(57)【要約】【課題】サブフィールドの階調値の大きさを考慮するプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供すること。【解決手段】本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、リセットパルスの大きさまたはスキャンパルスの幅をサブフィールド別に調整することを特徴とし、コントラストを向上させ、駆動マージンの低下を防止し、放電の安定化及び輝度を上げることができる。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するリセットパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記リセットパルスの大きさは、３個以上の互いに異なる電圧値を有し、
前記リセットパルス制御部は、前記リセットパルスの大きさを、前記サブフィールドの階調値が大きさが減少するほど大きくすることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記リセットパルス制御部は、
前記リセットパルスのうち、少なくとも１つは、その大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍より大きな電圧とすることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍より大きな電圧とするサブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍より大きな電圧とするサブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１／２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍より大きな電圧とするサブフィールドは、
１つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記リセットパルス制御部は、
前記リセットパルスのうち、少なくとも１つは、その大きさを、サステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とすることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とするサブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドから、サステインパルスの個数が減少する順序において４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とするサブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１／２以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とするサブフィールドは、
１つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記リセットパルス制御部は、
前記リセットパルスのうち、少なくとも１つは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるようにすることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記所定の大きさの正極性電圧は、
その大きさが、サステイン電圧Ｖｓであることを特徴とする、請求項１１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記リセットパルス制御部は、
前記フレームに含まれたサブフィールドは、階調値の大きさの順に不規則に配列されるようにすることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するリセットパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項１５】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整することを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
複数のスキャン電極と、
１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整する制御手段と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項１７】
前面パネルに形成された複数のスキャン電極と、該スキャン電極に駆動パルスを印加する駆動部とを含むプラズマディスプレイ装置において、
前記駆動部は、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整することを特徴とする、プラズマディスプレイ装置。
【請求項１８】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、階調値に応じて調整されることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１９】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記リセットパルス制御部は、
前記低階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍より大きな電圧とすることを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２１】
前記低階調サブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２２】
前記低階調サブフィールドは、、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１／２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２３】
前記低階調サブフィールドは、
１つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２４】
前記リセットパルス制御部は、
前記フレームに含まれたサブフィールドが、階調値の大きさの順に不規則に配列されるようにすることを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２５】
前記リセットパルス制御部は、
前記フレームに含まれたサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるようにすることを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２６】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項２７】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
【請求項２８】
複数のスキャン電極と、
１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくする制御手段と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２９】
前面パネルに形成された複数のスキャン電極と、該スキャン電極に駆動パルスを印加する駆動部とを含むプラズマディスプレイ装置において、
前記駆動部は、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置。
【請求項３０】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項３１】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項３２】
前記リセットパルス制御部は、
前記高階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とすることを特徴とする請求項３１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３３】
前記リセットパルス制御部は、
前記フレームに含まれたサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるようにすることを特徴とする、請求項３１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３４】
前記リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスが、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるサブフィールドは、
高階調サブフィールドであることを特徴とする、請求項３３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３５】
前記高階調サブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドから、サステインパルスの個数が減少する順序において４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項３１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３６】
前記高階調サブフィールドは、
前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１／２以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項３１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３７】
前記高階調サブフィールドは、
１つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項３１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３８】
前記リセットパルス制御部は、
前記フレームに含まれたサブフィールドは、階調値の大きさの順に不規則に配列されるようにすることを特徴とする、請求項３１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３９】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部と
を含むことを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項４０】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
【請求項４１】
複数のスキャン電極と、
１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくする制御手段と
を含むことを特徴とする、プラズマディスプレイ装置。
【請求項４２】
前面パネルに形成された複数のスキャン電極と、該スキャン電極に駆動パルスを印加する駆動部とを含むプラズマディスプレイ装置において、
前記駆動部は、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置。
【請求項４３】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項４４】
複数のスキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記複数のスキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、フレームの１つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて１つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにするスキャンパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項４５】
前記スキャンパルス制御部は、
前記複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群は、複数のスキャン電極を含み、該スキャン電極群に含まれた複数のスキャン電極のスキャン順序は、時間的に連続するようにすることを特徴とする、請求項４４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４６】
前記スキャンパルス制御部は、
前記複数のスキャン電極群は、第１スキャン電極群と該第１スキャン電極群よりスキャン順序が遅い第２スキャン電極群とを含み、前記第１スキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅が、前記第２電極群に印加されるスキャンパルスの幅より小さくなるようにすることを特徴とする、請求項４４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４７】
前記スキャンパルス制御部は、
前記スキャン電極群の個数は、２個以上であり、前記スキャン電極の総個数の以下であるようにすることを特徴とする、請求項４４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４８】
前記スキャンパルス制御部は、
前記各スキャン電極群は、全て同じ個数の前記スキャン電極を含むようにすることを特徴とする請求項４４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４９】
前記スキャンパルス制御部は、
前記各スキャン電極群の１つ以上は、他のスキャン電極群と異なる個数の前記スキャン電極を含むようにすることを特徴とする、請求項４４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５０】
前記スキャンパルス制御部は、
同じ前記スキャン電極群に含まれる全ての前記スキャン電極には、同じ幅のスキャンパルスを印加するようにすることを特徴とする、請求項４４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５１】
前記スキャンパルス制御部は、
前記複数のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスのうち、時間的に連しており、かつパルス幅が異なる２つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに同じくすることを特徴とする、請求項４４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５２】
前記スキャンパルス制御部は、
前記複数のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスのうち、時間的に連続しており、かつパルス幅が異なる２つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに異なるようにすることを特徴とする、請求項４４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５３】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、フレームの１つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて１つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにするスキャンパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項５４】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
フレームの１つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて１つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにすることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
【請求項５５】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
フレームの１つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて１つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにすることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項５６】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、フレームの１つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルＡＰＬに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するスキャンパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項５７】
前記スキャンパルス制御部は、
同じサブフィールド内で前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅は、全て同じくすることを特徴とする、請求項５６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５８】
前記スキャンパルス制御部は、
前記フレームの平均画像レベルＡＰＬが小さくなるほど、前記サブフィールドのうち、低階調サブフィールドのスキャンパルスの幅が増加するようにすることを特徴とする、請求項５６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５９】
前記スキャンパルス制御部は、
前記フレームの平均画像レベルＡＰＬが小さくなるほど、前記低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドのスキャンパルスの幅は、減少するようにすることを特徴とする、請求項５８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６０】
前記スキャンパルス制御部は、
前記低階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の低階調サブフィールドのスキャンパルスの幅は、全て同じであることを特徴とする、請求項５８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６１】
前記スキャンパルス制御部は、
前記低階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の低階調サブフィールドのうち、少なくとも１つ以上は、他の低階調サブフィールドとスキャンパルスの幅が互いに異なるようにすることを特徴とする、請求項５８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６２】
前記低階調サブフィールドは、
１フレーム内で最も多いサステインパルスを有するサブフィールドのサステインパルス個数の２０％以下のサステインパルスの個数を有するサブフィールドであることを特徴とする、請求項５８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６３】
前記スキャンパルス制御部は、
前記フレームの平均画像レベルＡＰＬが大きくなるほど、前記サブフィールドのうち、高階調サブフィールドのスキャンパルスの幅が増加するようにすることを特徴とする、請求項５６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６４】
前記高階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドのスキャンパルスの幅は、減少するようにすることを特徴とする、請求項６３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６５】
前記スキャンパルス制御部は、
前記高階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の高階調サブフィールドのスキャンパルスの幅は、全て同じくすることを特徴とする、請求項６３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６６】
前記スキャンパルス制御部は、
前記高階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の高階調サブフィールドのうち、少なくとも１つ以上は、他の高階調サブフィールドとスキャンパルスの幅が互いに異なるようにすることを特徴とする、請求項６３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６７】
前記高階調サブフィールドは、
１フレーム内で供給される総サステインパルス個数の２０％以上のサステインパルス個数を有するサブフィールドであることを特徴とする、請求項６３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６８】
前記スキャンパルス制御部は、
前記フレームのサブフィールドのうち、互いに異なるパルス幅のスキャンパルスを有する連続している２つのサブフィールドのスキャンパルスの幅の差を、同じくすることを特徴とする、請求項５６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６９】
前記スキャンパルス制御部は、
前記フレームのサブフィールドのうち、互いに異なるパルス幅のスキャンパルスを有する連続している２つのサブフィールドのスキャンパルスの幅の差を、互いに異なるようにすることを特徴とする、請求項５６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７０】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御して、フレームの１つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルＡＰＬに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するスキャンパルス制御部と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項７１】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
フレームの１つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルＡＰＬに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整することを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
【請求項７２】
スキャン電極を含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
フレームの１つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルＡＰＬに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が調整されることを特徴とする、プラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置及びその駆動方法に関し、さらに詳細には、サブフィールドの階調値の大きさを考慮するプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、プラズマディスプレイパネルは、前面パネルと後面パネルとの間に形成された隔壁が１つのセルをなし、各セル内には、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）またはネオン及びヘリウムの混合気体（Ｎｅ＋Ｈｅ）のような主放電気体と少量のキセノン（Ｘｅ）とを含有する不活性ガスが充填されている。高周波電圧により放電される時、不活性ガスは、真空紫外線（Vacuum Ultraviolet rays）を発生し、隔壁の間に形成された蛍光体を発光させることにより、画像が具現される。このようなプラズマディスプレイパネルは、薄くて軽い構成が可能なので、次世代表示装置として注目されつつある。
【０００３】
図１は、通常のプラズマディスプレイパネルの構造を示した図である。
【０００４】
図１に示されているように、プラズマディスプレイパネルは、画像がディスプレイされる表示面である前面ガラス１０１にスキャン電極１０２とサステイン電極１０３とが対をなして形成された複数の維持電極対が配列された前面パネル１００と、背面をなす後面ガラス１１１上に上述した複数の維持電極対と交差されるように、複数のアドレス電極１１３が配列された後面パネル１１０とが一定の間隙で平行に結合される。
【０００５】
前面パネル１００は、１つの放電セルで相互放電させ、セルの発光を維持するためのスキャン電極１０２とサステイン電極１０３、すなわち透明なＩＴＯ物質からなる透明電極ａと金属材質からなるバス電極ｂとから備えられたスキャン電極１０２とサステイン電極１０３とが対をなして含まれる。スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３は、放電電流を制限し、電極の対間を絶縁させる１つ以上の上部誘電体層１０４により覆われ、上部誘電体層１０４の上面には、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着した保護層１０５が形成される。
【０００６】
後面パネル１１０は、複数個の放電空間すなわち、放電セルを形成させるためのストライプタイプ（またはウェルタイプ）の隔壁１１２が平行を維持し配列される。また、アドレス放電を行なって真空紫外線を発生させる複数のアドレス電極１１３が、隔壁１１２に対し平行に配置される。後面パネル１１０の上側面には、アドレス放電の際に画像表示のための可視光線を放出するＲ，Ｇ，Ｂ蛍光体１１４が塗布される。アドレス電極１１３と蛍光体１１４との間には、アドレス電極１１３を保護するための下部誘電体層１１５が形成される。
【０００７】
図２は、通常のプラズマディスプレイパネルにおける電極の配列構造を説明するための図である。
【０００８】
図２に示されているように、通常のプラズマディスプレイパネル２００では、例えば、スキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）とサステイン電極（Ｚ１ないしＺｎ）とが平行に配列され、これに交差するように、アドレス電極（Ｘ１ないしＸｍ）が形成される。
【０００９】
このような配列構造を有するプラズマディスプレイパネル２００の各々の電極に所定の駆動信号が印加されて、画像を具現するようになる。
【００１０】
このような構造の通常のプラズマディスプレイパネルにおける画像階調を具現する方法は、次の図３の通りである。
【００１１】
図３は、従来のプラズマディスプレイパネルにおける画像の階調を具現する方法を示した図である。
【００１２】
図３に示されているように、従来のプラズマディスプレイパネルにおける画像の階調（Gray Level）の表現方法は、１フレームを発光回数の異なる複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドは、再び全てのセルを初期化するためのリセット期間ＲＰＤ、放電されるセルを選択するためのアドレス期間ＡＰＤ及び放電回数に応じて階調を具現するサステイン期間ＳＰＤに分割される。例えば、２５６階調で画像を表示しようとする場合、１／６０秒に該当するフレーム期間（１６．６７ｍｓ）は、図２のように、８個のサブフィールド（ＳＦ１ないしＳＦ８）に分割され、８個のサブフィールド（ＳＦ１ないしＳＦ８）のそれぞれは、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に再び分割される。
【００１３】
各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は、各サブフィールドごとに同一である。放電されるセルを選択するためのアドレス放電は、アドレス電極とスキャン電極である透明電極との間の電圧差により発生する。サステイン期間は、各サブフィールドで２n（但し、n＝０，１，２，３，４，５，６，７）の割合で増加される。このように、各サブフィールドでサステイン期間が異なるようになるので、各サブフィールドのサステイン期間、すなわちサステイン放電回数を調整して、画像の階調を表現するようになる。このようなプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形の詳細は、次の図４の通りである。
【００１４】
図４は、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形を示した図である。
【００１５】
図４に示されているように、従来のプラズマディスプレイパネルは、全てのセルを初期化させるためのリセット期間、放電するセルを選択するためのアドレス期間、選択されたセルの放電を維持させるためのサステイン期間及び放電されたセル内の壁電荷を消去するための消去期間に分けられて駆動される。
【００１６】
リセット期間において、セットアップ期間には、全てのスキャン電極に立ち上がりランプ波形Ｒａｍｐ-ｕｐが同時に印加される。この立ち上がりランプ波形により、全画面の放電セル内には、弱い暗放電（Dark Discharge）が起きる。このセットアップ放電により、アドレス電極とサステイン電極の上には、正極性壁電荷が蓄積され、スキャン電極上には、負極性の壁電荷が蓄積される。
【００１７】
セットダウン期間には、立ち上がりランプ波形が供給された後、立ち上がりランプ波形のピーク電圧より低い正極性電圧が立ち下がり始めて、グラウンドＧＮＤレベル電圧以下の特定電圧レベルまで立ち下がる立下りランプ波形Ｒａｍｐ‐ｄｏｗｎが、セル内に微弱な消去放電を起こすことによって、スキャン電極に過度に形成された壁電荷を十分に消去させる。このセットダウン放電により、アドレス放電が安定して起きることのできる程度の壁電荷が、セル内に均一に残留される。
【００１８】
アドレス期間には、負極性スキャンパルスＳｃａｎが、スキャン電極に順次印加されると同時に、スキャンパルスＳｃａｎに同期されて、アドレス電極に正極性のデータパルスｄａｔａが印加される。このスキャン波形Ｓｃａｎとアドレス波形ｄａｔａとの電位差とリセット期間に生成された壁電圧とが加算されながら、アドレスパルスｄａｔａが印加される放電セル内には、アドレス放電が発生する。アドレス放電により選択されたセル内には、サステイン電圧Ｖｓが印加される時、放電が起きることができるようにする程度の壁電荷が形成される。サステイン電極には、セットダウン期間とアドレス期間との間に、スキャン電極との電位差を低減して、スキャン電極との誤放電が起こらないように、正極性電圧Ｖｚが供給される。
【００１９】
サステイン期間には、スキャン電極とサステイン電極とに交互にサステイン波形Ｓｕｓが印加される。アドレス放電により選択されたセルは、セル内の壁電圧とサステインパルスとが加算されながら、毎サステインパルスが印加される時ごとに、スキャン電極とサステイン電極との間にサステイン放電すなわち、表示放電が起きる。
【００２０】
サステイン放電が完了した後、消去期間では、パルス幅と電圧レベルとが小さな消去ランプ波形Ｒａｍｐ−ｅｒｓの電圧がサステイン電極Ｚに供給されて、全画面の放電セル内に残留する壁電荷を消去させる。
【００２１】
このような従来の駆動波形は、全てのサブフィールドでリセットパルスの大きさが同じである。
【００２２】
このような従来の駆動波形において、リセットパルスの大きさを見ると、図５の通りである。
【００２３】
図５は、図４の従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形におけるリセットパルスをさらに詳細に説明するための図である。
【００２４】
図５に示されているように、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形におけるリセットパルスは、その大きさが全てのサブフィールドで同じである。
【００２５】
例えば、上述した図５のように、従来の駆動波形において、全てのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスは、所定の正極性電圧、例えばサステイン電圧Ｖｓから所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプがセットアップ電圧Ｖｓｅｔｕｐまで立ち上がった後、再び所定の正極性電圧まで立ち下がる。
【００２６】
このように、全てのサブフィールドで同じ大きさのリセットパルスを印加する従来の駆動方法は、リセット期間でプラズマディスプレイパネルの放電セルを充分に初期化させ得るため、駆動マージン（Margin）が相対的に高いという特徴がある。しかし、このような従来の駆動波形は、全てのサブフィールドのリセット期間において、相対的に高いセットアップ電圧Ｖｓｅｔｕｐにより、相対的に強い放電が発生する。
【００２７】
これにより、画像表示に寄与しない不必要な放電の大きさがさらに増加して、コントラスト（Contrast）特性を悪化させるという問題がある。
【００２８】
以上、説明した一例とは異なり、従来には、上述したように、１フレームの全てのサブフィールドのリセット期間でリセットパルスを印加せず、１フレーム内で選択された１つ以上のサブフィールドだけでリセットパルスを印加して、コントラスト特性を向上させようとした。例えば、１つのフレームに選択的書き込み（Selective writing）方式のサブフィールドと選択的消去（Selective erasing）方式のサブフィールド両方を含めて画像を具現した。
【００２９】
このように選択的書き込みサブフィールドと選択的消去サブフィールド両方を利用する駆動方法を説明すれば、次の図６の通りである。
【００３０】
図６は、１フレームに選択的書き込み及び選択的消去方式のサブフィールド両方を含める駆動方法を説明するための図である。図６に示されているように、１フレームは、少なくとも１つ以上のサブフィールドを含む選択的書き込みサブフィールドＷＳＦと、少なくとも１つ以上のサブフィールドを含む選択的消去サブフィールドＥＳＦとを含む。
【００３１】
選択的書き込みサブフィールドＷＳＦは、ｍ（但し、ｍは、０より大きな正の整数）個のサブフィールド（ＳＦ１ないしＳＦｍ）を含む。ｍ番目のサブフィールドＳＦｍを除外した第１ないし第ｍ−１サブフィールド（ＳＦ１ないしＳＦｍ−１）のそれぞれは、全画面のセルに一定の量の壁電荷を均一に形成するためのリセット期間、書き込み放電を利用してオンセル（on-cells）を選択する選択的書き込みアドレス期間（以下、「書き込みアドレス期間」と記す）、選択されたオンセルに対してサステイン放電を起こすサステイン期間及びサステイン放電後セル内の壁電荷を消去させるための消去期間に分けられる。
【００３２】
選択的書き込みサブフィールドＷＳＦの最後のサブフィールドである第ｍサブフィールドＳＦｍは、リセット期間、書き込みアドレス期間及びサステイン期間に分けられる。選択的書き込みサブフィールドＷＳＦのリセット期間、書き込みアドレス期間及び消去期間は、各サブフィールド（ＳＦ１ないしＳＦｍ）ごとに同じであるに対して、サステイン期間は、予め設定された輝度加重値に基づいて同一又は異なるように設定されることができる。
【００３３】
選択的消去サブフィールドＥＳＦは、ｎ−ｍ（但し、ｎは、ｍより大きい正の整数）個のサブフィールド（ＳＦｍ＋１ないしＳＦｎ）を含む。第ｍ＋１ないし第ｎサブフィールド（ＳＦｍ＋１ないしＳＦｎ）のそれぞれは、消去放電を利用してオフセル（off-cell）を選択するための選択的消去アドレス期間（以下、「消去アドレス期間」と記す）及びオンセルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン期間に分けられる。選択的消去サブフィールドＥＳＦのサブフィールド（ＳＦｍ＋１ないしＳＦｎ）において、消去アドレス期間は、同一に設定され、サステイン期間は、輝度相対比に応じて、同一に設定されるか、異なるように設定され得る。
【００３４】
このような図６に示された駆動方法では、ｍ個のサブフィールドを選択的書き込み方式で駆動し、ｎ−ｍ個のサブフィールドを選択的消去方式で駆動することで、アドレス期間を短く設定できる。すなわち、１フレームが、短いスキャンパルス（Scan pulse）を有する選択的消去サブフィールドを含むことによって、充分なサステイン期間を確保することができる。
【００３５】
このような図６のように、選択的書き込みサブフィールドと選択的消去サブフィールド両方を含む駆動方法における各サブフィールドでのリセットパルスをさらに詳細に説明すれば、次の図７の通りである。
【００３６】
図７は、図６の駆動方法におけるリセット期間にスキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを説明するための図である。
【００３７】
図７に示されているように、図６と同様に、選択的書き込みサブフィールドと選択的消去サブフィールド両方が含まれた駆動方法では、選択的書き込みサブフィールドだけでリセット期間を設けて、リセットパルスを印加する。
【００３８】
例えば、第１サブフィールドが選択的書き込みサブフィールドであり、残りのサブフィールド、すなわち第２サブフィールドから第ｎサブフィールドまでのサブフィールドは、選択的消去サブフィールドであると仮定すれば、選択的書き込みサブフィールドである第１サブフィールドだけでリセットパルスを印加し、残りの他のサブフィールドでは、リセットパルスを印加しない。これにより、画像表示に寄与しない不必要な放電の大きさが減少して、コントラスト（Contrast）特性を改善する。
【００３９】
しかし、このような駆動方法は、全てのサブフィールドのリセット期間でリセットパルスを印加する従来の駆動方法に比べて、プラズマディスプレイパネルの放電セルを十分に初期化させるのが困難であって、駆動マージンが減少するという問題がある。
【００４０】
一方、このような図４の駆動波形において、アドレス期間にスキャン電極に印加されるスキャンパルスに対してさらに詳細に説明すれば、次の図８の通りである。
【００４１】
図８は、従来の駆動波形において、アドレス期間にスキャン電極に印加されるスキャンパルスをさらに詳細に説明するための図である。
【００４２】
図８に示されているように、従来の駆動波形は、スキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）の配列順序に応じて、それぞれのスキャン電極にスキャンパルスが順次印加される。例えば、図８のように、プラズマディスプレイパネル上で配列順序が最も早いＹ１スキャン電極に最も早くスキャンパルスが印加され、その次の順序であるＹ２スキャン電極にＹ１のスキャンパルスに続いてスキャンパルスが印加される。
【００４３】
ここで、上述した各スキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）に印加されるスキャンパルスの幅は、全て同一に設定されるが、このような従来のスキャンパルスの幅を説明すれば、次の図９の通りである。
【００４４】
図９は、従来の駆動波形において、アドレス期間に各スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を説明するための図である。
【００４５】
図９に示されているように、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形では、それぞれのスキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）に印加されるスキャンパルスの幅が、全て同一に設定される。例えば、図９のように、Ｙ１スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅をＷであると仮定すれば、Ｙ２スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅もＷであり、これと同様に、Ｙｎスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅もＷである。
【００４６】
このように、上述した図２と同様に、プラズマディスプレイパネル上でスキャン順序の早いＹ１スキャン電極とスキャン順序の遅いＹｎスキャン電極とに印加されるスキャンパルスの幅が、全て同一になれば、相対的にスキャン順序の遅いＹｎスキャン電極でアドレス放電が不安定になるという問題がある。このように、Ｙｎスキャン電極でアドレス放電が不安定になる理由を説明すれば、以下の通りである。
【００４７】
上述した図２のような電極配列構造において、Ｙ１スキャン電極は、スキャン順序が相対的に早いため、リセット期間で発生するリセット放電の後に、相対的に早い時間内にＹ１スキャン電極によるアドレス放電が発生する。これに対して、Ｙｎスキャン電極は、スキャン順序が相対的に遅いため、リセット期間で発生するリセット放電の後に、相対的に長い時間が過ぎた後に、Ｙｎスキャン電極によるアドレス放電が発生する。
【００４８】
一方、リセット放電直後には、放電セル内にリセット放電により生成されたプライミング電荷（Priming Particle）が複数存在する。しかし、このようなプライミング電荷の個数は、時間が過ぎるほど放電セル内で減少する。これにより、上述したように、相対的にスキャン順序が遅くて、リセット放電の後に相対的に長い時間が経過した後にアドレス放電が発生するＹｎ電極の場合、放電セル内に存在するプライミング電荷の個数の不足により、アドレス放電が弱くなるか、アドレス放電が発生しなくなる。結局、相対的にスキャン順序が遅いＹｎスキャン電極でアドレス放電が不安定になることである。
【００４９】
このような問題を解決するため、従来には、全体スキャンパルスの幅を増加させて、上述したＹｎスキャン電極のようにスキャン順序が遅い場合、アドレス放電を安定させていた。
【００５０】
しかし、このように無条件にスキャンパルスの幅を増加させる方法は、アドレス期間の長さを増加させる結果を招く。これにより、アドレス期間に続くサステイン期間の長さが減少し、結局は、サステインパルスの個数が減少して、プラズマディスプレイパネルの駆動の際に具現される輝度が減少するという問題がある。
【００５１】
また、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形では、全てのサブフィールドでスキャンパルスの幅が同一であるが、このような駆動波形を詳細に説明すれば、次の図１０の通りである。
【００５２】
図１０は、従来の駆動波形におけるフレームの各サブフィールドにおいて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を説明するための図である。
【００５３】
図１０に示されているように、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形では、１フレームが８個のサブフィールドからなると仮定する時、各々の全てのサブフィールドすなわち、第１サブフィールドから第８サブフィールドまでの全てのサブフィールドにおいて、スキャンパルスの幅がＷで同一である。
【００５４】
一方、図１０のように、１つのフレームが複数個のサブフィールドに分けられる場合、各々のサブフィールドは、加重値が互いに異なるため、具現する階調値が互いに異なるようになる。例えば、１つのフレームは、加重値が高くて相対的に高い階調を具現するサブフィールドと、加重値が低くて相対的に低い階調を具現するサブフィールドとに分けられる。
【００５５】
ここで、上述した高い階調を具現するサブフィールド、例えば、図１０の第８サブフィールドは、相対的に加重値が大きいため、プラズマディスプレイパネルの画面が明るい場合、より頻繁に選択され、これに対して、第１サブフィールドは、相対的に加重値が小さいため、プラズマディスプレイパネルの画面が暗い場合、より頻繁に選択される。すなわち、画面が明るい場合、相対的に加重値の高い第８サブフィールドは、頻繁に選択されるが、第１サブフィールドは、選択されない可能性が高い。
【００５６】
これにより、画面が明るい時は、相対的に加重値の低い第１サブフィールドでのスキャンパルスの幅が相対的に小さくても、プラズマディスプレイパネルの全体放電が安定した状態を維持できる。しかし、従来には、このように画面の明るさの差により選択される頻度が互いに異なるサブフィールドを含むフレームにおいて、全てのサブフィールドに同一のスキャンパルスの幅を採用することによって、不要にアドレス期間の長さが増加して、以後のサステイン期間の長さを減少させることによって、サステインパルス個数の減少を招き、これに伴いプラズマディスプレイパネルの輝度を減少させるという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００５７】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、サブフィールドの階調値の大きさを考慮して、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを調整することによって、駆動マージンの低下を低減させ、コントラスト特性を向上させることのできるプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供することにある。
【００５８】
本発明のさらなる目的は、スキャン順序に応じて、各スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整することによって、アドレス放電を安定させるプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供することにある。
【００５９】
本発明のさらなる目的は、本発明の平均画像レベルＡＰＬに応じて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整することによって、アドレス期間の長さを減少させても、安定したアドレス放電が発生されるようにするプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００６０】
そこで、上記目的を達成するため、本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するリセットパルス制御部とを含む。
【００６１】
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
【００６２】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整することを特徴とする。
【００６３】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極と、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整する制御手段とを含む。
【００６４】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、前記駆動部は、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整することを特徴とする。
【００６５】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、階調値に応じて調整されることを特徴とする。
【００６６】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドではリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部とを含む。
【００６７】
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
【００６８】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする。
【００６９】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極と、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくする制御手段とを含む。
【００７０】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動部は、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする。
【００７１】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさが、他のサブフィールドよりさらに大きいことを特徴とする。
【００７２】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部とを含む。
【００７３】
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
【００７４】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする。
【００７５】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極と、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくする制御手段とを含む。
【００７６】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動部は、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする。
【００７７】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、他のサブフィールドよりさらに小さいことを特徴とする。
【００７８】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極及びサステイン電極と、前記複数のスキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの１つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて１つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにするスキャンパルス制御部とを含む。
【００７９】
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの１つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて１つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにするスキャンパルス制御部とを含むことを特徴とする。
【００８０】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、フレームの１つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて１つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにすることを特徴とする。
【００８１】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームの１つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて１つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なることを特徴とする。
【００８２】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの１つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルＡＰＬに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するスキャンパルス制御部とを含む。
【００８３】
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの１つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルＡＰＬに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するスキャンパルス制御部とを含むことを特徴とする。
【００８４】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、フレームの１つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルＡＰＬに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整することを特徴とする。
【００８５】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームの１つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルＡＰＬに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が調整されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００８６】
本発明は、１つのフレーム内で低階調を具現する低階調サブフィールドでは、リセットパルスの大きさを相対的に大きくし、高階調を具現する高階調サブフィールドでは、リセットパルスの大きさを相対的に小さくすることで、コントラスト特性を向上させながらも駆動マージン（Margin）の低下を防止する効果を奏する。
【００８７】
本発明は、１つのサブフィールド内で、スキャン順序に応じて１つ以上のスキャン電極を含む複数のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅を調整し、また、平均画像レベルＡＰＬに応じて、平均画像レベルが高い場合、高階調サブフィールドでのスキャンパルス幅を増加させ、平均画像レベルが低い場合、低階調サブフィールドでのスキャンパルスの幅を増加させることで、プラズマディスプレイパネルの全体放電を安定させながらも、アドレス期間の長さの減少させて、サステイン期間に印加されるサステインパルスの個数を増加させることによって、プラズマディスプレイパネルの駆動の際、具現される輝度を上げることができる効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８８】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するリセットパルス制御部とを含む。
【００８９】
前記リセットパルスの大きさは、３個以上の互いに異なる電圧値を有し、前記リセットパルス制御部は、前記リセットパルスの大きさを、前記サブフィールドの階調値が大きさが減少するほど大きくすることを特徴とする。
【００９０】
前記リセットパルス制御部は、前記リセットパルスのうち、少なくとも１つは、その大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とすることを特徴とする。ここで、「２倍超過」とは、「２倍よりも大きい」ことを意味する。以下の説明において同様である。
【００９１】
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とするサブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする。
【００９２】
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とするサブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１／２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【００９３】
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とするサブフィールドは、１つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【００９４】
前記リセットパルス制御部は、前記リセットパルスのうち、少なくとも１つは、その大きさを、サステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とすることを特徴とする。
【００９５】
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とするサブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドから、サステインパルスの個数が減少する順序において４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする。
【００９６】
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とするサブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１／２以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【００９７】
前記リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とするサブフィールドは、１つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【００９８】
前記リセットパルス制御部は、前記リセットパルスのうち、少なくとも１つは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるようにすることを特徴とする。
【００９９】
前記所定の大きさの正極性電圧は、その大きさがサステイン電圧Ｖｓであることを特徴とする。
【０１００】
前記リセットパルス制御部は、前記フレームに含まれたサブフィールドは、階調値の大きさの順に不規則に配列されるようにすることを特徴とする。
【０１０１】
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
【０１０２】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整することを特徴とする。
【０１０３】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極と、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整する制御手段とを含む。
【０１０４】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動部は、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整することを特徴とする。
【０１０５】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、階調値に応じて調整されることを特徴とする。
【０１０６】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドではリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部とを含む。
【０１０７】
前記リセットパルス制御部は、前記低階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とすることを特徴とする。
【０１０８】
前記低階調サブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする。
【０１０９】
前記低階調サブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１／２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【０１１０】
前記低階調サブフィールドは、１つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【０１１１】
前記リセットパルス制御部は、前記フレームに含まれたサブフィールドは、階調値の大きさの順に不規則に配列されるようにすることを特徴とする。
【０１１２】
前記リセットパルス制御部は、前記フレームに含まれたサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるようにすることを特徴とする。
【０１１３】
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
【０１１４】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする。
【０１１５】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極と、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくする制御手段とを含む。
【０１１６】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動部は、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする。
【０１１７】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドではリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさが違ったサブフィールドよりさらに大きいことを特徴とする。
【０１１８】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部とを含む。
【０１１９】
前記リセットパルス制御部は、前記高階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とすることを特徴とする。
【０１２０】
前記リセットパルス制御部は、前記フレームに含まれたサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるようにすることを特徴とする。
【０１２１】
前記リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスが、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がるサブフィールドは、高階調サブフィールドであることを特徴とする。
【０１２２】
前記高階調サブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドから、サステインパルスの個数が減少する順序において４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする。
【０１２３】
前記高階調サブフィールドは、前記フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１／２以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【０１２４】
前記高階調サブフィールドは、１つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【０１２５】
前記リセットパルス制御部は、前記フレームに含まれたサブフィールドは、階調値の大きさの順に不規則に配列されるようにすることを特徴とする。
【０１２６】
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
【０１２７】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする。
【０１２８】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極と、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくする制御手段とを含む。
【０１２９】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動部は、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする。
【０１３０】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、他のサブフィールドよりさらに小さいことを特徴とする。
【０１３１】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数のスキャン電極及びサステイン電極と、前記複数のスキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの１つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて１つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにするスキャンパルス制御部とを含む。
【０１３２】
前記スキャンパルス制御部は、前記複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群は、複数のスキャン電極を含み、前記スキャン電極群に含まれた複数のスキャン電極のスキャン順序は、時間的に連続するようにすることを特徴とする。
【０１３３】
前記スキャンパルス制御部は、前記複数のスキャン電極群は、第１スキャン電極群と該第１スキャン電極群よりスキャン順序が遅い第２スキャン電極群を含み、前記第１スキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅を、前記第２電極群に印加されるスキャンパルスの幅より小さくすることを特徴とする。
【０１３４】
前記スキャンパルス制御部は、前記スキャン電極群の個数は、２個以上であり、前記スキャン電極の総個数以下であるようにすることを特徴とする。
【０１３５】
前記スキャンパルス制御部は、前記各スキャン電極群は、全て同じ個数の前記スキャン電極を含むようにすることを特徴とする。
【０１３６】
前記スキャンパルス制御部は、前記各スキャン電極群の１つ以上は他のスキャン電極群と異なる個数の前記スキャン電極を含むようにすることを特徴とする。
【０１３７】
前記スキャンパルス制御部は、同じ前記スキャン電極群に含まれた全ての前記スキャン電極には、同じ幅のスキャンパルスを印加するようにすることを特徴とする。
【０１３８】
前記スキャンパルス制御部は、前記複数のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスのうち、時間的に連続しており、かつパルス幅が異なる２つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに同一であるようにすることを特徴とする。
【０１３９】
前記スキャンパルス制御部は、前記複数のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスのうち、時間的に連続しており、かつパルス幅が異なる２つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに異なるようにすることを特徴とする。
【０１４０】
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの１つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて１つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにするスキャンパルス制御部とを含む。
【０１４１】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、フレームの１つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて１つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにすることを特徴とする。
【０１４２】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームの１つ以上のサブフィールドで、スキャン順序に応じて１つ以上の前記スキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なることを特徴とする。
【０１４３】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイパネルと、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの１つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルＡＰＬに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するスキャンパルス制御部とを含む。
【０１４４】
前記スキャンパルス制御部は、同じサブフィールド内で前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅は、全て同一にすることを特徴とする。
【０１４５】
前記スキャンパルス制御部は、前記フレームの平均画像レベルＡＰＬが小さくなるほど、前記サブフィールドのうち、低階調サブフィールドのスキャンパルスの幅が増加するようにすることを特徴とする。
【０１４６】
前記スキャンパルス制御部は、前記フレームの平均画像レベルＡＰＬが小さくなるほど、前記低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドのスキャンパルスの幅は減少するようにすることを特徴とする。
【０１４７】
前記スキャンパルス制御部は、前記低階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の低階調サブフィールドのスキャンパルスの幅は、全て同じであることを特徴とする。
【０１４８】
前記スキャンパルス制御部は、前記低階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の低階調サブフィールドのうち、少なくとも１つ以上は、他の低階調サブフィールドとスキャンパルスの幅が互いに異なるようにすることを特徴とする。
【０１４９】
前記低階調サブフィールドは、１フレーム内で最も多いサステインパルスを有するサブフィールドのサステインパルス個数の２０％以下のサステインパルスの個数を有するサブフィールドであることを特徴とする。
【０１５０】
前記スキャンパルス制御部は、前記フレームの平均画像レベルＡＰＬが大きくなるほど、前記サブフィールドのうち、高階調サブフィールドのスキャンパルスの幅が増加するようにすることを特徴とする。
【０１５１】
前記高階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドのスキャンパルスの幅は減少するようにすることを特徴とする。
【０１５２】
前記スキャンパルス制御部は、前記高階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の高階調サブフィールドのスキャンパルスの幅は、全て同一にすることを特徴とする。
【０１５３】
前記スキャンパルス制御部は、前記高階調サブフィールドは、複数個であり、前記複数個の高階調サブフィールドのうち少なくとも１つ以上は、他の高階調サブフィールドとスキャンパルスの幅が互いに異なるようにすることを特徴とする。
【０１５４】
前記高階調サブフィールドは、１フレーム内で供給される総サステインパルス個数の２０％以上のサステインパルス個数を有するサブフィールドであることを特徴とする。
【０１５５】
前記スキャンパルス制御部は、前記フレームのサブフィールドのうち、互いに異なるパルス幅のスキャンパルスを有する連続した２つのサブフィールドのスキャンパルスの幅の差は、同一にすることを特徴とする。
【０１５６】
前記スキャンパルス制御部は、前記フレームのサブフィールドのうち、異なるパルス幅のスキャンパルスを有する連続した２つのサブフィールドのスキャンパルスの幅の差は、互いに異なるようにすることを特徴とする。
【０１５７】
本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御して、フレームの１つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルＡＰＬに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するスキャンパルス制御部とを含むことを特徴とする。
【０１５８】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、フレームの１つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルＡＰＬに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整することを特徴とする。
【０１５９】
本発明のプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームの１つ以上のサブフィールドで、平均画像レベルＡＰＬに応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が調整されることを特徴とする。
【０１６０】
以下、本発明に係る具体的な実施形態を添付の図面を参照しつつ説明する。
【０１６１】
図１１は、本発明によってリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置を説明するための図である。図１１に示されているように、本発明のプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル７００と、駆動パルスを印加するためのデータ駆動部７２２、スキャン駆動部７２３、サステイン駆動部７２４及びリセットパルス制御部７２１を含む駆動装置を含んでなる。
【０１６２】
例えば、本発明のプラズマディスプレイ装置は、図１１のように、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に、上述したアドレス電極（Ｘ１ないしＸｍ）、スキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）及びサステイン電極Ｚに駆動パルスが印加される少なくとも１つ以上のサブフィールドの組み合わせにより、フレームからなる画像を表現するプラズマディスプレイパネル７００と、プラズマディスプレイパネル７００の後面パネル（図示せず）に形成されたアドレス電極（Ｘ１ないしＸｍ）にデータを供給するためのデータ駆動部７２２と、スキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）を駆動するためのスキャン駆動部７２３と、共通電極であるサステイン電極Ｚを駆動するためのサステイン駆動部７２４と、プラズマディスプレイパネル７００駆動の際、スキャン駆動部７２３を制御して、リセットパルスの大きさを調整するためのリセットパルス制御部７２１と、それぞれの駆動部７２２，７２３，７２４に必要な駆動電圧を供給するための駆動電圧発生部７２５とを含む。
【０１６３】
このような、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置は、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間にアドレス電極、スキャン電極及びサステイン電極に駆動パルスが印加される少なくとも１つ以上のサブフィールドの組み合わせにより、フレームからなる画像を表現し、このようなフレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整する。
【０１６４】
ここで、上述したプラズマディスプレイパネル７００は、前面パネル（図示せず）と後面パネル（図示せず）とが一定の間隔で合着され、前面パネルには、複数の電極、例えば、スキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）とサステイン電極Ｚとが対をなして形成され、後面パネルには、スキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）とサステイン電極Ｚと交差するように、アドレス電極（Ｘ１ないしＸｍ）が形成される。
【０１６５】
データ駆動部７２２には、図示していない逆ガンマ補正回路、誤差拡散回路などにより逆ガンマ補正及び誤差拡散された後、サブフィールドマッピング回路により各サブフィールドにマッピングされたデータが供給される。このようなデータ駆動部７２２は、タイミングコントロール部（図示せず）からのデータタイミング制御信号ＣＴＲＸに応答して、データをサンプリングしラッチした後、そのデータをアドレス電極（Ｘ１ないしＸｍ）に供給する。
【０１６６】
スキャン駆動部７２３は、リセットパルス制御部７２１の制御下に、リセット期間の間、サブフィールドの階調値に応じて大きさが調整されたリセットパルスをスキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）に供給する。また、スキャン駆動部７２３は、アドレス期間の間、スキャン電圧−ＶｙのスキャンパルスＳｐをスキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）に順次供給し、サステイン区間の間には、サステインパルスＳｕｓをスキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）に供給する。
【０１６７】
サステイン駆動部７２４は、タイミングコントロール部（図示せず）の制御下に、立下りランプ波形Ｒａｍｐ‐ｄｏｗｎが発生される期間とアドレス期間との間、サステイン電圧Ｖｓのバイアス電圧をサステイン電極Ｚに供給し、サステイン期間の間、スキャン駆動部７２３と交互に動作して、サステインパルスＳｕｓをサステイン電極Ｚに供給する。
【０１６８】
リセットパルス制御部７２１は、リセット期間において、スキャン駆動部７２３の動作タイミングと同期化とを制御するための所定の制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をスキャン駆動部７２３に供給することによって、スキャン駆動部７２３を制御する。特に、リセットパルス制御部７２１は、フレームの１サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、階調値に応じて調整するように、制御信号をスキャン駆動部７２３に供給する。また、このようなリセットパルス制御部７２１は、上述したリセットパルスの大きさが３個以上の互いに異なる電圧値を有するようにし、このような３個以上の互いに異なる電圧値を有するリセットパルスの大きさを、該当するサブフィールドの階調値の大きさが減少するほど小さくなるように、制御信号をスキャン駆動部７２３に供給する。
【０１６９】
一方、上述したデータ制御信号ＣＴＲＸには、データをサンプリングするためのサンプリングクロック、ラッチ制御信号、エネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン・オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号とが含まれる。スキャン制御信号ＣＴＲＹには、スキャン駆動部７２３内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン・オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれ、サステイン制御信号ＣＴＲＺには、サステイン駆動部７２４内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン・オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。
【０１７０】
駆動電圧発生部７２５は、セットアップ電圧Ｖｓｅｔｕｐ、スキャン共通電圧Ｖｓｃａｎ‐ｃｏｍ、スキャン電圧−Ｖｙ、サステイン電圧Ｖｓ、データ電圧Ｖｄなどを発生する。このような駆動電圧は、放電ガスの組成や放電セル構造に応じて変わることができる。
【０１７１】
このような図１１の本発明によりリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の機能は、以後の駆動方法の説明によりさらに明確になる。
【０１７２】
本発明の他のプラズマディスプレイ装置は、その構造が上述した図１１の本発明のプラズマディスプレイ装置と同様である。但し、リセットパルス制御部７２１は、リセット期間において、スキャン駆動部７２３の動作タイミングと同期化とを制御するための所定の制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をスキャン駆動部７２３に供給することによって、スキャン駆動部７２３を制御することは勿論、特に、フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間においてスキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくするように、所定の制御信号をスキャン駆動部７２３に印加する。
【０１７３】
このような構造の本発明の他のプラズマディスプレイ装置の機能は、以後の駆動方法の説明によりさらに明確になる。
【０１７４】
本発明のさらに他のプラズマディスプレイ装置は、その構造が上述した図１１の本発明のプラズマディスプレイ装置と同様である。但し、リセットパルス制御部７２１は、リセット期間において、スキャン駆動部７２３の動作タイミングと同期化とを制御するための所定の制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をスキャン駆動部７２３に供給することによって、スキャン駆動部７２３を制御することは勿論、特に、フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間においてスキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするように、所定の制御信号をスキャン駆動部７２３に印加する。
【０１７５】
<実施の形態１>
【０１７６】
このような本発明のプラズマディスプレイ装置により行われる駆動方法の一実施の形態を説明すれば、次の図１２の通りである。
【０１７７】
図１２ａないし図１２ｂは、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態を説明するための図である。
【０１７８】
図１２ａないし図１２ｂに示されているように、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態は、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、他のサブフィールドよりさらに大きい。
【０１７９】
例えば、図１２ａのように、総８個のサブフィールドが１つのフレームをなしている場合、加重値が最も低くて最も低い階調を具現する最初のサブフィールド、すなわち第１サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさＶ２が、残りのサブフィールド、すなわち第２，３，４，５，６，７，８サブフィールドでのリセットパルスの大きさＶ１より大きい。
【０１８０】
ここで、上述した低階調サブフィールドにおけるリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさＶ２は、サステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧、すなわち２Ｖｓ超過であることが好ましい。
【０１８１】
このように、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドにおいて、リセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きく、好ましくは、２Ｖｓ超過の電圧とする理由は、次の通りである。
【０１８２】
加重値が相対的に低くて低階調を具現する低階調サブフィールドは、アドレス放電が不安定になる可能性が、加重値が相対的に大きくて高階調を具現するサブフィールドに比べて、さらに大きい。これに伴い、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさが過度に小さければ、放電セル内の壁電荷の分布が均一にならないため、以後のアドレス放電が不安定になって、アドレスジッタ（Jitter）が悪化し、また以後のサステイン放電が不安定になる。したがって、加重値が低くて低い階調を具現する低階調のサブフィールドのリセット期間において印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくして、加重値が低くて低階調を具現する低階調のサブフィールドでのアドレス放電を安定させる。このように、アドレス放電が安定すれば、全体プラズマディスプレイ装置の駆動マージン（Margin）の低下が抑制される。
【０１８３】
また、上述したような低階調サブフィールドとは異なり、相対的に加重値が高くて高階調を具現する高階調サブフィールドでは、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、上述した低階調サブフィールドの場合より小さくする。これにより、高階調サブフィールドでリセットパルスにより発生される画像表示に寄与しない不必要な放電の大きさが減少して、コントラスト（Contrast）特性を改善する。
【０１８４】
このように、サブフィールドの階調値に応じて大きさが調整された図１２ａのリセットパルスを、図１２ｂにさらに詳細に示した。
【０１８５】
図１２ｂに示されているように、第１サブフィールドでのリセットパルスの大きさＶ２が最も大きく、残りのサブフィールドでのリセットパルスの大きさは、第１サブフィールドでのリセットパルスの大きさより小さなことが分かる。この図１２ｂでは、第１サブフィールドでのリセットパルスの立ち上がりランプＲａｍｐ‐ｕｐの傾斜と、第２，３，４，５，６，７，８サブフィールドでのリセットパルスの立ち上がりランプの傾斜とが互いに同一であり、但し、最大電圧値の大きさが互いに異なる。このように、全てのサブフィールドで同じ傾斜の立ち上がりランプを有するようになれば、立ち上がりランプを発生させる回路の構造の観点で、同じセットアップパルス発生回路（図示せず）を利用して、第１サブフィールドから第８サブフィールドまでの全てのサブフィールドでの立ち上がりランプを発生させることが可能でり、制御がさらに容易になり得る。
【０１８６】
一方、上述した低階調サブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数に応じて決定されることができる。例えば、このような低階調サブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１／２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。例えば、１つのフレームに含まれたサブフィールドのうち、サステインパルスの個数が最も多いサブフィールドが、総１０００個のサステインパルスを含んでいると仮定すれば、５００個以下のサステインパルスを含むサブフィールドは、低階調サブフィールドに設定される。
【０１８７】
これとは異なり、１つのフレームにおけるサステインパルスの総個数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドを、低階調サブフィールドに設定することも可能である。例えば、１つのフレームで発生するサステインパルスの個数を２０００個であると仮定すれば、４００個以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドが、低階調サブフィールドに設定される。
【０１８８】
または、１つのフレーム内でサステインパルスの個数が少ない順に、低階調サブフィールドを設定することもできるが、このような低階調サブフィールド設定の一例を説明すれば、図１３の通りである。
【０１８９】
図１３は、本発明の本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態における低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【０１９０】
図１３に示されているように、１つのフレーム内で複数個のサブフィールドを低階調サブフィールドに設定するが、このような低階調サブフィールドの設定基準は、サステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでのサブフィールドが低階調サブフィールドに設定される。例えば、総８個のサブフィールドが１つのフレームをなすと仮定する時、サステインパルスが最も少ない、すなわち加重値が最も小さくて最も小さな階調を具現する第１サブフィールドから、その次の第２サブフィールド、第３サブフィールド及び第４サブフィールドを低階調サブフィールドに設定する。
【０１９１】
このように設定された低階調サブフィールドでのリセットパルスの大きさを、上述したように、他のサブフィールドよりさらに大きくする。すなわち、図１３のように、低階調サブフィールドに設定された第１，２，３，４サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きく、例えばＶ２、すなわち２Ｖｓを超過する電圧に設定し、残りの他のサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、上述したＶ２よりは小さなＶ１に設定する。
【０１９２】
以上の説明では、低階調サブフィールドではない他のサブフィールド、例えば、図１３において、第５サブフィールドから第８サブフィールドまでのサブフィールドでも、リセットパルスは、所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプＲａｍｐ‐ｕｐが含まれるが、これとは異なり、フレームのいずれかのサブフィールドのリセット期間で立ち上がりランプが含まれないように、リセットパルスを印加することも可能である。このような駆動波形を説明すれば、次の図１４の通りである。
【０１９３】
図１４は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態に係るさらに他の駆動波形を説明するための図である。
【０１９４】
図１４に示されているように、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態に係るさらに他の駆動波形は、１つのフレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスには、所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプＲａｍｐ‐ｕｐが省略されている。例えば、図１４のように、第８サブフィールドでのリセットパルスが所定の正極性電圧を維持してから、後に傾斜を持って立ち下がる立下りランプＲａｍｐ‐ｄｏｗｎの波形を有する。このような第８サブフィールドのリセットパルスは、他のサブフィールド、すなわち第１サブフィールドから第７サブフィールドまでのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスと比較して立ち上がりランプが省略されており、このような他のサブフィールドで立ち上がりランプが印加される期間において、第８サブフィールドでは、所定の正極性電圧、例えばサステイン電圧Ｖｓが維持され、以後に立下りランプの波形を有する。
【０１９５】
このように、立ち上がりランプが省略されたリセットパルスが印加されるサブフィールドは、相対的に加重値が高くて高階調を具現する高階調サブフィールドであることが好ましく、これにより、上述した低階調サブフィールドとは異なり、相対的に放電が安定した高階調サブフィールドのリセット期間で、リセットパルス、特に立ち上がりランプにより発生する画像表示に寄与しない不必要な放電の大きさがさらい減少して、コントラスト特性をさらに改善する。
【０１９６】
また、駆動回路の観点から見れば、立ち上がりランプのパルス形態を有するセットアップ電圧を供給する必要がないため、駆動回路の制御がさらに容易であるという長所がある。
【０１９７】
また、相対的に高い電圧の立ち上がりランプを供給しなくなって、電力消費を低減する。
【０１９８】
以上では、１つのフレームに含まれたサブフィールドが、加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさ順に、規則的に配列された一例だけを図示し、また説明したが、これとは異なり、１つのフレーム内でサブフィールドが不規則に配列されることも可能であり、このような駆動方法の一例を説明すれば、次の図１５の通りである。
【０１９９】
図１５は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態における１つのフレーム内でのサブフィールドの配列を説明するための図である。
【０２００】
図１５に示されているように、１つのフレーム内でサブフィールドが、加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさ順に規則的に配列されるものではなく、階調値の大きさに関係なくランダム（Random）に配列される。このような不規則的なサブフィールド配列を有するフレームでも加重値が低くて、すなわち階調値が低くて低階調を具現する低階調サブフィールドである５番目のサブフィールド、すなわち第１サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることである。
【０２０１】
図１５では、図１２ａと比較して、図１２ａのサブフィールドの配列順序が第１，２，３，４，５，６，７，８サブフィールドの順であると仮定すれば、図１５では、第２，３，４，８，１，５，６，７サブフィールドの順である。この図１５では、１つのフレーム内で加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさと関係なくランダムにサブフィールドを配列したが、これとは異なり、１つのフレーム内で相対的に加重値の大きい、すなわち階調値の大きい高階調サブフィールドと、相対的に加重値の低い、すなわち階調値の低い低階調サブフィールドとを交互に配列することもできる。このようなサブフィールド配列の順により、本発明が限定されるものではなく、フレームがいかなるサブフィールド配列を有するとしても、そのフレームに内に含まれたサブフィールドのうち、低階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることが何より重要なものである。
【０２０２】
<実施の形態２>
【０２０３】
以上のプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態では、１つのフレーム内でのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを調整したが、これとは異なり、１つのフレーム内でのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを調整することもでき、これを説明すれば、次の本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第２実施の形態の通りである。
【０２０４】
図１６ａないし図１６ｂは、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第２実施の形態を説明するための図である。
【０２０５】
図１６ａないし図１６ｂに示されているように、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第２実施の形態は、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、他のサブフィールドよりさらに小さい。
【０２０６】
例えば、図１６ａのように、総８個のサブフィールドが１つのフレームをなしている場合、加重値が最も高くて最も高い階調を具現する最後のサブフィールド、すなわち第８サブフィールドでのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさＶ１が、他のサブフィールド、すなわち第１，２，３，４，５，６，７サブフィールドでのリセットパルスの大きさＶ２より小さい。
【０２０７】
ここで、上述した高階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさＶ１は、サステイン電圧Ｖｓの２倍以下、すなわち２Ｖｓ以下であり、サステイン電圧Ｖｓ以上であることが好ましい。すなわちＶｓ＜Ｖ１＜２Ｖｓの関係が成立する。
【０２０８】
このように、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さく、好ましくは、サステイン電圧Ｖｓ以上２Ｖｓ以下にする理由を説明すれば、以下の通りである。
【０２０９】
加重値が相対的に高くて高階調を具現する高階調サブフィールドは、アドレス放電が不安定になる可能性が加重値が相対的に小さくて低階調を具現する低階調サブフィールドに比べて、相対的に小さい。これにより、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスが低階調サブフィールドよりさらに小さくても、放電セル内の壁電荷の分布を十分に均一にすることができる。したがって、高階調サブフィールドでは、相対的に小さな電圧大きさのリセットパルスを供給するとしても、他の低階調サブフィールドに比べて、以後のアドレス放電が相対的に安定になるため、アドレスジッタ（Jitter）の悪化を抑制するようになり、また、以後のサステイン放電が不安定になることを防止する。結局、１つのフレームのサブフィールドのうち、加重値が相対的に高くて高階調を具現する高階調サブフィールドで、リセット期間にスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を他のサブフィールドよりさらに小さくすることで、プラズマディスプレイパネルの放電特性を安定させながらも、リセットパルスにより発生される画像表示に寄与しない不必要な放電の大きさが減少して、コントラスト特性を改善する。
【０２１０】
このように、サブフィールドの階調値に応じて大きさが調整された図１６ａのリセットパルスを、図１６ｂにさらに詳細に示した。
【０２１１】
図１６ｂに示されているように、第８サブフィールドでのリセットパルスの大きさＶ１が最も小さく、残りのサブフィールドでのリセットパルスの大きさは、第８サブフィールドでのリセットパルスの大きさより大きいことが分かる。この図１６ｂでは、第８サブフィールドでのリセットパルスの立ち上がりランプＲａｍｐ‐ｕｐの傾斜と、第１，２，３，４，５，６，７サブフィールドでのリセットパルスの立ち上がりランプの傾斜とが互いに同一であり、但し、最大電圧値の大きさが互いに異なる。このように、全てのサブフィールドで同じ傾斜の立ち上がりランプを有すると、立ち上がりランプを発生させる回路の構造の面で、同じセットアップパルス発生回路（図示せず）を利用して、第１サブフィールドから第８サブフィールドまでの全てのサブフィールドでの立ち上がりランプを発生させることが可能であり、制御がさらに容易になり得る。
【０２１２】
一方、上述した高階調サブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数に応じて決定されることができる。例えば、このような高階調サブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１／２以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。例えば、１つのフレームに含まれたサブフィールドのうち、サステインパルスの個数が最も多いサブフィールドが総１０００個のサステインパルスを含んでいると仮定すれば、５００個以上のサステインパルスを含むサブフィールドが、高階調サブフィールドに設定される。
【０２１３】
これとは異なり、１つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドを、高階調サブフィールドに設定することも可能である。例えば、１つのフレームで発生されるサステインパルスの個数を２０００個であると仮定すれば、４００個以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドが、高階調サブフィールドに設定される。
【０２１４】
または、１つのフレーム内でサステインパルスの個数が多い順に応じて、高階調サブフィールドを設定することもでき、このような高階調サブフィールド設定の一例を説明すれば、次の図１７の通りである。
【０２１５】
図１７は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第２実施の形態における高階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【０２１６】
図１７に示されているように、１つのフレームのサブフィールドのうち、複数個のサブフィールドを高階調サブフィールドに設定するが、このような高階調サブフィールドの設定基準は、１つのフレーム内で複数個のサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドからサステインパルスの個数が減少する順序において４番目のサブフィールドまでのサブフィールドを、高階調サブフィールドに設定する。例えば、総８個のサブフィールドが１つのフレームをなすと仮定すれば、サステインパルスが最も多い、すなわち加重値が最も大きくて最も大きな階調を具現する第８サブフィールドから、サステインパルスの個数が減少する順序においてその次のサブフィールドである第７サブフィールド、第６サブフィールド及び第５サブフィールドを、高階調に設定する。
【０２１７】
このように設定された高階調サブフィールドでのリセットパルスの大きさを、上述したように、他のサブフィールドよりさらに小さくする。すなわち、図１７のように、高階調サブフィールドに設定された第５，６，７，８サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さく、例えば、Ｖ１、すなわちサステイン電圧Ｖｓよりは大きくて、２倍のサステイン電圧２Ｖｓよりは小さく設定し、残りの他のサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、上述したＶ１よりは大きなＶ２に設定する。
【０２１８】
以上の説明では、高階調サブフィールド、例えば、図１７において、第５サブフィールドから第８サブフィールドまでのサブフィールドで、リセットパルスには、所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプＲａｍｐ‐ｕｐが全て含まれるが、これとは異なり、フレームのサブフィールドのうち、１つ以上のサブフィールドのリセット期間において、立ち上がりランプが含まれないようにリセットパルスを印加することも可能である。このような駆動波形を説明すれば、次の図１８の通りである。
【０２１９】
図１８は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第２実施の形態に係るさらに他の駆動波形を説明するための図である。
【０２２０】
図１８に示されているように、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第２実施の形態に係るさらに他の駆動波形は、１つのフレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスには、所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプＲａｍｐ‐ｕｐが省略されている。例えば、図１８のように、第７サブフィールドと第８サブフィールドでのリセットパルスが、所定の正極性電圧を維持してから、後に傾斜を持って立ち下がる立下りランプＲａｍｐ‐ｄｏｗｎの波形を有する。このような第７，８サブフィールドのリセットパルスは、他のサブフィールド、すなわち第１サブフィールドから第６サブフィールドまでのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスと比較した時、立ち上がりランプが省略され、このような他のサブフィールドで立ち上がりランプが印加される期間において、第７，８サブフィールドでは、所定の正極性電圧、例えばサステイン電圧Ｖｓが維持されてから、後に立下りランプの波形に立ち下がる。
【０２２１】
このように、立ち上がりランプが省略されたリセットパルスが印加されるサブフィールドは、上述したように、相対的に加重値が高くて高階調を具現する高階調サブフィールドであることが好ましく、これにより、上述した低階調サブフィールドとは異なり、相対的に放電が安定した高階調サブフィールドのリセット期間において、リセットパルス、特に立ち上がりランプにより発生される画像表示に寄与しない不要な放電の大きさがさらに減少して、コントラスト特性をさらに改善する。
【０２２２】
また、駆動回路の面から見ると、立ち上がりランプのパルス形態を有するセットアップ電圧を供給する必要がないため、駆動回路の制御がさらに容易であるという長所がある。
【０２２３】
また、相対的に高い電圧の立ち上がりランプを供給しなくても良いので、電力消費を低減する。
【０２２４】
以上では、１つのフレームに含まれたサブフィールドが、加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさの順に、規則的に配列されたた一例のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、１つのフレーム内でサブフィールドが不規則に配列されることも可能であり、このような駆動方法の一例を説明すれば、次の図１９の通りである。
【０２２５】
図１９は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第２実施の形態における１つのフレーム内でのサブフィールドの配列を説明するための図である。
【０２２６】
図１９に示されているように、１つのフレーム内でサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさ順に、規則的に配列されるのではなく、階調値の大きさに関係なくランダムに配列される。このような不規則的なサブフィールドの配列を有するフレームの中でも、加重値が高くて、すなわち階調値が高くて相対的に高階調を具現する高階調サブフィールドである４番目のサブフィールド、すなわち第８サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくする。
【０２２７】
この図１９では、図１６ａと比較して、図１６ａのサブフィールド配列順序が、第１，２，３，４，５，６，７，８サブフィールドの順であると仮定すれば、図１９では、第２，３，４，８，１，５，６，７サブフィールドの順である。この図１９では、１つのフレーム内で加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさと関係なくランダムにサブフィールドを配列したが、これとは異なり、１つのフレーム内で相対的に加重値が大きい、すなわち階調値の大きい高階調サブフィールドと相対的に加重値が低い、すなわち階調値の低い低階調サブフィールドとを交互に配列することもできる。このようなサブフィールド配列の順序により、本発明が限定されるものではなく、フレームがいかなるサブフィールド配列を有するとしても、そのフレーム内に含まれたサブフィールドのうち、高階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくするすることが何より重要なものである。
【０２２８】
<実施の形態３>
【０２２９】
以上では、１つのフレームに含まれたサブフィールドのリセット期間にスキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、低階調のサブフィールドで調整するか、またはこれとは異なり、高階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを調整したが、これとは異なり、１つのフレームに含まれたサブフィールドのリセットパルスを少なくとも３つ以上の互いに異なる電圧値に設定することも可能であり、このような駆動方法を説明すれば、次の本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態の通りである。
【０２３０】
図２０ａないし図２０ｂは、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態を説明するための図である。
【０２３１】
図２０ａないし図２０ｂに示されているように、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極を含むプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態は、１フレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、階調値に応じて調整される。
【０２３２】
例えば、図２０ａのように、総８個のサブフィールドが１つのフレームをなしている場合、このような８個のサブフィールドからなるフレームで該当サブフィールドが加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさに応じて、リセットパルスの大きさを調整する。
【０２３３】
ここで、加重値、すなわち階調値が大きな順に最も大きな階調を具現する最後のサブフィールド、すなわち第８サブフィールドとその次に高い階調の第７サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさをＶ１、加重値、すなわち階調値が低い順に最も低い階調を具現する最初のサブフィールド、すなわち第１サブフィールドとその次の第２サブフィールド、その次の第３サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさをＶ３、加重値、すなわち階調値が上述した第７，８サブフィールドの階調値と上述した第１，２，３サブフィールドの階調値との間の中間階調である第４，５，６サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさをＶ２であると仮定すれば、Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３の関係が成立する。
【０２３４】
ここで、上述した高階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさＶ１は、サステイン電圧Ｖｓ以上２倍のサステイン電圧Ｖｓ以下、すなわち２Ｖｓ以下、すなわちＶｓ＜Ｖ１＜２Ｖｓであることが好ましい。
【０２３５】
このように、リセットパルスの電圧の大きさを、サステイン電圧Ｖｓ以上２倍のサステイン電圧Ｖｓ（２Ｖｓ）以下にするサブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数に応じて決定されることができる。例えば、このような高階調サブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１／２以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。
【０２３６】
また、１つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドを、高階調サブフィールドに設定することも可能である。
【０２３７】
このように、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さく、好ましくは、サステイン電圧Ｖｓ以上２倍のサステイン電圧２Ｖｓ以下にする理由は、上述したように、高階調サブフィールドでは、アドレス放電が相対的に安定しており、相対的に多くのサステインパルスの個数を有するため、高階調サブフィールド全体にかけて放電が安定するためである。言い換えれば、高階調サブフィールドの全体にかけて放電が安定するため、リセット期間でのリセットパルスの電圧の大きさが相対的に小さくても、プラズマディスプレイパネル全体にかけた放電セル内での壁電荷の分布を均一にすることができるためである。したがって、高階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの電圧の大きさを、相対的に小さくすることにより、放電セル内での壁電荷の分布を均一にしながらも、リセット期間で暗放電により発生する光の量を減少させて、コントラスト特性を向上させる。
【０２３８】
また、ここで上述した低階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさＶ３は、２倍のサステイン電圧を超過する、すなわち２Ｖｓ超過の電圧値を有することが好ましい。ここで、上述した低階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくする理由は、上述したように、加重値が相対的に低くて低階調を具現する低階調サブフィールドは、アドレス放電が不安定になる可能性が加重値が相対的に大きくて高階調を具現するサブフィールドに比べて、さらに大きいため、リセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくして、アドレス放電及びサステイン放電を安定させるためである。このように、低階調サブフィールドでリセットパルスの大きさをさらに大きくする理由は、上述した本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態または第２実施の形態で詳細に説明したので、重複する説明は省略するものとする。
【０２３９】
ここで、上述したように、１フレーム内でリセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧にするサブフィールドは、サステインパルスの個数の観点で決定されることができる。例えば、上述したように、リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とするサブフィールドは、フレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１／２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであり、またはリセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とするサブフィールドは、１つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。
【０２４０】
このように、リセットパルスの大きさを、サステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とするサブフィールドを決定する方法に対するさらに詳細な説明は、上述した本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態または第２実施の形態で詳細に説明したので、重複する説明は省略するものとする。
【０２４１】
このようにサブフィールドの階調値に応じて大きさが調整された図２０ａのリセットパルスを図２０ｂにさらに詳細に示した。
【０２４２】
図２０ｂに示されているように、８個のサブフィールドを有する１フレームでのリセットパルスは、少なくとも３個以上の互いに異なる電圧値を有する。言い換えれば、１つのフレーム内でサブフィールドが有するリセットパルスの電圧値は、少なくとも３個以上である。また、このようなリセットパルスは、１つのフレーム内でサブフィールドの加重値、すなわち階調値の大きさが減少するほど、大きくなることが好ましい。例えば、１つのフレーム内で加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさが増加する順に、第３サブフィールドと第４サブフィールドでのリセットパルスの大きさが互いに異なる電圧値を有すると仮定すれば、このような第３サブフィールドと第４サブフィールドのうち、加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさがさらに小さなサブフィールド、すなわち第３サブフィールドでのリセットパルスの大きさが第４サブフィールドでのリセットパルスの大きさよりさらに大きい。
【０２４３】
以上の説明では、１つのフレームの全てのサブフィールドでリセットパルスには、所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプＲａｍｐ‐ｕｐが全て含まれるが、これとは異なり、フレームのサブフィールドのうち、１つ以上のサブフィールドのリセット期間において、立ち上がりランプが含まれないようにリセットパルスを印加することも可能である。このような駆動波形を説明すれば、次の図２０の通りである。
【０２４４】
図２１は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態に係るさらに他の駆動波形を説明するための図である。
【０２４５】
図２１に示されているように、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態に係るさらに他の駆動波形は、１つのフレームのサブフィールドのうち、少なくとも１つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスには、所定の傾斜を持って立ち上がる立ち上がりランプＲａｍｐ‐ｕｐが省略された。例えば、図２１のように、第７サブフィールドと第８サブフィールドでのリセットパルスが所定の正極性電圧を維持してから、傾斜を持って立ち下がる立下りランプＲａｍｐ‐ｄｏｗｎの波形を有する。このような第７，８サブフィールドのリセットパルスは、他のサブフィールド、すなわち第１サブフィールドから第６サブフィールドまでのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスと比較して、立ち上がりランプが省略され、このような他のサブフィールドで立ち上がりランプが印加される期間において、第７，８サブフィールドでは、所定の正極性電圧、例えばサステイン電圧Ｖｓが維持してから、後に立下りランプの波形に立ち下がる。ここで、上述した所定の大きさの正極性電圧は、その大きさがサステイン電圧Ｖｓであることが好ましい。すなわち、１つのフレームの少なくとも１つ以上のサブフィールドでは、リセットパルスがサステイン電圧Ｖｓを維持してから、傾斜を持って立ち下がる形態の波形を有する。このように、立ち上がりランプが省略されたサブフィールドは、１つのフレーム内で加重値、すなわち階調値が相対的に高いサブフィールドであることが好ましい。また、このようなサブフィールドは、１つのフレーム内で１つが含まれることもでき、複数個が含まれることもできる。
【０２４６】
一方、以上の説明では、１つのフレーム内でリセットパルスの大きさが異なるサブフィールドよりさらに大きな、例えば図２０ａのように、リセットパルスの大きさがＶ３であるサブフィールドを決定する場合、１フレーム内に含まれたサステインパルスの個数を基にして、所定個数以下のサステインパルスを有するサブフィールドにおいて、リセットパルスの大きさをＶ３にした。しかし、１フレーム内で各フレームをサステインパルスの個数が少なく含まれた順序を基にして、リセットパルスの大きさがＶ３であるサブフィールドを決定することができる。このような方法を説明すれば、次の図２２の通りである。
【０２４７】
図２２は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態における低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【０２４８】
図２２に示されているように、１つのフレーム内で複数個のサブフィールドを低階調サブフィールドに設定するが、このような低階調サブフィールドの設定基準は、サステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでのサブフィールドが、低階調サブフィールドに設定される。例えば、図２２のように、加重値が小さい順、すなわち階調値の大きさが小さい順に最も小さな階調のサブフィールド、すなわち第１サブフィールドからその次のサブフィールド、すなわち第２サブフィールド、その次の第３サブフィールド及びその次の第４サブフィールドを、低階調サブフィールドに設定する。このような低階調サブフィールド、すなわち第１，２，３，４サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ３にする。このように低階調サブフィールドを設定する方法に対する詳細は、既に図１３の説明部分で説明したので、重複する説明は省略するものとする。
【０２４９】
また、１つのフレーム内で高階調サブフィールド、すなわち１つのフレーム内でリセットパルスの大きさが異なるサブフィールドよりさらに小さい、例えば、図２０ａと同様に、リセットパルスの大きさがＶ１であるサブフィールドを決定する場合、１フレーム内に含まれたサステインパルスの個数を基にして、所定個数以上のサステインパルスを有するサブフィールドでリセットパルスの大きさをＶ１にした。しかし、１フレーム内で各フレームをサステインパルスの個数が多く含まれた順序を基にして、リセットパルスの大きさがＶ１であるサブフィールドを決定することもできる。このような方法を説明すれば、次の図２３の通りである。
【０２５０】
図２３は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態における高階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【０２５１】
図２３に示されているように、１つのフレーム内で複数個のサブフィールドを、高階調サブフィールドに設定するが、このような高階調サブフィールドの設定基準は、サステインパルスの個数が多い順に、サステインパルスの個数が最も多いサブフィールドから４番目のサブフィールドまでのサブフィールドが、高階調サブフィールドに設定される。例えば、図２３のように、加重値が大きい順、すなわち階調値の大きさが大きい順に最も大きな階調のサブフィールド、すなわち第８サブフィールドからその次のサブフィールド、すなわち第７サブフィールド、その次の第６サブフィールド及びその次の第５サブフィールドを、高階調サブフィールドに設定する。このような高階調サブフィールド、すなわち第５，６，７，８サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ１にする。このように高階調サブフィールドを設定する方法に対する詳細は、既に図１７の説明部分で説明したので、重複する説明は省略するものとする。
【０２５２】
以上の本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態では、１つのフレームに含まれたサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさの順に、規則的に配列された一例のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、１つのフレーム内でサブフィールドが不規則に配列されることも可能であり、このような駆動方法の一例を説明すれば、次の図２４の通りである。
【０２５３】
図２４は、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態における１つのフレーム内でのサブフィールドの配列を説明するための図である。
【０２５４】
図２４に示されているように、１つのフレーム内でサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさの順に規則的に配列されるものではなく、階調値の大きさに関係なくランダムに配列される。すなわち、この図２４では、図２０ａと比較して、図２０ａのサブフィールド配列順序が、第１，２，３，４，５，６，７，８サブフィールドの順であると仮定すれば、図２４では、第２，３，４，８，１，５，６，７サブフィールドの順である。このような不規則的なサブフィールド配列を有するフレームでも、加重値が低くて、すなわち階調値が低くて低階調を具現する低階調サブフィールドである最初、２番目及び５番目のサブフィールド、すなわち第１，２，３サブフィールドのリセット期間で供給されるリセットパルスの大きさをＶ３、フレームのサブフィールドのうち、加重値が高くて、すなわち階調値が高くて高階調を具現する高階調サブフィールドである４番目と８番目のサブフィールド、すなわち第７，８サブフィールドのリセット期間で供給されるリセットパルスの大きさをＶ１、上述した低階調サブフィールド及び高階調サブフィールドを除外した残りの階調サブフィールド、すなわち３番目、６番目及び７番目のサブフィールド、すなわち第４，５，６サブフィールドのリセット期間で供給されるリセットパルスの大きさをＶ２とする時、Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３の関係が成立する。
【０２５５】
ここでは、１つのフレーム内でサブフィールドのリセット期間で供給されるリセットパルスの大きさを、総３つの異なる値にした場合のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、１つのフレーム内で各々のサブフィールドのリセット期間で供給されるリセットパルスの大きさを、互いに異なるように設定することができる。例えば、１つのフレームが８個のサブフィールドからなる場合、第１サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ１、第２サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ２、第３サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ３、第４サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ４、第５サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ５、第６サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ６、第７サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ７、第８サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ８に設定する。ここで、上述したＶ１からＶ８までは、それぞれ互いに異なる値を有する。例えば、第１から第８サブフィールドの順に階調値が高くなる場合には、リセットパルスの大きさＶ１からＶ８の順に小さくなるように設定することが可能である。例えば、第１から第８サブフィールドの順に階調値が低くなる場合には、リセットパルスの大きさＶ１からＶ８の順に大きくなるように設定することが可能である。リセットパルスＶ１からＶ８は、階調値が低いサブフィールドのほど大きくなるように互いに異なるように設定することが可能である。
【０２５６】
このように、本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態では、１つのフレーム内で相対的に加重値が高くて、すなわち階調値が高くて高階調を具現する少なくとも１つ以上の高階調サブフィールドでは、リセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに小さくし、相対的に加重値が低くて、すなわち階調値が低くて低階調を具現する少なくとも１つ以上の低階調サブフィールドでは、リセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくし、上述した高階調サブフィールドと低階調サブフィールドとの間の中間階調を具現するサブフィールドでは、リセットパルスの大きさを、高階調サブフィールドより大きく、低階調サブフィールドより小さくすることにより、相対的にアドレス放電が不安定になる可能性が大きい低階調サブフィールドでは、相対的に大きい大きさのリセットパルスでリセット放電を安定させて、以後のアドレス放電を安定させる。また、上述した低階調サブフィールドよりアドレス放電が相対的に安定した高階調サブフィールドでは、相対的に小さな大きさのリセットパルスで暗放電による画像表示に寄与しない不必要な光の発生を減少させて、コントラスト特性を向上させる。また、このような本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態は、フレームのサブフィールドを高階調サブフィールドと低階調サブフィールドとの２種類のみに分類せず、フレーム内で少なくとも３つ以上の異なる大きさのリセットパルスを有するようにすることによって、各々のサブフィールドの加重値、すなわち階調値に応じる最適の大きさのリセットパルスを印加できるようになる。これにより、駆動マージンをさらに向上させながらも、コントラスト特性の低下を抑制できる。
【０２５７】
図２５は、本発明に係るスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の構造を説明するための図である。図２５に示されているように、本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）及びサステイン電極Ｚと、前記スキャン電極及びサステイン電極Ｚと交差する複数のアドレス電極（Ｘ１ないしＸｍ）とを含み、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間にアドレス電極（Ｘ１ないしＸｍ）、スキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）及びサステイン電極Ｚに駆動パルスが印加される少なくとも１つ以上のサブフィールドの組み合わせにより、フレームからなる画像を表現するプラズマディスプレイパネル８００と、プラズマディスプレイパネル８００に形成されたアドレス電極（Ｘ１ないしＸｍ）にデータを供給するためのデータ駆動部８０２と、スキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）を駆動するためのスキャン駆動部８０３と、共通電極であるサステイン電極Ｚを駆動するためのサステイン駆動部８０４と、プラズマディスプレイパネル８００駆動の際、スキャン駆動部８０３を制御するためのスキャンパルス制御部８０１と、各々の駆動部８０２，８０３，８０４に必要な駆動電圧を供給するための駆動電圧発生部８０５を含む。
【０２５８】
このような、本発明のプラズマディスプレイ装置は、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間において、アドレス電極、スキャン電極及びサステイン電極に駆動パルスが印加される少なくとも１つ以上のサブフィールドの組み合わせにより、フレームからなる画像を表現し、フレームを複数のサブフィールドグループに分け、複数のサブフィールドグループでそれぞれの駆動部８０２，８０３，８０４を制御し、フレームの１つ以上のサブフィールドでスキャンの順序に応じて、１つ以上のスキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにする。このように、スキャンパルスの幅を調整するのは、以後の説明で詳細に説明する。また、上述したスキャン電極群の意味もまた以後のプラズマディスプレイ装置の駆動方法の説明で詳細に説明する。
【０２５９】
ここで、上述したプラズマディスプレイパネル８００は、前面パネル（図示せず）と後面パネル（図示せず）とが一定の間隔で合着され、複数の電極、例えば、スキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）とサステイン電極Ｚとが対をなして形成され、またスキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）及びサステイン電極Ｚと交差するように、アドレス電極（Ｘ１ないしＸｍ）が形成される。
【０２６０】
データ駆動部８０２には、図示していない逆ガンマ補正回路、誤差拡散回路などにより逆ガンマ補正及び誤差拡散された後、サブフィールドマッピング回路により各サブフィールドにマッピングされたデータが供給される。このようなデータ駆動部８０２は、タイミングコントロール部（図示せず）からのデータタイミング制御信号ＣＴＲＸに応答して、データをサンプリングしラッチした後、そのデータをアドレス電極（Ｘ１ないしＸｍ）に供給する。
【０２６１】
スキャン駆動部８０３は、スキャンパルス制御部８０１の制御下に、リセット期間の間立ち上がりランプ波形Ｒａｍｐ‐ｕｐと立下りランプ波形Ｒａｍｐ‐ｄｏｗｎとをスキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）に供給する。また、スキャン駆動部８０３は、スキャンパルス制御部８０１の制御下に、アドレス期間の間、スキャン電圧−ＶｙのスキャンパルスＳｐをスキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）に順次供給し、サステイン区間の間には、サステインパルスＳｕｓをスキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）に供給する。
【０２６２】
サステイン駆動部８０４は、タイミングコントロール部（図示せず）の制御下に、立下りランプ波形Ｒａｍｐ‐ｄｏｗｎが発生される期間とアドレス期間との間、サステイン電圧Ｖｓのバイアス電圧をサステイン電極Ｚに供給し、サステイン期間の間、スキャン駆動部８０３と交互に動作して、サステインパルスＳｕｓをサステイン電極Ｚに供給する。
【０２６３】
スキャンパルス制御部８０１は、リセット期間、アドレス期間、サステイン期間において、スキャン駆動部８０３の動作タイミングと同期化とを制御するためのタイミング制御信号ＣＴＲＹを発生し、そのタイミング制御信号ＣＴＲＹをスキャン駆動部８０３に供給することによって、スキャン駆動部８０３を制御する。特に、スキャンパルス制御部８０１は、フレームの１つ以上のサブフィールドで上述したスキャン駆動部８０３を制御し、スキャン順序に応じて、１つ以上のスキャン電極を含む複数のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、他のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅と異なるようにする。
【０２６４】
一方、上述したデータ制御信号ＣＴＲＸには、データをサンプリングするためのサンプリングクロック、ラッチ制御信号、エネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン・オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。スキャン制御信号ＣＴＲＹには、スキャン駆動部８０３内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン・オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれ、サステイン制御信号ＣＴＲＺには、サステイン駆動部８０４内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン・オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。
【０２６５】
駆動電圧発生部８０５は、セットアップ電圧Ｖｓｅｔｕｐ、スキャン共通電圧Ｖｓｃａｎ‐ｃｏｍ、スキャン電圧−Ｖｙ、サステイン電圧Ｖｓ、データ電圧Ｖｄなどを発生する。このような駆動電圧は、放電ガスの組成や放電セル構造により変わることができる。
【０２６６】
また、図示していないが、本発明のさらに他のプラズマディスプレイ装置は、その構造が上述した図２５の本発明のプラズマディスプレイ装置と同一である。但し、スキャンパルス制御部８０１は、アドレス期間において、スキャン駆動部８０３の動作タイミングと同期化とを制御するための所定の制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をスキャン駆動部８０３に供給することによって、スキャン駆動部８０３を制御することはもちろん、特に、フレームの１つ以上のサブフィールドで、平均画像レベル（ＡＰＬ：Average Picture Level）に応じて前記スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整するように、所定の制御信号をスキャン駆動部８０３に印加する。
【０２６７】
このような構造の本発明のさらに他のプラズマディスプレイ装置の機能は、以後の駆動方法の説明でさらに明確になる。
【０２６８】
このような構造の本発明のプラズマディスプレイ装置により行われる駆動方法の多様な実施の形態は、次の通りである。
【０２６９】
<実施の形態４>
【０２７０】
まず、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第４実施の形態は、プラズマディスプレイパネル上のスキャン電極を複数のスキャン電極群に分け、このように分けられたスキャン電極群のうち、少なくとも１つのスキャン電極群では、アドレス期間にスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を他のスキャン電極群と互いに異なるようにすることであるが、このために、スキャン電極を複数のスキャン電極群に分ける方法の一例をまず説明すれば、次の図２６の通りである。
【０２７１】
図２６は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法を説明するために、プラズマディスプレイパネルに形成されたスキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）を４個のスキャン電極群に分けた図である。
【０２７２】
図２６に示されているように、プラズマディスプレイパネル９００のスキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）を、例えば、Ｙａ電極群（Ｙａ１ないしＹａ（ｎ）／４）９０１、Ｙｂ電極群（Ｙｂ（ｎ＋１）／４ないしＹｂ（２ｎ）／４）９０２、Ｙｃ電極群（Ｙｃ（２ｎ＋１）／４ないしＹｃ（３ｎ）／４）９０３及びＹｄ電極群（Ｙｄ（３ｎ＋１）／４ないしＹｄ（ｎ））９０４に区分する。ここで、上述したスキャン電極群の個数は、最小２ケ以上から最大スキャン電極の総個数より小さな範囲、すなわちスキャン電極の総個数をｎとする時、２≦Ｎ≦（ｎ―１）個の間で設定されることができる。
【０２７３】
ここで、１つのスキャン電極群に含まれる全てのスキャン電極は、スキャン順序が連続している。言い換えれば、スキャン順序に応じて、所定個数のスキャン電極をグループにして、スキャン電極群に設定することである。例えば、図２６の場合には、Ｙａスキャン電極群がＹａ１スキャン電極からＹａ（ｎ／４）スキャン電極までのスキャン電極を含み、Ｙｂスキャン電極群は、Ｙｂ（（ｎ＋１）／４）スキャン電極からＹｂ（２ｎ／４）スキャン電極までのスキャン電極を含むが、ここで、スキャン順序は、Ｙａスキャン電極群のＹａ１スキャン電極が最も早く、その次がＹａ２、このような順にスキャン順序は、Ｙａ３．．．．．．Ｙａ（（ｎ-１）／４），Ｙａ（ｎ／４），Ｙｂ（（ｎ＋１）／４）．．．．．．Ｙｂ（２ｎ-１）／４），Ｙｂ（２ｎ／４）の順である。
【０２７４】
一方、図２６では、各スキャン電極群９０１，９０２，９０３，９０４に含まれたスキャン電極の個数を同一にしたが、各スキャン電極群９０１，９０２，９０３，９０４に含まれるスキャン電極の個数を互いに異なるように設定することも可能である。そして、スキャン電極群の個数も調整可能である。このように、各々のスキャン電極群に含まれるスキャン電極の個数を異なるようにするか、スキャン電極群個数の調整に関する一例は、後に詳細に説明する。
【０２７５】
プラズマディスプレイパネルのスキャン電極を複数のスキャン電極群に分けて、例えば、図２６のように、４個のスキャン電極群に分けて駆動するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第４実施の形態は、次の通りである。
【０２７６】
図２７は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第４実施の形態を説明するための図である。
【０２７７】
図２７に示されているように、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第４実施の形態は、スキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）を、図２６と同様に、４個のスキャン電極群、すなわちＹａスキャン電極群、Ｙｂスキャン電極群、Ｙｃスキャン電極群及びＹｄスキャン電極群に分ける場合、上述した４個のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群でスキャン順序に応じてスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を調整する。すなわち、４個のスキャン電極群のうち、１つ以上のスキャン電極群からスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を他のスキャン電極群と異なるようにする。
【０２７８】
例えば、プラズマディスプレイパネル上でスキャン電極が図２６のような順に配列されており、また、このような図２６のような配列順序に応じて、スキャンパルスが順次印加されると仮定すれば、図２７では、相対的にスキャン順序の早いＹ１スキャン電極からＹａ１スキャン電極までのスキャン電極が含まれたＹａスキャン電極群に印加されるスキャンパルス、すなわちＹ１スキャン電極からＹａ（ｎ／４）スキャン電極までのスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅がＷ１で最も小さい。
【０２７９】
そして、その次にＹａスキャン電極群に含まれたスキャン電極よりスキャン順序の遅いＹｂ（（ｎ＋１）／４）スキャン電極からＹｂ（（２ｎ）／４）スキャン電極までのスキャン電極が含まれたＹｂスキャン電極群に印加されるスキャンパルス、すなわちＹｂ（（ｎ＋１）／４）スキャン電極からＹｂ（（２ｎ）／４）スキャン電極までのスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が、上述したＷ１よりは大きいＷ２である。このような方式でＹｃ電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、上述したＷ２よりは大きいＷ３であり、Ｙｄ電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、上述したＷ３より大きいＷ４である。言い換えれば、上述したスキャンパルスの間には、Ｗ１＜Ｗ２＜Ｗ３＜Ｗ４の関係が成立する。
【０２８０】
このように、スキャン順序が相対的に早いスキャン電極群には、パルス幅が相対的に小さなスキャンパルスを印加し、スキャン順序が相対的に遅いスキャン電極群には、パルス幅が相対的に大きいスキャンパルスを印加する理由は、次の通りである。
【０２８１】
スキャン順序が早いというのは、リセット期間で発生するリセット放電の後に、相対的に早い時間内にアドレス放電が発生することを意味する。また、リセット放電の直後には、放電セル内にリセット放電により生成されたプライミング電荷（Priming Particle）が複数存在する。これにより、スキャン順序が早いスキャン電極には、相対的にパルス幅が小さなスキャンパルスを印加しても、充分な強度のアドレス放電が発生することである。
【０２８２】
一方、スキャン順序が遅いというのは、リセット期間で発生するリセット放電の後に、相対的に長い時間が過ぎた後にアドレス放電が発生することを意味する。ここで、上述したプライミング電荷の個数は、時間が過ぎるほど放電セル内で減少する。これにより、相対的にスキャン順序が遅くてリセット放電の後に相対的に長い時間が流れた後にアドレス放電が発生するスキャン電極には、相対的にパルス幅が大きいスキャンパルスを印加して、放電セル内に存在するプライミング電荷の個数の不足によりアドレス放電が弱くなるか、アドレス放電が発生しなくなることを防止する。
【０２８３】
このように、スキャン順序に応じてパルス幅が調整されるスキャンパルスをさらに詳細に説明すれは、次の図２８の通りである。
【０２８４】
図２８は、スキャン順序に応じて調整されるスキャンパルスの幅をさらに詳細に説明するための図である。図２８に示されているように、スキャン順序が相対的に早いスキャン電極が含まれたＹａスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅がＷ１で最も小さく、その次に上述したＹａスキャン電極群よりはスキャン順序の遅いＹｂスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅が、上述したＷ１よりはＷ２に設定される。このような方法でＹｃスキャン電極群及びＹｄスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅が決定されるが、このようなスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに同一であるか、互いに異なるように設定されることができる。
【０２８５】
図２９は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第４実施の形態におけるスキャンパルス間のパルス幅の差の一例を説明するための図である。
【０２８６】
図２９に示されているように、スキャン順序が連続しており、かつ互いに異なるパルス幅を有する２つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、全て同一に設定される。例えば、Ｙａスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅をＷであると仮定すれば、Ｙｂスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、Ｗ＋ｄ、Ｙｃスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、Ｗ＋２ｄ、Ｙｄスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、Ｗ＋３ｄである。すなわち、スキャン順序が連続しており、かつパルス幅が互いに異なる２つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、ｄで全て同一である。
【０２８７】
図３０は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第４実施の形態におけるスキャンパルス間のパルス幅の差のさらに他の例を説明するための図である。
【０２８８】
図３０に示されているように、スキャン順序が連続しており、かつ互いに異なるパルス幅を有する２つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに異なるように設定される。例えば、Ｙａスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅をＷであると仮定すれば、Ｙｂスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、Ｗ＋ｄ、Ｙｃスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、Ｗ＋３ｄ、Ｙｄスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅は、Ｗ＋７ｄである。すなわち、スキャン順序が連続しており、かつパルス幅が互いに異なる２つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、ｄまたは２ｄまたは４ｄなどで互いに異なる。
【０２８９】
一方、以上では、プラズマディスプレイパネル上のスキャン電極を各々同じ個数のスキャン電極を含む複数のスキャン電極群に分けて駆動する一例のみを図示し、また説明したが、複数のスキャン電極群のうち、１つ以上で他のスキャン電極群と異なる個数のスキャン電極を含むようにすることもできるが、このように、スキャン電極群を区分する一例を説明すれば、次の図３１の通りである。
【０２９０】
図３１は、プラズマディスプレイパネルに形成されたスキャン電極を１つ以上で互いに異なる個数のスキャン電極を含むスキャン電極群に分ける一例を説明するための図である。
【０２９１】
図３１に示されているように、プラズマディスプレイパネル１４００のスキャン電極の総個数を１００であると仮定する時、このようなスキャン電極（Ｙ１ないしＹ１００）を、例えば、Ｙａスキャン電極群（Ｙ１ないしＹ１０）１４０１、Ｙｂスキャン電極群（Ｙ１１ないしＹ１５）１４０２、Ｙｃスキャン電極群（Ｙ１６）１４０３、Ｙｄスキャン電極群（Ｙ１７ないしＹ６０）１４０４及びＹｅスキャン電極群（Ｙ６１ないしＹ１００）１４０５に区分する。ここで、上述したように、それぞれのスキャン電極群は、互いに異なる個数のスキャン電極を含む。
【０２９２】
ここで、上述したＹｃスキャン電極群は、１つのスキャン電極、すなわちＹ１６スキャン電極のみを含むスキャン電極群であり、他のスキャン電極群とは異なり、１つのスキャン電極が１つのスキャン電極群をなす場合である。
【０２９３】
このように、１つのスキャン電極が１つのスキャン電極群をなす場合を除いては、スキャン電極群内に含まれた全てのスキャン電極は、スキャン順序が連続している。言い換えれば、１スキャン電極群が複数個のスキャン電極、例えばＹ１，Ｙ２，Ｙ３スキャン電極を含む場合、スキャン電極群内でＹ１スキャン電極とＹ２スキャン電極とＹ３スキャン電極とは、そのスキャン順序が連続している。
【０２９４】
ここでも、１つのスキャン電極群に複数個のスキャン電極を含む場合、このようなスキャン電極群に含まれる全てのスキャン電極は、図２６と同様に、スキャン順序が連続している。言い換えれば、スキャン順序に応じて所定個数のスキャン電極をグループ化して、スキャン電極群に設定することである。
【０２９５】
ここでは、各々のスキャン電極群が全て互いに異なる個数のスキャン電極を含むが、これとは異なり、複数のスキャン電極群のうち、選択された所定個数のスキャン電極群のみで、他のスキャン電極群と異なる個数のスキャン電極を含むことができる。例えば、図３１において、Ｙａスキャン電極群がスキャン順序が連続している１０個のスキャン電極を含み、またＹｂスキャン電極群がスキャン順序が連続しているさらに他の５個のスキャン電極を含み、以後のＹｃスキャン電極群がさらに他の１個のスキャン電極を含み、Ｙｄスキャン電極群は、各それぞれキャン順序が連続している４４個の電極電極を含み、Ｙｅスキャン電極群は、スキャン順序が連続している４０個のスキャン電極を含む。
【０２９６】
このように区分されるスキャン電極群でも、上述した図２７と同様に、スキャン順序に応じてスキャンパルスの幅を調整する。このようなスキャン電極群でスキャンパルス幅を調整する方法は、既に図２７で詳細に説明したので、重複する説明は省略するものとする。
【０２９７】
以上で詳細に説明したように、スキャン順序が早いスキャン電極群には、相対的に小さなパルス幅のスキャンパルスを印加し、スキャン順序が遅いスキャン電極群には、相対的に大きいパルス幅のスキャンパルスを印加することによって、１つのサブフィールド内で全体アドレス期間の長さの増加を抑制しながらも、スキャン順序が遅いスキャン電極群でプライミング粒子の不足によりアドレス放電が不安定になることを防止して、プラズマディスプレイパネル全体の放電を安定させる。
【０２９８】
<実施の形態５>
【０２９９】
以上の本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第４実施の形態では、スキャン順序に応じて１つのサブフィールド内の１つ以上のスキャン電極群に印加されるスキャンパルスの幅を調整することであるが、これとは異なり、１つのフレーム内でプラズマディスプレイパネルの全体画面の明るさに応じて、１つ以上のサブフィールドのスキャンパルスの幅を調整することも可能である。このような駆動方法を説明すれば、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第５実施の形態の通りである。
【０３００】
本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第５実施の形態は、プラズマディスプレイパネルの全体画面の明るさ、すなわち平均画像レベルＡＰＬに応じて、１つ以上のサブフィールドのスキャンパルスの幅を調整するが、このような本発明の駆動方法に対する第５実施の形態の理解のために、まず上述した平均画像レベルＡＰＬに対して説明すれば、次の図３２の通りである。
【０３０１】
図３２は、平均画像レベルＡＰＬ（Average Picture Level）に対して説明するための図である。図３２に示されているように、平均画像レベルＡＰＬの値が増加するほど、サステインパルスの個数は減少し、平均画像レベルＡＰＬの値が減少するほど、サステインパルスの個数は増加する。例えば、プラズマディスプレイパネルの画面上で相対的に小さな面積の部分だけに画像が表示される場合、すなわち画像が表示される面積が相対的に小さな場合（このような場合は、ＡＰＬレベルが相対的に小さい）、画像表示に寄与する放電セルの個数が相対的に小さいため、画像表示に寄与する放電セル各々に相対的に多い個数のサステインパルスを印加することによって、プラズマディスプレイパネルの全体電力消費の量を低減させる。また、画像が表示される部分の輝度を上げることによって、プラズマディスプレイパネルの全体画質を改善する。
【０３０２】
これと反対に、プラズマディスプレイパネルの画面上で相対的に大きい面積の部分に画像が表示される場合、すなわち画像が表示される面積が相対的に大きい場合（このような場合は、ＡＰＬレベルが相対的に大きい）、画像表示に寄与する放電セルの個数が相対的に多いため、画像表示に寄与する放電セル各々に相対的に少ない個数のサステインパルスを印加することによって、プラズマディスプレイパネルの全体電力消費の量を低減する。
【０３０３】
このような方法でプラズマディスプレイパネルの画面上で相対的に広い面積の部分で画像が表示される場合、各々の放電セルに供給されるサステインパルスの個数を減少させて電力消費を低減し、またプラズマディスプレイパネルの画面上で相対的に小さな面積の部分で画像が表示される場合、各々の放電セルに供給されるサステインパルスの個数を増加させて、全体輝度の減少を補償することによって、全体プラズマディスプレイパネルで具現される輝度の減少を抑制しながらも、電力消費を低減する。
【０３０４】
このような平均画像レベルが採用される本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第５実施の形態を説明すれば、次の図３３の通りである。
【０３０５】
図３３は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第５実施の形態を説明するための図である。図３３に示されているように、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第５実施の形態は、フレームの１つ以上のサブフィールドで平均画像レベルＡＰＬに応じて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスのパルス幅を調整する。例えば、図３３のように、平均画像レベルが低い場合、すなわちプラズマディスプレイパネルの画面上で画像が表示される面積が小さな場合（単位階調当たり、１つの放電セルに印加されるサステインパルスの個数が多い場合）、１つのフレーム内で加重値が低くて低階調を具現するサブフィールド（これを低階調サブフィールドと言う）、例えば、第１サブフィールドにおいて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅Ｗ１を他のサブフィールドにおいて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅Ｗ２より大きくする。
【０３０６】
例えば、図３３のように、１フレームが８個のサブフィールドからなると仮定する時、このようなサブフィールドのうち、第１サブフィールドにおいて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅Ｗ１を他のサブフィールド、すなわち第２サブフィールドから第８サブフィールドまでのサブフィールドにおいて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅Ｗ２より大きくする。
【０３０７】
このように、平均画像レベルＡＰＬが低い１つのフレーム内で、加重値が相対的に低くて低階調を具現する低階調サブフィールドでのスキャンパルスの幅を、他のサブフィールドよりさらに大きくする理由は、平均画像レベルが低い場合、プラズマディスプレイパネルの画面で画像が表示される面積が相対的に小さいため、加重値が低くて低階調を具現する低階調サブフィールドが、高階調サブフィールドよりさらに頻繁に選択される。したがって、平均画像レベルＡＰＬが低い場合に選択される頻度がさらに高い低階調サブフィールドのスキャンパルスの幅を増加させて、プラズマディスプレイパネルの全体放電を安定させる。
【０３０８】
また、平均画像レベルＡＰＬの差に応じて、選択される頻度が互いに異なるサブフィールドを含むフレームにおいて、選択される頻度が高いサブフィールドでスキャンパルスの幅を増加させ、選択される頻度が低いサブフィールドでスキャンパルスの幅を減少させることによって、プラズマディスプレイパネルの全体放電を安定させながらも、不必要なアドレス期間の長さの増加にともなうサステインパルス個数の減少により、プラズマディスプレイパネルの輝度が減少することを防止する。
【０３０９】
ここで、各々のサブフィールドで各スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅は、同一であることが好ましい。
【０３１０】
この図３３では、平均画像レベルＡＰＬが相対的に小さな場合、１つのフレーム内で他のサブフィールドよりスキャンパルスの幅をさらに大きくする低階調サブフィールドの個数を１つに設定したが、これとは異なり、１つのフレーム内で複数個の低階調サブフィールドが含まれることも可能であり、このような駆動方法を説明すれば、次の図３４の通りである。
【０３１１】
図３４は、１つのフレーム内において、複数個のサブフィールドでスキャンパルスの幅を平均画像レベルＡＰＬに応じて調整する一例を説明するための図である。図３４に示されているように、１つのフレーム内で第１，２，３サブフィールドのスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が、残りの他のサブフィールド、すなわち４，５，６，７，８サブフィールドのスキャンパルスよりさらに大きい。このような図３４の場合は、図３３と同様に、平均画像レベルＡＰＬが相対的に低い場合であって、このように平均画像レベルＡＰＬが相対的に低い場合に頻繁に選択される低階調サブフィールド、すなわち第１，２，３サブフィールドでのスキャンパルスの幅を、他のサブフィールドよりさらに大きくする。
【０３１２】
ここで、上述した低階調サブフィールドは、サステインパルスの個数を基にして設定されることができる。例えば、このような低階調サブフィールドは、１つのフレーム内で最も多いサステインパルスを有するサブフィールドのサステインパルス個数の２０％以下のサステインパルスの個数を有するサブフィールドであることが好ましい。例えば、１つのフレーム内でサステインパルスが最も多いサブフィールドが、総１０００個のサステインパルスを有すると仮定すれば、２００個以下のサステインパルスを有するサブフィールドが、低階調サブフィールドに設定される。このような基準を図３４に採用すれば、図３４の第１，２，３サブフィールドは、２００個以下のサステインパルスを有するサブフィールドである。
【０３１３】
上述した図３４の駆動波形では、低階調サブフィールドに設定された複数のサブフィールドでのアドレス期間において、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を、全て同一に設定したが、これとは異なり、低階調サブフィールドに設定された複数のサブフィールドでのアドレス期間において、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を、互いに異なるように設定することもできる。これを説明すれば、次の図３５の通りである。
【０３１４】
図３５は、１つのフレーム内において、複数個のサブフィールドでスキャンパルスの幅を平均画像レベルＡＰＬに応じて調整するさらに他の例を説明するための図である。
【０３１５】
図３５に示されているように、１つのフレーム内で第１，２，３サブフィールドのスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が、残りの他のサブフィールド、すなわち４，５，６，７，８サブフィールドのスキャンパルスよりさらに大きいが、ここでは、図３４とは異なり、第１サブフィールドのスキャンパルスの幅、第２サブフィールドの幅、第３サブフィールドの幅の大きさはそれぞれ異なる。ここでは、スキャンパルスの幅が他のサブフィールド、すなわち第４，５，６，７，８サブフィールドよりさらに大きい第１，２，３サブフィールドが低階調サブフィールドである。
【０３１６】
ここで、スキャンパルスの幅が相対的に大きい低階調サブフィールドである第１，２，３サブフィールド内でも、階調値が最も小さな第１サブフィールドのスキャンパルスの幅が、Ｗ１で最も大きく、その次の第２サブフィールドのスキャンパルスが、Ｗ２の幅を有し、その次の第３サブフィールドのスキャンパルスのスキャンパルスが、Ｗ３の幅を有する。また、残りのサブフィールド、すなわち第４，５，６，７，８、サブフィールドのスキャンパルスは、上述したＷ１またはＷ２またはＷ３よりさらに小さなＷ４の幅を有する。
【０３１７】
この図３５では、低階調サブフィールドが複数個である場合、それぞれの低階調サブフィールドが互いに異なるスキャンパルス幅を有することのみを図示し、また説明したが、これとは異なり、複数個の低階調サブフィールドのうち、所定個数の低階調サブフィールドを選択し、このように選択した低階調サブフィールドでのスキャンパルスの幅を、他の低階調サブフィールドと異なるようにすることもできる。例えば、低階調サブフィールドのうち、第１サブフィールドのスキャンパルスの幅をＷ１にし、残りの低階調サブフィールド、すなわち第２，３サブフィールドのスキャンパルスの幅を同一にＷ２に設定することもできる。
【０３１８】
以上での本発明の駆動方法に対する第４実施の形態の説明では、１フレームのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドでは、スキャンパルスの幅が低階調サブフィールドよりは小さいながら、全て同一に設定される場合のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドでも、１つ以上が異なるパルス幅のスキャンパルスを有することも可能であり、これを説明すれば、次の図３６の通りである。
【０３１９】
図３６は、低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドにおけるスキャンパルスの幅を説明するための図である。図３６に示されているように、１つのフレーム内で低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドで、１つ以上のサブフィールドがパルス幅が異なるスキャンパルスを有する。
【０３２０】
例えば、図３６のように、低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドのうち、階調値が最も小さな第４サブフィールドのスキャンパルスの幅が、Ｗａで最も大きく、その次の第５サブフィールドのスキャンパルスの幅が、上述したＷａよりは小さなＷｂであり、このような方式で第８サブフィールドのスキャンパルスの幅が、上述したＷａまたはＷｂよりは小さなＷｃである。このようなスキャンパルスの幅ＷａまたはＷｂまたはＷｃは、上述した図１８でのＷ１またはＷ２またはＷ３よりさらに小さい。
【０３２１】
以上の図３３、図３４、図３５、図３６で説明したように、１つのフレーム内でパルス幅が異なるスキャンパルス間のパルス幅の差は、同一であるか、異なるように設定されることができる。まず、１つのフレーム内でパルス幅が異なるスキャンパルス間のパルス幅の差が同じ場合を説明すれば、次の図３７の通りである。
【０３２２】
図３７は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第５実施の形態におけるスキャンパルス間のパルス幅の差の一例を説明するための図である。
【０３２３】
図３７に示されているように、互いに異なるパルス幅を有する２つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、全て同一に設定される。例えば、平均画像レベルＡＰＬが相対的に低い場合、１つのフレーム内で低階調サブフィールドのスキャンパルスの幅を他のサブフィールドよりさらに大きくする時、パルス幅が互いに異なる２つのスキャンパルス間のパルス幅の差、例えば、図３５の第１サブフィールドのスキャンパルス幅Ｗ１と第２サブフィールドのスキャンパルス幅Ｗ２との間のパルス幅の差と、第２サブフィールドのスキャンパルス幅Ｗ２と第３サブフィールドのスキャンパルス幅Ｗ３とのパルス幅の差と、第３サブフィールドのスキャンパルス幅Ｗ３と第４サブフィールドのスキャンパルスの幅Ｗ４との間のパルス幅の差が全て同一である。また、図３６での低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドにおいて、サブフィールド毎にスキャンパルスの幅を異なるようにする場合、ＷａとＷｂとの間の差と、ＷｂとＷｃとの間の差が同一である。
【０３２４】
さらに詳細に説明すれば、図３７のように、第１サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅をＷであると仮定すれば、第２サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅は、Ｗ＋ｄ、第３サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅は、Ｗ＋２ｄ、第４サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅は、Ｗ＋３ｄである。パルス幅が異なる２つのスキャンパルス間のパルス幅の差はｄで、全て同一である。
【０３２５】
これとは異なり、パルス幅が異なる２つのスキャンパルス幅の差は、互いに異なるように設定されることもでき、このような駆動波形を説明すれば、次の図３８の通りである。
【０３２６】
図３８は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第５実施の形態におけるスキャンパルス間のパルス幅の差のさらに他の例を説明するための図である。
【０３２７】
図３８に示されているように、互いに異なるパルス幅を有する２つのスキャンパルス間のパルス幅の差は、互いに異なるように設定される。このような図３８の場合は、図３７の場合とスキャンパルス間のパルス幅の差だけが異なり、基本的に同一である。
【０３２８】
例えば、第１サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅をＷであると仮定すれば、第２サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅は、Ｗ＋ｄであり、第３サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅は、Ｗ＋３ｄであり、第４サブフィールドで印加されるスキャンパルスの幅は、Ｗ＋７dである。すなわち、パルス幅が異なる２つのスキャンパルス間のパルス幅の差はｄまたは２ｄまたは４ｄなどで、互いに異なる。
【０３２９】
一方、以上では、平均画像レベルＡＰＬが低い場合のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、平均画像レベルＡＰＬが高い場合を説明すれば、次の図３９の通りである。
【０３３０】
図３９は、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第５実施の形態における平均画像レベルＡＰＬが高い場合の一例を説明するための図である。
【０３３１】
図３９に示されているように、本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第５実施の形態は、フレームの１つ以上のサブフィールドで平均画像レベルＡＰＬに応じて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスのパルス幅を調整するが、ここで、上述した平均画像レベルＡＰＬが高い場合には、相対的に加重値が高くて高階調を具現する高階調サブフィールドで、アドレス期間においてスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が他のサブフィールドよりさらに大きい。
【０３３２】
例えば、上述したように平均画像レベルＡＰＬが高い場合、すなわちプラズマディスプレイパネルの画面上で画像が表示される面積が広い場合（単位階調当たり、１つの放電セルに印加されるサステインパルスの個数が少ない場合）、１つのフレーム内で加重値が高くて高階調を具現するサブフィールド（これを高階調サブフィールドと言う）、例えば、第８サブフィールドでスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅Ｗ２を、他のサブフィールドでスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅Ｗ１より大きくする。
【０３３３】
例えば、図３９のように、１フレームが８個のサブフィールドからなると仮定すれば、このようなサブフィールドのうち、第８サブフィールドでスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅Ｗ２を、他のサブフィールド、すなわち第１サブフィールドから第７サブフィールドまでのサブフィールドでスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅Ｗ１よりさらに大きくする。
【０３３４】
このように、平均画像レベルＡＰＬが高い１つのフレーム内で、加重値が相対的に高くて高階調を具現する高階調サブフィールドでのスキャンパルスの幅を、他のサブフィールドよりさらに大きくする理由は、平均画像レベルが高い場合、プラズマディスプレイパネルの画面上で画像が表示される面積が相対的に広いため、加重値が高くて高階調を具現する高階調サブフィールドが、低階調サブフィールドよりさらに頻繁に選択される。したがって、平均画像レベルＡＰＬが高い場合、選択される頻度がさらに高い高階調サブフィールドのスキャンパルスの幅を増加させて、プラズマディスプレイパネルの全体放電を安定させる。
【０３３５】
また、平均画像レベルＡＰＬの差に応じて、選択される頻度が互いに異なるサブフィールドを含むフレームにおいて、選択される頻度が高いサブフィールドでスキャンパルスの幅を増加させ、選択される頻度が低いサブフィールドでスキャンパルスの幅を減少させることによって、プラズマディスプレイパネルの全体放電を安定させながらも、不必要なアドレス期間の長さの増加にともなうサステインパルス個数の減少により、プラズマディスプレイパネルの輝度が減少することを防止する。
【０３３６】
ここで、１つのフレーム内では、全てのサブフィールドで印加されるスキャンパルスは、同じパルス幅を有することが好ましい。
【０３３７】
この図３９では、平均画像レベルＡＰＬが相対的に高い場合、１つのフレーム内で他のサブフィールドよりスキャンパルスの幅をさらに大きくする高階調サブフィールドの個数を１つに設定したが、これとは異なり、１つのフレーム内で複数個の高階調サブフィールドが含まれることも可能であり、このような駆動方法を説明すれば、次の図４０の通りである。
【０３３８】
図４０は、１つのフレーム内において、複数個のサブフィールドでスキャンパルスの幅を平均画像レベルＡＰＬに応じて調整する一例を説明するための図である。図４０に示されているように、１つのフレーム内で第６，７，８サブフィールドのスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が、残り他のサブフィールド、すなわち１，２，３，４，５サブフィールドのスキャンパルスよりさらに大きい。このような図４０の場合は、図３９と同様に、平均画像レベルＡＰＬが相対的に高い場合であって、このように、平均画像レベルＡＰＬが相対的に高い場合に頻繁に選択される高階調サブフィールド、すなわち第６，７，８サブフィールドでのスキャンパルスの幅を、他のサブフィールドよりさらに大きくする。
【０３３９】
ここで、上述した高階調サブフィールドは、サステインパルスの個数を基に設定されることができる。例えば、このような高階調サブフィールドは、１つのフレーム内で供給される総サステインパルス個数の２０％以上のサステインパルス個数を有するサブフィールドであることが好ましい。例えば、１つのフレーム内で総サステインパルスが総２０００個であると仮定すれば、４００個以上のサステインパルスを有するサブフィールドが、高階調サブフィールドに設定されることである。このような基準を図４０に採用すれば、図４０の第６，７，８サブフィールドは、４００個以上のサステインパルスを有するサブフィールドになる。
【０３４０】
上述した図４０の駆動波形では、高階調サブフィールドに設定された複数のサブフィールドでのアドレス期間において、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を全て同一に設定したが、これとは異なり、高階調サブフィールドに設定された複数のサブフィールドでのアドレス期間において、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を互いに異なるように設定することもできる。これを説明すれば、次の図４１の通りである。
【０３４１】
図４１は、１つのフレーム内において、複数個のサブフィールドでスキャンパルスの幅を平均画像レベルＡＰＬに応じて調整するさらに他の例を説明するための図である。
【０３４２】
図４１に示されているように、１つのフレーム内で第６，７，８サブフィールドのスキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅が、残りのサブフィールド、すなわち１，２，３，４，５サブフィールドのスキャンパルスよりさらに大きいが、ここでは、図４０とは異なり、第６サブフィールドのスキャンパルスの幅、第７サブフィールドの幅、第８サブフィールドの幅の大きさは、それぞれ異なる。ここでは、スキャンパルスの幅が異なるサブフィールド、すなわち第１，２，３，４，５サブフィールドよりさらに大きい第６，７，８サブフィールドが高階調サブフィールドである。
【０３４３】
ここで、スキャンパルスの幅が相対的に大きい高階調サブフィールドである第６，７，８サブフィールド内でも、階調値が最も大きい第８サブフィールドのスキャンパルスの幅がＷ４で最も大きく、その次の第７サブフィールドのスキャンパルスがＷ３の幅を有し、その次の第６サブフィールドのスキャンパルスのスキャンパルスがＷ２の幅を有する。また、残りのサブフィールド、すなわち第１，２，３，４，５サブフィールドのスキャンパルスは、上述したＷ４またはＷ３またはＷ２より小さなＷ１の幅を有する。
【０３４４】
この図４１では、高階調サブフィールドが複数個である場合、各々の高階調サブフィールドが各々互いに異なるスキャンパルス幅を有する場合のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、複数個の高階調サブフィールドのうち、所定個数の高階調サブフィールドを選択し、このように選択した高階調サブフィールドでのスキャンパルスの幅を、他の高階調サブフィールドと異なるようにすることもできる。例えば、高階調サブフィールドのうち、第８サブフィールドのスキャンパルスの幅をＷ３とし、残りの高階調サブフィールド、すなわち第６，７サブフィールドのスキャンパルスの幅を同一にＷ２にし設定することもできる。
【０３４５】
以上での本発明の駆動方法に対する第５実施の形態の説明では、１フレームのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドでは、スキャンパルスの幅が高階調サブフィールドよりは小さいながら、全て同一に設定される場合のみを図示し、また説明したが、これとは異なり、高階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドでも、１つ以上が異なるパルス幅のスキャンパルスを有することも可能であり、これを説明すれば、次の図４２の通りである。
【０３４６】
図４２は、高階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドにおけるスキャンパルスの幅を説明するための図である。
【０３４７】
例えば、図４２のように、高階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドのうち、階調値が最も小さな第１サブフィールドのスキャンパルスの幅がＷａで最も小さく、その次の第２サブフィールドのスキャンパルスの幅が上述したＷａよりは大きいＷｂであり、このような方式で第５サブフィールドのスキャンパルスの幅が上述したＷａまたはＷｂよりは大きいＷｃである。このようなスキャンパルスの幅ＷａまたはＷｂまたはＷｃは、上述した図４１でのＷ２またはＷ３またはＷ４よりさらに小さい。
【０３４８】
以上の図３９、図４０、図４１、図４２で説明したように、１つのフレーム内でパルス幅が異なるスキャンパルス間のパルス幅の差は、同一であるか、異なるように設定されることができる。まず、１つのフレーム内でパルス幅が異なるスキャンパルス間のパルス幅の差が同一である場合は、上述した図３７と基本的に同様であるため、重複する説明は省略するものとする。
【０３４９】
また、パルス幅が異なる２つのスキャンパルス幅の差が互いに異なるように設定される場合は、上述した図３８の場合と基本的に同様であるため、重複する説明は省略するものとする。
【０３５０】
以上で詳細に説明したように、平均画像レベルＡＰＬの大きさに応じて、平均画像レベルＡＰＬが低い場合には、低階調サブフィールドでパルス幅が相対的に大きいスキャンパルスを印加し、平均画像レベルＡＰＬが高い場合には、高階調サブフィールドでパルス幅が相対的に大きいスキャンパルスを印加することによって、アドレス期間の長さの増加を防止しながらも、プラズマディスプレイパネルの全体放電が安定した状態を維持できるようになる。
【０３５１】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【０３５２】
【図１】通常のプラズマディスプレイパネルの構造を示した図である。
【図２】通常のプラズマディスプレイパネルにおける電極の配列構造を説明するための図である。
【図３】従来のプラズマディスプレイパネルにおける画像の階調を具現する方法を示した図である。
【図４】従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形を示した図である。
【図５】図４の従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形におけるリセットパルスをさらに詳細に説明するための図である。
【図６】１フレームに選択的書き込み及び選択的消去方式のサブフィールド両方を含める駆動方法を説明するための図である。
【図７】図６の駆動方法におけるリセット期間にスキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを説明するための図である。
【図８】従来の駆動波形において、アドレス期間にスキャン電極に印加されるスキャンパルスをさらに詳細に説明するための図である。
【図９】従来の駆動波形において、アドレス期間に各スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を説明するための図である。
【図１０】従来の駆動波形におけるフレームの各サブフィールドにおいて、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を説明するための図である。
【図１１】本発明によってリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置を説明するための図である。
【図１２ａ】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態を説明するための図である。
【図１２ｂ】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態を説明するための図である。
【図１３】本発明の本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態における低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【図１４】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態に係るさらに他の駆動波形を説明するための図である。
【図１５】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第１実施の形態における１つのフレーム内でのサブフィールドの配列を説明するための図である。
【図１６ａ】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第２実施の形態を説明するための図である。
【図１６ｂ】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第２実施の形態を説明するための図である。
【図１７】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第２実施の形態における高階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【図１８】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第２実施の形態に係るさらに他の駆動波形を説明するための図である。
【図１９】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第２実施の形態における１つのフレーム内でのサブフィールドの配列を説明するための図である。
【図２０ａ】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態を説明するための図である。
【図２０ｂ】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態を説明するための図である。
【図２１】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態に係るさらに他の駆動波形を説明するための図である。
【図２２】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態における低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【図２３】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態における高階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【図２４】本発明のリセットパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第３実施の形態における１つのフレーム内でのサブフィールドの配列を説明するための図である。
【図２５】本発明に係るスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の構造を説明するための図である。
【図２６】本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法を説明するために、プラズマディスプレイパネルに形成されたスキャン電極（Ｙ１ないしＹｎ）を４個のスキャン電極群に分けた図である。
【図２７】本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第４実施の形態を説明するための図である。
【図２８】スキャン順序に応じて調整されるスキャンパルスの幅をさらに詳細に説明するための図である。
【図２９】本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第４実施の形態におけるスキャンパルス間のパルス幅の差の一例を説明するための図である。
【図３０】本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第４実施の形態におけるスキャンパルス間のパルス幅の差のさらに他の例を説明するための図である。
【図３１】プラズマディスプレイパネルに形成されたスキャン電極を１つ以上で互いに異なる個数のスキャン電極を含むスキャン電極群に分ける一例を説明するための図である。
【図３２】平均画像レベルＡＰＬ（Average Picture Level）に対して説明するための図である。
【図３３】本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第５実施の形態を説明するための図である。
【図３４】１つのフレーム内において、複数個のサブフィールドでスキャンパルスの幅を平均画像レベルＡＰＬに応じて調整する一例を説明するための図である。
【図３５】１つのフレーム内において、複数個のサブフィールドでスキャンパルスの幅を平均画像レベルＡＰＬに応じて調整するさらに他の例を説明するための図である。
【図３６】低階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドにおけるスキャンパルスの幅を説明するための図である。
【図３７】本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第５実施の形態におけるスキャンパルス間のパルス幅の差の一例を説明するための図である。
【図３８】本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第５実施の形態におけるスキャンパルス間のパルス幅の差のさらに他の例を説明するための図である。
【図３９】本発明のスキャンパルスを印加するプラズマディスプレイ装置の駆動方法に対する第５実施の形態における平均画像レベルＡＰＬが高い場合の一例を説明するための図である。
【図４０】１つのフレーム内において、複数個のサブフィールドでスキャンパルスの幅を平均画像レベルＡＰＬに応じて調整する一例を説明するための図である。
【図４１】１つのフレーム内において、複数個のサブフィールドでスキャンパルスの幅を平均画像レベルＡＰＬに応じて調整するさらに他の例を説明するための図である。
【図４２】高階調サブフィールドを除外した残りのサブフィールドにおけるスキャンパルスの幅を説明するための図である。
【図１】
2006301583.tif 000003
【図２】
2006301583.tif 000004
【図３】
2006301583.tif 000005
【図４】
2006301583.tif 000006
【図５】
2006301583.tif 000007
【図６】
2006301583.tif 000008
【図７】
2006301583.tif 000009
【図８】
2006301583.tif 000010
【図９】
2006301583.tif 000011
【図１０】
2006301583.tif 000012
【図１１】
2006301583.tif 000013
【図１２ａ】
2006301583.tif 000014
【図１２ｂ】
2006301583.tif 000015
【図１３】
2006301583.tif 000016
【図１４】
2006301583.tif 000017
【図１５】
2006301583.tif 000018
【図１６ａ】
2006301583.tif 000019
【図１６ｂ】
2006301583.tif 000020
【図１７】
2006301583.tif 000021
【図１８】
2006301583.tif 000022
【図１９】
2006301583.tif 000023
【図２０ａ】
2006301583.tif 000024
【図２０ｂ】
2006301583.tif 000025
【図２１】
2006301583.tif 000026
【図２２】
2006301583.tif 000027
【図２３】
2006301583.tif 000028
【図２４】
2006301583.tif 000029
【図２５】
2006301583.tif 000030
【図２６】
2006301583.tif 000031
【図２７】
2006301583.tif 000032
【図２８】
2006301583.tif 000033
【図２９】
2006301583.tif 000034
【図３０】
2006301583.tif 000035
【図３１】
2006301583.tif 000036
【図３２】
2006301583.tif 000037
【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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