(57)【要約】【課題】  真空紫外域において発振するレーザー光に対して十分な耐久性と、好ましくは、更に、入射角度特性、偏光特性、反射位相特性を有する紫外光用ミラー及びそれを有する露光装置を提供する。【解決手段】  基板と、基板上に形成されたアルミニウム層と、前記アルミニウム層上に形成された誘電体層とを備え、波長１３０ｎｍ乃至２６０ｎｍを有するレーザー光に使用されるミラーであって、前記アルミニウム層と前記誘電体層との間に光学膜厚３．７ｎｍ以上の厚さを有する酸化アルミニウム層を有することを特徴とする紫外光用ミラーを提供する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、基板上に形成されたアルミニウム層と、前記アルミニウム層上に形成された誘電体層とを備え、波長１３０ｎｍ乃至２６０ｎｍを有するレーザー光に使用されるミラーであって、
前記アルミニウム層と前記誘電体層との間に酸化アルミニウム層を有し、前記酸化アルミニウム層の厚さは、使用波長に対する屈折率をｎ、物理膜厚をｄとしたとき光学膜厚ｎｄが３．７ｎｍ以上であることを特徴とする紫外光用ミラー。
【請求項２】
前記酸化アルミニウム層の光学膜厚ｎｄは２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の紫外光用ミラー。
【請求項３】
前記誘電体層の層数は１層以上４層以下であることを特徴とする請求項１記載の紫外光用ミラー。
【請求項４】
前記誘電体層の光学膜厚は４３ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の紫外光用ミラー。
【請求項５】
前記誘電体層は、前記基板の屈折率よりも小さい屈折率からなる低屈折率層と、前記基板よりも大きな屈折率からなる高屈折率層とのペアを含み、
高屈折率材料は、ＬａＦ３、ＧｄＦ３、ＮｄＦ３、ＳｍＦ３、ＤｙＦ３、Ａｌ２Ｏ３、ＰｂＦ２、ＨｆＯ２、Ｙｆ３及びこれらの混合物又はこれらから選ばれた１つ以上の成分であり、
前記低屈折率材料はＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＮａＦ、ＬｉＦ、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＳｉＯ２、Ｎａ３ＡｌＦ６、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４及びこれらの混合物又はこれら化合物から選ばれた一つ以上の成分であることを特徴とする請求項１記載の紫外光用ミラー。
【請求項６】
基板と、基板上に形成されたアルミニウム層と、前記アルミニウム層上に形成された誘電体層とを備え、波長１３０ｎｍ乃至２６０ｎｍを有するレーザー光に使用されるミラーであって、
中心入射角度４５°から±１５°の角度で平均反射率が８５％以上であり、反射位相差は±１５°以下であり、Ｐ偏光反射及びＳ偏光反射の差が１０％以内であることを特徴とする紫外線用ミラー。
【請求項７】
紫外光用ミラーを製造するための方法であって、
基板上にアルミニウム層を形成するステップと、
前記アルミニウム層の表面を酸化して光学膜厚ｎｄが３．７ｎｍ以上の厚さを有する酸化アルミニウム層を形成するステップと、
前記酸化アルミニウム層の上に誘電体層を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項８】
レーザー光源からの波長１３０ｎｍ乃至２６０ｎｍを有するレーザー光を利用してパターンが描画されたマスクを照明する照明光学系と、
前記パターンを被露光体に投影する投影光学系とを有する露光装置であって、
前記照明光学系と前記投影光学系の少なくとも一方は、請求項１乃至６のうちいずれか一項記載の紫外線用ミラーを搭載する露光装置。
【請求項９】
請求項８記載の露光装置を用いて被露光体を露光するステップと、
前記露光された被露光体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、真空紫外域（１３０ｎｍ乃至２６０ｎｍ）の波長を有するレーザー光に使用されるミラーに係り、特に、ミラーの積層構造に関する。本発明は、例えば、約１９３ｎｍを有するＡｒＦエキシマレーザーを使用する露光装置のカタディオプトリック投影光学系に使用されるミラーに好適である。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子などのデバイスをフォトリソグラフィ工程で製造する際にマスク（レチクル）に形成されたパターンを被露光体に転写する投影露光装置が従来から使用されている。かかる投影露光装置は、マスクパターンを解像度及びスループット良く被露光体に転写することが要求される。特に近年、デバイスの微細化と効率的生産（経済性）の要求により、解像度とスループットは、露光装置に使用される光学系の光学素子の性能に敏感になってきている。
【０００３】
ミラーはかかる光学素子の一つであり、典型的な露光光源としてのエキシマレーザー（例えば、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーや波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー）に対して十分な耐久性を有することが要求されている。ミラーは、真空紫外域で発振するレーザー光の広い入射角度幅に対して十分な反射率（入射角度特性）をもつ必要があるため、従来から入射角度特性が良好なアルミニウム（Ａｌ）膜を使用している。しかし、Ａｌはレーザー耐久性が低く、劣化により反射率が低下したり、反射位相が変化したりする。かかる問題を解決するために、反射率の高いＡｌを使用したり、劣化の原因が酸化であることに着目して劣化部に水素ガスを照射して還元したりする方法（特許文献１を参照のこと）が提案されている。
【０００４】
しかし、これらの対策は完全ではなく、近年の微細化と経済性の要求を満足するに至っていない。また、金属ミラーは、Ｐ偏光の反射率とＳ偏光の反射率の差が入射角度の増加に従って大きくなり、直交方向で結像性能が異なるという問題も有する。そこで、特許文献２は、反射率８５％以上を有するＡｌ膜に誘電体多層膜を形成することを提案している。
【０００５】
その他の従来技術としては、例えば、特許文献３がある。
【特許文献１】特開２００４−２６００８１号公報
【特許文献２】特開２００３−１４９２１号公報
【特許文献３】特許第３４７８８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、微細化を実現する一手法として偏光照明が提案されている。偏光照明とは、レチクルを照明する光の偏光状態を制御した照明方式であり、例えば結像コントラストを減少させるＴＭモード光（磁界が光の入射面に垂直）を排除し、電界の方向が光の入射面に垂直なＴＥモード光のみを用いて照明する方法である。偏光照明には、光学素子の反射位相状態を厳しく制御する必要がある。しかし、特許文献２のミラーはかかる偏光照明の要求を満足するレベルのレーザー耐久性を有しておらず、それと共に、入射角度特性、偏光特性、反射位相特性も有していない。
【０００７】
そこで、本発明は、真空紫外域において発振するレーザー光に対して十分な耐久性と、好ましくは、更に、入射角度特性、偏光特性、反射位相特性を有する紫外光用ミラー及びそれを有する露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面としての紫外光用ミラーは、基板と、基板上に形成されたアルミニウム層と、前記アルミニウム層上に形成された誘電体層とを備え、波長１３０ｎｍ乃至２６０ｎｍを有するレーザー光に使用されるミラーであって、前記アルミニウム層と前記誘電体層との間に酸化アルミニウム層を有し、前記酸化アルミニウム層の厚さは、使用波長に対する屈折率をｎ、物理膜厚をｄとしたとき光学膜厚ｎｄが３．７ｎｍ以上であることを特徴とする。本発明の別の側面としての紫外光用ミラーは、基板と、基板上に形成されたアルミニウム層と、前記アルミニウム層上に形成された誘電体層とを備え、波長１３０ｎｍ乃至２６０ｎｍを有するレーザー光に使用されるミラーであって、中心入射角度４５°から±１５°の角度で平均反射率が８５％以上であり、反射位相差は±１５°以下であり、Ｐ偏光反射及びＳ偏光反射の差が１０％以内であることを特徴とする。
【０００９】
本発明の更に別の側面としての紫外光用ミラーを製造するための方法は、基板上にアルミニウム層を形成するステップと、前記アルミニウム層の表面を酸化して光学膜厚ｎｄが３．７ｎｍ以上の厚さを有する酸化アルミニウム層を形成するステップと、前記酸化アルミニウム層の上に誘電体層を形成するステップとを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の別の側面としての露光装置は、レーザー光源からの波長１３０ｎｍ乃至２６０ｎｍを有するレーザー光を利用してパターンが描画されたマスクを照明する照明光学系と、前記パターンを被露光体に投影する投影光学系とを有する露光装置であって、前記照明光学系と前記投影光学系の少なくとも一方は上述のミラーを搭載したことを特徴とする。
【００１１】
上述の露光装置を用いて被露光体を露光するステップと、前記露光された前記被露光体を現像するステップとを有するデバイス製造方法も本発明の別の側面を構成する。デバイス製造方法の請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にもその効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
【００１２】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、紫外領域において発振するレーザー光に対して十分な耐久性と、好ましくは、更に、入射角度特性、偏光特性、反射位相特性を有する紫外光用ミラー及びそれを有する露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施例のミラー１０を、添付図面を参照して説明する。図１はミラー１０の概略断面図である。ミラー１０は、基板１１と、基板１１上に積層されたＡｌ層（アルミニウム層）１２と、Ａｌ層上に形成されて光学膜厚３．７ｎｍ以上の厚さを有するアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）層１４と、アルミナ層１４上に形成された誘電体層１６とを有する。
【００１５】
Ａｌ層１２は、ミラー１０に、真空紫外域で発振するレーザー光の広い入射角度幅に対して十分な反射率（入射角度特性）を与えるために使用される。
【００１６】
しかし、Ａｌ層１２はレーザー耐久性が低い。例えば、Ａｌ層１２にＡｒＦエキシマレーザー１ｍＪ／ｃｍ２  を４．０×１０＋８ｐｌｓ照射すると、図２に示すように反射率が劣化する。図２において、ａはレーザー照射前の反射率（４５°入射）であり、ｂはレーザー照射後の反射率である（以下に示すグラフは全てａがレーザー照射前、ｂがレーザー照射後の分光特性４５°とする）。
【００１７】
そこで、レーザー耐久性を向上するためにアルミナ層１４がＡｌ層１２上に形成される。アルミナ層１４の厚さは光学膜厚ｎｄで３．７ｎｍ以上、２０ｎｍ以下が好ましい。光学膜厚とは、使用波長における膜の屈折率ｎと物理膜厚ｄをかけたｎ×ｄで定義される。又、Ａｌ層１２とアルミナ層１４との境界がはっきり区別するため、本明細書ではアルミナ層の定義を、主成分がＡｌ原子とＯ原子で構成され、波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．６〜１．９６の層とする。また、使用波長とは、ミラーに照射される光の想定される波長のことであり（波長が帯域を持つ場合はその中心波長）、例えば光源波長１９３ｎｍの露光装置の投影光学系にミラーが用いられる場合、使用波長は１９３ｎｍである。
【００１８】
アルミナ層１４の厚さが光学膜厚３．７ｎｍよりも小さくなると、レーザー耐久性が低下するために好ましくない。このことは、図２からもある程度推測することができる。何故なら、Ａｌ層は大気中に放置されると、その表面が急速に自然酸化し表面に酸化アルミ層（アルミナ層）が形成される性質がある。従って、図２で測定したＡｌ層１２も、厳密には成膜から耐久性測定の間にＡｌ層の表面が自然酸化し、アルミナ層が形成されている可能性がある。それにも関わらずレーザー耐久性が低いのは、自然酸化によるアルミナ層が形成されていたとしてもその厚さが非常に薄いためである。自然酸化のアルミナ層では、本発明のように光学膜厚３．７ｎｍほど厚くなることはない。但し、自然酸化の場合はＡｌ層とアルミナ層との境界が連続的であり区別しづらい。しかし、アルミナ層の定義を前述の如く、波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．６〜１．９６の層と定義すると、その厚さは明確になる。
【００１９】
本実施例で、ミラー１０が十分なレーザー耐久性を有しているとは、後述する露光装置で通常露光に使用される程度のエネルギーの光が照射されても、反射率の低下が略ゼロ（又は１％以内）である状態をいう。具体的には、ミラーに約１ｍＪ／ｃｍ２のパルス光を１０＋８ｐｌｓ（パルス）照射して反射率の低下が略ゼロ（又は１％以内）である状態をいう。一方、アルミナ層１４の厚さが光学膜厚ｎｄで２０ｎｍよりも大きくなると、アルミナ層１４による光の吸収量が無視できなくなる程大きくなり、ミラー全体の反射率が低下するために好ましくない。
【００２０】
誘電体層１６は、反射位相特性、レーザー耐久性、偏光特性、反射率を向上するために設けられる。誘電体層１６は１層以上４層以下、光学膜厚は４３ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。誘電体層１６が存在しないか、その光学膜厚が４３ｎｍよりも小さくなると、偏光特性、反射位相特性が悪くなる。例として、誘電体層がない場合の（Ａｌ＋アルミナのみの）ミラーの偏光特性（Ｐ偏光とＳ偏光の反射率の角度特性）を図３に示す。図３の○線はＳ偏光、×線はＰ偏光、実線はＳＰ平均のランダム偏光反射率である。入射角度が大きくなるにしたがい、Ｐ偏光とＳ偏光の反射率が大きく分離してしまい、好ましくない。また反射位相特性については誘電体がない場合、図４に示すように２２°の入射角度から反射位相差１０％を超えてしまい、好ましくない。また図５に示すように、誘電体膜がないミラーではレーザー耐久性は十分ではなく、ＡｒＦエキシマレーザー１ｍＪ／ｃｍ２  を５．０×１０＋８ｐｌｓ照射すると反射率が低下してしまう。
【００２１】
一方、誘電体層１６が５層以上又はその光学膜厚が３００ｎｍよりも大きくなると反射位相特性が低下するために好ましくない。誘電体層１６が２層以上であれば誘電体多層膜となる。
【００２２】
この点、特許文献２のように、Ａｌ層１２の上に誘電体多層膜を形成することも考えられる。しかし、Ａｌ層１２上に３０ｎｍ程度の誘電体多層層を４層成膜したミラーにおいても、Ａｌ層１２のみのミラーよりも劣化の程度は緩和されるが、ＡｒＦレーザー１ｍＪ／ｃｍ２  を１．１×１０＋９ｐｌｓ照射すると、図６に示すように劣化する。このため、Ａｌ層１２上にアルミナ層１４を形成してから誘電体層１６を形成することが好ましいことが理解される。
【００２３】
尚、アルミナ層は一般的に誘電体薄膜として知られているが、本明細書ではＡｌ層１２上に直接形成されるアルミナ層１４を、その上に形成される誘電体層１６と区別している。尚、誘電体層１６は多層膜の場合もあり、その多層膜を構成する層としてアルミナ（Ａｌ２Ｏ３層）が含まれる場合があるが、このアルミナ層は誘電体層の一部であるものとする。
【００２４】
図７に、ミラー１０の製造方法を示す。まず、基板上にアルミニウム層を形成する（ステップ１００２）。基板１１は、石英ガラス、蛍石（ＣａＦ２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、ＢＫ７などの一般的な硝材から構成されるが、Ｓｉウエハー、セラミックスなどの表面粗さを小さく加工できる材質であれば、レーザー光を透過しない物質でも十分使用可能である。Ａｌ層１２は、真空蒸着、スパッタなどの成膜手法で成膜する。Ａｌ層１２は、純度の高いＡｌ材を使用し、十分に低い真空成膜槽内で成膜レートが２０Å／ｓ以上の成膜条件で成膜すれば１９３ｎｍの波長で９０％の反射率を実現することができる。また高い反射率が得られれば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やメッキなどの手法を用いてＡｌ層１２を成膜してもよい。
【００２５】
次に、Ａｌ層１２の表面を酸化して光学膜厚３．７ｎｍ以上の厚さを有するアルミナ層１４を形成する（ステップ１００４）。本実施例では、Ａｌ層１２の表面を積極的に酸化してアルミナ層１４を形成している。即ち、本実施例は、Ａｌ層１２を蒸着するための成膜装置に搭載され、酸素プラズマを照射するイオンガンを利用してアルミナ層１４を形成しているため、一つの装置でステップ１００２と１００４とを実施することができる。酸化は、本実施例のように酸素プラズマを用いてもよいが、オゾンを使用してもよい。本発明は酸化方法を限定するものではない。
【００２６】
また、酸化を利用しなくても緻密なアルミナ層１４をＡｌ層１２上にスパッタリングや真空蒸着などを利用して成膜することも可能である。また金属ALの表面酸化は、Ａｌ膜成膜後、真空状態を破らずに表面酸化を行うことが望ましい。例えば成膜後に別の装置で酸化させる場合などは、その間におけるＡｌ層１２の表面の汚染に注意する必要がある。Ａｌ層１２の表面が一旦大気に晒されて汚染されてしまうと、その後にたとえイオンガン照射してアルミナ層１４を形成しても図８に示すように、レーザー耐久性は所期のものとはならない場合がある。
【００２７】
アルミナは膜の密度が高いためにＡｌ層１２の劣化を十分に保護することができるために選択されている。例えば、特許文献２に開示されているＭｇＦ２層やＳｉＯ２層をアルミナ層１４の代わりに使用した場合、ＡｒＦレーザー０．７ｍＪ／ｃｍ２  を８．０×１０＋８ｐｌｓ照射すると図９に示すように、レーザー耐久性は所期のものとはならない。図６Ｂはアルミナ層の変わりにＭｇＦ２層を使用した場合のレーザー耐久性を示しており、ａはレーザー照射前、ｂはレーザー照射後の反射率を示している。レーザー照射後の反射率の低下が大きく、レーザー耐久性が不十分であることがわかる。
【００２８】
次に、アルミナ層１４の上に誘電体層１６を低抵抗加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、スパッタリング法などで形成する（ステップ１００６）。誘電体層１６は、フッ化膜や酸化膜が使用される。ＡｒＦエキシマレーザー用のミラーを作成する場合、フッ化膜の高インデックス材としては、ＬａＦ３、ＧｄＦ３、ＮｄＦ、ＳｍＦ３などを使用することができる。また、低インデックスとしては、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、Ｎａ２Ａｌ３Ｆ５、などが使用される。酸化膜の高インデックス材としてはＡｌ２Ｏ３、低インデックス材としてはＳｉＯ２など、膜吸収が１９３ｎｍの波長で小さいものを使用する必要性がある。
【００２９】
高インデックス材の光学膜厚をＨ、低インデックスの光学膜厚をＬとしたとき、３層の膜構成として０．０８Ｌ／０．３３Ｈ／０．３８Ｌとした場合は、入射角度３０〜６０°で平均反射率８６．４％、最大反射位相差７．７°、最大ＰＳ分離差４％になる。また各膜厚が前出の値から±４％の範囲であっても平均反射率は８６．７％、反射位相差は１５°以内、ＰＳ分離差は５％以内に収まる。４層の膜構成として０．４５Ｈ／０．２９Ｌ／０．３４Ｈ／０．３３Ｌにすると、入射角度３０〜６０°で平均反射率８８％、最大反射位相差４．７°、最大ＰＳ分離差４．６％となる。また各膜厚が前出の値から±３％の範囲であっても平均反射率は８５％、反射位相差は１５°以内、ＰＳ分離差は５％以内に収まる。４層膜の場合の膜設計分光特性及び位相差シミュレーション結果を図１０、図１１に示す。図１０の○線はＳ偏光、×線はＰ偏光、実線はＳＰ平均のランダム偏光反射率である。図１１のＡＯＩは入射角度（Ａｎｇｌｅ ｏｆ Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ）を意味する。反射位相差が入射角度０°〜６０°の広い角度において５度以下に制御されているのが分かる。
【実施例１】
【００３０】
図１に示す構成において、基板１１には合成石英を使用し、その上に電子ビーム蒸着法を用いて、室温で金属アルミニウム１００ｎｍを成膜した。蒸着槽のバックグラウンド圧力は１．０×１０−５Ｐａであり、使用した金属アルミニウム材の純度は６Ｎである。成膜直後に蒸着槽内でイオンガンを用いて金属アルミニウム膜の酸化を行い、酸化アルミニウム膜（アルミナ膜）を形成した。具体的には、イオンガン装置上で１４０Ｖ、１０Ａの酸素プラズマ（実際にアルミニウム膜に当たる酸素プラズマの電流は、イオン化効率などから２Ａ以下と予想される）を１５分間照射し、Ａｌ層１２の表面を酸化した。アルミナ層（酸化アルミニウム膜）の厚さは４〜６ｎｍである。使用波長１９３ｎｍとしたときの光学膜厚は、７〜１１ｎｍである（屈折率１．８で計算）。次に、アルミナ層１４の上にスパッタ成膜法を用いてフッ化膜（誘電体層１６）を成膜した。膜構成は上述の４層膜構成で、１層目と３層目にフッ化ランタン、２層目にフッ化アルミニウム、４層目にフッ化アルミニウムを使用した。
【００３１】
作製したミラーの光学特性は、入射角３０°〜６０°で平均反射率８５．５％、偏光分離差は最大４．６２％であり、偏光分離差は最大１０°であった。かかるミラーのレーザー耐久実験前後の光学特性を図１２に示す。ＡｒＦエキシマレーザーを１ｍＪ／ｃｍ２で３．７×１０＋９Ｐｌｓ照射したが、反射率に劣化は認められなかった。
【００３２】
反射位相差については、入射角度４５°で測定したレーザー耐久実験前後の波長と位相差の測定結果を図１３に示す。実線がレーザー照射前の反射位相であり、○線がレーザー照射後の反射位相の測定結果である。照射前後で測定値は変化しておらず、反射位相の変化は全く認められなかった。
【００３３】
本実施例では、Ａｌ層１２と誘電体層１６との間にアルミナ層１４を設けることで、レーザー耐久性を飛躍的に向上させることができる。また誘電体層１６の膜構成の最適化によって、４５°±１５°という広い入射角度で、反射位相差やＰＳ偏光分離差を低く抑えることができる。
【実施例２】
【００３４】
以下、図１４を用いて本発明の一実施例の露光装置１００について説明する。図１４は、露光装置１００の概略ブロック図である。光源１０２は、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを使用する。１０４は照明光学系で、レンズやミラー等の光学要素を用いて構成され、レチクル（被照射面）１０６を所望の光強度分布、偏光状態で照明する。レチクルを透過した光は、投影光学系１０８を介してウェハ１１０に到達し、レチクルのパターンをウェハに転写する。
本実施形態の露光装置の投影光学系はカタディオプトリック型（反射屈折型）であり、レンズ１１２とミラー１１４を含む。ここで、ミラー１１４は実施例１のミラーを使用している。従って、ミラー１１４はレーザー耐久性に優れ、ＰＳ偏光の位相差が小さく、優れた偏光特性を発揮する。
【実施例３】
【００３５】
次に、図１５及び図１６を参照して、露光装置１及び１Ａを利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１５は、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ステップ１（回路設計）では、半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウェハ製造）では、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウェハを用いて、リソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３６】
図１６は、図１５のステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着等によって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウェハに感光材を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１及び１Ａによってマスクパターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高解像度のデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を経済性及び生産性よく製造することができる。また、このように、露光装置１及び１Ａを使用するデバイス製造方法、並びに結果物（中間、最終生成物）としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００３７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施例のミラーの概略断面図である。
【図２】図１に示すミラーにおいてアルミナ層と誘電体層がない場合の特性を説明するためのグラフである。
【図３】図１に示すミラーにおいて誘電体層がない場合の偏光特性を説明するためのグラフである。
【図４】図１に示すミラーにおいて誘電体層がない場合の位相特性を説明するためのグラフである。
【図５】図１に示すミラーにおいて誘電体層がない場合のレーザー耐久性を説明するためのグラフである。
【図６】図１に示すミラーにおいてアルミナ層がない場合の特性を説明するためのグラフである。
【図７】図１に示すミラーの製造を説明するためのフローチャートである。
【図８】Ａｌ層の汚染により、ミラーの特性が低下することを説明するためのグラフである。
【図９】Ａｌ層の上に、アルミナ層ではなく、他の物質の薄膜を形成したときのレーザー耐久性を説明するためのグラフである。
【図１０】図１に示すミラーの誘電体膜が４層の場合の膜設計分光特性を示すグラフである。
【図１１】図１に示すミラーの誘電体膜が４層の場合の位相差シミュレーション結果を示すグラフである。
【図１２】図１に示すミラーのレーザー耐久性を示すグラフである。
【図１３】図１に示すミラーの反射位相差特性を示すグラフである。
【図１４】図１に示すミラーを有する露光装置の概略ブロック図である。
【図１５】本発明の露光装置を有するデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１６】図１５に示すステップ４の詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００３９】
１０、１１６        ミラー
１２                アルミニウム層
１４                アルミナ層
１６                誘電体多層膜
１００              露光装置
【図１】
2006210715.tif 000003
【図２】
2006210715.tif 000004
【図３】
2006210715.tif 000005
【図４】
2006210715.tif 000006
【図５】
2006210715.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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