(57)【要約】【課題】  パネル特性の経時的劣化を抑制し、かつ簡単に低コストで製造することのできるプラズマディスプレイパネルとその製造方法を提供する。【解決手段】  バス電極１１３ａ，１１３ｂを、導電性ペーストを用いて概ね断面円弧状に形成し、かつ誘電体層１１４を気相成長法で形成することにより、誘電体層１１４が従来よりも薄くなり、保護層１１５の表面になだらかな段差ｔが現れるため、面放電時の放電効率を高めつつ、パネル特性の経時的変化を抑制できる。また、均一な高さの井桁状隔壁を配した背面基板１２０と組み合わせても、隙間ｓを通じてガス分子の移動が容易となり、前面基板１１０と背面基板１２０を貼り合わせた後の真空排気工程が短時間となる。そのうえ、導電性ペーストを用いるので、概ね円弧状のバス電極１１３ａ，１１３ｂを簡単に形成できる。【選択図】図１
2006210069.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空間を挟んで２枚の基板が対向配置され、一方の基板において前記空間側主面に表示電極対が延伸して配設されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記表示電極対は、２本の帯状電極が互いに間隙をあけて並設されてなり、
前記帯状電極の各々は、電極幅方向において、内方から前記間隙側の外端に向けて厚みが漸減するように形成され、
誘電体層は、均一な厚みで、かつ前記表示電極対に沿った状態でこれを覆っていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記帯状電極において、
電極延伸方向に垂直な断面が、中央ほど厚肉になった山形をし、
かつ肉厚が、山頂部から裾部にかけて二次関数的または指数関数的に漸減するよう変化していることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記帯状電極は、
互いに電気的に接続された抵抗膜と、金属材料を含む導電膜とが含まれた
積層構造を有していることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記導電膜が、前記帯状電極の漸減部分を構成しており、
前記導電膜の、前記導電膜と接する下地層に対するテーパー角が、前記断面において３０°以上８０°以下であることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記誘電体層の厚みは、３μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記２枚の基板のうち、他方の基板において、前記表示電極対と交差する方向に隔壁が配されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
基板上に表示電極対を延伸形成するステップと、前記表示電極対上に誘電体層を形成するステップとを含むプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記表示電極対を延伸形成するステップでは、
２本の帯状電極を一定の間隙をあけて並設し、
前記帯状電極の各々を、
電極幅方向において、内方から前記間隙側の外端に向けて厚みが漸減するように
形成し、
前記誘電体層を形成するステップでは、気相成長法を用いることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記表示電極対を延伸形成するステップでは、
金属材料を含む導電性ペーストを前記基板に塗布して導電膜を形成するサブステップを含むことを特徴とする請求項７記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記導電膜を形成するサブステップは、ディスペンサ法、フォトリソグラフィー法、インクジェット法もしくはスクリーン印刷法を用いることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記気相成長法として、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、反応性スパッタ法もしくは蒸着法の中から選んだ方法を用いて誘電体層材料を気相成長させることにより誘電体層を形成することを特徴とする請求項７から９のいづれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記表示電極対と前記誘電体層とを形成した一方の基板に、前記表示電極対と交差する方向に隔壁が配された他方の基板を張り合わせることを特徴とする請求項７から１０のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関するものであり、特に表示電極およびその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型表示装置の一つとしてプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と記す。）があり、特に大型化、寿命特性の面から面放電型ＰＤＰが脚光を浴びている。面放電型ＰＤＰは、一般に、前面基板と背面基板とで放電空間を挟んでなる構造となっている。前面基板には、ガラス基板上に透明電極とバス電極とからなる表示電極対と、誘電体層と、保護層とが順次形成されており、背面基板には、ガラス基板上にデータ電極と、誘電体層とがこの順で形成され、この誘電体層の上に蛍光体層と隔壁が形成されている。
【０００３】
このようなＰＤＰの消費電力を低減し、面放電時の放電効率を高めるには、前面基板を構成する誘電体層の表面の電界強度を高めれば良いことが知られており、その手段として誘電体層の厚みを薄くすれば良いことも理解されている。一般的な前面基板の断面図を図６に示すと、誘電体層４は、一般に液相法（例えば、低融点ガラスペーストを塗布して焼成するなどの方法）によって形成されるため、その表面が、平坦となる。
【０００４】
しかし、平坦な表面の誘電体層４を薄くすれば、表示電極頂部を覆う誘電体層４の厚みｄ１が他の部分の厚みｄ２に比べて小さいため、表示電極頂部を覆う部分において誘電体層４の絶縁破壊が生じ易くなる。特に、液相法を用いて誘電体層４を薄く形成しようとすれば、塵が混入したり気泡が発生することにより、当該発生部分で耐電圧が低下し、誘電体層４の絶縁破壊が生じ易くなる。
【０００５】
そこで、絶縁破壊を防止しつつ誘電体層表面の電界強度を高めるため、誘電体層の一部を薄くする発明がなされている。かかる発明を図７に示すと、誘電体層５４のうち透明電極５２およびバス電極５３以外の領域に断面矩形状の窪み５９を形成したため、誘電体層５４の一部が薄くなっている。誘電体層５４に窪み５９を形成する方法として、例えば平坦に低融点ガラスペーストを印刷した後、窪み５９が形成される部分を除く範囲に低融点ガラスペーストを重ね印刷する方法や、平坦に形成された誘電体層５４をフォトリソグラフィーで露光・現像することにより、誘電体層５４の一部を化学的にエッチングする方法が開示されている。このように誘電体層の一部に矩形状の窪みを設ける構成とすることで、誘電体層５４において、個々の放電セルが生じさせる面放電Ｄ１の発生する部分が、透明電極５２とバス電極５３とからなる表示電極を覆う部分よりも薄くなるので、絶縁破壊を防ぎながら、面放電時の放電効率を高めることができる（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−９６９１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のように誘電体層に矩形状の窪みを形成したＰＤＰは、長時間駆動すると、プラズマ中のイオンによって窪みの開口部に位置する角部分がスパッタリングされ、徐々に滑らかな形状へと変化する。それに伴って放電効率が低下し、パネル特性が経時的に劣化する。特に、角部分の形状が経時的に変化する速度が各放電セルで異なるため、放電セル間で放電特性にばらつきが生じ、その結果、パネル寿命が短くなるという問題がある。また、特許文献１に示された製造工程は複雑で高コストであるという問題もある。
【０００７】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、パネル特性の経時的劣化を抑制し、かつ簡単に低コストで製造することのできるＰＤＰとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明では、空間を挟んで２枚の基板を対向配置させ、一方の基板において上記空間側主面に表示電極対を延伸して配設させたＰＤＰに対し、上記表示電極対を、２本の帯状電極が互いに間隙をあけるよう並設させ、当該帯状電極の各々を、電極幅方向において、内方から上記間隙側の外端に向けて厚みが漸減するように形成させ、誘電体層が、均一な厚みで、かつ上記表示電極対に沿った状態でこれを覆うようにした。
【０００９】
また、上記目的を達成するため、本発明では、基板上に表示電極対を延伸形成するステップと、当該表示電極対上に誘電体層を形成するステップとを含むＰＤＰの製造方法に対し、上記表示電極対を延伸形成するステップでは、２本の帯状電極を一定の間隙をあけて並設し、上記帯状電極の各々を、電極幅方向において、内方から上記間隙側の外端に向けて厚みが漸減するように形成し、上記誘電体層を形成するステップでは、気相成長法を用いることとした。
【発明の効果】
【００１０】
上記のように本発明のＰＤＰでは、上記表示電極対を、２本の帯状電極が互いに間隙をあけるよう並設させ、当該帯状電極の各々を、電極幅方向において、内方から上記間隙側の外端に向けて厚みが漸減するように形成させ、誘電体層が、均一な厚みで、かつ上記表示電極対に沿った状態でこれを覆うようにしたため、上記誘電体層の空間側主面が、上記間隙領域で窪み、表示電極対に電圧を印加したときに当該窪み部分に生じる電界強度を強めることができる。また、誘電体層の上記空間側主面が曲面状に窪むので、誘電体層の上記空間側主面に矩形状の窪みがあるものと比べると、窪みの開口部に角部がないことから、長時間駆動させてもスパッタリングにより前面基板の空間側主面の形状が変化することを抑制できる。そのうえ、誘電体層の厚みが均一であるので、誘電体層が表示電極対を覆う部分で極端に薄くならず、したがって、絶縁破壊を起こし難い。
【００１１】
よって、面放電時における放電効率を向上させながらパネル特性が経時的に変化しにくい構成とすることができるので、消費電力を低減しながら長寿命のＰＤＰを実現できる。
上記帯状電極において、電極延伸方向に垂直な断面を、中央ほど厚肉になった山形とし、かつ肉厚を、山頂部から裾部にかけて二次関数的または指数関数的に漸減するよう変化させている場合、上記窪みがより深くなるため、より好ましく上記効果を奏することができる。
【００１２】
上記帯状電極が、互いに電気的に接続された抵抗膜と、金属材料を含む導電膜とが含まれた積層構造を有する場合、導電膜を含むことにより応答性を確保しつつ上記の効果を奏することができる。
上記導電膜が、上記帯状電極の漸減部分を構成している場合において、金属材料を含む導電膜と、この導電膜と接する下地層とのテーパー角が、表示電極の延伸方向に垂直な断面にて３０°以上とした場合、導電膜の幅あたりの断面積を大きく確保できるので線抵抗を抑制できる。したがって駆動波形のなまりを抑制することができる。また、かかるテーパー角を８０°以下とした場合、導電膜に鋭利な角部が発生することを抑制できる。よって、上記構成を備えた導電膜を容易に実現することができる。
【００１３】
前面基板の誘電体層の厚みを、３μｍ以上２０μｍ以下の範囲とした場合、誘電体層の上記空間側の主面が、帯状電極の上記空間側の主面と略同形状となるのを容易に実現できるため、より好ましく上記効果を奏することができる。
上記２枚の基板のうち、他方の基板に該当する背面基板において、上記前面基板に並設された表示電極対と交差する方向に隔壁が配されている場合、前面基板の誘電体層に上記窪みが形成されているため、上記隔壁の頂部と前面基板の誘電体層との間において必ず隙間が形成されるので、貼り合わせ後の真空排気工程を短時間で行うことができ、特に、均一高さの井桁状隔壁を備えた背面基板を採用したとき、従来の前面基板と組み合わせたものと比べて真空排気工程の時間を大幅に短縮できる。
【００１４】
また、上記目的を達成するため、本発明のＰＤＰの製造方法では、上記表示電極対を延伸形成するステップにおいて、２本の帯状電極を一定の間隙をあけて並設し、上記帯状電極の各々を、電極幅方向において、内方から上記間隙側の外端に向けて厚みが漸減するように形成し、上記誘電体層を形成するステップにおいて、気相成長法を用いるため、前面基板の空間側主面の上記間隙領域で窪みを形成することができ、また、曲面状に窪ませることができるので、上記作用効果を奏するＰＤＰを製造することができる。
【００１５】
さらには、気相成長法を用いることによって、表示電極頂部上での誘電体層の厚みと表示電極頂部上以外での誘電体層の厚みとが均一になるように誘電体層を形成できるので、表示電極頂部上の誘電体層の厚みのみが極端に薄くなることを防止でき、また、誘電体層を緻密に形成できるので、形成時に塵の混入や気泡の発生を防止でき、よって、誘電体層の絶縁破壊を防止できる。
【００１６】
上記の表示電極対を延伸形成するステップにおいて、金属材料を含む導電性ペーストを基板上に塗布して導電膜を形成するサブステップを含ませる場合、前面基板上に塗布された導電性ペーストの表面張力によって、導電膜を、容易に概ね断面円弧状に形成することができるため、より好ましく上記の曲面状の窪みを形成することができる。
上記導電膜を形成するサブステップにおいて、ディスペンサ法、フォトリソグラフィー法、インクジェット法またはスクリーン印刷法のいづれかの方法を用いる場合、簡単に前面基板上に上記断面形状を有する導電膜を形成することができる。特にディスペンサ法によれば概ね断面円弧状の導電膜を容易に形成することができる。したがって、簡単にＰＤＰを製造することができる。
【００１７】
上記誘電体層を形成するステップにおいて、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、反応性スパッタ法、蒸着法の中から選んだ方法を用いて誘電体層材料を気相成長させることにより誘電体層を形成する場合、より好ましく緻密な誘電体層を薄くかつ均一に形成することができる。
上記表示電極対と上記誘電体層とを形成した一方の基板に該当する前面基板に、上記表示電極対と交差する方向に隔壁が配された他方の基板に該当する背面基板を張り合わせる場合、上記のとおり、すでに前面基板の誘電体層に窪みを形成していることによって、上記隔壁の頂部と前面基板の誘電体層との間において必ず隙間を形成することができるので、貼り合わせ後の真空排気工程を短時間で行うことができ、特に、均一高さの井桁状隔壁を備えた背面基板を採用したときに、従来の前面基板と組み合わせたものと比べて真空排気工程の時間を大幅に短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について、図１〜図４を参照して説明する。
＜ＰＤＰの構成＞
図１は、本実施の形態におけるＰＤＰの概略構成図である。図１（ａ）は、本実施の形態におけるＰＤＰの要部斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ面におけるＰＤＰの概略断面図である。
【００１９】
図１（ａ）において、以下に説明する構成を備えた前面基板１１０が、ＰＤＰにおいてマトリクス状に配された各放電セルに対応する放電空間１２１を囲うように井桁状の隔壁１２２を均一な高さで配した背面基板１２０に張り合わされている。
図１（ｂ）において、表示電極対１０１が、前面基板１１０のガラス基板１１１上に形成されている。
【００２０】
表示電極対１０１は、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３とからなっており、スキャン電極１０２およびサステイン電極１０３が、幅広の透明電極１１２ａ，１１２ｂ（ＩＴＯを主成分とする薄膜）と、透明電極１１２ａ，１１２ｂ上に幅の狭いバス電極１１３ａ，１１３ｂとで構成されている。透明電極１１２ａ，１１２ｂは抵抗膜として機能し、バス電極１１３ａ，１１３ｂは金属材料からなる導電膜として機能する。
【００２１】
そしてガラス基板１１１、スキャン電極１０２、サステイン電極１０３を被膜するように、誘電体層１１４が形成され、次いで、誘電体層１１４上に保護層１１５が形成されている。
バス電極１１３ａ，１１３ｂは、ストライプ状に形成され、幅方向の断面において概ね円弧状をなすように形成されており、その頂部における厚みは、５．２μｍとしている。ただし、これに限定されるものではなく、バス電極１１３ａ，１１３ｂの線抵抗を考慮して概ね２〜２０μｍであればよい。
【００２２】
誘電体層１１４は、比誘電率を３．５〜４．５程度とするシリコン酸化膜が用いられ、後述する形成方法を用いることにより薄くかつ厚みを均一に形成されている。誘電体層１１４は、対を成す表示電極間の静電容量や絶縁耐圧を考慮して、その厚みを、３〜２０μｍとするのが望ましい。上記のとおり、誘電体層１１４がスキャン電極１０２、サステイン電極１０３を被膜するように、かつ薄く形成されているので、誘電体層１１４は、バス電極１１３ａ，１１３ｂおよび透明電極１１２ａ，１１２ｂからなる表示電極対１０１の表面の起伏に沿った形状、つまり略同形状となる。
【００２３】
保護層１１５の厚みは、パネル動作中に保護層１１５が受けるダメージとパネルの寿命、形成時間（コスト）などを考慮して、概ね０．３〜２μｍが望ましく、保護層１１５の表面形状も誘電体層１１４と同様に表示電極対１０１表面の形状と略同形状であるので、保護層１１５が、バス電極１１３ａ，１１３ｂの頂部に相当する部分からバス電極１１３ａ，１１３ｂの裾部に相当する部分にかけてくぼんだ形状となり、保護層１１５の表面に段差ｔの生じた状態となる。段差ｔは、概ねバス電極１１３ａ，１１３ｂの頂部の厚みに等しくなる。本実施の形態において、段差ｔは概ね４．９μｍである。
【００２４】
＜バス電極の透明電極に対するテーパー角＞
ここで、バス電極１１３ａ，１１３ｂの、バス電極１１３ａ，１１３ｂと接する下地層としての透明電極１１２ａ，１１２ｂに対するテーパー角について、図２を用いて説明する。なお、ここでいうテーパー角とは、以下に説明する製造方法において、焼成工程を施した後におけるバス電極１１３ａ，１１３ｂの、透明電極１１２ａ，１１２ｂに対する接触角を指している。
【００２５】
図２は、スキャン電極を構成する透明電極およびバス電極を示したものである。図２に示すように、透明電極１１２ａ上に、断面において概ね円弧状となっているバス電極１１３ａが形成されたＰＤＰについて、テーパー角θをいろいろ変化させたものを作製してその特性を調べたところ、テーパー角θが３０°以上８０°以下である場合に、良好な特性を有することがわかった。テーパー角θが３０°以上において良好なのは、これより小さい場合、バス電極１１３ａの幅を狭く保ったままバス電極１１３ａの頂部における厚みを大きくすることができないので、線抵抗が増し、駆動波形のなまりが生じるからであり、また、テーパー角θが８０°以下において良好なのは、これより大きい場合、ＰＤＰの初期特性は良好であるものの、保護層に存在する段差ｔにおいて、鋭利な角部が発生するため、ＰＤＰの長時間駆動により角部の形状変化が著しいからである。なお、テーパー角θは、後述する製造方法によって調節可能である。
【００２６】
なお、上記においては、スキャン電極を用いてテーパー角について説明したが、サステイン電極におけるテーパー角も同様に上記範囲が好ましい。
＜ＰＤＰの製造方法＞
以下、実施の形態１におけるＰＤＰの製造方法について説明する。
（ｉ）透明電極の形成工程
まず、ガラス基板の上に、透明電極材料を、スパッタ法などを用いて堆積させた後、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることにより、透明電極を形成する。
【００２７】
（ｉｉ）バス電極の形成工程
そして、透明電極を形成した後、バス電極を、ストライプ状にかつ断面において概ね円弧状をなすように、透明電極の上に形成する。例えば、ディスペンサを用いて導電性ペーストとして銀ペーストを透明電極の上に細幅で塗布すると、塗布された銀ペーストは断面が概ね円弧状になる。断面が概ね円弧状となるのは、銀ペーストに表面張力があるためである。適切な表面張力を利用するためには、ペースト粘度、溶媒等の成分比率を変えることで、ある程度、自由に設定することができる。これについては後述する。塗布された銀ペーストを加熱・乾燥することによって、断面において概ね円弧状をなすようにバス電極を形成する。
【００２８】
本実施の形態において用いるディスペンサは、一般的によく知られており、例えば特許２６７１３６１号公報に詳しく開示されているので、ここではディスペンサの構造についての説明を省略する。
図３は、ディスペンサを用いてバス電極を形成する工程を示した概略工程図である。以下、図３を用いて、ディスペンサを用いてバス電極を形成する工程を説明する。
【００２９】
〔ディスペンサ法を用いたバス電極の形成工程〕
図３（ａ）に示すように、図示しないテーブル上に透明電極１１２ａ，１１２ｂが形成されたガラス基板１１１を載置し、テーブルを移動させ、銀ペーストを塗布する始端位置の上方にディスペンサ先端を対向配置する。
そして、図示しない位置センサによりガラス基板１１１の表面とディスペンサ先端との相対位置を検出しながらディスペンサ先端を下降せしめて、ディスペンサ先端とガラス基板１１１の表面との間に所定のギャップが設けられるようにディスペンサ先端の高さ方向の位置決めを行う。このギャップは、ディスペンサ先端と図示しないテーブルとの相対移動速度、銀ペーストの粘度、形成すべき描画パターンの断面寸法等によって適宜設定されるが、通常は数１０μｍ程度である。
【００３０】
次に、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板１１１から透明電極１１２ａ，１１２ｂにかけてディスペンサ先端から銀粒子を主成分とする銀ペースト１１３Ｐを吐出させながら、ディスペンサ先端を所定の移動速度にて形成すべき描画パターンに沿って相対移動させると、所定の描画パターンで銀ペーストを塗布することができる。その際にディスペンサ先端とガラス基板１１１の表面との間のギャップが多少変化しても、銀ペースト１１３Ｐの吐出量は一定であるため、高精度の描画パターンを形成できる。また、非接触であるから、ガラス基板１１１および透明電極１１２ａ，１１２ｂの表面に傷を付けることがないことはいうまでもない。
【００３１】
なお、ディスペンサにて銀ペーストを塗布する場合、銀ペーストの粘度は１０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下であることが望ましい。銀ペーストの粘度範囲を上記のように規定したのは、銀ペーストとして１０Ｐａ・ｓ以上の比較的粘度の高いものを用いると、基板表面の材質が異なっても、形成されたバス電極のテーパー角が大きく変化することはないが、粘度が１０Ｐａ・ｓ未満である場合、焼成後の厚みが十分でなく、配線抵抗が高くなるという不都合が生じるため好ましくない。また、粘度が１０００Ｐａ・ｓより大きい場合は、ディスペンサのノズルが詰まるという不具合が生じるため好ましくない。
【００３２】
〔フォトリソグラフィーを用いたバス電極の形成工程〕
また、上記ディスペンサを用いる以外に、バス電極を透明電極上に形成する方法としてフォトリソグラフィーを用いる方法もある。図４は、フォトリソグラフィーを用いてバス電極を形成する工程を示した概略工程図である。以下、図４を用いて、説明する。
透明電極１１２ａ，１１２ｂ上に銀ペースト１１３Ｐを塗布し（図４（ａ））、銀ペースト１１３Ｐにマスキングした後、露光、現像をこの順に行い、所望の幅のバス電極構成要素１１３Ｑを形成する（図４（ｂ））。
【００３３】
そして、バス電極構成要素１１３Ｑ上に再び銀ペースト１１３Ｐを塗布し（図４（ｃ））、再び銀ペースト１１３Ｐにマスキング、露光、現像をこの順に行い、バス電極構成要素１１３Ｑの幅より細い幅のバス電極構成要素１１３Ｒを形成して、バス電極１１３ａ，１１３ｂを形成する（図４（ｄ））。
以上の工程を繰り返すことによりバス電極１１３ａ，１１３ｂの延伸方向に垂直な断面においてバス電極１１３ａ，１１３ｂの厚みが中心部から端部にかけて減少するよう変化しているバス電極１１３ａ，１１３ｂを透明電極１１２ａ，１１２ｂ上に形成できる。この場合、微視的に見ると、上記断面において角部を生じることになるが、図４（ｄ）に示すように、巨視的に見ると、バス電極１１３ａ，１１３ｂの断面形状は、概ね円弧状と捉えることができ、図２で示したバス電極１１３ａの断面形状と同一視できる。
【００３４】
なお、工程を繰り返しても手間が増えるので、工程数は、生産性と効果の双方を考慮して決定される。
上記方法により銀ペーストが塗布されたガラス基板を加熱することにより乾燥・焼成すると、銀ペーストがその体積を若干減少させながら、硬化され、バス電極が形成される。銀ペーストの塗布量は、形成されるバス電極の線抵抗をも考慮して、バス電極の頂部厚みが概ね２〜２０μｍとなるように設定される。本実施の形態では、バス電極の頂部厚みを５．２μｍとしている。
【００３５】
その他、フォトリソグラフィーを用いる以外に、スクリーン印刷を用いて銀ペーストを塗り重ね、これを乾燥・焼成することによっても同様にバス電極を好ましく形成することができる。
なお、バス電極の延伸方向と垂直な断面において、バス電極の、バス電極の下地層に該当する透明電極に対するテーパー角は、上述したように焼成後のものであるが、このテーパー角θは、ディスペンサを用いて導電性ペーストを塗布する際に、導電性ペーストの粘度、導電性ペーストの透明電極に対する接触角、ディスペンサの移動速度などを変化させると、それに伴って変化するので、これらの条件を適宜調整することにより、所望の値とすることができる。
【００３６】
（ｉｉｉ）誘電体層の形成工程
そしてバス電極を硬化した後、ガラス基板、透明電極、バス電極を覆うように、比誘電率が３．５〜４．５程度のシリコン酸化膜を、誘電体層として、例えばプラズマＣＶＤ装置を用いて形成する。これによって、バス電極に沿って誘電体層を形成することができる。
【００３７】
プラズマＣＶＤ装置は一般的なものを用いるので、その構成についての説明を省略する。
〔プラズマＣＶＤ法を用いた誘電体層の形成工程〕
以下、プラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン酸化膜を誘電体層として形成する工程について説明する。真空容器内に設けられた下部電極上にＰＤＰ材料として用いるガラス基板を載置し、ガス供給装置から上部電極下部に設けられたシャワーヘッドを通じて例えばＴＥＯＳ、Ｈｅ、Ｏ2ガスを原料ガスとして供給しつつ、ポンプで真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に保ちながら、上部電極に上部電極用高周波電源より例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給し、下部電極に下部電極用高周波電源より例えば１ＭＨｚの高周波電力を供給することにより、原料ガスをプラズマ化させて、その反応性を高め、ガラス基板上にシリコン酸化膜を誘電体層として形成する。
【００３８】
プラズマＣＶＤ法によれば、表示電極の表面形状に沿って、均一的な厚みでシリコン酸化膜が形成される。このため、表示電極の形状が従来のように誘電体層中に埋没し、誘電体層の表面が平坦となるのを防ぐことができ、当該シリコン酸化膜の表面形状は、表示電極の表面形状と略同形状となるので、本願発明には好適である。
誘電体層として用いられるシリコン酸化膜は可視光に対する透過率に優れるとともに、耐電圧にも優れる絶縁材料である。その厚み（平坦部の厚み）は、バス電極間の静電容量や絶縁耐圧などを考慮して決定されるが、概ね３〜２０μｍの範囲である。
【００３９】
（ｉｖ）保護層の形成工程
誘電体層を形成した後、酸化マグネシウム薄膜を保護層として、スパッタ法、電子ビーム蒸着法などを用いて誘電体層の上に形成すると、上記誘電体層の表面に沿って均一な厚みの保護層が形成される。
上記のように前面基板を形成すると、保護層が表示電極表面の形状に沿って形成されるため、段差が現れる。この段差はバス電極の延伸方向に垂直な断面の形状に起因して表れるもので、段差の寸法は、概ねバス電極頂部の厚みに等しくなる。上記段差が生じるのは、誘電体層を形成するにあたりプラズマＣＶＤ法を用いたため、液相法でみられるような形成時の平坦化作用がほとんど起きないためである。本実施の形態において、保護層の厚み（平坦部の厚み）は、パネル動作中に保護層が受けるダメージとパネルの寿命、形成時間（コスト）などを考慮して決定されるが、概ね０．３〜２μｍの範囲である。また、段差の寸法は概ね４．９μｍである。
【００４０】
（ｖ）封着工程
上記のように前面基板を形成した後、この前面基板と、別に形成した背面基板とを放電空間を挟んで対向させたうえで貼り合わせ、真空排気した後に、この放電空間に放電ガス（例えばＮｅとＸｅの混合ガス）を封じ込めてＰＤＰを作製する。背面基板には、ストライプ状の隔壁構造を有するものを用いてもよいが、井桁状の隔壁構造を有するものを用いてもよい。井桁状の隔壁構造を有する背面基板を用いる場合、縦隔壁と横隔壁との高さが等しい井桁隔壁構造のものを用いても、前面基板側に段差ｔが生じた状態となっているため、前面基板と当該隔壁頂部との間に必ず隙間ｓが生じた状態となり（図１（ｂ）参照）、上記真空排気工程を良好に行うことができる。
【００４１】
《本実施の形態におけるＰＤＰの効果》
上記のように構成された前面基板を採用したＰＤＰにおいては、バス電極の表面形状に沿って誘電体層が均一な厚みで形成されているため、誘電体層に、対を成す表示電極に挟まれた放電間隙領域において窪みが形成される。したがって、ＰＤＰ駆動時に放電間隙での電界強度が強くなり、面放電時の放電効率が高められる。また、保護層のうちバス電極頂部に相当する部分からバス電極裾部に相当する部分にかけて保護層表面の段差部分が、滑らかなカーブを描いており、鋭利な角部分とはなっていないため、ＰＤＰを長時間駆動してプラズマ中のイオンによるスパッタリングを受けても、段差の形状が経時的にほとんど変化しない。さらに、誘電体層は、厚みが均一に形成され、バス電極の頂部を覆う部分にて極端に薄くならないため、絶縁破壊を起こし難い。したがって、本実施の形態におけるＰＤＰは、消費電力を低減しつつパネル特性の経時的変化を抑制することができる。また、パネル特性が経時的に変化しないため、パネル寿命を伸ばすことができる。
【００４２】
さらに、上記のような構成とした前面基板に、井桁隔壁構造の背面基板を用いているので、ストライプ状の隔壁構造の背面基板を用いた場合に比べて放電セル間の電子の移動が大幅に抑制され、クロストークが生じにくくなるので、高精細なパネルを実現できる。
《本実施の形態におけるＰＤＰの製造方法の効果》
上記のように断面略円弧状のバス電極をディスペンサ法などで形成し、誘電体層を薄膜法で形成することにより、簡単に誘電体層の放電空間側主面に上記のような曲面状の窪みを設けることができる。
【００４３】
また、プラズマＣＶＤ法によって誘電体層を形成することにより、誘電体層を薄く形成できるので、対を成す表示電極に挟まれた放電間隙での電界強度を強めることができ、面放電時の放電効率を高めることができる。そのうえ、プラズマＣＶＤ法によれば、誘電体層を緻密に形成でき、形成時に塵の混入や、気泡の発生を防止できるので、絶縁破壊を起こし難い誘電体層を形成することができる。さらに、プラズマＣＶＤ法によれば、誘電体層を均一な厚みで形成できるので、バス電極頂部を覆う誘電体層の厚みが極端に薄くならず、絶縁破壊を起こし難い誘電体層を形成することができる。
【００４４】
さらに、前面基板の誘電体層表面に、上記窪みが形成されているので、このＰＤＰを製造する際に、前面基板と背面基板とを張り合わせると、前面基板と背面基板隔壁との間に隙間が必ず形成され、その後にパネル内を真空排気する工程においてこの隙間を通じてガス分子の移動が容易となる。したがって、真空排気工程を短時間で（段違い井桁隔壁構造の場合と同等の時間で）行うことができる。
【００４５】
よって、上記の効果を奏するＰＤＰを簡単に低コストで短時間に製造できる。
＜バス電極の厚みｈについての考察＞
また、様々な条件でＰＤＰを形成して調べたところ、ガラス基板におけるバス電極の頂部厚みをｈ、ガラス基板におけるバス電極に起因する段差をｔとしたとき、頂部厚みｈが２μｍ以上２０μｍ以下で、段差ｔが頂部厚みｈの０．５倍以上１倍以下であるとき、駆動電圧の低減と貼り合わせたパネルの排気時間の低減を両立することができる。頂部厚みｈが２μｍより小さいと、バス電極の線抵抗が大きく、駆動波形のなまりが生じるからであり、頂部厚みｈが２０μｍより大きいと、バス電極の塗布工程において用いる導電性ペーストの粘度をかなり高く設定する必要があるため、ディスペンサのノズルが詰まるという問題が生じるからである。また、段差ｔが頂部厚みｈより大きくなる誘電体層を形成する条件を見いだすことは困難である一方、段差ｔが頂部厚みｈの０．５倍より小さくなる誘電体層を形成する条件を見出すことも困難である。段差ｔが頂部厚みｈの０．５倍より小さいもの、段差ｔが頂部厚みｈより大きいものを形成するためには、複数種の形成工程を追加するなどして極めて複雑な製造工程が必要になるからである。
【００４６】
なお、バス電極を形成する方法として、本実施の形態では導電性ペーストをディスペンサ、フォトリソグラフィー、またはスクリーン印刷で塗布する例を示したが、これに限定されるものではなく、導電性ペーストをインクジェット法などの他の液相直描法を用いて塗布しても同様の形状に形成することができる。
また、誘電体層を形成する方法として、本実施の形態ではプラズマＣＶＤ法を示したが、これに限定されるものではなく、他の気相成長法、例えば、シリコン酸化物をスパッタリングガスでスパッタして基板上にシリコン酸化膜を堆積する方法（スパッタ法）、シリコンを酸素含有雰囲気でスパッタリングガスを用いてスパッタして基板上にシリコン酸化膜を堆積する方法（反応性スパッタ法）、シリコン酸化物に熱、電子ビーム、レーザー光などのエネルギーを与えて蒸発させ、基板上にシリコン酸化膜を堆積する方法（蒸着法）などでも誘電体層を緻密に、均一な厚みで、かつ薄く形成できる。
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２について、図５を参照して説明する。
【００４７】
＜ＰＤＰの構成＞
図５は、実施の形態２におけるＰＤＰの前面基板の概略構成を示す断面図である。図５に示したＰＤＰの前面基板は、実施の形態１において図１に示したＰＤＰの前面基板とその構成をほぼ同じくするものであり、バス電極１１３ａ，１１３ｂが透明電極１１２ａ，１１２ｂよりガラス基板１１１側に配されている点が異なるのみであるので、実施の形態１にて説明した事項と重複する事項は、説明を省略する。
【００４８】
本実施の形態では、バス電極１１３ａ，１１３ｂと接する下地層として、ガラス基板１１１が相当するので、バス電極１１３ａ，１１３ｂの、ガラス基板１１１に対する接触角に相当する角度がテーパー角となるが、このテーパー角の好ましい範囲は、実施の形態１と同様である。
＜ＰＤＰの製造方法＞
以下、実施の形態２におけるＰＤＰの製造方法について説明する。
【００４９】
実施の形態２におけるＰＤＰの製造方法は、実施の形態１におけるＰＤＰの製造方法とほぼ同様であり、実施の形態１では、透明電極を形成した後、バス電極を形成するのに対し、実施の形態２では、バス電極を形成した後、透明電極を形成する点で異なるのみであるので、バス電極の形成工程と透明電極の形成工程とを以下に詳説する。
（ｉ）バス電極の形成工程
まず、ガラス基板の上にバス電極を、ストライプ状にかつ断面において概ね円弧状をなすように形成する。例えば、ディスペンサを用いて導電性ペーストからなる細線をガラス基板の上に塗布し、これを加熱することによって、断面において概ね円弧状をなすようにバス電極を形成する。
【００５０】
ディスペンサの用い方は実施の形態１における用い方と同様なので、ここでは説明を省略する。そして、導電性ペーストとして用いられる銀ペーストも、実施の形態１と同じものが用いられ、実施の形態１に示した粘度範囲と同じである。
また、上記ディスペンサを用いる以外に、フォトリソグラフィーを用いる方法もある。フォトリソグラフィーによる製法も、実施の形態１で説明した製法と同様であるので、説明を省略する。
【００５１】
実施の形態１と同様、フォトリソグラフィー以外にスクリーン印刷によっても同様にバス電極を好ましく形成できる。
（ｉｉ）透明電極の形成工程
バス電極を形成した後、透明電極材料を、スパッタ法などを用いて堆積させた後、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングすることにより、透明電極をバス電極上に形成する。
【００５２】
透明電極の形成工程を終了した後、実施の形態１にて示したのと同様に誘電体層、保護層を形成し、封着工程を経て、ＰＤＰを作製する。
《本実施の形態におけるＰＤＰの効果》
上記のように構成された前面基板を採用したＰＤＰも、実施の形態１で示したＰＤＰと同様の効果を奏する。すなわち、誘電体層に、対を成す表示電極に挟まれた放電間隙領域において窪みが形成され、かつ誘電体層が薄いため、対を成す表示電極に挟まれた放電間隙での電界強度が強められ、面放電時の放電効率を高めることができ、さらに、保護層表面が曲面形状であるため、ＰＤＰを長時間駆動しても段差の形状が経時的にほとんど変化せず、そのうえ、誘電体層が、均一な厚みを有しており、かつバス電極を覆う部分にて極端に薄くならないので、絶縁破壊を起こし難い。
【００５３】
したがって、本実施の形態におけるＰＤＰにおいても、消費電力を低減しつつパネル特性の経時的変化を抑制することができる。また、パネル特性が経時的に変化しないため、パネル寿命を伸ばすことができる。
さらに、上記のような構成とした前面基板に、同じ高さの縦隔壁と横隔壁とを有する井桁隔壁構造の背面基板を組み合わせたＰＤＰも、実施の形態１において説明したＰＤＰと同じ効果を奏する。
【００５４】
《本実施の形態におけるＰＤＰの製造方法の効果》
上記のように断面略円弧状のバス電極をディスペンサ法などで形成し、誘電体層を薄膜法で形成することにより、きわめて簡単に前面基板の放電空間側に曲面状の窪みを設けることができ、また、プラズマＣＶＤ法によって誘電体層を形成するので、実施の形態１と同様、上記効果を奏するＰＤＰを作製することができる。そのうえ、本実施の形態でも、窪みに起因する隙間が形成されるので、前面基板と背面基板とを張り合わせた後パネル内を真空排気する工程を短時間で（段違い井桁隔壁構造の場合と同等の時間で）行うことができる。
【００５５】
したがって、上記工程をＰＤＰの製造に採用すれば、実施の形態１と同様、上記効果を奏するＰＤＰを簡単に低コストで短時間に製造できる。
＜バス電極ｈについての考察＞
また、ガラス基板におけるバス電極の頂部厚みｈと、ガラス基板におけるバス電極に起因する段差ｔとの関係は、実施の形態１と同じであるので説明を省略する。
【００５６】
なお、本発明の実施の形態においては、導電性ペーストを用いて、バス電極を形成するステップにおいて、ディスペンサ法などを用いる場合を例示したが、インクジェット法などの他の液相直描法を用いてもよい。これらの液相直描方式を用いることにより、ペーストの表面張力を利用して概ね円弧状の断面形状を得ることが可能となる。
また、誘電体層を形成する方法は、実施の形態１と同様、プラズマＣＶＤ法以外にスパッタ法、反応性スパッタ法、蒸着法によっても誘電体層を緻密に、均一な厚みで、かつ薄く形成できる。
【００５７】
また、積層された各膜間の密着性を向上させるために、バス電極に接してＣｒ、Ｔｉ、ＴｉＮなどの薄膜を用いたり、誘電体層に接してシリコン窒化膜、アルミナ膜、シリコン酸窒化膜などを用いることも可能である。
なお、上記いずれの実施の形態においてもバス電極の断面形状を概ね円弧状としたが、これに限定されるものではなく、バス電極の頂部から裾部にかけて、少なくとも対を成す表示電極の対面領域が曲面状になるように、バス電極が形成されていれば同様の効果を奏する。
【００５８】
以上の各実施の形態においては、誘電体層上に保護層を設けたＰＤＰを用いて説明したが、これに限定されず、誘電体層上に保護膜のないものでも同様に実施可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本願発明は、優れた特性を有するＰＤＰとその製造方法であり、テレビやコンピュータ等の画像表示に用いられるディスプレイ及びその製造方法に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】（ａ）は、実施の形態１におけるＰＤＰの要部斜視図であり、（ｂ）は、実施の形態１におけるＰＤＰの概略断面図である。
【図２】実施の形態１におけるバス電極の透明電極に対するテーパー角を示す概略断面図である。
【図３】ディスペンサを用いてバス電極を形成する工程を示した概略工程図である。
【図４】フォトリソグラフィーを用いてバス電極を形成する工程を示した概略工程図である。
【図５】実施の形態２におけるＰＤＰの前面基板の概略断面図である。
【図６】従来のＰＤＰの前面基板を示す概略断面図である。
【図７】特許文献に記載されたＰＤＰの前面基板を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０１                          表示電極対
１０２                          スキャン電極
１０３                          サステイン電極
１，１１１                      ガラス基板
２，５２，１１２ａ，１１２ｂ    透明電極
３，５３，１１３ａ，１１３ｂ    バス電極
１１３Ｐ                        銀ペースト
１１３Ｑ，１１３Ｒ              バス電極構成要素
４，５４，１１４                誘電体層
５，５５                        保護層
５９                            窪み
１１０                          前面基板
１２０                          背面基板
１２１                          放電空間
１２２                          隔壁
【図１】
2006210069.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2006210069.tif 000008
【図７】
2006210069.tif 000009