(57)【要約】【課題】導電層に起因した段差を解消することが可能でありながら、脱バイガスの円滑な排出を促進することができる、積層電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】本製造方法は、バインダを含むセラミックペースト２３から構成したグリーンシート２５上に内部電極層５、７及び段差吸収層６、８を形成した単位シート３５を複数積層して積層セラミックコンデンサ１などの積層電子部品を製造するものである。その際、少なくとも一つの単位シートにおいて、段差吸収層を、一チップ領域４３ａ〜４３ｄ内に関して、内部電極層５、７の周囲に脱バイガス排気部４５を残存させるように、部分的に形成する。【選択図】      図３
2006210422.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダを含む誘電体ペーストから構成したグリーン層上に導電層及び段差吸収層を形成した単位層を複数積層して積層電子部品を製造する方法において、
少なくとも一つの前記単位層において、前記段差吸収層を、一チップ領域内に関して前記導電層の周囲に脱バイガス排気部を残存させるように部分的に形成することを特徴とする積層電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記単位層として、前記誘電体ペーストから構成し複数チップ領域を有するグリーンシート上に前記導電層と前記段差吸収層とを形成したもの、を複数枚用意する工程と、
それら複数の単位層を、前記導電層の位置が交互にずれる態様で積層し、シート積層体を得る工程と、
前記シート積層体を、一チップ領域毎に裁断して積層チップ体を得る工程と、
前記積層チップ体に対し脱バインダ処理を行う工程と
を備えることを特徴とする請求項１に記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記段差吸収層を、各一チップ領域内の長手方向の少なくとも一部に形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項４】
一チップ領域内に関し、積層される少なくとも一対の層においてみて、一方の層の前記段差吸収層を、他方の層の脱バイガス排気部に重なるように相互に形成することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の積層電子部品の製造方法。
【請求項５】
複数の前記単位層に亙って、前記段差吸収層を同一パターンによって形成することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の積層電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品は、次のような工程によって製造されている。まず、原料となるセラミック粉末、有機バインダ、溶剤等を含むセラミックペーストにより、いわゆるグリーンシートを形成する。次に、このグリーンシートに、導電性ペーストにより複数の内部電極をスクリーン印刷法などで形成する。そして、内部電極を有するグリーンシートを、内部電極の位置がずらされた状態とずらされていない状態とが交互に重なるように複数枚積層し、シート積層体を作る。次に、かかるシート積層体をプレスし、電子部品単位に対応する大きさに切断して、積層チップ体を得る。さらに、その積層チップ体に対して、バインダ等を除去する脱バインダ処理を行い、所定条件で焼成した後、積層チップ体の両端部に外部電極を形成して、積層セラミック電子部品を得る。
【０００３】
また、このようにして製造される積層セラミック電子部品においては、積層数が多層になるほど内部電極の厚みによる他の部位との段差が無視できなくなる。すなわち、内部電極が印刷されていない余白部分を含む積層領域と、内部電極を含んだ積層領域との間で、内部電極の有無による段差が生じる。かかる段差は、焼成時のクラックやデラミネーションなどを誘発させ、製品の特性の劣化や歩留まりの低下を招く原因となり得る。そこで、内部電極の周囲に段差吸収用のセラミックペーストを印刷することで、上記段差の問題を解消するものもある（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−３５８０３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した特許文献１のように内部電極の周囲に段差吸収用のセラミックペーストを印刷しても依然として、焼成時のクラックやデラミネーションが生じることが分かっている。本出願人の鋭意研究によると、脱バインダ処理においてバインダが気化したガス、いわゆる脱バイガスが積層チップ体内に滞留され又は突発的に排出されることがクラックやデラミネーションの発生要因でもあると考えることができる。
【０００５】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、内部電極などの導電層に起因した段差を解消することが可能でありながら、脱バイガスの円滑な排出を促進することができる、積層電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決するため、本発明は、バインダを含む誘電体ペーストから構成したグリーン層上に導電層及び段差吸収層を形成した単位層を複数積層して積層電子部品を製造する方法において、少なくとも一つの前記単位層において、前記段差吸収層を、一チップ領域内に関して前記導電層の周囲に脱バイガス排気部を残存させるように部分的に形成することを特徴とする。
【０００７】
また、当該方法は好適には、前記単位層として、前記誘電体ペーストから構成し複数チップ領域を有するグリーンシート上に前記導電層と前記段差吸収層とを形成したもの、を複数枚用意する工程と、それら複数の単位層を、前記導電層の位置が交互にずれる態様で積層し、シート積層体を得る工程と、前記シート積層体を、一チップ領域毎に裁断して積層チップ体を得る工程と、前記積層チップ体に対し脱バインダ処理を行う工程とを備える。
【０００８】
前記段差吸収層は、各一チップ領域内の長手方向の少なくとも一部に形成されていると好適である。
【０００９】
また、一チップ領域内に関し、積層される少なくとも一対の層においてみて、一方の層の前記段差吸収層を、他方の層の脱バイガス排気部に重なるように相互に形成すると好適である。
【００１０】
複数の前記単位層に亙って、前記段差吸収層を同一パターンによって形成すると好適である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る積層電子部品の製造方法によれば、導電層の有無による段差を緩和しつつも、脱バイガス排気部を介して脱バイガスの円滑な排気を促進することができ、クラックやデラミネーションをより確実に防止することができる。
【００１２】
また、複数の単位層を用意する工程と、それら複数の単位層を積層してシート積層体を得る工程と、シート積層体を一チップ領域毎に裁断して積層チップ体を得る工程と、積層チップ体に対し脱バインダ処理を行う工程とを備える場合には、上記のように段差吸収層及び脱バイガス排気部を形成するに際して、積層セラミックコンデンサの既存のプロセスにのせて実施することができる。
【００１３】
また、段差吸収層が、各一チップ領域内の長手方向の少なくとも一部に形成されている場合には、脱バイ処理時に脱バイガスを効率よく排気できる。
【００１４】
また、一チップ領域内に関し、一方の層の段差吸収層が、他方の層の脱バイガス排気部に重なるような態様を備える場合には、段差吸収効果と脱バイガス排気効果とがバランスよく獲得できる。
【００１５】
また、段差吸収層が複数の単位層に亙って同一パターンによって形成される場合には、単一の印刷パターンを用いて段差吸収層と脱バイガス排気部との双方を有する態様を簡単且つ大量に製造できる。
【００１６】
なお、本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施の形態によって更に詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を積層セラミックコンデンサの製造方法に適用した場合の実施の形態を、添付図面に基づいて説明する。なお、図中、同一符号は同一又は対応部分を示すものとする。
【００１８】
図１は、本発明の実施の形態１に係る製造方法を適用する積層セラミックコンデンサの一例を示す断面図である。図示の積層セラミックコンデンサ１は、誘電体基体３の内部に、複数の内部電極層（導電層）５、７が埋設されている。隣り合う２つの内部電極層５、７は誘電体からなる層を介して向き合っている。内部電極層５、７の層数は、要求される静電容量に応じて決定される。さらに、内部電極層５、７に関し上下に隣り合う同極の部分の間には、誘電体からなる段差吸収層６、８が設けられている。
【００１９】
誘電体基体３の対向する側面には外部電極部９、１１が設けられている。内部電極層５は、このうちの外部電極部９に導通されており、内部電極層７は外部電極部１１に導通されている。
【００２０】
次に、このような構成の積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。まず、図２に示されるように、可撓性のあるＰＥＴフィルム２１の上面に、セラミック粉末、バインダ及び溶剤などを少なくとも含むセラミックペースト（誘電体ペースト）２３を塗布し、いわゆるグリーンシート（グリーン層）２５が得られる。セラミックペースト２３の塗布は、ドクターブレード又は押出ヘッド等を用い、塗布後に乾燥処理を行う。また、グリーンシート２５の厚みは１．０〜３．０μｍに設定されている。
【００２１】
続いて、グリーンシート２５を乾燥させた後、シート上面に、内部電極層５、７を構成すべく導電体ペースト２７を複数、分離して配置する。導電体ペースト２７は、例えばスクリーン印刷法やグラビア印刷法によって形成することができる。導電体ペースト２７の厚みは１．０〜３．０μｍに設定されている。
【００２２】
導電体ペースト２７が配置されると、導電体ペースト２７の間には、導電体ペースト２７自体の厚みに起因した段差部２９が生じる。したがって、それら段差部２９を段差吸収用セラミックペースト３１によって埋める余白印刷を行う。段差吸収用セラミックペースト３１の印刷は、スクリーン印刷法によって行われ、後述する印刷パターンを実現するスクリーン製版３３を使用する。また、段差吸収用セラミックペースト３１は、基本的には、前述したセラミックペースト２３と同様な構成であり、セラミック粉末、バインダ及び溶剤などを少なくとも構成要素として含む。
【００２３】
このようにして、グリーンシート２５上に内部電極層５、７及び段差吸収層６、８を形成した単位シート（単位層）３５を、本実施の形態では４００層以上積層し、シート積層体３７を得る（後述の図３参照）。かかる積層は、内部電極層５、７の位置が交互にずれる態様で行われる。なお、シート積層体３７の最上部と最下部には、誘電体のみからなるシートを積層して構成した保護層を設けることもできる。
【００２４】
次に、かかるシート積層体３７をプレスした後、一チップ領域（単位層）に裁断して、積層チップ体３９を得る。さらに、積層チップ体３９から有機バインダ等をバーンアウトする脱バインダ処理を行った後、焼成を行って、最後に、積層チップ体の対向する側面に、外部電極部９、１１を焼付し、積層セラミックコンデンサ１を得る。
【００２５】
次に、図３に基づいて、本実施の形態における導電体ペースト２７及び段差吸収用セラミックペースト３１の印刷パターンについて説明する。導電体ペースト２７及び段差吸収用セラミックペースト３１はそれぞれ、内部電極層５、７及び段差吸収層６、８を構成する。また、図３において、斜線部分は導電体ペースト２７（内部電極層５、７）を示し、ドット部分は段差吸収用セラミックペースト３１（段差吸収層６、８）を示すものとする。また、点線は、一チップ領域（一部品単位の大きさ、すなわちコンデンサ１個分）の境界すなわち裁断工程の切断ラインを示すものとする。本実施の形態では、一チップ領域は平面視長方形に設定されている。また、説明の便宜上、多層積層されるうちの４層部分のみを抜き出して説明するものとする。
【００２６】
第１単位シート３５ａ、第２単位シート３５ｂ、第３単位シート３５ｃ、第４単位シート３５ｄのそれぞれにおいて、導電体ペースト２７は、二チップ領域毎にその二チップ領域に跨るように配置されていると共に、当該二チップ領域と隣り合う二チップ領域との境界で分断するように配置されている。また、段差吸収用セラミックペースト３１は、まず、導電体ペースト２７が分断しているチップ領域の幅方向の境界に沿って延長して配置されると共に、チップ領域の長手方向の境界毎に交互に長手方向の片側方向に延長して配置される。そして、隣り合う一対の導電体ペースト２７と隣り合う一対の段差吸収用セラミックペースト３１とに囲まれた部分がペースト無印刷部４１として残存する。
【００２７】
このように、第１〜第４単位シート３５ａ〜３５ｄの長手方向の最外端を除いては、同一形状の導電体ペースト２７と段差吸収用セラミックペースト３１とが長手方向に繰り返される印刷パターンが用いられる。すなわち、これらの第１〜第４単位シート３５ａ〜３５ｄを含むすべての単位シート３５は、積層位置をずらすものの、印刷パターンとしては同一の態様を採用している。
【００２８】
また、相互の積層位置は、図３に示すとおりであり、導電体ペースト２７の二チップ領域に跨る部分と分断している部分とは一層毎に交互に重なるように、且つ、段差吸収用セラミックペースト３１とペースト無印刷部４１とが一層毎に交互に重なるように、長手方向の位置をずらして積層される。
【００２９】
上記のような単位シート３５の積層態様によって、積層位置を同じくする一チップ領域に着目すると次のような構成を備える。平面視四辺からなる本実施の形態の一チップ領域においては、４種類の構成が存在している。図３に、４種類の一チップ領域４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄを示す。４層重ねて一チップ領域の構成は一巡し、５層目の一チップ領域には、１層目と同じ構成の一チップ領域が配置される。
【００３０】
図３には、第１〜第４単位シート３５ａ〜３５ｄにおいて積層位置を同じくする第１〜第４一チップ領域４３ａ〜４３ｄを示すが、全ての一チップ領域４３ａ〜４３ｄにおいて、内部電極層５、７と、段差吸収層６、８と、脱バイガス排気部４５とが形成されている。脱バイガス排気部４５は、ペースト無印刷部４１が残存されていることによって存在する部分である。
【００３１】
図３から分かるように、各一チップ領域４３ａ〜４３ｄ内に関して、段差吸収層６、８は、内部電極層５、７の周囲に脱バイガス排気部４５を残存させるように部分的に形成されている。より詳細には、段差吸収層６、８は、各一チップ領域４３ａ〜４３ｄの長手方向の少なくとも一部を占める部分に形成されている。
【００３２】
一層隔てた第１及び第３一チップ領域４３ａ、４３ｃは同じ層内構成を有しており、長手方向の一方側の外縁にのみ露出する内部電極層５を有する。これに対し、一層隔てた第２及び第４一チップ領域４３ｂ、４３ｄは同じ層内構成を有しており、長手方向の他方側の外縁にのみ露出する内部電極層７を有する。また、段差吸収層６、８は平面視Ｌ字状に形成されている。第１及び第３一チップ領域４３ａ、４３ｃに設けられた段差吸収層８は、長手方向の他方側において幅方向全体に亙って延びる部分と、幅方向の一方側で長手方向の一方側に到達することなく終端する部分とを有する。これに対し、第２及び第４一チップ領域４３ｂ、４３ｄに設けられた段差吸収層６は、長手方向の一方側において幅方向全体に亙って延びる部分と、幅方向の他方側で長手方向の他方側に到達することなく終端する部分とを有する。さらに、脱バイガス排気部４５は、かかる内部電極層５、７及び段差吸収層６、８が形成されていない部分として存在しており、各一チップ領域４３ａ〜４３ｄにおいて幅方向の両側に設けられている。
【００３３】
各一チップ領域４３ａ〜４３ｄがこのように構成された第１〜第４単位シート３５ａ〜３５ｄを積層することによって、積層セラミックコンデンサ１の全体において、一チップ領域内に関し、積層される一対の層においてみて、一方の層の段差吸収層６、８は常に、他方の層の脱バイガス排気部４５に重なるように構成されている。
【００３４】
以上のように構成された本実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、各チップ領域において内部電極層５、７の周囲に脱バイガス排気部４５を残存するように部分的に段差吸収層６、８を設けて積層されるため、内部電極層５、７の有無による段差を緩和しつつも、脱バイガス排気部４５を介して脱バイガスの円滑な排気を促進することができ、クラックやデラミネーションをより確実に防止することができる。特に、グリーンシート２５及び内部電極層５、７の合計厚みが３μｍ以下であって、シート積層体３７の厚みが４００μｍ以上の薄層多層品に有効である。
【００３５】
また、段差吸収層６、８がチップ領域の長手方向に延長し、これにより、脱バイガス排気部４５もまたチップ領域の長手方向に延長しているので、脱バイ処理時に脱バイガスを効率よく排気できる。さらに、脱バイガス排気部４５は、一チップ領域における両側縁に設けられているため、そのことによっても脱バイガスを効率よく排気できる。
【００３６】
また、常に脱バイガス排気部４５と段差吸収層６、８とが重なるので、段差吸収効果と脱バイガス排気効果とはバランスよく得られる。また、複数の単位シート３５に亙って、段差吸収層６、８や脱バイガス排気部４５が同一パターンに形成されるため、単一の印刷パターンを用いて段差吸収層６、８と脱バイガス排気部４５との双方を有する態様を簡単且つ大量に製造できる。
【００３７】
また、脱バイガス排気部４５と段差吸収層６、８との双方は、積層後の裁断処理によって形成されていく。よって、積層セラミックコンデンサの既存のプロセスにのせて実施することができる。
【００３８】
次に、図４に基づいて、本発明の実施の形態２について説明する。本実施の形態は、導電体ペースト及び段差吸収用セラミックペーストの印刷パターンが上記実施の形態１と異なり、他の構成や製造過程は実施の形態１と同様であるものとする。図４も図３と同態様・同意味で図示されており、４層部分のみを抜き出して説明する。
【００３９】
図４に示されるように、第１単位シート１３５ａ、第２単位シート１３５ｂ、第３単位シート１３５ｃ、第４単位シート１３５ｄのそれぞれにおいて、段差吸収用セラミックペースト１３１は、まず、導電体ペースト２７が分断しているチップ領域の幅方向の境界に沿って延長して配置されると共に、そこから長手方向の境界の片側方向に延長して配置される。そして、隣り合う一対の導電体ペースト２７と隣り合う一対の段差吸収用セラミックペースト１３１とに囲まれた部分がペースト無印刷部１４１として残存する。そして、すべての単位シート１３５は、積層位置をずらすものの、印刷パターンとしては同一の態様を採用している。
【００４０】
また、相互の積層位置は、図４に示すとおりであり、導電体ペースト２７の二チップ領域に跨る部分と分断している部分とは一層毎に交互に重なるように、且つ、段差吸収用セラミックペースト１３１とペースト無印刷部１４１とが一層毎に交互に重なるように、長手方向の位置をずらして積層される。
【００４１】
積層位置を同じくする一チップ領域に着目すると、４層重ねて一チップ領域の構成は一巡し、５層目の一チップ領域には、１層目と同じ構成の一チップ領域が配置される。全ての一チップ領域１４３ａ〜１４３ｄにおいて、内部電極層５、７と、段差吸収層１０６、１０８と、脱バイガス排気部１４５とが形成されている。脱バイガス排気部１４５は、ペースト無印刷部１４１が残存されていることによって存在する部分である。
【００４２】
図４から分かるように、各一チップ領域１４３ａ〜１４３ｄ内に関して、段差吸収層１０６、１０８は、内部電極層５、７の周囲に脱バイガス排気部１４５を残存させるように部分的に形成されている。
【００４３】
段差吸収層１０６は平面視Ｉ字状に形成され、段差吸収層１０８は平面視コ字状に形成されている。第１及び第３一チップ領域１４３ａ、１４３ｃに設けられた段差吸収層１０８は、長手方向の他方側において幅方向全体に亙って延びる部分と、幅方向の両側で長手方向の一方側に到達することなく終端する部分とを有する。これに対し、第２及び第４一チップ領域１４３ｂ、１４３ｄに設けられた段差吸収層１０６は、長手方向の一方側において幅方向全体に亙って延びる。さらに、脱バイガス排気部１４５は、かかる内部電極層５、７及び段差吸収層１０６、１０８が形成されていない部分として存在しており、各一チップ領域４３ａ〜４３ｄにおいて幅方向の両側に設けられている。
【００４４】
このように構成された第１〜第４単位シート１３５ａ〜１３５ｄを積層することによって、積層セラミックコンデンサ１の全体において、一チップ領域内に関し、積層される一対の層においてみて、一方の層の段差吸収層１０６、１０８は常に、他方の層の脱バイガス排気部１４５に重なるように構成されている。
【００４５】
以上のように構成された本実施の形態２に係る積層セラミックコンデンサ１においても、各チップ領域において内部電極層５、７の周囲に脱バイガス排気部１４５を残存するように部分的に段差吸収層１０６、１０８を設けて積層されるため、内部電極層５、７の有無による段差を緩和しつつも、脱バイガス排気部１４５を介して脱バイガスの円滑な排気を促進することができ、クラックやデラミネーションをより確実に防止することができる。
【００４６】
また、一層おきに段差吸収層１０８がチップ領域の幅方向の両側で長手方向に大きく延長し、その反射的な構成として、段差吸収層１０６を有する層では脱バイガス排気部１４５もまたチップ領域の幅方向の両側で長手方向に大きく延長する。よって、脱バイガス排気部１４５がチップ領域の幅方向の両側で延長する層では、脱バイガスを集中的に効率よく排気できる。
【００４７】
また、常に脱バイガス排気部１４５と段差吸収層１０６、１０８とが重なるので、段差吸収効果と脱バイガス排気効果とはバランスよく得られる。また、複数の単位シート１３５に亙って、段差吸収層１０６、１０８や脱バイガス排気部１４５が同一パターンに形成されるため、単一の印刷パターンを用いて段差吸収層１０６、１０８と脱バイガス排気部１４５との双方を有する態様を簡単且つ大量に製造できる。また、積層セラミックコンデンサの既存のプロセスにのせて実施することができる。
【００４８】
続いて、図５に基づいて、本発明の実施の形態３について説明する。本実施の形態も、印刷パターンが上記実施の形態１及び２と異なり、他の構成や製造過程は実施の形態１及び２と同様であるものとする。
【００４９】
図５に示されるように、第１〜第４単位シート２３５ａ〜２３５ｄのそれぞれにおいて、段差吸収用セラミックペースト２３１は、長手方向に隣り合う導電体ペースト２７の間にその導電体ペースト２７と同幅に塗布されると共に、チップ領域の幅方向の境界を跨がないように導電体ペースト２７が跨る二チップ領域の一方のみの長手方向の境界に塗布される。隣り合う一対の導電体ペースト２７と隣り合う一対の段差吸収用セラミックペースト２３１とに囲まれた部分がペースト無印刷部２４１として残存する。そして、すべての単位シート２３５は、積層位置をずらすものの、印刷パターンとしては同一の態様を採用している。
【００５０】
また、導電体ペースト２７の二チップ領域に跨る部分と分断している部分とは一層毎に交互に重なるように、且つ、段差吸収用セラミックペースト２３１とペースト無印刷部２４１とが一層毎に交互に重なるように、長手方向の位置をずらして積層される。
【００５１】
積層位置を同じくする一チップ領域に着目すると、４層重ねて一チップ領域の構成は一巡し、５層目の一チップ領域には、１層目と同じ構成の一チップ領域が配置される。全ての一チップ領域２４３ａ〜２４３ｄにおいて、内部電極層５、７と、段差吸収層２０６、２０８と、脱バイガス排気部２４５とが形成されている。脱バイガス排気部２４５は、ペースト無印刷部２４１が残存されていることによって存在する部分である。
【００５２】
図５から分かるように、各一チップ領域２４３ａ〜２４３ｄ内に関して、段差吸収層２０６、２０８は、内部電極層５、７の周囲に脱バイガス排気部２４５を残存させるように部分的に形成されている。
【００５３】
第１及び第３一チップ領域２４３ａ、２４３ｃに設けられた段差吸収層２０８は、長手方向の他方側において内部電極層５と同幅に延びる部分と、幅方向の両側で長手方向の両端に到達することなく終端する部分とを有する。これに対し、第２及び第４一チップ領域２４３ｂ、２４３ｄに設けられた段差吸収層２０６は、長手方向の一方側において内部電極層７と同幅に延びる部分を有する。さらに、脱バイガス排気部２４５は、各一チップ領域４３ａ〜４３ｄにおいて四隅に存在していると共に、一層おきにチップ領域の幅方向の両側において長手方向全体に亙って存在している。
【００５４】
このように構成された第１〜第４単位シート２３５ａ〜２３５ｄを積層することによって、積層セラミックコンデンサ１の全体において、一チップ領域内に関し、積層される一対の層においてみて、一方の層の段差吸収層２０６、２０８は常に、他方の層の脱バイガス排気部２４５に重なるように構成されている。
【００５５】
以上のように構成された本実施の形態３に係る積層セラミックコンデンサ１においても、各チップ領域において内部電極層５、７の周囲に脱バイガス排気部２４５を残存するように部分的に段差吸収層２０６、２０８を設けて積層されるため、内部電極層５、７の有無による段差を緩和しつつも、脱バイガス排気部２４５を介して脱バイガスの円滑な排気を促進することができ、クラックやデラミネーションをより確実に防止することができる。
【００５６】
また、一層おきに脱バイガス排気部２４５がチップ領域の幅方向の両側で長手方向全体に亙って延長し、脱バイガスを集中的に効率よく排気できる。さらに、各層においてチップ領域の四隅に脱バイガス排気部２４５が存在しているため、全ての層において、脱バイガスを四方に排気することを促進することができる。
【００５７】
また、全ての層において、脱バイガス排気部１４５が占有する排気に関する領域と、内部電極層５、７及び段差吸収層２０６、２０８を合わせた段差に関する領域とが、幅方向及び長手方向の双方に関して対称的であるため、積層セラミックコンデンサ全体に亙って、段差吸収効果と脱バイガス排気効果とを高レベルでバランスさせることが可能となった。
【００５８】
また、複数の単位シート２３５に亙って、段差吸収層２０６、２０８や脱バイガス排気部２４５が同一パターンに形成されるため、単一の印刷パターンを用いて段差吸収層２０６、２０８と脱バイガス排気部２４５との双方を有する態様を簡単且つ大量に製造できる。また、積層セラミックコンデンサの既存のプロセスにのせて実施することができる。
【００５９】
以上、好ましい実施の形態を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の改変態様を採り得ることは自明である。
【００６０】
まず、上記実施の形態では、積層セラミックコンデンサ１において内部電極層が設けられている全ての単位シートで、一チップ領域でみて部分的に段差吸収層及び脱バイガス排気部が設けられていたが、本発明はこれに限定されるものではなく、少なくとも一つの一チップ領域でみて、部分的に段差吸収層及び脱バイガス排気部を設けていればよい。
【００６１】
また、単位層の構成に関しては、上記実施の形態のように４層で一巡するパターンを用いることには限定されない。また、積層に際して内部電極層（導電層）をずらしながら配置する態様としては、上記実施の形態のように単位シートを長手方向に直線的にシフトさせる態様には限定されず、１８０度回転させながら重ねていく態様であってもよい。
【００６２】
また、上記実施の形態では、シート積層体を得る積層工程後に積層チップ体への裁断工程を行うプロセスであったが、本発明はこの順序に限定されるものではない。よって、単位シートから一チップ領域分を取り出す裁断工程の後に、それを重ねる積層工程を行う態様も含まれる。
【００６３】
さらに、本発明に関する積層電子部品は、積層セラミックコンデンサに限定されるものではなく、例えば、インダクタ、ＬＣフィルタ、アレイ部品に適用することも可能であり、よって、導電層もコンデンサにおける内部電極層に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態に係る製造方法を適用する積層セラミックコンデンサを示す断面図である。
【図２】積層セラミックコンデンサの製造方法を説明する図である。
【図３】本発明の一実施の形態における、導電層、段差吸収層及び脱バイガス排気部の配置パターンを示す図である。
【図４】本発明の別の実施の形態における、導電層、段差吸収層及び脱バイガス排気部の配置パターンを示す図である。
【図５】本発明のさらに別の実施の形態における、導電層、段差吸収層及び脱バイガス排気部の配置パターンを示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１                      積層セラミックコンデンサ（積層電子部品）
５、７                  内部電極層（導電層）
６、８                  段差吸収層
２５                    グリーンシート（グリーン層）
３５、１３５、２３５    単位シート（単位層）
３７                    シート積層体
３９                    積層チップ体
４３ａ〜４３ｄ          一チップ領域（単位層）
４５、１４５、２４５    脱バイガス排気部
１４３ａ〜１４３ｄ      一チップ領域（単位層）
２４３ａ〜２４３ｄ      一チップ領域（単位層）
【図１】
2006210422.tif 000003
【図２】
2006210422.tif 000004
【図３】
2006210422.tif 000005
【図４】
2006210422.tif 000006
【図５】
2006210422.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記段差吸収層を、各一チップ領域内の長手方向の一部にのみ形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の積層電子部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記段差吸収層は、各一チップ領域内の長手方向の一部にのみ形成されていると好適である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図３から分かるように、各一チップ領域４３ａ〜４３ｄ内に関して、段差吸収層６、８は、内部電極層５、７の周囲に脱バイガス排気部４５を残存させるように部分的に形成されている。より詳細には、段差吸収層６、８は、各一チップ領域４３ａ〜４３ｄの長手方向の一部のみ占める部分に形成されている。