(57)【要約】【課題】凹凸パターンに幅が広い凹部が含まれる場合であっても所望の凹凸パターンに樹脂層を確実に加工できる凹凸パターン形成方法及びこれを用いた情報記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】樹脂層支持材１２の上に成膜した下側樹脂層１６にスタンパを当接させて凹凸パターンを転写し、下側樹脂層１６の凹凸パターンに倣って樹脂材料の成分の移動を遮断するための中間層２０を成膜し、下側樹脂層１６の凸部の上における厚さが凹部の上における厚さよりも薄くなるように中間層２０の上に上側樹脂層２２を成膜し、上側樹脂層２２に対するエッチングレートが下側樹脂層１６に対するエッチングレートよりも低いエッチング法により上側樹脂層２２を下側樹脂層１６の凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターンに加工する。【選択図】図８
2006268977.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層支持材の上に下側樹脂層を成膜する下側樹脂層成膜工程と、前記下側樹脂層にスタンパを当接させて凹凸パターンを転写する凹凸パターン転写工程と、前記下側樹脂層の上に前記凹凸パターンに倣って樹脂材料の成分の移動を遮断するための中間層を成膜する中間層成膜工程と、前記下側樹脂層の凹凸パターンの凸部の上における厚さが凹部の上における厚さよりも薄くなるように前記中間層の上に上側樹脂層を成膜する上側樹脂層成膜工程と、前記上側樹脂層に対するエッチングレートが前記下側樹脂層に対するエッチングレートよりも低いエッチング法により前記上側樹脂層、前記中間層及び前記下側樹脂層をエッチングし、前記上側樹脂層を前記下側樹脂層の凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターンに加工する上側樹脂層加工工程と、を含むことを特徴とする凹凸パターン形成方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記上側樹脂層成膜工程において、前記上側樹脂層の上面が平坦になるように該上側樹脂層を成膜することを特徴とする凹凸パターン形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記上側樹脂層加工工程において、前記中間層に対するエッチングレートが前記上側樹脂層に対するエッチングレートよりも高いエッチング法を用いることを特徴とする凹凸パターン形成方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記中間層成膜工程において、真空成膜法を用いて前記中間層を成膜することを特徴とする凹凸パターン形成方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法を用いて、凹凸パターンの記録層を有する情報記録媒体を製造することを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体製品や情報記録媒体等の製造工程で用いられる凹凸パターン形成方法及びこれを用いた情報記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製品の製造工程において、樹脂層支持材の上に樹脂のレジスト層を成膜し、これを露光、現像して所定の凹凸パターンに加工し、このレジスト層をマスクとして樹脂層支持材をエッチングして凹凸パターンに加工するリソグラフィと称される手法が知られている。近年、幅が数百ｎｍ以下の微細な凹凸パターンの加工が要求されるようになっている。このような微細な凹凸パターンを形成する場合、露光に用いる光の波長の影響が無視できなくなるため、露光のために電子線が用いられることがある。
【０００３】
しかしながら、電子線を用いて各半導体製品毎に露光（描画）を行う手法は生産性が低く、生産コストが高いという問題がある。
【０００４】
これに対し、樹脂層支持材の上の樹脂層にスタンパを当接させて凹凸パターンを転写するインプリントと称される手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。幅が数百ｎｍ以下の微細な凹凸パターンを転写する場合、特にナノインプリントと称されることがある。尚、スタンパを当接させて凹凸パターンを転写しただけでは凹部底部に樹脂層が残存し、樹脂層支持材は露出しないが、凹部底部の樹脂層を除去する程度に樹脂層を一様にエッチングすることで凹部底部から樹脂層支持材を露出させることができ、転写による段差の分だけ樹脂層を凸部として残存させ、マスクとして用いることができる。この凹凸パターンの樹脂層をマスクとして樹脂層支持材をエッチングすると、樹脂層支持材はスタンパの凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターンに加工される。
【０００５】
又、樹脂層支持材の上に下側樹脂層を成膜し、これにスタンパを当接させて凹凸パターンを転写し、凹凸パターンの下側樹脂層の上に更に上側樹脂層を成膜し、上側樹脂層に対するエッチングレートが下側樹脂層に対するエッチングレートよりも低いエッチング法により上側樹脂層及び下側樹脂層をエッチングし、下側樹脂層の凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターンに上側樹脂層を加工し、これをマスクとして樹脂層支持材をエッチングする手法が知られている（例えば、特許文献２参照）。尚、特許文献２では下側樹脂層として重合可能な材料を用い、スタンパを当接させた状態で下側樹脂層に光や電磁波を照射したり下側樹脂層を加熱し、重合により下側樹脂層を硬化させてからスタンパを離間させて、下側樹脂層の上に上側樹脂層を成膜している。この手法を用いた場合、樹脂層支持材はスタンパの凹凸パターンと凹凸位置関係が一致する凹凸パターンに加工される。
【０００６】
ところでハードディスク等の磁気記録媒体の分野においても、以下に説明するような事情により、このようなインプリントの手法の利用が期待されている。
【０００７】
磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されている。
【０００８】
しかしながら、ヘッドの加工限界、磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合う他のトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。そこで、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層を所定の凹凸パターンで形成してなるディスクリートトラックメディアやパターンドメディアが提案されている（例えば、特許文献３参照）。ディスクリートトラックメディアの場合、記録層はデータ領域においてトラックパターン形状で形成され、パターンドメディアの場合、記録層はビット等のパターン形状で形成される。又、ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアの場合、サーボ領域において記録層をサーボパターン形状で形成することが提案されている。
【０００９】
記録層を凹凸パターンに加工する加工技術としては、イオンビームエッチング、反応性イオンエッチング等のドライエッチングで記録層をエッチングする手法を用いることができる。記録層のドライエッチングのために、上記のようなインプリントの手法を用いた凹凸パターン形成方法により凹凸パターンのマスク層を効率良く形成することが期待されている。より詳細に説明すると、まず連続記録層の上にマスク層を一層又は複数層形成し、マスク層の上に樹脂層を形成する。次に、樹脂層にスタンパを当接させて樹脂層に凹凸パターンを転写し、樹脂層をマスクとしてマスク層をエッチングすることにより、マスク層を凹凸パターンに加工する。更に、連続記録層をエッチングすることにより連続記録層を凹凸パターンの記録層に加工できる。尚、記録層の材料やドライエッチングの種類により、連続記録層の上に直接樹脂層を成膜し、樹脂層をマスクとして連続記録層をエッチングして凹凸パターンの記録層を形成することも可能である。
【００１０】
このように、インプリントの手法を用いることで凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体を効率良く低コストで生産することが期待されている。
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−１００６０９号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第ＵＳ２００４／０１８８３８１号明細書
【特許文献３】特開２０００−１９５０４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、凹凸パターンに幅が広い凹部が含まれる場合、インプリントの手法を用いて樹脂層に凹凸パターンを転写する手法や、更にこの樹脂層を一様にエッチングして凹部の底部の樹脂層を除去する手法では、樹脂層を所望の凹凸パターンに加工できないことがあった。例えばディスクリートトラックメディアやパターンドメディアの場合、データ領域とサーボ領域では記録層の凹凸の幅が異なり、更に、サーボ領域内でも幅が異なる様々な凹凸が存在するので、凹凸パターンに幅が広い凹部が含まれることがあり、このような場合インプリントの手法で樹脂層を所望の凹凸パターンに加工することは困難であった。
【００１３】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、凹凸パターンに幅が広い凹部が含まれる場合であっても所望の凹凸パターンに樹脂層を確実に加工できる凹凸パターン形成方法及びこれを用いた情報記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、樹脂層支持材の上に下側樹脂層を成膜し、下側樹脂層にスタンパを当接させて凹凸パターンを転写し、下側樹脂層の上に凹凸パターンに倣って樹脂材料の成分の移動を遮断するための中間層を成膜し、下側樹脂層の凹凸パターンの凸部の上における厚さが凹部の上における厚さよりも薄くなるように中間層の上に上側樹脂層を成膜し、上側樹脂層に対するエッチングレートが下側樹脂層に対するエッチングレートよりも低いエッチング法により上側樹脂層、中間層及び下側樹脂層をエッチングして上側樹脂層を下側樹脂層の凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターンに加工することにより上記目的を達成するものである。
【００１５】
本発明に想到する過程で、発明者らは、幅が広い凹部を含む凹凸パターンをインプリントで樹脂層に転写し、この樹脂層を一様にエッチングして凹部の底部の樹脂層を除去した場合、樹脂層を所望の凹凸パターンに加工できない原因を鋭意検討したところ、インプリント後、凹部の底部に残存する樹脂の厚さは凹部の幅の広さによってばらつきがあり、凹部の幅が過度に広いと、他の凹部よりも樹脂が底部に厚く残存する傾向があることを見出した。その原因は必ずしも明らかではないが、概ね次のように考えられる。
【００１６】
スタンパを樹脂層に当接させると、スタンパの凸部に押し出される樹脂は隣接するスタンパの凹部に流動する。樹脂層の凹部の幅が過度に広く、対応するスタンパの凸部の幅が過度に広いと、これに押し出される樹脂が流動しにくくなるため、樹脂層の凹凸のうち、幅が過度に広い凹部の底部に樹脂が厚く残存すると考えられる。又、樹脂層の凹部の幅が過度に広くスタンパの凸部の幅が過度に広いと、スタンパの凸部が当接する部分に作用する圧力が小さくなり、樹脂が充分に塑性変形できないとも考えられる。
【００１７】
このため、樹脂層を所望の段差を有する凹凸パターンに加工できないことがあると考えられる。
【００１８】
又、インプリント後、樹脂層を一様にエッチングして凹部の底部の樹脂層を除去する際、凹部の側面の樹脂も除去され凹部の幅が若干拡大するが、このように凹部の底部に残存する樹脂の厚さに差があるために、凹部の幅が拡大する度合いに差が生じ、一部の凹部の幅が過度に拡大すると考えられる。より詳細に説明すると、底部の樹脂が完全に除去されると、凹部の側面の樹脂が除去される速度が速くなる傾向があり、幅が過度に広く底部の樹脂が厚い凹部では底部の樹脂が比較的遅れて除去されるのに対し、他の凹部では、底部の樹脂層が比較的早く除去され、側面の樹脂が除去される速度が速くなるので、幅が過度に拡大することがあると考えられる。
【００１９】
これに対し、発明者らは当初、上記特許文献２に示されるような、下側樹脂層の凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターンに上側樹脂層を加工する手法を試みた。即ち、まず、インプリントにより下側樹脂層に凹凸パターンを転写し、仮にこの時点で下側樹脂層の凹部の底部の樹脂の厚さに差が生じても、この上に上側樹脂層を成膜し、上側樹脂層に対するエッチングレートが下側樹脂層に対するエッチングレートよりも低いエッチング法で上側樹脂層及び下側樹脂層をエッチングし、下側樹脂層の凹部内の上側樹脂層を凸部として残存させることで、上面の高さがほぼ等しい凸部を形成できると共に、上側樹脂層の凸部の間の下側樹脂層の凸部を一様に除去し、均一な深さの凹部を形成できると考えたためである。
【００２０】
しかしながら、上述のように、この手法を用いる場合、スタンパを当接させた状態で下側樹脂層に光や電磁波を照射したり下側樹脂層を加熱することにより下側樹脂層を硬化させてから上側樹脂層を成膜するので生産コストや加工精度という点で問題があることに気づいた。
【００２１】
例えば、スタンパを当接させた状態で下側樹脂層に光を照射するためにはスタンパを石英等の透光性の材料で作製する必要があり、このような材料を凹部又は凸部の幅が数百ｎｍ以下の微細な凹凸パターンに加工することは困難であり、仮に実現できても生産コストが大幅に増加するという問題があった。
【００２２】
又、下側樹脂層にスタンパを当接させた状態で下側樹脂層に電磁波を照射する場合は、周辺の装置への電磁波の影響を抑制するために転写装置をシールド材で遮蔽する必要があり、同様にコストが大幅に増加するという問題があった。
【００２３】
又、下側樹脂層にスタンパを当接させた状態で下側樹脂層を加熱する場合は、下側樹脂層の熱膨張率とスタンパの熱膨張率との差により、冷却後に凹凸形状が変化しやすく、転写精度が低いという問題があった。更に、例えば、磁気記録媒体を製造する場合、加熱することで被加工体に含まれる記録層の性能が劣化してしまうという問題もあった。
【００２４】
更に又、以上のような手法で下側樹脂層を重合させて硬化させても、下側樹脂層及び上側樹脂層の境界部分が変形し、樹脂層を所望の凹凸パターンに加工できない場合があることを見出した。これは、上側樹脂層に含まれる溶剤等の成分により下側樹脂層が溶解したためと考えられる。
【００２５】
これに対し、下側樹脂層の上に凹凸パターンに倣って樹脂材料の成分の移動を遮断するための中間層を成膜し、この上に上側樹脂層を成膜することで、下側樹脂層及び上側樹脂層の境界部分の凹凸パターンの変形を確実に抑制することができる。更に、光、電磁波、熱等による下側樹脂層の重合を省略することも可能であり、生産コストの低減を図ることができる。
【００２６】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
【００２７】
（１）樹脂層支持材の上に下側樹脂層を成膜する下側樹脂層成膜工程と、前記下側樹脂層にスタンパを当接させて凹凸パターンを転写する凹凸パターン転写工程と、前記下側樹脂層の上に前記凹凸パターンに倣って樹脂材料の成分の移動を遮断するための中間層を成膜する中間層成膜工程と、前記下側樹脂層の凹凸パターンの凸部の上における厚さが凹部の上における厚さよりも薄くなるように前記中間層の上に上側樹脂層を成膜する上側樹脂層成膜工程と、前記上側樹脂層に対するエッチングレートが前記下側樹脂層に対するエッチングレートよりも低いエッチング法により前記上側樹脂層、前記中間層及び前記下側樹脂層をエッチングし、前記上側樹脂層を前記下側樹脂層の凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターンに加工する上側樹脂層加工工程と、を含むことを特徴とする凹凸パターン形成方法。
【００２８】
（２）  （１）において、前記上側樹脂層成膜工程において、前記上側樹脂層の上面が平坦になるように該上側樹脂層を成膜することを特徴とする凹凸パターン形成方法。
【００２９】
（３）  （１）又は（２）において、前記上側樹脂層加工工程において、前記中間層に対するエッチングレートが前記上側樹脂層に対するエッチングレートよりも高いエッチング法を用いることを特徴とする凹凸パターン形成方法。
【００３０】
（４）  （１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記中間層成膜工程において、真空成膜法を用いて前記中間層を成膜することを特徴とする凹凸パターン形成方法。
【００３１】
（５）  （１）乃至（４）のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法を用いて、凹凸パターンの記録層を有する情報記録媒体を製造することを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【００３２】
尚、本出願において「エッチングレート」という用語は、エッチングによる単位時間当たりの加工量という意義で用いることとする。
【００３３】
又、本出願において、「凹凸パターンの記録層」とは、連続記録層が所定のパターンで多数の記録要素に分割された記録層の他、連続記録層が所定のパターンで部分的に分割され、一部が連続する記録要素で構成される記録層、又、例えば螺旋状の渦巻き形状の記録層のように、基板上の一部に連続して形成される記録層、凸部及び凹部双方が形成された連続した記録層も含む意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、凹凸パターンに幅が広い凹部が含まれる場合であっても所望の凹凸パターンに樹脂層を確実に加工できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３６】
本発明の第１実施形態は、図１に示されるような、被加工体１０の出発体にエッチング等の加工を施すことにより、樹脂層支持材１２を、図２に示されるような、幅が広い凹部を含む凹凸パターンに加工する凹凸パターン形成方法に関する。この凹凸パターン形成方法について、図３に示されるフローチャートに沿って説明する。
【００３７】
被加工体１０の出発体は、基板１４の上に一様な厚さの連続した樹脂層支持材１２が形成された構成である。
【００３８】
まず、スピンコート法により、図４に示されるように、樹脂層支持材１２の上に下側樹脂層１６を一様な厚さで成膜する（Ｓ１０２）。尚、ディッピング法を用いて下側樹脂層１６を成膜してもよい。下側樹脂層１６の材料としては例えば、アクリル系樹脂、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）樹脂等を用いることができる。
【００３９】
次に、インプリント法により、下側樹脂層１６に凹凸パターンを転写する（Ｓ１０４）。具体的には、図５に示されるように、樹脂層支持材１２に形成しようとする凹凸パターンと凹凸位置関係が一致する凹凸パターンが形成されたスタンパ１８を用意し、このスタンパ１８を下側樹脂層１６に当接させて、下側樹脂層１６にスタンパ１８の凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターンを転写する。スタンパ１８の凹凸パターンは、樹脂層支持材１２に形成しようとする凹凸パターンと凹凸位置関係が一致しているので、樹脂層支持材１２に形成する幅が広い凹部に相当する部分はスタンパ１８においても凸部ではなく凹部である。
【００４０】
次に、スパッタリング法により、樹脂材料の成分の移動を遮断するための中間層２０を、図６に示されるように、下側樹脂層１６の凹凸パターンに倣って下側樹脂層１６の上に成膜する（Ｓ１０６）。スパッタリング法のような真空成膜法を用いることで、中間層２０を薄く、且つ、下側樹脂層１６の凹凸パターンに倣った形状に高精度で成膜できる。中間層２０の材料としては例えば、Ｃ（炭素）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｃｕ（銅）等の無機材料を用いることができる。尚、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＩＢＤ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の真空成膜法を用いて中間層２０を成膜してもよい。
【００４１】
次に、スピンコート法により、図７に示されるように、中間層２０の上に上側樹脂層２２を成膜する（Ｓ１０８）。この際、凹凸パターンの中間層２０及び下側樹脂層１６の凹部を上側樹脂層２２が充填し、且つ、上側樹脂層２２の上面が平坦になるように上側樹脂層２２を成膜する。尚、ディッピング法を用いて上側樹脂層２２を成膜してもよい。上側樹脂層２２の材料としては下側樹脂層１６と同様にアクリル系樹脂、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）樹脂等を用いることができるが、下側樹脂層１６とは異なる材料を選択する。下側樹脂層１６と上側樹脂層２２との間に樹脂材料の成分の移動を遮断するための中間層２０が成膜されているので、下側樹脂層１６及び上側樹脂層２２の境界部分が溶剤等で変形することがなく、凹凸形状はスタンパ１８で転写された形状に保持される。
【００４２】
次に、上側樹脂層２２に対するエッチングレートが下側樹脂層１６に対するエッチングレートよりも低いエッチング法により上側樹脂層２２、中間層２０及び下側樹脂層１６をエッチングする（Ｓ１１０）。
【００４３】
下側樹脂層１６が露出するまでは、図８に示されるように、全面が一様にエッチングされるが、下側樹脂層１６の凸部の上面が露出すると、図９に示されるように、下側樹脂層１６の凹部を充填する上側樹脂層２２よりも、下側樹脂層１６の凸部が速くエッチングされ、上側樹脂層２２は下側樹脂層１６の凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターン（スタンパ１８の凹凸パターンと凹凸位置関係が一致する凹凸パターン）に加工される。上側樹脂層２２は、上側樹脂層成膜工程（Ｓ１０８）において、上面が平坦となるように成膜されているので、下側樹脂層１６の凹部内の上側樹脂層２２は、上面の高さがほぼ等しい凸部として残存する。又、上側樹脂層２２の凸部の間の下側樹脂層１６の凸部は一様に除去され、均一な深さの凹部が形成される。尚、凹凸パターン転写工程（Ｓ１０４）において、スタンパ１８の凸部に押し出される下側樹脂層１６の一部が隣接するスタンパ１８の凹部に流動することにより、下側樹脂層１６の凸部の上面の高さに若干の差が生じうるが、上側樹脂層２２に対するエッチングレートが下側樹脂層１６に対するエッチングレートよりも低いエッチング法を用いているので、下側樹脂層１６の凸部は迅速に除去され、均一な深さの凹部が形成される。
【００４４】
又、この際、上側樹脂層２２に対するエッチングレートが中間層２０に対するエッチングレートよりも低いエッチング法を用いることが好ましい。このようなエッチング法を用いることで、下側樹脂層１６の凸部の上面の中間層２０を確実に除去し、下側樹脂層１６の凸部を確実に露出させることができる。尚、この場合、上側樹脂層２２で形成される凸部の幅は、対応するスタンパ１８の凸部の幅よりも中間層２０の厚さの２倍だけ小さくなるが、中間層２０は充分に薄いので、スタンパ１８の凹凸パターンと凹凸がほぼ一致する凹凸パターンに上側樹脂層２２を加工できる。一方、中間層２０の厚さを無視できない程度の高精度な凹凸パターンの形成が要求される場合には、樹脂層支持材１２に形成しようとする凸部の幅よりも、中間層２０の厚さの２倍だけ幅が広い凸部を予めスタンパ１８に形成しておけばよい。具体的なエッチング法、下側樹脂層１６の材料、中間層２０の材料、上側樹脂層２２の材料としては、表１に示されるような組み合わせを挙げることができる。
【００４５】
【表１】
2006268977.tif 000003
【００４６】
尚、表１において、ＲＩＥ（Ｏ２、Ｏ３）は、酸素又はオゾンを加工用ガスとする反応性イオンエッチング、ＩＢＥ（Ｏ２、Ｏ３）は、酸素又はオゾンを加工用ガスとする反応性イオンビームエッチングであり、ＩＢＥ（Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ）は、Ａｒ、Ｘｅ又はＫｒ等の稀ガスを加工用ガスとするイオンビームエッチングである。
【００４７】
表１のＡ〜Ｅの組み合わせは、いずれも上側樹脂層２２に対するエッチングレートが下側樹脂層１６に対するエッチングレートよりも低く、且つ、中間層２０に対するエッチングレートよりも低い。Ａ、Ｂの組み合わせは、下側樹脂層１６に対するエッチングレートと中間層２０に対するエッチングレートとがほぼ等しい。又、Ｃ、Ｄの組み合わせは、下側樹脂層１６に対するエッチングレートが中間層２０に対するエッチングレートよりも高い。一方、Ｅの組み合わせは、中間層２０に対するエッチングレートが下側樹脂層１６に対するエッチングレートよりも高い。Ａ、Ｂの組み合わせを選択すれば、下側樹脂層１６の凸部の上面とその凸部の側面の中間層２０の上面との間に段差を生じさせることなく、これらをエッチングできるというメリットがある。
【００４８】
更にエッチングが進行し、図１０に示されるように、上側樹脂層２２の凸部の間の凹部の底面に樹脂層支持材１２が露出したところでエッチングを停止する。
【００４９】
次に、イオンビームエッチングや反応性イオンエッチング等のエッチングにより、凹凸パターンの上側樹脂層２２をマスクとして樹脂層支持材１２を加工する（Ｓ１１２）。これにより、樹脂層支持材１２も、下側樹脂層１６の凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターン（スタンパ１８の凹凸パターンと凹凸位置関係が一致する凹凸パターン）に加工される。樹脂層支持材１２の凸部の上に残存する下側樹脂層１６、中間層２０、上側樹脂層２２は、酸素又はオゾンを加工用ガスとする反応性イオンエッチングにより除去する。
【００５０】
尚、本第１実施形態において、中間層成膜工程（Ｓ１０６）における中間層２０の成膜法として、スパッタリング法等の真空成膜法を例示しているが、下側樹脂層１６の凹凸に倣って下側樹脂層１６の上に中間層１６を成膜できれば、他の成膜法を用いて中間層２０を成膜してもよい。
【００５１】
又、本第１実施形態において、上側樹脂層加工工程（Ｓ１１０）のエッチング法として、中間層２０に対するエッチングレートが上側樹脂層２２に対するエッチングレートよりも高いエッチング法を例示しているが、上側樹脂層加工工程（Ｓ１１０）のエッチング法として、中間層２０に対するエッチングレートが上側樹脂層２２に対するエッチングレート以下のエッチング法を用いた場合も、中間層２０は下側樹脂層１６、上側樹脂層２２に対して充分に薄く、下側樹脂層１６の凸部の上の中間層２０は短時間で除去されるので、下側樹脂層１６の凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターンに上側樹脂層２２を加工できる。
【００５２】
又、本第１実施形態において、上側樹脂層成膜工程（Ｓ１０８）において、上側樹脂層２２の上面が平坦になるように上側樹脂層２２を成膜しているが、下側樹脂層１６の凹凸パターンの凸部の上における厚さが凹部の上における厚さよりも薄くなるように上側樹脂層２２を成膜できれば、上側樹脂層２２の上面が凹凸になるように上側樹脂層２２を成膜してもよい。この場合も、上側樹脂層加工工程（Ｓ１１０）において、上側樹脂層２２に対するエッチングレートが下側樹脂層１６に対するエッチングレートよりも低いエッチング法を用いることで、下側樹脂層１６の凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターンに上側樹脂層２２を加工できる。
【００５３】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００５４】
本第２実施形態は、図１２に示されるような、被加工体３０の出発体の第２のマスク層（樹脂層支持材）４６を、前記第１実施形態の凹凸パターン形成方法を用いて図１３に示されるような、幅が広い凹部を含む凹凸パターンに加工し、更にエッチング等の加工を施すことにより、図１４に示されるような磁気記録媒体５０を製造する方法に関する。
【００５５】
被加工体３０の出発体は基板３２の上に、下地層３４、反強磁性層３６、軟磁性層３８、配向層４０、連続記録層４２、第１のマスク層４４、前記第２のマスク層４６がこの順で形成された構成である。
【００５６】
基板３２の材料はガラス、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）等である。下地層３４の材料はＴａ等である。反強磁性層３６の材料はＰｔＭｎ合金、ＲｕＭｎ合金等である。軟磁性層３８の材料はＦｅ（鉄）合金又はＣｏ（コバルト）合金である。配向層４０の材料は非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等である。連続記録層４２の材料はＣｏＣｒ（コバルト−クロム）合金である。第１のマスク層４４は、厚さが３〜５０ｎｍで、材料はＣ（炭素）である。第２のマスク層４６の材料はＮｉ（ニッケル）である。
【００５７】
磁気記録媒体５０は、垂直記録型のディスクリートトラックタイプの磁気ディスクで、データ領域において、記録層５２は、前記連続記録層４２が径方向に５０〜３００ｎｍ程度の微細な間隔で多数の同心円弧状の記録要素５２Ａに分割された凹凸パターン（トラックパターン）形状とされている。記録要素５２Ａの間の凹部５４には充填材５６が充填されている。記録要素５２Ａ及び充填材５６の上には保護層５８、潤滑層６０がこの順で形成されている。尚、磁気記録媒体５０はサーボ領域において、記録層５２が所定のサーボパターンで形成されている。
【００５８】
充填材５６の材料は、非磁性材料であるＳｉＯ２（二酸化ケイ素）である。保護層５８の材料は、ダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」という）と呼称される硬質炭素膜である。潤滑層６０の材料はＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）である。
【００５９】
磁気記録媒体５０の製造方法について、図１５に示されるフローチャートに沿って説明する。尚、前記第１実施形態と共通の工程については、前記第１実施形態と同一符号を用いることとして説明を適宜省略する。
【００６０】
まず、被加工体３０の出発体に対し、下側樹脂層成膜工程（Ｓ１０２）、凹凸パターン転写工程（Ｓ１０４）、中間層成膜工程（Ｓ１０６）、上側樹脂層成膜工程（Ｓ１０８）、上側樹脂層加工工程（Ｓ１１０）、樹脂層支持材加工工程（Ｓ１１２）をこの順で実行し、第２のマスク層４６をスタンパ１８の凹凸パターンと凹凸位置関係が一致する凹凸パターンに加工する。樹脂層支持材加工工程（Ｓ１１２）のエッチング法としては、イオンビームエッチングを用いることができる。尚、スタンパ１８の凹凸パターンは、コンタクトホールを含む所定のサーボパターン及びトラックパターンに相当する凹凸パターンである。
【００６１】
次に、Ｏ２又はＯ３ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、凹部底部の第１のマスク層４４を除去する（Ｓ２０２）。
【００６２】
更に、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングにより、凹部底部の連続記録層４２を除去し、多数の記録要素５２Ａに分割する（Ｓ２０４）。これにより凹凸パターンの記録層５２が形成される。第２のマスク層４６がスタンパ１８の凹凸パターンと凹凸位置関係が一致する凹凸パターンに加工されているので、記録層５２も、スタンパ１８の凹凸パターンと凹凸位置関係が一致する凹凸パターンに加工される。
【００６３】
次に、バイアススパッタリングにより被加工体３０の表面に充填材５６を成膜する（Ｓ２０６）。充填材５６は、記録層５２を覆うように成膜され、凹部５４に充填材５６が充填される。
【００６４】
次に、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングにより、充填材５６のうち記録要素５２Ａの上面よりも基板１２と反対側に形成された余剰部分を除去して表面を平坦化する(Ｓ２０８)。
【００６５】
次に、ＣＶＤ法により記録要素５２Ａ及び充填材５６の上面にＤＬＣの保護層５８を形成する(Ｓ２１０)。最後に、ディッピング法により保護層５８の上にＰＦＰＥの潤滑層６０を塗布する（Ｓ２１２）。これにより、前記図１４に示される磁気記録媒体５０が完成する。
【００６６】
尚、本第２実施形態において、被加工体３０の出発体は、連続記録層４２の上に第１のマスク層４４、第２のマスク層４６が形成され、前記第１実施形態の凹凸パターン形成方法を用い、樹脂層支持材として第２のマスク層を凹凸パターンに加工しているが、連続記録層の上のマスク層の積層数、材料は、連続記録層の材料や連続記録層を加工するためのエッチングの種類等に応じて適宜選択すればよい。例えば、連続記録層の上にマスク層を１層だけ形成し、このマスク層を樹脂層支持材として前記第１実施形態の凹凸パターン形成方法を用いて凹凸パターンに加工してもよい。又、連続記録層の上に３層以上のマスク層を形成し、前記第１実施形態の凹凸パターン形成方法を用いて最も上側のマスク層を樹脂層支持材として凹凸パターンに加工してもよい。又、マスク層を省略し、前記第１実施形態の凹凸パターン形成方法を用いて連続記録層を樹脂層支持材として凹凸パターンに加工してもよい。
【００６７】
又、本第２実施形態において、磁気記録媒体５０は記録層５２等が基板３２の片側だけに形成されているが、基板の両側に記録層を備える両面記録式の磁気記録媒体の製造にも、本発明は適用可能である。
【００６８】
又、本第２実施形態において、磁気記録媒体５０は垂直記録型であるが、面内記録型の磁気記録媒体の製造にも、本発明は適用可能である。
【００６９】
又、本第２実施形態において、磁気記録媒体５０はディスクリートトラックメディアであるが、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で分割されたパターンドメディア、凹凸パターンの連続した記録層を有するパーム(ＰＥＲＭ)タイプの磁気ディスク、記録層が螺旋形状をなす磁気ディスクの製造についても本発明は当然適用可能である。又、ハードディスク、フロッピー(登録商標)のような磁気ディスクの他、磁気テープ、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の磁気記録媒体の製造に対しても本発明を適用可能である。
【００７０】
又、本第２実施形態は磁気記録媒体の製造方法に関するが、製造工程において凹凸パターンの形成を要する製品であれば、例えば、光記録媒体等の他の情報記録媒体にも本発明は適用可能である。更に、半導体製品の製造にも本発明は適用可能である。
【００７１】
又、前記第１及び第２実施形態において、凹凸パターンに加工された上側樹脂層をマスクとして、樹脂層支持材１２、第２のマスク層４６をエッチングしているが、樹脂層支持材はエッチングされず、上側樹脂層が凹凸パターンを構成する製品の製造にも本発明は適用可能である。このような製品としては、例えば、スタンパを製造するための原盤を挙げることができる。
【実施例】
【００７２】
上記第１実施形態のとおり、樹脂層支持材１２を凹凸パターンに加工した。具体的には、樹脂層支持材１２に表２に示される２種類の凹凸パターンを形成した。
【００７３】
【表２】
2006268977.tif 000004
【００７４】
これらの凹凸パターンを形成した方法を簡単に説明する。まず、スピンコート法により樹脂層支持材１２の上に材料がアクリル系樹脂の下側樹脂層１６を約１００ｎｍの厚さで成膜した(Ｓ１０２)。その後、約９０℃でベイク処理することにより、下側樹脂層１６中の溶剤成分を揮発させた。
【００７５】
次に、被加工体１０とスタンパ１８をインプリント装置（図示省略）に設置し、スタンパ１８の凹凸パターンを下側樹脂層１６に転写した（Ｓ１０４）。この際、スタンパ１８を下側樹脂層１６に約１６．３ＭＰａの圧力で約５分間当接させた。
【００７６】
次に、スパッタリング法により下側樹脂層１６の凹凸パターンに倣って下側樹脂層１６の上に、材料がＣの中間層２０を約４ｎｍの厚さで成膜した（Ｓ１０６）。
【００７７】
次に、スピンコートにより中間層２０の上に材料がＳＯＧ樹脂の上側樹脂層２２を上面が平坦となり、凸部上における厚さが約２０ｎｍとなるように成膜した(Ｓ１０８)。
【００７８】
次に、プラズマ化したＯ２ガスを加工用ガスとする反応性イオンエッチングにより、上側樹脂層２２、中間層２０及び下側樹脂層１６をエッチングし、下側樹脂層１６の凹凸パターンと凹凸位置関係が反対の凹凸パターンに上側樹脂層２２を加工した（Ｓ１１０）。
【００７９】
最後に、イオンビームエッチングにより、凹凸パターンの上側樹脂層２２をマスクとして、樹脂層支持材１２を凹凸パターンに加工した（Ｓ１１２）。
【００８０】
樹脂層支持材１２の凹凸パターンは、２種類の凹凸パターンを含み、従来の手法では所望の形状に加工することが困難であったが、樹脂層支持材１２は所望の凹凸パターンに加工されていることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、例えば、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体、光記録媒体等の情報記録媒体や半導体製品を製造するために利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図２】樹脂層支持材が凹凸パターンに加工された同被加工体を模式的に示す側断面図
【図３】同樹脂層支持材の凹凸パターン形成方法の概略を示すフローチャート
【図４】同樹脂層支持材の上に下側樹脂層が成膜された同被加工体を示す側断面図
【図５】同下側樹脂層に凹凸パターンが転写された同被加工体を示す側断面図
【図６】同下側樹脂層の上に中間層が成膜された同被加工体を示す側断面図
【図７】同中間層の上に上側樹脂層が成膜された同被加工体を示す側断面図
【図８】同上側樹脂層の上面近傍がエッチングされた同被加工体を示す側断面図
【図９】前記下側樹脂層の凸部が露出した同被加工体を示す側断面図
【図１０】前記上側樹脂層が凹凸パターンに加工された同被加工体を示す側断面図
【図１１】前記樹脂層支持材が凹凸パターンに加工された同被加工体を示す側断面図
【図１２】本発明の第２実施形態に係る被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図１３】第２のマスク層（樹脂層支持材）が凹凸パターンに加工された同被加工体を模式的に示す側断面図
【図１４】同被加工体を加工して得られる磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図１５】同磁気記録媒体の製造方法の概略を示すフローチャート
【符号の説明】
【００８３】
１０、３０…被加工体
１２…樹脂層支持材
１４、３２…基板
１６…下側樹脂層
１８…スタンパ
２０…中間層
２２…上側樹脂層
３４…下地層
３６…反強磁性層
３８…軟磁性層
４０…配向層
４２…連続記録層
４４…第１のマスク層
４６…第２のマスク層（樹脂層支持材）
５０…磁気記録媒体
５２…記録層
５２Ａ…記録要素
５４…凹部
５６…充填材
５８…保護層
６０…潤滑層
Ｓ１０２…下側樹脂層成膜工程
Ｓ１０４…凹凸パターン転写工程
Ｓ１０６…中間層成膜工程
Ｓ１０８…上側樹脂層成膜工程
Ｓ１１０…上側樹脂層加工工程
Ｓ１１２…樹脂層支持材加工工程
Ｓ２０２…第１のマスク層加工工程
Ｓ２０４…記録層加工工程
Ｓ２０６…充填材成膜工程
Ｓ２０８…平坦化工程
Ｓ２１０…保護層成膜工程
Ｓ２１２…潤滑層成膜工程
【図１】
2006268977.tif 000005
【図２】
2006268977.tif 000006
【図３】
2006268977.tif 000007
【図４】
2006268977.tif 000008
【図５】
2006268977.tif 000009
【図６】
2006268977.tif 000010
【図７】
2006268977.tif 000011
【図８】
2006268977.tif 000012
【図９】
2006268977.tif 000013
【図１０】
2006268977.tif 000014
【図１１】
2006268977.tif 000015
【図１２】
2006268977.tif 000016
【図１３】
2006268977.tif 000017
【図１４】
2006268977.tif 000018
【図１５】
2006268977.tif 000019