(57)【要約】【課題】  ダイアフラムを有する半導体センサチップを接着剤を介してケースに取り付けてなる圧力センサにおいて、センサチップを直接ケースに接着する場合に、接着部からセンサチップに印加される応力の緩和と、センサチップのダイアフラムへの接着剤の付着防止とを、容易に実現する。【解決手段】  半導体からなり圧力の印加により歪むダイアフラム２１を形成してなる圧力検出用のセンサチップ２０と、センサチップ２０が取り付けられたケース１０とを備え、センサチップ２０は、ダイアフラム２１の周囲部２３にてケース１０に対して接着剤３０を介して直接固定され、センサチップ２０においてダイアフラム２１の周囲部２３のうち接着剤３０による接着部とダイアフラム２１との間の部位に、当該接着部からダイアフラム２１に印加される応力を緩和するための溝４０が設けられている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体からなるものであって圧力の印加により歪むダイアフラム（２１）が形成されてなる圧力検出用のセンサチップ（２０）と、
前記センサチップ（２０）が取り付けられたケース（１０）とを備える圧力センサにおいて、
前記センサチップ（２０）は、前記ダイアフラム（２１）の周囲部（２３）にて前記ケース（１０）に対して接着剤（３０）を介して直接固定されており、
前記センサチップ（２０）において前記ダイアフラム（２１）の周囲部（２３）のうち前記接着剤（３０）による接着部と前記ダイアフラム（２１）との間の部位には、前記接着部から前記ダイアフラム（２１）に印加される応力を緩和するための溝（４０）が設けられていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
前記溝（４０）は、前記ダイアフラム（２１）の全周に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項３】
前記溝（４０）を第１の溝（４０）としたとき、
前記センサチップ（２０）において前記ダイアフラム（２１）の周囲部のうち前記接着剤（３０）による接着部の外側には、第２の溝（４１）が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の圧力センサ。
【請求項４】
前記センサチップ（２０）は、前記ケース（１０）への接着面（２０ｂ）の一部に凹部（２２）を形成することにより前記凹部（２２）に対応した薄肉部が前記ダイアフラム（２１）として構成されたものであり、
前記接着面（２０ｂ）側における前記ダイアフラム（２１）の周囲部としての厚肉部（２３）にて、前記接着部および前記溝（４０）が形成されたものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイアフラムを有する半導体センサチップを接着剤を介してケースに取り付けてなる圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の圧力センサは、一般に、シリコン半導体などの半導体からなる基板に圧力の印加により歪むダイアフラムを形成してなる圧力検出用のセンサチップと、当該センサチップを取り付けられたケースとを備えて構成されている。
【０００３】
ここで、従来では、ダイアフラムを有する半導体センサチップを、当該ダイアフラムに通じる貫通孔を有するガラス台座に支持させ、このガラス台座を接着剤を介してケースに接着し固定している（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−１４４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、本発明者は、この種の圧力センサにおいて、コストダウンなどの観点から、ガラス台座を無くし、ガラス台座を介することなく、センサチップを直接ケースに接着する構成を検討した。
【０００５】
上述したように、従来では、半導体センサチップをガラス台座に陽極接合などにより接合し、このガラス台座を介してセンサチップをケースに接着することにより、ケースとの接着部とセンサチップとの距離を隔てることで、接着部からセンサチップに加わる応力を緩和するようにしていた。
【０００６】
しかしながら、この種の圧力センサにおいて、半導体センサチップを直接ケースに接着する構成を採用した場合、センサチップをケースに接着するときや接着後における熱衝撃などによる接着部からの応力が、センサチップに加わり、センサチップのダイアフラムに歪みなどを与え、センサ特性に悪影響を与えやすくなる。
【０００７】
このような応力は、たとえば、センサチップをケースに接着するときにセンサチップが直接受ける応力や、センサチップ、ケースおよび接着剤の間の線膨張係数の差、あるいは、ケースを構成する樹脂のクリープなどによる応力である。
【０００８】
また、センサチップを直接ケースに接着する構成を採用した場合、センサチップに直接接着剤を付けてケースに接着することになるが、一般的にこの種のセンサチップの接着に利用される接着剤は表面張力が小さいため、放置時間によっては濡れが発生し、接着剤がセンサチップのダイアフラムまで拡がってダイアフラムに付着し、センサ特性に悪影響を与える可能性が大きくなる。
【０００９】
そのため、ケースへの接着部からセンサチップに加わる応力や接着剤によるセンサの出力誤差を軽減するために、当該応力の緩和および接着剤のダイアフラムへの付着防止といった対策を講じる必要が生じる。
【００１０】
このような問題に対して、上記特許文献１に記載されている圧力センサでは、ケース側に溝を形成することにより、ケースからセンサチップに加わる外力を緩和するようにしている。
【００１１】
しかしながら、このような溝をケースに設けることは、ケースの形状やセンサチップの配置形態などによっては、容易ではない場合も多く、ケース形状やチップの配置形態に制約が生じる可能性がある。
【００１２】
また、上記特許文献１に記載されている圧力センサでは、接着部の外側においてケースに溝が形成されているが、このものにおいて、センサチップを直接ケースに接着した場合、接着剤の拡がりによるダイアフラムへの接着剤の付着を防止することはできないという問題がある。
【００１３】
さらに、この種の圧力センサにおいて、上記したような外部応力によるセンサチップの歪みを、処理回路側にてセンサ出力の誤差分をキャンセルすることも考えられるが、回路構成が複雑になる
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ダイアフラムを有する半導体センサチップを接着剤を介してケースに取り付けてなる圧力センサにおいて、センサチップを直接ケースに接着する場合に、接着部からセンサチップに印加される応力の緩和と、センサチップのダイアフラムへの接着剤の付着防止とを、容易に実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体からなるものであって圧力の印加により歪むダイアフラム（２１）が形成されてなる圧力検出用のセンサチップ（２０）と、センサチップ（２０）が取り付けられたケース（１０）とを備える圧力センサにおいて、センサチップ（２０）は、ダイアフラム（２１）の周囲部（２３）にてケース（１０）に対して接着剤（３０）を介して直接固定されており、センサチップ（２０）においてダイアフラム（２１）の周囲部（２３）のうち接着剤（３０）による接着部とダイアフラム（２１）との間の部位には、接着部からダイアフラム（２１）に印加される応力を緩和するための溝（４０）が設けられていることを特徴としている。
【００１５】
それによれば、センサチップ（２０）においてダイアフラム（２１）の周囲部（２３）の接着部とダイアフラム（２１）との間の部位に、応力緩和用の溝（４０）を形成しているため、当該接着部からダイアフラム（２１）に印加される応力が、当該溝（４０）によって形成された薄肉部（４０ａ）にて緩和され、応力によるダイアフラム（２１）の歪みは極力防止され、センサ特性の変動を防止できる。
【００１６】
また、従来のように、ケース（１０）側ではなく、センサチップ（２０）側に応力緩和用の溝（４０）を設けているため、ケース（１０）の形状やセンサチップ（２０）の配置形態において、設計上の制約が軽減される。
【００１７】
また、センサチップ（２０）において、接着部とダイアフラム（２１）との間に、溝（４０）を設けているため、接着部からの接着剤（３０）がダイアフラム（２１）側へ拡がろうとするのを、溝（４０）によって遮断することができ、ダイアフラム（２１）への接着剤（３０）の付着を防止することができる。
【００１８】
このように、本発明によれば、ダイアフラム（２１）を有する半導体センサチップ（２０）を接着剤（３０）を介してケース（１０）に取り付けてなる圧力センサにおいて、センサチップ（２０）を直接ケース（１０）に接着する場合に、接着部からセンサチップ（２０）に印加される応力の緩和と、センサチップ（２０）のダイアフラム（２１）への接着剤（３０）の付着防止とを容易に実現することができる。
【００１９】
また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の圧力センサにおいて、溝（４０）は、ダイアフラム（２１）の全周に設けられていることを特徴としている。
【００２０】
応力緩和用の溝（４０）は、ダイアフラム（２１）の周囲において非連続的に設けられていてもよいが、ダイアフラム（２１）の全周に設けた方が、接着剤（３０）のダイアフラム（２１）側への拡がりを防止するためには、好ましい。
【００２１】
また、請求項３に記載の発明では、請求項１または請求項２に記載の圧力センサにおいて、溝（４０）を第１の溝（４０）としたとき、センサチップ（２０）においてダイアフラム（２１）の周囲部のうち接着剤（３０）による接着部の外側には、第２の溝（４１）が設けられていることを特徴としている。
【００２２】
それによれば、接着部からダイアフラム（２１）側への接着剤（３０）の拡がりだけでなく、接着部からダイアフラム（２１）とは反対側への接着剤（３０）の拡がりも、この第２の溝（４１）によって防止することができる。
【００２３】
また、請求項４に記載の発明のように、請求項１〜請求項３に記載の圧力センサにおいては、センサチップ（２０）としては、ケース（１０）への接着面（２０ｂ）の一部に凹部（２２）を形成することにより凹部（２２）に対応した薄肉部がダイアフラム（２１）として構成されたものであり、接着面（２０ｂ）側におけるダイアフラム（２１）の周囲部としての厚肉部（２３）にて、前記接着部および溝（４０）が形成されたものを採用することができる。
【００２４】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２６】
［構成等］
図１は、本発明の実施形態に係る圧力センサ１００の概略断面構成を示す図である。また、図２は、図１に示される圧力センサ１００において、センサチップ２０のケース１０への接着面２０ｂに対して斜め上方からみたときのセンサチップ２０の概略的な斜視構成を示す図である。
【００２７】
図１に示されるように、本実施形態の圧力センサ１００は、大きくは、ケース１０と、このケース１０に取り付けられ圧力の印加により歪む感圧部としてのダイアフラム２１が形成されてなる半導体からなる圧力検出用のセンサチップ２０とを備え、このセンサチップ２０が、ケース１０に対して接着剤３０を介し直接接着され固定された構成を備えたものとなっている。
【００２８】
図１において、ケース１０は圧力センサ１００の本体を区画形成するもので、本例では、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）やＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等の樹脂材料等よりなるケースである。なお、このケース１０は、樹脂以外にも、セラミックや金属などから成形されたものであってもよい。
【００２９】
ここで、ケース１０は、センサチップ２０が接着剤３０を介して搭載されるチップ搭載部１１、および、このチップ搭載部１１に設けられた貫通穴である圧力導入穴１２を備えている。
【００３０】
また、図示しないが、ケース１０には、圧力センサ１００と外部との電気的な接続を行うための導体部がインサート成形などにより設けられている。このような導体部は、たとえば銅や４２アロイなどの導体材料からなるものである。
【００３１】
そして、図１に示されるように、センサチップ２０は、圧力導入穴１２に面した状態でケース１０のチップ搭載部１１に対して、接着剤３０を介して接着されており、センサチップ２０はケース１０に固定されている。
【００３２】
このセンサチップ２０は、本例では、シリコン半導体等の半導体基板よりなり、その表面（図１（ａ）中の上面）２０ａ側に薄肉部であり歪み部であるダイアフラム２１を有し、接着面である裏面（図１（ａ）中の下面）２０ｂ側に、このダイアフラム２１を構成するために異方性エッチング等により形成された凹部２２を有する半導体ダイアフラム式の圧力検出素子である。
【００３３】
言い換えるならば、センサチップ２０は、裏面２０ｂ側すなわちケース１０への接着面２０ｂ側に凹部２２を形成することにより、この凹部２２に対応した表面２０ａ側の薄肉部がダイアフラム２１として構成されたものである。
【００３４】
このようなセンサチップ２０は、ダイアフラム２１にて圧力を受け、その圧力によってダイアフラム２１が歪み、たとえばダイアフラム２１に形成された拡散抵抗や配線などにより構成されたブリッジ回路によって、このダイアフラム２１の歪みに基づく信号、すなわち、印加された圧力値に応じたレベルの信号を出力するものである。
【００３５】
本実施形態では、センサチップ２０は、その接着面２０ｂ側において、薄肉部であるダイアフラム２１の周囲部２３すなわち厚肉部２３にて接着剤３０を介して、ケース１０のチップ搭載部１１に直接固定されている。そして、センサチップ２０は、その接着面２０ｂ側にて、ダイアフラム２１をケース１０の圧力導入穴１２に対向した状態で配置されたものとなっている。
【００３６】
ここで、接着剤３０としては、特に限定するものではないが、従来のこの種の圧力センサにおいてセンサチップ２０をケース１０に接着するもの、たとえば、塗布して硬化させることで接着機能を発揮する樹脂などからなる接着剤を採用することができる。
【００３７】
具体的に、接着剤３０としては、センサチップ２０とケース１０との接着部の熱応力がセンサ特性に影響を与え難いような柔らかい接着剤、たとえばシリコーン系接着剤やフロロシリコーン系接着剤などを採用することができる。
【００３８】
そして、本実施形態では、独自の構成として、図１、図２に示されるように、センサチップ２０の接着面２０ｂ側において、ダイアフラム２１の周囲部２３のうち接着剤３０による接着部とダイアフラム２１との間の部位には、当該接着部からダイアフラム２１に印加される応力を緩和するための溝４０が設けられている。
【００３９】
以下、この接着部とダイアフラム２１との間の部位に設けられた溝４０を第１の溝４０とする。この第１の溝４０においては、図１に示されるように、この第１の溝４０に対応するセンサチップ２０の表面２０ａ側の部位が薄肉部４０ａとなっている。
【００４０】
また、センサチップ２０の接着面２０ｂ側において、ダイアフラム２１の周囲部２３のうち接着剤３０による接着部の外側には、当該接着部の外側へ接着剤３０がはみ出すのを防止するための第２の溝４１が設けられている。
【００４１】
ここで、これら第１および第２の溝４０、４１は、ダイアフラム２１の周囲部２３において非連続的に設けられていてもよいが、図２に示されるように、ダイアフラム２１の全周に設けられている方が好ましい。
【００４２】
このように、本実施形態の圧力センサ１００においては、センサチップ２０の接着面２０ｂ側におけるダイアフラム２１の周囲部である厚肉部２３にて、上記接着部および溝４０、４１が形成されたものとなっている。
【００４３】
また、これら第１および第２の溝４０、４１の溝形状すなわち溝の断面形状は、矩形状、三角形状（Ｖ字形状）、Ｕ字形状などあってよい。
【００４４】
また、これら第１および第２の溝４０、４１は、ウェットプロセスまたはドライプロセスによるエッチングなどの化学的加工方法や、サンドブラスト、研磨、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）などの物理的な加工方法により、容易に形成することができる。
【００４５】
図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、第１および第２の溝４０、４１の溝形状の一例を示したものである。たとえば、異方性エッチングにより溝を形成した場合には、図３（ａ）に示されるような矩形状の溝や図３（ｂ）に示されるような三角形状の溝が形成され、サンドブラストにより溝を形成した場合には、図３（ｃ）に示されるようなＵ字状の溝が形成される。
【００４６】
また、上記図２に示される例では、第１および第２の溝４０、４１の配置パターンは円環状であったが、これら溝４０、４１の配置パターンは、これに限定されるものではなく、ケース１０における圧力導入穴１２の形状や接着剤３０の配置パターンなどによって適宜変更が可能である。
【００４７】
たとえば、図４に示される他の例のように、第１および第２の溝４０、４１の配置パターンは、矩形枠状であってもよい。さらに、これら溝４０、４１の配置パターンとしては、三角形環状、多角形環状あるいは楕円環状などの種々の配置パターンを採用することもできる。
【００４８】
また、これら第１および第２の溝４０、４１は、上記図１、図２に示される例では、それぞれ１個ずつ設けられたものであったが、第１および第２の溝４０、４１ともに、それぞれ複数個設けられていてもよいし、第１および第２の溝４０、４１のうち片方が１個で他方が複数個であってもよい。
【００４９】
また、図示しないが、ケース１０において、センサチップ２０に対する電気的な接続構成は、たとえば、次の通りである。
【００５０】
上述したように、ケース１０には、上記した図示しない導体部が設けられているが、この導体部の一端部をセンサチップ２０の近傍に位置させ、この導体部の一端部とセンサチップ２０とを、たとえば金やアルミニウムなどからなるボンディングワイヤなどにより、結線し電気的に接続する。
【００５１】
一方、上記導体部の他端部を、ケース１０において外部機器（たとえば、外部の配線部材など）と接続可能なように配置する。それにより、センサチップ２０は、上記ワイヤおよび導体部を介して外部との電気的なやりとりが可能になる。これが、センサチップ２０に対する電気的な接続構成の一例である。
【００５２】
［製法・作動等］
かかる圧力センサ１００は、たとえば、上記導体部がインサート成形されたケース１０を用意し、センサチップ２０をケース１０のチップ搭載部１１へ接着剤３０を介して搭載固定し、センサチップ２０と上記導体部とをワイヤボンディングなどにより結線することにより、製造することができる。
【００５３】
このような圧力センサ１００は、たとえば、センサチップ２０の表面２０ａ側からダイアフラム２１に印加される圧力と、センサチップ２０の裏面２０ｂ側からダイアフラム２１に印加される圧力との差圧により、ダイアフラム２１が歪み、このダイアフラム２１の歪みに基づいて圧力検出を行う相対圧型の圧力センサとすることができる。
【００５４】
限定するものではないが、具体的には、このような相対圧検出型の圧力センサ１００は、たとえば自動車のディーゼルエンジンの排気ガス浄化システム（ＤＰＦ（ディーゼルパティキュレートフィルタ）システム）を構成する一部品として、排気ガスの圧力を検出するものとして適用することができる。
【００５５】
この場合、本圧力センサ１００においては、上述したように、たとえば、排気管内のＤＰＦ上流側の排気ガス圧が、センサチップ２０の表面２０ａ側へ導入され、ＤＰＦ下流側の排気ガス圧が、センサチップ２０の裏面２０ｂ側へ導入される。
【００５６】
そして、センサチップ２０のダイアフラム２１の表面２０ａと裏面２０ｂとで各圧力が受圧され、ダイアフラム２１の歪みに基づいて、これら両面の差圧が検出され、センサチップ２０からの信号が、上記ボンディングワイヤ等から上記導体部を経て、外部に出力されるようになっている。
【００５７】
なお、本圧力センサ１００を上記した排気ガスセンサとして採用する場合、排気ガスは腐食性が強いので、センサチップ２０の表裏両面２０ａ、２０ｂは、ゲル部材などにより被覆し、このゲル部材を介して、センサチップ２０のダイアフラム２１へ圧力が印加されるようにしてもよい。
【００５８】
［効果等］
ところで、本実施形態によれば、半導体からなるものであって圧力の印加により歪むダイアフラム２１が形成されてなる圧力検出用のセンサチップ２０と、センサチップ２０が取り付けられたケース１０とを備える圧力センサにおいて、センサチップ２０は、ダイアフラム２１の周囲部２３にてケース１０に対して接着剤３０を介して直接固定されており、センサチップ２０においてダイアフラム２１の周囲部２３のうち接着剤３０による接着部とダイアフラム２１との間の部位には、接着部からダイアフラム２１に印加される応力を緩和するための第１の溝４０が設けられていることを特徴とする圧力センサ１００が提供される。
【００５９】
それによれば、センサチップ２０においてダイアフラム２１の周囲部２３の接着部とダイアフラム２１との間の部位に、応力緩和用の第１の溝４０を形成しているため、当該接着部からダイアフラム２１に印加される応力が、当該第１の溝４０によって形成された薄肉部４０ａにて緩和され、応力によるダイアフラム２１の歪みは極力防止され、センサ特性の変動を防止できる。
【００６０】
また、従来のように、ケース１０側ではなく、本実施形態では、センサチップ２０側に応力緩和用の第１の溝４０を設けているため、ケース１０の形状やセンサチップ２０の配置形態において、設計上の制約が軽減される。
【００６１】
また、センサチップ２０において、接着部とダイアフラム２１との間に、第１の溝４０を設けているため、接着部からの接着剤３０がダイアフラム２１側へ拡がろうとするのを、第１の溝４０によって遮断することができ、ダイアフラム２１への接着剤３０の付着を防止することができる。
【００６２】
このように、本実施形態によれば、ダイアフラム２１を有する半導体センサチップ２０を接着剤３０を介してケース１０に取り付けてなる圧力センサ１００において、センサチップ２０を直接ケース１０に接着する場合に、接着部からセンサチップ２０に印加される応力の緩和と、センサチップ２０のダイアフラム２１への接着剤３０の付着防止とを容易に実現することができる。
【００６３】
また、上述したが、本実施形態の圧力センサ１００においては、第１の溝４０は、ダイアフラム２１の全周に設けられていることが好ましいとしている。
【００６４】
応力緩和用の第１の溝４０は、ダイアフラム２１の周囲において非連続的に設けられていてもよいが、ダイアフラム２１の全周に設けた方が、接着剤３０のダイアフラム２１側への拡がりを防止するためには、好ましい。
【００６５】
また、本実施形態の圧力センサ１００においては、第１の溝４０に加えて、センサチップ２０においてダイアフラム２１の周囲部のうち接着剤３０による接着部の外側には、第２の溝４１が設けられていることも特徴のひとつである。
【００６６】
それによれば、接着部からダイアフラム２１側への接着剤３０の拡がりだけでなく、接着部からダイアフラム２１とは反対側への接着剤３０の拡がりも、この第２の溝４１によって防止することができ、好ましい。
【００６７】
なお、この第２の溝４１も、上記第１の溝４０と同じく、ダイアフラム２１の全周に設けられていることが好ましいことは、もちろんである。
【００６８】
また、本実施形態の圧力センサ１００においては、センサチップ２０として、ケース１０への接着面２０ｂの一部に凹部２２を形成することにより凹部２２に対応した薄肉部がダイアフラム２１として構成され、接着面２０ｂ側におけるダイアフラム２１の周囲部としての厚肉部２３にて、接着部および第１の溝４０が形成されたものを採用していることも特徴のひとつである。
【００６９】
なお、本実施形態の圧力センサ１００において、上記した接着部からセンサチップ２０に印加される応力の緩和、および、センサチップ２０のダイアフラム２１への接着剤３０の付着防止を容易に実現するという目的を実現するならば、第１の溝４０だけでよく、第２の溝４１は無くてもよい。
【００７０】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態では、センサチップ２０は、その裏面２０ｂに凹部２２が形成され、この凹部２２に対応する表面２０ａ側にダイアフラム２１が形成されたものであり、裏面２０ｂ側の厚肉部２１にてセンサチップ２０をケース１０に接着していたため、センサチップ２０の裏面２０ｂ側の厚肉部２３に溝４０、４１を設けていた。
【００７１】
これに対して、可能ならば、センサチップ２０を、その表面２０ａ側にてダイアフラム２１周囲の厚肉部２３にてケース１０に接着してもよい。つまり、この場合、図１において、センサチップ２０が図示例とは上下反対の向きになってケース１０に接着されることになる。そして、この場合、センサチップ２０の表面２０ａ側に上記した溝４０、４１を形成すればよい。
【００７２】
また、センサチップとしては、半導体からなるとともに圧力の印加により歪む感圧部としてのダイアフラム２１が形成されてなるものであれば、上記実施形態に示されるセンサチップ２０に限定されるものではない。
【００７３】
また、ケースとしては、樹脂やセラミックなどからなるケース以外にも、センサチップを接着固定することの可能な基材であればよく、たとえばセラミックなどからなる配線基板も含むものである。
【００７４】
また、上記実施形態では、差圧検出タイプすなわち相対圧検出タイプの圧力センサであったが、センサチップにおけるダイアフラムの片面側が真空などの基準圧となっており、ダイアフラムの他面側に被測定圧力を受ける絶対圧型の圧力センサに対しても、本発明は適用することが可能である。
【００７５】
また、本発明の圧力センサは、上述した排気圧力を検出するセンサに、その用途を限定されるものではないことは上述した通りである。
【００７６】
要するに、本発明は、半導体からなるものであって圧力の印加により歪むダイアフラムが形成されてなる圧力検出用のセンサチップと、センサチップが取り付けられたケースとを備える圧力センサにおいて、センサチップを、ダイアフラムの周囲部にてケースに対して接着剤を介して直接固定し、センサチップにおいてダイアフラムの周囲部のうち接着剤による接着部とダイアフラムとの間の部位に、接着部からダイアフラムに印加される応力を緩和するための溝を設けたことを要部とするものであり、その他の部分については、適宜設計変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施形態に係る圧力センサの概略断面図である。
【図２】図１に示される圧力センサにおけるセンサチップの接着面側から見たときの概略斜視図である。
【図３】本実施形態の圧力センサにおける溝形状の種々の例を示す概略断面図である。
【図４】本実施形態の圧力センサにおける溝の配置パターンを示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０…ケース、２０…センサチップ、
２０ａ…センサチップの表面、２０ｂ…センサチップの裏面である接着面、
２１…センサチップのダイアフラム、２２…センサチップの凹部、
２３…ダイアフラムの周囲部である厚肉部、３０…接着剤、
４０…第１の溝、４１…第２の溝。
【図１】
2006226756.tif 000003
【図２】
2006226756.tif 000004
【図３】
2006226756.tif 000005
【図４】
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