(57)【要約】【課題】大版サイズの絶縁層におけるどの位置の配線基板であっても、所要の厚みのメッキ層を確実に形成できる多数個取り用配線基板を提供する。【解決手段】平面視が矩形の多数個取り用配線基板であって、表面４および裏面５を有し且つ複数の配線基板８を平面方向に沿って併設する配線基板集合領域２と、かかる配線基板集合領域２の周囲を囲む耳部３と、を備え、上記耳部３に形成されたメッキ用電極７と、上記配線基板集合領域２に併設される複数の配線基板８ごとの表面４に形成された封止用金属層（導体層）１１との間とを接続し、且つ隣接する配線基板８，８の各封止用金属層１１の間を接続するタイバー９は、多数個取り用配線基板１の表面４で且つ封止用金属層１１が形成される表面４と同じ表面４に形成されている、多数個取り用配線基板１。【選択図】  図１
2006310796.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視の外形が矩形の多数個取り用配線基板であって、
表面および裏面を有し且つ複数の配線基板を縦横の平面方向に沿って併設する配線基板集合領域と、
上記配線基板集合領域の周囲を囲む耳部と、を備え、
上記耳部に形成されたメッキ用電極と、上記配線基板集合領域に併設される複数の配線基板ごとの表面および裏面の少なくとも一方に形成された導体層との間とを接続し、且つ隣接する配線基板の各導体層の間を接続するタイバーは、上記多数個取り用配線基板の表面および裏面の少なくとも一方で且つ上記導体層が形成される面と同じ側に面して形成されている、
ことを特徴とする多数個取り用配線基板。
【請求項２】
平面視の外形が矩形の多数個取り用配線基板であって、
平面視が矩形の表面および裏面を有し且つ複数の配線基板を縦横の平面方向に沿って併設する配線基板集合領域と、
上記配線基板集合領域の周囲を囲む耳部と、
上記耳部に形成される複数のメッキ用電極と、
上記配線基板集合領域における複数の配線基板ごとの導体層と上記複数のメッキ用電極とを導通するタイバーと、を備え、
上記複数のメッキ用電極は、上記配線基板集合領域における中心点付近を通過し且つかかる配線基板集合領域の側辺と直交する仮想線上に位置する耳部に、当該配線基板集合領域を挟むように、一対のメッキ用電極が配置されていると共に、
上記耳部において、上記メッキ用電極から、上記配線基板集合領域を横切る上記仮想線の長さのほぼ２分の１に相当する距離を置いた位置ごとに、別のメッキ用電極が配置されている、
ことを特徴とする多数個取り用配線基板。
【請求項３】
平面視の外形が矩形の多数個取り用配線基板であって、
平面視が矩形の表面および裏面を有し且つ複数の配線基板を縦横の平面方向に沿って併設する配線基板集合領域と、
上記配線基板集合領域の周囲を囲む耳部と、
上記耳部に形成される複数のメッキ用電極と、
上記配線基板集合領域における複数の配線基板ごとの導体層と上記複数のメッキ用電極とを導通するタイバーと、を備え、
上記複数のメッキ用電極は、配線基板集合領域における中心点付近を通過し且つかかる配線基板集合領域の側辺と直交する仮想線上に位置する耳部の位置から、上記配線基板集合領域を横切る上記仮想線の長さのほぼ４分の１に相当する距離を置いた位置ごとに配置されている、
ことを特徴とする多数個取り用配線基板。
【請求項４】
前記タイバーおよび導体層は、前記多数個取り用配線基板および各配線基板の表面および裏面の少なくとも一方に接する金属層と、その上に被覆されるメッキ層と、からなる、
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の多数個取り用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数個の配線基板を縦横の平面方向に沿って併有する多数個取り用配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数個の発光素子収納用パッケージを得るため、大版サイズである複数の絶縁層を積層し、これらの絶縁層の間に、外部と導通するためのタイバーを引き回すようにした多数個取り用基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上記多数個取り用基板では、周囲の耳部に設けたメッキ用電極と上記タイバーとを介して、個々のパッケージにおける凹部の側面に銀メッキ層などを電解メッキにより形成するようにしている。
【０００３】
【特許文献１】特開平２００４−３１９９３９号公報（第１〜１１頁、図６）
【０００４】
しかしながら、前記多数個取り用基板では、前記タイバーが複数の絶縁層間に内蔵されつつ引き回されているため、周囲の耳部に設けたメッキ用電極との距離の長短に応じて、個々のパッケージにおける前記銀メッキ層の厚みがバラ付き易くなる。このため、耳部のメッキ用電極に比較的近くして位置するパッケージでは、メッキ層が所要の厚みに形成できる反面、耳部のメッキ用電極から比較的離れて位置するパッケージでは、メッキ層の厚みが薄くなる、という問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記背景技術において説明した問題点を解決し、大版サイズの絶縁層におけるどの位置の配線基板であっても、所要の厚みのメッキ層を確実に形成できる多数個取り用配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、タイバーをメッキ液に接触可能な多数個取り用配線基板の表面および裏面の少なくとも一方に露出させ、かかる面に面してメッキすべき導体層を形成するか、あるいは、メッキ用電極を複数の配線基板に対してほぼ等間隔の位置に配置する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明による第１の多数個取り用配線基板（請求項１）は、平面視が矩形の多数個取り用配線基板であって、表面および裏面を有し且つ複数の配線基板を平面方向に沿って併設する配線基板集合領域と、かかる配線基板集合領域の周囲を囲む耳部と、を備え、上記耳部に形成されたメッキ用電極と、上記配線基板集合領域に併設される複数の配線基板ごとの表面および裏面の少なくとも一方に形成された導体層との間とを接続し、且つ隣接する配線基板の各導体層の間を接続するタイバーは、上記多数個取り用配線基板の表面および裏面の少なくとも一方で且つ上記導体層が形成される面と同じ側に面して形成されている、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、前記各タイバーは、多数個取り用配線基板の表面および裏面の少なくとも一方で且つ前記導体層が形成される面と同じ側に面して形成されているため、前記メッキ用電極を介して通電状態とした際に、電解メッキ槽のメッキ液中に導体層と共に露出する。この結果、メッキ用電極との距離の長短による影響を最小限として、各タイバーおよび導体層の表面にほぼ均一な厚みのメッキ層を被覆することができる。従って、前記多数個取り用配線基板によれば、導体層の表面にほぼ均一な厚みのメッキ層が被覆されている複数個の配線基板を、確実に提供することが可能となる。
尚、前記多数個取り用配線基板は、例えばアルミナを主成分とするセラミック、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミック、または、エポキシ系をはじめとする各種の樹脂からなる絶縁材により形成されている。
また、前記配線基板には、その表面に開口し且つ底面にＩＣチップなどの電子部品や発光ダイオードなどの発光素子を実装するキャビティが形成されていても良い。更に、前記「同じ側に面して」とは、同じ面（平面）に限らず、例えば表面およびかかる表面に開口するキャビティの底面や側面も含まれる。
加えて、前記メッキ用電極は、前記耳部の側面に開口する溝を有する断面ほぼ半円形の形態のほか、耳部の表面と裏面との間を貫通する断面ほぼ円形のスルーホールの内面に形成した円筒形状のスルーホール導体型の形態としても良い。
【０００８】
一方、本発明による第２の多数個取り用配線基板（請求項２）は、平面視の外形が矩形の多数個取り用配線基板であって、平面視が矩形の表面および裏面を有し且つ複数の配線基板を縦横の平面方向に沿って併設する配線基板集合領域と、かかる配線基板集合領域の周囲を囲む耳部と、かかる耳部に形成される複数のメッキ用電極と、上記配線基板集合領域における複数の配線基板ごとの導体層と上記複数のメッキ用電極とを導通するタイバーと、を備え、上記複数のメッキ用電極は、上記配線基板集合領域における中心点付近を通過し且つかかる配線基板集合領域の側辺と直交する仮想線上に位置する耳部に、当該配線基板集合領域を挟むように、一対のメッキ用電極が配置されていると共に、上記耳部において、上記メッキ用電極から、上記配線基板集合領域を横切る上記仮想線の長さのほぼ２分の１に相当する距離を置いた位置ごとに、別のメッキ用電極が配置されている、ことを特徴とする。上記「ほぼ」とは、配線基板集合領域を横切る仮想線の長さの２分の１（長さ）に対し、かかる長さの０．８〜０．２倍の範囲を指す。
【０００９】
これによれば、配線基板集合領域の中心点を挟んだ両側の耳部に一対のメッキ用電極が配置され、かかる一対のメッキ用電極から当該耳部において、上記配線基板集合領域を横切る上記仮想線の長さのほぼ２分の１に相当する距離を置いた位置ごとに、別のメッキ用電極が配置されている。このため、配線基板集合領域を挟んだ両側の耳部に、少なくとも３個ずつのメッキ用電極が配置され、その何れかが、上記集合領域に併設された複数の配線基板ごとの導体層に対し、前記タイバーを介してほぼ等間隔の距離にして、導通可能とされている。従って、上記各メッキ用電極との距離の長短による影響を最小限となるため、各タイバーおよび導体層を介して各配線基板の表面などに形成されたパッドの表面に対し、ほぼ均一な厚みのメッキ層を被覆することができる。
【００１０】
尚、前記別のメッキ用電極よりも外側に位置する配線基板集合領域の範囲は、かかる別のメッキ用電極の中心軸から前記仮想線の長さのほぼ４分の１以内の距離である。また、前記配線基板集合領域が平面視で長方形の場合、これを横切る前記仮想線は、かかる集合領域の短辺方向と平行であり、配線基板集合領域が平面視で正方形の場合、対向する何れか一対の辺と平行である。更に、前記配線基板集合領域を挟んだ両側の耳部には、５個ずつまたは７個ずつのメッキ用電極を形成しても良い。加えて、第２の多数個取り用配線基板においても、その配線基板集合領域に併設された複数の配線基板における導体層や、これとメッキ用電極とを接続するタイバーは、当該配線基板集合領域の表面および裏面の少なくとも一方に露出するように、形成しても良い。
【００１１】
また、異なる第２の多数個取り用配線基板（請求項３）は、平面視の外形が矩形の多数個取り用配線基板であって、平面視が矩形の表面および裏面を有し且つ複数の配線基板を縦横の平面方向に沿って併設する配線基板集合領域と、かかる配線基板集合領域の周囲を囲む耳部と、かかる耳部に形成される複数のメッキ用電極と、上記配線基板集合領域における複数の配線基板ごとの導体層と上記複数のメッキ用電極とを導通するタイバーと、を備え、上記複数のメッキ用電極は、配線基板集合領域における中心点付近を通過し且つかかる配線基板集合領域の側辺と直交する仮想線上に位置する耳部の位置から、上記配線基板集合領域を横切る上記仮想線の長さのほぼ４分の１に相当する距離を置いた位置ごとに配置されている、ことを特徴とする。上記「ほぼ」とは、配線基板集合領域を横切る仮想線の長さの４分の１（長さ）に対し、かかる長さの０．８〜０．２倍の範囲を指す。
【００１２】
これによれば、前記配線基板集合領域における中心点付近を通過し且つ当該集合領域の側辺と直交する仮想線上に位置する両側の耳部の位置から、かかる集合領域を横切る上記仮想線の長さのほぼ４分の１に相当する距離を置いた位置ごとに、メッキ用電極がそれぞれ配置されている。このため、配線基板集合領域を挟んだ両側の耳部に、少なくとも２個ずつのメッキ用電極が配置され、その何れかが、上記配線基板集合領域に併設された複数の配線基板ごとの導体層に対し、前記タイバーを介してほぼ等間隔の距離にして、導通可能とされている。従って、上記各メッキ用電極との距離の長短による影響を最小限となるため、各タイバーおよび導体層を介して各配線基板の表面などに形成されたパッドや上記導体層自体の表面に対し、ほぼ均一な厚みのメッキ層を被覆することができる。
尚、前記複数のメッキ用電極のうち、端部に位置するメッキ用電極よりも外側に位置する配線基板集合領域の範囲は、かかるメッキ用電極の中心軸から前記仮想線の長さのほぼ４分の１以内の距離である。また、前記配線基板集合領域を挟んだ両側の耳部には、４個、６個、または８個ずつのメッキ用電極を形成しても良い。
【００１３】
更に、本発明には、前記タイバーおよび導体層は、前記多数個取り用配線基板および各配線基板の表面および裏面の少なくとも一方に接する金属層と、その上に被覆されるメッキ層と、からなる、多数個取り用配線基板（請求項４）も含まれる。上記金属層には、第２の多数個取り用配線基板の導体層も含まれる。
これによれば、金属層の上にこれよりも電気抵抗が比較的低いメッキ層が形成されるため、かかるメッキ層を被覆するたびに、前記耳部に形成されるメッキ用電極と各導体層との間の回路における電気抵抗を低減することが可能となる。このため、メッキ用電極との距離の長短による影響を最小限として、各タイバーおよび導体層は、金属層およびその表面にほぼ均一な厚みで被覆されたメッキ層として形成される。従って、品質が一定である複数個の配線基板を併有する第１または第２の多数個取り用配線基板とすることができる。
尚、前記金属層としては、多数個取り用配線基板がセラミックまたはガラス−セラミックからなる際には、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇなどからなり、多数個取り用配線基板が樹脂からなる際には、Ｃｕ、Ａｇなどが用いられる。また、前記配線基板の表面には、かかる表面に開口するキャビティの側面や底面も含まれる。
【００１４】
付言すれば、本発明には、前記導体層は、前記配線基板ごとの表面に形成される封止用金属層、前記配線基板ごとの表面または当該表面に開口するキャビティの底面に形成される電子部品を搭載するためのパッド、あるいは、前記配線基板ごとの裏面に形成される裏面パッドである、多数個取り用配線基板も含まれ得る。
これによる場合、各配線基板の表面に開口するキャビティを封止するべく、各配線基板の表面に蓋板を接合するロウ材を配設するための封止用金属層（導体層）、各配線基板の表面に電子部品を実装するためのパッド（導体層）、あるいは、当該配線基板自体をマザーボードなどの上に搭載する際に導通を取るための裏面パッド（導体層）を、均一な厚みのメッキ層を含むものとすることが可能となる。
【００１５】
また、本発明には、前記メッキ層は、前記金属層の上に被覆されるＮｉメッキ層と、かかるＮｉメッキ層の上に被覆されるＡｇメッキ層およびＡｕメッキ層の少なくとも一方と、からなる、多数個取り用配線基板も含まれ得る。
これによる場合、ＷやＣｕなどからなる金属層の表面に、例えばＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層の２層、あるいは、Ｎｉメッキ層、Ａｕメッキ層、およびＡｇメッキ層の３層など、個々の配線基板における導体層の目的に応じて単層または複数層のメッキ層を形成することが可能となる。尚、金属層の上に、Ｎｉメッキ層、Ａｕメッキ層、およびＡｇメッキ層の順にメッキする導体層には、個々の配線基板の表面に開口するキャビティの側面に形成する光反射層が含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明による第１の多数個取り用配線基板１を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った部分拡大断面図である。
第１の多数個取り用配線基板１は、図１，図２に示すように、平面視の外形が長方形（矩形）であって、縦・横（平面）方向に沿って３個ずつ合計９個の配線基板８を併設する平面視が正方形の配線基板集合領域２と、係る集合領域２の周囲を囲む平面視が四角枠形の耳部３と、を備えている。
かかる多数個取り用配線基板１は、例えばアルミナ系材料からなるセラミック層ｓ１〜ｓ５を一体に積層および焼成したものである。因みに、個々の配線基板８のサイズは、約５×５×３ｍｍである。
【００１７】
尚、図１，図２中に示す破線は、追って個々の配線基板８に分割するための切断予定面を示す仮想線である。また、図１，図２中の符号４は、多数個取り用配線基板１、各配線基板８、耳部３の表面４を共通に示し、図１，図２中の符号５は、多数個取り用配線基板１、各配線基板８、耳部３の裏面５を共通に示す。
図１，図２に示すように、耳部３の各辺中央の外側面には、平面視がほぼ半円形（円弧形）の溝６が多数個取り用配線基板１の厚み方向に沿って形成され、かかる溝６の内面には断面ほぼ半円形のメッキ用電極７が各辺ごとに形成されている。
【００１８】
また、配線基板集合領域２内に位置する個々の配線基板８は、その表面４に開口するキャビティ１０を有し、かかるキャビティ１０の開口部を囲む表面４には、平面視が四角枠形の封止用金属層（導体層）１１が形成されている。かかる封止用金属層１１は、後述するタイバー９と同じく、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、またはＡｇなどからなる金属層と、その表面に被覆されるＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなるメッキ層と、からなる。
尚、上記キャビティ１０は、セラミック層ｓ１，ｓ２を貫通する断面ほぼ正方形の貫通孔の各側面と、かかる貫通孔の底面に露出するセラミック層ｓ３の表面とからなる。かかるキャビティ１０の底面には、ＩＣチップなどの電子部品を実装するための図示しないパッド（導体層）が形成されている。また、個々の配線基板８におけるセラミック層ｓ１〜ｓ５間には、Ｗなどからなる所定パターンの配線層が形成され、これらを接続するＷなどからなるビア導体（何れも図示せず）がセラミックｓ１〜ｓ５を貫通している。上記パッドや上記配線層は、上記ビア導体を介して、封止用金属層１１または後述するタイバー９と接続されている。
【００１９】
図１，図２に示すように、耳部３の各メッキ用電極７と、これに隣接する配線基板集合領域２の配線基板８の表面４に位置する封止用金属層１１とは、多数個取り用配線基板１および各配線基板８の表面４に形成されるタイバー９により、接続されている。また、配線基板集合領域２内で隣接する配線基板８，８の各封止用金属層１１同士も、多数個取り用配線基板１および各配線基板８の表面４に形成されるタイバー９を介して、互いに接続されている。
上記各タイバー９や封止用金属層１１は、図２中の一点鎖線部分Ｙの拡大断面図中のタイバー９で例示するように、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、またはＡｇなどからなる金属層１２と、その表面に被覆されるＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなるメッキ層１３とからなる。上記金属層１２の厚みは、約１０〜３０μｍ、上記メッキ層１３の厚みは、約０．１〜１５μｍである。
【００２０】
前記多数個取り用配線基板１は、以下のようにして製造した。
先ず、追ってセラミック層ｓ１〜ｓ５となる大版サイズのアルミナ系材料からなる５層のグリーンシートの表面に対し、Ｗ粉末を含む導電性ペーストをスクリーン印刷により所定パターンで形成し、これらのグリーンシートを積層および圧着してグリーンシート積層体を形成した。
尚、表層寄りに積層される２層のグリーンシートには、予め前記キャビティ１０を形成する断面正方形の貫通孔を形成した。また、各グリーンシートの側面中央には、断面ほぼ半円形の溝６が厚み方向に沿って連続するように形成され、積層後のグリーンシート積層体の溝６内にも上記導電性ペーストを形成した。
【００２１】
次に、上記グリーンシート積層体に対し、所定の温度帯で加熱・保持する焼成工程を施して、各グリーンシートをセラミック層ｓ１〜ｓ５とし、上記各導電性ペーストを、メッキ用電極７、タイバー９、封止用金属層１１、前記配線層、ビア導体、および各キャビティ１０の底面のパッドなどの金属層１２とした。
そして、焼成済みのセラミック積層体の各メッキ用電極７に、図示しない電極棒を接触させて通電状態とし、かかるセラミック積層体を、Ｎｉ電解メッキ槽のメッキ液中に浸漬し、更に、Ａｕ電解メッキ槽のメッキ液中に浸漬して、Ｎｉ電解メッキおよびＡｕ電解メッキを順次施した。この結果、各タイバー９、各封止用金属層１１、および各キャビティ１０の底面のパッドの金属層１２の表面には、ＮｉおよびＡｕメッキ層からなるメッキ層１３が形成された。この際、各タイバー９、各封止用金属層１１、および各キャビティ１０の底面のパッドは、上記各メッキ液に直に接触した。このため、上記金属層１２と共に、これによりも電気抵抗が低いＮｉおよびＡｕメッキ層をも介して、メッキ用電極７と導通した。この結果、メッキ用電極７からの距離の長短による影響を最小限として、それらの金属層１２の表面にほぼ均一な厚みのメッキ層１３を形成することができた。
【００２２】
以上のような第１の多数個取り用配線基板１によれば、配線基板集合領域２内の各配線基板８の表面４に位置する封止用金属層１１やキャビティ１０の底面のパッドは、同じ表面４に面して形成されるタイバー９を介して、耳部３の各メッキ用電極７と接続されている。このため、各メッキ用電極７からの距離の長短による影響を最小限として、配線基板集合領域２内の何れの位置おける配線基板８であっても、各封止用金属層１１および各キャビティ１０の底面のパッドの金属層１２の表面には、メッキ層１３がほぼ均一な厚みで形成されている。従って、キャビティ１０の開口部に対する蓋板のロウ付けによる封止や、キャビティ１０の底面への電子部品の実装が安定して行える複数の配線基板８を確実に提供することができる。
【００２３】
尚、前記図１，図２中の破線で示す切断予定面に沿って、公知のダイシング加工またはブレーク加工を施すことにより、個々の配線基板８に分割すると共に、耳部３を除去することができる。この際、各配線基板８の表面４に残るタイバー９を切除しても良い。
また、断面ほぼ半円形の前記メッキ用電極７に替えて、前記耳部３の表面と裏面との間を貫通する断面ほぼ円形のスルーホールの内面に形成した円筒形状のスルーホール導体型のメッキ用電極としても良い。
更に、個々の配線基板８における前記キャビティを、底面が円形で且つ側面が円筒形またはほぼ円錐形、底面が長円形で且つ側面が長円筒形またはほぼ長円錐形、あるいは、底面が楕円形で且つ側面が楕円筒形またはほぼ楕円錐形の形態としても良い。これらのキャビティの側面に前記メッキ用電極７と導通する前記金属層１２を形成しておき、前記電解メッキ工程において、Ｎｉ、Ａｕ、およびＡｇメッキ層からなるメッキ層１３を順次被覆して、光反射層を形成することができる。かかる光反射層は、当該キャビティの底面に実装する発光ダイオードなどの発光素子からの光を効率良く反射して外部に放射することが可能となる。また、個々の配線基板８におけるキャビティの底面に設けたパッドの表面にもほぼ均一な厚みのＮｉおよびＡｕメッキ層が形成できるため、上記パッドとボンディングワイヤとのボンディング性も安定させることが可能となる。尚、上記キャビティの側面や底面も配線基板８の表面４と同じ面に面する部位である。
【００２４】
図３は、異なる形態の第１の多数個取り用配線基板２０を示す底面図、図４は、図３中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った部分拡大断面図である。
多数個取り用配線基板２０は、図３，図４に示すように、平面視の外形が正方形（矩形）であって、縦・横（平面）方向に沿って３個ずつ合計９個の配線基板２８を併設する平面視が正方形の配線基板集合領域２２と、係る集合領域２２の周囲を囲む平面視が四角枠形の耳部２３と、を備えている。かかる多数個取り用配線基板２０も、例えばアルミナ系材料からなるセラミック層ｓ１〜ｓ４を一体に積層および焼成したものである。
尚、図３，図４中に示す破線は、追って個々の配線基板２８に分割するための切断予定面を示す仮想線である。また、図３，図４中の符号２４は、多数個取り用配線基板２０、各配線基板２８、耳部２３の表面２４を共通に示し、図３，図４中の符号２５は、多数個取り用配線基板２０、各配線基板２８、耳部２３の裏面２５を共通に示す。
【００２５】
図３，図４に示すように、耳部２３における左右の各辺中央の外側面には、平面視がほぼ半円形（円弧形）の溝２６が多数個取り用配線基板２０の厚み方向に沿って形成され、かかる溝２６の内面には断面ほぼ半円形のメッキ用電極２７が各辺ごとに２個ずつ対称に形成されている。
また、配線基板集合領域２２内に位置する個々の配線基板２８は、その裏面２５の両側に底面視がほぼコ字形の裏面パッド（導体層）３０を一対ずつ対称に形成している。各裏面パッド３０の中間には、細幅部２９が位置している。
更に、個々の配線基板２８の表面２４における中央部には、複数の表面パッド（導体層）３１が間隔を置いて形成されている。
【００２６】
尚、前記集合領域２２内で、耳部２３に隣接し且つ互いに隣接する２つの配線基板２８にまたがって、あるいは、耳部２３に隣接せず且つ互いに隣接する４つの配線基板２８間にまたがって、２個または４個の裏面パッド３０がそれぞれ併設されている。また、裏面パッド３０と表面パッド３１とは、セラミック層ｓ１〜ｓ４間に形成されるＷなどからなる配線層やこれらを接続するビア導体（何れも図示せず）を介して、互いに導通されている。
上記裏面パッド３０および表面パッド３１は、後述するタイバー１９と同じく、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、またはＡｇなどからなる金属層と、その表面に被覆されるＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなるメッキ層と、からなる。
【００２７】
図３，図４に示すように、耳部２３の各メッキ用電極２７と、これに隣接する配線基板集合領域２２内で左右の配線基板２８の裏面２５に位置する裏面パッド３０とは、耳部２３の裏面２５に形成されるほぼキ字形のタイバー１９を介して、接続されている。また、配線基板集合領域２２内で左右方向の中間の各配線基板２８の裏面２５に位置する各裏面パッド３０は、耳部２３の左右の各辺に隣接する配線基板２８の裏面パッド３０を介して、メッキ用電極２７と導通している。
各タイバー１９，２９、裏面パッド３０、および表面パッド３１は、図４中の一点鎖線部分Ｖの拡大断面図中のタイバー１９で例示するように、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、またはＡｇなどからなる金属層３２と、その表面に被覆されるＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなるメッキ層３３とからなる。かかる金属層３２やメッキ層３３の厚みも前記と同様である。
【００２８】
以上のような第１の多数個取り用配線基板２０も、前記同様の方法により製造した。その際、タイバー１９および裏面パッド３０は、同じ裏面２５に露出し、表面パッド３１は、多数個取り用配線基板２０および各配線基板２８の表面２４に露出しているので、前記ＮｉおよびＡｕ電解メッキ工程で、各メッキ液に直に接触した。このため、各裏面パッド３０は、上記メッキ工程ごとに、金属層３２と共に、これよりも電気抵抗の低いメッキ層３３とも介して、メッキ用電極２７と導通可能となった。従って、メッキ用電極２７との距離の長短による影響を最小限として、これらのＷなどからなる金属層３２の表面にほぼ均一な厚みのＮｉおよびＡｕメッキ層からなるメッキ層３３が確実に形成できた。
尚、前記図３，図４中の破線で示す切断予定面に沿って、公知のダイシング加工またはブレーク加工を施すことで、個々の配線基板２８に分割すると共に、耳部２３を除去することができた。また、断面ほぼ半円形の前記メッキ用電極２７に替えて、前記耳部２３を貫通する断面ほぼ円形のスルーホールの内面に沿って形成した円筒形状のスルーホール導体型のメッキ用電極としても良い。
【００２９】
以上のような第１の多数個取り用配線基板２０によれば、配線基板集合領域２２内の各配線基板２８の裏面２５に位置する各裏面パッド３０は、同じ裏面２５に形成されるタイバー１９を介して、耳部２３の各メッキ用電極２７と接続されている。このため、各メッキ用電極２７からの距離の長短による影響を最小限として、配線基板集合領域２２内の何れの位置おける配線基板２８であっても、裏面２５の裏面パッド３０の金属層３２の表面には、メッキ層３３がほぼ均一な厚みで形成される。また、表面パッド３１の金属層３２の表面にも同様にしてほぼ均一なメッキ層３３が形成される。従って、表面２４への電子部品の実装やマザーボードなどへの搭載が安定して行える複数の配線基板２８を確実に提供することができる。
【００３０】
図５は、本発明による第２の多数個取り用配線基板４０を示す平面図、図６は、図５中のＵ−Ｕ線の矢視に沿った垂直断面図である。
多数個取り用配線基板４０は、図５，図６に示すように、平面視の外形が長方形（矩形）であって、縦・横（平面）方向に沿って複数の配線基板ｐを併設する平面視が長方形（矩形）の配線基板集合領域Ｐと、係る集合領域Ｐの周囲を囲む平面視が四角枠形の耳部ｍと、を備えている。かかる多数個取り用配線基板４０も、例えばアルミナ系材料からなる複数のセラミック層を一体に積層・焼成したものである。
尚、図５，図６中に示す破線ｆは、追って個々の配線基板ｐに分割するための切断予定面ｆを示す仮想線である。また、図５，図６中の符号４１は、多数個取り用配線基板４０、配線基板集合領域Ｐ、各配線基板ｐ、および耳部ｍの表面４１を共通に示し、図５，図６中の符号４２は、多数個取り用配線基板４０、配線基板集合領域Ｐ、各配線基板ｐ、および耳部ｍの裏面４２を共通に示す。
【００３１】
図５，図６に示すように、耳部ｍの対向する左右の長辺には、それらの側面に開口する断面ほぼ半円形の溝４５内に沿って、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、またはＡｇなどの金属層からなる断面ほぼ半円形のメッキ用導体４６が、３個ずつ互いにほぼ等間隔で且つ対称に形成されている。
また、複数の配線基板ｐは、その内部にＷ、Ｍｏ、Ｃｕ、またはＡｇなどの金属層からなる導体層５１を、その表面４１にＷなどの金属層からなる大小一対のパッド（導体層）４７，４８を、その裏面４２にＷなどの金属層からなる複数の裏面パッド（導体層）５４をそれぞれ形成していると共に、これらを接続するＷなどからなるビア導体５２，５３をそれぞれ内設している。比較的大きな上記パッド４７は、その上に電子部品（図示せず）を導通状態で搭載し、比較的小さなパッド４８は、上記電子部品との間でワイヤボンデイングされる。
上記パッド４７，４８や裏面パッド５４は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、またはＡｇなどからなる前記同様の金属層と、その表面に被覆されるＮｉメッキ層およびＡｇメッキ層からなるメッキ層とから形成されている。
【００３２】
切断予定面ｆを挟んで隣接する配線基板ｐ，ｐの導体層５１，５１間、および切断予定面ｆを挟んで隣接する配線基板ｐと耳部ｍのメッキ用電極４６から延びたタイバー４９との間は、Ｗなどからなるタイバー５０により接続されている。
図５に示すように、平面視が長方形（矩形）の配線基板集合領域Ｐにおける左右の長辺を二等分する距離ｂ，ｂ間の仮想線Ｌと上下の短辺を二等分する距離ａ，ａ間の仮想線とが交差する位置、あるいは、かかる集合領域Ｐにおける２つの対角線（図示せず）が交差する位置に、当該集合領域Ｐの中心点Ｃが位置する。
図５において、上記中心点Ｃを通過し、配線基板集合領域Ｐを左右に横切って、かかる集合領域Ｐの各短辺と平行で且つ左右の長辺（側辺）と直交する仮想線Ｌ上の両側に位置する左右の耳部ｍに、前記溝４５の中心軸（図示せず）がある一対のメッキ用電極４６を、それらの中心軸（図示せず）が上記仮想線Ｌ上に位置するように、配置している。
【００３３】
また、図５に示すように、上記左右の耳部ｍにおいて、上記メッキ用電極４６から、配線基板集合領域Ｐを左右に横切る仮想線Ｌの長さ２ａの２分の１に相当とする距離ａを置いた位置ごとに、別のメッキ用電極４６がそれぞれ配置されている。即ち、左右の耳部ｍには、上記距離ａを隔てた位置ごとに中心軸を有する３個ずつのメッキ用電極４６がそれぞれ対称に配置されている。
更に、図５において、左右の耳部ｍごとの上・下に位置する別のメッキ用電極４６よりも、上下（外側）に位置する配線基板集合領域Ｐにおける最上段・最下下段の各配線基板ｐは、上記別のメッキ用電極４６の中心軸から前記距離ａの半分であるａ／２の距離を越えないように、多数個取り用配線基板４０における配線基板集合領域Ｐの位置が設定されている。
【００３４】
前記多数個取り用配線基板４０は、次のようにして製造した。
予め、複数の大版用グリーンシートを製作し、それらの表面または裏面の少なくとも一方に、所定パターンの導電性ペーストを印刷すると共に、中層となる複数のグリーンシートには、これらを貫通するビアホールに導電性ペーストを充填した。次に、かかる複数のグリーンシートを積層・圧着して、グリーンシート積層体を形成し、当該グリーンシート積層体の側面に、断面ほぼ半円形の溝４５を厚み方向に沿って形成した後、当該溝４５内にも上記導電性ペーストを形成した。
次いで、上記グリーンシート積層体に対し、所定の温度帯で加熱・保持する焼成工程を施して、セラミック積層体とすると共に、上記各導電性ペーストを、メッキ用電極４６、タイバー４９，５０、導体層５１、パッド４７，４８、ビア導体５２，５３、および裏面パッド５４とした。
【００３５】
そして、焼成済みのセラミック積層体の各メッキ用電極４６に、図示しない電極棒を接触させて通電状態とし、かかるセラミック積層体を、Ｎｉ電解メッキ槽、Ａｕ電解メッキ槽、およびＡｇ電解メッキ槽のメッキ液中に順次浸漬して、Ｎｉ電解メッキ、Ａｕ電解メッキ、およびＡｇ電解メッキを順に施した。
この結果、パッド４７，４８、裏面パッド５４の金属層の表面には、Ｎｉ、Ａｕ、およびＡｇメッキ層からなるメッキ層が形成された。この際、各配線基板ｐのパッド４７，４８，５４は、複数のメッキ用電極４６のうち、最接近するメッキ用電極４６から、前記距離ａのほぼ１．２倍以下の距離に位置するため、上記金属層と共に、これによりも電気抵抗が低いＮｉ、Ａｕ、およびＡｇメッキ層とも介して、メッキ用電極４６と導通できた。この結果、メッキ用電極４６からの距離の長短による影響を最小限として、パッド４７，４８，５４などの金属層の表面にほぼ均一な厚みのメッキ層を形成することができた。
尚、図５，図６中の破線で示す切断予定面ｆに沿って、公知のダイシング加工などを施すことで、個々の配線基板ｐに分割でき、且つ耳部ｍも除去できた。
【００３６】
図７は、異なる形態の第２の多数個取り用配線基板４０ａを示す平面図である。
多数個取り用配線基板４０ａは、図７に示すように、平面視がほぼ正方形（矩形）であって、縦・横（平面）方向に沿って複数の配線基板ｐを併設する平面視が正方形（矩形）の配線基板集合領域Ｐと、係る集合領域Ｐの周囲を囲む平面視が四角枠形の耳部ｍと、を備えている。かかる多数個取り用配線基板４０ａも、前記同様の複数のセラミック層を一体に積層・焼成したものである。
尚、図７中に示す破線ｆは、前記同様の切断予定面ｆを示す仮想線である。また、図７中の符号４１は、多数個取り用配線基板４０、配線基板集合領域Ｐ、各配線基板ｐ、耳部ｍの表面４１を示し、図７中の符号４２は、多数個取り用配線基板４０、配線基板集合領域Ｐ、各配線基板ｐ、耳部ｍの裏面４２を共通に示す。
【００３７】
図７に示すように、耳部ｍの対向する左右の各辺には、それらの側面に開口する断面ほぼ半円形の溝４５内に沿って、ＷまたはＭｏからなる断面ほぼ半円形のメッキ用導体４６が、２個ずつ互いに対称に形成されている。
また、複数の配線基板ｐは、前記同様の導体層５１、大小一対のパッド４７，４８、ビア導体５２，５３、および複数の裏面パッド５４を形成している。
更に、切断予定面ｆを挟んで隣接する配線基板ｐ，ｐの導体層５１，５１間、および切断予定面ｆを挟んで隣接する配線基板ｐと耳部ｍのメッキ用電極４６から延びたタイバー４９との間は、前記同様のタイバー（５０）により接続されている。
【００３８】
図７に示すように、平面視が正方形（矩形）の配線基板集合領域Ｐにおける左右の側辺を二等分する距離ａ，ａ間の仮想線Ｌと上下の側辺を二等分する距離ａ，ａ間の仮想線とが交差する位置、あるいは、かかる配線基板集合領域Ｐにおける２つの対角線（図示せず）が交差する位置に、当該集合領域Ｐの中心点Ｃがある。
また、図７において、上記中心点Ｃを通過し、配線基板集合領域Ｐを左右に横切って、かかる集合領域Ｐの上下の側辺と平行で且つ左右の側辺と直交する仮想線Ｌ上の両側に位置する左右の耳部ｍの側面から、上記仮想線Ｌの長さ２ａのほぼ４分の１に相当する距離ａ／２を置いた位置ごとに、前記溝４５の中心軸がある２個（複数）のメッキ用電極４６が、それぞれ対称に配置されている。
【００３９】
更に、図７において、左右の耳部ｍごとに位置する各メッキ用電極４６よりも、上下（外側）に位置する配線基板集合領域Ｐにおける最上段・最下下段の各配線基板ｐが、上記別のメッキ用電極４６の中心軸から前記距離ａの半分であるａ／２の距離を越えないように、多数個取り用配線基板４０ａにおける配線基板集合領域Ｐの位置が設定されている。尚、配線基板集合領域Ｐが平面視で縦長の長方形である場合には、耳部ｍの長辺である左右の側辺に、４個、６個、または８個ごとのメッキ用電極４６が、それぞれ対称に配置される。
以上のような多数個取り用配線基板４０ａも前記多数個取り用配線基板４０と同様にして製造できた。
【００４０】
図８は、前記多数個取り用配線基板４０，４０ａの変形形態である第２の多数個取り用配線基板４０ｂを示す部分平面図である。
多数個取り用配線基板４０ｂも、図８に示すように、平面視が矩形であって、前記同様の配線基板集合領域Ｐ、耳部ｍ、複数の配線基板ｐ、パッド４７，４８，５４、および切断予定面ｆを有している。
多数個取り用配線基板４０ｂが、前記多数個取り用配線基板４０，４０ａと異なる部分は、耳部ｍにおける幅広の左右の各辺に、かかる耳部ｍの表面４１と裏面４２との間を貫通する断面ほぼ円形のスルーホール５５の内面に沿って円筒形状に形成したスルーホール導体型のメッキ用電極５６を複数個形成した点である。
【００４１】
前記メッキ用電極５６は、多数個取り用配線基板４０，４０ａごとにおける２種類の位置関係の何れかに従って、図８に示すように、耳部ｍにおける左右の辺ごとに複数個ずつ対称に形成されている。各メッキ用電極５６と各配線基板ｐごとのパッド４７，４８などとは、前記同様のタイバー（５０）などを介して、導通可能とされている。各メッキ用電極５６には、耳部ｍの表面４１と裏面４２とに開口する中空部５７が貫通しており、かかる中空部５７に前記電極棒を挿入して、当該メッキ用電極５６の内面に接触させることで、各パッド４７，４８などの表面に前記同様のメッキ層がほぼ均一な厚みにして形成されている。
以上のような多数個取り用配線基板４０ｂも、複数のグリーンシートの周辺に互いに連通する貫通孔を形成し、かかる貫通孔の内面に前記導電性ペーストを塗布する以外は、前記多数個取り用配線基板４０と同様にして製造することができた。
【００４２】
以上のような第２の多数個取り用配線基板４０，４０ａ，４０ｂによれば、前記配線基板集合領域Ｐを挟んだ両側の耳部ｍに、複数個ずつのメッキ用電極４６，５６の何れかが、上記集合領域Ｐに併設された複数の配線基板ｐごと導体層５１に対し、前記タイバー５０を介してほぼ等間隔の距離にして、導通可能とされている。従って、前記メッキ用電極４６，５６との距離の長短による影響を最小限にできるため、各タイバー５０および導体層５１を介して、各配線基板ｐの表面４１などに形成されたパッド４７，４８などに対し、ほぼ均一な厚みのＡｇを含むメッキ層を被覆することができる。このため、複数の配線基板ｐを効率良く製造できる多数個取り用配線基板４０，４０ａ，４０ｂを提供することもできる。
尚、多数個取り用配線基板４０，４０ａ，４０ｂにおいて、パッド４７，４８，タイバー５０を、各配線基板ｐの表面４１に露出するように形成しても良い。また、各配線基板ｐは、その表面４１に開口する前記同様のキャビティを有する形態とし、かかるキャビティの底面に前記パッド４７，４８を形成しても良い。
【００４３】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記タイバーは、前記多数個取り用配線基板および各配線基板の表面と裏面との双方に形成しても良い。かかる２系統のタイバーは、耳部に形成する同じメッキ用電極と導通したり、異なるメッキ用電極と個別に導通するようにしても良い。
また、前記多数個取り用配線基板は、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックの積層体や、例えばＢＴ樹脂からなるコア基板の表面および裏面の少なくとも一方にエポキシ系などの樹脂層または樹脂フイルムを積層したものとしても良い。あるいは、セラミックなどからなるコア基板の表面および裏面の少なくとも一方にエポキシ系などの樹脂層を形成した形態としても良い。
更に、本発明の多数個取り用配線基板は、平面視で長方形を呈し、その耳部に周囲を囲まれる配線基板集合領域も上記とほぼ相似形の長方形としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明による第１の多数個取り用配線基板の一形態を示す平面図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った部分拡大断面図。
【図３】異なる形態の第１の多数個取り用配線基板を示す底面図。
【図４】図３中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った部分拡大断面図。
【図５】本発明による第２の多数個取り用配線基板の一形態を示す平面図。
【図６】図５中のＵ−Ｕ線の矢視に沿った拡大断面図。
【図７】異なる形態の第２の多数個取り用配線基板を示す底面図。
【図８】更に異なる形態の第２の多数個取り用配線基板を示す部分平面図。
【符号の説明】
【００４５】
１,２０,４０,４０ａ,４０ｂ…多数個取り用配線基板
２，２２，Ｐ……………………配線基板集合領域
３，２３，ｍ……………………耳部
４，２４，４１…………………表面
５，２５，４２…………………裏面
７，２７，４６，５６…………メッキ用電極
８，２８，ｐ……………………配線基板
９，１９，４９，５０…………タイバー
１１………………………………封止用金属層（導体層）
１２，３２………………………金属層
１３，３３………………………メッキ層
３０，３１，４７，４８………パッド（導体層）
５１………………………………導体層
Ｌ…………………………………仮想線
Ｃ…………………………………中心点
ａ…………………………………仮想線の長さの半分の距離
【図１】
2006310796.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006310796.tif 000007
【図６】
2006310796.tif 000008
【図７】
2006310796.tif 000009
【図８】
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