(57)【要約】【課題】半導体ウェーハを収納する収納用ケースを評価するにあたって、収納用ケースにおける不純物の発生の経時的な変化を短期間で確認することができる半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法を提供すること。【解決手段】合成樹脂からなる半導体ウェーハ収納用ケース１におけるウェーハ汚染物滲出の経時的変化を評価するにあたり、半導体ウェーハ収納用ケースに表面の不純物を測定した半導体ウェーハを収納して密閉状態とした後、半導体ウェーハ収納用ケースをクリーンルームでの保存等、所定の標準環境下にて保存し、保存後の半導体ウェーハ収納用ケースに対して湿気を付与ないし除去する吸放湿処理を施し、この吸放湿処理の後、半導体ウェーハ表面における不純物を再度測定して、密閉前の測定結果と比較するようにする。【選択図】図２
2006120859.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
合成樹脂からなる半導体ウェーハ収納用ケースからの汚染物滲出による半導体ウェーハの経時的変化を評価するにあたり、
最終洗浄した半導体ウェーハ表面の不純物を測定して、
この表面の不純物を測定した半導体ウェーハを半導体ウェーハ収納用ケースに収納して密閉状態とした後、
前記半導体ウェーハ収納用ケースを所定の標準環境下にて保存し、
保存後の半導体ウェーハ収納用ケースに対して湿気を付与ないし除去する吸放湿処理を施し、
前記吸放湿処理の後、半導体ウェーハ表面における不純物を再度測定して、密閉前の測定結果と比較することを特徴とする半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法において、
前記標準環境下での保存が、クリーンルーム内での保存であることを特徴とする半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法において、
前記クリーンルーム内における保存期間が２０日以上であることを特徴とする半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３の何れかに記載の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法において、
前記吸放湿処理が、下記（ａ）及び（ｂ）
（ａ）温度を３０〜５０℃、湿度を６０％ＲＨ以上とする湿潤工程と、
（ｂ）０℃以下の温度とする冷却工程と、
を含むサイクルを１サイクルとして、このサイクルを１回または数回繰り返すことを特徴とする半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ等の半導体シリコンウェーハの収納用ケースの評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハ等の半導体ウェーハを収納して、保管や輸送を行うには、専用の収納用ケース（半導体ウェーハ収納用ケース）が使用される。この半導体ウェーハ収納用ケースは、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、その他各種エラストマーに代表される合成樹脂を用いて射出成形等により形成される。また、このような半導体ウェーハ用収納用ケースの例としては、ＦＯＳＢ（Front Open Shipping Boxの略）などが広く知られている。
【０００３】
この収納用ケースは、カセットと呼ばれるウェーハ収納部に半導体ウェーハを収納して、当該カセットを収納するケース本体の開口部を蓋体（カバー）でシール被覆して外気を遮断し、外気環境からのパーティクル（Particle）、有機物、金属成分といった汚染物による汚染を防止して、半導体ウェーハの清浄度を高い状態で維持するようにするものであった（例えば、特許文献１及び特許文献２）。
【０００４】
また、収納用ケースは、ケース本体に半導体ウェーハを収納した場合にあっては、外気から収納物である半導体ウェーハを遮断すべく密閉されることになる。この密閉手段としては、例えば、ケース本体と蓋体との嵌合部外周にテープを巻き付けることもあるが、ケース本体に蓋体をエンドレスの弾性体からなるガスケットを介して嵌合させる密閉法が用いられている。
【０００５】
ところで、このような収納用ケースにあっては、半導体ウェーハの収納時にその内部が密閉状態となるので、収納用ケースを構成する合成樹脂から経時的に滲出ないし揮発する有機成分が半導体ウェーハに付着してしまい、半導体ウェーハを汚染してしまうことがあった。収納用ケースにおけるこのような汚染は、収納される最終洗浄（半導体ウェーハを半導体ウェーハ収納用ケースに収納する場合における、収納直前の洗浄工程のこと、以下同）された半導体ウェーハの表面が活性状態で反応性が高いため、イオン性の不純物などが吸着しやすい状態にあるところに、密閉状態の収納用ケースの内部は有機ガスの分圧が高いため、有機物の汚染の外乱を受けやすい状態になることが原因であると考えられている。
【０００６】
従って、収納用ケースの製造元にあっては、半導体ウェーハを長期間保存した場合における、収納用ケースの有機物の滲出の有無を確認しておく必要がある。一方、そのための評価技術としては、種々の内容が実施されているが、収納用ケース内にシリコンウェーハを所定期間保存することによる半導体ウェーハ表面の経時的変化を確認して、収納用ケースの評価を行う場合が多い。
【０００７】
従来における収納用ケースの評価方法は、図６に示すフローチャートのように、まず、最終洗浄した半導体ウェーハについて表面の不純物であるＬＰＤ（Light Point Defectsの略。以下同）を測定した後（ステップ（図ではＳと略。以下同）１，２）、収納用ケースに収納して（ステップ３）、必要によりポリエチレン（ＰＥ）袋等で梱包して収納用ケースを密閉状態とする（ステップ４）。
次に、密閉状態とした収納用ケースをクリーンルームに入れて所定期間保存処理した後（ステップ５）、収納されている半導体ウェーハを取り出し、再度半導体ウェーハ表面のＬＰＤを測定して（ステップ６）、保存処理前後のＬＰＤの増減を確認して、各半導体ウェーハ表面の汚染度の経時的変化を確認して（ステップ７）、収納用ケースを評価するものであった。
【０００８】
このように、従来の評価方法にあっては、収納用ケースの経時的変化を観察するためには、クリーンルームでの保存が必須と考えられていた。また、このクリーンルームでの保存期間は、経験値であって、半導体ウェーハの収納から使用までの期間を考慮して、概ね
３〜６ヶ月程度が目安とされていた。
【０００９】
【特許文献１】特開平８−１８６１６２号公報
【特許文献２】特開平１０−１５４７５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来の評価方法にあっては、クリーンルームにおける保存時間を３〜６ヶ月程度と長期としていたため、早急に評価結果が求められる場合にあっては対応することができなかった。加えて、クリーンルームを使用して長期間保存する工程にあっては作業が繁雑となり、コスト高ともなることから、簡便な手段により短期間で経時的変化の有無を確認できる評価技術が求められていた。
【００１１】
従って、本発明の目的は、半導体ウェーハを収納する収納用ケースを評価するにあたって、収納用ケースにおける不純物の発生の経時的な変化を短期間で確認することができる半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の請求項１の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法は、合成樹脂からなる半導体ウェーハ収納用ケースからの汚染物滲出による半導体ウェーハの経時的変化を評価するにあたり、最終洗浄した半導体ウェーハ表面の不純物を測定して、この表面の不純物を測定した半導体ウェーハを半導体ウェーハ収納用ケースに収納して密閉状態とした後、前記半導体ウェーハ収納用ケースを所定の標準環境下にて保存し、保存後の半導体ウェーハ収納用ケースに対して湿気を付与ないし除去する吸放湿処理を施し、前記吸放湿処理の後、半導体ウェーハ表面における不純物を再度測定して、密閉前の測定結果と比較することを特徴とする。
【００１３】
本発明の請求項２の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法は、前記した請求項１に記載の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法において、前記標準環境下での保存が、クリーンルーム内での保存であることを特徴とする。
【００１４】
本発明の請求項３の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法は、前記した請求項２に記載の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法において、前記クリーンルーム内における保存期間が２０日以上であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項４の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法は、請求項１ないし請求項３の何れかに記載の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法において、前記吸放湿処理が、下記（ａ）及び（ｂ）
（ａ）温度を３０〜５０℃、湿度を６０％ＲＨ以上とする湿潤工程と、
（ｂ）０℃以下の温度とする冷却工程と、
を含むサイクルを１サイクルとして、このサイクルを１回または数回繰り返すこと行われることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の請求項１の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法によれば、合成樹脂からなる半導体ウェーハ収納用ケースにおける汚染物滲出による半導体ウェーハの経時的変化を評価するにあたり、従来の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法におけるクリーンルームにおける長期間の保存にかわり、半導体ウェーハ収納用ケースを所定の標準環境下にて保存し、保存後の半導体ウェーハ収納用ケースに対して湿気を付与ないし除去する吸放湿処理を施すようにしているので、収納用ケースにおける不純物の発生の経時的な変化を比較的短期間で評価することができるため、試験時間が大幅に短縮され、評価結果を早期に求められた場合であっても迅速に対応することができる。
また、試験が簡便に行われるので、作業性も良好であるとともに、低コストで実施されるため経済性にも優れている。
【００１７】
本発明の請求項２の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法によれば、前記した請求項１に記載された評価方法において、前記した標準環境下での保存が、クリーンルーム内での保存としているので、標準環境下の条件が標準化かつ安定化して、評価の信頼性を更に高めることができる。
【００１８】
本発明の請求項３の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法によれば、前記した請求項２に記載された評価方法においてクリーンルーム内における保存期間が２０日以上としているので、前記した請求項２で挙げたクリーンルーム内で保存する効果をより好適に奏することができる。
【００１９】
本発明の請求項４の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法によれば、前記した請求項１ないし請求項３の何れかに記載された評価方法において、前記吸放湿処理が、下記（ａ）及び（ｂ）
（ａ）温度を３０〜５０℃、湿度を６０％ＲＨ以上とする湿潤工程と、
（ｂ）０℃以下の温度とする冷却工程と、
を含むサイクルを１サイクルとして、このサイクルを１回または数回繰り返すので、吸放湿処理において半導体ウェーハ収納用ケースに対する湿気を付与ないし除去が効率よく行われ、評価の信頼性をより一層高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法は、合成樹脂からなる半導体ウェーハ収納用ケースにおけるウェーハ汚染物滲出の経時的変化を評価するにあたり、合成樹脂からなる半導体ウェーハ収納用ケースに、表面の不純物を測定した半導体ウェーハを収納して密閉状態とした後、半導体ウェーハ収納用ケースを所定の標準環境下にて保存し、保存後の半導体ウェーハ収納用ケースに対して湿気を付与ないし除去する吸放湿処理を施し、
前記吸放湿処理の後、半導体ウェーハ表面における不純物を再度測定して、密閉前の測定結果と比較するものである。
【００２１】
ここで、評価対象となる半導体ウェーハ収納用ケースの一例を図１に示す。図１に示した半導体ウェーハ収納用ケース１（以下、単に「収納用ケース１」とすることもある）は、図示しない多数の半導体ウェーハを並列に整列させて収納する整列スロット３を設けたカセット２と、かかるカセット２を収納するケース本体４と、ケース本体４の上方開口部４ａをガスケット６を介して覆蓋される蓋体５と、カセット２内の半導体ウェーハを保持して緩衝するウェーハ抑え部７より構成される。
【００２２】
この収納用ケース１は、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）その他各種エラストマーに代表される合成樹脂を、これらの樹脂材料を、それぞれの部材の所望の形状に射出成形することにより得ることができる。
また、ケース本体４と蓋体の間に介され、両者を密閉状態にならしめるガスケット６としては、ポリエステル系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー等の熱可塑性樹脂エラストマーを好適に使用することができる。
【００２３】
また、この収納用ケース１に収納される半導体ウェーハとしては、シリコンウェーハ、ガリウム・砒素ウェーハ等が挙げられる。また、これらの半導体ウェーハのサイズとしては、４〜１２インチ程度のものが一般に使用され、収納用ケース１を構成するカセット２の中央部に所定枚数整列して装填される。
【００２４】
そして、本発明の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法は、前記構成の合成樹脂からなる半導体ウェーハ収納用ケースにおけるウェーハ汚染物滲出の経時的変化を評価するにあたり、半導体ウェーハ収納用ケース１を、半導体ウェーハを収納して密閉状態とした収納用ケース１を所定の標準環境下にて保存し、保存後の半導体ウェーハ収納用ケースに対して湿気を付与ないし除去する吸放湿処理を施し、この吸放湿処理の後、半導体ウェーハにおける不純物の存在を確認するものであるが、その手順としては、例えば、下記のようにして行うことが好ましい。
ここで、収納用ケース１より滲み出るウェーハ汚染物としては、有機物、各種イオン成分等が挙げられる。
【００２５】
まず、評価対象となる半導体ウェーハ収納用ケース１は、最終洗浄された半導体ウェーハが収納されることになる。また、収納される半導体ウェーハは、収納用ケース１に収納前に表面の不純物の測定を行うのであるが、この半導体ウェーハ表面における不純物の測定に際しては、半導体ウェーハ表面に存在するＬＰＤの個数をカウントすればよい。これらは、半導体ウェーハ表面上に存在する不純物として代表的なものであるから、収納用ケース１における不純物の発生の経時的な変化を簡便に確認することができる。
なお、本発明における「最終洗浄」は、半導体ウェーハを半導体ウェーハ収納用ケース１に収納する場合における、収納直前の洗浄工程に対応する。
また、ＬＰＤとは、ウェーハ表面上にレーザーを照射させたときに散乱物として検出されるウェーハ表面上の付着物または欠陥（キズ等）を総称するものをいう。
【００２６】
半導体ウェーハ表面の不純物の測定が終わったら、ウェーハを収納用ケース１を構成する整列スロット３に並列に搭載し、このカセット２を半導体ウェーハ収納用ケース１に収納するようにする。
【００２７】
このようにして半導体ウェーハを収納用ケース１に収納したら、収納用ケース１のケース本体４と蓋体５を、ガスケット６を介して密閉状態とする。本発明の評価方法にあっては、このようにして密閉状態にした後、収納用ケース１をポリエチレン（ＰＥ）やポリプロピレン等からなる包装袋で包装しても良く、これにより、密閉状態を好適に保持することができる。
【００２８】
また、本発明の評価方法にあっては、半導体ウェーハを収納して密閉状態とした収納用ケース１を、クリーンルームに所定期間（例えば６月）保存する代わりに、まず、所定の標準環境下にて保存する。
ここで、この標準環境下における保存とは、収納用ケース１を恒常的かつ安定した環境において保存することを指し、例えば、一定条件のクリーンルームでの保存や、一定条件の恒温恒湿槽（例えば、温度条件を２３℃、湿度条件を４５％ＲＨ）での保存が挙げられる。特に、クリーンルームを採用することにより、標準環境下の条件が標準化かつ安定化して、評価の信頼性を更に高めることができる。
また、標準環境下の保存としてクリーンルームでの保存を採用する場合にあっては、例えば、クラス１００程度で、温度が２３℃程度、湿度４５％ＲＨ程度の環境下とすればよい。
【００２９】
クリーンルーム等に代表される標準環境下での保存期間は、２０日以上とすることが好ましく、３０日以上とすることが特に好ましい。保存期間が２０日より短いと、効果が十分にあらわれない場合がある。なお、この保存期間としては、概ね６０日程度を上限として行えばよい。
【００３０】
次に、標準環境下にて保存した後の半導体ウェーハ収納用ケース１に対して湿気を付与ないし除去する吸放湿処理を施すようにする。この吸放湿処理は、従来のクリーンルームにおける収納用ケース１内部の経時的変化を擬似的に再現する目的で行われるものであり、収納用ケース１に水分を付与したり、または付与した水分を除去したりする処理が繰り返し行われるものであれば、特にその処理条件は限定されないが、例えば、ＪＩＳ  Ｃ６００６８−２−３８等の規格に準拠した処理を行うことや、また、恒温恒湿槽により、下記の（ａ）湿潤工程、（ｂ）冷却工程を含むサイクルを１サイクルとして行うとともに、このサイクルを１回または数回繰り返すようにしてもよい。
【００３１】
（ａ）湿潤工程：
湿潤工程においては、温度を３０〜５０℃、湿度を６０％ＲＨ以上とすることが好ましい。また、この湿潤工程は、例えば、３〜５時間程度とすればよい。この湿潤工程は、半導体ウェーハを収納した収納用ケース１の輸送時における高温高湿状態を考慮したものである。
【００３２】
（ｂ）冷却工程：
冷却工程では、０℃以下の温度で収納用ケース１を冷却するものであり、例えば、温度を−２０〜０℃として、２〜４時間程度行えばよい。また、この冷却工程は、工程を複数に分けて行うようにしてもよい。
なお、冷却工程においては、湿度条件は任意であり、収納用ケース１の種類や温度条件等に応じて、適宜決定すればよい。
【００３３】
ここで、サイクル数としては、３〜６回程度とすればよく、サイクル数をこのような回数とすることにより、従来のクリーンルームにおける保存処理と当該促進処理の相関性が向上する。
【００３４】
なお、（ａ）湿潤工程と（ｂ）冷却工程との間には、下記の（ｃ）標準工程を行うようにしてもよい。このようにすれば、収納用ケース１を標準的な雰囲気に慣れさせた状態で、次工程に送り込むことができる。
【００３５】
（ｃ）標準工程：
標準工程にあっては、温度を１０〜３０℃程度、湿度を４０〜６０％ＲＨ程度とすることが好ましく、また、時間としては、３〜５時間程度とすればよい。
【００３６】
本発明の評価方法では、この吸放湿処理後に、再度、半導体ウェーハ表面上の不純物を測定する。かかる測定は、前記した、収納用ケース１に収納前に表面の不純物の測定に準じて行えばよい。すなわち、半導体ウェーハの表面に存在するＬＰＤの個数を測定して、得られた結果を、収納用ケースに収納前に測定して得られた結果と比較するようにすればよい。
【００３７】
そして、収納用ケース１の経時的変化を評価するには、かかるＬＰＤの不純物の増減を確認すればよく、例えば、収納用ケース１に収納した所定枚数の半導体ウェーハ１枚あたりのＬＰＤの増減量の平均値を求めて指標としてもよい。また、収納用ケース１に収納した所定枚数の半導体ウェーハに対して、半導体ウェーハ１枚あたりのＬＰＤの増減の度合いを特定の範囲に区切って、かかる特定の範囲に対応する半導体ウェーハの枚数との関係をヒストグラムに表して、その分布を確認してもよい。
【００３８】
次に、前記した本発明の評価方法の一例を、図２のフローチャートを用いて説明する。
まず、評価対象の収納用ケース１に収納する半導体ウェーハを最終洗浄した後（ステップ１）、当該半導体ウェーハの表面上の不純物をＬＰＤ測定装置等で測定する（ステップ２）。表面上の不純物が測定された半導体ウェーハを、収納用ケース１を構成するカセット２の整列スロット３に搭載して、半導体ウェーハを収納用ケース１に収納させ（ステップ３）、収納用ケースを密閉状態にした後、２重のポリエチレン（ＰＥ袋）で包装する（ステップ４）。
【００３９】
この収納用ケース１を、クリーンルーム等の標準環境下で所定時間（例えば、２０日以上）保存処理を施した（ステップ５−１）収納用ケース１を、恒温恒湿槽内に入れ、前記した（ａ）湿潤工程と（ｂ）冷却工程を１サイクルとし、このサイクルを数回繰り返す吸放湿処理を実施する（ステップ５−２）。
【００４０】
このような吸放湿処理が終わったら、恒温恒湿槽から収納用ケース１を出し、密閉状態を開放して半導体ウェーハを取り出し、半導体ウェーハ表面上の不純物を測定する（ステップ６）。
そして、この結果を、前記したステップ２により得られた結果と比較して、半導体ウェーハ表面上の不純物の変化を確認することにより、収納用ケース１における不純物の発生の経時的な変化を評価することができる（ステップ７）。
【００４１】
この本発明の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法によれば、合成樹脂からなる半導体ウェーハ収納用ケースにおけるウェーハ汚染物滲出の経時的変化を評価するにあたって、従来の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法におけるクリーンルームにおける長期間の保存にかわり、半導体ウェーハ収納用ケース１を所定の標準環境下にて保存し、保存後の半導体ウェーハ収納用ケース１に対して湿気を付与ないし除去する吸放湿処理を施すようにしているので、収納用ケース１における不純物の発生の経時的な変化を比較的短期間で評価することができるため、試験時間を短縮することができ、例えば、評価結果を早期に求められた場合であっても迅速に対応することができる。
【００４２】
また、試験が簡便に行われるので、作業性も良好であるとともに、低コストで実施されるため経済性にも優れるものである。
このような本態様の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法によれば、収納用ケース１における不純物の発生の経時的な変化をより高い信頼性で評価することができる。
【００４３】
なお、本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良は、本発明に含まれるものである。
例えば、測定対象となる半導体ウェーハ収納用ケース１の形状を図１に具体的に示したが、当該収納ケース１、合成樹脂からなるものであれば、その形状は適宜変更することができる。
【００４４】
更に、収納用ケース１の評価指標の一例としては、収納する半導体ウェーハ表面上のＬＰＤや重金属微粒子等の不純物の増減を確認したり、収納用ケース１に収納した所定枚数の半導体ウェーハに対して、半導体ウェーハ１枚あたりの不純物の増減度合いを特定の範囲に区切り、当該特定の範囲に対応する半導体ウェーハの枚数をヒストグラムに表して、その分布を確認することを示したが、これには限定されない。
その他、本発明を実施する際の具体的な手段等は、本発明の目的を達成できる範囲内で他の構造等としてもよい。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例等を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例等の内容に何ら限定されるものではない。
【００４６】
［試験例１］
図１に示した構成の半導体ウェーハ収納用ケースに対して、本発明の評価方法を適用して、従来の方法と比較した。
すなわち、図６のフローチャートに示される従来の評価方法（クリーンルームにおける保存期間：６ヶ月）と、図２のフローチャートに示される本発明の評価方法とを比較・評価して、本発明の評価方法と従来の評価方法の相関性の有無を確認した。
【００４７】
［参考例１］
図６に示したフローチャートに従って、従来の評価方法を実施した。すなわち、サイズが８インチのシリコンウェーハ２５枚を最終洗浄し（ステップ１）、市販のＬＰＤ測定装置にてシリコンウェーハ２５枚全てについてＬＰＤを測定した（ステップ２）。
【００４８】
測定後、収納用ケースを構成するカセットのキャリアの整列スロットに収納して（ステップ３）、これをガスケットを介してケース本体と蓋部とを嵌合して、密閉状態とし、密閉状態とした収納用ケースを、ポリエチレン（ＰＥ）製の袋（２重）に包装した（ステップ４）
【００４９】
包装後の収納用ケースを、クリーン度がクラス１００程度のクリーンルームに６ヶ月間保存した後（ステップ５）、収納用ケースを開放状態として、収納されているシリコンウェーハを取り出し、再度ＬＰＤを測定して（ステップ６）、シリコンウェーハごとにＬＰＤの増加数を確認するとともに、ＬＰＤの増減の度合いに対するシリコンウェーハの数を確認した（ステップ７）。この操作を２回実施した結果を図４に示す。
【００５０】
［実施例１］
図２に示したフローチャートに従って、本発明の評価方法を実施した。すなわち、前記した参考例１と同様に、サイズが８インチのシリコンウェーハ２５枚を最終洗浄した後（ステップ１）、前記した参考例１で示したＬＰＤ測定装置にてシリコンウェーハ２５枚全てについてＬＰＤを測定した（ステップ２）。
【００５１】
測定後、図１に示す収納用ケースを構成するカセットのキャリアの整列スロットに収納し（ステップ３）、これをガスケットを介してケース本体と蓋部とを嵌合して、密閉状態とした後、密閉状態とした収納用ケースを、ポリエチレン（ＰＥ）製の袋（２重）に包装した（ステップ４）
【００５２】
包装後の収納用ケースを、標準環境下における保存として、クリーン度がクラス１００程度のクリーンルーム（２３℃、４０％ＲＨ）に３０日以上保存した（ステップ５−１）、保存後、恒温恒湿槽に入れ、下記に示す温度−湿度サイクルを（ａ）（ｂ）の順に１サイクルとして、連続して３〜６サイクル実施して吸放湿処理を行った（ステップ５−２）。
【００５３】
（ 温度−湿度サイクル ）
（ａ）湿潤工程          ３０〜５０℃、６０％ＲＨ以上、３〜５時間
（ｂ）冷却工程          −２０〜０℃、２〜４時間
【００５４】
そして、促進処理後の収納用ケースを開放状態として、収納されているシリコンウェーハを取り出し、参考例１と同様に、再度ＬＰＤを測定して（ステップ６）、シリコンウェーハごとにＬＰＤの増加数を確認するとともに、ＬＰＤの増減の度合いに対するシリコンウェーハの数を確認した（ステップ７）。この操作を２回実施した結果を図３に示す。
【００５５】
図３の結果と図４の結果を比較すると、図３と図４には正規分布の範囲より、ＬＰＤが増加したウェーハがあり、この結果より、本発明の評価方法（実施例１）が従来の評価方法（参考例１）に対して相関性があることが確認できた。
また、実施例１の評価方法を用いることにより、標準環境下における保存及び吸放湿処理を施しても、試験時間を約５月程度短縮することができる。
なお、測定結果より、収納用ケース起因の有機物、イオン性分等の汚染物が確認できた場合にあっては、ＴＤＨ（Time Dependent Haze：時間に依存して生じるヘイズ）が発生しやすくなっていることが予想できる。
【００５６】
［試験例２］
図１に示した構成の半導体ウェーハ収納用ケースを使用して、クリーンルームにおける保存期間に対する経時的変化の発生率の測定を行った。
すなわち、実施例１において、クリーンルームにおける保存期間を０日（実施例１と同じ），２０日，３０日，４０日とした場合の、半導体ウェーハ表面における経時的変化の発生の有無を確認した。
【００５７】
ここで、経時的変化の発生としては、収納用ケース収納前と、促進処理を行い収納用ケースから取り出した後の半導体ウェーハ表面におけるＬＰＤの存在個数をカウントして、その個数が増加しているものを、経時的変化が発生しているものと判定した。そして、半導体ウェーハ５０枚に対する発生枚数を発生率（％）として用いた。結果を図５に示す。
【００５８】
図５の結果より、２０日経過後までは経時的変化の発生率は低いが、そこから３０日に近付くにつれて発生率は急増している。
従って、収納用ケースの評価において、精度をより高くして評価を行うようにするためには、促進処理を行う前にクリーンルームで２０日以上保存した後で促進処理を行うことが有効であると判断される。  
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明の半導体ウェーハ収納用ケースの評価方法は、例えば、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハを収納する収納用ケースにおける不純物の発生の経時的な変化の確認を短期間で実施することができるため、当該収納用ケースの製造元等における促進試験として広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】半導体ウェーハ収納用ケースの概略図である。
【図２】本発明の評価方法の一態様を示したフローチャートである。
【図３】実施例１において、ＬＰＤの増減数とそれに対応するシリコンウェーハの枚数の関係を示したヒストグラムである。
【図４】参考例１において、ＬＰＤの増減数とそれに対応するシリコンウェーハの枚数の関係を示したヒストグラムヒストグラム（保存期間：６ヶ月）である。
【図５】保存期間と経時的変化発生率との関係を示すグラフである。
【図６】従来の評価方法の一態様を示したフローチャートである。
【符号の説明】
【００６１】
１  …半導体ウェーハ収納用ケース
２  …カセット
３  …整列スロット
４  …ケース本体
４ａ…ケース本体の上方開口部
５  …蓋体
６  …ガスケット
７  …ウェーハ抑え部
【図１】
2006120859.tif 000003
【図２】
2006120859.tif 000004
【図３】
2006120859.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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