(57)【要約】【課題】磁気転写用マスターディスクの製造において、原盤から金属板を剥離する工程で、凹凸状パターンの破損を生じさせない剥離方法を提供する。【解決手段】多数の凹凸状パターンが形成されている原盤２６の表面上に導電層を形成する工程と、原盤を電解液に浸して導電層上に金属を電着することにより、所定厚さの金属板よりなる反転盤であるマスター基板１２を形成する工程と、マスター基板の形成後に、原盤の表面とマスター基板の電着面とが平行をなす状態を維持したまま、原盤からマスター基板を剥離する剥離工程と、マスター基板の表面上に磁性層１４を形成する工程と、を備える。【選択図】  図３
2006216183.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸状パターンが形成されている原盤の表面上に導電層を形成する導電層形成工程と、
前記原盤を電解液に浸して前記導電層上に金属を電着することにより、所定厚さの金属板よりなる反転盤を形成する反転盤形成工程と、
前記反転盤の形成後に、前記原盤の表面と前記反転盤の電着面とが平行をなす状態を維持したまま、前記原盤から前記反転盤を剥離する剥離工程と、
前記反転盤の表面上に磁性層を形成する磁性層形成工程と、
を備えることを特徴とする磁気転写用マスターディスクの製造方法。
【請求項２】
前記原盤がＳｉ又はＮｉを主成分とする材料からなる請求項１に記載の磁気転写用マスターディスクの製造方法。
【請求項３】
前記原盤の裏面及び／又は前記反転盤の裏面が吸着手段により支持されている請求項１又は２に記載の磁気転写用マスターディスクの製造方法。
【請求項４】
前記吸着手段が、気体の減圧による手段又は磁力の吸引による手段である請求項３に記載の磁気転写用マスターディスクの製造方法。
【請求項５】
前記剥離工程が３×１０4 Ｐａ以下の雰囲気中で行われる請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気転写用マスターディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気転写用マスターディスクの製造方法に係り、特に、ハードディスク装置等に用いられる磁気ディスクに、フォーマット情報等の磁気情報パターンを磁気転写するのに好適な磁気転写用マスターディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に普及しているハードディスクドライブに使用される磁気ディスク（ハードディスク）は、磁気ディスクメーカーよりドライブメーカーに納入された後、ドライブに組み込まれる前に、フォーマット情報やアドレス情報が書き込まれるのが一般的である。この書き込みは、磁気ヘッドにより行うこともできるが、これらのフォーマット情報やアドレス情報が書き込まれているマスターディスクより一括転写する方法が効率的であり、好ましい。
【０００３】
このような磁気転写は、表層に磁性層を有し、サーボ信号等の転写パターンが凹凸形状で形成されたマスターディスク（パターンドマスター）と、ハードディスクやフレキシブルディスク等の磁気記録部を有する被転写用ディスク（スレーブディスク）とを密着させた状態で、これら密着体に転写用磁界を印加し、マスターディスクに担持した情報に対応する磁化パターンをスレーブディスクに転写記録することによりなされる。
【０００４】
上記磁気転写に使用するマスターディスクとしては、たとえば、特許文献１において、基板の表面に情報信号に対応する凹凸状パターンを形成し、この凹凸状パターンの表面に薄膜の磁性層を被覆形成してなるものが提案されている。
【０００５】
このマスターディスクは、たとえば、次の工程により製造される。先ず、表面が平坦なＳｉ基板上に電子線レジスト又はフォトレジストを塗布し、電子ビーム又は光等により転写パターンを描画露光し、現像することによりレジストによる凹凸状パターンを有する原盤を得る。
【０００６】
次に、この原盤の凹凸状パターン上に、たとえばスパッタリングにより導電層を設け、その導電層の設けられた原盤を電解液に浸し、導電層上にＮｉを電着して所定厚さの金属板（反転盤）を形成する。そして、原盤から金属板を剥離し、剥離された金属板を所定サイズになるように打ち抜いてマスター基板を作製し、このマスター基板の凹凸状パターン表面に磁性層を成膜する。これにより磁気転写用マスターディスクが製造される。
【０００７】
この磁気転写用マスターディスクの製造において、原盤から金属板を剥離する工程で凹凸状パターンが破損しやすいという問題点がある。すなわち、電着終了後の金属板（反転盤）は、大気中又は水中において手作業にて原盤から剥離されることが多いが、原盤と金属板との間にカッター等の部材を挿入し剥離する際に、凹凸状パターンに傷を付けたり、原盤と金属板とを一端側から他端側に徐々に剥離する際に、両者の凹凸状パターン同士が干渉して傷を付けたり、原盤と金属板との間の真空状態が破られる際に凹凸状パターンが損傷したりしやすい。
【０００８】
このため、類似の分野である光ディスクの製造において、電着終了後の金属板を原盤から剥離するための各種提案がなされている（特許文献２、３参照。）。このうち、特許文献２は、ワークを回転可能なターンテーブルで保持しながら、カッターで剥離開始点処理を行う構成のものである。特許文献３は、外周近傍の電着厚さを１００μｍ以下に形成し、高圧ガスで剥離開始点処理を行う構成のものである。
【特許文献１】特開２００１−２５６６４４号公報
【特許文献２】特開２０００−２０７７８５号公報
【特許文献３】特開平１１−１４９６７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記のような光ディスクの製造に適用される剥離方法によっても、磁気転写用マスターディスクの凹凸状パターンに対しては、原盤から金属板を剥離する工程でのパターン破損が完全に解決された訳ではない。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、磁気転写用マスターディスクの製造において、原盤から金属板を剥離する工程で、凹凸状パターンの破損を生じさせない剥離方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明は、凹凸状パターンが形成されている原盤の表面上に導電層を形成する導電層形成工程と、前記原盤を電解液に浸して前記導電層上に金属を電着することにより、所定厚さの金属板よりなる反転盤を形成する反転盤形成工程と、前記反転盤の形成後に、前記原盤の表面と前記反転盤の電着面とが平行をなす状態を維持したまま、前記原盤から前記反転盤を剥離する剥離工程と、前記反転盤の表面上に磁性層を形成する磁性層形成工程と、を備えることを特徴とする磁気転写用マスターディスクの製造方法を提供する。
【００１２】
本発明によれば、剥離工程において、原盤の表面と反転盤の電着面とが平行をなす状態を維持したまま、原盤から反転盤を剥離するので、凹凸状パターンの破損を生じさせないで剥離が可能となる。
【００１３】
本発明において、前記原盤がＳｉ又はＮｉを主成分とする材料からなることが好ましい。Ｓｉの基板（ウェーハ）は、フォトリソグラフィー等による微細凹凸状パターンの形成が容易であり、微細凹凸状パターンが形成された基板（ウェーハ）の複製（転写）は、Ｎｉによる電鋳で精度よく行える。
【００１４】
本発明において、前記原盤の裏面及び／又は前記反転盤の裏面が吸着手段により支持されていることが好ましい。このように、原盤の裏面及び／又は反転盤の裏面が吸着手段により支持されていれば、原盤の表面と反転盤の電着面とが平行をなす状態を維持するのが容易である。
【００１５】
また、本発明において、前記吸着手段が、気体の減圧による手段又は磁力の吸引による手段であることが好ましい。このように、吸着手段が、気体の減圧による手段又は磁力の吸引による手段であれば、原盤の裏面及び／又は反転盤の裏面の吸着を全面で均一に行うのが容易である。
【００１６】
また、本発明において、前記剥離工程が３×１０4 Ｐａ以下の雰囲気中で行われることが好ましい。このように、剥離工程が０．３気圧以下の雰囲気中で行われれば、原盤と反転盤との間の真空状態が破られる際に、凹凸状パターンが損傷することを防止できる。
【００１７】
なお、本発明において、導電層形成工程と反転盤形成工程とが別個に設けられているが、原盤がＮｉのような導電体の場合は、原盤の段階で導電層形成工程が既に行われていることになり、実際の工程において導電層形成工程の作業は必須のものではなくなる。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、剥離工程において、原盤の表面と反転盤の電着面とが平行をなす状態を維持したまま、原盤から反転盤を剥離するので、凹凸状パターンの破損を生じさせないで剥離が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面に従って、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造方法の好ましい実施の形態（第１実施形態）について詳説する。図１は、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造方法によって製造された磁気転写用マスターディスクの部分拡大斜視図である。図２は、磁気転写用マスターディスクの平面図である。図３は、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造方法の各工程を順に示す断面図である。なお、各図は模式図であり、実際の寸法とは異なる比率で示している。
【００２０】
先ず、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造方法により製造される磁気転写用マスターディスクについて説明する。磁気転写用マスターディスク１０は、図１に示されるように、金属製のマスター基板１２と磁性層１４とで構成されており、マスター基板１２は表面に転写情報に応じた微細な凹凸状パターンを有しており、その表面に磁性層１４が被覆形成されてなる。
【００２１】
図１において、マスター基板１２の片面に磁性層１４による微細な突起状パターンが形成された転写情報担持面が形成されており、マスター基板１２の反対側の面が不図示の密着手段に保持されるようになっている。この微細な突起状パターンの形成は、後述するフォトファブリケーション法等によりなされる。このマスターディスク１０の片面（転写情報担持面）は、スレーブディスクと密着される面である。
【００２２】
微細な突起状パターンは、平面視で長方形であり、厚さｍの磁性層１４が形成された状態で、トラック方向（図中の太矢印方向）の長さｂと、半径方向の長さｌとよりなる。この長さｂとｌの最適値は、記録密度や記録信号波形等により異なるが、たとえば、長さｂを８０ｎｍに、長さｌを２００ｎｍにできる。
【００２３】
この微細な突起状パターンは、サーボ信号の場合は、半径方向に長く形成される。この場合、たとえば、半径方向の長さｌが０．０５〜２０μｍ、トラック方向（円周方向）の長さが０．０５〜５μｍであることが好ましい。この範囲で半径方向の方が長いパターンを選ぶことが、サーボ信号の情報を担持するパターンとしては好ましい。
【００２４】
マスター基板１２表面の微細な突起状パターンの深さ（突起の高さ）は、２０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、３０〜６００ｎｍの範囲がより好ましい。
【００２５】
マスターディスク１０において、マスター基板１２がＮｉ等を主体とした強磁性体の場合には、このマスター基板１２のみで磁気転写が可能であり、磁性層１４は被覆しなくてもよいが、転写特性のよい磁性層１４を設けることにより、より良好な磁気転写が行える。マスター基板１２が、後述する第２実施形態のように非磁性体の場合には、磁性層１４を設けることが必要である。マスターディスク１０の磁性層１４は、保磁力Ｈｃが４８ｋＡ／ｍ（≒６００Ｏｅ）以下の軟磁性層であることが好ましい。
【００２６】
マスター基板１２がＮｉ等を主体とした強磁性体の場合には、電鋳により作製できる。この場合、図２に示されるように、マスター基板１２は中心孔１２ａをする円盤状に形成でき、片面の内周部及び外径部を除く円環状領域１２ｂに凹凸状パターンを形成できる。
【００２７】
このマスター基板１２は、後述するように、情報に応じた凹凸状パターンが形成された原盤に、Ｎｉなどを電着することによって所定厚さの金属板を積層し、この金属板を原盤から剥離し、外周部分及び中心孔１２ａの部分が所望のサイズで打ち抜かれて作製されたものである。
【００２８】
次に、マスターディスク１０の製造方法を図３（Ａ）〜（Ｇ）に基づいて説明する。先ず、図３（Ａ）に示されるように、表面が平滑なシリコンウエハーである原板２０（ガラス板、石英ガラス板でもよい）の上に、密着層形成等の下地処理を施し、次いで、電子線レジスト液をスピンコート法等により塗布して、レジストの層２２を形成し、ベーキング処理（プレベーク）を行う。
【００２９】
次いで、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた不図示の電子ビーム露光装置のステージ上に原板２０をセットし、原板２０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビーム２４を照射し、レジストの層２２の略全面に所定のパターン、たとえば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に描画露光する。
【００３０】
次いで、図３（Ｂ）に示されるように、レジストの層２２を現像処理し、露光部分を除去して、残ったレジストの層２２による所望厚さの被覆層を形成する。この被覆層が次工程（エッチング工程）のマスクとなる。現像処理の後には、レジストの層２２と原板２０との密着力を高めるためにベーキング処理（ポストベーク）を行う。
【００３１】
次いで、図３（Ｃ）に示されるように、レジストの層２２の開口部より原板２０を表面より所定深さだけ除去（エッチング）する。このエッチングにおいては、アンダーカット（サイドエッチ）を最小にすべく、異方性のエッチングが望ましい。このような、異方性のエッチングとしては、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）が好ましく採用できる。
【００３２】
次いで、図３（Ｄ）に示されるように、レジストの層２２を除去する。レジストの層２２の除去方法は、乾式法としてアッシングが採用でき、湿式法として剥離液による除去法が採用できる。以上のアッシング工程により、所望の凹凸状パターンの反転型が形成された原盤２６が作製される。
【００３３】
次いで、図３（Ｄ）に示される原盤２６の表面に均一厚さに導電層を形成する。導電層の形成方法としては、ＰＶＤ（Physical Vapour Deposition）、ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法等が適用できる。このように、導電層を形成すれば、金属の電着が均一に行えるという効果が得られる。
【００３４】
導電層としては、Ｎｉを主成分とする膜であることが好ましい。このようなＮｉを主成分とする膜は、形成が容易であり導電層としてふさわしい。この導電層の膜厚として、特に制限はないが、数十ｎｍ程度が一般的に採用できる。このように導電層の膜厚が僅かなので、図示は省略されている。
【００３５】
次いで、図３（Ｅ）に示されるように、原盤２６の表面に、電着（電鋳）を行って所望の厚さのＮｉ金属による金属板を積層する（反転板形成工程）。
【００３６】
この電着は、電鋳装置の電解液中に原盤２６を浸し、原盤２６を陽極とし、陰極との間に通電することにより行われるが、このときの電解液の濃度、ｐＨ、電流のかけ方等は、積層された金属板（すなわちマスター基板１２）に歪みのない最適条件で実施されることが求められる。
【００３７】
そして、上記のようにして電着が終了した後、金属板（すなわちマスター基板１２）の積層された原盤２６が電鋳装置の電解液から取り出され、純水で洗浄される。次いで、剥離工程において、金属板（すなわちマスター基板１２）を原盤２６から剥離する。この剥離工程の詳細については後述する。
【００３８】
剥離工程によって、図３（Ｆ）に示されるような、原盤２６から反転した凹凸状パターンを有するマスター基板１２を得る。そして、マスター基板１２の内径及び外径を、所定のサイズに打抜き加工する。
【００３９】
次いで、上記のようにして製造されたマスター基板１２の凹凸状パターンの表面に、図３（Ｇ）に示されるように、スパッタリング等により磁性層１４を成膜し、更に必要に応じて保護層を成膜し、磁気転写用マスターディスク１０が製造される。
【００４０】
磁性層１４の成膜は、磁性材料を真空蒸着法、スパツタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、電鋳等のメッキ法等により行う。磁性層１４の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）を用いることができる。このうち、特にＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉを用いるのが好ましい。磁性層１４の厚さｍは、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が好ましく、５０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲がより好ましい。
【００４１】
また、磁性層１４の凹凸状パターンにダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、潤滑剤層を設けても良い。また保護膜として５〜３０ｎｍのＤＬＣ膜と潤滑剤層が存在することが更に好ましい。潤滑剤は、スレーブディスクとの接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善するものである。
【００４２】
次に、剥離工程について説明する。図４は、剥離装置５０の構成を示す正面図である。この剥離装置５０は、ベース５２の上の左側に設けられる固定側５０Ａと、右側に設けられる移動側５０Ｂとより構成される。
【００４３】
固定側５０Ａは、ベース５２の上に立設される支持台５４と、支持台５４の側面にその一端が固定される軸受５６と、軸受５６の他端に固定される吸引盤５８と、吸引盤５８にその一端が接続され、その他端が図示しない真空ポンプに接続される真空ホース６０とより構成されている。
【００４４】
吸引盤５８は、外径が原盤２６と略同一サイズの円盤状であり、片面（図では右面）が多孔質のフッ素樹脂板で形成されている。そして、吸引盤５８の内部には、気体の流路が形成されており、この流路は、多孔質のフッ素樹脂板の背面と真空ホース６０とを連通するように形成されている。したがって、吸引盤５８の片面に原盤２６を吸引保持できるようになっている。
【００４５】
また、軸受５６により、吸引盤５８は支持台５４に対して回動自在に支持されている。なお、この吸引盤５８の回動は、剥離開始点処理を行うためのもので、１、２回転でよいので、真空ホース６０が軸受５６等に絡まる不具合は生じない。
【００４６】
既述したように、吸引盤５８の片面が多孔質のフッ素樹脂板で形成されているので、原盤２６の裏面の略全面を均一の吸引力で吸引保持できる。また、樹脂板であるので、原盤２６の裏面に傷を発生させることもない。なお、多孔質のフッ素樹脂板に代えて多孔質のセラミックス板を使用しても、略同一の作用が得られる。
【００４７】
更に、多孔質のフッ素樹脂板や多孔質のセラミックス板に代えて金属板等に多数の吸引孔や吸引溝を設ける、一般的な吸引ステージの構成をも採用できる。
【００４８】
移動側５０Ｂは、ベース５２の上に立設され、油圧シリンダ６４のシリンダ本体６４Ａを支持するシリンダ支持台６２と、油圧シリンダ６４のシリンダロッド６４Ｂの先端にその一端が固定される軸受６６と、軸受６６の他端にその一端が固定される電磁石６８と、電磁石６８の他端に固定されるクッションプレート７０とより構成されている。
【００４９】
電磁石６８は、外径がマスター基板１２と略同一サイズの円柱状のコア６８Ａと、コア６８Ａ外周部分に巻回されたコイル６８Ｂとより構成され、マスター基板１２が磁性体である場合に磁力の吸引により、クッションプレート７０を介してマスター基板１２を吸引保持できるようになっている。
【００５０】
クッションプレート７０が電磁石６８の先端に固定されている理由は、電鋳により形成されるマスター基板１２の裏面が平坦に形成されていない場合が多く、マスター基板１２裏面のこの平坦からの乖離を吸収するためである。したがって、電鋳後、剥離前に後加工（機械加工等）により、マスター基板１２の裏面が平坦になっている場合には、クッションプレート７０は必ずしも必要とはならない。
【００５１】
次に、図４の剥離装置５０を使用した剥離工程の詳細について説明する。先ず、反転板形成工程が終了した、断面が図３（Ｅ）で示される原盤２６とマスター基板１２との積層体を、剥離装置５０に取り付ける。その際、油圧シリンダ６４のシリンダロッド６４Ｂを充分に縮めておき、積層体の取り付けスペースを確保しておく。そして、吸引盤５８の片面に原盤２６の裏面を当て、積層体を吸引保持させる。
【００５２】
次いで、油圧シリンダ６４のシリンダロッド６４Ｂを伸ばし、クッションプレート７０がマスター基板１２の裏面を若干押圧する状態にして、油圧シリンダ６４をその位置で停止させる。
【００５３】
次いで、電磁石６８のコイル６８Ｂに通電し、マスター基板１２を電磁石６８により吸引保持させる。その状態では、吸引盤５８と電磁石６８とは、積層体を介して一体となり、かつ、回動自在となっている。
【００５４】
次いで、積層体を回転させながら、積層体の外周部分の、原盤２６とマスター基板１２との間の剥離開始点処理を行う。この剥離開始点処理は、カッターによる切込みやエアブロー等の公知の方法で行えばよい。
【００５５】
剥離開始点処理の終了後に、油圧シリンダ６４のシリンダロッド６４Ｂを図の太矢印６４Ｃの方向に徐々に移動させ、原盤２６とマスター基板１２とを剥離させる。この剥離工程において、原盤２６の表面とマスター基板１２の電着面とが平行をなす状態を維持したまま、原盤２６からマスター基板１２を剥離するので、凹凸状パターンの破損を生じさせないで剥離が可能となる。
【００５６】
次に、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造方法の他の実施の形態（第２実施形態）について説明する。この実施形態は、既述の第１実施形態の反転板形成工程（図３（Ｅ）参照）における電着（電鋳）に代えて、樹脂による反転板形成方法を採用するものである。そして、他の工程は、第１実施形態と同一である。したがって、反転板形成工程についてのみ説明する。
【００５７】
反転板形成工程において、所望の凹凸状パターンの反転型が形成された基板である原盤２６の表面に樹脂液を塗布し、樹脂液を硬化させることにより、所定厚さの樹脂板よりなる反転板であるマスター基板１２を形成する。
【００５８】
この反転板形成工程において、使用される樹脂液としては、原盤２６表面の凹凸状パターン内部に充填され得る粘度であり、硬化後の寸法安定性が良好なものであれば、材質を問わない。
【００５９】
この樹脂液として、放射線硬化タイプの樹脂液が好ましく採用できる。すなわち、低粘度の樹脂液が原盤２６表面の凹凸状パターン内部に充填された後に、放射線の照射により樹脂液が硬化するのであれば、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂のように樹脂の熱で原盤２６が膨張したり収縮したりして、寸法安定性が損われることもない。
【００６０】
この放射線硬化タイプの樹脂として、紫外線硬化タイプの樹脂が一般的である。この紫外線硬化樹脂は、光重合性のモノマーと重合開始剤よりなる。この紫外線硬化樹脂には、紫外線や電子線等の活性化エネルギー線で重合する公知の樹脂が採用できる。光重合性のモノマーは、ラジカル重合性不飽和基、エポキシ基等の重合性官能基を有する化合物からなる。
【００６１】
紫外線硬化樹脂の粘度は、未硬化状態で１〜２０００ｍＰａ・ｓのものが使用でき、未硬化状態で１０００〜２０００ｍＰａ・ｓのものが好ましく使用できる。また、７０〜８０％程度の重合度で塑性変形しやすく、完全な重合状態では変形しにくいものが好ましい。また、硬化時の収縮が少ないものが好ましい。
【００６２】
照射により紫外線硬化樹脂を硬化させる樹脂硬化手段は、光照射によって紫外線硬化樹脂を硬化をさせるもので、紫外線硬化樹脂の硬化特性に応じた波長の光を照射できることが好ましい。
【００６３】
なお、第２実施形態においては、マスター基板１２が非磁性体の樹脂であるので、図４の剥離装置５０において、電磁石６８による磁力吸引は行えない。したがって、電磁石６８に代えて、吸引盤５８のように片面にマスター基板１２を吸引保持できるような構成を採用すればよい。
【００６４】
本発明の第２実施形態によれば、上記の第１実施形態の原盤２６の表面に金属を電着する工程に代えて、原盤２６の表面に樹脂液を塗布し、硬化させることにより反転板を形成するので、上記の第１実施形態と同様の磁気転写用マスターディスク１０が得られる。
【００６５】
以上、本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造方法の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。
【００６６】
たとえば、本第１実施形態では、原盤２６に金属を電着して反転盤２８を得てマスター基板１２としているが、他の製造工程も採用できる。具体的には、原盤２６に金属を電着して第２の原盤を作製し、この第２の原盤を使用して再び金属を電着して反転した凹凸状パターンを有する金属板（反転盤）を作製し、所定サイズに打ち抜いてマスター基板を作製する態様も採り得る。
【００６７】
更に、第２の原盤を用いて電着を行って第３の原盤を作製し、第３の原盤を用いて電着を行って金属板を作製し、更に反転した凹凸状パターンを有する金属板を剥離してマスター基板を作製する態様も採り得る。
【００６８】
なお、マスターディスク１０のマスター基板１２の凹凸パターンが、図３（Ｆ）のポジパターンと逆の凹凸形状のネガパターンの場合であっても、磁気転写の際の初期磁界Ｈｉの方向及び転写用磁界Ｈｄの方向をこれと逆方向にすることによって、同様の磁化パターンが転写記録できるので問題はない。
【００６９】
また、本実施形態では、導電層形成工程と、Ｎｉの電鋳を行う反転盤形成工程とが別個に設けられているが、導電層形成工程と反転盤形成工程とを１工程とすることもできる。すなわち、原盤２６が金属板の場合には、原盤２６の形成により導電層の形成をも行っている。したがって、原盤２６の形成による導電層形成工程とＮｉによる反転盤形成工程による１工程も、本発明の技術的思想の均等範囲と言い得る。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造方法によって製造された磁気転写用マスターディスクの部分拡大斜視図
【図２】磁気転写用マスターディスクの平面図
【図３】本発明に係る磁気転写用マスターディスクの製造方法の各工程を順に示す断面図
【図４】剥離装置の正面図
【符号の説明】
【００７１】
１０…磁気転写用マスターディスク、１２…マスター基板、１４…磁性層、２０…原板、２２…レジストの層、２４…電子ビーム、２６…原盤、２８…反転盤（金属板）、５０…剥離装置、５８…吸引盤、６４…油圧シリンダ、６８…電磁石、７０…クッションプレート
【図１】
2006216183.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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