(57)【要約】【課題】現像後の乾燥時に，パターン倒れとパターンの膨潤を防止する。【解決手段】現像液供給ノズル３３が現像液を吐出しながら，ウェハＷ上を一端部から他端部に亘り移動し，ウェハＷ上に現像液を供給して静止現像する。その後，ウェハＷを回転させながら，リンス液供給ノズル５０によりウェハＷにリンス液を供給して現像を停止する。その後，液体供給ノズル６３により，極性のあるフッ化炭素系化合物を含有する液体をウェハＷに供給し，ウェハを高速回転させて乾燥する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の現像処理方法であって，
基板に現像液を供給して基板を現像する工程と，
その後，基板に現像停止液を供給して現像を停止する工程と，
その後，極性のあるフッ化炭素系化合物を含有する液体を基板に供給し，基板を回転させて乾燥する工程と，を有することを特徴とする，現像処理方法。
【請求項２】
前記液体は，メチルパーフルオロイソブチルエーテルとメチルパーフルオロブチルエーテルとの混合物，エチルパーフルオロイソブチルエーテルとエチルパーフルオロブチルエーテルとの混合物，分子構造が異なる２種類以上のジクロロペンタフルオロプロパンの混合物，テトラフルオロエチルトリフルオロエチルエーテル，デカフルオロペンタン，又はヘプタフルオロシクロペンタンのいずれかを含有していることを特徴とする，請求項１に記載の現像処理方法。
【請求項３】
前記液体は，誘電率が２．１以上，水への溶解度が２１ｐｐｍ（Ｗｔ．）以上であることを特徴とする，請求項１に記載の現像処理方法。
【請求項４】
基板の現像処理装置であって，
基板を支持して回転させる回転支持部材と，
前記回転支持部材に支持された基板に対し，極性のあるフッ化炭素系化合物を含有する液体を供給する液体供給ノズルと，を有することを特徴とする，現像処理装置。
【請求項５】
前記液体は，メチルパーフルオロイソブチルエーテルとメチルパーフルオロブチルエーテルとの混合物，エチルパーフルオロイソブチルエーテルとエチルパーフルオロブチルエーテルとの混合物，分子構造が異なる２種類以上のジクロロペンタフルオロプロパンの混合物，テトラフルオロエチルトリフルオロエチルエーテル，デカフルオロペンタン，又はヘプタフルオロシクロペンタンのいずれかを含有していることを特徴とする，請求項４に記載の現像処理装置。
【請求項６】
前記液体は，誘電率が２．１以上，水への溶解度が２１ｐｐｍ（Ｗｔ．）以上であることを特徴とする，請求項４に記載の現像処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板の現像処理方法及び現像処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，例えばウェハ表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理や，ウェハを所定のパターンに露光する露光処理，ウェハに現像液を供給しレジスト膜を選択的に溶解させて，ウェハ上にレジストパターンを形成する現像処理などが行われている。
【０００３】
上述の現像処理では，ウェハ上に現像液を供給してウェハを静止現像し，その後ウェハ上に純水を供給して現像を停止し，その後ウェハを高速回転させてウェハを乾燥している。しかしながら，ウェハの乾燥時には，ウェハを高速回転させて，ウェハ表面の水分を飛散させるので，その飛散する水分による作用により，ウェハ表面のパターンが倒されることがあった。そこで，ウェハを高速回転するときに，ウェハ上に界面活性剤を供給し，水分をウェハから離れやすくして，パターン倒れを抑制することが提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら，近年は，例えば線幅が８０ｎｍ以下の極めて微細なレジストパターンが形成可能になっている。かかる微細なパターンに対しては，上述したように現像後の乾燥時にウェハ上に界面活性剤を供給しても，パターン倒れを十分に抑制することができない。さらに，現像後の乾燥時にウェハに界面活性剤を供給した場合，発明者によれば，界面活性剤の影響を受けてウェハ上のレジストパターンが大きく膨潤することが確認されている。レジストパターンが膨潤すると，線幅が不安定で不均一になり，ウェハ上に所望のレジストパターンが形成されない。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１６３３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，極めて微細なレジストパターンに対しても，パターン倒れを十分に抑制し，なおかつパターンの膨潤を防止できる現像処理方法と現像処理装置を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために，本発明は，基板の現像処理方法であって，基板に現像液を供給して基板を現像する工程と，その後，基板に現像停止液を供給して現像を停止する工程と，その後，極性のあるフッ化炭素系化合物を含有する液体を基板に供給し，基板を回転させて乾燥する工程と，を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば，微細なパターンに対しても，現像後の乾燥時のパターン倒れとパターンの膨潤を抑制できる。
【０００９】
前記液体は，メチルパーフルオロイソブチルエーテルとメチルパーフルオロブチルエーテルとの混合物，エチルパーフルオロイソブチルエーテルとエチルパーフルオロブチルエーテルとの混合物，分子構造が異なる２種類以上のジクロロペンタフルオロプロパンの混合物，テトラフルオロエチルトリフルオロエチルエーテル，デカフルオロペンタン，又はヘプタフルオロシクロペンタンのいずれかを含有したものであってもよい。
【００１０】
前記液体は，誘電率が２．１以上，水への溶解度が２１ｐｐｍ（Ｗｔ．）以上であることが好ましい。さらに好ましくは前記液体の誘電率は７以上，水への溶解度は９０ｐｐｍ（Ｗｔ．）以上がよい。
【００１１】
別の観点による本発明は，基板の現像処理装置であって，基板を支持して回転させる回転支持部材と，前記回転支持部材に支持された基板に対し，極性のあるフッ化炭素系化合物から構成される液体を供給する液体供給ノズルと，を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば，液体供給ノズルにより，極性のあるフッ化炭素系化合物の液体を基板に供給し，基板を回転させて乾燥できる。こうすることにより，現像後の乾燥時のパターン倒れとパターンの膨潤を抑制できる。
【００１３】
前記液体は，メチルパーフルオロイソブチルエーテルとメチルパーフルオロブチルエーテルとの混合物，エチルパーフルオロイソブチルエーテルとエチルパーフルオロブチルエーテルとの混合物，分子構造が異なる２種類以上のジクロロペンタフルオロプロパンの混合物，テトラフルオロエチルトリフルオロエチルエーテル，デカフルオロペンタン，又はヘプタフルオロシクロペンタンのいずれかを含有しているものであってもよい。
【００１４】
前記液体は，誘電率が２．１以上，水への溶解度が２１ｐｐｍ（Ｗｔ．）以上であることが好ましい。さらに好ましくは前記液体の誘電率は７以上，水への溶解度は９０ｐｐｍ（Ｗｔ．）以上がよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば，現像後の乾燥時のパターン倒れとパターンの膨潤を抑制できるので，基板上に所望のパターンを形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる現像処理装置１の構成の概略を示す縦断面の説明図であり，図２は，現像処理装置１の構成の概略を示す平面図である。
【００１７】
図１に示すように現像処理装置１は，中央部にウェハＷを保持して回転させる回転支持部材としてのスピンチャック１０を備えている。スピンチャック１０は，水平な上面を有し，当該上面には，例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により，ウェハＷをスピンチャック１０上に吸着できる。
【００１８】
スピンチャック１０には，例えばスピンチャック１０を回転及び昇降させるためのチャック駆動機構１１が設けられている。チャック駆動機構１１は，例えばスピンチャック１０を鉛直方向の軸周りに所定速度で回転させるモータなどの回転駆動部（図示せず）や，スピンチャック１０を昇降させるモータ又はシリンダなどの昇降駆動部（図示せず）を備えている。このチャック駆動機構１１により，スピンチャック１０上のウェハＷを所定のタイミングで昇降させたり，所定の速度で回転させることができる。
【００１９】
スピンチャック１０の周囲には，ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め，回収するカップ１２が設けられている。カップ１２は，例えばスピンチャック１０の周囲を囲む内カップ１３と，当該内カップ１３のさらに外周を囲む外カップ１４と，内カップ１３と外カップ１４の下面を覆う下カップ１５とを別個に備えている。内カップ１３と外カップ１４により，主にウェハＷの外方に飛散する液体を受け止めることができ，下カップ１５により，内カップ１３と外カップ１４の内壁やウェハＷから落下する液体を回収することができる。
【００２０】
内カップ１３は，例えば略円筒状に形成され，その上端部は内側上方に向けて傾斜している。内カップ１３は，例えばシリンダなどの昇降駆動部１６によって上下動できる。外カップ１４は，例えば図２に示すように平面から見て四角形の略筒状に形成されている。外カップ１４は，図１に示すように例えばシリンダなどの昇降駆動部１７によって上下動できる。下カップ１５の中央部には，スピンチャック１０が貫通している。スピンチャック１０の周囲の下カップ１５の平坦面には，例えばウェハＷの表面から裏面に回り込んだ液体の流れを遮断する環状部材１８が設けられている。環状部材１８は，例えばウェハＷの裏面に近接する頂上部を備えており，その頂上部でウェハＷの裏面を伝わる液体を遮断できる。下カップ１５には，例えば工場の排液部に連通した排出管１９が接続されており，カップ１２において回収した液体は，排出管１９から現像処理装置１の外部に排出できる。
【００２１】
図２に示すようにカップ１２のＸ方向負方向（図２の下方向）側には，Ｙ方向（図２の左右方向）に沿って延伸するレール３０が形成されている。レール３０は，例えばカップ１２のＹ方向負方向（図２の左方向）側の外方からカップ１２のＹ方向正方向（図２の右方向）側の外方まで形成されている。レール３０には，例えば二本のアーム３１，３２が取り付けられている。第１のアーム３１には，現像液供給ノズル３３が支持されている。第１のアーム３１は，ノズル駆動部３４によってレール３０上をＹ方向に移動できる。この第１のアーム３１により，現像液供給ノズル３３は，カップ１２のＹ方向負方向側の外方に設置された待機部３５からカップ１２内まで移動し，ウェハＷの表面上を移動できる。また，第１のアーム３１は，例えばノズル駆動部３４によって上下方向にも移動自在であり，現像液供給ノズル３３を昇降させることができる。
【００２２】
現像液供給ノズル３３は，例えばウェハＷの直径寸法と同じかそれよりも長い，Ｘ方向に沿った細長形状を有している。図１に示すように現像液供給ノズル３３の上部には，現像液供給源４０に連通する現像液供給管４１が接続されている。現像液供給ノズル３３の下部には，長手方向に沿って一列に形成された複数の吐出口３３ａが形成されている。現像液供給ノズル３３は，上部の現像液供給管４１から導入された現像液を現像液供給ノズル３３の内部を通過させ，下部の各吐出口３３ａから一様に吐出できる。
【００２３】
第２のアーム３２には，図２に示すようにリンス液供給ノズル５０が支持されている。第２のアーム３２は，例えばノズル駆動部５１によってレール３０上をＹ方向に移動できる。この第２のアーム３２によって，リンス液供給ノズル５０は，カップ１２のＹ方向正方向側の外方に設けられた待機部５２からカップ１２内のウェハＷ上に移動できる。また，第２のアーム３２は，ノズル駆動部５１によって上下方向にも移動自在である。
【００２４】
リンス液供給ノズル５０には，図１に示すようにリンス液供給源５３に連通するリンス液供給管５４が接続されている。本実施の形態においては，例えばリンス液供給源５３には，現像停止液（リンス液）として純水が貯留されている。
【００２５】
図２に示すようにカップ１２のＸ方向正方向（図２の上方向）側には，Ｙ方向に沿って延伸するレール６０が形成されている。レール６０は，例えばカップ１２のＹ方向正方向側の外方からカップ１２のＹ方向負方向側の外方まで形成されている。レール６０には，例えば第３のアーム６１が取り付けられている。第３のアーム６１は，駆動部６２によってレール６０上を移動自在である。第３のアーム６１には，液体供給ノズル６３が支持されている。カップ１２のＹ方向正方向側の外方には，液体供給ノズル６３の収容容器６４が設置されており，液体供給ノズル６３は，第３のアーム６１の移動により収容容器６４からカップ１２内のウェハＷ上まで移動できる。また，第３のアーム６１は，例えば駆動部６２によって上下方向にも移動自在であり，液体供給ノズル６３を昇降させて高さを調整することができる。
【００２６】
液体供給ノズル６３には，図１に示すように液体供給源６５に連通する液体供給管６６が接続されている。液体供給源６５には，極性を有するフッ化炭素系化合物を含有する液体，例えば，メチルパーフルオロブチルエーテルとメチルパーフルオロイソブチルエーテルとの混合物を主成分とする液体（例えば後述する液体Ａ），エチルパーフルオロブチルエーテルとエチルパーフルオロイソブチルエーテルとの混合物を主成分とする液体（例えば後述する液体Ｂ），分子構造が異なる２種類以上のジクロロペンタフルオロプロパンの混合物を主成分とする液体（例えば後述する液体Ｆ），テトラフルオロエチルトリフルオロエチルエーテルを主成分とする液体（例えば後述する液体Ｇ），デカフルオロペンタンを主成分とする液体（例えば後述する液体Ｈ），又はヘプタフルオロシクロペンタンと2-メチル−2−ブタノールとの混合物を主成分とする液体（例えば後述する液体Ｉ）のいずれかが貯留されている。
【００２７】
次に，以上のように構成された現像処理装置１を用いて行われる現像処理について詳しく説明する。図３は，現像処理のフローの説明図である。この現像処理では，表面に化学増幅型のレジスト膜が形成され，所定パターンに露光されたウェハＷが現像処理される。
【００２８】
先ず，ウェハＷは，図１に示すようにスピンチャック１０上に吸着保持される。続いて図２に示すように待機部３５で待機していた現像液供給ノズル３３がＹ方向正方向側に移動し，平面から見てウェハＷのＹ方向負方向側の端部の手前の位置Ｐ１（図２中の点線部）まで移動する。その後，現像液供給ノズル３３から現像液が吐出され，現像液供給ノズル３３が現像液を吐出しながら，ウェハＷのＹ方向正方向側の端部の外方の位置Ｐ２（図２中の点線部）まで移動する。これにより，ウェハＷ上のレジスト膜の表面に現像液が液盛りされ，レジスト膜の静止現像が開始される（図３（ａ））。この静止現像により，例えばレジスト膜の露光部分が選択的に溶解し，ウェハＷ上にレジストパターンが形成される。
【００２９】
所定時間経過後，例えば待機部５２で待機していたリンス液供給ノズル５０がウェハＷの中心部上方まで移動する。リンス液供給ノズル５０からリンス液，例えば純水が吐出され，それと同時にウェハＷが所定の低速度で回転される（図３の（ｂ））。これにより，ウェハ表面の現像液が純水に置換され，ウェハＷの現像が停止される。
【００３０】
その後，リンス液供給ノズル５０からのリンス液の供給が停止され，リンス液供給ノズル５０に代わって液体供給ノズル６３がウェハＷの中心部上方まで移動する。例えばウェハＷの回転数を前記所定の低速度に維持した状態で，液体供給ノズル６３から，極性のあるフッ化炭素系化合物を含有する所定の液体が吐出されウェハ表面に供給されて，ウェハ表面の純水がそのフッ化炭素系化合物の液体に置換される（図３（ｃ））。
【００３１】
ウェハ表面が前記フッ化炭素系化合物の液体に置換された後，当該液体の供給が停止される。その後，ウェハＷの回転数が上げられ，ウェハＷが前記所定の低速度より速い高速度で回転される（図３（ｄ））。これにより，ウェハＷ表面上の液体が飛散し，ウェハＷが乾燥される。その後，ウェハＷの回転が停止され，ウェハＷが現像処理装置１から搬出されて一連の現像処理が終了する。
【００３２】
ここで，上述した現像処理のようにリンス液供給後に，極性のあるフッ化炭素系化合物の液体をウェハＷに供給して，ウェハＷを回転乾燥させた場合の効果について検証する。
【００３３】
図４は，リンス液の供給後に液体を供給しないでウェハを乾燥させた場合（リンス液のみ），リンス液供給後に界面活性剤或いはＡ〜Ｉの各液体を供給し，ウェハを乾燥させた場合のウェハ面内のパターン倒れの有無を示す実験データである。
【００３４】
液体Ａは，メチルパーフルオロブチルエーテルとメチルパーフルオロイソブチルエーテルとの混合物であり，液体Ｂは，エチルパーフルオロブチルエーテルとエチルパーフルオロイソブチルエーテルとの混合物である。液体Ｃは，完全フッ素化物であるパーフルオロヘキサン，液体Ｄは,パーフルオロヘプタン，液体Ｅは，パーフルオロノナンである。液体Ｆは，3,3-ジクロロ−1,1,1,2,2−ペンタフルオロプロパン（ＣＦ３-ＣＦ２-ＣＨＣｌ２）と，1,3-ジクロロ−1,1,2,2,3−ペンタフルオロプロパン（ＣＣｌＦ２−ＣＦ２−ＣＨＣｌＦ）との混合物であり，液体Ｇは，1,1,2,2-テトラフルオロエチル‐2,2,2-トリフルオロエチルエーテル（ＣＦ３−ＣＨ２−Ｏ−ＣＦ２−ＣＦ２Ｈ）である。液体Ｈは，1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-デカフルオロペンタン（ＣＨ３−ＣＨＦ−ＣＨＦ−ＣＦ２−ＣＦ３）であり，液体Ｉは，1,1,2,2,3,3,4-ヘプタフルオロシクロヘプタンと2-メチル−2−ブタノール（ＣＨ３ＣＨ２（ＣＨ３）２ＣＯＨ）との混合物である。
【００３５】
上記液体Ａは，メチルパーフルオロブチルエーテルが３０〜５０質量％，メチルパーフルオロイソブチルエーテルが５０〜７０質量％の混合物である。液体Ｂは，エチルパーフルオロブチルエーテルが３０〜５０質量％，エチルパーフルオロイソブチルエーテルが５０〜７０質量％の混合物である。液体Ｆは，3,3-ジクロロ−1,1,1,2,2−ペンタフルオロプロパンが４５質量％，1,3-ジクロロ−1,1,2,2,3−ペンタフルオロプロパンが５５質量％の混合物である。液体Ｉは，1,1,2,2,3,3,4-ヘプタフルオロシクロペンタンが９４質量％以上，2-メチル−2−ブタノールが５質量％未満の混合物である。
【００３６】
液体Ａ〜Ｉのうち，極性あるフッ化炭素系化合物を含むものは，液体Ａ，Ｂ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉであり，無極性のものは，液体Ｃ，Ｄ，Ｅである。
【００３７】
また，図４に示す実験に用いられたウェハは，下方向に行くにつれてＤｏｓｅ（露光量）が増え，右方向に行くにつれて露光のフォーカスが大きくなるようにパターン露光されている。露光量が増大するとパターンの線幅が狭くなり，露光のフォーカスが大きくなると図５に示すようにパターンの根元部分の幅Ｋが厚くなる。つまり，図４に示すウェハ面内において，左下隅に近づくにつれて倒れ易いパターンが形成されている。この実験の条件として，レジスト材料として化学増幅型のアクリル系のレジストが用いられ，露光光源には，ＡｒＦ光が用いられている。
【００３８】
図４に示す実験結果によれば，液体Ａ，Ｂ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉを供給した場合は，リンス液のみ，界面活性剤，又は無極性の液体Ｃ，Ｄ，Ｅを供給した場合に比べて，パターン倒れし難いことが確認できる。また，極性のある液体Ａ，Ｂ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉを供給した場合は，無極性の液体Ｃ，Ｄ，Ｅを供給した場合に対して，パターン倒れが飛躍的に減少していることが確認できる。
【００３９】
図６は，リンス液の供給後に液体を供給しない場合（リンス液のみ），リンス液供給後に界面活性剤，各液体Ａ〜Ｉを供給した場合についてのパターン倒れが発生しない限界線幅（最細線幅）を示す実験データである。図６に示す実験データによれば，極性のある液体Ａ，Ｂ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉを供給した場合は，リンス液のみ，界面活性剤或いは無極性の液体Ｃ，Ｄ，Ｅを供給した場合に比べて限界線幅が細くなることが確認できる。極性のある液体Ａ，Ｂ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉを供給した場合の限界線幅は，８０ｎｍ以下であった。このことからも，極性のある液体Ａ，Ｂ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉを供給した場合は，界面活性剤を供給した場合，或いは無極性の液体Ｃ，Ｄ，Ｅを供給した場合に比べてパターン倒れが発生し難いことが確認できる。
【００４０】
以上の結果から，リンス液の供給後に極性のあるフッ化炭素系化合物を含有する液体をウェハＷに供給することによって，ウェハＷの振切り乾燥時のパターン倒れを抑制できることが確認できる。
【００４１】
図７は，リンス液の供給後に界面活性剤，極性のある各液体Ａ，Ｂ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉを供給した場合についてのウェハＷの乾燥前後のパターンの線幅変動量を示す実験データである。図７の示す実験結果によれば，界面活性剤を供給した場合に比べて，極性のある液体Ａ，Ｂ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉを供給した場合に，線幅変動量が小さいことが確認できる。この結果から，極性のある液体Ａ，Ｂ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉを供給した場合は，界面活性剤を供給した場合に比べて，パターンの膨潤を抑制できることが確認できる。
【００４２】
したがって，上述の実施の形態のように，現像処理のリンス液供給後に，極性のあるフッ化炭素系化合物を有する液体を供給し，ウェハＷを回転させて乾燥することにより，乾燥時のパターン倒れとパターンの膨潤を抑制できる。
【００４３】
次に前記した液体Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｇ，Ｉの誘電率を調べた結果を図８に示し，これら液体の水への溶解度［ｐｐｍ（Ｗｔ．）］を調べた結果を図９に示した。なお図８における数字は誘電率の具体的値を示し，図９における数字は水への溶解度の具体的値を示している。
【００４４】
まずこれら液体の誘電率についてみると，図８に示したように，液体Ｃ，Ｄ，Ｅについては，誘電率が２以下であり，これに対して液体Ａ，Ｂ，Ｇ，Ｉについては，誘電率が概ね７以上を有している。したがってかかる結果から考察すると，高い誘電率を有する液体Ａ，Ｂ，Ｇ，Ｉは，誘電率が２以下の低誘電率の液体Ｃ，Ｄ，Ｅよりも，パターン倒れが発生し難く，またパターンの膨潤の防止に効果がある。それゆえ発明者らの推察によれば，極性のある液体は，誘電率が２．１以上，より好ましくは誘電率が７以上あれば，パターン倒れ防止に効果があると思われる。
【００４５】
次にこれら液体の水への溶解度について調べてみると，図９に示したように，液体Ｃ，Ｄ，Ｅについては，水への溶解度が１０［ｐｐｍ（Ｗｔ．）］以下であり，これに対して液体Ａ，Ｂ，Ｇ，Ｉについては，水への溶解度が概ね９０［ｐｐｍ（Ｗｔ．）］以上を有している。したがってかかる結果から考察すると，高い水への溶解度を有する液体Ａ，Ｂ，Ｇ，Ｉは，溶解度が１０以下の低溶解度の液体Ｃ，Ｄ，Ｅよりも，パターン倒れが発生し難く，またパターンの膨潤の防止に効果があることがわかる。それゆえ発明者らの推察によれば，極性のある液体は，水への溶解度が２０［ｐｐｍ（Ｗｔ．）］以上，より好ましくは水への溶解度が９０［ｐｐｍ（Ｗｔ．）］以上ある液体が，パターン倒れ防止に効果があると思われる。
【００４６】
以上の図８，図９の結果および考察から推察すると，極性のあるフッ化炭素系化合物を含有する液体において，さらに誘電率が２．１以上，より好ましくは誘電率が７以上であって，かつ水への溶解度が２０［ｐｐｍ（Ｗｔ．）］以上，より好ましくは水への溶解度が９０［ｐｐｍ（Ｗｔ．）］以上の液体が，パターン倒れ防止に効果があり，またパターンの膨潤の防止に効果があると思われる。このことは，図４，図６の結果に照らしても符合するものである。
【００４７】
以上，本発明の実施の形態の一例について説明したが，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば本発明は，ウェハ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ），フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板の現像処理方法にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は，現像後の基板乾燥において,パターン倒れやパターンの膨潤を抑制する際に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図２】現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図３】現像処理のフローの説明図である。
【図４】現像後の乾燥時に，界面活性剤，所定の液体Ａ〜Ｉを供給した場合のパターン倒れの有無を示す実験データである。
【図５】パターンの根元部分の幅を示す説明図である。
【図６】界面活性剤，所定の液体Ａ〜Ｉについて，パターン倒れが発生しない限界線幅を示す実験データである。
【図７】現像後の乾燥時に，界面活性剤，液体Ａ，Ｂ，Ｆ，Ｇ，Ｈ又はＩをウェハに供給した場合のパターンの線幅変動量を示す実験データである。
【図８】液体Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｇ，Ｉの誘電率を調べた結果を示すグラフである。
【図９】液体Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｇ，Ｉの水への溶解度を調べた結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５０】
１    現像処理装置
１０  スピンチャック
３３  現像液供給ノズル
５０  リンス液供給ノズル
６３  液体供給ノズル
Ｗ    ウェハ
【図１】
2006210886.tif 000003
【図２】
2006210886.tif 000004
【図３】
2006210886.tif 000005
【図４】
2006210886.tif 000006
【図５】
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【図６】
2006210886.tif 000008
【図７】
2006210886.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006210886.tif 000011