(57)【要約】【課題】  スロープ効率が大きく、製造歩留まりが高く、バラツキが少なく、しかも高出力の青紫色の光を発する窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供すること。【解決手段】  本発明の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子は、窒化ガリウム基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子であって、前記窒化ガリウム基板の結晶成長面を、（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向に、絶対値で０．０１５〜０．１６度の範囲で傾斜した面、又は、（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向へのオフ角度をＡとし、（０００１）Ｇａ面の＜１１−２０＞方向へのオフ角度をＢとした場合、（Ａ2＋Ｂ2）の平方根が０．１０から０．１７の範囲にある面であり、かつ半導体レーザ素子のスロープ効率は０．６Ｗ／Ａ以上とする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ガリウム基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子であって、
前記窒化ガリウム基板の結晶成長面が（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向に、絶対値で０．０１５〜０．１６度の範囲で傾斜した面であり、かつ半導体レーザ素子のスロープ効率が０．６Ｗ／Ａ以上である窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記半導体レーザ素子の発振波長が３９５〜４１５ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記半導体レーザ素子の共振器面が結晶の自然へきかい面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記半導体レーザ素子の共振器面の出射面は端面コートが形成されておらず、前記共振器面の後面は反射率９０％以上の端面コートが形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記半導体レーザ素子の共振器面の出射面は反射率１０％以下の端面コートが形成されており、前記共振器面の後面は反射率９０％以上の端面コートが形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
【請求項６】
窒化ガリウム基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子であって、
基板の結晶成長面は、（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向へのオフ角度をＡとし、（０００１）Ｇａ面の＜１１−２０＞方向へのオフ角度をＢとした場合、（Ａ2＋Ｂ2）の平方根が０．１０から０．１７の範囲にある面であり、かつ半導体レーザ素子のスロープ効率が０．６Ｗ／Ａ以上であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記半導体レーザ素子の発振波長が３９５〜４１５ｎｍであることを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記半導体レーザ素子の共振器面が結晶の自然へきかい面であることを特徴とする請求項６又は７に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記半導体レーザ素子の共振器面の出射面は端面コートが形成されておらず、前記共振器面の後面は反射率９０％以上の端面コートが形成されていることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記半導体レーザ素子の共振器面の出射面は反射率１０％以下の端面コートが形成されており、前記共振器面の後面は反射率９０％以上の端面コートが形成されていることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子に関し、特に青紫色の短波長の光を発することができるスロープ効率の大きい窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、青色ＬＥＤや青紫色半導体レーザには、窒化物系半導体が主として用いられている。この窒化物系半導体は、通常、サファイア基板、ＳｉＣ基板またはＧａＮ基板などの窒化物系半導体用基板上に、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic ChemicalVapor Deposition；有機金属気相成長）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピタキシャル成長）法、または、ＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy）法などの結晶成長法を用いて成長させる。このうち、結晶成長法としては、ＭＯＣＶＤ法が最もよく利用されている。
【０００３】
従来の窒化物系半導体レーザ素子の一具体例を図４に示す。なお、図４は、従来の窒化物系半導体素子５０の模式的な断面図である。この窒化物半導体レーザ素子５０は、サファイア基板５１上にバッファ層５２、アンドープＧａＮ層５３、ｎ−ＧａＮコンタクト層５４、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層５５、ｎ−ＧａＮ光ガイド層５６、活性層５７、ｐ−ＧａＮ光ガイド層５８が順に形成されてなる。ｐ−ＧａＮ光ガイド層５８の所定幅の領域上にリッジ状にｐ−ＡｌＧａＮクラッド層５９が形成されており、このリッジ状のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層５９の側面に電流狭窄層６０が形成されている。さらに、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層５９の上面および電流狭窄層６０上にｐ−ＧａＮコンタクト層６１が形成されている。ｐ−ＧａＮコンタクト層６１からｎ−ＧａＮコンタクト層５４までの一部領域が除去されてｎ−ＧａＮコンタクト層５４が露出し、メサ形状が形成されている。露出したｎ−ＧａＮコンタクト層５４の所定領域上にｎ電極６２が形成され、ｐ−ＧａＮコンタクト層６１の所定領域上にｐ電極６３が形成されている。
【０００４】
ところで、このようなサファイア基板上に窒化ガリウム系半導体層が形成されてなる窒化物系半導体素子においては、サファイア基板と窒化ガリウム系半導体層との間の格子定数の差が大きい。このため、サファイア基板上に形成された窒化ガリウム系半導体層は多くの転位を含んでおり結晶性が劣化している。したがって、サファイア基板を用いた窒化物系半導体素子においては、良好な素子特性を実現することが困難である。
【０００５】
そこで、下記特許文献１には、基板としてＳｉＣ結晶の（０００１）Ｓｉ面に対して０．０２度ないし０．６度の範囲内で傾斜した面（オフ面）を有するＳｉＣ基板を用いて窒化物系半導体層を形成すると、良好な結晶性が得られることが示されており、また、窒化ガリウム基板を用いても同様の結果が得られることが示唆されている。さらに、下記特許文献２には窒化ガリウム基板としてＣ面からの傾斜角度が０．０３度以上、１０度以下のものを使用した窒化物系半導体発光素子の発明が、また、下記特許文献３には窒化ガリウム基板として（０００１）面から所定の方向に１度以上２０度以下の傾斜面を有するものを使用すると結晶性の良好な窒化物系半導体層が得られることが、さらに、下記特許文献４には、窒化ガリウム基板として（０００１）Ｃ面から１５度以上６０度以下の傾斜面を有するものを使用するとＩｎＧａＮ系においても結晶性の良好な窒化物半導体層が得られることが、それぞれ示されている。
【特許文献１】特開平１１−２３３３９１号公報
【特許文献２】特開２０００−２２３７４３号公報
【特許文献３】特開２００２−１６０００号公報
【特許文献４】特開２００２−３４４０８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述のような窒化ガリウム基板の（０００１）面から所定の傾斜面を有するものを使用して形成された窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子においては、結晶性の良好な窒化物系半導体層が得られるにしても、得られた窒化物化合物半導体系レーザ素子のスロープ効率が小さく、素子特性として問題があり、高光出力使用には適さないものが作製される場合があった。
【０００７】
本発明者等は、上記のスロープ効率が小さい窒化物化合物半導体レーザ素子が作成される原因を検討すべく種々実験を課させた結果、スロープ効率は基板の結晶成長面である（０００１）Ｇａ面の傾斜角度が、一方向に傾斜させる場合であっても２方向に傾斜させる場合であっても、所定の数値範囲から外れる場合に生じることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
【０００８】
すなわち、本発明は、従来技術のスロープ効率が小さい窒化物化合物半導体レーザ素子が作成されることがあるという問題点を解決すべくなされたものであり、スロープ効率が大きく、製造歩留まりが高く、バラツキが少なく、しかも高出力の青紫色の光を発する窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の上記目的は以下の構成により達成し得る。すなわち、請求項１に係る窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の発明は、窒化ガリウム基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子であって、前記窒化ガリウム基板の結晶成長面が（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向に、絶対値で０．０１５〜０．１６度の範囲で傾斜した面であり、かつ半導体レーザ素子のスロープ効率が０．６Ｗ／Ａ以上であることを特徴とする。
【００１０】
この場合、窒化ガリウム基板の結晶成長面の傾斜が（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向に、絶対値で０．０１５度未満ないしは０．１６度を越えると、窒化物半導体レーザ素子のスロープ効率が０．６Ｗ／Ａ以上とならない場合が生じる。より好ましくは０．０２度〜０．１５度である。このような窒化ガリウム基板の結晶成長面の傾斜角度範囲において安定的にスロープ効率が０．６Ｗ／Ａ以上の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子が得られることの理由は、現在のところまだ明確になっておらず、今後の研究を待つ必要があるが、以下の（１）及び（２）の理由によるものと推定される。
（１）特定のオフ角度の成長面の場合、成長する窒化ガリウム系化合物半導体結晶の結晶性が向上し、その結果、レーザ素子の活性層での発光効率が上昇し、窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子のスロープ効率も大きくなる。
（２）特定のオフ角度の成長面の場合、活性層であるＩｎを含んだ窒化ガリウム系化合物半導体結晶において、Ｉｎ原子が成長結晶内で偏在し易くなり、この結果、発光効率の上昇に結び付き、素子のスロープ効率も大きくなる。
【００１１】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子において、前記半導体レーザ素子の発振波長が３９５〜４１５ｎｍであることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項３に係る発明は、請求項１又は２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子において、前記半導体レーザ素子の共振器面が結晶の自然へきかい面であることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項４に係る発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子において、前記半導体レーザ素子の共振器面の出射面は端面コートが形成されておらず、前記共振器面の後面は反射率９０％以上の端面コートが形成されていることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項５に係る発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子において、前記半導体レーザ素子の共振器面の出射面は反射率１０％以下の端面コートが形成されており、前記共振器面の後面は反射率９０％以上の端面コートが形成されていることを特徴とする。
【００１５】
さらに、請求項６に係る窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の発明は、窒化ガリウム基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子であって、基板の結晶成長面は、（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向へのオフ角度をＡとし、（０００１）Ｇａ面の＜１１−２０＞方向へのオフ角度をＢとした場合、（Ａ2＋Ｂ2）の平方根が０．１０から０．１７の範囲にある面であり、かつ半導体レーザ素子のスロープ効率が０．６Ｗ／Ａ以上であることを特徴とする。
【００１６】
この場合、（Ａ2＋Ｂ2）の平方根が０．１０未満ないしは０．１７を越えると半導体レーザ素子のスロープ効率が０．６Ｗ／Ａを越えない場合が生じる。より好ましくは（Ａ2＋Ｂ2）の平方根は０．１１〜０．１６５である。この場合においても、請求項１に係る発明の場合と同様の理由で安定的にスロープ効率が０．６Ｗ／Ａ以上の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子が得られるものと推定される。
【００１７】
また、請求項７に係る発明は、請求項６に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子において、前記半導体レーザ素子の発振波長が３９５〜４１５ｎｍであることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項８に係る発明は、請求項６又は７に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子において、前記半導体レーザ素子の共振器面が結晶の自然へきかい面であることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項９に係る発明は、請求項６〜８のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子において、前記半導体レーザ素子の共振器面の出射面は端面コートが形成されておらず、前記共振器面の後面は反射率９０％以上の端面コートが形成されていることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項１０に係る発明は、請求項６〜８のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子において、前記半導体レーザ素子の共振器面の出射面は反射率１０％以下の端面コートが形成されており、前記共振器面の後面は反射率９０％以上の端面コートが形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、上記のような構成を備えることにより、以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、請求項１及び請求項６に係る窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の発明によれば、バラツキを考慮しても安定的にスロープ効率が０．６Ｗ／Ａ以上の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子が得られる。
【００２２】
また、請求項２及び請求項７に係る発明によれば、発振波長が３９５〜４１５ｎｍの青紫色範囲である場合により効果が顕著に現われる。
【００２３】
また、請求項３及び請求項８に係る発明によれば、共振器面を結晶の自然へきかい面にすることにより、窒化ガリウム系化合物レーザ素子の製造歩留りが大きく向上するため、工業的に本発明の効果をより顕著に利用できる。
【００２４】
また、請求項４及び請求項９に係る発明によれば、共振器面の出射面は端面コートが形成されておらず、共振器面の後面は反射率９０％以上の端面コートが形成されている半導体レーザ素子に対して本発明を適用することにより、光ピックアップへの応用時にノイズ特性を向上させることができるため、本発明の効果をより顕著に利用できる。
【００２５】
さらに、請求項５及び請求項１０に係る発明によれば、共振器面の出射面は反射率１０％以下の端面コートが形成されており、共振器面の後面は反射率９０％以上の端面コートが形成されている半導体レーザ素子に対して本本発明を適用することにより、より高い光出力を要求される用途の場合に適合できるため、本発明の効果をより顕著に利用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を実施するための最良の形態を実施例及び図面を用いて詳細に説明するが、以下に述べた実施例は、本発明の技術思想を具体化するための窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を例示するものであって、本発明をこの実施例に特定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。
＜実験例１＞
実験例１として、ＧａＮ基板の結晶成長面が（０００１）Ｇａ面が一方向に傾斜した場合について傾斜角度とスロープ効率との関係を調べた。まず、ＧａＮ基板の結晶成長面が（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向のへの傾斜角度が、０．００度（比較例１）、０．０２度（実施例１）、０．０５度（実施例２）、０．０７度（実施例３）、０．１０度（実施例４）、０．１２５度（実施例５）、０．１５度（実施例６）及び０．１８度（比較例２）である８種類の基板を用意し、これらの基板上にそれぞれ以下のようにして各半導体層を積層することにより８種類の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子１０を作製した。
【００２７】
まず、図１に示したように、ＧａＮ基板（１）上に、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）法により成長温度１１００℃、原料にＮＨ3、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ＧｅＨ4を用い、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層（２）を成長速度５Å／ｓｅｃで１．０μｍ成長させた。
【００２８】
その後、温度を下降させ、３周期構造ＭＱＷ活性層（３）のうちＩｎＧａＮ井戸層を、成長温度８００℃、原料にＮＨ3、トリメチルガリウム、トリメチルインジウムを用い、０．００３μｍ成長させ、次にＭＱＷ活性層（３）のうちＧａＮ障壁層を、原料にＮＨ3、トリメチルガリウムを用い０．０２μｍ成長させ、さらに、成長温度８００℃、原料にＮＨ3、トリメチルガリウム、トリメチルインジウムを用い、ＩｎＧａＮ光ガイド層（４）を０．１μｍ成長させた。
【００２９】
その後、成長温度８００℃、原料にＮＨ３、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウムを用い、ＡｌＧａＮキャップ層（５）を０．０２μｍ成長させ、次に、温度を上昇させ、成長温度１１００℃、原料にＮＨ3、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、シクロペンタジェニルマグネシウムを用い、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層（６）を成長速度５Å／ｓｅｃで０・５μｍ成長させた。そして、最後に、成長温度１１００℃、原料にＮＨ3、トリメチルガリウム、シクロペンタジェニルマグネシウムを用い、ｐ型ＧａＮコンタクト層（７）を０．００５μｍ成長を行った。
【００３０】
次に、電極プロセスを以下の手順で行った。まず、Ｐｔ／ＰｄからなるＰ型電極（８）を形成し、その後、ドライエッチングにより、電流狭窄部分であるリッジ（７、８）を形成し、次に、ＣＶＤ装置を用いてリッジ両側にＳｉＯ2膜（１０）を形成した。次に、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕからなるパッド電極（９）を形成し、基板の裏側を研磨してウエハを１５０μｍ程度の厚さにし、最後にＡｌ／Ｐｔ／Ａｕからなるｎ型電極（１１）を形成して、ウエハを完成させた。引き続いて、スクライブ工程を用いて素子分離し、図１に示す窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を完成させた。
【００３１】
完成した８種類の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子について、室温下で、アンコート状態で、それぞれ１０個ずつ特性評価を行い、その平均値を求めた。結果を（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向に傾斜した角度の絶対値とアンコートレーザ素子のスロープ効率（Ｗ／Ａ）の関係を図２に、また、それぞれの発振波長を表１にまとめて示した。
【００３２】
【表１】
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図２に示した結果によると、（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向に傾斜した角度の絶対値が０．０１５度〜０．１６度であればスロープ効率が０．６Ｗ／Ａ以上となることが分かる。この傾斜角度が０．０２度〜０．１５度であるとスロープ効率が０．７Ｗ／Ａ以上を期待できる。したがって、スロープ効率が０．６Ｗ／Ａ以上の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を得るには、（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向に傾斜した角度の絶対値が０．０１５度〜０．１６度が好ましく、より好ましくは０．０２度〜０．１５度である。
＜実験例２＞
実験例２として、ＧａＮ基板の結晶成長面が（０００１）Ｇａ面が２方向に傾斜した場合について傾斜角度とスロープ効率との関係を調べた。まず、ＧａＮ基板の結晶成長面が（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向へのオフ角度をＡとし、（０００１）Ｇａ面の＜１１−２０＞方向へのオフ角度をＢとした場合、（Ａ2＋Ｂ2）の平方根として、０．０５（比較例３）、０．０７（比較例４）、０．０９（比較例５）、０．１１（実施例７）、０．１２５（実施例８）、０．１４（実施例９）、０．１７（実施例１０）及び０．１８（比較例６）のこれらの基板上にそれぞれ実験例１の場合と同様にして各半導体層を積層することにより８種類の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子１０を作製した。
【００３３】
完成した８種類の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子について、室温下で、アンコート状態で、それぞれ１０個ずつ特性評価を行い、その平均値を求めた。結果をＧａＮ基板の結晶成長面が（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向へのオフ角度をＡとし、（０００１）Ｇａ面の＜１１−２０＞方向へのオフ角度をＢとした場合、（Ａ2＋Ｂ2）の平方根とアンコートレーザ素子のスロープ効率（Ｗ／Ａ）の関係を図３に、また、それぞれの発振波長を表２にまとめて示した。
【００３４】
【表２】
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図３に示した結果によると、前記（Ａ2＋Ｂ2）の平方根が０．１０〜０．１７であればスロープ効率が０．６Ｗ／Ａ以上となることが分かる。前記（Ａ2＋Ｂ2）の平方根が０．１１〜０．１６５であるとスロープ効率が０．７Ｗ／Ａ以上を期待できる。したがって、スロープ効率が０．６Ｗ／Ａ以上の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を得るには、前記（Ａ2＋Ｂ2）の平方根が０．１０〜０．１７が好ましく、より好ましくは０．１１度〜０．１６５である。
＜実施例１１、比較例７＞
実施例１１及び比較例７として、ＧａＮ基板の結晶成長面が（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向のへの傾斜角度が、０．１０度（実施例１１）及び０．３０度（比較例７）の基板を用意し、これらの基板上にそれぞれ実験例１の場合と同様にして各半導体層を積層することにより２種類の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を作製した。それぞれのスロープ効率及び発振波長は、１０素子の平均値として、実施例１１の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の場合は０．９Ｗ／Ａ及び４０４ｎｍとなり、比較例７の場合は０．２Ｗ／Ａ及び４０９ｎｍとなった。なお、実施例１１及び比較例７の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の発振波長については、他の例との比較のために、表１にもまとめて示した。
＜実施例１２、比較例８＞
実施例１１及び比較例８として、ＧａＮ基板の結晶成長面が（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向へのオフ角度をＡとし、（０００１）Ｇａ面の＜１１−２０＞方向へのオフ角度をＢとした場合、Ａ＝０．１１及びＢ＝０．０９であり、（Ａ2＋Ｂ2）の平方根が０．１４である基板（実施例１２）、及び、Ａ＝０．１４、Ｂ＝０．１６であり、（Ａ2＋Ｂ2）の平方根が０．２１である基板（比較例８）を用意し、これらの基板上にそれぞれ実験例１の場合と同様にして各半導体層を積層することにより２種類の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を作製した。それぞれのスロープ効率及び発振波長は、１０素子の平均値として、実施例１２の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の場合は１．０Ｗ／Ａ及び３９９ｎｍとなり、比較例８の場合は０．３Ｗ／Ａ及び４１２ｎｍとなった。なお、実施例１２及び比較例８の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の発振波長については、他の例との比較のために、表２にもまとめて示した。
【００３５】
なお、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子は、ＭＱＷ活性層の井戸層のＩｎ組成を変化させることにより発振波長を変えることができるが、その発振波長が３９５〜４１５ｎｍである場合により効果が顕著となる。
【００３６】
また、共振器面を結晶の自然へきかい面にすることにより、鏡面性の良好な共振器面が得られるために素子歩留りが大きく向上するので、工業的には本発明の効果をより顕著に利用できる。
【００３７】
また、共振器面の出射面は端面コートを形成しないと反射率は約２０％となるが、共振器面の後面に反射率９０％以上の端面コートを形成した半導体レーザ素子に対して本発明を適用すると、外部から出射面を経て入ってくる戻り光ノイズを低減できるので、光ピックアップへの応用時にノイズ特性を向上させることができ、本発明の効果をより顕著に利用できる。
【００３８】
また、共振器面の出射面は反射率１０％以下の端面コートを形成し、共振器面の後面は反射率９０％以上の端面コートを形成した半導体レーザ素子に対して本発明を適用すると、出射面の反射率が低いために外部に出射する光の割合が増え、より高出力が得られるから、本発明の効果をより顕著に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の拡大縦断面図である。
【図２】窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子におけるスロープ効率の＜１−１００＞方向オフ角度依存性を示す図である。
【図３】窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子におけるスロープ効率のオフ合成角度依存性を示す図である。
【図４】従来の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の拡大縦断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１    ＧａＮ基板
２    ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層
３    ＭＱＶ活性層
４    ＩｎＧａＮ光ガイド層
５    ＡｌＧａＮキャップ層
６    ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
７    ｐ型ＧａＮコンタクト層
８    ｐ型電極
９    パッド電極
１０    絶縁膜
１１    ｎ型電極
【図１】
2006210795.tif 000005
【図２】
2006210795.tif 000006
【図３】
2006210795.tif 000007
【図４】
2006210795.tif 000008