(57)【要約】【課題】所望のパターンが形成された転写層を形成する方法を提供する。【解決手段】フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、ペンタフルオロプロピレンおよびヘキサフルオロプロピレンからなる群から選ばれる少なくとも１種のフルオロオレフィンに基づく繰り返し単位と架橋性基とを含む熱可塑性の含フッ素重合体を含有する転写層に所望のパターンの反転パターンを有するモールドを押し付けて転写層に所望パターンを形成する工程および該モールドを転写層から離脱させる工程を具備する転写層にパターンを形成する方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、ペンタフルオロプロピレンおよびヘキサフルオロプロピレンからなる群から選ばれる少なくとも１種のフルオロオレフィンに基づく繰り返し単位と炭化水素系モノマーに基づく繰り返し単位とを含む熱可塑性の含フッ素重合体を含有する転写層に所望のパターンの反転パターンを有するモールドを押し付けて転写層に所望パターンを形成する工程および該モールドを転写層から離脱させる工程を具備することを特徴とする転写層にパターンを形成する方法。
【請求項２】
前記炭化水素系モノマーが、ビニルエーテル、ビニルエステル、アリルエーテル、炭化水素系オレフィン、アクリレートおよびメタクリレートからなる群から選ばれる少なくとも１種の炭化水素系モノマーである請求項１に記載の転写層にパターンを形成する方法。
【請求項３】
前記含フッ素重合体が、さらに架橋性基を有するモノマーに基づく繰り返し単位を含む含フッ素重合体である請求項１または２に記載の転写層にパターンを形成する方法。
【請求項４】
前記架橋性基を有するモノマーが、水酸基、カルボキシル基、アミド基、アミノ基、メルカプト基、グリシジル基、イソシアネート基および加水分解性シリル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の架橋性基を有するモノマーである請求項１〜３のいずれかに記載の転写層にパターンを形成する方法。
【請求項５】
前記所望パターンを形成する工程が、さらに前記含フッ素重合体を架橋させる工程を具備する請求項３または４に記載の転写層にパターンを形成する方法。
【請求項６】
前記モールドの反転パターンが凹凸構造を有し凸構造の配置される間隔が１０ｎｍ〜５００μｍである請求項１〜５のいずれかに記載の転写層にパターンを形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所望のパターンが形成された転写層を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体等の製造工程に用いる５００μｍ以下の微細パターン（以下、微細パターンと言う。）の形成方法として、簡易で安価に微細パターンを形成できるナノインプリント法（以下、ＮＩ法とも言う。）が注目されている。
【０００３】
ＮＩ法の形式として、熱可塑性樹脂からなる転写層を加熱して軟化させる工程、所望のパターンの反転パターンを有するモールドを該転写層に圧着させて該所望のパターンを転写層に形成する工程およびモールドを転写層から離脱させる工程を具備するＮＩ法が知られている（特許文献１参照。）。しかし前記離脱させる工程において、モールドの離脱が円滑に進行せず転写層に形成される微細パターンの形状が乱れる場合があった。モールドを転写層から容易に離脱させるために、モールドの表面に離型剤を塗布する方法と転写層に特定の含フッ素重合体を用いる方法が提案されている（特許文献２参照。）。
【０００４】
しかしモールドの表面に離型剤を塗布する方法は、塗布された離型剤の層の厚さが不均一になりやすく高精度な所望のパターンを転写層に効率よく形成できない。またモールドを繰返し使用する場合、モールドに離型剤を再塗布する必要があり生産効率が低い。
【０００５】
特許文献２に記載の転写層に特定の含フッ素重合体を用いる方法は、転写層からのモールドの離脱が未だ充分でなく転写層に形成される所望のパターンの形状を充分に保持できない。
【０００６】
【特許文献１】特表２００４−５０４７１８号公報
【特許文献２】特開２００２−１８４７１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、ナノインプリント法を用いて、表面にマイクロメートルまたはナノメートルスケールのパターンを有する特定の転写層を生産効率よく形成する方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、下記の発明を提供する。
［１］フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、ペンタフルオロプロピレンおよびヘキサフルオロプロピレンからなる群から選ばれる少なくとも１種のフルオロオレフィンに基づく繰り返し単位と炭化水素系モノマーに基づく繰り返し単位とを含む熱可塑性の含フッ素重合体を含有する転写層に所望のパターンの反転パターンを有するモールドを押し付けて転写層に所望パターンを形成する工程および該モールドを転写層から離脱させる工程を具備することを特徴とする転写層にパターンを形成する方法。
【０００９】
［２］前記炭化水素系モノマーが、ビニルエーテル、ビニルエステル、アリルエーテル、炭化水素系オレフィン、アクリレートおよびメタクリレートからなる群から選ばれる少なくとも１種の炭化水素系モノマーである［１］の転写層にパターンを形成する方法。
［３］前記含フッ素重合体が、さらに架橋性基を有するモノマーに基づく繰り返し単位を含む含フッ素重合体である［１］または［２］の転写層にパターンを形成する方法。
［４］前記架橋性基を有するモノマーが、水酸基、カルボキシル基、アミド基、アミノ基、メルカプト基、グリシジル基、イソシアネート基および加水分解性シリル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の架橋性基を有するモノマーである［１］〜［３］のいずれかの転写層にパターンを形成する方法。
【００１０】
［５］前記所望パターンを形成する工程が、さらに前記含フッ素重合体を架橋させる工程を具備する［３］または［４］の転写層にパターンを形成する方法。
［６］前記モールドの反転パターンが凹凸構造を有し凸構造の配置される間隔が１０ｎｍ〜５００μｍである［１］〜［５］のいずれかの転写層にパターンを形成する方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の方法によれば、ナノインプリント法における転写層として、操作性と離型性に優れる特定のフッ素重合体を用いるため、モールドを転写層から容易に離脱できる。そのため、転写層に所望の微細パターンを高精度に生産効率よく形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本明細書において、アクリル酸とメタクリル酸をまとめて（メタ）アクリル酸、アクリレートとメタクリレートをまとめて（メタ）アクリレート、とも記す。
【００１３】
本発明の方法における転写層は、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、ペンタフルオロプロピレンおよびヘキサフルオロプロピレンからなる群から選ばれる少なくとも１種のフルオロオレフィンに基づく繰り返し単位と炭化水素系モノマーに基づく繰り返し単位とを含む熱可塑性の含フッ素重合体（以下、単に含フッ素重合体という。）を含有する。
【００１４】
転写層は、モールドの離型性の観点から、含フッ素重合体を５０〜１００質量％含有するのが好ましく、含フッ素重合体を７０〜１００質量％含有するのがより好ましく、含フッ素重合体からなるのが特に好ましい。
【００１５】
転写層は、含フッ素重合体以外の他の成分（以下、他成分という。）を含有する場合、他成分を０質量％超５０質量％以下含有するのが好ましく、０質量％超３０質量％含有するのがより好ましい。他成分としては、後述の架橋剤、カーボンナノチューブ、カーボンファイバー、ダイヤモンド、フラーレン等の炭素材料、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ（メタ）アクリレート樹脂、シリコーン樹脂等の有機材料、シリカゲル、ガラスファイバー等の無機材料等が挙げられる。
【００１６】
含フッ素重合体中のフッ素含有量は、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましく、４５質量％以上が特に好ましい。また含フッ素重合体のガラス転移点温度は、０〜２００℃が好ましく、２０〜１５０℃が特に好ましい。この範囲において、転写層にモールドのパターンを形成しやすい。
【００１７】
含フッ素重合体中のフルオロオレフィンは、フッ化ビニリデン、クロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレンまたはヘキサフルオロプロピレンが好ましい。
【００１８】
含フッ素重合体中の炭化水素系モノマーは、ビニルエーテル（エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、（イソ）ブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル等。）、ビニルエステル（酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、（イソ）酪酸ビニル、吉草酸ビニル、シクロヘキサンカルボン酸ビニル、安息香酸ビニル等。）、アリルエーテル（エチルアリルエーテル、プロピルアリルエーテル、（イソ）ブチルアリルエーテル、シクロヘキシルアリルエーテル等。）、炭化水素系オレフィン（エチレン、プロピレン、イソブチレン等。）または（メタ）アクリレート（メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、（イソ）ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート等。）が好ましい。
【００１９】
含フッ素重合体中のフルオロオレフィンに基づく繰り返し単位（以下、単位Ａという。）の含有量は、１０〜９０モル％が好ましく、３０〜８０モル％が特に好ましい。炭化水素系モノマーに基づく繰り返し単位（以下、単位Ｂという。）の含有量は、９０〜１０モル％が好ましく、７０〜２０モル％が特に好ましい。
【００２０】
含フッ素重合体は、さらに架橋性基を有するモノマーに基づく繰り返し単位（以下、単位Ｃという。）を含む含フッ素重合体であるのが好ましい。この場合、該含フッ素重合体を架橋させることにより硬度と耐熱性により優れた転写層が得られる。該含フッ素重合体中の単位Ｃの含有量は、単位Ｃ／（単位Ａ＋単位Ｂ）のモル比で０．０１／１〜０．４／１であるのが好ましい。
【００２１】
架橋性基を有するモノマーは、水酸基、カルボキシル基、アミド基、アミノ基、メルカプト基、グリシジル基、イソシアネート基または加水分解性シリル基を有するモノマーが好ましい。該モノマーは、フッ素原子を有していてもよい。また、活性ハロゲン原子（たとえば、臭素、ヨウ素等が挙げられる。）を有するモノマーを用いてもよい。
【００２２】
水酸基を有するモノマーとしては、水酸基含有ビニルエーテル（ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシプロピルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、ヒドロキシシクロヘキシルビニルエーテル等。）、水酸基含有ビニルエステル（ヒドロキシ酢酸ビニル、ヒドロキシプロピオン酸ビニル、ヒドロキシ酪酸ビニル、ヒドロキシシクロヘキサンカルボン酸ビニル等。）、水酸基含有アリルエーテル（ヒドロキシエチルアリルエーテル、ヒドロキシプロピルアリルエーテル、ヒドロキシブチルアリルエーテル等。）、水酸基含有（メタ）アクリレート（たとえば２−ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート等。）等が挙げられる。
【００２３】
カルボキシル基を有するモノマーとしては、ウンデシレン酸、（メタ）アクリル酸、カルボキシル基含有ビニルエーテル、カルボキシル基含有アリルエーテル等が挙げられる。
【００２４】
アミド基を有するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸アミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
アミノ基を有するモノマーとしては、アミノ基含有ビニルエーテル、アミノ基含有アリルエーテル等が挙げられる。
グリシジル基を有するモノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート、グリシジルビニルエーテル、グリシジルアリルエーテル等が挙げられる。
イソシアネート基を有するモノマーとしては、ビニルイソシアネート、イソシアネートエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
加水分解性シリル基を有するモノマーとしては、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
【００２５】
本発明におけるモールドは、所望のパターンの反転パターンを有し、反転パターンが凸部と凹部を有するパターンであるのが好ましい。凸部の配置される間隔は、１ｎｍ〜５００μｍが好ましく、１ｎｍ〜５０μｍがより好ましい。凸部の幅は、１ｎｍ〜１００μｍが好ましく、１０ｎｍ〜１０μｍがより好ましい。凸部の高さは、１ｎｍ〜１００μｍが好ましく、１０ｎｍ〜１０μｍがより好ましい。
【００２６】
凸部の形状は、特に限定されない。たとえば、四角形状、円柱状、角柱状、三角錐状、多面体状、半球状等が挙げられる。また凸部の断面形状としては、断面四角形、断面三角形、断面半円形等が挙げられる。
【００２７】
本発明におけるモールドの材質は、特に限定されず、ニッケル、鉄、ステンレス鋼、ゲルマニウム、チタン、シリコン等の金属材料、ガラス、石英、アルミナ等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリ（メタ）アクリレート、ポリアリレート、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の高分子材料、ダイヤモンド、黒鉛等の炭素材料等が挙げられる。
【００２８】
本発明における転写層に所望のパターンの反転パターンを有するモールドを押し付けて転写層に所望パターンを形成する工程において、モールドおよび／または転写層は予め含フッ素重合体のガラス転移点温度以上に加熱されているのが好ましい。該工程における、モールドを押し付ける圧力は１〜２０ＭＰａ（ゲージ圧）が好ましい。
【００２９】
該工程は、さらに含フッ素重合体を架橋させる工程を具備するのが好ましい。この場合、硬度と耐熱性により優れた転写層を得られる。該工程は、含フッ素重合体中の架橋性基の種類によって適宜、熱または光照射を用いて行うのが好ましい。
架橋を光照射により行う場合、４００ｎｍ以下の波長光（紫外線、Ｘ線、γ線等の活性エネルギー線。）を照射するのが好ましく、２００〜４００ｎｍの波長光を照射するのが特に好ましい。この場合の系の温度は、０〜１５０℃が好ましく、０〜６０℃がより好ましい。架橋を熱により行う場合、系を５０〜３００℃に加熱するのが好ましく、１００〜２５０℃に加熱するのが特に好ましい。
【００３０】
含フッ素重合体の架橋は、含フッ素重合体の自己架橋であってもよく、架橋剤を用いた含フッ素重合体の架橋であってもよい。架橋剤は、含フッ素重合体中の架橋性基の種類によって適宜、決定できる。
【００３１】
架橋性基が水酸基である場合の架橋剤としては、イソシアネート基またはカルボキシル基を２以上有する化合物、メラミン樹脂等が挙げられる。
架橋性基がカルボキシル基である場合の架橋剤としては、水酸基、アミノ基、イソシアネート基またはグリシジル基を２以上有する化合物等が挙げられる。
架橋性基がアミノ基である場合の架橋剤としては、カルボキシル基、グリシジル基、イソシアネート基または２以上有する化合物が挙げられる。
架橋性基がグリシジル基である場合の架橋剤としては、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、イソシアネート基またはヒドラジド基を２以上有する化合物が挙げられる。
架橋性基がイソシアネート基である場合の架橋剤としては、水酸基、カルボキシル基またはアミノ基を２以上有する化合物が挙げられる。
【００３２】
イソシアネート基を２以上有する化合物としては、ブロック化イソシアネート（イソホロンジソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等。）、ブロック化イソシアネートの２量体または３量体、多価アルコール（トリメチロールプロパン等。）またはブロック化剤（ε−カプロラクタム、フェノール、ベンジルアルコール、メチルエチルケトンオキシム等。）で変性したポリイソシアネート等が挙げられる。
【００３３】
カルボキシル基を２以上有する化合物としては、フマル酸、コハク酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカン二酸等の脂肪族二塩基酸、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸等の酸無水物、酸価を有する、ポリエステル樹脂またはポリ（メタ）アクリル樹脂等が挙げられる。
【００３４】
グリシジル基を２以上有する化合物としては、テレフタル酸ジグリシジルエステル、パラオキシ安息香酸ジグリシジルエステル、トリグリシジルイソシアネート、スピログリコールジグリシジルエーテル、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。
水酸基を２以上有する化合物としては、１，４−ビス−２'−ヒドロキシエトキシベンゼン、ビスヒドロキシエチルテレフタレート、スチレン／アリルアルコール系共重合体、スピログリコール、水酸基価を有する、ポリエステル樹脂またはポリ（メタ）アクリル樹脂等が挙げられる。
【００３５】
また架橋剤として、ジシアンジアミド、ジシアンジアミド誘導体、イミダゾール、イミダゾール誘導体、二塩基酸ジヒドラジド、ジアミノジフェニルメタン、環状アミジン、ヒダントイン等を用いてもよい。
【００３６】
本発明におけるモールドを転写層から離脱させる工程において、系の温度は０〜１００℃が好ましく、０〜５０℃が特に好ましい。この場合、転写層のパターン形状を保持したままモールドを離脱できる。
【００３７】
本発明の実施形態の１例を、下記第１工程、下記第２工程および下記第３工程を具備する方法で説明する。
第１工程は、横方向にＬ２の幅、縦方向にＬ３の高さを有する凸構造がＬ１の等間隔で配置されたパターンを有するモールドを、基材に形成された含フッ素重合体を含有する転写層に押し付けて転写層にモールドのパターンが反転された所望のパターンを形成する工程である。ここで、転写層は予め含フッ素重合体の軟化温度以上に加熱されている。
第２工程は、モールドを転写層に押し付けた状態で、含フッ素重合体を架橋させる工程である。
第３工程は、系を冷却してからモールドを転写層から離脱する工程である。モールドが離脱した後の転写層には、横方向にＬ１の幅、縦方向にＬ３の深さを有する凸構造がＬ２の間隔で配置される所望のパターンを表面に有する、含フッ素重合体が架橋した転写層が得られる。本発明において、操作性と離型性に優れる含フッ素重合体を含有する転写層を用いるため、得られる転写層に精度高いモールドの反転パターンを形成できる。
【実施例】
【００３８】
以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００３９】
フルオロモノマーとして用いた、クロロトリフルオロエチレンをＣＴＦＥと、テトラフルオロエチレンをＴＦＥと、ヘキサフルオロプロピレンをＨＦＰと、記す。
【００４０】
炭化水素系モノマーとして用いた、シクロヘキシルビニルエーテルをＣＨＶＥと、エチルビニルエーテルをＥＶＥと、メタクリル酸メチルをＭＭＡと、アルキルビニルエステル（ジャパンエポキシレジン社製、商品名「Ｖｅｏｖａ１０」）をＡＶＥと、記す。
【００４１】
架橋性基を有するモノマーとして用いた、ヒドロキシブチルビニルエーテルをＨＢＶＥと、グリシジルビニルエーテルをＧＶＥと、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランをＴｍＳｉＭＡと、記す。
【００４２】
実施例において、含フッ素重合体として重合体１、重合体２、重合体３、重合体４および重合体５を用いた。重合体１〜５は、それぞれ、フルオロオレフィンに基づく繰り返し単位、炭化水素系モノマーに基づく繰り返し単位および架橋性基を有するモノマーに基づく繰り返し単位を、下記表１の割合（モル％）で含む。
【００４３】
【表１】
2006210601.tif 000002
【００４４】
［例１］微細パターンの形成例（その１）
固形分濃度が５０質量％の重合体１を含む溶液をキシレンで希釈して固形分濃度を１質量％に調製した溶液を、石英基板上にスピンコート法を用いて塗布し１００℃で１分間乾燥して、重合体１からなる層（厚さ１０μｍ）が形成された石英基板を得る。
【００４５】
つぎに幅が８０ｎｍ、深さ４００ｎｍの凸構造が１６０ｎｍの間隔で配置されたニッケル製のモールドを、１２０℃に加熱してから石英基材の層側に圧着させる。圧着における圧力は１０ＭＰａ（ゲージ圧）である。
【００４６】
つづいてモールドと石英基板を２５℃以下に冷却してからモールドを離脱して、モールドのパターンが反転した凹凸構造を有するパターンが表面に形成された重合体１からなる層を有する石英基板を得る。該パターンの凸構造を下記表２に示す。
【００４７】
［例２］微細パターンの形成例（その２）
重合体１の代わりに重合体２を用いる以外は、例１と同様の方法を用いて、モールドのパターンが反転した凹凸構造を有するパターンが表面に形成された重合体２からなる層を有する石英基板を得る。該パターンの凸構造を下記表２に示す。
【００４８】
［例３］微細パターンの形成例（その３）
重合体１の代わりに重合体３を用いる以外は、例１と同様の方法を用いて、モールドのパターンが反転した凹凸構造を有するパターンが表面に形成された重合体３からなる層を有する石英基板を得る。該パターンの凸構造を下記表２に示す。
【００４９】
［例４］微細パターンの形成例（その４）
固形分濃度が５０質量％の重合体１を含む溶液に、ヘキサメチレンジイソシアネートの３量体をブロック化した架橋剤（日本ポリウレタン社製、商品名「Ｃ−２５０７」）を、重合体１中の水酸基量に対して架橋剤中のイソシアネート基量がモル比で１となる量混合する。溶液をキシレンで希釈して固形分濃度を１質量％に調製した溶液を、石英基板上にスピンコート処理して、重合体１と架橋剤からなる層（厚さ１０μｍ）が形成された石英基板を得る。
【００５０】
つぎに例１と同じモールドを１２０℃に加熱してから石英基材の層側に圧着させる。圧着は、３０分間以上行って重合体１を架橋させる。圧着における圧力は１０ＭＰａ（ゲージ圧）である。
【００５１】
つづいてモールドと石英基板を２５℃以下に冷却してからモールドを離脱して、モールドのパターンが反転した凹凸構造を有するパターンが表面に形成された、架橋された重合体１からなる層を有する石英基板を得る。該パターンの凸構造を下記表２に示す。
【００５２】
［例５］微細パターンの形成例（その５）
固形分濃度が５０質量％の重合体４を含む溶液をキシレンで希釈して固形分濃度を１質量％に調製した溶液を、石英基板上にスピンコート法を用いて塗布し６０℃で１分間乾燥して、重合体４からなる層（厚さ１０μｍ）が形成された石英基板を得る。
【００５３】
つぎに例１と同じモールドを、１８０℃に加熱してから石英基材の層側に圧着させる。圧着は６０分間以上行って重合体１を架橋させる。圧着における圧力は５ＭＰａ（ゲージ圧）である。
【００５４】
つづいてモールドと石英基板を２５℃以下に冷却してからモールドを離脱して、モールドのパターンが反転した凹凸構造を有するパターンが表面に形成された、架橋された重合体４からなる層を有する石英基板を得る。該パターンの凸構造を下記表２に示す。
【００５５】
［例６］微細パターンの形成例（その５）
重合体５の１００部と架橋剤として無水フタル酸の５部を混合してから、メチルエチルケトンに溶解させて固形分濃度１％のポリマー溶液を得る。ポリマー溶液を石英基板上にスピンコート処理して、重合体５と架橋剤からなる層（厚さ１０μｍ）が形成された石英基板を得る。
【００５６】
つぎに例１と同じモールドを、１８０℃に加熱してから石英基材の層側に圧着させる。圧着は６０分間以上行って重合体５を架橋させる。圧着における圧力は５ＭＰａ（ゲージ圧）である。
【００５７】
つづいてモールドと石英基板を２５℃以下に冷却してからモールドを離脱して、モールドのパターンが反転した凹凸構造を有するパターンが表面に形成された、架橋された重合体５からなる層を有する石英基板を得る。該パターンの凸構造を下記表２に示す。
【００５８】
【表２】
2006210601.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明によれば、切削法、超音波法、レーザー加工法、フォトリソグラフィー法等の従来の微細パターンの加工方法に代替する、特定の含フッ素重合体を含有する転写層に微細パターンを形成する方法が提供される。本発明の方法により得られる転写層は、その微細パターンの形状によって、光学素子（マイクロアレイレンズ、光導波路、光スイッチング素子、バイナリー光学素子、フォトニクス結晶等。）、反射防止フィルター、バイオチップ、マイクロリアクターチップ、記録メディア基材、触媒担持体等として有用である。