(57)【要約】【課題】磁気拡大転写方式の光磁気記録媒体における媒体検査を、より短時間で行う手段を提供する。【解決手段】本発明の媒体検査方法では、無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体に設けられた記録処理されていないランダムサイズの磁区で形成されたテスト再生領域に、レーザー光強度を変化させながらレーザー光を照射して光磁気信号を検出する。次いで、テスト再生領域から得られる光磁気信号の参照信号及びサンプル信号に基づいて媒体特性の合否判定を行う。【選択図】図５
2006120240.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報が磁区として記録される記録層と、該記録層の磁区が磁気的に転写される再生層と、該記録層及び該再生層間に設けられた中間層とを備え、再生光の照射により、再生層に磁気的に転写された磁区が拡大して光磁気信号が増幅再生される機能を有する光磁気記録媒体の検査方法であって、
該光磁気記録媒体における未記録領域に光強度を変化させながら光を照射して光磁気信号を検出し、
各光強度における該未記録領域から検出された光磁気信号に基づいて媒体の特性合否判定をすることを特徴とする光磁気記録媒体の検査方法。
【請求項２】
上記未記録領域がランダムサイズの磁区を有することを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体の検査方法。
【請求項３】
上記未記録領域が、上記光磁気記録媒体に予め設けられ且つ書込みが禁止されたテスト再生領域であることを特徴とする請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の検査方法。
【請求項４】
上記検査方法が、上記未記録領域からの光磁気信号のピーク値を測定することと、
上記未記録領域から得られる光磁気信号を所定のサンプリング間隔でサンプルリングすることと、
該光磁気信号のピーク値と該光磁気信号のサンプリング値とを比較することを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光磁気記録媒体の検査方法に関し、より詳細には光磁気信号を増幅して再生するタイプの光磁気記録媒体おける検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光記録媒体は持ち運びの可能なメモリ媒体として重要な位置を占めている。しかしながら、情報通信機器の発達により、これまで以上にその簡易性や大記憶容量化に期待が集まっている。また、企業や銀行等、膨大で重要なデータを扱う職場では、従来のように磁気テープやハードディスクのみに頼るデータ管理システムではなく、メンテナンスが容易で且つ信頼性の高い光ディスクを組み込んだデータ管理システムが注目されている。そのような管理システムでは、例えば、データの書換えが頻繁に行われる部分にはハードディスクを設け、アクセスは少ないが情報の長期保存が求められるデータライブラリー的な部分には光ディスクが設けられる。
【０００３】
ハードディスクでは、ドライブと磁気記録媒体で一つの組となっているため、ドライブが故障するとそのドライブと組になっている磁気記録媒体に記録された情報は再生できなくなる。それゆえ、ドライブが故障した場合に備えて常に同一データを他のハードディスクに記憶しておくことが要求される（この処理をミラーリングという）。しかしながら、このようにミラーリングされたハードディスクが元のハードディスクが復旧する前に更に故障した場合、データの再生は不可能になる。それに対して、光ディスクは、ドライブが故障しても光ディスクを別のドライブに移動させるだけでよいので、トラブルシューティングに要する時間を飛躍的に短縮することができるとともに、重要な情報を失う危険性が無くなる。このような利点から高密度記録が可能でかつ信頼性の高い光ディスクが求められている。
【０００４】
通常、光ディスクの基板上には、予めスパイラル状に溝(トラック)が形成されており、これをレーザー光で走査することにより情報の記録再生を行う。また、光ディスクの一つである光磁気記録媒体では、基板上に情報を磁化情報として記録する磁性層が形成され、情報は磁化の向きが異なる磁区（記録マーク）として記録される。この磁区の磁化方向により磁気光学効果の異なる２種類の再生信号が検出される。
【０００５】
光磁気記録媒体で大容量化を図るためには、トラック間隔（トラックピッチ）を狭くし且つ記録マークの間隔を狭くする必要がある。しかしながら、トラック間隔や記録マークの間隔がレーザー光のスポット径λ／ＮＡ（λ：レーザー光の波長、ＮＡ：絞り込みレンズの開口数）より小さくすると、光スポット内に複数の記録マークが入ってしまうので、個々の記録マークの分別ができなくなるという問題が生じる。
【０００６】
この問題を解決する方法として、光磁気記録媒体では、磁気超解像方式と磁区拡大再生方式の２つの再生方法が提案されている。磁気超解像方式の光磁気記録媒体（例えば、特開平６−１５０４１８号公報）は、主に、情報に対応する記録磁区を記録する記録層と、その記録磁区の再生を補助するための磁性層とから構成される。磁気超解像方式では、情報再生時に光磁気記録媒体に照射される再生光のスポット内の温度分布と磁気超解像媒体の磁気特性を組み合わせることにより、実効的に再生光の分解能を超えた情報再生が可能となる。しかしながら、磁気超解像方式の光磁気記録媒体では再生に寄与する再生光のスポットサイズが減少するので、再生信号の振幅も小さくなり、Ｓ／Ｎも小さくなる。
【０００７】
一方、磁区拡大再生方式には、磁気拡大転写方式(例えば、特開平８−７３５０号公報)と磁壁移動方式(例えば、特開平６−２９５４７９号公報)がある。例えば、磁気拡大転写方式（ＭＡＭＭＯＳ（Magnetic Amplifying Magneto-Optical System）ともいう）の光磁気記録媒体は、主に、情報を磁区として記録する記録層と、記録層から転写された磁区を拡大して再生する再生層とから構成される。磁気拡大転写方式の光磁気記録媒体では、再生光を光磁気記録媒体に照射して加熱することにより、記録層の磁区を再生層に転写するとともに、再生磁界で再生層に転写された磁区を拡大する。それゆえ、情報が記録層に微小な記録磁区（記録マーク）として記録されていても、再生時には再生層で拡大された磁区から再生信号を検出することができるので、十分な信号振幅で情報を再生することができる。また、磁壁移動方式（ＤＷＤＤ）として知られている光磁気記録媒体も、磁気拡大転写方式と同様に、磁区を拡大して情報再生することができる。従って、高記録密度媒体としては、磁気超解像方式の光磁気記録媒体より、磁区拡大再生方式の光磁気記録媒体の方が有効である。
【０００８】
上記のように磁区拡大再生方式の光磁気記録媒体を用いれば、レーザー光の分解能以下のサイズの磁区で形成された記録マークでも分別が可能であり、且つ磁区を拡大して再生することができるので、十分なＳ／Ｎで再生することができる。しかしながら、磁区拡大再生方式の光磁気記録媒体で情報再生する際、記録再生を行うことができるレーザー光の光強度の範囲は、従来の光磁気記録媒体に比べてより狭い範囲に限定される。このため、最適な記録再生を行うためのレーザー光強度を予め厳密に選定する必要がある。また、光磁気記録媒体の性質上必然的に記録条件と再生条件が互いに大きな相関関係を持っており、記録条件と再生条件を同時に最適化するのは困難である。
【０００９】
磁区拡大再生方式の光磁気記録媒体におけるこのような問題を解決するために、例えば、磁壁移動方式の光磁気記録媒体では、磁壁移動方式の光磁気記録媒体自身が有する固有の性質、すなわち再生レーザー光の進行方向前方からの磁壁移動に伴う再生信号と、進行方向後方からの磁壁移動に伴う再生信号を使って、最適再生パワーを求める方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−０３５０２９号公報（第４−８、第１−５図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
磁気拡大転写方式の光磁気記録媒体においても、その性質上再生条件と記録条件が互いに大きな相関関係を持つため、最適な記録条件と再生条件を同時に求めることができない。磁気拡大転写方式の光磁気記録媒体におけるレーザー光の最適な再生光強度及び記録光強度を求める一般的な方法としては、例えば、図１３に示すように、まず、再生レーザー光強度を固定して記録レーザー光強度の最適値を求め、更に、最適化された記録レーザー光強度を固定して、再生レーザー光強度の最適値を求めるというルーチンを何回か繰り返す方法がある。また、逆に最初に記録レーザー光強度を固定して再生レーザー光強度の最適値を求め、更に、最適化された再生レーザー光強度を固定して、記録レーザー光強度の最適値を求めるというルーチンを何回か繰り返す方法もある。
【００１２】
しかしながら、この繰り返し方法ではルーチンの必要回数が増加するので、最適なレーザー光の再生光強度及び記録光強度を決定するのに時間がかかるという問題がある。また、ルーチン開始時のどちらか一方のレーザー光強度の初期値によっては、ルーチン回数や収束値に差が生じるだけでなく、最適な再生及び記録光強度の条件が求められない場合もある。
【００１３】
それゆえ、磁気拡大転写方式の光磁気記録媒体では、迅速にユーザーデータ及び管理データを記録再生するために、最適な記録及び再生レーザー光強度をより短時間で決定することが求められている。更には媒体製造に当たって、媒体の出荷検査時により効率的に媒体の合否判定を行うための検査方法が必要となっている。
【００１４】
本発明の目的は、磁気拡大転写方式（ＭＡＭＭＯＳ）の光磁気記録媒体の媒体記録再生特性の検査に当たり、媒体の迅速な検査方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の態様に従えば、情報が磁区として記録される記録層と、該記録層の磁区が磁気的に転写される再生層と、該記録層及び該再生層間に設けられた中間層とを備え、再生光の照射により、再生層に磁気的に転写された磁区が拡大して光磁気信号が増幅再生される機能を有する光磁気記録媒体の検査方法であって、該光磁気記録媒体における未記録領域に光強度を変化させながら光を照射して光磁気信号を検出することと、各光強度における該未記録領域から検出された光磁気信号に基づいて媒体の合否判定を行う方法が提供される。
【００１６】
本発明の再生光強度の決定方法では、上記未記録領域がランダムサイズの磁区を有することが好ましい。
【００１７】
本発明の再生光強度の決定方法では、上記未記録領域が、上記光磁気記録媒体に予め設けられ且つ書込みが禁止されたテスト再生領域であることが好ましい。
【００１８】
なお、本明細書における用語「未記録領域」とは、光磁気記録媒体上で記録処理が行われていない領域のことを言い、その領域が光磁気記録媒体上の任意の領域に存在しても良いし、光磁気記録媒体上の所定の領域に書込みが禁止されたテスト再生領域として設けても良い。例えば、光磁気記録媒体の製造直後では、光磁気記録媒体上の全領域が未記録状態となっているので、光磁気記録媒体上の任意の領域を未記録領域として用いても良い。また、ユーザー情報等が図３に示すようなフォーマットで記録されている場合には、図３中のテストゾーン（Ｉ）〜（III）に示すような所定の位置に予め未記録領域を設けても良い。
【００１９】
本発明の第１の態様に従う再生光強度の決定方法では、情報再生時に外部磁界を必要としない磁気拡大転写方式（以下では、無磁界ＭＡＭＭＯＳという）の光磁気記録媒体に好適である。このような光磁気記録媒体は、主に情報を磁区として記録する記録層と、記録層から転写された磁区を拡大して再生する再生層と、記録層と再生層との間に作用する磁気的な交換結合力を制御するためのトリガ層（中間層）とから構成される。以下に、無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体における情報の再生原理を簡単に説明する。
【００２０】
記録層は、例えばＴｂ、Ｆｅ及びＣｏの元素からなる希土類遷移金属合金で形成され、室温からキュリー温度まで遷移金属優勢（以下では、ＴＭ（Transition Metal）リッチという）のフェリ磁性を示すように設計され、且つ、垂直磁化膜になるような組成が選択される。記録層のキュリー温度及び保磁力は十分大きく設計されるため、情報再生に際して再生光が照射されても情報に対応する記録磁区の磁化は保持されている。再生層は、例えばＧｄ、Ｆｅ及びＣｏからなる希土類遷移金属合金で形成され、室温からキュリー温度まで希土類金属優勢（以下では、ＲＥ（Rare Earth）リッチという）のフェリ磁性を示すように設計され、且つ、垂直磁化膜になるような組成が選択される。トリガ層は、例えばＴｂ及びＦｅからなる希土類遷移金属合金で形成される。ただし、以下の説明ではトリガ層はＴＭリッチの希土類遷移金属で形成され、キュリー温度より十分低い温度で垂直磁化を有するように設計されているとする。また、再生層は磁区が安定して存在し得る最小磁区の大きさ、いわゆる最小磁区径が記録層に比べて大きくなるように設計されており、通常、再生層の最小磁区径は再生光のスポット径のサイズ程度になるように調整されている。
【００２１】
無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体における再生層の磁区拡大の原理を図９〜１２を用いて説明する。図９に、再生光が照射される前の無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体における記録層３、トリガ層５及び再生層６に形成された磁区の磁化状態を示した。各層に形成された磁区の大きさは、図９に示すように、再生光が照射される前はディスク進行方向において全て同じものとする。図９中、太い矢印（白抜き矢印）は、それぞれの層の全体の（合成）磁化を示し、太い矢印の内部に記載された細い矢印（黒矢印）は、遷移金属（ＦｅやＣｏ）の磁気スピンを示している。記録層３及びトリガ層５はＴＭリッチであるため、同じ縦列の磁区では、それらの全体の磁化は遷移金属のスピンと同じ方向を向いている。一方、再生層６はＲＥリッチであるため、全体の磁化は遷移金属のスピンと逆方向を向いている。
【００２２】
記録層３、トリガ層５及び再生層６のそれぞれの遷移金属同士は、室温において数１０ｋＯｅ以上の強い結合力で結合しているために、図９に示すように、記録層３、トリガ層５及び再生層６の同じ縦列の磁区では、遷移金属の磁気スピンを示す細い矢印は全て同じ方向を向いている。従って、再生層６における磁区の全体の磁化は、その下方のトリガ層５及び記録層３の磁区の全体の磁化と互いに反対を向いており、記録層３の磁区が再生層６に逆向きで転写されている。ここで、トリガ層５及び再生層６のそれぞれの磁区を、例えば、図９の右側に示したように概念的に磁石５'及び６'とみなせば、トリガ層５と再生層６の全体磁化が互いに逆向きの状態は、磁石５'及び６'の同じ極同士が隣接している状態と同様であり、静磁気的には極めて不安定な状態である。すなわち、トリガ層５と再生層６との間で働く静磁エネルギー反発力のために不安定な状態となっている。しかしながら、再生光照射前は、トリガ層５及び再生層６の遷移金属のスピン同士の交換結合力の方が、静磁エネルギー反発力よりも強いために、図９に示すように、トリガ層５及び再生層６の全体の磁化が互いに反対を向いた状態が持続されている。
【００２３】
情報を再生するために、図１０に示すように、光磁気記録媒体に再生光１００を対物レンズ９０で集光させて照射して再生層６上に光スポットＳを形成すると、再生光１００の光強度分布に従って光スポットＳ内に温度分布が生じ、特に光スポットＳの中央付近の温度が高くなる。このとき、加熱されたトリガ層５の領域１１０（以下では、再生温度領域という場合もある）では、トリガ層５がその上下に隣接する記録層３の磁区１５０と再生層６の磁区１３０との間の磁気的結合（交換結合）を遮断するように働く。交換結合力の遮断方法としては、例えば、再生温度領域１１０におけるトリガ層５の磁化を垂直磁化から面内磁化に変化させることにより、記録層３と再生層６との間の交換結合力を遮断しても良いし、再生温度領域１１０におけるトリガ層５の磁化を消滅させることにより、記録層３と再生層６との間の交換結合力を遮断しても良い。ここで、図１０に示すように、再生温度領域１１０の上部に位置する再生層６の磁区１３０と隣接している再生層６の磁区２３０とその下方の記録層３の磁区２５０について考える。
【００２４】
まず、図１１（ａ）に示すように、再生光１００が照射されたときに再生層６の磁区２３０の磁壁２６０が移動せずに、そのままの状態になっていると仮定し、そのとき、再生層６下面に働いている静磁エネルギー反発力と交換エネルギー引力（交換結合力）との関係を図１１（ｂ）に示した。ただし、光磁気記録媒体は再生光１００に対して相対的に図１１（ａ）中の破線の矢印方向に進行しているので、記録層３と再生層６との間に働く交換結合力が遮断されているトリガ層５の再生温度領域１１０は、再生光スポットＳ内の中央部ではなく、光スポット内の光磁気記録媒体の進行方向側（図１１（ａ）上では左側）の領域に形成される。また、図１１（ａ）に示すように、再生光スポットＳ内の右側の部分は、まだ温度が低い状態で、再生層６に、大きな交換エネルギー引力と比較的大きな静磁エネルギー反発力が働いている。
【００２５】
交換エネルギー引力は、再生層６の遷移金属とトリガ層５の遷移金属との交換結合エネルギーに基づいて発生する引力であり、遷移金属同士は強い結合力を示すため、図１１（ｂ）に示すように、低温領域においては極めて大きな値を示し、静磁エネルギー反発力を上回っている。しかしながら、図１１（ｂ）に示すように、低温領域から再生温度領域に近づくにしたがって交換エネルギー引力は急激に減少し、再生温度領域においてゼロとなる。これは、再生温度領域でトリガ層５が記録層３と再生層６との間に働く交換結合力を遮断するように働くためである。一方、静磁エネルギー反発力は、互いに逆向きの、トリガ層５の全体の磁化と再生層６の全体の磁化との間で働く静磁気的なエネルギーに基づく反発力である。静磁エネルギー反発力は、図１１（ｂ）に示すように、低温領域から再生温度領域に近づくにしたがってトリガ層５の磁化が小さくなるために減少している。しかしながら、静磁エネルギー反発力は、再生温度領域においてもゼロとはならず、所定の値を有している。すなわち、再生温度領域１１０上の再生層６の磁区２７０には、静磁エネルギー反発力が働いている。これは、図１１（ａ）に示すように、再生温度領域１１０の再生層６の磁区２７０の磁化が、再生温度領域１１０の記録層３の磁区２８０の磁化と反対向きで、それら磁区の間で反発力が働いているためである。
【００２６】
図１１（ａ）中のトリガ層５と再生層６との界面領域１４０は低温領域と再生温度領域の境界近傍の温度に加熱されており、この界面領域１４０では静磁反発力が交換結合力を上回っている。この場合、図１２（ａ）に示すように、まず再生層６の磁区２３０の左側の磁区２３０'において、静磁エネルギー反発力が交換エネルギー引力を上回るため、磁区２３０'が反転する。この拡大再生層６の最小磁区径は記録磁区の最小磁区径よりも大きく、光スポット径と同程度になるよう磁気特性を調整してあるため、図１２（ｂ）の磁区２３０Ａのように拡大再生層６の磁区はほぼ光スポット径になるまで拡大する。このような磁区拡大を利用した場合、再生層６からは、大きな再生信号を検出することができる。
【００２７】
上記無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体には、情報の記録再生のためのレーザー光を基板を介して磁性層に照射するタイプ（以下、基板入射型という）と、基板を介さず磁性層に直接照射するタイプ（以下、ファーストサーフェス型という）がある。
【００２８】
ファーストサーフェス型無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体の各磁性層をスパッタにより成膜する場合、基板上に記録層、トリガ層及び再生層の順で磁性層が積層される。この際、記録層を形成した時点では、記録層の磁区はどちらか一方向（上向きまたは下向き）に初期化されることは無く、記録層には様々な大きさの磁区が迷路模様状に生じている（以下、この磁区をランダムサイズの迷路状磁区という）。そして、各層の磁化特性を比較すると、記録層はトリガ層や再生層に比べて保磁力が大きく、飽和磁化の大きさが小さい。それゆえ、成膜プロセスが終了した時点、すなわち、記録層に情報記録や初期化による記録処理が行われる前の時点では、トリガ層及び再生層の磁化は記録層の磁化状態に影響され、記録層に生じたンダムサイズの迷路状磁区がトリガ層を介して再生層に転写される。その様子の一例を図１に示す。図１はＭＦＭ（磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope））で再生層表面を観察した際に得られた図であり、図１中の領域１１がランダムサイズの迷路状磁区が形成されている領域であり、領域１２は磁区が上向きまたは下向きに初期化された状態の領域である。
【００２９】
このようなランダムサイズの迷路状磁区は、マグネトロンスパッタを用いた場合、スパッタターゲットと成膜面との間にある程度の放電距離を設けたときに形成される。しかしながら、スパッタターゲットと成膜面の放電距離が小さい場合には、記録層はマグネトロンスパッタ用のマグネットからの漏洩磁界に影響されるので、図１の領域１１に示すようなランダムサイズの迷路状磁区は形成され難い。すなわち、記録層の保磁力がマグネトロンスパッタ用のマグネットからの漏洩磁界より大きい状態で記録層を形成すると、図１の領域１１に示すようなランダムサイズの迷路状磁区が形成される。
【００３０】
また、基板入射型無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体の場合には、スパッタにより磁性層を形成する際、基板上に再生層、トリガ層及び記録層の順で成膜する。この場合、記録層は成膜中に、マグネトロンスパッタ用のマグネットからの漏洩磁界以外に、再生層及びトリガ層の磁化の影響を受ける。これらの磁化の総和が、記録層の保磁力より小さい場合には、基板入射型無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体においても、図１の領域１１に示すようなランダムサイズの迷路状磁区が記録層に生じ、その迷路状磁区がトリガ層を介して再生層に転写される。
【００３１】
なお、成膜プロセスの終了後、磁界を与えずにレーザー光を磁性層に照射して、トリガ層をキュリー温度程度に加熱しても良い。この場合には、記録層と再生層の交換結合は一旦レーザー光照射で遮断され、冷却後再度、各層の交換結合により記録層のランダムサイズの迷路状磁区がトリガ層を介して再生層に転写されるので、より正確に記録層のランダムサイズの迷路状磁区を再生層に転写することができる。
【００３２】
本発明の媒体検査方法では、無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体において、まず、図１の領域１１に示すようなランダムサイズの迷路状磁区を有する領域、すなわち、未記録領域に光強度を変化させながら光を照射して、未記録領域からの光磁気信号を検出する。次いで、各光強度における未記録領域から検出された光磁気信号に基づいて媒体の特性合否を決定する。
【００３３】
以下に、本発明の媒体検査に用いる再生光強度の決定方法の一例を説明する。図１の領域１１に示すようなランダムサイズの迷路状磁区を有する未記録領域（テスト再生領域）に再生光を照射して光磁気信号を検出すると、それらの迷路状磁区は擬似的なランダム磁区として拡大再生される。本発明者らの検証実験によると、図１の領域１１に示すようなランダムサイズの迷路状磁区を有するテスト再生領域に、決定された最適な再生光強度で光を照射して光磁気信号を検出すると、テスト再生領域に形成されている様々なサイズの磁区（記録マーク）から同じ信号振幅で光磁気信号が得られることを見出した。その具体的な様子を図５に示す。
【００３４】
また、本発明者らの検証実験によると、ランダムサイズの迷路状磁区が形成されたテスト再生領域を有する無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体に対して、光強度を上げながらテスト再生領域に光照射して、テスト再生領域から得られる光磁気信号を測定すると、特に、媒体特性が合格と見なせる媒体に関しては、次のような現象が起きることを見出した。
【００３５】
（１）十分低い光強度では、テスト再生領域内の一部の磁区が拡大不良を起こし、光磁気信号波形の振幅値にばらつきが生じる（図５（ａ））。この拡大不良は、主に光が照射されているトラック以外のトラックに渡って磁区領域が広がっている磁区で発生し易い。このような磁区では、光照射されている磁区の部分のみが拡大するので、その光照射されている磁区領域が小さい場合には、光が当たっていない残りの磁区領域の記録層、トリガ層及び再生層に働く交換結合力の影響が強いので磁区の拡大不良が起こり易くなると考えられる。
【００３６】
（２）光強度を徐々に高くすると、記録層、トリガ層及び再生層に働く交換結合力が弱まるため磁区の拡大不良は少なくなるが、光磁気信号波形全体の電圧変動が大きくなる（図５（ｂ））。これは、同一トラックの周方向におけるランダムサイズの迷路状磁区の交換結合の強さにばらつきがあるためであると考えられる。
【００３７】
（３）更に光強度を高くすると、正常な磁区拡大再生が起こり、磁区の拡大不良及び光磁気信号波形の電圧変動が無くなり、振幅一定の光磁気信号波形が得られる（図５（ｃ））。そして、（３）の状態の光強度で情報再生を行いエラーレートを測定したところ、最小のエラーレートが得られた。
【００３８】
すなわち、図１の領域１１に示すようなランダムサイズの迷路状磁区が形成されたテスト再生領域に光を照射して、その光磁気信号の振幅がほぼ同じになる光強度を媒体検査にとって最適な再生光強度として用いることができることを見いだした。更には、媒体特性が合格と見なせない媒体に関しては上記（１）〜（３）の内、（３）に示した再生信号が明確には見られないため、（３）における再生信号が得られるか否かを調べれば媒体特性が分かることを見出した。
【００３９】
本発明の媒体検査方法は、上記未記録領域からの光磁気信号のピーク値を測定することと、上記未記録領域から得られる光磁気信号を所定のサンプリング間隔でサンプルリングすることと、該光磁気信号のピーク値と該光磁気信号のサンプリング値とを比較して再生光強度を決定し、これを検査に用いる再生光強度とすることを含むことが好ましい。
【００４０】
本発明の再生光強度の決定方法では、まず、記録処理が行われていないランダムサイズの迷路状磁区が形成されているテスト再生領域に光を照射して、光磁気信号波形の振幅の最大及び最小のピーク値を測定する。ただし、この際、光磁気信号波形の振幅のピーク値は、光強度の初期値においてのみ測定することが好ましいが、光強度を変化させる度に測定しても良い。
【００４１】
次いで、各光強度におけるテスト再生領域から得られる光磁気信号を、所定のサンプリング間隔でサンプリングして、テスト再生領域から得られる光磁気信号のサンプリング値を測定する。そして、各光強度で、テスト再生領域から得られる光磁気信号のピーク値と光磁気信号のサンプリング値とを比較して最適な再生光強度を決定する。
【００４２】
光磁気信号のピーク値とサンプリング値とを比較して最適な再生光強度を決定する方法としては様々な方法が考えられ、記録再生装置及び光磁気記録媒体の仕様や規格に応じて任意の方法が用い得る。例えば、テスト再生領域内から所定のサンプリング間隔で得られる複数のサンプリング値のうち、光磁気信号のピーク値に対して所定の範囲内の値に入らないサンプリング値（拡大不良）の数をカウントし、そのカウント数（ミスカウント数）が最小となる光強度を最適な再生光強度としても良い。または、光磁気信号のピーク値に対して所定の範囲内の値に入るサンプリング値（正常再生）の数をカウントして、そのカウント数が最大となる光強度を最適値としても良い。
【００４３】
また、本発明の検査方法に用いる再生光強度の決定方法では、光強度を変化させながらテスト再生領域に光を照射する際、光強度を低い値から高い値へ所定のステップで変化させながら上述の光磁気信号を検出しても良いし、逆に、光強度を高い値から低い値へ変化させながら光磁気信号を検出しても良い。ただし、光強度を高くしすぎると、テスト再生領域の記録層がキュリー温度以上に加熱されて、スパッタプロセスで形成されたランダムサイズの迷路状磁区が消えてしまう可能性があるので、光強度を低い値から高い値へ変化させながら、最適な再生光強度が決まったところで、テスト再生プロセスを終了することが好ましい。
【００４４】
本発明の再生光強度の決定方法では、ユーザー情報が記録された上記光磁気記録媒体の該ユーザー情報を再生する前に、上記再生光強度の決定方法が実行されることが好ましい。
【００４５】
本発明の光磁気記録媒体では、上記光磁気記録媒体が複数のゾーンを有し、各ゾーンに上記未記録領域を備えることが好ましい。
【００４６】
また、本発明の光磁気記録媒体では、上記再生光強度の決定方法により最適な再生光強度を求めるためには、トラックの周方向に約１０μｍ以上のテスト再生領域を設けることが好ましい。特に、約１０μｍより長い領域のテスト再生領域を併用したり、複数のテスト再生領域を設けることが好ましい。このような場合には、光磁気記録媒体上の欠陥等による振幅変動のばらつきの影響を少なくすることができるので、最適な再生光強度を一層精度良く求めることができる。
【００４７】
本発明の光磁気記録媒体の基板としては、ランド／グルーブ記録用の基板を用いても良いし、クロストーク及びクロスライトを防ぐための溝（以下、ガードバンドという）と、記録再生を行う領域及びアドレス領域等を有する溝とを備えたグルーブ記録用の基板を用いても良い。また、ランド記録用基板を用いても良い。
【００４８】
本発明の光磁気記録媒体では、情報の記録再生時に、再生光が、基板を介さず、上記再生層、中間層及び記録層に照射されることが好ましい。
【００４９】
また、本発明の光磁気記録媒体には、再生条件を決定するためのテスト再生領域の位置を正確に示すための同期プレピットあるいはウォブル溝が設けられていることが好ましい。
【００５０】
本発明の検査方法におき用いる再生光強度を決定する記録再生装置は、光磁気記録媒体に形成された同期プレピットあるいはウォブル溝から得られる信号を検出するための同期信号検出回路と、テスト再生領域から得られる光磁気信号のピーク値及びサンプリング値を検出するためのピークホールド及びサンプルホールド、並びに、光磁気信号のピーク値とサンプリング値とを比較するためのコンパレータを有する電気回路とを備えていることが好ましい。なお、テスト再生領域のランダムサイズの迷路状磁区に、どのようなサイズの磁区が形成されているかは不明であるので、光磁気信号のサンプリング間隔は、照射光のスポット径以下の間隔にするのが好ましい。
【００５１】
ここで、本発明の検査方法に用いる再生光強度の決定方法を記録再生装置の動作の一例で簡単に説明する。例えば、光磁気信号のピーク値に対して所定の範囲内の値に入らない光磁気信号のサンプリング値（拡大不良）の数をカウントして、そのカウント数（ミスカウント数）が最小となる光強度を最適な再生光強度とする場合を考える。サンプルホールドにより検出した光磁気信号のサンプリング値は、コンパレータで、ピークホールドで得られる光磁気信号のピーク値を所定の倍率範囲で変換した振幅範囲の値と比較される。次いで、光磁気信号のサンプリング値がその振幅範囲より小さいまたは大きい場合は、そのサンプリング値は再生不良としてカウントされる（ミスカウント）。そして、ミスカウント数が最小となる光強度を最適な再生光強度とする。なお、光磁気信号のサンプリング値が、光磁気信号のピーク値を所定の倍率範囲で変換した振幅範囲の値より小さい場合は、テスト再生領域に形成されたランダムサイズの迷路状磁区の一部の磁区が拡大不良を起こした状態（図５（ａ）の状態）に対応し、サンプリング値が光磁気信号のピーク値を所定の倍率範囲で変換した振幅範囲の値より大きい場合は、光磁気信号波形が電圧変動している状態（図５（ｂ）の状態）に対応する。
【発明の効果】
【００５２】
上述のように本発明の検査方法に従えば、無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体における再生光強度の最適な値を、記録処理が行われていないランダムサイズの迷路状磁区で形成されたテスト再生領域（未記録領域）に光を照射して求めるので、新たにリードテスト用の情報をテスト再生領域に記録する必要がなくなり、より短時間で最適な再生光強度を決定することができる。これにより、媒体検査に要する時間を短縮できるため製造コストを抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
以下、図面を用いて本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【実施例】
【００５４】
［ファーストサーフェス型光磁気ディスク］
本実施例ではファーストサーフェス型無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気ディスクを作製した。この例の光磁気ディスクの概略構成図を図２に示した。この例で作製したファーストサーフェス型無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気ディスク１０は、図２に示すように、基板１上に反射層２（ヒートシンク層ともいう）、記録層３、常磁性層４、トリガ層５、再生層６及びエンハンス層７が順次積層された構造を有する。反射層２は情報の記録再生時に光磁気記録媒体の熱的感度を調整する層である。記録層３は情報が磁化情報として記録される層である。常磁性層４は記録層３からの漏洩磁界の大きさを制御するための層である。トリガ層５は、記録層３と後述する再生層６との間の磁気的な交換結合を調節する層である。再生層６は記録層３から転写された磁区が拡大される層である。エンハンス層７は、層内で再生用光ビームを多重干渉させ、検出されるカー回転角を実効的に増加させるための層である。そして、保護コート層８は、上記各層２〜７を保護するための層である。
【００５５】
次に、この例のファーストサーフェス型無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気ディスク１０の作製方法について説明する。まず、基板１には、透明のポリカーボネート基板を用いた。基板１の表面には、射出成形機（不図示）を用いて、トラックピッチ０．３μｍの溝を形成した。また、この例では基板１をランド／グルーブ記録用基板として用いた。基板１上に、反射層２としてＡｌ合金を４０ｎｍの膜厚で形成した。成膜方法はＡｌ合金ターゲットをスパッタして形成した。
【００５６】
次いで、反射層２上に、記録層３としてＴｂＦｅＣｏ膜を６０ｎｍの膜厚で形成した。成膜方法は、Ｔｂ、Ｆｅ及びＣｏの単体ターゲットを同時スパッタして形成した。ＴｂＦｅＣｏ膜は室温からキュリー温度まで遷移金属優勢の垂直磁化を有し、補償温度が約２５℃、キュリー温度が約２５０℃となるように記録層３の組成を調整した。
【００５７】
次に、記録層３上に、常磁性層４としてＧｄ膜を０．５ｎｍの膜厚で形成した。成膜方法は、Ｇｄの単体ターゲットをスパッタして形成した。次いで、常磁性層４上に、トリガ層５として遷移金属優勢のＴｂＦｅ膜を１０ｎｍの膜厚で形成した。成膜方法は、Ｔｂ及びＦｅの単体ターゲットを同時スパッタして形成した。この例では、トリガ層５の補償温度が室温以下となるよう膜組成を調整した。
【００５８】
次いで、トリガ層５上に、再生層６としてＧｄＦｅＣｏ膜を３０ｎｍ形成した。成膜方法はＧｄ、Ｆｅ及びＣｏの単体ターゲットを同時スパッタして形成した。この際、各ターゲットへの投入電力の比を制御することにより膜組成を調整した。再生層６は室温からキュリー温度まで希土類金属優勢の垂直磁化膜であり、キュリー温度が約２６０℃、補償温度はキュリー温度以上であった。
【００５９】
次に、再生層６上に、エンハンス層７としてＳｉＮ膜を３５ｎｍ形成した。成膜方法はＡｒ＋Ｎ２雰囲気中でＳｉターゲットをスパッタして形成した。最後に、エンハンス層７上に、保護コート層８としてアクリル系の紫外線硬化型樹脂を塗布して、その後紫外線の照射により硬化させて形成した。保護コート層８の膜厚は１５μｍとした。以上の製造方法により、図２に示したファーストサーフェス型無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気ディスク１０を得た。
【００６０】
この例で作製したファーストサーフェス型無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気ディスク１０のデータフォーマットのレイアウトを図３に示した。なお、この例ではゾーンＣＬＶ用の基板を用いた。この例で作製した光磁気ディスクのデータフォーマットは、図３に示すように、ディスク上にＭ個のゾーンを形成し、第１番目のゾーンの前には、図１の領域１１のような記録処理が行われていないランダムサイズの迷路状磁区で形成されたテストゾーン（Ｉ）（テスト再生領域）を設けた。また、テストゾーン（Ｉ）の前にはリードイン領域が設けられ、第Ｍ番目のゾーンの後にはリードアウト領域が設けられている。
【００６１】
また、この例では、図３に示すように、各ゾーンをそれぞれＮ個のフレームに分割した。第１番目のフレームの前にプリアンブル領域を設け、プリアンブル領域の前に、図１の領域１１に示すようなランダムサイズの迷路状磁区で形成されたテストゾーン（II）（テスト再生領域）を設けた。
【００６２】
さらに、図３に示すように、各フレームをＬ個のアドレス及びＬ個のユーザーエリアに分割し、アドレスとユーザーエリアを交互に配置した。また、図３に示すように、第１番目のアドレスの前にプリアンブル領域を設け、プリアンブル領域の前に、図１の領域１１に示すようなランダムサイズの迷路状磁区で形成されたテストゾーン（III）（テスト再生領域）を設けた。すなわち、この例の光磁気ディスクでは、リードイン領域の後、各ゾーン及び各フレームの先頭にそれぞれ記録処理が行われていないランダムサイズの迷路状磁区で形成されたテストゾーン（テスト再生領域）を設けた。
【００６３】
それぞれのテストゾーンは媒体検査用に用いることができるが、他にも以下のような用い方をすることができる。テストゾーン（Ｉ）は、主にドライブ立ち上げ時の再生光強度を決定するために用いる。テストゾーン（II）は、主に各ゾーン間をまたいで情報の記録再生を行う際、必要に応じて再生レーザー光強度を決定するときに用いる。そして、テストゾーン（III）は、主に定常的に再生レーザー光強度を最適にするために用いる。なお、図３中のプリアンブル領域は光磁気ディスクの回転ジッタなどを吸収するための予備領域である。
【００６４】
この例では、再生する領域及び目的に応じてテストゾーン（Ｉ）〜（III）のいずれかでテスト再生を行い、最適な再生レーザー光強度を求め媒体検査に用いる。
【００６５】
［テストゾーンの再生特性］
上記製造方法で作製したファーストサーフェス型無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気ディスクを、波長４０５ｎｍのレーザー光を有するドライブ（不図示）に装着して、図３中の光磁気ディスクのテストゾーン（III）に形成されたランダムサイズの迷路状磁区にレーザー光を照射して光磁気信号を検出した。その結果を図４及び５に示した。なお、この特性評価では、対物レンズに開口率０．９のレンズを用い、光磁気ディスクに照射されるレーザースポット径が約０．４μｍになるようにレーザー光を絞った。また、テストゾーン（III）から得られる光磁気信号に対して、カットオフが２５ＭＨｚのローパスフィルタとカットオフが１０ｋＨｚのハイパスフィルタを用いて不要なノイズをカットした。光磁気ディスクの線速度は４ｍ／ｓとした。以下の説明では媒体特性が良いものの場合を示す。
【００６６】
図４は、テストゾーン（III）から得られた光磁気信号波形であり、横軸の時間スケールはトータルで５μｓである。図４（ａ）は照射したレーザー光の光強度が１．０ｍＷのときの光磁気信号波形であり、図４（ｂ）はレーザー光強度が１．６ｍＷのときの光磁気信号波形である。
【００６７】
レーザー光強度が１．０ｍＷの場合、図４（ａ）から明らかなように、光磁気信号波形の振幅にばらつきが生じる。これは、レーザー光強度が不足しているためテストゾーン（III）に形成されたランダムサイズの迷路状磁区のうち一部の磁区が拡大不良を起こしたためであると考えられる。拡大不良を起こした磁区では、光磁気信号の振幅が小さくなるので、図４（ａ）に示すように光磁気信号波形の振幅にばらつきが生じる。この拡大不良は、レーザー光が照射されているトラック以外のトラックに渡って磁区領域が広がっている磁区で発生し易い。そのような磁区ではレーザー光照射されている磁区領域のみが拡大するので、そのレーザー光照射されている磁区領域が小さい場合には、レーザー光が当たっていない残りの磁区領域の記録層、トリガ層及び再生層に働く交換結合力の影響が強いので磁区の拡大不良が発生し易くなっていると考えられる。
【００６８】
レーザー光強度を１．６ｍＷにした場合、図４（ｂ）から明らかなように、振幅がほぼ一定の光磁気信号波形が得られた。これはレーザー光強度を１．６ｍＷにすることにより、テストゾーン（III）に形成されたランダムサイズの迷路状磁区が磁区のサイズに関係無く正常に拡大再生されていることを示している。
【００６９】
また、図５にもテストゾーン（III）から得られた光磁気信号波形を示した。ただし、図５では、横軸の時間スケールをトータルで２００μｓとした場合の光磁気信号波形図である。すなわち、図５は、図４より横軸の時間スケールを広げたときの光磁気信号波形の様子を表わした図である。それ以外は図４と同じ方法で測定した。図５（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、レーザー光強度がそれぞれ１．０ｍＷ、１．３ｍＷ及び１．６ｍＷのときの光磁気信号波形である。レーザー光強度が１．０ｍＷの場合、光磁気信号波形は、図５（ａ）に示すように、信号波形の振幅にばらつきが生じる。これは、レーザー光強度が不足しているためテストゾーン（III）に形成されたランダムサイズの迷路状磁区のうち一部の磁区で拡大不良が発生したためであると考えられる。
【００７０】
さらに、レーザー光強度を増大して１．３ｍＷにすると、光磁気信号波形は図５（ｂ）のようになる。図５（ｂ）から明らかなように、レーザー光強度を１．３ｍＷにすると、レーザー光強度が１．０ｍＷの場合に比べて、磁性膜がより加熱されるので、記録層、トリガ層及び再生層に働く交換結合力が弱まるため磁区の拡大不良は少なくなり、光磁気信号の振幅のばらつきはなくなるが、光磁気信号波形全体の電圧変動が大きくなることが分かった。これは、レーザー光が照射されているトラックの周方向における迷路状磁区の交換結合の強さにばらつきがあるためであると考えられる。
【００７１】
レーザー光強度をさらに上げて、１．６ｍＷにした場合、図５（ｃ）から明らかなように、光磁気信号波形の振幅がほぼ同じになり、信号波形全体の電圧変動も見られなかった。これは、テストゾーン（III）に形成された迷路状の磁区が磁区のサイズに関係無く正常に拡大再生されていることを示している。
【００７２】
また、この例で作製した光磁気ディスクの所定領域（不図示）にテストパターンを記録し、そのテストパターンを再生してエラーレートを求めた。その結果、レーザー光強度が１．０ｍＷの場合には２Ｅ−２、１．３ｍＷの場合には８Ｅ−３、そして、１．６ｍＷのとき４Ｅ−５であった。すなわち、図５（ｃ）に示すように、振幅がほぼ同じで、且つ信号波形全体の電圧変動もなくなるような光磁気信号波形が得られるレーザー光強度（１．６ｍＷ）でエラーレートが向上することが分かった。この結果から、最適な再生光強度を決定するために、図４及び図５に示した光磁気信号波形の振幅値と光磁気信号波形の電圧レベルをモニタすることが有効であることが分かった。
【００７３】
［記録再生装置］
次に、最適な再生レーザー光強度を決定するために、本実施例で用いた記録再生装置について説明する。その記録再生装置の概略構成図を図６に示した。ただし、図６の記録再生装置６００では、光磁気ディスク上にレーザー光を収束させるための光学系や目的のトラック上を操作させるためのサーボ回路等は従来の記録再生装置と同じであるのでここでは省略した。なお、図６中の矢印の方向は、信号の向きを示す。
【００７４】
本実施例で用いた最適な再生レーザー光強度を決定するための記録再生装置６００は、図６に示すように、情報の記録再生を行うための光ヘッド６０と、光ヘッド６０の動作を制御するためのレーザードライバ６１と、レーザードライバ６１を制御するためのコントローラ６２と、光ヘッド６０で検出された和信号を処理するための和信号処理系６３と、光ヘッド６０で検出された差信号を処理するための差信号処理系６４とを備える。
【００７５】
和信号処理系６３は、図６に示すように、フィルタ６３ａと、同期回路６３ｂと、クロック生成回路６３ｃと、欠陥検出回路６４ｄとから構成される。光磁気ディスクの基板上には、再生レーザー光強度を決定するためのテストゾーン（図３中のテストゾーン（Ｉ）〜（III））を示すアドレスピットと、情報の記録再生を正確に行うための同期ピットが予め形成されており、これら２つのピットからの再生信号は光ヘッドで検出される和信号（ディテクタで検出される反射光の全光量）から検知することができる。和信号処理系６３では、光ヘッド６０で検出された再生信号の和信号からクロック信号を生成する。
【００７６】
光ヘッド６０で検出された和信号は、図６に示すように、まず、フィルタ６３ａで不要なノイズがカットされる。ノイズがカットされた光磁気信号の中からテストゾーンに形成されている同期パターン（同期ピット）を同期回路６３ｂによって捕捉する。次に、捕捉した同期信号から、クロック生成回路６３ｃで情報の記録再生タイミングに使用する基準クロックを抽出してクロック信号を発振する。
【００７７】
また、フィルタ６３ａで不要なノイズがカットされた光磁気信号は、欠陥検出回路６３ｄに送られ、光磁気信号から光磁気ディスクのテストゾーンに欠陥があるかどうか欠陥検出回路６３ｄでモニタする。この際、光磁気信号にスパイク状のノイズが有る場合には光磁気ディスクのテストゾーンに欠陥が存在すると判定する。その場合には、そのテストゾーンにおけるテスト再生を中止し、別のテストゾーンでテスト再生を行う。
【００７８】
差信号処理系６４は、図６に示すように、フィルタ６４ａと、サンプルホールド６４ｂと、ピークホールド６４ｄと、２つのメモリ６４ｃ及び６４ｅと、２つのアッテネータ６４ｆ及び６４ｈ（図６中のアッテネータ（＋）及びアッテネータ（−））と、２つのアンプ６４ｇ及び６４ｉ（図６中のアンプ（＋）及びアンプ（−））と、４つのコンパレータ６４ｊ、６４ｋ、６４ｍ及び６４ｎと、カウンタ６４ｐとから構成される。
【００７９】
光ヘッド６０で検出される差信号は、光磁気ディスク上に形成された磁区から検出される光磁気信号に対応し、再生レーザー光強度を決定するためのテストゾーンの光磁気信号やユーザーエリアのユーザーデータ信号は、差信号から検知することができる。差信号処理系６４では、まず、光ヘッド６０で検出された差信号は、図６に示すように、フィルタ６４ａで不要なノイズがカットされる。次いで、ノイズがカットされた光磁気信号はサンプルホールド６４ｂに入力され、クロック生成回路６３ｃで生成された基準クロックに応じたサンプリング間隔でサンプリングされて、テストゾーンから得られる光磁気信号のサンプリング値Ｖｓが抽出される。サンプルホールド６４ｂにより得られた光磁気信号のサンプリング値Ｖｓはメモリ６４ｃに一時的に保存される。
【００８０】
また、フィルタ６４ａで不要なノイズがカットされた光磁気信号は、ピークホールド６４ｄに入力され、ピークホールド６４ｄでテスト再生中にテストゾーンから検出された光磁気信号の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎを抽出する。ピークホールド６４ｄで得られた光磁気信号の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎはメモリ６４ｅに一時的に保存される。ただし、この例では、最適な再生レーザー光強度を決定するために、後述するようにレーザー光強度を変化させながらテストゾーンからの光磁気信号をモニタするが、メモリ６４ｅに保存される光磁気信号の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎは、レーザー光強度の初期値における最大値及び最小値とした。また、この際、光磁気信号の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎがメモリ６４ｅに保存されるタイミングはコントローラ６２により決定される。
【００８１】
次に、ピークホールド６４ｄで得られた光磁気信号の最大値Ｖｍａｘはアッテネータ（＋）６４ｆ及びアンプ（＋）６４ｇにより適切な振幅値に変換される。具体的には、アッテネータ（＋）６４ｆの減衰率をｋｆ、アンプ（＋）６４ｇの増幅率をｋｇとすると、ピークホールド６４ｄで得られた光磁気信号の最大値Ｖｍａｘはアッテネータ（＋）６４ｆ及びアンプ（＋）６４ｇにより、それぞれｋｆＶｍａｘ及びｋｇＶｍａｘに変換される。また、ピークホールド６４ｄで得られた光磁気信号の最小値Ｖｍｉｎはアッテネータ（−）６４ｈ及びアンプ（−）６４ｉにより適切な振幅値に変換される。具体的には、アッテネータ（−）６４ｈの減衰率をｋｈ、アンプ（−）の増幅率をｋｉとすると、ピークホールド６４ｄで得られた光磁気信号の最大値Ｖｍｉｎはアッテネータ（−）６４ｈ及びアンプ（−）６４ｉにより、それぞれｋｈＶｍｉｎ及びｋｉＶｍｉｎに変換される。ただし、アッテネータの減衰率ｋｆ及びｋｈは１以下の値であれば良く、記録再生装置の仕様等により決定され、任意の値で設定し得る。また、アンプの増幅率ｋｇ及びｋｉは１以上の値であれば良く、記録再生装置の仕様等により決定され、任意の値で設定し得る。また、アッテネータの減衰率ｋｆ及びｋｈは同じ値であっても良いし、異なっていても良い。アンプの増幅率ｋｇ及びｋｉもまた同じ値であっても良いし、異なっていても良い。
【００８２】
次に、アッテネータ（＋）６４ｆ、アンプ（＋）６４ｇ、アッテネータ（−）６４ｈ及びアンプ（−）６４ｉにより、それぞれ変換された光磁気信号の値ｋｆＶｍａｘ、ｋｇＶｍａｘ、ｋｈＶｍｉｎ及びｋｉＶｍｉｎと、サンプルホールド６４ｂにおいて所定のサンプリング間隔で得られた光磁気信号のサンプリング値Ｖｓとを、それぞれ、コンパレータ６４ｊ、６４ｋ、６４ｍ及び６４ｎで比較する（以下、前者の信号を参照信号、後者の信号をサンプル信号ともいう）。この例では、テストゾーンから得られる光磁気信号のサンプリング値Ｖｓが、ｋｆＶｍａｘ≦Ｖｓ≦ｋｇＶｍａｘ、あるいは、ｋｈＶｍｉｎ≦Ｖｓ≦ｋｉＶｍｉｎを満足しない場合、そのサンプリング値Ｖｓは再生ミスと判断し、カウンタ６４ｐでそのミスカウント数をカウントした。
【００８３】
上述のコンパレータにおける参照信号とサンプル信号との比較を、レーザー光強度を変化させながら行い、各レーザー光強度におけるミスカウント数を測定する。そして、そのミスカウント数が最小となるレーザー光強度を最適な再生レーザー光強度とした。すなわち、この例では、テストゾーンに形成されたランダムサイズの迷路状磁区から得られる光磁気信号の参照信号とサンプル値とをコンパレータで比較することにより、磁区拡大の不良発生頻度をカウントして最適な再生レーザー光強度を決定する。
【００８４】
ここで、レーザー光強度を低い値から高い値へと変化させながらテストゾーンにレーザー光を照射してテスト再生を行った場合、光磁気信号から得られる参照信号、サンプル信号及びミスカウント数との関係を説明する。レーザー光強度が十分低い場合、テストゾーンに形成されたランダムサイズの迷路状磁区のうち、拡大不良を起こす磁区が多いので、例えば図５（ａ）に示すように、サンプル信号の値が参照信号の所定範囲の値より小さくなる頻度が増加する。すなわち、図５（ａ）に示すような光磁気信号波形における参照信号とサンプル信号を図６中のコンパレータで比較すると、Ｖｓ＜ｋｆＶｍａｘ、あるいは、Ｖｓ＜ｋｈＶｍｉｎとなる頻度が多く発生してミスカウント数が増加する。
【００８５】
レーザー光強度を徐々に上げると、図５（ｂ）に示すように、磁区の拡大不良による低振幅の波形は減少するが、光磁気信号波形全体の電圧変動が大きくなる。このような状態では、光磁気信号から得られるサンプル信号の値が参照信号の所定範囲の値より大きくなる頻度が増加する。すなわち、図５（ｂ）に示すような光磁気信号波形における参照信号とサンプル信号を図６中のコンパレータで比較すると、Ｖｓ＞ｋｆＶｍａｘ、あるいは、Ｖｓ＞ｋｈＶｍｉｎとなる頻度が多く発生してミスカウント数が増加する。
【００８６】
更にレーザー光強度を高くすると、正常な磁区拡大再生が起きるようになり、図５（ｃ）に示すように、迷路状磁区の拡大不良及び光磁気信号波形の電圧変動が無くなり、振幅一定の光磁気信号波形が得られる。このような状態では、光磁気信号から得られるサンプル信号の値は参照信号の所定範囲内の値になる。すなわち、光磁気信号のサンプリング値Ｖｓが、ｋｆＶｍａｘ≦Ｖｓ≦ｋｇＶｍａｘ、あるいは、ｋｈＶｍｉｎ≦Ｖｓ≦ｋｉＶｍｉｎの範囲になる頻度が増加するので、ミスカウント数が減少する。
【００８７】
[テスト再生特性]
上述の光磁気ディスクにおける再生レーザー光強度の決定方法を用いて、テストゾーンで得られる光磁気信号からレーザー光強度に対するミスカウント数の変化を測定し、再生レーザー光強度の最適値を求めた。ただし、テストゾーンに照射するレーザー光強度は１ｍＷから２ｍＷまで０．１ｍＷ毎に変化させた。また、光磁気ディスクの線速度は４ｍ／ｓとした。なお、ここでは、テスト再生は、図３中のテストゾーン（III）に形成されたランダムサイズの迷路状磁区にレーザー光を照射して行った。ただし、テスト再生した際にテストゾーン（III）から得られる光磁気信号の和信号にスパイク状のノイズが存在する場合、すなわち、テストゾーン（III）に欠陥が存在する場合は、そのテストゾーン（III）におけるテスト再生は中止し、別のテストゾーン（III）でテスト再生を行った。
【００８８】
また、最適な再生レーザー光強度を決定する際、図６中のピークホールド６４ｄからアッテネータ６４ｆ及び６４ｈ及びアンプ６４ｇ及び６４ｉに入力される光磁気信号の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎはレーザー光強度が１ｍＷ（初期値）であるときの値とした。アッテネータ６４ｆ及び６４ｈにおける減衰率ｋｆ及びｋｈは入力信号の５０％とし、アンプ６４ｇ及び６４ｉの増幅率ｋｇ及びｋｉは入力信号の１２０％とした。
【００８９】
図６中のサンプルホールド６４ｂで基準クロック信号により所定のサンプリング間隔で検出された光磁気信号のサンプリング値Ｖｓは、４つのコンパレータで上記４つの光磁気信号の参照信号電圧ｋｆＶｍａｘ、ｋｇＶｍａｘ、ｋｈＶｍｉｎ及びｋｉＶｍｉｎと比較されて、ｋｆＶｍａｘ≦Ｖｓ≦ｋｇＶｍａｘ、あるいは、ｋｈＶｍｉｎ≦Ｖｓ≦ｋｉＶｍｉｎを満たさないサンプリング値Ｖｓをミス再生と判断して、そのサンプル数をカウンタ６４ｐでミスカウント数として計測した。また、各レーザー光強度におけるビットエラーレートをビットエラー測定装置（不図示）を用いて別途測定した。
【００９０】
レーザー光強度に対するミスカウント数及びエラーレートの変化を図７に示した。図７（ａ）は、光磁気ディスクのテストゾーンに照射したレーザー光強度の変化に対するミスカウント数の変化を示した図である。図７（ｂ）は、レーザー光強度の変化に対するビットエラーレートを示した図である。
【００９１】
図７から明らかなように、ミスカウント数とビットエラーレートはともにレーザー光強度Ｐｒに対してほぼ同じ変化を示し、レーザー光強度Ｐｒが約１．６ｍＷ〜１．８ｍＷの間でミスカウント数、ビットエラーレートともに最小となることが分かった。すなわち、図６に示すような記録再生装置を用いてテストゾーンのランダムサイズの迷路状磁区から得られる光磁気信号の参照信号とサンプル信号とを比較してミスカウント数をモニタすることにより、最適な再生レーザー光強度を決定することができることが分かった。
【００９２】
[再生レーザー光強度及び媒体検査の合否判定の決定プロセス]
次に、この例で作製した無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気ディスクに対して行った最適な再生レーザー光強度を決定するための一連のプロセス及び媒体の合否判定について説明する。この例で行った最適な再生レーザー光強度及び記録レーザー光強度の決定方法のフローチャートを図８に示した。図８中の破線領域Ａが再生レーザー光強度の決定方法を示すフローチャートであり、破線領域Ｂが媒体の合否判定方法を示すフローチャートである。最適な再生レーザー光強度を決定する際に変化させるレーザー光強度の範囲（Ｐｒｍｉｎ〜Ｐｒｍａｘ）を設定した後、図８に示したフローチャートに従って最適な再生レーザー光強度及び媒体の合否を決定した。
【００９３】
まず、最適な再生レーザー光強度Ｐｒｏを決定する。光磁気ディスクのテストゾーンに形成されたランダムサイズの迷路状磁区に所定のレーザー光強度Ｐｒ（ｊ）のレーザー光を照射してテストゾーンからの光磁気信号を検出し、上述のように参照信号とサンプル信号を比較して、所定のレーザー光強度Ｐｒ（ｊ）におけるミスカウント数Ｍ（Ｐｒ（ｊ））をカウントする（ステップＡ１）。
【００９４】
次いで、ステップＡ１で得られたミスカウント数Ｍ（Ｐｒ（ｊ））を、それ以前に測定されたミスカウント数の最小値Ｍｍｉｎと比較する（ステップＡ２）。ミスカウント数Ｍ（Ｐｒ（ｊ））がＭｍｉｎより小さければ、Ｍｍｉｎ＝Ｍ（Ｐｒ（ｊ））、Ｐｒｏ＝Ｐｒ（ｊ）とする（ステップＡ３）。ただし、所定のレーザー光強度Ｐｒ（ｊ）が初期値Ｐｒｍｉｎである場合、ステップＡ１で得られたミスカウント数Ｍ（Ｐｒｍｉｎ）をミスカウント数の最小値Ｍｍｉｎとし、Ｐｒｏ＝Ｐｒｍｉｎとする。ただし、レーザー光強度の初期値Ｐｒｍｉｎは、光磁気ディスクの線速度等の仕様を考慮して任意に設定される。
【００９５】
ステップＡ３でミスカウント数の最小値Ｍｍｉｎと最適な再生レーザー光強度Ｐｒｏを更新した後、レーザー光強度Ｐｒ（ｊ）を変化させる（Ｐｒ（ｊ）＝Ｐｒ（ｊ）＋ΔＰｒ：ステップＡ４）。ただし、レーザー光強度Ｐｒ（ｊ）を変化させる際の変化量ΔＰｒは任意の値で設定し得る。
【００９６】
次いで、変化させたレーザー光強度Ｐｒ（ｊ）を、レーザー光強度の上限Ｐｒｍａｘと比較する（ステップＡ５）。レーザー光強度Ｐｒ（ｊ）が、レーザー光強度の上限Ｐｒｍａｘより小さい場合は、ステップＡ１に戻り上記操作を繰り返す。レーザー光強度Ｐｒ（ｊ）が、レーザー光強度の上限Ｐｒｍａｘより大きい場合は、ステップＢ１に移って記録レーザー光強度の決定操作に進む。ただし、レーザー光強度の上限Ｐｒｍａｘは、任意の値で設定し得る。しかしながら、Ｐｒｍａｘが高すぎると、テストゾーンの記録層がキュリー温度以上に加熱され迷路状磁区が消えてしまう可能性があるので、テストゾーン内の迷路状磁区が消えない程度でＰｒｍａｘを設定する必要がある。
【００９７】
一方、ステップＡ２で、ミスカウント数Ｍ（Ｐｒ（ｊ））がＭｍｉｎより大きければ、レーザー光強度Ｐｒ（ｊ）を変化させて（ステップＡ４）、変化させたレーザー光強度Ｐｒ（ｊ）を、レーザー光強度の上限Ｐｒｍａｘと比較する（ステップＡ５）。レーザー光強度Ｐｒ（ｊ）が、レーザー光強度の上限Ｐｒｍａｘより小さい場合はステップＡ１に戻り上記操作を繰り返すが、レーザー光強度Ｐｒ（ｊ）が、レーザー光強度の上限Ｐｒｍａｘより大きい場合はステップＢ１に移って媒体の合否判定の決定操作に進む。
【００９８】
次にＢにおき、あらかじめ設定しておいた合否判定しきい値となるミスカウント数（Ｍthr）と測定された最小ミスカウント数Ｍminをもとに媒体の合否判定を決定する。後者が前者より小さければ検査された媒体は合格とし、後者が前者より大きければ検査された媒体は一度不合格とし、場合によっては従来の検査方法で再度特性検査を行う。
【００９９】
上述のように、本発明の再生レーザー光強度の決定を行い媒体の合否判定に用いる方法では、最適な再生レーザー光強度を求める際、再生レーザー光強度を決定するために設けられたテストゾーンに記録処理が行われていないランダムサイズの迷路状磁区を用いるので、テストパターンを新たにテストゾーンに記録する必要がない。それゆえ、迅速に媒体の合否判定を行うことができる。また、図８に示したように、最適な記録レーザー光強度を決定した後、再度最適な再生レーザー光強度を求める作業（ルーチン作業）を行う必要がないので、媒体の合否判定に要する時間を短縮することができる。
【０１００】
上記実施例ではファーストサーフェス型無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気ディスクの再生レーザー光強度の決定方法について説明したが、本発明はこれに限定されない。レーザー光が基板を介して磁性層に照射される基板入射型無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気ディスクにおいても、磁性膜形成後、磁性膜に図１の領域１１に示すような迷路状のランダムサイズの磁区が形成される場合は同様の方法で媒体の合否判定を行うことができた。
【０１０１】
上記実施例では、再生レーザー光強度の決定方法及び媒体の合否判定をＣＬＶ制御の光磁気ディスクに適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されず、ＣＡＶ制御の光磁気ディスクに適用しても良い。
【０１０２】
上記実施例では、テストゾーンのランダムサイズの迷路状磁区から得られる光磁気信号の参照信号とサンプル信号とを比較してミスカウント数をカウントすることにより最適な再生レーザー光強度を求めたが、本発明はこれに限定されない。例えば、所定のサンプリング間隔でテストゾーンのランダムサイズの迷路状磁区から得られる光磁気信号のサンプル信号のうち、正常な磁区拡大をしているサンプル信号をカウントして、そのカウント数が最大となるレーザー光強度を最適な再生レーザー光強度としても良い。
【０１０３】
上記実施例では、線速度４ｍ／ｓの光磁気ディスクについて説明したが、本発明はこれに限定されず、任意の線速度において、本発明の再生レーザー光強度の決定方法及び媒体の合否判定を適用することができる。
【０１０４】
上記実施例では、主に図３中のテストゾーン（III）からの光磁気信号を検出して最適な再生光強度を決定し、媒体の合否判定に用いる方法の例を説明したが、本発明はこれに限定されず、図３中のテストゾーン（Ｉ）及び（II）にレーザー光を照射して、最適な再生レーザー光強度を求めても同様の結果が得られる。
【０１０５】
上記実施例では、本発明の再生レーザーパワーの決定方法を無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気ディスクに適用した例を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、再生時に外部磁界を印加するタイプのＭＡＭＭＯＳやＤＷＤＤなどの磁壁移動型の光磁気ディスクにも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明の媒体の検査方法によれば、記録処理が行われていないランダムサイズの迷路状磁区を有する未記録領域にレーザー光を照射して、未記録領域から得られる光磁気信号に基づいて最適な再生レーザー光強度を求めるので、再生レーザー光強度を決定するためのテストパターンを新たにテストゾーンに記録する必要がない。それゆえ、磁気拡大転写方式（ＭＡＭＭＯＳ）の光磁気記録媒体における媒体特性の合否判定を、より短時間で決める方法として好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】記録処理を行っていないランダムサイズの迷路状磁区の状態を示した図である。
【図２】本実施例で作製したファーストサーフェス型ＭＡＭＭＯＳの光磁気ディスクの概略断面図である。
【図３】実施例で用いた基板のデータフォーマットの模式図である。
【図４】実施例で作製した光磁気ディスクのテスト再生領域から得られる光磁気信号波形の図であり、図４（ａ）はレーザー光強度１．０ｍＷ時の光磁気信号波形であり、図４（ｂ）はレーザー光強度１．６ｍＷ時の光磁気信号である。
【図５】実施例で作製した光磁気ディスクのテスト再生領域から得られる光磁気信号波形の図であり、図５（ａ）はレーザー光強度１．０ｍＷ時の光磁気信号波形であり、図５（ｂ）はレーザー光強度１．３ｍＷ時の光磁気信号であり、図５（ｃ）はレーザー光強度１．６ｍＷ時の光磁気信号である。
【図６】実施例で作製した光磁気ディスクに対してテスト再生を行うために用いた記録再生装置を模式的に示したものである。
【図７】実施例で作製した光磁気ディスクにおけるミスカウント数とエラーレートの対応を示した図であり、図７（ａ）はテスト再生領域の光磁気信号波形から得られるミスカウント数とレーザー光強度の関係を示した図であり、図７（ｂ）は実施例で用いた光磁気ディスクのエラーレートとレーザー光強度の関係を示した図である。
【図８】再生レーザー光強度の決定プロセス及び媒体合否判定プロセスを表わしたフローチャートを示した図である。
【図９】無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体の再生原理を説明する図であり、再生光が照射される前の再生層、トリガ層及び記録層の磁化の様子を示した図である。
【図１０】無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体の再生原理を説明する図であり、再生光が照射されている様子を示した図である。
【図１１】無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体の再生原理を説明する図であり、図１１（ａ）及び（ｂ）は再生層の磁区が拡大していないときの静磁エネルギー反発力と交換エネルギー引力との関係を示した図である。
【図１２】無磁界ＭＡＭＭＯＳの光磁気記録媒体の再生原理を説明する図であり、図１２（ａ）及び（ｂ）は再生層の磁区が拡大する様子を示した図である。
【図１３】従来の再生及び記録レーザー光強度の決定プロセスを表わしたフローチャートを示した図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１    基板
２    反射層
３    記録層
４    常磁性層
５    トリガ層
６    再生層
７    エンハンス層
８    保護コート層
６００    記録再生装置
【図１】
2006120240.tif 000003
【図２】
2006120240.tif 000004
【図３】
2006120240.tif 000005
【図４】
2006120240.tif 000006
【図５】
2006120240.tif 000007
【図６】
2006120240.tif 000008
【図７】
2006120240.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006120240.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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