(57)【要約】      （修正有）【課題】光学像よりも微細なスペースあるいはホールパターンを形成することができるレジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１０１上に形成された被加工膜１０２上に第１レジスト膜１０３を形成する工程と、第１レジスト膜上に第２レジスト膜を形成しさらにレジストパターン１０５を形成する工程と、レジストパターン上に金属元素または半導体元素を含有するオーバーコート膜を形成する工程と、オーバーコート膜をレジストパターンとの界面から所定距離の部分を溶媒に対して不溶化する工程と、オーバーコート膜の溶媒に可溶な部分を溶媒で除去してオーバーコート膜パターン１０７を形成する工程と、オーバーコート膜パターンを第１レジスト膜に転写して下層レジスト膜パターンを形成する工程と、前記下層レジスト膜パターンを前記被加工膜に転写して被加工膜パターンを形成する工程と、を有する。【選択図】      図５
2006163176.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された被加工膜上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
前記第１のレジスト膜上に第２のレジスト膜を形成する工程と、
前記第２のレジスト膜からレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターン上に金属元素または半導体元素を含有するオーバーコート膜を形成する工程と、
前記オーバーコート膜における前記レジストパターンとの界面から所定距離の部分を所定の溶媒に対して不溶化する工程と、
前記オーバーコート膜の前記溶媒に可溶な部分を前記溶媒で除去してオーバーコート膜パターンを形成する工程と、
前記オーバーコート膜パターンを前記第１のレジスト膜に転写して下層レジスト膜パターンを形成する工程と、
前記下層レジスト膜パターンを前記被加工膜に転写して被加工膜パターンを形成する工程と、
を有するパターン形成方法。
【請求項２】
前記不溶化は、架橋反応によってなされることを特徴する請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記架橋反応は、酸触媒反応により進行することを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記酸触媒反応は、前記レジストパターンから発生した酸により進行することを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記不溶化は、加熱処理を含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記下層レジスト膜パターンは、酸素原子、窒素原子、および塩素原子の何れかを含むソースガスを用いたドライエッチング法を用いて形成されること特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のパターン形成方法により半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造工程におけるパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造方法においては、シリコンウェハ上に複数の物質を堆積し、所望のパターンにパターニングする工程を多く含んでいる。被加工膜のパターニングに当たっては、まず、一般にレジストと呼ばれる感光性物質をウェハ上の被加工膜上に堆積し、レジスト膜を形成し、このレジスト膜の所定の領域に露光を施す。次いで、レジスト膜の露光部または未露光部を現像処理により除去してレジストパターンを形成し、さらにこのレジストパターンをエッチングマスクとして被加工膜をドライエッチングする。
【０００３】
露光光源としては、スループットの観点からＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザなどの紫外光が用いられているが、ＬＳＩの微細化に伴い必要な解像度が波長以下になり、露光量裕度、フォーカス裕度などの露光プロセス裕度が不足してきている。これらのプロセスマージンを補うには、レジストの膜厚を薄くして解像性を向上させることが有効だが、一方で被加工膜のエッチングに必要なレジスト膜厚を確保できなくなるという問題が生じる。
【０００４】
この問題を解決するために、被加工膜上に下層レジスト膜、シリコン含有レジストを順次形成し、シリコン含有レジストにパターン露光を行って形成したレジストパターンを下層レジスト膜に転写するプロセスの検討がなされている。しかしながら、このプロセスでは、レジストパターンに形成される光学像よりも微細なスペースあるいはホールパターンを被加工膜に形成することは不可能である。また、シリコン含有レジストはシリコンを含むため、シリコンを含まないレジストと比べ解像性に劣る。
【０００５】
また、特許文献１には、第一のレジスト開孔側面に第二のレジストを塗布し反応させた後、第二のレジストを除去し小さな開孔にする微細パターン形成方法が開示されている。
【０００６】
特許文献２には、第一のレジストパターンに水溶性樹脂を塗布、酸により架橋反応をさせ、非架橋部分を剥離する微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置が開示されている。
【特許文献１】特許第２７２３２６０号公報
【特許文献２】特許第３０７１４０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、レジストパターンに形成される光学像よりも微細なスペースあるいはホールパターンを形成することができ、かつレジストの膜厚を薄くしても被加工膜の加工が可能なパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態のパターン形成方法は、半導体基板上に形成された被加工膜上に第１のレジスト膜を形成する工程と、前記第１のレジスト膜上に第２のレジスト膜を形成する工程と、前記第２のレジスト膜からレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターン上に金属元素または半導体元素を含有するオーバーコート膜を形成する工程と、前記オーバーコート膜における前記レジストパターンとの界面から所定距離の部分を所定の溶媒に対して不溶化する工程と、前記オーバーコート膜の前記溶媒に可溶な部分を前記溶媒で除去してオーバーコート膜パターンを形成する工程と、前記オーバーコート膜パターンを前記第１のレジスト膜に転写して下層レジスト膜パターンを形成する工程と、前記下層レジスト膜パターンを前記被加工膜に転写して被加工膜パターンを形成する工程と、を有する。
【０００９】
本発明の他の形態の半導体装置の製造方法は、上記パターン形成方法により半導体装置を製造する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、レジストパターンに形成される光学像よりも微細なスペースあるいはホールパターンを形成することができ、かつレジストの膜厚を薄くしても被加工膜の加工が可能なパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態のパターン形成方法を説明する。
【００１２】
図１〜図７は、本実施の形態における半導体装置の製造プロセスであるパターン形成の処理手順を示す断面図である。
【００１３】
まず図１に示すように、図示しない拡散層を含む素子（ＭＯＳトランジスタ）が形成されたウェハ基板（シリコン基板、半導体基板）１０１上に形成された被加工膜１０２上に、必要に応じて下層レジスト膜１０３を形成する。被加工膜１０２は特に限定されることはないが、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、あるいはスピンオングラスやマスクの製造の際に用いられるブランク材などのシリコン系絶縁膜、アモルファスシリコン、ポリシリコン、シリコン基板などのシリコン系材料、アルミニウム、アルミニウムシリサイド、銅、タングステンなどの配線材料などを挙げることができる。
【００１４】
下層レジスト膜１０３の膜厚は、２０〜５０００ｎｍの範囲にあることが好ましい。膜厚が２０ｎｍ未満では、被加工膜１０２のエッチングの途中で下層レジスト膜１０３が削れてなくなってしまい、被加工膜１０２を所望の寸法で加工することが困難になり、５０００ｎｍよりも厚いと、レジストパターンをドライエッチング法でマスク材にパターン転写する際に寸法変換差が顕著に発生するためである。
【００１５】
また、下層レジスト膜１０３の代わりにＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザを光源とする紫外リソグラフィ用の反射防止膜を用いてもよい。例えば、塗布型反射防止膜として、ロームアンドハース社製のＡＲ３，ＡＲ５、ＡＲ１５，ＡＲ１９、ブリューワーサイエンス社製のＤＵＶ１１、ＣＶＤ法、あるいはスパッタ法などで成膜するＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ膜などを挙げることができる。この場合、塗布型反射防止膜の膜厚は２０〜５０００ｎｍの範囲にあることが好ましい。膜厚が２０ｎｍ未満では、被加工膜１０２のエッチングの途中で下層レジスト膜１０３が削れてなくなってしまい、被加工膜１０２を所望の寸法で加工することが困難になり、５０００ｎｍよりも厚いと、レジストパターンをドライエッチング法でマスク材にパターン転写する際に寸法変換差が顕著に発生するためである。
【００１６】
さらに、下層レジスト膜１０３上に反射防止膜を形成してもよい。また、下層レジスト膜、反射防止膜の何れも形成しない場合も、本発明の実施の形態の範囲内である。
【００１７】
次に図２に示すように、下層レジスト膜１０３上にレジスト溶液を塗布して、加熱処理を行い、レジスト膜１０４を形成する。レジスト膜１０４の膜厚を薄くするほど露光時の露光量裕度、フォーカス裕度、解像度を向上させることができる。そのため、レジスト膜１０４の膜厚は、マスク材を寸法制御性よくエッチングできる膜厚であれば薄い方がよく、１０〜１００００ｎｍの範囲が好ましい。
【００１８】
レジストの種類は特に限定されることはなく、目的に応じてポジ型またはネガ型を選択して使用することができる。具体的には、ポジ型レジストとしては、例えばナフトキノンジアジドとノボラック樹脂とからなるレジスト（ＩＸ−７７０、ＪＳＲ株式会社製）、ｔ−ＢＯＣで保護したポリビニルフェノール樹脂と酸発生剤とからなる化学増幅型レジスト（ＡＰＥＸ−Ｅ、ロームアンドハース社製）などが挙げられる。また、ネガ型レジストとしては、例えばポリビニルフェノールとメラミン樹脂および光酸発生剤からなる化学増幅型レジスト（ＳＮＲ２００、ロームアンドハース社製）、ポリビニルフェノールとビスアジド化合物とからなるレジスト（ＲＤ−２０００Ｎ、日立化成社製）、ポリメタクリレート、ポリアクリレートを一部ポリマー骨格に含むレジストなどが挙げられる。これらのレジスト溶液をマスク材上に、例えばスピンコーテング法、ディップ法などで塗布した後、加熱して溶媒を気化させることでレジスト膜１０４を作成する。
【００１９】
露光光源については限定されることはなく、例えば紫外光、Ｘ線、電子ビーム、イオンビームなどの光源が挙げられる。紫外光としては水銀灯のｇ線（波長＝４３６ｎｍ）、ｉ線（波長＝３６５ｎｍ）、あるいはＸｅＦ（波長＝３５１ｎｍ）、ＸｅＣｌ（波長＝３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（波長＝２４８ｎｍ）、ＫｒＣｌ（波長＝２２２ｎｍ）、ＡｒＦ（波長＝１９３ｎｍ）、Ｆ２（波長＝１５７ｎｍ）等のエキシマレーザを挙げることができる。
【００２０】
そして図３に示すように、レジスト膜１０４に対してパターン露光を行った後にＴＭＡＨ、コリンなどのアルカリ現像液で現像処理を行い、レジストパターン１０５を形成する。また必要に応じて、露光を行った場合に生じるレジスト中の多重反射を減少させるために、レジスト膜１０４の上層に上層反射防止膜を形成してもよい。あるいは、電子ビーム露光を行った場合に生じるチャージアップを防ぐために、レジスト膜１０４の上層に上層帯電防止膜を形成してもよい。
【００２１】
次に図４に示すように、酸により架橋する置換基を有する金属元素あるいは半導体元素を有する化合物を有機溶媒に溶解した溶液を、レジストパターン１０５上にスピンコーテング法などを用いて塗布し、オーバーコート膜１０６を形成する。
【００２２】
有機溶媒は特に限定されることはないが、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系溶媒、乳酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等のエステル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパニール等のアルコール系溶媒、その他アニソ―ル、トルエン、キシレン、ナフサなどを挙げることができる。
【００２３】
金属元素あるいは半導体元素の含有量は、薬液の固体成分中、２〜８０重量（ｗｔ）％の範囲が好ましい。２ｗｔ％未満では下層レジスト膜１０３を加工する際に充分なエッチング耐性が得られず、８０ｗｔ％を超えると塗布性が劣化してしまうからである。続いて、オーブンあるいはホットプレートなどを用いて加熱を行って、レジストパターン１０５の
レジスト中に含まれる酸をオーバーコート膜１０６中に一定距離分だけ拡散させ、酸が拡散した部分の置換基を架橋させる（酸触媒反応）。これにより、オーバーコート膜１０６におけるレジストパターン１０５との界面から所定距離の部分が、後述する有機溶媒に対して不溶化される。なお、この加熱工程の前に、必要に応じてエネルギービームをレジストパターン１０５に全面照射して、レジストに含まれる酸発生剤から酸を発生させてもよい。
【００２４】
次に図５に示すように、有機溶媒を用いてオーバーコート膜１０６の架橋していない部分を溶解除去し、オーバーコート膜パターン１０７を形成する。オーバーコート膜パターン１０７は、レジストパターン１０５の表面と外周に一定の厚み分（上記所定距離）だけ付いた状態になる。有機溶媒としては、オーバーコート膜１０６を形成する溶液を調整した際に用いたものと同様のものを用いることができる。オーバーコート膜１０６の架橋部分は架橋によって溶解しにくくなっているので、有機溶媒をオーバーコート膜１０６上に盛ることによって、架橋していない部分、すなわち有機溶媒に可溶な部分を溶解除去することができる。
【００２５】
本実施の形態では、レジストパターン１０５に含まれる酸が熱により一定距離拡散することを利用して、オーバーコート膜１０６をレジストパターン１０５から一定の厚さ分だけ残すことができる。その結果、露光では形成不可能な狭いスペースパターンも形成することができる。
【００２６】
次に図６に示すように、ドライエッチング法を用いてオーバーコート膜パターン１０７を下層レジスト膜１０３に転写し、下層レジスト膜パターン１０８を得る。エッチング方式としては、例えば反応性イオンエッチング、マグネトロン型反応性イオンエッチング、電子ビームイオンエッチング、ＩＣＰエッチング、またはＥＣＲイオンエッチングなどを用いることができ、微細加工が可能なものであれば特に限定されることはない。
【００２７】
ソースガスには、マスク材を異方性良く加工するために、酸素原子、窒素原子、および塩素原子の何れかを含むソースガスを用いることが好ましく、金属元素あるいは半導体元素がこれらのソースガスで生成したエッチャントでエッチングされにくいため、オーバーコート膜パターン１０７のドライエッチング耐性が向上し、下層レジスト膜１０３を異方性良く加工することが可能になる。ソースガスの具体例として、例えば、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、Ｎ２、ＮＨ３、Ｃl２、ＨＣlなどを挙げることができ、これらのガスを混合してもよい。また、ソースガスにＨ２、ＳＯ２などの硫黄を含む分子を添加してもよく、これにより、さらに異方性良く下層レジスト膜１０３を加工することが可能になる。
【００２８】
次に図７に示すように、ドライエッチング法を用いて下層レジスト膜パターン１０８を被加工膜１０２に転写し、被加工膜パターン１０９を形成する。エッチング方式としては、例えば反応性イオンエッチング、マグネトロン型反応性イオンエッチング、電子ビームイオンエッチング、ＩＣＰエッチング、またはＥＣＲイオンエッチングなどを用いることができ、微細加工が可能なものであれば特に限定されることはない。
【００２９】
本実施の形態では、被加工膜１０２のエッチングに必要な膜厚をもった下層レジスト膜１０３にレジストパターンを転写している。その結果、レジストの膜厚が薄く充分な露光マージンを確保できるレジストパターン１０５を形成することができる。また、レジストパターン１０５に含まれる酸が熱により一定距離拡散することを利用して、オーバーコート膜１０６をレジストパターン１０５から一定の厚さ分だけ残すことができる。その結果、レジストパターン１０５よりも微細な被加工膜パターン１０９を形成することができ、露光では形成不可能な狭いスペースパターンも形成することができる。
【００３０】
（第１実施例）
まず、ウェハ基板１０１上に膜厚７００ｎｍのＴＥＯＳ酸化膜（被加工膜１０２）をＬＰＣＶＤ法で成膜した。次に、平均重量分子量１２０００のノボラック樹脂１０ｇを乳酸エチル９０ｇに溶解して調整した溶液を、スピンコーテング法で塗布した後、１８０℃で６０秒間、３００℃で６０秒間のベーキングを行って下層レジスト膜１０３を形成した（図１参照）。
【００３１】
次に、
【化１】
2006163176.tif 000003
【００３２】
記載の平均重量分子量８０００の抑止剤樹脂９ｇと、酸発生剤としてのトリフェニルスルフォネート１ｇとをシクロヘキサノン９０ｇに溶解して調整したレジスト溶液を、スピンコーテング法を用いて下層レジスト膜１０３上に塗布した後、１３０℃で９０秒間のベーキングを行ってレジスト膜１０４を形成した（図２参照）。示差熱分析法で測定したレジスト膜１０４のガラス転移温度は１６５℃である。なお、上記化学式において、ｎ：ｍは組成比を示す。
【００３３】
続いて、ＡｒＦエキシマレーザを用いてパターン露光を行った後、０．２１規定のＴＭＡＨ現像液を用いて現像処理を行って、直径１５０ｎｍのコンタクトホールパターンを形成した（図３参照）。
【００３４】
次に、
【化２】
2006163176.tif 000004
【００３５】
記載の平均重量分子量８０００の有機化合物１０ｇをシクロヘキサノン９０ｇに溶解して調整したオーバーコート膜溶液を、スピンコーテング法を用いてレジストパターン１０５上に塗布した（図４参照）。次に、ホットプレートを用いて１６０℃で９０秒のベーキングを行って、レジストパターン１０５に含まれる酸をオーバーコート膜１０６中に拡散させ、酸が拡散した部分の架橋を進行させた（酸触媒反応）。
【００３６】
次に、シクロヘキサノンをオーバーコート膜１０６上にかけて、オーバーコート膜１０６の架橋していない部分を溶解除去し、直径９０ｎｍのコンタクトホールパターンを形成した（図５参照）。
【００３７】
次に、ドライエッチング装置を用いて、ソースガスの流量がＮ２／Ｏ２＝１０／１００ｓｃｃｍ、真空度１０Ｔｏｒｒ、基板温度２０℃の条件で下層レジスト膜１０３をエッチングして下層レジスト膜パターン１０８を得た（図６参照）。これにより、図６のように下層レジスト膜パターン１０８を異方性良く加工することができた。
【００３８】
次に、ドライエッチング装置を用いて、ソースガスの流量がＣ４Ｆ８／ＣＯ／Ｏ２／Ａｒ＝１０／１０／１０／１００ｓｃｃｍ、真空度１０Ｔｏｒｒ、基板温度２０℃の条件で被加工膜１０２をエッチングして、直径９０ｎｍのコンタクトホールを被加工膜パターン１０９に形成した（図７参照）。
【００３９】
本第１実施例では、オーバーコート膜１０６をレジストパターン１０５表面に一定の厚み分だけ形成しているので、その分、露光では解像できない狭いスペースパターンも解像することができる。また、充分なエッチング選択比を確保しながら、オーバーコート膜パターン１０７をエッチングマスクとして、下層レジスト膜１０８を加工することが可能である。その結果、レジストパターンを、被加工膜１０２のエッチングに必要な膜厚をもった下層レジスト膜１０３に転写することができ、本第１実施例のように露光マージンを得るためレジストパターン１０５のレジストの膜厚を例えば１５０ｎｍと薄くしても、被加工膜１０２の加工を行うことができる。
【００４０】
（第２実施例）
まず、第１実施例と同様にして、ウェハ基板１０１上にＴＥＯＳ酸化膜（被加工膜１０２）、及び下層レジスト膜１０３を形成した（図１参照）。
【００４１】
次に、
【化３】
2006163176.tif 000005
【００４２】
記載の平均重量分子量８０００の抑止剤樹脂９ｇと、
【化４】
2006163176.tif 000006
【００４３】
記載の酸発生剤１ｇとをシクロヘキサノン９０ｇに溶解して調整したレジスト溶液を、スピンコーテング法を用いて下層レジスト膜１０３上に塗布した後、１３０℃で９０秒間のベーキングを行ってレジスト膜１０４を形成した（図２参照）。なお、上記化学式において、ｎ：ｍは組成比を示す。
【００４４】
続いて、ＫｒＦエキシマレーザを用いてパターン露光を行った後、０．２１規定のＴＭＡＨ現像液を用いて現像処理を行って、直径１５０ｎｍのコンタクトホールパターンを形成した（図３参照）。
【００４５】
次に、エキシマランプから取り出した波長領域２４０−２６０ｎｍの深紫外光をレジストパターン１０５に照射して、レジストパターン１０５に含まれる酸発生剤から酸を発生させた。次に、第１実施例と同様にレジストパターン１０５上にオーバーコート膜１０６を形成した（図４参照）。次に、第１実施例と同様にレジストパターン１０５から酸を拡散させ、レジストパターン１０５から一定距離分だけオーバーコート膜１０６を架橋させた（酸触媒反応）。
【００４６】
次に、第１実施例と同様にシクロヘキサノンをオーバーコート膜１０６上にかけて、オーバーコート膜１０６の架橋していない部分を溶解除去し、直径９０ｎｍのコンタクトホールパターンを形成した（図５参照）。
【００４７】
次に、第１実施例と同様に下層レジスト膜１０３をエッチングして下層レジスト膜パターン１０８を得た（図６参照）。これにより、図６のように下層レジスト膜パターン１０８を異方性良く加工することができた。
【００４８】
次に、第１実施例と同様に被加工膜１０２をエッチングして直径９０ｎｍのコンタクトホールを被加工膜１０２に形成することができた（図７参照）。
【００４９】
本第２実施例では、オーバーコート膜１０６をレジストパターン１０５表面に一定の厚み分だけ形成しているので、その分、露光では解像できない狭いスペースパターンも解像することができる。また、充分なエッチング選択比を確保しながら、オーバーコート膜パターン１０７をエッチングマスクとして、下層レジスト膜１０８を加工することが可能である。その結果、レジストパターンを、被加工膜１０２のエッチングに必要な膜厚をもった下層レジスト膜１０３に転写することができ、本第２実施例のように露光マージンを得るためレジストパターン１０５のレジストの膜厚を例えば１５０ｎｍと薄くしても、被加工膜１０２の加工を行うことができる。
【００５０】
なお、本発明は上記実施の形態のみに限定されず、要旨を変更しない範囲で適宜変形して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本実施の形態における半導体装置の製造プロセスであるパターン形成の処理手順を示す断面図。
【図２】本実施の形態における半導体装置の製造プロセスであるパターン形成の処理手順を示す断面図。
【図３】本実施の形態における半導体装置の製造プロセスであるパターン形成の処理手順を示す断面図。
【図４】本実施の形態における半導体装置の製造プロセスであるパターン形成の処理手順を示す断面図。
【図５】本実施の形態における半導体装置の製造プロセスであるパターン形成の処理手順を示す断面図。
【図６】本実施の形態における半導体装置の製造プロセスであるパターン形成の処理手順を示す断面図。
【図７】本実施の形態における半導体装置の製造プロセスであるパターン形成の処理手順を示す断面図。
【符号の説明】
【００５２】
１０１…ウェハ基板、１０２…被加工膜、１０３…下層レジスト膜、１０４…レジスト膜、１０５…レジストパターン、１０６…オーバーコート膜、１０７…オーバーコート膜パターン、１０８…下層レジスト膜パターン、１０９…被加工膜パターン
【図１】
2006163176.tif 000007
【図２】
2006163176.tif 000008
【図３】
2006163176.tif 000009
【図４】
2006163176.tif 000010
【図５】
2006163176.tif 000011
【図６】
2006163176.tif 000012
【図７】
2006163176.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成18年2月27日(2006.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
記載の平均重量分子量８０００の抑止剤樹脂９ｇと、
【化４】
2006163176.tif 000014