(57)【要約】【課題】製造工程を増やさずミラー面の荒れ、ミラー面のテーパー化を防止できる光スイッチの製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチの製造方法において、ミラー部前部にダミー構造物を形成し、該ダミー構造物を、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程で一定量除去するか前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程で除去する光スイッチの製造方法とする。【選択図】  図１
2006023536.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチの製造方法において、
少なくとも、
中間層をシリコン支持基板とシリコン活性層とで挟持してなるシリコン積層体の、該シリコン活性層表面に第一のマスキングパターンを形成する第一のマスキング工程と、
前記第一のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記第一のマスキングパターンを除去する工程と、
シリコン活性層表面に第二のマスキングパターンを形成する第二のマスキング工程と、
前記第二のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去する工程と、
中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程と、
を有する光スイッチの製造方法であって、
ミラー部前部にダミー構造物を形成し、該ダミー構造物を、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程で一定量除去するか前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程で除去することを特徴とする光スイッチの製造方法。
【請求項２】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチの製造方法において、
少なくとも、
中間層をシリコン支持基板とシリコン活性層とで挟持してなるシリコン積層体の、該シリコン活性層表面にマスキングパターンを形成する第一のマスキング工程と、
前記第一のマスキングパターンを被うように第二のマスキングパターンを形成する第二のマスキング工程と、
該第二のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記シリコン活性層のドライエッチングにより露出された前記中間層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去することにより露出された前記第一のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン支持基板および前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程と、
前記第一のマスキングパターンを除去する工程と、
残りの前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程と、
を有する光スイッチの製造方法であって、
ミラー部前部にダミー構造物を形成し、該ダミー構造物を、露出領域の前記シリコン支持基板およびシリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程で一定量除去するか前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程で除去することを特徴とする光スイッチの製造方法。
【請求項３】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチの製造方法において、
少なくとも、
中間層をシリコン支持基板とシリコン活性層とで挟持してなるシリコン積層体の、該シリコン活性層表面に第一のマスキングパターンを形成する第一のマスキング工程と、
前記第一のマスキングパターンを被うように第二のマスキングパターンを形成する第二のマスキング工程と、
前記第二のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去する工程と、
前記シリコン活性層をドライエッチングすることにより露出された前記中間層のみをドライエッチングにより選択的に除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去することにより露出された前記第一のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン支持基板および前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程と、
前記第一のマスキングパターンを除去する工程と、
残りの前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程と、
を有する光スイッチの製造方法にであって、
ミラー部前部にダミー構造物を形成し、該ダミー構造物を、露出領域の前記シリコン支持基板およびシリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程で一定量除去するか前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程で除去することを特徴とする光スイッチの製造方法。
【請求項４】
前記第一のマスキングパターンはＣｒから成り、前記第二のマスキングパターンは感光性レジストから成ることを特徴とする請求項２または３に記載の光スイッチの製造方法。
【請求項５】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部の一端部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチであって、
前記可動部の他端部は鍵型で、前記ミラー部は鍵型の先端部に形成することを特徴とする光スイッチ。
【請求項６】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部の一端部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチであって、
前記可動部の他端部に、一辺にミラー部を形成した貫通穴を有する箱型のミラー部台座を形成することを特徴とする光スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光スイッチの製造方法及び光スイッチに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＭＥＭＳ（Micro Erectro Mechanical Systems）技術を用いてシリコン基板を加工し、光スイッチ等のマイクロ構造体を形成することが知られている。図４は、ＭＥＭＳ技術により製造された光スイッチの一例を示す斜視図（ａ）及び上面図（ｂ）である。駆動方式は、静電駆動型で、櫛歯形状の可動電極部１ａとそれを支持する梁部１ｂとが一体的に形成されて可動部１を構成しており、支持電極部３を基点として、基部であるシリコン支持基板２ｃに対し中空状態で保持されている。前記可動電極部１ａと対向する位置には、櫛歯電極４ａを有する固定電極部４が設けられており、それら対向する電極間に電圧を印加すると、櫛歯間（電極間）に静電引力が発生して可動部１全体が移動し、可動部１の先端部に設けられた角柱状のミラー台座５ａ上のミラー５に照射される光の光路を偏向することで光スイッチとして機能する。
【０００３】
図５は、前記光スイッチの製造方法を説明するための図で、工程毎の要部断面図（図４のＡ−Ａ断面）であるがハッチングは省略してある。以下、図５を参照して従来における光スイッチの製造方法について説明する。
工程（ａ）：シリコン活性層２ａ、中間層２ｂ、シリコン支持基板２ｃよりなるシリコン積層体（ＳＯＩ基板）２のシリコン活性層２ａの表面全体に、マスキング用の耐性膜６をスパッタリング等により形成する。耐性膜６は、例えば、クロム（Ｃｒ）よりなり、シリコンの深異方性の反応性イオンエッチングとフッ酸（ＨＦ）に対して耐性のある膜である。
工程（ｂ）：耐性膜６をエッチングにより所望のパターン形状にパターニングして、第一のマスキングパターン６ａを形成する。パターニングする際には、まず、感光性レジスト（ポジ型）を前記耐性膜６上面にスピンコートにより均一に塗布する。塗布後、所望のマスキングパターン形状を有するフォトマスクを被せてレジストの紫外線露光を行い、露光後、現像液を用いて露光された領域のレジストを除去する。その後、以上の工程により形成されたレジストパターンをマスクとして、露出領域の耐性膜６をウェットエッチングにより除去する。
工程（ｃ）：前工程（ｂ）で形成された第一のマスキングパターン６ａをマスクとして、シリコン活性層２ａの露出領域を深異方性の反応性イオンエッチングにより、エッチングのストップ層である中間層２ｂが露出するまでエッチングする。
工程（ｄ）：前工程（ｃ）でマスクとして用いた第一のマスキングパターン６ａをウェットエッチングにより除去する。
工程（ｅ）：露出した中間層２ｂ上面を含め、シリコン活性層２ａの上面全体にクロム（Ｃｒ）からなる耐性膜７を形成する。
工程（ｆ）：前工程（ｅ）で形成した耐性膜７をウェットエッチングにより所望のパターン形状にパターニングして、第二のマスキングパターン７ａを形成する。パターニング方法については、前記工程（ｂ）と同じため省略する。
工程（ｇ）：第二のマスキングパターン７ａをマスクとして露出領域のシリコン活性層２ａを深異方性の反応性イオンエッチングにより一定量（例えば、深さ方向に５０μｍ）エッチングする。（ミラー５が形成される）
工程（ｈ）：前工程（ｇ）でマスクとして用いた第二のマスキングパターン７ａをウェットエッチングにより除去する。
工程（ｉ）：中間層２ｂを一部（可動部１とシリコン支持基板２ｃとの連結部等）を除いて等方性のウェットエッチングにより選択的に除去し、シリコン活性層２ａの一部（可動部１）をシリコン支持基板２ｃより切り離す。ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、例えばフッ酸（ＨＦ）が挙げられるが、中間層２ｂのみを選択的にエッチングするものであれば、他のエッチング液を用いても構わない。
【０００４】
従来における光スイッチの製造方法は、以上説明した通りであるが、従来の製造方法においては以下の問題点があった。前記工程（ｇ）でシリコン活性層２ａをドライエッチングする際に、ミラー５が形成されるが、ミラー５の表面が荒れてしまうこと、ミラー面がテーパー状に形成されることにより、ミラー精度が確保できない。
【０００５】
前記原因は、所謂ボッシュプロセスと呼ばれる手法による深異方性反応性イオンエッチング加工の欠点によるものである。すなわち、ボッシュプロセスは、エッチングガスとして、ＳＦ６ガスとＣＦ４系ガスとを１０秒間隔程度で交互に供給してドライエッチングを行う手法であり、ＳＦ６ガスが供給されたときにエッチングが進行し、このエッチングされた部分の壁面にＣＦ４系ガスが供給されたときに生成される反応生成物を付着させるようになっており、エッチングされた部分の壁面に反応生成物を固めながらエッチングを進めるようにしている。
【０００６】
図４に示す可動電極１ａや櫛歯電極４ａのように溝が狭い部分ではエッチングされた側壁はエッチングが垂直になされるが、ミラー５形成部のように周囲が開放されていると、エッチングが進むほど下部が薄くなる傾向がある。これは、エッチング面積（開口面積）の広いところでは狭いところよりもエッチング速度が速くなるという、所謂マイクロローディングによるものと思われる。（例えば、特許文献１）
【０００７】
【特許文献１】ＷＯ０１／０５３１９４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ミラー面の表面が荒れたり、ミラー面がテーパー状になると、光スイッチとしての反射性能が悪くなる。
【０００９】
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、製造工程を増やさずミラー面の荒れ、ミラー面のテーパー化を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチの製造方法において、少なくとも、中間層をシリコン支持基板とシリコン活性層とで挟持してなるシリコン積層体の、該シリコン活性層表面に第一のマスキングパターンを形成する第一のマスキング工程と、前記第一のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより除去する工程と、前記第一のマスキングパターンを除去する工程と、シリコン活性層表面に第二のマスキングパターンを形成する第二のマスキング工程と、前記第二のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程と、
前記第二のマスキングパターンを除去する工程と、中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程とを有する光スイッチの製造方法であって、
ミラー部前部にダミー構造物を形成し、該ダミー構造物を、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程で一定量除去するか前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程で除去する光スイッチの製造方法とする。
【００１１】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチの製造方法において、少なくとも、
中間層をシリコン支持基板とシリコン活性層とで挟持してなるシリコン積層体の、該シリコン活性層表面にマスキングパターンを形成する第一のマスキング工程と、
前記第一のマスキングパターンを被うように第二のマスキングパターンを形成する第二のマスキング工程と、前記第二のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより除去する工程と、前記シリコン活性層のドライエッチングにより露出された前記中間層をドライエッチングにより除去する工程と、前記第二のマスキングパターンを除去する工程と、前記第二のマスキングパターンを除去することにより露出された前記第一のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン支持基板および前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程と、前記第一のマスキングパターンを除去する工程と、残りの前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程とを有する光スイッチの製造方法であって、
ミラー部前部にダミー構造物を形成し、該ダミー構造物を、露出領域の前記シリコン支持基板およびシリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程で一定量除去するか前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程で除去する光スイッチの製造方法とする。
【００１２】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチの製造方法において、少なくとも、
中間層をシリコン支持基板とシリコン活性層とで挟持してなるシリコン積層体の、該シリコン活性層表面に第一のマスキングパターンを形成する第一のマスキング工程と、前記第一のマスキングパターンを被うように第二のマスキングパターンを形成する第二のマスキング工程と、前記第二のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン活性層をドライエッチングにより除去する工程と、前記第二のマスキングパターンを除去する工程と、前記シリコン活性層をドライエッチングすることにより露出された前記中間層のみをドライエッチングにより選択的に除去する工程と、前記第二のマスキングパターンを除去することにより露出された前記第一のマスキングパターンをマスクとして、露出領域の前記シリコン支持基板および前記シリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程と、前記第一のマスキングパターンを除去する工程と、残りの前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程とを有する光スイッチの製造方法であって、ミラー部前部にダミー構造物を形成し、該ダミー構造物を、露出領域の前記シリコン支持基板およびシリコン活性層をドライエッチングにより一定量除去する工程で一定量除去するか前記中間層をウェットエッチングにより一部を除いて除去する工程で除去する光スイッチの製造方法とする。
【００１３】
前記第一のマスキングパターンはＣｒから成り、前記第二のマスキングパターンは感光性レジストから成る光スイッチの製造方法とする。
【００１４】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部の一端部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチであって、前記可動部の他端部は鍵型で、前記ミラー部は鍵型の先端部に形成する光スイッチとする。
【００１５】
少なくとも、基部と、ミラー部が設けられた可動部と、該可動部の一端部を前記基部に対して支持する梁部とを有する光スイッチであって、前記可動部の他端部に、一辺にミラー部を形成した貫通穴を有する箱型のミラー部台座を形成する光スイッチとする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ミラー部を形成する際、ミラー面形成部近傍にダミー構造物を形成することで、ミラー面の垂直性の確保とミラー面荒れを防止し、その後、他の工程と一緒にダミー構造物の一部または全部を除去するので、製造工程を増やさず品質のよい光スイッチを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
ミラー部前部にダミー構造物を形成し、該ダミー構造物の一部または全部を後工程で除去する光スイッチの製造方法とする。
【実施例１】
【００１８】
図１は、本発明による光スイッチの製造方法を説明するための図で、工程毎の要部断面図（図６（ｂ）のＢ−Ｂ断面）である。図５に示す従来技術の工程と同じ工程は省略してある。図６（ａ）は光スイッチのミラー部の完成斜視図、図６（ｂ）は光スイッチの上面図である。以下、図１、図６を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
工程（ａ）：シリコン活性層２ａ、中間層２ｂ、シリコン支持基板２ｃよりなるシリコン積層体（ＳＯＩ基板）２のシリコン活性層２ａの表面全体に、マスキング用の耐性膜６をスパッタリング等により形成する。耐性膜６は、例えば、クロム（Ｃｒ）よりなり、シリコンの深異方性の反応性イオンエッチングとフッ酸（ＨＦ）に対して耐性のある膜である。
工程（ｂ）：耐性膜６をエッチングにより所望のパターン形状にパターニングして、第一のマスキングパターン６ａを形成する。この際、光スイッチが図６に示す完成図になるようにパターンを形成し、さらにミラー部前部にダミー構造体を形成するためのパターン６ｂを形成する。パターニングする際には、まず、感光性レジスト（ポジ型）を前記耐性膜６上面にスピンコートにより均一に塗布する。塗布後、所望のマスキングパターン形状を有するフォトマスクを被せてレジストの紫外線露光を行い、露光後、現像液を用いて露光された領域のレジストを除去する。その後、以上の工程により形成されたレジストパターンをマスクとして、露出領域の耐性膜６をウェットエッチングにより除去する。
工程（ｃ）：前工程（ｂ）で形成された第一のマスキングパターン６ａ、６ｂをマスクとして、シリコン活性層２ａの露出領域を深異方性の反応性イオンエッチングにより、エッチングのストップ層である中間層２ｂが露出するまでエッチングする。この工程でダミー構造体８も形成されるが、ダミー構造体８とミラー部の間隔を適切に決定することによりミラー面は垂直面で表面が荒れずに形成できる。
工程（ｄ）：前工程（ｃ）でマスクとして用いた第一のマスキングパターン６ａ、６ｂをウェットエッチングにより除去する。
工程（ｅ）：シリコン活性層２ａの上面全体にクロム（Ｃｒ）からなる耐性膜７を形成する。
工程（ｆ）：前工程（ｅ）で形成した耐性膜７をウェットエッチングにより所望のパターン形状にパターニングして、第二のマスキングパターン７ａを形成する（本実施例ではミラー部上面のみ）。パターニング方法については、前記工程（ｂ）と同じため省略する。
工程（ｇ）：第二のマスキングパターン７ａをマスクとして露出領域のシリコン活性層２ａを深異方性の反応性イオンエッチングにより一定量（例えば、深さ方向に５０μｍ）エッチングする。（ミラー部５はエッチングされず図に示すように他の部分より突出した形状となる）
工程（ｈ）：前工程（ｇ）でマスクとして用いた第二のマスキングパターン７ａをウェットエッチングにより除去する。
工程（ｉ）：中間層２ｂを一部を除いて等方性のウェットエッチングにより選択的に除去し、可動部１（梁部１ｂ、可動電極１ａ、ミラー台座５ａ）をシリコン支持基板２ｃより切り離す。この際、ダミー構造体８も切り離され、光スイッチ構造体から除去される。ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、例えばフッ酸（ＨＦ）が挙げられるが、中間層２ｂのみを選択的にエッチングするものであれば、他のエッチング液を用いても構わない。
本実施例では、ミラー台座５ａの中にダミー構造体８を形成してミラー５の精度を上げ、ミラー５を除く３辺の一部を除去してミラー台座としている。ダミー構造体８の代替としてミラー５と対向する辺５ｂを使用することも可能である。
ミラー台座を箱型にすることによりミラー台座を軽量化することができる。
【実施例２】
【００１９】
図２は、本発明による光スイッチの製造方法を説明するための図で、工程毎の要部断面図（図７（ｂ）のＣ−Ｃ断面）であり、図７（ａ）は光スイッチのミラー部完成斜視図であり、図７（ｂ）は光スイッチの上面図である。以下、図２、図７を参照して本発明の第二実施形態について説明する。
工程（ａ）：シリコン支持基板２ｃ、中間層２ｂ、シリコン活性層２ａよりなるシリコン積層体（ＳＯＩ基板）２のシリコン活性層２ａの表面全体にマスキング用の耐性膜２０をスパッタリング等により形成する。耐性膜２０は、例えば、クロム（Ｃｒ）よりなり、シリコンの深異方性の反応性イオンエッチングとフッ酸（ＨＦ）に対して耐性のある膜である。
工程（ｂ）：前工程（ａ）で形成された耐性膜２０をウェットエッチングにより所望のパターン形状にパターニングして第一のマスキングパターン２０ａ(ミラー部形成用)を形成する。パターニングする際には、まず、感光性レジスト（ポジ型）を耐性膜２０上面にスピンコートにより均一に塗布する。塗布後、所望のマスキングパターン形状を有するフォトマスクを被せてレジストの紫外線露光を行い、露光後、現像液を用いて露光された領域のレジストを除去する。その後、以上の工程により形成されたレジストパターンをマスクとして露出領域の耐性膜２０をウェットエッチングにより除去する。（第一のマスキング工程）
工程（ｃ）：前工程（ｂ）で形成された第一のマスキングパターン２０ａ上面を含め、シリコン活性層２ａの表面全体に、新たにマスキング用の耐性膜２１を形成する。この耐性膜２１は、例えば感光性レジスト（ポジ型）からなり、スピンコートにより均一に塗布する。
工程（ｄ）：前工程（ｃ）で形成された耐性膜２１を前記工程（ｂ）と同様に露光・現像により所望のパターン形状にパターニングして第二のマスキングパターン２１ａと２１ｂ（ダミー構造体形成用）を形成する。（第二のマスキング工程）
工程（ｅ）：前工程（ｄ）で形成された第二のマスキングパターン２１ａ、２１ｂをマスクとして、シリコン活性層２ａの露出領域を深異方性の反応性イオンエッチングにより、エッチングのストップ層である中間層２ｂが露出するまでエッチングする。この時点でダミー構造体とミラーが形成される。ダミー構造体による対向面があるので、ミラー面は荒れずに垂直面が形成できる。
工程（ｆ）：前工程（ｅ）のエッチングにより露出された中間層２ｂを異方性のドライエッチングにより除去する。
工程（ｇ）：前工程（ｅ）、（ｆ）でマスクとして用いた第二のマスキングパターン２１ａ、２１ｂを有機溶剤（アセトン等）、もしくはＯ2アッシングにより除去する。
工程（ｈ）：前工程（ｇ）で第二のマスキングパターン２１ａ、２１ｂを除去することにより露出された、前記第一のマスキングパターン２０ａをマスクとして、露出領域のシリコン活性層２ａおよびシリコン支持基板２ｃを深異方性の反応性イオンエッチングにより一定量（例えば、深さ方向に５０μｍ）エッチングする。これにより、シリコン活性層２ａに形成されているミラー部が露出すると共に必要であればミラー台座５が形成され、同時にシリコン支持基板２ｃの一部に凹部２２ａ、２２ｂが形成される。実施例１では、狭小な領域の凹部２２ｂがレジストや耐性膜により埋まってしまう虞があるが、本実施例では、この工程の後、即ち凹部２２ａ、２２ｂが形成された後にレジストや耐性膜を形成することがないため、凹部２２ａ、２２ｂに残留異物が残ることはない。従って、洗浄液を逃がして表面張力を低減するという凹部としての効果が十分に発揮される。
工程（ｉ）：前工程（ｈ）でマスクとして用いた第一のマスキングパターン２０ａをウェットエッチングにより除去する。
工程（ｊ）：残りの中間層２ｂを一部を除いて等方性のウェットエッチングにより選択的に除去し、可動部１（梁部１ｂ、可動電極１ａ、ミラー台座５ａ）をシリコン支持基板２ｃより切り離すことで図７に示す光スイッチが完成する。
本実施例では、ミラー部は可動部の先端を鍵型にした先端部に形成している。
鍵型のスペースＦにダミー構造体を形成することで、ミラー面の荒れを防ぎ、垂直性も確保できる。
【実施例３】
【００２０】
図３は、本発明による光スイッチの製造方法を説明するための図で、工程毎の要部断面図である。以下、図３を参照して本発明の第三実施形態について説明する。尚、説明は、本発明において特徴的な部分についてのみ行い、従来において周知の部分や実施例２と同じ部分に関しては省略する。本実施例３の特徴としては、前記実施例２の工程（ｆ）において中間層２ｂを除去する際、エッチングに対するマスクである第二のマスキングパターン２１ａを使用せず、中間層２ｂのみを選択的にエッチングして除去することである。つまり、実施例２では、中間層２ｂを除去する際に第二のマスキングパターン２１ａをマスクとして用いることにより、中間層２ｂと共にシリコン活性層２ａがエッチングされてしまうのを防止しているのに対し、本実施例２では、第二のマスキングパターン２１ａを用いない代わりに、シリコン活性層２ａがエッチングされてしまわないよう中間層２ｂのみと反応するエッチング液（例えばフッ酸（ＨＦ））、もしくはエッチングガス（例えばＣＨＦ3）を用いてエッチングに選択性を持たせている。詳細は以下の通りである。
工程（ａ）〜（ｅ）：実施例２と同じため省略
工程（ｆ）：前工程（ｅ）でマスクとして用いた第二のマスキングパターン２１ａを有機溶剤（アセトン等）、もしくはＯ2アッシングにより除去する。
工程（ｇ）：前工程（ｅ）のエッチングにより露出された中間層２ｂのみを異方性のドライエッチングにより選択的に除去する。
工程（ｈ）〜（ｊ）：実施例２と同じため省略
【００２１】
以上のように、本発明による光スイッチの製造方法では、ミラー形成時にミラー形成部近傍にダミー構造体を形成して、ミラー面荒れを防ぐとともに、ミラー面の垂直性を確保し、その後ダミー構造体を除去することで優れた光スイッチを製造することができる。図６、図７の光スイッチは実施例１から３のどの製造方法でも製造できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明による光スイッチの製造方法を説明するための図で、工程毎の要部断面図
【図２】本発明による光スイッチの製造方法を説明するための図で、工程毎の要部断面図
【図３】本発明による光スイッチの製造方法を説明するための図で、工程毎の要部断面図
【図４】ＭＥＭＳ技術により製造された光スイッチの一例を示す斜視図（ａ）及び上面図（ｂ）
【図５】前記光スイッチの製造方法を説明するための図で、工程毎の要部断面図（図４のＡ−Ａ断面）
【図６】（ａ）は光スイッチのミラー部完成斜視図、（ｂ）は光スイッチの上面図
【図７】（ａ）は光スイッチのミラー部完成斜視図、（ｂ）は光スイッチの上面図
【符号の説明】
【００２３】
１      可動部
１ａ    可動電極
１ｂ    梁部
２      シリコン積層体（ＳＯＩ基板）
２ａ    シリコン活性層
２ｂ    中間層
２ｃ    シリコン支持基板
３      支持電極部
４      固定電極部
４ａ    櫛歯電極
５      ミラー
５ａ    台座
６      耐性膜
６ａ    第一のマスキングパターン
６ｂ    ダミー構造体を形成するためのパターン
７      耐性膜
７ａ    第二のマスキングパターン
８      ダミー構造体
２０    耐性膜
２０ａ  第一のマスキングパターン
２１    耐性膜
２１ａ  第二のマスキングパターン
２１ｂ  第二のマスキングパターン
２２ａ  凹部（広大な領域）
２２ｂ  凹部（狭小な領域）
【図１】
2006023536.tif 000003
【図２】
2006023536.tif 000004
【図３】
2006023536.tif 000005
【図４】
2006023536.tif 000006
【図５】
2006023536.tif 000007
【図６】
2006023536.tif 000008
【図７】
2006023536.tif 000009