(57)【要約】【課題】  スロートハイトを高精度に決定することにより記録特性を確保することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  ギャップ層１２に隣接しながら位置Ｐ１まで延在するようにＴＨ規定層１３を形成し、同様にギャップ層１２に隣接しながら位置Ｐ１から延在し、その位置Ｐ１に基づいてスロートハイトＴＨを規定するように補助絶縁層１４を形成したのち、補助絶縁層１４上に薄膜コイル１６を被覆するように主絶縁層１５を形成し、ＴＨ規定層１３に乗り上げながら延在するようにヨーク層１７を形成する。補助絶縁層１４により位置Ｐ１に基づいてスロートハイトＴＨが正確かつ安定に決定される。【選択図】    図１
2006120224.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束を発生させる薄膜コイルと、
媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる磁極層と、
前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられると共に遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層に連結され、前記ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方の少なくとも前記バックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分と、を含む磁気遮蔽層と、
前記ギャップ層に隣接しながら前記第１の位置から後方に向かって延在し、前記第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に前記第１の位置に基づいてスロートハイトを規定する第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分のうちの前記平坦面に隣接しながら前記第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルを被覆する第２の絶縁層部分と、を含む絶縁層と、を備えた
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる磁極層と、前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられると共に遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層に連結された磁気遮蔽層と、スロートハイトを規定すると共に前記薄膜コイルを被覆する絶縁層と、を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記磁気遮蔽層および前記絶縁層を形成する工程が、
前記バックギャップが設けられた前記ギャップ層上に、そのギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在するように、前記磁気遮蔽層のうちの一部を構成する第１の磁気遮蔽層部分を形成する第１の工程と、
前記ギャップ層に隣接しながら前記第１の位置から後方に向かって延在し、前記第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に前記第１の位置に基づいて前記スロートハイトを規定するように、前記絶縁層のうちの一部を構成する第１の絶縁層部分を形成する第２の工程と、
前記第１の絶縁層部分のうちの前記平坦面に隣接しながら後方に向かって延在し、前記薄膜コイルを被覆するように、前記絶縁層のうちの他の一部を構成する第２の絶縁層部分を形成することにより、前記第１の絶縁層部分および前記第２の絶縁層部分を含むように前記絶縁層を形成する第３の工程と、
前記第１の磁気遮蔽層部分に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方の少なくとも前記バックギャップまで延在するように、前記磁気遮蔽層のうちの他の一部を構成する第２の磁気遮蔽層部分を形成することにより、前記第１の磁気遮蔽層部分および前記第２の磁気遮蔽層部分を含むように前記磁気遮蔽層部分を形成する第４の工程と、を含む
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第２の工程が、
前記第１の磁気遮蔽層部分およびその周辺の前記ギャップ層を被覆するように、前駆絶縁層を形成する工程と、
前記前駆絶縁層と共に前記第１の磁気遮蔽層部分を併せて研磨して平坦化することにより、前記第１の絶縁層部分を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第３の工程において、前記第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在するように、前記第２の絶縁層部分を形成する
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程において、無機絶縁性材料を含むように前記第１の絶縁層部分を形成すると共に、
前記第３の工程において、加熱時に流動性を示す材料を含むように前記第２の絶縁層部分を形成する
ことを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第３の工程が、
前記第１の絶縁層部分のうちの前記平坦面上に、前記第２の絶縁層部分のうちの一部を構成する下地絶縁層部分を形成する工程と、
前記下地絶縁層部分上に、前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記薄膜コイルおよびその周辺の前記下地絶縁層部分を被覆するように、前記第２の絶縁層部分のうちの他の一部を構成する被覆絶縁層部分を形成することにより、前記下地絶縁層部分および前記被覆絶縁層部分を含むように前記第２の絶縁層部分を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
媒体進行方向に移動する記録媒体と、その記録媒体に磁気的処理を施す薄膜磁気ヘッドと、を搭載し、
その薄膜磁気ヘッドが、
磁束を発生させる薄膜コイルと、
媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる磁極層と、
前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられると共に遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層に連結され、前記ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方の少なくとも前記バックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分と、を含む磁気遮蔽層と、
前記ギャップ層に隣接しながら前記第１の位置から後方に向かって延在し、前記第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に前記第１の位置に基づいてスロートハイトを規定する第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分のうちの前記平坦面に隣接しながら前記第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルを被覆する第２の絶縁層部分と、を含む絶縁層と、を備えた
ことを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびにその薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）の面記録密度の向上に伴い、例えばハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載される薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。この薄膜磁気ヘッドの記録方式としては、例えば、信号磁界の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）に設定する長手記録方式や、信号磁界の向きを記録媒体の面と直交する方向に設定する垂直記録方式が知られている。現在のところは長手記録方式が広く利用されているが、記録媒体の面記録密度の向上に伴う市場動向を考慮すれば、今後は長手記録方式に代わり垂直記録方式が有望視されるものと想定される。なぜなら、垂直記録方式では、高い線記録密度を確保可能な上、記録済みの記録媒体が熱揺らぎの影響を受けにくいという利点が得られるからである。
【０００３】
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、例えば、記録用の磁束を発生させる薄膜コイルと、エアベアリング面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて記録媒体を磁化させるための磁界（垂直磁界）を発生させる磁極層とを備えている。特に、最近の垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、記録媒体の記録トラック幅が意図せずに拡大することを防止するために、磁極層から放出された磁束の広がりを抑制させるライトシールド層を備えたものが主流となりつつある。このライトシールド層は、エアベアリング面から後方に向かって延在することにより、そのエアベアリング面に近い側においてギャップ層により磁極層から隔てられていると共にエアベアリング面から遠い側においてバックギャップを通じて磁極層に連結されている。この種の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、磁極層のトレーリング側にライトシールド層が配置されたものが知られている（例えば、特許文献１，２参照。）。このライトシールドを備えた垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時において磁極層から記録用の磁束が放出されると、その磁束の広がりがライトシールド層により抑制されるため、記録媒体上の記録トラック幅が意図せずに拡大することが抑制される。
【特許文献１】特開２００１−２５０２０４号公報
【特許文献２】欧州特許出願公開第０３６０９７８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ライトシールド層を備えた垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの記録特性を確保するためには、例えば、十分な磁界強度および急峻な磁界強度勾配の双方を確保するために、記録性能を決定する重要な因子のうちの１つであるスロートハイトを高精度に決定する必要がある。しかしながら、従来の垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドでは、記録特性を向上させるためにスロートハイトを約０．３μｍ以下に至るまで著しく短縮させたい旨の要望が高まっている今日の技術的背景を考慮すると、スロートハイトを高精度に決定する観点において未だ改善の余地が十分にある。具体的には、例えば、スロートハイトを規定するための絶縁層、すなわち薄膜コイルを埋設する絶縁層の形成材料として、フォトレジストなどの加熱時に流動性を示す材料を使用すると、そのフォトレジストの流動状態の変動に起因して絶縁層の形成位置がシフトしやすいため、その絶縁層の形成位置に基づいてスロートハイトを高精度に決定することが困難となる。したがって、ライトシールド層を備えた垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの高性能化を図る上で、スロートハイトを約０．３μｍ以下に至るまで著しく短縮させた場合においても、そのスロートハイトを高精度に決定することにより記録特性を確保することが可能な技術の確立が望まれている。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、スロートハイトが高精度に決定されることにより記録特性が確保された薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
【０００６】
また、本発明の第２の目的は、スロートハイトを高精度に決定することにより記録特性を確保することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【０００７】
さらに、本発明の第３の目的は、スロートハイトが高精度に決定された薄膜磁気ヘッドを搭載し、記録特性が確保された磁気記録装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる磁極層と、記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により磁極層から隔てられると共に遠い側においてバックギャップを通じて磁極層に連結され、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分とを含む磁気遮蔽層と、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に第１の位置に基づいてスロートハイトを規定する第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分のうちの平坦面に隣接しながら第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、薄膜コイルを被覆する第２の絶縁層部分とを含む絶縁層とを備えたものである。
【０００９】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、その第１の位置に基づいてスロートハイトを規定する第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分のうちの平坦面に隣接しながら第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、薄膜コイルを被覆する第２の絶縁層部分とを含むように絶縁層が構成されていると共に、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分とを含むように磁気遮蔽層が構成されている。第１の絶縁層部分により第１の位置に基づいてスロートハイトが正確かつ安定に規定される。
【００１０】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる磁極層と、記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により磁極層から隔てられると共に遠い側においてバックギャップを通じて磁極層に連結された磁気遮蔽層と、スロートハイトを規定すると共に薄膜コイルを被覆する絶縁層とを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であり、磁気遮蔽層および絶縁層を形成する工程が、バックギャップが設けられたギャップ層上に、そのギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在するように、磁気遮蔽層のうちの一部を構成する第１の磁気遮蔽層部分を形成する第１の工程と、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に第１の位置に基づいてスロートハイトを規定するように、絶縁層のうちの一部を構成する第１の絶縁層部分を形成する第２の工程と、第１の絶縁層部分のうちの平坦面に隣接しながら後方に向かって延在するように、薄膜コイルを被覆するように、絶縁層のうちの他の一部を構成する第２の絶縁層部分を形成することにより、第１の絶縁層部分および第２の絶縁層部分を含むように絶縁層を形成する第３の工程と、第１の磁気遮蔽層部分に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在するように、磁気遮蔽層のうちの他の一部を構成する第２の磁気遮蔽層部分を形成することにより、第１の磁気遮蔽層部分および第２の磁気遮蔽層部分を含むように磁気遮蔽層部分を形成する第４の工程とを含むものである。
【００１１】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在するように第１の磁気遮蔽層部分が形成され、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、その第１の位置に基づいてスロートハイトを規定するように第１の絶縁層部分が形成されたのち、第１の絶縁層部分のうちの平坦面に隣接しながら後方に向かって延在し、薄膜コイルを被覆するように第２の絶縁層部分が形成され、第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在するように第２の磁気遮蔽層部分が形成されることにより、第１の磁気遮蔽層部分および第２の磁気遮蔽層部分を含むように磁気遮蔽層が形成されると共に、第１の絶縁層部分および第２の絶縁層部分を含むように絶縁層が形成される。この場合には、第１の絶縁層部分により第１の位置に基づいてスロートハイトが規定されるため、そのスロートハイトが目標値に一致する。すなわち、例えば、加熱時に流動性を示さない無機絶縁性材料を使用して第１の絶縁層部分を形成すれば、その第１の絶縁層部分により第１の位置に基づいてスロートハイトが一義的に規定されるため、スロートハイトが目標値に一致する。これにより、第１の絶縁層部分により第１の位置に基づいてスロートハイトが正確かつ安定に規定される。
【００１２】
本発明に係る磁気記録装置は、媒体進行方向に移動する記録媒体と、その記録媒体に磁気的処理を施す薄膜磁気ヘッドとを搭載し、その薄膜磁気ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる磁極層と、記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により磁極層から隔てられると共に遠い側においてバックギャップを通じて磁極層に連結され、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分とを含む磁気遮蔽層と、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に第１の位置に基づいてスロートハイトを規定する第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分のうちの平坦面に隣接しながら第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、薄膜コイルを被覆する第２の絶縁層部分とを含む絶縁層とを備えたものである。
【００１３】
本発明に係る磁気記録装置では、上記した構造的特徴を有する薄膜磁気ヘッドを搭載しているため、その薄膜磁気ヘッドにおいてスロートハイトが正確かつ安定に決定される。
【００１４】
なお、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２の工程が、第１の磁気遮蔽層部分およびその周辺のギャップ層を被覆するように前駆絶縁層を形成する工程と、前駆絶縁層と共に第１の磁気遮蔽層部分を併せて研磨して平坦化することにより第１の絶縁層部分を形成する工程とを含むようにしてもよい。また、第３の工程において、第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在するように第２の絶縁層部分を形成するのが好ましい。この場合には、第２の工程において、無機絶縁性材料を含むように第１の絶縁層部分を形成すると共に、第３の工程において、加熱時に流動性を示す材料を含むように第２の絶縁層部分を形成してもよい。さらに、第３の工程が、第１の絶縁層部分のうちの平坦面上に第２の絶縁層部分のうちの一部を構成する下地絶縁層部分を形成する工程と、下地絶縁層部分上に薄膜コイルを形成する工程と、薄膜コイルおよびその周辺の下地絶縁層部分を被覆するように第２の絶縁層部分のうちの他の一部を構成する被覆絶縁層部分を形成することにより、下地絶縁層部分および被覆絶縁層部分を含むように第２の絶縁層部分を形成する工程とを含むようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、その第１の位置に基づいてスロートハイトを規定する第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分のうちの平坦面に隣接しながら第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、薄膜コイルを被覆する第２の絶縁層部分とを含むように絶縁層が構成されていると共に、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分とを含むように磁気遮蔽層が構成されている構造的特徴に基づき、第１の絶縁層部分により第１の位置に基づいてスロートハイトが正確かつ安定に規定される。したがって、スロートハイトが高精度に決定されるため、記録特性を確保することができる。
【００１６】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在するように第１の磁気遮蔽層部分を形成し、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、その第１の位置に基づいてスロートハイトを規定するように第１の絶縁層部分を形成したのち、その第１の絶縁層部分に隣接しながら後方に向かって延在し、薄膜コイルを被覆するように第２の絶縁層部分を形成し、第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在するように第２の磁気遮蔽層部分を形成することにより、第１の磁気遮蔽層部分および第２の磁気遮蔽層部分を含むように磁気遮蔽層を形成すると共に、第１の絶縁層部分および第２の絶縁層部分を含むように絶縁層を形成する製法的特徴に基づき、第１の絶縁層部分により第１の位置に基づいてスロートハイトが正確かつ安定に規定される。したがって、スロートハイトを高精度に決定することにより記録特性を確保することができる。
【００１７】
本発明に係る磁気記録装置によれば、上記した構造的特徴を有する薄膜磁気ヘッドを搭載しているため、その薄膜磁気ヘッドにおいてスロートハイトが正確かつ安定に決定される。したがって、スロートハイトが高精度に決定された薄膜磁気ヘッドを搭載することにより、記録特性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
まず、図１〜図３を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図１〜図３は薄膜磁気ヘッドの構成を表しており、図１は全体の断面構成を示し、図２は主要部の平面構成（Ｚ軸方向から見た平面構成）を示し、図３は主要部の露出面の平面構成（Ｙ軸方向から見た平面構成）を拡大して示している。図１のうち、（Ａ）はエアベアリング面に平行な断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を示し、（Ｂ）はエアベアリング面に垂直な断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を示している。なお、図１に示した上向きの矢印Ｍは、薄膜磁気ヘッドに対して記録媒体（図示せず）が相対的に移動する方向（媒体進行方向）を示している。
【００２０】
以下の説明では、図１〜図３に示したＸ軸方向の寸法を「幅」、Ｙ軸方向の寸法を「長さ」、Ｚ軸方向の寸法を「厚さ」とそれぞれ表記する。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前方」、その反対側を「後方」と表記する。これらの表記内容は、後述する図４以降においても同様とする。
【００２１】
この薄膜磁気ヘッドは、媒体進行方向Ｍに移動する例えばハードディスクなどの記録媒体に磁気的処理を施すために、例えばハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載されるものである。具体的には、薄膜磁気ヘッドは、磁気的処理として記録処理および再生処理の双方を実行可能な複合型ヘッドであり、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）などのセラミック材料により構成された基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という。）などの非磁性絶縁性材料により構成された絶縁層２と、磁気抵抗（ＭＲ；Magneto-resistive ）効果を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成された分離層７と、垂直記録方式の記録処理を実行するシールド型の記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されたオーバーコート層１８とがこの順に積層された構成を有している。
【００２２】
再生ヘッド部１００Ａは、例えば、下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とがこの順に積層された積層構造を有している。このシールドギャップ膜４には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）５０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されている。
【００２３】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、いずれもＭＲ素子６を周辺から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面５０から後方に向かって延在している。これらの下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成されており、それらの厚さは約１．０μｍ〜２．０μｍである。
【００２４】
シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子６を周辺から電気的に分離するものであり、例えばアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。
【００２５】
ＭＲ素子６は、例えば、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ；Giant Magneto-resistive ）効果またはトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ；Tunneling Magneto-resistive ）効果などを利用して磁気的処理（再生処理）を実行するものである。
【００２６】
記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、絶縁層９，１１により周囲を埋設された磁極層２０と、磁気連結用の開口（バックギャップ１２ＢＧ）が設けられたギャップ層１２と、絶縁層３０により被覆された薄膜コイル１６と、ライトシールド層４０（磁気遮蔽層）とがこの順に積層された構成を有している。なお、図２では、主に、記録ヘッド部１００Ｂのうちの主要部として、薄膜コイル１６、磁極層２０およびライトシールド層４０のみを抜粋して示している。
【００２７】
磁極層２０は、薄膜コイル１６において発生した記録用の磁束を収容し、その磁束を記録媒体に向けて放出することにより磁気的処理（記録処理）を実行するものであり、より具体的には、垂直記録方式の記録処理として、記録用の磁束に基づいて記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界（垂直磁界）を発生させるものである。この磁極層２０は、薄膜コイル１６に対してリーディング側に配置されており、エアベアリング面５０から後方に向かって延在し、具体的にはギャップ層１２に設けられたバックギャップ１２ＢＧに対応する位置まで延在している。この「リーディング側」とは、図１に示した媒体進行方向Ｍに向かって移動する記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流入する側（媒体進行方向Ｍ側と反対側）をいい、ここでは厚さ方向（Ｚ軸方向）における下側をいう。これに対して、流れの流出する側（媒体進行方向Ｍ側）は「トレーリング側」と呼ばれ、ここでは厚さ方向における上側をいう。
【００２８】
この磁極層２０は、例えば、図１に示したように、絶縁層９により周囲を埋設された補助磁極層８と、絶縁層１１により周囲を埋設された主磁極層１０とがこの順に積層された積層構造を有しており、すなわちリーディング側に補助磁極層８が配置され、トレーリング側に主磁極層１０が配置された２層構造を有している。
【００２９】
補助磁極層８は、主要な磁束の収容部分として機能するものであり、主磁極層１０に隣接して連結されている。この補助磁極層８は、例えば、エアベアリング面５０よりも後退した位置から後方に向かって延在し、具体的にはバックギャップ１２ＢＧに対応する位置まで延在しており、鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されている。この鉄コバルト系合金としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）または鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などが挙げられる。なお、上記した「連結」とは、物理的に接触して連結され、かつ磁気的に導通可能に連結されていることを意味しており、この「連結」の意味合いは、以降の説明においても同様である。この補助磁極層８は、例えば、図２に示したように、幅Ｗ２を有する矩形型の平面形状を有している。
【００３０】
主磁極層１０は、主要な磁束の放出部分として機能するものであり、補助磁極層８に隣接して連結されている。この主磁極層１０は、例えば、エアベアリング面５０から後方に向かって延在し、具体的にはバックギャップ１２ＢＧに対応する位置まで延在しており、補助磁極層８と同様に、鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されている。
【００３１】
この主磁極層１０は、例えば、図２に示したように、羽子板型の平面形状を有している。すなわち、主磁極層１０は、例えば、エアベアリング面５０から後方に向かって順に、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１を有する先端部１０Ａと、その先端部１０Ａの後方に連結され、幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する後端部１０Ｂとを含んで構成されている。この主磁極層１０の幅が先端部１０Ａ（幅Ｗ１）から後端部１０Ｂ（幅Ｗ２）へ拡がる位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「フレアポイントＦＰ」である。
【００３２】
先端部１０Ａは、薄膜コイル１６において発生した記録用の磁束を実質的に記録媒体に向けて放出する部分であり、図２および図３に示したように、エアベアリング面５０に露出した露出面１０Ｍを有している。この露出面１０Ｍは、例えば、図３に示したように、トレーリング側に位置する上端縁Ｅ１（いわゆるトレーリングエッジＴＥ）と、リーディング側に位置する下端縁Ｅ２（いわゆるリーディングエッジＬＥ）と、２つの側端縁Ｅ３とにより規定された平面形状を有している。具体的には、露出面１０Ｍは、例えば、トレーリング側からリーディング側に向かって次第に幅が狭まる形状を有しており、すなわち幅Ｗ１を有する上端縁Ｅ１を上底とし、かつ幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ４（Ｗ４＜Ｗ１）を有する下端縁Ｅ２を下底とする左右対象な逆台形状を有している。この露出面１０ＭのうちのトレーリングエッジＴＥは、磁極層２０のうちの実質的な記録箇所である。なお、露出面１０Ｍの平面形状を規定する角度θ、すなわち下端縁Ｅ２の延在方向と側端縁Ｅ３との間の角度θは、例えば、９０°未満の範囲内において自由に設定可能である。
【００３３】
後端部１０Ｂは、補助磁極層８に収容された磁束を先端部１０Ａへ供給する部分である。この後端部１０Ｂの幅は、例えば、後方において一定（幅Ｗ２）であり、前方において先端部１０Ａへ近づくにしたがって次第に幅Ｗ２から幅Ｗ１へ狭まっている。
【００３４】
なお、絶縁層９は、補助磁極層８を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。また、絶縁層１１は、主磁極層１０を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。
【００３５】
ギャップ層１２は、磁極層２０とライトシールド層４０との間を磁気的に分離するためのギャップを構成するものである。このギャップ層１２は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁性材料やルテニウム（Ｒｕ）などの非磁性導電性材料により構成されており、その厚さは約４０．０ｎｍである。
【００３６】
絶縁層３０は、薄膜磁気ヘッドの記録特性を決定する重要な因子のうちの１つであるスロートハイトＴＨを規定すると共に、薄膜コイル１６を被覆することにより周囲から電気的に分離するものであり、バックギャップ１２ＢＧを塞がないようにギャップ層１２上に配置されている。この絶縁層３０は、図１に示したように、スロートハイトＴＨを実質的に規定する補助絶縁層１４（第１の絶縁層部分）と、薄膜コイル１６を実質的に被覆する主絶縁層１５（第２の絶縁層部分）とがこの順に積層された積層構造を有しており、すなわちリーディング側に補助絶縁層１４が配置され、トレーリング側に主絶縁層１５が配置された２層構造を有している。
【００３７】
補助絶縁層１４は、図１に示したように、ギャップ層１２に隣接しながら、エアベアリング面５０よりも後退した位置Ｐ１（第１の位置）から後方に向かってバックギャップ１２ＢＧを塞がないように延在しており、その位置Ｐ１において、ライトシールド層４０のうちの後述するＴＨ規定層１３に隣接している。特に、補助絶縁層１４は、ＴＨ規定層１３と共に平坦面ＨＭを構成しており、すなわち補助絶縁層１４はＴＨ規定層１３と共に平坦化されている。上記した「位置Ｐ１」は、絶縁層３０の最前端位置（エアベアリング面５０に最も近い位置）であり、すなわちスロートハイトＴＨを規定するための「スロートハイトゼロ位置ＴＰ」である。このスロートハイトＴＨは、エアベアリング面５０とスロートハイトゼロ位置ＴＰとの間の距離である。この補助絶縁層１４は、例えば、無機絶縁性材料により構成されており、具体的にはアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。なお、図１および図２では、例えば、スロートハイトゼロ位置ＴＰがフレアポイントＦＰに一致している場合を示している。
【００３８】
主絶縁層１５は、図１に示したように、補助絶縁層１４のうちの平坦面ＨＭに隣接しながら、位置Ｐ１（スロートハイトゼロ位置ＴＰ）よりも後退した位置Ｐ２（第２の位置）から後方に向かってバックギャップ１２ＢＧを塞がないように延在しており、すなわち主絶縁層１５は、補助絶縁層１４よりも後退している。この主絶縁層１５は、例えば、図１に示したように、補助絶縁層１４のうちの平坦面ＨＭ上に薄膜コイル１６の下地として配置された主絶縁層部分１５Ａ（下地絶縁層部分）と、薄膜コイル１６およびその周辺の主絶縁層部分１５Ａを被覆するように配置された主絶縁層部分１５Ｂ（被覆絶縁層部分）とを含んで構成されている。この主絶縁層部分１５Ａは、例えば、無機絶縁性材料により構成され、具体的にはアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されており、主絶縁層部分１５Ｂは、例えば、加熱時に流動性を示す材料により構成され、具体的にはフォトレジストやスピンオングラス（ＳＯＧ）などの非磁性絶縁性材料により構成されている。この主絶縁層部分１５Ｂの端縁近傍部分は、その端縁に向けて落ち込むように丸みを帯びた斜面を構成している。
【００３９】
薄膜コイル１６は、記録用の磁束を発生させるものであり、例えば、銅（Ｃｕ）などの高導電性材料により構成されている。この薄膜コイル１６は、例えば、図１および図２に示したように、バックギャップ１２ＢＧを中心として巻回する巻回構造（スパイラル構造）を有している。なお、図１および図２では、薄膜コイル１６を構成する複数の巻線のうちの一部のみを示している。
【００４０】
ライトシールド層４０は、磁極層２０から放出された記録用の磁束の広がり成分を取り込むことにより、その磁束の広がりを抑制させるものである。このライトシールド層４０は、薄膜コイル１６に対してトレーリング側に配置されており、エアベアリング面５０から後方に向かって延在することにより、そのエアベアリング面５０に近い側においてギャップ層１２により磁極層２０から隔てられると共に遠い側においてバックギャップ１２ＢＧを通じて磁極層２０に連結されている。特に、ライトシールド層４０は、例えば、互いに別体をなすＴＨ規定層１３（第１の磁気遮蔽層部分）およびヨーク層１７（第２の磁気遮蔽層部分）を含んで構成されている。
【００４１】
ＴＨ規定層１３は、主要な磁束の取り込み口として機能するものであり、図１に示したように、ギャップ層１２に隣接しながら、エアベアリング面５０から後方の位置Ｐ１まで延在し、その位置Ｐ１において、絶縁層３０のうちの補助絶縁層１４に隣接している。このＴＨ規定層１３は、例えば、パーマロイまたは鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されており、例えば、図２に示したように、磁極層２０の幅Ｗ２よりも大きい幅Ｗ３（Ｗ３＞Ｗ２）を有する矩形状の平面形状を有している。上記したように、ＴＨ規定層１３が位置Ｐ１において補助絶縁層１４に隣接していることから、そのＴＨ規定層１３は、絶縁層３０の最前端位置（スロートハイトゼロ位置ＴＰ）を規定することにより、実質的にスロートハイトＴＨを規定する役割を担っている。
【００４２】
ヨーク層１７は、ＴＨ規定層１３から取り込まれた磁束の流路として機能するものであり、図１に示したように、そのＴＨ規定層１３に乗り上げながら、エアベアリング面５０から絶縁層３０上を経由して後方の少なくともバックギャップ１２ＢＧまで延在している。すなわち、ヨーク層１７は、前方においてＴＨ規定層１３に乗り上げて連結されていると共に、後方においてバックギャップ１２ＢＧを通じて磁極層２０に隣接して連結されている。ここでは、ヨーク層１７は、例えば、バックギャップ１２ＢＧにおいて磁極層２０に連結されつつ、そのバックギャップ１２ＢＧよりも後方まで延在している。このヨーク層１７は、例えば、ＴＨ規定層１３と同様に、パーマロイまたは鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されており、図２に示したように、幅Ｗ３を有する矩形状の平面形状を有している。なお、ヨーク層１７は、例えば、図１に示したように、ＴＨ規定層１３と同一階層においてバックギャップ１２ＢＧに配置され、磁極層２０に連結されたヨーク層部分１７Ａと、エアベアリング面５０からバックギャップ１２ＢＧに対応する位置まで延在し、ヨーク層部分１７Ａを介して磁極層２０に連結されたヨーク層部分１７Ｂとを含んで構成されている。
【００４３】
次に、図１〜図３を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明する。
【００４４】
この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時において、図示しない外部回路から記録ヘッド部１００Ｂのうちの薄膜コイル１６に電流が流れると、その薄膜コイル１６において記録用の磁束が発生する。このとき発生した磁束は、磁極層２０（補助磁極層８，主磁極層１０）に収容されたのち、その磁極層２０内を主磁極層１０のうちの先端部１０Ａへ向けて流れる。この際、磁極層２０内を流れる磁束は、その磁極層２０の幅の減少に伴い、フレアポイントＦＰにおいて絞り込まれて集束するため、先端部１０Ａのうちの露出面１０ＭにおいてトレーリングエッジＴＥ近傍に集中する。このトレーリングエッジＴＥ近傍に集中した磁束が外部へ放出されると、記録媒体の表面と直交する方向（垂直方向）に記録磁界（垂直磁界）が発生し、この垂直磁界により記録媒体が垂直方向に磁化されるため、その記録媒体に情報が磁気的に記録される。なお、情報の記録時には、先端部１０Ａから放出された磁束の広がり成分がライトシールド層４０に取り込まれるため、その磁束の広がりが抑制される。このライトシールド層４０に取り込まれた磁束は、バックギャップ１２ＢＧを通じて磁極層２０に環流される。
【００４５】
一方、情報の再生時においては、再生ヘッド部１００ＡのＭＲ素子６にセンス電流が流れると、記録媒体に基づく再生用の信号磁界に応じてＭＲ素子６の抵抗値が変化する。このＭＲ素子６の抵抗変化がセンス電流の変化として検出されるため、記録媒体に記録されている情報が磁気的に再生される。
【００４６】
次に、図１〜図８を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図４〜図８は薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するためのものであり、いずれも図１に対応する断面構成を示している。
【００４７】
以下では、まず、図１を参照して、薄膜磁気ヘッド全体の製造工程の概略について説明したのち、図１〜図８を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法が適用される薄膜磁気ヘッドの主要部（絶縁層３０，ライトシールド層４０）の形成工程について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘッドを構成する一連の構成要素の材質、寸法ならびに構造的特徴に関しては既に詳述したので、それらの説明を随時省略するものとする。
【００４８】
この薄膜磁気ヘッドは、主に、めっき処理またはスパッタリングに代表される成膜技術、フォトリソグラフィ処理に代表されるパターニング技術、ならびにドライエッチングまたはウェットエッチングに代表されるエッチング技術などを含む既存の薄膜プロセスを使用して、各構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。すなわち、薄膜磁気ヘッドを製造する際には、図１に示したように、まず、基板１上に絶縁層２を形成したのち、その絶縁層２上に、下部リードシールド層３と、ＭＲ素子６を埋設したシールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とをこの順に積層させることにより、再生ヘッド部１００Ａを形成する。続いて、再生ヘッド部１００Ａ上に分離層７を形成したのち、その分離層７上に、絶縁層９，１１により周囲を埋設された磁極層２０（補助磁極層８，主磁極層１０）と、バックギャップ１２ＢＧが設けられたギャップ層１２と、薄膜コイル１６を被覆した絶縁層３０（補助絶縁層１４，主絶縁層１５）と、ライトシールド層４０（ＴＨ規定層１３，ヨーク層１７）とをこの順に積層させることにより、記録ヘッド部１００Ｂを形成する。最後に、記録ヘッド部１００Ｂ上にオーバーコート層１８を形成したのち、機械加工や研磨加工を利用してエアベアリング面５０を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００４９】
薄膜磁気ヘッドの主要部を形成する際には、バックギャップ１２ＢＧが設けられたギャップ層１２を形成したのち、まず、図４に示したように、ギャップ層１２上に、例えばめっき処理を使用してめっき膜を選択的に成長させることにより、ライトシールド層４０（図８参照）のうちの一部を構成するＴＨ規定層１３をパターン形成する。このＴＨ規定層１３を形成する際には、ギャップ層１２に隣接しながら、最終的にエアベアリング面５０となる位置（図１参照）から後方の位置Ｐ１まで延在するようにする。
【００５０】
このＴＨ規定層１３の詳細な形成手順は、例えば、以下の通りである。すなわち、まず、ギャップ層１２上に、スパッタリングを使用して電極層としてのシード層（図示せず）を形成する。このシード層の形成材料としては、例えば、ＴＨ規定層１３の形成材料と同様の磁性材料を使用する。続いて、シード層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を塗布したのち、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングすることにより、ＴＨ規定層１３を形成するためのフォトレジストパターン（図示せず）を形成する。このフォトレジストパターンは、ＴＨ規定層１３の平面形状に対応した開口パターンを有する開口部が設けられたものである。なお、フォトレジストパターンの形成材料としては、例えば、ポジ型のフォトレジストを使用してもよいし、あるいはネガ型のフォトレジストを使用してもよい。続いて、先工程において形成したシード層を電極層として、フォトレジストパターンに設けられた開口部にめっき膜を成長させることにより、ＴＨ規定層１３を形成する。最後に、フォトレジストパターンを除去したのち、イオンミリングを使用して、ＴＨ規定層１３をマスクとして使用済みのシード層を選択的にエッチングすることにより、そのシード層の不要部分を除去する。これにより、ギャップ層１２上に、ＴＨ規定層１３がパターン形成される。
【００５１】
なお、ＴＨ規定層１３を形成する際には、例えば、そのＴＨ規定層１３の形成工程においてバックギャップ１２ＢＧにもめっき膜を選択的に成長させることにより、図４に示したように、ライトシールド層４０のうちの他の一部を構成するヨーク層１７（図８参照）の一部分として、ヨーク層部分１７Ａを併せて形成する。
【００５２】
ＴＨ規定層１３およびヨーク層部分１７Ａを形成したのち、それらのＴＨ規定層１３、ヨーク層部分１７Ａおよびその周辺のギャップ層１２を被覆するように、例えばスパッタリングを使用してアルミナなどの無機絶縁性材料を成膜することにより、図５に示したように、前駆絶縁層１４Ｚを形成する。この前駆絶縁層１４Ｚは、後工程において研磨されることにより補助絶縁層１４（図６参照）となる前準備層である。この前駆絶縁層１４Ｚを形成する際には、例えば、表面のうちの最下面の位置がＴＨ規定層１３およびヨーク層部分１７Ａの双方の表面のうちの最上面の位置よりも高くなるようにする。
【００５３】
続いて、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）法を使用して、ＴＨ規定層１３が露出するまで前駆絶縁層１４Ｚを研磨し、すなわち前駆絶縁層１４Ｚと共にＴＨ規定層１３およびヨーク層部分１７Ａを併せて研磨して平坦化することにより、図６に示したように、絶縁層３０（図７参照）の一部を構成する補助絶縁層１４を形成する。この補助絶縁層１４が形成される際には、前駆絶縁層１４Ｚと共にＴＨ規定層１３およびヨーク層部分１７Ａが併せて研磨されることにより平坦化されるため、補助絶縁層１４と共にＴＨ規定層１３およびヨーク層部分１７Ａにより平坦面ＨＭが構成されると共に、ギャップ層１２に隣接しながら、位置Ｐ１から後方に向かって延在するように補助絶縁層１４が形成されるため、最終的にエアベアリング面５０を形成した場合（図１参照）に、位置Ｐ１（スロートハイトゼロ位置ＴＰ）に基づいてスロートハイトＴＨが規定される。
【００５４】
続いて、図７に示したように、補助絶縁層１４上に、その補助絶縁層１４のうちの平坦面ＨＭに隣接しながら後方に向かって延在し、薄膜コイル１６を被覆するように、絶縁層３０のうちの他の一部を構成する主絶縁層１５を形成する。この主絶縁層１５を形成する際には、位置Ｐ１よりも後退した位置Ｐ２から後方に向かって延在するようにする。これにより、補助絶縁層１４および主絶縁層１５を含むように絶縁層３０が形成される。
【００５５】
この主絶縁層１５の詳細な形成手順は、例えば、以下の通りである。すなわち、まず、補助絶縁層１４のうちの平坦面ＨＭ上に、例えばスパッタリングを使用してアルミナなどの無機絶縁性材料を成膜することにより、主絶縁層１５のうちの一部を構成する主絶縁層部分１５Ａをパターン形成する。続いて、主絶縁層部分１５Ａ上に、例えばめっき処理を使用してめっき膜を選択的に成長させることにより、薄膜コイル１６をパターン形成する。最後に、薄膜コイル１６およびその周辺の主絶縁層部分１５Ａを被覆するように、主絶縁層部分１５のうちの他の一部を構成する主絶縁層部分１５Ｂをパターン形成する。この主絶縁層部分１５Ｂを形成する際には、例えば、フォトレジストなどの加熱時に流動性を示す材料を塗布することにより、薄膜コイル１６およびその周辺の主絶縁層部分１５Ａを被覆するようにフォトレジスト膜を形成し、引き続きフォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングしたのち、そのフォトレジスト膜を焼成する。これにより、補助絶縁層１４のうちの平坦面ＨＭ上に、主絶縁層部分１５Ａ，１５Ｂを含むように主絶縁層１５が形成される。
【００５６】
絶縁層３０（補助絶縁層１４，主絶縁層１５）を形成したのち、図８に示したように、例えばめっき処理を使用してめっき膜を選択的に成長させることにより、ＴＨ規定層１３に乗り上げながら、後工程においてエアベアリング面５０となる位置（図１参照）からバックギャップ１２ＢＧを経由して後方まで延在するように、ライトシールド層４０のうちの他の一部を構成するヨーク層１７の他の部分として、ヨーク層部分１７Ｂを形成する。これにより、ヨーク層部分１７Ａ，１７Ｂを含むようにヨーク層１７が形成される結果、ＴＨ規定層１３およびヨーク層１７を含むようにライトシールド層４０が形成されるため、薄膜磁気ヘッドの主要部（絶縁層３０，ライトシールド層４０）が完成する。
【００５７】
なお、上記では、説明を簡略化する関係上、図８に示した時点において、ライトシールド層４０（ＴＨ規定層１３，ヨーク層１７）が完成することとしているが、厳密には、図１に示したように、後工程においてエアベアリング面５０が形成された時点において、ライトシールド層４０（ＴＨ規定層１３，ヨーク層１７）が実質的に完成する。
【００５８】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ギャップ層１２に隣接しながら位置Ｐ１まで延在するようにＴＨ規定層１３を形成し、同様にギャップ層１２に隣接しながら位置１から延在し、その位置Ｐ１に基づいてスロートハイトＴＨを規定するように補助絶縁層１４を形成したのち、補助絶縁層１４上に薄膜コイル１６を被覆するように主絶縁層１５を形成し、ＴＨ規定層１３に乗り上げながら延在するようにヨーク層１７を形成することにより、補助絶縁層１４および主絶縁層１５を含むように絶縁層３０を形成すると共に、ＴＨ規定層１３およびヨーク層１７を含むようにライトシールド層４０を形成したので、以下の理由により、スロートハイトＴＨを高精度に決定することにより記録特性を確保することができる。
【００５９】
図９は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に対する比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの断面構成を表しており、図１に対応する断面構成を示している。この比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、補助絶縁層１４および主絶縁層１５（主絶縁層部分１５Ａ，１５Ｂ）を含むように絶縁層３０を形成している本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法とは異なり、補助絶縁層１５Ａを含まずに主絶縁層部分１５Ｂのみを含むように絶縁層１３０を形成している点を除き、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と同様の工程を経るものである。詳細には、図９に示した比較例の薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層１２上に薄膜コイル１６が配置されていると共に、薄膜コイル１６およびその周辺のギャップ層１２を被覆するように絶縁層１３０（主絶縁層部分１５Ｂ）が設けられている。すなわち、比較例の薄膜磁気ヘッドでは、位置Ｐ１において絶縁層１３０がＴＨ規定層１３に隣接することにより、その絶縁層１３０の前端の位置Ｐ２が位置Ｐ１に一致しており、その位置Ｐ２に基づいてスロートハイトゼロ位置ＴＰが規定されることによりスロートハイトＴＨが規定されている。
【００６０】
比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法（図９参照）では、絶縁層１３０（主絶縁層部分１５Ｂ）により位置Ｐ２に基づいてスロートハイトＴＨが規定されるため、スロートハイトＴＨが目標値からずれやすくなる。すなわち、例えば、絶縁層１３０を構成している主絶縁層部分１５Ｂは、フォトレジストなどの加熱時に流動性を示す材料により形成されており、その主絶縁層部分１５Ｂの形状は、焼成時に加熱された際にフォトレジストが流動することにより、そのフォトレジストの流動後の定着状態に基づいて決定される。この場合には、絶縁層１３０の前端の位置Ｐ２が位置Ｐ１に一致しないと、スロートハイトゼロ位置ＴＰが目標位置からずれるため、スロートハイトＴＨも目標値からずれてしまう。具体的には、例えば、焼成時に加熱された際にフォトレジストが十分に流動しないと、図１０に示したように、絶縁層１３０がＴＨ規定層１３に隣接せず、すなわち絶縁層１３０の前端の位置Ｐ２が位置Ｐ１よりも後方にシフトする結果、その位置Ｐ２に基づいて規定されるスロートハイトゼロ位置ＴＰが目標位置（位置Ｐ１）よりも後退するため、スロートハイトＴＨが目標値よりも長くなってしまう。一方、例えば、焼成時に加熱された際にフォトレジストが過剰に流動すると、図１１に示したように、絶縁層１３０がＴＨ規定層１３に乗り上げ、すなわち絶縁層１３０の前端の位置Ｐ２が位置Ｐ１よりも前方にシフトする結果、その位置Ｐ２に基づいて規定されるスロートハイトゼロ位置ＴＰが目標位置（位置Ｐ１）よりも前進するため、スロートハイトＴＨが目標値よりも短くなってしまう。これにより、比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、絶縁層１３０により位置Ｐ２に基づいてスロートハイトＴＨが正確かつ安定に規定されないため、そのスロートハイトＴＨを高精度に決定することにより記録特性を確保することが困難である。
【００６１】
これに対して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法（図１参照）では、絶縁層３０のうちの補助絶縁層１４により位置Ｐ１に基づいてスロートハイトＴＨが規定されるため、そのスロートハイトＴＨが目標値に一致する。すなわち、例えば、補助絶縁層１４は、アルミナなどの加熱時に流動性を示さない材料により形成されており、その補助絶縁層１４の形状は、前駆絶縁層１４Ｚの研磨後の定着状態に基づいて決定される。この場合には、前駆絶縁層１４Ｚが位置Ｐ１においてＴＨ規定層１３に隣接している限り、補助絶縁層１４により位置Ｐ１に基づいてスロートハイトゼロ位置ＴＰが一義的にされる結果、スロートハイトＴＨも一義的に規定されるため、そのスロートハイトＴＨが目標値に一致する。なお、主絶縁層１５は、上記したように、フォトレジストなどの加熱時に流動性を示す材料により形成されているため、その主絶縁層１５の前端の位置Ｐ２は、フォトレジストの流動状態に応じて変動しやすいが、その主絶縁層１５の前端の位置Ｐ２が位置Ｐ１よりも後退している限り、スロートハイトゼロ位置ＴＰは位置Ｐ１に基づいて規定されるため、上記した限りにおいて主絶縁層１５の前端の位置Ｐ２はスロートハイトゼロ位置ＴＰに寄与しない。具体的には、例えば、主絶縁層１５の前端の位置Ｐ２の変動具合（例えば目標位置に対して±０．１５μｍ）を見込んで、その位置Ｐ２が変動した場合においても位置Ｐ１よりも前方に突出しないように、主絶縁層１５を位置Ｐ１よりも後退させておけば、常に位置Ｐ１に基づいてスロートハイトゼロ位置ＴＰが決定される。したがって、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、補助絶縁層１４により位置Ｐ１に基づいてスロートハイトＴＨが正確かつ安定に決定されるため、そのスロートハイトＴＨを高精度に決定することにより記録特性を確保することができるのである。この場合には、特に、今日の技術的背景を考慮して、スロートハイトＴＨを約０．３μｍ以下に至るまで著しく短縮させた場合においても、そのスロートハイトＴＨを高精度に決定することができる。
【００６２】
また、本実施の形態では、補助絶縁層１４および主絶縁層１５を含むように、薄膜コイル１６を被覆する絶縁層３０を形成したので、以下の観点においても利点を有する。すなわち、薄膜コイル１６がギャップ層１２上に形成される比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法（図９参照）では、めっき処理を使用して薄膜コイル１６を形成したのち、上記したように、イオンミリングを使用してシード層の不要部分を除去する際に、そのイオンミリングのエッチング作用が下地の極薄（約４０．０ｎｍ厚）のギャップ層１２に及ぶと、ギャップ層１２がシード層と共に除去される結果、そのギャップ層１２の除去箇所にピンホールが生じやすくなる。ギャップ層１２にピンホールが生じると、そのピンホールを通じて薄膜コイル１６が意図せずに磁極層２０に導通するため、いわゆる短絡が生じてしまう。これに対して、薄膜コイル１６が補助絶縁層１４および主絶縁層部分１５Ａに形成される本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法（図１参照）では、ギャップ層１２と薄膜コイル１６との間に補助絶縁層１４および主絶縁層部分１５Ａが介在するため、イオンミリングを使用してシード層の不要部分を除去する際に、そのイオンミリングのエッチング作用がギャップ層１２まで及びにくい。したがって、本実施の形態では、イオンミリングのエッチング作用に起因してギャップ層１２にピンホールが生じにくいため、薄膜コイル１６と磁極層２０との間の短絡を防止することができる。
【００６３】
また、本実施の形態では、補助絶縁層１４の平坦面ＨＭ上に、主絶縁層部分１５Ａを介して薄膜コイル１６を形成したので、めっき処理を使用して薄膜コイル１６を形成する際に、その薄膜コイル１６を形成するためのフォトレジストパターンが高精度に形成される。なぜなら、フォトレジストパターンを形成するためにフォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜を露光する際に、薄膜コイル１６を形成する下地が凹凸を有している場合には、その下地の凹凸に応じて露光用の光が斜め方向に反射しやすいため、その斜め方向に反射する光に起因してフォトレジスト膜に対する露光領域が拡大しやすいが、薄膜コイル１６を形成する下地が平坦な場合には、その下地において露光用の光が斜め方向に反射しにくいため、フォトレジスト膜に対する露光領域が拡大しにくくなるからである。したがって、高精度に形成されたフォトレジストパターンを使用して薄膜コイル１６を形成することが可能であるため、巻線幅や巻線間隔を極微細化した場合においても薄膜コイル１６を高精度に形成することができる。
【００６４】
特に、上記した他、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層１２に隣接しながら位置Ｐ１から延在し、その位置Ｐ１に基づいてスロートハイトＴＨを規定する補助絶縁層１４と、その補助絶縁層１４に隣接しながら位置Ｐ１よりも後退した位置Ｐ２から延在し、薄膜コイル１６を被覆する主絶縁層１５を含むように絶縁層３０を構成すると共に、ギャップ層１２に隣接しながら位置Ｐ１まで延在するＴＨ規定層１３と、そのＴＨ規定層１３に部分的に乗り上げながら延在するヨーク層１７とを含むようにライトシールド層４０を構成したので、上記したように、補助絶縁層１４により位置Ｐ１に基づいてスロートハイトＴＨが正確かつ安定に規定される。したがって、スロートハイトＴＨが高精度に決定されるため、記録特性を確保することができる。
【００６５】
また、本実施の形態では、図１に示したように、磁極層２０と薄膜コイル１６との間に、絶縁層３０の一部を構成する補助絶縁層１４が介在しているため、磁極層２０と薄膜コイル１６との間に補助絶縁層１４が介在していない比較例の薄膜磁気ヘッド（図９参照）と比較して、磁極層２０と薄膜コイル１６との間の距離が大きくなり、すなわち磁極層２０が薄膜コイル１６からより遠ざけられる。この場合には、薄膜コイル１６が通電されることにより発熱した際に、その熱が補助絶縁層１４の存在に基づいて磁極層２０に伝導しにくくなるため、比較例の薄膜磁気ヘッドと比較して、エアベアリング面５０に露出している主磁極層１０まで伝導する熱伝導量が減少する。したがって、本実施の形態では、主磁極層１０の突起欠陥、すなわち主磁極層１０が熱的に膨張することに起因して意図せずにエアベアリング面５０から突出する不具合の発生を抑制することができる。
【００６６】
なお、本実施の形態では、図１に示したように、補助磁極層８がリーディング側に配置され、主磁極層１０がトレーリング側に配置されるように磁極層２０を構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図１２に示したように、補助磁極層８がトレーリング側に配置され、主磁極層１０がリーディング側に配置されるように磁極層２０を構成してもよい。図１２に示した薄膜磁気ヘッドでは、例えば、絶縁層９により周囲を埋設される代わりに、図１に示した補助絶縁層１４の配置領域のうちの一部領域およびヨーク層部分１７Ａの配置領域を占有するように補助磁極層８が配置されていると共に、ギャップ層１２が補助絶縁層１４および補助磁極層８の双方に乗り上げ、かつライトシールド層４０のうちのヨーク層１７がヨーク層部分１７Ｂのみを含んでいることを除き、図１に示した薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有している。図１２に示した薄膜磁気ヘッドでは、図１に示した薄膜磁気ヘッドと比較して、補助磁極層８がライトシールド層４０に近接して配置されていることに基づき、薄膜コイル１６において発生した記録用の磁束が補助磁極層８に収容された際に、その磁束の一部が主磁極層１０へ流入せずにエアベアリング面５０へ向かって流れたとしても、その主磁極層１０へ流入しなかった磁束がライトシールド層４０に取り込まれることによりエアベアリング面５０から放出されにくいため、意図しない情報の消去、すなわち補助磁極層８に収容された磁束が主磁極層１０を経由せずにエアベアリング面５０から直接的に放出されることに起因して、記録媒体に記録されていた情報が意図せずに上書きされる不具合の発生を抑制することができる。
【００６７】
また、本実施の形態では、図１に示したように、主絶縁層部分１５Ａ，１５Ｂを含むように主絶縁層１５を構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、主絶縁層部分１５Ａを含まずに主絶縁層部分１５Ｂのみを含むように主絶縁層１５を構成してもよい。
【００６８】
また、本実施の形態では、図３に示したように、主磁極層１０の露出面１０Ｍが左右対象な逆台形状を有するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、露出面１０Ｍの平面形状は自由に変更可能である。
【００６９】
以上をもって、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法についての説明を終了する。
【００７０】
次に、図１３および図１４を参照して、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の構成について説明する。図１３は磁気記録装置の斜視構成を表しており、図１４は磁気記録装置の主要部の斜視構成を拡大して表している。この磁気記録装置は、上記実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッドを搭載したものであり、例えばハードディスクドライブである。
【００７１】
この磁気記録装置は、図１３に示したように、例えば、筐体２００の内部に、情報が磁気的に記録される記録媒体としての複数の磁気ディスク（例えばハードディスク）２０１と、各磁気ディスク２０１に対応して配置され、磁気ヘッドスライダ２０２を一端部において支持する複数のサスペンション２０３と、このサスペンション２０３の他端部を支持する複数のアーム２０４とを備えている。磁気ディスク２０１は、筐体２００に固定されたスピンドルモータ２０５を中心として回転可能になっている。アーム２０４は、動力源としての駆動部２０６に接続されており、筐体２００に固定された固定軸２０７を中心として、ベアリング２０８を介して旋回可能になっている。駆動部２０６は、例えば、ボイスコイルモータなどの駆動源を含んで構成されている。この磁気記録装置は、例えば、固定軸２０７を中心として複数のアーム２０４が一体的に旋回可能なモデルである。なお、図１３では、磁気記録装置の内部構造を見やすくするために、筐体２００を部分的に切り欠いて示している。
【００７２】
磁気ヘッドスライダ２０２は、図１４に示したように、例えばアルティックなどの非磁性絶縁材料により構成された略直方体構造を有する基体２１１の一面に、記録処理および再生処理の双方を実行する薄膜磁気ヘッド２１２が取り付けられた構成を有している。この基体２１１は、例えば、アーム２０４の旋回時に生じる空気抵抗を減少させるための凹凸構造が設けられた一面（エアベアリング面２２０）を有しており、そのエアベアリング面２２０と直交する他の面（図１４中、右手前側の面）に、薄膜磁気ヘッド２１２が取り付けられている。この薄膜磁気ヘッド２１２は、上記実施の形態において説明した構成を有するものである。この磁気ヘッドスライダ２０２は、情報の記録時または再生時において磁気ディスク２０１が回転すると、その磁気ディスク２０１の記録面（磁気ヘッドスライダ２０２と対向する面）とエアベアリング面２２０との間に生じる空気流を利用して、磁気ディスク２０１の記録面から浮上するようになっている。なお、図１４では、磁気ヘッドスライダ２０２のうちのエアベアリング面２２０側の構造を見やすくするために、図１３に示した状態とは上下を反転させた状態を示している。
【００７３】
この磁気記録装置では、情報の記録時または再生時においてアーム２０４が旋回することにより、磁気ディスク２０１のうちの所定の領域（記録領域）まで磁気ヘッドスライダ２０２が移動する。そして、磁気ディスク２０１と対向した状態において薄膜磁気ヘッド２１２が通電されると、上記実施の形態において説明した動作原理に基づいて薄膜磁気ヘッド２１２が動作することにより、その薄膜磁気ヘッド２１２が磁気ディスク２０１に記録処理または再生処理を施す。
【００７４】
この磁気記録装置では、上記した構造的特徴を有する薄膜磁気ヘッド２１２を搭載したので、その薄膜磁気ヘッド２１２においてスロートハイトＴＨが正確かつ安定に決定される。したがって、スロートハイトＴＨが高精度に決定された薄膜磁気ヘッド２１２を搭載しているため、記録特性を確保することができる。
【００７５】
なお、この磁気記録装置に搭載されている薄膜磁気ヘッド２１２に関する上記以外の構成、動作、作用、効果および変形例は上記実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【実施例】
【００７６】
次に、本発明に関する実施例について説明する。
【００７７】
上記実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッドの製造方法（以下、単に「本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法」という。）を使用して、補助絶縁層および主絶縁層を含むように絶縁層を形成すると共にＴＨ規定層およびヨーク層を含むようにライトシールド層を形成することにより薄膜磁気ヘッド（図１〜図３参照）を製造したのち、その薄膜磁気ヘッドを磁気記録装置（図１３および図１４参照）に搭載させることにより記録処理を実施した。
【００７８】
この磁気記録装置に搭載された薄膜磁気ヘッドの記録特性を調べたところ、以下の結果が得られた。まず、ライトシールド層のうちのＴＨ規定層の「厚さＴ（μｍ；図１参照）」を変化させながら（厚さＴ＝０．３０μｍ，０．４５μｍ，０．６０μｍ）、垂直磁界の「磁界強度Ｈ（１０3 ／（４π）Ａ／ｍ＝Ｏｅ）」および「磁界強度勾配ＨＧ（［１０3 ／（４π）Ａ／ｍ］／ｎｍ＝Ｏｅ／ｎｍ）」を調べたところ、表１に示した結果が得られた。表１は、薄膜磁気ヘッドの記録特性とＴＨ規定層の厚さＴとの間の相関を表している。なお、薄膜磁気ヘッドの記録特性とＴＨ規定層の厚さＴとの間の相関を調べる際には、エアベアリング面に対する主絶縁層の「後退距離Ｌ（μｍ；図１参照）」を０．４０μｍに固定した。ＴＨ規定層の厚さＴは、補助絶縁層の厚さに対応している。
【００７９】
【表１】
2006120224.tif 000003
【００８０】
表１に示した結果から判るように、厚さＴを０．３０μｍ，０．４５μｍ，０．６０μｍに変化させたところ、８７９７×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ〜８８８０×１０3 ／（４π）Ａ／ｍの十分な磁界強度Ｈが得られたと共に、１２５×［１０3 ／（４π）Ａ／ｍ］／ｎｍ〜１２７×［１０3 ／（４π）Ａ／ｍ］／ｎｍの急峻な磁界強度勾配ＨＧが得られ、すなわち厚さＴを変化させた場合においても、十分な磁界強度Ｈおよび急峻な磁界強度勾配ＨＧが安定に得られた。このことから、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、補助絶縁層および主絶縁層を含むように絶縁層を形成すると共にＴＨ規定層およびヨーク層を含むようにライトシールド層を形成することにより、十分な磁界強度および急峻な磁界強度勾配が確保されるため、スロートハイトを高精度に決定することにより記録特性を確保することが可能であることが確認された。
【００８１】
続いて、エアベアリング面に対する主絶縁層の「後退距離Ｌ（μｍ；図１参照）」を変化させながら（後退距離Ｌ＝０．３５μｍ，０．４０μｍ，０．４５μｍ）、垂直磁界の「磁界強度Ｈ（１０3 ／（４π）Ａ／ｍ＝Ｏｅ）」および「磁界強度勾配ＨＧ（［１０3 ／（４π）Ａ／ｍ］／ｎｍ＝Ｏｅ／ｎｍ）」を調べたところ、表２に示した結果が得られた。表２は、薄膜磁気ヘッドの記録特性と主絶縁層の後退距離Ｌとの間の相関を表している。なお、薄膜磁気ヘッドの記録特性と主絶縁層の後退距離Ｌとの間の相関を調べる際には、ＴＨ規定層の「厚さＴ（μｍ；図１参照）」を０．４５μｍに固定した。主絶縁層の後退距離Ｌは、ライトシールド層を構成しているヨーク層のうち、ＴＨ規定層に連結されている部分の長さに対応している。
【００８２】
【表２】
2006120224.tif 000004
【００８３】
表２に示した結果から判るように、後退距離Ｌを０．３５μｍ，０．４０μｍ，０．４５μｍに変化させたところ、８８８０×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ〜８８９４×１０3 ／（４π）Ａ／ｍの十分な磁界強度Ｈが得られたと共に、１２７×［１０3 ／（４π）Ａ／ｍ］／ｎｍの急峻な磁界強度勾配ＨＧが得られ、すなわち後退距離Ｌを変化させた場合においても、十分な磁界強度Ｈおよび急峻な磁界強度勾配ＨＧが安定に得られた。このことから、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、補助絶縁層および主絶縁層を含むように絶縁層を形成すると共にＴＨ規定層およびヨーク層を含むようにライトシールド層を形成することにより、やはりスロートハイトを高精度に決定することにより記録特性を確保することが可能であることが確認された。
【００８４】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態および実施例では、本発明を複合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。もちろん、本発明を、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドについても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに磁気記録装置は、例えば、ハードディスクに磁気的に情報を記録するハードディスクドライブなどに適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の平面構成を表す平面図である。
【図３】図１に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の露出面の平面構成を表す平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に対する比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図１０】比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する問題点を説明するための断面図である。
【図１１】比較例の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する他の問題点を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成に関する変形例を表す断面図である。
【図１３】本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の斜視構成を表す斜視図である。
【図１４】図１３に示した磁気記録装置の主要部の斜視構成を拡大して表す斜視図である。
【符号の説明】
【００８７】
１…基板、２，９，１１…絶縁層、３…下部リードシールド層、４…シールドギャップ膜、５…上部リードシールド層、６…ＭＲ素子、７…分離層、８…補助磁極層、１０…主磁極層、１０Ａ…先端部、１０Ｂ…後端部、１０Ｍ…露出面、１２…ギャップ層、１２ＢＧ…バックギャップ、１３…ＴＨ規定層、１４…補助絶縁層、１４Ｚ…前駆絶縁層、１５…主絶縁層、１５Ａ，１５Ｂ…主絶縁層部分、１６…薄膜コイル、１７…ヨーク層、１７Ａ，１７Ｂ…ヨーク層部分、１８…オーバーコート層、２０…磁極層、３０…絶縁層、４０…ライトシールド層、５０，２２０…エアベアリング面、１００Ａ…再生ヘッド部、１００Ｂ…記録ヘッド部、２００…筐体、２０１…磁気ディスク、２０２…磁気ヘッドスライダ、２０３…サスペンション、２０４…アーム、２０５…スピンドルモータ、２０６…駆動部、２０７…固定軸、２０８…ベアリング、２１１…基体、２１２…薄膜磁気ヘッド、Ｅ１…上端縁、Ｅ２…下端縁、Ｅ３…側端縁、ＨＭ…平坦面、ＬＥ…リーディングエッジ、Ｍ…媒体進行方向、Ｐ１，Ｐ２…位置、ＴＥ…トレーリングエッジ、ＴＨ…スロートハイト、ＴＰ…スロートハイトゼロ位置、θ…角度。
【図１】
2006120224.tif 000005
【図２】
2006120224.tif 000006
【図３】
2006120224.tif 000007
【図４】
2006120224.tif 000008
【図５】
2006120224.tif 000009
【図６】
2006120224.tif 000010
【図７】
2006120224.tif 000011
【図８】
2006120224.tif 000012
【図９】
2006120224.tif 000013
【図１０】
2006120224.tif 000014
【図１１】
2006120224.tif 000015
【図１２】
2006120224.tif 000016
【図１３】
2006120224.tif 000017
【図１４】
2006120224.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束を発生させる薄膜コイルと、
媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させると共に、前記記録媒体対向面において前記記録媒体の記録トラック幅を規定する幅を有する磁極層と、
前記磁極層の前記媒体進行方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられ、かつ、遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層に連結され、前記記録媒体対向面において前記記録トラック幅を規定する幅よりも大きな幅を有すると共に、前記ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方の少なくとも前記バックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分と、を含む磁気遮蔽層と、
前記ギャップ層に隣接しながら前記第１の位置から後方に向かって延在し、前記第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に前記第１の位置に基づいてスロートハイトを規定し、無機絶縁性材料を含んで構成された第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分のうちの前記平坦面に隣接しながら前記第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルを被覆すると共に、加熱時に流動性を示す材料を含んで構成された第２の絶縁層部分と、を含む絶縁層と、を備えた
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させると共に、前記記録媒体対向面において前記記録媒体の記録トラック幅を規定する幅を有する磁極層と、前記磁極層の前記媒体進行方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられ、かつ、遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層に連結されると共に、前記記録媒体対向面において前記記録トラック幅を規定する幅よりも大きな幅を有する磁気遮蔽層と、スロートハイトを規定すると共に前記薄膜コイルを被覆する絶縁層と、を備えた垂直磁気記録ヘッドの製造方法であって、
前記磁気遮蔽層および前記絶縁層を形成する工程が、
前記バックギャップが設けられた前記ギャップ層上に、そのギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在するように、前記磁気遮蔽層のうちの一部を構成する第１の磁気遮蔽層部分を形成する第１の工程と、
前記ギャップ層に隣接しながら前記第１の位置から後方に向かって延在し、前記第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に前記第１の位置に基づいて前記スロートハイトを規定し、無機絶縁性材料を含むように、前記絶縁層のうちの一部を構成する第１の絶縁層部分を形成する第２の工程と、
前記第１の絶縁層部分のうちの前記平坦面に隣接しながら前記第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルを被覆すると共に加熱時に流動性を示す材料を含むように、前記絶縁層のうちの他の一部を構成する第２の絶縁層部分を形成することにより、前記第１の絶縁層部分および前記第２の絶縁層部分を含むように前記絶縁層を形成する第３の工程と、
前記第１の磁気遮蔽層部分に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方の少なくとも前記バックギャップまで延在するように、前記磁気遮蔽層のうちの他の一部を構成する第２の磁気遮蔽層部分を形成することにより、前記第１の磁気遮蔽層部分および前記第２の磁気遮蔽層部分を含むように前記磁気遮蔽層部分を形成する第４の工程と、を含む
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第２の工程が、
前記第１の磁気遮蔽層部分およびその周辺の前記ギャップ層を被覆するように、前駆絶縁層を形成する工程と、
前記前駆絶縁層と共に前記第１の磁気遮蔽層部分を併せて研磨して平坦化することにより、前記第１の絶縁層部分を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項２記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第３の工程が、
前記第１の絶縁層部分のうちの前記平坦面上に、前記第２の絶縁層部分のうちの一部を構成する下地絶縁層部分を形成する工程と、
前記下地絶縁層部分上に、前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記薄膜コイルおよびその周辺の前記下地絶縁層部分を被覆するように、前記第２の絶縁層部分のうちの他の一部を構成する被覆絶縁層部分を形成することにより、前記下地絶縁層部分および前記被覆絶縁層部分を含むように前記第２の絶縁層部分を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項５】
媒体進行方向に移動する記録媒体と、その記録媒体に磁気的処理を施す垂直磁気記録ヘッドと、を搭載し、
その垂直磁気記録ヘッドが、
磁束を発生させる薄膜コイルと、
媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させると共に、前記記録媒体対向面において前記記録媒体の記録トラック幅を規定する幅を有する磁極層と、
前記磁極層の前記媒体進行方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられ、かつ、遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層に連結され、前記記録媒体対向面において前記記録トラック幅を規定する幅よりも大きな幅を有すると共に、前記ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方の少なくとも前記バックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分と、を含む磁気遮蔽層と、
前記ギャップ層に隣接しながら前記第１の位置から後方に向かって延在し、前記第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に前記第１の位置に基づいてスロートハイトを規定し、無機絶縁性材料を含んで構成された第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分のうちの前記平坦面に隣接しながら前記第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルを被覆すると共に、加熱時に流動性を示す材料を含んで構成された第２の絶縁層部分と、を含む絶縁層と、を備えた
ことを特徴とする磁気記録装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法、ならびにその垂直磁気記録ヘッドを搭載した磁気記録装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、スロートハイトが高精度に決定されることにより記録特性が確保された垂直磁気記録ヘッドを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明の第２の目的は、スロートハイトを高精度に決定することにより記録特性を確保することが可能な垂直磁気記録ヘッドの製造方法を提供することにある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
さらに、本発明の第３の目的は、スロートハイトが高精度に決定された垂直磁気記録ヘッドを搭載し、記録特性が確保された磁気記録装置を提供することにある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させると共に、記録媒体対向面において記録媒体の記録トラック幅を規定する幅を有する磁極層と、磁極層の媒体進行方向側において記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により磁極層から隔てられ、かつ、遠い側においてバックギャップを通じて磁極層に連結され、記録媒体対向面において記録トラック幅を規定する幅よりも大きな幅を有すると共に、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分とを含む磁気遮蔽層と、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に第１の位置に基づいてスロートハイトを規定し、無機絶縁性材料を含んで構成された第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分のうちの平坦面に隣接しながら第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、薄膜コイルを被覆すると共に、加熱時に流動性を示す材料を含んで構成された第２の絶縁層部分とを含む絶縁層とを備えたものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドでは、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、その第１の位置に基づいてスロートハイトを規定すると共に無機絶縁性材料を含んで構成された第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分のうちの平坦面に隣接しながら第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、薄膜コイルを被覆すると共に加熱時に流動性を示す材料を含んで構成された第２の絶縁層部分とを含むように絶縁層が構成されていると共に、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分とを含むように磁気遮蔽層が構成されている。第１の絶縁層部分により第１の位置に基づいてスロートハイトが正確かつ安定に規定される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させると共に、記録媒体対向面において記録媒体の記録トラック幅を規定する幅を有する磁極層と、記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により磁極層から隔てられ、かつ、遠い側においてバックギャップを通じて磁極層に連結されると共に、記録媒体対向面において記録トラック幅を規定する幅よりも大きな幅を有する磁気遮蔽層と、スロートハイトを規定すると共に薄膜コイルを被覆する絶縁層とを備えた垂直磁気記録ヘッドを製造する方法であり、磁気遮蔽層および絶縁層を形成する工程が、バックギャップが設けられたギャップ層上に、そのギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在するように、磁気遮蔽層のうちの一部を構成する第１の磁気遮蔽層部分を形成する第１の工程と、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に第１の位置に基づいてスロートハイトを規定し、無機絶縁性材料を含むように、絶縁層のうちの一部を構成する第１の絶縁層部分を形成する第２の工程と、第１の絶縁層部分のうちの平坦面に隣接しながら第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、薄膜コイルを被覆すると共に加熱時に流動性を示す材料を含むように、絶縁層のうちの他の一部を構成する第２の絶縁層部分を形成することにより、第１の絶縁層部分および第２の絶縁層部分を含むように絶縁層を形成する第３の工程と、第１の磁気遮蔽層部分に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在するように、磁気遮蔽層のうちの他の一部を構成する第２の磁気遮蔽層部分を形成することにより、第１の磁気遮蔽層部分および第２の磁気遮蔽層部分を含むように磁気遮蔽層部分を形成する第４の工程とを含むものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法では、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在するように第１の磁気遮蔽層部分が形成され、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、その第１の位置に基づいてスロートハイトを規定すると共に無機絶縁性材料を含むように第１の絶縁層部分が形成されたのち、第１の絶縁層部分のうちの平坦面に隣接しながら第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、薄膜コイルを被覆すると共に加熱時に流動性を示す材料を含むように第２の絶縁層部分が形成され、第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在するように第２の磁気遮蔽層部分が形成されることにより、第１の磁気遮蔽層部分および第２の磁気遮蔽層部分を含むように磁気遮蔽層が形成されると共に、第１の絶縁層部分および第２の絶縁層部分を含むように絶縁層が形成される。この場合には、第１の絶縁層部分により第１の位置に基づいてスロートハイトが一義的に規定されるため、スロートハイトが目標値に一致する。これにより、第１の絶縁層部分により第１の位置に基づいてスロートハイトが正確かつ安定に規定される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る磁気記録装置は、媒体進行方向に移動する記録媒体と、その記録媒体に磁気的処理を施す垂直磁気記録ヘッドとを搭載し、その垂直磁気記録ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させると共に、記録媒体対向面において記録媒体の記録トラック幅を規定する幅を有する磁極層と、磁極層の媒体進行方向側において記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により磁極層から隔てられ、かつ、遠い側においてバックギャップを通じて磁極層に連結され、記録媒体対向面において記録トラック幅を規定する幅よりも大きな幅を有すると共に、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分とを含む磁気遮蔽層と、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に第１の位置に基づいてスロートハイトを規定し、無機絶縁性材料を含んで構成された第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分のうちの平坦面に隣接しながら第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、薄膜コイルを被覆すると共に、加熱時に流動性を示す材料を含んで構成された第２の絶縁層部分とを含む絶縁層とを備えたものである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る磁気記録装置では、上記した構造的特徴を有する垂直磁気記録ヘッドを搭載しているため、その垂直磁気記録ヘッドにおいてスロートハイトが正確かつ安定に決定される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
なお、本発明に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法では、第２の工程が、第１の磁気遮蔽層部分およびその周辺のギャップ層を被覆するように前駆絶縁層を形成する工程と、前駆絶縁層と共に第１の磁気遮蔽層部分を併せて研磨して平坦化することにより第１の絶縁層部分を形成する工程とを含むようにしてもよい。また、第３の工程が、第１の絶縁層部分のうちの平坦面上に第２の絶縁層部分のうちの一部を構成する下地絶縁層部分を形成する工程と、下地絶縁層部分上に薄膜コイルを形成する工程と、薄膜コイルおよびその周辺の下地絶縁層部分を被覆するように第２の絶縁層部分のうちの他の一部を構成する被覆絶縁層部分を形成することにより、下地絶縁層部分および被覆絶縁層部分を含むように第２の絶縁層部分を形成する工程とを含むようにしてもよい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドによれば、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、その第１の位置に基づいてスロートハイトを規定すると共に無機絶縁性材料を含んで構成された第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分のうちの平坦面に隣接しながら第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、薄膜コイルを被覆すると共に加熱時に流動性を示す材料を含んで構成された第２の絶縁層部分とを含むように絶縁層が構成されていると共に、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分とを含むように磁気遮蔽層が構成されている構造的特徴に基づき、第１の絶縁層部分により第１の位置に基づいてスロートハイトが正確かつ安定に規定される。したがって、スロートハイトが高精度に決定されるため、記録特性を確保することができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法によれば、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在するように第１の磁気遮蔽層部分を形成し、ギャップ層に隣接しながら第１の位置から後方に向かって延在し、その第１の位置に基づいてスロートハイトを規定すると共に無機絶縁性材料を含むように第１の絶縁層部分を形成したのち、その第１の絶縁層部分に隣接しながら第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、薄膜コイルを被覆すると共に加熱時に流動性を示す材料を含むように第２の絶縁層部分を形成し、第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在するように第２の磁気遮蔽層部分を形成することにより、第１の磁気遮蔽層部分および第２の磁気遮蔽層部分を含むように磁気遮蔽層を形成すると共に、第１の絶縁層部分および第２の絶縁層部分を含むように絶縁層を形成する製法的特徴に基づき、第１の絶縁層部分により第１の位置に基づいてスロートハイトが正確かつ安定に規定される。したがって、スロートハイトを高精度に決定することにより記録特性を確保することができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係る磁気記録装置によれば、上記した構造的特徴を有する垂直磁気記録ヘッドを搭載しているため、その垂直磁気記録ヘッドにおいてスロートハイトが正確かつ安定に決定される。したがって、スロートハイトが高精度に決定された垂直磁気記録ヘッドを搭載することにより、記録特性を確保することができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法、ならびに磁気記録装置は、例えば、ハードディスクに磁気的に情報を記録するハードディスクドライブなどに適用することが可能である。