(57)【要約】【課題】架橋電極を有するＳＡＷフィルタの高い気密性を維持したつつ、実装信頼性、実装の歩留まりの高い実装構造を提供する【解決手段】素子基板３０の実装面側に、一対の送信用入出力端子３２ａ、３２ｂと、一対の受信用入出力端子３３ａ、３３ｂと、これら送受信端子群を囲むように配置されたリング状端子３４と、架橋端子３５とを具備してなる弾性表面波素子と、基板３６表面に、一対の送信用入出力電極３７ａ、３７ｂと、一対の受信用入出力電極３８ａ、３８ｂと、これら送受信電極群を囲むように配置されたリング状電極３９と、架橋電極４０とが形成された外部回路基板とを具備し、外部回路基板の表面に、弾性表面波素子を実装してなる弾性表面波素子の実装構造において、外部回路基板表面における架橋電極４０の両端部をリング状電極３９から０．１ｍｍ以上離間させるか、架橋電極４０の両端部の幅をリング状電極３９の線幅よりも細くする。【選択図】図５
2006210994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板の実装面側に、一対の送信用入出力端子と、一対の受信用入出力端子と、これら送受信端子群を囲むように配置されたリング状端子と、前記送信用入出力端子と、前記受信用入出力端子とを独立した領域に分断する位置に設けられた架橋端子と、を具備してなる弾性表面波素子と、
基板表面に、一対の送信用入出力電極と、一対の受信用入出力電極と、これら送受信電極群を囲むように配置されたリング状電極と、前記送信用入出力電極と、前記受信用入出力電極とを独立した領域に分断する位置に設けられた架橋電極とが形成された外部回路基板とを具備し、
前記外部回路基板の表面に、前記弾性表面波素子を実装してなる弾性表面波素子の実装構造において、
前記外部回路基板表面における前記架橋電極の両端部が前記リング状電極から０．１ｍｍ以上離間していることを特徴とする弾性表面波素子の実装構造。
【請求項２】
素子基板の実装面側に、一対の送信用入出力端子と、一対の受信用入出力端子と、これら送受信端子群を囲むように配置されたリング状端子と、前記送信用入出力端子と、前記受信用入出力端子とを独立した領域に分断する位置に設けられた架橋端子と、を具備してなる弾性表面波素子と、
基板表面の前記端子群と対向する位置に、一対の送信用入出力電極と、一対の受信用入出力電極と、これら送受信電極群を囲むように配置されたリング状電極と、前記送信用入出力電極と、前記受信用入出力電極とを独立した領域に分断する位置に設けられた架橋電極とが形成された外部回路基板とを具備し、
前記外部回路基板の表面に、前記弾性表面波素子を実装してなる弾性表面波素子の実装構造において、
前記外部回路基板表面における前記架橋電極の両端部の幅が、前記リング状電極の線幅よりも細いことを特徴とする弾性表面波素子の実装構造。
【請求項３】
前記弾性表面波素子の前記端子群が、半田バンプまたはＡｕバンプによって前記モジュール基板の電極群にフリップチップ実装してなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の弾性表面波素子の実装構造。
【請求項４】
前記モジュール基板のリング状電極の幅が０．１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか記載の弾性表面波素子の実装構造。
【請求項５】
前記弾性表面波素子の前記リング状端子の幅が接続される前記モジュール基板側のリング状電極の幅よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか記載の弾性表面波素子の実装構造。
【請求項６】
少なくとも高周波部を構成する電力増幅用半導体素子と整合回路で構成された電力増幅器と、該電力増幅器の出力を検出するための方向性結合器と、送受信の信号を分けるデュプレクサとを具備し、前記デュプレクサを、弾性表面波素子（ＳＡＷ）によって構成し、モジュール基板表面に実装してなる高周波モジュールにおいて、
前記外部回路基板への前記弾性表面波素子の実装が、請求項１乃至請求項５記載のいずれか記載の実装構造からなることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項７】
請求項６記載の高周波モジュールを具備する通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話などの移動体通信機器に用いられる高周波電力増幅装置、高周波フィルタ装置および高周波分波器装置を一体構成した小型・高性能かつ低価格な高周波モジュールおよびそれを用いた通信機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機の普及が進みつつあり、携帯電話機の機能、サービスの向上が図られている。このような携帯電話機では各送受信系の構成に必要な高周波信号処理回路を基板に搭載している。
【０００３】
従来の、高周波信号処理回路の一般的構成では、アンテナから入力された受信信号とアンテナに給電する送信信号とを切り替えるための送信用及び受信用デュプレクサが設けられている。
【０００４】
アンテナから入ってきた無線信号は、受信用デュプレクサの前段に設けられた整合回路を通って受信用デュプレクサに入力され、ここで受信信号が選択的に通過される。受信信号は、低雑音増幅器で増幅され、信号処理回路に供給される。
【０００５】
一方、送信信号は、所定の送信通過帯域内の送信信号を通過させる高周波フィルタを通ってノイズを落とされ、高周波電力増幅回路に伝えられる。高周波電力増幅回路は、この送信信号を電力増幅し、前記送信用デュプレクサに供給する。
【０００６】
従来、前記送信用及び受信用デュプレクサ、整合回路、高周波電力増幅回路、高周波フィルタなどがそれぞれ個別部品として製造され、基板の上面にディスクリートに搭載されている。また、最近では、前記送信用及び受信用デュプレクサとして、所定の基板の表面に半田を用いて直接、フリップチップ実装するベアＳＡＷチップを用いたものが提案されている。
【０００７】
図８は、高周波モジュールの一例を示す概略断面図である。図８に示す高周波モジュールは、誘電体基板５１の表面に、電力増幅用半導体素子５２が実装されており、ワイヤーボンディングで誘電体基板５１表面の電極と接続されている。また、送信用及び受信用のデュプレクサとして、ＳＡＷチップ５３が誘電体基板５１の表面に直接、フリップチップ実装される。また、誘電体基板５１の表面には、フィルタ５４が実装されたり、誘電体基板５１の内部には、配線パターンによって、カプラ５５や分波回路５６、整合回路５７などが形成される。また、誘電体基板５１の裏面には、入出力および電源ラインの端子５８と、その他グランド端子５９が形成されている。（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００８】
また、高周波モジュールの小型化を図るために、デュプレクサとして、送信用と受信用の２つのフィルタを１つのベアＳＡＷチップで構成することがより小型化できる。
【０００９】
図９にその送信用と受信用の２つのフィルタを備えたベアＳＡＷチップの実装構造の（a）分解斜視図と、（b)（a)におけるｚ−ｚ断面図を示す。図８によれば、ＳＡＷフィルタは、圧電基板６０の実装面側において、受信用フィルタと送信用フィルタが併設されている。すなわち、受信用として、ＩＤＴ電極６１ａと入出力端子６２ａ、６２ｂが形成され、同様に、送信用として、ＩＤＴ電極６１ｂと入出力端子６３ａ、６３ｂが形成されている。これらの電極や端子は、リング状の接地用端子６４によって囲まれている。また、受信用フィルタ形成領域と、送信用フィルタ領域とは、架橋端子６５によって分離されている。
【００１０】
一方、誘電体基板６６の表面には、上記ＳＡＷフィルタの端子に対向する位置に、受信用の入出力電極６７ａ、６７ｂや、送信用の入出力電極６８ａ、６８ｂが形成され、その周囲には、リング状電極６９が形成されている。そして、ＳＡＷフィルタと同様に、受信用フィルタ形成領域と、送信用フィルタ領域とは、架橋電極７０によって分離されている。なお、通常、リング状電極６９、架橋電極７０は、いずれも同一の線幅で形成される。
【００１１】
そして、ＳＡＷフィルタを誘電体基板６６表面に実装する場合には、誘電体基板６６の表面の入出力電極６７ａ、６７ｂ、６８ａ、６８ｂ、リング状の接地用電極６９、架橋電極７０の表面に半田などの導電性接着剤を塗布し、この上に、ＳＡＷフィルタを載置し、リフローさせることによって、ＳＡＷフィルタは、誘電体基板６６の表面にフリップチップ実装される。これによって、入出力電極６７ａ、６７ｂ、６８ａ、６８ｂは、リング状の接地用電極６９およびリング状接地用端子との間に存在する導電性接着剤によって気密封止されることになる。
【特許文献１】特開２００２−４３９７７号
【特許文献２】特許第３１０８１０７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
かかるＳＡＷフィルタの実装構造において、誘電体基板６６の表面の電極に導電性接着剤を均一に塗布した場合、導電性接着剤が塗布された部分の線幅が同一であれば接着剤の高さも同一となるが、リング状電極６９に架橋電極７０が部分的に接続されると、図９（ｂ）に示すように、その部分の接続部分の電極幅が見かけ上、広くなることによって、架橋電極７０と、リング状接地用電極６９との交点部分のＴ字部の半田の高さが高くなるという現象が生じる。
【００１３】
このように半田の高さが部分的に高くなると、ＳＡＷフィルタを誘電体基板の表面に実装した場合に、実装不良が発生し、その結果、半田による気密性が損なわれるという問題があった。
【００１４】
従って、本発明は、このような架橋電極を有するＳＡＷフィルタの実装パターンにおいてもＳＡＷフィルタの高い気密性を維持したままでの実装信頼性が得られ、実装の歩留まりの高い弾性表面波素子の実装構造、高周波モジュール並びに通信機器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の弾性表面波素子の実装構造は、素子基板の実装面側に、一対の送信用入出力端子と、一対の受信用入出力端子と、これら送受信端子群を囲むように配置されたリング状端子と、前記送信用入出力端子と、前記受信用入出力端子とを独立した領域に分断する位置に設けられた架橋端子と、を具備してなる弾性表面波素子と、基板表面に、一対の送信用入出力電極と、一対の受信用入出力電極と、これら送受信電極群を囲むように配置されたリング状電極と、前記送信用入出力電極と、前記受信用入出力電極とを独立した領域に分断する位置に設けられた架橋電極とが形成された外部回路基板とを具備し、前記外部回路基板の表面に、前記弾性表面波素子を実装してなる弾性表面波素子の実装構造において、前記外部回路基板表面における前記架橋電極の両端部を前記リング状電極から０．１〜０．５ｍｍ離間して形成したことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の他の弾性表面波素子の実装構造は、素子基板の実装面側に、一対の送信用入出力端子と、一対の受信用入出力端子と、これら送受信端子群を囲むように配置されたリング状端子と、前記送信用入出力端子と、前記受信用入出力端子とを独立した領域に分断する位置に設けられた架橋端子と、を具備してなる弾性表面波素子と、基板表面の前記端子群と対向する位置に、一対の送信用入出力電極と、一対の受信用入出力電極と、これら送受信電極群を囲むように配置されたリング状電極と、前記送信用入出力電極と、前記受信用入出力電極とを独立した領域に分断する位置に設けられた架橋電極とが形成された外部回路基板とを具備し、前記外部回路基板の表面に、前記弾性表面波素子を実装してなる弾性表面波素子の実装構造において、前記外部回路基板表面における前記架橋電極の両端部の幅を、前記リング状電極の線幅よりも細くしたことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明によれば、前記弾性表面波素子の前記端子群が、半田バンプまたはＡｕバンプによって前記モジュール基板の電極群にフリップチップ実装してなることを特徴とするものである。
【００１８】
また、前記モジュール基板のリング状電極の幅は０．１ｍｍ以上であることが望ましい。
【００１９】
さらに、前記弾性表面波素子の前記リング状端子の幅が接続される前記モジュール基板側のリング状電極の幅よりも小さいことが望ましい。
【００２０】
また、本発明の高周波モジュールは、少なくとも高周波部を構成する電力増幅用半導体素子と整合回路で構成された電力増幅器と、該電力増幅器の出力を検出するための方向性結合器と、送受信の信号を分けるデュプレクサとを具備し、前記デュプレクサを、弾性表面波素子によって構成し、モジュール基板表面に実装してなるものであって、前記モジュール基板表面への前記弾性表面波素子の実装が、上記の実装構造からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、前記外部回路基板表面における前記架橋電極の両端部を前記リング状電極から０．１〜０．５ｍｍ離間して形成するか、または前記外部回路基板表面における前記架橋電極の両端部の幅を、該架橋電極中央部の線幅よりも細くすることによって、外部回路基板側でのリング状電極と架橋電極とのＴ字部において、半田の厚みが部分的に厚くなることを抑制することができる。その結果、ＳＡＷフィルタを外部回路基板にフリップチップ実装するにあたり、気密封止不良などに起因する信頼性の低下や、実装不良の発生による歩留まりの低下を抑制することができ、量産性に弾性表面波素子の実装構造を提供することができる。具体的には、通信機器における通信信号を扱う高周波モジュールの信頼性を高めることができるとともに、携帯通信端末などの通信機器の信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
図１は、携帯電話装置等の移動体通信機器に用いられる、ＣＤＭＡデュアルバンド方式の高周波信号処理回路のブロック構成図を示す。
【００２４】
このＣＤＭＡデュアルバンド方式では、セルラー方式８００ＭＨｚ帯及びＰＣＳ方式１．９ＧＨｚ帯の周波数バンドを持った２つの送受信系と、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）による測位機能を利用するためＧＰＳの受信バンド１．５ＧＨｚ帯を持った１つの受信系とから構成される。
【００２５】
図１において、１はアンテナ、２は周波数帯を分けるためのＬＰＦ、ＨＰＦを含む分波器、３ａは１．９ＧＨｚ帯の送信系を分離するＳＡＷデュプレクサ、３ｂは同受信系を分離するＳＡＷデュプレクサ、４ａは８００ＭＨｚ帯の送信系を分離するＳＡＷデュプレクサ、４ｂは同受信系を分離するＳＡＷデュプレクサである。また、１２は前記分波器２から取り込まれるＧＰＳ信号を通過させるためのＳＡＷフィルタである。３ｃ、４ｃは、受信信号の位相を回転させる整合回路である。
【００２６】
送信系では、送信信号処理回路ＲＦＩＣ１７から出力されるセルラー送信信号は、ＳＡＷフィルタを有するＢＰＦ９でノイズが落とされ、高周波電力増幅回路７に伝えられる。送信信号処理回路ＲＦＩＣ１７から出力されるＰＣＳ送信信号は、ＳＡＷフィルタを有するＢＰＦ１０でノイズが落とされ、高周波電力増幅回路８に伝えられる。
【００２７】
高周波電力増幅回路７、８は、それぞれ８００ＭＨｚ帯、１．９ＧＨｚ帯の周波数で駆動され、送信電力を増幅する。増幅された送信信号は、方向性結合器５、６を通り、前記ＳＡＷデュプレクサ４ａ、３ａに入力される。
【００２８】
方向性結合器５、６は、高周波電力増幅回路７、８からの出力信号のレベルをモニタして、そのモニタ信号に基づいて高周波電力増幅回路のオートパワーコントロールする機能があり、そのモニタ出力は、検波用回路１１に入力される。
【００２９】
一方、受信系は、ＳＡＷデュプレクサ４ｂ、３ｂで分離された受信信号を増幅する低雑音増幅器ＬＮＡ１４、１３と、受信信号からノイズを除去する高周波フィルタ１６、１５とを備えている。高周波フィルタ１６、１５を通った受信信号は、受信信号処理回路ＲＦＩＣ１８に伝えられ信号処理される。また、前記ＧＰＳ用ＳＡＷフィルタ１２で分離されたＧＰＳ信号は、受信信号処理回路ＲＦＩＣ１８で信号処理される。
【００３０】
前記デュプレクサの構成は限定されないが、好ましくは、３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ３結晶、６４°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ３結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉＢ４Ｏ７結晶などからなる基板上に、櫛歯状のＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極が形成されたものである。
【００３１】
前記高周波電力増幅回路の構成も限定されないが、好ましくは、高周波信号を増幅する機能を持ち、小型化、高効率化を図るためにＧａＡｓＨＢＴ（ガリウム砒素ヘテロジャンクションバイポーラトランジスタ）構造、又はＰ−ＨＥＭＴ構造のＧａＡｓトランジスタやシリコン若しくはゲルマニウムトランジスタを含む半導体素子で形成されている。
【００３２】
以上のような構成の高周波信号処理回路を含む移動体通信機器においては、各部に対する小型化、軽量化の要求が大きく、これらの要求を考慮して、高周波信号処理回路は、所望の特性が達成できる単位でモジュール化されている。
【００３３】
すなわち、図１で太い点線２２で示したように、分波器２、ＳＡＷデュプレクサ３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂ、高周波電力増幅回路７、８、方向性結合器５、６などを含む分波系回路及び送信系回路が、１つの基板に形成された１つの高周波モジュール２２を形成している。
【００３４】
なお、高周波モジュール２２を、８００ＭＨｚ帯の高周波モジュールと、１．９ＧＨｚ帯の２つの高周波モジュールに分けるという実装方法も可能である。さらに低雑音増幅器ＬＮＡ１３、１４と受信用高周波フィルタ１５、１６を含んだモジュールを追加して形成してもよい。
【００３５】
以下、８００ＭＨｚ帯と、１．９ＧＨｚ帯の２つの周波数帯を含む１つの高周波モジュール２２に基づいて説明する。
【００３６】
図２に、高周波モジュール２２の概略平面図を示し、図３にその概略断面図を示す。高周波モジュール２２は、同一寸法形状の９層の誘電体層が積層された多層基板２３を有している。
【００３７】
多層基板２３の表層には、各種のパターン、各種チップ部品のほか、ＢＰＦ９、１０、ＧＰＳ用のＳＡＷフィルタ１２、ＳＡＷデュプレクサとしてベアＳＡＷチップ３ａ、４ａ、３ｂ、４ｂ、及び高周波電力増幅回路７、８の一部を構成する電力増幅用半導体素子２４、２５などが搭載され、これらは半田などで誘電体層上の導体パターンに実装、搭載されている。
【００３８】
電力増幅用半導体素子２４、２５は、多層基板２３上の導体パターンとワイヤーボンディングで接続されている。電力増幅用半導体素子２４、２５の周囲には、同じく高周波電力増幅回路７、８の一部を構成する電力増幅用整合回路２６、２７がチップ部品や導体パターンで形成されている。
【００３９】
なお、電力増幅用半導体素子２４、２５、電力増幅用整合回路２６、２７などは、多層基板の裏面に搭載するようにしてもよい。
【００４０】
多層基板２３の内部には、整合回路３ｃ、４ｃと、方向性結合器５、６とが内装され、さらに電力増幅用半導体素子２４、２５とＢＰＦ９、１０との間にＤＣカット用結合コンデンサ２８、ＢＰＦ９、１０と接地との間にコンデンサ２９が内装されている。
【００４１】
構造的にいえば、これらの内部素子を構成する、分布定数線路、結合線路、分布型コンデンサ、抵抗などの導体パターンが誘電体層中にそれぞれ形成されている。例えば、方向性結合器５、６を構成する結合線路は２枚の相重なる誘電体層上にそれぞれ形成されている。そして、各誘電体層には複数の層にわたって、回路を縦に接続するため必要なビアホール導体が縦方向に形成されている。特に、電力増幅用半導体素子２４、２５で発生する熱を逃がすため誘電体層を上下に貫通するサーマルビア５０が設けられている。
【００４２】
図４に、高周波モジュールの裏面の導体パターン図を示す。誘電体基板２３の裏面には、外部回路に接続するためのモジュールの入出力端子や電源端子４２と、グランド端子４３が設けられている。
【００４３】
図５に、送信用と受信用の２つのフィルタを備えたベアＳＡＷチップの実装構造の（ａ）分解斜視図と、（ｂ）（ａ）におけるP−P断面図を示す。図５によれば、ＳＡＷフィルタは、圧電基板３０の実装面側において、受信用フィルタと送信用フィルタが併設されている。すなわち、受信用として、ＩＤＴ電極３１ａと入出力端子３２ａ、３２ｂが形成され、同様に、送信用として、ＩＤＴ電極３１ｂと入出力端子３３ａ、３３ｂが形成されている。これらの電極や端子は、リング状の接地用端子３４によって囲まれている。また、受信用フィルタ形成領域と、送信用フィルタ領域とは、架橋端子３５によって分離されている。
【００４４】
一方、誘電体基板３６の表面には、上記ＳＡＷフィルタの端子に対向する位置に、受信用の入出力電極３７ａ、３７ｂや、送信用の入出力電極３８ａ、３８ｂが形成され、その周囲には、リング状の接地用電極３９が形成されている。そして、ＳＡＷフィルタと同様に、受信用フィルタ形成領域と、送信用フィルタ領域とは、架橋電極４０によって分離されている。
【００４５】
そして、ＳＡＷフィルタを誘電体基板６６表面に実装する場合には、誘電体基板６６の表面の入出力電極３７ａ、３７ｂ、３８ａ、３８ｂ、リング状の接地用電極３９、架橋電極４０の表面に半田などの接着剤４１を塗布し、この上に、ＳＡＷフィルタを載置し、半田リフローさせることによって、ＳＡＷフィルタは、誘電体基板３６の表面にフリップチップ実装される。この場合、誘電体基板の電極には、半田濡れ性の点から、たとえばＮｉ下地の金メッキを施しておくとよい。尚、導電性接着剤としては、半田の代わりにＡｕを用いてもよい。これによって、ＩＤＴ電極３１ａ、３１ｂと、入出力端子３２ａ、３２ｂ、３３ａ、３３ｂ、入出力電極３７ａ、３７ｂ、３８ａ、３８ｂは、リング状の接地用電極３９およびリング状接地用端子３４との間に存在する半田などの接着剤４１によって気密封止されることになる。その後、電力増幅用半導体素子２４、２５を実装しワイヤーボンドで接続し、誘電体基板の表面全体をエポキシ樹脂等で封止することで高周波モジュールとなる。
【００４６】
本発明によれば、図６（ａ）に示すように、ＳＡＷフィルタを実装する誘電体基板３６表面における架橋電極４０の両端部をリング状電極３９から離間して形成することが重要である。このように、架橋電極４０の両端部をリング状電極３９から離間して形成することによって、図６（ｂ）に示すように、架橋電極４０と、リング状電極３９の厚みは、実質均一となるために、ＳＡＷフィルタの実装信頼性を高めるとともに、リング状電極３９による気密封止信頼性を高めることができるとともに、実装時の歩留まりを向上させることができる。架橋電極４０は、リング状電極３９から、離間して形成すれば、半田の盛り上がりを防止でき本発明の効果は達成されるが、あまりにも離しすぎると受信フィルタ形成領域と送信フィルタ形成領域とを分断する架橋電極４０の役割が損なわれ、送信信号が受信信号と干渉するおそれがあることから、上限は０．５mmとすることが望ましい。従って、離間距離ａは０．１〜０．５mmが望ましい。
【００４７】
また、架橋電極４０の中央部の幅ｂは、０．１〜０．３ｍｍであることが望ましい。これは幅ｂが０．１ｍｍ以上とすることで半田の印刷性を保つとともに、誘電体基板６６表面への実装性を高めることができ、０．３ｍｍ以下とすることで、実装面積を小さくすることができるためである。
【００４８】
また、リング状電極３９の幅ｃは、０．１〜０．３ｍｍであることが望ましい。これは幅ｂを０．１ｍｍ以上とすることで、封止による気密性を高めることができ、０．３ｍｍ以下とすることで、実装面積を小さくすることができるためである。
【００４９】
また、架橋電極４０の幅ｂは、リング状電極３９の幅ｃと同じか、またはそれよりも小さいことが望ましい。これによって、架橋電極４０の半田の高さが局所的に高くなることを抑制することができる。
【００５０】
また、本発明は、上記と同様な目的に対して、図７（ａ）に示すように、ＳＡＷフィルタを実装する誘電体基板３６表面における架橋電極４０の両端部の幅dを、リング状電極３９の線幅ｃよりも細くすることによっても本発明の目的を達成することができる。すなわち、両端部の線幅をリング状電極３９よりも細くすることによって、リング状電極３９とのＴ字部での絶対的な半田量が少なくなり、図７（ｂ）に示すように、従来のような盛り上がりの発生を防止することができる。
【００５１】
図７（ｂ）では、架橋電極４０の両端部において、架橋電極４０の中央部の線幅から徐々に小さくなるように形成され、リング状電極３９よりも細くなるように形成されている。この場合、架橋電極４０のリング状電極３９との接触部での線幅ｄは、リング状電極３９の線幅ｃの５０％以下、４０％以下、さらには３０％であることが望ましい。さらには、５０μｍ以下、特に４０μｍ以下であることが望ましい。
【００５２】
なお、架橋電極４０の両端部の幅をリング状電極３９の線幅よりも細くする場合、図７の構造に限定されるものではなく、例えば、両端部から所定の長さ部分の線幅を一定して細くしてもよいし、架橋電極４０全体の線幅を上記のように細くすることもできる。ただし、架橋電極４０全体の線幅を細くする場合、架橋電極４０は、実装時の実装強度を高める機能も有することから、架橋電極４０の中央部の線幅ｂは、５０μｍ以上であることが望ましい。
【００５３】
本発明における高周波モジュールは、セラミック誘電体基板２３と、その表面や内部に配設された導体パターンや、ビア導体によって構成されるものであって、セラミックスからなるシート成形体の表面に、導体ペーストを印刷塗布するとともに、垂直導体として、シート状成形体に貫通穴を形成して導体ペーストを充填してビア導体を形成した後、それらシート状成形体を積層し、シート状成形体と導体ペーストとを焼成することによって作製され、各セラミック誘電体層と導体パターンとが交互に配置した多層の配線構造を有するものである。
【００５４】
本発明の高周波モジュールにおける誘電体基板は、例えばアルミナセラミックス、ムライトセラミックス、ガラスセラミックスなどの低温焼成セラミックスの群から選ばれる少なくとも１種で構成することが好適である。とりわけ、導体パターンやビア導体を形成する導体としてＣｕ、Ａｇなどの低抵抗導体を使用することができ、しかもこれら低抵抗導体と同時焼成して形成することができる利便性から、１０００℃以下で焼成可能なガラスセラミックスなどの低温焼成セラミックスが最も望ましい。
【実施例】
【００５５】
次に、本発明に係る高周波モジュールを作製した実施例について説明する。
【００５６】
０．９５モルＭｇＴｉＯ３−０．０５モルＣａＴｉＯ３で表される主成分１００質量部に対して、ＢをＢ２Ｏ３換算で１０質量部、ＬｉをＬｉＣＯ３換算で５質量部添加した混合物に、有機バインダーとして、アクリル樹脂、溶剤としてトルエンを加え、混合してスラリーを作製した後、ドクターブレード法によりキャリアフイルム上にシート状に成形して厚さ５０〜１５０μｍのグリーンシートを作成した。
【００５７】
次に、このグリーンシートにパンチングにより、貫通孔を形成し、その内部にＡｇ導体ペーストを充填して直径が１５０μｍのビア導体を形勢した。導体ペースト中には、Ａｇ粉末に、アクリル樹脂、トルエンを加え、均質混合して調整したものである。そして、このグリーンシートの表面に上記銅ペーストをスクリーン印刷法によって印刷しての電極や平面導体層を形成した。
【００５８】
その後、同様にして得られた５〜１２枚のグリーンシートを積層圧着してグリーンシート積層体を形成した。
【００５９】
そして、この積層体を４００〜７５０℃の窒素雰囲気中で加熱処理してグリーンシート内や導体ペースト中の有機成分を分解除去した後、９００℃の窒素雰囲気中で１時間焼成して、高周波モジュール用の誘電体基板を作製した。
【００６０】
そして、基板表面のＳＡＷチップ実装部分に形成した入出力電極、リング状電極および架橋電極に対しては、Ｎｉメッキを施した。
【００６１】
なお、リング状電極および架橋電極の形状は、表１に示す通りとし、種々のパターンの電極を有するモジュール基板を作製した。
【００６２】
そして、これらモジュール基板に対して、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕからなる半田を塗布し、その上にＳＡＷチップを載置した後、２６０℃でリフロー処理して、ＳＡＷチップを誘電体基板の用面にフリップチップ実装した。
【００６３】
各基板に対して、ＳＡＷチップを５０個実装し、その際の実装不良として、ＳＡＷチップにおける気密性の検査をヘリウムを用いてチエックし不良品の割合を表１に示した。具体的には、サンプルを５．３ｋｇ／ｃｍ２のＨｅ加圧雰囲気中に２時間分間保持した後、これを５×１０−８ａｔｍ・ｃｃ／ｃｍ２の減圧中に保持し、Ｈｅが検出されたものを不良品とした。
【表１】
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【００６４】
表１より、従来の架橋電極およびリング状電極のパターンが図９に示す従来のものである試料Ｎｏ．１では、不良の発生率が５％以上と高いものであった。
【００６５】
これに対して、架橋電極をリング状電極から離間して形成した試料Ｎｏ．２〜５はいずれも不良率を２％以下に抑えることができた。また、同様に、架橋電極の両端部の線幅をリング状電極の線幅よりも狭くした試料Ｎｏ．７〜１１でも、不良率を２％以下に抑えることができた。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】ＣＤＭＡデュアルバンド方式の高周波信号処理回路の代表的なブロック構成図を示す。
【図２】図１の回路を具備する高周波モジュールの概略平面図を示す。
【図３】図２の高周波モジュールの概略断面図を示す。
【図４】本発明の高周波モジュールの一例の裏面の導体パターン図を示す。
【図５】本発明におけるＳＡＷチップの実装構造を示すもので、（ａ）は分解斜視図、（ｂ）はＳＡＷチップをフリップチップ実装したときの概略断面図を示す。
【図６】本発明における誘電体基板表面の電極のパターンの一例を説明するための（ａ）平面図と、（ｂ）（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。
【図７】本発明における誘電体基板表面の電極のパターンの他の例を説明するための（ａ）平面図と、（ｂ）（ａ）におけるＹ−Ｙ断面図である。
【図８】従来の高周波モジュールの一例を示す概略断面図である。
【図９】従来におけるＳＡＷチップの実装構造を示すもので、（ａ）は分解斜視図、（ｂ）は（ａ）におけるＺ−Ｚ断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
２２・・・・・ 高周波モジュール
２３・・・・・・誘電体基板
２４、２５・・・電力増幅用半導体素子
２６、２７・・・電力増幅整合回路
３０・・・・・・圧電基板
３１ａ、３１ｂ・ＩＤＴ電極
３２ａ、３２ｂ・受信用入出力端子
３３ａ、３３ｂ  送信用入出力端子
３４・・・・・・リング状の接地用端子
３５・・・・・・架橋端子
３６・・・・・・誘電体基板
３７ａ、３７ｂ・受信用入出力電極
３８ａ、３８ｂ・送信用入出力電極
３９・・・・・・リング状接地用電極
４０・・・・・・架橋電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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