(57)【要約】【課題】  透明電極上にある微小な突起を平坦化し、有機ＥＬ素子の表示品位の向上が可能な透明電極を形成した基板の表面処理方法を提供する。【解決手段】  ＩＴＯ膜２ａを表面に形成してあり表示装置を構成する基板２の表面を平坦化する処理方法は、電圧印加電極である平行電極１２，１３と接地電極である搬送台５との間に、ＩＴＯ膜２ａが形成された基板２を位置させ、平行電極１２，１３と基板２との間に処理ガスとしてＯ２ガスを供給すると共に両電極間に電圧を電源７から印加して該処理ガスをプラズマ化し、プラズマ化処理ガス４ａをＩＴＯ膜２ａに接触させてＩＴＯ膜上に存在する微小な突起を除去して平坦化する。平坦化されたＩＴＯ膜の表面の算術平均粗さＲａは１〜１０ｎｍの範囲に設定される。この表面処理方法は、大気圧近傍の圧力下で実施されることが好ましい。【選択図】  図１
2006120739.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明電極を表面に形成してあり表示装置を構成する基板の表面を平坦化する処理方法であって、
電圧印加電極と接地電極との間に、透明電極が形成された前記基板を位置させ、
前記電圧印加電極と基板との間に処理ガスを供給すると共に両電極間に電圧を印加して該処理ガスをプラズマ化し、
プラズマ化処理ガスを前記透明電極に接触させて該透明電極上に存在する微小な突起を除去して平坦化することを特徴とする透明電極を形成した基板の表面処理方法。
【請求項２】
前記表面処理方法は、大気圧近傍の圧力下で実施されることを特徴とする請求項１に記載の透明電極を形成した基板の表面処理方法。
【請求項３】
前記電圧はパルス状の電圧であり、１０〜４００ｋＨｚ、８０〜２００Ｖであることを特徴とする請求項１または２に記載の透明電極を形成した基板の表面処理方法。
【請求項４】
前記処理ガスは、Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｏ２のいずれかのガス、あるいはこれらの混合ガスであり、５〜５０Ｌ／ｍｉｎの流量で供給することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の透明電極を形成した基板の表面処理方法。
【請求項５】
前記基板は、前記電圧印加電極に対して搬送されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の透明電極を形成した基板の表面処理方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の透明電極を形成した基板の表面処理方法で処理した透明電極を備える基板を用いた表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明電極を形成した基板の表面処理方法に係り、特に、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子や、有機ＥＬデバイス、液晶表示装置等で使用するＩＴＯ等の透明電極の表面を平坦化することができる表面処理方法と、この方法で処理した透明電極を形成した基板を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬデバイスや液晶表示装置等で透明電極として使用するＩＴＯ等の薄膜を形成する際、均一な平坦度で形成することが難しく、製造上スパイクといわれる微小な突起が発生する。このようなスパイクが存在するＩＴＯを用いて有機ＥＬパネル等のデバイスを作製すると、このスパイクを基点として電流密度が高くなり、最終的に有機ＥＬパネルとしたときに、ダークスポットとなって表示品位が低下する。また、基板上に透明電極を成膜したあと、次工程にそなえてこの基板を大気中に放置したり、有機溶剤によって基板表面を洗浄することにより、透明電極の表面にはごみや炭化水素系の異物が付着することがある。
【０００３】
従来、この種の有機ＥＬデバイスに用いる透明電極の表面処理方法としては、例えば、特許文献１に記載の技術がある。この技術は、電子ビーム励起プラズマを用いて透明導電性膜の表面改質を施している。特に、透明導電性膜としてＩＴＯ膜を用いており、電子ビーム励起プラズマを用いて１０〜８０ｅＶのエネルギー範囲にある酸素イオン又は電子をＩＴＯ膜に照射して表面改質を施している。
【０００４】
また、特許文献２に記載の透明電極は、透明基板と、この透明基板上に設けられた透明導電膜からなり、透明導電膜は活性酸素を含む気体に晒されてなり、透明導電膜は導電性酸化物からなり、前記の気体は濃度１％以上の活性酸素を含んでいる。この特許文献２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記の透明電極と、透明電極上に形成され少なくとも１層の発光層を含む有機層と、発光層上に形成された陰極とからなるものである。
【０００５】
さらに、基板表面に付着したごみや異物を除去するために、真空プラズマによる洗浄工程、ＵＶ照射やエキシマ照射による洗浄工程、あるいはオゾン洗浄の後工程を実施することがある。
【特許文献１】特開２００２−２３７２１５号公報
【特許文献２】特開２００１−２８４０５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、前記特許文献１に記載の透明電極の表面処理方法は、面抵抗の増加を引き起こすことなくＩＴＯ膜の仕事関数を増加させることができ、発光輝度の高い有機発光素子を得ることができるが、数ｎｍ〜数十ｎｍの凹凸の存在により電流密度が高くなり、有機ＥＬパネルとしたときにダークスポットとなって表示品位が低下させている。また、特許文献２に記載の透明電極およびこの透明電極を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記特許文献１と同じように、透明導電膜上の凹凸を平坦化できないため、ダークスポットとなって表示品位を低下させてしまう。また、後工程として洗浄工程を行うと、洗浄装置が必要となると共に、処理時間が長くなる問題が発生する。
【０００７】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、透明電極上に存在するスパイクともいわれる微小な突起を平坦化することにより、この透明電極を用いた有機ＥＬ素子のダークスポットをなくして表示品位を向上できる透明電極を形成した基板の表面処理方法を提供することにある。また、有機溶剤等による洗浄工程が不要であり、処理時間を短縮できる表面処理方法を提供することにある。さらに、平坦化した透明電極を形成した基板を用いて、均一な表示が行える有機ＥＬ素子や液晶表示装置等の表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成すべく、本発明に係る透明電極を形成した基板の表面処理方法は、透明電極を表面に形成してあり表示装置を構成する基板の表面を平坦化する処理方法であって、電圧印加電極と接地電極との間に、透明電極を形成した基板を位置させ、電圧印加電極と基板との間に処理ガスを供給すると共に両電極間に電圧を印加して該処理ガスをプラズマ化し、プラズマ化処理ガスを透明電極に接触させて透明電極上に存在する微小な突起を除去して平坦化することを特徴としている。透明電極としては例えばＩＴＯ等が好ましい。平坦化処理後の基板表面の透明電極は、表面の算術平均粗さＲａが１〜１０ｎｍ程度の範囲が好ましい。
【０００９】
前記のごとく構成された本発明の透明電極を形成した基板の表面処理方法は、電圧印加電極と接地電極との間に、透明電極が形成された基板を位置させ、電圧印加電極と基板との間に処理ガスを供給すると共に両電極間にパルス状の電圧を印加して該処理ガスをプラズマ化し、プラズマ化処理ガスを透明電極に接触させると、透明電極上に存在する微小な突起に電界が集中し、微小な突起と対向電極との間に放電が発生して突起は粉砕される。粉砕された突起の破片は処理ガスと共に廃棄され、透明電極上の微小な突起が均一に除去されて平坦化されると考えられる。また、この表面処理は、放電プラズマを用いて突起を除去するため短時間で平坦化することができる。
【００１０】
また、本発明に係る透明電極を形成した基板の表面処理方法は、大気圧近傍の圧力下で、具体的には１．３３３×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａ（１００〜８００Ｔｏｒｒ）の間で行われることが好ましい。特に、９．３３１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａ（７００〜７８０Ｔｏｒｒ）の間の圧力で表面処理を行うと、圧力調整が容易であり好ましい。このような圧力下での表面処理は、真空ポンプ等の減圧装置が不要であり、装置構成を簡略化できる。さらに、湿度０〜６０％の環境下で実施されることがさらに好ましい。湿度をこのような範囲に設定することで、微小突起を効率良く除去して透明電極を平坦にすることができる。
【００１１】
本発明に係る透明電極を形成した基板の表面処理方法において、電圧印加電極と接地電極との間に印加される電圧はパルス状の電圧が好ましく、パルス状の電圧は１０〜４００ｋＨｚ、８０〜２００Ｖの範囲が好ましい。このような範囲の電圧を供給して処理ガスをプラズマ化して透明電極に接触させると、透明電極上に突出する微小な突起を確実に破壊して、透明電極の表面を平坦とすることができる。なお、印加される電圧は連続波でもよい。
【００１２】
また、本発明に係る透明電極を形成した基板の表面処理方法において、電圧印加電極と基板との間に供給される処理ガスは、Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｏ２のいずれかのガス、あるいはこれらの混合ガスであり、５〜５０Ｌ／ｍｉｎの流量で供給することが好ましい。特に、Ｏ２ガス等の酸化性ガスを混合することが好ましく、そのときのＯ２ガスの流量が１ｍＬ〜５Ｌ／ｍｉｎの流量であることが好ましい。電極間に供給される処理ガスとしては、前記のガスの他に、前記の処理ガスを混合して用いてもよい。これらのガスを処理ガスとして前記の流量で供給することにより、透明電極上に突出する微小な突起を確実に破壊して、透明電極の表面を平坦とすることができ、破壊された破片を除去することができる。
【００１３】
本発明に係る透明電極を形成した基板の表面処理方法では、被処理材である基板は電圧印加電極に対して、水平方向に搬送されるようにすると好適である。そして、基板の搬送速度は１０〜２５ｃｍ／ｍｉｎに設定されることが好ましい。基板を搬送することにより、基板の表面積が大きい場合でも均一に透明電極の表面処理することができ、前記の範囲の搬送速度とすることで、微小突起を確実に安定して除去することが、短時間で行える。
【００１４】
本発明に係る表示装置は、前記の透明電極を形成した基板の表面処理方法で処理した透明電極を備える基板を用いたことを特徴とする表示装置である。このように構成された表示装置として、例えば有機ＥＬ素子は、前記の表面処理方法で透明電極から突出する微小な突起が除去されて平坦になっているため、突起部分に集中して電流密度が高くならずダークスポットの無い均一な表示が可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の透明電極を形成した基板の表面処理方法は、ＩＴＯ等の透明電極の平坦化が短時間で均一に行え、有機ＥＬ素子や、有機ＥＬデバイス、液晶表示装置等の透明電極に好適な電極表面の平坦化を達成することができる。そして、ダークスポットの無い均一な表示が行える有機ＥＬ素子や有機ＥＬデバイス等の表示装置を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係る透明電極を形成した基板の表面処理方法の一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る透明電極を形成した基板の表面処理方法を実施する表面処理装置の要部構成を示す模式図、図２は、図１の要部斜視図、図３は表面処理装置の他の例の要部構成を示す模式図である。
【００１７】
図１，２を参照して、本実施形態の表面処理装置としてプラズマ処理装置１について説明する。プラズマ処理装置１は基板２に直接プラズマ化ガスを接触させるダイレクトタイプのプラズマ処理装置であり、有機ＥＬ素子を構成する基板２の表面に形成された透明電極としてＩＴＯ膜２ａの表面を平坦化する表面処理を行う装置である。被処理材である基板２に、プラズマ化した処理ガスを接触させる処理ヘッドとしてノズルヘッド１０を備え、ノズルヘッド１０は処理ガス供給源３からＯ２ガス等の処理ガス４が導入される放電処理部１１を備えている。
【００１８】
基板２は有機ＥＬ素子の片側の電極基板を構成するものであり、通常、ガラス基板として用いられる０．４〜１．１ｍｍ程度の厚さの透明ガラス板が好ましい。基板２としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ樹脂等の板材やフィルムを用いることもできる。基板２の表面には、透明電極としてＩＴＯ膜２ａが形成されている。ＩＴＯ膜２ａは真空蒸着やスパッタリング等により形成され、その表面には形成工程において高さが１００ｎｍレベルのスパイクともいわれる微小な突起が形成される。この基板２を用いて有機ＥＬ素子を作製すると、電界を印加したとき微小な突起に電界が集中してダークスポットが発生するため、本発明ではこの突起を除去して平坦化処理を行う。
【００１９】
プラズマ処理装置１はＩＴＯ膜２ａを形成した基板２を載置固定する搬送台５と、搬送台５を搬送する搬送手段６を備えており、ノズルヘッド１０の下方に搬送される搬送台５に固定された基板２が、放電処理部１１の下方で表面処理される構成となっている。プラズマ処理装置１は、放電処理部１１内に２つの対向する平行電極１２，１３を備え、例えばパルス状の高周波電圧等を電源７より供給し、基板２を載置固定する接地電極を兼ねる搬送台５はＧＮＤ８に接地される。この構成により、平行電極１２，１３の下面と搬送台５との間が放電空間となり、ＩＴＯ膜２ａを形成した基板２にプラズマ化した処理ガス４ａが接触させられ、搬送台５を移動させて平行電極１２，１３に対して基板２を搬送し、基板２の表面に形成されたＩＴＯ膜２ａの平坦化処理を行う構成となっている。
【００２０】
放電処理部１１の対向する２つの平行電極１２，１３は長尺状あるいは長棒状をしており、ＩＴＯ膜２ａを表面に形成した基板２の搬送方向Ａに直交する方向に沿って平行に配列されている。２つの平行電極は所定の幅を有する中心間隙１４を介して対向している。中心間隙１４の幅は１〜３ｍｍ程度が好ましく、この中心間隙がガス導入部を構成している。ガス導入部には、処理ガス供給源３からＯ２ガス等の処理ガス４が供給される。処理ガスは図示していないガス分散器等でガス導入部に均一に供給され、中心間隙１４を通過して流れが整えられた状態で基板２に接触させられ、２方向に分かれて排気される。なお、電極の長手方向の長さは、処理される基板２の幅より大きく形成される。
【００２１】
平行電極１２，１３と搬送台５との間に電圧が印加されているとき、平行電極と搬送台に固定された基板２との間が放電空間となる。基板２を載置する第１の電極部を兼ねる搬送台５と、第２の電極部として平行電極１２，１３とのギャップ寸法であるワーキングディスタンスはｄに設定されている。ワーキングディスタンスｄは、０．１〜４ｍｍに設定されると好ましい。ワーキングディスタンスｄが０．１ｍｍ未満であると、対向する電極を小さな電極間距離をもたせて設置するのに十分でないことがあり、設置作業が煩雑となる。一方、４ｍｍを超えると、均一な放電プラズマを発生させにくい。さらに好ましい電極間距離は、放電が安定しやすい０．５〜３ｍｍである。この放電空間に処理ガスを供給して活性化させる。
【００２２】
平行電極１２，１３は銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、黄銅等の合金、金属間化合物等から構成される。平行電極１２，１３は少なくとも搬送台５との対向面がアルミナ等の固体誘電体のコーティング層（図示せず）で被覆されており、アーク放電を防止している。コーティング層の厚さは０．０１〜４ｍｍ程度が好ましい。また、図示していないが、アーク放電等の不適な放電を避けるため、平行電極の下面の角部はアール加工することが好ましい。
【００２３】
固体誘電体として、アルミナの他に、例えばポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチックや、ガラス、二酸化珪素、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物や、これらを複層化したもの等、種々のものを用いることができる。平行電極と搬送台との間で安定したグロー放電をさせるために、セラミックスや樹脂等の板状物、シート状物、フィルム状のものを用いて平行電極の外周面を被覆してもよい。固体誘電体は、比誘電率が２以上（２５℃環境下、以下同じ）であることが好ましい。
【００２４】
電源７は放電処理部１１内の２つの平行電極１２，１３と搬送台５との間にパルス状の電圧を印加するものであり、平行電極１２，１３にパルス状電圧を印加し、対向する他方の電極である搬送台５を接地して平行電極と搬送台との間に放電を立たせるものである。パルス状の電圧は、例えば立上り時間及び立下り時間が１０μｓ以下、パルス継続時間は２００μｓ以下で、電界強度が１〜１０００ｋＶ／ｃｍ、周波数は０．５ｋＨｚ以上であることが好ましい。
【００２５】
立上り時間及び立下り時間が１０μｓを超えると、放電状態がアークに移行しやすく不安定なものとなり、パルス電界による高密度プラズマ状態を保持しにくくなる。また、立上がり時間及び立下がり時間が短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行われるが、４０ｎｓ未満の立上がり時間のパルス電界を実現することは、実際には困難である。立上がり時間及び立下がり時間のより好ましい範囲は５０ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでいう立上がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して増加する時間、立下がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して減少する時間を指すものとする。
【００２６】
パルス電圧の電界強度は、１〜１０００ｋＶ／ｃｍであり、好ましくは２０〜３００ｋＶ／ｃｍである。電界強度が１ｋＶ／ｃｍ未満であると処理に時間がかかりすぎ、１０００ｋＶ／ｃｍを超えるとアーク放電が発生しやすくなる。また、パルス電圧の周波数は、０．５ｋＨｚ以上であることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であるとプラズマ密度が低いため処理に時間がかかりすぎる。上限は特に限定されないが、常用されている１３．５６ＭＨｚ、試験的に使用されている５００ＭＨｚといった高周波帯でも構わない。負荷との整合性のとり易さや取扱い性を考慮すると、５００ｋＨｚ以下が好ましい。このようなパルス電圧を印加することにより、処理速度を大きく向上させることができる。
【００２７】
パルス状電圧における１つのパルス継続時間は、２００μｓ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜２００μｓである。２００μｓを超えるとアーク放電に移行しやすくなる。ここで、１つのパルス継続時間とは、ＯＮ／ＯＦＦの繰り返しからなるパルス電界における、１つのパルスの連続するＯＮ時間をいう。
【００２８】
なお、平行電極１２，１３と搬送台５との間に印加される電圧はパルス状電圧に限らず、連続波の電圧でもよい。パルス状の電圧波形は、インパルス型の他に、方形波型、変調型、あるいは前記の波形を組み合わせた波形等の適宜の波形を用いることができる。また、電圧波形は、電圧印加が正負の繰り返しであるものの他に、正又は負のいずれかの極性側に電圧を印加する、いわゆる片波状の波形を用いてもよい。また、バイポーラ型の波形を用いてもよい。もちろん、一般的なサイン波である交流波形を用いてもよい。
【００２９】
搬送手段６は、例えば機械的な直動機構や、エアーシリンダ、油圧シリンダ等により搬送台５を移動させて基板２等の被処理材をノズルヘッド１０の下方に搬送するものであり、一定の搬送速度で基板２を搬送することにより表面処理を均一に行うことができる。搬送手段６は被処理材を搬送する構成であるが、被処理材を固定しておき処理ガスを接触させるノズルヘッド１０を搬送するように構成することもできる。搬送手段は前記の構成の他に、ベルトコンベアや、複数のローラーで被処理材を搬送するローラコンベア等の他の搬送手段で構成してもよい。この搬送手段によって被処理材である基板を移動させて、大きな面積の基板の表面処理が可能となる。
【００３０】
前記の如く構成された本実施形態の透明電極を形成した基板の表面処理方法の動作について以下に説明する。基板２の表面に形成されたＩＴＯ膜２ａを平坦化するときは、処理ガス４として例えばＯ２ガスを供給し、電源７から平行電極１２，１３と搬送台５との間にパルス状の電圧を印加する。これにより処理ガス４の流れが平行電極１２，１３間で整えられ、処理ガスが放電空間でプラズマ化され、このプラズマ化処理ガス４ａが基板２の表面に沿って流れＩＴＯ膜２ａに接触して排気される。この際に、基板２の表面に形成されたＩＴＯ膜２ａの表面にスパイクと称する微小な突起があると、この突起に電圧が集中して、平行電極１２，１３との間に放電が発生する。微小な突起はこの放電で破壊され、破片は処理ガスと共に排出され、同時に基板２の表面の洗浄が行われる。この結果、後処理として、洗浄工程が不要となり、処理を短時間で行うことができる。
【００３１】
このようにして、ＩＴＯ膜２ａの表面から突出する微小な突起が除去された基板２は、平坦度を示す算術平均粗さＲａが１〜１０ｎｍの範囲となる。そして、この基板２を用いて有機ＥＬ素子や、有機ＥＬデバイスを作製すると、ＩＴＯ膜２ａの突起が除去されて平坦度が良好であり、突起に電圧が集中することが防止されるためダークスポットが発生せず、均一な表示が可能となる。これにより、表示品位を高めた有機ＥＬ素子等の表示装置を作製することができる。
【００３２】
つぎに、本発明の基板の表面処理方法を実施する表面処理装置の他の例として、図３を参照してプラズマ処理装置の他の例について説明する。プラズマ処理装置１Ａは、前記の実施形態と同様に、ＩＴＯ膜２ａを表面に形成した基板２に直接プラズマ化ガスを接触させるダイレクトタイプのプラズマ処理装置である。液晶表示装置や有機ＥＬ素子を構成する基板２の表面に形成された透明電極としてＩＴＯ膜２ａの表面を平坦化する表面処理を行う装置であり、基板２にプラズマ化した処理ガスを接触させる処理ヘッドとしてノズルヘッド２０を備え、ノズルヘッド２０は処理ガス供給源３からＯ２ガス等の処理ガス４が導入される放電処理部として電圧印加電極２１を備えている。
【００３３】
放電処理部を構成する電圧印加電極２１は他方の接地電極を構成する搬送台５と平行状態に設置されている。搬送台５と電圧印加電極２１との間が放電空間となり、ＩＴＯ膜２ａを形成した基板２にプラズマ化した処理ガス４ａが接触させられ、基板２の表面に形成されたＩＴＯ膜２ａの平坦化処理を行う構成となっている。このプラズマ処理装置１Ａは、基板２と電圧印加電極２１との間に処理ガス供給源３から処理ガス４が供給され、反対側の基板２と電圧印加電極２１との間から排気手段２２により処理済の排ガス４ｂを吸引するように構成されている。
【００３４】
図３に示すプラズマ処理装置１Ａの場合も、電源７から電圧印加電極２１と搬送台５との間に電圧を印加し、処理ガス供給源３から処理ガス４を供給すると処理ガスはプラズマ化されてＩＴＯ膜２ａの表面に掲載されたスパイクといわれる突起と電圧印加電極２１との間にアーク放電が発生する。このアーク放電により突起は破壊され、破片は処理ガスとともに排気手段２２で吸引されて除去される。この結果、ＩＴＯ膜２ａが平坦化され、このように表面処理された透明電極を形成した基板２を有機ＥＬ素子に使用すると、ダークスポットを除去した均一な表示が可能となる。また、この基板２を液晶表示装置に使用すると、コントラストが均一でムラの無い表示装置とすることができる。
【実施例１】
【００３５】
図３に示すプラズマ処理装置１Ａを使用し、常温、常圧で電圧印加電極２１と接地電極である搬送台５との間に、電源７から２０ｋＨｚ、２００Ｖ、パルス幅５μＳの電圧を印加し、Ｎ２ガスを２０Ｌ／ｍｉｎで供給するとともに、Ｏ２ガスを４．５Ｌ／ｍｉｎで供給し、スキャン速度を２５ｃｍ／ｍｉｎとした。ＩＴＯ膜２ａの表面に存在していたスパイクは除去され、図４に示すように、ＩＴＯ膜表面の算術平均粗さＲａは５ｎｍとなり、ＩＴＯ膜表面の平坦化が達成できた。このようにしてＩＴＯ膜が平坦化された基板を用いて有機ＥＬ素子を作製すると、発光状態は均一となりダークスポットはなかった。
【００３６】
［比較例１］
電源から２０ｋＨｚ、２００Ｖ、パルス幅５μＳの電圧を印加した。そして、実施例１に対して、基板の搬送速度、すなわちスキャン速度を１００ｃｍ／ｍｉｎとしたところ、基板表面に形成されたＩＴＯ膜の算術平均粗さＲａは１５０ｎｍであった。比較例１で表面処理を行った基板を用いて有機ＥＬ素子を作製したところ、ダークスポットが発生した。この比較例１では、ＩＴＯ膜の表面は粗面となり、透明電極の表面を粗面仕上げすることができた。
【００３７】
以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明は、前記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。例えば、透明電極としてＩＴＯ膜の例を示したが、透明で導電性があれば他の膜でもよく、例えばＳｎＯ２、ＺｎＯの他に、ＭｇＩｎ２Ｏ４、Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５等を使用することもできる。
【００３８】
処理ガスとしてＮ２ガスとＯ２ガスの混合ガスの例を示したが、Ｎ２ガスやＯ２ガスを単独で使用する等、適宜変更できる。また、アルゴン等の不活性ガスを用いてもよい。さらに、オゾン等の酸化性ガスを用いることもでき、空気を使用することもできる。基板を搬送する搬送手段は、１方向に移動するものの他に、往復動するもの等、適宜変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明に係る透明電極を形成した基板の表面処理方法の一実施形態を実施するプラズマ処理装置の要部構成を示す模式図。
【図２】図１の要部斜視図。
【図３】プラズマ処理装置の他の例の要部構成を示す模式図。
【図４】実施例と比較例との表面処理条件と算術平均粗さを示す表図。
【符号の説明】
【００４０】
１，１Ａ：プラズマ処理装置、２：基板、２ａ：ＩＴＯ膜（透明電極）、３：処理ガス供給源、４：処理ガス、４ａ：プラズマ化処理ガス、５：搬送台（接地電極）、６：搬送手段、７：電源、８：ＧＮＤ（接地）、１０：ノズルヘッド、１１：放電処理部、１２，１３：平行電極（電圧印加電極）、２０：ノズルヘッド、２１：電圧印加電極、２２：排気手段
【図１】
2006120739.tif 000003
【図２】
2006120739.tif 000004
【図３】
2006120739.tif 000005
【図４】
2006120739.tif 000006