(57)【要約】【課題】  内壁に付着物が出来やすい配管系において管路が折曲する箇所をも確実に掃除できる装置を提供する。【解決手段】  成膜装置１０から排気系として第１管路３１ａが延び、これに連通部３０ａを介して第２管路３２ａが直角に連なっている。第１管路３１ａの管軸に第１回転軸４１を沿わせ、これに第１羽根部４２を設けて、第１管路内を掃くとともに、第２管路３２ａの管軸に第２回転軸５１を沿わせ、これに第２羽根部５２を設けて、第２管路内を掃く。第１羽根部４２の連通部３０ａ側の端部を、連通部３０ａの内側のコーナー３４より第２回転軸の側に延出させ、第２羽根部５２の連通部３０ａ側の端部を、内側コーナー３４より第１回転軸の側に延出させる。【選択図】図１
2006082037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに角度をなして連通された第１管路と第２管路を有する管装置の内部を掃除する装置であって、
前記第１管路の管軸に沿う第１回転軸と、
前記第２管路の管軸に沿う第２回転軸と、
前記第１回転軸に設けられ、第１回転軸の回転によって第１管路内を掃く第１羽根部と、
前記第２回転軸に設けられ、第２回転軸の回転によって第２管路内を掃く第２羽根部と、
を備え、
前記第１羽根部の前記第１、第２管路どうしの連通部側の端部が、前記連通部の内側のコーナーより第２回転軸の側に位置され、
前記第２羽根部の前記連通部側の端部が、前記内側コーナーより第１回転軸の側に位置されていることを特徴とする管内掃除装置。
【請求項２】
前記管装置における第１、第２管路どうしの連通部の外側のコーナーには、前記第２回転軸より第１管路の側に位置して第１管路を向く第１面と、前記第１回転軸より第２管路の側に位置して第２管路を向く第２面とからなる段差が形成されており、
前記第１回転軸が、前記第１面を貫き、前記第２回転軸が、前記第２面を貫いていることを特徴とする請求項１に記載の管内掃除装置。
【請求項３】
前記第１回転軸と第２回転軸が立体的に交差していることを特徴とする請求項１又は２に記載の管内掃除装置。
【請求項４】
前記第１回転軸と第２回転軸は、前記連通部において第１、第２羽根部どうしが内側のコーナーを交互に通過するように回転されることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の管内掃除装置。
【請求項５】
前記第１管路の前記連通部側とは逆側の端部が、プロセスガスを反応させて成膜する成膜装置の排気ポートに連なっており、
前記第１回転軸は、前記排気ポート側の端部が解放され、前記連通部側の端部において片持ち状に支持されていることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の管内掃除装置。
【請求項６】
前記第１回転軸ひいては第１羽根部が、前記排気ポートの内部に挿入されていることを特徴とする請求項５に記載の管内掃除装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばＣＶＤ装置の排気管等のように内壁に付着物ができやすい管装置の内部を掃除するのに適した管内掃除装置に関し、特に、管路がＬ字状に折曲された管装置に適した管内掃除装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体製造の一工程として熱ＣＶＤやプラズマＣＶＤ等による成膜工程がある。成膜装置にはプロセスガスが導入される。これが基板上で反応を起こし、薄膜が気相成長される。処理済みのガスは、排気管で排出される。しかし、この処理済みガス中にも膜化成分が多少残っているため、排気管の内壁には膜が堆積し易い。したがって、管内をこまめに掃除する必要がある。
【０００３】
特許文献１には、Ｌ字の排気管の縦の管と横の管にそれぞれブラシ体を収容しておき、各ブラシ体をワイヤで引っ張ってスライドさせ、管の内壁の付着物を剥がすことが記載されている。
特許文献２には、縦の管内に平板状のフィンを縦にして収容し、これを管軸まわりに回転させることが記載されている。
【特許文献１】特開平５−２６３２４９号公報
【特許文献２】特開平６−３０２５２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配管には、Ｌ字状に折曲している部位が少なくない。このような折曲部は、付着物が出来やすい箇所であると同時に、掃除がしづらい箇所でもある。
特許文献１では、縦の管と横の管をそれぞれちょうど端部どうしではなく、端部付近の中間部どうしで交差させ、各管のブラシ体が、この交差部を縦方向又は横方向に通り抜けることができるようになっている。これにより、交差部すなわち折曲部を万遍なく掃除できるように見える。しかし、各管の交差部より先の端部が凹部状になり、そこに付着物が溜まりやすくなる。また、縦管内のブラシ体スライド用ワイヤと横管内のブラシ体スライド用ワイヤが、上記交差部で交差しているため、各ブラシ体がこの交差部を横切る時、他方の管のワイヤと干渉するように見えるが、その回避手段については言及が無い。
また、特許文献２の平板状フィンだけでは、折曲部の掃除は困難である。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、例えばＣＶＤ装置の排気管等のように内壁に付着物が出来やすい配管系において管路が折曲する箇所をも確実に掃除できる装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、互いに角度をなして連通された第１管路と第２管路を有する管装置の内部を掃除する装置であって、
前記第１管路の管軸に沿う第１回転軸と、
前記第２管路の管軸に沿う第２回転軸と、
前記第１回転軸に設けられ、第１回転軸の回転によって第１管路内を掃く第１羽根部と、
前記第２回転軸に設けられ、第２回転軸の回転によって第２管路内を掃く第２羽根部と、
を備え、
前記第１羽根部の前記第１、第２管路どうしの連通部側の端部が、前記連通部の内側のコーナーより第２回転軸の側に位置され、
前記第２羽根部の前記連通部側の端部が、前記内側コーナーより第１回転軸の側に位置されていることを特徴とする。
これによって、第１管路と第２管路の連通部すなわち管路が折曲する箇所をも確実に掃除することができる。
【０００７】
前記管装置における第１、第２管路どうしの連通部の外側のコーナーには、前記第２回転軸より第１管路の側に位置して第１管路を向く第１面と、前記第１回転軸より第２管路の側に位置して第２管路を向く第２面とからなる段差が形成されており、
前記第１回転軸が、前記第１面を貫き、前記第２回転軸が、前記第２面を貫いていることが望ましい。
これによって、第１管路と第２管路の連通部内に第１回転軸と第２回転軸の交差する部分が配置されないようにすることができ、連通部における付着量を減らすことができる。
【０００８】
前記第１回転軸と第２回転軸は、立体的に交差していることが望ましい。
前記第１回転軸と第２回転軸は、前記連通部において第１、第２羽根部どうしが内側のコーナーを交互に通過するように回転されるようになっていることが望ましい。
これによって、第１羽根部と第２羽根部の回転領域が、第１管路と第２管路の連通部の内側コーナーで重なり合っていても、干渉が起きないようにすることができる。
【０００９】
前記回転軸及び羽根部は、管路内における搬送流体の流通の円滑性を損なわない構成であるのが望ましい。
好ましくは、前記第１羽根部は、第１管路の内周面に近接するようにして第１管路に沿って延びる線状の掃部と、この掃部と第１回転軸を連結する線状の連結部とを有している。また、好ましくは、前記第１回転軸が、前記第１管路の断面積より十分に小さい断面積の細棒状をなしている。これによって、管路内における搬送流体の流通の円滑性を確実に確保でき、管内に常時配置しておいても何ら邪魔にならず、例えば成膜装置の運転と同時併行して管内の掃除を行なうことができる。また、羽根部や回転軸の表面積が小さくなるので、それらへの付着量を低減できる。
【００１０】
前記管装置は、例えば、プロセスガスを反応させて成膜する成膜装置の排気系として用いられ、前記第１管路の前記連通部側とは逆側の端部が、前記成膜装置の排気ポートに連なっている。この場合、前記第１回転軸は、前記排気ポート側の端部が解放され、前記連通部側の端部において片持ち状に支持されていることが望ましい。
これによって、成膜装置の排気ポートに第１回転軸のための軸受け機構を設ける必要がなく、そうした機構への付着物を無くすとともに、排出ガス流のスムーズさを確保できる。
更に、前記第１回転軸ひいては第１羽根部が、前記排気ポートの内部に挿入されていることが望ましい。これによって、排気ポート内をも確実に掃除できる。
【００１１】
本発明は、成膜装置の中でも略常圧下（大気圧近傍）で成膜を行なうものの排気系に適用するのが特に効果的である。
ここで、略常圧とは、１．０１３×１０4〜５０．６６３×１０4Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａが好ましく、９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａがより好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、管路が折曲する箇所をも確実に掃除することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面にしたがって詳述する。
図１は、半導体製造において基板Ｗに成膜を行なうための成膜システムＳを示したものである。成膜システムＳは、常圧熱ＣＶＤ装置１０と、この常圧熱ＣＶＤ装置１０に膜原料を含むプロセスガスを供給するガス供給系２と、処理済みのガスを常圧熱ＣＶＤ装置１０から排出する排気系３とを備えている。排気系３は、常圧熱ＣＶＤ装置１０から延びる排気管装置３０を有している。この管装置３０にフィルタ装置３Ｆと排気ポンプ３Ｐが順次設けられている。
この実施形態では、プロセスガスとして、シリコン系（例えばＴＥＯＳ、ＴＭＯＳ等のシロキサン）の原料ガスとオゾンを用い、酸化シリコンの成膜を行なう。
【００１４】
常圧熱ＣＶＤ装置１０とフィルタ装置３Ｆの間の排気管装置３０は、円筒状をなす垂直管３１と水平管３２を有している。垂直管３１は、常圧熱ＣＶＤ装置１０の底面に設けられた排気ポート１１ａから下に延びている。この垂直管３１の下端部に水平管３２が直角に接続され、この水平管３２が、フィルタ装置３Ｆへ向けて右に延びている。垂直管３１の内部が、円断面をなして垂直に延びる垂直管路３１ａを構成し、水平管３２の内部が、垂直管路３１ａと等径の円断面をなして水平に延びる水平管路３２ａを構成している。垂直管３１と水平管３２の直角をなす接続部において、垂直管路３１ａと水平管路３２ａが、直角に連通している。この連通部を符号３０ａで示す。
なお、図２に示すように、垂直管３１の管軸Ｌ３１と水平管３２の管軸Ｌ３２とは、前後（図２において上下）に少しずれ、立体的に交差している。
【００１５】
図１に示すように、垂直管路３１ａと水平管路３２ａの連通部３０ａの外側のコーナーは、垂直管路３１ａを向く上面（垂直管路対向面３３ａ）と水平管路３２ａを向く側面（水平管路対向面３３ｂ）からなる段差３３になっている。段差３３の垂直管路対向面３３ａは、水平管３２の管軸Ｌ３２より垂直管３１の側に位置され、水平管路対向面３３ｂは、垂直管３１の管軸Ｌ３１より水平管３２の側に位置されている。
【００１６】
ここで、垂直管３１を特許請求の範囲の「第１管」とすると、水平管３２は、「第２管」である。垂直管路３１ａは、「第１管路」であり、水平管路３２ａは、「第２管路」である。また、外側コーナーの段差３３の上面すなわち垂直管路対向面３３ａは、「第１面」であり、側面すなわち水平管路対向面３３ｂは、「第２面」である。
【００１７】
このような直角部を有する管装置３０に、管内掃除装置Ｍが組み込まれている。管内掃除装置Ｍは、垂直管路３１ａに収容された垂直回転羽根４０と、水平管路３２ａに収容された水平回転羽根５０と、これら回転羽根４０，５０を回転駆動させる羽根回転機構６０を備えている。
【００１８】
垂直回転羽根４０は、垂直回転軸４１と、この垂直回転軸４１に設けられた羽根部４２を有している。垂直回転軸４１は、ステンレス等の金属で構成され、垂直管路３１ａの断面積より十分に小さい断面積の細棒状をなしている。垂直回転軸４１は、垂直管路３１ａの管軸Ｌ３１に沿って垂直に延びている。垂直回転軸４１の上端部は、常圧熱ＣＶＤ装置１０の排気ポート１１ａの内部に挿入されるとともに解放端になっている。一方、垂直回転軸４１の下端部（連通部３０ａ側の端部）は、管装置３０の外側コーナー３３の上面３３ａを貫いて、後述の羽根回転機構６０に連結されて片持ち状に支持されている。外側コーナー３３の側面３３ｂは、この垂直回転軸４１より水平管路３２ａの側に位置されている。
【００１９】
羽根部４２は、例えばステンレス等の金属にて垂直回転軸４１より更に細い線状に構成されている。この羽根部４２は、掃部４３と一対の連結部４４，４５とを一体に有している。掃部４３は、垂直回転軸４１と平行に垂直に延びている。この掃部４３は、垂直回転軸４１から垂直管路３１ａの半径より僅かに短い距離だけ離れており、垂直管３１の内周面にほとんど接する位置に配されている。掃部４３の上端部は、常圧熱ＣＶＤ装置１０の排気ポート１１ａの内部に挿入されるとともに、直角に折曲されて水平になり、垂直回転軸４１の上端部に連結されている。この掃部４３の上端部の水平部分が、連通部４４を構成している。
【００２０】
掃部４３の下端部は、連通部３０ａの内側コーナー３４より下側（水平回転軸５１の側）へ延出されて垂直管路対向面３３ａにほぼ接する高さに達し、そこで直角に折曲されて水平になり、垂直回転軸４１に連結されている。この掃部４３の下端部の水平部分が、連結部４５を構成している。連結部４５は、垂直管路対向面３３ａにほとんど接するような水平な平面上に配置されている。なお、掃部４３の中間部に別途の連結部を設けてもよい。
【００２１】
垂直回転羽根４０の羽根部４２は、垂直回転軸４１を挟んで１８０度離れて一対設けられている。なお、羽根部４２の数は、一対（２つ）に限られず、１つでもよく、３つ以上でもよい。羽根部４２を複数にする場合は、等角度ごとに設けるのが好ましい。
【００２２】
図２に示すように、水平回転羽根５０は、垂直回転羽根４０と同様に、水平回転軸５１と羽根部５２とを有している。水平回転軸５１は、細棒状をなし、水平管路３２ａの管軸Ｌ３２に沿って水平に延びている。水平回転軸５１の左端部（連通部３０ａ側の端部）は、管装置３０の外側コーナーの側面３３ｂを貫いて、後述の羽根回転機構６０に連結されている。外側コーナー３３の上面３３ａは、この水平回転軸５１より上すなわち垂直管路３１ａの側に位置されている。
【００２３】
水平回転軸５１の右端部（フィルタ装置３Ｆ側の端部）は、水平管３２の端部に設けられた軸受け部材７０にて支持されている。図３に示すように、軸受け部材７０は、水平管３２とフィルタ装置連通管３９の間に挟持された外環７１と、この外環７１にスポーク７２を介して支持された筒状の軸受け部７３を有している。これにより、ガス流通にほとんど影響が出ないようになっている。軸受け部７３の中心孔７３ａに水平回転軸５１が回転可能に挿入されている。
【００２４】
図２に示すように、上記２つの管３１，３２の管軸Ｌ３１，Ｌ３２どうしのずれに対応して、垂直回転軸４１と水平回転軸５１どうしも前後に少しずれて配置され、立体的に交差している。
【００２５】
水平回転羽根５０の羽根部５２は、細線状の掃部５３と連結部５４，５５とで構成されている。掃部５３は、水平管路３２ａの内周面にほとんど接するようにして水平回転軸５１と平行に水平に延びている。この掃部５３の左端部は、管装置３０の内側コーナー３４より垂直回転軸４１の側へ延出され、水平管路対向面３３ｂに近接する位置に達し、そこで直角に折曲されて連結部５４となり、水平回転軸５１に連結されている。連結部５４は、水平管路対向面３３ｂにほとんど接するような垂直平面上に配されている。掃部５３の右端部は、軸受け部材７０と近接する位置に達し、そこで直角に折曲されて連結部５５となり、水平回転軸５１に連結されている。連結部５５は、軸受け部材７０にほとんど接するような垂直平面上に配されている。なお、掃部５３の中間部に別途の連結部を設けてもよい。
【００２６】
羽根部５２は、水平回転軸５１を挟んで１８０度離れて一対設けられている。羽根部４２と同様に、羽根部５２の数は、一対（２つ）に限られず、１つでもよく、３つ以上でもよい。羽根部５２を複数にする場合は、等角度ごとに設けるのが好ましい。羽根部４２と羽根部５２は、互いに同数であるのが好ましい。
【００２７】
ここで、垂直管３１を「第１管」とし、水平管３２を「第２管」としたとき、垂直回転羽根４０は、「第１回転羽根」であり、水平回転羽根５０は、「第２回転羽根」である。垂直回転軸４１は、「第１回転軸」であり、水平回転軸５１は、「第２回転軸」である。
【００２８】
上記２つの回転羽根４０，５０を回転駆動する羽根回転機構６０は、次のように構成されている。
図１に示すように。管装置３０の外側部には、モータ６１が設置されている。このモータ６１の駆動軸６２が、垂直に下方へ延びている。駆動軸６２の中途部には、ベベルギア６３が設けられている。一方、水平回転羽根５０の水平回転軸５１の左端部が、管装置３０の外側コーナー３３の水平管路対向面３３ｂを貫いて管路外へ突出され、この突出端部に他のベベルギア６４が設けられている。このベベルギア６４が、駆動軸６２のベベルギア６３と噛み合っている。
【００２９】
駆動軸６２は、ベベルギア６３より更に下方へ延び、その下端部にプーリ６５が設けられている。一方、垂直回転羽根４０の垂直回転軸４１の下端部が、管装置３０の外側コーナー３３の垂直管路対向面３３ａを貫いて管路外へ突出され、この突出端部に他のプーリ６６が設けられている。このプーリ６６と駆動軸６２のプーリ６５の間にベルト６７が掛け渡されている。
【００３０】
ベベルギア６３，６４の減速比とプーリ６５，６６の減速比は、垂直回転羽根４０と水平回転羽根５０の回転速度が互いに同一になるように設定されており、例えばどちらも１：１になっている。また、図１及び図２の実線に示すように、垂直回転羽根４０が左右方向に沿う垂直平面上に位置するとき、水平回転羽根５０が水平になり、図１及び図２の二点鎖線に示すように、垂直回転羽根４０が前後方向に沿う垂直平面上に位置するとき、水平回転羽根５０が垂直になるように、垂直回転羽根４０と水平回転羽根５０の位相が設定されている。これによって、連通部３０ａにおいて、垂直羽根部４２と水平羽根部５２が内側コーナー３４を交互に通過するようになっている。
【００３１】
上記構成の成膜システムＳの使用方法を、管内掃除装置Ｍの動作を中心に説明する。
常圧熱ＣＶＤ装置１０の内部に、成膜処理すべき基板Ｗを配置して加熱するとともに、ガス供給系２からプロセスガスを導入する。これにより、基板Ｗ上に薄膜が形成される。処理済みのガスは、排気ポート１１ａから排気管装置３０内に取り込まれ、フィルタ装置３Ｆへ送られて固形成分等が除去された後、排気ポンプ３Ｐから排気される。
【００３２】
常圧熱ＣＶＤ装置１０の運転と併行して、管内掃除装置Ｍの運転を行なう。すなわち、モータ６１を駆動する。これによって、駆動軸６２が回転され、この回転が、プーリ６５、ベルト６７、プーリ６６を順次介して垂直回転軸４１に伝わる。これによって、垂直回転羽根４０が、垂直回転軸４１を中心にして回転され、羽根部４２の掃部４３が、垂直管３１の内周面に添って回転される。これによって、垂直管路３１ａ内を羽根部４２にて掃くことができ、上記処理済みガス中の膜原料成分が粉状になって垂直管３１の内周面に付着しようとしても、これを防止することができ、或いは付着して膜状に堆積したとしても、これを掻き落とすことができる。
垂直回転羽根４０の上端部は、垂直管３１から突出し常圧熱ＣＶＤ装置１０の排気ポート１１ａの内部まで入り込んでいるので、垂直管３１の上端部と排気ポート１１ａの連結部への付着を確実に防止でき、或いは付着物を確実に掻き落とすことができる。垂直回転羽根４０の上端部は、解放端になっており、軸支持用部材が設けられていないので、その付近での付着がなるべく起きないようにすることができる。
また、羽根部４２の下端部が、管装置３０の内側コーナー３４より下の連通部３０ａ内に入り込み、段差３３の垂直管路対向面３３ａに近接する位置に達しているので、段差３３より上側の連通部３０ａの内面についても、粉の付着を防止でき、付着した場合にはこれを掻き取ることができる。
【００３３】
上記モータ６１の駆動による駆動軸６２の回転は、ベベルギア６３，６４を介して水平回転軸５１にも伝わる。これによって、水平回転羽根５０が、水平回転軸５１を中心にして回転され、羽根部５２の掃部５３が、水平管３２の内周面に添って回転される。これによって、水平管路３２ａ内を羽根部５２にて掃くことができ、水平管３２の内周面に粉が付着するのを防止でき、或いは、或いは付着して膜状に堆積したとしても、これを掻き落とすことができる。また、羽根部５２の左端部が、内側コーナー３４より左側の連通部３０ａ内に入り込み、段差３３の水平管路対向面３３ｂに近接する位置に達しているので、段差３３より右側の連通部３０ａの内面についても、粉の付着を防止でき、付着した場合にはこれを掻き取ることができる。
【００３４】
この羽根部５２の左端部の回転領域は、段差３３の角と内側コーナー３４との間の部分で羽根部４２の下端部の回転領域と重なっているが、２つの回転羽根４０，５０が、所定の位相関係で等速回転し、羽根部４２と羽根部５２が内側コーナー３４を交互に通過するようになっている。したがって、羽根部４２，５２どうしの干渉が起きないようにすることができる。
【００３５】
回転羽根４０，５０の回転軸４１，５１は、細棒状をなし、羽根部４２，５２は細線状をなしており、表面積が小さいので、回転羽根４０，５０への粉の付着量を低減することができる。また、断面積が小さいので、管路３１ａ，３２ａ内のガス流通の妨げになることがない。したがって、メンテナンス時等の常圧熱ＣＶＤ装置１０の運転停止時は勿論、常圧熱ＣＶＤ装置１０を運転し成膜している最中であっても、管路３１ａ，３２ａ内に回転羽根４０，５０を配置して回転させ、管内掃除を行なうことができる。（勿論、回転羽根４０，５０は、常圧熱ＣＶＤ装置１０の運転中は停止させることにし、メンテナンスの時にだけ駆動することにしてもよい。）
【００３６】
羽根回転機構６０並びにこれに接続された垂直回転軸４１の下端部及び水平回転軸５１の左端部は、管路の外部に配置されているため、付着の問題が生じることはない。特に、垂直回転軸４１の下端部と水平回転軸５１の左端部の立体交差部分が、段差３３によって覆われているため、この部分への付着を回避することができる。
【００３７】
次に、図４にしたがって、本発明装置の具体的態様を説明する。
この具体態様では、常圧熱ＣＶＤ装置１０が左右に２つ（複数）設けられている。各常圧熱ＣＶＤ装置１０のシュラウド１１の内部にディスパージョンヘッド１３が設けられ、このディスパージョンヘッド１３の上方に基板Ｗが配置されるようになっている。ガス供給系２からのプロセスガスが、ディスパージョンヘッド１３に導入され、このディスパージョンヘッド１３から上へ吹き出され、基板Ｗに当てられるようになっている。処理済みのガスは、シュラウド１１とディスパージョンヘッド１３の間を通ってディスパージョンヘッド１３の下側へ回り込み、シュラウド１１の底部の中央に形成された排気ポート１１ａから排気管装置３０へ排出されるようになっている。
【００３８】
排気管装置３０について説明すると、各常圧熱ＣＶＤ装置１０の排気ポート１１ａから垂直管３１が延びている。垂直管３１は、複数の管部材を継手３５にて継ぎ足すことによって構成されている（後記管３２，管３７も同様）。
図５に拡大して示すように、左右の各垂直管３１の下端部に管接続部材３６が着脱可能に設けられている。この管接続部材３６の内部に、外側コーナーとしての段差３３と内側コーナー３４が設けられ、連通部３０ａが形成されている。
【００３９】
図４に示すように、左右の管接続部材３６間に水平管３２が架け渡されている。水平管３２の両端部と各管接続部材３６とは着脱可能になっている。
水平管３２の中央部から他の管３７が図４の紙面手前方向に延びている。この管３７は、水平管３２よりやや大径であり、その管軸Ｌ３７は、水平管３２のものより下にずれている。この管３７にフィルタ装置３Ｆが接続され、更に排気ポンプ３Ｐが接続されている。
【００４０】
左右の各常圧熱ＣＶＤ装置１０からの処理済みガスは、左右の垂直管路３１ａ内をそれぞれ下降する。そして、管接続部材３６の連通部３０ａを経て、水平管３２の両端から中央部に集まる。そこから第３管３７を経て、フィルタ装置３Ｆへ送られ、更に排気ポンプ３Ｐから排気される。
【００４１】
図５に示すように、左右の各管接続部材３６の内部には、回転軸４１Ａが、垂直かつ回転可能に埋め込まれている。この垂直回転軸４１Ａの上端部が、管接続部材３６の段差３３の上面すなわち垂直管路対向面３３ａから突出されている。
一方、各垂直管路３１ａ内には、垂直回転羽根４０が収容されている。図４に示すように、垂直回転羽根４０の上端部は、常圧熱ＣＶＤ装置１０の排気ポート１１ａ内に差し入れられるとともに、下端部は、管接続部材３６の連通部３０ａに差し入れられている。図５に示すように、この垂直回転羽根４０の垂直回転軸４１の下端部に円錐形状の軸連結部材４６が設けられている。この軸連結部材４６の底面には凹部が形成されており、この凹部に垂直回転軸４１Ａの上端突出部が嵌め込まれている。これによって、「第１回転軸」としての垂直回転軸４１，４１Ａどうしが、分離可能かつ回転力を伝達可能に連結されている。
【００４２】
更に、左右の各管接続部材３６の内部には、回転軸５１Ａが、前後水平方向に向けられて回転可能に埋め込まれている。水平回転軸５１Ａは、上記垂直回転軸４１Ａより図４及び図５の紙面奥側に少しずれて配置され、垂直回転軸４１Ａと立体的に交差している。この水平回転軸５１Ａの水平管３２側を向く内端部が、管接続部材３６の段差３３の水平管路対向面３３ｂから突出されている。
一方、水平管路３２ａ内には、水平回転羽根５０が収容されている。水平回転羽根５０は、水平管路３２ａの全長に渡るとともに、その両端部が、左右の管接続部材３６の連通部３０ａにそれぞれ差し入れられている。この水平回転羽根５０の水平回転軸５１の両端部に円錐形状の軸連結部材５６がそれぞれ設けられている。各軸連結部材５６の端面には凹部が形成されており、この凹部に水平回転軸５１Ａの内側突出端部がそれぞれ嵌め込まれている。これによって、「第２回転軸」としての水平回転軸５１Ａ，５１，５１Ａどうしが、分離可能かつ回転力を伝達可能に連結されている。
【００４３】
左右の各管接続部材３６に設けられた垂直回転軸４１Ａの下端部は、管接続部材３６の底面から突出し、羽根回転機構６０のプーリ６６に連結され、ひいては、ベルト６７、プーリ６５を介して軸６２に連結されている。また、各水平回転軸５１Ａの外端部は、管接続部材３６の背面から突出し、羽根回転機構６０のベベルギア６４に連結され、ひいては、ベベルギア６３を介して軸６２に連なっている。
【００４４】
管装置３０の左右両側の羽根回転機構６０は、互いに対称状になっているが、モータ６１は、左側の羽根回転機構６０の軸６２にだけ設けられている。この単一のモータ６１が駆動されることにより、左側の羽根回転機構６０の駆動軸６２、プーリ６５、ベルト６７、プーリ６６、及び垂直回転軸４１Ａを順次介して、左側の垂直回転羽根４０が回転されるとともに、左側の羽根回転機構６０のベベルギア６３，６４、及び水平回転軸５１Ａを介して水平回転羽根５０が回転される。この水平回転羽根５０の回転が、右側の水平回転軸５１Ａ、右側の羽根回転機構６０のベベルギア６４，６３、軸６２、プーリ６５、ベルト６７、プーリ６６を順次介して右側の垂直回転軸４１Ａに伝わり、右側の垂直回転羽根４０が回転される。これによって、モータ６１の在る左側の垂直回転羽根４０と水平回転羽根５０どうしは勿論、水平回転羽根５０と右側の垂直回転羽根４０どうしも、互いに等速回転（同期）させることができる。これによって、連通部３０ａ内で干渉が起きるのを防止することができる。
【００４５】
なお、図示は省略するが、管３７の内部にも、回転羽根４０，５０と同様の回転羽根が収容されている。この管３７内の回転羽根は、回転羽根４０，５０のための回転機構６０とは別途に設けた回転機構によって回転されるようになっている。
【００４６】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その精神を逸脱しない限りにおいて種々の改変をなすことができる。
例えば、実施形態では、管装置の上流側の垂直管を「第１管」とし、下流側の水平管を「第２管」としたが、この対応関係を逆にしてもよい。
第１、第２回転軸を正転、反転を繰り返すように回転させてもよい。
第１、第２羽根部は、板状になっていてもよい。
第１、第２羽根部は、必ずしも金属等の硬質材料で構成されている必要はなく、ゴムやシリコーン等の柔軟性を有する材料で構成されていてもよい。
第１、第２羽根部が、管路の内周面に摺擦されるようにしてもよい（特に、柔軟性を有している場合）。
更には、第１、第２羽根部に、干渉が起きても支障が無い程度の柔軟性を付与してもよい。
第１回転軸と第２回転軸は、手動（人力）で回転されるようになっていてもよい。
第１、第２回転軸は、第１、第２管路の管軸に沿っていれば管軸上に配置されていなくてもよく、管軸に対し偏芯していてもよい。
第１回転軸と第２回転軸が、平面交差していてもよい。
プロセスガスは、熱ＣＶＤで使用されるガスを適宜用いることができる。また、後述する他のプロセスでは、そのプロセスに応じたガスを適宜用いることができる。
成膜手段は、熱ＣＶＤに限られず、プラズマＣＶＤ等でもよく、常圧プロセスに限らず、減圧プロセスでもよい。
更に、本発明は、管の内壁に付着物が形成されやすいものであれば、成膜に限られず、例えばエッチングや表面改質等の種々の装置の配管内壁を掃除するのに適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
この発明は、例えば、半導体製造における成膜工程での処理済みガスの排気管の内壁を掃除するのに利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の概略的な実施形態を示す正面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う平面図である。
【図３】上記装置の軸受け部材の正面図である。
【図４】本発明の具体的な実施形態を示す正面断面図である。
【図５】図４の具体装置の管路折曲部を拡大して示す正面断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
Ｓ      成膜システム
Ｍ      管内掃除装置
１０    常圧熱ＣＶＤ装置（成膜装置）
１１ａ  排気ポート
３０    管装置
３０ａ  連通部
３１    垂直管（第１管）
３１ａ  垂直管路（第１管路）
３２    水平管（第２管）
３２ａ  水平管路（第２管路）
３３    外側コーナー、段差
３３ａ  垂直管路対向面（第１面）
３３ｂ  水平管路対向面（第２面）
３４    内側コーナー
４１，４１Ａ    垂直回転軸（第１回転軸）
４２    羽根部
４３    掃部
４４，４５  連結部
５１，５１Ａ    水平回転軸（第２回転軸）
５２    羽根部
５３    掃部
５４，５５  連結部
【図１】
2006082037.tif 000003
【図２】
2006082037.tif 000004
【図３】
2006082037.tif 000005
【図４】
2006082037.tif 000006
【図５】
2006082037.tif 000007