(57)【要約】【課題】  ＵＶによる劣化を抑えることが可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】  ４００ｎｍ以下の発光スペクトルを有する半導体発光素子２と、少なくとも半導体発光素子２の光取出し面を被覆する紫外線吸収層６と、少なくとも紫外線吸収層６で被覆された半導体発光素子２を封止する封止樹脂７とを具備する。【選択図】  図１
2006310771.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４００ｎｍ以下の発光スペクトルを有する半導体発光素子と、
少なくとも前記半導体発光素子の光取出し面を被覆する紫外線吸収層と、
少なくとも前記紫外線吸収層で被覆された前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、
を備えることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
４００ｎｍ以下の発光スペクトルを有する第１の半導体発光素子と、
ピーク波長が５５０ｎｍ以上の第２の半導体発光素子と、
少なくとも前記第１の半導体発光素子の光取出し面を被覆する紫外線吸収層と、
前記紫外線吸収層で被覆された前記第１の半導体発光素子、及び前記第２の半導体発光素子を封止する封止樹脂と、
を備えることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の半導体発光素子のピーク波長は、いずれも可視領域であることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の半導体発光素子は、注入される電流が夫々独立して制御されることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
４００ｎｍ以下の発光スペクトルを有する半導体発光素子と、
少なくとも前記半導体発光素子の光取出し面を被覆する紫外線遮蔽層と、
少なくとも前記紫外線遮蔽層で被覆された前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、
を備えることを特徴とする半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体発光装置は、白色で発光する発光ダイオード（以下ＬＥＤ）の高輝度化により、その低消費電力・長寿命という特徴から、照明光源としての用途が注目されている。一般に、このような白色ＬＥＤは、青色ＬＥＤチップと黄色蛍光体から構成されるもの、及び、紫外線（以下ＵＶも使用）発光のＬＥＤチップと光の三原色であるＲＧＢ三色の蛍光体から構成されるもののように、ＬＥＤチップと蛍光体の組合せによるものや、ＲＧＢ各色の３つのＬＥＤチップから構成されるもの、及び、青色ＬＥＤチップと黄色ＬＥＤチップから構成されるもののように、発光波長の異なるＬＥＤチップの組合せによるものが用いられている。
【０００３】
このような白色ＬＥＤに用いられているＵＶ−ＬＥＤチップはもちろん、通常青色ＬＥＤチップにおいてもＵＶ領域に発光スペクトルを有しており、このようなＵＶ発光によるＬＥＤ封止樹脂の劣化が問題となる。そこで、封止樹脂としてＵＶを吸収する樹脂を用いることにより、ＵＶ劣化を抑えることができる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
しかしながら、発光波長の異なるＬＥＤチップを組合せたものにおいては、例えば、青色等短波長の発光が得られるＧａＮ系ＬＥＤチップと、長波長側のＡｌＩｎＧａＰ系ＬＥＤチップとが、ＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）ケース内に搭載され、ＵＶ吸収樹脂により封止されているが、一般に用いられるＵＶ吸収樹脂は比較的硬いものが多く、硬度の高いＧａＮ系ＬＥＤチップの封止には問題ないが、硬度の低いＡｌＩｎＧａＰ系ＬＥＤチップを被覆すると、樹脂応力による劣化が生じてしまう、という問題があった。
【特許文献１】特開２００４−２３８５８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、ＵＶによる劣化を抑えることが可能な半導体発光装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の半導体発光装置は、４００ｎｍ以下の発光スペクトルを有する半導体発光素子と、少なくとも前記半導体発光素子の光取出し面を被覆する紫外線吸収層と、少なくとも前記紫外線吸収層で被覆された前記半導体発光素子を封止する封止樹脂とを備えることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の別態様の半導体発光装置は、４００ｎｍ以下の発光スペクトルを有する第１の半導体発光素子と、ピーク波長が５５０ｎｍ以上の第２の半導体発光素子と、少なくとも前記第１の半導体発光素子の光取出し面を被覆する紫外線吸収層と、前記紫外線吸収層で被覆された前記第１の半導体発光素子、及び前記第２の半導体発光素子を封止する封止樹脂とを備えることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の別態様の半導体発光装置は、４００ｎｍ以下の発光スペクトルを有する半導体発光素子と、少なくとも前記半導体発光素子の光取出し面を被覆する紫外線遮蔽層と、少なくとも前記紫外線遮蔽層で被覆された前記半導体発光素子を封止する封止樹脂とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ＵＶによる劣化を抑えることが可能な半導体発光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下本発明の実施例について、図を参照して説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付す。
【実施例１】
【００１１】
本発明の実施例１に係る半導体発光装置について、図１乃至図７を参照しながら説明する。図１は半導体発光装置の構成を模式的に示すもので、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２は半導体発光装置の製造工程を模式的に示すもので、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図３は半導体発光装置の図２に続く製造工程を模式的に示すもので、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。図４は半導体発光装置の図３に続く製造工程を模式的に示すもので、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。図５は半導体発光装置の図４に続く製造工程を模式的に示すもので、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＥ−Ｅ線に沿った断面図である。図６は半導体発光装置の図５に続く製造工程を模式的に示す断面図である。図７は、半導体発光装置のＣＩＥ色度を示す図である。
【００１２】
図１に示すように、半導体発光装置９１は、ＳＭＤケース１内のマウントベッド部となるリード８ａ上にＳｉＣからなる基板２２上に形成されたＧａＮ系の青色ＬＥＤチップ２、リード８ｂ上にＡｌＩｎＧａＰ系の黄色ＬＥＤチップ３がそれぞれマウント材４を用いて載置されている。そして、各ＬＥＤチップ２、３上面に形成された電極９ａ、９ｂと、ＳＭＤケース１内のリード部１０ａ、１０ｂがそれぞれＡｕワイア５ａ、５ｂにより接続されている。さらに青色ＬＥＤチップ２、黄色ＬＥＤチップ３の表面には紫外線吸収層６が形成されており、カップ部２６内は封止樹脂７で充填されている。
【００１３】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、リード８ａ、８ｂ、１０ａ、１０ｂは、４個が互いに離間して、ＳＭＤケース１を間に挟んでコ字形に形成され、リード８ａ、１０ｂ、及びリード８ｂ、１０ａは、それぞれ、並行に、また、リード８ａ、１０ａ、及びリード８ｂ、１０ｂは、それぞれ、対向するように配置されている。リード８ａ、８ｂ、１０ａ、１０ｂは、銅を主成分とするリードフレーム材である。ＳＭＤケース１は、エポキシ系樹脂を主成分とするモールド樹脂で形成されている。なお、リード８ａ、８ｂ、１０ａ、１０ｂは、他の材質、例えば、鉄を主成分とするリードフレーム材等であってもよい。
【００１４】
半導体発光装置９１の底面側に露出したリード８ａ、８ｂ、１０ａ、１０ｂは、外部端子として、実装基板（図示略）等に接続される。底面に対向するリード８ａ、８ｂ、１０ａ、１０ｂの一部は、上面側から底面側に向かって形成された凹形状のカップ部２６の底部に露出している。カップ部２６は、上面になるほど開口径が大きくなっている。
【００１５】
青色ＬＥＤチップ２は、例えば、導電性のＳｉＣ等の基板２２の上に、ピーク発光波長約４４０ｎｍのＩｎxＧａ1−xＮ（例えば、ｘ＝約０．０５）を活性層とする発光領域（図示略）が上面側に形成され、上面と底面には、それぞれ、電極９ａ、１９ａが形成されている。
【００１６】
黄色ＬＥＤチップ３は、例えば、導電性のＧａＰ等の基板２３の上に、ピーク発光波長約５９０ｎｍのＩｎ0.5（Ｇａ1−xＡｌx）Ｐ（例えば、ｘ＝約０．００２６）を活性層とする発光領域（図示略）が上面側に形成され、上面と底面には、それぞれ、電極９ｂ、１９ｂが形成されている。
【００１７】
青色ＬＥＤチップ２及び黄色ＬＥＤチップ３は、それぞれ、ＳＭＤケース１のカップ部２６の円形底部に露出したリード８ａ、８ｂ上に、円の中心に対してほぼ対称位置になるように、底面の電極１９ａ、１９ｂが導電性接着材あるいは半田等のマウント材４で固定されている。上面の電極９ａ、９ｂは、対向するリード１０ａ、１０ｂ上に、それぞれ、Ａｕワイア５ａ、５ｂによってボンディングされている。
【００１８】
紫外線吸収層６は、シアノアクリレート系の紫外線吸収剤、例えば、Ｅｔｈｙｌ２−ｃｙａｎｏ−３，３−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｃｒｙｌａｔｅからなる。なお、可視光に対して透過性を有する紫外線吸収剤は、シアノアクリレート系の他に、ベンゾトリアゾール系、サリシレート系、ベンゾフェノン系等があり、これらを単独、あるいは、混合して使用してもよい。
【００１９】
このような半導体発光装置９１は、以下のように形成される。先ず、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、予め形成されたＳＭＤケース１内のリード８ａの中心寄りの端部上にマウント材４を塗布し、ＳｉＣ基板上に形成されたＧａＮ系の青色ＬＥＤチップ２を、底部の電極１９ａが接するようにマウントする。同様に、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ＳＭＤケース１内のリード８ｂの中心寄りの端部上に、マウント材４を塗布し、ＡｌＩｎＧａＰ系の黄色ＬＥＤチップ３を、底部の電極１９ｂが接するようにマウントする。この後、マウント材４は硬化される。なお、青色及び黄色ＬＥＤチップ２、３用のマウント材４は、同一工程で塗布されてもよいし、青色及び黄色ＬＥＤチップ２、３のマウントの順序は逆であってもよい。そして、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、各ＬＥＤチップ２、３の上部の電極９ａ、９ｂと、リード１０ａ、１０ｂをそれぞれＡｕワイア５ａ、５ｂにより接続する。なお、Ａｕワイア５ａ、５ｂは、マウントされたリード８ａ、８ｂと、それぞれ並行に配置されたリード１０ｂ、１０ａに接続されることは可能である。
【００２０】
次いで、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、例えば、Ｅｔｈｙｌ２−ｃｙａｎｏ−３，３−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｃｒｙｌａｔｅ等、可視発光色に対して透過性を有する紫外線吸収剤６を溶剤に溶解した紫外線吸収剤溶液２８を、青色及び黄色ＬＥＤチップ２、３の上面を越える程度まで覆うように注入する。注入には、例えば、ディスペンサ（図示略）を利用することは可能である。この状態で熱処理を行い、溶剤を蒸発させ、図６に示すように、青色及び黄色ＬＥＤチップ２、３の上面及び側面、紫外線吸収剤溶液２８が浸ったカップ部２６の側面及び底面に、２０μｍ〜１ｍｍ程度の紫外線吸収層６を形成する。紫外線吸収層６は、底部側で厚い傾向にある。さらに、カップ部２６の底部にある紫外線吸収層６に密着し、青色及び黄色ＬＥＤチップ２、３、及びＡｕワイア５ａ、５ｂ等を覆うように、カップ部２６を埋めた面とＳＭＤケース１の上面がほぼ平面になるまで、封止樹脂７を注入する。次に、封止樹脂７を硬化させた後、リード８ａ、８ｂ、１０ａ、１０ｂは、リードフレーム（図示略）から切り離されて、折り曲げられて、図１に示すような半導体発光装置９１が形成される。
【００２１】
このようにして形成された半導体発光装置９１において、４３０〜４５０ｎｍ付近にピーク波長を持つ青色ＬＥＤチップ３は、より高エネルギで且つ封止樹脂７の吸収率が高くなる紫外領域（４００ｎｍ以下）において発光スペクトルを有している。青色ＬＥＤチップ３の光取出し面と封止樹脂との界面に設けられた紫外線吸収層６は、紫外領域の発光を選択的に吸収する。そして、封止樹脂７に達する紫外領域の光は抑制され、青色ＬＥＤチップ２の光取出し面と封止樹脂７との界面付近に特に強く発生する封止樹脂７の劣化を抑えることが可能となる。封止樹脂７の劣化が抑制されるので、本実施例の半導体発光装置９１は、取り出される光量の経時的な変化は緩やかになり、より長期間の安定動作が確保される。また、封止樹脂７に達する紫外領域の光が抑制されるので、封止樹脂７は、例えば、緑色あるいはそれ以上の可視光領域にピーク波長を有するＬＥＤ等で安定して使用されている比較的樹脂応力の低い封止樹脂、または、ほぼ同等の樹脂応力を有する封止樹脂を、使用することができることになる。すなわち、封止樹脂を硬い紫外線吸収樹脂に変更する必要がないため、硬度の高いＧａＮ系のＬＥＤチップと硬度の低いＡｌＩｎＧａＰ系のＬＥＤチップを混載しても、樹脂応力によるＬＥＤチップの劣化を抑えることが可能である。
【００２２】
そして、このようにして形成された半導体発光装置９１は、青色及び黄色ＬＥＤチップ２、３の発光が半導体のバンドギャップに依存することから、色調ずれが少なく、高い歩留りを得ることができる。さらに、青色及び黄色ＬＥＤチップ２、３は、それぞれ、青色及び黄色の光量に適する電流を供給されて、図７に示すように、ＣＩＥ色度図上で青色１１と黄色１２を結ぶ線上の色度で発光する青色１１〜白色１３〜黄色１２の光源として、用途、好みに応じて自在に色調を変動させることが可能となる。すなわち、半導体発光装置９１は、バランスのよい白色光あるいは好みに合った色度の光を提供することができる。
【実施例２】
【００２３】
本発明の実施例２に係る半導体発光装置について、図８を参照しながら説明する。図８は半導体発光装置の構成を模式的に示す図１（ｂ）と同様な断面図である。本実施例の半導体発光装置は、発光波長の異なるＬＥＤチップを使用している点が、実施例１とは異なっている。以下では、上記実施例１と同一構成部分には同一の符号を付し、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。
【００２４】
図８に示すように、半導体発光装置９２は、シアン色ＬＥＤチップ３２、赤色ＬＥＤチップ３３を特徴的に備えており、その他の構成要素は実施例１と同様である。シアン色ＬＥＤチップ３２は、例えば、導電性のＳｉＣ等の基板２２の上に、ピーク発光波長約４８０ｎｍのＩｎxＧａ1−xＮ（例えば、ｘ＝約０．３）を活性層とする発光領域（図示略）が上面側に形成され、上面と底面には、それぞれ、電極９ａ、１９ａが形成されている。赤色ＬＥＤチップ３３は、例えば、導電性のＧａＰ等の基板２３の上に、ピーク発光波長約６２０ｎｍのＩｎ0.5（Ｇａ1−xＡｌx）Ｐ（例えば、ｘ＝約０．００１）を活性層とする発光領域（図示略）が上面側に形成され、上面と底面には、それぞれ、電極９ｂ、１９ｂが形成されている。
【００２５】
半導体発光装置９２の製造工程は、実施例１の半導体発光装置９１の製造工程と同様である。
【００２６】
本実施例の半導体発光装置９２においても、実施例１と同様な効果が得られる。すなわち、封止樹脂７の劣化、樹脂応力によるＬＥＤチップの劣化を抑えることができ、半導体発光装置９２は、信頼性、光取り出し効率の低下を抑えることが可能となるとともに、色調ずれが少なく、高い歩留りを得ることができる。そして、実施例１と同様に、シアン色及び赤色ＬＥＤチップ３２、３３は、それぞれ、リード９ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂからそれぞれ注入される電流値を制御されて、図７に示すように、ＣＩＥ色度図上でシアン色１４と赤色１５を結ぶ線上の色度で発光するシアン色１４〜白色１３〜赤色１５の光源として、用途、好みに応じて自在に色調を変動させることが可能となる。
【実施例３】
【００２７】
本発明の実施例３に係る半導体発光装置について、図９及び図１０を参照しながら説明する。図９は半導体発光装置の構成を模式的に示すもので、図９（ａ）は平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＦ−Ｆ線に沿った断面図である。図１０は半導体発光装置の製造の１工程を模式的に示すもので、図１０（ａ）は平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＧ−Ｇ線に沿った断面図である。本実施例の半導体発光装置は、青色ＬＥＤチップを紫外線吸収層で覆っている点が、実施例１とは異なる。以下では、上記実施例１と同一構成部分には同一の符号を付し、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。
【００２８】
図９に示すように、半導体発光装置９３は、青色ＬＥＤチップ２及び黄色ＬＥＤチップ３を有しているが、青色ＬＥＤチップ２の光取出し面及び上面側の電極９ａ、あるいは、ＳＭＤケース１のカップ部２６の底部の一部及び底部側側面の一部等が、膜厚２０μｍ〜１００μｍ程度の紫外線吸収層４６で被覆するように形成されている。紫外線吸収層４６は、実施例１の紫外線吸収層６と同様な紫外線吸収剤である。その他の構成要素は実施例１と同様である。
【００２９】
図１０に示すように、半導体発光装置９３の製造工程は、紫外線吸収剤溶液４８の供給工程のみ実施例１とは異なる。例えば、Ｅｔｈｙｌ２−ｃｙａｎｏ−３，３−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｃｒｙｌａｔｅからなる紫外線吸収剤を、溶剤に溶解した比較的流動性の低い紫外線吸収剤溶液４８を、青色ＬＥＤチップ２の上面から、例えば、ディスペンサ（図示略）を利用して、滴下して、青色ＬＥＤチップ２の上面及び側面を覆う。
【００３０】
次に、この状態で熱処理を行い、溶剤を蒸発させる。図９に示すように、青色ＬＥＤチップ２の上面及び側面、紫外線吸収剤溶液４８が接触したカップ部２６の側面及び底面に、２０μｍ〜１ｍｍ程度の紫外線吸収層４６が形成される。この後、実施例１と同様な工程を経て、図９に示すような半導体発光装置９３が形成される。
【００３１】
上述したように、半導体発光装置９３は、青色及び黄色ＬＥＤチップ２、３が、それぞれ、リード８ａ、８ｂ上に固着され、青色ＬＥＤチップ２の光取出し面は、紫外線吸収層４６で被覆され、更に、青色及び黄色ＬＥＤチップ２、３等が封止樹脂７で封止されている。
【００３２】
紫外領域の発光は、実質的に青色ＬＥＤチップ２で起こり、この紫外領域の光は、紫外線吸収層４６で吸収されるので、半導体発光装置９３は、実施例１の効果と同様な効果を有している。
【００３３】
更に、半導体発光装置９３は、黄色ＬＥＤチップ３が紫外線吸収層４６で覆われていないので、紫外線吸収層４６で発生するわずかな可視光の吸収が皆無となり、黄色の光はより効率的に取り出すことが可能となる。
【００３４】
なお、実施例３は、実施例１と同様な青色及び黄色ＬＥＤチップ２、３を有する半導体発光装置９３として説明したが、実施例２と同様なシアン色及び赤色ＬＥＤチップ３２、３３を有する半導体発光装置に適用することも可能である。
【００３５】
本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々、変形して実施することができる。
【００３６】
例えば、上記実施例では、可視光の中で短波長側のＬＥＤチップを青色、シアン色のＧａＮ系とし、長波長側のＬＥＤチップを黄色、赤色のＡｌＩｎＧａＰ系とした例であるが、紫外領域（４００ｎｍ以下）の発光スペクトルを有するＬＥＤチップと、ピーク波長が５５０ｎｍ以上のＬＥＤチップを混載したものであればその他の組み合わせであっても良い。このような２種類のＬＥＤチップ（素子数２）で、白色を含む色温度の多彩なＬＥＤを安価に製造することが可能となる。また、ピーク波長５５０ｎｍは、ＡｌＩｎＧａＰ系ＬＥＤの下限波長であるが、上述したように、ＧａＮ系とＡｌＩｎＧａＰ系という硬度の異なる２種類のＬＥＤチップを混載した場合においても、樹脂応力による劣化を抑えることが可能となる。
【００３７】
また、上記実施例では、紫外線吸収剤の形成方法は、予め固定されたＬＥＤチップに、溶剤に溶解して注入され、その後、溶剤を蒸発させて塗布される例を示したが、紫外線吸収剤を溶解した溶解液中にＬＥＤチップをディップし、その後、溶剤を蒸発させる手法や、噴霧によって塗布させる手法等を用いることが可能である。その際、紫外線吸収剤を付着させたくない領域に、必要に応じてマスクを形成しても良い。または、ＬＥＤチップを板状のサブマウント等へマウントした後に、サブマウントをリードフレームへ実装する形態として、サブマウントへマウントした後、ＬＥＤチップに紫外線吸収剤を付着させてもよい。また、紫外線吸収層は、これらの実施例のように、必ずしもマウント工程の直前直後において形成される必要はなく、ＬＥＤチップの製造工程において、ウエハ状態或いはダイシング工程後に形成されても良い。
【００３８】
また、上記実施例では、紫外線の抑制材料として紫外線吸収層を使用する例を示したが、可視領域の光を透過し、紫外領域のスペクトルを遮蔽可能な酸化チタン、酸化亜鉛等の無機材料を適宜用いることができる。
【００３９】
また、上記実施例では、紫外線吸収層の膜厚は、２０μｍ〜１ｍｍ程度の例を示したが、可視領域の発光を阻害することなく紫外領域のスペクトルを吸収可能な膜厚であれば良い。このとき、例えばＥｔｈｙｌ２−ｃｙａｎｏ−３，３−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｃｒｙｌａｔｅからなる紫外線吸収層は、実効的に波長３８０ｎｍ付近のＵＶ吸収効果（約２０％）を得るために、膜厚約２０μｍ以上が必要となり、波長４００ｎｍ付近のＵＶ吸収効果（約２５％）を得るためには膜厚約４３０μｍ以上が必要となることが知られている。一方、膜厚の上限は、可視光の吸収が無視できなくなる膜厚であり、例えば波長４２０ｎｍでの吸収が２５％程度になる膜厚は４．３ｍｍ程度となる。膜厚は、半導体発光装置の要求寿命の他、生産性等を考慮して決定することができる。
【００４０】
また、単体の青色半導体発光装置や、青色ＬＥＤチップと蛍光体の組合せによる白色半導体発光装置のように、紫外領域の発光スペクトルを有するＬＥＤチップのみからなる半導体発光装置に紫外線吸収層を設けることは可能である。この半導体発光装置は、ＬＥＤチップの光取出し面と封止樹脂との界面に紫外線吸収層を設けることにより、封止樹脂をＵＶ吸収樹脂に変更することなく、ＵＶによる封止樹脂の劣化を抑えることが可能である。
【００４１】
さらに、例えばＲＧＢ各色３つのＬＥＤチップから構成される白色半導体発光装置のように、紫外領域の発光スペクトルを有するＬＥＤチップを含む複数のＬＥＤチップから構成される半導体発光装置に紫外線吸収層を設けることは可能である。この半導体発光装置は、少なくとも紫外領域の発光スペクトルを有するＬＥＤチップの光取出し面と前記封止樹脂との界面に紫外線吸収層を設けることにより、封止樹脂を紫外線吸収樹脂に変更することなく、同様にＵＶによる封止樹脂の劣化を抑えることが可能である。
【００４２】
また、上記実施例では、表面実装型の形態を有する半導体発光装置に適用する例を示したが、その他の形態、例えば、砲弾形等の形態を有する半導体発光装置等に適用することは可能である。
【００４３】
また、上記実施例または変形例では、ＬＥＤチップは、発光領域をマウント側（底面）に対向する上面側に配置する、いわゆるフェースアップでマウントされる例であったが、ＬＥＤチップは、フェースダウン（フリップチップ）でマウントされてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体発光装置の構成を模式的に示すもので、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図。
【図２】本発明の実施例１に係る半導体発光装置の製造工程を模式的に示すもので、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図。
【図３】本発明の実施例１に係る半導体発光装置の図２に続く製造工程を模式的に示すもので、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図。
【図４】本発明の実施例１に係る半導体発光装置の図３に続く製造工程を模式的に示すもので、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図。
【図５】本発明の実施例１に係る半導体発光装置の図４に続く製造工程を模式的に示すもので、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＥ−Ｅ線に沿った断面図。
【図６】本発明の実施例１に係る半導体発光装置の図５に続く製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】本発明の実施例に係る半導体発光装置のＣＩＥ色度を示す図。
【図８】本発明の実施例２に係る半導体発光装置の構成を模式的に示す断面図。
【図９】本発明の実施例３に係る半導体発光装置の構成を模式的に示すもので、図９（ａ）は平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＦ−Ｆ線に沿った断面図。
【図１０】本発明の実施例３に係る半導体発光装置の１製造工程を模式的に示すもので、図１０（ａ）は平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＧ−Ｇ線に沿った断面図。
【符号の説明】
【００４５】
１  ＳＭＤケース
２  青色ＬＥＤチップ
３  黄色ＬＥＤチップ
４  マウント材
５ａ、５ｂ  Ａｕワイア
６、４６  紫外線吸収層
７  封止樹脂
８ａ、８ｂ、１０ａ、１０ｂ  リード
９ａ、９ｂ、１９ａ、１９ｂ  電極
１１  青色
１２  黄色
１３  白色
１４  シアン色
１５  赤色
２２、２３  基板
２６  カップ部
２８、４８  紫外線吸収剤溶液
３２  シアン色ＬＥＤチップ
３３  赤色ＬＥＤチップ
９１、９２、９３  半導体発光装置
【図１】
2006310771.tif 000003
【図２】
2006310771.tif 000004
【図３】
2006310771.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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