(57)【要約】【課題】ＳｉＯＣ膜などのシリコン系の低誘電率膜がプラズマ処理に伴って受けたダメージを回復する方法を得ることにある。【解決手段】ダメージを受けたシリコン系の低誘電率膜に対して、シリコン化合物またはハイドロカーボンからなる回復剤を液状または気体状で接触させる。接触を加熱下で行うことあるいは接触をプラズマ雰囲気下で行うことが好ましい。回復剤には、例えばＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６、ＣＨ４，Ｃ２Ｈ６，Ｃ３Ｈ８，が用いられる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、ダメージを受けたシリコン系低誘電率膜に対して、シリコン化合物またはハイドロカーボンからなる回復剤を液状または気体状で接触させることを特徴とする低誘電率膜のダメージ回復法。
【請求項２】
接触を加熱下で行うことを特徴とする請求項１記載の低誘電率膜のダメージ回復法。
【請求項３】
接触をプラズマ雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１記載のダメージ回復法。
【請求項４】
ダメージがプラズマ処理に伴うものであることを特徴とする請求項１記載のダメージ回復法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板上に形成され、プラズマエッチング処理などによってダメージを受けた低誘電率膜表面のダメージを回復する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩなどの半導体集積装置にあっては、その高速化、省電力化などのために、層間絶縁膜などの絶縁膜として、比誘電率が４以下のＳｉＯＣ膜、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＦ膜などからなる低誘電率膜が用いられつつある。
このような低誘電率膜では、膜自体が多孔質で、その機械的強度が低く、プラズマ耐性が低い。
【０００３】
このため、この種の低誘電率膜が次ぎにプラズマエッチング処理などのプラズマ処理を受けると、このプラズマ処理に伴って、低誘電率膜を構成するシロキサン結合のＳｉ−Ｏ骨格に結合したメチル基などの有機基が切断され、これに雰囲気中の微量な水分が結合してシラノール基が生成する。このシラノール基の生成によって、低誘電率膜の比誘電率が上昇する。さらには、シラノール基の生成に起因して低誘電率膜中に取り込まれた水分により、配線に使用する銅が低誘電率膜に拡散し、配線腐食の要因になるなどのダメージを受ける。
【０００４】
このようなダメージは、シラノール基の生成により、絶縁膜表面が疎水性から親水性に変化するため、その接触角の測定や赤外分光分析などによって確認できる。
そして、このような膜表面の変化に起因して、膜の比導電率が大きくなったり、あるいは配線が腐食されやすくなるため、このようなダメージを回復する方策が広く望まれていた。
【非特許文献１】半導体・集積回路技術  第６７回  シンポジウム講演論文集    電気化学会電子材料委員会  平成１６年１２月９日発行  第４２〜４５頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
よって、本発明における課題は、このような低誘電率膜が受けたダメージを回復する方法を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
かかる課題を解決するため、
請求項１にかかる発明は、基板上に形成され、ダメージを受けたシリコン系低誘電率膜に対して、シリコン化合物またはハイドロカーボンからなる回復剤を液状または気体状で接触させることを特徴とする低誘電率膜のダメージ回復法である。
【０００７】
請求項２にかかる発明は、接触を加熱下で行うことを特徴とする請求項１記載の低誘電率膜のダメージ回復法である。
請求項３にかかる発明は、接触をプラズマ雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１記載のダメージ回復法である。
請求項４にかかる発明は、ダメージがプラズマ処理に伴うものであることを特徴とする請求項１記載のダメージ回復法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、低誘電率膜がダメージを受けた際に生成したシラノール基が再びメチル基などの疎水性の有機基に置換される結果、シラノール基が消滅する。このため、低誘電率膜表面がプラズマ処理以前の状態に復帰し、比誘電率も本来の低い値に戻り、腐食の恐れも軽減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を詳しく説明する。
本発明のダメージ回復法の対象となる低誘電率膜としては、メチルシルセスキシオキサンなどの有機塗布系材料を用い塗布法により成膜した有機ＳＯＧ膜、原料化合物としてモノメチルシラン、ジメチルシランなどの有機シラン化合物を用いてＣＶＤ法により成膜したＳｉＯＣ膜、水素化シルセスキオキサンなどの無機系塗布材料を用い成膜した無機ＳＯＧ膜、シラン、テトラエトキシシランなどのシランまたは有機シラン化合物、四フッ化ケイ素、四フッ化炭素などのフッ化化合物と酸素、亜酸化窒素などの酸素含有化合物からなる原料化合物を用いてＣＶＤ法により成膜したＳｉＯＦ膜などの比誘電率が４以下のシリコン系の低誘電率膜である。
【００１０】
そして、このような低誘電率膜がプラズマエッチング処理、レジスト剥離処理などのプラズマ処理を受けることで、低誘電率膜を形成する分子中のシロキサン結合のＳｉ−Ｏ骨格に結合したメチル基等の有機基の結合の一部が切断されて離脱し、そこに雰囲気中の微量な水分が反応し、シラノール基が生成した低誘電率膜がダメージ回復の対象となる。
このような低誘電率膜表面のダメージの程度は、その表面に滴下した純水の接触角を測定することや赤外分光分析で定量的に確認される。
【００１１】
本発明のダメージ回復法は、このようなダメージを受けた低誘電率膜を対象とし、シリコン化合物またはハイドロカーボンからなる回復剤を液状または気体状で低誘電率膜に接触させるものである。
【００１２】
本発明のダメージ回復方法に用いられる回復剤をなすシリコン化合物としては、ＳｉｎＨ２ｎ＋２（ｎ＝１〜４），ＳｉｘＨｙ（ＣＨ３）ｚ（ｘ＝１〜４，ｙ＝０〜９，ｚ＝１〜１０），ＳｉｘＨｙ（Ｃ２Ｈ５）ｚ（ｘ＝１〜４，ｙ＝０〜９，ｚ＝１〜１０），ＳｉｘＨｙ（Ｃ３Ｈ７）ｚ（ｘ＝１〜４，ｙ＝０〜９，ｚ＝１〜１０）、ＳｉｘＨｙ（Ｃ４Ｈ９）ｚ（ｘ＝１〜４，ｙ＝０〜９，ｚ＝１〜１０），ＳｉｘＨｙ（Ｃ２Ｈ３）ｚ（ｘ＝１〜４，ｙ＝０〜９，ｚ＝１〜１０），ＳｉａＯｂＨｃ（ＣＨ３）ｄ（ａ＝１〜４，ｂ＝１〜４，ｃ＝０〜４，ｄ＝５〜８），ＳｉａＯｂＨｃ（Ｃ２Ｈ５）ｄ（ａ＝１〜４，ｂ＝１〜４，ｃ＝０〜４，ｄ＝５〜８），ＳｉａＯｂＨｃ（Ｃ３Ｈ７）ｄ（ａ＝１〜４，ｂ＝１〜４，ｃ＝０〜４，ｄ＝５〜８），ＳｉａＯｂＨｃ（Ｃ４Ｈ１０）ｄ（ａ＝１〜４，ｂ＝１〜４，ｃ＝０〜４，ｄ＝５〜８），ＳｉａＯｂＨｃ（Ｃ２Ｈ３）ｄ（ａ＝１〜４，ｂ＝１〜４，ｃ＝０〜４，ｄ＝５〜８）などである。これら化合物に含まれる水素原子Ｈの一部または全部が重水素Ｄに置換されていてもよい。
【００１３】
また、これらのシリコン化合物は、その水素原子の一部または全部が塩素、ヨウ素、フッ素、臭素などのハロゲン原子で置換されていてもよい。また、分子内にアルコキシ基を有するシリコン化合物でもよく、そのアルコキシ基には、メトキシ基、エトキシ基、プロピオキシ基などが挙げられる。また、ビニル基、アミノ基、水酸基を有するシリコン化合物であってもよい。
【００１４】
具体的なシリコン化合物には、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８，Ｓｉ４Ｈ１０，ＳｉＨ（ＣＨ３）３，ＳｉＨ２（ＣＨ３）２，ＳｉＨ３（ＣＨ３），Ｓｉ（ＣＨ３）４，Ｓｉ２Ｈ（ＣＨ３）５，Ｓｉ２Ｈ２（ＣＨ３）４，Ｓｉ２Ｈ３（ＣＨ３）３，Ｓｉ２Ｈ４（ＣＨ３）２，Ｓｉ２Ｈ５ＣＨ３，Ｓｉ２（ＣＨ３）６、ＣＨＳｉ２Ｏ（ＣＨ３）６，Ｓｉ３Ｏ２（ＣＨ３）８，Ｓｉ３Ｏ３（ＣＨ３）６，Ｓｉ４Ｏ４Ｈ４（ＣＨ３）４、ＳｉＦ２（ＣＨ３）２，ＳｉＦ（ＣＨ３）３，ＳｉＦ３（ＣＨ３）、ＳｉＣｌ２（ＣＨ３）２，ＳｉＣｌ（ＣＨ３）３，ＳｉＣｌ３（ＣＨ３）、ＳｉＢｒ２（ＣＨ３）２、ＳｉＢｒ（ＣＨ３）３、ＳｉＢｒ３（ＣＨ３）、ＳｉＩ２（ＣＨ３）２、ＳｉＩ（ＣＨ３）３、ＳｉＩ３（ＣＨ３）、Ｓｉ（ＣＨ３）（ＣＨ３Ｏ）３，Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ３Ｏ）２，Ｓｉ（ＣＨ３）３（ＣＨ３Ｏ），Ｓｉ（ＣＨ３Ｏ）４，Ｓｉ（ＣＨ３）（Ｃ２Ｈ５Ｏ）３，Ｓｉ（ＣＨ３）２（Ｃ２Ｈ５Ｏ）２，Ｓｉ（ＣＨ３）３（Ｃ２Ｈ５Ｏ），Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５Ｏ）４  ，Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）（ＣＨ３Ｏ）３，Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）２（ＣＨ３Ｏ）２，Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）３（ＣＨ３Ｏ）、ＳｉＨ（Ｃ２Ｈ５）３、ＳｉＨ２（Ｃ２Ｈ５）２、ＳｉＨ３（Ｃ２Ｈ５）、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４、Ｓｉ２Ｈ（Ｃ２Ｈ５）５、Ｓｉ２Ｈ２（Ｃ２Ｈ５）４、Ｓｉ２Ｈ３（Ｃ２Ｈ５）３、Ｓｉ２Ｈ４（Ｃ２Ｈ５）２、Ｓｉ２Ｈ５Ｃ２Ｈ５、Ｓｉ２（Ｃ２Ｈ５）６、Ｓｉ２Ｏ（Ｃ２Ｈ５）６、Ｓｉ３Ｏ２（Ｃ２Ｈ５）８、Ｓｉ３Ｏ３（Ｃ２Ｈ５）６、Ｓｉ４Ｏ４Ｈ４（Ｃ２Ｈ５）４、ＳｉＦ２（Ｃ２Ｈ５）２、ＳｉＦ（Ｃ２Ｈ５）３、ＳｉＦ３（Ｃ２Ｈ５），ＳｉＣｌ２（Ｃ２Ｈ５）２、ＳｉＣｌ（Ｃ２Ｈ５）３、ＳｉＣｌ３（Ｃ２Ｈ５）、ＳｉＢｒ２（Ｃ２Ｈ５）２、ＳｉＢｒ（Ｃ２Ｈ５）３、ＳｉＢｒ３（Ｃ２Ｈ５）、ＳｉＩ２（Ｃ２Ｈ５）２、ＳｉＩ（Ｃ２Ｈ５）３、ＳｉＩ３（Ｃ２Ｈ５）、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）（ＣＨ３Ｏ）３、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）２（Ｃ２Ｈ５Ｏ）２、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）３（ＣＨ３Ｏ）、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５Ｏ）４、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ２Ｈ５Ｏ）３、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）２（Ｃ２Ｈ５Ｏ）２、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）３（Ｃ２Ｈ５Ｏ）、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５Ｏ）４、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）（Ｃ２Ｈ５Ｏ）３、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）２（Ｃ２Ｈ５Ｏ）２、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）３（Ｃ２Ｈ５Ｏ）などがある。
【００１５】
ハイドロカーボンとしては、ＣｎＨ２ｎ＋２（ｎ＝１〜８），ＣｎＨ２ｎ（ｎ＝２〜８），ＣｎＨ２ｎ−２（ｎ＝２〜８）などであり、これら化合物は、その水素原子の一部または全部が塩素、ヨウ素、臭素、フッ素などのハロゲン原子で置換されていてもよい。また、分子内にアルコキシ基を有する化合物でもよく、そのアルコキシ基には、メトキシ基、エトキシ基、プロピオキシ基などが挙げられる。また、ビニル基、アミノ基、水酸基を有するハイドロカーボンでもよい。さらにこれら化合部に含まれる水素原子Ｈの一部または全部が重水素Ｄに置換されていてもよい。
【００１６】
具体的なハイドロカーボンには、ＣＨ４，Ｃ２Ｈ６，Ｃ３Ｈ８，Ｃ４Ｈ１０，Ｃ５Ｈ１２、Ｃ２Ｈ４，Ｃ３Ｈ６，Ｃ４Ｈ８，Ｃ５Ｈ１０，Ｃ２Ｈ２，Ｃ３Ｈ４，Ｃ４Ｈ６，Ｃ５Ｈ８、ＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｈ５Ｆ、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、ＣＨ３Ｃｌ、ＣＨ２Ｃｌ２、ＣＨＣｌ３、Ｃ２Ｈ５Ｃｌ、Ｃ２Ｈ４Ｃｌ２、Ｃ２Ｈ３Ｃｌ３、ＣＨ３Ｂｒ、ＣＨ２Ｂｒ２、ＣＨＢｒ３、Ｃ２Ｈ５Ｂｒ、Ｃ２Ｈ４Ｂｒ２、Ｃ２Ｈ３Ｂｒ３、ＣＨ３Ｉ、ＣＨ２Ｉ２、ＣＨＩ３、Ｃ２Ｈ５Ｉ、Ｃ２Ｈ４Ｉ２、Ｃ２Ｈ３Ｉ３、ＣＨ３ＯＨ、ＣＨ２（ＯＨ）２、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、Ｃ２Ｈ４（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＯＣＨ３）、ＣＨ２（ＯＣＨ３）２、Ｃ２Ｈ５（ＯＣＨ３）、Ｃ２Ｈ４（ＯＣＨ３）２、ＣＨ３（ＯＣ２Ｈ５）、ＣＨ２（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ２Ｈ５（ＯＣ２Ｈ５）、Ｃ２Ｈ４（ＯＣ２Ｈ５）、ＣＨ３（Ｃ２Ｈ５）、ＣＨ２（Ｃ２Ｈ３）２、Ｃ２Ｈ５（Ｃ２Ｈ３）、Ｃ２Ｈ４（Ｃ２Ｈ３）、ＣＨ３（ＮＨ２）、ＣＨ２（ＮＨ２）２、Ｃ２Ｈ５（ＮＨ２）、Ｃ２Ｈ４（ＮＨ２）２などがある。
【００１７】
つぎに、回復方法の具体例を説明する。
まず、シリコン基板などの基板上に、層間絶縁膜などの絶縁膜としてＳｉＯＣ膜などの厚さ１００〜１０００ｎｍのシリコン系の低誘電率膜を形成する。この基板には、予め低誘電率膜の下側にトランジスタ層、配線層などが設けられていてもよい。
次ぎに、この基板をプラズマ処理装置の反応室内に収容し、基板上の低誘電率膜に対してプラズマエッチング処理などのプラズマ処理を施す。このプラズマ処理により低誘電率膜は上述のようにダメージを受ける。
【００１８】
このダメージは、低誘電率膜の表面から厚さの３０％程度の深さにまで達していることが多い。
このような低誘電率膜を有する基板をそのままプラズマ処理装置の反応室内に置き、反応室内に前記回復剤を液状または気体状で導入し、基板上の低誘電率膜に接触させる。
【００１９】
回復剤を気体状で導入する場合には、反応室内の圧力を２５０Ｐａ〜０．１ＭＰａ程度とし、導入量流量を、１０〜１００ｓｃｃｍ程度とし、回復剤または低誘電率膜の温度を２０〜４５０℃程度とする。また、接触時間は、０．１分〜６０分程度とされる。
【００２０】
この接触の際に、プラズマ処理装置を動作させて、回復剤を励起状態として低誘電率膜と接触させてもよい。また、反応室の上流側で回復剤をプラズマ処理し、励起状態の回復剤を反応室内に導入してもよい。この時のプラズマ源としては、周波数２．４５ＭＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）、誘導結合型プラズマ（ＩＰＣ）、マグネトロン型プラズマ、電子サイクロン共鳴型プラズマ（ＥＣＲ）などが用いられる。
【００２１】
接触後、反応室内にアルゴンなどの不活性ガスを送り込んで、気体状の回復剤を反応室から排出し、同時に低誘電率膜の表面をこの不活性ガスで洗浄する。
その後、この基板を次工程に移送する。
【００２２】
また、回復剤を液状で反応室内に導入し、液状で低誘電率膜に接触させる場合には、回復剤として常温での蒸気圧が低いシリコン化合物、例えばジメチルジクロロシラン、ジエトキシジエチルシランなどを反応室内の基板上に液滴状として噴霧し、基板上の低誘電率膜の表面を回復剤で濡らし、接触させる。この時、基板を加熱して、低誘電率膜を５０〜４５０℃に加温しておくこともできる。圧力は、減圧ないし常圧でよく、接触時間は０．１分〜６０分程度で十分である。
【００２３】
接触後、反応室から基板を取り出し、イソプロピルアルコール、純水などで低誘電率膜を洗浄したのち、基板を次工程に移送する。
【００２４】
このような回復法によれば、ダメージを受けた低誘電率膜に生成しているシラノール基が、回復剤中の有機基に置換され、膜を構成するシロキサン結合のＳｉ−Ｏ骨格に有機基が結合し、原状に復帰する。このため、回復後の低誘電率膜は本来の低い比誘電率を持つものとなり、また膜が腐食する恐れも低減される。
【００２５】
この回復は、回復処理条件によって異なるが、低誘電率膜の内、ダメージを受けた深さ方向の領域のほぼ全域で達成される。
この低誘電率膜の回復は、上述のように、低誘電率膜と純水との接触角を測定することにより容易に確認され、また赤外分光測定によっても確認される。
【００２６】
この例では、プラズマ処理後の基板をそのままプラズマ処理装置の反応室内に置いておき、これに引き続いて反応室内で回復剤と接触させているが、これ以外にプラズマ処理後の基板をプラズマ処理装置の反応室から取り出し、別途設けた回復のための処理室内に移して回復処置を取ることもできる。
【００２７】
以下、具体例を示す。
（実施例１）
低誘電率膜として、ＣＶＤ法によりＳｉウェーハー上に厚さ５００ｎｍに成膜したＳｉＯＣ膜を用いた。この低誘電率膜に平行平板方式のＲＦプラズマによりプラズマ処理を施し、プラズマダメージを与えたサンプル膜を製作した。プラズマ処理条件は、酸素を５００ｓｃｃｍ流通させ、処理室の圧力は４００Ｐａとした。この時のＲＦパワーは５００Ｗ、処理時間は５分である。
【００２８】
このプラズマダメージを与えたサンプル膜に対して、ハロゲンを含むシリコン化合物としてジクロロジメチルシランを１分間、液状で、膜温度２０℃の条件で接触させ、洗浄したのちフーリエ変換型赤外線分析計にて膜の赤外吸収スペクトルを測定したところ、図１に示されるように３７５０ｃｍ−１に吸収を持つサンプル表面の水酸基が除去されたことが確認された。
また、純水との接触角は、図７に示すように９０°となり疎水性に回復していることが明らかとなった。なお、図７において、符号１は測定台を、符号２はＳｉウェーハーを、符号３は水滴を示す。
【００２９】
（実施例２）
実施例１で作製したプラズマダメージサンプル膜に対して、アルコキシ基を含むシリコン化合物としてジメトキシジメチルシランを１分間、気体状で、膜温度２０℃の条件で接触させ、洗浄したのちフーリエ変換型赤外線分析計にて赤外吸収スペクトルを測定したところ、図２に示すように、３７５０ｃｍ−１に吸収を持つサンプル表面の水酸基が除去されたことが確認された。
【００３０】
（実施例３）
実施例１で作製したプラズマダメージサンプル膜に対して、アルコキシ基を含むシリコン化合物としてジエトキシジメチルシランを１分間、気体状で、膜温度２０℃の条件で接触させ、洗浄したのちフーリエ変換型赤外線分析計にて赤外吸収スペクトルを測定したところ、図３に示すように、３７５０ｃｍ−１に吸収を持つサンプル表面の水酸基が除去されたことが確認された。
【００３１】
（実施例４）
実施例１で作製したプラズマダメージサンプル膜に対して、アルコキシ基を含むシリコン化合物としてジビニルジメチルシランを１分間気体状で、膜温度２０℃の条件で接触させ、洗浄したのちフーリエ変換型赤外線分析計にて赤外吸収スペクトルを測定したところ、図４に示すように３７５０ｃｍ−１に吸収を持つサンプル表面の水酸基が除去されたことが確認された。
【００３２】
（実施例５）
実施例１で作製したプラズマダメージサンプル膜に対して、塩素を含むハイドロカーボンとしてモノクロロエタンを１分間気体状で、膜温度２０℃の条件で接触させ、洗浄したのちフーリエ変換型赤外線分析計にて赤外吸収スペクトルを測定したところ、図５に示すように３７５０ｃｍ−１に吸収を持つサンプル表面の水酸基が除去されたことが確認された。
【００３３】
（比較例１）
実施例１で作製したプラズマダメージサンプル膜に対して回復処理を行わず２日間大気中に放置しフーリエ変換型赤外線分析計にて赤外吸収スペクトルを測定したところ、図６に示すように３７５０ｃｍ−１に吸収を持つサンプル表面の水酸基が増加したことが確認された。
また、図８に示すように、純水との接触角測定は３７°となり疎水性から親水性への変化が見られた。なお、図８において、符号１は測定台を、符号２はＳｉウェーハーを、符号３は水滴を示す。
【００３４】
これらの具体例の結果から、プラズマ処理によりダメージを受けた低誘電率膜に、シリコン化合物を接触させることにより元の特性に復帰することが明らかになった。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施例１におけるジクロロジメチルシランによりダメージ回復した赤外吸収スペクトルからプラズマダメージサンプル製作直後の赤外吸収スペクトルを減算した差スペクトルを示すグラフである。
【図２】実施例２におけるジメトキシジメチルシランによりダメージ回復した赤外吸収スペクトルからプラズマダメージサンプル製作直後の赤外吸収スペクトルを減算した差スペクトルを示すグラフである。
【図３】実施例３におけるジエトキシジメチルシランによりダメージ回復した赤外吸収スペクトルからプラズマダメージサンプル製作直後の赤外吸収スペクトルを減算した差スペクトルを示すグラフである。
【図４】実施例４におけるジビニルジメチルシランによりダメージ回復した赤外吸収スペクトルからプラズマダメージサンプル製作直後の赤外吸収スペクトルを減算した差スペクトルを示すグラフである。
【図５】実施例５におけるモノクロロエタンによりダメージ回復した赤外吸収スペクトルからプラズマダメージサンプル製作直後の赤外吸収スペクトルを減算した差スペクトルを示すグラフである。
【図６】比較例１における回復剤による回復を行わず２日間大気放置した赤外吸収スペクトルからプラズマダメージサンプル製作直後の赤外吸収スペクトルを減算した差スペクトルを示すグラフである。
【図７】実施例１におけるジクロロジメチルシランによりダメージ回復したサンプルについての純水との接触角を測定した結果を示す図面である。
【図８】比較例１におけるダメージ回復を行わないサンプルについての純水との接触角を測定した結果を示す図面である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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