(57)【要約】【課題】エッチングによるダイシングにおいて、レジスト膜の剥離を不要とし、生産性を向上させると共に、デバイスの抗折強度を向上させる。【解決手段】エッチングによりストリート対応部Ｗ２が分離された時に、ストリート対応部Ｗ２Ｓ以外の部分に被覆されたレジスト膜Ｒが残存しなくなるように、レジスト膜Ｒの厚みを調整する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリートによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、
ウェーハの裏面のうち該ウェーハの表面に形成されたストリートに対応する領域以外の部分にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆工程と、
該レジスト膜が被覆されたウェーハの裏面側からプラズマエッチングを施し、該ウェーハのストリートに対応する領域をエッチングして個々のデバイスに分割する分割工程とから少なくとも構成され、
該分割工程において該レジスト膜がエッチングされることにより、該ウェーハが個々のデバイスに分割された時に該レジスト膜が残存しなくなるように、該レジスト膜被覆工程において該レジスト膜の厚さが調整されるウェーハの分割方法。
【請求項２】
前記レジスト膜被覆工程において、前記ストリートのエッチングレートをＹ［μｍ／秒］とし、前記レジスト膜のエッチングレートをｙ［μｍ／秒］とし、該ストリートの厚みをＴ［μｍ］とし、前記レジスト膜被覆工程で被覆されたレジスト膜の厚みをｔ［μｍ］とし、該レジスト膜の厚みｔの許容範囲に応じた係数をＫとした場合、（ｔ＝ＫＴｙ／Ｙ）によって該レジスト膜の厚みｔが求まる請求項１に記載のウェーハの分割方法。
【請求項３】
前記レジスト膜被覆工程の前にウェーハの裏面を研削する研削工程が遂行され、前記分割工程においては、前記レジスト膜が除去された後にエッチングを遂行し、該研削工程によって生じた個々のデバイスの裏面のストレスを除去する請求項１または２に記載のウェーハの分割方法。
【請求項４】
前記レジスト膜は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂のいずれかを含む請求項１、２または３に記載のウェーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの分割方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複数のデバイスがストリートによって区画されて表面側に形成されたウェーハは、裏面の研削により所定の厚さに形成された後に、ストリートに沿って切削してダイシングすることにより個々のデバイスに分割され、各種電子機器に利用されている。
【０００３】
しかし、かかる切削は、ダイヤモンド等の砥粒がニッケルめっき等によって固められ厚さが２０μｍほどに形成された切削ブレードを高速回転させ、ストリートを破砕させることにより行われるため、デバイスの切削面（側面）には細かな欠けが生じ、この欠けによってデバイスの抗折強度が低下するという問題がある。特に、ウェーハの厚みが１００μｍ以下、５０μｍ以下と薄くなると、この問題は顕著となる。
【０００４】
そこで、本出願人は、ウェーハの裏面にレジスト膜を被覆し、ストリートに対応する領域のレジスト膜を除去した後に、当該ストリートに対応する領域をプラズマエッチングすることによりダイシングして個々のデバイスに分割する技術を開発し、特許出願した（特願２００４−２９３６９３）。また、エッチングによりウェーハをダイシングする技術については、例えば特許文献１にも開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−９３７５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、エッチングによりウェーハをダイシングするためには、デバイス部分がエッチングされるのを防止するためのレジスト膜が不可欠であり、このレジスト膜はデバイスの裏面に強固に付着している。したがって、容易に剥離することはできす、灰化させなければならないため、生産性を阻害する要因にもなる。
【０００７】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、エッチングによるダイシングにおいて、レジスト膜の剥離を不要とし、生産性を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ストリートによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、ウェーハの裏面のうちウェーハの表面に形成されたストリートに対応する領域以外の部分にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆工程と、レジスト膜が被覆されたウェーハの裏面側からプラズマエッチングを施し、ウェーハのストリートに対応する領域をエッチングして個々のデバイスに分割する分割工程とから少なくとも構成され、分割工程においてレジスト膜がエッチングされることによりウェーハが個々のデバイスに分割された時にレジスト膜が残存しなくなるように、レジスト膜被覆工程においてレジスト膜の厚さが調整されることを特徴とする。ここで、ストリートに対応する領域の幅は、ストリートの幅と等しくてもよいし、ストリートの幅より狭くてもよい。また、個々のデバイスに分割された時には、分割された瞬間のみならず、分割された後も含まれる。
【０００９】
レジスト膜被覆工程においては、ストリートのエッチングレートをＹ［μｍ／秒］、レジスト膜のエッチングレートをｙ［μｍ／秒］、ストリートの厚みをＴ［μｍ］、レジスト膜被覆工程で被覆されたレジスト膜の厚みをｔ［μｍ］、ｔの許容範囲に応じた係数をＫとし、（ｔ＝ＫＴｙ／Ｙ）によってレジスト膜の厚みｔを算出することが好ましい。
【００１０】
また、レジスト膜被覆工程の前にウェーハの裏面を研削する研削工程が遂行される場合は、分割工程において、レジスト膜が除去された後にもエッチングを遂行し、研削工程によって生じた個々のデバイスの裏面のストレスを除去することが好ましい。レジスト膜としては、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂のいずれかを含むものがある。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、レジスト膜も低レートながらエッチングされるという特性を利用し、エッチングによるダイシングが完了すると同時に、レジスト剤が、灰化が不要となる程度に除去されるようにしたため、レジスト膜除去工程が不要となり、生産性が向上する。
【００１２】
また、（ｔ＝ＫＴｙ／Ｙ）という計算式によってレジスト膜の厚みｔを算出すれば、エッチングによりレジスト膜を除去するための厚みｔを正確に求めることができると共に、Ｋの値の調整によりｔの値に幅を持たせて柔軟に対応することができる。
【００１３】
更に、レジスト膜被覆工程の前にウェーハの裏面を研削する研削工程が遂行される場合は、分割工程においてレジスト膜が除去された後にもエッチングを遂行することにより、研削工程によって生じた個々のデバイスの裏面のストレスを除去することができるため、デバイスの抗折強度をより高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１に示すウェーハＷの表面Ｗ１には、ストリートＳによって区画されて複数のデバイスＤが形成されている。最初にこのウェーハＷの表面Ｗ１に、図１に示すように、デバイスＤを保護するための保護部材Ｐを貼着する。保護部材Ｐとしては、ガラス、ポリエチレンテレフタレート、セラミックス等のハードプレートのほか、粘着テープ等も使用することができる。
【００１５】
次に、図２に示すように、表面Ｗ１に保護部材Ｐが貼着されたウェーハＷの裏面Ｗ２が上を向くようにし、その裏面Ｗ２を研削して所定の厚さにする。かかる研削には、例えば図３に示すような研削装置１を用いることができる。この研削装置１は、ウェーハを保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持されたウェーハを研削する研削手段１１と、研削手段１１をチャックテーブル１０に対して接近または離反させる研削送り手段１２とを備えている。
【００１６】
研削手段１１は、垂直方向の軸心を有するスピンドル１１０と、スピンドル１１０を回転駆動する駆動源１１１と、スピンドル１１０の下端においてホイールマウント１１２を介して固定された研削ホイール１１３と、研削ホイール１１３の下面に固着された研削砥石１１４とから構成され、駆動源１１１によって駆動されてスピンドル１１０が回転するのに伴い、研削砥石１１４が回転する構成となっている。
【００１７】
研削送り手段１２は、壁部１２０に垂直方向に配設された一対のガイドレール１２１と、ガイドレール１２１と平行に配設されたボールネジ１２２と、ボールネジ１２２の一端に連結されたパルスモータ１２３と、ガイドレール１２１に摺動可能に係合すると共に内部のナットがボールネジ１２２に螺合した支持部１２４とから構成されており、パルスモータ１２３に駆動されてボールネジ１２２が回動するのに伴い、支持部１２４がガイドレール１２１にガイドされて昇降し、支持部１２４に支持された研削手段１１も昇降する構成となっている。
【００１８】
チャックテーブル１０においては、保護部材Ｐが保持され、ウェーハＷの裏面Ｗ２が露出した状態となる。そして、チャックテーブル１０が水平方向に移動することにより、ウェーハＷが研削手段１１の直下に位置付けられる。ウェーハＷが研削手段１１の直下に位置付けられると、チャックテーブル１０の回転によりウェーハＷが回転すると共に、研削砥石１１４が回転しながら研削手段１１が下降し、ウェーハＷの裏面Ｗ２に接触して研削され、所定の厚さに研削される。なお、ウェーハＷの裏面Ｗ２の研削により、当該裏面Ｗ２には、研削歪み等からなるダメージ層が形成されてウェーハＷにストレスが生じ、抗折強度が低下する要因となる。
【００１９】
裏面Ｗ２の研削によってウェーハＷが所定の厚さに形成されると、次に、図４に示すように、裏面Ｗ２のうち、ウェーハＷの表面Ｗ１に形成されたストリートＳに対応する領域であるストリート対応部Ｗ２Ｓ以外の部分にレジスト膜Ｒを被覆する（レジスト膜被覆工程）。レジスト膜Ｒとしては、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等のいずれかを含むものを使用することができる。レジスト膜被覆工程の実現方法は種々ある。以下にいくつかの例を示す。
【００２０】
（１）最初に図５（Ａ）に示すように、裏面Ｗ２の全面にスピンコータ等を用いてレジスト膜Ｒを被覆する。そしてその後、赤外線カメラ等で裏面Ｗ２からストリートＳを認識し、図５（Ｂ）に示すように、ストリートＳと同様の形状に形成されたマスクパターン２ａを有するフォトマスク２を介してレジスト膜Ｒに紫外線、Ｘ線等の光を照射し、裏面Ｗ２のうち、表面Ｗ１のストリートＳに対応する裏側の部分を露光させる。そして露光した部分を現像すると、図５（Ｃ）に示すように、表面Ｗ１のストリートＳに対応する裏側のレジスト膜が除去されて、ストリート対応部Ｗ２Ｓが露出する。かかる方法によれば、ストリートＳに対応する裏側のレジスト膜を効率よく除去することができるため、効率的である。ここで、デバイスＤの裏側に被覆されたレジスト膜が露光するのを防止するために、マスクパターン２ａの幅は、ストリートＳの幅より狭くなるように形成することが望ましい。なお、フォトマスクを用いなくても、ウェーハＷの裏面Ｗ２側から赤外線カメラ等によって表面Ｗ１側のストリートＳを検出し、検出したストリートＳの部分のみに光を照射すれば、図５（Ｃ）と同様に、ストリートＳに対応する裏側の部分のレジスト膜が除去されて、ストリート対応部Ｗ２Ｓが露出する。
【００２１】
（２）図６（Ａ）に示すように、裏面Ｗ２の全面にスピンコータ等を用いてレジスト膜を被覆する。そしてその後、赤外線カメラ等で裏面Ｗ２からストリートＳを認識し、図６（Ｂ）に示すようにストリートＳと同様の形状に形成された押圧部材３を用い、図６（Ｃ）に示すように押圧部材３をレジスト膜Ｒに押圧する。そうすると、図６（Ｄ）に示すように、押圧された部分、すなわち表面Ｗ１のストリートＳに対応する裏側の部分のレジスト膜が除去され、ストリート対応部Ｗ２Ｓが露出する。かかる方法によれば、ストリートＳの裏側のレジスト膜を一度に同時に除去することができるため、効率的である。なお、デバイスＤの裏側に被覆されたレジスト膜が除去されるのを防止するために、押圧部材３の先端の幅は、ストリートＳの幅より狭くなるように形成することが望ましい。
【００２２】
（３）図７（Ａ）に示すように、裏面Ｗ２の全面にスピンコータ等を用いてレジスト膜Ｒを被覆する。そしてその後、赤外線カメラ等で裏面Ｗ２からストリートＳを認識し、図７（Ｂ）に示すように、ストリートＳの幅に対応した厚みを有する切削ブレード４を高速回転させながら下降させ、図７（Ｃ）に示すように、表面Ｗ１のストリートＳに対応する裏側に個々に切削ブレード４を接触させ、レジスト膜Ｒの厚み分だけ切り込ませる。この作業をすべてのストリートＳに対応する裏側について行うと、図７（Ｄ）に示すように、表面Ｗ１のストリートＳに対応する裏側の部分のレジスト膜が除去され、ストリート対応部Ｗ２Ｓが露出する。ここで、デバイスＤの裏側に被覆されたレジスト膜が除去されるのを防止するために、切削ブレード４の幅は、ストリートＳの幅より狭くなるように形成することが望ましい。また、切削ブレードによる切削に代えて、レーザ光の照射によりストリートＳの裏側のレジスト膜Ｒを改質させて除去するようにしてもよい。かかる方法によれば、通常のダイシングで用いる切削装置やレーザ加工装置を使用することができるため、専用の装置等は不要であり、経済的である。
【００２３】
また、図示していないが、インクジェットのように、レジスト膜を構成するレジスト材料をストリートＳに対応する裏側を避けて噴出することによっても、ストリートＳに対応する裏側以外の部分にレジスト膜を被覆することができる。この場合は赤外線カメラによって表面Ｗ１のストリートＳを検出し、検出したストリート以外の部分にレジスト膜を噴出する。かかる方法によれば、ウェーハＷの裏面Ｗ２全面にレジスト膜を被覆してからストリートＳの裏側の部分を除去するといった２段階の作業が不要であるため、効率的である。
【００２４】
更に、印刷技術のように、ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、ストリートＳに対応する裏側の部分にレジスト材料をはじくマスク材を塗布しておき、その上からレジスト材料を被覆するようにしてもよい。かかる方法によれば、レジスト膜を被覆する段階において、ストリートの裏側とそうでない部分とを認識する必要がないため、作業が容易となる。
【００２５】
上記説明したような種々の方法によって、ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、ストリート対応部Ｗ２Ｓ以外の部分についてレジスト膜Ｒが被覆され、ストリート対応部Ｗ２Ｓのみが露出した後は、そのストリート対応部Ｗ２Ｓをエッチングして個々のデバイスＤに分割する（分割工程）。分割工程には、例えば図８に示すプラズマエッチング装置５を用いることができる。
【００２６】
このプラズマエッチング装置５は、ガス供給部５１とエッチング処理部５２とを備えている。ガス供給部５１には、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４、ＣＨＦ３等のフッ素を含む安定ガスであるフッ素系安定ガスが蓄えられる。一方、エッチング処理部５２においては研削後の被加工物Ｗを収容し、ガス供給部５１から供給されるフッ素系安定ガスをプラズマ化してウェーハＷをエッチングする。
【００２７】
エッチング処理部５２は、プラズマエッチングが行われるチャンバ５３の上部側からエッチングガス供給手段５４を収容すると共に、エッチングしようとする板状物を保持するチャックテーブル５５を下部側から収容した構成となっている。
【００２８】
エッチングガス供給手段５４は、チャックテーブル５５に保持されたウェーハＷの露出面にエッチングガスを供給する機能を有し、軸部５４ａがチャンバ５３に対して軸受け５６を介して昇降自在に挿通しており、内部にはガス供給部５１に連通すると共にポーラス部材で形成された噴出部５７ａに連通するガス流通孔５７が形成されている。エッチングガス供給手段５４は、モータ５８に駆動されてボールネジ５９が回動し、ボールネジ５９に螺合したナットを有する昇降部６０が昇降するのに伴い昇降する構成となっている。
【００２９】
一方、チャックテーブル５５は、軸部５５ａが軸受け６１を介して回動可能に挿通しており、内部には吸引源６２に連通する吸引路６３及び冷却部６４に連通する冷却路６５が形成されており、吸引路６３は上面の吸引部６３ａに連通している。
【００３０】
チャンバ５３の側部にはエッチングする板状物の搬出入口となる開口部６６が形成されており、開口部６６の外側には昇降により開口部６６を開閉するシャッター６７が配設されている。このシャッター６７は、シリンダ６８に駆動されて昇降するピストン６９によって昇降する。
【００３１】
チャンバ５３の下部にはガス排出部７０に連通する排気口７１が形成されており、排気口７１から使用済みのガスを排出することができる。また、エッチングガス供給手段５４及びチャックテーブル５５には高周波電源７２が接続され、高周波電圧を供給し、エッチングガスをプラズマ化することができる。
【００３２】
次に、図９に示したプラズマエッチング装置５を用いて、ストリート対応部Ｗ２Ｓのエッチングを行う際の動作について説明する。図５に示したように、裏面Ｗ２のうち、ストリート対応部Ｗ２Ｓ以外の部分にレジスト膜Ｒが形成されたウェーハＷは、シャッター６７を下降させて開口部６６を開口させた状態で、開口部６６からチャンバ５３の内部に進入し、レジスト膜Ｒが被覆された裏面Ｗ２が上を向いて露出した状態で吸引部６３ａに保持される。そして、シャッター６７を元の位置に戻して開口部６６を閉め、内部を減圧排気する。
【００３３】
次に、エッチングガス供給手段５４を下降させ、その状態でガス供給部５１からガス流通孔５７にエッチングガスとしてフッ素系安定ガスを供給し、エッチングガス供給手段５４の下面の噴出部５７ａからエッチングガスを噴出させると共に、高周波電源７２からエッチングガス供給手段５４とチャックテーブル５５との間に高周波電圧を印加してエッチングガスをプラズマ化させ、ストリート対応部Ｗ２Ｓに供給する。そうすると、プラズマのエッチング効果により、ウェーハＷの裏面のうちレジスト膜Ｒが被覆されていない部分、すなわち、ストリート対応部Ｗ２Ｓがエッチングされる。そして、裏面Ｗ２から表面Ｗ１にかけて厚さ分だけエッチングされると、すべてのストリートＳが垂直方向に貫通して縦横に分離され、個々のデバイスＤに分割される。
【００３４】
一方、レジスト膜Ｒについては、ストリートＳがエッチングされる間に全くエッチングされないわけではなく、エッチングレートは低いながらもエッチングされる。そこで、ストリートＳがエッチングされて個々のデバイスに分割された時にレジスト膜Ｒがエッチングにより除去されて残存しなくなるように、レジスト膜被覆工程においてレジスト膜Ｒの厚みを調整して被覆しておけば、後にレジスト膜Ｒを灰化させて除去する必要がなくなる。
【００３５】
図９に示すように、ウェーハＷのストリートＳの厚みをＴ［μｍ］、被覆されたレジスト膜Ｒの厚みをｔ［μｍ］、ストリートＳのエッチングレートをＹ［μｍ／ｔ］、レジスト膜Ｒのエッチングレートをｙ［μｍ／ｔ］とすると、ストリート対応部Ｗ２Ｓをエッチングしてデバイスに分割するのに要する時間は（Ｔ／Ｙ）である。一方、レジスト膜Ｒの除去に要する時間は（ｔ／ｙ）である。したがって、
（Ｔ／Ｙ）＝（ｔ／ｙ）・・・式（１）
の関係が成立するようにレジスト膜Ｒの厚みｔを調整して被覆しておけば、ウェーハＷがデバイスＤに分割されたと同時にレジスト膜Ｒも除去されて残存しなくなり、図１０に示すように、デバイスＤの裏面にレジスト膜Ｒが残存しない状態で、個々のデバイスＤに分割される。すなわち、式（１）を変形し、
ｔ＝Ｔｙ／Ｙ・・・式（２）
によってｔを求めておき、レジスト膜被覆工程において、このｔの厚み分だけレジスト膜Ｒを被覆するようにすれば、デバイスＤへの分割と同時にレジスト膜Ｒが除去される。
【００３６】
実際には、エッチングが終了した後に、レジスト膜Ｒが残存していたり、ストリートＳが分離されていなかったりすることが起こりうるため、ｔの値に幅を持たせることが好ましい。そこで、ｔの許容範囲に応じた係数Ｋを定め、
ｔ＝ＫＴｙ／Ｙ・・・式（３）
によってｔを求めることが望ましい。式（３）におけるＫの値としては、例えば０．９５〜１．０５程度が想定される。
【００３７】
例えば、ストリート対応部Ｗ２ＳのエッチングレートＹ＝０．４１７［μｍ／秒］、レジスト膜Ｒのエッチングレートｙ＝０．０３［μｍ／秒］、ストリート対応部Ｗ２Ｓの厚みＴ＝３０［μｍ］、係数Ｋ＝０．９５である場合は、これらの数値を上記式（３）に代入することにより、ｔ＝２．０５［μｍ］となる。
【００３８】
また、係数Ｋの値を１より大きく設定すると、レジスト膜Ｒが完全に除去された後にもエッチングが続行されて個々のデバイスＤの裏面がエッチングされることがあるが、かかるエッチングにより、研削時にデバイスＤの裏面に形成された研削歪み等のストレスを除去することができるため、デバイスＤの抗折強度を向上させることができる。
【００３９】
このように、プラズマエッチングによってすべてのストリートを分離させることができるため、切削ブレードによる切削は不要となる。したがって、デバイスに欠けが生じることがなく、デバイスの抗折強度が低下せず、品質が低下することがない。また、分割工程ではプラズマエッチングによりすべてのストリートを同時に分離させることができるため、極めて効率的であり、生産性を向上させることができる。更に、プラズマエッチングでは異方性エッチングが可能であり、デバイスＤの側面をほぼ垂直に形成することができる。
【００４０】
このようにしてレジスト膜Ｒを除去した後は、デバイスＤが保護部材Ｐからピックアップされた後に、裏面側にダイアタッチフィルムを貼着する工程、リードフレーム等にボンディングする工程、配線基板に実装する工程等が行われる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】ウェーハ及び保護部材の一例を示す斜視図である。
【図２】表面に保護部材が貼着されたウェーハを示す斜視図である。
【図３】研削装置の一例を示す斜視図である。
【図４】レジスト膜被覆工程終了後のウェーハを示す斜視図である。
【図５】レジスト膜被覆工程の第一の例を示す略示的断面図であり、（Ａ）は裏面全面にレジスト膜が被覆されたウェーハを示し、（Ｂ）はレジスト膜を露光してストリート対応部を露出させる様子を示し、（Ｃ）はストリート対応部が露出した状態を示す。
【図６】レジスト膜被覆工程の第二の例を示す略示的断面図であり、（Ａ）は裏面全面にレジスト膜が被覆されたウェーハを示し、（Ｂ）は同ウェーハ及び押圧部材を示し、（Ｃ）は同押圧部材をレジスト膜に押圧してストリート対応部を露出させる様子を示し、（Ｄ）はストリート対応部が露出した状態を示す。
【図７】レジスト膜被覆工程の第三の例を示す略示的断面図であり、（Ａ）は裏面全面にレジスト膜が被覆されたウェーハを示し、（Ｂ）は同ウェーハ及び切削ブレードを示し、（Ｃ）は同切削ブレードを用いてストリート対応部を露出させる様子を示し、（Ｄ）はストリート対応部が露出した状態を示す。
【図８】プラズマエッチング装置の一例を示す断面図である。
【図９】ウェーハ及びレジスト膜の厚みを拡大して示す正面図である。
【図１０】分割工程終了後のウェーハを拡大して示す正面図である。
【符号の説明】
【００４２】
Ｗ：ウェーハ
Ｗ１：表面
Ｄ：デバイス  Ｓ：ストリート
Ｗ２：裏面
Ｗ２Ｓ：ストリート対応部
Ｔ：ウェーハの厚み
Ｐ：保護部材
Ｒ：レジスト膜
ｔ：レジスト膜の厚み
１：研削装置
１０：チャックテーブル
１１：研削手段
１１０：スピンドル  １１１：駆動源  １１２：ホイールマウント
１１３：研削ホイール  １１４：研削砥石  １１５：ポリッシングパッド
１２：研削送り手段
１２０：壁部  １２１：ガイドレール  １２２：ボールネジ
１２３：パルスモータ  １２４：支持部
２：フォトマスク
２ａ：マスクパターン
３：押圧部材
４：切削ブレード
５０：プラズマエッチング装置
５１：ガス供給部  ５２：エッチング処理部  ５３…チャンバ
５４：エッチングガス供給手段  ５５：チャックテーブル  ５６：軸受け
５７：ガス流通孔  ５７ａ：噴出部  ５８：モータ  ５９：ボールネジ
６０：昇降部  ６１：軸受け  ６２：吸引源  ６３：吸引路  ６４：冷却部
６５：冷却路  ６６：開口部  ６７：シャッター  ６８：シリンダ  ６９：ピストン
７０：ガス排出部  ７１：排気口  ７２：高周波電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006210401.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2006210401.tif 000008
【図７】
2006210401.tif 000009
【図８】
2006210401.tif 000010
【図９】
2006210401.tif 000011
【図１０】
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