(57)【要約】【課題】  基板面内で均一な膜厚の機能層パターンを形成することが可能で、しかも従来に比して大きな面積の表示領域を確保することができる有機ＥＬ装置を提供する。【解決手段】  本発明の有機ＥＬ装置は、画素Ａ毎に有機ＥＬ素子が機能する機能領域２ａと、該機能領域２ａの周辺に形成される非機能領域２ｂとを有する有機ＥＬ装置であって、前記機能領域２ａには、前記画素Ａを区画する隔壁部１２２と、前記画素Ａ毎に配設された画素電極と、前記隔壁部１２２に囲まれて配設された機能層とが少なくとも形成されてなる一方、前記非機能領域２ｂには、前記機能領域２ａの外周を囲い、且つ該機能領域２ａの外周に沿って延びる帯状の液受容部９２が形成されてなることを特徴とする。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
隔壁により区画された機能層を有する有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子が配置された機能領域と、
前記機能領域の外周に沿って配置された帯状の液受容部とを有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記液受容部は、前記隔壁により形成された凹状部であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
有機ＥＬ素子を構成する機能層を区画する隔壁を形成する工程と、
前記有機ＥＬ素子が配置される機能領域の外周に沿って配置された帯状の液受容部を形成する工程と、
前記隔壁により区画された領域に液滴吐出法で前記機能層を構成する機能材料を溶媒に溶解ないし分散させた組成物を吐出する機能領域吐出工程と、
前記組成物又は前記溶媒を、前記液受容部に液滴吐出法で吐出する液受容部吐出工程と、
前記溶媒を除去し、前記機能層を形成する工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
有機ＥＬ素子を構成する機能層を区画する隔壁を形成する工程と、
前記有機ＥＬ素子が配置される機能領域の外周に沿って配置された帯状の液受容部を形成する工程と、
前記隔壁により区画された領域に液滴吐出法で前記機能層を構成する機能材料を第１の溶媒に溶解ないし分散させた第１の組成物を吐出する機能領域吐出工程と、
前記第１の溶媒よりも高沸点の第２の溶媒又は前記第２の溶媒を含む第２の組成物を、前記液受容部に液滴吐出法で吐出する液受容部吐出工程と、
前記第１の溶媒を除去し、前記機能層を形成する工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記液受容部吐出工程は、前記機能領域吐出工程よりも先に行うことを特徴とする請求項３又は４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機蛍光材料等の機能材料をインク化し、該インク（液状体）を基材上に吐出する液滴吐出法により、機能材料のパターニングを行う方法を採用して、一対の電極間に該機能材料からなる機能層が挟持された構成の有機ＥＬ装置、特に機能材料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の開発が行われている。
【０００３】
上述した機能材料のパターニング法として、基材上に形成したＩＴＯ等からなる画素電極の周囲にバンク部（隔壁部）を形成し、次に画素電極及びこの画素電極に隣接する前記バンク部の一部を親液性に処理するとともにバンク部の残りの部分を撥液性に処理した後、機能層の構成材料を含むインクを画素電極に吐出して乾燥することにより、該画素電極上に機能層を形成する方法が採用されている。具体的には、複数のノズルが副走査方向に沿って配列されてなるノズル列を有する液滴吐出ヘッドを用い、この液滴吐出ヘッドを基板に対して主走査方向に走査しつつ、前記ノズルからインクを吐出することにより、画素電極上に機能層を形成する方法が知られている。このような方法は、マイクロオーダーの液滴を画素領域に配することが可能なため、材料の利用効率を考えると、スピンコートなどの方法に比べて有効である。
【０００４】
しかしながら、画素電極が配された表示領域（機能領域）のうち周辺部では、インクから蒸発する溶媒分子の分圧が該表示領域の中央部よりも少なくなる場合がある。このような現象が生じると、周辺部において溶媒の蒸発速度が極端に速くなり、その結果、製造される有機ＥＬ装置において機能層の膜厚むらが生じる惧れがある。このような膜厚むらが生じた有機ＥＬ装置は、その特性が低下し、これを表示装置等として用いた場合には、表示むらを生じることもある。そこで、これを解決するために、例えば特許文献１のような技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−２２２６９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に開示された技術は、表示領域（機能領域）の外側に表示に寄与しないダミー領域（非機能領域）を形成し、該ダミー領域にも機能層と同一のインクを塗布することで、表示領域の中央部と周辺部とにおいて機能層の膜厚むらが生じることを防止ないし抑制している。しかしながら、当該特許文献１に開示された技術は、ダミー領域に表示領域と同様のパターンのバンク部を形成し、該バンク部にインクを塗布するものとしているが、上記のような膜厚むらの発生を防止するためには、少なくとも５画素分のバンク部を形成する必要がある。このように５画素分以上のバンク部によりダミー領域を形成した場合、当該ダミー領域の面積が大きくなるため、表示領域の面積を十分に確保できない場合がある。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、基板面内で均一な膜厚の機能層（発光層等）パターンを形成することが可能で、しかも上記のような従来の技術に比して大きな面積の表示領域（機能領域）を確保することができる有機ＥＬ装置と、その製造方法、更には該有機ＥＬ装置を用いた電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ装置は、隔壁により区画された機能層を有する有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子が配置された機能領域と、前記機能領域の外周に沿って配置された帯状の液受容部とを有することを特徴とする。
【０００８】
このような有機ＥＬ装置によると、液受容部を機能領域の外周に形成したため、例えば当該機能領域において上記機能層を液相法で形成する場合に、液受容部にダミーの溶媒を塗布しておけば、該機能層において膜厚むらが発生することを防止ないし抑制することが可能となる。つまり、液受容部にダミーの溶媒を塗布しておくことで、機能領域において蒸発する溶媒分子の分圧が該機能領域の中央部と周辺部とで略同一となり、その結果、機能領域全体で機能層の膜厚を均一化することができるようになるのである。
しかも、本発明では、液受容部を機能領域の外周に沿って延びる帯状に構成したため、従来のような機能領域の隔壁と同様の形状の液受容部を配設した場合に比して、液状体又は溶媒の受容量を増大させることができ、その結果、当該液受容部の幅を従来に比して小さくすることができるようになる。したがって、機能領域の面積を従来よりも大きくとることが可能となり、当該有機ＥＬ装置を表示装置とした場合には、狭額縁化による表示領域の大画面化を実現することができるようになる。
【０００９】
本発明の有機ＥＬ装置は、前記機能材料が高分子材料で構成されてなるものとすることができる。このような高分子材料からなる機能層をパターン形成する手法として液相法が特に有効なため、上記のような液受容部を備えることが一層好ましい。
【００１０】
前記液受容部は、２つの帯状の隔壁間に形成された凹状部とすることができる。２つの帯状の隔壁を配設することで、機能領域の周辺に堀状の凹状部が形成され、該凹状部を上記液受容部として好適に用いることができるようになる。また、液受容部を隔壁により形成することで、工程を追加すること無く液受容部を設けることができる。また、凹状部とすることで吐出された溶媒又は組成物が不要な領域に広がるのを防止することができる。
【００１１】
次に、上記課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、有機ＥＬ素子を構成する機能層を区画する隔壁を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子が配置される機能領域の外周に沿って配置された帯状の液受容部を形成する工程と、前記隔壁により区画された領域に液滴吐出法で前記機能層を構成する機能材料を溶媒に溶解ないし分散させた組成物を吐出する機能領域吐出工程と、前記組成物又は前記溶媒を、前記液受容部に液滴吐出法で吐出する液受容部吐出工程と、前記溶媒を除去し、前記機能層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
このような製造方法によると、液受容部を機能領域の外周に形成し、該液受容部に対してダミーの溶媒を吐出しておくようにしたため、機能材料を液滴吐出法で吐出して機能層（有機ＥＬ素子を構成する発光層等）を形成する場合に、該機能層において膜厚むらが発生することを防止ないし抑制することが可能となる。つまり、液受容部にダミーの溶媒を塗布しておくことで、機能領域において蒸発する溶媒分子の分圧が該機能領域の中央部と周辺部とで略同一となり、その結果、機能領域全体で機能層の膜厚を均一化することができるようになるのである。
しかも、本発明の製造方法では、液受容部を機能領域の外周に沿って延びる帯状に構成したため、従来のような機能領域の隔壁部と同様の形状の液受容部を配設した場合に比して、液状体又は溶媒の受容量を増大させることができ、その結果、当該液受容部の幅を従来に比して小さくすることができるようになる。したがって、機能領域の面積を従来よりも大きくとることが可能となり、製造される有機ＥＬ装置を表示装置とした場合には、狭額縁化による表示領域の大画面化を実現することができるようになる。
【００１３】
また、上記課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、その異なる態様として、有機ＥＬ素子を構成する機能層を区画する隔壁を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子が配置される機能領域の外周に沿って配置された帯状の液受容部を形成する工程と、前記隔壁により区画された領域に液滴吐出法で前記機能層を構成する機能材料を第１の溶媒に溶解ないし分散させた第１の組成物を吐出する機能領域吐出工程と、前記第１の溶媒よりも高沸点の第２の溶媒又は前記第２の溶媒を含む第２の組成物を、前記液受容部に液滴吐出法で吐出する液受容部吐出工程と、前記第１の溶媒を除去し、前記機能層を形成する工程とを有することを特徴とする。なお、本発明では機能領域吐出工程と液受容部吐出工程とを同時に行うことも含むものとしている。
【００１４】
このような製造方法によると、液受容部を機能領域の外周に形成し、該液受容部に対してダミーの溶媒を吐出しておくようにしたため、機能材料を液滴吐出法で吐出して機能層（有機ＥＬ素子を構成する発光層等）を形成する場合に、該機能層において膜厚むらが発生することを防止ないし抑制することが可能となる。つまり、液受容部にダミーの溶媒を塗布しておくことで、機能領域において蒸発する溶媒分子の分圧が該機能領域の中央部と周辺部とで略同一となり、その結果、機能領域全体で機能層の膜厚を均一化することができるようになるのである。
しかも、本発明の製造方法では、液受容部にダミーで吐出する溶媒として、機能領域に吐出する液状体を構成する溶媒よりも高沸点のものを用いているため、該ダミーの溶媒は、機能領域に吐出する溶媒よりも蒸発が遅くなる。したがって、液受容部にダミーで吐出する溶媒として機能領域に吐出する溶媒と同じものを用いる場合に比して、ダミーで吐出する溶媒の容量を少なくすることができ、ひいては従来のような機能領域の隔壁部と同様の形状の液受容部を配設した場合に比して、その液受容部の大きさを小さくすることができるようになる。その結果、機能領域の面積を従来よりも大きくとることが可能となり、例えば製造される有機ＥＬ装置を表示装置として用いる場合には、狭額縁化による表示領域の大画面化を実現することができるようになる。
【００１５】
前記液受容部吐出工程は、前記機能領域吐出工程よりも先に行うものとすることができる。これにより、機能領域において、液受容部にダミーの溶媒を吐出する前に溶媒が蒸発し、膜厚の不均一化が生じてしまう不具合発生を防止ないし抑制することが可能となる。
【００１６】
次に、上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上記有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。このような電子機器によると、表示むらが少なく、大画面の表示を実現することが可能となる。
【００１７】
なお、本発明の有機ＥＬ装置又はその製造方法において、液受容部は、機能領域を取り囲む環状のもの、或いは環状の液受容部の一部を欠いて非液受容部を含む構成としたもののいずれであっても良い。また、機能領域が平面視長方形状である場合には、該長方形状の辺部に平行で、角部の一部を欠いて非液受容部を形成した構成のものとすることもできる。
【００１８】
また、本発明において、有機ＥＬ素子とは電極間に有機ＥＬ材料が挟持された構成のものであり、機能層とは有機ＥＬ素子のうち発光層や正孔注入／輸送層、電子注入／輸送層等のことを言うものである。さらに、本発明において、機能材料とは発光層を構成する有機ＥＬ材料の他、正孔注入／輸送層を構成する有機材料、或いは電子注入／輸送層を構成する有機材料等のことを言うものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（有機ＥＬ装置）
以下、本発明の有機ＥＬ装置の一実施形態たる有機ＥＬ装置について、その構成及び製造方法を図面を参照しつつ説明する。
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す説明図であって、図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置の平面模式図、図３は、本実施形態の有機ＥＬ装置の要部の断面模式図である。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００２１】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。また、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１１３と、この駆動用薄膜トランジスタ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む陽極（画素電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。なお、画素電極１１１と対向電極１２と機能層１１０により発光素子が構成されている。
【００２２】
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２３】
次に、図２及び図３に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、ガラス等からなる透明な基体２と、マトリックス状に配置された発光素子と、封止基板６０４を具備している。基体２上に形成される発光素子は、画素電極１１１と、機能層１１０と、陰極１２とにより構成されている。
【００２４】
基体２は、例えばガラス等の透明基板であり、基体２の中央に位置し、発光素子が機能する表示領域（機能領域）２ａと、基体２の周縁に位置して表示領域２ａの外周に配置され、発光素子が機能しない非表示領域（非機能領域）２ｂとに区画されている。表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり、有効表示領域とも言う。また、非表示領域２ｂは、表示領域２ａに隣接して形成され、表示に寄与しない非表示領域（非機能領域）として構成されている。
【００２５】
また、図３に示すように、基体２の厚さ方向において、上記発光素子が配設される発光素子部１１と基体２との間には回路素子部１４が具備されている。この回路素子部１４には、前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１１３等が備えられている。
【００２６】
また、陰極１２は、その一端が基体２上に形成された陰極用配線（図示略）に接続されており、図２に示すように、この配線の一端部１２ａがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。なお、この配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【００２７】
また、図２に示すように、基体２の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。さらに、図２において、表示領域２ａの図示両横側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５は非表示領域２ｂの下側の回路素子部１４内に設けられている。さらに回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。また、図２において、表示領域２ａの図示上側には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００２８】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、機能層１１０から基体２側に発した光が、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から基体２の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。なお、陰極１２として、透明な材料を用いれば陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いる事ができる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事が好ましく、この膜厚よりも薄くした方がより好ましい。
【００２９】
図３に示すように、回路素子部１４には、基体２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。なお、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されており、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。さらに回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。
【００３０】
また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１１３が形成されている。なお、回路素子部１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２も形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。
【００３１】
次に、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を区画するバンク部１２２と、機能層１１０上に形成された陰極１２とを主体として構成されている。これら画素電極１１１、機能層１１０及び陰極１２によって発光素子が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。この各画素電極１１１…の間に隔壁たるバンク部１１２が備えられている。
【００３２】
バンク部１２２は、図３に示すように、基体２側に位置する無機物バンク層（第１バンク層）１１２ａと、陰極１２側に位置する有機物バンク層（第２バンク層）１１２ｂとが積層されて構成されている。このようなバンク部１２２は、画素電極１１１の周縁部上を乗り上げるように形成されている。なお、平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。さらに、無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側にさらに形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
【００３３】
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する形状となる。そしてバンク部１２２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通することにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成されている。
【００３４】
また、無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機材料からなることが好ましい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなる場合があり好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを超えると、下部開口部１１２ｃによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなる場合があり好ましくない。
【００３５】
さらに、有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある材料から形成されている。この有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１μｍ〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部１１２ｄから溢れる惧れがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に形成する陰極１２のステップカバレッジを確保できなくなる場合があるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１１３との絶縁を高めることができる点でより好ましい。
【００３６】
また、バンク部１２２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン（、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素）を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。なお、有機物バンク層は、フッ素ポリマーを含有する材料により形成しても良い。
【００３７】
ここで、図４に示すように、バンク部１２２と同様のバンク部１２３が非表示領域２ｂにも形成されている。図４は有機ＥＬ装置１の表示領域２ａ及び非表示領域２ｂのバンク部１２２及びバンク部１２３の構成を模式的に示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。表示領域２ａに形成されたバンク部１２２は画素領域Ａを区画し、機能層１１０を画素毎に区画する一方、非表示領域２ｂに形成されたバンク部１２３は、表示領域２ａの外周を囲い且つ該表示領域２ａの外周に沿って延びる帯状の液受容部９２を形成している。つまり、２つの帯状の隔壁部１２３，１２３間に形成された凹状部が液受容部９２として構成されている。なお、この液受容部９２は、当該有機ＥＬ装置１の製造工程において、ダミーの溶媒若しくは液状物を受け入れる領域を形成している。
【００３８】
次に、機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接して電子注入輸送層などの機能を有する他の機能層をさらに形成しても良い。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が発光層で再結合し、発光が得られる。
【００３９】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ2から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述した平坦部にのみ形成される場合もある）。この平坦部１１０ａ1は、その厚さが一定で例えば５０〜７０ｎｍの範囲に形成される。
【００４０】
周縁部１１０ａ2が形成される場合においては、周縁部１１０ａ2は、第１積層部１１２ｅ上に位置するとともに上部開口部１１２ｄの壁面、即ち有機物バンク層１１２ｂに密着している。また、周縁部１１０ａ2の厚さは、電極面１１１ａに近い側で薄く、電極面１１１ａから離れる方向に沿って増大し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚くなっている。周縁部１１０ａ2が上記の様な形状を示す理由としては、正孔注入／輸送層１１０ａが、正孔注入／輸送層形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物を開口部１１２内に吐出してから極性溶媒を除去して形成されたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／輸送層形成材料がこの第１積層部１１２ｅ上に集中的に濃縮・析出されたためである。
【００４１】
また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１０ａ2上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが５０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ2、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ配置されている。
【００４２】
さらに、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層の第１積層部１１２ｅが親液性を示すので、機能層１１０が画素電極１１１及び無機物バンク層１１２ａに均一に密着し、無機物バンク１１２ａ上で機能層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰極１２との短絡を防止できる。また、有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄ壁面が撥液性を示すので、機能層１１０と有機物バンク層１１２ｂとの密着性が低くなり、機能層１１０が開口部１１２ｇから溢れて形成されることがない。
【００４３】
なお、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００４４】
次に陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉＦを形成する場合もある。なお、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
【００４５】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法を図面を参照して説明する。
本実施形態の有機ＥＬ装置１は、基板２上にバンク部１２２及びバンク部１２３を形成するバンク部形成工程、バンク部１２２及びバンク部１２３の表面を処理するプラズマ処理工程、バンク部１２３の内側（つまり液受容部９２）に溶媒を吐出するダミー吐出工程、バンク部１２２の内側に機能層１１０を形成する機能層形成工程、さらには対向電極形成工程、及び封止工程を含むものとされている。なお、本発明の製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
【００４６】
まず、本実施の形態の有機ＥＬ装置の製造方法は、図５に示すように、大型の基板２０１上に複数の有機ＥＬ装置を作製して、該大型基板から複数の有機ＥＬ装置を得る多面取りを採用したものである。このような大型基板２０１には、１６個の有機ＥＬ装置を得るべくパネル２０４・・・が４列４行のマトリックス状に配置されている。そして、最終的には、このパネル２０４・・・が個々に切り離されて、所定の配線を接続等することにより、上記実施形態の有機ＥＬ装置１が作製される。以下、大型基板２０１上にバンク部を形成する工程から順を追って説明する。
【００４７】
(1)バンク部形成工程
バンク部形成工程は、大型基板２０１を構成するガラス等の基体２上にバンク部１２２及びバンク部１２３を形成する工程である。バンク部１２２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成され、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造である。一方、バンク部１２３は、有機物バンク層のみが形成された構造である。
【００４８】
(1)-1無機物バンク層の形成
まず、図６に示すように、薄膜トランジスタ１１３、層間絶縁膜１４４ａ，１４４ｂ、画素電極１１１等を形成した基体２の所定位置に、所定パターンの無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び画素電極１１１上である。ここで、本実施形態では、表示領域２ａには薄膜トランジスタ１１３、画素電極１１１が形成され、非表示領域２ｂには薄膜トランジスタ１１３、画素電極１１１が形成されていない。なお、非表示領域２ｂには、形式的に薄膜トランジスタ１１３及び／又は画素電極１１１を形成しても良く、この場合、例えば当該画素電極１１１が機能しないように配線を非接続状態としておけば良い。
【００４９】
無機物バンク層１１２ａは、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。無機物バンク層１１２ａは、層間絶縁層１１４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後、無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する形で形成される。この開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図６に示すように下部開口部１１２ｃとして設けられる。このとき、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部（一部）と重なるように形成される。図６に示すように、画素電極１１１の一部と無機物バンク層１１２ａとが重なるように無機物バンク層１１２ａを形成することにより、発光層１１０の発光領域を制御することができる。なお、当該無機物バンク層１１２ａは、非表示領域２ｂには配置しない。
【００５０】
(1)-2有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、有機物バンク層１１２ｂを形成する。ここでは、図７に示すように、表示領域２ａ及び非表示領域２ｂの双方に有機物からなるバンク層を形成する。表示領域２ａにおいては上記形成した無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを、非表示領域２ｂにおいては第２層間絶縁膜１４４ｂ上に有機物バンク層（バンク部）１２３を形成するものとしている。
【００５１】
これらのバンクを構成する有機物としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いることができる。これらの材料を用い、各有機物バンク１１２ｂ，１２３をフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成する。表示領域２ａに形成する有機物バンク層１１２ｂは、画素領域Ａを形成するために上部開口部１１２ｄをマトリクス状に形成し、一方、機能領域の外周に形成する有機物バンク層（バンク部）１２３では堀状の液受容部９２を形成するために、図４に示した通り表示領域２ａを取り囲む形に形成するものとしている。
【００５２】
上部開口部１１２ｄは、図７に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。さらに、有機物バンク層１１２ｂはテーパーを有する形状が好ましく、有機物バンク層１１２ｂの開口部が画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅になるように有機物バンク層１１２ｂを形成する事が好ましい。これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に延出された形になる。このようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。
【００５３】
一方、液受容部９２は、上述の通り表示領域２ａを平面視取り囲む形で堀状に形成されている（図４参照）。また、該液受容部９２は、その断面構成が、図７に示すように表示領域２ａに形成する有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄと同様のテーパー形状となるように、パターニングするものとしている。
【００５４】
(2)プラズマ処理工程
次に、バンク部１２２及びバンク部１２３の表面に対してプラズマ処理を行う。これは画素電極１１１の表面を活性化すること、さらにバンク部１２２の表面を表面処理する事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素電極１１１（ＩＴＯ）上の洗浄、さらに仕事関数の調整を主な目的として行っている。具体的には、図８に示すように、画素電極１１１の表面１１１ａの親液化処理（親液化工程）、バンク部１２２及びバンク部１２３の表面１１２ｆの撥液化処理（撥液化工程）を行う。
【００５５】
(3)ダミー吐出工程
次に、図９に示すように、非表示領域２ｂに形成された液受容部９２に対してダミー溶媒１１０ｄを吐出する。このダミー溶媒１１０ｄは後述する機能層形成工程で用いる溶媒のみを用いたものである。具体的には、インクジェット装置（液滴吐出装置）を用いたインクジェット法（液滴吐出法）により当該ダミー溶媒１１０ｄを吐出するものとしている。なお、このダミー吐出工程は、機能層を構成する各層の形成工程前にそれぞれ行うものとしている。また、このダミー吐出工程は、必ずしも機能層形成工程前にする必要はなく、例えば機能層形成工程と同時に行うものとしても良い。
【００５６】
なお、本実施形態では、ダミー吐出工程として液受容部９２にダミー溶媒１１０ｄを吐出するものとしているが、例えば機能層を溶媒に溶解ないし分散させた液状物、つまい下記の機能層形成工程で用いる液状物をそのまま吐出するものとしてもよい。この場合、機能層の一部又は全部が液受容部９２内に形成されるが、非表示領域２ｂには画素電極１１１が形成されてないため、当該機能層が機能しないこととなる。なお、画素電極１１１を非表示領域２ｂに形成する場合には、当該画素電極１１１に対して通電を行わないものとすればよい。
【００５７】
(4)正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）
次に、機能層１１０のうち正孔注入／輸送層１１０ａの形成工程を行う。該正孔注入／輸送層形成工程では、インクジェット装置（液滴吐出装置）を用いたインクジェット法（液滴吐出法）により、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（液状体）を電極面１１１ａ上に吐出し、その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とする事が好ましく、例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００５８】
本実施形態では、上述の通りダミー溶媒１１０ｄを吐出した後、図１０に示すように、表示領域２ａに対して第１組成物の液滴１１０ｃを吐出するものとしている。なお、ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(ＰＥＤＯＴ)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(ＰＳＳ)等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3に対して同じ材料を用いても良く、各色毎に異なるものを用いても良い。
【００５９】
次に、第１組成物１１０ｃを吐出した後、乾燥工程を行う。乾燥工程を行うことにより、第１組成物１１０ｃに含まれる極性溶媒が蒸発し、図１１に示すような正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。乾燥処理を行うと、第１組成物の液滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これにより、無機物バンク層１１２ａの開口部１１２ｃ周辺に形成された第１積層部１１２ｅ上に、正孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ2が形成される。この周縁部１１０ａ2は、上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近い側で厚くなっている。
【００６０】
また、これと同時に、乾燥処理によって電極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部１１０ａ1が形成される。電極面１１１ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａが形成される。このようにして、周縁部１１０ａ2及び平坦部１１０ａ1からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。
表示領域２ａの周辺部でも、その外周にダミー吐出工程により極性溶媒１００ｄの配置された液受容部９２が配置されているため、表示領域２ａの中央部と略同じ極性溶媒の蒸気圧が得られる。このため、電極面１１１ａの周囲の極性溶媒の蒸気圧に差が出ることは無く、表示領域２ａの中央部と同様に正孔注入／輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、均一な厚さの平坦部１１０ａが形成される。
【００６１】
(5)ダミー吐出工程
次に、発光層を形成する前に、非表示領域２ｂに形成された液受容部９２に対してダミー溶媒を吐出する。このダミー溶媒は発光層形成工程で用いる溶媒（正孔注入／輸送層形成工程で用いた溶媒とは異なるもの）のみを用いたものである。具体的には、インクジェット装置（液滴吐出装置）を用いたインクジェット法（液滴吐出法）により当該ダミー溶媒を吐出するものとしている。
【００６２】
(6)発光層形成工程（機能層形成工程）
次に、機能層１１０の発光層１１０ｂの形成工程を行う。該発光層形成工程では、インクジェット装置（液滴吐出装置）を用いたインクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物（液状体）を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出し、その後に乾燥処理及び熱処理を行い、図１２に示すように、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する
【００６３】
本実施形態では、上述の通りダミー溶媒を吐出した後、表示領域２ａに対して第２組成物の液滴を吐出するものとしている。なお、ここで用いる第２組成物としては、溶質として発光層１１０ｂを形成する材料として、例えばポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。また、溶媒として、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。このような溶媒（非極性溶媒）を用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを再溶解させることなく第２組成物を吐出できるようになる。
【００６４】
このような第２組成物の液滴を吐出した後、乾燥工程を行う。乾燥工程を行うことにより、第２組成物に含まれる溶媒が蒸発し、図１２に示すような発光層１１０ｂが形成される。このとき、正孔注入／輸送層形成工程と同様、表示領域２ａの外周に配設された液受容部９２にはダミー溶媒が配置されているため、表示領域の周辺部と中央部とにおいて、略同じ極性溶媒の蒸気圧が得られる。このため、表示領域２ａの中央部と同様に発光層１１０ｂの形成材料が正孔注入／輸送層１１０ａ上で均一に濃縮され、画素内において均一な厚さで形成される。
【００６５】
(7)対向電極（陰極）形成工程
次に対向電極形成工程では、図１３に示すように、発光層１１０ｂ、有機物バンク層１１２ｂ及びバンク部１２３の全面に陰極（対向電極）１２を形成する。なお、陰極１２は複数の材料を積層して形成しても良い。例えば、発光層１１０ｂに近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にフッ化リチウム等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。
【００６６】
陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。また、フッ化リチウムは、発光層１１０ｂ上のみに形成しても良く、さらに所定の色に対応して形成する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2には、カルシウムからなる上部陰極層が接することとなる。
【００６７】
また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ〜５００ｎｍ程度がよい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【００６８】
(8)封止工程
最後に封止工程は、機能層１１０を含む発光素子が形成された基体２と封止基板（図示略）とを封止樹脂により封止する工程である。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基体２の全面に塗布し、封止樹脂上に封止基板を積層する。この工程により基体２上に封止部が形成される。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化される惧れがあるので好ましくない。さらに、図２に例示した基板５の配線５ａに陰極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４（図３参照）の配線を接続し、本実施形態の有機ＥＬ装置１が得られる。
【００６９】
以上、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法を示したが、本実施形態では、発光素子のうち機能層１１０を形成する工程において液滴吐出法を採用している。そして、このような液相法を採用する場合において、液状物の乾燥を表示領域２ａの面内において均一化するために、図１４に示すように非表示領域２ｂに対して堀状の液受容部９２を形成し、該液受容部９２に対してダミー溶媒１１０ｄを吐出するものとした。これにより、吐出した液状体を乾燥させる際に、図１４（ｃ）に示すように、非表示領域２ｂの蒸発溶媒分子の蒸気圧が、表示領域２ａの蒸発溶媒分子の蒸気圧と同等とすることができ、ひいては表示領域２ａのうちの周辺部における溶媒の蒸発速度が、中央部での蒸発速度に近づくこととなる。その結果、表示領域２ａの周辺部と中央部とにおいて均一な等しい膜厚の正孔注入／輸送層１１０ｂ若しくは発光層１１０ｃ（機能層１１０）を形成できるようになる。そして、この場合、表示領域２ａ全域において、特に中央部又は周辺部に拘らず、素子特性（表示特性）にむらの少ない信頼性に優れた有機ＥＬ装置１を提供することができるようになる。
【００７０】
さらに、本実施形態では、非表示領域２ｂの液受容部９２を表示領域２ａの外周に沿って延びる帯状に構成し、当該液受容部９２を堀状としたため、従来のような表示領域２ａの隔壁部と同様の形状（マトリクス状）の液受容部を配設した場合に比して、液状体又は溶媒の受容量を増大させることができるようになる。その結果、当該液受容部９２の幅を従来のマトリクス状の構成に比して小さくすることができ、具体的には従来の場合では５画素分以上の液受容部が必要であったのに対し、本実施形態では２画素分程度の幅で済むようになる。したがって、表示領域２ａの面積を従来よりも大きくとることが可能となり、製造される有機ＥＬ装置を表示装置とした場合には、狭額縁化による表示領域の大画面化を実現することができるようになる。
【００７１】
以下、上記有機ＥＬ装置の製造方法に関し、その変形例を説明する。
図１５は液受容部９２の異なる構成を示すものである。図１５に示した液受容部９２ａは、非表示領域２ｂのうち、表示領域２ａを取り囲む環状の一部を欠いて非液受容部９２ｂを含む構成としたものである。具体的には、平面視長方形状の表示領域２ａの外周のうち、その角部において非液受容部９２ｂを形成することができる。このように表示領域２ａの外周に間欠状の液受容部９２ａを形成した場合にも、上記と同様に表示領域２ａでの機能層の膜厚均一化を図ることができ、しかも当該液受容部２９の幅を従来のマトリクス状の構成に比して小さくすることができるようになる。図１５に示すように液受容部９２を表示領域２ａの各辺に沿った帯状領域として、複数配置することで表示領域を取り囲む様にしたものである。このように、液受容部９２は環状に繋がった形状で表示領域２ａを取り囲むものでなくても、表示領域２ａの機能層の膜厚の均一化を図ることができる。また、液受容部２９の幅を従来のマトリクス状に構成と比べて小さくする効果も得られる。
【００７２】
また、ダミー吐出工程で吐出するダミー溶媒１１０ｄとして、機能層形成工程で用いる溶媒（つまり表示領域２ａに吐出する溶媒）よりも沸点の高い溶媒を用いることができる。この場合、ダミー溶媒１１０ｄは、表示領域２ａに吐出する溶媒よりも蒸発が遅くなり、表示領域２ａと非表示領域２ｂとで同じ溶媒を用いる場合に比して、吐出するダミー溶媒１１０ｄの容量を少なくすることができ、ひいては従来のような表示領域２ａの隔壁部と同様の形状（マトリクス状）の液受容部を配設した場合に比して、その液受容部９２の大きさを小さくすることができるようになる。その結果、表示領域２ａの面積を従来よりも大きくとることが可能となり、例えば製造される有機ＥＬ装置を表示装置として用いる場合には、狭額縁化による表示領域の大画面化を実現することができるようになる。
【００７３】
その効果を確認するために、以下の実施例について液受容部９２の必要幅を検討した。具体的には、表示領域２ａに吐出する溶媒として１，３，５−トリメチルベンゼン（沸点１６４℃）とシクロヘキシルベンゼン（沸点２３８℃〜２４０℃）との混合溶媒（体積比１：１）を用い、これと同じ混合溶媒をダミー溶媒１１０ｄとして液受容部９２に吐出する場合には、機能層の平坦化を実現するためには液受容部９２の幅が５００μｍ必要であった。
これに対し、ダミー溶媒１１０ｄとしてシクロヘキシルベンゼン単体を用い、これを液受容部９２に吐出するものとした場合には、機能層の平坦化を実現するためには液受容部９２の幅を３００μｍ必要であった。
さらに、ダミー溶媒１１０ｄとして相対的に高沸点のエチルビフェニル（沸点２８０℃）を用い、これを液受容部９２に吐出するものとした場合には、機能層の平坦化を実現するためには液受容部９２の幅を２５０μｍ必要であった。
【００７４】
以上のことから、ダミー溶媒１１０ｄとして、機能層形成工程で用いる溶媒（つまり表示領域２ａに吐出する溶媒）よりも沸点の高い溶媒を用いることにより、非表示領域２ｂに形成する液受容部９２の幅を小さくできることが分かった。
【００７５】
（電子機器）
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１を備えた電子機器の具体例について説明する。図１６は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１６において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。このような電子機器は、本実施形態の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を備えたものであり、表示むらの少ない表示品質に優れた効果を有する電子機器となる。なお、本実施形態では電子機器として携帯電話を示したが、大型ディスプレイ等に本実施形態の有機ＥＬ装置を採用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図。
【図２】図１の表示装置の平面模式図。
【図３】図１の表示装置の要部断面模式図。
【図４】表示領域及び非表示領域に形成するバンクの構成を示す図。
【図５】図１の表示装置を製造する際の大型基板の例を示す平面図。
【図６】図１の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図７】図６に続く製造方法を説明する工程図。
【図８】図７に続く製造方法を説明する工程図。
【図９】図８に続く製造方法を説明する工程図。
【図１０】図９に続く製造方法を説明する工程図。
【図１１】図１０に続く製造方法を説明する工程図。
【図１２】図１１に続く製造方法を説明する工程図。
【図１３】図１２に続く製造方法を説明する工程図。
【図１４】液滴の吐出態様について示す平面図及び断面図と蒸気圧値を示すグラフ。
【図１５】表示領域及び非表示領域に形成するバンクの変形例を示す図。
【図１６】本発明の電子機器の一実施形態を示す斜視図。
【符号の説明】
【００７７】
１…有機ＥＬ装置、２ａ…表示領域（機能領域）、２ｂ…非表示領域（非機能領域）、２…基体（基板）、９２…液受容部、１１０…機能層、１１１…画素電極、１２２…バンク部（隔壁部）、Ａ…画素領域（画素）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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