(57)【要約】【課題】  情報再生時に磁壁移動が生ずる再生層について高い垂直磁気異方性を実現するのに適した光磁気記録媒体を提供すること。【解決手段】  本発明の光磁気記録媒体Ｘ１は、記録機能を担う記録層１１と、磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層１３と、記録層１１および再生層１３の間に介在して当該記録層１１および再生層１３の交換結合状態を変化させるための中間層１２とを備える。再生層１３は、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される元素と、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス膜よりなる。本発明における他の再生層は、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス膜よりなり、内部積層構造を有する。本発明における他の再生層は、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される元素と、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス膜よりなり、内部積層構造を有する。【選択図】  図１
2006268901.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録機能を担う記録層と、
磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層と、
前記記録層および前記再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層と、を備え、
前記再生層は、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される元素と、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス膜よりなる、光磁気記録媒体。
【請求項２】
記録機能を担う記録層と、
磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層と、
前記記録層および前記再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層と、を備え、
前記再生層は、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス膜よりなり、内部積層構造を有する、光磁気記録媒体。
【請求項３】
記録機能を担う記録層と、
磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層と、
前記記録層および前記再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層と、を備え、
前記再生層は、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される元素と、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス膜よりなり、内部積層構造を有する、光磁気記録媒体。
【請求項４】
Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される前記元素の、前記再生層における含有率は、１０ａｔ％以下である、請求項１または３に記載の光磁気記録媒体。
【請求項５】
前記再生層において前記中間層から少なくとも０.５ｎｍまでの箇所には、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される前記元素は含まれていない、請求項３に記載の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報再生時に磁壁移動ないし磁区拡大が生ずる再生層を有する光磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学的に情報が読み取られる光メディアの一形態として、光磁気記録媒体が知られている。光磁気記録媒体は、熱磁気的に記録され且つ磁気光学効果を利用して再生される書き換え可能な記録媒体である。また、光磁気記録媒体は、垂直磁化膜からなる記録層を有し、当該記録層において、磁化方向の変化として所定の信号が記録される。この記録信号は、所定の光学系で読み取られて再生信号として出力される。
【０００３】
光磁気記録媒体の技術分野では、読取り用の光学系における分解能の限界を超えて高密度に記録された信号を実用的に再生するための、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生方式が開発されている。例えば、ＤＷＤＤ(domain wall displacement detection)や、ＭＡＭＭＯＳ(magnetic amplifying magneto-optical system）である。これらのような再生方式が採用される磁区拡大系の光磁気記録媒体については、例えば下記の特許文献１や特許文献２に記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平６−２９０４９６号公報
【特許文献２】特開２００１−５６９７７号公報
【０００５】
図１４は、従来の磁区拡大系光磁気記録媒体の一例である光磁気ディスクＸ４の積層構成を表す。光磁気ディスクＸ４は、基板Ｂ２と、記録磁性部５０と、プリグルーブ層６１と、熱伝導層６２と、誘電体層６３と、保護膜６４とからなる積層構造を有し、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
【０００６】
記録磁性部５０は、記録層５１と、中間層５２と、再生層５３とからなる積層構造を有する。これら三層は、各々、垂直磁化膜であり、一様組成の希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。具体的には、記録層５１はＴｂＦｅＣｏアモルファス合金よりなり、中間層５２はＴｂＦｅアモルファス合金よりなり、再生層５３はＧｄＦｅＣｏアモルファス合金よりなる。また、記録層５１は相対的に大きな磁壁抗磁力を呈し、再生層５３は相対的に小さな磁壁抗磁力を呈し、中間層５２は他の二層より低いキュリー温度を有し、これら三層は、中間層５２のキュリー温度より低い温度条件下において隣接二層間に交換相互作用が働くように積層されている。
【０００７】
プリグルーブ層６１は、樹脂材料よりなり、その記録磁性部５０の側の面には、プリグルーブなどの凹凸形状（図示せず）が形成されている。熱伝導層６２は、レーザ照射時に記録磁性部５０にて発生する熱を記録磁性部５０から効率よく逃がすための部位であり、高熱伝導材料よりなる。誘電体層６３は、記録磁性部５０の酸化防止等を目的として設けられる部位である。保護膜６４は、記録磁性部５０を特に塵埃から保護するための部位であり、光透過性の樹脂材料よりなる。
【０００８】
光磁気ディスクＸ４への情報記録においては、光磁気ディスクＸ４を回転させた状態で、記録用のレーザを保護膜６４の側から記録磁性部５０に向けて照射することにより記録層５１を局所的に順次昇温させつつ、当該昇温箇所に所定の磁界を印加する。このようにして、記録磁性部５０内の記録層５１には、ディスク周方向に沿って所定の信号が記録される。具体的には、記録層５１には、ディスク周方向に延びる情報トラックに沿って連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区（記録マーク）が形成される。中間層５２のキュリー温度より低い温度条件の下では、記録層５１と中間層５２とは交換結合し且つ中間層５２と再生層５３とは交換結合し、再生層５３および中間層５２には、記録層５１内の磁化方向に対応して磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成される。
【０００９】
図１５は、光磁気ディスクＸ４の情報再生方法を表す。図の簡潔化の観点より、図１５では、光磁気ディスクＸ４について、記録磁性部５０以外を省略し、且つ、磁壁（太線で表す）や磁化方向（上矢印または下矢印で表す）を模式的に表す。光磁気ディスクＸ４の情報再生においては、光磁気ディスクＸ４を回転させた状態で、再生用のレーザＬを情報トラックに沿って保護膜６４ないし再生層５３の側から記録磁性部５０に向けて照射する。光磁気ディスクＸ４に対する照射領域の相対移動方向を矢印Ａで表す。レーザＬの照射により、記録磁性部５０内は局所的に昇温し、記録磁性部５０内には、例えば図１５のグラフに示すように、ディスク周方向に温度勾配が生ずる。そして、中間層５２には、そのキュリー温度Ｔｃ以上に昇温して自発磁化が消失した領域Ｒ２（斜線ハッチングを付して表す）が生ずる。
【００１０】
このような照射領域における、中間層５２のキュリー温度Ｔｃの等温線を、記録層５１の所定の磁区５１ａに対応する再生層５３の磁区５３ａの磁壁５３ａ’が照射領域移動に伴って低温領域から高温領域へと通過する瞬間に、当該磁壁５３ａ’は再生層５３内をより高温側へと移動する。照射領域移動方向Ａにおける前方から後方に向けて再生層５３内をこのように磁壁５３ａ’が移動すると、当該磁壁移動領域の磁化は反転する。この磁化反転を、再生層５３の表面にて反射した光の偏光面の変化として所定の光学系で検出することにより、磁壁移動が検知される。情報トラックに沿って再生用のレーザＬを照射して磁壁移動を順次検知することにより、光磁気ディスクＸ４の記録信号が読み取られることとなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
光磁気ディスクＸ４においては、上述のような情報記録によって記録層５１内に安定に形成され得る最小の記録マーク（磁区）が微小であるほど、記録分解能が高く、記録密度が大きい。従来の光磁気ディスクＸ４では、記録層５１における最小記録マーク長が１００ｎｍ程度以上に設定される場合には実用的に情報再生が実行され得るが、記録層５１における最小記録マーク長が９０ｎｍ程度に短く設定される場合、情報再生に際して再生信号の欠落が顕著となる。再生信号欠落が顕著となる主な理由としては、記録層５１における最小記録マーク長が９０ｎｍ程度に短く設定されると、再生層５３において隣り合う磁壁５３ａ’が例えば図１６に示すように接合してしまう場合が、生じやすくなることが挙げられる。
【００１２】
再生層５３（ＧｄＦｅＣｏアモルファス合金よりなる）は記録層５１（ＴｂＦｅＣｏアモルファス合金よりなる）や中間層５２（ＴｂＦｅアモルファス合金よりなる）よりも垂直磁気異方性が相当程度に低いので、再生層５３内の磁区間に生ずる磁壁５３ａ’は、記録層５１や中間層５２の磁壁よりも相当程度に広がりやすく、再生層５３において中間層５２から最も遠い箇所（即ち、中間層５２からの磁気的影響が最も小さい箇所）では特に、相当程度に幅広である。従来の技術においては、記録層５１における最小記録マーク長が９０ｎｍ程度に設定されると、再生層５３において隣り合う磁壁５３ａ’は部分的であっても接合しやすい。接合した二つの磁壁５３ａ’は、光磁気ディスクＸ４の情報再生時に個別には移動せず、一体となって移動する。したがって、情報再生時には、当該二つの接合磁壁５３ａ’に由来して二つの信号が読み取られはせず、当該二つの接合磁壁５３ａ’に由来して読み取られ得るのは一信号のみである。すなわち、再生信号の欠落が生ずるのである。そのため、一様組成のＧｄＦｅＣｏアモルファス合金よりなる再生層５３を有する従来の光磁気ディスクＸ４においては、再生層５３の垂直磁気異方性が充分でないために、最小記録マーク長を９０ｎｍ程度以下に設定することは実用的でなく、従って、充分な高記録密度化を図ることができない。
【００１３】
本発明は、以上のような事情の下で考え出されたものであり、情報再生時に磁壁移動が生ずる再生層について高い垂直磁気異方性を実現するのに適した光磁気記録媒体を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の側面により提供される光磁気記録媒体は、記録機能を担う記録層と、磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層と、記録層および再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層とを備え、これら三層は垂直磁化膜よりなり、再生層は、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される元素と、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス膜よりなる。
【００１５】
Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される元素と、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス膜よりなる再生層は、一様組成のＧｄＦｅＣｏアモルファス合金よりなる例えば上述の再生層５３よりも、高い垂直磁気異方性を示し得る。本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体は、このような知見に基づくものである。
【００１６】
本発明の第２の側面により提供される光磁気記録媒体は、記録機能を担う記録層と、磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層と、記録層および再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層とを備え、これら三層は垂直磁化膜よりなり、再生層は、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス膜よりなり、内部積層構造を有する。内部積層構造とは、組成の異なる複数のアモルファス組織からなる積層構造であり、本発明の第２の側面では、Ｇｄ層と、Ｆｅ層と、Ｃｏ層とが所定の順序で積層した構造もしくは当該積層構造の繰り返し、または、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏより選択される一成分からなる層と他の二成分からなる層とが積層した構造もしくは当該積層構造の繰り返しである。
【００１７】
Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス膜よりなり且つ内部積層構造を有する再生層は、一様組成のＧｄＦｅＣｏアモルファス合金よりなる例えば上述の再生層５３よりも、高い垂直磁気異方性を示し得る。本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体は、このような知見に基づくものである。
【００１８】
本発明の第３の側面により提供される光磁気記録媒体は、記録機能を担う記録層と、磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層と、記録層および再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層とを備え、これら三層は垂直磁化膜よりなり、再生層は、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される少なくとも一つの元素（元素Ａ）と、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス膜よりなり、内部積層構造を有する。内部積層構造とは、組成の異なる複数のアモルファス組織からなる積層構造であり、本発明の第３の側面では、例えば、元素Ａと、Ｇｄ層と、Ｆｅ層と、Ｃｏ層とが所定の順序で積層した構造もしくは当該積層構造の繰り返し、元素Ａ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏより選択される一成分からなる層と、残りの三成分から選択される一成分からなる層と、他の二成分からなる層とが所定の順序で積層した構造もしくは当該積層構造の繰り返し、元素Ａ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏより選択される一成分からなる層と他の三成分からなる層とが積層した構造もしくは当該積層構造の繰り返し、または、元素Ａ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏより選択される二成分からなる層と他の二成分からなる層とが積層した構造もしくは当該積層構造の繰り返しである。
【００１９】
Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される元素と、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス膜よりなり且つ内部積層構造を有する再生層は、一様組成のＧｄＦｅＣｏアモルファス合金よりなる例えば上述の再生層５３よりも、高い垂直磁気異方性を示し得る。本発明の第３の側面に係る光磁気記録媒体は、このような知見に基づくものである。
【００２０】
本発明の第１および第３の側面において、好ましくは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される元素の、再生層における含有率は、１０ａｔ％（アトミックパーセント）以下である。情報再生時における再生層についてのカー回転角（反射光偏光面の変化の程度）を確保するうえでは、このような構成が好ましい。
【００２１】
本発明の第３の側面において、好ましくは、再生層において中間層から少なくとも０.５ｎｍまでの箇所には、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される元素は含まれていない。再生層について高い垂直磁気異方性を実現しつつ磁壁移動性を確保するうえでは、このような構成が好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気ディスクＸ１の径方向の部分断面図である。光磁気ディスクＸ１は、基板Ｂ１と、記録磁性部１０と、熱伝導層２１と、誘電体層２２と、保護膜２３とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気ディスクＸ１は、熱伝導層２１から保護膜２３までの構造を基板Ｂ１の片側のみ又は両側に有する。
【００２３】
基板Ｂ１は、光磁気ディスクＸ１の剛性を確保するための部位であり、渦巻き状または同心円状のプリグルーブＧが表面に形成されている。このプリグルーブＧを基に、光磁気ディスクＸ１におけるランドグルーブ形状が形成されている。また、基板Ｂ１は、例えば、ガラス、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。
【００２４】
記録磁性部１０は、記録層１１、中間層１２、および再生層１３よりなる積層構造を有し、再生層１３内での磁壁移動ないし磁区拡大を伴う磁区拡大系再生方式（例えばＤＷＤＤやＭＡＭＭＯＳなど）に基づいて再生可能に構成されている。
【００２５】
記録層１１は、光磁気ディスクＸ１において記録機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。このような記録層１１は、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅＣｏやＴｂＤｙＦｅＣｏなどよりなる。また、記録層１１の厚さは例えば２５〜１００ｎｍである。
【００２６】
中間層１２は、記録層１１および再生層１３の交換結合状態を変化させるための部位であり、昇温によりそのキュリー温度にて垂直磁化状態から自発磁化消失状態に転移（状態変化）し且つ降温によりキュリー温度にて自発磁化消失状態から垂直磁化状態に転移する希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。本実施形態では、中間層１２のキュリー温度は例えば１００〜１５０℃であり、従って、室温において中間層１２は垂直磁化膜である。このような中間層１２は、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅやＴｂＦｅＣｏなどよりなる。また、中間層１２の厚さは例えば５〜３０ｎｍである。
【００２７】
再生層１３は、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う部位であり、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される少なくとも一つの元素と、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含む一様組成のアモルファス垂直磁化膜よりなる。例えば、再生層１３は、所定の組成比のＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＦｅＣｏＰｄ、ＧｄＦｅＣｏＤｙ、ＧｄＦｅＣｏＲｕ、またはＧｄＦｅＣｏＰｔＰｄよりなる。Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択されて再生層１３に含まれる少なくとも一つの元素は、再生層１３について高い垂直磁気異方性を実現するためのものである。Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される少なくとも一つの元素の、再生層１３における含有率は、好ましくは１〜１０ａｔ％である。再生層１３の垂直磁気異方性向上の観点から、当該含有率は１ａｔ％以上であるのが好ましく、情報再生時における再生層１３についてのカー回転角を確保するという観点から、当該含有率は１０ａｔ％以下であるのが好ましいのである。このような再生層１３の厚さは例えば１０〜５０ｎｍである。
【００２８】
熱伝導層２１は、光磁気ディスクＸ１に対して記録用または再生用のレーザが照射されるときに記録磁性部１０にて発生する熱を記録磁性部１０から効率よく逃がすための部位であり、例えば、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕＳｉ，ＡｇＰｄＣｕなど）、Ａｌ合金（ＡｌＳｉ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど）、Ａｕ、またはＰｔなどの、高熱伝導材料よりなる。熱伝導層２１の厚さは例えば１０〜５０ｎｍである。
【００２９】
誘電体層２２は、記録磁性部１０の保護（酸化防止等）や、記録磁性部１０ないし再生層１３の性能指数（反射率）の実質的向上（再生時の反射光についてエンハンス効果を得ること）を目的として設けられる部位であり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＹＳｉＯ2、ＺｎＳｉＯ2、ＡｌＯ、またはＡｌＮよりなる。誘電体層２２の厚さは例えば３０〜１００ｎｍである。
【００３０】
保護膜２３は、記録磁性部１０を特に塵埃などから保護すべく記録磁性部１０を覆い、光磁気ディスクＸ１の記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する透明樹脂よりなる。保護膜２３を構成するための透明樹脂材料としては、例えば、紫外線硬化性のアクリル樹脂やウレタン樹脂が挙げられる。
【００３１】
このような構成を有する光磁気ディスクＸ１の製造においては、まず、予めプリグルーブＧが表面に形成された基板Ｂ１上に、例えばスパッタリング法により、熱伝導層２１、記録層１１、中間層１２、再生層１３、および誘電体層２２を順次形成する。その後、例えばスピンコーティング法により、誘電体層２２上に保護膜２３を形成する。
【００３２】
光磁気ディスクＸ１への情報記録においては、光磁気ディスクＸ１を所定の回転速度で回転させた状態で、記録用のレーザを保護膜２３の側から記録磁性部１０に対して照射することにより記録層１１を局所的に順次昇温させつつ、当該昇温箇所に所定の磁界を印加する。このようにして、記録磁性部１０内の記録層１１には、ディスク周方向に沿って所定の信号が記録される。具体的には、記録層１１には、ディスク周方向に延びる情報トラック（信号の記録および再生を担うトラック）に沿って連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区と、磁区間の境界をなす磁壁とが形成される。中間層１２のキュリー温度より低い温度条件の下では、記録層１１と中間層１２とは交換結合し且つ中間層１２と再生層１３とは交換結合し、中間層１２および再生層１３には、記録層１１と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成される。
【００３３】
Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される元素と、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス垂直磁化膜よりなる、光磁気ディスクＸ１の再生層１３は、一様組成のＧｄＦｅＣｏアモルファス垂直磁化膜よりなる、例えば上述の光磁気ディスクＸ４の再生層５３よりも、高い垂直磁気異方性を示す。したがって、再生層１３では、再生層５３よりも、記録層における最小記録マーク長を短く設定する場合に、再生層において隣り合う磁壁が接合してしまうことは、抑制される。
【００３４】
図２は、光磁気ディスクＸ１の情報再生方法を表す。図の簡潔化の観点より、図２では、光磁気ディスクＸ１について、記録磁性部１０以外を省略する。光磁気ディスクＸ１の情報再生においては、光磁気ディスクＸ１を回転させた状態で、再生用のレーザＬを情報トラックに沿って保護膜２３ないし再生層１３の側から記録磁性部１０に向けて照射する。光磁気ディスクＸ１に対する照射領域の相対移動方向を矢印Ａで表す。レーザＬの照射により、記録磁性部１０内は局所的に昇温し、記録磁性部１０内には、例えば図２のグラフに示すように、ディスク周方向に温度勾配が生ずる。そして、中間層１２には、そのキュリー温度Ｔｃ以上に昇温して自発磁化が消失した領域Ｒ１（斜線ハッチングを付して表す）が生ずる。
【００３５】
このような照射領域における、中間層１２のキュリー温度Ｔｃの等温線を、記録層１１の所定の磁区１１ａに対応する再生層１３の磁区１３ａの磁壁１３ａ’が照射領域移動に伴って低温領域から高温領域へと通過する瞬間に、当該磁壁１３ａ’は再生層１３内をより高温側へと移動する。照射領域移動方向Ａにおける前方から後方に向けて再生層１３内をこのように磁壁１３ａ’が移動すると、当該磁壁移動領域の磁化は反転する。この磁化反転を、再生層１３の表面にて反射した光の偏光面の変化として所定の光学系で検出することにより、磁壁移動が検知される。情報トラックに沿って再生用のレーザＬを照射して磁壁移動を順次検知することにより、光磁気ディスクＸ１の記録信号が読み取られることとなる。
【００３６】
上述のように、再生層１３では、記録層１１における最小記録マーク長を短く設定する場合に、再生層１３において隣り合う磁壁が接合してしまうことは、抑制される。したがって、光磁気ディスクＸ１の情報再生時には、記録層１１における最小記録マーク長を比較的に短く設定する場合であっても、再生層１３において隣り合う磁壁が接合することに起因する再生信号欠落は、抑制される。このような光磁気ディスクＸ１は、高記録密度化を図るのに適している。
【００３７】
図３は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気ディスクＸ２の径方向の部分断面図である。光磁気ディスクＸ２は、基板Ｂ１と、記録磁性部３０と、熱伝導層２１と、誘電体層２２と、保護膜２３とを備えてフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものであり、記録磁性部１０に代えて記録磁性部３０を備える点において、第１の実施形態の光磁気ディスクＸ１と異なる。
【００３８】
記録磁性部３０は、記録層３１、中間層３２、および再生層３３よりなる積層構造を有し、再生層３３内での磁壁移動ないし磁区拡大を伴う磁区拡大系再生方式（例えばＤＷＤＤやＭＡＭＭＯＳなど）に基づいて再生可能に構成されている。
【００３９】
記録層３１は、光磁気ディスクＸ２において記録機能を担う部位であり、希土類−遷移金属アモルファス垂直磁化膜よりなる。具体的な構成については、記録層３１は、第１の実施形態における記録層１１と同一である。
【００４０】
中間層３２は、記録層３１および再生層３３の交換結合状態を変化させるための部位であり、昇温によりそのキュリー温度にて垂直磁化状態から自発磁化消失状態に転移（状態変化）し且つ降温によりキュリー温度にて自発磁化消失状態から垂直磁化状態に転移する希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。具体的な構成については、中間層３２は、第１の実施形態における中間層１２と同一である。
【００４１】
再生層３３は、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う部位であり、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとからなるアモルファス垂直磁化膜により構成され、且つ、内部積層構造を有する。内部積層構造とは、組成の異なる複数のアモルファス組織からなる積層構造であり、本実施形態では、Ｇｄ層と、Ｆｅ層と、Ｃｏ層とが所定の順序で積層した構造もしくは当該積層構造の繰り返し、または、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏより選択される一成分からなる層と他の二成分からなる層とが積層した構造もしくは当該積層構造の繰り返しである。
【００４２】
図４は、再生層３３における内部積層構造のバリエーションを表す。図４（ａ）に示すバリエーションでは、再生層３３は、Ｇｄ層と、Ｃｏ層と、これらの間のＦｅ層とからなる三層構造が、再生層３３の厚さ（例えば１０〜５０ｎｍ）内にてｎ回繰り返される積層構造を有する。図４（ｂ）に示すバリエーションでは、再生層３３は、ＧｄＣｏ層とＦｅ層とからなる二層構造がｎ回繰り返される積層構造を有する。図４（ｃ）に示すバリエーションでは、再生層３３は、ＧｄＦｅ層とＣｏ層とからなる二層構造がｎ回繰り返される積層構造を有する。図４（ｄ）に示すバリエーションでは、再生層３３は、ＦｅＣｏ層とＧｄ層とからなる二層構造がｎ回繰り返される積層構造を有する。例えばこれらのような内部積層構造に起因して、再生層３３について高い垂直磁気異方性が実現される。異なるアモルファス組織間の界面の存在が、アモルファス垂直磁化膜の垂直磁気異方性を高めるものと考えられる。
【００４３】
以上のような構成を有する光磁気ディスクＸ２は、記録磁性部１０の各層に代えて記録磁性部３０の各層を例えばスパッタリング法により形成する以外は光磁気ディスクＸ１と同様にして、製造することができる。
【００４４】
光磁気ディスクＸ２については、光磁気ディスクＸ１に関して上述したのと略同様にして、情報記録や情報再生を実行することができる。
【００４５】
Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス垂直磁化膜よりなり且つ上述のような内部積層構造を有する、光磁気ディスクＸ２の再生層３３は、一様組成のＧｄＦｅＣｏアモルファス垂直磁化膜よりなる、例えば上述の光磁気ディスクＸ４の再生層５３よりも、高い垂直磁気異方性を示す。そのため、再生層３３では、再生層５３よりも、記録層における最小記録マーク長を短く設定する場合に、隣り合う磁壁が接合してしまうことは、抑制される。したがって、光磁気ディスクＸ２の情報再生時には、記録層３１における最小記録マーク長を比較的に短く設定する場合であっても、再生層３３において隣り合う磁壁が接合することに起因する再生信号欠落は、抑制される。このような光磁気ディスクＸ２は、高記録密度化を図るのに適している。
【００４６】
図５は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気ディスクＸ３の径方向の部分断面図である。光磁気ディスクＸ３は、基板Ｂ１と、記録磁性部４０と、熱伝導層２１と、誘電体層２２と、保護膜２３とを備えてフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものであり、記録磁性部１０に代えて記録磁性部４０を備える点において、第１の実施形態の光磁気ディスクＸ１と異なる。
【００４７】
記録磁性部４０は、記録層４１、中間層４２、および再生層４３よりなる積層構造を有し、再生層４３内での磁壁移動ないし磁区拡大を伴う磁区拡大系再生方式（例えばＤＷＤＤやＭＡＭＭＯＳなど）に基づいて再生可能に構成されている。
【００４８】
記録層４１は、光磁気ディスクＸ３において記録機能を担う部位であり、希土類−遷移金属アモルファス垂直磁化膜よりなる。具体的な構成については、記録層４１は、第１の実施形態における記録層１１と同一である。
【００４９】
中間層４２は、記録層４１および再生層４３の交換結合状態を変化させるための部位であり、昇温によりそのキュリー温度にて垂直磁化状態から自発磁化消失状態に転移（状態変化）し且つ降温によりキュリー温度にて自発磁化消失状態から垂直磁化状態に転移する希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。具体的な構成については、中間層４２は、第１の実施形態における中間層１２と同一である。
【００５０】
再生層４３は、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う部位であり、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される少なくとも一つの元素と、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス垂直磁化膜よりなる。再生層４３の厚さは例えば１０〜５０ｎｍである。また、再生層４３の全体組成（正味の組成）は、例えば、所定の組成比のＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＦｅＣｏＰｄ、ＧｄＦｅＣｏＤｙ、ＧｄＦｅＣｏＲｕ、またはＧｄＦｅＣｏＰｔＰｄである。Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択されて再生層４３に含まれる少なくとも一つの元素は、再生層４３について高い垂直磁気異方性を実現するためのものである。また、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される少なくとも一つの元素の、再生層４３における含有率は、好ましくは１〜１０ａｔ％である。再生層４３の垂直磁気異方性向上の観点から、当該含有率は１ａｔ％以上であるのが好ましく、情報再生時における再生層４３についてのカー回転角を確保するという観点から、当該含有率は１０ａｔ％以下であるのが好ましいのである。
【００５１】
また、再生層４３は内部積層構造を有する。内部積層構造とは、組成の異なる複数のアモルファス組織からなる積層構造であり、本実施形態では、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される少なくとも一つの元素（元素Ａ）からなる層と、Ｇｄ層と、Ｆｅ層と、Ｃｏ層とが所定の順序で積層した構造もしくは当該積層構造の繰り返し、元素Ａ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏより選択される一成分からなる層と、残りの三成分から選択される一成分からなる層と、他の二成分からなる層とが所定の順序で積層した構造もしくは当該積層構造の繰り返し、元素Ａ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏより選択される一成分からなる層と他の三成分からなる層とが積層した構造もしくは当該積層構造の繰り返し、または、元素Ａ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏより選択される二成分からなる層と他の二成分からなる層とが積層した構造もしくは当該積層構造の繰り返しである。
【００５２】
図６は、再生層４３における内部積層構造のバリエーションを表す。図６（ａ）に示すバリエーションでは、再生層４３は、ＧｄＣｏ層と、Ｐｔ層と、これらの間のＦｅ層とからなる三層構造が、再生層４３の厚さ内にてｎ回繰り返される積層構造を有する。図６（ｂ）に示すバリエーションでは、再生層４３は、ＧｄＣｏ層とＦｅＰｄ層とからなる二層構造がｎ回繰り返される積層構造を有する。図６（ｃ）に示すバリエーションでは、再生層４３は、ＧｄＦｅ層とＣｏＤｙ層とからなる二層構造がｎ回繰り返される積層構造を有する。図６（ｄ）に示すバリエーションでは、再生層４３は、ＦｅＣｏ層とＧｄＲｕ層とからなる二層構造がｎ回繰り返される積層構造を有する。例えばこれらのような内部積層構造に起因して、再生層４３について高い垂直磁気異方性が実現される。異なるアモルファス組織間の界面の存在が、アモルファス垂直磁化膜の垂直磁気異方性を高めるものと考えられる。
【００５３】
本実施形態では、再生層４３において中間層４２から少なくとも０.５ｎｍまでの箇所には、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される元素（元素Ａ）が含まれないように、元素Ａからなる層や元素Ａを含む層を上述の内部積層構造から間引いてもよい。再生層４３において中間層４２に近接する箇所では、中間層４２からの磁気的影響に起因して磁壁の広がりは抑制される傾向にある。一方、再生層４３内において垂直磁気異方性が過度に高まると、再生層４３内での磁壁移動性が阻害される場合がある。したがって、元素Ａの存在と中間層４２からの磁気的影響とが重畳的に寄与して垂直磁気異方性が過度に高まることを回避するうえでは、再生層４３において中間層４２から少なくとも０.５ｎｍまでの箇所には、元素Ａが含まれないように構成するのが好ましいのである。
【００５４】
以上のような構成を有する光磁気ディスクＸ３は、記録磁性部１０の各層に代えて記録磁性部４０の各層を例えばスパッタリング法により形成する以外は光磁気ディスクＸ１と同様にして、製造することができる。
【００５５】
光磁気ディスクＸ３については、光磁気ディスクＸ１に関して上述したのと略同様にして、情報記録や情報再生を実行することができる。
【００５６】
Ｐｔ，Ｐｄ，Ｄｙ，Ｒｕから選択される少なくとも一つの元素と、Ｇｄと、Ｆｅと、Ｃｏとを含むアモルファス垂直磁化膜よりなり且つ上述のような内部積層構造を有する、光磁気ディスクＸ３の再生層４３は、一様組成のＧｄＦｅＣｏアモルファス垂直磁化膜よりなる、例えば上述の光磁気ディスクＸ４の再生層５３よりも、高い垂直磁気異方性を示す。そのため、再生層４３では、再生層５３よりも、記録層における最小記録マーク長を短く設定する場合に、隣り合う磁壁が接合してしまうことは、抑制される。したがって、光磁気ディスクＸ３の情報再生時には、記録層４１における最小記録マーク長を比較的に短く設定する場合であっても、再生層４３において隣り合う磁壁が接合することに起因する再生信号欠落は、抑制される。このような光磁気ディスクＸ３は、高記録密度化を図るのに適している。
【００５７】
図７は、擬似再生層として形成したサンプル膜１〜１２の正味の組成および内部構造を示す表である。
【００５８】
サンプル膜１は、従来の光磁気ディスクＸ４の再生層５３に相当し、一様組成のＧｄ29Ｆｅ57Ｃｏ14よりなる。サンプル膜１の作製においては、スパッタリング法（Ｇｄターゲット、Ｆｅターゲット、およびＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリング）により、一様組成のＧｄ29Ｆｅ57Ｃｏ14よりなるアモルファス垂直磁化膜（厚さ３０ｎｍ）をガラス板（２ｃｍ×４ｃｍ）上に形成した。
【００５９】
サンプル膜２は、本発明に係る光磁気ディスクＸ１の再生層１３に相当し、一様組成のＧｄ29Ｆｅ53Ｃｏ12Ｐｔ6よりなる。サンプル膜２の作製においては、スパッタリング法（Ｇｄターゲット、Ｆｅターゲット、Ｃｏターゲット、およびＰｔターゲットを用いて行うコスパッタリング）により、一様組成のＧｄ29Ｆｅ53Ｃｏ12Ｐｔ6よりなるアモルファス垂直磁化膜（厚さ３０ｎｍ）をガラス板（２ｃｍ×４ｃｍ）上に形成した。
【００６０】
サンプル膜３は、本発明に係る光磁気ディスクＸ２の再生層３３に相当し、Ｇｄ29Ｆｅ57Ｃｏ14の正味の組成を有し且つ所定の内部積層構造を有するアモルファス垂直磁化膜である。サンプル膜３の作製においては、まず、スパッタリング法（ＧｄターゲットおよびＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリング）により、所定の組成比のＧｄＣｏアモルファス膜（厚さ０.６ｎｍ）をガラス板（２ｃｍ×４ｃｍ）上に形成した。次に、Ｆｅターゲットを用いて行うスパッタリング法により、上述のＧｄＣｏ膜上にＦｅアモルファス膜（厚さ０.４ｎｍ）を形成した。そして、当該Ｆｅ膜上において、このようなＧｄＣｏ膜の形成およびＦｅ膜の形成を更に２９回繰り返した。以上のようにして、厚さ３０ｎｍのサンプル膜３を作製した。
【００６１】
サンプル膜４は、本発明に係る光磁気ディスクＸ３の再生層４３に相当し、Ｇｄ29Ｆｅ52Ｃｏ13Ｐｔ6の正味の組成を有し且つ所定の内部積層構造を有するアモルファス垂直磁化膜である。サンプル膜４の作製においては、まず、スパッタリング法（ＧｄターゲットおよびＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリング）により、所定の組成比のＧｄＣｏアモルファス膜（厚さ０.６ｎｍ）をガラス板（２ｃｍ×４ｃｍ）上に形成した。次に、Ｆｅターゲットを用いて行うスパッタリング法により、上述のＧｄＣｏ膜上にＦｅアモルファス膜（厚さ０.３ｎｍ）を形成した。次に、Ｐｔターゲットを用いて行うスパッタリング法により、上述のＦｅ膜上にＰｔアモルファス膜（厚さ０.１ｎｍ）を形成した。そして、当該Ｐｔ膜上において、このようなＧｄＣｏ膜の形成、Ｆｅ膜の形成、およびＰｔ膜の形成を、３回に１回はＰｔ膜の形成をスキップ（合計１０回のスキップ）しながら、更に３０回繰り返した。以上のようにして、Ｐｔ濃度を微調整しつつ厚さ３０ｎｍのサンプル膜４を作製した。
【００６２】
サンプル膜５〜７は、本発明に係る光磁気ディスクＸ３の再生層４３に相当し、各々、Ｇｄ29Ｆｅ52Ｃｏ13Ｐｄ6（サンプル膜５）、Ｇｄ29Ｆｅ52Ｃｏ13Ｄｙ6（サンプル膜６）、およびＧｄ29Ｆｅ52Ｃｏ13Ｒｕ6（サンプル膜７）の正味の組成を有し且つ所定の内部積層構造を有するアモルファス垂直磁化膜である。サンプル膜５〜７は、Ｐｔ膜に代えて厚さ０.１ｎｍのＰｄ膜（サンプル膜５）、厚さ０.１ｎｍのＤｙ膜（サンプル膜６）、または厚さ０.１ｎｍのＲｕ膜（サンプル膜７）をスパッタリング法により形成する以外はサンプル膜４と同様にして作製した。
【００６３】
サンプル膜８は、従来の光磁気ディスクＸ４の再生層５３に相当し、一様組成のＧｄ29Ｆｅ50Ｃｏ21よりなる。サンプル膜８の作製においては、スパッタリング法（Ｇｄターゲット、Ｆｅターゲット、およびＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリング）により、一様組成のＧｄ29Ｆｅ50Ｃｏ21よりなるアモルファス垂直磁化膜（厚さ３０ｎｍ）をガラス板（２ｃｍ×４ｃｍ）上に形成した。
【００６４】
サンプル膜９は、本発明に係る光磁気ディスクＸ３の再生層４３に相当し、Ｇｄ29Ｆｅ45Ｃｏ20Ｐｔ6の正味の組成を有し且つ所定の内部積層構造を有するアモルファス垂直磁化膜である。サンプル膜９の作製においては、まず、スパッタリング法（ＧｄターゲットおよびＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリング）により、所定の組成比のＧｄＣｏアモルファス膜（厚さ０.６５ｎｍ）をガラス板（２ｃｍ×４ｃｍ）上に形成した。次に、Ｆｅターゲットを用いて行うスパッタリング法により、上述のＧｄＣｏ膜上にＦｅアモルファス膜（厚さ０.３５ｎｍ）を形成した。次に、Ｐｔターゲットを用いて行うスパッタリング法により、上述のＦｅ膜上にＰｔアモルファス膜（厚さ０.１ｎｍ）を形成した。そして、当該Ｐｔ膜上において、このようなＧｄＣｏ膜の形成、Ｆｅ膜の形成、およびＰｔ膜の形成を、合計８回Ｐｔ膜の形成をスキップしながら、更に２７回繰り返した。以上のようにして、Ｐｔ濃度を微調整しつつ厚さ３０ｎｍのサンプル膜９を作製した。
【００６５】
サンプル膜１０は、本発明に係る光磁気ディスクＸ３の再生層４３に相当し、Ｇｄ29Ｆｅ41Ｃｏ20Ｐｔ10の正味の組成を有し且つ所定の内部積層構造を有するアモルファス垂直磁化膜である。サンプル膜１０の作製においては、まず、スパッタリング法（ＧｄターゲットおよびＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリング）により、所定の組成比のＧｄＣｏアモルファス膜（厚さ０.６３ｎｍ）をガラス板（２ｃｍ×４ｃｍ）上に形成した。次に、Ｆｅターゲットを用いて行うスパッタリング法により、上述のＧｄＣｏ膜上にＦｅアモルファス膜（厚さ０.２７ｎｍ）を形成した。次に、Ｐｔターゲットを用いて行うスパッタリング法により、上述のＦｅ膜上にＰｔアモルファス膜（厚さ０.１ｎｍ）を形成した。そして、当該Ｐｔ膜上において、このようなＧｄＣｏ膜の形成、Ｆｅ膜の形成、およびＰｔ膜の形成を更に２９回繰り返した。以上のようにして、厚さ３０ｎｍのサンプル膜１０を作製した。
【００６６】
サンプル膜１１は、本発明に係る光磁気ディスクＸ３の再生層４３に相当し、Ｇｄ29Ｆｅ40Ｃｏ19Ｐｔ12の正味の組成を有し且つ所定の内部積層構造を有するアモルファス垂直磁化膜である。サンプル膜１１の作製においては、まず、スパッタリング法（ＧｄターゲットおよびＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリング）により、所定の組成比のＧｄＣｏアモルファス膜（厚さ０.６ｎｍ）をガラス板（２ｃｍ×４ｃｍ）上に形成した。次に、Ｆｅターゲットを用いて行うスパッタリング法により、上述のＧｄＣｏ膜上にＦｅアモルファス膜（厚さ０.２７ｎｍ）を形成した。次に、Ｐｔターゲットを用いて行うスパッタリング法により、上述のＦｅ膜上にＰｔアモルファス膜（厚さ０.１２ｎｍ）を形成した。そして、当該Ｐｔ膜上において、このようなＧｄＣｏ膜の形成、Ｆｅ膜の形成、およびＰｔ膜の形成を、Ｐｔ膜の形成を１回スキップして、更に３０回繰り返した。以上のようにして、Ｐｔ濃度を微調整しつつ厚さ約３０ｎｍのサンプル膜１１を作製した。
【００６７】
サンプル膜１２は、本発明に係る光磁気ディスクＸ３の再生層４３に相当し、Ｇｄ28Ｆｅ38Ｃｏ19Ｐｔ15の正味の組成を有し且つ所定の内部積層構造を有するアモルファス垂直磁化膜である。サンプル膜１２の作製においては、まず、スパッタリング法（ＧｄターゲットおよびＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリング）により、所定の組成比のＧｄＣｏアモルファス膜（厚さ０.６ｎｍ）をガラス板（２ｃｍ×４ｃｍ）上に形成した。次に、Ｆｅターゲットを用いて行うスパッタリング法により、上述のＧｄＣｏ膜上にＦｅアモルファス膜（厚さ０.２５ｎｍ）を形成した。次に、Ｐｔターゲットを用いて行うスパッタリング法により、上述のＦｅ膜上にＰｔアモルファス膜（厚さ０.１５ｎｍ）を形成した。そして、当該Ｐｔ膜上において、このようなＧｄＣｏ膜の形成、Ｆｅ膜の形成、およびＰｔ膜の形成を更に２９回繰り返した。以上のようにして、厚さ３０ｎｍのサンプル膜１２を作製した。
【００６８】
上述のサンプル膜１〜４について、所定の試料振動型磁力計を使用して垂直磁気異方性定数Ｋｕの温度依存性を調べた。その結果を図８のグラフに示す。図８のグラフでは、横軸にて測定温度（℃）を表し、縦軸にて垂直磁気異方性定数Ｋｕ（erg/cc）を表す。また、図８のグラフでは、▲は、サンプル膜１の測定に係るプロットであり、△は、サンプル膜２の測定に係るプロットであり、○は、サンプル膜３の測定に係るプロットであり、●は、サンプル膜４の測定に係るプロットである。図８のグラフに表れているように、従来の再生層５３に相当するサンプル膜１よりも、本発明における再生層１３に相当するサンプル膜２、再生層３３に相当するサンプル膜３、および再生層４３に相当するサンプル膜４３は、室温から各々のキュリー温度付近にかけて垂直磁気異方性が高かった。
【００６９】
サンプル膜１，３〜７について、所定の試料振動型磁力計を使用して３０℃における垂直磁気異方性定数Ｋｕを調べた。その結果を図９の表に掲げる。従来の再生層５３に相当するサンプル膜１よりも、本発明における再生層３３に相当するサンプル膜３、再生層４３に相当するサンプル膜４〜７は、３０℃における垂直磁気異方性が高かった。
【００７０】
サンプル８〜１２について、カーループ測定器（商品名：ＣＴ−２５Ｃ，ＪＡＳＣＯ製）を使用して再生時のカー回転角θｋの温度依存性を調べた。その結果を図１０に示す。図１０のグラフでは、横軸にて測定温度（℃）を表し、縦軸にてカー回転角θｋ（deg）を表す。図１０のグラフの実線Ｓ８は、サンプル膜８の測定に係るプロットに応じて引かれたものであり、実線Ｓ９は、サンプル膜９の測定に係るプロットに応じて引かれたものであり、実線Ｓ１０は、サンプル膜１０の測定に係るプロットに応じて引かれたものであり、実線Ｓ１１は、サンプル膜１１の測定に係るプロットに応じて引かれたものである。また、サンプル膜１２の測定に係るプロットを×で表す。図１０のグラフに表れているように、Ｐｔの含有率が大きくなるほど、カー回転角θｋの値は低下する傾向にあった。
【実施例】
【００７１】
〈光磁気ディスクの作製〉
図１１に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスクは、上述の光磁気ディスクＸ３に相当する。
【００７２】
本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、表面にランドグルーブ形状を有するポリカーボネート基板（直径：１２０ｍｍ，厚さ：１．２ｍｍ，ランド幅：２７５ｎｍ，グルーブ幅：２７５ｎｍ，トラックピッチ〔ランド幅＋グルーブ幅〕：５５０ｎｍ，グルーブ深さ４７ｎｍ）の上に、スパッタリング法によりＡｌＳｉを成膜することによって、厚さ２０ｎｍの熱伝導層を形成した。具体的には、ＡｌターゲットおよびＳｉターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、基板上にＡｌＳｉを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０．５９Ｐａとし、スパッタ電力を３００Ｗ（Ａｌターゲット）および２００Ｗ（Ｓｉターゲット）とした。
【００７３】
次に、スパッタリング法により熱伝導層上にＴｂ22Ｆｅ62Ｃｏ16を成膜することによって、厚さ６０ｎｍの記録層を形成した。具体的には、ＴｂターゲットおよびＦｅＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、熱伝導層上にＴｂＦｅＣｏを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、スパッタ電力を１００Ｗ（Ｔｂターゲット）および２００Ｗ（ＦｅＣｏターゲット）とした。
【００７４】
次に、スパッタリング法により記録層上にＴｂ22Ｆｅ78を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの中間層を形成した。具体的には、ＴｂターゲットおよびＦｅターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、記録層上にＴｂＦｅを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を２．６Ｐａとし、スパッタ電力を７６Ｗ（Ｔｂターゲット）および３００Ｗ（Ｆｅターゲット）とした。
【００７５】
次に、スパッタリング法により中間層上に厚さ３０ｎｍの再生層（正味の組成がＧｄ29Ｆｅ52Ｃｏ13Ｐｔ6のアモルファス垂直磁化膜）を形成した。具体的には、まず、スパッタリング法（ＧｄターゲットおよびＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリング）により、所定の組成比のＧｄＣｏアモルファス膜（厚さ０.６ｎｍ）を中間層上に形成した。次に、Ｆｅターゲットを用いて行うスパッタリング法により、上述のＧｄＣｏ膜上にＦｅアモルファス膜（厚さ０.３ｎｍ）を形成した。次に、Ｐｔターゲットを用いて行うスパッタリング法により、上述のＦｅ膜上にＰｔアモルファス膜（厚さ０.１ｎｍ）を形成した。そして、当該Ｐｔ膜上において、このようなＧｄＣｏ膜の形成、Ｆｅ膜の形成、およびＰｔ膜の形成を、３回に１回はＰｔ膜の形成をスキップ（合計１０回のスキップ）しながら、更に３０回繰り返した。以上のようにして、Ｐｔ濃度を微調整しつつ厚さ３０ｎｍの再生層を作製した。
【００７６】
次に、スパッタリング法により再生層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ７０ｎｍの誘電体層（エンハンス層）を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、再生層上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を２：１とし、スパッタガス圧力を１.５Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。
【００７７】
次に、誘電体層上に厚さ１５μｍの保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、紫外線硬化性の透明樹脂を誘電体層上に塗布した。次に、紫外線照射により、当該樹脂膜を硬化させた。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。
【００７８】
〈波形抜け率測定〉
本実施例の光磁気ディスクについて、再生信号の波形の抜け率を調べた。具体的には、まず、本実施例の光磁気ディスクの情報トラックに対し、所定のマーク長の記録マークを同一長さのスペースを介して繰り返し記録した。この記録処理は、所定の装置を使用してレーザパルス磁界変調記録方式により行った。この装置のレーザ集光用対物レンズの開口数ＮＡは０.８５であり、レーザ波長は４０５ｎｍである。また、レーザ走査の周速を６.０ｍ/ｓとし、記録用レーザパワーを７.０ｍＷとし、記録磁界を６００Ｏｅとした。次に、光磁気ディスクを再生して、再生信号の波形の抜け率を測定した。再生信号の波形の抜け率とは、記録した信号の数に対する再生波形の抜け数の割合である。この再生処理は、記録と同一の装置を使用して行い、再生用レーザパワーを１.０〜２．０ｍＷの範囲での最適値とし、レーザ走査の周速を６.０ｍ/ｓとし、再生磁界を０Ｏｅとした。このような記録処理および再生処理を、記録処理における記録マークの長さを変化させて記録マーク長ごとに行った。この波形抜け率測定の結果を図１３のグラフに示す。図１３のグラフでは、横軸にて記録マーク長（μｍ）を表し、縦軸にて波形抜け率（％）を表し、本実施例の光磁気ディスクの測定に係るプロットを実線１３Ａで結ぶ。
【比較例】
【００７９】
図１２に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。本比較例の光磁気ディスクは、Ｐｔを含有し且つ内部積層構造を有する再生層（正味の組成がＧｄ29Ｆｅ52Ｃｏ13Ｐｔ6のアモルファス垂直磁化膜）に代えて、Ｐｔを含有せず且つ一様組成の再生層（組成がＧｄ29Ｆｅ58Ｃｏ13のアモルファス垂直磁化膜）を有する点において、上述の実施例の光磁気ディスクと異なる。また、本比較例の光磁気ディスクは、上述の従来の光磁気ディスクＸ４に相当する。
【００８０】
本比較例の光磁気ディスクは、再生層の形成以外は上述の実施例と同様にして作製した。本比較例における再生層の形成においては、スパッタリング法により中間層上にＧｄ29Ｆｅ58Ｃｏ13を成膜を厚さ３０ｎｍに成膜した。具体的には、Ｇｄターゲット、Ｆｅターゲット、およびＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、中間層上にＧｄ29Ｆｅ58Ｃｏ13を成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０.３Ｐａとし、スパッタ電力を２００Ｗ（Ｇｄターゲット）、１００Ｗ（Ｆｅターゲット）、および２００Ｗ（Ｃｏターゲット）とした。
【００８１】
以上のようにして作製した本比較例の光磁気ディスクについて、実施例の光磁気ディスクと同様にして、再生信号の波形の抜け率を測定した。その結果については、図１３のグラフに示す。図１３のグラフでは、本比較例の光磁気ディスクの測定に係るプロットを実線１３Ｂで結ぶ。
【評価】
【００８２】
図１３のグラフに表れているように、比較例の光磁気ディスクでは、記録マーク長が９０ｎｍ以下である場合に、波形抜け率が有意に大きくなる（即ち、再生信号欠落が顕著となる）。これに対して、実施例の光磁気ディスクでは、記録マーク長が６０ｎｍ以下でなければ波形抜け率は有意には大きくならない。すなわち、実施例の光磁気ディスクでは、比較例の光磁気ディスクよりも、再生信号欠落は抑制されている。実施例の光磁気ディスクと比較例の光磁気ディスクとの間でこのような差が生ずるのは、比較例の光磁気ディスクよりも、実施例の光磁気ディスクの方が、再生層内で隣り合う磁壁が接合してしまうことが抑制されるためと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光磁気ディスクの部分断面図である。
【図２】図１に示す光磁気ディスクの再生方法を表す。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る光磁気ディスクの部分断面図である。
【図４】図３に示す再生層における内部積層構造のバリエーションを表す。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る光磁気ディスクの部分断面図である。
【図６】図５に示す再生層における内部積層構造のバリエーションを表す。
【図７】再生層についてのサンプル膜１〜１２の正味の組成および内部構造を示す表である。
【図８】サンプル膜１〜４について、垂直磁気異方性定数Ｋｕの温度依存性を表すグラフである。
【図９】サンプル膜１，３〜７の垂直磁気異方性定数Ｋｕ（３０℃）を掲げる表である。
【図１０】サンプル膜８〜１２について、カー回転角θｋの温度依存性を表すグラフである。
【図１１】実施例の光磁気ディスクの積層構成を表す。
【図１２】比較例の光磁気ディスクの積層構成を表す。
【図１３】実施例および比較例の光磁気ディスクについて、波形抜け率の記録マーク長依存性を表すグラフである。
【図１４】従来の光磁気ディスクの一例の積層構成を表す。
【図１５】図１４に示す光磁気ディスクの再生方法を表す。
【図１６】図１４に示す光磁気ディスクの再生層において、隣り合う磁壁の接合が生じている場合を表す。
【符号の説明】
【００８４】
Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４      光磁気ディスク
Ｂ１，Ｂ２      基板
１０，３０，４０，５０      記録磁性部
１１，３１，４１，５１      記録層
１２，３２，４２，５２      中間層
１３，３３，４３，５３      再生層
２１，６２      熱伝導層
２２，６３      誘電体層
２３，６４      保護膜
【図１】
2006268901.tif 000003
【図２】
2006268901.tif 000004
【図３】
2006268901.tif 000005
【図４】
2006268901.tif 000006
【図５】
2006268901.tif 000007
【図６】
2006268901.tif 000008
【図７】
2006268901.tif 000009
【図８】
2006268901.tif 000010
【図９】
2006268901.tif 000011
【図１０】
2006268901.tif 000012
【図１１】
2006268901.tif 000013
【図１２】
2006268901.tif 000014
【図１３】
2006268901.tif 000015
【図１４】
2006268901.tif 000016
【図１５】
2006268901.tif 000017
【図１６】
2006268901.tif 000018