(57)【要約】【課題】  装置内での均一なプラズマ処理を行うことが可能なプレートの反りを抑制したプラズマ装置を提供することを目的とする。【解決手段】  反応室内に互いに対向するように配置された一対の電極７と、電極７間に並設して配置され、被処理体１を載置し得る複数枚のプレート３a、３ｂ、３ｃと、電極７間でプラズマを発生させるための電力供給手段とを備えてプラズマ装置を構成する。【選択図】  図１
2006307329.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内に互いに対向するように配置された一対の電極と、
前記電極間に並設して配置され、被処理体を載置し得る複数枚のプレートと、
前記電極間でプラズマを発生させるための電力供給手段と、を備えたプラズマ装置。
【請求項２】
前記複数枚のプレートは、固定部材で互いに固定されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ装置。
【請求項３】
前記固定部材は、並設配置された前記複数枚のプレートが構成する外周部に設けられることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプラズマ装置。
【請求項４】
隣接する前記プレート間に形成される間隙の全面積は、前記複数枚のプレートの全面積の１．０％以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のプラズマ装置。
【請求項５】
隣接する前記プレートは、各プレートが有する嵌合せ構造により接合されている請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプラズマ装置。
【請求項６】
少なくとも一枚の前記プレートは、被処理体が載置されないダミープレートとして用いられることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のプラズマ装置。
【請求項７】
前記ダミープレートの面積は、被処理体を載置する前記プレートの面積よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のプラズマ装置。
【請求項８】
前記ダミープレートは、前記一対の電極の対向面積に対応する領域の内外を跨ぐように配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のプラズマ装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載のプラズマ装置を用いて、前記被処理体としての太陽電池素子用半導体基板にプラズマ処理を行なう工程を有して成る太陽電池素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマ装置に関し、特に被処理体を電極と対向したプレート上に載置した状態で処理するプラズマ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、真空排気機構を備えた反応室内に順次供給される基板上に薄膜を連続して成膜するプラズマＣＶＤ装置や基板上にエッチング等の微細加工を施すＲＩＥ装置等のプラズマ装置が使用されている。
【０００３】
図６に従来のプラズマ装置の反応室構造の一例を示す（例えば、特許文献１参照）。１０１は被処理体である基板、１０２は搬送プレート、１０７は電力が印加される電極、１０８はマスフローコントローラー、１０９はヒータ、１１０は真空ポンプ、１１１は圧力制御弁、１１２はＲＦ電源である。
【０００４】
また、電力が印加される電極１０７は、ガスを流すためのシャワープレートとしての機能も兼ね備えている。マスフローコントローラー１０８は、ガスの流量を制御するために用いている。そして、ヒータ１０９は加熱手段として用いられるほか、搬送プレート１０２と接地することで搬送プレート１０２が電極１０７の対向電極として機能し、アースに接続されている。反応室内を真空にするための真空ポンプ１１０と、圧力制御弁１１１によって反応室内を一定の圧力に制御することができる。さらに、真空ポンプ１１０と圧力制御弁１１１は反応室内に導入されたガスを排気するラインに接続されている。
【０００５】
基板１０１が載置された搬送プレート１０２は反応室内で、マスフローコントローラー１０８で流量制御された膜の原料となる反応ガスや、基板１０１をエッチングするガスが電極１０７から流され、さらにＲＦ電源１１２より電極１０７に高周波電力を印加することにより、グロー放電を発生させてプラズマを励起し、反応ガスを分解することができる。その結果、アース側に接続された基板１０１に酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などの膜を成膜させたり、イオンやラジカルを励起活性化して、基板１０１の表面に作用させてエッチングすることを可能にしている。
【０００６】
図６のプラズマ装置では上述したようにプラズマを発生させ、搬送プレート１０２の上に基板１０１を載置し成膜やエッチングなどの処理を行うことができる。また、基板載置プレート１０２は、基板１０１を載置した状態で反応室に自由に搬入・搬出ができるように構成されており、カートの役割も担っている。反応室には、搬送プレート１０２の搬入・搬出口（不図示）が設けられ、搬送室（不図示）との間で搬送プレート１０２の搬入及び搬出が行われるようになっている。このとき、プラズマ装置の入口側に基板１０１を搬送プレート１０２上に供給するロボットなどの供給機構を設けておき、成膜やエッチング前の基板１０１を基板載置プレート１０２の上に供給する。
【０００７】
また、出口側では基板１０１の回収機構を設けてプラズマ処理された基板１０１を回収する。
【０００８】
図７は従来の搬送プレート１０２の構造を説明するための図である。１０１は基板、１０２は搬送プレート、１０３はプレート、１０４は搬送プレートの固定治具、１０５は固定枠、１１３はプレートと固定枠との隙間を示す。搬送プレート１０２は、一般的に固定枠１０５と１枚のプレート１０３からなり、搬送機構上を移動する固定枠１０５に、例えばカーボンからなるプレート１０３をはめ込んでプレート固定冶具１０４で固定して構成される。
【０００９】
そして、搬送中の基板１０１どうしの重なりや転落を防止するために、プレート１０３の表面には基板位置決めピンが設置されている（不図示）。基板位置決めピンによりプレート１０３上に確保される基板搭載予定領域が基板１０１の大きさよりも広くなるように基板位置決めピンを植設するものの、基板１どうしの重なりや転落を防止する目的や、プレート１０３の上に搭載する基板枚数をなるべく多くするといった目的から、基板１０１に近づけて植設する必要がある。そのため基板１０１の供給作業や回収作業をロボットなどの自動機で行う場合には、基板１０１が所定の場所に位置するような高い精度の位置合わせが必要になる。
【特許文献１】特開平５−２９５５５１号公報
【特許文献２】特開平１０‐３４０８９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、プラズマ処理を行うことによって、その反応による熱で反応室内が加熱される。さらに、プラズマＣＶＤ装置においては良好な膜質の膜を得るために、被成膜体である基板１０１をヒータ１０９により、例えば４００〜５００℃程度まで加熱して成膜することが一般的に行われている（例えば、特許文献１、２参照）。
【００１１】
特に、プラズマＣＶＤ装置においては、被成膜体である基板１０１のみならず、プレート１０３の基板１０１が載置されていないプレート表面にも膜が堆積されることになる。特に連続して成膜する場合は、通常基板が載置されていないプレート表面において膜が繰り返し堆積されることになり厚膜化する。
【００１２】
プレート１０３をこのような高温に加熱した状態で連続成膜すると、プレート１０３と膜の熱収縮率の違いによってプレート１０３自体に反りが生じたりする。そのため、供給作業や回収作業をロボットなどの自動機で行う際に、基板１０１が正確に所定の場所へ位置合わせすることができなかった。このように、プレート１０３の位置がずれたり、プレート１０３自体に反りが生じると、基板１０１をプレート１０３に載置する際に基板位置決めピン（不図示）の上に基板１０１が押しつけられて割れたり、基板１０１を回収することができないという問題が発生することがあった。
【００１３】
また、ＲＩＥ装置においては被エッチング体である基板１０１のみならず、プレート１０３の基板１０１が載置されていない表面もエッチングすることとなる。特に連続してエッチングした場合などは、通常基板１０１が載置されていない表面においてエッチングが繰り返されプレート１０３自体の強度が落ちてしまう。
【００１４】
このように局所的にプレートの厚みが異なる状態でＲＩＥ装置を連続稼働し、この状態でエッチング処理を行うと、プレート１０３自体の重みと基板１０１の重みによりプレート１０３にたわみが生じ、均一なエッチングをすることができなくなってしまう。また、供給作業や回収作業をロボットなどの自動機で行う際に、基板１０１を正確に所定の場所へ位置合わせすることができなくなる問題も生じていた。
【００１５】
このようなプラズマＣＶＤ装置やＲＩＥ装置等のプラズマ装置において、プレート１０３の位置がずれたり、プレート１０３自体に反りやたわみが生じると、基板１０１をプレート１０３に載置する際に基板位置決めピン（不図示）の上に基板１０１が押しつけられて割れたり、基板１０１を回収することができないという問題が発生することがあった。
【００１６】
また、プレート１０３が反ることによって、装置内での膜質の均一性が損なわれたり、均一なエッチング処理が行われないといった問題もあった。その結果、プレート１０３の交換作業を頻繁に行う必要があり生産性を低下させていた。
【００１７】
これらの問題を防ぐ方法として、プレート１０３の固定治具１０４の締め付けをきつくすることや、プレート１０３の固定治具１０４の数を増やすことや、プレート１０３とプレートの固定治具１０４との接触面積を広くするなどの方法が考えられるが、いずれの方法でもプレート１０３の割れの原因となり、解決手段とはならない。
【００１８】
本発明はこのような従来の問題に鑑みてなされたものであり、被処理体に割れが発生したり、被処理体を収できないといった従来の問題を解決し、プラズマ装置内で均一なプラズマ処理を行うことができる、稼動効率の高いプラズマ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明のプラズマ装置は、反応室内に互いに対向するように配置された一対の電極と、前記電極間に並設して配置され、被処理体を載置し得る複数枚のプレートと、前記電極間でプラズマを発生させるための電力供給手段と、を備えたことを特徴とする。
【００２０】
前記複数枚のプレートは、固定部材で互いに固定されることが好ましい。
【００２１】
前記固定部材は、並設配置された前記複数枚のプレートが構成する外周部に設けられることが好ましい。
【００２２】
隣接する前記プレート間に形成される間隙の全面積は、前記複数枚のプレートの全面積の１．０％以下であることが好ましい。
【００２３】
隣接する前記プレートは、各プレートが有する嵌合せ構造により接合されていることが好ましい。
【００２４】
少なくとも一枚の前記プレートは、被処理体が載置されないダミープレートとして用いられることを特徴とする。
【００２５】
前記ダミープレートの面積は、被処理体を載置する前記プレートの面積よりも小さいことが好ましい。
【００２６】
前記ダミープレートは、前記一対の電極の対向面積に対応する領域の内外を跨ぐように配置されることが好ましい。
【００２７】
また本発明の太陽電池素子の製造方法は、上記プラズマ装置を用いて、前記被処理体としての太陽電池素子用半導体基板にプラズマ処理を行なう工程を有して成るものである。
【発明の効果】
【００２８】
本発明のプラズマ装置は、反応室内に互いに対向するように配置された一対の電極と、前記電極間に並設して配置され、被処理体を載置し得る複数枚のプレートと、前記電極間でプラズマを発生させるための電力供給手段とを備えて構成されることから、プレートを複数枚用いることで、個々のプレート面積を比較的小さくすることができ、プレート１枚当たりの反り量や熱膨張量を小さくすることができるため、プラズマ処理の均一化及び被処理体の位置合わせを的確に行うことが可能となる。
【００２９】
また、本発明の太陽電池素子の製造方法は、上記プラズマ装置を用いて、前記被処理体としての太陽電池素子用半導体基板にプラズマ処理を行なう工程を有して成ることから、比較的薄型・大面積の半導体基板を用いた場合であっても、半導体基板の割れ等を効果的に抑制し、且つ、均一なプラズマ処理を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明にかかるプラズマ装置の実施の形態について、添付図面に基づき詳細に説明する。
【００３１】
図１は、本発明にかかるプラズマ装置の反応室の基本構造の一例を示す概略図であり、１は被処理体、３はプレート、７は電極、８はマスフローコントローラー、９はヒータ、１０は真空ポンプ、１１は圧力制御弁、１２はＲＦ電源を示す。
【００３２】
反応室内には、プレート３と、それに対向するように電極７とが設置されている。そして、プレート３と電極７との間に電力を印加してプラズマを発生させる電力印加手段としてＲＦ電源１２が具備されている。
【００３３】
プレート３は、その上に被処理体１を載置して成膜やエッチングなどの処理を行うことができるように構成されている。このプレート３は、被処理体１を載置した状態で反応室に搬入・搬出ができるように構成されており、反応室には、プレート３の搬入・搬出口（不図示）が設けられ、搬送室（不図示）との間でプレート３の搬入及び搬出が行われるようになっている。
【００３４】
また、反応室内には加熱手段としてプレート３や被処理体１の成膜温度を調節するヒータ９が設けられている。ヒータ９はアースされ、反応室にプレート３を搬入した状態で、ヒータ９と接地することでプレート３が電極７に対して対向電極として機能する。この電極７と、対向電極となるプレート３及びヒータ９とを一対の電極７と呼ぶこととする。
【００３５】
反応室には、マスフローコントローラー８により流量が制御された反応ガスが導入され、例えば、多数の小孔が形成されてシャワープレートとしての機能を有する電極７によって整流されて、被処理体１へ向けて均等に流れる。そして、反応室には、真空排気系として真空ポンプ１０が配置されており、真空ポンプ１０の前には反応室内を一定の圧力に制御するための圧力制御弁１１が配置されている。
【００３６】
以上のような構成を有するプラズマ装置は、次のような成膜方法に好適に用いられる。
【００３７】
まず、被処理体１をプレート３に載置した状態で、反応室に挿入し、ヒータ９上に載置する。
【００３８】
次に、真空ポンプ１０により、反応室内を所定の圧力まで真空排気した後、ヒータ９で加熱された被処理体１の温度が所定の温度まで上昇したら、マスフローコントローラー８を介して反応ガスを導入する。例えば、窒化シリコン膜などを成膜する場合は、シランガス（ＳｉＨ４）とアンモニアガス（ＮＨ３）と、この混合ガスを希釈するための窒素ガスを電極７から反応室内に導入する。
【００３９】
そして、圧力制御弁１１で反応室内を所定の圧力に制御した後、電極７にＲＦ電源１２から高周波電力を印加することで電極７とプレート３の間にグロー放電を発生させてプラズマを励起し、反応ガスを分解することによって、被処理体１上には窒化シリコン膜が成膜されることとなる。
【００４０】
次に、上述した本発明に係るプラズマ装置に関して、特徴的部分をさらに具体的に説明する。
【００４１】
本発明では、図２に示すように、被処理体１を載置するプレート３を複数枚で構成することを特徴とする。図２中、１は被処理体、３はプレートであり３ａ、３ｂ、３ｃの３枚からなる。
【００４２】
このように、複数のプレート（３ａ、３ｂ、３ｃ）を用いることによって、プレート１枚当たりの反り量や熱膨張量を小さくすることができるため、プラズマ処理の均一化及び被処理体１の位置合わせを的確に行うことが可能となる。なお、プレートを複数で構成することによって１枚当たりのプレートの重量が軽くなるため、交換作業の作業性を向上させることができ、またＲＩＥなどのエッチング装置においてはプレート３のたわみを抑制することも可能となる。
【００４３】
一枚のプレートの大きさとしては、例えば０．２ｍ２以上１ｍ２以下、より好ましく０．３ｍ２以上０．８ｍ２以下のプレートが好適に用いられる。また、例えばプレートが矩形状であれば、上記面積を満たすように一辺の長さが０.２ｍ以上１．５ｍ以下であればよい。上記範囲内であれば、特にプレート上に載置する被処理体１の枚数が少なくなることもなく、プレートの反り量を抑えることができる。
【００４４】
また、本発明のプラズマ装置で用いられるプレート３は、図３に示すように、複数のプレートは、固定枠１３によって互いが固定されることが好ましい。図３中、１は被処理体、２は搬送プレート、３はプレートであり、３ａ、３ｂ、３ｃは並設配置されたプレート、４はプレート固定治具、５は固定枠、６はプレート間の隙間、１３はプレートと固定枠との隙間を示すものであり、搬送プレート２は固定枠５とプレート３からなり、搬送機構上を移動する固定枠５に、プレート（３ａ、３ｂ、３ｃ）をはめ込んでプレート固定冶具４で固定して構成される。また、固定枠５は例えばＳＵＳなどからなり複数の並設させたプレート（３ａ、３ｂ、３ｃ）を囲繞する。
【００４５】
このように、並設配置された複数枚のプレート３ａ、３ｂ、３ｃが構成する外周部を固定する固定枠を設けることにより、プレート３の強度を向上させることができる。また、複数のプレート（３ａ、３ｂ、３ｃ）を用いることで、固定枠５との熱膨張係数の違いによる影響が各プレート（３ａ、３ｂ、３ｃ）によって分散・緩和することができる。よって、成膜、エッチング等のプラズマ処理を複数回行った際に、プレート２の反りが生じ、固定が損なわれ、がたつきが生じ、搬送等の振動によりプレートの位置がずれるといった問題を抑制することができる。
【００４６】
また、本発明では、プレート厚み方向に貫通した隙間の面積をプレート３の全面積の１．０％以下とすることが好ましい。各プレート間の隙間６を当該数値範囲に抑えることで、隙間６からプラズマ処理中の反応ガスがポンプ側に吸引されて、隙間部分において反応ガスが多くなり異常放電が発生するということを効果的に抑制することが可能となる。なお、全面積とは、隙間が複数存在する場合にはその合計面積を意味する。また、ここでいうプラズマ処理とは、窒化シリコン膜等の成膜やＲＩＥのみにとどまらず、例えば、フッ素系ガス等によるエッチングやクリーニング等についても含まれる。
【００４７】
また、本発明に係るプレート３を構成する各プレート３ａ、３ｂ、３ｃは、嵌め合せ構造により接合したほうが好ましい。例えば、図５（ａ）に示されるように、各プレート（３ａ、３ｂ）と接する端面の厚さ方向に切欠部を設けて各プレートを接合する。固定枠５が熱により膨張し、固定枠とプレート３の固定が損なわれ、各プレート３ａ、３ｂが搬送等の振動により位置がずれて、各プレート間に多少隙間を生じたとしても、このような嵌め合せ構造にすることにより、プレート３の厚さ方向に貫通した隙間が生じることを防ぐため、プレート厚み方向に貫通した隙間の面積をプレート３の全面積の１．０％以下に抑えることが容易となる。
【００４８】
この結果、プラズマ処理中の反応ガスがポンプ側に吸引されにくくなり、異常放電の発生を抑えることができる。また、図５（ｂ）のように、各プレートと接する端面に凹部と凸部を設けて嵌め合せ構造にした場合において、固定枠５とプレート３との固定が損なわれた場合でも、プレートの接合部における摩擦が大きくなるために、各プレート３ａ、３ｂが搬送等の振動により位置がずれるのを抑制することができる。よって、プレート厚み方向に貫通した隙間の面積をプレート３の全面積の１．０％以下に抑えることが可能となり、プラズマ処理中の反応ガスがポンプ側に吸引されにくくなり、異常放電の発生を抑えることができる。
【００４９】
次に、本発明に係るプラズマ装置は、特にプラズマＣＶＤ装置に好適に用いることができる。この理由は、本発明のプラズマ装置として、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を使用した場合、反応室にヒータ９が取り付けられ、良好な膜質を得るために被処理体１を例えば５００℃などの高温に加熱して成膜する。このように、プラズマ処理中の温度が他のプラズマ装置と比較したときにプラズマＣＶＤ装置の方がより高温であるため、上述した効果によってプレートの反りを効果的に軽減することができるためである。
【００５０】
また、図４に示すように、搬送プレート２に用いるプレート３は、被処理体１が載置されるプレート３ｄと当該プレート３ｄの周辺部に位置する被処理体１が載置されないダミープレート３ｅとで構成されることが好ましく、これによって被処理体１が載置されるプレート３ｄにおいて成膜又はエッチングされるプレート領域が減るため、プレート３ｄ自体に反りやたわみが発生することを効果的に抑制することができる。この場合、成膜又はエッチングがされ易いダミープレート３ｅのみを交換・メンテナンスすれば足りる。
【００５１】
また、ダミープレート３ｅは被処理体１が載置されないため、成膜又はエッチングがされて反りやたわみが生じたとしても被処理体１の割れ等に影響を与えることはなく、また、反りやたわみの程度が大きくなった際に当該ダミープレートのみを交換すれば足りる。特に、ダミープレート３ｅの面積を、被処理体１を載置するプレート３ｄの面積よりも小さく設定しておけば、その交換・メンテナンスにかかるコストを効果的に抑えることができる。
【００５２】
さらに、ダミープレート３ｅは、一対の電極７の対向面積に対応する領域の内外を跨ぐように配置されることが好ましく、これによって特にプラズマ処理の不均一化が生じ易い領域にダミープレート３ｅを用いることで上記効果をより効果的に奏することが可能となる。
【００５３】
また、本発明にかかるプラズマ装置は、特に太陽電池素子を製造するために用いることが好ましい。太陽電池素子に用いられる半導体基板は、一般的に薄型、大面積のシリコン基板が用いられるため、基板が割れやすく、基板に均一なプラズマ処理を行うことが難しいが、本発明のプラズマ装置を用いることでプレートの反りが抑えられるため、薄型、大面積のシリコン基板を用いても基板の割れ等を防止し、均一なプラズマ処理を行うことができる。
【００５４】
なお、本発明の実施形態は上述の例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることはもちろんである。
【００５５】
例えば、プレートを構成するプレートの分割方法は、プレート３の一辺に対して斜めに分割してもよいし、中央部と外周部のように同心状にしてもよい。また、被処理体１は丸型でもよいし、プレート３の上に載置する被処理体１の数も限定されない。
【００５６】
そして、嵌め合せ構造は図５（ａ）、（ｂ）以外の形状であってもよく、例えば、凸部、凹部が角型形状でなく三角形状等であっても構わない。
【００５７】
さらに、本発明はプラズマ装置であるＲＩＥ装置など他のプラズマ装置に対しても応用することができる。
【実施例】
【００５８】
図３に示されるように、搬送プレート２は一辺が１３００ｍｍ×５００ｍｍのカーボンからなるプレート３ａ、３ｂ、３ｃの長辺同士を図５（ａ）に示される嵌め合せ構造により接合して３枚並べ、ＳＵＳからなる固定枠５にプレート２にはめ込んでプレート固定治具４により固定した。１枚のプレート３ａ（或いは３ｂ、３ｃ）の上には１５０ｍｍ×１５０ｍｍのシリコン基板を長辺側に５枚、短辺側に２枚を位置決めピンで囲った領域に載置した。この搬送プレート２を図１に示されるプラズマ装置に搬入し、プラズマ処理を行った際に異常放電の発生の確認を行うために、窒素プラズマを発生させて確認を行った。条件として、反応ガスとして窒素ガスを５００ｍｌ／ｍｉｎ、反応圧力を５０Ｐａ、周波数を２００ｋＨｚ、電力を６００Ｗ、基板温度を５００℃、処理時間を１００ｓｅｃとした。プレート間３ａ、３ｂ、３ｃの隙間６の面積をプレート３の全面積に対して１．５％〜０．５％であるプレートをそれぞれ用意し、それぞれのプレートにおいて異常放電の有無を装置に設けた覗き窓により目視で確認した。
【表１】
2006307329.tif 000003
【００５９】
表１に示されるように、プレート３ａ、３ｂ、３ｃ間の隙間の面積がプレート３の全面積に対して１．０％より大きい場合には異常放電の発生が確認されたが、基板１には満足のいく成膜ができた。
【００６０】
また、プレート３ａ、３ｂ、３ｃ間の隙間の面積がプレート３の全面積に対して１．０％より小さい場合には異常放電の発生は確認されず、満足のいく結果となった。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明に係るプラズマ装置の一例を示す模式図である。
【図２】本発明に係るプラズマ装置に用いられるプレートの一例を示す模式図である。
【図３】本発明に係るプラズマ装置に用いられるプレートの他の一例を示す模式図である。
【図４】本発明に係るプラズマ装置に用いられるプレートの他の一例を示す模式図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は本発明に係るプラズマ装置に用いられるプレートの接合方法の一例を示す模式図である。
【図６】従来のプラズマ装置の一例を示す模式図である。
【図７】従来におけるプラズマ装置に用いられるプレートの他の例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６２】
１：基板
２：搬送プレート
３：プレート
３ａ、３ｂ、３ｃ：プレート
３ｄ：基板が載置されるプレート
３ｅ：基板が載置されないプレート（ダミープレート）
４：プレート固定治具
５：固定枠
６：プレートどうし間の隙間
７：電極
８：マスフローコントローラー
９：ヒータ
１０：真空ポンプ
１１：圧力制御弁
１２：ＲＦ電源
１３：プレートと固定枠との隙間
【図１】
2006307329.tif 000004
【図２】
2006307329.tif 000005
【図３】
2006307329.tif 000006
【図４】
2006307329.tif 000007
【図５】
2006307329.tif 000008
【図６】
2006307329.tif 000009
【図７】
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