(57)【要約】【課題】  ＥＵＶミラーの母材自身では反射率が低い場合が多く、光を使った母材の形状測定の際に、その光量およびコントラストを得ることが困難であった。また、複数枚での評価の際は、反射率が確保できない場合は測定不可能であった。【解決手段】  反射用の膜を母材に成膜することにより、測定精度を落とさず測定することが出来る。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ波長に用いられるミラーの母材の形状を測定する際において、反射率を上げるために、母材に１層以上からなる反射膜を付けることを特徴とする測定方法。
【請求項２】
ＥＵＶ波長に用いられるミラーの母材形状を組上げて鏡筒形状にして測定する際において、反射率を上げるために、母材に１層以上からなる反射膜を付けることを特徴とする測定方法。
【請求項３】
請求項１および、２記載の反射膜とは、Ｓｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｃ、のいずれか、もしくはそれらを含む材料であることを特徴とする。
【請求項４】
ＥＵＶミラーは、請求項１から３記載の反射膜を剥がさずにその上からＥＵＶ光反射用の膜を成膜されていることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ＥＵＶミラー形状の測定手法
【背景技術】
【０００２】
従来は、反射膜を付けずに測定していた。
【０００３】
従来例としては、例えば特許文献１と特許文献２をあげることが出来る。
【特許文献１】特開２００１−１３１４８６号公報
【特許文献２】特開２００１−５９９０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＥＵＶミラーの母材自身では反射率が低い場合が多く、光を使った形状測定の際に、その光量およびコントラストを得ることが困難であった。また、ＥＵＶミラーの形状測定には、実際に使われる波長の他に、可視光やＵＶ光などをも使う場合があり、この波長においても、同様に十分な反射率を得ることは困難であった。
【０００５】
また、ミラーは最終的には単体ではなく複数枚組み合わせて、使用される。そのため、母材の形状には組み合わせた状態で最適になることも要求さる。その際、組み合わせた状態で収差など測定する際には、ミラー１枚の反射率が低い場合では、測定が困難となっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明では、ＥＵＶ波長で用いられる母材の形状測定をする際、測定波長での反射率を上げるために、母材に反射膜を付けることによって、解決することを特徴としており、特に１３．５ｎｍ付近で使われるＥＵＶミラーには、反射膜材料にＳｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｃを使う。
【０００７】
また、形状確認後にその反射膜を剥がすことなく、その上からＥＵＶ光を反射するための膜を付ける。
【発明の効果】
【０００８】
反射膜を付けることにより、測定時に十分な光量を得ることが出来、測定精度の向上が図ることが可能となる。また、１３．５ｎｍ付近のＥＵＶミラーには、反射膜材料に１３．５ｎｍ付近で吸収の小さいＳｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｃを使うことにより、成膜の際のクロスコンタミを押さえることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（実施例１）
ＥＵＶミラー母材として石英基板を用いて干渉計にて、その面形状の計測を行うにおいて、干渉計の測定波長を４８８ｎｍとした際、石英表面では、約３．５％の反射率となる。その石英表面にＳｉ膜を１０ｎｍと保護膜としてＳｉＯ2を１ｎｍ成膜する（図１参照。その際、反射率は約５０％に向上する。Ｓｉの膜厚が１０ｎｍの場合、成膜による膜厚分布が±１％あった場合、膜厚による形状エラーは±０．１ｎｍとなる。また、干渉計での測定の際には反射位相が問題となるが、Ｓｉの膜厚エラー１０ｎｍ±０．１ｎｍの際には、反射位相差は±０．２ｎｍとなり、トータル±０．３ｎｍの精度にて測定できることとなる。このように、膜厚が１０ｎｍ程度と薄い場合には、膜厚によるエラー分も小さくできる利点がある。
【００１０】
（実施例２）
図２は、ミラー母材６枚を組み合わせたＥＵＶ露光装置投影系ミラー群の例である。このような結像系の収差を評価する際には、符号２０８の結像面における波面を評価する必要がある。しかし、本来ならばミラーにＥＵＶ多層膜などを成膜しＥＵＶ光にて、波面を測る必要があるが、ミラー面の精度や調整などを見るためには、必ずしもＥＵＶ光である必要はなく、大気中での測定が求められる。このような系において、ミラー面に本発明の反射膜を付けることにより、測定に必要な反射率が得られ、測定可能となる。
【００１１】
測定波長に２６６ｎｍを用い、ミラー母材２０１〜２０６には低膨張ガラスを用いる。測定用の光をレチクル面２０７から照射し、結像面２０８にて波面を測定する。２６６ｎｍにおける低膨張ガラスの反射率は約６％であり、結像面へ到達する光量は、入射光量の０．０６の６乗で、４．６６５６Ｅ−０６％となり、実質的に測定が困難であるが、ミラー母材に図３に示す本発明のミラー面を成膜する。ミラー膜は母材側からＭｏ３０ｎｍ、Ｓｉ５０ｎｍ、ＳｉＯ2１ｎｍの３層膜であり、この場合１面の反射率は６０％を越え、結像面における光量は入射光量の４．５％得られることになり、測定に十分な光量が得られた。
【００１２】
２６６ｎｍ付近の波長では、Ｓｉの膜厚が５０ｎｍ程度以上になると、光が基板へ到達せず、基板との干渉を起こさなくなり、反射位相は膜の厚さ分布のみに依存する。そのため、膜の干渉による反射位相を考慮する必要はない利点がある。
【００１３】
また、本実施例ではＳｉ膜の応力に夜変形をキャンセルするために、逆応力のＭｏをアンダーコートとして成膜している。
【００１４】
（実施例３）
測定用に本発明の反射膜を付け、母材の測定が完了した時点で、母材形状が規定に達していた場合、反射膜をはがす工程を経ずにその上にＥＵＶ用の多層膜ミラーを形成する。その際、下地となる測定用反射膜の表面荒さは０．２ｎｍＲＭＳ以下であり、ＥＵＶ多層膜の反射率は６５％以上と、十分な性能が得られる。図４に本実施例の概念図を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】測定用反射膜として、石英基板上にＳｉ膜１０ｎｍおよびその上にＳｉＯ2膜１ｎｍの合計２層成膜したＥＵＶ用ミラー母材
【図２】ＥＵＶ用ミラー母材６枚を組み合わせたＥＵＶ露光装置投影系ミラー群
【図３】応力緩和層を下地に成膜した測定用反射膜を施した、ＥＵＶ用ミラー母材
【図４】測定用反射膜として、石英基板上にＳｉ膜１０ｎｍおよびその上にＳｉＯ2膜１ｎｍを施し、さらにその上にＥＵＶ反射用多層膜を成膜したＥＵＶ用ミラー。
【符号の説明】
【００１６】
１０１  石英ミラー母材
１０２  厚さ１０ｎｍのＳｉ膜
１０３  厚さ  １ｎｍのＳｉＯ2膜
２０１  露光装置投影系光学系ミラー母材１
２０２  露光装置投影系光学系ミラー母材２
２０３  露光装置投影系光学系ミラー母材３
２０４  露光装置投影系光学系ミラー母材４
２０５  露光装置投影系光学系ミラー母材５
２０６  露光装置投影系光学系ミラー母材６
２０７  露光装置レチクル面
２０８  露光装置結像面
３０１  ガラス母材
３０２  応力緩和用Ｍｏ膜３０ｎｍ
３０３  厚さ５０ｎｍのＳｉ膜
３０４  厚さ１ｎｍのＳｉＯ2膜
４０１  ミラー母材
４０２  測定用反射膜
４０３  ＥＵＶ多層膜ミラー層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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