(57)【要約】【課題】  洗浄途中の搬送工程での被洗浄物のウォータマークの発生を防止する。【解決手段】  洗浄室２Ａ内に洗浄手段４Ａ，４Ｂを有し、洗浄室２Ａ内に搬入された被洗浄物６Ａ，６Ｂを洗浄手段４Ａ，４Ｂで洗浄した後、乾燥させるようにしてなる洗浄装置において、上記洗浄室２Ａ内の洗浄手段４Ａ，４Ｂ周辺の雰囲気を加湿する加湿手段１３Ａ〜１３Ｆを設け、上記洗浄室２Ａ内の被洗浄物４Ａ，４Ｂの周辺を該加湿手段１３Ａ〜１３Ｆで加湿することにより、被洗浄物６Ａ，６Ｂ周辺の雰囲気を所定値以上の高湿度に維持し、被洗浄物６Ａ，６Ｂにウォータマークが発生するのを防止するようにした。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄室（２Ａ）内に洗浄手段（４Ａ），（４Ｂ）を有し、洗浄室（２Ａ）内に搬入された被洗浄物（６Ａ），（６Ｂ）を洗浄手段（４Ａ），（４Ｂ）で洗浄した後、乾燥させるようにしてなる洗浄装置において、上記洗浄室（２Ａ）内の洗浄手段（４Ａ），（４Ｂ）周辺の雰囲気を加湿する加湿手段（１３Ａ）〜（１３Ｆ）を設け、上記洗浄室（２Ａ）内の被洗浄物（４Ａ），（４Ｂ）の周辺を該加湿手段（１３Ａ）〜（１３Ｆ）で加湿することにより、被洗浄物（６Ａ），（６Ｂ）周辺の雰囲気を所定値以上の高湿度に維持するようにしたことを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
加湿手段（１３Ａ）〜（１３Ｆ）は、多孔膜エレメントにより構成されていることを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
【請求項３】
多孔膜エレメントは、洗浄室（２Ａ）への給気部と洗浄室（２Ａ）内からの排気部とを結ぶ空気還流路（１５ａ），（１５ｂ）に設けられていることを特徴とする請求項２記載の洗浄装置。
【請求項４】
多孔膜エレメントは、上記洗浄室（２Ａ）からの排出空気中の有害物質を除去する有害物質除去手段として構成されており、加湿と同時に洗浄液蒸発成分等排気中に含まれる有害物質の除去を行うようになっていることを特徴とする請求項２又は３記載の洗浄装置。
【請求項５】
多孔膜エレメントに水を供給する水供給回路を循環回路構成としてガス回収作用を有する水再生手段（２０）を設け、加湿と同時に洗浄液蒸発成分の回収除去を行うようにしたことを特徴とする請求項２，３又は４記載の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体デバイスなどのマイクロエレクトロニック構造体は、回路パターンの微細化や高密度化・高集積化が年々進み、最小加工寸法も一段と微小化されている。これに伴い、ウェーハ表面上のパーティクル、金属・金属イオン、有機物などの汚染物サイズも微小化し、かつ清浄度レベルも厳しくなってきている。このような被洗浄物の洗浄に関して、これまでに採用されている洗浄方式としては、ウェット洗浄とドライ洗浄に大別することができる。しかし、現時点では、ドライ洗浄単独で満足すべきウェーハの清浄度レベルを維持することは難しく、ドライ洗浄を採用した場合にもウェット洗浄などの技術と併用される場合が多く、基本的にはウェット洗浄が主流である。
【０００２】
そして、ウェット洗浄の場合、その洗浄媒体として、一般に有機系、水系、活性剤添加物などが採用されている。また最近では、従来のＲＣＡ洗浄方式を改良した洗浄方法や、オゾン水、電解水やキレート剤などの新技術も開発されている。
【０００３】
さらに、環境対応については、旧来のような出口側での処理ではない対策として環境負荷の少ない洗浄媒体の使用や薬剤、薬液を工程外に排出しないクローズド技術が開発されている。
【０００４】
ところで、このようなウェット方式の洗浄装置の場合、例えば半導体デバイス等被洗浄物の表面に水滴が付着したまま乾燥すると、電子回路上有害なウォータマークと呼ばれる痕跡がのこる。
【０００５】
そこで、洗浄の最終工程である乾燥工程では、これを防止しながら効率の良い乾燥を行うために、これまで次のような各種の洗浄乾燥手段が採られていた。
【０００６】
（１）  先ず第１の従来技術では、多槽式洗浄装置におけるウォータマークの発生を防止するようにした洗浄乾燥方法として、
洗浄処理後の基板を純水で満たした内槽に搬入、浸漬し、かつ内槽を収容した外槽（圧力容器）の槽内雰囲気を窒素ガスで置換し、かつ槽内を減圧状態に保ったまま、外槽に窒素ガスを流しながら内槽に純水を供給して基板をオーバーフローリンスし、次いで内槽に接続した受水槽との間の差圧により内槽から受水槽へ排水して基板を水切りした後、続いて外槽内に窒素ガスを供給しつつ真空引きし、併せてランプヒータを点灯して基板を加熱しながら減圧乾燥させるようにしたもの（特許文献１参照）、
（２）  また第２の従来技術では、ウォータマークの発生を抑制するようにした洗浄乾燥方法として、
処理用薬液および純水のスプレーにより半導体材料を洗浄する手段と、チャンバー内に他の処理用薬液を充填して前記半導体材料を浸漬させて処理する手段と、チャンバーの中で半導体材料が浸漬された処理用薬液または純水に乾燥用の薬液もしくは蒸気を接触させて界面層で遮断しながら処理用薬液または純水を排出する手段とを備え、先ず順次イソプロピルアルコール蒸気をチャンバー上部より供給しながら、この界面層を保つことのできる速度で下方から純水をドレインする。続いて液体がすべてチャンバー内から排水された後、チャンバー上部より窒素を供給してチャンバー内をパージすることによってイソプロピルアルコール雰囲気を排出する。これにより、気体（外気、雰囲気、大気）と液体（純水）とを完全に分離し乾燥することができ、ウォータマークの発生しない清浄なウェハー表面が得られるようにしたもの（特許文献２参照）、
（３）  さらに第３の従来技術として、アンモニアや過酸化水素を含む洗浄液からの排気をエアワッシャーで浄化処理するようにしたもの（特許文献３参照）、などがある。
【０００７】
【特許文献１】特開平６−１６３５０８号公報（明細書１−４、図１−３）
【特許文献２】特開平１０−１４４６５０号公報（明細書１−８、図１−７）
【特許文献３】特開２００２−２５３９２７号公報（明細書１−７、図１−９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一般に上述のような洗浄装置は、フッ酸、塩酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素などの人体や周囲の装置に有害な薬液を用いているため、蒸発成分による内部濃度の上昇防止、装置隙間からの外部への漏れ防止のため、大量の内部雰囲気を屋外に排出する。この排気分の補充及び搬送工程での基板へのパーティクル付着防止のため、洗浄室内清浄空気が上部のダウンフローユニットを経由して流入するようになっているが、これは温度が２３℃、湿度が４０％ＲＨ程度の低湿度空気であるため、それが装置内の湿度を下げ、乾燥にいたるまでの槽間搬送途中での被洗浄物の意図せぬ乾燥を生じさせる恐れがある。
【０００９】
しかし、上記従来の技術では、その何れにも乾燥にいたる洗浄途中でのウォータマークの発生防止については、何ら配慮がなされていない。
【００１０】
したがって、同乾燥にいたる洗浄途中でのウォータマークの発生を防止することはできない問題がある。
【００１１】
また、排気は大気へ直接放出できないので、屋外や階下に中和処理装置を設けて処理しており、これらの動力費・設備費が大きなものとなっている。このような費用増に対応するため上述した第３の従来技術では循環型排気処理装置として構成しているが、それは処理装置側の工夫のみでの対応であり、洗浄装置を含む全体の使い方には全く考慮がなされていない。
【００１２】
本願発明は、このような事情に基いてなされたもので、洗浄室内の洗浄手段周囲の雰囲気を加湿手段で効果的に加湿して、被洗浄物の周辺雰囲気を所定値以上の高湿度に維持することによって、乾燥にいたる洗浄途中でのウォータマークの発生を効果的に防止することができるようにし、また排気動力の低減をも可能とした洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願発明は、上記の目的を達成するために、次のような課題解決手段を備えて構成されている。
【００１４】
（１）  第１の課題解決手段
この発明の第１の課題解決手段は、洗浄室２Ａ内に洗浄手段４Ａ，４Ｂを有し、洗浄室２Ａ内に搬入された被洗浄物６Ａ，６Ｂを洗浄手段４Ａ，４Ｂで洗浄した後、乾燥させるようにしてなる洗浄装置において、上記洗浄室２Ａ内の洗浄手段４Ａ，４Ｂ周辺の雰囲気を加湿する加湿手段１３Ａ〜１３Ｆを設け、上記洗浄室２Ａ内の被洗浄物４Ａ，４Ｂの周辺を該加湿手段１３Ａ〜１３Ｆで加湿することにより、被洗浄物６Ａ，６Ｂ周辺の雰囲気を所定値以上の高湿度に維持するようにしたことを特徴としている。
【００１５】
このような構成によると、洗浄室２Ａ内の洗浄手段４Ａ，４Ｂ周囲の雰囲気密度が必要な高湿度レベルに加湿されるので、乾燥にいたる洗浄途中の被洗浄物６Ａ，６Ｂの意図せぬウォータマークの発生をも有効に防止することができるようになる。
【００１６】
（２）  第２の課題解決手段
この発明の第２の課題解決手段は、上記第１の課題解決手段の構成において、加湿手段１３Ａ〜１３Ｆは、多孔膜エレメントにより構成されていることを特徴としている。
【００１７】
このように、加湿手段１３Ａ〜１３Ｆとして多孔膜エレメントを用いると、通風方向の制約がなく設置方向が自由であり、また、多段構成にして洗浄装置にあわせた天井設置型、側面設置型、背面設置型などの占有床面積の小さい任意の設置形態を選ぶことができ、場合によっては洗浄装置内の空きスペースにエレメントを分散配置することも可能である。
【００１８】
したがって、排気処理部を含めた最適な使い方を実現することができる。
【００１９】
また、上記多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆは、分子レベルで空気を加湿することができるので、水滴を生じさせることなく加湿でき、送風経路に使用される微粒子フィルター等の目詰まりを生じさせる恐れもない。
【００２０】
（３）  第３の課題解決手段
この発明の第３の課題解決手段は、上記第２の課題解決手段の構成において、多孔膜エレメントは、洗浄室２Ａへの給気部と洗浄室２Ａ内からの排気部とを結ぶ空気還流路１５ａ，１５ｂに設けられていることを特徴としている。
【００２１】
このように、多孔膜エレメントを、洗浄室２Ａへの給気部と洗浄室２Ａ内からの排気部とを結ぶ空気還流路１５ａ，１５ｂに設けると、環境負荷を考慮して、クローズドタイプの環流型洗浄装置を構成した場合において、効率の良い加湿を行うことができる。
【００２２】
（４）  第４の課題解決手段
この発明の第４の課題解決手段は、上記第２又は第３の課題解決手段の構成において、多孔膜エレメントは、上記洗浄室２Ａからの排出空気中の有害物質を除去する有害物質除去手段として構成されており、加湿と同時に洗浄液蒸発成分等排気中に含まれる有害物質の除去を行うようになっていることを特徴としている。
【００２３】
このように構成すれば、多孔膜エレメントの有害物質除去作用により、屋外への排気量を大幅に減らしても、洗浄室内の有害ガス成分の濃度を低く維持することができる。
【００２４】
したがって、洗浄能力を低下させることなく、有効に外部への排気量を低減することができる。
【００２５】
（５）  第５の課題解決手段
この発明の第５の課題解決手段は、上記第２，第３又は第４の課題解決手段の構成において、多孔膜エレメントに水を供給する水供給回路を循環回路構成としてガス回収作用を有する水再生手段２０を設け、加湿と同時に洗浄液蒸発成分の回収除去を行うようにしたことを特徴としている。
【００２６】
このように構成すれば、水再生手段２０の有害ガス回収作用により、加湿および有害ガス回収用の水を繰り返し使用することができる。その結果、高価な純水の使用量を減らすことができるとともに、部分排水量を大きく減らすことができる。
【発明の効果】
【００２７】
以上の結果、本願発明によると、先ず乾燥にいたる洗浄途中での意図せぬ乾燥をも有効に防止できるようになり、従来のようなウォータマーク発生の恐れのない信頼性の高い洗浄装置を提供することができるようになる。
【００２８】
また、従来のような排気処理のための中和装置が不要となり、排気動力を大幅に低減することができるので、設備を簡略化でき、そのコストを大きく下げることができる。
【００２９】
また、その結果、装置の小型化、設置スペースの狭域化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
（最良の実施の形態１）
先ず図１〜図３は、本願発明の最良の実施の形態１に係る洗浄装置の全体および要部の構成を示している。
【００３１】
この最良の実施の形態１の構成の場合、例えば被洗浄物の一例として、シリコンウエハー等の半導体デバイス６Ａ，６Ｂ・・・が選択されており、所定の洗浄空間２を有する洗浄装置１は、同半導体デバイス６Ａ，６Ｂ・・・の製造ラインの基板処理工程に対応して設置されている。また、この洗浄装置１は後述する有害物質除去ユニット１２と共に半導体製造施設のクリーンルーム内に設けられている。
【００３２】
そして、その洗浄空間２内には被洗浄物である半導体デバイス６Ａ，６Ｂ・・・の洗浄手段として、薬液槽４Ａ，４Ｂ（複数でも単数でもよい）を備え、該薬液槽４Ａ，４Ｂ内の薬液５，５中に被洗浄物である半導体デバイス６Ａ，６Ｂ・・・を浸漬することによって洗浄するウェット洗浄方式が採用されている。そして、薬液５，５としては、例えばフッ酸、塩酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素などが採用されている。
【００３３】
また洗浄装置１の洗浄空間２の上方部には、上方側から下方側に向けて空気流を吹き付ける耐食性の高い送風機８Ａ，８Ｂと該送風機８Ａ，８Ｂから下方に向けて吹き出される空気中の微細な汚染物質を除去する微粒子フィルター９Ａ，９Ｂよりなるダウンフローユニット７が仕切壁１０を介して設けられている。微粒子フィルター９Ａ，９Ｂは、微粒子フィルターとして有効な例えば耐食性のある所定のＰＴＦＥ製のものによって形成されている。
【００３４】
また、同洗浄空間２の下方には、パンチングプレートその他の通風性の良好な仕切壁１１が設けられ、この仕切壁１１を介して、上述の薬液槽４Ａ，４Ｂが図示のようにダウンフローユニット７の送風機８Ａ，８Ｂの直下方に対応するようにして設置されている。そして、該下方側の仕切壁１１と上記ダウンフローユニット７側の仕切壁１０との間が、洗浄室２Ａに形成されている。
【００３５】
また、上記洗浄空間２の下方側の仕切壁１１と洗浄装置１の底面との間には、排気室２Ｂが形成されている。そして、該排気室２Ｂと上記ダウンフローユニット７内の後述する給気室３との間を装置本体の外側で連通させる空気環流流路（後述）には、上記ダウンフローされている洗浄室２Ａ内の空気中の有害物質を除去回収する有害物質除去ユニット１２が設けられている。
【００３６】
この有害物質除去ユニット１２は、例えば図２に示されるように、縦長の閉鎖空間をもつ筐体１２ａ内に、有害物質除去部、循環ファン部１４、水循環部１２ｂを各々配置して構成されている。そして、上記筐体１２ａの下端部には、上記排気室２Ｂからの排気導入路１５ａが、また上端部には上記給気室３への排気導出路１５ｂが、それぞれ接続（連通）されている。
【００３７】
すなわち、この最良の実施の形態１の構成においては、上記有害物質除去部を、気体の透過を許容し、水の透過を阻止する性状をもつ多孔膜を用いて構成している。具体的には、多孔膜で構成された扁平筒状の扁平筒状素子（又はチューブ状素子）を所定の間隔で積層（又は配設）してなる枠状の多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆを所定枚数積層し、該各扁平筒状素子内の空間を水流路（図示省略）とし、該各扁平筒状素子間の対向空間及び各多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆ間の対向空間をそれぞれ空気流路（図示省略）とするとともに、各多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆの側部に水循環部１２ｂを配置して構成されている。なお、上記空気流路は上記筐体１２ａの内部空間（すなわち、汚染空気の流路）に連通し、上記水流路は上記水循環部１２ｂに連通している。
【００３８】
そして、上記筐体１２ａの排気導入路１５ａから導入される有害物質（ガス成分）を含んだ汚染空気を上記空気流路に順次流す一方、上記水流路に上記水循環部１２ｂ側から水を流すと、上記汚染空気が上記空気流路内を流れる間に該汚染空気に含まれている有害物質が、上記多孔膜を上記空気流路側から上記水流路側へ透過し、該水流路内を流れる水に溶解され、これによって、汚染空気の清浄化が図られる。したがって、上記多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆよりなる有害物質除去部を通過して上記筐体１２ａの上記排気導出路１５ｂから導出される空気は有害物質濃度の極めて低い比較的清浄な空気となる。
【００３９】
なお、上記水循環部１２ｂには、純水供給路１６ａと排水路１６ｂが接続されており、該純水供給路１６ａから上記水循環部１２ｂに流入する清浄な純水は、該水循環部１２ｂを流通する間に有害物質を溶解し、汚染水として上記排水路１６ｂから外部へ排出される。
【００４０】
このように、上記有害物質除去ユニット１２の有害物質除去部を多孔膜の透過作用を利用した構成にすれば、該有害物質除去部に供給される汚染空気と水は共に閉鎖された流路内を流れることから、上記有害物質除去ユニット１２の配置形態が重力の方向によって制約されることがなくなる。このため、例えば図２に示すように、上記有害物質除去ユニット１２を垂直配置（すなわち、上記各多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆが垂直方向に積層された配置構造）としたり、または図３に示すように水平配置（すなわち、上記各多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆが水平方向に積層された配置構造）とするなど、該有害物質除去ユニット１２の設置形体を必要に応じて任意の方向に設定することができる。
【００４１】
また、多段構成にして洗浄装置１にあわせた天井設置型、側面設置型、背面設置型などの占有床面積の小さい任意の設置形態を選ぶことができ、場合によっては洗浄装置１内の空きスペースに多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆを分散配置することも可能である。
【００４２】
したがって、排気処理部を含めた最適な使い方を実現することができる。
【００４３】
なお、この場合の上記多孔膜の材質としては、例えばポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）が好ましい。また、その他にポリエチレン、ポリプロピレン等の疎水性多孔質膜も使用することができる。
【００４４】
そして、以上のような半導体デバイス等洗浄装置において、上記半導体デバイス６Ａ，６Ｂ・・・の洗浄処理を行なう場合、上記ダウンフロー構造の上記送風機８Ａ，８Ｂを運転し、上記給気室３側の空気を上記洗浄室２Ａ内の上記薬液槽４Ａ，４Ｂ方向側に向けてダウンフロー気流として吹き出させるが、この場合、同吹出空気を上記微粒子フィルター９Ａ，９Ｂに通すことで、吸入空気中に混入している汚染微粒子が上記微粒子フィルター９Ａ，９Ｂにおいて捕集除去され、微粒子が混入していない清浄な空気がダウンフロー気流として上記薬液槽４Ａ，４Ｂ側へ吹き出される。
【００４５】
この時、上記有害物質除去ユニット１２も併せて運転され、上述のように多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆで有害物質の大部分が除去されて循環ファン１４から吹き出される清浄な空気は、還流空気として上記排気導出路１６ｂを介して上記ダウンフローユニット７の給気室３に導入される（略外部への排気分に対応）。一方、ダウンフローユニット７の天板部に設けられている上記給気口７ａからは、洗浄室２Ａ外の所定量の新気がプレフィルター７ｂを通って上記給気室３側に給気として一部導入される。そして、この還流空気と外部からの給気は、上記給気室３に導入された後に混合され、ダウンフロー用の空気として上記送風機８Ａ，８Ｂに供給されて下方側洗浄室２Ａ内に吹き出される。
【００４６】
一方、上記洗浄室２Ａ内においては、上記薬液槽４Ａ，４Ｂ内の薬液５，５に半導体デバイス６Ａ，６Ｂ・・・を浸漬させて所要の洗浄処理が行なわれるが、この際、上記薬液５，５から蒸発した有害物質が、上記ダウンフロー気流中に混入し、有害物質を高濃度に含む汚染空気が生成される。この高ガス濃度の汚染空気（破線の矢印参照）は、上記下方側の仕切板１１の多数の通孔を通って上記洗浄室２Ａ側から上記排気室２Ｂ側へ流入する。
【００４７】
そして、同汚染空気の一部は、排気室２Ｂ下方の分岐排出路１７からそのまま外部排出路１８へ排出される。もちろん、この外部へ排出された汚染空気は、図示しない適正な中和処理手段によって有害物質が除去され、清浄な空気として大気に放出される。
【００４８】
これに対して、上記排気室２Ｂ内に導入された汚染空気の大部分は、上記のように同排気室２Ｂから上記有害物質除去ユニット１２側に導入される。そして、有害物質除去ユニット１２側に導入された汚染空気は、上記有害物質除去部の各多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆを通過することで、それに含まれた有害物質が該有害物質除去部の多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆ間を流れる水側に溶解除去され、有害物質濃度の極めて低い清浄な空気に浄化された上で、上記循環ファン１４により排気導出路１５ｂを介して上記ダウンフローユニット７の給気室３側に還流空気として還流される。そして、この還流空気が上記給気口７ａからのプレフィルタを介して供給される７ｂ給気と混合されて、再度上記洗浄室２Ａ内の薬液槽４Ａ，４Ｂ周囲へダウンフロー気流として吹出される。
【００４９】
この場合、上記給気口７ａからの給気量と上記分岐排出路１７から外部排出路１８への排気量との関係は、外部への排出量が僅かに給気量を上回るように設定されており、このような設定によって上記洗浄室２Ａ内の内圧が常時負圧側に維持され、有害物質を含んだ汚染空気が洗浄室２Ａ内へ漏洩するのを防止するようにしている。
【００５０】
ところで、上記有害物質除去ユニット１２の有害物質除去部を構成している多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆは、上記のように膜面に接触して流れる水側に排気中に含まれている汚染ガス等の有害物質を溶解させて除去すると同時に逆に空気側に水分子を移動させて通過する空気を分子レベルで加湿する作用を果たし、給気室３を介して洗浄室２Ａ内に供給される低ガス濃度の循環空気を所定値以上の高湿度状態（高水分子状態）のものとするようにもなっている。
【００５１】
すなわち、以上のように、洗浄用の薬液として、フッ酸、塩酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素などを用いた場合、蒸発成分による内部濃度の上昇防止、装置各部の隙間からの外部への漏れ防止のために、ダウンフローユニット７を用いて大量の内部雰囲気を循環させなければならない。
【００５２】
ところが、このダウンフロー空気は、例えば温度が２３℃、湿度が４０％ＲＨ程度の低湿度空気であるために、必然的に上記洗浄室２Ａ内の湿度をも下げ、図１に示すような槽間搬送途中での半導体デバイス６Ａ，６Ｂ・・・に意図せぬ乾燥を生じさせる恐れがある。
【００５３】
その結果、そのままでは、同乾燥にいたる槽間搬送途中でウォータマークが発生する恐れがある（もちろん、乾燥工程に搬送することなく、洗浄室内で洗浄した後、被洗浄物を動かさずに当該洗浄内に乾燥空気を流して乾燥する場合も同様である）。
【００５４】
しかし、この実施の形態では、上述のように有害物質除去ユニット１２側の有害物質除去手段が、洗浄室２Ａ内に還流される空気（つまりは、洗浄室２Ａ内の薬液槽４Ａ，４Ｂ周囲の雰囲気）を分子レベルで有効に加湿する多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆにより構成されている。そして、それにより上述の循環空気を効果的に加湿して、洗浄途中の半導体デバイス６Ａ，６Ｂ・・・搬送経路（槽間搬送経路）の周辺雰囲気を、例えば図１に示すように所定値以上の高湿度状態に維持するようになっている。
【００５５】
したがって、洗浄室２Ａ内の薬液槽４Ａ，４Ｂ周囲の雰囲気湿度がウォータマークを発生させないようにするのに必要な高湿度レベルに加湿されるので、乾燥にいたる洗浄途中の槽間搬送工程でのウォータマークの発生をも有効に防止することができるようになる。
【００５６】
しかも、上記多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆは、分子レベルで空気を加湿することができるので、水滴を生じさせることなく加湿でき、微粒子フィルター９Ａ，９Ｂの目詰まりを生じさせる恐れもない。
【００５７】
以上のように、この最良の実施の形態１の半導体デバイス等洗浄装置の構成では、洗浄室内に洗浄手段を有し、洗浄室内に搬入された被洗浄物を洗浄手段で洗浄した後、乾燥させるようにしてなる洗浄装置において、上記洗浄室内の洗浄手段周辺の雰囲気を所定の湿度に加湿する加湿手段を設け、上記洗浄室内の被洗浄物の周辺を該加湿手段で効果的に加湿することによって、被洗浄物周辺の雰囲気を所定値以上の高湿度に維持するようにしたことを特徴としている。
【００５８】
このような構成によると、洗浄室内の洗浄手段周囲の雰囲気密度が必要な高湿度レベルに加湿されるので、乾燥にいたる洗浄途中の槽間搬送工程等でのウォータマークの発生をも有効に防止することができるようになる。
【００５９】
しかも、この最良の実施の形態１の構成では、上記加湿手段は、多孔膜エレメントにより構成されていることを特徴としている。
【００６０】
このように、加湿手段として多孔膜エレメントを用いると、通風方向の制約がなく設置方向が自由であり、また、多段構成にして洗浄装置にあわせた天井設置型、側面設置型、背面設置型などの占有床面積の小さい任意の設置形態を選ぶことができ、場合によっては洗浄装置内の空きスペースにエレメントを分散配置することも可能である。
【００６１】
したがって、排気処理部を含めた最適な使い方を実現することができる。
【００６２】
しかも、上記多孔膜エレメントは、分子レベルで空気を加湿することができるので、水滴を生じさせることなく加湿でき、送風経路に使用される微粒子フィルター等の目詰まりを生じさせる恐れもない。
【００６３】
また、この最良の実施の形態１の構成では、上記多孔膜エレメントは、洗浄室への給気部と洗浄室内からの排気部とを結ぶ空気還流路に設けられていることを特徴としている。
【００６４】
このように、多孔膜エレメントを、洗浄室への給気部と洗浄室内からの排気部とを結ぶ空気還流路に設けると、環境負荷を考慮して、クローズドタイプの環流型洗浄装置を構成した場合において、効率の良い加湿を行うことができる。
【００６５】
さらに、この最良の実施の形態１の構成では、上記多孔膜エレメントは上記洗浄室からの排気空気中の有害物質を除去する有害物質除去手段として構成されており、加湿と同時に洗浄液の蒸発成分等排気中に含まれる有害物質の除去をも行うようになっていることを特徴としている。
【００６６】
このように構成すれば、多孔膜エレメントの有害物質除去作用により、屋外への排気量を大幅に減らしても、洗浄室内の有害ガス成分の濃度を低く維持することができる。
【００６７】
したがって、洗浄能力を低下させることなく、有効に外部への排気量を低減することができる。
【００６８】
以上の結果、同構成によると、先ず乾燥にいたる洗浄途中での意図せぬ乾燥を有効に防止できるようになり、ウォータマーク発生の恐れのない信頼性の高い洗浄装置を提供することができるようになる。
【００６９】
また、従来のような排気処理のための中和装置が不要となり、排気動力を大幅に低減することができるので、設備を簡略化し、コストを大きく低減することができる。
【００７０】
また、その結果、装置の小型化、設置スペースの狭域化が可能となる。
【００７１】
（最良の実施の形態２）
次に図４は、本願発明の最良の実施の形態２に係る洗浄装置の全体的な構成を示している。
【００７２】
この実施の形態の構成では、上記最良の実施の形態１の図１の構成において、多孔膜エレメント１３Ａ〜１３Ｆ間の水循環部１２ｂに純水を供給し、また回収する水供給回路部分を殆んど水を排出しない循環回路構成１６ａ〜１６ｂ〜１６ａとし、その水供給側部分（水還流側部分）に純水補給路１６ｃ、排水側部分に部分排水路１６ｄをそれぞれ設けて水の循環を可能としたことを特徴としている。
【００７３】
そして、この場合、同水循環回路１６ａ〜１６ｂ〜１６ａ途中の部分排水路１６ｄ連通部と純水補給路１６ｃ連通部との間には、循環水中に溶解した有害ガス成分を回収除去する水再生手段２０が設けられる。
【００７４】
このような構成によると、加湿と同時に循環水中の洗浄液蒸発成分の回収除去を行うことが可能となり、一旦使用した純水を再生しながら無駄なく使用することができるようになる。
【００７５】
つまり、上記のような水再生手段２０を設けると、高価な純水の使用量を減らせるとともに部分排水量をも大きく減らすことができる。
【００７６】
上記有害成分を吸収した水はその中の有害成分イオン濃度が上昇すると除去率が低下するため、濃度がある程度以上にならないように一部を常に新鮮な水に入れ替えているが、上記のように水再生手段２０を設けてイオン濃度の上昇を抑えてやれば、純水の入れ替え量そのものを少なくすることができる。
【００７７】
（その他の実施の形態）
なお、上述の各実施の形態では、洗浄対象として例えば半導体デバイスの場合で説明したが、本願発明の洗浄対象は、これに限られるものではなく、その他の各種のマイクロマシンにも適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本願発明の最良の実施の形態１に係る洗浄装置の全体的な構成を示す図である。
【図２】同装置の垂直配置された有害物除去ユニットの構成を示すスケルトン状態の斜視図である。
【図３】同装置の水平配置された有害物除去ユニットの構成を示すスケルトン状態の斜視図である。
【図４】本願発明の最良の実施の形態２に係る洗浄装置の全体的な構成を示す図である。
【符号の説明】
【００７９】
１は洗浄装置、２は洗浄装置１内の洗浄空間、２Ａは洗浄室、２Ｂは排気室、３は給気室、４Ａ，４Ｂは薬液槽、５は薬液、６Ａ，６Ｂ・・・は半導体デバイス、７はダウンフローユニット、８Ａ，８Ｂは送風機、９Ａ，９Ｂは微粒子フィルター、１０，１１は仕切壁、１２は有害物除去ユニット、１３Ａ〜１３Ｆは多孔膜エレメント、１４は循環ファン、１５ａは排気導入路、１５ｂは排気導出路、１６ａは純水循環供給路、１６ｂは純水循環排出路、１６ｃは純水補給路、１６は部分排水路である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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