(57)【要約】【課題】  電子デバイスの電極の頂面を傷つけることなく、ウェハ上に狭い間隔で複数形成された電子デバイスを同時に検査することができるプローブユニット、プローブアッセンブリ及び電子デバイスの検査方法を提供する。【解決手段】  検体が形成されるウェハに対してほぼ垂直になる導線固定面を有する基板と、前記導線固定面に固定される基部と、前記基板から突出して前記導線固定面を含む仮想面から離れる方向に延伸する接触部と、外部電極に接続される連絡部とを有し、前記接触部の非鋭利部位が前記検体の電極の頂面又は頂面角部に摺接する導線と、を備えることを特徴とするプローブユニット。【選択図】    図１
2006214882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検体が形成されるウェハに対してほぼ垂直になる導線固定面を有する基板と、
前記導線固定面に固定される基部と、前記基板から突出して前記導線固定面を含む仮想面から離れる方向に延伸する接触部と、外部電極に接続される連絡部とを有し、前記接触部の非鋭利部位が前記検体の電極の頂面又は頂面角部に摺接する導線と、
を備えることを特徴とするプローブユニット。
【請求項２】
前記検体の電極に摺接する前記導線の第一面の裏面に相当する前記導線の第二面が前記導線固定面に固定されることを特徴とする請求項１に記載のプローブユニット。
【請求項３】
前記基板は、前記基板を前記検体に対して位置決めするための相手部材に当接しリソグラフィにより形成された位置決め部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブユニット。
【請求項４】
前記連絡部は、前記基板から突出して前記導線固定面を含む仮想面から離れる方向に延伸し外部電極の頂面又は頂面角部に摺接することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項５】
前記接触部の前記検体の電極と摺接する部位は金又は白金属元素からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項６】
前記基板は、リソグラフィを用いて複数の前記導線と一体に形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項７】
複数の前記導線が互いに平行に配列された請求項６に記載のプローブユニットと、
前記連絡部に接続される複数の第一電極と、前記第一電極同士の間隔より広い間隔で配列されている複数の第二電極と、前記第一電極と前記第二電極とを導通させる連絡線とを有する拡散配線部と、
を備えることを特徴とするプローブアッセンブリ。
【請求項８】
導線が固定された基板を検体が形成されたウェハに対してほぼ垂直な姿勢で前記検体に接近させることにより、前記基板から突出し前記基板の導線固定面を含む仮想面から離れる方向に延伸する前記導線の接触部の非鋭利部位を前記検体の電極の頂面又は頂面角部に摺接させる摺接段階と、
前記摺接段階の後に、前記導線を介して前記検体に検査信号を入力する検査段階と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプローブユニット、プローブアッセンブリ及び電子デバイスの検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子デバイスを検査するためのプローブユニットが知られている。
特許文献１、２、３には、プローブの先端部が曲がったプローブユニットが開示されている。特許文献１、２に開示されたプローブユニットによると、電子デバイスの電極頂面にプローブの先鋭な先端を強く押し当てたり、プローブの先鋭な先端で電子デバイスの電極頂面を引っ掻く必要があるため、プローブが電子デバイスの電極頂面を傷つけてしまい、その結果、実装時に電子デバイスに対する配線不良が生じるおそれがある。また特許文献１、２、３に開示されたプローブユニットによると、プローブの先端部に電極の削り屑が付着することにより、プローブと電子デバイスとの接続不良が生ずるおそれがあるため、プローブに付着した屑を定期的に除去する作業が必要になる。また、特許文献１，２，３に開示されたプローブユニットによると、プローブの先端と電子デバイスの電極とを正確に位置合わせする必要があるため、高い精度でプローブユニットと電子デバイスとを位置合わせしなければならない。
【０００３】
特許文献４には、プローブの側面が電子デバイスの電極の頂面角部に摺接するプローブユニットが開示されている。特許文献３に開示されたプローブユニットによると、プローブの側面で電子デバイスの電極を擦るため、電子デバイスの電極を傷つけることなく、プローブユニットと電子デバイスとを確実に接続することができる。また、特許文献４に開示されたプローブユニットによると、プローブの非先端部を電子デバイスの電極に接触させればよいため、特許文献１，２、３に開示されたプローブユニットほど高くプローブユニットと電子デバイスとを位置合わせする精度を要求されない。しかし、特許文献３に開示されたプローブユニットによると、プローブが放射状に配列されているため、ウェハ上に狭い間隔で複数形成された電子デバイスを同時に検査することができない。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５９２３１７８号明細書
【特許文献２】特表１９９９−５０６８２９号公報
【特許文献３】特開平１１−３３７５７４号公報
【特許文献４】特開２００４−１９８３５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上述の問題に鑑みて創作されたものであって、電子デバイスの電極の頂面を傷つけることなく、ウェハ上に狭い間隔で複数形成された電子デバイスを同時に検査することができるプローブユニット、プローブアッセンブリ及び電子デバイスの検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）  上記目的を達成するためのプローブユニットは、検体が形成されるウェハに対してほぼ垂直になる導線固定面を有する基板と、前記導線固定面に固定される基部と、前記基板から突出して前記導線固定面を含む仮想面から離れる方向に延伸する接触部と、外部電極に接続される連絡部とを有し、前記接触部の非鋭利部位が前記検体の電極の頂面又は頂面角部に摺接する導線と、を備える。
本発明によると、導線が固定される導線固定面が検体が形成されるウェハに対してほぼ垂直になる。このため、本発明によるプローブユニットを複数用いることにより、ウェハ上に狭い間隔で形成された複数の検体を同時に検査することができる。また本発明によると、検体の電極に接触する接触部が導線固定面を含む仮想面から離れる方向に延伸しているため、導線固定面がウェハに対してほぼ垂直な状態でも、接触部の先端以外の非鋭利部位を検体の電極の頂面又は頂面角部に摺接させることができる。したがって本発明によると、導線の先端（鋭利部位）で検体の電極の頂面を傷つけることを防止できる。また本発明によると、接触部の先端を検体の電極に接触させる場合に比べると、検体の電極と接触部との位置合わせに高い精度が要求されない。
【０００７】
（２）  前記検体の電極に摺接する前記導線の第一面の裏面に相当する前記導線の第二面が前記導線固定面に固定されてもよい。
本発明によると、検体の電極に導線が押し当てられたときに導線が導線固定面から剥離しにくい。
【０００８】
（３）  前記基板は、前記基板を前記検体に対して位置決めするための相手部材に当接しリソグラフィにより形成された位置決め部を有してもよい。
本発明によると、基板に固定された導線の接触部を検体に対して正確に位置決めすることができる。
【０００９】
（４）  前記連絡部は、前記基板から突出して前記導線固定面を含む仮想面から離れる方向に延伸し外部電極の頂面又は頂面角部に摺接してもよい。
本発明によると、連絡部と外部電極とを接続する配線を連絡部に接合する必要がないため、プローブユニット単位で部品交換が可能になる。また本発明によると、外部電極の頂面を傷つけることなく連絡部と外部電極とを確実に接続することができる。
【００１０】
（５）  前記接触部の前記検体の電極と摺接する部位は金又は白金属元素からなってもよい。
【００１１】
（６）  前記基板は、リソグラフィを用いて複数の前記導線と一体に形成されていてもよい。
本発明によると、高い位置精度で導線を配列することができる。
【００１２】
（７）  上記目的を達成するためのプローブアッセンブリは、複数の導線が互いに平行に配列された前記プローブユニットと、前記連絡部に接続される第一電極と、前記第一電極同士の間隔より広い間隔で配列される第二電極と、前記第一電極と前記第二電極とを導通させる連絡線とを有する拡散配線部と、を備える。
本発明によると、プローブユニットの複数の導線が互いに平行に配列される結果、複数の導線からなる導線群の幅を拡散配線部の複数の連絡線からなる連絡線群の幅とほぼ同一にできるため、ウェハ上の検体とほぼ同じ幅でプローブユニット及び拡散配線部を形成することができる。したがって、ウェハ上に極めて狭い間隔で配列された検体に応じて複数のプローブユニット及び複数の拡散配線部を配列することができる。また本発明によると、検体の電極間隔に応じて狭い幅でプローブユニットの導線を配列したとしても、拡散配線部の第二電極が導線間隔よりも広くなるため、プローブユニットに対する配線が容易である。
【００１３】
（８）  上記目的を達成するための電子デバイスの検査方法は、導線が固定された基板を検体が形成されたウェハに対してほぼ垂直な姿勢で前記検体に接近させることにより、前記基板から突出し前記基板の導線固定面を含む仮想面から離れる方向に延伸する前記導線の非鋭利部位を前記検体の電極の頂面又は頂面角部に摺接させる摺接段階と、前記摺接段階の後に、前記導線を介して前記検体に検査信号を入力する検査段階と、を含む。
本発明によると、導線が固定された基板を検体が形成されたウェハに対してほぼ垂直な姿勢で検体に接近させるため、ウェハ上に狭い間隔で形成された複数の検体を同時に検査することができる。また本発明によると、導線固定面を含む仮想面から離れる方向に延伸している接触部を検体の電極に摺接させるため、導線固定面がウェハに対してほぼ垂直な状態でも、接触部の先端以外の非鋭利部位を検体の電極の頂面又は頂面角部に摺接させることができる。したがって本発明によると、導線の先端（鋭利部位）で検体の電極の頂面を傷つけることを防止できる。また本発明によると、接触部の先端を検体の電極に接触させる場合に比べると、検体の電極と接触部との位置合わせに高い精度が要求されない。
【００１４】
尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」と、「・・・上に中間物を介して形成する」の両方を含む意味とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
１．プローブカードと検体
図１は、本発明の一実施例によるプローブカードを示す平面図である。
図１に示すように、プローブカード１は、円形の配線盤１１と、配線盤１１上に取り付けられているプローブアッセンブリ１０とを備える。プローブカード１は、１枚のウェハに形成された４つのＬＣＤドライバＩＣを同時に検査するためのものである。検体としてのＬＣＤドライバＩＣは、図２に示すように、チップの周辺にＡｕで形成された電極３が狭小な間隔で多数設けられている。プローブカード１は、検査装置本体から出力される検査信号を検体２の電極に入力し、検体２の電極から出力信号を取り出して検査装置本体に伝達する機能を有する。
【００１６】
プローブアッセンブリ１０は、図３に示すように、直線上に並んでいる複数のプローブブロック１２と、プローブブロック１２に一対一に対応して設けられている複数の拡散配線部１４と、複数のプローブブロック１２及び拡散配線部１４が固定されている接続位置決め板１６とを備える。
【００１７】
一組のプローブブロック１２及び拡散配線部１４は、図４に示すように一つの検体２に対応する。プローブブロック１２は、矩形の検体２の４辺に対応するように整列している四つのプローブユニット１８を有する。プローブブロック１２及び拡散配線板１４は、接続位置決め板１６にねじで固定されているため一つずつ交換可能である。従って、プローブアッセンブリ１０の一部に不具合が発生しても、その不具合が発生したプローブブロック１２のみを交換すればよく、修理コストを低減することができる。
【００１８】
複数のプローブブロック１２を接続位置決め板１６に後述する位置決め部を用いて位置合わせした状態で結合することにより、各プローブブロック１２をウェハ上に形成された各検体２に対して整列させることができる。従って、ウェハ上の複数の検体２に対して複数のプローブブロックを正確に位置合わせして複数の検体２を同時に検査することができる。また、接続位置決め板１６に後述する位置決め部を用いて位置合わせした状態で拡散配線板１４を結合することにより、拡散配線板１４とプローブブロック１２とを正確に位置合わせして電気的に接続することができる。尚、一つのプローブブロック１２を構成するプローブユニット１８の数は、四つに限定されず、検体２の電極３の配列に対応してその数を決定すればよい。
【００１９】
２．プローブアッセンブリ
２−１．プローブブロックの構成
図５（Ａ）はプローブブロック１２を示す斜視図である。図５（Ｂ）はプローブユニット１８を示す斜視図である。
【００２０】
図５（Ａ）に示すように、プローブブロック１２は、矩形柱のブロック２０と、ブロック２０の四つの側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄにそれぞれ固定されている四つのプローブユニット１８とを有する。ブロック２０の側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄは、検査装置本体に取り付けられた状態ではウェハに対して垂直になる。ブロック２０のウェハに対して垂直になる側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄにプローブユニット１８を固定することで、一つの検体２を検査するための一つのプローブブロック１２のウェハへの投影面積を小さくすることができる。従って、投影面積の小さなプローブブロック１２を複数配列したプローブカード１を用いることにより、ウェハ上に狭い間隔で配列された複数の検体２を同時に検査することができる。
【００２１】
図５（Ｂ）に示すように、プローブユニット１８は、基板２６と、基板２６上に配列されている複数の導線２４と、導線２４を被覆するように基板２６上に形成されている保護膜３０とを有する。導線２４は、基板２６の表面に固定されている。導線２４の両端部は基板２６から突出しており、保護膜３０から遠ざかり基板２６を包み込むような方向に湾曲している。その湾曲している突出部の一方３２は請求項に記載の接触部に相当し、他方３４は請求項に記載の連絡部に相当する。尚、導線２４の先端部の形状は、図示した形状に限らず、Ｃ字形状に湾曲していてもよいし、蛇腹状に曲がっていてもよい。また基板２６と導体２４間の密着力が十分強い場合は、導線２４の両端部は基板２４から遠ざかり保護膜３０を包み込むような方向に湾曲していてもよい。
【００２２】
ブロック２０の対向する一組の側面２２ａ、２２ｂに固定されるプローブユニット１８は、導線２４の第一突出部３２及び第二突出部３４が内向きになるように基板２６が側面２２ａ、２２ｂに固定される。もう一組の対向する側面２２ｃ、２２ｄに固定されるプローブユニット１８は、第一突出部３２及び第二突出部３４が外向きになるように保護膜３０が側面２２ｃ、２２ｄに固定される。第一突出部３２及び第二突出部３４が外向きになるようにブロック２０に固定されるプローブユニット１８は、ウェハ上で隣り合う検体２の、隣り合う辺に沿って形成された電極に対応する。このように４つのプローブユニット１８をブロック２０に固定することにより、より狭い間隔でウェハ上に形成された検体を同時に検査することが可能になる。なぜならば、外向きに湾曲した突出部を支持する基板２６及び保護膜３０をプローブブロック１２のより内側に配置できるため、プローブブロック１２同士の間隔を狭くできるからである。
【００２３】
ウェハに対して垂直になる側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄにプローブユニットが固定されるため、図４に示すように、基板２６がウェハに対して垂直な状態で導線２４の第一突出部３２と検体２の電極３とが接触する。具体的には図６（Ａ）に示すように、基板２６がウェハに対して垂直な状態でプローブユニット１８と検体２とを接近させ、導線２４の第一突出部３２の突面３３と検体２の電極３の頂面角部とを接触させる。プローブユニット１８と検体２とをさらに接近させると、第一突出部３２は電極３との接触荷重によって弾性変形し、電極３から先端が遠ざかる方向に摺動する。導線２４の第一突出部３２を検体２の電極３に対して摺動させた後、導線２４の第二突出部３４を介して外部電極から電極３に検査信号を入力して検体２の検査を行う。尚、第一突出部３２の突面３３を検体２の電極３の頂面に接触させてもよい。また導線の先端を電極３の頂面に接触させてもよい。
【００２４】
本実施例によると、導線２４の第一突出部３２を検体２の電極３に対して摺動させることにより、電極３の表面の酸化膜や汚染膜を除去し、導線２４と電極３とを確実に導通させることができる。また導線２４の第一突出部３２の突面３３（非鋭利部位）と検体２の電極３とを接触させるため、電極３を傷つけることがない。また、導線２４の第一突出部３２を摺動させることにより、第一突出部３２の突面３３に検体２の電極３の削りかすなどのごみが残留しにくいため、電極３と導線２４とを確実に導通でき、第一突出部３２のクリーニングが不要である。
【００２５】
また、導線２４の第一突出部３２が基板２６を包み込むような方向に湾曲しているため、第一突出部３２と検体２の電極３とを圧接させても、基板２６から導線２４を引き剥がそうとする方向に荷重が加えられず、導線２４が基板２６からはがれにくい。これに対し、図６（Ｃ）に示す比較例によるプローブユニットでは、導線２４の第一突出部３２が基板２６から遠ざかる方向に湾曲しているため、第一突出部３２が検体２の電極３と接触する際、第一突出部３２が基板２６から遠ざかろうとする方向に荷重が加えられ、導線２４が基板２６からはがれ易い。
【００２６】
また、導線２４の第一突出部３２は突面３３の任意の部位で検体２の電極３の頂面角部と接触すればよい。従って、プローブユニット１８は、それが固定されるブロック２０の側面の垂線方向に対してであれば、やや低い精度で位置決めされていても問題は生じない。
【００２７】
尚、図６（Ｂ）に示すように、基板２６がウェハに対して傾いた状態で第一突出部３２の突面３３と検体２の電極３の頂面とを接触させ、第一突出部３２を電極３の頂面で摺動させてもよい。
【００２８】
２−２．１つの検体に対応するプローブユニットを整列させるための構成
＜第一の構成＞
図７から図１０は、１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成を示す図である。
【００２９】
第一の構成では、図７に示すように、ブロック２０はセラミックなどからなり、研磨などで精密に加工されている。複数の位置決めロッド１３はブロック２０を貫通し両端部がブロック２０から突出している。対向する二つの側面２２ａと２２ｂ、又は２２ｃと２２ｄに対して垂直な方向にブロック２０を貫通する精密加工された一部材の位置決めロッド１３がプローブユニット１８自体に形成された位置決め部に当接する構成により、ブロック２０を間に挟んで対向するプローブユニット１８同士の相対的な位置が高い精度で合わせられる。
【００３０】
図８に示すように、プローブユニット１８には、ブロック２０の側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄに接合される面に第一位置決め部２８が形成されている。側面２２ａ、２２ｂに固定されるプローブユニット１８の場合、基板２６に第一位置決め部２８が形成される。第一位置決め部２８は、位置決めロッド１３に当接する切り欠き２９を有する膜状に形成されている。第一位置決め部２８は、切り欠き２９が第一突出部３２及び第二突出部３４に対して正確な位置に形成されるように基板２６又は保護膜３０上にリソグラフィを用いて形成される。側面２２ｃ、２２ｄに固定されるプローブユニット１８の場合（図５参照）、上記と同様の切り欠きを有する保護膜３０が第一位置決め部として機能する。
【００３１】
図９及び図１０に示すように、ブロック２０の側面２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄから突出している複数の位置決めロッド１３と、四つのプローブユニット１８の第一位置決め部２８の切り欠き２９とを当接させると、四つのプローブユニット１８の全ての第一突出部３２が一つの検体２の４辺に沿って設けられた電極に対して正確な位置に整列する。整列したプローブユニット１８とブロック２０とは、接着剤やねじ留めなどで結合される。ねじ等の分解可能な結合手段でブロック２０にプローブユニット１８を結合することにより、プローブカード１に不具合が生じた場合にはプローブユニット１８単位で交換することが可能になる。
【００３２】
尚、位置決めロッド１３の端部で構成された位置決め部は、凸形状でも凹形状でもよく、リソグラフィを用いてブロック２０と一体に形成してもよい。また、第一位置決め部２８は、凸形状でも凹形状でもよいし、基板２６自体に第一位置決め部としての切り欠き、穴、凹み、突起などを形成してもよい。
【００３３】
＜第二の構成＞
図１１は、１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第二の構成を示す図である。
図１１に示すように、第二の構成では、二枚の位置決め板１５をブロックの第一面と、第一面と反対側の第二面とに固定し、位置決め板１５をそれぞれプローブユニット１８の櫛歯状に突出している第一突出部３２又は第二突出部３４に嵌合させることで、四つのプローブユニット１８の全ての第一突出部３２が一つの検体２の４辺に沿って設けられた電極に対して正確な位置に整列する。位置決め板１５は、リソグラフィを用いて形成され、プローブユニット１８の導線２４の第一突出部３２間又は第二突出部３４間に嵌合する突出部２７を外縁に有する。
【００３４】
＜第三の構成＞
図１２から図１４は、１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第三の構成を示す図である。尚、図１４（Ａ）では導線の図示を省略した。
図１２に示すように、第三の構成では、四つのプローブユニットのうちブロックを間に挟んで対向する２つのプローブユニット３５ａに第一位置決め部２８を設ける。第一位置決め部２８は、リソグラフィを用いて基板２６又は保護膜３０と一体に、プローブユニット３５ａがプローブブロック１２を構成するとき内側になる面の両縁に導線と平行に延びる直線状の凸形状に形成されている。図１２には、基板２６に第一位置決め部２８が形成されているプローブユニット３５ａを図示した。
【００３５】
図１３に示すように、上記２つのプローブユニット３５ａに隣り合う２つのプローブユニット３５ｂは、第一位置決め部２８に当接する角部３７を有する。また本構成では、ブロック２０を二つの小ブロック３９で構成する。図１３（Ａ１）、（Ｂ１）に示すようにプローブユニット３５ｂを各々ブロック３９に接着した後、図１３（Ａ２）、（Ｂ２）に示すようにブロック３９とともにプローブユニット３５ｂを所定の幅に切断することにより角部３７を形成する。
【００３６】
図１４に示すように、プローブユニット３５ａの第一位置決め部２８にプローブユニット３５ｂの角部３７を当接させることにより、四つのプローブユニット３５ａ、３５ｂの全ての第一突出部３２が一つの検体２の４辺に沿って設けられた電極に対して正確な位置に整列する。
【００３７】
＜第四の構成＞
図１５及び図１６は、１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第四の構成を示す斜視図である。
図１５及び図１６に示すように、第四の構成では、ブロックを二つの小ブロック２０ａ、２０ｂで構成する。小ブロック２０ａの側面４１ａ、４１ｂには位置決めロッド１３が突出している。小ブロック２０ａの側面４１ａ、４１ｂにそれぞれ接合されるプローブユニット３５ａには、基板２６に第一位置決め部２８が形成されている。小ブロック２０ａの側面４１ａ、４１ｂから突出している位置決めロッド１３と、プローブユニット３５ａの第一位置決め部２８の切り欠き部位とを当接させることにより、小ブロック２０ａを間に挟んで対向する二つのプローブユニット３５ａ同士を整列させる。プローブユニット３５ａと小ブロック２０ａとはプローブユニット３５ａ同士が整列した状態で接着、ねじ等により結合される。同様に、小ブロック２０ｂの対向する二つの側面４３ａ、４３ｂから突出している位置決めロッド１３と、二つのプローブユニット３５ｂの第一位置決め部２８とを当接させ、プローブユニット３５ｂ同士を整列させる。プローブユニット３５ｂと小ブロック２０ｂとはプローブユニット３５ｂ同士が整列した状態で接着、ねじ等により結合される。小ブロック２０ａと小ブロック２０ｂとは接着、ねじ等により結合される。小ブロック２０ａ、２０ｂに予め位置決め部を形成しておき、その位置決め部同士を合わせることで、小ブロック２０ａ、２０ｂ同士を高精度に嵌合させることができる。
【００３８】
プローブユニット３５ａが固定された小ブロック２０ａと、プローブユニット３５ｂが固定された小ブロック２０ｂとを結合させることで、プローブブロック１２が構成される（図５参照）。
【００３９】
＜第五の構成＞
図１７は、１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第五の構成を示す図である。
図１７に示すように、第五の構成では、一つの検体２に対応する四つのプローブユニット１８をそれぞれ別のユニット位置決め部６８に固定し、そのユニット位置決め部６８を個々に調整することで四つのプローブユニット１８を一つの検体２に対応するように整列させるプローブブロックを構成する。ユニット位置決め部６８は、第一ブロック５５ａ、第二ブロック５５ｂ、第三ブロック５５ｃ及び位置微調整ねじ５７ａ、５７ｂからなる。プローブユニット１８と第一ブロック５５ａとは、プローブユニット１８に形成された第一位置決め部２８と第一ブロック５５ａに形成される位置決めロッド１３との当接によって位置合わせされ固定される。第一ブロック５５ａは第二ブロック５５ｂに位置微調整ねじ５７ａで結合され、第二ブロック５５ｂはさらに第三ブロック５５ｃに位置微調整ねじ５７ｂで結合される。位置微調整ねじ５７ａは第二ブロック５５ｂから第一ブロック５５ａに基板２６ａ、２６ｂ、２６ｃに対して垂直にねじ込まれ、位置微調整ねじ５７ｂは第二ブロック５５ｂから第三ブロック５５ｃに基板２６に平行にねじ込まれている。
【００４０】
位置微調整ねじ５７ａを調整することにより、プローブユニット１８を基板２６に対して垂直な方向に微動させることができる。位置微調整ねじ５７ｂを調整することにより、プローブユニット１８を基板２６に対して平行な方向に微動させることができる。各プローブユニット１８をそれぞれが固定されたユニット位置決め部６８の位置微調整ねじ５７ａ、５７ｂによって独立して微動させることにより、四つのプローブユニット１８の相対的な位置を微調整し、四つのプローブユニット１８の複数の第一突出部３２を一つの検体２の電極に対して整列させることができる。
【００４１】
＜プローブユニット同士の整列条件＞
図１８及び図１９は、プローブユニット同士の整列条件を説明するための模式図である。
図１８（Ａ）は、四つのプローブユニット１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄが位置ずれなく正確に整列した状態を示す。図１８（Ａ）に示すように、正確に整列した四つのプローブユニット１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄの導線２４の第一突出部３２は全て、１つの検体２の電極３に一対一に対応して接触する。
【００４２】
図１８（Ｂ）は、プローブユニット１８ａに対向するプローブユニット１８ｂが正確な位置から第一突出部３２の配列方向に第一突出部３２の間隔の１／２ずれて固定されている状態を示す。この場合、プローブユニット１８ａ、１８ｃ、１８ｄの導線２４の第一突出部３２を検体２の電極３に一対一に位置合わせすると、プローブユニット１８ｂの第一突出部３２を検体２の電極３に接触させることができない。プローブユニット１８ｂの第一突出部３２を検体２の電極３に接触させるようにプローブブロック１２を検体２に対して移動させると、プローブユニット１８ａ、１８ｃ、１８ｄの第一突出部３２が電極３に接触できなくなる。このように対向するプローブユニット１８ａとプローブユニット１８ｂとが正確に位置合わせされていない場合、四つのプローブユニット１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄの全ての第一突出部３２を検体２の電極３に一対一に対応させることができない。
【００４３】
図１９は、対向する二つのプローブユニット１８ａ、１８ｂが正確に位置合わせされ、対向する二つのプローブユニット１８ｃ、１８ｄも正確に位置合わせされ、隣り合う二つのプローブユニット１８ａとプローブユニット１８ｄが正確に位置合わせされていない状態を示している。プローブユニット１８ｃ、１８ｄの第一突出部３２を検体２の電極３に正確に合わせた状態から、プローブブロック１２をプローブユニット１８ａ、１８ｂの第一突出部３２の配列方向に移動させると、プローブユニット１８ａ、１８ｂの第一突出部３２を電極３に合わせることができる。このとき、プローブユニット１８ｃ、１８ｄの第一突出部３２は、検体２の電極３との接触部位がずれるだけであって、電極３と接触した状態は維持される。
【００４４】
以上から、対向するプローブユニット同士は検体２の電極３に対して高い位置精度で整列している必要があるが、隣接するプローブユニット同士では対向するプローブユニット同士ほど高い位置精度で整列する必要はないと言える。
【００４５】
２−３．プローブユニットの製造方法
図２０から図２８は、プローブユニット１８を製造する方法を示す図である。以下、プローブユニット１８の製造方法を（１）から（７）の順に説明する。
（１）犠牲膜形成工程
はじめに図２０に示すように、基板２６に溝状の凹部３６を形成し、凹部３６が犠牲膜３８で充填されるように基板２６上に犠牲膜３８を成長させた後、表面の研磨、研削、ポリッシュ等により平坦面４０を形成する。凹部３６の壁面が基板２６の完成状態の２つの端面を形成するように凹部３６の位置及び形状を設定する。基板２６にはガラス基板、セラミック基板、シリコン基板、樹脂基板、金属基板などを用いる。金属基板を用いる場合には、予めその表面を有機絶縁層または無機絶縁層で被覆してから用いる。基板２６の厚みは例えば０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下にする。
【００４６】
凹部３６の形成は、切削または溝入れによって行う。基板２６本体が導電性である場合には放電加工を用いてもよい。またサンドブラスト、ケミカルエッチング、ドライエッチング、イオンミリングなどを用いてもよい。
犠牲膜３８には後続工程で選択的に除去可能な素材を用いる。例えばＣｕやＳｎなどのようにエッチングで選択的に除去可能な金属を用いる。Ｃｕを用いた場合、無電解めっきまたはスパッタにより第一層形成段階と、電解めっきによる第二層形成段階とによって犠牲膜３８を形成する。また、レジスト剥離液で除去可能なハードベークされたレジスト、不飽和ポリエステルなどのように加水分解で除去可能な有機ポリマーを用いてもよい。あるいはＲＩＥで除去可能なＳｉＯ2のＣＶＤ膜を用いてもよい。
【００４７】
（２）導線形成工程
次に図２１に示すように、導線２４の第一突出部３２及び第二突出部３４の下層を構成する第一膜２４ａを犠牲膜３８上に至るように平坦面４０上に形成する。第一膜２４ａは、導線２４の基板２６に近い部位に大きな引っ張り応力を内部に残存させるために形成する。第一膜２４ａの厚みは例えば１μｍ以上１０μｍ以下にする。第一膜２４ａには感光性ポリイミド、フォトレジストなどの有機膜を用いる。またはＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの金属単体膜、あるいはその合金膜を用いる。尚、第一膜２４ａは、導線２４の下層全体を構成するように形成してもよい。
【００４８】
第一膜２４ａに感光性ポリイミド、フォトレジストなどの有機膜を用いる場合、平坦面４０上に感光性ポリイミド、フォトレジストなどを塗布した後、露光及び現像によって有機材料を所定のパターンに形成し、ハードベークにより硬化させる。有機材料をハードベークすると、硬化と同時に収縮するため、有機膜内に引っ張り応力が残留する。
【００４９】
第一膜２４ａに金属膜を用いる場合、スパッタまたはめっきによって金属膜を形成する。第一膜２４ａをスパッタで形成する場合、まず平坦面４０の表面全体にスパッタで金属膜を形成する。このとき、スパッタガス圧を大きくする、スパッタ温度を高くするなど、金属膜内に引っ張り応力が残留するようにスパッタの条件を設定する。その後、リソグラフィによって金属膜上に所定のレジストパターンを形成した後、不要な金属膜をエッチングで除去し、金属膜を所定のパターンに形成する。また第一膜２４ａを湿式めっきで形成する場合、例えば厚さ０．０５μｍのＴｉ及び厚さ０．１μｍのＮｉの複層からなるめっき下地層をまず平坦面４０上にスパッタで形成する。次にリソグラフィでめっき下地層上に所定のレジストパターンを形成した後、レジストパターンの開口部にＮｉなどの金属を電解めっきでめっきする。このとき、めっき浴の温度を高くする、サッカリンなどの添加剤を減らすなど、めっき層内に引っ張り応力が残留するようにめっき条件を設定する。
【００５０】
次に図２２に示すように、導線２４の中間層全体を構成する第二膜２４ｂを第一膜２４ａ上及び平坦面４０上に形成する。第二膜２４ｂは、第一膜２４ａより小さい引っ張り応力または圧縮応力が残留した状態か、あるいは残留応力のない状態に形成する。第二膜２４ｂの厚みは、例えば０．５μｍ以上３０μｍ以下にする。また第二膜２４ｂにはＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの金属単体膜、またはそれらの合金膜を用いる。
【００５１】
第二膜２４ｂをスパッタで形成する場合、まず第一膜２４ａを覆うように平坦面４０上全体にスパッタで第二膜２４ｂを形成する。このとき、第二膜２４ｂに第一膜２４ａより小さい引っ張り応力または圧縮応力が残留するように、あるいは第二膜２４ｂに残留応力が無い状態になるようにスパッタの条件を設定する。具体的にはスパッタガス圧を小さくしたり、スパッタ温度を低くしたりする。その後、リソグラフィによって第二膜２４ｂ上に所定のレジストパターンを形成した後、不要な第二膜２４ｂをエッチングで除去し、第二膜２４ｂを所定のパターンに形成する。尚、第一膜２４ａ及び第二膜２４ｂをスパッタで連続的に形成した後、リソグラフィでレジストパターンを形成し、エッチングで第一膜２４ａ及び第二膜２４ｂを連続的にパターニングしてもよい。
【００５２】
第二膜２４ｂを湿式めっきで形成する場合、まず第一膜２４ａを覆うように平坦面４０上にめっき下地層をスパッタで形成する。次にリソグラフィでめっき下地層上に所定のレジストパターンを形成した後、レジストパターンの開口部にＮｉなどの金属を電解めっきする。このとき、めっき層に第一膜２４ａより小さい引っ張り応力または圧縮応力が残留するように、あるいはめっき層に残留応力が無い状態になるようにめっき条件を設定する。具体的にはめっき浴の温度を低くしたり、サッカリンなどの添加剤を増やしたりする。尚、第一膜２４ａのめっき工程においてレジストパターンの開口部に第一膜２４ａのめっき層を形成した後、連続して第二膜２４ｂをめっきしてもよい。
【００５３】
次に図２３に示すように、導線２４の上層を構成する第三膜２４ｃを第二膜２４ｂ上に形成する。第三膜２４ｃは、導線２４の第一突出部３２と検体２の電極３との接触性や導線２４の耐久性を向上させるために形成され、必ずしも形成しなくともよい。第三膜２４ｃにはＡｕや、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの白金族を用いる。第三膜２４ｃの厚みは例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下にする。
【００５４】
第三膜２４ｃをスパッタで形成する場合、まず第二膜２４ｂを覆うように平坦面４０上に第三膜２４ｃをスパッタで形成する。その後、リソグラフィによって第三膜２４ｃ上に所定のレジストパターンを形成した後、不要な第三膜２４ｃをイオンミリングなどで除去し、第三膜２４ｃを所定のパターンに形成する。尚、第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃをスパッタで連続的に形成した後、リソグラフィでレジストパターンを形成し、エッチングで第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃを連続的にパターニングしてもよい。
【００５５】
第三膜２４ｃを湿式めっきで形成する場合、第二膜のめっき工程においてレジストパターンの開口部に第二膜２４ｂのめっき層を形成した後、連続して第三膜２４ｃをめっきする。尚、第一膜２４ａのめっき工程においてレジストパターンの開口部に第一膜２４ａのめっき層を形成した後、連続して第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃをめっきしてもよい。
【００５６】
（３）保護膜形成工程
次に図２４に示すように、基板２６の完成形領域の真上に絶縁性の保護膜３０を形成する。その結果、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃの中間部と第一膜２４ａの一部は基板２６及び保護膜３０によって覆われる。第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃの犠牲膜３８上に形成された部位は、第一突出部３２及び第二突出部３４となるため、保護膜３０を形成しないようにする。保護膜３０は、導線２４が外力によって傷つけられ剥離したりごみなどの付着によってショートしたりするのを防止し、導線２４を保護するために形成される。尚、保護膜３０は必ずしも形成しなくてもよい。
【００５７】
保護膜３０に有機絶縁膜を用いる場合、例えば感光性ポリイミド、レジストなどを塗布し、所定のパターンに露光及び現像した後、１５０℃以上３００℃以下程度でハードベークする。保護膜３０に無機絶縁膜を用いる場合、例えばＳｉＯ2膜、ＡｌＯ3膜などをスパッタなどで形成する。具体的には、リソグラフィによって、第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃの犠牲膜３８上に形成された部位を覆うレジストパターンを形成してからスパッタを行う。
【００５８】
（４）基板研磨工程
次に図２５に示すように、基板２６の導線２４と反対側の面を犠牲膜３８が露出するまで研磨し、基板２６及び犠牲膜３８からなる研磨面４２を形成する。
【００５９】
（５）第一位置決め部（第二位置決め部）形成工程
次に図２６に示すように、基板２６の研磨面４２側に第一位置決め部２８又は第二位置決め部３１を形成する。第一突出部３２及び第二突出部３４が内向きになるようにブロック２０に固定されるプローブユニット１８の場合、本工程で第一位置決め部２８を形成する。第一突出部３２及び第二突出部３４が外向きになるようにブロック２０に固定されるプローブユニット１８の場合、本工程で第二位置決め部３１を形成する（図５参照）。以下、研磨面４２に第一位置決め部２８を形成する場合を例に採り、説明する。
【００６０】
具体的にはまず、両面アライナーを用い第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃのパターンを用いて位置合わせした状態で、リソグラフィによって研磨面４２上に所定のレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンをハードベークによって硬化させたものを、第一位置決め部２８とする。または、レジストパターンの開口部にＮｉなどをめっきし、そのめっき膜を第一位置決め部２８としてもよい。または、レジストパターンをマスクとして基板２６の研磨面４２側をイオンミリングなどで除去することにより、基板２６の研磨面４２側に所定のパターンを形成し、基板２６自身に第一位置決め部２８を形成してもよい。または、レジストパターンを位置決め基準に用いた切削加工により、基板２６の研磨面４２側に穴、切り欠き、凹みなどを形成し、基板２６自身に第一位置決め部２８を形成してもよい。このようにリソグラフィを用いて第一位置決め部２８を形成することにより、１つの検体に対応する複数のプローブユニットの個々の位置をより高精度に決めることができる。
【００６１】
（６）第二位置決め部（第一位置決め部）形成工程
次に図２７に示すように、保護膜３０上に第二位置決め部３１を形成する。プローブユニット１８の第二位置決め部３１は、プローブブロック１２を検体２に対して位置決めするための接続位置決め板１６に当接する。第二位置決め部３１の具体的な形成方法は、上述の（５）の第一位置決め部２８の形成工程に準じる。上述の（５）の工程で第二位置決め部３１を形成した場合は、本工程で第一位置決め部２８を形成する。このようにリソグラフィを用いて第二位置決め部３１を形成することにより、複数のプローブブロック同士の相対的な位置を正確に設定できるため、１つの検体の複数の電極に対し複数のプローブユニットを高精度に整列させることができる。
【００６２】
（７）犠牲膜除去工程
次に図２８に示すように、犠牲膜３８をエッチングで除去する。犠牲膜３８を除去すると、基板２６の両端の不要な部位がプローブユニット１８から分離する。また、第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃの犠牲膜３８上に形成された部位は、犠牲膜３８の支持がなくなって片持ち梁状態となる。さらに、第一膜２４ａの引張り応力の作用、又は第二膜２４ｂの圧縮応力の作用によって、第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃの基板２６から突出した部位は基板２６の裏面側に回り込む方向に湾曲する。その結果、第一突出部３２及び第二突出部３４が形成される。
【００６３】
以上、プローブユニット１８の製造方法を説明した。
上述の方法で製造されたプローブユニット１８は、図２９（Ａ）に示すように、第一膜２４ａの引張り応力の作用、又は第二膜２４ｂの圧縮応力の作用によって基板２６の裏面側に回り込む方向に湾曲する第一突出部３２を有する。この第一突出部３２の凸面を検体２の電極３に押し付けても、導線２４が基板２６から剥がれようとする方向に荷重が加えられない。これに対し図２９（Ｂ）に示すように、導線２４を構成する第一膜２４ａ、第二膜２４ｂ及び第三膜２４ｃの形成順序を逆にすると、犠牲膜３８を除去することで導線２４の両端部は基板２６から離れる方向に湾曲する。基板２６から離れる方向に湾曲した第一突出部３２の凸面を検体２の電極３に押し付けると、導線２４が基板２６から剥がれようとする方向に荷重が加えられ、導線２４が基板２６から剥がれ易くなる。
【００６４】
尚、第一突出部３２及び第二突出部３４は、直線状に形成した後に、ベンダーなどを用いて機械的に湾曲させてもよい。また、導線２４を形成するためのレジストパターンを形成した後に基板２６を湾曲させてから、導線２４を構成する導体膜を基板２６上にめっきしてもよい。
【００６５】
２−４．拡散配線部の構成
図３０は、拡散配線部１４を示す図である。
図３０に示すように、拡散配線部１４は、基板４４と、基板４４の第一面４４ａに設けられた複数の第一電極４６と、基板４４の第二面４４ｂに設けられた複数の第二電極４８とを備える。基板４４にはＦＲＰ、セラミック、シリコンなどが用いられる。第二電極４８は、基板４４に形成された互いに平行な直線状の連絡線５０によって第一電極４６に導通している。尚、連絡線５０は互いに平行でなくてもよいし、直線状でなくてもよい。プローブユニット１９の導線２４が互いに平行な直線状であるため、ウェハ上の検体とほぼ同じ幅で拡散配線部１４を形成することができる。第一電極４６は、プローブユニット１８の第二突出部３４に一対一に対応して接触するように配列されている。第二電極４８は、配線盤１１の電極又はインターポーザの電極の配列間隔に応じて、第一電極４６の配列方向に直交する方向では第一電極４６よりも広い間隔で配列されている。このため、プローブユニット１８の第二突出部３４の配列間隔が狭くても、プローブユニット１８と配線盤１１とを容易に接続することができる。第一電極４６及び第二電極４８は、接触抵抗を低下させるためにＡｕや、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの白金族で形成することが望ましい。また配線抵抗を低下させるために、連絡線５０はＣｕ、Ａｌなどで形成することが望ましい。
【００６６】
基板４４には、ブロック２０と拡散配線部１４とを接続位置決め板１６にねじで結合するためのねじ孔４５と、接続位置決め板１６に拡散配線部１４を位置決めするための第三位置決め部４９が形成されている。ねじ孔４５はねじに対して緩い寸法で形成されている。第三位置決め部４９は、リソグラフィによって形成されたレジストパターンを用いたエッチングやめっき、リソグラフィによって形成されたレジストパターンを位置合わせの基準に用いた穿孔加工等によって高精度に形成される。このようにリソグラフィを用いて第三位置決め部４９を拡散配線部１４に形成することにより、拡散配線部１４とプローブユニット１８とを高精度に位置合わせすることができる。
【００６７】
図４に示すように、拡散配線部１４とプローブロック１２とは、拡散配線部１４の第一電極４６とプローブユニット１８の導線２４の第二突出部３４とが一対一に対応するように位置合わせされて接続位置決め板１６に結合される。またブロック２０を貫通しているねじ穴と、拡散配線部１４のねじ穴４５とに挿入されるねじ５４によって、ブロック２０と拡散配線部１４とは接続位置決め板１６に分解可能に結合される。拡散配線部１４の第一電極４６と導線２４の第二突出部３４とは、互いに押し付けられると、第二突出部３４が第一電極４６に接触することで、確実に導通できる。また、プローブユニット１８の第二突出部３４と拡散配線部１４の第一電極とが分離可能な弾性接触によって接続されるため、プローブブロック１２又はプローブユニット１８単位での部品交換が可能である。
【００６８】
接続位置決め板１６は、複数組のプローブブロック１２及び拡散配線部１４を複数の検体２に一対一に対応するように正確に位置決めすることができるため、ウェハ上に配列されている複数の検体２を同時に正確に検査することが可能になる。また、プローブブロック１２の導線２４の配列方向の長さｌ1（図４参照）を、検体２の長辺の長さとほぼ等しいか、短くなるようにし、拡散配線部１４の連絡線５０に直交する辺の長さｌ2を、検体２の長辺の長さとほぼ等しいか、短くなるようにすることにより、極めて狭い間隔でウェハに複数の検体が配列されている場合であっても、検体と一対一に対応するようにプローブブロック１２を配列することができる。
【００６９】
２−５．接続位置決め板の構成
図３１に示すように、接続位置決め板１６は、複数のプローブブロック１２を位置決めするための複数の位置決め部５６と、複数の拡散配線部１４を位置決めするための複数の位置決め部５８とを有する。位置決め部５６及び位置決め部５８は、複数のプローブブロック１２をウェハ上の複数の検体２に対して位置決めし、プローブユニット１８に対して拡散配線板１４を位置決めするために、リソグラフィによって高い位置精度で形成されている。
【００７０】
図３及び図３１に示すように、接続位置決め板１６の複数の位置決め部５６と複数のプローブブロック１２の第二位置決め部３１とが当接した状態で、接続位置決め板１６と複数のプローブブロック１２とは固定される。これによって、複数のプローブブロック１２をウェハ上の複数の検体２に対して正確に整列させることができる。複数の位置決め部５８と複数の拡散配線部１４の位置決め部４９とに位置決めピン１０５（図３参照）が当接した状態で、接続位置決め板１６と拡散配線部１４とが固定される。これによって、プローブユニット１８と拡散配線部１４とが正確に位置決めされる。また、位置決めピン１０５を用いずに、拡散配線部１４の位置決め部を柱状に形成してもよい。
【００７１】
尚、複数組のプローブブロック１２及び拡散配線部１４を複数の検体２に対してさらに高精度に整列させるために、接続位置決め板１６と検体２が形成されるウェハとの熱膨張係数が近似していることが望ましい。例えばウェハがＳｉであれば、接続位置決め板１６にＳｉや石英を用いることが望ましい。
【００７２】
以下、接続位置決め板１６にＳｉを用いた場合を例に採り、位置決め部５６、５８の形成方法を説明する。はじめにＳｉ基板上にリソグラフィを用いて所定のレジストパターンを形成する。次にＤｅｅｐＲＩＥでＳｉ基板に凹みを形成する。次にＳｉ基板の凹みと反対側からＳｉ基板を研磨して薄くし、凹みをＳｉ基板を貫通するような孔に加工することにより、位置決め部５６、５８を形成する。リソグラフィを用いることにより、位置決め部５６、５８を高い位置精度及び寸法精度で形成することができる。この他の方法としては、機械加工によって位置決め部５６、５８を形成してもよい。尚、位置決め部５６、５８の形状は、図示したような溝状でもよいし、孔でもよいし、凸形状であってもよい。
尚、接続位置決め板１６には補強部１７を取り付けてもよいし取り付けなくてもよい。例えば図３及び図３１に示したように、二つの接続位置決め板１６を補強部１７で連結して用いてもよい。
【００７３】
３．配線盤の構成
図３２は、配線盤を示す図である。
図３２に示すように、配線盤１１は、円形の基板５９と、基板５９の中心付近に設けられた複数の電極６０と、基板５９の外縁部に設けられた複数の外部接続電極６２と、電極６０から放射状に配線盤１１内部を通って延びている配線（図示せず）とを有する。配線は、電極６０と外部接続電極６２とを導通させている。
【００７４】
図３３に示すように、まず配線盤１１の所定の位置に接続位置決め板１６が固定される。次に複数の拡散配線部１４の位置決め部４９と接続位置決め板１６の複数の位置決め部５８とを位置合わせピン１０５によって位置合わせして拡散配線部１４を整列させ、拡散配線部１４を接続位置決め板１６に固定する。次に接続位置決め板１６をねじ１０６で配線盤１１に固定する。拡散配線部１４の第二電極４８と配線盤１１の電極６０とははんだ接合、ＡＣＦ接合、超音波接合などによって接合する。
【００７５】
さらに図１及び図３に示すように、配線盤１１に固定された接続位置決め板１６にプローブブロック１２を固定する。プローブブロック１２毎にプローブユニット１８の１つに設けられた第二位置決め部３１を接続位置決め板１６の位置決め部５６に当接させた状態でプローブロック２０を接続位置決め板１６に固定する。すると全てのプローブユニット１８が１つのウェハに形成された複数の検体に対して整列する。具体的には、プローブブロック１２毎にプローブユニット１８の１つに設けられた第二位置決め部３１と接続位置決め板１６の位置決め部５６とによってプローブブロック１２毎に１つのプローブユニット１８の位置が決まる。そのプローブユニット１８と同一のブロック２０に固定された他の３つのプローブユニット１８とは、各プローブユニット１８に設けられた第一位置決め部２８によって相互に位置決めされている。これらの各位置決め部をリソグラフィによって形成することにより、リソグラフィの高い精度でプローブユニット１８と検体とを位置合わせすることができる。また接続位置決め板１６に対してプローブユニット１８及び拡散配線部１４がそれぞれ位置決めされると、プローブユニット１８の第二突出部３４は、拡散配線部１４の第一電極４６に一対一に対応して位置決めされる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の一実施例によるプローブカードを示す平面図である。
【図２】本発明の一実施例で検査される検体を示す平面図である。
【図３】（Ａ）は本発明の一実施例によるプローブアッセンブリを示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の一実施例によるプローブカードを示す断面図である。
【図４】（Ａ）は本発明の一実施例による一組のプローブブロック及び拡散配線部を示す平面図であり、（Ｂ）はその検体との接触状態を示す側面図である。
【図５】（Ａ）は本発明の一実施例によるプローブブロックを示す斜視図であり、（Ｂ）はそのプローブブロックを構成するプローブユニットを示す斜視図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は本発明の一実施例によるプローブユニットと検体とが接触する状態を示す模式図であり、（Ｃ）は比較例によるプローブユニットと検体とが接触する状態を示す模式図である。
【図７】（Ａ）は本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成によるブロックを示す平面図であり、（Ｂ）はその正面図であり、（Ｃ）はその側面図である。
【図８】（Ａ）は本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成によるプローブユニットを示す平面図であり、（Ｂ）はその正面図であり、（Ｃ）はその断面図であり、（Ｄ）は背面図である。
【図９】（Ａ）は本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成を示す模式的な平面図であり、（Ｂ）はその模式的な正面図である。
【図１０】（Ａ）は本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第一の構成を示す平面図であり、（Ｂ）はその正面図であり、（Ｃ）はその側面図である。
【図１１】（Ａ）は本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第二の構成による位置決め板を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第一実施例によるプローブユニット同士を整列させるための第二の構成を示す正面図である。
【図１２】（Ａ）は本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第三の構成によるプローブユニットを示す正面図であり、（Ｂ）はその平面図であり、（Ｃ）はその側面図である。
【図１３】（Ａ１）、（Ａ２）は本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第三の構成によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ１）、（Ｂ２）はその側面図である。
【図１４】本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第三の構成を示す平面図である。
【図１５】本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第四の構成を示す斜視図である。
【図１６】本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第四の構成を示す斜視図である。
【図１７】（Ａ）は本発明の一実施例による１つの検体に対応する複数のプローブユニットを整列させるための第五の構成を示す平面図であり、（Ｂ）はその側面図である。
【図１８】本発明の一実施例によるプローブユニット同士を整列させるための条件を説明するための模式図である。
【図１９】本発明の一実施例によるプローブユニット同士を整列させるための条件を説明するための模式図である。
【図２０】（Ａ）は本発明の一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図２１】（Ａ）は本発明の一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図２２】（Ａ）は本発明の一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図２３】（Ａ）は本発明の一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図２４】（Ａ）は本発明の一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図２５】（Ａ）は本発明の一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図２６】（Ａ）は本発明の一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図２７】（Ａ）は本発明の一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図２８】（Ａ）は本発明の一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図２９】（Ａ）は本発明の一実施例によるプローブユニットと検体とを接触させた状態を示す模式図であり、（Ｂ）は比較例によるプローブユニットと検体とを接触させた状態を示す模式図である。
【図３０】（Ａ）は、本発明の一実施例による拡散配線部を示す平面図であり、（Ｂ）はその側面図である。
【図３１】（Ａ）は本発明の一実施例による一組のプローブブロック及び拡散配線部と接続位置決め板との位置決めの構成を示す模式図であり、（Ｂ）は接続位置決め板を示す側面図である。
【図３２】本発明の一実施例による配線盤を示す平面図である。
【図３３】本発明の一実施例による配線盤に接続位置決め板及び拡散配線部が取付けられた状態を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７７】
２  検体、３  電極、１０  プローブアッセンブリ、１３  位置決めロッド、１４  拡散配線部、１５  位置決め板、１８、１８ａ〜１８ｄ  プローブユニット、２４  導線、２６  基板、２８  第一位置決め部、３１  第二位置決め部、３２  第一突出部（接触部）、３４  第二突出部（連絡部）、３７  角部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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