(57)【要約】【課題】内部的に電気的信号を伝達する回路構成を簡素化するとともに製作及び組立性を向上させることにより、生産性及び性能に対する信頼度を増大させることができる半導体検査用プローブカードを提供する。【解決手段】上部面と下部面との各接続端子には所定の角度で傾斜して弾性を有する連結ピン４４の一端が接合され、下部補強板部材３０の内方空間部で水平に移動しないように挿入されるインターフェース部材４０と、下部補強板部材３０の内方に挿入され、段差のある内径部には互いに接合されたサブ基板部材５０とニードルガイド部材６０が挿入支持されるようにするサイドカバー部材８０と、一端部は下部補強板部材３０にボルト締結され、他端部はサイドカバー部材８０の段差のある外径部を加圧するように弾性力を有する金属材の薄板のクランピング部材９０と、を備える。【選択図】図１
2006023271.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部面にはテストヘッドのポゴピンと接続する接続端子が形成され、底面には中央部に上部の接続端子と通電可能に連結される接続端子を密接させて接続回路部を有するメイン基板部材と、
前記メイン基板部材の上部面中央に締結固定され、前記メイン基板部材の上向き変形を防止するために具備される上部補強板部材と、
前記メイン基板部材の中央から所定の厚さと幅を有する枠形状でなり、前記メイン基板部材の底面で前記上部補強板部材と同時に締結固定され、且つ、前記メイン基板部材の下向き変形を防止するように具備される下部補強板部材と、
同一垂直線上の上部面と下部面には通電可能にそれぞれ接続端子を形成し、前記各接続端子には相互対応される方向に所定の角度で傾斜して弾性を有する連結ピンの一端が接合され、上部面の前記連結ピンの他端は前記メイン基板部材の接続回路部に接続され、前記下部補強板部材の内方空間部で水平に移動しないように挿入されるインターフェース部材と、
半導体の微細パターン形成工程を用いて回路パターンを形成し、上部面の接続端子は前記インターフェース部材から下向き傾斜した連結ピンと接続され、下部面の接続端子は上部面の回路パターンよりは縮小されて集積化された回路パターンを具現するセラミック材質のサブ基板部材と、
前記サブ基板部材の底面に付着され、板面には前記サブ基板部材の底面の接続端子と同一垂直線上にニードル挿入ホールが形成されるニードルガイド部材と、
前記ニードルガイド部材の各ニードル挿入ホールに挿入される微細薄板をパターニングしたニードル部材と、
前記下部補強板部材の内方に挿入され、段差のある内径部には互いに接合された前記サブ基板部材と前記ニードルガイド部材が挿入支持されるようにするサイドカバー部材と、
一端部は前記下部補強板部材にボルト締結され、他端部は前記サイドカバー部材の段差のある外径部を加圧するように弾性力を有する金属材の薄板のクランピング部材と、
を備えた半導体検査用プローブカード。
【請求項２】
前記上部補強板部材と下部補強板部材はＳＵＳ材質でなる請求項１に記載の半導体検査用プローブカード。
【請求項３】
前記インターフェース部材は不導体の基板に導電性連結ピンを備えた請求項１に記載の半導体検査用プローブカード。
【請求項４】
前記サブ基板部材には前記ニードルガイド部材が接着剤により接合される請求項１に記載の半導体検査用プローブカード。
【請求項５】
前記ニードルガイド部材は食刻工程によりニードル挿入ホールを形成する請求項１に記載の半導体検査用プローブカード。
【請求項６】
前記ニードル部材は微細薄板を食刻加工して一度に多数として製作される請求項１に記載の半導体検査用プローブカード。
【請求項７】
前記サイドカバー部材はセラミックでなる請求項１に記載の半導体検査用プローブカード。
【請求項８】
前記インターフェース部材を基準にして前記メイン基板部材側とサブ基板部材側には所定の厚さを有する薄板のガイド部材がそれぞれ具備される請求項１に記載の半導体検査用プローブカード。
【請求項９】
前記ガイド部材は前記インターフェース部材の上部面と下部面に形成した回路パターンが露出されるように内方面が所定の面積を有して垂直貫通する枠形状でなる請求項８に記載の半導体検査用プローブカード。
【請求項１０】
前記ガイド部材は前記メイン基板部材のガイド突起に嵌合されて水平移動が防止されるように具備される請求項８に記載の半導体検査用プローブカード。
【請求項１１】
前記上部補強板部材には中心部から同一半径に等間隔で複数のナットキャップが挿合され、前記ナットキャップには調節ネジが締結され、且つ、前記調節ネジがその直下部の前記メイン基板と前記インターフェース部材の板面を垂直に貫通して、前記サブ基板部材の上部面に具備されるボールを所定の力で加圧して前記調節ネジの締結状態に従い前記サブ基板部材の平坦度が調節される請求項１に記載の半導体検査用プローブカード。
【請求項１２】
前記ニードル部材の半導体デバイスの接続端子に接続される下端部の接続端部には半導体製造工程で応用される微細パターン加工工程を用いて製作されるニードルチップ部材を溶融接合により一体に結合させる請求項１に記載の半導体検査用プローブカード。
【請求項１３】
前記ニードルチップ部材は所定の厚さを有する平板のベース部と、前記ベース部の一端で底面に付着される面から水平断面積が下向に漸次縮小される多角形の錐体または円形の錐体に形成され、下端部が所定の断面積を有する水平切断形状で、前記半導体デバイスの接続端子と恒常一定した面積で接触されるチップ部と、前記ベース部で前記チップ部と対応される反対面の上部面で所定高さを有して上向き突出して形成され、溶融接合により前記ニードル部材の接続端部と連結される連結部と、からなる請求項１２に記載の半導体検査用プローブカード。
【請求項１４】
前記ニードルチップ部材はＮｉ−Ｗ材質でなる請求項１２に記載の半導体検査用プローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体検査用プローブカードに係るもので、詳しくは、内部的に電気的信号を伝達する回路構成を簡素化するとともに製作及び組立性を向上させることにより、生産性及び性能に対する信頼度を増大させることができる半導体検査用プローブカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体デバイスは、ウェハ上にパターンを形成するファブリケーション組立（Ｆａｂｒｉａｔｉｏｎ）工程と、パターンの形成されたウェハをそれぞれのチップに組立てるアセンブリ工程とを通じて製造され、このようなファブリケーション工程とアセンブリ工程間にはウェハを構成するそれぞれのチップの電気的特性を検査するＥＤＳ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｄｉｅ  Ｓｏｒｔｉｎｇ）工程が行われることになる。
【０００３】
前記ＥＤＳ工程はウェハを構成する各チップのうち、特に不良チップを判別するための工程で、ウェハを構成する各チップに電気的信号を印加し、その印加された信号からチェックされる信号をもってチップの不良を判断する。このような工程のために具備される設備がプローブ装置である。
【０００４】
プローブ装置において特にウェハ上の各チップのパターンと直接的に接触せずに電気的信号を印加する構成がプローブカードである。
【０００５】
プローブカードを用いた半導体ウェハの電気的特性検査は、通常ウェハの各デバイスの電極パッドにプローブカードのニードルが接触し、このニードルを通じて特定の電流を通電させることにより、そのときの電気的特性を測定するのである。
【０００６】
プローブカードを用いたテストの結果が良品として判定されると、半導体デバイスはパッケージングのような後工程により完成品として製作される。
【０００７】
一方、最近の半導体デバイスは、高集積化とともに極小型化されつつあり、生産性の増大のためにウェハは大口径化される趨勢なので、このような半導体デバイスの検査のためにはそれに適切に対応できる検査装置が必要とされる。
【０００８】
言い換えれば、現在のプローブカードは、大口径化されるウェハをもって、小型化で且つ多数に製作される半導体デバイスの検査に適切に対応することにより、一度に多くの量を検査することができるプローブカードの技術開発が求められている。
【０００９】
このため、本出願人は既に本出願人の先登録考案である特許文献１乃至３を通じて多様なプローブカードを提案した。
【００１０】
プローブカードは主にメイン基板、サブ基板、該サブ基板をインターフェースする手段、及びサブ基板から電気的信号を半導体デバイスに伝達するニードルからなる。
【００１１】
即ち、前記メイン基板からサブ基板へ漸次回路パターンは縮小されるようにし、且つ、電気的特性は一層向上されるようにインターフェース手段、サブ基板、ニードル、及びニードルガイドの構成を改善することである。
【００１２】
本出願人の先登録考案ではこのようにメイン基板とサブ基板との間を連結するインターフェース手段の構成を簡素に改善して、メイン基板からサブ基板への電気的信号伝達が正確になされるようにするとともに、ニードルはワイヤタイプから微細な大きさのブレードタイプに変更するようにして、高密度及び高集積の半導体デバイスパターンに適切に対応できるようにしている。
【００１３】
特に、ニードルは半導体デバイスの製造のための微細パターン形成工程の食刻工程を用いて薄板をパターニングして、多数のニードルが超小型のサイズに一挙に形成されることにより、微細パターンを有する半導体デバイスの電気的特性検査が円滑に行われるようにしている。
【特許文献１】実用新案登録第２４４，６５４号公報
【特許文献２】実用新案登録第２４４，６５５号公報
【特許文献３】実用新案登録第３０４，１１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、メイン基板とサブ基板間の電気的信号を伝達するための手段として具備される従来のインターフェース手段は、接続柔軟性が全くなく、或いは殆どない構成として具備される。
【００１５】
即ち、メイン基板とサブ基板を連結するインターフェース手段は通常その断面が円形または円形に近い楕円形状の棒形状であるか、或いはワイヤ形状がだいたいなので、これらの上端部と下端部をメイン基板とサブ基板に各々溶接または半田付けにより連結して電気的信号伝達がなされるようにしている。
【００１６】
それで、このときのインターフェース手段は全く柔軟性がないため、使用中に半導体デバイス側の接続端子との接続で垂直の衝撃が加えられると、回路基板側の溶接及び半田付けの部位が損傷され、特に比較的高価なメイン基板を損傷させるとの問題があった。
【００１７】
また、メイン基板とインターフェース手段及びサブ基板を相互溶接または半田付けにより堅固に連結させた場合、事実上これらの分離が不可能なので、修理または補修が不可能になるとの非経済的な問題点があった。
【００１８】
特に、サブ基板の平坦度は安定した接続のために非常に重要であるが、現実的に平坦度を保持できるそれ自体の構成がない。つまり、完全組立された状態でメイン基板に電源を印加して、各接続端子から出力される電源をチェックする試験を通じてのみ正常な通電がなされたどうかを確認できる。よって、不良が発生した場合、組立てられた状態なのでその分解及び修理が不可能であって廃棄すべきであり、経済的損失が起こるとの問題があった。
【００１９】
そこで、本発明の目的は、メイン基板とサブ基板を弾力的に接続するように幅広く柔軟性を有するとともに組立性を改善して、安定した高周波信号伝達の効率向上と容易に製作することができる半導体検査用プローブカードを提供することにある。
【００２０】
本発明の他の目的は、基板間の端子接続を弾性力を有する連結ピンを通じてなされるようにして、安定した連結と接触衝撃を緩衝させて堅固な結合構造を有することができる半導体検査用プローブカードを提供することにある。
【００２１】
本発明のまた他の目的は、ニードルチップをもっと堅固で且つ一定した接続面積を有するように改善することにより、さらに安定した接続をすることができる半導体検査用プローブカードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
このような目的を達成するために本発明は、上部面にはテストヘッドのポゴピンと接続する接続端子が形成され、底面には中央部に上部の接続端子と通電可能に連結される接続端子を密接させて接続回路部を有するメイン基板部材と、前記メイン基板部材の上部面中央に締結固定され、前記メイン基板部材の上向き変形を防止するために具備される上部補強板部材と、前記メイン基板部材の中央から所定の厚さと幅を有する枠形状でなり、前記メイン基板部材の底面で前記上部補強板部材と同時に締結固定され、且つ、前記メイン基板部材の下向き変形を防止するように具備される下部補強板部材と、同一垂直線上の上部面と下部面には通電可能にそれぞれ接続端子を形成し、前記各接続端子には相互対応される方向に所定の角度で傾斜して弾性を有する連結ピンの一端が接合され、上部面の前記連結ピンの他端は前記メイン基板部材の接続回路部に接続され、前記下部補強板部材の内方空間部で水平に移動しないように挿入されるインターフェース部材と、半導体の微細パターン形成工程を用いて回路パターンを形成し、上部面の接続端子は前記インターフェース部材から下向き傾斜した連結ピンと接続され、下部面の接続端子は上部面の回路パターンよりは縮小されて集積化された回路パターンを具現するセラミック材質のサブ基板部材と、前記サブ基板部材の底面に付着され、板面には前記サブ基板部材の底面の接続端子と同一垂直線上にニードル挿入ホールが形成されるニードルガイド部材と、前記ニードルガイド部材の各ニードル挿入ホールに挿入される微細薄板をパターニングしたニードル部材と、前記下部補強板部材の内方に挿入され、段差のある内径部には互いに接合された前記サブ基板部材と前記ニードルガイド部材が挿入支持されるようにするサイドカバー部材と、一端部は前記下部補強板部材にボルト締結され、他端部は前記サイドカバー部材の段差のある外径部を加圧するように弾性力を有する金属材の薄板のクランピング部材と、を備えた半導体検査用プローブカードを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は、回路基板間のインターフェースを弾性を有する連結ピンにより柔軟に接続することにより、半導体デバイスの接続端子との接続衝撃に対し柔軟に対応して基板の損傷を最大限に防止するとともに、構成間の単なる面密着による連結で組立及び分解が容易になされることにより、その維持及び管理の便宜を提供することができる。
【００２４】
また、半導体デバイスの接続端子と接続されるニードル部材の接続端部には半導体デバイスの接続端子と恒常一定に面接触が維持されるようにするとともに、一層接触強度が増強されるようにしたニードルチップ部材を具備することにより、半導体デバイスとの安定した接続を提供することができるとの効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の好ましい実施形態を添付図をもって詳しく説明する。
【００２６】
図１は本発明の一実施形態による半導体検査用プローブカードを分離した状態を示した斜視図で、図２は分離断面図である。
【００２７】
図示したように、本発明の一実施形態は、大きくメイン基板部材１０、上部補強板部材２０、下部補強板部材３０、インターフェース部材４０、サブ基板部材５０、ニードルガイド部材６０、ニードル部材７０、サイドカバー部材８０、及びクランピング部材９０からなる構成である。
【００２８】
前記メイン基板部材１０は、上面の外周縁部にテストヘッドのポゴピンと接続するように接続端子が形成され、底面には上面側の接続端子と通電可能に連結された接続端子が中央に密集するようにして接続回路部１１が形成された平板の回路基板である。
【００２９】
上部補強板部材２０は、前記メイン基板部材１０の上部面でメイン基板部材１０の上向きへの撓みとか捻りのような変形を防止するために補強用として備えられた上部補強手段である。
【００３０】
前記下部補強板部材３０は、上部補強板部材２０とは対応されるメイン基板部材１０の底面に具備され、上部補強板部材２０とともにボルト締結によりメイン基板部材１０に堅固に結合される構成である。
【００３１】
このような下部補強板部材３０は上部補強板部材２０とは反対にメイン基板部材１０の下向きへの撓みとか捻りのような変形を防止するために補強用として備えられる補強手段で、メイン基板部材１０の底面中心部から所定の幅と厚さを有しながら内側が所定面積を有して垂直貫通され、その貫通された部位を通じてメイン基板部材１０の底面に形成した接続回路部が露出されるように枠形状でなされた構成である。
【００３２】
そして、前記上部補強板部材２０及び下部補強板部材３０は前記メイン基板部材１０を補強させる構成なので、その材質は衝撃及び変形に強いＳＵＳ材質を用いることが最も好ましい。
【００３３】
前記インターフェース部材４０は、メイン基板部材１０からの電気的信号を連結する連結手段で、図３に示すように、薄板の基板４１には垂直にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを導体４２で充填した後、前記導体４２の上端部と下端部にそれぞれ接続端子４３が形成され、これらの接続端子４３には所定の角度に傾斜して弾性力を有する連結ピン４４の一端が半田付けなどのような方式により接合され、他端は所定の高さで下向きまたは上向きに傾斜して備えられた構成である。
【００３４】
また、インターフェース部材４０は、外周縁部の一定位置に係止ホールを形成し、その上方のメイン基板部材１０にはその底面の接続回路部１１外側の一定位置に所定高さを有して下向き突出されるガイド突起１２が形成されて、インターフェース部材４０の係止ホールとガイド突起１２とが係合されることによりインターフェース部材４０が水平方向移動しないようにする。
【００３５】
インターフェース部材４０の基板４１はメイン基板部材１０のような材質の不導体でなり、但し、上面と下面に具備された連結ピン４４は伝導性のよい材質で形成される。
【００３６】
サブ基板部材５０はメイン基板部材１０からの回路パターンをもっと高密度で且つ高集積に形成する回路基板で、上面の接続端子はインターフェース部材４０の下面に弾性力を有するように形成された連結ピン４４を通じて接続がなされる。
【００３７】
但し、本発明の一実施形態のサブ基板部材５０はそれ自体が熱に強いセラミック材質でなされるようにし、シリコン基板と同様に半導体の微細パターンを形成する方式を用いて回路パターンが形成される。
【００３８】
このときのサブ基板部材５０はその外径がインターフェース部材４０の外径と同一な外径を有するようにすることが好ましい。
【００３９】
ニードルガイド部材６０は、通常シリコン材質の平板に図４に示すように多数のニードル挿入ホール６１を一定に形成した構成で、このときのニードル挿入ホール６１はシリコン微細加工工程、特に食刻工程を用いて一度に多数のニードル挿入ホール６１が形成されるようにし、このニードル挿入ホール６１の上部と下部の溝サイズは図示したようにそれぞれ異に形成する。
【００４０】
ニードル部材７０はニードルガイド部材６０の各ニードル挿入ホール６１に挿入される構成で、ニードル部材７０は微細薄板を食刻加工することにより相当に多数のものが一度に製作される構成である。このとき、ニードル部材７０は上方のサブ基板部材５０の接続端子と接触される端部が安定に接続されるように接触面積を拡張させて、点接触でなく面接触によりなされるようにする。
【００４１】
特に、ニードル部材７０はパターン加工が容易になるようにＢｅ−Ｃｕ材質で形成されることが好ましい。
【００４２】
サイドカバー部材８０は内径部が段差を有し、内径部の直径が大きく形成された部位にはサブ基板部材５０が安置され、直径が小さく形成される部位にはニードルガイド部材６０が挿入される。
【００４３】
また、サイドカバー部材８０は外径部も段差があり、且つ、外径の大きい部位は下部補強板部材３０の内径部に近接して挿入され、外径の小さい部位は下部補強板部材３０の板面から微細に下向き突出される。
【００４４】
特に、サイドカバー部材８０は外部からの衝撃及び変形に強いセラミック材質からなる。
【００４５】
クランピング部材９０は弾性力を有する金属材質の薄板で、一端部は下部補強板部材３０にボルト締結により固定され、他端部はサイドカバー部材８０の外径を小さく形成した部位を弾力的に押して、サイドカバー部材８０とともにその上部に具備されるサブ基板部材５０とインターフェース部材４０をメイン基板部材１０側に緊密に圧着されるようにする。
【００４６】
一方、メイン基板部材１０とインターフェース部材４０との間、そして、インターフェース部材４０とサブ基板部材５０との間に図５に示すようにガイド部材１００が具備されることもできる。
【００４７】
ガイド部材１００は通常インターフェース部材４０に形成した連結ピン４４の上向き及び下向き延長された高さよりも微細に小さい厚さで形成され、且つ、センタから連結ピン４４を収容可能な面積を有して垂直貫通する枠形状からなる構成である。
【００４８】
このとき、ガイド部材１００の厚さはインターフェース部材４０の連結ピン４４がメイン基板部材１０とサブ基板部材５０の回路端子に接触されながら過度に押されないようにする程度、即ち、インターフェース部材４０からメイン基板部材１０とサブ基板部材５０との距離が近すぎると、連結ピン４４が押されながらその押され程度が大きくなって、連結ピン４４の接続端部が漸次回路端子の接続面積から外れる接続不良を招来する。
【００４９】
従って、連結ピン４４の接続端部が回路端子に接続された状態で過度に押されないようにガイド部材１００の厚さを連結ピン４４の引出高さよりも微細に小さく形成することが好ましい。
【００５０】
また、ガイド部材１００はメイン基板部材（メイン回路基板）１０で下向き突出して形成されたガイド突起１２がインターフェース部材４０とともに係合されるようにして、水平移動の防止される結合がなされる。
【００５１】
本発明の一実施形態での上部補強板部材２０には、中心部から同一半径に等間隔で複数のナットキャップが板面を貫通して挿合され、上部補強板部材２０の下部に具備されるメイン基板部材１０及びインターフェース部材４０のナットキャップ１１０との同一な位置には板面が垂直貫通され、上部補強板部材２０に挿合されたナットキャップ１１０の上部から調節ネジ１２０がネジ結合され、且つ、前記調節ネジ１２０と同一垂直線状のサブ基板部材５０の上部面にはボール１３０がそれぞれ具備されて、上部補強板部材２０で締結される調節ネジ１２０の締結状態に従いサブ基板部材５０の上部面側のボール１３０に所定の力で圧力を加えることにより、サブ基板部材５０の平坦度を保持することができる。
【００５２】
また、本発明の一実施形態では、図６に示すように、ニードル部材７０の下端部にはニードルチップ部材１４０が結合される。
【００５３】
前記ニードルチップ部材１４０は、半導体製造工程で応用される別の微細パターン加工工程、即ち、食刻と金属蒸着などの工程を用いて製作され、溶融接合でニードル部材７０の下端部に一体に連結される構成である。
【００５４】
このようなニードルチップ部材１４０は大きくベース部１４１、チップ部１４２、及び結合部１４３からなり、前記ベース部１４１は所定の厚さを有する平板の構成である。
【００５５】
前記ベース部１４１の底面の一方には所定長さと幅を有して下向突出されたチップ部１４２が形成され、前記チップ部１４２はその水平断面積が下向き漸次縮小される多角形または円形の錐体に形成され、その下端部は水平の切断形状で所定断面積を有する。このようなチップ部１４２は接続端子との一定した接触面を保持するように四角の錐体に形成されることが一番好ましい。
【００５６】
結合部１４３はベース部１４１のチップ部１４２とは対応される面の上部面で所定の高さを有して上向きに具備され、ニードル部材７０との結合の際に溶融されるに従いニードル部材７０が内部に挿入されながら一体に結合される構成である。
【００５７】
このとき、ニードルチップ部材１４０のベース部１４１とチップ部１４２はＮｉ−Ｗ合金でなり、結合部１４３は最近では接合用として主に用いられるＡｕ−Ｓｎ合金でなることが一番好ましい。
【００５８】
以下、このように構成された本発明の一実施形態の作用について説明する。
【００５９】
本発明の一実施形態は上述のようにメイン基板部材１０の上部面と下部面に各々上部補強板部材２０と下部補強板部材３０を密着させた後、ボルト締結により堅固に結合される。そして、下部補強板部材３０の内側にはインターフェース部材４０、サブ基板部材５０、ニードルガイド部材６０、及びガイド部材１００が順次積層されながら挿入され、最下端からサイドカバー部材８０を覆った後に下部補強板部材３０に弾性を持ったクランピング部材９０により弾力的に固定させる。
【００６０】
このとき、ニードルガイド部材６０には板面に形成した各ニードル挿入ホール６１に微細薄板形状のニードル部材７０がそれぞれ挿入されるようになる。
【００６１】
このように組立てた状態で上部補強板部材２０では調節ネジ１２０を用いてサブ基板部材５０の上部面に安置されるボール１３０を所定の圧力で加圧しながらサブ基板部材５０の平坦度が調節される。
【００６２】
従って、本発明の一実施形態のようにサブ基板部材５０を撓み変形に強いセラミックで形成し、このセラミックに薄膜パターン工程を用いて回路を形成すると、一層堅固な回路基板を提供可能なので、耐久力が向上される。
【００６３】
また、本発明の一実施形態は、メイン基板部材１０にインターフェース部材４０、サブ基板部材５０、ニードルガイド部材６０、及びサイドカバー部材８０を単に積層し、これをクランピング部材９０により弾力的に固定させる構成なので、その組立が容易で、部分的な部品交替作業を易しく行うことができる。
【００６４】
そして、本発明の一実施形態を用いて特性検査を行う途中に誤謬が発生するか、または不良が発生すると、簡単にクランピング部材９０を分離させて各構成要素を分解させることにより、易しく誤謬の原因を見出すとともに、部品交替と修理が非常に容易になる。
【００６５】
一方、ニードル部材７０の接続端部には別の半導体の微細パターン形成工程の食刻及び蒸着工程などを用いて製作したニードルチップ部材１４０が接合される。
【００６６】
このようなニードルチップ部材１４０は通常Ｂｅ−Ｃｕ材質からなるニードル部材７０の早期磨耗性問題を解決するとともに安定した接続を提供することができる。即ち、ニードル部材７０と半導体デバイスのパターンとの接続は半導体デバイスのパターンに形成される自然酸化膜をニードル部材７０が滑りながらスクラッチを誘発し、剥がれた部分を通じて接続がなされるためニードル部材７０の磨耗は不可避である。しかし、現在製作されるニードル部材７０は通常Ｂｅ−Ｃｕ材質で製作されるため、磨耗による材質的特性があり、このようなニードル部材７０が半導体デバイスのパターンと持続的に摩擦すると、ニードル部材７０の接触面積が漸次磨耗により大きくなるとともに、接続の位置が変化される問題が発生するため、ニードル部材７０の接続端部にニードルチップ部材１４０を結合することにより、このような問題点を解決することができる。
【００６７】
とくに、ニードルチップ部材１４０は接続面積を最小化することにより、一層微細になるデザインルールを有する半導体デバイスパターンの微細ピッチに対応することが容易になるだけでなく、パターンとの接続断面積を恒常一定に維持することにより、正確で且つ安定した検査を維持することができる。
【００６８】
また、このような点検及び修理の利点は全体半導体工程に掛かる諸般費用を大幅に節減させ、特に高集積及び高密度として先端化される半導体デバイスに適切に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の一実施形態によるプローブカードの構成を示した分離斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態によるプローブカードの分離された状態の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態のインターフェース部材の要部構成を示した一部断面図である。
【図４】本発明の一実施形態のニードルガイド部材とニードル部材の結合される構成を一部示した分離斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態のプローブカードにおいてインターフェース部材の上部面と下部面にガイド部材が具備されるようにする一部拡大側断面図である。
【図６】本発明の一実施形態のニードル部材にニードルチップ部材を連結した形状を示した要部拡大断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０…メイン基板部材、２０…上部補強板部材、３０…下部補強板部材、４０…インターフェース部材、５０…サブ基板部材、６０…ニードルガイド部材、７０…ニードル部材、８０…サイドカバー部材、９０…クランピング部材、１００…ガイド部材、１１０…ナットキャップ、１２０…調節スクリュー、１３０…ボール、１４０…ニードルチップ部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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