(57)【要約】【課題】  信頼性の高い電子デバイスを、効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】  電子デバイスの製造方法は、熱硬化性のペースト３０を介して、基板１０に電子部品２０を搭載すること、開口４４を有する金属層４２を含むプレート４０と基板１０とを、プレート４０が基板１０の第１の面１３と対向するように、かつ、開口４４がペースト３０とオーバーラップするように配置すること、及び、基板１０の第２の面１５側からマイクロ波１００を照射して、マイクロ波加熱によってペースト３０を硬化させることを含む。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性のペーストを介して、基板に電子部品を搭載すること、
開口を有する金属層を含むプレートと前記基板とを、前記プレートが前記基板の第１の面と対向するように、かつ、前記開口が前記ペーストとオーバーラップするように配置すること、及び、
前記基板の第２の面側からマイクロ波を照射して、マイクロ波加熱によって前記ペーストを硬化させることを含む電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子デバイスの製造方法において、
前記プレートは、前記金属層の第１の面に設けられた絶縁層を含み、
前記プレートと前記基板とを、前記金属層の第２の面が前記基板と対向するように配置する電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の電子デバイスの製造方法において、
前記プレートは、前記金属層の前記第２の面に設けられた他の絶縁層を含む電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の電子デバイスの製造方法において、
前記プレートは、前記金属層と、前記金属層の一方の面に設けられた絶縁層とを含み、
前記プレートと前記基板とを、前記絶縁層が前記基板と対向するように配置する電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記プレートと前記基板とを、前記金属層と前記基板との間隔が前記マイクロ波の波長の４分の１以下になるように配置する電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記プレートと前記基板とを、両者が接触するように配置する電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記プレートと前記基板とを、前記電子部品を前記プレートに投影した投影図において前記開口の端部と前記電子部品の外形との距離が前記マイクロ波の波長の４分の１以下になるように配置する電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記プレートと前記基板とを、前記ペーストを前記プレートに投影した投影図において前記開口の端部と前記ペーストの外形との距離が前記マイクロ波の波長の４分の１以下になるように配置する電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記マイクロ波加熱工程を、前記基板の前記第１の面側に、前記マイクロ波を遮断するマスクを配置しないで行う電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記電子部品を、前記基板の前記第１の面に搭載する電子デバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記電子部品を、前記基板の前記第２の面に搭載する電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記プレートは、角を有しない外形をなす電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記プレートは、鈍角のみで構成された外形をなす電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの製造工程で、熱硬化性の接着剤を利用して、電子部品と基板とを接着することが知られている。このとき、接着剤を効率よく硬化させることができれば、電子デバイスの製造効率を高めることができる。また、信頼性の高い電子デバイスを製造するためには、基板に影響を与えないように接着剤を硬化させることが重要である。
【０００３】
本発明の目的は、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造する方法を提供することにある。
【特許文献１】特開２００２−１９０４８５号
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る電子デバイスの製造方法は、熱硬化性のペーストを介して、基板に電子部品を搭載すること、
開口を有する金属層を含むプレートと前記基板とを、前記プレートが前記基板の第１の面と対向するように、かつ、前記開口が前記ペーストとオーバーラップするように配置すること、及び、
前記基板の第２の面側からマイクロ波を照射して、マイクロ波加熱によって前記ペーストを硬化させることを含む。本発明によると、プレート（金属層）と対向する領域では、基板が受けるマイクロ波の影響を小さくすることができる。そのため、ペーストを硬化させるために大きなエネルギーのマイクロ波を使用することが可能になり、効率よく電子デバイスを製造することができる。
（２）この電子デバイスの製造方法において、
前記プレートは、前記金属層の第１の面に設けられた絶縁層を含み、
前記プレートと前記基板とを、前記金属層の第２の面が前記基板と対向するように配置してもよい。
（３）この電子デバイスの製造方法において、
前記プレートは、前記金属層の前記第２の面に設けられた他の絶縁層を含んでもよい。
（４）この電子デバイスの製造方法において、
前記プレートは、前記金属層と、前記金属層の一方の面に設けられた絶縁層とを含み、
前記プレートと前記基板とを、前記絶縁層が前記基板と対向するように配置してもよい。
（５）この電子デバイスの製造方法において、
前記プレートと前記基板とを、前記金属層と前記基板との間隔が前記マイクロ波の波長の４分の１以下になるように配置してもよい。
（６）この電子デバイスの製造方法において、
前記プレートと前記基板とを、両者が接触するように配置してもよい。
（７）この電子デバイスの製造方法において、
前記プレートと前記基板とを、前記電子部品を前記プレートに投影した投影図において前記開口の端部と前記電子部品の外形との距離が前記マイクロ波の波長の４分の１以下になるように配置してもよい。
（８）この電子デバイスの製造方法において、
前記プレートと前記基板とを、前記ペーストを前記プレートに投影した投影図において前記開口の端部と前記ペーストの外形との距離が前記マイクロ波の波長の４分の１以下になるように配置してもよい。
（９）この電子デバイスの製造方法において、
前記マイクロ波加熱工程を、前記基板の前記第１の面側に、前記マイクロ波を遮断するマスクを配置しないで行ってもよい。これによれば、マイクロ波のエネルギーロスを減らすことができるので、さらに効率よく電子デバイスを製造することができる。
（１０）この電子デバイスの製造方法において、
前記電子部品を、前記基板の前記第１の面に搭載してもよい。
（１１）この電子デバイスの製造方法において、
前記電子部品を、前記基板の前記第２の面に搭載してもよい。
（１２）この電子デバイスの製造方法において、
前記プレートは、角を有しない外形をなしていてもよい。
（１３）この電子デバイスの製造方法において、
前記プレートは、鈍角のみで構成された外形をなしていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含む。
【０００６】
図１〜図８は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、図１に示す、基板１０を用意することを含んでいてもよい。基板１０の材料や構造は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの基板を利用してもよい。基板１０は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。基板１０は、テープ基板であってもよい。基板１０は、積層型の基板であってもよく、あるいは、単層の基板であってもよい。また、基板１０の外形も特に限定されるものではない。基板１０は、図１に示すように、配線パターン１２を有していてもよい。このとき、基板１０を配線基板と称してもよい。配線パターン１２は、基板１０の表面に設けられていてもよい。配線パターン１２は、基板１０の一方の表面のみに設けられていてもよく、あるいは、基板１０の両面に設けられていてもよい（図示せず）。基板１０が多層基板である場合、配線パターン１２は、基板１０の層間に形成されていてもよい（図示せず）。配線パターン１２の構造や材料は、特に限定されず、既に公知となっているいずれかの配線を利用してもよい。例えば、配線パターン１２は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成されていてもよい。基板１０は、図示しない保護膜をさらに有してもよい。保護膜は、配線パターン１２の一部を覆うように形成されていてもよい。
【０００７】
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、電子部品２０を用意することを含んでいてもよい。電子部品２０として、半導体チップを利用してもよく、このとき、半導体チップには集積回路２１が形成されていてもよい（図３参照）。集積回路２１の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。電子部品２０は、電極２２を含んでいてもよい。電極２２は、電子部品２０の内部と電気的に接続されていてもよい。電子部品２０として半導体チップを利用する場合、電極２２は、集積回路２１と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路２１と電気的に接続されていない電極を含めて、電極２２と称してもよい。電極２２は、例えば、パッドとバンプとを含んでいてもよい。パッドは、Ａｕ又はＡｌによって、薄く平らに形成されていてもよい。パッドの平面形状は、矩形をなしていてもよく、あるいは円形をなしていてもよい。そして、バンプは、該パッドに形成されていてもよい（図３参照）。ただし、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法では、電子部品２０として、半導体チップ以外の電子部品（例えばチップコンデンサ等）を利用してもよい。
【０００８】
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、図２及び図３に示すように、熱硬化性のペースト３０を介して、基板１０に電子部品２０を搭載することを含む。なお、図２は、基板１０に電子部品２０を搭載した状態を、基板１０の第２の面１５側から見た様子を示す図である。また、図３は、図２のIII−III線断面の一部拡大図である。電子部品２０は、例えば、配線パターン１２と電極２２とが対向するように搭載してもよい（図３参照）。このとき、配線パターン１２と電極２２とを電気的に接続してもよい。あるいは、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法では、電子部品２０を、電極２２が設けられた面とは反対側の面が基板１０と対向するように搭載してもよい（図示せず）。
【０００９】
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、プレート４０を用意することを含んでいてもよい（図４〜図６参照）。プレート４０は、開口４４を有する金属層４２を含む（図５及び図６参照）。プレート４０は、金属層４２の表面に設けられた絶縁層を含んでいてもよい。なお、絶縁層は、金属層４２の両面に設けられていてもよい（図５及び図６参照）。このとき、金属層４２の第１の面４１には絶縁層４５が、第２の面４３には絶縁層４７が、それぞれ設けられていてもよい。絶縁層４５，４７は、金属層４２の開口４４とオーバーラップする開口を有していてもよい（図５及び図６参照）。あるいは、絶縁層は、開口を有していなくてもよい（図示せず）。また、プレート４０は絶縁層を有さず、金属層４２のみで構成されていてもよい（図示せず）。
【００１０】
なお、プレート４０の全体形状は特に限定されるものではない。プレート４０は、角を有しない外形をなしていてもよい。言い換えると、プレート４０の外形は、接線が連続する形状をなしていてもよい。このとき、プレート４０の外形は、隣り合う２つの辺が円又は楕円の一部で結ばれた形状をなしていてもよい。あるいは、プレート４０は、鈍角のみで構成された外形をなしていてもよい。このとき、プレート４０の外形は、５角形以上の多角形をなしていてもよい。プレート４０の外形がこれらの形状をなす場合、マイクロ波加熱工程で、プレート４０の外周から、放電を引き起こすきっかけ（トリガ）になる部分をなくすることができる。そのため、マイクロ波加熱工程で放電が起こることを防止することができる。そのため、放電による損傷を与えることなく、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。なお、プレート４０は、マイクロ波加熱炉に対して十分大きくなっていてもよい。すなわち、プレート４０は、マイクロ波加熱炉内に角部が配置されないように設計されていてもよい。これによっても、上記と同じ効果を奏することができる。
【００１１】
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、図４及び図５に示すように、プレート４０と基板１０とを、プレート４０（金属層４２）が基板１０の第１の面１３と対向するように、かつ、開口４４がペースト３０とオーバーラップするように配置することを含む。ここで、図４はプレート４０と基板１０とを位置合わせした状態を、基板１０の第２の面１５側から見た様子を示す図である。また、図５は、図４のＶ−Ｖ線断面の一部拡大図である。金属層４２の第１の面４１に絶縁層（絶縁層４５）が設けられている場合、プレート４０と基板１０とを、金属層４２の第２の面４３が基板１０と対向するように配置してもよい（図５参照）。言い換えると、プレート４０は、金属層４２における基板１０と対向する面とは反対側の面に設けられた絶縁層を有していてもよい。また、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法では、図５に示すように、プレート４０と基板１０とを、両者が接触するように配置してもよい。例えば、プレート４０で基板１０を支持した状態で、両者を位置合わせしてもよい。プレート４０と基板１０とを、金属層４２と基板１０との間隔が、マイクロ波１００の波長の４分の１以下になるように配置してもよい。このとき、プレート４０と基板１０とを、金属層４２と配線パターン１２との間隔がマイクロ波１００の波長の４分の１以下になるように配置してもよい。また、プレート４０と基板１０とを、電子部品２０をプレート４０に投影した投影図において金属層４２の開口４４の端部と電子部品２０の外形との距離がマイクロ波の波長の４分の１以下になるように配置してもよい。あるいは、プレート４０と基板１０とを、ペースト３０をプレート４０に投影した投影図において金属層４２の開口４４の端部とペースト３０の外形との距離がマイクロ波の波長の４分の１以下になるように配置してもよい。なお、基板１０の第１の面１３は、電子部品２０が搭載された面とは反対側の面であってもよい。すなわち、電子部品２０は、基板１０の第２の面に搭載されていてもよい。このとき、基板１０の第１の面１３には、他の電子部品が搭載されていなくてもよく、基板１０の第１の面１３は平坦面であってもよい。
【００１２】
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、図６に示すように、基板１０に、第２の面１５側からマイクロ波１００を照射して、マイクロ波加熱によってペースト３０を硬化させることを含む。これにより、図７に示すように、基板１０と電子部品２０とを接着する接着層３２を形成してもよい。
【００１３】
先に説明したように、基板１０の第２の面１５は、プレート４０と対向する面とは反対側の面である。この方法によると、基板１０におけるプレート４０（金属層４２）と対向する領域で、基板１０が受けるマイクロ波１００の影響を小さくすることができる。そのため、出力の大きなマイクロ波１００を利用した場合でも、配線パターン１２に大きな誘導電流が発生することを防止することができる。そのため、基板１０（配線パターン１２）に損傷を与えることなくマイクロ波加熱工程を行うことができる。また、金属層４２の開口４４とオーバーラップする領域では、プレート４０の有無によって、マイクロ波加熱の効果に差は生じにくい。そのため、プレート４０と基板１０とを、金属層４２の開口４４がペースト３０とオーバーラップするように配置することで、ペースト３０を効率よく加熱することができる。このことから、本方法によれば、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能になる。
【００１４】
なお、基板１０とプレート４０（絶縁層４７）とを、両者が接触するように配置した場合、プレート４０とペースト３０との距離を一定に保つことができるため、各製品に均一な加熱工程を行うことが可能になる。また、基板１０の第１の面１３に、他の電子部品が搭載されていない場合、基板１０を、プレート４０に接触させた状態で移動させることが可能になる。そのため、基板１０及びプレート４０を高さ方向に移動させずに、連続的にマイクロ波加熱工程を行うことができる。また、基板１０における電子部品２０を搭載する面とは反対側の面にプレート４０を配置することで、プレート４０と基板１０との位置合わせの際に、プレート４０とペースト３０とが接触することを防止することができる。そのため、ペースト３０を硬化させる工程を、効率よく行うことができる。
【００１５】
また、金属層４２の第１の面４１（基板１０と対向する面とは反対側の面）に絶縁層４５が設けられている場合、基板１０が受けるマイクロ波加熱の影響をさらに小さくすることができる。そのため、さらに高出力のマイクロ波１００を利用することが可能になり、さらに効率よくペースト３０を硬化させることができる。
【００１６】
また、金属層４２の第２の面４３に絶縁層４７が形成されていれば、基板１０の第１の面１３に図示しない配線パターンが露出している場合でも、配線パターンと金属層４２との間の絶縁抵抗を確保することができる。そのため、マイクロ波１００の影響により発生した電流（誘導電流）が、金属層４２と配線パターンとの間でショートすることを防止することができる。そのため、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。
【００１７】
なお、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法では、基板１０の第２の面１５側に、マイクロ波１００を遮断するマスクを配置しないで、マイクロ波加熱工程を行ってもよい。すなわち、マイクロ波１００の照射口（導波管）と基板１０との間にマイクロ波１００を遮断するマスクを配置せずに、マイクロ波加熱工程を行ってもよい。これによっても、上記の効果を奏することができるため、また、マイクロ波１００のエネルギーロスを減らすことができるので、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することができる。
【００１８】
そして、基板１０を切断する工程や、検査工程を経て、図７に示す、電子デバイス１を形成してもよい。なお、電子部品２０として半導体チップを利用する場合、電子デバイス１を半導体装置と称してもよい。また、図８には、電子デバイス１を有する表示デバイス１０００を示す。表示デバイス１０００は、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Electrical Luminescence）表示デバイスであってもよい。さらに、電子デバイス１を有する電子機器として、図９にノート型パーソナルコンピュータ２０００を、図１０に携帯電話３０００を、それぞれ示す。
【００１９】
（第１の変形例）
図１２は、本発明を適用した実施の形態の第１の変形例に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。本変形例に係る電子デバイスの製造方法は、プレート５０を用意することを含んでいてもよい。プレート５０は、金属層５２と、金属層５２の第１の面５１に設けられた絶縁層５５を含む。なお、金属層５２は、開口５４を有する。そして、プレート５０では、金属層５２の第２の面５３（第１の面５１とは反対側の面）には絶縁層が設けられていなくてもよい。
【００２０】
本変形例に係る電子デバイスの製造方法では、基板１０とプレート５０とを、プレート５０が基板１０の第１の面１３と対向するように、かつ、開口５４がペースト３０とオーバーラップするように配置することを含む（図１２参照）。このとき、プレート５０を、金属層５２の第２の面５３が基板１０と対向するように配置してもよい。さらに、プレート５０と基板１０とを、絶縁層５２が基板１０に接触するように配置してもよい。
【００２１】
そして、本変形例に係る電子デバイスの製造方法は、図１２に示すように、基板１０の第２の面１５からマイクロ波１００を照射して、マイクロ波加熱によってペースト３０を硬化させることを含む。先に説明したように、プレート５０では、金属層５２の第２の面５３には絶縁層が設けられていない。そのため、金属層５２と配線パターン１２との間隔を狭くすることができる。これにより、配線パターン１２が受けるマイクロ波１００の影響をさらに小さくすることができるため、さらに信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。
【００２２】
（第２の変形例）
図１３は、本発明を適用した実施の形態の第２の変形例に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。本変形例に係る電子デバイスの製造方法は、プレート６０を用意することを含んでいてもよい。プレート６０は、金属層６２を含む。金属層６２は、開口６４を有する。また、プレート６０は、金属層６２の一方の面に設けられた絶縁層６６を含んでいてもよい。
【００２３】
本変形例に係る電子デバイスの製造方法は、プレート６０と基板１０とを、プレート６０が基板１０の第１の面１７と対向するように、かつ、開口６４がペースト３０とオーバーラップするように配置することを含む。このとき、基板１０の第１の面１７は、電子部品２０が搭載された面であってもよい（図１３参照）。すなわち、電子部品２０は、基板１０の第１の面１７に搭載されてもよく、プレート６０を、基板１０の電子部品２０が搭載された面に対向するように配置してもよい。このとき、プレート６０と基板１０とを、両者が接触しないように配置してもよい（図１３参照）。これによれば、配線パターン１２と金属層６２との絶縁抵抗を確保することができる。そのため、マイクロ波加熱工程で、配線パターン１２と金属層６２との間で電気的なショートが発生することを防止することができる。さらに、プレート６０とペースト３０とが接触することを防止することができるため、マイクロ波加熱工程を、効率よく行うことができる。また、プレート６０と基板１０とを、絶縁層６６が基板１０と対向するように配置してもよい。これによれば、金属層６２と配線パターン１２との間で、電気的なショートが発生することを防止することができる。
【００２４】
本変形例に係る電子デバイスの製造方法は、図１３に示すように、基板１０の第２の面１９側（第１の面１７とは反対側）からマイクロ波１００を照射して、マイクロ波加熱によってペースト３０を硬化させることを含む。これによっても、基板１０におけるプレート６０（金属層６２）とオーバーラップする領域に影響を与えることなくマイクロ波加熱工程を行うことができるため、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することができる。
【００２５】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【図２】図２は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【図３】図３は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【図４】図４は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【図６】図６は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【図７】図７は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【図８】図８は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【図９】図９は、本発明を適用した実施の形態に係る方法で製造した電子デバイスを有する表示デバイスを示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した実施の形態に係る方法で製造した電子デバイスを有する電子機器を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した実施の形態に係る方法で製造した電子デバイスを有する電子機器を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した実施の形態の第１の変形例に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した実施の形態の第２の変形例に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【符号の説明】
【００２７】
１０…基板、  １２…配線パターン、  ２０…電子部品、  ２２…電極、  ３０…ペースト、  ３２…接着層、  ４０…プレート、  ４２…金属層、  ４４…開口、  ４５…絶縁層、  ４７…絶縁層、  ５０…プレート、  ５２…金属層、  ５４…開口、  ５５…絶縁層、  ６０…プレート、  ６２…金属層、  ６４…開口、  ６６…絶縁層、  １００…マイクロ波
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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