(57)【要約】【課題】セラミック体の温度分布を均一化することができる静電チャックを提供すること。【解決手段】発熱体１９は、アルミベース９の貫通孔３３のセラミック体７側の投影領域Ｔを避けるように配置されている。詳しくは、発熱体１９は、円形の投影領域Ｔよりも径方向に１ｍｍ以上広い領域（大投影領域ＤＴ）内を避けるように配置されている。また、発熱体１９は、投影領域Ｔの上下方向では、左右方向に直線状に伸びているが、投影領域Ｔの左右方向では、投影領域Ｔの近傍にて左右対称に（投影領域Ｔ側を凸にして）略Ｕ字状に曲がって、投影領域Ｔと重ならないように配置されている。【選択図】 図３
2006310832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有する金属ベースに対して、前記貫通孔を覆うようにして一体化されるセラミック体を備えるとともに、
前記セラミック体の内部に、吸着用電極と発熱体とを配置した静電チャックにおいて、
前記金属ベースの貫通孔を前記セラミック体側に投影した投影領域と、該投影領域の面積重心を相似の中心として該投影領域を相似比で３倍に拡大するとともに該投影領域内を除いた外側領域と、を区別し、
前記投影領域における単位面積当たりの発熱量を、前記外側領域における単位面積当たりの発熱量の５０％以下とするように、前記発熱体を配置したことを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記投影領域及び外側領域にて、前記発熱体を同じ材料、厚み、幅で形成した場合、
前記投影領域における発熱体の単位面積当たりの面積を、前記外側領域における発熱体の単位面積当たりの面積の５０％以下としたことを特徴とする前記請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
貫通孔を有する金属ベースに対して、前記貫通孔を覆うようにして一体化されるセラミック体を備えるとともに、
前記セラミック体の内部に、吸着用電極と発熱体とを配置した静電チャックにおいて、
前記金属ベースの貫通孔を前記セラミック体側に投影した投影領域を避けて、前記発熱体を配置したことを特徴とする静電チャック。
【請求項４】
前記発熱体を線状に形成する場合に、前記投影領域の近傍にて、前記発熱体を略Ｕ字状に形成するとともに、前記略Ｕ字の凸側を前記投影領域側にしたことを特徴とする前記請求項１〜３のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項５】
前記投影領域から１ｍｍ以上離して、前記発熱体を配置したことを特徴とする前記請求項１〜４のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項６】
前記セラミック体と前記金属ベースとを一体化したことを特徴とする前記請求項１〜５のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項７】
前記セラミック体は、アルミナからなることを特徴とする前記請求項１〜６のいずれかに記載の静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体上ウェハを製造する際に使用される、エッチング装置、イオン注入装置、電子ビーム露光装置などにおいて、半導体ウェハの固定、平面度矯正、搬送用などに用いられる静電チャックに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば半導体製造装置においては、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）を固定してドライエッチング等の加工を行ったり、半導体ウェハを吸着固定して反りを矯正したり、半導体ウェハを吸着して搬送するなどの目的で、静電チャックが使用されている。
【０００３】
この種の静電チャックとしては、吸着用電極が埋設された円盤状のセラミック体と円盤状のアルミベースとを接合して一体化したものが知られている。また、半導体ウェハを加熱する目的で、セラミック体の内部に発熱体が埋設された静電チャックも知られている（特許文献１参照）。
【０００４】
この発熱体を備えた静電チャックとしては、半導体ウェハの加工精度を高めるために、半導体ウェハを加熱する表面における温度分布を均一にすることが要求されている。つまり、半導体ウェハの温度がばらつくと、例えばエッチングの加工精度が悪くなるので、発熱体によって、半導体ウェハ全面に渡って均一に加熱するようにしている。
【特許文献１】特開２００４−７１６４７号公報 （第４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したアルミベースには、例えば図１０に示す様に、吸着用電極Ｐ１や発熱体Ｐ２に電流を流すための端子を設けるためなどに、板厚方向に貫通する貫通孔Ｐ３を設けるが、その貫通孔Ｐ３の部分では、アルミベースＰ４とセラミック体Ｐ５とが直接に接触しないことになるので、不都合が生じることがあった。
【０００６】
つまり、例えばエッチング処理中に、セラミック体Ｐ５の温度を瞬時に変化させる目的で、セラミック体Ｐ５を発熱させて同時にアルミベースＰ４を冷却する方法においては、アルミベースＰ４とセラミック体Ｐ５とが直接に接触しない貫通孔Ｐ３の部分では、発熱体Ｐ２の加熱によってセラミック体Ｐ５の温度が局所的に上昇してしまい、セラミック体Ｐ５の温度分布が悪くなるという問題があった。
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、セラミック体の温度分布を均一化することができる静電チャックを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）請求項１の発明は、貫通孔を有する金属ベースに対して、前記貫通孔を覆うようにして一体化されるセラミック体を備えるとともに、前記セラミック体の内部に、吸着用電極と発熱体とを配置した静電チャックにおいて、前記金属ベースの貫通孔を前記セラミック体側に投影した投影領域と、該投影領域の面積重心を相似の中心として該投影領域を相似比で３倍に拡大するとともに該投影領域内を除いた外側領域と、を区別し、前記投影領域における単位面積当たりの発熱量を、前記外側領域における単位面積当たりの発熱量の５０％以下とするように、前記発熱体を配置したことを特徴とする。
【０００９】
本発明は、静電チャックのセラミック体の構成を示したものであり、このセラミック体は（セラミック体より熱伝導率が大きな）金属ベースと一体にして用いられる。また、この静電チャックは、半導体上ウェハのような処理・加工対象（ワーク）を、静電引力によって吸着し、発熱体によって加熱することができるものである。
【００１０】
特に本発明では、投影領域における単位面積当たりの発熱量を、外側領域における単位面積当たりの発熱量の５０％以下とするように、セラミック体の内部に発熱体が配置されているので、貫通孔に対応した部分（投影領域）のセラミック体の温度が過度に上昇しない。
【００１１】
つまり、例えばエッチング処理中に、セラミック体の温度を瞬時に変化させる目的で、セラミック体を発熱させて同時に金属ベースを冷却する方法を実施する際には、金属ベースとセラミック体とが直接に接触しない貫通孔では、セラミック体の熱が金属ベース側に逃げにくく、よって、貫通孔の投影領域のセラミック体の温度が局所的に上昇し易いが、本発明では、貫通孔の投影領域の発熱量はその外周側の外側領域における発熱量より少ないので、その部分の温度上昇が少ない。
【００１２】
そのため、貫通孔の投影領域におけるセラミック体の温度が局所的に上昇しないので、セラミック体の温度分布（特にセラミック体のワーク側の表面の温度分布）を均一化することができる。それにより、ワーク全体を均一に加熱することができるので、ワークの加工精度等が向上するという効果がある。
【００１３】
ここで、面積重心とは、投影領域を投影方向から見た場合の投影領域の面積の重心のことである。また、例えば貫通孔の投影領域が直径Ｔの円形の場合には、外側領域は中心が同じで直径３Ｔの円から投影領域を除いた円環の領域となる。
【００１４】
尚、金属ベースやセラミック体としては板状のものが挙げられ、貫通孔としては、金属ベースをその厚み方向に貫く貫通孔が挙げられる。また、貫通孔をセラミック体で覆う場合には、貫通孔のセラミック体側の開口部分の全面積を覆うもの又は一部を覆うものが挙げられる。
【００１５】
（２）請求項２の発明は、前記投影領域及び外側領域にて、前記発熱体を同じ材料、厚み、幅で形成した場合、前記投影領域における発熱体の単位面積当たりの面積を、前記外側領域における発熱体の単位面積当たりの面積の５０％以下としたことを特徴とする。
【００１６】
本発明は、投影領域における発熱体と外側領域における発熱体とが、材料や形状が同じ同様な発熱体から形成されている場合を例示したものである。
（３）請求項３の発明は、貫通孔を有する金属ベースに対して、前記貫通孔を覆うようにして一体化されるセラミック体を備えるとともに、前記セラミック体の内部に、吸着用電極と発熱体とを配置した静電チャックにおいて、前記金属ベースの貫通孔を前記セラミック体側に投影した投影領域を避けて、前記発熱体を配置したことを特徴とする。
【００１７】
本発明では、発熱体は、貫通孔をセラミック体側に投影した投影領域を避けるようにして、セラミック体の内部に配置されているので、貫通孔に対応した部分（投影領域）のセラミック体の温度が過度に上昇しない。
【００１８】
上述した様に、セラミック体を発熱させて同時に金属ベースを冷却する方法を実施する際には、金属ベースとセラミック体とが直接に接触しない貫通孔では、セラミック体の熱が金属ベース側に逃げにくく、よって、貫通孔の投影領域のセラミック体の温度が局所的に上昇し易いが、本発明では、貫通孔の投影領域には発熱体が配置されていないので、その部分の温度上昇が少ない。
【００１９】
そのため、セラミック体の温度分布を均一化することができるので、ワーク全体を均一に加熱することができ、よって、ワークの加工精度等が向上するという効果がある。
（４）請求項４の発明は、前記発熱体を線状に形成する場合に、前記投影領域の近傍にて、前記発熱体を略Ｕ字状に形成するとともに、前記略Ｕ字の凸側を前記投影領域側にしたことを特徴とする。
【００２０】
本発明では、投影領域の近くに線状の発熱体を配置する場合に、発熱体を投影領域の近接部分で略Ｕ字状に曲がるように配置する。これによって、投影領域を避けてスポット的にあけるように発熱体を配置することができる。
【００２１】
尚、投影領域を回避するように発熱体を配置する方法としては、例えば通常ならば投影領域上やその近傍を通過するように伸びる発熱体を、その幅方向に寄せて配置することが考えられ、そのときには、（寄せられた状態によっては）寄せられた部分では発熱体が密になって温度が上昇する恐れがあるが、本発明では、そのような恐れはない。
【００２２】
（５）請求項５の発明は、前記投影領域から１ｍｍ以上離して、前記発熱体を配置したことを特徴とする。
本発明では、発熱体は、投影領域から十分に離れて配置されているので、セラミック体の温度分布を確実に均一化することができる。
【００２３】
（６）請求項６の発明は、前記セラミック体と前記金属ベースとを一体化したことを特徴とする。
本発明は、セラミック体と金属ベースとが接合等によって一体化された静電チャックを示している。
【００２４】
（７）請求項７の発明は、前記セラミック体は、アルミナからなることを特徴とする。
本発明は、セラミック体の好ましい材質を例示したものである。尚、アルミナ以外には、窒化アルミニウム、イットリア等を採用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
次に、本発明の最良の形態の例（実施例）について説明する。
【実施例１】
【００２６】
ａ）まず、本実施例の静電チャックの構造について説明する。尚、図１は静電チャックの一部を破断して示す斜視図であり、図２は静電チャックの図１におけるＡ−Ａ断面を示す説明図である。
【００２７】
図１に示す様に、本実施例の静電チャック１は、図１の上方の吸着面（チャック面）３側にて、加熱対象（ワーク）である半導体ウェハ５を吸着できるものであり、（例えば直径３００ｍｍ×厚み３ｍｍの）円盤状のセラミック体７と、（例えば直径３４０ｍｍ×厚み２０ｍｍの）円盤状のアルミ合金製の金属ベース（アルミベース）９とが接合されたものである。
【００２８】
このセラミック体７とアルミベース９とは、（同図上下方向の）互いの主面側にて、つまり、セラミック体７のチャック面３側と反対側の主面（セラミック側接合面）１１にアルミベース９の主面（金属側接合面）１３が相対するようにして、シリコン樹脂により全面にわたって接合されて一体化している。即ち、互いの板厚方向にて積層されるようにして一体化して、板状（円盤状）の静電チャック１が構成されている。
【００２９】
前記セラミック体７は、アルミナ質の焼結体を基体としており、露出する表面側（アルミベース９と反対側）が、前記チャック面３である。
また、セラミック体７の内部には、チャック面３側に、主としてタングステンからなる一対の吸着用電極（静電電極：内部電極）１５、１７が配置されており、アルミベース９側に、主としてタングステンからなる線状の発熱体１９が配置されている。尚、発熱体１９は、（配置された平面の）全面をほぼ均一に覆うように、渦巻き状に形成されている（図４参照）。
【００３０】
一方、前記アルミベース９は、セラミック体７の全体を載置するように、セラミック体７より大径とされており、このアルミベース９には、アルミベース９を冷却するための冷媒流路２１が設けられている。尚、アルミベース９の熱伝導率は、前記セラミック体７の熱伝導率よりも大である。
【００３１】
更に、静電チャック１には、セラミック体７のチャック面３からアルミベース９の裏面（ベース面）２３に到る冷却用ガス流路２５、即ち、静電チャック１の板厚方向に貫通する冷却用ガス流路２５が、６箇所に設けられている。
【００３２】
そして、図２に拡大して示す様に、セラミック体７のアルミベース９側には、アルミベース９側に開口する複数の凹部２７、２９、３１が設けられており、この凹部２７〜３１は、それぞれアルミベース９を厚み方向に貫く複数の貫通孔３３、３５、３７に連通している。また、円柱状の凹部２７〜３１と円柱状の貫通孔３３〜３７は、その中心軸が共通であり、凹部２７〜３１の内径より貫通孔３３〜３７の内径の方が大きく設定されている。
【００３３】
前記凹部２７には、円筒状の内部接続端子３９がメタライズ層４１に接合されており、このメタライズ層４１は、導電パターン４３及びビア４５を介して、（電気的に）発熱体１９の一端に接続されている。尚、発熱体１９の他端に接続される他方の凹部２８（図４参照）も同様に形成されている。
【００３４】
また、前記凹部２９、３１には、円筒状の内部接続端子４７、４９がメタライズ層５１、５３に接合されており、このメタライズ層５１、５３は、ビア４６、４８を介して、（電気的に）内部電極１５、１７に接続されている。
【００３５】
ｂ）次に、本実施例の静電チャック１の要部について説明する。尚、図３（ａ）は静電チャック１の要部（例えば凹部２７近傍）を拡大して示す断面図、図３（ｂ）は貫通孔３３の投影領域を示す説明図であり、図４は発熱体１９のパターンを示す平面図である。
【００３６】
図３（ａ）に示す様に、本実施例では、発熱体１９は、例えばアルミベース９の貫通孔３３の上方（セラミック体７側）の投影領域Ｔを避けるように配置されている。
詳しくは、発熱体１９は、円形の投影領域Ｔよりも径方向に１ｍｍ以上広い領域（大投影領域ＤＴ）内を避けるように配置されている。
【００３７】
また、図３（ｂ）に示す様に、発熱体１９は、投影領域Ｔの（同図における）上下方向では、左右方向に直線状に伸びているが、投影領域Ｔの左右方向では、投影領域Ｔの近傍にて左右対称に（投影領域Ｔ側を凸にして）略Ｕ字状に曲がって、投影領域Ｔと重ならないように配置されている。
【００３８】
従って、この発熱体１９の全体形状は、図４のようになる。つまり、発熱体１９は、中心部分にある（内部電極１５、１７の電気接続用の）一対の凹部２９、３１を避けるように、すなわち、一対の凹部２９、３１に対応した貫通孔３５、３７を避けるように配置されている。
【００３９】
また、左右の（発熱体１９用の電気接続用の）一対の凹部２７、２８を避けるように、すなわち、一対の凹部２７、２８に対応した貫通孔３３、３４を避けるように配置されている。
【００４０】
更に、発熱体１９は、冷却用ガス流路２５も同様に避けるように形成されている。つまり、前記図１に示す様に、冷却用ガス流路２５は、セラミック体７を貫く貫通孔２４と（その貫通孔２４より径が大きく）アルミベース９を貫く貫通孔２６とから構成されているので、径の大きな貫通孔２６の投影領域を避けるように、発熱体１９が配線されている。
【００４１】
ｃ）次に、本実施例の静電チャック１の製造方法について、図５に基づいて説明する。
(1)原料としては、主成分であるアルミナ粉末：９２重量％に、ＭｇＯ：１重量％、ＣａＯ：１重量％、ＳｉＯ2：６重量％を混合して、ボールミルで、５０〜８０時間湿式粉砕した後、脱水乾燥する。
【００４２】
(2)次に、この粉末に、メタクリル酸イソブチルエステル：３重量％、ブチルエステル：３重量％、ニトロセルロース：１重量％、ジオクチルフタレート：０．５重量％を加え、更に溶剤として、トリクロール−エチレン、ｎ−ブタノールを加え、ボールミルで混合して、流動性のあるスラリーとする。
【００４３】
(3)次に、このスラリーを、減圧脱泡後平板状に流し出して徐冷し、溶剤を発散させて、厚さ０．８ｍｍの第１〜第５アルミナグリーンシート５１〜５９を形成する。
この第１〜第５アルミナグリーンシート５１〜５９には、冷却用ガス流路２５を形成するための貫通孔６１〜６９をそれぞれ６箇所に開ける。また、第３〜第５アルミナグリーンシート５５〜５９には、内部電極１５、１７用の凹部２９、３１を形成するための貫通孔７５〜７９をそれぞれ２箇所に開ける。更に、第５アルミナグリーンシート５９には、発熱体１９用の凹部２７、２８を形成するための貫通孔８１を２箇所に開ける。
【００４４】
(4)また、前記アルミナグリーンシート用の原料粉末中にタングステン粉末を混ぜて、前記と同様な方法によりスラリー状にして、メタライズインクとする。
(5)そして、第２アルミナグリーンシート５３上に、前記メタライズインクを用いて、通常のスクリーン印刷法により、両内部電極１５、１７用の（図の斜線で示す）導電パターン７１、７３を印刷する。
【００４５】
(6)また、第４アルミナグリーンシート５７上に、周知のタングステンペーストを用いて、通常のスクリーン印刷法により、（図４に示す様に）発熱体１９の導電パターンを印刷する。
【００４６】
(7)次に、第１〜第５アルミナグリーンシート５１〜５９を、各貫通孔が一致するようにして位置合わせして、熱圧着し、全体の厚みを約５ｍｍとした積層シートを形成する。
尚、内部電極１５、１７及び発熱体１９に関しては、ビア４５、４６、４８により各アルミナグリーンシート５３、５７の裏面に引き出し、必要に応じて導電パターンと接続して、各凹部２７〜３１に露出するようにする。
【００４７】
(8)次に、熱圧着した積層シートを、所定の円板形状（例えば８インチサイズの円板形状）にカットする。
(9)次に、カットしたシートを、還元雰囲気にて、１４００〜１６００℃にて焼成する。この焼成より、寸法が約２０％小さくなるため、焼成後のセラミック体７の厚みは、約４ｍｍとなる。
【００４８】
(10)そして、焼成後に、研磨によって、セラミック体７の全厚みを３ｍｍとするとともに、チャック面３の平面度が３０μｍ以下となる加工する。
(11)次に、凹部２７〜３１に露出する導電パターンやビアにメタライズ層４１、５１、５３を形成し、このメタライズ層４１、５１、５３にニッケルメッキを施す。
【００４９】
(12)次に、内部接続端子３９、４７、４９をロー付け又は半田付けして、セラミック体７を完成する。
(13)一方、上述したセラミック体７の製造工程とは別に、アルミベース９を周知の製造工程にて製造し、前記所定の寸法形状（円盤形状）に加工する。
【００５０】
(14)そして、セラミック体７とアルミベース９とを、シリコン樹脂を用いて接合して一体化する。これにより、静電チャック１が完成する。
ｄ）次に、本実施例の効果について説明する。
【００５１】
本実施例の静電チャック１では、発熱体１９は、貫通孔３３〜３７をセラミック体７側に投影した投影領域Ｔを避けるようにして配置されているので、貫通孔３３〜３７の部分（投影領域Ｔ）におけるセラミック体７の温度が過度に上昇しない。
【００５２】
つまり、例えばエッチング処理中に、セラミック体７の温度を瞬時に変化させる目的で、セラミック体７を発熱させて同時にアルミベース９を冷却する方法を実施する際には、アルミベース９とセラミック体７とが直接に接触しない貫通孔３３〜３７では、セラミック体７の熱がアルミベース９側に逃げにくく、よって、貫通孔３３〜３７の投影領域Ｔのセラミック体７の温度が局所的に上昇し易いが、本実施例では、貫通孔３３〜３７の投影領域Ｔには発熱体１９が配置されていないので、その部分の温度上昇が少ない。
【００５３】
そのため、貫通孔３３〜３７の投影領域Ｔにおけるセラミック体７の温度が局所的に上昇しないので、セラミック体７の温度分布を均一化することができる。それにより、半導体ウェハ５全体を均一に加熱することができるので、半導体ウェハ５の加工精度等が向上するという効果がある。
【００５４】
特に、本実施例では、投影領域Ｔから１ｍｍ以上離して、発熱体１９を配置しているので、発熱体１９を投影領域Ｔから避けて配置した場合に比べて、セラミック体９の温度分布を好適に均一化することができる。
【００５５】
また、本実施例では、投影領域Ｔの近くに線状の発熱体１９を配置するとともに、発熱体１９を投影領域Ｔの近接部分で略Ｕ字状に曲がるように配置している。これによって、発熱体１９を密に配線することなく、投影領域Ｔを避けてスポット的にあけるように発熱体１９を配置することができる。これによって、半導体ウェハ５の温度分布を一層均一化することができる。
【実施例２】
【００５６】
次に、実施例２について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。
図６に示す様に、本実施例の静電チャック１０１は、基本的に前記実施例１と同様な構成であるが、冷却用ガス流路１０３の形状が異なる。
【００５７】
本実施例では、冷却用ガス流路１０３は、セラミック体１０５の厚み方向に伸びる流路１０７、１０９だけではなく、チャック面１１１と並行に伸びる流路（同図左右方向）１１３も備えている。
【００５８】
また、発熱体１１５は、横方向に伸びる冷却用ガス流路１１３の上方に配置され、内部電極１１７、１１９は発熱体１１５より上方に配置されている。
更に、前記冷却用ガス流路１０３のうち、セラミック体１０５を厚み方向に貫く流路１０９は、セラミック体１０５を貫く貫通孔１２１と（その貫通孔１２１より径が大きく）アルミベース１２３を貫く貫通孔１２５とから構成されている。
【００５９】
従って、発熱体１１５は、前記実施例１と同様に、径の大きな貫通孔１２５の投影領域を避けるように配置されている。
尚、図７に示す様に、セラミック体１３１内部で冷却用ガス流路１３３が曲がって、冷却用ガス流路１３３が静電チャック１３５を厚み方向に（直線状に）貫いていない場合も、同様に、アルミベース１３７の貫通孔１３９の上方（セラミック体１３１側）への投影領域を避けるように、発熱体１４１が配置される。
【００６０】
本実施例においても、前記実施例１と同様な効果を奏する。
【実施例３】
【００６１】
次に、実施例３について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。
本実施例の静電チャック１５０は、図８に示す様に、アルミベース１５１の貫通孔１５３に対応する投影領域Ｔ（又は大投影領域ＤＴ）を避けるように、発熱体１５５を配置する。
【００６２】
つまり、発熱体１５５を（他の発熱体１５６に）平行に配置すれば、投影領域Ｔを横断するような場合には、投影領域Ｔを迂回するように、即ち投影領域Ｔに対して凹状となるように発熱体１５５を湾曲する様に曲げて配置する。
【００６３】
これによっても、上述したセラミック体１５７の温度を均一化するという効果が得られる。
【実施例４】
【００６４】
次に、実施例４について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。
図９に示す様に、本実施例の静電チャック１６１は、基本的に前記実施例１と同様な構成であるが、発熱体１６３の形成位置が異なる。
【００６５】
本実施例では、発熱体１６３は、投影領域Ｔの内部にも形成されているが、この発熱体１６３は、投影領域Ｔにおけるセラミック体１６５の温度が過度に上昇しないように設定されている。
【００６６】
具体的には、直径１０ｍｍの円形の投影領域Ｔと、（投影領域Ｔの面積重心を相似の中心として投影領域を相似比で３倍に拡大し且つ投影領域Ｔ内を除いた）外径３０ｍｍの円環の外側領域ＳＴとを分けた場合、投影領域Ｔにおける単位面積当たりの発熱量が外側領域ＳＴにおける単位面積当たりの発熱量の５０％以下（例えば４５％）となるように発熱体１６３が形成されている。
【００６７】
つまり、発熱体１６３は、投影領域Ｔと外側領域ＳＴとにおいて、同じ材料（タングステンにセラミックを数十％添加したもの）、厚み（２０μｍ）、幅（１．５ｍｍ）であるので、投影領域Ｔにおける発熱体１６３の単位面積当たりの面積は外側領域ＳＴにおける発熱体の単位面積当たりの面積の５０％以下（例えば４５％）に設定されている。
【００６８】
本実施例においても、前記実施例１と同様な効果を奏する。
尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【００６９】
（１）例えば本発明は、前記実施例１の様なバイポーラ型の静電チャックに限らず、モノポーラ型の静電チャックにも適用できる。
（２）また、アルミベースに冷媒を流すトンネルを設けたが、それとは別に（又はそれとともに）温媒を流すトンネルを設けてもよい。
【００７０】
（３）更に、前記実施例１では、冷却用ガス流路をリフトピンを挿入する貫通孔として利用したが、リフトピン専用の貫通孔であっても、本発明は適用できる。つまり、リフトピン用の貫通孔も、通常は、セラミック体側の貫通孔の径よりアルミベース側の貫通孔の径が大きいので、アルミベース側の貫通孔の投影領域を避けるように発熱体を配置する。
【００７１】
（４）また、前記実施例１では、１本の渦巻き状の発熱体を形成したが、内側（中心軸）側と外側とに分けて２本以上の発熱体を形成してもよい。例えば内側では前記実施例１と同様な渦巻き状等の内側発熱体を形成し、その内側発熱体の外側（外周側）に、内側発熱体の周囲を回るように、環状又は渦巻き状等の外側発熱体を形成してもよい。これにより、内側発熱体と外側発熱体のＯＮ・ＯＦＦや温度制御を別個に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】実施例１の静電チャックを一部破断して示す斜視図である。
【図２】実施例１の静電チャックのＡ−Ａ断面（縦方向の断面）を示す説明図である。
【図３】実施例１の静電チャックの要部を拡大して示し、（ａ）はその縦断面図であり、（ｂ）は発熱体等の平面の配置を示す説明図である。
【図４】実施例１における発熱体のパターンを示す説明図である。
【図５】実施例１におけるセラミック体を分解して示す説明図である。
【図６】実施例２の静電チャックを一部破断して示す斜視図である。
【図７】他の静電チャックを縦方向に破断して示す断面図である。
【図８】実施例３の静電チャックの要部を拡大して示し、（ａ）は（ｂ）のＢ−Ｂ方向の縦断面図であり、（ｂ）は発熱体等の平面の配置を示す説明図である。
【図９】実施例４の静電チャックにおける発熱体等の平面の配置を示す説明図である。
【図１０】従来技術の説明図である。
【符号の説明】
【００７３】
１、１０１、１３５、１５０、１６１…静電チャック
３…チャック面
５…半導体ウェハ
７、１０５、１３１、１５７、１６５…セラミック体
９、１２３、１３７、１５１…金属ベース（アルミベース）
１５、１７、１１７、１１９…内部電極
１９、１１５、１４１、１５５、１５６、１６３…発熱体
２７、２８、２９、３１…凹部
２４、２６、３３、３５、３７、３４、６１、６３、６５、６７、６９、７５、７７、  ７９、１２１、１２５、１３９、１５３…貫通孔
【図１】
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【図２】
2006310832.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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