(57)【要約】【課題】ウェーハをダイシングする場合において、デバイスの品質を低下させることなく、効率的に個々のデバイスに分割できるようにする。【解決手段】ウェーハＷの表面Ｗ１のうち、ストリート対応部Ｗ１Ｓ以外にレジスト膜Ｒを被覆し、ストリート対応部Ｗ１Ｓにプラズマエッチングによりデバイスの仕上がり厚さに対応する溝Ｇを形成し、ウェーハＷの裏面Ｗ２を研削して溝Ｇを裏面側から表出させて個々のデバイスＤに分割する。切削を行わないため欠けが生じず品質が向上し、すべてのストリートを一度に分離させるため効率的である。【選択図】図１
2006120834.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリートによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、
ウェーハの表面のうち、ストリートに対応する領域以外にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆工程と、
フッ素系安定ガスをプラズマ化して該ウェーハの表面に供給し、該ストリートに対応する領域にデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、
該表面側に保護部材を貼着し、該ウェーハの裏面を研削して該溝を該裏面側から露出させる研削工程と
から構成されるウェーハの分割方法。
【請求項２】
前記溝形成工程の後であって前記研削工程の前に、前記ウェーハの表面から前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程が遂行される
請求項１に記載のウェーハの分割方法。
【請求項３】
前記研削工程後に、前記ウェーハの裏面に残存している研削歪みを除去するストレスリリーフ工程が遂行される請求項１または２に記載のウェーハの分割方法。
【請求項４】
前記フッ素系安定ガスは、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４、ＣＨＦ３のいずれかである請求項１、２または３に記載のウェーハの分割方法。
【請求項５】
前記レジスト膜除去工程では、酸素をプラズマ化して前記レジスト膜に供給し、該レジスト膜を灰化させて除去する２、３または４に記載のウェーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの分割方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複数のデバイスがストリートによって区画されて表面側に形成されたウェーハは、裏面の研削により所定の厚さに形成された後に、ストリートに沿って切削してダイシングすることにより個々のデバイスに分割され、各種電子機器に利用されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２８１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ダイシング時には高速回転する切削ブレードがウェーハのストリートに切り込むため、切削ブレードの破砕力に起因してデバイスに欠けが生じ、ウェーハを構成するデバイスの抗折強度が低下して品質が低下するという問題がある。
【０００５】
また、ダイシング時には、切削ブレードを各ストリートに精密に位置合わせした上で、各ストリートを一本一本切削していく必要があり、非効率的である。特に、デバイスのサイズが小さく切削するストリートの数が多い場合は、すべてのストリートを切削するのに相当の時間を要し、生産性が著しく低下するという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、ウェーハをダイシングする場合において、デバイスの品質を低下させることなく、効率的に個々のデバイスに分割できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ストリートによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法に関するもので、ウェーハの表面のうち、ストリートに対応する領域以外にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆工程と、フッ素系安定ガスをプラズマ化してウェーハの表面に供給し、ストリートに対応する領域にデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、表面側に保護部材を貼着し、ウェーハの裏面を研削して溝を裏面側から露出させる研削工程とから構成されることを特徴とする。ストリートに対応する領域は、ストリート全域であってもよいし、ストリートの一部であってもよい。
【０００８】
溝形成工程と研削工程の間には、ウェーハの表面からレジスト膜を除去するレジスト膜除去工程が遂行されることが望ましい。また、研削工程後には、ウェーハの裏面に残存している研削歪みを除去するストレスリリーフ工程が遂行されることが望ましい。フッ素系安定ガスとしては、例えばＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４、ＣＨＦ３等がある。レジスト膜除去工程では、酸素をプラズマ化してレジスト膜に供給し、レジスト膜を灰化させて除去することが望ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明においては、切削ブレードによる切削を行わず、プラズマエッチングと研削によりウェーハを個々のデバイスに分割することができるため、デバイスに欠けが生じることがなく、デバイスの抗折強度が低下せず、品質が低下することがない。また、溝形成工程ではプラズマエッチングによりすべてのストリートに同時に溝を形成することができるため、極めて効率的であり、生産性を向上させることができる。更に、ウェーハにデバイスを形成するデバイス形成工程（前工程）で使用される露光装置とレジスト膜形成装置を用いてウェーハの表面にレジスト膜を被覆すると共にストリートに対応する領域を露出させ、その状態で溝形成や研削といった後工程が遂行されるため、従来から後工程で使用されているプラズマエッチング装置、研削装置、ストレスリリーフ装置を通常の流れで使用することができ、本来前工程で使用される装置を後工程で使用する必要はなく、工程フローの簡素化を図ることができる。
【００１０】
また、研削工程の後にストレスリリーフ工程を遂行してウェーハの裏面の研削歪みを除去するようにすれば、抗折強度が向上してより品質が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１（Ａ）に示すように、最初にウェーハＷの表面Ｗ１の全面にレジスト膜Ｒを被覆する。ウェーハＷの表面Ｗ１には、図２に示すように、ストリートＳによって区画されて複数のデバイスＤが形成されている。ウェーハＷの表面Ｗ１の全面にレジスト膜Ｒを被覆する際には、例えば図２に示すスピンコータ３を用いることができる。図２のスピンコータ３においては、保持テーブル３０にウェーハＷの裏面Ｗ２が保持される。そして、保持テーブル３０を回転させると共に、ノズル３１からレジスト材Ｒ１を滴下させることにより、図１（Ａ）に示したように、ウェーハＷの表面Ｗ１の全面にレジスト膜Ｒが被覆される。
【００１２】
次に、カメラ等でウェーハＷの表面Ｗ１を撮像してストリートＳを認識し、図３に示すように、ストリートＳと同様の格子状に形成されたマスクパターン２ａを有するフォトマスク２を介してレジスト膜Ｒに紫外線、Ｘ線等の光を照射し、レジスト膜Ｒのうち、表面Ｗ１のストリートＳに対応する部分を露光させる。そして露光した部分を現像すると、図１（Ｂ）及び図４に示すように、表面Ｗ１のストリートＳに対応する部分のレジスト膜が除去されてストリート対応部Ｗ１Ｓが露出する（レジスト膜被覆工程）。ここで、デバイスＤの部分に被覆されたレジスト膜が露光するのを防止するために、マスクパターン２ａの幅は、ストリートＳの幅より狭くなるように形成することが望ましい。すなわち、ストリート対応部Ｗ１Ｓの幅は、ストリートＳの幅と同様であってもよいし、ストリートＳの幅より狭くても良い。
【００１３】
なお、フォトマスクを用いなくても、カメラ等でウェーハＷの表面Ｗ１を撮像してストリートＳを検出した後に、検出したストリートＳの部分のみに光を照射すれば、図１（Ｂ）及び図４に示したと同様に、ストリート対応部Ｗ１Ｓが露出する。また、ストリートＳを検出した後に、ストリートＳの部分のみを物理的に押圧したりすることによってもストリート対応部Ｗ１Ｓを露出させることができる。更には、検出したストリートに対応する部分以外の領域にレジスト材を噴出したり、ストリートに対応する部分にレジスト材をはじくマスク材を塗布してからレジスト膜を被覆するようにしてもよい。
【００１４】
次に、ストリートＳに対応する領域であるストリート対応部Ｗ１Ｓに、図１（Ｃ）に示すように、デバイスＤの仕上がり厚さに相当する深さの溝Ｇを形成する（溝形成工程）。溝形成工程では、例えば図５に示すプラズマエッチング装置５を用いることができる。
【００１５】
このプラズマエッチング装置５は、ガス供給部５１とエッチング処理部５２とを備えている。ガス供給部５１には、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４、ＣＨＦ３等のフッ素を含む安定ガスであるフッ素系安定ガスが蓄えられる。一方、エッチング処理部５２においては研削後の被加工物Ｗを収容し、ガス供給部５１から供給されるフッ素系安定ガスをプラズマ化してウェーハＷをエッチングする。
【００１６】
エッチング処理部５２は、プラズマエッチングが行われるチャンバ５３の上部側からエッチングガス供給手段５４を収容すると共に、エッチングしようとする板状物を保持するチャックテーブル５５を下部側から収容した構成となっている。
【００１７】
エッチングガス供給手段５４は、チャックテーブル５５に保持されたウェーハＷの露出面にエッチングガスを供給する機能を有し、軸部５４ａがチャンバ５３に対して軸受け５６を介して昇降自在に挿通しており、内部にはガス供給部５１に連通すると共にポーラス部材で形成された噴出部５７ａに連通するガス流通孔５７が形成されている。エッチングガス供給手段５４は、モータ５８に駆動されてボールネジ５９が回動し、ボールネジ５９に螺合したナットを有する昇降部６０が昇降するのに伴い昇降する構成となっている。
【００１８】
一方、チャックテーブル５５は、軸部５５ａが軸受け６１を介して回動可能に挿通しており、内部には吸引源６２に連通する吸引路６３及び冷却部６４に連通する冷却路６５が形成されており、吸引路６３は上面の吸引部６３ａに連通している。
【００１９】
チャンバ５３の側部にはエッチングする板状物の搬出入口となる開口部６６が形成されており、開口部６６の外側には昇降により開口部６６を開閉するシャッター６７が配設されている。このシャッター６７は、シリンダ６８に駆動されて昇降するピストン６９によって昇降する。
【００２０】
チャンバ５３の下部にはガス排出部７０に連通する排気口７１が形成されており、排気口７１から使用済みのガスを排出することができる。また、エッチングガス供給手段５４及びチャックテーブル５５には高周波電源７２が接続され、高周波電圧を供給し、エッチングガスをプラズマ化することができる。
【００２１】
次に、図５に示したプラズマエッチング装置５を用いて、ストリート対応部Ｗ１Ｓのエッチングを行い、図１（Ｃ）に示した溝Ｇを形成する際の動作について説明する。図１（Ｂ）に示したように、表面Ｗ１のうち、ストリート対応部Ｗ１Ｓ以外の部分にレジスト膜Ｒが形成されたウェーハＷは、シャッター６７を下降させて開口部６６を開口させた状態で、開口部６６からチャンバ５３の内部に進入し、レジスト膜Ｒが被覆された表面Ｗ１側が上に向いて露出した状態で吸引部６３ａに保持される。そして、シャッター６７を元の位置に戻して開口部６３を閉め、内部を減圧排気する。
【００２２】
次に、エッチングガス供給手段５４を下降させ、その状態でガス供給部５１からガス流通孔５７にエッチングガスとしてフッ素系安定ガスを供給し、エッチングガス供給手段５４の下面の噴出部５７ａからエッチングガスを噴出させると共に、高周波電源７２からエッチングガス供給手段５４とチャックテーブル５５との間に高周波電圧を印加してエッチングガスをプラズマ化させる。そうすると、プラズマのエッチング効果によりウェーハＷの表面Ｗ１のうち、レジスト膜Ｒが被覆されていない部分、すなわち、ストリート対応部Ｗ１Ｓのみがエッチングされる。そして、図１（Ｃ）に示したように、溝Ｇの深さがデバイスＤの仕上がり厚さに相当する深さとなった時にエッチングを終了する。
【００２３】
溝形成工程終了後は、図１（Ｄ）に示すように、ウェーハＷの表面Ｗ１に被覆されたレジスト膜Ｒを除去する（レジスト膜除去工程）。レジスト膜除去工程には、アッシング装置を用いることもできるし、図５に示したプラズマエッチング装置５を用いることができる。
【００２４】
プラズマエッチング装置５では、分割工程において用いたフッ素系安定ガスを排気口７１からガス排出部７０に排気し、チャンバ５３の内部にフッ素系安定ガスが存在しない状態とする。そして次に、ガス供給部５１からＯ２ガスをガス流通孔５７に供給し、エッチングガス供給手段５４の下面の噴出部５７ａからＯ２ガスを噴出させると共に、高周波電源７２からエッチングガス供給手段５４とチャックテーブル５５との間に高周波電圧を印加してＯ２ガスをプラズマ化させる。そうすると、レジスト膜Ｒが酸化し、灰化して除去され、図１（Ｄ）及び図６に示すように、表面Ｗ１に溝Ｇが形成されたウェーハＷのみが残る。なお、レジスト膜除去工程を遂行せずに研削工程に移ることもできる。
【００２５】
レジスト膜除去工程終了後は、図１（Ｅ）及び図７に示すように、ウェーハＷの表面Ｗ１に保護部材Ｐを貼着する。そして、保護部材Ｐが貼着されたウェーハＷを裏返し、図８に示す状態とした後に、ウェーハＷの裏面Ｗ２を研削し、裏面Ｗ２側から溝Ｇを露出させる（研削工程）。
【００２６】
研削工程には、例えば図９に示す研削装置１を用いることができる。この研削装置１は、ウェーハを保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持されたウェーハを研削する研削手段１１と、研削手段１１をチャックテーブル１０に対して接近または離反させる研削送り手段１２とを備えている。
【００２７】
研削手段１１は、垂直方向の軸心を有するスピンドル１１０と、スピンドル１１０を回転駆動する駆動源１１１と、スピンドル１１０の下端においてホイールマウント１１２を介して固定された研削ホイール１１３と、研削ホイール１１３の下面に固着された研削砥石１１４とから構成され、駆動源１１１によって駆動されてスピンドル１１０が回転するのに伴い、研削砥石１１４が回転する構成となっている。
【００２８】
研削送り手段１２は、壁部１２０に垂直方向に配設された一対のガイドレール１２１と、ガイドレール１２１と平行に配設されたボールネジ１２２と、ボールネジ１２２の一端に連結されたパルスモータ１２３と、ガイドレール１２１に摺動可能に係合すると共に内部のナットがボールネジ１２２に螺合した支持部１２４とから構成されており、パルスモータ１２３に駆動されてボールネジ１２２が回動するのに伴い、支持部１２４がガイドレール１２１にガイドされて昇降し、支持部１２４に支持された研削手段１１も昇降する構成となっている。
【００２９】
チャックテーブル１０においては、保護部材Ｐが保持され、ウェーハＷの裏面Ｗ２が露出した状態となる。そして、チャックテーブル１０が水平方向に移動することにより、ウェーハＷが研削手段１１の直下に位置付けられる。ウェーハＷが研削手段１１の直下に位置付けられると、チャックテーブル１０の回転によりウェーハＷが回転すると共に、研削砥石１１４が回転しながら研削手段１１が下降し、ウェーハＷの裏面Ｗ２に接触して研削が行われる。研削を続けると、図１（Ｆ）に示すように、溝Ｇが裏面Ｗ２から表出してウェーハＷが個々のデバイスＤに分割される（研削工程）。なお、レジスト膜除去工程が遂行されなかった場合は、研削工程においてレジスト膜Ｒを除去する。
【００３０】
研削工程を遂行することによって、デバイスＤの裏面に生じた研削歪み等からなるダメージ層が形成されてストレスが生じ、抗折強度が低下する要因となるため、次に、ダメージ層を除去するために、ストレスリリーフ工程を遂行する。ストレスリリーフ工程は、例えば図１０に示すように、図６に示した研削装置１において研削砥石１１４の代わりにポリッシングパッド１１５を装着し、研削の場合と同様の動作によって裏面をポリッシングすることにより行われる。また、ドライエッチング、ウェットエッチング等によってもダメージ層を除去することができる。なお、図１０においては、研磨砥石１１５以外の部位については、図９の研削装置１と同様の符号を付している。
【００３１】
研削工程においては、ウェーハＷの厚さがデバイスＤの仕上がり厚さより若干厚い段階で研削を終了し、ストレスリリーフ工程においてダメージ層を除去することにより、ストレスリリーフ工程終了後のデバイスＤを、仕上がり厚さに形成することができる。
【００３２】
以上のように、プラズマエッチングと裏面の研削によりすべてのストリートを分離させることができるため、切削ブレードによる切削は不要となる。したがって、デバイスに欠けが生じることがなく、デバイスの抗折強度が低下せず、品質が低下することがない。また、研削工程ではすべてのストリートを同時に分離させることができるため、極めて効率的であり、生産性を向上させることができる。更に、プラズマエッチングでは異方性エッチングが可能であり、各デバイスＤの側面をほぼ垂直に形成することができる。
【００３３】
また、半導体デバイスの製造工程は、ウェーハに回路を形成していくデバイス形成工程である前工程と、デバイスが形成されたウェーハを加工する加工工程である後工程とに大別することができるが、本発明におけるレジスト膜被覆工程は、通常前工程で用いる露光装置やレジスト膜被覆装置を用いる工程であり、レジスト膜被覆工程終了後に行われる溝形成工程、レジスト膜除去工程、研削工程、ストレスリリーフ工程は、通常の後工程で用いるプラズマエッチング装置、研削装置、ストレスリリーフ装置等を用いる工程である。したがって、前工程、後工程でそれぞれ用いられてきた装置をその流れに沿って使用することができ、本来前工程で使用される装置を後工程で使用することはないため、工程フローの簡素化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一連の工程の一例を示す略示的断面図であり、（Ａ）はウェーハの表面にレジスト膜が被覆された状態、（Ｂ）はストリート対応部の上方のレジスト膜を除去した状態、（Ｃ）はストリート対応部に溝を形成した状態、（Ｄ）は表面側のレジスト膜を除去した状態、（Ｅ）はウェーハの表面に保護部材が貼着された状態、（Ｆ）はウェーハの裏面を研削して溝が表出した状態を示す。
【図２】ウェーハの表面にレジスト膜を被覆する方法の一例を示す斜視図である。
【図３】ストリートの上方のレジスト膜を除去する方法の一例を示す略示的断面図である。
【図４】ストリートの上方のレジスト膜を除去した状態を斜視図である。
【図５】プラズマエッチング装置の構成の一例を示す略示的断面図である。
【図６】表面に溝が形成されたウェーハを示す斜視図である。
【図７】表面に溝が形成されたウェーハ及び保護部材を示す斜視図である。
【図８】ウェーハの表面に保護部材が貼着された状態を示す斜視図である。
【図９】研削装置の一例を示す斜視図である。
【図１０】ストレスリリーフの方法の一例を示す略示的断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
Ｗ：ウェーハ
Ｗ１：表面
Ｄ：デバイス  Ｓ：ストリート  Ｗ１Ｓ：ストリート対応部
Ｗ２：裏面
Ｐ：保護部材  Ｒ：レジスト膜  Ｂ：支持部材
１：研削装置
１０：チャックテーブル
１１：研削手段
１１０：スピンドル  １１１：駆動源  １１２：ホイールマウント
１１３：研削ホイール  １１４：研削砥石  １１５：ポリッシングパッド
１２：研削送り手段
１２０：壁部  １２１：ガイドレール  １２２：ボールネジ
１２３：パルスモータ  １２４：支持部
２：フォトマスク
２ａ：マスクパターン
３：スピンコータ
３０：保持テーブル  ３１：ノズル
５０：プラズマエッチング装置
５１：ガス供給部  ５２：エッチング処理部  ５３…チャンバ
５４：エッチングガス供給手段  ５５：チャックテーブル  ５６：軸受け
５７：ガス流通孔  ５７ａ：噴出部  ５８：モータ  ５９：ボールネジ
６０：昇降部  ６１：軸受け  ６２：吸引源  ６３：吸引路  ６４：冷却部
６５：冷却路  ６６：開口部  ６７：シャッター  ６８：シリンダ  ６９：ピストン
７０：ガス排出部  ７１：排気口  ７２：高周波電源
【図１】
2006120834.tif 000003
【図２】
2006120834.tif 000004
【図３】
2006120834.tif 000005
【図４】
2006120834.tif 000006
【図５】
2006120834.tif 000007
【図６】
2006120834.tif 000008
【図７】
2006120834.tif 000009
【図８】
2006120834.tif 000010
【図９】
2006120834.tif 000011
【図１０】
2006120834.tif 000012