(57)【要約】【課題】ガラス基板の同一表面に複数回に分けて半導体基板を接合する場合においても２回目以降の接合における接合強度の低下を防止する。【解決手段】ガラス基板からなるボディ１の一表面側に、ボディ１に設けられた収納孔１６を閉塞するシリコン薄膜からなる蓋体１７とアーマチュアブロック３を構成するフレーム部３１とが陽極接合される。蓋体１７の基礎となるシリコン基板１００をボディ１に接合する前に、シリコン基板１００の一表面であってボディ１の一表面に対向する表面をドライエッチングで座刳ることにより、シリコン基板１００の蓋体１７となる部位以外の部位とボディ１の一表面との間に隙間ｄを空けている。このため、ボディ１の一表面におけるフレーム部３１が陽極接合される部分（図３（ａ）の一点破線より外側の部分）の平坦度が劣化せず、フレーム部３１とボディ１との接合強度の低下が防止できる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦なガラス基板の一表面側に半導体基板を複数回に分けて陽極接合する接合方法であって、ガラス基板の一表面側において後に半導体基板を陽極接合する部位を避けて半導体基板を陽極接合することを特徴とするガラス基板と半導体基板との接合方法。
【請求項２】
ガラス基板に接合する前に、半導体基板の一表面であってガラス基板の前記一表面に対向する表面をドライエッチングすることにより、ガラス基板と接合される部位以外の部位とガラス基板の前記一表面との間に隙間を空けることを特徴とする請求項１記載のガラス基板と半導体基板との接合方法。
【請求項３】
コイルへの励磁電流に応じて磁気吸引力を発生する電磁石装置と、ガラス基板からなり電磁石装置を収納する収納部が設けられ且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたボディと、半導体基板からなりボディの前記一表面側に固着される枠状のフレーム部、及びフレーム部の内側に配置されフレーム部に対して揺動自在に支持されるアーマチュア、電磁石装置の磁気吸引力によってアーマチュアが揺動した際に固定接点と接離する可動接点を有するアーマチュアブロックと、ガラス基板からなりアーマチュアブロックにおけるボディとは反対側で周部がフレーム部に固着されるカバーとを備え、厚み方向に貫通する収納孔がボディに設けられ、半導体基板からなる蓋体でボディの前記一表面側から収納孔を塞ぐことにより電磁石装置を収納する収納部が設けられ、ボディの前記一表面側にフレーム部が陽極接合されるとともにフレーム部におけるボディとは反対側でカバーがフレーム部に陽極接合されるマイクロリレーの製造方法であって、ボディの前記一表面側において後にフレーム部を陽極接合する部位を避けて蓋体の基礎となる半導体基板を陽極接合することを特徴とするマイクロリレーの製造方法。
【請求項４】
蓋体の基礎となる半導体基板をボディに接合する前に、当該半導体基板の一表面であってボディの前記一表面に対向する表面をドライエッチングすることにより、前記半導体基板の蓋体となる部位以外の部位とボディの前記一表面との間に隙間を空けることを特徴とする請求項３記載のマイクロリレーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板と半導体基板とを接合する接合方法、並びに当該接合方法を用いたマイクロリレーの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体微細加工プロセスにより半導体基板を加工することによって形成される種々のマイクロマシンが提供されており、その一例としてマイクロリレーがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載されているマイクロリレーは、図８に示すようにガラス基板を加工してなるボディ１と、電磁石装置２と、シリコン基板のような半導体基板を半導体微細加工プロセスにより加工することで形成されるアーマチュアブロック３と、ガラス基板を加工してなるカバー４とを備える。ボディ１の中央部には厚み方向に貫通し電磁石装置２を収納する収納孔１６が貫設され、シリコン薄膜（半導体基板）からなる蓋体１７をボディ１の一表面側に接合することで収納孔１６が閉塞され、収納孔１６の内周面と蓋体１７とで囲まれる空間に電磁石装置２が収納される。
【０００４】
一方、アーマチュアブロック３は矩形枠状のフレーム部３１と、複数の支持ばね部３２を介してフレーム部３１に揺動自在に支持されたアーマチュア３０とを有し、アーマチュアブロック３を両側から挟むようにしてフレーム部３１をボディ１及びカバー４に接合することでマイクロリレーが構成されている。ここで、蓋体１７とボディ１、ボディ１及びカバー４とフレーム部３１とは陽極接合によって接合される。陽極接合は可動イオンを含むガラスとシリコン基板を密着接合する方法として一般的に用いられており、重ね合わせた基板を加熱してガラス側を軟化させると同時にシリコン側を陽極として両者の間に高電圧を印加することで電気的二重層を発生させ、静電引力により基板同士を接合する方法である。特許文献１に記載されたマイクロリレーにおいては、ボディ１の一表面側全体にシリコン薄膜を陽極接合した後、蓋体１７を残してシリコン薄膜を除去するというプロセスで蓋体１７とボディ１とが接合される。
【特許文献１】特開２００５−５０７６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、陽極接合はガラスに含まれる可動イオン（例えば、ナトリウムイオン）が表面に移動することで電気的二重層を発生させてガラスとシリコン基板を接合するものであるから、上記特許文献１に記載された従来例のように、１回目の接合時（蓋体１７の接合時）にフレーム部３１が接合される部位にもシリコン薄膜（半導体基板）が接合されてしまうと、例えフレーム部３１が接合される部位のシリコン薄膜を除去したとしても当該部位において接合に寄与する可動イオンが減少してしまい、２回目の接合時（フレーム部３１の接合時）にボディ１とフレーム部３１との接合強度が低下するという問題があった。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ガラス基板の同一表面に複数回に分けて半導体基板を接合する場合においても２回目以降の接合における接合強度の低下が防止できるガラス基板と半導体基板との接合方法並びにマイクロリレーの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明は、上記目的を達成するために、平坦なガラス基板の一表面側に半導体基板を複数回に分けて陽極接合する接合方法であって、ガラス基板の一表面側において後に半導体基板を陽極接合する部位を避けて半導体基板を陽極接合することを特徴とする。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、ガラス基板に接合する前に、半導体基板の一表面であってガラス基板の前記一表面に対向する表面をドライエッチングすることにより、ガラス基板と接合される部位以外の部位とガラス基板の前記一表面との間に隙間を空けることを特徴とする。
【０００９】
請求項３の発明は、上記目的を達成するために、コイルへの励磁電流に応じて磁気吸引力を発生する電磁石装置と、ガラス基板からなり電磁石装置を収納する収納部が設けられ且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたボディと、半導体基板からなりボディの前記一表面側に固着される枠状のフレーム部、及びフレーム部の内側に配置されフレーム部に対して揺動自在に支持されるアーマチュア、電磁石装置の磁気吸引力によってアーマチュアが揺動した際に固定接点と接離する可動接点を有するアーマチュアブロックと、ガラス基板からなりアーマチュアブロックにおけるボディとは反対側で周部がフレーム部に固着されるカバーとを備え、厚み方向に貫通する収納孔がボディに設けられ、半導体基板からなる蓋体でボディの前記一表面側から収納孔を塞ぐことにより電磁石装置を収納する収納部が設けられ、ボディの前記一表面側にフレーム部が陽極接合されるとともにフレーム部におけるボディとは反対側でカバーがフレーム部に陽極接合されるマイクロリレーの製造方法であって、ボディの前記一表面側において後にフレーム部を陽極接合する部位を避けて蓋体の基礎となる半導体基板を陽極接合することを特徴とする。
【００１０】
請求項４の発明は、請求項３の発明において、蓋体の基礎となる半導体基板をボディに接合する前に、当該半導体基板の一表面であってボディの前記一表面に対向する表面をドライエッチングすることにより、前記半導体基板の蓋体となる部位以外の部位とボディの前記一表面との間に隙間を空けることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１の発明によれば、ガラス基板の一表面側において後に半導体基板を陽極接合する部位を避けて半導体基板を陽極接合するから、ガラス基板の同一表面に複数回に分けて半導体基板を接合する場合においても２回目以降の接合における接合強度の低下が防止可能なガラス基板と半導体基板との接合方法が提供できる。
【００１２】
請求項２の発明によれば、他のエッチングに比べて隙間を形成する際に半導体基板の結晶方位による影響を受け難くなる。
【００１３】
請求項３の発明によれば、ボディの前記一表面側において後にフレーム部を陽極接合する部位を避けて蓋体の基礎となる半導体基板を陽極接合するから、蓋体をボディに接合した後にフレーム部を接合する際にフレーム部とボディとの接合強度の低下が防止可能なマイクロリレーの製造方法が提供できる。
【００１４】
請求項４の発明によれば、他のエッチングに比べて蓋体の基礎となる半導体基板に隙間を形成する際に半導体基板の結晶方位による影響を受け難くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、従来技術で説明したマイクロリレーに本発明を適用した実施形態について図１〜図７を参照して詳細に説明する。
【００１６】
本実施形態のマイクロリレーは、シリコン基板をマイクロマシニング技術により加工して形成されるアーマチュア３０、アーマチュア３０により変位可能な可動接点３９、可動接点３９と接離する固定接点１４を、ボディ１とカバー４とアーマチュアブロック３で構成される密閉空間に収納し、電磁石装置２の電磁力でアーマチュア３０を駆動するものである。ボディ１は矩形板状のガラス基板からなり、厚み方向の一表面側において長手方向の両端部それぞれに各一対の固定接点１４が設けられている。アーマチュアブロック３は、ボディ１の上記一表面側に固着される枠状（矩形枠状）のフレーム部３１と、フレーム部３１の内側に配置されて４本の支持ばね部３２を介してフレーム部３１に揺動自在に支持され、電磁石装置２が発生する電磁力により駆動されるアーマチュア３０と、アーマチュア３０にそれぞれ２本の接圧ばね部３５を介して支持されそれぞれ可動接点３９が設けられた２つの可動接点基台部３４とを有する。また、カバー４は矩形板状のガラス基板からなり、アーマチュアブロック３におけるボディ１とは反対側で周部がフレーム部３１に固着される。
【００１７】
電磁石装置２はヨーク２０に巻回されたコイル２２，２２への励磁電流に応じて磁束を発生するものである。ヨーク２０は、２つのコイル２２，２２が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部２０ａと、コイル巻回部２０ａの長手方向の両端部それぞれからアーマチュア３０に近づく向きに延設されコイル２２，２２への励磁電流に応じて互いの先端面が異極に励磁される一対の脚片２０ｂ，２０ｂと、ヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの間でコイル巻回部２０ａの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石２１と、細長の矩形板状であってヨーク２０のコイル巻回部２０ａにおける永久磁石２１との対向面とは反対側でコイル巻回部２０ａと直交するようにコイル巻回部２０ａに固着されるプリント基板２３とを備えている。なお、ヨーク２０は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工あるいは鋳造加工することにより形成されており、両脚片２０ｂ，２０ｂの断面が矩形状に形成されている。
【００１８】
永久磁石２１は、コイル巻回部２０ａとの重ね方向（厚み方向）の両面それぞれの磁極面が異極に着磁されており、一方の磁極面がヨーク２０のコイル巻回部２０ａに当接し、他方の磁極面がヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。
【００１９】
また、各コイル２２，２２はそれぞれ、永久磁石２１とヨーク２０の脚片２０ｂ，２０ｂとによって長軸方向（つまり、コイル巻回部２０ａの長手方向）への移動が規制される。プリント基板２３は、絶縁基板２３ａの一表面における長手方向の両端部に導電パターン２３ｂが形成されており、各導電パターン２３ｂにおいて円形状に形成された部位が外部接続用電極を構成し、矩形状に形成された部位がコイル接続部を構成している。ここにおいて、コイル接続部には、コイル２２，２２の端末が接続されるが、コイル２２，２２は、外部接続用電極間に電源を接続してコイル２２，２２へ励磁電流を流したときにヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの先端面が互いに異なる磁極となるように接続されている。なお、各導電パターン２３ｂにおける外部接続用電極には、導電性材料（例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，半田など）からなるバンプ２４が適宜固着されるが、バンプ２４を固着する代わりに、ボンディングワイヤをボンディングしてもよい。
【００２０】
ボディ１は耐熱ガラスにより形成されており、外周形状が矩形状であって、中央部には厚み方向に貫通し電磁石装置２を収納する収納孔１６が貫設され、四隅の各近傍と長手方向両端部の中央付近には厚み方向に貫通するスルーホール１０が貫設されている。また、ボディ１の厚み方向の両面であって各スルーホール１０それぞれの周縁にはランド１２が形成されている。ここに、ボディ１の厚み方向において重なるランド１２同士はスルーホール１０の内周面を導電性材料（例えば、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｕ，あるいはこれらの合金など）でめっきしてなるめっき層１０ａにより電気的に接続されている。また、ボディ１の厚み方向の他表面側の各ランド１２にはバンプ１３が適宜固着されており、バンプ１３をランド１２に固着することによって、ボディ１の上記他表面側ではスルーホール１０の開口面がバンプ１３により覆われる。スルーホール１０の開口面は円形状であって、ボディ１の上記一表面には、それぞれスルーホール１０の開口面を閉塞する導電パターン１８が設けられている。
【００２１】
また、上述の各一対の固定接点１４は、ボディ１の長手方向の両端部においてボディ１の短手方向に離間して形成された２つのスルーホール１０の間で上記短手方向に並設されており、上記短手方向両端のスルーホール１０の周縁に形成されたランド１２と導電パターン１８を介して電気的に接続されている。さらに、ボディ１の長手方向両端部における固定接点１４の近傍には、上記短手方向に沿った幅細形状であって中央のスルーホール１０の周縁に形成されたランド１２と接続された接地用導電パターン１８’が設けられており、中央のスルーホール１０も接地用導電パターン１８’によって閉塞されている。ここで、本実施形態においては、ボディの一表面側を導電材料で部分的にめっきすることで固定接点１４及び導電パターン１８が一体に形成されている。なお、固定接点１４、導電パターン１８，１８’およびランド１２の材料としては、例えば、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，あるいはこれらの合金などの導電性材料を採用すればよく、バンプ１３の材料としては、例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，半田などの導電性材料を採用すればよい。また、上述のスルーホール１０および収納孔１６は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などによって形成すればよい。また、めっき層１０ａの代わりに、蒸着法やスパッタ法などによって導電層となる薄膜を形成してもよい。
【００２２】
また、収納孔１６の開口面は十字状であって、ボディ１の上記一表面側には、収納孔１６を閉塞するシリコン薄膜からなる蓋体１７が接合されている。すなわち、電磁石装置２は、ヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｃの各先端面が蓋体１７と対向する形で収納孔１６に挿入される。なお、本実施形態では、収納孔１６の内周面と蓋体１７とで囲まれる空間が電磁石装置２を収納する収納部を構成しており、電磁石装置２は、永久磁石２１がボディ１の厚み寸法内でアーマチュア３０とヨーク２０とにより形成される磁路中に設けられ、プリント基板２３における絶縁基板２３ａの表面がボディ１の上記他表面と略面一となっている。
【００２３】
アーマチュアブロック３は、シリコン基板からなる半導体基板を半導体微細加工プロセスにより加工することによって、上述の矩形枠状のフレーム部３１と、上述の４本の支持ばね部３２と、フレーム部３１の内側に配置されアーマチュア３０の一部を構成する矩形板状の可動基台部３０ａと、上述の４本の接圧ばね３５と、上述の２つの可動接点基台部３４とを形成してあり、可動基台部３０ａと、可動基台部３０ａにおけるボディ１との対向面に固着された磁性体（例えば、軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなど）からなる矩形板状の磁性体部３０ｂとでアーマチュア３０を構成している。したがって、アーマチュア３０が４本の支持ばね部３２を介してフレーム部３１に揺動自在に支持されている。なお、可動基台部３０ａはフレーム部３１よりも薄肉であり、アーマチュア３０の厚み寸法は、アーマチュアブロック３とボディ１とを接合した状態においてアーマチュア３０の磁性体部３０ｂと蓋体１７との間に所定のギャップが形成されるように設定されている。
【００２４】
上述の支持ばね部３２は、可動基台部３０ａの短手方向の両側面側で可動基台部３０ａの長手方向に離間して２箇所に形成されている。各支持ばね部３２は、一端部がフレーム部３１に連続一体に連結され他端部が可動基台部３０ａに連続一体に連結されている。なお、各支持ばね部３２は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてあり、アーマチュア３０が揺動する際に各支持ばね部３２にかかる応力を分散させることができ、各支持ばね部３２が破損するのを防止することができる。
【００２５】
また、可動基台部３０ａは、短手方向の両側縁の中央部から矩形状の突片３６が連続一体に延設され、フレーム部３１の内周面において突片３６に対応する部位からも矩形状の突片３７が連続一体に延設されている。すなわち、可動基台部３０ａから延設された突片３６とフレーム部３１から延設された突片３７とは互いの先端面同士が対向している。ここに、可動基台部３０ａから延設された各突片３６の先端面には凸部３６ａが形成されており、フレーム部３１から延設された各突片３７の先端面には、凸部３６ａが入り込む凹部３７ａが形成されている。したがって、凸部３６ａが凹部３７ａの内周面に当接することでフレーム部３１の厚み方向に直交する面内におけるアーマチュア３０の移動が規制される。なお、アーマチュア３０の同一の側縁側に配設される２つの支持ばね部３２は、突片３６の両側に位置している。
【００２６】
また各突片３６におけるボディ１との対向面には支点突起４０がそれぞれ突設されており、これら一対の支点突起４０を設けることでアーマチュア３０の揺動動作をより安定させることができる。なお、ボディ１に当接する支点突起４０の先端部には、摩耗や割れあるいは欠けなどを低減するために、金属薄膜からなる保護膜４１が形成されている。
【００２７】
また、アーマチュアブロック３は、アーマチュア３０の長手方向においてアーマチュア３０の両端部とフレーム部３１との間にそれぞれ可動接点基台部３４が配置されており、各可動接点基台部３４におけるボディ１との対向面に導電性材料からなる可動接点３９が固着されている。ここに、可動接点基台部３４は上述の２本の接圧ばね部３５を介して可動基台部３０ａに支持されている。なお、可動基台部３０ａは上述のように矩形板状に形成されており、磁性体部３０ｂの変位量を制限するストッパ部３３が四隅それぞれから連続一体に延設されており、接圧ばね部３５の平面形状は、ストッパ部３３の外周縁の３辺に沿ったコ字状に形成されている。このストッパ部３３は、ボディ１の上記一表面と接触することにより磁性体部３０ｂの変位量を制限する。なお、アーマチュアブロック３は、上述の説明から分かるように、フレーム部３１、可動基台部３０ａ、支持ばね部３２、可動接点保持部３４、接圧ばね部３５が上述の半導体基板の一部により構成されている。
【００２８】
カバー４は耐熱ガラスにより構成されており、アーマチュアブロック３との対向面にアーマチュア３０の揺動空間を確保する凹所(図示せず)が形成されている。
【００２９】
次に、本実施形態のマイクロリレーの製造方法について簡単に説明する。
【００３０】
本実施形態のマイクロリレーの製造にあたっては、半導体基板たるシリコン基板をリソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体微細加工プロセス（マイクロマシンニング技術）により加工してフレーム部３１、支持ばね部３２、接圧ばね部３５、可動接点基台部３４、アーマチュア３０の一部を構成する可動基台部３０ａを形成した後で可動基台部３０ａにおいてボディ１側となる一面に磁性体からなる磁性体部３０ｂを固着し且つ可動接点基台部３４に可動接点３９を固着することでアーマチュアブロック３を形成するアーマチュアブロック形成工程と、アーマチュアブロック形成工程にて形成したアーマチュアブロック３とボディ１およびカバー４を陽極接合することでボディ１とカバー４とアーマチュアブロック３のフレーム部３１とで囲まれる空間を密封する密封工程と、密封工程の後でボディ１の収納部に電磁石装置２を収納してボディ１に固定する電磁石装置配設工程とを備えている。
【００３１】
ここにおいて、ボディ１の形成にあたっては、ボディ１となるガラス基板において収納部に対応する部位に厚み方向に貫通する収納孔１６を形成するとともにガラス基板の四隅近傍並びに長手方向両端部の中央に厚み方向に貫通するスルーホール１０を形成した後、上記ガラス基板において固定接点１４を設けた側の表面に収納孔１６を覆う薄膜（例えば、シリコン薄膜）を陽極接合し、当該薄膜をパターニングすることによって収納孔１６の開口面を閉塞する蓋体１７を形成してから、ボディ１の一表面側に導電材料を部分的にめっきすることでランド１２、固定接点１４、導電パターン１８，１８’、めっき層１０ａを一体に形成する。また、カバー４の形成にあたっては、カバー４となるガラス基板においてエッチング法やサンドブラスト法などにより凹所を形成した後、接合用金属薄膜を形成すればよい。
【００３２】
ここで、本発明の要旨であるボディ１と蓋体１７及びフレーム部３１との接合方法についてさらに詳しく説明する。
【００３３】
まず、図１（ａ）に示すようにシリコン基板１００の一表面に蓋体１７よりも一回り大きな形状及び寸法のエッチングマスク１０１を形成した後にドライエッチングを行い、エッチングマスク１０１を除く部位の厚みを薄くする（いわゆる、「座刳る」）ことによってシリコン基板１００の一表面側における中央に突部１０２を形成する。そして、この突部１０２の先端面（図１（ａ）における上面）でボディ１の一表面側に開口する収納孔１６を閉塞した状態でボディ１とシリコン基板１００とを陽極接合する（図１（ｂ）及び図７参照）。そして、シリコン基板１００を研磨した後（図１（ｃ）参照）、シリコン基板１００の一表面に蓋体１７の形状に合わせたエッチングマスク１０１を形成し（図１（ｄ）参照）、ドライエッチングを行ってエッチングマスク１０１を除く部位のシリコン基板１００を除去することで蓋体１７を形成する（図１（ｅ）参照）。その後、ボディ１の一表面側にアーマチュアブロック３のフレーム部３１を陽極接合する（図１（ｆ）参照）。
【００３４】
すなわち、上述の接合方法においては、蓋体１７の基礎となるシリコン基板１００をボディ１に接合する前に、シリコン基板１００の一表面であってボディ１の一表面に対向する表面をドライエッチングで座刳ることにより、シリコン基板１００の蓋体１７となる部位以外の部位とボディ１の一表面との間に隙間ｄ（図１（ｂ）参照）を空けているから、ボディ１の一表面におけるフレーム部３１が陽極接合される部分（図３（ａ）の一点破線より外側の部分）の可動イオンが減少せず、蓋体１７をボディ１に接合した後にフレーム部３１を接合する際にフレーム部３１とボディ１とを十分な接合強度で接合することができるものである。ここで、ドライエッチングによってシリコン基板１００をエッチングすれば、他のエッチングに比べて隙間ｄを形成する際にシリコン基板１００の結晶方位による影響を受け難くなるという利点がある。なお、ボディ１の一表面側においては、１回目の接合時（ボディ１へのシリコン基板１００の接合時）に陽極接合されない部分、つまり、フレーム部３１が陽極接合される部分（図３（ａ）の一点破線より外側の部分）とシリコン基板１００が陽極接合される部分（図３（ａ）の一点破線より内側の部分）との境界が視認できる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る接合方法の実施形態を説明する説明図である。
【図２】同上のマイクロリレーの分解斜視図である。
【図３】同上のマイクロリレーにおけるボディを示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ’線断面矢視図である。
【図４】同上におけるマイクロリレーの背面斜視図である。
【図５】（ａ）は同上のマイクロリレーにおけるアーマチュアブロックの正面図、（ｂ）は同上のマイクロリレーにおけるアーマチュアブロックの背面図である。
【図６】同上のマイクロリレーにおけるアーマチュアブロックの分解斜視図である。
【図７】同上の１回目の接合後におけるボディとシリコン基板の斜視図である。
【図８】従来のマイクロリレーの分解斜視図である。
【符号の説明】
【００３６】
１  ボディ
３  アーマチュアブロック
１６  収納孔
１７  蓋体
３０  アーマチュア
３１  フレーム部
１００  シリコン基板
【図１】
2006310176.tif 000003
【図２】
2006310176.tif 000004
【図３】
2006310176.tif 000005
【図４】
2006310176.tif 000006
【図５】
2006310176.tif 000007
【図６】
2006310176.tif 000008
【図７】
2006310176.tif 000009
【図８】
2006310176.tif 000010