(57)【要約】      （修正有）【課題】高い誘電率を有し、かつ漏れ電流特性及び電荷移動度を改善する有機絶縁膜、該有機絶縁膜を含む薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に形成され、ゲート電極１２４を含むゲート線、前記ゲート線を覆い、アルキル基とシラン基の双方を置換基として有する有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート線と交差するデータ線及び前記ゲート電極を中心に前記データ線と対向するドレイン電極１７５、前記データ線及びドレイン電極の上部または下部に形成されている半導体層、及び前記ドレイン電極と接続されている画素電極１９０を含む薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法。【選択図】図２
2006216938.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の式（１）
【化１】
2006216938.tif 000009
からなる群から選択される１種であり、ｎ及びｍは整数である）
で表される化合物を含むことを特徴とする有機絶縁膜。
【請求項２】
式（１）は、-OCO（CH2）8CH3で表示される少なくとも一つのＲを含む、請求項１に記載の有機絶縁膜。
【請求項３】
式（１）は、-OCO（CH2）8CH3で表示される少なくとも一つのＲ及び-OCO（CH2）2CNで表示される少なくとも一つのＲを含む、請求項１又は２に記載の有機絶縁膜。
【請求項４】
-OCO（CH2）8CH3で表示されるＲは、式（１）における全体のＲ数に対して３０〜１００％含まれている、請求項２又は３に記載の有機絶縁膜。
【請求項５】
基板、
前記基板上に形成され、ゲート電極を含むゲート線、
前記ゲート線を覆うゲート絶縁膜、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート線と交差するデータ線及び前記ゲート電極を中心に前記データ線と対向するドレイン電極、
前記データ線及びドレイン電極の上部または下部に形成されている半導体層、及び
前記ドレイン電極と接続されている画素電極を含み、
前記ゲート絶縁膜は下記式（１）
【化２】
2006216938.tif 000010
からなる群から選択される１種であり、ｎ及びｍは整数である）
で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の有機物質からなる薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
式（１）は、-OCO（CH2）8CH3で表示される少なくとも一つのＲを含む、請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
式（１）は、-OCO（CH2）8CH3で表示される少なくとも一つのＲ及び-OCO（CH2）2CNで表示される少なくとも一つのＲを含む、請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項８】
-OCO（CH2）8CH3で表示されるＲは、式（１）における全体のＲ数に対して３０〜１００％含まれている、請求項５又は６に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項９】
半導体層は、ペンタセン、ポリチオフェン、ポリフルオレン、銅フタロシアニン及びこれらの誘導体からなる群より選択される有機物質からなる、請求項５〜８のいずれか１つに記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１０】
基板はプラスチックからなる、請求項５〜９のいずれか１つに記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１１】
基板上にゲート線を形成する工程、
前記ゲート線を覆うゲート絶縁膜を形成する工程、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層、データ線及びドレイン電極を形成する工程、及び
前記ドレイン電極と接続される画素電極を形成する工程を含み、
前記ゲート絶縁膜は下記式（１）
【化３】
2006216938.tif 000011
からなる群から選択される１種であり、ｎ及びｍは整数である）
で表される化合物から選択される少なくとも１種の有機物質により形成する薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１２】
ゲート絶縁膜は、スピンコーティング、プリンティングまたは浸漬方法で形成する、請求項１１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１３】
半導体層は、ペンタセン、ポリチオフェン、ポリフルオレン、銅フタロシアニン及びこれらの誘導体からなる群より選択される少なくとも１種の有機物質により形成する、請求項１１又は１２に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機絶縁膜、該有機絶縁膜を含む薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関し、より詳しくは、高い誘電率を有し、かつ塗布特性が優れた有機絶縁膜、該有機絶縁膜を含む薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代ディスプレイの駆動素子として、有機物を含む有機薄膜トランジスタに対する研究が盛んに進められている。有機薄膜トランジスタは、シリコン系半導体と構造的にほぼ同一な構造であって、狭い意味では、半導体物質を既存のシリコン系物質ではなく有機物質で形成したものを指し、広い意味では、半導体物質を含む基板及び絶縁膜などを全て有機物で形成したものを指す。
【０００３】
有機薄膜トランジスタは、既存のシリコン系半導体に対して、連続溶液工程でのプリンティングによる製造が可能であり、プラスチック基板を使用することができるため、軽くて柔軟性のある安価のトランジスタを提供することができる。
ところが、既存ゲート絶縁膜で主に用いられた酸化ケイ素（SiO2）は、プラスチック基板との接着性が不良であり、高温及び真空工程を要求するため、プラスチック基板を使う表示板には適していない。よって、実際に有機薄膜トランジスタを形成するためには、酸化ケイ素（SiO2）を有機物質に変更することが必要である。このため、有機物質からなる有機絶縁膜に関する研究が行われている。
【０００４】
しかし、有機絶縁膜を通じた漏れ電流が大きく、これを利用して有機薄膜トランジスタを作製したとき、電荷移動度が低く、実用化が難しい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記問題点を解決するためのもので、高い誘電率を有し、かつ漏れ電流特性及び電荷移動度を改善する有機絶縁膜、該有機絶縁膜を含む薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による有機絶縁膜は、下記の式（１）
【０００７】
【化１】
2006216938.tif 000003
からなる群から選択される１種であり、ｎ及びｍは整数である）
で表される化合物を含むことを特徴とする。
また、本発明による薄膜トランジスタ表示板は、基板、前記基板上に形成されてゲート電極を備えるゲート線、前記ゲート線を覆うゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート線と交差するデータ線及び前記ゲート電極を中心に前記データ線と対向するドレイン電極、前記データ線及びドレイン電極の上部または下部に形成されている半導体層、及び前記ドレイン電極と接続されている画素電極を含み、前記ゲート絶縁膜は、上述した式（１）の化合物からなることを特徴とする。
【０００８】
さらに、本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する工程、前記ゲート線を覆うゲート絶縁膜を形成する工程、前記ゲート絶縁膜上に半導体層、データ線及びドレイン電極を形成する工程、及び前記ドレイン電極と接続される画素電極を形成する工程を含み、前記ゲート絶縁膜は、上述した式（１）の化合物からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の式（１）で表示される有機絶縁膜によれば、溶液工程によって安定したゲート絶縁膜を提供することができ、既存の酸化ケイ素絶縁膜に比べて高い誘電常数を有し、素子の駆動電圧を低下させることができる。また、前記有機絶縁膜を用いる薄膜トランジスタは、高い電荷移動度及び点滅比を示すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例に対して、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な図面符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００１１】
本発明の一実施例による有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法について、図面を参考にして詳細に説明する。
まず、図１及び図２を参照して、本発明の一実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の構造を説明する。
図１は、本発明の一実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図であり、図２は、図１に示すＩＩ-ＩＩ’線による断面図である。
【００１２】
図１及び図２のように、ガラスまたはプラスチック素材からなる絶縁基板１１０上にゲート信号を伝達する複数のゲート線１２１が形成されている。ゲート線１２１は主に横方向に延びており、各ゲート線１２１の一部は複数のゲート電極１２４をなす。この時、ゲート線１２１の端部１２９は外部回路または他の層との連結のために幅が拡張されている。
【００１３】
ゲート線１２１は、例えば金（Au）、銀（Ag）、アルミニウム（Al）またはアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、ニッケル（Ni）、パラジウム（Pd）のような金属、ＩＴＯのような導電性酸化物、またはＢａｙｔｒｏｎ Ｐ(ＰＥＤＴ：ＰＳＳ)のような伝導性高分子などの導電膜で形成されている。また、物理的性質が異なる二つ以上の導電膜を含んでいてもよい。例えば、一つの導電膜は低抵抗の導電性物質からなり、その他の導電膜は他の物質、特にＩＺＯまたはＩＴＯとの物理的、化学的、電気的な接触特性が優れた物質からなっていてもよい。
【００１４】
ゲート線１２１の側面はそれぞれ傾斜しており、基板１１０表面に対して約３０〜８０度の傾斜角を有する。
ゲート線１２１上には有機物質からなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０は、スピンコーティング、プリンティング、ディッピングのように溶液工程が可能な有機高分子材料からなる。
【００１５】
本発明において、前記ゲート絶縁膜１４０は下記の式（１）
【００１６】
【化２】
2006216938.tif 000004
からなる群から選択される１種であり、ｎ及びｍは整数である）
で表される化合物を含む。
式（１）において、Ｒは１分子内で、全てが同じであってもよいし、一部又は全てが異なるものであってもよい。
【００１７】
式（１）で表示される有機絶縁膜は、このような構造の側鎖を含むことによって、疎水性及び低い吸湿性を有するとともに、架橋結合が可能な薄膜を形成することができる。特に、Ｒにおいてアルキル基とシラン基の双方を有することにより、このメリットを最大限に発揮させることができる。従って、Ｒは、アルキル基とシラン基の双方を置換基として含んでいるものが好ましい。
【００１８】
Ｒ1〜Ｒ3の置換基の組み合わせは、限定されないが、例えば、R1=−OCO−、R2=−(CH2) n−（ただしｎは１〜２０）、R3=H又はCNの組み合わせ、さらに、
【００１９】
【化３】
2006216938.tif 000005
【００２０】
【化４】
2006216938.tif 000006
【００２１】
【化５】
2006216938.tif 000007
等の任意の組み合わせが挙げられる。
また、式（１）は、-OCO（CH2）8CH3で表示されるＲを含むのが好ましい。あるいは、-OCO（CH2）8CH3で表示されるＲと-OCO（CH2）2CNで表示されるＲを含むのも好ましい。この場合、-OCO（CH2）8CH3で表示されるＲは、全体のＲ数に対して３０％以上含まれるのが好ましい。
【００２２】
なお、式（１）においてｎ及びｍは、特に限定されず、整数であればよい。例えば、ｍは、１〜１００００００００程度、好ましくは１〜１００００００程度、さらに１〜１００００程度が挙げられる。ｎは、例えば、１〜１００００程度、好ましくは１〜１０００程度、さらに１〜１００程度、１〜２０程度が挙げられる。また、この化合物は、一般的な有機化合物の公知の製造方法及びそれに準じた方法で製造することができる。
【００２３】
このような有機絶縁膜を用いる場合、スピンコーティング、プリンティングまたはディッピングなどの溶液工程で形成できるので、大面積表示装置への適用に適している。特に、プラスチック基板を使用する可撓性表示装置では、工程上制約が多く、高温及び真空条件が必要な既存の酸化ケイ素（SiO2）より有利である。
また、前記有機絶縁膜は、酸化ケイ素（SiO2）に比べて相対的に高い誘電常数を有する。前記有機絶縁膜を薄膜トランジスタに対して利用する場合、相対的に高い出力特性及び移動（transfer）特性を示す。
【００２４】
ゲート絶縁膜１４０上にはそれぞれ複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５が形成されている。
データ線１７１は主に縦方向に延びてゲート線１２１と交差し、データ電圧を伝達する。各データ線１７１からドレイン電極１７５に向けて延びた複数の分枝がソース電極１７３をなす。一対のソース電極１７３とドレイン電極１７５は互いに分離され、ゲート電極１２４に対して互いに反対側に位置している。各データ線１７１は、外部回路または他の層との接触のために幅が拡張されている拡張部１７９を備える。
【００２５】
次に、データ線１７１及びドレイン電極１７５が形成されているゲート絶縁膜１４０上には有機半導体１５４が形成されている。この時、有機半導体１５４は島状となっており、ソース電極１７３とドレイン電極１７５間のゲート電極１２４を完全に覆っている。
前記では、ゲート絶縁膜１４０上にデータ線１７１及びドレイン電極１７５が形成され、その上に有機半導体１５４が形成されているボトムコンタクト構造のみを示しているが、これに対し、ゲート絶縁膜１４０上に有機半導体１５４が形成され、その上にデータ線１７１及びドレイン電極１７５が形成されるトップコンタクト構造であることもできる。
【００２６】
有機半導体１５４材料として、水溶液または有機溶媒に溶解される高分子または低分子物質が利用される。高分子有機半導体は一般に溶媒溶解され易く、プリンティング工程に適している。さらに、低分子有機半導体の中で有機溶媒に溶解され易い物質も利用可能である。
有機半導体１５４は、ペンタセン、ポリチオフェン、ポリフルオレン、銅フタロシアニン及びこれらの誘導体（オリゴマー及びポリマー等を含む）から任意に選択することができる。
【００２７】
ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、有機半導体１５４と共に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をなし、薄膜トランジスタのチャネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５間の有機半導体１５４に形成される。
ゲート絶縁膜１４０及び有機半導体１５４の上には、平坦化特性が優れ、かつ感光性を有する有機物質またはプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）で形成されるa-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質、または窒化ケイ素（SiNx）または酸化ケイ素（SiO2）などで形成される保護膜１８０が設けられている。
【００２８】
保護膜１８０には、ドレイン電極１７５及びデータ線１７１の端部１７９を各々露出させる複数の接触孔１８５、１８２と、ゲート絶縁膜１４０と共にゲート線１２１の端部１２９を露出させる接触孔１８１が形成されている。このように、保護膜１８０がゲート線１２１及びデータ線１７１の端部１２９、１７９を露出させる接触孔１８１、１８２を備える実施例は、外部の駆動回路を、異方性導電膜を利用してゲート線１２１及びデータ線１７１に連結するために、ゲート線１２１及びデータ線１７１が接触部を有する構造である。本実施例とは異なって、ゲート線１２１またはデータ線１７１が端部において接触部を有さないこともあり、このような構造では、基板１１０上に直接ゲート駆動回路が有機薄膜トランジスタと同一層で形成され、ゲート線１２１及びデータ線１７１の端部は駆動回路の出力端に電気的に直接接続されている。
【００２９】
接触孔１８５、１８１、１８２は、ドレイン電極１７５、ゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９をそれぞれ露出し、接触孔１８５、１８１、１８２からは後に形成されるＩＴＯまたはＩＺＯの導電膜との接触特性を確保するために、アルミニウム系列のように弱い接触特性を有する導電物質が露出されないことが好ましい。また、接触孔１８５、１８１、１８２からドレイン電極１７５、ゲート線１２１及びデータ線１７１の端部１７９の境界線が露出されることもある。
【００３０】
保護膜１８０上には、ＩＺＯまたはＩＴＯのような透明な導電物質または反射度を有する導電物質からなる複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
画素電極１９０は、接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５とそれぞれ物理的・電気的に接続され、ドレイン電極１７５からデータ信号が印加される。
【００３１】
画素電極１９０はまた、隣接するゲート線１２１及びデータ線１７１と重なって開口率を向上させているが、重ならないこともある。
接触補助部材８１、８２は、接触孔１８１、１８２を通じてゲート線及びデータ線の端部１２９、１７９とそれぞれ連結される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１の端部１２９、１７９と駆動集積回路のような外部装置との接着性を補完し、これらを保護する役割をするものであって、これらの適用は必須ではなく選択的である。
【００３２】
以下、図１及び図２に示される薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法について、図３Ａ〜図６Ｂと図１及び図２を参考にして詳細に説明する。
図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ及び図６Ａは、本発明の図１及び図２に示される薄膜トランジスタ表示板を製造する過程を各工程順で示した配置図であり、図３Ｂは、図３Ａに示す薄膜トランジスタ表示板のＩＩＩＢ-ＩＩＩＢ’線による断面図であり、図４Ｂは、図４Ａに示す薄膜トランジスタ表示板のＩＶＢ-ＩＶＢ’線による断面図であり、図５Ｂは、図５Ａに示す薄膜トランジスタ表示板のＶＢ-ＶＢ’線による断面図であり、図６Ｂは、図６Ａに示す薄膜トランジスタ表示板のＶＩＢ-ＶＩＢ’線による断面図である。
【００３３】
まず、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、透明ガラス、シリコンまたはプラスチック素材からなる絶縁基板１１０上に、ゲート電極１２４及び外部回路を装着するための拡張部１２９を有するゲート線１２１を形成する。
ゲート線１２１は、例えば金（Au）、銀（Ag）、アルミニウム（Al）またはアルミニウム合金などのアルミニウム系列の金属、ニッケル（Ni）、パラジウム（Pd）のような金属、ＩＴＯのような導電性酸化物、またはＢａｙｔｒｏｎ Ｐ（ＰＥＤＴ：ＰＳＳ）のような伝導性高分子などの導電膜を蒸着し、これを写真エッチング方法でパターニングして、ゲート電極１２４を有するゲート線１２１を形成する。
【００３４】
次に、図４Ａ及び図４Ｂのように、ゲート線１２１を覆うゲート絶縁膜１４０を形成する。
ゲート絶縁膜１４０は、上述した式（１）
【００３５】
【化６】
2006216938.tif 000008
からなる群から選択される１種であり、ｎ及びｍは整数である）
で表される化合物を含む。
式（１）で表示される有機絶縁膜は、このような構造の側鎖を含むことで、アルキル基によって疎水性及び低い吸湿性を有し、アクリレート基またはシラン基によって架橋結合の可能な薄膜を形成することができる。
【００３６】
特に、前記化学式（１）は、-OCO（CH2）8CH3で表されるＲを含むのが好ましい。または、-OCO（CH2）8CH3で表されるＲと、-OCO（CH2）2CNで表されるＲをいずれも含むのも好ましい。この場合、-OCO（CH2）8CH3で表されるＲは、全体のＲ数に対して３０％以上含まれるのが好ましい。
前記有機化合物は、適切な溶媒に溶解してスピンコーティング、プリンティング又はディッピングのような溶液工程により形成する。
【００３７】
次に、ゲート絶縁膜１４０上に金（Au）、銀（Ag）、アルミニウム（Al）またはアルミニウム合金などのアルミニウム系列の金属、ニッケル（Ni）、パラジウム（Pd）のような金属、ＩＴＯのような導電性酸化物、またはＢａｙｔｒｏｎＰ(ＰＥＤＴ：ＰＳＳ)のような伝導性高分子などの導電膜を蒸着し、これを写真エッチング法でパターニングするか、シャドーマスクを用いた蒸着法等でソース電極１７３を備えるデータ線１７１及びドレイン電極１７５を形成する。本実施例では、金（Au）に対するシャドーマスクを用いた蒸着を行った。
【００３８】
次に、図５Ａ及び図５Ｂのように、マスクを用いた写真エッチング工程によるパターニング、またはシャドーマスクを用いてゲート電極１２４上に有機半導体１５４を形成する。
有機半導体１５４は、ペンタセン、ポリチオフェン、ポリフルオレン、銅フタロシアニン及びこれらの誘導体（オリゴマー、ポリマー等を含む）より選択された少なくとも１つで形成する。本実施例では、ペンタセンを熱蒸着法により、真空度１０-6Torr、基板温度１５℃、蒸着速度０．５Å/sの条件で６００Åの厚さに形成した。
【００３９】
前記では、ゲート絶縁膜１４０上にデータ線１７１及びドレイン電極１７５が形成され、その上に有機半導体１５４が形成されているボトムコンタクト構造のみが示されているが、ゲート絶縁膜１４０上に有機半導体１５４が形成され、その上にデータ線１７１及びドレイン電極１７５が形成されるトップコンタクト構造を有することもできる。
次に、図６Ａ及び図６Ｂのように、有機半導体１５４を覆う保護膜１８０を積層し、マスクを用いた写真エッチング工程でパターニングして、ドレイン電極１７５、ゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９を露出させる接触孔１８５、１８１、１８２を形成する。
【００４０】
次に、図１及び図２のように、ドレイン電極１７５と接触孔１８５を通じて接続される画素電極１９０と接触部材８１、８２などを保護膜１８０上に形成する。
以下、本発明の一例として、-OCO（CH2）8CH3及び-OCO（CH2）2CNを含有する有機高分子をシクロヘキサノンに５重量％で溶解した有機絶縁膜と、比較例として、酸化ケイ素（SiO2）からなる無機絶縁膜を各々スピンコーティング法で約２，０００Å厚さに形成した場合に対する、絶縁膜の誘電率及び前記絶縁膜を含む薄膜トランジスタの特性を比較した。
【００４１】
まず、１MHzにおけるそれぞれの誘電常数を測定した結果、本発明の一実施例による有機絶縁膜は約１１．５、酸化ケイ素からなる絶縁膜は約４であった。これで、本発明による有機絶縁膜が約３倍程高い誘電率を有することが分かる。
次に、前記絶縁膜をそれぞれ含む薄膜トランジスタの特性を電圧（V）-電流（I）グラフを利用して比較した。
【００４２】
図７Ａ及び図７Ｂは、各々酸化ケイ素（SiO2）と本発明の一実施例による有機絶縁膜をゲート絶縁膜で適用した場合に対する、ゲート電圧（VG）の変化によるソース-ドレイン電流（ID）値及び（ID）1/2値を示す。また、図８Ａ及び図８Ｂは、前記と同様の場合、出力特性を示すソース-ドレイン電圧（VDS）の変化による電流（ID）値を示す。
前記グラフより、酸化ケイ素からなるゲート絶縁膜を適用した場合、しきい電圧（Vth）は-２V、移動度は約０．０１６cm2/V.s、及び点滅比（Ion/off）は〜１０3を示し、本発明の一実施例による有機絶縁膜を適用した場合、しきい電圧（Vth）は-９V、移動度は約１．８cm2/V.s、及び点滅比（Ion/off）は〜３×１０3を示した。これより、本発明による有機絶縁膜を適用した薄膜トランジスタの場合、顕著に改善された出力及び移動特性を示すものと確認された。
【００４３】
このように、化学式（１）で表示される有機絶縁膜は、溶液工程によって安定したゲート絶縁膜を提供すると共に、既存の酸化ケイ素絶縁膜に比べて高い誘電常数を有し、素子の駆動電圧を低下させることができる。また、前記有機絶縁膜を用いる薄膜トランジスタは、高い電荷移動度及び点滅比を示すことができる。
以上、本発明の好ましい実施例に対して詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものでなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図である。
【図２】図１に示す薄膜トランジスタ表示板のＩＩ-ＩＩ’線による断面図である。
【図３Ａ】図１及び図２による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を工程順で示した配置図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示す薄膜トランジスタ表示板のＩＩＩＢ-ＩＩＩＢ’線による断面図である。
【図４Ａ】図１及び図２による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を工程順で示した配置図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示す薄膜トランジスタ表示板のＩＶＢ-ＩＶＢ’線による断面図である。
【図５Ａ】図１及び図２による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を工程順で示した配置図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示す薄膜トランジスタ表示板のＶＢ-ＶＢ’線による断面図である。
【図６Ａ】図１及び図２による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を工程順で示した配置図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示す薄膜トランジスタ表示板のＶＩＢ-ＶＩＢ’線による断面図である。
【図７Ａ】各々酸化ケイ素（SiO2）と本発明の一実施例による有機絶縁膜をゲート絶縁膜で適用した場合に対するゲート電圧（VG）の変化によるソース-ドレイン電流（ID）値及び（ID）1/2値を示すグラフである。
【図７Ｂ】各々酸化ケイ素（SiO2）と本発明の一実施例による有機絶縁膜をゲート絶縁膜で適用した場合に対するゲート電圧（VG）の変化によるソース-ドレイン電流（ID）値及び（ID）1/2値を示すグラフである。
【図８Ａ】同一の場合に対する出力特性を示すソース-ドレイン電圧（VDS）の変化による電流（ID）値を示すグラフである。
【図８Ｂ】同一の場合に対する出力特性を示すソース-ドレイン電圧（VDS）の変化による電流（ID）値を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４５】
１２１  ゲート線
１２４  ゲート電極
１４０  ゲート絶縁層
１５４  有機半導体層
１７１  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレイン電極
１８０  保護膜
１８１、１８２、１８５  接触孔
１９０  画素電極
８１、８２  接触補助部材
【図１】
2006216938.tif 000012
【図２】
2006216938.tif 000013
【図３Ａ】
2006216938.tif 000014
【図３Ｂ】
2006216938.tif 000015
【図４Ａ】
2006216938.tif 000016
【図４Ｂ】
2006216938.tif 000017
【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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