(57)【要約】【課題】  電子ビーム及び試料から放出される２次電子の通過経路となる中空孔の軸中心まわりの電界分布のばらつきを抑えることのできる電極リング及び電子顕微鏡を提供すること。【解決手段】  電子ビームの照射を受ける試料９に対向して配置される電極リング１であって、試料９と対向される一方の端面に第１電極６が形成され、他方の端面に第２電極２が形成された絶縁性筒体５と、電子ビームの通過経路となる中空孔３を有し、一方の端面を第１電極６に接続させ、他方の端面を第２電極２に接続させて絶縁性筒体５の内側に嵌め込まれた筒状の抵抗体４とを備える。【選択図】        図２
2006260999.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームの照射を受ける試料に対向して配置される電極リングであって、
前記試料と対向される一方の端面に第１電極が形成され、他方の端面に第２電極が形成された絶縁性筒体と、
前記電子ビームの通過経路となる中空孔を有し、一方の端面を前記第１電極に接続させ、他方の端面を前記第２電極に接続させて前記絶縁性筒体の内側に嵌め込まれた筒状の抵抗体と、
を備えることを特徴とする電極リング。
【請求項２】
前記抵抗体の前記両端面の間の部分に少なくとも１層のリング状の導電層が介在されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電極リング。
【請求項３】
前記抵抗体は、複数の筒体が間に前記導電層を介在させて軸方向に積層されてなり、
前記導電層は、前記複数の筒体における互いに合わされる端面にそれぞれ成膜された導電膜どうしが拡散接合されてなる
ことを特徴とする請求項２に記載の電極リング。
【請求項４】
電子ビームの照射を受ける試料に対向して配置される電極リングを有する電子顕微鏡であって、
前記電極リングは、
前記試料と対向される一方の端面に第１電極が形成され、他方の端面に第２電極が形成された絶縁性筒体と、
前記電子ビームの通過経路となる中空孔を有し、一方の端面を前記第１電極に接続させ、他方の端面を前記第２電極に接続させて前記絶縁性筒体の内側に嵌め込まれた筒状の抵抗体と、を備える
ことを特徴とする電子顕微鏡。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビームの照射を受ける試料に対向して配置される電極リング及びこの電極リングを有する電子顕微鏡に関し、詳しくは電子ビーム及び試料から放出される２次電子の通過経路を囲む部分の構造を工夫した電極リング及び電子顕微鏡に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高集積化、微細化が進んでおり、それに伴い、半導体デバイスの動作解析、故障解析の手段として従来の光学顕微鏡の分解能では観察が困難になってきている。そこで、光学方式に代わり走査型電子顕微鏡（SEM：Scanning Electron Microscope）による解析方法が有効な手段として採用されている。
【０００３】
走査型電子顕微鏡では、極めて細い電子ビームを用いるため凹凸の激しい試料表面であってもほぼ全面に焦点が合い、臨場感にあふれたミクロの世界が観察できる。走査型電子顕微鏡の分解能は電子ビームのスポット径によって決まるが、半導体デバイスの微細化に伴って分解能だけでなく、特にコンタクトホールなどのアスペクト比の大きな孔底の観察能力向上が要求されてきている。
【０００４】
従来より、図７に示すリターディング法により、電子ビームの照射源での加速電圧を高くして収差を小さくし分解能を向上させると共に、試料９に電源１１より負の電圧を印加してコンタクトホール１０の深い孔底などからの２次電子の放出軌跡ａ’を引き上げる工夫は行われている。
【０００５】
しかし、今後さらに半導体デバイスの微細化が進みコンタクトホールが高アスペクト比になると、上記リターディング法であっても孔底の観察は困難になってくると考えられる。放出される２次電子のエネルギーは非常に小さいので、アスペクト比の大きなコンタクトホールでは底部から放出されるほとんどの２次電子がコンタクトホールから出る前に側壁部に衝突してエネルギーを失ってしまい検出されなくなる。
【０００６】
そこで、特許文献１では、試料より放出される２次電子の引き上げ効率を高めるために、図８に示す電極リング５１を、図７における対物レンズ８と試料９との間に配置するようにしている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３２７３０３号公報
【０００８】
電極リング５１は絶縁性筒体５４の上下の端面にそれぞれ電極５２、５３を形成し、さらに中空孔５５の内面に抵抗膜を形成してなる。例えば電極５３を試料９に対向させ、電極５２を対物レンズ８側に向け、さらに照射電子ビーム及び放出２次電子の通過経路に中空孔５５を位置させて、対物レンズ８と試料９との間に配置される。
【０００９】
電極リング５１において試料９と対向する端面側に形成された電極５３には電源１１より負電圧が印加されて試料９と等電位とされるので、試料９とこれに対向する電極リング５１の下端面との間には、試料９から放出された２次電子の加速を妨げるような電界は発生していない。これにより、２次電子の放出軌跡を引き上げ、さらに、放出された２次電子は電極リング５１の中空孔５５を通り抜け、このとき両電極５２、５３間の電位差による加速を受け、図示しない２次電子検出器に印加された正の電位に引かれてその２次電子検出器に至る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
電子顕微鏡において対物レンズ８と試料９間の距離が大きくなると分解能の低下をまねくので、対物レンズ８と試料９間の距離は数ｍｍほどであり、よって対物レンズ８と試料９間に配置される電極リング５１もそれに応じてサイズが小さく、中空孔５５の内径は数ｍｍほどである。このような小径の中空孔５５内面に蒸着法やスパッタ法にて抵抗膜をむらなく均等に成膜するのは難しく、そのため中空孔５５内面における抵抗値の分布にばらつきが生じ、これにより中空孔５５における軸中心まわりの電界分布にばらつきが生じてしまい、電子ビームや２次電子の軌道を所望に制御するのが困難になってしまう。
【００１１】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、その目的とするところは、電子ビーム及び試料から放出される２次電子の通過経路となる中空孔の軸中心まわりの電界分布のばらつきを抑えることのできる電極リング及び電子顕微鏡を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は前記課題を解決するため以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の電極リングは、試料と対向される一方の端面に第１電極が形成され、他方の端面に第２電極が形成された絶縁性筒体と、電子ビームの通過経路となる中空孔を有し、一方の端面を第１電極に接続させ、他方の端面を第２電極に接続させて絶縁性筒体の内側に嵌め込まれた筒状の抵抗体とを備える。
【００１３】
また、本発明の電子顕微鏡は、試料と対向される一方の端面に第１電極が形成され、他方の端面に第２電極が形成された絶縁性筒体と、電子ビームの通過経路となる中空孔を有し、一方の端面を第１電極に接続させ、他方の端面を第２電極に接続させて絶縁性筒体の内側に嵌め込まれた筒状の抵抗体とを備える電極リングを有する。
【００１４】
電子ビームは抵抗体の中空孔を通って試料に対して照射される。このとき、中空孔内面には、第１、第２電極間の電位差により軸方向にゆるやかな電位分布が生じるため、中空孔を通過して試料に照射される電子ビームのレンズ収差を小さくすることができる。
【００１５】
試料に電子ビームが照射されると、その被照射部の表面から２次電子が放出される。ここで、電極リングにおいて試料と対向する端面側に形成された第１電極を試料と等電位とすることで、試料とこれに対向する電極リング端面との間には、試料から放出された２次電子の加速を妨げるような電界が存在しないことになり、２次電子の放出軌跡を引き上げることができる。
【００１６】
放出された２次電子は上記中空孔を通り抜け、このとき第１、第２電極間の電位差による加速を受け、且つ図示しない２次電子検出器に印加された正の電位に引かれてその２次電子検出器に至る。
【００１７】
そして、本発明では、絶縁性筒体の中空孔に筒状の抵抗体を嵌め込むことで、電子ビームや放出２次電子の通過経路が抵抗材で囲まれる構造としているため、絶縁性筒体の中空孔内面に抵抗膜を形成した従来例（特許文献１）で起こり得る抵抗膜の不均等形成による電界ばらつきが生じず、中空孔における軸中心まわりの電界分布を均等にでき、電子ビームや２次電子の所望の軌道制御を妨げない。
【００１８】
また、抵抗体の両端面の間の部分に少なくとも１層のリング状の導電層を介在させた構造とすれば、上記中空孔内面において導電層の部分では軸中心まわりに均等な電流が流れることになり、軸中心まわりに均等分布の電界が生じる。導電層のない部分で軸中心まわりに不均等な電流の流れが形成されても導電層の部分で軸中心まわりに均等にされるので、中空孔内面を軸方向に沿って流れる電流全体としてみれば軸中心まわりの電界ばらつきを抑えることになる。
【００１９】
また、上記導電層を介在させた抵抗体を、複数の筒体を間に導電層を介在させて軸方向に積層させ、それら複数の筒体における互いに合わされる端面にそれぞれ成膜された導電膜どうしを拡散接合させて上記導電層を構成すれば、各筒体と導電膜との密着性及び各導電膜間の密着性及び寸法精度を高めた信頼性の高い抵抗体とすることができる。さらに、接着材を使っていないため、接着材を使うことによる径年劣化や寸法精度悪化の心配もない。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、絶縁性筒体に嵌めこまれる筒状抵抗体の中空孔を電子ビームや２次電子の通過経路としているため、抵抗膜の成膜むらに起因して中空孔内面の抵抗値がばらつくといった問題が発生せず、中空孔における軸中心まわりの電界分布を均等にでき、電子ビームや２次電子の所望の軌道制御を妨げない。この結果、電子顕微鏡における試料の観測を良好に行える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を適用した具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００２２】
［第１の実施形態］
図１は本発明の第１の実施形態に係る電極リング１の一方の端面の平面図を示す。図２は図１における［Ａ］−［Ａ］線方向の断面図を示す。図３は電極リング１の他方の端面の平面図を示す。
【００２３】
電極リング１は、絶縁性筒体５とこの絶縁性筒体５の内側に嵌め込まれた筒状の抵抗体４と、一方の端面に形成された第１電極６と、他方の端面に形成された第２電極２を備える。
【００２４】
絶縁性筒体５は、厚さ方向（軸方向）を貫通して形成された中空孔１９を有する円筒状を呈する。中空孔１９及び絶縁性筒体５の軸中心は一致している。絶縁性筒体５は例えばアルミナなどのセラミック材料からなるが、これに限らず非磁性且つ絶縁性の材料を用いることができる。
【００２５】
抵抗体４も絶縁性筒体５と同様な円筒状を呈し、厚さ方向（軸方向）を貫通して形成された中空孔３を有する。中空孔３及び抵抗体４の軸中心は一致している。抵抗体４の厚さ（軸方向寸法）は絶縁性筒体５のそれと略等しく、抵抗体４の太さ（外径）は絶縁性筒体５の中空孔１９の内径と略等しいかわずかに小さい。抵抗体４の中空孔３の内径は絶縁性筒体５の中空孔１９の内径よりも小さい。
【００２６】
抵抗体４としては、軸方向における電位変化をゆるやかにするべく大きな抵抗値（例えば数ＧΩ〜数ＴΩ）を安定して得られるように、絶縁材料に導電性物質を混ぜたものを用いている。抵抗体４は、例えば、ジルコニアやアルミナを主成分とする粉末状のセラミック材料に粒子状のモリブデン等の導電性物質を均等に混ぜてから焼結して得た半導電性セラミック材料からなる。導電性物質の含有比率の調整により抵抗体４の抵抗値の調整を行える。
【００２７】
抵抗体４は絶縁性筒体５の中空孔１９に嵌め込まれている。抵抗体４は絶縁性筒体５の中空孔１９に圧入された状態となり、抵抗体４の外周面と、絶縁性筒体５の中空孔１９の内周面とは隙間なく密着している。抵抗体４の中空孔３及び絶縁性筒体５の中空孔１９は互いの軸中心を一致させている。なお、絶縁性筒体５、抵抗体４は円筒状に限らず角筒状であってもよい。
【００２８】
絶縁性筒体５の一方の端面（図２において下端面）と、抵抗体４の一方の端面（図２において下端面）とは面一とされて電極リング１の一方の端面（図２において下端面）を構成し、この端面には第１電極６が形成されている。第１電極６は、電極リング１の上記一方の端面の全面にスパッタ法や蒸着法で成膜された導電膜である。その導電膜は例えば銅やＴｉＮなどの金属材料からなる。その他、導体箔を上記一方の端面に貼り付けることで第１電極６を構成してもよい。
【００２９】
絶縁性筒体５の他方の端面（図２において上端面）と、抵抗体４の他方の端面（図２において上端面）とは面一とされて電極リング１の他方の端面（図２において上端面）を構成し、この端面には第２電極２が形成されている。第２電極２は、電極リング１の上記他方の端面の全面にスパッタ法や蒸着法で成膜された導電膜である。その導電膜は例えば銅やＴｉＮなどの金属材料からなる。その他、導体箔を上記他方の端面に貼り付けることで第２電極２を構成してもよい。
【００３０】
以上のように構成される電極リング１は電子顕微鏡の一構成部品として、図４に示すように、リング状の対物レンズ８と、試料９との間に配置される。対物レンズ８と試料９との間の間隙は例えば２〜３ｍｍほどであり、その間隙に、第１電極６を形成した端面を試料９に対向させ、第２電極２を形成した端面を対物レンズ８側に向けて、さらに中空孔３を、試料９へと照射される電子ビームの通過経路に位置させて電極リング１は配置される。第１電極膜６が形成された端面と試料９との間の間隙は数十μｍ〜数百μｍとされる。
【００３１】
対物レンズ８の上方には、図示しない複数段の集束レンズや電子銃などが配設されている。対物レンズ８は、集束レンズにより細く絞り込まれた電子ビームを試料９上に焦点を合わせて照射するためのレンズとして機能する。
【００３２】
試料９には電源１１より負電圧が印加され、対物レンズ８は接地される。電極リング１の第１電極６には電源１１より負電圧が印加され試料９と等電位にされる。電極リング１の第２電極２は接地される。
【００３３】
以上のように構成される本実施形態に係る電子顕微鏡を用いて、例えば半導体ウェーハなどの試料９に形成されたコンタクトホール１０を観察する場合について説明する。電子銃などの照射源から照射された電子ビームＥＢが、対物レンズ８及び電極リング１の抵抗体４の中空孔３を通過して試料９のコンタクトホール１０に照射されると、その被照射部の表面から２次電子が放出される。
【００３４】
ここで、試料９には負電圧が印加されているため、２次電子は試料９から反発するようにして放出される。このとき、電極リング１において試料９と対向する端面側に形成された第１電極６にも負電圧が印加されて試料９と等電位とされているので、試料９とこれに対向する電極リング１の下端面との間には、試料９から放出された２次電子の加速を妨げるような電界は発生していない。
【００３５】
これにより、２次電子の放出軌跡ａを、図７に示す従来構成（対物レンズ８と試料９との間に上記電極リング１を介在させない構成）に比べて引き上げることができる。この結果、コンタクトホール１０底部からの２次電子をコンタクトホール１０の側壁部に吸収されることなく放出させることができる。これは特に、半導体集積回路の微細化が進み高アスペクト比のコンタクトホールなどの底部を観察する場合に非常に有効となる。
【００３６】
放出された２次電子は電極リング１の中空孔３を通り抜け、このとき第１、第２電極６、２間の電位差による加速を受け、且つ図示しない２次電子検出器に印加された正の電位に引かれてその２次電子検出器表面に塗布された蛍光面に衝突して光に変換され、この光は光電子増倍管で増幅される。この信号はさらに増幅された後、表示装置に表示される。
【００３７】
また、抵抗体４の一方の端面には第１電極６が形成されてその端面は第１電極６と電気的に接続されており、他方の端面には第２電極２が形成されてその端面は第２電極２と電気的に接続されているため、抵抗体４の中空孔３内面には、第１電極６に近い位置に生じる電位（−Ｖｐ）をピークとして、第２電極２側に向けて徐々に電位が減少して電位０に近づく電位分布でもって電界が生じる。ここで、抵抗体４の抵抗値は非常に大きいため（例えば数ＧΩ〜数ＴΩ）、上記電位分布の変化はゆるやかになり、中空孔３内を通過する電子ビームや放出２次電子の軌道に悪影響を与えず、結果として電子顕微鏡におけるレンズ収差を小さくすることができる。
【００３８】
さらに、本実施形態では、絶縁性筒体５の中空孔１９に筒状の抵抗体４を嵌め込むことで、電子ビームや放出２次電子の通過経路が抵抗材で囲まれる構造としているため、絶縁性筒体の中空孔内面に抵抗膜を形成した場合（特許文献１）に起こり得る抵抗膜の不均等形成による電界ばらつきが生じず、中空孔３における軸中心まわりの電界分布を均等にでき、対物レンズ８等による電子ビームの所望の制御を行いやすくなる。
【００３９】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。なお、上記第１の実施形態と同じ構成部分には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
【００４０】
上述した抵抗体４としては、粉末状のセラミックに粒子状の導電性物質を混ぜ合わせて焼結したものを用いている。ここで、導電性物質が均等分布で混ざっていない場合には、抵抗の小さい部分（導電性物質が偏って存在している部分）に電流が流れやすく、中空孔３における軸中心まわりの電界分布が不均等になる可能性がある。特に、抵抗体４の抵抗値は数ＧΩ〜数ＴΩと非常に大きいこともあって、電流はより抵抗の小さい部分を流れやすい傾向が強く、少しの導電性物質の分布ばらつきでも中空孔３における電界不均等につながる可能性が高い。
【００４１】
そこで、第２の実施形態では、図５に示すように、抵抗体１７の両端面の間に、電流の流れを軸中心まわりに均等にする複数（この例では３層）のリング状の導電層１８ａ〜１８ｃを介在させている。各導電層１８ａ〜１８ｃ間のピッチ、および抵抗体１７の各端面と導電層１８ａ、１８ｃとの間の間隔は略等しい。各導電層１８ａ〜１８ｃの軸中心と中空孔３の軸中心とは一致している。
【００４２】
軸方向に沿った電流経路の途中に、導電層１８ａ〜１８ｃが中空孔３内面における他の部分よりも抵抗の小さい部分として存在し、また導電層１８ａ〜１８ｃは軸中心まわりにリング状に形成されているため、導電層１８ａ〜１８ｃでは周方向のどの位置でも同じように電流が流れる（周方向の位置の違いによる偏りがなく流れる）。したがって、中空孔３内面において導電層１８ａ〜１８ｃの部分では軸中心まわりに均等な電流が流れることになり、軸中心まわりに均等分布の電界が生じる。導電層１８ａ〜１８ｃのない部分で軸中心まわりに不均等な電流の流れが形成されても導電層１８ａ〜１８ｃの部分で軸中心まわりに均等にされるので、中空孔３内面を軸方向に沿って流れる電流全体としてみれば軸中心まわりの電界ばらつきを抑えることになる。
【００４３】
この本実施形態に係る抵抗体１７は、図６に示すように例えば４つの筒体１７ａ〜１７ｄを積層させて得られる。各筒体１７ａ〜１７ｄは、粉末状のセラミックに導電性物質を均等に混ぜて焼結したものであり、各筒体１７ａ〜１７ｄの厚さが互いに略等しくなるように端面を研削するなどして必要な寸法精度に加工されている。各筒体１７ａ〜１７ｄを積層して得られる抵抗体１７の厚さは絶縁性筒体５の厚さと略等しい。各筒体１７ａ〜１７ｄの外径は絶縁性筒体５の中空孔１９の内径と略等しいかわずかに小さい。各筒体１７ａ〜１７ｄの各中空孔の内径は互いに略等しく、且つ絶縁性筒体５の中空孔１９の内径よりも小さい。
【００４４】
筒体１７ａにおいて筒体１７ｂと合わせられる端面には導電膜２１ａが成膜されている。筒体１７ｂの両端面にはそれぞれ導電膜２１ｂ、２１ｃが成膜されている。筒体１７ｃの両端面にはそれぞれ導電膜２１ｄ、２１ｅが成膜されている。筒体１７ｄにおいて筒体１７ｃと合わせられる端面には導電膜２１ｆが成膜されている。各導電膜２１ａ〜２１ｆは、例えば蒸着法やスパッタ法で成膜される銅膜であるが、これに限らず導電性を有するものであればよい。各導電膜２１ａ〜２１ｆの厚さは数μｍほどである。
【００４５】
図６に示すように、各筒体１７ａ〜１７ｄの各中空孔に軸芯部材６０を通し、各中空孔を一致させて各筒体１７ａ〜１７ｄを重ね合わせて、真空炉の中で加熱し且つ軸方向に圧力を加えることにより各導電膜２１ａ〜２１ｆを拡散接合（金属表面の原子間に働く結合力による金属接合）させる。すなわち、導電膜２１ａと導電膜２１ｂとが拡散接合されることで導電層１８ａが得られ、導電膜２１ｃと導電膜２１ｄとが拡散接合されることで導電層１８ｂが得られ、導電膜２１ｅと導電膜２１ｆとが拡散接合されることで導電層１８ｃが得られる。
【００４６】
このような積層構造により、セラミック材料からなる各筒体１７ａ〜１７ｄと導電膜２１ａ〜２１ｆとの密着性及び各導電膜２１ａ〜２１ｆどうしの密着性を高めた信頼性の高い抵抗体１７とすることができる。さらに、接着材を使っていないため、接着材を使うことによる径年劣化や寸法精度悪化の心配もない。
【００４７】
以上のようにして得られる抵抗体１７は、図５に示すように、絶縁性筒体５の中空孔１９に嵌め込まれる。絶縁性筒体５の一方の端面（図５において下端面）と、抵抗体１７の一方の端面（図５において下端面）とは面一とされて第２の実施形態に係る電極リング３１の一方の端面（図５において下端面）を構成し、この端面には第１の実施形態と同様に第１電極６が形成される。絶縁性筒体５の他方の端面（図５において上端面）と、抵抗体１７の他方の端面（図５において上端面）とは面一とされて電極リング３１の他方の端面（図５において上端面）を構成し、この端面には第１の実施形態と同様に第２電極２が形成される。
【００４８】
上記例では各筒体１７ａ〜１７ｄの互いの合わせ面にそれぞれ導電膜２１ａ〜２１ｆを成膜してから各導電膜２１ａ〜２１ｆどうしの拡散接合を利用して抵抗体１７を得たが、例えば、導体箔を接着材を介して各筒体１７ａ〜１７ｄ間に挟み込んで積層させるようにしてもよい。
【００４９】
また、導電層の層数は３層に限らず、１層や２層、４層以上であってもよい。また、電流が流れやすくなる部分が軸方向に関して均等配置となるように、各導電層は軸方向に関して等ピッチで配置することが好ましい。１層の場合は抵抗体１７の厚さ方向（軸方向）の略半分位置に配置することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電極リングの一方の端面側から見た平面図である。
【図２】図１における［Ａ］−［Ａ］線方向の断面図である。
【図３】同電極リングの他方の端面側から見た平面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る電子顕微鏡の要部を模式的に示した拡大断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る電極リングの断面図である。
【図６】図５に示す抵抗体の拡大分解断面図である。
【図７】従来例の電子顕微鏡の要部を模式的に示した拡大断面図である。
【図８】他従来例の電子顕微鏡の要部を模式的に示した拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１…電極リング、２…第２電極、３…中空孔、４…抵抗体、５…絶縁性筒体、６…第１電極、８…対物レンズ、９…試料、１０…コンタクトホール、１７…抵抗体、１８ａ〜１８ｃ…導電層、２１ａ〜２１ｆ…導電膜、３１…電極リング。
【図１】
2006260999.tif 000003
【図２】
2006260999.tif 000004
【図３】
2006260999.tif 000005
【図４】
2006260999.tif 000006
【図５】
2006260999.tif 000007
【図６】
2006260999.tif 000008
【図７】
2006260999.tif 000009
【図８】
2006260999.tif 000010