(57)【要約】【課題】  陽極接合法を用いた力学量センサの製造方法であって、電気配線を損傷させることがなく、また絶縁個所を破壊させることがなく、さらに電気配線を溶融することがなくされると共に、接合強度が好ましいものとされた力学量センサの製造方法。【解決手段】  前記第１ガラス基板２０ａに貫通孔４０を設ける貫通孔形成工程と、前記貫通孔４０が設けられた前記第１ガラス基板２０ａと前記シリコン基板２１とを陽極接合する第１陽極接合工程と、前記第１ガラス基板２０ａが接合された前記シリコン基板２１をエッチング処理して検出部及び柱状部３３，３４を設ける検出部形成工程と、前記貫通孔４０内から前記柱状部３３，３４と電気的に接続された導電膜３７を前記シリコン基板２１が接合された面とは逆側の前記第１ガラス基板の面に設ける導電膜形成工程と、前記第２ガラス基板２０ｂと前記シリコン基板２１とを陽極接合する第２陽極接合工程とを備えた。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板を第１ガラス基板及び第２ガラス基板により挟み込んで構成される力学量センサの製造方法であって、
前記第１ガラス基板に貫通孔を設ける貫通孔形成工程と、
前記貫通孔が設けられた前記第１ガラス基板と前記シリコン基板とを陽極接合する第１陽極接合工程と、
前記貫通孔を通って前記シリコン基板と電気的に接続される導電膜を前記シリコン基板が接合された面とは逆側の前記第１ガラス基板の面に設ける導電膜形成工程と、
前記第２ガラス基板と前記シリコン基板とを陽極接合する第２陽極接合工程とを備えたことを特徴とする力学量センサの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の力学量センサの製造方法において、
検出部と該検出部の周囲に配される柱状部とを前記第１ガラス基板と接合された前記シリコン基板に形成するようにエッチング処理する検出部形成工程を備え、
前記導電膜形成工程において前記導電膜が電気的に接続される個所が前記シリコン基板の前記柱状部とされることを特徴とする力学量センサの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の力学量センサの製造方法において、
前記導電膜を分断して前記貫通孔ごとに独立した端子を設ける端子形成工程を備えたことを特徴とする力学量センサの製造方法。
【請求項４】
シリコン基板を第１ガラス基板及び第２ガラス基板により挟み込んで構成される力学量センサの製造方法であって、
前記第１ガラス基板に貫通孔を設ける貫通孔形成工程と、
前記貫通孔が設けられた前記第１ガラス基板と前記シリコン基板とを陽極接合する第１陽極接合工程と、
前記貫通孔を通って前記シリコン基板と電気的に接続される導電体を前記貫通孔内に埋設する導電体埋設工程と、
前記第２ガラス基板と前記シリコン基板とを陽極接合する第２陽極接合工程とを備えたことを特徴とする力学量センサの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の力学量センサの製造方法において、
検出部と該検出部の周囲に配される柱状部とを前記第１ガラス基板と接合された前記シリコン基板に形成するようにエッチング処理する検出部形成工程を備え、
前記導電体埋設工程において前記導電体が電気的に接続される個所が前記シリコン基板の前記柱状部とされることを特徴とする力学量センサの製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のうち何れか一項に記載の力学量センサの製造方法において、
前記貫通孔が設けられる位置が、前記第１ガラス基板のうち前記柱状部と接するそれぞれの個所とされることを特徴とする力学量センサの製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のうち何れか一項に記載の力学量センサの製造方法によって製造されたことを特徴とする力学量センサ。
【請求項８】
請求項１から請求項７のうち何れか一項に記載の力学量センサの製造方法によって製造された力学量センサを有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板とシリコン基板とを用いて密閉室を形成し、その密閉室内に加速度や角速度等の各種の力学量を検出する検出部を収容した加速度センサや角速度センサに代表される力学量センサの製造方法、及びその製造方法を用いて製造された力学量センサ、並びにその力学量センサを有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子機器に加わる加速度若しくは角速度を検出するにあたっては、シリコン基板を挟み込むように一対のガラス基板が接合された力学量センサが提供されている。この種の力学量センサは、ガラス基板とシリコン基板とを用いることによって密閉室を形成し、その密閉室内に加速度や角速度等の各種の力学量を検出する検出部を収容している。
【０００３】
ところで、このシリコン基板の上下面にガラス基板を接合するにあたっては、一般に広く陽極接合法が用いられている。すなわち、陽極接合法を用いて、シリコン基板の上下面の片面ずつを、陽極接合法を用いてガラス基板を接合していた。この際、そのシリコン基板に第１ガラス基板を陽極接合するにあたっては、何ら問題なく互いを陽極接合できる。
【０００４】
しかしながら、第１ガラス基板が接合されたシリコン基板に、第２ガラス基板を陽極接合しようとした場合、予めシリコン基板に陽極接合されている第１ガラス基板が電気的絶縁材料となっているので、印加する電圧を高いものにしなければならない上、このシリコン基板及び第２ガラス基板を高温にしなければならなかった。具体的には、印加する電圧は数千Ｖ近くの高電圧を印加しなければならず、さらに熱する温度は３００〜５００℃の高温にまで熱しなくてはならなかった。
【特許文献１】特開２００１−１５８６７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したように、第２ガラス基板をシリコン基板に陽極接合しようとした場合には、これらのガラス基板やシリコン基板に高電圧を印加することや、高温に熱することによって不具合が生じていた。すなわち、ガラス基板やシリコン基板に高電圧を印加した場合には、これらのガラス基板やシリコン基板に設けられている電気配線を損傷してしまったり、また、絶縁個所を破壊してしまう問題が生じていた。また、ガラス基板やシリコン基板を高温に熱した場合には、電気配線として用いられているアルミニウムや銅等の融点の低い金属が溶融してしまう虞があり、加熱温度は低く設定したい要請がある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであって、その目的は、上述したような陽極接合法を用いた力学量センサの製造方法であって、電気配線を損傷させることがなく、また絶縁個所を破壊させることがなく、さらに電気配線を溶融することがなくされると共に、接合強度が好ましいものとされた力学量センサの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するために以下の手段を提供する。
本発明の力学量センサの製造方法は、シリコン基板を第１ガラス基板及び第２ガラス基板により挟み込んで構成される力学量センサの製造方法であって、前記第１ガラス基板に貫通孔を設ける貫通孔形成工程と、前記貫通孔が設けられた前記第１ガラス基板と前記シリコン基板とを陽極接合する第１陽極接合工程と、前記貫通孔を通って前記シリコン基板と電気的に接続される導電膜を前記シリコン基板が接合された面とは逆側の前記第１ガラス基板の面に設ける導電膜形成工程と、前記第２ガラス基板と前記シリコン基板とを陽極接合する第２陽極接合工程とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の力学量センサの製造方法は、貫通孔形成工程と、第１陽極接合工程と、導電膜形成工程と、第２陽極接合工程とを有する。導電膜形成工程においては、その第１ガラス基板のシリコン基板が接合される面とは逆側の面に亘って、導電膜が設けられる。この導電膜は、シリコン基板と、貫通孔形成工程において第１ガラス基板に設けられた貫通孔内を通って電気的に接続されている。従って、導電板とシリコン基板との間にガラス基板が介装されているものでありながら、この導電膜に導電板を介して電圧を印加した場合には、導電膜を通電してシリコン基板に電圧を印加することとなる。
【０００９】
これによって、第２ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合する第２陽極接合工程においては、第１ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合するのと同様に、シリコン基板に電圧を好適に印加可能となる。従って、第２ガラス基板とシリコン基板とは、好ましく陽極接合される。つまり、絶縁性を有するガラス基板を介した状態でありながら、このガラス基板に設けられた貫通孔内を通ってシリコン基板に通電することが可能とされているので、従来のような高電圧を印加することも必要とされず、さらに、アルカリ金属イオンの熱拡散が生じさせるためにガラス基板を加熱する温度も、通常のように２００〜４００℃程度の温度を選択することができる。
【００１０】
具体的には、電気配線を損傷させたり、また絶縁個所を破壊させたりしてしまうような、数千Ｖの電圧を印加することが不要とされ、通常通りの２００〜６００Ｖの電圧を印加すればよいものとなる。また、この接合時にあっては、加熱温度も通常通りの２００〜４００℃を選択することができることとなる。従って、第２ガラス基板とシリコン基板とは好適に陽極接合されることとなる。
【００１１】
また、この製造方法にあっては、検出部と該検出部の周囲に配される柱状部とを前記第１ガラス基板と接合された前記シリコン基板に形成するようにエッチング処理する検出部形成工程を含めるものであってもよい。この検出部形成工程が含められた場合は、導電膜形成工程において導電膜が電気的に接続される個所は、シリコン基板の柱状部とされる。なお、この柱状部とは、このシリコン基板のうち、一対のガラス基板の互いを支持する柱状の部分である。
【００１２】
このように検出部形成工程が設けられた場合は、導電膜は、シリコン基板をエッチング処理して設けられる柱状部と、貫通孔形成工程において第１ガラス基板に設けられた貫通孔内を通って電気的に接続される。従って、上述したように、導電板とシリコン基板との間にガラス基板が介装されているものでありながら、この導電膜に導電板を介して電圧を印加した場合には、その一対の第１ガラス基板及び第２ガラス基板の互いを支持する柱状部に電圧を印加することとなる。これによって、第２ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合する第２陽極接合工程においては、第１ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合するのと同様に、シリコン基板の柱状部に電圧を好適に印加可能となる。従って、第２ガラス基板とシリコン基板の柱状部とは、好ましく陽極接合される。
【００１３】
さらに、上述した発明の力学量センサの製造方法にあっては、前記導電膜を分断して前記貫通孔ごとに独立した端子を設ける端子形成工程を含めるものであってもよい。この端子形成工程を、上述した力学量センサの製造方法に含めた場合には、導電膜形成工程において設けられた導電膜を分断することによって電気的接続が可能な端子が設けられることとなる。従って、この導電膜を利用して端子が設けられるので、新たに端子を設けるための形成工程を省くことができることとなる。これによって、製造の作業性を向上させることとなって、製造時間の短縮や、製造コストの削減に繋がることとなる。
【００１４】
また、本発明の力学量センサの製造方法は、シリコン基板を第１ガラス基板及び第２ガラス基板により挟み込んで構成される力学量センサの製造方法であって、前記第１ガラス基板に貫通孔を設ける貫通孔形成工程と、前記貫通孔が設けられた前記第１ガラス基板と前記シリコン基板とを陽極接合する第１陽極接合工程と、前記貫通孔を通って前記シリコン基板と電気的に接続される導電体を前記貫通孔内に埋設する導電体埋設工程と、前記第２ガラス基板と前記シリコン基板とを陽極接合する第２陽極接合工程とを備えたことを特徴とする。
【００１５】
本発明の力学量センサの製造方法は、貫通孔形成工程と、第１陽極接合工程と、導電体埋設工程と、第２陽極接合工程とを有する。導電体埋設工程においては、貫通孔形成工程において第１ガラス基板に設けられた貫通孔内に導電体が埋設される。この貫通孔内に設けられた導電体は、シリコン基板と電気的に接続されている。従って、この導電板とシリコン基板との間にガラス基板が介装されているものでありながら、この導電体に導電板を介して電圧を印加した場合には、導電体を通電してシリコン基板に電圧を印加することとなる。
【００１６】
これによって、第２ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合する第２陽極接合工程においては、第１ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合するのと同様に、シリコン基板に電圧を好適に印加可能となる。従って、第２ガラス基板とシリコン基板とは、好ましく陽極接合される。つまり、絶縁性を有するガラス基板を介した状態でありながら、このガラス基板に設けられた貫通孔内を通ってシリコン基板に通電することが可能とされているので、従来のような高電圧を印加することも必要とされず、さらに、アルカリ金属イオンの熱拡散が生じさせるためにガラス基板を加熱する温度も、通常のように２００〜４００℃程度の温度を選択することができる。
【００１７】
具体的には、電気配線を損傷させたり、また絶縁個所を破壊させたりしてしまうような、数千Ｖの電圧を印加することが不要とされ、通常通りの２００〜６００Ｖの電圧を印加すればよいものとなる。また、この接合時にあっては、加熱温度も通常通りの２００〜４００℃を選択することができることとなる。従って、第２ガラス基板とシリコン基板とは好適に陽極接合されることとなる。
【００１８】
また、この製造方法にあっては、検出部と該検出部の周囲に配される柱状部とを前記第１ガラス基板と接合された前記シリコン基板に形成するようにエッチング処理する検出部形成工程を含めるものであってもよい。この検出部形成工程が含められた場合は、導電体埋設工程において導電体が電気的に接続される個所は、シリコン基板の柱状部とされる。なお、この柱状部とは、このシリコン基板のうち、一対のガラス基板の互いを支持する柱状の部分である。
【００１９】
このように検出部形成工程が設けられた場合は、導電体は、シリコン基板をエッチング処理して設けられる柱状部と、貫通孔形成工程において第１ガラス基板に設けられた貫通孔内を通って電気的に接続される。従って、上述したように、導電板とシリコン基板との間にガラス基板が介装されているものでありながら、この導電体に導電板を介して電圧を印加した場合には、その一対の第１ガラス基板及び第２ガラス基板の互いを支持する柱状部に電圧を印加することとなる。これによって、第２ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合する第２陽極接合工程においては、第１ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合するのと同様に、シリコン基板の柱状部に電圧を好適に印加可能となる。従って、第２ガラス基板とシリコン基板の柱状部とは、好ましく陽極接合される。また、第２ガラス基板とシリコン基板とが好適に陽極接合された後は、貫通孔に設けられた導電体を端子として用いることができるので、新たに端子を設けるための形成工程を省くことができることとなって、製造上の作業性を向上させる。
【００２０】
また、本発明の力学量センサの製造方法は、前記貫通孔が設けられる位置が、前記第１ガラス基板のうち前記柱状部と接するそれぞれの個所とされることを特徴とする。
【００２１】
本発明の力学量センサの製造方法にあっては、前記第１ガラス基板のうち前記柱状部と接するそれぞれの個所に前記貫通孔が設けられるので、貫通孔内に設けられた導電膜または導電体は、検出部形成工程においてシリコン基板をエッチング処理して設けられる柱状部のそれぞれに好適に接続されるものとなる。これによって、このシリコン基板の柱状部が他の柱状部と接していない場合であっても、この独立した柱状部のそれぞれに電圧が好適に印加されることとなって、この独立した柱状部のそれぞれは第２ガラス基板と好適に陽極接合されることとなる。
【００２２】
従って、この第１ガラス基板と、第２ガラス基板と、これらのガラス基板とに挟まれるシリコン基板とによって、密閉室が好適に構成されることとなる。従って、その密閉室内に、加速度や角速度等の各種の力学量を検出する検出部を、好適に収容することができる。これによって、加速度センサや角速度センサ等の力学量センサとして好適に用いることができることとなる。
【００２３】
また、上述の力学量センサの製造方法を用いて製造された力学量センサを用いて電子機器を構成した場合には、印加する電圧を数千Ｖから、電気配線を損傷させたり絶縁個所を破壊させたりし難くなる通常通りの２００〜６００Ｖの電圧とすることができる上、また、加熱温度も通常通りの２００〜４００℃を選択することができる。従って、第２ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合するにあたって、電気配線の損傷若しく溶融乃至絶縁個所の破壊等の問題から回避された力学量センサを備えて電子機器が構成されることとなる。このようにして、力学量が好適に検出可能な電子機器となる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る力学量センサの製造方法によれば、陽極接合法を用いた力学量センサの製造方法でありながら、シリコン基板とガラス基板とを陽極接合するにあたって、印加電圧を２００〜６００Ｖに下げることができ、さらに、接合時の加熱温度も２００〜３００℃を選択することができる。これらによって、電気配線を損傷、絶縁個所を破壊、電気配線を構成する金属の溶融等の従来から発生していた問題を解消すると共に、シリコン基板とガラス基板との接合強度が好ましいものとされた力学量センサを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明に係る力学量センサが組み込まれた電子機器、その力学量センサ、そして、その力学量センサの製造方法に関する実施の形態について、図を参照しながら説明する。なお、この実施の形態にあっては、電子機器を、デジタルカメラや携帯電話機等のカメラ機構を有する電子機器１として、また、力学量センサを、角速度を検出するジャイロセンサ２として以下に説明する。
【００２６】
図１に示す符号１は、デジタルカメラや携帯電話機等のカメラ機構を有する電子機器であって、カメラモジュール３と前記ジャイロセンサ２を有するセンサユニット４とを備えている。カメラモジュール３は、センサユニット４から送られてきた角速度に基づいて、図示しないカメラレンズの補正量の算出を行うレンズ補正量算出回路５と、該レンズ補正量算出回路５で算出された補正量に基づいてＸ軸用レンズアクチュエータ６及びＹ軸用レンズアクチュエータ７を駆動するレンズ駆動回路８とを備えている。そして、両レンズアクチュエータ６，７は、それぞれカメラレンズをＸ方向及びＹ方向に適時変位させることで、手振れ補正等ができるようになっている。
【００２７】
前記センサユニット４は、前記ジャイロセンサ２と、該ジャイロセンサ２で検出された角速度に応じた静電容量を電圧に変換するＣ−Ｖ変換回路９と、変換された電圧から角速度を算出する角速度算出回路１０とを備えている。また、角速度算出回路１０は、算出した角速度を前記レンズ補正量算出回路５に出力するようになっている。
【００２８】
ジャイロセンサ２は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、一対のガラス基板２０（２０ａ，２０ｂ）と、該一対のガラス基板２０（２０ａ，２０ｂ）の間に挟まれた状態で陽極接合により接合されたシリコン基板２１と、該シリコン基板２１と一対のガラス基板２０とで囲まれた密閉室２２と、該密閉室２２内に収容され外部から作用した角速度（力学量）を検出する検出部２３とを備えている。なお、本実施形態においては、前記シリコン基板２１として、シリコン（Ｓｉ）支持基板２５（例えば、厚さ３００〜８００μｍ）と該Ｓｉ支持基板２５上に形成された二酸化珪素（ＳｉＯ２）のＢＯＸ層（Buried Oxide）２６と、該ＢＯＸ層２６上に形成されたＳｉ活性層２７（例えば、厚さ５〜１００μｍ）とを有するＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板（以下、単にシリコン基板）２１を用いた例を説明する。
【００２９】
前記密閉室２２は、シリコン基板２１に形成された凹部３０と一対のガラス基板２０とで囲まれた空間より形成されている。また、シリコン基板２１には、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、密閉室２２内に４本のビーム（梁部）３１によりガラス基板２０（２０ａ，２０ｂ）に接触しないように（中空状態）吊り下げられたプルーフマス３２が形成されている。この４本のビーム３１は、四角形状に囲まれたフレーム３３（３３ａ，３３ｂ）に基端側が支持されており、フレーム３３の４つの各辺の中間位置からそれぞれ内側に向けて延びた状態とされている。また、フレーム３３の周囲には、図２（ａ）に示すように、所定間隔を空けた状態でポスト３４（３４ａ，３４ｂ）が一対のガラス基板２０（２０ａ，２０ｂ）の間に設けられている。なお、このフレーム３３（３３ａ，３３ｂ）及びポスト３４（３４ａ，３４ｂ）は、本発明におけるシリコン基板２１の柱状部に相当するものである。
【００３０】
また、Ｓｉ活性層２７側のガラス基板２０（第１ガラス基板２０ａ）上であって、プルーフマス３２に対向する位置には、第１電極３５ａが設けられている。この第１電極３５ａは、第１ガラス基板２０ａとフレーム３３との間に設けられた第１電極パッド３６ａ及び第４の電極パッド３６ｂに、図示しない配線によって電気的接続されている。そして、第１電極パッド３６ａに電圧が印加されると、第１電極３５ａからプルーフマス３２の上部に静電引力が作用するようになっている。
【００３１】
また、Ｓｉ支持基板２５側のガラス基板２０（第２ガラス基板２０ｂ）上であって、プルーフマス３２に対向する位置には、第２電極３５ｂが設けられている。この第２電極３５ｂは、第２ガラス基板２０ｂと第１ポスト３４ａとの間に設けられた第３電極パッド３６ｃと第１ポスト３４ａと配線３８ａを介して接続されていると共に、配線３８ｂと第２ポスト３４ｂとを介して第４電極パッド３６ｄに電気的接続されている。そして、第３電極パッド３６ｃに電圧が印加されると、第２電極３５ｂからプルーフマス３２の下部に静電引力が作用するようになっている。
【００３２】
前記プルーフマス３２は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、前記第１電極３５ａ及び第２電極３５ｂによる静電引力によって所定の入力波形で励振する。そして、プルーフマス３２は、この励振状態で外部から角速度を受けると４本のビーム３１を回転中心として、Ｘ方向或いはＹ方向回りに捩れて変位するようになっている。ここで、Ｓｉ活性層２７側のガラス基板２０上には、プルーフマス３２に対向する位置に、プルーフマス３２との距離を測定する図示しない検出用電極が設けられている。この検出用電極は、プルーフマス３２との距離変化を静電容量の変化として検出する。これにより、プルーフマス３２の変位を該変位に応じた静電容量として検出でき、また、検出した容量を第１ガラス基板２０ａとポスト３４（３４ａ，３４ｂ）との間に設けられた第２の電極パッド３６ｂ及び第４電極パッド３６ｄを介してＣ−Ｖ変換回路９に出力するようになっている。すなわち、これらプルーフマス３２、第１電極３５ａ、第２電極３５ｂ及び検出用電極は、密閉室２２内に収容された前記検出部２３として機能するようになっている。
【００３３】
前記第１ガラス基板２０ａには、上述した第１〜第４電極パッド３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄを設けるにあたって、貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ）が所定間隔で４つ設けられたものとなっており、この第１〜第４貫通孔４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄのそれぞれに電極パッドが成膜されて形成されたものとなっている。そして、この第１〜第４電極パッド３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄは、外部機器と電気的接続可能となっている。さらに、この第１〜第４電極パッド３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄは、前記貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ）の内周面全周亘って形成されていると共に、この貫通孔４０の開口端周縁に亘っても形成されている。なお、この第１〜第４電極パッド３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄは、本発明における端子に相当するものであって、シリコン基板２１の柱状部に相当する３３（３３ａ，３３ｂ），３４（３４ａ，３４ｂ）と電気的接続されながら形成されたものとなっている。さらに、前記第１〜第４電極パッド３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄのそれぞれの間には、前記第１ガラス基板２０ａの表面５１を切り欠いたように形成される面切り欠き部６０（６０ａ，６０ｂ，６０ｃ）が設けられている。
【００３４】
次に、このジャイロセンサ２を製造するにあたっての製造方法を、図３〜図１０を参照しながら説明する。なお、次に説明するジャイロセンサ２の製造方法の実施の形態にあっては、上に述べた課題を解決するための手段とされているように、本発明と要部とされるシリコン基板とガラス基板の接合を主にして説明するものであり、図示して以下に説明するジャイロセンサ２ａ，２ｂは、上述したジャイロセンサ２を簡略化したものとなっている。つまり、上において説明したシリコン基板２１のうち、前記シリコン支持基板２５と、前記ＢＯＸ層２６と、前記Ｓｉ活性層２７とについての分別の図示を省略すると共に、前記第１電極３５ａ及び前記第２電極３５ｂについての図示も省略している。なお、これらは、後に説明するこのジャイロセンサ２の製造工程中における検出部形成工程において形成される。
【００３５】
さらに、上において説明したジャイロセンサ２の電極パッド３６あっては、４つからなるものとして構成したが、次に説明するジャイロセンサ２（２ａ，２ｂ）の電極パッド３６にあっては、これを簡略化して３つからなるものとして構成している。そして、上述したシリコン基板２１のうち、この一対のガラス基板２０ａ，２０ｂの互いを支持する柱状部位とされた柱状部に相当するフレーム３３及びポスト３４にあっても、上述のジャイロセンサ２を簡略化したものとなっている。このフレーム３３及びポスト３４は、後に詳述するが、図７に示すように、互いの間に空間が形成されて一対のガラス基板２０ａ，２０ｂに陽極接合される。また、次に説明するジャイロセンサ２の製造方法の実施の形態にあっては、各工程に適宜の工程を含めてなるものであってもよいし、また各工程間に新たな工程を含めてなるものとしてもよい。なお、以下に説明する第１の実施の形態及び第２の実施の形態においては、シリコン基板をエッチング処理して柱状部とされるフレーム３３及びポスト３４をシリコン基板に設けた例を説明する。
【００３６】
〔第１の実施の形態〕
すなわち、図３に示す符号２ａ（２）は、一対のガラス基板２０とされる第１ガラス基板２０ａ及び第２ガラス基板２０ｂに、前記シリコン基板２１を挟み込むようにして陽極接合して構成されるジャイロセンサを模式的に示したものである。このジャイロセンサ２ａは、図４（ａ）〜図４（ｆ）において図示される工程を踏んで製造される。すなわち、このジャイロセンサ２ａの製造にあっては、貫通孔形成工程と、第１陽極接合工程と、検出部形成工程と、導電膜形成工程と、第２陽極接合工程と、端子形成工程とを含んでいる。
【００３７】
まず、貫通孔形成工程においては、図４（ａ）に示すように、第１ガラス基板２０ａに貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）が設けられる。この貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）は、前記第１ガラス基板２０ａのうち、後に詳述する検出部形成工程（図４（ｃ））において前記シリコン基板２１に設けられる柱状部とされるフレーム３３及びポスト３４と接する個所のそれぞれに、サンドブラスト等の加工処理によって設けられるものである。
【００３８】
具体的には、前記第１ガラス基板２０ａのうち、後の検出部形成工程（図４（ｃ））において前記シリコン基板２１に設けられる柱状部とされる前記フレーム３３及びポスト３４と接する個所についてのみに穴がパターニングされたマスキングシート作製する。そして、そのマスキングシートを、前記第１ガラス基板２０ａの一面（図中において上面）に取り付け、このマスキングシートが取り付けられた一面に、金剛砂等の研磨用砂が混入された圧縮空気を吹き付け、マスキングシートが保護していない個所を掘削する。このようにして、前記第１ガラス基板２０ａの一面から他面（図中において下面）に貫通するまで掘削して、貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）を設ける。なお、このような物理的な掘削は、サンドブラストによるものに限定されず、例えば、高圧の水を吹き付けることのよってなされる掘削であってもよい。そして、前記第１ガラス基板２０ａに貫通孔４０が設けられた後には、前記第１ガラス基板２０ａに取り付けられたマスキングシートを取り外して、この第１ガラス基板２０ａを洗浄する。さらに、このような物理的な掘削によって前記貫通孔４０が設けられた場合は、その貫通孔は一般に、図４（ａ）に示すように、前記第１ガラス基板２０ａの他面に向かって縮径されていくように構成される。なお、この貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）を設けるにあたっての掘削は、上述のサンドブラスト等の物理的な掘削に限定されず、公知のエッチング処理等による化学的な掘削であっても、何ら問題はない。
【００３９】
そして、この貫通孔形成工程の後に、第１陽極接合工程に移る。この第１陽極接合工程においては、図４（ｂ）に示すように、上述のように貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）が設けられた第１ガラス基板２０ａがシリコン基板２１と陽極接合される。具体的には、前記第１ガラス基板２０ａの他面（図中において下面）とシリコン基板２１の一面（図中において上面）とを、全面に亘って当接させる。そして、図示しないが、シリコン基板２１の他面（図中においてした面）に当接された導電板に正の電圧を印加すると共に、第１ガラス基板２０ａの一面（図中において上面）に当接された導電板に負の電圧を印加する。そうすると、このシリコン基板２１と第１ガラス基板２０ａとの間に静電引力が発生し、その当接された互いの面は化学結合する。このようにして、前記第１ガラス基板２０ａとシリコン基板２１とは陽極接合される。なお、この陽極接合の際は、前記第１ガラス基板２０ａの一面（図中において上面）に当接された導電板に内蔵されるヒータによって、前記第１ガラス基板２０ａは２００〜４００℃に加熱されている。また、印加される電圧は２００〜６００Ｖとされている。
【００４０】
次いで、検出部形成工程に移る。この検出部形成工程においては、図４（ｃ）に示すように、前記第１ガラス基板２０ａが接合された前記シリコン基板２１を、その接合面とは逆側とされる他面（図中において下面）側からエッチング処理して、上述した検出部２３、フレーム（柱状部）３３及びポスト（柱状部）３４が設けられる。このエッチング処理は、公知のエッチング処理と大差変わらぬものであって、検出部２３、フレーム（柱状部）３３及びポスト（柱状部）３４が形成されるように適宜のレジスト膜を、前記シリコン基板２１の他面に成膜し、その後、適宜の吹き付けエッチング等によって、このシリコン基板２１の他面をエッチング処理する。エッチング処理後、成膜されたレジスト膜を除去すると共に除去面を洗浄する。このようにして、前記シリコン基板２１には所望の空間を形成され、これによって、シリコン基板２１に検出部２３、フレーム（柱状部）３３及びポスト（柱状部）３４が設けられることとなる。
【００４１】
この検出部形成工程の後に、図４（ｄ）に示す前記第１ガラス基板２０ａに導電膜を成膜する導電膜形成工程に移る。この導電膜形成工程においては、導電性を有する導電膜３７が、前記シリコン基板２１と接合された面とは逆側の前記第１ガラス基板２０ａの面、すなわち前記第１ガラス基板２０ａの一面（図中において上面）に、成膜される。また、この導電膜３７は、前記貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）の内周面及び該貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）内の前記シリコン基板２１の一面に亘っても成膜されており、これらの成膜された個所によって、この導電膜３７は、前記柱状部を構成するフレーム３３及びポスト３４と電気的な接続がなされるものとなっている。つまり、言い換えれば、第１ガラス基板２０ａの一面（図中において上面）側の全面に亘って導電膜３７が成膜されている。この成膜にあっては、適宜の成膜方法を採用することができ、例えば、アルミニウム等の導電性を有する金属を蒸着によって成膜されたり、スパッタリング法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等によって成膜されるものであってもよい。
【００４２】
この導電膜形成工程の後に、第２陽極接合工程に移る。この第２陽極接合工程においては、図４（ｅ）に示すように、第２ガラス基板２０ｂが、前記第１ガラス基板２０ａと陽極接合されているシリコン基板２１と陽極接合される。具体的には、前記第１ガラス基板２０ａに設けられた導電膜３７に第１導電板９１を当接させて配置すると共に、前記第２ガラス基板２０ｂの他面（図中において下面）に、第２導電板９２を当接させて配置する。そして、第２ガラス基板２０ｂの一面（図中において上面）とシリコン基板２１の他面（図中において下面）とを全面に亘って当接させる。そして、電極９３によって前記第１導電板９１に正の電圧を印加すると共に、前記第２導電板９２に負の電圧を印加する。前記第１導電板９１に印加された正の電圧は、前記第１ガラス基板２０ａに設けられた導電膜３７を介して、前記シリコン基板２１に通電される。そうすると、このシリコン基板２１と第２ガラス基板２０ｂとの間に静電引力が発生し、その当接された互いの面は化学結合する。このようにして、前記第２ガラス基板２０ｂとシリコン基板２１とは陽極接合される。なお、この陽極接合の際は、前記第２導電板９２に内蔵されるヒータによって、前記第２ガラス基板２０ｂは２００〜４００℃に加熱されている。また、印加される電圧は、前記第１ガラス基板２０ａを陽極接合する際と同様に、２００〜６００Ｖとされている。
【００４３】
そして、この第２陽極接合工程の後に、端子形成工程に移る。この端子形成工程においては、図４（ｆ）に示すように、前記導電膜３７を分断して、前記貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）が設けられた個所ごとに、独立した端子を形成する。すなわち、前記導電膜３７をエッチング処理等によって、前記貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）が設けられた個所ごとに独立した端子となるように、前記電極パッド３６（３６ｅ，３６ｆ，３６ｇ）を形成する。具体的には、前記導電膜３７のうち、前記貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）が配置される個所ごとに、その貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）より僅かに拡大された径のレジスト膜を成膜する。その後に、適宜の吹き付けエッチング等によって、この導電膜３７をエッチング処理する。エッチング処理後、成膜されたレジスト膜を除去すると共に除去面を洗浄する。このようにして、前記第１ガラス基板２０ａに設けられた導電膜３７のうち、前記貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）が配置される個所ごとのみが残されることとなる。言い換えれば、前記導電膜３７のうち、その貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）が配置される個所以外の導電膜はエッチング処理によって除去されて、互いは分断される。そして、この残された導電膜が、電極パッド３６（３６ｅ，３６ｆ，３６ｇ）を構成することとなる。
【００４４】
以上の工程を踏むことによって、図３に示すジャイロセンサ２ａ（２）を製造することができる。このように製造されたジャイロセンサ２ａ（２）は、次のような作用を奏する。すなわち、導電膜形成工程において設けられた導電膜３７は、シリコン基板２１をエッチング処理して設けられる柱状部とされるフレーム３３及びポスト３４と、貫通孔形成工程において第１ガラス基板に設けられた貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）内を通って電気的に接続されている。従って、第１導電板９１とシリコン基板２１との間にガラス基板２０ａが介装されているものでありながら、この導電膜３７に第１導電板９１を介して電圧を印加した場合には、印加された電圧は、導電膜３７を通電してシリコン基板２１の柱状部とされるフレーム３３及びポスト３４まで電圧を印加することとなる。
【００４５】
これによって、第２ガラス基板２０ｂとシリコン基板２１とを陽極接合する第２陽極接合工程においては、第１ガラス基板２０ａとシリコン基板２１とを陽極接合するのと同様に、シリコン基板２１に電圧を好適に印加可能となる。従って、第２ガラス基板２０ｂとシリコン基板２１とは、好ましく陽極接合される。つまり、絶縁性を有する第１ガラス基板２０ａを介した状態でありながら、この第１ガラス基板２０ａに設けられた貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）内を通ってシリコン基板２１に通電することが可能とされているので、従来のような高電圧を印加することも必要とされず、さらに、アルカリ金属イオンの熱拡散が生じさせるためにガラス基板を加熱する温度も、通常のように２００〜４００℃程度の温度を選択することができる。
【００４６】
具体的には、電気配線を損傷させたり、また絶縁個所を破壊させたりしてしまうような、数千Ｖの電圧を印加することが不要とされ、通常通りの２００〜６００Ｖの電圧を印加すればよいものとなる。また、この接合時にあっては、加熱温度も通常通りの２００〜４００℃を選択することができることとなる。従って、第２ガラス基板２０ｂとシリコン基板２１とは好適に陽極接合されることとなる。
【００４７】
さらに、この力学量センサの製造方法にあっては、前記導電膜３７を分断して前記貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）ごとに独立した端子３６を設ける端子形成工程を含めているので、この導電膜を利用して電気的接続が可能な端子が設けられることとなる。従って、新たに端子を設けるための形成工程を省くことができることとなる。これによって、製造の作業性を向上させることとなって、製造時間の短縮や、製造コストの削減に繋がることとなる。
【００４８】
また、前記第１ガラス基板２０ａのうち柱状部とされるフレーム３３及びポスト３４と接するそれぞれの個所に前記貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）が設けられるので、貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）内に設けられた導電膜３７は、検出部形成工程においてシリコン基板２１をエッチング処理して設けられる柱状部とされるフレーム３３及びポスト３４のそれぞれに好適に接続されるものとなる。これによって、このシリコン基板２１のフレーム３３がポスト３４と接していない場合であっても、この独立したフレーム３３及びポスト３４のそれぞれ電圧が好適に印加されることとなって、この独立した柱状部とされるフレーム３３及びポスト３４のそれぞれは第２ガラス基板２０ｂと好適に陽極接合されることとなる。
【００４９】
従って、この第１ガラス基板２０ａと、第２ガラス基板２０ｂと、これらのガラス基板とに挟まれるシリコン基板２１とによって、密閉室が好適に構成されることとなる。従って、その密閉室内に、加速度や角速度等の各種の力学量を検出する検出部２３を、好適に収容することができる。これによって、加速度センサや角速度センサ等の力学量センサとして好適に用いることができる。
【００５０】
〔第２の実施の形態〕
次に、上述の第１の実施の形態とは異なる第２の実施の形態について説明する。なお、以下において上述の第１の実施の形態と同一の符号が付される個所は、上述の第１の実施の形態と同一に構成されている。図５に示す符号２ｂ（２）は、一対のガラス基板２０とされる第１ガラス基板２０ａ及び第２ガラス基板２０ｂに、前記シリコン基板２１を挟み込むようにして陽極接合して構成されるジャイロセンサを模式的に示したものである。このジャイロセンサ２ｂは、図６（ａ）〜図６（ｅ）において図示される工程を踏んで製造される。すなわち、このジャイロセンサ２ｂの製造にあっては、貫通孔形成工程と、第１陽極接合工程と、検出部形成工程と、導電体埋設工程と、第２陽極接合工程と、端子形成工程とを含んでいる。
【００５１】
まず、貫通孔形成工程においては、図６（ａ）に示すように、第１ガラス基板２０ａに貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）が設けられる。この貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）は、前記第１ガラス基板２０ａのうち、後に詳述する検出部形成工程（図６（ｄ））において前記シリコン基板２１に設けられる柱状部とされるフレーム３３及びポスト３４と接する個所のそれぞれに、公知のエッチング処理によって設けられる。
【００５２】
具体的には、前記第１ガラス基板２０ａのうち、後の検出部形成工程（図６（ｄ））において前記シリコン基板２１に設けられる柱状部とされる前記フレーム３３及びポスト３４と接する個所を除いて、前記第１ガラス基板の一面（図中において上面）２０ａにレジスト膜が成膜される。そして、このレジスト膜が成膜された第１ガラス基板２０ａを、適宜の吹き付けエッチング等によって、この第１ガラス基板２０ａの一面をエッチング処理する。エッチング処理後、成膜されたレジスト膜を除去すると共に除去面を洗浄する。このようにして、この第１ガラス基板２０ａには、第１ガラス基板２０ａの一面（図中の上面）から他面（図中において下面）に貫通する貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）が設けられる。なお、このエッチング処理にあっては、片面のみにレジスト膜を成膜してエッチング処理するものとしたが、両面にレジスト膜を成膜してエッチング処理するものとしてもよい。
【００５３】
なお、前記貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）を設けるにあたっては、上述した化学的なものに限定されることなく、第１の実施の形態において説明したように、サンドブラスト等の物理的な掘削を用いて、この第１ガラス基板２０ａに設けられるものであってもよい。
【００５４】
そして、この貫通孔形成工程の後に、第１陽極接合工程に移る。この第１陽極接合工程においては、図６（ｂ）に示すように、上述のように貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）が設けられた第１ガラス基板２０ａがシリコン基板２１と陽極接合される。具体的には、前記第１ガラス基板２０ａの他面（図中において下面）とシリコン基板２１の一面（図中において上面）とを、全面に亘って当接させる。そして、図示しないが、シリコン基板２１の他面（図中においてした面）に当接された導電板に正の電圧を印加すると共に、第１ガラス基板２０ａの一面（図中において上面）に当接された導電板に負の電圧を印加する。そうすると、このシリコン基板２１と第１ガラス基板２０ａとの間に静電引力が発生し、その当接された互いの面は化学結合する。このようにして、前記第１ガラス基板２０ａとシリコン基板２１とは陽極接合される。なお、この陽極接合の際は、前記第１ガラス基板２０ａの一面（図中において上面）に当接された導電板に内蔵されるヒータによって、前記第１ガラス基板２０ａは２００〜４００℃に加熱されている。また、印加される電圧は２００〜６００Ｖとされている。
【００５５】
次いで、検出部形成工程に移る。この検出部形成工程においては、図６（ｃ）に示すように、前記第１ガラス基板２０ａが接合された前記シリコン基板２１を、その接合面とは逆側とされる他面（図中において下面）側からエッチング処理して、上述した検出部２３、フレーム（柱状部）３３及びポスト（柱状部）３４が設けられる。このエッチング処理は、公知のエッチング処理と大差変わらぬものであって、検出部２３、フレーム（柱状部）３３及びポスト（柱状部）３４が形成されるように適宜のレジスト膜を、前記シリコン基板２１の他面に成膜し、その後、適宜の吹き付けエッチング等によって、このシリコン基板２１の他面をエッチング処理する。エッチング処理後、成膜されたレジスト膜を除去すると共に除去面を洗浄する。このようにして、前記シリコン基板２１には所望の空間を形成され、これによって、シリコン基板２１に検出部２３、フレーム（柱状部）３３及びポスト（柱状部）３４が設けられることとなる。
【００５６】
この検出部形成工程の後に、図６（ｄ）に示すように、前記第１ガラス基板２０ａに設けられた貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）内に導電体３７ａを埋め込めて設ける導電体埋設工程に移る。なお、この導電体３７ａは、導電性を有し、電極パッド３６（３６ｈ，３６ｉ，３６ｊ）を兼ねるものである。具体的には、溶融された導電性を有する金属が、貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）内に流し込まれたり、固体の金属が貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）内に嵌め込まれたりして、なるものである。この導電体３７ａは、前記柱状部を構成するフレーム３３及びポスト３４と電気的に接続されると共に、第１ガラス基板２０ａの一面（図中において上面）と面一或いは僅か突出するように設けられる。従って、導電性を有する金属チップが貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）内に嵌め込まれた際は、前記シリコン基板２１と好適に電気的接続されるように間隙を埋める電気的接合材が注入され、また、第１ガラス基板２０ａの一面（図中において上面）側には、金属チップが僅かに突き出すようにして、導電体３７ａが設けられる。
【００５７】
この導電体埋設工程の後に、第２陽極接合工程に移る。この第２陽極接合工程においては、図６（ｅ）に示すように、第２ガラス基板２０ｂが、前記第１ガラス基板２０ａと陽極接合されているシリコン基板２１と陽極接合される。具体的には、前記第１ガラス基板２０ａに設けられた導電体３７ａに第１導電板９１を当接させて配置すると共に、前記第２ガラス基板２０ｂの他面（図中において下面）に、第２導電板９２を当接させて配置する。そして、第２ガラス基板２０ｂの一面（図中において上面）とシリコン基板２１の他面（図中において下面）とを全面に亘って当接させる。そして、電極９３によって前記第１導電板９１に正の電圧を印加すると共に、前記第２導電板９２に負の電圧を印加する。前記第１導電板９１に印加された正の電圧は、前記第１ガラス基板２０ａに設けられた導電膜３７を介して、前記シリコン基板２１に通電される。そうすると、このシリコン基板２１と第２ガラス基板２０ｂとの間に静電引力が発生し、その当接された互いの面は化学結合する。このようにして、前記第２ガラス基板２０ｂとシリコン基板２１とは陽極接合される。なお、この陽極接合の際は、前記第２導電板９２に内蔵されるヒータによって、前記第２ガラス基板２０ｂは２００〜４００℃に加熱されている。また、印加される電圧は、前記第１ガラス基板２０ａを陽極接合する際と同様に、２００〜６００Ｖとされている。
【００５８】
以上の工程を踏むことによって、図５に示すジャイロセンサ２ｂ（２）を製造することができる。このように製造されたジャイロセンサ２ｂ（２）は、次のような作用を奏する。すなわち、導電体埋設工程において、導電体３７ａは、貫通孔形成工程において第１ガラス基板に設けられた貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）内に設けられ、シリコン基板２１をエッチング処理して設けられる柱状部とされるフレーム３３及びポスト３４と電気的に接続されている。従って、第１導電板９１とシリコン基板２１との間にガラス基板２０ａが介装されているものでありながら、この導電体３７ａに第１導電板９１を介して電圧を印加した場合には、印加された電圧は、導電膜３７を通電してシリコン基板２１の柱状部とされるフレーム３３及びポスト３４まで電圧を印加することとなる。
【００５９】
これによって、第２ガラス基板２０ｂとシリコン基板２１とを陽極接合する第２陽極接合工程においては、第１ガラス基板２０ａとシリコン基板２１とを陽極接合するのと同様に、シリコン基板２１に電圧を好適に印加可能となる。従って、第２ガラス基板２０ｂとシリコン基板２１とは、好ましく陽極接合される。つまり、絶縁性を有する第１ガラス基板２０ａを介した状態でありながら、この第１ガラス基板２０ａに設けられた貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）内を通ってシリコン基板２１に通電することが可能とされているので、従来のような高電圧を印加することも必要とされず、さらに、アルカリ金属イオンの熱拡散が生じさせるためにガラス基板を加熱する温度も、通常のように２００〜４００℃程度の温度を選択することができる。
【００６０】
具体的には、電気配線を損傷させたり、また絶縁個所を破壊させたりしてしまうような、数千Ｖの電圧を印加することが不要とされ、通常通りの２００〜６００Ｖの電圧を印加すればよいものとなる。また、この接合時にあっては、加熱温度も通常通りの２００〜４００℃を選択することができることとなる。従って、第２ガラス基板２０ｂとシリコン基板２１とは好適に陽極接合されることとなる。
【００６１】
さらに、この力学量センサの製造方法にあっては、
前記導電体３７ａは、導電性を有し、電極パッド３６（３６ｈ，３６ｉ，３６ｊ）を兼ねるものである。
前記導電体３７ａが前記貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）ごとに独立した端子とされる電極パッド３６（３６ｈ，３６ｉ，３６ｊ）を兼ねるので、この導電体３７ａを利用して電気的接続が可能な端子が設けられることとなる。従って、新たに端子を設けるための形成工程を省くことができることとなる。これによって、製造の作業性を向上させることとなって、製造時間の短縮や、製造コストの削減に繋がることとなる。
【００６２】
また、前記第１ガラス基板２０ａのうち柱状部とされるフレーム３３及びポスト３４と接するそれぞれの個所に前記貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）が設けられるので、貫通孔４０（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）内に設けられた導電体３７ａは、検出部形成工程においてシリコン基板２１をエッチング処理して設けられる柱状部とされるフレーム３３及びポスト３４のそれぞれに好適に接続されるものとなる。これによって、このシリコン基板２１のフレーム３３がポスト３４と接していない場合であっても、この独立したフレーム３３及びポスト３４のそれぞれ電圧が好適に印加されることとなって、この独立した柱状部とされるフレーム３３及びポスト３４のそれぞれは第２ガラス基板２０ｂと好適に陽極接合されることとなる。
【００６３】
従って、この第１ガラス基板２０ａと、第２ガラス基板２０ｂと、これらのガラス基板とに挟まれるシリコン基板２１とによって、密閉室が好適に構成されることとなる。従って、その密閉室内に、加速度や角速度等の各種の力学量を検出する検出部２３を、好適に収容することができる。これによって、加速度センサや角速度センサ等の力学量センサとして好適に用いることができる。
【００６４】
以上をもって、上述した力学量センサの製造方法によれば、陽極接合法を用いた力学量センサの製造方法でありながら、シリコン基板２１と一対のガラス基板２０（２０ａ，２０ｂ）とを陽極接合するにあたって、通常の陽極接合と同様に、印加電圧を２００〜６００Ｖに下げることができ、さらに、接合時の加熱温度も２００〜３００℃を選択することができる。これらによって、電気配線を損傷、絶縁個所を破壊、電気配線を構成する金属の溶融等の従来から発生していた問題を解消すると共に、シリコン基板とガラス基板との接合強度が好ましいものとされた力学量センサを得ることができる。
【００６５】
この第１ガラス基板２０ａと、第２ガラス基板２０ｂと、これらのガラス基板２０ａ，２０ｂとに挟まれるシリコン基板２１とによって、密閉室が好適に構成されることとなる。従って、その密閉室内に、加速度や角速度等の各種の力学量を検出する検出部２３を、好適に収容することができる。これによって、加速度センサや角速度センサ等の力学量センサとして好適に用いることができ、前記電子機器１のように電子機器に組み込んだ場合に、加速度や角速度等の力学量が好適に検出可能なものとなる。
【００６６】
なお、本発明の技術範囲は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述した実施の形態にあっては、力学量センサとして角速度が検出可能なジャイロセンサ２を例にして説明したが、ジャイロセンサ２に限られるものではなく、例えば、加速度を検出可能な加速度センサとして構成してもよい。このような加速度センサの場合にあっては、プルーフマス３２を強制的に励振させる必要がなくなる。
また、上述した製造方法においては、面切り欠き部６０を設けていないが、端子形成工程において前記導電膜３７を分断する際に、図２（ａ）における符号６０に示すように、同時に面切り欠き部６０を設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明に係るジャイロセンサを有する電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図２】図１に示すジャイロセンサの断面図、及びプルーフマス周辺の内部構造を示す斜視図である。
【図３】第１の実施の形態に関するジャイロセンサの断面図である。
【図４】図３に示すジャイロセンサの製造工程を示す断面図である。
【図５】第２の実施の形態に関するジャイロセンサの断面図である。
【図６】図５に示すジャイロセンサの製造工程を示す断面図である。
【図７】柱状に構成されるシリコン基板を模式的示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６８】
１    電子機器
２    ジャイロセンサ（力学量センサ）
２０    ガラス基板
２０ａ    第１ガラス基板
２０ｂ    第２ガラス基板
２１    ＳＯＩ基板（シリコン基板）
２３    検出部
３３    フレーム（柱状部）
３４    ポスト（柱状部）
４０    貫通孔
３７    導電膜
６０    面切り欠き部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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