(57)【要約】 【課題】  エッジ欠陥を適切に自動検出できるエッジ欠陥検出方法を提供する。【解決手段】  撮像工程ＳＴ１００では、ＣＣＤカメラにて表示画像を撮像する。撮像工程ＳＴ１００にて撮像された撮像データに基づいて撮像画素ごとの輝度値Ｌiを算出する（輝度値算出工程ＳＴ１１０）。輝度強調工程ＳＴ１４０では、着目撮像画素の輝度値Ｌiとその直上の撮像画素の輝度値Ｌi-1との差の絶対値を差分値Ｄiとして算出し、さらに、着目撮像画素に隣接する撮像画素を調べて最大の前記差分値Ｄmaxをサーチし、サーチされた最大の差分値Ｄmaxを着目撮像画素の差分値Ｄiに加算して強調差分値Ｄ´iを算出する。各撮像画素の強調差分値Ｄ´iを所定の輝度差閾値Ｄ´sと比較して強調差分値Ｄ´iが輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素を欠陥部として検出する（欠陥部検出工程ＳＴ１５０）。【選択図】図３
2006275812.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象となる表示画像の表示画素よりも細密な撮像画素を有する撮像手段によって前記表示画像を撮像する撮像工程と、
前記撮像工程にて撮像された撮像データに基づいて前記撮像画素ごとの輝度値Ｌiを算出する輝度値算出工程と、
前記表示画素を撮像して得られた撮像データ中の撮像画素を所定方向に沿って順番に選択する走査を行い、走査方向の基端側を上とし先端側を下とするときに、選択された着目撮像画素の輝度値Ｌｉとこの着目撮像画素の直上に位置する撮像画素の輝度値Ｌi-1との関係が所定条件を満たす場合に前記着目撮像画素の輝度値Ｌiとその直上の撮像画素の輝度値Ｌi-1との差の絶対値を差分値Ｄiとして算出する差分値算出工程と、
前記着目撮像画素に隣接する撮像画素を調べて最大の前記差分値Ｄmaxをサーチする最大差分値サーチ工程と、
前記最大差分値サーチ工程にてサーチされた最大の前記差分値Ｄmaxを前記着目撮像画素の差分値Ｄiに加算して強調差分値Ｄ´iを算出する強調差分値算出工程と、
各撮像画素の前記強調差分値Ｄ´iを所定の輝度差閾値Ｄ´sと比較して前記強調差分値Ｄ´iが前記輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素を欠陥部として検出する欠陥部検出工程と、を備える
ことを特徴とするエッジ欠陥検出方法。
【請求項２】
請求項１に記載のエッジ欠陥検出方法において、
前記差分値算出工程を行う前記所定条件は、
着目撮像画素が表示画素の上半分側の領域に位置する場合には、着目撮像画素の直上の撮像画素の輝度値Ｌi-1が着目撮像画素の輝度値Ｌiよりも高いときであり、
着目撮像画素が表示画素の下半分側の領域に位置する場合には、着目撮像画素の直上の撮像画素の輝度値Ｌi-1が着目撮像画素の輝度値Ｌiよりも低いときである
ことを特徴とするエッジ欠陥検出方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のエッジ欠陥検出方法において、
前記欠陥部検出工程は、
輝度値Ｌiが所定の輝度閾値Ｌs以上であり、かつ、前記強調差分値Ｄ´iが所定の輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素を欠陥候補画素としてサーチする欠陥候補画素サーチ工程と、
前記欠陥候補画素サーチ工程にてサーチされた欠陥候補画素に隣接する撮像画素について前記強調差分値Ｄ´が所定の輝度差閾値Ｄ´ｓ以上である撮像画素がある場合に前記欠陥候補画素を欠陥画素として検出する欠陥画素検出工程と、を備える
ことを特徴とするエッジ欠陥検出方法。
【請求項４】
請求項３に記載のエッジ欠陥検出方法において、
前記欠陥部検出工程は、前記輝度閾値Ｌｓおよび前記輝度差閾値Ｄ´ｓを設定する閾値設定工程を備え、
前記閾値設定工程は、各表示画素の平均輝度値Ｍを算出する平均輝度値算出工程と、
前記平均輝度値算出工程にて算出された前記平均輝度値Ｍに第１の所定係数αを乗算した値を前記輝度閾値Ｌｓとして設定する輝度閾値設定工程と、
前記平均輝度値算出工程にて算出された前記平均輝度値Ｍに第２の所定係数βを乗算した値を前記輝度差閾値Ｄ´ｓとして設定する輝度差設定工程と、を備える
ことを特徴とするエッジ欠陥検出方法。
【請求項５】
検査対象となる表示画像の表示画素よりも細密な撮像画素を有し前記表示画像を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段にて撮像された撮像データに基づいて前記撮像画素ごとの輝度値Ｌiを算出する輝度値算出手段と、
前記表示画素を撮像して得られた撮像データ中の撮像画素について所定方向に沿って順番に撮像画素に着目していく走査を行い、走査方向の基端側を上とし先端側を下とするときに、着目撮像画素の輝度値Ｌiとこの着目撮像画素の直上に位置する撮像画素の輝度値Ｌi-1との関係が所定条件を満たす場合に前記着目撮像画素の輝度値Ｌiとその直上の撮像画素の輝度値Ｌi-1との差の絶対値を差分値Ｄiとして算出する差分値算出手段と、
前記着目撮像画素に隣接する撮像画素を調べて最大の前記差分値Ｄmaxをサーチする最大差分値サーチ手段と、
前記最大差分値サーチ手段にてサーチされた最大の前記差分値Ｄmaxを前記着目撮像画素の差分値Ｄiに加算して強調差分値Ｄ´iを算出する強調差分値算出手段と、
各撮像画素の前記強調差分値Ｄ´iを所定の輝度差閾値Ｄ´sと比較して前記強調差分値Ｄ´iが前記輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素を欠陥部として検出する欠陥部検出手段と、を備える
ことを特徴とするエッジ欠陥検出装置。
【請求項６】
検査対象となる表示画像の表示画素よりも細密な撮像画素を有し前記表示画像を撮像する撮像手段を有するエッジ欠陥検出装置にコンピュータを組み込んで、このコンピュータを、
前記撮像手段にて撮像された撮像データに基づいて前記撮像画素ごとの輝度値Ｌiを算出する輝度値算出手段と、
前記表示画素を撮像して得られた撮像データ中の撮像画素について所定方向に沿って順番に撮像画素に着目していく走査を行い、走査方向の基端側を上とし先端側を下とするときに、着目撮像画素の輝度値Ｌiとこの着目撮像画素の直上に位置する撮像画素の輝度値Ｌi-1との関係が所定条件を満たす場合に着目する着目撮像画素の輝度値Ｌiとその直上の撮像画素の輝度値Ｌi-1との差の絶対値を差分値として算出する差分値算出手段と、
前記着目撮像画素に隣接する撮像画素を調べて最大の前記差分値Ｄmaxをサーチする最大差分値サーチ手段と、
前記最大差分値サーチ手段にてサーチされた最大の前記差分値Ｄmaxを前記着目撮像画素の差分値Ｄiに加算して強調差分値Ｄ´iを算出する強調差分値算出手段と、
各撮像画素の前記強調差分値Ｄ´iを所定の輝度差閾値Ｄ´sと比較して前記強調差分値Ｄ´iが前記輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素を欠陥部として検出する欠陥部検出手段と、して機能させる
ことを特徴とするコンピュータ読取可能なエッジ欠陥検出プログラム。
【請求項７】
請求項６に記載のエッジ欠陥検出プログラムをコンピュータ読取可能に記録した記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッジ欠陥検出方法、エッジ欠陥検出装置、エッジ欠陥検出プログラムおよび記録媒体に関し、たとえば、表示画素のエッジに生じた欠陥を検出する方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬパネルなどの画像表示装置が知られている（例えば、特許文献１）。
有機ＥＬパネルは、マトリクス状に配置される複数の有機ＥＬ素子をそれぞれ表示画素として表示面に画像を表示する。
有機ＥＬ素子は、例えば赤、緑、または青の蛍光性有機化合物を含む発光層を有する有機積層膜と、有機積層膜を挟持するアノード電極およびカソード電極と、を有する。これら有機ＥＬ素子は供給電流量に応じた輝度で自己発光する能動素子であり、これら有機ＥＬ素子の行に沿って形成される複数の走査線およびこれら有機ＥＬ素子の列に沿って形成される複数のデータ線の交差位置近傍に配置される電流制御回路によりそれぞれ制御される。
ここで、有機ＥＬパネルの製造では、低分子型では蒸着法、高分子型ではインクジェット法が用いられる場合があるが、いずれにせよ、各表示画素の周囲をブラックマトリクスで囲む事が多い。
【０００３】
このような画像表示装置にあってはその製造工程において表示欠陥が生じていないかを検査する表示欠陥検査が行われている。
例えば、上記有機ＥＬパネルでは、各表示画素の外側において本来はブラックマトリクスが塗布されて黒くなるはずのところに点状に光る欠陥が生じることがあり、エッジ欠陥と呼ばれている（例えば図５参照）。
このようなエッジ欠陥の表示欠陥検査にあたり、従来は、所定のパターンで点灯させた有機ＥＬパネルを検査員が目視して有機ＥＬパネルの検査を行っていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１９１７５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、検査員が一枚一枚の有機ＥＬパネルについてエッジ欠陥を目視で検査していたのでは一枚の検査に非常に時間がかかり、有機ＥＬパネルの製造量が膨大であることを鑑みるに、総ての有機ＥＬパネルを目視検査することには限界がある。
また、複数の検査員で目視検査を行うと、エッジ欠陥の判断について検査員ごとにばらつきが生じ、製品の信頼性を一定に保つことは困難であるという問題が生じる。
【０００６】
本発明の目的は、従来の問題を解消して、エッジ欠陥を適切に自動検出できるエッジ欠陥検出方法、エッジ欠陥検出装置、エッジ欠陥検出プログラムおよびこのプログラムを記録した記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のエッジ欠陥検出方法は、検査対象となる表示画像の表示画素よりも細密な撮像画素を有する撮像手段によって前記表示画像を撮像する撮像工程と、前記撮像工程にて撮像された撮像データに基づいて前記撮像画素ごとの輝度値Ｌiを算出する輝度値算出工程と、前記表示画素を撮像して得られた撮像データ中の撮像画素を所定方向に沿って順番に選択する走査を行い、走査方向の基端側を上とし先端側を下とするときに、選択された着目撮像画素の輝度値Ｌiとこの着目撮像画素の直上に位置する撮像画素の輝度値Ｌi-1との関係が所定条件を満たす場合に前記着目撮像画素の輝度値Ｌiとその直上の撮像画素の輝度値Ｌi-1との差の絶対値を差分値Ｄiとして算出する差分値算出工程と、前記着目撮像画素に隣接する撮像画素を調べて最大の前記差分値Ｄmaxをサーチする最大差分値サーチ工程と、前記最大差分値サーチ工程にてサーチされた最大の前記差分値Ｄmaxを前記着目撮像画素の差分値Ｄiに加算して強調差分値Ｄ´iを算出する強調差分値算出工程と、各撮像画素の前記強調差分値Ｄ´iを所定の輝度差閾値Ｄ´sと比較して前記強調差分値Ｄ´iが前記輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素を欠陥部として検出する欠陥部検出工程と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
このような構成において、まず、検査対象となる表示画像を撮像手段にて撮像する（撮像工程）。撮像手段の撮像画素は表示画像を構成する表示画素よりも細密であり、表示画像の表示画素をさらに細分化した撮像画素単位で表示画像を撮像した撮像データが得られる。
続いて、輝度値算出工程では、撮像データの撮像素子単位で輝度値Ｌiを得る。
次に、エッジ欠陥検出の処理対象エリアである各表示画素について撮像画素を列ごとに上から下に走査していき、撮像画素ごとにその直上の撮像画素との輝度差の絶対値である差分値Ｄi（＝Ｌi-1−Ｌi）を算出する（差分値算出工程）。
ただし、差分値算出工程では、各撮像画素についてその直上の撮像画素との輝度値Ｌの関係が所定条件に合致しているかどうかをみて、この所定条件に合致している場合にのみその撮像画素について差分値Ｄiを算出する。ここで、前記所定条件を満たさない撮像素子については、差分値Ｄiを０に設定しておくことが例として挙げられる。
【０００９】
なお、表示画素とは、エッジ欠陥を検出するために、エッジ欠陥が生じるエッジ部分を含めた表示画素の領域を意味する。
【００１０】
各撮像画素について差分値が求まったところで、着目撮像画素に隣接する撮像画素のなかから最大の差分値Ｄをサーチしていく。
そして、サーチされた最大の差分値Ｄmaxを着目撮像画素の差分値Ｄiに加算して強調差分値Ｄ´i（＝Ｄi＋Ｄmax）を算出する。
欠陥部検出工程において、各撮像画素について求められた強調差分値Ｄ´iを所定の輝度差閾値Ｄ´sと比較し、輝度差閾値Ｄ´s以上の強調差分値Ｄ´iである撮像画素を検出する。これによりエッジ欠陥が検出される。
【００１１】
表示画像はマトリクス状に配列された複数の表示画素によって構成され、さらに、各表示画素はブラックマトリクスにて囲まれている。そして、エッジ欠陥は、表示画素のエッジ部分で点状に光る欠陥として生じる欠陥である。
したがって、本来はブラックマトリクスとして黒くあるべき部分に点状に光るエッジ欠陥が生じている領域を順に上から下に見ると、はじめブラックマトリクスの黒い部分があり、急に明るくなるエッジ欠陥部分があり、またブラックマトリクスの黒い部分があることになる。
このようなエッジ欠陥を撮像データに基づいて自動検出するにあたっては、撮像画素を上から下に見たときの輝度値の変化に基づいてエッジ欠陥を検出できる。
【００１２】
つまり、エッジ欠陥としてブラックマトリクス中に点状の輝点がある場合に、撮像画素を上から下に走査して上下の撮像画素で輝度値の差を算出すると、ブラックマトリクスの部分からエッジ欠陥に入るところ、および、エッジ欠陥からブラックマトリクスに出るところで、輝度値の差が非常に大きくなる。
その一方、エッジ欠陥が生じていなければブラックマトリクスの部分では一様に黒いので上下の撮像画素で輝度値の差は小さく、また、表示画素内でも一様に明るいので上下の撮像画素で輝度値の差は小さい。
したがって、輝度値の差が大きくなる部分があれば、エッジ欠陥が存在していることを検出することができる。
そこで、上下の撮像画素の輝度差に基づく強調差分値Ｄ´iを求めたうえで、この強調差分値Ｄ´iを所定の輝度差閾値Ｄ´sに比較して（欠陥部検出工程）、輝度差閾値Ｄ´s以上の強調差分値Ｄ´iである撮像画素を検出することでエッジ欠陥を検出することができる（欠陥部検出工程）。
【００１３】
ここで、撮像画素の上下で輝度差の絶対値（差分値Ｄi）を算出して、この差分値Ｄiを単純に閾値と比較するのみでは、エッジ欠陥ではなく単なる輝度のばらつきとして単独に存在する異常や撮像手段の電気信号ノイズなどにも敏感に反応してしまい、エッジ欠陥のみを的確に検出することができない。
この点、本発明では、最大差分値サーチ工程にて着目撮像画素に隣接する撮像画素の差分値Ｄをみて、これらの中で最大の差分値Ｄmaxを着目撮像画素の差分値Ｄiに加算して強調差分値Ｄ´iを算出したうえで、この強調差分値Ｄ´iを輝度差閾値Ｄ´sと比較する。
これにより、エッジ欠陥ではない単なる輝度のばらつきや電気信号ノイズではなく、着目撮像画素に隣接する位置にも大きな差分値Ｄが存在し、まとまって輝度の異常がある領域をエッジ欠陥として適切に検出することができる。
【００１４】
また、差分値算出工程において着目撮像画素とその直上の撮像画素とで差分値Ｄiを算出すると、ブラックマトリクスとエッジ欠陥との境界でも、ブラックマトリクスと表示画素との境界でも同様に大きな輝度の変化が生じているので、差分値Ｄiとしては同じように大きな値となってしまう。そのため、単純に差分値Ｄiを閾値と比較すると、エッジ欠陥のみならず、ブラックマトリクスと表示画素との正常な境界も検出してしまうことになり正常な表示画素も過剰に誤検出してしまうことになる。
【００１５】
この点、本発明では、着目撮像画素の輝度値と着目撮像画素の直上の撮像画素の輝度値との関係が所定条件を満たす場合にのみ上下の撮像画素で輝度値の差分値Ｄを算出する差分値算出工程を行う。そして、このように算出された差分値Ｄに基づく強調差分値Ｄiを輝度差閾値Ｄ´sと比較して、輝度差閾値Ｄ´s以上である強調差分値Ｄ´iの撮像画素を欠陥部として検出する（欠陥部検出工程）。
これにより、ブラックマトリクスと表示画素との境界には反応しないようにして、エッジ欠陥にのみ反応するようにする。
【００１６】
例えば、表示画素の上半分側を走査する場合を例にすると、ブラックマトリクスの部分から表示画素に移行する際に輝度値が低い状態から高い状態に変化する場合には、ブラックマトリクスから表示画素に移行しているので正常である。
その一方、ブラックマトリクスの部分にエッジ欠陥が生じている場合に、ブラックマトリクスからエッジ欠陥に入って輝度値が低い状態から高い状態に変化した後、さらに、エッジ欠陥からブラックマトリクスに出る際に輝度値が高い状態から低い状態へと変化すると異常である。
【００１７】
このように、正常にブラックマトリクスから表示画素に移行することによる輝度値の変化とエッジ欠陥の存在によって生じる輝度値の変化では異なっていることから、この違いに基づいて、上下の撮像画素で輝度値の関係が所定条件に合致している場合にのみ差分値算出工程を行うことで、エッジ欠陥の部分でのみ高い値の差分値Ｄiを得ることができる。そして、このように算出される差分値Ｄiに基づく強調差分値Ｄ´iを所定の輝度差閾値Ｄ´sに比較することにより、エッジ欠陥を適切に検出することができる。
【００１８】
本発明では、前記差分値算出工程を行う前記所定条件は、着目撮像画素が表示画素の上半分側の領域に位置する場合には、着目撮像画素の直上の撮像画素の輝度値Ｌi-1が着目撮像画素の輝度値Ｌiよりも高いときであり、着目撮像画素が表示画素の下半分側の領域に位置する場合には、着目撮像画素の直上の撮像画素の輝度値Ｌi-1が着目撮像画素の輝度値Ｌiよりも低いときであることが好ましい。
【００１９】
このような構成において、撮像画素の輝度値を上から下に順に見たときに、表示画素の上半分である場合には、ブラックマトリクスから表示画素に移行する際に輝度値が低い状態から輝度値が高い状態に移行することは正常な変化である。
これに対して、エッジ欠陥がある場合には、ブラックマトリクスからエッジ欠陥に入った後、エッジ欠陥からブラックマトリクスに出る際に輝度値が高い状態から輝度値が低い状態に移行することになる。
したがって、表示画素の上半分側では、ブラックマトリクスから表示画素に入る際に輝度値が低い状態から高い状態に移行することは正常である一方、輝度値が高い状態から低い状態に変化すると異常である。
よって、表示画素の上半分については、輝度値が高い状態から低い状態に変化するときにのみ、その着目撮像画素の直上に位置する撮像画素の輝度値Ｌi-1と着目画素の輝度値Ｌiとの差分値Ｄiを算出する。すると、輝度値が高い状態から低い状態に変化する異常が生じている場合にのみ、差分値Ｄiが算出される。
その結果、エッジ欠陥とブラックマトリクスの境界を適切に検出できる一方、ブラックマトリクスから表示画素に移行する正常な変化を誤検出することを回避することができる。
【００２０】
また、撮像画素の輝度値Ｌを上から下に順に見たときに、表示画素の下半分である場合には、表示画素からブラックマトリクスに出る際に輝度値が高い状態から輝度値Ｌが低い状態に移行することは正常な変化である。これに対して、エッジ欠陥がある場合には、表示画素からブラックマトリクスに出た後、ブラックマトリクスからエッジ欠陥に入って輝度値Ｌが低い状態から輝度値Ｌが高い状態に移行する場合には、異常な変化である。したがって、表示画素の下半分では、表示画素からブラックマトリクスに出る際に輝度値Ｌが高い状態から輝度値Ｌが低い状態に移行することは正常である一方、輝度値Ｌが低い状態から高い状態に変化すると異常である。
よって、表示画素の下半分については、輝度値Ｌが低い状態から高い状態に変化するときにのみ、その着目撮像画素の直上に位置する撮像画素の輝度値Ｌi-1と着目画素の輝度値Ｌiとの差分値Ｄiを算出する。
すると、輝度値Ｌiが低い状態から高い状態に変化する異常が生じている場合にのみ、差分値Ｄiが算出される。
その結果、エッジ欠陥とブラックマトリクスの境界を適切に検出できる一方、表示画素からブラックマトリクスに移行する正常な変化を誤検出することを回避することができる。
【００２１】
なお、前記所定条件を満たさない撮像画素については、その差分値Ｄを０に設定することが例として挙げられる。
【００２２】
本発明では、前記欠陥部検出工程は、輝度値Ｌiが所定の輝度閾値Ｌs以上であり、かつ、前記強調差分値Ｄ´iが所定の輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素を欠陥候補画素としてサーチする欠陥候補画素サーチ工程と、前記欠陥候補画素サーチ工程にてサーチされた欠陥候補画素に隣接する撮像画素について前記強調差分値Ｄ´が所定の輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素がある場合に前記欠陥候補画素を欠陥画素として検出する欠陥画素検出工程と、を備えることが好ましい。
【００２３】
このような構成において、撮像画素について輝度値Ｌおよび強調差分値Ｄ´が算出されているところ、まず、輝度値Ｌiが輝度閾値Ｌs以上で、かつ、強度差分値Ｄ´iが輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素を欠陥候補画素としてサーチする（欠陥候補画素サーチ工程）。
欠陥候補画素があった場合には、この欠陥候補画素に隣接する撮像画素を見て、強調差分値Ｄ´が輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素があるかを見る。
そして、隣接する撮像画素に輝度差閾値Ｄ´s以上の強調差分値Ｄ´が存在する場合には、欠陥候補画素を欠陥画素とする。
輝度値Ｌおよび強調差分値Ｄ´がそれぞれ所定閾値（輝度閾値Ｌs、輝度差閾値Ｄ´s）以上である撮像画素が単独に存在する場合にはエッジ欠陥ではなく、別の種類の欠陥もしくは撮像時のノイズ等である事が考えられるので、エッジ欠陥としては検出しない方が好ましい場合がある。そこで、本発明では、隣接する撮像画素の強調差分値Ｄ´も輝度差閾値Ｄ´sを超えている場合に限り、欠陥画素として検出する事で、隣接する位置にも輝度差閾値Ｄ´s以上の強調差分値Ｄ´が存在し、まとまって輝度の異常がある場合のみをエッジ欠陥として適切に検出することができる。
【００２４】
本発明では、前記欠陥部検出工程は、前記輝度閾値Ｌsおよび前記輝度差閾値Ｄ´sを設定する閾値設定工程を備え、前記閾値設定工程は、各表示画素の平均輝度値Ｍを算出する平均輝度値算出工程と、前記平均輝度値算出工程にて算出された前記平均輝度値Ｍに第１の所定係数αを乗算した値を前記輝度閾値Ｌsとして設定する輝度閾値設定工程と、前記平均輝度値算出工程にて算出された前記平均輝度値Ｍに第２の所定係数βを乗算した値を前記輝度差閾値Ｄ´sとして設定する輝度差設定工程と、を備えることが好ましい。
【００２５】
このような構成において、輝度閾値Ｌsおよび輝度差閾値Ｄ´sを設定するにあたって、まず、表示画素の処理エリア内の平均輝度値Ｍを算出する。
そして、この平均輝度値Ｍに所定の係数をそれぞれ乗算して輝度閾値Ｌｓおよび輝度差閾値Ｄ´sを算出する。
このような構成によれば、表示画素ごとに適切な閾値を設定できるので、例えば、表示画像の左右で輝度が異なるなどの輝度ムラがある場合でも、各表示画素についてはそれぞれ適切な閾値を用いてエッジ欠陥の検出を行うことができる。
【００２６】
本発明のエッジ欠陥検出装置は、検査対象となる表示画像の表示画素よりも細密な撮像画素を有し前記表示画像を撮像する撮像手段と、前記撮像手段にて撮像された撮像データに基づいて前記撮像画素ごとの輝度値Ｌiを算出する輝度値算出手段と、前記表示画素を撮像して得られた撮像データ中の撮像画素について所定方向に沿って順番に撮像画素に着目していく走査を行い、走査方向の基端側を上とし先端側を下とするときに、着目撮像画素の輝度値Ｌiとこの着目撮像画素の直上に位置する撮像画素の輝度値Ｌi-1との関係が所定条件を満たす場合に前記着目撮像画素の輝度値Ｌiとその直上の撮像画素の輝度値Ｌi-1との差の絶対値を差分値として算出する差分値算出手段と、前記着目撮像画素に隣接する撮像画素を調べて最大の前記差分値Ｄmaxをサーチする最大差分値サーチ手段と、前記最大差分値サーチ手段にてサーチされた最大の前記差分値Ｄmaxを前記着目撮像画素の差分値Ｄiに加算して強調差分値Ｄ´iを算出する強調差分値算出手段と、各撮像画素の前記強調差分値Ｄ´iを所定の輝度差閾値Ｄ´sと比較して前記強調差分値Ｄ´iが前記輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素を欠陥部として検出する欠陥部検出手段と、を備えることを特徴とする。
【００２７】
本発明のエッジ欠陥検出プログラムは、検査対象となる表示画像の表示画素よりも細密な撮像画素を有し前記表示画像を撮像する撮像手段を有するエッジ欠陥検出装置にコンピュータを組み込んで、このコンピュータを、前記撮像手段にて撮像された撮像データに基づいて前記撮像画素ごとの輝度値Ｌiを算出する輝度値算出手段と、前記表示画素を撮像して得られた撮像データ中の撮像画素について所定方向に沿って順番に撮像画素に着目していく走査を行い、走査方向の基端側を上とし先端側を下とするときに、着目撮像画素の輝度値Ｌiとこの着目撮像画素の直上に位置する撮像画素の輝度値Ｌi-1との関係が所定条件を満たす場合に前記着目撮像画素の輝度値Ｌiとその直上の撮像画素の輝度値Ｌi-1との差の絶対値を差分値として算出する差分値算出手段と、前記着目撮像画素に隣接する撮像画素を調べて最大の前記差分値Ｄmaxをサーチする最大差分値サーチ手段と、前記最大差分値サーチ手段にてサーチされた最大の前記差分値Ｄmaxを前記着目撮像画素の差分値Ｄiに加算して強調差分値Ｄ´iを算出する強調差分値算出手段と、各撮像画素の前記強調差分値Ｄ´iを所定の輝度差閾値Ｄ´sと比較して前記強調差分値Ｄ´iが前記輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素を欠陥部として検出する欠陥部検出手段と、して機能させることを特徴とする。
【００２８】
本発明の記録媒体は、前記エッジ欠陥検出プログラムをコンピュータ読取可能に記録したことを特徴とする。
【００２９】
このような構成によれば、上記発明と同様の作用効果を奏することができる。
また、ＣＰＵ（中央処理装置）やメモリ（記憶装置）を有するコンピュータを上記各手段として機能させるようにプログラムを構成すれば、各手段におけるパラメータを容易に変更することができる。そして、このプログラムを記録媒体に記録して、この記録媒体をコンピュータに直接差し込んでプログラムをコンピュータにインストールしてもよく、記録媒体の情報を読み取る読み取り装置をコンピュータに外付けし、この読み取り装置からコンピュータにプログラムをインストールしてもよい。
なお、プログラムはインターネット、ＬＡＮケーブル、電話回線等の通信回線や無線によってコンピュータに供給されてインストールされてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態を図示するとともに図中の各要素に付した符号を参照して説明する。
（第１実施形態）
本発明のエッジ欠陥検出方法に係る第１実施形態について説明する。
図１は、エッジ欠陥検出方法を実施するエッジ欠陥検出装置１００の全体構成を示す図である。
エッジ欠陥検出装置１００は、検査対象となる有機ＥＬパネル４００が載置される載置テーブル１１０と、有機ＥＬパネル４００に検査用の信号を供給して有機ＥＬパネル４００を駆動させて表示面４１０に画像を表示させるＯＬＥＤ駆動部１２０と、有機ＥＬパネル４００の表示面４１０を撮像する撮像手段としてのＣＣＤカメラ１３０と、ＣＣＤカメラ１３０からの撮像データに基づく画像処理によって画像中のエッジ欠陥を検出する演算処理部２００と、演算処理部２００による検出結果を表示する表示部１４０と、演算処理部２００に接続された入力手段１５０と、を備えている。
【００３１】
ＣＣＤカメラ１３０は、有機ＥＬパネル４００の表示画素４２０よりも細密な撮像素子を有し、一つの表示画素を複数の撮像画素で撮像することができる。例えば、一つの表示画素を２０×２０の撮像画素で撮像する。また、ＣＣＤカメラ１３０は、有機ＥＬパネル４００の階調よりも精度の高い階調値（２５５階調）で画像を撮像する。ＣＣＤカメラ１３０にて撮像された撮像データは演算処理部２００に送られる。
【００３２】
図２は、演算処理部２００の構成を示す図である。
演算処理部２００は、撮像データ記憶部２１０と、輝度値算出手段２２０と、処理エリア抽出手段２３０と、処理エリア選択手段２４０と、輝度強調手段２５０と、欠陥部検出手段３００と、を備えている。輝度強調手段２５０は、差分値算出手段２５１と、最大差分値サーチ手段２５２と、強調差分値算出手段２５３と、を備え、また、欠陥部検出手段３００は、閾値設定手段３１０と、欠陥候補画素サーチ手段３２０と、隣接画素サーチ手段３３０と、フラグ設定手段３４０と、を備え、閾値設定手段３１０は、平均輝度値算出手段３１１と、輝度閾値設定手段３１２と、輝度差閾値設定手段３１３と、を備えている。
例えば、ＣＰＵ（中央処理装置）およびメモリ（記憶装置）を有するコンピュータに所定のエッジ欠陥検出プログラムをインストールして実行することにより、このコンピュータを演算処理部２００として機能させることができる。
なお、演算処理部２００の動作については、図３のフローチャートを参照して説明する。
【００３３】
（エッジ欠陥検出方法）
図３は、エッジ欠陥検出方法の手順を示すフローチャートである。
有機ＥＬパネル４００の表示画素に生じるエッジ欠陥を検出するにあたって、まず、撮像工程ＳＴ１００において、有機ＥＬパネル４００の表示画像をＣＣＤカメラ１３０によって撮像する。この際、有機ＥＬパネル４００の各表示画素が所定の輝度で発光するようにＯＬＥＤ駆動部１２０から有機ＥＬパネル４００に検査用の駆動信号を印加する。
【００３４】
図４は、有機ＥＬパネル４００の表示面４１０の構成を示す図である。図４に示されるように、有機ＥＬパネル４００の表示面４１０にはＲ，Ｇ、Ｂの表示画素４２０が順番に配列され、各表示画素４２０はブラックマトリクス４３０で囲まれる。そして、図５は、ＣＣＤカメラ１３０で撮像された撮像データの一例である。また、図６は、撮像データからＲの表示画素４２０のみを抜き出して配列し直した図である。
有機ＥＬパネル４００の表示面４１０には表示画素４２０が配列されているところ、ＣＣＤカメラ１３０の撮像素子は表示画素４２０よりも細密であるので、図５に示されるように、一つの表示画素４２０は複数の撮像画素１３１で区分されて撮像される。
そして、撮像データにおいて、撮像画素１３１ごとに輝度値が得られる。
【００３５】
なお、ＣＣＤカメラ１３０の撮像範囲が有機ＥＬパネル４００の表示面４１０よりも小さい場合には、有機ＥＬパネル４００の表示面４１０を複数の部分に分割してＣＣＤカメラ１３０で撮像した後、部分ごとの撮像データを表示画像に対応させてつなぎ合わせてもよい。
撮像された撮像データは、撮像データ記憶部２１０に記憶される。
【００３６】
ここで、図６に示されるように、表示画像を構成する各表示画素４２０は、図６中において上下方向に長手方向を有する小判型であり、各表示画素４２０はブラックマトリクス４３０で囲まれている。そして、正常であれば小判型である表示画素４２０に対して、小判型の表示画素から少し外れた位置に点状に光る欠陥が生じているエッジ欠陥４４０が見られる。
図６は、主として表示画素４２０の左上にエッジ欠陥４４０が生じている例であるが、エッジ欠陥は、表示画素４２０のわずかに上側およびわずかに下側など、表示画素４２０のエッジ部分に生じる欠陥である。
以下の処理では、このようなエッジ欠陥４４０を撮像データに基づいて検出していく。
【００３７】
次に、ＳＴ１１０において、撮像データに基づいて撮像画素１３１ごとの輝度値Ｌを算出する輝度値算出工程が輝度値算出手段２２０にて行われる。輝度値算出手段２２０は、図５に示される撮像画素１３１と同じ配列の配列空間２２１を作成し（図７参照）、配列空間中の各画素に輝度値Ｌiを配置していく。
ここで、図８は、このようにして算出された各撮像画素１３１の輝度値Ｌの数値例である。
【００３８】
なお、配列空間２２１は輝度値算出手段２２０にて作成されたものであり、この配列空間２２１のセルはＣＣＤカメラ１３０で撮像された撮像データの撮像画素１３１そのものとは異なるが、以下の説明では、配列空間２２１のセルも撮像画素と称して説明する。
【００３９】
次に、ＳＴ１２０において、処理エリアを抽出する処理エリア抽出工程が処理エリア抽出手段２３０にて行われる。
エッジ欠陥４４０は表示画素４２０のエッジ部分に生じる欠陥であるところ、エッジ欠陥４４０の検出にあたっては、表示画像の全体でエッジ欠陥検出を行う必要はなく、主として小判型の表示画素４２０部分に欠陥検出処理を行えばよい。そこで、処理エリア抽出工程（ＳＴ１２０）では、所定閾値以上の輝度値Ｌである撮像画素１３１のみを抽出して処理対象エリア２３１としてマークする。すると、小判型の各表示画素４２０のエリアが各処理エリア２３１として抽出される。
なお、処理エリア２３１を抽出するための閾値としては、処理エリア２３１内に表示画素４２０およびこの表示画素４２０のエッジ部分を含むために十分に低い値に設定され、例えば、３０程度に設定される。
【００４０】
そして、一つ一つの処理エリア２３１に対してエッジ欠陥検出処理を順次行っていくところ、ＳＴ１３０において、一の処理エリア２３１を選択する処理エリア選択工程が処理エリア選択手段２４０によって行われる。
【００４１】
ＳＴ１３０の処理エリア選択工程で選択された処理エリア２３１に対して具体的にエッジ欠陥検出処理を行っていく。
まず、ＳＴ１４０において、上下の撮像画素１３１の輝度差に基づく強調差分値を算出する輝度強調工程が輝度強調手段２５０にて行われる。
輝度強調工程ＳＴ１４０について、図９のフローチャートを参照して説明する。
【００４２】
輝度強調工程（ＳＴ１４０）にあたっては、まず、ＳＴ１４１において、上下の撮像画素１３１の輝度差を算出する差分値算出工程が差分値算出手段２５１にて行われる。
このとき、図１０に示されるように、処理エリア２３１について列ごとに上下方向（所定方向）に沿った走査を行っていく。そして、着目する着目撮像画素１３１の輝度値Ｌiとその直上の撮像画素１３１の輝度値Ｌi-1との差の絶対値（｜Ｌi-1−Ｌi｜）を算出する。さらに、この差の絶対値（｜Ｌi-1−Ｌi｜）をＬi-1で除算したうえで２５５を乗算して正規化した値を差分値Ｄiとする。
【００４３】
【数１】
2006275812.tif 000003
【００４４】
ただし、この差分値算出工程ＳＴ１４１は、次の条件に合致する場合にのみ行う。
すなわち、着目撮像画素１３１が表示画素４２０の上半分側の領域に位置する場合には、着目撮像画素１３１の直上の撮像画素１３１の輝度値Ｌi-1が着目撮像画素１３１の輝度値Ｌiよりも高いときにのみ差分値Ｄiの算出を行う。
また、着目撮像画素１３１が表示画素４２０の下半分側の領域に位置する場合には、着目撮像画素１３１の直上の撮像画素１３１の輝度値Ｌi-1が着目撮像画素１３１の輝度値Ｌiよりも低いときにのみ差分値Ｄiの算出を行う。
【００４５】
差分値算出工程ＳＴ１４１を行うにあたって、着目撮像画素１３１が処理エリア２３１の上側か下側か判断する。例えば、図８の数値例のように処理エリア２３１の上下方向で０００〜０３７までの座標を設定した場合、着目撮像画素１３１の座標が０１８以上であれば処理エリア２３１の上半分に位置していると判断し、着目撮像画素１３１の座標が０１９以下であれば処理エリア２３１の下半分に位置していると判断する。
そして、着目撮像画素１３１が処理エリア２３１の上半分側であった場合、その着目撮像画素１３１の輝度値Ｌiおよび着目撮像画素１３１の直上の撮像画素１３１の輝度値Ｌi-1を図７（図８）に示される輝度値の配列空間において確認し、直上の撮像画素１３１の輝度値Ｌi-1の方が着目撮像画素１３１の輝度値Ｌiよりも高ければ、着目撮像画素１３１とその直上に位置する撮像画素１３１との輝度値の差分値Ｄiを算出する。
【００４６】
また、着目撮像画素１３１が処理エリア２３１の下半分側であった場合には、その着目撮像画素１３１の輝度値Ｌiおよび着目撮像画素１３１の直上に位置する撮像画素１３１の輝度値Ｌi-1を図７（図８）に示される輝度値の配列空間において確認し、直上の撮像画素１３１の輝度値Ｌi-1の方が着目撮像画素１３１の輝度値Ｌiよりも低ければ、着目撮像画素１３１とその直上に位置する撮像画素１３１との輝度値の差分値Ｄiを算出する。
【００４７】
なお、差分値算出工程（ＳＴ１４１）を行うにあたって、着目撮像画素１３１が前記所定条件に合致しない場合には、その着目撮像画素１３１について直上の撮像画素１３１との差分値を算出することなく、差分値は０とする。
【００４８】
処理エリア２３１内の上記所定条件を満たす撮像画素１３１について（式１）によって差分値Ｄを算出していく。そして、図５の撮像画素１３１と同じ配列の配列空間を用意し、この配列空間に算出された差分値Ｄiを配置していく（図１１参照）。
図１２は、このようにして算出された各撮像画素１３１の差分値Ｄiの数値例である。
【００４９】
ここで、差分値算出工程ＳＴ１４１において、着目撮像画素１３１の輝度値Ｌiと着目撮像画素１３１の直上に位置する撮像画素１３１の輝度値Ｌi-1との関係が所定条件を満たす場合にのみ差分値Ｄiの算出を行っているのは、次の理由に基づく。
すなわち、表示画素４２０の上半分側を走査する場合を例にすると、ブラックマトリクス４３０の部分から表示画素４２０に移行する際に輝度値が低い状態から高い状態に変化する場合には、ブラックマトリクス４３０から表示画素４２０に移行しているので正常である。
これに対して、ブラックマトリクス４３０の部分にエッジ欠陥４４０が生じている場合、ブラックマトリクス４３０からエッジ欠陥４４０に入って輝度値が低い状態から高い状態に変化した後、さらに、エッジ欠陥４４０からブラックマトリクス４３０に出る際に輝度値が高い状態から低い状態へと変化すると異常である。
このように、正常にブラックマトリクス４３０から表示画素４２０に移行することによる輝度値の変化とエッジ欠陥４４０の存在によって生じる輝度値の変化では異なっている。そこで、上記所定条件を満たす場合にのみ差分値を算出すると、エッジ欠陥４４０の部分と表示画素４２０との間に存在する暗い谷のような部分（図６中の符号４４１）でのみ高い値の強調差分値Ｄ´iを得ることができるためである。
【００５０】
各撮像画素１３１について差分値Ｄiが算出されたところで、次に、ＳＴ１４２において、着目する撮像画素１３１に隣接する撮像画素１３１のなかで最大の差分値Ｄmaxをサーチする最大差分値サーチ工程が最大差分値サーチ手段２５２にて行われる。
最大差分値サーチ工程ＳＴ１４２では、図１３に示されるように、中心である着目撮像画素ｉに隣接する周囲８つの画素ｐ〜ｗのなかで最大の差分値Ｄmaxをサーチする（図１４参照）。そして、この最大差分値サーチ工程（ＳＴ１４２）で見出された最大の差分値Ｄmaxを着目撮像画素ｉの差分値Ｄiに加算して強調差分値Ｄ´iを算出する強調差分値算出工程（ＳＴ１４３）が強調差分値算出手段２５３にて行われる。
【００５１】
Ｄ´ｉ＝Ｄｉ＋Ｄｍａｘ
【００５２】
そして、図５の撮像画素と同じ配列空間を用意し、この配列空間に算出された強調差分値Ｄ´iを配置していく（図１５参照）。図１６は、強調差分値Ｄ´の数値例を示す図である。
【００５３】
このように、最大差分値サーチ工程（ＳＴ１４２）にて着目撮像画素１３１に隣接する撮像画素１３１の差分値Ｄをみて、これらの中で最大の差分値Ｄmaxを着目画素の差分値Ｄiに加算して強調差分値Ｄ´iを算出するので、エッジ欠陥４４０ではない単なる輝度のばらつきや電気信号ノイズではなく、着目撮像画素１３１に隣接する位置にも大きな差分値Ｄが存在して、まとまって輝度の異常がある場合に、隣接する撮像画素１３１の差分値Ｄが加算されて非常に大きな値の強調差分値Ｄ´が算出される。
【００５４】
処理エリア２３１の総ての撮像画素１３１について強調差分値Ｄ´が求められたところで、輝度強調工程ＳＴ１４０は終了し、次に、輝度値Ｌiおよび強調差分値Ｄ´iに基づいてエッジ欠陥４４０を検出する欠陥部検出工程（ＳＴ１５０）が欠陥部検出手段３００にて行われる。
欠陥部検出工程（ＳＴ１５０）について、図１７のフローチャートを参照して説明する。
【００５５】
欠陥部検出工程（ＳＴ１５０）にあたっては、まず、ＳＴ１６０において、エッジ欠陥４４０を検出するための閾値を設定する閾値設定工程が閾値設定手段３１０にて行われる。
閾値設定工程（ＳＴ１６０）では、まず、処理エリア２３１の平均輝度値Ｍを算出する平均輝度値算出工程（ＳＴ１６１）が平均輝度値算出手段３１１にて行われる。
すなわち、処理エリア２３１の平均輝度値Ｍとして処理エリア２３１内の撮像画素１３１の輝度値Ｌ（図７および図８参照）を平均した値（平均輝度値Ｍ）を算出する。
【００５６】
続いて、輝度閾値設定工程（ＳＴ１６２）が輝度閾値設定手段３１２にて行われ、輝度閾値設定手段３１２に予め設定された所定係数α（第１の所定係数）を前記平均輝度値Ｍに乗算して輝度閾値Ｌsが算出される。
例えば、処理エリア２３１の平均輝度値が‘１２３’であった場合、所定係数α（＝０．７）を乗算して輝度閾値Ｌsは‘８６’に設定される。
そして、輝度差閾値設定工程（ＳＴ１６３）が輝度差閾値設定手段３１３にて行われ、輝度差閾値設定手段３１３に予め設定された所定係数β（第２の所定係数）を前記平均輝度値Ｍに乗算して輝度差閾値Ｄ´sが設定される。
例えば、処理エリア２３１の平均輝度値が‘１２３’であった場合、所定係数β（＝０．５）を乗算して輝度差閾値Ｄ´sは‘６１’に設定される。
【００５７】
次に、撮像画素１３１の輝度値Ｌおよび強調差分値Ｄ´を閾値設定工程（ＳＴ１６０）で設定した各閾値（輝度閾値Ｌs、輝度差閾値Ｄ´s）に比較して欠陥候補である撮像画素１３１をサーチする欠陥候補画素サーチ工程（ＳＴ１６４）が欠陥候補画素サーチ手段３２０にて行われる。
欠陥候補画素サーチ工程（ＳＴ１６４）では、撮像画素１３１の輝度値Ｌi（図７、図８参照）を輝度閾値Ｌsに対比するとともに、撮像画素１３１の強調差分値Ｄ´i（図１５、図１６参照）を輝度差閾値Ｄ´sに対比する。
そして、輝度値Ｌiが輝度閾値Ｌs以上であり、かつ、強調差分値Ｄ´iが輝度差閾値Ｄ´s以上であった場合（ＳＴ１６５：ＹＥＳ）、その撮像画素１３１を欠陥候補画素としてマークする。
【００５８】
このような欠陥候補画素が見つかった場合（ＳＴ１６５：ＹＥＳ）、次に、ＳＴ１６６において、欠陥候補画素に隣接する８画素（ｐ〜ｗ）について強調差分値Ｄ´iが輝度差閾値Ｄ´s以上であるものがあるかサーチする隣接画素サーチ工程（ＳＴ１６６）が隣接画素サーチ手段３３０によって行われる（図１８参照）。
この隣接画素サーチ工程（ＳＴ１６６）で輝度差閾値Ｄ´sを超える強調差分値Ｄ´が一つでもあれば（ＳＴ１６７：ＹＥＳ）、欠陥候補画素を欠陥部として検出する。
【００５９】
そして、検出した欠陥部に対してフラグを設定するフラグ設定工程（ＳＴ１６８）がフラグ設定手段３４０によって行われる。フラグが設定された欠陥部の撮像画素１３１については強調差分値Ｄ´を保持し、欠陥部としてフラグが設定されない撮像画素１３１については、強調差分値Ｄ´を０にリセットする。
ここで、図１９は、欠陥部として検出された撮像画素１３１にフラグ（“１”）を設定した状態を示す例である。
【００６０】
ここに、隣接画素サーチ工程ＳＴ１６６およびフラグ設定工程ＳＴ１６８により欠陥画素検出工程が構成される。同様に、隣接画素サーチ手段３３０およびフラグ設定手段３４０により欠陥画素検出手段が構成される。
【００６１】
このように一の処理エリア２３１について輝度強調工程（ＳＴ１４０）および欠陥部検出工程（ＳＴ１５０）が終了して一の処理エリア２３１についてエッジ欠陥４４０が検出されたところ（ＳＴ１７０：ＹＥＳ）、続けて、撮像データ中の総ての処理エリア２３１について輝度強調工程（ＳＴ１４０）および欠陥部検出工程（ＳＴ１５０）を行う（ＳＴ１８０）。
すなわち、処理エリア選択工程（ＳＴ１３０）において順番に処理対象となる処理エリア２３１を選択して、選択した処理エリア２３１にエッジ欠陥４４０の検出処理（ＳＴ１４０、ＳＴ１８０）を順次行う。
【００６２】
総ての処理エリア２３１についてエッジ欠陥４４０の検出が終了し、表示画像の全体についてエッジ欠陥検出処理が終了したところで（ＳＴ１８０：ＹＥＳ）、欠陥部として検出された撮像画素１３１についてはフラグ（“１”）が設定されているので、フラグが設定された撮像画素１３１を表示部１４０に表示するとエッジ欠陥４４０が視覚化される（図２０参照）。
例えば、図２０は、検出されたエッジ欠陥４４０を表示した例である。
【００６３】
そして、表示画像の全体についてエッジ欠陥検出処理が終了すると（ＳＴ１９０：ＹＥＳ）、続いて、検出されたエッジ欠陥４４０に基づく有機ＥＬパネル４００のランク判定がランク判定手段により行われる（ＳＴ２００）。
ランク判定としては、例えば、検出されたエッジ欠陥４４０の数をカウントして、所定数以上にエッジ欠陥４４０が生じていた場合には、不良品と判定し、エッジ欠陥４４０が所定数未満であれば、良品と判定することが例として挙げられる。
【００６４】
このような第１実施形態によれば次の効果を奏することができる。
（１）輝度強調工程（ＳＴ１４０）において、撮像画素１３１を上から下に見たときの輝度値Ｌの変化に基づく強調差分値Ｄ´を算出し、この強調差分値Ｄ´を輝度差閾値Ｄ´ｓに比較することでエッジ欠陥４４０を演算処理によって自動的に検出することができる。したがって、検査員の目視に頼らなくてよいので、エッジ欠陥４４０の検出の判断を統一することができ、かつ、大量の有機ＥＬパネル４００について迅速にエッジ欠陥４４０の検出を行うことができる。
【００６５】
（２）最大差分値サーチ工程ＳＴ１４２において着目撮像画素１３１に隣接する撮像画素１３１のなかで最大の差分値Ｄmaxをサーチし、着目画素の差分値Ｄiに加算して強調差分値Ｄ´iを算出する（強調差分値算出工程）ので、エッジ欠陥４４０ではない単なる輝度のばらつきや電気信号ノイズではなく、着目撮像画素１３１に隣接する位置にも大きな差分値Ｄが存在して、まとまって輝度の異常がある場合にのみ大きな強調差分値Ｄ´が得られる。したがって、単なる輝度のばらつきとして単独に存在するノイズ等ではなく、まとまった輝度の異常が存在するエッジ欠陥４４０を適切に検出することができる。
【００６６】
（３）着目撮像画素１３１の輝度値Ｌiと着目撮像画素１３１の直上の撮像画素１３１の輝度値Ｌi-1との関係が所定条件を満たす場合にのみ着目撮像画素１３１とその直上に位置する撮像画素１３１との輝度値Ｌの差分値Ｄを算出する差分値算出工程ＳＴ１４１を行うので、ブラックマトリクス４３０と表示画素４２０との境界で輝度値Ｌが正常に移行している領域ではなく、エッジ欠陥４４０とブラックマトリクス４３０との境界で輝度値Ｌが異常に変化する領域においてのみ大きな差分値Ｄiを得ることができる。
したがって、ブラックマトリクス４３０から表示画素４２０に正常に移行している点ではなく、エッジ欠陥４４０のみを適切に検出することができる。
【００６７】
（４）欠陥候補画素サーチ工程（ＳＴ１６４）にて欠陥候補画素をマークした後、隣接画素サーチ工程（ＳＴ１６６）において欠陥候補画素に隣接する撮像画素１３１をみて、輝度差閾値Ｄ´s以上の強調差分値Ｄ´である撮像画素１３１が隣接して存在する場合にのみ欠陥部として検出してフラグを設定する（フラグ設定工程ＳＴ１６８）ので、隣接する位置にも輝度差閾値Ｄ´s以上の強調差分値Ｄ´が存在して、まとまって輝度の異常がある場合のみをエッジ欠陥４４０として適切に検出することができる。
【００６８】
（５）輝度閾値設定工程ＳＴ１６２および輝度差閾値工程ＳＴ１６３において、処理エリア２３１ごとの平均輝度値Ｍに所定係数（第１の所定係数α、第２の所定係数β）を乗算して各閾値を設定するので処理エリア２３１ごとに適切な閾値を設定でき、例えば、表示画像の左右で輝度が異なるなどの輝度ムラがある場合でも、各処理エリア２３１についてはそれぞれ適切な閾値を用いてエッジ欠陥４４０の検出を行うことができる。
【００６９】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。
検査対象としては、有機ＥＬパネルとしたが、有機ＥＬパネルに限らず、液晶パネルやプラズマディスプレイパネルなど各種の光学パネルの表示画素に生じるエッジ欠陥を検出することができる。
【００７０】
処理エリア抽出工程ＳＴ１２０では、エッジ部分を含めて小判型の表示画素を処理エリアとして抽出するとしたが、エッジ欠陥は表示画素のエッジ部分であるので、エッジ欠陥の検出処理（輝度強調工程ＳＴ１４０、欠陥部検出工程ＳＴ１５０）を行う処理エリアとしては、表示画素の中央部は除外してもよい。
例えば、処理エリアの上下方向の長さを１単位としたとき、中心から上側へ四分の１、中心から下側へ四分の１の領域は処理エリアから除外してもよい。すると、エッジ欠陥の検出処理を行う領域が狭くなるので、処理速度を向上させることができる。
【００７１】
差分値算出工程において、撮像画素を走査する方向は特に限定されず、例えば、図１０において、処理エリアの上から下ではなくて、下から上に走査してもよく、さらには、横方向に走査してもよい。
また、差分値算出工程を行う所定条件としては、着目撮像画素とその直上の撮像画素とで輝度値の関係を見る場合を説明したが、これに限らず、ブラックマトリックスと表示画素との境界ではなくエッジ欠陥にのみ反応できるように差分値を算出できれば、所定条件は上記実施形態に限定されない。例えば、着目撮像画素の上下で複数の画素の輝度値を参照して差分値の算出を行うか否かの判断を行ってもよい。
【００７２】
欠陥候補画素サーチ工程において、輝度値Ｌiが所定の輝度閾値Ｌs以上であり、かつ、強調差分値Ｄ´iが所定の輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素を欠陥候補画素としてサーチするとしたが、強調差分値Ｄ´iのみをみて、強調差分値Ｄ´iが輝度差閾値Ｄ´s以上である撮像画素を欠陥候補画素としてマークしてもよい。
【００７３】
最大差分値サーチ工程では、着目撮像画素に隣接する８画素をサーチする例を示したが、隣接する８画素すべてではなく、着目撮像画素の上下左右の４画素をサーチしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明は、光学パネルの画像表示検査に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】エッジ欠陥検出装置の全体構成を示す図。
【図２】演算処理部の構成を示す図。
【図３】エッジ欠陥検出方法の手順を示すフローチャート。
【図４】有機ＥＬパネルの表示面の構成を示す図。
【図５】ＣＣＤカメラで撮像された撮像データの例を示す図。
【図６】撮像データからＲの表示画素のみを抜き出して配列し直した図。
【図７】撮像画素ごとの輝度値を配列する配列空間を示す図。
【図８】撮像画素ごとの輝度値の数値例を示す図。
【図９】輝度強調工程の処理手順を示す図。
【図１０】撮像画素を上下方向に走査する様子を示す図。
【図１１】撮像画素ごとに算出された差分値を配列する配列空間を示す図。
【図１２】差分値の数値例を示す図。
【図１３】着目撮像画素ｉに対して隣接する８画素を示す図。
【図１４】着目する撮像画素に隣接する撮像画素のなかで最大の差分値をサーチする最大差分値サーチ工程の様子を示す図。
【図１５】撮像画素ごとに算出された強調差分値を配列する配列空間を示す図。
【図１６】強調差分値の数値例を示す図。
【図１７】欠陥部検出工程の処理手順を示すフローチャート。
【図１８】隣接画素サーチ工程において着目撮像画素に隣接する撮像画素をサーチする様子を示す図。
【図１９】欠陥部として検出された撮像画素にフラグ“１”を設定した状態を示す図。
【図２０】検出されたエッジ欠陥を表示した例を示す図。
【符号の説明】
【００７６】
１００…エッジ欠陥検出装置、１１０…載置テーブル、１２０…ＯＬＥＤ駆動部、１３０…ＣＣＤカメラ（撮像手段）、１３１…撮像画素、１４０…表示部、１５０…入力手段、２００…演算処理部、２１０…撮像データ記憶部、２２０…輝度値算出手段、２２１…配列空間、２２１…表示画素、２３０…処理エリア抽出手段、２３１…処理エリア、２４０…処理エリア選択手段、２５０…輝度強調手段、２５１…差分値算出手段、２５２…最大差分値サーチ手段、２５３…強調差分値算出手段、３００…欠陥部検出手段、３１０…閾値設定手段、３１１…平均輝度値算出手段、３１２…輝度閾値設定手段、３１３…輝度差閾値設定手段、３２０…欠陥候補画素サーチ手段、３３０…隣接画素サーチ手段、３４０…フラグ設定手段、４００…有機ＥＬパネル、４１０…表示面、４２０…表示画素、４３０…ブラックマトリクス、４４０…エッジ欠陥。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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