(57)【要約】【課題】被測定物からの放射により前記被測定物の温度を測定する温度測定器を定期的に取外しメーカに送り返して温度校正を実施することを抑制または防止して、稼働率に優れる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板２００からの放射により基板２００の複数の異なる部分の温度をそれぞれ測定する複数の温度測定器３３０と、基板２００を処理する時に温度測定器の光取込口２６１を取り付ける基板処理用取付け部３１１と、温度測定器３３０の温度校正の時に温度測定器の光取込口２６１を取り付ける温度校正用取付け部３１２とを備え、温度校正用取付け部３１２は、基板処理時に用いられる温度測定器の光取込口２６１を、基板２００の複数の異なる部分間の各間隔よりも小さい間隔で基板２００の温度を測定する位置に固定する。【選択図】  図３
2006216813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板からの放射により前記基板の複数の異なる部分の温度をそれぞれ測定する複数の温度測定器と、
前記基板を処理する時に前記温度測定器の光取込口を取り付ける基板処理用取付け部と、
前記温度測定器の温度校正の時に前記温度測定器の光取込口を取り付ける温度校正用取付け部と、を備え、
前記温度校正用取付け部は、基板処理時に用いられる前記温度測定器の光取込口を、前記基板の複数の異なる部分間の各間隔よりも小さい間隔で前記基板の温度を測定する位置に固定することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に関し、特に、半導体ウエハを加熱処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハを加熱処理する基板処理装置として、放射温度計によって半導体ウエハの温度を測定してウエハの加熱温度を制御する基板処理装置が用いられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来、この種の基板処理装置においては、基板温度の測定温度は実温度から次第にずれてくるため、放射温度計の温度検出部と温度測定用プローブは定期的に取外しメーカに送り返して温度校正を実施する必要があり、装置の稼働率を悪化させていた。
【０００４】
従って、本発明の主な目的は、被測定物からの放射により前記被測定物の温度を測定する温度測定器を定期的に取外しメーカに送り返して温度校正を実施することを抑制または防止して、稼働率に優れる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、
基板からの放射により前記基板の複数の異なる部分の温度をそれぞれ測定する複数の温度測定器と、
前記基板を処理する時に前記温度測定器の光取込口を取り付ける基板処理用取付け部と、
前記温度測定器の温度校正の時に前記温度測定器の光取込口を取り付ける温度校正用取付け部と、を備え、
前記温度校正用取付け部は、基板処理時に用いられる前記温度測定器の光取込口を、前記基板の複数の異なる部分間の各間隔よりも小さい間隔で前記基板の温度を測定する位置に固定することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、被測定物からの放射により前記被測定物の温度を測定する温度測定器を定期的に取外しメーカに送り返して温度校正を実施することを抑制または防止して、稼働率に優れる基板処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
次に、本発明の好ましい実施例を説明する。
【０００８】
本発明の好ましい実施例では、被測定物（ウエハ、サセプタ、ヒータなど）からの放射によりそれぞれが前記被測定物の異なる複数の部分の温度を測定する複数の温度測定器と、前記温度測定器の光取込口（プローブなど）取付け部を、通常処理時の取付け部とは別に、温度補正（校正）用に備え、前記温度補正（校正）用の前記光取込口（プローブなど）取付け部は、処理時に用いられる前記温度測定器を、前記複数の部分の各間隔よりも小さい間隔で前記被測定物の温度を測定する位置に固定し、１ヶ所に集中させている。
【０００９】
温度補正（校正）用の前記光取込口（プローブなど）取付け部は、好ましくは、被測定物の中心付近に設けられている。
【００１０】
また、好ましくは、前記温度測定器の光取込口（プローブなど）の近傍に熱電対が付いた被測定物を備え、温度補正（校正）時に、前記熱電対温度をもとに温度を補正（校正）する。好ましくは、熱電対が付いた前記被測定物は、半導体ウエハである。
【００１１】
また、好ましくは、１つの基準温度測定器の温度をもとに、温度測定器の温度補正（校正）する。
【００１２】
また、好ましくは、温度測定器の１つのチャンネルの温度をもとに、温度測定器の温度補正（校正）する。
【００１３】
次に、図面を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の好ましい実施例の基板処理装置を説明するための概略横断面図でり、図２は、本発明の好ましい実施例の基板処理装置を説明するための概略縦断面図である。図１および図２を参照して、本発明の好ましい実施例の基板処理装置の概要を説明する。
【００１５】
なお、本発明の好ましい実施例の基板処理装置においてはウエハなどの基板を搬送するキャリヤとしては、ＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎｉｎｇ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ。以下、ポッドという。）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、図１が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後は紙面の上、左右は紙面の左右とする。
【００１６】
図１および図２に示されているように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された第１の搬送室１０３を備えており、第１の搬送室１０３の筐体１０１は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第１の搬送室１０３には負圧下でウエハ２００を移載する第１のウエハ移載機１１２が設置されている。前記第１のウエハ移載機１１２は、エレベータ１１５によって、第１の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００１７】
筐体１０１の６枚の側壁のうち前側に位置する２枚の側壁には、搬入用の予備室１２２と搬出用の予備室１２３とがそれぞれゲートバルブ２４４、１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、予備室１２２には搬入室用の基板置き台１４０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板置き台１４１が設置されている。
【００１８】
予備室１２２および予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第２の搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第２の搬送室１２１にはウエハ２００を移載する第２のウエハ移載機１２４が設置されている。第２のウエハ移載機１２４は第２の搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１９】
図１に示されているように、第２の搬送室１２１の左側にはオリエンテーションフラット合わせ装置１０６が設置されている。また、図２に示されているように、第２の搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
【００２０】
図１および図２に示されているように、第２の搬送室１２１の筐体１２５には、ウエハ２００を第２の搬送室１２１に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口１３４と、ウエハ搬入搬出口を閉塞する蓋１４２と、ポッドオープナ１０８がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１０８は、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２を開閉するキャップ開閉機構１３６とを備えており、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２をキャップ開閉機構１３６によって開閉することにより、ポッド１００のウエハ出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、前記ＩＯステージ１０５に、供給および排出されるようになっている。
【００２１】
図１に示されているように、筐体１０１の六枚の側壁のうち背面側に位置する２枚の側壁には、ウエハに所望の処理を行う第１の処理炉２０２と、第２の処理炉１３７とがそれぞれ隣接して連結されている。第１の処理炉２０２および第２の処理炉１３７はいずれもコールドウォール式の処理炉によってそれぞれ構成されている。また、筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する２枚の側壁には、第３の処理炉としての第１のクーリングユニット１３８と、第４の処理炉としての第２のクーリングユニット１３９とがそれぞれ連結されており、第１のクーリングユニット１３８および第２のクーリングユニット１３９はいずれも処理済みのウエハ２００を冷却するように構成されている。
【００２２】
以下、上記構成をもつ基板処理装置を使用した処理工程を説明する。
【００２３】
未処理のウエハ２００は２５枚がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図１および図２に示されているように、搬送されて来たポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を開閉する蓋１４２がキャップ開閉機構１３６によって取り外され、ポッド１００のウエハ出し入れ口が開放される。
【００２４】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、第２の搬送室１２１に設置された第２のウエハ移載機１２４はポッド１００からウエハ２００をピックアップし、予備室１２２に搬入し、ウエハ２００を基板置き台１４０に移載する。この移載作業中には、第１の搬送室１０３側のゲートバルブ２４４は閉じられており、第１の搬送室１０３の負圧は維持されている。ウエハ２００の基板置き台１４０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００２５】
予備室１２２が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ２４４、１３０が開かれ、予備室１２２、第１の搬送室１０３、第１の処理炉２０２が連通される。続いて、第１の搬送室１０３の第１のウエハ移載機１１２は基板置き台１４０からウエハ２００をピックアップして第１の処理炉２０２に搬入する。そして、第１の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理がウエハ２００に行われる。
【００２６】
第１の処理炉２０２で前記処理が完了すると、処理済みのウエハ２００は第１の搬送室１０３の第１のウエハ移載機１１２によって第１の搬送室１０３に搬出される。
【００２７】
そして、第１のウエハ移載機１１２は第１の処理炉２０２から搬出したウエハ２００を第１のクーリングユニット１３８へ搬入し、処理済みのウエハを冷却する。
【００２８】
第１のクーリングユニット１３８にウエハ２００を移載すると、第１のウエハ移載機１１２は予備室１２２の基板置き台１４０に予め準備されたウエハ２００を第１の処理炉２０２に前述した作動によって移載し、第１の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理がウエハ２００に行われる。
【００２９】
第１のクーリングユニット１３８において予め設定された冷却時間が経過すると、冷却済みのウエハ２００は第１のウエハ移載機１１２によって第１のクーリングユニット１３８から第１の搬送室１０３に搬出される。
【００３０】
冷却済みのウエハ２００が第１のクーリングユニット１３８から第１の搬送室１０３に搬出されたのち、ゲートバルブ１２７が開かれる。そして、第１のウエハ移載機１１２は第１のクーリングユニット１３８から搬出したウエハ２００を予備室１２３へ搬送し、基板置き台１４１に移載した後、予備室１２３はゲートバルブ１２７によって閉じられる。
【００３１】
予備室１２３がゲートバルブ１２７によって閉じられると、前記排出用予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。前記予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、第２の搬送室１２１の予備室１２３に対応したウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２と、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップがポッドオープナ１０８によって開かれる。続いて、第２の搬送室１２１の第２のウエハ移載機１２４は基板置き台１４１からウエハ２００をピックアップして第２の搬送室１２１に搬出し、第２の搬送室１２１のウエハ搬入搬出口１３４を通じてポッド１００に収納して行く。処理済みの２５枚のウエハ２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップとウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋１４２がポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【００３２】
以上の作動が繰り返されることにより、ウエハが、順次、処理されて行く。以上の作動は第１の処理炉２０２および第１のクーリングユニット１３８が使用される場合を例にして説明したが、第２の処理炉１３７および第２のクーリングユニット１３９が使用される場合についても同様の作動が実施される。
【００３３】
なお、上述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としてもよい。また、第１の処理炉２０２と第２の処理炉１３７は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第１の処理炉２０２と第２の処理炉１３７で別の処理を行う場合、例えば第１の処理炉２０２でウエハ２００にある処理を行った後、続けて第２の処理炉１３７で別の処理を行わせてもよい。また、第１の処理炉２０２でウエハ２００にある処理を行った後、第２の処理炉１３７で別の処理を行わせる場合、第１のクーリングユニット１３８（又は第２のクーリングユニット１３９）を経由するようにしてもよい。
【００３４】
図３は、本発明の好ましい実施例の基板処理装置の処理炉を説明するための概略縦断面図である。図３を参照し、本発明の好ましい実施例で用いられる処理炉を詳細に説明する。
【００３５】
処理炉はその全体が符号２０２で示される。例示の様態においては、処理炉２０２は、半導体ウエハ等の基板２００（以下、ウエハという。）の様々な処理工程を実行するのに適した枚葉式の処理炉である。また処理炉２０２は、特に半導体ウエハの熱処理に適している。こうした熱処理の例としては、半導体デバイスの処理における、半導体ウエハの熱アニール、ホウ素−リンから成るガラスの熱リフロー、高温酸化膜、低温酸化膜、高温窒化膜、ドープポリシリコン、未ドープポリシリコン、シリコンエピタキシャル、タングステン金属、又はケイ化タングステンから成る薄膜を形成するための化学蒸着が挙げられる。
【００３６】
処理炉２０２は、回転筒２７９に囲まれた上ランプ２０７および下ランプ２２３から成るヒータアッセンブリ２８０を含む。このヒータアッセンブリ２８０は、基板温度がほぼ均一になるように放射熱をウエハ２００に供給する。好ましい形態においては、ヒータアッセンブリ２８０は、放射ピーク０．９５ミクロンで照射し、複数の加熱ゾーンを形成し、ウエハ中心部より多くの熱を基板周辺部に加える集中的加熱プロファイルを提供する一連のタングステン−ハロゲン直線ランプ２０７、２２３等の加熱要素を含む。
【００３７】
上ランプ２０７および下ランプ２２３にはそれぞれ電極２２４が接続され、各ランプに電力を供給するとともに、各ランプの加熱具合は主制御部３００に支配される加熱制御部３０１にて制御されている。
【００３８】
ヒータアッセンブリ２８０は、平ギア２７７に機械的に接続された回転筒２７９内に収容されている。この回転筒２７９は、セラミック、グラファイト、より好ましくはシリコングラファイトで被覆したグラファイト等から成る。ヒータアッセンブリ２８０、回転筒２７９は、チャンバ本体２２７内に収容されて真空密封され、更にチャンバ本体２２７のチャンバ底２２８の上に保持される。チャンバ本体２２７は様々な金属材料から形成することができる。
【００３９】
回転筒２７９は、チャンバ底２２８の上に回転自在に保持される。具体的には、平ギア２７６、２７７とがボールベアリング２７８によりチャンバ底２２８に回転自在に保持され、平ギア２７６と平ギア２７７とは噛み合うように配置されている。更に、平ギア２７６は主制御部にて支配される駆動制御部３０４にて制御されるサセプタ駆動機構２６７にて回転せしめられ、平ギア２７６、平ギア２７７を介して回転筒２７９を回転させている。回転筒２７９の回転速度は、当業者であれば分かるように、個々の処理に応じて５〜６０ｒｐｍであることが好ましい。
【００４０】
処理炉２０２は、チャンバ本体２２７、チャンバ蓋２２６およびチャンバ底２２８から成るチャンバ２２５を有し、チャンバ２２５にて囲われた空間にて処理室２０１を形成している。
【００４１】
ウエハ２００は、円周方向において複数に分割された（実施例においては４つに分割）炭化ケイ素で被覆したグラファイト、クォーツ、純炭化ケイ素、アルミナ、ジルコニア、アルミニウム、または鋼等の好適な材料から成る基板保持手段であるサセプタ２１７の上に保持される。
【００４２】
なお、サセプタ２１７は円形形状をしており、具体的には中心のサセプタは円板状形状であり、それ以外はドーナッツ形の平板形状であって、回転筒２７９にて支持されている。
【００４３】
チャンバ蓋２２６にはガス供給管２３２が貫通して設けられ、処理室２０１に処理ガス２３０を供給し得るようになっている。ガス供給管２３２は、開閉バルブ２４３、流量制御手段であるマスフローコントローラ（以下、ＭＦＣという。）２４１を介し、ガスＡ、ガスＢのガス源に接続されている。ここで使用されるガスは、窒素等の不活性ガスや水素、アルゴン、六フッ化タングステン等の所望のガスが用いられ、ウエハ２００上に所望の膜を形成させて半導体装置を形成させるものである。
【００４４】
また、開閉バルブ２４３およびＭＦＣ２４１は、主制御部３００にて支配されるガス制御部３０２にて制御され、ガスの供給、停止およびガスの流量が制御される。
【００４５】
なお、ガス供給管２３２から供給された処理ガス２３０は処理室２０１内にてウエハ２００と反応し、残余ガスはチャンバ本体２２７に設けられた排気口であるガス排気口２３５から図示しない真空ポンプ等からなる排気装置を介し、処理室外へ排出される。
【００４６】
処理炉２０２は、様々な製造工程においてウエハ２００の放射率（エミシビティ）を測定し、その温度を計算するための非接触式の放射率測定手段をも含む。この放射率測定手段は、主として放射率測定用プローブ２６０、放射率測定用リファレンスランプ（参照光）２６５、光子密度検出部３０５およびプローブ２６０と光子密度検出部３０５とを結ぶ光ファイバー通信ケーブル３２３を含む。このケーブルはサファイア製の光ファイバー通信ケーブルから成ることが好ましい。
【００４７】
プローブ２６０はプローブ回転機構２７４により回転自在に設けられ、プローブ２６０の一端をウエハ２００または参照光であるリファレンスランプ２６５の方向に方向付けられる。また、プローブ２６０は光ファイバー通信ケーブル３２３とスリップ結合にて結合されているので、前述したようにプローブ２６０が回転しても接続状態は維持される。
【００４８】
即ち、プローブ回転機構２７４は放射率測定用プローブ２６０を回転させ、これによりプローブ２６０の先端が放射率測定用リファレンスランプ２６５に向けてほぼ上側に向けられる第１ポジションと、プローブ２６０がウエハ２００に向けてほぼ下側に向けられる第２ポジションとのプローブ２６０の向きが変えられる。従って、プローブ２６０の先端は、プローブ２６０の回転軸に対し直角方向に向けられていることが好ましい。このようにして、プローブ２６０はリファレンスランプ２６５から放射された光子の密度とウエハ２００から反射された光子の密度を検知することができる。リファレンスランプ２６５は、ウエハ２００における光の透過率が最小となる波長、好ましくは０．９５ミクロンの波長の光を放射する白色光源から成ることが好ましい。上述の放射率測定手段は、リファレンスランプ２６５からの放射とウエハ２００からの放射を比較することにより、ウエハ２００の放射率を測定する。
【００４９】
仕切弁であるゲートバルブ２４４を開放し、チャンバ本体２２７に設けられたウエハ搬入搬出口２４７を通ってウエハ（基板）２００を処理室２０１内に搬入し、ウエハ２００をサセプタ２１７上に配置後、サセプタ回転機構（回転手段）２６７は処理中に回転筒２７９とサセプタ２１７を回転させる。ウエハ２００の放射率の測定時には、プローブ２６０はウエハ２００の真上のリファレンスランプ２６５に向くように回転し、リファレンスランプ２６５が点灯する。そして、プローブ２６０はリファレンスランプ２６５からの入射光子密度を測定する。リファレンスランプ２６５が点灯している間、プローブ２６０は第１ポジションから第２ポジションへと回転し、回転している間にリファレンスランプ２６５真下のウエハ２００に向く。このポジションにおいて、プローブ２６０はウエハ２００のデバイス面（ウエハ２００の表面）の反射光子密度を測定する。続いてリファレンスランプ２６５が消灯される。ウエハ２００に直接向いている間、プローブ２６０は、加熱されたウエハ２００からの放射光子を測定する。プランクの法則によれば、特定の表面に放出されたエネルギーは表面温度の四乗に関係する。その比例定数はシュテファン・ボルツマン定数と表面放射率との積から成る。従って、非接触法における表面温度の決定時には、表面放射率を使用するのが好ましい。以下の式を用いてウエハ２００のデバイス面の全半球反射率を計算し、引き続きキルヒホッフの法則により放射率が得られる。
（１）ウエハ反射率＝反射光強度／入射光強度
（２）放射率＝（１−ウエハ反射率）
【００５０】
一旦ウエハの放射率が得られると、プランクの式からウエハ温度が得られる。この技法は、ウエハが高温で、且つこのような適用において上記計算の実行前に基本熱放射が減算される場合にも用いられる。
【００５１】
処理炉２０２は更に温度検出手段である複数の温度測定器３３０を含む、各温度測定器３３０は、温度測定用プローブ２６１と、光ファイバ通信ケーブル３２１と、温度検出部３０３の各チャンネルを備えている。これらのプローブ２６１は、基板処理時には、チャンバ蓋２２６の基板処理用取付け部３１１に固定され、すべての処理条件においてウエハ２００びデバイス面から放射される光子密度を常に測定する。プローブ２６１によって測定された光子密度に基づき温度検出部３０３にてウエハ温度に算出され、主制御部３００にて設定温度と比較される。主制御部３００は比較の結果、あらゆる偏差を計算し、加熱制御部３０１を介してヒータアッセンブリ２８０内の加熱手段である上ランプ２０７、下ランプ２２３の複数のゾーンへの電力供給量を制御する。好ましくは、ウエハ２００の異なる部分の温度を測定するために位置決めされた３個のプローブ２６１を含む。これによって処理サイクル中の温度の均一性が確保される。
【００５２】
なお、温度測定用プローブ２６１にて算出されたウエハ温度は、放射率測定用プローブ２６０にて算出された放射率により、補正されることでより正確なウエハ温度の検出を可能としている。
【００５３】
ウエハ２００の処理後、ウエハ２００は、複数の突上げピン２６６によりサセプタ２１７の真中にあるサセプタとともに真中以外のサセプタから持ち上げられ、処理炉２０２内でウエハ２００を自動的にローディング及びアンローディングできるようにするために、ウエハ２００の下に空間を形成する。突上げピン２６６は駆動制御部３０４の制御のもと、昇降機構２７５によって上下する。
【００５４】
次に、プローブ２６１の位置関係について説明する。図４は、本発明の好ましい実施例の基板処理装置の処理炉のウエハ処理時のプローブの位置関係の例である。３個のプローブ２６１は、チャンバ蓋２２６の基板処理用取付け部３１１に固定され、ウエハ２００の異なる部分の温度を測定するために位置決めされている。
【００５５】
図５は、本発明の好ましい実施例の基板処理装置の処理炉の、温度補正（校正）時の概略図の例である。温度補正（校正）時、中心付近に全プローブ２６１を設置できるよう、チャンバ蓋２２６にプローブ２６１の温度校正用付け部３１２が設けてある。処理炉２０２内に、中心部に熱電対３１５の付いたウエハ２００を設置し、熱電対温度検出部３０６にてウエハ２００の温度を測定している。全プローブ２６１を熱電対３１５付近に集めることにより、全プローブ２６１と熱電対３１５を同じ温度とすることができる。また、全プローブ２６１と熱電対３１５を中心付近に設けることにより、迷光などの外乱の影響を防ぐことができる。ウエハ温度は、温度検出部３０３のチャンネル１の測定温度によりフィードバック制御され、温度安定状態となっている。この時、熱電対３１５の温度と温度検出部３０３の各チャンネルの温度を主制御部３００により比較することにより、温度検出部３０３の温度を補正（校正）している。
【００５６】
次に、別の実施例について説明する。図６は、本発明の好ましい他の実施例の基板処理装置の処理炉の、温度補正（校正）時の概略図の例である。温度補正（校正）時、中心付近に全プローブ２６１を設置できるよう、チャンバ蓋２２６にプローブ２６１の温度校正用付け部３１２が設けてある。また、基準温度検出部３０７およびそれに接続するプローブ３６１、光ファイバー通信ケーブル３２２を設置している。プローブ３６１も温度校正用付け部３１２近傍に取り付ける。全プローブ２６１およびプローブ３６１を１ヶ所に集めることにより、全プローブ２６１およびプローブ３６１を同じ温度とすることができる。そして、全プローブ２６１およびプローブ３６１を中心付近に設けることにより、迷光などの外乱の影響を防ぐことができる。ウエハ温度は、基準温度検出部３０７の測定温度によりフィードバック制御され、温度安定状態となっている。この時、基準温度検出部３０７の温度と温度検出部３０３の各チャンネルの温度を主制御部３００により比較することにより、温度検出部３０３の温度を補正（校正）している。
【００５７】
正確な絶対温度は必要なく、温度測定器の各チャンネルの温度を相対的に補正（校正）したい場合がある。その実施例について説明する。図７は、本発明の好ましいさらに他の実施例の基板処理装置の処理炉の、温度補正（校正）時の概略図の例である。温度補正（校正）時、中心付近に全プローブ２６１を設置できるよう、チャンバ蓋２２６にプローブ２６１の温度校正用付け部３１２が設けてある。全プローブ２６１を１ヶ所に集めることにより、全プローブ２６１を同じ温度とすることができる。また、全プローブ２６１を中心付近に設けることにより、迷光などの外乱の影響を防ぐことができる。ウエハ温度は、温度検出部３０３のチャンネル１の測定温度によりフィードバック制御され、温度安定状態となっている。この時、温度検出部３０３の各チャンネル間で温度を比較することにより、温度検出部３０３の温度を補正（校正）している。
【００５８】
以上説明したように、本発明を好ましい実施例によれば、温度検出部３０１と温度測定用プローブ２６１を定期的に取外しメーカに送り返して温度校正することを防止することができ、稼働率の高い基板処理装置を可能にする点で、実用上極めて大きな効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の好ましい実施例の基板処理装置を説明するための概略横断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施例の基板処理装置を説明するための概略縦断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施例の基板処理装置の処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図４】本発明の好ましい実施例の基板処理装置の処理炉における、ウエハ処理時のプローブの位置関係を説明するための概略縦断面図である。
【図５】本発明の好ましい実施例の基板処理装置の処理炉における、温度校正時のプローブの位置関係を説明するための概略縦断面図である。
【図６】本発明の好ましい実施例の基板処理装置の処理炉における、温度校正時のプローブの位置関係を説明するための概略縦断面図である。
【図７】本発明の好ましい実施例の基板処理装置の処理炉における、温度校正時のプローブの位置関係を説明するための概略縦断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１００…ポッド
１０１…筐体
１０３…搬送室
１０５…ＩＯステージ
１０６…オリエンテーションフラット合わせ装置
１０８…ポッドオープナー
１１２…ウエハ移載機
１１５…エレベータ
１２１…搬送室
１２２…予備室
１２３…予備室
１２４…ウエハ移載機
１２５…筐体
１２７…ゲートバルブ
１２８…ゲートバルブ
１２９…ゲートバルブ
１３０…ゲートバルブ
１３４…ウエハ搬入搬出口
１３７…処理室
１３８…クーリングユニット
１３９…クーリングユニット
１４０…基板置き台
１４１…基板置き台
２００…ウエハ
２０１…処理室
２０２…処理炉
２０７…上側ランプ
２１７…サセプタ
２２３…下側ランプ
２２４…電極
２２５…チャンバ
２２６…チャンバ蓋
２２７…チャンバ本体
２２８…チャンバ底
２３０…処理ガス
２３２…ガス供給管
２３５…ガス排気口
２４１…マスフローコントローラ
２４３…バルブ
２４４…ゲートバルブ
２４７…基板搬入搬出口
２６０…放射率測定用プローブ
２６１…温度測定用プローブ
２６５…放射率測定用リファレンスランプ
２６６…基板突上ピン
２６７…サセプタ回転機構
２７４…プローブ回転機構
２７５…昇降機構
２７６…平ギア
２７７…平ギア
２７８…ボールベアリング
２７９…回転筒
３００…主制御部
３０１…加熱制御部
３０２…ガス制御部
３０３…温度検出部
３０４…駆動制御部
３０５…光子密度検出部
３０６…熱電対温度検出部
３０７…基準温度検出部
３１１…基板処理用取付け部
３１２…温度校正用取付け部
３１５…熱電対
３２１…光ファイバー通信ケーブル
３２２…光ファイバー通信ケーブル
３２３…光ファイバー通信ケーブル
３３０…温度測定器
３６１…基準温度測定用プローブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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