(57)【要約】【課題】簡便に配線容量を低減することが可能な液晶表示装置およびそれを備えた電子機器を提供する。【解決手段】本発明による液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板１００ａと、対向基板１００ｂと、これらの間に設けられた液晶層１３とを有する。アクティブマトリクス基板１００ａおよび対向基板１００ｂのうち、配向規制構造体２１を有する対向基板１００ｂは、配向規制構造体２１と同一の誘電体材料から形成された誘電体構造体３０を信号配線１８と対向電極１２との間に有する。誘電体構造体３０を構成する誘電体材料の誘電率は、液晶層を構成する液晶材料の誘電率よりも低い。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に表示信号電圧を供給する信号配線とを有するアクティブマトリクス基板と、
前記複数の画素電極に対向する対向電極を有する対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方の基板は、前記液晶層に含まれる液晶分子に対して配向規制力を発現する側面を有する配向規制構造体を有し、
前記配向規制構造体を有する前記少なくとも一方の基板は、前記配向規制構造体と同一の誘電体材料から形成された誘電体構造体を前記信号配線と前記対向電極との間に有し、前記誘電体材料の誘電率は、前記液晶層を構成する液晶材料の誘電率よりも低い液晶表示装置。
【請求項２】
前記アクティブマトリクス基板が前記誘電体構造体を有する請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記対向基板が前記誘電体構造体を有する請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の両方が前記誘電体構造体を有する請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記誘電体構造体は、その延設方向が前記配向規制構造体の延設方向と交差するように配置されている請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記誘電体構造体は、その延設方向が前記信号配線の延設方向と略平行になるように配置されている請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶層を介して互いに対向するように配置された一対の偏光板を有し、前記一対の偏光板の透過軸は互いに略直交し、前記配向規制構造体は、その延設方向が前記一対の偏光板の透過軸と略４５°を成すように配置されている、請求項１から６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記誘電体構造体は、その延設方向が前記一対の偏光板のうちの一方の透過軸と略平行であり、且つ、他方の透過軸と略直交するように配置されている請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記アクティブマトリクス基板は、前記信号配線と前記液晶層との間に設けられた層間絶縁膜を有する請求項１から８のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記アクティブマトリクス基板は、前記信号配線に略平行に延びるシールド電極を有する、請求項１から９のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の液晶表示装置を備える電子機器。
【請求項１２】
テレビジョン放送を受信する回路をさらに備える、請求項１１に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、画素ごとにスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶テレビの普及が進み、それに伴って液晶テレビの急速な大型化が進んでいる。一般的な液晶テレビには、画素ごとにスイッチング素子として薄膜トランジスタ（「ＴＦＴ」と称される）を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置が用いられている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、高いコントラスト比および優れた応答特性を有し、高性能であるので、液晶テレビをはじめとする種々の電子機器に好適に用いられる。
【０００３】
図１３（ａ）および（ｂ）に、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置６００の構造を示す。液晶表示装置６００は、アクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）６００ａと、ＴＦＴ基板６００ａに対向する対向基板６００ｂと、これらの間に設けられた液晶層６１３とを有している。
【０００４】
ＴＦＴ基板６００ａは、透明基板６１５上に形成されたゲート配線（走査配線とも呼ばれる）６１６と、ゲート配線６１６に直交するソース配線（信号配線とも呼ばれる）６１８と、画素ごとに設けられたＴＦＴ６１４と、ＴＦＴ６１４に電気的に接続された画素電極６１２とを有している。一方、対向基板６００ｂは、透明基板６２４上に形成された対向電極６１１を有している。
【０００５】
ゲート配線６１６からＴＦＴ６１４に供給される走査信号によってＴＦＴ６１４が所定の期間オン状態とされ、それに同期してソース配線６１８からＴＦＴ６１４に表示信号が供給されることによって、各画素への表示信号の書き込みが行われる。書き込まれた表示信号は、ＴＦＴ６１４がオフ状態となった後も保持されるので、アクティブマトリクス型の液晶表示装置６００では高コントラスト比の表示が実現される。
【０００６】
しかしながら、液晶表示装置が大型化すると、配線抵抗や配線にぶら下がる容量（単に「配線容量」とも呼ばれる）が増加するので、信号の遅延が著しくなり、ＴＦＴの駆動が困難になってしまう。また、１／２の周期でデータの書き換えを行う倍速駆動や、走査線数を増やしたＨＤＴＶ方式に対応することはさらに困難になる。
【０００７】
ソース配線の容量は、主に、ソース配線と画素電極との間に形成されるソース−画素間容量と、ソース配線と対向電極との間に形成されるソース−対向間容量と、ゲート配線とソース配線との交差部に形成されるゲート−ソースクロス部容量である。
【０００８】
特許文献１には、ソース−対向間容量が低減された液晶表示装置が開示されている。図１４（ａ）および（ｂ）に、特許文献１に開示されている液晶表示装置７００を示す。
【０００９】
液晶表示装置７００は、ゲート配線７１６、ソース配線７１８、ＴＦＴ７１４および画素電極７１２を有するＴＦＴ基板７００ａと、画素電極７１２に対向する対向電極７１１を有する対向基板７００ｂと、これらの間に設けられた液晶層７１３とを備えている。
【００１０】
液晶表示装置７００では、画素電極７１２の下に透明な膜７０２が設けられているので、画素電極７１２と対向電極７１１との間隔を一定に保持したまま、ソース配線７１８と対向電極７１１との間隔を広くすることができ、そのため、ソース−対向間容量を低減することができる。
【特許文献１】特開平４−１２５５２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１に開示されているように、画素電極７１２の下に余分な膜７０２を形成することは、製造工程の増加や製造コストの増加を招いてしまう。
【００１２】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡便に配線容量を低減することが可能な液晶表示装置およびそれを備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明による液晶表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に表示信号電圧を供給する信号配線とを有するアクティブマトリクス基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極を有する対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方の基板は、前記液晶層に含まれる液晶分子に対して配向規制力を発現する側面を有する配向規制構造体を有し、前記配向規制構造体を有する前記少なくとも一方の基板は、前記配向規制構造体と同一の誘電体材料から形成された誘電体構造体を前記信号配線と前記対向電極との間に有し、前記誘電体材料の誘電率は、前記液晶層を構成する液晶材料の誘電率よりも低く、そのことによって上記目的が達成される。
【００１４】
ある好適な実施形態において、前記アクティブマトリクス基板が前記誘電体構造体を有する。
【００１５】
ある好適な実施形態において、前記対向基板が前記誘電体構造体を有する。
【００１６】
ある好適な実施形態において、前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の両方が前記誘電体構造体を有する。
【００１７】
ある好適な実施形態において、前記誘電体構造体は、その延設方向が前記配向規制構造体の延設方向と交差するように配置されている。
【００１８】
ある好適な実施形態において、前記誘電体構造体は、その延設方向が前記信号配線の延設方向と略平行になるように配置されている。
【００１９】
ある好適な実施形態において、前記液晶層を介して互いに対向するように配置された一対の偏光板を有し、前記一対の偏光板の透過軸は互いに略直交し、前記配向規制構造体は、その延設方向が前記一対の偏光板の透過軸と略４５°を成すように配置されている。
【００２０】
ある好適な実施形態において、前記誘電体構造体は、その延設方向が前記一対の偏光板のうちの一方の透過軸と略平行であり、且つ、他方の透過軸と略直交するように配置されている。
【００２１】
ある好適な実施形態において、前記アクティブマトリクス基板は、前記信号配線と前記液晶層との間に設けられた層間絶縁膜を有する。
【００２２】
ある好適な実施形態において、前記アクティブマトリクス基板は、前記信号配線に略平行に延びるシールド電極を有する。
【００２３】
本発明による電子機器は、上記の構成を有する液晶表示装置を備えており、そのことによって上記目的が達成される。
【００２４】
ある好適な実施形態において、本発明による電子機器は、テレビジョン放送を受信する回路をさらに備える。
【発明の効果】
【００２５】
本発明による液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板および対向基板のうちの少なくとも一方の基板が、誘電体構造体を信号配線と対向電極との間に有しており、この誘電体構造体を構成する誘電体材料の誘電率は、液晶層を構成する液晶材料の誘電率よりも低い。そのため、信号配線と対向電極との間に形成される容量が低減される。誘電体構造体は、配向規制構造体と同一の誘電体材料から形成されているので、誘電体構造体を設けることによる製造工程の増加や製造コストの増加はない。従って、本発明によると、簡便に配線容量を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。以下では、配向分割垂直配向型液晶表示装置の１つであるＭＶＡ（Multi-domain  Vertical  Alignment）型液晶表示装置を例として本発明を説明する。ＭＶＡ型液晶表示装置は、一対の電極間に設けられた垂直配向型液晶層を用いてノーマリーブラック（ＮＢ）モードで表示を行う液晶表示装置であり、リブ（凸部）などの配向規制構造体を備え、それぞれの画素において電圧印加時に液晶分子が複数の異なる方向に倒れる（傾斜する）ように構成されている。ただし、本発明はＭＶＡ型液晶表示装置に限定されず、配向規制構造体を備えた液晶表示装置全般に広く用いられる。
【００２７】
まず、ＭＶＡ型液晶表示装置の基本的な構成を図１（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明する。
【００２８】
図１（ａ）に示す液晶表示装置１０Ａは、第１電極１１と、第１電極１１に対向する第２電極１２と、第１電極１１と第２電極１２との間に設けられた垂直配向型液晶層１３とを有する複数の画素を備える。垂直配向型液晶層１３は、誘電異方性が負の液晶分子を含み、これらの液晶分子は、電圧無印加時には、第１電極１１および第２電極１２の面に略垂直（例えば８７°以上９０°以下）に配向している。典型的には、第１電極１１および第２電極１２のそれぞれの液晶層１３側の表面に垂直配向膜（不図示）が設けられている。
【００２９】
第１電極１１上にはリブ２１が設けられており、第２電極１２にはスリット２２が設けられている。リブ２１とスリット２２との間に規定される液晶領域においては、液晶分子１３ａは、リブ２１およびスリット２２からの配向規制力を受け、第１電極１１と第２電極１２との間に電圧が印加されると、図中に矢印で示した方向に倒れる（傾斜する）。すなわち、それぞれの液晶領域において液晶分子１３ａは一様な方向に倒れるので、それぞれの液晶領域はドメインとみなすことができる。
【００３０】
リブ２１およびスリット２２（これらを総称して「配向規制手段」と呼ぶことがある。）は各画素内で、それぞれ帯状に設けられており、図１（ａ）および（ｂ）は帯状の配向規制手段の延設方向に直交する方向における断面図である。各配向規制手段の両側に液晶分子１３ａが倒れる方向が互いに１８０°異なる液晶領域（ドメイン）が形成される。
【００３１】
リブ２１は、その側面２１ａに略垂直に液晶分子１３ａを配向させることにより、液晶分子１３ａをリブ２１の延設方向に直交する方向に配向させるように作用する。スリット２２は、第１電極１１と第２電極１２との間に電位差が形成されたときに、スリット２２の端辺近傍の液晶層１３に斜め電界を生成し、スリット２２の延設方向に直交する方向に液晶分子１３ａを配向させるように作用する。リブ２１とスリット２２とは、一定の間隔をあけて互いに平行に配置されており、互いに隣接するリブ２１とスリット２２との間に液晶領域（ドメイン）が形成される。
【００３２】
図１（ｂ）に示す液晶表示装置１０Ｂは、配向規制手段としてリブ３１とリブ３２とを有している点において、図１（ａ）に示した液晶表示装置１０Ａと異なる。リブ３１とリブ３２とは、一定の間隔をあけて互いに平行に配置されており、リブ３１の側面３１ａおよびリブ３２の側面３２ａに液晶分子１３ａを略垂直に配向させるように作用することによって、これらの間に液晶領域（ドメイン）が形成される。
【００３３】
なお、本願明細書では、配向規制手段のうち、リブのように液晶分子に対して配向規制力を発現する側面を有する構造体を特に「配向規制構造体」と呼ぶ。図１（ａ）に示す液晶表示装置１０Ａは、一方の基板に配向規制構造体を有し、図１（ｂ）に示す液晶表示装置１０Ｂは、両方の基板に配向規制構造体を有している。配向規制構造体近傍に位置する液晶分子は、配向規制構造体の表面に略垂直に配向する。
【００３４】
また、第１電極１１および第２電極１２は、その一方がスイッチング素子に電気的に接続された画素電極であり、他方は画素電極に対向する対向電極である。以下、より具体的に本発明の実施形態を説明する。
【００３５】
（実施形態１）
図２（ａ）および（ｂ）を参照しながら、本実施形態における液晶表示装置１００Ａを説明する。図２（ａ）は液晶表示装置１００Ａの断面構造を模式的に示す部分断面図であり、図２（ｂ）は、液晶表示装置１００Ａの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。液晶表示装置１００は図１（ａ）に示した液晶表示装置１０Ａと同様の基本構成を有するので、共通する構成要素は共通の参照符号で示す。
【００３６】
液晶表示装置１００Ａは、アクティブマトリクス基板（以下では「ＴＦＴ基板」と称する）１００ａと、ＴＦＴ基板１００ａに対向するように配置された対向基板（「カラーフィルタ基板」とも称される）１００ｂと、これらの間に設けられた垂直配向型の液晶層１３とを有している。
【００３７】
ＴＦＴ基板１００ａは、マトリクス状に配列された複数の画素電極１２と、各画素電極１２に接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１４とを有している。
【００３８】
ＴＦＴ１４は、透明基板（例えばガラス基板）１５上に形成されたゲート配線（走査配線）１６から走査信号電圧を供給される。また、ＴＦＴ１４は、ゲート配線１６にゲート絶縁膜１７を介して交差するように形成されたソース配線（信号配線）１８から表示信号電圧を供給される。ソース配線１８を覆うようにパシベーション層１９が形成されており、このパシベーション層１９上に画素電極１２が形成されている。
【００３９】
画素電極１２にはスリット２２が形成されており、スリット２２を含む画素電極１２上のほぼ全面に垂直配向膜（不図示）が形成されている。スリット２２は、帯状であり、ゲート配線１６の延設方向やソース配線１８の延設方向に対して約４５°の角をなす方向に延設されている。
【００４０】
本実施形態におけるＴＦＴ基板１００ａは、さらに、ゲート配線１６と同一の導電膜から形成された補助容量配線２０と、ソース配線１８と同一の導電膜から形成された補助容量電極２３とを有している。補助容量配線２０と、補助容量電極２３とは、ゲート絶縁膜１７を介して対向し、補助容量を構成している。
【００４１】
対向基板１００ｂは、透明基板（例えばガラス基板）２４上に形成された対向電極１１を有している。対向電極１１上にはリブ（凸部）２１が形成されている。リブ２１上を含む対向電極１１の液晶層１３側表面全体に垂直配向膜（不図示）が形成されている。リブ２１は、帯状であり、画素電極１２のスリット２２に対して略平行に延設されている。スリット２２は、隣接するリブ２１の間隔を略二等分するように配置されている。
【００４２】
互いに平行に延設された帯状のリブ２１とスリット２２との間に、帯状の液晶領域が規定される。それぞれの液晶領域は、その両側のリブ２１およびスリット２２によって配向方向が規制されており、リブ２１およびスリット２２のそれぞれの両側に、液晶分子１３ａの倒れる方向が互いに１８０°異なるドメインが形成される。液晶表示装置１００Ａでは、リブ２１およびスリット２２は互いに９０°異なる２つの方向に沿って延設されており、各画素には、液晶分子１３ａの配向方向が９０°異なる４種類のドメインが形成される。なお、リブ２１およびスリット２２の配置は、ここで例示したものに限定されない。
【００４３】
また、ＴＦＴ基板１００ａおよび対向基板１００ｂの両側に配置される一対の偏光板（不図示）は、透過軸が互いに略直交（クロスニコル状態）するように配置される。９０°ずつ配向方向が異なる４種類の液晶領域の全てに対して、それぞれの配向方向と偏光板の透過軸とが４５°を成すように配置すれば、液晶領域によるリタデーションの変化を最も効率的に利用することができる。そのため、偏光板の透過軸がリブ２１およびスリット２２の延設方向と略４５°を成すように配置することが好ましい。また、テレビのように、観察方向を表示面に対して水平に移動することが多い表示装置においては、一対の偏光板の一方の透過軸を表示面に対して水平方向に配置することが、表示品位の視野角依存性を抑制するために好ましい。
【００４４】
上述したように、本実施形態における液晶表示装置１００Ａは、配向規制手段としてリブ２１とスリット２２とを有しており、これらの配向規制手段によって、それぞれの画素において電圧印加時に液晶分子が複数の異なる方向に倒れる（傾斜する）。そのため、良好な視野角特性が得られる。
【００４５】
また、本実施形態における液晶表示装置１００Ａでは、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、リブ２１と同一の誘電体材料から形成された誘電体構造体３０が対向基板１００ｂ上に設けられている。誘電体構造体３０は、ソース配線１８に重なるように対向電極１１上に配置されており、ソース配線１８と対向電極１１との間に位置している。また、誘電体構造体３０の延設方向は、ソース配線１８の延設方向と略平行である。つまり、誘電体構造体３０の延設方向は、リブ２１の延設方向と交差し、一対の偏光板のうちの一方の透過軸と略平行（つまり他方の透過軸と略直交する）である。
【００４６】
誘電体構造体３０（およびリブ２１）を構成する誘電体材料の誘電率は、液晶層１３を構成する液晶材料の誘電率よりも低い。本実施形態では、液晶材料の誘電率が５．７、パシベーション層１９の誘電率が６．９であるのに対して、誘電体材料の誘電率は、３．４である。なお、本願明細書では、特にことわらない限り、「液晶材料の誘電率」は、液晶分子の短軸方向に沿って規定される誘電率と、長軸方向に沿って規定される誘電率のうち、高い方の誘電率を指すものとする。本実施形態における液晶層１３は、負の誘電異方性を有する液晶材料から構成されているので、液晶分子の短軸方向に沿って規定される誘電率が、長軸方向に沿って規定される誘電率よりも高い。
【００４７】
このように、液晶表示装置１００Ａでは、リブ２１を有する対向基板１００ｂが、誘電体構造体３０をソース配線１８と対向電極１１との間に有しており、この誘電体構造体３０を構成する誘電体材料の誘電率は、液晶層１３を構成する液晶材料の誘電率よりも低い。そのため、ソース配線１８と対向電極１１との間に形成される容量が低減される。また、この誘電体構造体３０は、リブ２１と同一の誘電体材料から形成されており、同一の工程で形成されるので、誘電体構造体３０を設けることによる製造工程の増加や製造コストの増加はない。
【００４８】
ソース配線１８と対向電極１１との間に形成される容量を十分に低減するためには、誘電体材料の誘電率と液晶材料の誘電率との差が１．５以上であることが好ましく、２．０以上であることがさらに好ましい。
【００４９】
なお、本実施形態におけるＴＦＴ基板１００Ａは、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、ソース配線１８に略平行に延びるシールド電極２５を有する。本実施形態におけるシールド電極２５は、ゲート配線１６および補助容量配線２０と同一の導電膜をパターニングすることによって形成されている。このシールド電極２５は、補助容量配線２０から分岐するように形成されており、補助容量配線２０と同じ電位を与えられる。以下、シールド電極２５を設けない場合に発生し得る問題と、シールド電極２５を設けることによって得られる利点を説明する。
【００５０】
シールド電極２５が存在しない場合、画素電極１２とソース配線１８との間で静電容量が形成されてしまう。画素内の電気力線に着目して説明すると、電気力線は、画素電極１２と対向電極１１とを結ぶように形成されるだけでなく、画素電極１２とソース配線１８とを結ぶようにも形成される。そのため、１フレーム内で一定に保たれるべき画素電極１２の電位が、ソース配線１８の電位の影響を受けて変動してしまう。
【００５１】
これに対し、シールド電極２５を設けると、画素電極１２からソース配線１８に向かう電気力線を、シールド電極２５に導くことが可能になり、画素電極１２とソース配線１８との間での容量の形成を妨げることができる。そのため、画素電極１２の電位がソース配線１８の電位の影響を受けて変動することを抑制することができる。つまり、シールド電極２５は、画素電極１２を、ソース配線１８によって生成される電場から遮蔽する機能を有している。
【００５２】
なお、従来の液晶表示装置においてシールド電極を設けた場合、画素電極とソース配線との間に形成される容量を低減させることができるものの、ソース配線と対向電極との間に形成される容量が増加してしまう。
【００５３】
これに対し、本実施形態の液晶表示装置１００Ａでは、たとえシールド電極２５を設けることによって配線容量が増大しても、その分を上述した誘電体構造体３０によって十分に低減することができる。
【００５４】
本実施形態では、対向電極が図１（ａ）中に示す第１電極１１に相当し、画素電極が図１（ａ）中に示す第２電極１２に相当する場合を例示したが、これとは逆に、画素電極が第１電極１１に相当し、対向電極が第２電極１２に相当してもよい。つまり、図３（ａ）および（ｂ）に示す液晶表示装置１００Ｂのように、ＴＦＴ基板１００ａ上にリブ２１を設け、対向基板１００ｂの対向電極１２にスリット２２を設けてもよい。この場合、配向規制構造体であるリブ２１が設けられているＴＦＴ基板１００ａに誘電体構造体３０を設ければ、製造工程の増加や製造コストの増加を伴うことなく、簡便に配線容量を向上することができる。
【００５５】
また、図１（ｂ）に示した基本構成を採用してもよい。つまり、図４（ａ）および（ｂ）に示す液晶表示装置１００Ｃのように、ＴＦＴ基板１００ａの画素電極１２上にリブ３２を設けるとともに、対向基板１００ｂの対向電極１１上にもリブ３１を設けてもよい。その場合、図示しているように、ＴＦＴ基板１００ａおよび対向基板１００ｂの両方に誘電体構造体３０を設けることができるので、ソース配線１８と対向電極１１との間に形成される容量をさらに低減することができる。
【００５６】
なお、誘電体構造体３０は、その延設方向がリブ２１、３１、３２やスリット２２の延設方向とは異なっているので、リブ２１、３１、３２やスリット２２による配向規制力とは異なる方向に液晶分子を倒す配向規制力を有する。誘電体構造体３０の配向規制力による表示への悪影響を抑制する観点からは、誘電体構造体３０を、ＴＦＴ基板１００ａや対向基板１００ｂの遮光層に重なるように配置することが好ましい。
【００５７】
本実施形態における液晶表示装置１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは、配向規制構造体を形成する工程において、液晶材料の誘電率よりも低い誘電率を有する誘電体材料を用い、配向規制構造体と同時に誘電体構造体３０を形成する点以外は、公知のＭＶＡ型液晶表示装置の製造方法と同様にして製造することができる。
【００５８】
以下、図５（ａ）〜（ｅ）および図６（ａ）〜（ｃ）を参照しながら、液晶表示装置１００Ａの製造方法の一例を説明する。
【００５９】
まず、透明基板（例えばガラス基板）１５上に金属膜をスパッタリング法を用いて堆積し、この金属膜をパターニングすることによって、図５（ａ）に示すように、シールド電極２５と、ゲート配線１６および補助容量配線２０（これらは不図示）とを形成する。
【００６０】
次に、ＣＶＤ法を用いて絶縁膜（例えばＳｉＮｘ膜）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜、ｎ+アモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ）膜を連続して堆積した後にａ−Ｓｉ膜、ｎ+ ａ−Ｓｉ膜をパターニングすることによって、図５（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１７と、真性半導体層および不純物添加半導体層（これらは不図示）とを形成する。
【００６１】
続いて、スパッタリング法を用いて金属膜を堆積した後にこの金属膜をパターニングすることによって、図５（ｃ）に示すように、ソース配線１８と、補助容量電極２３、ソース電極およびドレイン電極（これらは不図示）とを形成する。
【００６２】
その後、ソース電極およびドレイン電極をマスクとして、不純物添加半導体層の一部（チャネルとなる領域上に位置する部分）をドライエッチングにより除去する。なお、不純物添加半導体層を除去する際に、真性半導体層の表面も薄くエッチングされる。
【００６３】
次に、図５（ｄ）に示すように、酸化膜をスパッタリング法により堆積することによってパシベーション層１９を形成し、その後、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってパシベーション層の補助容量電極２３に重なる部分にコンタクトホールを形成する。
【００６４】
続いて、スパッタリング法を用いてＩＴＯ等の透明導電材料からなる膜を形成し、この透明導電膜をパターニングすることによって、図５（ｅ）に示すように、画素電極１２を形成する。このとき、画素電極１２の一部に帯状のスリット２２が形成される。このようにして、ＴＦＴ基板１００ａが完成する。
【００６５】
上述したＴＦＴ基板１００ａとは別途に、対向基板１００ｂを用意する。具体的には、まず、図６（ａ）に示すように、透明基板（例えばガラス基板）２４上に、スパッタリング法を用いてＩＴＯ等の透明導電材料を堆積することによって対向電極１１を形成する。
【００６６】
次に、対向電極１１上に、誘電体材料を付与することによって誘電体膜を形成し、この誘電体膜をパターニングすることによって、リブ２１と、誘電体構造体３０とを形成する。誘電体材料としては、液晶層１３を構成する液晶材料の誘電率よりも低い誘電率を有する材料を用いる。誘電体材料としては、例えば、透明な樹脂材料が用いられる。このようにして、対向基板１００ｂが完成する。なお、ここでは図示しないが、典型的には、対向基板１００ｂには、カラーフィルタが設けられている。
【００６７】
その後、ＴＦＴ基板１００ａと対向基板１００ｂとを貼り合せ、これらの間隙に液晶材料を注入・封止して液晶層１３を形成することによって、図６（ｃ）に示すように、液晶表示装置１００Ａが完成する。なお、ＴＦＴ基板１００ａと対向基板１００ｂとを貼り合わせる前に、両基板の液晶層１３側の表面には垂直配向膜が形成される。
【００６８】
（実施形態２）
図７、図８および図９を参照しながら、本実施形態における液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００Ｃを説明する。図７（ａ）、図８（ａ）および図９（ａ）は、液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００Ｃの断面構造を模式的に示す部分断面図であり、図７（ｂ）、図８（ｂ）および図９（ｂ）は、液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００Ｃの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。
【００６９】
液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００ＣのＴＦＴ基板２００ａは、シールド電極を有していない点と、パシベーション層１９上に形成された層間絶縁膜２６を有している点において、実施形態１における液晶表示装置１００Ａ、１００Ｂおよび１００ＣのＴＦＴ基板１００ａとそれぞれ異なっている。
【００７０】
層間絶縁膜２６は、例えば透明な樹脂膜である。層間絶縁膜２６を設けることによって、図示するように、画素電極１２（１１）をゲート配線１６およびソース配線１８と部分的に重ねて配置することが可能となり、開口率を向上できるという利点が得られる。画素電極１２（１１）と、ゲート配線１６およびソース配線１８との間に形成される容量を低減する観点からは、層間絶縁膜２６を構成する材料の誘電率が低いことが好ましい。
【００７１】
本実施形態における液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００Ｃも、ＴＦＴ基板２００ａおよび対向基板２００ｂの少なくとも一方上に、リブ２１と同じ誘電体材料から形成された誘電体構造体３０を有している。そのため、ソース配線１８と対向電極１１との間に形成される容量を簡便に低減することが可能になる。特に、図９（ａ）および（ｂ）に示す液晶表示装置２００Ｃのように、ＴＦＴ基板２００ａおよび対向基板２００ｂの両方上に誘電体構造体３０を設けると、容量を低減する効果が高い。
【００７２】
誘電体構造体３０（およびリブ２１）を構成する誘電体材料の誘電率は、例えば、液晶材料の誘電率が５．７、パシベーション層１９の誘電率が６．９であるのに対して、３．４である。また、層間絶縁膜２６の誘電率は、例えば３．４である。
【００７３】
（実施形態３）
図１０、図１１および図１２を参照しながら、本実施形態における液晶表示装置３００Ａ、３００Ｂおよび３００Ｃを説明する。図１０（ａ）、図１１（ａ）および図１２（ａ）は、液晶表示装置３００Ａ、３００Ｂおよび３００Ｃの断面構造を模式的に示す部分断面図であり、図１０（ｂ）、図１１（ｂ）および図１２（ｂ）は、液晶表示装置３００Ａ、３００Ｂおよび３００Ｃの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。
【００７４】
液晶表示装置３００Ａ、３００Ｂおよび３００ＣのＴＦＴ基板３００ａは、パシベーション層１９上に形成された層間絶縁膜２６を有している点において、実施形態１における液晶表示装置１００Ａ、１００Ｂおよび１００ＣのＴＦＴ基板１００ａとそれぞれ異なっている。また、液晶表示装置３００Ａ、３００Ｂおよび３００ＣのＴＦＴ基板３００ａは、シールド電極２５を有している点において、実施形態２における液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００ＣのＴＦＴ基板２００ａとそれぞれ異なっている。
【００７５】
層間絶縁膜２６は、例えば透明な樹脂膜である。層間絶縁膜２６を設けることによって、図示するように、画素電極１２（１１）をゲート配線１６と部分的に重ねて配置することが可能となり、開口率を向上できるという利点が得られる。画素電極１２（１１）と、ゲート配線１６との間に形成される容量を低減する観点からは、層間絶縁膜２６を構成する材料の誘電率が低いことが好ましい。
【００７６】
本実施形態における液晶表示装置３００Ａ、３００Ｂおよび３００Ｃも、ＴＦＴ基板３００ａおよび対向基板３００ｂの少なくとも一方上に、リブ２１と同じ誘電体材料から形成された誘電体構造体３０を有している。そのため、ソース配線１８と対向電極１１との間に形成される容量を簡便に低減することが可能になる。特に、図１２（ａ）および（ｂ）に示す液晶表示装置３００Ｃのように、ＴＦＴ基板３００ａおよび対向基板３００ｂの両方上に誘電体構造体３０を設けると、容量を低減する効果が高い。
【００７７】
誘電体構造体３０（およびリブ２１）を構成する誘電体材料の誘電率は、例えば、液晶材料の誘電率が５．７、パシベーション層１９の誘電率が６．９であるのに対して、３．４である。また、層間絶縁膜２６の誘電率は、例えば３．４である。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明によれば、簡便に配線容量を低減することが可能な液晶表示装置が提供される。本発明は、ＭＶＡ型液晶表示装置などの、配向規制構造体を備えた液晶表示装置に広く用いられる。
【００７９】
本発明による液晶表示装置は、種々の電子機器（例えばテレビジョン放送を受信する回路を備えた液晶テレビ）の表示部に好適に用いられ、特に、大型の電子機器の表示部に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】（ａ）および（ｂ）は、ＭＶＡ型液晶表示装置の基本的な構成を説明するための模式的な断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の好適な実施形態における液晶表示装置１００Ａを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置１００Ａの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の２Ａ−２Ａ’線に沿った断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の好適な実施形態における液晶表示装置１００Ｂを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置１００Ｂの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の３Ａ−３Ａ’線に沿った断面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の好適な実施形態における液晶表示装置１００Ｃを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置１００Ｃの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の４Ａ−４Ａ’線に沿った断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、液晶表示装置１００Ａの製造工程を模式的に示す工程断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、液晶表示装置１００Ａの製造工程を模式的に示す工程断面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の他の好適な実施形態における液晶表示装置２００Ａを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置２００Ａの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の７Ａ−７Ａ’線に沿った断面図である。
【図８】（ａ）は、本発明の他の好適な実施形態における液晶表示装置２００Ｂを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置２００Ｂの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の８Ａ−８Ａ’線に沿った断面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の他の好適な実施形態における液晶表示装置２００Ｃを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置２００Ｃの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の９Ａ−９Ａ’線に沿った断面図である。
【図１０】（ａ）は、本発明のさらに他の好適な実施形態における液晶表示装置３００Ａを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置３００Ａの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の１０Ａ−１０Ａ’線に沿った断面図である。
【図１１】（ａ）は、本発明のさらに他の好適な実施形態における液晶表示装置３００Ｂを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置３００Ｂの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の１１Ａ−１１Ａ’線に沿った断面図である。
【図１２】（ａ）は、本発明のさらに他の好適な実施形態における液晶表示装置３００Ｃを模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置３００Ｃの１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の１２Ａ−１２Ａ’線に沿った断面図である。
【図１３】（ａ）は、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置６００を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置６００の１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。（ａ）は、（ｂ）中の１３Ａ−１３Ａ’線に沿った断面図である。
【図１４】（ａ）は、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置７００を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、液晶表示装置７００の１つの画素およびその周辺を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１０Ａ、１０Ｂ    ＭＶＡ型液晶表示装置
１１    第１電極（画素電極または対向電極）
１２    第２電極（画素電極または対向電極）
１３    液晶層
１３ａ    液晶分子
１４    薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１５    透明基板
１６    ゲート配線（走査配線）
１７    ゲート絶縁膜
１８    ソース配線（信号配線）
１９    パシベーション層
２０    補助容量配線
２１    リブ（配向規制構造体）
２２    スリット
２３    補助容量電極
２４    透明基板
２５    シールド電極
２６    層間絶縁膜
３０    誘電体構造体
３１、３２    リブ（配向規制構造体）
１００ａ、２００ａ、３００ａ    ＴＦＴ基板（アクティブマトリクス基板）
１００ｂ、２００ｂ、３００ｂ    対向基板（カラーフィルタ基板）
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ    液晶表示装置
２００Ａ、２００Ｂ、２００Ｃ    液晶表示装置
３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ    液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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