(57)【要約】【課題】輝点数、円周キズ発生率が少ない高品質な垂直磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置の提供。【解決手段】非磁性基板２上に少なくとも軟磁性裏打ち層３、酸化物を含むＣｏ合金からなる磁気記録層を順次設けてなる垂直磁気記録媒体であって、該非磁性基板の抵抗率が５０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体１。この垂直磁気記録媒体を用いた磁気記録装置。【選択図】図１
2006260745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層、酸化物を含むＣｏ合金からなる磁気記録層を順次設けてなる垂直磁気記録媒体であって、該非磁性基板の抵抗率が５０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
非磁性基板の抵抗率が１Ω・ｃｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
非磁性基板の抵抗率が１×１０−４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
ＯＤＴ観測輝点カウント数が、３５（個／枚）以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
ＯＤＴ観測輝点カウント数が、１０（個／枚）以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
非磁性基板材料としてシリコンを用いることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
非磁性基板材料としてグラファイトカーボンを用いることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
直径が２８ｍｍ以下の円盤状基板を用いることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載の垂直磁気記録媒体を用いた磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録装置の記憶容量は、年々急激に増加している。従来、磁気記録装置に使用される磁気ディスク媒体には、長手磁気記録方式が採用されていたが、同方式は、面記録密度を上げるためには、その磁気記録層の膜厚を薄くしなければならないという原理上の制約があった。記録密度の上昇とともに、磁気記録層膜厚は薄くなってきたが、それとともに熱揺らぎの問題が生じた。熱揺らぎとは、磁気記録層の膜厚が極端に薄くなることにより、その磁性薄膜が室温においてもその磁化状態を安定に保つことができなくなる現象であり、磁気記録においては致命的な問題であった。
【０００３】
そこで近年、垂直磁気記録方式が注目されている（例えば、特許文献１，２参照。）。
垂直磁気記録方式では、従来の長手磁気記録方式において面内方向に向けられていた磁気記録層の磁化容易軸を、磁気記録媒体の表面に対して垂直方向に向けることにより、記録ビットの境界である磁化遷移領域付近の反磁界が小さくなり、このため、記録密度が高くなるほど静磁気的に安定になって、熱揺らぎ耐性が向上することから、面記録密度の向上に適した方式である。また、基板と垂直磁気記録層との間に軟磁性層を形成した場合には、単磁極ヘッドと組み合わせることにより、いわゆる垂直二層媒体として機能し、高い記録能力を得ることができる。このとき、軟磁性層は磁気ヘッドからの記録磁界を還流させる役割を果たしており、記録再生効率を向上させることができる。
【０００４】
垂直磁気記録媒体の製造方法にもさまざまな改良が施され、近年では記録層の材料として、Ｃｏ系合金材料中にＳｉＯ２などの酸化物を分散させたものを使用することが主流となりつつある。これは、薄膜中に酸化物が析出した相ができ、これが磁性体であるＣｏ合金を取り囲むような組織を作るために、ノイズ源となる磁化遷移領域を最小限に抑えるためであると言われている。
【特許文献１】特開平２−６１８１９号公報
【特許文献２】特開２００４−１４６０３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述した従来技術により、垂直磁気記録媒体の問題点であった媒体ノイズの低減が可能となったが、一方で、この酸化物が成膜プロセスの過程においてパーティクルとなって媒体上に付着し、磁気記録時の欠陥となりやすい、という新たな問題が生じた。また、同様に媒体表面をテープバーニッシュ加工する際やヘッドをシークさせる際に、磁気記録層中の酸化物相が起点となって、媒体表面に引っかき傷状の欠陥を生じさせやすい、という問題も明らかになってきている。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑みてなされ、媒体表面に残留する微小粒子を大幅に低減することができ、輝点数、円周キズ発生率が少ない高品質な垂直磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明は、非磁性基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層、酸化物を含むＣｏ合金からなる磁気記録層を順次設けてなる垂直磁気記録媒体であって、該非磁性基板の抵抗率が５０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
【０００８】
本発明の垂直磁気記録媒体において、非磁性基板の抵抗率が１Ω・ｃｍ未満であることが好ましい。
【０００９】
本発明の垂直磁気記録媒体において、非磁性基板の抵抗率が１×１０−４Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
【００１０】
本発明の垂直磁気記録媒体において、ＯＤＴ観測輝点カウント数が、３５（個／枚）以下であることが好ましい。
【００１１】
本発明の垂直磁気記録媒体において、ＯＤＴ観測輝点カウント数が、１０（個／枚）以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明の垂直磁気記録媒体において、非磁性基板材料としてシリコンを用いることが好ましい。
【００１３】
本発明の垂直磁気記録媒体において、非磁性基板材料としてグラファイトカーボンを用いることも好ましい。
【００１４】
本発明の垂直磁気記録媒体において、直径が２８ｍｍ以下の円盤状基板を用いることが好ましい。
【００１５】
また本発明は、前述した本発明に係る垂直磁気記録媒体を用いた磁気記録装置を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、垂直磁気記録媒体の基板として、非磁性基板の抵抗率が５０Ω・ｃｍ以下の非磁性基板を用いた構成としたので、媒体表面に残留する微小粒子を大幅に低減することができ、輝点数、円周キズ発生率が少ない高品質な垂直磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に、軟磁性層および垂直磁気記録層が順に積層された構造を有し、該非磁性基板の抵抗率が５０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。前記垂直磁気記録層は、例えばＳｉＯ２などのような酸化物を内包する材料である。
一連の成膜はスパッタリング法などの真空成膜法で形成されるのが一般的である。例えば代表的な手法はスパッタリング法である。これは十分に排気を行った真空容器中に酸化物を分散させた合金ターゲットを配置し、プラズマ放電させて成膜を行うが、一般的に金属合金の中にこのような酸化物を分散させた材料を物理成膜法により成膜する場合、局所的な電気伝導度差などの影響によりアーキングが発生しやすい。このとき酸化物が微小な粒子となって真空容器中に飛び散り、媒体表面に付着することが多い。そして、このようにして発生した微小粒子は基板表面に生じた静電気によりひきつけられ、一層多くの磁気記録欠陥をもたらす。こうした静電気の発生を防ぐためには、基板材料が一定の導電性を有することが有効である。
【００１８】
しかしながら、近年の磁気記録装置、特に基板の直径が小さい小径磁気記録装置においては、耐衝撃性の観点から媒体基板として絶縁体であるガラスを用いることがほとんどであるため、どうしても静電気の発生を抑えることが困難であった。
【００１９】
そこで、これらの問題を解決するために、ガラスと同等の材料力学的性能を有し、かつ一定の電気伝導度をもつ基板が必要であると考え、鋭意検討を行った結果、一般的な半導体レベル以下の電気抵抗率を持つ基板材料を用いることにより、成膜プロセス中に媒体表面に残留する微小粒子を劇的に低減することができ、また、それを起点とする表面傷の発生をも抑制できることを見出した。具体的な基板材料としては、シリコン、グラファイトカーボンが適している。特に優れた耐衝撃性を求められる小径磁気記録装置において、本発明は有効である。
【００２０】
また、原因ははっきりとはわかっていないが、前述の微小粒子の付着は一般的にスパッタリング法の場合、ターゲットの中心に近いところほど激しいため、この意味でも直径の小さい基板であるほど本発明の効果は大きいと考えられる。
【００２１】
小径の基板サイズとしては、現在４８ｍｍφ、２７．４ｍｍφ、２１．６ｍｍφなどが実用化されようとしているが、特に直径２７．４ｍｍφ以下の直径の基板で特に顕著な効果が見出された。
【００２２】
請求項２に記載のシリコン材料の場合、半導体産業で生産される単結晶材料はもちろんのこと、欠陥などがあるために半導体材料として不良品と分類される品質のものでも使用できる。ただし、材料力学的な性能、表面粗さが同等であることが必要である。一般的には平均表面粗さＲａが０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ程度、ヤング率１６０〜１９０ＧＰａ、曲げ強度７５〜９０ＭＰａ、硬度約７である。もちろん１枚のウエハーから複数枚の基板を切り出しても構わない。特に２７．４ｍｍφ以下の小さな径の基板については、複数枚切り出しのメリットは大きい。ここでも基板直径が小さいものは、同じ基板厚さで比べた場合、高い機械的強度が得られやすい。
【００２３】
本発明に係る垂直磁気記録媒体の構成の代表的な一例を図１に示す。図１に示す垂直磁気記録媒体１は、非磁性基板２の上に、軟磁性裏打ち層３、配向制御層７、中間層８、垂直磁気記録層９及び保護層１０を順に成膜して構成されている。
【００２４】
この非磁性基板２としては、前述した通り、抵抗率が５０Ω・ｃｍ以下の材料、例えば、シリコン、グラファイトカーボン等からなり、小径の、特に直径２７．４ｍｍφ以下の直径の基板が用いられている。
【００２５】
前記軟磁性裏打ち層３としては、一般的に軟磁性材料といわれるものが使用される。たとえばＣｏＺｒＮｂ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＦｅＳｉ系合金などである。この裏打ち軟磁性層３は、垂直磁気記録媒体１の記録再生過程において、記録ヘッドからの磁束を導き、十分なＯＷ（オーバーライト）特性を確保する働きをする。その膜厚は通常１００ｎｍ程度と厚いが、記録再生が十分行える範囲であればより薄く設定することもできる。
【００２６】
また、軟磁性裏打ち層３は単層膜のほか、Ｒｕなどの薄い非磁性膜をはさんで２層の軟磁性膜を配置した反磁界結合を有する構造を持たせることもある。図１に示す例示において、軟磁性裏打ち層３は、Ｒｕ層５を挟んで第１軟磁性層４と第２軟磁性層６を配置した構造になっている。軟磁性裏打ち層３は磁区を形成しやすく、この磁区からスパイク状のノイズが発生することから、反磁界結合のバイアス磁界を持たせることにより磁壁の発生を抑えることを狙いとするものである。
【００２７】
軟磁性裏打ち層３の上には、中間層８を設けることが多い。この中間層８は、その上の垂直磁気記録層９の結晶構造を整えるためのものであり、例えば垂直磁気記録層９と同じ稠密六方晶構造をもつ材料、例えばＲｕ膜などが用いられる。その膜厚は、垂直磁気記録層９の記録再生特性が最適になるように調整するが、一般に５〜２０ｎｍ程度である。ただし、中間層８の膜厚が薄いほど、記録再生ヘッドと軟磁性裏打ち層３との距離が縮まり、ＯＷを確保しやすくなると同時に、トラック幅をより狭く設定しやすくなる。
【００２８】
垂直磁気記録層９は、実際に情報を記録再生する磁性層であり、一般的には稠密六方晶結晶構造をとり、そのＣ軸（００２）が基板に垂直方向を向いている。材料は各種Ｃｏ系合金が用いられるが、本発明が特に対象とするのはＣｏ系合金を母材とし、その中にＳｉＯ２などの酸化物を含有しているものであり、例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−（ＳｉＯ２）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−（Ｃｒ２Ｏ３）などである。これらの酸化物含有材料薄膜は、磁性合金材料を酸化物の析出相が取り囲むような微細構造をとるため、媒体ノイズ源となる磁化遷移領域を最小限にし、結果として媒体ノイズを低減していると考えられている。
【００２９】
この垂直磁気記録層９の膜厚は、必要とされる出力等により任意に設定できるが、一般的には５ｎｍ〜２０ｎｍ程度である。また、垂直磁気記録層９の垂直保磁力は、３０００Ｏｅ〜５５００Ｏｅ程度で用いられることが多いが、ヘッド性能の変化に応じて変わって行くと考えられる。なお、１Ｏｅは約７９Ａ／ｍである。
【００３０】
また、前記の各層以外にも、垂直磁気記録媒体１の性能を高める目的で、例えば中間層８の下部に、さらに結晶構造を整えるためのシード層あるいは配向制御層７を挿入することができる。配向制御層７の飽和磁化Ｍｓは、０〜２００ｅｍｕ／ｃｃであることが好ましい。配向制御層７のＭｓが２００ｅｍｕ／ｃｃを超えると、配向制御層７から発生するノイズにより垂直磁気記録層９の記録再生特性が悪化する傾向がある。また、配向制御層７の組成は、垂直磁気記録層９の記録再生特性が最良となるように決めるのが望ましく、最適組成が磁化を持っていても構わないが、特に磁化を持っている必要はない。一般にノイズの発生を考慮すると、配向制御層７のＭｓは低い方が良いと考えられる。
【００３１】
さらに、垂直磁気記録層９の上には、保護層１０が成膜されるのが一般的である。この保護層１０は、垂直磁気記録媒体１の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的で設けられる。この保護層１０としては、カーボンの薄膜が用いられることが多く、特に近年では膜密度の高いプラズマＣＶＤ膜が用いられることが多い。あるいはＣＶＤカーボン膜とスパッタリングカーボン膜との積層構造なども使用することができる。カーボン膜の膜質が硬くて脆い場合には、媒体表面のキズがより発生しやすいと考えられるため、カーボン膜の成膜条件は慎重に選ぶことが必要である。
【００３２】
保護層１０の膜厚は、１〜１０ｎｍとすることが望ましい。これにより、ヘッドと媒体の距離を小さくできるので高密度記録に好適である。また、保護層１０上には、潤滑層を設けることができる。潤滑層に使用される潤滑剤としては、従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ化カルボン酸などを用いることができる。
【００３３】
図２は、本発明の磁気記録装置の一例を示す図であり、本例示による磁気記録再生装置１１は、図１に示す垂直磁気記録媒体１と、垂直磁気記録媒体１を回転駆動させる媒体駆動部１２と、垂直磁気記録媒体１に情報を記録再生する磁気ヘッド１３と、この磁気ヘッド１３を垂直磁気記録媒体１に対して相対運動させるヘッド駆動部１４と、記録再生信号処理系１５とを備えて構成されている。記録再生信号処理系１５は、外部から入力されたデ−タを処理して記録信号を磁気ヘッド１３に送ったり、磁気ヘッド１３からの再生信号を処理してデ−タを外部に送ることができるようになっている。
【実施例】
【００３４】
以下に実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明する。
【００３５】
［実施例１〜３、比較例１〜６］
非磁性基板として、以下の２種類の基板を各５０枚ずつ用意した。
ａ）結晶化ガラス基板（直径４８ｍｍφ、穴径１２ｍｍφ、厚さ０．５０８ｍｍ、平均表面粗さＲａ＝０．５ｎｍ、電気抵抗率無限大）。
ｂ）結晶化ガラス基板（直径２７．４ｍｍφ、穴径７ｍｍφ、厚さ０．３８１ｍｍ）。
ｃ）結晶化ガラス基板（直径２１．６ｍｍφ、穴径６ｍｍφ、厚さ０．３８１ｍｍ）。
ｄ）シリコン基板（直径４８ｍｍφ、穴径１２ｍｍφ、厚さ０．５０８ｍｍ、平均表面粗さＲａ＝０．５ｎｍ、電気抵抗率１００００Ω・ｃｍ）。
ｅ）シリコン基板（直径２７．４ｍｍφ、穴径７ｍｍφ、厚さ０．３８１ｍｍ、電気抵抗率１００００Ω・ｃｍ）。
ｆ）シリコン基板（直径２１．６ｍｍφ、穴径６ｍｍφ、厚さ０．３８１ｍｍ、電気抵抗率１００００Ω・ｃｍ）。
ｇ）シリコン基板（直径４８ｍｍφ、穴径１２ｍｍφ、厚さ０．５０８ｍｍ、電気抵抗率１０Ω・ｃｍ）。
ｈ）シリコン基板（直径２７．４ｍｍφ、穴径７ｍｍφ、厚さ０．３８１ｍｍ、電気抵抗率１０Ω・ｃｍ）。
ｉ）シリコン基板（直径２１．６ｍｍφ、穴径６ｍｍφ、厚さ０．３８１ｍｍ、電気抵抗率１０Ω・ｃｍ）。
【００３６】
前記ａ〜ｉの９種の基板をそれぞれＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容し、到達真空度２×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した後、Ａｒガス分圧０．６Ｐａの雰囲気中で以下の工程１〜工程５に示すようにスパッタリング、潤滑層塗布を順次行った。
【００３７】
・工程１：基板上にＦｅＣｏからなる軟磁性裏打ち層を１００ｎｍの厚さとなるように成膜した。
・工程２：続いてＲｕ中間層を２０ｎｍの厚さとなるように成膜した。
・工程３：続いてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−（ＳｉＯ２）からなる垂直磁気記録層を厚さ１０ｎｍとなるように成膜した。
・工程４：続いてプラズマＣＶＤ法を用いてカーボン保護層を４ｎｍの厚さとなるように成膜した。
・工程５：スパッタリングに供された基板を真空容器から取り出し、ディッピング法により、保護層上にパーフルオロポリエーテルからなる潤滑層を形成して、垂直磁気記録媒体を得た。
【００３８】
このようにして各基板につき５０枚ずつの垂直磁気記録媒体を作製した。
次に、媒体表面に付着した微小粒子の数を比較するために、磁気ディスク媒体用ＯＤＴ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｅｆｅｃｔ  Ｔｅｓｔｅｒ）を用いて、すべての媒体の表面のホワイトスポット（輝点）の数をカウントし、媒体１枚当たりの輝点カウント数の平均値をＯＤＴ観測輝点カウント数平均値とした。ＯＤＴ観測は、日立ハイテクノロジ社製のＯＤＴテスタ、ＲＺ３５００を用いて、直径０．０１０ミクロン以上の欠陥数をカウントすることにより行った。観測領域は、基板直径４８．０ｍｍの場合は、半径位置１５ｍｍ〜２２ｍｍの範囲内において、基板直径２７．４ｍｍの場合は、半径位置９ｍｍ〜１３ｍｍの範囲内において、基板直径２１．６ｍｍの場合は、半径位置８ｍｍ〜１０ｍｍの範囲内において、０°〜３６０°の全円周とした。
【００３９】
さらに、磁気ディスク媒体用テープバーニッシュ装置を用いて、全媒体表面のテープ研磨処理を行った。処理条件は、使用研磨テープ３Ｍ社製アルミナテープ、ロール荷重３０ｇｆ（２９０ｍＮ（相対圧））、回転数１０００ｒｐｍ、コンタクト速度０．３ｍｍ／ｓである。その後、高輝度ランプ下で媒体表面を詳細に観察して、テープ研磨によって生じた円周状のキズの有無を調べた。
【００４０】
基板種それぞれについて媒体が５０枚、したがって媒体面数は１００面調べ、ＯＤＴ観測輝点カウント数平均値及び円周状キズ発生面数を調べた。この結果を表１にまとめた。
【００４１】
【表１】
2006260745.tif 000003
【００４２】
この結果から、電気抵抗率の相対的に低いシリコン基板を使用することにより、垂直磁気記録媒体の輝点数、円周状キズ発生率を大幅に改善できることが明らかとなった。とりわけその効果は、基板直径が小さいほど顕著に現れるという結果となった。このメカニズムは不詳であるが、この実施例では直径２６ｍｍφ以下で明らかに効果が増大していると考えられる。
【００４３】
［実施例４，５および比較例７］
非磁性基板として、以下の３種類の基板を各５０枚ずつ用意した。
ａ）結晶化ガラス基板（直径２１．６ｍｍφ、穴径６ｍｍφ、厚さ０．３８１ｍｍ、平均表面粗さＲａ＝０．５ｎｍ、電気抵抗率無限大）。
ｂ）シリコン基板（サイズはａのガラス基板と同じ、電気抵抗率３×１０−６Ω・ｃｍ）。
ｃ）カーボングラファイト基板（サイズはａのガラスと同じ、電気抵抗率４×１０−５Ω・ｃｍ）。
【００４４】
サイズがさらに小さい基板を用意し、実施例１〜３、比較例１〜６と同じく、前記工程１〜工程５を施し、５０枚ずつの垂直磁気記録媒体を作製した。これらの垂直磁気記録媒体について、前述した実施例１〜３、比較例１〜６の場合と同じく、ＯＤＴ観測輝点カウント数平均値及び円周状キズ発生面数を調べた。この結果を表２にまとめた。
【００４５】
【表２】
2006260745.tif 000004
【００４６】
この結果から、本発明の効果は、より径の小さい基板においても明らかとなった。
【００４７】
［実施例６］
表３に示す通り、様々な抵抗率をもつ直径４８ｍｍ又は直径２１．６ｍｍの各種基板をそれぞれ５０枚準備した。その中にはシリコン基板が数種類あるが、それらのシリコン基板はそれぞれドーパントとしてＢを添加し、その添加量を加減することにより抵抗率を変化させたものである。これらの基板を使用して、前述した実施例１〜３、比較例１〜６と同じく、前記工程１〜工程５を施し、５０枚ずつの垂直磁気記録媒体を作製した。これらの垂直磁気記録媒体について、前述した実施例１〜３、比較例１〜６の場合と同じく、ＯＤＴ観測輝点カウント数平均値及び円周状キズ発生面数を調べた。この結果を表３にまとめた。
【００４８】
【表３】
2006260745.tif 000005
【００４９】
以上の実験結果より、以下の事実が明らかとなった。
１）基板材料の抵抗率が５０Ω・ｃｍを超えると、成膜プロセス中に垂直磁気記録媒体表面に付着する輝点数が急増する。また同様に同媒体にテープバーニッシュ処理を施した際の円周キズの発生頻度も急激に増加する。
２）同じ基板材料を用いた場合でも基板の直径が小さい方が面積あたりの輝点数、円周キズの発生率ともに高い傾向が認められる。したがって、直径の小さい垂直磁気記録媒体ほど成膜プロセス中に微小粒子による汚染を受けやすく、本発明の効果がより顕著となると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の磁気記録装置の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
【００５１】
１・・・垂直磁気記録媒体、２・・・非磁性基板、３・・・軟磁性裏打ち層、４・・・第１軟磁性層、５・・・Ｒｕ層、６・・・第２軟磁性層、７・・・配向制御層、８・・・中間層、９・・・垂直磁気記録層、１０・・・保護膜、１１・・・磁気記録再生装置、１２・・・媒体駆動部、１３・・・磁気ヘッド、１４・・・ヘッド駆動部、１５・・・記録再生信号処理系。
【図１】
2006260745.tif 000006
【図２】
2006260745.tif 000007