(57)【要約】【課題】画質を改善することができるプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法等を提供する。【解決手段】スキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルと、前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部１２３と、前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部１２４と、前記スキャン駆動部１２３と前記サステイン駆動部１２４を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部１２６と、を含む。【選択図】図６
2006301574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルと、
前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部と、
前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部と、
前記スキャン駆動部と前記サステイン駆動部を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
奇数個のサステインパルスが前記スキャン電極とサステイン電極に印加される前記少なくとも一つのサブフィールドは、加重値が一番低い第１番目のサブフィールドから第４番目のサブフィールドまでを含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記各スキャン電極または各サステイン電極の中の何れか一つの電極にサステインパルスが最後に印加される時、前記各スキャン電極または前記サステイン電極の中で前記サステインパルスが最後に印加されなかった何れか一つの電極に消去波形が印加されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記複数個のサブフィールドは、サステインパルスが印加されなかったサブフィールドを含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
スキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部と、
前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部と、
前記スキャン駆動部と前記サステイン駆動部を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項６】
スキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記スキャン電極及び前記サステイン電極に印加された総サステインパルスの個数が奇数個を持つサブフィールドが一つのフレームを構成する複数個のサブフィールドの中で最小限一つ以上になるようにして駆動されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
複数個のサブフィールドを利用して画像を表現するプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
前記複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにすることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項８】
スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記スキャン電極及びサステイン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御し、フレームを構成する各サブフィールドの中で一つ以上のサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧と相違にする駆動制御部と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記駆動制御部は、
前記各サブフィールドの中で一つの低階調サブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りの各サブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧より低くすることを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記駆動制御部は、
前記一つの低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給される前記バイアス電圧をグラウンドレベルの電圧(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さくすることを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
一対のサステインパルスが前記低階調サブフィールドのサステイン期間で前記スキャン電極と前記サステイン電極に供給されることを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
一つのサステインパルスが前記低階調サブフィールドのサステイン期間で前記スキャン電極または前記サステイン電極の中で何れか一つの電極に供給されることを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
サステインパルスが前記低階調サブフィールドのサステイン期間で前記スキャン電極と前記サステイン電極に供給されないことを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記駆動制御部は、
前記低階調サブフィールドのリセット期間で前記スキャン電極に上昇ランプパルスが供給された後、下降ランプパルスが供給されるようにすることを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記駆動制御部は、
前記低階調サブフィールドにおいて、リセット期間で前記各スキャン電極に正極性電圧が一定に維持された後、下降ランプパルスが供給されるようにすることを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記正極性電圧は、サステイン電圧であることを特徴とする請求項１５記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記一つのフレームは、複数個の低階調サブフィールドを含み、
前記駆動制御部は、
前記複数個の低階調サブフィールドの中の一つ以上は、リセット期間で前記スキャン電極に上昇ランプパルスが供給された後、下降ランプパルスが供給されるようにし、
他の低階調サブフィールドのそれぞれのリセット期間で前記スキャン電極に正極性電圧が一定に維持された後、下降ランプパルスが供給されるようにすることを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記一つのフレームは、複数個の低階調サブフィールドを含み、
前記複数の低階調サブフィールドの中の一つ以上の各サステイン期間でサステインパルスが前記スキャン電極とサステイン電極に供給されることなく、
残りの低階調サブフィールドの各サステイン期間で一つのサステインパルスが前記スキャン電極または前記サステイン電極の中で何れか一つの電極に供給されることを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記一つのフレームは、複数個の低階調サブフィールドを含み、
前記駆動制御部は、
前記複数個の低階調サブフィールドの中の一つ以上の各アドレス期間で前記各サステイン電極に供給されるバイアス電圧が他の低階調サブフィールドと相違にすることを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記複数の低階調サブフィールドは、第１低階調サブフィールドと第２低階調サブフィールドを含み、
前記第２低階調サブフィールドの輝度加重値は、前記第１低階調サブフィールドの輝度加重値より大きく、
前記駆動制御部は、
前記第２低階調サブフィールドのアドレス期間に前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が前記第１低階調サブフィールドのアドレス期間に前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと大きくすることを特徴とする請求項１９記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２１】
スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極及び前記サステイン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御し、フレームを構成する各サブフィールドの中で一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低くする駆動制御部と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項２２】
スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
フレームを構成する各サブフィールドの中で一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドの各アドレス区間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低くすることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２３】
スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
フレームを構成する各サブフィールドの中で一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドの各アドレス区間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置及びその駆動方法等に係るもので、詳しくは、階調を具現するプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネルは、前面パネルと後面パネルの間に形成された隔壁が一つの単位セルを成すもので、各セルの内部には、ネオン（Ne）、ヘリウム（He）またはネオン及びヘリウムの混合気体（Ne+He）のような主放電気体と少量のキセノンを含む不活性ガスが充填されている。高周波電圧によって放電される時、不活性ガスは、真空紫外線（Vacuum  Ultraviolet  rays）を発生して隔壁の間に形成された蛍光体を発光させてことで、画像が具現される。このようなプラズマディスプレイパネルは、薄くて軽い構成ができるから、次世代の表示装置として脚光を浴びている。
【０００３】
図１は、一般的なプラズマディスプレイパネルの構造を示した図である。
プラズマディスプレイパネルは、 図１に示したように、画像がディスプレイされる表示面である前面ガラス１０１にスキャン電極１０２とサステイン電極１０３とが対を成して形成された複数の維持電極対が配列された前面パネル１００と、背面を成す背面基板１１１上に前述した複数の維持電極対と交差されるように複数のアドレス電極１１３が配列された背面パネル１１０とが一定な距離を間に置いて一直線に結合される。
【０００４】
前面パネル１００には、一つの放電セルで相互放電させてセルの発光を維持するためのスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３、すなわち、透明なＩＴＯ物質に形成された透明電極（a）と金属材質に製作されたバス電極（b）で具備されたスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３が対を成して含まれる。該スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３は、放電電流を制限して電極対の間を絶縁させる一つ以上の上部誘電体層１０４によって覆われ、該上部誘電体層１０４の上面には、放電条件を容易にするため、酸化マグネシウム（MgO）を蒸着した保護層１０５が形成される。
【０００５】
また、前記背面パネル１１０は、複数個の放電空間、すなわち、放電セルを形成させるためのストライプタイプ（またはウェルタイプ）の隔壁１１２が平行に配列される。また、アドレス放電を遂行して真空紫外線を発生させる多数のアドレス電極１１３が前記隔壁１１２に対して一直線に配置される。前記後面基板１１０の上側面には、アドレス放電時に画像表示のための可視光線を放出するＲ、Ｇ、Ｂ蛍光体１１４が塗布される。前記アドレス電極１１３と蛍光体１１４の間には、前記アドレス電極１１３を保護するための下部誘電体層１１５が形成される。
【０００６】
このような構造のプラズマディスプレイパネルで画像諧調を具現する方法を図２に基づいて説明する。
【０００７】
図２は、従来のプラズマディスプレイパネルの画像階調を具現する方法を示した図である。従来のプラズマディスプレイパネルの画像階調(Gray  Level)の表現方法は、図２に示したように、一つのフレームを発光回数が異なる複数のサブフィールドに分けて、各サブフィールドは、再びすべてのセルを初期化させるためのリセット期間(RPD)、放電されるセルを選択するためのアドレス期間(APD)及び放電回数によって階調を具現するサステイン期間(SPD)に分けられる。例えば、２５６階調で画像を表示しようとする場合に１/６０秒にあたるフレーム期間(１６．６７ms)は、図２のように、八つのサブフィールド(SF１ないしSF８)に分けられて、八つの各サブフィールド(SF１ないしSF８)のそれぞれは、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に再び分けられるようになる。
【０００８】
各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は、各サブフィールド毎に同一である。放電されるセルを選択するためのアドレス放電は、アドレス電極とスキャン電極である透明電極の間の電圧差によって起きる。サステイン期間は、各サブフィールドで２n(ただし、n=０、１、２、３、４、５、６、７)の割合で増加される。このように各サブフィールドでサステイン期間が相違するため、各サブフィールドのサステイン期間、すなわち、サステイン放電回数を調節して画像の階調を表現するようになる。このようなプラズマディスプレイパネルの駆動方法による駆動波形に対して次の図３を用いて説明する。
【０００９】
図３は、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法による駆動波形を示した図面である。プラズマディスプレイパネルは、図３に示したように、すべてのセルを初期化させるためのリセット期間、放電されるセルを選択するためのアドレス期間、選択されたセルの放電を維持させるためのサステイン期間及び放電されたセル内の壁電荷を消去するための消去期間に分けられて駆動される。
【００１０】
リセット期間において、セットアップ期間には、すべてのスキャン電極に上昇ランプパルス(Ramp-up)が同時に印加される。該上昇ランプパルスによって全画面の放電セル内には弱い暗放電(Dark  Discharge)が起きる。このセットアップ放電によってアドレス電極とサステイン電極上には正極性壁電荷が積もる（蓄積する）ようになり、スキャン電極上には負極性の壁電荷が積もるようになる。
【００１１】
セッダウン期間には上昇ランプパルスが供給された後、上昇ランプパルスのピーク電圧より低い正極性電圧から落ち始めてグラウンド(GND)レベル電圧以下の特定電圧レベルまで落ちる下降ランプパルス(Ramp-down)が各セル内に微弱な消去放電を起こすことで、スキャン電極に過度に形成された壁電荷を充分に消去させるようになる。このセッダウン放電によってアドレス放電が安定的に起き得るほどの壁電荷が各セル内に均一に残留される。
【００１２】
アドレス期間では、負極性スキャンパルスが各スキャン電極に順次的に印加されると同時に、スキャンパルスに同期されてアドレス電極に正極性のデータパルスが印加される。該スキャンパルスとデータパルスとの電圧差とリセット期間に生成された壁電圧が加わりながらデータパルスが印加される放電セル内にはアドレス放電が発生される。該アドレス放電によって選択された各セル内にはサステイン電圧(Vs)が印加される時、放電が起き得るようにするほどの壁電荷が形成される。サステイン電極には、セッダウン期間とアドレス期間の間にスキャン電極との電圧差を減らしてスキャン電極との誤放電が起きないように正極性電圧(Vz)が供給される。
【００１３】
サステイン期間には、スキャン電極と各サステイン電極に交番的にサステインパルス(Sus)が印加される。アドレス放電によって選択されたセルは、セル内の壁電圧とサステインパルスが加わりながら毎サステインパルスが印加されるたびにスキャン電極とサステイン電極の間にサステイン放電、すなわち、表示放電が起きるようになる。
【００１４】
サステイン放電が完了した後、消去期間ではパルス幅と電圧レベルが小さい消去ランプパルス(Ramp-ers)の電圧がサステイン電極に供給されて全画面の各セル内に残留する壁電荷を消去させるようになる。
【００１５】
この時、階調の表現に影響を与え得る放電は、アドレス期間で発生するアドレス放電とサステイン期間で発生するサステイン放電である。このような放電によって発生した光が外部に発散されて階調が表現される。
【００１６】
図４は、図３の駆動波形で階調の表現に影響を与える放電を説明するための図面である。図４に示したように、図３の駆動波形のA領域ではアドレス期間でスキャン電極(Y)とアドレス電極(X)の間でアドレス放電が発生し、図３の駆動波形のB領域ではサステイン期間でスキャン電極(Y)とサステイン電極(Z)の間でサステイン放電が発生する。この時、階調の表現に影響を与えるのは、アドレス放電とサステイン放電によって発生する光である。リセット期間におけるリセット放電によっても放電が発生するが、プラズマディスプレイパネル上のすべての放電セル内でリセット放電が発生するため、このようなリセット放電によって発生する光は、階調の表現には影響を与えない。
【００１７】
このような従来の駆動波形では、各サブフィールドのサステイン期間にスキャン電極とサステイン電極に一対のサステインパルスが正数倍に印加されて表示放電時に階調が表現される。このように一対のサステインパルスが正数倍に印加されると、サステイン期間時に発生された光量が過多で、低い階調を表示するための低階調サブフィールドでは階調の表現力が劣るという問題点が発生する。
【００１８】
また、従来のサステイン放電とアドレス放電によってハーフトーンノイズ(half-tone  noise)が大きく発生して画質が落ちるという問題点も発生する。
【００１９】
図５は、図３の駆動波形で１以下の低階調を具現する方法の一例を具現する方法を説明するための図面である。
【００２０】
図３の一番目サブフィールド(SF１)における駆動波形によって具現される光が階調２を具現する光であると仮定すると、図５に示したように、プラズマディスプレイパネル上で総数１６個の放電セルから成る領域で０．５の階調を具現するためにオフ(Off)される放電セル(C)とオン(On)される放電セル(D)の個数が調節されて全体的に０．５の階調が具現される。ここで、図３の駆動波形によって具現される光を階調２を具現する光であると仮定した理由は、説明の便宜のために一つのサステインパルスが階調１を具現すると仮定したからである。すなわち、図３の一番目サブフィールド(SF１)の駆動波形では、二つのサステインパルスが供給されるから、総２の階調を具現する。したがって、図５でオンされる一つの放電セルは、２階調を具現する光を放出する。この時、図５のように四つの放電セルから成る領域(６００)で計三つの放電セルがオフされて一つの放電セルがオンされると、四つの放電セルから成る領域(６００)のそれぞれの放電セルは、０．５階調を具現すると見えるようになる。このような方法は、人の目の錯視現象を利用したもので、ハーフトーン(Halfｔone)技法中の一つである。
【００２１】
しかし、このような従来の階調の表現方法は、アドレス放電と一対のサステインパルスが正数倍に印加されて形成されるサステイン放電によってオンされる放電セルとオフされる放電セルとの輝度差が相対的に大きい。また、オフされる放電セルの個数に比べてオンされる放電セルの個数が少ないため、映像の境界部分で画質がにじむ。これによって、ハーフトーンノイズ(Halfｔone  Noise)が大きく発生して画質が悪くなるという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
本発明は、毎サブフィールドのサステイン期間に印加されるサステインパルスの個数を調節して階調の表現力を向上し得るプラズマディスプレイ装置及び該プラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、ハーフトーンノイズを減らし得るプラズマディスプレイ装置及び該プラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルと、前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部と、前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部と、前記スキャン駆動部と前記サステイン駆動部を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部と、前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部と、前記スキャン駆動部と前記サステイン駆動部を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部と、を含むことを特徴とする。
【００２５】
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルは、前記各スキャン電極及び前記各サステイン電極に印加された総サステインパルスの個数が奇数個を持つサブフィールドが一つのフレームを構成する複数個のサブフィールドの中で最小限一つ以上になるようにして駆動されることを特徴とする。
【００２６】
本発明の実施形態によって複数個のサブフィールドを利用して画像を表現するプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、前記複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにすることを特徴とする。
【００２７】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、前記スキャン電極及びサステイン電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御し、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上のサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧と相違にする駆動制御部と、を含むことを特徴とする。
【００２８】
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記スキャン電極及び前記サステイン電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御し、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低くする駆動制御部と、を含むことを特徴とする。
【００２９】
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルは、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドの各アドレス区間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低くすることを特徴とする。
【００３０】
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドの各アドレス区間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３１】
本発明は、複数のサブフィールドのサステイン期間に奇数個のサステインパルスが印加される少なくとも一つ以上のサブフィールドを含むことで、より細密な階調を表現し得るし、画質を向上し得るという効果がある。
【００３２】
また、本発明は、サステイン電極に供給されるバイアス電圧の大きさを調節することで、低階調の具現時のハーフトーンノイズ(Halftone  Noise)を減少させて画質を改善し得るという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルと、前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部と、前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部と、前記スキャン駆動部と前記サステイン駆動部を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部と、を含む。
【００３４】
また、奇数個のサステインパルスが前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加される前記少なくとも一つのサブフィールドは、加重値が一番低い第１番目のサブフィールドから第４番目のサブフィールドまでを含む。
【００３５】
前記スキャン電極またはサステイン電極の中の何れか一つの電極にサステインパルスが最後に印加される時、前記スキャン電極またはサステイン電極の中で前記サステインパルスが最後に印加されなかった何れか一つの電極に消去波形が印加される。
【００３６】
また、前記複数個のサブフィールドは、サステインパルスが印加されなかったサブフィールドを含む。
【００３７】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部と、前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部と、前記スキャン駆動部と前記サステイン駆動部を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部と、を含む。
【００３８】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、前記各スキャン電極及び前記各サステイン電極に印加された総サステインパルスの個数が奇数個を持つサブフィールドが一つのフレームを構成する複数個のサブフィールドの中で最小限一つ以上になるようにして駆動される。
【００３９】
本発明の実施形態によって複数個のサブフィールドを利用して画像を表現するプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、前記複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにする。
【００４０】
本発明の実施形態によるスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルは、前記スキャン電極及びサステイン電極を駆動するための駆動部及び該駆動部を制御し、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上のサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧と相違にする駆動制御部を含む。
【００４１】
また、前記駆動制御部は、前記各サブフィールドの中の一つの低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りの各サブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧より低くすることを特徴とする。
【００４２】
また、前記駆動制御部は、前記一つの低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給される前記バイアス電圧をグラウンドレベルの電圧(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さくする。
【００４３】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置においては、一対のサステインパルスが前記低階調サブフィールドのサステイン期間で前記スキャン電極と前記サステイン電極に供給される。
【００４４】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置においては、一つのサステインパルスが前記低階調サブフィールドのサステイン期間で前記スキャン電極または前記サステイン電極の中で何れか一つの電極に供給される。
【００４５】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置においては、サステインパルスが前記低階調サブフィールドのサステイン期間で前記スキャン電極と前記サステイン電極に供給されない。
【００４６】
前記駆動制御部は、前記低階調サブフィールドのリセット期間で前記スキャン電極に上昇ランプパルスが供給された後、下降ランプパルスが供給されるようにする。
【００４７】
前記駆動制御部は、前記低階調サブフィールドでリセット期間で前記各スキャン電極に正極性電圧が一定に維持された後、下降ランプパルスが供給されるようにする。
【００４８】
前記正極性電圧は、サステイン電圧であることを特徴とする。
【００４９】
前記一つのフレームは、複数個の低階調サブフィールドを含み、前記駆動制御部は、前記複数個の低階調サブフィールドの中の一つ以上は、リセット期間で前記スキャン電極に上昇ランプパルスが供給された後、下降ランプパルスが供給されるようにし、他の低階調サブフィールドのそれぞれのリセット期間で前記スキャン電極に正極性電圧が一定に維持された後、下降ランプパルスが供給されるようにする。
【００５０】
また、前記一つのフレームは、複数個の低階調サブフィールドを含み、前記複数の低階調サブフィールドの中の一つ以上の各サステイン期間でサステインパルスが前記スキャン電極と前記サステイン電極に供給されることなく、残りの低階調サブフィールドの各サステイン期間で一つのサステインパルスが前記スキャン電極または前記サステイン電極の中で何れか一つの電極に供給される。
【００５１】
また、前記一つのフレームは、複数個の低階調サブフィールドを含み、前記駆動制御部は、前記複数個の低階調サブフィールドの中の一つ以上の各アドレス期間で前記各サステイン電極に供給されるバイアス電圧が他の低階調サブフィールドと相違にする。
【００５２】
また、前記複数の低階調サブフィールドは、第１低階調サブフィールドと第２低階調サブフィールドを含み、前記第２低階調サブフィールドの輝度加重値は、前記第１低階調サブフィールドの輝度加重値より大きく、前記駆動制御部は、前記第２低階調サブフィールドのアドレス期間に前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が前記第１低階調サブフィールドのアドレス期間に前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと大きくする。
【００５３】
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記スキャン電極及び前記サステイン電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御してフレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低くする駆動制御部と、を含む。
【００５４】
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルは、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドの各アドレス区間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低くする。
【００５５】
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドの各アドレス区間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低い。
【００５６】
以下、本発明による具体的な実施形態を添付された図面を参照して説明する。
【００５７】
図６は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置を示した図である。本発明に係るプラズマディスプレイ装置においては、図６に示したように、各スキャン電極(Y１ないしYn)及びサステイン電極(Z)と、該スキャン電極及びサステイン電極(Z)と交差する複数の各アドレス電極(X１ないしXm)を含むプラズマディスプレイパネル１００と、該プラズマディスプレイパネル１００の下部基板(図示せず)に形成された各アドレス電極(X１ないしXm)にデータを供給するためのデータ駆動部１２２と、各スキャン電極(Y１ないしYn)を駆動するためのスキャン駆動部１２３と、共通電極であるサステイン電極(Z)を駆動するためのサステイン駆動部１２４と、階調の表現力を高めるために毎サブフィールドのサステイン期間にサステインパルスの個数を調節するサステインパルス制御部１２６と、プラズマディスプレイパネルの駆動時にデータ駆動部１２２、スキャン駆動部１２３、サステイン駆動部１２４及びサステインパルス制御部１２６を制御するための駆動制御部１２１と、それぞれの駆動部(１２２、１２３、１２４)に必要な駆動電圧を供給するための駆動電圧発生部１２５を含む。
【００５８】
また、前記プラズマディスプレイパネル１００は、上部基板(図示せず)と下部基板(図示せず)とが一定な間隔を置いて合着され、上部基板には、多数の電極、例えば、各スキャン電極(Y１ないしYn)及びサステイン電極(Z)が対を成して形成され、下部基板には、各スキャン電極(Y１ないしYn)及びサステイン電極(Z)と交差されるように各アドレス電極(X１ないしXm)が形成される。
【００５９】
また、データ駆動部１２２には、図示しなかった逆ガンマ補正回路、誤差拡散回路などによって逆ガンマ補正及び誤差拡散された後、サブフィールドマッピング回路によって各サブフィールドにマッピングされたデータが供給される。このようなデータ駆動部１２２は、前記駆動制御部１２１からのタイミング制御信号(CTRX)に応答してデータをサンプリングしてラッチした後、該データを各アドレス電極(X１ないしXm)に供給するようになる。
【００６０】
また、前記スキャン駆動部１２３は、前記駆動制御部１２１の制御下にリセット期間の間にリセット電圧(Vreset)を利用して上昇ランプパルス(Ramp-up)と下降ランプパルス(Ramp-down)を各スキャン電極(Y１ないしYn)に供給し、アドレス期間の間にスキャン電圧(-Vy)のスキャンパルス(Sp)を各スキャン電極(Y１ないしYn)に順次的に供給する。また、前記スキャン駆動部１２３は、スキャンが行われるスキャン電極の以外の各スキャン電極にスキャン共通電圧(Vscan-com)を印加する。また、前記スキャン駆動部１２３は、サステイン期間の間には前記サステイン駆動部１２４と相互に動作してサステインパルス(sus)を各スキャン電極(Y１ないしYn)に供給する。また、前記スキャン駆動部１２３は、前記駆動制御部１２１の制御によって各スキャン電極(Y１ないしYn)にイレイズパルス(Verase)を印加する。
【００６１】
また、前記サステイン駆動部１２４は、前記駆動制御部１２１の制御下にリセット期間の間にリセット電圧(Vreset)を利用して上昇ランプパルス(Ramp-up)と下降ランプパルス(Ramp-down)を各サステイン電極(Z１ないしZn)に供給し、前記駆動制御部１２１の制御下にアドレス期間の間に所定のバイアス電圧を印加し、サステイン期間の間に前記スキャン駆動部１２３と交代に動作してサステインパルス(sus)がサステイン電極(Z)に供給される。また、前記サステイン駆動部１２４は、前記駆動制御部１２１の制御によって各サステイン電極(Z)にイレイズパルス(Verase)を印加する。
【００６２】
また、前記サステインパルス制御部１２６は、各サブフィールドにマッピングされたデータの階調値によって前記駆動制御部１２１の制御信号に応答してサステイン期間に供給されるサステインパルスを調節する。すなわち、サステインパルスを複数のサブフィールドのサステイン期間の間に輝度加重値によって各スキャン電極(Y１ないしYn)または各サステイン電極(Z)に交番的に一対ずつ正数倍で供給する。この時、本発明のサステインパルス制御部１２６は、階調の表現力を高めるために一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で一つ以上のサブフィールドのサステイン期間で奇数個のサステインパルスが供給されるように制御する。このようなサステインパルス制御部１２６は、前記スキャン駆動部１２３またはサステイン駆動部１２４に内蔵されることもできる。
【００６３】
また、前記駆動制御部１２１は、垂直/水平同期信号とクロック信号の入力を受けてリセット期間、アドレス期間、サステイン期間で各駆動部(１２２、１２３、１２４)とサステインパルス制御部１２６の動作タイミングと同期化を制御するための各タイミング制御信号(CTRX、CTRY、CTRZ、CTRERS１)を発生して該各タイミング制御信号(CTRX、CTRY、CTRZ、CTRERS１)を該当の駆動部(１２２、１２３、１２４)とサステインパルス制御部１２６に供給することで、各駆動部及び制御部(１２２、１２３、１２４、１２６)を制御する。また、前記駆動制御部１２１は、リセット期間の間に上昇ランプパルス(Ramp-up)と下降ランプパルス(Ramp-down)が各スキャン電極(Y１ないしYn)または各サステイン電極(Z)に印加されるように前記スキャン駆動部１２３またはサステイン駆動部１２４を制御する。また、前記駆動制御部１２１は、アドレス期間で各サステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧を制御して制御されたバイアス電圧が各サステイン電極(Z)に印加されるように前記サステイン駆動部１２４を制御する。
すなわち、前記駆動制御部１２１は、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上のサブフィールドのアドレス期間にサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧を残りのサブフィールドの各アドレス期間にサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧と相違にする。さらに好ましくは、前記駆動制御部１２１は、前記サステイン駆動部１２４を制御し、一つのフレームを構成する各サブフィールドの中の一つの低階調サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が残りの各サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧より低くする。また、前記駆動制御部１２１は、各スキャン電極(Y)または各サステイン電極(Z)にイレイズパルス(Verase)が印加されるように前記スキャン駆動部１２３またはサステイン駆動部１２４を制御する。以上のように、前記駆動制御部１２１は、必要によって上昇ランプパルス(Ramp-up)と下降ランプパルス(Ramp-down)が各スキャン電極(Y１ないしYn)または各サステイン電極(Z)に印加されるように前記スキャン駆動部１２３または前記サステイン駆動部１２４を制御する。また、前記駆動制御部１２１は、階調の表現力を高めるために複数のサブフィールドの中で最小限一つ以上のサブフィールドのサステイン期間に奇数個のサステインパルスが供給される時、最後のサステインパルスが印加されない電極にイレイズパルス(Verase)が印加されるように前記スキャン駆動部１２３または前記サステイン駆動部１２４を制御する。
【００６４】
すなわち、 駆動制御部１２１はフレームを構成するサブフィールド中の一つ以上のサブフィールドのアドレス期間にサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧を、残りサブフィールドの各アドレス期間にサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧と異なるようにする。 もっと望ましくは駆動制御部１２１は前述のサステイン駆動部１２４を制御して、一つのフレームを構成するサブフィールドの中で一つの低階調サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が残りサブフィールドたちのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧より低くする。また駆動制御部１２１はスキャン電極（Ｙ）またはサステイン電極(Z)にイレイズパルス(Verase)が印加されるようにスキャン駆動部１２３ またはサステイン駆動部１２４を制御する。 以上のように駆動制御部１２１は必要によって上昇ランプパルス（Ｒａｍｐ−ｕｐ）と下降ランプパルス（Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎ）がスキャン電極（Ｙ１ 乃至 Ｙｎ）またはサステイン電極(Z)に印加されるようにスキャン駆動部１２３ またはサステイン駆動部１２４を制御する。また、駆動制御部１２１は階調表現力を高めるために複数のサブフィールド中の一つ以上のサブフィールドの各サステイン期間に奇数個のサステインパルスが供給される時最後のサステインパルスが印加されない電極にイレイズパルス(Verase)が印加されるようにスキャン駆動部１２３ またはサステイン駆動部１２４を制御する。
【００６５】
一方、データ制御信号(CTRX)には、データをサンプリングするためのサンプリングクロック、ラッチ制御信号、エネルギー回収回路と駆動スィッチ素子のオン/オフタイムを制御するためのスィッチ制御信号が含まれる。また、スキャン制御信号(CTRY)には、前記スキャン駆動部１２３内のエネルギー回収回路と駆動スィッチ素子のオン/オフタイムを制御するためのスィッチ制御信号が含まれ、サステイン制御信号(CTRZ)には、前記サステイン駆動部１２４内のエネルギー回収回路と駆動スィッチ素子のオン/オフタイムを制御するためのスィッチ制御信号が含まれる。
【００６６】
また、前記駆動電圧発生部１２５は、リセット電圧(Vreset)、スキャン共通電圧(Vscan-com)、スキャン電圧(-Vy)、サステイン電圧(Vs)、データ電圧(Vd)などを発生する。このような各駆動電圧は、放電ガスの組成や放電セルの構造によって変わることができる。
【００６７】
このような構造を持つ本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法について詳しく説明する。
【００６８】
<実施形態１>
【００６９】
図７は本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第１実施形態を説明するための駆動波形図である。
【００７０】
まず、本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法では、図７に示したように、一つのフレーム期間をリセット期間、アドレス期間及びサステイン期間をそれぞれ含む多数のサブフィールド(SF１、SF２、SF３、SF４、．．．)に時分割し、各サブフィールドは、それぞれ所定の輝度加重値を持つように設定される。これをより詳しく説明すると、次のとおりである。
【００７１】
(第１サブフィールド)
【００７２】
まず、第１サブフィールド(SF１)のリセット期間は、正極性の高いリセットパルスまたは所定傾斜度を持つランプ信号形態のセットアップ/セッダウンパルス(RST)がサステイン電極(Z)に供給されて全画面の各セル内にリセット放電を起こす。該リセット放電によって全画面の各セルは、均一に壁電荷が蓄積されるから、放電特性が均一になる。
【００７３】
アドレス期間では、アドレス電極(X)にデータパルス(data)が供給され、該データパルス(data)に同期されるようにスキャン電極(Y)に順次的に負極性スキャンパルス(Scan)が供給される。このスキャンパルスとデータパルスとの電圧差とリセット期間に生成された壁電圧が加わりながらデータパルスが印加されるセル内にはアドレス放電が発生される。
【００７４】
サステイン期間には、スキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中の何れか一つの電極にもサステインパルスが印加されない。
【００７５】
消去期間には、イレイズパルス(erase)がスキャン電極(Y)に供給される。
【００７６】
(第２サブフィールド)
【００７７】
第２サブフィールド(SF２)のアドレス期間は、第１サブフィールドのアドレス期間と同一に成る。ただ、サステイン期間には、図示したように、スキャン電極(Y)または各サステイン電極(Z)の中の何れか一つの電極のみに一つのサステインパルスが供給される。また、消去期間には、サステイン期間にサステインパルス(SUS)がスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中の何れか一つの電極のみに供給される時、サステインパルスが供給されなかった各電極(YまたはZ)にランプ波形のようなイレイズパルス(erase)が供給される。
【００７８】
(第３サブフィールド)
【００７９】
第３サブフィールド(SF３)のアドレス期間は、第１サブフィールド(SF１)のアドレス期間と同一に成る。サステイン期間には、スキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)にサステインパルス(SUS)が交番的に供給され得るが、好ましくは、加重値増加によって高い階調を表現するためにスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)に供給されるサステインパルスの数をもっとたくさん増やして印加する。ただ、この時にも、サステイン期間に印加されるサステインパルスの総数は、奇数個に印加されるように最後のサステインパルスは、スキャン電極またはサステイン電極の中で何れか一つの電極のみに供給される。
【００８０】
消去期間には、以前のサステイン期間の中で最後に印加されるサステインパルス(SUS)がスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中の何れか一つの電極に供給された時、サステインパルスが供給されなかった各電極(YまたはZ)にランプ波形のようなイレイズパルス(erase)が供給される。
【００８１】
(第４サブフィールド)
【００８２】
第４サブフィールド(SF４)のアドレス期間は、第１サブフィールドのアドレス期間と同一に成る。また、サステイン期間には、第３サブフィールドのようにスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)にサステインパルス(SUS)の総数が奇数個分供給される。
【００８３】
消去期間も第３サブフィールドに印加されるイレイズパルスと同一であるから、これについての説明は省略する。
【００８４】
(第５、６、７、．．サブフィールド)
【００８５】
第５、６、７、．．サブフィールド(SF５、SF６、SF７、．．．)のアドレス期間は、図面には示していないが、第１サブフィールドのアドレス期間と同一に成る。また、サステイン期間には、従来と同様に、スキャン電極(Y)及びサステイン電極(Z)に一対でサステインパルスが供給され得るが、第４サブフィールドのようにスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)にサステインパルスの総数が奇数個分供給される。この時、消去期間には、サステイン電極(Z)にイレイズパルスが供給される。
【００８６】
一方、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の第１駆動方法で加重値の手順による第１サブフィールドから第４サブフィールドまでのサステイン期間にサステインパルスの総数が奇数個分供給されるが、その中の何れか一つのサブフィールドのみでサステインパルスの総数が奇数個分供給されることができる。
【００８７】
このような本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、加重値が低い低階調サブフィールド(SF１〜SF４)だけでなく、全体サブフィールドの中の何れか一つのサブフィールドでサステインパルス個数の総数が奇数個分印加されると、サステインパルスによって発生された発光量を微細に制御し得ることで、階調の表現力を高めることができる。また、階調の表現力を高めるために、一番低い低階調サブフィールドのみでサステインパルスを奇数個分供給しなくてもどんな加重値を持つサブフィールドでもサステイン期間に奇数個のサステインパルスを印加することで、多様な方法で階調の表現力を向上し得るようになる。
【００８８】
<実施形態２>
【００８９】
図８は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第２実施形態を説明するための駆動波形図である。本発明に係るプラズマディスプレイ装置の第２駆動方法は、図８に示したように、図７のように一つのフレーム期間をリセット期間、アドレス期間及びサステイン期間をそれぞれ含む多数のサブフィールド(SF１、SF２、SF３、SF４、．．．)に時分割された各サブフィールドは、それぞれ所定の輝度加重値を持つように設定される。これについてより詳しく説明すると、次のとおりである。
【００９０】
(第１サブフィールド)
【００９１】
まず、第１サブフィールド(SF１)のリセット期間は、正極性の高いリセットパルスまたは所定傾斜度を持つランプ信号形態のセットアップ/セッダウンパルス(図示せず)がサステイン電極(Z)に供給されて全画面の各セル内にリセット放電を起こす。該リセット放電によって全画面の各セルは、均一に壁電荷が蓄積されるから、放電特性が均一になる。
【００９２】
アドレス期間では、アドレス電極(X)にデータパルス(data)が供給され、該データパルス(data)に同期されるように各スキャン電極(Y)に順次的に負極性スキャンパルス(Scan)が供給される。該スキャンパルスとデータパルスとの電圧差とリセット期間に生成された壁電圧が加わりながらデータパルスが印加されるセル内にはアドレス放電が発生される。
【００９３】
サステイン期間では、スキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の何れか一つの電極のみに一つのサステインパルスが供給される。
【００９４】
消去期間では、サステイン期間にサステインパルス(SUS)がスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の何れか一つの電極のみに供給される時、相対的にサステインパルスが供給されなかった電極(Y、Z)にランプパルスのようなイレイズパルス(erase)が供給される。
【００９５】
(第２サブフィールド)
【００９６】
第２サブフィールド(SF２)のアドレス期間は、第１サブフィールドのアドレス期間と同一に成る。サステイン期間では、スキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)にサステインパルス(SUS)が交番的に供給され得るが、好ましくは、加重値増加によって高い階調を表現するためにスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)に供給されるサステインパルスの数をもっとたくさん増やして印加する。ただ、この時にも、サステイン期間に印加されるサステインパルスの総数が、奇数個分印加されるように最後のサステインパルスはスキャン電極またはサステイン電極の何れか一つの電極のみに供給される。
【００９７】
消去期間では、以前のサステイン期間の中で最後に印加されるサステインパルス(SUS)がスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の何れか一つの電極に供給された時、相対的にサステインパルスが供給されなかった電極(Y、Z)にランプパルスのようなイレイズパルス(erase)が供給される。
【００９８】
(第３、第４サブフィールド)
【００９９】
第３及び第４サブフィールド(SF３、SF４)のアドレス期間は、第１サブフィールドのアドレス期間と同一に成る。また、サステイン期間には、第２サブフィールドのようにスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)にサステインパルス(SUS)の総数が奇数個に供給される。
【０１００】
消去期間も第２サブフィールドに印加されるイレイズパルスと同一であるから、これに対する説明は省省略する。
【０１０１】
(第５、６、７、．．サブフィールド)
【０１０２】
第５、６、７、．．サブフィールド(SF５、SF６、SF７、．．．)のアドレス期間は、図面には示していないが、第１サブフィールドのアドレス期間と同一に成る。また、サステイン期間には、従来と同様に、スキャン電極(Y)及びサステイン電極(Z)に一対でサステインパルスが供給され得るが、第３及び第４サブフィールドのようにスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)にサステインパルスの総数が奇数個供給される。この時、消去期間には、サステイン電極(Z)にイレイズパルスが供給される。
【０１０３】
このような本発明の第２実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、上述した本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法で第１サブフィールドで供給されるサステインパルスの有無に差があるが、奏される効果は、すべての実施形態のように加重値が低い低階調サブフィールド(SF１〜SF４)でサステインパルス個数の総数が奇数個に印加されてサステインパルスによって発生された発光量を微細に制御し得ることで、階調の表現力を高めることができる。
【０１０４】
図９は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の画質改善を説明するための駆動波形図である。図１０は、図９の駆動波形図を利用して１以下の低階調を具現する方法の一例を説明するための図である。図９に示したように、本発明の駆動方法によって低階調における画質をもっと改善するためにサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数を一つにした。
【０１０５】
これによって、図１０に示したように、図９の駆動波形によって具現される光が階調１を具現する光であると仮定すると、プラズマディスプレイパネル上で総数１６個の放電セルから成る領域で０．２５の階調を具現しようとする場合にオフ(Off)される放電セル(C)とオン(On)される放電セル(D)の個数を調節して全体的に０．２５の階調を具現した。ここで、図９の駆動波形によって具現される光を階調１を具現する光であると仮定した理由は、説明の便宜のために、一つのサステインパルスが階調１を具現すると仮定したからである。すなわち、図９の駆動波形においては、一つのサステインパルスが供給されるから総１の階調を具現する。
【０１０６】
この図１０に示したように、オンされる一つの放電セルが１階調を具現する光を具現すると仮定する。このような場合に、図１０のように、プラズマディスプレイパネル上で総数１６個の放電セルから成る領域で０．２５の階調を具現しようとする場合にオフ(Off)される放電セル(C)とオン(On)される放電セル(D)の個数を調節して全体的に０．２５の階調を具現する。例えば、符号８００の領域のように、四つの放電セルから成る領域で計三つの放電セルはオフさせて一つの放電セルをオンさせると、符号８００の領域で発生する総光は、階調１を具現するための光になる。これによって、符号８００の領域のそれぞれの放電セルは、０．２５階調を具現すると見えるようになる。したがって、本発明の駆動方法は、図５に示された従来の方法に比べてより纎細な低階調の表現が可能で、オンされる放電セルとオフされる放電セルとの輝度差が相対的に小くなるから、ハーフトーンノイズが少なく発生する。
【０１０７】
<実施形態３>
【０１０８】
図１１は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第３実施形態を説明するための駆動波形図である。本発明の第３実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、図１１に示したように、フレームのサブフィールドの中で低階調サブフィールドにおいては、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が他のサブフィールドよりもっと低くする。この時、バイアス電圧は、グラウンドレベル(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さくすることが好ましい。また、前記低階調サブフィールドは、フレームのサブフィールドの中でサステイン期間で一対のサステインパルスがスキャン電極(Y)とサステイン電極(Z)に供給されるサブフィールドであることが好ましい。このような低階調サブフィールドは、図１１に示したように、サステイン期間に一対のサステインパルスが供給されるサブフィールドに限定されることなく、奇数個のサステインパルスが供給されることもできる。これについて、次の実施形態を用いて説明する。
【０１０９】
図１１においては、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数を二つにし、また、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給される正極性のバイアス電圧(Vz)を他のサブフィールドより小さくして最低階調を具現する。例えば、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧(Vz)を他の一般のサブフィールドより小さくしながらスキャン電極(Y)に供給されるサステインパルスを一つに設定し、サステイン電極(Z)に供給されるサステインパルスの個数をまた一つに設定する。
【０１１０】
このように、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧(Vz)を他の一般のサブフィールドより小さくすると、アドレス期間でスキャン電極(Y)に供給されるスキャンパルスとアドレス電極(X)に供給されるデータパルスの間で発生するアドレス放電を弱くなる。その理由は、アドレス期間でアドレス放電が発生する時点でスキャン電極に供給されるスキャンパルスとサステイン電極間の電位差を減らすことで、スキャン電極とアドレス電極の間で発生するアドレス放電に参与する壁電荷の数が減るからである。これによって、アドレス期間で発生する光の量が減少するようになる。
【０１１１】
また、このようなアドレス期間で発生するアドレス放電が弱いから、放電セル内に積もる壁電荷の量も減少するようになる。これによって、以後にサステイン期間でサステインパルスによって発生する光の量も減少するようになる。結果的に、アドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧(Vz)の大きさを減少させることで、従来の図３の場合に比べて一つの最低階調サブフィールドが発生させる光の量がもっと小さくなる。
【０１１２】
一方、このような図１１の場合に、階調の表現に影響を与え得る放電は、アドレス期間で発生するアドレス放電とサステイン期間で発生するサステイン放電である。このような放電によって発生した光が外部に発散されて階調を表現するようになるのである。すなわち、前記図１１のような駆動波形における階調は、アドレス放電とサステイン放電によって発生される光によって決定される。このように階調に影響を与える放電について次の図１２を用いて説明する。
【０１１３】
図１２は、図１１の駆動波形で階調の表現に影響を与える放電を説明するための図である。図１２に示したように、図１１の駆動波形のA領域のアドレス期間では、スキャン電極(Y)とアドレス電極(X)の間でアドレス放電が発生し、図１１の駆動波形のB領域のサステイン期間では、スキャン電極(Y)とサステイン電極(Z)の間でサステイン放電が発生する。この図１２を従来の図４と比べると、スキャン電極(Y)とアドレス電極(X)の間で発生するアドレス放電とスキャン電極(Y)とサステイン電極(Z)の間で発生するサステイン放電の強さがそれぞれもっと小さくなったことを確認することができる。このような図１１の駆動波形ではリセット期間におけるリセット放電によっても放電が発生するが、プラズマディスプレイパネル上のすべての放電セル内でリセット放電が発生するから、このようなリセット放電によって発生する光は、階調の表現には影響を与えない。
【０１１４】
このような図１２のように、従来に比べてアドレス放電とサステイン放電の強さがそれぞれもっと小さくなったのは、アドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧(Vz)を減少させたからである。このようなバイアス電圧(Vz)を図１３を用いて説明すると、次のとおりである。
【０１１５】
図１３は、図１１の駆動波形図において、アドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧(Vz)に対してより詳しく説明するための図である。図１３に示したように、本発明の駆動方法でアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧(Vz)は、既存のバイアス電圧(Vz)よりは小さい。そして、下限臨界値は、アドレス期間でスキャン電極(Y)とアドレス電極(X)の間の壁電圧がアドレス放電に必要なアドレス放電開始電圧より低くならないようにする値である。その理由は、本発明において、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧(Vz)が過度に小くなると、スキャン電極(Y)とアドレス電極(X)の間に積もる壁電荷が減少してアドレス放電が発生しなくなるからである。もう少し詳しく表現すると、このようなアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧(Vz)は、グラウンドレベル(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さい範囲を持つ。
【０１１６】
ここで、前記低階調サブフィールドにおけるリセット期間は、図１１のように、スキャン電極にセットアップ期間で上昇ランプ(Ramp-Up)パルスが供給され、セッダウン期間で下降ランプ(Ramp-Down)パルスが供給されるようにすることが好ましい。
【０１１７】
しかし、これとは異なって、前記低階調サブフィールドで発生する光の量を減らすために、リセットパルスで上昇ランプ(Ramp-Up)パルスを省略することも好ましい。例えば、低階調サブフィールドでリセット期間ではスキャン電極にセットアップ期間で正極性電圧が一定に維持され、セッダウン期間で下降ランプ(Ramp-Down)パルスが供給されるようにする。この時、正極性電圧は、図１１のサステイン電圧(Vs)であることが好ましい。
【０１１８】
このように、低階調サブフィールドにおけるリセットパルスで上昇ランプを省略するようになると、低階調サブフィールドで発生する光の量をもっと減少させ得るようになって低階調の表現力がもっと上昇するようになる。
【０１１９】
このような図１１の駆動波形を利用して１以下の低階調、すなわち、小数階調を具現する方法の一例は、次の図１４のとおりである。
【０１２０】
図１４は、図１１の駆動波形で１以下の小数階調を具現する方法の一例を具現する方法を説明するための図である。図１４に示したように、従来の図５に比べてアドレス放電及びサステイン放電がもっと弱く発生するから、このような図１４の駆動波形によってオンされる放電セルが発生させる光の量が図５に比べて小さい。例えば、図５における一つの放電セルが２の階調を具現する光を発生させると仮定すると、図１４においては、オンされる一つの放電セルは、２よりは小さい階調を具現する光を発生させる。
【０１２１】
このような図１４でオンされる一つの放電セルが１階調を具現する光を具現すると仮定する。このような場合に、図５のように、プラズマディスプレイパネル上で総数１６個の放電セルから成る領域で０．５の階調を具現しようとする場合に、オフ(Off)される放電セル(C)とオン(On)される放電セル(D)の個数を調節して全体的に０．５の階調を具現する。
【０１２２】
例えば、符号１３００の領域のように、四つの放電セルから成る領域で計二つの放電セルはオフさせて二つの放電セルをオンさせることで、符号１３００の領域で発生する総光は、階調２を具現するための光になる。これによって符号１３００の領域のそれぞれの放電セルは、０．５階調を具現すると見えるようになる。このような図１３のパターンを図５と比べると、より細分化されたパターンを利用して同一な０．５の階調を具現し得るようになる。
【０１２３】
すなわち、オンされる放電セルとオフされる放電セルとの輝度差を減らし、また、所定の小数階調を具現するためのハーフトーンを遂行するためのプラズマディスプレイパネル上の単位領域の大きさが減少することで、より纎細な画質の具現が可能である。
【０１２４】
これによって映像の境界部分で画質がにじむなどのハーフトーンノイズ(Halftone  Noise)の発生が低減される。
【０１２５】
また、低階調における画質をさらに改善するために、アドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧(Vz)を減少させて、サステイン期間で供給されるサステインパルスの個数を奇数個にする方法に対して説明すると、次の本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を実現するための第４実施形態のとおりである。
【０１２６】
<実施形態４>
【０１２７】
図１５は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第４実施形態を説明するための駆動波形図である。図１５に示したように、本発明の第４実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームのサブフィールドの中で低階調サブフィールドではアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が他のサブフィールドよりもっと低くする。この時、バイアス電圧は、グラウンドレベル(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さくすることが好ましい。また、低階調サブフィールドのサステイン期間においては、前記本発明の第３実施形態とは異なって、スキャン電極(Y)及びサステイン電極(Z)に一対の正数倍に該当するサステインパルスが供給されるのではなく、奇数個のサステインパルスが供給される。好ましくは、低階調サブフィールドのサステイン期間でスキャン電極(Y)及びサステイン電極(Z)の中で何れか一つの電極に一つのサステインパルスが供給される。
【０１２８】
この図１５においては、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数を一つにし、また、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給される正極性のバイアス電圧(Vz)を他のサブフィールドより小さくして最低階調を具現する。例えば、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧を他の一般のサブフィールドより小さくしながらスキャン電極(Y)に供給されるサステインパルスを一つに設定し、サステイン電極(Z)にはサステインパルスが供給されないように設定する。
【０１２９】
このようにサステイン期間で供給されるサステインパルスの個数を一つにすると、前記駆動方法の第１実施形態に比べてサステイン期間で発生する光の量が減少するようになる。
【０１３０】
このような図１５の駆動波形を利用して１以下の低階調、すなわち、小数階調を具現する方法の一例について次の図１６を用いて説明する。
【０１３１】
図１６は、図１５の駆動波形で１以下の小数階調を具現する方法の一例を具現する方法を説明するための図である。図１６に示したように、図１４の第３実施形態よりアドレス放電及びサステイン放電がもっと弱く発生するから、図１５の駆動波形によってオンされる放電セルが発生させる光の量が第３実施形態による光の量より小さい。例えば、図１４における一つの放電セルが１の階調を具現する光を発生させると仮定すると、図１６においては、オンされる一つの放電セルは、１よりは小さい階調を具現する光を発生させる。
【０１３２】
このような図１６でオンされる一つの放電セルが０．５階調を具現する光を具現すると仮定する。このような場合に、図１５のように、プラズマディスプレイ装置上で総数１６個の放電セルから成る領域で０．２５の階調を具現しようとする場合にオフ(Off)される放電セル(C)とオン(On)される放電セル(D)の個数を調節して全体的に０．２５の階調を具現する。
【０１３３】
例えば、符号１５００の領域のように、四つの放電セルから成る領域で計二つの放電セルはオフさせて二つの放電セルをオンさせることで、符号１５００の領域で発生する総光は、階調１を具現するための光になる。これによって、符号１５００の領域のそれぞれの放電セルは、０．２５階調を具現すると見えるようになる。このような図１５のパターンを従来の図８と比べると、より細分化されたパターンを利用して同一な０．２５の階調を具現することができるようになる。
【０１３４】
すなわち、オンされる放電セルとオフされる放電セルとの輝度差を減らし、また、所定の小数階調を具現するためのハーフトーンを遂行するためのプラズマディスプレイ装置上の単位領域の大きさが減少して映像の境界部分で画質がにじむなどのハーフトーンノイズ(Halftone  Noise)の発生が低減される。これによってより纎細な画質の具現が可能である。
【０１３５】
また、低階調における画質をもっと改善するために、アドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧(Vz)を減少させて、サステイン期間でサステインパルスが供給されないようにする方法について説明すると、次の本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を実現するための第５実施形態のとおりである。
【０１３６】
<実施形態５>
【０１３７】
図１７は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第５実施形態を説明するための駆動波形図である。図１７に示したように、本発明の第５実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームのサブフィールドの中で低階調サブフィールドでは、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が他のサブフィールドよりもっと低くする。この時、バイアス電圧は、グラウンドレベル(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さくすることが好ましい。また、低階調サブフィールドは、前記本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第１実施形態及び第２実施形態とは異なって、フレームのサブフィールドの中でサステイン期間でスキャン電極(Y)及びサステイン電極(Z)の中で何れかの電極にもサステインパルスが供給されないサブフィールドである。
【０１３８】
図１７においては、サステイン期間にサステインパルスの供給を遮断し、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給される正極性のバイアス電圧(Vz)を他のサブフィールドより小さくして最低階調を具現する。例えば、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧を他の一般のサブフィールドより小さくしながらスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中で何れか一つの電極にもサステインパルスが供給されないようにする。
【０１３９】
このように、サステイン期間でサステインパルスの供給を遮断すると、前記駆動方法の第３実施形態及び第４実施形態に比べてサステイン期間で発生する光の量が減少するようになる。
【０１４０】
図１８は、図１７の駆動波形で１以下の小数階調を具現する方法の一例を具現する方法を説明するための図である。図１８に示したように、図１６の第４実施形態に比べてアドレス放電及びサステイン放電がもっと弱く発生するから、図１８の駆動波形によってオンされる放電セルが発生させる光の量が図１６の第４実施形態より小さい。例えば、図１６における一つの放電セルが０．５の階調を具現する光を発生させると仮定すると、図１８においては、オンされる一つの放電セルは、０．５よりは小さい階調を具現する光を発生させる。
【０１４１】
このような図１８でオンされる一つの放電セルが０．２５階調を具現する光を具現すると仮定する。このような場合に、図１６のように、プラズマディスプレイパネル上で総数１６個の放電セルから成る領域で０．２５の階調を具現しようとする場合に、すべての放電セルをオンさせると、総数１６個の放電セルから成る領域で０．２５の階調を具現することができる。このような図１８のパターンを同一な０．２５の階調を具現するための図１６のパターンと比べると、オフされる放電セルがないから、ハーフトーンノイズが発生しなくなる。
【０１４２】
また、低階調における階調の表現能力をもっと改善するために、アドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧(Vz)を減少させるサブフィールドを一つのフレーム内で複数個が含まれるようにすることも可能であるが、これについて説明すると、次の本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法を実現するための第６実施形態のとおりである。
【０１４３】
<実施形態６>
【０１４４】
図１９は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第６実施形態を説明するための駆動波形図である。図１９に示したように、本発明の第６実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームのサブフィールドの中で低階調サブフィールドにおいては、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が他のサブフィールドよりもっと低くする。この時、バイアス電圧は、グラウンドレベル(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さくすることが好ましい。また、低階調サブフィールドは、前記本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態、第４実施形態及び第５実施形態とは異なって、一つのフレーム内で複数個が含まれる。すなわち、前記第３、４、５実施形態においては、一つのフレーム内で一つずつの低階調サブフィールドが含まれる場合のみを図示して説明したが、この第６実施形態においては、一つのフレーム内で低階調サブフィールドが複数個である。ここで、前記複数の低階調サブフィールドの中の一つ以上は、サステイン期間でスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中で何れか一つの電極にもサステインパルスが供給されないサブフィールドで、残りの低階調サブフィールドはサステイン期間でスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中で何れか一つの電極に一つのサステインパルスが供給されるサブフィールドである。
【０１４５】
例えば、図１９のように、一つのフレーム内に二つの低階調サブフィールドが含まれ、この時、複数の低階調サブフィールドの中の一つ、すなわち、第１サブフィールドは、サステイン期間でスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の何れか一つの電極にもサステインパルスが供給されないサブフィールドで、残りの低階調サブフィールド、すなわち、第２サブフィールドは、サステイン期間でスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中で何れか一つの電極に一つのサステインパルスが供給されるサブフィールドである。
【０１４６】
このように、一つのフレーム内に複数個の低階調サブフィールドを含ませる場合には、画像を具現する時、低階調における画質をさらに向上し得るようになる。
【０１４７】
このように、一つのフレーム内で低階調サブフィールドが複数個含まれる場合には、複数個の低階調サブフィールドの中の一つ以上でアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が他の低階調サブフィールドと異なるのが好ましい。例えば、図１９のように、低階調サブフィールドが二つ、すなわち、第１サブフィールドと第２サブフィールドが低階調サブフィールドである場合に、第１サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧と第２サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧との大きさはお互いに異なる。
【０１４８】
ここで、さらに好ましくは、前記複数の低階調サブフィールドの中で第１低階調サブフィールドより階調加重値が高い第２低階調サブフィールドにおいて、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が第１低階調サブフィールドよりもっと大きくする。例えば、図１９のように、第１サブフィールドと第２サブフィールドが低階調サブフィールドである場合、階調加重値がもっと低い第１サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が第２サブフィールドよりもっと小さい。このように複数の低階調サブフィールド内で階調加重値がもっと低い低階調サブフィールドにおけるアドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧の大きさをもっと小さくする理由は、複数の低階調サブフィールドの中で階調加重値が低い低階調サブフィールドでアドレス放電をもっと弱くして低階調の表現力をもっと向上させるためである。
【０１４９】
また、一つのフレーム内で低階調サブフィールドが複数個含まれる場合に、該複数個の低階調サブフィールドの中の一つ以上においては、リセット期間でスキャン電極(Y)にセットアップ期間で上昇ランプ(Ramp-Up)パルスが供給され、セッダウン期間で下降ランプ(Ramp-Down)パルスが供給されるようにする。また、他の低階調サブフィールドにおいては、リセット期間でスキャン電極(Y)にセットアップ期間で正極性電圧が一定に維持され、セッダウン期間で下降ランプ(Ramp-Down)パルスが供給されるようにする。ここで、前記正極性電圧は、サステイン電圧(Vs)であることが好ましい。
【０１５０】
例えば、図１９のように、第１サブフィールドと第２サブフィールドが低階調サブフィールドである場合に、第１サブフィールドのリセット期間でスキャン電極(Y)にセットアップ期間で上昇ランプ(Ramp-Up)パルスが供給され、セッダウン期間で下降ランプ(Ramp-Down)パルスが供給されるようにする。また、第２サブフィールドにおいては、リセット期間でスキャン電極(Y)にセットアップ期間で正極性電圧が一定に維持され、セッダウン期間で下降ランプ(Ramp-Down)パルスが供給されるようにする。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】一般的なプラズマディスプレイパネルの構造を図示した図である。
【図２】従来のプラズマディスプレイパネルの画像階調を具現する方法を示した図である。
【図３】従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法による駆動波形を示した図である。
【図４】図３の駆動波形で階調の表現に影響を与える放電を説明するための図面である。
【図５】図３の駆動波形で１以下の低階調を具現する方法の一例を具現する方法を説明するための図面である。
【図６】本発明に係るプラズマディスプレイ装置を示した図である。
【図７】本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第１実施形態を説明するための駆動波形図である。
【図８】本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第２実施形態を説明するための駆動波形図である。
【図９】本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の画質改善を説明するための駆動波形図である。
【図１０】図９の駆動波形図を利用して１以下の低階調を具現する方法の一例を説明するための図である。
【図１１】本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第３実施形態を説明するための駆動波形図である。
【図１２】図１１の駆動波形で階調の表現に影響を与える放電を説明するための図である。
【図１３】図１１の駆動波形図において、アドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧(Vz)をより詳しく説明するための図である。
【図１４】図１１の駆動波形において、１以下の小数階調を具現する方法の一例を具現する方法を説明するための図である。
【図１５】本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第４実施形態を説明するための駆動波形図である。
【図１６】図１５の駆動波形において、１以下の小数階調を具現する方法の一例を具現する方法を説明するための図である。
【図１７】本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第５実施形態を説明するための駆動波形図である。
【図１８】図１７の駆動波形において、１以下の小数階調を具現する方法の一例を具現する方法を説明するための図である。
【図１９】本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第６実施形態を説明するための駆動波形図である。
【図１】
2006301574.tif 000003
【図２】
2006301574.tif 000004
【図３】
2006301574.tif 000005
【図４】
2006301574.tif 000006
【図５】
2006301574.tif 000007
【図６】
2006301574.tif 000008
【図７】
2006301574.tif 000009
【図８】
2006301574.tif 000010
【図９】
2006301574.tif 000011
【図１０】
2006301574.tif 000012
【図１１】
2006301574.tif 000013
【図１２】
2006301574.tif 000014
【図１３】
2006301574.tif 000015
【図１４】
2006301574.tif 000016
【図１５】
2006301574.tif 000017
【図１６】
2006301574.tif 000018
【図１７】
2006301574.tif 000019
【図１８】
2006301574.tif 000020
【図１９】
2006301574.tif 000021