(57)【要約】【課題】  電気光学装置において、高品質な画像表示を行う。【解決手段】  Ｎ個のシリアル−パラレル変換された画像信号が供給されるＮ本の画像信号線と、Ｎ本の画像信号線のうち対応する一本に夫々接続される複数の分岐配線と、該複数の分岐配線の夫々供給される画像信号を、サンプリング信号に応じてデータ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路と、サンプリング信号を順次供給するデータ線駆動回路とを備えており、複数の分岐配線及びＮ本の画像信号線のうち一方の複数の配線は、該一方の複数の配線の配線抵抗同士が相互に近付くように形成された上下シフト部分を含む。【選択図】  図７
2006064928.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の画像表示領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、
前記走査線及び前記データ線に夫々電気的に接続された複数の画素電極と、
前記複数のデータ線を、Ｎ本の前記データ線を１群とするデータ線群毎に駆動するためにＮ（但し、Ｎは２以上の自然数）個のシリアル−パラレル変換された画像信号が供給されるＮ本の画像信号線と、
該Ｎ本の画像信号線と、層間絶縁層によって層間絶縁されつつ該Ｎ本の画像信号線の配線方向に交差して形成されると共に、前記複数のデータ線の配列に対応して複数配列されており、前記Ｎ本の画像信号線のうち対応する一本に夫々接続される複数の分岐配線と、
該複数の分岐配線から夫々供給される前記画像信号を、サンプリング信号に応じて前記データ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路と、
前記データ線群に対応する前記サンプリングスイッチ毎に、前記サンプリング信号を順次供給するデータ線駆動回路と
を備えており、
前記複数の分岐配線及び前記Ｎ本の画像信号線のうち一方の複数の配線は、該一方の複数の配線の配線抵抗同士が相互に近付くように、該一方の複数の配線が延びる配線方向に沿って伸び、且つ前記基板に垂直な方向の断面内で部分的に上下方向位置が異なる上下シフト部分を含むこと
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記上下シフト部分は、前記層間絶縁層と同一又は異なる前記上下シフト部分の下地となる下地絶縁層の表面における前記断面内での凹凸によって、上下に蛇行することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記一方の複数の配線は、前記複数の分岐配線及び前記Ｎ本の画像信号線のうち他方の複数の配線の上層側に配線されており、
前記層間絶縁層の表面における前記凹凸は、前記下地絶縁層の下層側にある、前記他方の複数の配線と同一層の存否に応じて形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記下地絶縁層に形成された溝により、前記凹凸が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記一方の複数の配線は、前記複数の分岐配線及び前記Ｎ本の画像信号線のうち他方の複数の配線の上層側に配線されており、
前記上下シフト部分は、前記他方の複数の配線の存在に応じて上下に蛇行する部分を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記一方の複数の配線には夫々、前記一方の複数の配線の各々の配線抵抗が相互に同等となるように、前記上下シフト部分が形成されていること
を特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画像信号線において、前記配線抵抗に、前記画像信号線に電気的に接続される前記分岐配線の配線抵抗を加えた値が所定値となるように、前記上下シフト部分が形成されていること
を特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、一般に、シリアル−パラレル変換された画像信号に基づいて駆動される。例えば、液晶装置において、基板上の画像表示領域に配線された複数のデータ線は所定の本数毎にブロック化されており、シリアル−パラレル変換された画像信号は、ブロック単位で、該ブロックに含まれるデータ線にサンプリングスイッチを介して供給される。これにより、所定の本数のデータ線が同時に、且つ複数のデータ線は所定の本数毎に順次駆動される。
【０００３】
この場合、複数の画像信号線は、基板の周辺領域に配列され、更に画像信号線からサンプリングスイッチまでは、比較的高抵抗の分岐配線及び分岐配線より低抵抗な補助中継用配線によって接続される。複数の分岐配線は、複数のデータ線の配列に対応して複数の画像信号線の配線方向と交差する方向に配列されている。また、各分岐配線は、一端側が、該分岐配線と画像信号線とを層間絶縁する層間絶縁層に開孔されたコンタクトホールを介して、画像信号線に接続されている。ここで、各分岐配線の配線抵抗又は配線容量の差異による表示ムラの発生を防止する観点から、特許文献１又は４によれば、複数の分岐配線の配線抵抗値は夫々、これら複数の分岐配線の長さや幅を互いに同等にすることなどにより、互いに同等の値に設定される。或いは、特許文献３によれば、複数の分岐配線を夫々比較的低抵抗な材料を用いることによって構成する。
【０００４】
加えて、ブロックの境目で相隣接するデータ線間で、寄生容量を介する電圧遷移により、画像信号電位の電圧降下や電圧上昇が発生することにより、輝度ムラが発生することもある。特許文献２によれば、このような相隣接する二つのブロックの境目での輝度ムラの発生を防止するように、前述したような画像信号電位の電圧降下や電圧上昇を相殺或いは補償する電圧補正がなされた画像信号を用いる技術が提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２６８３５０号公報
【特許文献２】特開２００１−３４３９２３号公報
【特許文献３】特開平１０−１６１１５７号公報
【特許文献４】特開平１０−１３３２２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
複数の画像信号線が、複数の分岐配線より上層側に形成されている場合、例えば層間絶縁層の表面には、該層間絶縁層より下層側に形成された複数の分岐配線が存在することに起因する凹凸形状が形成される。そして、各画像信号線の表面には、分岐配線との交差部分に、層間絶縁層の表面に形成された凹凸形状が伝播される。その結果、各画像信号線には、該画像信号線が延びる配線方向に沿って基板に垂直な方向の断面内で上下にシフトして延びる上下シフト部分が形成される。ここで、画像信号線毎に、該画像信号線と交差する分岐配線の本数が異なるため、各画像信号線に含まれる上下シフト部分の形状も互いに異なっている。その結果、実質的な配線長は、画像信号線毎に異なるため、画像信号線毎に配線抵抗が異なることとなる。この場合、複数の画像信号線において、相隣接する画像信号線の各々の配線抵抗の違いよりも、各ブロックの境目で相隣接するデータ線に電気的に接続される二本の画像信号線の各々の配線抵抗の違いの方が大きいため、各ブロックの境目で輝度ムラが発生する要因となる恐れがある。
【０００７】
或いは、複数の分岐配線が複数の画像信号線よりも上層側に形成されている場合も、複数の分岐配線の各々には互いに異なる形状の上下シフト部分が形成され、分岐配線毎に配線抵抗が異なることとなる。そして、この場合も、各ブロックの境目で相隣接するデータ線に電気的に接続される二本の分岐配線の各々の配線抵抗の違いに起因して、各ブロックの境目で輝度ムラが発生する恐れがある。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑み成されたものであり、例えば前述したような各ブロックの境目で輝度ムラが発生するのを防止して、高品質な画像表示を行うことが可能な電気光学装置及び該電気光学装置を備えた各種電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上の画像表示領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線及び前記データ線に夫々電気的に接続された複数の画素電極と、前記複数のデータ線を、Ｎ本の前記データ線を１群とするデータ線群毎に駆動するためにＮ（但し、Ｎは２以上の自然数）個のシリアル−パラレル変換された画像信号が供給されるＮ本の画像信号線と、該Ｎ本の画像信号線と、層間絶縁層によって層間絶縁されつつ該Ｎ本の画像信号線の配線方向に交差して形成されると共に、前記複数のデータ線の配列に対応して複数配列されており、前記Ｎ本の画像信号線のうち対応する一本に夫々接続される複数の分岐配線と、該複数の分岐配線から夫々供給される前記画像信号を、サンプリング信号に応じて前記データ線に夫々供給する複数のサンプリングスイッチを含むサンプリング回路と、前記データ線群に対応する前記サンプリングスイッチ毎に、前記サンプリング信号を順次供給するデータ線駆動回路とを備えており、前記複数の分岐配線及び前記Ｎ本の画像信号線のうち一方の複数の配線は、該一方の複数の配線の配線抵抗同士が相互に近付くように、該一方の複数の配線が延びる配線方向に沿って伸び、且つ前記基板に垂直な方向の断面内で部分的に上下方向位置が異なる上下シフト部分を含む。
【００１０】
本発明の電気光学装置によれば、その駆動時には、シリアル−パラレル変換されたＮ個の画像信号が、Ｎ本の画像信号線に供給され、更に、データ線に対応して配列された分岐配線からサンプリング回路へと供給される。例えば、Ｎ個の画像信号は、駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現すべく、外部回路によって、シリアルな画像信号が、３相、６相、１２相、２４相、・・・など、複数のパラレルな画像信号に変換されることによって生成される。
【００１１】
このような画像信号の供給と並行して、データ線駆動回路によって、データ線群に対応するサンプリングスイッチ毎に、サンプリング信号が順次供給される。すると、サンプリング回路によって、複数のデータ線には、サンプリング信号に応じてデータ線群毎にＮ個の画像信号が順次供給される。よって、同一のデータ線群に属するデータ線は同時に駆動されることとなる。尚、サンプリングスイッチは、例えば、片チャネル型のＴＦＴにより夫々構成され、ソースが分岐配線に電気的に接続され、ドレインがデータ線に接続され、ゲートにサンプリング信号が供給されることでオン状態とされる。
【００１２】
このようにデータ線が駆動されると、各画素部では、例えば、走査線駆動回路から走査線を介して供給される走査信号に応じて画素電極が選択状態となり、スイッチング動作を行う画素スイッチング素子を介して、データ線より画像信号が画素電極に供給される。これにより、例えば表示素子である液晶素子は供給された画像信号に基づいて画像表示を行う。
【００１３】
ここで、Ｎ本の画像信号線と、複数の分岐配線とは異なる層に形成されている。例えば、Ｎ本の画像信号線が複数の分岐配線より上層側に形成されている場合には、各画像信号線間で該画像信号線の配線抵抗が相互に近づくように、各画像信号線には上下シフト部分が形成されている。より具体的には、各画像信号線の下地となる下地絶縁層の表面に、各画像信号線における上下シフト部分の形状が相互に一致するように、凹凸が形成されている。或いは、各画像信号線における上下シフト部分の形状を同一の形状に近づけるように下地絶縁層の表面に凹凸が形成される。
【００１４】
Ｎ本の画像信号線の下地となる下地絶縁層は、該Ｎ本の画像信号線と複数の分岐配線とを層間絶縁する層間絶縁層か、この層間絶縁層とは異なる絶縁層となる。通常、下地絶縁層の表面には、該下地絶縁層よりも下層側に形成された積層構造における、基板に垂直な方向の断面内の段差形状に応じて、凹凸が形成される。より具体的には、例えば、下地絶縁層の表面には、該下地絶縁層よりも下層側に形成された、複数の分岐配線の各々の存否に応じた凹凸が形成される。或いは、下地絶縁層の表面には、下地絶縁層の下層側に形成された複数の分岐配線に加えて、複数の分岐配線と同一層又は複数の分岐配線よりも下層側に形成された別の配線等を構成する導電膜の存否に応じた凹凸が形成される。
【００１５】
各画像信号線は、例えば画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、複数の分岐配線の配線方向と交差する方向に形成されている。そして、複数の分岐配線は夫々Ｎ本の画像信号線のうち対応する一本に夫々接続される。よって、各画像信号線は、交差する分岐配線の数が相互に異なるため、各画像信号線には、分岐配線の存否に応じて下地絶縁層の表面に形成された凹凸によって、互いに異なる形状の上下シフト部分が形成される。
【００１６】
この場合、複数の分岐配線の長さを夫々変化させて、各画像信号線において、交差する分岐配線の数を同等とすることにより、各画像信号線における上下シフト部分の形状を同一形状に近づける。更に、各分岐配線の幅を調整することにより、各画像信号線における上下シフト部分の形状を近づけるようにしてもよい。
【００１７】
或いは、各画像信号線について、該画像信号線と交差する分岐配線の長さ又は幅を調整することに加えて若しくは代えて、下地絶縁層の凹凸を増減させることによって、上下シフト部分の形状を調整するようにしてもよい。また、各画像信号線における上下シフト部分の形状が、分岐配線の存否に加えて、該分岐配線とは別の配線等の存否に応じて下地絶縁層の表面に形成される凹凸によって、互いに異なってくる場合にも、分岐配線の長さ又は幅を調整することに加えて、下地絶縁層の凹凸を増減させることによって、上下シフト部分の形状を調整するようにしてもよい。
【００１８】
このように、各画像信号線における上下シフト部分の形状が相互に同一の形状となるようにすることにより、各画像信号線の実質的な配線長を同一の値となるようにすることができる。その結果、各画像信号線間で配線抵抗が相互に近づくように形成することができるため、各データ線群の境目で相隣接するデータ線に電気的に接続される二本の画像信号線の各々の配線抵抗の差異を小さくするか、或いはこれら配線抵抗を同等の値とすることができる。尚、上述したような実質的な配線長に加えて、各画像信号線の配線幅を変化させて、該画像信号線の配線抵抗又は配線容量を調整してもよい。
【００１９】
他方、複数の分岐配線がＮ本の画像信号線の上層側に形成されている場合、各分岐配線間で該分岐配線の配線抵抗が相互に近づくように、各分岐配線には上下シフト部分が形成されている。より具体的には、画像信号線と同様に、各分岐配線の下地となる下地絶縁層の表面に、各分岐配線における上下シフト部分の形状が相互に一致するように、凹凸が形成される。或いは、各分岐配線における上下シフト部分の形状を同一の形状に近づけるように下地絶縁層の表面に凹凸が形成される。
【００２０】
更には、この場合においても、複数の分岐配線の長さを夫々変化させて、各画像信号線において、交差する分岐配線の数を同等とすることにより、各分岐配線における上下シフト部分の形状を同一形状に近づけるようにしてもよい。加えて、各画像信号線の幅を調整することにより、各分岐配線における上下シフト部分の形状を同一形状に近づけるようにしてもよい。また、各分岐配線の長さに加えて、各分岐配線間で、配線抵抗又は配線容量が相互に近づくように配線幅を変化させてもよい。
【００２１】
よって、この場合も、各分岐配線の実質的な配線長を同一の値となるようにすることができる。その結果、各分岐配線間で配線抵抗が相互に近づくように形成することができるため、各データ線群の境目で相隣接するデータ線に電気的に接続される二本の分岐配線の各々の配線抵抗の差異を小さくするか、或いはこれら配線抵抗を同等の値とすることができる。
【００２２】
よって、以上説明したような本発明の電気光学装置では、各データ線群の境目で相隣接するデータ線への画像信号の供給経路における配線抵抗の相異の程度を小さくすることができる。よって、このような供給経路における配線抵抗によって電位が変化した画像信号が、各データ線群の境目で相隣接するデータ線に夫々供給されるのを防止することが可能となる。その結果、各データ線群の境目で輝度ムラが発生するのを防止して、電気光学装置において高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記上下シフト部分は、前記層間絶縁層と同一又は異なる前記上下シフト部分の下地となる下地絶縁層の表面における前記断面内での凹凸によって、上下に蛇行する。
【００２４】
この態様によれば、複数の画像信号線及び複数の分岐配線の一方の複数の配線における上下シフト部分の下地絶縁層の凹凸を、複数の分岐配線の長さを夫々変化させて、各画像信号線において交差する分岐配線の数を同等とするか、又は複数の分岐配線及びＮ本の画像信号線のうち、相対的に下層側に形成される他方の分岐配線の各々の配線幅を調整することにより、基板に垂直な方向の断面内で同一の形状に近づける。更には、これに加えて若しくは代えて、下地絶縁層の凹凸を単に増減させて、一方の複数の配線における上下シフト部分の下地絶縁層の凹凸を同一の形状に近づけるようにしてもよい。これにより、一方の複数の配線における上下シフト部分の形状を相互に同一の形状に近づけることが可能となる。その結果、一方の複数の配線の各々の間で配線抵抗が相互に近づくように形成することができる。
【００２５】
この、前記上下シフト部分は、下地絶縁層の表面における凹凸によって、上下に蛇行する態様では、前記一方の複数の配線は、前記複数の分岐配線及び前記Ｎ本の画像信号線のうち他方の複数の配線の上層側に配線されており、前記層間絶縁層の表面における前記凹凸は、前記下地絶縁層の下層側にある、前記他方の複数の配線と同一層の存否に応じて形成されているように構成してもよい。
【００２６】
このように構成すれば、複数の分岐配線の長さを夫々変化させて、各画像信号線において交差する分岐配線の数を同等とするか、又は他方の複数の配線の各々の配線幅を調整することにより、一方の複数の配線における上下シフト部分の下地絶縁層の凹凸を、基板に垂直な方向の断面内で同一の形状に近づけることが可能となる。更には、上下シフト部分の下地絶縁層の凹凸が、分岐配線の存否に加えて、該分岐配線と同一層に形成された別の配線等の存否に応じて形成される場合に、下地絶縁層の凹凸を増減させることによって、上下シフト部分の形状を調整するようにしてもよい。或いは、上下シフト部分の下地絶縁層の凹凸形状を調整するための調整用パターンを、例えば分岐配線と同一の導電膜によって、分岐配線に加えて若しくは代えて、形成するようにしてもよい。加えて、上下シフト部分の下地絶縁層の凹凸形状を調整するための溝を、該下地絶縁層に形成するか、或いは該下地絶縁層より下層の絶縁層に形成するようにしてもよい。
【００２７】
この、前記上下シフト部分は、下地絶縁層の表面における凹凸によって、上下に蛇行する態様では、前記下地絶縁層に形成された溝により、前記凹凸が形成されているように構成してもよい。
【００２８】
このように構成すれば、上下シフト部分の下地絶縁層の凹凸形状を調整することが可能となる。
【００２９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記一方の複数の配線は、前記複数の分岐配線及び前記Ｎ本の画像信号線のうち他方の複数の配線の上層側に配線されており、前記上下シフト部分は、前記他方の複数の配線の存在に応じて上下に蛇行する部分を含む。
【００３０】
この態様によれば、複数の分岐配線の長さを夫々変化させて、各画像信号線において交差する分岐配線の数を同等とするか、又は他方の複数の配線の各々の配線幅を調整することにより、一方の複数の配線における上下シフト部分の下地絶縁層の凹凸を、基板に垂直な方向の断面内で同一の形状に近づけることが可能となる。
【００３１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記一方の複数の配線には夫々、前記一方の複数の配線の各々の配線抵抗が相互に同等となるように、前記上下シフト部分が形成されている。
【００３２】
この態様によれば、各データ線群の境目で相隣接するデータ線に電気的に接続される二本の分岐配線及び画像信号線のいずれか一方の各々の配線抵抗を同等の値とすることができる。よって、各データ線群の境目で相隣接するデータ線への画像信号の供給経路における配線抵抗の相異の程度をより小さくすることができる。
【００３３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画像信号線において、前記配線抵抗に、前記画像信号線に電気的に接続される前記分岐配線の配線抵抗を加えた値が所定値となるように、前記上下シフト部分が形成されている。
【００３４】
この態様によれば、一方の複数の配線として複数の画像信号線の各々の上下シフト部分の形状を変化させて、これら複数の画像信号線の配線抵抗を夫々変化させることにより、各データ線への画像信号の供給経路における配線抵抗を調整することが可能となる。この場合、複数の画像信号線の各々のシフト上下シフト部分の形状は、該上下シフト部分の下地絶縁層の凹凸を例えば増減させることで調整することができる。
【００３５】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００３６】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた装置としてDLP（Digital  Light  Processing）等を実現することも可能である。
【００３７】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００３９】
＜１；電気光学パネルの全体構成＞
先ず、本発明の電気光学装置の一例たる液晶装置における、電気光学パネルの一例としての液晶パネルの全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶パネルの概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。ここでは、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００４０】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶パネル１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４１】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００４２】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４３】
画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺のいずれかに沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。尚、走査線駆動回路１０４を、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿って設けるようにしてもよい。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿って設けられた複数の配線によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されるようにする。
【００４４】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４５】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４６】
なお、図１及び図２には図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４等に加えて、後述するように画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路が形成されている。本実施形態では、サンプリング回路のほか、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４７】
＜２；電気光学装置の全体構成＞
液晶装置の全体構成について図３及び図４を参照して説明する。ここに、図３は、液晶装置の全体構成を示すブロック図であり、図４は、液晶パネルの電気的な構成を示すブロック図である。
【００４８】
図３に示すように、液晶装置は、液晶パネル１００を備えると共に、外部回路として設けられた画像信号供給回路３００、タイミング制御回路４００、及び電源回路７００を備える。
【００４９】
タイミング制御回路４００は、各部で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。タイミング制御回路４００の一部であるタイミング信号出力手段により、最小単位のクロックであり各画素を走査するためのドットクロックが作成され、このドットクロックに基づいて、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＸＣＬｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ及びＸスタートパルスＤＸが生成される。
【００５０】
画像信号供給回路３００には、外部から１系統の入力画像データＶＩＤが入力される。画像信号供給回路３００は、１系統の入力画像データＶＩＤをシリアル−パラレル変換して、Ｎ相、本実施形態では１２相（Ｎ＝１２）の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２を生成する。更に、画像信号供給回路３００において、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２の各々の電圧が、所定の基準電位に対して正極性及び負極性に反転され、このように極性反転された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２が出力されるようにしてもよい。
【００５１】
また、電源回路７００は、所定の共通電位ＬＣＣの共通電源を、図２に示す対向電極２１に供給する。本実施形態において、対向電極２１は、図２に示す対向基板２０の下側に、複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。
【００５２】
次に、液晶パネル１００における電気的な構成について説明する。
【００５３】
図４に示すように、液晶パネル１００には、そのＴＦＴアレイ基板１０の周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路２００を含む内部駆動回路が設けられている。
【００５４】
走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｙ１、・・・、Ｙｍを順次生成して出力する。
【００５５】
データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、・・・、Ｓｎを順次生成して出力する。
【００５６】
サンプリング回路２００は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ２０２を複数備える。
【００５７】
液晶パネル１００は更に、そのＴＦＴアレイ基板の中央を占める画像表示領域１０ａに、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２を備え、それらの交点に対応する各画素部７０に、マトリクス状に配列された液晶素子１１８の画素電極９ａ、及び画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ１１６を備える。尚、本実施形態では特に、走査線１１２の総本数をｍ本（但し、ｍは２以上の自然数）とし、データ線１１４の総本数をｎ本（但し、ｎは２以上の自然数）として説明する。
【００５８】
１２相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２は、Ｎ本、本実施形態では１２本の画像信号線１７１を介して液晶パネル１００に供給される。そして、ｎ本のデータ線１１４は、以下に説明するように、画像信号線１７１の本数に対応する１２本のデータ線１１４を１群とするデータ線群毎に、順次駆動される。
【００５９】
データ線駆動回路１０１から、データ線群に対応するサンプリングスイッチ２０２毎にサンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｎ）が順次供給され、サンプリング信号Ｓｉに応じて各サンプリングスイッチ２０２はオン状態となる。後述するように、各サンプリングスイッチ２０２は、分岐配線を介して画像信号線１７１に接続されている。尚、この分岐配線の詳細な構成は後述するが、本実施形態における、広義の「分岐配線」には、本発明に係る、狭義の「分岐配線」の一例である中継用配線が含まれる。
【００６０】
よって、１２本の画像信号線１７１から画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２が、オン状態となったサンプリングスイッチ２０２を介して、データ線群に属するデータ線１１４に同時に、且つデータ線群毎に順次供給される。よって、データ線群に属するデータ線１１４は互いに同時に駆動されることとなる。従って、本実施形態では、ｎ本のデータ線１１４をデータ線群毎に駆動するため、駆動周波数が抑えられる。
【００６１】
図４中、一つの画素部７０の構成に着目すれば、ＴＦＴ１１６のソース電極には、画像信号ＶＩＤｋ（但し、ｋ＝１、２、３、・・・、１２）が供給されるデータ線１１４が電気的に接続されている一方、ＴＦＴ１１６のゲート電極には、走査信号Ｙｊ（但し、ｊ＝１、２、３、・・・、ｍ）が供給される走査線１１２が電気的に接続されるとともに、ＴＦＴ１１６のドレイン電極には、液晶素子１１８の画素電極９ａが接続されている。ここで、各画素部７０において、液晶素子１１８は、画素電極９ａと対向電極２１との間に液晶を挟持してなる。従って、各画素部７０は、走査線１１２とデータ線１１４との各交点に対応して、マトリクス状に配列されることになる。
【００６２】
走査線駆動回路１０４から出力される走査信号Ｙ１、・・・、Ｙｍによって、各走査線１１２は線順次に選択される。選択された走査線１１２に対応する画素部７０において、ＴＦＴ１１６に走査信号Ｙｊが供給されると、ＴＦＴ１１６はオン状態となり、当該画素部７０は選択状態となる。液晶素子１１８の画素電極９ａには、ＴＦＴ１１６を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線１１４より画像信号ＶＩＤｋが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶素子１１８には、画素電極９ａ及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶パネル１００からは画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００６３】
ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量１１９が、液晶素子１１８と並列に付加されている。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量１１９により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。
【００６４】
＜３；サンプリング回路の機能的構成＞
次に、データ線１１４の駆動に係る主要な構成について、より詳細に図５から図９を参照して説明する。図５は、データ線１１４の駆動に係る回路構成を示す図であり、図６は、分岐配線及び画像信号線のＴＦＴアレイ基板１０上におけるレイアウトを示す図であり、更に図７（ａ）は、図６のＡ−Ａ’断面図であって、図７（ｂ）は図６のＢ−Ｂ’断面図である。また、図８は、比較例における分岐配線及び画像信号線のＴＦＴアレイ基板１０上におけるレイアウトを示す図であり、更に図９（ａ）は、図８に示すレイアウト図において、図７（ａ）に対応する断面の構成を示す断面図であって、図９（ｂ）は、図８に示すレイアウト図において、図７（ｂ）に対応する断面の構成を示す断面図である。尚、図５は、説明の便宜上、図４に示したデータ線駆動回路１０１及びサンプリング回路２００を上下逆転させて図示している。また、図７（ａ）及び図７（ｂ）、並びに図９（ａ）及び図９（ｂ）において、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００６５】
以下では、データ線１１４の駆動に係る主要な構成について、ｎ本のデータ線１１４が、その配列方向に沿って片方向に或いは双方向のうちの一方の方向にデータ線群毎に順次駆動される際、データ線駆動回路１０１から第（ｉ−１）番目、第ｉ番目、及び第（ｉ＋１）番目に出力される３つのサンプリング信号Ｓｉ−１、Ｓｉ、Ｓｉ＋１に基づいて駆動される３つのデータ線群のうち、特に第ｉ番目のサンプリング信号Ｓｉに基づいて駆動される第ｉデータ線群の構成に着目して説明する。尚、以下に説明する第ｉデータ線群に係る構成は、第（ｉ−１）データ線群及び第（ｉ＋１）データ線群についても同様である。
【００６６】
図５において、第ｉデータ線群に属するデータ線１１４ｅ（１１４ｅ−１〜１１４ｅ−１２）の配列に対応して、１２本の分岐配線Ｅ１〜Ｅ１２が配列されている。また、１２本の画像信号線１７１−１〜１７１−１２は、データ線１１４ｅの配列方向に交差する方向に沿って配列されている。そして、１２本の分岐配線Ｅ１〜Ｅ１２の一端は、１２本の画像信号線１７１−１〜１７１−１２のうち対応する一本に、夫々電気的に接続されると共に、これら１２本の分岐配線Ｅ１〜Ｅ１２の他端は夫々サンプリングスイッチ２０２を介してデータ線１１４ｅに電気的に接続される。各サンプリングスイッチを構成するＴＦＴ２０２は、ソースが分岐配線Ｅｋに接続されると共に、ドレインがデータ線１１４ｅに電気的に接続される。また、各ＴＦＴ２０２のゲートは、制御配線Ｘ１〜Ｘ１２を介してデータ線駆動回路１０１に電気的に接続されている。尚、制御配線Ｘ１〜Ｘ１２には第ｉ番目のサンプリング信号Ｓｉがデータ線駆動回路１０１から供給される。
【００６７】
図６において、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０上において、１２本の画像信号線１７１−１〜１７１−１２は、例えば、データ線１１４ｅと同一材料の低抵抗のアルミニウム膜によって形成される。また、制御配線Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘ１２は、画像信号線１７１−１〜１７１−１２と交差する方向であってデータ線１１４ｅの延びる方向に配線され、例えばポリシリコン膜によって形成されている。また、各分岐配線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、・・・、Ｅ１２は、対応する画像信号線１７１−ｋに電気的に接続される一端側よりデータ線１１４ｅの延びる方向に、配線されている。そして、各分岐配線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、・・・、Ｅ１２の一部はサンプリングスイッチ２０２のソース電極を形成し、第ｉデータ線群に属するデータ線１１４ｅの各々の一部はサンプリングスイッチ２０２のドレイン電極を形成し、各制御配線Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘ１２の一部はサンプリングスイッチ２０２のゲート電極を形成する。
【００６８】
ここで、図５において、第ｉデータ線群に属するデータ線１１４ｅのうち、第（ｉ＋１）データ線群に隣接する一のデータ線１１４ｅ−１に対応する分岐配線Ｅ１の構成について、図６に示すように、この分岐配線Ｅ１は、一端が対応する画像信号線１７１−１に電気的に接続される中継用配線Ｈａ１、及び中継配線Ｈａ１の他端に、一端が電気的に接続され、その一部がサンプリングスイッチ２０２のソース電極を形成する補助中継用配線Ｈｂ１を含む。そして、中継用配線Ｈａ１は、本発明に係る、狭義の「分岐配線」の一例であり、例えばポリシリコン膜によって形成されている。また、補助中継用配線Ｈｂ１は、例えばアルミニウム膜によって形成されている。尚、第ｉデータ線群に電気的に接続される他の分岐配線Ｅ２、Ｅ３、・・・、Ｅ１２は、分岐配線Ｅ１と同様の構成を有している。
【００６９】
図７（ａ）には、図５に示す第ｉデータ線群において、第（ｉ＋１）データ線群に隣接する一のデータ線１１４ｅ−１に対する画像信号ＶＩＤ１の供給経路となる画像信号線１７１−１の配線方向に沿うＡ−Ａ’断面の構成を示してあり、図７（ｂ）には、図５に示す第ｉデータ線群において、第（ｉ−１）データ線群に隣接する一のデータ線１１４ｅ−１２に対する画像信号ＶＩＤ１２の供給経路となる画像信号線１７１−１２の配線方向に沿うＢ−Ｂ’断面の構成を示してある。尚、図７（ａ）及び図７（ｂ）には、画像信号線１７１−１及び１７１−１２について、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２及び制御配線Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘ１２の配置関係とその電気的な接続に係る構成を示してある。
【００７０】
１２本の画像信号線１７１−１〜１７１−１２は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、各分岐配線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、・・・、Ｅ１２に含まれる補助中継用配線Ｈｂ１、Ｈｂ２、Ｈｂ３、・・・、Ｈｂ１２と、データ線１１４ｅ−１〜１１４ｅ−１２と共に、同一層に形成されており、各分岐配線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、・・・、Ｅ１２に含まれる中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２及び制御配線Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘ１２に対して上層側に形成されている。これら中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２及び制御配線Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘ１２と、画像信号線１７１−１〜１７１−１２とは、該画像信号線１７１−１〜１７１−１２の下地となる層間絶縁層６０によって互いに層間絶縁されている。また、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２及び制御配線Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘ１２は同一層に形成されている。
【００７１】
本実施形態では、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２間で配線抵抗が相互に近づくように、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２には上下シフト部分が形成されている。図７（ａ）において、画像信号線１７１−１には、層間絶縁層６０の表面における凹凸により、図中上下に蛇行しつつ、当該画像信号線１７１−１の配線方向に沿って延びる上下シフト部分１７１ａ−１が形成されている。また、図７（ｂ）において、画像信号線１７１−１２には、画像信号線１７１−１と同様に形成された上下シフト部分１７１ａ−１２が含まれている。
【００７２】
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、層間絶縁層６０の表面には、該層間絶縁層６０よりも下層側に形成された、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２及び制御配線Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘ１２の各々の存否に応じて凹凸が形成される。尚、図７（ａ）において、画像信号線１７１−１は、層間絶縁層６０に開口されたコンタクトホールＣ１を介して、中継用配線Ｈａ１に電気的に接続されており、図７（ｂ）において、画像信号線１７１−１２は、層間絶縁層６０に開口されたコンタクトホールＣ１２を介して、中継用配線Ｈａ１２に電気的に接続される。
【００７３】
本実施形態では、図６に示すように、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２が、第ｉデータ線群に対応する１２本の中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２と交差するように、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の長さを夫々同一の値Ｌとして形成する。このように形成された中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２に応じて層間絶縁層６０の表面に形成された凹凸により、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２における上下シフト部分の形状を同一形状に近づけるか、若しくは同一形状とする。即ち、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２において、このような上下シフト部分は、第ｉデータ線群に電気的に接続される中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２等と同様に、第（ｉ−１）データ線群に電気的に接続される中継用配線に応じて形成され、更には第（ｉ＋１）データ線群に電気的に接続される中継用配線等の存否に応じて形成され、というように、データ線１１４の配列方向に沿って、該画像信号線１７１−ｋと交差する中継用配線等の存否に応じて凹凸が形成されることとなる。これにより、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２における上下シフト部分の形状を同一形状に近づけるか、若しくは同一形状とすることができるのである。加えて、各中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の長さに加えて若しくは代えて、各中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の幅Ｗ１、Ｗ２、・・・、Ｗ１２を調整することにより、層間絶縁層６０の表面に形成される凹凸形状を調整し、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２における上下シフト部分の形状を同一形状に近づけるか、若しくは同一形状とするようにしてもよい。
【００７４】
このように各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２が形成されることにより、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２の実質的な配線長を夫々同等に近づける、若しくは同等となるようにすることができる。その結果、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２を、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２間で配線抵抗が相互に近づくように形成することができる。
【００７５】
よって、図７（ａ）に示す画像信号線１７１−１の上下シフト部分１７１ａ−１と、図７（ｂ）に示す画像信号線１７１−１２の上下シフト部分１７１ａ−１２とは、同一形状に近づくか、若しくは同一形状となる。これにより、画像信号線１７１−１及び１７１−１２の配線抵抗の差異を小さくするか、或いはこれら配線抵抗を同等の値とすることができる。よって、各データ線群の境目で相隣接するデータ線１１４、例えば図５において、二本のデータ線１１４ｄ及び１１４ｅ−１２、並びに二本のデータ線１１４ｅ−１及び１１４ｆへの画像信号ＶＩＤ１及びＶＩＤ１２の供給経路における配線抵抗の相異の程度を小さくすることが可能となる。
【００７６】
尚、上述したような実質的な配線長の調整に加えて、図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上の基板面上で平面的に見た、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２の幅を夫々調整することにより、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２の配線抵抗又は配線容量を調整するようにしてもよい。
【００７７】
また、各分岐配線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、・・・、Ｅ１２において、例えば、アルミニウム膜により形成される補助中継用配線Ｈｂ１、Ｈｂ２、Ｈｂ３、・・・、Ｈｂ１２に対して、ポリシリコン膜によって形成される中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の方が高抵抗である。よって、この場合、各分岐配線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、・・・、Ｅ１２の配線抵抗は、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の配線抵抗によって支配されることとなる。従って、上述したように、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２を、１２本の中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２と交差させるようにするには、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の長さを夫々同一とする必要は無いが、前述したように、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の長さを同等とし、又は中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の幅Ｗ１、Ｗ２、・・・、Ｗ１２を同等とすることにより、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の配線抵抗を夫々同等することができる。また、このように中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２を形成すれば、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の配線容量を夫々同等することも可能となる。これにより、各分岐配線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、・・・、Ｅ１２の配線抵抗又は配線容量を同等することができる。よって、各データ線１１４ｅへの画像信号ＶＩＤｋの供給経路間で配線抵抗の差異を小さくすることが可能となる。
【００７８】
次に、図８には、図５から図７を参照して説明した第ｉデータ線群の駆動に係る主要な構成について、その比較例の構成を示すレイアウト図を示してある。この比較例の構成によれば、本実施形態との相違点は、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の長さＬ１、Ｌ２、・・・、Ｌ１２が夫々異なるところにある。よって、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２は、交差する中継用配線Ｈａｋの数が互いに異なっているため、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２には、中継用配線Ｈａｋの存否に応じて層間絶縁層６０の表面に形成された凹凸によって、互いに異なる形状の上下シフト部分が形成される。例えば、図９（ａ）における、図８に示す画像信号線１７１−１における上下シフト部分１７１ａ−１の形状と、図９（ｂ）における、図８に示す画像信号線１７１−１２における上下シフト部分１７１ａ−１２の形状とは異なる。これら二本の画像信号線１７１−１及び１７１−１２間では交差する中継用配線Ｈａｋの数が、１２本の画像信号線１７１−１〜１７１−１２間で最も大きく異なるため、二本の画像信号線１７１−１及び１７１−１２の実質的な配線長の差異も最も大きくなる。従って、これら二本の画像信号線１７１−１及び１７１−１２の各々の配線抵抗の相違も大きくなる。よって、各データ線群の境目で相隣接するデータ線１１４への画像信号ＶＩＤ１及びＶＩＤ１２の供給経路における配線抵抗の相異の程度も大きくなる。よって、このような供給経路における配線抵抗によって電位が変化した画像信号ＶＩＤ１及びＶＩＤ１２が夫々データ線１１４に供給されることにより、各データ線群の境目で輝度ムラが発生する恐れがある。
【００７９】
これに対して本実施形態では、各データ線群の境目で相隣接するデータ線１１４への画像信号ＶＩＤ１及びＶＩＤ１２の供給経路における配線抵抗の相異の程度を小さくすることができるため、このような供給経路において配線抵抗によって画像信号ＶＩＤ１及びＶＩＤ１２の電位が変化するのを防止することができる。その結果、各データ線群の境目で輝度ムラが発生するのを防止して、電気光学装置において高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００８０】
以上説明したように、本実施形態では、画像信号線１７１−１〜１７１−１２の各々の配線抵抗を互いに同等することできるため、アルミニウム膜のような低抵抗の材料に代えて、比較的高抵抗なポリシリコン膜により画像信号線１７１−１〜１７１−１２を形成してもよい。
【００８１】
＜４：変形例＞
上述した本実施形態の変形例について、以下に説明する。
【００８２】
図１０には、本実施形態に係る一の構成について、分岐配線及び画像信号線のレイアウトを示す図である。図１０において、各中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の長さを夫々変化させる代わりに、例えば中継用配線Ｈａｋと同一の導電膜により、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２の上下シフト部分における層間絶縁層６０の凹凸形状を調整するための調整用パターンＨｃを形成するようにしてもよい。これにより、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２における上下シフト部分の形状を同一形状に近づけるか、若しくは同一形状とすることも可能である。
【００８３】
また、図１１には、変形例に係る他の構成について、分岐配線及び画像信号線のレイアウトを示す図であり、図１２（ａ）は、図１１のＣ−Ｃ’断面図であって、図１２（ｂ）は図１１のＤ−Ｄ’断面図である。
【００８４】
本変形例における他の構成によれば、各分岐配線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、・・・、Ｅ１２に含まれる中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２及び制御配線Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘ１２は、同一層に形成されると共に、画像信号線１７１−１〜１７１−１２並びに画像信号線１７１−１〜１７１−１２と同一層に形成された補助中継用配線Ｈｂ１、Ｈｂ２、Ｈｂ３、・・・、Ｈｂ１２及びデータ線１１４ｅ−１〜１１４ｅ-１２に対して上層側に形成されている。
【００８５】
また、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２が、１２本の中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２と交差するように、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の長さを夫々同一の値Ｌとして形成する。尚、本変形例においても、上述した本実施形態と同様、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２を、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２が１２本の中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２と交差するように形成すれば、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の長さを夫々同一とする必要はない。
【００８６】
ここで、図１２（ａ）には、第ｉデータ線群において、第（ｉ＋１）データ線群に隣接する一のデータ線１１４ｅ−１に電気的に接続される中継用配線Ｈａ１の配線方向に沿うＣ−Ｃ’断面の構成を示してあり、図１２（ｂ）には、第ｉデータ線群において、第（ｉ−１）データ線群に隣接する一のデータ線１１４ｅ−１２に電気的に接続される中継用配線Ｈａ１２の配線方向に沿うＤ−Ｄ’断面の構成を示してある。尚、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）には、中継用配線Ｈａ１及びＨａ１２について、画像信号線１７１−１〜１７１−１２並びに対応する補助中継用配線Ｈｂ１及びＨｂ１２の配置関係と、その電気的な接続に係る構成を示してある。また、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）において、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００８７】
ここで、図１２（ａ）において、中継用配線Ｈａ１には、層間絶縁層６０の表面における凹凸により、図中上下に蛇行しつつ、当該中継用配線Ｈａ１の配線方向に沿って延びる上下シフト部分８０ａ−１が形成されている。また、図１２（ｂ）において、中継用配線Ｈａ１２には、中継用配線Ｈａ１と同様に形成された上下シフト部分８０ａ−１２が含まれている。そして、中継用配線Ｈａ１及びＨａ１２と同様に、第ｉデータ線群に属するデータ線１１４ｅに対応する、他の中継用配線Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２にも夫々上下シフト部分が形成されている。尚、図１２（ａ）において、中継用配線Ｈａ１は、層間絶縁層６０に開口されたコンタクトホールＣ１及びＣ１ａを介して、画像信号線１７１−１及び補助中継用配線Ｈｂ１に夫々電気的に接続されており、図１２（ｂ）において、中継用配線Ｈａ１２は、層間絶縁層６０に開口されたコンタクトホールＣ１２及びＣ１２ａを介して、画像信号線１７１−１２及び補助中継用配線Ｈｂ１２に夫々電気的に接続される。
【００８８】
層間絶縁層６０の表面には、該層間絶縁層６０よりも下層側に形成された、画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２や補助中継用配線Ｈｂ１、Ｈｂ２、Ｈｂ３、・・・、Ｈｂ１２の各々の存否に応じて凹凸が形成される。そして、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の長さを夫々同一とすることにより、各中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２における上下シフト部分の形状を同一形状に近づけるか、若しくは同一形状とすることが可能となる。
【００８９】
このように各中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２が形成されることにより、各中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の実質的な配線長を夫々同等に近づける、若しくは同等となるようにすることができる。その結果、各中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２を、各中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２間で配線抵抗が相互に近づくように形成することができる。
【００９０】
よって、図１２（ａ）に示す中継用配線Ｈａ１の上下シフト部分８０ａ−１と、図１２（ｂ）に示す中継用配線Ｈａ１２の上下シフト部分８０ａ−１２とは、同一形状に近づくか、若しくは同一形状となる。これにより、中継用配線Ｈａ１及びＨａ１２の配線抵抗の差異を小さくするか、或いはこれら配線抵抗を同等の値とすることができる。よって、各データ線群の境目で相隣接するデータ線１１４への画像信号ＶＩＤ１及びＶＩＤ１２の供給経路における配線抵抗の相異の程度を小さくすることが可能となる。
【００９１】
尚、上述したように、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の長さを夫々変化させるのに加えて、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２の幅を調整して、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２の存否に応じて層間絶縁層６０の表面に凹凸を形成することにより、各中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２における上下シフト部分の形状を同一形状に近づけるか、若しくは同一形状とするようにしてもよい。
【００９２】
次に、本変形例の他の構成について、図１３を参照して説明する。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、本変形例の他の構成を画像信号線１７１−１に適用した場合について、図７（ａ）に対応する断面の構成を示す断面図である。
【００９３】
本変形例の他の構成によれば、上述したように、１２本の画像信号線１７１−１〜１７１−１２が、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２に対して上層側に形成されている場合、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２について、該画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２と交差する中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の長さ又は幅を調整することに加えて、層間絶縁層６０の凹凸を増減させることによって、上下シフト部分の形状を調整するようにしてもよい。図１３（ａ）には、画像信号線１７１−１について、これと交差する中継用配線Ｈａ１は図８に示すように一本としたまま、単に層間絶縁層６０の表面に凹凸を増やして、画像信号線１７１−１の上下シフト部分１７１ａ−１の形状を変化させる構成を示してある。また、図１３（ｂ）には、画像信号線１７１−１について、これと交差する中継用配線Ｈａ１は図８に示すように一本としたまま、層間絶縁層６０に溝６２を形成することにより、層間絶縁層６０の凹凸形状を調整することにより、画像信号線１７１−１の上下シフト部分１７１ａ−１の形状を変化させる構成を示してある。尚、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示す構成では、層間絶縁層６０より下層の積層構造における凹凸を調整することにより、層間絶縁層６０の表面における凹凸形状を調整するようにしてもよい。
【００９４】
このような本変形例の他の構成によれば、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２における上下シフト部分の形状が、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の存否に加えて、該中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２とは別の配線等の存否に応じて層間絶縁層６０の表面に形成される凹凸によって、互いに異なってくる場合にも、中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の長さ又は幅を調整することに加えて、層間絶縁層６０の凹凸を増減させることによって、上下シフト部分の形状を調整するようにしてもよい。
【００９５】
更に、本変形例の他の構成によれば、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２の上下シフト部分の形状を変化させて、これら画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２の配線抵抗を夫々、該配線抵抗に、対応する中継用配線Ｈａ１、Ｈａ２、Ｈａ３、・・・、Ｈａ１２の配線抵抗を加えた値が所定値となるように、夫々変化させるようにしてもよい。このように構成すれば、各データ線１１４への画像信号の供給経路における配線抵抗を、各画像信号線１７１−１、１７１−２、・・・、１７１−１２の上下シフト部分の形状を変化させるのみで調整することが可能となる。
【００９６】
＜５；電子機器＞
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００９７】
＜５−１：プロジェクタ＞
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１４は、プロジェクタの構成例を示す平面配置図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。これら３つのライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇは夫々液晶装置を含む液晶モジュールを用いて構成されている。
【００９８】
ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇにおいて液晶パネル１００は、画像信号供給回路３００から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネル１００によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９９】
ここで、各ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、ライトバルブ１１１０Ｇによる表示像は、ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１００】
なお、ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１０１】
＜５−２：モバイル型コンピュータ＞
次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１５は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【０１０２】
＜５−３；携帯電話＞
さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１６は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１０３】
尚、図１４から図１６を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１０４】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】液晶パネルの全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【図４】液晶パネルの電気的な構成を示すブロック図である。
【図５】データ線の駆動に係る回路構成を示す図である。
【図６】分岐配線及び画像信号線のレイアウトを示す図である。
【図７】図７（ａ）は、図６のＡ−Ａ’断面図であって、図７（ｂ）は図６のＢ−Ｂ’断面図である。
【図８】比較例における分岐配線及び画像信号線のレイアウトを示す図である。
【図９】図９（ａ）は、図８に示すレイアウト図において、図７（ａ）に対応する断面の構成を示す断面図であって、図９（ｂ）は、図８に示すレイアウト図において、図７（ｂ）に対応する断面の構成を示す断面図である。
【図１０】本変形例に係る一の構成について、分岐配線及び画像信号線のレイアウトを示す図である。
【図１１】本変形例に係る他の構成について、分岐配線及び画像信号線のレイアウトを示す図である。
【図１２】図１２（ａ）は、図１１のＣ−Ｃ’断面図であって、図１２（ｂ）は図１１のＤ−Ｄ’断面図である。
【図１３】図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、本変形例の他の構成について、図７（ａ）に対応する断面の構成を示す断面図である。
【図１４】液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１５】液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１６】液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１０ａ…画像表示領域、１０…ＴＦＴアレイ基板、７０…画素部、１００…液晶パネル、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路、１１２…走査線、１１４…データ線、１７１…画像信号線、２００…サンプリング回路、２０２…サンプリングスイッチ、Ｈａ１、Ｈａ２、・・・、Ｈａ１０、Ｈａ１１、Ｈａ１２…中継用配線
【図１】
2006064928.tif 000003
【図２】
2006064928.tif 000004
【図３】
2006064928.tif 000005
【図４】
2006064928.tif 000006
【図５】
2006064928.tif 000007
【図６】
2006064928.tif 000008
【図７】
2006064928.tif 000009
【図８】
2006064928.tif 000010
【図９】
2006064928.tif 000011
【図１０】
2006064928.tif 000012
【図１１】
2006064928.tif 000013
【図１２】
2006064928.tif 000014
【図１３】
2006064928.tif 000015
【図１４】
2006064928.tif 000016
【図１５】
2006064928.tif 000017
【図１６】
2006064928.tif 000018