(57)【要約】【課題】処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬することにより施される基板処理のスループットを、さらに向上させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】処理槽１０に貯留される処理液を、純水から硫酸に交換するとともに、交換後の硫酸の液温を所定温度に温調する液交換処理において、まず、処理槽１０および外槽２０から純水を排出する。次に、供給ノズル４０から外槽２０へ硫酸を供給する。続いて、圧力センサ７３の検出結果から求められる硫酸２５の貯留量に基づき、外槽２０から処理槽１０に硫酸を循環させる循環処理、および、処理液の温調処理の開始タイミングを決定する。これにより、供給ノズル４０からの供給が完了する前の時点において温調処理を開始できる。そのため、液交換処理に要する時間を短縮できる【選択図】図３
2006210687.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の外側に設けられ、前記処理槽から溢れた処理液を回収するための外槽と、
前記外槽と前記処理槽との間を連通接続させる配管と、
前記配管に設けられ、前記配管を流れる処理液を温調する温調部と、
前記配管に設けられ、前記配管を通して前記外槽から排出された処理液を前記処理槽へ供給させる循環手段と、
前記外槽に貯留された処理液の貯留量を検出する検出部と、
前記検出部が前記外槽に貯留された処理液の第１の値の貯留量を検出した場合、前記循環手段により前記配管を通して前記外槽から排出された処理液を前記処理槽へ供給させ、前記検出部が前記第１の値より多い第２の値の貯留量を検出した場合、前記温調部を作動させる制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記外槽へ処理液を供給する処理液供給部をさらに備え、
前記検出部は、前記処理液供給部から前記外槽へ供給された処理液の貯留量を検出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記処理槽へ処理液を供給する処理液供給部をさらに備え、
前記検出部は、前記処理槽から前記外槽へ溢れ出た処理液の貯留量を検出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の基板処理装置において、
前記処理液には第１処理液と第２処理液とがあり、
前記処理槽に接続され、前記処理槽に貯留された第１処理液を排出する第１排出管と、
前記配管に接続され、前記外槽に貯留された第１処理液を前記配管を介して排出する第２排出管とをさらに備え、
前記処理液供給部は、前記第１排出管及び前記第２排出管から第１処理液を排出した後に、第２処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理槽に貯留された純水や薬液（以下、「処理液」と総称する）に半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を浸漬して所定の処理を施す基板処理装置に関するもので、特に、処理槽に貯留される処理液の交換手順の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬して所定の処理を施す基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特許３５３０４２６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、特許文献１の基板処理装置の基板処理槽に貯留される処理液を交換するとともに、交換された処理液の液温を基板処理に適した温度に調整するする液交換処理は以下の手順で実行される。
【０００５】
すなわち、液交換処理では、まず、基板処理槽、およびオーバーフロー液回収部の処理液を装置外部に排出する。次に、基板処理槽およびオーバーフロー液回収部からの処理液の排出処理が完了した後に、基板処理槽に略室温の新たな処理液を供給する。この処理液の供給に際して、基板処理槽から溢れ出した処理液はオーバーフロー液回収部に回収される。続いて、新たな処理液の供給が完了した後に、処理液を外槽から処理槽に循環しつつ温調する処理を開始する。そして、基板処理槽に所定量の処理液が所定温度とされた時点で、液交換処理が完了し、基板に対してこの交換された処理液による基板処理が可能となる。
【０００６】
しかしながら、基板処理のスループットをさらに向上させるためには、この液交換処理に要する時間、例えば、予備加熱の施されていない略室温の処理液が基板処理槽に供給される場合、この処理液が所定の液温に温調されるまでの時間も問題となる。
【０００７】
そこで、本発明では、処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬することにより施される基板処理のスループットをさらに向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対して処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の外側に設けられ、前記処理槽から溢れた処理液を回収するための外槽と、前記外槽と前記処理槽との間を連通接続させる配管と、前記配管に設けられ、前記配管を流れる処理液を温調する温調部と、前記配管に設けられ、前記配管を通して前記外槽から排出された処理液を前記処理槽へ供給させる循環手段と、前記外槽に貯留された処理液の貯留量を検出する検出部と、前記検出部が前記外槽に貯留された処理液の第１の値の貯留量を検出した場合、前記循環手段により前記配管を通して前記外槽から排出された処理液を前記処理槽へ供給させ、前記検出部が前記第１の値より多い第２の値の貯留量を検出した場合、前記温調部を作動させる制御部と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記外槽へ処理液を供給する処理液供給部をさらに備え、前記検出部は、前記処理液供給部から前記外槽へ供給された処理液の貯留量を検出することを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記処理槽へ処理液を供給する処理液供給部をさらに備え、前記検出部は、前記処理槽から前記外槽へ溢れ出た処理液の貯留量を検出することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４の発明は、請求項２または請求項３に記載の基板処理装置において、前記処理液には第１処理液と第２処理液とがあり、前記処理槽に接続され、前記処理槽に貯留された第１処理液を排出する第１排出管と、前記配管に接続され、前記外槽に貯留された第１処理液を前記配管を介して排出する第２排出管とをさらに備え、前記処理液供給部は、前記第１排出管及び前記第２排出管から第１処理液を排出した後に、第２処理液を供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１ないし請求項４に記載の発明によれば、検出部が外槽に貯留された処理液の第１の値の貯留量を検出した場合、循環手段により配管を通して外槽から排出された処理液を処理槽へ供給させ、検出部が第１の値より多い第２の値の貯留量を検出した場合、温調部を作動をさせているので、処理液の供給が完了する前に、循環手段による処理液の循環および循環されている処理液の温調を開始できるので、基板処理のスループットを向上できる。
【００１３】
特に、請求項４に記載の発明によれば、処理液供給部が第１排出管および第２排出管から第１処理液を排出した後に、第２処理液を供給しているので、第１処理液から第２処理液への液交換時間を短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１５】
＜１．第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の実施の形態における基板処理装置１の構成の一例を示す図である。基板処理装置１は、複数の基板に対して一度に基板処理を行う、いわゆる「バッチ式」の装置である。図１に示すように、基板処理装置１は、主として、処理槽（内槽）１０と、処理槽１０の外側に設けられ、処理槽１０から溢れた処理液を回収するための外槽２０と、外槽２０から排出された処理液を再度処理槽１０へ供給させるための配管５１ａ、６１、６２と、を備える。
【００１６】
処理槽１０はその内側に処理液１５を貯留し、この処理液１５に複数の基板Ｗを浸漬することにより、複数の基板Ｗに対して洗浄、エッチング等の処理が行われる。また、処理槽１０内側の底部近傍にはＹ軸方向に延伸する２本の処理液ノズル１７が配置されており、外槽２０から排出された処理液は、配管５１ａ、６１、６２を介して処理液ノズル１７から処理槽１０内へ矢印Ｂのように供給される。
【００１７】
昇降機構３０は、処理槽１０に貯留された処理液に複数の基板Ｗを浸漬させる機構であり、図１に示すように、主として、リフター３１と、保持棒３２とを備える。リフター３１は、駆動機構（図示省略）によって処理槽１０の上方位置と処理槽１０内との間を矢印Ａに示すように、Ｚ軸方向に昇降する。また、リフター３１には、Ｙ軸方向に沿って伸びる３本の保持棒３２が取り付けられる。ここで、３本の保持棒３２のそれぞれには複数の保持溝（図示省略）が設けられており、基板Ｗはその外縁部が対応する保持溝にはまり込むことによって起立姿勢にて保持される。
【００１８】
したがって、３本の保持棒３２によって保持された複数の基板Ｗは、リフター３１によって昇降させられることにより、処理液１５に浸漬させられる位置と、搬送ロボット（図示省略）との間で受渡しを行う処理槽１０の上方位置との間で昇降する。
【００１９】
処理槽１０の外側上部には、図１に示すように、処理槽１０の上端部を取り囲むように外槽２０が設けられている。これにより、処理槽１０から溢れた処理液は、外槽２０に回収される。
【００２０】
外槽２０の上方には供給ノズル４０、４５が、それぞれ配設されている。図１に示すように、供給ノズル４０は、バルブ４２、流量計４３、および配管４４を介して硫酸供給源４１と連通接続されている。また、供給ノズル４５は、バルブ４７、流量計４８、および配管４９を介して純水供給源４６と連通接続されている。したがって、バルブ４２、４７の開閉状態が制御されることにより、供給ノズル４０、４５は、それぞれ外槽２０の上方から外槽２０へ硫酸および純水を供給する。
【００２１】
流量計４３、４８は、図１に示すように、それぞれ配管４４、４９に設けられており、硫酸供給源４１から供給される硫酸、および純水供給源４６から供給される純水の単位時間当りの流量を測定する。そして、この流量計４３、４８の検出値に基づき、外槽２０に向けて供給された硫酸および純水の供給量が求められる。
【００２２】
また、外槽２０内には、外槽２０内に貯留された処理液に窒素ガスを吐出するガス吐出部２３が設けられている。このガス吐出部２３は、配管７４を介して窒素ガス供給源７１に接続されている。この配管７４には、上流側から調整部７２および圧力センサ７３が設けられている。調整部７２は、窒素ガス供給源７１から供給される窒素ガスの単位時間当りの流量を一定値に調整する。また、圧力センサ７３は、配管７４を流れる窒素ガスの圧力を検出する。
【００２３】
外槽２０内に貯留された処理液の貯留量を検出する際には、まず、調整部７２が窒素ガス供給源７１から供給される窒素ガスの流量を一定値にし、窒素が配管７４を介してガス吐出部２３から外槽２０内に貯留された処理液内へ供給される。このとき、圧力センサ７３は、外槽２０内に貯留された処理液の貯留量に対応した圧力値を検出する。処理液の貯留量が増加するにしたがって、この圧力値も増加することになる。
【００２４】
また、外槽２０の内側領域には、配管５１ａが連通接続されている。配管５１ａには開閉可能なバルブ５６ａが設けられている。また、配管５１ａは、連通位置８２にて共通配管６１と接続する。さらに、連通位置８２には、処理槽１０の内側領域と接続し、開閉可能なバルブ５６ｂが設けられた第１排出管５１ｂとも接続している。
【００２５】
共通配管６１は、主として、外槽２０から排出された処理液２５を処理槽１０側に供給するための配管である。図１に示すように、共通配管６１には、外槽２０側から処理槽１０側に向けて順に、ポンプ５３、バルブ６７、温調部６３、およびフィルタ６４が設けられている。また、共通配管６１は、位置８３にて２本の供給管６２と連通接続される。さらに２本の供給管６２のそれぞれは、対応する処理液ノズル１７と接続する。
【００２６】
したがって、ポンプ５３が駆動させられるとともに、バルブ５６ａ、６７が開放され、かつ、バルブ５６ｂ、５７が閉鎖されることにより、外槽２０に回収または供給された処理液２５は、配管５１ａ、共通配管６１、温調部６３、供給管６２、および処理液ノズル１７を介して矢印Ｂの方向に吐出し、処理槽１０の内に供給される。このように、ポンプ５３は、外槽２０に貯留された処理液２５を、配管５１ａ、共通配管６１および供給管６２を経由させて処理槽１０に循環する。
【００２７】
また、第２排出管５２の一端が、配管６１におけるポンプ５３とバルブ６７との間に挟まれた位置８１に接続されている。そして、第２排出管５２の他端には、排液ドレイン５９が接続されている。この第２排出管５２には開閉可能なバルブ５７が設けられている。なお、排液ドレイン５９は、基板処理装置１の外部に設けられており、半導体工場内の共通設備として使用されるものである。
【００２８】
外槽２０に貯留されている処理液２５を排液として排出する際には、ポンプ５３が駆動させられるとともに、バルブ５６ａ、５７が開放され、かつ、バルブ５６ｂ、６７が閉鎖されることにより、外槽２０に回収された処理液２５は、配管５１ａ、共通配管６１、および第２排出管５２を介して、排液ドレイン５９へ排出される。また、処理槽１０に貯留されている処理液１５を排液として排出する際には、ポンプ５３が駆動させられとともに、バルブ５６ｂ、５７が開放され、かつ、バルブ５６ａ、６７が閉鎖されることにより、処理槽１０に貯留された処理液１５は、第１排出管５１ｂ、共通配管６１、および第２排出管５２を介して、排液ドレイン５９に排出される。さらに、バルブ６７、５７が開放されるとともに、バルブ５６ａ、５６ｂが閉鎖されることにより、配管５１ａ、共通配管６１、および供給管６２のそれぞれに残留する処理液は、その自重によって排液ドレイン５９に排出される。
【００２９】
なお、共通配管６１に設けられている温調部６３は、共通配管６１を流れている処理液を加熱処理等を行って、処理液を温調するものである。また、フィルタ６４は、共通配管６１を流れている処理液に含まれているパーティクル等を除去するものである。
【００３０】
制御部９０は、図１に示すように、プログラムや変数等を格納するメモリ９１と、メモリ９１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ９２とを備える。また、制御部９０の制御対象であるバルブ４２、４７、５６ａ、５６ｂ、５７、６７、ポンプ５３、温調部６３、調整部７２、および圧力センサ７３等は、信号線９５によって電気的に接続されている。
【００３１】
したがって、ＣＰＵ９２は、メモリ９１に格納されたプログラムに従って、バルブ４２、４７、５６ａ、５６ｂ、５７、６７の開閉制御や、ポンプ５３、温調部６３、および調整部７２の駆動制御等を所定のタイミングで実行する。
【００３２】
＜１．２．液交換処理の手順＞
図２は、本実施の形態における処理液の交換処理を説明するためのタイミングチャートである。また、図３は、循環処理および温調部６３による温調処理の開始タイミングを説明するための図である。ここでは、図１から図３を参照しつつ、液交換処理の手順について説明する。
【００３３】
なお、以下では、時刻ｔ１より前の時点において処理槽１０に貯留される第１処理液としての純水（Ｈ2Ｏ）を第２処理液としての硫酸（Ｈ2ＳＯ4）に交換する処理について説明する。また、図２の時刻ｔ１より前の時点において、基板Ｗは、昇降機構３０によってＺ軸正方向に昇降させられるとともに、搬送ロボット（図示省略）に受け渡されたものとする。さらに、外槽２０に供給される硫酸の液温は略室温であるものとする。
【００３４】
まず、時刻ｔ１において、ポンプ５３の動作が開始させられるとともに、バルブ５６ｂ、５７が開放され、バルブ５６ａ、６７が閉鎖される。これにより、処理槽１０に貯留された純水１５は、ポンプ５３の駆動によって第１排出管５１ｂ、共通配管６１、および第２排出管５２を介して排液ドレイン５９に排出される（処理槽ドレイン）。
【００３５】
次に、時刻ｔ２において、ポンプ５３の作動状態が維持されつつ、バルブ５６ｂが閉鎖され、バルブ５６ａが開放される。これにより、外槽２０に回収された純水２５は、ポンプ５３の駆動によって配管５１ａ、共通配管６１、および第２排出管５２を介して排液ドレイン５９に排出される（外槽ドレイン）。
【００３６】
続いて、時刻ｔ３において、バルブ５７の開放状態が維持されつつ、ポンプ５３の動作が停止させられ、バルブ５６ａ、５６ｂが閉鎖されるとともに、バルブ６７が開放される。これにより、供給管６２に残留する純水は、純水の自重によって共通配管６１および第２排出管５２を介して排液ドレイン５９に排出される（配管ドレイン）。
【００３７】
続いて、時刻ｔ４において、少なくともバルブ５６ａ、５６ｂが閉鎖状態にされ、バルブ４２が開放されることにより、硫酸供給源４１の硫酸が配管４４を介して供給ノズル４０から外槽２０へ向けて供給され、外槽２０に硫酸が貯留される。なお、硫酸の供給は、基板処理に必要な量の供給が完了する時刻ｔ７まで行われる。
【００３８】
続いて、圧力センサ７３の検出値に基づき、外槽２０に貯留された硫酸の液面の高さＺがＺ１（図３参照：実線の液面）となり、外槽２０に貯留された硫酸２５の貯留量ＶがＶ１になったと判断される時刻ｔ５において、バルブ５６ｂ、５７の閉鎖状態を維持しつつ、バルブ５６ａ、６７が開放され、ポンプ５３が作動状態となる。これにより、外槽２０に貯留された硫酸２５は、配管５１ａ、共通配管６１、および２本の供給管６２を介し、処理液ノズル１７から処理槽１０内へ向けて供給される。すなわち、時刻ｔ４において、硫酸２５を外槽２０から処理槽１０に循環させる循環処理が開始される。
【００３９】
なお、図２に示すように、循環処理が開始された後もバルブ４２は開放されており、供給ノズル４０は、外槽２０へ硫酸が供給し続けられる。そのため、処理槽１０には外槽２０から排出された硫酸が供給され続けて貯留される。なお、循環処理を開始するトリガとなる硫酸２５の貯留量Ｖ１は、予め実験等によって求められる。
【００４０】
続いて、圧力センサ７３の検出値に基づき、外槽２０に貯留された硫酸の液面の高さＺがＺ２（図３参照：点線の液面）となり、外槽２０に貯留された硫酸２５の貯留量ＶがＶ２になったと判断される時刻ｔ６において、硫酸の循環処理が行われている状態で、温調部６３の動作が開始される。これにより、温調部６３による温調処理が開始され、共通配管６１を流通する硫酸は昇温させられる。
【００４１】
この場合、温調処理が開始された後もバルブ４２は開放されており、処理槽１０には硫酸が供給され続ける。そして、外槽２０から排出されて処理槽１０に供給された硫酸の供給量が処理槽１０の最大貯留量を超過した場合、超過分の硫酸は処理槽１０から溢れて、外槽２０によって回収される。
【００４２】
このように、本実施の形態の基板処理装置１では、硫酸の供給が完了する時刻ｔ７より前の時点の時刻ｔ６において、硫酸を循環させつつ温調する処理を開始できる。また、温調部６３の配設位置によっては、処理槽１０に硫酸２５が貯留され始めるより前の時点から温調処理を開始できる。そのため、従来の基板処理装置と比較して、温調処理の開始タイミングを早めることができ、その結果、液交換処理に要する時間を短縮できる。なお、循環処理が開始された後に温調処理が開始されるのは、温調部６３の空焚きによる破損を防止するためである。
【００４３】
そして、循環処理を実行し続けることにより、処理槽１０に貯留される硫酸１５の液温が基板処理可能な温度（例えば、約１２０℃）まで昇温させられる時刻ｔ８において、液交換処理を完了する。
【００４４】
なお、液交換処理後において基板処理が施される時刻ｔ８以降においても、循環処理が継続して実行される。これにより、処理槽１０から溢れた硫酸は外槽２０で回収され、外槽２０から排出されるとともに、共通配管６１に設けられた温調部６３から硫酸に対して熱エネルギーが伝達される。そのため、硫酸は所定の温度に維持され続ける。
【００４５】
＜１．３．第１の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第１の実施の形態の基板処理装置１では、硫酸の供給が完了する時刻ｔ７より前の時点である時刻ｔ５において、硫酸の循環処理を開始でき、また、時刻ｔ６において、共通配管６１を流通する硫酸の温調処理を開始できる。そのため、温調処理の開始タイミングを早めることができ、その結果、液交換処理に要する時間を短縮できる。
【００４６】
＜２．第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図４は、本実施の形態における基板処理装置１００の構成の一例を示す図である。図４に示すように、本実施の形態の基板処理装置１００のハードウェア構成は、第１の実施の形態の基板処理装置１と比較して、硫酸および純水の供給ノズル１４０、１４５が処理槽１０の上方に配設される点で相違するが、その他の点においては第１の実施の形態の基板処理装置１と同様である。すなわち、第２の実施の形態において、純水および硫酸等の処理液は、外槽２０でなく処理槽１０に供給される。そこで、以下ではこの相違点に留意しつつ、液交換処理の手順について説明する。
【００４７】
なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。
【００４８】
＜２．１．液交換処理の手順＞
図５は、循環処理および温調部６３による温調処理の開始タイミングを説明するための図である。ここでは、主として図２、図４および図５を参照しつつ、液交換処理の手順について説明する。
【００４９】
なお、以下では、時刻ｔ１より前の時点において処理槽１０に貯留される純水を硫酸に交換する処理について説明する。また、図２の時刻ｔ１より前の時点において、基板Ｗは、昇降機構３０によってＺ軸正方向に昇降させられるとともに、搬送ロボット（図示省略）に受け渡されたものとする。さらに、外槽２０に供給される硫酸の液温は略室温であるものとする。
【００５０】
液交換処理では、第１の実施の形態と同様に、時刻ｔ１〜ｔ２においては処理槽１０に貯留された純水１５を、時刻ｔ２〜ｔ３においては外槽２０に回収された純水２５を、時刻ｔ３〜ｔ４においては供給管６２に残留する純水を、それぞれ排液ドレイン５９に排出する処理が実行される（処理槽ドレイン、外槽ドレイン、配管ドレイン）。
【００５１】
続いて、時刻ｔ４において、硫酸供給源４１の硫酸が配管４４を介して供給ノズル１４０から処理槽１０へ向けて供給され、処理槽１０に硫酸が貯留される。そして、硫酸の供給は、基板処理に必要となる量の供給が完了する時刻ｔ７まで行われる。
【００５２】
ここで、供給ノズル１４０から供給される硫酸の供給量が処理槽１０の最大貯留量を超過した場合、超過分の硫酸は処理槽１０から溢れ、外槽２０によって回収される。そして、圧力センサ７３の検出値に基づき、外槽２０に貯留された硫酸の液面の高さＺがＺ１（図５参照：実線の液面）となり、外槽２０に貯留される硫酸２５の貯留量ＶがＶ１になったと判断される時刻ｔ５において、硫酸２５を外槽２０から処理槽１０に循環させる循環処理が開始される。また、外槽２０に貯留される硫酸の液面の高さＺがＺ２（図３参照：点線の液面）となり、貯留量ＶがＶ２になったと判断される時刻ｔ６において、温調部６３による温調処理が開始される。
【００５３】
このように、本実施の形態の基板処理装置１００では、第１の実施の形態の基板処理装置１と同様に、硫酸の供給が完了する時刻ｔ７より前の時点において、硫酸を循環させつつ温調する処理を開始できる。そのため、温調処理の開始タイミングを早めることができ、その結果、液交換処理に要する時間を短縮できる。
【００５４】
そして、内側循環処理を実行し続けることによって、処理槽１０に貯留される硫酸１５の液温が基板処理可能な温度まで昇温させられる時刻ｔ８において、液交換処理を完了する。
【００５５】
なお、液交換処理後において基板処理が施される時刻ｔ８以降においても、循環処理が継続して実行される。これにより、処理槽１０から溢れた硫酸は、外槽２０で回収され、外槽２０から排出されるとともに、共通配管６１に設けられた温調部６３から熱エネルギーの伝達を受ける。そのため、硫酸は所定の温度に維持され続ける。
【００５６】
＜２．２．第２の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第２の実施の形態の基板処理装置１００では、第１の実施の形態の基板処理装置１と同様に、硫酸の供給が完了する時刻ｔ７より前の時点である時刻ｔ５において硫酸の循環処理を開始、時刻ｔ６において、共通配管６１を流通する硫酸の温調処理を開始できる。そのため、温調処理の開始タイミングを早めることができ、その結果、液交換処理に要する時間を短縮できる。
【００５７】
＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
【００５８】
（１）第１および第２の実施の形態において、ガス吐出部２３からは、窒素ガスが吐出されるが、これに限定されるものでない。例えば、外槽２０に貯留される処理液２５との関係で化学的に安定なガスであればよく、アルゴンやヘリウムのような不活性ガスであってもよい。
【００５９】
（２）また、第１および第２の実施の形態では、ガス吐出部２３から窒素ガスを吐出することによって変動する配管７４内の圧力を検出することにより、外槽２０に貯留される処理液２５の貯留量を検出しているが、これに限定されるものでない。例えば、レベルセンサによって処理液２５の液面の高さを検出してもよい。
【００６０】
ここで、外槽２０の内側形状は設計上既知であるため、処理液の液面の高さから貯留量を求めることができる。すなわち、処理液の貯留量と処理液の液面の高さとは１対１に対応する。したがって、レベルセンサによって検出される処理液の液面高さから外槽２０の貯留量を演算し、その演算結果に基づいて循環処理および温調処理の開始タイミングを決定してもよい。
【００６１】
（３）また、第１および第２の実施の形態では、時刻ｔ１より前の時点において処理槽１０に貯留される純水を硫酸に交換する処理について説明したが、これに限定されるものでなく、処理槽１０に貯留される処理液を硫酸から純水に交換する場合にも適用できる。また、交換前および交換後の処理液は、それぞれ純水および硫酸以外であってもよく、例えば、新たな処理液としてリン酸（Ｈ3ＰＯ4）を供給してもよい。
【００６２】
（４）さらに、第１および第２の実施の形態において、硫酸供給源４１から導入される硫酸は、予備加熱されておらず、その液温は略室温であるが、これに限定されるものでなく、例えば、室温より高い温度に温調された硫酸を外槽２０に供給してもよい。すなわち、本実施の形態では、基板処理に適した温度より低い液温の処理液を処理槽１０または外槽２０へ供給する場合に、本発明の目的を達成できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の構成の一例を示す図である。
【図２】第１および第２の実施の形態における処理液の液交換処理を説明するためのタイミングチャートである。
【図３】第１の実施の形態での循環処理および温調処理を開始するタイミングを説明するための図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態における基板処理装置の構成の一例を示す図である。
【図５】第１の実施の形態での循環処理および温調処理を開始するタイミングを説明するための図である。
【符号の説明】
【００６４】
１、１００  基板処理装置
１０  処理槽
１７  処理液ノズル
２０  外槽
２３  ガス吐出部
３０  昇降機構
４０、４５、１４０  供給ノズル
４１  硫酸供給源
４２、４７、５６ａ、５６ｂ、５７、６７  バルブ
４６  純水供給源
５１ａ  配管
５１ｂ  第１排出管
５２  第２排出管
５３  ポンプ
６１  共通配管
６２  供給管
６３  温調部
７１  窒素ガス供給源
７２  調整部
７３  圧力センサ
９０  制御部
９１  メモリ
９２  ＣＰＵ
９５  信号線
Ｗ  基板
【図１】
2006210687.tif 000003
【図２】
2006210687.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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