(57)【要約】【課題】  記録密度の高い新規な磁気記録媒体およびその低コストな製造方法を提供する。【解決手段】  本発明に係る磁気記録媒体は、基板表面上の特定箇所を選択的に非親水化し、この基板上に、分散安定剤に包含された、平均粒径が２〜２０ｎｍの範囲にあるナノ粒子を導入し、上記特定箇所に結合させてなる。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面上の特定箇所を選択的に非親水化し、
当該基板上に、分散安定剤に包含された、平均粒径（直径）が２〜２０ｎｍの範囲にあるナノ粒子を導入し、当該特定箇所に結合させることを含む、磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
分散安定剤に包含された、平均粒径（直径）が２〜２０ｎｍの範囲にあるナノ粒子を、基板上に選択的に設けられた非親水性部を介して当該基板と結合させてなる磁気記録媒体。
【請求項３】
前記ナノ粒子が硬質磁性粒子である、請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記ナノ粒子が結合した以外の場所に非磁性微粒子を結合させてなる、請求項２または３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれかに記載の磁気記録媒体を備えた情報記録再生装置
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体および情報記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気情報記録再生装置の大容量化が急速に進んでいる。記録媒体の記録密度を高めるには記録媒体のノイズを低減することが必須であり、それには記録層に用いる硬磁性体の結晶粒径を微細かつ均一化することが必要である。
【０００３】
これに関連して、微細で均一なナノ粒子を得る手法としてＳｕｎらが提唱した化学的な手法が注目を浴びている（たとえば非特許文献１参照。）。化学的に作製されたナノ粒子は、分散安定剤の直鎖の長さを基準として、ナノ粒子が自然に配列する性質を有する。このようなナノ粒子は、幾何学的に規則的に配列し、かつ粒径が小さく均一なため、ひとつの粒子に情報を記録できる究極の記録媒体としてのポテンシャルを有する。
【０００４】
また、ナノ粒子の材料としては、超高密度記録のために、熱揺らぎに耐えうる異方性磁気エネルギーを持つ材料、すなわち、ＦｅＰｔやＣｏＰｔなどの規則合金ナノ粒子が、将来の磁気記録媒体材料として有望視されている。
【特許文献１】特開２０００−５４０１２号公報（特許請求の範囲）
【非特許文献１】「ジャーナル・オブ・アプライドフィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）」，１９９９年，第８５巻，ｐ．４３２５
【非特許文献２】「ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・テクノロジー・ビー（Ｊ．  Ｖａｃ．  Ｓｃｉ．  Ｔｅｃｈｎｏｌ．」，２００４年，Ｂ２２（１），ｐ３１
【非特許文献３】「サイエンス（ＳＣＩＥＮＣＥ），２０００年，第２８７巻，ｐ．１８９８−１９９２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
超高密度記録のためには、ナノ粒子を載置する対象上の所望の位置にナノ粒子を配列させる必要がある。特に、いわゆるディスクリートトラック媒体やパターンドメディアでは、微細な配列が必須である。
【０００６】
ナノ粒子を用いたパターンドメディアとしては、これまで、ＸｉａｏＭｉｎ  Ｙａｎｇらが提唱した、レジストパターンを形成し、凹部分にナノ粒子を配列させる方法があるが（非特許文献２参照。）、この方法では、パターンの微細加工上の限界や、製造コストの大幅な増加といった問題がある。
【０００７】
本発明はこのような課題を解決し、記録密度の高い新規な磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的としている。本発明のさらに他の目的および利点は、以下の説明から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、基板表面上の特定箇所を選択的に非親水化し、当該基板上に、分散安定剤に包含された、平均粒径（直径）が２〜２０ｎｍの範囲にあるナノ粒子を導入し、当該特定箇所に結合させることを含む、磁気記録媒体の製造方法が提供される。本発明態様により、記録密度の高い新規な磁気記録媒体を低コストで製造できる。
【０００９】
前記非親水化が疎水化処理によるものであること、前記非親水化が前記特定箇所以外の場所の親水化処理によるものであること、前記導入を、前記ナノ粒子を含む液のスピンコーティングにより行うこと、前記導入後に、前記磁気記録媒体の熱処理を行うこと、前記ナノ粒子が、化学的ナノ粒子生成法で作製されたものであること、および、前記結合処理後に、非磁性微粒子を前記基板表面上に導入し、前記ナノ粒子が結合した以外の場所に非磁性微粒子を結合させることを含むこと、が好ましい。これらの形態により、面記録密度が大きく、大幅に媒体ノイズを低減させた磁気記録媒体を低コストで製造することができる。
【００１０】
本発明の他の一態様によれば、分散安定剤に包含された、平均粒径（直径）が２〜２０ｎｍの範囲にあるナノ粒子を、基板上に選択的に設けられた非親水性部を介して当該基板と結合させてなる磁気記録媒体が提供される。本発明態様により、記録密度の高い新規な磁気記録媒体が得られる。
【００１１】
前記非親水性部が疎水性部であること、前記基板表面の内、前記非親水性部以外の場所が親水性部であること、および、前記ナノ粒子が結合した以外の場所に非磁性微粒子を結合させてなること、が好ましい。これらの形態により、面記録密度が大きく、大幅に媒体ノイズを低減させた低コストの磁気記録媒体を実現できる。
【００１２】
また、上記二つの態様に共通して、前記ナノ粒子が硬質磁性粒子であること、前記ナノ粒子と非磁性微粒子とを結合させてなる前記基板表面の平滑度が、Ｒａ≦１ｎｍであること、磁気記録媒体がディスクリートトラック媒体またはパターンドメディアであること、前記分散安定剤が、脂肪族カルボン酸および脂肪族アミンからなる群から選ばれた少なくとも一つの剤であること、および、前記ナノ粒子が、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＴａからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素を含むこと、が好ましい。
【００１３】
本発明のさらに他の一態様によれば、上記の磁気記録媒体を備えた情報記録再生装置が提供される。本発明態様により、記録密度の高い新規な磁気記録媒体を備えた情報記録再生装置が得られる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、記録密度の高い新規な磁気記録媒体およびその低コストな製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明の実施の形態を図、実施例等を使用して説明する。これらの図、実施例等および説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。図中、同一の符号は同一の要素を表す。
【００１６】
本発明に係る磁気記録媒体は、分散安定剤に包含された、平均粒径が２〜２０ｎｍの範囲にあるナノ粒子を、基板上に選択的に設けられた非親水性部を介して当該基板と結合させてなる。
【００１７】
この磁気記録媒体は、基板表面上の特定箇所を選択的に非親水化し、この基板上に、分散安定剤に包含された、平均粒径が２〜２０ｎｍの範囲にあるナノ粒子を導入し、当該特定箇所に結合させることにより製造することができる。
【００１８】
分散安定剤に包含された、平均粒径が２〜２０ｎｍの範囲にあるナノ粒子を使用することにより、基板の所望の位置にナノ粒子を配列させ、かつ、平坦な磁気ディスク媒体の提供が可能となる。大幅な媒体ノイズの低減が可能になり、媒体の面記録密度を大きく向上させることができる。ディスクリートトラック媒体やパターンドメディア等の記録密度の高い磁気記録媒体を実現することができる。また、レジストパターンの形成や研磨工程を省略することができるので、媒体の製造コストも大幅に低減することができる。
【００１９】
なお、本発明においては、特に断らない限り、「基板」とは、ナノ粒子を載置する対象を意味し、いわゆる基板以外に、下地層等の基板上に設けられたナノ粒子を載置するための層を含む概念である。粒径は粒子の直径を意味する。
【００２０】
本発明に係るナノ粒子は、分散安定剤に包含されており、この分散安定剤の先端に疎水基を有するため、基板面上の特定箇所をあらかじめ非親水性にしておくことにより、その特定箇所のみにナノ粒子を配列させるものである。
【００２１】
本発明に係るナノ粒子は、通常媒体中に懸濁した状態で基板上に導入される。導入方法については特に制限はなく、スピンコーティング、ディップ法等を採用することができる。スピンコーティングが好ましい。このような簡単な工程で、基板上の特定箇所にナノ粒子を導入できるので、レジストパターンの形成や研磨工程を省略することができ、媒体の製造コストを大幅に低減することができる。
【００２２】
上記非親水性部の「非親水性」とは親水性でないことを意味し、最も一般的には疎水性であることを意味するが、必ずしも明確に疎水性と認められる必要はなく、本発明に係るナノ粒子を基板上に導入した結果、基板上の特定の箇所に、本発明に係るナノ粒子が結合すれば、その特定箇所が非親水性であったと考えてよい。上記「特定箇所」については特に制限はなく、任意的に定めることができる。ディスクリートトラック媒体やパターンドメディア等の場合には、そのトラックやパターンの場所が特定箇所に相当する。ディスクリートトラック媒体やパターンドメディア等の場合のように、トラックやパターン間に隙間を設け、トラックやパターンを極小にすることで、磁気的相互作用を抑制し、媒体の面記録密度を大きく向上させることができる。
【００２３】
本発明に係るナノ粒子と基板との結合の形態や結合強度については特に制限はなく、実情に応じて適宜定めることができる。本発明に係るナノ粒子の形状、分散安定剤の種類、濃度、上記結合後の処理（たとえば熱処理）により、ナノ粒子と基板との結合の形態や結合強度を調整することが可能である。「非親水性部を介して基板と結合したものである」とは、典型的には、上記分散安定剤が非親水性部と相互作用したことにより、ナノ粒子と基板とが結合することを意味し、上記処理後の熱処理等により、分散安定剤や非親水性部が変性したものも含まれる。たとえば、磁気記録媒体を熱処理した結果、分散安定剤が炭素化してもはや分散安定剤と認められない場合もあるが、このような場合も本発明の範疇に属する。
【００２４】
上記非親水化は、特定箇所を疎水性化処理する方法でも、特定箇所以外の場所を親水性化処理する方法でも、基板上全体を疎水性化処理した後に特定箇所以外の場所を親水性化処理する方法でも、基板上全体を親水性化処理した後に特定箇所を疎水化処理する方法でもよい。特定箇所以外の場所の親水性化処理による方法のみでは、疎水性化処理が行われないことになるが、基板自体が非親水性を有する場合には、この方法で充分な場合があり得る。ここで、処理の結果、特定箇所でナノ粒子と基板との結合が生じれば、上記疎水化処理や親水性化処理が実現したと考えてよい。また、「基板上全体」や「特定箇所以外の場所」は基板上のすべての場所や特定箇所以外のすべての場所を意味するものではなく、上記特定箇所の形成に関与する場所と考えれば充分である。
【００２５】
具体的な疎水性化処理や親水性化処理には特に制限はなく、公知の方法を採用することができる。具体的には、Ｓｉ基板をＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）の蒸気に暴露して疎水性する方法、電子線照射やレーザーアブレーション法を用いて親水化する方法を挙げることができる。
【００２６】
本発明に係るナノ粒子については特に制限はなく、分散安定剤に包含され、平均粒径が２〜２０ｎｍの範囲にあれば、公知のどのようなものを使用してもよい。平均粒径が２ｎｍ未満であると、熱揺らぎの影響を受け、磁区を保つことができない。２０ｎｍを超えると高密度記録媒体とは言えなくなる。なお、上記ナノ粒子の粒径分布はσ（標準偏差）／Ｄ（平均粒径）≦０．１０であることが好ましい。本発明に係る磁気記録媒体はその製造過程で熱処理等を施される場合があるが、上記平均粒径やσはその熱処理等の段階の前後を含むどの段階で測定してもよい。本発明に係る粒径は、電子顕微鏡観察における画像から画像解析により求めることができる。
【００２７】
本発明に係るナノ粒子を形成する材料については、公知の材料の中から任意に選択することができる。本発明に係るナノ粒子は、最終的には、磁性体であることが重要であり、磁気記録媒体の記録層として使用する目的からは硬質磁性粒子であることが必要であるが、その途中段階では磁性体である必要はない。このような途中段階のナノ粒子を含む磁気記録媒体（中間体）も本発明の範疇に属する。
【００２８】
本発明に係るナノ粒子は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＴａからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素を含むことが好ましく、磁気異方性エネルギーが大きく、熱揺らぎが小さい点で、ナノ粒子が、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金からなることがより好ましい。各成分の割合については特に制限はないが、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金の場合には、規則合金を形成しうる点からＰｔが４０〜６０原子％の範囲が好ましい。
【００２９】
本発明に係る分散安定剤は、本発明に係るナノ粒子を包含し、ナノ粒子の分散状態を安定化する機能を有する化合物を意味し、このような機能を有すると考えられる限り、特に制限はなく、極性を有する化合物、典型的には親水性基と疎水性基とを有する化合物の中から適宜選択することができる。親水性基と疎水性基とを有する化合物の場合には、図１に示すように、分散安定剤１１の親水性基側１２が内側（すなわち、ナノ粒子１３側）に、疎水性基側１４が外側に配置されるものと考えられる。本発明に係るナノ粒子を包含する機能を有することは、基板上に導入した場合に、ナノ粒子が特定箇所に結合するかどうかで判断することができる。
【００３０】
分散安定剤の例としては、脂肪族カルボン酸および脂肪族アミンからなる群から選ばれた少なくとも一つの剤を挙げることができる。この場合の脂肪族としては、直鎖のものでも枝分かれしたものでもよく、上記親水性基と疎水性基との関係が維持される限り、置換基を有していてもよい。また不飽和結合を有していてもよい。脂肪族の炭素数には特に制限はないが、ナノ粒子の間隔を適当なものとする上からは、一般的には一分子あたり、３〜１８個が好ましい。具体的な例としてはオレイン酸、オレイルアミン、ヘキシルアミン、ヘキサン酸等を挙げることができる。
【００３１】
分散安定剤を適切に選択することにより、ナノ粒子の平均粒径、σ、相互距離等を調整することが可能である。長鎖を有する化合物を採用すると、ナノ粒子の相互距離を大きくすることが可能である。
【００３２】
本発明に係るナノ粒子はどのような方法によって作製してもよい。たとえば化学的ナノ粒子生成法を利用することができる。化学的ナノ粒子生成法としては、たとえば特許文献１，非特許文献１，３に開示されるように、分散安定剤を含む媒体中で、金属化合物を還元したり、分解したりすることで、ナノ粒子を作製する方法や、スーパーハイドライド法、ポリオール法などにより作製することができる。このような化学的ナノ粒子生成法で作製された磁気記録媒体は、その後熱処理することにより、ナノ粒子を硬質磁性粒子とし、また基板に固着することができる。
【００３３】
基板上に本発明に係るナノ粒子を結合させた後は、ナノ粒子を導入した場合と同様にして、非磁性微粒子を基板表面上に導入し、ナノ粒子が結合した以外の場所に非磁性微粒子を結合させて、ナノ粒子と基板との段差を埋めることができる。
大幅な媒体ノイズの低減が可能な表面の平滑性を実現する意味からは、ナノ粒子と非磁性微粒子とを結合させた後の基板表面の平滑度が、Ｒａ≦１ｎｍであることが好ましい。粒子の大きさの観点からは、ナノ粒子の層を粒子一層のものとすることが可能であり好ましいので、非磁性微粒子の層についても粒子一層のものとし、その際の粒径をナノ粒子と同等または近似したものとすることが好ましい。σ／Ｄについてもナノ粒子と同等であることが好ましい。
【００３４】
非磁性微粒子を構成する材料としては、磁性化しないものであればどのようなものでもよい。たとえばＰｔ，Ａｕ，Ｃｕ等の金属を上げることができる。非磁性微粒子も本発明に係る化学的ナノ粒子生成法により作製することができる。
【００３５】
このようにして、本発明により、大幅な媒体ノイズの低減が可能になり、磁気記録媒体の面記録密度が大きく向上させることができる。磁気記録媒体の製造コストも大幅に低減することができる。このような磁気記録媒体には、ディスクリートトラック媒体やパターンドメディア等の記録密度の高い磁気記録媒体を含めることができる。
【００３６】
また、本発明により、上記の優れた特性を有する磁気記録媒体を備えたハードディスク装置等の情報記録再生装置を実現することができる。本発明を適用できる磁気記録媒体を含む情報記録再生装置（ハードディスク装置）を図２に例示する。図２はハードディスク装置の内部構造を示す模式的平面図である。このハードディスク装置は、磁気記録媒体１と変換素子を備えた磁気ヘッド２、磁気記録媒体１の回転制御機構（たとえばスピンドルモーター）３、変換素子の位置決め機構４および記録再生信号の処理回路（リードライトアンプ等）５を主要構成要素としている。
【００３７】
なお、本発明に係る磁気記録媒体は上記のごときディスク形状に限らずテープ等他の形状のものであってもよく、そのような磁気記録媒体もそのような磁気記録媒体を備えた情報記録再生装置も本発明の範疇に属することは言うまでもない。
【実施例】
【００３８】
次に本発明の実施例および比較例を詳述する。
【００３９】
［実施例１］（ＦｅＰｔナノ粒子の合成）
ＦｅＰｔナノ粒子を次のようにして作製した。アルゴン雰囲気下、ビスアセチルアセトナト白金１９７ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）と１，２−ヘキサデカンジオール３９０ｍｇを入れたフラスコに、ジオクチルエーテル２０ｍＬを加え、さらにオレイン酸０．３２ｍＬ（１．０ｍｍｏｌ）、オレイルアミン０．３４ｍＬ（１．０ｍｍｏｌ）を加えた後に、Ｆｅ（ＣＯ）5を０．１３ｍＬ（１．０ｍｍｏｌ）加えて、撹拌しながら２３０℃で反応させた。オレイン酸とオレイルアミンが本発明に係る分散安定剤である。この反応で、ビスアセチルアセトナト白金の還元によりＰｔが生成し、Ｆｅ（ＣＯ）5の分解によりＦｅが生成する。
【００４０】
３０分の反応の後、溶液を室温まで放冷し、エタノール４０ｍＬを加えて遠心分離を行い、沈殿物をヘキサンに分散させることにより、ＦｅＰｔナノ粒子の分散液を得た。この条件で得られたＦｅＰｔナノ粒子の平均粒径は４．３ｎｍであり、σ／Ｄは０．０８（８％）であった。この段階のＦｅＰｔナノ粒子については磁性は発現しておらず、ｆｃｃ（面心立方）構造を取っていた。
【００４１】
また、上述の合成の場合、ＦｅＰｔの組成比は、Ｆｅ５０原子％，Ｐｔ５０原子％であった。原材料の混合比を変えることで、Ｆｅ分の多いまたは、Ｐｔ分の多いナノ粒子の作製が可能である。この方法で作製したナノ粒子は、図１に示すごとく、分散安定剤の疎水基側が外側に向いている状態であると考えられる。
【００４２】
［実施例２］（基板の全面疎水性化）
外径６５ｍｍ，内径２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのＳｉ（１１１）基板の表面を脱脂洗浄した後、混酸で煮沸し、酸膜を形成し、希フッ酸溶液でエッチングし、超純水で洗浄した。次に、濃硝酸煮沸と希フッ酸によるエッチングとを４回繰り返した。この処理により基板表面は、水素終端され疎水性になる。この様子を図７に示す。
【００４３】
［実施例３］（基板の全面疎水性化）
外径６５ｍｍ，内径２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのＳｉ基板をＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）の蒸気に暴露した。このＨＭＤＳ処理により基板表面が、疎水性になった。この様子も、やはり図７のように示すことができる。
【００４４】
［実施例４］（パターン形成：特定箇所以外の場所の親水性化）
実施例３の手順に従い疎水性化した基板に対し、電子線描画装置を用いて、本発明に係るナノ粒子を形成しない場所（特定箇所以外の場所に相当）に電子線を照射した。電子線の照射直径を５０ｎｍ程度、非照射部の幅を５０ｎｍ程度として、基板の同心円状に電子線を照射した。これにより、電子線の照射された部分は、ＨＭＤＳが親水性に変化した。この様子を図８に示す。水素のない表面部分が親水性に変化した箇所である。
【００４５】
［実施例５］（パターン形成：特定箇所以外の場所の親水性化）
実施例３の手順に従い疎水性化した基板に対し、レーザーアブレーション法を用いて、本発明に係るナノ粒子を形成しない場所（特定箇所以外の場所に相当）にレーザーを照射した。レーザーは、波長１９３ｎｍのエキシマレーザを用い、基板に同心円状に照射した。これにより、レーザーの照射された部分は、ＨＭＤＳが親水性に変化した。この様子もやはり図８のように示すことができる。
【００４６】
［実施例６］（非磁性微粒子の合成）
非磁性微粒子としてＰｔナノ粒子を合成した。アルゴン雰囲気下、ビスアセチルアセトナト白金１９７ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）と１，２−ヘキサデカンジオール３９０ｍｇを入れたフラスコに、ジオクチルエーテル２０ｍＬを加え、さらにオレイン酸０．３２ｍＬ（１．０ｍｍｏｌ）、オレイルアミン０．３４ｍＬ（１．０ｍｍｏｌ）を加えた後に、撹拌しながら２８０℃で反応させた。
【００４７】
３０分の反応の後、溶液を室温まで放冷し、エタノール４０ｍＬを加えて遠心分離を行い、沈殿物をヘキサンに分散させることにより、Ｐｔナノ粒子の分散液を得た。この条件で得られたＰｔナノ粒子の平均粒径は４．３ｎｍであり、σ／Ｄは０．０８（８％）であった。
【００４８】
［実施例７］（磁気記録媒体の作製）
磁気記録媒体の作製を図３〜６を参照して説明する。図３〜６は、磁気記録媒体の作製段階を例示する、磁気記録媒体の模式的断面図である。実施例３の手順により疎水性にした基板３１上に実施例４の手順により親水性のパターン３２を形成した。この基板をスピンコーターにセットし、実施例１で作製したＦｅＰｔナノ粒子のヘキサン分散体を使用して、スピンコーティングにより成膜したところ、基板上の疎水性の部分に本発明に係るナノ粒子３３が配列した。
【００４９】
次に、２００℃に設定したホットプレート上に成膜した基板を置き、５分間保持した。次に、もう一度、スピンコーターにセットして、実施例６で作製したＰｔナノ粒子を使用して、スピンコーティングにより成膜した。これにより、親水性のパターン部分に非磁性のナノ粒子３４を充填することができた。
【００５０】
次に、真空中において、７００℃で３０分間アニールを行った。この段階で、ＦｅＰｔナノ粒子が、ｆｃｔ（面心正方構造）構造の硬質磁性粒子となった。また、分散安定剤が変性、分解し、炭化した。この段階におけるＦｅＰｔナノ粒子およびＰｔナノ粒子の平均粒径は共に４．３ｎｍであり、σ／Ｄは共に０．０８（８％）であった。また、表面粗度は共にＲａ＝０．５ｎｍであった。その後、スパッタ法により窒化カーボン保護膜６１を４ｎｍ形成し、潤滑剤をディップ法により塗布して潤滑層６２を形成した。その後、潤滑層６２の安定性を高めるために、ＵＶ照射を行った。このようにして、ＦｅＰｔナノ粒子を用いたディスクリートトラック媒体を作製した。
【００５１】
この例においてここまでで作製した媒体は、単層構造であるが、媒体特性の最適化のために、多層構造が必要な場合は、たとえば、次のように作製することができる。すなわち、上述の真空中における７００℃のアニールまでは、同じプロセスで作製する。次に、スピンコーターにセットして、実施例１で作製したナノ粒子を再度成膜する。このときナノ粒子は、下層のＦｅＰｔの磁性に引き寄せられ、磁性部分にのみ成膜することができる。その後、非磁性微粒子を上記と同様の方法で成膜し、再び、真空中で熱処理を行う。このようにして多層化を行うことができる。
【００５２】
なお、上記に開示した内容から、下記の付記に示した発明が導き出せる。
【００５３】
（付記１）
基板表面上の特定箇所を選択的に非親水化し、
当該基板上に、分散安定剤に包含された、平均粒径（直径）が２〜２０ｎｍの範囲にあるナノ粒子を導入し、当該特定箇所に結合させることを含む、磁気記録媒体の製造方法。
【００５４】
（付記２）
前記ナノ粒子が硬質磁性粒子である、付記１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００５５】
（付記３）
前記非親水化が疎水化処理によるものである、付記１または２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００５６】
（付記４）
前記非親水化が前記特定箇所以外の場所の親水化処理によるものである、付記１〜３のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００５７】
（付記５）
前記導入を、前記ナノ粒子を含む液のスピンコーティングにより行う、付記１〜４のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００５８】
（付記６）
前記導入後に、前記磁気記録媒体の熱処理を行う、付記１〜５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００５９】
（付記７）
前記ナノ粒子が、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＴａからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素を含む、付記１〜６のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６０】
（付記８）
前記分散安定剤が、脂肪族カルボン酸および脂肪族アミンからなる群から選ばれた少なくとも一つの剤である、付記１〜７のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６１】
（付記９）
前記ナノ粒子が、化学的ナノ粒子生成法で作製されたものである、付記１〜８のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６２】
（付記１０）
前記結合処理後に、非磁性微粒子を前記基板表面上に導入し、前記ナノ粒子が結合した以外の場所に非磁性微粒子を結合させることを含む、付記１〜９のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６３】
（付記１１）
前記ナノ粒子と非磁性微粒子とを結合させた後の前記基板表面の平滑度が、Ｒａ≦１ｎｍである、付記１０に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６４】
（付記１２）
前記磁気記録媒体がディスクリートトラック媒体またはパターンドメディアである、付記１〜１１のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６５】
（付記１３）
分散安定剤に包含された、平均粒径（直径）が２〜２０ｎｍの範囲にあるナノ粒子を、基板上に選択的に設けられた非親水性部を介して当該基板と結合させてなる磁気記録媒体。
【００６６】
（付記１４）
前記ナノ粒子が硬質磁性粒子である、付記１３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００６７】
（付記１５）
前記基板表面の内、前記非親水性部以外の場所が親水性部である、付記１３または１４に記載の磁気記録媒体。
【００６８】
（付記１６）
前記ナノ粒子が、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＴａからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素を含む、付記１３〜１５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００６９】
（付記１７）
前記ナノ粒子が結合した以外の場所に非磁性微粒子を結合させてなる、付記１３〜１６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００７０】
（付記１８）
前記ナノ粒子と非磁性微粒子とを結合させてなる前記基板表面の平滑度が、Ｒａ≦１ｎｍである、付記１７に記載の磁気記録媒体。
【００７１】
（付記１９）
ディスクリートトラック媒体またはパターンドメディアである、付記１３〜１８のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００７２】
（付記２０）
付記１３〜１９のいずれかに記載の磁気記録媒体を備えた情報記録再生装置。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】分散安定剤がナノ粒子を包含する様子を表す模式図である。
【図２】ハードディスク装置の内部構造を示す模式的平面図である。
【図３】磁気記録媒体の作製段階を例示する、磁気記録媒体の模式的断面図である。
【図４】磁気記録媒体の作製段階を例示する、磁気記録媒体の模式的断面図である。
【図５】磁気記録媒体の作製段階を例示する、磁気記録媒体の模式的断面図である。
【図６】磁気記録媒体の作製段階を例示する、磁気記録媒体の模式的断面図である。
【図７】基板表面が疎水性になった様子を示す、基板の模式的断面図である。
【図８】基板表面上の親水性の場所を示す、基板の模式的断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１  磁気記録媒体
２  磁気ヘッド
３  回転制御機構
４  変換素子の位置決め機構
５  記録再生信号の処理回路
１１  分散安定剤
１２  親水性基側
１３  ナノ粒子
１４  疎水性基側
３１  基板
３２  親水性のパターン
３３  本発明に係るナノ粒子
３４  非磁性ナノ粒子
６１  窒化カーボン保護膜
６２  潤滑層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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