(57)【要約】 【課題】エピタキシャル層の平坦度を崩さず、手間を要さないエピタキシャル基板の製造方法を提供すること。【解決手段】エピタキシャル基板の製造方法は、エピタキシャル層形成工程（処理Ｓ１）と、面取り工程（処理Ｓ２）と、エッチング工程（処理Ｓ３）と、研磨工程（処理Ｓ４）とを備える。面取り工程では、エピタキシャル基板の周縁部のエッジクラウン等を除去し、エッチング工程では、面取り工程で生じたエピタキシャル基板の周縁部の加工歪等を除去する。エッチング工程では、エピタキシャル基板上にエッチング液を滴下し、エピタキシャル基板の回転による遠心力によって、エッチング液をエピタキシャル基板の中心から周縁部に向かって拡散させる。エッチング液は、周縁部に倣って、エピタキシャル基板の裏面側に回りこみ、周縁部がエッチングされることとなる。【選択図】 図１
2006120991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体単結晶基板上にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャル基板の製造方法であって、
半導体単結晶基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程と、
半導体単結晶基板上にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャル基板の周縁部の面取りを行なう面取り工程と、
前記エピタキシャル層が形成された面にエッチング液を滴下するとともに、前記エピタキシャル基板を回転させて、前記エッチング液を遠心力により広げ、前記エピタキシャル基板の周縁部をエッチングするエッチング工程とを備えることを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のエピタキシャル基板の製造方法において、
前記エッチング工程の後段で、前記エピタキシャル層の表面を研磨する研磨工程を備えることを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のエピタキシャル基板の製造方法において、
前記エピタキシャル層形成工程において、形成するエピタキシャル層は、６０μｍ以上の厚さ寸法であることを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３の何れかに記載のエピタキシャル基板の製造方法において、
前記エッチング工程で使用するエッチング液は、少なくとも硫酸及び燐酸を含有することを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４の何れかに記載のエピタキシャル基板の製造方法において、
前記エッチング工程では、エッチング装置を用いて、エッチングを行い、
前記エッチング装置は、前記エピタキシャル層が形成された面にエッチング液を滴下する滴下手段と、
前記エピタキシャル層が形成された面と反対側のエピタキシャル基板の裏面を支持する支持手段と、
この支持手段に支持された前記エピタキシャル基板の表裏面を通る軸を回転中心軸として、前記エピタキシャル基板を回転駆動する回転手段とを備え、
前記エピタキシャル基板の裏面から、前記エピタキシャル基板の周縁部に向かってガスを吐出し、このガスの吐出圧を制御することにより、前記エッチング液の前記エピタキシャル基板の周縁部への回り込みを制御することを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャル基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンの半導体単結晶基板は、ＣＺ（チョクラルスキー法）によって引上げ成長したインゴットをスライスすることで、得られる。
シリコンの半導体単結晶基板には、成長の過程でグローイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥と呼ばれる結晶欠陥が発生する。近年、半導体回路の高集積化、微細化の進展に伴い、デバイスが作成される基板表面近傍に、この結晶欠陥が存在することが許されなくなってきている。
そこで、半導体単結晶基板上にシリコンのエピタキシャル層を成長させることにより、表面近傍に結晶欠陥を有しない基板（エピタキシャル基板）を製造する方法が知られている。
このエピタキシャル基板の製造方法としては、次のような方法が用いられている。
まず、単結晶基板上にエピタキシャル層を成長させる。次に、このエピタキシャル層上に、ＣＶＤ法等により、保護膜（シリコンの酸化膜又はシリコンの窒化膜）を形成する。
その後、面取り装置を用いて、面取りを行い、エピタキシャル層の成長により基板周縁部に生じたエッジクラウンを除去する。さらに、エッジクラウン除去後の基板をエッチング液に浸漬し、エッチングを施し、面取り加工により生じた加工歪を除去する。そして、フッ酸や燐酸を用いて、保護膜を除去する。これにより、エピタキシャル基板が完成する（例えば、特許文献１参照）。
この特許文献１に記載されたエピタキシャル基板の製造方法では、面取り工程の後段で、エッチング工程を実施し、面取り工程で生じた加工歪を除去している。このエッチング工程では、基板をエッチング液に浸漬するが、基板のエピタキシャル層表面には、保護膜が形成されているので、基板表面の平坦度がエッチングにより崩れてしまうことがない。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−１１２１７３号公報（第２〜第３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された方法では、保護膜を形成し、面取り工程及びエッチング工程を実施した後、前記保護膜を除去しなければならず、保護膜の形成工程、保護膜の除去工程を必要とするので、エピタキシャル基板の製造に手間を要するという問題がある。
【０００５】
本発明の目的は、エピタキシャル層の平坦度を崩さず、手間を要さないエピタキシャル基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のエピタキシャル基板の製造方法は、半導体単結晶基板上にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャル基板の製造方法であって、半導体単結晶基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程と、半導体単結晶基板上にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャル基板の周縁部の面取りを行なう面取り工程と、前記エピタキシャル層が形成された面にエッチング液を滴下するとともに、前記エピタキシャル基板を回転させて、前記エッチング液を遠心力により広げ、前記エピタキシャル基板の周縁部をエッチングするエッチング工程とを備えることを特徴とする。
【０００７】
このような本発明によれば、面取り工程の後段で、エピタキシャル層が形成された面にエッチング液を滴下するとともに、エピタキシャル基板を回転させ、エッチング液を遠心力により広げて、前記エピタキシャル基板の周縁部をエッチングしている。これにより、面取り工程で生じた基板周縁部の加工歪が除去されることとなる。また、エピタキシャル基板の周縁部をエッチングすることで、面取り工程で付着した金属不純物等も除去することが可能となる。
【０００８】
また、エピタキシャル層が形成された面にエッチング液を滴下するとともに、エピタキシャル基板を回転させ、エッチング液を遠心力により広げる、いわゆるスピンエッチングにより、エピタキシャル基板の周縁部の加工歪みの除去、金属不純物等の除去を行なっている。
このようなスピンエッチングでは、少量のエッチング液をエピタキシャル基板のエピタキシャル層上に遠心力により、高速に広げることができるから、エピタキシャル基板の平坦度を崩さずに、エピタキシャル基板の周縁部のエッチングを行なうことができる。
そのため従来のように、平坦度を確保するために、エピタキシャル層上に保護膜を形成する必要がなく、エピタキシャル基板の製造工程を簡略化することができる。
【０００９】
本発明では、前記エッチング工程の後段で、前記エピタキシャル層の表面を研磨する研磨工程を備えることが好ましい。
エッチング工程では、エピタキシャル層が形成された面にエッチング液を滴下するとともに、エピタキシャル基板を回転させて、スピンエッチングを行なっている。そのため、エピタキシャル層には、エッチング液が流れた跡が形成されることとなる。
本発明では、エッチング工程の後段で、エピタキシャル層の表面を研磨しているので、エッチング液が流れた跡を消すことができる。
【００１０】
さらに、本発明では、前記エピタキシャル層形成工程において、形成するエピタキシャル層は、６０μｍ以上の厚さ寸法であることが好ましい。
エピタキシャル層の厚さ寸法を６０μｍ以上とした場合に、エピタキシャル基板の周縁部にエッジクラウンや、ナイフエッジが形成されやすくなるため、面取り工程が不可欠なものとなる。従って、本発明のエピタキシャル基板の製造方法は、エピタキシャル層の厚さ寸法が６０μｍ以上の場合に、特に有用なものとなるのである。
【００１１】
また、本発明では、前記エッチング工程で使用するエッチング液は、少なくとも硫酸及び燐酸を含有することが好ましい。
エッチング液の粘度が低すぎる場合には、エッチング液がエピタキシャル基板の周縁部に回り込むことなく、エピタキシャル基板の回転による遠心力により、エッチング液が基板外方に飛んでしまう可能性がある。これに対し、本発明では、エッチング液は、硫酸を含有するため、所定の粘度を有することとなる。エッチング工程において、エピタキシャル基板の周縁部に倣ってエッチング液が流れやすくなり、確実にエピタキシャル基板の周縁部のエッチングを行なうことができる。
さらに、本発明では、エッチング液は燐酸を含有しているので、エッチングされるエピタキシャル基板の周縁部の光沢度を向上させることができる。
【００１２】
さらに、本発明では、前記エッチング工程では、エッチング装置を用いて、エッチングを行い、前記エッチング装置は、前記エピタキシャル層が形成された面にエッチング液を滴下する滴下手段と、前記エピタキシャル層が形成された面と反対側のエピタキシャル基板の裏面を支持する支持手段と、この支持手段に支持された前記エピタキシャル基板の表裏面を通る軸を回転中心軸として、前記エピタキシャル基板を回転駆動する回転手段とを備え、前記エピタキシャル基板の裏面から、前記エピタキシャル基板の周縁部に向かってガスを吐出し、このガスの吐出圧を制御することにより、前記エッチング液の前記エピタキシャル基板の周縁部への回り込みを制御することが好ましい。
【００１３】
このような本発明では、エッチング装置は、エピタキシャル基板の裏面から、前記エピタキシャル基板の周縁部に向かってガスを吐出し、ガスの吐出圧を制御することにより、エッチング液の前記エピタキシャル基板の周縁部への回り込みを調整している。従って、例えば、エッチング液の粘度等に応じてガスの吐出圧を制御することで、エッチング液のエピタキシャル基板の周縁部への回り込みを適宜調整することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１には、本実施形態のエピタキシャル基板の製造方法のフローチャートが示されている。
本実施形態のエピタキシャル基板の製造方法は、エピタキシャル層形成工程（処理Ｓ１）と、面取り工程（処理Ｓ２）と、エッチング工程（処理Ｓ３）と、研磨工程（処理Ｓ４）とを備える。
エピタキシャル層形成工程（処理Ｓ１）は、半導体単結晶基板上にシリコンのエピタキシャル層を形成し、エピタキシャル基板を形成する工程である。
ここで、図２に示すように半導体単結晶基板１１は、ＣＺ法で製造されたものである。この半導体単結晶基板１１は、表裏面が鏡面加工されているとともに、その周縁部１１１には面取り加工が施されている。
【００１５】
このような半導体単結晶基板１１を図示しないエピタキシャル層成長装置にセットし、図３に示すように、半導体単結晶基板１１の表面にシリコンのエピタキシャル層１２を成長させる。これにより、エピタキシャル基板１となる。
このようにして形成されたエピタキシャル層１２は、厚さ寸法Ｔ１が６０μｍ以上であり、エピタキシャル基板１の周縁部１２１の表面には、エッジクラウン１２２や、ナイフエッジ１２３が形成されている。
【００１６】
面取り工程（処理Ｓ２）は、前記エピタキシャル層形成工程（処理Ｓ１）で生じたエピタキシャル基板１の周縁部１２１のエッジクラウン１２２、ナイフエッジ１２３を除去する工程である。
図４に示すように、エピタキシャル基板１の周縁部１２１を面取り装置２のダイアモンド砥石２１の端面に押し当て、ダイアモンド砥石２１を回転させる。これにより、エピタキシャル基板１の周縁部１２１のエッジクラウン１２２、ナイフエッジ１２３が除去されることとなる。
なお、エピタキシャル基板１の周縁部１２１には、面取りによる加工歪が生じることとなる。また、エピタキシャル基板１の周縁部１２１には、面取りにより、金属不純物が付着することとなる。
【００１７】
エッチング工程（処理Ｓ３）は、前段の面取り工程（処理Ｓ２）で生じたエピタキシャル基板１の周縁部１２１の加工歪や、面取り工程（処理Ｓ２）で、エピタキシャル基板１の周縁部１２１に付着した金属不純物を除去するための工程である。
このエッチング工程（処理Ｓ３）では、図５に示すようなエッチング装置３を使用する。
このエッチング装置３は、いわゆるスピンエッチングを行なう装置であり、エピタキシャル基板１を保持する保持手段３１と、前記保持手段３１を回転駆動する回転手段３２と、エピタキシャル基板１上にエッチング液３５を滴下する滴下手段３３とを備える。
保持手段３１は、エピタキシャル基板１の裏面に当接し、エピタキシャル基板１を保持するインナーチャック３１１と、このインナーチャック３１１の外側に配置されたアウターチャック３１２とを備える。
インナーチャック３１１は中空の円錐台形状となっている。このインナーチャック３１１は、上面（エピタキシャル基板１側の面）が下面よりも大きな径となっている。
【００１８】
アウターチャック３１２は、インナーチャック３１１よりも大きな中空の円錐台形状となっており、エピタキシャル基板１側の上面が開口している。従って、アウターチャック３１２とインナーチャック３１１との間には、隙間が形成されることとなる。詳しくは、後述するが回転軸３２１内部に注入されたガス３４は、回転軸３２１から、前記隙間に排出される。従って、この隙間が後述するガス３４の吐出経路Ｓの一部を形成することとなる。この吐出経路Ｓの出口Ｓ１からは、インナーチャック３１１上に設置されたエピタキシャル基板１の周縁部１２１に向けてガス３４が排出される。
【００１９】
また、アウターチャック３１２は、インナーチャック３１１に対して、上下方向（矢印Ｙ方向）に相対的に移動できる構造となっている。例えば、アウターチャック３１２に油圧シリンダ３１３等を設け、アウターチャック３１２を上下する。アウターチャック３１２の下面の外面に、油圧シリンダ３１３のシリンダ３１３Ａを取り付け、アウターチャック３１２の下面にピストン３１３Ｂを貫通させる。そして、ピストン３１３Ｂの先端をインナーチャック３１１の下面に固定する。これにより、アウターチャック３１２は、インナーチャック３１１に対して、上下方向に相対的に移動可能となる。
【００２０】
回転手段３２は、前記保持手段３１のインナーチャック３１１を回転駆動するものである。この回転手段３２は、前記インナーチャック３１１の下面に取り付けられた回転軸３２１と、この回転軸３２１を回転駆動する駆動装置（図示略）とを備える。
回転軸３２１は、中空構造であり、その上端は、インナーチャック３１１の下面に固定されている。回転軸３２１の回転中心軸３２１Ｂは、エピタキシャル基板１の表裏面の平面中心位置を通るようになっている。
また、回転軸３２１の上端近傍には孔３２１Ａが形成されており、回転軸３２１の下端から注入されたガス３４は、回転軸３２１内部を通り、前記孔３２１Ａを介して、インナーチャック３１１及びアウターチャック３１２間の隙間に充填される。そして、出口Ｓ１からガス３４が排出される。すなわち、回転軸３２１の内部及びインナーチャック３１１及びアウターチャック３１２間の隙間がガス３４の吐出経路Ｓを構成することとなる。
なお、このガス３４が吐出経路Ｓの出口Ｓ１から排出されることにより、エピタキシャル基板１の裏面側では、負圧が発生する。この負圧により、エピタキシャル基板１の裏面がインナーチャック３１１の上面に当接し、エピタキシャル基板1がインナーチャック３１１に固着されることとなる。
ここで、前記ガス３４としては、例えば、乾燥した酸素が使用される。
【００２１】
滴下手段３３は、エピタキシャル基板１上にエッチング液３５を滴下するノズル３３１を備えている。このノズル３３１は、インナーチャック３１１に対向配置されており、ノズル３３１の吐出口は、エピタキシャル基板１の平面中心、つまり回転中心軸３２１Ｂと同軸上に配置されている。
このため、エピタキシャル基板１が回転しつつ、ノズル３３１からエッチング液３５が滴下されると、エッチング液３５は、遠心力により、エピタキシャル基板１の中心から周縁部１２１に向かって拡散し、図６に示すように、周縁部１２１に倣って、エピタキシャル基板１の裏面側に回りこむ。
ここで、エッチング液３５としては、少なくとも硫酸と、燐酸とを含有するものであることが好ましく、特に、硫酸、燐酸、フッ酸、硝酸を含有するものであることが好ましい。
【００２２】
このようなエッチング装置３を用いたエッチング方法について説明する。
まず、エピタキシャル基板１をインナーチャック３１１上に設置する。次に、回転軸３２１内部にガス３４を注入し、回転軸３２１内部、インナーチャック３１１及びアウターチャック３１２間の隙間を介して、ガス３４を出口Ｓ１から排出する。次に、回転軸３２１を回転駆動し、その後、滴下手段３３のノズル３３１からエッチング液３５を滴下する。エッチング液３５は、図６に示すように、エピタキシャル基板１の中心から周縁部１２１に向かって拡散し、周縁部１２１を通って、エピタキシャル基板１の裏面側に回りこむ。これにより、エピタキシャル基板１の周縁部１２１がエッチングされることとなり、加工歪が除去されるとともに、周縁部１２１に付着した金属不純物が取り除かれる。
【００２３】
なお、エッチング液３５のエピタキシャル基板１の裏面への周り込み量は、エピタキシャル基板１の回転数、エッチング液３５の吐出量、エッチング液３５の粘度、ガスの出口Ｓ１からの吐出圧により調整することができる。例えば、エピタキシャル基板１の回転数を大きくすると、エッチング液３５は拡散しやすくなるので、エッチング液３５のエピタキシャル基板１の裏面への回り込み量が大きくなる。
また、エッチング液３５の吐出量が多くなると、エッチング液３５のエピタキシャル基板１の裏面への回り込み量が大きくなる。さらに、エッチング液３５の粘度が大きくなると、エッチング液３５のエピタキシャル基板１の裏面への回り込み量が大きくなる。さらに、ガス３４の出口Ｓ１からの吐出圧が大きくなると、エピタキシャル基板１の裏面側に回りこんだエッチング液３５を阻止する力が大きくなるため、エッチング液３５のエピタキシャル基板１の裏面への回り込み量が小さくなる。
なお、ガスの出口Ｓ１からの吐出圧は、インナーチャック３１１及びアウターチャック３１２間の隙間の幅Ｄにより変化させることができる。
【００２４】
以上のようなエッチング工程（処理Ｓ３）が終了した段階では、エピタキシャル基板１の表面には、エッチング液３５が流れた軌跡が形成されている。
このエッチング液３５の流れの軌跡を除去するために、研磨を行なう（処理Ｓ４）。
図７に示すように、研磨装置４の支持台４０の上に、エピタキシャル基板１を設置し、研磨パッド４１を、エピタキシャル基板１の表面に押し当て、回転させることで、研磨を行なう。
これにより、エピタキシャル基板１が完成し、エピタキシャル基板１の製造が終了することとなる。
【００２５】
従って、本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）面取り工程（処理Ｓ２）の後段で、エピタキシャル層１２が形成された面にエッチング液３５を滴下するとともに、エピタキシャル基板１を回転させ、エッチング液３５を遠心力により広げて、前記エピタキシャル基板１の周縁部１２１をエッチングしている。これにより、面取り工程（処理Ｓ２）で生じたエピタキシャル基板１の周縁部１２１の加工歪が除去されることとなる。また、エピタキシャル基板１の周縁部１２１をエッチングすることで、面取り工程（処理Ｓ２）で付着した金属不純物等を除去することが可能となる。
【００２６】
（２）また、エピタキシャル層１２が形成された面にエッチング液３５を滴下するとともに、エピタキシャル基板１を回転させ、エッチング液３５を遠心力により広げる、いわゆるスピンエッチングにより、エピタキシャル基板１の周縁部１２１の加工歪の除去及び周縁部１２１に付着した金属不純物の除去を行なっている。
このようなスピンエッチングでは、少量のエッチング液３５をエピタキシャル基板１のエピタキシャル層１２上に遠心力により、高速に広げることができるから、エピタキシャル基板１の平坦度を崩さずに、周縁部１２１のエッチングを行なうことができる。
そのため従来のように、平坦度を確保するために、エピタキシャル層１２上に保護膜を形成する必要がなく、エピタキシャル基板１の製造工程を簡略化することができる。
（３）さらに、本実施形態では、スピンエッチングにより、エピタキシャル基板１の周縁部１２１のエッチングを行なっており、周縁部１２１が非常に滑らかな面となる。これにより、周縁部１２１での割れ等を防止することができ、周縁部１２１の強度を向上させることができるとともに、発塵を防止することができる。
【００２７】
（４）エッチング工程（処理Ｓ３）では、エピタキシャル層１２が形成された面にエッチング液３５を滴下するとともに、エピタキシャル基板１を回転させて、スピンエッチングを行なっている。そのため、エピタキシャル層１２には、エッチング液３５が流れた跡が形成されることとなる。
本実施形態では、エッチング工程（処理Ｓ３）の後段の研磨工程（処理Ｓ４）でエピタキシャル層１２の表面を研磨しているので、エッチング液３５が流れた跡を消すことができる。
なお、研磨工程（処理Ｓ４）では、エッチング工程（処理Ｓ３）で生じたエッチング液３５が流れた跡を除去するだけでよいので、研磨時間が非常に短時間となる。
【００２８】
（５）エピタキシャル層１２の厚さ寸法を６０μｍ以上とした場合に、エピタキシャル基板１の周縁部１２１にエッジクラウン１２２や、ナイフエッジ１２３が形成されやすくなるため、面取り工程が不可欠なものとなる。従って、本実施形態のエピタキシャル基板１の製造方法は、エピタキシャル層１２の厚さ寸法が６０μｍ以上の場合に、特に有用なものとなるのである。
（６）エッチング液３５の粘度が低すぎる場合には、エッチング液３５がエピタキシャル基板１の周縁部１２１に回り込むことなく、エピタキシャル基板１の回転による遠心力により、エッチング液３５がエピタキシャル基板１の外方に飛んでしまう可能性がある。これに対し、本実施形態では、エッチング液３５は、硫酸を含有するため、所定の粘度を有することとなる。エッチング工程（処理Ｓ３）において、エピタキシャル基板１の周縁部１２１に倣ってエッチング液３５が流れやすくなり、確実にエピタキシャル基板１の周縁部１２１のエッチングを行なうことができる。
さらに、本実施形態では、エッチング液３５は燐酸を含有しているので、エッチングされるエピタキシャル基板１の周縁部１２１の光沢度を向上させることができる。
【００２９】
（７）また、本実施形態では、エッチング液３５は、燐酸、硝酸、硫酸、フッ酸を含有するものであるため、面取り工程において、エピタキシャル基板１の周縁部１２１のピット内部に入った金属不純物をエッチングにより確実に取り除くことができる。
（８）また、本実施形態では、エッチング装置３は、エピタキシャル基板１の裏面から、エピタキシャル基板１の周縁部１２１に向かってガス３４を吐出し、ガス３４の吐出圧を制御することにより、エッチング液３５のエピタキシャル基板１の周縁部１２１への回り込みを調整している。従って、例えば、エッチング液３５の粘度等に応じてガス３４の吐出圧を制御することで、エッチング液３４のエピタキシャル基板１の周縁部１２１への回り込みを適宜調整することができる。
【００３０】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、エッチング液３５は、燐酸、硝酸、硫酸、フッ酸の４種類の酸を含有するものとしたが、これに限らず、例えば、硫酸、燐酸のみを含有するものであってもよい。さらには、フッ酸のみであってもよい。
さらに、前記実施形態では、エピタキシャル基板１のエピタキシャル層１２の厚さ寸法は、６０μｍであるとしたが、これに限らず、１２０μｍであってもよい。
【００３１】
また、前記実施形態では、エッチング工程の後段で、研磨工程を実施したが、これに限らず、研磨工程はなくてもよい。研磨工程を省略することで、エピタキシャル基板１の製造工程を簡略化することができる。
さらに、前記実施形態では、エッチング装置３のアウターチャック３１２は、インナーチャック３１１に対する相対位置を移動できる構成となっており、アウターチャック３１２及びインナーチャック３１１間の幅Ｄを調節できるとされていたが、これに限らず、アウターチャック３１２のインナーチャック３１１に対する相対位置は固定されていてもよい。このようにすることで、油圧シリンダ等のアウターチャック３１２を駆動するための手段が不要となり、エッチング装置３の部材点数を削減することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明は、エピタキシャル基板の製造方法に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施形態にかかるエピタキシャル基板の製造工程を示すフローチャートである。
【図２】前記エピタキシャル基板を構成する半導体単結晶基板を示す断面図である。
【図３】前記エピタキシャル基板を示す断面図である。
【図４】前記エピタキシャル基板の面取り工程を示す模式図である。
【図５】前記エピタキシャル基板のエッチング工程を示す模式図である。
【図６】図５の要部を示す図である。
【図７】前記エピタキシャル基板の研磨工程を示す模式図である。
【符号の説明】
【００３４】
１      エピタキシャル基板
２      面取り装置
３      エッチング装置
４      研磨装置
１１    半導体単結晶基板
１２    エピタキシャル層
２１    ダイアモンド砥石
３１    保持手段
３２    回転手段
３３    滴下手段
３４    ガス
３５    エッチング液
４０    支持台
４１    研磨パッド
１１１  周縁部
１２１  周縁部
１２２  エッジクラウン
１２３  ナイフエッジ
３１１  インナーチャック
３１２  アウターチャック
３１３  油圧シリンダ
３１３Ａ  シリンダ
３１３Ｂ  ピストン
３２１  回転軸
３２１Ａ  孔
３２１Ｂ  回転中心軸
３３１    ノズル
【図１】
2006120991.tif 000003
【図２】
2006120991.tif 000004
【図３】
2006120991.tif 000005
【図４】
2006120991.tif 000006
【図５】
2006120991.tif 000007
【図６】
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【図７】
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