(57)【要約】【課題】基板との接触面積を増加させることなく、しかも吸着保持時の基板変形を抑制することができる吸着チャックを提供する。【解決手段】吸着チャック１０の載置面３１上には基板の下面に当接する支持部３２が凸設されている。載置面３１上の支持部３２以外の領域は、支持部３２によって大気開放領域３３と減圧領域３４とに仕切られている。大気開放領域３３は支持部３２によって囲まれた４つの扇形領域であり、それぞれの大気開放領域３３にはチャック周辺雰囲気と連通する連通穴３５が穿設されている。減圧領域３４は、載置面３１の周縁部に沿って環状に周設した環状領域３４ａおよび載置面３１の中心部から環状領域３４ａに向けて連続して伸びる連通領域３４ｂを有しており、その中心部には真空吸引を行う吸引口３６が設けられている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置した基板の下面を真空吸引することによって該基板を吸着保持する吸着チャックであって、
基板を載置するための載置面と、
前記載置面に凸状に設けられ、前記載置面上に載置した基板の下面に当接して該基板を支持する支持部と、
を備え、
前記載置面は、前記支持部によって減圧領域と大気開放領域とに仕切られ、
前記減圧領域および前記大気開放領域は、前記支持部によって囲まれた閉じた領域であり、
前記減圧領域には、外部の真空吸引手段と連通する吸引口が穿設され、
前記大気開放領域には、チャック周辺の雰囲気と連通する連通穴が穿設され、
前記減圧領域は、前記載置面の周縁部に沿って環状に周設された環状領域および前記載置面の中心部から前記環状領域に向けて連続して設けられた連通領域を有することを特徴とする吸着チャック。
【請求項２】
請求項１記載の吸着チャックにおいて、
前記連通領域は前記載置面の中心部から前記環状領域に向けて直線状に配設されることを特徴とする吸着チャック。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の吸着チャックにおいて、
前記連通領域は前記載置面の中心部から前記環状領域に向けて放射状に配設されることを特徴とする吸着チャック。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の吸着チャックにおいて、
前記吸引口は、前記載置面の中心部に穿設されることを特徴とする吸着チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を載置し、その下面を真空吸引することによって該基板を吸着保持する吸着チャックに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板を回転させつつレジスト塗布処理を行う回転式塗布処理装置（スピンコータ）においては、高速回転される基板の上面にフォトレジスト液を吐出し、基板の回転に伴う遠心力によってフォトレジスト液を基板上面に均一に拡げて塗布している。このときに、基板の下面側中央部近傍が吸着チャックによって真空吸着されることにより、モータの回転駆動力が基板に伝達されるとともに、高速回転によっても基板が飛ばないようにされている。
【０００３】
このような真空吸着によって基板を保持するタイプの吸着チャックとしては、従来より特許文献１，２に開示されているようなものが利用されていた。すなわち、吸着チャックの載置面に同心円状に複数のリング状支持部を設けるとともに、隣接するリング状支持部の間の溝を真空吸引口と連通させ、リング状支持部に基板下面を接触させた状態にてリング状支持部間の溝を減圧状態とすることによって基板を吸着保持するタイプの吸着チャックが一般的に広く利用されていた。また、基板裏面を真空吸着するタイプの吸着チャックは、回転式塗布処理装置だけでなく現像装置、洗浄装置の他に研削装置等にも利用されている（特許文献３参照）。
【０００４】
ところが、このような吸着チャックを使用すると、基板裏面に汚染（吸着痕）が生じやすいという問題があった。これは、吸着チャックの載置面のうちのかなりの面積を支持部が占めており、吸着保持の際にはそれらが一斉に基板下面に当接して押圧されるため、その接触部分においてスクラッチやパーティクル転写が生じ易いことに起因している。
【０００５】
一方、近年、基板のサイズが大型化しており、半導体ウェハーではφ２００ｍｍからφ３００ｍｍに移行しつつある。基板のサイズが大きくなると、確実な基板保持および駆動力伝達のために吸着チャックの載置面も大きくせざるを得ない。そうすると、支持部の面積（つまり接触面積）もさらに大きくなり、基板裏面への汚染が益々増加するという問題が生じる。
【０００６】
このため、載置面に散点状に支持部を配設することにより接触面積を低減した吸着チャックも提案されている（例えば特許文献４参照）。これによれば、基板の大型化に伴って吸着チャックの載置面を大きくしたとしても、接触面積の増大を抑制することができるため、基板下面への汚染増大も防止することが可能となる。
【０００７】
【特許文献１】特開昭６４−７５０７２号公報
【特許文献２】特開平１０−１１２４９５号公報
【特許文献３】特開２００４−１１４１８４号公報
【特許文献４】特開平７−２１１６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、接触面積を低減させることは、真空吸着時に減圧状態となる減圧領域が増大することを意味する。図６は、このような低接触面積タイプの吸着チャックにて基板を吸着保持したときの状態を模式的に示す図である。吸着チャック１０１の上面（載置面）には散点状に基板支持部１０２が配置されており、載置面のうち基板支持部１０２以外の領域が減圧領域となる。減圧領域においては、吸着保持時に外気圧との差圧が基板Ｗに作用する。基板支持部１０２の接触面積が低下して減圧領域が増大すると、図６に示すように、外気圧との差圧によって基板支持部１０２の間において基板Ｗが大きく撓むこととなる。
【０００９】
図６に示す如く大きく撓んだ基板Ｗを回転させつつレジスト塗布処理を行うと、基板Ｗの上面に均一にフォトレジスト液を塗布することができない、いわゆる塗布ムラを生じるという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板との接触面積を増加させることなく、しかも吸着保持時の基板変形を抑制することができる吸着チャックを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、載置した基板の下面を真空吸引することによって該基板を吸着保持する吸着チャックにおいて、基板を載置するための載置面と、前記載置面に凸状に設けられ、前記載置面上に載置した基板の下面に当接して該基板を支持する支持部と、を備え、前記載置面を前記支持部によって減圧領域と大気開放領域とに仕切り、前記減圧領域および前記大気開放領域を前記支持部によって囲まれた閉じた領域とし、前記減圧領域に外部の真空吸引手段と連通する吸引口を穿設し、前記大気開放領域にチャック周辺の雰囲気と連通する連通穴を穿設し、前記減圧領域に、前記載置面の周縁部に沿って環状に周設された環状領域および前記載置面の中心部から前記環状領域に向けて連続して設けられた連通領域を有する。
【００１２】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る吸着チャックにおいて、前記連通領域を前記載置面の中心部から前記環状領域に向けて直線状に配設する。
【００１３】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る吸着チャックにおいて、前記連通領域を前記載置面の中心部から前記環状領域に向けて放射状に配設する。
【００１４】
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明に係る吸着チャックにおいて、前記吸引口を前記載置面の中心部に穿設する。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１の発明によれば、基板の吸着保持に直接には寄与しない大気開放領域を吸着チャックの載置面上に形成し、基板との接触面積を増加させることなく、減圧領域の面積増加をも抑制して吸着保持時の基板変形を抑制することができる。
【００１６】
また、請求項２の発明によれば、連通領域を載置面の中心部から環状領域に向けて直線状に配設しているため、減圧領域全体を迅速に減圧状態にすることができる。
【００１７】
また、請求項３の発明によれば、連通領域を載置面の中心部から環状領域に向けて放射状に配設しているため、減圧領域全体を迅速に減圧状態にすることができる。
【００１８】
また、請求項４の発明によれば、吸引口を載置面の中心部に穿設しているため、反った基板であっても中心部から周縁部に向けて連通領域に沿って順次吸着チャックに平坦な状態に矯正されて吸着保持されることとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本発明に係る吸着チャックが組み込まれた基板処理装置の一例を示す要部断面図である。この基板処理装置１は、略円形の半導体ウェハである基板Ｗを回転させつつレジスト塗布処理を行う回転式塗布処理装置である。
【００２１】
基板処理装置１は、載置した基板Ｗの下面を真空吸引することによって該基板Ｗを水平姿勢にて真空吸着保持する吸着チャック１０を備える。吸着チャック１０は、図示を省略する電動モータの駆動によって鉛直方向に沿った軸心まわりで回転する回転軸２の上端に一体回転可能に取り付けられている。また、吸着チャック１０は、中空の回転軸２を介して例えば真空ポンプ等の真空吸引手段と連通されている。
【００２２】
また、基板処理装置１は、カップ５およびレジスト吐出ノズル９を備える。カップ５は、吸着チャック１０によって吸着保持された基板Ｗの周囲を囲むように囲繞する。カップ５は、回転する基板Ｗから飛散した処理液（ここではフォトレジスト液）を回収して下部の排液口５ａへと導く。また、レジスト吐出ノズル９は、図外のレジスト送給部と連通接続されており、該レジスト送給部から送給されたレジストを回転する基板Ｗの上面中心部近傍に吐出する。
【００２３】
この基板処理装置１にてレジスト塗布処理を行う際には、まず吸着チャック１０の載置面上に基板Ｗを載置して真空吸着保持する。その後、回転軸２および吸着チャック１０を介して基板Ｗを鉛直軸まわりで回転させつつ、その回転する基板Ｗの上面中心部にレジスト吐出ノズル９からフォトレジスト液を吐出する。滴下されたフォトレジスト液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの上面に均一に拡がりレジスト膜を形成する。なお、基板Ｗから飛散したフォトレジスト液はカップ５によって受け止められて排液口５ａから排出される。
【００２４】
次に、吸着チャック１０についてさらに詳細に説明する。図２は、吸着チャック１０の外観斜視図である。また、図３は吸着チャック１０を上面から見た平面図であり、図４は吸着チャック１０を図３のＶ−Ｖ線に沿って見た側断面図である。
【００２５】
吸着チャック１０は、基板載置部３０および接続軸２０によって構成されている。基板載置部３０および接続軸２０は、例えば高分子化合物であるピーク材（ポリエーテルエーテルケトン：ＰＥＥＫ）によって一体成形される。なお、吸着チャック１０の材質はピーク材に限定されるものではない。また、吸着チャック１０の絶縁性を下げて静電気の帯電を防止するために、カーボン等の導電性微粉をピーク材に混合するようにしてもよい。
【００２６】
基板載置部３０は、基板Ｗの径よりも小さな径を有する円盤状部材である。基板載置部３０の下面中央部に円筒状の接続軸２０が垂設されている。接続軸２０の外径は基板載置部３０の径よりも小さい。接続軸２０の下端には回転軸２の外径と略同じ内径を有する嵌入穴２１が形成されており、ここに回転軸２の上端部が挿入される。嵌入穴２１の内側には、ここに挿入された回転軸２と吸着チャック１０とが一体回転するようにするために、回転軸２の上部外周に形成されている突起が係合する図示省略の切欠部が刻設されている。なお、嵌入穴２１の内側に切欠部を設けるのに代えて、別体の接続ピンによって接続軸２０を回転軸２の上端に取り付けることにより、回転軸２と吸着チャック１０とが一体回転するようにしても良い。
【００２７】
基板載置部３０の上面は基板Ｗを載置するための載置面３１とされている。載置面３１上には支持部３２が凸状に設けられている。本実施形態において支持部３２は、載置面３１の周端部に沿って円環状に凸設されるとともに、その円環状支持部３２の内側にも４つの中心角９０°の扇形を形成するように凸設されている。すなわち、載置面３１の周端部に沿って凸設された円環状の支持部３２の内側に４つの中心角９０°の扇形が形成され、それら扇形の形状を規定する周部（扇形の弧と半径）も載置面３１上に凸設された支持部３２によって構成されているのである。これら４つの扇形は、吸着チャック１０の回転軸Ｘのまわりに９０°おきに形成される。また、円環状の支持部３２と扇形状の支持部３２の高さは等しい。従って、載置面３１上に基板Ｗを載置したときには、円環状の支持部３２および扇形状の支持部３２の全てが基板Ｗの下面に当接して該基板Ｗを支持することとなる。
【００２８】
載置面３１のうち支持部３２以外の領域は、支持部３２によって２つの領域に仕切られることとなる。まず、扇形状の支持部３２によって囲まれた領域は大気開放領域３３とされる。大気開放領域３３は、中心角９０°の扇形領域であって載置面３１上に４つ設けられることとなる。次に、大気開放領域３３を除く領域は減圧領域３４とされる。図２，３に示すように、大気開放領域３３および減圧領域３４は支持部３２によって囲まれた閉じた領域である。また、載置面３１上に基板Ｗを載置したときに、大気開放領域３３および減圧領域３４はともに基板Ｗの下面と接触しない。
【００２９】
さらに、減圧領域３４は、環状領域３４ａおよび連通領域３４ｂを有する。環状領域３４ａは、円環状の支持部３２と扇形状の支持部３２の弧との間に形成された円環溝状領域である。つまり、環状領域３４ａは、円環状の支持部３２に内接しており、載置面３１の周縁部に沿って環状に周設される。一方、連通領域３４ｂは、扇形状の支持部３２相互間に位置する直線溝状領域である。連通領域３４ｂは、載置面３１の中心部から環状領域３４ａに向けて直線状に連続して形成されおり、本実施形態では十字形状に配設される。
【００３０】
４つの大気開放領域３３のそれぞれには連通穴３５が一つずつ設けられている。連通穴３５は、基板載置部３０の上面（載置面３１）から下面に貫通して穿設されている。よって、大気開放領域３３においては、基板載置部３０の上面側雰囲気と下面側雰囲気とが連通穴３５を介して連通されることとなる。
【００３１】
また、減圧領域３４には吸引口３６が穿設されている。吸引口３６は、載置面３１の回転中心部、すなわち減圧領域３４の十字形状の中心部に一ヶ所穿設されている。吸引口３６の上端部は載置面３１側に開口しており、下端部は接続軸２０の嵌入穴２１と連通されている。嵌入穴２１に挿入される回転軸２は中空円筒形状であり、その中空部分は例えば真空ポンプ等の真空吸引手段と連通されている。従って、吸引口３６はチャック外部の真空吸引手段と連通されることとなり、該真空吸引手段を作動させると、回転軸２の中空部分および嵌入穴２１を介して吸引口３６に負圧を作用させることができる。
【００３２】
上記のような構成を有する吸着チャック１０の載置面３１に基板Ｗを載置すると、支持部３２が基板Ｗの下面と接触する。このときに、大気開放領域３３および減圧領域３４はともに基板Ｗの下面と接触しない。この状態にて上記真空吸引手段を作動させると、吸引口３６から減圧領域３４の雰囲気が吸引される。本実施形態では連通領域３４ｂの十字形状の中心に吸引口３６が形設されており、まず連通領域３４ｂの中心から順に雰囲気吸引がなされた後に環状領域３４ａの雰囲気が吸引されることとなる。その結果、減圧領域３４と基板Ｗの下面とで形成される空間が減圧状態となり、吸着チャック１０周辺雰囲気（大気圧）との差圧によって基板Ｗが支持部３２に押圧される。このようにして基板Ｗが吸着チャック１０に吸着保持されることとなる。
【００３３】
このときに、大気開放領域３３においては、載置面３１側の雰囲気と下面側雰囲気とが連通穴３５を介して連通されている。従って、大気開放領域３３と基板Ｗの下面とで形成される空間の気圧と吸着チャック１０周辺雰囲気の気圧とは等しくなり、大気開放領域３３においては差圧が生じないこととなる。これらの結果として、吸着チャック１０に吸着保持される基板Ｗの側から見ると、載置面３１の減圧領域３４に対向するエリアでは周辺雰囲気からの圧力を受けて支持部３２に押圧される一方、大気開放領域３３に対向するエリアでは何らの圧力も作用せずストレスフリーの状態となっている。すなわち、大気開放領域３３は、基板Ｗに接触する領域でもなく、基板Ｗに吸着圧力を作用させる領域でもなく、基板Ｗの吸着保持に直接には寄与しない領域となっている。
【００３４】
従来の、吸着チャックにおいては、載置面が減圧領域および支持部のみによって構成されていたため、支持部の面積を小さくすると減圧領域の面積が大きくなり、逆に減圧領域の面積を小さくすると支持部の面積が大きくなっていた。既述したように、減圧領域の面積が大きくなると基板Ｗが大きく変形して塗布ムラ等が生じることとなり、支持部の面積が大きくなると接触面積の増大に起因した汚染等の問題が生じる。
【００３５】
そこで本実施形態においては、基板Ｗの吸着保持に直接には寄与しない大気開放領域３３を敢えて吸着チャック１０の載置面３１上に形成し、基板Ｗとの接触面積を増加させることなく、減圧領域３４の面積増加をも抑制しているのである。大気開放領域３３を形成することによって吸着チャック１０と基板Ｗとの接触面積増加を抑制できるため、基板Ｗの下面が支持部３２から受けるダメージ（スクラッチ）および汚染転写を最小限にとどめることが可能となる。
【００３６】
また、大気開放領域３３を形成することによって減圧領域３４の面積増加も抑制できるため、吸着時に基板Ｗが変形応力を受けるエリアも低減することができ、その結果吸着保持時の基板Ｗの変形を抑制することができ、レジスト塗布処理時における塗布ムラの問題を改善することが可能となる。さらに、基板Ｗが変形応力を受けるエリアを低減することは、吸着保持時に基板Ｗの上面に形成されたデバイスにダメージを与えて破壊するリスクを低減することにも繋がる。
【００３７】
ところで、本実施形態においては、減圧領域３４を載置面３１の周縁部に沿って環状に周設された環状領域３４ａと載置面３１の中心部から環状領域３４ａに向けて連続して直線状に伸びる連通領域３４ｂとで構成している。このようにしているのは以下のような理由による。まず、吸着保持時に、実際に吸着力が生じるのは減圧領域３４を取り囲む支持部３２と基板Ｗとの接触部分である。そして、回転軸２のトルクを確実に基板Ｗに伝達するためには、吸着力を生じる部分を可能な限り径の大きな円環状にする必要がある。つまり、本実施形態の如く載置面３１の周縁部に沿って円環状に環状領域３４ａを設けることにより、回転軸２のトルクを確実に基板Ｗに伝達することができ、回転始動時や停止時に基板Ｗが吸着チャック１０から外れたり滑ったりすることを防止できるのである。
【００３８】
また、実際の基板Ｗ、特に既に何層かの膜形成がなされた基板Ｗは、それ自体の性質として上側または下側に反ろうとしていることが多い。このような基板Ｗであってもレジスト塗布処理時には塗布ムラ等の欠陥を防止するために、水平方向に沿って平坦な状態で保持しなければならない。本実施形態の吸着チャック１０によれば、載置面３１の中心に設けられた吸引口３６から吸引が行われるため、非定常状態では吸引口３６近傍が最も吸引力が強く、反った基板Ｗであっても最初にその中心近傍が載置面３１の中心に吸着されることとなる。そして、吸着力を生じさせる連通領域３４ｂが載置面３１の中心部から環状領域３４ａに向けて連続して伸びているため、基板Ｗは中心部から周縁部に向けて順次吸着されていくこととなる。従って、上下に撓んだ部分を生じさせることなく、基板Ｗを確実に平坦な状態に矯正して載置面３１に吸着することができる。
【００３９】
また、連通領域３４ｂは載置面３１の中心部から環状領域３４ａに向けて直線状に十字に伸びているため、環状領域３４ａの雰囲気をも円滑に吸引口３６から排気することが可能となる。その結果、基板処理装置１の真空吸引手段が作動を開始してから短時間のうちに環状領域３４ａをも連通領域３４ｂと同程度の定常減圧状態とすることができる。基板処理装置１においては、吸着チャック１０が基板Ｗを確実に吸着したか否かをチェックするために吸着圧をモニタしているのであるが、そのセンサは回転軸２よりも真空吸引手段に近い側に設置されている。従って、真空吸引手段が作動を開始してから環状領域３４ａが減圧状態となるまでの時間が長いと、実際には吸着チャック１０が基板Ｗを未だ吸着していないにも関わらず、基板処理装置１は吸着したものと判断して回転動作を開始するというようなトラブルが生じるおそれがある。本実施形態のようにすれば、連通領域３４ｂは載置面３１の中心部から環状領域３４ａに向けて直線状に十字に伸びており、環状領域３４ａをも迅速に定常的減圧状態とすることができるため、そのような問題は解消される。
【００４０】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、載置面３１を回転軸Ｘのまわりに４分割して中心角９０°の扇形の大気開放領域３３を４つ設けるようにしていたが、図５に示すように８分割して中心角４５°の扇形の大気開放領域３３を８つ設けるようにしても良い。図５に示す例においては、大気開放領域３３が８つ設けられていることに対応して連通領域３４ｂが載置面３１の中心部から環状領域３４ａに向けて米字形状に配設される。また、吸引口３６が載置面３１の中心部ではなく、連通領域３４ｂの通路途中に設けられている。吸引口３６は嵌入穴２１と連通接続されている。そして、８つの大気開放領域３３のそれぞれにはチャック周辺雰囲気と連通する連通穴３５が設けられている。このような構成であっても、上記実施形態と同様効果を得ることができる。
【００４１】
また、載置面３１を回転軸Ｘのまわりに６分割して中心角６０°の扇形の大気開放領域３３を６つ設けるようにしても良い。要するに、基板Ｗの吸着保持に直接には寄与しない大気開放領域３３を載置面３１上に形成するとともに、吸着保持に直接関与する減圧領域３４として載置面３１の周縁部に沿って環状に周設した環状領域３４ａおよび載置面３１の中心部から環状領域３４ａに向けて連続して伸びる連通領域３４ｂを設けるようにすれば、上記実施形態と同様効果を得ることができる。そして、大気開放領域３３の形成態様に応じて連通領域３４ｂを載置面３１の中心部から環状領域３４ａに向けて放射状に配設することとなる。
【００４２】
なお、接触面積増加の抑制および吸着保持時の基板Ｗの変形防止の双方の効果を両立するためには、大気開放領域３３を載置面３１の全体面積の半分以上形成することが好ましい。但し、吸着に寄与しない大気開放領域３３の面積比率をあまりに大きくしすぎると必要な吸着保持力が得られなくなるため、大気開放領域３３の面積は載置面３１の全体面積の９０％以下である事が好ましい。また、必要な吸着保持力を確保しつつも基板Ｗの変形を抑制するためには、減圧領域３４の溝幅を０．５ｍｍ〜５．０ｍｍとすることが好ましい。
【００４３】
また、上記実施形態において吸引口３６を図５の如く連通領域３４ｂの通路途中に設けるようにしても良いし、図５の例において吸引口３６を載置面３１の中心に設けるようにしても良い。
【００４４】
また、上記実施形態においては基板処理装置１をレジスト塗布処理を行うものとしていたが、本発明に係る吸着チャックは基板を真空吸着保持して回転させる装置、例えば洗浄処理装置や現像処理装置に適用するにしても良い。
【００４５】
さらに、本発明に係る吸着チャックによって保持対象となる基板Ｗは半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係る吸着チャックが組み込まれた基板処理装置の一例を示す要部断面図である。
【図２】吸着チャックの外観斜視図である。
【図３】吸着チャックを上面から見た平面図である。
【図４】吸着チャックを図３のＶ−Ｖ線に沿って見た側断面図である。
【図５】吸着チャックの他の例を示す平面図である。
【図６】低接触面積タイプの吸着チャックにて基板を吸着保持したときの状態を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  基板処理装置
２  回転軸
５  カップ
９  レジスト吐出ノズル
１０  吸着チャック
２０  接続軸
３０  基板載置部
３１  載置面
３２  支持面
３３  大気開放領域
３４  減圧領域
３４ａ  環状領域
３４ｂ  連通領域
３５  連通穴
３６  吸引口
Ｗ  基板
【図１】
2006310697.tif 000003
【図２】
2006310697.tif 000004
【図３】
2006310697.tif 000005
【図４】
2006310697.tif 000006
【図５】
2006310697.tif 000007
【図６】
2006310697.tif 000008