(57)【要約】【課題】  表示ムラを抑制できる電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】  電気光学装置１において、第１基板２Ａ又は第２基板３Ａのうち一方の基板の突起部２４が他方の基板に接触することにより電気光学物質２３の層厚が規定され、表示領域９ａのドットの相互間と、表示領域９ａの外部の周辺領域９ｂとには、遮光膜３３，３４が設けられ、表示領域９ａにはドットから出射される光を着色する着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの一部と遮光膜３３とが重なり合う積層部１４が設けられ、突起部２４は表示領域９ａにおける積層部１４に対応する位置と周辺領域９ｂにおける遮光膜３４に対応する位置とに設けられ、表示領域９ａ及び周辺領域９ｂの各領域において、所定の領域面積に対して突起部２４が設けられている設置面積が占める割合を突起部密度とし、周辺領域９ｂの一部における突起部密度は、表示領域９ａおける突起部密度よりも高いこと、を特徴とする。【選択図】  図４
2006301048.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板及び第２基板によって挟持された電気光学物質を具備し、複数のドットからなる表示領域において表示を行う電気光学装置であって、
前記第１基板と前記第２基板とのうち、一方の基板の内側に設けられた突起部が、他方の基板側に接触することにより、前記電気光学物質の層厚が規定され、
前記表示領域における前記ドットの相互間と、前記表示領域の外部の周辺領域とには、遮光膜が設けられ、
前記表示領域には、前記ドットから出射される光を着色する着色膜の一部と、前記遮光膜とが重なり合う積層部が設けられ、
前記突起部は、
前記表示領域における前記積層部に対応する位置と、
前記周辺領域における前記遮光膜に対応する位置と、
に設けられ、
前記表示領域及び前記周辺領域の各領域において、所定の領域面積に対して前記突起部が設けられている設置面積が占める割合を突起部密度とし、
前記周辺領域の一部における突起部密度は、前記表示領域おける突起部密度よりも高いこと、
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記周辺領域の一部における単位面積あたりの突起部の本数は、前記表示領域おける単位面積あたりの突起部の本数よりも多いこと、
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記周辺領域の一部における各突起部の面積は、前記表示領域おける各突起部の面積よりも大きいこと、
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記周辺領域は、
前記表示領域に近接する近接領域と、
当該近接領域の周縁に位置する周縁領域と、
からなり、
前記近接領域の突起部密度は、前記表示領域の突起部密度よりも高く、
前記周縁領域の突起部密度は、前記近接領域の突起部密度よりも低いこと、
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記着色膜の膜厚は、前記遮光膜の膜厚よりも大きいこと、
を特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記表示領域の前記積層部に対応する位置の電気光学物質の層厚は、
前記周辺領域の前記遮光膜に対応する位置の電気光学物質の層厚よりも薄いこと、
を特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
第１基板及び第２基板によって挟持された電気光学物質を具備し、複数のドットからなる表示領域において表示を行う電気光学装置であって、
前記第１基板と前記第２基板と間に、前記電気光学物質の層厚を規定する複数の突起部が配置され、
前記複数の突起部は、前記表示領域と前記周辺領域とに各々設けられ、
前記表示領域の前記突起部が配置されてなる位置に対応する電気光学物質の層厚は、
前記表示領域の外部の周辺領域において前記突起部が配置されてなる位置に対応する電気光学物質の層厚よりも薄く、
前記表示領域及び前記周辺領域の各領域において、所定の領域面積に対して前記突起部が設けられている設置面積が占める割合を突起部密度とし、
前記周辺領域の一部における突起部密度は、前記表示領域おける突起部密度よりも高いこと、
を特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
表示部を備える電子機器であって、
前記表示部は請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置からなること、を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話等の表示部として、液晶装置等の電気光学装置が知られている。
当該電気光学装置は、対向する電極間に挟持された液晶装置等の電気光学物質への印加電圧を調整することにより、単位画素内の複数のドット毎に光量を制御し、画像表示を行っている。
このような電気光学装置においては、一方の基板に固定されたスペーサによって、電気光学物質の層厚を一定に維持する構成が知られている。また、このようなスペーサが、複数のドット間における遮光部と重なるように設けられた技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００３−３４４８４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、このような液晶装置においては、表示領域と周辺領域との境界近傍において、表示ムラが生じるという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、表示ムラを抑制できる電気光学装置及び電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者は、表示領域と周辺領域との境界近傍においては、液晶層の複屈折と液晶層厚との積（リタデーション）Δｎｄが不均一になりやすく、これに起因して表示ムラが生じることを見出した。
そこで、本発明者は、上記に基づいて以下の手段を有する本発明を想到した。
【０００５】
即ち、本発明の電気光学装置は、第１基板及び第２基板によって挟持された電気光学物質を具備し、複数のドットからなる表示領域において表示を行う電気光学装置であって、前記第１基板と前記第２基板とのうち、一方の基板の内側に設けられた突起部が、他方の基板側に接触することにより、前記電気光学物質の層厚が規定され、前記表示領域における前記ドットの相互間と、前記表示領域の外部の周辺領域とには、遮光膜が設けられ、前記表示領域には、前記ドットから出射される光を着色する着色膜の一部と、前記遮光膜とが重なり合う積層部が設けられ、前記突起部は、前記表示領域における前記積層部に対応する位置と、前記周辺領域における前記遮光膜に対応する位置と、に設けられ、前記表示領域及び前記周辺領域の各領域において、所定の領域面積に対して前記突起部が設けられている設置面積が占める割合を突起部密度とし、前記周辺領域の一部における突起部密度は、前記表示領域おける突起部密度よりも高いこと、を特徴としている。
【０００６】
ここで、電気光学物質又は電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。従って、例えば液晶装置や有機ＥＬ（Electro-Luminescence）装置、無機ＥＬ装置に代表される発光装置等を含む概念である。
また、「突起部密度」とは、表示領域及び周辺領域の各々に単位面積において、突起部が配置されている部分の面積（突起部一つ当りの面積と、突起部の本数との積）を意味する。
また、本発明において、「積層部に対応する位置」及び「遮光膜に対応する位置」とは、電気光学装置の表示側から見たときに、重なり合うことを意味する。従って、突起部は、電気光学装置の表示側から見たときに、表示領域の積層部と重なって設けられ、また、周辺領域の遮光膜と重なって設けられたものである。
【０００７】
また、本発明においては、表示領域における積層部と、周辺領域における遮光膜の上方にはオーバーコート膜が設けられていることが好ましく、当該オーバーコート膜が被覆されることによって平坦化が施される。
また、本発明の電気光学装置が液晶装置である場合には、電気光学物質に相当する液晶層と接触する面に配向膜が設けられていることが好ましい。
また、表示領域においては、ドットの相互間の遮光膜の上方に着色膜の一部が設けられて積層部が構成されていてもよいし、当該遮光膜の下方に着色膜の一部が設けられていてもよい。
また、突起部は、表示領域と周辺領域との各々に規則的に配置されたものであり、弾性を有している。従って、突起部は、第１基板と第２基板とによって挟持され、第１基板と第２基板とを貼り合わせると、両基板が対向する方向おいて突起部に圧縮応力が生じる。これによって、第１基板及び第２基板の間において電気光学物質の層厚が維持される。
【０００８】
このような構成においては、基板面を基準とすると、表示領域の積層部の上面までの高さは、周辺領域の遮光膜の上面までの高さよりも高くなる。そして、上記構成のように各部に対応する突起部を設けて第１基板及び第２基板を貼り合わせると、積層部の突起部には、周辺領域の遮光膜の突起部よりも大きな圧縮応力が付与されてしまい、積層部の突起部は変形（潰れ）してしまう。
ここで、従来技術においては、積層部の突起部が変形することで、当該突起部の近傍における電気光学物質の層厚が薄くなり、表示ムラを招いていた。これに対して、本発明においては、周辺領域の一部における突起部密度が表示領域おける突起部密度よりも高いので、当該突起部密度が高い部分における突起部の圧縮応力を小さくすることができ、突起部の変形（潰れ）を抑制できる。これにより、電気光学物質の層厚が薄くなるを抑制し、表示領域及び周辺領域の境界において、電気光学物質の層厚を均一にすることができる。従って、表示ムラが抑制された電気光学装置を実現できる。
また、周辺領域は、遮光膜で覆われた部分であるため、突起部密度の大小に関わらず、表示に寄与することがない。従って、周辺領域における突起部密度は、自由に調整することが可能となる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置においては、前記周辺領域の一部における単位面積あたりの突起部の本数は、前記表示領域おける単位面積あたりの突起部の本数よりも多いこと、を特徴としている。
このように、突起部の本数の大小を規定することにより、周辺領域の一部における突起部密度を、表示領域おける突起部密度よりも高くすることができる。従って、当該突起部密度が高い部分における突起部の圧縮応力を小さくすることができ、突起部の変形（潰れ）を抑制できる。これにより、電気光学物質の層厚が薄くなるを抑制し、表示領域及び周辺領域の境界において、電気光学物質の層厚を均一にすることができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置においては、前記周辺領域の一部における各突起部の面積は、前記表示領域おける各突起部の面積よりも大きいこと、を特徴としている。
このように、各突起部における面積の大小を規定することにより、周辺領域の一部における突起部密度を、表示領域おける突起部密度よりも高くすることができる。当該突起部密度が高い部分における突起部の圧縮応力を小さくすることができ、突起部の変形（潰れ）を抑制できる。これにより、電気光学物質の層厚が薄くなるを抑制し、表示領域及び周辺領域の境界において、電気光学物質の層厚を均一にすることができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置においては、前記周辺領域は、前記表示領域に近接する近接領域と、当該近接領域の周縁に位置する周縁領域と、からなり、前記近接領域の突起部密度は、前記表示領域の突起部密度よりも高く、前記周縁領域の突起部密度は、前記近接領域の突起部密度よりも低いこと、を特徴としている。
ここで、近接領域とは、上記構成における「周辺領域の一部」に相当する領域である。従って、近接領域の突起部密度が前記表示領域の突起部密度よりも高いので、近接領域における突起部の圧縮応力を小さくすることができ、突起部の変形（潰れ）を抑制できる。これにより、電気光学物質の層厚が薄くなるを抑制し、表示領域及び周辺領域の境界において、電気光学物質の層厚を均一にすることができる。
【００１２】
また、周縁領域の突起部密度が、近接領域の突起部密度よりも低いので、周縁領域における第１基板と第２基板とが撓みやすくなり、当該第１基板及び第２基板の金属端子間に配置された導通粒子を潰すことができ、金属端子間の導通を確実に得ることができる。
なお、当該周縁領域では、電気光学物質の層厚が薄くなるものの、表示に寄与しない領域であるため、表示ムラが生じることもない。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置においては、前記着色膜の膜厚は、前記遮光膜の膜厚よりも大きいこと、を特徴としている。
ここで、本発明者らによれば、積層部上方の電気光学物質と、積層部の内側（ドット内側）における着色膜上方の電気光学物質と、の層厚差に起因して、電気光学物質の駆動電圧にばらつきが生じ易くなり、色ムラが生じて良好な表示特性が得られないことを見出した。そこで、着色膜の膜厚を遮光膜の膜厚よりも大きくすることで、表示領域を平坦化させることが可能となり、積層部上方の電気光学物質と、着色膜上方の電気光学物質との層厚を均一にすることができる。従って、表示領域においてコントラストの高い表示を行うことができる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置においては、前記表示領域の前記積層部に対応する位置の電気光学物質の層厚は、前記周辺領域の前記遮光膜に対応する位置の電気光学物質の層厚よりも薄いこと、を特徴としている。
ここで、「積層部に対応する位置の電気光学物質の層厚」とは、積層部が形成されている部分近傍の電気光学物質の層厚を意味する。また、換言すれば、積層部に対応する位置に設けられた突起部の近傍における電気光学物質の層厚を意味する。
また、「遮光膜に対応する位置の電気光学物質の層厚」とは、遮光膜が形成されている部分における電気光学物質の層厚、或いは、遮光膜に対応する位置に設けられた突起部の近傍における電気光学物質の層厚を意味する。
このように本発明によれば、上記の電気光学装置と同様の効果が得られるだけでなく、表示領域の積層部に対応する位置の電気光学物質の層厚を、周辺領域の遮光膜に対応する位置の電気光学物質の層厚よりも薄くすることができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置は、第１基板及び第２基板によって挟持された電気光学物質を具備し、複数のドットからなる表示領域において表示を行う電気光学装置であって、前記第１基板と前記第２基板と間に、前記電気光学物質の層厚を規定する複数の突起部が配置され、前記複数の突起部は、前記表示領域と前記周辺領域とに各々設けられ、前記表示領域の前記突起部が配置されてなる位置に対応する電気光学物質の層厚は、前記表示領域の外部の周辺領域において前記突起部が配置されてなる位置に対応する電気光学物質の層厚よりも薄く、前記表示領域及び前記周辺領域の各領域において、所定の領域面積に対して前記突起部が設けられている設置面積が占める割合を突起部密度とし、前記周辺領域の一部における突起部密度は、前記表示領域おける突起部密度よりも高いこと、を特徴としている。
【００１６】
ここで、「表示領域の突起部が配置されてなる位置に対応する電気光学物質の層厚」とは、表示領域の突起部が配置されている位置の近傍における電気光学物質の層厚を意味する。また、「周辺領域において突起部が配置されてなる位置に対応する電気光学物質の層厚」とは、周辺領域の突起部が配置されている位置の近傍における電気光学物質の層厚を意味する。
本発明によれば、周辺領域の一部における突起部密度が表示領域おける突起部密度よりも高いので、当該突起部密度が高い部分における突起部の圧縮応力を小さくすることができ、突起部の変形（潰れ）を抑制できる。これにより、表示ムラが抑制された電気光学装置を実現できる。
また、周辺領域は、遮光膜で覆われた部分であるため、突起部密度の大小に関わらず、表示に寄与することがない。従って、周辺領域における突起部密度は、自由に調整することが可能となる。
また、表示領域の突起部が配置されてなる位置に対応する電気光学物質の層厚を、周辺領域の突起部が配置されてなる位置に対応する電気光学物質の層厚よりも薄くすることができる。
【００１７】
また、本発明の電子機器は、表示部を備える電子機器であって、前記表示部は先に記載の電気光学装置からなること、を特徴としている。
ここで、電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置を用いた表示部を備えているので、表示ムラが抑制された表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（液晶装置の第１実施形態）
以下、本発明の電気光学装置に係る液晶装置の第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
図１は、本実施形態の液晶装置の全体構成を示す平面図、図２は、液晶装置の表示領域を示す図であって、図１のＢ−Ｂ'線に沿う断面図（横方向に切断した状態を示す断面図）である。また、図３は、液晶装置の表示領域と周辺領域の境界近傍を示す平面図である。また、図４は、液晶装置の表示領域と周辺領域の境界近傍を示す断面図であって、図１のＣ−Ｃ'線に沿う断面図（横方向に切断した状態を示す断面図）であり、図４（ａ）は本実施形態に係る液晶装置の断面図、図４（ｂ）は従来の液晶装置の断面図である。
なお、各図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００１９】
本実施形態における液晶装置は、パッシブマトリクス方式の透過型カラー液晶装置であって、液晶層への印加電圧がＯＦＦ（非印加）状態で、黒表示を示すノーマリーブラックモードの液晶装置である。
そして、図１に示すように、本実施形態の液晶装置１は、平面視矩形状の下基板部（第１基板）２Ａと上基板部（第２基板）３Ａとがシール材４を介して対向配置されている。シール材４の一部は各基板部２Ａ，３Ａの一辺（図１における上辺）側で開口して液晶注入口５となっており、双方の基板部２Ａ，３Ａとシール材４とに囲まれた空間内に液晶が封入され、液晶注入口５が封止材６によって封止されている。本実施形態では、上基板部３Ａよりも下基板部２Ａの外形寸法の方が大きく、上基板部３Ａと下基板部２Ａの１辺（図１における上辺、右辺、左辺）では縁が揃っているが、下基板部２Ａの残りの１辺（図１における下辺）からは上基板部３Ａの周縁部がはみ出すように配置されている。そして、上基板部３Ａの下辺側の端部には、上基板部３Ａ及び下基板部２Ａの双方の電極を駆動するための駆動用半導体素子７が実装されている。
【００２０】
また、符号８は、表示領域９ａと周辺領域９ｂとの境界線である。
ここで、当該境界線８より内包される側（内側）は、画像表示を行うための表示領域９ａである。また、表示領域９ａは、複数のドットがマトリクス状に配列された領域であって、実際に表示に寄与する領域のことを言う。
また、境界線８の外側は、表示領域９ａの外部に位置する周辺領域９ｂであり、図１においては周辺領域９ｂを斜線で示している。また、周辺領域９ｂには、周辺見切りとして機能する周辺遮光膜が設けられている。
【００２１】
本実施形態の場合、図１に示すように、上基板部３Ａ上に、図中縦方向に線状に延在する複数のセグメント電極１１がストライプ状に形成されている。一方、下基板部２Ａ上には、セグメント電極１１と直交するように図中横方向に線状に延在する複数のコモン電極１０がストライプ状に形成されている。
ここで、セグメント電極１１とコモン電極１０とが互い交差することにより、平面的に見て重なり合った領域が形成され、当該領域が「ドット」を構成している。
また、表示領域９ａにおける複数のドットの各々においては、カラー表示を行うべく、カラーフィルタのＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の複数色からなる着色膜が設けられている。そして、Ｒ、Ｇ、Ｂの３個の着色膜で画面上の１つの画素（単位画素）が構成されている。
【００２２】
図２を参照して、表示領域９ａの断面構造を見ると、液晶装置１は、下基板部２Ａと、上基板部３Ａとによって液晶層（電気光学物質）２３を挟持した構成を有している。
ここで、下基板部２Ａには、下基板（第１基板）２から液晶層２３に向けて、カラーフィルタ１３（着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂ）、ドット遮光膜（遮光膜）３３、オーバーコート膜２１、コモン電極１０、及び配向膜２０が設けられている。また、上基板部３Ａには、上基板（第２基板）３から液晶層２３に向けて、セグメント電極１１、フォトスペーサ（突起部）２４、及び配向膜２２が設けられている。そして、フォトスペーサ２４が上基板部３Ａ及び下基板２Ａに挟持されることで、液晶層２３の層厚が維持される構成となっている。
【００２３】
次に、下基板部２Ａの構成について詳述する。
下基板２は、ガラス又はプラスチック等の透明性材料からなるものであり、バックライトユニット１５からの光を透過させるものである。
また、カラーフィルタ１３は、赤着色膜１３ｒと、緑着色膜１３ｇと、青着色膜１３ｂと、を下基板２上に備えてなるものである。また、各着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂは、樹脂材料からなり、その膜厚は１．０μｍとなっている。
なお、各着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの膜厚は、１．０μｍを限定するものではなく、約０．６〜２．０μｍの範囲であればよい。
【００２４】
ドット遮光膜３３は、樹脂ブラック等の遮光性の樹脂材料からなるものである。また、ドット遮光膜３３は、各着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの相互間に位置し、各着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂを区画するように設けられている。また、ドット遮光膜３３は、各着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂと同一の膜厚で形成され、その膜厚は１．０μｍとなっている。また、ドット遮光膜３３は、線幅が１３μｍとなるように形成されている。また、ドット遮光膜３３は、周辺領域９ｂの表面に形成される周辺遮光膜３４（後述）と同一工程において形成される。
なお、ドット遮光膜３３の膜厚は、１．０μｍを限定するものではなく、約０．６〜２．０μｍの範囲であればよい。
【００２５】
また、着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂは、ドット遮光膜３３によってドット毎に区画され設けられたものである。
図３に示すように、着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂは各色毎にストライプ状に形成されたストライプ着色膜１３ｓｒ，１３ｓｇ，１３ｓｂの各々の一部を構成するものである。ストライプ着色膜１３ｓｒ，１３ｓｇ，１３ｓｂは、表示領域９ａの紙面縦方向に延在して設けられ、当該延在方向において複数のドットに重なって設けられている。そして、ストライプ着色膜１３ｓｒ，１３ｓｇ，１３ｓｂは、図３の紙面左右方向に延在するドット遮光膜３３を跨いでおり、当該ドット遮光膜３３を跨ぐＲＧＢのストライプ着色膜１３ｓｒ，１３ｓｇ，１３ｓｂは表示に寄与しない部分となる。従って、図３の紙面左右方向に延在するドット遮光膜３３は、ストライプ着色膜が延在する方向において、ドット毎に各着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂを区画するものとなる。また、図３の紙面縦方向に延在するドット遮光膜３３は、紙面左右方向において、ドット毎に各着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂを区画するものとなる。このように表示領域９ａにドット遮光膜３３が設けられていることにより、ストライプ着色膜１３ｓｒ，１３ｓｇ，１３ｓｂをドット毎に区画することとなり、ドット毎に矩形の着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂが形成されたものとなる。
【００２６】
このように、ドット遮光膜３３がストライプ着色膜１３ｓｒ，１３ｓｇ，１３ｓｂをドット毎に区画することで、着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの一部とドット遮光膜３３とが重なり合う積層部１４が形成されている。
更に、積層部１４とカラーフィルタ１３を覆うように、オーバーコート膜２１が設けられており、これによって各着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの表面は保護されている。
また、コモン電極１０は、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）からなるものであり、下基板２上において紙面左右方向にストライプ状に形成されている。
また、配向膜２０は、コモン電極１０上に形成されたポリイミド等の樹脂材料からなるものである。当該配向膜２０の表面側には、液晶分子のモードに応じたラビング処理や垂直配向処理が施されている。例えば、液晶分子が、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）である場合には配向膜２７にはラビング処理が施されており、また、誘電異方性が負の液晶分子を有するＶＡ（Vertical Alignment）モードである場合には、垂直配向処理が施されている。なお、配向膜２７が垂直配向膜である場合には、ポリイミド膜以外にも、無機膜を採用してもよい。
【００２７】
ここで、オーバーコート膜２１は、例えばスピンコート法等の湿式成膜法によって形成されるものであり、その下層の表面段差に対してかなりの平坦化を施している。
また、コモン電極１０は、スパッタ等の真空成膜法によって薄膜に形成されるため、オーバーコート膜２１の表面形状に倣って形成される。
また、有機膜からなる配向膜２０は、スピンコート法等の湿式成膜法によって形成されるため、その下層の表面段差に対して若干の平坦化を施している。また、無機膜からなる配向膜２０は、真空成膜法によって薄膜に形成されるため、コモン電極１０の表面形状に倣って形成される。
【００２８】
これにより、配向膜２０の表面（液晶層２３との界面）においては、積層部１４の段差に対して若干の平坦化が施された凹凸形状が付与される。
即ち、積層部１４上にオーバーコート膜２１、コモン電極１０、及び配向膜２０が積層された凸部２０ａと、着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂ上にオーバーコート膜２１、コモン電極１０、及び配向膜２０が積層された凹部２０ｂとが形成される。
【００２９】
次に、上基板部３Ａの構成について詳述する。
上基板３は、ガラス又はプラスチック等の透明性材料からなるものであり、バックライトユニット１５からの光を透過させるものである。
また、セグメント電極１１は、ＩＴＯからなるものであり、上基板３において紙面垂直方向（紙面を貫通する方向）にストライプ状に形成されている。
【００３０】
フォトスペーサ２４は、アクリル等の樹脂材料からなる。当該フォトスペーサ２４の形成方法としては、上記のオーバーコート膜２１を形成する方法と同様の方法が採用される。従って、所定のパターンで感光性樹脂材料を露光することによってフォトスペーサ２４を形成できるため、簡素な工程によって容易かつ規則的に形成することができる。
なお、上記のフォトスペーサ２４の形成方法においては、感光性樹脂膜としてネガ型やポジ型が利用される。また、フォトスペーサ２４は、表示領域９ａの凸部２０ａに対応して設けられている。これにより、フォトスペーサ２４の表面に設けられた配向膜２２と、下基板２の配向膜２０とが接触することで、液晶層２３の層厚が規定される。更に、フォトスペーサ２４は、弾性を有することから、液晶装置１の製造工程において下基板部２Ａ及び上基板部３Ａを貼り合わせた後に、当該貼り合わせ方向に加圧硬化されることで、変形するようになっている。
【００３１】
また、配向膜２２は、セグメント電極１１及びフォトスペーサ２４上に形成されたポリイミド等の樹脂材料からなるものである。当該配向膜２２の表面側には、液晶分子のモードに応じたラビング処理や垂直配向処理が施されている。例えば、液晶分子が、ＴＮモード、ＳＴＮである場合には配向膜２７にはラビング処理が施されており、また、誘電異方性が負の液晶分子を有するＶＡモードである場合には、垂直配向処理が施されている。なお、配向膜２７が垂直配向膜である場合には、ポリイミド膜以外にも、無機膜を採用してもよい。
【００３２】
また、液晶層２３は、下基板部２Ａ及び上基板部３Ａの間において、配向膜２０，２２に接触するように注入されている。また、凹部２０ｂの液晶層２３の層厚は、凹部２０ｂと凸部２０ａとの膜厚差と、弾性変形したフォトスペーサ２４の高さと、配向膜２２の膜厚と、の和の値によって規定されている。
液晶層２３としては、ＳＴＮ液晶を採用しているが、当該ＳＴＮ液晶に限定することなく、ＴＮモード、ＶＡモード等の液晶層を採用してもよい。当該液晶層２３は、配向膜２０，２２の間に注入されることで、配向膜２０，２２のラビング方向に順じて配向されている。
【００３３】
次に、下基板部２Ａ及び上基板部３Ａの外部の構成について説明する。
下基板部２Ａの外面側（液晶層２３を挟持する面とは異なる側）には位相差板１８及び偏光板１９が、上基板部３Ａの外面側にも位相差板１６及び偏光板１７が形成されており、基板内面側（液晶層２３側）に円偏光を入射可能に構成されており、これら位相差板１８及び偏光板１９が円偏光板を構成し、位相差板１６及び偏光板１７が楕円偏光板を構成している。偏光板１９は、所定方向の偏光軸を備えた直線偏光のみを透過させる構成とされ、位相差板１８としてはλ／４位相差板が採用されている。このような円偏光板としては、その他にも偏光板とλ／２位相差板とλ／４位相差板を組み合わせた構成のもの（広帯域円偏光板）を用いることが可能で、この場合、黒表示をより無彩色にすることができるようになる。また、偏光板とλ／２位相差板とλ／４位相差板、及びｃプレート（膜厚方向に光軸を有する位相差板）を組み合わせた構成のものを用いることも可能で、一層広視角化を図ることができるようになる。また、下基板部２Ａに形成された偏光板１９の外側には、光源と導光板とからなるバックライトユニット１５が設けられている。
【００３４】
次に、図３及び図４を参照して、表示領域９ａと周辺領域９ｂの境界線８の近傍について説明する。
なお、図４（ａ），（ｂ）においては、セグメント電極１１及びコモン電極１０が不図示となっているが、当該セグメント電極１１及びコモン電極１０は、表示領域９ａに形成されているものとする。
【００３５】
周辺領域９ｂは、表示領域９ａに近接する近接領域（周辺領域の一部）２９ｂと、当該近接領域２９ｂの周縁に位置する周縁領域３９ｂとからなる。また、周辺領域９ｂに相当する下基板２上には、上記のドット遮光膜３３と同一工程によって形成され、樹脂ブラック等の遮光性の樹脂材料からなる周辺遮光膜（遮光膜）３４が設けられている。また、当該周辺遮光膜３４上には、上記のオーバーコート膜２１及び配向膜２０が形成されており、これによって、平坦面２０ｃが形成されている。ここで、下基板２の表面を基準とすると、平坦面２０ｃの上面までの高さは均一であり、凸部２０ａの表面の高さよりも低くなっている。
【００３６】
一方、周辺領域９ｂに相当する上基板３上においては、フォトスペーサ２４と、当該フォトスペーサ２４を被覆する配向膜２２が設けられている。
ここで、フォトスペーサ２４は、表示領域９ａのフォトスペーサ２４を形成する際に同時に形成される部材であり、自然開放時の高さや、材料の硬さが表示領域９ａのフォトスペーサ２４と同様となっている。当該フォトスペーサ２４は、下基板２の周辺遮光膜３４に対応する位置に設けられている。
そして、下基板部２Ａ及び上基板部３Ａが貼り合わされることにより、配向膜２０，２２が接触するので、周辺領域９ｂにおける下基板部２Ａ及び上基板部３Ａの間の液晶層層厚が規定される。従って、液晶層２３の層厚は、フォトスペーサ２４の高さと、配向膜２２の膜厚との和の値によって規定されている。
【００３７】
そして、本実施形態においては、本発明の特徴点として記載したように、近接領域２９ｂにおけるフォトスペーサ２４の密度（突起部密度）が、表示領域９ａにおけるフォトスペーサ２４の密度よりも高くなっている。また、周縁領域３９ｂにおけるフォトスペーサ２４の密度が、近接領域２９ｂにおけるフォトスペーサ２４の密度よりも低くなっている。
具体的に説明すると、図３に示すように、表示領域９ａのフォトスペーサ２４は、紙面左右方向においてドット間隔ｗｄのピッチで配設されているのに対して、近接領域２９ｂのフォトスペーサ２４は、間隔ｗｄの１／２のピッチで紙面左右方向に配設されている。また、紙面縦方向においては、フォトスペーサ２４は、表示領域９ａ及び近接領域２９ｂにおいて、等ピッチで配設されている。これによって、近接領域２９ｂにおける単位面積当りのフォトスペーサ２４の本数は、表示領域９ａのそれよりも多くなっている。また、このように本数を異ならせることにより、表示領域９ａに対する近接領域２９ｂのフォトスペーサ２４の密度比が２．０となっている。なお、本実施形態においては、密度比を２．０としているが、１．３〜３．５の範囲であればよい。
また、周縁領域３９ｂのフォトスペーサ２４は、表示領域９ａと同様のドット間隔ｗｄのピッチで配設されている。従って、近接領域２９ｂにおける単位面積当りのフォトスペーサ２４の本数は、周縁領域３９ｂのそれよりも多くなっている。
【００３８】
このような構成の液晶装置１においては、表示領域９ａにおけるフォトスペーサ２４が積層部１４の位置に対応して設けられ、即ち、凸部２０ａ上に配置されている。一方、近接領域２９ｂにおけるフォトスペーサ２４が周辺遮光膜３４の位置に対応して設けられている。これにより、凸部２０ａのフォトスペーサ２４には、周辺領域９ｂの周辺遮光膜３４のフォトスペーサ２４よりも大きな圧縮応力が付与されてしまい、凸部２０ａのフォトスペーサ２４は周辺遮光膜３４のそれよりも変形（潰れ）してしまう。
そして、上記のように、近接領域２９ｂのフォトスペーサ２４の密度が表示領域９ａおけるフォトスペーサ２４の密度よりも高いので、近接領域２９ｂのフォトスペーサ２４の圧縮応力が小さくなり、フォトスペーサ２４の変形（潰れ）が抑制される。
【００３９】
また、表示領域９ａにおいては、凸部２０ａ上にフォトスペーサ２４が設けられることにより、表示領域９ａにおける積層部１４に対応する位置の液晶層２３の層厚は、積層部１４が形成されていない凹部２０ｂに対応する位置の液晶層２３の層厚よりも薄くなる。また、表示領域９ａにおける積層部１４に対応する位置の液晶層２３の層厚は、周辺領域９ｂの周辺遮光膜３４に対応する位置の液晶層２３の層厚よりも薄くなる。また、表示領域９ａにおける凹部２０ｂの液晶層２３の層厚は、近接領域２９ｂとの液晶層２３の層厚と同じになる。
【００４０】
ここで、図４（ａ）及び（ｂ）を参照し、本実施形態の液晶装置と、従来の液晶装置とを比較して説明する。
図４（ｂ）は、従来の液晶装置を示す断面図であって、図４（ａ）の本実施形態の液晶装置１の断面図と同一の位置関係で図示したものである。また、図４（ｂ）においては、図４（ａ）と同一構成には同一符号を付している。ここでは、同一構成の説明を省略している。
【００４１】
従来の液晶装置においては、周辺領域９ｂと表示領域９ａとにおいて、同ピッチのフォトスペーサ２４が形成されている。即ち、本実施形態の近接領域２９ｂのように、フォトスペーサ２４の密度を表示領域９ａと異ならせたものではない。
このような構成においては、凸部２０ａのフォトスペーサ２４に大きな圧縮応力が付与されてしまうことで、凸部２０ａのフォトスペーサ２４は周辺遮光膜３４のそれよりも変形（潰れ）してしまう。更に、周辺領域９ｂの境界８の近傍においても、フォトスペーサ２４が変形してしまう。これによって、境界８の近傍で液晶層２３の層厚が不均一になり、Δｎｄが不均一になることで表示ムラが生じる。
【００４２】
上述したように、本実施形態の液晶装置１においては、近接領域２９ｂにおけるフォトスペーサ２４の変形を抑制できるので、表示領域９ａにおける凹部２０ｂの液晶層２３と、近接領域２９ｂとの液晶層２３の層厚を一定にすることができ、Δｎｄが均一になることで表示ムラを抑制することができる。
また、周辺領域９ｂは、周辺遮光膜３４で覆われた部分であるため、フォトスペーサ２４の密度の大小に関わらず、表示に寄与することがない。従って、周辺領域９ａにおけるフォトスペーサ２４密度は、自由に調整することが可能となる。
【００４３】
また、周縁領域３９ｂにおけるフォトスペーサ２４の密度が、近接領域２９ｂのそれよりも低いので、周縁領域３９ｂにおける下基板２と上基板３とが撓みやすくなり、当該下基板２と上基板３との金属端子間に配置された導通粒子を潰すことができ、金属端子間の導通を確実に得ることができる。なお、当該周縁領域３９ｂでは、液晶層２３の層厚が薄くなるものの、表示に寄与しない領域であるため、表示ムラが生じることもない。
【００４４】
（液晶装置の第２実施形態）
次に、本発明の電気光学装置に係る液晶装置の第２実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
図５は、本実施形態の液晶装置の表示領域と周辺領域の境界近傍を示す断面図であって、図１のＣ−Ｃ'線に沿う断面図（横方向に切断した状態を示す断面図）である。
本実施形態においては、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明し、同一構成には同一符号を付して詳細な説明を省略する。
なお、各図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００４５】
本実施形態における液晶装置１は、表示領域９ａにおいて着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの各々の膜厚がドット遮光膜３３の膜厚よりも厚くなっている。そして、着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂ上にオーバーコート膜２１が形成され、更に当該オーバーコート膜２１上に配向膜２０が形成されている。このように着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂがドット遮光膜３３よりも厚膜に形成されていることにより、積層部１４上の段差が平坦化されたものとなっている。
一方、周辺領域９ｂにおいては、周辺遮光膜３４上にオーバーコート膜２１が形成され、更に当該オーバーコート膜２１上に配向膜２０が形成されている。
【００４６】
また、本実施形態においては、第１実施形態と同様に、近接領域２９ｂにおけるフォトスペーサ２４の密度が、表示領域９ａにおけるフォトスペーサ２４の密度よりも高くなっている。また、周縁領域３９ｂにおけるフォトスペーサ２４の密度が、近接領域２９ｂにおけるフォトスペーサ２４の密度よりも低くなっている。
【００４７】
そして、下基板部２Ａと上基板部３Ａとを貼り合わせて、その間に液晶層２３を注入することにより、表示領域９ａと周辺領域９ｂとの各々のフォトスペーサ２４によって液晶層２３の層厚が規定される。
ここで、表示領域９ａには、着色膜膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂが形成され、周辺領域９ｂには着色膜が形成されていないことから、表示領域９ａにおける下基板２から配向膜２０までの膜厚が、周辺領域９ｂにおけるそれよりも厚膜になる。
その結果、表示領域９ａのフォトスペーサ２４には、周辺領域９ｂのフォトスペーサ２４よりも大きな圧縮応力が付与されて変形する。一方、近接領域２９ｂにおいては、フォトスペーサ２４の密度が表示領域９ａおけるフォトスペーサ２４の密度よりも高いので、近接領域２９ｂのフォトスペーサ２４の圧縮応力が小さくなり、フォトスペーサ２４の変形（潰れ）が抑制される。
【００４８】
上述したように、本実施形態においては、着色膜膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの膜厚をドット遮光膜３３の膜厚よりも大きくすることで、表示領域９ａのオーバーコート膜２１の表面を平坦化させることが可能となり、積層部１４の上方における液晶層２３の層厚と、着色膜１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの上方における液晶層２３の層厚を均一にすることができる。従って、表示領域９ａにおいてコントラストの高い表示を行うことができる。
【００４９】
（液晶装置の第３実施形態）
次に、本発明の電気光学装置に係る液晶装置の第３実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
図６は、本実施形態の液晶装置の表示領域と周辺領域の境界近傍を示す断面図であって、図１のＣ−Ｃ'線に沿う断面図（横方向に切断した状態を示す断面図）である。
本実施形態においては、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明し、同一構成には同一符号を付して詳細な説明を省略する。
なお、各図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００５０】
既述の第１実施形態においては、表示領域９ａのフォトスペーサ２４のピッチよりも、近接領域２９ｂのフォトスペーサ２４のピッチを小さくすることで、近接領域２９ｂにおける単位面積当りのフォトスペーサ２４の本数を、表示領域９ａのそれよりも多くしている。これによって、表示領域９ａに対する近接領域２９ｂのフォトスペーサ２４の密度比を高くしている。
これに対して、本実施形態においては、図６に示すように、表示領域９ａと近接領域２９ｂとにおいてフォトスペーサ２４のピッチを同じにしているものの、近接領域２９ｂのフォトスペーサ２４の面積を表示領域９ａのそれよりも大きくしている。
換言すれば、本実施形態においては、表示領域９ａと近接領域２９ｂとにおける単位面積当りのフォトスペーサ２４の本数を同じにしているが、近接領域２９ｂにおける一本当りのフォトスペーサ２４の太さを表示領域９ａのそれよりも大きくしている。
【００５１】
上述したように、本実施形態においても、近接領域２９ｂにおけるフォトスペーサ２４の密度が、表示領域９ａにおけるフォトスペーサ２４の密度よりも高くすることが可能となる。従って、近接領域２９ｂにおけるフォトスペーサ２４の変形を抑制できるので、表示領域９ａと近接領域２９ｂとの境界８における液晶層２３の層厚を一定にすることができ、Δｎｄが均一になることで表示ムラを抑制することができる。
【００５２】
なお、本発明の技術範囲は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、反射型や半透過反射型の液晶装置においても、本発明を適用することができる。
また、本実施形態においては、ノーマリーブラックモードの液晶装置について説明したが、本発明は当該モードを限定するものではなく、ノーマリーホワイトモードの液晶装置においても適用可能である。
【００５３】
（電子機器）
次に、本発明の上記実施形態の液晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図７は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図７において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記液晶装置を用いた表示部を示している。このような携帯電話等の電子機器の表示部に、上記実施形態の液晶装置を用いた場合、表示ムラが抑制された液晶表示部を備えた電子機器となる。
【実施例】
【００５４】
（実験結果１）
次に、本発明の実施例１について説明する。
図８は、既述の第１実施形態に示す液晶装置において、表示領域９ａ及び近接領域２９ｂの境界８近傍に生じる表示ムラの程度を調査した実験結果を示している。
本実施例においては、４つのパラメータを異ならせて実験を行っている。即ち、図８に示すように、（１）周縁領域３９ｂにおける１ドット当りのフォトスペーサの個数（スペーサ密度Ｃ１）と、（２）近接領域２９ｂのドット数（幅Ｗ２）と、（３）近接領域２９ｂにおける１ドット当りのフォトスペーサの個数（スペーサ密度Ｃ２）と、（４）表示領域９ａにおける１ドット当りのフォトスペーサの個数（スペーサ密度Ｃ３）と、を各々異ならせて実験を行っている。
また、（１）〜（４）の条件のうち、（３）と（４）の条件から（５）密度比を求めている。
また、（６）境界近傍の表示ムラにおいて、「×」，「△」，「○」，「◎」とは、表示ムラの程度を示している。そのうち「×」はムラが顕著に生じた結果を示している。「△」は、製品レベルの液晶装置として許容される範囲の表示ムラが生じた結果を示している。「○」及び「◎」は、殆ど表示ムラが生じなかった結果を示し、特に「◎」は表示ムラが確認されなかった結果を示している。
更に、本実験は、「従来例１」に示す液晶装置と、「実施例１」〜「実施例１４」に示す液晶装置を実験対象としている。
【００５５】
そして、（６）境界近傍の表示ムラを確認したところ、従来例１は「×」の結果が得られた。また、「実施例１」，「実施例４」，「実施例５」，「実施例６」，「実施例７」，「実施例９」，「実施例１０」，「実施例１１」，「実施例１３」，及び「実施例１４」は、「△」の結果が得られた。また、「実施例２」，「実施例８」，「実施例１２」は、「○」の結果が得られた。また、「実施例３」は、「◎」の結果が得られた。
そして、このような表示ムラの結果と、（５）密度比との関係を調べると、密度比が１．６７〜２．００の範囲において、「○」若しくは「◎」の結果が得られることが明らかになった。また、密度比が１．３３〜１．６７の範囲、若しくは、３．００〜４．００の範囲において、「△」の結果が得られることが明らかになった。
【００５６】
（実験結果２）
次に、本発明の実施例２について説明する。
図９は、既述の第２実施形態に示す液晶装置において、表示領域９ａ及び近接領域２９ｂの境界８近傍に生じる表示ムラの程度を調査した実験結果を示している。
本実験では、「実施例１５」及び「実施例１６」に示す液晶装置を実験対象としている。当該「実施例１５」及び「実施例１６」は、カラーフィルタ１３の膜厚と、近接領域２９ｂにおける１ドット当りのフォトスペーサの個数（スペーサ密度Ｃ２）と、を異ならせている。
また、本実験では、ドット遮光膜の厚みを一定、周縁領域３９ｂにおける１ドット当りのフォトスペーサの個数（スペーサ密度Ｃ１）を一定、近接領域２９ｂのドット数（幅Ｗ２）を一定、としている。
【００５７】
そして、境界近傍の表示ムラを確認したところ、「実施例１５」及び「実施例１６」のいずれも、表示ムラが殆ど生じなかった結果（「○」）が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の平面図。
【図２】図１のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図。
【図３】図１の表示領域と周辺領域の境界近傍を示す平面図。
【図４】図１のＣ−Ｃ’線に沿う断面構成図であり第１実施形態と従来例との比較図。
【図５】本発明の第２実施形態に係る液晶装置のＣ−Ｃ’線に沿う断面構成図。
【図６】本発明の第３実施形態に係る液晶装置のＣ−Ｃ’線に沿う断面構成図。
【図７】本発明の電子機器を示す斜視図。
【図８】本発明の実施例１を説明するための図。
【図９】本発明の実施例２を説明するための図。
【符号の説明】
【００５９】
１  液晶装置（電気光学装置）、  ２Ａ  下基板部（第１基板）、  ２  下基板（第１基板）、  ３Ａ  上基板部（第２基板）、  ３  上基板（第２基板）、  ９ａ  表示領域、  ９ｂ  周辺領域、  １３  カラーフィルタ（着色膜）、  １３ｒ，１３ｇ，１３ｂ  着色膜、  １４  積層部、  ２３  液晶層（電気光学物質）、  ２４  フォトスペーサ（突起部）、  ２９ｂ  近接領域（周辺領域の一部）、  ３３  ドット遮光膜（遮光膜）、  ３４  周辺遮光膜（遮光膜）、  ３９ｂ  周縁領域、  １０００  携帯電話（電子機器）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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