(57)【要約】【課題】基材を搬送台に配置した状態でプラズマ処理と物理的気相蒸着法による成膜処理を経ることにより基材の表面に金属膜を形成するにあたり、同一の搬送台を繰り返し用いても基材と金属膜との間の高い密着性を維持することができる金属膜の形成方法を提供する。【解決手段】基材１を保持した搬送台２をプラズマ処理用の保持電極３上に配置して、前記保持電極３と対向電極４との間に電圧を印加することにより基材表面にプラズマ処理を施す工程と、前記搬送台２に基材１を保持した状態でこの基材１に対して物理的気相蒸着法により金属膜７を形成する工程とを含む。前記搬送台２が、一面が前記プラズマ処理工程において保持電極３と接すると共に他面が前記基材１と接する導電性の導電体部８と、前記導電体部８の周囲を取り囲む電気絶縁性の絶縁体部９にて構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を保持した搬送台をプラズマ処理用の保持電極上に配置して、前記保持電極と対向電極との間に電圧を印加することにより基材表面にプラズマ処理を施す工程と、前記搬送台に基材を保持した状態でこの基材に対して物理的気相蒸着法により金属膜を形成する工程とを含み、前記搬送台が、一面が前記プラズマ処理工程において保持電極と接すると共に他面が前記基材と接する導電性の導電体部と、前記導電体部の周囲を取り囲む電気絶縁性の絶縁体部にて構成されているものであることを特徴とする金属膜形成方法。
【請求項２】
上記搬送台に保持された状態の上記基材の搬送台との接触面が上記導電体部の他面の全面と接触していると共に前記接触面の周縁部が上記絶縁体部と接触していることを特徴とする請求項１に記載の金属膜形成方法。
【請求項３】
上記搬送台に、この搬送台に保持された状態の上記基材の周囲を覆う遮蔽部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の金属膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂成形体やセラミック成形体等の基材の表面に金属膜を形成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
立体配線基板（ＭＩＤ：Ｍｏｌｄｅｄ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）は、小型・軽量化が要求される電子・オプトエレクトロニクスデバイスなどに適用されている。このような立体配線基板や、あるいはセンサー部品、光反射板などは、樹脂組成物やセラミック組成物等を射出成形等して樹脂成形体やセラミック成形体等からなる基材１を作製し、この基材１の表面に配線や反射膜となる金属膜７を形成することによって製造されている。
【０００３】
このような金属膜７の形成の手法としては、従来からスパッタリングなどのＰＶＤ法（物理的気相蒸着法）が適用されている（特許文献１参照）。
【０００４】
図３は金属膜７の形成工程を一例を概略的に示すものであり、基材１に対して予備加熱を施す仕込み室２０と、この基材１に窒素プラズマ処理などのプラズマ処理を施すプラズマ処理室２１と、プラズマ処理された基材１にスパッタリング等の物理的気相蒸着法にて金属膜７を成膜する成膜室２２と、金属膜７が形成された基材１を取り出すための取出し室２３とから構成されている。図示の例では成膜室２２として前段にターゲット６としてクロムターゲット６ａを用いる第一の成膜室２２ａが設けられ、後段にターゲット６として銅ターゲット６ｂを用いる第二の成膜室２２ｂが設けられている。基材１は各処理室を搬送され、順次処理が施される。
【０００５】
上記のような金属膜７の形成工程においては、複数の処理工程間で基材１を搬送するための便宜のために基材１を導電体製の搬送台２に保持させた状態で各処理を施すことが行われている。
【０００６】
すなわち、基材１にプラズマ処理を施す工程では、例えば図４（ａ）に示すように基材１を搬送台２に保持されたままプラズマ処理室２１に導入し、搬送台２を保持電極３上に配置して保持電極３と導通させ、プラズマ処理室２１内に窒素ガス等を導入した状態で前記保持電極３に高周波電源２５にて高周波電圧を印加してプラズマ処理を施す。このとき、保持電極３と、これと対向する対向電極４の間でＲＦ放電を起こして気体放電現象により窒素プラズマなどのプラズマＰ１が生成し、プラズマＰ１中の窒素イオン２７などのイオンが基材１の表面に作用してクリーニングを行なうと共に、窒素極性基などの極性基が基材１の表面の分子に付与される。
【０００７】
また、プラズマ処理後の基材１に成膜処理を施す工程では、例えば図４（ｂ）に示すように基材１を搬送台２に保持されたまま成膜室２２に導入し、搬送台２を保持電極５上に配置して保持電極５と導通させ、成膜室２２内にアルゴンガス等を導入した状態で前記保持電極５に対向するターゲット６にＤＣ電源２６からＤＣ電圧を印加してスパッタリングを行う。このとき、保持電極５とターゲット６の間でＤＣ放電が発生し、気体放電現象によりアルゴンプラズマなどのプラズマＰ２が生成して、プラズマＰ２中のアルゴンイオン２８などのイオンがターゲット６の表面に作用し、ターゲット６を構成する金属原子が弾き飛ばされて基材１の表面に堆積して金属膜７が形成される。
【特許文献１】特開２００３−０７３８０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記のようにして基材１に金属膜７を形成すると、上記成膜処理において基材１の表面だけでなく搬送台２の表面にも金属原子が堆積する場合がある。このため同一の搬送台２を繰り返し使用して基材１に対する金属膜７の形成を行うと、搬送台２の表面に金属層１１が形成される場合がある。
【０００９】
このような金属層１１が形成された状態の搬送台２を用いて基材１への金属膜７の形成を行うと、プラズマ処理中にプラズマＰ１中の窒素イオン２７等のイオンが金属層１１に到達した際、図４（ａ）に示すように金属層１１から金属原子が弾き飛ばされて基材１の表面に堆積してしまうおそれがある。このようにプラズマ処理中に基材１の表面に金属原子が堆積すると、プラズマ処理が終了していない状態、すなわち基材１と金属との間の密着性が低い状態で基材１に金属原子が堆積することとなるため、成膜工程で基材１に金属膜７を形成しても基材１と金属膜７との間に十分な密着性を付与することができなくなるおそれがあり、また、基材１に金属膜７を形成するにあたり、密着性向上のために中間膜としてクロム膜やチタン膜を形成した後に銅膜等の表層膜を形成する場合などには、中間膜の形成の前にプラズマ処理中に金属層１１から銅原子が放出されて基材１に堆積されると中間膜による密着性向上の効果が十分に得られなくなるおそれがある。また、基材１に金属膜７としてクロム−銅合金等の合金膜を形成する場合などには、プラズマ処理中における搬送台２上の金属層１１の意図しないスパッタリングにより金属層１１を構成する合金中における銅等のような基材１との密着性の悪い金属のみが基材１に堆積するおそれもあり、この場合も基材１と合金膜からなる金属膜７との密着性を十分に得ることができなくなるおそれがある。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、基材を搬送台に配置した状態でプラズマ処理と物理的気相蒸着法により金属膜を成膜する成膜処理を経ることにより基材の表面に金属膜を形成するにあたり、同一の搬送台を繰り返し用いてもプラズマ処理中に搬送台の表面に堆積した金属膜からスパッタリングにより放出される金属原子が基材表面に付着することを抑制することができる金属膜の形成方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る金属膜形成方法は、基材１を保持した搬送台２をプラズマ処理用の保持電極３上に配置して、前記保持電極３と対向電極４との間に電圧を印加することにより基材表面にプラズマ処理を施す工程と、前記搬送台２に基材１を保持した状態でこの基材１に対して物理的気相蒸着法により金属膜７を形成する工程とを含み、前記搬送台２が、一面が前記プラズマ処理工程において保持電極３と接すると共に他面が前記基材１と接する導電性の導電体部８と、前記導電体部８の周囲を取り囲む電気絶縁性の絶縁体部９にて構成されているものであることを特徴とする。このようにすると、同一の搬送台２を用いて繰り返し処理を行う場合、以前の成膜処理により搬送台２の表面に金属層１１が形成されている状態で基材１のプラズマ処理を行っても、プラズマＰ１中の窒素イオン２７等のイオンは保持電極３に導通する導電体部８に向けて引き寄せられることとなり、すなわち前記イオンは主として基材１へ向けて引き寄せられることとなって、搬送台２の表面の金属層１１へ前記イオンが到達する確率が低くなり、このため搬送台２の表面の金属層１１における金属のスパッタが生じることが抑制されて、金属層１１から放出された金属原子がプラズマ処理中に基材１の表面に堆積することが抑制される。
【００１２】
上記金属膜形成方法においては、上記搬送台２に保持された状態の上記基材１の搬送台２との接触面が上記導電体部８の他面の全面と接触していると共に前記接触面の周縁部が上記絶縁体部９と接触するようにしても良い。このようにすると、搬送台２に基材１が保持された状態で導電体部８の他面の露出面が基材１によって完全に遮蔽された状態となり、プラズマ処理時に搬送台２の表面に金属層１１が形成されていても、この金属層１１と導電体部８とは絶縁された状態となって、金属層１１は保持電極３と電気的に絶縁され、プラズマ処理中にプラズマＰ中のイオンが金属層１１に引き寄せられることを十分に抑制することができ、プラズマ処理中における基材１表面への金属原子の付着を十分に抑制することができる。
【００１３】
また、上記搬送台２に、この搬送台２に保持された状態の上記基材１の周囲を覆う遮蔽部１０が設けられるようにしても良い。このようにすると、基材１に対して成膜処理を施す場合に搬送台２の表面に金属層１１が形成されるとしても、絶縁体部９の導電体部８側の縁部は遮蔽部１０にて覆われているためにこの部分に金属層１１が形成されることが防止され、搬送台２に形成される金属層１１は導電体部８と電気的に絶縁された状態となり、このため、金属層１１が形成された状態で基材１にプラズマ処理を施しても、金属層１１は保持電極３と電気的に絶縁され、プラズマ処理中にプラズマＰ中のイオンが金属層１１に引き寄せられることを十分に抑制することができ、プラズマ処理中における基材１表面への金属原子の付着を十分に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、同一の搬送台を繰り返し使用して基材に対して金属膜の形成を行っても、プラズマ処理中において基材の表面に搬送台上の金属原子が付着することを抑制することができ、同一の搬送台を用いて繰り返し基材に対する金属膜の形成を行っても、基材と金属膜との間の密着性を十分に高く維持することができるものである。
【００１５】
特に金属膜として密着性向上等のためにクロム膜やチタン膜、或いはこれらと銅との合金膜等からなる中間膜を形成した後に銅膜等の表層膜を形成する場合などには、中間膜の形成の前にプラズマ処理中に搬送台上の金属膜から表層膜を構成する銅原子等の金属原子が放出されて基材に堆積して中間膜による密着性向上の効果が低下することを防止することができ、また基材に金属膜としてクロム−銅合金等の合金膜のみを形成する場合にも、プラズマ処理中における搬送台上の金属膜の意図しないスパッタリングにより金属膜を構成する合金中における銅等のような基材との密着性の悪い金属のみが基材に堆積することを防止することができ、この場合も基材と合金膜からなる金属膜との密着性を十分に得ることができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００１７】
基材１としては、図２（ａ）に示すようなポリアミド系樹脂等の熱可塑性樹脂を成形した立体配線基板（ＭＩＤ：Ｍｏｌｄｅｄ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）を挙げることができるが、これに限定されるものではなく、セラミック基材やその他適宜の材質のものを採用することができる。また、金属膜７は配線加工や光反射板の形成等のために形成することができるが、これに限らず適宜の目的のために金属膜７を形成するにあたり、本発明を適用することができる。
【００１８】
図３に示す基材１に対する金属膜７の形成工程は、基材１に対して予備加熱を施す仕込み室２０と、この基材１に窒素プラズマ処理などの高周波プラズマ処理を施すプラズマ処理室２１と、プラズマ処理された基材１に物理的気相蒸着法にて金属膜７を成膜する成膜室２２と、金属膜７が形成された基材１を取り出すための取出し室２３とから構成されている。図示の例では成膜室２２としてスパッタリングにより金属膜７の形成を行うものが設けられており、前段にはターゲット６としてクロム等からなる第一のターゲット６ａを用いる第一の成膜室２２ａが、後段にターゲット６として銅等からなる第二のターゲット６ｂを用いる第二の成膜室２２ｂがそれぞれ設けられている。基材１は各処理室を搬送台２に保持された状態で搬送され、下記に示すように順次処理が施されることにより金属膜７が形成される。
【００１９】
基材１は、まず搬送台２に保持された状態で仕込み室２０に導入され、ハロゲンランプ２４等にて適宜の条件、例えば１５０℃で１８０秒間予備加熱される。
【００２０】
次に基材１は搬送台２に保持されたままプラズマ処理室２１に導入される。プラズマ処理室２１は高周波プラズマ処理装置などで構成され、チャンバー２９内に保持電極３及び対向電極４を対向させて配設し、保持電極３を高周波電源２５に接続すると共に対向電極４をチャンバー２９に接続するなどして接地してあり、チャンバー２９内にはプラズマ生成用の雰囲気ガスを導入できるようにしてある。そして、保持電極３上に搬送台２を配置させた状態で保持してチャンバー２９内にセットし、チャンバー２９内に窒素ガスやアルゴンガス等の雰囲気ガスを導入すると共に減圧状態（例えば１０Ｐａ）にして、保持電極３に適宜の高周波電圧（例えばＲＦ７００Ｗで１８０秒間）を印加して保持電極３側に負のバイアスをかけることによって、保持電極３と対向電極４の間でＲＦ放電を起こして気体放電現象により窒素プラズマなどのプラズマＰ１を生成させる。このようにプラズマＰ１を生成させると、プラズマＰ１中の窒素イオン２７などのイオンが基材１の表面に作用し、基材１の表面の汚染物を除去するクリーニングを行なうと共に、窒素極性基などの極性基を基材１の表面の分子に付与する処理がなされる。
【００２１】
このように基材１にプラズマ処理を施した後、基材１は搬送台２に保持されたまま成膜室２２に導入される。
【００２２】
成膜室２２では、チャンバー３０内に保持電極５及びターゲット６を適宜の間隔（例えば６０〜７０ｍｍ）をあけて対向させて配設し、保持電極５をチャンバー３０に接続するなどして接地し、ＤＣ電源２６の負極側をターゲット６に接続すると共に正極側をチャンバー３０に接続するなどして接地してあり、チャンバー３０内にはスパッタ用の雰囲気ガスを導入できるようにしてある。図示の例では上記の成膜室２２として第一の成膜室２２ａと第二の成膜室２２ｂが設けられており、第一の成膜室２２ａにはチャンバー３０ａ内に保持電極５ａに対向してＤＣ電源２６ａに接続するクロム等からなる第一のターゲット６ａが設けられ、第二の成膜室２２ｂにはチャンバー３０ｂ内に保持電極５ｂに対向してＤＣ電源２６ｂに接続する銅等からなる第二のターゲット６ｂが設けられている。そして、保持電極５上に搬送台２を配置させた状態で保持してチャンバー３０内にセットし、チャンバー３０内にアルゴンガス等の雰囲気ガスを導入すると共に減圧状態（例えば１〜５×１０−３Ｐａ）にして、ターゲット６にＤＣ電圧（例えば３〜４ｋＷ）を印加することによって、保持電極５とターゲット６の間でＤＣ放電を発生させ、気体放電現象によりアルゴンプラズマなどのプラズマＰ２を生成させる。このようにプラズマＰ２を生成させると、プラズマＰ２中のアルゴンイオン２８などのイオンがターゲット６の表面に作用し、ターゲット６を構成する金属原子が弾き飛ばされて基材１の表面に堆積して金属膜７が形成される（図４（ｂ）参照）。このとき基材１に対して第一の成膜室２２ａと第二の成膜室２２ｂにて順次スパッタリング処理を施すことにより、金属膜７としてクロム膜からなる中間膜７ａ（例えば膜厚１０〜１００ｎｍ）が形成され（図２（ｂ）参照）、次いで銅膜からなる表層膜７ｂ（例えば膜厚３００ｎｍ）が形成される（図２（ｄ）参照）。成膜室２２の構成はこのようなものに限られず、例えばクロム−銅合金やチタン−銅合金からなるターゲット６を備える一つの成膜室２２のみ、或いはクロムやチタン等からなるターゲット６と銅からなるターゲット６とが併設された一つの成膜室２２のみにて、クロム−銅合金やチタン−銅合金等からなる単一層の金属膜７を形成したり、上記構成において第二のターゲット６ｂとしてクロムからなるものに代えてチタン製、クロム−銅合金製、チタン−銅合金製等のものを用いてチタン膜等と銅膜からなる金属層７を形成したり、三以上の成膜室２２を設けて三層以上の金属膜７を形成したりすることができ、所望の金属膜７の構成に応じて適宜の金属からなるターゲット６を備える適宜の個数の成膜室２２にて処理を行うことができる。
【００２３】
次に、基材１を保持した搬送台２は取り出し室２３から取り出され、次いで基材１を配線板として形成する場合には必要に応じて配線加工が施される。このとき例えば図２（ｄ）に示すように基材１上の金属膜７に配線形成部と非配線形成部との少なくとも境界領域に非配線形成部のパターンに対応して、レーザ等の電磁波を照射することによって、非照射部を残してレーザ等の電磁波を照射した部分の金属膜７を除去し、その後、図２（ｅ）に示すように非照射部の金属膜７の表面に電解めっきを施すなどして導体配線３１を形成し、更に必要に応じてエッチング処理を施すなどして非配線形成部に残存する金属膜７を除去するなどして、図２（ｆ）に示すような配線基板を製造することができる。
【００２４】
上記のようにして基材１に対して金属膜７を形成するにあたり、本発明では基材１を保持する搬送台２として、図１に示すように導電性を有する導電体部８と、絶縁体からなる絶縁体部９とから構成されているものを用いる。導電体部８は例えばステンレス鋼材（ＳＵＳ）等で形成することができ、絶縁体部９は例えば石英ガラス等で形成することができるが、導電体部８は他の導電体材料で代用することもでき、また絶縁体部９についても他の絶縁体材料で代用することができる。
【００２５】
上記導電体部８は、搬送台２が基材１を保持すると共に上記各保持電極３，５に配置された状態で、導電体部８の一面（下面）が保持電極３，５と接して電気的に接続されると共に、他面（上面）が基材１に接触するように形成される。また、絶縁体部９は導電体部８の周囲に形成される。すなわち、図示のように搬送台２は導電体部８の周囲を絶縁体部９が取り囲むようにして全体として平板状に形成されており、搬送台２の上下両面に導電体部８の表面が絶縁体部９の表面に取り囲まれた状態で露出するようになっている。そしてこの搬送台２の上面に基材１を配置して保持させる際には、基材１の下面が導電体部８の上面と接触し、またこの搬送台２を保持電極３，５の上面に配置すると、導電体部８の下面が保持電極３，５の上面と接触するようになっている。
【００２６】
このような搬送台２に基材１を保持させた状態で、上記のようにして基材１に金属膜７を形成するようにすると、同一の搬送台２を用いて繰り返し処理を行う場合、成膜室２２における成膜処理工程においては、ターゲット６から弾き出された金属原子は基材１の表面だけでなく搬送台２の表面にも堆積し、基材１の配置位置の周囲において搬送台２の表面に金属層１１が形成されることがある。しかし、上記のように搬送台２を導電体部８と絶縁体部９とで構成すると、金属層１１が形成されている状態でプラズマ処理室２１にて基材１のプラズマ処理を行っても、プラズマＰ１中の窒素イオン２７等のイオンは保持電極３に導通する導電体部８に向けて引き寄せられることとなり、すなわち前記イオンは主として基材１へ向けて引き寄せられることとなって、搬送台２の表面の金属層１１へ前記イオンが到達する確率が低くなる。このため金属層１１における金属のスパッタが生じることが抑制されて、金属層１１から放出された金属原子がプラズマ処理中に基材１の表面に堆積することが抑制される。
【００２７】
従って、プラズマ処理中においてプラズマ処理が終了していない状態の基材１の表面、すなわち金属との密着性が弱い状態の基材１の表面に金属原子が付着することを抑制し、成膜工程において金属膜７が形成される際に基材１と金属膜７との間の密着性が低下することを防止することができ、また、基材１に金属膜７を形成するにあたり、密着性向上のために中間膜７ａとしてクロム膜やチタン膜を形成した後に銅膜等の表層膜７ｂを形成する場合などには、中間膜７ａの形成の前にプラズマ処理中に金属層１１から銅原子が放出されて基材１に堆積されると中間膜７ａによる密着性向上の効果が十分に得られなくなるおそれがあるが、本発明ではこのような事態が発生することも抑制することができる。このため、同一の搬送台２を用いて繰り返し基材１に対する金属膜７の形成を行っても、基材１と金属膜７との間の密着性を十分に高く維持することができるものである。
【００２８】
このように搬送台２を導電体部８と絶縁体部９とで構成する場合には、図１（ａ）に示すように導電体部８の上面の露出面を、基材１の搬送台２との接触面と同一面積・同一形状に形成して導電体部８の上面の露出面全体と基材１の搬送台２との接触面全体とを接触させたり、図１（ｂ）に示すように導電体部８の上面の露出面を、基材１の搬送台２との接触面よりも大きく形成して導電体部８の上面の露出面と基材１の搬送台２との接触面全体とを接触させたり、図１（ｃ）に示すように導電体部８の上面の露出面を、基材１の搬送台２との接触面よりも小さく形成して導電体部８の上面の露出面全体と基材１の搬送台２との接触面とを接触させると共に前記基材１の接触面の周縁部が上記絶縁体部９の上面と接触するようにしたりすることができる。
【００２９】
このうち、図１（ｂ）に示す場合では、プラズマ処理時に搬送台２の表面に金属層１１が形成される場合は、搬送台２に基材１が保持された状態で導電体部８の上面の露出面の周縁部が外部に露出した状態となっているため、図示のように導電体部８と金属層１１とが導通するおそれがある。この場合、保持電極３と金属層１１とが導通することとなって、プラズマ処理中にプラズマＰ１中の窒素イオン２７等のイオンが金属層１１にも引き寄せられるおそれがある。
【００３０】
これに対して、図１（ａ）及び図１（ｃ）に示す場合では、搬送台２に基材１が保持された状態で導電体部８の上面の露出面が基材１によって完全に遮蔽された状態となり、特に図１（ｃ）に示すように搬送台２に保持された状態の基材１の搬送台２との接触面が導電体部８の上面側の露出面の全面と接触していると共にこの接触面の周縁部が絶縁体部９と接触するようになっていると導電体部８の上面の露出面が基材１によって確実に遮蔽されることとなるため、プラズマ処理時に搬送台２の表面に金属層１１が形成されていても、この金属層１１と導電体部８とは絶縁された状態となる。このため、金属層１１が形成された状態で基材１にプラズマ処理を施しても、金属層１１は保持電極３と電気的に絶縁され、プラズマ処理中にプラズマＰ１中の窒素イオン２７等のイオンが金属層１１に引き寄せられることを十分に抑制することができ、プラズマ処理中における基材１表面への金属原子の付着を更に確実に抑制することができるものである。
【００３１】
また、搬送台２には、図１（ｄ）に示すような絶縁体部９の導電体部８側の縁部を覆う遮蔽部１０を形成しても良い。遮蔽部１０は絶縁体部９と同様に絶縁体にて形成され、例えば絶縁体部９の一部として一体に形成されるものであり、搬送台２に基材１を保持した状態で、基材１の周囲を取り囲むように形成される。図示の例では遮蔽部１０は、搬送台２の、基材１が保持される上面側における基材１の配置位置の周囲において、絶縁体部１０から上方に突出するように延出されており、更にその先端が基材１側に向けて断面Ｌ字状に延出されるようになっている。これにより、搬送台２の上面の基材１の配置位置の周囲において、遮蔽部１０によって絶縁体部９の導電体部８側の縁部を覆うようになっている。このとき好ましくは搬送台２に保持された基材１と遮蔽部１０の基材１側端部との間の隙間に絶縁体部９の表面が露出しないようにするものであり、図示の例では導電体部８の上面の露出面を基材１の搬送台２との接触面よりも大きく形成して導電体部８の上面の露出面と基材１の搬送台２との接触面全体とを接触させた場合において、前記隙間に導電体部８の上面の露出面における外部に露出する周縁部（基材１と接触していない部分）のみが配置されるようになっている。
【００３２】
このような遮蔽部１０を有する搬送台２を用いると、基材１に対して成膜処理を施す場合に搬送台２の表面に金属層１１が形成されるとしても、絶縁体部９の導電体部８側の縁部は遮蔽部１０にて覆われているためにこの部分に金属層１１が形成されることが防止され、搬送台２に形成される金属層１１は導電体部８と電気的に絶縁された状態となる。このため、金属層１１が形成された状態で基材１にプラズマ処理を施しても、金属層１１は保持電極３と電気的に絶縁され、プラズマ処理中にプラズマＰ１中の窒素イオン２７等のイオンが金属層１１に引き寄せられることを十分に抑制することができ、プラズマ処理中における基材１表面への金属原子の付着を十分に抑制することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ基材に対してプラズマ処理を施す工程の例を示す概略図である。
【図２】本発明の実施の形態の一例を示すものであり（ａ）乃至（ｆ）は基材を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態の全体構成の一例を示す概略図である。
【図４】従来技術の一例を示すものであり、（ａ）は基材に対してプラズマ処理を施す工程を示す概略図、（ｂ）は基材に対して成膜処理を施す工程を示す概略図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  基材
２  搬送台
３  保持電極
４  対向電極
７  金属膜
８  導電体部
９  絶縁体部
１０  遮蔽部
【図１】
2006307309.tif 000003
【図２】
2006307309.tif 000004
【図３】
2006307309.tif 000005
【図４】
2006307309.tif 000006