(57)【要約】【課題】  塗布法により形成した酸化マグネシウム薄膜を、交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜として有利に用いることができるように改質するための方法を提供する。【解決手段】  酸化マグネシウム薄膜を、還元性ガス雰囲気下にて、あるいは圧力１０Ｐａ以下の減圧下もしくは減圧プラズマ雰囲気下にて１００〜１２００℃の温度に加熱することからなる酸化マグネシウム薄膜の改質方法。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体に塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜を還元性ガス雰囲気下にて１００〜１２００℃の温度に加熱することからなる酸化マグネシウム薄膜の改質方法。
【請求項２】
還元性ガスが、水素ガス、アンモニアガス又はヒドラジンガスもしくはこれらと不活性ガスとの混合ガスである請求項１に記載の酸化マグネシウム薄膜の改質方法。
【請求項３】
基体に塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜を圧力１０Ｐａ以下の減圧下もしくは減圧プラズマ雰囲気下にて１００〜１２００℃の温度に加熱することからなる酸化マグネシウム薄膜の改質方法。
【請求項４】
基体に塗布法により酸化マグネシウム薄膜を形成する工程、次いで形成した酸化マグネシウム薄膜を還元性ガス雰囲気下にて１００〜１２００℃の温度に加熱する工程からなる酸化マグネシウム薄膜の製造方法。
【請求項５】
還元性ガスが、水素ガス、アンモニアガス又はヒドラジンガスもしくはこれらと不活性ガスとの混合ガスである請求項４に記載の酸化マグネシウム薄膜の製造方法。
【請求項６】
基体に塗布法により酸化マグネシウム薄膜を形成する工程、次いで形成した酸化マグネシウム薄膜を圧力１０Ｐａ以下の減圧下もしくは減圧プラズマ雰囲気下にて１００〜１２００℃の温度に加熱することからなる酸化マグネシウム薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化マグネシウム薄膜、特に交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜として用いられる酸化マグネシウム薄膜の改質方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＡＣ型ＰＤＰという）は、表示電極（放電電極ともいう）、誘電体層、そして保護膜がこの順で積層されているフロントカバープレート（前面板ともいう）と、アドレス電極、隔壁、そして赤，緑，青の紫外線励起蛍光体からなる蛍光体層とが配設されたバックプレート（背面板ともいう）とを、それぞれ保護膜と蛍光体層とが放電ガスが充填された空間を挟んで互いに向き合うように配置した構成となっている。
【０００３】
フロントカバープレートの保護膜には、二次電子放出係数が高く、耐スパッタ性の高い酸化マグネシウムの薄膜が利用されている。この酸化マグネシウム保護膜の形成方法としては、一般に乾式プロセスと湿式プロセスとが知られている。
【０００４】
乾式プロセスとしては、ＥＢ蒸着法、スパッタ法、化学蒸着法（ＣＶＤ法）が知られている。しかしながら、これらの乾式プロセスは、真空容器を必要とするため、大きなパネル基板を収容する真空容器を設置するのは困難であり、大面積化を考えると、コストや生産性の面で問題があった。
【０００５】
一方、湿式プロセスとしては、スピンコーティング法、スプレー法、ゾルゲル法、スクリーン印刷法等を利用した塗布法が知られている。例えば、酸化マグネシウムの前駆体である金属−有機化合物を含む溶液を塗布する方法（特許文献１）や、酸化マグネシウム粉末を、焼成後に酸化物となる液体バインダーに分散させ、酸化マグネシウム膜にする方法（特許文献２）が考えられていた。これらの方法は、前述の乾式プロセスに比較すると大きな真空容器を必要としないため、低コスト化が可能である。この様な背景から、近年、湿式プロセスである塗布法を利用して、酸化マグネシウム保護膜を形成するための研究が精力的に行われている。また、ＡＣ型ＰＤＰの放電特性を改善するために、塗布法により形成した酸化マグネシウム保護膜を改質することも検討されている。
【０００６】
特許文献３には、酸化マグネシウム保護膜の改質方法として、誘電体層の上に塗布法により形成した酸化マグネシウム薄膜を、酸素を含む雰囲気中（好ましくは、酸素を含む減圧雰囲気中）にて加熱する方法が開示されている。しかしながら、この特許文献３に開示されている方法によりＡＣ型ＰＤＰの放電特性を改善するには、その実施例の結果を見ると、１３００℃よりも高温で加熱する必要がある。
【特許文献１】特開２００１−３１６８１号公報
【特許文献２】特開平９−１２９４０号公報
【特許文献３】特開２００２−７５１７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、塗布法により形成した酸化マグネシウム薄膜を、ＡＣ型ＰＤＰの誘電体層の保護膜として有利に用いることができるように改質できる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基体に塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜を還元性ガス雰囲気下にて１００〜１２００℃の温度に加熱することからなる酸化マグネシウム薄膜の改質方法にある。還元性ガスは、水素ガス、アンモニアガス又はヒドラジンガスもしくはこれらと不活性ガスとの混合ガスであることが好ましい。
【０００９】
本発明はまた、基体に塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜を圧力１０Ｐａ以下の減圧下もしくは減圧プラズマ雰囲気下にて１００〜１２００℃の温度に加熱することからなる酸化マグネシウム薄膜の改質方法にもある。
【００１０】
本発明はさらに、基体に塗布法により酸化マグネシウム薄膜を形成する工程、次いで形成した酸化マグネシウム薄膜を還元性ガス雰囲気下にて１００〜１２００℃の温度に加熱する工程からなる酸化マグネシウム薄膜の製造方法にもある。
【００１１】
本発明はさらに、基体に塗布法により酸化マグネシウム薄膜を形成する工程、次いで形成した酸化マグネシウム薄膜を圧力１０Ｐａ以下の減圧下もしくは減圧プラズマ雰囲気下にて１００〜１２００℃の温度に加熱することからなる酸化マグネシウム薄膜の製造方法にもある。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の改質方法を利用して改質された酸化マグネシウム保護膜を有するＡＣ型ＰＤＰは、放電開始電圧や放電維持電圧などの放電特性が改善される。
本発明の酸化マグネシウム薄膜の製造方法を利用することにより、放電開始電圧や放電維持電圧などの放電特性に優れたＡＣ型ＰＤＰを有利に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に好ましい実施形態を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
本発明において、改質処理の対象となる酸化マグネシウム薄膜は、基体に塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜である。特に、ＡＣ型ＰＤＰのフロントカバープレート（前面板）に塗布法により形成された酸化マグネシウム薄膜である。酸化マグネシウム薄膜の厚さは、０．０５〜２０μｍの範囲にあることが好ましく、０．０５〜５．０μｍの範囲にあることが特に好ましい。
【００１４】
塗布法により酸化マグネシウム薄膜を形成するための塗布液としては、酸化マグネシウム粒子及び／又は熱分解により酸化マグネシウムを形成する化合物を、溶媒に分散あるいは溶解させた溶液を用いることができる。
【００１５】
塗布液に用いる酸化マグネシウム粒子は、平均一次粒子径が５０Å〜５μｍの範囲にあることが好ましい。熱分解により酸化マグネシウムを形成する化合物は、大気中で熱分解して酸化マグネシウムを生成する無機マグネシウム化合物又は有機マグネシウム化合物であることが好ましい。無機マグネシウム化合物の例としては、マグネシウムの水酸化物、硝酸塩、酢酸塩、硫酸塩、塩化物及び炭酸塩が挙げられる。有機マグネシウム化合物の例としては、シュウ酸マグネシウム、アセチルアセトネート化合物、あるいはメトキシド、エトキシド、ブトキシド等のマグネシウムアルコキシド類が挙げられる。酸化マグネシウム粒子及び／又は熱分解により酸化マグネシウムを形成する化合物の含有量は、塗布液の全組成物の質量を基準として１〜２５質量％の範囲にあることが好ましい。
【００１６】
塗布液の溶媒には、水又はアルコールを用いることができる。アルコールは、一価アルコール及び二価アルコールであることが好ましい。一価アルコールの例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等が挙げられる。また、二価アルコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、モノエタノールアミン、１−メトキシ−２−プロパノール、イソプロピルグリコール等が挙げられる。
【００１７】
塗布液には、光学的、化学的あるいは熱的に重合あるいは固化する化合物もしくは組成物を添加することが好ましい。
光学的に重合あるいは硬化する化合物もしくは組成物としては、光を照射することで重合するネガ型の感光性樹脂組成物を用いることができる。ネガ型感光性樹脂組成物は、２００〜４８０ｎｍの光の照射により重合あるいは硬化する組成物であることが好ましい。塗布液の溶媒が水である場合は、ポリビニルアルコールやビニルモノマー等にけい皮酸基を反応させたポリけい皮酸類に光増感剤としてＮ−アセチル４−ニトロ−１−ナフチルアミンや２，４，６−トリニトロアニリンなどを添加したネガ型感光性樹脂組成物を有利に用いることができる。塗布液の溶媒がアルコールである場合にはフェノール樹脂にビスアジドを添加したネガ型感光性樹脂組成物を有利に使用することができる。ネガ型感光性樹脂組成物の添加量は、塗布液の全組成物の質量を基準として５〜９０質量％の範囲にあることが好ましい。
ネガ型感光性樹脂組成物を重合硬化させるための光源としては、一般的に用いられているように、キセノン−水銀ランプ等が使用できる。
【００１８】
化学的に重合あるいは固化する化合物もしくは組成物としては、カルシウムイオンとイオン交換してゲル化するアルギン酸塩を用いることができる。アルギン酸塩の例としては、アルギン酸ナトリウム、アルギン酸アンモニウム等が挙げられる。アルギン酸塩は、塗布液の溶媒が水の場合に有利に使用できる。アルギン酸塩の添加量は、塗布液の全組成物の質量を基準として０．１〜１０質量％の範囲にあることが好ましい。
アルギン酸塩は、塩化カルシウム水溶液などのカルシウム塩水溶液に接触させることによってゲル化させることができる。アルギン酸塩のゲル化に用いる塩化カルシウム水溶液は濃度が０．５〜４０質量％の範囲にあることが好ましい。
【００１９】
熱的に重合あるいは固化する化合物もしくは組成物としては、加熱によりエステル化する脂肪族二価アルコールと有機酸とからなる組成物を用いることができる。脂肪族二価アルコールの例としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール等が挙げられる。有機酸の例としては、クエン酸、酢酸、乳酸、コハク酸、グルコン酸、フマル酸、リンゴ酸、酒石酸等が挙げられる。また、アルギン酸塩としては、アルギン酸ナトリウム、アルギン酸アンモニウム等が挙げられる。脂肪族二価アルコールは、塗布液の溶媒であってもよい。有機酸の配合割合は、肪族二価アルコール１００質量部に対して７０〜３００質量部の範囲にあることが好ましい。有機酸の添加量は、塗布液の全組成物の質量を基準として３０〜７０質量％の範囲にあることが好ましい。
脂肪族二価アルコールと有機酸とからなる組成物は、６０〜３５０℃、特に２５０〜３５０℃の加熱処理によりエステル化させることが好ましい。
【００２０】
酸化マグネシウム薄膜形成用の塗布液を基体上へ塗布する方法としては、スピンコーティング法、ディップコーティング法、スプレーコート法、ロールコート法、メニスカスコート法、バーコート法、流延法等の公知の方法を用いることができる。塗布によって形成された塗布膜は、必要に応じて乾燥を行い、光学的、化学的あるいは熱的に重合あるいは固化する化合物もしくは組成物が添加されている場合は、光学的、化学的あるいは熱的に処理して固化させた後、４５０〜６００℃に加熱処理することにより、均一で緻密な酸化マグネシウム薄膜を得ることができる。
【００２１】
本発明の改質処理方法では、上記の方法で製造された酸化マグネシウム薄膜を、還元性ガス雰囲気下にて、あるいは圧力１０Ｐａ以下の減圧下もしくは減圧プラズマ雰囲気下にて１００〜１２００℃の温度に加熱する。
【００２２】
還元性ガスは、酸化マグネシウムに対して還元性を示すガスである。還元性ガスは、水素ガス、アンモニアガス又はヒドラジンガスであるか、これらのガスと不活性ガスとの混合ガスであることが好ましい。不活性ガスとしては、アルゴンガス、ヘリウムガス、ネオンガス等の希ガスを用いることが出来る。還元性ガス雰囲気は大気圧であることが好ましい。
【００２３】
本発明の改質方法における加熱工程は、減圧下、もしくは減圧プラズマ雰囲気下にて行なってもよい。
減圧雰囲気は、圧力が１．３×１０-4〜１０Ｐａの範囲にあることが好ましい。
減圧プラズマ雰囲気とは、プラズマが生成している減圧雰囲気である。減圧プラズマ雰囲気の圧力は１．３３〜１．３×１０3Ｐａの範囲にあることが好ましい。プラズマを生成するガスは、酸化マグネシウムに対して還元性を示すガスであることが好ましい。プラズマ生成ガスは、水素ガスであることが特に好ましい。特に、減圧水素プラズマ雰囲気では、酸化マグネシウム薄膜の加熱温度を低く出来る効果が期待できるので、ＡＣ型ＰＤＰの酸化マグネシウム保護膜を製造するためには非常に有利である。
【００２４】
前記のような還元性ガス雰囲気下にて改質処理を行なうためには、還元ガスで密閉、置換出来るような加熱炉を用いて行う。減圧下にて改質処理を行う場合は、１０Ｐａ以下の真空が得られる装置で、試料の加熱が出来るものであれば、いろいろな装置が利用できる。減圧プラズマガス雰囲気下にて改質処理を行う場合は、真空容器に、１３．５６ＭＨｚや２．４５ＧＨｚの商用周波数のプラズマ電源を接続して、所定のガス圧で、減圧プラズマが生成できるものであれば利用できる。加熱温度は、２００〜１０００℃の範囲にあることが特に好ましい。加熱時間は３０分から２４時間の範囲で選択できる。通常は、１０時間以下が望ましい。
【実施例】
【００２５】
［塗布液１］
エチレングリコール５３質量部に硝酸マグネシウム六水和物６質量部を撹拌溶解した。この溶液にクエン酸４１質量部を添加し、１３０℃で脱溶媒とエステル化反応により部分的に縮重合させて粘度を調整したものを、塗布液１として調製した。
この塗布液をガラス基板上にスピンコーティング法により塗布した。このガラス基板を２５０℃大気中で加熱処理して、塗布膜を固化させた。この時点で、乾燥収縮のない塗布膜が得られた。次いで、ガラス基板を大気中５００℃で１時間焼成した。得られた酸化マグネシウム薄膜は、膜厚は０．２μｍで、外観は、膜割れや剥離がなく、スコッチテープによる付着力試験でも剥離することがなく良好であった。
【００２６】
［塗布液２］
フェノール系ノボラック樹脂に増感剤としてビスアジドを添加したネガ型光硬化型樹脂組成物とエタノールとを質量比で９０：１０となるように混合した混合液を調製した。この混合液８８質量部に、気相法により作製された酸化マグネシウム粉末（宇部マテリアルズ（株）製、１００Ａ）１０質量部、そして焼結助剤としてフッ化リチウムとフッ化ナトリウムとをそれぞれ１質量部ずつを分散させたものをボールミルにて混合分散して塗布液２を調製した。
この塗布液をガラス基板上にスピンコーティング法により塗布した。このガラス基板を１００℃で３０分予備乾燥した後、キセノン−水銀ランプを照射して、塗布膜を固化させた。クラック等のない均一な塗布膜が得られた。次いで、ガラス基板を大気中５００℃で１時間焼成した。得られた酸化マグネシウム薄膜は、膜厚は０．２μｍで、外観は、膜割れや剥離がなく、スコッチテープによる付着力試験でも剥離することがなく良好であった。
【００２７】
［塗布液３］
気相法により作製された酸化マグネシウム粉末（宇部マテリアルズ（株）製、１００Ａ）１０質量部、そして焼結助剤としてフッ化リチウムとフッ化ナトリウムとをそれぞれ１質量部を、濃度０．５質量％のアルギン酸ナトリウム水溶液８８質量部に分散させたものをボールミルにて混合分散して塗布液３を調製した。
この塗布液をガラス基板上にスピンコーティング法により塗布した。このガラス基板を濃度５質量％の塩化カルシウム水溶液に浸せきさせて、塗布膜を固化させた。この時点で、乾燥収縮のない塗布膜が得られた。次いで、ガラス基板を大気中５００℃で１時間焼成した。得られた酸化マグネシウム薄膜は、膜厚は２μｍで、外観は、膜割れや剥離がなく、スコッチテープによる付着力試験でも剥離することがなく良好であった。
【００２８】
［評価用パネル］
酸化マグネシウム薄膜の改質効果の評価は、図１〜図３に示す構成の評価用パネルを使用して行なった。
図１は、評価パネルを上から見た図であり、図２は、図１の要部拡大図であり、図３は、図１のＡ−Ａ線断面図である。
評価パネルは、ガラス基板１、ガラス基板１の上に形成された二本の電極線２ａ、２ｂからなる十組の放電電極３と、放電電極の電極線２ａ、２ｂを外部に接続するための取り付け用電極４ａ、４ｂとからなる電極パターン、そして電極パターンの放電電極部を覆うように形成された誘電体層５からなる。
ガラス基板１のサイズは縦：５０ｍｍ×横：５０ｍｍ、取り出し電極４ａ、４ｂの幅はそれぞれ１０ｍｍであり、放電電極３を構成する２本の電極線２ａ、２ｂ（幅は何れも０．３ｍｍ)のギャップは０．１ｍｍであり、各放電電極３のギャップは０．２ｍｍである。電極線と取り付け用電極との接点部分は、幅０．５ｍｍである。
評価対象の酸化マグネシウム薄膜は、誘電体層を覆うように形成する。
【００２９】
［放電特性の評価方法］
評価用パネルの取り付け用電極に高電圧パルス発生装置を取り付ける。評価用パネルを上部に観察窓が設けられている密閉容器に、評価用パネルの放電電極が観察窓から見える位置に設置する。密閉容器の内圧を０．１３Ｐａ（１×１０-3Ｔｏｒｒ）以下まで減圧にする。続いて、密閉容器内にＨｅ：９５体積％、Ｘｅ：５体積％からなる混合ガスを容器内圧が大気圧となるまで充填する。この操作を３回繰り返した後、密閉容器の内圧を、混合ガスにて６．６７×１０4Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）に調整する。その後、高電圧パルス発生装置により、評価用パネルの取り付け用電極に方形波形の電圧を加えて、放電状態を観察する。具体的には、電圧を徐々に増加させて行き、放電が開始した電圧を放電開始電圧とし、次に電圧を徐々に減少させて行き、放電電極の放電が、十組中で一組でも途切れる電圧を放電維持電圧とする。
【００３０】
［比較例１］
評価用パネルの所定の位置に、塗布液１をスピンコーティング法により塗布し、塗布膜を大気中２５０℃で処理した後、さらに大気中５００℃で１時間焼成して、厚さ０．２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。この評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００３１】
［実施例１］
評価用パネルの所定の位置に、比較例１と同様にして、厚さ０．２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを加熱炉内に配置し、大気圧下、アンモニアを毎分１００ミリリットルで流しながら、６００℃で２時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００３２】
［実施例２］
評価用パネルの所定の位置に、比較例１と同様にして、厚さ０．２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを加熱炉内に配置し、大気圧下、ヒドラジンを毎分１００ミリリットルで流しながら、６００℃で２時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００３３】
［実施例３］
評価用パネルの所定の位置に、比較例１と同様にして、厚さ０．２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを減圧加熱炉内に配置し、６．６７Ｐａ（０．０５Ｔｏｒｒ）の減圧下にて、６００℃で２時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００３４】
［実施例４］
評価用パネルの所定の位置に、比較例１と同様にして、厚さ０．２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを減圧プラズマ発生装置内に配置し、１３．５６ＭＨｚの減圧水素プラズマ（圧力：１３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ））中で、３００℃で２時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００３５】
［比較例２］
評価用パネルの所定の位置に、塗布液２をスピンコーティング法により塗布し、塗布膜を１００℃で３０分予備乾燥し、次いでキセノン−水銀ランプを照射した後、５００℃で１時間焼成して厚さ０．２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。この評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００３６】
［実施例５］
評価用パネルの所定の位置に、比較例２と同様にして、厚さ０．２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを加熱炉内に配置し、大気圧下、アンモニアを毎分１００ミリリットルで流しながら、６００℃で２時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００３７】
［実施例６］
評価用パネルの所定の位置に、比較例２と同様にして、厚さ０．２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを加熱炉内に配置し、大気圧下、ヒドラジンを毎分１００ミリリットルで流しながら、６００℃で２時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００３８】
［実施例７］
評価用パネルの所定の位置に、比較例２と同様にして、厚さ０．２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを減圧加熱炉内に配置し、６．６７Ｐａの減圧下にて、６００℃で２時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００３９】
［実施例８］
評価用パネルの所定の位置に、比較例２と同様にして、厚さ０．２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを減圧プラズマ発生装置内に配置し、１３．５６ＭＨｚの減圧水素プラズマ（圧力：１３ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ））中で、３００℃で２時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００４０】
［比較例３］
評価用パネルの所定の位置に、塗布液３をスピンコーティング法により塗布し、塗布膜を濃度５質量％の塩化カルシウム水溶液に浸せきさせた後、大気中５００℃で１時間焼成して、厚さ２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。この評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００４１】
［実施例９］
評価用パネルの所定の位置に、比較例３と同様にして、厚さ２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを加熱炉内に配置し、大気圧下、アンモニアを毎分１００ミリリットルで流しながら、６００℃で２時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００４２】
［実施例１０］
評価用パネルの所定の位置に、比較例３と同様にして、厚さ２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを加熱炉内に配置し、大気圧下、ヒドラジンを毎分１００ミリリットルで流しながら、６００℃で２時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００４３】
［実施例１１］
評価用パネルの所定の位置に、比較例３と同様にして、厚さ２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを減圧加熱炉内に配置し、６．６７Ｐａの減圧下にて、６００℃で２時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００４４】
［実施例１２］
評価用パネルの所定の位置に、比較例３と同様にして、厚さ２μｍの酸化マグネシウム薄膜を形成した。次いで、この評価用パネルを減圧プラズマ発生装置内に配置し、１３．５６ＭＨｚの減圧水素プラズマ（圧力：１３ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ））中で、３００℃で２時間加熱処理した。得られた評価用パネルについて、前記の放電特性の評価方法に従い、放電開始電圧、放電維持電圧を測定した。その結果を表１に示す。
【００４５】
表１
────────────────────────────────────────
改質処理条件                  放電開始      放電維持
電圧（Ｖ）    電圧（Ｖ）
────────────────────────────────────────
比較例１    未処理                            ２４０        １７５
実施例１    アンモニア    600℃×2時間        １９２        １４０
実施例２    ヒドラジン    600℃×2時間        １８２        １３３
実施例３    減圧下        600℃×2時間        １７５        １２７
実施例４    減圧水素プラズマ  300℃×2時間    １６８        １２３
────────────────────────────────────────
比較例２    未処理                            ２４５        １８１
実施例５    アンモニア    600℃×2時間        １９６        １４５
実施例６    ヒドラジン    600℃×2時間        １８９        １３９
実施例７    減圧下        600℃×2時間        １８１        １３４
実施例８    減圧水素プラズマ  300℃×2時間    １７４        １２６
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比較例３    未処理                            ２３８        １７０
実施例９    アンモニア    600℃×2時間        １８８        １３４
実施例１０  ヒドラジン    600℃×2時間        １７９        １２８
実施例１１  減圧下        600℃×2時間        １７２        １２２
実施例１２  減圧水素プラズマ  300℃×2時間    １６４        １１７
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【００４６】
表１の結果を見れば、還元性ガス雰囲気下、減圧下及び減圧プラズマ雰囲気下で加熱処理を施した酸化マグネシウム薄膜は、いずれも未処理のものより放電開始電圧と放電維持電圧とが共に低くなっていることが分かる。これは、ＡＣ型ＰＤＰの低消費電力化、駆動回路の省力化に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本実施例で使用した評価パネルを上から見た図である。
【図２】図１の要部拡大図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  ガラス基板
２ａ、２ｂ  電極線
３  放電電極
４ａ、４ｂ  取り付け用電極
５  誘電体層
【図１】
2006260992.tif 000002
【図２】
2006260992.tif 000003
【図３】
2006260992.tif 000004