(57)【要約】【課題】電子線描画装置等の荷電粒子線描画装置に与える描画データを作成する方法に関し、コントラストの悪化が許容値以下の露光パターンのコントラストを向上させることにより、描画領域全体のプロセスマージンを大きくし、生産性の向上を図る。【解決手段】設計データを描画データに変換し（Ｐ１）、この描画データについて近接効果補正を行い（Ｐ２）、近接効果補正後の描画データ内の蓄積エネルギープロファイルのコントラストの悪化が許容値以下の露光パターンのデータに、この露光パターンの幅が縮小するように、マージン内での寸法シフトを発生させる処理を行う（Ｐ３）。そして、最初のデータシフト発生処理後の描画データ、又は、最初のデータシフト発生処理後、近接効果補正（Ｐ２）及びデータシフト発生処理（Ｐ３）を何度か行った後の描画データを電子線描画装置に与える最終描画データとする。【選択図】          図２
2006120682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線描画装置に与える描画データを作成する描画データ作成方法であって、
作成パターンの設計データを描画データに変換する第１工程と、
該第１工程で得られる描画データを近接効果補正する第２工程と、
該第２工程で得られる描画データ内のコントラストの悪化が許容値以下の露光パターンのデータに寸法シフトを発生させる第３工程を有する
ことを特徴とする描画データ作成方法。
【請求項２】
前記第３工程では、着目している露光パターンの寸法及び該着目している露光パターンが存在する領域の露光パターン面積密度がそれぞれ一定値以上である場合に、該着目している露光パターンを前記コントラストの悪化が許容値以下の露光パターンとする
ことを特徴とする請求項１記載の描画データ作成方法。
【請求項３】
前記第３工程では、着目している露光パターンの寸法及び該着目している露光パターンが存在する領域の露光パターン面積密度がそれぞれ一定値以上、かつ、該着目している露光パターンと隣の露光パターンとの間の距離が一定値以下である場合に、該着目している露光パターンを前記コントラストの悪化が許容値以下の露光パターンとする
ことを特徴とする請求項１記載の描画データ作成方法。
【請求項４】
前記第３工程では、着目している露光パターンの寸法を決定した蓄積エネルギープロファイル部分の傾きが一定値以下である場合に、該着目している露光パターンを前記コントラストの悪化が許容値以下の露光パターンとする
ことを特徴とする請求項１記載の描画データ作成方法。
【請求項５】
荷電粒子線描画装置に与える描画データを作成する描画データ作成プログラムであって、
作成パターンの設計データを描画データに変換する第１工程と、
該第１工程で得られる描画データを近接効果補正する第２工程と、
該第２工程で得られる描画データ内のコントラストの悪化が許容値以下の露光パターンのデータに寸法シフトを発生させる第３工程を
コンピュータに実行させることを特徴とする描画データ作成プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子線描画装置（電子ビーム露光装置）等の荷電粒子線描画装置（荷電粒子ビーム露光装置）に与える描画データを作成する描画データ作成方法及び描画データ作成プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は半導体素子を製造する場合に使用する電子線描画装置に与える描画データを作成する従来の描画データ作成方法の一例を示す流れ図である。この描画データ作成方法は、半導体素子パターンの設計データを描画データに変換し（ステップＳ１）、この描画データについて近接効果補正を行うことにより（ステップＳ２）、電子線描画装置に与える最終描画データを作成するというものである。
【０００３】
ステップＳ２の近接効果補正は、電子線描画装置による電子線描画時に発生する電子散乱による近接効果によりレジストパターンの寸法リニアリティやパターン形状が劣化することから行われるものであり（例えば、特許文献１参照）、補正方法としては、電子線による蓄積エネルギー分布として数１に示すダブルガウシアン近似式を用いた補正方法が一般的である。
【０００４】
【数１】
2006120682.tif 000003
【０００５】
ここで、ｒは電子線入射点からのレジスト面上の距離、ηは後方散乱比率、βfは前方散乱長、βbは後方散乱長であり、これらの値はレジストプロセス、基板等により決定される。また、右辺の第１項はレジストに入射した電子線が直接レジストに作用する前方散乱分を表し、第２項はレジストを通過した電子線が基板に入射、散乱した後、再びレジストに戻ってきて作用する後方散乱分を表している。
【０００６】
実際のパターンの蓄積エネルギープロファイルは、数１に示すダブルガウシアン近似式をパターンエリア内で積分することにより得られる誤差関数で表されるが、近年用いられている加速電圧が５０ｋＶあるいはそれ以上であるような電子線描画装置の場合には、前方散乱長が１００ｎｍ程度なのに対して、後方散乱長は十数μｍのオーダーであるため、前方散乱が、電子線が入射した露光パターン自体にエネルギーを与えるのに対して、後方散乱は、電子線が入射した露光パターン自体のみならず、周りの露光パターンにも影響を与えることになる。
【０００７】
一般に、前方散乱による影響は狭く急峻であり、後方散乱は広くなだらかに広がることになるため、前方散乱によりパターンが形成され、後方散乱は全体のエネルギーを持ち上げるバックグラウンド量であるとして取り扱うことが可能である。このバックグラウンド量は、着目している露光パターンの周りの露光パターンの面積密度とその影響量である後方散乱比率ηで決まるものである。そこで、着目している露光パターンの周辺の面積密度をもとに着目している露光パターンに与える露光量を調整することにより、近接効果補正を行うことが可能である。
【０００８】
図７は一般的な露光量補正による近接効果補正を説明するための図である。図７（Ａ）はレジスタ面上の或る一方向上の露光パターン例を示し、“１”は露光パターン部、“０”は露光パターン無しの部分を示している。また、１０は周辺部分に露光パターンが存在しない孤立した露光パターン、１１は露光パターンの面積密度が高い部分の露光パターン、Ｗ０は露光パターン１０、１１の幅を示している。
【０００９】
図７（Ｂ）は近接効果補正により露光量を調整した後に図７（Ａ）に示す露光パターン１０、１１を電子線で露光した場合の蓄積エネルギープロファイルを示している。Ｄ０は露光パターン１０に与えるドーズ量、Ｄ０´は露光パターン１１に与えるドーズ量、αηＤ０´は電子線の蓄積エネルギー量の後方散乱寄与分（但し、αは露光パターン１１が存在する領域の露光パターン面積密度）であり、Ｅthは実際にレジストパターン幅を出現させる蓄積エネルギー量を示している。
【００１０】
ここで、例えば、蓄積エネルギープロファイルの半値幅でレジストパターン幅が決まる場合には、露光パターン１０、１１の蓄積エネルギープロファイルの半値部分の幅が同じ幅となるように露光パターン１０に対する露光量を補正する必要がある。このためには、（１／２＋αη）Ｄ０´＝（１／２）Ｄ０の関係を満たす必要がある。即ち、露光パターンの面積密度によらず、一定の寸法が得られるドーズ量は、露光パターンの面積密度αの関数として、Ｄ（α）＝Ｄ０／（１＋２αη）で表される。
【００１１】
つまり、図７に示すように、露光パターンの面積密度が高い部分では、電子線の蓄積エネルギーの後方散乱寄与分αηＤ０´を考慮して、露光パターン１１に与える露光量を少なくするようにして、個々のパターンの蓄積エネルギープロファイルの半値幅が一定になるように、露光パターン毎に露光量を調整して補正するのが一般的に用いられている方法である。
【特許文献１】特開２００１―２４４１６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
図８及び図９は図６に示す従来の描画データ作成方法が有する問題点を説明するための図である。図８（Ａ）はレジスタ面上の或る一方向上の露光パターン例を示し、“１”は露光パターン部、“０”は露光パターン無しの部分を示している。また、１２は周辺部分に露光パターンが存在しない孤立した露光パターン、１３は露光パターンの面積密度が高い部分の露光パターン、Ｗａは露光パターン１２の幅、Ｗｂは露光パターン１３、１３間の距離を示している。
【００１３】
図８（Ｂ）は近接効果補正により露光量を調整した後に図８（Ａ）に示す露光パターン１２、１３を電子線で露光した場合の蓄積エネルギープロファイルを示している。Ｄ０は露光パターン１２に与えるドーズ量、Ｄ１は露光パターン１３に与えるドーズ量、α´ηＤ１は電子線の蓄積エネルギー量の後方散乱寄与分（但し、α´は露光パターン１３が存在する領域の露光パターン面積密度）を示している。
【００１４】
また、図９は露光パターン１２の幅及び露光パターン１３、１３間の距離に対する基準露光量の共通マージンを示す図である。縦軸に線幅、横軸に基準露光量をとっているが、基準露光量は、孤立している露光パターン１２に与える露光量と定義される。この例の場合には、露光パターン１３には、基準露光量×１／（１＋２α´η）の露光量が与えられることになる。図９中、ＷＡは露光パターン１２の設計許容幅、ＷＢは露光パターン１３、１３間の設計許容距離、曲線１４は露光パターン１２の幅と基準露光量との関係を示し、曲線１５は露光パターン１３、１３間の距離と基準露光量との関係を示している。
【００１５】
この例では、露光パターン１２の幅は、基準露光量をＤa１とすると、設計許容幅の最低値となり、基準露光量をＤa２とすると、設計許容幅の最高値となる。これに対して、露光パターン１３、１３間の距離は、基準露光量をＤb１とすると、設計許容幅の最高値となり、基準露光量をＤb２とすると、露光パターン１３、１３がショートしない限界の距離となる。
【００１６】
即ち、この例では、露光パターン１２の幅に対する基準露光量のマージンはＤa１〜Ｄa２の範囲となり、露光パターン１３、１３間の距離に対する基準露光量のマージンはＤb１〜Ｄb２の範囲となる。したがって、露光パターン１２の幅及び露光パターン１３、１３間の距離に対する基準露光量の共通マージンはＤa１〜Ｄb２となる。なお、Ｄoは最適な基準露光量を示している。
【００１７】
ここで、露光パターンの面積密度が高い領域では電子線の後方散乱量が多いので、この例の場合には、必然的に、露光パターン１３に与える露光量を小さくしなければならないが、露光パターン１３が存在する領域の露光パターン面積密度α´が極端に高くなると、露光パターン１３の蓄積エネルギープロファイルのコントラストの悪化が顕著化し、露光パターン１２の幅及び露光パターン１３、１３間の距離に対する基準露光量の共通マージンが小さくなってしまう。
【００１８】
即ち、コントラストが良い露光パターンも悪い露光パターンも、適正条件下で設計寸法となるように近接効果補正で合わせ込んだ場合には、適正条件では、どのパターンでも線幅は一致するが、適正条件から少しでも露光量がずれた場合、コントラストが悪い露光パターン部分では、寸法が規格から外れる、あるいは、ショートが発生する等してしまうことから、結果として、描画領域全体のプロセスマージンは、コントラストが悪い部分のプロセスマージンに律速され、非常に小さくなってしまうという問題があった。
【００１９】
本発明は、かかる点に鑑み、コントラストの悪化が予想される露光パターンのコントラストを向上させ、コントラストの悪化が予想される領域のプロセスマージンを拡大することにより、描画領域全体のプロセスマージンを大きくし、生産性の向上を図ることができる描画データ作成方法及び描画データ作成プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の描画データ作成方法は、荷電粒子線描画装置に与える描画データを作成する描画データ作成方法であって、作成パターンの設計データを描画データに変換する第１工程と、該第１工程で得られる描画データを近接効果補正する第２工程と、該第２工程で得られる描画データ内のコントラストの悪化が許容値以下の露光パターンのデータに寸法シフトを発生させる第３工程を有するというものである。
【００２１】
本発明の描画データ作成プログラムは、荷電粒子線描画装置に与える描画データを作成する描画データ作成プログラムであって、作成パターンの設計データを描画データに変換する第１工程と、該第１工程で得られる描画データを近接効果補正する第２工程と、該第２工程で得られる描画データ内のコントラストの悪化が許容値以下の露光パターンのデータに寸法シフトを発生させる第３工程をコンピュータに実行させるというものである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、近接効果補正後の描画データ内のコントラストの悪化が許容値以下の露光パターンのデータに寸法シフトを発生させるので、コントラストの悪化が予想される露光パターンのコントラストを向上させ、コントラストの悪化が予想できる領域のプロセスマージンを拡大することができる。したがって、描画領域全体のプロセスマージンを大きくし、生産性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図１〜図５を参照して、本発明の描画データ作成方法について、描画データ作成プログラムの一実施形態を含めて説明する。
【００２４】
図１は本発明の描画データ作成方法の一実施形態を実施するための描画データ作成装置の要部の概略的構成図である。この例では、描画データ作成装置はコンピュータで構成されており、図１中、１６はＣＰＵ（central processing unit）、１７はメインメモリ、１８は入力装置、１９は設計データ格納手段、２０はデータ変換プログラム格納手段、２１は近接効果補正プログラム格納手段、２２はデータシフト発生プログラム格納手段、２３は補正テーブル格納手段、２４は最終描画データ格納手段、２５はデータバスである。各手段１６〜２４はデータバス２５を介してデータの受け渡しを行う。
【００２５】
図２は図1に示す描画データ作成装置で実行される描画データ作成処理の内容、即ち、本発明の描画データ作成方法の一実施形態を示す流れ図である。本発明の描画データ作成方法の一実施形態では、まず、設計データ格納手段１９に格納されている作成パターン（例えば、半導体素子パターン）の設計データを読み出して従来方法により描画データに変換する（ステップＰ１）。このデータ変換処理は、データ変換プログラム格納手段２０に格納されているデータ変換プログラムを使用し、ＣＰＵ１６をデータ変換処理手段として行うことができる。
【００２６】
次に、設計データを変換してなる描画データについて、従来方法による近接効果補正を行う（ステップＰ２）。この近接効果補正処理は、近接効果補正プログラム格納手段２１に格納されている近接効果補正プログラムを使用し、ＣＰＵ１６を近接効果補正処理手段として行うことができる。
【００２７】
次に、近接効果補正後の描画データ内の蓄積エネルギープロファイルのコントラストの悪化が許容値以下の露光パターンのデータに、この露光パターンの幅（寸法）が縮小するように、即ち、隣の露光パターンとの間の距離が拡大するように、マージン内での寸法シフトを発生させるデータシフト発生処理を行う（ステップＰ３）。このデータシフト発生処理は、データシフト発生プログラム格納手段２２に格納されているデータシフト発生プログラムを使用し、ＣＰＵ１６をデータシフト発生処理手段として行うことができる。
【００２８】
そして、最初のデータシフト発生処理後の描画データを最終描画データとして最終描画データ格納手段２４に格納するか、あるいは、最初のデータシフト発生処理後、近接効果補正（ステップＰ２）及びデータシフト発生処理（ステップＰ３）を何度か行った後の描画データを電子線描画装置に与える最終描画データとして最終描画データ格納手段２４に格納する。
【００２９】
ここで、近接効果補正後の描画データ内の露光パターンの蓄積エネルギープロファイルのコントラストの良否を判定する方法には、２つの方法がある。第１の方法は、近接効果補正計算を行った際の露光パターンの蓄積エネルギーを直接使用して、着目している露光パターンの寸法を決定した蓄積エネルギープロファイル部分の傾き（例えば、図３に示す例では、破線２６で示す部分の蓄積エネルギープロファイルの傾き）が一定値以下である場合に、着目している露光パターンをコントラストの悪化が許容値以下の露光パターンと判定する方法である。なお、図３は図８と同一内容の図面である。
【００３０】
この第１の方法を採用する場合には、近接効果補正後の露光パターンデータに対する寸法シフト（シフト量）の発生は、条件を満たす露光パターンに対して一律でも良いが、蓄積エネルギープロファイルの傾きに応じた寸法シフト（シフト量）が記述された補正テーブルを予め作成して補正テーブル格納手段２３に格納しておき、この補正テーブルを用いて行う方が精度の高いデータシフト発生処理を行うことができるので好適である。
【００３１】
第２の方法は、着目している露光パターンの寸法及び該着目している露光パターンが存在する領域の露光パターンの面積密度がそれぞれ一定値以上である場合（あるいは、更に、着目している露光パターンの隣の露光パターンとの間の距離が一定値以下である場合）に、着目している露光パターンをコントラストの悪化が許容値以下の露光パターンと判定する方法である。なお、コントラストの良否判定を行う場合に参照する露光パターンの寸法、隣の露光パターンとの間の距離、露光パターン面積密度の規格は、蓄積エネルギープロファイルの傾きとの関連から規定しても良いし、更に、それに実験データからの補正を加味したものにしても良い。
【００３２】
図４はこの第２の方法を採用した場合のデータシフト発生処理を説明するための図である。図４（Ａ）はデータシフト発生処理前の露光パターンと電子線の蓄積エネルギープロファイルとの関係を示す図であり、図４（Ａ１）は図８（Ａ）と同一内容、図４（Ａ２）は図８（Ｂ）と同一内容である。図４（Ｂ）はデータシフト発生処理後の露光パターンと電子線の蓄積エネルギープロファイルとの関係を示す図であり、図４（Ｂ１）は図４（Ａ１）に示す露光パターンのデータシフト発生処理後の状態、図４（Ｂ２）は図４（Ｂ１）に示す露光パターン１２、１３を電子線で露光した場合の蓄積エネルギープロファイルを示している。
【００３３】
この例では、着目している露光パターンの幅がＷＬ以上、着目している露光パターンが存在する領域の露光パターン面積密度がα´以上である場合、着目している露光パターンの幅に、予め定められているシフト量を入れるという基準を採用しており、露光パターン１３の幅に、両側から−Ｄ／２ずつ、合計−Ｄだけシフト量を入れて露光パターン１３の幅をＷＬからＷＬ−Ｄに縮小し、露光パターン１３、１３間の距離をＷｂからＷｂ＋Ｄに拡大した場合を示している。
【００３４】
この結果、露光パターン１３に与える露光量はＤ１´、電子線の蓄積エネルギー量の後方散乱寄与分はα″ηＤ１´（但し、α″は露光パターン１３が存在する領域のパターン面積密度）となり、露光パターン１３の蓄積エネルギープロファイルのコントラストの向上が図られている。なお、発生させるシフト量Ｄは、マージン内の量であるので、何ら問題は発生しない。
【００３５】
図５は近接効果補正後の描画データ内の露光パターンの蓄積エネルギープロファイルのコントラストの良否判定方法として、第２の方法を採用した場合の露光パターン１２の幅及び露光パターン１３、１３間の距離に対する基準露光量の共通マージンを示す図であり、縦軸に線幅、横軸に基準露光量をとっている。
【００３６】
ここで、ＷＡは露光パターン１２の設計許容幅、ＷＢは露光パターン１３、１３間の設計許容距離、曲線１４は露光パターン１２の幅と基準露光量との関係を示し、曲線１５はデータシフト発生処理を行わない場合の露光パターン１３、１３間の距離と基準露光量との関係を示しており、図９に示す曲線１５と同一の曲線である。また、曲線２７はデータシフト処理を実行した場合の露光パターン１３、１３間の距離と基準露光量との関係を示している。
【００３７】
この例の場合には、露光パターン１２の幅は、基準露光量をＤa１とすると、設計許容幅の最低値となり、基準露光量をＤa２とすると、設計許容幅の最高値となる。これに対して、露光パターン１３、１３間の距離は、データシフト発生処理後においては、基準露光量をＤb１´（この例では、Ｄa１と一致）とすると、設計許容距離の最高値となり、基準露光量をＤb２´とすると、露光パターン１３、１３がショートしない限界の距離となる。
【００３８】
即ち、この例では、露光パターン１２の幅に対する基準露光量のマージンはＤa１〜Ｄa２の範囲となり、データシフト処理を実行した場合の露光パターン１３、１３間の距離に対する基準露光量のマージンはＤa１〜Ｄb２´の範囲となる。したがって、データシフト処理を実行した場合の露光パターン１２の幅及び露光パターン１３、１３間の距離に対する基準露光量の共通マージンはＤa１〜Ｄb２´となり、従来の場合のＤa１〜Ｄb２の範囲よりも拡大する。なお、Ｄoは最適な基準露光量を示している。
【００３９】
この第２の方法を採用する場合には、近接効果補正後の露光パターンデータに対する寸法シフト（シフト量）の発生は、条件を満たす露光パターンに対して一律でも良いが、露光パターンの寸法及び露光パターン面積密度に応じた寸法シフト（シフト量）が記述された補正テーブル、あるいは、露光パターンの寸法、露光パターン面積密度及び着目している露光パターンの隣の露光パターンとの間の距離に応じた寸法シフト（シフト量）が記述された補正テーブルを予め作成して補正テーブル格納手段２３に格納しておき、この補正テーブルを用いて行う方が精度の高いデータシフト発生処理を行うことができるので好適である。
【００４０】
表１は補正テーブルの一例を示しており、近接効果補正計算された露光パターン面積密度及び露光パターンのライン幅と、露光パターンのライン幅に対するシフト量との関係を示している。
【００４１】
【表１】
2006120682.tif 000004
【００４２】
表１の例では、ライン幅が５μｍ以上１０μｍ未満の露光パターンの場合、その露光パターンが存在する領域の露光パターン面積密度が９０％以上の場合に、−５ｎｍの寸法シフトを発生させるとしている。また、ライン幅が１０μｍ以上の露光パターンに対しては、露光パターン面積密度が６０％以上７０％未満の場合には−１０ｎｍ、７０％以上８０％未満の場合には−２０ｎｍ、８０％以上９０％未満の場合には−３０ｎｍ、９０％以上の場合には−４０ｎｍの寸法シフトを発生させるとしている。
【００４３】
なお、近接効果補正後の描画データ内の露光パターンの蓄積エネルギープロファイルのコントラストの良否判定方法として、第２の方法を採用する場合には、近接効果補正後に蓄積エネルギープロファイルの傾きを別途求める手間を省くことができるという効果がある。また、作成されるパターンのショートを問題にする場合には、着目する露光パターンの隣の露光パターンとの距離も重要な要素となるので、着目する露光パターンの隣の露光パターンとの距離も考慮に入れることが好適である。
【００４４】
以上のように、本発明の描画データ作成方法の一実施形態によれば、近接効果補正後の描画データ内のコントラストの悪化が許容値以下の露光パターンのデータにマージン内の寸法シフトを発生させるとしたことにより、コントラストの悪化が予想される露光パターンのコントラストを向上させ、コントラストの悪化が予想できる領域のプロセスマージンを拡大することができるので、描画領域全体のプロセスマージンを大きくし、生産性の向上を図ることができる。
【００４５】
即ち、電子線描画装置に与える描画データを作成する工程と、前記描画データを電子線描画装置によってウエハに描画する工程と、前記ウエハを現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法において、本発明の描画データ作成方法の一実施形態を使用する場合には、コントラストの悪化が予想される露光パターンのコントラストを向上させ、コントラストの悪化が予想できる領域のプロセスマージンを拡大することができ、描画領域全体のプロセスマージンを大きくし、生産性の向上を図ることができる。
【００４６】
なお、本発明の描画データ作成方法の一実施形態においては、電子線描画装置に与える描画データを作成する場合を例にして説明したが、本発明の描画データ作成方法は、電子線描画装置を含む荷電粒子線描画装置に与える描画データを作成する場合に広く適用することができる。
【００４７】
ここで、本発明を整理すると、本発明には、少なくとも、以下の描画データ作成方法、描画データ作成プログラム及びパターン形成方法が含まれる。
【００４８】
（付記１）  荷電粒子線描画装置に与える描画データを作成する描画データ作成方法であって、作成パターンの設計データを描画データに変換する第１工程と、該第１工程で得られる描画データを近接効果補正する第２工程と、該第２工程で得られる描画データ内のコントラストの悪化が許容値以下の露光パターンのデータに寸法シフトを発生させる第３工程を有することを特徴とする描画データ作成方法。
【００４９】
（付記２）  前記第３工程では、着目している露光パターンの寸法及び該着目している露光パターンが存在する領域の露光パターン面積密度がそれぞれ一定値以上である場合に、該着目している露光パターンを前記コントラストの悪化が許容値以下の露光パターンとすることを特徴とする付記１記載の描画データ作成方法。
【００５０】
（付記３）  前記寸法シフトの発生は、露光パターンの寸法及び露光パターン面積密度に応じたシフト量が記述された補正テーブルを予め作成しておき、該補正テーブルを用いて行われることを特徴とする付記２記載の描画データ作成方法。
【００５１】
（付記４）  前記第３工程では、着目している露光パターンの寸法及び該着目している露光パターンが存在する領域の露光パターン面積密度がそれぞれ一定値以上、かつ、該着目している露光パターンと隣の露光パターンとの間の距離が一定値以下である場合に、該着目している露光パターンを前記コントラストの悪化が許容値以下の露光パターンとすることを特徴とする付記１記載の描画データ作成方法。
【００５２】
（付記５）  前記寸法シフトの発生は、露光パターンの寸法、露光パターン面積密度及び隣の露光パターンとの間の距離に応じたシフト量が記述された補正テーブルを予め作成しておき、該補正テーブルを用いて行われることを特徴とする付記４記載の描画データ作成方法。
【００５３】
（付記６）  前記第３工程では、着目している露光パターンの寸法を決定した蓄積エネルギープロファイル部分の傾きが一定値以下である場合に、該着目している露光パターンを前記コントラストの悪化が許容値以下の露光パターンとすることを特徴とする付記１記載の描画データ作成方法。
【００５４】
（付記７）  前記寸法シフトの発生は、蓄積エネルギープロファイルの傾きに応じたシフト量が記述された補正テーブルを予め作成しておき、該補正テーブルを用いて行われることを特徴とする付記６記載の描画データ作成方法。
【００５５】
（付記８）  荷電粒子線描画装置に与える描画データを作成する描画データ作成プログラムであって、作成パターンの設計データを描画データに変換する第１工程と、該第１工程で得られる描画データを近接効果補正する第２工程と、該第２工程で得られる描画データ内のコントラストの悪化が許容値以下の露光パターンのデータに寸法シフトを発生させる第３工程をコンピュータに実行させることを特徴とする描画データ作成プログラム。
【００５６】
（付記９）  前記第３工程では、着目している露光パターンの寸法及び該着目している露光パターンが存在する領域の露光パターン面積密度がそれぞれ一定値以上である場合に、該着目している露光パターンを前記コントラストの悪化が許容値以下の露光パターンとすることを特徴とする付記８記載の描画データ作成プログラム。
【００５７】
（付記１０）  前記寸法シフトの発生は、露光パターンの寸法及び露光パターン面積密度に応じたシフト量が記述された補正テーブルを予め作成しておき、該補正テーブルを用いて行われることを特徴とする付記９記載の描画データ作成プログラム。
【００５８】
（付記１１）  前記第３工程では、着目している露光パターンの寸法及び該着目している露光パターンが存在する領域の露光パターン面積密度がそれぞれ一定値以上、かつ、該着目している露光パターンと隣の露光パターンとの間の距離が一定値以下である場合に、該着目している露光パターンを前記コントラストの悪化が許容値以下の露光パターンとすることを特徴とする付記８記載の描画データ作成プログラム。
【００５９】
（付記１２）  前記寸法シフトの発生は、露光パターンの寸法、露光パターン面積密度及び隣の露光パターンとの間の距離に応じたシフト量が記述された補正テーブルを予め作成しておき、該補正テーブルを用いて行われることを特徴とする付記１１記載の描画データ作成方法。
【００６０】
（付記１３）  前記第３工程では、着目している露光パターンの寸法を決定した蓄積エネルギープロファイル部分の傾きが一定値以下である場合に、該着目している露光パターンを前記コントラストの悪化が許容値以下の露光パターンとすることを特徴とする付記８記載の描画データ作成プログラム。
【００６１】
（付記１４）  前記寸法シフトの発生は、蓄積エネルギープロファイルの傾きに応じたシフト量が記述された補正テーブルを予め作成しておき、該補正テーブルを用いて行われることを特徴とする付記１３記載の描画データ作成プログラム
【００６２】
（付記１５）  荷電粒子線描画装置に与える描画データを作成する工程と、前記描画データを荷電粒子線描画装置によってウエハに描画する工程と、前記ウエハを現像してレジストパターンを形成する工程を含むパターン形成方法であって、前記描画データを作成する工程は、作成パターンの設計データを描画データに変換する第１工程と、該第１工程で得られる描画データを近接効果補正する第２工程と、該第２工程で得られる描画データ内のコントラストの悪化が許容値以下の露光パターンのデータに寸法シフトを発生させる第３工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の描画データ作成方法の一実施形態を実施するための描画データ作成装置の要部の概略的構成図である。
【図２】図1に示す描画データ作成装置で実行される描画データ作成処理の内容（本発明の描画データ作成方法の一実施形態）を示す流れ図である。
【図３】本発明の描画データ作成方法の一実施形態を説明するための図（近接効果補正後の描画データ内の露光パターンの蓄積エネルギープロファイルのコントラストの良否を判定する第１の方法を説明するための図）である。
【図４】本発明の描画データ作成方法の一実施形態を説明するための図（近接効果補正後の描画データ内の露光パターンの蓄積エネルギープロファイルのコントラストの良否判定方法として、第２の方法を採用した場合のデータシフト発生処理を説明するための図）である。
【図５】本発明の描画データ作成方法の一実施形態を説明するための図（近接効果補正後の描画データ内の露光パターンの蓄積エネルギープロファイルのコントラストの良否判定方法として、第２の方法を採用した場合の孤立している露光パターンの幅及び露光パターン面積密度が高い領域の露光パターン間の距離に対する基準露光量の共通マージンを示す図）である。
【図６】半導体素子を製造する場合に使用する電子線描画装置に与える描画データを作成する従来の描画データ作成方法の一例を示す流れ図である。
【図７】一般的な露光量補正による近接効果補正を説明するための図である。
【図８】図６に示す従来の描画データ作成方法が有する問題点を説明するための図である。
【図９】図６に示す従来の描画データ作成方法が有する問題点を説明するための図（孤立している露光パターンの幅及び露光パターン面積密度が高い領域の露光パターン間の距離に対する基準露光量の共通マージンを示す図）である。
【符号の説明】
【００６４】
１６…ＣＰＵ
１７…メインメモリ
１８…入力装置
１９…設計データ格納手段
２０…データ変換プログラム格納手段
２１…近接効果補正プログラム格納手段
２２…データシフト発生プログラム格納手段
２３…補正テーブル格納手段
２４…最終描画データ格納手段
２５…データバス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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