(57)【要約】【課題】  アクティブマトリクス型の表示装置において、残像現象を抑制し、表示品位の向上を図る。【解決手段】  保持容量線２１７の電位を第１の電位Ｖｓｃ１から当該第１の電位Ｖｓｃ１より高い第２の電位Ｖｓｃ２に切り換えて、有機ＥＬ素子２１６を消灯させる際の残像を抑制するアクティブマトリクス型の表示装置において、その表示装置を出荷させる前に、次に示す電圧印加処理を行う。即ち、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートとソースとの電位差Ｖｇｓ、及びそのドレインとソースＶｄｓとの電位差を、有機ＥＬ素子２１６の消灯時よりも大きくするように、電源線２１５の電位ＰＶｄｄ及び上記有機ＥＬ素子２１６の陰極２１６Ｃの電位を所定の期間にわたって下げると共に、所定の電位の表示信号Ｄ、及びその表示信号Ｄよりも高い所定の電位の画素選択信号Ｇを所定の期間にわたって印加する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の表示画素を備え、
各表示画素は画素選択信号に応じてオンする画素選択用トランジスタと、陽極及び陰極を有した発光素子と、電源線及び前記陽極に接続され、前記画素選択用トランジスタを通して印加される表示信号に応じて前記発光素子を駆動する駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタのゲートと保持容量線の間に接続され、前記表示信号を保持する保持容量と、前記保持容量線の電位を第１の電位から該第１の電位より高い第２の電位に切り換えて前記駆動用トランジスタをオフ状態にして前記発光素子を消灯させ、その後、前記保持容量線の電位を第２の電位から第１の電位に戻すように切り換える保持容量線電位切換回路と、を備え、
さらに、前記駆動用トランジスタのゲートとソースとの電位差、及びそのドレインとソースとの電位差を、前記発光素子の消灯時よりも大きくするように、所定の期間にわたって前記電源線の電位及び前記陰極の電位を下げる電源電位切換回路と、を備えることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
前記所定の期間は、１マイクロ秒以上１０秒以下であることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
マトリクス状に配置された複数の表示画素を備え、
各表示画素は画素選択信号に応じてオンする画素選択用トランジスタと、陽極及び陰極を有した発光素子と、電源線及び前記陽極に接続され、前記画素選択用トランジスタを通して印加される表示信号に応じて前記発光素子を駆動する駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタのゲートと保持容量線の間に接続され、前記表示信号を保持する保持容量と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法において、
前記駆動用トランジスタのゲートとソースとの電位差、及びそのドレインとソースとの電位差を、前記発光素子の消灯時よりも大きくするように、前記電源線の電位及び前記陰極の電位を所定の期間にわたって下げることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【請求項５】
前記アクティブマトリクス型表示装置を出荷する前に、前記電源線の電位及び前記陰極の電位を前記所定の期間にわたって下げることを特徴とする請求項４記載のアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【請求項６】
前記アクティブマトリクス型表示装置の電源投入時に、前記電源線の電位及び前記陰極の電位を前記所定の期間にわたって下げることを特徴とする請求項４記載のアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【請求項７】
前記駆動用トランジスタのゲートとソースとの電位差、及びそのドレインとソースとの電位差を、前記発光素子の消灯時よりも大きくするように、所定の電位の前記表示信号、及びその表示信号よりも高い所定の電位の前記画素選択信号を前記所定の期間にわたって印加することを特徴とする請求項４、５、６のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【請求項８】
前記所定の期間は、１マイクロ秒以上１０秒以下であることを特徴とする請求項４、５、６、７のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【請求項９】
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項４、５、６、７、８のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ：以降、「有機ＥＬ素子」と略称する）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が開発されている。特に、有機ＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以降、「ＴＦＴ」と略称する）を備えたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置が開発されている。
【０００３】
以下で、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置について、図面を参照して説明する。図５は、この有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。図５では、表示パネルにマトリクス状に配置された複数の表示画素の中から、１つの表示画素２１０だけを示している。
【０００４】
行方向に延びた画素選択信号線２１１と列方向に延びた表示信号線２１２の交差点の付近に、Ｎチャネル型の画素選択用ＴＦＴ２１３が配置されている。この画素選択用ＴＦＴ２１３のゲートは、画素選択信号線２１１に接続されており、そのドレインは、表示信号線２１２に接続されている。画素選択信号線２１１には垂直駆動回路３０１から出力されるハイレベルの画素選択信号Ｇが印加され、それに応じて画素選択用ＴＦＴ２１３がオンする。表示信号線２１２には水平駆動回路３０２から表示信号Ｄが出力される。
【０００５】
画素選択用ＴＦＴ２１３のソースは、Ｐチャネル型の駆動用ＴＦＴ２１４のゲートに接続されている。駆動用トランジスタ２１４のソースには、正電源電位ＰＶｄｄを供給する電源線２１５が接続されている。駆動用トランジスタ２１４のドレインは有機ＥＬ素子２１６の陽極に接続されている。有機ＥＬ素子２１６の陰極には負電源電位ＣＶが供給されている。
【０００６】
また、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートと保持容量線２１７の間には保持容量２１８が接続されている。保持容量線２１７は一定の電位に固定されている。保持容量２１８は、画素選択用ＴＦＴ２１３を通して駆動用ＴＦＴ２１４のゲートに印加される表示信号Ｄを一水平期間保持する。
【０００７】
次に、上述した有機ＥＬ表示装置の動作について説明する。ハイレベルの画素選択信号Ｇが１水平期間にわたって画素選択信号線２１１に印加されると、画素選択用ＴＦＴ２１３がオンする。すると、表示信号線２１２の出力された表示信号Ｄが画素選択用ＴＦＴ２１３を通して、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートに印加されると共に、保持容量２１８によって保持される。即ち、表示信号Ｄが表示画素２１０に書き込まれる。
【０００８】
そして、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートに印加された表示信号Ｄに応じて、駆動用ＴＦＴ２１４のコンダクタンスが変化して、駆動用トランジスタ２１４がオン状態となる場合には、そのコンダクタンスに応じた電流が駆動用ＴＦＴ２１４を通して有機ＥＬ素子２１６に供給され、有機ＥＬ素子２１６がそれに応じた輝度で点灯する。一方、当該ゲートに供給された表示信号Ｄに応じて、駆動用ＴＦＴ２１４がオフ状態となる場合には、駆動用ＴＦＴ２１４には電流が流れないため、有機ＥＬ素子２１６は消灯する。
【０００９】
上述した動作を、１フィールド期間にわたって、全ての行の表示画素２１０に対して行うことにより、表示パネル全体に所望の画像を表示することができる。
【００１０】
なお、本願に関連する技術文献としては、以下の特許文献が挙げられる。
【特許文献１】特開２００４−３４１４３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述した有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子２１６の発光による残像が表示パネルの一部に生じることがあり、そのため表示品位が劣化するという問題があった。これは、同一の表示画素について、前回に表示信号Ｄが書き込まれた時の駆動用ＴＦＴ２１４の導通状態（オン状態もしくはオフ状態）によっては、今回に書き込まれた時の駆動用ＴＦＴ２１４に、今回の表示信号Ｄに応じて期待される電流値とは異なる電流値の電流が流れてしまうためである。即ち、駆動用ＴＦＴ２１４に流れる電流にヒステリシスがあるという現象である。この現象は、特に表示信号Ｄがハイレベルとロウレベルの中間レベルの信号である場合に顕著である。
【００１２】
本発明者の検討によれば、このヒステリシス現象は、前回の表示信号Ｄの書き込み時に、駆動用ＴＦＴ２１４に流れるキャリア（正孔）がそのゲート絶縁膜中にトラップされ、そのトラップされたキャリアが駆動用ＴＦＴ２１４の閾値を変動させているためと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
そこで本発明は、上述のような表示パネルの残像を抑制し、表示品位の向上を図ったアクティブマトリクス型表示装置を提供するものである。
【００１４】
本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、マトリクス状に配置された複数の表示画素を備え、各表示画素は画素選択信号に応じてオンする画素選択用トランジスタと、陽極及び陰極を有した発光素子と、電源線及び上記陽極に接続され、画素選択用トランジスタを通して印加される表示信号に応じて発光素子を駆動する駆動用トランジスタと、駆動用トランジスタのゲートと保持容量線の間に接続され、表示信号を保持する保持容量と、保持容量線の電位を第１の電位から該第１の電位より高い第２の電位に切り換えて駆動用トランジスタをオフ状態にして発光素子を消灯させ、その後、保持容量線の電位を第２の電位から第１の電位に戻すように切り換える保持容量線電位切換回路と、を備え、さらに、駆動用トランジスタのゲートとソースとの電位差、及びそのドレインとソースとの電位差を、発光素子の消灯時よりも大きくするように、所定の期間にわたって電源線の電位及び前記陰極の電位を下げる電源電位切換回路と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、マトリクス状に配置された複数の表示画素を備え、各表示画素は画素選択信号に応じてオンする画素選択用トランジスタと、陽極及び陰極を有した発光素子と、電源線及び上記陽極に接続され、画素選択用トランジスタを通して印加される表示信号に応じて発光素子を駆動する駆動用トランジスタと、駆動用トランジスタのゲートと保持容量線の間に接続され、表示信号を保持する保持容量と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法において、駆動用トランジスタのゲートとソースとの電位差、及びそのドレインとソースとの電位差を、発光素子の消灯時よりも大きくするように、電源線の電位及び上記陰極の電位を所定の期間にわたって下げると共に、所定の電位の表示信号、及びその表示信号よりも高い所定の電位の画素選択信号を前記所定の期間にわたって印加することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、アクティブマトリクス型の表示装置において、表示パネルの残像を抑制すると共に、その残像を抑制する際に副次的に生じる輝点不良を抑制し、表示品位の向上を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置及びその駆動方法について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。図１では、表示パネル１００の中にマトリクス状に配置された複数の表示画素の中から、１つの表示画素２１０Ａのみを示している。なお、図１において、図５と同一の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略する。
【００１８】
図１に示すように、この有機ＥＬ表示装置は、表示画素２１０Ａの保持容量線２１７に接続された保持容量線電位切換回路１０１を備えている。この保持容量線電位切換回路１０１は、保持容量線２１７の電位を、第１の電位Ｖｓｃ１から、当該第１の電位Ｖｓｃ１より高い第２の電位Ｖｓｃ２に切り換えて駆動用ＴＦＴ２１４をオフ状態とし、再び保持容量線２１７の電位を第２の電位Ｖｓｃ２から第１の電位Ｖｓｃ１に戻すように切り換える。
【００１９】
また、電源線２１５は、外部からの電圧印加を行うための端子Ｔ１を有しており、また、有機ＥＬ素子２１６の陰極２１６Ｃは、外部からの電圧印加を行うための端子Ｔ２を有している。
【００２０】
次に、上述した有機ＥＬ表示装置の駆動方法について、図面を参照して説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するタイミング図である。図２に示すように、保持容量線電位切換回路１０１は第１の電位Ｖｓｃ１を出力しているが、所定のタイミングで、第１の電位Ｖｓｃ１を第２の電位Ｖｓｃ２に切り換えて、保持容量線２１７の電位を第２の電位Ｖｓｃ２へ上昇させる。
【００２１】
すると、保持容量２１８の容量結合効果により、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートの電位Ｖｇが、第１の電位Ｖｓｃ１から第２の電位Ｖｓｃ２への電圧変化分ΔＶに応じて上昇する。これにより、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート電位Ｖｇが、そのソース電位ＰＶｄｄに対して、当該駆動用ＴＦＴ２１４の閾値Ｖｔｐ以上に高くなり、当該駆動用ＴＦＴ２１４はオフ状態となる。
【００２２】
このとき、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート絶縁膜に、前回の表示信号Ｄの書き込みにより、キャリア（正孔）がトラップされていたとすると、そのキャリア（正孔）は、ゲートからソースあるいはドレインへ向かう電界によりトンネル電流となって、ゲート絶縁膜からソースあるいはドレインに引き抜かれる。これにより、駆動用ＴＦＴ２１４の電気的特性が初期化される。即ち、有機ＥＬ素子２１６は、その残像が抑制されながら消灯する。
【００２３】
次に、駆動用ＴＦＴ２１４の電気的特性が初期化された後、保持容量線電位切換回路１０１は、保持容量線２１７の電位を第２の電位Ｖｓｃ２から第１の電位Ｖｓｃ１に戻すように切り換える。これにより、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート電位Ｖｇは元に戻り、保持容量２１８にも元の表示信号Ｄが保持された状態となる。
【００２４】
なお、駆動用ＴＦＴ２１４の電気的特性を初期化するためには、保持容量線２１７の電位が第２の電位Ｖｓｃ２となる期間Ｔｓｃ２は、保持容量線２１７の電位が第１の電位Ｖｓｃ１となる期間Ｔｓｃ１の３００分の１以上とする。
【００２５】
その後、垂直駆動回路３０１からハイレベルの画素選択信号Ｇが出力され、これに応じて画素選択用ＴＦＴ２１３が１水平期間オンする。そして、この１水平期間中に、水平駆動回路３０２から表示画素２１０の表示信号線２１２に表示信号Ｄが出力され、この表示信号Ｄが画素選択用ＴＦＴ２１３を通して、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートに印加されると共に、保持容量２１８に保持される。そして、表示信号Ｄに応じた電流が駆動用ＴＦＴ２１４から有機ＥＬ素子２１６に供給され、有機ＥＬ素子２１６が発光する。
【００２６】
このように、本実施形態によれば、表示信号Ｄに応じた有機ＥＬ素子２１７の発光の前に、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート絶縁膜中のキャリア（正孔）を抜き取り、その電気的特性を初期化しているので、表示パネル１００上の残像現象を抑制し、その表示品位を向上させることができる。
【００２７】
しかしながら、有機ＥＬ素子２１６の消灯期間、即ち保持容量線２１８の電位が第２の電位Ｖｓｃ２となる期間では、駆動用ＴＦＴ２１４のソースとドレインとの間に、リーク電流が生じる。このリーク電流は、第１の電位Ｖｓｃ１から第２の電位Ｖｓｃ２への電圧変化分ΔＶに応じて上昇した駆動用ＴＦＴ２１４のゲート電位Ｖｇにより、その駆動用ＴＨＴ２１４を構成するＰ型領域及びＮ型領域のＰＮ接合に対して逆バイアスが加わるために起こると考えられる。
【００２８】
このリーク電流は、駆動用ＴＦＴ２１４のドレイン、即ち有機ＥＬ素子２１６の陽極に流れ、本来ならば残像が抑制されているはずの消灯期間において、その有機ＥＬ素子２１６を点灯させていた。そのため、表示パネル１００上に、輝点となる表示画素が存在することになり、表示品位が低下していた。
【００２９】
この問題に対処するため、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置をユーザーへ出荷する前に、その有機ＥＬ表示装置に対して次に示す電圧印加処理を行う。ユーザーは、この電圧印加処理が行われた後の有機ＥＬ表示装置を駆動させる。
【００３０】
即ちこの電圧印加処理では、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートとソースとの電位差Ｖｇｓ、及びそのドレインとソースとの電位差Ｖｄｓを、有機ＥＬ素子２１６の消灯時よりも大きくするように、電源線２１５の電位ＰＶｄｄ及び陰極２１６Ｃの電位ＣＶを所定の期間にわたって下げる。また、これと同時に、所定の電位の表示信号Ｄ、及びその表示信号Ｄよりも高い所定の電位の画素選択信号Ｇを上記所定の期間にわたって印加する。
【００３１】
電源線２１５の電位ＰＶｄｄ及び陰極２１６Ｃの電位ＣＶを下げる際は、それらの端子Ｔ１及び端子Ｔ２に外部から所定の電圧を印加する。また、上記所定の電位の表示信号Ｄ及び画素選択信号Ｇを印加する際は、それらが接続されている垂直駆動回路３０１及び水平駆動回路３０２から供給される電圧を用いる。
【００３２】
ここで、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートとソースとの電位差Ｖｇｓ及びそのドレインとソースとの電位差Ｖｄｓは、それぞれ約１０Ｖ以上、好ましくは約１５Ｖとする必要がある。これらの電位差を実現するために、電源線２１５の電位ＰＶｄｄは約−５Ｖ、陰極２１６Ｃの電位ＣＶは約−２０Ｖ、表示信号Ｄの所定の電位は約１０Ｖ、画素選択信号Ｇの所定の電位は約１２Ｖであることが好ましい。もしくは、上記各電位は、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートとソースとの電位差Ｖｇｓ、及びそのドレインとソースとの電位差Ｖｄｓを、有機ＥＬ素子２１６の消灯時よりも大きくするものであれば、上記以外の電位であってもよい。また、上記電圧処理を行う期間（上記電位を保つ期間）は、特に限定されないが、例えば、約１μ秒〜約１０秒である。
【００３３】
本発明者の実験によれば、上述した電圧印加処理により、駆動用ＴＦＴ２１４のドレインにおけるリーク電流が、電圧印加処理を行わない場合に比して低く抑えられることが明らかになった。次に、このリーク電流の低下について、図面を参照して説明する。
【００３４】
図３は、駆動用ＴＦＴ２１４のドレイン電流であるリーク電流Ｉｄと、そのゲート電位Ｖｇとの関係を示す特性図である。なお、図３の縦軸はリーク電流Ｉｄを示し、その横軸はゲート電位Ｖｇを示している。また、図３（Ａ）は、上記電圧印加処理を行う前の特性図を示し、図３（Ｂ）は上記電圧印加処理を約１μ秒〜約１０秒にわたって行った後の特性図を示している。
【００３５】
図３（Ａ）に示すように、上述した電圧印加処理を行わない場合、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート電位Ｖｇが負電位から０Ｖに近づくに従ってリーク電流Ｉｄは減少するが、そのゲート電位Ｖｇが０Ｖを越えると、リーク電流Ｉｄは所定の変化率を以って増加する傾向を示す。
【００３６】
一方、図３（Ｂ）に示すように、上述した電圧印加処理を行った場合、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート電位Ｖｇが０Ｖを越えても、リーク電流Ｉｄは所定の変化率の増加傾向を示さず、１ｐＡ以下に収まる傾向を示す。この場合のリーク電流Ｉｄは、表示パネル１００の輝点として有機ＥＬ素子２１６を発光させることのない、充分低い値である。
【００３７】
従って、この電圧印加処理の後にユーザーが有機ＥＬ表示装置を使用する際、有機ＥＬ素子２１６の消灯期間に保持容量線２１７の電位を第２の電位Ｖｓｃ２に切り換えて残像の抑制を図ったとしても、その残像の抑制の際に副次的に生じるリーク電流を起因とした輝点不良を抑制することができる。
【００３８】
なお、上述した実施形態では、有機ＥＬ表示装置を出荷する前に、その装置に対して上記電圧印加処理を行うものとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、本発明の有機ＥＬ表示装置は、他の実施形態として、図４に示すように、その表示パネル１００の外部に、表示画素２１０Ｂの電源線２１５の電位ＰＶｄｄ及び有機ＥＬ素子２１６の陰極２１６Ｃの電位ＣＶを下げる電源電位切換回路１０２を内蔵するものであってもよい。
【００３９】
この場合、ユーザーが有機ＥＬ表示装置の電源を投入する度に、その有機ＥＬ表示装置に内蔵された電源電位切換回路１０２から、上記電圧印加処理を行うための所定の電圧（例えば電源線２１５は約−５Ｖ、陰極２１６Ｃは約−２０Ｖ）が印加される。
【００４０】
また、上記電圧印加処理を行うための所定の電位の表示信号Ｄ及び画素選択信号Ｇの印加は、それらが接続されている垂直駆動回路３０１及び水平駆動回路３０２から供給される電圧を用いて行われる。
【００４１】
なお、１回の電圧印加処理により上記の如くリーク電流Ｉｄを抑制できる期間は有限（例えば約１０００時間〜約１５００時間）であるが、このように有機ＥＬ表示装置の電源を投入する度に電圧印加処理が行われることにより、ユーザーにとって、そのリーク電流を抑制できる期間の限度を意識する必要性を、実質上無くすことができる。
【００４２】
なお、上述した実施形態では、発光素子として有機ＥＬ素子２１６を用いているが、その替わりに、有機ＥＬ素子以外の発光素子、例えば、無機ＥＬ素子や発光ダイオードを用いてもよい。
【００４３】
また、上述した実施形態では、駆動用ＴＦＴ２１４のソースが有機ＥＬ素子２１６の陽極と接続され、駆動用ＴＦＴ２１４のドレインが有機ＥＬ素子２１６の陰極２１６Ｃと接続されるもとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、本発明は、駆動用ＴＦＴ２１４のソースが有機ＥＬ素子２１６の陰極２１６Ｃと接続され、駆動用ＴＦＴ２１４のドレインが有機ＥＬ素子２１６の陽極と接続される場合についても適用される。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法を説明するタイミング図である。
【図３】リーク電流とゲート電位との関係を示す特性図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。
【図５】従来例に係る有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。
【符号の説明】
【００４５】
１００  表示パネル
１０１  保持容量線切換回路    １０２電源電位切換回路
２１０，２１０Ａ，２１０Ｂ  表示画素
２１１  画素選択信号線  ２１２  表示信号線      ２１３  画素選択用ＴＦＴ
２１４  駆動用ＴＦＴ    ２１５  電源線          ２１６  有機ＥＬ素子
２１６Ｃ  陰極          ２１７  保持容量線      ２１８  保持容量
２１９  寄生容量        ３０１  垂直駆動回路    ３０２  水平駆動回路
Ｔ１,Ｔ２  端子
【図１】
2006308863.tif 000003
【図２】
2006308863.tif 000004
【図３】
2006308863.tif 000005
【図４】
2006308863.tif 000006
【図５】
2006308863.tif 000007