シート６１ｄを再度加熱すれば、基板本体９５を接着シート６１ｄから剥離できる。このため、フレキシブル配線基板５１ａに基板本体９５を容易に接合し直すことが可能となる。
【００９１】
（５）本実施形態の製造方法では、積層部１２を形成する前に、個別作製工程にてフレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂと接着シート６１ａ〜６１ｄとセラミックキャパシタ１３１とを個別に作製するため、これらの電気検査を個別に行うことができる。よって、接合前に不良品を発見してそれを事前に除去できるため、電気検査に合格したフレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ、接着シート６１ａ〜６１ｄ及びセラミックキャパシタ１３１のみを接合して積層部１２を形成することができる。従って、多層配線基板１１が不良品となる確率が低くなり、歩留まりの向上につながる。
【００９２】
また、接合工程を実施する際に、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ａ〜６１ｄが接合され、それと同時にセラミックキャパシタ１３１が埋設されるため、効率良く多層配線基板１１を製造することができる。
【００９３】
（６）本実施形態の製造方法では、フレキシブル配線基板５１ａの端子接続部５６にＩＣチップ２１を実装する前の時点で第１接合工程を実施しているため、上治具１０４の荷重がＩＣチップ２１に加わることがない。ゆえに、ＩＣチップ２１のクラックの発生を確実に防止することができる。また、本実施形態では、基板本体９５の上面側パッド９７に電子部品９２を実装する前の時点で第２接合工程を実施しているため、上治具１５４の荷重が電子部品９２に加わることがない。ゆえに、電子部品９２のクラックの発生を確実に防止することができる。
【００９４】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００９５】
・上記実施形態のセラミックキャパシタ１３１は、キャパシタ下面２４に外部端子（ビア導体１３４の下端部分）を有していた。しかし、図１４に示されるように、セラミックキャパシタ１３１は、キャパシタ上面２３にも外部端子を有していてもよい。この場合、キャパシタ上面２３にある外部端子（ビア導体１３４の上端部分）は、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂの第１ビア導体５７及び接着シート６１ｂ，６１ｄの第２ビア導体６２を介して端子接続部５６に電気的に接続される。このようにすれば、セラミックキャパシタ１３１と素子搭載領域５０とを繋ぐ配線長が短縮されるため、セラミックキャパシタ１３１−素子搭載領域５０間での信号の高速化を図ることができる。
【００９６】
・上記実施形態では、ビア導体１３４の下端部分が、セラミックキャパシタ１３１の外部端子となっていた。しかし、例えば、キャパシタ上面２３やキャパシタ下面２４に、ビア導体１３４と導通する外部端子電極を形成し、この外部端子電極をセラミックキャパシタ１３１の外部端子としてもよい。
【００９７】
・上記実施形態では、積層部１２にはセラミックキャパシタ１３１（リジッド基体）が埋設されていたが、図１５に示されるように、積層部１２にはガラスセラミック配線基板３１（リジッド基体、配線基板）が埋設されていてもよい。このようにすれば、リジッド基体が配線層を有しない場合に比べて、内部に回路を構成すること等が可能となり、付加価値を高めることができる。また、このガラスセラミック配線基板３１は、極めて高い剛性を有しているため、ＩＣチップ２１をより確実に支持することができる。なお、ガラスセラミック配線基板３１は、上面３２と、同上面３２の反対側に位置する下面３３とを有している。ガラスセラミック配線基板３１は、複数のセラミック層３０と複数の配線層３７とを交互に積層した構造を有している。セラミック層３０は、ガラス及びアルミナを主成分とするグリーンシートを焼成することによって形成され、配線層３７は、銀または銅を主成分として形成されている。また、ガラスセラミック配線基板３１には、上面３２及び下面３３を貫通する複数のビア孔３４が格子状に形成されている。そして、かかるビア孔３４内には、銀または銅を主材料とするビア導体３５が設けられている。各ビア導体３５の上端面には、銀または銅からなる上側端子電極３６が設けられている。一方、各ビア導体３５の下端面は、接着シート６１ｂの第２ビア導体６２に電気的に接続されている。なお、ガラスセラミック配線基板３１は、セラミックキャパシタ１３１などの受動部品を備えていてもよい。
【００９８】
・上記実施形態では、積層部１２には、ＩＣチップ２１の動作性向上に関与する受動部品（セラミックキャパシタ１３１）が埋設されていたが、受動部品が埋設されていなくてもよい。例えば、図１６に示されるように、積層部１２に金属板１３５（リジッド基体）が埋設されていてもよい。
【００９９】
・上記実施形態の積層部１２において、最上層及び最下層に位置する接着シート６１ａ，６１ｄはなくてもよい。この場合、積層部１２の最上層に位置するフレキシブル配線基板５１ａの第１主面側配線層５４と基板本体９５の下面側パッド９９との接続は、例えば、下面側パッド９９上にはんだバンプを設け、そのはんだバンプをリフローさせることなどによって行われる。また、多層配線基板構造体１０のマザーボード８１への搭載は、積層部１２の最下層に位置するフレキシブル配線基板５１ａの第１主面側配線層５４上にはんだバンプ４９を設け、そのはんだバンプ４９をリフローさせることなどによって行われる。
【０１００】
・上記実施形態では、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ｂ，６１ｃの右側部分を上側に１８０°屈曲させることにより、積層部１２が形成されていた。しかし、例えば図１７に示されるように、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ｂ，６１ｃを屈曲させずに、積層部１２を形成してもよい。
【０１０１】
・図１７に示されるように、積層部１２は、積層部１２の側面から平面方向に張り出した張出部５９を有していてもよい。そして、この張出部５９に形成された第１主面側配線層５４は、その先端部にコネクタ接続端子７１を有していてもよい。このような構造であれば、コネクタ接続端子７１を介して容易に他基板との接続を図ることができる。また、張出部５９に形成された第１主面側配線層５４に対して別の構造物を実装することもできる。加えて、張出部５９の途中で屈曲させて使用することもできるため、多層配線基板１１の小型化を図ることができる。ゆえに、多層配線基板１１が収容される空間が狭い場合であっても、フレキシブル配線基板５１ｂを屈曲させることで上手く収容できる可能性が高くなる。
【０１０２】
・上記実施形態では、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ同士が１枚の接着シート６１ｂを介して接合（熱圧着）され、フレキシブル配線基板５１ｂの右側部分と左側部分とが１枚の接着シート６１ｃを介して接合（熱圧着）されていた。しかし、フレキシブル基板同士を２枚以上の接着シートを介して接合してもよい。例えば図１８に示されるように、積層部１２の下層側に位置するフレキシブル配線基板５１ａと上層側に位置するフレキシブル配線基板５１ａとを、５枚の接着シート６１ｂを介して接合してもよい。
【０１０３】
・上記実施形態では、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ａ〜６１ｄを全て積層した状態で接合することにより、積層部１２を形成していた。即ち、積層部１２は、接合工程を１回実施するだけで形成されていた。しかし、フレキシブル配線基板５１ａ，５１ｂ及び接着シート６１ａ〜６１ｄを１枚ずつ積層して接合する工程を繰り返すことにより、積層部１２を形成してもよい。
【０１０４】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【０１０５】
（１）第１ビア導体及び基板平面方向に延びる導体パターンを有するフレキシブル基板と、第２ビア導体を有するフレキシブルな接着シートとを積層してなり、第１主面及び第２主面を有する積層部を備える多層配線基板であって、前記積層部内に略平板状のリジッド基体が埋設され、前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方において前記リジッド基体の埋設部分に対応した領域に、半導体回路素子が搭載可能な素子搭載領域が設定され、その素子搭載領域内に、前記半導体回路素子の有する複数の端子が接続可能な複数の端子接続部が形成され、前記第１ビア導体、前記第２ビア導体及び前記導体パターンのうちの少なくとも１種が、前記複数の端子接続部を兼ねていることを特徴とする多層配線基板。
【０１０６】
（２）第１ビア導体及び基板平面方向に延びる導体パターンを有するフレキシブル基板と、第２ビア導体を有する接着シートとを積層してなり、第１主面及び第２主面を有する積層部を備える多層配線基板であって、前記積層部内にリジッド基体が埋設され、前記接着シートは、前記フレキシブル基板間に配置されることにより、前記フレキシブル基板同士を接着するとともに、前記フレキシブル基板が有する前記第１ビア導体と前記リジッド基体が有する外部端子とを、前記第２ビア導体を介して電気的に接続し、前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方において素子搭載領域が設定され、その素子搭載領域内に複数の端子接続部が形成され、前記第１ビア導体、前記第２ビア導体及び前記導体パターンのうちの少なくとも１種が、前記複数の端子接続部を兼ねていることを特徴とする多層配線基板。
【０１０７】
（３）第１ビア導体及び基板平面方向に延びる導体パターンを有するフレキシブル基板と、第２ビア導体を有する接着シートとを積層してなり、第１主面及び第２主面を有する積層部を備える多層配線基板であって、前記積層部内に、前記第１主面側に位置する基体第１主面及び前記第２主面側に位置する基体第２主面を有するリジッド基体が埋設され、前記基体第１主面の面積が、前記素子搭載領域の面積の１倍以上５倍以下に設定されており、前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方において素子搭載領域が設定され、その素子搭載領域内に複数の端子接続部が形成され、前記第１ビア導体、前記第２ビア導体及び前記導体パターンのうちの少なくとも１種が、前記複数の端子接続部を兼ねていることを特徴とする多層配線基板。
【０１０８】
（４）第１ビア導体及び基板平面方向に延びる導体パターンを有するフレキシブル基板と、第２ビア導体を有する接着シートとを積層してなり、第１主面及び第２主面を有する積層部を備える多層配線基板であって、前記積層部内に、ヤング率が０．１ＧＰａ以上５００ＧＰａ以下に設定されたセラミックからなるリジッド基体が埋設され、前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方において素子搭載領域が設定され、その素子搭載領域内に複数の端子接続部が形成され、前記第１ビア導体、前記第２ビア導体及び前記導体パターンのうちの少なくとも１種が、前記複数の端子接続部を兼ねていることを特徴とする多層配線基板。
【０１０９】
（５）第１ビア導体及び基板平面方向に延びる導体パターンを有するフレキシブル基板と、第２ビア導体を有する接着シートとを積層してなり、第１主面及び第２主面を有する積層部を備える多層配線基板であって、前記積層部内に、平面方向における熱膨張係数が５ｐｐｍ／℃以上１３ｐｐｍ／℃以下に設定されたセラミックからなるリジッド基体が埋設され、前記第１主面及び前記第２主面の少なくとも一方において素子搭載領域が設定され、その素子搭載領域内に複数の端子接続部が形成され、前記第１ビア導体、前記第２ビア導体及び前記導体パターンのうちの少なくとも１種が、前記複数の端子接続部を兼ねていることを特徴とする多層配線基板。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本実施形態において、多層配線基板などからなる多層配線基板構造体を示す概略断面図。
【図２】多層配線基板構造体の構成を示す分解断面図。
【図３】積層部のセラミックキャパシタ付近を示す拡大断面図。
【図４】セラミックキャパシタの内層における接続を説明するための概略説明図。
【図５】セラミックキャパシタの内層における接続を説明するための概略説明図。
【図６】フレキシブル配線基板及び基板本体からなる構造体の構成を示す分解断面図。
【図７】接着シートの作製過程において、接着性有機材料シートを示す概略断面図。
【図８】接着シートの作製過程において、接着性有機材料シートにビア孔を形成する工程を示す概略断面図。
【図９】接着シートの作製過程において、ビア孔内に第２ビア導体を形成する工程を示す概略断面図。
【図１０】接着シートの作製過程において、接着性有機材料シートにビア孔及び貫通孔を形成する工程を示す概略断面図。
【図１１】接着シートの作製過程において、ビア孔内に第２ビア導体を形成する工程を示す概略断面図。
【図１２】多層配線基板構造体の製造過程において、フレキシブル配線基板及び接着シートを接合して積層部を形成するときの様子を示す概略断面図。
【図１３】多層配線基板構造体の製造過程において、フレキシブル配線基板及び基板本体を互いに接合するときの様子を示す概略断面図。
【図１４】他の実施形態における多層配線基板構造体を示す概略断面図。
【図１５】他の実施形態における多層配線基板構造体を示す概略断面図。
【図１６】他の実施形態における多層配線基板構造体を示す概略断面図。
【図１７】他の実施形態における多層配線基板構造体を示す概略断面図。
【図１８】他の実施形態における多層配線基板構造体を示す概略断面図。
【符号の説明】
【０１１１】
１０…多層配線基板構造体
１１…多層配線基板
１２…積層部
１３…第１主面としての上面
１４…第２主面としての下面
２１…能動素子としてのＩＣチップ
２３…基体第１主面としてのキャパシタ上面
２４…基体第２主面としてのキャパシタ下面
３１…リジッド基体及び配線基板としてのガラスセラミック配線基板
５０…素子搭載領域
５１ａ，５１ｂ…フレキシブル基板としてのフレキシブル配線基板
５４…導体パターンとしての第１主面側配線層
５５…導体パターンとしての第２主面側導体層
５６…端子接続部
５７…第１ビア導体
６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ…接着シート
６２…ビア導体としての第２ビア導体
９１…機能モジュールとしてのモジュール配線基板
１３１…リジッド基体及び受動部品としてのセラミックキャパシタ
１３５…リジッド基体としての金属板
【図１】
2006310544.tif 000003
【図２】
2006310544.tif 000004
【図３】
2006310544.tif 000005
【図４】
2006310544.tif 000006
【図５】
2006310544.tif 000007
【図６】
2006310544.tif 000008
【図７】
2006310544.tif 000009
【図８】
2006310544.tif 000010
【図９】
2006310544.tif 000011
【図１０】
2006310544.tif 000012
【図１１】
2006310544.tif 000013
【図１２】
2006310544.tif 000014
【図１３】
2006310544.tif 000015
【図１４】
2006310544.tif 000016
【図１５】
2006310544.tif 000017
【図１６】
2006310544.tif 000018
【図１７】
2006310544.tif 000019
【図１８】
2006310544.tif 000020