(57)【要約】【課題】シンプルな構成であり、かつ、被測定物に含まれている水分量を高精度で測定できる水分量測定用装置を提供する。【解決手段】被測定物からの透過光又は反射光を受光して水の特定の吸収波長を含む第一の波長領域の光を電流に変換する第一の受光素子の出力電流と、被測定物からの透過光又は反射光を受光して第一の波長領域の一部を含むとともに特定の吸収波長を除いた第二の波長領域の光を電流に変換する第二の受光素子の出力電流とが入力され、第一の受光素子の出力電流を第一の電圧に変換する第一の変換回路と、第二の受光素子の出力電流を第二の電圧に変換する第二の変換回路と、第一の電圧と前記第二の電圧の差分電圧を生成する差分電圧生成回路とを有し、上記差分電圧を、差分電圧に基づいて被測定物に含まれている水分量を求める演算処理装置に出力する水分量測定用装置を提供する。【選択図】図１
2006023255.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定物に含まれている水分量の測定に用いられる水分量測定用装置であって、
被測定物からの透過光又は反射光を受光して水の特定の吸収波長を含む第一の波長領域の光を電流に変換する第一の受光素子の出力電流と、
前記被測定物からの透過光又は反射光を受光して前記第一の波長領域の一部を含むとともに前記特定の吸収波長を除いた第二の波長領域の光を電流に変換する第二の受光素子の出力電流と、
が入力され、
前記第一の受光素子の出力電流を第一の電圧に変換する第一の変換回路と、
前記第二の受光素子の出力電流を第二の電圧に変換する第二の変換回路と、
前記第一の電圧と前記第二の電圧の差分電圧を生成する差分電圧生成回路と、
を有し、
前記差分電圧を、前記差分電圧に基づいて前記被測定物に含まれている水分量を求める演算処理装置に出力すること、
を特徴とする水分量測定用装置。
【請求項２】
請求項１に記載の水分量測定用装置であって、
前記第一の変換回路を実現する第一の演算増幅回路と、
前記第二の変換回路を実現する第二の演算増幅回路と、
前記差分電圧生成回路を実現する第三の演算増幅回路と、
を有し、
前記第一の演算増幅回路から出力される前記第一の電圧の大きさを制御する第一の利得制御回路、又は、前記第二の演算増幅回路から出力される前記第二の電圧の大きさを制御する第二の利得制御回路、のうちの少なくともいずれかを有すること、
を特徴とする水分量測定用装置。
【請求項３】
請求項２に記載のセンサ回路であって、
前記第三の演算増幅回路に入力される前記第一の電圧の大きさを制御する第一の電圧制御回路、又は、前記第三の演算増幅回路に入力される前記第二の電圧の大きさを制御する第二の電圧制御回路、のうちの少なくともいずれかを有すること、
を特徴とする水分量測定用装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の水分量測定用装置であって、
前記第一の受光素子は、受光層としてＩｎＧａＡｓを用いたフォトダイオードであり、
前記第二の受光素子は、受光層としてＳｉを用いたフォトダイオードであること、
を特徴とする水分量測定用装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の水分量測定用装置であって、
前記差分電圧と水分量とを対応づけた変換テーブルを有し、前記変換テーブルを参照することにより前記差分電圧に対応する水分量を求めること、
を特徴とする水分量測定用装置。
【請求項６】
請求項５に記載の水分量測定用装置であって、
前記第二の電圧の大きさに応じて用意された複数の前記変換テーブルを記憶し、
前記演算処理装置は、前記水分量を求める際に、前記第二の電圧の大きさに応じて前記変換テーブルのうちのいずれかを選択的に参照すること、
を特徴とする水分量測定用装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被測定物に含まれている水分量の測定に用いられる水分量測定用装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
被測定物に含まれている水分量を測定する装置は、製品の製造工程や食品の管理など、様々な分野で需要がある。そのような装置の一つとして、近赤外光の波長領域における水の吸収特性を利用して水分量を測定するようにした、赤外線吸収式水分計が知られている。赤外線吸収式水分計は水の吸収波長に相当する赤外光を被測定物に照射して、その透過光や反射光の強度に基づいて被測定物に含まれている水分量を測定するようにしたものである。
【０００３】
上記赤外線吸収式水分計による測定では、赤外線吸収式水分計と被測定物との間の距離、被測定物の表面状態、被測定物の内部組成などの影響による誤差を補正する必要があるため、一般には３波長式（干渉フィルタ方式）の水分計が用いられている（例えば、特許文献１又は特許文献２を参照）。３波長式（干渉フィルタ方式）の水分計では、特定の吸収波長における透過光や反射光の強度に加えて、前記吸収波長に隣接する比較波長における透過光や反射光を測定し、比較波長における透過光や反射光を利用して吸収波長に含まれる誤差成分を補正することにより測定精度を向上させている。
【特許文献１】特開平３−１１５８３８号公報
【特許文献２】特開平８−１３６４５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記３波長式の水分計は、干渉フィルタなどの高価な部品を用いて構成されているため、装置コストが高くつき、また、干渉フィルタを切り替えるための構成や、中間ミラーや受光ミラーなどの位置合わせを行うための機械的な仕組みが必要であるため、装置構成が大がかりなものにならざるを得ず、小形化や量産化が難しいといった問題がある。
【０００５】
本発明はこのような背景に鑑みてなされたもので、シンプルな構成であり、かつ、被測定物に含まれている水分量を高精度で測定できる水分量測定用装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための本発明のうちの主たる発明は、被測定物に含まれている水分量の測定に用いられる水分量測定用装置であって、被測定物からの透過光又は反射光を受光して水の特定の吸収波長を含む第一の波長領域の光を電流に変換する第一の受光素子の出力電流と、前記被測定物からの透過光又は反射光を受光して前記第一の波長領域の一部を含むとともに前記特定の吸収波長を除いた第二の波長領域の光を電流に変換する第二の受光素子の出力電流と、が入力され、前記第一の受光素子の出力電流を第一の電圧に変換する第一の変換回路と、前記第二の受光素子の出力電流を第二の電圧に変換する第二の変換回路と、前記第一の電圧と前記第二の電圧の差分電圧を生成する差分電圧生成回路と、を有し、前記差分電圧を、前記差分電圧に基づいて前記被測定物に含まれている水分量を求める演算処理装置に出力するものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の水分量測定用装置は、シンプルな構成であり、かつ、被測定物に含まれている水分量を高精度で測定できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１に本発明の一実施形態として説明する、被測定物２に含まれる水分量を測定する装置（以下、水分量測定用装置１と称する）の概略構成を示している。水分量測定用装置１は、水分量の測定対象となる被測定物２に光を照射する白熱光源３、センサ回路４、演算処理装置５を含んで構成されている。白熱光源３は、例えば白熱電球であり、被測定物２に対して可視光から近赤外光の波長領域の光を照射する。
【０００９】
センサ回路４は、第一のフォトダイオード４１（第一の受光素子）、第二のフォトダイオード４２（第二の受光素子）、第一のフォトダイオード４１の出力電流に基づく電圧（以下、第一の電圧と称する）を出力する第一の演算増幅回路４３１（第一の変換回路）、第二のフォトダイオード４２の出力電流に基づく電圧（以下、第二の電圧と称する）を出力する第二の演算増幅回路４４１（第二の変換回路）、及び、第一の電圧及び第二の電圧の差分の電圧（以下、差分電圧と称する）を生成する第三の演算増幅回路４５１（差分電圧生成回路）を含んで構成されている。
【００１０】
第一のフォトダイオード４１及び第二のフォトダイオード４２は、白熱光源３から被測定物２に照射された光の、被測定物２からの透過光又は反射光を受光して、受光した光量に応じた電流を出力する光電変換素子である。第一のフォトダイオード４１は、その受光層にＩｎＧａＡｓを含むＰＩＮフォトダイオードである。第二のフォトダイオード４２は、その受光層にＳｉを含むＰＩＮフォトダイオードである。
【００１１】
図２にＩｎＧａＡｓの感度特性２１、及びＳｉの感度特性２２を示している。なお、この図にはＩｎＧａＡｓやＳｉ以外の素子についての感度特性も表示している。同図において、横軸（Ｘ軸）は光の波長であり、縦軸（Ｙ軸）は被検出率Ｄ＊（ディー・スター）である。Ｄ＊は、比検出能力を示す値であり、光入力が１Ｗである時の交流的なＳ／Ｎに対応する。単位はｃｍＨｚ１／２／Ｗである。
【００１２】
第一の演算増幅回路４３１は、第一のフォトダイオード４１の出力電流を電圧に変換するＩ／Ｖ変換回路として動作する。第一の演算増幅回路４３１の反転入力端子（−）には、第一のフォトダイオード４１のカソードが接続している。第一のフォトダイオード４１のアノードは接地されている。第一の演算増幅回路４３１の非反転入力端子（＋）は接地されている。第一の演算増幅回路４３１の反転入力端子と出力端子との間には、第一の帰還抵抗４３２が接続されている。第一の演算増幅回路４３１の出力端子からは第一の電圧が出力される。第一の電圧は、第三の演算増幅回路４５１に入力されるとともに、センサ回路４の出力端子４６１に出力されて演算処理装置５に入力される。
【００１３】
第二の演算増幅回路４４１は、第二のフォトダイオード４２の出力電流を電圧に変換するＩ／Ｖ変換回路として動作する。第二の演算増幅回路４４１の反転入力端子（−）には、第二のフォトダイオード４２のカソードが接続している。なお、第二のフォトダイオード４２のアノードは接地されている。第二の演算増幅回路４４１の非反転入力端子（＋）は接地されている。第二の演算増幅回路４４１の反転入力端子と出力端子との間には、第二の帰還抵抗４４２が接続されている。第二の演算増幅回路４４１の出力端子からは第二の電圧が出力される。第二の電圧は、第三の演算増幅回路４５１に入力されるとともに、センサ回路４の出力端子４６２に出力されて演算処理装置５に入力される。
【００１４】
第三の演算増幅回路４５１は、第一の演算増幅回路４３１から出力される第一の電圧と、第二の演算増幅回路４４１から出力される第二の電圧との差分電圧を生成する減算回路として動作する。第三の演算増幅回路４５１の非反転入力端子（＋）には、第一の電圧が入力される。反転入力端子（−）には、第二の電圧が入力される。第三の演算増幅回路４５１の非反転入力端子は、第一の電圧調整抵抗４５２を介して接地されている。第三の演算増幅回路４５１の反転入力端子と出力端子との間には、第三の帰還抵抗４５３が接続されている。第三の演算増幅回路４５１の出力端子からは、第一の電圧から第二の電圧を差し引いた差分電圧が出力される。この差分電圧は、センサ回路４の出力端子４６３から出力されて演算処理装置５に入力される。第一の演算増幅回路４３１の出力端子と第三の演算増幅回路４５１の非反転入力端子との間には、第一の固定抵抗４５４が挿入されている。また、第二の演算増幅回路４４１の出力端子と第三の演算増幅回路４５１の反転入力端子との間には、第二の固定抵抗４５５が挿入されている。
【００１５】
演算処理装置５は、センサ回路４から入力される上記差分電圧に基づいて、被測定物２に含まれる水分量を求める。図３に演算処理装置５のハードウエア構成を示している。同図に示す演算処理装置５は、ＣＰＵ５１、ＲＯＭ・ＲＡＭ等のメモリ５２、キーボードやテンキーなどの入力装置５４、ディスプレイなどの表示装置５５、センサ回路４の出力端子４６１〜４６３からの入力を受け付ける外部インタフェース５６などがバス５７を介して接続される構成である。なお、演算処理装置５の構成は図３に示す構成に限定されるわけではなく、例えば、パーソナルコンピュータなどのコンピュータを演算処理装置５として用いることができる。
【００１６】
次に、以上の構成からなる水分量測定用装置１を用いた水分量の測定原理について説明する。一般に水の特定の吸収波長における光の吸収量は、被測定物２に含まれている水分量に応じて変化する。このため、被測定物２に白熱光源３から光を照射し、水の吸収波長における透過光又は反射光を一つのフォトダイオードによって受光させることにより吸収量を測定し、測定された吸収量から被測定物に含まれる水分量を求めることは原理的に可能である。
【００１７】
しかしながら、フォトダイオードは、特定の波長の光に対してのみならず、所定の範囲の波長領域に含まれる光に対してブロードに感度を有しているため、その出力電流の大きさは、特定の波長における光量に応じてではなく、上記波長領域に含まれているブロードな波長帯の光の光量の積分値に応じて変化する。このため、フォトダイオードが感度を有する波長領域が広い場合は出力電流の絶対値に対する上記特定の波長における光量の変化分は小さく、従って、一つのフォトダイオードの出力電流に基づいて吸収量の変化を測定しても必ずしも充分な測定精度が得られないことがある。
【００１８】
そこで、本実施形態の水分量測定用装置１では、次のようにして水分量を求めるようにしている。すなわち、被測定物２に含まれている水分量の測定に際し、特定の吸収波長を含む第一の波長領域の光を電流に変換する第一のフォトダイオード４１とともに、第一の波長領域の一部を含むが上記特定の吸収波長を除いた第二の波長領域の光を電流に変換する第二のフォトダイオード４２の受光素子にも被測定物２からの透過光又は反射光を受光させる。そして、第一のフォトダイオード４１の出力電流に基づく第一の電圧から第二のフォトダイオード４２の出力電流に基づく第二の電圧を差し引いた差分の電圧を求める。ここでこの差分電圧は、第一の波長領域を上記特定の吸収波長の周辺帯域に狭帯域化した場合に得られる電圧に相当するものであり、上記差分電圧は上記特定の吸収波長の光の吸収量の変化に応じて鋭敏に変化する。従って、この差分電圧に基づいて水分量を求めることで、一つのフォトダイオードのみを用いて測定する場合に比べて被測定物２に含まれている水分量を高精度で測定できる。
【００１９】
例えば、図４は水の可視光から近赤外光の波長領域における透過率であるが、同図に示すように水は１．４５μｍに吸収波長を有している。また、図２によれば、受光層にＩｎＧａＡｓを用いた第一のフォトダイオード４１が感度を有する波長領域には上記１．４５μｍの吸収波長が含まれている。一方、受光層にＳｉを用いた第二のフォトダイオード４２が感度を有する波長領域には上記１．４５μｍの吸収波長は含まれていない。つまり、上記１．４５μｍの吸収波長における吸収量の変化は、第一のフォトダイオード４１の出力電流にのみ反映され、第二のフォトダイオード４２の出力電流には反映されないことになる。ここで図２によれば、可視光の波長領域における第二のフォトダイオード４２の感度特性は第一のフォトダイオード４１の感度特性に類似している。また、第二のフォトダイオード４２が感度を有する波長領域には、水の吸収波長として目立ったものは見られない。このため、第一の電圧から第二の電圧を差し引いて得られる差分電圧は、上記１．４５μｍの吸収波長における光の吸収量の変化に応じて鋭敏に変化することとなり、この差分電圧に基づいて水分量を求めることで、被測定物２に含まれている水分量を高精度で測定できる。
【００２０】
次に、以上の測定原理に基づいて行われる、被測定物２に含まれる水分量を求めるための具体的な処理について説明する。図５は、演算処理装置５のメモリ５２に格納されているテーブル（以下、変換テーブル７０と称する）である。変換テーブル７０には、上述した差分電圧と水分量との関係が登録されている。同図に示すように、変換テーブル７０は、第二の電圧の大きさに応じて作成された複数のテーブル（以下、サブテーブル７１と称する）からなる。ここでこのように複数のサブテーブル７１を用意しているのは、背景技術において説明した誤差を補正するためである。すなわち、背景技術において説明したように、被測定物２からの透過光又は反射光の強度は、被測定物２に含まれる水分量、被測定物２の素材や被測定物２と受光素子４１，４２との間の距離、被測定物２の表面状態、被測定物２の内部組成などの様々な因子に影響されるが、これらの因子は、第二の電圧の大きさにも影響を与えるので、上記因子の影響による第二の電圧の変化を利用して誤差を補正するようにしているのである。演算処理装置５は、第二の電圧に応じて参照するサブテーブル７１を選択する。これにより上記誤差を補正することができる。なお、各サブテーブル７１は、上記因子の異なる複数の被測定物について測定を行うことにより作成される。
【００２１】
具体的に説明する。水分量を求めるに際し、演算処理装置５は、まず上記複数のサブテーブル７１の中から、センサ回路４の出力端子４６２から入力される第二の電圧の大きさに対応するサブテーブル７１を選択する。例えば、第二の電圧が、「Ａ２（Ｖ）＜第二の電圧≦Ａ３（Ｖ）」であり、差分電圧が「ｂ＋Δ」である場合には、図５に示す（２）のサブテーブル７１を選択する。そして、演算処理装置５は、選出したサブテーブル７１を参照し、差分電圧に対応する水分量を求める。例えば、差分電圧が「ｂ＋Δ」である場合には、サブテーブル７１の差分電圧が「ｂ＋Δ」の欄に対応する「ｙ２」が水分量として求められる。演算処理装置５は、このようにして求めた水分量を、例えば表示装置５５に表示する。
【００２２】
ところで、第一の電圧や第二の電圧を調節するには、例えば、第一の帰還抵抗４３２や第二の帰還抵抗４４２の抵抗値を変化させればよい。この調節は演算処理装置５から行うようにすることもできる。図６はそのような仕組みを設けた水分量測定用装置１の一例である。なお、同図に示すセンサ回路４の動作は図１に示したセンサ回路４の場合と基本的に同じであるが、図６に示すセンサ回路４では、図１に示したセンサ回路４における第一の帰還抵抗４３２及び第二の帰還抵抗４４２を、夫々可変抵抗（以下、夫々、第一の可変抵抗４３３（第一の利得制御回路）、第二の可変抵抗４４３（第二の利得制御回路）と称する）に変更している。また、図６に示すセンサ回路４には、第三の演算増幅回路４５の非反転入力端子（＋）及び反転入力端子の夫々の前段に新たに可変抵抗（以下、夫々、第三の可変抵抗４７１（第一の電圧制御回路）、第四の可変抵抗４７２（第二の電圧制御回路）と称する）を接続している。さらに、演算処理装置５から入力される入力信号に応じてこれらの可変抵抗４３３，４４３，４７１，４７２の抵抗値を制御する制御回路５１０を設けている。
【００２３】
図６に示すセンサ回路４では、第一の可変抵抗４３３を制御することにより第一の演算増幅回路４３の利得を制御することができる。また、第二の可変抵抗４４３を制御することにより第二の演算増幅回路４４の利得を制御することができる。また、第三の可変抵抗４７１を制御することにより第三の演算増幅回路４５の非反転入力端子への入力電圧の大きさを制御できる。さらに、第四の可変抵抗４７２を制御することにより第三の演算増幅回路４５の反転入力端子の入力電圧の大きさを制御することができる。なお、第一の可変抵抗４３３及び第二の可変抵抗４４３はこれらのうちのいずれか一方のみを採用する構成とすることもできる。また、第三の可変抵抗４７１及び第二の可変抵抗４７２については、これらのうちのいずれか一方のみを採用する構成とすることもできる。
【００２４】
制御回路５１０には、演算処理装置５から、入力端子４６４を介してこれらの可変抵抗４３３，４４３，４７１，４７２を制御するための制御信号を受け付ける通信回路（不図示）と、受け付けた制御信号に応じて第一乃至第四の可変抵抗４３３，４４３，４７１，４７２の抵抗値を制御するロジック回路（不図示）が含まれる。制御回路５１０は、演算処理装置５からの制御信号に応じて第一の演算増幅回路４３や第二の演算増幅回路４４の利得を制御する。これにより演算処理装置５から第一の電圧や第二の電圧を制御することが可能となる。また、制御回路５１０は、演算処理装置５からの制御信号に応じて、第三の演算増幅回路４５の非反転入力端子や反転入力端子の入力電圧を制御する。これにより演算処理装置５から第三の演算増幅回路４５の非反転入力端子や反転入力端子の入力電圧を制御することが可能となる。また、センサ回路４から入力される第一の電圧や第二の電圧、及び差分電圧を演算処理装置５でモニタし、演算処理装置５から第一の可変抵抗４３３や第二の可変抵抗４４３を制御して、第一の電圧や第二の電圧を適切な値に設定するといったことが可能となる。また、第三の可変抵抗４７１や第四の可変抵抗４７２を制御するようにすることで、差分電圧を演算処理装置５から調節することが可能となる。さらに、第一の可変抵抗４３３や第二の可変抵抗４４３の制御とともに第三の可変抵抗４７１や第四の可変抵抗４７２についても制御するようにすることで、差分電圧を微調節することが可能となる。
【００２５】
以上に説明した本実施形態の水分量測定用装置１は、シンプルな構成であるにもかかわらず、被測定物に含まれている水分量を高精度で測定できる。また、機械的な構造を有しないので故障が少なく小形化も容易である。また、機械的な調節作業が不要であるので扱いやすく、振動等による影響も少ない。また、センサ回路４は少ない部品点数で実現することができるので、価格も安く量産性にも優れる。また、センサ回路４は省電力の素子を用いて構成されているので、消費電力が少なく、他の装置への組み込みも容易である。
【００２６】
センサ回路４は、これを集積化して１チップの集積回路（ＩＣ）とすることも可能である。ここで第二のフォトダイオード４２は、受光層がＳｉであるので、シリコン（Ｓｉ）ウェハを用いて集積化する場合には、第二のフォトダイオード４２の製造プロセスを他の部品の製造プロセスに含ませてしまうことが可能である。このため、集積回路を効率よく安価に製造することができる。なお、集積化することにより抵抗素子が同一チップ上に形成され、イランスインピーダンス抵抗比や演算抵抗比などの製造ばらつきが減って温度依存性の少ないセンサ回路を実現することができる。なお、図７は、一例として図１に示したセンサ回路４について集積化の対象となる部分を具体的に示したものである。同図において破線で囲んだ部分が集積化の対象となる部分である。図８は、図６に示したセンサ回路４について集積化の対象となる部分を具体的に示したものである。同図において破線で囲んだ部分が集積化の対象となる部分である。このように図７及び図８のいずれの場合についても第二のフォトダイオード４２を取り込んだ形で集積化が可能である。また、混成（ハイブリッド）技術を使って集積化することで、第一のフォトダイオード４２をも取り込んだ形で集積化することも可能である。
【００２７】
なお、以上の実施形態の説明は本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明はその趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。
【００２８】
例えば、適切な印刷が行われるようにするために、上述した水分量測定用装置１を印刷装置に組み込んで、印刷用紙の水分量を測定したり、測定された水分量に基づいて印刷装置各部の制御を行ったりするようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施形態として説明する、被測定物に含まれる水分量を測定する水分量測定用装置１の概略的な装置構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態として説明する第一のフォトダイオード４１の感度特性２１及び第二のフォトダイオード４２の感度特性２２を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態として説明する演算処理装置５のハードウエア構成を示す図である。
【図４】可視光から近赤外光の波長領域における水の透過率を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態として説明する変換テーブル７０の一例を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態として説明する水分量測定用装置１の概略的な装置構成を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態として説明するセンサ回路４について集積化される部分を示す図である。
【図８】本発明の一実施形態として説明するセンサ回路４について集積化される部分を示す図である。
【符号の説明】
【００３０】
１  水分量測定用装置
２  被測定物
３  白熱光源
４  センサ回路
５  演算処理装置
４１  第一のフォトダイオード
４２  第二のフォトダイオード
４３１  第一の演算増幅回路
４４１  第二の演算増幅回路
４５１  第三の演算増幅回路
４３２  第一の帰還抵抗
４４２  第二の帰還抵抗
４５２  第一の電圧調整抵抗
４５３  第三の帰還抵抗
４６１  出力端子（第一の電圧）
４６２  出力端子（第二の電圧）
４６３  出力端子（差分電圧）
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006023255.tif 000005
【図４】
2006023255.tif 000006
【図５】
2006023255.tif 000007
【図６】
2006023255.tif 000008
【図７】
2006023255.tif 000009
【図８】
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