(57)【要約】 【課題】  極薄の基板を用いた有機電子デバイスを簡便な方法で製造すること。【解決手段】  基板の第一表面を研磨する第一工程と、第一表面に保護層を設ける第二工程と、基板の第一表面の裏側にある第二表面をエッチングにより除去して基板の厚みを薄くする第三工程とで製造した２枚の極薄基板のエッチング面を相対向させた間隙に高分子材料を含んだ層を狭持して２枚の基板を貼り合わせる第四工程と、保護層を除去する第五工程と、保護層が除去された第一表面に有機電子デバイスを形成する第六工程と、を備えることとした。【選択図】  図１
2006216456.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第一表面を研磨する第一工程と、前記第一表面に保護層を設ける第二工程と、前記第一表面の裏側にある第二表面をエッチングにより除去して前記基板の厚みを薄くする第三工程と、前記第一の工程から前記第三の工程を経て製造された２枚の極薄基板のエッチング面を相対向させた間隙に高分子材料を含んだ層を狭持して、前記２枚の極薄基板を貼り合わせる第四工程と、前記保護層を除去する第五工程と、前記保護層が除去された第一表面に有機電子デバイスを形成する第六工程と、を備えることを特徴とする有機電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記基板は０．３ｍｍ以上の厚みを持つガラス基板であり、前記第三工程で０．２mm以下の厚みに加工された請求項１に記載の有機電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記高分子材料を含んだ層が、脂肪族もしくは脂環式ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、熱硬化性ビニルエステル樹脂、熱硬化性ビスフェノールＡ樹脂、カルド系樹脂のいずれかを主成分とする膜であり、コーティングにより形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の有機電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記高分子材料を含んだ層が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミド、環状オレフィンポリマーもしくはその共重合体、熱硬化性ビニルエステル樹脂、熱硬化性ビスフェノールＡ樹脂のいずれかを主成分とする高分子膜であり、接着剤により前記第二表面に貼り付けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の有機電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記保護層が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミド、環状オレフィンポリマーもしくはその共重合体、熱硬化性ビニルエステル樹脂、熱硬化性ビスフェノールＡ樹脂、アクリル樹脂、フェノールノボラック樹脂のいずれかを主成分とする保護高分子層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記保護層が除去された第一表面に形成される有機電子デバイスが薄膜トランジスタを有する有機ＥＬ発光デバイスであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、可撓性基体を用いた有機電子デバイスの製造方法に関し、例えば、有機ＥＬ発光デバイスや有機半導体デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
可撓性基体を用いた有機電子デバイスは、ユピキタス社会が提唱され、それを支えるユピキタス電子機器への応用が期待されるようになってきている。その中でも有機ＥＬ発光デバイスは、無機ＥＬ素子より低電圧で発光させることができる。また、自己発光型であるため、視認性も高く、基体を可撓性基体にすることで、ユピキタス電子機器用のディスプレイや発光源としての応用が期待されている。
【０００３】
しかし、可撓性基体として多く用いられる高分子材料の場合、構成材料が有機物であるため、わずかながらも透湿性を有する場合がほとんどである。有機ＥＬ発光デバイスを始めとする有機電子デバイスは微量の水分でも劣化を起こし特性を失われてしまう場合が多い。このように、有機電子デバイスの基体に高分子を使おうとした場合、基体の通過する水分を遮断することが実用化への大きな課題となっている。
【０００４】
そこで、極薄いガラス基板と高分子フィルムを複合化した基体を用いる方法が上述した課題を解決する有効な方法として知られている（例えば、特許文献１を参照）。ガラス基板そのものは、透湿性は全く無いが、可撓性に欠け、少しの曲げ応力でも破壊してしまう。しかし、ガラスの破壊はガラス材料そのものの強度の問題ではなく、表面にある無数のキズが破壊起点となり弱い力でも破壊してしまうというのが定説となっている。そのキズを技術文献１に開示されているようにガラスの片面を高分子で覆うことによってガラスの曲げに対する強度を格段に向上させることが出来る。しかし、このような複合基体の具体的製造方法になると、特許文献１には「ＤＥＳＡＧ・ＡＧ（ドイツ国）等から入手できる３０μｍ程度のガラスはなお極めて取り扱いが困難であり、極めて注意深く取り扱わない限り、極めて容易に破損し得る」（第４頁３１−３４行目）という記述があるだけで、複合化した後は充分な強度が得られるが、その複合材料をどのようにして確実に製造するかについての記述は見られず、薄く壊れ易いガラスを製造工程中にどのように扱うかの開示も見られない。
【０００５】
さらに、近年、有機ＥＬ発光デバイスを薄膜トランジスタを使って駆動する開発も進んでいる。一般に、薄膜トランジスタの製造工程には熱処理工程が欠かせない。ガラスと高分子の複合化した基板ではガラス表面の耐熱性は高いが、ガラスと高分子の熱膨張係数が異なるため、この熱処理工程によって基板が反ることがあり、以降の工程作業の妨げになり、また、寸法精度を出すことが非常に難しくなってしまう。
【特許文献１】特開平１１−３２９７１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、最初から極薄のガラス基板を用い、高分子との複合材料を作製する場合は、かなり注意深くガラスを取り扱ったとしてもガラス基板の破損は避けられず、期待される製造歩留まりは、かなり低いものに止まってしまう。また、大画面ディスプレイや生産効率を向上させるための多数個取り等のため基板を大型化しようとすると、極薄ガラス自体を大面積で製造することは困難となり、製造できたとしても、工程での取り扱いの困難さは容易に予想される。このような課題を抱えていては、折角の優れた性能も、市場に見合ったコストで提供することは困難で大きな問題であった。さらに、単にガラス基板と高分子との重ね合わせ材料では、薄膜トランジスタ形成のような加熱工程を通した場合に、各材料での熱膨張係数の違いから、極端に寸法精度が出し辛くなってしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、ガラスと高分子との複合された可撓性基体を簡便に製造するために、本発明の有機電子デバイスの製造方法は、基板の第一表面を研磨する第一工程と、第一表面に保護層を設ける第二工程と、基板の第一表面の裏側にある第二表面をエッチングにより除去して基板の厚みを薄くする第三工程とで製造した２枚の極薄基板のエッチング面を相対向させた間隙に高分子材料を含んだ層を狭持して２枚の極薄基板を貼り合わせる第四工程と、保護高分子層を除去する第五工程と、保護高分子層が除去された第一表面に有機電子デバイスを形成する第六工程、を備えることとした。ここで、高分子材料を含んだ層として、脂肪族もしくは脂環式ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、熱硬化性ビニルエステル樹脂、熱硬化性ビスフェノールＡ樹脂、カルド系樹脂のいずれかを主成分とする膜を用いることとした。あるいは、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミド、環状オレフィンポリマーもしくはその共重合体、熱硬化性ビニルエステル樹脂、熱硬化性ビスフェノールＡ樹脂のいずれかを主成分とする高分子膜を用いることとした。さらに、保護層として、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミド、環状オレフィンポリマーもしくはその共重合体、熱硬化性ビニルエステル樹脂、熱硬化性ビスフェノールＡ樹脂、アクリル樹脂、フェノールノボラック樹脂のいずれかを主成分として含む高分子層を用いた。また、基板には０．３ｍｍ以上の厚みを持つガラス基板を用い、第三の工程により０．２mm以下の厚みになることとした。
【発明の効果】
【０００８】
このような方法によれば、可撓性を有する有機電子デバイスは簡便な方法にもかかわらず、平滑な基体表面に加熱工程を用いて薄膜トランジスタを伴ったような有機電子デバイスを形成可能で、形成された有機電子デバイスは性能が高く、寸法精度も高く、基体から透過する水分による劣化も無く、且つ、基体が可撓性を有するため、曲げても破壊されない強度の強いデバイスが実現できた。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の有機電子デバイスの製造方法は、基板の第一表面を研磨する第一工程と、第一の表面に保護層を設ける第二工程と、基板の第一表面の裏側にある第二表面をエッチングにより除去して基板の厚みを薄くする第三工程を用いて製造した２枚の極薄基板のエッチング面を相対向させて、間隙に高分子材料を含んだ層を狭持し２枚の基板を貼り合わせる第四工程と、保護層を除去する第五工程と、保護層が除去された第一表面に有機電子デバイスを形成する第六工程を備えている。
【００１０】
有機電子デバイスを形成する基板の表面は平坦である必要があり、第一の工程で行う研磨処理は重要である。また、研磨工程に導入できる実用的な基板厚みも０．３ｍｍが限度である。基板としては大面積基板が可能で且つ工程上破損しないように取り扱える、０．３ｍｍ以上の厚みの基板を選択した。材料としては、ソーダガラス，ホウケイ酸ガラス，無アルカリガラス等を用途によって選択できるが、薄膜トランジスタのような無機電子回路を形成するため、アルカリ金属のガラスからの拡散を避けるために無アルカリガラスを選択した。
【００１１】
また、以降の工程で平坦化処理した表面を保護するため、さらに、薄くなったガラスを保持（ガラス強度の補強の役目）して以降の工程を安定して行えるために、第二工程で研磨面に保護層を設けている。保護層の材料としては、高分子材料、それらと無機化合物の複合材料などが用いられ、形態としては基体にコーティングしても良いしフィルム膜を貼り付けても良い。この保護膜の形成は、厚いガラス基材に対して行われるので、上述したようにガラス基材を破損させる虞はない。
【００１２】
次に、平坦化された表面を保護した状態で、基板の反対面をエッチングし、基板の厚みを減らして行く。ガラス基板の場合、可撓性が発現するガラス厚は、ガラスの材質によって異なるが、０．１ｍｍより薄くなればかなり可撓性が現れる。全ての種類のガラスを考えても、０．２ｍｍより薄くなれば可撓性が発現すると考えられる。
【００１３】
このように極薄化した２枚のガラス基板のエッチング面を相対向させて、高分子材料を含んだ層を狭持し貼り合わせることとした。これにより、複合化された基板の表裏面共に研磨されたガラス表面が露出することとなり、加熱処理をした場合に表面の熱膨張量と裏面の熱膨張量は等しくなり表裏に歪みを生じることなく精度良く薄膜トランジスタ等の無機回路デバイスを作製することができる。その結果、組み合わせる有機電子デバイスの特性も一段と向上したものになった。
【００１４】
ここで、高分子材料を含んだ層は主に高分子から成り、適宜、フィラー等の無機微粒子等を混合させても良く、コーティングもしくはフィルムとして基板に貼り付ける。このとき、研磨面に形成されている保護層は極薄のガラスに対する支持フィルムの役割を担い、この工程中に基板が破損するのを防いでいる。次に第五工程では、今まで基板の研磨面を保護していた保護コーティングもしくは保護フィルムを剥離除去し、基板の研磨面を露出させる。高分子材料を含んだ層は極薄にした２枚のガラス間を密着させ、柔軟性と屈曲強度を付与することになり、実用的な有機電子デバイス用基板を提供するものである。
【００１５】
以下に本発明の有機電子デバイスの製造方法について、さらに詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
本実施例による有機電子デバイスの製造方法を図１に模式的に示す。図１（ａ）は２枚の基体１１，１２を示す断面図である。本実施例では厚みが０．５ｍｍの無アルカリガラスを用いた。このガラスの少なくとも一方の表面が、ラップフィルムや研磨材を用いた研磨による平坦化処理が施されており、面精度は０．１μｍ以下となっている。
【００１７】
図１（ｂ）は平坦化処理された表面上、すなわち、基体１１，１２の研磨面にそれぞれ保護高分子層１３，１４が設けられたことを表す断面図である。高分子フィルムと粘着剤を用いて、ラミネート等の方法により保護高分子層を形成してもよい。高分子フィルムとして、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド等から成る高分子フィルムを用いることができる。また、粘着層として、アクリル樹脂やシリコン樹脂などを用いることができる。ここで用いる粘着層は後に述べる剥離工程を容易に行うために、光や熱や溶剤浸漬等により粘着性が失われるものを使用することが望ましい。本図では２枚の基板の相対向した面とは反対側に保護高分子層が形成されている。
【００１８】
次に、保護高分子層１３，１４が形成された基体１１，１２を、フッ酸等のエッチング液に浸漬し、ガラスエッチングを行い、厚みを０．１０ｍｍまで薄くした。この状態を図１（ｃ）に示す。この状態ではガラスそのものの強度は弱いので、このまま保護高分子層を剥離しようとすると、基体は容易に破壊されてしまう。
【００１９】
次に、エッチングされた基体１１と１２のエッチング面を相対向させた間に、脂肪族もしくは脂環式ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、熱硬化性ビニルエステル樹脂、熱硬化性ビスフェノールＡ樹脂、カルド系樹脂のいずれかを主成分とする高分子層１５を設け、高分子層１５を介して基体１１と１２を貼り合わせる。図１（ｄ）はこの状態を模式的に示す断面図である。
【００２０】
脂肪族もしくは脂環式ポリイミド樹脂の例としては、脂肪族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンを重縮合させたポリマーをγ−ブチロラクトンに溶解させた溶液などが用いられる。この溶液中にガラスとの密着性を向上させるために、適宜カップリング剤等の添加剤を混入させても良い。ポリアミドイミド樹脂の例としては、東洋紡製「バイロマックス」（登録商標）等があり、熱硬化性ビニルエステル樹脂の例としては、昭和高分子製「スーパーポリエステルＳＳＰシリーズ」等がある。熱硬化性ビスフェノールＡ樹脂の例としては昭和高分子製「リゴライト（登録商標）５００」等があり、カルド系樹脂の例としては新日鐵化学製「Ｖ−２５９」等がある。これらの材料は、基体上にロールコーター，バーコーター，スリットコーター等により塗布され２枚の基体を貼り合わせた後、熱硬化もしくは紫外線硬化等により、適宜硬化処理がなされる。貼り合わせた後の高分子層１５の膜厚は、５０μｍであった。
【００２１】
次に、光、熱、溶剤浸漬、もしくは機械的除去手段等の補助手段により、図１（ｅ）に示すように、保護高分子層１３，１４を剥離して基体１１，１２の研磨面を露出させる。この工程では、２枚のガラス基材が５０μｍの高分子膜で貼り合わされているので、ある程度の柔軟性と屈曲に対する強度があり、剥離工程でのガラス基材の破壊は見られなかった。
【００２２】
以上の工程で、有機電子デバイス用の可撓性基体が作成され、この基体は軽く、曲げなどにも強く、且つ、ガラス研磨面側は平坦な表面を維持していた。
【００２３】
次に本発明による基体を用いて作製した、有機電子デバイスの一例である薄膜トランジスタを有する有機ＥＬ発光デバイスを図２に示す。図２において、基板２１は図１で説明した方法で作製されている。基板２１上にＴＦＴ２２が形成される。ＴＦＴ２２は次のような工程で作製される。まず、ＣＶＤにより形成したアモルファスＳｉをレーザーアニールしパターニング形成したポリシリコン層を形成する。この際、ＣＶＤ成膜時とレーザーアニール時には基板表面温度が２００℃以上に上昇するが、本実施例では、成膜面はガラスで覆われているため、ガラス基板への成膜と同様に行われ、基板の裏面もガラスに覆われているため、表裏での熱膨張係数の違いはなく、基板の片面へのカール等の不具合は見られなかった。次に、ポリシリコン膜上にＳｉＯ２  等より成るゲート絶縁膜をやはりＣＶＤ等の方法で形成する。この際もポリシリコン層形成時と同様な課題があるが、本実施例では問題とはならなかった。次に、ゲート，ソース，ドレイン電極を形成してＴＦＴを作製した。このように、ＴＦＴ作製時には多数の熱プロセスが存在するにも関わらず、ＴＦＴ素子は微細であり、寸法安定性の要求は高い。本実施例では、軽量・薄型の基板を用いながら、微細で高い特性を持つＴＦＴを作製することができた。
【００２４】
次にＴＦＴ２２のソース電極に接続するように、スパッタや蒸着，ＣＶＤ等の方法でＩＴＯやＩＺＯ等から成る透明導電膜で形成された陽極２３が形成される。陽極が形成される面はガラス面であるため、洗浄クリーニング処理以外に特別な処理は必要とせず陽極が形成できた。陽極２３上には、銅フタロシアニンや芳香族アミンからなるホール注入層２４、同じく芳香族アミンである、α−ＮＰＤやＴＰＤ誘導体等からなるホール輸送層２５を真空蒸着によって積層する。その上には、発光層２６として、Ａｌｑ３，ＢＡｌｑ３，Ｂｅｂｑ２等の８−ヒドロキシキノリン誘導体の金属錯体等からなるホスト材料に、ペリレン，キナクリドン，クマリン，ルブレン，ＤＣＪＴＢ等の蛍光発光色素をドーパントとして含有する層が共蒸着によって形成される。そして、Ａｌｑ３やＢｅｂｑ２等からなる電子輸送層２７、さらに、ＬｉＦ薄膜上にＡｌを積層した陰極２８が真空蒸着によって形成される。
【００２５】
そして、ガラスと高分子材料が複合された可撓性基体２９をシール接着剤３０により貼り合わせ封止して有機ＥＬ発光デバイスを作製した。このように作製された有機ＥＬ発光デバイスは簡便且つ実用的な方法で作製したにもかかわらず、水分侵入による劣化のない安定した発光特性を示し、薄型，軽量である程度の可撓性があり携帯性に優れたデバイスであった。
【実施例２】
【００２６】
同様に、図１を用いて本実施例を説明する。図１（ａ）で示す基体１１，１２は厚みが０．４ｍｍの無アルカリガラスである。このガラスの少なくとも片面が、ラップフィルムや研磨材を用いて研磨され平坦化処理を施され、面精度は０．１μｍ以下とされる。
【００２７】
図１（ｂ）において、基体１１と１２の研磨面に、ポリイミド、ポリアミド、環状オレフィンポリマーもしくはその共重合体、熱硬化性ビニルエステル樹脂、熱硬化性ビスフェノールＡ樹脂、アクリル樹脂、フェノールノボラック樹脂のいずれかを主成分とする高分子から成るコーティング膜を形成する。これらの高分子は溶液もしくは前駆体溶液とされ、これらの材料は、基体上にロールコーター，バーコーター，スリットコーター等により塗布され乾燥固化，熱硬化もしくは紫外線硬化等により、適宜硬化処理がなされ、保護高分子層１３，１４と成る。保護高分子層１３と１４の膜厚は、１００μｍとしたが、膜厚は薄くしたガラスを充分補強できる程度のものであればこれに限定されるものではない。この際の保護高分子層は後に述べる剥離工程を容易に行うために、光や熱や溶剤浸漬等により容易に溶解もしくは剥離されるタイプのものを使用することが望ましい。本図では２枚の基板の相対向した面とは反対側に保護高分子層が形成されている。
【００２８】
図１（ｃ）において、保護高分子層１３，１４が形成された基体１１，１２を、フッ酸等のエッチング液に浸漬し、ガラスエッチングを行い、厚みを０．１ｍｍまで薄くした。この状態ではガラスそのものの強度は弱いので、このまま保護高分子層を剥離しようとすると、基体は容易に破壊されてしまう。
【００２９】
図１（ｄ）において、エッチングされた基体１１と１２のエッチング面を相対向させ間に、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミド、環状オレフィンポリマーもしくはその共重合体、熱硬化性ビニルエステル樹脂、熱硬化性ビスフェノールＡ樹脂のいずれかを主成分とする高分子膜を接着剤により、２枚のガラス基体に狭持する事によって高分子層１５を形成する。ポリエチレンテレフタレートフィルムの例として帝人製「テフレックス（登録商標）」があり、ポリエチレンナフタレートフィルムの例として帝人製「テオネックス（登録商標）」、また、ポリカーボネートフィルムの例として帝人製「パンライト（登録商標）」等がある。ポリアリレートフィルムの例として鐘淵化学製「クリスタレート（登録商標）」があり、ポリエーテルサルフォンフィルムの例として住友ベークライト製「スミライト（登録商標）ＦＳ−１３００」等があり、ポリサルフォンフィルムの例として住友ベークライト製「スミライト（登録商標）ＦＳ−１２００」等がある。ポリエーテルイミドフィルムの例として三菱樹脂製「スペリオ（登録商標）」等があり、ポリイミドフィルムの例として鐘淵化学のフッ素化ポリイミド等があり、ポリアミドフィルムの例としてナイロンフィルム等が挙げられる。環状オレフィンポリマーもしくはその共重合体フィルムの例としてＪＳＲ製「アートン（登録商標）」，日本ゼオン製「ゼオノア（登録商標）」等が挙げられる。また、熱硬化性ビニルエステル樹脂フィルムの例として昭和高分子製「リゴライト（登録商標）」等があり、熱硬化性ビスフェノールＡ樹脂の例として昭和高分子製「リゴライト（登録商標）５００」等がある。これらの材料は基体間にアクリル系やシリコン系の粘着剤を介して貼り付けられる。使用する粘着剤はガラス基体との密着性に優れるものが好ましい。ガラス基体に狭持されたフィルムは高分子層１５となり、その高分子層１５の厚みは１００μｍであった。
【００３０】
図１（ｅ）において、光や熱や溶剤浸漬もしくは機械的除去手段等の補助手段を借りながら、保護高分子層１３と１４を剥離して基体１１と１２の研磨面を露出させる。この工程で、２枚のガラス基材が１００μｍの高分子フィルムを狭持しているので、ある程度の柔軟性と屈曲に対する強度があり、剥離工程でのガラス基材の破壊は見られなかった。
【００３１】
以上の工程で、有機電子デバイス用の可撓性基体が作成され、この基体は軽く、曲げなどにも強く、且つ、ガラス研磨面側は平坦な表面を維持していた。また、実施例１と同様に有機ＥＬ発光デバイスを作製したところ、実施例１と同様の効果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
以上、実施例で示した有機電子デバイスの一例である、有機ＥＬ発光デバイスは、自動車のダッシュボードの曲面光源や、軽量性・薄型を生かして、携帯型のユピキタスディスプレー、例えば、地上波デジタル受信装置や携帯型ブラウザやデジタルカメラ・ビデオカメラのモニタ等、今後の電子機器のマンマシーンインターフェースの主役となり得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明による有機電子デバイス用基体の製造方法を示す模式図である。
【図２】本発明による有機電子デバイスを示す模式図である。
【符号の説明】
【００３４】
１１，１２  基体
１３，１４  保護高分子層
１５        高分子層
２１        基板
２２        ＴＦＴ
２３        陽極
２４        ホール注入層
２５        ホール輸送層
２６        発光層
２７        電子輸送層
２８        陰極
２９        可撓性基体
３０  シール接着剤
【図１】
2006216456.tif 000003
【図２】
2006216456.tif 000004