(57)【要約】【課題】  光半導体装置に要求される装置構成の小型化及び薄型化を実現しつつ、装置実装時の作業性の向上を図る技術を提供する。【解決手段】  光半導体素子1と、光半導体素子1を搭載する搭載部3a及び外部と電気的に接続する第一の電極部3bが設けられ、第一の電極部3bの平面部の面積が搭載部3aの平面部より小さい第一のパッド2と、光半導体素子1と電気的接続をする第二の接続部4a及び外部と電気的に接続する第二の電極部4bが設けられ、第二の電極部4bの平面部の面積が第二の接続部4bの平面部より小さい第二のパッド4と、少なくとも光半導体素子1、第一のパッド3、第二のパッド4のいずれかを封止する封止部5と備え、第一の電極3a及び第二の電極4aの平面部が、封止部5の表面とほぼ同一平面上にあるように露出する。【選択図】図1
2006310630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子と、
前記光半導体素子を搭載する搭載部及び外部と電気的に接続する第一の電極部が設けられ、前記第一の電極部の平面部の面積が前記搭載部の平面部より小さい第一のパッドと、
前記光半導体素子と接続をする第二の接続部及び外部と電気的に接続する第二の電極部が設けられる第二のパッドと、
少なくとも前記光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを覆う封止部と、
を備え、
前記第一の電極及び第二の電極の平面部が、
前記封止部の表面とほぼ同一平面上にあるように露出する、光半導体装置。
【請求項２】
前記第一の電極及び第二の電極が、
前記封止部表面の同一平面上において互いに離間する位置に載置される、請求項1に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記第一の電極及び第二の電極が、
それぞれ前記封止部における二つの表面から露出している、請求項1に記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記第一の電極及び第二の電極が、
当該電極における前記封止部から露出する面から見て、前記封止部の端部方向へ行くに従って幅が小さくなっている部分を少なくとも一箇所以上有する形状をなす、請求項１から請求項３に記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記第一の電極及び第二の電極が、
当該電極における前記封止部から露出する面から見て、幅方向に凹凸を有するように形成される、請求項１から請求項４に記載の光半導体装置。
【請求項６】
光半導体素子と、
前記光半導体素子を搭載する搭載部及び外部と電気的に接続する第一の電極部が設けられ、前記第一の電極部の平面部の面積が前記搭載部の平面部より小さい第一のパッドと、
前記光半導体素子と接続をする第二の接続部及び外部と電気的に接続する第二の電極部が設けられ、前記第二の電極部の平面部の面積が前記第二の接続部の平面部より小さい第二のパッドと、
少なくとも前記光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを覆う封止部と、
を備え、
前記第一の電極及び第二の電極の平面部が、
前記封止部の表面とほぼ同一平面上にあるように露出する、光半導体装置。
【請求項７】
基板上に所定膜厚のレジストをパターニングする工程と、
前記パターニング領域とは異なる基板上の他の領域及び前記レジスト表面上の少なくとも一部に前記レジストの所定膜厚を上回る膜厚のメッキを形成して、第一のパッド及び第二のパッドを形成する工程と、
前記第一のパッド及び第二のパッドを形成した基板から前記レジストを除去する工程と、
前記第一のパッド及び第二のパッドに、光半導体素子を電気的に接続する工程と、
前記光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを封止する工程と、を行う、光半導体装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、表面実装型の光半導体装置（以下、LED(Light Emitted Diode)装置とも称する）は、携帯電話あるいはPDA（Personal Digital(Data) Assistants：携帯情報端末）といった小型電子機器におけるバックライトやキー照明等に用いられている。
【０００３】
上述のようなLED装置（いわゆるチップLED）は、一般的に以下の構成要素を有する。すなわち、一般的なチップLEDは、不透明な絶縁基板上に、ダイパッド、ワイヤパッド、LED素子、金ワイヤ、並びに透明封止樹脂などの構成要素が載置される。そして、このチップLEDのワイヤパッド及びダイパッドは、それぞれ引き出し線で絶縁基板の端部に載置された電極端子に接続されている。
【０００４】
ところで、近年電子機器の小型化という観点から、これら電子機器に使用されるLED装置に対しても、小型化あるいは薄型化が要求されている。そこで、このような点に鑑み、それまでのチップLEDの樹脂基板部分を取り除いたLED装置が知られている（例えば、特許文献1及び特許文献2参照。）。
【０００５】
特許文献1のLED装置は、LED素子を搭載するダイパッド及びワイヤをボンディングするワイヤパッドの裏面が、底面とほぼ同一平面となるように構成する。このようにすることで、特許文献1のLED装置は、それまでのチップLEDと比較してその構成が薄型化される。
【０００６】
また、特許文献1のLED装置は、ダイパッド及びワイヤパッドの裏面に直接ハンダ付けを行うことで、設置する側の基板との導通を得る。このため、特許文献1のLED装置は、それまでのチップタイプLEDに必要であった電極端子への引出しが不必要となる。以上のように、特許文献1のLED装置は、設置基板と平行方向の小型化を図っている。
【０００７】
特許文献1と同様に、本発明者がした特許文献2のLED装置も、これまでのチップLEDと異なり絶縁基板を不要としている。この特許文献2のLED装置のダイパッド及びワイヤパッドは、金属膜によるコーティングや金属メッキなどによって形成される。そして、これらのダイパッド及びワイヤパッドの裏面（パッケージ側から見た表面）は、外部に露出することで電極端子を兼ねている。
【特許文献１】特開2001-203396号公報
【特許文献２】特開2005-079329号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述の特許文献に係る技術を含め、従来の技術では例えば以下のような問題があった。
まず、従来の技術のような構成では、電極部（ワイヤパッド、ダイパッド）の金属膜あるいは金属メッキが薄く面積も小さかった。また、従来の技術では、電極部と封止樹脂とは異種材料であるため、双方の接着力も強くなかった。
【０００９】
従って、従来の技術では、特にハンダリフロー時など温度変化を伴うような環境において、金属材料と樹脂との熱膨張率の差により電極部が封止樹脂からの剥離が生じやすかった。この従来技術における電極部剥離の問題は、温度変化時のみ起こるのではなく、例えば製造時に複数のLED装置を個々に分けるいわゆるダイシング工程の際に、LED装置に応力がかかるなどの種々の原因が考えられる。
【００１０】
また、従来技術のようなLED装置は、実装時にハンダ付け作業及びハンダ付けの状態を確認する作業が困難であるという問題があった。一般にハンダ付けが正しく行われたか否かを検査する場合には、電極を有する面とは反対側のLED装置の上面より確認する。しかしながら、従来技術のようなLED装置は、電極がパッケージ内側に隠れているため上面からの検査が困難であった。また、特に特許文献1のようなLED装置の場合は、電極がパッケージ面とほぼ同一平面にあるため、電極に外部に露出する側面が存在しない。従って、特許文献1のLED装置は、必要なハンダのフィレットが形成されにくいため、十分な実装強度が得られない可能性があった。
【００１１】
また、LED装置をさらなる小型化を行う場合には、図7においてAで示される、LED素子−ワイヤボンド間の距離を短くすることを考慮する必要がある。このとき、ダイパッド及びワイヤパッドは、それぞれLED素子の搭載及びワイヤボンドが確実に行えるように、十分な広さを確保しておく必要がある。ここで従来技術のLED装置の構成に鑑みれば、ダイパッド及びワイヤパッドはそれぞれの裏面が電極を兼ねているため、図中Aの距離を短くすると両電極間の間隔Bも狭くなってしまっていた。
【００１２】
そして、LED装置の電極の間隔Bが短くなった場合には、このようなLED装置を実装基板にハンダ付けすると余剰のハンダが互いに隣の電極まで達する、いわゆるハンダブリッジが形成されてしまうことが考えられた。このようなハンダブリッジが形成されたまま電流を流すと、双方の電極が短絡してしまうことになる。特に、特許文献1のLED装置のように、電極と装置の底面がほぼ同一平面にある場合には、余剰のハンダが底面を伝わって広がりやすく、結果としてハンダブリッジが形成されやすかった。
【００１３】
以上のように、上述の従来の技術では、ハンダブリッジの問題が鑑みられた上で為されているとは言い難かった。従って、従来のような技術ではAの距離を抑えることによってLED装置の小型化を図るのは容易ではなかった。
【００１４】
本発明は、以上の問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の課題は、光半導体装置に要求される装置構成の小型化及び薄型化を実現しつつ、装置実装時の作業性の向上を図る技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段とした。
すなわち、本発明は、光半導体素子と、光半導体素子を搭載する搭載部及び外部と電気的に接続する第一の電極部が設けられ、第一の電極部の平面部の面積が前記搭載部の平面部より小さい第一のパッドと、光半導体素子と接続をする第二の接続部及び外部と電気的に接続する第二の電極部が設けられる第二のパッドと、少なくとも光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを覆う封止部と、を備え、第一の電極及び第二の電極の平面部が、封止部の表面とほぼ同一平面上にあるように露出する。
【００１６】
本発明の第一のパッド及び第二のパッドは、封止部内に封止されている平面部の面積が封止部から露出する電極部分の平面部面積より大きい。このため、本発明の第一のパッド及び第二のパッドは、実装時に電極部分に対して封止部外方への引張力が生じたときに、封止部内部において平面部に引張力に抗する力が生じる。すなわち、本発明の第一のパッド及び第二のパッドは、平面部が封止部内でアンカーのように機能することで電極部分が封止樹脂から剥離するという実装時の問題を解消することができる。
【００１７】
また、本発明の第一のパッド及び第二のパッドは、外部に露出する平面部からなる電極部分が封止部の表面とほぼ同一平面であるため、封止部外方に電極部の突出がなく、電極部分に由来する装置全体の厚みが抑制される。
【００１８】
従って、本発明によれば、光半導体装置に要求される装置構成の小型化及び薄型化を実現しつつ、装置実装時の作業性の向上を図る技術を提供することができる。
【００１９】
また、本発明は、第一の電極及び第二の電極が、樹脂パッケージ表面の同一平面上において互いに離間する位置に載置されるようにしてもよい。
【００２０】
本発明の第一のパッド及び第二のパッドは、ダイボンド及びワイヤボンドに必要な平面部分と電極部分とを面積が異なるようにしたことから、第一のパッド及び第二のパッドはダイボンドおよびワイヤボンドに必要な面積を保持しつつ、電極の面積および位置を上記平面部の範囲内で自由に設定できる。すなわち、本発明の光半導体装置は、光半導体素子とワイヤボンド部との距離に対して両電極間の間隔を広くすることができる。このため、本発明は、光半導体装置の実装時における余剰ハンダによるハンダブリッジの問題が生じにくい。
従って、本発明によれば、光半導体装置の小型化を行いつつ、実装時の作業性の向上という要求を両立することができる。
【００２１】
また、本発明は、第一の電極及び第二の電極が、それぞれ封止部における二つの表面から露出しているようにしてもよい。
【００２２】
本発明の第一の電極及び第二の電極が、実装基板と対向する面とは異なる表面、例えば封止部の側面からも露出する。このようにすれば、本発明は、ハンダ付け作業を容易に行うことができ、ハンダ付けの確認も容易にできる。
従って、本発明によれば、装置実装時の作業性の向上を図ることができる。
【００２３】
また、本発明は、第一の電極及び第二の電極が、当該電極における封止部から露出する面から見て、封止部の端部方向へ行くに従って幅が小さくなっている部分を少なくとも一箇所以上有する形状をなすようにしてもよい。
【００２４】
また、本発明は、第一の電極及び第二の電極が、当該電極における封止部から露出する面から見て、幅方向に凹凸を有するように形成されるようにしてもよい。
【００２５】
本発明は、第一のパッド及び第二のパッドと封止部内部との接触面の向きが上述のものより増加することで、双方間で生じる封止部外方への引張力に抗する力による効果（アンカー的作用による効果）を光半導体装置の厚み方向（装置を引き離す方向）だけではなく、平面方向（装置を基板に沿って移動する方向）に対しても付加できる。また、本発明は、第一のパッド及びワイヤパッドを封止する樹脂との接触面積が増えるため、剥離問題の解消が期待される。
従って、本発明によれば、光半導体装置において、装置実装時の作業性の向上を図ることができる。
【００２６】
また、本発明は、基板上に所定膜厚のレジストをパターニングする工程と、パターニング領域とは異なる基板上の他の領域及びレジスト表面上の少なくとも一部にレジストの所定膜厚を上回る膜厚のメッキを形成して、第一のパッド及び第二のパッドを形成する工程と、第一のパッド及び第二のパッドを形成した基板から前記レジストを除去する工程と、第一のパッド及び第二のパッドに、光半導体素子を電気的に接続する工程と、光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを封止する工程と、を行う光半導体装置製造方法、としても特定することができる。
【００２７】
本発明は、レジストの所定膜厚を上回る膜厚部分において、他の領域から当該レジスト表面にあたる任意の領域の少なくとも一部に対してもメッキを行って第一のパッド及び第二のパッドを形成する。このようにすることで、本発明は、樹脂内部で封止される部分の面積を樹脂から露出する電極部分より大きくした第一のパッド及び第二のパッドを有する光半導体装置を製造することができる。そして、このような光半導体装置によれば、上述のような装置構成の小型化及び薄型化を実現しつつ、装置実装時の作業性の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、光半導体装置に要求される装置構成の小型化及び薄型化を実現しつつ、装置実装時の作業性の向上を図る技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を参照して本発明の光半導体装置を実施するための一実施の形態である、LED装置について説明する。以下の実施の形態の構成は例示であり、本発明は実施の形態の構成に限定されない。
【００３０】
＜実施例1＞
本発明の光半導体装置の第一の実施の形態に係るLED装置の構成について説明する。本実施の形態のLED装置は、表面実装型のものでいわゆるチップLEDと称される。
【００３１】
図1は、LED装置100の構成を示す三面図であり、図1(a)が側面図、図1(b)が上面図、図1(c)が底面図である。図1を参照すれば、LED装置100は、その構成要素としてLED素子1，ワイヤ2，ダイパッド（本発明の第一のパッドに相当）3，ワイヤパッド（本発明の第二のパッドに相当）4，封止樹脂（本発明の封止部に相当）5を有する。
【００３２】
LED素子1は、その上面及び下面にそれぞれ電極を有する公知の光半導体素子である。LED素子1は、これらの電極に所定の電流を流すことによって所望の発光を得る。
【００３３】
LED素子1は、導電性の素材（例えば、Au/Pb/Ni/Pb、Au/Cu/Ni/Pbの4層メッキ）により形成されたダイパッド3上に設置される。このとき、LED素子1は、その下面とダイパッド3の上面とを所定の導電性接着剤6などの接着材料によって接着することによって、当該ダイパッド3と上述の下面電極との電気的接続を得る。また、LED素子1は、ワイヤパッド4とLED素子1の上面電極とを、ワイヤ2を用いてワイヤボンディングしてこの上面電極に対する電気的接続を得る。
【００３４】
LED素子1が設置されたダイパッド3及びワイヤパッド4は、LED装置100のパッケージを形成する封止樹脂5によって封止される。パッケージ（封止部）5のLED素子1の発光部とは反対側（ダイパッド3側）表面には、ダイパッド3の一部が外部に露出する。同様に、ワイヤパッド4の一部も、パッケージ5のLED素子1の発光部とは反対側（ダイパッド3側）表面から外部に露出している。そして、このようにパッケージ5表面において外部に露出したダイパッド3及びワイヤパッド4の一部は外部電極となり、LED装置100を実装した際に実装基板（不図示）とLED素子1との電気的接続を得る。
【００３５】
本実施例において、ダイパッド3及びワイヤパッド4による外部電極は、パッケージ5表面とほぼ同一平面上において外部（パッケージ（封止樹脂）5におけるLED素子1の発光部とは反対側表面）に露出している。
【００３６】
次に、ダイパッド3及びワイヤパッド4について詳細に説明する。上述のようにダイパッド3は、LED装置100のパッケージ5内部に位置する。ダイパッド3は、LED素子1のダイボンディングに必要な平面部の面積を有するLED素子載置部(以下、上部ダイパッドとも称する)3aと、底面7から外部に露出した電極部(以下、下部ダイパッドとも称する)3bとからなる。下部ダイパッド3bの平面部の面積は、上部ダイパッド3aのものと比較すると小さい。
【００３７】
そして、図1（b）にも示されるように、ダイパッド3は、上部ダイパッド3aと下部ダイパッド3bとが平面部の面積の違いを有した一つの部材として形成されるため、側面から見た場合に上部ダイパッド3aの平面部分が下部ダイパッド3bよりも大きい。すなわち、ダイパッド3は、側面から見てキノコのような形状を有する。
【００３８】
図９は、パッケージ5に封止されたダイパッド3がパッケージ5との間で生じる外方への引張力に抗する力を図示した一例である。以上のような形状を有するダイパッド3は、パッケージ5から露出する下部ダイパッド3bに外方への引張力（Fo）が生じたときに、上部ダイパッド3aのLED素子1を載置する側とは反対側の平面部分とパッケージ5の内部との間で、当該引張力Foに対して抗する力（Fi1,Fi2）が生じる。この力Fi1,Fi2によって、ダイパッド3は、パッケージ5から剥離してしまうような実装時の問題を防止することができる。
【００３９】
同様に、ワイヤパッド4も、ワイヤボンディングに必要な平面部の面積を有する上部ワイヤパッド4aと底面7から外部に露出した下部ワイヤパッド（以下、電極部とも称する）4bとからなる。下部ダイパッド3bと同様に下部ワイヤパッド4bもまた、平面部分の面積が上部ワイヤパッド4aの平面部分の面積より小さい。
【００４０】
そして、ワイヤパッド4も、上部ワイヤパッド4aと下部ワイヤパッド4bとが平面部の面積の違いを有した一つの部材として形成されるため、側面から見た場合に上部ワイヤパッド4aの平面部分が下部ワイヤパッド4bよりも大きい。すなわち、ワイヤパッド4もまた、側面から見てキノコのような形状を有する。
【００４１】
従って、ワイヤパッド4も、このような形状により、上部ワイヤパッド4aのワイヤ2を接続する側とは反対側の平面部分とパッケージ5の内部との間に生じる引張力Foに対して抗する力Fi1,Fi2によってアンカーのような効果を生じることができる。
【００４２】
次に、ダイパッド3及びワイヤパッド4の形状あるいは寸法の一例について説明する。なお、以下のダイパッド3及びワイヤパッド4の寸法の数値は一例であり、上述の上部パッド3a,4aと下部パッド3b,4bが平面部の面積の違いを有していれば本発明は以下の数値には限定されない。
【００４３】
上部ダイパッド3aの大きさは、例えばLED素子1の大きさが0.3mm角程度の場合、ダイボンド工程での製造公差を考慮して0.4mm角以上が望ましい。また、下部ダイパッド3bの大きさは、上部ダイパッド3aの大きさに対して、0.05mm程度小さくすることが望ましい。また、ダイパッド3の厚みは、上部ダイパッド3aを0.03mm程度、下部ダイパッドを0.02mm程度とすることが望ましい。
【００４４】
上部ワイヤパッド4aの大きさは、φ25μm程度の金ワイヤを用いる場合、キャピラリィの先端径はφ0.2mm程度となるため、ダイボンド工程の製造公差を考慮して0.3mm角以上とすることが望ましい。また、下部ワイヤパッド4bの大きさは、上部ダイパッド4aの大きさに対して、0.05mm程度小さくすることが望ましい。さらに、ワイヤパッド4の厚みは、上部ワイヤパッド4aが0.03mm程度、下部ワイヤパッド4bが0.02mm程度とするのが望ましい。
【００４５】
＜実施例2＞
次に、本発明の光半導体装置に係る上記実施例とは異なる一例について説明する。
図2は、実施例2に係るLED装置200の構成を示す図であり、図2(a)が側面図、図2(b)が上面図、図2(c)が底面図である。図2を参照すれば、LED装置200と実施例1に係るLED装置100との相違点は、ダイパッド13及びワイヤパッド14において、下部のパッド（13b,14b）の位置が底面27上で互いに離間した状態になるように形成したことにある。
【００４６】
実施例1にも示したように、本発明の第一のパッド及び第二のパッドは、ダイボンド及びワイヤボンドに必要な平面部分と電極部分とを面積が異なるようにした。これにより、実施例2に示すLED装置200のダイパッド13及びワイヤパッド14は、ダイボンドおよびワイヤボンドに必要な面積を保持しつつ、電極の面積および位置を上記平面部の範囲内で自由に設定できる。
【００４７】
図6は、実施例2における電極間の間隔を設定した一例を示す図である。すなわち、LED装置200は、LED素子11とワイヤボンド部との距離Aに対して両電極間の間隔Bを広くすることができる。このため、LED装置200は、実装時における余剰ハンダによるハンダブリッジの問題が生じにくい。従って、LED装置200によれば、光半導体装置の小型化を行いつつ、実装時の作業性の向上という要求を両立することができる。
【００４８】
また、下部パッド13bと14bの間隔は、実装時のハンダ量のばらつきによるショートを考えると、極力長く取ることが望ましい。特に、本実施例のような透明樹脂で、実装時にマウンタでの認識誤差が大きくなる可能性があるパッケージでは、0.2mm以上の間隔を設けることが望ましい。なお、LED装置200とLED装置100とにおける他の構成要素は共通であるため、その説明は省略する。
【００４９】
＜LED装置の製造方法＞
上述の実施例1及び2に係る構成を有するLED装置の製造方法を、図面を参照して説明する。
図3は、実施例に係るLED装置製造方法の一例の工程を示す図である。以下工程の説明は、図3(a)から(e)の順に沿って行う。
【００５０】
図3(a)に示す第一の工程では、製造基板21(例えば銅基板)上の任意の領域に所定膜圧のレジスト（例えば紫外線硬化樹脂）22を塗布する。
【００５１】
次に、図3(b)に示す第二の工程では、レジスト22を塗布した領域とは異なる領域21a及び21b付近にメッキ（例えば、Au/Pb/Ni/Pb、Au/Cu/Ni/Pの4層メッキ）をする。このとき、領域21a及び21bに行うメッキ厚は、レジスト22の所定膜厚より厚く形成する。このとき、レジスト膜厚とメッキ厚とは、例えばレジスト膜厚を0.02mm程度とし、メッキの厚みを0.05mm程度とすることが考えられる。
【００５２】
また、上述のメッキは、少なくとも1層から形成されてもよい。また、上述のメッキは、複数層からなる場合には、それらいずれの層によってレジスト22の所定膜厚を超えてもよい。このとき、レジスト22の所定膜厚を超えるメッキ層は、複数のメッキ層のうちの一層とすることが、パッド部の耐性、及び、いわゆるアンカー的効果の観点で望ましい。例えば、上述のAu/Cu/Ni/Pbの4層メッキの場合には、Cu層がレジスト22の所定膜厚を超えるようにして、上部パッドと下部パッドに界面を形成することなくパッドを作製する。
【００５３】
その上で、上述のメッキは、レジスト22の所定膜厚を上回る膜厚部分において、領域21a及び21bから任意の領域にあるレジスト22表面上の少なくとも一部に対しても形成される。このようにメッキすることによって、上部のパッドの方が下部のパッドより平面部分の面積が大きいダイパッド3及びワイヤパッド4が形成される。その後、図3(c)に示す第三の工程では、エッチングなどの所定の方法によりレジスト22を製造基板21上から除去する。
【００５４】
レジスト22除去後、図3(d)に示す第四の工程では、製造基板21上に形成されたダイパッド3及びワイヤパッド4の上に、既存のLED装置の製造方法を用いてLED素子1をダイパッド3に載置し、LED素子1の上部電極とワイヤパッド4とのワイヤボンディングを行う。このとき、ダイボンド及びワイヤボンドを行う位置としては、ダイパッド3及びワイヤパッド4における下部のパッドがある領域で行うことが望ましい。
【００５５】
LED素子1の載置及びワイヤボンディング後、図3(e)に示す第五の工程では、LED素子1を載置したダイパッド3及びワイヤパッド4を含めた製造基板21を、例えばエポキシ樹脂などの封止樹脂5でモールドする。
【００５６】
封止樹脂5によるモールド後の図示しない工程では、製造基板21のダイシング、及びエッチングまたは機械的な処理によりLED装置100と製造基板21とを分離する。なお、このダイシング及び製造基板21との分離工程は、先に製造基板21とLED装置100の集合を分離後、ダイシングを行ってもよい。
【００５７】
＜下部パッド形状の変形例＞
以上説明した方法により製造されたLED装置の外部電極となるダイパッドとワイヤパッドの下部パッドは、上述の構成に限定されることなく、例えば以下のように構成することができる。
【００５８】
図4は、本実施の形態に係るLED装置におけるダイパッド及びワイヤパッドの下部パッド形状の変形例を示す図である。このように、上述のLED装置において、下部パッドの平面部分の形状がいわゆる方形ではなく、側面部をなす各辺が円弧状あるいは方形状の凹凸のような切り欠きを設けたように形成することができる。つまり、下部パッド3b,4bは、封止部から露出する面(底面7)から見て、パッケージ5の端部方向へ行くに従って幅が小さくなっている部分を少なくとも一箇所以上有する形状をなす。あるいは、下部パッド3b,4bは、パッケージから露出する面から見て、幅方向に凹凸を有するように形成される。
【００５９】
以上の下部パッドの形状は、側面部が複数の面からなり、この複数の面の各々から引き出した垂線の少なくとも一つが互いに異なる方向を示すように当該側面部が形成されるように形成したともいえる。また、この下部パッドの形状は、複数の面の各々から延ばした仮想の接線及び/または延長線が、互いに平行及び／または所定の角度を持って交差するようにしてもよい。また、以上の下部パッドの形状は、側面部が、第一の面及びこの第一の面とは異なる第二の面を有するように形成したともいえる。
【００６０】
このように形成することによって、下部パッドは、ダイパッド及びワイヤパッドとパッケージ部との間で生じる外方への引張力に抗する力による効果（パッドがアンカー的に作用することによる効果）を光半導体装置の厚み方向（装置を引き離す方向）だけではなく、平面方向（装置を基板に沿って移動する方向）に対しても付加できる。また、本発明は、ダイパッド及びワイヤパッドを封止する樹脂との接触面積が増えるため、剥離問題の解消が期待される。以上のように、この下部パッドの変形例によれば、装置実装時の作業性の向上を図ることができる。さらに、本発明によれば、いわゆるアンカー的な効果を得るパッドをメッキ領域、メッキ膜厚を調整することにより容易に所望の形状とすることができる。
【００６１】
＜外部電極の露出位置の変形例＞
以上説明した方法により製造されたLED装置の外部電極は、上述の構成に限定されることなく、例えば以下のように構成することができる。
【００６２】
図5は、ダイパッド及びワイヤパッドによる外部電極が、上述の実施例とは異なり装置底面及び側面の二面から露出した変形例を示す図である。この変形例では、LED装置を個々に分けるダイシング工程の際に、図5(a)中の破線位置（下部パッド3b(4b)が形成され、導電性接着剤6およびLED素子1(ワイヤボンド部)のない位置）で当該装置をカットする。このようにすることにより、このLED装置は、ダイパッド3およびワイヤパッド4の少なくとも一つの側面がLED装置の側面と同一平面を有して外部に露出している。
以上のようにすれば、LED装置は、図5(b)(c)のようにハンダ付け作業を容易に行うことができ、ハンダ付けの確認も容易にできる。
【００６３】
また、上記LED装置は、搭載されたLED素子と接続して素子載置部と外部電極を兼ねる第一のパッドと、LED素子の上部からワイヤボンディングで接続して外部電極として機能する第二のパッドとを有していた。しかしながら、本発明の光半導体装置はこれに限定されない。例えば、本発明において、第一のパッドには電極の機能を有することなく、外部電極に用いるパッドとして別の２つパッド（上記第二のパッドに相当するもの）を形成してLED素子とワイヤボンディングさせるようにしてもよい。
【００６４】
＜素子載置部の変形例＞
以上の説明した方法により製造されたLED装置のダイパッドの素子載置部（上部パッド）は、上述の構成に限定されることなく、例えば以下のように構成することができる。
【００６５】
図8は、LED装置のダイパッドの素子載置部に係る変形例を示す図である。この変形例において、ダイパッドの素子載置部は、上述の実施例とは異なり電極部より大きい面積のメッキ層（第一の層）と素子底面と同等以下の面積のメッキ層(第二の層)の2層から構成されている。このとき、例えば、素子載置部の素子側のメッキ層（第二の層）の面積を素子の底面積と同等とする。このようにすれば、本実施例のLED装置は、この第二の層を基準に素子を載置すればよい。また、このように素子載置部に第二の層を設けることで、素子と素子載置部との間に接着材料による表面張力が生じる。そうすれば、LED素子のダイボンド時にLED素子が素子載置部上を滑ることがなくなる。このため、本実施例のLED装置は、より正確な位置精度での素子の載置が可能となる。
【００６６】
また、素子載置部の第二の層の面積を素子の底面積より小さく形成した場合には、はんだ、共晶材料、導電性接着剤等を用いてLED素子を接合する際に、LED素子側面へのこれら接合部材の這い上がりを防止することができる。そうすれば、この変形例の素子載置部は、接着材料がPN接合部に這い上がることによるショートを防止することができる。
【００６７】
以上のように、LED素子と素子載置部との接合は、接合部材や接合方法が適宜選択されるため、これらに対応した素子載置部の構成が望まれる。このような様々な素子載置部の構成についても、本発明の方法によれば、メッキパターンの形成により作製可能である。
【００６８】
＜製造方法の変形例＞
本実施の形態に係るLED装置の製造方法によって、実施例2のLED装置200を製造する場合には、ダイパッド13及びワイヤパッド14に対してボンディングを行う際の製造不良を防止するために、一部の工程を以下のようにして行ってもよい。
【００６９】
一般に、本実施の形態のLED装置のようなメッキで形成したパッドは、特に上部パッドのみの部分の厚みが薄いため、ボンディングを行うと上部パッドに曲がりなどの製造不良が生じる可能性がある。そこで、上述の製造方法では、下部パッドのある位置で上部パッドのボンディングを行った一例を説明した。
【００７０】
これに対して、LED装置全体の構成の自由度を高めて小型化を図るためには、下部パッドのない位置で上部パッドにボンディングを行うことも考えられる。その場合、上部パッドの曲がりを防ぐためには、第三の工程でレジスト22を除去する際にダイパッド3とワイヤパッド4との間のレジスト22のみ残し、それぞれのパッドにボンディングを行った後にこの残したレジスト22aを除去すればよい。このようにすれば、レジスト22aによってボンディング時に生じる上部パッドの曲がりを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施例1に係るLED装置の構成を示す三面図である。
【図２】実施例2に係るLED装置の構成を示す図である。
【図３】実施例に係るLED装置製造方法の一例の工程を示す図である。
【図４】本実施の形態に係るLED装置におけるダイパッド及びワイヤパッドの下部パッド形状の変形例を示す図である。
【図５】ダイパッド及びワイヤパッドによる外部電極が、装置底面及び側面の二面から露出した変形例を示す図である
【図６】実施例2における電極間の間隔を示す図である。
【図７】従来の技術における電極間の間隔を示す図である。
【図８】LED装置のダイパッドの素子載置部に係る変形例を示す図である。
【図９】パッケージに封止されたダイパッドがパッケージとの間で生じる外方への引張力に抗する力を図示した一例である。
【符号の説明】
【００７２】
1    LED素子
2    ワイヤ
3    ダイパッド
4    ワイヤパッド
5    パッケージ
5    封止樹脂
6    導電性接着剤
7    底面
21    製造基板
11    素子
21a    領域
22    レジスト
13    ダイパッド
14    ワイヤパッド
100    LED装置
200    LED装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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