(57)【要約】【課題】本発明は、工程上のエラーが発生しても収率が低下しないことができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】有機電界発光表示装置を提供する。有機電界発光表示装置は第１有機電界発光ダイオード及び第２有機電界発光ダイオードを具備する。第１有機電界発光ダイオードは第１電極、第２電極及び第１電極と第２電極間に位置する第１有機発光層を具備する。第２有機電界発光ダイオードは第２電極、第３電極及び第２電極と第３電極間に位置する第２有機発光層を具備する。第１電極に第１駆動薄膜トランジスタが接続する。第２電極に第２駆動薄膜トランジスタが接続する。【選択図】図６Ａ
2006310244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極間に位置する第１有機発光層を具備する第１有機電界発光ダイオードと；
前記第２電極、第３電極及び前記第２電極と前記第３電極間に位置する第２有機発光層を具備する第２有機電界発光ダイオードと；
前記第１電極に接続する第１駆動薄膜トランジスタ；及び
前記第２電極に接続する第２駆動薄膜トランジスタを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第２電極と前記第１有機発光層間に位置する仕事関数補助層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記第１電極はＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜、ＴＯ膜及びＺｎＯ膜で構成された群から選択される一つの膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記第２電極はＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜、ＴＯ膜及びＺｎＯ膜で構成された群から選択される一つの膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第２電極と前記第１有機発光層間に介在した仕事関数補助層をさらに含んで、
前記仕事関数補助層はＭｇ、Ｍｇ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃａ、Ｃａ合金、Ｂａ及びＢａ合金で構成された群から選択される一つの膜であることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
基板上に前記第１電極、前記第１有機発光層、前記第２電極、前記第２有機発光層及び前記第３電極が順に位置することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記第１駆動薄膜トランジスタのゲート電極と前記第２駆動薄膜トランジスタのゲート電極は相互に連結されて、
前記第１駆動薄膜トランジスタのソース電極と前記第２駆動薄膜トランジスタのソース電極は相互に連結されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
基板上に第１駆動薄膜トランジスタ及び第２駆動薄膜トランジスタを形成して、
前記第１駆動薄膜トランジスタと接続する第１電極を形成して、
前記第１電極上に第１有機発光層を形成して、
前記第１有機発光層上に前記第２駆動薄膜トランジスタと接続する第２電極を形成して、
前記第２電極上に第２有機発光層を形成して、
前記第２有機発光層上に第３電極を形成することを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２電極を形成する前に、前記第１有機発光層上に仕事関数補助層を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１電極はＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜、ＴＯ膜及びＺｎＯ膜で構成された群から選択される一つの膜で形成することを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２電極はＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜、ＴＯ膜及びＺｎＯ膜で構成された群から選択される一つの膜で形成することを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２電極を形成する前に、前記第１有機発光層上に仕事関数補助層を形成することをさらに含んで、
前記仕事関数補助層はＭｇ、Ｍｇ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃａ、Ｃａ合金、Ｂａ及びＢａ合金で構成された群から選択される一つの膜であることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１電極を形成すると同時に前記第２駆動薄膜トランジスタに接続する伝導性パッドを形成することをさらに含んで、
前記第２電極は前記伝導性パッドに接続することを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示装置に係り、さらに詳細には二重層に積層された有機電界発光ダイオードを具備する有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は一般的な有機電界発光表示装置の単位画素を示した回路図である。
【０００３】
図１を参照すると、スキャンラインＳ、データラインＤ及び共通電源ラインＥＬＶＤＤが配置される。前記データラインＤと前記スキャンラインＳの交差により単位画素が定義される。
【０００４】
前記単位画素はアノード、カソード及び前記アノードと前記カソード間に位置する有機発光層を有する有機電界発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、スイッチングトランジスタＭａ、キャパシターＣｓｔ及び駆動トランジスタＭｂを具備する。前記スイッチングトランジスタＭａはゲートが前記スキャンラインＳに連結されて、ソースが前記データラインＤに連結されて、前記スキャンラインＳに印加されたスキャン信号により前記データラインに印加されたデータ信号をスイッチングする。前記キャパシターＣｓｔは前記スイッチングトランジスタＭａのドレイン及び前記共通電源ラインＥＬＶＤＤ間に連結されて、前記データ信号を一定期間維持する。前記駆動薄膜トランジスタＭｂはゲートが前記キャパシターＣｓｔに連結されて、ソースが前記共通電源ラインＥＬＶＤＤに連結されて、ドレインが前記有機電界発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の前記アノードに連結されて、前記データ信号の大きさに比例する電流を前記アノードに供給する。前記有機電界発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のカソードには前記共通電源ラインに印加された電源電圧に比べて低いレベルの電圧であるカソード電圧（ＥＬＶＳＳ）が印加される。その結果、正孔が前記アノードから有機発光層内に注入されて、電子が前記カソードから前記有機発光層内に注入される。前記有機発光層内に注入された正孔と電子は前記有機発光層において結合して励起子（ｅｘｉｔｏｎ）を生成して、このような励起子が励起状態から基底状態に転移しながら光を放出する。
【０００５】
図２Ａ及び図２Ｂは有機電界発光ダイオードのアノードとカソード間短絡不良が発生した場合を示した写真である。
【０００６】
詳細には図２Ａは異物によってアノードとカソード間短絡不良が発生した場合であって、図２Ｂはカソードが外部の刺激により押されて前記カソードと前記アノード間短絡不良が発生した場合である。
【０００７】
このような工程上のエラーによって前記アノードと前記カソードが短絡（ｓｈｏｒｔ）される場合、前記有機電界発光ダイオードはこれ以上発光することができない。結果的に前記アノードと前記カソード間短絡不良が発生した有機電界発光ダイオードを具備する単位画素は暗点（ｄａｒｋ  ｐｉｘｅｌ）になって収率を低下させる要因になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする技術的課題は前記従来技術の問題点を解決することであって、工程上のエラーが発生しても収率が低下させないことができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記技術的課題を達成するために本発明の一実施形態は有機電界発光表示装置を提供する。前記有機電界発光表示装置は第１有機電界発光ダイオード及び第２有機電界発光ダイオードを具備する。前記第１有機電界発光ダイオードは第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極間に位置する第１有機発光層を具備する。前記第２有機電界発光ダイオードは前記第２電極、第３電極及び前記第２電極と前記第３電極間に位置する第２有機発光層を具備する。前記第１電極に第１駆動薄膜トランジスタが接続する。前記第２電極に第２駆動薄膜トランジスタが接続する。
【００１０】
望ましくは前記第２電極と前記第１有機発光層間に仕事関数補助層が位置する。
【００１１】
前記技術的課題を達成するために本発明の一実施形態は有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。前記製造方法は基板上に第１駆動薄膜トランジスタ及び第２駆動薄膜トランジスタを形成することを具備する。前記第１駆動薄膜トランジスタと接続する第１電極を形成する。前記第１電極上に第１有機発光層を形成する。前記第１有機発光層上に前記第２駆動薄膜トランジスタと接続する第２電極を形成する。前記第２電極上に第２有機発光層を形成する。前記第２有機発光層上に第３電極を形成する。
【発明の効果】
【００１２】
上述したように本発明によると、工程上のエラーによって電極間短絡が発生する場合にも該当単位画素は正常的に発光することができる。結果的に暗点のような画素不良を顕著に減少させて収率向上を達成することができる。
【００１３】
以下では本発明の望ましい実施形態を参照しながら説明するが、該技術分野の熟練された当業者は特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解されたし。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明をさらに具体的に説明するために本発明による望ましい実施形態を添付した図面を参照してさらに詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されなくて他の形態に具体化されることができる。図面において、層が異なる層または基板“上”にあると言及される場合にそれは他の層または基板上に直接形成されることができたりまたはそれら間に第３の層が介在されることもある。
【００１５】
図３は本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の単位画素の画素回路を示した回路図である。
【００１６】
図３を参照すると、スキャンラインＳ、前記スキャンラインＳに交差するデータラインＤが配置される。前記データラインＤと前記スキャンラインＳの交差により単位画素が定義される。前記単位画素はスイッチングトランジスタＭ１、キャパシターＣ、第１駆動トランジスタＭ２、第２駆動トランジスタＭ３、第１有機電界発光ダイオードＥＬ１及び第２有機電界発光ダイオードＥＬ２を具備する。
【００１７】
前記スイッチングトランジスタＭ１はゲートが前記スキャンラインＳに連結されて、ソースが前記データラインＤに連結されて、前記スキャンラインＳに印加されたスキャン信号により前記データラインＤに印加されたデータ信号をスイッチングする。前記キャパシターＣは前記スイッチングトランジスタＭ１のドレイン及び共通電源ラインＥＬＶＤＤ間に連結されて、前記データ信号を一定期間維持する。
【００１８】
前記第１駆動薄膜トランジスタＭ２はゲートが前記キャパシターＣに連結されて、ソースが共通電源ラインＥＬＶＤＤに連結されて、ドレインが前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１の一側電極に連結されて、前記データ信号の大きさに比例する電流を第１有機電界発光ダイオードＥＬ１の一側電極に供給する。また、前記第２駆動薄膜トランジスタＭ３はゲートが前記キャパシターＣに連結されて、ソースが前記共通電源ラインＥＬＶＤＤに連結されて、ドレインがノードＮに連結されて、前記データ信号の大きさに比例する電流を前記ノードＮに供給する。一方、前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１の他側電極は前記ノードＮに連結される。前記ノード（Ｎ）は前記第２有機電界発光ダイオードＥＬ２の一側電極に連結される。前記第２有機電界発光ダイオードＥＬ２の他側電極には基準電圧が印加される。
【００１９】
この時、前記第１駆動薄膜トランジスタＭ２のゲート電極と前記第２駆動薄膜トランジスタＭ３のゲート電極は相互に連結されて、前記第１駆動薄膜トランジスタＭ２のソース電極と前記第２駆動薄膜トランジスタＭ３のソース電極は相互に連結される。
【００２０】
このような画素回路の作動を説明する。
【００２１】
まず、前記スキャンラインＳが活性化されると前記スイッチングトランジスタＭ１はターンオンされて、その結果、前記データラインＤに印加されたデータ信号はキャパシターＣに伝達される。前記キャパシターＣに伝達されたデータ信号は前記キャパシターＣに一定期間保存される。
【００２２】
前記キャパシターＣに保存されたデータ信号は前記第１駆動薄膜トランジスタＭ２と前記第２駆動薄膜トランジスタＭ３をターンオンさせる。その結果、前記第１駆動薄膜トランジスタＭ２は前記データ信号の大きさに比例する電流を前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１に供給して、前記第２駆動薄膜トランジスタＭ３は前記データ信号の大きさに比例する電流を前記ノードＮに供給する。一方、第１駆動薄膜トランジスタＭ２と前記第２駆動薄膜トランジスタＭ３はそれらのゲート電極が相互に連結されて、それらのソース電極が相互に連結されるので、前記第１駆動薄膜トランジスタＭ２と前記第２駆動薄膜トランジスタＭ３の特性が同様である時、前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１の両端間にかかる電圧差は微小である。したがって、前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１はほとんど発光しないことがある。
【００２３】
一方、前記ノードＮに印加された電流すなわち、前記第２有機電界発光ダイオードＥＬ２の一側電極に印加された電流により前記第２有機電界発光ダイオードＥＬ２は発光する。
【００２４】
図５は本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の単位画素のレイアウト図であって、図６Ａは図５の切断線Ｉ−Ｉ’に沿って取られた本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置及びその製造方法を示した断面図であり、図６Ｂは図６ＡのＰを拡大して示した断面図である。
【００２５】
図５及び図６Ａを参照すると、基板１００上にバッファー層１０５を形成する。前記基板１００は透明な基板または不透明な基板であることである。ひいては、前記基板１００はガラス、プラスチック、石英、シリコーンまたは金属基板であることである。前記バッファー層１０５はシリコーン酸化膜、シリコーン窒化膜、シリコーン酸窒化膜またはこれらの多重層であることである。
【００２６】
前記バッファー層１０５上の一部領域に第１半導体層１１１及び第２半導体層１１２を形成する。前記半導体層１１１、１１２は非晶質シリコーン膜または非晶質シリコーン膜を結晶化した多結晶シリコーン膜であることができる。望ましくは前記半導体層１１１、１１２は高い電荷移動度を有する多結晶シリコーン膜である。前記半導体層１１１、１１２上にゲート絶縁膜１１７を形成する。前記ゲート絶縁膜１１７はシリコーン酸化膜、シリコーン窒化膜、シリコーン酸窒化膜またはこれらの多重層で形成することができる。
【００２７】
前記ゲート絶縁膜１１７上に前記半導体層１１１、１１２とそれぞれ重なる第１ゲート電極１２１及び第２ゲート電極１２２を形成する。続いて、前記ゲート電極１２１、１２２をマスクにして前記半導体層１１１、１１２に導電性不純物を注入してソース領域１１１ｃ、１１２ｃ及びドレイン領域１１１ａ、１１２ａを形成する。この時、前記各ソース領域１１１ｃ、１１２ｃと各ドレイン領域１１１ａ、１１２ａ間にチャネル領域１１１ｂ、１１２ｂが定義される。
【００２８】
前記ゲート電極１２１、１２２及び前記半導体層１１１、１１２上に第１層間絶縁膜１２５を形成する。前記第１層間絶縁膜１２５内に前記ソース／ドレイン領域１１１ｃ、１１２ｃ、１１１ａ、１１２ａをそれぞれ露出させるコンタクトホールを形成する。前記コンタクトホールが形成された基板上に導電膜を積層した後、これをパターニングして前記第１半導体層のソース／ドレイン領域１１１ｃ、１１１ａにそれぞれ接続する第１ソース電極１３１ｃと第１ドレイン電極１３１ａ；及び前記第２半導体層のソース／ドレイン領域１１２ｃ、１１２ａにそれぞれ接続する第２ソース電極１３２ｃと第２ドレイン電極１３２ａを形成する。
【００２９】
前記第１半導体層１１１、前記第１ゲート電極１２１及び前記第１ソース／ドレイン電極１３１ｃ、１３１ａは第１駆動薄膜トランジスタＭ２を形成する。また、前記第２半導体層１１２、前記第２ゲート電極１２２及び前記第２ソース／ドレイン電極１３２ｃ、１３２ａは第２駆動薄膜トランジスタＭ３を形成する。一方、前記半導体層１１１、１１２を形成する時スイッチング薄膜トランジスタＭ１の半導体層を形成して、前記ゲート電極１２１、１２２を形成する時スキャンラインＳ、スイッチング薄膜トランジスタＭ１のゲート電極及びキャパシターＣの下部電極を形成し、前記ソース／ドレイン電極１３１ｃ、１３１ａ、１３２ｃ、１３２ａを形成する時データラインＤ、共通電源ラインＥＬＶＤＤ、前記スイッチング薄膜トランジスタＭ１のソース／ドレイン電極及び前記キャパシターＣの上部電極を形成する。
【００３０】
前記ソース／ドレイン電極１３１ｃ、１３１ａ、１３２ｃ、１３２ａ上に第２層間絶縁膜１３５を形成する。前記第２層間絶縁膜１３５はパッシベーション膜、平坦化膜または前記パッシベーション膜上に前記平坦化膜が積層された二重層であることである。前記パッシベーション膜はシリコーン酸化膜、シリコーン窒化膜またはこれらの多重層で形成することができる。望ましくは前記パッシベーション膜は気体及び水分を效果的に遮断して下部の薄膜トランジスタを保護することができて、水素を豊富に含有して前記多結晶シリコーン膜の結晶粒境界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）に存在する不完全結合をパッシベーションできるシリコーン窒化膜であることが望ましい。前記平坦化膜は下部段差を緩和できる有機膜であってＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）膜、ポリイミド膜またはポリアクリル膜であることができる。
【００３１】
前記第２層間絶縁膜１３５内に前記ドレイン電極１３１ａ、１３２ａをそれぞれ露出させるビアホール１３５ｂ、１３５ａを形成する。前記ビアホール１３５ｂ内に露出した前記第１ドレイン電極１３１ａに接続する第１電極１４１及び前記ビアホール１３５ａ内に露出した前記第２ドレイン電極１３２ａに接続する伝導性パッド１４２を形成する。
【００３２】
前記伝導性パッド１４２及び前記第１電極１４１上に画素定義膜（ｐｉｘｅｌ  ｄｅｆｉｎｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４５を形成する。前記画素定義膜１４５内に前記伝導性パッド１４２の少なくとも一部領域を露出させるコンタクトホール１４５ａ及び前記第１電極１４１の少なくとも一部領域を露出させる開口部１４５ｂを形成する。前記画素定義膜１４５はＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、アクリル系フォトレジスト、フェノール系フォトレジストまたはイミド系フォトレジストを用いて形成することができる。
【００３３】
前記開口部１４５ｂ内に露出した前記第１電極１４１上に第１有機発光層１５０を形成する。前記第１有機発光層１５０はシャドーマスクを用いた真空蒸着法、インクジェットプリント法またはレーザー熱転写法を用いて形成することができる。ひいては、前記第１有機発光層１５０の上部または下部に正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層または電子注入層を形成することができる。
【００３４】
続いて、前記第１有機発光層１５０上に仕事関数補助層１５８を形成して、前記仕事関数補助層１５８及び前記コンタクトホール１４５ａ内に露出した前記伝導性パッド１４２上に第２電極１６０を形成する。しかし、前記仕事関数補助層１５８を形成することは省略することができる。
【００３５】
前記第２電極１６０上に第２有機発光層１７０を形成する。前記第２有機発光層１７０はシャドーマスクを用いた真空蒸着法、インクジェットプリント法またはレーザー熱転写法を用いて形成することができる。ひいては、前記第２有機発光層１７０の上部または下部に正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層または電子注入層を形成することができる。前記第２有機発光層１７０上に第３電極１８０を形成する。
【００３６】
前記第１電極１４１及び前記第２電極１６０はそれらの仕事関数が同様の導電膜を用いて形成することができる。したがって、前記第１電極１４１及び前記第２電極１６０は前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１及び前記第２有機電界発光ダイオードＥＬ２に対して同一極性を有する電極で作用することができる。しかし、前記第２電極１６０は前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１に対して前記第１電極１４１と他の極性を有する電極で作用しなければならないので、前記第２電極１６０の仕事関数を補助するために前記仕事関数補助層１５８が導入されることが望ましい。
【００３７】
例えば、前記第１電極１４１及び前記第２電極１６０は前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１及び前記第２有機電界発光ダイオードＥＬ２に対してアノードで作用することができる。この場合、前記第１電極１４１及び前記第２電極１６０は相互に関係なくＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）膜、ＴＯ（Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜及びＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）膜で構成された群から選択される一つの膜であることである。ひいては、前記仕事関数補助層１５８は電子注入特性が優秀な膜で形成されることができる。例えば、前記仕事関数補助層１５８はＭｇ膜、Ｍｇ合金膜、Ａｇ膜、Ａｇ合金膜、Ａｌ膜、Ａｌ合金膜、Ｃａ膜、Ｃａ合金膜、Ｂａ膜またはＢａ合金膜であることができる。前記Ｍｇ合金膜はＭｇＡｇ膜であることである。
【００３８】
前記第１電極１４１、前記第１有機発光層１５０及び前記第２電極１６０は第１有機電界発光ダイオードＥＬ１を形成する。前記第２電極１６０、前記第２有機発光層１７０及び前記第３電極１８０は第２有機電界発光ダイオードＥＬ２を形成する。
【００３９】
図３を参照しながら説明したように、前記第１駆動薄膜トランジスタＭ２がデータ信号の大きさに比例する電流を前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１、詳細には前記第１電極１４１に供給して、前記第２駆動薄膜トランジスタＭ３がデータ信号の大きさに比例する電流を前記第２有機電界発光ダイオードＥＬ２、詳細には前記第２電極１６０に供給する。前記第３電極１８０には基準電圧が印加される。したがって、前記第１駆動薄膜トランジスタＭ２と前記第２駆動薄膜トランジスタＭ３の特性が同様である時、前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１の両端間にかかる電圧差は微小である。したがって、前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１はほとんど発光しないことがある。反面、前記第２電極１６０と前記第３電極１８０の電圧差により前記第２有機電界発光ダイオードＥＬ２は発光することができる。（図６Ｂ参照）
【００４０】
一方、工程上のエラーによって前記第３電極１８０と前記第２電極１７０が短絡される場合の本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の単位画素の動作を図４、図７Ａ及び図７Ｂを参照してよく見る。
【００４１】
図３及び図７Ａを参照すると、前記第１駆動薄膜トランジスタＭ２がデータ信号の大きさに比例する電流を前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１、詳細には前記第１電極１４１に供給して、前記第２駆動薄膜トランジスタＭ３がデータ信号の大きさに比例する電流を前記第２有機電界発光ダイオードＥＬ２、詳細には前記第２電極１６０に供給する。この時、前記第３電極１８０には基準電圧が印加される。しかし、前記第２電極１６０と前記第３電極１８０が工程上のエラー例えば、異物Ｆによって短絡されて前記第２電極１６０には基準電圧が印加されるようになる。したがって、前記第２有機電界発光ダイオードＥＬ２は発光することができない。
【００４２】
一方、前記第２電極１６０に基準電圧が印加されるので前記第１電極１４１と前記第２電極１６０間に有効な電圧差が発生して、これにより前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１は発光することができる。（図７Ｂ参照）
【００４３】
すなわち、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置は前記第２電極１６０と前記第３電極１８０間に短絡が発生しない場合前記第２有機電界発光ダイオードＥＬ２が発光し、前記第２電極１６０と前記第３電極１８０間に短絡が発生した場合前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１が発光する。ひいては、前記基板１００上に前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１と前記第２有機電界発光ダイオードＥＬ２が順に積層されることによってすなわち、前記第１電極１４１、前記第１有機発光層１５０、前記第２電極１６０、前記第２有機発光層１７０及び前記第３電極１８０が順に位置することによって、前記第１有機電界発光ダイオードＥＬ１と前記第２有機電界発光ダイオードＥＬ２が水平に相互に隣接して位置する場合に比べて単位画素の面積を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】一般的な有機電界発光表示装置の単位画素を示した回路図である。
【図２Ａ】有機電界発光ダイオードのアノードとカソード間短絡不良が発生した場合を示した写真である。
【図２Ｂ】有機電界発光ダイオードのアノードとカソード間短絡不良が発生した場合を示した写真である。
【図３】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の単位画素の画素回路を示した回路図である。
【図４】図３に現われた第２有機電界発光ダイオードの両側電極間に短絡が発生する場合の単位画素の動作を説明するための回路図である。
【図５】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の単位画素のレイアウト図である。
【図６Ａ】図５の切断線Ｉ−Ｉ’に沿って取られた本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置及びその製造方法を示した断面図である。
【図６Ｂ】図６ＡのＰを拡大して示した断面図である。
【図７Ａ】図６Ａに現われた第２電極と第３電極間に短絡が発生する場合を示した断面図である。
【図７Ｂ】図７ＡのＰを拡大して示した断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
Ｓ：スキャンライン
Ｄ：データライン
ＥＬＶＤＤ：共通電源ライン
Ｍ１：スイッチング薄膜トランジスタ
Ｍ２：第１駆動薄膜トランジスタ
Ｍ３：第２駆動薄膜トランジスタ
ＥＬ１：第１有機電界発光ダイオード
ＥＬ２：第２有機電界発光ダイオード
１４１：第１電極
１５０：第１有機発光層
１５８：仕事関数補助層
１６０：第２電極
１７０：第２有機発光層
１８０：第３電極
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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