(57)【要約】【課題】長いペースト安定期間（ゲル化せず使用可能な状態が保たれる期間）を確保することが可能な感光性ペースト、該感光性ペーストを用いた厚膜パターンの形成方法、および、該厚膜パターンの形成方法により厚膜パターンを形成する工程を備えた電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】無機粉末、感光性モノマー、および光重合開始剤を主成分とする感光性ペーストにおいて、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない、分子量１００００〜５００００の鎖状高分子樹脂を含有させる。  また、鎖状高分子樹脂として、アクリル系樹脂またはブチラール系樹脂を用いる。  また、鎖状高分子樹脂を１〜４重量％の割合で含有させる。  また、鎖状高分子樹脂に含まれる溶剤を除いて、実質的に溶剤を含有させないようにする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機粉末、感光性モノマー、および光重合開始剤を主成分とする感光性ペーストであって、
Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない、分子量１００００〜５００００の鎖状高分子樹脂を含有していること
を特徴とする感光性ペースト。
【請求項２】
前記鎖状高分子樹脂が、アクリル系樹脂またはブチラール系樹脂であることを特徴とする、請求項１に記載の感光性ペースト。
【請求項３】
前記鎖状高分子樹脂を１〜４重量％の割合で含有していることを特徴とする、請求項１または２に記載の感光性ペースト。
【請求項４】
前期鎖状高分子樹脂に含まれる溶剤を除いて、実質的に溶剤を含有していないことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の感光性ペースト。
【請求項５】
無機粉末と、感光性モノマーと、光重合開始剤と、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない分子量１００００〜５００００の鎖状高分子樹脂とを含む感光性ペーストを基体上に塗布して感光性ペースト膜を形成する膜形成工程と、
前記感光性ペースト膜に露光処理を施す露光工程と、
前記露光処理が施された前記感光性ペースト膜を現像して、所定の厚膜パターンを形成する現像工程と
を備えていることを特徴とする厚膜パターンの形成方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法により厚膜パターンを形成する工程と、
前記厚膜パターンを焼成する工程と、
を備えていることを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、回路基板や多層基板などを製造する場合において、基板表面や、多層基板を構成する各基板上に所望の厚膜パターン（回路や電極など）を形成する際に用いられる感光性ペースト、該感光性ペーストを用いた厚膜パターンの形成方法、および、該厚膜パターンの形成方法により厚膜パターンを形成する工程を備えた電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波電子機器の高密度化や高速信号化に伴い、これらの電子機器が備える高周波回路を構成する配線導体などのパターンは、微細で、膜厚が大きく、しかも、配線寸法のばらつきが小さいこと（配線精度が高いこと）などが求められている。
【０００３】
このような微細なパターンを形成する方法としては、フォトリソグラフィー法を利用したパターンの形成方法が広く用いられており、そこで用いられている従来の感光性ペーストとしては、通常、有機バインダー、感光性モノマー、光重合開始剤など配合した感光性ペーストが用いられている。
【０００４】
しかしながら、一般的に、有機バインダーに用いられるポリマーとしては、分子量が１０万以上で、固体状の高分子ポリマーが用いられており、この高分子ポリマーは、感光性ペーストヘの溶解や分散が不十分になりやすく、粘度の増大を招き、印刷特性などが損なわれるという問題点がある。
【０００５】
また、固体状の高分子ポリマーを溶解させて、粘度の増大を抑制しようとすると溶剤を添加することが必要となるが、溶剤を添加した場合には、塗布した感光性ペーストを乾燥させるための乾燥工程に時間がかかり、生産性が低下するという問題点がある。
【０００６】
そこで、高分子ポリマーおよび溶剤を含まず、感光性ペーストの粘度を低下させることが可能であるとともに、乾燥時間を短縮することを可能にした感光性ペースト組成物が提案されている（特許文献１）。
【０００７】
この感光性ペースト組成物は、無機粉末、感光性モノマー、光重合開始剤を主成分とする無溶剤型の感光性ペーストであって、感光性モノマーとして、アクリロイル基またはメタクリル基を有し、かつ、重合度（ｎ）が４〜１００、より好ましくは１０〜３０のエチレンオキシド構造またはプロピレンオキシド構造を有するものを用いることを特徴としており、この感光性ペースト組成物を用いることにより、良好な平滑性を備えた、高精細なパターンを形成することが可能で、良好な作業性を確保することが可能になるとされている。
【０００８】
しかしながら、特許文献１の感光性ペースト組成物は、ポリマーを添加しない代わりに、より多くの感光性モノマーを含有させるようにしており、このようなポリマーレスペーストにおいては、無機粉末と感光性モノマーが反応したり、無機粉末が触媒となり感光性モノマーどうしが結合したりして、感光性ペーストのゲル化を引き起こし、ペースト安定期間（感光性ペーストがゲル化せず使用可能な状態が保たれる期間）が短いという問題点がある。
【特許文献１】特開平１１−３１６４５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本願発明は、上記課題を解決するものであり、無機粉末と感光性モノマーとの反応や、感光性モノマーどうしの結合を抑制、防止し、感光性ペーストのゲル化を抑制、遅延させることが可能で、長いペースト安定期間（ゲル化せず使用可能な状態が保たれる期間）を確保することが可能な感光性ペースト、該感光性ペーストを用いた厚膜パターンの形成方法、および、該厚膜パターンの形成方法により厚膜パターンを形成する工程を備えた電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本願発明（請求項１）の感光性ペーストは、
無機粉末、感光性モノマー、および光重合開始剤を主成分とする感光性ペーストであって、
Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない、分子量１００００〜５００００の鎖状高分子樹脂を含有していること
を特徴としている。
【００１１】
また、請求項２の感光性ペーストは、請求項１の発明の構成において、前記鎖状高分子樹脂が、アクリル系樹脂またはブチラール系樹脂であることを特徴としている。
【００１２】
また、請求項３の感光性ペーストは、請求項１または２記載の発明の構成において、前記鎖状高分子樹脂を１〜４重量％の割合で含有していることを特徴としている。
【００１３】
また、請求項４の感光性ペーストは、請求項１〜３のいずれかに記載の発明の構成において、前期鎖状高分子樹脂に含まれる溶剤を除いて、実質的に溶剤を含有していないことを特徴としている。
【００１４】
また、本願発明（請求項５）の厚膜パターンの形成方法は、
無機粉末と、感光性モノマーと、光重合開始剤と、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない分子量１００００〜５００００の鎖状高分子樹脂とを含む感光性ペーストを基体上に塗布して感光性ペースト膜を形成する膜形成工程と、
前記感光性ペースト膜に露光処理を施す露光工程と、
前記露光処理が施された前記感光性ペースト膜を現像して、所定の厚膜パターンを形成する現像工程と
を備えていることを特徴としている。
【００１５】
また、本願発明（請求項６）の電子部品の製造方法は、
請求項５に記載の方法により厚膜パターンを形成する工程と、
前記厚膜パターンを焼成する工程と、
を備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
本願発明（請求項１）の感光性ペーストのように、無機粉末、感光性モノマー、および光重合開始剤を主成分とする感光性ペーストに、ゲル化を抑制するための添加物として、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない、分子量１００００〜５００００の鎖状高分子樹脂を添加した場合、感光性ペーストに含まれる、無機粉末と感光性モノマーとの反応や、感光性モノマーどうしの結合を抑制、防止し、感光性ペーストのゲル化を抑制、遅延させることが可能になり、ペースト安定期間（感光性ペーストがゲル化せず使用可能な状態が保たれる期間）を２ヶ月以上に延ばすことが可能になる。
【００１７】
感光性モノマーを多く含む一方で、感光性ポリマーを含まない、いわゆるポリマーレスペーストにおいては、感光性モノマーに含まれるＣ＝Ｃ二重結合どうしが互いに引き付け合い、からまるような形で感光性ペーストのゲル化が進行するものと考えられる。
また、無機粉末の含有量が多いほど、このゲル化現象が起こりやすいことから、無機粉末が何らかの触媒的な役割を果たす場合もあるものと考えられる。
そこで、本願発明においては、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない、分子量１００００〜５００００の鎖状高分子樹脂を添加して、感光性モノマーに含まれるＣ＝Ｃ二重結合どうしが互いに引き付け合ったり、無機粉末などのフィラーと感光性モノマーが反応したりすることを妨げる（障害を設ける）ことにより、感光性ペーストのゲル化の進行が抑制されるようにしている。
【００１８】
なお、鎖状高分子樹脂がＣ＝Ｃ二重結合を含む樹脂である場合、鎖状高分子樹脂自身がゲル化を引き起こしやすい性質を持つため、ゲル化の進行を抑制することが困難になり、好ましくない。
【００１９】
また、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない鎖状高分子樹脂であっても、分子量が１００００より小さい場合にはゲル化抑制の効果が低く、また、分子量が５００００より大きい場合には感光性ペーストの粘度が高くなり、逆にゲル化が起こりやすくなる。また、分子量が大きくなりすぎると、紫外光による光硬化を阻害する可能性が高くなる。
したがって、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない鎖状高分子樹脂としては、分子量が１００００〜５００００のものを用いることが望ましい。
【００２０】
また、請求項２の感光性ペーストのように、請求項１の発明の構成において、鎖状高分子樹脂として、アクリル系樹脂またはブチラール系樹脂を用いることにより、ゲル化が抑制され、ペースト安定期間（ゲル化せず使用可能な状態が保たれる期間）が２ヶ月以上の感光性ペーストをより確実に得ることが可能になる。
【００２１】
また、請求項３の感光性ペーストのように、請求項１または２記載の発明の構成において、鎖状高分子樹脂を１〜４重量％の割合で含有させるようにした場合、印刷、露光、現像の各工程を経て形成される厚膜パターンの硬度を高めることが可能になり、ビッカース硬度を１０ＨＶ以上にすることが可能になる。そして、ビッカース硬度が１０ＨＶ以上になると、厚膜パターンが形成されたグリーンシートを積層した後、圧着する際に、プレス圧力による電極膜の変形を抑制することが可能になり、本願発明をより実効あらしめることができる。
なお、本願発明において、鎖状高分子樹脂を１〜４重量％の割合で含有させるとは、鎖状高分子樹脂を含む感光性ペースト全体に対する、鎖状高分子樹脂の割合が１〜４重量％であることを意味する概念である。
【００２２】
また、請求項４の感光性ペーストのように、請求項１〜３のいずれかに記載の発明の構成において、鎖状高分子樹脂に含まれる溶剤を除いて、実質的に溶剤を含有させないようにした場合、感光性ペーストを塗布することにより形成されるペースト膜の乾燥工程を短縮し、または不要にすることが可能になり、電子部品の製造工程における厚膜パターンの形成工程を効率化して、電子部品の製造コストを削減することが可能になる。
【００２３】
また、本願発明（請求項５）の厚膜パターンの形成方法は、無機粉末と、感光性モノマーと、光重合開始剤と、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない分子量１００００〜５００００の鎖状高分子樹脂とを含む感光性ペーストを基体上に塗布して感光性ペースト膜を形成する膜形成工程と、感光性ペースト膜に露光処理を施す露光工程と、露光処理が施された感光性ペースト膜を現像して、所定の厚膜パターンを形成する現像工程とを備えており、膜形成工程において用いられている感光性ペーストが、本願請求項１の発明にかかる感光性ペーストに相当するものであって、ゲル化しにくく、長いペースト安定期間（ゲル化せず使用可能な状態が保たれる期間）を有していることから、感光性ペーストをスクリーン印刷などの方法を用いて、安定した状態で、かつ、精度よく基体上に塗布することが可能になる。その結果、高い形状精度や寸法精度を備えた厚膜パターンを確実に形成することが可能になる。
【００２４】
また、本願発明（請求項６）の電子部品の製造方法は、請求項５に記載の方法により形成した微細で高い形状精度や寸法精度を備えた厚膜パターンを焼成する工程を経て電子部品を製造するようにしているので、高密度の配線や電極を備えた信頼性の高い電子部品を効率よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本願発明の実施の形態を示して本願発明をさらに詳しく説明する。
本願発明の感光性ペーストにおいては、通常、無機粉末、感光性モノマー、および光重合開始剤の含有割合を、それぞれ、
(ａ)無機粉末      ：６０〜９０重量％
(ｂ)感光性モノマー：５〜３５重量％
(ｃ)光重合開始剤  ：１〜１０重量％
の範囲とすることが望ましい。
【００２６】
無機粉末の含有量の範囲を６０〜９０重量％の範囲とすることにより、無機粉末として金属粉末を使用する場合には、導電性不良(導体抵抗の増大)を引き起こすことを防止することが可能になり、また、無機粉末としてセラミック原料粉末やガラス粉末を使用する場合には、絶縁性不良を引き起こすことを防止することが可能になる。
【００２７】
さらに、無機粉末の含有量の範囲を６０〜９０重量％の範囲とすることにより、感光性ペーストの粘度の過度の上昇、取り扱いの困難性や、印刷性の低下などを招いたりすることがなく、しかも、光硬化性を良好に保つことが可能になる。また、硬化物強度が低下したり、硬化物が脆くなったりすることを回避することができる。
【００２８】
また、無機粉末の粒径範囲としては平均粒径０．１〜１０μmの範囲のものを用いることにより、粒子の凝集を抑制して、分散性を良好に保ち、微細なパターンを得ることが可能になるととともに、十分な光硬化性を備えた感光性ペーストを得ることが可能になり好ましい。また、平均粒径０．５〜５μmのものを用いることがさらに好ましい。
【００２９】
無機粉末としては球状のものを用いることが好ましい。ただし、箔状、粒状、塊状、偏平状、板状、棒状、針状のものなどを用いることも可能であり、形成すべき厚膜パターンにより適宜選択することができる。
また、無機粉末としては、導電性粉末、セラミック粉末、ガラス粉末などを用いることが可能である。
【００３０】
導電性粉末としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｏなどを用いることが可能であり、これらを組み合わせて用いることも可能である。また、上記金属の少なくとも１種以上を含む合金を用いることも可能である。さらに、金属粉末に酸化物コート、窒化物コート、または珪化物コートを施したものを用いることも可能である。
【００３１】
セラミック粉末としては、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｓｒ、Ｆｅ、Ｙ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｂｉ、ＢおよびＲｕからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物、硼化物、窒化物、珪化物などを用いることが可能である。また、ガラス複合系のセラミック粉末を用いることも可能である。
【００３２】
また、ガラス粉末としては、ほう珪酸系ガラス粉末などの公知のガラス粉末を使用することが可能である。より具体的には、ガラス粉末としては、ＳｉＯ2−ＰｂＯ系、ＳｉＯ2−ＺｎＯ系、ＳｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3系、ＳｉＯ2−Ｋ2Ｏ系、ＳｉＯ2−Ｎａ2Ｏ系、ＳｉＯ2−ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系、ＳｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系、ＳｉＯ2−Ｋ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3系、ＳｉＯ2−Ｎａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3系などのガラス粉末を用いることが可能である。
【００３３】
なお、無機粉末としては、上記の物質を混合して使用すること、すなわち、例えば、Ａｇとガラスを混合して用いることも可能である。
【００３４】
また、感光性モノマーの割合は、上述のように５〜３５重量％の範囲にあることが望ましい。これは、感光性モノマーの割合を５〜３５重量％の範囲とすることにより、光硬化性の低下や、それによる硬化物強度の低下(硬化物の脆性化）を防止することが可能になるとともに、無機粉末の割合が低下しすぎることを回避することが可能になり好ましいことによる。
【００３５】
なお、感光性モノマーとしては、ステアリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、イソデシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、トリデシルアクリレート、カプロラクトンアクリレート、エトキシ化ノニルフェノールアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、プロポキシ化ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、プロポキシ化グリセリルトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジメタクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸ジアクリレート、エトキシ化パラクミルフェノールアクリレート、エチルヘキシルカルビトールアクリレート、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、イソボルニルアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレートなどが例示される。
【００３６】
また、感光性モノマーとして、二重結合濃度が８mmol／ｇ〜１１mmol／ｇの範囲にあるモノマーを用いることにより、特に光硬化深度を向上させることが可能になる。
なお、二重結合濃度が８mmol／ｇ〜１１mmol／ｇの範囲にある感光性モノマーとしては、ヘキサンジオールトリアクリレート、トリプロピレングリコールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、1,3-ブタンジオールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、1,4-ブタンジオールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、1,3-ブチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどが例示される。
【００３７】
また、重合度が３以下のエチレンオキシド構造を有する感光性モノマーを含有する感光性ペーストを用いることにより、光硬化深度を向上させることが可能になる。すなわち、エチレンオキシド構造の重合度が３以下と小さい場合、光硬化深度を向上させる効果が大きくなる。
重合度が３以下のエチレンオキシド構造を有する感光性モノマーとしては、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレートなどのエトキシ化(エチレンオキシド変性)されたもの、ポリエチレングリコールジアクリレートなどが例示される。
【００３８】
また、光重合開始剤は１〜１０重量％の範囲で含有させることが望ましい。光重合開始剤を１〜１０重量％の範囲とすることにより、光重合開始剤が少なすぎることによる、光硬化性の不足や、硬化物の硬度低下を回避して、高アスペクト比のパターンを形成することが可能になるとともに、感光性ペーストが紫外光を吸収しすぎて内部までエネルギーが到達しなくなることを回避することが可能になり、十分な厚みを有し、硬化物の高度の高いパターンを確実に形成することが可能になり好ましい。
【００３９】
本願発明において好適に用いることの可能な光重合開始剤としては、ベンジル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、４−ベンゾイル−４'−メチルジフェニルサルファイド、ベンジルジメチルケタール、２−ｎ−ブトキシ−４−ジメチルアミノベンゾエート、２−クロロチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２−ジメチルアミノエチルベンゾエート、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、３，３'−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、２，４−ジメチルチオキサントン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、メチルベンゾイルフォルメート、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブタノン、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、ビス(２，４，６−トリメチルベンゾイル)−２,４,４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド、ビス(２,６−ジクロルベンゾイル)−２,４,４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１,２−ジフェニルエタンジオン、メチルフェニルグリオキシレートなどが例示される。なお、これらの光重合開始剤は単独でまたは２種以上を同時に用いることが可能である。
【００４０】
また、場合により、光増感剤を添加してもよい。光増感剤としては、例えば、p-ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、p-ジメチルアミノ安息香酸エチルエステルなどが例示される。
【００４１】
また、本願発明においては、感光性ペーストのゲル化を抑制する目的で、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない、分子量１００００〜５００００の鎖状高分子樹脂が添加されるが、この鎖状高分子樹脂としては、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ポリオキシメチレン、ポリプロピレンオキシド、ポリメタクリル酸メチルなどが例示される。ただし、さらに他の鎖状高分子樹脂を用いることも可能である。
【００４２】
なお、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない鎖状高分子樹脂の分子量が１００００より小さい場合にはゲル化抑制の効果が低く、また、分子量が５００００より大きい場合には感光性ペーストの粘度が高くなり、逆にゲル化が起こりやすくなるため、鎖状高分子樹脂としては、分子量が１００００〜５００００のものを用いることが望ましい。
【００４３】
また、鎖状高分子樹脂は、感光性モノマーとの関係において所定の割合となるように添加することが望ましい。すなわち、鎖状高分子樹脂は、感光性モノマー：鎖状高分子樹脂＝７．５：２．５〜９：１の範囲で添加することが望ましい。この範囲内で鎖状高分子樹脂を添加することにより、鎖状高分子樹脂が効率よく感光性モノマーどうしや、フィラーと感光性モノマーの間に入り込み、感光性ペーストのゲル化を抑制することが可能になるとともに、十分な光硬化性を確保することができる。
【００４４】
また、鎖状高分子樹脂は、感光性ペーストの全体を１００重量％とした場合に、含有率が１〜４重量％以上となるような割合で添加することが望ましい。これは、鎖状高分子樹脂の添加量を１重量％以上とすることによりゲル化抑制の効果を十分に得ることが可能になり、４重量％以下の範囲では、ビッカース硬度をより高く（１０ＨＶ以上）することが可能になることによる。
【００４５】
また、本願発明の感光性ペーストには、溶剤を５重量％以下の割合で含有させることが可能である。
溶剤としては、具体的には、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、キシレンなどの芳香族化合物などが例示される。これらの溶剤は混合して用いることも可能である。
なお、乾燥工程を不要にする見地から、基本的には溶剤を含有させないことが望ましいが、感光性ペーストの粘度調整の目的で添加する場合や、本願発明における鎖状高分子樹脂のような添加剤などを加える場合に、添加剤に由来して溶剤が添加される場合などにおいても、溶剤の割合が５重量％以下であれば特に問題はない。なお、溶剤の含有率が５重量％を超えても、必ずしも本願発明の作用効果が損なわれることはないが、乾燥工程が必要になるため好ましくない。
【００４６】
また、本願発明においては、感光性ペーストに、必要に応じて、チクソ剤(増粘剤、沈降防止剤)、分散剤、重合禁止剤(ラジカルトラップ剤)、紫外線吸収剤(染料、顔料、HALS=ヒンダードアミン系紫外線吸収剤)などの添加剤を添加することも可能である。
【実施例１】
【００４７】
以下に本願発明の実施例を示して、本願発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００４８】
以下に説明する各試料（感光性ペースト）１〜１６は、各成分を下記の割合で調合した後、三本ロールを用いて混練することにより作製した。
そして、作製した各試料（感光性ペースト）を冷蔵保存し、ゲル化の進行状態を調べ、感光性ペーストがゲル化せず、使用可能な状態に保たれる期間を確認した。そして、感光性ペーストが、ゲル化せず使用可能な状態に保たれる期間をペースト安定期間とした。
【００４９】
また、下記の各試料（感光性ペースト）１〜１６をスクリーン印刷法によりアルミナ基板上に印刷して、アルミナ基板上に厚みの異なる複数の感光性ペースト膜を形成した。
次いで、フォトマスクを介して、４００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外光を感光性ペースト膜に照射することにより、感光性ペースト膜を硬化させた後、未硬化部をエタノールにより除去した。
そして、紫外光が照射された部分に形成された厚膜パターンの膜厚を測定し、最も膜厚の厚い部分の膜厚を光硬化深度とした。
【００５０】
また、下記の各試料１〜１６をスクリーン印刷法によりアルミナ基板上に印刷して、アルミナ基板上に厚さ２５μmの感光性ペースト膜を形成し、紫外光を４００ｍＪ／ｃｍ2の条件で照射することにより感光性ペースト膜を硬化させた。そして、得られた硬化膜のビッカース硬度を測定した。
【００５１】
［試料１］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝２．８μm）：８０．０重量％
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート：８．５重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．４重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．４重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：１．７重量％
・メタクリル酸−メタクリル酸メチル共重合体（分子量：３５０００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない）：８．０重量％
(ｂ)ペースト安定期間：３ヶ月以上
(ｃ)光硬化深度      ：１０．７μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：３．９ＨＶ
【００５２】
［試料２］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝２．８μm）：８０．０重量％
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート：１１．４重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．２重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．７重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：１．５重量％
・メタクリル酸−メタクリル酸メチル共重合体（分子量：３５０００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない）：５．２重量％
(ｂ)ペースト安定期間：３ヶ月以上
(ｃ)光硬化深度      ：１１．２μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：９．５ＨＶ
【００５３】
［試料３］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝２．８μm）：８０．０重量％
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート：１２．０重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．５重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：１．０重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：１．５重量％
・メタクリル酸−メタクリル酸メチル共重合体（分子量：３５０００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない）：４．０重量％
(ｂ)ペースト安定期間：３ヶ月以上
(ｃ)光硬化深度      ：１１．９μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：１３．８ＨＶ
【００５４】
［試料４］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝２．８μm）：８０．０重量％
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート：１４．０重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．１重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．４重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：１．４重量％
・メタクリル酸−メタクリル酸メチル共重合体（分子量：１５０００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない）３．１重量％
(ｂ)ペースト安定期間：３ヶ月以上
(ｃ)光硬化深度      ：１３．６μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：２０．４ＨＶ
【００５５】
［試料５］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝１．７μm）：７５．０重量％
・ポリエチレングリコールジアクリレート：１８．３重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．６重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．５重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：２．１重量％
・メタクリル酸−メタクリル酸メチル共重合体（分子量：１００００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない）：２．５重量％
(ｂ)ペースト安定期間：２ヶ月
(ｃ)光硬化深度      ：１４．２μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：２２．３ＨＶ
【００５６】
［試料６］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝２．８μm）：８０．０重量％
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート：１１．３重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．０重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．５重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：１．７重量％
・ブチラール樹脂（分子量：３５０００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない）：５．５重量％
(ｂ)ペースト安定期間：３ヶ月以上
(ｃ)光硬化深度      ：９．８μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：７．４ＨＶ
【００５７】
［試料７］
(ａ)組成
・ＡｇＰｄ粉末（平均粒径＝２．５μm）：８０．０重量％
・エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート：１３．１重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．１重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．６重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：１．２重量％
・ブチラール樹脂（分子量：４００００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない）：４．０重量％
(ｂ)ペースト安定期間：３ヶ月以上
(ｃ)光硬化深度      ：１３．４μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：２１．５ＨＶ
【００５８】
［試料８］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝２．８μm）：８０．０重量％
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート：１３．２重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．６重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．５重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：１．５重量％
・ブチラール樹脂（分子量：４００００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない）：３．２重量％
(ｂ)ペースト安定期間：３ヶ月以上
(ｃ)光硬化深度      ：１３．０μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：１８．１ＨＶ
【００５９】
［試料９］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝２．８μm）：８０．０重量％
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート：１６．０重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．５重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．７重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：１．８重量％
(ｂ)ペースト安定期間：４日
(ｃ)光硬化深度      ：１６．２μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：２５．０ＨＶ
【００６０】
［試料１０］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝１．７μm）：７５．０重量％
・ポリエチレングリコールジアクリレート：１９．５重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．９重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．９重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：２．７重量％
(ｂ)ペースト安定期間：６日
(ｃ)光硬化深度      ：１３．４μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：２４．９ＨＶ
【００６１】
［試料１１］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝１．７μm）：７５．０重量％
・ポリエチレングリコールジアクリレート：１８．４重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．４重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．４重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：１．６重量％
・アクリル共重合体（分子量：３００００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含む）：３．２重量％
(ｂ)ペースト安定期間：２０日
(ｃ)光硬化深度      ：１３．４μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：２３．８ＨＶ
【００６２】
［試料１２］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝２．８μm）：７２．０重量％
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート：２０．８重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．７重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．６重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：２．１重量％
・エポキシ樹脂（分子量：６０００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含む）：２．８重量％
(ｂ)ペースト安定期間：１ヶ月
(ｃ)光硬化深度      ：１１．１μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：１７．３ＨＶ
【００６３】
［試料１３］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝２．８μm）：８０．０重量％
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート：１３．３重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：０．９重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．７重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：１．９重量％
・エチルセルロース樹脂（分子量：３００００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない）：３．２重量％
(ｂ)ペースト安定期間：１ヶ月
(ｃ)光硬化深度      ：１３．７μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：１９．８ＨＶ
【００６４】
［試料１４］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝１．１μm）：７０．０重量％
・エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート：２３．７重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．４重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．６重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：２．０重量％
・メタクリル酸−メタクリル酸メチル共重合体（分子量：５０００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない）：２．３重量％
(ｂ)ペースト安定期間：１０日
(ｃ)光硬化深度      ：１３．０μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：２０．４ＨＶ
【００６５】
［試料１５］
(ａ)組成
・Ａｇ粉末（平均粒径＝１．７μm）：７５．０重量％
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート：１７．９重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．３重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．６重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：１．７重量％
・メタクリル酸−メタクリル酸メチル共重合体（分子量：６００００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない）：３．５重量％
(ｂ)ペースト安定期間：１ヶ月半
(ｃ)光硬化深度      ：１２．７μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：１８．４ＨＶ
【００６６】
［試料１６］
(ａ)組成
・ＡｇＰｄ粉末（平均粒径＝２．５μm）：８０．０重量％
・エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート：１３．４重量％
・２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン：１．１重量％
・２，４−ジエチルチオキサンソン：０．５重量％
・２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１：１．２重量％
・ブチラール樹脂（分子量：６００００、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない）：３．８重量％
(ｂ)ペースト安定期間：１ヶ月半
(ｃ)光硬化深度      ：１２．９μm
(ｄ)ビッカース硬度  ：２０．４ＨＶ
【００６７】
上述のようにして調べた、感光性ペーストが使用可能な状態に保たれるペースト安定期間、光硬化深度、および、硬化させた後の硬化膜のビッカース硬度の値を表１および２に併せて示す。
【００６８】
【表１】
2006308805.tif 000002
【００６９】
【表２】
2006308805.tif 000003
【００７０】
表１および表２に示した試料１〜１６のうち試料９〜１６は、高分子樹脂の添加の有無、添加した高分子樹脂の種類（Ｃ＝Ｃ二重結合の有無および鎖状であるか否か）、および添加した高分子樹脂の分子量の大きさに関し、いずれかが本願発明の要件を満たしていない本願発明の範囲外の試料（比較例の試料）であり、その他の試料１〜８は、本願発明の要件を備えた試料（本願発明の実施例にかかる試料）である。
【００７１】
表１に示すように、メタクリル酸−メタクリル酸メチル共重合体やブチラール樹脂などのＣ＝Ｃ二重結合を含まない、分子量１００００〜５００００の鎖状高分子樹脂を添加した試料１〜８（本願発明の要件を備えた感光性ペースト）の場合、いずれも２ヶ月以上のペースト安定期間を確保できることが確認された。
【００７２】
また、試料１〜８（本願発明の要件を備えた試料）の感光性ペーストの場合、光硬化深度に関しても、９．８μm（試料６）〜１４．２μm（試料５）と、十分な膜厚を確保するのに実用上問題のない値（光硬化深度）が得られることが確認された。
【００７３】
さらに、ビッカース硬度についても、試料１では３．９ＨＶとやや小さかったが、その他の試料２〜８では、７．４ＨＶ（試料６）以上と実用上問題のない値（ビッカース硬度）が得られることが確認された。特に、高分子樹脂の添加量を４重量％以下とした試料３〜５，７，８では１０ＨＶ以上の高いビッカース硬度を得ることができた。
【００７４】
一方、本願発明の要件を満たさない試料Ｎｏ．９〜１６の場合、光硬化深度およびビッカース硬度に関しては、良好な結果が得られたが、ペースト安定期間に関しては、いずれの試料についても不十分であることが確認された。
すなわち、本願発明の要件を満たさない試料９〜１６のうち、試料９、１０においては、ゲル化防止のための鎖状高分子樹脂が添加されていないため、ゲル化が進み、ペースト安定期間が非常に短いことが確認された。
また、試料１１、１２のように、Ｃ＝Ｃ二重結合を含む鎖状高分子樹脂を添加した場合にも、十分なゲル化抑制効果が得られないことが確認された。
また、試料１３のように、鎖状高分子樹脂ではなく、環状高分子樹脂であるエチルセルロース樹脂を添加した場合にも、十分なゲル化抑制効果が得られないことが確認された。
また、試料１４のように、分子量が１００００未満の鎖状高分子樹脂を添加した場合にも、十分なゲル化抑制効果が得られないことが確認された。
さらに、試料１５、１６のように、分子量が５００００を超える鎖状高分子樹脂を添加した場合にも、十分なゲル化抑制効果が得られないことが確認された。
【００７５】
上述のように、本願発明の要件を満たす試料１〜８においては、本願発明の要件を満たさない試料９〜１６に比べて、十分なペースト安定期間を確保することができているが、これは、Ｃ＝Ｃ二重結合を含まない、分子量１００００〜５００００の鎖状高分子樹脂により、感光性モノマーどうしの接触面積、および、感光性モノマーとフィラーの接触面積を小さくすることが可能になり、感光性モノマーがフィラーを触媒として、あるいはフィラーを介して結合することが抑制され、ゲル化の進行が抑制されたことによるものと考えられる。
【実施例２】
【００７６】
図１は、本願発明の一実施例にかかる電子部品（セラミック多層基板）を示す断面図である。なお、このセラミック多層基板は、本願発明の感光性ペースト（感光性銅ペースト）を用いて形成された厚膜パターンからなる電極（内層銅パターンや表層銅パターンなど）を備えたセラミック多層基板である。
【００７７】
この実施例のセラミック多層基板１１は、絶縁体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅおよび１２ｆと、誘電体層１３ａおよび１３ｂとを積層することにより形成されており、その内部には、内層銅パターン１５およびバイアホール１６により、コンデンサパターン、コイルパターン、ストリップラインなどが形成されている。
【００７８】
さらに、セラミック多層基板１１の一方主面上には、チップコンデンサなどのチップ部品２０、厚膜抵抗体２１、半導体ＩＣ２２などが設けられており、表層銅パターン１７や内層銅パターン１５などにそれぞれ接続されている。
なお、このセラミック多層基板１１において、内層銅パターン（厚膜パターン）１５、および表層銅パターン（厚膜パターン）１７は幅が約５０μm、膜厚が５μm以上となっている。
【００７９】
つぎに、このセラミック多層基板１１の製造方法について説明する。
まず、ガラス粉末、セラミック粉末および有機ビヒクルを混合して、絶縁体セラミックグリーンシート用スラリーを調製する。また、同様にして、誘電体セラミックグリーンシート用スラリーを調製する。次いで、得られた各スラリーをドクターブレード法などによってシート状に成形し、５０〜１５０℃の温度で乾燥させて、絶縁体セラミックグリーンシートおよび誘電体セラミックグリーンシートを作製する。なお、各セラミックグリーンシートには、必要に応じてバイアホールを形成する。
【００８０】
また、所定の光硬化深度を有する、本願発明の一実施例にかかる感光性ペースト（感光性銅ペースト）を用意し、支持体上に感光性銅ペーストを塗布して、感光性銅ペースト膜を形成する。なお、感光性銅ペースト膜の膜厚は、光硬化深度を考慮して設定する。
【００８１】
そして、この感光性銅ペースト膜に露光処理を行った後、現像して、支持体上に所定形状の厚膜パターンを形成する。
【００８２】
次に、支持体上に形成された厚膜パターンを、上述のようにして作製したセラミックグリーンシート（絶縁体セラミックグリーンシートおよび誘電体セラミックグリーンシート（被転写体））上に転写して、コンデンサパターンやコイルパターンなどを形成する。  
【００８３】
それから、厚膜パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積み重ね、圧着した後、所定温度にて焼成する。その後、チップ部品、半導体ＩＣなどを搭載し、厚膜抵抗体を印刷することにより、図１に示すようなセラミック多層基板１１が形成される。
【００８４】
このセラミック多層基板１１を製造するにあたっては、本願発明の厚膜パターンの形成方法により、厚膜パターン（内層銅パターンや表層銅パターンなど）を形成するようにしているので、転写法によりセラミックグリーンシート上に高精度で微細な、膜厚の大きい厚膜パターンを形成することが可能になる。そして、かかる厚膜パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積み重ね、圧着した後、所定温度にて焼成することにより、高速信号化、高密度配線化に十分に対応したセラミック多層基板を効率よく製造することができる。
【００８５】
なお、上記実施例２では、電子部品としてセラミック多層基板を示しているが、多層化されていない回路基板をはじめ、その他の種々の電子部品にも本願発明を適用することが可能である。
【実施例３】
【００８６】
また、図２，図３は、本願発明の実施例にかかる電子部品の他の例を示す図である。
【００８７】
図２は上述した電子部品の一例としてのチップコイル３１の外観を示す斜視図であり、図３は図２に示したチップコイル３１の部品本体３２を分解して示す斜視図である。
【００８８】
チップコイル３１は、絶縁性基板３３を備え、この絶縁性基板３３上には、本願発明にかかるフォトリソグラフィー用の感光性ペースト（絶縁体用感光性ペースト）を用いて形成される絶縁体膜３４、３５、３６および３７が順次積層されている。また、絶縁性基板３３ならびに絶縁体膜３４、３５および３６の各々上には、本願発明にかかるフォトリソグラフィー用の感光性ペースト（導体用感光性ペースト）を用いて形成される導体膜３８、３９、４０および４１がそれぞれ位置されている。
【００８９】
そして、これらの絶縁性基板３３、絶縁体膜３４〜３７および導体膜３８〜４１により、部品本体３２が構成され、この部品本体３２の相対向する各端面上には外部端子４２および４３がそれぞれ設けられている。
【００９０】
前述した導体膜３８〜４１は、全体として所定のコイルパターンを形成するように、絶縁体膜３４〜３６の各々を貫通して設けられたバイアホール接続部４４、４５、４６を介して、電気的に接続される。なお、バイアホール接続部４４〜４６は、図３において、各位置を１点鎖線で示すのみで、これらバイアホール接続部４４〜４６をそれぞれ与える貫通導体の図示は省略されている。
【００９１】
より詳細には、導体膜３８は、絶縁体膜３４に設けられたバイアホール接続部４４を介して、導体膜３９と電気的に接続され、同様に、導体膜３９は、絶縁体膜３５に設けられたバイアホール接続部４５を介して、導体膜４０と電気的に接続され、導体膜４０は、絶縁体膜３６に設けられたバイアホール接続部４６を介して、導体膜４１に電気的に接続されている。そして、このようにコイルパターンを形成するように接続された導体膜３８〜４１の各端部、すなわち、導体膜３８の一方端部および導体膜４１の一方端部は、それぞれ、外部端子４２および４３に電気的に接続されている。
【００９２】
つぎに、このチップコイル３１の製造方法について説明する。
図３に示すように、まず、例えばアルミナからなる絶縁性基板３３上に、本願発明にかかるフォトリソグラフィー用の感光性ペースト（導体用感光性ペースト）を塗布する。このフォトリソグラフィー用の感光性ペースト（導体用感光性ペースト）を塗布するにあたっては、スクリーン印刷法、スピンコート法、ドクターブレード法などの種々の方法を用いることが可能である。
【００９３】
次いで、上述のように塗布されて形成された感光性ペースト膜（導体用ペースト膜）を乾燥した後、所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光処理する。
【００９４】
次に、現像処理を実施して、感光性ペースト膜（導体用ペースト膜）の不要部分を除去した後、例えば、空気中において所定条件で焼成処理することによって、スパイラル状の導体膜３８を形成する。
【００９５】
次いで、絶縁性基板３３上であって、導体膜３８を覆うように、本願発明にかかるフォトリソグラフィー用の感光性ペースト（絶縁体用感光性ペースト）を塗布する。この塗布には、前述した導体用感光性ペーストの塗布の場合と同様の方法を適用することができる。
【００９６】
次いで、上述のように形成された感光性ペースト膜（絶縁体用ペースト膜）を乾燥した後、バイアホール接続部４４用の、例えば直径５０μmの孔（図示を省略）を形成するために、所定のパターンを有するフォトマスクを介して、この感光性ペースト膜（絶縁体用ペースト膜）を露光処理する。
【００９７】
次に、現像処理を実施して、不要部分を除去した後、例えば、空気中において所定条件で焼成処理することによって、バイアホール接続部４４のための孔を有する絶縁体膜３４を形成する。
【００９８】
次いで、上述のバイアホール接続部４４のための孔に、導体ペーストを充填し、乾燥して、絶縁体膜３４に、バイアホール接続部４４を形成する。
【００９９】
そして、前述した導体膜３８の形成の場合と同様の方法によって、スパイラル状の導体膜３９を絶縁体膜３４上に形成する。
なお、導体ペーストを一回塗布することにより、バイアホール接続部の孔に導体ペーストを充填するとともに感光性ペースト膜（導体用ペースト膜）を形成し、その後、露光、現像して、バイアホール導体と導体膜とを同時に焼成してもよい。
【０１００】
その後、前述した方法と同様の方法に従って、絶縁体膜３５、導体膜４０、絶縁体膜３６、および導体膜４１を順次形成する。そして、保護用の絶縁体膜３７を形成した後、外部端子４２および４３を設けることによって、図２に示すような外観を有するチップコイル３１が完成される。
【０１０１】
上述した製造方法によれば、絶縁体膜３４〜３７の形成のために、本願発明のフォトリソグラフィー用の感光性ペースト（絶縁体用感光性ペースト）を用いているので、特に、絶縁体膜３４〜３６に設けられるべきバイアホール接続部４４〜４６のための微細な孔を、形状および位置に関して優れた精度をもって簡単かつ容易に形成することができる。
【０１０２】
また、導体膜３８〜４１についても、本願発明の感光性ペースト（導体用感光性ペースト）を用いて形成しているので、これら導体膜３８〜４１に対して、微細かつ高密度のパターンを、高い精度をもって簡単かつ容易に与えることができる。特に、通常のスクリーン印刷法等を適用する場合に比べて、導体膜３８〜４１を厚く形成することが容易であるので、チップコイル３１を高周波特性に優れたものとすることが可能になる。
なお、本願発明の感光性ペーストを、導体用感光性ペーストあるいは絶縁体用感光性ペーストのいずれかのみに用いるようにすることも可能である。
【０１０３】
なお、本願発明は上記実施例に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本願発明によれば、十分なペースト安定性を備えた感光性ペーストを提供することが可能になり、この感光性ペーストを用いることにより、厚みが大きく、寸法精度や形状精度の高い厚膜パターンを効率よく形成することが可能になり、ひいては、高性能で、信頼性の高いセラミック多層基板やチップコイル部品などを効率よく製造することが可能になる。
したがって、本願発明の感光性ペーストは、多層セラミック基板などの回路基板や、多層回路素子などのチップ部品のような種々の電子部品を製造する際に用いることが可能である。より具体的には、チップコンデンサ、チップＬＣフィルタなどの高周波回路用電子部品、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）やＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋｅｄ  Ｌｏｏｐ）などの高周波モジュール用多層セラミック基板、圧電部品、ハイブリッドＩＣなどを製造する場合に有効に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本願発明の一実施例にかかる電子部品（セラミック多層基板）を示す断面図である。
【図２】本願発明の一実施例にかかるチップコイルの外観を示す斜視図である。
【図３】図２のチップコイルの構成を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１１                    セラミック多層基板
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ    絶縁体層
１３ａ，１３ｂ          誘電体層
１５                    内層銅パターン
１６                    バイアホール
１７                    表層銅パターン
２０                    チップ部品
２１                    厚膜抵抗体
２２                    半導体ＩＣ
３１                    チップコイル
３２                    部品本体
３３                    絶縁性基板
３４、３５、３６、３７  絶縁体膜
３８、３９、４０、４１  導体膜
４２、４３              外部端子
４４、４５，４６        バイアホール接続部
【図１】
2006308805.tif 000004
【図２】
2006308805.tif 000005
【図３】
2006308805.tif 000006