(57)【要約】【課題】アーマチュアを安定に揺動させることが可能なマイクロリレーを提供する。【解決手段】マイクロリレーは、電磁石装置２を収納する収納孔１６が設けられ且つ一表面側に固定接点１４が設けられた基板１０および収納孔１６の一表面側を閉塞する蓋体１７からなる基台１と、基台１の一表面側において収納孔１６の周部に固着される枠体３１および枠体３１の枠内に揺動自在に配置される可動台３０ａがシリコン基板を加工することによって一体に形成され、可動台３０ａに磁性体３０ｂを保持させて電磁石装置２により駆動されるアーマチュア３０を構成し、可動台３０ａに揺動に応じて固定接点１４と接離する可動接点３９を設けたアーマチュアブロック３とを備え、可動台３０ａと一体にアーマチュア３０の揺動支点となる支点突起４０を設け、支点突起４０の先端部に支点突起４０の摩耗を低減する金属薄膜からなる保護膜４１を形成する。【選択図】図１
2006210061.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルへの励磁電流に応じて磁束を発生する電磁石装置と、
前記電磁石装置を収納する収納部が設けられ且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられた基台と、
基台の前記一表面側において前記収納部の周部に固着される枠体、および、当該枠体の内側に配置され枠体に対して揺動自在に支持される可動台がシリコン基板を加工することによって一体に形成され、前記可動台に磁性体を保持させて前記電磁石装置により駆動されるアーマチュアを構成するとともに、前記アーマチュアの揺動に応じて前記固定接点と接離する可動接点を前記可動台に設けたアーマチュアブロックとを備え、
前記可動台に、先端が基台と当接してアーマチュアの揺動支点となる支点突起を一体に設け、当該支点突起の先端部または支点突起の先端部が当接する前記基台の部位の内、少なくとも何れか一方に前記支点突起の摩耗を低減する保護膜を形成したことを特徴とするマイクロリレー。
【請求項２】
前記保護膜を、前記支点突起の先端部および支点突起が当接する前記基台の部位の両方に形成したことを特徴とする請求項１記載のマイクロリレー。
【請求項３】
前記保護膜が金属の薄膜からなることを特徴とする請求項１又は２記載のマイクロリレー。
【請求項４】
前記保護膜が、単結晶シリコンよりも密度の低い材料で形成された絶縁膜からなることを特徴とする請求項１又は２記載のマイクロリレー。
【請求項５】
前記保護膜が、単結晶シリコンよりも弾性係数の小さい有機系材料の絶縁膜からなることを特徴とする請求項１又は２記載のマイクロリレー。
【請求項６】
前記保護膜が、多孔質シリコンの薄膜からなることを特徴とする請求項１又は２記載のマイクロリレー。
【請求項７】
前記保護膜の表面形状が、前記支点突起の先端部または支点突起の先端部が当接する前記基台の部位の内、当該保護膜が形成された側と反対側に凸となるような曲面形状に形成されたことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のマイクロリレー。
【請求項８】
前記支点突起の表面形状が、前記基台側に凸となるような曲面形状に形成されたことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のマイクロリレー。
【請求項９】
前記支点突起が当接する前記基台の部位が、前記支点突起側またはその反対側の何れかに凸となるような曲面形状に形成されたことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のマイクロリレー。
【請求項１０】
前記支点突起の表面形状が、前記基台側に凸となるような曲面形状に形成されるとともに、前記支点突起が当接する前記基台の部位が、前記支点突起側またはその反対側の何れかに凸となるような曲面形状に形成されたことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のマイクロリレー。
【請求項１１】
コイルへの励磁電流に応じて磁束を発生する電磁石装置と、
前記電磁石装置を収納する収納部が設けられ且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられた基台と、
基台の前記一表面側において前記収納部の周部に固着される枠体、および、当該枠体の内側に配置され枠体に対して揺動自在に支持される可動台がシリコン基板を加工することによって一体に形成され、前記可動台に磁性体を保持させて前記電磁石装置により駆動されるアーマチュアを構成するとともに、前記アーマチュアの揺動に応じて前記固定接点と接離する可動接点を前記可動台に設けたアーマチュアブロックとを備え、
前記可動台に、先端が基台と当接してアーマチュアの揺動支点となる支点突起を一体に設け、当該支点突起の表面形状を、前記基台側に凸となるような曲面形状に形成したことを特徴とするマイクロリレー。
【請求項１２】
コイルへの励磁電流に応じて磁束を発生する電磁石装置と、
前記電磁石装置を収納する収納部が設けられ且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられた基台と、
基台の前記一表面側において前記収納部の周部に固着される枠体、および、当該枠体の内側に配置され枠体に対して揺動自在に支持される可動台がシリコン基板を加工することによって一体に形成され、前記可動台に磁性体を保持させて前記電磁石装置により駆動されるアーマチュアを構成するとともに、前記アーマチュアの揺動に応じて前記固定接点と接離する可動接点を前記可動台に設けたアーマチュアブロックとを備え、
前記可動台に、先端が基台と当接してアーマチュアの揺動支点となる支点突起を一体に設け、前記支点突起が当接する前記基台の部位を、前記支点突起側またはその反対側の何れかに凸となるような曲面形状に形成したことを特徴とするマイクロリレー。
【請求項１３】
前記基台において、前記支点突起が当接する部位の周りに、前記アーマチュア側に突出して前記支点突起を位置決めする突出部を設けたことを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載のマイクロリレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロリレーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、微細加工技術を利用して製造されたマイクロマシンが提供されている（例えば特許文献１参照）。特許文献１に示されるマイクロマシンは、シリコン単結晶製の基板の表面中央に凹部からなる空洞部を形成し、この空洞部上に特定の機能を発揮する機能素子を配して、この機能素子を有機膜により上側から支持している。
【０００３】
また、このようなマイクロマシンとしては、電磁石装置の電磁力を利用してアーマチュアを駆動し接点を開閉するようにしたマイクロリレーが知られており、本発明者らは図１３に示すような構造のものを従来より提案している。
【０００４】
このマイクロリレーは、電磁石装置２と、基板１０と、アーマチュアブロック３と、カバー４とを主要な構成として備える。電磁石装置２は、コ字形のヨーク２０に巻回されたコイル２２，２２への励磁電流に応じて、ヨーク２０の両磁極（両脚片２０ｂ，２０ｂの先端面）が異極に励磁される。基板１０は矩形板状のガラス基板からなり、電磁石装置２を収納する収納孔１６が略中央に形成され、厚み方向の一表面側において長手方向の両端部それぞれに各一対の固定接点１４が設けられている。アーマチュアブロック３は、基板１０の上記一表面側において収納孔１６の周部に固着される矩形枠状の枠体３１と、枠体３１の内側に配置され図示しない支持ばね部を介して枠体３１に揺動自在に支持される可動台３０ａと、可動台３０ａにおける基板１０との対向面に固着された矩形板状の磁性体３０ｂと、可動台３０ａの長手方向の両側部にそれぞれ配置されて、基板１０側の面に可動接点３９がそれぞれ設けられた可動接点基台部３４とを備え、上記可動台３０ａと磁性体３０ｂとでアーマチュア３０を構成する。カバー４は矩形板状のガラス基板からなり、アーマチュアブロック３における基板１０とは反対側で周部が枠体３１に固着されている。
【０００５】
ここで、可動台３０ａにおける基板１０との対向面には、基板１０側に突出する支点突起４０を長手方向の略中央に突設してあり、アーマチュアブロック３と基板１０およびカバー４とを接合した状態では、基板１０の表面に収納孔１６を閉塞するように固着された蓋体１７に、アーマチュアブロック３の支点突起４０が当接するので、アーマチュア３０が支点突起４０を支点として揺動することで、アーマチュア３０を安定に揺動させることができる。
【０００６】
而して、コイル２２，２２への通電が行われると、磁化の向きに応じて磁性体３０ｂの長手方向一端側がヨーク２０の一方の脚片２０ｂの先端面（磁極面）に吸引されてアーマチュア３０が揺動し、ヨーク２０→磁性体３０ｂ→永久磁石２１→ヨーク２０の閉磁路が形成されて、長手方向一端側の可動接点基台部３４に固着された可動接点３９が対向する一対の固定接点１４，１４に所定の接点圧で接触する。この状態でコイル２２，２２への通電が停止されると、永久磁石２１が発生する磁束によって上記閉磁路がそのまま維持され、磁性体３０ｂの長手方向一端側がヨーク２０の一方の脚片２０ｂに吸着された状態を保持する。
【０００７】
またコイル２２，２２への通電方向を逆向きにすると、磁性体３０ｂの長手方向の他端部がヨーク２０の他方の脚片２０ｂの先端面（磁極面）に吸引されてアーマチュア３０が反対側に揺動し、一対の固定接点１４，１４に接触していた可動接点３９が開離すると共に、アーマチュア３０の長手方向他端側の可動接点基台部３４に固着された可動接点３９が対向する一対の固定接点１４，１４に所定の接点圧で接触する。この状態においてもコイル２２，２２への通電を停止すると、永久磁石２１の発生する磁束によって吸着力が維持されて、そのままの状態が保持され、いわゆる双安定動作が行われる。
【特許文献１】特開２００２−２３９９９９号公報（段落番号［００１８］−［００１９］、図１参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述した図１３に示すマイクロリレーでは、基板１０に上面に固着された蓋体１７に支点突起４０を当接させることで、可動台３０ａの揺動動作を安定に行わせているのであるが、可動台３０ａはシリコン基板に微細加工を施すことによって形成され、蓋体１７もシリコン薄膜により形成されているので、可動台３０ａの揺動によって支点となる支点突起４０の先端面や、支点突起４０が当接する蓋体１７の部位が摩耗してしまい、アーマチュア３０の揺動動作が不安定になる可能性があった。
【０００９】
本発明は上記問題点に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、アーマチュアを長期間に亘って安定に揺動させることが可能なマイクロリレーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、コイルへの励磁電流に応じて磁束を発生する電磁石装置と、電磁石装置を収納する収納部が設けられ且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられた基台と、基台の一表面側において収納部の周部に固着される枠体、および、当該枠体の内側に配置され枠体に対して揺動自在に支持される可動台がシリコン基板を加工することによって一体に形成され、可動台に磁性体を保持させて電磁石装置により駆動されるアーマチュアを構成するとともに、アーマチュアの揺動に応じて固定接点と接離する可動接点を可動台に設けたアーマチュアブロックとを備え、可動台に、先端が基台と当接してアーマチュアの揺動支点となる支点突起を一体に設け、当該支点突起の先端部または支点突起の先端部が当接する基台の部位の内、少なくとも何れか一方に支点突起の摩耗を低減する保護膜を形成したことを特徴とする。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、保護膜を、支点突起の先端部および支点突起が当接する基台の部位の両方に形成したことを特徴とする。
【００１２】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、保護膜が金属の薄膜からなることを特徴とする。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項１又は２の発明において、保護膜が、単結晶シリコンよりも密度の低い材料で形成された絶縁膜からなることを特徴とする。
【００１４】
請求項５の発明は、請求項１又は２の発明において、保護膜が、単結晶シリコンよりも弾性係数の小さい有機系材料の絶縁膜からなることを特徴とする。
【００１５】
請求項６の発明は、請求項１又は２の発明において、保護膜が、多孔質シリコンの薄膜からなることを特徴とする。
【００１６】
請求項７の発明は、請求項１乃至６の何れかの発明において、保護膜の表面形状が、支点突起の先端部または支点突起の先端部が当接する基台の部位の内、当該保護膜が形成された側と反対側に凸となるような曲面形状に形成されたことを特徴とする。
【００１７】
請求項８の発明は、請求項１乃至７の何れかの発明において、支点突起の表面形状が、基台側に凸となるような曲面形状に形成されたことを特徴とする。
【００１８】
請求項９の発明は、請求項１乃至７の何れかの発明において、支点突起が当接する基台の部位が、支点突起側またはその反対側の何れかに凸となるような曲面形状に形成されたことを特徴とする。
【００１９】
請求項１０の発明は、請求項１乃至７の何れかの発明において、支点突起の表面形状が、基台側に凸となるような曲面形状に形成されるとともに、支点突起が当接する基台の部位が、支点突起側またはその反対側の何れかに凸となるような曲面形状に形成されたことを特徴とする。
【００２０】
請求項１１の発明は、コイルへの励磁電流に応じて磁束を発生する電磁石装置と、電磁石装置を収納する収納部が設けられ且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられた基台と、基台の一表面側において収納部の周部に固着される枠体、および、当該枠体の内側に配置され枠体に対して揺動自在に支持される可動台がシリコン基板を加工することによって一体に形成され、可動台に磁性体を保持させて電磁石装置により駆動されるアーマチュアを構成するとともに、アーマチュアの揺動に応じて固定接点と接離する可動接点を可動台に設けたアーマチュアブロックとを備え、可動台に、先端が基台と当接してアーマチュアの揺動支点となる支点突起を一体に設け、当該支点突起の表面形状を、基台側に凸となるような曲面形状に形成したことを特徴とする。
【００２１】
請求項１２の発明は、コイルへの励磁電流に応じて磁束を発生する電磁石装置と、電磁石装置を収納する収納部が設けられ且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられた基台と、基台の一表面側において収納部の周部に固着される枠体、および、当該枠体の内側に配置され枠体に対して揺動自在に支持される可動台がシリコン基板を加工することによって一体に形成され、可動台に磁性体を保持させて電磁石装置により駆動されるアーマチュアを構成するとともに、アーマチュアの揺動に応じて固定接点と接離する可動接点を可動台に設けたアーマチュアブロックとを備え、可動台に、先端が基台と当接してアーマチュアの揺動支点となる支点突起を一体に設け、支点突起が当接する基台の部位を、支点突起側またはその反対側の何れかに凸となるような曲面形状に形成したことを特徴とする。
【００２２】
請求項１３の発明は、請求項１乃至１２の何れかの発明において、基台において、支点突起が当接する部位の周りに、アーマチュア側に突出して支点突起を位置決めする突出部を設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１の発明によれば、支点突起の先端部または支点突起の先端部が当接する基台の部位の内、少なくとも何れか一方に保護膜を形成しているので、アーマチュアの揺動支点となる支点突起が基台に直接接触することがなく、アーマチュアの揺動に応じて支点突起が基台と摺接して摩耗したり、割れや欠けが発生するのを抑制でき、アーマチュアの揺動動作を長期間に亘って安定に行わせることができる。
【００２４】
ここにおいて保護膜を、支点突起の先端部および支点突起が当接する基台の部位の両方に形成するのも好ましく、保護膜の摩耗や割れや欠けをより一層低減できる。
【００２５】
また保護膜を金属の薄膜とするのも好ましく、金属の弾性によって支点突起の摩耗や割れや欠けを抑制することができる。
【００２６】
また保護膜を単結晶シリコンよりも密度の低い材料で形成された絶縁膜とするのも好ましく、密度の低い絶縁膜が支点突起と基台との間の緩衝材として働くことで、支点突起の摩耗や割れや欠けを抑制することができる。
【００２７】
さらに保護膜を単結晶シリコンよりも弾性係数の小さい有機系材料で形成された絶縁膜とするのも好ましく、有機系材料の弾性によって支点突起の摩耗や割れや欠けを抑制することができる。
【００２８】
また更に保護膜を多孔質シリコンの薄膜とするのも好ましく、多孔質シリコンの薄膜が支点突起と基台との間の緩衝材として働くことで、支点突起の摩耗や割れや欠けを抑制することができる。
【００２９】
さらに保護膜の表面形状を、支点突起の先端部または支点突起の先端部が当接する基台の部位の内、当該保護膜が形成された側と反対側に凸となるような曲面形状に形成するのも好ましく、保護膜の表面形状を曲面形状とすることでアーマチュアの揺動動作がスムーズになるから、支点突起の摩耗や割れや欠けをさらに低減することができる。
【００３０】
また支点突起の表面形状を、基台側に凸となるような曲面形状に形成したり、支点突起が当接する基台の部位を、支点突起側またはその反対側の何れかに凸となるような曲面形状に形成するのも好ましく、揺動時に支点突起が動きやすくなるから、アーマチュアの揺動動作がスムーズになり、支点突起の摩耗や割れや欠けをさらに低減することができる。
【００３１】
また更に、支点突起の断面形状を、基台側に凸となるような曲面形状に形成するとともに、支点突起が当接する基台の部位を、支点突起側またはその反対側の何れかに凸となるような曲面形状に形成するのも好ましく、揺動時に支点突起が動きやすくなるから、アーマチュアの揺動動作がスムーズになり、支点突起の摩耗や割れや欠けをさらに低減することができる。
【００３２】
また請求項１１の発明によれば、支点突起の表面形状を、基台側に凸となるような曲面形状に形成しているので、揺動時に支点突起が動きやすくなって、アーマチュアの揺動動作がスムーズになり、支点突起の摩耗や割れや欠けが抑制されるから、アーマチュアの揺動動作を長期間に亘って安定に行わせることができる。
【００３３】
また請求項１２の発明によれば、支点突起が当接する基台の部位を、支点突起側またはその反対側の何れかに凸となるような曲面形状に形成しているので、揺動時に支点突起が動きやすくなって、アーマチュアの揺動動作がスムーズになり、支点突起の摩耗や割れや欠けが抑制されるから、アーマチュアの揺動動作を長期間に亘って安定に行わせることができる。
【００３４】
なお基台において、支点突起が当接する部位の周りに、アーマチュア側に突出して支点突起を位置決めする突出部を設けることも好ましく、支点突起の位置ずれを防止して、アーマチュアの揺動動作をさらに安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
（実施形態１）
先ず本発明に係るマイクロリレーの基本構成を図２〜図６に基づいて説明する。このマイクロリレーは、ヨーク２０に巻回されたコイル２２，２２への励磁電流に応じてヨーク２０の両磁極（両脚片２０ｂの先端面）が異極に励磁される電磁石装置２と、矩形板状のガラス基板からなり電磁石装置２を収納する収納孔１６（収納部）を有し厚み方向の一表面側において長手方向の両端部それぞれに各一対の固定接点１４が設けられた基板１０、および、収納孔１６の一表面側を閉塞する蓋体１７からなる基台１と、基台１の上記一表面側において収納孔１６の周部に固着される矩形枠状の枠体３１、および、枠体３１の枠内に配置され４本の支持ばね部３２を介して枠体３１に揺動自在に支持される可動台３０ａが一体に形成され、可動台３０ａに磁性体３０ｂを保持させて電磁石装置２により駆動されるアーマチュア３０を構成するとともに、アーマチュア３０の揺動に応じて固定接点１４に接離する可動接点３９を可動台３０ａに設けたアーマチュアブロック３と、矩形板状のガラス基板からなりアーマチュアブロック３における基台１とは反対側で周部が枠体３１に固着されたカバー４とを備えている。
【００３６】
電磁石装置２のヨーク２０は、２つのコイル２２，２２が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部２０ａと、コイル巻回部２０ａの長手方向の両端部それぞれからアーマチュア３０に近づく向きに延設されコイル２２，２２への励磁電流に応じて互いの先端面が異極に励磁される一対の脚片２０ｂ，２０ｂとでコ字形に形成される。そして電磁石装置２は、ヨーク２０と、ヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの間でコイル巻回部２０ａの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石２１と、細長の矩形板状であってヨーク２０のコイル巻回部２０ａにおける永久磁石２１との対向面とは反対側でコイル巻回部２０ａと直交するようにコイル巻回部２０ａに固着されるプリント基板２３とを備えている。なおヨーク２０は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工あるいは鋳造加工することにより形成されており、両脚片２０ｂ，２０ｂの断面が略矩形状に形成されている。
【００３７】
永久磁石２１は、コイル巻回部２０ａとの重ね方向（厚み方向）の両面それぞれの磁極面２１ａ，２１ｂが異極に着磁されており、一方の磁極面２１ｂがヨーク２０のコイル巻回部２０ａに当接し、他方の磁極面２１ａがヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。
【００３８】
各コイル２２，２２はそれぞれ、永久磁石２１とヨーク２０の脚片２０ｂ，２０ｂとによって口軸方向（つまり、コイル巻回部２０ａの長手方向）への移動が規制される。プリント基板２３は、絶縁基板２３ａの一表面における長手方向の両端部に導体パターン２３ｂが形成されており、各導体パターン２３ｂにおいて円形状に形成された部位が外部接続用電極を構成し、矩形状に形成された部位がコイル接続部を構成している（図３参照）。ここにおいて、各コイル接続部にはコイル２２，２２の端末が電気的に接続されるが、コイル２２，２２は、外部接続用電極間に電源を接続してコイル２２，２２へ励磁電流を流したときにヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの先端面が互いに異なる磁極となるように接続されている。なお各導体パターン２３ｂにおける外部接続用電極には、導電性材料（例えばＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，半田など）からなるバンプ２４が適宜固着されるが、バンプ２４を固着する代わりに、ボンディングワイヤをボンディングしてもよい。
【００３９】
基板１０は、パイレックス（登録商標）のような耐熱ガラスにより形成されており、外周形状が矩形状であって、中央部には厚み方向に貫通し電磁石装置２を収納する収納孔１６が貫設され、四隅の各近傍には厚み方向に貫通する計４個のスルーホール１１が貫設されている。また基板１０の厚み方向の両面であって各スルーホール１１それぞれの周縁にはランド１２が形成されている。ここに、基板１０の厚み方向において重なるランド１２同士はスルーホール１１の内周面に被着された導電性材料（例えばＣｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｕ，あるいはこれらの合金など）からなる導体層（図示せず）により電気的に接続されている。また、基板１０の厚み方向の他表面側の各ランド１２にはバンプ１３が適宜固着されており、バンプ１３をランド１２に固着することによって、基板１０の上記他表面側ではスルーホール１１の開口面がバンプ１３により覆われる。スルーホール１１の開口面は円形状であって、基板１０の上記一表面には、それぞれスルーホール１１の開口面およびランド１２を覆う４枚のシリコン薄膜からなる蓋体１９が固着されている。
【００４０】
上述した各一対の固定接点１４は、基板１０の長手方向両端部において基板１０の短手方向に離間して形成された２つのスルーホール１１の間で上記短手方向に並設されており、上記短手方向において隣り合うスルーホール１１周縁のランド１２に導電パターン１８を介して電気的に接続される。ここに固定接点１４および導電パターン１８およびランド１２の材料としては、例えばＣｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，あるいはこれらの合金などの導電性材料を採用すればよく、バンプ１３の材料としては、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，半田などの導電性材料を採用すればよい。また上述の導体層は、例えばめっき法、蒸着法、スパッタ法などによって形成すればよい。なお本実施形態では蓋体１９がスルーホール１１の開口面を閉塞する閉塞手段を構成し、基板１０の上記他表面側におけるランド１２が接続用電極を構成している。
【００４１】
また収納孔１６の開口面は十字状であって、上記一表面側には、収納孔１６を閉塞するシリコン薄膜からなる蓋体１７が固着されており、この蓋体１７と基板１０とで基台１が構成される。また収納孔１６の内周面と蓋体１７とで囲まれる空間が電磁石装置２を収納する収納部を構成しており、ヨーク２０の両脚片２０ｂ，２０ｂの各先端面（磁極面）が蓋体１７と対向する形で電磁石装置２が収納孔１６内に挿入される。電磁石装置２は、永久磁石２１が基板１０の厚み寸法内でアーマチュア３０とヨーク２０とにより形成される磁路中に設けられ、プリント基板２３における絶縁基板２３ａの表面が基板１０の上記他表面と略面一となっている。なお収納孔１６は、基板１０の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて徐々に開口面積が大きくなるテーパ形状となっているので、基板１０の上記他表面側から電磁石装置２を挿入しやすく、且つ、基板１０の上記一表面における収納孔１６の開口面積を比較的小さくすることができる。また蓋体１７，１９は、シリコン基板をエッチングや研磨などで薄膜化することにより形成したシリコン薄膜で構成されており、厚み寸法を２０μｍに設定してある。ここに蓋体１７，１９の厚み寸法は２０μｍに限定するものではなく、例えば５μｍ〜５０μｍ程度の範囲内で適宜設定すればよい。また蓋体１７，１９は、シリコン薄膜に限らず、ガラス基板をエッチングや研磨などで薄膜化することによって形成されたガラス薄膜で構成してもよい。
【００４２】
アーマチュアブロック３は、シリコン基板からなる半導体基板を半導体微細加工プロセス（ＭＥＭＳプロセス）を用いて加工することにより、上述の矩形枠状の枠体３１と、上述の４本の支持ばね部３２と、枠体３１の枠内に配置されアーマチュア３０の一部を構成する矩形板状の可動台３０ａと、後述する４本の接圧ばね部３５と、後述する２つの可動接点基台部３４とを一体に形成してあり、可動台３０ａと、磁性材料（例えば、軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなど）により矩形板状に形成され可動台３０ａにおける基板１０との対向面に固着された磁性体３０ｂとでアーマチュア３０を構成している。したがって、アーマチュア３０が４本の支持ばね部３２を介して枠体３１に揺動自在に支持されている。なお、可動台３０ａは枠体３１よりも薄肉であり、アーマチュア３０の厚み寸法は、アーマチュアブロック３と基板１０とを固着した状態においてアーマチュア３０の磁性体３０ｂと蓋体１７との間に所定のギャップが形成されるように設定されている。
【００４３】
上述の支持ばね部３２は、可動台３０ａの短手方向の両側面側で可動台３０ａの長手方向（図２のｄ方向）に離間して２箇所に形成されている。各支持ばね部３２は、一端部が枠体３１に連続一体に連結され他端部が可動台３０ａに連続一体に連結されている。なお各支持ばね部３２は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてあり、アーマチュア３０が揺動する際に各支持ばね部３２にかかる応力を分散させて、各支持ばね部３２の破損を防止している。
【００４４】
また可動台３０ａは、短手方向の両側縁の中央部から矩形状の突片３６が連続一体に延設され、枠体３１の内周面において突片３６に対応する部位からも矩形状の突片３７が連続一体に延設されている。すなわち、可動台３０ａから延設された突片３６と枠体３１から延設された突片３７とは互いの先端面同士が対向している。ここに、可動台３０ａから延設された各突片３６の先端面には凸部３６ａが形成されており、枠体３１から延設された各突片３７の先端面には、凸部３６ａが入り込む凹部３７ａが形成されている。したがって、凸部３６ａが凹部３７ａの内周面に当接することで枠体３１の厚み方向に直交する面内におけるアーマチュア３０の移動が規制される。なおアーマチュア３０の同一の側縁側に配設される２つの支持ばね部３２は、アーマチュア３０の長手方向において突片３６の両側に位置している。
【００４５】
また各突片３６における基板１０との対向面には支点突起４０をそれぞれ突設してあり、このような一対の支点突起４０を設けることでアーマチュア３０の揺動動作をより安定させることができる。そして、基台１（基板１０および蓋体１７からなる）に当接する各支点突起４０の先端部には、図１（ａ）（ｂ）に示すように支点突起４０の摩耗や割れや欠けを低減するために、金属の薄膜からなる保護膜４１が形成されている。ここで、支点突起４０の先端部に金属薄膜を形成する方法としてはスパッタ法、めっき法、金属膜の熱着などの適宜の方法を用いれば良い。
【００４６】
またアーマチュアブロック３は、アーマチュア３０の長手方向においてアーマチュア３０の両端部と枠体３１との間にそれぞれ可動接点基台部３４が配置され、各可動接点基台部３４は２本の接圧ばね部３５を介して可動台３０ａに支持されている。そして各可動接点基台部３４における基板１０との対向面に導電材料からなる可動接点３９が固着されている。なお可動台３０ａは上述のように矩形板状に形成されており、その四隅からは平面形状が略矩形状のストッパ部３３がそれぞれ延設されており、接圧ばね部３５の平面形状は、ストッパ部３３の外周縁の３辺に沿ったコ字状に形成されている。このストッパ部３３は、基板１０の上記一表面と接触することにより磁性体３０ｂの変位量を制限する。
【００４７】
なおアーマチュアブロック３は、上述の説明から分かるように、枠体３１、可動台３０ａ、支持ばね部３２、可動接点基台部３４、接圧ばね部３５が上述の半導体基板の一部により構成されている。半導体基板としては例えば厚み寸法が２００μｍ程度のシリコン基板を用いればよいが、当該厚み寸法は特に限定するものではなく、例えば５０μｍ〜３００μｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。また可動接点基台部３４の厚み寸法と可動接点３９の厚み寸法との合計寸法についても、接点開成状態において可動接点３９と固定接点１４との間の距離が所定距離となるように設定されている。
【００４８】
またカバー４は、パイレックス（登録商標）のような耐熱ガラスにより矩形板状に形成されており、アーマチュアブロック３との対向面にアーマチュア３０の揺動空間を確保する凹所４ａが形成されている。
【００４９】
ところで、上述のアーマチュアブロック３の枠体３１における基板１０との対向面には全周に亘って接合用金属薄膜３８ｂが形成され、カバー４との対向面の周部には全周に亘って接合用金属薄膜３８ａが形成されている。また、基板１０におけるアーマチュアブロック３との対向面の周部にも全周に亘って接合用金属薄膜１５が形成され、カバー４におけるアーマチュアブロック３との対向面の周部にも全周に亘って接合用金属薄膜（図示せず）が形成されている。而してアーマチュアブロック３と基板１０およびカバー４とを圧接または陽極接合により気密的に接合することができ、基板１０とカバー４と枠体３１とで囲まれる空間の気密性が向上する。
【００５０】
その結果、本実施形態のマイクロリレーは、基板１０と、カバー４と、基板１０およびカバー４の間に介在する枠体３１とで囲まれる気密空間（この空間を接点チャンバと言う）内に、アーマチュア３０、可動接点３９、固定接点１４が収納される。なお上述の接合用金属薄膜１５，３８ａ，３８ｂの材料としては、例えばＡｕ，Ａｌ−Ｓｉなどを採用すればよい。
【００５１】
以上説明したマイクロリレーをプリント基板のような実装基板に実装する際には、例えば基板１０の上記他表面側において露出した２個のバンプ２４および４個のバンプ１３をそれぞれ上記実装基板に形成された導体パターンに接続すればよい。
【００５２】
次に、このマイクロリレーの製造方法について簡単に説明する。このマイクロリレーの製造にあたっては、半導体基板たるシリコン基板をリソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体微細加工プロセス（マイクロマシンニング技術）により加工して枠体３１、支持ばね部３２、接圧ばね部３５、可動接点基台部３４、アーマチュア３０の一部を構成する可動台３０ａを形成した後で可動台３０ａにおいて基板１０側となる一面に磁性体３０ｂを固着し且つ可動接点基台部３４に可動接点３９を固着することでアーマチュアブロック３を形成するアーマチュアブロック形成工程と、アーマチュアブロック形成工程にて形成したアーマチュアブロック３と基板１０およびカバー４を圧接または陽極接合により固着することで、基板１０とカバー４とアーマチュアブロック３の枠体３１とで囲まれる空間を密封する密封工程と、密封工程の後で基板１０の収納部に電磁石装置２を収納して基板１０に固定する電磁石装置配設工程とが順次行われる。
【００５３】
ここにおいて基板１０の形成にあたっては、基板１０の基礎となる矩形板状のガラス基板において収納部に対応する部位に厚み方向に貫通する収納孔１６を形成するとともに、ガラス基板の四隅近傍に厚み方向に貫通するスルーホール１１を形成した後、ランド１２、固定接点１４、導電パターン１８、導体層などを形成してから、上記ガラス基板において固定接点１４を設けた側の表面に収納孔１６およびスルーホール１１の両方を覆う薄膜（例えば、シリコン薄膜、ガラス薄膜など）を固着し、当該薄膜をパターニングすることによって収納孔１６およびスルーホール１１それぞれの開口面を個別に閉塞する蓋体１７，１９を形成すればよい。なお収納孔１６およびスルーホール１１はエッチング法やサンドブラスト法などにより形成すればよい。
【００５４】
またカバー４の形成にあたっては、カバー４の基礎となるガラス基板において凹所４ａを形成した後、接合用金属薄膜を形成すればよい。ここに凹所４ａはエッチング法やサンドブラスト法などにより形成すればよい。
【００５５】
なお本実施形態では、基板１０およびカバー４それぞれがガラス基板を加工することで形成されているが、基板１０とカバー４との一方あるいは両方を、シリコン基板を加工することにより形成してもよい。また基板１０およびカバー４をそれぞれガラス基板に限定し、アーマチュアブロック３の元となる半導体基板をシリコン基板に限定すれば、上記接合用金属薄膜１５，３８ａ，３８ｂを設けなくてもアーマチュアブロック３と基板１０およびカバー４とを陽極接合により気密的に接合することができる。なお上述のアーマチュアブロック３を多数形成したウェハと、上述の基板１０を多数形成したウェハおよび上述のカバー４を多数形成したウェハとを圧接または陽極接合により固着してからダイシング工程などによって個々のマイクロリレーに分割してもよいことは勿論である。
【００５６】
次にマイクロリレーの動作について簡単に説明する。
【００５７】
このマイクロリレーでは、コイル２２，２２への通電が行われると、磁化の向きに応じて磁性体３０ｂの長手方向の一端部がヨーク２０の一方の脚片２０ｂの先端面（磁極面）に吸引されてアーマチュア３０が揺動し、ヨーク２０→磁性体３０ｂ→永久磁石２１→ヨーク２０の閉磁路が形成されて、長手方向一端側の可動接点基台部３４に固着された可動接点３９が対向する一対の固定接点１４，１４に所定の接点圧で接触し、一対の固定接点１４，１４の間が可動接点３９を介して導通する。この時アーマチュア３０の長手方向他端側の可動接点基台部３４に固着された可動接点３９が対向する一対の固定接点１４，１４から開離し、一対の固定接点１４，１４の間が開放される。この状態でコイル２２，２２への通電が停止されると、永久磁石２１の発生する磁束によって上記閉磁路がそのまま維持され、磁性体３０ｂの長手方向一端側がヨーク２０の一方の脚片２０ｂに吸着された状態が保たれる。
【００５８】
またコイル２２，２２への通電方向を逆向きにすると、磁性体３０ｂの長手方向の他端部がヨーク２０の他方の脚片２０ｂの先端面（磁極面）に吸引されてアーマチュア３０が反対側に揺動し、一対の固定接点１４，１４に接触していた可動接点３９が開離すると共に、アーマチュア３０の長手方向他端側の可動接点基台部３４に固着された可動接点３９が対向する一対の固定接点１４，１４に所定の接点圧で接触し、一対の固定接点１４，１４の間が可動接点３９を介して導通する。この状態においてもコイル２２，２２への通電を停止すると、永久磁石２１の発生する磁束によって吸着力が維持されて、そのままの状態が保持され、いわゆる双安定動作が行われる。
【００５９】
このようにコイル２２，２２への通電電流に応じてアーマチュア３０が支点突起４０を揺動支点として揺動し、固定接点１４，１４と可動接点３９とが接触又は開離するのであるが、支点突起４０には、基台１（すなわち蓋体１７）と当接する部位に金属の薄膜からなる保護膜４１を形成しているので、シリコン基板を加工して形成した支点突起４０が、同じくシリコンの薄膜で構成された蓋体１７と直接接触することは無く、金属薄膜（保護膜４１）の弾性によってアーマチュア３０がスムーズに揺動するから、支点突起４０の摩耗や割れや欠けを抑制することができ、アーマチュア３０を長期間に亘って安定に揺動させることができる。
【００６０】
なお本実施形態では支点突起４０の先端部に金属の薄膜からなる保護膜４１を形成しているが、保護膜４１を金属の薄膜に限定する趣旨のものではなく、単結晶シリコンよりも密度の低いシリコン系の絶縁膜を形成しても良い。保護膜４１として単結晶シリコンよりも低密度の絶縁膜を形成することで、この絶縁膜が支点突起４０と基台１（蓋体１７）との間の緩衝材として働き、シリコンでできた支点突起４０の摩耗や割れや欠けを低減できる。なお単結晶シリコンよりも低密度のシリコン系絶縁膜（例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）酸化膜など）を形成する方法としては、例えばプラズマＣＶＤによるＴＥＯＳ酸化膜の形成方法がある。すなわちＴＥＯＳは、プラズマＣＶＤやＬＰ−ＣＶＤなどの方法によりプラズマや熱で分解され、この状態で酸素と反応させることによって、シリコン酸化膜を形成できる。なおプラズマＣＶＤ法を用いる場合には成膜温度や圧力を最適化することによって、膜の空隙率が大きく、低ストレスの薄膜を形成することができる。
【００６１】
また支点突起４０の先端部に、金属の薄膜からなる保護膜４１に代えて、単結晶シリコンよりも弾性係数の小さい有機系材料の絶縁膜からなる保護膜４１を形成しても良く、保護膜４１として単結晶シリコンよりも弾性係数の小さい有機系材料の絶縁膜を形成することで、この絶縁膜の弾性によりアーマチュア３０の揺動がスムーズになり、支点突起４０の摩耗や割れや欠けを低減することができる。なお単結晶シリコンよりも弾性係数の小さい有機系材料（例えばポリイミドなど）の絶縁膜を形成する方法としては例えばスピンコート法が用いられる。ここでポリイミドとは主鎖中にイミド結合を二つ以上持つ合成高分子化合物であり、酸無水物とジアミンとの重縮合体で、熱可塑性のものと熱硬化性のものがあるが、何れも耐熱性に優れ、フレキシブルプリント配線板の絶縁基板、ガラス布基材銅張積層板などに使用されている。このようなポリイミドの絶縁膜を形成するにあたっては、液状あるいはフィルム状の感光性ポリイミド（ポジまたはネガ）を、アーマチュア３０を形成するもとのシリコン基板の表面に成膜し（液状の場合はスピンコート法により成膜し）、シリコン基板の支点突起４０に対応する部位をマスクして露光し、感光した部分を溶剤などで除去することによって保護膜４１を形成することができる。なお感光性ポリイミドが液状の場合にはスピンコート、ベーク温度を最適化することによって、膜厚や表面の硬度を調整することができる。
【００６２】
また更に支点突起４０の先端部に、金属の薄膜からなる保護膜４１に代えて、多孔質シリコンの薄膜からなる保護膜４１を形成しても良く、この多孔質シリコン層（保護膜４１）が支点突起４０と基台１（蓋体１７）との間の緩衝材として働き、シリコンでできた支点突起４０の摩耗や割れや欠けを低減できる。なお多孔質シリコンの薄膜を形成する方法としては例えば陽極化成法がある。すなわち、図７に示すようにアーマチュア３０を形成するもとのシリコン基板５０を陽極とし、ＨＦ溶液５１中で比較的低電流密度で電解研磨を行うと、シリコン基板５０が多孔質状にエッチングされて、ポーラスシリコン（多孔質シリコン）が形成される。ここでＨＦ溶液５１によるシリコン陽極化成では、ｐ型領域のみが多孔質化され、ｎ型領域は多孔質化されないので、ｎ型シリコン基板を用いｎ型シリコン基板における支点突起４０に対応する部位にイオン注入や埋込拡散などでｐ型領域を形成して、ＨＦ溶液５１による陽極化成を行えば、支点突起４０の先端部のみに多孔質シリコンの薄膜（保護膜４１）を形成することができる。
【００６３】
ところで本実施形態において、図１（ｃ）に示すように支点突起４０の先端部に形成した保護膜４１’の表面形状を、基台１（蓋体１７）側に凸となるような曲面形状に形成しても良く、保護膜４１’の表面形状を曲面形状とすることでアーマチュア３０の揺動動作がスムーズになるから、支点突起４０の摩耗や割れや欠けをさらに低減することができる。
【００６４】
（実施形態２）
本発明の実施形態２を図８に基づいて説明する。実施形態１では、支点突起４０の先端部に、この支点突起４０を保護するための保護膜４１を形成しているのに対して、本実施形態では支点突起４０の先端部が当接する基台１（蓋体１７）の部位に、支点突起４０を保護するための保護膜４２を形成している（図８（ｂ）（ｃ）参照）。尚、保護膜４２以外の構成は実施形態１と同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
【００６５】
上述のようにアーマチュア３０の支点突起４０が当接する基台１（蓋体１７）の部位に金属の薄膜からなる保護膜４２を形成しているので、シリコン基板を加工して形成した支点突起４０が、シリコン薄膜からなる蓋体１７と直接接触することは無く、金属薄膜の弾性によって支点突起４０がスムーズに揺動するから、支点突起４０の摩耗や割れや欠けを低減することができ、アーマチュア３０を長期間に亘って安定に揺動させることができる。なお金属膜の形成方法としてはスパッタ法、めっき法、金属膜の熱着などの適宜の方法を用いれば良い。
【００６６】
ところで本実施形態では支点突起４０の先端部が当接する基台１（蓋体１７）の部位に金属の薄膜からなる保護膜４２を形成しているが、保護膜４２を金属の薄膜に限定する趣旨のものではなく、単結晶シリコンよりも密度の低いシリコン系の絶縁膜を形成しても良い。保護膜４２として単結晶シリコンよりも低密度の絶縁膜を形成することで、この絶縁膜が支点突起４０と基台１（蓋体１７）との間の緩衝材として働き、シリコンでできた支点突起４０の摩耗や割れや欠けを低減できる。なお単結晶シリコンよりも低密度のシリコン系絶縁膜（例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）酸化膜など）を形成する方法としては、例えば実施形態１で説明したプラズマＣＶＤによるＴＥＯＳ酸化膜の形成方法がある。
【００６７】
また支点突起４０の先端部が当接する基台１（蓋体１７）の部位に、金属の薄膜からなる保護膜４２の代わりに、単結晶シリコンよりも弾性係数の小さい有機系材料の絶縁膜からなる保護膜４２を形成しても良く、保護膜４２として単結晶シリコンよりも弾性係数の小さい有機系材料の絶縁膜を形成することで、この絶縁膜の弾性によりアーマチュア３０の揺動がスムーズになり、支点突起４０の摩耗や割れや欠けを低減することができる。なお単結晶シリコンよりも弾性係数の小さい有機系材料（例えばポリイミドなど）の絶縁膜を形成する方法としては例えば実施形態１で説明したスピンコート法がある。
【００６８】
また更に支点突起４０の先端部が当接する基台１（蓋体１７）の部位に、金属の薄膜からなる保護膜４２の代わりに多孔質シリコンの薄膜からなる保護膜４２を形成しても良く、この多孔質シリコン層（保護膜４２）が支点突起４０と基台１（蓋体１７）との間の緩衝材として働き、シリコンでできた支点突起４０の摩耗や割れや欠けを低減できる。なお多孔質シリコンの薄膜を形成する方法としては例えば実施形態１で説明した陽極化成法がある。
【００６９】
また本実施形態において、図８（ｃ）に示すように保護膜４２’の表面形状を、支点突起４０側に凸となるような曲面形状に形成しても良く、保護膜４２’の表面形状を曲面形状にすることでアーマチュア３０の揺動動作がスムーズになるから、支点突起４０の摩耗や割れや欠けをさらに低減することができる。
【００７０】
また上述の実施形態１において、支点突起４０の先端部が当接する基台１の部位に本実施形態で説明した保護膜４２を形成しても良く、支点突起４０の先端部の保護膜４１と、支点突起４０の先端部が当接する基台１の部位に設けた保護膜４２とで、アーマチュア３０の揺動動作をスムーズにして、支点突起４０の摩耗や割れや欠けをさらに低減できる。
【００７１】
（実施形態３）
本発明の実施形態３を図９および図１０に基づいて説明する。本実施形態では、上述の実施形態１において、支点突起４０の先端部に保護膜４１を形成する代わりに、支点突起４０の表面形状を、基台１（蓋体１７）側に凸となるような曲面形状に形成している（図９（ａ）（ｂ）参照）。なお保護膜４１が無く、支点突起４０の表面形状が異なる以外は実施形態１と同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００７２】
ここで、支点突起４０の表面形状は例えばＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）工程を用いて曲面形状に形成することができる。ＬＯＣＯＳ工程とは、図１０（ａ）に示すように単結晶シリコン基板５２の一表面にＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を形成するとともに、支点突起４０を形成する部位にマスクを形成し、ドライエッチングによりシリコン窒化膜をエッチングした後、マスクレジストを除去して支点突起４０に対応する部位にシリコン窒化膜５３を形成する。次に同図（ｂ）に示すように、シリコン窒化膜５３をマスクとして熱酸化を行って、シリコン酸化膜５４を形成する。この時、単結晶シリコン基板５２の表面に形成されたシリコン酸化膜５４はシリコン窒化膜５３の周縁部に食い込むので、シリコン窒化膜５３およびシリコン酸化膜５４を除去すると、同図（ｃ）のように単結晶シリコン基板５２の表面を図中上側に凸となるような曲面形状に形成することができ、このような工程を用いて曲面形状の支点突起４０を形成することができる。
【００７３】
上述のように本実施形態では支点突起４０の表面形状を基台１側に凸となるような曲面形状に形成しているので、支点突起４０と基台１（蓋体１７）との摩擦が小さくなって支点突起４０が動きやすくなり、アーマチュア３０の揺動動作がスムーズになるから、支点突起４０の摩耗や割れや欠けを低減することができる。
【００７４】
なお上述した実施形態１又は２において、本実施形態と同様に支点突起４０の表面形状を基台１側に凸となるような曲面形状に形成しても良く、支点突起４０と基台１（蓋体１７）との摩擦を小さくすることで、アーマチュア３０の揺動動作がさらにスムーズになり、支点突起４０の摩耗や割れや欠けを低減することができる。
【００７５】
（実施形態４）
本発明の実施形態４を図１１に基づいて説明する。本実施形態では、上述の実施形態１において、支点突起４０の先端部に保護膜４１を形成する代わりに、支点突起４０の先端部と当接する基台１（つまり蓋体１７）の部位に、支点突起４０側に凸となるような曲面形状の凸部４４を形成している（図１１（ａ）（ｂ）参照）。なお保護膜４１が無く、蓋体１７に凸部４４を形成した以外は実施形態１と同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００７６】
このように本実施形態では、支点突起４０の先端部と当接する基台１の部位に凸部４４を形成することで、支点突起４０側に凸となるような曲面形状に形成しているので、支点突起４０と基台１（蓋体１７）との摩擦が小さくなって支点突起４０が動きやすくなり、アーマチュア３０の揺動動作がスムーズになるから、支点突起４０の摩耗や割れや欠けを低減することができる。なお蓋体１７の表面の凸部４４は、実施形態３で説明したＬＯＣＯＳ工程を用いて形成することができる。
【００７７】
また本実施形態では蓋体１７に凸部４４を形成することで、支点突起４０の先端部と当接する基台１の部位を、支点突起４０側に凸となるような曲面形状に形成しているが、図１１（ｃ）に示すように支点突起４０の先端部と当接する基台１の部位に凹部４５を形成することで、支点突起４０と反対側に凸となるような曲面形状に形成しても良く、上述と同様に、支点突起４０と基台１（蓋体１７）との摩擦が小さくなって支点突起４０が動きやすくなり、アーマチュア３０の揺動動作がスムーズになるから、支点突起４０の摩耗や割れや欠けを低減することができる。ここで、蓋体１７の凹部４５も上述のＬＯＣＯＳ工程を用いて形成することができ、その説明は省略する。
【００７８】
（実施形態５）
本発明の実施形態５を図１２に基づいて説明する。本実施形態では、上述の実施形態３において、一対の支点突起４０がそれぞれ対向する蓋体１７の部位に切欠１７ａを形成してある（図１２（ａ）参照）。なお蓋体１７に切欠１７ａを形成した以外は実施形態３と同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付して、図示及び説明は省略する。
【００７９】
本実施形態では略矩形状の蓋体１７の長手方向に沿う側縁の長手方向略中央部を矩形に切り欠いて切欠１７ａを形成してあり、支点突起４０は切欠１７ａを通して基板１０の表面に当接する。ここに、蓋体１７における切欠１７ａの周縁部から、アーマチュア３０側に突出して支点突起４０を位置決めする突出部が構成され、この突出部（切欠１７ａの周縁部）に支点突起４０が当接することによって、支点突起４０が図１２（ｂ）中の左右方向および紙面と垂直な方向において位置決めされるから、支点突起４０の位置ずれを起こりにくくして、アーマチュア３０の揺動動作を安定させることができる。
【００８０】
なお上述した他の実施形態において、本実施形態と同様に支点突起４０がそれぞれ対向する蓋体１７の部位に切欠１７ａを形成することで、切欠１７ａの周縁部により支点突起４０を位置決めするようにしても良く、本実施形態と同様、支点突起４０の位置ずれを起きにくくして、アーマチュア３０の揺動動作をさらに安定させることができる。なお上述の実施形態２では蓋体１７に保護膜４２を形成しているが、支点突起４０と対向する蓋体１７の部位に切欠１７ａを形成した場合は、切欠１７ａに臨む基板１０の部位に蓋体１７よりも膜厚の薄い保護膜４２を形成すれば良い。また実施形態４では支点突起４０の先端部と当接する蓋体１７の部位を、支点突起４０側に凸となるような曲面形状に形成しているが、支点突起４０と対向する蓋体１７の部位に切欠１７ａを形成した場合は、切欠１７ａに臨む基板１０の部位を支点突起４０側に凸となるような曲面形状に形成すれば良い。
【００８１】
なお、本発明の精神と範囲に反することなしに、広範に異なる実施形態を構成することができることは明白なので、この発明は、特定の実施形態に制約されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】実施形態１のマイクロリレーを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）（ｃ）は要部拡大断面図である。
【図２】同上の分解斜視図である。
【図３】同上の外観斜視図である。
【図４】同上の要部分解斜視図である。
【図５】同上に用いるアーマチュアブロックを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は背面図である。
【図６】同上に用いるアーマチュアブロックの分解斜視図である。
【図７】陽極化成法を用いた薄膜の形成方法を説明する図である。
【図８】実施形態２のマイクロリレーを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）（ｃ）は要部拡大断面図である。
【図９】実施形態３のマイクロリレーの断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）はＬＯＣＯＳ工程を用いた表面加工の説明図である。
【図１１】実施形態４のマイクロリレーを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）（ｃ）は要部拡大断面図である。
【図１２】（ａ）は実施形態５のマイクロリレーに用いる蓋体の平面図、（ｂ）は同上のマイクロリレーの要部拡大断面図である。
【図１３】従来のマイクロリレーの断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１  基台
２  電磁石装置
３  アーマチュアブロック
１０  基板
１４  固定接点
１６  収納孔
１７  蓋体
３０  アーマチュア
３０ａ  可動台
３０ｂ  磁性体
３１  枠体
３９  可動接点
４０  支点突起
４１  保護膜
【図１】
2006210061.tif 000003
【図２】
2006210061.tif 000004
【図３】
2006210061.tif 000005
【図４】
2006210061.tif 000006
【図５】
2006210061.tif 000007
【図６】
2006210061.tif 000008
【図７】
2006210061.tif 000009
【図８】
2006210061.tif 000010
【図９】
2006210061.tif 000011
【図１０】
2006210061.tif 000012
【図１１】
2006210061.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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