(57)【要約】【課題】  スプリアスモードの共振周波数が共振器の共振周波数よりも一定周波数以上高い方に離れる構造にして、周波数特性の維持向上を図った高周波モジュール及び無線通信装置を提供する。【解決手段】  電圧制御発振器１は、パッケージ２と誘電体共振器３と回路基板４と蓋５とを備え、誘電体共振器３及び回路基板４をパッケージ２内に収容する。パッケージ２は、回路基板４を載置させるための水平な載置部２０と誘電体共振器３を収容するための収容部２１とを有している。また、載置部２０と収容部２１とは導電体膜２５で覆われている。誘電体共振器３はチップ体状に形成され、誘電体共振器３の長辺に対する収容部２１の長辺の比が、１．１〜１．５の範囲内の値に設定されている。これにより、スプリアスの共振周波数は誘電体共振器３の共振周波数より一定周波数以上高い方に離れる。【選択図】図１
2006050334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体膜を誘電体基板の両主面に形成すると共にこれら導電体膜に互いに対向する開口部を向けることにより、これら開口部から露出した誘電体部分を共振部とする誘電体共振器と、一主面にこの誘電体共振器と電磁結合する伝送線路を有し且つこの伝送線路を上記開口部の内側に位置させた状態で、上記誘電体共振器に積層された回路基板と、これら誘電体共振器と回路基板とを収容するパッケージとを備えた高周波モジュールであって、
上記誘電体共振器を、その長辺が上記回路基板の長辺の半分以下の大きさであるチップ体状に形成し、
上記パッケージ内に、上記回路基板を載置させるためのほぼ水平な載置部とこの載置部に凹設され上記チップ体状の誘電体共振器を収容する収容部とを設けると共に、収容部内面と載置部表面とを電磁遮蔽部材で覆った、
ことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
スプリアスモードの共振周波数が上記誘電体共振器の共振周波数の１．０２倍〜１．２０倍に収まるように、上記誘電体共振器の長辺に対する上記パッケージの収容部の長辺の比を設定した、
ことを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
上記誘電体共振器の長辺に対する上記パッケージの収容部の長辺の比は、１．１〜１．５の範囲内の値である、
ことを特徴とする請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
上記パッケージの収容部内面と載置部表面とを覆う電磁遮蔽部材は、導電体膜である、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項５】
上記パッケージの収容部内面の底面と載置部表面とを覆う電磁遮蔽部材は、導電体膜であり、
当該収容部内面の側面を覆う電磁遮蔽部材は、上記収容部を囲むように上記載置部に穿設され、収容部底面の導体膜と載置部表面の導体膜とを電気的に接続した複数のスルーホールである、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項６】
上記パッケージを、上記回路基板を収容可能な枠体と、この枠体に取り付けられた別体の金属板とで構成し、
この金属板を凹ませて上記収容部を形成すると共に、当該収容部以外の水平部分を上記載置部とした、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項７】
上記伝送線路の一端を抵抗終端すると共に他端を増幅器に接続して、発振器を構成した、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項８】
上記伝送線路の一端に可変リアクタンス素子を接続し、上記誘電体共振器に電磁結合する他の伝送線路の一端を抵抗終端すると共に他端を増幅器に接続して、電圧制御発振器を構成した、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６いずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項９】
請求項８に記載の高周波モジュールを備えた、
ことを特徴とする無線通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高周波信号の送受信を行うＲＦ回路などに適用される高周波モジュール及び無線通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波モジュールの一例として電圧制御発振器がある。この電圧制御発振器は、キーパーツであるバラクタ（又はバリキャップ）に加える印加電圧を変えることで、所望周波数の高周波信号を出力する機器であり、ＰＬＬ回路や携帯電話のＲＦ回路に採用されている。
このような電圧制御発振器において、近年、機器の小型化とＱ値の先鋭化との観点から、誘電体の共振回路が用いられるようになってきた（例えば、特許文献１及び特許文献２）。
【０００３】
図１４は、従来の電圧制御発振器の一例を示す分解斜視図である。
図において、符号１００が共振回路である。この共振回路１００は、ＴＥ010モード誘電体共振器であり、広い誘電体基板１０１を上下面から導電体膜１０２，１０３で覆い、導電体膜１０２，１０３の一部を円形に切り欠いて、内部の誘電体をこの円孔１０２ａから露出させた構成をとっている。
また、符号２００は、回路基板であり、この回路基板２００は、誘電体２０１上にマイクロストリップラインの主伝送線路２０２や副伝送線路２０３を形成した構造になっており、その大きさは、共振回路１００にほぼ等しく設定されている。この回路基板２００は、共振回路１００上に積層された状態で、大容積のパッケージ３００内に収容されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−００３９６７号公報
【特許文献２】特開２０００−２７８００５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記した従来の電圧制御発振器では、次のような問題がある。
スプリアスの電波が回路基板２００で拾われると、その電波が誘電体で形成された共振回路１００で共振することがある。かかる共振周波数は、共振回路１００の大きさに対応する。したがって、従来の電圧制御発振器では、共振回路１００が回路基板２００とほぼ同じ大きさに設定され、その長辺１００ａ及び短辺１００ｂが長いので、低周波から高周波に至る非常に広い帯域に渡って、共振回路１００がいわゆるパラレルプレートモード（以下、「ＰＰＭ」と記す。）の共振を生じるおそれがある。同様に、パッケージ３００も大容積のため、広帯域に渡ってパッケージ共振が生じるおそれがある。このようなスプリアスモードの発生による影響は、スプリアスの共振周波数が電圧制御発振器の発振周波数と大きく離れている場合には、さほど問題とならないが、スプリアスの共振周波数が電圧制御発振器の発振周波数に近くなると、電圧制御発振器の特性を著しく劣化させる。
【０００６】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、スプリアスモードの共振周波数が共振器の共振周波数よりも一定周波数以上高い方に離れる構造にして、周波数特性の維持向上を図った高周波モジュール及び無線通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、導電体膜を誘電体基板の両主面に形成すると共にこれら導電体膜に互いに対向する開口部を向けることにより、これら開口部から露出した誘電体部分を共振部とする誘電体共振器と、一主面にこの誘電体共振器と電磁結合する伝送線路を有し且つこの伝送線路を開口部の内側に位置させた状態で、誘電体共振器に積層された回路基板と、これら誘電体共振器と回路基板とを収容するパッケージとを備えた高周波モジュールであって、誘電体共振器を、その長辺が回路基板の長辺の半分以下の大きさであるチップ体状に形成し、パッケージ内に、回路基板を載置させるためのほぼ水平な載置部とこの載置部に凹設されチップ体状の誘電体共振器を収容する収容部とを設けると共に、収容部内面と載置部表面とを電磁遮蔽部材で覆った構成とする。
かかる構成により、誘電体共振器の長辺が回路基板の長辺の半分以下の大きさに設定されているので、この誘電体共振器で共振するスプリアスモードの周波数が誘電体共振器の共振周波数よりも高周波側にシフトする。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１に記載の高周波モジュールにおいて、スプリアスモードの共振周波数が誘電体共振器の共振周波数の１．０２倍〜１．２０倍に収まるように、誘電体共振器の長辺に対するパッケージの収容部の長辺の比を設定した構成とする。
かかる構成により、スプリアスモードの共振周波数が誘電体共振器の共振周波数の１．０２倍〜１．２０倍に収まるので、誘電体共振器の共振周波数がスプリアスモードの影響を受けることはない。
【０００９】
請求項３の発明は、請求項２に記載の高周波モジュールにおいて、誘電体共振器の長辺に対するパッケージの収容部の長辺の比は、１．１〜１．５の範囲内の値である構成とした。
かかる構成により、誘電体共振器の共振周波数に対するスプリアスモードの影響を確実に回避することができる。
【００１０】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波モジュールにおいて、パッケージの収容部内面と載置部表面とを覆う電磁遮蔽部材は、導電体膜である構成とした。
【００１１】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波モジュールにおいて、パッケージの収容部内面の底面と載置部表面とを覆う電磁遮蔽部材は、導電体膜であり、当該収容部内面の側面を覆う電磁遮蔽部材は、収容部を囲むように載置部に穿設され、収容部底面の導体膜と載置部表面の導体膜とを電気的に接続した複数のスルーホールである構成とした。
【００１２】
請求項６の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波モジュールにおいて、パッケージを、回路基板を収容可能な枠
体と、この枠体に取り付けられた別体の金属板とで構成し、この金属板を凹ませて収容部を形成すると共に、当該収容部以外の水平部分を載置部とした構成とする。
【００１３】
請求項７の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の高周波モジュールにおいて、伝送線路の一端を抵抗終端すると共に他端を増幅器に接続して、発振器を構成した構成とする。
【００１４】
請求項８の発明は、請求項１ないし請求項６いずれかに記載の高周波モジュールにおいて、伝送線路の一端に可変リアクタンス素子を接続し、誘電体共振器に電磁結合する他の伝送線路の一端を抵抗終端すると共に他端を増幅器に接続して、電圧制御発振器を構成した。
【００１５】
請求項９の発明に係る無線通信装置は、請求項８に記載の高周波モジュールを備えた構成とする。
【発明の効果】
【００１６】
以上詳しく説明したように、この発明の高周波モジュールによれば、誘電体共振器に生じるスプリアスモードの周波数を誘電体共振器の共振周波数よりも高周波側にシフトさせて、誘電体共振器がスプリアスモードの影響を受けないようにすることができ、しかも、誘電体共振器の共振周波数に対するスプリアスモードの影響を確実に回避することができるので、安定した周波数特性を持った高周波モジュールを提供することができるという優れた効果がある。
また、パッケージを、回路基板を収容可能な枠体と、この枠体に取り付けられた別体の金属板とで構成することで、高周波モジュールの製造コストの低減化を図ることができる。
また、この高周波モジュールを無線通信装置に備えることで、動作特性が安定した無線通信装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１は、この発明の第１実施例に係る高周波モジュールとしての電圧制御発振器の分解斜視図であり、図２は、電圧制御発振器の内部を示す断面図であり、図３は、回路基板の平面図であり、図４は、図３の回路基板の等価回路図である。
図１に示すように、この実施例の高周波モジュールは電圧制御発振器であり、この電圧制御発振器１は、パッケージ２と誘電体共振器３と回路基板４と蓋５とを備え、誘電体共振器３上に積層された回路基板４を、誘電体共振器３と共にパッケージ２内に収容して、蓋５を被せた構造になっている。
【００１９】
パッケージ２は、誘電体共振器３と回路基板４とを収容するための箱体であり、図２に示すように、回路基板４を載置させるための水平な載置部２０と誘電体共振器３を収容するための凹状の収容部２１とを有している。
具体的には、導電性部材で形成された枠２４が、収容部２１よりも大径の開口２３に装着され、導電体膜２５が、開口２３の底に当たる載置部２０の表面と収容部２１の内面とを覆うように設けられている。
【００２０】
誘電体共振器３は、ＴＥ010モードをドミナントモードとして共振する誘電体共振器であり、誘電体基板３０と誘電体基板３０の両主面に形成された一対の導電体膜３１，３１とを有してなる。そして、これら導電体膜３１，３１には、円形の開口部３１ａ，３１ａが形成され、開口部３１ａ，３１ａから露出した誘電体部分３０ａが共振部として機能する。
かかる誘電体共振器３は、図１にも示すように、チップ体状に形成されており、図２に示すように、その長辺の長さａが回路基板４の長辺の長さＢの半分以下に設定されている。また、スプリアスモードの共振周波数が誘電体共振器３の共振周波数の１．０２倍〜１．２０倍になるように、誘電体共振器３の長辺ａに対するパッケージ２の収容部の長辺ｂの比を設定した。具体的には、比「ｂ／ａ」を、１．１〜１．５の範囲内の値に設定した。
このような誘電体共振器３は、回路基板４の下面に位置した状態で、収容部２１内に収容されている。これにより、誘電体共振器３は、キャビティとして機能する導電体膜２５によって囲まれて、電磁遮蔽された状態になっている。
【００２１】
回路基板４は、誘電体共振器３上に積層されている。
この回路基板４は、図３及び図４に示すように、誘電体シート４０の表面に、誘電体共振器３と電磁結合させるための主伝送線路４１及び副伝送線路４２と、増幅器としてのＦＥＴ４３と、直列帰還線路４４とを有する。
具体的には、主伝送線路４１の左方端部と接地電極４１ａとの間に終端抵抗４５が接続されて、主伝送線路４１の左方端が抵抗終端されている。また、主伝送線路４１の右方端部は、ＦＥＴ４３に接続されている。このＦＥＴ４３は直列帰還用線路４４上に実装されている。一方、副伝送線路４２は、主伝送線路４１とほぼ並行に配設され、その右方端部は開放され、左方端部は、可変リアクタンス素子としてのバラクタダイオード４６が接続されている。そして、バラクタダイオード４６の一方端部は接地電極４２ａに接続され、他方端部は、周波数制御用の電圧を印加するバイアス回路４７に接続されている。
このような主伝送線路４１及び副伝送線路４２は、図３の破線で示すように、誘電体共振器３の開口部３１ａの内側に位置するように形成されており、共振時における副伝送線路４２と誘電体共振器３と主伝送線路４１との電磁気的結合を可能にしている。なお、符号４８はチップ抵抗であり、符号４３ａ，４３ｂはＦＥＴ４３に対するバイアス回路であり、符号４９は出力回路である。
【００２２】
図１及び図２おいて、蓋５は、枠２４と同形の板状導電体部材であり、枠２４に被さって、枠２４及び導電体膜２５と共にキャビティを構成している。
【００２３】
次に、この実施例の電圧制御発振器が示す作用及び効果について説明する。
図３において、誘電体共振器３がＴＥ010モードで共振し、主伝送線路４１及び副伝送線路４２と電磁気的に結合すると、誘電体共振器３の共振周波数の信号が主伝送線路４１からＦＥＴ４３に伝送され、ＦＥＴ４３で増幅されて、出力回路４９から出力される。これと並行して、ＦＥＴ４３の出力が直列帰還線路４４を通じて誘電体共振器３側に帰還され、所定共振周波数の信号が主伝送線路４１上に継続的に発振される。この結果、増幅された所望周波数の信号が出力回路４９から継続的に発振されることとなる。また、バイアス回路４７からの制御電圧を調整し、バラクタダイオード４６のリアクタンス値を変更することで、バイアス回路４７からの信号の発振周波数を任意に変更することができる。
【００２４】
ところで、電圧制御発振器１がかかる発振状態において、外部ノイズなどの電波を拾うと、誘電体共振器３で共振し、スプリアスの発振が生じるおそれがある。
しかし、この実施例では、図２に示すように、誘電体共振器３をチップ体状に形成し、長辺の長さａが回路基板４の長辺の長さＢの半分以下に設定すると共に、誘電体共振器３の長辺ａに対するパッケージ２の収容部の長辺ｂの比「ｂ／ａ」を、１．１〜１．５の範囲内の値に設定したので、誘電体共振器３で共振するスプリアスは波長は短いものが対象となる。すなわち、誘電体共振器３で共振するスプリアスの内、高域周波数のスプリアスのみが対象となる。具体的には、このスプリアスモードの共振周波数が誘電体共振器３の共振周波数の１．０２倍〜１．２０倍の範囲内に収まるようになっている。
このように、この実施例の電圧制御発振器１では、スプリアスの共振周波数を誘電体共振器３の共振周波数より一定周波数以上高い方に離れる構造になっているので、スプリアスの共振周波数が誘電体共振器３の共振周波数に近づくことはなく、この結果、電圧制御発振器１が安定した発振特性を持つ。
【００２５】
発明者らは、かかる効果を確認すべく、次のようなシミュレーションを行った。
図５は、「ｂ／ａ」を「１．１」，「１．２」，「１．３」に設定した場合のシミュレーションにおけるスプリアス特性を示す線図であり、図６は、「ｂ／ａ」を「１．４」，「１．５」，「１．６」に設定した場合のシミュレーションにおけるスプリアス特性を示す線図であり、図７は、「ｂ／ａ」を「１．７」，「１．８」に設定した場合のシミュレーションにおけるスプリアス特性を示す線図である。
このシミュレーションでは、誘電体共振器３の共振周波数を３８．６ＧＨｚに設定し、誘電体共振器３の長辺ａに対するパッケージ２の収容部の長辺ｂの比「ｂ／ａ」を変えて、共振回路ブロックの反射特性（リターンロス）を計算した。なお、共振回路ブロックは、図３及び図４において、誘電体共振器３と主伝送線路４１と終端抵抗４５と接地電極４１ａとで構成されるブロックである。
まず、比「ｂ／ａ」を「１．１」に設定して計算したところ、図５（ａ）に示すように、ドミナントであるＴＥ010モードの周波数である共振回路ブロックの共振周波数Ｄ（３８．６ＧＨｚ）の両側にスプリアス成分Ｓ１，Ｓ２が発生した。
低域側のスプリアス成分Ｓ１については、比「ｂ／ａ」が「１．１」の場合に、約３４．８ＧＨｚであり、共振周波数Ｄがスプリアス成分Ｓ１の周波数の約１．１倍であり、このスプリアス成分Ｓ１による影響はほとんど生じない。そして、比「ｂ／ａ」を順に「１．２」，「１．３」に上げると、図５（ｂ）及び（ｃ）に示すように、共振回路ブロックの共振周波数Ｄから離れていくことが確認された。さらに、比「ｂ／ａ」を順に「１．４」，「１．５」，「１．６」に上げても、図６（ａ）ないし（ｃ）に示すように、低域のスプリアス成分Ｓ１が共振周波数Ｄから離れた。以後、比「ｂ／ａ」を「１．７」，「１．８」に上げていくと、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、低域のスプリアス成分Ｓ２が共振周波数Ｄからさらに離れた。したがって、共振周波数Ｄよりも低域側のスプリアス成分Ｓ１による影響は生じないことが明らかであり、共振周波数Ｄよりも高域側のスプリアス成分Ｓ２の存在が問題となる。
【００２６】
この高域側のスプリアス成分Ｓ２は、比「ｂ／ａ」を「１．１」から「１．８」に上げていくと、比「ｂ／ａ」を上げるに従って、スプリアス成分Ｓ２が共振周波数Ｄに近づくことが判る。
図８は、比「ｂ／ａ」の値に応じて、高域のスプリアス成分が共振回路ブロックの共振周波数に近づいていく様子を部分的に拡大して示す線図である。
比「ｂ／ａ」を「１．１」に設定すると、図８の曲線ａ１に示すように、高域のスプリアス成分Ｓ２が略３９．６ＧＨｚの位置に発生した。そして、比「ｂ／ａ」を順に「１．２」〜「１．５」に上げていったところ、曲線ａ２〜ａ５に示すように、スプリアス成分Ｓ２が共振周波数Ｄに順次近づいていき、比「ｂ／ａ」を「１．５」に設定した時点で、スプリアス成分Ｓ２が略３９．５ＧＨｚの位置に発生した。すなわち、、共振周波数Ｄの約１．０２倍の周波数位置にスプリアス成分Ｓ２が発生した。以後、比「ｂ／ａ」を「１．６」から「１．８」に順次上げていくと、曲線ａ６〜ａ８に示すように、スプリアス成分Ｓ２は、共振周波数Ｄの１．０２倍よりも小さな周波数位置に発生することが確認された。
かかるシミュレーションから明らかなように、比「ｂ／ａ」を高くしていくと、スプリアス成分Ｓ２が共振回路ブロックの共振周波数Ｄ側にシフトし、比「ｂ／ａ」を「１．１〜１．５」の範囲内に設定すると、高域側のスプリアス成分Ｓ２の周波数が共振周波数Ｄの１．０２倍以上になり、スプリアス成分Ｓ２が共振周波数Ｄから一定周波数以上高い方に離れ、共振回路ブロックが安定した発振特性を持つ。なお、比「ｂ／ａ」を「１．１〜１．５」の範囲内に設定する限りにおいて、図５ないし図７に示すように、共振周波数Ｄが低域側のスプリアス成分Ｓ１の１．２０倍以内に収まることが確認された。
【実施例２】
【００２７】
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図９は、この発明の第２実施例に係る電圧制御発振器の要部であるパッケージを示す斜視図であり、図１０は、この実施例の電圧制御発振器を示す断面図である。
この実施例は、スルーホールを利用して電磁遮蔽部材を形成した点が、上記第１実施例と異なる。
すなわち、図９及び図１０に示すように、パッケージ２の本体は、別体の底壁部２ａと側壁部２ｂとを組み付けた構成になっており、側壁部２ｂに開口２３と収容部２１とが形成されている。そして、開口２３の底面である水平部で載置部２０を形成し、この載置部２０が導電体膜２５ａに覆われている。また、底壁部２ａは、収容部２１の底に対応する箇所に、収容部２１よりも広い導電体膜２５ｂを有している。そして、複数のスルーホール２５ｃが  収容部２１を囲むように側壁部２ｂの載置部２０に穿設され、スルーホール２５ｃ内に導電材が充填されている。これにより、導電体膜２５ａ，２５ｂがこれら複数のスルーホール２５ｃによって電気的に接続されている。
かかる構成により、導電体膜２５ａ，２５ｂと複数のスルーホール２５ｃによってキャビティが画成され、誘電体共振器３がこのキャビティによって電磁遮蔽されている。
その他の構成，作用及び効果は上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例３】
【００２８】
次に、この発明の第３実施例について説明する。
図１１は、この発明の第３実施例に係る電圧制御発振器の要部であるパッケージの分解斜視図であり、図１２は、この実施例の電圧制御発振器を示す断面図である。
この実施例は、パッケージ２を２つの別体の部材で形成した点が、上記第１及び第２実施例と異なる。
すなわち、図１１及び図１２に示すように、パッケージ２は、回路基板４を収容可能な枠体２−１と、この枠体２−１に取り付けられる別体の金属板２−２とで構成されている。
具体的には、枠体２−１は、開口２３内に導電体の枠２４を有しており、枠体２−１と同外形の金属板２−２が枠体２−１の下面に取り付けられている。金属板２−２は、金属板を凹ませて形成したもので、その凹部を収容部２１とし、この収容部２１以外の水平部分を載置部２０としている。
【００２９】
かかる構成により、誘電体共振器３を金属板２−２の収容部２１内に収容して、誘電体共振器３を金属板２−２全体で電磁遮蔽すると共に、蓋５を枠２４上に被せることで、誘電体共振器３及び回路基板４全体の電磁遮蔽を可能にする。
このように、この実施例によれば、加工が容易な単純な構造の枠体２−１と金属板２−２を組み付けるだけで、パッケージ２を形成することができるので、電圧制御発振器１の製造コストを低減することができる。
【実施例４】
【００３０】
次に、この発明の第４実施例について説明する。
図１３は、この発明の第４実施例に係る無線通信装置を示すブロック図である。
この実施例の特徴は、上記電圧制御発振器１を用いて無線通信装置を構成したことにある。
【００３１】
この無線通信装置は、ベースバンド部６と、ベースバンド部６に接続され高周波の信号を出力又は入力するＲＦ部７と、ＲＦ部７に接続されたアンテナ共用器８０（デュプレクサ）を介して高周波の信号を送信又は受信するアンテナ８とによって構成されている。
【００３２】
ＲＦ部７には、ベースバンド部６とアンテナ共用器８０との間に接続された帯域通過フィルタ７１、増幅器７２、ミキサ７３、帯域通過フィルタ７４、電力増幅器７５によって送信側が構成され、また、アンテナ共用器８０とベースバンド部６の入力側に接続された帯域通過フィルタ９１、低雑音増幅器９２、ミキサ９３、帯域通過フィルタ９４、増幅器９５によって受信側が構成されている。そして、ミキサ７３，９３には上記第１ないし第３実施例のいずれかの電圧制御発振器１が接続されている。
【００３３】
かかる構成により、送信時には、ベースバンド部６からの中間周波信号（ＩＦ信号）が、帯域通過フィルタ７１で不要な信号が除去された後、増幅器７２によって増幅されてミキサ７３に入力される。このとき、ミキサ７３は、この中間周波信号と電圧制御発振器１からの搬送波とを掛け合わせて、中間周波信号を高周波信号（ＲＦ信号）にアップコンバートする。そして、ミキサ７３から出力された高周波信号が、帯域通過フィルタ７４で不要な信号が除去された後、電力増幅器７５によって送信電力に増幅された後、アンテナ共用器８０を介してアンテナ８から送信される。
【００３４】
また、受信時には、アンテナ８で受信された高周波信号が、アンテナ共用器８０を介して帯域通過フィルタ９１に入力される。これにより、高周波信号が、帯域通過フィルタ９１で不要な信号が除去された後、低雑音増幅器９２によって増幅されてミキサ９３に入力される。このとき、ミキサ９３は、この高周波信号と電圧制御発振器１からの搬送波とを掛け合わせて、高周波信号を中間周波信号にダウンコンバートする。そして、ミキサ９３から出力された中間周波信号が、帯域通過フィルタ９４で不要な信号が除去された後、増幅器９５によって増幅された後、ベースバンド部６に入力される。
【００３５】
そして、上記送受信時に、電圧制御発振器１から安定した発振周波数の搬送波がミキサ７３，９３に発振されるので、無線通信装置において、安定した動作特性の送受信が可能となる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１ないし第３実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【００３６】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記実施例では、高周波モジュールの例として、周波数を制御可能な電圧制御発振器１について説明したが、回路基板の伝送線路の一端を抵抗終端すると共に他端を増幅器に接続して、固定周波数の信号を発振する発振器や、回路基板と誘電体共振器とで構成したフィルタなどを、この発明の範囲から除外する意ではない。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】この発明の第１実施例に係る電圧制御発振器を示す分解斜視図である。
【図２】図１の電圧制御発振器の内部を示す断面図である。
【図３】回路基板の平面図である。
【図４】図３の回路基板の等価回路図である。
【図５】比「ｂ／ａ」を「１．１」，「１．２」，「１．３」に設定した場合のシミュレーションにおけるスプリアス特性を示す線図である。
【図６】比「ｂ／ａ」を「１．４」，「１．５」，「１．６」に設定した場合のシミュレーションにおけるスプリアス特性を示す線図である。
【図７】比「ｂ／ａ」を「１．７」，「１．８」に設定した場合のシミュレーションにおけるスプリアス特性を示す線図である。
【図８】比「ｂ／ａ」の値に応じて、高域のスプリアス成分が共振回路ブロックの共振周波数に近づいていく様子を部分的に拡大して示す線図である。
【図９】この発明の第２実施例に係る電圧制御発振器の要部であるパッケージを示す斜視図である。
【図１０】第２実施例の電圧制御発振器を示す断面図である。
【図１１】この発明の第３実施例に係る電圧制御発振器の要部であるパッケージの分解斜視図である。
【図１２】第３実施例の電圧制御発振器を示す断面図である。
【図１３】この発明の第４実施例に係る無線通信装置を示すブロック図である。
【図１４】従来の電圧制御発振器の一例を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…電圧制御発振器、  ２…パッケージ、  ２−１…枠体、  ２−２…金属板、  ３…誘電体共振器、  ４…回路基板、  ５…蓋、  ２０…載置部、  ２１…収容部、  ２３…開口、  ２４…枠、  ２５，２５ａ，２５ｂ，３１…導電体膜、  ２５ｃ…スルーホール、  ３０…誘電体基板、  ３０ａ…誘電体部分、  ３１ａ…開口部、  ４０…誘電体シート、  ４１…主伝送線路、  ４２…副伝送線路、  ４３…ＦＥＴ、  ４３ａ，４３ｂ，４７…バイアス回路、  ４４…直列帰還用線路、  ４５…終端抵抗、  ４６…バラクタダイオード、  ４９…出力回路、  Ｄ…共振周波数、  Ｓ…スプリアス成分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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