(57)【要約】  【課題】  PDP製造工程中及び製造後における保護層への不純物付着を防止することで、保護層の長寿命化と輝度ばらつきの少ないPDPを提供することを目的とする。  【解決手段】  密閉容器の内部空間に放電ガスが充填され、当該密閉容器において、内部空間を挟んだ一方の構成部分にはデータ電極26が配設され、他方の構成部分には帯状の表示電極対12が配設され、且つ、他方の構成部分における内部空間を臨む表面に保護層40aが形成されてなるガス放電表示デバイスであって、保護層40aは、互いに内部空間を臨む第一保護領域17aと第二保護領域18aとを有しており、第一保護領域17aは、第二保護領域18aよりも放電性能が高く、第二保護領域18aは、第一保護領域17aよりも不純物吸着防止機能が高く、表示電極対12の配設部分の少なくとも一部を覆う状態で配設されている。【選択図】図2
2006120583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
密閉容器の内部空間に放電ガスが充填され、当該密閉容器において、前記内部空間を挟んだ一方の構成部分にはデータ電極が配設され、他方の構成部分には帯状の表示電極対が配設され、且つ、前記他方の構成部分における前記内部空間を臨む表面に保護層が形成されてなるガス放電表示デバイスであって、
前記保護層は、互いに前記内部空間を臨む第一保護領域と第二保護領域とを有しており、
前記第一保護領域は、前記第二保護領域よりも放電性能が高く、
前記第二保護領域は、前記第一保護領域よりも不純物吸着防止機能が高く、前記表示電極対を配設した部分の少なくとも一部を覆う状態で配設されている
ことを特徴とするガス放電表示デバイス。
【請求項２】
前記保護層は、前記第一保護領域と前記第二保護領域の各領域は、前記第二保護領域が前記第一保護領域の一部分と重なる状態で配設され、且つ、前記表示電極対が配設されていない部分には前記第一保護領域が前記内部空間を臨む状態で配設されている
ことを特徴とする請求項1に記載のガス放電表示デバイス。
【請求項３】
前記保護層は、前記表示電極対の配設領域に凹入部を有する前記第一保護領域と、当該凹入部に存在する前記第二保護領域とからなる
ことを特徴とする請求項2に記載のガス放電表示デバイス。
【請求項４】
前記第二保護領域は、前記表示電極対の長手方向に延伸すると共にストライプ状である
ことを特徴とする請求項2に記載のガス放電表示デバイス。
【請求項５】
前記第二保護領域には穿孔部が存在し、
当該穿孔部は、前記表示電極対の主面方向に沿ってマトリクス状に配されている
ことを特徴とする請求項2に記載のガス放電表示デバイス。
【請求項６】
前記保護層は、前記第二保護領域が前記表示電極対の配設部分を覆う状態で存在すると共に、前記第二保護領域間に前記第一保護領域を有する
ことを特徴とする請求項1に記載のガス放電表示デバイス。
【請求項７】
前記第一保護領域は酸化マグネシウムからなると共に600nm以上2,000nm以下の厚みを有し、
前記第二保護領域はフッ化マグネシウムからなると共に30nm以上600nm以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のガス放電表示デバイス。
【請求項８】
前記第二保護領域が可視光を透過させる
ことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のガス放電表示デバイス。
【請求項９】
前記第二保護領域が金属フッ化物からなる材料によって形成されている
ことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のガス放電表示デバイス。
【請求項１０】
前記第二保護領域がSiNまたはSiO2からなる材料によって形成されている
ことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のガス放電表示デバイス。
【請求項１１】
前記放電ガスは、Xeが10%以上の分圧で含まれてなる
ことを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載のガス放電表示デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス放電表示デバイスにおける保護層の構成に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型の画像表示装置として、大型かつ薄型パネルを比較的容易に製造できるという特徴からプラズマディスプレイパネル（以下、「PDP」と記す。）が普及している。PDPには交流型（AC型）と直流型（DC型）があるが、信頼性、画質などの面からAC型PDPが主流となっている。
一般的に、AC型PDPは、前面パネルと背面パネルを貼り合わせることで形成される内部空間内に放電ガスを封入して作製される。この前面パネルは、前面ガラス基板上で対をなす表示電極が形成され、その上に誘電体層が被覆され、さらにその上に保護層が形成されて作製される。
【０００３】
誘電体層は放電によるスパッタ性に弱いため、誘電体層を保護するため、耐スパッタ性の高い酸化マグネシウム（以下、「MgO」と記す。）を主成分とする保護層を形成する方法が採られている。このMgOは2次電子放出係数が高いので、PDP駆動時における放電開始電圧を下げる効果も有しており、消費電力の低下の面でも優れている。
しかし、MgOは水分や炭酸ガスなどの不純物ガスを吸着しやすい他、これらと化学変化を生じ、水酸化マグネシウムや炭酸マグネシウムなどの化合物に変化しやすい。この化合物はMgOと比較して耐スパッタ性、二次電子放出係数が大きく劣る。つまり、大気中の不純物ガスを吸着することでMgOが水酸化マグネシウムや炭酸マグネシウムに変質すると、保護層としての上記有効性が失われてしまう。さらに、放電ガスが封入される内部空間（以下、「放電空間」と記載する。）に残留した水分が保護層に吸着されることによってその表面抵抗が低下し、パネル駆動時に壁電荷を保持できなくなり黒ノイズや輝度ばらつきを招いてしまう。
【０００４】
そこで、MgOを主成分とする第一の保護層上に金属フッ化物からなる第二の保護層を形成することで、PDP製造工程中における第一の保護層表面への不純物吸着を防止し、さらにPDP製造後にプラズマ放電等により上記第二の保護層を全て除去することで、PDP駆動時におけるMgOの2次電子放出係数を確保する方法（例えば、特許文献1）、または従来の保護層を覆うようにして同じ材質ではあるが結晶性の異なる保護層を形成して、2次電子放出係数の高い保護層領域を維持しながら、当該領域への不純物の吸着を防止する方法（例えば、特許文献2）などが検討されている。
【特許文献１】特開平10-149767号公報
【特許文献２】特開2003-22755号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、PDP製造後において、実際には放電空間中で完全に不純物が除去された状態にはならないので、PDP製造後に上記第二の保護層を除去してMgOからなる第一の保護層を放電空間に露出することで、PDP駆動時における2次電子放出係数の確保を図ると、MgOからなる保護層における露出された表面が放電空間中に残存する不純物と反応し、水酸化マグネシウムや炭酸マグネシウムなどに変質してしまう。それにより、MgOからなる保護層は、耐スパッタ性を維持することが困難となる。
【０００６】
さらに本発明者らが上記課題について検討した結果、誘電体層を覆う状態で形成される保護層において、パネル駆動時の放電によるダメージを受けて表示電極対が配設される部分が削られることが明らかになった。
また、結晶密度の異なる同一材質の保護層の2層構造とすることで、保護層の長寿命化を図るような方法も挙げられているが、実際には保護層の結晶構造の制御のみで保護層の安定化を図ることは難しい。
【０００７】
本発明は以上の課題に鑑みて、ガス放電表示デバイス製造工程中及び製造後における保護層への不純物付着を防止することで、保護層の長寿命化と輝度ばらつきの少ないガス放電表示デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、本発明では以下の手段を採るものとする。
密閉容器の内部空間に放電ガスが充填され、当該密閉容器において、前記内部空間を挟んだ一方の構成部分にはデータ電極が配設され、他方の構成部分には帯状の表示電極対が配設され、且つ、前記他方の構成部分における前記内部空間を臨む表面に保護層が形成されてなるガス放電表示デバイスであって、前記保護層は、互いに前記内部空間を臨む第一保護領域と第二保護領域とを有しており、前記第一保護領域は、前記第二保護領域よりも放電性能が高く、前記第二保護領域は、前記第一保護領域よりも不純物吸着防止機能が高く、前記表示電極対を配設した部分の少なくとも一部を覆う状態で配設されている構成とする。
【０００９】
前記保護層は、前記第一保護領域と前記第二保護領域の各領域は、前記第二保護領域が前記第一保護領域の一部分と重なる状態で配設され、且つ、前記表示電極対が配設されていない部分には前記第一保護領域が前記内部空間を臨む状態で配設されている構成とすることが好ましい。
また、前記保護層は、前記表示電極対の配設領域に凹入部を有する前記第一保護領域と、当該凹入部に存在する前記第二保護領域とからなる構成とすることが好ましい。
【００１０】
前記第二保護領域は、前記表示電極対の長手方向に延伸すると共にストライプ状である構成とすることが好ましい。
そして、前記第二保護領域には穿孔部が存在し、当該穿孔部は、前記表示電極対の主面方向に沿ってマトリクス状に配されていることが好ましい。
前記保護層は、前記第二保護領域が前記表示電極対の配設部分を覆う状態で存在すると共に、前記第二保護領域間に前記第一保護領域を有することが好ましい。
【００１１】
前記第一保護領域は酸化マグネシウムからなると共に600nm以上2,000nm以下の厚みを有し、前記第二保護領域はフッ化マグネシウムからなると共に30nm以上600nm以下の厚みを有することが好ましい。
前記第二保護領域が可視光を透過させる特徴であること、または金属フッ化物からなる材料によって形成されていること、またはSiNまたはSiO2からなる材料によって形成されているが望ましい。そして、前記放電ガスは、Xeが10%以上の分圧で含まれてなる構成とすることが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、保護層が、共に放電空間を臨み、放電性が高い第一保護領域と不純物吸着防止の機能が高い第二保護領域とを有しており、当該第二保護領域が表示電極対の配設部分の少なくとも一部を覆う構成として不純物の吸着防止がなされている。それにより、従来のように保護層が第一保護領域のみで構成されている場合と比較して、上述のとおり、パネル駆動時には特に表示電極対の配設部分上において耐スパッタ性が低下してしまうため、当該部分上に第二保護領域を設けることで耐スパッタ性を向上させることができる。これにより、PDP製造後における放電空間中の不純物が第一保護領域を変質させることを抑えることができる。
【００１３】
また、第二保護領域が配設されていない部分においては、第一保護領域が放電空間に臨む状態で配設されているので、パネル製造後に第二保護領域を除去しなくても、パネル駆動時における二次電子放出係数を確保することができる。
上記のとおり、PDPに代表されるガス放電表示デバイスの製造工程中だけでなく製造後においても、保護層の耐スパッタ性が劣化することなく、且つ、ガス放電表示デバイスの駆動時における保護層の二次電子放出係数を確保することが可能となる。その結果、保護層としての機能を十分に果たすと共に、ガス放電表示デバイスの寿命劣化が抑制され、かつ黒ノイズや輝度ばらつきの少ないガス放電表示デバイスの実現に繋げることができる。
【００１４】
これは、上述のとおり、第二保護領域を含ませてなる保護層により、MgOからなる第一保護領域が水酸化マグネシウムや炭酸マグネシウムへと変質することが防止され、特に、表示電極対の配設部分上における耐スパッタ性を維持し、且つ、MgOによって高い放電性能を維持できるからである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係るPDPの実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施の形態については、本発明の構成及び作用における特徴を説明するための一例であって、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例1）
（PDPの全体構成）
先ず、AC面放電型PDPの全体構成について図1を用いて説明する。図1は、AC面放電型PDP100の主要部斜視図である。PDP100は、前面パネル10と背面パネル20が、放電空間30を挟んで対向した状態で封着されてなる。
（１）前面パネル10
前面パネル10は、前面基板11と、透明電極13a、13bと、バス電極14a、14bと、誘電体層16と、保護層40aからなる。
【００１６】
前面基板11は、高歪点ガラスあるいはソーダライムガラスからなり、その上に、複数対のITOの透明電極13a、13bがY方向に延びてストライプ状に形成されている。さらに透明電極13a、13b上にY方向に延びるAgのバス電極14a、14bが配設されることで、スキャン電極12a、サステイン電極12bが形成され、一対の表示電極対12が構成されている。このように、抵抗値の高いITOからなる透明電極13a、13b上に金属膜のバス電極14a、14bが配設されることで、スキャン電極12a、サステイン電極12bの抵抗が低減される。なお、透明電極13a、13bの材料には、酸化スズ（SnO）あるいは酸化亜鉛（ZnO）など、バス電極14a、14bの材料にはAgの他、アルミニウムなどからなる金属膜、またはクロム（Cr）/銅（Cu）/クロム（Cr）の積層膜なども適用可能である。
【００１７】
上記電極群を覆うようにして低融点ガラスからなる誘電体層16がスパッタリング法により形成される。当該誘電体層16を覆うようにして保護層40aが形成されている。
保護層40aは、MgOを主成分とする層状の第一保護領域17aと、フッ化マグネシウム（以下、「MgF2」と記す。）を主成分とする層状の第二保護領域18aとからなる保護層40aが形成されている。この保護層40aの構成については後述する。
（２）背面パネル20
背面パネル20は、背面基板21と、データ電極26と、誘電体層23と、隔壁24と、蛍光体層25によってなる。
【００１８】
背面基板21は、高歪点ガラスあるいはソーダライムガラスからなり、その上に、データを書き込むためのデータ電極26がX方向に延びた状態で複数並設されている。
これらのデータ電極26を覆うようにして、誘電体層23がスクリーン印刷法によって背面基板21上に形成されている。
誘電体層23上におけるデータ電極26間の領域には、X方向に延びる隔壁24がストライプ状に形成され、隔壁24間の内側面と隔壁24に挟まれる誘電体層23の表面上には、赤色（R）、緑色（G）、青色（B）の三色からなる蛍光体膜25が塗布されている。当該蛍光体膜25は、例えば次に示すような各色蛍光体を用い、R、G、Bの順に繰り返して形成されている。
【００１９】
R蛍光体；（Y、Gd）BO3：Eu
G蛍光体；Zn2SiO4：Mn
B蛍光体；BaMg2Al14O24：Eu
（３）放電空間30
上記の前面パネル10と背面パネル20が、表示電極対12とデータ電極22とが直交するように対向配置され封着されることで、隣接する2本の隔壁24で区分けされてなる放電空間30が複数形成される。当該放電空間30を真空状態にし、NeとXeからなる放電用の混合ガスが封入されてPDPが完成される。この放電ガスは、多くの紫外線を発し、発光効率を高める目的として、Xeが10%以上の分圧で含まれてなることが望ましい。
【００２０】
上記のように、隔壁24によって放電空間30が区切られることで、誤放電や光学的クロストークが防止される。PDP100には、表示電極対12とデータ電極26が立体交差する箇所に放電セル（不図示）が形成される。そして、PDP100には、複数の放電セルがマトリックス状に配列された状態となっている。上述した構成により、データ電極26と表示電極対12とが交差する領域において、書き込み放電時に、書き込みデータに従って前面パネル10上の保護層40aの表面に壁電荷が形成される。維持放電時に壁電荷の存在領域で維持放電が起こり、発射される紫外線が蛍光体膜25を励起して可視光が発せられる。壁電荷の存在していない領域では維持放電が起こらず黒表示となる。
（保護層40aの構成）
ここでは、上述した保護層40aにおける第一保護領域17aと第二保護領域18aの状態について、図2を用いて説明する。図2(a)は、図1におけるPDP100のXZ平面図であり、図2(b)は、図2(a)におけるDの位置から見たXY平面図である。なお、第一保護領域17aと第二保護領域18aには、便宜上、ハッチングを付している。
【００２１】
図2(a)に示すように、2次電子放出係数、スパッタ耐性が高いMgOからなる第一保護領域17aが誘電体層16の表面全体を覆う状態で形成されている。この第一保護領域17aの放電空間30側（Z方向の負方向側）の表面上には、図2(b)に示されるように第二保護領域18aがY方向に延びて、XY平面視において表示電極対12の配設部分と第二保護領域18aの形成部分が重なるように位置している。この第二保護領域18aはMgF2を主成分としており、MgOと比較すると耐スパッタ性及び2次電子放出係数は低いが、高い撥水性を有しており撥水性不純物吸着の防止機能は高く、水酸化マグネシウムや炭酸マグネシウムなどへ変質することがない。これにより、放電に寄与する部分である表示電極対12の配設部分上においてMgOの変質を防止できる。それと共に、本発明者が判明したように、上記配設部分上のMgOからなる第一放電領域が、パネル駆動時の放電によってダメージを受けることで削られてしまうことも防止することに繋がる。また、表示電極対12を構成しているスキャン電極12aとサステイン電極12b間においては第一保護領域17aが放電空間30に露出しているので、二次電子放出によるPDP100の放電性能の低下を抑制することもできる。従って、上記構成により、保護層40aが第一保護領域17aのみで構成されている場合と比較して、PDP製造工程中だけでなく製造後にわたって、同程度の放電性能を維持しつつ耐スパッタ性を向上させる効果を得ることができる。
【００２２】
なお、これらの領域の厚みは一例として、第一保護領域17aが600ｎｍ、第二保護領域17aが30〜40ｎｍである。ただし、層の厚みはこれに限定するものではなく、保護層としての機能を有することができるものであれば構わない。また、第二保護領域18aはMgF2を主成分とするものとしているが、これに限定するものではなく、他の撥水性の高い材料や疎水性の高い材料からなるものとしても構わない。
【００２３】
本実施の形態においては、表示電極対12が配設されていない部分においては、第一保護領域17aが第二保護領域18aによって被覆されていないが、第一保護領域17aの一部分が放電空間30に露出されていれば、この配設されていない部分にも第二保護領域が形成されていても構わない。
（PDP100の駆動方法）
次に、PDP100の駆動方法について、図3を用いて説明する。図3は、フィールド内時分割階調表示方式をもって、例えば、256階調を表現するために1フィールドを8つのサブフィールドSF1〜SF8に分割する方法を示すものであって、横軸が時間を示し、斜線を引いているところが書き込み期間を示している。なお、図面の添付を省略しているが、PDP100の各電極12a、12b、26には、各々にドライバが接続されており、これらを駆動する回路部が接続されている。これについては、公知のものであり、その説明も省略する。
【００２４】
図3に示すように、本実施の形態に係るPDP100の駆動方法では、1フィールドを8つのサブフィールドSF1〜SF8に分割し、各サブフィールドの輝度相体比率が1：2：4：8：16：32：64：128となるように維持パルス数が設定されている。そして、各サブフィールドSF1〜SF8の点灯/非点灯を表示輝度のデータに従って制御することにより、8つのサブフィールドの組み合わせをもって256階調が表示可能になっている。なお、本実施の形態においては、256階調で制御するものであるが、本発明は、これに限定を受けるものではない。
【００２５】
各サブフィールドは、一定の時間を割り当てられた初期化期間T1と、書き込み期間T2と、輝度の相対比率に応じた長さの時間で設定された維持期間T3とから構成されている。例えば、本実施の形態に係るPDP100の表示駆動を行う際には、まず、初期化期間T1において、PDP100の全放電セルにおいて初期化放電を発生させ、これによって当該サブフレームよりも前のサブフレームに行われた放電による影響の除去や放電特性のバラツキを吸収するための初期化が実施される。
【００２６】
各電極12a、12b、26の各々には、各期間T1〜T3毎に波形が設定された各電圧パルス1001、1002、1003が印加される。
書き込み期間T2において、サブフィールドデータに基づいて、スキャン電極12aを1ライン毎に順にスキャンし、当該サブフィールドで維持放電させたい放電セルに対して、スキャン12aとデータ電極26との間で微小な放電（アドレス放電）を発生させる。このようにスキャン電極12aとデータ電極12bとの間で微小な放電を生じた放電セルでは、前面パネル10の保護層40aの表面に壁電荷が蓄えられる。
【００２７】
その後、維持期間T3において、全放電セルのサステイン電極12b及びスキャン電極12aに対し、交流波形を有する電圧パルス1001、1002が印加されることで、書き込み期間T2で書き込みが行われた放電セルで維持放電が発生する。ここで、維持期間T3における電圧パルス1001、1002は互いに同一の周期を有し、且つ、その位相が半周期ずれた状態となっている。また、PDP100における放電開始電圧については、従来のPDPよりも低い約125Vになっている。
【００２８】
なお、維持期間T3において、データ電極12aに印加の電圧パルスは、ゼロ電位に設定されており、データ電極26に対して、所謂、細線パルスを印加することにしても良い。
（保護層40aの形成方法）
以下では、PDP100の製造方法の内でも、本実施の形態で特徴を有する部分である保護層40aの形成方法について図4を用いて説明する。
【００２９】
図4に示すように、先ず、一方の主面上に表示電極対12が形成され、その表面を被覆する状態に鉛系の低融点ガラスからなる誘電体層16が形成された前面基板11を準備する。この前面基板11の誘電体層16の表面全体にわたってMgOからなる第一保護領域17aを形成した後に、この第一保護領域17aに沿ってメタルマスク2001を配置する。メタルマスク2001には、第二保護領域18aの形成部に相当する部分に窓2001hが設けられている。
【００３０】
電子ビーム蒸着装置内で、所定の流量の不純物水素ガスを導入したAr/H2ガス雰囲気中で、MgF2材料ターゲットに電子ビームを照射蒸着し、メタルマスク2001の窓部2001hを通して、所定の領域に第二保護領域物質を蒸着させる。
図4に示すように、以上の過程を経ることで、第一保護領域17aと第二保護領域18aからなる保護層40aを形成することができる。
【００３１】
なお、上記保護層40aの形成方法において、メタルマスク2001を用いて、第二保護領域18aを第一保護領域17a上に形成したが、本発明はこの方法に限定するものではなく、フォトリソ法、CVD法、スパッタリング法、あるいはこれらを組み合わせて用いても構わない。
（実施例2）
上記実施の形態における（実施例1）とは異なるPDP100について、図5を用いて説明する。ただし、（実施例1）と異なる箇所は保護層40bの構成部分のみであり、それ以外の箇所については説明を省略する。図5(a)はPDP100のXZ断面図であり、図5(b)は、図5(a)における点Dの位置から見たXY平面図である。
（保護層40bの構成）
MgF2からなる第二保護領域18bは、MgOからなる第一保護領域17b上における表示電極対12が配設される部分上に形成されるが、（実施例1）とは異なり、図5(a)及び図5(b)に示すように、表示電極対12の配設部分上において、Y方向に延びると共にX方向にストライプ状に形成されている。従って、第一誘電体層17bは、表示電極対12の配設部分上においても放電空間30に露出する領域180bを複数有している。これらの露出領域180bは、図5(a)の拡大図に示されるように、XZ断面上において幅Wと高さTを有している。なお、これら幅Wと高さTの値は特に限定されるものではなく、表示電極対12における維持放電によるスパッタ角a（図5(a)拡大図参照）が60度近傍とならない状態であれば構わない。それと共に、複数の幅Wと高さTの値は露出領域の存在箇所毎にその値が異なっていても構わない。これは、MgOからなる第一保護領域17bにおいて維持放電によるスパッタ角に対するスパッタレートを示す図6から明らかなように、横軸に表現するスパッタ角が60度近傍であれば、縦軸に表現するスパッタレートが極めて大きくなってしまうことに起因する。
【００３２】
上述したように表示電極対12の配設部分の一部分において第一保護領域17bであるMgOが放電空間30に露出していることにより、二次電子放出係数がさらに高まることとなる。
以上、本実施例の場合においても、放電に寄与する部分である表示電極対12の配設部分上においてMgOの変質を防止することに繋がり、PDPの長寿命化に大きく貢献するものである。
（実施例3）
上記実施の形態における（実施例1）、（実施例2）とは異なるPDP100について、図7を用いて説明する。ただし、異なる箇所は保護層40cの構成部分と形成方法であり、それ以外の箇所については説明を省略する。図7はPDP100のXZ断面図であり、点Dの位置から見たXY平面図は図2(b)と同一となるため省略する。
（保護層40cの構成）
本実施例では、誘電体層16を覆うようにMgOからなる第一保護領域17cと、MgF2からなる第二保護領域18cとからなる保護層40cが形成されている。ただし、（実施例1）及び（実施例2）と異なり、第一保護領域17cは、表示電極対12の配設部分においてその厚み方向（Z方向の正方向側）に凹入部を有しており、上記凹入部には第二保護領域18cが形成されている。
【００３３】
本実施例も、表示電極対12の配設部分に、第二保護領域18cが第一保護領域17cを覆うようにして形成されており保護層40cとしての機能を十分果たすと共に、PDPの長寿命化に大きく貢献する構成となっている。
（保護層40cの形成方法）
以下では、保護層40cの形成方法について図9を用いて説明する。
【００３４】
（実施例1）と同様に、前面基板11の誘電体層16の表面全体にわたってMgOからなる第一保護領域17c1を形成した後に、この第一保護領域17c1に沿ってメタルマスク3001を配置する。メタルマスク3001には、第二保護領域18aの形成部に相当する部分以外に窓3001hが設けられている。
メタルマスク3001を配した前面基板11を電子ビーム蒸着装置内にセットし、Arガス中で高純度のMgO材料ターゲットに電子ビームを照射蒸着し、窓3001hを通して第一保護領域17c1の上にさらに第一保護領域物質を蒸着させる。このとき、蒸着条件としては、第一保護領域17cの厚みが約600ｎｍとなるものとする。
【００３５】
次に、図9(b)に示すように、所要のパターンをもって第一保護領域17cが形成された前面基板11に対し、その第一保護領域17cが形成された側にメタルマスク4001を沿わせて配する。メタルマスク4001には、形成しようとする第二保護領域18cのパターンに対応する窓部4001hが設けられている。そして、電子ビーム蒸着装置内で、所定の流量の不純物水素ガスを導入したAr/H2ガス雰囲気中で、MgF2材料ターゲットに電子ビームを照射蒸着し、メタルマスク4001の窓部4001hを通して、所定の領域に第二保護領域物質を蒸着させる。
【００３６】
図9に示すように、以上の過程を経ることで、第一保護領域17ｃと第二保護領域18ｃからなる保護層40ｃを形成することができる。
なお、上記保護層40ｃの形成方法において、メタルマスク3001、4001を用いて保護層40cを形成したが、本発明はこの方法に限定するものではなく、フォトリソ法、CVD法、スパッタリング法、あるいはこれらを組み合わせて用いても構わない。
（実施例4）
上記実施の形態における（実施例1）〜（実施例3）とは異なるPDP100について、図8を用いて説明する。ただし、異なる箇所は保護層40dの構成部分であり、それ以外の箇所については説明を省略する。図8はPDP100のXZ断面図であり、点Dの位置から見たXY平面図は図2(b)と同一となるため省略する。
（保護層40dの構成）
本実施例も、誘電体層16を覆うようにMgOからなる第一保護領域17dと、MgF2からなる第二保護領域18dとからなる保護層40dが形成されている。ただし、第一保護領域17dは、表示電極対12の配設部分間に介在しており、当該配設領域には第二保護領域18dが形成されている。
【００３７】
本実施例では、表示電極対12の配設部分にMgOからなる層が形成されていないが、MgF2からなる第二保護領域18dが形成されているため、二次電子放出係数の大きな低下には繋がらない。また、不純物吸着防止機能が高いため、放電に寄与する上記配設部分において保護層40dとしての機能低下を招くことを防止することができる。そのため、上述した実施例と同様に、PDP100の長寿命化に役立てることができる。
（その他の事項）
上記実施の形態については、本発明の特徴を説明するために一例として用いたものであり、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、上記図3の駆動方法では、維持期間T3におけるデータ電極26には電圧パルスを印加しないこととしたが、所謂、維持データパルスを印加してもよい。
【００３８】
上記実施の形態では、背面パネル20の隔壁24をストライプ状としたが、井桁状としても良く、また隣り合う放電セル間にプライミング放電用のサブセルを設けることとしても良い。
また、本実施の形態では表示電極対12の配設部分上に第二保護領域が位置する構成となっているが、少なくとも当該配設部分上を覆う範囲内に第二保護領域が形成されていれば、表示電極対12の配設部分外であっても構わない。ただし、その際に第一保護領域の少なくとも一部が放電空間30に露出されている構成であることが望ましい。
【００３９】
放電ガスも、Xeが10%以上の分圧で含まれてなるものに限定するのではなく、多くの紫外線を発し、PDP100の発光効率の高効率化を図るものであれば他の構成でも構わない。
上記実施の形態では、前面パネル10と背面パネル20とを張り合わせることで密閉容器を形成したが、必ずしも2枚のパネルを張り合わせて形成したPDPのみを対象とするものではない。例えば、チューブ状の密閉容器をもって複数の放電セルを形成するような構成とすることも出来る。
【００４０】
第一保護領域、第二保護領域の厚みに関しても、本実施の形態に記載されているものだけに限定されず、第一保護領域は600ｎｍ以上2,000ｎｍ以上、第二保護領域は30ｎｍ以上600ｎｍ以下であれば構わない。そして、第一保護領域の材料もMgOだけに限定されずに同様の効果を得ることが出来るものであれば構わない。第二保護領域の材料に関しても可視光を透過できる材料、撥水性を有する金属フッ化物からなる材料、疎水性を有するSiNやSiO2などからなる材料によって形成されていても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、PDP製造工程中及び製造後にも安定した保護層を提供することができるので、耐久性の大きなPDP表示装置の実現に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施の形態に係るAC面放電型PDPを示す分解斜視図である。
【図２】(a)は実施例1におけるPDP100のXZ断面図であり、(b)は(a)における点Dからみた平面図である。
【図３】PDP100の駆動時において、各電極12a、12b、26に対し印加されるパルス図である。
【図４】実施例1におけるPDP100の製造工程の内、前面パネル10の保護層40aの形成に形成に係る工程を示す工程図である。
【図５】(a)は実施例2におけるPDP100のXZ断面図であり、(b)は(a)における点Dからみた平面図である。
【図６】第一保護領域17bへのスパッタ角とスパッタレートの関係を示すグラフである。
【図７】実施例3におけるPDP100のXZ断面図である。
【図８】実施例4におけるPDP100のXZ断面図である。
【図９】実施例3におけるPDP100の製造工程の内、前面パネル10の保護層40aの形成に形成に係る工程を示す工程図である。
【符号の説明】
【００４３】
10    前面パネル
11    前面ガラス基板
12    表示電極対
12a    スキャン電極
13a    サステイン電極
16    誘電体層
17a  第一保護領域
18a  第二保護領域
13a、13b  透明電極
14a、14b  金属バス電極
20    背面パネル
21    背面ガラス基板
23    誘電体層
24    隔壁
25    蛍光体膜
26    データ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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