(57)【要約】【課題】  位置検出装置の小型化を図ると共に解像度に優れた位置検出装置を提供する。【解決手段】  本発明の位置検出装置１は、第１回路体１０の磁気抵抗回路Ａ、Ｂは、基準磁気抵抗素子＋Ａ１と、基準磁気抵抗素子＋Ａ１から（１／４）λ又は（３／４）λずらして配置した基準波に対する偶数次高調波補正用磁気抵抗素子＋Ａ３と、基準磁気抵抗素子＋Ａ１から（１／６）λずらした基準波に対する三次高調波補正用磁気抵抗素子＋Ａ２とを備え、第２回路体２０の磁気抵抗回路Ａ´、Ｂ´は、基準磁気抵抗素子＋Ａ´１と、隣合う磁気抵抗素子を（１／１０）λずらして配置した基準波に対する五次高調波補正用磁気抵抗素子＋Ａ´２、＋Ａ´５と、基準磁気抵抗素子＋Ａ´１から（４／１５）λずらして配置した三次高調波に対する五次高調波補正用磁気抵抗素子＋Ａ´２とを備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣接して配置した第１及び第２回路体を備え、第１及び第２回路体は、異なる磁極を交互に一方向に並べて配置した着磁面に対向して配置されると共に磁極の配列方向に直交する方向に配置してあり、各回路体は、着磁面の磁界強度に応じた電流を出力する複数の磁気抵抗素子からなる磁気抵抗回路と、磁気抵抗回路に設けた電力供給端子と、出力端子とを有し、磁気抵抗回路には複数の磁気抵抗素子が直列に接続してあり且つ各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように配置してあり、
第１回路体及び第２回路体の各磁気抵抗回路は、基準磁気抵抗素子と、基準波に対する偶数次高調波補正用磁気抵抗素子と、基準波に対する奇数次高調波補正用磁気抵抗素子を備えることを特徴とする位置検出装置。
【請求項２】
第１回路体の奇数次高調波補正用磁気抵抗素子は基準波に対する三次高調波補正用磁気抵抗素子であり、第２回路体の奇数次高調波補正用磁気抵抗素子は五次高調波補正用磁気抵抗素子であることを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項３】
第２回路体は三次高調波に対する五次高調波補正用磁気抵抗素子を備えることを特徴とする請求項２に記載の位置検出装置。
【請求項４】
互いに隣接して配置した第１及び第２回路体を備え、第１及び第２回路体は、異なる磁極を交互に一方向に並べて配置した着磁面に対向して配置される共に磁極の配列方向に直交する方向に配置してあり、各回路体は、着磁面の磁界強度に応じた電流を出力する複数の磁気抵抗素子からなる磁気抵抗回路と、磁気抵抗回路に設けた電力供給端子と、出力端子とを有し、各回路体の磁気抵抗回路には複数の磁気抵抗素子が直列に接続してあり且つ各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように配置してあり、
第１回路体の磁気抵抗回路は、基準磁気抵抗素子と、基準磁気抵抗素子から（１／４）λ又は（３／４）λずらして配置した基準波に対する偶数次高調波補正用磁気抵抗素子と、基準磁気抵抗素子から（１／６）λずらした基準波に対する三次高調波補正用磁気抵抗素子とを備え、
第２回路体の磁気抵抗回路は、基準磁気抵抗素子と、隣合う磁気抵抗素子を（１／１０）λずらして配置した基準波に対する五次高調波補正用磁気抵抗素子と、基準磁気抵抗素子から（４／１５）λずらして配置した三次高調波に対する五次高調波補正用磁気抵抗素子とを備えることを特徴とする位置検出装置。
【請求項５】
第１回路体と第２回路体とは、各々出力波形の位相差を９０°ずらしている一方の磁気抵抗回路と他方の磁気抵抗回路とから構成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の位置検出装置。
【請求項６】
一方及び他方の磁気抵抗回路は、各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置し、一方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置してあることを特徴とする請求項５に記載の位置検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リニアに移動し又は回転する被駆動体の位置を検出する位置検出装置に関し、特に磁気を利用した位置検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の位置検出装置として、特許文献１には複数の磁気抵抗素子を直列に接続してなる一方及び他方の磁気抵抗回路を櫛歯状に形成すると共に、一方及び他方の磁気抵抗回路を磁極の配列方向に沿って横に並べた構成が開示されている。
【０００３】
特許文献２には、着磁面に溝を形成し、基準位置における磁気抵抗回路からの出力波形を整えようとする技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特公昭５４−４１３３５号公報
【特許文献２】特開平７−４９８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１の技術では、位置検出装置における複数の磁気抵抗回路が、磁極の配列方向に並べて設けてあるから、一つの磁気抵抗回路が多数の磁気抵抗素子を有する場合や、多数の磁気抵抗回路を設ける場合には、磁極の配列方向における回路の長さが長くなり、大型化すると共に出力波形の解像度が低下するという問題がある。
【０００６】
特許文献２においても、複数の磁気抵抗回路を設けた場合には、特許文献１と同様に位置検出装置の大型化の問題が生じると共に、図６（ｂ）に示すように、回転する被駆動体の位置検出装置においては、位置検出装置２１の巾方向（磁極配列方向）の長さを長く取ると、位置検出装置の巾方向両端２１ａでは位置ずれにより受ける磁界強度が低下して出力波形の解像度が低下するという問題がある。
【０００７】
本発明は、前記事情に着目してなされたものであり、位置検出装置の小型化を図ると共に解像度に優れた位置検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、互いに隣接して配置した第１及び第２回路体を備え、第１及び第２回路体は、異なる磁極を交互に一方向に並べて配置した着磁面に対向して配置されると共に磁極の配列方向に直交する方向に配置してあり、各回路体は、着磁面の磁界強度に応じた電流を出力する複数の磁気抵抗素子からなる磁気抵抗回路と、磁気抵抗回路に設けた電力供給端子と、出力端子とを有し、磁気抵抗回路には複数の磁気抵抗素子が直列に接続してあり且つ各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように配置してあり、
第１回路体及び第２回路体の各磁気抵抗回路は、基準磁気抵抗素子と、基準波に対する偶数次高調波補正用磁気抵抗素子と、基準波に対する奇数次高調波補正用磁気抵抗素子を備えることを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、第１回路体の奇数次高調波補正用磁気抵抗素子は基準波に対する三次高調波補正用磁気抵抗素子であり、第２回路体の奇数次高調波補正用磁気抵抗素子は五次高調波補正用磁気抵抗素子であることを特徴とする。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、第２回路体は三次高調波に対する五次高調波補正用磁気抵抗素子を備えることを特徴とする。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、互いに隣接して配置した第１及び第２回路体を備え、第１及び第２回路体は、異なる磁極を交互に一方向に並べて配置した着磁面に対向して配置される共に磁極の配列方向に直交する方向に配置してあり、各回路体は、着磁面の磁界強度に応じた電流を出力する複数の磁気抵抗素子からなる磁気抵抗回路と、磁気抵抗回路に設けた電力供給端子と、出力端子とを有し、各回路体の磁気抵抗回路には複数の磁気抵抗素子が直列に接続してあり且つ各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように配置してあり、第１回路体の磁気抵抗回路は、基準磁気抵抗素子と、基準磁気抵抗素子から（１／４）λ又は（３／４）λずらして配置した基準波に対する偶数次高調波補正用磁気抵抗素子と、基準磁気抵抗素子から（１／６）λずらした基準波に対する三次高調波補正用磁気抵抗素子とを備え、第２回路体の磁気抵抗回路は、基準磁気抵抗素子と、隣合う磁気抵抗素子を（１／１０）λずらして配置した基準波に対する五次高調波補正用磁気抵抗素子と、基準磁気抵抗素子から（４／１５）λずらして配置した三次高調波に対する五次高調波補正用磁気抵抗素子とを備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発明において、第１回路体と第２回路体とは、各々出力波形の位相差を９０°ずらしている一方の磁気抵抗回路と他方の磁気抵抗回路とから構成されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、一方及び他方の磁気抵抗回路は、各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置し、一方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置してあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載の発明によれば、第１回路体と第２回路体とは磁極の配列方向に直交する方向に隣接して配置しているので、磁極の配列方向に対する面積を小さくすることができ、位置検出装置の小型化を図ることができる。特に、位置検出装置の検知巾を磁極の配列方向に対して小さくすることにより、着磁面が円形や湾曲した形状になっている場合にも各磁気抵抗素子と着磁面と間の間隔誤差を小さくでき、磁界強度の差が少なくなるので解像度の高い出力波形を得ることができる。
【００１５】
第１及び第２回路体から各々出力して出力を合わせることで、通常の２倍の出力を増幅した波形を得ることができる。また、第１回路体及び第２回路体で、各々出力波長における偶数次高調波成分と、奇数次高調波成分を補正することにより、図４に示すような基準波長ｈを整えたサイン波形Ｓやコサイン波形Ｃを得ることができる。このような整ったサイン波形ＳやコサインＣ波形を得ることにより、巾λ内における位置を精度良く検知でき、解像度を高めることができる。
【００１６】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明と同様の作用効果を得ることができると共に、奇数次高調波成分のうちの解像度への影響が高い三次及び五次高調波成分を補正でき、更に基準波長ｈを整えたサイン波形やコサイン波形を得ることができ、位置精度良及び解像度を更に高めることができる。
【００１７】
請求項３に記載の発明によれば、請求項２に記載の発明と同様の作用効果を得ることができると共に、第２回路体では第１回路体における三次高調波における五次高調波成分の補正ができるので、位置精度及び解像度を更に高めることができる。
【００１８】
請求項４に記載の発明によれば、請求項３に記載の発明と同様の作用効果を得ることができる。
【００１９】
請求項５に記載の発明によれば、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発明と同様の作用効果を得ることができると共に、図４に示すようにサイン波形Ｓとコサイン波形Ｃとを同時に出力することにより、着磁面に対する位置検出装置の相対的な移動方向や移動速度を検知することができる。
【００２０】
請求項６に記載の発明によれば、請求項５に記載の発明と同様の作用効果を得ることができると共に、着磁面の磁極巾（λ）に対して磁気抵抗素子の配置を集約できるので、多数の磁気抵抗素子を有する位置検出装置全体の回路巾を小さくでき、更に検知精度や解像度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図１〜図５を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は図２に示すパターン回路の主要部を着磁面との関係で示す平面図であり、図２は本発明の第１実施形態にかかる位置検出装置のパターン回路を示す平面図であり、図３は図２に示す位置検出装置の等価回路図であり、図４は図２に示す位置検出装置から得られた出力波形の図であり、図５は第１実施の形態にかかる位置検出装置の使用状態を模式的に示した斜視図である。
【００２２】
本実施の形態にかかる位置検出装置１は、一例として携帯電話に組み込まれるオートフォーカスカメラのズームレンズやフォーカスレンズの位置を検知するものである。カメラには、図５に示すように、ズームレンズやフォーカスレンズの駆動に対応して設けられた着磁面３が設けてあり、着磁面３にはＮ極及びＳ極の磁極５が直列に且つＮ極とＳ極とが交互に形成されている。磁極５の配列方向における一つの磁極５の巾はλである。
【００２３】
位置検出装置１は、基材表面３０に、第１回路体１０と第２回路体２０との回路９（パターン回路）が形成されており、回路９の表面は樹脂材により被覆されている。
【００２４】
図２及び図３に示すように、第１回路体１０は第１磁気抵抗回路＋Ａと、第２磁気抵抗回路−Ａと、第３磁気抵抗回路＋Ｂと、第４磁気抵抗回路−Ｂとから構成されており、各第１〜第４磁気抵抗回路＋Ａ、−Ａ、＋Ｂ、−Ｂは、それぞれ共通の電源ＶｃｃとアースＧＮＤに接続されている。尚、図２においてハッチで示すのは導電部分である。
【００２５】
第２回路体１０は、第１磁気抵抗回路＋Ａ´と、第２磁気抵抗回路−Ａ´と、第３磁気抵抗回路＋Ｂ´と、第４磁気抵抗回路−Ｂ´とから構成されており、各第１〜第４磁気抵抗回路＋Ａ´、−Ａ´、＋Ｂ´、−Ｂ´は、それぞれ共通の電源Ｖ´ｃｃとアースＧＮＤ´に接続されている。尚、図３において、Ｔ１〜Ｔ４は出力端子であり、Ｖは電源端子である。
【００２６】
本実施の形態では、第１回路体１０における一方の磁気抵抗回路Ａは第１磁気抵抗回路＋Ａ及び第２磁気抵抗回路−Ａとから構成されており、他方の磁気抵抗回路Ｂは第３磁気抵抗回路＋Ｂ及び第４磁気抵抗回路−Ｂとから構成されている。同様に、第２回路体２０における一方の磁気抵抗回路Ａ´は第１磁気抵抗回路＋Ａ´及び第２磁気抵抗回路−Ａ´とから構成されており、他方の磁気抵抗回路Ｂ´は第３磁気抵抗回路＋Ｂ´及び第４磁気抵抗回路−Ｂ´とから構成されている。
【００２７】
各回路体１０、２０において、一方の磁気抵抗回路Ａ、Ａ´において、第１磁気抵抗回路＋Ａ、＋Ａ´と第２磁気抵抗回路−Ａ、−Ａ´とはλ（３６０°）ずれた位置にあり、両出力を増幅した出力波形を得ることができるようになっている。同様に、他方の磁気抵抗回路Ｂ、Ｂ´においても、第３磁気抵抗回路＋Ｂ、＋Ｂ´及び第４磁気抵抗回路−Ｂ、−Ｂ´はλ（３６０°）ずれた位置にあり、両出力を増幅した出力波形を得るようになっている。しかも、本実施の形態においては、第１回路体１０と第２回路体２０の各増幅した出力を合わせて更に増幅した出力を得ている。
【００２８】
図１に示すように、第１磁気抵抗回路＋Ａは、基準磁気抵抗素子＋Ａ１に対して、（３／４）λずれた位置に偶数次高調波成分用の補正用磁気抵抗素子＋Ａ３が配置してあると共にλ／６ずれた位置に三次高調波補正成分用の補正用磁気抵抗素子＋Ａ２が配置してある。また、補正用磁気抵抗素子Ａ３に対してもλ／６ずれた位置に三次高調波成分の補正用磁気抵抗素子＋Ａ４が配置してある。尚、偶数次高調波成分用の補正用磁気抵抗素子＋Ａ３は＋Ａ１に対してλ／４ずれた位置としてもよい。
【００２９】
以下第２〜第４磁気抵抗回路−Ａ、＋Ｂ、−Ｂにおいても、第１磁気抵抗回路＋Ａと同様に基準磁気抵抗素子−Ａ１、＋Ｂ１、−Ｂ１に対して偶数次高調波成分の補正用磁気抵抗素子−Ａ３、＋Ｂ３、−Ｂ３が配置してあり、奇数次高調波成分用の補正用磁気抵抗素子−Ａ２、−Ａ４、＋Ｂ２、＋Ｂ４、−Ｂ２、−Ｂ４が配置されている。
【００３０】
また、位置検出装置１の第１回路体１０において、第１磁気抵抗回路＋Ａの出力端子は＋Ａ０であり、第２磁気抵抗回路−Ａの出力端子は−Ａ０であり、第３磁気抵抗回路＋Ｂの出力端子は＋Ｂ０である。
【００３１】
各磁気抵抗素子＋Ａ１〜＋Ａ４、−Ａ１〜−Ａ４、＋Ｂ１〜＋Ｂ４、−Ｂ１〜−Ｂ４は各々電流通路を互いに平行にして配置されている。更に、一方の磁気抵抗回路＋Ａ及び他方の磁気抵抗回路＋Ｂは各々櫛歯状を形成するように磁気抵抗回路＋Ａ１〜＋Ａ４、＋Ｂ１〜＋Ｂ４が配置されており、一方の磁気抵抗回路＋Ａの櫛歯状に配置した磁気抵抗素子＋Ａ２と＋Ａ３との間に他方の磁気抵抗回路＋Ｂの磁気抵抗素子＋Ｂ３と＋Ｂ４とが配置されている。磁気抵抗回路−Ａ及び−Ｂにおいても同様に、磁気抵抗素子＋Ａ４と−Ａ４との間に磁気抵抗素子−Ｂ３、−Ｂ４が配置され、磁気抵抗素子−Ａ３と−Ａ２との間に磁気抵抗素子−Ｂ１、−Ｂ２が配置されて、磁気抵抗素子−Ｂ１と−Ｂ３との間に−Ａ３、−Ａ４が配置されている。
【００３２】
各磁気抵抗回路Ａ、Ｂにおいて、平行に配置された磁気抵抗素子＋Ａ１〜＋Ａ４、−Ａ１〜−Ａ４、＋Ｂ１〜＋Ｂ４、−Ｂ１〜−Ｂ４を接続する部分１３は通常の導電材料でできている。
【００３３】
一方、第２回路体２０においては、図１に示すように、第１磁気抵抗回路＋Ａ´は、磁気抵抗素子＋Ａ´２と＋Ａ´５とを（１／１０）λずれた位置に配置して、基本波に対する五次高調波成分を補正するようになっており、磁気抵抗素子＋Ａ´１と＋Ａ´２とを（４／１５）λずれた位置に配置して三次高調波成分に対する五次高調波成分の補正をしている。即ち、三次高調波成分は（１／６）λであり、五次高調波成分は（１／１０）λであるから両者を加えた値が（４／１５）λとなる。
【００３４】
磁気抵抗素子＋Ａ´３に対する＋Ａ´２を（３／４）λずらして配置することにより、偶数次高調は成分の補正も図っている。尚、偶数次高調波成分用の補正用磁気抵抗素子＋Ａ´３は＋Ａ´２に対してλ／４ずれた位置としてもよい。
【００３５】
以下第２〜第４磁気抵抗回路−Ａ´、＋Ｂ´、−Ｂ´においても、第１磁気抵抗回路＋Ａ´と同様に、基本波の五次高調波成分の補正と、三次高調波成分に対する五次高調は成分の補正が成されていると共に、偶数次高調波成分の補正も図られている。
【００３６】
各磁気抵抗素子＋Ａ´１〜＋Ａ´４、−Ａ´１〜−Ａ´４、＋Ｂ´１〜＋Ｂ´４、−Ｂ´１〜−Ｂ´４は各々電流通路を互いに平行にして配置されている。更に、一方の磁気抵抗回路＋Ａ´及び他方の磁気抵抗回路＋Ｂ´は各々櫛歯状を形成するように磁気抵抗回路＋Ａ´１〜＋Ａ´４、＋Ｂ´１〜＋Ｂ´４が配置されており、一方の磁気抵抗回路＋Ａ´の櫛歯状に配置した磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路＋Ｂ´が配置されている。
【００３７】
次に、本実施の形態における作用、効果について説明する。
【００３８】
本実施の形態によれば、第１回路体１０と第２回路体２０とは磁極の配列方向に直交する方向に隣接して配置しているので、磁極の配列方向に対する面積を小さくすることができ、位置検出装置１の小型化を図ることができる。特に、位置検出装置の検知巾を磁極の配列方向に対して小さくすることにより、図６に示すように着磁面が円形や湾曲した形状になっている場合にも各磁気抵抗素子と着磁面と間の間隔誤差を小さくでき、磁界強度の差が少なくなるので解像度の高い出力波形を得ることができる。
【００３９】
第１及び第２回路体１０、２０から各々出力して出力を合わせることで、出力を倍増した波形を得ることができる。
【００４０】
第１回路体１０及び第２回路体２０で、各々出力波長における偶数次高調波成分と、奇数次高調波成分とを補正することにより、更に基準波長ｈを整えたサイン波形やコサイン波形を得ることができ、位置精度良及び解像度を更に高めることができる。
【００４１】
第２回路体２０では第１回路体１０における三次高調波成分における五次高調波成分の補正ができるので、位置精度及び解像度を更に高めることができる。
【００４２】
尚、いうまでもなく第２回路体２０でも偶数次高調波成分を補正するので、位置精度良及び解像度を更に高めることができる。
【００４３】
第１及び第２回路体１０、２０の各々において、一方の磁気抵抗回路＋Ａ、＋Ａ´及び他方の磁気抵抗回路＋Ｂ、＋Ｂ´は各々櫛歯状を形成するように配置しているので、着磁面の磁極巾（λ）に対して磁気抵抗素子の配置を集約できるので、多数の磁気抵抗素子を有する位置検出装置全体の回路巾を小さくでき、更に検知精度や解像度を高めることができる。
【００４４】
また、本実施の形態では、図４に示すように、サイン波形Ｓとコサイン波形Ｃとを同時に出力することにより、着磁面３に対する位置検出装置１の相対的な移動方向や移動速度を検知することができる。このように、移動速度を検知することにより、例えば応用例として、カメラのズームレンズとフォーカスレンズとを駆動する位置センサとして用いた場合には、ズームレンズとフォーカスレンズとを略同時にセッティングすることができる。
【００４５】
本発明は上述した実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形可能である。
【００４６】
例えば、位置検知装置１は、リニア駆動用に限らず、図６（ａ）に示すように磁極面３を円周に沿って形成し、位置検知装置１により回転位置を検知するものであってもよい。この場合、図６（ｂ）に示すように、従来技術のように各磁気抵抗回路を横に並べて長くしたときには（図中一点鎖線で示す）その両端２１ａで受ける界磁強度が小さくなってしまうという不都合があるが、本実施の形態にかかる位置検出装置１は着磁方向における巾を小さくしているから、端部１ａにおいても各磁気抵抗素子が受ける磁気強度の差を小さくすることができる。これにより、従来よりも精度の高い位置検知をおこなうことができる。
【００４７】
本実施の形態にかかる位置検出装置１はカメラに限らず、工作機械の位置制御やいわゆるエンコーダ等として用いることもでき、用途は限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】図２に示すパターン回路の主要部を着磁面との関係で示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態にかかる位置検出装置のパターン回路を示す平面図である。
【図３】図２に示す位置検出装置の等価回路図である。
【図４】図２に示す位置検出装置から得られた出力波形の図である。
【図５】第１実施の形態にかかる位置検出装置の使用状態を模式的に示した斜視図である。
【図６】変形例にかかる位置検出装置の図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１      位置検出装置（位置センサ）
３      着磁面
５      磁極
１０    第１回路体
２０    第２回路体
Ａ      一方の磁気抵抗回路（第１回路体）
Ｂ      他方の磁気抵抗回路（第１回路体）
Ａ´    一方の磁気抵抗回路（第２回路体）
Ｂ´    他方の磁気抵抗回路（第２回路体）
Ｖｃｃ  電力供給端子
＋Ａ０、＋Ｂ０、−Ａ０、−Ｂ０、＋Ａ´０、＋Ｂ´０、−Ａ´０、−Ｂ´０    出力端子
＋Ａ１〜＋Ａ４、−Ａ１〜−Ａ４、＋Ｂ１〜＋Ｂ４、−Ｂ１〜−Ｂ４、＋Ａ´１〜＋Ａ´４、−Ａ´１〜−Ａ´４、＋Ｂ´１〜＋Ｂ´４、−Ｂ´１〜−Ｂ´４    磁気抵抗素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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