(57)【要約】【課題】半導体装置の実パタンがウェハ上に所望どおりに形成されるように、半導体装置の設計パタン３１のエッジＥ０１乃至Ｅ２４を移動させる移動量を正確に算出できる設計パタン３１の補正方法を提供する。【解決手段】複数のエッジエッジＥ０１乃至Ｅ２４から着目エッジＥ０１を選択する。エッジの中で着目エッジから最も近いが離れているメインエッジＥ２３と着目エッジの間のメイン距離Ｓ０を計算する。着目エッジの両端から着目エッジの両側の延長線３３上に所定の長さの仮エッジＥｒ１、Ｅｒ２、Ｅｌ１、Ｅｌ２を設定する。エッジの中で仮エッジから最も近いが離れているサブエッジＥ１３と仮エッジの間のサブ距離Ｓ１１、Ｓ２１を計算する。メイン距離とサブ距離に基づいてエッジを移動させる実移動量を出力可能な補正データベースを作成する。補正データベースに基づいてメイン距離とサブ距離から実移動量を出力する。【選択図】図１７
2006064759.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の実パタンがウェハ上に所望どおりに形成されるように、前記半導体装置の設計パタンの複数の設計エッジから着目エッジを選択することと、
前記設計エッジの中で前記着目エッジから最も近いが離れているメインエッジと前記着目エッジの間のメイン距離を計算することと、
前記着目エッジの両端から前記着目エッジの両側の延長線上に所定の長さの仮エッジを設定することと、
前記設計エッジの中で前記仮エッジから最も近いが離れているサブエッジと前記仮エッジの間のサブ距離を計算することと、
前記メイン距離と前記サブ距離に基づいて前記設計エッジを移動させる実移動量を出力可能な補正データベースを作成することと、
前記補正データベースに基づいて前記メイン距離と前記サブ距離から前記実移動量を出力することと、
前記着目エッジを前記実移動量だけ移動させることを有することを特徴とする設計パタンの補正方法。
【請求項２】
前記メインエッジは、前記着目エッジの垂直方向にあり、
前記サブエッジは、前記仮エッジの垂直方向にあることを特徴とする請求項１に記載の設計パタンの補正方法。
【請求項３】
前記補正データベースを作成することは、
前記メイン距離に基づいて前記着目エッジを移動させるメイン移動量を出力可能なメインデータベースを作成することと、
前記サブ距離に基づいて前記着目エッジを移動させるサブ移動量を出力可能なサブデータベースを作成することと、
前記メイン距離と前記サブ距離の大小関係に基づき、前記メインデータベースまたは前記サブデータベースを選択可能なデータベース選択データベースを作成することを有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の設計パタンの補正方法。
【請求項４】
前記補正データベースを作成することは、
前記メイン距離に基づいて前記着目エッジを移動させるメイン移動量を出力可能なメインデータベースを作成することと、
前記サブ距離に基づいて前記着目エッジを移動させるサブ移動量を出力可能なサブデータベースを作成することと、
前記メイン移動量と前記サブ移動量の大小関係に基づき、前記メイン移動量または前記サブ移動量を選択可能な移動量選択データベースを作成することを有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の設計パタンの補正方法。
【請求項５】
前記補正データベースを作成することでは、前記着目エッジの長さにも基づいて前記実移動量を出力可能な前記補正データベースを作成し、
前記実移動量を出力することでは、前記補正データベースに基づいて前記メイン距離、前記サブ距離と前記着目エッジの長さから前記実移動量を出力することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の設計パタンの補正方法。
【請求項６】
請求項１の設計パタンの補正方法を、光近接効果補正の前後又は同時に実施することを特徴とする設計パタンの補正方法。
【請求項７】
前記仮エッジを設定することは、
前記仮エッジの端から前記延長線上に所定の長さの新たな前記仮エッジを設定することを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載の設計パタンの補正方法。
【請求項８】
半導体装置の実パタンがウェハ上に所望どおりに形成されるように、前記半導体装置の設計パタンの複数のエッジを移動させる設計パタンの補正システムにおいて、
前記エッジから着目エッジを選択する着目エッジ選択部と、
前記エッジの中で前記着目エッジから最も近いが離れているメインエッジと前記着目エッジの間のメイン距離を計算するメイン距離計算部と、
前記着目エッジの両端から前記着目エッジの両側の延長線上に所定の長さの仮エッジを設定する仮エッジ設定部と、
前記エッジの中で前記仮エッジから最も近いが離れているサブエッジと前記仮エッジの間のサブ距離を計算するサブ距離計算部と、
前記メイン距離と前記サブ距離に基づいて前記エッジを移動させる実移動量を出力可能な補正データベースを作成する補正データベース作成部と、
前記補正データベースに基づいて前記メイン距離と前記サブ距離から前記実移動量を出力する実移動量出力部と、
前記着目エッジを前記実移動量だけ移動させるエッジ移動部を有することを特徴とする設計パタンの補正システム。
【請求項９】
半導体装置の実パタンがウェハ上に所望どおりに形成されるように、前記半導体装置の設計パタンの複数のエッジをコンピュータに移動させる設計パタンの補正プログラムにおいて、
前記エッジから着目エッジを選択する手順と、
前記エッジの中で前記着目エッジから最も近いが離れているメインエッジと前記着目エッジの間のメイン距離を計算する手順と、
前記着目エッジの両端から前記着目エッジの両側の延長線上に所定の長さの仮エッジを設定する手順と、
前記エッジの中で前記仮エッジから最も近いが離れているサブエッジと前記仮エッジの間のサブ距離を計算する手順と、
前記メイン距離と前記サブ距離に基づいて前記エッジを移動させる実移動量を出力可能な補正データベースを作成する手順と、
前記補正データベースに基づいて前記メイン距離と前記サブ距離から前記実移動量を出力する手順と、
前記着目エッジを前記実移動量だけ移動させる手順を前記コンピュータに実行させるための設計パタンの補正プログラム。
【請求項１０】
半導体装置の設計パタンの複数のエッジから着目エッジを選択することと、
前記エッジの中で前記着目エッジから最も近いが離れているメインエッジと前記着目エッジの間のメイン距離を計算することと、
前記着目エッジの両端から前記着目エッジの両側の延長線上に所定の長さの仮エッジを設定することと、
前記エッジの中で前記仮エッジから最も近いが離れているサブエッジと前記仮エッジの間のサブ距離を計算することと、
前記メイン距離と前記サブ距離に基づいて前記エッジを移動させる実移動量を出力可能な補正データベースを作成することと、
前記補正データベースに基づいて前記メイン距離と前記サブ距離から前記実移動量を出力することと、
前記着目エッジを前記実移動量だけ移動させ、前記設計パタンを補正することと、
補正された前記設計パタンに基づいて、前記半導体装置の実パタンをウェハ上に形成することを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の設計パタンを半導体装置の製造に用いる際の設計パタンの補正方法、この補正方法を実施するための補正システムと補正プログラムと、この補正方法による半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体装置の製造技術の進歩は非常に目覚しく、最小加工寸法が７０ｎｍである半導体装置が量産されている。このような半導体装置の微細加工は、マスクプロセス技術、光リソグラフィ技術、およびエッチング技術等の飛躍的な進歩により実現されている。半導体装置の設計パタンのパタンサイズが十分大きければ、ウェハ上に形成したい実パタンをそのまま設計パタンとすることができた。これは、マスクプロセス技術では、その設計パタンに忠実なマスクパタンを作製することができ、光リソグラフィ技術では、そのマスクパタンを投影光学系によってウェハ上のレジスト膜に忠実に転写することができ、エッチング技術では、ウェハをエッチングすることによってほぼ設計パタン通りの実パタンがウェハ上に形成できたからである。しかし、半導体装置の設計パタンのパタンサイズが近年のように小さくなると、マスクプロセス技術、光リソグラフィ技術、およびエッチング技術のそれぞれの技術で設計パタンを忠実に形成することが困難になってきている。そして、ウェハ上の実パタンのパタンサイズが設計パタンのパタンサイズにならない問題が生じてきた。
【０００３】
特に、光リソグラフィ技術およびエッチング技術においては、設計パタンを構成する複数のパタンの互いの位置関係が、それぞれのパタンの実パタンにおけるパタンサイズに大きく影響する。
【０００４】
そこでこの影響を回避するために、光リソグラフィ技術に対しては光近接効果補正（OPC:Optical Proximity Correction）と、エッチング技術に対して、またはエッチングやリソグラフィを含む全てのプロセスに対してプロセス近接効果補正（ＰＰＣ：Process Proximity Correction）という技術が開発された。
【０００５】
これらの補正では、実パタンのパタンサイズが所望値であるいわゆる設計値になるように、あらかじめ設計パタンを構成するパタンに補助パタンを付加したり、パタンの幅を太めたり細めたりする（例えば、特許文献１、非特許文献１と特許文献２参照。）。
【０００６】
また、最小加工寸法が微細化されると、半導体装置の配線層と配線層をつなぐためのコンタクトホールのコンタクトホールパタンも微細化される。微細なコンタクトホールを形成する技術としてさまざまな技術が存在するが、中でもサーマルフローレジストを用いる技術が近年脚光を浴びている。マスクパタンをウェハ上のサーマルフローレジストのレジスト膜に転写後、レジスト膜を加熱することにより、加熱前のコンタクトホールパタンのパタンサイズよりも加熱後のパタンサイズが小さくなる。サーマルフローレジストを用いることで、微細なコンタクトホールパタンをウェハ上で形成できる。
【特許文献１】特開平０９−３１９０６７号公報
【非特許文献１】デ・エム・ニューマーク外（D.M.Newmark et.al）、「ラージ  エリア  オプティカル  プロキシミティ  コレクション  ユージング  パタン  ベースト  コレクション (Large Area Optical Proximity Correction using Pattern Based Correction)」、エスピーアイイー（SPIE）、米国、１９９４年、２３２２巻、ｐ．３７４
【特許文献２】特願２００１−３７５０２５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
サーマルフローレジストの加熱により、コンタクトホールパタンが小さくなることは、コンタクトホールパタンを構成しコンタクトホールパタンの周囲に配置される複数のエッジが移動することであると考えることができる。サーマルフローレジストの加熱によるコンタクトホールパタンのエッジの移動量は、隣接するコンタクトホールパタンまでの距離の関数として算出できることが判明している。ただ、関数は単純に距離だけの関数ではなく、隣接するコンタクトホールパタンの方向や単数複数等の位置関係にも移動量は依存している。加熱後のコンタクトホールパタンのパタンサイズを一致させたい設計値とすると、隣接するコンタクトホールパタンまでの距離も含めた位置関係に基づいて、加熱前のコンタクトホールパタンのパタンサイズを算出することができると考えられる。このことから、マスクパタンさらには設計パタンのコンタクトホールのパタンサイズを、移動量に基づいて補正することにより、レジストパタンさらには実パタンのコンタクトホールのパタンサイズを設計値に一致させることができると考えられる。そして、精度よく一致させるためには、隣接するコンタクトホールパタンまでの距離等の位置関係に基づいて移動量を正確に算出する必要があると考えられる。このことは、ＯＰＣとＰＰＣでも同様であり、隣接するコンタクトホールパタンやラインパタンまでの位置関係に基づいてエッジの移動量を正確に算出する必要があると考えられる。
【０００８】
ＯＰＣで開発された技術では隣のコンタクトホールパタンまでの距離を算出するさいには、設計パタンの矩形のコンタクトホールパタンに基づいて計算する。ウェハ上のレジストパタンのコンタクトホールパタンは丸いため、斜め方向に存在するコンタクトホールパタンまでの距離は、ＯＰＣで算出された距離とは異なっていると考えられる。さらに、丸いコンタクトホール間の距離を正確に求めても、この丸いコンタクトホール間の距離に基づいて、補正対象である設計パタンで矩形のコンタクトホールパタンのどのエッジを移動させるのか決定できないと考えられる。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体装置の実パタンがウェハ上に設計値通りに形成されるように、設計値通りに作成された半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる移動量を正確に算出できる設計パタンの補正方法を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の目的は、半導体装置の実パタンがウェハ上に所望どおりに形成されるように、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる移動量を正確に算出できる設計パタンの補正システムを提供することにある。
【００１１】
さらに、本発明の目的は、半導体装置の実パタンがウェハ上に所望どおりに形成されるように、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる移動量をコンピュータが正確に算出できる設計パタンの補正プログラムを提供することにある。
【００１２】
最後に、本発明の目的は、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる移動量を正確に算出することで、半導体装置の実パタンがウェハ上に形成される半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記問題点を解決するための本発明の第１の特徴は、半導体装置の実パタンがウェハ上に所望どおりに形成されるように、半導体装置の設計パタンの複数のエッジを移動させる設計パタンの補正方法において、エッジから着目エッジを選択することと、エッジの中で着目エッジから最も近いが離れているメインエッジと着目エッジの間のメイン距離を計算することと、着目エッジの両端から着目エッジの両側の延長線上に所定の長さの仮エッジを設定することと、エッジの中で仮エッジから最も近いが離れているサブエッジと仮エッジの間のサブ距離を計算することと、メイン距離とサブ距離に基づいてエッジを移動させる実移動量を出力可能な補正データベースを作成することと、補正データベースに基づいてメイン距離とサブ距離から実移動量を出力することと、着目エッジを実移動量だけ移動させることを有する設計パタンの補正方法にある。
【００１４】
本発明の第２の特徴は、半導体装置の実パタンがウェハ上に所望どおりに形成されるように、半導体装置の設計パタンの複数のエッジを移動させる設計パタンの補正システムにおいて、エッジから着目エッジを選択する着目エッジ選択部と、エッジの中で着目エッジから最も近いが離れているメインエッジと着目エッジの間のメイン距離を計算するメイン距離計算部と、着目エッジの両端から着目エッジの両側の延長線上に所定の長さの仮エッジを設定する仮エッジ設定部と、エッジの中で仮エッジから最も近いが離れているサブエッジと仮エッジの間のサブ距離を計算するサブ距離計算部と、メイン距離とサブ距離に基づいてエッジを移動させる実移動量を出力可能な補正データベースを作成する補正データベース作成部と、補正データベースに基づいてメイン距離とサブ距離から実移動量を出力する実移動量出力部と、着目エッジを実移動量だけ移動させるエッジ移動部を有する設計パタンの補正システムにある。
【００１５】
本発明の第３の特徴は、半導体装置の実パタンがウェハ上に所望どおりに形成されるように、半導体装置の設計パタンの複数のエッジをコンピュータに移動させる設計パタンの補正プログラムにおいて、エッジから着目エッジを選択する手順と、エッジの中で着目エッジから最も近いが離れているメインエッジと着目エッジの間のメイン距離を計算する手順と、着目エッジの両端から着目エッジの両側の延長線上に所定の長さの仮エッジを設定する手順と、エッジの中で仮エッジから最も近いが離れているサブエッジと仮エッジの間のサブ距離を計算する手順と、メイン距離とサブ距離に基づいてエッジを移動させる実移動量を出力可能な補正データベースを作成する手順と、補正データベースに基づいてメイン距離とサブ距離から実移動量を出力する手順と、着目エッジを実移動量だけ移動させる手順をコンピュータに実行させるための設計パタンの補正プログラムにある。
【００１６】
本発明の第４の特徴は、半導体装置の設計パタンの複数のエッジから着目エッジを選択することと、エッジの中で着目エッジから最も近いが離れているメインエッジと着目エッジの間のメイン距離を計算することと、着目エッジの両端から着目エッジの両側の延長線上に所定の長さの仮エッジを設定することと、エッジの中で仮エッジから最も近いが離れているサブエッジと仮エッジの間のサブ距離を計算することと、メイン距離とサブ距離に基づいてエッジを移動させる実移動量を出力可能な補正データベースを作成することと、補正データベースに基づいてメイン距離とサブ距離から実移動量を出力することと、着目エッジを実移動量だけ移動させ、設計パタンを補正することと、補正された前記設計パタンに基づいて、半導体装置の実パタンをウェハ上に形成することを有する半導体装置の製造方法にある。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明によれば、半導体装置の実パタンがウェハ上に所望どおりに形成されるように、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる移動量を正確に算出できる設計パタンの補正方法を提供できる。
【００１８】
また、本発明によれば、半導体装置の実パタンがウェハ上に所望どおりに形成されるように、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる移動量を正確に算出できる設計パタンの補正システムを提供できる。
【００１９】
さらに、本発明によれば、半導体装置の実パタンがウェハ上に所望どおりに形成されるように、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる移動量をコンピュータが正確に算出できる設計パタンの補正プログラムを提供できる。
【００２０】
最後に、本発明によれば、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる移動量を正確に算出することで、半導体装置の実パタンがウェハ上に形成される半導体装置の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。
【００２２】
（第１の実施の形態）
（設計パタンの補正システム）
図１に示すように、第１の実施の形態に係る設計パタンの補正システム１は、補正データベース作成部２と、設計パタン入力部１１と、実移動量決定部１２と、エッジ移動部２２と、補正データベース記憶部２３と、設計パタン記憶部２４と、実移動量記憶部２５と、補正された設計パタン記憶部２６を有している。補正データベース作成部２と、設計パタン入力部１１と、実移動量決定部１２と、エッジ移動部２２と、補正データベース記憶部２３と、設計パタン記憶部２４と、実移動量記憶部２５と、補正された設計パタン記憶部２６は、互いにバスで接続されている。
【００２３】
補正データベース作成部２は、半導体装置の実パタンがウェハ上に設計値通りに形成されるように、設計値通りに作成された半導体装置の設計パタンの複数のエッジを移動させる設計パタンの補正システムにおいて、メイン距離とサブ距離に基づいてエッジを移動させる実移動量を出力可能な補正データベースを作成する。補正データベース作成部２は、近接効果データベース作成部３とレジストデータベース作成部の少なくとも１つを有している。近接効果データベース作成部３とレジストデータベース作成部とは同じ構成であるので、レジストデータベース作成部の構成の図１への記載は省いている。近接効果データベース作成部（レジストデータベース作成部）３は、移動量データベース作成部４と、決定ルールデータベース作成部８を有している。移動量データベース作成部４は、メインサブデータベース作成部５と、メインデータベース作成部６とサブデータベース作成部７の対の少なくとも１つを有している。決定ルールデータベース作成部８は、データベース選択データベース９と、移動量選択データベース１０の少なくとも１つを有している。
【００２４】
実移動量決定部１２は、着目エッジ選択部１３と、メイン距離計算部１４と、仮エッジ設定部１５と、サブ距離計算部１６と、実移動量出力部１７を有している。さらに、実移動量決定部１２は、メイン移動量出力部１８と、サブ移動量出力部１９と、データベース選択部２０と移動量選択部２１の対の少なくとも１つとを有している。着目エッジ選択部１３は、エッジから着目エッジを選択する。メイン距離計算部１４は、エッジの中で着目エッジから最も近いが離れているメインエッジと着目エッジの間のメイン距離を計算する。仮エッジ設定部１５は、着目エッジの両端から着目エッジの両側の延長線上に所定の長さの仮エッジを設定する。サブ距離計算部１６は、エッジの中で仮エッジから最も近いが離れているサブエッジと仮エッジの間のサブ距離を計算する。実移動量出力部１７は、補正データベースに基づいてメイン距離とサブ距離から実移動量を出力する。
【００２５】
エッジ移動部２２は、着目エッジを実移動量だけ移動させる。
【００２６】
補正データベース記憶部２３は、近接効果データベース記憶部２３ａと、レジストデータベース記憶部２３ｂの少なくとも１つを有している。実移動量記憶部２５は、近接効果に対する実移動量記憶部２５ａと、フローレジストに対する実移動量記憶部２５ｂの少なくとも１つを有している。
【００２７】
設計パタンの補正システム１は、コンピュータであってもよく、コンピュータにプログラムに書かれた手順を実行させることにより、設計パタンの補正システム１を実現させてもよい。
【００２８】
（設計パタンの補正方法）
図２に示すように、第１の実施の形態に係る設計パタンの補正方法は、まず、ステップＳ１で、補正データベース作成部２が、補正データベースを作成し、補正データベース記憶部２３に記憶させる。補正データベースとは、近接効果データベースとレジストデータベースの総称である。したがって、具体的には、ステップＳ５で、近接効果データベース作成部３が近接効果データベースを作成する。ステップＳ６で、レジストデータベース作成部がレジストデータベースを作成する。
【００２９】
次に、ステップＳ２で、設計パタン入力部１１が、設計パタン記憶部２４から着目する半導体装置の設計値通りに作成された設計パタンを入力する。
【００３０】
ステップＳ３で、実移動量決定部１２が、補正データベースに基づいて、メイン距離とサブ距離から着目エッジの実移動量を決定し、実移動量記憶部２５に記憶させる。
【００３１】
ステップＳ４で、エッジ移動部２２が、実移動量に基づいて、エッジを実移動量だけ移動させ、補正された設計パタンを完成させる。エッジ移動部２２は、補正された設計パタンを補正された設計パタン記憶部２６に記憶させる。
【００３２】
なお、第１の実施の形態に係る設計パタンの補正方法は、光近接効果補正の前後又は同時に実施してもよい。第１の実施の形態に係る設計パタンの補正方法と、光近接効果補正とを一緒に実施することにより、製造される半導体装置の実パターンをウェハ上により設計値通りに形成することができる。後述する第２の実施の形態において、第１の実施の形態に係る設計パタンの補正方法と前後又は同時に実施する光近接効果補正を、第１の実施の形態に係る設計パタンの補正方法によって実施する方法を説明している。しかし、前後又は同時に実施する光近接効果補正は、第１の実施の形態に係る設計パタンの補正方法に限ったわけではなく、シミュレーションで決定する方法や、メイン距離のみによる方法であってもよい。
【００３３】
設計パタンの補正方法は、手順としてコンピュータが実行可能な設計パタンの補正プログラムにより表現することができる。この設計パタンの補正プログラムをコンピュータに実行させることにより、設計パタンの補正方法を実施することができる。
【００３４】
なお、補正された設計パタンに基づいて、半導体装置の実パタンをウェハ上に設計値通りに形成することにより、半導体装置を製造することができる。
【００３５】
ステップＳ１の補正データベースを作成する方法を詳細に説明する。図３に示すように、ステップＳ１の補正データベースを作成する方法では、着目エッジの長さとメイン距離とサブ距離に基づいて実移動量が出力可能な補正データベースを作成する。具体的には、ステップＳ１１で、移動量データベース作成部４が、移動量データベースを作成する。ステップＳ１２で、決定ルールデータベース作成部８が、決定ルールデータベースを作成する。
【００３６】
移動量データベースを作成するステップＳ１１は、メインサブデータベース作成部５がメイン距離とサブ距離に基づいて実移動量を出力可能なメインサブデータベースを作成するステップＳ１３を有する。移動量データベースを作成するステップＳ１１は、メインデータベース作成部６がメイン距離に基づいて着目エッジを移動させるメイン移動量を出力可能なメインデータベースを作成するステップＳ１４を有する。移動量データベースを作成するステップＳ１１は、サブデータベース作成部７がサブ距離に基づいて着目エッジを移動させるサブ移動量を出力可能なサブデータベースを作成するステップＳ１５を有する。ステップＳ１１は、ステップＳ１３と、ステップＳ１４とステップＳ１５の対との少なくとも１つを有していればよい。また、ステップＳ１１がステップＳ１３を有していれば、ステップＳ１はステップＳ１２を必要としない。
【００３７】
決定ルールデータベースを作成するステップＳ１２は、データベース選択データベース９がメイン距離とサブ距離の大小関係に基づいて、メインデータベース又はサブデータベースを選択可能なデータベースを作成するステップＳ１６を有する。決定ルールデータベースを作成するステップＳ１２は、移動量選択データベース１０がメイン移動量とサブ移動量の大小関係に基づいて、メイン移動量又はサブ移動量を選択可能なデータベースを作成するステップＳ１７を有する。ステップＳ１２は、ステップＳ１６と、ステップＳ１７の少なくとも１つを有していればよい。
【００３８】
ステップＳ３の着目エッジの実移動量を決定する方法を詳細に説明する。図４に示すように、ステップＳ３の着目エッジの実移動量を決定する方法では、まず、ステップＳ２１で、着目エッジ選択部１３が、設計値通りに作成された半導体装置の設計パタンの着目パタン、着目エッジを選択する。
【００３９】
次に、ステップＳ２２で、メイン距離計算部１４が、エッジの中で着目エッジから最も近いが離れているメインエッジと着目エッジの間のメイン距離を計算する。
【００４０】
ステップＳ２３で、仮エッジ設定部１５が、着目エッジの両端から着目エッジの両側の延長線上に所定の長さの仮エッジを設定する。
【００４１】
ステップＳ２４で、サブ距離計算部１６が、エッジの中で仮エッジから最も近いが離れているサブエッジと仮エッジの間のサブ距離を計算する。
【００４２】
ステップＳ２５で、実移動量出力部１７が、補正データベースから着目エッジの長さとメイン距離とサブ距離に基づいて実移動量を出力する。ステップＳ２５は、ステップＳ２６と、ステップＳ２７乃至Ｓ３０の組との少なくとも１つを有している。また、ステップＳ２７乃至Ｓ３０の組においては、ステップＳ２９とステップＳ３０のどちらか一方を有している。
【００４３】
ステップＳ２６で、実移動量出力部１７が、メインサブデータベースから着目エッジの長さとメイン距離とサブ距離に基づいて実移動量を決定する。
【００４４】
ステップＳ２７で、メイン移動量出力部１８が、メインデータベースからメイン距離に基づいて着目エッジを移動させるメイン移動量を出力させる。
【００４５】
ステップＳ２８で、サブ移動量出力部１９が、サブデータベースからサブ距離に基づいて着目エッジを移動させるサブ移動量を出力させる。
【００４６】
ステップＳ２９で、データベース選択部２０が、データベース選択データベースからメイン距離とサブ距離の大小関係に基づき、メインデータベースまたはサブデータベースを選択する。
【００４７】
ステップＳ３０で、移動量選択部２１が、移動量選択データベースからメイン移動量とサブ移動量の大小関係に基づき、メイン移動量またはサブ移動量を選択する。
【００４８】
ステップＳ３１で、半導体装置の設計パタンの全てのパタンと全てのエッジを、着目パタン、着目エッジとして選択したか判断する。全てのエッジを選択していない場合は、ステップＳ２１に進む。全てのエッジを選択している場合は、ステップＳ３の着目エッジの実移動量を決定する方法をストップする。
【００４９】
以上説明したように、第１の実施の形態によれば、メイン距離とサブ距離を算出することにより、複数の隣接するパタンまでの複数の距離はもちろん、隣接するパタンの方向も考慮して実移動量を決定できるので、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる実移動量を正確に決定することができる。
【００５０】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態に係る設計パタンの補正方法も、図１の第１の実施の形態に係る設計パタンの補正システムにおいて実施される。図５に示すように、第２の実施の形態に係る設計パタンの補正方法は、まず、ステップＳ５で、補正データベース作成部２の近接効果データベース作成部３が、メイン距離とサブ距離に基づいて、光近接効果補正とプロセス近接効果補正の少なくとも１つの補正ができる近接効果実移動量を出力可能な近接効果データベースを作成し、補正データベース記憶部２３の近接効果データベース記憶部２３ａに記憶させる。
【００５１】
ステップＳ６で、補正データベース作成部２のレジストデータベース作成部３が、メイン距離とサブ距離に基づいて、サーマルフローレジストの補正ができるレジスト実移動量を出力可能なレジストデータベースを作成し、補正データベース記憶部２３のレジストデータベース記憶部２３ｂに記憶させる。
【００５２】
次に、ステップＳ２で、設計パタン入力部１１が、設計パタン記憶部２４から着目する半導体装置の設計値通りに作成された設計パタンを入力する。
【００５３】
ステップＳ３ａで、実移動量決定部１２が、近接効果データベースに基づいて、メイン距離とサブ距離から着目エッジの近接効果に対する近接効果実移動量を決定し、近接効果に対する実移動量記憶部２５ａに記憶させる。
【００５４】
ステップＳ３ｂで、実移動量決定部１２が、レジストデータベースに基づいて、メイン距離とサブ距離から着目エッジのサーマルフローレジストに対するレジスト実移動量を決定し、サーマルフローレジストに対する実移動量記憶部２５ｂに記憶させる。
【００５５】
ステップＳ４で、エッジ移動部２２が、近接効果実移動量とレジスト実移動量に基づいて、エッジを近接効果実移動量とレジスト実移動量の和だけ移動させ、補正された設計パタンを完成させる。具体的には、ステップＳ４ａで、エッジ移動部２２が、近接効果実移動量に基づいて、エッジを近接効果実移動量だけ移動させる。ステップＳ４ｂで、エッジ移動部２２が、レジスト実移動量に基づいて、エッジをレジスト実移動量だけ移動させる。エッジ移動部２２は、補正された設計パタンを補正された設計パタン記憶部２６に記憶させる。
【００５６】
以上説明したように、第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の効果を、光近接効果補正とプロセス近接効果補正とサーマルフローレジストの補正のそれぞれの補正に関して得ることができる。すなわち、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる実移動量を正確に決定することができる。
【実施例１】
【００５７】
実施例１では、メインサブデータベースについて説明する。図６に示すように、メインサブデータベースは、メイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２に基づいて実移動量を出力する。すなわち、サブ距離Ｓ２が１５０ｎｍ以下であれば図６（ａ）のデータベースが適応され、サブ距離Ｓ２が１５０ｎｍを超えた場合、あるいはサブ距離Ｓ２を算出しない場合は、図６（ｂ）のデータベースが適応される。そして、サブ距離Ｓ２が１５０ｎｍ以下の場合で、サブ距離Ｓ１が１５０ｎｍ未満の場合は、メイン距離Ｓ０が１５０ｎｍ未満であれば実移動量として０ｎｍが出力され、メイン距離Ｓ０が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ未満であれば実移動量として５ｎｍが出力され、メイン距離Ｓ０が３００ｎｍ以上であれば実移動量として５ｎｍが出力される。同様に、例えば、サブ距離Ｓ２が１５０ｎｍを超える場合で、サブ距離Ｓ１が３００ｎｍ以上の場合は、メイン距離Ｓ０が１５０ｎｍ未満であれば実移動量として１０ｎｍが出力され、メイン距離Ｓ０が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ未満であれば実移動量として２０ｎｍが出力され、メイン距離Ｓ０が３００ｎｍ以上であれば実移動量として３０ｎｍが出力される。
【００５８】
メインサブデータベースは、図３のステップＳ１３において、メインサブデータベース作成部５が作成する。図４のステップＳ２６で、実移動量出力部１７が、メインサブデータベースからメイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２に基づいて実移動量を決定する。
【００５９】
以上説明したように、実施例１によれば、複数の隣接するパタンへの方向に依存した複数の隣接するパタンまでのメイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２に基づいて、実移動量を決定できるので、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる実移動量を正確に決定することができる。
【実施例２】
【００６０】
実施例２では、メインデータベースとサブデータベースとデータベース選択データベースについて説明する。
【００６１】
図７（ａ）に示すように、メインデータベースは、着目エッジの長さＷ０とメイン距離Ｓ０に基づいてメイン移動量Ａ０を出力する。すなわち、着目エッジの長さＷ０が１２０ｎｍ以下であればＷ０≦１２０ｎｍのデータベースＳ０−Ａ０が適応され、着目エッジの長さＷ０が１２０ｎｍより大きければＷ０＞１２０ｎｍのデータベースＳ０−Ａ０が適応される。このように、着目エッジの長さＷ０に応じて、異なるデータベースＳ０−Ａ０を規定することが可能である。着目エッジの長さＷ０は、これに限らず、着目パタンのサイズであればよく、例えば、着目エッジと垂直方向のパタン幅、着目パタンの面積等であってもよい。そして、着目エッジの長さＷ０が１２０ｎｍ以下の場合は、メイン距離Ｓ０が１５０ｎｍ未満であればメイン移動量Ａ０として１０ｎｍが出力され、メイン距離Ｓ０が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ未満であればメイン移動量Ａ０として２０ｎｍが出力され、メイン距離Ｓ０が３００ｎｍ以上であればメイン移動量Ａ０として３０ｎｍが出力される。同様に、着目エッジの長さＷ０が１２０ｎｍより大きい場合は、メイン距離Ｓ０が１５０ｎｍ未満であればメイン移動量Ａ０として５ｎｍが出力され、メイン距離Ｓ０が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ未満であればメイン移動量Ａ０として１０ｎｍが出力され、メイン距離Ｓ０が３００ｎｍ以上であればメイン移動量Ａ０として１５ｎｍが出力される。
【００６２】
図７（ｂ）に示すように、サブデータベースは、着目エッジの長さＷ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２に基づいてサブ移動量Ａ１、Ａ２を出力する。すなわち、着目エッジの長さＷ０が１２０ｎｍ以下であればＷ０≦１２０ｎｍのデータベースＳ１−Ａ１、Ｓ２−Ａ２が適応され、着目エッジの長さＷ０が１２０ｎｍより大きければＷ０＞１２０ｎｍのデータベースＳ１−Ａ１、Ｓ２−Ａ２が適応される。そして、着目エッジの長さＷ０が１２０ｎｍ以下の場合は、サブ距離Ｓ１が１５０ｎｍ未満であればサブ移動量Ａ１として５ｎｍが出力され、サブ距離Ｓ１が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ未満であればサブ移動量Ａ１として１０ｎｍが出力され、サブ距離Ｓ１が３００ｎｍ以上であればサブ移動量Ａ１として３０ｎｍが出力される。同様に、サブ距離Ｓ２が１５０ｎｍ未満であればサブ移動量Ａ２として５ｎｍが出力され、サブ距離Ｓ２が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ未満であればサブ移動量Ａ２として５ｎｍが出力され、サブ距離Ｓ２が３００ｎｍ以上であればサブ移動量Ａ２として１０ｎｍが出力される。同様に、着目エッジの長さＷ０が１２０ｎｍより大きい場合は、サブ距離Ｓ１が１５０ｎｍ未満であればサブ移動量Ａ１として０ｎｍが出力され、サブ距離Ｓ１が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ未満であればサブ移動量Ａ１として５ｎｍが出力され、サブ距離Ｓ１が３００ｎｍ以上であればサブ移動量Ａ１として１５ｎｍが出力される。同様に、サブ距離Ｓ２が１５０ｎｍ未満であればサブ移動量Ａ２として０ｎｍが出力され、サブ距離Ｓ２が１５０ｎｍ以上３００ｎｍ未満であればサブ移動量Ａ２として５ｎｍが出力され、サブ距離Ｓ２が３００ｎｍ以上であればサブ移動量Ａ２として５ｎｍが出力される。
【００６３】
図８に示すように、データベース選択データベースは、メイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２の大小関係に基づいて、メインデータベースＳ０−Ａ０、サブデータベースＳ１−Ａ１、Ｓ２−Ａ２を選択する。すなわち、メイン距離Ｓ０がサブ距離Ｓ１、Ｓ２以上であれば、メインデータベースＳ０−Ａ０が選択される。サブ距離Ｓ１がメイン距離Ｓ０、サブ距離Ｓ２以上であれば、サブデータベースＳ１−Ａ１が選択される。サブ距離Ｓ２がメイン距離Ｓ０、サブ距離Ｓ１以上であれば、サブデータベースＳ２−Ａ２が選択される。なお、メイン距離Ｓ０、サブ距離Ｓ１、Ｓ２が全て等しい場合は、メインデータベースＳ０−Ａ０を優先的に選択する。
【００６４】
メインデータベースＳ０−Ａ０は、図３のステップＳ１４において、メインデータベース作成部６が作成する。サブデータベースＳ１−Ａ１、Ｓ２−Ａ２は、図３のステップＳ１５において、サブデータベース作成部７が作成する。データベース選択データベースは、図３のステップＳ１６において、データベース選択データベース作成部９が作成する。
【００６５】
図４のステップＳ２９で、データベース選択部２０が、データベース選択データベースからメイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２の大小関係に基づき、メインデータベースＳ０−Ａ０、サブデータベースＳ１−Ａ１、Ｓ２−Ａ２から１つを選択する。
【００６６】
ステップＳ２７又はステップＳ２８で、メイン移動量出力部１８又はサブ移動量出力部１９が、選択されたデータベースＳ０−Ａ０、Ｓ１−Ａ１、Ｓ２−Ａ２からメイン距離Ｓ０、サブ距離Ｓ１、Ｓ２に基づいてメイン移動量Ａ０又はサブ移動量Ａ１又はＡ２を出力させる。出力されたメイン移動量Ａ０又はサブ移動量Ａ１又はＡ２を実移動量として決定する。
【００６７】
以上説明したように、実施例２によれば、複数の隣接するパタンへの方向に依存した複数の隣接するパタンまでのメイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２と、着目エッジの長さＷ０に基づいて、実移動量を決定できるので、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる実移動量をＡ０、Ａ１あるいはＡ２から正確に決定することができる。
【００６８】
（実施例２の変形例１）
実施例２の変形例１では、実施例２と比較して、データベース選択データベースが異なっている。図９に示すように、実施例２の変形例１のデータベース選択データベースは、図８の実施例２のデータベース選択データベースと比較して、メイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２の大小関係が逆になっている。すなわち、メイン距離Ｓ０がサブ距離Ｓ１、Ｓ２以下であれば、メインデータベースＳ０−Ａ０が選択される。サブ距離Ｓ１がメイン距離Ｓ０、サブ距離Ｓ２以下であれば、サブデータベースＳ１−Ａ１が選択される。サブ距離Ｓ２がメイン距離Ｓ０、サブ距離Ｓ１以下であれば、サブデータベースＳ２−Ａ２が選択される。なお、メイン距離Ｓ０、サブ距離Ｓ１、Ｓ２が全て等しい場合は、メインデータベースＳ０−Ａ０を優先的に選択する。
【００６９】
図４のステップＳ２９で、データベース選択部２０が、データベース選択データベースからメイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２の大小関係に基づき、メインデータベースＳ０−Ａ０、サブデータベースＳ１−Ａ１、Ｓ２−Ａ２から１つを選択する。
【００７０】
ステップＳ２７又はステップＳ２８で、メイン移動量出力部１８又はサブ移動量出力部１９が、選択されたデータベースＳ０−Ａ０、Ｓ１−Ａ１、Ｓ２−Ａ２からメイン距離Ｓ０、サブ距離Ｓ１、Ｓ２に基づいてメイン移動量Ａ０又はサブ移動量Ａ１又はＡ２を出力させる。出力されたメイン移動量Ａ０又はサブ移動量Ａ１又はＡ２を実移動量として決定する。
【００７１】
例えば、メイン距離Ｓ０＝１００ｎｍ、サブ距離Ｓ１＝１０００ｎｍ、着目エッジの長さＷ０が１２０ｎｍ以下の場合であれば メイン距離Ｓ０がサブ距離より小さいので、Ｗ０≦１２０ｎｍのメインデータベースＳ０−Ａ０が選択される。そして、Ｗ０≦１２０ｎｍのメインデータベースＳ０−Ａ０に基づいて、メイン距離Ｓ０が１００ｎｍであるので、１５０ｎｍ未満の範囲に属し、メイン移動量Ａ０の１０ｎｍが実移動量として出力される。
【００７２】
逆に、メイン距離Ｓ０＝１０００ｎｍ、サブ距離Ｓ１＝１００ｎｍ、着目エッジの長さＷ０が１２０ｎｍ以下の場合であれば メイン距離Ｓ０がサブ距離より大きいので、Ｗ０≦１２０ｎｍのサブデータベースＳ１−Ａ１が選択される。そして、Ｗ０≦１２０ｎｍのサブデータベースＳ１−Ａ１に基づいて、サブ距離Ｓ１が１００ｎｍであるので、１５０ｎｍ未満の範囲に属し、サブ移動量Ａ１の５ｎｍが実移動量として出力される。
【００７３】
実施例２の変形例１によっても、複数の隣接するパタンへの方向に依存した複数の隣接するパタンまでのメイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２と、着目エッジの長さＷ０に基づいて、実移動量を決定できるので、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる実移動量をＡ０、Ａ１あるいはＡ２から正確に決定することができる。
【００７４】
（実施例２の変形例２）
実施例２の変形例２では、実施例２と比較して、データベース選択データベースの換わりに移動量選択データベースが用いられる点が異なっている。図１０に示すように、移動量選択データベースは、メイン移動量Ａ０とサブ移動量Ａ１、Ａ２の大小関係に基づいて、メイン移動量Ａ０、サブ移動量Ａ１、Ａ２から１つを実移動量として選択する。すなわち、メイン移動量Ａ０がサブ移動量Ａ１、Ａ２以下であれば、メイン移動量Ａ０が実移動量として選択される。同様に、サブ移動量Ａ１がメイン移動量Ａ０、サブ移動量Ａ２以下であれば、サブ移動量Ａ１が選択される。サブ移動量Ａ２がメイン移動量Ａ０、サブ移動量Ａ１以下であれば、サブ移動量Ａ２が選択される。なお、メイン移動量Ａ０、サブ移動量Ａ１、Ａ２が全て等しい場合は、メイン移動量Ａ０を優先的に選択する。
【００７５】
移動量選択データベースは、図３のステップＳ１７において、移動量選択データベース作成部１０が作成する。
【００７６】
図４のステップＳ２７で、メイン移動量出力部１８が、メインデータベースＳ０−Ａ０からメイン距離Ｓ０に基づいて着目エッジを移動させるメイン移動量Ａ０を出力させる。
【００７７】
ステップＳ２８で、サブ移動量出力部１９が、サブデータベースＳ１−Ａ１、Ｓ２−Ａ２からサブ距離Ｓ１、Ｓ２に基づいて着目エッジを移動させるサブ移動量Ａ１、Ａ２を出力させる。
【００７８】
ステップＳ３０で、移動量選択部２１が、移動量選択データベースからメイン移動量Ａ０とサブ移動量Ａ１、Ａ２の大小関係に基づき、実移動量としてメイン移動量Ａ０またはサブ移動量Ａ１、Ａ２を選択する。
【００７９】
実施例２の変形例２によっても、複数の隣接するパタンへの方向に依存した複数の隣接するパタンまでのメイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２と、着目エッジの長さＷ０に基づいて、実移動量を決定できるので、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる実移動量をＡ０、Ａ１あるいはＡ２から正確に決定することができる。
【００８０】
（実施例２の変形例３）
実施例２の変形例３では、実施例２の変形例２と比較して、移動量選択データベースが異なっている。図１１に示すように、実施例２の変形例３の移動量選択データベースは、図１０の実施例２の変形例２の移動量選択データベースデータと比較して、メイン移動量Ａ０とサブ移動量Ａ１、Ａ２の大小関係が逆になっている。すなわち、メイン移動量Ａ０がサブ移動量Ａ１、Ａ２以上であれば、メイン移動量Ａ０が実移動量として選択される。同様に、サブ移動量Ａ１がメイン移動量Ａ０、サブ移動量Ａ２以上であれば、サブ移動量Ａ１が選択される。サブ移動量Ａ２がメイン移動量Ａ０、サブ移動量Ａ１以上であれば、サブ移動量Ａ２が選択される。なお、メイン移動量Ａ０、サブ移動量Ａ１、Ａ２が全て等しい場合は、メイン移動量Ａ０を優先的に選択する。
【００８１】
実施例２の変形例３によっても、複数の隣接するパタンへの方向に依存した複数の隣接するパタンまでのメイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２と、着目エッジの長さＷ０に基づいて、実移動量を決定できるので、半導体装置の設計パタンのエッジを移動させる実移動量をＡ０、Ａ１あるいはＡ２から正確に決定することができる。
【実施例３】
【００８２】
実施例３では、図４の着目エッジを選択するステップＳ２１、メイン距離を計算するステップＳ２２、仮エッジを設定するステップＳ２３とサブ距離を計算するステップＳ２４について説明する。
【００８３】
図１２に示すように、設計値通りに作成された半導体装置の設計パタン３１にコンタクトホールパタンＰ０乃至Ｐ２が配置されている。コンタクトホールパタンＰ０は、エッジＥ０１乃至Ｅ０４を辺とする矩形である。同様に、コンタクトホールパタンＰ１は、エッジＥ１１乃至Ｅ１４を辺とする矩形である。コンタクトホールパタンＰ２は、エッジＥ２１乃至Ｅ２４を辺とする矩形である。エッジＥ０１乃至Ｅ０４、Ｅ１１乃至Ｅ１４、Ｅ２１乃至Ｅ２４の長さＷ０は２００ｎｍとした。なお、エッジ毎に長さＷ０は異なっても良い。
【００８４】
ステップＳ２１で、設計パタン３１のコンタクトホールパタンＰ０乃至Ｐ２の中から着目パタンとしてコンタクトホールパタンＰ０を選択し、着目パタンＰ０のエッジＥ０１乃至Ｅ０４の中から着目エッジとしてエッジＥ０１を選択する。着目エッジＥ０１の長さＷ０は２００ｎｍである。
【００８５】
次に、ステップＳ２２で、コンタクトホールパタンＰ０の外方向に延びる着目エッジＥ０１の垂直二等分線３２と交わるエッジであり、エッジＥ０２乃至Ｅ０４、Ｅ１１乃至Ｅ１４、Ｅ２１乃至Ｅ２４の中で着目エッジＥ０１から最も近いが離れているエッジをメインエッジに設定する。メインエッジと着目エッジＥ０１の間のメイン距離Ｓ０を計算する。しかし、図１２では、メインエッジは存在せず、メイン距離Ｓ０は計算できない。ただ、ステップＳ２７では、例えば図７のメインデータベースＳ０−Ａ０では、メイン距離Ｓ０が３００ｎｍを超えていると判断するように、最も長い範囲に属するように判断する。すなわち、着目エッジＥ０１の長さＷ０は、２００ｎｍなので、Ｗ０＞１２０ｎｍのデータベースＳ０−Ａ０が抽出される。そして、メイン移動量Ａ０として、１５ｎｍが出力される。
【００８６】
図１３に示すように、ステップＳ２３で、着目エッジＥ０１の両端から着目エッジＥ０１の両側の延長線３３上に所定の長さの仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１を設定する。仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１の長さとしては、着目エッジＥ０１の長さＷ０の３分の１から等しい長さの範囲にあることが望ましい。特に、着目エッジＥ０１の長さＷ０の２分の１の長さであることが望ましい。
【００８７】
ステップＳ２４で、垂直二等分線３２のコンタクトホールパタンＰ１の外方向に延びる方向と同じ方向で、始点が仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１の着目エッジＥ０１から離れた端点である半直線Ｓ１ｒ、Ｓ１ｌと交わるエッジＥ２３、Ｅ１３である。エッジＥ１３と仮エッジＥｒ１の間の距離Ｓ１ｒと、エッジＥ２３と仮エッジＥｌ１の間の距離Ｓ１ｌを計算する。距離Ｓ１ｒと距離Ｓ１ｌとでは、距離Ｓ１ｒの方が小さいので、半直線Ｓ１ｒ、Ｓ１ｌと交わり、エッジの中で仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１から最も近いが離れているサブエッジにエッジＥ１３を設定する。サブエッジＥ１３と仮エッジＥｒ１の間の距離Ｓ１ｒをサブ距離Ｓ１に設定する。サブ距離Ｓ１が１３０ｎｍであれば、ステップＳ２８において、例えば図７のＷ０＞１２０ｎｍのデータベースＳ１−Ａ１が抽出される。そして、サブ移動量Ａ１として、０ｎｍが出力される。
【００８８】
なお、サブ距離Ｓ２を設定しない場合は、ステップＳ２８において、例えば図７のＷ０＞１２０ｎｍのデータベースＳ２−Ａ２が抽出される。Ｗ０＞１２０ｎｍのデータベースＳ２−Ａ２では、サブ距離Ｓ２が３００ｎｍを超えていると判断するように、最も長い範囲に属するように判断する。そして、サブ移動量Ａ２として、５ｎｍが出力される。
【００８９】
ステップＳ３０で、実施例２の変形例２に準じると、図１０の移動量選択データベースからメイン移動量Ａ０とサブ移動量Ａ１、Ａ２の大小関係に基づき、Ａ１≦Ａ０、Ａ２の条件が成立するので、実移動量としてサブ移動量Ａ１の０ｎｍを選択する。
【００９０】
実施例３では、複数の隣接するパタンＰ１、Ｐ２への方向に依存した複数の隣接するパタンＰ１、Ｐ２までのメイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２を算出しているので、メイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２に基づいて決定される実移動量を正確に設定することが可能になる。
【実施例４】
【００９１】
実施例４でも、実施例３と同様に、図４の着目エッジを選択するステップＳ２１、メイン距離を計算するステップＳ２２、仮エッジを設定するステップＳ２３とサブ距離を計算するステップＳ２４について説明する。
【００９２】
図１４に示すように、ステップＳ２１では、実施例３と同様に、着目エッジとしてエッジＥ０１を選択する。エッジＥ０１乃至Ｅ０４、Ｅ１１乃至Ｅ１４、Ｅ２１乃至Ｅ２４の長さＷ０は１２０ｎｍとした。なお、エッジ毎に長さＷ０は異なっても良い。着目エッジＥ０１の長さＷ０は１２０ｎｍである。
【００９３】
次に、ステップＳ２２で、着目エッジＥ０１の延長線３３に関して着目コンタクトホールパタンＰ０の存在する側とは反対側に存在するエッジであり、エッジＥ０２乃至Ｅ０４、Ｅ１１乃至Ｅ１４、Ｅ２１乃至Ｅ２４の中で着目エッジＥ０１から最も近いが離れているエッジＥ１３、Ｅ１４を選択し、エッジＥ１３、Ｅ１４をメインエッジに設定する。メインエッジＥ１３、Ｅ１４と着目エッジＥ０１の間のメイン距離Ｓ０１を計算する。例えば、図１４では、エッジＥ１３、Ｅ１４と着目エッジＥ０１の間の距離Ｓ０１と、エッジＥ２３、Ｅ２４と着目エッジＥ０１の間の距離Ｓ０２を計算する。距離Ｓ０１と距離Ｓ０２とでは、距離Ｓ０１の方が小さいので、メインエッジにエッジＥ１３、Ｅ１４を設定する。メインエッジＥ１３、Ｅ１４と着目エッジＥ０１の間の距離Ｓ０１をメイン距離Ｓ０に設定する。メイン距離Ｓ０が１３０ｎｍであれば、ステップＳ２７において、例えば図７のＷ０≦１２０ｎｍのデータベースＳ０−Ａ０が抽出される。そして、メイン移動量Ａ０として、１０ｎｍが出力される。
【００９４】
図１５に示すように、ステップＳ２３では、実施例３と同様に、着目エッジＥ０１の両側の延長線３３上に所定の長さの仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１を設定する。
【００９５】
ステップＳ２４で、着目エッジＥ０１の延長線３３に関して着目コンタクトホールパタンＰ０の存在する側とは反対側に存在するエッジであり、エッジＥ０２乃至Ｅ０４、Ｅ１１乃至Ｅ１４、Ｅ２１乃至Ｅ２４の中で仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１から最も近いが離れているエッジＥ１３、Ｅ１４を選択し、エッジＥ１３、Ｅ１４をサブエッジに設定する。サブエッジＥ１３、Ｅ１４と仮エッジＥｒ１の間のサブ距離Ｓ１１を計算する。例えば、図１５では、エッジＥ１３、Ｅ１４と仮エッジＥｒ１の間の距離Ｓ０１と、エッジＥ２３、Ｅ２４と仮エッジＥｌ１の間の距離Ｓ１２を計算する。距離Ｓ１１と距離Ｓ１２とでは、距離Ｓ１１の方が小さいので、サブエッジにエッジＥ１３、Ｅ１４を設定する。サブエッジＥ１３、Ｅ１４と仮エッジＥｒ１の間の距離Ｓ１１をサブ距離Ｓ１に設定する。サブ距離Ｓ１が１００ｎｍであれば、ステップＳ２８において、例えば図７のＷ０≦１２０ｎｍのデータベースＳ１−Ａ１が抽出される。そして、サブ移動量Ａ１として、５ｎｍが出力される。
【００９６】
実施例４では、複数の隣接するパタンＰ１、Ｐ２への方向に依存した複数の隣接するパタンＰ１、Ｐ２までのメイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１を算出しているので、メイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１に基づいて決定される実移動量を正確に設定することが可能になる。
【実施例５】
【００９７】
実施例５では、図４の着目エッジを選択するステップＳ２１、メイン距離を計算するステップＳ２２、仮エッジを設定するステップＳ２３、サブ距離を計算するステップＳ２４、メイン移動量を出力させるステップＳ２７、サブ移動量を出力させるステップＳ２８とメインデータベースまたはサブデータベースを選択するステップＳ２９について説明する。
【００９８】
図１６に示すように、ステップＳ２１では、実施例３と同様に、着目エッジとしてエッジＥ０１を選択する。エッジＥ０１乃至Ｅ０４、Ｅ１１乃至Ｅ１４、Ｅ２１乃至Ｅ２４の長さＷ０は１５０ｎｍとした。なお、エッジ毎に長さＷ０は異なっても良い。着目エッジＥ０１の長さＷ０は１５０ｎｍである。
【００９９】
次に、ステップＳ２２で、着目エッジＥ０１の延長線３３に関して着目コンタクトホールパタンＰ０の存在する側とは反対側に存在するエッジであり、着目エッジＥ０１の垂直方向に存在するエッジであり、エッジＥ０２乃至Ｅ０４、Ｅ１１乃至Ｅ１４、Ｅ２１乃至Ｅ２４の中で着目エッジＥ０１から最も近いが離れているエッジＥ２３をメインエッジに設定する。メインエッジＥ２３と着目エッジＥ０１の間のメイン距離Ｓ０を計算する。メイン距離Ｓ０の計算結果は、４００ｎｍであった。なお、メインエッジの条件である着目エッジＥ０１の垂直方向に存在するエッジであることは、着目エッジＥ０１に関して着目コンタクトホールパタンＰ０の存在する側とは反対側に存在し、着目エッジＥ０１を一辺とし、着目エッジＥ０１に接する他の２辺の長さが補正対象の効果例えば近接効果に対して十分に長い長方形の領域Ｚ０に存在することであってもよい。
【０１００】
図１７に示すように、ステップＳ２３で、着目エッジＥ０１の両端から着目エッジＥ０１の両側の延長線３３上に所定の長さの仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１を設定する。仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１の着目エッジＥ０１から離れた端点から着目エッジＥ０１から離れる方向の延長線３３上に所定の長さの仮エッジＥｒ２、Ｅｌ２を設定する。仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１、Ｅｒ２、Ｅｌ２の長さとしては、着目エッジＥ０１の長さＷ０の３分の１から２倍の長さの範囲にあることが望ましい。特に、着目エッジＥ０１の長さＷ０の２分の１の長さであることが望ましい。また、仮エッジＥｒ３、Ｅｌ３を、仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１と仮エッジＥｒ２、Ｅｌ２の位置関係と同様に、仮エッジＥｒ２、Ｅｌ２に対して設定してもよい。このように多数の仮エッジを設定してもよい。
【０１０１】
ステップＳ２４で、着目エッジＥ０１の延長線３３に関して着目コンタクトホールパタンＰ０の存在する側とは反対側に存在するエッジであり、仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１、Ｅｒ２、Ｅｌ２の垂直方向に存在するエッジであり、エッジＥ０２乃至Ｅ０４、Ｅ１１乃至Ｅ１４、Ｅ２１乃至Ｅ２４の中で仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１、Ｅｒ２、Ｅｌ２から最も近いが離れているエッジＥ１３をサブエッジに設定する。サブエッジＥ１３と仮エッジＥｒ１、Ｅｒ２の間の距離Ｓ１１、Ｓ２１をサブ距離Ｓ１、Ｓ２として計算する。例えば、図１７では、エッジＥ１３と仮エッジＥｒ１の間の距離Ｓ１１と、エッジＥ２３と仮エッジＥｌ１の間の距離Ｓ１２を計算する。距離Ｓ１１は１３０ｎｍであり、距離Ｓ１２は４００ｎｍであるので、距離Ｓ１１と距離Ｓ１２とでは、距離Ｓ１１の方が小さいので、サブエッジにエッジＥ１３を設定する。サブエッジＥ１３と仮エッジＥｒ１の間の距離Ｓ１１をサブ距離Ｓ１に設定する。サブ距離Ｓ１の計算結果は、１３０ｎｍとなる。同様に、エッジＥ１３と仮エッジＥｒ２の間の距離Ｓ２１と、エッジＥ２３と仮エッジＥｌ２の間の距離Ｓ２２を計算する。距離Ｓ２１は１３０ｎｍであり、距離Ｓ２２は４００ｎｍであるので、距離Ｓ２１と距離Ｓ２２とでは、距離Ｓ２１の方が小さいので、サブエッジにエッジＥ１３を設定する。サブエッジＥ１３と仮エッジＥｒ２の間の距離Ｓ２１をサブ距離Ｓ２に設定する。サブ距離Ｓ２の計算結果は、１３０ｎｍになる。
【０１０２】
なお、サブエッジの条件である仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１、Ｅｒ２、Ｅｌ２の垂直方向に存在するエッジであることは、延長線３３に関して着目コンタクトホールパタンＰ０の存在する側とは反対側に存在し、仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１、Ｅｒ２、Ｅｌ２を一辺とし、仮エッジＥｒ１、Ｅｌ１、Ｅｒ２、Ｅｌ２に接する他の２辺の長さが補正対象の効果例えば近接効果に対して十分に長い長方形の領域Ｚ１、Ｚ２に存在することであってもよい。
【０１０３】
ステップＳ２９で、実施例２の変形例１に準じて、図９のデータベース選択データベースからメイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２の大小関係に基づき、メインデータベースＳ０−Ａ０、サブデータベースＳ１−Ａ１、Ｓ２−Ａ２から１つを選択する。メイン距離Ｓ０が４００ｎｍであり、サブ距離Ｓ１、Ｓ２が共に１３０ｎｍであるので、サブ距離Ｓ１がメイン距離Ｓ０、サブ距離Ｓ２以下である場合に相当する。Ｗ０＞１２０ｎｍのサブデータベースＳ１−Ａ１が選択される。
【０１０４】
ステップＳ２８で、選択されたＷ０＞１２０ｎｍのサブデータベースＳ１−Ａ１からサブ距離Ｓ１の１３０ｎｍに基づいてサブ移動量Ａ１として０ｎｍを出力させる。出力された０ｎｍを実移動量として決定する。
【０１０５】
最後に、図２のステップＳ４で、実移動量の０ｎｍに基づいて、図１８と図１９に示すように、着目エッジＥ０１を０ｎｍだけ移動させる。このようにして、補正された設計パタンが完成する。
【０１０６】
実施例５では、複数の隣接するパタンＰ１、Ｐ２への方向に依存した複数の隣接するパタンＰ１、Ｐ２までのメイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２を算出しているので、メイン距離Ｓ０とサブ距離Ｓ１、Ｓ２に基づいて決定される実移動量を正確に設定できる。また、図９のデータベース選択データベースでは、設計パタンのパタンの形状と大きさ等のデザインによって分類することで、実移動量の精度を向上できる。また、設計パタンのパタンの形状は四角形に基づき解説しているが、８角形等の多角形の場合でもなんら問題がない。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】第１の実施の形態に係る設計パタンの補正システムの構成図である。
【図２】第１の実施の形態に係る設計パタンの補正方法のフローチャートである。
【図３】第１の実施の形態に係る設計パタンの補正方法の補正データベースの作成方法のフローチャートである。
【図４】第１の実施の形態に係る設計パタンの補正方法の着目エッジの実移動量を決定する方法のフローチャートである。
【図５】第２の実施の形態に係る設計パタンの補正方法のフローチャートである。
【図６】実施例１に係る設計パタンの補正システムの補正データベースの構成図である。
【図７】実施例２に係る設計パタンの補正システムの補正データベースの移動量データベースの構成図である。（ａ）がメインデータベースの構成図であり、（ｂ）がサブデータベースの構成図である。
【図８】実施例２に係る設計パタンの補正システムの補正データベースの決定ルールデータベースの構成図である。
【図９】実施例２の変形例１に係る設計パタンの補正システムの補正データベースの決定ルールデータベースの構成図である。
【図１０】実施例２の変形例２に係る設計パタンの補正システムの補正データベースの決定ルールデータベースの構成図である。
【図１１】実施例２の変形例３に係る設計パタンの補正システムの補正データベースの決定ルールデータベースの構成図である。
【図１２】実施例３に係る設計パタンの補正方法における着目エッジの実移動量を決定する方法でのメイン距離を計算するステップを説明するための設計パタンの構成図である。
【図１３】実施例３に係る設計パタンの補正方法における着目エッジの実移動量を決定する方法での仮エッジを設定するステップとサブ距離を計算するステップを説明するための設計パタンの構成図である。
【図１４】実施例４に係る設計パタンの補正方法における着目エッジの実移動量を決定する方法でのメイン距離を計算するステップを説明するための設計パタンの構成図である。
【図１５】実施例４に係る設計パタンの補正方法における着目エッジの実移動量を決定する方法での仮エッジを設定するステップとサブ距離を計算するステップを説明するための設計パタンの構成図である。
【図１６】実施例５に係る設計パタンの補正方法における着目エッジの実移動量を決定する方法でのメイン距離を計算するステップを説明するための設計パタンの構成図である。
【図１７】実施例５に係る設計パタンの補正方法における着目エッジの実移動量を決定する方法での仮エッジを設定するステップとサブ距離を計算するステップを説明するための設計パタンの構成図である。
【図１８】実施例５に係る設計パタンの補正方法におけるエッジを実移動量だけ移動させるステップを説明するための設計パタンの構成図（その１）である。
【図１９】実施例５に係る設計パタンの補正方法におけるエッジを実移動量だけ移動させるステップを説明するための設計パタンの構成図（その２）である。
【符号の説明】
【０１０８】
１    設計パタンの補正システム
２    補正データベース作成部
３    近接効果データベース作成部（レジストデータベース作成部）
４    移動量データベース作成部
５    メインサブデータベース作成部
６    メインデータベース作成部
７    サブデータベース作成部
８    決定ルールデータベース作成部
９    データベース選択データベース
１０  移動量選択データベース
１１  設計パタン入力部
１２  実移動量決定部
１３  着目エッジ選択部
１４  メイン距離計算部
１５  仮エッジ設定部
１６  サブ距離計算部
１７  実移動量出力部
１８  メイン移動量出力部
１９  サブ移動量出力部
２０  データベース選択部
２１  移動量選択部
２２  エッジ移動部
２３  補正データベース記憶部
２３ａ  近接効果データベース記憶部
２３ｂ  レジストデータベース記憶部
２４  設計パタン記憶部
２５  実移動量記憶部
２５ａ  近接効果に対する実移動量記憶部
２５ｂ  フローレジストに対する実移動量記憶部
２６  補正された設計パタン記憶部
３１  設計パタン
３２  垂直二等分線
３３  延長線
３５  補正された設計パタン
Ｐ０乃至Ｐ２  コンタクトホールパタン
Ｅ０１乃至Ｅ０４、Ｅ１１乃至Ｅ１４、Ｅ２１乃至Ｅ２４  エッジ
Ｅｒ１、Ｅｌ１、Ｅｒ２、Ｅｌ２  仮エッジ
Ｓ０１、Ｓ０２、Ｓ０  メイン距離
Ｓ１ｒ、Ｓ１ｌ、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ２１、Ｓ２２  サブ距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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