(57)【要約】【課題】本発明は、サブ波長フィーチャーをプリントするために増加されたリソグラフィ工程ウィンドーを提供するフォトマスク構造を提供する。【解決手段】向上したフォトリソグラフィ工程ウィンドーを提供するフォトマスク構造及びその製造方法が提供される。特定波長の露光光が透過するマスク基板と、前記マスク基板の表面上に形成されたマスクパターンと、を含み、前記マスクパターンは半導体基板に透過されるイメージの第１パターンを含み、前記第１パターンはプリントされるフィーチャーを含み、前記プリントされるフィーチャーは前記露光光の位相及び強度を調節するプリントされないフィーチャーを有して形成される。【選択図】図５Ｃ
2006301631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定波長の露光光が透過するマスク基板と、
前記マスク基板の表面上に形成されたマスクパターンと、を含み、
前記マスクパターンは半導体基板に透過されるイメージの第１パターンを含み、
前記第１パターンはプリントされるフィーチャーを含み、
前記プリントされるフィーチャーは前記露光光の位相及び強度を調節するプリントされないフィーチャーを有して形成されたことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記フォトマスクはバイナリマスクであり、前記第１パターンは前記特定波長で約０％の透過率を有する物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記フォトマスクは位相シフトマスクであり、前記第１パターンは前記特定波長で０％より大きい透過率を有する物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記フォトマスクは内蔵された減衰型位相シフトマスクであることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記プリントされるフィーチャーは前記基板表面に形成された長い棒要素であって、
前記長い棒要素は、該長い棒要素の幅Ｗ４を定義する第１及び第２縁を有し、
前記長い棒要素は、前記第１縁と第１内部縁との間の幅Ｗ１を有する第１光遮断棒、前記第２縁と第２内部縁との間の幅Ｗ２を有する第２光遮断棒、及び、前記第１及び第２光遮断棒の前記第１及び第２内部縁との間に配置された幅Ｗ３の内部位相シフトフィーチャーで形成され、
前記幅Ｗ１、幅Ｗ２及び幅Ｗ３はサブ解像度寸法を有することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記第１及び第２光遮断棒は特定波長で約０％より大きい透過率を有する物質で形成されたことを特徴とする請求項５に記載のフォトマスク。
【請求項７】
前記第１及び第２光遮断棒は、特定波長で、前記第１及び第２光遮断棒に整列された前記マスク基板の領域を介して透過された光線と、前記長い棒要素の前記第１縁及び第２縁に隣接した前記マスク基板の露出した領域を介して透過された光線との間に約１８０度以下の位相差を決定する厚さｔを有して形成されたことを特徴とする請求項６に記載のフォトマスク。
【請求項８】
前記内部位相シフトフィーチャーは、前記それぞれの第１及び第２光遮断棒の前記第１及び第２内部縁間の前記マスク基板に形成された幅Ｗ３の長いトレンチを含むことを特徴とする請求項５に記載のフォトマスク。
【請求項９】
前記長いトレンチは、前記第１及び第２光遮断棒の前記第１及び第２縁と隣接した前記マスク基板の露出した領域を介して透過された光線と、前記第１及び第２光遮断棒の前記第１及び第２内部縁間の前記長いトレンチに整列された前記マスク基板の露出した領域を介して透過された光線との間に約１８０度の位相差を決定する深さを有して形成されたことを特徴とする請求項８に記載のフォトマスク。
【請求項１０】
前記マスクパターンは、前記第１パターンの一つ以上のプリントされるフィーチャーの光の強度を調節するか、前記第１パターンの一つ以上のプリントされるフィーチャーの位相を調節するか、前記第１パターンの一つ以上のプリントされるフィーチャーの位相及び強度を調節する、一つ以上のサブ解像度フィーチャーで構成された第２パターンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項１１】
前記幅Ｗ１、幅Ｗ２及び幅Ｗ３は実質的に等しいことを特徴とする請求項５に記載のフォトマスク。
【請求項１２】
前記幅Ｗ１及び幅Ｗ２は実質的に等しく、前記幅Ｗ３より小さいことを特徴とする請求項５に記載のフォトマスク。
【請求項１３】
前記長い棒は半導体基板上に形成されるトレンチパターンに該当することを特徴とする請求項５に記載のフォトマスク。
【請求項１４】
特定波長の露光光が透過するマスク基板と、
前記基板表面に形成されたマスクパターンと、を含み、
前記マスクパターンはプリントされる長い棒要素を含み、
前記プリントされる長い棒要素は、前記プリントされる長い棒要素の幅Ｗ４を定義する第１及び第２縁と、前記第１及び第２縁間に位置するプリントされない内部位相棒要素と、を含み、
前記内部位相棒要素は、
前記プリントされる長い棒要素の前記第１及び第２内部縁間にプリントされない長いスペースフィーチャーと、
前記プリントされる長い棒要素の前記第１及び第２内部縁間の前記長いスペースフィーチャーに整列された前記マスク基板に形成された長いトレンチと、を含むことを特徴とするフォトマスク。
【請求項１５】
前記フォトマスクはバイナリマスクであり、前記マスクパターンは前記特定波長で約０％の透過率を有する物質で形成されたことを特徴とする請求項１４に記載のフォトマスク。
【請求項１６】
前記フォトマスクは位相シフトマスクであり、前記マスクパターンは前記特定波長で０％より大きい透過率を有する物質で形成されたことを特徴とする請求項１４に記載のフォトマスク。
【請求項１７】
前記フォトマスク装置は内蔵された減衰型位相シフトマスクであることを特徴とする請求項１６に記載のフォトマスク。
【請求項１８】
前記第１縁及び内部縁は幅Ｗ１の第１棒要素を定義して、前記第２縁及び内部縁は幅Ｗ２の第２棒要素を定義して、前記第１及び第２内部縁は幅Ｗ３の前記スペースフィーチャーを定義して、前記幅Ｗ１、幅Ｗ２及び幅Ｗ３はサブ解像度寸法を有することを特徴とする請求項１４に記載のフォトマスク。
【請求項１９】
前記幅Ｗ１、幅Ｗ２及び幅Ｗ３は実質的に等しいことを特徴とする請求項１８に記載のフォトマスク。
【請求項２０】
前記幅Ｗ１及び幅Ｗ２は実質的に等しくて、前記Ｗ３幅より小さいことを特徴とする請求項１８に記載のフォトマスク。
【請求項２１】
前記第１及び第２棒要素は特定波長で約０％の透過率を有する物質で形成されたことを特徴とする請求項１８に記載のフォトマスク。
【請求項２２】
前記第１及び第２棒要素は、特定波長で、前記第１及び第２棒要素に整列された前記マスク基板の領域を介して透過された光線と、前記プリントされる長い棒要素の前記第１及び第２縁に隣接した前記マスク基板の露出した領域を介して透過された光線との間に約１８０度の位相差を決定する厚さｔを有することを特徴とする請求項２１に記載のフォトマスク。
【請求項２３】
前記長いトレンチは、前記プリントされる長い棒要素の前記第１及び第２縁に隣接した前記マスク基板の露出した領域を介して透過された光線と、前記プリントされる長い棒要素の前記第１及び第２内部縁間の前記長いトレンチに整列された前記マスク基板の領域を介して透過された光線との間に約１８０度の位相差を決定する深さを有して形成されたことを特徴とする請求項１４に記載のフォトマスク。
【請求項２４】
前記マスクパターンは、前記マスクパターンの一つ以上のプリントされる要素の光の強度を調節するか、前記マスクパターンの一つ以上のプリントされる要素の位相を調節するか、前記マスクパターンの一つ以上のプリントされる要素の光及び位相を調節する、一つ以上のサブ解像度フィーチャーをさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載のフォトマスク。
【請求項２５】
特定波長の露光光が透過するマスク基板と、
前記基板の表面上に形成されたマスクパターンと、を含み、
前記マスクパターンは、第１及び第２縁により定義されて、内部を含むプリントされる要素と、露光光の特定波長に対して前記プリントされる要素の前記第１及び第２縁でイメージコントラストを増加させるための第１及び第２縁間に形成されたプリントされないフィーチャーと、を含むことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２６】
前記プリントされないフィーチャーは、前記第１及び第２縁間の前記プリントされる要素に整列された前記マスク基板の領域を露出するスペースフィーチャー、及び、前記スペースフィーチャーに整列されて前記マスク基板に形成されたトレンチフィーチャーを含むことを特徴とする請求項２５に記載のフォトマスク。
【請求項２７】
前記トレンチフィーチャーは、前記プリントされる要素の前記第１及び第２縁に隣接した前記マスク基板の露出した領域を介して透過された光線と、前記スペースフィーチャーにより露出されて前記トレンチフィーチャーに整列された前記マスク基板の領域を介して透過された光線との間に約１８０度の位相差を決定する深さを有して形成されたことを特徴とする請求項２６に記載のフォトマスク。
【請求項２８】
前記プリントされる要素は長い棒要素を含むことを特徴とする請求項２５に記載のフォトマスク。
【請求項２９】
前記フォトマスクはバイナリマスクであり、前記マスクパターンは特定波長で約０％の透過率を有する物質で形成されたことを特徴とする請求項２５に記載のフォトマスク。
【請求項３０】
前記フォトマスクは位相シフトマスクであり、前記マスクパターンは特定波長で約０％より大きい透過率を有する物質で形成されたことを特徴とする請求項２５に記載のフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子製造工程のための向上したフォトリソグラフィ方法を提供する。さらに詳細にはサブ波長フィーチャーをプリンティングするために向上したリソグラフィ工程ウィンドーを提供するフォトマスク構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィは半導体集積回路（ＩＣ）装置を製造するのに必須の工程である。一般的にフォトリソグラフィ工程は半導体基板にフォトレジストをドーピングして、集積回路イメージを有するフォトマスクを介して化学線（ａｃｔｉｎｉｃ）光源（例えば、エキシマレーザー（ｅｘｃｉｍｅｒ  ｌａｓｅｒ）、水銀ランプ等）を照射してフォトレジストを露光する。例えば、リソグラフィ装置、フォトマスクとハイアパーチャーレンズを介してフォトレジスト層に光を照射するディープＵＶステッパー（ｄｅｅｐ  ＵＶ  ｓｔｅｐｐｅｒ）を用いて、光を投射してフォトレジスト上にフォトマスクパターンを形成する。向上したリソグラフィ工程のためのフォトマスクではバイナリマスク（ｂｉｎａｒｙ  ｍａｓｋ）、内蔵された減衰型位相シフトマスク（ＥＡＰＳＭ：Ｅｍｂｅｄｄｅｄ  Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｍａｓｋｓ）、交互の開口位相シフトマスク（ＡＡＰＳＭ：Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔ  Ｍａｓｋｓ）、及び多様なハイブリッド型マスク（ｈｙｂｒｉｄｍａｓｋ）等を含む。
【０００３】
現在、高集積回路装置は小さな臨界寸法を有するように設計されている。臨界寸法（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ）とは、１ラインの最小幅または製造工程によるデザインルール（ｄｅｓｉｇｎ  ｒｕｌｅ）による両ライン間の最小スペースを言う。事実、ＩＣ装置は漸次サブ波長（ｓｕｂ−ｗａｖｅ  ｌｅｎｇｔｈ）の微細サイズに設計されている。シリコーンウエーハ上にプリントされた回路イメージはパターンを露光するのに利用される光源の波長より小さい。例えば、最新のＤＵＶステッパーは１００ｎｍ（０．１ミクロン）以下の微細サイズを有する集積回路を形成するために１９３ｎｍ波長のＡｒＦレーザーを利用する。
【０００４】
フィーチャーパターンは漸次減っているが、サブ波長フィーチャーをプリンティングするためのリソグラフィ工程ウィンドー（ｐｒｏｃｅｓｓ  ｗｉｎｄｏｗ）を減少させる光近接効果（ＯＰＥ：ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｅｆｆｅｃｔｓ）によって臨界寸法（ＣＤ）を満足させることは漸次難しくなっている。ＯＰＥ現象は近接して位置する光波長の回折のため発生する。例えば、時に光波長の相互作用を引き起こす隣接したフィーチャーは転写されるパターンフィーチャーを歪曲させて、光波長の相互作用を引き起こしてパターン依存的工程シフトを発生させる。これにより、サブ波長フィーチャーをプリンティングする時、ＯＰＥ効果を補償または緩和させるための多様な技術が開発された。
【０００５】
例えば、光近接効果補正（ＯＰＣ：ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）及び位相シフトマスク（ＰＳＭ）技術のようによく知られたレチクル向上技術がフォトマスクを形成するのに利用される。ＯＰＣと共に、小さなサブ解像度（プリンティングされない）フィーチャー（例えば、散乱バー（ｓｃａｔｔｅｒ  ｂａｒｓ））は近接効果を補償するために回路マスクパターンに表示される。その上、ＰＳＭ技術は近接効果を減らしてサブ波長フィーチャーの縁での明暗を向上させるように設計された位相シフト構造を有するマスクパターンを有するフォトマスク（例えば、減衰開口位相シフトマスク、内蔵された減衰位相シフトマスク等）を形成するのに利用される。反面、ＰＳＭ構造と比較する時、一般的にバイナリ型マスクはサブ波長フィーチャーのリソグラフィプリンティングのためのバイナリ型マスクを利用する能力を制限する回折のためＯＰＥにさらに敏感だと知られている。
【０００６】
図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃはバイナリ型マスク構造を利用する従来のフォトリソグラフィ工程を概略的に示す。特に、図１Ａはバイナリ型フォトマスクの上部平面図であって、図１Ｂは図１Ａの１Ｂ−１Ｂ’線に沿って切ったバイナリ型フォトマスクの断面図である。一般的に、バイナリ型マスク１０はマスク基板１２上に形成されたマスクパターン１１で構成される。マスク基板１２は露光光での提供された波長の露光光が透過される透明な物質で形成される。例えば、基板１２は典型的に高純度の石英またはガラスで形成される。バイナリ型マスクで、イメージパターン１１は典型的にクロム（ｃｈｏｒｍｉｕｍ）のように特定波長で約０％の透過率を有する光遮断物質で形成され、イメージパターン１１は光の経路を遮断（反射）する。この点で、バイナリ型マスクは反射マスクと見なされる。
【０００７】
図１Ａ及び図１Ｂで、マスクパターン１１はピッチＰを有する複数の長い並列ラインフィーチャー１１ａと、マスク基板１２上の光遮断物質（例えば、クロム）をエッチングすることによって形成されたスペース１１ｂを含む。マスクパターン１１はリソグラフィ工程を介して基板上のフォトレジスト層に転写されることができる。特に、図１Ｂに示したように、光に露出したスペース１１ｂに整列されたフォトレジストの領域を光に露出させるために、露光工程の間パターニングされたマスク１０表面に特定波長の入射した光がフォトマスク１０の露出した領域（例えばスペース１１ｂ）を介してフォトレジストがコーティングされたウエーハに投影されることができる。例えば、ポジティブレジストの場合、フォトレジストにマスクパターン１１をプリントするためにフォトレジストの露出した領域は現像する時に除去されることができる。
【０００８】
プリントされたフィーチャーの臨界寸法が漸次減少してリソグラフィ露光装置の解像度（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）に近づくことによって、バイナリマスク技術を利用して正確に小さなフィーチャーをプリントする能力が回折による光近接効果のため著しく減少される。このような制約は図１Ｃに概略的に図示されている。特に、図１Ｃは半導体基板（例えば、ウエーハ）１６上に形成されたフォトレジスト層１５を含む半導体装置１４を示す。図１Ｃで、フォトレジスト層１５は１Ｘ縮小を有する図１Ａ及び図１Ｂのバイナリマスク１０を利用して露光された“ポジティブレジスト（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｒｅｓｉｓｔ）”であると仮定する。プリントされたラインフィーチャー１１ａ及びスペース１１ｂの臨界寸法は露光システムの解像度限界に近いと仮定する。
【０００９】
図１Ｃに示したように、近接して位置するラインフィーチャー１１ａによる光近接効果はライン−スペース（ｌｉｎｅ−ｓｐａｃｅ）パターンがフォトレジスト１５にプリントされるのを防ぐ。特に、図１Ｃはフォトレジスト１５が横切るウエーハ平面での回折効果（ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ  ｅｆｆｅｃｔｓ）による電界曲線１３（大きさと方向）を図示する。特に、ライン及びスペースフィーチャー１１ａ、１１ｂのサイズが小さいためにフォトレジスト１５に入射された光の回折効果はラインフィーチャー１１ａにアラインされたフォトレジスト１５領域で光の強度を増加させるために隣接したスペースフィーチャー１１ｂの電界ベクトルが構造的に相互作用して追加されることを誘発させる。図１Ｃはライン−スペースパターンに整列されたフォトレジストの全領域にかけてフォトレジスト露光臨界値（Ｔｐ）を超過または満足させる電界１３の状態を示す。これにより、ラインフィーチャー１１ｂはプリントされないでスペースフィーチャー１１ｂは個別的なスペースフィーチャーではなく、1つの広いスペースフィーチャーとしてフォトレジストにプリントされる。このような回折効果はＰＳＭ技術を利用することによって緩和されることができる。
【００１０】
例えば、図２Ａ、図２Ｂ及び図２ＣはＥＡＰＳＭ構造を利用する従来フォトリソグラフィ工程を概略的に示す。特に、図２ＡはＥＡＰＳＭ構造２０の上部平面図を示しており、図２Ｂは図２Ａの２Ｂ−２Ｂ’で切ったＥＡＰＳＭ構造２０の概略断面図を示す。一般的に、ＥＡＰＳＭ構造２０はマスク基板２２上に形成されたマスクパターン２１で構成される。マスク基板２２は露光光の提供された波長が透過される高純度石英またはガラスのような物質で形成される。ＭｏＳｉのように光を遮断する物質（または位相シフト物質）で形成されたマスクパターン２１は提供した波長で約２〜１０％範囲の透過率を有する。図２Ａ及び図２ＢはピッチＰを有する複数の長い並列ラインフィーチャー２１ａと図１Ａ及び図１Ｂのライン−スペースと同様のスペース２１ｂを含むマスクパターン２１を示す。図１Ａ及び図１Ｂのフォトマスク１０と比較すると、図２Ａ及び図２Ｂのフォトマスク２０は光の波長より小さいサブ波長寸法でラインフィーチャーをさらに正確にプリントするために発生するＤＵＶの破壊的な干渉がウエーハレベルで誘発される。これは図２Ｃで概念的に図示される。
【００１１】
特に、図２Ｃにおいて、半導体装置２４は半導体基板２６（例えば、ウエーハ）上に形成されたフォトレジスト層２５を含む。図２Ｃで、フォトレジスト層２５は１Ｘ縮小を有する図１Ａ及び図１Ｂのバイナリマスク２０を利用して露光された“ポジティブレジスト”だと仮定する。図２Ｃはフォトレジスト２５が横切るウエーハ平面で電界曲線２３（大きさと方向）結果を示す。ラインフィーチャー２１ａは入射光の小さな比率がマスク基板２２を介してフォトレジストに透過するのを可能にする。半導体基板２２の露出した領域であるスペースフィーチャー２１ｂでマスクを透過した光と比較する時、縁のマスクフィーチャーのイメージコントラストを増加させるマスクラインフィーチャー２１ａはマスクを通過した光の１８０度位相シフトを発生させる。これによりリソグラフィ工程の分解能が増加する。さらに詳細に、図２Ｃはガラスと隣接したラインフィーチャーの縁で破壊的な干渉が発生する。このような点で、電界強度はマスクラインフィーチャー２１ａに整列されたフォトレジストの領域で抵抗しきい値（Ｔｐ）以下によく維持される。現在使われるリソグラフィ装置を利用してサブ波長の臨界寸法（ＣＤ）を有するライン−スペースパターンをプリントするために分解能を増加させることが可能である。
【００１２】
交互のアパーチュアはＯＰＥ効果を減らしてサブ波長フィーチャーをプリントすることができるＤＵＶ非破壊的な干渉による他のＰＳＭ技術である。例えば、図３Ａ、図３Ｂ及び図３ＣはＡＡＰＭを利用した従来のフォトリソグラフィ工程を概略的に示す。特に、図３ＡはＡＡＰＳＭ構造３０の上部平面図であって、図３Ｂは図３Ａの３Ｂ−３Ｂ’線に沿って切ったＡＡＰＳＭの概略断面図である。一般的に、ＡＡＰＳＭ構造３０はマスク基板上に形成されたマスクパターンで構成される。マスク基板３２は高純度石英及びガラスのように露光光の提供された波長で透過する物質で形成される。マスクパターン３１はクロムのように提供された波長で約０％の透過率を有する光遮断物質で形成されて光の透過を遮断（そして反射）する。図３Ａ及び図３ＢはピッチＰを有する複数の長い並列ラインパターン３１ａと図１Ａ及び図１Ｂのライン−スペースマスクパターンと同様のスペース３１ｂを含むマスクパターン３１を示す。図１Ａ及び図Ｂのフォトマスク１０と比較する時、図３Ａ及び図３Ｂのフォトマスク３０はスペースフィーチャー３１ｂ間に選択的にマスク基板３２内にエッチングされたトレンチ３２ａをさらに含む。トレンチ３２ａはエッチングされないマスク基板の領域に対応して１８０度位相シフトを発生させる。位相差の結果でイメージコントラストを向上させるＤＵＶ破壊的な干渉をもたらす。これは図３Ｃで概念的に図示される。
【００１３】
特に、図３Ｃは半導体基板３６（例えば、ウエーハ）上に形成されたフォトレジスト層３５を含む半導体装置３４を示す。図３Ｃで、フォトレジスト層３５は１Ｘ縮小を有する図３Ａ及び図３Ｂのバイナリマスク３０を利用して露光された“ポジティブレジスト”だと仮定する。図３Ｃはフォトレジスト３５が横切るウエーハ平面で電界曲線３３（大きさ及び方向）結果を示す。ラインフィーチャー３１ａが光を反射する反面、スペースフィーチャー３１ｂは入射光が半導体基板３２を介してフォトレジストに透過するのを許諾する。スペースフィーチャー３１ｂで基板３２のエッチングされない領域が露出したマスク３０を介して透過する光と比較する時、トレンチ３２ａはマスク３０を通過する光の１８０度位相シフトを発生させる。これにより、電界３３は等しい大きさを有してラインフィーチャー３１ａと反対位相を有する。そして、高い正確度を有するレジスト３６でライン−スペースフィーチャー３１ａ、３１ｂをプリンティングする間、イメージコントラストを強調させる暗い領域を発生させるエッチング領域とエッチングされない領域間の変化で破壊的な干渉が発生する。
【００１４】
上で言及されたＰＳＭ技術が一般的にサブ波長フィーチャーをプリントする間解像度を増加させるのに利用されても、リソグラフィ工程に複製されることができるフィーチャーの質は主にリソグラフィ工程ウィンドーのサイズに依存する。一般的に、従来技術によく知られた“工程ウィンドー”という用語はプリントされたフォトレジストフィーチャーの特性（例えば、ライン幅、壁角度、レジスト厚さ）は規定されたスペック内で維持するように許されることができる露光量及び焦点の変化量をいう。与えられたリソグラフィ環境で、露光量及び焦点でフォトレジストフィーチャーの変化のような敏感度は実験的に焦点−露光データのマトリックスを獲得することによって（またはコンピューターシミュレーションを介して）定義されることができる。例えば、与えられたリソグラフィ工程とマスクで、焦点−露光マトリックスデータは焦点及び露光量の関数でライン幅の変動を定義するのに利用されることができる。
【００１５】
図４Ａはパラメーターで臨界寸法（ＣＤ）対露光量による焦点に対するパラメトリック曲線を含む典型的なＢｏｓｓｕｎｇ（焦点−露光）図である。特に、典型的なＢｏｓｓｕｎｇ図は他の露光エネルギー（Ｅ１〜Ｅ５）で焦点誤差（ｘ軸）の作用によるＣＤ（ｙ−軸）の変動を示す図４Ａで、点線４０は目標（名目上）ＣＤを示しており、点線４１、４２は目標ＣＤ４０と異なって、許されることができる上下（ＣＤ＋、ＣＤ−）値を相対的に示す。焦点誤差パラメーター（ｘ軸）は最適の焦点位置から相対的な偏差を示す。
【００１６】
焦点及び露光量で大きい変動が目標ＣＤ４０（許されるＣＤの希望する範囲内でプリントされたＣＤで維持された）に最小限で影響を与えるならばリソグラフィ工程は堅固な（強力な）ことに見なされることである。特に、可能な限り工程ウィンドーはＤＯＦと目標ＣＤの±１０％以内でプリントされたフィーチャーで維持された露光寛容度（ＥＬ：Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｌａｔｉｔｕｄｅ）の組合せで指定されることができる。露光寛容度（ＥＬ）は指定された制限以内のＣＤに維持された露光エネルギーの百分率で示す。使用可能な焦点範囲または焦点深度（ＤＯＦ：Ｄｅｐｔｈ  ｏｆ  ｆｏｃｕｓ）は典型的に焦点セッティング範囲を言う。ここでプリントされたフィーチャーまたはフィーチャー間スペースの側面寸法は典型的に決まったライン幅またはＣＤの±１０％であるスペック内に置かれる。ＤＯＦの概念は図４Ｂで概略的に図示される。
【００１７】
特に、図４Ｂはフォトレジストがコーティングされた基板を露出させるレチクルを利用したリソグラフィ投影工程を図示する。特に、図４Ｂは光源４３、コンデンサレンズ４４及び投影レンズ４６で構成される投影システムのハイ−レベル概略図である。光源４３はコンデンサレンズ４４に入射する光を放出する。光はコンデンサレンズ４４を通過してあらかじめ決定されたパターンが形成されたレチクルの全体表面に均一に照射される。その後に、レチクル４５を通過する光は投影レンズ４６を介してあらかじめ決定されたスケールファクターに縮小されて半導体基板４８上のフォトレジスト層４７を露光する。投影レンズ４６を利用することによってレチクル４５上のマスクフィーチャーのサイズはフォトレジスト層４７にプリントされた等しいフィーチャーより大体４または５倍大きい。例えば、レチクル上で１ミクロン幅を有するマスクラインフィーチャーは５Ｘ縮小投影システムを介してフォトレジストの０．２ミクロンラインに変形される。
【００１８】
図４Ｂは焦点深度を概念的に図示する。一般的に、光学システムの焦点面は焦点（ＦＰ： Ｆｏｃａｌ Ｐｌａｉｎ）を含む平面である。焦点面は典型的に光学システムの最適焦点の平面に言及される。焦点（ｆｏｃｕｓ）と言う用語は光学軸（ｏｐｔｉｃａｌ  ａｘｉｓ）（すなわち、最適焦点面に垂直な軸）に沿って測定されるレジスト層の上部表面またはフォトレジストの中心のような基準面（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｐｌａｎｅ）に対する光学システムの最適焦点面の位置を意味する。例えば、図４Ｂに図示された最適焦点の平面（焦点面）はフォトレジスト層４７の表面近くに位置する。図４Ｂの典型的な例で、焦点はイメージシステムの焦点面と相対的にレジスト層４７の表面の位置により設定される。焦点誤差はレジストがコーティングされたウエーハの基準平面の実際位置と最適焦点でのウエーハ位置間の光学軸に沿って測定された差に言及される。フォトリソグラフィ工程の間、焦点は最適の焦点で±焦点誤差位置に変わることができる。ＤＯＦは±焦点誤差の許容可能な範囲に言及される。
【００１９】
再び図４Ａを参照すれば、焦点の変動及びドーズ量はＣＤの許容可能な範囲外のプリントされたフィーチャー（目標ＣＤから）のＣＤの増加または減少をもたらすことができる。一般的に、焦点変化関数でライン幅が劇的に変化すれば狭い工程ウィンドーが達成（実行）されることである。
【００２０】
例えば、図４Ａに示したように、露光量に対応するパラメトリック曲線Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４及びＥ５はＣＤが最適焦点（ｄｅｆｏｃｕｓ＝０）からの焦点偏差に対してさらに敏感だということを示す。反対に、Ｅ３曲線はさらに線形的であり、与えられた露光量において、ＣＤが最適の焦点位置（焦点誤差＝０）から焦点の偏差に対してそれほど敏感でないということを示す。
【００２１】
上で言及したＡＡＰＳＭ及びＥＡＰＳＭのような向上した技術が解像度向上のために利用されても、このような技術は高くて複雑なことがあって、チップサイズを増加させることがある。その上、ＰＳＭ技術は工程ウィンドーの減少結果で“禁止ピッチ（ｆｏｒｂｉｄｄｅｎ  ｐｉｔｃｈ）”現象が提示される。
【００２２】
さらに詳細に、特定フィーチャー及び目標ＣＤに対して斜入射照明を有する場合のフィーチャーの稠密なパターンの工程寛容度は一つ以上のピッチが等しいサイズの孤立されたフィーチャーの稠密なパターンの工程寛容度より悪いことがある。与えられたピッチ（例えば、マスク上の最小ピッチ）で斜入射照明が最適化される時、照明角度は回折角度と共にピッチに対して減少されたＤＯＦを引き起こす回折が発生するピッチを有するパターンであることができる。禁止ピッチ現象はサブ波長フィーチャーをプリントする先行したフォトリソグラフィで制限要素になる。
【００２３】
露光装置は露光装置の焦点偏差をカバーするために要求されるフォトリソグラフィ工程の最小ＤＯＦ要求を言う“フォーカスバジェット（ｆｏｃｕｓ  ｂｕｄｇｅｔ）”を有する。与えられたレイアウトパターンピッチのＤＯＦは露光装置に要求される焦点予算より大きくないならば、レイアウトパターンピッチは禁止ピッチで知られている。このような点で、禁止ピッチ現象を緩和させるための能力は利用する現在の半導体素子製造装置及び技術を得ることができるＣＤ及び工程寛容度を一般的に向上させることである。
【００２４】
サブ波長フィーチャーをプリンティングする時、ＣＤ均一度を制御することが重要である。しかし、フォトリソグラフィ露光装備（スキャナー／ステッパー）における露光工程のパラメーターの微細な偏差は許容可能な製造寛容度外に落とすためのプリントされたフィーチャーの臨界寸法（ＣＤ）を引き起こすことができる。例えば、ＤＯＦは一般的にリソグラフィ投影装置の解像度を決定する大部分の微細な要素のうち一つと見られる。フォトリソグラフィ工程の間、露光システムの焦点は温度または圧力変化、基板平坦度変化または他の要素のため要求されるフォトレジストがコーティングされた基板の基準平面の上または下へ移動することができる。工程ウィンドーに依存する最適焦点からの焦点移動量はプリントされたフィーチャーの大きさに劇的な影響を与えることができる。このような点で、焦点を各ウエーハに対して利用可能な範囲内で維持させるために工程を調節することができることが非常に望ましい。この点で、焦点誤差量は最適焦点測定の適切な方法なく決定されることができない。
【００２５】
上のような点で、リソグラフィ工程ウィンドーを向上させるためのマスク技術及びＯＰＣ解決法を向上させて、サブ波長フィーチャーの精密なプリンティングのための現在の光学露光システムの解像度を増加させることが非常に望ましい。さらに、サブ波長リソグラフィ工程において焦点変化によるＣＤ変化の程度が敏感ならば、光リソグラフィ工程の間、焦点変化（大きさ及び方向）を効率的に測定する技術を開発する必要があり、焦点を合せてＣＤを均一にするために露光装置を自動調節する必要がある。
【特許文献１】米国特許第６，７４９，９７０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
本発明が解決しようとする技術的課題はサブ波長フィーチャーをプリントするために向上されたリソグラフィ工程ウィンドーを提供するフォトマスク構造を提供することにある。
【００２７】
本発明が解決しようとする技術的課題は以上で言及した課題に制限されないし、言及されない更なる他の課題は下記の記載から当業者に明確に理解されることができる。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
前記技術的課題を達成するために本発明の一実施形態によるフォトマスクは、特定波長の露光光が透過するマスク基板と、前記マスク基板の表面上に形成されたマスクパターンと、を含み、前記マスクパターンは半導体基板に透過されるイメージの第１パターンを含み、前記第１パターンはプリントされるフィーチャーを含み、前記プリントされるフィーチャーは前記露光光の位相及び強度を調節するプリントされないフィーチャーを有して形成される。
【００２９】
前記技術的課題を達成するために本発明の他の実施形態によるフォトマスクは、特定波長の露光光が透過するマスク基板と、前記基板表面に形成されたマスクパターンと、を含み、前記マスクパターンはプリントされる長い棒要素を含み、前記プリントされる長い棒要素は、前記プリントされる長い棒要素の幅Ｗ４を定義する第１及び第２縁と、前記第１及び第２縁間に位置するプリントされない内部位相棒要素と、を含み、前記内部位相棒要素は、前記プリントされる長い棒要素の前記第１及び第２内部縁間にプリントされない長いスペースフィーチャーと、前記プリントされる長い棒要素の前記第１及び第２内部縁間の長いスペースフィーチャーに整列されたマスク基板に形成された長いトレンチと、を含む。
【００３０】
前記技術的課題を達成するために本発明のさらに他の実施形態によるフォトマスクは、特定波長の露光光が透過するマスク基板と、前記基板の表面上に形成されたマスクパターンと、を含み、前記マスクパターンは、第１及び第２縁により定義されて、内部を含むプリントされる要素と、露光光の特定波長に対して前記プリントされる要素の第１及び第２縁でイメージコントラストを増加させるための第１及び第２縁間に形成されたプリントされないフィーチャーと、を含む。
【発明の効果】
【００３１】
前記したように本発明の向上したフォトリソグラフィ工程ウィンドーを提供するフォトマスク構造及びその製造方法によれば工程ウィンドーを十分に確保することができるので、特定ピッチで工程マージン不足による禁止ピッチの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付される図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は以下で開示する実施形態に限られるものではなく相異なる多様な形態で具現されることができ、単に本実施形態は本発明の開示が完全になるようにして、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範ちゅうを完全に知らせるために提供するものであり、本発明は特許請求の範囲の範ちゅうにより定義されるだけである。
【００３３】
発明の実施形態による素子を製造するために焦点を測定してリソグラフィ工程ウィンドーを向上させるためのフォトマスク構造を利用する実施形態によるフォトマスク構造及び方法は図面と共にさらに完全に説明する。図面は多様な要素の厚さ及び寸法、層及び領域は一定な比例ではなく、さらに明確にするために多少誇張される。層が異なる層または基板“上”または“上部”に位置すると言及される時、他の層または基板に直接的に接触することもでき、異なる層または基板との間に他の層または基板も位置することができる。明細書全文にかけて同一参照符号は同一構成要素を指称する。以下、添付した図面を参照して本発明の一実施形態を詳細に説明する。
【００３４】
図５Ａ及び図５Ｂは本発明の一実施形態によるフォトマスクを概略的に示す。特に、図５Ａは一実施形態によるフォトマスク５０の上部平面図を示しており、図５Ｂは図５Ａの５Ｂ−５Ｂ’線に沿って切ったフォトマスク５０の断面図である。一般的に、フォトマスク５０はマスク基板５５上に形成されたマスクパターンで構成される。本発明の一実施形態によるマスクパターンは長い棒要素５１を含む。長い棒要素５１は、厚さｔとクリティカルエッジ５１ａ、５１ｂ間の幅Ｗ４とを有する、プリントすることができるフィーチャーである。長い棒要素５１は、幅Ｗ１の長い第１光遮断要素５２、幅Ｗ２の長い第２光遮断要素５４及び第１及び第２光遮断要素間に位置する内部位相シフトフィーチャー５３（または“位相棒”と呼ばれる）を含む。位相棒５３はマスク基板５５の表面下へｄだけの深さを有してマスク基板５５に延長される幅Ｗ３を有する内部領域である。
【００３５】
一般的に、位相棒５３はプリントされない解像度向上フィーチャーでサブ波長フィーチャーをプリントする間工程ウィンドーを向上させるために多様なマスク技術を利用することができる。位相棒５３はプリントされないようにするためにサブ解像度寸法（例えば、幅Ｗ３は設計ＣＤより小さい）を有するように形成される。基本的に、位相棒５３は光を１００％透過する長い棒要素５１の内部光透過領域である。このような位相棒５３は棒要素５１の周りの基板５５の露出した光透過領域を介して透過された光に比例して位相が移動する。位相移動量は、位相棒５３のトレンチ深さｄ、マスク基板５５の物質及び光の波長によって決定される。一実施形態で、位相棒５３は光透過領域の周りで透き通った光から１８０度位相が移動した光が透過するように設計される。特に、１８０度位相変化を提供するために、トレンチの深さｄはｄ・（ηsubstrate−ηair）＝（１／２）λに従って決定される。結果として得られる位相シフトによって、イメージコントラストを向上させる干渉が発生する。
【００３６】
さらに、棒要素５１の全般的な透過率は構成要素５２、５３、５４（例えば、幅Ｗ１、幅Ｗ２及び幅Ｗ３）の寸法及び／または光遮断要素５２、５４を形成する物質の種類を変更することによって調節することができる。特に、棒要素５１は効果的な透過率（（Ｗ１・Ｔ１）＋（Ｗ２・Ｔ２）＋（Ｗ３・Ｔ３））／Ｗ４を有する一つの棒要素として選択的に作用する３個の棒を含む。ここで、Ｔ１、Ｔ２及びＴ３はそれぞれ第１及び第２光遮断棒５２、５３と位相棒５３の透過率を示す。上で言及したように、位相棒５３は１００％の透過率を提供する。光遮断要素５２、５４の透過率Ｔ１及びＴ２は物質によって変化するものである。例えば、クロムのように実質的に０％の透過率を有する光遮断物質が利用されたり、ＭｏＳｉのように約５〜１０％の低い透過率を有する光遮断物質が利用されることができる。効果的に、イメージコントラストを最適化するために、製造された光遮断要素５２、５４と寸法は光透過の百分率及び外部側光の透過領域と内部側光の透過領域間の光の強度分布を調節する。棒の透過率を変更しないという点でこれは従来のフォトマスク技術と区別される。棒要素５１の多様な構成要素５２、５３、５４はフィーチャーの縁である程度光学的に光学コントラストを向上させる方法でフォトレジスト表面にかけて光の強度が分布するように設計することができる。これにより棒要素５１をプリンティングするための解像度及び工程ウィンドーが向上される。例えば、図５Ｃは実施形態によるフォトマスク５０を利用するフォトリソグラフィ工程を概略的に示す。図５Ｃはウエーハレベルで基板上のフォトレジスト層に沿った電界曲線５７を示す。これは実施形態によるフォトマスク５０を利用するポジティブレジストがコーティングされた基板５８を露光した結果である。例えば、棒要素５１はＭｏＳｉのように特定波長で約２〜１０％範囲の透過率を有する同じ光遮断物質（または位相移動物質）で形成されて、位相棒５３のトレンチ要素の深さは１８０度の位相移動を提供することと仮定する。図５Ｃは長い棒要素５１に該当する幅Ｗ４のプリントされたレジストパターン５９を示す。内部位相移動領域５３は１８０度移動した光を１００％透過させるが、レジストフィーチャー５９はプリントされない。
【００３７】
図６Ａないし図６Ｆは本発明の一実施形態によるフォトマスクを製造する方法を概略的に示す。特に、図６Ａないし図６Ｆは図５Ａ及び図５Ｂの実施形態によるフォトマスク５０を製造する方法を概略的に示す。先に、図６Ａに示したように、マスク物質層５１’及びフォトレジスト層６０はマスク基板５５上に順次的に形成される。フォトレジスト層６０を図６Ｂに示したようにレジストパターン６０ａに形成する。一実施形態で、フォトレジストパターン６０ａは、あらかじめ決まったマスクレイアウトに沿ってフォトレジスト層６０の希望する領域を露光するためにレーザー露光工程を遂行して、続いてフォトレジスト６０のレーザー露光された領域を除去するための現像工程を遂行することによって形成される。
【００３８】
図６Ｃに示したように、層５１’をパターニングしてフォトマスクパターンを形成する知られた技術を利用することによってフォトレジストパターン６０ａはマスク物質層５１’をエッチングするためのエッチングマスクとして利用される。例えば、図６Ｃに示したように、長い棒要素５１のための光遮断要素５２、５４は、第１エッチング工程間形成される。図６Ｄに示したように、第２フォトレジストパターン６１は光遮断要素５２、５４間のスペース領域を露光して形成される。図６Ｅで、エッチング工程は，マスク基板内に希望する深さｄを有するようにトレンチをエッチングするためにエッチングマスクとしてフォトレジストパターン６１を利用して遂行される。それから、図６Ｆで、フォトレジストマスク６１は除去され、上で説明した図５Ａ及び図５Ｂのようなフォトマスク構造が完成される。図６Ａないし図６Ｆの一実施形態による方法で、マスクパターン５１を形成するために単に２回のマスク工程が遂行される。マスクパターンを形成して位相の縁を定義するのを含む第１マスク工程（図６Ａ、６Ｂ）は、レーザー工程を利用して正確に遂行されることができる微細な工程である。マスク基板５５で位相棒のトレンチをエッチングする第２マスク工程（図５Ｄ、５Ｅ）はそれほど微細でない。特に、第２マスク工程はトレンチが光遮断要素５２、５４により自己整列する事実のためフォトマスク６１の正確なオーバーレイを要求しない。特に、フォトレジストマスク６１はエッチングされたマスク基板５５の他の領域をマスクする反面光遮断要素５２、５４は基板５５にトレンチをエッチングする時エッチングマスクで必ず提供する。
【００３９】
本発明によるプリントされない内部位相移動（ｎｏｎｐｒｉｎｔｉｎｇ  ｉｎｎｅｒ  ｐｈａｓｅ  ｓｈｉｆｔｉｎｇ）領域を有するフォトマスク構造を利用して得ることができる向上した工程ウィンドーを示すために、図７及び図８に図示されたフォトマスクパターンに関する多様なシミュレーションが遂行された。特に、図７は実質的に相互に平行してピッチＰだけ分離されて配列された長い棒７１（プリントすることができるパターン）を含む通常的なフォトマスクパターン７０を示す。またパターン７０は長い棒７１間に配置された複数のサブ解像度（プリントできない）補助フィーチャー７２（ＡＦ、ａｓｓｉｓｔａｎｔ  ｆｅａｔｕｒｅｓ）を含む。補助フィーチャー７２は回折効果を補償するためにマスクで提供されたプリントされることができないフィーチャーである。図８は図７と同様のパターンを示しているが、ここでメインバー７１が図５Ａ及び図５Ｂを参照して上で説明したことと同じ位相棒を有する棒８１で代替している。
【００４０】
フォトリソグラフィシミュレーションは、下の条件のような目標ＣＤ６５ｎｍのマスクパターン７０、８０を利用して遂行された。光源はＤＵＶ／ＡｒＦ（１９３ｎｍ）、ＮＡ（ｎｕｍｅｒｉｃ  ａｐｅｒｔｕｒｅ）＝０．８５である４：１倍率のクエーサー照明（ｑｕｓａｒ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）、０．５３ないし０．８０範囲の露光量に定義された。マスク７０、８０は６．５の透過率を有するマスク物質及び１８０度位相移動を提供する厚さを有する減衰型ＰＳＭマスクを利用した。ピッチＰは６００ｎｍに設定されて、棒７１、８１の幅は１０５ｎｍであり、補助フィーチャー７２は３５ｎｍに定義された。さらに、図８の棒要素８１に対して、光遮断要素及び内部位相移動領域の幅は等しい幅（３５ｎｍ／３５ｎｍ／３５ｎｍ）を有するように定義されたし、トレンチの深さは特定光の波長に対して１８０度の位相移動を提供するように定義された。
【００４１】
図９Ａ及び９Ｂは上で説明した条件下で図７の典型的なマスクパターンに対するシミュレーション結果を示す。特に、図９Ａは０．５３から０．８０まで変化した露光しきい値に対する曲線を有するＢｏｓｓｕｎｇグラフ９０を示す。線９１、９２、９３は上限値（ＣＤ＋＝６９ｎｍ）及び下限値（ＣＤ−＝６１ｎｍ）の目標ＣＤ（６５ｎｍ）を示しており、目標ＣＤから約±６．２％のマージン（ｍａｒｇｉｎ）を提供する。図９Ｂは、露光及び焦点変化によって高いＣＤ数値の曲線９６と低いＣＤ数値の曲線９７をそれぞれ含む工程ウィンドー９５（ＣＤ工程ウィンドー）をグラフで示す。図７の実施形態によるパターンに対するシミュレーションで、最適焦点は０．２μｍに、最適露光量は２０に定義された。このような条件で、ＤＯＦ及びＥＬは０と等しい（このような変数は希望する工程ウィンドーを逸れるようになる。）。
【００４２】
図１０Ａ及び図１０Ｂは、上で説明した条件下で図８のマスクパターンに対するシミュレーション結果を示す。特に、図１０Ａは０．５３から０．８０まで変化した露光しきい値に対する曲線を有するＢｏｓｓｕｎｇグラフ１００を示す。線１０１、１０２、１０３は上限値（ＣＤ＋＝６９ｎｍ）及び下限値（ＣＤ−＝６１ｎｍ）の目標ＣＤ（６５ｎｍ）を示す。この値は目標ＣＤから約±６．２％のＣＤ変化マージン（ｍａｒｇｉｎ）に基づいたものである。図１０Ｂは、露光及び焦点変化によって高いＣＤ数値の曲線１０６と低いＣＤ数値の曲線１０７を含む工程ウィンドー１０５（ＣＤ工程ウィンドー）をグラフで示す。図８の実施形態によるパターンに対するこのようなシミュレーションで、最適焦点は０μｍに、最適露光量は２８．３０に定義され、図１０Ｂに示したように用いることができる工程ウィンドー１０８を結果として得る。工程ウィンドー１０８は相対的に広いし、これは相当な焦点誤差の余裕（ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ）（ＤＯＦは０．２５μｍである。）があることを意味する。工程ウィンドー１０８は高さが相対的に低いし、これは相対的に小さな露光寛容度（ＥＬ＝０．７１％）があることを意味する。
【００４３】
図１１Ａ及び図１１Ｂは、上で説明した条件を有する図８のマスクパターンに対するシミュレーション結果を示すが、但し、図８で長い棒８１は内部位相移動領域が幅５５ｎｍを有して、光遮断要素が等しい幅である２５ｎｍを有するようにした（反面、上で説明したシミュレーションのように全体的な幅は１０５ｎｍに維持する。）。図１１Ａは、０．５３から０．８０まで変化した露光しきい値に対する曲線を有するＢｏｓｓｕｎｇグラフ１００を示す。線１１０１、１１０２、１１０３は目標ＣＤ（６５ｎｍ）を示しており、上限値（ＣＤ＋＝６９ｎｍ）及び下限値（ＣＤ−＝６１ｎｍ）は目標ＣＤから約±６．２％のＣＤ変化マージン（ｍａｒｇｉｎ）に基づいたものである。
【００４４】
図１１Ｂは、露光及び焦点変化によって高いＣＤ数値の曲線１１０６と低いＣＤ数値の曲線１１０７を含む工程ウィンドー１０５（ＣＤ工程ウィンドー）をグラフで示す。図８の実施形態によるパターンに対するこのようなシミュレーションで、最適焦点は０μｍ、最適露光量は２９．１０に定義され、図１０Ｂに示したように用いることができる工程ウィンドー１１０８を結果として得る。工程ウィンドー１１０８は相対的に広いし、これは相当な焦点誤差の余裕（ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ）（ＤＯＦ＝０．２５μｍ）があることを意味する。工程ウィンドー１１０８は増加された高さを有して（図１０Ｂと比較して）、これは図１０Ｂの場合に比べて増加された露光寛容度（ＥＬ＝３．４４％）があることを意味する。
【００４５】
図１１Ａ及び１１ＢのＢｏｓｓｕｎｇ曲線は、図９ＡのＢｏｓｓｕｎｇ曲線に比べて増加されたＣＤ線形性（ｌｉｎｅａｒｉｔｙ）を示す。さらに、図１１ＡのＢｏｓｓｕｎｇ曲線は、図１０Ａの場合に比べて増加されたＣＤ線形性を示す。全般的に、シミュレーション結果はプリントされない内部位相移動領域を有するようにデザインされたマスクフィーチャーを利用してサブ波長フィーチャーの精密なプリンティングのために得られることができる増加された工程ウィンドーを示す。図５Ａ及び図５Ｂに示した内部位相棒パターンを有する例示的なバーパターンは単に例示的なものであり、本発明の思想は他の形態及び構造のサブ波長のフィーチャーをプリントするための工程ウィンドーを増加させるために容易に適用することができる。
【００４６】
本発明の他の側面で、内部位相移動領域を有するマスクフィーチャーはテストパターンを製造するために使われ、このテストパターンはフォトリソグラフィ工程の間焦点変化の大きさ及び方向がさらに効率的に測定されることができるようにする。これにより、前記マスクパターンは露光システムの焦点がＣＤ均一性を示すように調節することができるようにする。実際に、以下で説明する本発明の実施形態によって、焦点測定と共に露光工程の自動調節が遂行されることができ、このようにしてフォトレジストが焦点深さ範囲内にある投射光学システムの最適のイメージ形成平面（すなわち、最適の焦点平面）に合わせられることができる。そうして高い解像度及び精密度でフォトマスクパターンがフォトレジスト層に転写されることができる。投射光学システムの最適焦点平面位置から焦点変化の大きさ及び方向を測定する例示的な方法が提供される。
【００４７】
図１２Ａ及び１２Ｂは、本発明の一実施形態による焦点を検出する方法を概略的に示す。特に、図１２Ａは本発明の一実施形態によるマスク基板１２０１及びマスクテストパターン１２０２を含む実施形態によるフォトマスク１２００を示す。マスクテストパターン１２０２はピッチＰだけ離れた２個のテスト構造Ｔ１及びＴ２を含む。一般的に、テスト構造Ｔ１、Ｔ２はそれぞれ内部位相移動領域Ｂ１、Ｂ２を有する長い棒要素である。テスト構造は図５を参照しながら説明した長い棒要素と構造において同様で、図６を参照しながら説明した方法を用いて製造されることができる。テスト構造Ｔ１及びＴ２は位相棒Ｂ１及びＢ２により生じた位相移動差が１８０度になるようにデザインされる。例えば、第１テスト構造Ｔ１は周辺の光透過領域内で透過される光と９０度位相移動した光を透過するようにデザインされた位相棒Ｂ１を有するように形成されることができる。特に、９０度位相移動を起こそうとするなら、トレンチの深さｄ１はｄ１・（ηglass−ηair）＝（１／４）λにしたがって決定される。第２テスト構造Ｔ２は周辺の光透過領域内で透過される光と２７０度位相移動した光を透過するようにデザインされた位相棒Ｂ２を有するように形成されることができる。特に、２７０度位相移動を起こそうとするなら、トレンチの深さｄ２はｄ２・（ηglass−ηair）＝（３／４）λにしたがって決定される。テスト構造Ｔ１、Ｔ２は縁で等しいＣＤを有するように形成され、ここでＣＤはマスクパターンに対する最も小さなＣＤと等しいように選択される。１ミクロンまたはこれより小さなＣＤに対し、ピッチＰはＣＤの約１０倍またはそれ以上になるように選択される。
【００４８】
図１２Ａのマスクパターンは、図１２Ｂに図示されたプリントされたテストパターンを有するように光に露光される。特に、図１２Ｂはその上に形成されたフォトレジストパターン１２１１を有する基板１２１０を概略的に示す。フォトレジストパターン１２１１は図１２ＡにあるそれぞれのマスクテストパターンＴ１、Ｔ２に対応するプリントされたテストパターンＴ１’、Ｔ２’を含む。プリントされたテストパターンＴ１’は幅ＣＤ１を有して、プリントされたテストパターンＴ２’は幅ＣＤ２を有するように現れている。図１２Ａで、マスクテストパターンＴ１、Ｔ２は同じＣＤ幅を有するように形成される。本発明の一実施形態によって、容易に焦点変化を測定するために、等しい照明により形成されてプリントされたテストパターンＴ１’、Ｔ２’の幅差（すなわち、ＣＤ２−ＣＤ１）が測定されて分析されることができる。特に、図１３Ａないし１３Ｂを参照して以下で詳細に説明されることであるが、幅差（ＣＤ２−ＣＤ１）は焦点変化の大きさ及び方向を決定するために使われる。そうしてフォトリソグラフィ工程の間焦点調整が行われる。
【００４９】
図１３Ａないし図１３Ｃは本発明の一実施形態による焦点測定方法を概略的に示すが、このような方法は焦点変化の大きさ及び方向がフォトリソグラフィ工程の間プリントされたテスト構造の測定されたＣＤ値に基づいて決定されることができるようにする。特に、図１３Ａ及び図１３Ｂは、図１２Ａに示したような例示的なマスクテストパターンに対して実験及び／またはコンピューターシミュレーションにより誘導された焦点−露光マトリックステストデータをグラフで示す。図１３Ａ及び図１３Ｂは、焦点及び露光エネルギー変化によるそれぞれの印刷されたテスト構造（図１２ＢのＴ１’、Ｔ２’）に対するＣＤ（ライン幅）変化を示すＢｏｓｓｕｎｇ図である。焦点−露光マトリックステストデータは数学的モデルを樹立するのに用いられるが、このモデルはプリントされたテスト構造に対して測定されたＣＤ値による焦点及び露光変化間の相関関係を定義して、一時的な（ウエーハ間）変化またはダイ（ｄｉｅ）内でウエーハの（空間的）変化を確認する。
【００５０】
図１３Ｃは図１２Ｂでプリントされたテスト構造Ｔ１’、Ｔ２’に対するＣＤ（ＣＤ２−ＣＤ１）測定値の差による（最適焦点からの）焦点変化の大きさ及び方向を決定する方法をグラフで示す。
【００５１】
図１２Ａの例示的なマスクテストパターンは一定な方式でデザインされるのに、この方式はテスト構造Ｔ１、Ｔ２のスルーフォーカス（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｆｏｃｕｓ）ＣＤ特性が、対応するＢｏｓｓｕｎｇ曲線を有して、この曲線が最適焦点位置（例えば、０焦点誤差）を基準にして対向する方向へ移動されるようにして、実質的に相互に対称的なイメージを有するようにすることである。特に、図１３Ａに示したように、例示的なテスト構造Ｔ１（９０度）に対するＢｏｓｓｕｎｇ曲線は、焦点誤差位置Ｄ＋にその中心が置かれて、最適焦点位置Ｄ（一実施形態で０焦点誤差を有することと仮定する。）の右側に移動される。さらに、図１３Ｂに示したように、例示的なテスト構造Ｔ２（２７０度）に対するＢｏｓｓｕｎｇ曲線は焦点誤差位置Ｄ−にその中心が置かれて、最適焦点位置Ｄの左側に移動される。また、図１３ＡのＢｏｓｓｕｎｇ曲線は、図１３ＢのＢｏｓｓｕｎｇ曲線と対称的なイメージである。言い換えると、特定露光エネルギーに対して、Ｄ＋の大きさはＤ−と等しくて焦点変化は測定されたＣＤ２の変化と反対の測定されたＣＤ１の変化を引き起こす。このような特徴は一定な関係を示すが、これは特定工程に対して最適焦点位置（例えば、０焦点誤差）からの±焦点変化によってＣＤ変化差（ＣＤ２−ＣＤ１）の大きさが線形的に変化する関係である。
【００５２】
例えば、図１３Ｃは図１３Ａ及び図１３Ｂのウィンドーに示したデータに対して焦点誤差（μｍ、ｘ−軸）によるＣＤ（ＣＤ２−ＣＤ１）変化（ｎｍ、ｙ−軸）を示したものである。一実施形態で、０である焦点誤差位置Ｄ（最適焦点）で、ＣＤ差（ＣＤ２−ＣＤ１）＝０は前記工程の焦点が最適焦点にあるということを意味する。点Ｐ１で、ＣＤ２−ＣＤ１の数値が約±２０ｎｍであることは前記工程で約−０．１０ミクロン程度の焦点誤差がある状態で焦点変化があることを意味する。反面、点Ｐ２で、ＣＤ２−ＣＤ１の数値が約−２０ｎｍであることは前記工程で約＋０．１０ミクロン程度の焦点誤差がある状態で焦点変化があることを意味する。これにより、図１３Ｃは焦点変化の大きさ及び方向すべてを測定することができる方法を示す。
【００５３】
図１２の例示的なマスクテストパターンはフォトマスク構造に具現されてプリントされたテスト構造を提供するが、このような構造はリソグラフィ製造工程において、プリントされたテスト構造の測定されたＣＤ（ライン幅）間の相対的な差に基づいて、焦点変化の大きさ及び方向を正確で効率的に決定するのに使われることができる。フォトマスク構造は回路レイアウトを有するように製造されることができ、一つまたはそれ以上のテストパターン構造が計画によって半導体素子パターン内に相異なる位置に配置されることができるのに、得られたプリントされたテストパターンがＣＤ測定において容易に発見されることができて確認されることができながらもプリントされたテストパターンを有する半導体素子の性能を阻害しないように配置される。例えば、フォトマスクテスト構造は得られたプリントされたテスト構造がウエーハからチップを分離することができるようにする相異なるウエーハダイ間のスクライブ（ｓｃｒｉｂｅ）ライン（または空間）内に形成されることができる。
【００５４】
特定なフォトリソグラフィ工程に対して、図１３Ａ及び図１３Ｂに示したような焦点−露光マトリックスデータは、特定工程に対する各段階のフォトマスクに対して得られることができて、そうして（図１３Ｃにグラフで示したような）プリントされたテスト構造のＣＤ間の差に基づいた焦点誤差の程度と方向を定量化するモデルまたは公式を樹立できる。例えば、フォトマスク製造に先行して、リソグラフィ製造工程を正確にシミュレーションしてリソグラフィ工程変数による（図１２Ａに示したような）例示的なマスクテストパターンを有する回路レイアウトの行動を予測するためにフォトリソグラフィシミュレーション装置が使われることができる。例えば、与えられたレイアウトパターンに対して工程変数（例えば、焦点変化）の変化による最小線幅変化をシミュレーションするために、知られた商業用シミュレーション装備を用いてシミュレーションが遂行されることができる。シミュレーションのために、焦点、露光量及びステッパー設定、レジスト変数及びＣＤに影響を及ぼす他の変数のようなフォトリソグラフィ装備の設定値がシミュレーション装備に入力されて処理されることができる。シミュレーション装置は露光装置の露光量及び焦点変化による最小線幅の変化を計算することができ、焦点−露光量データマトリックスを作り出す。リソグラフィシミュレーション装備は全体的な焦点及び露光ウィンドーに対する包括的なリソグラフィ工程モデルを樹立する方法を含む。シミュレーション結果はテストレチクルを製造するのに使われることができる。このようなテストレチクルは実験的にＦＥＭ（ｆｏｃｕｓ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｍａｔｒｉｘ）データを得るために使われることができるが、このデータはシミュレーションデータと共に例えば、焦点変化（図１３）を決定するリソグラフィ工程モデル及び公式を修正または最適化するのに使われる。
【００５５】
図１４はフォトリソグラフィシステム１４００の概略的なダイヤグラム（ｄｉａｇｒａｍ）であって、本発明の一実施形態による焦点測定システムを含む。一般的に、システム１４００は露光システム１４０１、フォトレジスト現像システム１４０２、ＣＤ測定システム１４０３、焦点測定システム１４０４、工程変数モデル及びＦＥＭデータ貯蔵所（ｒｅｐｏｓｉｔｏｒｙ）１４０５、及び工程変数制御システム１４０６を含む。露光システム１４０１は本発明の一実施形態によるテスト構造パターンだけでなく、回路レイアウトパターンを含むマスクパターンを有するフォトマスクを介してフォトレジストがコーティングされたウエーハを露光させるための露光装置を含む。
【００５６】
露光システム１４０１は縮小（ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ）投射露光システム（ステッパー）のような知られたシステムのうちいずれか一つを含むことができるが、ここでマスクパターンは縮小された大きさでフォトレジスト上に投射される。最適焦点及び最適露光量のような露光装備の初期工程変数は特定フォトマスクと関連されたＦＥＭデータにより決定される最適の変数に合せて設定される。
【００５７】
露光後、露光されたウエーハは現像システム１４０２に送られ、ここで露光されたフォトレジストパターンはポスト露光ベーク工程（ｐｏｓｔ  ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｂａｋｅ  ｐｒｏｃｅｓｓ）を経た次に、フォトレジストの露光された（または露光されない）領域を除去するための化学工程を経る。露光及び現像工程の結果でパターン化されたレジスト層を有するウエーハを得る。現像工程後に、レジストがパターン化されたウエーハはＣＤ測定システム１４０３に送られ、ここで例えば、プリントされたテスト構造のＣＤが測定される。
【００５８】
ＣＤ測定システム１４０３はウエーハ分析システムの一部であることができるのに、この分析システムは自動及び／または手動でウエーハを分析して欠陥を発見したり、パターンの数値を測定する等の分析を行うことができる。ＣＤ測定装備１４０３は光学オーバーレイ（ｏｐｔｉｃａｌ  ｏｖｅｒｌａｙ）装備、散乱測定機（ｓｃａｔｔｒｏｍｅｔｅｒｓ）、走査電子顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、原子力顕微鏡（ａｔｏｍｉｃ  ｆｏｒｃｅ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を含む知られた計測装備を利用して遂行されることができる。
【００５９】
ＣＤ測定システム装備１４０３はプリントされたテスト構造のＣＤを測定することができるのに、ライン幅を光学的に直接測定したり、イメージ処理方法を用いて測定することができ、このようなイメージ処理方法は特定フォトマスク及び露光条件と関連した一つまたはそれ以上の基本（ｂａｓｅｌｉｎｅ）イメージを現在の光学イメージと比較することでＣＤを決定する。
【００６０】
焦点検出システム１４０４は測定されたＣＤデータを処理して、ウエーハがプリントされる時焦点変化を測定する。特に、上で説明したように、リソグラフィ工程の焦点変化の大きさ及び方向はプリントされたテスト構造の測定されたＣＤの差を決定して、特定なプリントされたテスト構造に対する該工程変数の数学的モデルを利用してＣＤ差値を焦点及び露光変化と連関させることによって決定することができる。もしも測定されたＣＤが変化するならば、焦点測定システム１４０４は適切な制御信号及び変数を工程変数制御システム１４０６に発生及び出力して露光装備１４０１の工程変数（焦点）を必要によって調節するようになる。一実施形態で、測定システム１４０４及び制御システム１４０６の機能は全体的に自動化されることができる。他の実施形態で、このような機能は半自動化することができ、ここで、例えば、焦点測定システム１４０４は焦点変化に関して作業者に警報音を鳴らし、かくして作業者が工程変化を確認するようにしてその次に手動で露光システムの工程変数を調節するようにするとか、必要な調節のために工程変数制御システムに適切な命令を提供するようにすることができる。
【００６１】
ここで説明した例示的なシステム及び方法はハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア（ｆｉｒｍｗａｒｅ）、特別な目的のプロセッサーまたはこれらの多様な組合せ形態で遂行されることができる。一実施形態で、前記例示的な実施形態は一つまたはそれ以上のプログラム保存装置（例えば、ハードディスク、磁気フロッピー（登録商標）ディスク、ＲＡＭ、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、ＲＯＭ、フラッシュメモリー等）に具体化されて適切な構造（アーキテクチャー）を含むいかなる装置または機器でも実行可能なプログラム説明を含むアプリケーション（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）であるソフトウェア内で遂行されることができる。添付された図面に図示された例示的なシステムモジュール及び方法の段階はソフトウェア内でさらに望ましく遂行されることができるので、システム構成要素（または工程段階の流れ）間の実際関係は前記アプリケーションがプログラムされる方式によって異なる。ここで説明したことに基づいて、関連した技術分野で通常の技術を有した者は本発明として遂行されたこと及びこれと同様のもの等または本発明の構成を類推することができる。
【００６２】
本発明の一実施形態によるマスクテストパターンはブライトフィールド（ｂｒｉｇｈｔｆｉｅｌｄ）、ダークフィールド（ｄａｒｋｆｉｅｌｄ）、または位相移動マスクと共に使われることができ、または他の発光ソース（ｒａｄｉａｔｉｏｎｓｏｕｒｃｅ）のためにデザインされたレチクルと共に使われることができて、そしてポジティブまたはネガティブフォトレジスト、二重層、多重層または表面イメージング（ｉｍａｇｉｎｇ）レジストを含むリソグラフィ工程に使われることができる。
【００６３】
添付した図面を参照して実施形態が説明されたが、本発明の一実施形態によるここで説明した実施形態に限るのではなく、本発明の領域または思想を逸れることがなく本発明が属する分野で通常の技術を有した者により容易に多様な変化及び変形が予想されることができる。すべての変化及び変形は添付された請求項により定義されたように本発明の思想内に含まれなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
高集積半導体素子及びその製造方法に適用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１Ａ】バイナリ型マスク構造を利用した従来のフォトリソグラフィ工程を示した図面である。
【図１Ｂ】バイナリ型マスク構造を利用した従来のフォトリソグラフィ工程を示した図面である。
【図１Ｃ】バイナリ型マスク構造を利用した従来のフォトリソグラフィ工程を示した図面である。
【図２Ａ】ＥＡＰＳＭ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ  Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｍａｓｋ）を利用した従来のフォトリソグラフィ工程を示した図面である。
【図２Ｂ】ＥＡＰＳＭ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ  Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｍａｓｋ）を利用した従来のフォトリソグラフィ工程を示した図面である。
【図２Ｃ】ＥＡＰＳＭ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ  Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｍａｓｋ）を利用した従来のフォトリソグラフィ工程を示した図面である。
【図３Ａ】ＡＡＰＳＭ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｍａｓｋ）を利用した従来技術のフォトリソグラフィ工程を示した図面である。
【図３Ｂ】ＡＡＰＳＭ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｍａｓｋ）を利用した従来技術のフォトリソグラフィ工程を示した図面である。
【図３Ｃ】ＡＡＰＳＭ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｍａｓｋ）を利用した従来技術のフォトリソグラフィ工程を示した図面である。
【図４Ａ】パラメーターで臨界寸法（ＣＤ）対露光量による焦点に対するパラメトリック曲線を含む典型的なＢｏｓｓｕｎｇ（焦点−露光）図である。
【図４Ｂ】フォトレジストがコーティングされた基板を露光するためのレチクルを利用するリソグラフィ投影工程を概略的に示す。
【図５Ａ】本発明の一実施形態によるフォトマスク構造を概略的に示す。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態によるフォトマスク構造を概略的に示す。
【図５Ｃ】図５Ａ及び図５Ｂの一実施形態によるフォトマスクを利用するフォトリソグラフィ工程を概略的に示す。
【図６Ａ】本発明の一実施形態によるフォトマスク製造方法を概略的に示す。
【図６Ｂ】本発明の一実施形態によるフォトマスク製造方法を概略的に示す。
【図６Ｃ】本発明の一実施形態によるフォトマスク製造方法を概略的に示す。
【図６Ｄ】本発明の一実施形態によるフォトマスク製造方法を概略的に示す。
【図６Ｅ】本発明の一実施形態によるフォトマスク製造方法を概略的に示す。
【図６Ｆ】本発明の一実施形態によるフォトマスク製造方法を概略的に示す。
【図７】典型的なフォトマスクパターンを示す。
【図８】本発明の一実施形態によるフォトマスクパターンを示す。
【図９Ａ】図７のマスクパターンに対してコンピューターシミュレーションを介して得られたリソグラフィ工程ウィンドーを示したグラフである。
【図９Ｂ】図７のマスクパターンに対してコンピューターシミュレーションを介して得られたリソグラフィ工程ウィンドーを示したグラフである。
【図１０Ａ】図８のフォトマスクパターンに対してコンピューターシミュレーションを介して得られたリソグラフィ工程ウィンドーを示したグラフである。
【図１０Ｂ】図８のフォトマスクパターンに対してコンピューターシミュレーションを介して得られたリソグラフィ工程ウィンドーを示したグラフである。
【図１１Ａ】図８のフォトマスクパターンに対してコンピューターシミュレーションを介して得られたリソグラフィ工程ウィンドーを示したグラフである。
【図１１Ｂ】図８のフォトマスクパターンに対してコンピューターシミュレーションを介して得られたリソグラフィ工程ウィンドーを示したグラフである。
【図１２Ａ】焦点変化をモニターリングするためのテストパターンを含む本発明の一実施形態によるフォトマスク構造を概略的に示す。
【図１２Ｂ】図１２Ａの実施形態によるフォトマスク構造を利用してレジストがコーティングされたウエーハを露光することで得られたプリントされたテストパターンを概略的に示す。
【図１３Ａ】焦点変化を目標テストパターンに対して測定されたＣＤ値と連関させる工程パラメーターを含む焦点−露出マトリックスを示したグラフである。
【図１３Ｂ】焦点変化を目標テストパターンに対して測定されたＣＤ値と連関させる工程パラメーターを含む焦点−露出マトリックスを示したグラフである。
【図１３Ｃ】本発明の一実施形態によって測定されたＣＤを基礎にして焦点方向移動を決定することを示す焦点応答曲線である。
【図１４】本発明の一実施形態によって工程変化を測定するのに利用される光学ウエーハ走査システムを概略的に示す。
【符号の説明】
【００６６】
１０  バイナリーマスク
１１、２１、３１  マスクパターン
１２、５５、１２０１  マスク基板
１３、２３、３３  電界曲線
１５、２５、３５  フォトレジスト層
１６、２６、３６  半導体基板
２０  ＥＡＰＳＭ
２１ａ  ラインフィーチャー
２１ｂ  スペースパターン
３０  ＡＡＰＳＭ
４５  レチクル
４７  フォトレジスト層
４８  半導体基板
５０、１２００  フォトマスク
５１  長い棒要素
５１’  マスク物質層
５２  第１の光遮断要素
５３  位相棒
５４  第２の光遮断要素
６０  フォトレジスト層
６０ａ  フォトレジストパターン
６１  第２フォトレジストパターン
７０、８０  フォトマスクパターン
７１  長い棒
７２  補助フィーチャー
１２１１  フォトレジストパターン
Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５  露光エネルギー
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４】
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