(57)【要約】【課題】  リソグラフィー技術を用いてホトレジストパターンを形成させる際に、製品の表面欠陥、いわゆるディフェクトを減少させ、水リンスにおけるパターン倒れを抑制し、かつ電子線照射に対する耐性を付与して、パターンの収縮を防止することにより、製品の歩留りを向上させるために有効で、しかも水切り速度を促進し、生産効率を上げることができるリンス液を提供する。【解決手段】  水溶性含窒素複素環化合物を含有する水性溶液からなるリソグラフィー用リンス液であって、  （Ａ）基板上にホトレジスト膜を設ける工程、  （Ｂ）該ホトレジスト膜に対しマスクパターンを介して選択的に露光処理する工程、  （Ｃ）露光後加熱処理する工程、  （Ｄ）アルカリ現像する工程、及び  （Ｅ）前記したリソグラフィー用リンス液で処理する工程を行うことによりレジストパターンを形成する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性含窒素複素環化合物を含有する水性溶液からなるリソグラフィー用リンス液。
【請求項２】
水溶性含窒素複素環化合物が、一般式
【化１】
2006163212.tif 000004
（式中のＸはＮとともに五員若しくは六員複素環又は縮合環を有する五員又は六員複素環を形成する環構成員子、Ｒはハロゲン原子、水酸基又はアミノ基、ｎは０又は１〜３の整数である）
で表わされる化合物である請求項１記載のリソグラフィー用リンス液。
【請求項３】
水溶性含窒素複素環化合物が、ピロール、チアゾール、オキサゾール、イミダゾリン、イミダゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ピペラジン、インドール、イソインドール、キノリン、トリアゾール及びそれらの部分水素化物の中から選ばれた少なくとも１種である請求項２記載のリソグラフィー用リンス液。
【請求項４】
水溶性含窒素複素環化合物がハロゲン原子、水酸基又はアミノ基で環置換されている請求項３記載のリソグラフィー用リンス液。
【請求項５】
水溶性含窒素複素環化合物の含有量がリソグラフィー用リンス液の全質量に基づき０．１ｐｐｍないし１０質量％である請求項１ないし４のいずれかに記載のリソグラフィー用リンス液。
【請求項６】
溶媒が水と水混和性有機溶剤との混合溶媒である請求項１ないし５のいずれかに記載のリソグラフィー用リンス液。
【請求項７】
水混和性有機溶剤がアルコール系又はグリコール系有機溶剤である請求項６記載のリソグラフィー用リンス液。
【請求項８】
水混和性有機溶剤の混合割合が水の質量に基づき０．０１〜１０質量％である請求項６又は７記載のリソグラフィー用リンス液。
【請求項９】
さらに水溶性樹脂を含有する請求項１ないし８のいずれかに記載のリソグラフィー用リンス液。
【請求項１０】
水溶性樹脂の含有量がリソグラフィー用リンス液の全質量に基づき、０．１ｐｐｍ〜１０質量％である請求項９記載のリソグラフィー用リンス液。
【請求項１１】
（Ａ）基板上にホトレジスト膜を設ける工程、
（Ｂ）該ホトレジスト膜に対しマスクパターンを介して選択的に露光処理する工程、
（Ｃ）露光後加熱処理する工程、
（Ｄ）アルカリ現像する工程、
及び
（Ｅ）請求項１ないし１０のいずれかに記載のリソグラフィー用リンス液で処理する工程
を順次施すことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項１２】
さらに（Ｆ）純水を用いてリンス処理する請求項１１記載のレジストパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、像形成露光したレジストを現像処理した後で、リンス処理に用いてディフェクトやパターン倒れを減少させたり、また水切り速度を向上させてリンス処理時間を短縮するのに有効な新規なリソグラフィー用リンス液及びそれを用いたレジストパターン形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの小型化、集積化とともに、この微細加工用光源もこれまでの長波長の紫外線から、より高解像性のレジストパターン形成が可能なｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎｍ）へ、ｉ線からＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）へと短波長化し、現在ではＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、さらにはＥＢやＥＵＶ等の電子線へと主流が移りつつあり、それとともに、これらの短波長光源に適合しうるプロセスやレジスト材料の開発も急ピッチで進められている。
【０００３】
ところで、これまでのホトレジストに対しては、例えば感度、解像性、耐熱性、焦点深度幅特性、レジストパターン断面形状などや、露光と露光後加熱（ＰＥＢ）間のアミンなどのコンタミネーションによるレジストパターンの形状劣化の原因となる引置経時安定性、及びシリコン窒化（ＳｉＮ）膜のような絶縁膜、多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜のような半導体膜、チタンナイトハライド（ＴｉＮ）膜のような金属膜などの各種膜が設けられたシリコンウェーハによりレジストパターン形状が変化する基板依存性などの向上が要求され、これらについては、ある程度の解決がなされてきたが、特に重要な課題であるディフェクトについては未解決な部分が多い。
【０００４】
このディフェクトとは、表面欠陥観察装置により、現像後のレジストパターンを真上から観察した際に検知されるマスクパターンと不一致のレジストパターンのエラー（不良なレジストパターン、スカム、ごみ、色むら、パターン間の連結など）を意味し、ディフェクトの数が多いほど半導体素子の歩留りが低下するため、上記のレジスト特性が良好であっても、このディフェクトの解決がされない以上、半導体素子の量産化は困難なものとなる。
【０００５】
このディフェクトの原因としてはいろいろ考えられるが、その１つに現像時におけるマイクロバブルに起因するもの、リンス時においていったん除去された不溶物の再付着がある。
【０００６】
このようなディフェクトを減少させる方法としては、パターン形成に用いるポジ型レジスト組成物自体の改良（特許文献１参照）が提案されているが、このように組成を変えると、プロセス自体の変更も必要となるので好ましくない。
【０００７】
また、レジストパターンの形成の際に、疎水基と親水基とを含む欠陥処理剤、すなわち界面活性剤を塗布する方法は知られているが（特許文献２参照）、この方法によると、レジストパターントップ部分が丸くなり、断面垂直性が低下する上に、処理によりレジスト層の膜減りを生じるという欠点があるし、通常、現像処理に際して、現像液は集中配管で供給されるため、多種類のレジストを使用しなければならない半導体製造工場においては、この方法は不適当である。
【０００８】
さらに、ホトリソグラフィーの現像工程において、金属イオンを含まない有機塩基とノニオン性界面活性剤を主成分として含む現像液を用い、ディフェクトを低減する方法（特許文献３参照）や分子量２００以上の難揮発性芳香族スルホン酸を含む、ｐＨ３．５以下の水性溶液を用いて露光後加熱前に処理することによりディフェクトを低減する方法（特許文献４参照）も知られているが十分な効果を得るに至っていない。
【０００９】
一方において、分子中にアミノ基又はイミノ基と、炭素数１〜２０の炭化水素基とを有し、分子量４５〜１００００の窒素含有化合物を含むリンス剤組成物を用いることにより、リンス工程や乾燥工程で発生するレジストパターンの倒壊や損傷を抑制することも知られているが（特許文献５参照）、このようなリンス剤組成物によっては、前記したディフェクトの低減を行うことができない。また、エチレンオキシド又はプロピレンオキシド系活性剤を含むリンス液も知られているが（特許文献６参照）、親水性基と水とのインターラクションが弱く、パターン倒れ抑制効果が得られない。
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−１４８８１６号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献２】特開２００１−２３８９３号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献３】特開２００１−１５９８２４号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献４】特開２００２−３２３７７４号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献５】特開平１１−２９５９０２号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献６】特開２００４−１８４６４８号公報（特許請求の範囲その他）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑み、リソグラフィー技術を用いてホトレジストパターンを形成させる際に、製品の表面欠陥、いわゆるディフェクトを減少させ、水リンスにおけるパターン倒れを抑制し、かつ電子線照射に対する耐性を付与して、パターンの収縮を防止することにより、製品の歩留りを向上させるために有効で、しかも水切り速度を促進し、生産効率を上げることができるリンス液を提供することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、リソグラフィー技術によりレジストパターンを形成させる場合に用いるリンス液について種々研究を重ねた結果、リンス液中に水溶性含窒素複素環化合物を含有させることにより、従来のリンス液を用いた場合に伴う前記した種々の欠点を克服しうることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
【００１３】
すなわち、本発明は、水溶性含窒素複素環化合物を含有する水性溶液からなるリソグラフィー用リンス液、及び
（Ａ）基板上にホトレジスト膜を設ける工程、
（Ｂ）該ホトレジスト膜に対しマスクパターンを介して選択的に露光処理する工程、
（Ｃ）露光後加熱処理する工程、
（Ｄ）アルカリ現像する工程、
及び
（Ｅ）前記したリソグラフィー用リンス液で処理する工程
を順次施すことを特徴とするレジストパターン形成方法を提供するものである。
【００１４】
次に本発明をさらに詳細に説明する。
本発明のリソグラフィー用リンス液には、水溶性含窒素複素環化合物を含有させることが必要であるが、この水溶性含窒素複素環としては、例えば、一般式
【化１】
2006163212.tif 000002
（式中のＸはＮとともに五員若しくは六員複素環又は縮合環を有する五員又は六員複素環を形成する環構成員子、Ｒはハロゲン原子、水酸基又はアミノ基、ｎは０又は１〜３の整数である）
で表わされる化合物、例えばピロール、チアゾール、オキサゾール、イミダゾリン、イミダゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ピペラジン、インドール、イソインドール、キノリン、トリアゾール及びそれらの部分水素化物の中から選ばれた少なくとも１種の化合物が好ましい。
【００１５】
上記の一般式中のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子を、アミノ基の例としては、Ｎ‐置換基として炭素数１〜４の低級アルキル基をもつ第一アミノ基又は第二アミノ基が好ましい。
【００１６】
上記の水溶性含窒素複素環化合物としては、複素環が完全に不飽和状態になっている芳香族性複素環化合物のみでなく、この複素環が完全に又は部分的に水素化されたもの及びそのオキソ化物も包含される。
【００１７】
したがって、本発明において好適に用いられる水溶性含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾリジノン、カプロラクタム、２，５‐ジメチルピペラジン、２，６‐ジメチルピペラジン、３‐クロロピリジン、４‐クロロピリジン、シアヌル酸クロリド、２，５‐ジメチルピペラジン、３，５‐ジメチルピラゾール、２‐ピペリドン、３‐ピリジノール、ピリジルアミン、メチルピペリジン、メチルピリジン、メトキシピリジン、ピラゾロン、キノリルアミンなどを挙げることができる。
これらの水溶性含窒素複素環化合物は、単独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１８】
本発明のリソグラフィー用リンス液は、上記の水溶性含窒素複素環化合物を水性溶媒、すなわち水単独又は水と水混和性有機溶剤との混合溶媒に溶解することによって調製される。
【００１９】
上記の水混和性有機溶剤としては、アルコール系溶剤、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、プロパノール、又はグリコール系溶剤例えばエチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールなどが用いられる。この水混和性有機溶剤の含有割合としては、水の質量に基づき０．０１〜１０質量％、好ましくは０．１〜５質量％の範囲が適当である。
【００２０】
また、本発明のリソグラフィー用リンス液における水溶性含窒素複素環化合物の濃度としては、リンス液の全質量に基づき、０．１ｐｐｍないし１０質量％、好ましくは５ｐｐｍないし３質量％、特に１０ｐｐｍないし１質量％の範囲が適当である。
【００２１】
本発明のリソグラフィー用リンス液には、所望に応じさらに水溶性樹脂を含有させることができる。この水溶性樹脂としては、例えばビニルアルコール、ビニルアセトアミド、（メタ）アクリルアミド、メチル（メタ）アクリルアミド、エチル（メタ）アクリルアミド、プロピル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、四級化ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ビニルイミダゾール、ビニルイミダゾリン、ビニルピリジン、ビニルピロリドン、ビニルモルホリン及びビニルカプロラクタムの中から選ばれた少なくとも１種のモノマーの単独重合体又は共重合体がある。
これらの単独重合体又は共重合体の質量平均分子量としては、５００〜１，５００，０００、好ましくは１，０００〜５０，０００の範囲が適当である。
【００２２】
この水溶性樹脂の濃度は、リンス液の全質量に基づき、０．１ｐｐｍ〜１０質量％、好ましくは０．５ｐｐｍ〜５質量％の範囲で選ばれる。
【００２３】
本発明のリソグラフィー用リンス液には、さらに貯蔵安定性を向上させるために酸性物質やアルカリ性物質を、また塗布特性を向上させるためにアニオン性界面活性剤又はノニオン性界面活性剤を添加することができる。
【００２４】
前記酸性物質としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、グリコール酸、シュウ酸、フマル酸、マレイン酸、フタル酸、過酢酸、硫酸、トリフルオロ酢酸、及びアスコルビン酸を挙げることができる。この酸性溶液の液性はｐＨ６以下にするのがよい。
【００２５】
前記のアルカリ性物質としては、有機アミンや第四アンモニウムヒドロキシドのような有機塩基が好ましく、有機アミンとしてはモノエタノールアミンや２‐アミノエトキシエタノール等を、また第四アンモニウムヒドロキシドとしては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、２‐ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、及びメチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド等を挙げることができる。このアルカリ性溶液の液性はｐＨ８以上にするのがよい。
【００２６】
また、前記のアニオン性界面活性剤としては、例えばＮ‐高級アルキルピロリドン、高級アルキルベンジル第四アンモニウム塩などが、またノニオン性界面活性剤としては、高級脂肪酸ポリエチレンオキシド縮合物などが用いられるが、特に好ましいのは、ポリオキシアルキレングリコール及びそのモノアルキルエーテルの中から選ばれた少なくとも１種のアルキレンオキシド化合物である。これらの界面活性剤は、現像前処理剤全量に基づき、０．００１〜０．５質量％、好ましくは０．００５〜０．１質量％の割合で用いられる。
【００２７】
次に、本発明のリソグラフィー用リンス液を用いてレジストパターンを形成させるには、
（Ａ）基板上にホトレジスト膜を設ける工程、
（Ｂ）該ホトレジスト膜に対しマスクパターンを介して選択的に露光処理する工程、
（Ｃ）露光後加熱（ＰＥＢ）処理する工程、
（Ｄ）アルカリ現像する工程
及び
（Ｅ）上記のリソグラフィー用リンス液により処理する工程
を順次行う。
【００２８】
上記の（Ａ）工程は、基板上にホトレジスト膜を形成する工程である。
基板材料としては、通常シリコンウェーハが用いられるが、そのほかアルミニウム、チタン−タングステン合金、アルミニウム−ケイ素合金、アルミニウム−銅−ケイ素合金、酸化ケイ素、窒化ケイ素など半導体デバイス用基板として知られているものの中から任意に選んで用いることができる。
【００２９】
この基板上にホトレジスト膜を設けるには、例えば一般に半導体デバイスの製造の際に用いられている化学増幅型ホトレジスト組成物の溶液をスピンナーなどにより、乾燥厚さが０．５〜１０μｍになるように塗布する。
【００３０】
（Ａ）工程においては、このようにして調製した塗布液を基板に塗布したのち、７０〜１５０℃で３０〜１５０秒間プリベークする。
【００３１】
次に、（Ｂ）工程で、（Ａ）工程で形成されたレジスト膜に対し、マスクパターンを介して選択的に露光処理し、潜像を形成させる。この露光処理は、活性線例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザーを照射することによって行われる。
【００３２】
（Ｃ）工程においては、上記（Ｂ）工程で光照射により潜像を形成させたポジ型レジスト膜を露光後加熱（ＰＥＢ）処理する。この処理は、通常７０〜１５０℃程度の温度で３０秒ないし１５０秒行われる。
【００３３】
次に、このようにして露光後加熱処理したレジスト膜は、（Ｄ）工程において、常法に従ってアルカリ現像される。
このアルカリ現像の現像液としては、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液が用いられる。この濃度としては、１〜５質量％、好ましくは２〜３質量％の範囲が選ばれるが、最適濃度は２．３８質量％付近である。処理温度としては、通常室温例えば１０〜３０℃の範囲の温度、特に２３℃が用いられる。
【００３４】
（Ｅ）工程においては、（Ｄ）工程で現像処理したホトレジスト膜を、前記したリソグラフィー用リンス液で処理する。この処理は、現像により生じたレジストパターンを担持した基板を、リンス液中に浸漬するか、或いはこのリンス液をレジストパターン膜表面に塗布又は吹き付けすることによって行われるが、高スループットのためには、半導体素子の製造ライン中に新たな工程を設ける必要のない塗布方法、例えば回転塗布法が有利である。
【００３５】
この本発明のリソグラフィー用リンス液の処理により、現像時に溶解除去されたポリマーの再付着が防止され、得られるレジストパターンのディフェクトを減少させることができる。
【００３６】
通常半導体素子は、大量生産され、スループットが重要な条件になるから、この処理時間は、できるだけ短くするのが好ましいので、この処理時間は１〜３０秒の範囲で選ばれる。
【００３７】
本発明方法においては、リンス液に含ませる水溶性含窒素複素環化合物として、前記したフッ素含有含窒素複素環化合物を用いると、上記の処理時間をさらに短縮できるので有利である。
すなわち、フッ素含有含窒素複素環化合物を含むリソグラフィー用リンス液でリンスした場合、後続の純水によるリンス液で処理すると、水切れ、すなわち水の振り切りがよくなる。そして、このリンス液におけるフッ素含有含窒素複素環化合物の含有量をある程度多くすると、他の水溶性含窒素複素環化合物を用いた場合の振り切り時間１０秒程度に比べ、約１／３の３秒程度に短縮可能である。
【００３８】
本発明方法においては、この（Ｄ）工程の後に（Ｅ）工程を行った場合、さらに所望により（Ｆ）純水によるリンス工程を加えることもできる。
通常、レジストパターンを形成する場合には、レジスト組成物中のアルカリ不溶成分がアルカリ現像後の水リンス時に析出し、レジストパターン形成後のホトレジスト膜表面に付着することがディフェクトの原因の１つになっているが、本発明方法においては、現像後に本発明リソグラフィー用リンス液で処理することにより、レジストパターン表面に親水性の特性を付与することにより、レジスト中のアルカリ溶解物がレジストパターン表面に再付着することを抑止することができ、再付着系のディフェクトが特に減少するものと推測される。
【００３９】
本発明方法により処理したレジストパターン表面は、これをさらにアルコール系溶剤可溶性フッ素化合物、例えば水溶性フロロカーボン化合物を含むリンス液で処理すると、さらにパターン倒れを効果的に防止して高品質の製品を製造することができるという利点がある。
【発明の効果】
【００４０】
本発明によると、ホトレジストを用いてパターンを形成する場合に生じるディフェクトを減少させて、製品の歩留りを向上させ、かつ電子線に対する耐性を付与して、電子線照射によるパターンの収縮を抑制して寸法制御性を高く保持することができる。さらに水切れをよくし、かつパターン倒れを防止するという効果をあわせて奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
次に、実施例により本発明を実施するための最良の形態を説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
なお、各例中の物性値は、次の方法により測定したものである。
【００４２】
（１）ディフェクト数減少比
表面欠陥観察装置［ケー・エル・エー（ＫＬＡ）テンコール社製、製品名「ＫＬＡ−２３５１」］を用いてそれぞれのリンス液試料によりリンス処理したレジストパターンについて、ディフェクト数（Ａ）を計測し、純水のみでリンス処理した場合のディフェクト数（Ｂ）に対する百分率（％）、すなわち（Ａ／Ｂ）×１００として表わした。
【００４３】
（２）振り切り時間
８インチシリコンウェーハにポジ型レジスト（東京応化工業社製、製品名「ＴＡＲＦ−Ｐ６１１１」）を１８００Å厚で塗布し、これを露光することなく、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（液温２３℃）で６０秒間処理したのち、その表面に供試用リンス液を２０００ｒｐｍで６秒塗布し、さらに純水を５００ｒｐｍで３秒塗布して試料を作成し、１０００ｒｐｍで完全に振り切るまでの時間を秒で表わした。
【００４４】
（３）電子線耐性
シリコン基板上に、幅１３０ｎｍのラインを形成させ、測長ＳＥＭ（日立ハイテクノロジー社製、製品名「Ｓ−９２００」）を用いて１〜３０回繰り返して照射したときのライン幅を測定した。
【実施例１】
【００４５】
８インチシリコンウェーハ上に反射防止膜形成用塗布液［ブリューワ（Ｂｒｅｗｅｒ）社製、製品名「ＡＲＣ−２９Ａ」］を塗布し、２１５℃にて６０秒間加熱処理して膜厚７７ｎｍの反射防止膜を設けたのち、この反射防止膜上に、ホトレジスト（東京応化工業社製、製品名「ＴＡＲＦ−Ｐ６１１１」）を塗布し１３０℃で９０秒間加熱処理し、膜厚４６０ｎｍのホトレジスト膜を形成させた。
このようにして得たホトレジスト膜に対して、露光装置（ニコン社製、製品名「Ｎｉｋｏｎ  ＮＳＲ−Ｓ３０２Ａ」）を用い、１３０ｎｍラインアンドスペースのマスクパターンを介して露光処理したのち、１３０℃で９０秒加熱処理した。
次いで、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて２３℃で６０秒の現像処理することにより１３０ｎｍラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。
【００４６】
次に、イミダゾリンの１００ｐｐｍ水溶液からなるリンス液を調製し、上記のレジストパターンの表面に２０００ｒｐｍで７秒間適用しリンス処理を行った。
このようにして得たレジストパターンのディフェクト数を、表面欠陥観察装置［ケー・エル・エー（ＫＬＡ）テンコール社製、製品名「ＫＬＡ−２３５１」］を用いて計測したところ、そのディフェクト数減少比は、約６％であった。
【実施例２】
【００４７】
ポリビニルピロリドン（質量平均分子量１０，０００）の０．１質量％水溶液にイミダゾリンを、全質量に基づき２５ｐｐｍ、５０ｐｐｍ及び１００ｐｐｍの割合で添加し、かきまぜることにより、リソグラフィー用リンス液（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）を調製した。
【実施例３】
【００４８】
シリコンウェーハ上にＡＲＣ２９Ａ［ブリューワ（Ｂｒｅｗｅｒ）社製］を塗布し、２１５℃にて６０秒間加熱処理し、膜厚７７ｎｍの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上にＴＡＲＦ−Ｐ６１１１（東京応化工業社製）を塗布し、膜厚４６０ｎｍのホトレジスト膜を形成した。
このホトレジスト膜が形成された基板に対して、ＮｉｋｏｎＳ３０２Ａ（ニコン社製）を用いて１９３ｎｍの露光光をもって露光処理を行い、続いて１３０℃において９０秒加熱処理した。
露光終了後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて２３℃で６０秒の現像処理を行った。
【００４９】
次いで、実施例２で得た本発明のリソグラフィー用リンス液と、比較のためのポリビニルピロリドン又はポリビニルアルコールのみを０．１質量％の濃度で含むリンス液を用い、上記の現像処理により得たレジストパターン上に５００ｒｐｍで３秒間滴下してリンス処理したのち、さらに純水により同じ条件下で２０秒間水リンス処理を行った。
このようにしてリンス処理したレジストパターンの物性を表１に示す。
【００５０】
【表１】
2006163212.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、リソグラフィー技術を用いたＬＳＩ、ＵＬＳＩなどの半導体デバイスの製造に利用することができる。