(57)【要約】【課題】不良を招くことなくパッケージの薄型化を図る。【解決手段】複数のチップ１２−１〜１２−３が外部接続電極１４−１，１４−２，１４−３を有する基板１１上に積層して搭載され、ワイヤボンディングで実装されている。チップ上に積層された少なくとも１つのチップは、ボンディングパッド１５−２，１５−３に対応する位置の裏面に、ボンディングパッドよりも内側に始点を有し、側壁に達する終点まで外周に向かって薄くなり、下段に配置されたチップ１２−１の主表面との間にボールボンディング部を収容するための空隙を形成するオーバーハング部１７−２，１７−３と、このオーバーハング部を覆うように形成され、下段に配置されたチップのボンディングワイヤと上段のチップとの接触を防止する絶縁層１８−２，１８−３とを備えている。【選択図】図１
2006216692.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部接続電極を有する基板上に複数の半導体チップが積層して搭載され、各半導体チップがワイヤボンディングによって前記基板に実装された半導体装置であって、
半導体チップ上に積層された少なくとも１つの半導体チップは、
半導体チップの少なくとも一辺に沿って主表面上に配置され、半導体素子に電気的に接続されたボンディングパッドと、
前記半導体チップの裏面の前記ボンディングパッドに対応する位置に形成され、前記ボンディングパッドよりも内側に始点を有し、側壁に達する終点まで外周に向かって薄くなるように形成され、下段に配置された半導体チップの主表面との間にボールボンディング部を収容するための空隙を形成するオーバーハング部と、
前記オーバーハング部を覆うように形成され、前記下段に配置された半導体チップのボンディングワイヤとの接触を防止する絶縁層と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記オーバーハング部は、曲率半径が０．０５ｍｍ〜２．５ｍｍの曲面、または平面と曲率半径が０．０１ｍｍ〜２．５ｍｍの曲面との複合面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記オーバーハング部は、一定の傾斜角を持った平面、または始点から終点に向かって傾斜角が小さくなる複合平面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
上下に隣接して積層された半導体チップ間の前記オーバーハング部によって形成された空隙を埋め込む絶縁部材を更に具備することを特徴とする請求項１乃至３いずれか１つの項に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体ウェーハの主表面に半導体素子及びこの半導体素子に電気的に接続されたボンディングパッドを形成する工程と、
前記半導体ウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿い、且つ隣接する半導体チップ間のボンディングパッドに対応する位置の裏面側に、前記隣接する半導体チップのボンディングパッド間の領域よりも広い開口部を有する溝を形成する工程と、
前記溝内に絶縁層を形成する工程と、
前記半導体ウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って前記半導体ウェーハを分割し、外周の少なくとも一辺に、前記溝の内壁を利用して、前記ボンディングパッドよりも内側に始点を有し、側壁に達する終点まで外周に向かって薄くなるように形成され、下段に配置された半導体チップの主表面との間にボールボンディング部を収容する空隙を形成するためのオーバーハング部を有する半導体チップを形成する工程と、
前記形成したオーバーハング部を有する半導体チップを含む複数の半導体チップを、前記オーバーハング部が下段に配置された半導体チップのボールボンディング部に対応するように積層して搭載し、搭載する毎に各半導体チップの主表面に形成したボンディングパッドと前記基板上の配線とをワイヤボンディングする工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体チップを多段に積層して１つのパッケージに封止する、いわゆるスタックＭＣＰ（マルチチップパッケージ）と呼ばれる半導体装置及びその製造方法に関するもので、更に詳しくは、チップ厚及びパッケージを薄化した製品で、同サイズあるいは下段よりも上段のチップサイズが大きい異種サイズの半導体チップを積層し、ワイヤボンディングによって電気的な接続を行う半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、チップ厚及びパッケージ厚を薄化したスタックＭＣＰは、例えば特許文献１に記載されているように、次のような工程で形成されている。まず、素子形成の終了した半導体ウェーハの裏面を研削及びエッチングして所望の厚さまで薄くする。次に、上記半導体ウェーハの裏面にエポキシ樹脂等の接着剤やＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）を貼り付け、ダイシングを行って個々の半導体チップに切断する。その後、半導体チップを基板等に搭載する。次に、ワイヤボンディングを行って半導体チップと基板上の配線とを電気的に接続する。この半導体チップ上にＤＡＦを介在して半導体チップを積層して搭載し、ワイヤボンディングを行って上記基板上の配線と電気的に接続する。以後は、同じ手順を繰り返し、半導体チップを順次積層し、各チップに対してワイヤボンディングを行う。そして、基板上に積層して搭載した半導体チップを樹脂等のパッケージに封止する。
【０００３】
同じサイズの半導体チップ、あるいは下段よりもサイズが大きい半導体チップを積層する際には、ボンディングワイヤが上段の半導体チップの裏面と接触するのを防止するために、下段の半導体チップ上にＤＡＦを介在してスペーサを接着する。このスペーサは、下段の半導体チップよりサイズが小さく、外周部が下段の半導体チップのボンディングパッドの内側に位置し、且つ上段の半導体チップを搭載したときに下段のチップのボンディングワイヤが接触しない空隙を形成できる厚さになっている。そして、上記スペーサ上にＤＡＦを介在して上段の半導体チップを搭載し、ボンディングパッドと基板とのワイヤボンディングを行って電気的な接続を行う。
【０００４】
しかしながら、上記のような構成並びに製造方法では、下記（１）〜（５）のような問題がある。
【０００５】
（１）半導体ウェーハの裏面を研削及びエッチング等により薄くして、所望の厚さまで仕上げた後にＤＡＦを接着した状態で半導体ウェーハをダイシングすると、チップの裏面にチッピングやクラックが多発する。
【０００６】
（２）半導体ウェーハを７０μｍ以下の厚さにすると割れ等が発生しやすく取り扱いが難しくなる。また、半導体チップの主表面には保護膜や配線パターンが形成されているのに対し、裏面には何も形成されていないため熱膨張係数の違い等により反りが発生し、厚さが３０μｍでは反り量が数ミリとなる。このため、取り扱いが難しいだけでなく、チップを積層して搭載する際に実施するＴＶカメラ等の光学系を使った位置検出の際に認識エラーとなる。
【０００７】
（３）半導体ウェーハを個片化した後、半導体チップをダイシングテープからピックアップ（剥離）する際にチップクラックが多発する。また、半導体チップが１００μｍより薄くなると、コレットで吸着した時に半導体チップに撓み（曲がり）が発生し、ダイボンディング（接着及び圧着）工程において気泡（ボイド）が入る。
【０００８】
（４）２段目以降に積層する半導体チップは、ボンディングパッドの下部に剛性物が存在しないことやチップ自体が薄いことにより、ボールボンディング時の加圧によってチップが撓み、ボンディング性の低下、例えば接続不良や接続位置の不良が起こりやすい。更にチップの撓みが大きくなると、下層半導体チップのワイヤ変形やチップクラックが発生する。
【０００９】
（５）２段目以降に同サイズあるいは下段よりも上段のチップサイズが大きい異種サイズの半導体チップを積層する際には、各半導体チップ間にスペーサとＤＡＦを介在させる必要があり、半導体チップを薄くしてもパッケージ厚を十分に薄化できない。スペーサとＤＡＦを薄くすると、ボンディングワイヤと上段に積層される半導体チップの裏面との短絡やリークが発生しやすくなる。また、樹脂封止時にボンディングワイヤが流れて短絡する恐れもある。
【００１０】
しかも、スペーサやＤＡＦの材料費に加えて、加工及び接着工程のコスト等が必要になり、コスト増大と生産性の低下を招く。
【特許文献１】特開平１０−７０２３２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、半導体チップのクラックや、下段に配置されている半導体チップのボンディングワイヤが上段のチップ裏面に接触したりリークが発生したりすることによる不良を招くことなくパッケージの薄型化が図れる半導体装置を提供することにある。
【００１２】
また、この発明の他の目的は、製造コストの低減と生産性の向上が図れる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明の一態様によると、外部接続電極を有する基板上に複数の半導体チップが積層して搭載され、各半導体チップがワイヤボンディングによって前記基板に実装された半導体装置であって、半導体チップ上に積層された少なくとも１つの半導体チップは、半導体チップの少なくとも一辺に沿って主表面上に配置され、半導体素子に電気的に接続されたボンディングパッドと、前記半導体チップの裏面の前記ボンディングパッドに対応する位置に形成され、前記ボンディングパッドよりも内側に始点を有し、側壁に達する終点まで外周に向かって薄くなるように形成され、下段に配置された半導体チップの主表面との間にボールボンディング部を収容するための空隙を形成するオーバーハング部と、前記オーバーハング部を覆うように形成され、前記下段に配置された半導体チップのボンディングワイヤとの接触を防止する絶縁層とを具備する半導体装置が提供される。
【００１４】
また、この発明の一態様によると、半導体ウェーハの主表面に半導体素子及びこの半導体素子に電気的に接続されたボンディングパッドを形成する工程と、前記半導体ウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿い、且つ隣接する半導体チップ間のボンディングパッドに対応する位置の裏面側に、前記隣接する半導体チップのボンディングパッド間の領域よりも広い開口部を有する溝を形成する工程と、前記溝内に絶縁層を形成する工程と、前記半導体ウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って前記半導体ウェーハを分割し、外周の少なくとも一辺に、前記溝の内壁を利用して、前記ボンディングパッドよりも内側に始点を有し、側壁に達する終点まで外周に向かって薄くなるように形成され、下段に配置された半導体チップの主表面との間にボールボンディング部を収容する空隙を形成するためのオーバーハング部を有する半導体チップを形成する工程と、前記形成したオーバーハング部を有する半導体チップを含む複数の半導体チップを、前記オーバーハング部が下段に配置された半導体チップのボールボンディング部に対応するように積層して搭載し、搭載する毎に各半導体チップの主表面に形成したボンディングパッドと前記基板上の配線とをワイヤボンディングする工程とを具備する半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、半導体チップのクラックや、下段に配置されている半導体チップのボンディングワイヤが上段のチップ裏面に接触したりリークが発生したりすることによる不良を招くことなくパッケージの薄型化が図れる半導体装置が得られる。
【００１６】
また、製造コストの低減と生産性の向上が図れる半導体装置の製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。  
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の断面図である。ここでは、サイズが同じ３つの半導体チップを積層したスタックＭＣＰを例に取って示している。すなわち、基板１１上に、サイズが同じ半導体チップ１２−１，１２−２，１２−３がそれぞれＤＡＦ１３−１，１３−２，１３−３を介在して積層して実装されている。上記基板１１は、例えば多層配線構造になっている。この基板１１のチップ搭載面にはボンディングワイヤが接続される配線が形成され、裏面側にはボールバンプ（ハンダボール）やピン等の外部接続電極（外部端子）１４−１，１４−２，１４−３，…がアレイ状に配置され、いわゆるボールグリッドアレイまたはピングリッドアレイが形成されている。
【００１８】
上記各半導体チップ１２−１，１２−２，１２−３の主表面に形成されたボンディングパッド１５−１，１５−２，１５−３と上記基板１１のチップ搭載面に形成された配線は、ボンディングワイヤ１６−１，１６−２，１６−３で接続されている。上記ボンディングパッド１５−１，１５−２，１５−３は、各半導体チップ１２−１，１２−２，１２−３の主表面に形成された半導体素子と電気的に接続されている。上記基板１１のチップ搭載面に形成された配線は、この基板１１内の多層配線構造を介して外部接続電極１４−１，１４−２，１４−３，…に接続されている。これによって、上記各半導体チップ１２−１，１２−２，１２−３と外部接続電極１４−１，１４−２，１４−３，…とが電気的に接続されている。
【００１９】
１段目の半導体チップ１２−１はチップ全体の厚さが均一で且つ薄く形成されている。２段目と３段目の半導体チップ１２−２，１２−３はそれぞれ上記１段目の半導体チップ１２−１より厚く、且つ裏面における下段のチップのボールボンディング部に対向する二辺にオーバーハング部１７−２，１７−３を備えている。このオーバーハング部１７−２，１７−３は、下段に配置された半導体チップの主表面との間にボールボンディング部を収容するための空隙を形成している。上記オーバーハング部１７−２，１７−３は、絶縁層１８−２，１８−３で覆われ、ボンディングワイヤ１６−１，１６−２と上段のチップ１２−２，１２−３の裏面との短絡やリークを防止するようになっている。
【００２０】
そして、上記積層した半導体チップ１２−１，１２−２，１２−３、ボンディングワイヤ１６−１，１６−２，１６−３及び基板１１のチップ搭載面が樹脂等からなるパッケージ１０に封止されている。
【００２１】
図２は、上記図１に示したスタックＭＣＰにおける２段目の半導体チップ１２−２（３段目の半導体チップ１２−３も同様）の断面を模式的に示している。図３は、上記図１に示したスタックＭＣＰにおける１段目と２段目の半導体チップ１２−１，１２−２のボールボンディング部近傍の拡大断面図である。
【００２２】
図２に示す如く、半導体チップ１２−２の主表面には半導体素子１９−２が形成され、チップ１２−２の対向する二辺に沿ってワイヤボンディングを行うためのボンディングパッド１５−２Ａ，１５−２Ｂが配列されている。上記半導体チップ１２−２の裏面の上記ボンディングパッド１５−２Ａ，１５−２Ｂに対応する二辺には、オーバーハング部１７−２Ａ，１７−２Ｂが形成されている。このオーバーハング部１７−２Ａ，１７−２Ｂは、外周部から内側に向かってチップ厚が徐々に厚くなるように形成されている。より詳しくは、ボンディングパッド１５−２Ｂ（１５−２Ａ）の中央から距離Δｄ（＝０．０５ｍｍ〜１．３ｍｍ）の位置に始点ＳＰを有し、外周に向かって徐々に薄くなるように形成された曲面であり、終点ＥＰがチップ１２−２の側壁に達している。この例では、上記オーバーハング部１７−２Ａ，１７−２Ｂの曲面は、０．０５ｍｍ〜２．５ｍｍの曲率半径になっている。このオーバーハング部１７−２Ａ，１７−２Ｂの曲面は、ボールボンディング時に印加される圧力による応力の集中を防ぐために粗さが♯２０００より細かいことが好ましく、鏡面仕上げであれば応力の集中を効果的に抑制できる。
【００２３】
図３に示すように、上記オーバーハング部１７−２Ｂ（１７−２Ａ）によって、下段のチップ１２−１の主表面との間にボールボンディング部を収容するための空隙が形成される。ボンディングパッド１５−２Ｂ（１５−２Ａ）へのボールボンディング時の圧力によって異なるが、通常のワイヤボンダでは上記チップ１２−２の側壁の厚さ（エッジ厚）Δｂは１０〜５０μｍ程度が必要であり、チップ１２−２のオーバーハング部の高さは７０μｍ程度必要である。また、チップの外周（終点ＥＰ）から始点ＳＰまでの距離Δａは５ｍｍを超えないことが望ましく、２００μｍ〜１．３ｍｍの範囲が好ましい。
【００２４】
次に、上記図１に示したスタックＭＣＰの製造方法について図４（ａ），（ｂ）乃至図１１（ａ），（ｂ）により詳しく説明する。図４（ａ）乃至図１１（ａ）はそれぞれ斜視図であり、図４（ｂ）乃至図１１（ｂ）はそれぞれ図４（ａ）乃至図１１（ａ）の断面図である。
【００２５】
まず、周知の製造工程により半導体ウェーハの主表面に半導体素子、及びこの半導体素子と電気的に接続されたボンディングパッドを形成する。
【００２６】
次に、図４（ａ），（ｂ）に示すように、上記半導体ウェーハ２０の主表面に、ダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿ってダイヤモンドブレード２１などにより第１の溝２２−１，２２−２，２２−３，…を形成する（ハーフカットダイシング）。
【００２７】
次に、図５（ａ），（ｂ）に示すように、上記半導体ウェーハ２０の主表面にＢＳＧテープ（表面保護テープ）２３を貼り付け、半導体ウェーハ２０の裏面からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿ってダイヤモンドブレード２４により上記オーバーハング部を形成するための第２の溝２５−１，２５−２，…を形成する。この第２の溝２５−１，２５−２，…は、図１２（ａ），（ｂ）に示すように半導体チップ１２の対向する二辺、または図３３（ａ），（ｂ）に示すように半導体チップ１２の対向する四辺に対応する位置に形成する。本実施形態では、四辺に形成する場合を例に取っている。この第２の溝２５−１，２５−２，…は、隣接する半導体チップ間のボンディングパッドに対応する裏面側に、上記隣接する半導体チップのボンディングパッド間の領域よりも広い開口部を有し、少なくとも上記第１の溝２２−１，２２−２，２２−３，…に達する深さまで形成する。
【００２８】
上記第２の溝２５−１，２５−２，…の形成に際しては、例えば図１３に示すように先端部の断面が曲面のブレードを用いる。図１４に示すように、先端部が半径Ｒ（Ｒ＝ＺＺ／２）の半円形であれば幅がＺＺで半径Ｒの曲率を持ったオーバーハング部を形成できる。また、図１５に示すように先端部の断面が円の一部でも同様に曲面のオーバーハング部を形成できる。
【００２９】
次に、図６（ａ），（ｂ）に示すように、上記半導体ウェーハ２０の裏面を研削用砥石２６等で研削して所望の厚さに仕上げる。これによって、半導体ウェーハ２０が個片化されて半導体チップ１２，１２，…が形成される。
【００３０】
上記のようにして形成したオーバーハング部の表面に、図１６に示すように絶縁層１８を形成する。この絶縁層１８としては、例えばシリコン酸化膜や、ポリイミド等の有機材料を用いることができる。また、図１７に示すように、オーバーハング部の表面だけでなく、溝２２−１の側壁（チップ１２の側壁）にも形成することにより、ボンディングワイヤの接触による短絡やリークを効果的に防止できる。
【００３１】
その後、図７（ａ），（ｂ）に示すように、個片化された半導体チップ１２，１２，…をステージ３１上に載置し、ローラー２９等により裏面にＤＡＦ（接着剤等でも良い）２７及びダイシングテープ２８を貼り付けてウェーハリング３０に装着する。ここでは上記ＤＡＦ２７とダイシングテープ２８が一体型のものを貼り付けているが、個別型のものをそれぞれ貼り付けても構わない。
【００３２】
そして、図８（ａ），（ｂ）に示すように、表面保護テープ２３を剥がす。
【００３３】
次に、図９（ａ），（ｂ）に示すように、個片化されたチップ１２，１２，…間の隙間より細い幅のダイヤモンドブレード３２で再度ダイシングしてＤＡＦ２７を切断する。この際、ＤＡＦ２７にポリイミド系の有機材料を用いている場合には、ダイシング時にポリイミドが飛び散って第２の溝２５−１，２５−２，…の内壁に付着する。これによって、チップの積層時にチップ裏面のオーバーハング部と下段のチップのボンディングワイヤが短絡したりリークが発生したりするのをより効果的に防止できる。
【００３４】
その後、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシングテープ２８からチップ毎（良品のチップ）に剥がしてピックアップする。このピックアップ工程では、ピックアップニードル３３によってチップ１２毎にダイシングテープ２８の裏面を突き上げ、ダイシングテープ２８を貫通してチップ１２の裏面にニードル（針）を直接接触させ、更に持ち上げて各々のチップ１２をＤＡＦ２７とともにダイシングテープ２８から引き離す。この際、図１８に示すように、ピックアップニードル３３がチップ１２の厚い部分に接触するようにしてダイシングテープ２８から剥離する。引き離したチップ１２の裏面にはＤＡＦ２７が接着されており、この状態でコレット３４と呼ばれるツールでチップ表面を吸着して搬送する。
【００３５】
次に、上記コレット３４で搬送したチップ１２を、外部接続電極１４−１，１４−２，１４−３，…を有する基板１１上に積層して搭載し、搭載する毎に各半導体チップの主表面に形成されたボンディングパッドと前記基板１１のチップ搭載面に形成された配線とをワイヤボンディングして電気的に接続することにより多段積層する。
【００３６】
図１１（ａ），（ｂ）では、１段目のチップ１２−１の厚さが一定で且つ薄い場合を例に取っており、ワイヤボンディングされた状態を示している。このチップ１２−１上に上述したような工程で形成した半導体チップ１２−２を、ＤＡＦ２７を介在して積層して搭載した後、ワイヤボンディングを行ってチップ１２−２のボンディングパッドと基板１１のチップ搭載面に形成された配線とを電気的に接続する。チップ１２−２をチップ１２−１上に積層して搭載する際には、オーバーハング部が下段に配置された半導体チップ１２−１のボールボンディング部に対応するように配置して積層する。これによって、下段に配置されたチップ１２−１の主表面との間にボールボンディング部を収容する空隙が形成される。上記チップ１２−２の積層時に、空隙下のＤＡＦ２７が上方向に折曲し、チップ１２−１のボールボンディング部近傍のボンディングワイヤとオーバーハング部との間に介在され、ボンディングワイヤを固定するとともに、このボンディングワイヤとチップ１２−２のオーバーハング部が短絡したりリークが発生したりするのを抑制する。
【００３７】
チップ１２−２のワイヤボンディング時には、図１９（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、キャピラリ３５を使ってチップ１２−２のボンディングパッド１５−２にボールボンディングした後、ボンディングワイヤを延ばしつつキャピラリ３５を基板１１上に移動させ、配線にウェッジボンディングする。上記ボールボンディング時にはボンディングパッド１５−２に加圧するが、この圧力はオーバーハング部１７−２に分散され、チップ１２−２の撓みが小さくなる。
【００３８】
図２０は、上記ボンディング時のチップの撓みのシミュレーション結果を示している。このシミュレーションでは、チップ厚が３０μｍ、５０μｍ、７０μｍの場合における、オーバーハング部に垂直な段差を形成した場合（実線Ｌ１）、曲率半径８５μｍのオーバーハング形状（実線Ｌ２）、及び曲率半径２０００μｍのオーバーハング形状（実線Ｌ３）の撓み量をそれぞれ示している。図２０から明らかなように、オーバーハング部の形状を選択することにより、チップの撓み量を大幅に低減できる。
【００３９】
以降は、パッケージ構造に合わせて、複数の半導体チップの積層とワイヤボンディングを繰り返す。
【００４０】
そして、積層した半導体チップ、ボンディングワイヤ及び基板１１のチップ搭載面を樹脂モールド等で覆ってパッケージ１０を形成する。
【００４１】
上記のような構成によれば、半導体チップ間にスペーサとＤＡＦを介在させることなく、同サイズあるいは下段よりも上段のチップサイズが大きい異種サイズの半導体チップを積層でき、且つオーバーハング部を覆うように形成した絶縁層によって下段に配置されている半導体チップのボンディングワイヤが上段のチップ裏面に接触するのを防止できるので、パッケージの薄化が図れる。ここで、半導体チップの中央部は、実質的にスペーサ分程度厚くなるが、ＤＡＦ（１０μｍ厚）が不要になるので薄化が図れる。よって、積層するチップの数が多くなると薄型化の効果が顕著になり、パッケージの厚さが同じであればチップの積層段数を増やすことができる。
【００４２】
また、上記のような製造方法によれば、半導体ウェーハが厚い状態でダイシングし、研削及びエッチングによって半導体ウェーハを分割するので、チップの裏面のチッピングを抑制できる。
【００４３】
半導体チップは中央部が厚く周辺部が薄いので、全体を薄くする場合に比べて反りを小さくでき、扱いを簡単化できるとともに、チップを搭載する際に実施するＴＶカメラ等の光学系を使った位置検出の際の認識エラーを低減できる。
【００４４】
半導体ウェーハを個片化した後、ダイシングテープから半導体チップをピックアップする際に、ピックアップニードルでチップの厚い部分に加圧することによりチップクラックを低減できる。しかも、コレットで吸着した時にも半導体チップの撓み（曲がり）が少なくなり、ダイボンディングのための接着及び圧着工程において気泡が入るのを抑制できる。
【００４５】
２段目以降に積層する半導体チップがボールボンディング時の加圧によって撓むのを抑制できるのでボンディング性を向上でき、チップクラックも抑制できる。本発明者等のシミュレーションによると、上述したような条件では、従来に比べて素子曲がりが約４％〜５５％改善できることを確認した。
【００４６】
同サイズあるいは下段よりも上段のサイズが大きい異種サイズの半導体チップを積層する際に、スペーサとＤＡＦを介在させる必要がないので、スペーサの材料費やＤＡＦの材料費を削減できるとともに、加工及び接着工程のコスト等も不要になり、コスト低減と生産性の向上が図れる。しかも、半導体チップを薄くしても絶縁層によってボンディングワイヤと上段に積層される半導体チップの裏面との短絡やリークを防止できる。
【００４７】
半導体チップ間の接着面積が小さいこと、チップ自体を厚くできること、及びチップ外周部にオーバーハング部が存在することにより接着剤のチップ主表面への這い上がりがない等の理由により、ＤＡＦに代えて低コストの液状やペースト状の接着剤を用いることもできる。
【００４８】
なお、この発明は上述した実施形態に限らず種々変形して実施可能である。次に、種々の変形例について説明する。
【００４９】
［半導体チップのオーバーハング形状の変形例１，２とその形成方法］
図２１（ａ），（ｂ）及び図２２（ａ），（ｂ）はそれぞれ、半導体チップ１２のオーバーハング形状の他の構成例を示している。図２１（ａ），（ｂ）に示す半導体チップ１２は、始点ＳＰからボンディングパッド１５Ａ，１５Ｂ下に達するまでの領域が曲面で、ボンディングパッド１５Ａ，１５Ｂ下からチップ端部（終端ＥＰ）までが平面になっている。上記曲面の曲率半径Ｒは０．０１ｍｍ〜２．５ｍｍであり、平面の距離Δｅは８０μｍである。すなわち、この半導体チップ１２はオーバーハング部１７Ａ，１７Ｂが曲面と１つの平面の組み合わせになっている。
【００５０】
図２２（ａ），（ｂ）に示す半導体チップ１２は、始点ＳＰが垂直になっており、この垂直面の途中からボンディングパッド１５Ａ，１５Ｂ下に達するまでの領域が曲面、ボンディングパッド１５Ａ，１５Ｂ下からチップ端部（終端ＥＰ）までが平面になっている。上記曲面の曲率半径は０．０１ｍｍ〜２．５ｍｍであり、垂直と平面の距離Δｅはそれぞれ８０μｍである。すなわち、この半導体チップ１２はオーバーハング部１７Ａ，１７Ｂが曲面と２つの平面の組み合わせになっている。
【００５１】
図２３は、上記図２１（ａ），（ｂ）及び図２２（ａ），（ｂ）に示したオーバーハング部１７Ａ，１７Ｂを形成するためのブレード２４の断面形状を示している。図示するように、先端のコーナー部がそれぞれ曲率半径Ｒになっている。このブレード２４における上記曲率半径Ｒの部分を使って溝２５を形成すれば、上記図２１（ａ），（ｂ）に示したようなオーバーハング部１７Ａ，１７Ｂを形成できる。また、上記ブレード２４における上記曲率半径Ｒの部分より深い部分まで使って溝２５を形成すれば、上記図２２（ａ），（ｂ）に示したようなオーバーハング部１７Ａ，１７Ｂを形成できる。
【００５２】
図２４に示すように、図１３及び図１４に示したような先端部の断面が曲面のブレード２４を用い、矢印で示すように位置をずらして複数回溝２５を形成しても同様な形状のオーバーハング部１７Ａ，１７Ｂを形成できる。
【００５３】
図２５及び図２６はそれぞれ、図２４に示したように位置をずらして複数回溝２５を形成してオーバーハング部１７Ａ，１７Ｂを形成した半導体チップ１２の顕微鏡写真である。図２５は、半導体チップの厚さが１９６μｍ、オーバーハング部の始点ＳＰから終点ＥＰまでの距離が５７０μｍ程度、チップの端部の厚さ（エッジ厚）Δｂが３０μｍ程度である。図２６は、半導体チップの厚さが１９６μｍ、オーバーハング部の始点ＳＰから終点ＥＰまでの距離が９００μｍ程度、チップの端部の厚さ（エッジ厚）Δｂが５０μｍ程度である。
【００５４】
図２７及び図２８はそれぞれ、種々のサイズのオーバーハング部を形成した半導体チップを積層した状態の顕微鏡写真である。図２７及び図２８において、各半導体チップのオーバーハング部のＢＢＧ（最上段の半導体チップで代表的に示す）は、ボールボンディングを行う部分を示している。オーバーハング部によって下段に配置された半導体チップの主表面との間にボールボンディング部を収容するための十分な空隙を形成できることが分かる。
【００５５】
なお、上述した実施形態の説明ではサイズが同じか上段にサイズが大きいチップを積層して搭載する場合を例にとって説明した。しかしながら、図２７及び図２８に示すように上段にサイズが小さいチップを積層する場合であっても、上段のチップの外周部が縦の短線で示すボンディング位置よりも内側にないチップを積層し、ワイヤボンディングで接続する場合にも効果が得られる。
【００５６】
［半導体チップの断面形状の変形例３，４とその形成方法］
図２９（ａ），（ｂ）及び図３０（ａ），（ｂ）はそれぞれ、半導体チップ１２のオーバーハング形状の更に他の構成例を示している。図２９（ａ），（ｂ）に示す半導体チップ１２は、始点ＳＰがチップの主表面に対して垂直な面になっており、垂直面からボンディングパッド１５Ａ，１５Ｂ下に達するまでの領域が傾斜角の大きい平面、ボンディングパッド１５Ａ，１５Ｂ下からチップ端部（終点ＥＰ）までが平面になっている。平面の距離Δｅ１は４０μｍ、平面の距離Δｅ２は６０μｍ、平面の距離Δｅ３は１００μｍである。これらの平面は９０度以上で１８０度以下の角度Δｆ１，Δｆ２で接している。すなわち、この半導体チップ１２のオーバーハング部１７Ａ，１７Ｂは、傾斜角が異なる３つの平面の組み合わせ（複合面）になっている。
【００５７】
図３０（ａ），（ｂ）に示す半導体チップは、始点ＳＰがチップの主表面に対して垂直になっており、この垂直面の途中からチップ側壁（終点ＥＰ）に達するまでの領域が一定の傾斜角を持った平面になっている。平面の距離Δｅ１は４０μｍであり、平面の距離Δｅ２は３３０μｍである。これらの平面は９０度以上で１８０度以下の角度Δｆで接している。すなわち、この半導体チップ１２はオーバーハング部１７Ａ，１７Ｂが２つの平面の組み合わせになっている。
【００５８】
もちろん、始点ＳＰからチップ側壁（終点ＥＰ）に達するまでの領域が、外周に向かって薄くなるような一定の傾斜角を持った１つの平面でも良い。
【００５９】
図３１は、上記図２９（ａ），（ｂ）に示したオーバーハング部１７Ａ，１７Ｂを形成するためのブレード２４の断面形状を示している。図示するように、先端のコーナー部がそれぞれ角度Δｆ１，Δｆ２に対応する傾斜角を持っている。このブレード２４を使って溝２５を形成すれば、上記図２９（ａ），（ｂ）に示したようなオーバーハング部を形成できる。
【００６０】
また、上記ブレード２４の傾斜角を破線で示す位置にして角度Δｆに対応する傾斜角を持たせれば、上記図３０（ａ），（ｂ）に示したようなオーバーハング部１７Ａ，１７Ｂを形成できる。
【００６１】
なお、図３２に示すように、コーナー部が傾斜角を持った平面で、先端部が曲面のブレードを用いれば、ボンディングパッド１５Ａ，１５Ｂ下から終点ＥＰまでが曲面のオーバーハング部を形成できる。
【００６２】
［オーバーハング部を形成するための溝の形成位置の変形例１］
上述した実施形態では、図１２（ａ），（ｂ）に示したように、半導体ウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインの一方向に沿って（チップの対向する二辺に沿って）オーバーハング部を形成する場合、及び図３３（ａ），（ｂ）に示したようにチップの四辺に沿ってオーバーハング部を形成する場合について説明した。
【００６３】
上記オーバーハング部の形成位置は、必ずしも下段に配置されるチップのボンディングパッドの配置に応じて決定する必要はなく、下段のチップのボンディングパッドがチップの一辺に形成されている場合に図１２（ａ），（ｂ）に示したように対向する二辺に沿って形成したり、一辺、二辺または三辺に形成されている場合に図３３（ａ），（ｂ）に示したように予め半導体ウェーハの全てのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って（チップの対向する四辺に沿って）オーバーハング部を形成しても良い。
【００６４】
［オーバーハング部を形成するための溝の形成位置の変形例２］
上記オーバーハング部は、図３４（ａ），（ｂ）に示すように、ボンディングワイヤに対応する部分のみを切り欠いて形成しても同様な作用効果が得られる。
【００６５】
図３４（ａ），（ｂ）ではチップの対向する二辺に沿って切り欠きを形成したが、一辺、三辺または四辺に沿って形成しても良いのは勿論である。
【００６６】
次に、図１に示した半導体チップの積層構造の種々の変形例について図３５乃至図４１により説明する。図３５乃至図４１における基本的な構成は図１と同様であるので、ここでは図１に示した構成と異なる部分についてのみ説明する。
【００６７】
［半導体チップの積層構造の変形例１］
図３５は、スタックＭＣＰにおける半導体チップの積層構造の他の構成例を示している。この例では、１段目と２段目の半導体チップ１２−１，１２−２のサイズが同じであり、３段目の半導体チップ１２−３のサイズが、上記半導体チップ１２−１，１２−２よりも大きくなっている。
【００６８】
［半導体チップの積層構造の変形例２］
図３６に示す例では、１段目と２段目の半導体チップ１２−１，１２−２のサイズが同じであり、３段目の半導体チップ１２−３のサイズが上記チップ１２−１，１２−２よりも小さく、外周がワイヤボンディング部の内側になっている。
【００６９】
［半導体チップの積層構造の変形例３］
図３７に示す例では、１段目の半導体チップ１２−１が基板１１にフリップチップ等で表面実装され、このチップ１２−１の裏面上に同じサイズの２段目の半導体チップ１２−２がＤＡＦを介在して搭載されている。このチップ１２−２は、ボンディングワイヤ１６−２によって基板１１のチップ搭載面に形成された配線に接続されている。上記チップ１２−２上には、１段目と２段目の半導体チップ１２−１，１２−２よりサイズが大きい３段目の半導体チップ１２−３のオーバーハング部がチップ１２−２の主表面との間にボールボンディング部を収容するための空隙を形成するように配置され、ＤＡＦを介在して搭載されている。このチップ１２−３は、ボンディングワイヤ１６−３によって基板１１のチップ搭載面に形成された配線に接続されている。上記チップ１２−３上には、４段目の半導体チップ１２−４がＤＡＦを介在して搭載されている。このチップ１２−４のサイズは上記チップ１２−３よりも小さく、外周がワイヤボンディング部の内側になっている。
【００７０】
図３７では、１段目のチップ１２−１をフリップチップ方式で基板１１に実装（圧着接合）しているが、サイズ（ボンディングパッドの位置）が同じであれば上段に積層されているチップを下段のチップ上にフリップチップ方式で実装することもできる。
【００７１】
［半導体チップの積層構造の変形例４］
図３８に示す例では、上記図３７に示した４段目のチップ１２−４上に、５段目の半導体チップ１２−５が更に積層された構成になっている。このチップ１２−５のオーバーハング部は、チップ１２−４の主表面との間にボールボンディング部を収容するための空隙を形成するように配置され、ＤＡＦを介在して搭載されている。そして、このチップ１２−５は、ボンディングワイヤ１６−３によって基板１１のチップ搭載面に形成された配線に接続されている。
【００７２】
［半導体チップの積層構造の変形例５］
図３９に示す例では、上記図１に示したスタックＭＣＰにおいて、チップ１２−１の主表面とチップ１２−２のオーバーハング部との間の空隙を、ポリイミド系やエポキシ系の樹脂からなる絶縁部材３７−１で埋め込んでいる。また、チップ１２−２の主表面とチップ１２−３のオーバーハング部との間の空隙を、ポリイミド系やエポキシ系の樹脂からなる絶縁部材３７−２で埋め込んでいる。
【００７３】
上記絶縁部材３７−１，３７−２によって、ボンディング部に水分が侵入するのをより効果的に防止でき、信頼性を向上できる。また、オーバーハング部を予め絶縁部材３７−１で埋め込むことにより、上段のチップのボンディング接合マージンを向上できるので、チップの薄化が可能となる。
【００７４】
［半導体チップの積層構造の変形例６］
上記図３９に示した例では、チップ１２−１とチップ１２−２間、チップ１２−２とチップ１２−３間をそれぞれＤＡＦを介在して搭載したが、図４０に示す例ではチップ１２−１の主表面とチップ１２−２のオーバーハング部との間の空隙を埋め込む絶縁部材３７−１と、チップ１２−２の主表面とチップ１２−３のオーバーハング部との間の空隙を埋め込む絶縁部材３７−２で接着して搭載している。
【００７５】
このようにＤＡＦに代えて空隙を埋め込む絶縁部材３７−１，３７−２を利用してチップ間を接着しても良い。
【００７６】
［半導体チップの積層構造の変形例７］
図４１に示す例では、上記図３７に示したスタックＭＣＰにおいて、チップ１２−２の主表面とチップ１２−３のオーバーハング部との間の空隙を、ポリイミド系やエポキシ系の樹脂からなる絶縁部材３７で埋め込んでいる。
【００７７】
上記絶縁部材３７によって、ボンディング部に水分が侵入するのをより効果的に防止でき、信頼性を向上できる。
【００７８】
なお、図３５、図３６及び図３８に示したような積層構造においても同様に、下段のチップの主表面と上段のチップのオーバーハング部との間に形成される空隙を、ポリイミド系やエポキシ系の樹脂からなる絶縁部材で埋め込んでも良い。
【００７９】
この場合には、図４０に示したように、チップ間の接着に、ＤＡＦに代えて絶縁部材を用いることもできる。
【００８０】
次に、製造工程の種々の変形例について説明する。
【００８１】
［製造工程の変形例１］
図４２（ａ），（ｂ）乃至図５０（ａ），（ｂ）はそれぞれ、上述したスタックＭＣＰの他の製造工程（変形例１）について説明するためのもので、図４２（ａ）乃至図５０（ａ）はそれぞれ斜視図であり、図４２（ｂ）乃至図５０（ｂ）はそれぞれ図４２（ａ）乃至図５０（ａ）の断面図である。
【００８２】
この変形例１に係る製造工程が前述した図４（ａ），（ｂ）乃至図１１（ａ），（ｂ）に示した方法と異なるのは、図４４（ａ），（ｂ）に示す裏面研削工程で半導体ウェーハの裏面研削を行った後、図４５（ａ），（ｂ）に示すように、研削面をプラズマエッチング、ウェットエッチング、ドライポリッシュ、ガスエッチング、ＣＭＰあるいはバフがけ等によって鏡面加工することにある。図４５（ａ），（ｂ）では、ポリッシング装置３８による鏡面加工工程を代表的に示す。
【００８３】
他の基本的な製造工程は、図４（ａ），（ｂ）乃至図１１（ａ），（ｂ）に示した方法と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００８４】
このような製造方法によれば、チップの裏面を平坦化することによってピックアップ時の割れやクラックを低減できる。また、溝２５−１，２５−２，…の内壁を平坦化してボールボンディング時に印加される圧力による応力の集中を防ぐことができる。
【００８５】
［製造工程の変形例２］
図５１（ａ），（ｂ）乃至図５８（ａ），（ｂ）はそれぞれ、上述したスタックＭＣＰの他の製造工程（変形例２）について説明するためのもので、図５１（ａ）乃至図５８（ａ）はそれぞれ斜視図であり、図５１（ｂ）乃至図５８（ｂ）はそれぞれ図５１（ａ）乃至図５８（ａ）の断面図である。
【００８６】
この変形例２に係る製造工程が前述した図４（ａ），（ｂ）乃至図１１（ａ），（ｂ）に示した方法と異なるのは、第２の溝２５−１，２５−２，…の形成工程を半導体ウェーハの裏面研削後に行う点にある。
【００８７】
他の基本的な製造工程は、図４（ａ），（ｂ）乃至図１１（ａ），（ｂ）に示した方法と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００８８】
このような製造方法であっても、基本的には図４（ａ），（ｂ）乃至図１１（ａ），（ｂ）に示した方法と同様な作用効果が得られる。
【００８９】
［製造工程の変形例３］
図５９（ａ），（ｂ）乃至図６７（ａ），（ｂ）はそれぞれ、上述したスタックＭＣＰの他の製造工程（変形例３）について説明するためのもので、図５９（ａ）乃至図６７（ａ）はそれぞれ斜視図であり、図５９（ｂ）乃至図６７（ｂ）はそれぞれ図５９（ａ）乃至図６７（ａ）の断面図である。
【００９０】
この変形例３に係る製造工程は、変形例１と２を組み合わせたものであり、第２の溝の形成工程を半導体ウェーハの裏面研削後に行い、その後研削面をプラズマエッチング、ウェットエッチング、ドライポリッシュ、ガスエッチング、ＣＭＰあるいはバフがけ等によって鏡面加工する点にある。図６２（ａ），（ｂ）は、ポリッシング工程を代表的に示す。
【００９１】
他の基本的な製造工程は、変形例１，２と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００９２】
このような製造方法であっても、基本的には図４（ａ），（ｂ）乃至図１１（ａ），（ｂ）に示した方法や変形例１，２と同様な作用効果が得られる。
【００９３】
［製造工程の変形例４］
図６８（ａ），（ｂ）乃至図７６（ａ），（ｂ）はそれぞれ、上述したスタックＭＣＰの他の製造工程（変形例４）について説明するためのもので、図６８（ａ）乃至図７６（ａ）はそれぞれ斜視図であり、図６８（ｂ）乃至図７６（ｂ）はそれぞれ図６８（ａ）乃至図７６（ａ）の断面図である。
【００９４】
上述した実施形態並びに変形例１乃至３ではＤＡＦ２７とダイシングテープ２８を同時に半導体ウェーハに貼り付けたのに対し、この変形例４に係る製造工程ではＤＡＦ２７とダイシングテープ２８を別の工程で半導体ウェーハに貼り付けている。
【００９５】
すなわち、まず、周知の製造工程により半導体ウェーハの主表面に半導体素子、及びこの半導体素子に電気的に接続されたボンディングパッドを形成する。
【００９６】
次に、図６８（ａ），（ｂ）に示すように、上記半導体ウェーハ２０の主表面に、ダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿ってダイヤモンドブレード２１などにより第１の溝２２−１，２２−２，２２−３，…を形成する（ハーフカットダイシング）。
【００９７】
次に、図６９（ａ），（ｂ）に示すように、上記半導体ウェーハ２０の主表面にＢＳＧテープ（表面保護テープ）２３を貼り付け、裏面を研削用砥石２６等で研削して所望の厚さに仕上げる。これによって、半導体ウェーハ２０が個片化されて半導体チップ１２，１２，…が形成される。
【００９８】
次に、図７０（ａ），（ｂ）に示すように、研削面をプラズマエッチング、ウェットエッチング、ドライポリッシュ、ガスエッチング、ＣＭＰあるいはバフがけ等によって鏡面加工する。図７０（ａ），（ｂ）では、ポリッシング工程を代表的に示す。
【００９９】
その後、上記ウェーハ２０をステージ３１上に載置し、ローラー２９等により鏡面加工した裏面にＤＡＦ（接着剤等でも良い）２７を貼り付ける。
【０１００】
次に、半導体ウェーハ２０の裏面からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿ってブレード２４により上記ＤＡＦ２７を切断し、且つチップの対向する二辺または四辺に沿ってオーバーハング部を形成するための第２の溝２５−１，２５−２，…を形成する（ここでは四辺に形成する場合を示している）。
【０１０１】
上記のようにして形成したオーバーハング部の表面に、図１６に示したように絶縁層１８を形成する。この絶縁層１８としては、例えばシリコン酸化膜や、ポリイミド等の有機材料を用いることができる。また、図１７に示したように、オーバーハング部の表面だけでなく、チップ１２の側壁にも形成することにより、ボンディングワイヤの接触による短絡やリークの発生を効果的に防止できる。
【０１０２】
その後、図７３（ａ），（ｂ）に示すように、ＤＡＦ２７付きの半導体チップ１２，１２，…をステージ３１上に載置し、ローラー２９等によりＤＡＦ２７上にダイシングテープ２８を貼り付けてウェーハリング３０に装着する。
【０１０３】
そして、図７４（ａ），（ｂ）に示すように、表面保護テープ２３を剥がす。
【０１０４】
次に、図７５（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシングテープ２８からチップ毎（良品のチップ）に剥がしてピックアップする。このピックアップ工程では、ピックアップニードル３３によってチップ１２毎にダイシングテープ２８の裏面を突き上げ、ダイシングテープ２８を貫通してチップ１２の裏面にニードル（針）を直接接触させ、更に持ち上げて各々のチップ１２をダイシングテープ２８から引き離す。この際、図１８に示したように、ピックアップニードル３３がチップ１２の厚い部分に接触するようにしてダイシングテープ２８から剥離する。引き離したチップ１２の裏面にはＤＡＦ２７が接着されており、この状態でコレット３４でチップ表面を吸着して搬送する。
【０１０５】
次に、上記コレット３４で搬送したチップ１２を、外部接続電極１４−１，１４−２，１４−３，…を有する基板１１上に積層して搭載し、搭載する毎に各半導体チップの主表面に形成された半導体素子と前記基板の配線とをワイヤボンディングして電気的に接続することにより多段積層する。
【０１０６】
図７６（ａ），（ｂ）では、１段目のチップ１２−１の厚さが一定で且つ薄い場合を例に取っており、ワイヤボンディングされた状態を示している。このチップ１２−１上に上述したような工程で形成した半導体チップ１２−２を、ＤＡＦ２７を介在して積層して搭載した後、ワイヤボンディングを行ってチップ１２−２のボンディングパッドと基板１１の表面に形成された配線とを電気的に接続する。チップ１２−２をチップ１２−１上に積層して搭載する際には、オーバーハング部が下段に配置された半導体チップのボールボンディング部に対応するように積層する。これによって、下段に配置されたチップ１２−１の主表面との間にボールボンディング部を収容する空隙が形成される。
【０１０７】
以降は、パッケージ構造に合わせて、複数の半導体チップの積層とワイヤボンディングを繰り返す。
【０１０８】
そして、積層した半導体チップ及びワイヤボンディングの部分を封止樹脂（モールド樹脂等）で覆う（モールドする）。
【０１０９】
［製造工程の変形例５］
図７７（ａ），（ｂ）乃至図８５（ａ），（ｂ）はそれぞれ、上述したスタックＭＣＰの他の製造工程（変形例５）について説明するためのもので、図７７（ａ）乃至図８５（ａ）はそれぞれ斜視図であり、図７７（ｂ）乃至図８５（ｂ）はそれぞれ図７７（ａ）乃至図８５（ａ）の断面図である。
【０１１０】
この変形例５に係る製造工程は、図７８（ａ），（ｂ）に示すように、半導体ウェーハの裏面研削時に、研削面が第１の溝２２−１，２２−２，２２−３，…に達しない深さにするものである。よって、ウェーハ２０は、この裏面研削工程では個片化されず、図８１（ａ），（ｂ）に示す工程においてダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って第２の溝２５−１，２５−２，…を形成するときに個片化される。
【０１１１】
本変形例では、第１の溝２２−１，２２−２，２２−３，…を同じ深さで形成する場合には、第２の溝２５−１，２５−２，…を全てのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って形成する必要があるので、オーバーハング部はチップの四辺に沿って形成されることになる。
【０１１２】
もちろん、第１の溝２２−１，２２−２，２２−３，…の形成時にオーバーハング部を形成するチップの対向する二辺を浅くし、他の二辺に対応する二辺を深くし、裏面研削時にこの深い二辺に沿った溝に達するようにすれば、第２の溝２５−１，２５−２，…の形成時に半導体ウェーハを個片化して個々のチップを形成できる。
【０１１３】
他の基本的な製造工程は、変形例４と同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１１４】
このような製造方法であっても、基本的には変形例４と同様な作用効果が得られる。
【０１１５】
［製造工程の変形例６］
図８６（ａ），（ｂ）乃至図９２（ａ），（ｂ）はそれぞれ、上述したスタックＭＣＰの他の製造工程（変形例６）について説明するためのもので、図８６（ａ）乃至図９２（ａ）はそれぞれ斜視図であり、図８６（ｂ）乃至図９２（ｂ）はそれぞれ図８６（ａ）乃至図９２（ａ）の断面図である。
【０１１６】
この変形例６に係る製造工程が上述した実施形態並びに変形例１乃至５と異なるのは、オーバーハング部を形成するための第２の溝２５−１，２５−２，…を形成した後、ウェーハを個片化するための第１の溝２３−１，２３−２，２３−３，…を形成する点にある。
【０１１７】
すなわち、まず、周知の製造工程により半導体ウェーハの主表面に半導体素子、及びこの半導体素子に電気的に接続されたボンディングパッドを形成する。
【０１１８】
次に、図８６（ａ），（ｂ）に示すように、上記半導体ウェーハ２０の裏面を研削用砥石２６等で研削して所望の厚さに仕上げる。
【０１１９】
次に、図８７（ａ），（ｂ）に示すように、上記半導体ウェーハ２０の主表面にＢＳＧテープ（表面保護テープ）２３を貼り付け、研削面をプラズマエッチング、ウェットエッチング、ドライポリッシュ、ガスエッチング、ＣＭＰあるいはバフがけ等によって鏡面加工する。図８７（ａ），（ｂ）では、ポリッシング工程を代表的に示す。
【０１２０】
その後、図８８（ａ），（ｂ）に示すように、ブレード２４により半導体ウェーハ２０の裏面からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って第２の溝２５−１，２５−２，…を形成する。
【０１２１】
上記のようにして形成した第２の溝２５−１，２５−２，…内の表面に、図１６に示したように絶縁層１８を形成する。この絶縁層１８としては、例えばシリコン酸化膜や、ポリイミド等の有機材料を用いることができる。また、図１７に示したように、オーバーハング部の表面だけでなく、チップの側壁にも形成することにより、ボンディングワイヤの接触による短絡したりリークが発生したりするのを効果的に防止できる。
【０１２２】
次に、図８９（ａ），（ｂ）に示すように、上記ウェーハ２０をステージ３１上に載置し、ローラー２９等により鏡面加工した裏面にＤＡＦ（接着剤等でも良い）２７及びダイシングテープ２８を貼り付けてウェーハリング３０に装着する。
【０１２３】
その後、図９０（ａ），（ｂ）に示すように、上記半導体ウェーハ２０のダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、主表面側からダイヤモンドブレード３２等によりダイシングする（フルカットダイシング）。これによって、半導体ウェーハ２０が個片化されて半導体チップ１２，１２，…が形成される。
【０１２４】
次に、図９１（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシングテープ２８からチップ毎（良品のチップ）に剥がしてピックアップする。このピックアップ工程では、ピックアップニードル３３によってチップ１２毎にダイシングテープ２８の裏面を突き上げ、ダイシングテープ２８を貫通してチップ１２の裏面にニードル（針）を直接接触させ、更に持ち上げて各々のチップ１２をダイシングテープ２８から引き離す。この際、図１８に示したように、ピックアップニードル３３がチップ１２の厚い部分に接触するようにしてダイシングテープ２８から剥離する。引き離したチップ１２の裏面にはＤＡＦ２７が接着されており、この状態でコレット３４でチップ表面を吸着して搬送する。
【０１２５】
引き続き、図９２（ａ），（ｂ）に示すように、上記コレット３４で搬送したチップ１２を、外部接続電極１４−１，１４−２，１４−３，…を有する基板１１上に積層して搭載し、搭載する毎に各半導体チップの主表面に形成された半導体素子と前記基板の配線とをワイヤボンディングして電気的に接続することにより多段積層する。
【０１２６】
図９２（ａ），（ｂ）では、１段目のチップ１２−１の厚さが一定で且つ薄い場合を例に取っており、ワイヤボンディングされた状態を示している。このチップ１２−１上に上述したような工程で形成した半導体チップ１２−２を、ＤＡＦ２７を介在して積層して搭載した後、ワイヤボンディングを行ってチップ１２−２のボンディングパッドと基板１１の表面に形成された配線とを電気的に接続する。チップ１２−２をチップ１２−１上に積層して搭載する際には、オーバーハング部が下段に配置された半導体チップのボールボンディング部に対応するように積層する。これによって、下段に配置されたチップ１２−１の主表面との間にボールボンディング部を収容する空隙が形成される。
【０１２７】
以降は、パッケージ構造に合わせて、複数の半導体チップの積層とワイヤボンディングを繰り返す。
【０１２８】
そして、積層した半導体チップ及びワイヤボンディングの部分を封止樹脂（モールド樹脂等）で覆う（モールドする）。
【０１２９】
［製造工程の変形例７］
図９３（ａ），（ｂ）乃至図１００（ａ），（ｂ）はそれぞれ、上述したスタックＭＣＰの他の製造工程（変形例７）について説明するためのもので、図９３（ａ）乃至図１００（ａ）はそれぞれ斜視図であり、図９３（ｂ）乃至図１００（ｂ）はそれぞれ図９３（ａ）乃至図１００（ａ）の断面図である。
【０１３０】
この変形例７に係る製造工程は、変形例６と同様であるが、半導体ウェーハの裏面の鏡面加工後にＤＡＦを貼り付ける点が異なっている。
【０１３１】
すなわち、図９４（ａ），（ｂ）に示すようにウェーハの裏面を鏡面加工した後、図９５（ａ），（ｂ）に示すようにローラー２９等を使ってウェーハ２０の裏面にＤＡＦ２７を貼り付け、図９６（ａ），（ｂ）に示すように第２の溝２５−１，２５−２，…を形成する。その後、図９７（ａ），（ｂ）に示すようにローラー２９等を使ってＤＡＦ２７上にダイシングテープ２８を貼り付け、ウェーハリング３０に装着する。そして、図９８（ａ），（ｂ）に示すようにダイヤモンドブレード３２等を用いてウェーハ２０を個片化して半導体チップ１２を形成する。
【０１３２】
他の基本的な製造工程は変形例６と同様であるので詳細な説明は省略する。
【０１３３】
［製造工程の変形例８］
図１０１（ａ），（ｂ）乃至図１０７（ａ），（ｂ）はそれぞれ、上述したスタックＭＣＰの他の製造工程（変形例８）について説明するためのもので、図１０１（ａ）乃至図１０７（ａ）はそれぞれ斜視図であり、図１０１（ｂ）乃至図１０７（ｂ）はそれぞれ図１０１（ａ）乃至図１０７（ａ）の断面図である。
【０１３４】
この変形例８に係る製造工程は、ＤＡＦを使わずにチップ間を接着し、図４０に示したような構造を形成するものである。
【０１３５】
すなわち、まず、周知の製造工程により半導体ウェーハの主表面に半導体素子、及びこの半導体素子に電気的に接続されたボンディングパッドを形成する。
【０１３６】
次に、図１０１（ａ），（ｂ）に示すように、上記半導体ウェーハ２０の主表面に、ダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿ってダイヤモンドブレード２１などにより第１の溝２２−１，２２−２，２２−３，…を形成する（ハーフカットダイシング）。
【０１３７】
次に、図１０２（ａ），（ｂ）に示すように、上記半導体ウェーハ２０の主表面にＢＳＧテープ（表面保護テープ）２３を貼り付け、半導体ウェーハ２０の裏面からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿ってブレード２４により上記オーバーハング部を形成するための第２の溝２５−１，２５−２，…を形成する。この第２の溝２５−１，２５−２，…は、図１２（ａ），（ｂ）に示すように半導体チップ１２の対向する二辺または四辺に対応する位置に形成する。この第２の溝２５−１，２５−２，…は、隣接する半導体チップ間のボンディングパッドに対応する裏面側に、上記隣接する半導体チップのボンディングパッド間の領域よりも広い開口部を有し、少なくとも上記第１の溝２２−１，２２−２，２２−３，…に達する深さまで形成する。
【０１３８】
上記のようにして形成したオーバーハング部の表面に、図１６に示したように絶縁層１８を形成する。この絶縁層１８としては、例えばシリコン酸化膜や、ポリイミド等の有機材料を用いることができる。また、図１７に示したように、オーバーハング部の表面だけでなく、チップ１２の側壁にも形成することにより、ボンディングワイヤの接触による短絡やリークを効果的に防止できる。
【０１３９】
次に、図１０３（ａ），（ｂ）に示すように、上記半導体ウェーハ２０の裏面を研削用砥石２６等で研削して所望の厚さに仕上げる。これによって、半導体ウェーハ２０が個片化されて半導体チップ１２，１２，…が形成される。
【０１４０】
その後、図１０４（ａ），（ｂ）に示すように、個片化された半導体チップ１２，１２，…をステージ３１上に載置し、ローラー２９等により裏面にダイシングテープ２８を貼り付けてウェーハリング３０に装着する。
【０１４１】
そして、図１０５（ａ），（ｂ）に示すように、表面保護テープ２３を剥がす。
【０１４２】
次に、図１０６（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシングテープ２８からチップ毎（良品のチップ）に剥がしてピックアップする。このピックアップ工程では、ピックアップニードル３３によってチップ１２毎にダイシングテープ２８の裏面を突き上げ、ダイシングテープ２８を貫通してチップ１２の裏面にニードル（針）を直接接触させ、更に持ち上げて各々のチップ１２をダイシングテープ２８から引き離す。この際、図１８に示したように、ピックアップニードル３３がチップ１２の厚い部分に接触するようにしてダイシングテープ２８から剥離する。引き離したチップ１２は、コレット３４でチップ表面を吸着して搬送する。
【０１４３】
次に、上記コレット３４で搬送したチップ１２を、外部接続電極１４−１，１４−２，１４−３，…を有する基板１１上に積層して搭載し、搭載する毎に各半導体チップの主表面に形成された半導体素子と前記基板の配線とをワイヤボンディングして電気的に接続することにより多段積層する。
【０１４４】
図１０７（ａ），（ｂ）では、１段目のチップ１２−１の厚さが一定で且つ薄い場合を例に取っており、ワイヤボンディングされた状態を示している。このチップ１２−１上に樹脂等からなる接着剤（絶縁部材）３７を塗布し、上述したような工程で形成した半導体チップ１２−２を、接着剤３７を介在して積層して搭載した後、ワイヤボンディングを行ってチップ１２−２のボンディングパッドと基板１１の表面に形成された配線とを電気的に接続する。チップ１２−２をチップ１２−１上に積層して搭載する際には、オーバーハング部が下段に配置された半導体チップ１２−１のボールボンディング部に対応するように積層する。この際、チップ１２−１の主表面との間にボールボンディング部を収容する空隙が形成され、この空隙に押し出された接着剤３７が流れ込んでチップ１２−１のワイヤボンディング部とボンディングワイヤが接着剤３７で埋め込まれる。
【０１４５】
以降は、パッケージ構造に合わせて、複数の半導体チップの積層とワイヤボンディングを繰り返す。
【０１４６】
そして、積層した半導体チップ及びワイヤボンディングの部分を封止樹脂（モールド樹脂等）で覆う（モールドする）。
【０１４７】
［製造工程の変形例９］
図１０８（ａ），（ｂ）乃至図１１６（ａ），（ｂ）はそれぞれ、上述したスタックＭＣＰの他の製造工程（変形例９）について説明するためのもので、図１０８（ａ）乃至図１１６（ａ）はそれぞれ斜視図であり、図１０８（ｂ）乃至図１１６（ｂ）はそれぞれ図１０８（ａ）乃至図１１６（ａ）の断面図である。
【０１４８】
この変形例９に係る製造工程は、基本的には図６８（ａ），（ｂ）乃至図７６（ａ），（ｂ）に示した変形例４と同様であるが、ワイヤボンディング部とボンディングワイヤを接着剤等の絶縁部材３７で直接的に封止する点が異なっている。この製造方法は、図３９に示したような構造を形成するのに好適なものである。
【０１４９】
図１０８（ａ），（ｂ）乃至図１１６（ａ），（ｂ）において、図６８（ａ），（ｂ）乃至図７６（ａ），（ｂ）と同一構成並びに同一工程には同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１５０】
すなわち、図１１６（ａ），（ｂ）に示すように、チップ１２−１のワイヤボンディング部に樹脂等からなる接着剤（絶縁部材３７）を塗布し、オーバーハング部が下段に配置された半導体チップ１２−１のボールボンディング部に対応するようにしてチップ１２−２を、ＤＡＦ２７を介在して積層して搭載する。この際、下段に配置されたチップ１２−１の主表面との間にボールボンディング部を収容する空隙が形成され、この空隙に接着剤３７が流れ込んでチップ１２−１のワイヤボンディング部とボンディングワイヤが接着剤で埋め込まれる。その後、ワイヤボンディングを行ってチップ１２−２のボンディングパッドと基板１１の表面に形成された配線とを電気的に接続する。
【０１５１】
［製造工程の変形例１０］
上述した変形例８の製造工程において、図１０３（ａ），（ｂ）の裏面研削工程の後に、チップの裏面にエア抜き用の溝を形成すれば図１０７（ａ），（ｂ）に示したダイボンディング工程においてチップ間に気泡（ボイド）が形成されるのを防止できる。これによって、チップ間の短絡やリークを防止できる。
【０１５２】
また、チップの裏面にエア抜き用の溝を形成するとダイシングテープ２７との接触面積が低下して接着力が弱くなるので、図１０６（ａ），（ｂ）に示したピックアップ工程においてチップのクラックを低減できる。
【０１５３】
［製造工程の変形例１１］
なお、上述した実施形態並びに変形例１乃至１０の製造工程では、第１，第２の溝を形成する際にブレード方式を用いたが、レーザ方式（グルーブ及び内部改質）、カッター、エッチング（ＲＩＥ等）及びワイヤスクライブ等を用いても良く、複数の方法を組み合わせることもできる。
【０１５４】
［製造工程の変形例１２］
上述した実施形態並びに変形例１乃至７、９、１０の製造工程におけるＤＡＦには、ポリイミド系及びエポキシ系の樹脂を用いることができる。また、エッチングされない成分の材料でも構わない。
【０１５５】
［製造工程の変形例１３］
ＤＡＦをブレード方式で切断する例を示したが、レーザ方式（グルーブ及び内部改質）、カッター、エッチング、ワイヤ、及びスクライブ等を用いて切断することもできる。
【０１５６】
［製造工程の変形例１４］
ピックアップ工程をピン方式で行う場合を例にとって説明したが、ピンレス方式、超音波方式、及びテープレス方式等の種々の方式が適用できる。
【０１５７】
［製造工程の変形例１５］
ワイヤボンディング方式は、正ボンディング（逆ボンディングライクの正ボンディングを含む）、及び逆ボンディングのいずれにも適用できる。
【０１５８】
［製造工程の変形例１６］
パッケージ１０への封止工程は、上述したモールド（樹脂封止）方式に限らず、液状樹脂を滴下して封止するポッティング方式やフィルム封止方式にも適用できる。
【０１５９】
次に、ボンディング部とボンディングワイヤを絶縁部材３７で固定並びに封止する種々の製造方法について図１１７（ａ），（ｂ）乃至図１２１（ａ），（ｂ）により説明する。
【０１６０】
［ボールボンディング部を絶縁部材で固定及び封止する工程例１］
図１１７（ａ），（ｂ）は、上述した図１０７（ａ），（ｂ）及び図１１６（ａ），（ｂ）に示したボールボンディング部を絶縁部材３７で固定及び封止する工程例を示している。この図１１７（ａ），（ｂ）に示す工程は、基板１１上に１段目のチップ１２−１を搭載し、ワイヤボンディングして実装した後の状態を示している。チップ１２−１の上記ワイヤボールボンディング部上に、ディスペンサノズル３６から絶縁部材３７、例えば絶縁性の接着剤や封止樹脂を供給している。このチップ１２−１上に上述したような工程で形成した半導体チップ１２−２を積層して搭載した後、ワイヤボンディングを行ってチップ１２−２のボンディングパッドと基板１１の表面に形成された配線とを電気的に接続する。チップ１２−２をチップ１２−１上に積層して搭載する際に、オーバーハング部が下段に配置されたチップ１２−１のボールボンディング部に対応するように積層する。下段に配置されたチップ１２−１の主表面と積層するチップ１２−２のオーバーハング部との間に形成される空隙は上記絶縁部材３７で埋め込まれる。
【０１６１】
［ボールボンディング部を絶縁部材で固定及び封止する工程例２］
上記工程例１では、チップ１２−１の対向する二辺に形成されたボンディング部とボンディングワイヤが形成された領域に絶縁部材を形成したが、図１１８（ａ），（ｂ）に示すようにボールボンディング部とボンディングワイヤが形成されていない領域（四辺に沿って）にも絶縁部材３７を塗布しても良い。
【０１６２】
［ボールボンディング部を絶縁部材で固定及び封止する工程例３］
図１１９（ａ），（ｂ）に示すように、ディスペンサノズル３６からチップ１２−１上に樹脂等の絶縁部材３７を滴下しても良い。この場合には、チップ１２−１上にチップ１２−２を搭載するときにチップ１２−２下から周辺部に押し出された樹脂によってボールボンディング部とボンディングワイヤが埋め込まれる。
【０１６３】
［ボールボンディング部を絶縁部材で固定及び封止する工程例４］
図１２０（ａ），（ｂ）に示すように、ディスペンサノズル３６からチップ１２−１上に樹脂等の絶縁部材３７を流し出して表面を覆うように塗布しても良い。この場合にも、チップ１２−１上にチップ１２−２を搭載するときにチップ１２−２下から周辺部に押し出された樹脂によってボールボンディング部とボンディングワイヤが埋め込まれる。
【０１６４】
［ボールボンディング部を絶縁部材で固定及び封止する工程例５］
図１２１（ａ）に示すように、チップ１２−２のオーバーハング部に樹脂等の絶縁部材３７を塗布し、図１２１（ｂ）に示すように、チップ１２−１上に搭載するときにボールボンディング部とボンディングワイヤが埋め込まれるようにしても良い。
【０１６５】
図１２２及び図１２３はそれぞれ、オーバーハング部を形成した半導体チップを積層し、空隙を絶縁部材で埋め込んだときの顕微鏡写真である。図１２２は絶縁部材として樹脂を用い、図１２３では絶縁部材として絶縁ペーストを用いている。
【０１６６】
［ボールボンディング部を絶縁部材で固定及び封止する工程例６］
上述した工程例１乃至５では、一点ノズル方式について説明したが、多点ノズル方式、一点ノズル方式で走査する方式（一筆書き）でも良い。樹脂の入ったトレーに浸漬してチップの裏面に樹脂を付着させることもできる。また、転写方式を採用し、下段のチップの主表面中央部への転写、ボールボンディング部上への転写、チップ中央部とボールボンディング部上への転写等、種々の組み合わせが可能である。
【０１６７】
［ボールボンディング部を絶縁部材で固定及び封止する工程例７］
絶縁部材としては、ＤＡＦ材（ダイアタッチフィルム）、絶縁ペースト、アンダーフィル材、液状樹脂、ポッティング樹脂、及びＢステージ樹脂（エポキシ系）等の種々の絶縁タイプの部材が利用できる。
【０１６８】
従って、この発明の実施態様及び変形例によれば、半導体チップのクラックや、下段に配置されている半導体チップのボンディングワイヤが上段のチップ裏面に接触したりリークが発生したりすることによる不良を招くことなくパッケージの薄型化が図れる半導体装置が得られる。
【０１６９】
また、スペーサとこのスペーサをチップに接着するためのＤＡＦが不要になるので、製造コストの低減と生産性の向上が図れる半導体装置の製造方法が得られる。
【０１７０】
以上実施形態と種々の変形例を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施形態とその変形例に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態とその変形例には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施形態とその変形例に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１７１】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体装置について説明するためのもので、サイズが同じ３つの半導体チップを積層したスタックＭＣＰを例に取って示す断面図。
【図２】図１に示したスタックＭＣＰにおける２段目の半導体チップの断面を模式的に示す図。
【図３】図１に示したスタックＭＣＰにおける１段目と２段目の半導体チップのボールボンディング部近傍の拡大断面図。
【図４】図１に示したスタックＭＣＰの製造方法について説明するためのもので、第１の工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図５】図１に示したスタックＭＣＰの製造方法について説明するためのもので、第２の工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図６】図１に示したスタックＭＣＰの製造方法について説明するためのもので、第３の工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図７】図１に示したスタックＭＣＰの製造方法について説明するためのもので、第４の工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図８】図１に示したスタックＭＣＰの製造方法について説明するためのもので、第５の工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図９】図１に示したスタックＭＣＰの製造方法について説明するためのもので、第６の工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１０】図１に示したスタックＭＣＰの製造方法について説明するためのもので、第７の工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１１】図１に示したスタックＭＣＰの製造方法について説明するためのもので、第８の工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１２】第２の溝の形成位置について説明するためのもので、（ａ）図は半導体ウェーハの平面図、（ｂ）図は半導体チップの斜視図。
【図１３】第２の溝の形成工程について説明するためのもので、溝の形成領域の拡大断面図。
【図１４】第２の溝を形成するブレードの先端部付近の拡大断面図。
【図１５】第２の溝を形成するブレードの他の例について説明するための先端部付近の拡大断面図。
【図１６】第２の溝によって形成されるオーバーハング部の拡大断面図。
【図１７】第２の溝によって形成されるオーバーハング部の他の構成例について説明するための拡大断面図。
【図１８】ピックアップ工程について説明するためのもので、ピックアップ装置におけるピックアップニードル近傍の拡大断面図。
【図１９】ワイヤボンディング工程について説明するためのもので、（ａ）図は全体の斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図、（ｃ）図はボールボンディング部近傍の拡大断面図。
【図２０】ボールボンディング時のチップの撓みのシミュレーション結果を示しており、チップの厚さと撓み量との関係を、オーバーハング部の有無、オーバーハング部の形状が相違する場合を比較して示す図。
【図２１】半導体チップのオーバーハング形状の他の例について説明するためのもので、（ａ）図は半導体チップの断面図、（ｂ）図はオーバーハング部の拡大断面図。
【図２２】半導体チップのオーバーハング形状の更に他の例について説明するためのもので、（ａ）図は半導体チップの断面図、（ｂ）図はオーバーハング部の拡大断面図。
【図２３】第２の溝を形成するブレードの更に他の例について説明するためのもので、ブレードの先端部付近の拡大断面図。
【図２４】第２の溝の他の形成工程について説明するためのもので、溝の形成領域の拡大断面図。
【図２５】図２４に示した工程でオーバーハング部を形成した半導体チップにおけるオーバーハング部の顕微鏡写真。
【図２６】図２４に示した工程でオーバーハング部を形成した他の半導体チップにおけるオーバーハング部の顕微鏡写真。
【図２７】種々のサイズのオーバーハング部を形成した半導体チップを積層した状態の顕微鏡写真。
【図２８】種々のサイズのオーバーハング部を形成した他の半導体チップを積層した状態の顕微鏡写真。
【図２９】半導体チップのオーバーハング形状の別の例について説明するためのもので、（ａ）図は半導体チップの断面図、（ｂ）図はオーバーハング部の拡大断面図。
【図３０】半導体チップのオーバーハング形状の更に別の例について説明するためのもので、（ａ）図は半導体チップの断面図、（ｂ）図はオーバーハング部の拡大断面図。
【図３１】第２の溝を形成するブレードの別の例について説明するためのもので、先端部付近の拡大断面図。
【図３２】第２の溝を形成するブレードの更に別の例について説明するためのもので、先端部付近の拡大断面図。
【図３３】第２の溝の他の形成位置について説明するためのもので、（ａ）図は半導体ウェーハの平面図、（ｂ）図は半導体チップの斜視図。
【図３４】第２の溝の更に他の形成位置について説明するためのもので、（ａ）図は半導体ウェーハの平面図、（ｂ）図は半導体チップの斜視図。
【図３５】この発明の他の実施形態に係る半導体装置について説明するためのもので、スタックＭＣＰにおける半導体チップの積層構造の変形例１を示す断面図。
【図３６】この発明の他の実施形態に係る半導体装置について説明するためのもので、スタックＭＣＰにおける半導体チップの積層構造の変形例２を示す断面図。
【図３７】この発明の他の実施形態に係る半導体装置について説明するためのもので、スタックＭＣＰにおける半導体チップの積層構造の変形例３を示す断面図。
【図３８】この発明の他の実施形態に係る半導体装置について説明するためのもので、スタックＭＣＰにおける半導体チップの積層構造の変形例４を示す断面図。
【図３９】この発明の他の実施形態に係る半導体装置について説明するためのもので、スタックＭＣＰにおける半導体チップの積層構造の変形例５を示す断面図。
【図４０】この発明の他の実施形態に係る半導体装置について説明するためのもので、スタックＭＣＰにおける半導体チップの積層構造の変形例６を示す断面図。
【図４１】この発明の他の実施形態に係る半導体装置について説明するためのもので、スタックＭＣＰにおける半導体チップの積層構造の変形例７を示す断面図。
【図４２】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例１）について説明するためのもので、第１の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図４３】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例１）について説明するためのもので、第２の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図４４】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例１）について説明するためのもので、第３の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図４５】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例１）について説明するためのもので、第４の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図４６】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例１）について説明するためのもので、第５の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図４７】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例１）について説明するためのもので、第６の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図４８】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例１）について説明するためのもので、第７の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図４９】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例１）について説明するためのもので、第８の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図５０】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例１）について説明するためのもので、第９の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図５１】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例２）について説明するためのもので、第１の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図５２】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例２）について説明するためのもので、第２の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図５３】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例２）について説明するためのもので、第３の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図５４】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例２）について説明するためのもので、第４の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図５５】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例２）について説明するためのもので、第５の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図５６】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例２）について説明するためのもので、第６の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図５７】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例２）について説明するためのもので、第７の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図５８】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例２）について説明するためのもので、第８の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図５９】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例３）について説明するためのもので、第１の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図６０】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例３）について説明するためのもので、第２の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図６１】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例３）について説明するためのもので、第３の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図６２】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例３）について説明するためのもので、第４の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図６３】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例３）について説明するためのもので、第５の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図６４】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例３）について説明するためのもので、第６の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図６５】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例３）について説明するためのもので、第７の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図６６】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例３）について説明するためのもので、第８の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図６７】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例３）について説明するためのもので、第９の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図６８】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例４）について説明するためのもので、第１の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図６９】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例４）について説明するためのもので、第２の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図７０】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例４）について説明するためのもので、第３の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図７１】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例４）について説明するためのもので、第４の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図７２】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例４）について説明するためのもので、第５の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図７３】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例４）について説明するためのもので、第６の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図７４】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例４）について説明するためのもので、第７の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図７５】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例４）について説明するためのもので、第８の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図７６】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例４）について説明するためのもので、第９の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図７７】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例５）について説明するためのもので、第１の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図７８】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例５）について説明するためのもので、第２の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図７９】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例５）について説明するためのもので、第３の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図８０】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例５）について説明するためのもので、第４の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図８１】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例５）について説明するためのもので、第５の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図８２】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例５）について説明するためのもので、第６の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図８３】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例５）について説明するためのもので、第７の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図８４】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例５）について説明するためのもので、第８の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図８５】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例５）について説明するためのもので、第９の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図８６】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例６）について説明するためのもので、第１の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図８７】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例６）について説明するためのもので、第２の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図８８】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例６）について説明するためのもので、第３の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図８９】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例６）について説明するためのもので、第４の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図９０】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例６）について説明するためのもので、第５の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図９１】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例６）について説明するためのもので、第６の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図９２】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例６）について説明するためのもので、第７の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図９３】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例７）について説明するためのもので、第１の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図９４】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例７）について説明するためのもので、第２の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図９５】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例７）について説明するためのもので、第３の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図９６】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例７）について説明するためのもので、第４の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図９７】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例７）について説明するためのもので、第５の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図９８】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例７）について説明するためのもので、第６の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図９９】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例７）について説明するためのもので、第７の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１００】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例７）について説明するためのもので、第８の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１０１】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例８）について説明するためのもので、第１の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１０２】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例８）について説明するためのもので、第２の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１０３】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例８）について説明するためのもので、第３の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１０４】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例８）について説明するためのもので、第４の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１０５】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例８）について説明するためのもので、第５の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１０６】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例８）について説明するためのもので、第６の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１０７】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例８）について説明するためのもので、第７の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１０８】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例９）について説明するためのもので、第１の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１０９】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例９）について説明するためのもので、第２の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１１０】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例９）について説明するためのもので、第３の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１１１】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例９）について説明するためのもので、第４の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１１２】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例９）について説明するためのもので、第５の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１１３】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例９）について説明するためのもので、第６の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１１４】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例９）について説明するためのもので、第７の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１１５】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例９）について説明するためのもので、第８の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１１６】スタックＭＣＰの他の製造工程（変形例９）について説明するためのもので、第９の製造工程を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１１７】図１０７（ａ），（ｂ）及び図１１６（ａ），（ｂ）に示したボールボンディング部を絶縁部材で固定及び封止する工程例１を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１１８】図１０７（ａ），（ｂ）及び図１１６（ａ），（ｂ）に示したボールボンディング部を絶縁部材で固定及び封止する工程例２を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１１９】図１０７（ａ），（ｂ）及び図１１６（ａ），（ｂ）に示したボールボンディング部を絶縁部材で固定及び封止する工程例３を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１２０】図１０７（ａ），（ｂ）及び図１１６（ａ），（ｂ）に示したボールボンディング部を絶縁部材で固定及び封止する工程例４を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１２１】図１０７（ａ），（ｂ）及び図１１６（ａ），（ｂ）に示したボールボンディング部を絶縁部材で固定及び封止する工程例５を示しており、（ａ）図は斜視図、（ｂ）図は（ａ）図の断面図。
【図１２２】オーバーハング部を形成した複数の半導体チップを積層し、空隙を絶縁部材で埋め込んだときの顕微鏡写真であり、絶縁部材として樹脂を用いた場合の顕微鏡写真。
【図１２３】オーバーハング部を形成した複数の半導体チップを積層し、空隙を絶縁部材で埋め込んだときの顕微鏡写真であり、絶縁部材として絶縁ペーストを用いた場合の顕微鏡写真。
【符号の説明】
【０１７２】
１１…基板、１２，１２−１，１２−２，１２−３，１２−４，１２−５…半導体チップ、１３−１，１３−２，１３−３，１３−４…ＤＡＦ、１４−１，１４−２，１４−３…外部接続電極、１５−１，１５−２，１５−３，１５−１Ｂ，１５−２Ａ，１５−２Ｂ…ボンディングパッド、１６−１，１６−２，１６−３，１６−４，１６−５，１６−１Ｂ…ボンディングワイヤ、１７−２，１７−３，１７−２Ａ，１７−２Ｂ…オーバーハング部、１８−２，１８−３，１８−２Ａ，１８−２Ｂ，…絶縁層、１９−２…半導体素子、２０…半導体ウェーハ、２１…ダイヤモンドブレード、２２−１，２２−２，２２−３…第１の溝、２３…ＢＳＧテープ（表面保護テープ）、２４…ダイヤモンドブレード、２５−１，２５−２…第２の溝、２６…研削用砥石、２７…ＤＡＦ、２８…ダイシングテープ、２９…ローラー、３０…ウェーハリング、３１…ステージ、３２…ダイヤモンドブレード、３３…ピックアップニードル、３４…コレット、３５…キャピラリ、３６…ディスペンサノズル、３７−１，３７−２，３７…絶縁部材、３８…ポリッシング装置。
【図１】
2006216692.tif 000003
【図２】
2006216692.tif 000004
【図３】
2006216692.tif 000005
【図４】
2006216692.tif 000006
【図５】
2006216692.tif 000007
【図６】
2006216692.tif 000008
【図７】
2006216692.tif 000009
【図８】
2006216692.tif 000010
【図９】
2006216692.tif 000011
【図１０】
2006216692.tif 000012
【図１１】
2006216692.tif 000013
【図１２】
2006216692.tif 000014
【図１３】
2006216692.tif 000015
【図１４】
2006216692.tif 000016
【図１５】
2006216692.tif 000017
【図１６】
2006216692.tif 000018
【図１７】
2006216692.tif 000019
【図１８】
2006216692.tif 000020
【図１９】
2006216692.tif 000021
【図２０】
2006216692.tif 000022
【図２１】
2006216692.tif 000023
【図２２】
2006216692.tif 000024
【図２３】
2006216692.tif 000025
【図２４】
2006216692.tif 000026
【図２５】
2006216692.tif 000027
【図２６】
2006216692.tif 000028
【図２７】
2006216692.tif 000029
【図２８】
2006216692.tif 000030
【図２９】
2006216692.tif 000031
【図３０】
2006216692.tif 000032
【図３１】
2006216692.tif 000033
【図３２】
2006216692.tif 000034
【図３３】
2006216692.tif 000035
【図３４】
2006216692.tif 000036
【図３５】
2006216692.tif 000037
【図３６】
2006216692.tif 000038
【図３７】
2006216692.tif 000039
【図３８】
2006216692.tif 000040
【図３９】
2006216692.tif 000041
【図４０】
2006216692.tif 000042
【図４１】
2006216692.tif 000043
【図４２】
2006216692.tif 000044
【図４３】
2006216692.tif 000045
【図４４】
2006216692.tif 000046
【図４５】
2006216692.tif 000047
【図４６】
2006216692.tif 000048
【図４７】
2006216692.tif 000049
【図４８】
2006216692.tif 000050
【図４９】
2006216692.tif 000051
【図５０】
2006216692.tif 000052
【図５１】
2006216692.tif 000053
【図５２】
2006216692.tif 000054
【図５３】
2006216692.tif 000055
【図５４】
2006216692.tif 000056
【図５５】
2006216692.tif 000057
【図５６】
2006216692.tif 000058
【図５７】
2006216692.tif 000059
【図５８】
2006216692.tif 000060
【図５９】
2006216692.tif 000061
【図６０】
2006216692.tif 000062
【図６１】
2006216692.tif 000063
【図６２】
2006216692.tif 000064
【図６３】
2006216692.tif 000065
【図６４】
2006216692.tif 000066
【図６５】
2006216692.tif 000067
【図６６】
2006216692.tif 000068
【図６７】
2006216692.tif 000069
【図６８】
2006216692.tif 000070
【図６９】
2006216692.tif 000071
【図７０】
2006216692.tif 000072
【図７１】
2006216692.tif 000073
【図７２】
2006216692.tif 000074
【図７３】
2006216692.tif 000075
【図７４】
2006216692.tif 000076
【図７５】
2006216692.tif 000077
【図７６】
2006216692.tif 000078
【図７７】
2006216692.tif 000079
【図７８】
2006216692.tif 000080
【図７９】
2006216692.tif 000081
【図８０】
2006216692.tif 000082
【図８１】
2006216692.tif 000083
【図８２】
2006216692.tif 000084
【図８３】
2006216692.tif 000085
【図８４】
2006216692.tif 000086
【図８５】
2006216692.tif 000087
【図８６】
2006216692.tif 000088
【図８７】
2006216692.tif 000089
【図８８】
2006216692.tif 000090
【図８９】
2006216692.tif 000091
【図９０】
2006216692.tif 000092
【図９１】
2006216692.tif 000093
【図９２】
2006216692.tif 000094
【図９３】
2006216692.tif 000095
【図９４】
2006216692.tif 000096
【図９５】
2006216692.tif 000097
【図９６】
2006216692.tif 000098
【図９７】
2006216692.tif 000099
【図９８】
2006216692.tif 000100
【図９９】
2006216692.tif 000101
【図１００】
2006216692.tif 000102
【図１０１】
2006216692.tif 000103
【図１０２】
2006216692.tif 000104
【図１０３】
2006216692.tif 000105
【図１０４】
2006216692.tif 000106
【図１０５】
2006216692.tif 000107
【図１０６】
2006216692.tif 000108
【図１０７】
2006216692.tif 000109
【図１０８】
2006216692.tif 000110
【図１０９】
2006216692.tif 000111
【図１１０】
2006216692.tif 000112
【図１１１】
2006216692.tif 000113
【図１１２】
2006216692.tif 000114
【図１１３】
2006216692.tif 000115
【図１１４】
2006216692.tif 000116
【図１１５】
2006216692.tif 000117
【図１１６】
2006216692.tif 000118
【図１１７】
2006216692.tif 000119
【図１１８】
2006216692.tif 000120
【図１１９】
2006216692.tif 000121
【図１２０】
2006216692.tif 000122
【図１２１】
2006216692.tif 000123
【図１２２】
2006216692.tif 000124
【図１２３】
2006216692.tif 000125