(57)【要約】【課題】本発明は、ＺｎＯを選択的にＡＬＤさせた構造物およびその製造方法を提供する。【解決手段】上記方法は、シリコンウェーハを用意する工程１４と、ＺｎＯの堆積を抑制させることを選択した領域のパターンを、阻害作用物を用いることにより該ウェーハにパターン形成する工程１６と、ＡＬＤにより該ウェーハ上にＺｎＯの層を堆積させる工程２０と、該ウェーハから該阻害作用物を除去する工程２４とを含む。【選択図】  図１
2006310808.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハ上にＺｎＯの選択的原子層堆積（ＡＬＤ；Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｉｐｏｓｉｏｎ）を行う方法であって、該方法が、
上記ウェーハとしてシリコンウェーハを用意する工程と、
ＺｎＯの堆積を抑制させることを選択した領域のパターンを、阻害作用物を用いることにより該シリコンウェーハに対してパターン形成する工程と、
ＡＬＤにより該シリコンウェーハ上にＺｎＯの層を堆積させる工程と、
該シリコンウェーハから該阻害作用物を除去する工程と
を含む方法。
【請求項２】
上記シリコンウェーハを用意する工程は、
ＨＦ浸液に浸漬することによりシリコンウェーハを用意する工程、
ＨＦ浸液に浸漬したシリコンウェーハの上にＳｉＯ２層を有するシリコンウェーハを用意する工程、または、
ＨＦ浸液に浸漬した該シリコンウェーハの上にＳｉ３Ｎ４層を有するシリコンウェーハを用意する工程
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記阻害作用物はイソプロピルアルコール、アセトンおよび脱イオン化水からなる阻害作用物の一群より選択される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記阻害作用物は機械的なこすりつけ（ｓｗｉｐｉｎｇ）により上記シリコンウェーハの選択された領域に対して付与される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ＡＬＤによりウェーハ上にＺｎＯの層を堆積させる上記工程が、
約１４０℃〜約１７０℃の範囲の温度でジエチル亜鉛およびＨ２Ｏを用いて原子層堆積を行う工程
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
阻害作用物を除去する上記工程が、
酸素プラズマ処理により該阻害作用物を除去する工程
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ウェーハ上にＺｎＯの選択的ＡＬＤを行う方法であって、該方法が、
シリコンウェーハを用意する工程と、
ＺｎＯの堆積を抑制させることを選択した領域のパターンを、阻害作用物を用いることにより該シリコンウェーハに対してパターン形成する工程と、
ここで、該阻害作用物はイソプロピルアルコール、アセトンおよび脱イオン化水からなる阻害作用物の一群より選択され、
ＡＬＤにより該シリコンウェーハ上にＺｎＯの層を堆積させる工程と、
該シリコンウェーハから該阻害作用物を除去する工程と
を含む方法。
【請求項８】
上記シリコンウェーハを用意する工程は、
ＨＦ浸液に浸漬することによりシリコンウェーハを用意する工程、
ＨＦ浸液に浸漬したシリコンウェーハの上にＳｉＯ２層を有するシリコンウェーハを用意する工程、または、
ＨＦ浸液に浸漬したシリコンウェーハの上にＳｉ３Ｎ４層を有するシリコンウェーハを用意する工程
を含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
上記阻害作用物は、該阻害作用物の機械的なこすりつけ（ｓｗｉｐｉｎｇ）により上記シリコンウェーハの選択された領域に対して付与される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ＡＬＤによりシリコンウェーハ上にＺｎＯの層を堆積させる上記工程が、
約１４０℃〜約１７０℃の範囲の温度でジエチル亜鉛およびＨ２Ｏを用いて原子層堆積を行う工程
を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
阻害作用物を除去する上記工程が、
酸素プラズマ処理により該阻害作用物を除去する工程
を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
シリコンウェーハ上にＺｎＯの選択的ＡＬＤを行う方法であって、該方法が、
シリコンウェーハを用意する工程と、
ＺｎＯの堆積を抑制させることを選択した領域のパターンを、阻害作用物を用いることにより該シリコンウェーハに対してパターン形成する工程と、
約１４０℃〜約１７０℃の範囲の温度で、ジエチル亜鉛およびＨ２Ｏを用いてＡＬＤにより、該シリコンウェーハにＺｎＯの層を堆積させる工程と、
該シリコンウェーハから該阻害作用物を除去する工程と
を含む方法。
【請求項１３】
上記シリコンウェーハを用意する工程は、
ＨＦ浸液に浸漬することによりシリコンウェーハを用意する工程と、
ＨＦ浸液に浸漬したシリコンウェーハの上にＳｉＯ２層を有するシリコンウェーハを用意する工程、または、
ＨＦ浸液に浸漬したシリコンウェーハの上にＳｉ３Ｎ４層を有するシリコンウェーハを用意する工程と
を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
上記阻害作用物は機械的なこすりつけ（ｓｗｉｐｉｎｇ）により上記シリコンウェーハ上の選択された領域に対して付与される請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
上記阻害作用物はイソプロピルアルコール、アセトンおよび脱イオン化水からなる阻害作用物の一群より選択される請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原子層堆積（ＡＬＤ；Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）に関連し、具体的には、半導体光電子工学分野への応用において特に重要な用途を有する選択的ＡＬＤに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術において、選択的ＡＬＤは一般に、以下のような工程により実現される：フィルムを堆積する工程；フォトレジストを用いて該フィルムを被う工程；該フォトレジストに対してパターン形成する工程；該フィルムをエッチングする工程；酸素プラズマまたはアセトン浸液のような選択可能な方法を用いて、該フォトレジストを除去する工程。阻害剤を用いたＡＬＤの抑制について、オクタデシルトリクロロシレート（ｏｃｔａｄｅｃｙｌｔｒｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｔｅ）を阻害剤として用いることによって、ＨｆＣｌ４およびＨ２Ｏを用いたＨｆＯ２のＡＬＤを抑制する方法が知られている（非特許文献１を参照）。
【非特許文献１】Ｃｈｅｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｓｕｆａｃｅ  Ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ａｒｅａ−Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，  ＡＬＤ  ２００３  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、望まない領域に対する材料の堆積を阻害し、選択された領域にたいして選択的に材料をＡＬＤさせることにある。
【０００４】
本発明のその他の目的は、エッチングおよびフィルムの除去を必要とする従来のフォトレジスト型のマスクを用いることなく、選択的ＡＬＤを行うことにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る、酸化亜鉛を選択的に原子層堆積させる方法は、上記の課題を解決するために、
ウェーハ上にＺｎＯの選択的原子層堆積を行う方法であって、該方法が、
上記ウェーハとしてシリコンウェーハを用意する工程と、
ＺｎＯの堆積を抑制させることを選択した領域のパターンを、阻害作用物を用いることにより該シリコンウェーハに対してパターン形成する工程と、
ＡＬＤにより該シリコンウェーハ上にＺｎＯの層を堆積させる工程と、
該シリコンウェーハから該阻害作用物を除去する工程とを含む。
【０００６】
ここで、シリコンウェーハを用意する工程は、原子層堆積を行うためのウェーハを用意することであるので、シリコンウェーハを作製して用意することであったり、購入して用意することであったりする。
【０００７】
パターン形成する工程は、シリコンウェーハにおけるＺｎＯが堆積することを所望しない領域に対して、阻害作用物質を付与することによりパターン形成を行う工程である。
【０００８】
ＡＬＤによりＺｎＯの層を堆積させる工程は、上記シリコンウェーハのパターン形成を行った表面に対して、ＡＬＤによりＺｎＯの層を堆積させる工程である。
【０００９】
阻害作用物質を除去する工程は、ＡＬＤによるＺｎＯの層を堆積させた後、不要になった阻害作用物を取り除く工程である。
【００１０】
上記の工程を実施することにより、本発明に係る、酸化亜鉛を選択的に原子層堆積させる方法は、所望しない領域に対する材料のＡＬＤを阻害し、かつ所望の領域に対する材料の選択的ＡＬＤを行うことができるという効果を奏する。
【００１１】
また、シリコンウェーハを用意する工程は、ＨＦ浸液に浸漬することにより用意されるシリコンウェーハであってよく、さらに、ＨＦ浸液に浸漬したシリコンウェーハの上にＳｉＯ２層を有するシリコンウェーハでもよいし、ＨＦ浸液に浸漬したシリコンウェーハの上にＳｉ３Ｎ４層を有するシリコンウェーハであってもよい。
【００１２】
また、上記阻害作用物はイソプロピルアルコール、アセトン、脱イオン化水、クリーンルーム用のビニール手袋の切り屑（ｃｌｅａｎ  ｒｏｏｍ  ｖｉｎｙｌ  ｇｌｏｖｅ  ｒｅｓｉｄｕｅ）、フルオロウェア（Ｆｌｕｏｒｏｗａｒｅ）およびクリーンルーム用の柔らかい布の切り屑（ｃｌｅａｎ  ｒｏｏｍ  ｓｏｆｔ  ｃｌｏｔｈ  ｒｅｓｉｄｕｅ）からなる阻害作用物の一群より選択されるのが好ましい。
【００１３】
また、ＡＬＤによりＺｎＯの層を堆積させる工程は、約１４０℃〜約１７０℃の範囲の温度でジエチル亜鉛およびＨ２Ｏを用いてＡＬＤにより該半導体基板上にＺｎＯの層を堆積させることが好ましい。
【００１４】
また、阻害作用物質を除去する工程は、酸素プラズマ処理によって該阻害作用物を除去する工程であってもよい。
【００１５】
上記の概要は、本発明の理解を容易にするために記載したものである。図を用いて詳細に記載した、本発明を実施するための最良の形態を参照することにより、本発明をより詳細に理解することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る、ＺｎＯを選択的にＡＬＤさせた構造物の製造方法は、ウェーハにおける材料のＡＬＤを所望しない領域に対して阻害作用物を付与する工程を備えているために、所望の領域に対してのみ材料をＡＬＤさせたウェーハを製造することができる。
【００１７】
したがって、上記工程を備えるＺｎＯを選択的にＡＬＤさせた構造物の製造方法により、従来の選択的ＡＬＤを行う際に必要であったフォトレジスト型のマスクを用いる必要がなく、かつフィルムのエッチング工程およびフィルムの除去工程を省くことができる。つまり、本発明に係るＺｎＯを選択的にＡＬＤさせた構造物の製造方法は、従来の選択的ＡＬＤと比較して、低コスト化および工程の簡素化を実現できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明により解決される課題は、従来のフォトレジスト法を用いずに、材料を隣接する領域へ堆積させるのではなく、所望の領域に堆積させる、原子層の配向成長（ＡＬＥ；Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｅｐｉｔａｘｙ）としても知られている、選択的原子層堆積（ＡＬＤ）を如何にして実現するかである。
【００１９】
フィルムの選択的ＡＬＤは、シリコン表面に対して特殊な改変を加えることにより実現される。本発明にかかるフィルムの選択的ＡＬＤについて、図１および図２を用いて説明する。図１の１０は、本発明の方法の概略を示している。まず、図２におけるシリコン基板またはウェーハ１２が、本発明の方法で使うために用意される（工程１４）。
上記基板は、ＨＦ浸液に浸漬を行うことにより用意されたシリコンウェーハ基板であればどんなものであってもよい。なお、ＨＦ浸液の浸漬に先立って、標準的なＲＣＡ（Ｒａｄｉｏ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａ）洗浄工程を行ってもよい。また、上記基板は、ＨＦ浸液に浸漬した該シリコンウェーハ基板の上にＳｉＯ２層を有するシリコンウェーハ、もしくはＨＦ浸液に浸漬した該シリコンウェーハ基板の上にＳｉ３Ｎ４層を有するシリコンウェーハであってもよい。
そして、上記シリコン基板またはウェーハ１２に対して、阻害作用物１８（例えば、イソプロパノール（ＩＰＡ）、アセトン、脱イオン化水（ＤＩ；ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ）またはクリーンルーム用のビニール手袋の切り屑（ｃｌｅａｎ  ｒｏｏｍ  ｖｉｎｙｌ  ｇｌｏｖｅ  ｒｅｓｉｄｕｅ）、フルオロウェア（Ｆｌｕｏｒｏｗａｒｅ）もしくはクリーンルーム用の柔らかい布の切り屑（ｃｌｅａｎ  ｒｏｏｍ  ｓｏｆｔ  ｃｌｏｔｈ  ｒｅｓｉｄｕｅ）を用いて、選択領域にパターン形成される（工程１６）。
また、上記の阻害作用物１８を適切に付与することによって、ＺｎＯのＡＬＤの成長が阻害または抑制されることが観察された。阻害作用物の有効性は、付与の方法のみならず、堆積させる表面の物質に依存する。阻害作用物によって湿らせた綿棒またはクリーンルーム用の拭き取り繊維を用いた機械的な“こすりつけ（ｓｗｉｐｉｎｇ）”により、最も完全かつ均一にＺｎＯのＡＬＤを阻害することができた。また、原理的にはワイパーブレード方式の処理が用いられてもよい。
【００２０】
図３は、パターン形成された基板に対するＺｎＯの原子層堆積を行った（工程２０）結果について示している。より詳細な条件を挙げると、ＺｎＯ２２のＡＬＤは、約１４０℃〜約１７０℃の温度で、ジエチル亜鉛（ＤＥＺ）およびＨ２Ｏを用いて行われている。基板に依存して、上記阻害作用物を接触させた領域において、ＺｎＯのＡＬＤの成長が抑制される、またはそのような成長が起きないことが観察された。さらなる素子の作製の前に、上記阻害作用物は、酸素プラズマ処理によって除去される（工程２４）。
表１は、様々な表面に対してこすりつける（ｗｉｐｉｎｇ）、もしくは濡らすことにより付与された様々な阻害作用物の効果について示したものである。上記の様々な表面とは、ＨＦ浸液に浸漬したシリコンウェーハの表面、ＨＦ浸液に浸漬したシリコンウェーハの上に形成したＳｉＯ２層の表面、ＨＦ浸液に浸漬したシリコンウェーハの上に形成したＳｉ３Ｎ４層の表面、または未処理酸化物の表面である。
阻害作用物を上記様々な表面に付与する方法は、該阻害作用物がＩＰＡ、アセトンまたはＤＩである場合、「綿で拭く」（ｃｏｔｔｏｎ  ｓｗａｂ）、「布でこする」（ｃｌｏｔｈ  ｗｉｐｅ）または「濡らす」である。
また、阻害作用物を上記様々な表面に付与する方法は、該阻害作用物が、手袋（クリーンルーム（ｃｌｅａｎ  ｒｏｏｍ）、チェイス（ｃｈａｓｅ）またはニトリル（ｎｉｔｒｉｌｅ））である場合、「阻害作用物を介して指でこする」または「接触させる」である。
さらに、阻害作用物を上記様々な表面に付与する方法は、該阻害作用物が、その他（フルオロウェアまたは柔らかい布地）である場合、「接触させる」または「被せる」である。
【００２１】
なお、「クリーンルーム」は、クリーンルームで用いるビニール手袋である。また、「チェイス」は、ラテックス（ｌａｔｅｘ）製の手袋であり、クリーンルームのチェイス領域またはチェイス領域外において用いられる手袋である。さらに、「ニトリル」は、ニトリルゴム製の手袋である。
【００２２】
【表１】
2006310808.tif 000003
【００２３】
ＨＦにシリコン基板を４５秒間浸漬した後、そのシリコン表面を観察した。熱的に成長させたＳｉＯ２は、様々なウェーハ上において、２３ナノメートル（ｎｍ）〜３３ｎｍの厚さを有しており、一方、Ｓｉ３Ｎ４は、約３８ｎｍの厚さを有していた。
表１において、“＋＋＋”は強い抑制を、“＋＋”は弱い抑制を、また“＋”は、肉眼ではほとんど見ることができないことを、さらに“０”は効果なしを意味している。
ＩＰＡが上記表面に対してただ“吹き付けられた”場合、均一な阻害は起こらないが、吹き付けられた液体の広がり方向と一致する蒸着線に沿ってのみ阻害が起こる。
【００２４】
表１に示した結果より以下のような結論が導き出される：
（１）ＩＰＡ、アセトン、ＤＩ、クリーンルーム用のビニール手袋の切り屑およびフルオロウェアは、すべてＡＬＤの選択性を実現するために用いられ得る。
（２）アセトンおよびクリーンルーム用のビニール手袋の切り屑は、シリコン、ＳｉＯ２およびＳｉ３Ｎ４に作用することが明らかになった。
（３）ＩＰＡおよびＤＩは、シリコンに対してのみ強い効果を発揮した。
（４）浸漬もしくは濡らす操作よりも、機械的なこすりつけ（ｓｗｉｐｉｎｇ）が必要と思われる。このことは、表１の各阻害作用物において、綿で拭く、または布でこする方が、濡らすより、強い阻害効果が現われていることから分かる。
表１には示していないが、以下のような結果が観察された：
（１）フォトレジストはわずかにＺｎＯのＡＬＤの成長を抑制する。
（２）シリコンにおけるＺｎＯの成長の度合いは、乾燥した綿棒を用いてこすりつけ（ｓｗｉｐｉｎｇ）ることにより増強された。
（３）ポリイミドのテープは、堆積を強く抑制する。
【００２５】
ＡＬＤの抑制もしくは回避の仕組みは現在のところ知られていないが、予備的な証拠において、有効な作用物は有機物であることが示唆されている。
【００２６】
シリコンウェーハは、４５秒間ＨＦに浸漬させた後、ＩＰＡ、アセトン、フルオロウェア、クリーンルーム用手袋またはＤＩを用いて処理された。それに続き、上記ウェーハに対して、酸素プラズマレジスト剥離（ｏｘｙｇｅｎ  ｐｌａｓｍａ  ｒｅｓｉｓｔ  ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）処理を行った。この処理の後、ＤＥＺおよびＨ２Ｏを用いてＡＬＤを行った。通常、これらの阻害作用物のシリコンウェーハに対する処理によって、その後に続くＡＬＤは抑制されるはずであるが、酸素プラズマ処理の後では、ＡＬＤの抑制は観察されなかった。この結果は、ある種の有機物混入が、ＡＬＤの阻害過程に含まれていることを強く示唆している。
【００２７】
この結果は、上記のチェン（Ｃｈｅｎ）らによって支持されており（非特許文献１を参照）、ここでは、ＨｆＣｌ４およびＨ２Ｏを用いたＨｆＯ２のＡＬＤを阻害するために、巨大有機分子オクタデシルトリクロロシレートが用いられた。
【００２８】
もう一つの可能性としては、ＡＬＤは完全に阻害されるのではなく、むしろ初期の核形成がより困難となるのであり、材料のＡＬＤの成長には定温放置サイクル数の増大が必要である、ということが考えられる。
【００２９】
他の実験において、様々な手法を用いて一連のウェーハを処理した。ウェーハの一つに対しては、４００℃で５分間、ＡＬＤの前にＮ２アニーリングを行った。一方、もう一つのウェーハは、箱の中に４日間保存した。アニーリングを行ったウェーハにおける様々な処理の効果は、非常に減衰していたが、それでも観察することができた。この結果は、レーザを用いて表面を選択的に加熱して、パターン形成をしてもよいということを示唆している。箱の中に閉じ込めておいたウェーハについては、ＩＰＡを除く全ての効果は、ほぼ同じ強度として観察され、ＩＰＡの効果は大きく低減されていた。
【００３０】
図４を参照すると、選択的ＡＬＤは、紫外線（ＵＶ）光電子工学装置用のＺｎＯフィルムの直接のパターン形成を実現できるため、ミクロ電子工学的分野に応用され得る。上記の一つの技術は、ＡＬＤを阻害したい場所だけに、ＩＰＡもしくは他の作用物を用いて直接パターン形成するというものである。シリコン表面、ＳｉＯ２表面およびＳｉ３Ｎ４表面におけるＩＰＡの挙動が異なるために、特定の材料の上にのみ選択的な成長を起こすことができる。
図４に示すウェーハにおいて、シリコン上にパターン形成させたＳｉＯ２もしくはＳｉ３Ｎ４３２の成長を有するウェーハ３０は、ＩＰＡを阻害作用物３４として用いて処理した。その後、ＺｎＯのＡＬＤを行った。ＩＰＡはシリコン表面における成長だけを抑制するので、ＺｎＯ３６はＳｉＯ２もしくはＳｉ３Ｎ４３２表面においてのみ成長が起こる。機械的なこすりつけ（ｓｗｉｐｉｎｇ）を行う必要があると思われるために、これらのパターン形成技術の実施はより困難なものとなっているが、機械的ワイパーブレードの利用も想定される。
【００３１】
図５において説明しているのは、ＩＰＡに浸漬した綿で拭くことによって「ＩＰＡ」という文字をパターン形成し、続いて、ＤＥＺおよびＨ２Ｏを用いたＡＬＤを１４０℃で１００サイクル行った。フィールド領域におけるＺｎＯの厚さは約４７ｎｍである。ＩＰＡがラベルされた領域は、幅が狭過ぎるためにＳＥ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）によって計ることは出来ないが、ＡＬＤの成長はあきらかに抑制されている。
図６は、クリーンルーム用の拭き取り繊維を用いてＩＰＡをこすりつけ（ｓｗｉｐｉｎｇ）し、続いてＤＥＺおよびＨ２Ｏを用いてＡＬＤを１４０℃で１００サイクル行ったウェーハを示している。２つの領域は視覚的にはっきりとしている。暗い（ＩＰＡで拭いていない）領域には、厚さ約４８ｎｍのＺｎＯが堆積していたが、一方の明るい（ＩＰＡで拭いた）領域にはわずか約４．５ｎｍのＺｎＯの堆積が検出されただけであった。
恐らくＩＰＡが十分に上記ウェーハに接触できなかったために、少量のＺｎＯが成長した領域およびＺｎＯの成長が阻害された領域が縞状に並んでいると考えられる。さらに決まったサイズを有するＳＥ探査レーザのスポットの中に一つ以上の縞が含まれていたために少量のＺｎＯが検出されたと考えられる。
【００３２】
以上のように酸化亜鉛の選択的原子堆積層を実施するための方法が開示されている。上記の特許請求の範囲に定義される発明の範囲内において更なる変化や工夫が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明は、ウェーハ上の所望の領域に対してのみ材料を原子層堆積させることができるため、素子を初めとして様々な用途に適用することが可能である。特に、紫外線光電子工学装置に用いられるＺｎＯフィルムに対して、直接のパターン形成が可能なため、ミクロ電子工学的処理へ適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の方法を説明するフローチャートである。
【図２】本発明の方法に係る基板を用意する工程および阻害作用物を用いたパターン形成する工程の説明図である。
【図３】本発明の方法に係るＺｎＯをＡＬＤさせる工程の説明図である。
【図４】本発明の方法に係るシリコンウェーハの上にＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４の層を有する基板に対して、阻害作用物を用いることによりＺｎＯを選択的ＡＬＤさせる工程の説明図である。
【図５】本発明の方法の有用性を確認するために、阻害作用物としてＩＰＡを用いて選択的ＡＬＤを行ったウェーハの説明図である。
【図６】本発明の方法の有用性を確認するために、阻害作用物としてＩＰＡを用いて選択的ＡＬＤを行ったウェーハの説明図である。
【符号の説明】
【００３５】
１２  シリコン基板またはシリコンウェーハ
１８  阻害作用物
２２  ＺｎＯ
３０  シリコン基板またはシリコンウェーハ
３２  ＳｉＯ２もしくはＳｉ３Ｎ４
３４  阻害作用物（ＩＰＡ）
３６  ＺｎＯ
【図１】
2006310808.tif 000004
【図２】
2006310808.tif 000005
【図３】
2006310808.tif 000006
【図４】
2006310808.tif 000007
【図５】
2006310808.tif 000008
【図６】
2006310808.tif 000009