(57)【要約】【課題】  設計データをデータ変換して得られる描画データに工夫を施すことにより、データ変換時に細かな補正処理を行ったり、描画データにより正確に描画処理時間を計算することを可能にする。【解決手段】  電子ビーム描画によりレジストパターンの形成を行うための可変成形ビーム（ＶＳＢ）方式及びキャラクタプロジェクション（ＣＰ）方式の電子ビーム描画において、電子ビーム描画データとして、描画を行う際の最小単位であるＶＳＢショット、或いはＣＰショットの集合で表される描画パターンデータと、キャラクタパターン形状の開口を有する成形アパーチャ（ＣＰアパーチャ）の、各開口のＩＤ及び開口位置を記述したＣＰアパーチャデータで構成し、この描画データに基づいて電子ビーム描画装置によりレジストパターンへのパターンの描画を行う。【選択図】      図２
2006310392.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変成形ビーム（ＶＳＢ）とキャラクタビーム（ＣＰ）を用いて試料上のレジストにパターンを描画する電子ビーム描画方法であって、
描画を行う際の成形ビームの単位であるＶＳＢショット及び繰り返しパターンの基本となるＣＰショットの集合で表される描画パターンデータと、ＶＳＢショット用の開口及びＣＰショット用の開口を有する成形アパーチャ（ＣＰアパーチャ）に関する各開口の識別番号（ＩＤ）及び開口位置を記述したＣＰアパーチャデータと、により構成される電子ビーム描画データを用意する工程と、
前記電子ビーム描画データを電子ビーム描画装置に入力する工程と、
前記電子ビーム描画装置により、前記電子ビーム描画データを該データに定義された各ショットのデータに展開し、展開した各ショットの照射時間を決定すると共にショット位置を補正し、ショットデータに対応した制御信号の出力を行うことにより、所望のパターンのショットを繰り返してレジストへのパターンの描画を行う工程と、
を含むことを特徴とする電子ビーム描画方法。
【請求項２】
前記描画パターンデータは、描画を行う順にショットデータが記述され、
各ショットデータは、ＣＰショットを行う際に使用するＣＰアパーチャ上の開口のＩＤと、ＣＰアパーチャ上の開口に照射する矩形電子ビーム大きさと、そのショットにおける照射量の補正係数と、試料上への電子ビームの照射位置と、を含むことを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画方法。
【請求項３】
前記ＣＰアパーチャデータは、使用するＣＰアパーチャに形成されている各開口の情報が、開口毎に一行ずつで構成されたアスキーデータであり、
各開口の情報として、開口に対応するキャラクタパターンのＩＤと、開口のＣＰアパーチャ上の位置と、開口がＣＰショットを行うのに有効であるか無効であるかを示したフラグと、パターンをショットするときの照射量補正係数と、を含むことを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画方法。
【請求項４】
前記電子ビーム描画データは、ＣＰ方式でショットを行うキャラクタパターンをＶＳＢ方式でショットした場合のショットデータを、各キャラクタパターンについて記述したＣＰパターンデータを含み、
前記フラグによりＣＰショットを行うのに無効であると設定されたキャラクタパターンに対し、該パターンに対応するＶＳＢショットデータをＣＰパターンデータより取得し、取得したＶＳＢショットデータをＣＰショットの試料上への照射位置を相対座標の原点として展開し、展開されたショットデータに基づいて前記パターンの描画を行うことを特徴とする請求項３記載の電子ビーム描画方法。
【請求項５】
請求項１乃至５の何れかに記載の電子ビーム描画方法を実施するための電子ビーム描画装置であって、
電子ビームのブランキング、偏向、及び試料載置のステージを制御する機能を備えた電子ビーム描画装置本体と、
前記電子ビーム描画データを入力し、該データに定義された各ショットデータに展開するパターンデータ展開回路と、
展開した各ショットデータに対して照射時間を決定する照射時間決定回路と、
展開した各パターンデータに対して各ショットの位置を補正する位置補正回路と、
を具備してなることを特徴とする電子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微小な成形ビームを繰り返し露光することにより半導体デバイスの回路パターンを露光する電子ビーム直接描画技術に係わり、特に可変成形ビーム（ＶＳＢ）とキャラクタビーム（ＣＰ）を用いてパターンを描画する電子ビーム描画方法及び電子ビーム描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビームリソグラフィ、特に電子ビーム直接描画技術は、生産するデバイス回路パターンを半導体基板上のレジストに焼き付ける際に、回路パターンの原盤となるマスクをデバイス毎に作製する必要がない。さらに、光露光の光源に較べると電子ビームの波長は非常に短く、微細なパターンを形成することが可能である。そのため、低コスト並びにＱＴＡＴ（Quick Turn Aroud Time）の試作品や微細な先端デバイスの研究開発などに適用されている。
【０００３】
このような電子ビームリソグラフィでは、露光を行う回路パターンを露光の単位となる基本図形に分解し、各基本図形と同じ形状及び大きさの電子ビームを、複数の成形アパーチャを用いて成形し、順次、レジスト上に照射していく。この一度ずつの電子ビームの照射のことをショットと呼ぶ。電子ビームの成形方法には、
・基本図形として、矩形，三角形，及び台形のパターンを入力し、二枚のアパーチャの重なり量を制御して矩形及び三角形の電子ビームを成形する可変成形ビーム方式（Variable Shaped Beam：ＶＳＢ）
・成形アパーチャに基本図形の形状の開口を用意し、基本図形として開口の形状と同じパターンが入力されたときに電子ビームを偏向し、成形アパーチャの対応する開口を通過するようにして電子ビームの断面形状を基本形状に成形するキャラクタプロジェクション方式（Character Projection：ＣＰ）
の二種類がある。ＣＰ方式を採用する電子ビーム描画装置では、成形アパーチャに用意された基本形状（キャラクタと呼ぶ）以外に、ＶＳＢ方式でのビームの成形を行えることが一般的である。キャラクタ形状の開口を備える成形アパーチャはＣＰアパーチャと呼ばれ、電子ビームの偏向により選択することが可能なキャラクタ開口の数は、数個〜数百個である装置が一般的である。
【０００４】
従来の電子ビーム描画装置は、電子銃，各種偏向系，各種レンズ系，及びステージ系などを備えた電子ビーム描画装置本体と、図７に示すような、描画データから電子ビーム描画装置の偏向系やステージ系を制御するための信号を出力する描画制御回路７０とから構成されている。
【０００５】
描画制御回路７０では、基本図形によって表されている描画データ中の各パターンデータを、パターンデータ展開回路７１内に展開し、照射量補正回路７２により近接効果補正に代表されるような照射量補正を行い、ＶＳＢ方式のショットについては、成形できる電子ビームの形状及び大きさに、ショット分割回路７３により更にショット分割を行う。これらショットに分割されたパターン毎に、照射時間決定回路７４により電子ビームの照射時間を決定し、ショット位置補正回路７５により試料上への照射位置の補正を行う。そして、ブランキング，電子ビーム偏向系，及びステージの各制御部に信号を出力する。
【０００６】
ここで、照射位置の補正は、ステージ制御部で描画を行っている間のステージの位置を測定し、それを制御回路７０にフィードバックすることにより、下地パターンへのパターンずれの補正や、電子ビームの偏向による歪みなどを補正すべく偏向系に与える信号を補正することにより行われる。
【０００７】
しかしながら、この種の電子ビーム描画装置にあっては次のような問題があった。即ち、描画処理を行うときに描画データを描画制御回路に入力してパターン展開処理するまでは、所望のパターンの描画を行うのに必要な電子ビームショット数が分からない。また、各ショットの照射量も描画処理を開始するまで確認できない。そのため、描画処理に先立って、描画処理にかかる時間を知ることができず、実際に描画してその描画処理時間を確認するか、描画データを用いてソフトウェア的に描画時間をシミュレーションして推測する必要があった。
【０００８】
これらの方法により描画処理時間を確認することは、本来は必要としない描画処理を行ったり、描画時に主にハードウェア（制御回路）で行われる処理を事前にソフトウェアにより行うなど、時間を余分にかけることになる。このことは、半導体製造プロセスにおける電子ビーム描画によるリソグラフィ工程の正味の処理時間（Row Process Time：ＲＰＴ）を長くしてしまう要因となる。
【０００９】
また、描画制御回路内で生成される各ショットデータが正しいものであるかを確認することもできず、ショットパターンに対して照射量の補正などを、きめ細かく行うことは困難であった。
【特許文献１】特開平１０−２８４３８５号公報
【特許文献２】特登録２５１２１８４
【特許文献３】特登録２５２６３２６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このように従来、ＶＳＢ方式とＣＰ方式を併用する電子ビーム描画装置にあっては、描画処理に先立って描画処理時間を確認するには、本来は必要としない描画処理を行ったり、描画時に主にハードウェア（制御回路）で行われる処理を事前にソフトウェアにより行うなどの処理が必要となり、半導体製造プロセスにおける電子ビーム描画によるＲＰＴが長くなる問題があった。また、ショットパターンに対して、照射量の補正などをきめ細かく行うことはできないという問題があった。
【００１１】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、設計データをデータ変換して得られる電子ビーム描画データに工夫を施すことにより、データ変換時に細かな補正処理を行ったり、描画データにより正確に描画処理時間を計算することが可能となる電子ビーム描画方法及び電子ビーム描画装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。
【００１３】
即ち、本発明の一態様は、可変成形ビーム（ＶＳＢ）とキャラクタビーム（ＣＰ）を用いて試料上のレジストにパターンを描画する電子ビーム描画方法であって、描画を行う際の成形ビームの単位であるＶＳＢショット及び繰り返しパターンの基本となるＣＰショットの集合で表される描画パターンデータと、ＶＳＢショット用の開口及びＣＰショット用の開口を有する成形アパーチャ（ＣＰアパーチャ）に関する各開口の識別番号（ＩＤ）及び開口位置を記述したＣＰアパーチャデータと、により構成される電子ビーム描画データを用意する工程と、前記電子ビーム描画データを電子ビーム描画装置に入力する工程と、前記電子ビーム描画装置により、前記電子ビーム描画データを該データに定義された各ショットのデータに展開し、展開した各ショットの照射時間を決定すると共にショット位置を補正し、ショットデータに対応した制御信号の出力を行うことにより、所望のパターンのショットを繰り返してレジストへのパターンの描画を行う工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の別の一態様は、上記の電子ビーム描画方法を実施するための電子ビーム描画装置であって、電子ビームのブランキング，偏向，及び試料載置のステージを制御する機能を備えた電子ビーム描画装置本体と、前記電子ビーム描画データを入力し、該データに定義された各ショットデータに展開するパターンデータ展開回路と、展開した各ショットデータに対して照射時間を決定する照射時間決定回路と、展開した各パターンデータに対して各ショットの位置を補正する位置補正回路と、を具備してなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、データ変換により出力され、描画制御回路に入力される電子ビーム描画データを、基本図形ではなく実際に描画を行う際の成形ビームの単位、即ちＶＳＢショット及びＣＰショットの単位のショットデータにより構成することにより、データ変換時に細かな補正処理を行ったり、描画データにより正確に描画処理時間を計算することが可能となる。従って、パターン描画精度の向上及びＲＰＴの短縮をはかることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００１７】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わる電子ビーム描画装置を示す概略構成図である。
【００１８】
図中１０は電子ビーム描画装置本体であり、この描画装置本体１０は、電子ビームを発生する電子銃１１、電子ビームをオン・オフ制御するブランキング電極１２，電子ビームを成形する成形アパーチャ１３，電子ビームを偏向走査する偏向電極１４，半導体ウェハ等の試料を載置してＸ方向及びＹ方向に移動可能な試料ステージ１５などから構成されている。この電子ビーム描画装置は、可変成形ビーム（ＶＳＢ）とキャラクタビーム（ＣＰ）を用いて試料上のレジストにパターンを描画する方式である。
【００１９】
また、図中の２０はＣＡＤシステム等で作成されたレイアウトデータから電子ビーム描画データを作成するためのデータ変換システム、３０は電子ビーム描画データを基に描画を制御する描画制御回路、４１は電子ビーム各ショットの照射のタイミング及び照射時間を制御するブランキング制御部、４２は電子ビーム各ショットの形状及び試料上への照射位置を制御する偏向系制御部、４３はステージ１４の位置及び移動を制御するステージ制御部である。
【００２０】
電子ビーム描画装置における描画の制御は、所望のパターンを描画するために描画制御回路３０に入力された電子ビーム描画データに従って、ブランキング制御部４１，偏向系制御部４２，及びステージ制御部４３等の各制御部に必要な信号を出力する動作を、全パターンのショットを終了するまで繰り返し行う。
【００２１】
電子ビーム描画データは、描画に先立って、データ変換システム２０を利用して、描画を行うパターンのレイアウトデータ（一般的にはGDSII STREAM データ）から変換して生成される。この描画データは、電子ビーム描画装置、即ち描画制御回路３０に入力可能なデータ形式で表されており、描画を行うパターンは、ＶＳＢショット及びＣＰショットのパターンによって表されている。
【００２２】
描画制御回路３０は、図２に示すように、電子ビーム描画データをショットデータに展開するパターンデータ展開回路３１，展開した各パターンデータに対して各ショットの照射時間を決定する照射時間決定回路３２、展開した各パターンデータに対して各ショットの位置を補正するショット位置補正回路３３などから構成されている。
【００２３】
従来装置と異なる点は、描画制御回路３０に入力される電子ビーム描画データを、基本図形ではなく実際に描画を行う際の成形ビームの単位、即ちＶＳＢショット及びＣＰショットの単位のショットデータにより構成することによって、照射量補正回路やショット分割回路を不要にしたことにある。
【００２４】
次に、本実施形態に用いた電子ビーム描画データの構成について更に詳細に説明する。
【００２５】
本実施形態では、レイアウトデータから電子ビーム描画データに変換を行うデータ変換システム２０において、ＶＳＢショットを行うパターンのＶＳＢショットへのパターン分割を行う。
【００２６】
図３に、本実施形態における電子ビーム描画データ内のショットデータ（描画パターンデータ）の構成を示す。ＣＰショットを行うパターンについては、使用するＣＰアパーチャに対して一意に決まっているキャラクタＩＤと対応付けて、ショットデータにそのＩＤを記述する。これらのショットデータには、各ショット毎に照射量の補正係数が記述されている。この照射量補正計数は、データ変換の際に、周囲のパターンとの位置関係による近接効果補正、ＶＳＢショットパターンの大きさ、及びＣＰショットパターンのパターン面積により、電子ビームのクーロン効果を補正するため、各ショットに適正な値が書き込まれる。実際の照射量は、描画時に指定される基準照射量にこの補正係数を乗じた値となり、ショット毎にブランキング制御部４１に与える信号を調整することにより、照射時間が制御されて所望の照射量となる。
【００２７】
即ち、各ショットデータは、少なくとも、
・ＣＰアパーチャに対するキャラクタＩＤ
・ＣＰアパーチャの対応するキャラクタ開口に照射する矩形ビームの大きさ（Ｓｘ，Ｓｙ）
・照射量補正係数（Ｄ）
・試料上への照射位置（Ｐｘ，Ｐｙ）
で構成され、ショットを行う順番に記述されている。ショットデータには、他にも、電子ビームの偏向領域の最後のショットであることを示すフラグや、同じショットが繰り返される場合に、繰り返し回数や繰り返しピッチなどの情報が付加されている場合もある。
【００２８】
電子ビーム描画データは、図３の描画パターンデータと、図４に示すようなＣＰアパーチャデータから構成される。ＣＰアパーチャデータは、各キャラクタのＩＤとＣＰアパーチャとの対応を、１キャラクタにつき１行で示したアスキーデータである。ＣＰアパーチャデータの各行には、キャラクタＩＤを先頭に、
・そのキャラクタのＣＰアパーチャ上の位置（Ｃｘ，Ｃｙ）
・そのキャラクタがＣＰショットとして有効か無効かを示すフラグ（Ｆｃｐ）
・そのキャラクタをショットするときの照射量補正係数（Ｄ）
・コメントとして自由記入な部分（備考）
が記述されている。
【００２９】
この例では、図５に示すようなＣＰアパーチャを仮定して、キャラクタＩＤには、ＶＳＢ用のビーム成形開口を矩形開口と４種類の三角形ビーム成形用ＶＳＢ開口として０〜４を割り当て、ＣＰ用の開口としては１０以降のＩＤを割り当てている。ＣＰアパーチャ上の各開口の位置（Ｃｘ，Ｃｙ）は、図５に座標軸Ｃｘ及びＣｙで示されるように、開口の配置位置をＸＹ座標で表している。
【００３０】
ＣＰショット有効・無効フラグには、全開口について“１”が指定されている。“１”が指定されていると、そのキャラクタはＣＰショットとして有効であることを示しており、“０”が指定されていたら、そのキャラクタ開口をＣＰショットとして使用することはできず、ＶＳＢでショットすることを意味する。データ変換のときには、描画時に使用するＣＰアパーチャを想定して、このＣＰアパーチャデータを参照し、ＣＰとして使用できないキャラクタ形状のパターンはＶＳＢでショットするパターンに割り当てる。
【００３１】
照射量補正係数はＶＳＢの行では数値を書かずに変換中に計算することを意味しており、ＣＰの行には、そのＣＰショットの際に照射量の補正係数として使用する実数値が書かれている。備考欄には、この例では、そのキャラクタがどのようなパターンからなっているのかを記述している。
【００３２】
本実施形態で用いた電子ビーム描画データは、少なくとも、図３に示すようなパターンデータと、図４に示すようなＣＰアパーチャデータにより構成されるが、電子ビーム描画の際の電子ビームの偏向領域、及びステージの移動中に描画を行える領域毎にパターンデータを分けている場合、パターンデータ中に描画領域の指定が含まれる場合もある。但し、ＣＰ方式でのショットを使用せず、ＶＳＢ方式のみでショットを行う描画データに対しても、ＶＳＢ用開口についての情報を持っているＣＰアパーチャデータが指定されている。
【００３３】
このように本実施形態に示したような電子ビーム描画データを使用することにより、従来は描画制御回路に描画データを入力して各種の演算処理を行うことによって確認できた描画に必要なショット数が、データ変換の際に確認することができる。また、各ショットに対して、照射量の補正係数が指定されており、電子ビーム描画データの検証により、指定されている照射量が適正なものであるかを確認できる。さらには、適正でないショットがある場合は、描画データ中の照射量補正係数を書き換えることが可能である。
【００３４】
以上説明したように本実施形態による描画データを使用することにより、所望のパターンを描画するのに必要な電子ビームのショット数、及びそれら各ショットの照射量補正係数が分かる。これにより、描画処理にかかる時間を正確に見積もることができる。
【００３５】
また、本実施形態のような描画データを処理するための描画制御回路３０には、前記図７に示した照射量補正回路やショット分割回路は不要となり、制御回路の構成要素を減らすことができ、図に示すような簡易な構成を採用することが可能となる。そのため、描画装置のコストダウン、及び省スペース化を図ることが可能となる。
【００３６】
さらに、描画処理時には、従来行っていたような、照射量補正計算が不要となり、描画データの入力後の待ち時間をなくすことができ、描画処理時間を短縮することができる。そのため、適正な照射量が指定できているかという描画データの検証を事前に行うこと、更にショット分割についてもパターンの分割位置が適正か、制御回路内でのショット分割処理によりショットがなくなるようなこともないため、この検証作業に要する時間も、描画による確認を必要としない。その結果、ＲＰＴを短縮することが可能となる。そして、描画前にショットデータの確認ができるため、描画パターンの寸法精度及び位置精度を高めることも可能となる。
【００３７】
（第２の実施形態）
本実施形態では、電子ビーム描画データとして、第１の実施形態に示したような描画パターンデータとＣＰアパーチャデータに加えて、ＣＰパターンデータをも含める場合について、その描画データの構成と、その描画データを使った場合の描画方法について説明する。
【００３８】
ＣＰパターンデータは、電子ビーム描画データ中でＣＰでショットするパターンを、ＶＳＢでショットした場合のＶＳＢショットデータで表したものである。その構成は、図６に例と共に示したように、
・各キャラクタパターンのＩＤ（ＣＰＩＤ）
・そのキャラクタパターンをＶＳＢショットのデータ数（ＶＳＢでのショット数）
・図３と同様の形式でのＶＳＢショットデータをＶＳＢショット分で表したキャラクタパターンのＶＳＢショットデータを、使用するＣＰアパーチャに搭載されているキャラクタ数分繰り返したものである。
【００３９】
図６の例では、ＣＰＩＤ１００と１０１の二つのキャラクタパターンのＶＳＢショットデータを記述している。それぞれ、キャラクタパターンをＶＳＢショットに分割した場合のＶＳＢショットデータを、キャラクタパターンの外接矩形の左下の頂点を原点とした場合の相対座標で記述している。
【００４０】
ＣＰパターンデータを含む電子ビーム描画データで構成されるパターンでは、ＣＰアパーチャデータのＣＰショット有効・無効フラグが、データ変換により描画データを生成した時点では１（有効）であったキャラクタが、実際に描画を行う際には０（無効）である場合、ＣＰ方式でショットを行うことはできない。そこで本実施形態では、そのキャラクタパターンをＶＳＢショットに展開して描画を行うことが可能となる。
【００４１】
この場合、前記図２の描画制御回路３０内のパターンデータ展開回路３１は、パターンデータ内のショットデータのＩＤを取得し、ＣＰアパーチャデータの対応するＩＤのキャラクタのＣＰショット有効・無効フラグを調べる。そして、フラグが１であれば、そのままＣＰでショットを行うべく、ＣＰアパーチャデータに示されているＣＰアパーチャ上のキャラクタ開口の位置（Ｃｘ，Ｃｙ）を取得する。フラグが０であれば、ＣＰパターンデータのＣＰＩＤのＶＳＢショットデータを取得し、パターンデータ内のショットデータのショット位置（Ｐｘ，Ｐｙ）に対して、ＣＰパターンデータ内のＶＳＢショットデータの相対ショット位置を加算して、複数のＶＳＢショットデータを生成する。
【００４２】
描画制御回路３０は上記の操作を行い、ＣＰショット或いはＶＳＢショットの動作を行う。
【００４３】
本実施形態に示したような、電子ビーム描画データにＣＰパターンデータを含め、描画制御回路３０内で、パターン展開回路３１がＣＰショットの有効・無効を参照して、無効な場合はＣＰパターンデータからＶＳＢショットデータを取得して、ＶＳＢショットデータに展開する描画方法では、ＣＰアパーチャに搭載されているキャラクタ開口が有効であるか無効であるかにより、それぞれの描画データを生成する必要がない。そのため、同じＣＰアパーチャを使用する限り、条件が変わる度にデータ変換を実行し直す必要がない。もしも、描画データを生成し直す場合であっても、データ変換を初めからやり直す必要はなく、描画データを読み込み、ＣＰショットが不能となったショットデータをＶＳＢショットデータに展開するだけで、新しい描画データを作成することができる。
【００４４】
また、このように、ＶＳＢでショットされるパターンであっても、描画データ内ではＣＰショットとして扱われるため、描画データ内では複数のＶＳＢショットを１回分のＣＰショットとして記述される。そのため、描画データのデータサイズを、必要以上に大きくなることが抑制される。
【００４５】
前述のような、初めはＣＰショットできるものとしてデータ変換により電子ビーム描画データを生成したが、描画時にはＣＰではショットできない、というような場面は、同じＣＰアパーチャを繰り返し使い続けたときに、ＣＰアパーチャが局部的に汚れ、キャラクタ開口が部分的にふさがった場合などが想定される。このように、特定のキャラクタ開口が使用不能になった場合、更にそのようなＣＰアパーチャを洗浄することによって、使用不可能だったキャラクタ開口が使用可能となった場合など、データ変換を何度も繰り返す必要がなく、一つの描画データを使用し続け、ＣＰアパーチャデータを修正するだけで正しく所望のパターンを描画することができる。
【００４６】
この描画方法をさらに拡張すると、複数のＣＰアパーチャのＣＰアパーチャデータを仮想的な一つのＣＰアパーチャにまとめたようなＣＰアパーチャデータを使用して電子ビーム描画データを作成し、描画するときに使用するＣＰアパーチャデータに従って、他のＣＰアパーチャのキャラクタ開口を使用不能とすることによっても、正しく描画を行うことが可能である。即ち、複数ＣＰアパーチャ対応の電子ビーム描画データを生成でき、ＣＰアパーチャが変わっても、同じ描画データをそのまま使用することができる。従って、同じパターンデータを複数個保有しておく必要がなく、描画データを保存しておくハードディスクや光ディスクなどのメディアの無駄を削減することができる。
【００４７】
以上説明したように本実施形態によれば、描画制御回路に入力する電子ビーム描画データを、描画を行うパターンをＶＳＢショット及びＣＰショットに分割したパターンで構成する。そして、各ショットデータには、各ショットの試料上への照射量或いは照射量の補正係数を含めることにより、制御回路の構成を簡略にすることができる。さらに、従来制御回路内で行っていた各種演算時間をも省略することができる。
【００４８】
このような描画データは、ソフトウェアにより構成されるデータ変換システムにより生成される。そのため、前記各ショットの照射量の決定を、データ変換の際のパラメータにより、細かく設定することが可能なり、さらに、ショット分割の結果も事前に検証できるため、描画時のショット抜けなどを防ぐことができ、高精度のパターン描画を行うことが可能となる。
【００４９】
また、描画データにＣＰパターンデータを含めることにより、ＣＰアパーチャ上のキャラクタ開口の使用可能か不可能かに応じて、描画データを生成し直すことなく、所望のパターンを描画することが可能となる。これにより、データ変換による描画データの生成を何度も行う必要がない。さらに、同じパターンの描画データをいくつも保有しておく必要がないため、描画データの保存に必要なコンピュータ資源の増加を抑制することも可能となる。
【００５０】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。電子ビーム描画装置本体の構成は前記図１に何ら限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。実施形態では、可変成形ビーム（ＶＳＢ）とキャラクタビーム（ＣＰ）の両方を用いて試料上のレジストにパターンを描画する電子ビーム描画について説明したが、可変成形ビーム（ＶＳＢ）とキャラクタビーム（ＣＰ）の何れか一方を用いて描画を行う描画方法に適用することも可能である。
【００５１】
実施形態では、ＣＰアパーチャデータのフラグによりＣＰショットが無効に設定されている場合は、ＶＳＢでショットするパターンに割り当てるようにしたが、予め電子ビーム描画データを変更しておくことも可能である。即ち、電子ビーム描画装置に電子ビーム描画データを入力する前に、ＣＰアパーチャデータのフラグによりＣＰショットが無効に設定されているＣＰショットデータを検出し、検出されたＣＰショットデータを基に、ＣＰパターンデータ内の対応するＣＰパターンのＶＳＢショットデータを取得する。そして、ＣＰショットの試料上への照射位置を相対座標の原点としてＶＳＢショットデータに展開し、該ＣＰショットデータがＶＳＢショットデータに展開された描画パターンデータを新たに生成する。そして、新たに生成した描画パターンデータとＣＰアパーチャデータ、及びＣＰパターンデータにより構成される新たな電子ビーム描画データを電子ビーム描画装置に入力するようにすればよい。
【００５２】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】第１の実施形態に係わる電子ビーム描画装置を示す概略構成図。
【図２】第１の実施形態の電子ビーム描画装置に用いた描画制御回路の構成を示すブロック図。
【図３】第１の実施形態における描画データ内のショットデータの構成を示す図。
【図４】第１の実施形態における描画データ内のＣＰアパーチャデータの構成を示す図。
【図５】図４のＣＰアパーチャデータに対応するＣＰアパーチャレイアウト例を示す図。
【図６】第２の実施形態における描画データ内のＣＰパターンショットデータの構成を示す図。
【図７】従来の電子ビーム描画装置に用いられる描画制御回路の構成を示すブロック図。
【符号の説明】
【００５４】
１０…電子ビーム描画装置本体
１１…電子銃
１２…ブランキング電極
１３…成形アパーチャ
１４…偏向電極
１５…試料ステージ
２０……データ変換システム
３０…描画制御回路
３１…ブランキング制御部
３２…偏向系制御部
３３…ステージ制御部
４１…ブランキング制御部
４２…偏向系制御部
４３…ステージ制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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