(57)【要約】【課題】  本発明は、スタンパの凹凸形状を維持し、スタンパの凸部幅を減少することのできるスタンパの製造方法、及び、それを用いた磁気記録媒体の製造方法、並びに、インプリント時の離型性に優れたスタンパを提供することを目的とする。【解決手段】  本実施の形態のスタンパの製造方法は、表面に凹凸形状を有する原盤を作製する工程と、原盤の凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる犠牲層で被膜する工程と、その後、電気鋳造を用いて、原盤から凹凸形状を転写したスタンパを作製する工程と、スタンパ及び犠牲層を原盤から剥離する工程と、フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、スタンパを被膜する犠牲層を除去する工程と、を備えることを特徴とする。【選択図】  図１
2006082432.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸形状を有する原盤を作製する工程と、
前記原盤の凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる犠牲層で被膜する工程と、
その後、電気鋳造を用いて、前記原盤から前記凹凸形状を転写したスタンパを作製する工程と、
前記スタンパ及び前記犠牲層を前記原盤から剥離する工程と、
フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、前記スタンパを被膜する前記犠牲層を除去する工程と、を備えることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項２】
表面に凹凸形状を有する原盤を作製する工程と、
前記原盤の凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる第１の犠牲層で被膜する工程と、
その後、電気鋳造を用いて、前記原盤から前記凹凸形状を転写した親スタンパを作製する工程と、
前記親スタンパ及び前記第１の犠牲層を前記原盤から剥離する工程と、
フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、前記親スタンパを被膜する前記第１の犠牲層を除去する工程と、
前記親スタンパの凹凸形成面を酸化させる工程と、
前記親スタンパの凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる第２の犠牲層で被膜する工程と、
その後、電気鋳造を用いて、前記親スタンパから前記凹凸形状を転写した子スタンパを作製する工程と、
前記子スタンパ及び前記第２の犠牲層を前記親スタンパから剥離する工程と、
フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、前記子スタンパを被膜する前記第２の犠牲層を除去する工程と、
前記子スタンパの凹凸形成面を酸化させる工程と、
前記子スタンパの凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる第３の犠牲層で被膜する工程と、
その後、電気鋳造を用いて、前記子スタンパから前記凹凸形状を転写した孫スタンパを作製する工程と、
前記孫スタンパ及び前記第３の犠牲層を前記子スタンパから剥離する工程と、
フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、前記孫スタンパを被膜する前記第３の犠牲層を除去する工程と、を備えることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項３】
表面に凹凸形状を有する原盤を作製する工程と、
前記原盤の凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる第１の犠牲層で被膜する工程と、
その後、電気鋳造を用いて、前記原盤から前記凹凸形状を転写した親スタンパを作製する工程と、
前記親スタンパ及び前記第１の犠牲層を前記原盤から剥離する工程と、
フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、前記親スタンパを被膜する前記第１の犠牲層を除去する工程と、
前記親スタンパの凹凸形成面を酸化させる工程と、
その後、電気鋳造を用いて、前記親スタンパから前記凹凸形状を転写した子スタンパを作製する工程と、
前記子スタンパを前記親スタンパから剥離する工程と、
前記子スタンパの凹凸形成面を酸化させる工程と、
前記子スタンパの凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる第３の犠牲層で被膜する工程と、
その後、電気鋳造を用いて、前記子スタンパから前記凹凸形状を転写した孫スタンパを作製する工程と、
前記孫スタンパ及び前記第３の犠牲層を前記子スタンパから剥離する工程と、
フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、前記孫スタンパを被膜する前記第３の犠牲層を除去する工程と、を備えることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項４】
前記フッ素系ガスは、ＳＦ６ガスからなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のスタンパの製造方法。
【請求項５】
表面に凹凸形状を有する原盤を作製する工程と、
前記原盤の凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる犠牲層で被膜する工程と、
その後、電気鋳造を用いて、前記原盤から前記凹凸形状を転写したスタンパを作製する工程と、
前記スタンパ及び前記犠牲層を前記原盤から剥離する工程と、
フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、前記スタンパを被膜する前記犠牲層を除去する工程と、
媒体基板上に磁性層、レジスト層を順次積層させる工程と、
前記レジスト層に対し前記スタンパの凹凸形状を転写する工程と、
リアクティブイオンエッチングを用いて、前記レジスト層凹部底のレジスト残渣を除去する工程と、
イオンミリングを用いて、前記凹部底方向に磁性層を切削する工程と、
その後、前記レジスト層を除去する工程と、を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記フッ素系ガスは、ＳＦ６からなることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ及びＡｕの何れか、或いはこれらの中にＢもしくはＰを含む金属からなり、凹凸形成面領域にフッ素を含有することを特徴とするスタンパ。
【請求項８】
前記フッ素は、10ppm以上2000ppm以下前記凹凸形成面領域に含有されることを特徴とする請求項７に記載のスタンパ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は情報記録装置の製造に使用するインプリント技術に係わるスタンパ並びにスタンパおよび磁気記録媒体の製造方法に関し、特に磁気記録媒体を製造するスタンパ並びにスタンパの製造方法及び磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報記録装置の記録容量の増大は、磁気記録媒体の記録密度の向上により行われてきた。その一貫として、磁性部と非磁性部とからなるパターンが形成されたディスクリート型磁気記録媒体が提案された。このパターンの作製工程においては、約100nm以下の凹凸形状を形成する微細加工技術が求められている。これらの微細加工技術として、電子線リソグラフィー（以後、ＥＢ）、集束イオンビームリソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィー（以後、ＮＩＬ）等が挙げられる。
【０００３】
ここで、ＮＩＬ技術を用いたディスクリート型磁気記録媒体の製造方法の一例を説明する（特許文献１参照。）。
【０００４】
まず、ＥＢを用いて、レジストが塗布されたＳｉウェハに所望のパターンを描画する。次に、現像処理を施し、表面に凹凸形状を有する原盤を作製する。スパッタリングを用いて、原盤の凹凸形成面にメッキシード層を形成した後、電気鋳造を用いて、電鋳層を作製する。次に、電鋳層及びメッキシード層と原盤とを剥離した後、洗浄、裏面研磨、打ち抜き等の工程を行い、スタンパを作製する。
【０００５】
その後、ガラス基板上に、磁性層、レジスト層を順次積層させたレジスト層に対し、スタンパの凹凸形状を転写する。リアクティブイオンエッチング（以後、ＲＩＥ）を用いて、レジスト凹部底のレジスト残渣を除去し、磁性層を露出させる。次に、イオンミリングを用いて、磁性層露出部が凹部となるように基板表面に対し垂直方向に切削する。最後に、磁性層凸部上に残ったレジスト層を除去し、ディスクリート型磁気記録媒体を得ることができる。
【０００６】
一方、スタンパの凹凸形成面へのレジスト残渣の付着を抑えることを目的とし、犠牲層を形成するスタンパの製造方法が提案された（特許文献２参照。）。この製造方法では、レジスト層具有原盤の凹凸形成面に、犠牲層とメッキシード層とを順次積層させ、電気鋳造し、スタンパ、メッキシード層及び犠牲層と原盤とを剥離した後に、ウェットエッチングを用いてスタンパに形成された犠牲層を除去する。しかし、ウェットエッチングでは選択比良くエッチングができず、スタンパの凹凸形状が劣化してしまう問題があった。この形状劣化は、スタンパの凹凸形状が微細であるほど顕著であった。また、磁気記録媒体の製造に用いるスタンパは、許容される不純物量が低いため、不純物の付着しやすいウェットエッチングは不適であった。
【特許文献１】特開平５−１９５２７８号公報
【特許文献２】特開２０００−３４５３８３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
発明者は鋭意研究した結果、以下のことを発見した。
【０００８】
凹凸形状転写後の磁気記録媒体の製造工程、すなわち、ＲＩＥを用いたレジスト残渣除去工程、イオンミリングを用いた磁性層加工工程を経るにつれ、パターンの凹部幅が広がる。これは、凹凸の深さ方向を切削するのに伴い、ある程度、凹凸の側面も切削されてしまうためである。
【０００９】
ここで、上記に例示した製造方法では、磁気記録媒体の凹部は非磁性部となる箇所であり、この箇所は原盤においてはＥＢが照射され現像後凹部となる箇所にあたるため、非磁性部幅はＥＢ照射径に依存する。しかし、現状、ＥＢ照射径には限界がある。このため、非磁性部幅の縮小が困難になり、記録密度の上昇が難しくなる。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みて、スタンパの凹凸形状を維持し、スタンパの凸部幅を減少することのできるスタンパの製造方法、及び、それを用いた磁気記録媒体の製造方法、並びに、インプリント時の離型性に優れたスタンパを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１の発明のスタンパの製造方法は、表面に凹凸形状を有する原盤を作製する工程と、原盤の凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる犠牲層で被膜する工程と、その後、電気鋳造を用いて、原盤から凹凸形状を転写したスタンパを作製する工程と、スタンパ及び犠牲層を原盤から剥離する工程と、フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、スタンパを被膜する犠牲層を除去する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
第２の発明のスタンパの製造方法は、表面に凹凸形状を有する原盤を作製する工程と、原盤の凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる第１の犠牲層で被膜する工程と、その後、電気鋳造を用いて、原盤から凹凸形状を転写した親スタンパを作製する工程と、親スタンパ及び第１の犠牲層を原盤から剥離する工程と、フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、親スタンパを被膜する第１の犠牲層を除去する工程と、親スタンパの凹凸形成面を酸化させる工程と、親スタンパの凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる第２の犠牲層で被膜する工程と、その後、電気鋳造を用いて、親スタンパから凹凸形状を転写した子スタンパを作製する工程と、子スタンパ及び第２の犠牲層を親スタンパから剥離する工程と、フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、子スタンパを被膜する第２の犠牲層を除去する工程と、子スタンパの凹凸形成面を酸化させる工程と、子スタンパの凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる第３の犠牲層で被膜する工程と、その後、電気鋳造を用いて、子スタンパから凹凸形状を転写した孫スタンパを作製する工程と、孫スタンパ及び第３の犠牲層を子スタンパから剥離する工程と、フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、孫スタンパを被膜する第３の犠牲層を除去する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
第３の発明のスタンパの製造方法は、表面に凹凸形状を有する原盤を作製する工程と、原盤の凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる第１の犠牲層で被膜する工程と、その後、電気鋳造を用いて、原盤から凹凸形状を転写した親スタンパを作製する工程と、親スタンパ及び第１の犠牲層を原盤から剥離する工程と、フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、親スタンパを被膜する第１の犠牲層を除去する工程と、親スタンパの凹凸形成面を酸化させる工程と、その後、電気鋳造を用いて、親スタンパから凹凸形状を転写した子スタンパを作製する工程と、子スタンパを親スタンパから剥離する工程と、子スタンパの凹凸形成面を酸化させる工程と、子スタンパの凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる第３の犠牲層で被膜する工程と、その後、電気鋳造を用いて、子スタンパから凹凸形状を転写した孫スタンパを作製する工程と、孫スタンパ及び第３の犠牲層を子スタンパから剥離する工程と、フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、孫スタンパを被膜する第３の犠牲層を除去する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
第４の発明の磁気記録媒体の製造方法は、表面に凹凸形状を有する原盤を作製する工程と、原盤の凹凸形成面をＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏのいずれかからなる犠牲層で被膜する工程と、その後、電気鋳造を用いて、原盤から凹凸形状を転写したスタンパを作製する工程と、スタンパ及び犠牲層を原盤から剥離する工程と、フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、スタンパを被膜する犠牲層を除去する工程と、媒体基板上に磁性層、レジスト層を順次積層させる工程と、レジスト層に対しスタンパの凹凸形状を転写する工程と、リアクティブイオンエッチングを用いて、レジスト層凹部底のレジスト残渣を除去する工程と、イオンミリングを用いて、凹部底方向に磁性層を切削する工程と、その後、レジスト層を除去する工程と、を特徴とする。
【００１５】
第５の発明のスタンパは、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ及びＡｕの何れか、或いはこれらの中にＢもしくはＰを含む金属からなり、凹凸形成面領域にフッ素を含有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、スタンパの凹凸形状を維持し、スタンパの凸部幅を減少することのできるスタンパの製造方法、及び、それを用いた磁気記録媒体の製造方法、並びに、インプリント時の離型性に優れたスタンパを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態を通して共通の構成には同一の符号を付すものとし、重複する説明は省略する。また、各図は発明の説明とその理解を促すための模式図であり、その形状や寸法、比などは実際の装置と異なる個所があるが、これらは以下の説明と公知の技術を参酌して適宜、設計変更することができる。
【００１８】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態に係わるスタンパの製造方法について図１及び図２を参照して説明する。
【００１９】
図１は、第１の実施の形態に係わるスタンパの製造方法を説明するための断面模式図である。
【００２０】
まず、図１（ａ）に示すように、スピンコート法等を用いて、原盤基板１１上にレジスト層１２を形成し、ＥＢ等のリソグラフィ技術を用いて、所望のパターンを描画する。なお、便宜上、ポジ型レジストを用いることとする。
【００２１】
次に、図１（ｂ）に示すように、現像処理を施し、ＥＢ照射箇所が凹部となる凹凸形状を形成し、原盤１０を作製する。図中、矢印ａは、原盤凹部幅である。
【００２２】
次に、図１（ｃ）に示すように、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の蒸着法等を用いて、原盤１０の凹凸形成面を犠牲層３０で被覆する。
【００２３】
次に、図１（ｄ）に示すように、電気鋳造法等を用いて、原盤１０の凹凸形状を転写して、スタンパ５０を作製する。
【００２４】
次に、図１（ｅ）に示すように、端から真空破壊を行い、原盤１０と、スタンパ５０及び犠牲層３０と、を剥離する。
【００２５】
最後に、図１（ｆ）に示すように、フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、犠牲層３０を除去し、スタンパ５０の凹凸形成面を露出させる。図中、矢印ｂは、スタンパ凸部幅であり、矢印ａに比して、犠牲層３０がスタンパ凹部の側面に介在する幅の分だけ減少する。
【００２６】
第１の実施の形態によれば、メッキシード層としての役割も有する犠牲層形成工程及びフッ素系ガスを用いた犠牲層除去工程を経ることにより、スタンパの凹凸形状を維持し、かつ、スタンパの凸部幅を減少させることができる。
【００２７】
図１に示した構成について詳細に説明する。
【００２８】
原盤１０は、レジスト層１２と原盤基板１１とを具備するもの、表面に凹凸形状を有する原盤基板１１のみからなるもの等が挙げられる。原盤基板１１としては、Ｓｉウェハ等の半導体基板を用いる。レジスト層１２としては、ノボラック型レジスト等を用いる。
【００２９】
犠牲層３０は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏの何れかの材料を用いる。これらの材料は、メッキシード層として優れ、かつ、フッ素系ガスを用いたエッチングの際に、ラジカル状態のフッ素と反応し、昇華性のフッ化物を形成するため、スタンパ５０材との選択比に優れる。
【００３０】
特に、犠牲層３０として、Ｔａ及びＴｉは、次に述べる理由から、さらに好適である。Ｔａ及びＴｉは、エッチングの際に、Ｎｉとの選択比が特に優れる。また、Ｔａ及びＴｉは、大気中における環境安定性が高い。さらに、Ｔａは、エッチング後において、スタンパ５０上に残渣が残り難いため、特に優れる。
【００３１】
スタンパ５０材は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ及びＡｕの何れか、或いはこれらの中にＢもしくはＰを含む金属等を用いる。特に、スタンパ５０材として、Ｎｉは、特に優れる。これらのスタンパ５０材は、エッチングの際に微量のフッ素原子を含有する。このため、凹凸形成面の硬化及び疎水性の向上に寄与する。
【００３２】
フッ素系ガスによるエッチングは、不純物が生成・付着しがたく、犠牲層３０とスタンパ５０とを選択比良く切削可能である。この選択比はおよそ100倍以上であり、エッチングの際に、犠牲層３０の材料であるＴａ、Ｔｉ、Ｗ及びＭｏが、ラジカルフッ素と反応してフッ化物を生成し昇華するためである。さらにフッ素系ガスは、環境面からも扱いやすい。フッ素系ガスとしては、ＳＦ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３等を用いる。
【００３３】
特に、フッ素系ガスとして、ＳＦ６は、エッチングの際に、不純物を生成しがたいため、好ましい。通常、ＣＦ４、ＣＨＦ３等のガスは、エッチングの際に、スタンパ５０材を触媒としたラジカル重合反応を生じ、数ミクロン程度の四フッ化エチレン樹脂系の不純物を生成しやすい。一方、ＳＦ６ガスはそのような不純物を生成しない。なお、ＣＦ４、ＣＨＦ３等のガスは、ガス条件を低圧・低温にし、適宜、調節することにより、ラジカル重合反応を抑制し、不純物生成を抑制できる。
【００３４】
なお、トラック部を想定とした場合、原盤凹部幅である矢印ａは50nm以上200nm以下が好ましい。50nm以上であると、犠牲層を整膜性良く作製でき、100nm以下であると、ディスクリート型磁気記録媒体が対象としている非磁性部幅となる。スタンパ凸部幅である矢印ｂは20nm以上100nm以下が好ましい。この範囲は、現状、この程度の微細凹凸形状に犠牲層を整膜性良く作製できるのは約15nm以上であり、それを鑑みた範囲である。さらに、これらの凹部幅範囲を鑑みると、犠牲層３０の原盤凹部側面膜厚は5nm以上50nm以下が好ましい。
【００３５】
また、第１の実施の形態の製造方法で作製されたスタンパは、凹凸形成面領域に微量のフッ素原子を含有する。凹凸形成面領域にフッ素原子を含有する事により、臨界表面張力が上がりインプリント時の離型性に優れる。なお、凹凸形成面領域とは、凹凸形成面からスタンパ５０の内部にいたる領域である。この領域は、凹凸形成面から深さ約10nmを有し、図１（ｆ）では、スタンパ５０において点線より上の領域を指す。
【００３６】
このフッ素原子は、10ppm以上2000ppm以下凹凸形成面領域に含有されることが好ましい。10ppm未満だと臨界表面張力を上げる効果が無く、スタンパの長寿命化が期待できない。2000ppmより大だと、凹部の角にフッ素原子が溜まり、凹凸形状の劣化が起こる。結果、ジッターやアドレスエラーレートが大きくなってしまう。
【００３７】
なお、表面分析法としては、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）を想定としている。また、このフッ素原子は、フッ素系ガスに由来し、四フッ化エチレン樹脂系の不純物とは異なる。
【００３８】
なお、表面に凹凸形状を有する原盤基板１１からなる原盤１０を用いると、第１の実施の形態の製造方法はさらに効果を発揮する。
【００３９】
一般に、電気鋳造後の原盤からスタンパを剥離する工程においては、真空吸着している両者を垂直に剥離することは困難であり、端から真空破壊を行いつつ斜めに剥離する。このとき、表面に凹凸形状を有する原盤基板１１からなる原盤１０は、凹凸形状にある程度の硬度を備えるため、スタンパの形状が劣化することがあった。
【００４０】
けれども、第１の実施の形態によれば、原盤とスタンパとの間に犠牲層が介在するため、電気鋳造後の剥離時におけるスタンパの形状劣化を抑制することができる。
【００４１】
なお、このような原盤は、例えば、図１（ｂ）の工程にて、レジストをマスクとしてイオンミリングを行い原盤基板１１自体に凹凸形状を形成する工程を加えて作製する。
【００４２】
以下、第１の実施の形態に係わるスタンパの製造方法の一例を挙げ、より具体的に説明する。
【００４３】
原盤基板として８インチ径のＳｉウェハを用意し、適宜、レジストとの密着性向上のために、Ｓｉウェハ表面をヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）で処理する。一方、日本ゼオン社製のレジストＺＥＰ−５２０をアニソールで２倍に希釈し、０．２μｍ孔径のメンブランフィルタでろ過し、レジスト溶液を得る。スピンコート法を用いて、Ｓｉウエハ上にレジスト溶液を塗布した後、２００℃で３分間プリベークし、厚さ約０．１μｍのレジスト層を形成する。
【００４４】
次に、熱電界放射型のＺｒＯ／Ｗからなる電子銃エミッターを有する電子ビーム描画装置のステージにＳｉウェハを載置し、Ｓｉウェハ上のレジスト層に所望のパターンを描画する。描画は、加速電圧５０ｋＶの条件とし、ステージは線速度７００ｍｍ／ｓのＣＬＶ（Constant Linear Velocity）で回転させ、適宜、径方向にも移動させる。また、同心円をなすトラック領域を描画する場合は、１回転毎に電子ビームに適宜偏向をかける。
【００４５】
なお、描画の際には、プリアンブルパターン、バーストパターン、アドレスパターン等のサーボパターンやトラックパターンを形成するための信号を、描画装置のステージ駆動系へ送る信号、電子ビームの偏向制御信号等の描画装置を制御するための信号と、同期させて信号源から描画装置に送る。
【００４６】
次に、スピンコータを用いて、Ｓｉウェハ基板を５００ｒｐｍで回転させ、現像剤ＺＥＤ−Ｎ５０（日本ゼオン社製）を６０秒間滴下させレジスト層を現像する。その後、有機溶媒ＺＭＤ−Ｂ（日本ゼオン社製）を９０秒間滴下させリンスを行い、３０００ｒｐｍの高速回転にてスピン乾燥させ、原盤を得る。
【００４７】
次に、原盤をチャンバー内に格納し、チャンバー内を８×１０-3Ｐａの真空状態とした後、Ａｒガス雰囲気下、１Ｐａに調整する。ターゲットとしてＴａを用い、４００ＷのＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）パワーを印加して４０秒間スパッタリングを行い、原盤の凹凸形成面に厚さ約３０ｎｍのＴａからなる犠牲層を形成する。
【００４８】
図２（ａ）は、第１の実施の形態の犠牲層形成工程を説明するための側面模式図である。
【００４９】
図２（ａ）に示すように、ターゲットに対し、原盤１０はオフセットの位置を保つことが好ましい。
【００５０】
この理由に関し、原盤凹部に形成される犠牲層について詳細に説明する。
【００５１】
図２（ｂ）は、理想的に犠牲層が形成された際の原盤の断面模式図である。図２（ｃ）は、現実的に犠牲層が形成された際の原盤の断面模式図である。
【００５２】
理想的には、図２（ｂ）に示すように、犠牲層膜厚は、原盤凹部の底部と側部とで同じ厚さである。しかし、現実的には、図２（ｃ）に示すように、犠牲層膜厚について、側部は底部に比して薄い。これは、ターゲット原子について、原盤平面に対し垂直方向の速度成分が、平行方向の速度成分に比して大であるためと考えられる。
【００５３】
そこで、図２（ａ）に示す位置関係とし、ターゲット原子の平行方向の速度成分を、垂直方向の速度成分に比してより大とする。これにより、原盤凹部に形成される犠牲層について、底部膜厚に対する側部膜厚の比をより大とすることができる。
【００５４】
次に、スルファミン酸ニッケルメッキ液（昭和化学（株）製、ＮＳ−１６０）に浸漬し、９０分間電気鋳造を行い、厚さ約３００μｍのＮｉ製スタンパを形成した。電鋳浴条件の一例は、スルファミン酸ニッケル：６００ｇ／Ｌ、ホウ酸：４０ｇ／Ｌ、界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム）：０．１５ｇ／Ｌ、液の温度：５５℃、ｐＨ：４．０、電流密度：２０Ａ／ｄｍ2である。
【００５５】
次に、端部から真空破壊を行い、原盤からスタンパ及び犠牲層を剥離する。その後、酸素プラズマアッシングを用いて、スタンパの凹凸形成面上の犠牲層に付着したレジスト残渣を除去する。チャンバー内は、酸素ガスを１００ｓｃｃｍで導入し、圧力を４Ｐａに調整する。酸素プラズマアッシングは、１００Ｗのパワーにて２０分間行なう。
【００５６】
次に、ＣＦ４ガスによるＲＩＥ（Reactive Ion Etching）を用いて、犠牲層を除去する。チャンバー内を５×１０-3Ｐａの真空状態とした後、ＣＦ４ガスを１０ｓｃｃｍで導入し、０．３Ｐａの真空に調整した。その後、チャンバー内にてＲＦ電力５００Ｗで５分間エッチングを行う事により、Ｔａからなる犠牲層を除去した。
【００５７】
その後、適宜、スタンパの不要部を金属刃で打ち抜く。
【００５８】
（変形例１．１）
変形例１．１に係わるスタンパの製造方法について図３を参照して説明する。
【００５９】
図３は、変形例１．１に係わるスタンパの製造方法を説明するための断面模式図である。
【００６０】
変形例１．１は、原盤、親スタンパ、子スタンパ、孫スタンパを順次転写し作製するスタンパの製造方法に係わる。なお、凹凸形状について、原盤と子スタンパとは類似し、親スタンパと孫スタンパとは類似し、原盤及び子スタンパと親スタンパ及び孫スタンパとは対応する。
【００６１】
まず、図３（ａ）に示すように、上述した方法を用いて、原盤から親スタンパ５１を作製する。
【００６２】
次に、図３（ｂ）に示すように、酸素プラズマアッシング、ウエット処理で行なう陽極酸化法等を用いて親スタンパ５１の凹凸形成面を酸化させ、金属酸化膜９０を形成する。この金属酸化膜９０は後の工程において電気鋳造後の剥離を容易にする役割を担う。この金属酸化膜９０は０．３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚が好ましい。１０ｎｍより大であると、表面が荒れやすく、０．３ｎｍ未満であると、電気鋳造後の剥離が出来なくなる可能性が生じる。
【００６３】
例えば、酸素プラズマアッシングによるパッシベーションを用いて、親スタンパ５１の凹凸形成面を酸化させる場合、チャンバー内は、酸素ガスを１００ｍｌ／ｍｉｎで導入した後、圧力を４Ｐａに調整し、２００Ｗのパワーにて３分間、酸素プラズマアッシングを行なう。
【００６４】
次に、図３（ｃ）に示すように、スパッタリング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の蒸着法等を用いて、金属酸化膜９０上を第２の犠牲層３２で被覆する。
【００６５】
次に、図３（ｄ）に示すように、電気鋳造法を用いて、親スタンパ５１の凹凸形状を転写して、子スタンパ５２を作製する。なお、両者の区別を容易にするため、親スタンパ５１と子スタンパ５２の厚さは異なる方がよい。
【００６６】
次に、図３（ｅ）に示すように、端から真空破壊を行い、親スタンパ５１及び金属酸化膜９０と、子スタンパ５２及び第２の犠牲層３２と、を剥離する。
【００６７】
次に、図３（ｆ）に示すように、フッ素系ガスによるエッチング法を用いて、第２の犠牲層３２を選択的に除去し、子スタンパ５２材を露出させる。
【００６８】
次に、図３（ｇ）乃至図３（ｋ）についても、図３（ａ）乃至図３（ｆ）と同様の工程を用いて、子スタンパ５２から孫スタンパ５３を作製する。
【００６９】
変形例１．１によれば、第２及び第３の犠牲層が介在するため、親スタンパから子スタンパ及び子スタンパから孫スタンパを作製する際の電気鋳造後の剥離工程にて、スタンパの形状劣化を抑制できる。
【００７０】
また、変形例１．１のような、孫スタンパまで作製するスタンパの製造方法は、作製に時間を要する原盤から、より多くのスタンパを作製できるため有効である。具体的には、図３（ａ）乃至図３（ｆ）と同様の工程を繰り返すことにより、親スタンパから子スタンパを１０枚以上作製できる。さらに、図３（ｇ）乃至図３（ｋ）と同様の工程を繰り返すことにより、子スタンパから孫スタンパを１０枚以上作製できる。したがって、このスタンパの製造方法を用いれば、一枚の原盤から１００枚以上のスタンパを作製することができる。
【００７１】
（変形例１．２）
変形例１．２に係わるスタンパの製造方法について、図３を参照して説明する。
【００７２】
変形例１．２は、親スタンパ５１から子スタンパ５２を作製する工程において、犠牲層の形成工程及び除去工程を外した他は、変形例１．１と同様である。
【００７３】
図３においては、図３（ｃ）及び図３（ｆ）の工程を除いた他は、変形例１．２と同様である。
【００７４】
変形例１．２によれば、孫スタンパの凸部幅をさらに減少させることができる。これは、第２の犠牲層３２により、孫スタンパ５３凸部に相当する子スタンパ５２凹部の幅が増大する現象を避けることが可能なためである。
【００７５】
なお、親スタンパ５１表面に形成する酸化膜は、不導体ではあるが、非常に薄いため、問題なく電気鋳造が可能である。
【００７６】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態に係わる磁気記録媒体の製造方法について図４を参照して説明する。
【００７７】
第２の実施の形態に係わる磁気記録媒体の製造方法は、第１の実施の形態を用いて作製したスタンパを用いることを特徴とする。
【００７８】
図４は、第２の実施の形態に係わる磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面模式図である。
【００７９】
まず、図４（ａ）に示すように、スピンコート法等を用いて、表面に磁性層７２を具備した磁気記録媒体基板７１上にレジスト層７３を形成した後、このレジスト層７３にスタンパ５０の凹凸形状を転写する。
【００８０】
すると、図４（ｂ）に示すように、レジスト層７３表面にスタンパ５０の凹凸形状が転写される。このとき、レジスト層７３凹部底にはレジスト残渣が生じる。ここで、矢印ｃはインプリント後レジスト層７３凹部幅を指し、スタンパ凸部幅と同等の長さである。なお、このレジスト層７３の凹部は、原盤作成時のＥＢ照射箇所に相当する。
【００８１】
次に、図４（ｃ）に示すように、反応性イオンエッチング（以後、ＲＩＥ）を用いて、レジスト凹部底のレジスト残渣を除去し、磁性層７２を露出させる。ここで、矢印ｄはレジスト残渣除去後レジスト凹部幅を指し、矢印ｃに比して、大となる。
【００８２】
次に、図４（ｄ）に示すように、Ａｒ等のイオンミリングを用いて、レジスト層７３の凹凸形状をマスクとし、磁性層露出部を凹部について基板垂直方向に切削する。ここで、矢印ｅは磁性体加工後レジスト凹部幅を指し、矢印ｄに比して、大となる。
【００８３】
次に、図４（ｅ）に示すように、磁性層７２凸部上のレジスト層７３を除去し、ディスクリート型の磁気記録媒体７０を得る。なお、磁性層の凹部をＳｉＯ２、カーボン、アルミナ、ＰＭＭＡ、ＰＳ等のポリマーもしくは円滑油等の非磁性材料で埋めても良い。
【００８４】
第２の実施の形態によれば、インプリント後の磁気記録媒体の製造工程において、スタンパ凸部幅に相当する磁気記録媒体の凹部幅が広がる。一方、現状、スタンパ凸部幅はＥＢ照射箇所に相当し、ＥＢ照射径には限界がある。従って、磁気記録媒体の製造方法として、スタンパの凸部幅を減少させることができる第１の実施の形態を用いて作製したスタンパを用いる効果は大きい。
【００８５】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限られず、特許請求の範囲に記載の発明の要旨の範疇において様々に変更可能である。また、本発明は、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。さらに、上記実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】第１の実施の形態に係わるスタンパの製造方法を説明するための断面模式図。
【図２】（ａ）第１の実施の形態の犠牲層形成工程を説明するための側面模式図。
【００８７】
（ｂ）理想的に犠牲層が形成された際の原盤の断面模式図。
【００８８】
（ｃ）現実的に犠牲層が形成された際の原盤の断面模式図。
【図３】変形例１．１に係わるスタンパの製造方法を説明するための断面模式図。
【図４】第２の実施の形態に係わる磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面模式図。
【符号の説明】
【００８９】
１０  原盤
１１  原盤基板
１２  レジスト層
３０  犠牲層
３２  第２の犠牲層
３３  第３の犠牲層
５０  スタンパ
５１  親スタンパ
５２  子スタンパ
５３  孫スタンパ
７０  磁気記録媒体
７１  磁気記録媒体基板
７２  磁性層
７３  レジスト層
９０  金属酸化層
ａ  原盤凹部幅
ｂ  スタンパ凸部幅
ｃ  インプリント後レジスト凹部幅
ｄ  レジスト残渣除去後レジスト凹部幅
ｅ  磁性体加工後レジスト凹部幅
【図１】
2006082432.tif 000003
【図２】
2006082432.tif 000004
【図３】
2006082432.tif 000005
【図４】
2006082432.tif 000006