(57)【要約】      （修正有）【課題】配線パターンの幅を広くすることなく予め定めた位置に半田瘤を形成するためのフリップチップ実装基板を提供する。【解決手段】チップに設けられたバンプがフリップチップ実装されるフリップチップ実装基板において、基板に形成された導体パターン２と、前記バンプが接合される接合パターン６aを残して前記導体パターンを覆って形成されたソルダーマスクと７、からなり、前記ソルダーマスクは前記接合パターンから延長されこの接合パターンより幅の狭いサブ接合パターン２aを残して前記導体パターンを覆った。【選択図】図１
2006310388.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップに設けられたバンプがフリップチップ実装されるフリップチップ実装基板におい
て、
基板に形成された導体パターンと、
前記バンプが接合される接合パターンを残して前記導体パターンを覆って形成されたソルダーマスクと、
からなり、
前記ソルダーマスクは前記接合パターンから延長されこの接合パターンより幅の狭いサブ接合パターンを残して前記導体パターンを覆ったことを特徴とするフリップチップ実装基板。
【請求項２】
チップに設けられたバンプがフリップチップ実装されるフリップチップ実装基板におい
て、
基板に形成された導体パターンと、
前記バンプが接合される接合パターンを残して前記導体パターンを覆って形成されたソルダーマスクと、
からなり、
前記接合パターンの幅は導体パターンより狭い幅とされ、前記ソルダーマスクは前記接合パターンから延長されてこの接合パターンより幅の狭いサブ接合パターンを残して前記導体パターンを覆ったことを特徴とするフリップチップ実装基板。
【請求項３】
前記サブパターンは前記接合パターン側から離れるに従って幅が狭くなるように楔状に形成したことを特徴とする請求項１又は２に記載のフリップチップ実装基板。
【請求項４】
前記接合パターンおよびサブパターン上に形成する接続媒体として半田を用いたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のフリップチップ実装基板。
【請求項５】
前記基板としてプリント基板を用いたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のフリップチップ実装基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップに設けられたバンプがフリップチップ実装されるフリップチップ実装
基板に関し、詳しくは、チップに設けられたバンプが基板に設けられた導体パターンに確実に接合することができ、配線の高密度化が可能なフリップチップ実装基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
チップを基板に実装する場合、チップ周辺に設けられているバンプ（例えば、金バンプ
）を介して基板に接続するフリップチップが行なわれる。このような基板は、フリップチ
ップ実装基板とも呼ばれる。
【０００３】
このようなフリップチップ実装基板の先行技術としては例えば、下記のような技術文献がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−７７４７１号公報
【０００５】
図６は上記特許文献に記載された従来技術（ａ），（ａ’）およびその改良発明（ｂ）（ｂ’）を示すものである。
はじめに前記従来技術について簡単に説明する。図６（ａ）は平面図、（ａ’）は図６（ａ）のｃ−ｃ’断面図である。
図６（ａ），（ａ’）において、１はプリント基板、２はプリント基板２上に複数個等間隔に並列に形成された導体(配線)パターンである。３は導体パターン２の両端を覆って形成されたソルダーマスク、４はプリント基板上に配置された複数のバンプ５を有する半導体チップであり、導体パターン２に対応する位置に等間隔に形成されている。
【０００６】
図６（ａ）のｅの２点鎖線で示す範囲は半導体チップ４に形成されたバンプ５が接合される範囲を示している。
上述の構成において、半導体チップ４をバンプ５を介して接続するに際しては、導体パターン２上に接合媒体としての半田粉をフラックスと共にコーティングしておき加熱溶解
する。溶解した半田は表面張力によって瘤状の接合パターン６ｆとなる。この瘤状になる接合パターン６ｆがバンプ５が接合されるｅの範囲に形成されればよいが、実際にはばらつきが生じ、図に示すように半田瘤６ｆがバンプ５の位置からずれることがある。
その場合、バンプ５の下の半田が薄くなり接合不良が生じるという問題があった。
【０００７】
図６（ｂ），（ｂ’）はこのような問題を解決した従来の改良発明を示すもので、図６（ｂ）は平面図、（ｂ’）は図６（ｂ）のｃ−ｃ’断面図である。
図６（ｂ），（ｂ’）において、図６（ａ），（ａ’）と異なる点は接合パターン６ｇとなる部分の導体パターンの幅を予め広く形成した点である。
【０００８】
即ち、この例では幅Ｗ１の導体パターン２を形成する際にこれより幅の広いＷ２の幅で長さＬの接合パターン６ｇを形成しておく。そして、前述と同様導体パターン２上に接合媒体としての半田粉をフラックスと共にコーティングして加熱溶解を行う。
その結果、半田は表面張力によって接合パターン６ｇの位置で半田瘤が形成される。上述によれば、半田瘤は予め定めた接合パターン６ｇの位置で形成できるのでバンプ５とのずれが生じることは無くなるので接合不良をなくすことができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで近年プリント基板や半導体チップに搭載する部品や配線の高密度化が要求されるようになった。それに伴って、バンプや配線パターンの間隔は更なる高密度化をはかる必要がある。
しかしながら、図６（ｂ）に示す先行技術では導体パターンの線幅を広くすることにより接合パターンの位置を安定したものにしているため、高密度化に対しては逆行するという問題があった。
【００１０】
本発明は上述の問題点を解決するためになされたもので、配線パターンの幅を広くすることなく予め定めた位置に半田瘤を形成するためのフリップチップ実装基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項１記載のフリップチップ実装基板は、
チップに設けられたバンプがフリップチップ実装されるフリップチップ実装基板におい
て、
基板に形成された導体パターンと、
前記バンプが接合される接合パターンを残して前記導体パターンを覆って形成されたソルダーマスクと、
からなり、
前記ソルダーマスクは前記接合パターンから延長されこの接合パターンより幅の狭いサブ接合パターンを残して前記導体パターンを覆ったことを特徴とする。
【００１２】
請求項２においては、
チップに設けられたバンプがフリップチップ実装されるフリップチップ実装基板におい
て、
基板に形成された導体パターンと、
前記バンプが接合される接合パターンを残して前記導体パターンを覆って形成されたソルダーマスクと、
からなり、
前記接合パターンの幅は導体パターンより狭い幅とされ、前記ソルダーマスクは前記接合パターンから延長されてこの接合パターンより幅の狭いサブ接合パターンを残して前記導体パターンを覆ったことを特徴とする。
【００１３】
請求項３においては、請求項１又は２に記載のフリップチップ実装基板において、
前記サブパターンは前記接合パターン側から離れるに従って幅が狭くなるように楔状に形成したことを特徴とする。
【００１４】
請求項４においては、請求項１乃至３のいずれかに記載のフリップチップ実装基板において、
前記接合パターンおよびサブパターン上に形成する接続媒体として半田を用いたことを特徴とする。
【００１５】
請求項５においては、請求項１乃至４のいずれかに記載のフリップチップ実装基板において、
前記基板としてプリント基板を用いたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば次のような効果がある。
請求項１乃至３に記載の発明によれば、チップに設けられたバンプがフリップチップ実装されるフリップチップ実装基板において、
基板に形成された導体パターンと、前記バンプが接合される接合パターンを残して前記導体パターンを覆って形成されたソルダーマスクと、からなり、前記ソルダーマスクは前記接合パターンから延長されこの接合パターンより幅の狭いサブ接合パターンを残して前記導体パターンを覆い、
また、接合パターンの幅を導体パターンより狭い幅として、この接合パターンより幅の狭いサブ接合パターンを残して前記導体パターンを覆ったったので、配線パターンの幅を広くすることなく予め定めた位置に半田瘤を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明に係るフリップチップ実装基板の一例を示す平面図である。図１において、図６に示す従来例と同一要素には同一符号を付している。この例においては、導体パターン２は接合パターン６ａの部分（幅Ｗ1×Ｌ1）を残してソルダーマスク３で覆われており、また、ソルダーマスク３は接合パターン６ａから延長されたサブパターン２ａの部分（幅Ｗ３×Ｌ２）を残して形成されている。なお導体パターン２，接合パターン６ａ，サブパターン２ａは使用目的により名称を変えているが同一のものである。
【００１８】
上述の構成において接合パターン６ａおよびサブパターン２ａ上に半田粉をフラックスと共にコーティングしておき加熱溶解すれば溶解した半田は表面張力によって図６に示すような瘤状の接合パターン６ｆとなる。この場合、瘤の高さは接合パターン６ａの面積とサブパターン２ａの部分（幅Ｗ３×Ｌ２）の面積と半田粉のコーティングの厚さに依存するが予め設計段階で計算しておくものとする。
【００１９】
なお、半導体パターン２やソルダーマスク３は図示しないプリント基板上に形成されている。また、接合パターン６ａ上には図６で示す半導体チップが配置されバンプ５が接続される。
【００２０】
図２は他の実施例を示すもので、この例においては図１に示すフリップチップ実装基板の接合パターンの幅を導体パターンの幅Ｗ１より狭い幅のＷ４としたものである。この例においても、瘤の高さはサブパターン２ａの部分（幅Ｗ３×Ｌ２）の面積と半田粉のコーティングの厚さに依存するが予め設計段階で計算しておくものとする。
【００２１】
図３は他の実施例を示すもので、この例においては導体パターン２の一端はソルダーマスクに覆われているが導体パターン２の長さが図１，図２に示すものより短く形成されており、他端はソルダーマスク３にお覆われていない状態を示している。この例においてもソルダーマスク３は接合パターン６ａから延長されたサブパターン２ａの部分（幅Ｗ３×Ｌ２）を残して形成されている。そして、この例においても、瘤の高さはサブパターン２ａの部分（幅Ｗ３×Ｌ２）の面積と半田粉のコーティングの厚さに依存するが予め設計段階で計算しておくものとする。
【００２２】
図４は他の実施例を示すもので、この例においてはソルダーマスク３が端部から導体パターン２の中心を楔状に接合パターン６ｄ側に延長され、その先端が接合パターン６ｄに接した状態で形成されている。その結果、サブパターン２ａは接合パターンの端部に２箇所形成された状態となり、接合パターン５ｄからソルダーマスク３側に向かうに従って幅が狭くなるように楔状に形成されている。
【００２３】
図５は更に他の実施例を示すもので、この例においては接合パターン６ｅ側からソルダーマスク３の側に最大幅をＷ１として楔状にＬ２の長さに接合パターン６ｅが延長された状態に形成されている。即ち、ソルダーマスク３は楔状の導体パターを残した状態でマスキングを施した状態となっている。従って、このような図４，図５に示す例においては瘤の高さはサブパターン２ａの面積と半田粉のコーティングの厚さに依存するが予め設計段階で計算しておくものとする。
【００２４】
本発明の以上の説明は、説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。例えば、導体パターン、接合パターン、サブパターンの形状は図示の形状に限ることなく任意に作製可能であり、ソルダーマスクの形状も任意である。
【００２５】
したがって本発明はその本質から逸脱せずに多くの変更、変形をなし得ることは当業者に明らかである。特許請求の範囲の欄の記載により定義される本発明の範囲は、その範囲内の変更、変形を包含するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係るフリップチップ実装基板の一実施例を示す説明図である。
【図２】他の実施例に係るフリップチップ実装基板を示す説明図である。
【図３】他の実施例に係るフリップチップ実装基板を示す説明図である。
【図４】他の実施例に係るフリップチップ実装基板を示す説明図である。
【図５】他の実施例に係るフリップチップ実装基板を示す説明図である。
【図６】従来のフリップチップ実装基板の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００２７】
１  プリント基板
２  導体パターン
２ａ  サブパターン
３  ソルダーマスク
４  半田チップ
５  バンプ
６  接合パターン
【図１】
2006310388.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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