(57)【要約】【課題】この発明は、低抵抗層の分断された領域間における抵抗値を所望する値に安定させることができる表示装置、および表示装置の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】前面基板２の内面にＸ方向に延びた複数本のリブ層２１およびＹ方向に延びた複数本の凸凹層２２を形成し、これら分断構造２１、２２を介してメタルバックおよびゲッタ層を成膜する。これにより、各蛍光体画素Ｒ、Ｇ、Ｂに対応した領域に重ねて、電気的に分断した低抵抗層を安定して形成できる。【選択図】      図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側に多数の蛍光体層および低抵抗層を有する前面基板と内側に多数の電子放出素子を有する背面基板を所定の間隔で向かい合わせて内部を真空雰囲気にし、上記蛍光体層および低抵抗層を上記電子放出素子より高い電位にした表示装置において、
上記低抵抗層は、上記前面基板の厚さ方向に突出した細長いリブ層と表面が凸凹の細長い凸凹層により複数の島状の領域に電気的に分断されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
上記低抵抗層は、メタルバックおよびゲッタ層のうち少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
上記多数の蛍光体層はマトリックス状に整列配置され、その配列間隔の狭い方に上記リブ層を設け、広い方に上記凸凹層を設けたことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
上記リブ層の突出高さは、１０［μｍ］以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
上記リブ層の側面は、上記前面基板に対して４５度以上の角度で立ち上がっていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
上記リブ層および凸凹層は、互いに重なる部位を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
上記リブ層は、上記凸凹層と交差する部位で分割されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
上記凸凹層は、上記リブ層と交差する部位で分割されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
上記凸凹層の上記前面基板側には、上記メタルバックを化学的に変質させるための変質層が設けられていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の表示装置。
【請求項１０】
上記凸凹層は、上記変質層によって変質されたメタルバックの部位に重ねて形成されていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
内側に多数の蛍光体層および低抵抗層を有する前面基板と内側に多数の電子放出素子を有する背面基板を所定の間隔で向かい合わせて内部を真空雰囲気にし、上記蛍光体層および低抵抗層を上記電子放出素子より高い電位にした表示装置の製造方法において、
上記前面基板の内側にその厚さ方向に突出した細長いリブ層とこのリブ層に交差する方向に延びた細長い凸凹層を形成する分断層形成工程と、
上記リブ層および凸凹層を介して上記前面基板の内側に上記低抵抗層を成膜して該低抵抗層を上記リブ層および凸凹層により複数の島状の領域に電気的に分断する成膜工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
上記分断層形成工程では、上記リブ層をフォトリソグラフィー法により形成することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
上記分断層形成工程では、上記リブ層をサンドブラスト法により形成することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
上記低抵抗層は、メタルバックとゲッタ層を含み、
上記分断層形成工程において上記凸凹層を形成する前に該凸凹層を形成する位置に上記メタルバックを変質させる変質層を形成し、その後、上記リブ層および変質層を介して上記メタルバックを成膜し、上記変質層の部位で上記メタルバックを変質させ、この変質されたメタルバックの部位に重ねて上記凸凹層を形成し、この後、この凸凹層および上記リブ層を介して上記ゲッタ層を成膜することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば、背面基板に設けた電子放出素子から電子を放出させて前面基板に設けた蛍光体層を励起発光させることにより画像を表示する表示装置、およびこの表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、偏平な平面パネル構造の真空外囲器を有する表示装置として、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）や、表面伝導型の電子放出素子を備えた表示装置（ＳＥＤ）等が知られている。
【０００３】
ＦＥＤやＳＥＤでは、スペーサを介して所定の間隔を置いて対向配置された前面基板および背面基板を矩形枠状の側壁で周縁部を互いに接合し、内部を真空にした真空外囲器を有している。
【０００４】
前面基板の内面には３色の蛍光体層とこれを覆うメタルバックが形成され、背面基板の内面には蛍光体層を励起発光させる電子放出源として蛍光体層の画素毎に対応した多数の電子放出素子が配置されている。また、真空外囲器内部の高真空を維持するため、前面基板の内面にゲッタ層が形成される。
【０００５】
蛍光体層には、電子放出素子より数ｋＶ高い電圧が印加されており、個々の電子放出素子から放出された電子ビームはこの電界によって加速される。そして、この加速された電子ビームが対応する蛍光体層に照射され、蛍光体を励起発光させてカラー画像を表示する。
【０００６】
このように、電子ビームを加速するための高電圧を近接した前面基板と背面基板の間に印加すると、しばしば放電の問題を生じる。放電を生じると、放電箇所を通じて多大な電流が流れるため、同箇所での電子放出素子にダメージが発生する問題があった。
【０００７】
これに対して、前面基板の蛍光体層を覆うメタルバックを電気的に小さい領域に分断して、分断領域間を高抵抗とすることで放電発生時に流れる電流を制限し、放電ダメージを緩和する技術が知られている（例えば、特許文献１および特許文献２参照。）。メタルバックを分断する方法として、化学的にメタルバックを変質させたり、レーザでメタルバックを部分的に蒸発させたりする方法が考えられる。
【０００８】
しかし、このような従来の方法でメタルバックを複数の小さな領域に分断した場合、隣接する領域間の抵抗値が不安定となり、輝度ムラの原因となったり、領域間における放電を誘発したりする問題があった。また、上述した分断方法では、領域間の抵抗値を所望する値にコントロールすることは極めて困難であり、メタルバックの電気的特性が不安定であった。
【特許文献１】特開平１０−３２６５８３号公報
【特許文献２】特開２０００−３１１６４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
この発明の目的は、低抵抗層の分断された領域間における抵抗値を所望する値に安定させることができる表示装置、および表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、この発明の表示装置は、内側に多数の蛍光体層および低抵抗層を有する前面基板と内側に多数の電子放出素子を有する背面基板を所定の間隔で向かい合わせて内部を真空雰囲気にし、上記蛍光体層および低抵抗層を上記電子放出素子より高い電位にした表示装置において、上記低抵抗層は、上記前面基板の厚さ方向に突出した細長いリブ層と表面が凸凹の細長い凸凹層により複数の島状の領域に電気的に分断されていることを特徴とする。
【００１１】
また、この発明の表示装置の製造方法は、内側に多数の蛍光体層および低抵抗層を有する前面基板と内側に多数の電子放出素子を有する背面基板を所定の間隔で向かい合わせて内部を真空雰囲気にし、上記蛍光体層および低抵抗層を上記電子放出素子より高い電位にした表示装置の製造方法において、上記前面基板の内側にその厚さ方向に突出した細長いリブ層とこのリブ層に交差する方向に延びた細長い凸凹層を形成する分断層形成工程と、上記リブ層および凸凹層を介して上記前面基板の内側に上記低抵抗層を成膜して該低抵抗層を上記リブ層および凸凹層により複数の島状の領域に電気的に分断する成膜工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
上記発明によると、低抵抗層を複数の島状の領域に電気的に分断するためのリブ層および凸凹層を前面基板の内側に設け、これらリブ層および凸凹層を介して低抵抗層を成膜し、低抵抗層を複数の島状の領域に分断した。
【発明の効果】
【００１３】
この発明の表示装置は、上記のような構成および作用を有しているので、低抵抗層の分断された領域間における抵抗値を所望する値に安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態について詳細に説明する。始めに、本発明の実施の形態に係る表示装置の一例として、ＳＥＤについて説明する。
【００１５】
図１ないし図３に示すように、ＳＥＤ１は、それぞれ矩形状の１〜２ｍｍのガラス板からなる前面基板２および背面基板４を備え、これらの基板はスペーサ８を介して約１．０〜２．０ｍｍの隙間をおいて対向配置されている。そして、前面基板２および背面基板４は、周囲を矩形枠状の側壁６を介して接合され、内部が真空の真空外囲器１０を構成している。
【００１６】
前面基板２の内面には画像を表示する蛍光体スクリーン１２が形成されている。この蛍光体スクリーン１２は、赤、青、緑の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および遮光層１１をマトリックス状に並べ、蛍光体層をメタルバック１４（低抵抗層）で覆う構成としている。各蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは、略矩形のドット状に形成され、メタルバック１４はアルミニウム等の金属薄膜から形成されている。
【００１７】
背面基板４の内面には、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起発光させるための電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１６が設けられている。これらの電子放出素子１６は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列され、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、背面基板４の内面上には、各電子放出素子１６に駆動電圧を与えるための多数本の配線１８がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器１０の外部に引き出されている。
【００１８】
なお、これら前面基板２と背面基板４は、真空雰囲気中で脱ガス焼成後に周縁部同士を封着されて真空外囲器１０を形成するが、封着に先立ち真空雰囲気中で前面基板２の内面全域に後述するゲッタ層３０（低抵抗層）を成膜し、パネル化後の高真空を維持できるようにしている。
【００１９】
上記ＳＥＤ１において、画像を表示する場合、配線１８を介して電子放出素子１６の素子電極間に電圧を与え、任意の電子放出素子１６の電子放出部から電子ビームを放出するとともに、蛍光体スクリーン１２に印加したアノード電圧により電子ビームを加速して蛍光体スクリーン１２に照射する。これにより、所望の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂが励起発光し、画像を表示する。
【００２０】
ここで、上述したメタルバック１４のソフトフラッシュ構造について、図４を参照して説明する。図４には、メタルバック１４を蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ（画素）毎に複数の島状の領域１４ａに分断した構造を示してある。なお、ここでは、図示を明瞭化するため、各領域１４ａや画素Ｒ、Ｇ、Ｂの基板２に対する大きさは実際の比率とは異なる。また、図４では各画素をそれぞれ覆う島状の領域１４ａにメタルバック１４を分断した例を示したが、複数個の画素を覆う複数の領域にメタルバック１４を分断しても良い。いずれにしても、本実施の形態では、メタルバック１４が複数の小さい領域１４ａに分断され、これら複数の領域１４ａが高抵抗部材１４ｂで接続された構成となっている。
【００２１】
各領域１４ａ間の高抵抗部材１４ｂの抵抗は高いほうが放電電流を抑制できるが、一方で画像表示用の電子ビーム電流によるアノード電圧降下を生じてしまう。高抵抗部材１４ｂの最適抵抗値については、放電電流抑制効果が分断の構成や分断間の耐圧特性にもよるため一律に言及することはできないが、概ね１ｋΩ〜１０ＭΩの値である。
【００２２】
メタルバック１４をこのようなソフトフラッシュ構造とすることにより、放電が生じてもメタルバック１４が小さな領域１４ａに分断されているため、放電電流を制限して放電によるダメージを抑制することができる。なお、この場合、メタルバック１４の分断間で導通しないように、メタルバック１４に重ねて成膜されるゲッタ層３０も複数の小さな領域に分断する必要がある。
【００２３】
次に、本発明の第１の実施の形態に係る低抵抗層としてメタルバック１４およびゲッタ層３０の成膜方法について、図５乃至図１０を参照して説明する。なお、各図において、（ａ）は前面基板２の内面を部分的に拡大した概略平面図を示してあり、（ｂ）は前面基板２の部分的な斜視図を示してある。また、ここでは、図中Ｘ方向に延びた複数本の細長いリブ層２１（後述する）、および図中Ｙ方向に延びた複数本の細長い凸凹層２２（後述する）によって、メタルバック１４（およびゲッタ層３０）を色画素毎に複数の島状の領域１４ａに分断する方法について説明する。以下、メタルバック１４の製造方法について代表して説明する。
【００２４】
まず、図５に示すように、前面基板２の内面に遮光層１１を形成し、遮光層１１に重ねて高抵抗層２３を形成する。この高抵抗層２３は、上述した高抵抗部材１４ｂとして機能し、後述するようにメタルバック１４を複数の島状の領域１４ａに分断した後、各領域１４ａ間の抵抗を制御するために設けられる。
【００２５】
遮光層１１は、厚さ約２［μｍ］であり、蛍光体層の各色画素領域Ｒ、Ｇ、Ｂをそれぞれ規定する複数の矩形の開口１１ａをマトリックス状に有する。本実施の形態では、図中Ｙ方向に並んだ色画素領域の配列間隔が比較的狭く（約５０［μｍ］）設定され、図中Ｘ方向に並んだ色画素領域の配列間隔が比較的広く（約３００［μｍ］）設定されている。複数の開口１１ａは、例えば、フォトリソグラフィー法により、所定のマスクパターンを用いて形成される。遮光層１１は、抵抗率が、高抵抗層２３の抵抗率よりも１ケタ以上高い材料により形成されている。
【００２６】
高抵抗層２３は、厚さ約１０［μｍ］であり、抵抗率１０［Ωｍ］（分断メタルバック間抵抗０．０５〜０．５［ＭΩ］）の遮光層１１と略同じマスクパターンを用いたフォトリソグラフィー法により形成されている。つまり、高抵抗層２３も、遮光層２２の開口１１ａと重なる複数の開口２３ａを有する。
【００２７】
次に、図６に示すように、上述した複数の開口１１ａ、２３ａそれぞれに蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを形成する。蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは、印刷法によりそれぞれ約１０［μｍ］の厚さで対応する開口１１ａ、２３ａに形成される。つまり、各蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは、高抵抗層２３と概ね同じ高さに形成される。
【００２８】
そして、図７に示すように、図中Ｙ方向に隣接する蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂの間の比較的狭い配列間隔にある高抵抗層２３上に、複数本の細長いリブ層２１を形成する。本実施の形態では、各リブ層２１をフォトリソグラフィー法により形成したが、各リブ層２１をサンドブラスト法により形成することもできる。フォトリソグラフィー法を用いることで、比較的狭い領域にリブ層２１を形成できる。
【００２９】
各リブ層２１は、それぞれ、図中Ｘ方向に延び、且つ比較的広い方の配列間で分割され、前面基板２から離れる方向に厚さを有する。リブ層２１は、厚さ約２０［μｍ］で、抵抗率が高抵抗層２３の抵抗率よりも１ケタ以上高い材料により形成されている。本実施の形態では、リブ層２１の幅は、約５０［μｍ］に設定され、側面の基板２に対する立ち上り角度は図８に示すようにオーバーハングした形状であり、後述するメタルバック１４の成膜時に側面で分断できるようになっている。
【００３０】
さらに、図９に示すように、比較的広い配列間隔にある高抵抗層２３の上に、上述した複数本のリブ層２１と交差する方向（図中Ｙ方向）に延びた複数本の細長い凸凹層２２を形成する。本実施の形態では、各凸凹層２２を印刷法により形成し、リブ層２１の分割された部位を概ねつなぐように形成した。
【００３１】
各凸凹層２２は、厚さ約１０［μｍ］で、抵抗率が高抵抗層２３の抵抗率よりも１ケタ以上高い材料により形成されている。本実施の形態では、凸凹層２２の幅は、約３００［μｍ］に設定した。より詳細には、凸凹層２２は、図１０に示すように、０．１〜１０［μｍ］程度の粒子２５をフリットガラスで結合させたものである。
【００３２】
上述した凸凹層２２は、印刷法により比較的安価に形成されるため、その位置精度は５０［μｍ］程度のズレを有する。反面、リブ層２１は、フォトリソグラフィー法により形成されるため、その位置精度が５［μｍ］程度のズレを有し、比較的高い位置精度で形成できる。このため、本実施の形態では、リブ層２１を形成した後に凸凹層２２を形成し、凸凹層２２のペーストがリブ層２１の壁面部で堰止められるようにして隙間なく高精度にパターン形成している。また、リブ層２１を比較的狭い領域に形成し凸凹層２２を比較的広い領域に形成したが、将来的に印刷精度が高まった場合、リブ層２１と凸凹層２２を逆にしても良い。
【００３３】
また、上述した実施の形態では、リブ層２１を分割してその分割部位を通る凸凹層２２を形成したが、リブ層２１を分割しないで凸凹層２２をリブ層２１に部分的に重ねて交差させるようにしても良い。さらに、上述した実施の形態では、リブ層２１を形成した後に凸凹層２２を形成したが、凸凹層２２を形成した後にリブ層２１を形成しても良い。この場合、凸凹層２２を分割してこの分割部位をリブ層２１が通るようにしても良い。
【００３４】
以上のようにメタルバック１４の分断層２１、２２を前面基板２の内面に形成した後、前面基板２を焼成して余分な成分を飛ばすとともに硬化させる。このとき、各構造において、１〜２割程度の収縮があるが、上述の数値は焼成後の形状寸法を記載している。
【００３５】
そして、上述した分断層２１、２２を介して、前面基板２の内面にメタルバック１４を成膜する。メタルバック１４は、前面基板２全体に図示しない平滑樹脂膜を塗布した後、ＡＬを蒸着し、焼成して余分な成分を飛ばして成膜する。なお、この後、ゲッタ層３０は、パネル化工程の真空雰囲気内で、上述した分断層２１、２２を介して、メタルバック１４の上に直接成膜する。両者を合わせた厚さは概ね１００［ｎｍ］程度である。
【００３６】
このようにメタルバック１４およびゲッタ層３０（低抵抗層）を成膜すると、リブ層２１の側面でメタルバック１４およびゲッタ層３０が分断され、凸凹層２２の表面の凸凹形状によりメタルバック１４およびゲッタ層３０が分断されるため、結果的にメタルバック１４およびゲッタ層３０は島状の複数の領域１４ａ、３０ａに分断された構成となる。これにより、リブ層２１、および凸凹層２２のいずれにおいてもメタルバック１４およびゲッタ層３０は分断され、従来のような線状の分断構造に対して放電電流を１ケタ程度抑制改善することができた。
【００３７】
なお、リブ層２１の側面は分断のためにオーバーハング形状としたが、オーバーハング形状でなくても傾斜角度が大きければリブ表面の凸凹形態も利用すればメタルバック１４やゲッタ層３０を分断することができる。この場合、前面基板２に対する側面の立ち上がり角度は４５度以上が望ましい。
【００３８】
以上のように、本実施の形態によると、メタルバック１４およびゲッタ層３０を複数の島状の領域１４ａ、３０ａに確実且つ容易に分断でき、各領域１４ａ、３０ａ間の抵抗値を略設計値通りにできる。このため、メタルバック１４およびゲッタ層３０の電気的特性を安定させることができ、放電によるダメージを抑制でき、輝度ムラを防止でき、信頼性の高い表示装置を提供できる。
【００３９】
また、本実施の形態によると、リブ層２１を高精細パターニングに有利なフォトリソグラフィー法により形成し、且つ凸凹層２２を比較的安価な印刷法により形成したため、メタルバック１４およびゲッタ層３０のソフトフラッシュ構造を実現する上で、量産性に優れ、ＳＥＤの製造コストを低減できる。
【００４０】
次に、この発明の第２の実施の形態に係るメタルバック１４およびゲッタ層３０の分断構造および分断方法について、図１１および図１２を参照して説明する。本実施の形態では、上述した凸凹層２２の前面基板２側にメタルバック１４を変質させるための変質層４０を設けたことを特徴としている。よって、ここでは、上述した第１の実施の形態と同様に機能する構成要素には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００４１】
本実施の形態では、上述した第１の実施の形態のリブ層２１を図７に示すように比較的狭い配列間隔にある高抵抗層２３の上に形成した後、図１１に示すように、リブ層２１の分割部位を通るように高抵抗層２３上の比較的広い領域に変質層４０を形成した。本実施の形態では、変質層４０を、例えば、リン酸アンモニウムを用いた印刷法により、幅約３００［μｍ］で形成した。
【００４２】
この後、リブ層２１および変質層４０を介して前面基板２の全域にメタルバック１４を成膜し、焼成により変質層４０の部位でメタルバック１４を酸化させて変質させ、メタルバック１４を複数の島状の領域１４ａに電気的に分断した。つまり、このとき、メタルバック１４は、リブ層２１の側面により物理的に分断され、変質層４０に重なる部位で化学的且つ電気的に分断される。
【００４３】
さらにこの後、図１２に示すように、変質層４０に重なる部位で変質されたメタルバックの部位に重ねて上述した凸凹層２２を形成する。そして、第１の実施の形態と同様に、リブ層２１および凸凹層２２を介してゲッタ層３０を成膜する。これにより、ゲッタ層３０も、複数の島状の領域に分断される。
【００４４】
以上のように、本実施の形態においても、上述した第１の実施の形態と同様に、メタルバック１４およびゲッタ層３０を複数の島状の領域に確実に分断でき、放電電流も十分に抑制できる。その上、本実施の形態によると、膜厚が５０［ｎｍ］を超える比較的厚いメタルバック１４を成膜する際に、メタルバック１４をより確実に分断できる。つまり、凸凹層２２を形成する前に変質層４０を形成し、この変質層４０によりメタルバック１４を予め電気的に分断するようにしたため、比較的膜厚の厚いメタルバック１４を形成した場合であっても所望する部位で確実に分断できる。
【００４５】
なお、この発明は、上述した実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上述した実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、上述した実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても良い。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせても良い。
【００４６】
例えば、上述した実施の形態では、低抵抗層としてメタルバック１４およびゲッタ層３０を複数の島状の領域に分断した場合について説明したが、メタルバック１４およびゲッタ層３０は少なくとも一方で良く、必ずしも両方ある必要はない。例えば、スパッタイオンポンプ等の他の手段によって真空外囲器１０内の真空度を所望する値に維持できるような場合には、ゲッタ層３０は必須の構成ではない。また、ゲッタ層３０にメタルバック１４の機能を持たせてアノード電極として機能させるとともに蛍光の反射部材として機能させることができれば、メタルバック１４は必須の構成ではない。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】この発明の実施の形態に係るＳＥＤの真空外囲器を示す外観斜視図。
【図２】図１の真空外囲器を線II−IIに沿って切断した断面斜視図。
【図３】図２の断面を部分的に拡大して示す部分拡大断面図。
【図４】前面基板内面の蛍光体スクリーンのメタルバックを島状に分断したソフトフラッシュ構造について説明するための模式図。
【図５】この発明の第１の実施の形態に係る低抵抗層の分断構造を製造するプロセスを説明するための部分拡大平面図（ａ）、および部分拡大斜視図（ｂ）。
【図６】この発明の第１の実施の形態に係る低抵抗層の分断構造を製造するプロセスを説明するための部分拡大平面図（ａ）、および部分拡大斜視図（ｂ）。
【図７】この発明の第１の実施の形態に係る低抵抗層の分断構造を製造するプロセスを説明するための部分拡大平面図（ａ）、および部分拡大斜視図（ｂ）。
【図８】図７のリブ層を部分的に拡大して示す部分拡大断面図。
【図９】この発明の第１の実施の形態に係る低抵抗層の分断構造を製造するプロセスを説明するための部分拡大平面図（ａ）、および部分拡大斜視図（ｂ）。
【図１０】図９の凸凹層を部分的に拡大して示す部分拡大断面図。
【図１１】この発明の第２の実施の形態に係る低抵抗層の分断構造を製造するプロセスを説明するための部分拡大平面図（ａ）、および部分拡大斜視図（ｂ）。
【図１２】この発明の第２の実施の形態に係る低抵抗層の分断構造を製造するプロセスを説明するための部分拡大平面図（ａ）、および部分拡大斜視図（ｂ）。
【符号の説明】
【００４８】
１…ＳＥＤ、２…前面基板、４…背面基板、６…側壁、８…スペーサ、１０…真空外囲器、１２…蛍光体スクリーン、１４…メタルバック、１４ａ…領域、１４ｂ…高抵抗部材、１６…電子放出素子、１８…配線、２１…リブ層、２２…凸凹層、２３…高抵抗層、２５…粒子、３０…ゲッタ層、４０…変質層、Ｒ、Ｇ、Ｂ…蛍光体層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2006120422.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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