(57)【要約】      （修正有）【課題】生体印加用交流電圧の波形として矩形波を用いた電位治療器を提供する。【解決手段】矩形波の交流高電圧による電界内に生体を置くことにより治療する交流電位治療器が提供される。交流電位治療器は、一次側に印加される交流電圧を治療に必要な交流高電圧に昇圧して二次側に出力する昇圧トランス１０と、前記昇圧トランス１０の一次側に印加する矩形波を発生する矩形波発生回路と、前記昇圧トランスの二次側の出力端子１２に出力される前記交流高電圧から、正側と負側の波高値の電圧比率が、例えば１：３の生体印加交流電圧を生成する治療電圧発生回路とを具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体を交流高電圧による電界内に置くことにより治療する交流電位治療器において、前記交流高電圧の波形が矩形波であることを特徴とする交流電位治療器。
【請求項２】
請求項１に記載の電位治療器であって、該治療器は、
一次側に印加される交流電圧を治療に必要な交流高電圧に昇圧して二次側に出力する昇圧トランスと、
前記昇圧トランスの一次側に印加する矩形波を発生する矩形波発生回路と、
前記昇圧トランスの二次側に出力される前記交流高電圧から、正側と負側の波高値が任意の比率に設定される矩形波の生体印加交流電圧を生成する治療電圧発生回路と、
を具備することを特徴とする交流電位治療器。
【請求項３】
請求項２に記載の電位治療器において、前記正側と負側の波高値の比率は１：３であることを特徴とする交流電位治療器。
【請求項４】
請求項２に記載の電位治療器において、前記矩形波発生回路は、前記昇圧トランスの一次側に接続され、１８０°異なる位相でスイッチング動作する矩形波成形第１トランジスタと矩形波成形第２トランジスタを有することを特徴とする交流電位治療器。
【請求項５】
請求項２に記載の電位治療器において、前記矩形波発生回路は、前記昇圧トランスの一次側に接続され、１８０°異なる位相でスイッチング動作する直列に接続された矩形波成形第１トランジスタと矩形波成形第２トランジスタ、および１８０°異なる位相でスイッチング動作する直列に接続された矩形波成形第３トランジスタと矩形波成形第４トランジスタを有することを特徴とする交流電位治療器。
【請求項６】
請求項４に記載の電位治療器において、前記矩形波発生回路は、更に前記矩形波成形第１および第２トランジスタを、それぞれ１８０°異なる位相でスイッチング動作させるためのスイッチング手段を有することを特徴とする交流電位治療器。
【請求項７】
請求項４に記載の電位治療器において、前記矩形波成形第１および第２トランジスタはバイポーラ型トランジスタであることを特徴とする交流電位治療器。
【請求項８】
請求項４に記載の電位治療器において、前記矩形波成形第１および第２トランジスタは電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）であることを特徴とする交流電位治療器。
【請求項９】
請求項５に記載の電位治療器において、前記矩形波成形第１乃至第４トランジスタはバイポーラ型トランジスタであることを特徴とする交流電位治療器。
【請求項１０】
請求項５に記載の電位治療器において、前記矩形波成形第１乃至第４トランジスタは電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）であることを特徴とする交流電位治療器。
【請求項１１】
請求項５に記載の電位治療器において、前記矩形波発生回路は、更に前記矩形波成形第１および第２トランジスタと、前記矩形波成形第３および第４トランジスタとを、それぞれ１８０°異なる位相でスイッチング動作させるためのスイッチング手段を有することを特徴とする交流電位治療器。
【請求項１２】
請求項６に記載の電位治療器において、前記スイッチング手段は、マイクロコンピュータで構成されることを特徴とする交流電位治療器。
【請求項１３】
請求項６に記載の電位治療器において、前記スイッチング手段は、直列に接続された２つのインバータで構成されることを特徴とする交流電位治療器。
【請求項１４】
請求項６に記載の電位治療器において、前記スイッチング手段は、フリップフロップ回路で構成されることを特徴とする交流電位治療器。
【請求項１５】
請求項６に記載の電位治療器において、前記スイッチング手段は、入力トランスで構成されることを特徴とする交流電位治療器。
【請求項１６】
請求項１１に記載の電位治療器において、前記スイッチング手段は、マイクロコンピュータで構成されることを特徴とする交流電位治療器。
【請求項１７】
請求項１１に記載の電位治療器において、前記スイッチング手段は、直列に接続された２つのインバータで構成されることを特徴とする交流電位治療器。
【請求項１８】
請求項１１に記載の電位治療器において、前記スイッチング手段は、フリップフロップ回路で構成されることを特徴とする交流電位治療器。
【請求項１９】
請求項１１に記載の電位治療器において、前記スイッチング手段は、入力トランスで構成されることを特徴とする交流電位治療器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電位治療器に関し、特に、正・負波高値の電圧比率が、例えば１：３の交流高電圧による電界内に生体を置くことにより、生体の治療等を実施する交流電位治療器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の交流電位治療器は、数百から数千ボルトの交流高電圧に基づく電界内に生体を置くことにより、生体内のイオン効果が促進され、すなわち血液中のナトリウムやカルシウムのイオン化量が正常な値に誘引され、生体各部の機能を正常化するものである。具体的には、交流電位治療器の使用により、肩凝り、頭痛、慢性便秘、不眠症などの不快な症状が効果的に緩和される。交流電圧を生体に印加するに際して、通常は、正側対負側１：１の正弦波交流高電圧をそのまま印加するのではなく、興奮作用を呈する交流電圧の正電位を鎮静作用を呈する負電位よりも低くすることが行われている。具体的には、正・負波高値の電圧比率を、健康な生体内に存在する正・負イオンの理想的な比率である１：３(すなわち、正側２５％対負側７５％)にすることにより、生体の新陳代謝が旺盛になり治療効果が高まるとの経験則から、正・負波高値の電圧比率を、約１：３にすることが多い。しかしながら、その比率は、必ずしも１：３に限られるわけではなく、１：１の場合を含め、使用目的に応じて比率は任意に設定されればよい。以下の説明では、説明の都合上、実際の治療器で最も多い正・負波高値の電圧比率が約１：３の場合を中心に説明する。
【０００３】
従来の交流電位治療器における数百から数千ボルトの交流高電圧の生成は、一般的には、一次巻線が商用電源(１００Ｖ)に接続される高圧昇圧トランスによって行われる。昇圧トランスの二次巻線に生じる交流高電圧は、当然ながら正・負波高値の電圧比率が１：１(すなわち、正側５０％対負側５０％)そのままの正弦波であるので、健康な生体内に存在する正・負イオンの理想的な比率である前記１：３にすることが好ましいこともあり、従来、そのための各種回路が考案・実用化されている。
【０００４】
正・負波高値の電圧比率を１：３に変えるための回路には、代表的なものとして、特許第２６０９５７４号特許公報（特許文献１）に記載のような、昇圧トランスの二次巻線両端に、抵抗とダイオードから成る並列回路と、該並列回路に抵抗を含む正電圧ブリーダ回路とを直列に接続して、その直列接続点から、２つの抵抗の比で決まる正・負波高値の電圧比率が１：３の生体印加交流を得るものがある。また、特開２００３−２６５６２５号公報（特許文献２）に記載のような、昇圧トランスの二次側に発生電圧の異なる２個の巻線を設け、低電圧の一方の巻線の発生電圧を全波整流または正極性の場合のみ整流した電圧を別途作り、これを高電圧の他方の巻線の発生電圧に逆相または同相で重畳することにより、正・負波高値の電圧比率が１：３の生体印加交流を得るものがある。更には、正側電圧の整流電圧をコンデンサに蓄積し、その蓄積電圧を負側電圧に対してバイアス電圧として利用することにより正・負波高値の電圧比率が１：３の生体印加交流を得るもの等がある。従来の交流電位治療器における、正・負波高値の電圧比率が１：３の生体印加交流電圧の典型的な波形例を図８に示す。図８の波形は、正側波高値４，２００Ｖ、負側波高値１２，４００Ｖ、実効値７，０５５Ｖの例である。同図より、従来の交流電位治療器では、正・負非対称ではあるものの、負側にシフトされた正弦波であることが分かる。
【０００５】
【特許文献１】特許第２６０９５７４号特許公報
【特許文献２】特開２００３−２６５６２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の交流電位治療器における電圧波形は、図８に示すように、治療に必要な、例えば７，０００Ｖの電圧を得るときには、その波高値は実測で約１２，４００Ｖに達するものであった。装置の高圧回路に用いられる電気部品の絶縁耐圧は、実効値ではなく波高値に対応できるものでなければならないため、実効値と波高値の電圧差が大きい従来の正弦波を用いた場合には大きな絶縁耐圧を有した電気部品の使用が要求された。また、部品が高価となり、更には装置全体の絶縁処理を複雑にしていた。
【０００７】
そして、安全性の観点から、交流電位治療器は、波高値の許容値が今後法律により規定される。また、波高値の許容値はその他の安全規格等により更に低く規制される可能性もあり、その場合には、従来の正弦波では、有効な治療に必要な実効電圧が得られない可能性が出てくる。
【０００８】
本発明は、前記従来技術のかかる問題点に鑑み、その問題点を解決すべく案出されたものである。
【０００９】
本発明の第1の目的は、波高値が低くても実効値の大きい生体印加交流電圧を発生することができる交流電位治療器を提供することである。
【００１０】
本発明の第２の目的は、絶縁耐圧の小さい電気部品を使用すること、および装置の絶縁処理を軽減することにより、低価格の交流電位治療器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明による、生体を交流高電圧による電界内に置くことにより治療する交流電位治療器においては、交流高電圧の波形を矩形波（方形波）とした。
【００１２】
本発明による前記交流電位治療器は、
一次側に印加される交流電圧を治療に必要な交流高電圧に昇圧して二次側に出力する昇圧トランスと、
昇圧トランスの一次側に印加する矩形波を発生する矩形波発生回路と、
昇圧トランスの二次側に出力される前記交流高電圧から、正側と負側の波高値の比率が例えば約１：３に設定される矩形波の生体印加交流電圧を生成する治療電圧発生回路と、を具備する。
【００１３】
前記電位治療器において、矩形波発生回路は、昇圧トランスの一次側に接続され、１８０°異なる位相でスイッチング動作する矩形波成形第１トランジスタと矩形波成形第２トランジスタで構成される。
【００１４】
前記電位治療器において、矩形波発生回路は、更に矩形波成形第１および第２トランジスタを、それぞれ１８０°異なる位相でスイッチング動作させるためのスイッチング手段を有する。
【００１５】
前記電位治療器において、スイッチング手段は、マイクロコンピュータ、直列に接続された２つのインバータ、フリップフロップ回路、または入力トランスで構成される。
【００１６】
前記電位治療器において、矩形波成形第１および第２トランジスタは、バイポーラ型トランジスタ、または電界効果型トランジスタで構成される。
【００１７】
前記電位治療器において、矩形波発生回路は、また昇圧トランスの一次側に接続され、１８０°異なる位相でスイッチング動作する直列に接続された矩形波成形第１トランジスタと矩形波成形第２トランジスタと、および１８０°異なる位相でスイッチング動作する直列に接続された矩形波成形第３トランジスタと矩形波成形第４トランジスタで構成することもできる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の交流電位治療器によれば、昇圧トランスの二次側に発生する電圧波形が矩形波であるため、波高値が低くても実効値の大きい生体印加交流電圧を得ることができる。一例として、実効値７，０００Ｖの電圧を得るときには、その波高値は実測で約１０，４００Ｖ程度で実現できる。
【００１９】
本発明の交流電位治療器によれば、波高値を低くすることができるため、使用部品に絶縁耐圧の低いものを使用することができ、また絶縁処理を軽減することが可能となり、その結果、治療器の全体コストを下げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図示例と共に説明する。
【実施例】
【００２１】
図１は、本発明による交流電位治療器の第１実施例を示す。図１において、昇圧トランス１０の右側が治療電圧発生回路、左側が本発明の特徴部分である矩形波発生回路である。
【００２２】
治療電圧発生回路は、昇圧トランス１０の二次側接地端子に対して高電圧（例えば、実効値９，０００Ｖ）を発生する第１端子にカソードが接続されるダイオードＤ１と、二次側接地端子に対して低電圧（例えば、実効値３，０００Ｖ）を発生する第２端子にアノードが接続されるダイオードＤ２と、該ダイオードＤ２のカソードに一方端が接続されると共に、他方端がダイオードＤ１のアノードに接続される保護用抵抗Ｒ１と、該保護用抵抗Ｒ１の他方端およびダイオードＤ１のアノードに一方端が接続されると共に、他方端が出力端子１２に接続される保護用抵抗Ｒ２と、該保護用抵抗Ｒ２に並列に図示の方向に接続されるダイオードＤ３とから成る。
【００２３】
昇圧トランス１０の二次側に発生する電圧が、接地端子に対してプラス極性の時には、第１端子に発生する高電圧はダイオードＤ１により阻止される。そして、低電圧の第２端子に発生する電圧は、ダイオードＤ２が順方向であるため、抵抗Ｒ１、更には同じく順方向のダイオードＤ３を通して出力端子１２に出力される。更に、接地端子に対してマイナス極性の時には、高電圧の第１端子に発生する電圧は、ダイオードＤ１が順方向であるため、ダイオードＤ１および抵抗Ｒ２を介して出力端子１２に出力される。本実施例の場合、昇圧トランス１０の二次側の第２端子と第１端子に発生する電圧比を１：３にし、且つ抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２を同じ抵抗値に設定することにより、正・負波高値の電圧比率が１：３の交流高電圧を出力端子１２に出力することができる。なお、治療電圧発生回路そのものは本発明の要旨ではなく、前記背景技術で説明した各種の従来回路、またはその他の従来回路を、図示の回路に代えて任意に採用することができる。
【００２４】
次に、本発明の特徴部分である矩形波発生回路について説明する。図１に示す第１実施例の矩形波発生回路は、相互に１８０°異なる位相のパルス出力を、第１出力端子３１と第２出力端子３２にそれぞれ発生するスイッチング手段としてのマイクロコンピュータ（以下、マイコンという）３０と、マイコン３０の第１出力端子３１から出力されるパルスを、そのベースに受ける矩形波成形第１トランジスタＱ１と、マイコン３０の第２出力端子３２から出力されるパルスを、そのベースに受ける矩形波成形第２トランジスタＱ２とから成るプッシュプル回路構成の例である。なお、図中、Ｒ３およびＲ４は、矩形波成形トランジスタのベースへの流入電流を制限するための抵抗である。
【００２５】
前記第１実施例の矩形波発生回路では、スイッチング手段としてのマイコン３０が発生する相互に１８０°位相が異なる出力パルスにより、矩形波成形第１トランジスタＱ１と矩形波成形第２トランジスタＱ２が１８０°異なる位相で交互にオンし、昇圧トランス１０の一次側に矩形波が入力されることになる。
【００２６】
昇圧トランス１０の一次側に矩形波が入力されると、二次側には一次側との巻数比に応じて昇圧された矩形波の高圧電圧が生じる。この高圧電圧は、治療電圧発生回路を通すことにより、図２に示すような、正・負電圧（波高値）の比率が約１：３の矩形波の生体印加交流電圧となる。図２に例示する波形は、正側の波高値３，６００Ｖ、負側の波高値１０，４００Ｖのとき、実効値７，０５０Ｖの治療用交流電圧である。図８に示す従来の正弦波の生体印加交流電圧と比較して、波高値が約２，０００Ｖ低くても、正弦波のときの７，０５０Ｖと同じ実効値が得られることが分かる。同じ実効値であることは期待される治療効果が同じことを意味する。同じ実効値において、矩形波とすることにより波高値が２，０００Ｖ低くなれば、部品に要求される絶縁耐圧が低くても済むことにより部品のコストが下がり、装置全体を低価格にすることができる。また、装置全体の絶縁処理を、治療用高電圧が正弦波の従来のものに比べて、軽減することができる。
【００２７】
図３は、本発明による交流電位治療器の第２実施例を示す。第２実施例は、図１の第１実施例の変形であり、図１における矩形波成形第１および第２トランジスタＱ１,Ｑ２
をそれぞれ１８０°異なる位相でスイッチングするマイコン３０を、直列に接続されたインバータＩＮ１とＩＮ２から成るスイッチング手段に代えたものである。インバータＩＮ１の出力パルスが、矩形波成形第２トランジスタＱ２のベースに、インバータＩＮ２の出力パルスが、矩形波成形第１トランジスタＱ１のベースにそれぞれ入力される。その他の構成は、第１実施例と変わらないので、各構成部品に同一参照番号のみ付してその説明は省略する。
【００２８】
前記第２実施例の矩形波発生回路では、インバータＩＮ１へのパルス入力に応じて、矩形波成形第１トランジスタＱ１と、矩形波成形第２トランジスタＱ２が１８０°異なる位相で交互にオンし、昇圧トランス１０の一次側に矩形波が入力されることになる。これに応じて、昇圧トランス１０の二次側に矩形波の高圧電圧が発生すること、および図２に示す正・負波高値の電圧比率が約１：３の矩形波の生体印加交流電圧が出力端子１２に出力されることは、第１実施例と同様である。
【００２９】
図４は、本発明による交流電位治療器の第３実施例を示す。第３実施例は、矩形波成形第１および第２トランジスタＱ１,Ｑ２を１８０°異なる位相でスイッチングするスイッチング手段として、フリップフロップ回路４０を用いたものである。フリップフロップ回路４０は、クロック信号入力端子４３へのクロックパルス入力に応じて、そのＱ出力４１が矩形波成形第１トランジスタＱ１を、反転出力Ｑ（バー）４２が矩形波成形第２トランジスタＱ２を、それぞれ１８０°異なる位相でスイッチングする。その他の構成は、先の実施例と変わらないので、各構成部品に同一参照番号のみ付してその説明は省略する。
【００３０】
前記第３実施例の矩形波発生回路では、スイッチング手段であるフリップフロップ回路４０へのクロックパルス入力に応じて、矩形波成形第１トランジスタＱ１と、矩形波成形第２トランジスタＱ２が１８０°異なる位相で交互にオンし、昇圧トランス１０の一次側に矩形波が入力されることになる。これに応じて、昇圧トランス１０の二次側に矩形波の高圧電圧が発生すること、および図２に示す正・負波高値の電圧比率が約１：３の矩形波の生体印加交流電圧が出力端子１２に出力されることは、先の実施例と同様である。
【００３１】
図５は、本発明による交流電位治療器の第４実施例を示す。第４実施例において、図１の第１実施例と同じ構成要素には同じ参照番号を付し、その説明は省略する。第４実施例の矩形波成形第１トランジスタＱ１および第２トランジスタＱ２へのドライブ入力信号を、二次側に中間タップ付の入力トランス２０を介して得るものである。この回路も先の実施例と同様にプッシュプル回路を構成する。スイッチング手段としての入力トランス２０の一次側入力端子１５に入力される矩形波に応じて、トランジスタＱ１，Ｑ２に１８０°位相が異なるパルスが交互に入力され、昇圧トランス１０の一次側に矩形波が入力されることになる。これに応じて、昇圧トランス１０の二次側に矩形波の高圧電圧が発生すること、および図２に示す正・負波高値の電圧比率が、約１：３の矩形波の生体印加交流電圧が出力端子１２に出力されることは、これまでの実施例と同様である。
【００３２】
図６は、本発明による交流電位治療器の第５実施例を示す。この第５実施例は、昇圧トランス１０の一次側の片方側端子を接地すると共に、他方側端子に、正・負電源間に直列に接続された２つの矩形波成形第１および第２トランジスタＱ１，Ｑ２を接続することにより、シングルエンドプッシュプル回路を構成したものである。ベース同士およびエミッタ同士が相互に接続された一対の初段トランジスタの一方のトランジスタＱ３のコレクタが、矩形波成形第１トランジスタＱ１のベースに、他方のトランジスタＱ４のコレクタが、矩形波成形第２トランジスタＱ２のベースにそれぞれ接続される。初段トランジスタの共通ベースに矩形波が入力されると、矩形波成形第１トランジスタＱ１と矩形波成形第２トランジスタＱ２は、１８０°異なる位相でスイッチング動作し、昇圧トランス１０の一次側に矩形波を入力することになる。これに応じて、昇圧トランス１０の二次側に矩形波の高圧電圧が発生し、図２に示すような正・負波高値の電圧比率が、約１：３の矩形波の生体印加交流電圧が出力端子１２に出力されることは、これまでの実施例と同じである。
【００３３】
図７は、本発明による交流電位治療器の第６実施例を示す。この第６実施例の矩形波発生回路は、Ｈ型ブリッジ回路を構成する。昇圧トランス１０の一次側の第１端子には、直列に接続された矩形波成形第１および第２トランジスタＱ５，Ｑ６が接続される。他方、昇圧トランス１０の一次側の第２端子には、同じく直列に接続された矩形波成形第３および第４トランジスタＱ７，Ｑ８が接続される。本実施例では、第１実施例と同様に、前記矩形波成形トランジスタＱ５〜Ｑ８をスイッチングするスイッチング手段として、その第１出力端子３１と第２出力端子３２に、１８０°位相が異なる出力パルスを発生するマイコン３０が用いられている。マイコン３０の第１出力端子３１は、矩形波成形第１トランジスタＱ５を駆動トランジスタＱ９を介して、また矩形波成形第４トランジスタＱ８を、同相で駆動する。また、マイコン３０の第２出力端子３２は、矩形波成形第２トランジスタＱ６を、および矩形波成形第３トランジスタＱ７を駆動トランジスタＱ１０を介して、同相で駆動する。この実施例では、４つの矩形波成形トランジスタＱ５〜Ｑ８によってブリッジ回路が構成され、その中に昇圧トランス１０の一次側巻線が付加されることになる。矩形波成形第１および第４トランジスタＱ５，Ｑ８にはスイッチング手段としてのマイコン３０の第１出力端子３１から、矩形波成形第２および第３トランジスタＱ６，Ｑ７にはマイコン３０の第２出力端子３２から、相互に１８０°位相が異なるパルスが入力される。これに応じて、昇圧トランス１０の一次側に矩形波が入力されることになると共に、昇圧トランス１０の二次側には矩形波の高圧電圧が発生し、図２に示すような正・負波高値の電圧比率が約１：３の矩形波の生体印加交流電圧が出力端子１２に出力される。なお、Ｒ７〜Ｒ１４は電流制限用の抵抗である。
【００３４】
図７の第６実施例において、矩形波成形第１、第４トランジスタＱ５，Ｑ８と、矩形波成形第２、第３トランジスタＱ６，Ｑ７とを、１８０°異なる位相でスイッチングするスイッチング手段として示したマイコンは、ここでは特に図示はしないが、第２実施例で示した２つのインバータの直列回路、第３実施例で示したフリップフロップ回路、第４実施例で示した入力トランスに置き換えることが可能である。
【００３５】
矩形波発生回路として、以上の通り６つの実施例を図示して説明したが、これらはあくまでも例示であって、昇圧トランス１０の一次側巻線に矩形波を入力することができるものであれば、如何なる回路であっても構わない。
【００３６】
また、前記すべての実施例において、矩形波成形トランジスタはバイポーラ型トランジスタで示されているが、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）に置き換えることも可能である。
【００３７】
以上説明した通り、本発明による交流電位治療器では、生体印加交流電圧の波形が正弦波ではなく矩形波であるため、波高値が低くても実効電圧を高く得ることが可能である。
【００３８】
また、同じ実効値であれば波高値が低くなるので、構成部品に絶縁耐圧の低いものを用いることができると共に、装置の絶縁に対する処理を軽減することができる。その結果、電位治療器の全体コストを低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明による交流電位治療器の第１実施例の回路図である。
【図２】本発明による交流電位治療器における矩形波の生体印加交流電圧の波形図である。
【図３】本発明による交流電位治療器の第２実施例の回路図である。
【図４】本発明による交流電位治療器の第３実施例の回路図である。
【図５】本発明による交流電位治療器の第４実施例の回路図である。
【図６】本発明による交流電位治療器の第５実施例の回路図である。
【図７】本発明による交流電位治療器の第６実施例の回路図である。
【図８】従来の交流電位治療器における正弦波の生体印加交流電圧の波形図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０  昇圧トランス
１２  出力端子
１５  入力端子
２０  入力トランス
３０  マイコン
３１  第１出力端子
３２  第２出力端子
４０  フリップフロップ
４１  Ｑ出力端子
４２  Ｑ（バー）出力端子
４３  クロック信号入力端子
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３  ダイオード
Ｒ１，Ｒ２  保護用抵抗
ＩＮ１，ＩＮ２  インバータ
Ｑ１，Ｑ２  矩形波成形トランジスタ
Ｑ３，Ｑ４  初段トランジスタ
Ｑ５〜Ｑ８  矩形波成形トランジスタ
Ｑ９，Ｑ１０  駆動トランジスタ
Ｒ３〜Ｒ１４  電流制限用抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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