(57)【要約】【課題】  高出力の半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】  一対の共振器面Ａ，Ｂを有し、第１導電型基板１上に、少なくとも、第１導電型クラッド層３，活性層４，及び第２導電型クラッド層５をこの順序で積層してなるダブルヘテロ構造を有する半導体レーザ素子５０において、第２導電型クラッド層５側から、第１導電型クラッド層３の途中までの領域に、不純物を選択的に拡散することによって、共振器面Ａ，Ｂに対して直交方向に、電流が流れる電流注入領域Ｙと、電流が流れない電流阻止領域Ｘとを、交互に形成する。【選択図】      図４
2006310430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型基板の一面側に、第１導電型クラッド層，活性層，第２導電型クラッド層，第２導電型エッチングストップ層，及びストライプ状の第２導電型リッジがこの順序で積層形成され、
前記第２導電型リッジの延在方向に対して直交する互いに平行な一対の共振器面を備えた半導体レーザ素子において、
前記第２導電型リッジの上面から前記第１導電型クラッド層の途中までの領域に、第２導電型不純物を高い濃度で有する高濃度領域と、前記第２導電型不純物を前記高濃度領域よりも低い濃度で有する低濃度領域とが、前記一対の共振器面に対して直交方向に交互に形成され、
前記高濃度領域内の前記活性層は無秩序化されており、前記高濃度領域内の前記第１導電型クラッド層はその内部にｐｎ接合を有することを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記一対の共振器面は、前記高濃度領域に含まれることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
半導体レーザ素子の製造方法において、
少なくとも、
第１導電型基板上に、第１導電型クラッド層，活性層，第１の第２導電型クラッド層，及び第２導電型エッチングストップ層をこの順序で積層した積層基板を形成する積層工程と、
前記第２導電型エッチングストップ層の表面に、第２導電型リッジを、所定の間隔を有する略平行なストライプ状に形成するリッジ形成工程と、
前記第２導電型エッチングストップ層の前記表面に、前記第２導電型リッジの段差を埋めるように、第１導電型電流狭窄層を形成する電流狭窄層形成工程と、
前記第２導電型リッジ及び前記第１導電型電流狭窄層の表面に第２導電型コンタクト層を形成するコンタクト層形成工程と、
前記第２導電型コンタクト層の表面の前記第２導電型リッジに対応する範囲に、第２導電型不純物を含み前記第２導電型リッジの延在する方向に対して略直交方向に延在する拡散源層を、所定の間隔を有する略平行なストライプ状に形成する拡散源層形成工程と、
前記第２導電型不純物を、前記拡散源層と前記第２導電型コンタクト層との界面から前記第１導電型クラッド層の途中までの領域に選択的に拡散して、前記第２導電型不純物が拡散した拡散領域と、前記第２導電型不純物が拡散していない非拡散領域とを、前記第２導電型リッジが延在する方向に、交互に形成する拡散工程と、
をこの順序で有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子及びその製造方法に係り、特に光情報処理や光計測等の光源に用いられるＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料を用いた半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料を用いた半導体レーザ素子は、高密度光ディスク装置，レーザプリンタ，バーコードリーダ，及び光計測機器の光源として使用されている。特に、高密度光ディスク装置に用いられる半導体レーザ素子は、書き込み速度が速くなるに従って、高出力化が求められている。
【０００３】
以下に、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料を用いた、従来の半導体レーザ素子について、図７を用いて説明する。図７は、従来の半導体レーザ素子１００の構造を説明するための斜視図である。なお、図７は、素子内部の構造をわかりやすくするために、右手前４分の１をカットした状態を示している。
ところで、後述する所定の工程を経たｎ型基板１０１は、複数の半導体レーザ素子１００がマトリクス状に形成されており、このｎ型基板１０１を所定の間隔で劈開及び分断することによって、単体の半導体レーザ素子１００を得ることができるが、図７では、説明をわかりやすくするために、工程の始めから、単体の半導体レーザ素子１００の構造を示すこととした。
【０００４】
従来の半導体レーザ素子１００は、ＧａＡｓからなるｎ型基板１０１上に、１×１０18ｃｍ-3になるようにＳｉ（シリコン）をドーピングしたＧａＡｓからなるｎ型バッファ層１０２，１×１０18ｃｍ-3になるようにＳｉをドーピングした（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなるｎ型クラッド層１０３，ノンドープ量子井戸活性層１０４（以下、活性層１０４という），５×１０17ｃｍ-3になるようにＺｎ（亜鉛）をドーピングした（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第１のｐ型クラッド層１０５，及び１×１０18ｃｍ-3になるようにＺｎをドーピングしたＩｎ0.5Ｇａ0.5Ｐからなるｐ型エッチング停止層１０６が順次積層されている。
なお、ｎ型クラッド層１０３，活性層１０４，及び第１のｐ型クラッド層１０５により、ダブルヘテロ構造が形成されている。
【０００５】
ｐ型エッチング停止層１０６上には、１×１０18ｃｍ-3になるようにＺｎをドーピングした（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第２のｐ型クラッド層１０７と、２×１０18ｃｍ-3になるようにＺｎをドーピングしたＩｎ0.5Ｇａ0.5Ｐからなるｐ型キャップ層１０８とを順次積層してなるリッジ１０９が、所定の間隔を有する平行なストライプ状に形成されている。
【０００６】
このリッジ１０９の段差を埋めるように、ｐ型エッチング停止層１０６の表面に、１×１０18ｃｍ-3になるようにＳｉをドーピングした一対のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐからなるｎ型電流狭窄層１１０，１１０が形成され、さらに、このｎ型電流狭窄層１１０，１１０及びリッジ１０９上に、２×１０18ｃｍ-3になるようにＺｎをドーピングしたＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１１１が形成されている。
【０００７】
このｐ型コンタクト層１１１の表面にはＡｕ系のｐ型オーミック電極１１２が形成され、積層方向とは逆方向側のｎ型基板１０１面には、Ａｕ系のｎ型オーミック電極１１３が形成されている。
【０００８】
次に、劈開面が共振器面Ａａ，Ｂａになるように、上述の工程を経たｎ型基板１０１を、上述のリッジ１０９が延在する方向に対して直交する面に沿って劈開することによって、バー（図示せず）を得る。
このバーを、ストライプ状に形成したリッジ１０９間の中心線を通り上述の工程を経たｎ型基板１０１の表面に対して直交する面で分断することによって、従来の半導体レーザ素子１００を得る。
ここで、共振器面Ａａとは図７における手前の全面（但し、図７では、右手前４分の１がカットされているため、左手前の半面となる）を示し、共振器面Ｂａとは共振器面Ａａに対して反対側の全面を示し、共振器面Ａａと共振器面Ｂａとは互いに平行である。
【０００９】
この半導体レーザ素子１００は、ｐ型電極１１２側からｎ型電極１１３側に向かって順方向電流を注入し、この電流が発振しきい値以上になったとき、リッジ１０９の下部に対応した活性層１０４部からレーザ発振させて、レーザ光を活性層１０４の共振器面Ａａ，Ｂａの一方の面Ａａから出射させるものである。
上述の半導体レーザ素子１００と同様のものが、非特許文献１に記載されている。
【００１０】
ところで、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料を用いた従来の半導体レーザ素子１００において、活性層１０４と第１のｐ型クラッド層１０５とのバンドギャップエネルギー差が十分に取れないため、半導体レーザ素子１００の温度が上昇すると活性層１０４に注入された電子の一部が第１のｐ型クラッド層１０５へ漏れ出して、発光に寄与しない無効電流となってしまう。そのため高出力を得るために電流を増加させると、それに伴って発熱量も増加するため、無効電流が増加し、レーザ出力が飽和してしまい、高出力の半導体レーザ素子が得られない。
【００１１】
この解決方法として、半導体レーザ素子１００の共振器長Ｌ３を長くする方法が、非特許文献２に記載されている。この方法により、半導体レーザ素子１００の熱抵抗を低減することで、半導体レーザ素子１００の温度上昇を抑えられるとするものである。
【非特許文献１】大西俊一、外７名，「光ディスク用高出力赤色レーザの高信頼性動作」，      第６０回応用物理学会学術講演会，１９９９年９月，講演予稿集，      ｐ．９６７
【非特許文献２】亀山真吾、外５名，「パルス１００ｍＷ，７０℃動作低アスペクト比６６      ０ｎｍＡｌＧａＩｎＰ赤色半導体レーザ」，第４９回応用物理学関係連合      講演会，２００２年３月，講演予稿集，ｐ．１１３３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上述の解決方法では、熱抵抗は低減するが、それに伴って電流密度が減少し、動作電流が増大するため、熱抵抗低下による半導体レーザ素子の温度の低下の効果が半減するという課題がある。
【００１３】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、共振器長を長くして熱抵抗を下げつつ動作電流の増大を抑えることで、高出力が得られる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題を解決するために、本願各発明は手段として次の構成及び手順を有する。
１）第１導電型基板（１）の一面側に、第１導電型クラッド層（３），活性層（４），第２導電型クラッド層（５），第２導電型エッチングストップ層（６），及びストライプ状の第２導電型リッジ（９）がこの順序で積層形成され、前記第２導電型リッジ（９）の延在方向に対して直交する互いに平行な一対の共振器面（Ａ，Ｂ）を備えた半導体レーザ素子において、前記第２導電型リッジ（９）の上面から前記第１導電型クラッド層（３）の途中までの領域に、第２導電型不純物を高い濃度で有する高濃度領域（Ｘ）と、前記第２導電型不純物を前記高濃度領域（Ｘ）よりも低い濃度で有する低濃度領域（Ｙ）とが、前記一対の共振器面（Ａ，Ｂ）に対して直交方向に交互に形成され、前記高濃度領域（Ｘ）内の前記活性層は無秩序化されており、前記高濃度領域（Ｘ）内の前記第１導電型クラッド層はその内部にｐｎ接合を有することを特徴とする半導体レーザ素子（５０）である。
２）前記一対の共振器面（Ａ，Ｂ）は、前記高濃度領域（Ｘ）に含まれることを特徴とする１）記載の半導体レーザ素子（５０）である。
３）半導体レーザ素子の製造方法において、少なくとも、第１導電型基板（１）上に、第１導電型クラッド層（３），活性層（４），第１の第２導電型クラッド層（５），及び第２導電型エッチングストップ層（６）をこの順序で積層した積層基板を形成する積層工程と、前記第２導電型エッチングストップ層（６）の表面に、第２導電型リッジ（９）を、所定の間隔を有する略平行なストライプ状に形成するリッジ形成工程と、前記第２導電型エッチングストップ層（６）の前記表面に、前記第２導電型リッジ（９）の段差を埋めるように、第１導電型電流狭窄層（１０，１０）を形成する電流狭窄層形成工程と、前記第２導電型リッジ（９）及び前記第１導電型電流狭窄層（１０，１０）の表面に第２導電型コンタクト層（１１，１２）を形成するコンタクト層形成工程と、前記第２導電型コンタクト層（１２）の表面の前記第２導電型リッジ（９）に対応する範囲に、第２導電型不純物を含み前記第２導電型リッジ（９）の延在する方向に対して略直交方向に延在する拡散源層（１３）を、所定の間隔を有する略平行なストライプ状に形成する拡散源層形成工程と、前記第２導電型不純物を、前記拡散源層（１３）と前記第２導電型コンタクト層（１２）との界面から前記第１導電型クラッド層（３）の途中までの領域に選択的に拡散して、前記第２導電型不純物が拡散した拡散領域（Ｘ）と、前記第２導電型不純物が拡散していない非拡散領域（Ｙ）とを、前記第２導電型リッジ（９）が延在する方向に、交互に形成する拡散工程と、をこの順序で有することを特徴とする半導体レーザ素子（５０）の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、共振器面に対して直交方向に、電流が流れる電流注入領域と、電流が流れない電流阻止領域とを交互に形成したことにより、熱抵抗を下げつつ動作電流が増大しないため、高出力の半導体レーザ素子が得られるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図１〜図６を用いて説明する。
図１は、本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例における第１工程を説明するための斜視図である。
図２は、本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例における第２工程を説明するための斜視図である。
図３は、本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例における第３工程を説明するための斜視図である。
図４は、本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例における第４工程、及び本発明の半導体レーザ素子の構造例を説明するための斜視図である。
図５は、本発明の半導体レーザ素子の実施例、及び従来例の活性層近傍部の熱拡散の様子を模式的に表した断面図である。
図６は、本発明の半導体レーザ素子の実施例、及び従来例のレーザ特性を示した図である。
【００１７】
まず、本発明の半導体レーザ素子５０の製造方法の実施例について、図１〜図４を用いて説明する。なお、図１〜図４は、素子内部の構造をわかりやすくするために、右手前４分の１をカットした状態を示している。
ところで、後述する所定の工程を経たｎ型基板１は、複数の半導体レーザ素子５０がマトリクス状に形成されており、このｎ型基板１を所定の間隔で劈開及び分断することによって、単体の半導体レーザ素子５０を得ることができるが、図１〜図４では、説明をわかりやすくするために、工程の始めから、単体の半導体レーザ素子５０の構造を示すこととした。
【００１８】
（第１工程）［図１参照］
ＧａＡｓからなるｎ型基板１上に、１×１０18ｃｍ-3になるようにＳｉ（シリコン）をドーピングしたＧａＡｓからなるｎ型バッファ層２，１×１０18ｃｍ-3になるようにＳｉをドーピングした（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなるｎ型クラッド層３，ノンドープＭＱＷ（Multiple Quantum Well）活性層４（以下、活性層４という），５×１０17ｃｍ-3になるようにＺｎ（亜鉛）をドーピングした（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第１のｐ型クラッド層５，及び１×１０18ｃｍ-3になるようにＺｎをドーピングしたＩｎ0.5Ｇａ0.5Ｐからなるｐ型エッチング停止層６を順次積層する。
なお、ｎ型クラッド層３，活性層４，及び第１のｐ型クラッド層５により、ダブルヘテロ構造が形成されている。
また、活性層４は、例えば、ノンドープＩｎ0.5Ｇａ0.5Ｐからなるウェル層と、ノンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなるバリア層とにより構成される二重量子井戸構造を有している。
【００１９】
次に、ｐ型エッチング停止層６上に、１×１０18ｃｍ-3になるようにＺｎをドーピングした（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第２のｐ型クラッド層７と、２×１０18ｃｍ-3になるようにＺｎをドーピングした（Ａｌ0.1Ｇａ0.9）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなるｐ型キャップ層８とを順次積層する。その後、フォトリソ法によって、第２のｐ型クラッド層７及びｐ型キャップ層８を選択的にエッチング除去して、リッジ９を、所定の間隔を有する平行なストライプ状に形成する。なお、本実施例では、リッジ９の断面形状を、上辺の長さＬ１が下辺の長さＬ２よりも短い台形形状になるように形成した。
ｐ型エッチング停止層６は、上述のエッチングによりリッジ９を形成するときに、このエッチングによって第１のｐ型クラッド層５がダメージを受けないように設けられている。また、このｐ型エッチング停止層６は、レーザ光に対する吸収損失を抑えるために、できるだけその層厚を薄くする必要があり、本実施例ではその層厚が約３ｎｍになるように形成した。
【００２０】
（第２工程）［図２参照］
ストライプ状に形成したリッジ９の段差を埋めるように、ｐ型エッチング停止層６の表面に、１×１０18ｃｍ-3になるようにＳｉをドーピングしたｎ型電流狭窄層１０を形成し、さらに、このｎ型電流狭窄層１０及びリッジ９上に、２×１０18ｃｍ-3になるようにＺｎをドーピングしたＩｎ0.5Ｇａ0.5Ｐからなる第１のｐ型コンタクト層１１と、２×１０19ｃｍ-3になるようにＺｎをドーピングしたＧａＡｓからなる第２のｐ型コンタクト層１２とを順次積層する。
【００２１】
次に、第２のｐ型コンタクト層１２の表面のリッジ９に対応する範囲に、長さＬ４（但し、Ｌ４＞Ｌ２），幅Ｗ１，層厚５０ｎｍのＺｎＯ（酸化亜鉛）からなる拡散源層１３を、リッジ９が延在する方向に対して平行方向に、所定の間隔Ｌ５を有する平行なストライプ状に形成する。本実施例では、Ｗ１＝３０００ｎｍ，Ｌ５＝１０００ｎｍとした。
さらに、第２のｐ型コンタクト層１２及び拡散源層１３の表面に、層厚１００ｎｍとなるようにＳｉＯ2層１４を形成する。なお、このＳｉＯ2層１４は、後述するアニールによって、拡散源層１３からその構成元素であるＺｎが蒸発することを防止するために設けられている。
【００２２】
（第３工程）［図３参照］
５００℃でアニールを行って、拡散源層１３の構成元素であるＺｎを、拡散源層１３から、ｎ型基板１に向かって、ｎ型クラッド層３の途中までの領域に、選択的に拡散させる。このＺｎ拡散により、リッジ９が延在する方向に対して平行方向に、“Ｚｎ拡散領域Ｘ”と“Ｚｎ拡散されない領域Ｙ”とが交互に形成されることになる。
なお、図３において、“Ｚｎ拡散領域Ｘ”をわかりやすくするために、網掛け範囲で表した。また、断面Ａ（及び断面Ｂ）は“Ｚｎ拡散された領域”を表す断面であり、カット断面Ｃは“Ｚｎ拡散されない領域Ｙ”を表す断面である。
ここで、断面Ａは図３における手前の全面（但し、図３では、右手前４分の１がカットされているため、左手前の半面となる）を示し、断面Ｂとは断面Ａに対して反対側の全面を示す。そして、この断面Ａ，Ｂは、後述する共振器面Ａ，Ｂを表しており、この共振器面Ａと共振器面Ｂとは互いに平行である。
【００２３】
（第４工程）［図４参照］
ＳｉＯ2層１４及び拡散源層１３をフッ酸系のエッチング液で除去した後、第２のｐ型コンタクト層１２の表面にＡｕ系のｐ型オーミック電極１５を形成する。
次に、ｎ型基板１の厚さが所定の厚さになるように、積層方向とは反対側のｎ型基板１面を研磨し、この研磨した面にＡｕ系のｎ型オーミック電極１６を形成する。
【００２４】
さらに、劈開面が共振器面Ａ，Ｂになるように、上述の工程を経たｎ型基板１を、上述のリッジ９が延在する方向に対して直交する面に沿って劈開することによって、バー（図示せず）を得る。
このバーを、ストライプ状に形成したリッジ９間の中心線を通り上述の工程を経たｎ型基板１０１の表面に対して直交する面で分断することによって、本実施例の半導体レーザ素子５０を得る。
【００２５】
次に、この半導体レーザ素子５０の構造について、図４を用いて説明する。
図４中のｎ型クラッド層３の“Ｚｎ拡散領域Ｘ”は、ｎ型からｐ型に変化している。従って、ｐｎ接合は、活性層４よりもバンドギャップエネルギーが大きいｎ型クラッド層３内に存在する。そのため、ｎ型クラッド層３の“Ｚｎ拡散領域Ｘ”の立ち上がり電圧は、活性層４の“Ｚｎ拡散されない領域Ｙ”よりも高くなる。その結果、電流は、“Ｚｎ拡散領域Ｘ”には流れず、“Ｚｎ拡散されない領域Ｙ”のみに流れる。
【００２６】
また、本実施例及び従来例の半導体レーザ素子５０，１００のレーザ発振時に発生する熱拡散について、図５を用いて説明する。図５（ａ）は、本実施例の半導体レーザ素子５０の図４中のカット断面Ｄにおける活性層４近傍部を拡大した断面図であり、図５（ｂ）は、比較のために従来例の半導体レーザ素子１００の図７中の断面Ｄａにおける活性層１０４近傍部を拡大した断面図である。
なお、図５（ａ）において、“Ｚｎ拡散領域Ｘ”をわかりやすくするために、網掛け範囲で表した。
図５（ａ）及び図５（ｂ）中の矢印は、熱の拡散方向を模式的に表している。従来の半導体レーザ素子１００（図５（ｂ））では二方向にのみ熱拡散するが、本実施例の半導体レーザ素子５０（図５（ａ））では放物線状に広がって熱拡散する。従って、本実施例の半導体レーザ素子５０は従来例と比較して、放熱性に優れるため、半導体レーザ素子５０の発熱による温度上昇が起こりにくい。従って、高出力動作が可能になる。
【００２７】
上述により、本実施例の半導体レーザ素子５０は、ｐ型オーミック電極１５側からｎ型オーミック電極１６側に向かって順方向電流を注入することによって、 “Ｚｎ拡散されない領域Ｙ”のみに電流が流れる。この電流が発振しきい値以上になったとき、リッジ９の下部に対応した活性層４部からレーザ発振させて、レーザ光を活性層４の共振器面Ａ，Ｂの一方の面Ａから出射させる。
なお、活性層４において、“Ｚｎ拡散領域Ｘ”のバンドギャップエネルギーは、“Ｚｎ拡散されない領域Ｙ”のバンドギャップエネルギーよりも大きいため、発振したレーザ光が“Ｚｎ拡散領域Ｘ”で吸収されることはない。
【００２８】
また、上述の第３工程におけるアニール条件は、本実施例に限定されるものではない。例えば、Ｚｎ拡散により、活性層４の“Ｚｎ拡散領域Ｘ”が十分に無秩序化され、ｎ型クラッド層３の“Ｚｎ拡散領域Ｘ”がｐ型に反転するように、アニール条件を設定することが望ましい。
この活性層４の無秩序化された“Ｚｎ拡散領域Ｘ”のバンドギャップエネルギーは、“Ｚｎ拡散されない領域Ｙ”の活性層４のバンドギャップエネルギーよりも大きいため、発振したレーザ光が“Ｚｎ拡散領域Ｘ”で吸収されることはない。
従って、レーザ発振時の半導体レーザ素子５０の発熱量が少ないため、高出力の半導体レーザ素子５０を得ることができる。
さらに、この“Ｚｎ拡散領域Ｘ”を共振器面Ａ，Ｂに形成することにより、共振器面Ａ，Ｂにおけるレーザ光の吸収を低減できるため、さらに高出力化が可能になる。
【００２９】
また、“Ｚｎ拡散領域Ｘ”において、リッジ９の下部に対応した活性層４部を完全に含むように“Ｚｎ拡散領域Ｘ”を形成することが望ましい。即ち、拡散源層１３の長さＬ４をリッジ９の下辺の長さＬ２よりも長くすることが望ましい。“Ｚｎ拡散領域Ｘ”の長さをリッジ９の下辺の長さＬ２よりも長くすることによって、リッジ９の下部に対応した活性層４部における“Ｚｎ拡散領域Ｘ”のバンドギャップエネルギーを“Ｚｎ拡散されない領域Ｙ”のバンドギャップエネルギーよりも確実に大きくできるため、活性層４の“Ｚｎ拡散領域Ｘ”は、発振するレーザ光を吸収しない。
【００３０】
なお、“Ｚｎ拡散領域Ｘ”の範囲を決定する要因である拡散源層１３の外形寸法Ｗ１，Ｌ４，厚さ，及び間隔Ｌ５は、本実施例に限定されるものではない。例えば、発明者らの鋭意検討の結果、Ｌ４≧Ｌ５の関係を満たせば、上述の効果が得られることを確認している。
【００３１】
次に、本実施例の半導体レーザ素子５０及び従来例の半導体レーザ素子１００のレーザ特性について、図６を用いて説明する。図６は、本実施例の半導体レーザ素子５０及び従来例の半導体レーザ素子１００のレーザ特性（動作電流と発光出力との関係）を示す。
同一動作電流において、本実施例の半導体レーザ素子５０の発光出力は、従来例の半導体レーザ素子１００よりも高く、また、飽和する発光出力も従来例のおよそ１．６倍と高い。この違いは、上述した熱拡散の違いを表しているものと考えられる。
なお、本実施例の半導体レーザ素子５０及び従来例の半導体レーザ素子１００の外形寸法は同じである。
【００３２】
本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例における第１工程を説明するための斜視図である。
【図２】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例における第２工程を説明するための斜視図である。
【図３】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例における第３工程を説明するための斜視図である。
【図４】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の実施例における第４工程、及び本発明の半導体レーザ素子の構造例を説明するための斜視図である。
【図５】本発明の半導体レーザ素子の実施例及び従来例の活性層近傍部の熱拡散の様子を模式的に表した断面図である。
【図６】本発明の半導体レーザ素子の実施例及び従来例のレーザ特性を示した図である。
【図７】従来例の半導体レーザ素子の構造を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
【００３４】
１，１０１  ｎ型基板  、  ２，１０２  ｎ型バッファ層  、  ３，１０３  ｎ型クラッド層  、  ４，１０４  活性層  、  ５，１０５  第１のｐ型クラッド層  、  ６，１０６  ｐ型エッチング停止層  、  ７，１０７  第２のｐ型クラッド層  、  ８，１０８  ｐ型キャップ層  、  ９，１０９  リッジ  、  １０，１１０  ｎ型電流狭窄層  、  １１，１２，１１１  ｐ型コンタクト層  、  １３  拡散源層群  、  １４  ＳｉＯ2層  、  １５，１１２  ｐ型オーミック電極  、  １６，１１３  ｎ型オーミック電極  、  ５０，１００  半導体レーザ素子  、  Ａ，Ａａ，Ｂ，Ｂａ  共振器面  、  Ｃ，Ｄ，Ｄａ  カット断面  、  Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４  長さ  、  Ｌ５  間隔  、Ｗ１  幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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