(57)【要約】【課題】  異なる波長やより狭い波長範囲にした光を装置の出射方向に出射することができる。【解決手段】  光源装置１は、表面部１４または／および裏面部１５に電極８を有する半導体発光素子４と、半導体発光素子４の活性層５から出射する放射光によって励起され放射光と異なる波長に変換する波長変換材６を、接着性を有し光を透過する樹脂に混合した波長変換樹脂とを具備し、表面部１４と裏面部１５とに直交する側面部１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂの少なくとも活性層５上に波長変換樹脂を設けるとともに側面部の一方が装置の出射方向の対向位置に載置した。載置された上方向と横方向への出射光を得ることができ、側面部に存在する活性層から直接出射する光を波長変換樹脂に投射して高輝度の出射光と変換光を得ることができる。【選択図】    図１
2006216765.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面部または／および裏面部に電極を有する半導体発光素子と、
該半導体発光素子の活性層から出射する放射光によって励起され前記放射光と異なる波長に変換する波長変換材を、接着性を有し光を透過する樹脂に混合した波長変換樹脂とを具備し、
前記表面部と前記裏面部とに直交する側面部の少なくとも活性層上に前記波長変換樹脂を設けるとともに前記側面部の一方が装置の出射方向の対向位置に載置したことを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記半導体発光素子は、前記側面部の一つの側面部側を、前記波長変換樹脂を設けた上に載置し、他の側面部に前記波長変換樹脂を設けたことを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項３】
前記半導体発光素子は、前記表面部または／および前記裏面部に前記波長変換樹脂を設けたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の光源装置。
【請求項４】
前記接着性を有し光を透過する樹脂は、透明性または不透明性であるとともに無色または有色であることを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項５】
４つの前記半導体発光素子を互いの前記表面部の１辺および前記裏面部の１辺とが接触または近接するように互いの前記表面部同士および前記裏面部同士または前記表面部と前記裏面部とが略直角に向き合うように配置したことを特徴とする請求項１〜請求項３の何れかに記載の光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子の化合物結晶から成る活性層の層に対して直角方向（Ｘ−Ｙ方向）である４側面部の対向する一対の側面部の一方を装置としての出射側とし、他方を装置の底部に載置して、これら側面部に波長変換材を設けることにより、高輝度な半導体発光素子自身と異なる出射光や半導体発光素子の波長ピーク幅をより狭幅にした出射光を得ることのできる光源装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の光源装置としては、図５に示すように、半導体発光素子４の表面部１４（活性層５面に平行な面）に電極８ａ，８ｂを設け、これら表面部１４の上に蛍光材６（波長変換材）を設け、ケース２の底部に設けた導電性パターン電極３ａや３ｂの上に半導体発光素子４を接着剤７で固定するとともに電極８ａ，８ｂからボンディングワイヤ９によって導電性パターン電極３ａや３ｂに接続し、ケース２内に透過性の樹脂１１を充填し開口部１０から出射するものが知られている。
【０００３】
但し、電極８ａ，８ｂを裏面部１５に設けたり、裏面部１５上に蛍光材６（波長変換材）を設け裏面部１５を開口部１０方向に対向するように表面部１４を載置し接着剤７で固定する方法も同様である。
【特許文献１】特開２００１−１７７１５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した従来の光源装置は、発光面を大きく取ることができる反面、活性層からの光をＰ層やＮ層を透過せねばならなく、強い光線を得るのに課題がある。また、半導体発光素子の表面部や裏面部等（活性層面に平行な面）に電極を設けてあるために、均一に蛍光材（波長変換材）を設けることや電極部分での出射光を得ることができない課題がある。
【０００５】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、従来は電極等を備えて、活性層の層に対してＺ方向である表面部または裏面部を装置の出射方向になるように半導体発光素子の裏面部や表面部を装置に載置していたが、本発明はこれら半導体発光素子の表面部と裏面部とに接続し活性層を有する側面部（Ｘ−Ｙ方向）側の一側面部を装置の出射方向になるように、対向する他方の一側面部を装置に載置し、これら側面部に露出存在している活性層から直接、装置の出射方向に出射するとともにこの出射光を利用して波長変換材によって異なる波長やより狭い波長範囲にした光を装置の出射方向に出射することができる光源装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１に係る光源装置は、表面部または／および裏面部に電極を有する半導体発光素子と、
該半導体発光素子の活性層から出射する放射光によって励起され放射光と異なる波長に変換する波長変換材を、接着性を有し光を透過する樹脂に混合した波長変換樹脂とを具備し、
表面部と裏面部とに直交する側面部の少なくとも活性層上に波長変換樹脂を設けるとともに側面部の一方が装置の出射方向の対向位置に載置したことを特徴とする。
【０００７】
請求項１に係る光源装置は、表面部または／および裏面部に電極を有する半導体発光素子と、
該半導体発光素子の活性層から出射する放射光によって励起され放射光と異なる波長に変換する波長変換材を、接着性を有し光を透過する樹脂に混合した波長変換樹脂とを具備し、
表面部と裏面部とに直交する側面部の少なくとも活性層上に波長変換樹脂を設けるとともに側面部の一方が装置の出射方向の対向位置に載置したので、載置された上方向と横方向への出射光を得ることができるとともに側面部に存在する活性層から直接出射する光を波長変換樹脂に投射することができる。
【０００８】
また、請求項２に係る光源装置は、半導体発光素子の側面部の一つの側面部側を、波長変換樹脂を設けた上に載置し、他の側面部に波長変換樹脂を設けたことを特徴とする。
【０００９】
請求項２に係る光源装置は、半導体発光素子の側面部の一つの側面部側を、波長変換樹脂を設けた上に載置し、他の側面部に波長変換樹脂を設けたので、側面部に存在する活性層からの直接出射する光を全て波長変換樹脂に投射することができる。
【００１０】
さらに、請求項３に係る光源装置は、半導体発光素子の表面部または／および裏面部に波長変換樹脂を設けたことを特徴とする。
【００１１】
請求項３に係る光源装置は、半導体発光素子の表面部または／および裏面部に波長変換樹脂を設けたので、半導体発光素子に透明性を有した基板を用いた裏面部や透明性を有した電極を設けた表面部から透過した活性層からの光を波長変換樹脂に投射することができる。
【００１２】
また、請求項４に係る光源装置は、接着性を有し光を透過する樹脂が、透明性または不透明性であるとともに無色または有色であることを特徴とする。
【００１３】
請求項４に係る光源装置は、接着性を有し光を透過する樹脂が、透明性または不透明性であるとともに無色または有色であるので、目的に合った光源装置からの出射光を得ることができる。
【００１４】
さらに、請求項５に係る光源装置は、４つの半導体発光素子を互いの表面部の１辺および裏面部の１辺とが接触または近接するように互いの表面部同士および裏面部同士または表面部と裏面部とが略直角に向き合うように配置したことを特徴とする。
【００１５】
請求項５に係る光源装置は、４つの半導体発光素子を互いの表面部の１辺および裏面部の１辺とが接触または近接するように互いの表面部同士および裏面部同士または表面部と裏面部とが略直角に向き合うように配置したので、高輝度な出射光を得ることができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、請求項１に係る光源装置は、表面部または／および裏面部に電極を有する半導体発光素子と、
該半導体発光素子の活性層から出射する放射光によって励起され放射光と異なる波長に変換する波長変換材を、接着性を有し光を透過する樹脂に混合した波長変換樹脂とを具備し、
表面部と裏面部とに直交する側面部の少なくとも活性層上に波長変換樹脂を設けるとともに側面部の一方が装置の出射方向の対向位置に載置したので、載置された上方向と横方向への出射光を得ることができる。しかも、側面部に存在する活性層から直接出射する光を波長変換樹脂に投射することができるので、高輝度の出射光と変換光を得ることができる。さらに、活性層自身が薄い層であるためにピンポイントのような微小の出射光を得ることができる。
【００１７】
また、請求項２に係る光源装置は、半導体発光素子の側面部の一つの側面部側を、波長変換樹脂を設けた上に載置し、他の側面部に波長変換樹脂を設けたので、側面部に存在する活性層からの直接出射する光を全て波長変換樹脂に投射することができる。これにより、無駄なく効率良く波長変換された光を得ることができる。
【００１８】
さらに、請求項３に係る光源装置は、半導体発光素子の表面部または／および裏面部に波長変換樹脂を設けたので、半導体発光素子に透明性を有した基板を用いた裏面部や透明性を有した電極を設けた表面部から透過した活性層からの光を波長変換樹脂に投射することができる。これにより、無駄なく全ての光を波長変換された光として得ることができる。
【００１９】
また、請求項４に係る光源装置は、接着性を有し光を透過する樹脂が、透明性または不透明性であるとともに無色または有色であるので、目的に合った光源装置からの出射光を得ることができる。具体的には、クリアな単色光、色合いに変化させた単色光、白色光、シャープで鮮明な光や紗の架かったおぼろげな光など、目的に合わせて色々な出射光を得ることができる。
【００２０】
さらに、請求項５に係る光源装置は、４つの半導体発光素子を互いの表面部の１辺および裏面部の１辺とが接触または近接するように互いの表面部同士および裏面部同士または表面部と裏面部とが略直角に向き合うように配置したので、高輝度な出射光を得ることができる。しかも、共通配線を行うことができ、作業性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
図１は本発明に係る光源装置の略斜視図、図２は本発明に係る光源装置の略断面図、図３は本発明に係る光源装置の略上正面図、図４は本発明に係る光源装置の半導体発光素子載置状態の略斜視図である。
【００２２】
本発明は、図４に示すように、従来のように半導体発光素子の活性層の層壁接合部面を光源装置の出射方向として用いるのではなく、化合物結晶から成る半導体発光素子４の裏面部１５（例えばサファイヤ基板）から成長させ、この裏面部１５と表面部１４との間に形成した活性層５が露出している４つの側面部１２ａ，１２ｂ，１３ａおよび１３ｂの対向する一対の側面部１３ａ，１３ｂのうち一方の側面部１３ａを装置としての出射側とし、他方の側面部１３ｂを装置の底部に載置し、これら側面部１２ａ，１２ｂ，１３ａおよび１３ｂに波長変換材６を設けることにより、高輝度な半導体発光素子４自身と異なる出射光や半導体発光素子４の波長ピーク幅をより狭幅にした出射光を得ることのできる光源装置を提供するものである。
【００２３】
光源装置１は、図１および図２に示すように、ケース２の底部２ｂにリードフレーム３や導電性パターン３を設けた位置に、波長変換材６を混入させた無色透明な接着剤７で半導体発光素子４を固定載置し、表面部１４に有した電極８ａ，８ｂを各々のボンディングワイヤ９ａ，９ｂでリードフレーム３や導電性パターン３に電気的に接続し端子１６から電気を供給できる様にする。
【００２４】
さらに、光源装置１は、ケース２の開口部１０に向いた半導体発光素子４の側面部１３ａに有した活性層５およびケース２の傾斜面１７に向いた半導体発光素子４の側面部１２ａ，１２ｂに有した活性層５に各々波長変換材６を混入させた無色透明な接着剤７および７’を設け、これら全体を無色透明な樹脂等の充填樹脂１１により開口部１０を充填した構成である。なお、本例では、波長変換材６を接着剤７，７’に混合したものを波長変換樹脂としているが、波長変換材６を混入せずに接着剤７で半導体発光素子４をパターン３上に固定載置しても良い。
【００２５】
光源装置１は、インジェクションないしトランスファーモールドタイプによるリードフレーム３のものや電気絶縁性の基板に導電性のパターン３を設けて半導体発光素子４をダイボンダでボンディングし、ボンディングワイヤ９で導電性のパターン３にボンディングする。
【００２６】
また、インジェクションないしトランスファーモールドタイプの場合には、パターンをインサート成形によって樹脂にパターン形状を形成した燐青銅材等からなるリードフレーム３を挿入してリードフレーム３上に樹脂形成される。
【００２７】
但し、この時点では半導体発光素子４の載置底部２ｂやボンディングワイヤ９をボンディングするリードフレーム３などの領域および半導体発光素子４から光を出射する開口部１０には何も無い空間である。
【００２８】
リードフレーム３は、燐青銅材やアルミニウム等の良質の電気伝導性を有し靱性および塑性を有した材料からなる。
【００２９】
リードフレーム３は、金鍍金等の貴金属の鍍金や銅鍍金後に金鍍金等の処理をし、電極端子１６等の露出部や半導体発光素子４を載置する部分やボンディングワイヤ９をボンディングする部分等にダイボンダ、ワイヤーボンド等をするときに電気的にリードフレーム３の表面が酸化しないように防止し、また電気抵抗を低減させるとともに全体の導電性や電極端子１６での接触抵抗を低減させる。
【００３０】
また、図示しないが、電気絶縁性の基板は、ＡｌＯやＳｉＯを主成分とし、さらにＺｒＯ，ＴｉＯ，ＴｉＣ，ＳｉＣ，ＳｉＮ等の化合物からなり、耐熱性や硬度、強度に優れ、白色系の表面を有し反射効率等の良いセラミック基板や酸化チタン等の白色粉体を混入または塗布させて成形した液晶ポリマー樹脂基板、ガラス布エポキシ樹脂基板等から構成することができる。
【００３１】
さらに、珪素樹脂、紙エポキシ樹脂、合成繊維布エポキシ樹脂および紙フェノール樹脂等の積層板や変成ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネートや芳香族ポリエステル等から構成することもできる。
【００３２】
また、導電性パターン３は、良導電性金属を真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ（化学蒸着）、エッチング（ウエット、ドライ）等によりパターンを形成する。
【００３３】
半導体発光素子４は、４元素化合物やＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系等の化合物の高輝度の発光素子からなる。具体的に、半導体発光素子４は、例えばＡｌ2 Ｏ3 、ＩｎＰサファイア、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＺｎＳｅ等の基板上に有機金属気相成長法等で製作され、最上部にはＩｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＩＴＯ等からなる材料でスパッタリング、真空蒸着、化学蒸着等によって透明電極８ａおよび８ｂを設ける。
【００３４】
また、半導体発光素子４は、一方の面（図１および図２の例では表面部１４）にアノード電極８ａおよびカソード電極８ｂを有しているが、裏面部１５側にアノード電極８ａおよびカソード電極８ｂを設けたり、表面部１４と裏面部１５とにアノード電極８ａまたはカソード電極８ｂを各々一つずつ設けても良い。
【００３５】
波長変換材６は、無機物や有機物からなる蛍光顔料や蛍光染料等であり、これら波長変換材６を無色透明な接着剤７に混入させて波長変換樹脂とし、この波長変換樹脂を半導体発光素子４の活性層５を有する側面に設ける。
【００３６】
例えばケース２の底部２ｂと底部２ｂに載置する半導体発光素子４の１側面との間に波長変換樹脂を設けて接着固定する。また、他の残る３つの側面についても同様に、波長変換材６を無色透明な接着剤７’に混入させた波長変換樹脂を、ケース２の傾斜面１７方向と、開口部１０方向に向く残る３つの側面に設ける。
【００３７】
なお、ここでは図示しないが、無色透明な接着剤７’に波長変換材６を混入させた波長変換樹脂を、半導体発光素子４の表面部１４や裏面部１５（側面部１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ以外の面）に設けても良い。
【００３８】
例えば、ＩｎＧａＡｌＮ系の半導体発光素子４の活性層５から青色発光の出射光を側面から直接出射し、これら側面に半導体発光素子４からの光によって励起し黄色や橙色等に発光する波長変換材６（ＹＡＧ系）を混入した透明接着剤７および７’を波長変換樹脂として側面部１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂに設ける。これにより、半導体発光素子４自身の青色発光色と波長変換材６からの黄色や橙色等に発光色とによって混合された発光色が白色となって、開口部１０に向く側面部１３ａからは直接開口部１０に進み、ケース２の傾斜面１７に対向する側面部１２ａ，１２ｂからの光は傾斜面１７で反射されて開口部１０方向に進み、残るケース２の底部２ｂに対向する載置側の側面部１３ｂからの光は半導体発光素子４自身を透過して開口部１０方向に進む。
【００３９】
そして、さらに半導体発光素子４の側面部１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ以外の表面部１４や裏面部１５にも波長変換材６（ＹＡＧ系）を混入した透明接着剤７’を波長変換樹脂として設ければ、半導体発光素子４自身の光と波長変換材６からの光とが混合されてケース２の傾斜面１７方向に進み、傾斜面１７で反射されて開口部１０方向に進む。
【００４０】
なお、半導体発光素子４の出射光と同色に発光する蛍光材を波長変換材６に代えて用いれば、より鮮明な出射光を出射させることができる。
【００４１】
また、接着剤７および接着剤７’は、最終出射光と同色の透明接着剤でも良く、求める出射光によっては透明（クリアーな光）でなくとも濁色性のある出射光の場合には透明でなくとも良い。
【００４２】
ボンディングワイヤ９ａや９ｂは、金線等の導電性線からなり、半導体発光素子４のアノード電極８ａとパターン３との間およびカソード電極８ｂとパターン３との間をそれぞれボンダによって電気的に接続されている。
【００４３】
開口部１０の空間には、無色透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の透明樹脂等を充填樹脂１１として充填する。これにより、より強く半導体発光素子４を固定するとともに半導体発光素子４からの出射光を空気層に露出せずに光を減衰することなく開口部１０から出射する。しかも、ボンディングワイヤ９ａや９ｂを固定し、振動等による断線等を防ぐ目的を果たす。
【００４４】
また、半導体発光素子４の出射光と同色に調整した色の透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の透明樹脂等を充填樹脂１１として開口部１０の空間に充填すれば、より鮮明な発光色を出射させることができる。
【００４５】
さらに、無色透明の樹脂に無機系の蛍光顔料や有機系の蛍光染料等からなる波長変換材６を混入させた樹脂を充填樹脂１１として開口部１０の空間に充填すれば、半導体発光素子４自身の発光色と半導体発光素子４により励起し発光した半導体発光素子４と異なる波長の光とを混合させた光を出射させてより鮮明な色度調整をしたり、活性層５上に設けた波長変換材６での波長変換量が少ない場合に波長変換光を補充することができる。
【００４６】
ケース２は、変成ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ナイロン４６や芳香族系ポリエステル等からなる液晶ポリマなどの絶縁性の有る樹脂材料に、光の反射性を良くするとともに遮光性を得るために酸化チタン等の白色粉体を混入させたものを加熱射出成形によって開口部１０を有するような形状に成形する。
【００４７】
また、ケース２は、開口部１０から底部２ｂまでの内側壁を傾斜面１７にし、半導体発光素子４からの出射光（半導体発光素子４の２つの側面部１２ａ，１２ｂと表面部１４および裏面部１５からの出射光）と、これら半導体発光素子４からの出射光を波長変換した光を傾斜面１７で反射して開口部１０から出射するようにする。
【００４８】
なお、傾斜面１７の表面は完全に鏡面でなくとも良く、微細な凹凸の加工を施して広がりの有る反射光を得ることができるとともに充填する透明樹脂との結合（接合）を強度にすることができる。
【００４９】
電極端子１６は、リードフレーム３をそのまま用いたり、電気伝導性の良いアルミニウムや銅等を基材とし、表面を貴金属等で鍍金を施してケース２の１側面２ｃから外部に露出するように設ける。
【００５０】
次に、本発明の実施例として、図３に光源装置の略上正面（開口部１０）からの図を示す。図３は、ケース２の底部２ｂに備えた電気絶縁性の基板上に設けた導電性パターン３上に４つの図４で示した半導体発光素子４の表面部１４の１辺および裏面部１５の１辺とが接触または近接するように互いの表面部１４同士および裏面部１５同士とが略直角に向き合うように配置（中心部の無い十字形に配置）し、各半導体発光素子４の活性層５が露出している１側面部１３ｂを図示しない接着剤７上に載置して接着固定し、活性層５が上方に向いている側面部１３ａを開口部１０方向に向け、各表面部１４に有する電極８ａおよび電極８ｂと導電性パターン３との間を各々ボンディングワイヤ９ａや９ｂによって電気的に接続する。
【００５１】
このとき、各半導体発光素子４をパラ接続するため、アノード電極８ａ同士をボンディングワイヤ９ａでアノード側導電性パターン３に接続し、カソード電極８ｂ同士をボンディングワイヤ９ｂでカソード側導電性パターン３に接続する。
【００５２】
なお、図示はしないが、図３における各半導体発光素子４をシリーズ接続する場合には、個々の半導体発光素子４のアノード電極８ａとカソード電極８ｂをボンディングワイヤ９で導電性パターン３に一度（島のように）接続し、最終のアノード電極８ａをボンディングワイヤ９ａでカソード電極８ｂをボンディングワイヤ９ｂで端子電極１６に接続している導電性パターン３に接続する。
【００５３】
また、ここでは図示しないが、図１および図２と同様に、各半導体発光素子４の１側面部１３ｂをパターン３上に載置するときに波長変換材６を混入した接着剤７からなる波長変換樹脂で接着固定し、活性層５が上方に向いている側面部１３ａや他の側面部１２ａや１２ｂにも波長変換材６を混入した接着剤７からなる波長変換樹脂を塗布や接着する構成としても良い。
【００５４】
ところで、上述した実施の形態において、波長変換樹脂（波長変換材６を混入した接着剤７）を半導体発光素子４の側面部１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ、表面部１４、裏面部１５に設ける場合には、面全体ではなく、少なくとも活性層５の領域を覆うようにすれば良い。
【００５５】
このように、活性層５が露出している側面部１３ａを光源装置１から出射する開口部１０に直接向けるとともに同様に活性層５が露出している側面部１３ｂや側面部１２ａおよび側面部１２ｂからの出射光を積極的に利用して、目的とする光源装置１からの出射光が高輝度な光として得ることができる。
【００５６】
以上のように本発明は、インサートモールド成形等によってリードフレーム上や絶縁性材に設けた伝導性パターン上に活性層が露出する半導体発光素子の１側面側を載置し、この載置側面側に対向する反対側側面を光源装置の出射開口部に向くようにし、これら側面に半導体発光素子からの光によって励起し、半導体発光素子を異なる波長や一部の特定の波長を出射する波長変換材を導光性の接着剤に混入させたものを設けて、半導体発光素子の発光基である活性層からの高輝度な光や、この高輝度の光で波長変換された光等を開口部から出射する光源装置である。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
小型なモバイル製品のバックライト用光源から大型の液晶表示装置等のバックライト用光源などに適し、特に高輝度であるため例えばカーナビ等の外光が存在する所に対しても十分対応することができる。
さらに、本発明の光源装置を多数並べて全体としてマトリックス状にすることでフルカラーのディスプレイを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に係る光源装置の略斜視図である。
【図２】本発明に係る光源装置の略断面図である。
【図３】本発明に係る光源装置の略上正面図である。
【図４】本発明に係る光源装置の半導体発光素子載置状態の略斜視図である。
【図５】従来の光源装置の略断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  光源装置
２  ケース
２ｂ  底部
２ｃ  ケース側面
３  リードフレームや導電性パターン
４  半導体発光素子
５  活性層
６  波長変換材
７，７’  接着剤
８ａ，８ｂ  電極
９ａ，９ｂ  ボンディングワイヤ
１０  開口部
１１  充填樹脂
１２ａ，１２ｂ  側面部
１３ａ，１３ｂ  側面部
１４  表面部
１５  裏面部
１６  電極端子
１７  傾斜面
【図１】
2006216765.tif 000003
【図２】
2006216765.tif 000004
【図３】
2006216765.tif 000005
【図４】
2006216765.tif 000006
【図５】
2006216765.tif 000007