(57)【要約】【課題】  電子ビーム蒸着法をはじめとする真空蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶ＭｇＯ蒸着材であって、蒸着時の成膜速度を低減することなく、スプラッシュの発生を防止し、優れた膜特性例えばＰＤＰ用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。【解決手段】  酸化マグネシウム単結晶よりなる蒸着材であって、前記蒸着材の最大投影面の円相当径をＤ（ｍ）、前記最大投影面に垂直方向の厚みをｔ（ｍ）、蒸着材の体積をＶ（ｍ３）としたときに、Ｄ／ｔが４以上、ｔが０．４×１０−３ｍ以上、Ｖが５×１０−９ｍ３以上であり、かつ、前記最大投影面の合計面積の９０％以上が、（１００）面、（１１０）面、及び（１１１）面の少なくとも１種で構成されたものである。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化マグネシウム単結晶よりなる蒸着材であって、前記蒸着材の最大投影面の円相当径をＤ（ｍ）、前記最大投影面に垂直方向の厚みをｔ（ｍ）、蒸着材の体積をＶ（ｍ３）としたとき、Ｄ／ｔが４以上、ｔが０．４×１０−３ｍ以上、Ｖが５×１０−９ｍ３以上であり、かつ、前記最大投影面の合計面積の９０％以上が、（１００）面、（１１０）面、及び（１１１）面の少なくとも１種で構成されていることを特徴とする酸化マグネシウム単結晶蒸着材。
【請求項２】
前記Ｄが２０×１０−３ｍ以下である、請求項１記載の酸化マグネシウム単結晶蒸着材。
【請求項３】
前記最大投影面の合計面積の９０％以上が（１００）面で構成されている、請求項１又は２記載の酸化マグネシウム単結晶蒸着材。
【請求項４】
前記酸化マグネシウム単結晶がアーク電融法により製造されたものであり、かつ、酸化マグネシウム単結晶の純度が９９．９質量％以上である、請求項１〜３のいずれか１項記載の酸化マグネシウム単結晶蒸着材。
【請求項５】
前記酸化マグネシウム単結晶蒸着材が電子ビーム蒸着用の蒸着材である、請求項１〜４のいずれか１項記載の酸化マグネシウム単結晶蒸着材。
【請求項６】
酸化マグネシウム単結晶を解砕する工程を含む酸化マグネシウム単結晶蒸着材の製造方法であって、前記解砕工程が、酸化マグネシウム（１００）面、（１１０）面、（１１１）面のいずれかで構成される略直方体形状に加工した後、前記略直方体形状の酸化マグネシウム単結晶の所望の最大投影面に垂直方向の厚みに沿って劈開し、次いで、所望の円相当径になるように解砕する工程を含む、請求項１〜５のいずれか１項記載の酸化マグネシウム単結晶蒸着材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）用保護膜を、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法などの真空蒸着法を使用して製造する際に、蒸着源として使用される酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単結晶蒸着材及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放電発光現象を利用したＰＤＰは、大型化しやすい平面ディスプレイとしてその開発が進められている。透明電極がガラス誘電体で覆われている構造のＡＣ型のＰＤＰでは、イオン衝撃のスパッタリングにより誘電体表面が変質して放電電圧が上昇することを防止するために、この誘電体上に保護膜を形成することが一般的である。この保護膜は、低い放電電圧を有し、耐スパッタリング性に優れていることが要求される。
【０００３】
かかる要求を満足する保護膜として、従来から、ＭｇＯ膜が使用されている。ＭｇＯ膜は耐スパッタリング性に優れ、かつ、二次電子の放出係数が大きい絶縁物であるため、放電開始電圧を下げることができ、ＰＤＰの長寿命化に寄与する。
【０００４】
現在、ＭｇＯ膜は、ＭｇＯ蒸着材を電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法などの真空蒸着法により誘電体上に形成することが一般的である。ＭｇＯ蒸着材としては、高純度ＭｇＯ多結晶の焼結体、単結晶を解砕したものなどが使用されている。
【０００５】
ＭｇＯ多結晶焼結体は、成膜速度が遅く、成膜時に蒸着材の飛散（スプラッシュ）が発生しやすいため、均一な保護膜を得ることが困難であった。そこで、高純度かつ高密度で、平均結晶粒径を特定範囲に制御したＭｇＯ多結晶の焼結ペレット、あるいは、高純度かつ高密度で、カーボンの含有量を特定量以下に制御したＭｇＯ多結晶の焼結ペレットを蒸着材として使用することにより、蒸着時のスプラッシュの発生を低減し、均一な保護膜を得ることが提案されている（特許文献１、特許文献２）。
【０００６】
さらには、ＭｇＯ多結晶焼結体よりなる蒸着材の体積や表面粗さを特定することにより、電子ビームが照射される領域の蒸着材の実質的な表面積を増やし、成膜速度を向上させることが提案されている（特許文献３、特許文献４、及び特許文献５）。
【０００７】
しかしながら、上記のように製造方法に改良を加えて得られたＭｇＯ多結晶焼結体は、蒸着時の成膜速度の向上やスプラッシュ発生の抑制にある程度の効果は見られるものの、未だ満足すべき保護膜であるとは言い難い。それに加えて、多結晶焼結体の粒界は元来格子歪が集中しており、蒸着材表面に露出する粒界濃度にばらつきが生じやすく、そのためＭｇＯの蒸発量が変動しやすいという根本的な問題もある。
【０００８】
一方、ＭｇＯ単結晶蒸着材を得るための生産性に優れた方法として、回転刃による衝撃力でＭｇＯ単結晶を解砕する方法が採用されている。ＭｇＯ単結晶を解砕して得られた蒸着材は、成膜速度が比較的速く、良好な保護膜が得られる。しかし、このような解砕方法により製造されたＭｇＯ単結晶蒸着材の形状が不定形であることなどに起因して、スプラッシュが発生する場合がある。そのため、特に大型基板に成膜した場合、均一な膜質を有する保護膜が得られにくいという問題がある。
【０００９】
そこで、成膜装置や成膜条件に応じてＭｇＯの粒度を最適化することにより、成膜速度とスプラッシュの発生頻度とのバランスを図り、生産性と膜質の向上を両立することが行われている。このように粒度を最適化して得られたＭｇＯ単結晶は、成膜速度を向上することができるものの、スプラッシュの発生は十分に抑制することはできず、最終的に得られるＭｇＯ膜の均質性という点からみて、未だ満足すべきものとはいえない。
【００１０】
【特許文献１】特開平１０−２９７９５６号公報
【特許文献２】特開２０００−０６３１７１号公報
【特許文献３】特開２００４−４３９５５号公報
【特許文献４】特開２００４−４３９５６号公報
【特許文献５】特開２００４−８４０１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、上記の課題を解決し、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法などの真空蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためにターゲット材として使用するＭｇＯ単結晶蒸着材であって、蒸着時に成膜速度を低減させることなく、スプラッシュが抑制され、均質なＭｇＯ膜を得ることができるＭｇＯ単結晶蒸着材及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
一般に、成膜速度は、蒸着材からのＭｇＯの蒸発量に依存する。そして、たとえば電子ビーム蒸着法を使用した場合に、電子ビームの照射領域の蒸着材の表面積が大きく、不純物元素量が多く、結晶歪が大きいほど蒸発速度が増加することがわかっている。本発明者らは、ＭｇＯ蒸着材の出発原料としてＭｇＯ単結晶を採用し、これを真空蒸着法における蒸着材として使用した際に、成膜速度を低減させることなく、スプラッシュを防止しうる条件について種々検討を重ねた。
【００１３】
その結果、電子ビームの照射方位に対して、蒸着材の特定の格子面により構成された最大投影面を蒸発面として正対させれば、成膜速度が増大することを見出した。さらに、スプラッシュの発生を防止するためには、蒸着材の体積を特定の値以上に規定することが有効であることを見出して本発明を完成するに至った。
【００１４】
すなわち、本発明によれば、ＭｇＯ単結晶よりなる蒸着材であって、蒸着材の最大投影面の円相当径をＤ（ｍ）、最大投影面に垂直方向の厚みをｔ（ｍ）、蒸着材の体積をＶ（ｍ３）としたとき、Ｄ／ｔが４以上、ｔが０．４×１０−３ｍ以上、Ｖが５×１０−９ｍ３以上であり、かつ、前記最大投影面の合計面積の９０％以上が、（１００）面、（１１０）面、及び（１１１）面の少なくとも１種で構成されていることを特徴とするＭｇＯ単結晶蒸着材が提供される。
【００１５】
上記のＭｇＯ単結晶蒸着材において、Ｄが、２０×１０−３ｍ以下であることが好ましく、また、最大投影面の合計面積の９０％以上が、（１００）面で構成されていることが好ましい。
【００１６】
また、上記蒸着材に用いられるＭｇＯ単結晶は、アーク電融法により製造された単結晶であり、かつ、ＭｇＯ単結晶の純度が９９．９質量％以上であるものが好ましい。
【００１７】
また、本発明によれば、ＭｇＯ単結晶を解砕する工程を含むＭｇＯ単結晶蒸着材の製造方法であって、前記解砕工程が、ＭｇＯ（１００）面、（１１０）面、（１１１）面のいずれかで構成される略直方体形状に加工した後、前記略直方体形状のＭｇＯ単結晶の所望の最大投影面に垂直方向の厚みに沿って劈開し、次いで、所望の円相当径になるように解砕する工程を含む、上記いずれかに記載のＭｇＯ単結晶蒸着材の製造方法も提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明のＭｇＯ単結晶蒸着材は、最大投影面の円相当径をＤ（ｍ）、最大投影面に垂直方向の厚みをｔ（ｍ）、蒸着材の体積Ｖ（ｍ３）としたとき、Ｄ／ｔが４以上、ｔが０．４×１０−３ｍ以上、Ｖが５×１０−９ｍ３以上である。この最大投影面の円相当径Ｄと、最大投影面に垂直方向の厚みｔの測定方法を図１に示す。すなわち、一例として、図１（ａ）のような略直方体形状の蒸着材１において、最大投影面を斜線で示す面Ａとする。図１（ｂ）はこの面Ａの平面視形状を示し、図１（ｃ）に示すように、この最大投影面である面Ａの面積と同一の面積を持つ円Ｂを描いたときに、その直径Ｄが最大投影面の円相当径Ｄとなる。また、図１（ａ）において、最大投影面である面Ａに垂直方向の厚みがｔとなる。
【００１９】
Ｄ／ｔが４未満の場合は、電子ビーム照射方位に対する蒸着材の面方位がばらつくため、特定の格子面により構成された最大投影面をビーム照射方向に正対させることが困難となる。そのため、成膜速度の向上効果が十分に得られず、蒸発量の変動が大きくなってしまい、結果として均一な保護膜を得ることができない。Ｄ／ｔは、より好ましくは、７以上、さらに好ましくは、１０以上である。
【００２０】
また、ｔが０．４×１０−３ｍ未満の場合は、蒸着材自体の機械的強度が低下するので、取扱中に部分的に破損が生じ、それがスプラッシュを誘発するので、結果として膜質が低下する。ｔは、より好ましくは、０．５×１０−３〜４×１０−３ｍ、さらに好ましくは、０．５×１０−３〜２×１０−３ｍである。
【００２１】
Ｖは、π・（Ｄ／２）２・ｔで示される体積であり、Ｖが５×１０−９ｍ３未満の場合には、蒸着材が過度に微小となり、それによってスプラッシュが発生する。
【００２２】
上記の形状・寸法を有するＭｇＯ単結晶蒸着材において、最大投影面の合計面積の９０％以上は、（１００）面、（１１０）面、及び（１１１）面の少なくとも１種で構成されていることが必要である。具体的には、これらの面が単独で最大投影面の合計面積の９０％以上を占めるか、あるいは、これらの格子面のうち２種以上の合計が最大投影面の合計面積の９０％以上を占めるようにする。蒸着材を特定の形状、寸法にすることにより、最大投影面をビーム照射方向に正対させ、その最大投影面を特定の格子面で構成することにより、電子ビームの照射方向を特定の格子面に正対させることができ、そのことにより、成膜速度を向上し、蒸発量の変動を抑え、得られる保護膜の生産性及び膜質を向上することが可能となる。
【００２３】
さらに、上記のＭｇＯ単結晶蒸着材において、製造の容易なサイズの単結晶蒸着材を得るという観点から、Ｄが、２０×１０−３ｍ以下であることが好ましい。
【００２４】
また、最大投影面を構成する格子面の蒸発速度は、（１１１）＞（１００）＞（１１０）の順に小さくなる。したがって、成膜速度の向上という視点からは、（１１１）面で構成されることが好ましい。しかし、ＭｇＯ単結晶の場合、（１００）面が最も劈開しやすい面であるため、単結晶材料から蒸着材への加工性を勘案すると、上記のように、（１００）面で構成されることがより好ましい。
【００２５】
図２は、本発明のＭｇＯ単結晶蒸着材において、上記により規定されたＤ／ｔ、ｔ、Ｖ、およびＤを満足する数値領域を示したものである。図において、Ｄ／ｔ≧４、ｔ≧０．４ｘ１０−３及びＶ≧５ｘ１０−９で規定された領域（右上がり斜線で示された領域）が本発明の必須要件を示し、さらに、Ｄ≦２０ｘ１０−３を加味した領域（右上がり斜線と右下がり斜線の両方で示された領域）が本発明の好適範囲である。
【００２６】
さらに、出発原料であるＭｇＯ単結晶は、生産性に優れているという観点から、アーク電融法により製造された単結晶であり、かつ、ＭｇＯ単結晶の純度が９９．９質量％以上であるものが好適である。
【００２７】
本発明のＭｇＯ単結晶蒸着材は、以下のようにして製造される。上述したように、例えば、アーク電融法によりＭｇＯ単結晶を製造する。続いて、このＭｇＯ単結晶を解砕する。この解砕工程において、ＭｇＯ（１００）面、（１１０）面、及び（１１１）面のいずれかで構成される略直方体形状に近似した形状に加工する。なお、本発明において、略直方体形状とは、直方体、立方体、板状体等の形状であり、さらに、それらの面に微小な段差（ステップ）が形成されたもの等を含むものをいう。
【００２８】
しかるのち、これらの形状のＭｇＯ単結晶の所望の最大投影面に垂直方向の厚みに沿って解砕し、しかるのち、所望の円相当径になるように解砕する。
【００２９】
このようにして得られた本発明の所定の形状的特徴を有するＭｇＯ単結晶蒸着材は、ハースに充填した時に、ほとんどの最大投影面を電子ビームの照射方位に正対させることができる。しかも、最大投影面を所定の格子面で構成したため、所定の格子面を電子ビームの照射方位に正対させることができ、スプラッシュを増加させることなく成膜速度を向上させることが可能となる。さらに、構成する格子面を所定の１種とした場合、電子ビームが照射する蒸着材の全領域の蒸発速度を均一化でき、結果として、きわめて均質な膜を高速で成膜することが可能となる。
【実施例】
【００３０】
本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００３１】
実施例１
１．ＭｇＯ単結晶蒸着材の作製
アーク電融法により製造したＭｇＯ単結晶を、（１００）面で切り出して得られた、（１０×１０−３ｍ）×（１０×１０−３ｍ）×（０．５×１０−３ｍ）の薄膜形成用基板を蒸着材として用いた。蒸着材形状、格子面方位を下記の方法で評価した。
２．電子ビーム蒸着法によるＭｇＯ保護膜の形成
上記のＭｇＯ単結晶蒸着材を、電子ビーム蒸着装置を使用して、ステンレス基板上に６０秒間成膜した。このときの膜厚を測定して、成膜速度を算出した。ついで、この成膜速度から成膜条件を決定し、膜厚が１００ｎｍになるように成膜して、評価用の試料を得た。なお、電子ビーム蒸着は、加速電圧１５ｋＶ、蒸着圧力１×１０−２Ｐａ、蒸着距離０．６ｍで行った。得られた評価用の試料について、スプラッシュの発生状態、成膜速度、成膜後の二次電子放出係数を下記の方法により評価し、結果を表１に示した。
【００３２】
<蒸着材形状の評価方法>
最大投影面をＣＣＤカメラで撮影し、画像処理により円相当径（Ｄ）を算出した。この最大投影面に垂直方向の厚み（ｔ）は、通常の厚み計で測定した。表１にＤ、ｔ、Ｖ及びＤ／ｔをそれぞれ示した。
【００３３】
<格子面方位の評価方法>
平行ビームＸ線回折法により、２θ／θスキャン測定を行い、最大投影面を構成する面方位を決定した。装置は、株式会社リガク製のＳＬＸ−２０００を用いた。Ｘ線源は、Ｃｕ−Ｋαを用い、４０ｋＶ×４５０ｍＡ出力で測定した。入射光は、スリットにより縦２×１０−３ｍ、横０．５×１０−３ｍに制限して、シンチレーションカウンターで検出した。測定試料の最大投影面を測定面とし、常法の半割り操作で設置し、２θ＝３０〜６５ｄｅｇｒｅｅの範囲を、２θとして０．０１ｄｅｇｒｅｅステップで測定した。回折線の位置から、最大投影面を構成する格子面（構成面）を特定した。
【００３４】
なお、構成面が（１１１）面の場合、２θが３６．９ｄｅｇｒｅｅ近傍、構成面が（１００）面の場合、４２．９ｄｅｇｒｅｅ近傍、構成面が（１１０）面の場合、６２．３ｄｅｇｒｅｅ近傍に、それぞれ回折線が現れる。
【００３５】
<膜厚評価方法>
単一波長エリプソ装置を用い、Ｈｅ−Ｎｅレーザ（波長６２３．８×１０−９ｍ）を異なる２つの入射角（５５ｄｅｇｒｅｅ、７０ｄｅｇｒｅｅ）で入射させてエリプソ測定を行い、フィッティング解析により膜厚を求めた。
【００３６】
<スプラッシュ評価方法>
保護膜形成中の状態を、装置の窓から目視観察し、スプラッシュの発生を５段階評価した。スプラッシュが発生しなかった場合を「１」、スプラッシュが頻繁に発生した場合を「５」とした。
【００３７】
<二次電子放出係数の測定方法>
得られた成膜試料を、二次電子測定装置のターゲット位置に配置し、高真空中で活性化処理を行った後、二次電子放出係数を測定した。なお、測定時の試料温度は５７３Ｋ、イオン加速電圧は３００Ｖとした。
【００３８】
実施例２
ＭｇＯ（１１１）面で切り出して得られた、（１０×１０−３ｍ）×（１０×１０−３ｍ）×（０．５×１０−３ｍ）の薄膜形成用基板を蒸着材として用いたこと以外は、実施例１と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００３９】
実施例３
ＭｇＯ（１１０）面で切り出して得られた、（１０×１０−３ｍ）×（１０×１０−３ｍ）×（０．５×１０−３ｍ）の薄膜形成用基板を蒸着材として用いたこと以外は、実施例１と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００４０】
実施例４
アーク電融法により製造したＭｇＯ単結晶を、（１００）面の劈開により略直方体状に加工した後厚さ１×１０−３ｍの板状体とした。このＭｇＯ単結晶板状体を、回転する刃状衝撃体により解砕した。解砕物を、金網により篩い分けし、３．５メッシュパス、４．７メッシュオンの粒度のものを蒸着材とした。この蒸着材を使用して、実施例１と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。なお、実施例において使用した篩い分け用の金網は、すべてＪＩＳＺ８８０１に準拠したものを使用した。
【００４１】
実施例５
４．７メッシュパス、６．５メッシュオンの粒度のものを蒸着材としたこと以外は、実施例４と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００４２】
実施例６
厚さ１．５×１０−３ｍの板状体に劈開すること以外は、実施例４と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００４３】
実施例７
ＭｇＯ（１００）面で切り出して得られた、（１０×１０−３ｍ）×（１０×１０−３ｍ）×（０．５×１０−３ｍ）の薄膜形成用基板と、ＭｇＯ（１１０）面で切り出して得られた、（１０×１０−３ｍ）×（１０×１０−３ｍ）×（０．５×１０−３ｍ）の薄膜形成用基板とを、重量比１：１で混合したものを蒸着材として用いたこと以外は、実施例１と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００４４】
実施例８
ＭｇＯ（１００）面で切り出して得られた、（１０×１０−３ｍ）×（１０×１０−３ｍ）×（０．５×１０−３ｍ）の薄膜形成用基板と、ＭｇＯ（１１１）面で切り出して得られた、（１０×１０−３ｍ）×（１０×１０−３ｍ）×（０．５×１０−３ｍ）の薄膜形成用基板とを、重量比８：２で混合したものを蒸着材として用いたこと以外は、実施例１と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００４５】
実施例９
ＭｇＯ（１００）面で切り出して得られた直径５０．８×１０−３ｍ、厚み０．５×１０−３ｍのオリフラをつけた薄膜形成用基板を蒸着材として用いたこと以外は、実施例１と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００４６】
実施例１０
厚さ０．４×１０−３ｍの板状体に劈開し、４メッシュパス、５．５メッシュオンの粒度のものを蒸着材としたこと以外は、実施例４と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００４７】
比較例１
ＭｇＯ（１００）面で切り出して得られた、（１０×１０−３ｍ）×（１０×１０−３ｍ）×（０．３×１０−３ｍ）の薄膜形成用基板を蒸着材として用いたこと以外は、実施例１と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００４８】
比較例２
劈開により得られた厚さ３×１０−３ｍの板状体を蒸着材として使用したこと以外は、実施例４と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００４９】
比較例３
７．５メッシュパス、１０メッシュオンの粒度のものを蒸着材として使用したこと以外は、実施例４と同様にしてＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００５０】
比較例４
アーク電融法で製造したＭｇＯ単結晶を、劈開することなく、回転する刃状衝撃体により解砕した。解砕物を、金網により篩い分けし、３．５メッシュパス、４，７メッシュオンの粒度のものを蒸着材とし、実施例１と同様にしてＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００５１】
比較例５
純度９９．９３質量％の高純度ＭｇＯを造粒した後、直径１０×１０−３ｍ、厚み２×１０−３ｍの金型を用いて、８００×１０４ｋｇ／ｍ２の圧力で成型し、電気炉にて１８７３Ｋで１０８００秒焼成したものを蒸着材として使用し、実施例１と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。ただし、回折線は極めて弱く、最大投影面を構成する面を特定することはできなかった。
【００５２】
比較例６
厚さ０．５×１０−３ｍの板状体に劈開し、６．５メッシュパス、８．６メッシュオンの粒度のものを蒸着材としたこと以外は、実施例４と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００５３】
比較例７
厚さ０．７×１０−３ｍの板状体に劈開したこと以外は、比較例３と同様の方法でＭｇＯ膜を成膜し、同様の評価を行って結果を表１に示した。
【００５４】
【表１】
2006225743.tif 000002
【００５５】
表１の結果から明らかなように、本発明のＭｇＯ単結晶蒸着材を使用して電子ビーム蒸着法によりＭｇＯ膜を製造すると（実施例１〜１０）、スプラッシュの発生を抑え、かつ、成膜速度を増大することが可能となる。さらに、得られたＭｇＯ保護膜の放電特性も優れている。
【００５６】
また、最大投影面の合計面積の９０％以上を（１００）面、（１１０）面、又は（１１１）面のいずれかが単独で占めるＭｇＯ単結晶蒸着材を使用した場合（実施例１〜６、９、１０）は、これらを混合したものを使用した場合（実施例７、８）に比べて放電特性をさらに向上することができる。
【００５７】
それに比べて、Ｄ／ｔが本発明の範囲外のＭｇＯ単結晶蒸着材を使用してＭｇＯ膜を製造した場合（比較例２〜４、７）は、成膜速度が低い、又は、スプラッシュが頻繁に発生し、結果として、ＭｇＯ膜の膜質が低下する。さらに、ＭｇＯ単結晶を所望の厚みに劈開することなく、刃状衝撃体により解砕したもの（比較例４）、及び、造粒、成型、焼成工程を経て得られたもの（比較例５）は、最大投影面の構成面を特定できず、スプラッシュが生じると同時に、成膜速度も遅く、膜質も向上していないことが確認された。そして、Ｖが５×１０−９ｍ３未満の場合（比較例６，７）、及びｔが０．４ｘ１０−３ｍ未満の場合（比較例１）は、成膜速度は向上するものの、スプラッシュの発生が著しく増加し、ＭｇＯ膜の膜質が著しく低下する。
【００５８】
以上詳細に説明したように、本発明の単結晶ＭｇＯ蒸着材は、例えば、電子ビーム蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためのターゲット材として使用した際、成膜速度を低減することなく、スプラッシュの発生を防止することができるため、優れた膜特性、例えば、ＰＤＰ用保護膜の放電特性などを向上させることが可能である。したがって、その工業的価値は極めて大である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明において、ＭｇＯ単結晶の形状を特定するための寸法パラメータを説明するための概念図である。
【図２】本発明のＭｇＯ単結晶蒸着材の形状・寸法の規定範囲を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６０】
１  ＭｇＯ単結晶蒸着材
【図１】
2006225743.tif 000003
【図２】
2006225743.tif 000004