(57)【要約】  【課題】  弾性表面波素子の破壊が起こらない、寸法精度の良好な弾性表面波装置を作製できる製造方法を提供すること。  【解決手段】  圧電基板１の一主面にＩＤＴ電極２とパッド電極３を形成して複数の弾性表面波素子を形成する工程と、パッド電極３上または回路基板５の一主面の接続電極６上に導体バンプ４を形成する工程と、弾性表面波素子を回路基板５にフリップチップ実装する工程と、圧電基板１を回路基板５上に封止樹脂７を用いて封止する工程と、回路基板５を他主面側から封止樹脂７とともに分断して複数の弾性表面波装置を作製する工程とを備えた製造方法である。封止樹脂７の角部が丸くなったりチッピングが生じて欠けたりせず、弾性表面波装置の側面を垂直に形成することができる。【選択図】  図１
2006050582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の一主面に励振電極およびそれに接続されたパッド電極を形成して、複数の弾性表面波素子を形成する工程と、前記圧電基板の前記パッド電極上または回路基板の一主面の前記弾性表面波素子に対応させて形成された複数の素子実装領域にそれぞれ前記パッド電極に対応させて形成された接続電極上に導体バンプを形成する工程と、前記複数の弾性表面波素子を前記回路基板の前記複数の素子実装領域にそれぞれ前記導体バンプで前記パッド電極と前記接続電極とを接続して実装する工程と、前記圧電基板の他主面から前記回路基板の前記一主面にかけて封止樹脂を付与して前記複数の弾性表面波素子をそれぞれ封止する工程と、前記回路基板を前記弾性表面波素子間で他主面側から前記封止樹脂とともに前記素子実装領域毎に分断して複数の弾性表面波装置を作製する工程とを備えたことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）複数の素子実装領域ごとに接続電極が形成された一枚の回路基板と、前記複数の素子実装領域の数と同じ数の圧電基板とを用意する工程と、
（ｂ）前記圧電基板の主面の、各素子実装領域に対応する領域に対して、それぞれ、ＩＤＴ電極及びそれに接続されたパッド電極を形成する工程と、
（ｃ）前記圧電基板に形成された前記パッド電極を、前記回路基板の上面に形成された前記接続電極に接合することにより、前記回路基板の素子実装領域ごとに複数の弾性表面波素子を搭載する工程と、
（ｄ）前記複数の弾性表面波素子に対して、前記圧電基板の前記主面と反対側の面から、前記回路基板の前記上面にかけて封止樹脂を付与する工程と、
（ｅ）前記複数の弾性表面波素子を、前記回路基板の底面側から切断して、複数の弾性表面波装置を作製する工程とを含むことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｄ）の工程において、封止樹脂を、その上面が平坦面となるように付与することを特徴とする請求項２記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項４】
作製された弾性表面波装置の前記封止樹脂の厚みが、回路基板の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項３記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】
前記（ｅ）の工程において、前記回路基板の底面側から、回転するブレードを当てることにより、前記複数の弾性表面波素子を切断することを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項６】
前記ブレードの送り速度は、３ｍｍ／ｓｅｃ．乃至１０ｍｍ／ｓｅｃ．までの範囲に設定されることを特徴とする請求項５記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項７】
前記（ｅ）の工程において、前記複数の弾性表面波素子を切断する際に、前記封止樹脂の上面をテープで固定して切断することを特徴とする請求項５記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項８】
前記（ｅ）の工程において、前記回路基板の底面に設けられた、アライメントのためのダイシングラインに沿って切断することを特徴とする請求項５記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項９】
前記（ｅ）の工程において、前記回路基板の底面側から、レーザ光線を当てることにより前記複数の弾性表面波素子を切断することを特徴とする請求項２記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方法により製造されたことを特徴とする弾性表面波装置を搭載した無線通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば携帯電話等の携帯端末装置のような移動体通信機器を始めとする電子機器に用いられる、回路基板に弾性表面波素子が実装された構造が小型の弾性表面波装置の製造方法に関し、複数の弾性表面波装置を一度に安定して高い製造歩留りで製造することができる製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
移動体通信機器の中でも携帯電話等の携帯端末装置は、小型化・軽量化が進むとともに、複数の通信システムに対応させるマルチバンド化のために内蔵する回路素子数が増加してきており、その回路素子として使用される電子部品には、実装密度を向上させるため表面実装が可能な小型部品であることが強く要望されている。そして、携帯端末装置の回路素子の中でもキーデバイスである弾性表面波装置においても、低損失化・広帯域化かつ通過帯域外の遮断特性の高減衰量化とともに、表面実装が可能な小型化・低背化が強く要求されている。
【０００３】
また、弾性表面波共振器や弾性表面波フィルタ等の弾性表面波装置は、マイクロ波帯を利用する各種無線通信機器や車載用機器，医療用機器等にも幅広く用いられているが、各機器の小型化に伴い、更なる小型化が求められている。そのため、弾性表面波素子を回路基板に実装して弾性表面波装置を構成する際の実装構造として、フェースダウン実装を用いた表面実装型やＣＳＰ（Chip Size Package）タイプの実装構造が主流になりつつある。
【０００４】
このような弾性表面波装置の製造工程は、大きく分類すると弾性表面波素子を圧電基板のウェハに作り込む前工程と、弾性表面波素子を回路基板に実装する後工程とからなる。従来のパッケージ実装タイプの弾性表面波装置の製造工程では、前工程で圧電基板に複数を一括して作製した弾性表面波素子をそれぞれ個片にダイシング工程で分断して複数の弾性表面波素子チップを得た後、後工程で個々の弾性表面波素子チップをパッケージに実装するため、パッケージを必要とする分小型化・低背化への対応には限界があり、また後工程における工数が多くなるため、タクトおよび製造コストが上昇して製品単価に影響してしまうという問題点があった。
【０００５】
そのため、弾性表面波装置の更なる小型化を可能とし、製造工程の簡略化も図ることを目的に、複数個の弾性表面波素子を回路基板上の弾性表面波装置となる領域にそれぞれフェースダウンでフリップチップ実装してから、最終的に回路基板を一括して個々の弾性表面波装置に分割するという実装方法も提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００６】
その従来の表面実装型の弾性表面波装置の製造工程の各工程毎の断面図を図８（ａ）〜（ｅ）に示す。図８において、１は圧電基板、２は圧電基板１の一主面に形成された励振電極としてのＩＤＴ電極、３は同じく圧電基板１の一主面に形成され、ＩＤＴ電極２に接続されたパッド電極、４は導体バンプ、５は回路基板、６は回路基板５の一主面にパッド電極３に対応させて形成された接続電極、７は封止樹脂、８はダイシングブレードである。
【０００７】
まず最初の工程で、図８（ｂ）にその断面図を示すように、圧電基板１の一主面にＩＤＴ電極２およびそれに接続されたパッド電極３を形成して、複数の弾性表面波素子を形成する。次に、圧電基板１のパッド電極３上または、図８（ａ）に示すように回路基板５の接続電極６上に導体バンプ４を形成する。図８（ａ）に示した例では、回路基板５の上面にパッド電極３に対応させて形成された接続電極６上に導体バンプ４を形成している。
【０００８】
次に、図８（ｂ）に示すように、圧電基板１の一主面（図８に示す例では下面になる。）と回路基板５の一主面（図８に示す例では上面になる。）とを対向させて、回路基板５上の素子実装領域にそれぞれフェースダウン実装により弾性表面波素子を載置した後、導体バンプ４をリフロー溶融することによってパッド電極３と接続電極６とが強固に接合され、弾性表面波素子が回路基板５に電気的かつ機械的に接続されて実装される。
【０００９】
次に、図８（ｃ）に示すように、圧電基板１の他主面（図８に示す例では上面になる。）から回路基板５の一主面にかけて圧電基板１を覆うように封止樹脂７を付与して、複数の弾性表面波素子をそれぞれ封止する。
【００１０】
そして、図８（ｄ）に示すように、回路基板５を弾性表面波素子間、すなわち弾性表面波素子が実装された素子実装領域の間で、封止樹脂７とともに回路基板５の一主面側からダイシングブレード８を入れて素子実装領域毎に分断する。
【００１１】
これにより、図８（ｅ）に示すように、個別の弾性表面波装置に切り離し、回路基板５上に弾性表面波素子が実装され封止樹脂７で封止された、複数の弾性表面波装置を作製する。
【００１２】
このように、従来の表面実装型の弾性表面波装置の製造工程においては、弾性表面波素子を回路基板に多数個実装した後、その個々の弾性表面波装置への分断は、弾性表面波素子と回路基板とを図８（ｄ）に示すようにダイシング工程により一括して切断することによってなされるが、その分断が行なわれるダイシング工程においては、突き当てピン（図示せず）等で回路基板５を台座（図示せず）上に位置決めした後、封止樹脂７で覆われた弾性表面波素子の非機能面（圧電基板１の他主面）側から各弾性表面波素子（圧電基板１）間にダイシングブレード８を入れることによって行なわれていた。
【特許文献１】特開２００３−１１０４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、従来の製造方法により作製した弾性表面波装置においては、弾性表面波装置を個片に分断するダイシング工程で、回路基板５にフリップチップ実装されて封止樹脂７に覆われた弾性表面波素子の非機能面（圧電基板１の他主面）側からダイシングブレード８を入れて分断しているため、図８（ｅ）に示すように、弾性表面波装置の封止樹脂７の角部が丸くなったり、角部にチッピングが生じて欠けたりすることが多かった。このように弾性表面波素子を覆って弾性表面波装置を構成する封止樹脂７の角部が丸くなったり欠けたりすると、この製造後に行なわれるエンボステープへの弾性表面波装置のテーピング工程や電子回路モジュール等への実装工程でコレット等による弾性表面波装置のピックアップがうまくいかなくなり、そのため後工程における歩留りが悪化するという問題点があった。
【００１４】
また、ダイシングブレード８による分断が弾性表面波装置の封止樹脂７側から行なわれることにより、封止樹脂７側にダイシング時のガイドとなる良好な寸法精度でアライメントが可能なダイシングラインが無いため、セラミックス材料等からなる回路基板５自体の寸法精度が必ずしも高いとはいえないことと相まって、ダイシング工程におけるアライメント精度が悪くなることにより、ダイシングブレード８による分断の際に弾性表面波素子を破壊してしまうことがあり、そのため製造の歩留りが低下するという問題点もあった。
【００１５】
本発明は以上のような従来の技術における問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、フリップチップ実装を用いた小型の弾性表面波装置の製造工程において、弾性表面波素子の破壊やその後の工程におけるピックアップ不良が起こらない、良好な寸法精度の弾性表面波装置が得られる弾性表面波装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の弾性表面波装置の製造方法は、圧電基板の一主面に励振電極およびそれに接続されたパッド電極を形成して、複数の弾性表面波素子を形成する工程と、前記圧電基板の前記パッド電極上または回路基板の一主面の前記弾性表面波素子に対応させて形成された複数の素子実装領域にそれぞれ前記パッド電極に対応させて形成された接続電極上に導体バンプを形成する工程と、前記複数の弾性表面波素子を前記回路基板の前記複数の素子実装領域にそれぞれ前記導体バンプで前記パッド電極と前記接続電極とを接続して実装する工程と、前記圧電基板の他主面から前記回路基板の前記一主面にかけて封止樹脂を付与して前記複数の弾性表面波素子をそれぞれ封止する工程と、前記回路基板を前記弾性表面波素子間で他主面側から前記封止樹脂とともに前記素子実装領域毎に分断して複数の弾性表面波装置を作製する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の弾性表面波装置の製造方法は、
（ａ）複数の素子実装領域ごとに接続電極が形成された一枚の回路基板と、前記複数の素子実装領域の数と同じ数の圧電基板とを用意する工程と、
（ｂ）前記圧電基板の主面の、各素子実装領域に対応する領域に対して、それぞれ、ＩＤＴ電極及びそれに接続されたパッド電極を形成する工程と、
（ｃ）前記圧電基板に形成された前記パッド電極を、前記回路基板の上面に形成された前記接続電極に接合することにより、前記回路基板の素子実装領域ごとに複数の弾性表面波素子を搭載する工程と、
（ｄ）前記複数の弾性表面波素子に対して、前記圧電基板の前記主面と反対側の面から、前記回路基板の前記上面にかけて封止樹脂を付与する工程と、
（ｅ）前記複数の弾性表面波素子を、前記回路基板の底面側から切断して、複数の弾性表面波装置を作製する工程とを含むことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の弾性表面波装置の製造方法は好ましくは、前記（ｄ）の工程において、封止樹脂を、その上面が平坦面となるように付与することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の弾性表面波装置の製造方法は好ましくは、作製された弾性表面波装置の前記封止樹脂の厚みが、回路基板の厚みよりも大きいことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の弾性表面波装置の製造方法は好ましくは、前記（ｅ）の工程において、前記回路基板の底面側から、回転するブレードを当てることにより、前記複数の弾性表面波素子を切断することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の弾性表面波装置の製造方法は好ましくは、前記ブレードの送り速度は、３ｍｍ／ｓｅｃ．乃至１０ｍｍ／ｓｅｃ．に設定されることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の弾性表面波装置の製造方法は好ましくは、前記（ｅ）の工程において、前記複数の弾性表面波素子を切断する際に、前記封止樹脂の上面をテープで固定して切断することを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の弾性表面波装置の製造方法は好ましくは、前記（ｅ）の工程において、前記回路基板の底面に設けられた、アライメントのためのダイシングラインに沿って切断することを特徴とする。
【００２４】
また、本発明の弾性表面波装置の製造方法は好ましくは、前記（ｅ）の工程において、前記回路基板の底面側から、レーザ光線を当てることにより前記複数の弾性表面波素子を切断することを特徴とする。
【００２５】
本発明の無線通信機器は、上記本発明の弾性表面波装置の製造方法により製造された弾性表面波装置を搭載したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の弾性表面波装置の製造方法によれば、圧電基板の一主面に励振電極およびそれに接続されたパッド電極を形成して、複数の弾性表面波素子を形成する工程と、圧電基板のパッド電極上または回路基板の一主面の弾性表面波素子に対応させて形成された複数の素子実装領域にそれぞれパッド電極に対応させて形成された接続電極上に導体バンプを形成する工程と、複数の弾性表面波素子を回路基板の複数の素子実装領域にそれぞれ導体バンプでパッド電極と接続電極とを接続して実装する工程と、圧電基板の他主面から回路基板の一主面にかけて封止樹脂を付与して複数の弾性表面波素子をそれぞれ封止する工程と、回路基板を弾性表面波素子間で他主面側から封止樹脂とともに素子実装領域毎に分断して複数の弾性表面波装置を作製する工程とを備えたことにより、分断後の弾性表面波装置の封止樹脂の角部が丸くなったりチッピングが生じて欠けたりせず、封止樹脂の角部を含む弾性表面波装置の側面を垂直に形成することができるので、製造後のテーピング工程や電子回路モジュール等への実装工程でコレット等による弾性表面波装置のピックアップ性を向上させることができ、実装不良が発生することがなくなって後工程における歩留りが高い弾性表面波装置を製造することができる。
【００２７】
また、回路基板を弾性表面波素子間で封止樹脂とともに素子実装領域毎に分断する工程をダイシング工程によって行なう場合に、回路基板の他主面側に良好な寸法精度でアライメントが可能なアライメントマークやダイシングラインを形成することができ、そのアライメントマークやダイシングラインをガイドに利用して精度良くダイシングすることができるので、アライメント精度が向上してダイシングによる分断で弾性表面波素子を破壊することがなくなるため、製造の歩留りを向上させることができる。
【００２８】
また、本発明の弾性表面波装置の製造方法は、複数の素子実装領域ごとに接続電極が形成された一枚の回路基板と、複数の素子実装領域の数と同じ数の圧電基板とを用意する工程と、圧電基板の主面の、各素子実装領域に対応する領域において、それぞれ、ＩＤＴ電極及びそれに接続されたパッド電極を形成する工程と、圧電基板に形成されたパッド電極を、回路基板の上面に形成された接続電極に接合することにより、回路基板の素子実装領域ごとに複数の弾性表面波素子を搭載する工程と、複数の弾性表面波素子に対して、圧電基板の主面と反対側の面から、回路基板の上面にかけて封止樹脂を付与する工程と、複数の弾性表面波素子を、回路基板の底面側から切断して、複数の弾性表面波装置を作製する工程とを含むものであり、この製造方法によれば、複数の弾性表面波素子を、回路基板の底面側から切断することにより、切断後の弾性表面波装置の封止樹脂の角部が丸くなったり欠けたりせず、弾性表面波装置の側面を垂直に形成することができる。従って、製造後のテーピング工程や電子回路モジュール等への実装工程で弾性表面波装置のピックアップが容易にでき、実装不良が発生することがなくなって、後続の工程における歩留りが高い弾性表面波装置を製造できる。
【００２９】
封止樹脂を、その上面が平坦面となるように付与するようにすれば、切断後に外形寸法が揃った複数の弾性表面波装置が得られる。
【００３０】
また、セラミックス等の硬度の大きな材料からなる回路基板に比べて、封止樹脂は硬度が低いため、封止樹脂の厚みを、回路基板の厚みよりも厚いものとすれば、封止樹脂層の強度（機械的抵抗力）を、回路基板の強度に匹敵するものとすることができる。その結果、切断時に封止樹脂に欠けが発生するのを抑制することができる。
【００３１】
記回路基板の底面側から、回転するブレードを当てることにより複数の弾性表面波素子を切断すれば、弾性表面波装置の封止樹脂の角部が丸くなったり、角部にチッピングが生じて欠けたりすることが少なくなる。
【００３２】
ブレードの送り速度は、３ｍｍ／ｓｅｃ．乃至１０ｍｍ／ｓｅｃ．に設定することが好ましく、送り速度がこの範囲よりも遅いと工程に時間がかかり製造の時間効率が低下する。送り速度がこの範囲よりも速いと、弾性表面波装置の封止樹脂の角部が丸くなったり、角部が欠けたりすることが多くなる。
【００３３】
複数の弾性表面波素子を切断する際に、封止樹脂の上面をテープで固定して切断することがさらに好ましく、このテープの固定により、回路基板が固定台に対して固定されるので、切断中の回路基板とブレードとの相対的な位置ずれが少なくなり、弾性表面波装置の封止樹脂の角部欠けの発生を防止できる。
【００３４】
また、本発明では、回路基板の底面側から切断するので、回路基板の底面側に良好な寸法精度で、アライメントマークやダイシングラインを形成することができる。そのアライメントマークやダイシングラインをガイドにして精度良くダイシングすることができるので、切断の精度が向上して、誤って弾性表面波素子を破壊することがなくなるため、製造の歩留りを向上させることができる。
【００３５】
また、本発明では、回路基板の底面側からレーザ光線を当てることによっても切断することができ、この方法によって切断を行うと、レーザ光線を照射して、選択的に改質層を形成しながら切断面を形成し、その改質層を切断面に沿って垂直に成長させることとなる。切断面にチッピングが少ない状態で高速切断を行うことが可能となり、スループット（処理量）を増加させることができる。また、薄い回路基板でも精度よく安定して切断することが可能となる。さらに、切断幅の精度が向上し、切断時の発塵を抑制することが可能となる。
【００３６】
また、本発明は、弾性表面波装置の製造方法により製造された弾性表面波装置を搭載した小型化された無線通信機器に係るものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
図１（ａ）〜図１（ｅ）は、それぞれ本発明の弾性表面波装置の製造方法を示す工程毎の断面図である。図２は、弾性表面波素子が搭載された回路基板を示す平面図である。さらに、図３は、回路基板を底面側から見た図である。
【００３８】
図１から図３において、１は圧電基板、２は圧電基板１の主面（ＩＤＴ電極を搭載した面を「主面」という。図１に示す例では下面になる。）に形成されたＩＤＴ電極、３はＩＤＴ電極２に接続されたパッド電極、４は導体バンプ、５は回路基板を表す。なお、図２において、各圧電基板１は、その主面上に形成されたＩＤＴ電極２やパッド電極３や反射器を上から透視した状態で示している。
【００３９】
６は回路基板５の上面にパッド電極３に対応させて形成された接続電極、７は封止樹脂、８は弾性表面波装置を切り落とすためのダイシングブレードである。また、９は圧電基板１の主面にＩＤＴ電極２及び電極パッド３を取り囲むように形成された環状電極、１０は回路基板５の上面に環状電極９に対応させて形成された基板側環状導体である。１１は回路基板５の底面に形成された外部接続端子電極、１２は回路基板５の底面に形成されたアライメントマークである。
【００４０】
環状電極９は、圧電基板１の外縁部に沿って略四角形状に設けることにより、ＩＤＴ電極２及びパッド電極３を、その内側に広い面積を利用して有効に配置させることができる。また環状電極９の幅としては、半田等のろう材（ｂｒａｚｉｎｇ  ｍａｔｅｒｉａｌ）による封止性や位置合わせ精度を考慮して、例えば０．０５ｍｍから０．１５ｍｍの幅を持たせて形成することが好ましい。０．０５ｍｍより狭い幅では、半田による封止性や機械的応力による信頼性を満足させることが困難となる傾向がある。また、必要以上に幅を大きくして環状電極９を設けることは、ＩＤＴ電極２及びパッド電極３をその内側に広い面積を用いて有効に配置させることが困難となるので、弾性表面波装置に要求される特性や仕様に応じて適切に設定すればよい。
【００４１】
次に、この弾性表面波装置の製造方法を説明する。
【００４２】
まず、複数の弾性表面波素子を作製する。弾性表面波素子は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶，四ホウ酸リチウム単結晶等の圧電性の単結晶から成る圧電基板１の主面に、弾性表面波を発生させるためのＩＤＴ電極２と、ＩＤＴ電極２の両端に位置する反射器（図示せず）と、ＩＤＴ電極２に接続されたパッド電極３とを形成することによって作製される。また、必要に応じてＩＤＴ電極２と反射器とパッド電極３とを、酸化珪素等から成る保護膜（図示せず）で覆う。さらに、圧電基板１の主面には、ＩＤＴ電極２及びパッド電極３を取り囲むように気密封止用の環状電極９を形成する。
【００４３】
ＩＤＴ電極２は、互いに噛み合うように形成された少なくとも一対の櫛歯状電極を設けることにより作製する。また所望の特性を得るために、複数対のＩＤＴ電極２を直列接続や並列接続してもよい。この弾性表面波素子によって、ラダー型弾性表面波フィルタや２重モード弾性表面波共振器フィルタ等を構成する。
【００４４】
ＩＤＴ電極２，反射器，及びパッド電極３ならびに環状電極９は、次のようにして形成する。まず、Ａｌ合金等を用いて、スパッタリング法，蒸着法又はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により薄膜を形成する。次に縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィ法等によりパターニングする。続いて、これら電極を覆って、保護膜を、ＣＶＤ法又は蒸着法等の薄膜形成法により形成する。保護膜としては、ＣＶＤ法又は蒸着法等の薄膜形成法により形成された酸化珪素膜，窒化珪素膜，シリコン膜等が用いられる。そして、フォトリソグラフィ法によりパッド電極３上の保護膜を除去してパッド電極３を露出させる。
【００４５】
一方、回路基板５は、例えば１枚のセラミック基板、又はセラミック基板と１枚以上のセラミック枠体とを積層することによって作製する。
【００４６】
次に、図１（ａ）に示すように、回路基板５の上面において、複数の弾性表面波素子が実装される素子実装領域Ａごとに、弾性表面波素子のパッド電極３に対応する接続電極６を形成する。接続電極６は、電解めっき法、無電解めっき法またはスクリーン印刷法等の印刷法によって形成される。
【００４７】
弾性表面波素子の圧電基板１の主面に環状電極９が形成されているときは、その環状電極９に対応させて基板側環状導体１０を形成しておく。
【００４８】
次に、圧電基板１のパッド電極３上又は回路基板５の接続電極６上に導体バンプ４を形成する。図１（ａ）に示した例では、回路基板５の接続電極６上に導体バンプ４を形成している。
【００４９】
この導体バンプ４は、例えば半田ペーストや金−錫ペースト等をスクリーン印刷等の印刷法により形成するか、又はディスペンサーで塗布することにより多数個が同時に形成される。
【００５０】
また、図１に示す例では、回路基板５の底面に、貫通導体を介して接続電極６と接続される外部接続端子電極１１が形成されている。この外部接続端子電極１１は、弾性表面波装置を電子回路モジュール等へ実装する時に表面実装用の電極となるものである。
【００５１】
次に、以上のように構成した複数の弾性表面波素子のそれぞれを、図１（ｂ）に示すように、圧電基板１のＩＤＴ電極２が設けられた一方の主面が、回路基板５の上面に対面するように、それぞれ導体バンプ４で圧電基板１の主面のパッド電極３と回路基板５の上面の接続電極６とを接続する（フェースダウン実装という）。そして、圧電基板１を載置した回路基板５をリフロー炉にてリフロー溶融することにより、導体バンプ４を熔融させてパッド電極３と接続電極６とを強固に接合する。これによって、１枚の回路基板５上に複数の弾性表面波素子が実装される。
【００５２】
またこのとき、図１（ｂ）に示すように、圧電基板１の主面にＩＤＴ電極２及びパッド電極３を取り囲んで形成された環状電極９と、回路基板５の上面に接続電極６を取り囲んで環状電極９に対応して形成された基板側環状導体１０とを、導体バンプ４と同様の接合用導体例えば半田等のろう材を用いて接合して、環状電極９と基板側環状導体１０とで囲まれた内側に、ＩＤＴ電極２及びパッド電極３ならびにパッド電極３に導体バンプ４で接続された接続電極６を封止する。
【００５３】
このように環状電極９と基板側環状導体１０とが、その内側を環状に封止するようにして接合されることにより、弾性表面波素子の動作面側の気密性を保つことができる。また、後述する切断の際に圧電基板１に力が加わったとしても、環状電極９と基板側環状導体１０とでその力を受けて内側のＩＤＴ電極２、パッド電極３，導体バンプ４及び接続電極６を保護することができる。よって、弾性表面波素子を切断による影響なく安定して動作させることができるとともに、その動作を長期間にわたって安定して行わせることができ、高信頼性の弾性表面波装置とすることが可能となる。
【００５４】
また、これら環状電極９及び基板側環状導体１０により環状に気密封止された内部に、低湿度の空気を封入し密閉するようにしてもよい。また、空気の代わりに、窒素ガス，アルゴンガスなどの不活性ガス等を封入し密閉してもよい。
【００５５】
次に、図１（ｃ）に示すように、圧電基板１の上面（他方の主面）から回路基板５の上面にかけて圧電基板１を覆うように封止樹脂７を付与して、複数の弾性表面波素子をそれぞれ封止する。
【００５６】
このとき、各圧電基板１を覆った封止樹脂７の上面が平坦な面になるように回路基板５の全面にわたって封止樹脂７を付与して封止することが好ましい。これにより、切断後に外形寸法が揃った複数の弾性表面波装置を得ることができる。
【００５７】
このような封止樹脂７には、例えばエポキシ樹脂やビフェノール樹脂，ポリイミド樹脂，固形分であるフィラーとしてアルミナや窒化アルミニウムや窒化珪素等のフィラーを混合した樹脂を用いることができる。
【００５８】
このような封止樹脂７で圧電基板１を覆って封止することにより、圧電基板１を保護するとともに弾性表面波素子と回路基板５との電気的な接続部を保護することができ、圧電基板１及び電気的な接続部を機械的衝撃や水分・薬品等から保護することが可能となり、高信頼性の弾性表面波装置とすることができる。
【００５９】
また、この封止工程では、ポッティング法又は印刷法等により各圧電基板１を覆うように回路基板５の上面に封止樹脂７が付与される。この封止樹脂７を加熱硬化することによって、確実に安定した封止が行われる。
【００６０】
そして、図１（ｄ）に示すように、封止樹脂７の上面をテープ１３（図４参照）により取付台に固定して、ダイシングブレード８の上端が、封止樹脂７の上面にまで達するような位置にダイシングブレード８を設置する。このとき、ダイシングブレード８の回転軸は、回路基板５の下側に位置している。なお、図１（ｄ）では、ダイシングブレード８の回転軸が回路基板５の下側に位置する状態であるが、全体構成の上下を逆にした状態、即ちダイシングブレード８の回転軸が回路基板５の上側に位置する状態で切断を行ってもよい。
【００６１】
また、封止樹脂７の厚みは、回路基板５の厚みよりも厚くすることが望ましい。これにより、封止樹脂７の強度が回路基板５の強度よりも弱いのを補って、ダイシングブレード８が封止樹脂７に入りこんだ際に欠けが発生するのを抑制することができる。
【００６２】
切断に用いるダイシングブレード８には、例えばレジンや電着Ｎｉ基材にダイアモンド砥粒を分散させたものが用いられる。
【００６３】
ダイシングブレード８を所定の回転数で回転させて、回路基板５を送りながら、圧電基板１が実装された素子実装領域Ａの間を、回路基板５の底面（図１の例では下面）側から上方向に切断する。このようにして、個別の弾性表面波装置に切り離すことができる。これにより、図１（ｅ）に示した、複数の弾性表面波装置を得る。
【００６４】
図１（ｄ）に示す例では、ダイシングブレード８を用いて切断を行っているが、このようにダイシングによって切断することにより、冷却水により切削物を冷却しながら切断できるので、弾性表面波素子の発熱を低減することが可能となり、切断時に発生する熱によるＩＤＴ電極２の焦電破壊を防止することができる。
【００６５】
なお、この切断は回路基板５の底面からのレーザ加工によっても行うことができる。この方法によって切断を行うと、レーザ光線を照射して、選択的に改質層を形成しながら切断面を形成し、その改質層を切断面に沿って垂直に成長させることとなるので、切断面にチッピングが少ない状態で高速切断を行うことが可能となり、スループット（処理量）を増加させることができる。また、薄い回路基板５でも精度よく安定して切断することが可能となる。さらに、切断幅の精度が向上し、切断時の発塵を抑制することが可能となる。
【００６６】
また、切断する際に封止樹脂７側はテープにより固定されているので、切断時のダイシングブレード８のブレを抑制することができる。
【００６７】
なお、本実施形態のように、回路基板５を弾性表面波素子間で底面側から封止樹脂７とともに素子実装領域Ａ毎に切断する工程をダイシングによって行う場合に、図３に示すように、回路基板５の底面側にアライメントマーク１２を形成しているので、そのアライメントマーク１２をガイドに利用して精度良くダイシングして切断することが可能となる。アライメント精度が向上してダイシングによる切断で弾性表面波素子を破壊することがなくなるため、製造の歩留りを向上させることができる。
【００６８】
以上のようにして作製した弾性表面波装置は、弾性表面波装置を個別に切断する工程で、回路基板５の底面側から封止樹脂７とともに切断しているため、その断面図を図１（ｅ）に示すように、弾性表面波装置の封止樹脂７の角部（矢印Ｂで示す）が丸くなったり欠けたりすることが少なく、封止樹脂７の側面が回路基板５とともに垂直に切断されることとなる。従って、寸法精度の良好な弾性表面波装置を確実に得ることができる。
【００６９】
これにより、切断工程における歩留りが向上するとともに、さらに後続の工程における取扱い等の安定性や寸法精度が良好なものとなり歩留りも向上させることが可能となる弾性表面波装置を生産性良く提供することができる。
【００７０】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。
【００７１】
例えば、以上の実施の形態の例では圧電基板１の外周部に気密封止用の環状電極９を形成した例を示したが、環状電極９は形成されていなくてもよい。
【００７２】
また、弾性表面波素子のＩＤＴ電極２が回路基板５との間で圧電基板１に取り付けられた蓋体等で覆われた構造であってもよい。その場合にも、同様に、気密性が高く、フリップチップ実装構造により小型化が可能となり、切断後の弾性表面波装置の封止樹脂７の角部が丸くなったりチッピングが生じて欠けたりせず、封止樹脂７の角部を含む弾性表面波装置の側面を垂直に形成することができる。
【実施例１】
【００７３】
図４に示すように、回路基板５に形成された多数個の弾性表面波装置の封止樹脂面をテープ１３で固定して、ダイシングブレード８により、回路基板側から切断した。ダイシングブレード８の回転軸は、回路基板５の下側にある。
【００７４】
さらに比較例として、図５に示すように、弾性表面波装置を、封止樹脂７側から切断した。この場合、ダイシングブレード８の回転軸は、回路基板５の上側にある。
【００７５】
切断速度は、１ｍｍ／ｓｅｃ．〜１５ｍｍ／ｓｅｃ．の７段階に設定した（表１参照）。切削時の水流は１ｌｉｔｅｒ／ｍｉｎ．（リットル（１０００ｃｍ3）／分）、ダイシングブレード８の回転数は３０，０００ｒｐｍ、テープ切り込み量は３０μｍとした。
【００７６】
切断によって得た弾性表面波装置の数は、それぞれの切断速度について、１００である。
【００７７】
封止樹脂７のエッジからの欠けの有無は、エッジからの距離Ｄで判定した。
【００７８】
この距離Ｄを、具体的に、図６に示す。この距離Ｄが６０μｍ以上あれば、「欠け不良あり」と判断して、不良品とした。
【００７９】
切断後の弾性表面波装置について、切断速度ごとに、欠け不良のない良品率（％）を算出したところ、表１に示すようになった。
【表１】
2006050582.tif 000003
【００８０】
表１に示すように、弾性表面波装置を回路基板５側から切断した場合、封止樹脂７の上面をダイシング用テープで固定した状態で切断し、切断速度１ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃの範囲に設定すれば、９９％以上の良品率が確保できた。切断速度が１３ｍｍ／ｓｅｃ以上では、良品率が低下した。
【００８１】
ただし、切断速度１ｍｍ／ｓｅｃは、遅すぎて切断に時間がかかる。
【００８２】
そこで、切断速度３ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃの範囲を最適な範囲と判断した。
【００８３】
一方、弾性表面波装置を封止樹脂側から切断した比較例の場合、切断速度が１ｍｍ／ｓｅｃで、９７％の良品率であり、切断速度が上がるにつれて、欠け不良がさらに多くなり、良品率は低下している。
【００８４】
従って、本発明のように、弾性表面波装置を回路基板側から切断することによって、高い良品率が得られ、しかも切断速度を速くしても、良品率が低下することがないことがわかる。
【００８５】
従って、本発明によれば、従来に比べて、製品の歩留まりをあげることができ、しかも、製造工程をスピードアップすることができる。
【実施例２】
【００８６】
次に、切断速度３ｍｍ／ｓｅｃで切断した前記実施例と比較例の１００個の弾性表面波装置のサンプルから、それぞれ無作為に１５個を抜き取った。
【００８７】
サンプルの平面形状は、図７に示すように、長方形状である。弾性表面波装置を切り出す際に、辺ａ，ｂ，ｃ，ｄの順で切断している。辺ａを切断した後に弾性表面波装置を平行移動させて辺ｂを切断し、次に回転移動させて辺ｃを切り、次に平行移動させて辺ｄを切断している。辺ｃ，ｄを切る際に、すでに切断された辺ａ，ｂの端にダイシングブレード８が接触するため、辺ｃ，ｄの欠け値が若干大きくなっている。
【００８８】
これらの弾性表面波装置について、各辺ａ，ｂ，ｃ，ｄにおけるエッジからの欠け幅Ｄ（μｍ）を測定した。
【００８９】
測定した欠け幅Ｄの値を、表２と表３に示す。表２は実施例の数値、表３は比較例の数値を示す。
【表２】
2006050582.tif 000004
【００９０】
【表３】
2006050582.tif 000005
【００９１】
表２から、実施例の欠け幅の平均値は２０μｍから３０μｍであり、欠け不良基準値である６０μｍ以上のサンプルはなかった。表３では、欠け幅の平均値は４０μｍから５０μｍであり、実施例よりも大きくなっている。欠け不良基準値である６０μｍ以上のサンプルも１個発生している。
【００９２】
以上の結果から、従来の封止樹脂７側から切断する比較例に比べて、回路基板５側から切断する実施例のほうが、欠け幅が全体として小さいことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ本発明の弾性表面波装置の製造方法を示す工程毎の断面図である。
【図２】弾性表面波素子が搭載された回路基板を示す平面図である。
【図３】回路基板を底面側から見た平面図である。
【図４】多数個取り用の弾性表面波装置を、回路基板の底面側からダイシングしている様子を示す断面図である。
【図５】多数個取り用の弾性表面波装置を、回路基板の上面側からダイシングしている様子を示す断面図である。
【図６】封止樹脂のエッジからの欠け幅Ｄを説明するため断面図である。
【図７】切り出した弾性表面波装置の各辺の寸法を示す平面図である。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ従来の表面実装型の弾性表面波装置の製造方法を示す各工程毎の断面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１：圧電基板
２：ＩＤＴ電極（励振電極）
３：パッド電極
４：導体バンプ
５：回路基板
６：接続電極
７：封止樹脂
８：ダイシングブレード
９：環状電極
10：環状導体
11：外部接続端子電極
12：アライメントマーク
【図１】
2006050582.tif 000006
【図２】
2006050582.tif 000007
【図３】
2006050582.tif 000008
【図４】
2006050582.tif 000009
【図５】
2006050582.tif 000010
【図６】
2006050582.tif 000011
【図７】
2006050582.tif 000012
【図８】
2006050582.tif 000013