(57)【要約】【課題】  薄膜Ｓｉ太陽電池の効率を向上させる。【解決手段】  裏面電極と、裏面電極の表面側に設けられた透明導電膜との間に、透明導電膜よりも屈折率が小さい材質からなる屈折率調整層を挿入する。例えば透明導電膜がＧＺＯであるとき、Ａｇよりなる裏面電極との間にＳｉＯ２を挿入する。その結果、裏面電極に浸透し吸収される光が減少し、裏面電極における光の反射率が改善される。【選択図】図１
2006120737.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板と、
前記透光性基板の主面側に形成され、受光した光を電力に変換する光電変換層と、
前記主面側に形成され、該光電変換素子に外光が入射する側と反対側に形成された裏面電極層と、
前記光電変換層と前記裏面電極層との間に形成され、前記裏面電極層に近い側において前記裏面電極層から遠い側よりも屈折率が小さい透明層
とを具備する
光電変換素子。
【請求項２】
請求項１に記載された光電変換素子であって、
前記透明層は、
上部透明層と、
前記上部透明層と前記裏面電極層との間に設けられ、前記上部透明層よりも屈折率が小さい屈折率調整層
とを具備する
光電変換素子。
【請求項３】
請求項２に記載された光電変換素子であって、
前記上部透明層はＺｎＯ、ＩＴＯ、又はＳｎＯ２のうちのいずれかを含み、
前記ＺｎＯには、Ｇａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂのうちのいずれかがドーピングされている
光電変換素子。
【請求項４】
請求項２又は３のうちのいずれか１項に記載された光電変換素子であって、
前記屈折率調整層はＳｉＯ２、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ガラス、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣａＦ２、ＬｉＦ、空孔のうちのいずれかを含む
光電変換素子。
【請求項５】
請求項４に記載された光電変換素子であって、
前記屈折率調整層は、第１材料と第２材料との混合相を含み、
前記第１材料は、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ガラス、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣａＦ２、及びＬｉＦのうちから選択され、
前記第２材料は、ＺｎＯ、ＩＴＯ、及びＳｎＯ２のうちから選択され、前記ＺｎＯにはＧａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂのうちのいずれかがドーピングされている
光電変換素子。
【請求項６】
請求項２から５のうちのいずれか１項に記載された光電変換素子であって、
前記裏面電極層はＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕのいずれかを含む
光電変換素子。
【請求項７】
請求項２から６のうちのいずれか１項に記載された光電変換素子であって、
前記屈折率調整層は、厚さが２ナノメートル以上である
光電変換素子。
【請求項８】
請求項１から７のうちのいずれか１項に記載された光電変換素子であって、
前記透明層は３層以上の層構造をしており、
前記層構造のなかの任意の層である上側透明層の屈折率は、前記上側透明層と前記裏面電極層との間の任意の層である下側透明層の屈折率よりも大きい
光電変換素子。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項に記載された光電変換素子であって、
前記光電変換層は多結晶質シリコンを含み、
更に、前記光電変換層に対して前記裏面電極層の反対側に、アモルファスシリコンを含む光起電力層を含む
光電変換素子。
【請求項１０】
請求項９に記載された光電変換素子であって、
前記光電変換層はシリコンとシリコン以外のＩＶ族元素との合金を含む
光電変換素子。
【請求項１１】
請求項９または１０のうちのいずれか１項に記載された光電変換素子であって、
更に、前記光電変換層と前記光起電力層との間に、多結晶質シリコンを含む第２光電変換層を含む
光電変換素子。
【請求項１２】
請求項１１に記載された光電変換素子であって、
前記第２光電変換層はシリコンとシリコン以外のＩＶ族元素との合金を含む
光電変換素子。
【請求項１３】
請求項１から７のうちのいずれか１項に記載された光電変換素子であって、
不透光性基板と、
前記不透光性基板の主面側に形成された裏面電極層と、
前記主面側に形成され、受光した光を電力に変換する光電変換層と、
前記主面側に形成された透明電極層と、入射光は前記透明電極層の側から取り入れられ、
該光電変換素子に外光が入射する側と反対側に形成された裏面電極層と前記光電変換層との間に形成され、前記裏面電極層に近い側において前記裏面電極層から遠い側よりも屈折率が小さい透明層
とを具備する
光電変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換素子の効率を高くする技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、光入射面の反対側に設けられた裏面電極と半導体からなる光電変換層との間に、透明導電層を有する光起電力素子において、該透明導電層に導電率を変化させる元素を含有させ、該元素の添加量が膜厚方向で変化していることを特徴とする光起電力素子が開示されている。この特許文献の［００２３］から［００２４］には、次の記載がある。
【０００３】
「また前記元素の添加量を前記半導体層との界面に近づくにつれた少なくともある膜厚の範囲にわたって単調に減少させることによって、光起電力素子の長波長感度が増大し、短絡電流が増大して、光電変換効率が上昇した。
【０００４】
この効果については、前記元素の添加量を前記裏面電極との界面に近づくにつれて単調に減少させることによって、前記導電性酸化物の屈折率が前記裏面電極との界面に近づくにつれて単調に減少し、透明電極層と半導体層の界面での反射が減少して、半導体層への長波長光の入射が増大したものと考えられる。」
【０００５】
特許文献２には、光入射面の反対側に形成された光反射性の裏面電極と、一導電型を示す半導体層との間に、複数の元素の化合物からなる透明導電層を有する光起電力素子において、前記透明導電層を形成する化合物は導電性酸化物であり、該導電性酸化物の酸素の組成比が膜厚方向において連続的に変化する領域を含むことを特徴とする光起電力素子が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平５−１１０１２５号公報
【特許文献２】特許第２８４６５０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、薄膜Ｓｉ太陽電池（光電変換素子）を高効率化することである。
本発明の目的をより詳細に述べると、上記目的を達成するために、裏面電極層に侵入し吸収される電磁波を低減することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【０００９】
本発明による光電変換素子は、透光性基板（１）と、透光性基板（１）の主面側に形成され、受光した光を電力に変換する光電変換層（７）と、主面側に形成され、該光電変換素子に外光が入射する側と反対側に形成された裏面電極層（２）と、光電変換層（７）と裏面電極層（２）との間に形成され、裏面電極層（２）に近い側において裏面電極層（２）から遠い側よりも屈折率が小さい透明層（８、９）とを備えている。
【００１０】
本発明による光電変換素子において、透明層（８、９）は、上部透明層（８）と、上部透明層（８）と裏面電極層（２）との間に設けられ、上部透明層（８）よりも屈折率が小さい屈折率調整層（９）とを備えている。
【００１１】
本発明による光電変換素子において、上部透明層（８）はＺｎＯ、ＩＴＯ、又はＳｎＯ２のうちのいずれかを含んでいる。ＺｎＯには、Ｇａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂのうちのいずれかがドーピングされている。
【００１２】
本発明による光電変換素子において、屈折率調整層（９）はＳｉＯ２、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ガラス、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣａＦ２、ＬｉＦ、空孔のうちのいずれかを含む。
【００１３】
本発明による光電変換素子において、屈折率調整層（９）は、第１材料と第２材料との混合相を含んでいる。第１材料は、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ガラス、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣａＦ２、及びＬｉＦのうちから選択される。第２材料は、ＺｎＯ、ＩＴＯ、及びＳｎＯ２のうちから選択される。ＺｎＯにはＧａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂのうちのいずれかがドーピングされている。
【００１４】
本発明による光電変換素子において、裏面電極層（２）はＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕのいずれかを含む。
【００１５】
本発明による光電変換素子において、屈折率調整層（９）は、厚さが２ナノメートル以上である。より好ましくは、厚さが１０ナノメートル以上である。
【００１６】
本発明による光電変換素子において、透明層（８、９）は３層以上の層構造をしている。層構造のなかの任意の層である上側透明層の屈折率は、上側透明層と裏面電極層との間の任意の層である下側透明層の屈折率よりも大きい。
【００１７】
本発明による光電変換素子において、光電変換層（７）は多結晶質シリコンを含んでいる。本発明による光電変換素子は更に、光電変換層（７）に対して裏面電極層（２）の反対側に、アモルファスシリコンを含む光起電力層（５）を含んでいる。
【００１８】
本発明による光電変換素子において、光電変換層（７）はシリコンとシリコン以外のＩＶ族元素（例示：Ｇｅ）との合金を含む。
【００１９】
本発明による光電変換素子は、光電変換層（７）と光起電力層（５）との間に、多結晶質シリコンを含む第２光電変換層（１０）を含む。
【００２０】
本発明による光電変換素子において、第２光電変換層（１０）はシリコンとシリコン以外のＩＶ族元素（例示：Ｇｅ）との合金を含む。
【００２１】
本発明による光電変換素子は、不透光性基板と、不透光性基板の主面側に形成された裏面電極層と、主面側に形成され、受光した光を電力に変換する光電変換層と、主面側に形成された透明電極層とを備えている。入射光は透明電極層の側から取り入れられる。本発明による光電変換素子は更に、該光電変換素子に外光が入射する側と反対側に形成された裏面電極層と光電変換層との間に形成され、裏面電極層に近い側において裏面電極層から遠い側よりも屈折率が小さい透明層とを備えている。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、薄膜Ｓｉ太陽電池（光電変換素子）が高効率化される。
より詳細には、本発明によれば、上記目的を達成するために、裏面電極層に侵入し吸収される電磁波が低減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【００２４】
図１を参照すると、光電変換素子の断面図が示されている。光電変換素子は、光入射側のガラス基板１と裏面不透明電極２との間に、多層の発電層３が形成されている。発電層３は、第１透明（光透過性）導電膜４と、トップセル層５と、中間層６と、ボトムセル層７と、第２透明導電膜８と、屈折率調整層９の６層の積層構造として形成されている。第１透明導電膜４は、ガラス基板１の裏面側に接合している。トップセル層５は、第１透明導電膜４の裏面側に接合している。中間層６は、トップセル層５の裏面側に接合している。ボトムセル層７は、中間層６の裏面側に接合している。第２透明導電膜８は、ボトムセル層７の裏面側に接合している。屈折率調整層９は、第２透明導電膜８の裏面側に接合している。裏面不透明電極２は、屈折率調整層９の裏面側に接合している。
【００２５】
図２を参照すると、ボトムセル層７、第２透明導電膜８、屈折率調整層９、及び裏面不透明電極２の部分を拡大した断面図が示されている。光電変換素子の裏面不透明電極２の付近の層の材質は、本実施の形態では、ボトムセル層７がｃ−Ｓｉ若しくはμｃ−Ｓｉ（微結晶シリコン）、第２透明導電膜８がＧａドープＺｎＯ（ＧＺＯ）、裏面不透明電極２がＡｇである。本発明においては第２透明導電層膜８と裏面不透明電極２との間に屈折率調整層９が存在している。屈折率調整層９の材質Ｘに関しては後述する。
【００２６】
屈折率調整層９が存在しない場合、太陽電池（光電変換素子）の裏面電極付近の層構造は例えば、Ｓｉ発電膜／ＧＺＯ／Ａｇである。平滑なガラス基板に成膜したＧＺＯ／Ａｇ膜の長波長域における光学反射率は充分に高い（Ｒ＝９５％以上）。すなわちＧＺＯ膜とＡｇ界面における明瞭な吸収損失は認められない。ガラス基板上の裏面電極の反射率計測はほぼ垂直入射条件である。この場合、偏光依存性は生じない。
【００２７】
一方、斜め入射の場合、ｓ偏光とｐ偏光と呼ばれる二つの偏光状態について反射特性を考慮する必要がある。特に、ｐ偏光に関しては、ブリュースタ角や誘電体／金属界面における表面プラズモンなどｓ偏光が有しない現象が知られている。
【００２８】
金属の反射率は、理想金属ではＲ＝１００％であるが、Ａｇなどの実在する金属は９８％程度が最高である。誘電体／金属の界面で光は反射されるが、実際には、金属側に僅かに電界が侵入している。侵入の深さは数１０ｎｍのオーダーである。侵入の深さは、誘電体の光学定数（屈折率ｎ）と金属の光学定数（ｎ，ｋ）、入射する電磁波の波長λ、入射角θで決まる。金属中に侵入した光の電界強度は界面からの深さに対して指数関数的に減衰する。したがって、誘電体／金属界面の反射における吸収損は電界の侵入深さで決まると考えてよい。
【００２９】
本発明の発明者は、屈折率調整層９の材質を変えて、Ａｇの層内部におけるｐ偏光成分の電界強度分布を計算した。計算には、屈折率調整層９の材質Ｘとして、ＧＺＯより屈折率が高い物質の代表としてＴｉＯ２、及びＧＺＯより屈折率が低い物質の代表としてＳｉＯ２を用いた。
【００３０】
Ａｇの膜厚は充分にバルクと見なせる８０ｎｍとした。Ａｇの裏面側の空気と、ボトムセル層７のｃ−Ｓｉは半無限媒質とした。ｃ−ＳｉからＧＺＯ界面に対して入射する入射光の入射角はθとする。ＧＺＯ／Ａｇ界面に挿入される媒質Ｘの厚みはｄとする。媒質ＸとＧＺＯの厚みの和は８０ｎｍとした。計算にはサイバネット社のＯＰＴＡＳ−ＦＩＬＭを使用した。Ａｇ層における電界強度の二乗（Ｅ＊Ｅ）を求め、マイクロソフト社のエクセルを使用して電界強度の積分値（＝Ａｇにおける吸収損に比例した量）を求め、グラフ化した。本計算は、薄膜多重干渉効果を考慮した平膜計算である。
【００３１】
以下、図３乃至図６を用いて計算の結果について述べる。以下の説明において「現状の構造」というのは、屈折率調整層９が存在しない構造のことを示す。
【００３２】
図３を参照すると、現状の構造、ＴｉＯ２挿入構造、ＳｉＯ２挿入構造における電界強度分布の計算結果が示されている。入射角５０°、計算波長８００ｎｍ、挿入媒質の膜厚は３０ｎｍの計算結果である。この結果から、ＧＺＯに対して、相対的に屈折率が高い媒質が挿入されると、電界強度分布が深くかつ大きくなり、Ａｇ層での吸収損が大きくなる（すなわち反射率が低下する）。逆に屈折率が低い媒質が挿入されると、Ａｇ層での吸収損を現状の構造よりも低減できることが分かる。
【００３３】
図４を参照すると、積分電界強度の計算結果がグラフに示されている。挿入媒質の膜厚が３０ｎｍ、計算波長８００ｎｍの計算結果である。３０°から４０°に認められるピークは、表面プラズモン共鳴による吸収増大と推定される。入射角６５°を越えると、積分電界強度が急峻に低下する。これはＳｉ／ＧＺＯ界面の全反射と推定される。
【００３４】
表面プラズモン共鳴現象は、平滑性と入射角が厳密に満たされないと充分に観測されないので、実際の（波長オーダーの凹凸を有する形状の）裏面電極ではシャープな吸収特性は出難いと推定される。そこで、仮定ではあるが、３０°から４０°のピークを無視して図４を見ると、４５°から６５°の入射角範囲において、積分電界強度レベルが屈折率調整層９の材質Ｘの屈折率に応じて変化していると解釈できる。すなわち、ＧＺＯ／Ａｇ界面にＧＺＯより屈折率の低い媒質を挿入することにより、Ａｇによる吸収損を低減できる可能性があるといえる。
【００３５】
図５を参照すると、積分電界強度の、挿入媒質の膜厚に対する依存性が示されている。入射角５０°、計算波長８００ｎｍでの計算結果である。膜厚がゼロのプロットは、現状の構造ＧＺＯ／Ａｇであり、膜厚８０ｎｍのプロットは、Ｓｉ／挿入媒質Ｘ／Ａｇの構造を示す。ＳｉＯ２の挿入により積分電界強度を低下できることが示されている。ＳｉＯ２の膜厚が厚いほどＡｇ層に侵入する積分電界強度が低下する傾向にある。
【００３６】
図６を参照すると、図５と同じ条件でＳｉＯ２が挿入された場合の積分電界強度の、挿入媒質の膜厚に対する依存性が、特に膜厚が薄い場合について詳細に示されている。この結果によれば、わずか２ｎｍ程度の膜厚でも、Ａｇ層に侵入する積分電界強度が低下している。これはセル化に有利な結果である。
【００３７】
次に、タンデムセル構造を備えた光電変換素子における屈折率調整層の効果の計算について述べる。
【００３８】
図７を参照すると、タンデムセル構造を備えた光電変換素子の断面図が示されている。ガラス基板１ａの裏面側には、第１透明導電膜４ａが成層されている。第１透明導電膜４ａの裏面側には、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）からなるトップセル層５ａが成層されている。トップセル層５ａの裏面側には、μｃ−Ｓｉ（微結晶シリコン）からなるボトムセル層７ａが成層されている。ボトムセル層７ａの裏面側には、第２透明導電膜８ａが成層されている。第２透明導電膜８ａの裏面側には、屈折率調整層９ａが成層されている。屈折率調整層９ａの裏面側には、裏面不透明電極２ａが成層されている。ガラス基板１ａの裏面側に積層された各層の接合面は、テクスチャ構造面として形成されている。
【００３９】
図８を参照すると、計算に用いたタンデムセルの層構造が示されている。この層構造は、図７に示された層構造と同じである。計算には、電磁波解析（ＦＤＴＤ法）を用いた。テクスチャ構造の凹凸の１周期分が取り出され、その左端と右端が同じとなる周期的境界条件で計算を行った。テクスチャ構造の凹凸は、ガラス基板（図８には図示されていない）に平行な面から３０°の凹凸とした。テクスチャ構造の凹凸の１周期分の幅（ピッチ）としては、後述するように様々な条件を指定した。ガラス基板の厚さは半無限とした。
【００４０】
図９を参照すると、ａ−Ｓｉよりなるトップセル層５ａのｐ偏光成分により発生する短絡電流に対する屈折率調整層９ａの屈折率依存性が示されている。ＧＺＯよりなる第２透明導電膜の膜厚は４０ｎｍ、屈折率調整層９ａの厚さは４０ｎｍである。ピッチが０．２μｍで、屈折率調整層９ａの屈折率がＧＺＯと同じ（ｎ≒１．８８）場合の短絡電流が基準として１００％に取られている。ピッチが０．２μｍ、０．６μｍ、１．０μｍ、及び２．０μｍのいずれの場合も、屈折率調整層９ａの屈折率が小さい場合に短絡電流が大きくなっていることが見て取れる。
【００４１】
図１０を参照すると、μｃ−Ｓｉよりなるボトムセル層７ａのｐ偏光成分により発生する短絡電流に対する屈折率調整層の９ａの屈折率依存性が示されている。ＧＺＯよりなる第２透明導電膜の膜厚は４０ｎｍ、屈折率調整層９ａの厚さは４０ｎｍである。ピッチが０．２μｍで、屈折率調整層９ａの屈折率がＧＺＯと同じ（ｎ≒１．８８）場合の短絡電流が基準として１００％に取られている。図９に示されたトップセル層５ａの場合と同じく、ピッチが０．２μｍ、０．６μｍ、１．０μｍ、及び２．０μｍのいずれの場合も、屈折率調整層９ａの屈折率が小さい場合に短絡電流が大きくなっていることが見て取れる。
【００４２】
図１１を参照すると、μｃ−Ｓｉよりなるボトムセル層７ａで発生する短絡電流に対する屈折率調整層９ａの屈折率・膜厚依存性が示されている。入射光としては、ｐ偏光成分とｓ偏光成分との平均がとられている。ＧＺＯよりなる第２透明導電膜８ａの膜厚と屈折率調整層９ａの厚さとの和は８０ｎｍとした。ピッチは０．６μｍである。屈折率調整層９ａの屈折率がＧＺＯと同じ（ｎ≒１．８８）場合の短絡電流が基準として１００％に取られている。屈折率調整層９ａの膜厚が２０ｎｍ、３０ｎｍ、及び４０ｎｍのいずれの場合も、屈折率調整層９ａの屈折率がＧＺＯよりも小さい場合に短絡電流が大きくなっていることが見て取れる。
【００４３】
図３、図４、図５、図６、図９、図１０、及び図１１に示された計算結果から、第２透明導電膜８、８ａと裏面不透明電極２、２ａとの間に第２透明導電膜８、８ａよりも屈折率が小さい材質からなる層が挿入されることにより、裏面不透明電極２、２ａに侵入し吸収される電界の強度が抑制され、その結果、発電効率が上昇することが示されている。
【００４４】
［特許文献１］により開示されている効果が透明導電層と半導体層との界面での反射の減少によって得られるものであるのに対し、本発明は裏面電極の金属層で吸収される電磁波が低減されることによって発電効率が向上するものであり、原理が異なる。
【００４５】
図１２を参照すると、本発明の他の実施の形態が示されている。図１２を参照すると、ガラス基板１、第１透明導電層４、トップセル層５、ミドルセル層１０、ボトムセル層７、第２透明導電層８、屈折率調整層９、裏面不透明電極２が順次に積層されている。トップセル層５はアモルファスシリコンを含む光電変換層、ミドルセル層１０は多結晶シリコン（微結晶シリコンの場合も含める）を含む光電変換層、ボトムセル層７は多結晶シリコン（微結晶シリコンの場合も含める）を含む光電変換層である。本発明による、屈折率が第２透明導電層８よりも小さい屈折率調整層９を第２透明導電層８と裏面不透明電極２との間に形成する構造は、こうしたトリプル型の光電変換素子にも好適に用いられる。
【００４６】
本発明は、上述の構造以外の様々な構造の薄膜太陽電池にも適用可能である。例えば、不透光性基板上に、裏面不透明電極、裏面屈折率調整層、裏面透明導電層、光電変換層、透明電極の順に積層された薄膜太陽電池にも適用されることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、光電変換素子の断面図である。
【図２】図２は、光電変換素子の裏面不透明電極の付近の断面図である。
【図３】図３は、屈折率調整層の材質を変えたときのＡｇに侵入する電界強度の計算結果を示す。
【図４】図４は、積分電界強度の計算結果である。
【図５】図５は、積分電界強度の、挿入媒質の膜厚に対する依存性を示す。
【図６】図６は、積分電界強度の、挿入されるＳｉＯ２の膜厚に対する依存性を示す。
【図７】図７は、タンデムセル構造を備えた光電変換素子の断面図である。
【図８】図８は、計算に用いたタンデムセルの層構造を示す。
【図９】図９は、トップセル層がｐ偏光成分により発生する短絡電流に対する屈折率調整層の屈折率依存性を示す。
【図１０】図１０は、ボトムセル層がｐ偏光成分により発生する短絡電流に対する屈折率調整層の屈折率依存性を示す。
【図１１】図１１は、ボトムセル層が発生する短絡電流に対する屈折率調整層の屈折率・膜厚依存性を示す。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態によるトリプル型の光電変換素子の断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１…ガラス基板
２…裏面不透明電極
３…発電層
４…第１透明導電膜
５…トップセル層
６…中間層
７…ボトムセル層
８…第２透明導電膜
９…屈折率調整層
１０…ミドルセル層
【図１】
2006120737.tif 000003
【図２】
2006120737.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006120737.tif 000006
【図５】
2006120737.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006120737.tif 000009
【図８】
2006120737.tif 000010
【図９】
2006120737.tif 000011
【図１０】
2006120737.tif 000012
【図１１】
2006120737.tif 000013
【図１２】
2006120737.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月18日(2005.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2006120737.tif 000015