(57)【要約】【課題】  リレーの動作ごとにリレーへ電流を流すか否かを考慮してリレーの寿命を予測する。【解決手段】  テストプログラムに基づいて半導体装置のテストを行う半導体試験装置に使用されているリレーの寿命を予測するシステムにおいて、テストプログラムから、１回のテストについて、電流を流さずにリレーを動作させた回数ｘと電流を流しながらリレーを動作させた回数ｙを別々にカウントするカウント手段と、電流を流さずに動作させた場合に対する電流を流しながら動作させた場合のリレーへの負荷の比率を負荷係数ｚとして、ｂ＝ｘ＋ｚｙを計算し、各テストにおけるｂの累計がリミット値Ｌに達するまでの時間をリレー寿命として予測する予測手段とを有する。【選択図】      図１
2006064407.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テストプログラムに基づいて半導体装置のテストを行う半導体試験装置に使用されているリレーの寿命を予測するシステムにおいて、
前記テストプログラムから、１回のテストについて、電流を流さずにリレーを動作させた回数ｘと電流を流しながらリレーを動作させた回数ｙを別々にカウントするカウント手段と、
電流を流さずに動作させた場合に対する電流を流しながら動作させた場合のリレーへの負荷の比率を負荷係数ｚとして、ｂ＝ｘ＋ｚｙを計算し、各テストにおけるｂの累計がリミット値Ｌに達するまでの時間をリレー寿命として予測する予測手段とを有することを特徴とする半導体試験装置のリレー寿命予測システム。
【請求項２】
メンテナンスにおいて交換したリレーの情報を取得する交換情報取得手段を更に有し、
前記予測手段は、前記交換したリレーの情報に基づいてリレー寿命を補正することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体試験装置のリレー寿命予測システム。
【請求項３】
テストプログラムに基づいて半導体装置のテストを行う半導体試験装置に使用されているリレーの寿命を予測するプログラムにおいて、
カウント手段を用いて、前記テストプログラムから、１回のテストについて、電流を流さずにリレーを動作させた回数ｘと電流を流しながらリレーを動作させた回数ｙを別々にカウントさせ、
予測手段を用いて、電流を流さずに動作させた場合に対する電流を流しながら動作させた場合のリレーへの負荷の比率を負荷係数ｚとして、ｂ＝ｘ＋ｚｙを計算させ、各テストにおけるｂの累計がリミット値Ｌに達するまでの時間をリレー寿命として予測させることを特徴とする半導体試験装置のリレー寿命予測プログラム。  
【請求項４】
交換情報取得手段を用いて、メンテナンスにおいて交換したリレーの情報を取得させ、
前記予測手段を用いて、前記交換したリレーの情報に基づいてリレー寿命を補正させることを特徴とする請求項１に記載の半導体試験装置のリレー寿命予測プログラム。
【請求項５】
コンピュータにより読み取り可能な情報記憶媒体であって、請求項３又は４のプログラムを記憶したことを特徴とする情報記憶媒体 。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テストプログラムに基づいて半導体装置の試験を行う半導体試験装置に使用されているリレーの寿命を予測するシステム及びそのプログラム並びにそのプログラムを記憶した記憶媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の試験を行うために、テストプログラムに基づいて半導体装置の試験を行う半導体試験装置が用いられる。この半導体試験装置に使用されているリレーは、半導体試験装置に使用されている他の部品に比べて寿命が短い。そこで、リレーの寿命を予測する必要があり、そのためのシステムが種々提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平５−１１２７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体装置の１回の試験において、電流を流さずにリレーを動作させる場合と電流を流しながらリレーを動作させる場合が混在しており、それぞれリレーへの負荷が異なる。しかし、従来のリレー寿命予測システムは、リレーの動作ごとにリレーへ電流を流すか否かを考慮するものではなかった。
【０００４】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、リレーの動作ごとにリレーへ電流を流すか否かを考慮してリレーの寿命を予測することができる半導体試験装置のリレー寿命予測システム及びそのプログラム並びにそのプログラムを記憶した記憶媒体を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る半導体試験装置のリレー寿命予測システムは、テストプログラムに基づいて半導体装置のテストを行う半導体試験装置に使用されているリレーの寿命を予測するシステムにおいて、テストプログラムから、１回のテストについて、電流を流さずにリレーを動作させた回数ｘと電流を流しながらリレーを動作させた回数ｙを別々にカウントするカウント手段と、電流を流さずに動作させた場合に対する電流を流しながら動作させた場合のリレーへの負荷の比率を負荷係数ｚとして、ｂ＝ｘ＋ｚｙを計算し、各テストにおけるｂの累計がリミット値Ｌに達するまでの時間をリレー寿命として予測する予測手段とを有する。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明により、リレーの動作ごとにリレーへ電流を流すか否かを考慮してリレーの寿命を予測することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムを備えた半導体試験装置を示すブロック図である。半導体試験装置１１は、半導体装置であるＤＵＴ１２を試験するものである。
【０００８】
半導体装置１２はリレー１３を有し、このリレー１３はリレー制御部１４により制御される。また、半導体装置１２の電源１５からリレー１３を介してＤＵＴ１２に電流が供給される。そして、ＣＰＵ１６は、テストプログラム１７に基づいてリレー制御部１４及び電源１５を制御して、ＤＵＴ１２を試験する。
【０００９】
ただし、ＤＵＴ１２の１回の試験において、電流を流さずにリレー１３を動作させる場合と電流を流しながらリレー１３を動作させる場合が混在しており、それぞれリレー１３への負荷が異なる。そこで、リレー１３の動作ごとにリレー１３へ電流を流すか否かを考慮してリレーの寿命を予測するために、以下の構成を有するリレー寿命予測システム２１が設けられている。
【００１０】
リレー寿命予測システム２１は、カウント手段２２と、データベース２３と、交換情報取得手段２４と、予測手段２５と、表示デバイス２６を有する。
【００１１】
次に、本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムの動作について説明する。
【００１２】
図２は、カウント手段２２によるリレー動作回数取得のフローチャートである。半導体試験装置１１においてテストプログラムがスタートされると、まずは、動作回数ｘ，ｙを初期化（ｘ，ｙ＝０）する（ステップＳ１）。
【００１３】
次に、テストプログラム実行中にリレー１３が動作しているか否かを調べる（ステップＳ２）。そして、リレー１３が動作している場合は、電流を流しながらの動作（ホットスイッチ）か否かを調べる（ステップＳ３）。電流を流さない動作ならｘをカウントアップし（ステップＳ４）、電流を流しながらの動作ならｙをカウントアップする（ステップＳ５）。
【００１４】
次に、テストが終了したか否かを調べる（ステップＳ６）。テストが終了していない場合はステップＳ２に戻る。即ち、テストが終了するまでステップＳ２〜Ｓ５の動作を繰り返す。
【００１５】
テストが終了した場合は収集した動作回数ｘ，ｙをデータベース２３に計上し（ステップＳ７）、一連の動作を終了する。テストが実行されるたびに、カウント手段２２は、以上のステップを毎回実行し、逐次、データベース２３に情報を蓄える。
【００１６】
図３は、交換情報取得手段２４による交換したリレー情報取得のフローチャートである。半導体試験装置１１のメンテナンスが実行される（ステップＳ１１）と、リレーが交換されたか否かを調べる（ステップＳ１２）。リレーが交換された場合は、そのリレーについて必要な情報をデータベース２３へ計上する（ステップＳ１３）。データベース２３へ計上するデータとしては、基板識別情報、ピン識別情報、リレー型名、リレーロット情報、故障モード（ＯＰＥＮ，ＳＨＯＲＴなど）がある。
【００１７】
図４は、予測手段２５によるリレー寿命予想のフローチャートである。まず、データベース２３に格納されているリレー寿命予想に必要な情報を読み込み、内部変数の初期値として代入する（ステップＳ２１）。読み込む情報としては、判定用累計ａ、補正用の内部変数である予測寿命補正値ｃ、電流を流さずにリレーを動作させた回数（無負荷リレー動作回数）ｘ、電流を流しながらリレーを動作させた回数（ホットスイッチリレー動作回数）ｙ、前回のテストのタイムスタンプｔ１、前回のテストから現在までにリレーが交換されたか否かを表すリレー交換情報、リレーを交換すべきか否かを表すフラグがある。
【００１８】
次に、データベース２３には格納されていない他の内部変数について初期化を行う（ステップＳ２２）。初期化を行う内部変数としては、負荷係数ｚ、リミット値Ｌ、今回のテストのタイムスタンプｔ２がある。
【００１９】
そして、前回のテストから現在までにリレーが交換されたか否かを確認する（ステップＳ２３）。リレーが交換された場合は、判定用累計ａを初期化（ａ＝０）する（ステップＳ２４）。そして、フラグのＯＮ／ＯＦＦを確認し（ステップＳ２５）、フラグがＯＮであれば予測寿命補正値ｃを＋補正し（ステップＳ２６）、フラグをＯＦＦにする（ステップＳ２７）。一方、フラグがＯＦＦであれば予測寿命補正値ｃを−補正する（ステップＳ２８）。
【００２０】
次に、データベース２３から読み込んだリレー動作回数ｘ，ｙと、予め設定した負荷係数ｚとから、寿命判定に使用する値ｂをｂ＝ｘ＋ｚｙにより算出する（ステップＳ２９）。
【００２１】
次に、前回のテストまでのｂの累計である判定用累計ａと今回のテストのｂを足し合わせ、この和とリレー規格により定めたリミット値Ｌとを比較する（ステップＳ３０）。そして、和がリミット値を超えている場合は、リレーが寿命に達したと判断してフラッグをＯＮにし（ステップＳ３１）、リミット値を超えていない場合は、次式によりリレーの予測寿命を計算する（ステップＳ３２）
予測寿命＝ｔ２＋（ｔ２−ｔ１）（Ｌ−（ａ＋ｂ））／ｂ＋ｃ  （数式１）
【００２２】
次に、フラグのＯＮ／ＯＦＦを確認する（ステップＳ３３）。フラグがＯＦＦの場合は、タイムスタンプと判定用累計ａを更新（ｔ１＝ｔ２、ａ＝ａ＋ｂ）し（ステップＳ３４）、予測寿命を表示デバイス２６に表示する。フラグがＯＮの場合は、リレーの交換を促す案内表示を表示デバイス２６に表示する。
【００２３】
次に、更新された情報をデータベース２３へ計上する（ステップＳ３７）。計上する情報としては、判定用累計ａ、予測寿命補正値ｃ、前回タイムスタンプｔ１がある。その後、処理を終了する。なお、このリレー寿命予想の開始タイミングは任意に設定できる。
【００２４】
以上説明したように、本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムにおいて、カウント手段２２は、テストプログラムから、１回のテストについて、電流を流さずにリレー１３を動作させた回数ｘと電流を流しながらリレー１３を動作させた回数ｙを別々にカウントする。また、交換情報取得手段２４は、メンテナンスにおいて交換したリレー１３の情報を取得する。そして、予測手段２５は、電流を流さずに動作させた場合に対する電流を流しながら動作させた場合のリレー１３への負荷の比率を負荷係数ｚとして、ｂ＝ｘ＋ｚｙを計算し、各テストにおけるｂの累計がリミット値Ｌに達するまでの時間をリレー寿命として予測する。これにより、リレーの動作ごとにリレーへ電流を流すか否かを考慮してリレーの寿命を予測することができる。
【００２５】
また、予測手段２５は、交換したリレー１３の情報に基づいてリレー寿命を補正する。これにより、リレーの交換も考慮してリレーの寿命を予測することができる。
【００２６】
なお、リレー寿命予測システム２１を半導体試験装置１１の内部に設けた場合について説明したが、これに限らず、リレー寿命予測システム２１を外部装置に設け、外部装置の制御部によりリレー寿命予測システムを制御する場合でも同様の効果を奏する。
【００２７】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係るリレー寿命予測システムは、リレー動作回数の取得のフローが実施の形態１と異なる。その他の構成は実施の形態１と同様である。
【００２８】
図５は、本発明の実施の形態２に係るリレー寿命予測システムによるリレー動作回数取得のフローチャートである。半導体装置又はエミュレートができる環境において、事前に以下のステップＳ４１〜Ｓ４８の動作を実行する。
【００２９】
エミュレートがスタートすると、まずは、テストプログラム名称を記憶する（ステップＳ４１）。そして、動作回数ｘ，ｙを初期化（ｘ，ｙ＝０）する（ステップＳ４２）。
【００３０】
次に、テストプログラム実行中にリレー１３が動作しているか否かを調べる（ステップＳ４３）。そして、リレー１３が動作している場合は、電流を流しながらの動作（ホットスイッチ）か否かを調べる（ステップＳ４４）。電流を流さない動作ならｘをカウントアップし（ステップＳ４５）、電流を流しながらの動作ならｙをカウントアップする（ステップＳ４６）。
【００３１】
次に、テストが終了か否かを調べる（ステップＳ４７）。テストが終了していない場合はステップＳ２に戻る。即ち、テストが終了するまでステップＳ４３〜Ｓ４６の動作を繰り返す。
【００３２】
テストが終了した場合は収集した動作回数ｘ，ｙをデータベース２３に計上し（ステップＳ４８）、エミュレートを終了する。
【００３３】
次に、半導体装置においてテストプログラムがスタートすると、テストプログラム名称、同時測定個数、デバイスのマスク情報を記憶する（ステップＳ５１）。そして、テスト終了時に、このテストプログラム名称等をデータベース２３に計上する。さらに、このデータベース２３に計上した情報を用いて、実施の形態１と同様にしてリレー動作回数を算出する。これにより、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムを備えた半導体試験装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムによるリレー動作回数取得のフローチャートである。
【図３】本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムによる交換したリレー情報取得のフローチャートである。
【図４】本発明の実施の形態１に係るリレー寿命予測システムによるリレー寿命予想のフローチャートである。
【図５】本発明の実施の形態２に係るリレー寿命予測システムによるリレー動作回数取得のフローチャートである。
【符号の説明】
【００３５】
１１  半導体試験装置
１２  ＤＵＴ（半導体装置）
１３  リレー
１４  リレー制御部
１５  電源
１７  テストプログラム
２１  リレー寿命予測システム
２２  カウント手段
２３  データベース
２４  交換情報取得手段
２５  予測手段
２６  表示デバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2006064407.tif 000006
【図５】
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