(57)【要約】【課題】  磁気記録再生装置において回路動作に影響を及ぼすことなく再生ヘッドを保護する。【解決手段】  磁気記録再生装置１００は、図示されない磁気ディスクに情報を書き込み、あるいは読み出すハードディスク装置であって、再生ヘッド１０、記録ヘッド１２、磁気ヘッド駆動回路２００を含む。磁気ヘッド駆動回路２００は、再生ヘッド１０および記録ヘッド１２を駆動制御するための回路であって、再生ヘッド１０、記録ヘッド駆動回路１６、制御部１８、可変インピーダンス素子２０が一体集積化されている。この磁気ヘッド駆動回路２００は、再生動作時にはリードモードに、記録動作時にはライトモードに時分割的に切り替えられる。制御部１８は、ライトモード時に可変インピーダンス素子２０のインピーダンスを低下させる。【選択図】  図１
2006120269.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生ヘッド素子の両端に接続されるべき第１、第２端子と、
前記第１、第２端子間に、前記再生ヘッド素子と並列に接続される可変インピーダンス素子と、
前記可変インピーダンス素子のインピーダンスを制御する制御部と、
を備え、前記制御部は、記録動作中に前記可変インピーダンス素子のインピーダンスを低減させることを特徴とする磁気ヘッド駆動回路。
【請求項２】
前記可変インピーダンス素子の記録動作中のインピーダンスは、前記再生ヘッド素子のインピーダンスと同程度もしくはそれ以下に設定されることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド駆動回路。
【請求項３】
前記可変インピーダンス素子は、ＭＯＳトランジスタであって、ドレイン、ソースがそれぞれ前記第１、第２端子に接続され、ゲートが前記制御部に接続されることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド駆動回路。
【請求項４】
前記可変インピーダンス素子は、
ドレイン、ソースがそれぞれ前記第１、第２端子に接続され、ゲートが前記制御部に接続されたＰ型ＭＯＳトランジスタと、
ソース、ドレインがそれぞれ前記第１、第２端子に接続され、ゲートが前記制御部に接続されたＮ型ＭＯＳトランジスタと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド駆動回路。
【請求項５】
再生ヘッド素子の両端に接続されるべき第１、第２端子と、
前記第１、第２端子間に、前記再生ヘッド素子と並列に接続される電圧クランプ素子と、
を備え、記録動作中に前記再生ヘッド素子に印加される電圧が所定の電圧以下となるように前記電圧クランプ素子を作動させることを特徴とする磁気ヘッド駆動回路。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の磁気ヘッド駆動回路を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項７】
磁気記録媒体にデータを記録、再生する磁気記録再生装置において、記録動作中に再生ヘッド素子の両端間のインピーダンスを低下させることを特徴とする再生ヘッド保護方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体にデータを記録、再生する磁気記録再生装置に関し、特にその再生ヘッドの保護技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の内部に使用される記録媒体としてハードディスクに代表される磁気記録再生装置が多く用いられている。このような磁気記録再生装置においては、磁気記録されたデータを再生するヘッドにＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子が用いられる。ＭＲ素子は、磁束の変化により抵抗値が変化するため、所定のバイアス電流を流した状態で両端の電圧を測定することによって、磁気記録媒体に記録された情報を電圧に変換して読み出すことができる。
【０００３】
このようなＭＲ素子は耐圧が低く、静電気などのノイズに対して非常に弱いことが知られている（特許文献１）。一方、磁気記録再生装置の容量の増大にともなって、ＭＲ素子としては高密度化が可能なＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子や、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子などが用いられるようになっているが、これらの素子はさらに耐圧が低くなっておりその保護技術は重要な課題となっている。
【０００４】
【特許文献１】特開平６−１７６５５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のＭＲ素子を備える磁気記録再生装置においては、次のような課題がある。
図６は、一般的な磁気記録再生装置のヘッド周辺部の構成を示している。図６に示すように、磁気記録再生装置１００には、再生ヘッド１０と記録ヘッド１２が設けられており、それぞれのヘッドに対してバイアスを供給する磁気ヘッド駆動回路２００を備えている。磁気ヘッド駆動回路２００は、再生ヘッド駆動回路１４および記録ヘッド駆動回路１６を含んでおり、これらは一体集積化されている。
【０００６】
再生ヘッド１０および記録ヘッド１２は磁気記録媒体であるディスクに近接して設けられる一方、磁気ヘッド駆動回路２００はヘッドから離れた位置に設けられる場合が多く、その間は４本の配線Ｒｘ，Ｒｙ，Ｗｘ、Ｗｙで引き回されることになる。これらの配線は数ｃｍの距離を互いに近接して引き回されるため、配線間の寄生容量は無視できないものとなる。
【０００７】
ここで磁気記録再生装置１００が記録動作を行う場合、記録ヘッド駆動回路１６は、記録ヘッド１２に流す書き込み電流を高速にスイッチングするが、この書き込み電流は、上述の配線間の寄生容量を介して、再生ヘッド１０側の配線Ｒｘ、Ｒｙへとクロストークする。その結果、再生ヘッド１０の両端の電圧は、記録動作時の書き込み電流のスイッチングに合わせて変動することになるため、再生ヘッド１０の寿命、信頼性に影響を及ぼすおそれがある。
【０００８】
ここで、再生ヘッド１０を保護するために、記録動作時に再生ヘッド１０に定電流を供給する定電流源を接地し、再生ヘッド１０の両端の電位を固定する方法が考えられる。しかしながら、この方法では、再生動作に移行する際に、定電流源を復帰させるのに時間がかかってしまい、高速な記録、再生が妨げられるという問題があった。また、高速復帰させるための回路を設けた場合、回路の規模が大きくなってしまう。
【０００９】
本発明はかかる課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、磁気記録再生装置において回路動作に影響を及ぼすことなく再生ヘッドを保護するための技術の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のある態様は磁気ヘッド駆動回路に関する。この磁気ヘッド駆動回路は、再生ヘッド素子の両端に接続されるべき第１、第２端子と、第１、第２端子間に、再生ヘッド素子と並列に接続される可変インピーダンス素子と、可変インピーダンス素子のインピーダンスを制御する制御部と、を備える。制御部は、記録動作中に可変インピーダンス素子のインピーダンスを低減させる。
【００１１】
この態様によれば、磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッド駆動回路において、記録動作中に再生ヘッド素子と並列に設けられた可変インピーダンス素子のインピーダンスを下げることによって、第１、第２端子間の実効的な抵抗値を下げることができ、再生ヘッド素子に印加される電圧を下げることにって再生ヘッド素子を保護することができる。
【００１２】
可変インピーダンス素子の記録動作中のインピーダンスは、再生ヘッド素子のインピーダンスと同程度もしくはそれ以下に設定されてもよい。
【００１３】
可変インピーダンス素子は、ＭＯＳトランジスタであって、ドレイン、ソースがそれぞれ第１、第２端子に接続され、ゲートが制御部に接続されてもよい。
制御部によって、記録動作時にＭＯＳトランジスタのゲートソース間電圧をしきい値電圧より大きくすることによってトランジスタをオンすることができ、第１、第２端子間には、トランジスタのオン抵抗に相当する抵抗が挿入されることになる。その結果、記録動作時に再生ヘッド素子に流れる電流の一部は、ＭＯＳトランジスタに流れることになるため、再生ヘッド素子を保護することができる。また、ＭＯＳトランジスタのオフ時の抵抗値は非常に高いため、再生動作時に回路に及ぼす影響を低減することができる。
【００１４】
可変インピーダンス素子は、ドレイン、ソースがそれぞれ第１、第２端子に接続され、ゲートが制御部に接続されたＰ型ＭＯＳトランジスタと、ソース、ドレインがそれぞれ第１、第２端子に接続され、ゲートが制御部に接続されたＮ型ＭＯＳトランジスタと、を含んでもよい。
第１、第２端子間にＰ型ＭＯＳトランジスタとＮ型ＭＯＳトランジスタを並列に接続することによって、第１、第２端子がどの電位に設定された場合においても、すくなくとも一方のＭＯＳトランジスタはオンさせることができるため、より確実に再生ヘッド素子の保護を図ることができる。
【００１５】
本発明のさらに別の態様は、磁気ヘッド駆動回路である。この磁気ヘッド駆動回路は、再生ヘッド素子の両端に接続されるべき第１、第２端子と、第１、第２端子間に、再生ヘッド素子と並列に接続される電圧クランプ素子と、を備え、記録動作中に再生ヘッド素子に印加される電圧が所定の電圧以下となるように電圧クランプ素子を作動させる。
【００１６】
この態様によれば、記録動作中に記録ヘッドに供給される電流信号がクロストークによって再生ヘッド側に混入した場合においても、再生ヘッド素子には所定の電圧を超す電圧が印加するのを防ぐことにより再生ヘッド素子を保護することができる。
【００１７】
本発明の別の態様は、磁気記録再生装置である。この装置は、上述の磁気ヘッド駆動回路を備える。
【００１８】
本発明のさらに別の態様は、再生ヘッド保護方法である。この再生ヘッド保護方法は、保護方法磁気記録媒体にデータを記録、再生する磁気記録再生装置において、記録動作中に再生ヘッド素子の両端のインピーダンスを低下させる。
【００１９】
この態様によれば、記録動作中に、再生ヘッド側にクロストークなどに起因する電流が流れても、インピーダンスが低いため再生ヘッド素子の両端の電圧降下を小さく抑えることができ、再生ヘッド素子を保護することができる。
【００２０】
なお、以上の構成要素の任意の組合せや本発明の構成要素や表現を方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係るヘッド駆動回路、磁気記録再生装置および再生ヘッド保護方法によれば、磁気記録再生装置において回路動作に影響を及ぼすことなく再生ヘッドを保護することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、実施の形態に係る磁気記録再生装置１００の構成を示す回路図である。この磁気記録再生装置１００は、図示されない磁気ディスクに情報を書き込み、あるいは読み出すハードディスク装置であって、再生ヘッド１０、記録ヘッド１２、磁気ヘッド駆動回路２００を含む。
【００２３】
この磁気記録再生装置１００において、記録ヘッド１２にはコイルが装着されており、高速回転する磁気ディスクに近接して配置されている。この記録ヘッド１２のコイルに記録すべき情報に対応した信号電流を流すと、誘導磁界が発生し、磁気ギャップから漏れ出る磁束によって磁気ディスクが磁化されて情報が書き込まれる。
再生ヘッド１０は、磁束に応じて抵抗値が変化するＭＲ素子を含んでおり、書き込まれた情報に対応して磁化された磁気ディスクから発生する磁束によってその抵抗値が変化するため、磁気信号を電気信号に変換して読み出すことができる。
【００２４】
磁気ヘッド駆動回路２００は、再生ヘッド１０および記録ヘッド１２を駆動制御するための回路であって、再生ヘッド駆動回路１４、記録ヘッド駆動回路１６、制御部１８、可変インピーダンス素子２０が一体集積化されている。この磁気ヘッド駆動回路２００は、再生動作時にはリードモードに、記録動作時にはライトモードに時分割的に切り替えられる。
【００２５】
記録ヘッド駆動回路１６は、書き込み配線Ｗｘ、Ｗｙによって記録ヘッド１２と接続されている。記録ヘッド駆動回路１６は、ライトモード時にアクティブとなり、磁気ディスクに書き込む情報に応じて記録ヘッド１２に流す電流を制御している。
【００２６】
再生ヘッド駆動回路１４の入出力端子に相当する第１端子１０２および第２端子１０４は、読み込み配線Ｒｘ、Ｒｙによって再生ヘッド１０と接続されている。再生ヘッド駆動回路１４は、リードモード時にアクティブとなり、再生ヘッド１０に対して一定のバイアス電流Ｉｂｉａｓを供給する。再生ヘッドのＭＲ素子の抵抗値は磁気ディスクの磁束に依存して変化し、その抵抗値をＲｍｒと書けば、再生ヘッド１０の両端の電圧降下Ｖｍｒは、Ｖｍｒ＝Ｒｍｒ×Ｉｂｉａｓで与えられる。通常、ＭＲ素子の抵抗値は数十Ω程度であり、数ｍＡのバイアス電流を流すことによって０．１Ｖから１Ｖ程度の電圧降下を得ることができる。再生ヘッド駆動回路１４は、再生ヘッド１０の電圧降下、すなわち第１端子１０２および第２端子１０４間の電圧を差動増幅することによって磁気ディスクに書き込まれた情報を電気信号として取り出す。
【００２７】
読み込み配線Ｒｘ、Ｒｙおよび書き込み配線Ｗｘ、Ｗｙは、磁気ヘッド駆動回路２００から再生ヘッド１０および記録ヘッド１２までの間をＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）上に平行に敷設されている。したがって、各配線間には図示しない寄生容量が存在することになる。
【００２８】
可変インピーダンス素子２０は、第１端子１０２および第２端子１０４間に設けられており、制御部１８から入力される制御信号Ｖｃｎｔに応じてそのインピーダンスが変化する。制御部１８は、可変インピーダンス素子２０に対して制御信号Ｖｃｎｔを出力し、リードモードにおいてそれぞれ可変インピーダンス素子２０のインピーダンスを高く設定し、ライトモードにおいて可変インピーダンス素子２０のインピーダンスを低く設定する。
【００２９】
図２は、可変インピーダンス素子２０の構成を示す回路図である。ライトモード時における第１端子１０２および第２端子１０４の電圧をそれぞれＶｘ、Ｖｙとすると、Ｖｘ−Ｖｙ＝Ｖｍｒが成り立っている。
図２において、可変インピーダンス素子２０はＮ型のＭＯＳトランジスタによって構成されている。このＭＯＳトランジスタは、ドレインおよびソースがそれぞれ第１端子１０２および第２端子１０４に接続されており、ゲートには制御部１８から出力される制御信号Ｖｃｎｔが入力されている。
【００３０】
制御部１８は、制御信号Ｖｃｎｔとして、ライトモードにおいてはハイレベルを出力し、リードモードにおいてはローレベルを出力する。制御信号Ｖｃｎｔとしてハイレベルが出力され、Ｖｃｎｔ−Ｖｙ＞Ｖｔとなると可変インピーダンス素子２０であるＭＯＳトランジスタがオンする。ここでＶｔはＭＯＳトランジスタのゲートソースしきい値電圧である。
ＭＯＳトランジスタのゲート長およびゲート幅は、ドレインソース間のオン抵抗Ｒｏｎが第１端子１０２および第２端子１０４間に接続される再生ヘッド１０の抵抗値Ｒｍｒと同程度もしくはそれ以下となるように設定する。
【００３１】
図２の可変インピーダンス素子２０はＰ型のＭＯＳトランジスタによって構成してもよい。この場合、ソースおよびドレインをそれぞれ第１端子１０２および第２端子１０４に接続する。制御部１８からは、制御信号Ｖｃｎｔとしてライトモードにおいてはローレベルを出力し、リードモードにおいてはハイレベルを出力する。制御信号Ｖｃｎｔとしてローレベルが出力され、Ｖｘ−Ｖｃｎｔ＞Ｖｔとなると可変インピーダンス素子２０であるＭＯＳトランジスタがオンする。
【００３２】
以上のように構成された磁気ヘッド駆動回路２００および磁気記録再生装置１００の動作について説明する。本発明の効果をより明確にするため、はじめに可変インピーダンス素子２０を動作させない場合について説明する。図３は、可変インピーダンス素子２０を動作させない場合のライトモード時の各配線Ｒｘ、Ｒｙ、Ｗｘ、Ｗｙの信号波形を示す。
【００３３】
図３において横軸は時間を、縦軸は電流、電圧を表している。縦軸、横軸のスケールは見やすさのために必要に応じて拡大、縮小しているため、実際のスケールとは異なっている。
ライトモードにおいては、磁気ディスクに書き込むデータに応じて向きが反転された電流が記録ヘッド１２に流される。したがって、書き込み配線Ｗｘ、Ｗｙに現れる信号は、図３に示すように電流の向きに応じて変化する時間波形となる。
【００３４】
一方、ライトモードにおいて、再生ヘッド駆動回路１４から再生ヘッド１０に対して一定のバイアス電流Ｉｂが読み込み配線Ｒｘ、Ｒｙを介して供給されている。ライトモードにおいては、再生ヘッド１０は磁気ディスクから磁界の影響を受けないため、再生ヘッド１０の抵抗値Ｒｍｒは一定値となる。従って、読み込み配線Ｒｘ、Ｒｙの電圧波形Ｖｘ、Ｖｙはいずれも一定値をとるはずである。
【００３５】
しかしながら、上述のように読み込み配線Ｒｘ、Ｒｙおよび書き込み配線Ｗｘ、Ｗｙは近接して設けられるため、配線間の寄生容量によって書き込み配線Ｗｘ、Ｗｙの信号成分は、寄生容量を介して読み込み配線Ｒｘ、Ｒｙにカップリングすることになる。その結果、図３に示すように、読み込み配線Ｒｘ、Ｒｙにはそれぞれ書き込み配線Ｗｘを伝搬する信号成分が現れることになる。ここで、各配線間の寄生容量はその距離に反比例するため、書き込み配線Ｗｘよりも近い読み込み配線Ｒｙの方が信号成分が大きく現れ、逆に遠い読み込み配線Ｒｘには振幅が小さくなって現れることになる。
【００３６】
第１端子１０２および第２端子１０４間の電圧Ｖｍｒは、図３に示すように、バイアス電流Ｉｂによる直流成分Ｉｂ×Ｒｍｒと、図中ΔＶで示される配線間のクロストークによって発生した信号成分の合計で与えられることになる。この第１端子１０２および第２端子間の電圧Ｖｍｒは、再生ヘッド１０に印加されることになる。図３に破線で示す電圧Ｖｔｈが、再生ヘッド１０の耐圧と仮定すれば、配線間のクロストークによって大きな信号がカップリングした場合には、再生ヘッド１０のＭＲ素子の耐圧を超えるような電圧が発生することになり、再生ヘッド１０の信頼性に影響を与えるおそれがある。
【００３７】
再生ヘッド１０を保護するために、図１および図２に示す本実施の形態に係る磁気記録再生装置１００においては、可変インピーダンス素子２０を用いて再生ヘッド１０に印加される電圧を抑制する。以下、その動作について説明する。
【００３８】
リードモードにおいては、制御部１８は制御信号Ｖｃｎｔとしてローレベルを出力するため、可変インピーダンス素子２０であるＭＯＳトランジスタはオフしている。このときのＭＯＳトランジスタのドレインソース間のインピーダンスは、再生ヘッド１０のインピーダンスに対して数桁大きいため、読み込み時にはその影響を無視することができる。
【００３９】
リードモードからライトモードに切り替わると、制御部１８は制御信号Ｖｃｎｔをハイレベルに切り替える。その結果、可変インピーダンス素子２０であるＭＯＳトランジスタがオンし、ドレインソース間のインピーダンスはオン抵抗Ｒｏｎとなる。その結果、図２において第１端子１０２および第２端子１０４には抵抗値Ｒｏｎの素子が接続されることになる。すなわち、ライトモード時においては、第１端子１０２および第２端子１０４間のインピーダンスＺｒは、Ｚｒ＝Ｒｍｒ×Ｒｏｎ／（Ｒｍｒ＋Ｒｏｎ）となる。ここで、ＭＯＳトランジスタのオン抵抗Ｒｏｎを例えば再生ヘッド１０のインピーダンスＲｍｒと等しいとすると、第１端子１０２および第２端子１０４間のインピーダンスＺｒは、Ｚｒ＝Ｒｍｒ／２となり、可変インピーダンス素子２０を設けない場合の１／２倍となる。
【００４０】
図４は、本実施の形態に係る磁気記録再生装置１００において、可変インピーダンス素子２０を動作させた場合のライトモード時の各配線Ｒｘ、Ｒｙ、Ｗｘ、Ｗｙの信号波形を示す。
読み込み配線Ｒｘ、Ｒｙの電圧Ｖｘ、Ｖｙには、図３の場合と同様に書き込み配線Ｗｘ、Ｗｙからの信号のカップリングが存在し、その信号成分が現れている。
ここで、読み込み配線Ｒｘ、Ｒｙ間の電位差に着目する。上述のように、ライトモードにおいては、第１端子１０２、第２端子１０４間のインピーダンスは、可変インピーダンス素子２０を動作させない場合の１／２となっている。そのため、第１端子１０２および第２端子１０４間、すなわち再生ヘッド１０の両端に印加される電圧Ｖｍｒの直流成分は、Ｖｍｒ＝Ｉｂ×Ｚｒ＝Ｉｂ×Ｒｍｒ／２となり、これは、図３に示す可変インピーダンス素子２０を設けない場合の１／２となる。
【００４１】
さらに、第１端子１０２、第２端子１０４間のインピーダンスが低くなっているため、書き込み配線Ｗｘ、Ｗｙから読み込み配線ＲｘおよびＲｙにそれぞれカップリングする信号成分の振幅ΔＶｘ、ΔＶｙは同程度となる。このとき、再生ヘッド１０の両端に印加される電圧Ｖｍｒのうち、配線間のクロストークによって発生する信号成分ΔＶの振幅も小さくなる。
【００４２】
この結果、第１端子１０２および第２端子１０４間の電位差Ｖｍｒは、破線で示す再生ヘッド１０の耐圧Ｖｔｈよりも低くなるため、書き込み配線Ｗｘ、Ｗｙから読み込み配線Ｒｘ、Ｒｙに対して配線間のクロストークによって大きな信号がカップリングした場合においても、再生ヘッド１０のＭＲ素子の耐圧を超えるような電圧が発生することを防止することができ、再生ヘッド１０を保護することができる。
【００４３】
以上のように、本実施の形態に係る磁気記録再生装置１００によれば、再生ヘッド１０が接続される第１端子１０２、第２端子１０４間に可変インピーダンス素子を設け、再生ヘッド１０を使用しないライトモード時において、そのインピーダンスを下げることによって再生ヘッド１０に流れる電流を低減させ、印加される電圧を制限することができ、再生ヘッド１０を保護することができる。
【００４４】
また本実施の形態によれば、ライトモード時においても再生ヘッド１０にはバイアス電流Ｉｂを供給し続けるため、再生ヘッド駆動回路１４内部の定電流源の動作を停止する必要がなくなる。その結果、ライトモードからリードモードへの切り替え時に、定電流源の再起動にともなう時間遅れが発生しないため、速やかにリードモードへと移行することができる。
【００４５】
ライトモードとリードモード間の切り替え時間は、磁気ディスクへのデータの書き込み、読み込み速度に影響する。従来のように再生ヘッド駆動回路１４内部の定電流源の停止、起動を行う場合に要する数μｓに比べて、本実施の形態に係る磁気記録再生装置１００のようにＭＯＳトランジスタを可変インピーダンス素子２０としてを用いた場合、インピーダンスの切り替えに要する時間は、数百ｎｓ以下のオーダとなる。したがって、従来と比べて短時間で記録、再生を切り替えることができ、磁気記録再生装置１００の速度低下を招くことなく再生ヘッド１０を保護することができる。
【００４６】
上記実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【００４７】
たとえば、実施の形態では、可変インピーダンス素子２０を単一のＭＯＳトランジスタで構成したが、図５に示すように構成しても良い。図５は、可変インピーダンス素子２０の構成の変形例を示す回路図である。図５の変形例において、可変インピーダンス素子２０はＮ型のＭＯＳトランジスタ２０ｎおよびＰ型のＭＯＳトランジスタ２０ｐを含む。
Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｐは、ドレイン、ソースがそれぞれ第１端子１０２、第２端子１０４に接続される。またＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ｎは、ソース、ドレインがそれぞれ第１端子１０２、第２端子１０４に接続されている。これらのＭＯＳトランジスタ２０ｎ、２０ｐのゲートには制御部１８から出力される制御信号Ｖｃｎｔ、Ｖｃｎｔ’が入力されている。
【００４８】
制御部１８は、制御信号Ｖｃｎｔとしてライトモードにおいてはハイレベルを出力し、リードモードにおいてはローレベルを出力する。また、制御信号Ｖｃｎｔ’としてライトモードにおいてはローレベルを出力し、リードモードにおいてはハイレベルを出力する。その結果、ライトモードにおいてはＭＯＳトランジスタ２０ｎ、２０ｐの両方がオフし、リードモードにおいては、ＭＯＳトランジスタ２０ｎ、２０ｐの両方がオンする。
【００４９】
このようにＮ型とＰ型のＭＯＳトランジスタを並列に設けることによって、ライトモード時の第１端子１０２および第２端子１０４間のインピーダンスＺｒを下げることができ、再生ヘッド１０に印加される電圧を低くすることができる。
さらに、読み込み配線Ｒｘ、Ｒｙの電位Ｖｘ、Ｖｙがクロストークによる信号成分によって変動した場合などには、いずれかのＭＯＳトランジスタのゲートソース間電圧が変動することになり、トランジスタがオフしてしまうことも考えられる。ここで２つの相補的なトランジスタを並列に設けることによって、いずれかのトランジスタはオンし続けることになるため、より確実な再生ヘッド１０の保護を行うことができる。
【００５０】
実施の形態においては、可変インピーダンス素子２０のインピーダンスは、再生ヘッド１０のインピーダンスＲｍｒに等しく設定したがこれには限定されない。このインピーダンスの値は、再生ヘッド１０の耐圧Ｖｔｈ、クロストークによる信号成分の振幅などに応じて適切に決定すればよい。
可変インピーダンス素子２０をＭＯＳトランジスタにより構成する場合には、トランジスタサイズ、すなわちゲート長およびゲート幅によってオン抵抗Ｒｏｎが決められるため、その面積も考慮してオン抵抗Ｒｏｎを決定することが望ましい。
【００５１】
また、実施の形態においては、可変インピーダンス素子２０としてＭＯＳトランジスタを例に説明したが、その他の一般的に用いられる可変インピーダンス素子を使用しても良い。
さらに、可変インピーダンス素子２０や制御部１８は、図１に示すように磁気ヘッド駆動回路２００に一体集積化されていてもよいし、その外部に別々に構成されていても良い。どのような構成とするかについては、半導体の製造プロセスや要求される特性、コストなどに応じて選択すればよい。
【００５２】
さらに、本実施の形態に係る磁気ヘッド駆動回路２００およびそれを用いた磁気記録再生装置１００は、以下のように捕らえることも可能である。すなわち、可変インピーダンス素子２０は、再生ヘッド１０の両端に接続されるべき第１端子１０２、第２端子１０４間に、ライトモード中に再生ヘッド１０に印加される電圧が所定の電圧以下となるように電圧クランプするクランプ素子と考えることもできる。したがって、可変インピーダンス素子に代えて、あるいは可変インピーダンス素子とともにその他の電圧クランプ機能を有する回路素子を再生ヘッド１０と並列に設け、ライトモードに動作させることによっても、同様の効果を得ることができる。
【００５３】
実施の形態では、磁気ディスクを用いた磁気記録再生装置１００について説明したが、本発明に係る再生ヘッド保護技術はこれには限定されず、その他の磁気記録媒体として同じく円盤型のフレキシブルディスク記憶装置や、ヘリカルスキャン型の画像記録装置（ＶＴＲ）、あるいはカード型の磁気カードなどにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施の形態に係る磁気記録再生装置の構成を示す回路図である。
【図２】可変インピーダンス素子の構成を示す回路図である。
【図３】可変インピーダンス素子を動作させない場合のライトモード時の各配線Ｒｘ、Ｒｙ、Ｗｘ、Ｗｙの信号波形を示す図である。
【図４】実施の形態に係る磁気記録再生装置において、可変インピーダンス素子を動作させた場合のライトモード時の各配線Ｒｘ、Ｒｙ、Ｗｘ、Ｗｙの信号波形を示す図である。
【図５】可変インピーダンス素子の構成の変形例を示す回路図である。
【図６】一般的な磁気記録再生装置のヘッド周辺部の構成図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０  再生ヘッド、  １２  記録ヘッド、  １４  再生ヘッド駆動回路、  １６  記録ヘッド駆動回路、  １８  制御部、  ２０  可変インピーダンス素子、  １００  磁気記録再生装置、  ２００  磁気ヘッド駆動回路。
【図１】
2006120269.tif 000003
【図２】
2006120269.tif 000004
【図３】
2006120269.tif 000005
【図４】
2006120269.tif 000006
【図５】
2006120269.tif 000007
【図６】
2006120269.tif 000008