(57)【要約】【課題】  基板の表面中央部への悪影響を防止しながら、周縁エッチング幅を均一にして処理する。【解決手段】  第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃが基板Ｗの端面に当接しつつ回転することで基板Ｗを保持しながら回転させる。そして、回転する基板表面Ｗｆの周縁部に薬液ノズル１４２から薬液を供給することで基板表面Ｗｆの周縁部のすべての領域に薬液が供給される。薬液ノズル１４２は、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃのうちの２つの保持ローラの間であって、該保持ローラ対のうち基板Ｗの回転方向Ａにおいて上流側に位置する上流側保持ローラの近傍に配置される。このため、薬液ノズル１４２から供給された薬液は下流側保持ローラに達するまでに除去され、薬液が保持ローラ対に衝突して跳ね返るのを防止することができる。【選択図】  図３
2006120666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の回転中心軸を中心として放射状に配置された複数の第１保持ローラを有し、各第１保持ローラを基板の端面に当接させつつ回転させることにより、該基板を保持しながら前記回転中心軸回りに回転させる第１回転保持手段と、
前記複数の第１保持ローラのうち前記第１回転保持手段によって回転される基板の周方向において互いに隣接する２つの保持ローラの間で、しかも該保持ローラ対のうち前記基板の回転方向において上流側に位置する上流側保持ローラの近傍に配置され、前記基板の表面周縁部に処理液を供給する周縁処理ノズルと
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
所定の回転中心軸を中心として放射状に配置された複数の第１保持ローラを有し、各第１保持ローラを基板の端面に当接させつつ回転させることにより、該基板を保持しながら前記回転中心軸回りに回転させる第１回転保持手段と、
前記複数の第１保持ローラの各々に対応して設けられ、前記基板の表面周縁部に処理液を供給する複数の周縁処理ノズルとを備え、
前記複数の周縁処理ノズルの各々は、該周縁処理ノズルに対応する第１保持ローラに対し、前記基板の回転方向における下流側近傍に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の第１保持ローラは前記回転中心軸を中心として前記基板の端面に沿って略等角度間隔で配置されている請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板の裏面に近接して対向する対向面を有する近接部材と、前記基板裏面の略中央部に処理液を供給する裏面処理ノズルとをさらに備え、
前記周縁処理ノズルから回転する前記基板の表面周縁部に前記処理液を供給して該基板の表面周縁部を処理するとともに、前記裏面処理ノズルから回転する前記基板の裏面の略中央部に処理液を供給して該基板裏面と前記対向面とで挟まれた空間を液密状態にすることで前記基板裏面を処理する請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記周縁処理ノズルから前記基板の表面周縁部に供給される処理液によって処理される周縁処理領域より前記基板の径方向内側の非処理領域に気体を供給するガスノズルをさらに備えた請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記複数の第１保持ローラと異なる位置で、かつ前記回転中心軸を中心として放射状に配置された複数の第２保持ローラを有し、各第２保持ローラを基板の端面に当接させつつ回転させることにより、該基板を保持しながら前記回転中心軸回りに回転させる第２回転保持手段と、
前記複数の第１保持ローラの各々を前記基板の端面に対して離当接移動させる第１ローラ移動手段と、
前記複数の第２保持ローラの各々を前記基板の端面に対して離当接移動させる第２ローラ移動手段と、
前記第１および第２ローラ移動手段を制御して、前記処理液により処理された基板の保持を前記第１回転保持手段による基板保持から前記第２回転保持手段による基板保持に切り替える制御手段と
をさらに備えた請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に、薬液やリンス液などの処理液を供給して基板に所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の基板の一連の処理工程においては、基板の表面にフォトレジスト等の薄膜を形成するための成膜工程を複数工程有しているが、この成膜工程では基板裏面あるいは基板表面の周縁部にも成膜されることがある。しかしながら、一般的には基板において成膜が必要なのは基板表面の中央部のデバイス形成領域のみであり、基板裏面あるいは基板表面の周縁部に成膜されてしまうと、成膜工程の後工程において、他の装置との接触により基板裏面あるい基板表面の周縁部に形成された薄膜が剥がれたりすることがあり、これが原因となって歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラブルが起こることがある。
【０００３】
そこで、基板裏面および基板表面の周縁部に形成された薄膜を除去するために、例えば特許文献１に記載された装置が提案されている。この装置では、その表面に薄膜が形成された基板を、該基板の外周端部付近に設けられたチャックピン等の基板保持手段によって保持するとともに、該基板保持手段を回転させる。また、回転している基板の裏面に対して薬液を供給する。このとき、基板の表面に対向する対向面を有し、かつ基板の表面と所定の間隔離れた回転部材を回転させると、基板の回転および回転部材の回転によって、薬液は基板の裏面全体に広がって基板裏面の不要物をエッチング除去するのみならず、基板の端面を介して基板表面の周縁部に回り込み、該表面周縁部の不要物をもエッチング除去する。こうして、基板裏面および基板表面の周縁部のみにおいて薄膜がエッチング除去される。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２３５９４８号公報（第２−３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した基板処理は基板表面の略中央部に形成された非処理部の周辺から一定範囲の薄膜を除去するために行われるが、この除去範囲、つまり端面から内側に向かってエッチング除去される幅（以下「周縁エッチング幅」という）を正確にコントロールするのが望まれる。特に、薄膜として銅などのメタル層が基板表面に形成された場合には、上記基板処理では端面（べベル）近傍でのメタル除去を目的とするため、周縁エッチング幅を周面全体にわたって均一化することが非常に重要となっている。
【０００６】
従来装置では、周縁エッチング幅を薬液の回り込み量で制御していた。つまり、基板の回転数を変更することで薬液の回り込み量が変化し、それに応じて周縁エッチング幅が調整される。しかしながら、基板の回転数により回り込み量を安定化することが困難であり、十分な均一性で周縁エッチング幅をコントロールすることは事実上できなかった。また、処理中に基板の外周端部をチャックピンによって保持している関係上、基板表面の周縁部のうちチャックピンによって保持されている部分とそうでない部分とで薬液が回り込んでくる量が異なり、周縁エッチング幅を均一にして処理することをさらに困難なものとしていた。
【０００７】
そこで、周縁部エッチング幅を均一にするために、薬液を基板裏面から基板表面の周縁部に回り込ませるのではなく、直接に基板表面の周縁部に向けて薬液を供給することが考えられる。しかしながら、この場合、基板表面の周縁部に供給された薬液は基板の径方向外側に向かい、その一部がチャックピンに当たって跳ね返り基板表面の中央部（非処理部）を腐食させてしまうことがある。また、基板の外周端部を保持した状態でチャックピンを基板の回転中心回りに回転させているため、チャックピンが基板端面の周囲の気流を乱れさせることとなる。その結果、処理中に飛散したミスト状の薬液が基板と回転部材との間に形成される空間に巻き込まれて基板表面の中央部に侵入して付着することがある。さらに、基板がチャックピンによって保持される保持部分の処理を行うために処理途中に基板のチャックを開閉（基板保持および基板保持を解除）させることがあるが、この場合は特に基板の径方向外側に向かう薬液をチャックピンで跳ね返らせ易くなる。
【０００８】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板の表面中央部への悪影響を防止しながら、周縁エッチング幅を均一にして処理することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明にかかる基板処理装置は、上記目的を達成するため、所定の回転中心軸を中心として放射状に配置された複数の第１保持ローラを有し、各第１保持ローラを基板の端面に当接させつつ回転させることにより、該基板を保持しながら回転中心軸回りに回転させる第１回転保持手段と、複数の第１保持ローラのうち第１回転保持手段によって回転される基板の周方向において互いに隣接する２つの保持ローラの間で、しかも該保持ローラ対のうち基板の回転方向において上流側に位置する上流側保持ローラの近傍に配置され、基板の表面周縁部に処理液を供給する周縁処理ノズルとを備えたことを特徴としている。
【００１０】
このように構成された発明では、各第１保持ローラが基板の端面に当接しつつ回転することで第１回転保持手段が該基板を保持しながら前記回転中心軸回りに回転させる。このため、各第１保持ローラと基板端面とが互いに当接する位置は基板回転に伴い変化している。つまり、基板回転に伴って基板端面が各第１保持ローラによって保持される位置は刻々と変化している。このため、回転している基板の表面周縁部に周縁処理ノズルから処理液を供給することによって基板表面の周縁部のすべての領域に処理液が供給され、その結果、基板表面の周縁部に未処理領域をなくすことができ、基板表面の周縁部を良好に処理することができる。
【００１１】
また、周縁処理ノズルは、以下の２つの条件、つまり、
(1)複数の第１保持ローラのうち前記第１回転保持手段によって回転される基板の周方向において互いに隣接する２つの保持ローラの間であること、
(2)該保持ローラ対のうち前記基板の回転方向において上流側に位置する上流側保持ローラの近傍であること、
が満足される位置に配置されている。このため、次のような作用効果が得られる。ここでは、基板表面の周縁部の微小領域について着目して該作用効果について説明する。上記の２つの条件を満足する場合、この微小領域が上流側保持ローラを通過すると、その直後に該微小領域に対して周縁処理ノズルから処理液が供給され、処理液による処理が開始される。そして、基板はさらに回転し、やがて該微小領域は保持ローラ対のうち基板の回転方向において下流側に位置する保持ローラ、つまり下流側保持ローラに移動する。このようにして微小領域が上流側保持ローラから下流側保持ローラに移動する間に、供給された処理液により微小領域に対して処理が実行されるとともに、微小領域に供給された処理液は基板回転に伴う遠心力で基板から振り切られ、下流側保持ローラに達した時点ではすでに微小領域は乾いている。このように、基板表面の周縁部の各部は、上流側保持ローラを通過した後に該各部に処理液が供給されるとともに、その処理液は下流側保持ローラに達するまでに基板から除去されるため、処理液が保持ローラ対に衝突して跳ね返るのを確実に防止することができる。その結果、基板表面の中央部に処理液の跳ね返りによる基板表面の中央部（非処理部）の腐食が確実に防止される。
【００１２】
ここで、上記発明においては、互いに隣接する保持ローラ対が複数組構成されるが、そのうちの一の保持ローラ対に対して周縁処理ノズルを設けているが、他の保持ローラ対の一部または全部に対して周縁処理ノズルをさらに配置するようにしてもよい。例えば、周縁処理ノズルを前記複数の第１保持ローラの各々に対応して設けてもよい。この場合、複数の周縁処理ノズルの各々は、該周縁処理ノズルに対応する第１保持ローラに対し、前記基板の回転方向における下流側近傍に配置することができる。これによって、上記発明と同様の作用効果により基板表面の中央部への悪影響を確実に防止しながら基板表面の周縁部を均一に処理することができる。また、処理液の供給箇所が増えることにより、処理の迅速化が図られる。
【００１３】
また、複数の第１保持ローラを回転中心軸を中心として基板の端面に沿って略等角度間隔に配置してもよい。このような配置構成を採用することによって、処理液が供給された領域が次の第１保持ローラに達するまでの時間を長く設定することで、処理液が供給された領域が上流側保持ローラから下流側保持ローラに移動する間に、供給された処理液を除去することができる。これにより、下流側保持ローラへの処理液の衝突を防止して処理液の跳ね返りを抑制することができる。
【００１４】
また、基板の裏面に近接して対向する対向面を有する近接部材と、基板裏面の略中央部に処理液を供給する裏面処理ノズルとをさらに設けて、周縁処理ノズルから回転する基板の表面周縁部に処理液を供給して該基板の表面周縁部を処理するとともに、裏面処理ノズルから回転する基板の裏面の略中央部に処理液を供給して該基板裏面と対向面とで挟まれた空間を液密状態にすることで基板裏面を処理するようにしてもよい。このような構成では、基板表面の周縁部を処理するベベル処理と、基板裏面を処理する裏面処理とを同時を実行する、いわゆる１ステップ処理を実行している。ここでは、上記したように基板表面の中央部への悪影響しながら基板表面の周縁部を均一に処理するとともに、以下のようにして基板の裏面全体を処理している。すなわち、基板の端面に当接しつつ基板を回転させる保持ローラでは、基板回転に伴う遠心力でもって基板裏面の略中央部に供給された処理液を基板裏面に沿って裏面全体に広げるほどに基板の回転数を高くすることは困難である。そこで、裏面処理ノズルから回転する基板の裏面の略中央部に処理液を供給して基板裏面と該基板裏面に近接して対向する対向面とで挟まれた空間を液密状態にすることで該空間に処理液を溜めて基板の裏面全体を処理している。このように、基板裏面についても処理することで、基板裏面と基板表面の周縁部とを同時に処理することが可能であるため基板１枚当たりの処理時間を短縮し、スループットを向上させることができる。
【００１５】
さらに、周縁処理ノズルから基板の表面周縁部に供給される処理液によって処理される周縁処理領域より基板の径方向内側の非処理領域に気体を供給するガスノズルを設けてもよい。この構成によれば、基板表面の周縁処理領域より径方向内側の非処理領域に気体が供給されることから、基板表面の中央部（非処理部）への侵入が防止される。これにより、基板表面の中央部の腐食を防止するとともに周縁エッチング幅の均一性をさらに向上させることができる。
【００１６】
また、複数の第１保持ローラと異なる位置で、かつ回転中心軸を中心として放射状に配置された複数の第２保持ローラを有し、各第２保持ローラを基板の端面に当接させつつ回転させることにより、該基板を保持しながら回転中心軸回りに回転させる第２回転保持手段と、複数の第１保持ローラの各々を基板の端面に対して離当接移動させる第１ローラ移動手段と、複数の第２保持ローラの各々を基板の端面に対して離当接移動させる第２ローラ移動手段と、第１および第２ローラ移動手段を制御して、処理液により処理された基板の保持を第１回転保持手段による基板保持から第２回転保持手段による基板保持に切り替える制御手段とをさらに設けるように構成するのが望ましい。
【００１７】
このような構成によれば、第２保持ローラは処理液により処理された基板のみを保持する。このため、基板処理によって第１保持ローラに被処理物が付着する場合であっても、基板処理後に第１保持ローラによる基板保持から第２保持ローラによる基板保持に切り替えることで、第１保持ローラに付着した被処理物によって処理後の基板が汚染されるのを防止することができる。例えば、被処理物として基板表面の周縁部に形成された銅などの金属薄膜をエッチング処理する場合には、以下のように第１および第２ローラ移動手段を制御することで、エッチング処理後の基板に薄膜成分（金属成分）が再付着するのを防止することができる。すなわち、第１保持ローラにより基板を保持しながら基板表面の周縁部に処理液として薬液を供給して該表面周縁部に形成された薄膜を除去する。そして、基板から薄膜が除去された後に第１および第２保持ローラにより基板を保持させる。その後、第１保持ローラによる基板保持を解除することによって、第２保持ローラのみによる基板保持に切り替える。さらに、次の未処理基板（表面周縁部に銅薄膜が形成されている基板）を処理する場合には、上記と同様にして第１保持ローラにより基板を保持させながらエッチング処理を実行する。このように基板処理を実行することで、第２保持ローラは薄膜が除去された基板のみを取り扱うので、基板処理後（薄膜除去後）の基板に被処理物たる薄膜成分が再付着するのが防止される。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、複数の保持ローラが基板の端面に当接しつつ回転することで、周縁処理ノズルからの処理液は基板表面の周縁部のすべての領域に対して直接に供給される。このため、基板表面の周縁部に未処理領域をなくすとともに、周縁エッチング幅を均一にして処理することができる。また、周縁処理ノズルは互いに隣接する２つの保持ローラの間であって、該保持ローラ対のうち基板の回転方向において上流側に位置する上流側保持ローラの近傍に配置されているので、周縁処理ノズルから供給された処理液が下流側保持ローラに達するまでに基板から除去されている。このため、処理液が保持ローラ対に衝突して跳ね返るのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１および図２はこの発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す概略構成図である。図３は図１の基板処理装置の平面図である。また、図４は、図１の基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装置は基板表面の周縁部からメタル層やフォトレジスト層などの薄膜をエッチング除去するベベルエッチングと基板裏面を洗浄する裏面洗浄とを同時に実行（いわゆる１ステップ処理を実行）することの可能な装置であり、次のように構成されている。
【００２０】
この基板処理装置では、基板Ｗはその表面Ｗｆを上方に向けた姿勢で、かつ略水平姿勢で３つの第１保持ローラ１Ａ，１Ｂ，１Ｃによって保持される。すなわち、図３に示すように、基板Ｗを保持するために基板Ｗの回転中心軸Ｊを中心として第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃが基板Ｗの端面に沿って等角度（１２０°）間隔で配置されている。このため、基板Ｗは第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃの側面にその端面が当接した状態で保持される。これにより、基板表面Ｗfに例えばメタル層やフォトレジスト層などの薄膜を形成してなる基板Ｗが基板表面Ｗfを上方に向けた姿勢で、かつ略水平姿勢で基板処理位置Ｐ１に位置決めされる。
【００２１】
これら第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃは、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転中心軸Ｊ（鉛直軸）回りに回転させるべく、回転可能に設けられている。すなわち、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃは、それぞれ鉛直軸回りに回転自在に支持されたローラ軸１１Ａ，１１Ｂ（図示せず），１１Ｃに固定されている。また、これらローラ軸１１Ａ〜１１Ｃのうちローラ軸１１Ａには、モータを含む第１回転駆動機構３が接続されており、第１保持ローラ１Ａの駆動力によって基板Ｗが回転されるようになっている。これにより、第１回転駆動機構３によって第１保持ローラ１Ａが駆動すると、基板Ｗは３つの第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃに保持された状態で回転方向Ａに沿って回転する。このとき、第１保持ローラ１Ｂ，１Ｃは基板Ｗの回転につられて回転する。なお、第１保持ローラ１Ａのみならず、ベルト等の駆動力伝達手段を介してローラ軸１１Ａの回転力をローラ軸１１Ｂ，１１Ｃに伝達させて、３つの第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃのすべてを駆動させて基板Ｗを回転させるようにしてもよい。このように、この実施形態では、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃと、第１回転駆動機構３とにより、本発明の「第１回転保持手段」を構成している。
【００２２】
また、図２に示すように第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃは基板Ｗの端面に対して離当接するとともに、基板Ｗを略水平状態に保持しながら昇降させることが可能となっている。すなわち、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃをその一方端で固定支持するローラ軸１１Ａ〜１１Ｃの他方端には、各ローラ軸の回転を可能としながらも、ローラ軸１１Ａ〜１１Ｃを基板Ｗに近接させたり離間させるように水平方向に駆動する第１接離駆動機構４Ａ，４Ｂ，４Ｃと、ローラ軸１１Ａ〜１１Ｃを昇降駆動する第１昇降駆動機構５Ａ，５Ｂ，５Ｃとがそれぞれ設けられている。このような第１接離駆動機構および第１昇降駆動機構としては、ボールネジを用いた送りネジ機構やエアシリンダ等のアクチュエータを用いた機構など、種々の公知の機構を採用することができる。
【００２３】
このため、装置全体を制御する制御ユニット２０からの動作指令に応じて第１接離駆動機構４Ａ〜４Ｃが作動することで、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃは基板Ｗの端面に当接して該基板Ｗを保持する当接位置と、基板Ｗの端面から離間して基板保持を解除する離間位置とに位置決めされる。また、制御ユニット２０からの動作指令に応じて第１昇降駆動機構４Ａ〜４Ｃが作動することで、搬送アーム等による基板搬送機構による装置への基板Ｗの搬入出を可能としながらも、基板Ｗと後述するベース部材９とを近接配置させた位置（基板処理位置Ｐ１）に位置決めすることが可能となっている。すなわち、基板Ｗとベース部材９とを近接配置させると、その隙間に搬送アームを挿入することができない。そこで、ベース部材９から上方に十分に離れた位置を基板受渡し位置Ｐ２として、第１昇降駆動機構４Ａ〜４Ｃにより基板Ｗを基板受渡し位置Ｐ２に位置決めすることで、基板受渡し位置Ｐ２にて搬送アームとの間で基板Ｗの受渡しを行っている。より具体的には、第１昇降駆動機構４Ａ〜４Ｃにより第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃを昇降させることで、
・基板受渡し位置Ｐ２で未処理基板Ｗの搬送アームからの受取り
・受け取った未処理基板Ｗの基板処理位置Ｐ１への位置決め
・所定の基板処理を受けた処理済基板Ｗの基板受渡し位置Ｐ２への位置決め
・処理済基板Ｗの搬送アームへの引渡し
を行っている。
【００２４】
さらに、図３に示すように第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃと異なる位置で基板Ｗの端面と当接して該基板Ｗを保持する３つの第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃが基板Ｗの回転中心軸Ｊを中心として基板Ｗの端面に沿って等角度間隔（１２０°間隔）で配置されている。詳しくは、第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃはそれぞれ第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃに対して基板Ｗの回転方向Ａの下流側であって、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃの近傍に配置されている。これらの第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃは第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃと同一の構成を有している。すなわち、第２保持ローラ２Ａにはローラ軸（図示省略）を介して第２回転駆動機構６が接続されており、基板Ｗを保持しながら回転させる。また、第２接離駆動機構７Ａ，７Ｂ，７Ｃと、第２昇降駆動機構８Ａ，８Ｂ，８Ｃとが設けられており、第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃをそれぞれ基板Ｗの端面に対して離当接させるとともに、基板Ｗを保持しながら昇降させることが可能となっている。このように、この実施形態では、第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃと、第２回転駆動機構６とにより、本発明の「第２回転保持手段」を構成している。
【００２５】
このように、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃと第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃとは、互いに独立して動作可能である。すなわち、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃによって、基板Ｗを３箇所の端面位置に当接させて保持しているときに、第２保持ローラ２Ａ〜２ＣによるウエハＷの保持を解除しておくことができる。また、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃによる基板Ｗの保持を解除している状態で、第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃによって、基板Ｗを３箇所の端面位置に当接させて保持することができる。さらには、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃおよび第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃのすべてによって、基板Ｗを保持することができ、この場合には、６箇所の端面位置において基板Ｗを保持することができる。このように、この実施形態では、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃの各々を駆動して基板Ｗの端面に対して離当接させる第１接離駆動機構４Ａ〜４Ｃが「第１ローラ移動手段」として、第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃの各々を駆動して基板Ｗの端面に対して離当接させる第２接離駆動機構７Ａ〜７Ｃが「第２ローラ移動手段」として機能している。
【００２６】
また、基板Ｗの外周方向には、水平方向に伸びるガイド１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃに沿って処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃがそれぞれ移動自在に設けられている。図３に示すように、ガイド１３Ａ〜１３Ｃは基板Ｗの回転中心軸Ｊを中心として互いに等角度間隔に離れた方向、つまり互いに１２０°離れた方向に伸びている。また、処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃにはアクチュエータ１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃがそれぞれ連結されており、装置全体を制御する制御ユニット２０からの動作指令に応じてアクチュエータ１５Ａ〜１５Ｃが作動することで処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃが基板表面Ｗｆの周縁部に対向したり（図１、図３の実線位置、以下「対向位置」という）、逆に基板表面Ｗｆの周縁部から側方に退避する（図１、図３の破線位置、以下「退避位置」という）ように構成されている。なお、この実施形態では、アクチュエータ１５Ａ〜１５Ｃは水平方向における処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃの移動量を連続的に設定することができるように構成されている。
【００２７】
ここで、これら処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃが対向位置にあるときは、各処理ヘッドを結合してなる平面形状はドーナツ状の円環形状を有しており、基板表面Ｗｆの周縁部を全周にわたって覆うことが可能になっている。これにより、後述するガスノズル１４１からの窒素ガスの吐出と併せて基板表面Ｗｆの周縁部の全周が外部雰囲気から遮断される。
【００２８】
３つの処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃはともに同一構成を有しており、薬液供給ユニット１６からエッチング処理に適した薬液の供給を受けて後述するようにエッチング処理を実行したり、リンス液供給ユニット１７から純水やＤＩＷなどのリンス液の供給を受けて後述するようにリンス処理を実行する。また、ガス供給ユニット１８が処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃのガスノズルに接続されており、各ノズルに窒素ガスを供給する。より詳しくは、処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃは以下のように構成されている。なお、３つの処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃは同一構成であるため、処理ヘッド１４Ａの構成のみを説明し、処理ヘッド１４Ｂ，１４Ｃの構成説明は省略する。
【００２９】
図５は図１の基板処理装置の拡大図（図３のＶ−Ｖ線断面図）である。処理ヘッド１４Ａは、基板表面Ｗｆの周縁部に対向する対向面を有しており、アクチュエータ１５Ａの作動により処理ヘッド１４Ａの対向面が基板Ｗの周縁に近接すると、基板Ｗの端面が処理ヘッド１４Ａの内部に入り込み、基板表面Ｗｆの周縁部が処理ヘッド１４Ａと対向する。この処理ヘッド１４Ａには、複数の吐出口を対向面に有するガスノズル１４１と、処理液（薬液あるいはリンス液）を吐出する２つの処理液ノズル１４２，１４３（本発明の「周縁処理ノズル」に相当）とが設けられている。
【００３０】
ガスノズル１４１はガス供給ユニット１８と接続されており、基板表面Ｗｆ側から周縁部に向けて窒素ガスを吐出する。これによって、ベルヌーイ効果を発揮させて基板表面Ｗｆを処理ヘッド１４Ａの対向面に近接状態で吸着させながら浮上させ、基板表面Ｗｆと処理ヘッド１４Ａとの離間距離を一定に保っている。なお、この実施形態では、ガスノズル１４１に窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスを吐出するように構成してもよい。また、ガスノズル１４１の吐出口は複数に限らず、単一の開口であってもよいが、複数の吐出口とした方が、ガス吐出圧の均一性を得る点で有利である。
【００３１】
また、２つの処理液ノズル１４２，１４３は、一方が薬液吐出用の薬液ノズル１４２であり、他方がリンス液吐出用のリンス液ノズル１４３となっている（図３）。また、薬液ノズル１４２は薬液供給ユニット１６と接続される一方、リンス液ノズル１４３はリンス液供給ユニット１７に接続されている。このため、制御ユニット２０からの動作指令に応じて薬液供給ユニット１６から薬液が圧送されると、薬液ノズル１４２から基板表面Ｗｆの周縁部に向けて薬液が吐出される一方で、リンス液供給ユニット１７からリンス液が圧送されると、リンス液ノズル１４３から基板表面Ｗｆの周縁部に向けてリンス液が吐出される。
【００３２】
これらの処理液ノズル１４２，１４３はガスノズル１４１よりも基板Ｗの径方向外側（図５の左手側）に設けられている。このため、処理液ノズル１４２，１４３から供給される処理液によって処理される周縁処理領域ＴＲより基板Ｗの径方向内側の非処理領域ＮＴＲに窒素ガスが供給されることから、処理液の非処理領域ＮＴＲへの侵入が防止される。
【００３３】
各処理ヘッドに設けらた、これら処理液ノズル１４２，１４３は第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃおよび第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃに対してそれぞれ以下のような位置に配置されている。なお、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃに対する処理液ノズル１４２，１４３の配置関係と、第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃに対する処理液ノズル１４２，１４３の配置関係とは同様であるので、ここでは第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃに対する処理液ノズル１４２，１４３の配置関係についてのみ説明し、第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃに対する処理液ノズル１４２，１４３の配置関係については説明を省略する。
【００３４】
処理液ノズル１４２，１４３は、(1)３つの保持ローラ１Ａ〜１Ｃのうちの２つの保持ローラの間であって、(2)該保持ローラ対のうち基板Ｗの回転方向Ａにおいて上流側に位置する上流側保持ローラの近傍に配置されている。具体的には、処理ヘッド１４Ａに設けられた処理液ノズル１４２，１４３は２つの保持ローラ１Ｂ、１Ｃの間であって、該保持ローラ対１Ｂ−１Ｃのうち基板Ｗの回転方向Ａにおいて上流側に位置する上流側保持ローラ１Ｂの近傍の下流側に配置されている。また、処理ヘッド１４Ｂに設けられた処理液ノズル１４２，１４３は２つの保持ローラ１Ｃ、１Ａの間であって、該保持ローラ対１Ｃ−１Ａのうち基板Ｗの回転方向Ａにおいて上流側に位置する上流側保持ローラ１Ｃの近傍の下流側に配置されている。さらに、処理ヘッド１４Ｃに設けられた処理液ノズル１４２，１４３は２つの保持ローラ１Ａ、１Ｂの間であって、該保持ローラ対１Ａ−１Ｂのうち基板Ｗの回転方向Ａにおいて上流側に位置する上流側保持ローラ１Ａの近傍の下流側に配置されている。
【００３５】
また、基板Ｗの裏面側には該基板裏面Ｗｂと近接して対向する対向面９ａを備えたベース部材９（本発明の「近接部材」に相当）が固定的に配置されている。ベース部材９の中央部には鉛直軸方向に裏面処理ノズル２１と気体供給ノズル２２とが設けられ、基板裏面Ｗｂの略中央部に向けて選択的に処理液および窒素ガスを供給できるように構成されている。裏面処理ノズル２１は薬液供給ユニット１６およびリンス液供給ユニット１７に接続されており、薬液またはリンス液を選択的に供給する。一方、気体供給ノズル２２はガス供給ユニット１８に接続され、基板裏面Ｗｂ側に窒素ガスを供給する。このため、裏面処理ノズル２１および気体供給ノズル２２から処理液および窒素ガスを選択的に吐出させることで、基板裏面Ｗｂと対向面９ａとで挟まれた空間ＳＰを処理液または窒素ガスで満たすことが可能となっている。
【００３６】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図１ないし図６を参照しつつ説明する。図６は図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この基板処理装置では、基板表面Ｗｆにメタル層やフォトレジスト層などの薄膜ＴＦが形成された基板Ｗが基板表面Ｗｆを上方に向けて装置に搬入されると、該基板Ｗに対してベベルエッチング処理（エッチング工程＋リンス工程＋乾燥工程）および裏面洗浄処理とが同時に実行される。より具体的には、図６のフローチャートに示す一連の処理が実行される。
【００３７】
まずステップＳ１で制御ユニット２０が第１昇降駆動機構５Ａ〜５Ｃを駆動して第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃを上昇させて基板受渡し位置Ｐ２に位置決めさせる。このとき、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃは離間位置（基板保持が解除された位置）にあり、基板Ｗを受け取ることが可能になっている。また、処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃは基板Ｗの周縁部から離間しており（図１、図３の破線位置）、基板Ｗとの干渉を防止している。続いて、搬送アーム等により未処理基板Ｗがその表面Ｗｆを上方に向けた状態で装置内に搬入され、基板受渡し位置Ｐ２に搬送されてくると（ステップＳ２）、制御ユニット２０は第１接離駆動機構４Ａ〜４Ｃを駆動して保持ローラ１Ａ〜１Ｃを基板Ｗの端面に当接させて基板Ｗを保持する。その結果、搬送アームに保持されている未処理基板Ｗが第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃに受け渡される（ステップＳ３）。
【００３８】
次に、制御ユニット２０が第１昇降駆動機構５Ａ〜５Ｃを下降駆動させることで、基板Ｗは第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃにより略水平状態に保持された状態で降下される（ステップＳ４）。そして、基板Ｗが基板処理位置Ｐ１に達すると、制御ユニット２０は第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃの下降を停止させて基板Ｗを基板処理位置Ｐ１に位置決めする（ステップＳ５）。これによって、基板Ｗはその表面Ｗｆを上方に向けた状態で（フェースアップ姿勢で）、かつ基板裏面Ｗｂとベース部材９の対向面９ａとが近接状態で対向配置される。
【００３９】
そして、処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃを基板Ｗの周縁部に移動させて基板表面Ｗｆの周縁部と対向してエッチング処理が可能な位置（図１、図３の実線位置）に位置決めする（ステップＳ６）。すなわち、基板処理装置の操作パネル（図示省略）を介してオペレータが基板種類や薄膜種類などに対応するレシピを選択すると、そのレシピで予め設定された移動量だけ処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃがそれぞれガイド１３Ａ〜１３Ｃに沿って基板内周側に移動される。また、ステップＳ６と同時、あるいは前後して、第１回転駆動機構３の駆動を開始させて基板Ｗを基板処理位置Ｐ１で回転させる（ステップＳ７）。
【００４０】
こうして処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃの位置決めが完了すると、ガスノズル１４１から基板Ｗに向けて窒素ガスが吐出される（ステップＳ８）。また、薬液供給ユニット１６からエッチング処理に適した薬液が薬液ノズル１４２に圧送されて基板Ｗの端面から一定の位置に薬液が供給される。これによって、薬液ノズル１４２と基板Ｗの周縁部との距離が所望値、つまり周縁エッチング幅ＥＨで基板表面Ｗｆの周縁部から不要物（薄膜ＴＦ）がエッチング除去される（ステップＳ９）。このエッチング処理が基板回転に伴い連続的に行われて基板表面Ｗｆの周縁部を所定の周縁エッチング幅ＥＨで正確に、しかも基板全周にわたって均一にエッチング除去される。
【００４１】
エッチング処理の間、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃと基板Ｗの端面が互いに当接する位置は基板回転に伴い変化している。このため、基板表面Ｗｆの周縁部に薬液を供給することによって基板表面Ｗｆの周縁部のすべての領域に薬液を供給することができる。その結果、基板表面Ｗｆの周縁部に未処理領域をなくすことができる。また、ガスノズル１４１から吐出される窒素ガスは基板表面Ｗｆの周縁処理領域ＴＲより基板Ｗの径方向内側の非処理領域ＮＴＲに窒素ガスが供給されることから、薬液の非処理領域ＮＴＲへの侵入が防止される（図５）。これにより、基板表面Ｗｆの中央部（非処理部）の腐食を防止するとともに周縁エッチング幅ＥＨの均一性をさらに向上させることができる。
【００４２】
ここで、各処理ヘッドに設けらた薬液ノズル１４２は、次のように配置されている。すなわち、図３に示すように、処理ヘッド１４Ａに設けられた薬液ノズル１４２は２つの保持ローラ１Ｂ、１Ｃの間であって、該保持ローラ対１Ｂ−１Ｃのうち基板Ｗの回転方向Ａにおいて上流側に位置する上流側保持ローラ１Ｂの近傍の下流側に配置されている。また、処理ヘッド１４Ｂに設けられた薬液ノズル１４２は２つの保持ローラ１Ｃ、１Ａの間であって、該保持ローラ対１Ｃ−１Ａのうち回転方向Ａにおいて上流側に位置する上流側保持ローラ１Ｃの近傍の下流側に配置されている。さらに、処理ヘッド１４Ｃに設けられた薬液ノズル１４２は２つの保持ローラ１Ａ、１Ｂの間であって、該保持ローラ対１Ａ−１Ｂのうち回転方向Ａにおいて上流側に位置する上流側保持ローラ１Ａの近傍の下流側に配置されている。したがって、次のような作用効果が得られる。ここでは、処理ヘッド１４Ａに設けられた薬液ノズル１４２について該作用効果について、図７を参照しつつ基板表面Ｗｆの周縁部の微小領域に着目して説明する。
【００４３】
図７は、ベベルエッチング処理を説明するための部分平面図である。同図において符号ＳＲ（Ｔ１）〜ＳＲ（Ｔ４）は特定の微小領域ＳＲの各タイミングＴ１〜Ｔ４における位置を示している。上記したように、処理ヘッド１４Ａに設けられた薬液ノズル１４２は、２つの条件、つまり(1) 基板Ｗの周方向において互いに隣接する２つの保持ローラ１Ｂ、１Ｃの間であって、(2)該保持ローラ対１Ｂ−１Ｃのうち基板Ｗの回転方向Ａにおいて上流側に位置する上流側保持ローラ１Ｂの近傍に配置されている。この２つの条件を満たす場合、基板表面Ｗｆの周縁部の微小領域ＳＲが基板回転に伴い上流側保持ローラ１Ｂを通過すると（タイミングＴ１）、その直後に該微小領域ＳＲに対して薬液ノズル１４２から薬液が供給され、薬液によるエッチング処理が開始される（タイミングＴ２）。そして、基板Ｗはさらに回転して、該微小領域ＳＲは回転方向Ａにおいて下流側に位置する下流側保持ローラ１Ｃに向けて移動する。このようにして微小領域ＳＲが上流側保持ローラ１Ｂから下流側保持ローラ１Ｃに移動する間（タイミングＴ３）に、供給された薬液により微小領域ＳＲに対してエッチング処理が実行されるとともに、微小領域ＳＲに供給された薬液は基板回転に伴う遠心力で基板Ｗから振り切られる。さらに、ガスノズル１４１から窒素ガスが吐出されることによっても基板Ｗからの薬液除去が促進される。その結果、下流側保持ローラ１Ｃに達した時点ではすでに微小領域ＳＲは乾いている（タイミングＴ４）。
【００４４】
このように、基板表面Ｗｆの周縁部の各部は、上流側保持ローラ１Ｂを通過した後に該各部に薬液が供給されるとともに、その薬液は下流側保持ローラ１Ｃに達するまでに基板Ｗから除去されるため、薬液が保持ローラ対１Ｂ−１Ｃに衝突して跳ね返るのを確実に防止することができる。その結果、基板表面Ｗｆの中央部に薬液の跳ね返りによる基板表面Ｗｆの中央部（非処理部）の腐食が確実に防止される。なお、ここでは処理ヘッド１４Ａに設けられた薬液ノズル１４２から基板表面Ｗｆの周縁部に供給される薬液について説明したが、処理ヘッド１４Ｂ，１４Ｃに設けられた薬液ノズル１４２から基板表面Ｗｆの周縁部に供給される薬液についても同様にして、薬液が保持ローラ対１Ｃ−１Ａ、１Ａ−１Ｂに衝突して跳ね返るのが防止される。
【００４５】
また、薬液ノズル１４２から基板表面Ｗｆの周縁部に薬液を供給すると同時に、裏面処理ノズル２１から基板裏面Ｗｂの略中央部に向けて薬液を供給する。ここでは、基板裏面Ｗｂを次のようにして処理している。すなわち、保持ローラを基板端面に当接しつつ基板Ｗを回転させる方式では、基板回転に伴う遠心力でもって基板裏面Ｗｂの略中央部に供給された薬液を基板裏面Ｗｂに沿って裏面Ｗｂの全体に広げるほどに基板Ｗの回転数を高くすることは困難である。
【００４６】
そこで、図５に示すように裏面処理ノズル２１から回転する基板裏面Ｗｂの略中央部に薬液を供給して基板裏面Ｗｂと該基板裏面Ｗｂに近接して対向する対向面９ａとで挟まれた空間ＳＰを液密状態にすることで該空間ＳＰに薬液を溜めて基板裏面Ｗｂの全体を処理している。このように、基板裏面Ｗｂについても処理することで、基板裏面Ｗｂと基板表面Ｗｆの周縁部とを同時に処理することが可能となっていいる。これにより、基板１枚当たりの処理時間を短縮し、スループットを向上させることができる。
【００４７】
エッチング処理の開始から所定時間経過後に基板表面Ｗｆの周縁部から薄膜ＴＦが除去されると、制御ユニット２０は第２接離駆動機構７Ａ〜７Ｃを駆動して第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃを基板Ｗの端面に当接させて基板Ｗを保持する。このときには、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃによる基板Ｗの保持が継続しているので、６つの保持ローラ１Ａ〜１Ｃ，２Ａ〜２Ｃのすべてにより基板Ｗが保持されることになる。
【００４８】
次いで、制御ユニット２０は、６つの保持ローラ１Ａ〜１Ｃ，２Ａ〜２Ｃによる基板Ｗの回転を継続したままで、第１接離駆動機構４Ａ〜４Ｃを駆動させて第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃを基板Ｗの端面から離間させる。こうして、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃによる基板Ｗの保持が解除される。なお、このとき第２回転駆動機構６を駆動させて第２保持ローラ２Ａを回転させる。したがって、その後は、第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃによって基板Ｗが保持された状態で基板Ｗの回転が継続されることになる（ステップＳ１０）。このように、基板Ｗの保持を第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃから第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃに切り替えることで、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃに薄膜成分が付着しても、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃに付着した不要物（薄膜成分）によってエッチング処理後の基板Ｗが汚染されるのを防止することができる。
【００４９】
こうしてエッチング処理が完了すると、リンス液供給ユニット１７からリンス液がリンス液ノズル１４３に圧送されて基板Ｗの端面から一定の位置にリンス液が供給される。これによって、エッチング除去された基板表面Ｗｆの周縁部に対してリンス処理が実行される（ステップＳ１１）。なお、各処理ヘッドに設けられたリンス液ノズル１４３についても、薬液ノズル１４２と同様に、保持ローラ２Ａ〜２Ｃに対して以下の条件を満足する位置に配置されている。すなわち、３つの保持ローラ２Ａ〜２Ｃのうちの２つの保持ローラの間であって、該保持ローラ対のうち基板Ｗの回転方向Ａにおいて上流側に位置する上流側保持ローラの近傍に配置されている。このため、リンス液が保持ローラ対に衝突して跳ね返るのを確実に防止することができる。
【００５０】
なお、リンス処理においても、リンス液ノズル１４３から基板表面Ｗｆの周縁部にリンス液を供給すると同時に、裏面処理ノズル２１から基板裏面Ｗｂの中央部に向けてリンス液を供給する。これにより、基板裏面Ｗｂと該基板裏面Ｗｂに近接して対向する対向面９ａとで挟まれた空間ＳＰをリンス液で液密状態にすることで該空間ＳＰにリンス液を溜めて基板裏面Ｗｂの全体がリンス処理される。
【００５１】
こうして、エッチング処理およびリンス処理が完了すると、第２回転駆動機構６の回転速度を高めて基板Ｗに付着する液体成分を振り切って基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ１２）。このとき、ガスノズル１４１からの窒素ガスの吐出を継続させるとともに、気体供給ノズル２２から基板裏面Ｗｂと対向面９ａとで挟まれた空間ＳＰに窒素ガスを供給することで基板Ｗの乾燥が促進される。この乾燥処理後、第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃの回転を停止させることで基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１３）。こうしてベベルエッチング処理と裏面洗浄処理が完了すると、処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃを基板Ｗの周縁部から側方に移動させて基板Ｗの受渡しが可能な位置（退避位置）に位置決めする（ステップＳ１４）。
【００５２】
次いで、制御ユニット２０は第２昇降駆動機構８Ａ〜８Ｃを上昇駆動させることで、処理済基板Ｗは第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃにより保持された状態で上昇される（ステップＳ１５）。そして、処理済基板Ｗが基板受渡し位置Ｐ２に達すると、制御ユニット２０は第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃの上昇を停止させて基板Ｗを基板受渡し位置Ｐ２に位置決めする（ステップＳ１６）。こうして、図示を省略する基板搬送機構の搬送アーム等による基板Ｗの受け取りが可能であることを確認した上で第２接離駆動機構７Ａ〜７Ｃを駆動させて第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃによる基板保持を解除する。これによって、処理済基板Ｗが搬送アームに受け渡され、装置外に搬出される（ステップＳ１７）。
【００５３】
さらに、引き続いて次の未処理基板Ｗ（基板表面Ｗｆに薄膜ＴＦが形成された基板Ｗ）を処理する場合には、上記と同様にして第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃによって基板Ｗを受取った後、エッチング処理を実行する。このように、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃによる基板保持と第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃによる基板保持とを使い分けることで、第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃは薄膜除去後の基板Ｗのみを取り扱うこととなり、エッチング処理（薄膜除去）後の基板Ｗに不要物（薄膜成分）が再付着するのを防止できる。
【００５４】
以上のように、この実施形態では、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃおよび第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃの少なくともいずれか一方が基板Ｗの端面に当接しつつ回転することで、処理液ノズル１４２，１４３からの処理液は基板表面Ｗｆの周縁部のすべての領域に供給される。このため、基板表面Ｗｆの周縁部に未処理領域をなくすことができ、基板表面Ｗｆの周縁部を良好に処理することができる。しかも、基板表面Ｗｆの周縁部に直接に処理液を供給しているため、基板Ｗの回転数とは無関係に周縁エッチング幅ＥＨが決定されるとともに、周縁エッチング幅ＥＨを均一にして処理することができる。
【００５５】
さらに、処理液ノズル１４２，１４３は、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃ（または第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃ）のうちの２つの保持ローラの間であって、該保持ローラ対のうち基板Ｗの回転方向Ａにおいて上流側に位置する上流側保持ローラの近傍に配置されている。このため、上流側保持ローラを通過した直後に処理液ノズル１４２，１４３から基板表面Ｗｆの周縁部に処理液が供給され、処理液が供給された領域の処理が実行されるとともに、供給された処理液は下流側保持ローラに達する前に基板回転に伴う遠心力で基板Ｗから除去される。このため、処理液が保持ローラ対に衝突して跳ね返るのを確実に防止することができる。その結果、基板表面Ｗｆの中央部に処理液の跳ね返りによる基板表面Ｗｆの中央部（非処理部）の腐食が確実に防止される。
【００５６】
また、この実施形態では、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃ（または第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃ）の各々に対して処理液ノズル１４２，１４３を設けているので、基板表面Ｗｆの中央部への悪影響を防止しながら、処理液の供給箇所が増えることで処理の迅速化を図ることができる。しかも３つの第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃ（または第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃ）は回転中心軸Ｊを中心として基板Ｗの端面に沿って等角度（１２０°）間隔で配置しているので、処理液が供給された領域が基板Ｗの下流側に位置する下流側保持ローラに達するまでの時間を長く設定している。このため、処理液が供給された領域が上流側保持ローラから下流側保持ローラに移動する間に、供給された処理液を確実に除去することができる。これにより、下流側保持ローラへの処理液の衝突を防止して処理液の跳ね返りを抑制することができる。
【００５７】
また、この実施形態では、基板Ｗの外周端部を保持した状態でチャックピン等の基板保持手段ごと基板Ｗを回転中心軸回りに回転させている訳ではなく、回転する第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃ（または第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃ）を基板Ｗの端面に当接させて該基板Ｗを回転させているので基板端面の周囲の気流を大きく乱れさせることがない。このため、処理中に飛散したミスト状の薬液が基板表面Ｗｆの中央部に侵入して付着するのが防止される。
【００５８】
また、この実施形態では、処理液ノズル１４２、１４３から基板表面Ｗｆの周縁部に処理液を供給して該表面周縁部を処理するとともに、裏面処理ノズル２１から基板裏面Ｗｂの略中央部に処理液を供給して該基板裏面Ｗｂと対向面９ａとで挟まれた空間ＳＰを液密状態にすることで基板裏面Ｗｂを処理することが可能となっている。このように、基板表面Ｗｆの周縁部を処理するベベル処理と、基板裏面Ｗｂを処理する裏面処理とを同時に実行することで、基板１枚当たりの処理時間を短縮し、スループットを向上させることができる。
【００５９】
また、この実施形態では、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃに被処理物（薄膜成分）が付着する場合であっても、エッチング処理（薄膜除去）された基板Ｗの保持を第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃによる基板保持から第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃによる基板保持に切り替えているので、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃに付着した被処理物によってエッチング処理後の基板Ｗが汚染されるのを防止することができる。
【００６０】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃ（第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃ）で構成される３つの保持ローラ対、つまり保持ローラ対１Ａ−１Ｂ，１Ｂ−１Ｃ，１Ｃ−１Ａの全部に対して処理液ノズル１４２（１４３）を設けているが、一部の保持ローラ対に対して処理液ノズル１４２（１４３）を設けるようにしてもよい。
【００６１】
また、上記実施形態では、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃ（第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃ）を回転中心軸Ｊを中心として基板Ｗの端面に沿って等角度間隔（１２０°）に配置しているが、処理液ノズル１４２（１４３）が第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃ（第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃ）のうち２つの保持ローラの間であって、該保持ローラ対のうち基板Ｗの回転方向Ａにおいて上流側に位置する上流側保持ローラの近傍に配置される限り、各第１保持ローラ（第２保持ローラ）の角度間隔は任意である。
【００６２】
また、上記実施形態では、３つの第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃ（第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃ）で基板Ｗを保持しているが、保持ローラの個数はこれに限定されない。例えば、基板種類、基板回転数等に応じて基板回転の安定度が要求される場合には、保持ローラの数を４つ以上に増やすようにしてもよい。この場合、周縁エッチング幅ＥＨの均一性および基板回転数等に応じて処理液ノズル１４２（１４３）の数もまた任意とすることができる。
【００６３】
また、上記実施形態では、３つの処理ヘッド１４Ａ〜１４Ｃを設けてベベルエッチング処理を行っているが、処理ヘッドの個数や配置などはこれに限定されるものではなく、任意である。
【００６４】
また、上記実施形態では、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃ（第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃ）を昇降させることで基板Ｗを基板処理位置Ｐ１と基板受渡し位置Ｐ２とに位置決めさせているが、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃ（第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃ）を固定させてベース部材９を昇降させることで基板Ｗを位置決めさせるようにしてもよい。また、第１保持ローラ１Ａ〜１Ｃ（第２保持ローラ２Ａ〜２Ｃ）とベース部材９の双方を昇降させることで基板Ｗを位置決めするようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などを含む基板全般の表面に対してベベルエッチング処理を施す基板処理装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図３】図１の基板処理装置の平面図である。
【図４】図１の基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【図５】図１の基板処理装置の拡大図（図３のＶ−Ｖ線断面図）である。
【図６】図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図７】ベベルエッチング処理を説明するための部分平面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１Ａ〜１Ｃ…第１保持ローラ
２Ａ〜２Ｃ…第２保持ローラ
３…第１回転駆動機構（第１回転保持手段）
４Ａ〜４Ｃ…第１接離駆動機構（第１ローラ移動手段）
６…第２回転駆動機構（第２回転保持手段）
７Ａ〜７Ｃ…第２接離駆動機構（第２ローラ移動手段）
９…ベース部材（近接部材）
９ａ…（基板裏面に対向する）対向面
２０…制御ユニット（制御手段）
２１…裏面処理ノズル
１４１…ガスノズル
１４２…薬液ノズル（周縁処理ノズル）
１４３…リンス液ノズル（周縁処理ノズル）
Ａ…基板の回転方向
Ｊ…回転中心軸
ＮＴＲ…非処理領域
ＳＰ…（基板裏面と対向面とで挟まれた）空間
ＴＲ…周縁処理領域
Ｗ…基板
Ｗb…基板裏面
Ｗf…基板表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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