(57)【要約】  【課題】  静電容量検出型の力学量センサにおいて、静電容量素子を構成する電極間の空隙をより効率よく形成すること。  【解決手段】  支持層１と活性層３の間に絶縁層２が形成されている３層構造を有する積層基板を加工して力学量センサを形成する。フレーム１１、梁１２および錘体１３は、支持層１をエッチングして形成される。電極支持部２１、ギャップ２２は、絶縁層２をウェットエッチングして形成される。固定電極３１は、活性層３をエッチングして形成される。梁１２は、フレーム１１に固定された可撓性を有する部材であり、錘体１３を可動な状態に支持する。錘体１３は、外部より加わる力により振動させたり、捩れる動きが可能となっている。さらに、固定電極３１には、ギャップ２２を形成する際のエッチング液の回り込み特性を向上させるための孔が形成されている。  【選択図】  図１
2006226924.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する梁部と、前記梁部に支持された錘部とを有する可動部と、
前記可動部に対向配置された固定電極と、
前記梁部と前記固定電極間に配置され、浸食液の浸食により前記可動部と前記固定電極間に形成された空隙を有する絶縁層と、
前記固定電極及び前記梁部の少なくとも一方に形成され、前記絶縁層における空隙形成の際に浸食液を浸入させる孔と、
前記可動部と前記固定電極との間に生じる静電容量の変化を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された静電容量に基づき力学量を取得する力学量取得手段と、
を具備することを特徴とする力学量センサ
【請求項２】
当該力学量センサは、第１の層、第２の層、第３の層が順に積層された積層基板からなり、
前記固定電極は、前記第１の層を加工することにより形成され、
前記絶縁層は、前記第２の層からなり、
前記梁部は、前記第３の層を加工することにより形成されることを特徴とする請求項１記載の力学量センサ。
【請求項３】
前記孔は、等間隔に複数設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の力学量センサ。
【請求項４】
前記錘部を所定の周期で振動させる振動手段を備え、
前記力学量取得手段は、前記検出手段で検出された静電容量に基づき角速度を取得することを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３に記載の力学量センサ。
【請求項５】
前記積層基板は、前記第１の層及び前記第３の層がシリコンにより形成され、前記第２の層が酸化膜により形成されたＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）基板であることを特徴とする請求項２、請求項３または請求項４記載の力学量センサ。
【請求項６】
前記第３の層を加工することにより形成され、前記梁部の一端が固定されたフレームと、
前記第２の層における前記梁部と接しない領域内に形成され、前記固定電極及び前記フレームが固定される支持部と、
を備えたことを特徴とする請求項２、請求項３、請求項４または請求項５記載の力学量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物体に作用する力学量を検出する加速度センサや角速度センサなどの力学量センサに関し、特に、作用する力学量を静電容量の変化から検出する静電容量検出型の力学量センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
ビデオカメラの手ぶれ補正装置や車載用のエアバッグ装置、ロボットの姿勢制御装置など広い分野において、物体に作用する力学量を検出するための力学量センサが用いられている。
力学量センサの１つに、物体の回転運動、即ち角速度を検出するジャイロと呼ばれる角速度センサがある。
ジャイロは、物体の回転運動、即ち角速度を検出するセンサであり、取り付け部位や回転の中心位置に関わらず作用する角速度を検出することができる。
ジャイロは、その動作原理の違いによりいくつかの種類に分類され、振動体を用いた物は、振動式角速度センサと呼ばれている。
【０００３】
振動式角速度センサ（以下、角速度センサとする）は、可撓性を有する部材に支持された錘体を一定の周期で振動させ、発生するコリオリ力を検出することにより作用する角速度を検出する。
詳しくは、質量ｍの錘体をｚ軸方向に速度ｖで振動させた状態で、ｘ軸またはｙ軸周りに角速度Ωが働くと、錘体の中心部には、“Ｆ＝２ｍｖΩ”のコリオリ力Ｆが発生する。
そして、発生するコリオリ力の作用によりねじれが生じるため、錘体は、振動方向と直交する面に対して傾く。
角速度センサは、この錘体の傾きの方向、傾き量を検出し、これらの検出された値に基づいて錘体に作用する角速度を算出する。
【０００４】
このような角速度センサにおいて、錘体の傾きの方向、傾き量を検出する方法の１つに、静電容量の変化量を測定するものがある。このような角速度センサを静電容量型角速度センサという。
静電容量型角速度センサには、錘体の側面と対向する位置に隙間（ギャップ）を介して電極が設けられている。そして、この電極と錘体により形成される静電容量素子の静電容量の変化量を測定することにより錘体の傾きを検出する。
【０００５】
このような静電容量検出型の力学量センサにおいては、力学量が作用していない初期状態の静電容量素子の静電容量が大きくなるほど検出精度を向上させることができる。これは、錘体の姿勢が変化した時の静電容量の変化量が大きくなるためである。
静電容量素子の静電容量Ｃは、次式で示される。
（式１）  Ｃ＝εＳ／ｄ
但し、εは電極間の誘電体の誘電率、Ｓは電極の面積、ｄは電極間の距離（ギャップ）を示す。
このように、静電容量素子の静電容量Ｃは、電極の面積Ｓに比例し、電極間の距離ｄに反比例する。つまり、電極間の距離ｄ、即ちギャップ（隙間）を小さくすることにより、静電容量を大きくすることができる。
【０００６】
このような静電容量素子は、従来、一対の電極をそれぞれ別の基板上に形成し、これらの基板を接合することにより構成されていた。
このように形成される電極は、金属電極の表面に形成されるヒロックなどの突起物や基板のそりの影響を受けるため、平坦性を適切に保持することができなかった。
そのため、電極間において、精度良く微小なギャップを設けることが困難であった。
特に硝子基板とシリコン基板とを陽極接合する場合には、電極間のギャップが小さいと、接合時に対向する電極が張り付きやすい。そのため、電極の張り付きを防止するための加工を施さなければならなかった。
そこで、下記の特許文献をはじめ、精度良く微小なギャップを設ける技術が提案されている。
【特許文献１】特開平５−３３５５９６号公報
【０００７】
特許文献１には、絶縁膜層を挟む単結晶半導体の３層構造のウェハにおいて、絶縁膜層をエッチングすることにより、ストッパのギャップを形成する技術が提案されている。
このように、ストッパのギャップを形成した場合には、絶縁膜層の厚さを変化させることによりギャップを精度良く制御することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に示されているような、３層構造のウェハにおける中間層の絶縁膜層をエッチングする場合には、ウェットエッチングの技術が用いられる。
このウェットエッチングでは、エッチング液（薬液）と接触する領域から順に等方的にエッチングが進行していく特性を有している。
そのため、非エッチング領域に挟まれた狭い部分に被エッチング領域が存在するような場合には、このエッチング処理に長い時間が必要であった。
そこで、本発明は、静電容量検出型の力学量センサにおいて、静電容量素子を構成する電極間の空隙をより効率よく形成することができる力学量センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１記載の発明では、可撓性を有する梁部と、前記梁部に支持された錘部とを有する可動部と、前記可動部に対向配置された固定電極と、前記梁部と前記固定電極間に配置され、浸食液の浸食により前記可動部と前記固定電極間に形成された空隙を有する絶縁層と、前記固定電極及び前記梁部の少なくとも一方に形成され、前記絶縁層における空隙形成の際に浸食液を浸入させる孔と、前記可動部と前記固定電極との間に生じる静電容量の変化を検出する検出手段と、前記検出手段により検出された静電容量に基づき力学量を取得する力学量取得手段と、を具備することにより前記目的を達成する。
【００１０】
請求項２記載の発明では、請求項１記載の発明において、当該力学量センサは、第１の層、第２の層、第３の層が順に積層された積層基板からなり、前記固定電極は、前記第１の層を加工することにより形成され、前記絶縁層は、前記第２の層からなり、前記梁部は、前記第３の層を加工することにより形成される。
【００１１】
請求項３記載の発明では、請求項１または請求項２記載の発明において、前記孔は、等間隔に複数設けられている。
【００１２】
請求項４記載の発明では、請求項１、請求項２または請求項３に記載の発明において、前記錘部を所定の周期で振動させる振動手段を備え、前記力学量取得手段は、前記検出手段で検出された静電容量に基づき角速度を取得する。
【００１３】
請求項５記載の発明では、請求項２、請求項３または請求項４記載の発明において、前記積層基板は、前記第１の層及び前記第３の層がシリコンにより形成され、前記第２の層が酸化膜により形成されたＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）基板である。
【００１４】
請求項６記載の発明では、請求項２、請求項３、請求項４または請求項５記載の発明において、前記第３の層を加工することにより形成され、前記梁部の一端が固定されたフレームと、前記第２の層における前記梁部と接しない領域内に形成され、前記固定電極及び前記フレームが固定される支持部と、を備える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、浸食液を浸入させる孔を設けることにより、絶縁層の浸食をより効率よく形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（１）実施形態の概要
図１に示すように、支持層１と活性層３の間に絶縁層２が形成されている３層構造を有する積層基板を加工して、加速度や角速度などの力学量を検出する力学量センサを形成する。支持層１及び活性層３は、シリコン結晶などの導体からなり導電層を形成する。
力学量センサは、フレーム１１、梁１２、錘体１３、電極支持部２１、ギャップ２２及び固定電極３１を備えている。
フレーム１１、梁１２及び錘体１３は、支持層１にエッチング処理を施すことにより形成されている。
電極支持部２１、ギャップ２２は、絶縁層２にウェットエッチング処理を施すことにより形成されている。
【００１７】
固定電極３１は、活性層３にエッチング処理を施すことにより形成されている。
梁１２は、一端がフレーム１１に固定された可撓性を有する部材であり、錘体１３を可動な状態に支持する。この梁１２の作用により、錘体１３は、外部より加わる力により振動させたり、捩れる動きが可能となっている。
また、固定電極３１には、絶縁層２にギャップ２２を形成する際のエッチング液（薬液）の回り込みを良くするためのエッチング促進用の孔（ホール）が形成されている。
固定電極３１の厚さ方向に貫通するエッチング促進用の孔を設けることによりエッチング液の回り込み特性を向上させることができる。
このように構成される力学量センサにおいて、作用する力学量を錘体１３の姿勢変化に基づいて検出する。
錘体１３の姿勢変化は、可動電極と固定電極３１とで形成される静電容量素子の静電容量の変化から導き出されるギャップ２２の変化に基づいて検出される。
【００１８】
（２）実施形態の詳細
以下、本発明の好適な実施の形態について、図１〜図８を参照して詳細に説明する。
本実施形態では、力学量センサの例として、加速度センサ及び角速度センサについて説明する。
また、本実施の形態に係る力学量センサは、半導体基板を加工して形成された半導体センサ素子である。なお、半導体基板の加工は、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）技術を用いて行うことができる。
加速度センサを構成する基板における各層の積層方向と同一方向を上下方向、即ちｚ軸（方向）と定義する。そして、このｚ軸と直交し、かつ互いの軸と直交する軸をｘ軸（方向）及びｙ軸（方向）と定義する。つまり、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸は、それぞれ互いに直交する３軸となる。
【００１９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る加速度センサの概略構成を示した断面図である。
また、図２（ａ）は図１に示す加速度センサの上部方向から見た平面図であり、図２（ｂ）は図１に示すＢ平面における断面を示した図であり、図２（ｃ）は図１に示すＣ平面における断面を示した図である。
なお、図１の断面図は、図２（ａ）に示す線分Ａ−Ａ’の位置における加速度センサの断面を示した図である。
第１の実施形態に係る加速度センサは、支持層１、埋込酸化層２、活性層３の３層構造を有するＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）基板から形成されている。
支持層１は、厚さが数百μｍのシリコン（Ｓｉ）層からなる。埋込酸化層２は、厚さが数ｎｍ〜数μｍの絶縁体である酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜層からなる。活性層３は、厚さが数μｍ〜数百μｍのシリコン（Ｓｉ）層からなる。
支持層１には、エッチング処理を施すことによりフレーム１１、梁１２及び錘体１３が形成されている。なお、錘体１３は、導電性を有し可動電極として機能する。
【００２０】
図２（ｃ）に示すように、フレーム１１は、錘体１３を囲むように周縁部に設けられた固定部であり、加速度センサの枠組みを構成する。フレーム１１は、中空角柱状の部材であり、支持層１の厚みと同等の高さを有する。
梁１２は、錘体１３の中心から放射方向に（フレーム１１の方向に）十字方向に延びる４つの帯状の薄部材であり、可撓性を有している。梁１２は、フレーム１１及び錘体１３に固定されている。
ここで、梁１２における撓み特性について説明する。
梁１２の撓み特性は、梁１２の形状、材質等の要素に基づいて決定されるバネ定数ｋに基づいて変化する。また、バネ定数ｋは、錘体１３の共振周波数を決定する重要なパラメータとして作用する。
このバネ定数ｋは、梁１２の長さＬ、即ち錘体１３とフレーム１１との間隔と関係している。バネ定数ｋは、（１／Ｌの３乗）の値に比例する。
従って、適切なバネ定数ｋを有する梁１２を構成するためには、長さＬの梁１２を精度良く形成する必要がある。
【００２１】
ところが、電極支持部２１が梁１２と重なる領域に渡って形成されると、梁１２の実質的な長さ、即ち、可撓性を有する部材として機能する領域が短くなってしまう。
このような電極支持部２１が形成される範囲（領域）の影響により、梁１２のバネ定数ｋの誤差が生じ、錘体１３において所望の振動特性が適切に得られないといった不具合が発生するおそれがある。
そこで、本実施の形態に係る加速度センサでは、電極支持部２１の形成領域の範囲を特定している。
詳しくは、電極支持部２１は、フレーム１１における梁１２の形成部位（梁１２の根元の位置）よりも外側（フレーム１１の外側面側）の領域内に形成される。
【００２２】
つまり、電極支持部２１は、梁１２側に出ないように、即ち梁１２の形成領域と重ならないように形成されている。
言い換えると、図１に示すように、電極支持部２１の内側面とフレーム１１の内側面との距離ｄは、ｄ≧０の関係を満たす。
但し、距離ｄは、フレーム１１の外側面から内側面までの距離（間隔）から、フレーム１１の外側面から電極支持部２１の内側面までの距離（間隔）を引いた差分を示す。
このように、電極支持部２１をフレーム１１のｚ軸方向の延長領域より外側（梁１２の形成位置と反対側）へ浸食した状態に形成することにより、電極支持部２１による影響を受けない梁１２を適切に形成することができる。
【００２３】
錘体１３は、４つの梁１２によりフレーム１１に固定された６面体の質量体である。錘体１３は、梁１２の作用により、外部より加わる力により振動させたり、捩れる動きが可能となっている。
錘体１３の周部には、錘体１３を可動にするための可動隙間１４が形成されている。
また、錘体１３の底面、即ち下面の下部領域にも、錘体１３を可動にするための空間である可動隙間１５が形成されている。
なお、可動隙間１５は、錘体１３の厚みをフレーム１１の厚みより小さくすることにより形成されている。
【００２４】
埋込酸化層２には、エッチング処理を施すことにより、電極支持部２１が形成されている。図２（ｂ）に示すように、電極支持部２１は、梁１２の延長領域、即ちフレーム１１を構成する各辺（壁）の中央部に設けられた方形の部材である。この電極支持部２１は、埋込酸化層２と等しい厚みを有している。
そして、埋込酸化層２には、電極支持部２１を形成する際にエッチングされた領域により、ギャップ（隙間）２２が形成されている。
【００２５】
活性層３には、エッチング処理を施すことにより固定電極３１が形成されている。第１の実施形態に係る加速度センサでは、図２（ａ）に示すように、４つの固定電極３１が設けられている。
固定電極３１は、直角二等辺三角形の電極部３１ａ及び長方形の支持部３１ｂから構成されている。電極部３１ａにおける直角と対向する斜辺の中央部から外側に延びるように支持部３１ｂが形成されている。
そして、電極部３１ａにおける直角をなす二辺の頂点が、錘体１３の中心方向に向くように、中心を取り囲んで９０°ごとに配置されている。
同一平面上の対向する電極同士、即ち中央を挟んで反対側に位置する電極同士が対となり、錘体１３の姿勢状態の各軸方向成分を検出する。
【００２６】
錘体１３の姿勢状態のｘ軸方向成分を検出するための固定電極３１は、直角二等辺三角形の直角を二等分する二等分線（中心線）がｘ軸と重なる位置に配置されている。
同様に、錘体１３の姿勢状態のｙ軸方向成分を検出するための固定電極３１も、直角二等辺三角形の直角を二等分する二等分線（中心線）がｙ軸と重なる位置に配置されている。
図示されていないが、固定電極３１は、外部に設けられた信号処理回路（信号処理装置）と引出用の配線（引出配線）により接続されている。そして、これらの引出配線を介して、各種信号が電極に印加されるように構成されている。
なお、電極間の静電容量は、静電容量／電圧変換（Ｃ／Ｖ変換）回路を用いて電気的に検出することができる。
【００２７】
Ｃ／Ｖ変換回路として、例えば、十分周波数の高いキャリア信号（参照信号）を静電容量素子に印加し、その出力信号の振幅の変化量を静電容量として検出する方法がある。
静電容量素子に印加されたキャリア信号の出力は、その振幅が静電容量に比例する。そのため、入力キャリア信号と出力キャリア信号の振幅を比較することにより、静電容量を検出することができるようになっている。
第１の実施形態に係る加速度センサでは、固定電極３１にキャリア信号として、周波数帯域が数百ｋＨｚ〜数ＭＨｚである交流信号が印加されている。
【００２８】
また、第１の実施形態に係る加速度センサには、固定電極パッド４１及び共通電極パッド４２が設けられている。
固定電極パッド４１は、固定電極３１の電位を引き出すためのターミナルパッドであり、この固定電極パッド４１を介して引出配線が信号処理回路に接続される。
同様に共通電極パッド４２は、共有電極即ち支持層１の電位を引き出すためのパッド、であり、この共通電極パッド４２を介して引出配線が信号処理回路に接続される。
【００２９】
このように構成される加速度センサでは、加速度の作用により変化する錘体１３の姿勢変化を錘体１３における可動電極と固定電極３１との間に形成されたギャップ２２の変化に基づいて加速度を検出する。
詳しくは、ギャップ２２の変化は、錘体１３における可動電極と固定電極３１とで形成される静電容量素子の静電容量の変化に基づいて検出される。静電容量の変化は、Ｃ／Ｖ変換回路を用いて行う。そして、検出された静電容量の変化量をこれに相当する加速度に変換する。
【００３０】
次に、上述した加速度センサの製造方法について説明する。
第１の実施形態に係る加速度センサは、支持層１、埋込酸化層２、活性層３の３層構造を有するＳＯＩ基板を加工することにより形成される。
はじめに、活性層３をエッチングして固定電極３１を形成する。詳しくは、活性層３の表面にエッチング用マスクを形成し、このマスクに沿ってエッチング加工を施す。
続いて、固定電極パッド４１及び共通電極パッド４２を形成する。つまり、固定電極３１及び錘体１３の電位を確保するための電極を接合する。
電極の材料としては、アルミニウム等の単一金属やバイメタルが用いられる。
【００３１】
次に、支持層１をエッチングして、フレーム１１、梁１２及び錘体１３を形成する。
詳しくは、支持層１の表面にエッチング用マスクを形成し、このマスクに沿ってエッチング加工を施す。
この支持層１のエッチング処理は、プラズマによる深いトレンチエッチングを施すＤ−ＲＩＥ（ディープ−リアクティブ・イオン・エッチング）技術を利用して行う。
なお、Ｄ−ＲＩＥは、ドライエッチングの一種である特定の方向にエッチングが進行する異方性エッチングに分類される。
なお、支持層１及び活性層３におけるエッチング処理では、エッチング用のマスク材として、酸化珪素や窒化珪素、レジストが用いられる。また、エッチングの種類として、反応性イオンエッチングや誘導結合プラズマエッチングといったドライエッチングが用いられる。
【００３２】
最後に、埋込酸化層２をエッチングしてギャップ２２を形成する。
加速度センサの構造上、ドライエッチング処理を施すことが困難であるため、この埋込酸化層２のエッチング処理は、ウェットエッチングの技術を利用して行う。埋込酸化層２をエッチングするための薬液としてフッ酸（ＨＦ）やフッ化アンモン（ＮＨ４Ｆ）を用いる。
なお、第１の実施形態に係る加速度センサでは、埋込酸化層２のエッチング処理工程（フォトリソグラフィ工程）において、反応をゆっくり起こさせるために、フッ酸（ＨＦ）水溶液をフッ化アンモン（ＮＨ４Ｆ）などのバッファ液と混合したエッチング液（薬液）を用いる。
【００３３】
このように、第１の実施形態に係る加速度センサでは、ギャップ２２即ち錘体１３における可動電極と固定電極３１との隙間（ギャップ２２）を埋込酸化層２を浸食することにより形成している。
そのため、錘体１３の姿勢変化を検出するための静電容量素子の電極間隔、即ち可動電極と固定電極３１とのギャップ２２の長さ（間隔）を埋込酸化層２に厚みにより制御（調整）することができる。
これにより、微小なギャップ２２の長さ（間隔）を精度良く形成することが容易にできる。
【００３４】
上述したように、第１の実施形態に係る加速度センサでは、錘体１３における可動電極と固定電極３１とのギャップ２２をウェットエッチングにより形成している。
そのため、エッチング部位（即ちギャップ２２）が狭くて奥深い形状を有している場合（例えば、固定電極３１が広く埋込酸化層２が薄い場合）、固定電極３１の中心に向かうに従ってエッチング液（薬液）の流動が悪化するおそれがある。
すると、エッチングの進行が時間の経過と共に遅くなり、意図したギャップ２２を形成するために時間が掛かったり、エッチング不良を引き起こしたりする可能性がある。
エッチング不良が生じてしまうと、例えば、除去されなかった酸化シリコンが固定電極３１や錘体１３に残ってしまうと、ギャップ２２を平坦に形成できないおそれがある。
【００３５】
そこで、第１の実施形態に係る加速度センサにおいては、エッチング処理におけるばらつきを抑制するために、固定電極３１にエッチング液（薬液）の回り込みを良くするためのエッチング促進用の孔（ホール）を形成する。エッチング促進用の孔（ホール）を形成することにより、ギャップ２２を平坦に精度良く効率的に形成することができる。
詳しくは、図３（ａ）に示すように、固定電極３１には、ｘ軸方向またはｙ軸方向に沿って延びるスリット３２が、等間隔に隣接して形成されている。
このようなスリット３２を設けた場合には、固定電極３１におけるスリット３２に対して垂直方向の強度を保持しつつ、エッチングの進行を任意に制御することができる。
【００３６】
図３（ｂ）に示すように、スリット３２の代わりに、ｘ軸方向及びｙ軸方向に沿って等間隔に角孔３３を固定電極３１に形成するようにしてもよい。
また、角孔３３のような方形ではなく、円形、六角形などの多角形の孔を等間隔に配設するようにしてもよい。このような配設構造をハニカム構造とする。
このようなハニカム構造の孔を設けた場合には、固定電極３１における全体強度を保持しつつ、方向性を抑えたエッチングの進行を任意に制御することができる。
なお、支持層１に形成されたフレーム１１上には、電極支持部２１を形成するために埋込酸化層２を残す必要があるため、固定電極３１におけるフレーム１１と重なる領域にはエッチング促進用の孔は設けられていない。
エッチング促進用の孔を設けることにより、固定電極３１の軽量化を図ることができる。これにより固定電極３１の共振周波数の帯域をより高い方向へシフトさせることができ、結果として固定電極３１の耐振性を向上させることができる。
【００３７】
また、図２（ａ）に示すように固定電極３１は、電極部３１ａ及び支持部３１ｂから構成され、支持部３１ｂの終端部において、電極支持部２１を介してフレーム１１に固定されている。
そして、支持部３１ｂは、電極部３１ａにおいて検出される静電容量の変化量に与える影響を抑制するために、極力小さくなるように構成されている。即ち、支持部３１ｂは、電極部３１ａと比較して極端に小さく構成されている。また、固定電極３１を形成する活性層３の厚み方向の長さも小さい。
そのため、強度の高い固定電極３１を構成することが難しい。そこで、本実施の形態に係る加速度センサにおいては、固定電極３１の強度を向上させるための補強手段を付加するようにしてもよい。
固定電極３１の補強手段としては、例えば、図８に示す補強部材１００があり、この補強部材１００をそれぞれの固定電極３１に接合（接着）する。なお、図８には、１つの固定電極３１に補強部材１００を設けた例を示す。
【００３８】
補強部材１００は、電極として機能させないために絶縁体で形成されている。
補強部材１００は、固定電極３１における電極部３１ａと同一形状の直角三角形と、この直角三角形における直角と対向する斜辺を一辺とする方形とを組み合わせた形状を有している。なお、補強部材１００における方形の領域は、固定電極３１における支持部３１ｂが全て含まれる程度の面積を有する。
補強部材１００は、固定電極３１の外側面に接合（接着）して固定される。ここでは、固定電極３１と可動電極とのギャップ２２の長さに影響を与えるおそれがあるため、補強部材を直接フレーム１１に固定しない。
補強部材１００を設ける場合、固定電極パッド４１は、補強部材１００の上に設ける。なお、この場合、補強部材１００は絶縁材として機能するため、固定電極３１と固定電極パッド４１を導通させるためのコンタクトを補強部材１００に設ける。
このように、補強部材１００、即ち固定電極３１の補強手段を設けることにより、固定電極３１の強度を向上させることができる。
【００３９】
また、上述した第１の実施形態では、２軸方向に作用する加速度を検出する加速度センサを例に説明をしたが、ＳＯＩ基板を用いて形成される力学量センサはこれに限定されるものではない。
例えば、片梁構造によって構成される１軸方向に作用する加速度を検出する１軸検出の加速度センサであってもよい。
なお、片梁構造とは、錘体を一方向から梁を介してフレーム等の固定部に支持する構造を示す。
【００４０】
次に、上述した加速度センサの変形例について説明する。
図４（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る加速度センサの変形例の概略構成を示した図である。但し、図１及び図２に示す加速度センサと重複する箇所については、同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
図４（ａ）は加速度センサの上部方向から見た平面図であり、図４（ｂ）は埋込酸化層２（Ｂ平面）における断面を示した図であり、図４（ｃ）は支持層１（Ｃ平面）における断面を示した図である。
図４（ａ）〜（ｃ）に示す加速度センサの変形例は、上述した加速度センサにおける錘体１３及び固定電極３１の形状を変え、検出軸（ｘ軸及びｙ軸）の方向を４５°回転した構造となっている。
なお、Ａ−Ａ’における断面は、図１に示す加速度センサとほぼ一致するため、図１を流用して説明を行う。但し、対向する固定電極３１’との隙間、錘体１３’とフレーム１１との隙間の描写は若干異なる。
【００４１】
支持層１には、エッチング処理を施すことにより、フレーム１１、梁１２、錘体１３’が形成されている。
第１の実施形態に係る加速度センサの変形例では、図４（ｃ）に示すように、錘体１３’は、中央部に位置する角柱状の錘部１３１、この錘部１３１の４隅にそれぞれバランスを保って配設された角柱状の錘部１３２から構成されている。なお、錘部１３１及び錘部１３２は、連続した固体として一体に形成されている。
錘体１３’の周部、詳しくは錘部１３２の周部には、錘体１３’を可動にするための可動隙間１４’が形成されている。可動隙間１４’は、フレーム１１と錘体１３’との間に形成されている。
【００４２】
活性層３には、エッチング処理を施すことにより固定電極３１’が形成されている。第１の実施形態に係る加速度センサの変形例では、図４（ａ）に示すように、４つの固定電極３１’が設けられている。
固定電極３１’は、方形の電極部３１ａ’及び長方形の支持部３１ｂ’から構成されている。固定電極３１’は、電極部３１ａ’及び支持部３１ｂ’によりＬ字（くの字）形に形成されている。
そして、支持部３１ｂ’の端部がフレーム１１上の電極支持部２１に固定されている。電極部３１ａ’は、錘部１３２の上端面と対向するようにそれぞれ形成されている。
同一平面上の対向する電極同士、即ち中央を挟んで反対側に位置する電極同士が対となり、錘体１３’の姿勢状態の各軸方向成分を検出する。
【００４３】
なお、このような構成された加速度センサの変形例も、上述した加速度センサと同様の製造方法により形成される。
従って、変形例における加速度センサにおける錘体１３’と固定電極３１’との間のギャップ２２は、埋込酸化層２をエッチング処理することにより形成される。
そのため、このように構成された加速度センサにおいても、図３（ａ）（ｂ）に示すような、上述したエッチング促進用の孔（ホール）を固定電極３１’に形成する。これによりエッチング液（薬液）の回り込み特性が向上し、エッチング処理におけるばらつきを抑制することができる。
【００４４】
次に、上述した加速度センサにおける埋込酸化層２をエッチング処理することにより錘体１３と固定電極３１とのギャップ２２を形成する技術を応用した角速度センサについて説明する。
図５（ａ）は角速度センサの上部方向から見た平面図であり、図５（ｂ）は埋込酸化層２（Ｂ平面）における断面を示した図であり、図５（ｃ）は支持層１（Ｃ平面）における断面を示した図である。
図５（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る角速度センサの概略構成を示した図である。但し、図１及び図２（ａ）〜（ｃ）に示す加速度センサ、図４（ａ）〜（ｃ）に示す加速度センサの変形例と重複する箇所については、同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
第１の実施形態に係る角速度センサも上述した加速度センサと同様に、支持層１、埋込酸化層２、活性層３の３層構造を有するＳＯＩ基板から形成されている。
なお、Ａ−Ａ’における断面は、図１に示す加速度センサと活性層３を除く部位においてほぼ一致するため、図１を流用して説明を行う。但し、対向する固定電極３１の代わりに該当位置には駆動電極３１２が設けられている。また、錘体１３’とフレーム１１との隙間の描写は若干異なる。
【００４５】
第１の実施形態に係る角速度センサにおける埋込酸化層２には、エッチング処理を施すことにより、電極支持部２１’が形成されている。図５（ｂ）に示すように、電極支持部２１’は、梁１２の延長領域、即ちフレーム１１を構成する各辺（壁）の中央部からｘ軸またはｙ軸方向に若干ずれた位置に設けられた方形の部材である。この電極支持部２１’は、埋込酸化層２と等しい厚みを有している。
そして、埋込酸化層２には、電極支持部２１’を形成する際にエッチングされた領域により、ギャップ（隙間）２２が形成されている。
【００４６】
第１の実施形態に係る角速度センサにおける活性層３には、エッチング処理を施すことにより固定電極３１１及び駆動電極３１２が形成されている。
第１の実施形態に係る角速度センサでは、図５（ａ）に示すように、４つの固定電極３１１が設けられている。
固定電極３１１は、略方形の電極部３１１ａ、方形の支持部３１１ｂ、長方形の支持部３１１ｃから構成されている。
電極部３１１ａは、錘部１３２の上端面と対向するようにそれぞれ形成されている。電極部３１１ａから隣接する電極支持部２１’方向へ延びるように、支持部３１１ｂ及び支持部３１１ｃがそれぞれ形成されている。支持部３１１ｂ及び支持部３１１ｃの端部がフレーム１１上の電極支持部２１’に固定されている。
支持部３１１ｂと電極支持部２１’との接合領域上に固定電極パッド４１が設けられている。
【００４７】
駆動電極３１２は、錘部１３１を中心として十字方向に延びる電極であり、十字方向のそれぞれの端部において、電極支持部２１’に固定されている。また、駆動電極３１２と電極支持部２１’との固定部のうちの一箇所に、駆動電極パッド４３が設けられている。
駆動電極パッド４３は、駆動電極３１２の電位を引き出すためのターミナルパッドであり、この駆動電極パッド４３を介して引出配線が制御回路に接続される。
【００４８】
次に、このような構成を有する角速度センサにおける角速度の検出動作について説明する。
角速度センサは、駆動電極３１２と錘体１３’との間に交流電圧を印加する。詳しくは、駆動電極パッド４３と共通電極パッド４２間に交流電圧を印加する。
そして、駆動電極３１２と錘体１３’との間に静電力を作用させ、錘体１３’を上下に振動させる。
上下方向は、ＳＯＩ基板の積層方向と同一方向であり、即ちｚ軸方向である。
【００４９】
錘体１３’を上下振動させるために印加する交流電圧の周波数、即ち、錘体１３’の振動周波数は、錘体１３’が共振振動する共振周波数ｆ（例えば３ｋＨｚ程度）に設定されている。  このように、錘体１３’を共振周波数ｆで振動させることにより錘体１３’の大きな変位量を得ることができる。
この速度ｖで振動している質量ｍの錘体１３’の周りに角速度Ωが加わると、錘体１３’の中心には、“Ｆ＝２ｍｖΩ”のコリオリ力が錘体１３’の運動方向に対し直交する方向に発生する。
【００５０】
このコリオリ力Ｆが発生すると、錘体１３’にねじれが加わり錘体１３’の姿勢が変化する。即ち、錘体１３’の振動の運動方向と直交する面に対して、錘体１３’が傾く。この錘体１３’の姿勢の変化（傾き、ねじれ量）を検出することにより、作用する角速度の向きや大きさを検出するようになっている。
錘体１３’の姿勢の変化は、固定電極３１１とこれに対向する錘部１３２とで構成される静電容量素子における静電容量の変化を検出することにより行う。
つまり、固定電極３１１と可動電極（錘部１３２）との距離の変化を検出することにより錘体１３’の姿勢の変化を検出する。
【００５１】
なお、静電容量素子の静電容量は、静電容量／電圧変換（Ｃ／Ｖ変換）回路を用いて電気的に検出することができる。
検出された錘体１３’の姿勢の変化（傾斜方向、傾斜度合い等）に基づいて発生したコリオリ力Ｆを検出する。そして、検出されたコリオリ力Ｆに基づいて、角速度Ωを算出（導出）する。つまり、錘体１３’の姿勢の変化量を角速度に変換する。
錘体１３’の姿勢の変化量は、予め制御装置に記憶されている角速度算出プログラムを起動し、所定の演算処理を行うことにより角速度に変換される。
【００５２】
なお、このような構成された角速度センサも、上述した加速度センサと同様の製造方法により形成される。
従って、変形例における角速度センサにおける錘体１３’と固定電極３１１との間のギャップ２２は、埋込酸化層２をエッチング処理することにより形成される。
そのため、このように構成された角速度センサにおいても、図３（ａ）（ｂ）に示すような、上述したエッチング促進用の孔（ホール）を固定電極３１１に形成する。これによりエッチング液（薬液）の回り込み特性が向上し、エッチング処理におけるばらつきを抑制することができる。
【００５３】
（第２の実施形態）
次に、上述した第１の実施形態と異なる力学量センサの第２の実施形態について説明する。
図６（ａ）は、第２の実施形態に係る加速度センサの概略構成を示した断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示す加速度センサの上部方向から見た平面図である。
また、図７（ａ）は図６（ａ）に示すＢ平面における断面を示した図であり、図７（ｂ）は図６（ａ）に示すＣ平面における断面を示した図であり、図７（ｃ）は図６（ａ）に示すＤ平面における断面を示した図である。
なお、図６（ａ）の断面図は、図２（ｂ）に示す線分Ａ−Ａ’の位置における加速度センサの断面を示した図である。
【００５４】
第２の実施形態に係る加速度センサは、支持層５、埋込酸化層６、活性層７の３層構造を有するＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）基板から形成されている。
支持層５は、厚さが数百μｍのシリコン（Ｓｉ）層からなる。埋込酸化層６は、厚さが数ｎｍ〜数μｍの絶縁体である酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜層からなる。活性層７は、厚さが数μｍ〜数百μｍのシリコン（Ｓｉ）層からなる。
支持層５には、エッチング処理を施すことによりフレーム５１、錘体５２、固定電極５３が形成されている。
【００５５】
図７（ｃ）に示すように、フレーム５１は、錘体５２を囲むように周縁部に配設された固定部であり、加速度センサの枠組みを構成する。フレーム５１は、支持層５の厚みと同等の高さを有する。
錘体５２は、６面体の質量体であり、後述する梁７２の作用により、外部より加わる力
により振動させたり、捩れる動きが可能となっている。
錘体５２の周部には、錘体５２を可動にするための可動隙間５４、５５が形成されている。
また、錘体５２の底面、即ち下面の下部領域にも、錘体５２を可動にするための空間である可動隙間５６が形成されている。
なお、可動隙間５６は、錘体５２の厚みをフレーム５１の厚みより小さくすることにより形成されている。
【００５６】
錘体５２を可動にするための可動隙間５５は、フレーム５１の内側面（錘体５２と対向する面）と錘体５２の側面との間に形成されている。
固定電極５３は、フレーム５１の内側面（錘体５２と対向する面）から錘体５２の方向に凸出する板状の電極部であり、フレーム５１と一体に形成されている。固定電極５３は、ｚ軸と直交するｘ−ｙ平面に沿って形成されている。
固定電極５３は、独立して形成された（一体に形成されていない）４つのフレーム５１にそれぞれ形成されている。そのため、それぞれの固定電極５３は、電気的に絶縁されている。
錘体５２を可動にするための可動隙間５４は、固定電極５３の先端部（端面）と錘体５２との間に形成されている。
【００５７】
埋込酸化層６には、エッチング処理を施すことにより、電極支持部６１が形成されている。図７（ｂ）に示すように、電極支持部６１は、フレーム５１のｚ軸方向の延長領域における後述する梁７２の延長領域に設けられた方形の部材である。この電極支持部６１は、埋込酸化層２と等しい厚みを有している。
また、埋込酸化層６には、エッチング処理を施すことにより、錘体支持部６２が形成されている。
錘体支持部６２は、錘体５２を後述する梁構造体７１に固定（支持）するための部位であり、錘体５２のｚ軸方向の延長領域、即ち梁構造体７１の中央部に形成されている。
埋込酸化層６には、電極支持部６１及び錘体支持部６２を形成する際にエッチングされた領域における、電極支持部６１と錘体支持部６２との間に、ギャップ（隙間）６３が形成されている。
【００５８】
活性層７には、エッチング処理を施すことにより梁構造体７１が形成されている。梁構造体７１は、図６（ｂ）に示すように、錘体５２の形成領域から放射方向に十字方向に延びるの部材である。
梁構造体７１は、十字方向に延びたそれぞれの終端部が、電極支持部６１を介してフレーム５１に固定されている。
また、梁構造体７１における電極支持部６１及び錘体支持部６２と接触していない領域、即ちギャップ６３と接し固定電極５３と対向する領域は、錘体支持部６２を介して梁構造体７１に固定された錘体５２をフレーム５１対して支持するための梁７２を構成する。
この梁７２は、可撓性及び導電性を有し可動電極として機能する。
なお、錘体支持部６２を介して錘体５２を梁構造体７１に固定することにより、錘体５２と梁構造体７１とは、電気的に絶縁状態となる。
【００５９】
梁７２の撓み特性は、第１の実施形態における梁１２と同様に、梁７２の形状、材質等の要素に基づいて決定されるバネ定数ｋに基づいて変化する。また、バネ定数ｋは、錘体５２の共振周波数を決定する重要なパラメータとして作用する。
このバネ定数ｋは、梁７２の厚みｔと関係している。詳しくは、このバネ定数ｋは、梁７２の厚みｔの３乗に比例する。
従って、適切なバネ定数ｋを有する梁７２を構成するためには、厚みｔの梁７２を精度良く形成しなければならない。
第２の実施形態に係る加速度センサにおいて、梁７２（梁構造体７１）は、活性層７をエッチングすることにより形成されている。
活性層７は、ＳＯＩ基板のシリコン（Ｓｉ）層であるため、基板の状態で活性層厚を精度良く形成することが可能である。またシリコン（Ｓｉ）層であるため、埋込酸化膜層のエッチングの影響を受けることがない。つまり、埋込酸化膜層のエッチングの際に浸食されて厚みが変わることがないため、梁７２（梁構造体７１）を精度良く形成することができる。
【００６０】
また、図示されていないが、本実施の形態に係る加速度センサの外部には、信号処理回路（信号処理装置）が設けられている。
第２の実施形態に係る加速度センサには、共通電極パッド８１及び固定電極パッド８２が設けられている。
共通電極パッド８１は、梁構造体７１の十字方向に延びた終端部の１つに設けられた電極パッドである。共通電極パッド８１は、梁構造体７１に形成された可動電極（共通電極）の電位を引き出すためのターミナルパッドであり、この共通電極パッド８１を介して引出配線が信号処理回路に接続される。
また、固定電極パッドは、それぞれのフレーム５１の上端面に設けられた電極パッドである。固定電極パッド８２は、固定電極５３の電位を引き出すためのターミナルパッドであり、この固定電極パッド８２を介して引出配線が信号処理回路に接続される。
【００６１】
このように構成される加速度センサでは、加速度の作用により変化する錘体５２の姿勢変化を固定電極５３と可動電極として機能する梁７２との間に形成されたギャップ６３の変化に基づいて加速度を検出する。
詳しくは、ギャップ６３の変化は、固定電極５３と梁７２とで形成される静電容量素子の静電容量の変化に基づいて検出される。静電容量の変化は、Ｃ／Ｖ変換回路を用いて行う。そして、検出された静電容量の変化量をこれに相当する加速度に変換する。
なお、Ｃ／Ｖ変換処理は、第１の実施形態に示す角速度センサ及び角速度センサと同様の方法を用いて行う。
【００６２】
なお、このように構成される加速度センサは、錘体５２をｚ軸方向に振動させる駆動手段を設け角速度センサとして機能させるように構成することもできる。
駆動手段により錘体５２をｚ軸方向に振動させ、振動方向と直交する面に対する錘体５２の傾きをギャップ６３の間隔の変化を検出し、検出されたギャップ６３の間隔の変化量に基づいて、錘体５２に作用する角速度を検出する。
詳しくは、固定電極５３及び可動電極（梁７２）により形成される静電容量素子における静電容量の変化に基づいて、錘体５２に作用するコリオリ力を検出する。そして、検出されたコリオリ力に基づいて、角速度を算出（導出）する。つまり、錘体５２の姿勢の変化量を角速度に変換する。
【００６３】
次に、上述した加速度センサの製造方法について説明する。
第２の実施形態に係る加速度センサは、支持層５、埋込酸化層６、活性層７の３層構造を有するＳＯＩ基板を加工することにより形成される。
はじめに、活性層７をエッチングして梁構造体７１を形成する。詳しくは、活性層７の表面にエッチング用マスクを形成し、このマスクに沿ってエッチング加工を施す。
【００６４】
次に、支持層５をエッチングして、フレーム５１、錘体５２及び固定電極５３を形成する。
詳しくは、支持層５の表面にエッチング用マスクを形成し、このマスクに沿ってエッチング加工を施す。
この支持層５のエッチング処理は、プラズマによる深いトレンチエッチングを施すＤ−ＲＩＥ技術を利用して行う。
なお、支持層５及び活性層７におけるエッチング処理では、エッチング用のマスク材として、酸化珪素や窒化珪素、レジストが用いられる。また、エッチングの種類として、反応性イオンエッチングや誘導結合プラズマエッチングといったドライエッチングが用いられる。
【００６５】
続いて、埋込酸化層６をエッチングして電極支持部６１、錘体支持部６２及びギャップ６３を形成する。
加速度センサの構造上、ドライエッチング処理を施すことが困難であるため、この埋込酸化層６のエッチング処理は、ウェットエッチングの技術を利用して行う。
なお、このウェットエッチングについても、第１の実施形態に係る加速度センサと同様の方法を用いて行う。
最後に、共通電極パッド８１及び固定電極パッド８２を形成する。つまり、固定電極５３及び梁７２（可動電極）の電位を確保するための電極を接合する。
電極の材料としては、アルミニウム等の単一金属やバイメタルが用いられる。
【００６６】
第２の実施形態に係る加速度センサにおいても第１の実施形態に係る加速度センサと同様に、固定電極５３と可動電極（梁７２）との隙間（ギャップ６３）を埋込酸化層６を除去することにより形成している。
そのため、錘体５２の姿勢変化を検出するための静電容量素子の電極間隔、即ち可動電極（梁７２）と固定電極５３とのギャップ６３の長さ（間隔）を埋込酸化層６に厚みにより制御（調整）することができる。
これにより、微小なギャップ６３の長さ（間隔）を精度良く形成することが容易にできる。
【００６７】
また、第２の実施形態に係る加速度センサにおいても第１の実施形態に係る加速度センサと同様に、埋込酸化層６をウェットエッチングで除去することによりギャップ６３を形成している。
そのため、このように構成された加速度センサにおいても、図３（ａ）（ｂ）に示すような、上述したエッチング促進用の孔（ホール）を固定電極５３または可動電極（梁７２）に形成する。これによりエッチング液（薬液）の回り込み特性が向上し、エッチング処理におけるばらつきを抑制することができる。
詳しくは、図７（ｂ）の囲み破線で示した領域ａの部位、即ち固定電極５３における梁７２と対向する領域にエッチング促進用の孔（ホール）を設ける。
または、梁構造体７１における固定電極５３と対向する領域にエッチング促進用の孔（ホール）を設ける。
これによりエッチング液（薬液）の回り込み特性が向上し、エッチング処理におけるばらつきを抑制することができる。
【００６８】
また、エッチング促進用の孔（ホール）を固定電極５３及び可動電極（梁７２）の双方に形成するようにしてもよい。このように、固定電極５３及び可動電極（梁７２）、即ちギャップ６３の形成部位の両側面にエッチング促進用の孔（ホール）を設けることにより、埋込酸化層６のエッチング処理に掛かる時間の短縮化を図ることができる。
なお、固定電極５３及び可動電極（梁７２）に設けられるエッチング促進用の孔（ホール）は、第１の実施形態と同様に、等間隔に配設されるスリットや角孔、円形孔、六角孔（多角形孔）のハニカム構造により構成される。
【００６９】
スリットを設けた場合には、固定電極５３または可動電極（梁７２）におけるスリットに対して垂直方向の強度を保持しつつ、エッチングの進行を任意に制御することができる。
ハニカム構造の孔を設けた場合には、固定電極５３または可動電極（梁７２）における全体強度を保持しつつ、方向性を抑えたエッチングの進行を任意に制御することができる。
エッチング促進用の孔を設けることにより、固定電極５３または可動電極（梁７２）の軽量化を図ることができる。これにより固定電極５３または可動電極（梁７２）の共振周波数の帯域をより高い方向へシフトさせることができ、結果として固定電極５３または可動電極（梁７２）の耐振性を向上させることができる。
【００７０】
第２の実施形態に係る加速度センサでは、対向する固定電極５３の対を２組み設けることにより、２軸方向に作用する加速度を検出する加速度センサを構成している。
この２軸方向の加速度センサの構成を応用し、１軸検出の角速度センサを構成するようにしてもよい。
詳しくは、２組の対向する固定電極５３の対のうち、一方を錘体５２をｚ軸方向に振動させるための駆動電極とし、もう一方を錘体５２の姿勢変化（傾き）を検出するための検出電極とする。
【００７１】
第１及び第２の実施形態によれば、静電容量検出型の力学量センサにおける静電容量素子の電極を、同一のＳＯＩ基板上に形成することができる。また、電極間のギャップ（間隔）を、ＳＯＩ基板の中間層（埋込酸化層）の厚みにより調整することができる。
これにより、微小な電極間のギャップを精度良く形成することが容易にできる。そのため静電容量を大きくすることができ、感度の良い力学量センサを容易に作ることができる。
従来のように、固定電極３１を配設（固定）するための硝子基板などの別体形成された基板（接合基板）を設ける必要がないため、力学量センサの小型化を図ることができる。
【００７２】
上述した第１および第２の実施形態に係る加速度センサおよび角速度センサは、ＳＯＩ基板を加工して形成されているが、これらのセンサを形成する積層基板は、ＳＯＩ基板に限定されるものではない。即ち、絶縁層は埋込酸化層の酸化シリコン（ＳｉＯ２）で形成されているが、これに限定されるものではない。
例えば、絶縁層を他の絶縁物質の層により形成するようにしてもよい。また、ＳＯＩ基板の代わりに、他の積層基板を用いるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】第１の実施形態に係る加速度センサの概略構成を示した断面図である。
【図２】（ａ）は図１に示す加速度センサの上部方向から見た平面図であり、（ｂ）は図１に示すＢ平面における断面を示した図であり、（ｃ）は図１に示すＣ平面における断面を示した図である。
【図３】エッチング促進用の孔の配設例を示した図である。
【図４】（ａ）は加速度センサの上部方向から見た平面図であり、（ｂ）は埋込酸化層における断面を示した図であり、（ｃ）は支持層における断面を示した図である。
【図５】（ａ）は第１の実施形態に係る角速度センサの上部方向から見た平面図であり、（ｂ）は埋込酸化層における断面を示した図であり、（ｃ）は支持層における断面を示した図である。
【図６】（ａ）は第２の実施形態に係る加速度センサの概略構成を示した断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す加速度センサの上部方向から見た平面図である。
【図７】（ａ）は図６（ａ）に示すＢ平面における断面を示した図であり、（ｂ）は図６（ａ）に示すＣ平面における断面を示した図であり、（ｃ）は図６（ａ）に示すＤ平面における断面を示した図である。
【図８】補強部材の配設例を示した図である。
【符号の説明】
【００７４】
１  支持層
２  埋込酸化層
３  活性層
５  支持層
６  埋込酸化層
７  活性層
１１  フレーム
１２  梁
１３  錘体
１４  可動隙間
１５  可動隙間
２１  電極支持部
２２  ギャップ
３１  固定電極
３１ａ  電極部
３１ｂ  支持部
３２  スリット
３３  角孔
４１  固定電極パッド
４２  共通電極パッド
４３  駆動電極パッド
５１  フレーム
５２  錘体
５３  固定電極
５４  可動隙間
５５  可動隙間
５６  可動隙間
６１  電極支持部
６２  錘体支持部
６３  ギャップ
７１  梁構造体
７２  梁
８１  共通電極パッド
８２  固定電極パッド
１００  補強部材
１３１  錘部
１３２  錘部
３１１  固定電極
３１１ａ  電極部
３１１ｂ  支持部
３１２  駆動電極
【図１】
2006226924.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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