(57)【要約】【課題】電圧印加によって駆動可能な基板、電極膜およびパラジウムまたはパラジウム合金からなる機能膜を備えている駆動素子において、機能膜の電極膜からの剥離を防止する。【解決手段】  駆動素子１は、電圧印加によって駆動可能な基板２、基板２に対して電圧を印加するために基板上に形成され、パラジウムおよびパラジウム合金以外の金属からなる電極膜３Ａ、３Ｂ、および基板２上に電極膜３Ａ、３Ｂと平面的に見て重ならないように形成されたパラジウムまたはパラジウム合金からなる機能膜５を備えている。【選択図】          図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧印加によって駆動可能な基板、この基板に対して電圧を印加するために前記基板上に形成され、パラジウムおよびパラジウム合金以外の金属からなる電極膜、および前記基板上に前記電極膜と重ならないように形成されたパラジウムまたはパラジウム合金からなる機能膜を備えていることを特徴とする、駆動素子。
【請求項２】
前記基板が振動子として機能することを特徴とする、請求項１記載の駆動素子。
【請求項３】
圧電アクチュエータとして機能することを特徴とする、請求項１記載の駆動素子。
【請求項４】
前記電極膜と前記基板との間に設けられている電極膜側下地膜を備えていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載の駆動素子。
【請求項５】
前記機能膜と前記基板との間に設けられている機能膜側下地膜を備えていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の駆動素子。
【請求項６】
前記電極膜と前記機能膜とが離間されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一つの請求項に記載の駆動素子。
【請求項７】
前記電極膜と前記機能膜とが連続的に形成されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一つの請求項に記載の駆動素子。
【請求項８】
前記機能膜が水素吸着膜として機能することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一つの請求項に記載の駆動素子。
【請求項９】
前記基板の振動に伴う物理量を検出する検出手段を備えており、前記物理量の検出値に基づいて水素濃度を測定することを特徴とする、請求項８記載の駆動素子。
【請求項１０】
非測定時における前記検出手段からの前記物理量の検出値と、測定時における前記検出手段からの前記物理量の検出値との差に基づいて、前記水素濃度を測定することを特徴とする、請求項９記載の駆動素子。
【請求項１１】
前記物理量が振動変位であることを特徴とする、請求項９または１０記載の駆動素子。
【請求項１２】
前記基板の表面を平面的に見たときに前記電極膜と前記機能膜との間に前記検出手段がはさまれていることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか一つの請求項に記載の駆動素子。
【請求項１３】
前記振動が、前記振動子の厚みねじれ振動モードであることを特徴とする、請求項９〜１２のいずれか一つの請求項に記載の駆動素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動子や圧電アクチュエータなどの駆動素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水素センサは、水素を燃料源とする燃料電池システムの安全性を確保するために必要なセンサであり、今後普及が期待されている。水素センサは、水素の漏れを低濃度の段階で確実に検知し、システムの停止や警報を行うために使用される。水素センサは、接触燃焼方式、半導体方式、熱電式、光ファイバ式など種々の検知方式が採用されているが、いずれも、ガス種の選択性、コスト、耐久性に問題がある。
【０００３】
接触燃焼式水素センサにおいては、白金などの触媒上で水素を燃焼させ、その熱や熱に伴う抵抗体の抵抗値変化を利用する。この方式では、水素だけでなく、炭化水素も同時に燃焼するので、ガス種の選択性が悪い。また白金などの高価な材料を使用する必要がある。
【０００４】
半導体式水素センサにおいては、酸化スズなどの金属酸化物半導体の焼結体を加熱しておき、これに水素が接触すると半導体の電気抵抗が変化する。この抵抗値変化を利用して水素濃度を算出する。この方式でも、炭化水素や一酸化炭素でも同様の反応が生ずるので、ガス種の選択性が悪い。また、ヒーターによる半導体の加熱が必須であり、コストが高い。更に酸化スズが使用環境下で劣化するので寿命が短い。
【０００５】
また、パラジウム膜をつけた水晶振動子を利用した水素センサが提案されている（特許文献１）。パラジウムは、原子間の隙間に水素が吸蔵される性質を有している。この原子間の隙間に炭化水素や一酸化炭素が入ることは不可能であるので、この水素センサはガス種の選択性が高い。
【特許文献１】特公平３−４０８１７号公報
【０００６】
特許文献１記載の水素センサでは、水晶振動板の両面に電極を設け、電極を被覆するようにパラジウム膜を形成する。そして、電極に交流電圧を供給して振動板を振動させる。このときの振動周波数は振動板と電極の固有共振周波数によって定まる。このパラジウム膜に水素が吸着すると、振動板の周波数が若干変化するので、この周波数変化から水素濃度を算出する。
【０００７】
しかし、特許文献１記載の水素センサでは、ごく微量の付着水素に基づく周波数の変化はごく僅かであり、この周波数変化から精度よく水素濃度を検出することは困難である。水素ガスは大気中では濃度４％程度で爆発するので、できるだけ低濃度で検出する必要があり、少なくとも０．１〜１％で検知することが必要である。できれば１００ｐｐｍ程度の濃度で検出可能であることが望ましい。
【０００８】
特許文献１記載のような水素センサにおいて、水素の検出感度を向上させるためには、単位面積当たりの水素吸着量を増加させる必要があり、このためにはパラジウム膜の膜厚を大きくする必要がある。しかしパラジウム膜の膜厚を大きくすると、高価なパラジウムの量が増えることからコストが増加する。また、膜内に水素が浸透するまでに必要な時間が長くなるので、水素濃度変化に対する応答性が悪くなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このため、本出願人は、特許文献２において、振動子上の吸着膜への水素吸着による振動状態変化を利用して水素濃度を測定する水素センサにおいて、駆動手段と検出手段とを分離し、駆動手段によってセンサに基本振動を励起し、検出手段によって水素吸着による振動状態の変化を検出することを開示した。このように駆動手段と検出手段とを分離することによって、振動状態を反映する所望の振動を精度よく検出しやすくなり、駆動手段と検出手段とをそれぞれ最も効果的な部位に設けることが可能となる。この結果、センサにおける水素濃度の検出感度を向上させることが可能となった。
【特許文献２】特願２００４−３１０３７９
【００１０】
しかし、このような振動子を実際に製造していく過程で、新たな問題点が生じてくることが判明した。即ち、水素センサを製造するためにはパラジウム膜を振動子表面に成膜する必要がある。パラジウム膜は電極膜としても機能する。しかし、パラジウムは高価であるので、振動子上の電極膜の全体をパラジウムによって形成することは高コストとなり、現実的ではない。従って、振動子を駆動するための電極膜は主として金等の貴金属によって形成する。
【００１１】
しかし、振動子は水晶等の圧電性単結晶からなることが好ましい。ここで水晶などの圧電性単結晶と金膜等の金属膜とは密着性が悪いので、金属膜と水晶振動子との間にはクロム膜等の下地膜を形成している。このように振動子表面に下地膜と電極膜とを形成した後、電極膜上にパラジウム膜やパラジウム合金膜を形成することを試みたところ、パラジウム膜やパラジウム合金膜の電極膜に対する密着性が悪く、剥離しやすいことが判明した。これを防止するためには、パラジウム膜やパラジウム合金膜と電極膜との間に更にクロム膜等の下地膜を設けることも検討したが、パラジウム膜等の電極膜に対する密着性を改善することかできず、剥離を防止できないことが判明した。
【００１２】
本発明の課題は、電圧印加によって駆動可能な基板、電極膜、およびパラジウムまたはパラジウム合金からなる機能膜を備えている駆動素子において、機能膜の電極膜からの剥離を防止し、駆動素子の歩留りを向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る駆動素子は、電圧印加によって駆動可能な基板、この基板に対して電圧を印加するために基板上に形成され、パラジウムおよびパラジウム合金以外の金属からなる電極膜、および基板上に電極膜と重ならないように形成されたパラジウムまたはパラジウム合金からなる機能膜を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、パラジウムまたはパラジウム合金からなる機能膜を、電極膜上に形成するのではなく、基板上に平面的に見て電極膜と重ならないように形成した。言い換えると、基板表面上へと電極膜および機能膜を投射したときに、両方の投射像が重ならないようにした。あるいは、電極膜上に直接あるいは下地膜等の他の膜を介して機能膜が積層されないようにした。この結果、パラジウム膜またはパラジウム合金膜の電極膜からの剥離を防止することができ、駆動素子の歩留りが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の駆動素子の用途は特に限定されない。駆動素子は、振動子として機能させることができる。振動子とは、基板が種々の振動モードで振動することを意味する。また、他の実施形態においては、駆動素子が圧電アクチュエータとして機能する。この場合には、駆動素子は振動する必要はなく、所定信号に応じて一方向に動作する場合も含む。このような動作としては、開閉動作を例示できる。
【００１６】
基板の材質は特に限定するものではない。一例では圧電単結晶や圧電セラミックスを利用できる。圧電単結晶としては、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体（Ｌｉ（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ3）単結晶、ホウ酸リチウム単結晶、ランガサイト単結晶を例示できる。水晶は量産技術が確立されており、水素センサの製造コストを低減できる。ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体は、キュリー点が高いので、高温まで使用可能である。圧電セラミックスとしては、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸鉛やそれに添加物を加えたいわゆるPZT系の圧電セラミックスや、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、ビスマス層状化合物などを例示できる。
【００１７】
また、ＡｌＮからなる基板を利用できる。ＡｌＮは、還元性雰囲気中では１０００℃程度まで動作可能である。更に、シリコンのマイクロマシニングによって形成した基板も利用できる。また、ランガサイトからなる基板を利用できる。例えばランガサイト振動子は、融点が１４７０℃と高く、１０００℃程度まで動作可能である。
【００１８】
電極膜の材質は特に限定されないが、例えば金膜、銀膜、鉛膜、白金膜やＴｉＯ２等の金属酸化物膜が好ましい。また、電極膜と基板との間には下地膜を設けることができる。このような下地膜は、クロム膜、チタン層、クロム膜とチタン膜との積層膜であってよい。また、高温で動作させる場合には、電極表面は白金で覆われていることが好ましい。
【００１９】
また、機能膜を構成するパラジウム中には不純物が含有されていてもよい。機能膜を構成するパラジウム合金を構成する金属としては、銀、白金、金、ルテニウム、鉄、モリブデン、コバルト、錫、銅、ニッケル、イットリウム、ロジウム、亜鉛、バナジウムを例示できる。
【００２０】
機能膜の厚さは特に限定されないが、水素センサの検出感度を一層向上させるという観点からは、９０オングストローム以上であることが好ましく、５００オングストローム以上であることが更に好ましい。吸着膜が厚くなり過ぎると、水素濃度変化に対するセンサの応答性が低下する傾向があるので、応答性の観点からは、吸着膜の厚さは５ミクロン以下であることが好ましく、１ミクロン以下であることが更に好ましい。
【００２１】
機能膜は基板表面に直接設けることもできるが、機能膜と基板との間に下地膜を設けることができる。こうした下地膜としては、チタン膜、クロム膜、チタン膜とクロム膜との積層膜を例示できる。
【００２２】
電極膜、下地膜、機能膜の形成方法は特に限定されず、物理堆積法（ＰＶＤ法）や化学堆積法（ＣＶＤ法）が薄膜の成膜に用いられており、ＰＶＤ法では真空蒸着法やスパッタリング法が例示できる。
【００２３】
一実施形態においては、前記電極膜と機能膜とが平面的に見て離間されている。この場合には、電極膜と機能膜との間に検出電極を形成することもできる。また、前記機能膜をも電極として利用することができる。この実施形態では、機能膜と電極膜とが離間されているので、両者の成膜が比較的容易である。
【００２４】
一実施形態においては、電極膜と機能膜とを平面的に見て連続的に形成する。この場合には、機能膜も前記電極膜と共に電極として機能する。この実施形態では、機能膜の面積を減らし、これによって機能膜を構成する高価なパラジウムやパラジウム合金の量を減らすことができる。
【００２５】
機能膜の機能は特に限定されない。好適な実施形態においては、機能膜が水素吸着膜として機能する。また、機能膜は触媒として機能させることもできる。
【００２６】
水素センサの実施形態においては、基板の振動に伴う物理量を検出する検出手段を備えており、物理量の検出値に基づいて水素濃度を測定する。検出手段から得られる物理量の種類は限定されないが、感度の点から振動変位が特に好ましい。他の物理量としては電気抵抗、応力、加速度を例示できる。
【００２７】
振動変位の検出手段は、前述したような検出電極が好ましいが、これには限定されない。例えば、レーザ変位計で振動子の中心軸およびその付近の変位を計測することができる。
【００２８】
パラジウムの水素吸収量は環境温度に応じて変動する。このような水素吸収量の変化は、水素ガスの漏れ検出用途においてはほとんど影響を与えないが、水素濃度の絶対値を知る必要のある用途や、水素濃度の測定値を使用して制御を行う用途においては、測定誤差の原因となる。従って、このような場合には、以下の方法によって温度変化による吸着量の変化を補正することができる。
【００２９】
（１）  水素センサにヒーターを付加することによって、振動子の温度を一定に保持する。
（２）  温度センサを振動子上あるいは振動子の周辺に設置し、温度を測定する。温度と物理量の検出値との関係を示す検量線を制御装置に格納しておく。温度センサからの測定値と検量線とを照合することにより、物理量の検出値に補正を加える。
（３）  振動子の共振周波数は温度変化に応じて変化する。従って、振動子の共振周波数と物理量の検出値との関係を示す検量線を制御装置に格納しておく。振動子から得られた共振周波数の測定値と検量線とを照合することにより、物理量の検出値に補正を加える。この方法によれば、振動子の温度を直接知ることができるので、温度センサの温度と振動子の温度との間の誤差が生じにくく、一層正確な温度補正が可能である。
【００３０】
好ましくは、非測定時における検出手段からの物理量の検出値と、測定時における検出手段からの物理量の検出値との差に基づいて水素濃度を測定する。特に振動変位を測定することによって、水素の測定量の制度を著しく向上させることができる。
【００３１】
また、好適な実施形態においては、基本振動において、振動変位が振動子の中心軸に対して略対称である。また、好適な実施形態においては、非測定時において、検出手段からの検出値が略０となるようにする。この場合には、略０からの変位を検出するので、一層測定感度が向上する上、環境変化の影響を低減できる。
【００３２】
好適な実施形態においては、基本振動が、振動子の厚さ方向のねじれ振動モードである。厚みねじれ振動子を利用することにより、原理的に、１ｐｐｍ相当の水素濃度で水素検出を実現可能である。
【００３３】
図１〜図６は、厚みねじれ振動モードを利用した水素センサに係るものである。図１は、センサ１を模式的に示す平面図であり、図２は、センサ１を模式的に示す斜視図であり、図３（ａ）、図４は、センサ１の横断面図正面図である。図３（ｂ）は本発明外のセンサの横断面図である。図５（ａ）は、厚みねじれ振動モードを説明するための平面図であり、図５（ｂ）は、厚みねじれ振動モードを説明するための斜視図であり、図６は回路例を示す。
【００３４】
図１、図２に示すように、センサ１の振動子２は例えば角板形状をしている。振動子２の表面２ａ上には、駆動電極３Ａ、３Ｂ、検出電極４が形成されており、表面２ｂ上には、駆動電極３Ａ、３Ｂおよび検出電極４が形成されている。また、振動子２上には水素吸着膜５が設けられている。膜５は駆動電極膜３Ａによって包囲されている。１５はリードであり、１６はリード端子である。
【００３５】
更に具体的には、図３（ａ）、図４に示すように、各駆動電極３Ａ、３Ｂ、４は、下地膜１３上に形成されている。また、水素吸着膜５も下地膜３３上に形成されている。下地膜１３と３３とは平面的に見て連続的に形成されている。水素吸着膜５は駆動電極膜３Ａによって包囲されており、吸着膜５と電極膜３Ａとは連続的に形成されている。
【００３６】
駆動回路部１４（図６参照）の駆動電源８を使用し、駆動電極３Ａの間、駆動電極３Ｂの間にそれぞれ逆相の交流電圧を印加することによって、図５（ａ）、図５（ｂ）に示す矢印Ａ、Ｂのように、厚みすべり振動を生じさせる。Ｄ１、Ｄ２は交流電圧印加端子であり、Ｄ１Ｇ、Ｄ２Ｇは接地端子である。駆動振動Ａ、Ｂは、振動子の中心軸Ｄに対して略線対称である。
【００３７】
一対の検出電極４の間で振動子２に変位が生ずると、端子Ｐと接地端子ＰＧとの間で電圧が生ずる。この電圧差を信号処理部６の検出増幅器９で検出し、駆動振動によって位相検波回路１０で位相検波する。そして、駆動振動と同相の振動をローパスフィルター１１に通し、出力する。
【００３８】
ここで、中心の検出電極４における検出信号は、非測定時においては略ゼロとなるようにする。これは、駆動振動の変位Ａ、Ｂが、振動子２の中心軸Ｄに対して略線対称となっているために、検出電極４の間の領域における振動子の振動変位はほぼゼロとなるからである。
【００３９】
測定時に吸着膜５に水素が付着すると、吸着膜５の質量が増加し、振動子２の中心軸Ｄの左右における各質量のバランスが崩れる。この結果、中心軸Ｄに対する駆動振動Ａ、Ｂの線対称性が崩れ、一対の検出電極４の間に、駆動振動と同相の信号電圧が発生する。この信号電圧に基づいて質量を算出する。
【００４０】
ここで、特許文献２記載のセンサでは、例えば図３（ｂ）に示すセンサ１６のように、下地膜１３上に駆動電極膜３Ａを形成し、その上に下地膜１４を介して水素吸着膜５を形成していた。しかし、この方法では、水素吸着膜５と駆動電極膜３Ａとの密着性が低く、吸着膜５が剥離しやすく、歩留りが低くなることが判明した。本発明によれば、例えば図３（ａ）に示すように、基板２上に直接あるいは下地膜１３、３３を介して、駆動電極膜３Ａおよび吸着膜５を設けており、この際、吸着膜５が平面的に見て電極膜３Ａと重ならないようにしている。本例では、特に電極膜３Ａと吸着膜５とがほぼ連続的に形成されている。このような駆動素子では、吸着膜５の基板２への密着性は高く、剥離は生じにくく、従って駆動素子の歩留りを向上させることができる。
【００４１】
図７、図８の例においては、駆動電極膜と吸着膜とが離間されており、両者の間に検出電極膜が設けられている。即ち、センサ２１の振動子２は例えば角板形状をしている。振動子２の表面２ａ上には、駆動電極１７、検出電極４、吸着膜１８が形成されており、表面２ｂ上には、駆動電極１７および検出電極４が形成されている。１５はリードであり、１６はリード端子である。更に具体的には、図８に示すように、各駆動電極１７、検出電極４、吸着膜１８は、それぞれ下地膜１３、３３上に形成されている。
【００４２】
図１〜図６のセンサと同様にして振動子２に駆動振動を励振する。この際、パラジウムまたはパラジウム合金からなる吸着膜１８と、これ以外の金属からなる駆動電極膜１７とに、それぞれ逆相の交流電圧を印加することによって、図５（ａ）、図５（ｂ）に示す矢印Ａ、Ｂのように、厚みすべり振動を生じさせる。
【００４３】
一対の検出電極４の間で振動子２に変位が生ずると、端子Ｐと接地端子ＰＧとの間で電圧が生ずる。この電圧差を信号処理部６の検出増幅器９で検出し、駆動振動によって位相検波回路１０で位相検波する。そして、駆動振動と同相の振動をローパスフィルター１１に通し、出力する。
【実施例】
【００４４】
（実施例１）
（吸着膜の成膜工程）
図１〜図６に示す水素センサ１を製造した。具体的には、図９〜図１１に示すプロセスに従った。即ち、図９（ａ）に示すように、縦２インチ、横２インチ、厚さ０．１６ｍｍの水晶基板２を希フッ酸にてエッチング洗浄した後、スピンドライヤーにて乾燥し、水晶基板２の両方の表面２ａ、２ｂを清浄化した。スパッタ装置を用いて水晶基板２に厚さ０．０２μｍのＣｒを下地層３３として成膜し、その上に厚さ０．１μｍのＰｄ膜５を成膜した。
【００４５】
このＰｄ膜５の成膜面上にフォトレジストを塗布し、図９（ｂ）に示すように、厚さ１μｍのレジスト膜２４を形成した。レジストの溶剤成分を除去するため、オーブンを用いてプリベークした。
【００４６】
次いで、Ｐｄ成膜パターンを描画したフォトマスクを用い、露光装置によりレジスト膜表面に、前記フォトマスクパターンをフォトリソグラフィによって転写し、図９（ｃ）に示すようなレジストパターン２４Ａを形成し、未露光部分２４を除去した（図９（ｄ））。次いで、このレジストパターン２４Ａをマスクとして、硝酸と塩酸の混合液にて、水晶基板２上に成膜したＰｄ膜５をエッチング除去し、硝酸第二セリウムアンモニウムにてＣｒ膜３３をエッチング除去し、図１０（ａ）に示すように、Ｐｄ膜５およびＣｒ膜３３からなるエッチングマスクパターンを形成した。残留したフォトレジストをアセトンによって溶解除去し、Ｐｄ膜５を成形した（図１０（ｂ））。
【００４７】
（金膜の成膜工程）
水晶基板２の各表面２ａ、２ｂに再びフォトレジストをスピンコーターによって塗布して厚さ１μｍのレジスト膜２５、２５Ｂを形成した（図１０（ｃ））。レジストの溶剤成分を除去するため、オーブンを用いてプリベークした。
【００４８】
各表面の高精度アライメントが可能な露光装置と、電極エッチング加工パターンのみを描画したフォトマスクを用い、水晶基板２の表裏両面に前記フォトマスクパターンをフォトリソグラフィによって転写し、レジストパターン２５Ａを形成した（図１０（ｄ））。２５は未露光部分である。この未露光部分２５を除去した（図１１（ａ））。
【００４９】
各表面に蒸着装置を用いて、水晶基板２に厚さ０．０２μｍのＣｒ膜を下地層１３として成膜し、その上に厚さ０．１μｍの電極用Ａｕ膜３を成膜した（図１１（ｂ））。残留したフォトレジスト２５Ａ、２５Ｂをアセトンによって溶解除去し、Ａｕ電極膜３Ａ、３Ｂ、４を成形した（図１１（ｃ））。
【００５０】
こうして得られた基板を用いて、図１〜図６に示すセンサを構成し、水素吸着実験を行った。この結果、濃度０．０１％の水素を検出可能であった。
【００５１】
（実施例２）
図１〜図６に示すようなセンサを作製した。ただし、吸着膜５の成膜までは実施例１と同じである（図９（ａ）から図１０（ｂ）までの工程）。ただし、次の駆動、検出電極膜の成膜工程は実施例１と異なる。
【００５２】
即ち、水晶基板２の各表面２ａ、２ｂにスパッタ装置を用いて、厚さ０．０２μｍのＣｒを下地層１３として成膜し、その上に厚さ０．１μｍの電極用Ａｕ膜３を成膜した（図１２（ａ））。このＡｕ膜３の成膜面上にフォトレジストを塗布し、厚さ１μｍのレジスト膜２４、２４Ｂを形成した（図１２（ｂ））。レジストの溶剤成分を除去するため、オーブンを用いてプリベークした。
【００５３】
各表面の高精度アライメントが可能な露光装置と、電極エッチング加工パターンのみを描画したフォトマスクを用い、水晶基板２の表裏両面に前記フォトマスクパターンをフォトリソグラフィによって転写し、レジストパターン２４Ａを形成した（図１２（ｃ））。２４は未露光部分である。この未露光部分を除去した（図１３（ａ））
【００５４】
このレジストパターン２４Ａをマスクとして、ヨウ素とヨウ化カリウムの混合液にて、水晶基板上に成膜したＡｕとＣｒの多層膜１３、３をエッチング除去して、エッチングマスクパターンを形成した（図１３（ｂ））。残留したフォトレジスト２４Ａをアセトンによって溶解し、除去し、Ａｕ電極膜３Ａ、３Ｂ、４を成形した（図１３（ｃ））。
【００５５】
こうして得られた基板を用いて、図１〜図６に示すセンサを構成し、水素吸着実験を行った。この結果、濃度０．０１％の水素を検出可能であった。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施形態のセンサ１を模式的に示す平面図である。
【図２】センサ１を模式的に示す斜視図である。
【図３】（ａ）は、センサ１を模式的に示す横断面図であり、（ｂ）は、本発明外のセンサ１６を示す横断面図である。
【図４】センサの配線を模式的に示す横断面図である。
【図５】（ａ）は、振動子２の厚み滑り振動モードを説明するための平面図であり、（ｂ）は厚み滑り振動モードを示す模式図である。
【図６】回路例を示す図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係るセンサ２１を模式的に示す正面図である。
【図８】図７のセンサ２１を模式的に示す横断面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明の実施例１におけるセンサの製造工程を模式的に示す横断面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明の実施例１におけるセンサの製造工程を模式的に示す横断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施例１におけるセンサの製造工程を模式的に示す横断面図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施例２におけるセンサの製造工程を模式的に示す横断面図である。
【図１３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施例２におけるセンサの製造工程を模式的に示す横断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１、２１  センサ              ２  基板            ３Ａ、３Ｂ、１７  パラジウムおよびパラジウム合金以外の金属からなる駆動電極            ４  検出電極          ５、１８  パラジウムおよびパラジウム合金からなる吸着膜          １３、３３  下地膜          Ａ、Ｂ  厚み滑り振動            Ｄ  中心軸            Ｅ  基本振動
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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