(57)【要約】【課題】均一な保磁力分布が得られ、高記録密度化が可能な磁気ディスク、その製造方法および磁気記憶装置を提供する。【解決手段】下地層の形成工程において、絶縁性の基板１１を基板ホルダ４０に設けられた導電性材料からなる支持スプリング４３により支持して下地層を形成する。次いで、記録層の形成工程において、下地層を形成した際の支持状態で可動電極４５を絶縁性基板の端面１１ａに接触させ、スパッタ法によりバイアス電圧を供給して記録層を形成する。下地層は基板１１の端面にも形成されるので、可動電極４５と下地層との電気的な導通が良好となる。さらに、下地層の形成の際に、基板表面に形成される下地層と支持スプリング４３との接触部の一部とが下地層材料により架橋され、支持スプリング４３と下地層は電気的に導通状態となる。可動電極４５および支持スプリング４３を介してバイアス電圧が下地層に給電される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の基板ホルダに、導電性材料からなる複数の基板支持部材により絶縁性基板を支持して、該絶縁性基板の表面に導電層を形成する第１の工程と、
スパッタ法により前記導電層に負のバイアス電圧を供給して、該導電層上に記録層を形成する第２の工程とを含む磁気ディスクの製造方法であって、
前記第２の工程は、
前記第１の工程において前記基板支持部材により絶縁性基板を支持した状態で、可動電極を絶縁性基板の端面上の導電層に接触させ、該可動電極および基板支持部材を介して導電層にバイアス電圧を供給しながら記録層を堆積することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【請求項２】
前記可動電極は、電極体と、該電極体の先端部に設けられた接触端子と、電極スプリングを有し、
前記第１の工程において、前記電極スプリングがばね力を作用させて接触端子を前記端面から離隔させ、
前記第２の工程において、前記可動電極を電極スプリングがばね力の方向に逆らう方向に押圧して前記接触端子を端面上の導電層に接触させることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項３】
前記可動電極は、絶縁性基板の上側に配置され、真空処理室内に設けられた押圧手段により該可動電極を下方に押圧して絶縁性基板の上側の端面の導電層に接触端子を接触させることを特徴とする請求項１または２記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項４】
前記可動電極が端面に接触する際に、前記接触端子が基板の周方向に力を印加して絶縁性基板を回転させ、前記基板支持部材と端面との接触位置を移動させることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項５】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に、導電層と、記録層とを備える磁気ディスクであって、
請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の製造方法により形成されることを特徴とする磁気ディスク。
【請求項６】
請求項５記載の磁気ディスクと、
記録再生手段とを備える磁気記憶装置。
【請求項７】
導電性ホルダと、
各々前記導電性ホルダと接触し、絶縁性基板を挟持する複数の導電性基板支持部材と、
前記絶縁性基板に対して接触および離脱自在に支持される可動電極と、
を備える基板保持機構。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク、その製造方法および磁気記憶装置に係り、特に基板にバイアス電圧を印加して記録層等を形成する磁気ディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記憶装置は、高画質のデジタル静止画像や動画記録に用いられるようになり、大容量化および高記録密度化が求められている。磁気記憶装置、特に磁気ディスク装置は、高速アクセス性を有し、さらに小型軽量であるため、家庭用音響画像記憶装置や、携帯端末機に内蔵されるようになっている。
【０００３】
このような状況下、磁気ディスク装置に用いられる磁気ディスクは、高記録密度化を図るため、磁性層の高保磁力化や薄膜化が進められている。高記録密度になる程、磁性層の磁化を打ち消す方向に生じる反磁界が増大する。反磁界に抗するため磁性層の高保磁力化が必要となる。また、磁性層の厚さが大きいほど反磁界が大きいため、磁性層の薄膜化が必要となる。
【０００４】
また、携帯端末機として用いられる場合は、携帯時に磁気ディスク装置に振動や衝撃が加えられることが多くなる。従来、磁気ディスクの基板としてはアルミニウム合金基板が主流であった。しかし、アルミニウム合金基板は、記録再生動作時に衝撃が加えられると磁気ヘッドが磁気ディスクの表面に衝突し、凹み等の損傷を受け易い。そこで、アルミニウム合金基板よりも高弾性率のガラス基板が用いられるようになってきている。
【０００５】
ところで、磁気ディスクは、磁気ディスクを構成する各層はスパッタ法やプラズマＣＶＤ（化学的気相成長）法を用いて成膜される。例えばスパッタ法により磁性層を成膜する場合は、基板の両面に成膜するために、基板を鉛直に立てて支持する基板ホルダが用いられている（例えば、特許文献１または２参照。）。基板は、その外縁の端面が基板ホルダのツメ状の支持部材により掛止めされている。このように支持した状態で、真空処理室内でターゲットにＡｒイオン等を衝突させ、飛び出した金属粒子を下地層が形成された非磁性基板上に形成する。この際、金属粒子は正に帯電するので、非磁性基板に負電圧のバイアスを印加して金属粒子を加速させる。このように加速させることで、磁性層の保磁力が増加することが知られている。
【０００６】
ところで、特許文献１では、基板ホルダのツメ状の支持部材を介してバイアスを印加している。基板が絶縁性の場合は、支持部材と下地層との接触を良好にするため、磁性層を成膜する前に基板を回転させて支持部材が接触する端面の位置を変える変換機構を設けている。
【０００７】
また、特許文献２では、図１に示すように、基板１０１を支持部材１０３により掛止めし、基板１０１の下側の端面にバイアス印加用端子１０４を接触させて、バイアスを印加する基板ホルダ１００が提案されている。
【特許文献１】特開平７−２４３０３７号公報
【特許文献２】特開平９−７１７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１では基板を回転させる変換機構を真空処理室内で行うため、変換機構を設けるための真空処理室が一つ余計に必要となる。真空処理室のコストは数千万円であり製造コストに影響する。また、製造スペース上の制約により真空処理室を増やせない場合は、成膜できる層が一層減り、磁気ディスクの設計上の制約になる。さらに、変換部では基板を外し、回転させ、さらに支持部材に掛止める操作が必要となり、掛止め不良や基板を落とすなどの問題が生じるおそれがある。
【０００９】
また、特許文献２では、図１に示すようにバイアス印加用端子１０４が渡し棒１０５により押し上げられ、接触部１０４ａが基板１０１の下側に接触してバイアスが印加される。この基板ホルダ１００では、バイアス電圧が給電される箇所は接触部１０４ａのみであるので、下地膜等の薄膜化によりバイアス電圧が磁気ディスクの面内で不均一になるおそれがある。その結果、磁気ディスクの面内で均一な保磁力分布が得られなくなるという問題がある。
【００１０】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、基板の持ち替えをすることなくバイアス電圧を印加して、均一な保磁力分布が得られ、高記録密度化が可能な磁気ディスク、その製造方法および磁気記憶装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一観点によれば、導電性の基板ホルダに、導電性材料からなる複数の基板支持部材により絶縁性基板を支持して、該絶縁性基板の表面に導電層を形成する第１の工程と、スパッタ法により前記導電層に負のバイアス電圧を供給して、該導電層上に記録層を形成する第２の工程とを含む磁気ディスクの製造方法であって、前記第２の工程は、前記第１の工程において前記基板支持部材により絶縁性基板を支持した状態で、可動電極を絶縁性基板の端面上の導電層に接触させ、該可動電極および基板支持部材を介して導電層にバイアス電圧を供給しながら記録層を堆積することを特徴とする磁気ディスクの製造方法が提供される。
【００１２】
本発明によれば、第１の工程において絶縁性基板を導電性材料からなる複数の支持部材により支持して導電層を形成する。このままの支持状態で第２の工程において可動電極を絶縁性基板の端面に接触させてバイアス電圧を供給してスパッタ法により記録層を形成する。導電層は絶縁性基板の端面にも形成されているので、可動電極と導電層との電気的な導通は良好である。さらに、導電層の形成の際に、導電層が、絶縁性基板と支持体との接触部分の一部を架橋するように形成されるので、支持体と導電層は電気的に導通状態となる。したがって、導電層には可動電極および複数の支持部材を介して導電層の全体に亘って均一なバイアス電圧が供給される。このようにしてバイアス電圧を供給することにより、均一な保磁力分布を有する記録層が形成されることが期待できる。その結果、磁気ディスクの高記録密度化が可能となる。また、複数の箇所からバイアス電圧が供給されることで、異常放電の発生を抑制し、異常放電の発生に起因する欠陥の発生を抑制できる。その結果、歩留まりが向上することが期待できる。
【００１３】
また、従来技術の欄で説明したように、記録層を形成する前に基板を持ち替えて回転させる処理を本発明の製造方法では行わないので、その処理ための設備コストを必要としない。したがって、本発明の製造方法は製造コストを低減できる。
【００１４】
前記可動電極は、電極体と、該電極体の先端部に設けられた接触端子と、電極スプリングを有し、前記第１の工程において、前記電極スプリングがばね力を作用させて接触端子を前記端面から離隔させ、前記第２の工程において、前記可動電極を電極スプリングがばね力の方向に逆らう方向に押圧して前記接触端子を端面上の導電層に接触させてもよい。このように配置することで、記録層の保磁力がいっそう均一化されることが期待できる。可動電極に電極スプリングを設け、バイアス電圧を供給しない場合はばね力を利用して可動電極を基板の端面から離れるようにする。簡単な機構で基板の端面との非接触動作を行うことができる。
【００１５】
前記可動電極は、絶縁性基板の上側に配置され、真空処理室内に設けられた押圧手段により該可動電極を下方に押圧して絶縁性基板の上側の端面の導電層に接触端子を接触させてもよい。押圧手段を比較的空間的な制約の少ない真空処理室内の上部に設けることができる。
【００１６】
また、前記可動電極が端面に接触する際に、前記接触端子が基板の周方向に力を印加して絶縁性基板を回転させ、前記支持スプリングと端面との接触位置を移動させてもよい。接触位置をずらすことで、基板の端面に形成された導電層と可動電極との接触をより良好にできる。
【００１７】
本発明の他の観点によれば、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に、導電層と、記録層とを備える磁気ディスクであって、上記いずれかの製造方法により形成されることを特徴とする磁気ディスクが提供される。
【００１８】
本発明によれば、磁気ディスクは、記録層が均一な保磁力分布を有することが期待され、その結果、高記録密度化が可能な磁気ディスクが実現する。また、磁気ディスクは欠陥の発生が抑制され、歩留まりが良好であることが期待できる。
【００１９】
本発明のその他の観点によれば、上記の磁気ディスクと、記録再生手段とを備える磁気記憶装置が提供される。
【００２０】
本発明によれば、磁気ディスクは高記録密度化が可能であり、また、歩留まりも良好であることが期待できるので、大容量で製造コストの低廉な磁気記憶装置を実現できる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、絶縁性基板上に導電層を形成し、略そのままの支持状態でスパッタ法により可動電極と複数の支持部材を介してバイアス電圧を供給しながら記録層を形成する。このことにより均一な保磁力分布を有する記録層が形成されることが期待できる。その結果、磁気ディスクの高記録密度化が可能となる。また、複数の箇所からバイアス電圧が供給されることで、異常放電の発生を抑制し、異常放電の発生に起因する欠陥の発生を抑制できる。その結果、歩留まりが向上することが期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下図面を参照しつつ実施の形態を説明する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る製造方法により形成される磁気ディスクの一例の断面図である。
【００２４】
図２を参照するに、磁気ディスク１０は、基板１１と、その基板１１上に、下地層１２、記録層１３、保護膜１４が順次堆積された構成からなる。
【００２５】
基板１１は、ディスク状の非磁性の絶縁性の材料、例えばガラス基板、プラスチック基板、セラミック基板等が用いられる。基板１１は、その表面に凹凸、いわゆるテクスチャが形成されていてもよい。テクスチャとしては、レーザテクスチャやメカニカルテクスチャが挙げられる。基板１１は、その周方向に沿って細長い多数の溝からなるメカニカルテクスチャが形成されていてもよい。
【００２６】
下地層１２は、非磁性のＣｒ、Ｃｒ−Ｘ合金（Ｘ＝Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ｍｏ、およびこれらの合金から選択される一種）から選択される。下地層１２は例えばＣｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＷが挙げられる。このような下地層１２を設けることで、記録層１３の磁化容易軸方向を基板１１と平行な方向、いわゆる面内方向に配向させることができる。下地層１２は導電性であり記録層１３を形成する際にバイアス電圧が供給される。
【００２７】
記録層１３は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ系合金、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金等の強磁性材料から選択され、Ｃｏ系合金のうち、特にＣｏＣｒ、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＴａ系合金、およびＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ系合金が好ましい。記録層１３は、２つの強磁性層とこれらの強磁性層との間に挟まれた非磁性結合層とが積層され、２つの強磁性層の各々の磁化が、強磁性層に挟まれた非磁性結合層を介して反強磁性的に結合する構造を有してもよい。
【００２８】
保護膜１４は、特に限定されず、例えばアモルファスカーボンや、水素化カーボン、窒化カーボン等から選択される。保護膜１４は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法により形成される。プラズマＣＶＤ法により保護膜を形成する際は、記録層１３と同様にバイアス電圧が供給される。バイアス電圧を供給して成膜することで緻密な膜質の保護膜が形成される。
【００２９】
なお、図示は省略するが、基板１１と下地層１２との間に一層あるいは二層以上の金属材料からなるシード層を形成してもよい。シード層は導電性を有するため、記録層１３や保護膜１４をバイアス電圧を供給して形成する際に、下地層１２と共に導電層としてバイアス電圧が印加される。また、後ほど詳しく説明するが、図２に示すように、基板１１の外縁部の端面１１ａにも下地層１２、記録層１３、保護膜１４が形成される。
【００３０】
次に第１の実施の形態に係る磁気ディスクの製造方法を説明する。
【００３１】
図３は、磁気ディスクの製造装置の概略図である。図３を参照するに、製造装置２０は、ロードロック室２１、真空処理室２２Ａ〜２２Ｃ、アンロードロック室２３からなり、各々互いに仕切弁２５により隔離されている。また、製造装置２０には、基板１１を支持する基板ホルダ４０、基板ホルダ４０をロードロック室２１から真空処理室２２Ａ〜２２Ｃを介してアンロードロック室２３に搬送する搬送機構２４が設けられ、さらに、図示されていないが、製造装置２０にはガス供給機構および排気機構が設けられている。
【００３２】
最初に、カートリッジ等に充填された基板１１が製造装置２０に供給される。ロードロック室２１においてロボット（不図示）により基板１１を一枚ずつ取り出し、基板ホルダ４０に載置する。基板ホルダ４０は後ほど詳述するが、基板ホルダ４０の開口部に支持スプリング４３が設けられ、基板１１は支持スプリング４３に掛止めされる。支持スプリング４３を３つ設け、基板１１の中心と支持スプリング４３の接触点を結ぶ線が互いになす角を例えば１２０度となるように各々を配置することで、基板１１が均衡良く支持される。なお、支持スプリング４３は３つに限定されず、２つでも４つ以上でもよい。
【００３３】
次いで、ロードロック室２１では、排気機構により内部の排気を行い、真空雰囲気を形成する。このような真空雰囲気で仕切弁２５を開き、基板ホルダ４０を次の真空処理室２２Ａに搬送する。なお、各々の真空処理室２２Ａ〜２２Ｃの処理が行われる間は仕切弁２５を閉じた状態で行う。ただし、各真空処理室２２Ａ〜２２Ｃの内部の雰囲気を共通に設定する場合は、仕切弁２５を開いたまま各々の処理を行ってもよい。なお、以下の説明では仕切弁２５の動作の説明を省略する。
【００３４】
真空処理室２２Ａでは、絶縁性基板１１を加熱処理する。真空処理室２２Ａの内部を圧力が例えば０．６７ＰａのＡｒガス雰囲気に設定する。そして、熱分解窒化ホウ素ヒータ等の加熱手段を用いて基板１１を約２００℃の温度に加熱する。基板１１の加熱により、この後の下地層１２や記録層１３を形成する工程で、良好な膜質の下地層１２や記録層１３を形成できる。また、基板１１の加熱により、基板１１の表面の水分や汚れを除去できる。次いで、基板１１が載置された基板ホルダ４０を次の真空処理室２２Ｂに搬送する。
【００３５】
真空処理室２２Ｂでは、スパッタ法により基板１１の表面に下地層１２を形成する。図４を参照しつつ、下地層１２の形成工程を説明する。
【００３６】
図４は、第１の実施の形態に係る製造方法に用いられる真空処理室の構成図である。図４は、記録層１３を成膜する際の真空処理室の構成を示したものであるが、この図を用いて下地層１２の形成工程を説明する。
【００３７】
図４を参照するに、真空処理室２２Ｃは、外部と隔離されており、中央に搬送機構２４に固定された基板ホルダ４０と、基板ホルダ４０の各々の側に、ターゲット３２、ターゲットホルダ３３、カソード３４、およびカソード３４に接続されたスパッタ電源３５が設けられている。また、真空処理室２２Ｃには内部にＡｒガス等を供給するガス供給機構３０、および内部を排気するガス排気機構３１が設けられている。
【００３８】
このような真空処理室２２Ｃで、上述したＣｒあるいはＣｒ−Ｘ合金材料からなるターゲット３２を用いて、例えばＤＣマグネトロン法により下地層１２を形成する。この際、真空処理室内を例えば圧力が０．６７ＰａのＡｒガス雰囲気に設定する。下地層１２の厚さは、適宜選択される。下地層１２の厚さを例えば数ｎｍ〜十数ｎｍ程度の厚さに設定する場合は、バイアス印加の際のバイアス均一性等の点で、基板１１と下地層１２との間にシード層を形成することが好ましい。シード層は、例えばＮｉＰ等の非晶質金属膜からなり、厚さを５ｎｍ〜１００ｎｍ程度に設定する。また、シード層は例えばＢ２結晶構造を有するＡｌＲｕ等でもよい。下地層１２、あるいはシード層と下地層１２との積層膜により導電層としての厚さを増加できる。次いで、図３に戻り、基板１１が載置された基板ホルダ４０を次の真空処理室２２Ｃに搬送する。
【００３９】
真空処理室２２Ｃでは、スパッタ法により下地層１２にバイアス電圧を供給しながら記録層１３を形成する。再び図４を参照するに、記録層１３を形成する真空処理室２２Ｃの内部には、基板ホルダ４０にバイアス電圧を供給するバイアス印加電源２６が接続される。バイアス印加電源２６から負極のバイアス電圧、例えば−３００Ｖが供給される。バイアス印加電源２６は基板ホルダ４０のＡｌ合金やＴｉ合金材からなるホルダ導電部４１に接続されている。なお、基板ホルダ４０は、碍子等の絶縁材４２を介して搬送機構２４に固定されている。
【００４０】
基板１１は、支持スプリング４３により支持されている。支持スプリング４３は一端を基板ホルダ４０のホルダ導電部４１に固定され、他端が基板１１の端面１１ａに接触している。また、基板１１の上側のホルダ導電部４１には可動電極４５が設けられている。可動電極４５は、真空処理室２２Ｃに固定された呼込み板２８により押し下げられて、基板１１に接触した状態になっている。なお呼込み板２８と真空処理室２２Ｃは絶縁材３６に電気的に絶縁されている。
【００４１】
このようにしてバイアス電圧を供給した状態で、真空処理室２２Ｃの内部を圧力が０．６７ＰａのＡｒガス雰囲気に設定し、ＤＣマグネトロン法により例えばＣｏＣｒＰｔＢ材料からなるターゲット３２を用いて記録層１３を形成する。記録層１３は、例えば厚さが５ｎｍ〜２０ｎｍに設定される。なお、記録層１３が第１磁性層（例えばＣｏＣｒ膜）、非磁性結合層（例えばＲｕ膜）、第２磁性層（例えばＣｏＣｒＰｔＢ膜）からなる場合は、各々の層を各真空処理室内で形成する。以下、バイアス印加方法を詳しく説明する。
【００４２】
図５は、第１の実施の形態の第１例に係る基板ホルダの正面図、（Ａ）は可動電極が基板から離れた状態を示し、（Ｂ）は可動電極が基板に接触した状態を示す図である。
【００４３】
図５（Ａ）および（Ｂ）を参照するに、基板ホルダ４０は、ホルダ導電部４１と、ホルダ絶縁部４２と、ホルダ導電部４１の開口部４１ａに固着された３つの支持スプリング４３と、基板１１の上側に設けられた可動電極４５等から構成される。
【００４４】
支持スプリング４３は、金属材、例えばインコネル等のばね材からなり、例えば厚さが０．５ｍｍ程度の板状である。支持スプリング４３は、その基部が開口部１４ａに固着され、その先端部が略垂直に折り曲げられて形成された接触部４３ａとなっている。接触部４３ａは基板１１の外縁部の端面１１ａに接触し、支持スプリング４３の支点４３ｂを中心として、基板１１の中心方向に力が印加されるようになっている。このように３つの支持スプリング４３により基板１１が基板ホルダ４０に支持される。
【００４５】
なお、基板の端面１１ａは、図２に示すような外側に凸の形状を有するので、接触部４３ａはその先端部が凹部となっていてもよい。下地層１２を形成した際に、接触部４３ａと基板１１上に形成された下地層１２とを電気的に導通する架橋部が形成される易い点では、接触部４３ａの先端部の凹部はその窪みが浅い方がよい。
【００４６】
可動電極４５は、電極棒４６と、その先端部に固着された接触端子４８と、電極棒４６の上面と基板ホルダ４０の上面との間に配置されたスプリング４９等から構成される。
【００４７】
電極棒４６は金属材からなり、例えばホルダ導電部４１のアルミ合金と同様の材料からなる。接触端子４８は、その基部が電極棒４６に固着されている。接触端子４８は、その先端部が略垂直に折り曲げられて形成された接触部４８ａとなっている。接触端子４８は金属材、例えば支持スプリング４３と同様の材料からなる。接触部４８ａは、基板の端面１１ａに接触する部分の形状は特に限定されない。なお、金属棒４６は、基板ホルダ４０内に孔部４１ｂを設け、その孔部４１ｂに挿入してもよい。
【００４８】
なお、図示は省略するが、可動電極４６は、基板ホルダ４０の表面に溝部を設け、溝部をガイド溝として上下動可能なようにその溝部に電極棒４６を配置する構成としてもよい。さらに電極棒４６が脱落しないように、溝部を覆うカバーを設けてもよい。
【００４９】
スプリング４６はばね性を有する金属材からなり、特に材料は限定されない。スプリングは少なくともその表面が導電性を有する材料を用いる。
【００５０】
図５（Ａ）に示すように、基板ホルダ４０は、加熱処理や下地層１２を形成する真空処理室内では、スプリング４９が電極棒４６および接触端子４８を引き上げて、接触部４８ａが基板の端面１１ａに接触しないようにする。
【００５１】
一方、図５（Ｂ）に示すように、記録層１３を形成する真空処理室では、真空処理室内に設けられた呼込み板２８に、可動電極４５の金属棒４６の上面４６ａが接触し、可動電極４５が押し下げられ、接触部４８ａが基板１１の上側の端面１１ａに接触する。基板の端面１１ａにも形成された下地層１２と、可動電極４５を介して基板ホルダ４０のホルダ導電部４１が電気的に導通する。なお、可動電極４６が少々過剰に押し下げられた場合であっても、接触端子４８が板ばね材であるので変形し、接触端子４８が端面１１ａから外れたり、基板１１が支持スプリング４３から外れることはない。
【００５２】
基板ホルダ４０のホルダ導電部４１には、バイアス印加電源２６により負のバイアス電圧が供給される。バイアス電圧はホルダ導電部４１から、可動電極４５および３つの支持スプリング４３を介して基板１１の下地層１２に供給される。可動電極４５は基板の端面１１ａに形成された下地層１２に直接接触するため、電気的な導通が良好である。さらに支持スプリング４３は、部分的に下地層１２に接触しており電気的に導通している。この接触の様子を、図６を参照しつつ説明する。
【００５３】
図６は、基板の端面において支持スプリングの接触部と下地層との接触の様子を説明するための図である。図６は、基板１１と支持スプリング４３の接触部４３ａ等の断面を示している。
【００５４】
図６を参照するに、接触部４３ａの先端は例えば凹状となっており、一方、基板１１の端面１１ａは凸状となっている。下地層１２を形成する際に、基板の端面１１ａには、基板１１の表面に略直交する方向（Ｘ方向）から金属粒子ＳＰが入射し、基板１１の表面および端面１１ａに下地層１２が形成される。ただし、金属粒子ＳＰは接触部４３ａに遮蔽され、接触部４３ａと端面１１ａが接触する接点４３ａ−１付近では、下地層１２が他の領域よりも薄くなる。しかし、金属粒子ＳＰの一部が接触部４３ａを回り込み接点４３ａ−１付近に堆積して、端面１１ａに形成された下地層１２と接触部４３ａを架橋する。また、図に示すＹ方向から回り込んだ金属粒子ＳＰも接点４３ａ−１付近に堆積する。その結果、下地層１２と接触部４３ａが電気的に導通するようになる。
【００５５】
図５に戻り、支持スプリング４３は３カ所で下地層１２に接触しているので、下地層１２の全体に均一なバイアス電圧が供給される。このように、可動電極と支持スプリング４３によりバイアス電圧を供給することで、下地層１２が薄膜であってしても、十分にバイアス電圧を印加できる。
【００５６】
図３に戻り、記録層１３を形成した後に、次の真空処理室２２Ｄに基板ホルダ４０を搬送する。搬送する際に可動電極４５は呼込み板２８から外れ、接触端子４８は基板１１から離れる。
【００５７】
真空処理室２２Ｄでは、例えばプラズマＣＶＤ法により保護膜として、記録層１３を覆う水素化カーボン膜を形成する。水素化カーボン膜の形成は、具体的には、炭化水素系ガス、水素ガス、不活性ガス等を真空処理室２２Ｄの内部に供給し、圧力を例えば５Ｐａに設定する。そして、プラズマ発生部３７に高周波電力（例えば１００Ｗ）を供給し、プラズマを発生させる。一方、記録層１３を形成した際と同様にして、可動電極４５と支持スプリング４３を介して記録層１３に負のバイアス（例えば−３００Ｖ）を印加する。このようにして、記録層１３の表面に水素化カーボン膜を形成する。
【００５８】
次いで、基板ホルダ４０をアンロードロック室２３に搬送する。アンロードロック室２３ではロボットにより保護膜１４まで形成された磁気ディスク１１（基板）を外し、カートリッジ等に充填する。そして、アンロードロック室２３の内部を真空雰囲気から大気圧に戻し、磁気ディスクが製造装置から取り出される。
【００５９】
この後、図示を省略するが、保護膜１４の表面に浸漬法等により例えばフッ素系のパーフルオロポリエーテルの潤滑層を形成し、磁気ディスクが形成される。
【００６０】
本実施の形態によれば、下地層１２を形成する際に絶縁性の基板１１は導電性材料からなる支持スプリング４３により支持されている。このままの支持状態で可動電極４５を基板の端面１１ａに接触させて記録層１３を形成する。下地層１２は基板の端面１１ａにも形成されているので、可動電極４５と下地層１２との電気的な導通は良好である。さらに、下地層１２の形成の際に、端面１１ａに形成された下地層１２と支持スプリング４３との接触部４３ａの一部を架橋するように下地層１２が形成されるので、支持スプリング４３と下地層１２は電気的に導通状態となる。したがって、下地層１２には可動電極４５および支持スプリング４３を介してバイアス電圧が給電される。このようにバイアス電圧を供給することにより、下地層１２が形成された基板表面全体に亘って均一な保磁力分布を有する記録層１３が形成されることが期待できる。その結果、磁気ディスクの高記録密度化が可能となる。また、複数の箇所からバイアス電圧が供給されることで、異常放電の発生を抑制し、異常放電の発生に起因する欠陥の発生を抑制できる。その結果、歩留まりが向上することが期待できる。また、保護膜１４についても同様にバイアス電圧を供給して形成することで、均一で緻密な膜質の保護膜１４を形成できる。
【００６１】
次に、本実施の形態に係る製造方法に用いる基板ホルダの他の例について説明する。
【００６２】
図７は、第１の実施の形態の第２例に係る基板ホルダの正面図で、（Ａ）は可動電極が基板から離れた状態を示し、（Ｂ）は可動電極が基板に接触した状態を示す図である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００６３】
図７（Ａ）および（Ｂ）を参照するに、基板ホルダ５０は、ホルダ導電部５１と、ホルダ絶縁部４２と、ホルダ導電部５１の開口部４１ａに固着された３つの支持スプリング４３と、基板１１の上側に設けられた可動電極５２等から構成される。
【００６４】
可動電極５２は、電極棒５３と、その先端部に固着された接触端子５４等から構成される。電極棒５３の頭部には、支点５３ｂで折り曲げられ、ホルダ導電部５１の上面に沿って延出する２つの板ばね部５３ｃが設けられている。板ばね部５３ｃの各々の先端が、ホルダ導電部５１の上辺面５１ｂに接触している。このようにして、板ばね部５３ｃが電極棒５３と接触端子５４とを上方に引き上げ、接触部５４ａと基板の端面１１ａを離隔している。
【００６５】
また、接触端子５４は、電極棒５３の下部から基板の端面１１ａに沿って両側に延出し、その各々の先端部が略垂直に折り曲げられた接触部５４ａとなっている。２つの接触部５４ａの先端は、基板の端面１１ａと略同様の半径の仮想円周上に配置されている。接触端子５４は、図５に示す第１例の接触端子４８と同様の材料からなる。
【００６６】
図７（Ａ）に示すように、基板ホルダ５０は、加熱処理や下地層１２を形成する真空処理室内では、２つの板ばね部５３ｃの各々の先端が、ホルダ導電部５１の上辺面５１ｂに接触して電極棒５３を上方に引き上げることで、接触端子５４ａが基板の端面１１ａから離れるようにしている。
【００６７】
また、図７（Ｂ）を参照するに、記録層１３を形成する真空処理室では、真空処理室内に、可動電極を押し下げて、接触端子５４ａを基板の端面１１ａに接触させるベアリング５６が設けられている。ベアリング５６は、真空処理室の上部に絶縁材３６を介して支持板５５に支持されている。ベアリング５６は、基板ホルダ５０の移動方向に沿って回転するようになっている。
【００６８】
基板ホルダ５０は、真空処理室内に搬送されると、ベアリング５６が可動電極５２の板ばね部５３ｃに接触し、基板ホルダ５０の移動に伴ってベアリング５６は板ばね部５３ｃを押し下げながら電極棒５３の上面５３ａに到達する。その位置で基板ホルダ５０が停止する。電極棒５３はベアリング５６により押し下げられ、接触端子５４の２つの接触部５４ａが基板の端面１１ａに接触する。接触端子５４はばね性を有するので、多少の過剰な押し下げ力が働いても吸収できる。このようにして、可動電極５２が基板１１の上側の端面１１ａに接触する。
【００６９】
このような状態で、基板ホルダ５０にはバイアス印加電源２６により負のバイアス電圧が供給され、支持スプリング４３と可動電極５２を介して基板１１に形成された下地層にバイアス電圧が印加される。
【００７０】
基板ホルダ５０は、可動電極５２の上部に板ばね部５３ｃが設けられ、ベアリング５６がその板ばね部５３ｃの表面を回転しながら可動電極５２を押し下げる。したがって、ベアリング５６と板ばね部５３ｃとの摺動を回避でき、パーティクルの発生や膜剥がれを抑制できる。その結果、磁気ディスクの欠陥の発生が抑制され、歩留まりを向上できる。
【００７１】
また、可動電極５２は、接触端子５４に２つの接触部５４ａが設けられているので、給電箇所が増加し、バイアス電圧分布をいっそう均一化できる。なお、ホルダ導電部５１の上辺面１１ａが曲線状に形成されているが、必ずしも曲線状である必要はない。
【００７２】
図８は、第１の実施の形態の第３例に係る基板ホルダの正面図である。第３例に係る基板ホルダは、第２例の変形例である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００７３】
図８を参照するに、基板ホルダ６０は、ホルダ導電部５１と、ホルダ絶縁部４２と、ホルダ導電部５１の開口部４１ａに固着された３つの支持スプリング４３と、基板１１の上側に設けられた可動電極６２等から構成される。可動電極６２の接触端子６４が異なる以外は、第２例に係る基板ホルダの可動電極と同様であるので、その説明を省略する。
【００７４】
接触端子６４は、電極棒５３の下部から基板の端面１１ａに沿って両側に延出し、その各々の先端部が略垂直に折り曲げられて形成された接触部６４ａ、６４ｃを有する。さらに、接触端子６４は、電極棒５３の下部に接触部６４ｂを有する。このように３つの接触部６４ａ〜６４ｃが同時に基板の端面１１ａに接触することで、可動電極と基板１１に形成された下地層１２との電気的な導通をいっそう向上させる。なお、バイアス電圧の印加動作は、第２例に係る基板ホルダの場合と同様であるので、その説明を省略する。
【００７５】
図９は、第１の実施の形態の第４例に係る基板ホルダの正面図、（Ａ）は可動電極が基板から離れた状態を示し、（Ｂ）は可動電極が基板に接触した状態を示す図である。第４例に係る基板ホルダは、第２例の変形例である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００７６】
図９（Ａ）および（Ｂ）を参照するに、第４例に係る基板ホルダ７０は、ホルダ導電部５１と、ホルダ絶縁部４２と、ホルダ導電部５１の開口部４１ａに固着された３つの支持スプリング４３と、基板１１の上側に設けられた可動電極６２等から構成される。基板ホルダ７０は、可動電極７２は、接触端子７４が異なる以外は第２例に係る可動電極と同様に構成されている。
【００７７】
接触端子７４は、電極棒の下部５３ｃから基板１１の端面１１ａに沿って両側に延出するアーム部７４ａ、７４ｂを有し、その各々の先端部が折り曲げられて形成された接触部７４ｃ、７４ｄを有する。接触部７４ｃ、７４ｄは、電極棒５３の下部５３ｃから互いに異なる距離に設けられている。すなわち、一方のアーム部７４ａが他方のアーム部７４ｂよりも長く設定される。さらに、一方の接触部７４ｃは、アーム部７４ａと接触部７４ｃが延出する方向とのなす角θを９０度よりも大きくなるように設定する。このように設定することで、図９（Ａ）に示すように接触部７４ｃが基板の端面１１ａから離れた状態から、図９（Ｂ）に示すように、ベアリング５６により可動電極７２を押し下げると、接触部６４ｃにより基板１１には矢印Ｘで示す方向に回転力が作用する。この回転力により、支持スプリング４３が基板の端面１１ａと接触する位置がわずかに移動する。この移動距離は、例えば０．１ｍｍ〜２ｍｍ程度で十分である。その結果、支持スプリング４３の先端部４３ａは、端面１１ａ上に下地層１２が形成されている箇所と接触し、支持スプリング４３と下地層との電気的な導通がさらに向上し、バイアス電圧分布を均一化できる。
【００７８】
図１０は、第１の実施の形態の第５例に係る基板ホルダの正面図、（Ａ）は可動電極が基板から離れた状態を示し、（Ｂ）は可動電極が基板に接触した状態を示す図である。第５例に係る基板ホルダは、第２例の変形例である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００７９】
図１０（Ａ）および（Ｂ）を参照するに、基板ホルダ８０は、ホルダ導電部８１と、ホルダ絶縁部４２と、ホルダ導電部８１の開口部８１ａに固着された３つの支持スプリング４３と、基板１１の上側に設けられた第１可動電極５２と、第１可動電極５２に連動する２つの第２可動電極８２から構成される。
【００８０】
第１可動電極５２は、図７に示す第２例に係る基板ホルダの可動電極５２と同様に構成され、電極棒の先端に接触端子５４が設けられる。第２可動電極８２は、第１可動電極５２の電極棒５３から基板ホルダ８０の表面に沿って横方向に延びる第１アーム８３と、第１アーム８３に連結され、略鉛直方向に延びる第２アーム８４と、第２アーム８４の先端部に固着された接触端子８５等からなる。
【００８１】
第１アーム８３は、一端を支点８６ａにより電極棒５３に連結され、他端を支点８６ｃにより第２アーム８４に連結されている。第１アーム８３にはさらに支点８６ｂが設けられ、その支点８６ｂはホルダ導電部８１に固定されている。第１アーム８３または第２アームは、これらの支点８６ａ〜８６ｃの回りに回動可能となっている。第１アーム８３は、電極棒５３が下方に押し下げると、支点８６ａが下がり、他端の支点８６ｃが上方に移動する。
【００８２】
第２アーム８４は、ホルダ導電部８１に設けられた案内溝８１ａ内に配置されている。第２アーム８４は、案内溝８１ａにより横方向の動きがある程度規制されている。第２アーム８４は、第１アーム８３により支点８６ｃが上下に動作することで、上下方向に動くようになっている。接触端子８５は、その先端に接触部８５ａが設けられている。
【００８３】
図１０（Ａ）に示すように、基板ホルダ８０は、加熱処理や下地層１２を形成する真空処理室内では、上述したように、電極棒５３が上方に引き上げられ、第１可動電極５２の接触部５４ａと第２可動電極の接触部８５ａは基板の端面１１ａから離れた状態になっている。
図１０（Ｂ）に示すように、記録層１３を形成する真空処理室では、ベアリング５６により第１可動電極５２が押し下げられ、接触部５４ａが基板の端面１１ａに接触する。この動作と同時に、第１アーム８３は支点８６ｂを固定点として、支点８６ａが下方に移動したことで支点８６ｃ側が上方に移動し、第２アーム８４が上方に移動する。その結果、接触端子８５が上方に移動し、接触部８５ａが基板の端面１１ａに接触する。
【００８４】
このようにして、第１可動電極５２および２つの第２可動電極８２と、支持スプリング４３を介して下地層１２の表面にバイアス電圧が供給される。したがって、バイアス電圧の面内分布がさらに均一となり、記録層１３の保磁力がいっそう均一化されることが期待できる。
【００８５】
次に第１の実施の形態の実施例１および２を説明する。実施例１では先の図５に示す第１例の基板ホルダを用いて磁気ディスクを形成し、実施例２では先の図７に示す第２例の基板ホルダを用いて磁気ディスクを形成したものである。
【００８６】
最初に、実施例１で用いた基板ホルダを図５を参照しつつ具体的に説明する。なお、基板１１の外周端部の紙面上側の位置を０度とし右回りを角度が増加する方向とする（すなわち左回りでは角度が減少する方向。）。なお、実施例２でも角度の定義は同様とした。
【００８７】
実施例１で用いた基板ホルダ４０は、支持スプリング４３が基板１１の端部１１ａに、４５度、１８０度、および３１５度のそれぞれの位置で接触する。さらに、基板ホルダ４０は、可動電極４５の接触端子４８が基板１１の端部１１ａに１５度の位置で接触する。
【００８８】
次に実施例２で用いた基板ホルダを図７を参照しつつ具体的に説明する。実施例２で用いた基板ホルダ５０は、支持スプリング４３が基板１１の端部１１ａに接触する位置は、実施例１で用いた基板ホルダと同様である。さらに、基板ホルダ５０は、可動電極５２の接触端子５４の２つの接触部５４ａがそれぞれ基板１１の端部１１ａに１５度、−１５度の位置で接触する。
【００８９】
磁気ディスクの製造条件は、実施例１と実施例２とで共通であり、以下のように設定した。最初に周方向にメカニカルテクスチャが形成されたガラス基板（直径６４ｍｍ）を洗浄後、図３に示す製造装置２０を用いて真空雰囲気で基板加熱処理（２３０℃）を行い、次いで、真空処理室内をアルゴンガス雰囲気、圧力を０．５Ｐａ〜１．０Ｐａに設定し、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、シード層（Ｃｒ基合金、２３ｎｍ）、下地層（Ｃｒ基合金、５ｎｍ）、磁性層（ＣｏＣｒＰｔ系合金、２３ｎｍ）および保護膜（ダイアモンドライクカーボン、４ｎｍ）をこの順で形成した。磁性層の形成工程では、実施例１および実施例２のそれぞれの基板ホルダに−３００Ｖを供給し、可動電極を基板１１に接触させた状態で、投入電力を１０００Ｗに設定して磁性層を形成した。これにより、磁性層形成工程では可動電極および支持スプリングを介して下地層に−３００Ｖのバイアス電圧が供給された状態で磁性層が形成された。また、シード層形成から磁性層形成までの間、基板の持ち替えは行わなかった。
【００９０】
図１１は、第１の実施の形態に係る実施例の磁気ディスクの保磁力特性図である。図１１の縦軸はカー効果測定装置により測定した保磁力である。図１１の横軸は上記に定義した角度であり、磁気ディスクの半径３１．５ｍｍの位置を角度−１０度（あるいは−９度）から１０度の範囲を一度おきに測定した。なお、カー効果測定装置のスポット径は直径０．４ｍｍである。
【００９１】
図１１を参照するに、実施例１の磁気ディスクは、−９度〜１０度に亘る保磁力の平均値が４３１２Ｏｅ、標準偏差が１０１Ｏｅであった。実施例１では、シード層形成から磁性層形成までの間基板も持ち替えをすることなく、所期した保磁力（４０００Ｏｅ）以上の保磁力が得られ、標準偏差も許容範囲内であった。また、スパーク等の異常も発生しなかった。
【００９２】
また、実施例２の磁気ディスクは、−１０度〜１０度に亘る保磁力の平均値が４５４７Ｏｅ、標準偏差が３８Ｏｅであった。また、実施例２の磁気ディスクは、−１０度のデータを除いた−９度〜１０度に亘る保磁力の平均値が４５４６Ｏｅ、標準偏差が３７Ｏｅであった。実施例２では、シード層形成から磁性層形成までの間基板も持ち替えをすることなく、所期した保磁力（４０００Ｏｅ）以上の保磁力が得られ、標準偏差も許容範囲内であった。また、スパーク等の異常も発生しなかった。
【００９３】
さらに実施例２の磁気ディスクは、実施例１の磁気ディスクの磁気ディスクよりも、保磁力の平均値が２３４Ｏｅも高く、磁気ディスクの高記録密度化に適した基板ホルダおよび製造方法であることが分かる。実施例２の磁気ディスクは保磁力の標準偏差が、実施例１の磁気ディスクに対して、３７％しかなく、極めて均一な保磁力分布が得られることが分かる。これは、実施例２に用いた図７に示す基板ホルダ５０の可動電極５２の接触端子５４の接触部５４ａが２個あるため、１個の接触部４８ａを有する実施例１に用いた図５に示す基板ホルダ４５の可動電極４５よりも、接触部５４ａが確実に基板１１の端面１１ａに接触し、端面に形成された下地層と良好な電気的な導通状態を維持できるためと考えられる。このことから、可動電極の接触端子の接触部は１個よりも複数個有することが好ましいことが分かる。
【００９４】
実施例１および実施例２によれば、図５あるいは図７に示す基板ホルダ４０，５０をそれぞれ用いて、磁性層形成工程において可動電極４５，５２および支持スプリング４３を介して下地層にバイアス電圧を供給することで、磁気ディスクは保磁力の平均値が所期の保磁力を超え、さらに磁気ディスクの周方向に亘って均一な保磁力分布が得られた。さらに、可動電極の接触端子の接触部は１個よりも複数の方が、より高い保磁力およびより均一な保磁力分布が得られることが分かった。
【００９５】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態は、第１の実施の形態に係る製造方法により形成された磁気ディスクを備えた磁気記憶装置に関するものである。
【００９６】
図１２は、本発明の第２の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す図である。図１２を参照するに、磁気記憶装置９０は大略ハウジング９１からなる。ハウジング９１内には、スピンドル（図示されず）により駆動されるハブ９２、ハブ９２に固定され回転される磁気ディスク９３、アクチュエータユニット９４、アクチュエータユニット９４に取り付けられ磁気ディスク９３の半径方向に移動されるアーム９５およびサスペンション９６、サスペンション９６に支持された磁気ヘッド９８が設けられている。磁気ヘッド９８は、ＭＲ素子（磁気抵抗効果型素子）、ＧＭＲ素子（巨大磁気抵抗効果型素子）、またはＴＭＲ素子（トンネル磁気効果型）等の再生ヘッドと誘導型の記録ヘッドとの複合型ヘッドからなる。この磁気記憶装置９０の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
【００９７】
磁気ディスク９３は、例えば、第１の実施の形態に係る製造方法により形成された磁気ディスクである。磁気ディスク９３は、その表面全体に亘って均一な保磁力分布を有する記録層が形成されることが期待できる。その結果、磁気ディスク９３の高記録密度化が可能となる。また、複数の箇所からバイアス電圧が供給されることで、異常放電の発生を抑制し、異常放電の発生に起因する欠陥の発生を抑制できる。その結果、歩留まりが向上することが期待できる。したがって、大容量で製造コストの低廉な磁気記憶装置９０を実現できる。
【００９８】
なお、本実施の形態に係る磁気記憶装置９０の基本構成は、図１２に示すものに限定されるものではなく、磁気ヘッド９８は上述した構成に限定されず、公知の磁気ヘッドを用いることができる。
【００９９】
以上本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。例えば、第１例から第４例に係る基板ホルダにおいて、支持スプリングの配置および数を総て同様として説明したが、本発明の作用・効果を損なわない限り支持スプリングの配置および数を適宜変更してもよい。
【０１００】
なお、以上の説明に関してさらに以下の付記を開示する。
（付記１）  導電性の基板ホルダに、導電性材料からなる複数の基板支持部材により絶縁性基板を支持して、該絶縁性基板の表面に導電層を形成する第１の工程と、
スパッタ法により前記導電層に負のバイアス電圧を供給して、該導電層上に記録層を形成する第２の工程とを含む磁気ディスクの製造方法であって、
前記第２の工程は、
前記第１の工程において前記基板支持部材により絶縁性基板を支持した状態で、可動電極を絶縁性基板の端面上の導電層に接触させ、該可動電極および基板支持部材を介して導電層にバイアス電圧を供給しながら記録層を堆積することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
（付記２）  前記基板支持部材は、複数の支持スプリングからなり、該支持スプリングの各々の先端部が絶縁性基板の外縁部の端面に接触するように略所定の間隔で離隔して配置されてなり、
前記可動電極は、隣り合う支持スプリング間の前記端面上の導電層に接触させることを特徴とする付記１記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記３）  前記可動電極は、電極体と、該電極体の先端部に設けられた接触端子と、電極スプリングを有し、
前記第１の工程において、前記電極スプリングがばね力を作用させて接触端子を前記端面から離隔させ、
前記第２の工程において、前記可動電極を電極スプリングがばね力の方向に逆らう方向に押圧して前記接触端子を端面上の導電層に接触させることを特徴とする付記１または２記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記４）  前記接触端子は複数の接触部を有し、該接触部の各々が前記端面上の導電層に接触することを特徴とする付記１〜３のうち、いずれか一項記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記５）  前記可動電極は、絶縁性基板の上側に配置され、真空処理室内に設けられた押圧手段により該可動電極を下方に押圧して絶縁性基板の上側の端面の導電層に接触端子を接触させることを特徴とする付記１〜４のうち、いずれか一項記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記６）  前記押圧手段は、前記基板ホルダの移動方向に回転するベアリングを含み、該ベアリングが可動電極の上面に接触して、該可動電極を下方に押圧することを特徴とする付記５記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記７）  前記電極スプリングは、そのばね力が、可動電極を上方に押し上げて接触端子を端面から離隔させる方向に作用することを特徴とする付記５記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記８）  前記可動電極が端面に接触する際に、前記接触端子が基板の周方向に力を印加して絶縁性基板を回転させ、前記基板支持部材と絶縁性基板の端面との接触位置を移動させることを特徴とする付記１〜７のうち、いずれか一項記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記９）  前記接触端子は板ばねからなり、その基部が電極体に固着され、その先端部が折曲されて接触部を形成してなることを特徴とする付記４〜８のうち、いずれか一項記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記１０）  前記電極スプリングは電極体と一体化されてなることを特徴とする付記３〜９のうち、いずれか一項記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記１１）  前記第２の工程は、複数の前記可動電極の各々を絶縁性基板の端面に略等間隔で接触させることを特徴とする付記１〜１０のうち、いずれか一項記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記１２）  前記複数の可動電極は、そのうちの一つを押圧することで総ての可動電極が絶縁性基板の端面に接触してなることを特徴とする付記１１記載の磁気ディスクの製造方法。
（付記１３）  前記第２の工程の後に、
プラズマＣＶＤ法により前記記録層に負のバイアス電圧を供給して、該記録層上に保護膜を形成する第３の工程をさらに備え
前記第３の工程は、
前記第１の工程において前記基板支持部材により絶縁性基板を支持した状態で、可動電極を絶縁性基板の端面上の導電層に接触させ、該可動電極および基板支持部材を介して導電層および記録層にバイアス電圧を供給しながら保護膜を堆積することを特徴とする付記１〜１２のうち、いずれか一項磁気ディスクの製造方法。
（付記１４）  絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に、導電層と、記録層とを備える磁気ディスクであって、
付記１〜１３のうち、いずれか一項記載の製造方法により形成されることを特徴とする磁気ディスク。
（付記１５）  付記１４記載の磁気ディスクと、
記録再生手段とを備える磁気記憶装置。
（付記１６）  導電性ホルダと、
各々前記導電性ホルダと接触し、絶縁性基板を挟持する複数の導電性基板支持部材と、
前記絶縁性基板に対して接触および離脱自在に支持される可動電極と、
を備える基板保持機構。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】従来のバイアスの印加機構を説明するための図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る製造方法により形成される磁気ディスクの一例を示す要部断面図である。
【図３】磁気ディスクの製造装置の概略図である。
【図４】第１の実施の形態に係る製造方法に用いられる真空処理室の構成図である。
【図５】第１の実施の形態の第１例に係る基板ホルダの正面図、（Ａ）は可動電極が基板から離れた状態を示し、（Ｂ）は可動電極が基板に接触した状態を示す図である。
【図６】支持スプリングの接触部と下地層との接触の様子を説明するための図である。
【図７】第１の実施の形態の第２例に係る基板ホルダの正面図、（Ａ）は可動電極が基板から離れた状態を示し、（Ｂ）は可動電極が基板に接触した状態を示す図である。
【図８】第１の実施の形態の第３例に係る基板ホルダの正面図である。
【図９】第１の実施の形態の第４例に係る基板ホルダの正面図、（Ａ）は可動電極が基板から離れた状態を示し、（Ｂ）は可動電極が基板に接触した状態を示す図である。
【図１０】第１の実施の形態の第５例に係る基板ホルダの正面図、（Ａ）は可動電極が基板から離れた状態を示し、（Ｂ）は可動電極が基板に接触した状態を示す図である。
【図１１】第１の実施の形態に係る実施例の磁気ディスクの保磁力特性図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１０    磁気ディスク
１１    基板
１１ａ  端面
１２    下地層
１３    記録層
１４    保護膜
２０    製造装置
２１    ロードロック室
２２Ａ〜２２Ｄ    真空処理室
２３    アンロードロック室
２４    搬送機構
２５    仕切弁
２６    バイアス印加電源
２８    呼込み板
３０    ガス供給機構
３１    ガス排気機構
３２    ターゲット
３３    ターゲットホルダ
３４    カソード
３５    スパッタ電源
３６    絶縁材
３７    プラズマ発生部
４０、５０、６０、７０    基板ホルダ
４１、５１    ホルダ導電部
４１ａ  開口部
４２    ホルダ絶縁部
４３    支持スプリング（支持部材）
４５、５２    可動電極
４６、５３    電極棒
４８、５４、６１、７１    接触端子
４８ａ、５４ａ、７４ｃ、７４ｄ    接触部
４９    スプリング
５３ｂ  支点
５３ｃ  板ばね部
５６    ベアリング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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