(57)【要約】【課題】  ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速が８倍速以上の高線速度において繰返し記録特性が良好であり、初期結晶化後数週間経過した時の繰返し記録初期のジッタ上昇が小さい相変化型光記録媒体の提供。【解決手段】  基板上に、少なくとも第１保護層、相変化記録層、第２保護層及び反射層を有し、情報の記録がレーザー光の照射により相変化記録層に可逆的な相変化を生じさせ、その光学的な変化を利用して情報の記録再生を行う光記録媒体において、相変化記録層がＳｎαＳｂβＧａγＧｅδＭ（Ｉ）ε〔但し、Ｍ（Ｉ）はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの中から選ばれた少なくとも１つの元素、５≦α≦２０、６０≦β≦８５、２≦γ≦１０、２≦δ≦１４、０．５≦ε≦５、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００原子％〕で示される組成の合金からなることを特徴とする相変化型光記録媒体。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも第１保護層、相変化記録層、第２保護層及び反射層を有し、情報の記録がレーザー光の照射により相変化記録層に可逆的な相変化を生じさせ、その光学的な変化を利用して情報の記録再生を行う光記録媒体において、相変化記録層がＳｎαＳｂβＧａγＧｅδＭ（Ｉ）ε〔但し、Ｍ（Ｉ）はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの中から選ばれた少なくとも１つの元素、５≦α≦２０、６０≦β≦８５、２≦γ≦１０、２≦δ≦１４、０．５≦ε≦５、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００原子％〕で示される組成の合金からなることを特徴とする相変化型光記録媒体。
【請求項２】
０．４≦δ／α≦１．０であることを特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。
【請求項３】
相変化記録層の膜厚が１０〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の相変化型光記録媒体。
【請求項４】
反射層がＡｇ又はＡｇを主成分とする合金からなり、その膜厚が１００〜２５０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項５】
基板が、トラックピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜５０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍの蛇行溝を有し、グルーブに記録が行なわれることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、書換え可能な相変化型光記録層を有する高密度記録用の光記録媒体（例えば、ＤＶＤ−ＲＷ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ  ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ）、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等）に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＤＶＤ系の光記録媒体は、４倍速（記録線速度＝１４ｍ／ｓ）において記録可能なシステムが既に市販され、更に高速記録の要求が高まってきている。これらの技術は、具体的には記録層にＳｂＴｅ系を採用しており、例えば特許文献１等に開示されている。ＳｂＴｅ系の記録層としては、高速記録に対応するために、Ｓｂの含有量をＣＤ−ＲＷ対応の記録層より多くしたものが用いられているが、Ｓｂの含有量を多くすると結晶化速度は促進されるものの、結晶化温度が低下し、保存信頼性の悪化につながるため、現在のところ、この材料系を用いた４倍速以上の高速記録が可能な光記録媒体の実現には至っていない。
一方、高速記録用の材料としてＧａＳｂ系が報告されている。ＧａＳｂ材料系は高速記録が可能であり同時に保存信頼性にも優れているが、融点が６００℃と高いため、記録感度が低く、高速で記録するには高パワーを必要とするのが欠点である。本発明者らは、ＧａＳｂ系を更に改良した材料としてＳｎＳｂＧａＧｅを主成分とした合金を記録層に用いることにより、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速が１０倍速以上の高速記録において繰返し記録が可能でありアモルファスマークの保存安定性にも優れた光記録媒体が提供できることを見出した（特願２００４−２９９２３号）。相変化型光記録媒体の場合、大口径半導体レーザーを用いた初期化装置により結晶化を行なった状態で製品となるが、本発明者らが更に検討を重ねた結果、ＳｎＳｂＧａＧｅはアモルファスマークの保存安定性は優れているものの、初期結晶状態が不安定であり、初期結晶化直後と数週間経過した後では、記録特性、特に繰返し記録初期ジッタが悪くなる傾向にあった。初期化装置により作られた結晶と一度アモルファスマークを記録し消去して作られた結晶は熱伝導率が違うため、この２種類の結晶が混在する繰返し記録初期はジッタ上昇が見られる。初期結晶化して数週間経過したあとの結晶と、記録したのち消去して作られた結晶の熱伝導率差は更に大きくなるので更にジッタが悪くなる。
【０００３】
本発明に関係すると思われる公知文献としては、次の特許文献２〜６が挙げられる。
特許文献２には、ＧａＳｂ又はＩｎＳｂの組成比５０：５０近傍の合金に金属又はカルコゲナイド元素Ｍを添加した記録材料を用いる発明が開示されている。しかし、ＧａＳｂの組成比が５０：５０とＧａが多く結晶化速度が遅い組成であるため、高速記録を目的とした本発明の記録層とは異なる。
特許文献３には、ＧａＳｂを主成分とする合金を記録材料として用いた相変化型光記録媒体が開示されているが、この光記録媒体は、結晶−結晶間の相変化を用いて情報を記録するものであって、変調度は良くても２９％であり実用上問題がある。また、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量の密度で情報を記録する本発明とは異なる。
特許文献４には、記録層に少なくとも片側が接する誘電体層が主材料としてＧｅ，Ｓｉ元素から少なくとも１種類とＮを含み、前記誘電体層に元素β（βはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄから選ばれる少なくとも１つの元素）を含み、前記記録層には元素α（αはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄから選ばれる少なくとも一つの元素）を含む光記録媒体が開示されている。そして、ランド＆グルーブ記録の場合、ランドとグルーブで加熱、冷却の仕方に差が生じるため物質移動が起こり易く、この物質移動を抑制することを目的としている。しかし、本発明とは、記録方式や記録層に接する誘電体層及び記録層の材料が異なる。
【０００４】
特許文献５には、記録層がＧａとＳｂとＢを主成分とし、これにＡｇ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｅ，Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏの中から選ばれる少なくとも１つの元素を添加して得られる合金からなる光記録媒体が開示されている。しかし、記録層の主材料にＢを含む構成であり、本発明とは構成が異なる。
特許文献６には、記録層がＧａ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｃｏを主成分とし、これにＡｇ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｃ，Ｂの中から選ばれる少なくとも１つの元素を添加して得られる合金からなる光記録媒体が開示されている。しかし、記録層の主材料にＣｏを含む構成であり、本発明とは構成が異なる。
特許文献７には、一般式（Ｓｂ１−ＸＳｎＸ）１−Ｙ−Ｗ−ＺＧｅＹＴｅＷＭ１Ｚ（Ｍ１はＩｎ、Ｇａ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、希土類元素、Ｓｅ、Ｎ、Ｏ、Ｃ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、及びＶから選ばれる少なくとも１つの元素）で表される相変化記録材料を用いた光学的情報記録媒体が開示されている。しかし、本発明のようにＧａを必須成分として含む５成分系の材料については全く記載されていない。しかも本願明細書では比較例１として、上記一般式に含まれる４成分系のＳｎＳｂＧａＧｅが本発明の効果を奏しないことを示したが、このような知見についても全く記載がない。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２４８９６７号公報
【特許文献２】米国特許第４８１８６６号明細書
【特許文献３】特開昭６１−１６８１４５号公報
【特許文献４】特開２００１−３３１９７０号公報
【特許文献５】特開２００３−２３１３５４号公報
【特許文献６】特開２００３−２９１５３４号公報
【特許文献７】特開２００４−２０３０１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速が８倍速以上の高線速度において繰返し記録特性が良好であり、初期結晶化後数週間経過した時の繰返し記録初期のジッタ上昇が小さい相変化型光記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は次の１）〜５）の発明（以下、本発明１〜５という）によって解決される。
１）  基板上に、少なくとも第１保護層、相変化記録層、第２保護層及び反射層を有し、情報の記録がレーザー光の照射により相変化記録層に可逆的な相変化を生じさせ、その光学的な変化を利用して情報の記録再生を行う光記録媒体において、相変化記録層がＳｎαＳｂβＧａγＧｅδＭ（Ｉ）ε〔但し、Ｍ（Ｉ）はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの中から選ばれた少なくとも１つの元素、５≦α≦２０、６０≦β≦８５、２≦γ≦１０、２≦δ≦１４、０．５≦ε≦５、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００原子％〕で示される組成の合金からなることを特徴とする相変化型光記録媒体。
２）  ０．４≦δ／α≦１．０であることを特徴とする１）記載の相変化型光記録媒体。
３）  相変化記録層の膜厚が１０〜２０ｎｍであることを特徴とする１）又は２）記載の相変化型光記録媒体。
４）  反射層がＡｇ又はＡｇを主成分とする合金からなり、その膜厚が１００〜２５０ｎｍであることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
５）  基板が、トラックピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜５０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍの蛇行溝を有し、グルーブに記録が行なわれることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【０００８】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
図１は本発明の相変化型光記録媒体の構成例である。基板上に少なくとも第１保護層、相変化記録層、第２保護層及び反射層を有し、情報の記録がレーザー光の照射により相変化記録層の結晶状態及び非晶質状態の可逆的な相変化によりなされるものである。
相変化記録層には本発明１で規定する組成の合金を用いる必要がある。
ＳｎＳｂＧａＧｅ合金でも８倍速記録可能な光記録媒体を得ることはできるが、前述したように初期結晶化後数週間経過した時の繰返し記録初期のジッタ上昇が大きくなってしまう。これに対し、高融点金属Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの中から選ばれた少なくとも１つの元素を０．５〜５原子％添加することにより、初期結晶化後数週間経過した時の繰返し記録初期のジッタ上昇を低減できることが分った。このように繰返し記録初期のジッタ上昇が大きくなるのは、初期結晶化直後の記録膜中の応力が時間と伴に緩和された安定な結晶相と、記録消去後に生成された結晶相の熱伝導率差が大きく、形成されるアモルファスマークが不均一になり易いためである。そして高融点金属Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを添加することにより応力緩和が小さくなるため、初期結晶化後数週間経過した時の繰返し記録初期のジッタ上昇を低減できたと思われる。高融点金属は、５原子％よりも多く添加すると結晶化速度が遅くなり、ＤＶＤ８倍速での繰返し記録が難しくなるし、０．５原子％未満では添加の効果が現れないので、０．５≦ε≦５（原子％）とするのが好ましい。
【０００９】
また、Ｓｎが少なくなるほど、即ちαが小さくなるほど、結晶化速度は遅くなるので、ＤＶＤ８倍速記録を行なうには、５≦αとする必要がある。一方、αが大きくなりすぎるとシェルフ特性（長期保存後の記録特性）が悪化するので、α≦２０とする。
また、Ｓｂが少なくなるほど、即ちβが小さくなるほど、結晶化速度は遅くなり、βが大きくなりすぎると初期結晶化が困難になるので、６０≦β≦８５の範囲とする。
Ｇａはアモルファスマーク形成のし易さに寄与する。Ｇａを含むことによりアモルファスマークを安定して形成することができるので、マークのばらつき度合いを示すジッタ特性が良好となる。但し、Ｇａが多くなりすぎると、結晶化速度が遅くなりすぎてしまうので、２≦γ≦１０の範囲とする。
Ｇｅは結晶の安定性に寄与し、Ｇａと同様に多くなりすぎると結晶化速度が遅くなりすぎてしまうので、２≦δ≦１４の範囲とする。
【００１０】
更に、本発明２で規定するように、０．４≦δ／α≦１．０とすることにより、特に反射率低下が小さく、シェルフ特性の良い光記録媒体を得ることができる。
また、本発明３で規定するように、記録層の膜厚は、１０〜２０ｎｍとするのが良い。高速記録になるほど記録層の薄膜化が重要となる。記録層を薄膜化すると加熱する体積が小さくなり、少ないエネルギーで溶融することが可能となるので、記録感度を上げることができる。但し、薄膜化しすぎると、結晶と非晶質の反射率差が小さくなり変調度が小さくなってしまう。
【００１１】
第１保護層は、基板から水分等の不純物が記録層に混入しないように記録層を保護し、基板に熱的ダメージを与えないようにし、光学的特性を調整するなどの役目を担う。
第１保護層の膜厚は、４０〜３００ｎｍ、好ましくは６０〜１５０ｎｍ程度とする。４０ｎｍ未満では、記録層が加熱されたときに同時に基板も加熱されてしまうため基板が変形してしまい、３００ｎｍを超えると基板と第１保護層の界面で剥離が生じ易くなるので好ましくない。
第２保護層は、記録層の熱的な特性を調整する役目を担う。
第２保護層の膜厚は、５〜５０ｎｍ、好ましくは５〜２０ｎｍである。５０ｎｍを超えると、熱が篭りすぎてアモルファス相を形成しにくくなり、５ｎｍ未満では記録感度が悪くなる。また２０ｎｍ以下とすることにより、良好な繰り返し記録特性が得られる。
【００１２】
第１保護層と第２保護層には、内部応力が小さくかつ吸収率の小さいＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を用いるのが良い。ＺｎＳは熱伝導が小さく記録時の熱拡散を抑制できるので記録感度を上げることができるが、初期化時や記録時に結晶に変化してしまい記録層の安定性に悪影響を及ぼすので、ＺｎＳの結晶化を阻害するＳｉＯ２を混合したものを用いる。組成は、ＺｎＳの配合割合が６０〜９０モル％のものが好ましい。
また、第一保護層と相変化記録層の間にＳｉＯ２からなる界面層を設けてもよい。ＳｉＯ２を界面層として厚さ２〜４ｎｍ設けることにより、高パワーで記録したときに基板が受けるダメージを減らすことができるため、高パワー記録での繰返し記録特性が良好となり、記録パワーマージンを広くすることができる。厚さが２ｎｍ未満では均一なＳｉＯ２膜を形成することが困難であり、４ｎｍを越えると、記録感度が悪くなり変調度が小さくなってしまう。
記録層と接する層は、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物又はＳｉＯ２が好ましい。これ以外の酸化物や窒化物が記録層と接すると、記録層の結晶化が促進されて結晶化速度が速くなり、アモルファスマークの形成が難しくなる。
【００１３】
ＤＶＤ＋ＲＷなどでは未記録時は結晶状態であり、変調したレーザー光を照射して記録層を溶融したのち急冷させることにより、アモルファスマークを形成する。このとき、直接アモルファスマークの繰返し記録を行なうには、高速記録になるほど短時間でアモルファスマークを結晶化させる必要があり、結晶化速度の速い相変化記録材料が要求される。また、結晶化速度の速い材料を用いると、アモルファスマーク形成直後にマーク周辺から再結晶化が進行してマークが小さくなってしまう。再結晶化領域を小さくするには冷却速度の速い急冷構造とする必要があるので、反射層に熱伝導率の高いＡｇ又はＡｇを主成分とする合金を用いることが好ましい。また、反射層の膜厚は厚くするほど冷却速度が速くなり変調度が大きくなるので、１００ｎｍ以上とするのが良い。しかし、反射層の膜厚を厚くしすぎると、膜剥離が生じ易くなるため２５０ｎｍ以下とするのが良い。
基板としては、例えば表面にトラッキング用の案内溝を有し、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのディスク状で、加工性、光学特性に優れたポリカーボネート基板が好適である。トラッキング用の案内溝は、トラックピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜５０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍの蛇行溝であることが好ましい。特に溝を深くすることにより、記録媒体の反射率が下がり変調度を大きくすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明１によれば、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速が８倍速以上の高線速度において繰返し記録特性が良好であり、かつ初期結晶化し数週間経過した後の繰返し記録初期のジッタ上昇が小さい相変化型光記録媒体を提供できる。
本発明２によれば、更に長期保存後の反射率低下が小さい相変化型光記録媒体を提供できる。
本発明３によれば、更に繰返し記録特性が良好な相変化型光記録媒体を提供できる。
本発明４によれば、更に変調度が高い相変化型光記録媒体を提供できる。
本発明５によれば、更に８倍速記録が可能なＤＶＤ＋ＲＷ媒体を提供できる。
【実施例】
【００１５】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に説明するが、本発明は、これらの実施例によって限定されるものではない。
【００１６】
実施例１、比較例１
トラックピッチ０．７４μｍ、溝深さ２７ｎｍ、溝幅０．２７μｍの蛇行溝を有する、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタリング法により、第一保護層、相変化記録層、第二保護層、硫化防止層、反射層を順に製膜した。
第一保護層には、（ＺｎＳ）８０モル％（ＳｉＯ２）２０モル％のスパッタリングターゲットを用い、膜厚を６０ｎｍとした。
相変化記録層には、Ｓｎ１５Ｓｂ７０Ｇａ２Ｇｅ８Ｔｉ５（原子％）のスパッタリングターゲットを用い、膜厚を１６ｎｍとした。
第二保護層には、（ＺｎＳ）８０モル％（ＳｉＯ２）２０モル％のスパッタリングターゲットを用い、膜厚を７ｎｍとした。
硫化防止層には、ＳｉＣのスパッタリングターゲットを用い、膜厚を４ｎｍとした。
反射層には、Ａｇターゲットを用い、膜厚を１６０ｎｍとした。
更に反射層上に、スピンコーティング法を用いて、アクリル系硬化樹脂を厚さ約５μｍ塗布した後、Ｎ２雰囲気中で紫外線硬化させて樹脂保護層を形成した。
更にその上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を、接着剤により貼り合せてディスク状の相変化型光記録媒体を得た。
次に、出力波長８３０ｎｍ、幅約１μｍ、長さ７５μｍ、最大出力２Ｗのレーザー光にフォーカシング機能を付加したレーザーヘッドを有する初期化装置（日立ＣＰ社製ＰＯＰ１２０−７ＡＨ）を用いて初期化した。初期化条件は、レーザー出力１８００ｍＷ、走査速度２０ｍ／ｓ、ヘッド送り５０μｍで一定とした。
【００１７】
上記初期化した光記録媒体について、波長６５０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを有する光ディスク評価装置（パルステック社製ＤＤＵ−１０００）を用いて評価した。記録線速は２８ｍ／ｓ（ＤＶＤ８倍速相当）とし、記録パワーＰｗは３６ｍＷ、ボトムパワーＰｂは０．１ｍＷ、消去パワーＰｅは５〜１０ｍＷで最適化した。ＥＦＭ＋変調方式でランダムパターンを繰返し記録し、ジッター（ｄａｔａ  ｔｏ  ｃｌｏｃｋ  ｊｉｔｔｅｒ、σを検出窓幅Ｔｗで規格化した値）を評価した。記録ストラテジは最適化し、再生は全て線速３．５ｍ／ｓ、パワー０．７ｍＷで行った。
更に、この光記録媒体を室温で２週間放置後及び３週間放置後に、同条件で記録を行ない評価した。
また、比較例１として、相変化記録層にＳｎ１８Ｓｂ７２Ｇａ５Ｇｅ５（原子％）のスパッタリングターゲットを用いた点以外は、実施例１と同様の条件で光記録媒体を作製し評価した。
上記各光記録媒体の、初回記録ジッタと繰返し記録１回目のジッタを図２に示す。
図から分るように、初回記録ジッタについては実施例１、比較例１ともに変化が無かったが、繰返し記録１回目のジッタについては、比較例１が２週間後にジッタ１０％まで悪化したのに対し、実施例１は殆ど変化がなく、ＤＶＤ＋ＲＷ規格値であるジッタ９％以内であった。
次に、実施例１及び比較例１の光記録媒体を８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間及び２００時間保存後、同条件で記録を行なった。結果を図３に示す。
図から分るように、比較例１はＤＶＤ＋ＲＷ規格値であるジッタ９％を超えてしまったのに対し、実施例１はジッタが９％以内であった。
また、反射率を比較した結果を図４に示すが、比較例１は反射率が約３．５％低下したのに対し、実施例１は約１．５％の低下に抑えられた。
【００１８】
更に、上記各光記録媒体の、記録線速２８ｍ／ｓ（８Ｘ相当）での繰返し記録１０回目のジッタ（８ＸＤＯＷ１０ジッタ）、初期化後の繰返し記録１回目（ＤＯＷ１）のジッタに対する、室温で２週間放置後の繰返し記録１回目（ＤＯＷ１）のジッタの増加量、及び、８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間保存後の反射率低下量（％）を評価した。評価結果を表３、表４に示す。
評価基準は次のとおりである。
８ＸＤＯＷ１０ジッタは、９％以下の場合を○、９％を超える場合を×とした。
室温で２週間放置後のジッタの増加量は、１％以下の場合を○、１％を超える場合を×とした。
８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間保存後の反射率低下量は、２％以下の場合を◎、３％以下の場合を○、３％を超える場合を×とした。
【００１９】
実施例２
相変化記録層のスパッタリングターゲットの組成を表１のものに変え、第２保護層の膜厚を５ｎｍ、反射層の膜厚を１８０ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を作製し初期化したのち評価した。評価結果を表３に示す。
【００２０】
実施例３
相変化記録層のスパッタリングターゲットの組成を表１のものに変え、相変化記録層の膜厚を１８ｎｍ、第２保護層の膜厚を５ｎｍ、反射層の膜厚を１４０ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を作製し初期化したのち評価した。評価結果を表３に示す。
【００２１】
実施例４
相変化記録層のスパッタリングターゲットの組成を表１のものに変え、相変化記録層の膜厚を１２ｎｍ、第２保護層の膜厚を５ｎｍ、反射層の膜厚を１００ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を作製し初期化した。この初期化した光記録媒体について、記録パワーＰｗを３２ｍＷに変えた点以外は実施例１と同様にして評価した。評価結果を表３に示す。
【００２２】
実施例５
相変化記録層のスパッタリングターゲットの組成を表１のものに変え、相変化記録層の膜厚を１５ｎｍ、第２保護層の膜厚を８ｎｍ、反射層の膜厚を１２０ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を作製し初期化した。この初期化した光記録媒体について、記録パワーＰｗを３４ｍＷに変えた点以外は実施例１と同様にして評価した。評価結果を表３に示す。
【００２３】
実施例６〜１９、比較例２〜９
相変化記録層のスパッタリングターゲットの組成を表１（実施例６〜１９）、表２（比較例２〜９）のものに変えた点以外は、実施例５と同様にして相変化型光記録媒体を作製し初期化したのち評価した。評価結果を表３、表４に示す。
【００２４】
表３から分るように、実施例１〜１９は、全て記録線速２８ｍ／ｓ（ＤＶＤ８倍速相当）でのＤＯＷ１０ジッタが９％以下であって記録特性が良好であり、室温保存後の繰り返し記録１回後のジッタ増加量も少なかった。
また、特に０．４≦δ／α≦１．０の実施例は、８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間保存後の反射率低下を少なくすることができた。
【００２５】
【表１】
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【表２】
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【表３】
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【表４】
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【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の相変化型光記録媒体の構成例を示す図。
【図２】実施例１及び比較例１の光記録媒体の初回記録ジッタと繰返し記録１回目のジッタを示す図。
【図３】実施例１及び比較例１の光記録媒体を８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間及び２００時間保存後、記録を行なった結果を示す図。
【図４】実施例１及び比較例１の光記録媒体の反射率を比較した結果を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図３】
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