(57)【要約】【課題】高品位な画像表示が可能な有機ＥＬ表示素子１を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示素子１は、各々略矩形である発光領域７０Ｂ、発光領域７０Ｒ、及び発光領域７０Ｇを有する。発光領域７０Ｂ、発光領域７０Ｒ、及び発光領域７０Ｇは面積が相互に異なる。発光領域７０Ｂ、７０Ｒ、及び７０Ｇを包囲する仮想矩形ＶＲの第１辺は発光領域７０Ｂの周縁と接し、第１辺に平行な仮想矩形ＶＲの第２辺は発光領域７０Ｒの周縁及び発光領域７０Ｇの周縁の双方と接し、第１辺に垂直な仮想矩形ＶＲの第３辺は発光領域７０Ｂの周縁及び発光領域７０Ｒの周縁の双方と接し、第３辺に平行な仮想矩形ＶＲの第４辺は前記発光領域７０Ｂ及び発光領域７０Ｇの周縁の双方と接する。発光領域７０Ｒ及び発光領域７０Ｇは第３辺の延びる方向の幅が同一である。【選択図】図１
2006120477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１発光領域、第２発光領域、及び第３発光領域の少なくとも３つの発光領域を有し、
前記少なくとも３つの発光領域のうち少なくとも２つは面積が相互に異なる表示素子であって、
前記少なくとも３つの発光領域のそれぞれは略矩形であり、
前記少なくとも３つの発光領域を包囲する仮想矩形の第１辺は前記第１発光領域の周縁と接し、
前記第１辺に平行な前記仮想矩形の第２辺は前記第２発光領域の周縁及び前記第３発光領域の周縁の双方と接し、
前記第１辺に垂直な前記仮想矩形の第３辺は前記第１発光領域の周縁及び前記第２発光領域の周縁の双方と接し、
前記第３辺に平行な前記仮想矩形の第４辺は前記第１発光領域の周縁及び前記第３発光領域の周縁の双方と接し、
前記第２発光領域と前記第３発光領域とは第３辺の延びる方向の幅が同一である表示素子。
【請求項２】
第１発光領域、第２発光領域、第３発光領域、及び第４発光領域の少なくとも４つの発光領域を有し、
前記少なくとも４つの発光領域のうち少なくとも２つは面積が相互に異なる表示素子であって、
前記少なくとも４つの発光領域のそれぞれは略矩形であり、
前記少なくとも４つの発光領域を包囲する仮想矩形の第１辺は前記第１発光領域の周縁及び前記第２発光領域の周縁の双方と接し、
前記第１辺に平行な前記仮想矩形の第２辺は前記第３発光領域の周縁及び前記第４発光領域の周縁の双方と接し、
前記第１辺に垂直な前記仮想矩形の第３辺は前記第１発光領域の周縁及び前記第３発光領域の周縁の双方と接し、
前記第３辺に平行な前記仮想矩形の第４辺は前記第２発光領域の周縁及び前記第４発光領域の周縁の双方と接し、
前記第１発光領域と前記第２発光領域とは第３辺の延びる方向の幅が同一であり、
前記第３発光領域と前記第４発光領域とは第３辺の延びる方向の幅が同一である表示素子。
【請求項３】
請求項１に記載された発光素子において、
前記仮想矩形の内部に配設された第４発光領域をさらに有し、
前記第４発光領域は略矩形であり、
前記第４発光領域は前記第１辺に平行な辺を有し、
前記第４発光領域の発光領域の重心は、前記少なくとも３つの発光領域の各々の重心を結んだ多角形の内部に存在する表示素子。
【請求項４】
請求項３に記載された表示素子において、
前記第４発光領域は白を表示する際の発光輝度が最も高い表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報処理機器の多様化に伴って、従来から一般に使用されている陰極線管（ＣＲＴ）表示素子よりも消費電力が少なく、薄型化が可能な平面型表示素子に対する需要が高まってきている。平面型表示素子として、例えば、液晶表示素子やエレクトロルミネッセンス表示素子（以下、「ＥＬ表示素子」とすることがある。）が挙げられる。その中でも、ＥＬ表示素子は、低電圧駆動、全固体型、高速応答性、及び自発光性等の特徴を有するため、研究開発が特に盛んに行われている。
【０００３】
一般的に、フルカラーＥＬ表示素子の場合、画像を表示する領域には、発光色が赤（Ｒ）である発光領域と、発光色が緑（Ｇ）である発光領域Ｇと、発光色が青（Ｂ）である発光領域Ｂとがそれぞれ複数、規則的に配列されている。発光領域の配列方法として、例えば特許文献１には正デルタ配列が開示されている。
【０００４】
図１９は特許文献１に記載された、発光領域Ｒと、発光領域Ｇと、発光領域Ｂとが正デルタ配列された有機ＥＬ表示素子５の概略正面図である。
【０００５】
発光領域Ｒと、発光領域Ｇと、発光領域Ｂとが正デルタ配列された有機ＥＬ表示素子５では、各々が発光領域Ｒ、発光領域Ｇ、及び発光領域Ｂを有する画素（図１９で太線で囲まれたそれぞれの領域）が互い違いに配列されている。有機ＥＬ表示素子５では、同一発光色の発光領域が互いに隣接せず、且つ、異なる３色の３発光領域が互いに隣接する。互いに隣接する３発光領域は、それぞれの重心を結んだ図形が三角形を構成するように配設されている。
【０００６】
複数色の発光領域が正デルタ配列された有機ＥＬ表示素子５では斜め線を滑らかに表示できるため、有機ＥＬ表示素子５は斜め線が多い自然画を鮮明に表示させることができる。
【特許文献１】特開２００２−２２１９１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図２０は有機ＥＬ表示素子５で縦線を表示した状態を説明する概念図である。
【０００８】
図２０に示すように、有機ＥＬ表示素子５では画素が「Ｔ」字型（又は逆「Ｔ」字型）に構成されているため、有機ＥＬ表示素子５により表示される縦線は横方向に延びる複数の凹凸を有する。このため、複数色の発光領域が正デルタ配列された有機ＥＬ表示素子５では縦線が滑らかに表示できないという問題がある。
【０００９】
本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、縦線、斜め線のすべてを滑らかに表示することができるので、より高品位な画像を表示させることができる表示素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の表示素子は、第１発光領域、第２発光領域、及び第３発光領域の少なくとも３つの発光領域を有しており、前記少なくとも３つの発光領域のうち少なくとも２つは面積が相互に異なる。前記少なくとも３つの発光領域のそれぞれは略矩形である。前記少なくとも３つの発光領域を包囲する仮想矩形の第１辺は前記第１発光領域の周縁と接する。前記第１辺に平行な前記仮想矩形の第２辺は前記第２発光領域の周縁及び前記第３発光領域の周縁の双方と接する。前記第１辺に垂直な前記仮想矩形の第３辺は前記第１発光領域の周縁及び前記第２発光領域の周縁の双方と接する。前記第３辺に平行な前記仮想矩形の第４辺は前記第１発光領域の周縁及び前記第３発光領域の周縁の双方と接する。前記第２発光領域と前記第３発光領域とは第３辺の延びる方向の幅は同一である。
【００１１】
本発明の第２の表示素子は、第１発光領域、第２発光領域、第３発光領域、及び第４発光領域の少なくとも４つの発光領域を有し、前記少なくとも４つの発光領域のうち少なくとも２つは面積が相互に異なる。前記少なくとも４つの発光領域のそれぞれは略矩形である。前記少なくとも４つの発光領域を包囲する仮想矩形の第１辺は前記第１発光領域の周縁及び前記第２発光領域の周縁の双方と接する。前記第１辺に平行な前記仮想矩形の第２辺は前記第３発光領域の周縁及び前記第４発光領域の周縁の双方と接する。前記第１辺に垂直な前記仮想矩形の第３辺は前記第１発光領域の周縁及び前記第３発光領域の周縁の双方と接する。前記第３辺に平行な前記仮想矩形の第４辺は前記第２発光領域の周縁及び前記第４発光領域の周縁の双方と接する。前記第１発光領域と前記第２発光領域とは第３辺の延びる方向の幅が同一であり、且つ前記第３発光領域と前記第４発光領域とは第３辺の延びる方向の幅が同一である。
【００１２】
本発明の第１の表示素子は、前記仮想矩形の内部に配設された第４発光領域をさらに有し、前記第４発光領域は略矩形であり、前記第４発光領域は前記第１辺に平行な辺を有し、前記第４発光領域の発光領域の重心は、前記少なくとも３つの発光領域の各々の重心を結んだ多角形の内部に存在することが好ましい。前記第４発光領域は白を表示する際の発光輝度が最も高いことが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る表示素子によれば、縦線、斜め線のすべてを滑らかに表示させることができるので、高品位な画像を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
図１は本発明に係る有機ＥＬ表示素子１の構成を示す概略平面図である。
【００１６】
図２は図１中ＩＩ−ＩＩで切断した有機ＥＬ表示素子１の概略断面図である。
【００１７】
図３は図１中ＩＩＩ−ＩＩＩで切断した有機ＥＬ表示素子１の概略断面図である。
【００１８】
有機ＥＬ表示素子１は、表面に複数の副画素電極２０がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板１０と、複数の副画素電極２０をそれぞれに区画するバンク（隔壁）３０と、複数の副画素電極２０の各々の上に設けられた有機層４０と、バンク３０及び有機層４０を覆う上部共通電極５０とを有する。尚、同族的な構成要素を総括的に表すために、参照符号の英字を省略して、参照符号の数字のみを表記することがある。例えば、有機層４０Ｒ、４０Ｇ、及び４０Ｂを総括的に有機層４０と表記することがある。  アクティブマトリクス基板１０は、相互に平行に延びる複数のソース信号線１２と、ソース信号線１２に交差して相互に平行に延びる複数のゲート信号線１１と、ソース信号線１２の延びる方向に延び、互いに平行な複数の電流供給線１３とを有する。ソース信号線１２、電流供給線１３、及びゲート信号線１１は各々直線状に配設されている。従って、電極線１１、１２、及び１３を屈曲させて配設した場合と比較して、電極線１１、１２、及び１３の長さを最も短くすることができるので、電極線１１、１２、及び１３に付加される配線抵抗を最も小さくすることができる。
また、電極線１１、１２、及び１３（特に、電流供給線１３）に常時電流を流した場合とは異なり、電極線１１、１２、及び１３を屈曲させて配設した場合のようにエレクトロマイグレーション（電食）が発生することがないため、電極線１１、１２、及び１３の細り又は断線等が発生することを効果的に抑制することができる。従って、この構成によれば動作信頼性の高い有機ＥＬ表示素子１を実現することができる。
【００１９】
有機層４０は、ホール輸送層４１と、ホール輸送層４１の上に設けられたエレクトロルミネッセンス発光層４２（以下、「ＥＬ発光層」とすることがある。）と、ＥＬ発光層４２の上に設けられた電子輸送層４３とを有する。有機ＥＬ表示素子１では、有機層４０と、副画素電極２０と、上部共通電極５０とのすべてが重畳する領域が発光領域７０を構成している。
発光領域７０はＥＬ発光層４２の発光色によって３種類に大別することができる。詳細には、発光色がＲ（赤）であるＥＬ発光層４２Ｒを有する発光領域７０Ｒと、発光色がＧ（緑）であるＥＬ発光層４２Ｇを有する発光領域７０Ｇと、発光色がＢ（青）であるＥＬ発光層４２Ｂを有する発光領域７０Ｂとに大別することができる。
【００２０】
複数の副画素電極２０のそれぞれは、図１に示すように、スルーホール１６を介して、アクティブマトリクス基板１０に設けられた副画素回路９０に接続されている。
【００２１】
図４は副画素回路９０の構成を示す回路図である。
【００２２】
図４に示すように、副画素回路９０はＴＦＴ１４ａ〜１４ｄ及び補助容量素子（Ｃｓ）１５を有しており、副画素回路９０は、ソース信号線１２、ゲート信号線１１、及び電流供給線１３のそれぞれに接続されている。ゲート信号線１１は、ゲート信号線１１ａ及び１１ｂに大別される。ゲート信号線１１ａは行選択時にソース信号線１２に入力される信号データを副画素回路９０内に導引する機能を有し、ゲート信号線１１ｂはＴＦＴ１４ｄにオン又はオフ信号を入力する機能を有する。
【００２３】
図５は副画素回路９０の各々に設けられた補助容量素子（Ｃｓ）１５の構成を示す概略平面図である。
【００２４】
補助容量素子１５は、シリコン層１５ａと、シリコン層１５ａを覆う不純物ドープ領域１５ｂと、シリコン層１５ａの上に設けられた第１電極１５ｃと、コンタクト１５ｄを介してシリコン層１５ａ上層部に接続された第２電極１５ｅとを有する。シリコン層１５ａと第１電極１５ｃとの間には絶縁層（図示せず）が設けられている。図５に示す第１電極１５ａのＡ´点は図４に示すＡ点と接続されている。また、図５に示す第２電極１５ｅのＢ´点は図４に示すＢ点と接続されている。
【００２５】
補助容量素子１５では、第１電極１５ｃは櫛形に形成されており、第１電極１５ｃにより覆われるシリコン層１５ａの面積が小さくなるように構成されている。第１電極１５ｃを櫛形にし、第１電極１５ｃにより覆われるシリコン層１５ａの面積を小さく構成することで、第１電極１５ｃの下層に設けられたシリコン層１５ａの電気抵抗値を実効的に低く保つことができる。そのため、補助容量素子１５の抵抗損を小さくすることができる。従って、副画素回路９０にデータを書き込む際の充放電速度を速くすることができる。特に、大きな画像表示領域を有する表示パネルにおいては、充放電速度を速くすることができれば、アドレス時間との関係で有利に働く。
【００２６】
以下、第１電極１５ｃを櫛形に形成することでシリコン層１５ａの抵抗値を実効的に低く保つことができる理由について詳細に説明する。一般的に、補助容量素子では、第１電極を形成した後にシリコン層にリン等の不純物をドープすることによりシリコン層に導電性を付与する。そのため、第１電極により覆われるシリコン層の面積が大きい場合は、シリコン層に十分な不純物がドープされず、シリコン層の抵抗値が大きくなるため、補助容量素子の抵抗損が大きくなる。
【００２７】
補助容量素子の抵抗損が大きい場合は、ゲート信号線１１に印加されるゲート信号により副画素回路９０が選択された際の補助容量素子１５の充放電過程における電圧の立ち上がり時間及び立下り時間が長くなる。補助容量素子１５の充放電過程における電圧の立ち上がり時間及び立下り時間が長くなると、副画素回路９０を選択している時間内にソース信号線１２から入力される信号の電位を補助容量素子１５によって十分に保持することができない。そのため、回路動作としての書込みが不十分となり、書込みエラーが発生し、結果として表示エラーが発生する。
【００２８】
また、画素選択時間の制限から、画面の走査本数にも制限が生じることになる。例えば、画素行数が７２０本である場合は、通常６０Ｈｚで画像情報が更新されるため、行選択の時間ＴLATは１００００００／（６０×７２０）＝２３．１５μｓとなる。階調表示を行うために一フレーム期間内でＮ回画素を走査する場合には、行選択の時間ＴLATは２３．１５μｓ／Ｎとなる。時分割で階調駆動を行う際、通常８ビット階調表示には１０回程度の走査回数を必要とするため、２．３２μｓ程度の短い時間内にデータ保持を完了させる必要がある。しかしながら、抵抗損の大きな補助容量素子を使用した場合は、行選択の時間２．３２μｓ以内にデータを保持することが困難になる。
【００２９】
副画素電極２０は有機層４０にホールを注入する機能を有する。副画素電極２０はアルミニウム（Ａｌ）やインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）等により形成することができる。
【００３０】
バンク３０は、アクティブマトリクス基板１０上に配設された複数の副画素電極２０及びそれらの上に設けられた複数の有機層４０をそれぞれに区画する機能を有する。バンク３０は断面の形状が略台形に形成されており、バンク３０の開孔部分（副画素電極２０がバンク３０から露出している部分）は略矩形に形成されている。このため、副画素電極２０と有機層４０とが重畳する領域の形状は略矩形となり、発光領域７０の形状も略矩形となる。
【００３１】
尚、本明細書において「矩形」とは正方形又は長方形をいう。また「略矩形」とは矩形、又は矩形の角部が鈍角化された形状をいう。角部を鈍角化するとは、９０度を超える角（複数でもよい）又は曲線で角部を構成することをいう。もちろん曲線と鈍角との組み合わせによって角部を構成しても構わない。
【００３２】
有機層４０は、ホール輸送層４１と、ＥＬ発光層４２、電子輸送層４３とを有する。しかし、本発明はこの構成に限定されるものではない。有機層４０はＥＬ発光層４２のみによって構成されていても構わない。また、有機層４０はＥＬ発光層４２と、ホール注入層、ホール輸送層４１、電子輸送層４３、及び電子注入層のうちの１層又は２層以上とにより構成してもよい。
【００３３】
ホール輸送層４１は副画素電極２０から注入されたホールのＥＬ発光層４２への輸送効率を向上させる。ホール輸送層４１に含有させるホール輸送材料としてはポルフィリン化合物等が挙げられる。
【００３４】
ＥＬ発光層４２は、副画素電極２０から注入されたホールと、上部共通電極５０から注入された電子とを結合させて発光を生ずる機能を有する。ＥＬ発光層４２に含有させる発光材料としては（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体（Ａｌｑ3）等が挙げられる。
【００３５】
電子輸送層４３は上部共通電極５０から注入される電子のＥＬ発光層４２への輸送効率を向上させる機能を有する。電子輸送層４３の材料としてはカルバゾール誘導体等が挙げられる。
【００３６】
上部共通電極５０はＥＬ発光層４２に電子を注入する機能を有する。上部共通電極５０の材料としては、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
図６は有機ＥＬ表示素子１の発光領域７０の配置構成を説明するための平面図である。
【００３７】
発光領域７０Ｒと、発光領域７０Ｇと、発光領域７０Ｂとは相互に面積が異なる。発光領域７０Ｂが最も大きい面積を有しており、発光領域７０Ｇが最も小さい面積を有している。一般的に、発光領域７０Ｒと、発光領域７０Ｇと、発光領域７０Ｂとでは相互に輝度減衰特性（有機ＥＬ表示素子１で表示領域の全面に白色を表示し続けた際の各発光領域７０の輝度の変化特性）が異なる。発光領域７０Ｒと、発光領域７０Ｇと、発光領域７０Ｂとを同じ面積にした場合、発光領域７０Ｂが最も輝度減衰速度が速く、発光領域７０Ｇが最も輝度減衰速度が遅い。
【００３８】
有機ＥＬ表示素子１のように、輝度減衰速度が最も速い発光領域７０Ｂの面積を最も大きく、輝度減衰速度が最も遅い発光領域７０Ｇの面積を最も小さく形成することによって、輝度減衰速度が比較的大きい発光領域７０Ｂに印加される電圧をより小さくすることができ、発光領域７０Ｂの輝度減衰速度をより小さくすることができる。このため、発光領域７０Ｒと、発光領域７０Ｇと、発光領域７０Ｂとの輝度減衰速度をより均一化することができ、使用による経時的な色バランスの変化を効果的に抑制することができる。従って、この構成によれば、より長寿命な有機ＥＬ表示素子１を実現することができる。
【００３９】
この有機ＥＬ表示素子１では、略矩形の発光領域７０Ｒと、発光領域７０Ｇと、発光領域７０Ｂとは仮想矩形ＶＲによって包囲されている。仮想矩形ＶＲの第１辺ＶＲ１は発光領域７０Ｂの第１辺７０Ｂ１と接する。第１辺ＶＲ１に平行な仮想矩形ＶＲの第２辺ＶＲ２は、発光領域７０Ｒの第３辺７０Ｒ３と、発光領域７０Ｇの第３辺７０Ｇ３と接する。第１辺ＶＲ１に垂直な仮想矩形ＶＲの第３辺ＶＲ３は、発光領域７０Ｂの第２辺７０Ｂ２と、発光領域７０Ｒの第２辺７０Ｒ２と接する。第３辺ＶＲ３に平行な仮想矩形ＶＲの第４辺ＶＲ４は、発光領域７０Ｂの第４辺７０Ｂ４と、発光領域７０Ｇの第４辺７０Ｇ４と接する。
【００４０】
発光領域７０Ｂの第３辺７０Ｂ３は、発光領域７０Ｒの第１辺７０Ｒ１及び発光領域７０Ｇの第１辺７０Ｇ１と対向している。また、発光領域７０Ｒの第４辺７０Ｒ４と発光領域７０Ｇの第２辺７０Ｇ２とは対向している。発光領域７０Ｂと発光領域７０Ｒ及び発光領域７０Ｇとの間隙部分、及び発光領域７０Ｇと発光領域７０Ｒとの間隙部分は非発光領域を構成する。
【００４１】
本明細書では、図６に示す発光領域の配列のことを「略デルタ配列」という。略デルタ配列は図６に示す発光領域の配列に厳密に限定されるものではない。例えば、仮想矩形ＶＲの内部に発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂ以外の第４の発光領域を有していても構わない。略デルタ配列では、発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂのそれぞれの重心を結んだ三角形が必ずしも正三角形でない点で従来の正デルタ配列とは異なる。
【００４２】
発光領域７０Ｒと、発光領域７０Ｇと、発光領域７０Ｂとが略デルタ配列された有機ＥＬ表示素子１では従来の発光領域がストライプ配列された有機ＥＬ表示素子よりも開口率を高くすることができる。以下、開口率を高くすることができる理由について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４３】
開口率について説明する前に、まず本明細書における「画素」について説明する。画素６０は、有機ＥＬ表示素子１の画像表示領域にマトリクス状に配列されている矩形状のものであり、有機ＥＬ表示素子１でドットマトリクス表示をするための最小単位である。図６に示すように、マトリクス状に配列された複数の画素６０のそれぞれは発光領域７０Ｒと、発光領域７０Ｇと、発光領域７０Ｂとを有している。画素６０はさらに発光領域７０以外の領域（以下、「発光領域７０以外の領域」を「非発光領域」とすることがある。）を有している。画素６０を構成する矩形は仮想矩形ＶＲと２辺で接している。具体的には、図６（ｂ）に示すように、画素６０の第１辺６０ａは仮想矩形ＶＲの第１辺ＶＲ１と接し、第１辺６０ａと垂直な画素６０の第２辺６０ｂは仮想矩形ＶＲの第３辺ＶＲ３と接する。第２辺６０ｂと平行な画素６０の第３辺６０ｃ及び第１辺６０ａと平行な仮想矩形ＶＲの第４辺６０ｄは仮想矩形ＶＲとは接していない。言い換えれば、画素６０を構成する第１辺６０ａ及び第２辺６０ｂにのみ発光領域７０が接しており、画素６０内における第３辺６０ｃ及び第４辺６０ｄ側の周縁には非発光領域が存在する。図２を参照すれば、画素６０の第１辺６０ａはバンク３０の端部Ｅ１に位置し、第４辺６０はバンク３０の端部Ｅ２に位置する。また、図３を参照すれば、画素６０の第１辺６０ａはバンク３０の端部Ｅ３に位置し、第４辺６０はバンク３０の端部Ｅ４に位置する。
【００４４】
図７は発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂが略デルタ配列された場合の画素６０の構成を示す概念図である。詳細には、図７は一辺の長さがＬgである正方形の画素６０に、発光領域７０相互間の間隔をすべて等間隔（Ｌ1）となるように発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂを略デルタ配列した場合の構成を示している。
【００４５】
図８は発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂがストライプ配列された場合の画素６０の構成を示す概念図である。詳細には、一辺の長さがＬgである正方形の画素６０に、発光領域７０相互間の間隔をすべて等間隔（Ｌ1）となるように発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂをストライプ配列した場合の構成を示している。
【００４６】
図７及び図８では、発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂの面積比が、発光領域７０Ｒ：発光領域７０Ｇ：発光領域７０Ｂ＝α：１：βとなっている。
【００４７】
図７に示す発光領域７０を略デルタ配列した場合の３つの発光領域７０の占める総面積Ｓ5は下記数式１により算出される。
【００４８】
（数式１）
Ｓ5＝（α＋１＋β）（Ｌg−Ｌ1）（Ｌg−２Ｌ1）2／｛（α＋１）（Ｌg−Ｌ1）＋β（Ｌg−２Ｌ1）｝
一方、図８に示す発光領域７０をストライプ配列した場合の３つの発光領域７０の占める総面積Ｓ6は下記数式２により算出される。
【００４９】
（数式２）
Ｓ6＝（Ｌg−３Ｌ1）（Ｌg−Ｌ1）
図９は、画素の一辺の長さＬgに対する副画素相互間の間隔Ｌ1の比率（Ｌ1／Ｌg）と、Ｓ5、Ｓ6の画素面積（Ｌg2）に対する比率（Ｓ／Ｌg2）との関係を示すグラフである。尚、図９のグラフではα＝２、β＝８としている。
【００５０】
図９に示すように、Ｌ1／Ｌgがどのような値をとった場合であっても、常にＳ5の方がＳ6よりも大きな値を示す。このため、発光領域を略デルタ配列した場合の方が、発光領域をストライプ配列（平行に配設）した場合よりも発光領域の総面積の画素面積に対する比率を大きくすることができる。従って、発光領域を略デルタ配列することによって開口率の大きな有機ＥＬ表示素子を実現することができる。尚、ここではα＝２、β＝８である場合について説明したが、α及びβがどのような関係にあっても常にＳ5の方がＳ6よりも大きな値を示す。
【００５１】
また、図７に示すように、発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂを略デルタ配列することによって、発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂのそれぞれの形状をより正方形に近づけることができる。言い換えれば、発光領域の短辺の長さと長辺の長さとの差を小さくすることができる。このため、最も占有面積が小さい発光領域Ｇの短辺Ｌ２は、図８に示すように発光領域をストライプ配列した場合の発光領域Ｇの短辺Ｌ２´よりも長くなる。ところで、有機層４０をインクジェット法により形成する場合は、発光領域の短辺の長さが短いほどインク液滴の高い着弾精度が必要となり、逆に発光領域の短辺の長さが長いほどインク液滴の着弾精度が低くてもよい。このため、発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂが略デルタ配列された有機ＥＬ表示素子１は、インクジェット法を用いて比較的安価且つ容易に製造することができる。
【００５２】
次に略デルタ配列された発光領域を有する有機ＥＬ表示素子１の画像表示効果について説明する。
【００５３】
図１０は発光領域７０が略デルタ配列された有機ＥＬ表示素子１で「Ｌ」を表示した状態を説明する概念図である。
【００５４】
図１１は発光領域が正デルタ配列された有機ＥＬ表示素子で「Ｌ」を表示した状態を説明する概念図である。
【００５５】
図１１に示すように、発光領域が正デルタ配列された有機ＥＬ表示素子では、表示される縦線及び横線の双方に細かな凹凸が観察される。従って、発光領域が正デルタ配列された有機ＥＬ表示素子では均一な太さの縦線及び横線を表示することができない。
【００５６】
しかし、図６に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示素子１では、複数の画素６０がマトリクス状に配列されており、複数の画素６０のそれぞれは矩形に構成されている。また、発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂは略デルタ配列されている。そのため、発光領域７０Ｂの第２辺７０Ｂ２と発光領域７０Ｒの第２辺７０Ｒ２とは同一直線上にあり、発光領域７０Ｂの第４辺７０Ｂ４と発光領域７０Ｇの第２辺７０Ｇ４とは同一直線上にあり、且つ発光領域７０Ｒの第３辺７０Ｒ３と発光領域７０Ｇの第３辺７０Ｇ３とは同一直線上にある。従って、図１０に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示素子１では、発光領域が正デルタ配列された従来の有機ＥＬ表示素子５で縦線を表示するときとは異なり、縦線に複数の凹凸が生じることがなく、均一な太さの縦線及び横線を表示させることができる。
【００５７】
また、有機ＥＬ表示素子１では発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂは略デルタ配列されており、発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂのそれぞれの重心を結んだ図形が三角形を形成している。このため、発光領域が正デルタ配列されている場合と同様に、発光領域がストライプ配列された有機ＥＬ表示素子よりも斜め線を滑らかに表示させることができる。このため、有機ＥＬ表示素子１では斜め線が比較的多い自然画等をより鮮明に表示させることができる。
【００５８】
上述のように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示素子１は、縦線、横線、及び斜め線のすべてを精細に表示することができるので、高い品位の画像を提供することができる。
【００５９】
尚、画素６０はソース信号線１２及びゲート信号線１１の延びる方向に平行するように配設されていることが好ましい。この構成によれば、ＥＬ発光層４２の表面を平坦にすることができ、表示画像に干渉むらが発生することを効果的に抑制することができる。従って、色ずれのない鮮明な画像を表示させることができる。画素６０の配列がソース信号線１２及びゲート信号線１１の延びる方向に平行でない場合は、ソース信号線１２やゲート信号線１１等により、ＥＬ発光層４２の表面に凹凸形状が形成され、表示画像に干渉縞が発生する場合があるからである。表示画像に干渉縞が発生した場合、表示画像に色ずれが発生し良好な画像表示ができなくなる。
【００６０】
また、各々の画素６０内における発光領域７０の配置構成は、すべての画素６０で統一されていることが好ましい。例えば、発光領域７０の配置構成が行ごと、又は列ごとに反転しているような場合は、副画素の配置周期が単一にならないため、表示ムラが顕著に視認されるからである。
【００６１】
尚、本実施形態では、本発明に係る表示素子の例としてアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示素子１を挙げて説明したが、本発明に係る表示素子は、何らこれに限定されるものではなく、例えば、パッシブマトリクス方式の有機ＥＬ表示素子であってももちろん構わない。
【００６２】
また、本実施形態は、画像表示および文字表示の両方にも良好な表示を行うことが可能であるが、特に文字表示を頻繁に必要とする場合に適している。
【００６３】
（実施形態２）図１２は実施形態２に係る有機ＥＬ表示素子２の画素１６０の構成を示す概略平面図である。
【００６４】
図１２に示すように、有機ＥＬ表示素子２では複数の画素１６０がデルタ状に配列されている。言い換えれば、複数の画素１６０は、縦方向に１／２周期づつずれるように配列されている。画素１６０は、発光領域１７０Ｒと、発光領域１７０Ｇと、発光領域１７０Ｂとを有しており、図１２に示すように、同一発光色の発光領域１７０のみに着目すると隣接する同一発光色の発光領域１７０の重心を結んだ三角形が正三角形を構成するように配設されている。有機ＥＬ表示素子２は、上記画素１６０の配列以外は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示素子１と同様の構成を有するものである。ここでは、複数の画素１６０の配列について詳細に説明する。
【００６５】
上述の通り、有機ＥＬ表示素子２では、同一発光色の発光領域１７０のみに着目すると、隣接する同一発光色の発光領域１７０の重心を結んだ三角形が正三角形を構成するように配設されている。このため、実施形態１に係る有機ＥＬ表示素子１よりもさらに斜め線を滑らかに表示させることができる。従って、本実施形態２に係る有機ＥＬ表示素子２では斜め線が比較的多い自然画等をさらに鮮明に表示させることができる。
【００６６】
有機ＥＬ表示素子２は縦線及び横線についても滑らかに表示させることができる。図１３は有機ＥＬ表示素子２で「Ｌ」を表示した状態を説明する概念図である。図１３に示すように、発光領域１７０Ｒと発光領域１７０Ｇとは下辺が同一直線上にある。そのため、有機ＥＬ表示素子２では、横方向のラインには凹凸形状が全く観察されない。また、縦方向のラインに関しても、例えばマトリクス処理を行い、図１３に示すように、発光領域１７０Ｂのデータを２画素に分割して表示することにより、極細の「Ｌ」を表示した場合であっても、凹凸形状が観察されにくくすることができる。このように、この有機ＥＬ表示素子２は、自然画表示に好適であると同時に、極細の縦横方向の線を滑らかに表示することができ、文字等の表示にも好適である。尚、「マトリクス処理」とは、着目する画素への画像情報が、隣接画素の画像情報や時間方向の処理も含めた形で演算処理され、より表示に適正な画像情報として配置されることをいう。
また、本実施形態は実施形態１と比較して、比較的画像表示が多い場合に適用するとよい。
【００６７】
（実施形態３）図１４は実施形態３に係る有機ＥＬ表示素子３の画素２６０の構成を示す概略断面図である。
【００６８】
図１４に示すように、有機ＥＬ表示素子３では複数の画素２６０がマトリクス状に配列されており、複数の画素２６０のそれぞれは４つの発光領域２７０Ｒ、２７０Ｇ、２７０Ｂ、及び２７０Ｗを有する。有機ＥＬ表示素子３では画素２６０内の発光領域２７０の構成及び配置以外は実施形態１に係る有機ＥＬ表示素子１と同様の構成を有する。ここでは、画素２６０内の発光領域２７０の構成及び配置について詳細に説明する。
【００６９】
有機ＥＬ表示素子３は発光色がそれぞれＲ、Ｇ、及びＢである発光領域２７０Ｒ、２７０Ｇ、及び２７０Ｂの他に発光色がＷ（ホワイト）である発光領域２７０Ｗを有する。発光領域２７０Ｗを設けることにより、輝度のダイナミックレンジが広がるため、より明るく鮮明できらめき感を持たせた映像表現が可能になるという効果が得られる。発光領域２７０Ｒ、２７０Ｇ、２７０Ｂ、及び２７０Ｗは相互に面積が異なり、発光領域２７０Ｂが最も大きい面積を有しており、発光領域２７０Ｇが最も小さい面積を有している。
【００７０】
一般的に、発光領域２７０Ｒ、２７０Ｇ、及び２７０Ｂでは相互に輝度減衰特性（有機ＥＬ表示素子３で全面に白を表示し続けた際の各発光領域２７０の輝度の変化特性）が異なり、発光領域２７０Ｒ、２７０Ｇ、及び２７０Ｂを同じ面積にした場合、発光領域２７０Ｂが最も輝度減衰速度が速く、発光領域２７０Ｇが最も輝度減衰速度が遅い。有機ＥＬ表示素子３のように、輝度減衰速度が最も速い発光領域２７０Ｂを最も大きく、輝度減衰速度が最も遅い発光領域２７０Ｇを最も小さく形成することによって、輝度減衰速度が大きい発光領域２７０Ｂに印加される電圧をより小さくすることができ、発光領域２７０Ｂの輝度減衰速度を小さくすることができる。このため、発光領域２７０Ｒ、２７０Ｇ、及び２７０Ｂの輝度減衰速度を相互により近づけることができ、使用による経時的な色バランス変化がなく、表示画像に色ずれが発生することを効果的に抑制することができる。従って、この構成によれば、より長寿命な有機ＥＬ表示素子３を実現することができる。尚、発光色がＷ（ホワイト）である発光領域２７０Ｗの輝度減衰は色バランスにほとんど影響を及ぼさない。
【００７１】
この有機ＥＬ表示素子３では、略矩形の発光領域２７０Ｒ、２７０Ｇ、２７０Ｂ、及び２７０Ｗは仮想矩形ＶＲに包囲されている。仮想矩形ＶＲの第１辺ＶＲ１は発光領域２７０Ｂの第１辺２７０Ｂ１と、発光領域２７０Ｗの第１辺２７０Ｗ１と接する。第１辺ＶＲ１に平行な仮想矩形ＶＲの第２辺ＶＲ２は、発光領域２７０Ｒの第３辺２７０Ｒ３と、発光領域２７０Ｇの第３辺２７０Ｇ３と接する。第１辺ＶＲ１に垂直な仮想矩形ＶＲの第３辺ＶＲ３は、発光領域２７０Ｂの第２辺２７０Ｂ２と、発光領域２７０Ｒの第２辺２７０Ｒ２と接する。第３辺ＶＲ３に平行な仮想矩形ＶＲの第４辺ＶＲ４は、発光領域２７０Ｗの第４辺２７０Ｗ４と、発光領域２７０Ｇの第４辺２７０Ｇ４と接する。
【００７２】
発光領域２７０Ｂの第４辺２７０Ｂ４は発光領域２７０Ｗの第２辺２７０Ｗ２と対向している。発光領域２７０Ｒの第４辺２７０Ｒ４は発光領域２７０Ｇの第２辺２７０Ｇ２と対向している。また、発光領域２７０Ｂの第３辺２７０Ｂ３は発光領域２７０Ｒの第１辺２７０Ｒ１と対向している。発光領域２７０Ｗの第３辺２７０Ｗ３は発光領域２７０Ｇの第１辺２７０Ｇ１と対向している。発光領域２７０の間の間隙は非発光領域に形成されている。
【００７３】
仮想矩形ＶＲの第１辺ＶＲ１は画素２６０の辺２６０ａと接しており、仮想矩形ＶＲの第３辺ＶＲ３は画素２６０の辺２６０ｂと接している。仮想矩形ＶＲの第２辺ＶＲ２と画素２６０の辺２６０ｄと、及び仮想矩形ＶＲの第４辺ＶＲ４と画素２６０の辺２６０ｃとの間にはそれぞれ間隙が存在する。この間隙部分はバンクが形成されている部分に該当する。本明細書では、このような発光領域の配列のことを「Ｘ配列」ということとする。
【００７４】
発光領域２７０Ｒ、２７０Ｇ、２７０Ｂ、及び２７０ＷがＸ配列された有機ＥＬ表示素子３においても、実施形態１に係る有機ＥＬ表示素子１と同様に、発光領域がストライプ配列された従来の有機ＥＬ表示素子よりも発光領域の総面積の画素面積に占める割合を大きくすることができる。従って、有機ＥＬ表示素子３によれば高い開口率を実現することができるので、より高い輝度を実現することができる。
【００７５】
有機ＥＬ表示素子３では、複数の画素２６０がマトリクス状に配列されている。また、発光領域２７０Ｂの第１辺２７０Ｂ１と発光領域２７０Ｗの第１辺２７０Ｗ１とが同一直線上にある。発光領域２７０Ｒの第３辺２７０Ｒ３と発光領域２７０Ｇの第３辺２７０Ｇ３とが同一直線上にある。このため、有機ＥＬ表示素子３により表示される横線には凹凸がなく、有機ＥＬ表示素子３によれば滑らかな横線を表示させることができる。また、発光領域２７０Ｂの第２辺２７０Ｂ２と発光領域２７０Ｒの第２辺２７０Ｒ２とが同一直線上にある。発光領域２７０Ｗの第４辺２７０Ｗ４と発光領域２７０Ｇの第４辺２７０Ｇ４とが同一直線上にある。このため、有機ＥＬ表示素子３により表示される縦線には凹凸がなく、有機ＥＬ表示素子３によれば滑らかな縦線を表示させることができる。
【００７６】
尚、有機ＥＬ表示素子３は、発光色がそれぞれＲ、Ｇ、Ｂ、及びＷである発光領域２７０Ｒ、２７０Ｇ、２７０Ｂ、及び２７０Ｗを有するが、本発明に係る表示素子ではこれに限定されない。
【００７７】
例えば、従来のＲ，Ｇ、Ｂ発光色に加えて、第４の発光色の色度（ｘ４、ｙ４）が、Ｇの色度（ｘＧ、ｙＧ)およびＢの色度（ｘＢ、ｙＢ）に対して、ｘＢ＜ｘ４＜ｘＧおよびｙＢ＜ｙ４＜ｙＧの関係になるような発光色であった場合、従来のＲＧＢそれぞれの色度座標で構成される３角形の範囲の色よりも広い４角形の範囲で色が表現できるため、より色表現に富んだ画像を提供することが可能になる。また、同様に、Ｒの色度（ｘＲ、ｙＲ）とＧ（ｘＧ 、ｙＧ）の色度の中間の色度を持つ第４の色度（ｘ４’、ｙ４’）である場合には、赤橙色系の発光色となるため、光沢感やきらめき感に富んだ色鮮やかな映像表現が可能になる。
【００７８】
また、有機ＥＬ表示素子３では、発光領域２７０Ｂの第４辺２７０Ｂ４及び発光領域２７０Ｒの第４辺２７０Ｒ４と、発光領域２７０Ｗの第２辺２７０Ｗ２及び発光領域２７０Ｇの第２辺２７０Ｒ２とは、それぞれほぼ同一直線上にあるが、この構成に限定されるものではない。また、有機ＥＬ表示素子３では、発光領域２７０の間の間隙は相互に同一幅に構成されているが、この構成に限定されない。例えば、ＴＦＴの配置等、他の構成部材との関係、設計上の都合等により発光領域２７０の間の間隙の幅を相互に異ならせてもよい。
【００７９】
（実施形態４）図１５は実施形態４に係る有機ＥＬ表示素子４の画素３６０の構成を示す概略断面図である。
【００８０】
図１５に示すように、有機ＥＬ表示素子４では、複数の画素３６０がマトリクス状に配列されており、複数の画素３６０のそれぞれは４つの発光領域３７０Ｒ、３７０Ｇ、３７０Ｂ、及び３７０Ｗを有する。有機ＥＬ表示素子４では画素３６０内の発光領域３７０の構成及び配置以外は実施形態１に係る有機ＥＬ表示素子１と同様の構成を有する。ここでは、画素３６０内の発光領域３７０の構成及び配置について詳細に説明する。
【００８１】
発光領域３７０Ｒ、３７０Ｇ、３７０Ｂ、及び３７０Ｗは相互に面積が異なる。発光領域３７０Ｂが最も大きい面積を有しており、発光領域３７０Ｇが最も小さい面積を有している。このため、発光領域３７０Ｒ、３７０Ｇ、３７０Ｂ、及び３７０Ｗのそれぞれの輝度減衰速度が略同一である。従って、有機ＥＬ表示素子４も実施形態１に係る有機ＥＬ表示素子１と同様に長い製品寿命を有する。
【００８２】
有機ＥＬ表示素子４では、略矩形の発光領域３７０Ｒ、３７０Ｇ、３７０Ｂ、及び３７０Ｗは仮想矩形ＶＲに包囲されている。仮想矩形ＶＲの第１辺ＶＲ１は発光領域３７０Ｂの第１辺３７０Ｂ１と接する。第１辺ＶＲ１に平行な仮想矩形ＶＲの第２辺ＶＲ２は、発光領域３７０Ｒの第３辺３７０Ｒ３と、発光領域３７０Ｇの第３辺３７０Ｇ３と接する。第１辺ＶＲ１に垂直な仮想矩形ＶＲの第３辺ＶＲ３は、発光領域３７０Ｂの第２辺３７０Ｂ２と、発光領域３７０Ｒの第２辺３７０Ｒ２と接し、発光領域３７０Ｗの第２辺３７０Ｗ２とは接していない。第３辺ＶＲ３に平行な仮想矩形ＶＲの第４辺ＶＲ４は、発光領域３７０Ｂの第４辺３７０Ｂ４と、発光領域３７０Ｇの第４辺３７０Ｇ４と、発光領域３７０Ｗの第４辺３７０Ｗ４と接する。尚、有機ＥＬ表示素子４では、第４辺ＶＲ４が発光領域３７０Ｗの第４辺３７０Ｗ４と接するが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、第４辺３７０Ｗ４が第４辺ＶＲ４から離間していてもよい。
【００８３】
発光領域３７０Ｂの第３辺３７０Ｂ３は発光領域３７０Ｗの第１辺３７０Ｗ１と対向している。発光領域３７０Ｗの第３辺３７０Ｗ３は発光領域３７０Ｒの第１辺３７０Ｒ１と、発光領域３７０Ｇの第１辺３７０Ｇ１と対向している。発光領域３７０Ｒの第４辺３７０Ｒ４は発光領域３７０Ｇの第２辺３７０Ｇ２と対向している。
【００８４】
仮想矩形ＶＲの第１辺ＶＲ１は画素３６０の辺３６０ａと接しており、仮想矩形ＶＲの第３辺ＶＲ３は画素３６０の辺３６０ｂと接している。仮想矩形ＶＲの第２辺ＶＲ２と画素３６０の辺３６０ｄと、及び仮想矩形ＶＲの第４辺ＶＲ４と画素３６０の辺３６０ｃとの間にはそれぞれ間隙が存在する。この間隙部分はバンクが形成されている部分に該当する。すなわち、発光領域３７０Ｒ、３７０Ｇ、及び３７０Ｂは略デルタ配列されており、さらに仮想矩形ＶＲの内部に第５の発光領域３７０Ｗが設けられている。
【００８５】
有機ＥＬ表示素子４では、発光領域３７０Ｒ、３７０Ｇ、及び３７０Ｂが略デルタ配列されているため、実施形態１に係る有機ＥＬ表示素子１と同様に、発光領域がストライプ配列された従来の有機ＥＬ表示素子よりも発光領域の総面積の画素面積に占める割合を大きくすることができる。従って、有機ＥＬ表示素子４によれば高い開口率を実現することができるので、より高い輝度を実現することができる。
【００８６】
図１６は有機ＥＬ表示素子４で「Ｌ」を表示した状態を説明する概念図である。
【００８７】
図１６を参照しながら、有機ＥＬ表示素子４の画像表示効果について説明する。有機ＥＬ表示素子４では、複数の画素３６０がマトリクス状に配列されている。発光領域３７０Ｒの第３辺３７０Ｒ３と発光領域３７０Ｇの第３辺３７０Ｇ３とが同一直線上にある。このため、図１６に示すように、有機ＥＬ表示素子４により表示される横線には凹凸がなく、有機ＥＬ表示素子４によれば滑らかな横線を表示させることができる。また、発光領域３７０Ｗの第４辺３７０Ｗ４と、発光領域３７０Ｇの第４辺３７０Ｇ４と、発光領域３７０Ｗの第２辺３７０Ｗ４とが同一直線上にある。発光領域３７０Ｂの第２辺３７０Ｂ２と発光領域３７０Ｒの第２辺３７０Ｒ２とが同一直線上にある。このため、図１６に示すように、有機ＥＬ表示素子４により表示される縦線には目立った凹凸が観察されず、有機ＥＬ表示素子４によれば滑らかな縦線を表示させることができる。
【００８８】
また、有機ＥＬ表示素子４では、発光領域３７０Ｒ、３７０Ｇ、及び３７０Ｂが略デルタ配列されている。このため、発光領域が正デルタ配列されている場合と同様に、発光領域がストライプ配列された有機ＥＬ表示素子よりも斜め線を滑らかに表示させることができる。従って、有機ＥＬ表示素子１では斜め線が比較的多い自然画等をより鮮明に表示させることができる。このように、有機ＥＬ表示素子４は、縦線、横線、及び斜め線のすべてを滑らかに表示することができるため、より高い品位の画像表示を実現することができる。
【００８９】
図１７は有機ＥＬ表示素子４における発光領域３７０のそれぞれの重心の位置関係を表した概略正面図である。
【００９０】
有機ＥＬ表示素子４では、発光領域３７０Ｗの重心Ｇ４が発光領域３７０Ｒの重心Ｇ２と、発光領域３７０Ｇの重心Ｇ３と、発光領域３７０Ｂの重心Ｇ１とを結んだ三角形の内部に存在している。このため、重心Ｇ４は画素３６０内の発光重心Ｇ５と非常に近い位置にある。発光重心Ｇ５は点を表示させた際（一画素のＲＧＢＷのみを点灯させた状態）に見た目の重心位置となるため、重心Ｇ４が発光重心Ｇ５に近いほど、画素３６０が有するすべての発光領域３７０Ｒ、３７０Ｇ、及び３７０Ｂを発光させた場合に、画素３６０が色にじみの少ない点として視認される。
【００９１】
重心Ｇ４から発光重心Ｇ５間での距離が長くなるほど、発光領域３７０Ｒ、３７０Ｇ、及び３７０Ｂを発光させた場合に、歪んで色がにじんだ図形が視認される。図１８は発光領域４７０Ｗの重心Ｇ１４が発光領域４７０Ｒの重心Ｇ１２と、発光領域４７０Ｇの重心Ｇ１３と、発光領域４７０Ｂの重心Ｇ１１とを結んだ三角形の外部に存在している場合の画素構成を示す概略正面図である。図１８に示す有機ＥＬ表示素子の場合は重心Ｇ１４が発光重心Ｇ１５から非常に離れた位置にある。この場合、発光領域４７０のすべてを発光させて白色の点を表示しようとしても、発光重心Ｇ１５から重心Ｇ１４の方向に歪んでにじんだ発光として視認されることとなり、この有機ＥＬ表示素子では鮮明な点を表示することができない。
【００９２】
従って、この有機ＥＬ表示素子４では、色にじみ及び歪みの少ない点を鮮明に表示させることができるため、より高精細な画像表示が可能である。
【００９３】
発光領域３７０Ｗの発光輝度が他の発光領域３７０Ｒ、３７０Ｇ、及び３７０Ｂよりも大きい場合、言い換えれば画素３６０の中で最も輝度の大きい発光領域が発光領域３７０Ｗである場合は、重心Ｇ４から発光重心Ｇ５までの距離がより短くなり、一輝点の発光密度が高くなり、発光が集中して見えることになる。従って、色にじみの少ない点をより鮮明に表示させることができるため、さらに高精細な画像表示が可能である。
【００９４】
このことは、比較的近距離で表示画面を見ることの多い携帯情報機器において、画素単体がおおよそ判別できる近距離、あるいは画素解像度であっても、精細な表示を行うことができると言う効果がある。逆に個々の画素が判別できない程度の距離以上であれば、より鮮明な画像として視認することができる。
【００９５】
上記実施形態１〜４では、本発明に係る表示素子の例として有機ＥＬ表示素子を挙げて説明した。しかし、本発明に係る表示素子は、何らこれに限定されるものではなく、例えば、発光色が４色を超えて構成されても構わないし、液晶表示素子、無機ＥＬ表示素子、プラズマ表示素子、及びＬＥＤ表示素子等であってももちろん構わない。液晶表示素子である場合、発光領域とは各色のカラーフィルタを透過する領域のそれぞれをいい、ブラックマトリクスが設けられる構成においては、表示すべき状態に応じて電圧が印加される領域のうち、ブラックマトリクスの開口部に対応する領域のそれぞれをいう。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ表示素子１の構成を示す概略平面図である。
【図２】図１中ＩＩ−ＩＩで切断した有機ＥＬ表示素子１の概略断面図である。
【図３】図１中ＩＩＩ−ＩＩＩで切断した有機ＥＬ表示素子１の概略断面図である。
【図４】副画素回路９０の構成を示す回路図である。
【図５】副画素回路９０の各々に設けられた補助容量素子（Ｃｓ）１５の構成を示す概略平面図である。
【図６】有機ＥＬ表示素子１の発光領域の構成を説明するための平面図である。
【図７】発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂが略デルタ配列された場合の画素構成を示す概念図である。
【図８】発光領域７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂがストライプ配列された場合の画素構成を示す概念図である。
【図９】発光領域相互間の間隔Ｌ1の画素の一辺の長さＬgに対する比率（Ｌ1／Ｌｇ）と、Ｓ5、Ｓ6の画素面積（Ｌg2）に対する比率（Ｓ／Ｌg2）との関係を示すグラフである。
【図１０】発光領域７０が略デルタ配列された有機ＥＬ表示素子１で「Ｌ」を表示した状態を説明する概念図である。
【図１１】発光領域がデルタ配列された有機ＥＬ表示素子で「Ｌ」を表示した状態を説明する概念図である。
【図１２】実施形態２に係る有機ＥＬ表示素子２の画素１６０の構成を示す概略平面図である。
【図１３】有機ＥＬ表示素子２で「Ｌ」を表示した状態を説明する概念図である。
【図１４】実施形態３に係る有機ＥＬ表示素子３の画素２６０の構成を示す概略断面図である。
【図１５】実施形態４に係る有機ＥＬ表示素子４の画素３６０の構成を示す概略断面図である。
【図１６】有機ＥＬ表示素子４で「Ｌ」を表示した状態を説明する概念図である。
【図１７】有機ＥＬ表示素子４における発光領域３７０のそれぞれの重心の位置関係を表した概略正面図である。
【図１８】発光領域４７０Ｗの重心Ｇ１４が発光領域４７０Ｒの重心Ｇ１２と、発光領域４７０Ｇの重心Ｇ１３と、発光領域４７０Ｂの重心Ｇ１１とを結んだ三角形の外部に存在している場合の画素構成を示す概略正面図である。
【図１９】発光領域Ｒと、発光領域Ｇと、発光領域Ｂとが正デルタ配列された有機ＥＬ表示素子５の概略正面図である。
【図２０】有機ＥＬ表示素子５で縦線を表示した状態を説明する概念図である。
【符号の説明】
【００９７】
１、２、３、４      有機ＥＬ表示素子
１０      アクティブマトリクス基板
１１      ゲート信号線
１２      ソース信号線
１３      電流供給線
１４      ＴＦＴ
１５      補助容量素子
１５ａ    シリコン層
１５ａ    第１電極
１５ｂ    不純物ドープ領域
１５ｃ    第１電極
１５ｄ    コンタクト
１５ｅ    第２電極
１６      スルーホール
２０      副画素電極
３０      バンク
４０      有機層
４１      ホール輸送層
４２      ＥＬ発光層
４３      電子輸送層
５０      上部共通電極
６０、１６０、２６０、３６０      画素
７０、１７０、２７０、３７０、４７０      発光領域
９０      副画素回路
【図１】
2006120477.tif 000003
【図２】
2006120477.tif 000004
【図３】
2006120477.tif 000005
【図４】
2006120477.tif 000006
【図５】
2006120477.tif 000007
【図６】
2006120477.tif 000008
【図７】
2006120477.tif 000009
【図８】
2006120477.tif 000010
【図９】
2006120477.tif 000011
【図１０】
2006120477.tif 000012
【図１１】
2006120477.tif 000013
【図１２】
2006120477.tif 000014
【図１３】
2006120477.tif 000015
【図１４】
2006120477.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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