(57)【要約】【課題】基板のエッチング深さにバラツキを生じさせず、その結果転写精度が良好となる磁気転写用マスターディスクの製造に使用される基板の製造方法を提供する。【解決手段】表面に多数の微細な凹凸状の磁性層パターンが形成されている磁気転写用マスターディスクの基板の製造方法である。原板２０の平坦な表面にエッチング選択比がレジスト剤２２より大である部材の被加工層２３を形成する工程と、被加工層の表面にレジスト剤を塗布し、レジスト剤の層を形成する工程と、レジスト剤の層への描画露光と、その後の現像処理により被加工層の表面にレジスト剤の層の開口部を形成する工程と、レジスト剤の層の開口部の被加工層を表面より所定深さだけ除去する工程と、レジスト剤の層を除去する工程とを備える。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に多数の微細な凹凸状の磁性層パターンが形成されている磁気転写用マスターディスクの基板の製造方法において、
ウェーハの平坦な表面にエッチング選択比がレジスト剤より大である部材の被加工層を形成する被加工層形成工程と、
前記被加工層の表面に前記レジスト剤を塗布し、該レジスト剤の層を形成するレジスト塗布工程と、
前記レジスト剤の層への描画露光と、その後の現像処理により前記被加工層の表面に前記レジスト剤の層の開口部を形成するレジストパターニング工程と、
前記レジスト剤の層の開口部の前記被加工層を表面より所定深さだけ除去するエッチング工程と、
前記レジスト剤の層を除去するアッシング工程と、
を備えることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
前記被加工層のエッチング選択比がレジスト剤に対して２以上である請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記被加工層を物理的蒸着方法、化学的蒸着方法、及び熱酸化方法のうちのいずれかにより形成する請求項１又は２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記被加工層がＳｉの酸化物又はＳｉの窒化物であり、前記ウェーハがＳｉである請求項１、２又は３に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
表面に多数の微細な凹凸状の磁性層パターンが形成されている磁気転写用マスターディスクの基板の製造方法において、
ウェーハの平坦な表面にエッチング選択比が前記ウェーハより大である部材の被覆層を形成する被覆層形成工程と、
前記被覆層の表面にレジスト剤を塗布し、該レジスト剤の層を形成するレジスト塗布工程と、
前記レジスト剤の層への描画露光と、その後の現像処理により前記被覆層の表面に前記レジスト剤の層の開口部を形成するレジストパターニング工程と、
前記レジスト剤の層の開口部の前記被覆層を表面より厚さ方向に全て除去し、前記ウェーハの表面に前記被覆層の開口部を形成するするエッチング工程と、
前記レジスト剤の層を除去するアッシング工程と、
を備えることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項６】
前記被覆層のエッチング選択比が前記ウェーハに対して５０以上である請求項５に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
表面に多数の微細な凹凸状の磁性層パターンが形成されている磁気転写用マスターディスクの基板の製造方法において、
ウェーハの平坦な表面にエッチング選択比が前記ウェーハより小である部材の被覆層を形成し、該被覆層にパターン状の開口部を形成する被覆層パターニング工程と、
前記被覆層の開口部の前記ウェーハを表面より所定深さだけ除去するエッチング工程と、
前記被覆層を除去する被覆層除去工程と、
を備えることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項８】
表面に多数の微細な凹凸状の磁性層パターンが形成されている磁気転写用マスターディスクの基板の製造方法において、
ウェーハの平坦な表面にエッチング選択比が前記ウェーハより小である部材の被覆層を形成する被覆層形成工程と、
前記被覆層の表面にレジスト剤を塗布し、該レジスト剤の層を形成するレジスト塗布工程と、
前記レジスト剤の層への描画露光と、その後の現像処理により前記被覆層の表面に前記レジスト剤の層の開口部を形成するレジストパターニング工程と、
前記レジスト剤の層の開口部の前記被覆層を表面より厚さ方向に全て除去し、前記ウェーハの表面に前記被覆層の開口部を形成する開口部形成工程と、
前記被覆層の開口部の前記ウェーハを表面より所定深さだけ除去するエッチング工程と、
前記レジスト剤の層及び前記被覆層を除去するアッシング工程と、
を備えることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項９】
前記被覆層のエッチング選択比が前記ウェーハに対して１／５０以下である請求項７又は８に記載の基板の製造方法。
【請求項１０】
前記被覆層を物理的蒸着方法、化学的蒸着方法、及び熱酸化方法のうちのいずれかにより形成する請求項５〜９のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項１１】
前記被覆層がＳｉの酸化物又はＳｉの窒化物であり、前記ウェーハがＳｉである請求項５〜１０のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の製造方法に係り、特に、ハードディスク装置等に用いられる磁気ディスクに、フォーマット情報等の磁気情報パターンを磁気転写するのに好適な磁気転写用マスターディスクの製造に使用される基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に普及しているハードディスクドライブに使用される磁気ディスク（ハードディスク）は、磁気ディスクメーカーよりドライブメーカーに納入された後、ドライブに組み込まれる前に、フォーマット情報やアドレス情報が書き込まれるのが一般的である。この書き込みは、磁気ヘッドにより行うこともできるが、これらのフォーマット情報やアドレス情報が書き込まれているマスターディスクより一括転写する方法が効率的であり、好ましい。
【０００３】
このような磁気転写は、表層に磁性層を有し、サーボ信号等の転写パターンが凹凸形状で形成されたマスターディスク（パターンドマスター）と、ハードディスクやフレキシブルディスク等の磁気記録部を有する被転写用ディスク（スレーブディスク）とを密着させた状態で、これら密着体に転写用磁界を印加し、マスターディスクに担持した情報に対応する磁化パターンをスレーブディスクに転写記録することによりなされる。
【０００４】
上記磁気転写に使用するマスターディスクとしては、たとえば、特許文献１において、基板の表面に情報信号に対応する凹凸状パターンを形成し、この凹凸状パターンの表面に薄膜の磁性層を被覆形成してなるものが提案されている。
【０００５】
このマスターディスクは、たとえば、次の工程により製造される。先ず、表面が平坦なＳｉ基板上に電子線レジスト又はフォトレジストを塗布し、電子ビーム又は光等により転写パターンを描画露光し、現像することによりレジストによるフォトエッチングのための被覆パターンを形成する。そして、Ｓｉ基板をエッチングして、凹凸状パターンを有する原盤を得る。その後、レジストを剥離する。
【０００６】
次に、この原盤の凹凸状パターン上に、たとえばスパッタリングにより導電層を設け、その導電層の設けられた原盤を電解液に浸し、導電層上にＮｉを電着して所定厚さの金属板（反転盤）を形成する。そして、原盤から金属板を剥離し、剥離された金属板を所定サイズになるように打ち抜いてマスター基板を作製し、このマスター基板の凹凸状パターン表面に磁性層を成膜する。これにより磁気転写用マスターディスクが製造される。
【特許文献１】特開２００１−２５６６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、Ｓｉ基板のエッチングの際に、レジストの開口部の平面サイズ（マスター基板の凹凸状パターンサイズ）は、１枚の基板においても変化しており（たとえば線幅では、数十ｎｍ〜数μｍ程度まで変化しており）、これによりエッチング深さにバラツキを生じることが多い。このようにエッチング深さにバラツキを生じた場合には、基板より転写して形成される、マスター基板の凹凸状パターンのパターン高さにバラツキを生じてしまい、マスター基板の性能が劣ることとなる。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、磁気転写用マスターディスクの製造において、基板のエッチング深さにバラツキを生じさせず、その結果転写精度が良好となる磁気転写用マスターディスクの製造に使用される基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明は、表面に多数の微細な凹凸状の磁性層パターンが形成されている磁気転写用マスターディスクの基板の製造方法において、ウェーハの平坦な表面にエッチング選択比がレジスト剤より大である部材の被加工層を形成する被加工層形成工程と、前記被加工層の表面に前記レジスト剤を塗布し、該レジスト剤の層を形成するレジスト塗布工程と、前記レジスト剤の層への描画露光と、その後の現像処理により前記被加工層の表面に前記レジスト剤の層の開口部を形成するレジストパターニング工程と、前記レジスト剤の層の開口部の前記被加工層を表面より所定深さだけ除去するエッチング工程と、前記レジスト剤の層を除去するアッシング工程と、を備えることを特徴とする基板の製造方法を提供する。
【００１０】
本発明によれば、被加工層のエッチング選択比がレジスト剤より大であるので、レジスト剤がエッチャントで除去される前に被加工層のエッチング深さを充分に確保でき、基板のエッチング深さにバラツキを生じさせにくい。その結果、転写精度が良好となる磁気転写用マスターディスクの製造に使用される基板が得られる。
【００１１】
なお、エッチング選択比とは、エッチャントで除去される度合いの比を意味し、被加工層のエッチング選択比がレジスト剤より大であるとは、同一のエッチング条件において、被加工層のエッチングレートがレジスト剤のエッチングレートより大であることである。
【００１２】
本発明において、前記被加工層のエッチング選択比がレジスト剤に対して２以上であることが好ましい。このように、被加工層のエッチング選択比がレジスト剤に対して２以上であれば、被加工層のエッチング深さを充分に確保できる。その意味で、被加工層のエッチング選択比がレジスト剤に対して３以上がより好ましく、５以上が更に好ましい。
【００１３】
また、本発明において、前記被加工層を物理的蒸着方法、化学的蒸着方法、及び熱酸化方法のうちのいずれかにより形成することが好ましい。ＰＶＤ、ＣＶＤ又は熱酸化により形成された被加工層は、エッチング選択比がレジスト剤に対して大きいものが多いので本発明に適している。
【００１４】
また、本発明において、前記被加工層がＳｉの酸化物又はＳｉの窒化物であり、前記ウェーハがＳｉであることが好ましい。被加工層がＳｉの酸化物又はＳｉの窒化物であれば、エッチング選択比がレジスト剤に対して大きいものが多いので本発明に適しており、また、Ｓｉの基板（ウェーハ）は、フォトリソグラフィー等による微細凹凸状パターンの形成が容易であるので本発明に適している。
【００１５】
また、本発明は、表面に多数の微細な凹凸状の磁性層パターンが形成されている磁気転写用マスターディスクの基板の製造方法において、ウェーハの平坦な表面にエッチング選択比が前記ウェーハより大である部材の被覆層を形成する被覆層形成工程と、前記被覆層の表面にレジスト剤を塗布し、該レジスト剤の層を形成するレジスト塗布工程と、前記レジスト剤の層への描画露光と、その後の現像処理により前記被覆層の表面に前記レジスト剤の層の開口部を形成するレジストパターニング工程と、前記レジスト剤の層の開口部の前記被覆層を表面より厚さ方向に全て除去し、前記ウェーハの表面に前記被覆層の開口部を形成するするエッチング工程と、前記レジスト剤の層を除去するアッシング工程と、を備えることを特徴とする基板の製造方法を提供する。
【００１６】
本発明によれば、被覆層エッチング選択比がウェーハより大であるので、エッチングにより被覆層を表面より厚さ方向に全て除去しても、ウェーハのエッチングされる速度は遅く、被覆層のエッチング深さにバラツキを生じさせにくい。その結果、転写精度が良好となる磁気転写用マスターディスクの製造に使用される基板が得られる。
【００１７】
なお、エッチング選択比とは、既述の定義と同様であり、被覆層エッチング選択比がウェーハより大であるとは、同一のエッチング条件において、被覆層のエッチングレートがウェーハのエッチングレートより大であることである。
【００１８】
本発明において、前記被覆層のエッチング選択比が前記ウェーハに対して５０以上であることが好ましい。このように、被覆層のエッチング選択比がウェーハに対して５０以上であれば、被覆層のエッチング深さを充分に確保できる。その意味で、被加工層のエッチング選択比がウェーハに対して１００以上がより好ましく、１５０以上が更に好ましい。
【００１９】
また、本発明は、表面に多数の微細な凹凸状の磁性層パターンが形成されている磁気転写用マスターディスクの基板の製造方法において、ウェーハの平坦な表面にエッチング選択比が前記ウェーハより小である部材の被覆層を形成し、該被覆層にパターン状の開口部を形成する被覆層パターニング工程と、前記被覆層の開口部の前記ウェーハを表面より所定深さだけ除去するエッチング工程と、前記被覆層を除去する被覆層除去工程と、を備えることを特徴とする基板の製造方法を提供する。
【００２０】
本発明によれば、被覆層のエッチング選択比がウェーハより小であるので、エッチングによりウェーハを表面より厚さ方向に除去しても、被覆層のエッチングされる速度は遅く、ウェーハのエッチング深さを充分に確保でき、また、ウェーハのエッチング深さにバラツキを生じさせにくい。その結果、転写精度が良好となる磁気転写用マスターディスクの製造に使用される基板が得られる。
【００２１】
なお、エッチング選択比とは、既述の定義と同様であり、被覆層エッチング選択比がウェーハより小であるとは、同一のエッチング条件において、被覆層のエッチングレートがウェーハのエッチングレートより小であることである。
【００２２】
また、被覆層にパターン状の開口部を形成する方法は、後述するようなフォトエッチングによる方法のみならず、フォトレジストを使用したリフトオフによる方法等、公知の各種微細加工方法が採用できる。
【００２３】
また、本発明は、表面に多数の微細な凹凸状の磁性層パターンが形成されている磁気転写用マスターディスクの基板の製造方法において、ウェーハの平坦な表面にエッチング選択比が前記ウェーハより小である部材の被覆層を形成する被覆層形成工程と、前記被覆層の表面にレジスト剤を塗布し、該レジスト剤の層を形成するレジスト塗布工程と、前記レジスト剤の層への描画露光と、その後の現像処理により前記被覆層の表面に前記レジスト剤の層の開口部を形成するレジストパターニング工程と、前記レジスト剤の層の開口部の前記被覆層を表面より厚さ方向に全て除去し、前記ウェーハの表面に前記被覆層の開口部を形成する開口部形成工程と、前記被覆層の開口部の前記ウェーハを表面より所定深さだけ除去するエッチング工程と、前記レジスト剤の層及び前記被覆層を除去するアッシング工程と、を備えることを特徴とする基板の製造方法を提供する。
【００２４】
本発明によれば、レジストパターニング工程と開口部形成工程により、レジスト剤の層の開口部の被覆層を表面より厚さ方向に全て除去し、そして、この被覆層開口部のウェーハを表面より所定深さだけエッチングにより除去する。その際、被覆層のエッチング選択比がウェーハより小であるので、被覆層がエッチングマスク（エッチングレジスト）として機能しウェーハのエッチング深さを充分に確保でき、また、ウェーハのエッチング深さにバラツキを生じさせにくい。その結果、転写精度が良好となる磁気転写用マスターディスクの製造に使用される基板が得られる。
【００２５】
本発明において、前記被覆層のエッチング選択比が前記ウェーハに対して１／５０以下であることが好ましい。このように、被覆層のエッチング選択比がウェーハに対して１／５０以下であれば、ウェーハのエッチング深さを充分に確保できる。その意味で、被覆層のエッチング選択比がウェーハに対して１／１００以下がより好ましく、１／１５０以下が更に好ましい。
【００２６】
また、本発明において、前記被覆層を物理的蒸着方法、化学的蒸着方法、及び熱酸化方法のうちのいずれかにより形成することが好ましい。このように、ＰＶＤ、ＣＶＤ又は熱酸化により形成された被加工層は、エッチング選択比がウェーハに対して小さいものが多いので本発明に適している。
【００２７】
また、本発明において、前記被覆層がＳｉの酸化物又はＳｉの窒化物であり、前記ウェーハがＳｉであることが好ましい。被覆層がＳｉの酸化物又はＳｉの窒化物であれば、エッチング選択比がウェーハに対して小さいものが多いので本発明に適しており、また、Ｓｉの基板（ウェーハ）は、フォトリソグラフィー等による微細凹凸状パターンの形成が容易であるので本発明に適している。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように、本発明によれば、転写精度が良好となる磁気転写用マスターディスクの製造に好適な基板が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付図面に従って、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造に使用される基板の製造方法の好ましい実施の形態（第１実施形態）について詳説する。図１は、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造に使用される基板の製造方法によって製造された磁気転写用マスターディスクの部分拡大斜視図である。図２は、磁気転写用マスターディスクの平面図である。図３は、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造に使用される基板の製造方法の各工程を順に示す断面図である。なお、各図は模式図であり、実際の寸法とは異なる比率で示している。
【００３０】
先ず、本発明に係る基板の製造方法により製造される磁気転写用マスターディスクについて説明する。磁気転写用マスターディスク１０は、図１に示されるように、金属製のマスター基板１２と磁性層１４とで構成されており、マスター基板１２は表面に転写情報に応じた微細な凹凸状パターンを有しており、その表面に磁性層１４が被覆形成されてなる。
【００３１】
図１において、マスター基板１２の片面に磁性層１４による微細な突起状パターンが形成された転写情報担持面が形成されており、マスター基板１２の反対側の面が不図示の密着手段に保持されるようになっている。この微細な突起状パターンの形成は、後述するフォトファブリケーション法等によりなされる。このマスターディスク１０の片面（転写情報担持面）は、スレーブディスクと密着される面である。
【００３２】
微細な突起状パターンは、平面視で長方形であり、厚さｍの磁性層１４が形成された状態で、トラック方向（図中の太矢印方向）の長さｂと、半径方向の長さｌとよりなる。この長さｂとｌの最適値は、記録密度や記録信号波形等により異なるが、たとえば、長さｂを８０ｎｍに、長さｌを２００ｎｍにできる。
【００３３】
この微細な突起状パターンは、サーボ信号の場合は、半径方向に長く形成される。この場合、たとえば、半径方向の長さｌが０．０５〜２０μｍ、トラック方向（円周方向）の長さが０．０５〜５μｍであることが好ましい。この範囲で半径方向の方が長いパターンを選ぶことが、サーボ信号の情報を担持するパターンとしては好ましい。
【００３４】
マスター基板１２表面の微細な突起状パターンの深さ（突起の高さ）は、２０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、３０〜６００ｎｍの範囲がより好ましい。
【００３５】
マスターディスク１０において、マスター基板１２がＮｉ等を主体とした強磁性体の場合には、このマスター基板１２のみで磁気転写が可能であり、磁性層１４は被覆しなくてもよいが、転写特性のよい磁性層１４を設けることにより、より良好な磁気転写が行える。マスター基板１２が非磁性体の場合には、磁性層１４を設けることが必要である。マスターディスク１０の磁性層１４は、保磁力Ｈｃが４８ｋＡ／ｍ（≒６００Ｏｅ）以下の軟磁性層であることが好ましい。
【００３６】
マスター基板１２がＮｉ等を主体とした強磁性体の場合には、電鋳により作製できる。この場合、図２に示されるように、マスター基板１２は中心孔１２ａをする円盤状に形成でき、片面の内周部及び外径部を除く円環状領域１２ｂに凹凸状パターンを形成できる。
【００３７】
このマスター基板１２は、後述するように、情報に応じた凹凸状パターンが形成された原盤に、Ｎｉなどを電着することによって所定厚さの金属板を積層し、この金属板を原盤から剥離し、外周部分及び中心孔１２ａの部分が所望のサイズで打ち抜かれて作製されたものである。
【００３８】
次に、マスターディスク１０の製造方法を図３（Ａ）〜（Ｇ）に基づいて説明する。先ず、図３（Ａ）に示されるように、表面が平滑なシリコンウエハーである原板２０の上に、被加工層２３を所定厚さに形成する。被加工層２３の形成方法としては、ＰＶＤ（Physical Vapour Deposition）、ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の成膜法が適用できる。
【００３９】
この被加工層２３には、エッチング選択比がレジスト剤（電子線レジストの層２２）より大であることが求められる。被加工層２３としては、Ｓｉの酸化物（ＳｉＯ2 ）又はＳｉの窒化物が好ましく採用できる。
【００４０】
次いで、図３（Ａ）に示されるように、原板２０の被加工層２３の上に、密着層形成等の下地処理を施し（図示されない）、次いで、電子線レジスト液をスピンコート法等により塗布して、レジストの層２２を形成し、ベーキング処理（プレベーク）を行う。
【００４１】
次いで、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた不図示の電子ビーム露光装置のステージ上に原板２０をセットし、原板２０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビーム２４を照射し、レジストの層２２の略全面に所定のパターン、たとえば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に描画露光する。
【００４２】
次いで、図３（Ｂ）に示されるように、レジストの層２２を現像処理し、露光部分を除去して、残ったレジストの層２２による所望厚さのカバー層を形成する。このカバー層が次工程（エッチング工程）のマスクとなる。現像処理の後には、レジストの層２２と原板２０との密着力を高めるためにベーキング処理（ポストベーク）を行う。
【００４３】
次いで、図３（Ｃ）に示されるように、レジストの層２２の開口部より原板２０上の被加工層２３を表面より所定深さだけ除去（エッチング）する。このエッチングにおいては、アンダーカット（サイドエッチ）を最小にすべく、異方性のエッチングが望ましい。このような、異方性のエッチングとしては、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）が好ましく採用できる。
【００４４】
なお、既述の図３（Ａ）に示される被加工層形成工程において、被加工層２３をエッチング工程での設計除去深さよりも厚く形成しておき、このエッチング工程において、被加工層２３の厚さ方向の中間点でエッチングを終了させることもでき、図３（Ｃ）に示されるように、被加工層２３を厚さ方向で貫通するように除去（エッチング）することもできる。
【００４５】
後者の場合、エッチング条件として、被加工層（たとえば、ＳｉＯ2 ）のエッチング選択比が原板２０（たとえば、Ｓｉ）より大となるように設定すれば、被加工層２３を厚さ方向で貫通するように除去しても、原板２０の表面は、殆ど除去（エッチング）されないので、エッチング深さにバラツキを生じさせにくい。
【００４６】
次いで、図３（Ｄ）に示されるように、レジストの層２２を除去する。レジストの層２２の除去方法は、乾式法としてアッシングが採用でき、湿式法として剥離液による除去法が採用できる。以上のアッシング工程により、所望の凹凸状パターンの反転型が形成された原盤２６が作製される。この原盤２６は、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造に使用される基板の製造方法による基板に相当する。
【００４７】
次いで、図３（Ｄ）に示される原盤２６の表面に均一厚さに導電層を形成する。導電層の形成方法としては、ＰＶＤ（Physical Vapour Deposition）、ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法等が適用できる。このように、導電層を形成すれば、金属の電着が均一に行えるという効果が得られる。
【００４８】
導電層としては、Ｎｉを主成分とする膜であることが好ましい。このようなＮｉを主成分とする膜は、形成が容易であり導電層としてふさわしい。この導電層の膜厚として、特に制限はないが、数十ｎｍ程度が一般的に採用できる。このように導電層の膜厚が僅かなので、図示は省略されている。
【００４９】
次いで、図３（Ｅ）に示されるように、原盤２６の表面に、電着（電鋳）を行って所望の厚さのＮｉ金属による金属板を積層する（反転板形成工程）。
【００５０】
この電着は、電鋳装置の電解液中に原盤２６を浸し、原盤２６を陽極とし、陰極との間に通電することにより行われるが、このときの電解液の濃度、ｐＨ、電流のかけ方等は、積層された金属板（すなわちマスター基板１２）に歪みのない最適条件で実施されることが求められる。
【００５１】
そして、上記のようにして電着が終了した後、金属板（すなわちマスター基板１２）の積層された原盤２６が電鋳装置の電解液から取り出され、純水で洗浄される。次いで、剥離工程において、金属板（すなわちマスター基板１２）を原盤２６から剥離する。
【００５２】
剥離工程によって、図３（Ｆ）に示されるような、原盤２６から反転した凹凸状パターンを有するマスター基板１２を得る。そして、マスター基板１２の内径及び外径を、所定のサイズに打抜き加工する。
【００５３】
次いで、上記のようにして製造されたマスター基板１２の凹凸状パターンの表面に、図３（Ｇ）に示されるように、スパッタリング等により磁性層１４を成膜し、更に必要に応じて保護層を成膜し、磁気転写用マスターディスク１０が製造される。
【００５４】
磁性層１４の成膜は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、電鋳等のメッキ法等により行う。磁性層１４の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）を用いることができる。このうち、特にＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉを用いるのが好ましい。磁性層１４の厚さｍは、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が好ましく、５０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲がより好ましい。
【００５５】
また、磁性層１４の凹凸状パターンにダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、潤滑剤層を設けても良い。また保護膜として５〜３０ｎｍのＤＬＣ膜と潤滑剤層が存在することが更に好ましい。潤滑剤は、スレーブディスクとの接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善するものである。
【００５６】
次に、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造に使用される基板の製造方法の他の実施の形態（第２実施形態）について説明する。この実施形態は、既述の第１実施形態の被加工層２３に代えて、被覆層２５を原板２０の上に形成し、この被覆層２５をエッチング工程において、マスクとして使用するものである。そして、他の工程は、第１実施形態と同一である。したがって、異なる工程についてのみ詳細に説明する。
【００５７】
先ず、図４（Ａ）に示されるように、表面が平滑なシリコンウエハーである原板２０の上に、被覆層２５を所定厚さに形成する。被覆層２５の形成方法としては、ＰＶＤ（Physical Vapour Deposition）、ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の成膜法が適用できる。
【００５８】
この被覆層２５には、エッチング選択比がレジスト剤（電子線レジストの層２２）より大であることが求められるとともに、エッチング選択比が原板２０より小であることが求められる。このような被覆層２５としては、原板２０がＳｉのウェーハである場合に、Ｓｉの酸化物（ＳｉＯ2 ）又はＳｉの窒化物が好ましく採用できる。
【００５９】
次いでの、図４（Ａ）に示されるような、原板２０の被覆層２５上への下地処理（図示されない密着層形成等）、電子線レジスト液の塗布によるレジストの層２２の形成、ベーキング処理（プレベーク）、及び、不図示の電子ビーム露光装置により、サーボ信号に相当するパターンを描画露光する工程は図３（Ａ）と略同様である。
【００６０】
次いで、図４（Ｂ）に示されるように、レジストの層２２を現像処理し、露光部分を除去して、残ったレジストの層２２による所望厚さのカバー層を形成する。このカバー層が被覆層２５をエッチングする際のマスクとなる。現像処理の後には、レジストの層２２と原板２０との密着力を高めるためにベーキング処理（ポストベーク）を行う。
【００６１】
次いで、図４（Ｂ’）に示されるように、レジストの層２２の開口部より原板２０上の被覆層２５を深さ方向に全て除去（エッチング）する（開口部形成工程）。このエッチングにおいては、アンダーカット（サイドエッチ）を最小にすべく、異方性のエッチングが望ましい。このような、異方性のエッチングとしては、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）が好ましく採用できる。
【００６２】
このエッチング条件として、被覆層２５（たとえば、ＳｉＯ2 ）のエッチング選択比が原板２０（たとえば、Ｓｉ）より大となるように設定すれば、被覆層２５を厚さ方向で貫通するように除去しても、原板２０の表面は、殆ど除去（エッチング）されないので、エッチング深さにバラツキを生じさせにくい。
【００６３】
具体的なエッチング条件としては、ＩＣＰ型ＲＩＥ装置において、装置内圧力を０．５〜１０Ｐａに制御した状態で、エッチングガスを流量２０〜３００ｓｃｃｍで供給して行う。エッチングガスとしては、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、ＳＦ6 、アルゴン等が好ましく採用できる。また、装置内の上部電極のパワーを１００〜５００Ｗに設定し、下部電極のパワー（バイアスパワー）を３０〜１００Ｗに設定することが好ましい。
【００６４】
これにより、残ったレジストの層２２と同様のパターンの被覆層２５が形成される。この被覆層２５が原板２０をエッチングする際のマスク（カバー層）となる。
【００６５】
次いで、図４（Ｃ）に示されるように、レジストの層２２（被覆層２５も同様）の開口部より原板２０を表面より所定深さだけ除去（エッチング）する（エッチング工程）。このエッチングにおいては、アンダーカット（サイドエッチ）を最小にすべく、異方性のエッチングが望ましい。このような、異方性のエッチングとしては、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）が好ましく採用できる。
【００６６】
このエッチング条件として、被覆層２５（たとえば、ＳｉＯ2 ）のエッチング選択比が原板２０（たとえば、Ｓｉ）より小となるように設定すれば、原板２０を表面より所定深さだけ除去（エッチング）する際に、レジストの層２２がダメージを受けて、カバー層として機能しなくても、被覆層２５の表面は、殆ど除去（エッチング）されないので、被覆層２５がカバー層として機能する。また、エッチング深さにバラツキを生じさせにくい。
【００６７】
具体的なエッチング条件としては、ＲＩＥ装置において、装置内圧力を０．４〜０．８Ｐａに制御した状態で、エッチングガスを流量３０〜７０ｓｃｃｍで供給して行う。エッチングガスとしては、ＣＨＦ3 、ＣＦ4 、ＨＢｒ等が好ましく採用でる。また、装置内の上部電極のパワーを８０〜１２０Ｗに設定し、下部電極のパワー（バイアスパワー）を１５〜４５Ｗに設定することが好ましい。
【００６８】
次いで、図４（Ｄ）に示されるように、レジストの層２２及び被覆層２５を除去して（アッシング工程）原盤２６を得、導電層の形成後に、図４（Ｅ）に示されるように、電着（電鋳）を行って所望の厚さのＮｉ金属による金属板（マスター基板１２）を積層し（反転板形成工程）、図４（Ｆ）に示されるように、マスター基板１２を原盤２６から剥離し、図４（Ｇ）に示されるように、マスター基板１２の凹凸状パターンの表面に磁性層１４を成膜し、磁気転写用マスターディスク１０を得る。
【００６９】
以上、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造に使用される基板の製造方法の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。
【００７０】
たとえば、本第２実施形態では、被覆層２５が貫通するように除去され、次のエッチング工程において、マスクとして使用されているが、被覆層２５をこれよりも厚く形成し、被覆層２５を所定深さだけ除去して、これを原盤２６とし、この原盤２６に金属を電着して反転盤を得てマスター基板１２とする態様も採り得る。
【００７１】
また、本実施形態では、原盤２６に金属を電着して反転盤を得てマスター基板１２としているが、他の製造工程も採用できる。具体的には、原盤２６に金属を電着して第２の原盤を作製し、この第２の原盤を使用して再び金属を電着して反転した凹凸状パターンを有する金属板（反転盤）を作製し、所定サイズに打ち抜いてマスター基板を作製する態様も採り得る。
【００７２】
更に、第２の原盤を用いて電着を行って第３の原盤を作製し、第３の原盤を用いて電着を行って金属板を作製し、更に反転した凹凸状パターンを有する金属板を剥離してマスター基板を作製する態様も採り得る。
【００７３】
なお、マスターディスク１０のマスター基板１２の凹凸パターンが、図３（Ｇ）及び図４（Ｇ）のポジパターンと逆の凹凸形状のネガパターンの場合であっても、磁気転写の際の初期磁界Ｈｉの方向及び転写用磁界Ｈｄの方向をこれと逆方向にすることによって、同様の磁化パターンが転写記録できるので問題はない。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明に係る基板の製造方法によって製造された磁気転写用マスターディスクの部分拡大斜視図
【図２】磁気転写用マスターディスクの平面図
【図３】本発明に係る基板の製造方法の各工程を順に示す断面図
【図４】本発明に係る基板の製造方法の他の例の各工程を順に示す断面図
【符号の説明】
【００７５】
１０…磁気転写用マスターディスク、１２…マスター基板、１４…磁性層、２０…原板、２２…レジストの層、２３…被加工層、２４…電子ビーム、２５…被覆層、２６…原盤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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