(57)【要約】【課題】  試料上での微少領域を荷電粒子ビームで走査する際に、荷電粒子ビームの走査幅の校正を正確に行うこと。【解決手段】  試料室内に配置された試料１５上に荷電粒子ビーム１を走査し、これにより試料表面のビーム走査像を取得するとともに、試料室内に設けられたプロービング機構２３のプローブ７を試料１５上で走査し、これにより試料表面のプローブ走査像を取得する顕微装置における荷電粒子ビームの走査幅校正方法において、プローブ７の走査移動量をビーム走査像に基づいて検出し、また当該プローブの走査移動量をプローブ走査像に基づいて検出し、検出された双方の走査移動量を比較し、その比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料室内に配置された試料上に荷電粒子ビームを走査し、これにより試料表面のビーム走査像を取得するとともに、試料室内に設けられたプロービング機構のプローブを試料上で走査し、これにより試料表面のプローブ走査像を取得する顕微装置における荷電粒子ビームの走査幅校正方法であって、プローブの走査移動量をビーム走査像に基づいて検出する第１の検出工程と、当該プローブの走査移動量をプローブ走査像に基づいて検出する第２の検出工程と、第１の検出工程により求められたプローブの走査移動量Ｓ１と第２の検出工程により求められた第２のプローブの走査移動量Ｓ２とを比較する比較工程と、比較工程の比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行うビーム走査幅校正工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビームの走査幅校正方法。
【請求項２】
前記比較工程において荷電粒子ビームの走査幅の補正係数を求め、前記ビーム走査幅校正工程において当該補正係数に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行うことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビームの走査幅補正方法。
【請求項３】
前記補正係数は、第１の走査移動量Ｓ１と第２の走査移動量Ｓ２の比により算出されることを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビームの走査幅校正方法。
【請求項４】
前記プローブ走査像はＳＴＭ像であることを特徴とする請求項１乃至３何れか記載の荷電粒子ビームの走査幅校正方法。
【請求項５】
前記荷電粒子ビームは電子ビームであることを特徴とする請求項１乃至４何れか記載の荷電粒子ビームの走査幅校正方法。
【請求項６】
試料室内に配置された試料上に荷電粒子ビームを走査し、これにより試料表面のビーム走査像を取得するとともに、試料室内に設けられたプロービング機構のプローブを試料上で走査し、これにより試料表面のプローブ走査像を取得する顕微装置であって、プローブの走査移動量をビーム走査像に基づいて検出する第１の検出手段と、当該プローブの走査移動量をプローブ走査像に基づいて検出する第２の検出手段と、第１の検出手段により求められたプローブの走査移動量Ｓ１と第２の検出手段により求められたプローブの走査移動量Ｓ２とを比較する比較手段と、比較手段の比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行うビーム走査幅校正手段とを有することを特徴とする荷電粒子ビームを用いた顕微装置。
【請求項７】
前記比較手段において荷電粒子ビームの走査幅の補正係数を求め、前記ビーム走査幅校正手段において当該補正係数に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行うことを特徴とする請求項６記載の荷電粒子ビームを用いた顕微装置。
【請求項８】
前記補正係数は、第１の走査移動量Ｓ１と第２の走査移動量Ｓ２の比により算出されることを特徴とする請求項７記載の荷電粒子ビームを用いた顕微装置。
【請求項９】
前記プローブ走査像はＳＴＭ像であることを特徴とする請求項６乃至８何れか記載の荷電粒子ビームを用いた顕微装置。
【請求項１０】
前記荷電粒子ビームは電子ビームであることを特徴とする請求項６乃至９何れか記載の荷電粒子ビームを用いた顕微装置。
【請求項１１】
請求項６記載の荷電粒子ビームを用いた顕微装置において使用される校正用試料であって、ビーム走査校正用のプローブ走査像を取得するためのプローブ走査用試料部が設けられていることを特徴とする荷電粒子ビーム校正用試料。
【請求項１２】
前記プローブ走査用試料部が中央に配置され、その周囲にグレーティング部若しくはメッシュ部が設けられていることを特徴とする請求項１１記載の荷電粒子ビーム校正用試料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビームの走査幅校正方法及び荷電粒子ビームを用いた顕微装置並びに荷電粒子ビーム校正用試料に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子ビームを用いた顕微装置として、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）と走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）とを組み合わせて構成される複合形顕微鏡装置（顕微装置）が開発されている。この複合形顕微鏡装置は、ＳＥＭにＳＴＭの機能を搭載した構成となっている。
【０００３】
この複合形顕微鏡装置においては、ＳＴＭを用いて試料上の対象部を極めて微細な原子レベルで測定する際に、事前に当該対象部を含む試料上の領域をＳＥＭによって観察することが可能である。これにより、ＳＴＭによる測定精度を向上することができる。このような複合形顕微鏡装置の例としては、例えば特許文献１に示された装置がある。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２０９７１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の複合型顕微鏡装置において、試料上の領域をＳＥＭにより観察する際には、予め電子ビーム（荷電粒子ビーム）の試料上での走査幅の校正を正確に行っておく必要がある。このように電子ビームの走査幅の校正を正確に行っておくことにより、設定された倍率に対応した電子ビームの試料上での走査を精度良く行うことができる。この結果、ＳＥＭにおける倍率校正が正確に実施される。
【０００６】
特に、ＳＴＭによる原子レベルでの測定が行われる対象部を含む試料上の微少領域（例えば、１００ｎｍオーダーの領域）を、ＳＥＭ観察のために電子ビームで走査する際には、当該微少領域に対応して電子ビームの走査幅の校正を正確に行っておく必要がある。
【０００７】
しかしながら、従来、ＳＥＭにおいて電子ビームの走査幅の校正用に用いられていた校正用試料は、数百ｎｍ〜数百μｍのピッチを有するグレーティングもしくはメッシュから構成されている。従って、このような比較的広いピッチに基づく電子ビームの走査幅の校正では、１００ｎｍオーダーの微少領域を電子ビームで走査する場合において、その走査幅を正確に設定することが困難であった。
【０００８】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、試料上での微少領域を荷電粒子ビームで走査する際に、荷電粒子ビームの走査幅の校正を正確に行うことのできる荷電粒子ビームの走査幅校正方法を提供することを目的とする。
【０００９】
また、本発明は、当該走査幅校正方法を実行することのできる荷電粒子ビームを用いた顕微装置を提供することを目的とする。
【００１０】
さらに、本発明は、当該顕微装置において使用される荷電粒子ビーム校正用試料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に基づく荷電粒子ビームの走査幅校正方法は、試料室内に配置された試料上に荷電粒子ビームを走査し、これにより試料表面のビーム走査像を取得するとともに、試料室内に設けられたプロービング機構のプローブを試料上で走査し、これにより試料表面のプローブ走査像を取得する顕微装置における荷電粒子ビームの走査幅校正方法であって、プローブの走査移動量をビーム走査像に基づいて検出する第１の検出工程と、当該プローブの走査移動量をプローブ走査像に基づいて検出する第２の検出工程と、第１の検出工程により求められたプローブの走査移動量Ｓ１と第２の検出工程により求められたプローブの走査移動量Ｓ２とを比較する比較工程と、比較工程の比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行うビーム走査幅校正工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に基づく荷電粒子ビームを用いた顕微装置は、試料室内に配置された試料上に荷電粒子ビームを走査し、これにより試料表面のビーム走査像を取得するとともに、試料室内に設けられたプロービング機構のプローブを試料上で走査し、これにより試料表面のプローブ走査像を取得する顕微装置であって、プローブの走査移動量をビーム走査像に基づいて検出する第１の検出手段と、当該プローブの走査移動量をプローブ走査像に基づいて検出する第２の検出手段と、第１の検出手段により求められたプローブの走査移動量Ｓ１と第２の検出手段により求められたプローブの走査移動量Ｓ２とを比較する比較手段と、比較手段の比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行うビーム走査幅校正手段とを有することを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明に基づく荷電粒子ビーム校正用試料は、当該顕微装置において使用される校正用試料であって、ビーム走査校正用のプローブ走査像を取得するためのプローブ走査用試料部が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明においては、ビーム走査像に基づいて検出されたプローブの走査移動量Ｓ１と、プローブ走査像に基づいて検出されたプローブの走査移動量Ｓ２とを比較し、この比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行う。
【００１５】
ここで、プローブ走査像に基づいて検出された第２の走査移動量Ｓ２は高精度に求められることとなる。よって、ビーム走査像に基づいて検出された第１の走査移動量Ｓ１と、高精度に求められた第２の走査移動量Ｓ２との比較に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正が行われることとなる。
【００１６】
これにより、荷電粒子ビームの走査幅は高精度で測定された第２の走査移動量Ｓ２を基に校正されることとなり、荷電粒子ビームの走査幅の校正が正確に行われることとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明における荷電粒子ビームを用いた顕微装置を示す概略構成図である。この顕微装置は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）と走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）とを組み合わせて構成される複合形顕微鏡装置からなる。
【００１８】
同図において、電子銃１から試料１５に向けて放出された電子ビーム（荷電粒子ビーム）１０は、集束レンズ２及び対物レンズ４により試料１５上に細く集束された状態で照射される。このとき、走査コイル３により電子ビーム１０は適宜偏向される。この結果、電子ビーム１０は、試料１５上を走査することとなる。なお、集束レンズ２、走査コイル３、及び対物レンズ４により電子光学系２４が構成されている。そして、この電子光学系２４と電子銃１は、図示しない鏡筒に配置されている。
【００１９】
ここで、図中の試料１５は、ビーム校正用試料（荷電粒子ビーム校正用試料）であり、その中央にプローブ走査用試料部１５ａが配置されている。なお、試料１５は図示しない試料室内に配置されており、試料１５の構造についての詳細は後述する。
【００２０】
電子ビーム１０が走査された試料１５上では、二次電子等の被検出電子１１が発生する。この発生した被検出電子１１は、電子検出器１２により検出される。
【００２１】
電子検出器１２は、被検出電子１１の検出結果に基づいて検出信号を出力する。この検出信号は、増幅された後にＡ／Ｄ変換され、ＳＥＭ像データ形成部１３に送られる。ＳＥＭ像データ形成部１３は、電子検出器１２からの検出信号に基づいてＳＥＭ像（ビーム走査像）データを形成し、このＳＥＭ像データはバスライン１６に送られる。
【００２２】
また、試料室内には、プロービング機構２３が設けられている。このプロービング機構２３は、スキャナ５と、スキャナ５の先端に取り付けられたプローブ７と、スキャナ５の側面に配置された位置決めセンサ８とから構成される。プロービング機構２３は、プローブ７の先端部を試料１５の表面上でＸ−Ｙ方向に走査して、このときプローブ７を介してトンネル電流を検出し、これによりＳＴＭ像からなるプローブ走査像を取得するためのものである。なお、プローブ７における先端部の輪郭は円弧状に形成されており、その曲率半径は１０ｎｍ程度となっている。このようなプローブ７は、タングステン線を電解エッチングすることにより形成される。
【００２３】
ここで、プローブ７を試料１５の表面上でＸ−Ｙ方向に走査する際には、位置決めセンサ８によりプローブ７の位置が検出され、当該検出結果はＡ／Ｄ変換されてバスライン１６に送られる。
【００２４】
プロービング機構２３のプローブ７を介して検出されたトンネル電流は増幅されて比較部９に送られる。比較部９は、予め設定された参照用電流と検出されたトンネル電流との比較を行い、その比較結果に基づいて得られるプローブ７のＺ方向に関するフィードバック量をフィードバック信号として駆動部５ａに出力する。
【００２５】
これにより、検出されるトンネル電流が参照用電流と等しい状態でプローブ７を試料表面上でＸ−Ｙ方向に走査し、このときのプローブ７のＺ方向に関するフィードバック量を比較部９において得ることができる。
【００２６】
このようにして比較部９において得られた当該フィードバック量に基づくフィードバック信号は、ＳＴＭ像データ形成部１４に送られる。ＳＴＭ像データ形成部１４は、比較部９からのフィードバック信号に基づいてＳＴＭ像（プローブ走査像）データを形成し、このＳＴＭ像データはバスライン１６に送られる。
【００２７】
試料１５は、試料室内に配置された試料ステージ機構６に載置されている。試料ステージ機構６は、試料１５を図中のＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に移動したり、試料１５の傾斜や回転を行うためのものである。
【００２８】
ここで、鏡筒に配置された電子銃１、集束レンズ２、走査コイル３、及び対物レンズ４（駆動対象１〜４）は、それぞれ対応する駆動部１ａ〜４ａにより駆動される。また、試料室内に配置されたプロービング機構２３のスキャナ５（駆動対象５）及び試料ステージ機構６（駆動対象６）は、それぞれ対応する駆動部５ａ，６ａにより駆動される。
【００２９】
各駆動部１ａ〜６ａは、バスライン１６に接続されている。そして、バスライン１６には制御部２２が接続されている。これにより、上記各駆動対象１〜６は、それぞれ対応する駆動部１ａ〜６ａを介して制御部２２により駆動制御される。
【００３０】
また、バスライン１６には、第１の検出手段１７、第２の検出手段１８、比較手段１９、ビーム走査幅校正手段２０、及び表示部２２が接続されている。
【００３１】
第１の検出手段１７は、プローブ７の走査移動量をＳＥＭ像に基づいて検出するためのものである。第２の検出手段１８は、プローブ７の走査移動量をＳＴＭ像に基づいて検出するためのものである。比較手段１９は、第１の検出手段により求められたプローブ７の走査移動量（第１の走査移動量）と第２の検出手段により求められたプローブ７の走査移動量（第２の走査移動量）とを比較するためのものである。ビーム走査幅校正手段２０は、比較手段１９の比較結果に基づいて電子ビーム１０の走査幅の校正を行うためのものである。表示部２２は、取得されたＳＥＭ像もしくはＳＴＭ像を表示するためのものである。なお、上述した制御部２１は、上記各構成要素の制御を行う。
【００３２】
ここで、ビーム校正用試料である試料１５の構造について、図２を参照して説明する。同図に示すごとく、この試料１５は、その中央にプローブ走査用試料部１５ａが設けられている。このプローブ走査用試料部１５ａは、プロービング機構２３のプローブ７がその表面上で走査する試料部であり、ＳＴＭ用の試料材料から構成される。具体的には、グラファイトから構成される。このグラファイトの原子配列ピッチは、約０．２４６ｎｍである。
【００３３】
そして、試料１５において、プローブ走査用試料部１５ａが設けられた中央の周囲部には、数百ｎｍ〜数百μｍのピッチを有するメッシュ部１５ｂが設けられている。なお、この周囲部には、同ピッチを有するグレーティング部が設けられていてもよい。この周囲部は、従来技術において行われていた電子ビームの走査幅の校正方法と同様の校正方法を実行する際に使用される。
【００３４】
以上の構成からなる顕微装置における電子ビーム（荷電粒子ビーム）の走査幅校正方法について、以下に説明する。
【００３５】
まず、制御部２１は駆動部５ａを介してプロービング機構２３のスキャナ５を駆動制御し、プローブ７の先端部を試料１５のプローブ走査用試料部１５ａの表面に接近させる。そして、プローブ７を介してトンネル電流を検出し、検出されるトンネル電流が所定の参照用電流と等しくなる状態まで、プローブ７の先端部をプローブ走査用試料部１５ａの表面に接近させる。プローブ７を介して当該参照用電流と等しいトンネル電流が検出された状態で、制御部２１はプローブ７の移動を一旦停止する。
【００３６】
そして、この状態で制御部２１は、電子銃１及び電子光学系２４を駆動制御し、電子銃１から放出される電子ビーム１０を試料１５のプローブ走査用試料部１５ａ上で走査する。このときの走査幅は１００ｎｍ程度とし、走査領域にプローブ７の先端部が含まれるようにする。
【００３７】
この電子ビーム１０の走査により発生した被検出電子１１は、電子検出器１２により検出される。電子検出器１２は、被検出電子１１の検出結果に基づいて検出信号を出力する。この検出信号は、増幅された後にＡ／Ｄ変換され、ＳＥＭ像データ形成部１３に送られる。ＳＥＭ像データ形成部１３は、電子検出器１２からの検出信号に基づいてＳＥＭ像（ビーム走査像）データを形成し、このＳＥＭ像データはバスライン１６に出力される。
【００３８】
そして、当該ＳＥＭ像データは、バスライン１６を介して第１の検出手段１７に送られる。第１の検出手段１７は、このＳＥＭ像データを第１の像データとして、内部に備える図示しない記憶部に格納する。このときのＳＥＭ像におけるプローブ７の像（プローブ像）を、図３に実線で示す。
【００３９】
次いで、制御部２１は駆動部５ａを介してプロービング機構２３のスキャナ５を駆動制御し、プローブ７の先端部をプローブ走査用試料部１５ａの表面上において、Ｘ方向に走査移動する。このとき、制御部２１は、位置決めセンサ８の検出結果に基づいて、プローブ７のＸ方向の走査移動を正確に行う。
【００４０】
このプローブ７のＸ方向での走査において、プローブ７を介してトンネル電流の検出を行う。プローブ７を介して検出されたトンネル電流は、増幅されて比較部９に送られる。比較部９は、参照用電流と検出されたトンネル電流との比較を行い、その比較結果に基づいて得られるプローブ７のＺ方向に関するフィードバック量をフィードバック信号として駆動部５ａに出力する。
【００４１】
これにより、検出されるトンネル電流が参照用電流と等しい状態でプローブ７をプローブ走査用試料部１５ａの表面上でＸ方向に走査し、このときのプローブ７のＺ方向に関するフィードバック量を比較部９において得ることができる。
【００４２】
比較部９において得られた当該フィードバック量に基づくフィードバック信号は、ＳＴＭ像データ形成部１４に送られる。ＳＴＭ像データ形成部１４は、比較部９からのフィードバック信号に基づいてＳＴＭ像（プローブ走査像）データを形成し、このＳＴＭ像データはバスライン１６を介して第２の検出手段１８に送られる。このようにして形成されたＳＴＭ像データに基づくＳＴＭ像の例を図４に示す。なお、同図に示す例は、Ｘ−Ｙ平面に対応したＳＴＭ像である。
【００４３】
第２の検出手段１８は、ＳＴＭ像データに基づいて、プローブ７のＸ方向走査における走査移動量を検出する。ここで、第２の検出手段は、図示しない記憶部を備えており、この記憶部には予め設定された設定移動量が格納されている。本実施の形態においては、当該設定移動量は、例えば、プローブ走査用試料部１５ａを構成するグラファイトの原子配列ピッチの５０ピッチ分（０．２４６ｎｍ×５０）に相当する１２．３ｎｍとしておく。
【００４４】
第２の検出手段１８は、プローブ７がＸ方向に走査する際における走査移動量を検出しながら、当該走査移動量が設定移動量に達するか否かを判断する。そして、当該走査移動量が設定移動量に達した時点で、その旨の検出信号を制御部２１に送る。制御部２１は、当該検出信号に基づいて、プローブ７の走査駆動を停止する。この結果、プローブ７は、プローブ走査用試料部１５ａ上をＸ方向に１２．３ｎｍの走査移動量で走査した後に停止したこととなる。
【００４５】
また、これと同時に、第２の検出手段１８は、プローブ７の走査移動量である１２．３ｎｍのデータを、第２の走査移動量データとして比較手段１９に送る。比較手段１９は、図示しない記憶部を備えており、この第２の走査移動量データを当該記憶部に格納する。
【００４６】
上記の状態で、前述した電子ビーム１０の走査条件と同じ電子ビーム１０の走査を行う。このときの電子ビーム１０のプローブ走査用試料部１５ａ上における走査幅及び走査領域は、前述の電子ビーム１０の走査時と同じである。
【００４７】
当該電子ビーム１０の走査に基づいて発生した被検出電子１１は、電子検出器１２により検出される。電子検出器１２は、上述と同様に、被検出電子１１の検出結果に基づいて検出信号をＳＥＭ像データ形成部１３に送る。ＳＥＭ像データ形成部１３は、電子検出器１２からの検出信号に基づいて、この時点におけるＳＥＭ像データを形成し、バスライン１６を介してＳＥＭ像データを第１の検出手段１７に送る。ここで、このときのＳＥＭ像データを第２の像データとする。
【００４８】
第１の検出手段１７は、その記憶部に格納した第１の像データと、この第２の像データとの合成像データを作成する。この合成像データに基づく像では、図３に示すように、実線で示された第１の像データにおけるプローブ像７ａと、一点鎖線で示された第２の像データにおけるプローブ像７ｂとが同一走査領域内に含まれている。
【００４９】
そして、第１の検出手段１７は、当該合成像データに基づいて、プローブ７の走査移動量（図３中の距離Ｓ）を、所定の画像処理を施すことにより検出する。例えば、画像中でのプローブ像７ａ，７ｂの各先端部７ｃ，７ｄの座標を求め、各座標の差異を算出することによりプローブ７の走査移動量を検出する。その後、第１の検出手段１７は、これにより検出されたプローブ７の走査移動量のデータを、第１の走査移動量データとして比較手段９に送る。
【００５０】
比較手段９は、その記憶部に格納した第２の走査移動量データと、第１の走査移動量データとの比較を行う。具体的には、このとき送られた第１の走査移動量データにおける走査移動量を「Ｓ１」、格納していた第２の走査移動量データにおける走査移動量を「Ｓ２」とすると、「ａ＝Ｓ１／Ｓ２」なる演算を実行する。すなわち、第１の走査移動量を第２の走査移動量によって除算する演算を行う。ここで、本実施の形態においては、「Ｓ２＝１２．３ｎｍ」であるので、「ａ＝Ｓ１／１２．３」となる。この演算結果により得られる「ａ」は、電子ビーム１０の走査幅の補正係数となる。
【００５１】
この比較手段１９の演算結果により得られた補正係数ａのデータは、ビーム幅校正手段２０に送られる。ビーム幅校正手段２０は、図示しない記憶部を備えており、当該記憶部に補正係数ａのデータを格納する。そして、ビーム幅校正手段２０は、その記憶部に格納された補正係数ａのデータを読み出し、読み出した補正係数ａに基づいて電子ビーム１０の走査幅の校正を行う。
【００５２】
すなわち、補正係数ａが１以上場合には、ＳＥＭ像データにより求められた走査移動量Ｓ１は、ＳＴＭ像データにより求められた走査移動量Ｓ２よりも大きくなっている。この場合には、電子ビーム１０の走査幅が小さく設定されていることとなるので、当該補正係数倍に走査幅を設定することにより電子ビーム１０の走査幅の校正を行う。
【００５３】
また、補正係数ａが１未満の場合には、ＳＥＭ像データにより求められた走査移動量Ｓ１は、ＳＴＭ像データに求められた走査移動量Ｓ２よりも小さくなっている。この場合には、電子ビーム１０の走査幅が大きく設定されていることとなるので、当該補正係数倍に走査幅を設定することにより電子ビーム１０の走査幅の校正を行う。
【００５４】
このように、本発明においては、ビーム走査像に基づいて検出されたプローブの走査移動量（第１走査移動量）Ｓ１と、プローブ走査像に基づいて検出されたプローブの走査移動量（第２の走査移動量）Ｓ２とを比較し、この比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行う。
【００５５】
ここで、プローブ走査像に基づいて検出された第２の走査移動量Ｓ２は高精度測定により求められることとなる。よって、ビーム走査像に基づいて検出された第１の走査移動量Ｓ１と、高精度で求められた第２の走査移動量Ｓ２との比較に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正が行われることとなる。
【００５６】
これにより、荷電粒子ビームの走査幅は高精度で測定された第２の走査移動量Ｓ２を基に校正されることとなり、荷電粒子ビームの走査幅の校正が正確に行われることとなる。
【００５７】
なお、上述の例においては、プローブ走査像としてＳＴＭ像を適用した例に基づいて説明したが、プローブ走査像としては他の走査形プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を用いて得られる走査像を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明における荷電粒子ビームを用いた顕微装置を示す概略校正図である。
【図２】本発明におけるビーム校正用試料を示す図である。
【図３】ＳＥＭ像及びその合成像におけるプローブ７の像を示す図である。
【図４】ＳＴＭ像の例を示す図である。
【符号の説明】
【００５９】
１…電子銃、２…集束レンズ、３…走査コイル、４…対物レンズ、５…スキャナ、６…試料ステージ機構、７…プローブ、８…位置決めセンサ、９…比較部、１０…電子ビーム（荷電粒子ビーム）、１１…被検出電子、１２…電子検出器、１３…ＳＥＭ像データ形成部、１４…ＳＴＭ像データ形成部、１５…試料（ビーム校正用試料）、１６…バスライン、１７…第１の検出手段、１８…第２の検出手段、１９…比較手段、２０…ビーム走査幅校正手段、２１…制御部、２２表示部、２３…プロービング機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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