(57)【要約】      （修正有）【課題】非金属材料による基板全体を容易にかつ低コストで封止できる電子部品の封止方法を提供する。【解決手段】電子部品１０を搭載した非金属材料基板を、金型１３に直接接触しないようにこの金型１３のキャビティ１３ａ内に設置し、樹脂によるモールド成型を行なう。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を搭載した非金属材料基板を、金型に直接接触しないように該金型のキャビティ内に設置し、樹脂によるモールド成型を行なうことを特徴とする電子部品の封止方法。
【請求項２】
前記非金属材料基板の外周部に緩衝部材を設け、該非金属材料基板を該緩衝部材を介して前記金型で挟むことにより前記キャビティ内に設置することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記モールド成型の後、前記非金属材料基板の外周部及び前記緩衝部材を切り離すことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記緩衝部材が、樹脂材料からなることを特徴とする請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記非金属材料基板の前記電子部品搭載面とは反対側の面に、該非金属材料基板より大きなサイズの補助基板を固着し、該補助基板の外周部を前記金型で挟むことにより前記キャビティ内に設置することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記モールド成型の後、前記補助基板を前記非金属材料基板から取り外すことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記補助基板が、金属材料板又は樹脂材料板であることを特徴とする請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記非金属材料基板が、樹脂基板、セラミック基板、ガラスエポキシ基板又はガラス基板であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装部品（ＳＭＤ）等の電子部品が実装されている基板を樹脂封止する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを樹脂封止する技術として、半導体チップとボンディングしたリードフレームを金型にセットし、流動性を持たせた樹脂をこの金型に流し込むことによってモールドするトランスファモールド法等のモールド成型法が良く知られている（例えば特許文献１及び２）。
【０００３】
半導体チップの場合、リードフレームは金属材料であるからこれを金型で挟み込んでセットしても、損傷を受けることはない。これに対して、半導体チップではなく、例えばＳＭＤ等の電子部品を搭載したセラミック基板やガラスエポキシ基板の場合、モールド成型しようとすると、このセラミック基板やガラスエポキシ基板が金型に挟まれてセットされることから基板自体に損傷が生じてしまう。
【０００４】
このため、セラミック基板やガラスエポキシ基板に対しては、モールド成型法を用いず、液状の樹脂を局所的にコーティング又はモールディングするポッティング方式で封止することが行われている（例えば特許文献３）。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−３２６５９１号公報
【特許文献２】特開平６−０２１１２４号公報
【特許文献３】再表０１／０６１７５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ポッティング法による封止は、液状の樹脂を使用するため、流動性調整が非常に難しいことから、生産性を高めることが困難である。また、製造コストが高く、さらに、基板全体を封止することができないという問題点を有している。
【０００７】
従って本発明は、従来技術の上述の問題点を解消しようとするものであり、その目的は、非金属材料による基板全体を容易にかつ低コストで封止できる電子部品の封止方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、電子部品を搭載した非金属材料基板を、金型に直接接触しないようにこの金型のキャビティ内に設置し、樹脂によるモールド成型を行なう電子部品の封止方法が提供される。
【０００９】
非金属材料基板が金型に直接接触しないように金型内にセットしてモールド成型を行なっているため、この基板に損傷を与えることなくモールド成型法の利点等を得ることができる。即ち、基板全体を容易にかつ低コストで封止することができ、しかも信頼性の高い封止が可能となる。
【００１０】
非金属材料基板の外周部に緩衝部材を設け、非金属材料基板を、緩衝部材を介して金型で挟むことによりキャビティ内に設置することが好ましい。
【００１１】
この場合、モールド成型の後、非金属材料基板の外周部及び緩衝部材が切り離される。
【００１２】
緩衝部材が、樹脂材料からなることが好ましい。
【００１３】
非金属材料基板の電子部品搭載面とは反対側の面に、非金属材料基板より大きなサイズの補助基板を固着し、補助基板の外周部を金型で挟むことによりキャビティ内に設置することも好ましい。
【００１４】
この場合、モールド成型の後、補助基板が非金属材料基板から取り外される。
【００１５】
補助基板が、金属材料板又は樹脂材料板であることが好ましい。
【００１６】
非金属材料基板が、樹脂基板、セラミック基板、ガラスエポキシ基板又はガラス基板であることも好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、非金属材料基板に損傷を与えることなく、基板全体を容易にかつ低コストで封止することができ、しかも信頼性の高い封止が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は本発明の一実施形態として、トランスファモールド法を用いた封止工程の一例を概略的に示す断面図であり、図２はこの実施形態において、緩衝テープを貼り付けた状態のセラミック基板の平面図である。
【００１９】
まず、図１（Ａ）の断面図及び図２の平面図に示すように、ＳＭＤ等の電子部品１０を表面に実装し、裏面に外部電極端子等を形成した非金属材料基板、例えばセラミック基板１１の外周部の表裏両面に、緩衝部材として、例えばフッ素樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料による緩衝テープ１２を貼り付ける。緩衝テープを貼り付ける代わりに、同様の機能を有する部材を貼り付けるか又は膜として形成しても良い。
【００２０】
次いで、図１（Ｂ）に示すように、セラミック基板１１を金型１３のキャビティ１３ａ内にセットする。この場合、金型１３がこの緩衝テープ１２を介してセラミック基板１１の外周部を上下から間接的に挟み込むようにセットする。この場合、高圧でトランスファされる熱可塑性樹脂が金型１３とセラミック基板１１との間の隙間から流れでないような密封構造を構成する。また、その熱可塑性樹脂がセラミック基板１１の裏面に回りこむ構成の場合は、例えばフッ素樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂による被覆体１４を裏面に貼り付けておく。
【００２１】
次いで、図１（Ｃ）に示すように、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱可塑性樹脂によるトランスファモールド成型を行って、モールド樹脂１５を形成する。具体的には、予備加熱した樹脂タブレットを金型１３に投入してプランジャ１６で加圧し、流動樹脂をキャビティ１３ａ内にトランスファした後、熱硬化させる。
【００２２】
次いで、図１（Ｄ）に示すように、金型１３を取り外し、その後、図１（Ｅ）に示すように、緩衝テープ１２が除去されるように、モールド樹脂１５及びセラミック基板１１の外周部を切断する。
【００２３】
このように本実施形態によれば、セラミック基板１１が金型１３に直接接触しないように、セラミック基板１１の外周部の表裏両面に緩衝テープ１２が貼り付けられ、この緩衝テープ１２を介して金型１３がセラミック基板１１を支持しているため、この基板１１に損傷を与えることなく、基板全体を容易にかつ低コストで封止することができ、しかも信頼性の高い封止が可能となる。
【００２４】
なお、非金属材料基板としては、セラミック基板の他に樹脂基板、ガラスエポキシ基板又はガラス基板が適用可能である。
【００２５】
図３は本発明の他の実施形態として、トランスファモールド法を用いた封止工程の一例を概略的に示す断面図であり、図４はこの実施形態において、補助基板を貼り付けた状態のセラミック基板の平面図である。
【００２６】
まず、図３（Ａ）の断面図及び図４の平面図に示すように、ＳＭＤ等の電子部品３０を表面に実装し、裏面に外部電極端子等を形成した非金属材料基板、例えばセラミック基板３１の裏面に、このセラミック基板３１より大きいサイズの補助基板３２、例えば金属材料板又は樹脂材料板、を貼り付ける。
【００２７】
次いで、図３（Ｂ）に示すように、補助基板３２付きのセラミック基板３１を金型３３のキャビティ３３ａ内にセットする。この場合、金型３３が、セラミック基板３１に接触せずに補助基板３２の外周部を上下から挟み込むようにセットする。
【００２８】
次いで、図３（Ｃ）に示すように、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱可塑性樹脂によるトランスファモールド成型を行って、モールド樹脂３５を形成する。具体的には、予備加熱した樹脂タブレットを金型３３に投入してプランジャ３６で加圧し、流動樹脂をキャビティ３３ａ内にトランスファした後、熱硬化させる。
【００２９】
次いで、図３（Ｄ）に示すように、金型３３を取り外し、その後、図３（Ｅ）に示すように、補助基板３２を取り外す。
【００３０】
このように本実施形態によれば、セラミック基板３１が金型３３に直接接触しないように、セラミック基板３１の裏面にこのセラミック基板３１よりサイズの大きい補助基板３２が貼り付けられ、この補助基板３２を金型３３が挟んでいるため、このセラミック基板３１に損傷を与えることなく、基板全体を容易にかつ低コストで封止することができ、しかも信頼性の高い封止が可能となる。
【００３１】
なお、非金属材料基板としては、セラミック基板の他に樹脂基板、ガラスエポキシ基板又はガラス基板が適用可能である。
【００３２】
なお、本発明のモールド成型法としては、上述したトランスファモールド法以外にも例えばインジェクションモールド法等を用いても良いことは明らかである。
【００３３】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態として、トランスファモールド法を用いた封止工程の一例を概略的に示す断面図である。
【図２】図１の実施形態において、緩衝テープを貼り付けた状態のセラミック基板の平面図である。
【図３】本発明の他の実施形態として、トランスファモールド法を用いた封止工程の一例を概略的に示す断面図である。
【図４】図３の実施形態において、補助基板を貼り付けた状態のセラミック基板の平面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０、３０  電子部品
１１、３１  セラミック基板
１２  緩衝テープ
１３、３３  金型
１３ａ、３３ａ  キャビティ
１４  被覆体
１５、３５  モールド樹脂
１６、３６  プランジャ
３２  補助基板
【図１】
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【図２】
2006216750.tif 000004
【図３】
2006216750.tif 000005
【図４】
2006216750.tif 000006